(57)【要約】【課題】生産性を高めることができる荷電粒子線描画装置を提供することにある。【解決手段】荷電粒子線描画装置１００は、荷電粒子線を照射して基板２上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、基板２が配置されるステージ１０と、平面視において基板２の外周部を覆う枠部２２を有する基板カバー２０と、を含み、枠部２２は、ステージ１０に配置される第１部分２２ａと、ステージ１０に着脱可能な第２部分２２ｂと、を含み、第２部分２２ｂは、搬送部によって着脱され、ステージ１０に装着されたときに接地される。【選択図】図２
2015159236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を照射して基板上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板が配置されるステージと、
平面視において前記基板の外周部を覆う枠部を有する基板カバーと、
を含み、
前記枠部は、
前記ステージに配置される第１部分と、
前記ステージに着脱可能な第２部分と、
を含み、
前記第２部分は、搬送部によって着脱され、前記ステージに装着されたときに接地される、荷電粒子線描画装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２部分には、前記基板に接触して前記基板と導通する第１導通ピンが設けられ、
前記基板は、前記第１導通ピンと導通して接地される、荷電粒子線描画装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２部分には、前記基板に接触して前記基板と導通する第２導通ピンが前記第２部分と絶縁して設けられ、
前記第２導通ピンは、前記基板が接地していることを検出するための検出部に接続されている、荷電粒子線描画装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記基板は、前記第１導通ピンが接触する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、
前記ステージには、前記基板を保持するクランプ部が設けられ、
前記クランプ部は、前記基板を前記第２面側から押圧し、
前記クランプ部は、複数設けられ、
前記第１導通ピンは、複数の前記クランプ部のうちの第１クランプ部との間の距離が他の前記クランプ部との間の距離よりも小さくなるように配置され、
前記第１クランプ部は、他の前記クランプ部よりも大きな押圧力を前記基板に付与する、荷電粒子線描画装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記第２部分には、前記第２部分を振動させる加振部が設けられている、荷電粒子線描画装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記加振部は、偏芯錘と、前記偏芯錘を回転させるモーターと、を有する、荷電粒子線描画装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記加振部は、圧電素子を有する、荷電粒子線描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子線描画装置は、電子線等の荷電粒子線を用いて、半導体基板やマスクブランクス等の基板に半導体集積回路パターン等の微細パターンを描画する装置である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、荷電粒子線描画装置の１つとして、可変成形型（可変面積型）荷電粒子線描画装置が開示されている。特許文献１に記載の可変成形型荷電粒子線描画装置の動作について説明する。電子銃から出た電子ビームは、照明レンズにより正方形の穴を持つ第１のアパーチャ全体を照明する。ここで、電子ビームをまず正方形に成型する。そして、第１のアパーチャを通過した第１のアパーチャ像の電子ビームは、投影レンズにより第２のアパーチャ上に投影される。かかる第２のアパーチャ上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャを通過した第２のアパーチャ像の電子ビームは、対物レンズにより焦点を合わせ、偏向器により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ上の試料の所望する位置に照射される。かかる場合に、照射される電子ビームは、設定された最大ショットサイズ以下のショットサイズでパターンの形状に沿って矩形成形されることになる。
【０００４】
ここで、描画の対象となるマスクブランクスは、一般的に、ガラス基板と、ガラス基板上に形成されたＣｒ等からなる遮光膜層と、遮光膜層上に形成されたレジスト膜と、を含んで構成されている。このマスクブランクスは、荷電粒子線描画装置内において、クランプ機構等の部材を使ってステージに取り付けられ、電子線によって描画される。この電子線による描画の際に、マスクブランクスの側面に電子線の一部が照射されると、ガラス基板が帯電してしまう。ガラス基板が帯電すると、電子線の軌道にずれが生じてしまう。
【０００５】
そのため、特許文献２の荷電粒子ビーム描画装置では、基板の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、基板の外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成された枠状部材を備えた基板カバーによって、基板側面への荷電粒子線の照射を遮蔽している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−４３０７８号公報
【特許文献２】特開２００８−５８８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、特許文献２に記載の基板カバーは基板に装着され、基板交換の際、基板と共に装置内に搬送されてステージに取り付けられ、また描画終了後は、基板と共にステージから取り外されて装置外に取り出される。しかしながら、基板カバーは基板の外周端よりも大きな外形寸法を有しているため、ロボットアームなどの搬送装置によって搬送を行ったり、当該搬送装置によってステージへの取り付けを行ったりすることは、困難を伴い、生産性を低下させる。なお、基板カバーを基板に装着しない構造も考えられるが、その場合には、基板を先に搬送してステージに取り付けた後に基板カバーをその上に搬送してステージに取り付け、描画終了後は、基板カバーを先にステージから取り外した後に基板を取り外して室外へ搬送することになり、やはり基板よりも大きな基板カバーを搬送装置によ
って搬送しなければならず、同様の理由で生産性を低下させる。
【０００８】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、生産性を高めることができる荷電粒子線描画装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、生産性を高めることができる基板カバーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明に係る荷電粒子線描画装置は、
荷電粒子線を照射して基板上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板が配置されるステージと、
