(57)【要約】【課題】平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、装置のダウンタイムを低減すること。【解決手段】平滑コンデンサ１０８の端子間のリプル電圧を検出し、検出した平滑コンデンサ１０８の端子間のリプル電圧に応じた値が所定値を超えた場合に、ＦＥＴ１１０をオン状態に維持する過電圧保護回路１３０と、過電圧保護回路１３０によりＦＥＴ１１０がオン状態に維持されたことに応じて、整流素子１０７に入力される交流電圧を遮断するヒューズ１０２と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された交流電圧を整流する整流手段と、
前記整流手段により整流された電圧を平滑する平滑コンデンサと、
一次巻線と二次巻線とを有し、一次側と二次側を絶縁するトランスと、
前記一次巻線に流れる電流をオン又はオフするスイッチング動作を行うスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御する制御手段と、
を備える電源装置であって、
前記平滑コンデンサの端子間のリプル電圧を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が所定値を超えた場合に、前記スイッチング素子をオン状態に維持する保護手段と、
前記保護手段により前記スイッチング素子がオン状態に維持されたことに応じて、前記整流手段に入力される交流電圧を遮断する遮断手段と、
を備えることを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記トランスは、前記制御手段に電圧を供給する補助巻線を有し、
前記保護手段は、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が第一所定値以上となった場合に、前記補助巻線から供給される電圧を前記スイッチング素子の制御端子に出力し、前記スイッチング素子をオン状態に維持することを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記平滑コンデンサに印加される電圧を検出する入力電圧検出手段を備え、
前記トランスは、前記制御手段に電圧を供給する補助巻線を有し、
前記保護手段は、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が第一所定値以上となり、且つ、前記入力電圧検出手段により検出した電圧が第二所定値以上となった場合に、前記補助巻線から供給される電圧を前記スイッチング素子の制御端子に出力し、前記スイッチング素子をオン状態に維持することを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項４】
前記保護手段は、前記第一所定値以上で動作するＦＥＴを有し、
前記ＦＥＴが動作することにより、前記補助巻線から供給される電圧が前記スイッチング素子の制御端子に出力されることを特徴とする請求項２又は３に記載の電源装置。
【請求項５】
前記平滑コンデンサに印加される電圧を検出する入力電圧検出手段を備え、
前記保護手段は、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が第一所定値以上となり、且つ、前記入力電圧検出手段により検出した電圧が第二所定値以上となった場合に、所定の電圧を前記スイッチング素子の制御端子に出力し、前記スイッチング素子をオン状態に維持することを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項６】
前記保護手段は、前記第一所定値以上で動作するＦＥＴを有し、
前記ＦＥＴが動作することにより、前記所定の電圧が前記スイッチング素子の制御端子に出力されることを特徴とする請求項５に記載の電源装置。
【請求項７】
前記検出手段により検出した電圧が前記第一所定値以上となってから前記遮断手段が溶断するまでの時間は、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が前記第一所定値以上となってから前記平滑コンデンサが開弁するまでの時間よりも短いことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の電源装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記二次巻線から出力される電圧に基づいて、前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電源装置。
【請求項９】
画像形成を行う画像形成手段と、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電源装置と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源装置及び画像形成装置に関し、特にスイッチング電源、及びスイッチング電源を用いた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、商用交流電源を入力として安定化直流電源を得る電源装置において、商用交流電源の電圧が所定の電圧よりも高い電圧であった場合に、回路を保護するための過電圧保護回路がある。このほかにも過電圧保護回路は、１００Ｖと２００Ｖのコンセントが共用である国や地域において、ユーザが誤って高い電圧を供給した場合にも過電圧から回路を保護するようになっている。過電圧保護回路としては、例えば、特許文献１のような回路が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４６１２８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
平滑コンデンサであるアルミ電解コンデンサに、定格電圧を十分に超える電圧が印加されると、漏れ電流が急激に増加し、発熱やガス発生に伴う内圧上昇による圧力弁の開弁が生じる。また、電圧印加から内圧上昇による開弁動作までの時間は、印加する電圧値や印加する時間によって異なる。例えば、印加する電圧値が定格を僅かに超える場合と、大きく超える場合とでは、僅かに超える場合の方が内圧上昇による開弁動作までの時間は長くなる。
