(57)【要約】【課題】視認性を低下させずに表面抵抗値を低くできる導電性積層体、及びその製造方法、前記導電性積層体を有する情報入力装置、及び表示装置の提供。【解決手段】基材と、前記基材上に形成された無機誘電体層と、前記無機誘電体層上に形成された透明導電層とを有し、前記無機誘電体層が、プラズマ処理されてなる導電性積層体である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材上に形成された無機誘電体層と、前記無機誘電体層上に形成された透明導電層とを有し、
前記無機誘電体層が、プラズマ処理されてなることを特徴とする導電性積層体。
【請求項２】
基材と、前記基材上に形成された無機誘電体層と、前記無機誘電体層上に形成された透明導電層とを有し、
前記透明導電層のＸＲＤ測定におけるＩｎ２Ｏ３（２２２）の回折ピークのＮＥＴ強度が、１，２００カウント以上であることを特徴とする導電性積層体。
【請求項３】
無機誘電体層が、ＳｉＯ２を含有する請求項１から２のいずれかに記載の導電性積層体。
【請求項４】
透明導電層が、ＩＴＯを含有する請求項１から３のいずれかに記載の導電性積層体。
【請求項５】
基材と、無機誘電体層との間に、可視光の波長以下の微細ピッチで配置された構造体を有し、
前記無機誘電体層、及び透明導電層が、前記構造体の形状の倣った形状を有する請求項１から４のいずれかに記載の導電性積層体。
【請求項６】
基材上に、無機誘電体層を形成する無機誘電体層形成工程と、
前記無機誘電体層にプラズマ処理をするプラズマ処理工程と、
前記無機誘電体層上に透明導電層を形成する透明導電層形成工程とを含むことを特徴とする導電性積層体の製造方法。
【請求項７】
透明導電層が、スパッタリングにより形成される請求項６に記載の導電性積層体の製造方法。
【請求項８】
基材上に活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布して未硬化樹脂層を形成する未硬化樹脂層形成工程と、
前記未硬化樹脂層に微細な凸部及び凹部のいずれかを有する転写原盤を密着させ、前記転写原盤が密着した前記未硬化樹脂層に活性エネルギー線を照射し前記未硬化樹脂層を硬化させて前記微細な凸部及び凹部のいずれかを転写することにより、可視光の波長以下の微細ピッチで配置された構造体を形成する構造体形成工程とを、
無機誘電体層形成工程の前に含む、請求項６から７のいずれかに記載の導電性積層体の製造方法。
【請求項９】
請求項１から５のいずれかに記載の導電性積層体を有することを特徴とする情報入力装置。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれかに記載の導電性積層体を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性積層体、及びその製造方法、情報入力装置、並びに表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル機器、携帯電話機器などが備える表示装置上には、情報を入力するための抵抗膜式タッチパネルが配置されるようになっている。抵抗膜式タッチパネルは、２つの導電性積層体を対向配置させた構造を有している。前記導電性積層体は、タッチパネルの電極として機能するものであり、高分子フィルム、ガラス基板などの透明性を有する基材と、前記基材上に形成された、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの高屈折率の材料（例えば、屈折率１．９〜２．１程度）からなる透明導電層とを備える。
また、静電容量式タッチパネルも配置されるようになってきており、現在では主流となりつつある。静電容量式タッチパネルは、絶縁性基板上の入力操作面に高分子フィルム、ガラス基板等の絶縁保護層で覆われた導電層を備え、絶縁保護層による静電容量を介して導電層に接近する指などの入力操作体の入力操作位置を検出する。
【０００３】
上述のように、タッチパネルは表示装置上に配置されることが一般的であるため、表示装置の表示品質を低下させないことが求められる。しかし、基材として用いられるプラスチック材料及びガラスの屈折率が約１．５前後であるのに対し、透明導電層の屈折率が約２．０前後であるため、表示装置の表示面に導電性積層体を配置すると、反射光が増加し、表示装置の表示品質が低下してしまう。特に、静電容量式タッチパネルにおいては、導電層をエッチング等によりパターニングするため、導電層のある部分とない部分に反射率差が生じてしまい、反射率の高いパターン部分が見えてしまうことにより表示装置の表示品質が低下してしまう。
【０００４】
また、導電性積層体では、用途によって求められる表面抵抗値が異なる。例えば、デジタル抵抗膜式タッチパネル、アナログ抵抗膜式などでは、１００Ω／□〜数１００Ω／□の幅広い範囲の表面抵抗値が求められる。また、静電容量式タッチパネルでは、５０Ω／□〜４００Ω／□程度の表面抵抗値が求められる。
表面抵抗値を低下させる方法の一つは、導電性積層体の透明導電層の厚みを厚くすることである。これは、表面抵抗値は、透明導電層の厚みに依存するためである。しかし、透明導電層の厚みを厚くすると吸収が増加し、視認性の低下により表示装置の画質が低下してしまうという問題がある。
表面抵抗値を低下させる他の方法としては、ＩＴＯ成膜時に抵抗値が最小になる量のＯ２添加などが挙げられる。しかし、この方法でも、吸収の増加によって視認性が低下し、表示装置の画質が低下してしまうという問題がある。
【０００５】
従来、導電性積層体の透過特性を向上するために、反射防止膜を形成する技術が用いられている。例えば、基材と透明導電層との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電性積層体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。
しかし、この技術単独では、表面抵抗値を低くすることはできない。
【０００６】
即ち、従来技術では、視認性を低下させずに表面抵抗値を低くできる技術が得られていない。
【０００７】
したがって、視認性を低下させずに表面抵抗値を低くできる導電性積層体、及びその製造方法、前記導電性積層体を有する情報入力装置、及び表示装置の提供が求められているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１３６６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、視認性を低下させずに表面抵抗値を低くできる導電性積層体、及びその製造方法、前記導電性積層体を有する情報入力装置、及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基材と、前記基材上に形成された無機誘電体層と、前記無機誘電体層上に形成された透明導電層とを有し、
前記無機誘電体層が、プラズマ処理されてなることを特徴とする導電性積層体である。
＜２＞  基材と、前記基材上に形成された無機誘電体層と、前記無機誘電体層上に形成された透明導電層とを有し、
前記透明導電層のＸＲＤ測定におけるＩｎ２Ｏ３（２２２）の回折ピークのＮＥＴ強度が、１，２００カウント以上であることを特徴とする導電性積層体である。