平面視において前記基板の外周部を覆う枠部を有する基板カバーと、
を含み、
前記枠部は、
前記ステージに配置される第１部分と、
前記ステージに着脱可能な第２部分と、
を含み
前記第２部分は、搬送部によって着脱され、前記ステージに装着されたときに接地される。
【００１０】
このような荷電粒子線描画装置では、基板カバーが平面視において基板の外周部を覆う枠部を有するため、荷電粒子線を照射して基板上にパターンを描画する際に、基板の側面に荷電粒子線が照射されることを防ぐことができる。そのため、このような荷電粒子線描画装置では、荷電粒子線の照射によって基板が帯電することを抑制することができる。
【００１１】
さらに、このような荷電粒子線描画装置では、枠部は、第１部分と、ステージに着脱可能な第２部分と、を含み、第２部分は搬送部によって着脱される。そのため、このような荷電粒子線描画装置では、例えば搬送部によって枠部の全体を着脱する場合と比べて、枠部の着脱が容易である。したがって、例えば枠部の着脱にかかる時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００１２】
（２）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記第２部分には、前記基板に接触して前記基板と導通する第１導通ピンが設けられ、
前記基板は、前記第１導通ピンと導通して接地されてもよい。
【００１３】
このような荷電粒子線描画装置では、第１導通ピンによって基板が帯電することを抑制することができる。さらに、このような荷電粒子線描画装置では、搬送部によって基板カバーの枠部の第２部分を容易に着脱することができるため、第２部分を装置の外部に搬送して、第１導通ピンと基板とが擦れて第１導通ピンに付着したゴミを容易に取り除くことができる。したがって、このような荷電粒子線描画装置では、生産性をより向上させることができる。
【００１４】
（３）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記第２部分には、前記基板に接触して前記基板と導通する第２導通ピンが前記第２部分と絶縁して設けられ、
前記第２導通ピンは、前記基板が接地していることを検出するための検出部に接続されていてもよい。
【００１５】
このような荷電粒子線描画装置では、基板が接地していることを容易に確認することができる。
【００１６】
（４）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記基板は、前記第１導通ピンが接触する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、
前記ステージには、前記基板を保持するクランプ部が設けられ、
前記クランプ部は、前記基板を前記第２面側から押圧し、
前記クランプ部は、複数設けられ、
前記第１導通ピンは、複数の前記クランプ部のうちの第１クランプ部との間の距離が他の前記クランプ部との間の距離よりも小さくなるように配置され、
前記第１クランプ部は、他の前記クランプ部よりも大きな押圧力を前記基板に付与してもよい。
【００１７】
このような荷電粒子線描画装置では、例えば複数のクランプ部の押圧力が等しい場合と比べて、基板に加わる力を均等化することができ、基板が撓むことを抑制することができる。
【００１８】
（５）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記第２部分には、前記第２部分を振動させる加振部が設けられていてもよい。
【００１９】
このような荷電粒子線描画装置では、ステージにおいて基板を固定する部材（例えばクランプ部）と基板との間の残留応力を低減することができる。したがって、このような荷電粒子線描画装置では、ステージにおいて、基板の位置ずれが起こることを抑制することができる。
【００２０】
（６）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記加振部は、偏芯錘と、前記偏芯錘を回転させるモーターと、を有してもよい。
【００２１】
このような荷電粒子線描画装置では、枠部の第２部分を振動させることができる。
【００２２】
（７）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記加振部は、圧電素子を有してもよい。
【００２３】
このような荷電粒子線描画装置では、枠部の第２部分を振動させることができる。さらに、このような荷電粒子線描画装置では、例えば加振部にモーターを用いた場合と比べて、発生する磁場を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を模式的に示す図。
【図２】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す平面図。
【図３】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す平面図。
【図４】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置のクランプ部を模式的に示す断面図。
【図５】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の基板カバーの枠部の第２部分を模式的に示す平面図。
【図６】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の基板カバーの枠部の第２部分を模式的に示す側面図。
【図７】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の位置決め部材および位置決め用の溝を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を模式的に示す図。
【図１１】第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を模式的に示す図。
【図１２】第１実施形態の変形例に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す断面図。
【図１３】第１実施形態の変形例に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す断面図。
【図１４】第１実施形態の変形例に係る荷電粒子線描画装置の構成を模式的に示す図。
【図１５】第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す平面図。
【図１６】第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置のステージおよび基板カバーを模式的に示す平面図。
【図１７】第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置の基板カバーの枠部の第２部分を模式的に示す平面図。
【図１８】第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置の基板カバーの枠部の第２部分を模式的に示す側面図。
【図１９】第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置の基板カバーの加振部を模式的に示す斜視図。
【図２０】第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を模式的に示す図。