【０００５】
交流入力電圧や交流入力電圧に相当する電圧を検出し、装置への電圧供給を遮断する過電圧保護手段は、平滑コンデンサの状態にかかわらず交流入力電圧を検出する方式である。このような方式では、僅かな時間でも定格電圧以上の交流入力電圧や、交流入力電圧に相当する電圧が検出された場合に、装置への電圧供給を遮断し、装置の動作を停止していた。このため、平滑コンデンサがすぐに開弁状態とならないような場合でも、装置のダウンタイムが生じていた。
【０００６】
本発明は、このような状況のもとでなされたもので、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、装置のダウンタイムを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した課題を解決するために、本発明は以下の構成を備える。
【０００８】
（１）入力された交流電圧を整流する整流手段と、前記整流手段により整流された電圧を平滑する平滑コンデンサと、一次巻線と二次巻線とを有し、一次側と二次側を絶縁するトランスと、前記一次巻線に流れる電流をオン又はオフするスイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記スイッチング動作を制御する制御手段と、を備える電源装置であって、前記平滑コンデンサの端子間のリプル電圧を検出する検出手段と、前記検出手段により検出したリプル電圧に応じた値が所定値を超えた場合に、前記スイッチング素子をオン状態に維持する保護手段と、前記保護手段により前記スイッチング素子がオン状態に維持されたことに応じて、前記整流手段に入力される交流電圧を遮断する遮断手段と、を備えることを特徴とする電源装置。
【０００９】
（２）画像形成を行う画像形成手段と、前記（１）に記載の電源装置と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、装置のダウンタイムを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１〜３の画像形成装置の全体構成の概略図
【図２】実施例１の電源装置を説明する図
【図３】実施例１の回路動作の一例を示した図
【図４】実施例２の電源装置を説明する図、入力電圧とリプル電圧の特性を示した図
【図５】実施例２の回路動作の一例を示した図
【図６】実施例３の電源装置を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１３】
実施例１は、平滑コンデンサの圧力弁の開弁前に流れる漏れ電流による平滑コンデンサの両端に生じるリプル電圧を検出し、遮断手段を用いて平滑コンデンサへの電圧供給を遮断する構成である。これにより、本実施例では、平滑コンデンサの圧力弁の開弁を抑制する。
【００１４】
［画像形成装置の構成］
図１は、画像形成装置として電子写真方式のレーザービームプリンタ（以下、単にプリンタという）の一例を示す概略図である。ここで、プリンタ１０における画像形成動作について説明する。用紙Ｐは、給紙トレイ１１から給紙ローラ１２により一枚ずつ給紙され、搬送ローラ１３によって所定のタイミングでプロセスカートリッジ１４へ搬送される。また、プロセスカートリッジ１４は、感光ドラム１５と帯電ローラ１６と現像ローラ１７を有している。感光ドラム１５には、帯電ローラ１６が圧接して配置されており、この帯電ローラ１６により、感光ドラム１５の表面が一様に帯電される。その後、露光手段であるスキャナユニット１９により、画像情報に基づいた露光が行われ、感光ドラム１５の表面上に静電潜像が形成される。スキャナユニット１９による露光の位置よりも感光ドラム１５の回転方向（図中矢印方向（時計回り方向））下流側には、現像ローラ１７が備えられている。感光ドラム１５上に形成された静電潜像が現像ローラ１７に対向する位置にくると、静電潜像に現像ローラ１７からトナーが供給され、感光ドラム１５上にトナー像（可視像）が形成される。
【００１５】
一方で、用紙Ｐは、感光ドラム１５に形成されたトナー像の移動速度に同期したタイミングで搬送される。そして、感光ドラム１５に到達した用紙Ｐは、感光ドラム１５と転写ローラ２０の圧接部からなる転写ニップ部で、感光ドラム１５上のトナー像を転写される。また、トナー像が転写された用紙Ｐは、定着器２１に搬送される。定着器２１は、互いに対向して圧接された２つのローラからなり、熱と圧力により、用紙Ｐ上のトナー像を定着させる。その後、用紙Ｐは排紙ローラ２２、２３によってプリンタ１０の機外へと排出され、一連のプリント動作を終了する。なお、クリーニング装置１８は、感光ドラム１５を清掃する手段である。上述した一連のプリント動作には、スキャナユニット１９などを駆動させる必要があり、プリンタ１０には電源装置が必要である。なお、電源装置が搭載される画像形成装置は、図１に示す画像形成装置に限定されるものではなく、例えばタンデム方式やロータリー方式等のカラーの画像形成装置等であってもよい。
【００１６】
［電源装置の構成］
図２は、本実施例の電源装置を説明するための回路構成図である。ＡＣインレット１０１から入力された交流電圧による電流は、整流手段である整流素子１０７により全波整流され、平滑コンデンサ１０８に充電される。更に、起動抵抗１０９により供給される電流によって、制御手段である電源ＩＣ１２０が起動し、スイッチング素子であるＮチャネル型の電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴとする）１１０をオン又はオフさせる（以降、スイッチング動作という）。電源装置は、ＦＥＴ１１０のスイッチング動作により、トランス１１１にスイッチング電流を流すことで動作を開始する。ここで、トランス１１１は、一次側と二次側を絶縁するもので、一次巻線１１１ａ、二次巻線１１１ｂ及び補助巻線１１１ｃを有している。トランス１１１が動作すると、トランス１１１の補助巻線１１１ｃとダイオード１１８、電解コンデンサ１１９により作られた直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒが、電源ＩＣ１２０の電源として電圧を供給するようになる。これにより、電源ＩＣ１２０は、安定動作を続けることが可能となる。なお、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒは、後述する保護手段である過電圧保護回路１３０のＦＥＴ１３８のソース端子に接続されている。