＜３＞  無機誘電体層が、ＳｉＯ２を含有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の導電性積層体である。
＜４＞  透明導電層が、ＩＴＯを含有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の導電性積層体である。
＜５＞  基材と、無機誘電体層との間に、可視光の波長以下の微細ピッチで配置された構造体を有し、
前記無機誘電体層、及び透明導電層が、前記構造体の形状の倣った形状を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の導電性積層体である。
＜６＞  基材上に、無機誘電体層を形成する無機誘電体層形成工程と、
前記無機誘電体層にプラズマ処理をするプラズマ処理工程と、
前記無機誘電体層上に透明導電層を形成する透明導電層形成工程とを含むことを特徴とする導電性積層体の製造方法である。
＜７＞  透明導電層が、スパッタリングにより形成される前記＜６＞に記載の導電性積層体の製造方法である。
＜８＞  基材上に活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布して未硬化樹脂層を形成する未硬化樹脂層形成工程と、
前記未硬化樹脂層に微細な凸部及び凹部のいずれかを有する転写原盤を密着させ、前記転写原盤が密着した前記未硬化樹脂層に活性エネルギー線を照射し前記未硬化樹脂層を硬化させて前記微細な凸部及び凹部のいずれかを転写することにより、可視光の波長以下の微細ピッチで配置された構造体を形成する構造体形成工程とを、
無機誘電体層形成工程の前に含む、前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載の導電性積層体の製造方法である。
＜９＞  前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の導電性積層体を有することを特徴とする情報入力装置である。
＜１０＞  前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の導電性積層体を有することを特徴とする表示装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、視認性を低下させずに表面抵抗値を低くできる導電性積層体、及びその製造方法、前記導電性積層体を有する情報入力装置、及び表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の導電性積層体の構成の一例を示す概略平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａに示した導電性積層体の一部を拡大して表す平面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
【図２】図２は、図１Ａに示した導電性積層体の一部を拡大して表す斜視図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図１Ａに示した導電性積層体のトラック延在方向の断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図１Ａに示した導電性積層体のθ方向の断面図である。
【図４】図４は、図１Ａに示した導電性積層体の一部を拡大して表す斜視図である。
【図５】図５は、図１Ａに示した導電性積層体の一部を拡大して表す斜視図である。
【図６】図６は、図１Ａに示した導電性積層体の一部を拡大して表す斜視図である。
【図７】図７は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための図である。
【図８Ａ】図８Ａは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、円錐形状又は円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、楕円錐形状又は楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、導電性積層体を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。
【図１１】図１１は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性積層体の製造方法を説明するための工程図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本発明の情報入力装置であるタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、本発明の情報入力装置であるタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の表示装置である液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。
【図１７】図１７は、実施例１で得られた導電性積層体の断面写真である。
【図１８】図１８は、ＸＲＤ測定におけるＩｎ２Ｏ３（２２２）のピークのＮＥＴ強度と比抵抗との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（導電性積層体）
本発明の導電性積層体は、基材と、無機誘電体層と、透明導電層とを少なくとも有し、好ましくは構造体を有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００１４】
＜基材＞
前記基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス、樹脂製基材などが挙げられる。
【００１５】
前記ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、Ｐ．Ｉ−５３７、日本化学会編参照）が挙げられる。
【００１６】
前記樹脂製基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ＰＣ／ＰＭＭＡ積層体、ゴム添加ＰＭＭＡなどが挙げられる。
【００１７】
前記基材は、透明性を有することが好ましい。
【００１８】
前記基材の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シート状、プレート状、ブロック状などが挙げられる。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。
前記基材が板状の場合、前記基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５μｍ〜１，０００μｍが好ましく、５０μｍ〜５００μｍがより好ましい。
【００１９】
前記基材の表面には、文字、模様、画像などが印刷されていてもよい。
【００２０】
前記基材が樹脂製基材の場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、前記樹脂製基材の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