【図２１】第３実施形態に係る荷電粒子線描画装置の加振部を模式的に示す斜視図。
【図２２】第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置の基板カバーの枠部の第２部分を模式的に示す平面図。
【図２３】第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置の基板カバーの枠部の第２部分を模式的に示す側面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２６】
１．  第１実施形態
１．１．  荷電粒子線描画装置の構成
まず、第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００について図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００の構成を模式的に示す図である。なお、図１では、便宜上、ステージ１０および基板カバー２０を簡略化して図示している。
【００２７】
荷電粒子線描画装置１００は、荷電粒子線を照射して基板２上にパターンを描画する装置である。ここで、荷電粒子線とは、電荷を帯びた粒子をいい、例えば、電子線やイオンビームを含む。また、基板２は、マスクブランクスや、シリコン基板等の半導体基板などを含む。
【００２８】
荷電粒子線描画装置１００は、図１に示すように、ステージ１０と、基板カバー２０と、鏡筒（光学系）１００Ａと、制御部１００Ｂと、を含む。以下では、荷電粒子線描画装置１００が、電子線Ｌを照射して基板２上にパターンを描画する例について説明する。
【００２９】
鏡筒（光学系）１００Ａは、電子銃（荷電粒子線源）１０２と、ブランカー１０４と、照射レンズ１０６と、第１スリット１０８と、成形偏向器１１０と、成形レンズ１１２と、第２スリット１１４と、縮小レンズ１１６と、対物レンズ１１８と、位置決め偏向器１２０と、を含む。
【００３０】
電子銃（荷電粒子線源）１０２は、電子線Ｌを発生させる。ここでは、荷電粒子線源の一例として、電子線Ｌを発生させる電子銃を示したが、荷電粒子線源は、イオン化した原子等の電荷を帯びた粒子を発生させることができれば、特に限定されない。この電子銃１０２から放出される電子線Ｌは、高い電流密度を有している。
【００３１】
ブランカー１０４は、ブランカー制御回路１３０からのブランキング信号を受けて電子線Ｌを偏向して、電子線Ｌが第１スリット１０８の第１開口部１０９を通過する時間を調整する。すなわち、ブランカー１０４は、ショット照射量を調整することができる。ブランカー１０４を通過した電子線Ｌは、照射レンズ１０６を介して、第１スリット１０８に照射される。
【００３２】
第１スリット１０８は、第１開口部１０９を有し、第２スリット１１４は、第２開口部１１５を有する。開口部１０９，１１５は、電子線Ｌを成形するための貫通孔である。開口部１０９，１１５の平面形状は、例えば、正方形である。なお、開口部１０９，１１５の平面形状は、特に限定されず、長方形、円形、楕円形、多角形等であってもよい。
【００３３】
成形偏向器１１０は、第１スリット１０８と第２スリット１１４の間に配置されている。成形偏向器１１０は、成形偏向器駆動回路１３２からの駆動信号を受けて、第１開口部１０９を通過した電子線Ｌを偏向させる。成形偏向器１１０によって偏向された電子線Ｌは、成形レンズ１１２を介して、第２スリット１１４に照射される。
【００３４】
成形レンズ１１２は、第１スリット１０８の第１開口部１０９によって形成された開口像を、第２スリット１１４の第２開口部１１５上に結像する。当該開口像の第２スリット１１４上での位置は、成形偏向器１１０により変えることができる。
【００３５】
荷電粒子線描画装置１００では、第１スリット１０８、成形偏向器１１０、成形レンズ１１２、第２スリット１１４によって、電子線Ｌを成形して、ショット形状（描画面（図示の例では基板２の上面２ａ）に照射される電子線Ｌの断面形状）およびショットサイズ（描画面に照射される電子線Ｌの断面積）を制御することができる。すなわち、荷電粒子線描画装置１００は、可変成形型荷電粒子線描画装置である。
【００３６】
縮小レンズ１１６は、第２スリット１１４の第２開口部１１５を通過した電子線Ｌを縮小する。
【００３７】
対物レンズ１１８は、縮小レンズ１１６から射出された電子線Ｌの焦点を合わせる。
【００３８】
位置決め偏向器１２０は、位置決め偏向器駆動回路１３４からの駆動信号を受けて、基板２に対する電子線Ｌの照射位置を変えることができる。
【００３９】
ステージ１０は、描画室３０に設けられている。描画室３０は、例えば、減圧状態に保たれている。ステージ１０には、基板２が配置される。ステージ１０は、基板２を所定の位置に移動させることができる。ステージ１０に載置された基板２上には、基板カバー２０が配置されている。ステージ１０および基板カバー２０の詳細については後述する「１．２．  ステージおよび基板カバー」で説明する。
【００４０】
制御部１００Ｂは、ブランカー制御回路１３０と、成形偏向器駆動回路１３２と、位置決め偏向器駆動回路１３４と、ステージ駆動回路１３６と、データ転送回路１３８と、制御装置１４０と、記憶部１５０と、を含む。
【００４１】
制御装置１４０は、記憶部１５０に記憶されているパターンデータをデータ転送回路１３８に転送する。制御装置１４０は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）が記憶部等に記憶された制御プログラムを実行することによりコンピューターとして機能し、上述した処理や各種制御を行う。
【００４２】
記憶部１５０は、制御装置１４０のワーク領域となるもので、その機能はＲＡＭなどにより実現できる。記憶部１５０は、制御装置１４０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。記憶部１５０は、例えば、パターンデータを記憶している。また、記憶部１５０は、制御装置１４０の作業領域として用いられ、制御装置１４０が各種プログラムに従って実行した算出結果等を一時的に記憶するためにも使用される。
【００４３】
データ転送回路１３８は、パターンデータを最大ビーム寸法以下のビーム図形に分割し、ビーム図形データを、成形偏向器駆動回路１３２および位置決め偏向器駆動回路１３４に送る。データ転送回路１３８からのビーム図形データに基づいて、成形偏向器駆動回路１３２は成形偏向器１１０を駆動し、位置決め偏向器駆動回路１３４は位置決め偏向器１２０を駆動する。
【００４４】
また、データ転送回路１３８は、パターンデータから照射時間データを算出し、照射時間データをブランカー制御回路１３０に供給する。ブランカー制御回路１３０は、データ転送回路１３８からの照射時間データに基づいて、電子線Ｌの照射のＯＮ−ＯＦＦを制御するブランキング信号をブランカー１０４に供給する。
【００４５】
このように、荷電粒子線描画装置１００では、パターンデータに基づいて、成形偏向器１１０により電子線Ｌの断面が単位パターン形状に形成され、その単位パターンはブランカー１０４により照射時間が制御され、基板２上に照射されて所望の形状のパターン描画が行われる。
【００４６】
さらに、基板２の異なる領域への描画の際には、制御装置１４０からステージ駆動回路１３６に制御信号が供給されて、ステージ１０は所定の距離だけ移動する。なお、ステージ１０の移動距離は、レーザー測長器（図示せず）により監視されており、このレーザー波長器からの測長結果に基づきステージ１０の位置は正確に制御される。
【００４７】