【００１７】
更に、トランス１１１により変圧された二次側の電圧は、二次側整流ダイオード１２２と電解コンデンサ１２３により平滑され、安定した直流電圧が出力される。二次側から出力される直流電圧の電圧制御は、次のように行われる。二次側の直流電圧は、抵抗１２６、抵抗１２７により分圧され、シャントレギュレータ１２９に入力される。そして、シャントレギュレータ１２９とフォトカプラ１２１によりフィードバック信号が生成され、フィードバック信号が電源ＩＣ１２０に入力されることによりフィードバックが行われる。そして電源ＩＣ１２０が、ＦＥＴ１１０のスイッチング動作のデューティ及び周波数を変化させることで、安定した直流電圧をＶｏｕｔとして出力している。なお、電源装置は、遮断手段であるヒューズ１０２、Ｙコンデンサ（ラインバイパスコンデンサ）１０３、１０４、Ｘコンデンサ（アクロス・ザ・ラインコンデンサ）１０５を備える。また、電源装置は、コモンモードコイル１０６、共振コンデンサ１１３、コンデンサ１１４、抵抗１１５、１１６、１１７、抵抗１２４、１２５、コンデンサ１２８を備える。
【００１８】
また、本実施例の電源装置は、過電圧保護回路１３０を備えている。過電圧保護回路１３０は、検出部１３１、フィルタ部１３２、平滑部１３３、電圧調整部１３４、Ｎチャネル型のＦＥＴ１３５、Ｐチャネル型のＦＥＴ１３８、抵抗１３６、１３７、ダイオード１３９を備える。検出部１３１は、コンデンサ及び抵抗を有する。フィルタ部１３２は、抵抗、コンデンサ及びダイオードを有する。平滑部１３３は、抵抗とコンデンサを有する。電圧調整部１３４は、抵抗を有する。また、ＤＣＨは、平滑コンデンサ１０８のプラス極のノードを、ＤＣＬは、平滑コンデンサ１０８のマイナス極のノードを示しており、それぞれ過電圧保護回路１３０に接続されている。
【００１９】
［過電圧保護回路の動作］
図３は、平滑コンデンサ１０８の端子間（両端）のリプル電圧による電流変化を検出する過電圧保護回路１３０の動作の一例を示したものである。図３（Ａ）は平滑コンデンサ１０８の下流に流れる電流、図３（Ｂ）は検出部１３１の抵抗の両端の電圧、図３（Ｃ）はフィルタ部１３２のダイオードの両端の電圧を示す。また、図３（Ｄ）はＦＥＴ１３５のゲート・ソース間の電圧、図３（Ｅ）はＦＥＴ１３５のドレイン・ソース間の電圧、図３（Ｆ）はダイオード１３９のアノードの電位を示す。横軸はいずれも時間である。また、図３には、通常の電圧が印加されている期間（通常電圧印加と記載）と、過電圧が印加されている期間（過電圧印加と記載）を示す。なお、図２の過電圧保護回路１３０に示したＡ〜Ｆの記号は、図３（Ａ）〜図３（Ｆ）に対応している。
【００２０】
過電圧が印加されている場合、図３（Ａ）に示すように、平滑コンデンサ１０８の下流に流れる電流は、時間とともに大きくなる。過電圧保護回路１３０は、検出部１３１により平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧による電流変化を検出する。検出部１３１は、コンデンサを介して流れる電流を抵抗で電圧変換するため、図３（Ｂ）に示すように、電圧の平均値がゼロとなる波形が検出される。検出部１３１で検出された信号は、フィルタ部１３２により商用周波数のリプル電圧として検出され、平滑部１３３により直流電圧に平滑される。更に、電圧調整部１３４により分圧されたリプル電圧の検出結果が、ＦＥＴ１３５のゲート端子に入力される。電圧調整部１３４により分圧されたリプル電圧の検出結果（図３（Ｄ）の実線）が、図３（Ｄ）に示すＦＥＴ１３５の動作閾値（図３（Ｄ）の破線）を超えると、ＦＥＴ１３５がオン状態となる。ＦＥＴ１３５がオン状態となったあとの動作は、後述する。
【００２１】
（通常電圧が印加されている場合）
通常の入力電圧では、トランス１１１の二次側に過大な負荷電流が引かれることはないため、平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧が異常に大きくなることはない（図３（Ａ））。従って、検出部１３１（図３（Ｂ））、フィルタ部１３２（図３（Ｃ））、平滑部１３３、電圧調整部１３４と検出されたリプル電圧の検出結果である図３（Ｄ）に示す電圧は、ＦＥＴ１３５の動作閾値まで達しない。このため、ＦＥＴ１３５はオフ状態となる（図３（Ｅ））。ＦＥＴ１３５がオフ状態となると、ＦＥＴ１３８のゲート・ソース間電圧は同電位となり、ＦＥＴ１３８はオフ状態となる。ＦＥＴ１３８がオフ状態となることにより、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒがＦＥＴ１３８、ダイオード１３９を介してＦＥＴ１１０へ供給されることはない（図３（Ｆ））。このため、ＦＥＴ１１０は、電源ＩＣ１２０により安定したスイッチング動作を行う。
【００２２】
（過電圧が印加されている場合）
次に、平滑コンデンサ１０８の定格電圧を十分に超える電圧が印加されたときについて説明する。平滑コンデンサ１０８の順方向に、定格電圧を充分に超える電圧を印加すると、漏れ電流が急激に増加し、発熱やガス発生に伴う内圧上昇が生じる。このとき、図３（Ａ）に示すように、急激に大電流が流れ、短時間で内圧が上昇する。この急激な大電流による平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧による電流変化（図３（Ａ））は、図３（Ｂ）に示すように、過電圧保護回路１３０の検出部１３１により検出される。検出部１３１により検出された信号は、フィルタ部１３２により商用周波数のリプル電圧として検出され（図３（Ｃ））、平滑部１３３により直流電圧に平滑される。大電流により生じるリプル電圧は大きく、電圧調整部１３４に生じるリプル電圧の検出結果は、図３（Ｄ）に示すように大きくなり、ＦＥＴ１３５の動作閾値（所定値）を超えたときに、ＦＥＴ１３５はオン状態となる（図３（Ｅ））。これにより、図３（Ｅ）に示すように、ＦＥＴ１３５のドレイン・ソース間電圧は飽和状態となり、抵抗１３６、１３７に直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒから電流が流れる。
【００２３】