【００２１】
＜構造体＞
前記導電性積層体は、前記基材と、前記無機誘電体層との間に、前記構造体を有することが好ましい。
前記構造体は、前記基材上に可視光の波長以下の微細ピッチで配置されている。
【００２２】
前記構造体は、凸部である。この構造体は、多数配列されている。
前記構造体は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば、可視光の波長以下の配置ピッチで周期的に２次元配置されている。ここで、配置ピッチとは、平均配置ピッチＰを意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域又は赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、前記構造体の平均配置ピッチは、１８０ｎｍ〜３５０ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜３２０ｎｍがより好ましく、１１０ｎｍ〜２８０ｎｍが特に好ましい。前記平均配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、構造体の作製が困難となる傾向がある。一方、前記平均配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
【００２３】
前記導電性積層体の各構造体３は、前記基材の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する（図１Ｂ参照）。本発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基材の成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向のことをいう。
【００２４】
構造体３は、例えば、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図１Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターン又は準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。図１Ｂの実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。
【００２５】
構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図１Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１及びＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。
【００２６】
構造体３は、成形の容易さの観点から、錐体形状、又は錐体形状をトラック方向に延伸又は収縮させた錐体形状を有することが好ましい。構造体３は、軸対称な錐体形状、又は錐体形状をトラック方向に延伸又は収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体３に接合されている場合には、構造体３は、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、又は錐体形状をトラック方向に延伸又は収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などが挙げられる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状及び円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。
【００２７】
構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、図２及び図４に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形又は卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。また、図５に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形又は卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。
【００２８】
反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図４参照）が好ましい。また、反射特性及び透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部及び頂部より急峻な錐形形状（図２参照）、又は、頂部が平坦な錐体形状（図５参照）であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状又は楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図２などでは、各構造体３は、それぞれ同一の形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の構造体３が形成されていてもよい。また、構造体３は、基材２と一体的に形成されていてもよい。
【００２９】
また、図２、図４〜図６に示すように、構造体３の周囲の一部又は全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図２、図４、及び図５に示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、図６に示すように、構造体３の周囲の全体又はその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状及び断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部又は全部の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
【００３０】
トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１は、列方向における構造体３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
【００３１】
なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布（例えばアスペクト比０．２〜１．７８程度の範囲）をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性積層体１を実現することができる。
構造体３のアスペクト比（高さＨ／平均配置ピッチＰ）は、０．２〜１．７８が好ましく、０．２〜１．２８がより好ましく、０．３〜１．０が特に好ましい。
【００３２】
ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基材２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基材２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基材２の表面に周期的又は非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。
【００３３】
構造体３の周縁部に裾部３ａを設けることが好ましい。導電性積層体の製造工程において構造体３を金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部３ａとは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部３ａは、剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全部に設けることが好ましい。また、構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。
【００３４】
構造体３の平均高さ（平均深さ）は、６０ｎｍ〜３２０ｎｍが好ましく、６０ｎｍ〜２８０ｎｍがより好ましく、７０ｎｍ〜２３０ｎｍが特に好ましい。構造体３の平均高さが６０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の平均高さが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現することが困難となる傾向がある。
【００３５】
なお、本発明においてアスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
ただし、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３ ・・・（２）
ただし、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）
【００３６】
六方格子パターン、又は準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている場合には、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。ただし、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。
【００３７】
同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２は、１．０≦Ｐ１／Ｐ２≦２．０、又は１．０＜Ｐ１／Ｐ２≦２．０が好ましく、１．０≦Ｐ１／Ｐ２≦１．５、又は１．０＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５がより好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐又は楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
【００３８】
基材表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上が好ましく、７３％以上がより好ましく、８６％以上が特に好ましい。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、又は、構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。
【００３９】
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性積層体１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、及びトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、及び底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（ｈｅｘ．）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００  ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｈｅｘ．）＝２Ｓ
【００４０】
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
【００４１】
構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。
【００４２】
図７は、構造体３の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図７に示すように、構造体３の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体３の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体３の底面が楕円である場合には、長軸及び短軸で同様の処理を行う。
【００４３】
図８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。図８Ａ〜図８Ｄに示す楕円の楕円率はそれぞれ、１００％、１１０％、１２０％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。
【００４４】
ここで、楕円率ｅは、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それと直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。導電性積層体１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。
【００４５】
図９Ａは、円錐形状又は円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状又は楕円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ａ及び図９Ｂに示すように、構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、構造体３の下部が、隣接関係にある構造体３の一部又は全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、又はそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、又はそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある構造体３の全部の下部を接合する例が示されている。このように構造体３を接合することで、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
【００４６】
図９Ｂに示すように、同一トラック内において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第２の接合部２が形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、及び第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状又は楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。