１．２．  ステージおよび基板カバー
次に、荷電粒子線描画装置１００のステージ１０および基板カバー２０について図面を参照しながら説明する。図２および図３は、ステージ１０および基板カバー２０を模式的に示す平面図である。なお、図２は、基板カバー２０の枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０に取り付けた状態を図示し、図３は、基板カバー２０の枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０から取り外した状態を図示している。
【００４８】
ステージ１０は、図２および図３に示すように、基部１１と、ミラー１２と、クランプ部１４と、位置決め用の溝１６と、端子１８ａ，１８ｂと、を有している。
【００４９】
基部１１は、例えば、銅（Ｃｕ）やチタン（Ｔｉ）等の導電性の材料からなる。基部１１は、装置本体（図示せず）のグランドに接続されている。
【００５０】
ミラー１２は、基部１１上に設けられている。ミラー１２は、ステージ１０の位置をレーザー測長器（図示せず）で測定するためのミラーである。ミラー１２は、レーザー測長器からのレーザー光を反射させる。
【００５１】
クランプ部１４は、ステージ１０の基部１１に設けられている。クランプ部１４は、基板２を保持する。図４は、クランプ部１４を模式的に示す断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【００５２】
クランプ部１４は、図４に示すように、上部材１４１と、下部材１４２と、板部材１４３と、押圧部１４４と、を含んで構成されている。クランプ部１４は、上部材１４１と下部材１４２との間で基板２を挟んで固定する。上部材１４１は、基部１１に固定されており、基板２の上面（第１面）２ａの位置を規制する。下部材１４２は、板部材１４３上に設けられている。下部材１４２は、板部材１４３の下に設けられた押圧部１４４によって基板２の下面（第１面とは反対側の第２面）２ｂに押圧されている。押圧部１４４は、例えば、バネである。押圧部１４４は、基部１１に設けられた凹部の底面１１ａに設けられている。基部１１の前記凹部は、図３に示すように、基板２を挿入する方向（図３では右側）にステージ端まで延びている。
【００５３】
クランプ部１４に基板２をクランプする際には、まず、板部材１４３を下げて下部材１４２および押圧部１４４を下げる。そして、基板２を所定の位置にセットして、板部材１４３を下げている力を解放する。これにより、押圧部１４４の力によって上部材１４１と下部材１４２が基板２をクランプする。
【００５４】
クランプ部１４は、複数設けられている。図示の例では、３つのクランプ部１４（第１クランプ部１４ａ、第２クランプ部１４ｂ、第３クランプ部１４ｃ）が設けられている。
【００５５】
ここで、図２に示すように、枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、第１導通ピン２４ａは、平面視において（電子線Ｌの上流側から見て）、複数のクランプ部１４（第１クランプ部１４ａ、第２クランプ部１４ｂ、第３クランプ部１４ｃ）のうちの第１クランプ部１４ａとの間の距離が他のクランプ部１４ｂ，１４ｃとの間の距離よりも小さくなるように配置される。また、同様に、枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、第２導通ピン２４ｂは、平面視において、第１クランプ部１４ａとの間の距離が他のクランプ部１４ｂ、１４ｃとの間の距離よりも小さくなるように配置される。第１導通ピン２４ａおよび第２導通ピン２４ｂは、第１クランプ部１４ａの近傍に配置されることが望ましい。
【００５６】
第１クランプ部１４ａの押圧部１４４は、他のクランプ部１４ｂ，１４ｃの押圧部１４４よりも大きな押圧力を基板２の下面２ｂに付与する。具体的には、第１クランプ部１４ａの押圧部１４４は、第１導通ピン２４ａが基板２の上面２ａを押圧する力および第２導通ピン２４ｂが基板２の上面２ａを押圧する力の分だけ、他のクランプ部１４ｂ，１４ｃの押圧部１４４よりも押圧力が大きい。これにより、基板２に加わる力を均等化することができ、基板２が撓むことを抑制することができる。
【００５７】
位置決め用の溝１６は、図２および図３に示すように、基部１１に設けられている。位置決め用の溝１６は、枠部２２の第２部分２２ｂを位置決めするための溝である。位置決め用の溝１６に、枠部２２の第２部分２２ｂに設けられた位置決め部材２６が配置されることにより、枠部２２の第２部分２２ｂを位置決めすることができる。図示の例では、位置決め用の溝１６は、２つ設けられている。
【００５８】
端子１８ａおよび端子１８ｂは、基部１１に設けられている。端子１８ａは、図２に示
すように、枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０に取り付けた際に、枠部２２の第２部分２２ｂに設けられた第１導通ピン２４ａと接触する。端子１８ｂは、枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０に取り付けた際に、枠部２２の第２部分２２ｂに設けられた第２導通ピン２４ｂと接触する。端子１８ｂは、配線１９ａを介して、検出部（抵抗測定器）１９に電気的に接続されている。
【００５９】
基板カバー２０は、図２に示すように、枠部２２と、第１導通ピン２４ａと、第２導通ピン２４ｂと、位置決め部材２６と、を有する。
【００６０】
枠部２２は、図２に示すように、平面視において、基板２の外周部を覆う。枠部２２は、板状の部材により構成され、基板２の外周部は基板２の外周部よりも大きく、中央部には開口部が形成されている。また、開口部の大きさは、基板２の外周部よりも小さい。そのため、図２に示すように、基板２の上方に基板カバー２０を重ねた場合に、基板２の外周部の全部が枠部２２と重なる。枠部２２は、例えば、導電性材料からなる。なお、枠部２２は、絶縁性材料の表面を導電性材料でコーティングしたものであってもよい。導電性材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、またはその合金などの金属材料を用いることができる。絶縁性材料としては、例えば、セラミック材料等を用いることができる。
【００６１】
枠部２２は、第１部分２２ａと、第２部分２２ｂと、を有している。枠部２２の第１部分２２ａと、枠部２２の第２部分２２ｂとは、ステージ１０上で一体となって、枠状となり平面視で基板２の外周部を覆う。図２に示すように、平面視において、枠部２２の外周縁の形状は四角形であり、当該四角形を１つの辺に平行であって当該四角形の中心からずれた位置を通る仮想直線で分けることで、枠部２２は第１部分２２ａと第２部分２２ｂとに分けられる。平面視において第１部分２２ａの面積は、例えば、第２部分２２ｂの面積よりも大きい。
【００６２】
なお、図示はしないが、平面視において、枠部２２の外周縁の形状は四角形であり、当該四角形を１つの辺に平行であって当該四角形の中心を通る仮想直線で分けることで、枠部２２を第１部分２２ａと第２部分２２ｂとに分けてもよい。すなわち、平面視において第１部分２２ａの面積は、第２部分２２ｂの面積と等しい。また、ここでは、枠部２２が２つの部分２２ａ、２２ｂを有する場合について説明したが、枠部２２は、２つ以上の部分を有していてもよい。
【００６３】
枠部２２の第１部分２２ａは、ステージ１０に配置されている。枠部２２の第１部分２２ａは、基板２を囲むように基部１１上に取り付けられている。具体的には、図４に示すように、基部１１に取り付けられたフレームに固定されている。