そして、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒから抵抗１３７に電流が流れることにより抵抗１３７に電位差が生じ、ＦＥＴ１３８のゲート・ソース間電圧が動作閾値を超えると、ＦＥＴ１３８がオン状態となる。ＦＥＴ１３８がオン状態となることによって、図３（Ｆ）に示すように、ＦＥＴ１３８、ダイオード１３９を介して、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒがＦＥＴ１１０の制御端子であるゲート端子に供給される。これにより、ＦＥＴ１１０は、電源ＩＣ１２０からのスイッチング動作の制御にかかわらず、オン状態を維持することとなる。このように、本実施例では、平滑コンデンサ１０８の定格電圧を超える過電圧が印加されても、ＦＥＴ１３５のゲート・ソース間電圧が動作閾値を超えるまでの間は、電源ＩＣ１２０によるＦＥＴ１１０のスイッチング動作が継続される。
【００２４】
直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒは、ＦＥＴ１１０を十分にオンできる電圧であり、ＦＥＴ１１０に直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒが供給されると、ＦＥＴ１１０のゲート・ソース間電圧が上昇してＦＥＴ１１０はオン状態を維持するようになる。その結果、図３（Ｆ）に示すように、ダイオード１３９が導通している間、ヒューズ１０２がヒューズの溶断時間に達するとヒューズ溶断に至り、ヒューズ１０２は完全にオープンとなって、平滑コンデンサ１０８の圧力弁の開弁を抑制することができる。なお、本実施例では、ヒューズ１０２の溶断時間が、平滑コンデンサ１０８の開弁時間よりも短い時間（溶断時間＜開弁時間）となるように、ＦＥＴ１３５が動作するタイミングが決定されているものとする。
【００２５】
本実施例の過電圧保護回路１３０は、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧を検出する方式であり、定格電圧以上の電圧印加に対する平滑コンデンサ１０８の開弁直前を検出し、開弁を抑制することができる。この点、平滑コンデンサの状態にかかわらず、交流入力電圧を検出する方式の過電圧保護手段を有する従来例と異なる。
【００２６】
以上説明したように、本実施例の電源装置は、平滑コンデンサ１０８の圧力弁の開弁直前に流れる大電流による平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧を過電圧保護回路１３０によって検出する。そして、過電圧保護回路１３０が動作すると、即ちＦＥＴ１３５がオンすると、ＦＥＴ１１０をオン状態に維持して、ヒューズ１０２をオープンにする。これにより、本実施例では、平滑コンデンサ１０８の圧力弁の開弁を抑制できる。以上、本実施例によれば、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、装置のダウンタイムを低減することができる。
【実施例２】
【００２７】
実施例２では、平滑コンデンサの両端のリプル電圧と、平滑コンデンサの両端に入力される電圧を検出する。そして、両方の電圧が動作閾値を超えた場合に、遮断手段を用いて平滑コンデンサへの電圧供給を遮断する。本実施例は、このような構成により、平滑コンデンサへの圧力弁の開弁を抑制する。この構成により、実施例１の効果に加え、平滑コンデンサの開弁前に流れる大電流によるリプル電圧と、通常動作入力電圧範囲内で大きい負荷電流が引かれたときに生じるリプル電圧とを、判別することができる。
【００２８】
［電源装置の構成］
図４（ａ）は、本実施例の電源装置を説明するための回路構成図である。なお、実施例１で説明した構成と同じ構成には同じ符号を付し、説明は省略する。入力電圧検出回路１４０は、時定数フィルタと、時定数フィルタに接続したＮチャネル型のＦＥＴ１４３と、抵抗１４８、１４９と、を備える。また、入力電圧検出回路１４０は、ＦＥＴ１４４と、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタ（以下、単にトランジスタという）１４５と、抵抗１５０、１５１と、を備える。ここで、時定数フィルタは、ＤＣＨに接続されたツェナーダイオード１４１と、ツェナーダイオード１４１に接続された抵抗１４６、１４７と、コンデンサ１４２と、を有する。ＦＥＴ１４３は、時定数フィルタに接続されている。抵抗１４８、１４９は、ＦＥＴ１４３のオン動作により、平滑コンデンサ１０８の両端の電圧を検出する。ＦＥＴ１４４は、抵抗１４９の両端に生じる電圧検出結果によって、オンオフ動作を行う。トランジスタ１４５は、ＦＥＴ１４４の状態に応じて動作が切り替わる。また、トランジスタ１４５のエミッタ端子には、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒが接続されている。入力電圧検出回路１４０は、検出した電圧Ｖｔｈを、過電圧保護回路１３０に出力する。実施例１では、過電圧保護回路１３０のＦＥＴ１３８のソース端子に直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒが接続されていたが、本実施例では、過電圧保護回路１３０のＦＥＴ１３８のソース端子には、入力電圧検出回路１４０の検出電圧Ｖｔｈが接続されている。
【００２９】
ここで、平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧とリプル電圧の関係について示す。図４（ｂ）は、電源装置における平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧［Ｖ］とリプル電圧［Ｖ］の関係を示したものである。図４（ｂ）の縦軸はリプル電圧、横軸は平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧を示している。一般に、トランス１１１の二次側の出力電圧を一定にした場合、平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧を大きくすると、トランス１１１の一次側に流れるスイッチング電流は小さくなる。このため、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧は小さくなる。従って、図４（ｂ）に示すように、平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧とリプル電圧は右下がりの特性で表わされる。