【００４７】
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）は、８５％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９５％以上が特に好ましい。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
【００４８】
＜無機誘電体層＞
前記無機誘電体層を構成する材料としては、無機の誘電体であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属酸化物などが挙げられる。前記金属酸化物としては、例えば、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化タングステン（ＷＯ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ５）、酸化ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などが挙げられる。これらの中でも、吸収が小さく透明性が高いこと、屈折率が樹脂の屈折率に近いこと、並びに、ガス及び水分の透過性が低いことから、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。
【００４９】
無機誘電体層５は、構造体３による反射防止効果を阻害しないように、構造体３の形状に倣って形成され、構造体３と無機誘電体層５との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。無機誘電体層５の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性及び／又は透過特性を維持できるからである。無機誘電体層５を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。構造体３の高さを低くした場合にも、構造体３の反射防止効果を阻害しないような厚みで無機誘電体層５を形成することができるからである。すなわち、無機誘電体層５が構造体３の形状に倣った形状を維持することができるからである。
【００５０】
無機誘電体層５の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、デガス及び水分の透過防止の点から、２ｎｍ〜１５ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍがより好ましい。前記平均厚みが、２ｎｍ未満であると、デガス及び水分の防止効果が不十分となることがあり、１５ｎｍを超えると、凹凸の形状が変化し、所望の反射率特性が得られなくなることがある。本明細書において、導電性積層体１が構造体３を有する場合、無機誘電体層５の平均厚みは、構造体３の頂部における無機誘電体層５の平均厚みである。導電性積層体１が構造体３を有する場合の、無機誘電体層５の平均厚みは、例えば、以下のようにして求められたものである。
まず、導電性積層体１を構造体３の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３における頂部における無機誘電体層５の厚みを測定する。これらの測定を導電性積層体１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均厚みを求め、この平均膜厚を無機誘電体層５の平均厚みとする。
【００５１】
前記無機誘電体層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ウェットプロセス、ドライプロセスなどが挙げられる。前記ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法などが挙げられる。これらの中でも、スパッタリング法が好ましい。
【００５２】
−プラズマ処理−
前記無機誘電体層は、プラズマ処理されてなる。
前記プラズマ処理としては、例えば、プラズマボンバード処理、逆スパッタリング処理などが挙げられる。これらの中でも、フィルム製造装置で広く普及しており、生産性が高い点から、プラズマボンバード処理が好ましい。
【００５３】
前記プラズマボンバード処理は、例えば、真空条件下でＡｒガスを使用して行われる。
前記プラズマボンバード処理においては、例えば、ＲＦ電源を使用する。また、前記プラズマボンバード処理における照射パワーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２００Ｗ〜１，０００Ｗが好ましく、３００Ｗ〜８００Ｗがより好ましい。前記プラズマボンバード処理における照射時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０秒間〜３０秒間が好ましく、１３秒間〜２５秒間がより好ましい。
【００５４】
＜透明導電層＞
前記透明導電層を構成する材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ）、ＳＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ２、ＧＺＯ、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。これらの中でも、信頼性の高さ、及び抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。
【００５５】
前記透明導電層は、前記無機誘電体層に接している。
【００５６】
透明導電層４は、構造体３による反射防止効果を阻害しないように、構造体３の形状に倣って形成され、構造体３と透明導電層４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。透明導電層４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性及び／又は透過特性を維持できるからである。透明導電層４を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。構造体３の高さを低くした場合にも、構造体３の反射防止効果を阻害しないような厚みで透明導電層４を形成することができるからである。すなわち、透明導電層４が構造体３の形状に倣った形状を維持することができるからである。
【００５７】
透明導電層４の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表面抵抗、色味、及びクラックの点から、９ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。前記平均厚みが、９ｎｍ未満であると、表面抵抗が高すぎることがあり、５０ｎｍを超えると、黄色味がかること、及び膜クラックが入りやすくなることがある。本明細書において、導電性積層体１が構造体３を有する場合、透明導電層４の平均厚みは、構造体３の頂部における透明導電層の平均厚みである。導電性積層体１が構造体３を有する場合の、透明導電層４の平均厚みは、例えば、以下のようにして求められたものである。