【００６４】
図５は、枠部２２の第２部分２２ｂを模式的に示す平面図である。図６は、枠部２２の第２部分２２ｂを模式的に示す側面図である。枠部２２の第２部分２２ｂは、ステージ１０に着脱可能である。すなわち、枠部２２の第２部分２２ｂは、ステージ１０に対して取り付けや取り外しを行うことができる。枠部２２の第２部分２２ｂは、搬送部４０（図１１参照）によってステージ１０に着脱される。
【００６５】
第１導通ピン２４ａおよび第２導通ピン２４ｂは、枠部２２の第２部分２２ｂに設けられている。なお、導通ピン２４ａ，２４ｂは、枠部２２の第１部分２２ａには設けられていない。第１導通ピン２４ａおよび第２導通ピン２４ｂは、導電性の材料からなる。第１導通ピン２４ａおよび第２導通ピン２４ｂの材質は、例えば、金属である。
【００６６】
図７は、ステージ１０および基板カバー２０を模式的に示す断面図であり、図２のＶＩ
Ｉ−ＶＩＩ線断面図である。
【００６７】
第１導通ピン２４ａは、図７に示すように枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、基板２の上面２ａに接触して基板２と導通する。ここで、基板２は、図７に示すように、ガラス基板３と、ガラス基板３上に形成された遮光膜層４と、遮光膜層４上に形成されたレジスト層５と、を有している。遮光膜層４は、例えば、クロム（Ｃｒ）である。図示の例では、基板２の外周部には、レジスト層５が形成されておらず、遮光膜層４が露出している。
【００６８】
枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、図７に示すように、第１導通ピン２４ａの先端部は、露出している遮光膜層４に接触する。また、第１導通ピン２４ａの後端部は、端子１８ａに接触する。第１導通ピン２４ａは、導電部材２３ａを介して、枠部２２の第２部分２２ｂに接続されている。端子１８ａは、導電部材２３ｂを介して、基部１１に設けられている。そのため、第１導通ピン２４ａは、枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、基板カバー２０および基部１１と電気的に接続される。基部１１は、装置本体のグランドに接続されているため、第１導通ピン２４ａに接触した遮光膜層４は、接地される。このように、枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、基板２（遮光膜層４）は、第１導通ピン２４ａと導通して接地される。
【００６９】
なお、上記実施例では、第１導通ピン２４ａを端子１８ａを介して接地することにより枠部２２の第２部分２２ｂを接地するようにしたが、後述するように、枠部２２の第２部分２２ｂは位置決め部材２６を介して基部１１に接続することにより接地できるため、端子１８ａを介しての接地は必須ではなく、端子１８ａ、導電部材２３ｂを省略してもよい。
【００７０】
図８は、ステージ１０および基板カバー２０を模式的に示す断面図であり、図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
【００７１】
第２導通ピン２４ｂは、図８に示すように枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、基板２の上面２ａに接触して基板２と導通する。
【００７２】
枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、図８に示すように、第２導通ピン２４ｂの先端部は、露出している遮光膜層４に接触する。また、第２導通ピン２４ｂの後端部は、端子１８ｂに接触する。第２導通ピン２４ｂは、絶縁部材２５ａを介して、枠部２２の第２部分２２ｂに接続されている。端子１８ｂは、絶縁部材２５ｂを介して、基部１１に設けられている。端子１８ｂは、配線１９ａを介して、検出部１９（図２参照）に接続されている。そのため、第２導通ピン２４ｂは、基板カバー２０および基部１１と絶縁されており、端子１８ｂおよび配線１９ａを介して検出部１９に接続される。これにより、検出部（抵抗測定器）１９によって基板２が接地していることを検出することができる。
【００７３】
具体的には、第１導通ピン２４ａが遮光膜層４と導通して基板２（遮光膜層４）が接地されている場合には、検出部１９で検出される抵抗は小さくなる。また、第１導通ピン２４ａが遮光膜層４と導通しておらず基板２（遮光膜層４）が接地されていない場合には、検出部１９で検出される抵抗は大きくなる。そのため、検出部１９によって基板２（遮光膜層４）が接地されていることを確認することができる。
【００７４】
なお、第２導通ピン２４ｂと検出部１９との間には、図示はしないが、第２導通ピン２４ｂと検出部１９との接続と、第２導通ピン２４ｂと装置のグランドとの接続と、を切り
替えるためのスイッチが設けられていてもよい。これにより、基板２が接地していることを確認した後に、第２導通ピン２４ｂを第１導通ピン２４ａと同様に基板２（遮光膜層４）を接地させるために用いることができる。
【００７５】
図９は、位置決め部材２６および位置決め用の溝１６を模式的に示す断面図であり、図２のＩＸ−ＩＸ線断面図である。図９では、枠部２２の第２部分２２ｂを、ステージ１０に取り付けた状態を図示している。
【００７６】
位置決め部材２６は、枠部２２の第２部分２２ｂに設けられている。位置決め部材２６の形状は、例えば、半球状である。図９に示すように、位置決め部材２６がステージ１０に設けられた位置決め用の溝１６に配置されることで、枠部２２の第２部分２２ｂは、第１部分２２ａと一体となるようにステージ１０に取り付けられる。位置決め部材２６は、複数（図示の例では３つ）設けられている。位置決め部材２６を導電性材料で作製した場合、枠部２２の第２部分２２ｂは位置決め部材２６を介しても接地可能である。
【００７７】
図１０は、荷電粒子線描画装置１００の構成を模式的に示す図である。図１０では、基板２を搬送部４０によって描画室３０のステージ１０に取り付けている状態を図示している。なお、図１０では、便宜上、ステージ１０を簡略化して図示している。
【００７８】
荷電粒子線描画装置１００は、図１０に示すように、描画室３０と、搬送室３１と、エアロックチャンバー３２と、アライメント室３６と、交換室３８と、を有している。
【００７９】
描画室３０には、ステージ１０が設けられている。ステージ１０には、基板カバー２０の枠部２２の第２部分２２ｂが予め配置されている。描画室３０の上方には、荷電粒子線描画装置１００の鏡筒１００Ａ（図１参照）が設けられている。描画室３０において、鏡筒１００Ａから基板２に電子線Ｌが照射され、基板２にパターンが描画される。描画室３０と搬送室３１との間には、ゲートバルブ（図示せず）が設けられている。
【００８０】
搬送室３１は、描画室３０に隣接している。搬送室３１には、搬送部４０が設けられている。搬送部４０は、例えば、ロボットアームである。搬送部４０によって、基板２や枠部２２の第２部分２２ｂが搬送される。
【００８１】
エアロックチャンバー３２は、搬送室３１の描画室３０側とは反対側に隣接している。すなわち、エアロックチャンバー３２と描画室３０との間に搬送室３１が位置している。エアロックチャンバー３２を介して、基板２や枠部２２の第２部分２２ｂについて、装置と外部との間で搬出入を行うことができる。エアロックチャンバー３２と搬送室３１との間には、ゲートバルブ（図示せず）が設けられている。
【００８２】