【００３０】
また、トランス１１１の二次側のＶｏｕｔで消費される出力電圧を大きくすると、トランス１１１の一次側にも大きなスイッチング電流が流れる。このため、電源装置によっては、通常動作電圧範囲内でのリプル電圧が大きくなる場合もある。例として、トランス１１１の二次側のＶｏｕｔで消費される負荷電流が大きい場合を図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）で、Ｖｒｉｐは、平滑コンデンサ１０８の開弁前に流れる大電流によるリプル電圧であり、Ｖｍａｘは、通常動作電圧範囲内で大きい負荷電流が引かれた場合に生じる最大リプル電圧である。本実施例の過電圧保護回路１３０では、リプル電圧Ｖｒｉｐよりも最大リプル電圧Ｖｍａｘが大きい場合、リプル電圧Ｖｒｉｐと最大リプル電圧Ｖｍａｘとを判別することができる。
【００３１】
［電源装置の動作］
本実施例に示す電源装置の動作を説明する。例として、以下の条件で回路動作を説明する。平滑コンデンサ１０８は直流電圧Ｖ２［Ｖ］の耐圧であり、Ｖ３［Ｖ］を超えると漏れ電流が流れ始める。ツェナーダイオード１４１のツェナー電圧は直流電圧Ｖ２［Ｖ］、ＦＥＴ１４４は平滑コンデンサ１０８の両端に直流電圧Ｖ２［Ｖ］以上（第二所定値以上）印加されたときに動作するように、抵抗１４８、１４９により設計されている。また、ＦＥＴ１３５は、平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧がＶｏ［Ｖ］以上（第一所定値以上）のときに動作するよう設計されている。
【００３２】
（１）Ｖ１以上Ｖ２未満の電圧が印加された場合（Ｖ１≦Ｖ＜Ｖ２）
通常動作は実施例１と同じため省略する。また、図５（ａ）は、平滑コンデンサ１０８にＶ１以上Ｖ２未満の電圧が印加された場合の、過電圧保護回路１３０及び入力電圧検出回路１４０の動作の一例を示したものである。図５（ａ）の（Ａ）、図５（ａ）の（Ｄ）、図５（ａ）の（Ｆ）は、それぞれ図３（Ａ）、図３（Ｄ）、図３（Ｆ）と同様であり説明を省略する。図５（ａ）の（Ｖｔｈ）は、入力電圧検出回路１４０が過電圧保護回路１３０に出力する検出電圧Ｖｔｈの波形である。図５（ａ）には、平滑コンデンサ１０８に通常電圧が印加されている状態で、トランス１１１の二次側のＶｏｕｔで消費される負荷電流が小さい場合と大きい場合の各波形を示している。
【００３３】
平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧はＶ２未満であり、ツェナーダイオード１４１のツェナー電圧Ｖ２を超えない。このため、ツェナーダイオード１４１を介して抵抗１４６に電流は流れず、ＦＥＴ１４３のゲート・ソース間電圧はＦＥＴ１４３の動作閾値より低い電圧となる。よって、ＦＥＴ１４３はオフ状態となり、ＦＥＴ１４４のゲート・ソース間電圧は、ＦＥＴ１４４の動作閾値より低い電圧となり、ＦＥＴ１４４はオフ状態となる。そして、トランジスタ１４５のベース・エミッタ間電圧もトランジスタ１４５の動作閾値を超えないため、トランジスタ１４５もオフ状態となる。従って、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒがトランジスタ１４５を介して電圧Ｖｔｈとして、過電圧保護回路１３０に供給されることはない。図５（ａ）の（Ｖｔｈ）に示すように、平滑コンデンサ１０８に通常の電圧が印加されている間、電圧Ｖｔｈは常にローレベルとなる。
【００３４】
また、トランス１１１の二次側のＶｏｕｔで消費される負荷電流が大きい場合、図５（ａ）の（Ａ）に示したように、平滑コンデンサ１０８に流れる電流が大きくなり、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧も大きくなる。このため、過電圧保護回路１３０のＦＥＴ１３５の動作電圧Ｖｏを超えたリプル電圧が生じる。過電圧保護回路１３０の検出部１３１及びフィルタ部１３２、平滑部１３３、電圧調整部１３４により検出されるリプル電圧の検出結果は、図５（ａ）の（Ｄ）に示すように、ＦＥＴ１３５の動作閾値よりも大きくなる。従って、ＦＥＴ１３５はオン状態となり、抵抗１３６、１３７に電流を流そうとする。しかし、前述したように、入力電圧検出回路１４０から電圧Ｖｔｈは供給されないため、抵抗１３６、１３７を介してＦＥＴ１３５に電流は流れず、ＦＥＴ１３８のゲート・ソース間電圧は動作閾値を超えない。結果として、ＦＥＴ１３８はオフ状態となり、図５（ａ）の（Ｆ）に示すように、電圧ＶｔｈがＦＥＴ１３８を介してＦＥＴ１１０に供給されることはなく、ＦＥＴ１１０は電源ＩＣ１２０の制御により安定したスイッチング動作を行う。このように、平滑コンデンサ１０８にＶ１以上Ｖ２未満の電圧が印加され、且つ、二次側の負荷電流が大きくなった場合、過電圧保護回路１３０は動作するが、入力電圧検出回路１４０は動作しない。
【００３５】
（２）Ｖ２以上Ｖ３未満の電圧が印加された場合（Ｖ２≦Ｖ＜Ｖ３）
次に、平滑コンデンサ１０８の両端に生じる電圧がＶ２以上Ｖ３未満の場合について説明する。図５（ｂ）は、Ｖ２以上Ｖ３未満の電圧が短い時間印加された場合の過電圧保護回路１３０及び入力電圧検出回路１４０の動作の一例を示したものである。図５（ｂ）には、平滑コンデンサ１０８に通常電圧が印加され、短い時間だけ過電圧が印加され、再び通常電圧が印加されている様子を示している。平滑コンデンサ１０８の両端にＶ２以上Ｖ３未満の電圧が印加されると、ツェナーダイオード１４１に電流が流れ、ツェナーダイオード１４１の両端電圧をＶ２一定にしようとする。このときに流れる電流が抵抗１４６、１４７に電圧を発生させて、電圧バランスがとれるようになる。従って、コンデンサ１４２及び抵抗１４７の両端電圧は、平滑コンデンサ１０８の両端に印加された電圧からツェナー電圧Ｖ２を差し引き、残る電圧を抵抗１４６、１４７で分圧した値となる。ＦＥＴ１４３の動作閾値よりも高い電圧がＦＥＴ１４３のゲート・ソース間に印加されるため、ＦＥＴ１４３はオン状態となり、抵抗１４８、１４９の分圧によりＦＥＴ１４４のゲート・ソース間電圧が決まる。