アライメント室３６は、基板２の位置決めを行うための空間である。アライメント室３６は、搬送室３１に隣接している。
【００８３】
交換室３８は、枠部２２の第２部分２２ｂを収容するための空間である。交換室３８は、搬送室３１に隣接している。アライメント室３６と交換室３８との間に搬送室３１が位置している。
【００８４】
以下に、基板２を外部から描画室３０に搬送してステージ１０に取り付ける方法について説明する。
【００８５】
基板２は、外部からエアロックチャンバー３２に導入される。その後、エアロックチャンバー３２内が真空排気され、エアロックチャンバー３２と搬送室３１との間のゲートバ
ルブが開かれる。基板２は、搬送部（ロボットアーム）４０によってエアロックチャンバー３２からアライメント室３６に搬送される。基板２は、アライメント室３６で位置決めされる。基板２がアライメント室３６で位置決めされた後、搬送室３１と描画室３０との間のゲートバルブが開かれる。基板２は、搬送部（ロボットアーム）４０によってアライメント室３６から描画室３０に搬送される。基板２は、クランプ部１４（図２〜４参照）によってステージ１０に固定される。
【００８６】
なお、基板２をステージ１０から取り外して外部に搬送する際には、上記の基板２を外部から描画室３０に搬送してステージ１０に取り付ける手順を逆に行う。
【００８７】
図１１は、荷電粒子線描画装置１００の構成を模式的に示す図である。図１１では、枠部２２の第２部分２２ｂを搬送部４０によって描画室３０のステージ１０に取り付けている状態を図示している。なお、図１１では、便宜上、ステージ１０を簡略化して図示している。
【００８８】
枠部２２の第２部分２２ｂは、外部からエアロックチャンバー３２に導入される。その後、エアロックチャンバー３２内が真空排気され、エアロックチャンバー３２と搬送室３１との間のゲートバルブが開かれる。枠部２２の第２部分２２ｂは、搬送部（ロボットアーム）４０によってエアロックチャンバー３２から交換室３８に搬送される。なお、第２部分２２ｂの外部から交換室３８への搬送は、基板２をステージ１０に取り付ける前に行ってもよい。すなわち、枠部２２の第２部分２２ｂは、基板２がステージ１０に取り付けられる前に、予め交換室３８に収容されていてもよい。また、第２部分２２ｂの外部から交換室３８への搬送は、基板２をステージ１０に取り付けた後に行ってもよい。
【００８９】
枠部２２の第２部分２２ｂは、搬送室３１と描画室３０との間のゲートバルブが開かれた後、搬送部（ロボットアーム）４０によって交換室３８から描画室３０に搬送される。そして、枠部２２の第２部分２２ｂは、基板カバー２０の枠部２２の第１部分２２ａと一体となるように搬送部４０によってステージ１０に取り付けられる。具体的には、第２部分２２ｂの位置決め部材２６がステージ１０の位置決め用の溝１６に配置されるように、搬送部４０によって枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０に配置する。
【００９０】
このようにして基板２および枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に配置された後、基板２に対する描画作業が開始される。そして、描画が終了し基板２を取り出す際には、取り付けの際とは逆の手順で、先に枠部２２の第２部分２２ｂが搬送部４０によってステージ１０から取り外され、その取り外されてできたスペースを介して基板２が搬送部４０によってステージ１０から取り外されて室外へ搬送される。
【００９１】
荷電粒子線描画装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００９２】
荷電粒子線描画装置１００では、基板カバー２０は、平面視において、ステージ１０に配置された基板２の外周部を覆う枠部２２を有している。そのため、荷電粒子線描画装置１００では、電子線Ｌによる描画の際に、基板２（ガラス基板３）の側面に電子線Ｌが照射されることを防ぐことができる。そのため、基板２が帯電することを抑制することができる。したがって、荷電粒子線描画装置１００では、電子線Ｌを照射して基板２上にパターンを描画する際に、電子線Ｌの軌道にずれが生じてしまうことを抑制することができる。
【００９３】
荷電粒子線描画装置１００では、枠部２２は、ステージ１０に配置される第１部分２２ａと、ステージ１０に着脱可能な第２部分２２ｂと、を有し、第２部分２２ｂは、搬送部４０によって着脱される。そのため、荷電粒子線描画装置１００では、例えば搬送部４０
によって枠部２２の全体を着脱する場合と比べて、枠部２２の着脱が容易である。したがって、荷電粒子線描画装置１００では、例えば基板カバー２０の枠部２２の着脱にかかる時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００９４】
荷電粒子線描画装置１００では、枠部２２の第２部分２２ｂには、基板２に接触して基板２と導通する第１導通ピン２４ａが設けられ、基板２は、第１導通ピン２４ａと導通して接地される。そのため、荷電粒子線描画装置１００では、基板２（遮光膜層４）が帯電することを抑制することができる。したがって、荷電粒子線描画装置１００では、電子線Ｌを照射して基板２上にパターンを描画する際に、電子線Ｌの軌道にずれが生じてしまうことを抑制することができる。
【００９５】
さらに、荷電粒子線描画装置１００では、搬送部４０によって基板カバー２０の枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０から容易に着脱することができるため、枠部２２の第２部分２２ｂを装置の外部に搬送して、第１導通ピン２４ａと基板２とが擦れて第１導通ピン２４ａに付着したゴミを容易に取り除くことができる。したがって、荷電粒子線描画装置１００では、生産性をより向上させることができる。また、荷電粒子線描画装置１００では、例えば枠部２２の全体を交換室３８に収容する場合と比べて、交換室３８に多くの枠部２２の第２部分２２ｂを収容することができる。
【００９６】
荷電粒子線描画装置１００では、枠部２２の第２部分２２ｂには、基板２に接触して基板２と導通する第２導通ピン２４ｂが設けられ、第２導通ピン２４ｂは、基板２が接地していることを検出するための検出部１９に接続されている。そのため、荷電粒子線描画装置１００では、基板２が接地していることを容易に確認することができる。また、荷電粒子線描画装置１００では、枠部２２の第２部分２２ｂに第２導通ピン２４ｂが設けられているため、上記の第１導通ピン２４ａの場合と同様に、第２導通ピン２４ｂと基板２とが擦れて第２導通ピン２４ｂに付着したゴミを容易に取り除くことができる。
【００９７】
荷電粒子線描画装置１００では、ステージ１０には、基板２を保持するクランプ部１４が設けられ、クランプ部１４は、基板２を下面２ｂ側から押圧し、クランプ部１４は、複数設けられ、第１及び第２導通ピン２４ａ，２４ｂは、複数のクランプ部１４ａ，１４ｂ，１４ｃのうちの第１クランプ部１４ａとの間の距離が他のクランプ部１４ｂ，１４ｃとの間の距離よりも小さくなるように配置され、第１クランプ部１４ａは、第１及び第２導通ピン２４ａ，２４ｂの押圧力を考慮して他のクランプ部１４ｂ，１４ｃよりも大きな押圧力を基板２に付与する。そのため、荷電粒子線描画装置１００では、例えば、複数のクランプ部１４ａ，１４ｂ，１４ｃの押圧力が等しい場合と比べて、基板２に加わる力を均等化することができ、基板２が撓むことを抑制することができる。
【００９８】
１．３．  変形例