【００３６】
更に抵抗１４８、１４９の分圧により発生する電圧がＦＥＴ１４４の動作閾値を超えると、ＦＥＴ１４４はオン状態になり、抵抗１５０、１５１に直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒから電流が流れ、抵抗１５０の両端に電位差が発生する。抵抗１５０の両端に発生した電位差により、トランジスタ１４５のベース・エミッタ間電圧が動作閾値を超えるため、トランジスタ１４５がオン状態となる。トランジスタ１４５がオン状態となることにより、図５（ｂ）の（Ｖｔｈ）に示したように、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒがトランジスタ１４５を介して、Ｖｔｈとして過電圧保護回路１３０に供給される。
【００３７】
一方、図４（ｂ）に示したように、平滑コンデンサ１０８の両端にＶ２以上Ｖ３未満の電圧が印加されているとき、トランス１１１の二次側の負荷電流が大きくなろうと定格範囲内であれば、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧はＶｏ未満である。例えば、図４（ｂ）に示すように、平滑コンデンサ１０８の両端にＶ２が印加された場合のリプル電圧はＶｍｉｎであり、リプル電圧Ｖｍｉｎは、ＦＥＴ１３５の動作閾値となるリプル電圧Ｖｏより小さい（Ｖｍｉｎ＜Ｖｏ）。よって、検出部１３１及びフィルタ部１３２、平滑部１３３、電圧調整部１３４で検出されるリプル電圧検出結果は、図５（ｂ）の（Ｄ）に示したように、ＦＥＴ１３５の動作閾値よりも小さいため、ＦＥＴ１３５はオフ状態となる。従って、抵抗１３６、１３７に電流は流れず、ＦＥＴ１３８のゲート・ソース間電圧は同電位となり、ＦＥＴ１３８はオフ状態となる。結果として、図５（ｂ）の（Ｆ）に示すように、電圧ＶｔｈがＦＥＴ１３８を介してＦＥＴ１１０に供給されることはなく、ＦＥＴ１１０は安定したスイッチング動作を行う。このように、平滑コンデンサ１０８にＶ２以上Ｖ３未満の電圧が印加された場合、入力電圧検出回路１４０は動作するが、過電圧保護回路１３０は動作しない。
【００３８】
（３）Ｖ３以上の電圧が印加された場合（Ｖ３≦Ｖ）
次に、平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧がＶ３以上の場合について説明する。図５（ｃ）は、Ｖ３以上の電圧が印加された場合の過電圧保護回路１３０及び入力電圧検出回路１４０の動作の一例を示したものである。平滑コンデンサ１０８の両端にＶ２を超える電圧（Ｖ３）が印加されると、ツェナーダイオード１４１に電流が流れ、ツェナーダイオード１４１の両端電圧をＶ２一定にしようとする。このときに流れる電流が抵抗１４６、１４７に電圧を発生させて、電圧バランスがとれるようになる。従って、コンデンサ１４２及び抵抗１４７の両端電圧は、平滑コンデンサ１０８の両端に印加された電圧からツェナー電圧Ｖ２を差し引き、残る電圧を抵抗１４６、１４７で分圧した値となる。ＦＥＴ１４３の動作閾値よりも高い電圧がＦＥＴ１４３のゲート・ソース間に印加されるため、ＦＥＴ１４３はオン状態となり、抵抗１４８、１４９の分圧によりＦＥＴ１４４のゲート・ソース間電圧が決まる。
【００３９】
更に抵抗１４８、１４９の分圧により発生する電圧がＦＥＴ１４４の動作閾値を超えると、ＦＥＴ１４４はオン状態になり、抵抗１５０、１５１に直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒから電流が流れ、抵抗１５０の両端に電位差が発生する。抵抗１５０の両端に発生した電位差により、トランジスタ１４５のベース・エミッタ間電圧が、動作閾値を超えるため、トランジスタ１４５がオン状態となる。図５（ｃ）の（Ｖｔｈ）に示したように、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒがトランジスタ１４５を介して、Ｖｔｈとして過電圧保護回路１３０に供給される。
【００４０】
また、平滑コンデンサ１０８の両端には平滑コンデンサ１０８の耐圧Ｖ２を十分に超える電圧Ｖ３が印加されているため漏れ電流が急激に増加し、発熱やガス発生に伴う内圧上昇が生じる。このとき、図５（ｃ）の（Ａ）に示したように急激に大電流が流れ、短時間で内圧が上昇する。この急激な大電流による平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧による電流変化を検出部１３１により検出する。検出部１３１により検出された信号は、フィルタ部１３２により商用周波数のリプル電圧として検出され平滑部１３３で直流電圧に平滑される。大電流により生じたリプル電圧はＶｏ以上であるため、電圧調整部１３４に生じるリプル電圧検出結果も大きくなり、図５（ｃ）の（Ｄ）に示したように、ＦＥＴ１３５の動作閾値を超えたときＦＥＴ１３５はオン状態となる。これにより、抵抗１３６、１３７に直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒから電流が流れ、抵抗１３７に電位差が生じて、ＦＥＴ１３８のゲート・ソース間電圧が動作閾値を超えると、ＦＥＴ１３８がオン状態となる。従って、図５（ｃ）の（Ｆ）に示すように、ＦＥＴ１３８、ダイオード１３９を介して電圧Ｖｔｈ、即ち直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒがＦＥＴ１１０に供給される。
【００４１】
更に、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒはＦＥＴ１１０を十分にオンできる電圧であり、ＦＥＴ１１０に直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒが供給されると、ＦＥＴ１１０のゲート・ソース間電圧が上昇して、ＦＥＴ１１０はオン状態を継続するようになる。その結果、図５（ｃ）の（Ｆ）に示したように、ヒューズ１０２がヒューズの溶断時間に達するとヒューズ溶断に至り、ヒューズ１０２は完全にオープンとなり、平滑コンデンサ１０８の圧力弁の開弁を抑制することができる。このように、平滑コンデンサ１０８にＶ３以上の電圧が印加された場合、入力電圧検出回路１４０及び過電圧保護回路１３０が動作する。本実施例に挙げた回路は、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧を検出する方式であり、定格電圧以上の電圧印加に対する平滑コンデンサ１０８の開弁直前を検出し、開弁を抑制することができる。