次に、第１実施形態の荷電粒子線描画装置の変形例について説明する。図１２および図１３は、本変形例に係る荷電粒子線描画装置のステージ１０および基板カバー２０を模式的に示す断面図である。なお、図１２は、図７に対応し、図１３は、図８に対応している。なお、図１２および図１３では、上述した第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付している。
【００９９】
本変形例に係る荷電粒子線描画装置では、図１２および図１３に示す基板カバー２０の構成が上述した第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００の構成と異なっており、その他の点は同様である。そのため、以下では、荷電粒子線描画装置１００との相違点について説明する。
【０１００】
図１２および図１３に示すように、基板２の外周部には、レジスト層５が形成されてい
る。すなわち、基板２は、ガラス基板３の全面に遮光膜層４およびレジスト層５が形成されている。そのため、遮光膜層４と導通をとるためには、第１導通ピン２４ａおよび第２導通ピン２４ｂは、レジスト層５を突き破って遮光膜層４に接触しなければならない。
【０１０１】
そのため、本変形例では、図１２および図１３に示すように、第１導通ピン２４ａの先端部および第２導通ピン２４ｂの先端部は、尖鋭な形状である。これにより、第１導通ピン２４ａの先端部および第２導通ピン２４ｂの先端部は、レジスト層５を突き破って遮光膜層４に接触することができる。
【０１０２】
本変形例に係る荷電粒子線描画装置では、レジスト層５を突き破って導通ピン２４ａ，２４ｂを刺すため、その後基板２の交換の際、枠部２２の第２部分２２ｂを取り外したときにレジスト層５の一部が導通ピン２４ａ，２４ｂに付着することによりゴミが発生する場合がある。本変形例に係る荷電粒子線描画装置では、荷電粒子線描画装置１００と同様に、搬送部４０によって枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０から容易に着脱することができるため、レジスト層５の一部が導通ピン２４ａ，２４ｂに付着することにより発生するゴミを容易に取り除くことができる。
【０１０３】
なお、導通ピン２４ａ，２４ｂの先端部の形状はこれに限定されず、用途に応じて様々な形状をとることができる。例えば、図示はしないが、導通ピン２４ａ，２４ｂの先端部は、丸みを帯びた形状（例えば半球状）であってもよい。これにより、基板２の外周部において遮光膜層４が露出している場合（図７および図８参照）に、導通ピン２４ａ，２４ｂが遮光膜層４を突き破ることを防ぐことができる。
【０１０４】
図１４は、本変形例に係る荷電粒子線描画装置の構成を模式的に示す図である。図１４は、図１１に対応している。
【０１０５】
本変形例に係る荷電粒子線描画装置では、図１４に示すように、導通ピン２４ａ，２４ｂの先端部の形状が異なる複数の枠部２２の第２部分２２ｂ−１，２２ｂ−２，２２ｂ−３，２２ｂ−４を交換室３８に収容している。そのため、本変形例に係る荷電粒子線描画装置では、基板２の層構造等に応じて最適な導通ピン２４ａ，２４ｂを選択可能であり、導通ピン２４ａ，２４ｂの交換も容易である。
【０１０６】
２．  第２実施形態
次に、第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置について図面を参照しながら説明する。図１５および図１６は、第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置２００のステージ１０および基板カバー２０を模式的に示す平面図である。なお、図１５は、枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０に取り付けた状態を図示し、図１６は、枠部２２の第２部分２２ｂをステージ１０から取り外した状態を図示している。
【０１０７】
図１７は、枠部２２の第２部分２２ｂを模式的に示す平面図である。図１８は、枠部２２の第２部分２２ｂを模式的に示す側面図である。なお、便宜上、図１５、図１７および図１８では、加振部２１０を簡略化して図示している。また、図１５〜図１８では、上述した第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付している。
【０１０８】
第２実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、図１５〜図１８に示すステージ１０および基板カバー２０の構成が上述した荷電粒子線描画装置１００の構成と異なっており、その他の点は同様である。そのため、以下では、荷電粒子線描画装置１００との相違点について説明する。
【０１０９】
荷電粒子線描画装置２００では、図１５〜図１８に示すように、枠部２２の第２部分２２ｂには、第２部分２２ｂを振動させる加振部２１０が設けられており、さらに下面には外部から電源の供給を受ける図示しない端子が設けられている。また、基部１１には、枠部２２の第２部分２２ｂに設けられた端子と接触する位置に、加振部２１０に電流または電圧を供給するための電源端子２２０，２２２が設けられている。枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられることにより、電源端子２２０および電源端子２２２から加振部２１０に電流が供給され、加振部２１０が振動する。なお、図示の例では、枠部２２の第２部分２２ｂには、導通ピンは設けられていない。
【０１１０】
図１９は、荷電粒子線描画装置２００の基板カバー２０の加振部２１０を模式的に示す斜視図である。
【０１１１】
加振部２１０は、図１９に示すように、偏芯錘２１２と、偏芯錘２１２を回転させるモーター２１４と、を含んで構成されている。モーター２１４が偏芯錘２１２を回転させることで、枠部２２の第２部分２２ｂを振動させることができる。
【０１１２】
次に、加振部２１０を備えた枠部２２の第２部分２２ｂの使用方法について説明する。図２０は、荷電粒子線描画装置２００の構成を模式的に示す図である。図２０は、図１１に対応している。
【０１１３】
図２０に示すように、加振部２１０を備えた枠部２２の第２部分２２ｂ−１、および導通ピン２４ａ，２４ｂを備えた枠部２２の第２部分２２ｂ−２（例えば図５および図６参照）は、外部から交換室３８に搬送される。
【０１１４】
基板２がステージ１０に取り付けられた後、交換室３８に収容されていた加振部２１０を備えた第２部分２２ｂ−１は、搬送部（ロボットアーム）４０によって交換室３８から描画室３０に搬送される。そして、加振部２１０を備えた第２部分２２ｂ−１は、枠部２２の第１部分２２ａと一体となるように搬送部４０によってステージ１０に取り付けられる。このとき、基部１１に設けられた電源端子２２０，２２２（図１６参照）から加振部２１０に電源が供給されて、第２部分２２ｂ−１が振動する。この振動は、クランプ部１４（より具体的にはクランプ部１４の上部材１４１および下部材１４２、図４参照）に伝わり、クランプ部１４と基板２との間の残留応力を低減させることができる。
【０１１５】
次に、搬送部４０によって、第２部分２２ｂ−１はステージ１０から取り外されて、描画室３０から交換室３８に搬送される。その後、搬送部４０によって、導通ピン２４ａ，２４ｂを備えた第２部分２２ｂ−２は、交換室３８から描画室３０に搬送され、ステージ１０に取り付けられる。
【０１１６】
このように荷電粒子線描画装置２００では、電子線Ｌを照射して基板２にパターンを描画する際には導通ピン２４ａ，２４ｂを備えた枠部２２の第２部分２２ｂ−２を用いるため、モーター２１４から発生する磁場が電子線Ｌに与える影響を無くすことができる。