【００４２】
このように、本実施例の電源装置は、過電圧保護回路１３０と入力電圧検出回路１４０とを備える。過電圧保護回路１３０は、平滑コンデンサ１０８の圧力弁の開弁直前に流れる大電流による平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧を検出する。入力電圧検出回路１４０は、平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧を検出する。そして、本実施例では、過電圧保護回路１３０と入力電圧検出回路１４０の両方が動作閾値を超えた場合に、ＦＥＴ１１０をオン状態に維持し、ヒューズ１０２をオープンにすることで、平滑コンデンサ１０８の圧力弁の開弁を抑制できる。更に、本実施例では、通常動作入力電圧範囲内で大きい負荷電流が引かれたときに生じるリプル電圧と、平滑コンデンサ１０８の開弁直前に流れる大電流によるリプル電圧とを、判別することができる。これにより、通常動作入力電圧範囲が広い場合やトランス１１１の二次側負荷電流が大きいために、平滑コンデンサ１０８の通常動作入力電圧範囲内で大きい負荷電流が引かれた場合等での過電圧検出に有効である。即ち、平滑コンデンサ１０８に開弁を生じさせないような範囲内での最大のリプル電圧（図４（ｂ）  Ｖｍａｘ）と、過電圧による平滑コンデンサ１０８の開弁直前でのリプル電圧（図４（ｂ）  Ｖｒｉｐ）に大きな差がない場合に対して有効である。
【００４３】
また、本実施例では、入力電圧検出回路１４０を整流素子１０７より平滑コンデンサ１０８側（下流側）に設けたが、入力電圧検出回路１４０は平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧に相当する電圧を検出できればよい。従って、例えば整流素子１０７よりＡＣインレット１０１側（上流側）に全波整流回路や半波整流回路等を設けて平滑コンデンサ１０８に印加される電圧に相当する電圧を検出する回路で構成することも可能である。
【００４４】
以上、本実施例によれば、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、装置のダウンタイムを低減することができる。
【実施例３】
【００４５】
実施例３では、直流電圧ＳｕｂＰｏｗｅｒを生成する補助巻線を有さない電源構成において、実施例２と同じ効果を得られるよう考えられた構成である。平滑コンデンサの両端に印加される電圧に相当する電圧を入力電圧検出回路で検出し、入力電圧検出回路が動作しているときのみ、所定の直流電圧を生成する回路を有している。直流電圧を電源遮断手段の電源とすることで、補助巻線や別電源を有さない構成でも実施例２と同じ効果を得ることができる。
【００４６】
［電源装置］
図６は、本実施例の電源装置を説明するための回路構成図である。なお、実施例１及び実施例２で説明した構成と同じものには同じ符号を付し、説明は省略する。本実施例のトランス１１１は、一次巻線１１１ａと二次巻線１１１ｂを有し、補助巻線は有していない。図６に示した電源ＩＣ１２０は、起動抵抗１０９により起動したあと、別電源１５２からの電力供給により安定して動作する。本実施例の入力電圧検出回路１４０は、実施例２の構成に加え、更に、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタ１５３、抵抗１５４、１５５及び１５６、ツェナーダイオード１５７を有している。
【００４７】
本実施例の電源装置の動作を説明する。例として、以下の条件で回路動作を説明する。平滑コンデンサ１０８は、直流電圧Ｖ２［Ｖ］の耐圧であり、Ｖ３［Ｖ］を超えると漏れ電流が流れ始める。ツェナーダイオード１４１のツェナー電圧はＶｚ１［Ｖ］、ツェナーダイオード１５７のツェナー電圧はＶｚ２［Ｖ］であり、Ｖｚ１とＶｚ２の和がＶ２（＝Ｖｚ１＋Ｖｚ２）になるよう構成されている。ツェナー電圧Ｖｚ２は、ＦＥＴ１４３を十分にオンできる電圧である。ＦＥＴ１４４は、平滑コンデンサ１０８の両端に電圧Ｖ２［Ｖ］以上印加されたときに動作するように、抵抗１４８、１４９により設計されている。また、ＦＥＴ１３５は、平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧がＶｏ［Ｖ］以上のときに動作するよう設計されている。
【００４８】
（１）Ｖ１以上Ｖ２未満の電圧が印加された場合（Ｖ１≦Ｖ＜Ｖ２）
通常動作は実施例１及び実施例２と同じため省略する。平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧はＶ２未満であり、ツェナーダイオード１４１とツェナーダイオード１５７のツェナー電圧の和であるＶ２（＝Ｖｚ１＋Ｖｚ２）を超えない。このため、ツェナーダイオード１４１を介して抵抗１４６に電流は流れないため、ＦＥＴ１４３のゲート・ソース間電圧はＦＥＴ１４３の動作閾値より低い電圧となる。よって、ＦＥＴ１４３はオフ状態となり、ＦＥＴ１４４のゲート・ソース間電圧はＦＥＴ１４４の動作電圧より低い電圧となるため、ＦＥＴ１４４はオフ状態となる。トランジスタ１４５のベース・エミッタ間電圧もトランジスタ１４５の動作閾値を超えないため、トランジスタ１４５もオフ状態となる。従って、トランジスタ１４５を介して電圧Ｖｔｈが過電圧保護回路１３０に供給されることはない。よって、実施例１及び実施例２と同様に、過電圧保護回路１３０は動作せず、ＦＥＴ１１０は安定したスイッチング動作を行う。
【００４９】
（２）Ｖ２以上Ｖ３未満の電圧が印加された場合（Ｖ２≦Ｖ＜Ｖ３）
次に、平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧がＶ２以上Ｖ３未満の場合について説明する。この場合、平滑コンデンサ１０８の耐圧Ｖ２を僅かに超える電圧が、平滑コンデンサ１０８の両端に印加された状態になる。平滑コンデンサ１０８の両端にＶ２以上Ｖ３未満の電圧が印加されると、ツェナーダイオード１４１に電流が流れ、ツェナーダイオード１４１の両端電圧をＶｚ１一定にしようとする。このときに流れる電流が抵抗１４６を介してツェナーダイオード１５７に流れ、ツェナーダイオード１５７の両端電圧をＶｚ２一定にしようとする。従って、抵抗１５６及びコンデンサ１４２の両端電圧は、ツェナーダイオード１５７のツェナー電圧Ｖｚ２となる。そして、ＦＥＴ１４３の動作閾値よりも高い電圧がＦＥＴ１４３のゲート・ソース間に印加されるため、ＦＥＴ１４３はオン状態となり、抵抗１４８、１４９の分圧によりＦＥＴ１４４のゲート・ソース間電圧が決まる。