【０１１７】
荷電粒子線描画装置２００は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１１８】
荷電粒子線描画装置２００では、枠部２２の第２部分２２ｂには、第２部分２２ｂを振動させる加振部２１０が設けられている。そのため、荷電粒子線描画装置２００では、クランプ部１４と基板２との間の残留応力を低減することができる。したがって、ステージ１０において、基板２に位置ずれが生じてしまうことを抑制することができる。これにより、荷電粒子線描画装置２００では、基板２に位置ずれが生じることを抑制することができ、生産性を向上させることができる。
【０１１９】
荷電粒子線描画装置２００では、加振部２１０は、偏芯錘２１２と、偏芯錘２１２を回転させるモーター２１４と、を有する。これにより、第２部分２２ｂを振動させることができる。
【０１２０】
３．  第３実施形態
次に、第３実施形態に係る荷電粒子線描画装置について図面を参照しながら説明する。図２１は、第３実施形態に係る荷電粒子線描画装置の加振部２１０を模式的に示す図である。なお、図２１では、便宜上、ケース２３６を透視して図示している。
【０１２１】
第３実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、図２１に示す加振部２１０の構成が上述した荷電粒子線描画装置２００の構成と異なっており、その他の点は荷電粒子線描画装置２００の構成と同様である。そのため、以下では、荷電粒子線描画装置２００との相違点について説明する。
【０１２２】
荷電粒子線描画装置２００では、図１９に示すように、加振部２１０は、モーター２１４が偏芯錘２１２を回転させることにより、枠部２２の第２部分２２ｂを振動させていた。
【０１２３】
これに対して、第３実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、図２１に示すように、加振部２１０は、圧電素子２３０と、錘２３２と、板バネ２３４と、ケース２３６と、を有しており、圧電素子２３０の振動によって第２部分２２ｂを振動させる。
【０１２４】
具体的には、枠部２２の第２部分２２ｂがステージ１０に取り付けられると、圧電素子２３０には、電源端子２２０，２２２（図１６参照）から電圧が印加され、圧電素子２３０は振動（伸縮）する。この圧電素子２３０の振動が錘２３２および板バネ２３４に伝わり、第２部分２２ｂが振動する。ケース２３６は、圧電素子２３０、錘２３２、板バネ２３４を収容している。
【０１２５】
第３実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、加振部２１０は、圧電素子２３０を有している。そのため、第３実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、荷電粒子線描画装置２００と同様に、クランプ部１４と基板２との間の残留応力を低減することができる。
【０１２６】
４．  第４実施形態
次に、第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置について図面を参照しながら説明する。図２２は、第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置の枠部２２の第２部分２２ｂを模式的に示す平面図である。図２３は、第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置の枠部２２の第２部分２２ｂを模式的に示す側面図である。なお、便宜上、図２２および図２３では、加振部２１０を簡略化して図示している。また、図２２および図２３では、上述した荷電粒子線描画装置１００，２００，３００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付している。
【０１２７】
第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、図２２および図２３に示すステージ１０および基板カバー２０の構成が上述した荷電粒子線描画装置２００の構成と異なっており、その他の点は同様である。そのため、以下では、荷電粒子線描画装置２００との相違点について説明する。
【０１２８】
荷電粒子線描画装置２００では、図１７および図１８に示すように、枠部２２の第２部分２２ｂには、加振部２１０が設けられており、導通ピン２４ａ，２４ｂが設けられていなかった。
【０１２９】
これに対して、第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、図２２および図２３に示すように、枠部２２の第２部分２２ｂには、加振部２１０および導通ピン２４ａ，２４ｂが設けられている。これにより、第２部分２２ｂの加振と、導通ピン２４ａ，２４ｂによる基板２の接地と、を１つの第２部分２２ｂで行うことができる。
【０１３０】
なお、第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、加振部２１０として、図２１に示す圧電素子２３０を含む加振部２１０を用いることが望ましい。これにより、例えば加振部にモーターを用いた場合と比べて、発生する磁場を小さくすることができる。そのため、第４実施形態に係る荷電粒子線描画装置では、磁場によって電子線Ｌの軌道にずれが生じてしまうことを抑制することができる。
【０１３１】
上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１３２】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１３３】
２…基板、２ａ…第１面、２ｂ…下面、３…ガラス基板、４…遮光膜層、５…レジスト層、１０…ステージ、１１…基部、１１ａ…底面、１２…ミラー、１４…クランプ部、１４ａ…第１クランプ部、１４ｂ…第２クランプ部、１４ｃ…第３クランプ部、１６…溝、１８ａ，１８ｂ…端子、１９…検出部、１９ａ…配線、２０…基板カバー、２２…枠部、２２ａ…第１部分、２２ｂ…第２部分、２３ａ，２３ｂ…導電部材、２４ａ…第１導通ピン、２４ｂ…第２導通ピン、２５ａ，２５ｂ…絶縁部材、２６…位置決め部材、３０…描画室、３１…搬送室、３２…エアロックチャンバー、３６…アライメント室、３８…交換室４０…搬送部、１００…荷電粒子線描画装置、１００Ａ…鏡筒、１００Ｂ…制御部、１０２…電子銃、１０４…ブランカー、１０６…照射レンズ、１０８…第１スリット、１０９…第１開口部、１１０…成形偏向器、１１２…成形レンズ、１１４…第２スリット、１１５…第２開口部、１１６…縮小レンズ、１１８…対物レンズ、１２０…位置決め偏向器、１３０…ブランカー制御回路、１３２…成形偏向器駆動回路、１３４…位置決め偏向器駆動回路、１３６…ステージ駆動回路、１３８…データ転送回路、１４０…制御装置、１４１…上部材、１４２…下部材、１４３…板部材、１４４…押圧部、１５０…記憶部、２００…荷電粒子線描画装置、２１０…加振部、２１２…偏芯錘、２１４…モーター、２２０，２２２…電源端子、２３０…圧電素子、２３２…錘、２３４…板バネ、２３６…ケース、３００…荷電粒子線描画装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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