【００５０】
更に、抵抗１４８、１４９の分圧により発生する電圧がＦＥＴ１４４の動作閾値を超えるため、ＦＥＴ１４４はオン状態になる。また、トランジスタ１５３のベース端子はツェナーダイオード１５７のツェナー電圧Ｖｚ２となる。このため、トランジスタ１５３がオン状態となり、抵抗１５５の両端には、ツェナー電圧Ｖｚ２からトランジスタ１５３のベース・エミッタ間飽和電圧を差し引いた電圧Ｖ４が印加される。よって、抵抗１５０、１５１にトランジスタ１５３から電流が流れ、抵抗１５０の両端に電位差が発生する。抵抗１５０の両端に発生した電位差により、トランジスタ１４５のベース・エミッタ間電圧が、動作閾値を超えるためトランジスタ１４５がオン状態となる。これにより、所定の電圧である電圧Ｖ４がトランジスタ１４５を介して、Ｖｔｈとして過電圧保護回路１３０に供給される。しかし、実施例１及び実施例２と同様に、ＦＥＴ１３５は平滑コンデンサ１０８のリプル電圧がＶｏ未満では動作せず、過電圧保護回路１３０が動作しないため、ＦＥＴ１１０は安定したスイッチング動作を行う。
【００５１】
（３）Ｖ３以上の電圧が印加された場合（Ｖ３≦Ｖ）
次に、平滑コンデンサ１０８の両端に印加される電圧がＶ３以上の場合について説明する。平滑コンデンサ１０８の耐圧Ｖ２を十分に超える電圧Ｖ３が平滑コンデンサ１０８の両端に印加されると、ツェナーダイオード１４１に電流が流れ、ツェナーダイオード１４１の両端電圧をＶｚ１一定にしようとする。このときに流れる電流が抵抗１４６を介してツェナーダイオード１５７に流れ、ツェナーダイオード１５７の両端電圧をＶｚ２一定にしようとする。従って、抵抗１５６及びコンデンサ１４２の両端電圧は、ツェナーダイオード１５７のツェナー電圧Ｖｚ２となる。ＦＥＴ１４３の動作閾値よりも高い電圧がＦＥＴ１４３のゲート・ソース間に印加されるため、ＦＥＴ１４３はオン状態となり、抵抗１４８、１４９の分圧によりＦＥＴ１４４のゲート・ソース間電圧が決まる。
【００５２】
更に抵抗１４８、１４９の分圧により発生する電圧がＦＥＴ１４４の動作閾値を超えるため、ＦＥＴ１４４はオン状態になる。また、トランジスタ１５３のベース端子はツェナーダイオード１５７のツェナー電圧Ｖｚ２となる。このため、トランジスタ１５３がオン状態となり、抵抗１５５の両端には、ツェナー電圧Ｖｚ２からトランジスタ１５３のベース・エミッタ間飽和電圧を差し引いた電圧Ｖ４が印加される。よって、抵抗１５０、１５１にトランジスタ１５３から電流が流れ、抵抗１５０の両端に電位差が発生する。抵抗１５０の両端に発生した電位差により、トランジスタ１４５のベース・エミッタ間電圧が動作閾値を超えるため、トランジスタ１４５がオン状態となり、電圧Ｖ４がトランジスタ１４５を介して、Ｖｔｈとして過電圧保護回路１３０に供給される。
【００５３】
また、平滑コンデンサ１０８の両端には平滑コンデンサ１０８の耐圧Ｖ２を十分に超える電圧が印加されているため、図５（ｃ）の（Ａ）に示したように漏れ電流が急激に増加し、発熱やガス発生に伴う内圧の上昇が生じる。この急激な漏れ電流による平滑コンデンサ１０８の両端のリプル電圧による電流変化を検出部１３１により検出する。検出部１３１により検出された信号は、フィルタ部１３２により商用周波数のリプル電圧として検出され平滑部１３３で直流電圧に平滑される。大電流により生じたリプル電圧はＶｏ以上であるため、電圧調整部１３４に生じるリプル電圧検出結果も大きくなり、ＦＥＴ１３５の動作閾値を超えたときＦＥＴ１３５はオン状態となる。これにより、ＦＥＴ１３８のゲート・ソース間電圧が動作閾値を超えてＦＥＴ１３８がオン状態となる。従って、ＦＥＴ１３８、ダイオード１３９を介して電圧ＶｔｈがＦＥＴ１１０に供給される。
【００５４】
電圧ＶｔｈはＦＥＴ１１０を十分にオンできる電圧であり、ＦＥＴ１１０に電圧Ｖｔｈが供給されると、ＦＥＴ１１０のゲート・ソース間電圧が上昇する。その結果、ヒューズ１０２がヒューズの溶断時間に達するとヒューズ溶断に至り、ヒューズ１０２は完全にオープンとなり、平滑コンデンサ１０８の圧力弁の開弁を抑制することができる。
【００５５】
本実施例に挙げた回路は、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧を検出する方式であり、定格電圧以上の電圧印加に対する平滑コンデンサ１０８の開弁直前を検出し、開弁を抑制することができる。このように、本実施例の電源装置は、補助巻線や外部電源が動作していない状態でも、実施例２と同様の効果を得ることができる。以上、本実施例によれば、平滑コンデンサの開弁を抑制しつつ、装置のダウンタイムを低減することができる。
【００５６】
なお、上述した実施例では、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧を検出し、検出したリプル電圧に基づき開弁直前を判断する構成である。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧の積分値を用いて開弁直前を判断してもよい。即ち、開弁直前を判断する値については、平滑コンデンサ１０８の両端に生じるリプル電圧に応じた値であれば、その他の値であってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０２      ヒューズ
１０７      整流素子
１０８      平滑コンデンサ
１１０      ＦＥＴ
１２０      電源ＩＣ
１３０      過電圧保護回路
【図１】
2015050845.tif 000003
【図２】
2015050845.tif 000004
【図３】
2015050845.tif 000005
【図４】
2015050845.tif 000006
【図５】
2015050845.tif 000007
【図６】
2015050845.tif 000008