まず、導電性積層体１を構造体３の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３における頂部における透明導電層４の厚みを測定する。これらの測定を導電性積層体１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均厚みを求め、この平均膜厚を透明導電層４の平均厚みとする。
【００５８】
前記透明導電層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ウェットプロセス、ドライプロセスなどが挙げられる。前記ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法などが挙げられる。これらの中でも、表面抵抗値を低くできる点で、スパッタリング法が好ましい。
【００５９】
前記透明導電層は、Ｉｎ２Ｏ３を含有することが好ましい。Ｉｎ２Ｏ３を含有する材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。
前記透明導電層におけるＩｎ２Ｏ３の含有量としては、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。
【００６０】
前記透明導電層のＸＲＤ測定におけるＩｎ２Ｏ３（２２２）の回折ピークのＮＥＴ強度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１，２００カウント以上であることが好ましい。
前記ＮＥＴ強度は、例えば、ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製のＸ’Ｐｅｒｔ  Ｐｒｏ  ＭＰＤを用いて測定を行う。具体的には、Ｃｕ管球（特性Ｘ線ＣｕＫα１  λ＝１．５４０５９８Å）を使用し、平行法（入射角１°  受光部に平板コリメーター使用）にて２θ（１０°〜８０°）の範囲で回折強度を測定し、ＩＴＯ結晶ピーク（２２２）（およそ２θ＝３０．６°）におけるピークフィッティング（フィッティング関数：Ｐｓｅｕｄｏ−Ｖｏｉｇｔ  関数）を行うことにより測定できる。
【００６１】
前記導電性積層体を製造する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の本発明の導電性積層体の製造方法が好ましい。
【００６２】
（導電性積層体の製造方法）
本発明の導電性積層体の製造方法は、無機誘電体層形成工程と、プラズマ処理工程と、透明導電層形成工程とを少なくも含み、好ましくは未硬化樹脂層形成工程と、構造体形成工程とを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００６３】
＜未硬化樹脂層形成工程＞
前記未硬化樹脂層形成工程としては、前記基材上に活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布して未硬化樹脂層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６４】
前記基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明の前記導電性積層体の説明において例示した前記基材などが挙げられる。
【００６５】
−活性エネルギー線硬化性樹脂組成物−
前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、多官能（メタ）アクリルモノマーと、光重合開始剤とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する活性エネルギー線硬化性樹脂組成物などが挙げられる。
【００６６】
−−多官能（メタ）アクリルモノマー−−
前記多官能（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、エトキシ化（３）ビスフェノールＡジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、アクリレートエステル（ジオキサングリコールジアクリレート）、エトキシ化（４）ビスフェノールＡジアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、１，１２−ドデカンジオールジメタクリレート、１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化（４）ビスフェノールＡジメタクリレート、エトキシ化（６）ビスフェノールＡジメタクリレートなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
また、前記多官能（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、二官能ウレタン（メタ）アクリレート、二官能エポキシ（メタ）アクリレート、二官能ポリエステル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００６８】
前記二官能ウレタン（メタ）アクリレートは、市販品であってもよい。前記市販品としては、例えば、サートマー社製のＣＮ９４０、ＣＮ９６３、ＣＮ９６３Ａ８０、ＣＮ９６３Ｂ８０、ＣＮ９６３Ｅ７５、ＣＮ９６３Ｅ８０、ＣＮ９８２Ａ７５、ＣＮ９８２Ｂ８８、ＣＮ９８３、ＣＮ９８５Ｂ８８、ＣＮ９００１、ＣＮ９０１１、ＣＮ９０２Ｊ７５、ＣＮ９７７Ｃ７０、ＣＮ９９９、ＣＮ１９６３、ＣＮ２９２０、ダイセル・サイテック株式会社製のＥＢＥＣＲＹＬ  ２８４、共栄社化学株式会社製のＡＴ−６００、ＵＦ−８００１Ｇなどが挙げられる。
【００６９】
前記二官能エポキシ（メタ）アクリレートは、市販品であってもよい。前記市販品としては、例えば、サートマー社製のＣＮ１０４、ＣＮ１０４Ａ８０、ＣＮ１０４Ｂ８０、ＣＮ１０４Ｄ８０、ＣＮ１１５、ＣＮ１１７、ＣＮ１２０、ＣＮ１２０Ａ７５、ＣＮ１２０Ｂ６０、ＣＮ１２０Ｂ８０、ＣＮ１２０Ｃ６０、ＣＮ１２０Ｃ８０、ＣＮ１２０Ｄ８０、ＣＮ１２０Ｅ５０、ＣＮ１２０Ｍ５０、ＣＮ１３６、ＣＮ１５１、ＣＮ  ＵＶＥ１５１、ＣＮ  ＵＶＥ１５０／８０、ＣＮ２１００、ダイセル・サイテック株式会社製のＥＢＥＣＲＹＬ  ６００、  ＥＢＥＣＲＹＬ  ６０５、  ＥＢＥＣＲＹＬ  ３７００、  ＥＢＥＣＲＹＬ  ３７０１、  ＥＢＥＣＲＹＬ  ３７０２、  ＥＢＥＣＲＹＬ  ３７０３、共栄社化学株式会社製の７０ＰＡ、２００ＰＡ、８０ＭＦＡ、３００２Ａ、３０００Ａなどが挙げられる。
【００７０】
前記二官能ポリエステル（メタ）アクリレートは、市販品であってもよい。前記市販品としては、例えば、サートマー社製のＣＮ２２０３、ＣＮ２２７２などが挙げられる。
【００７１】
前記多官能（メタ）アクリルモノマーのガラス転移温度（Ｔｇ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０℃以上であることが好ましい。前記Ｔｇは、例えば、前記多官能（メタ）アクリルモノマー１００質量部に対して前記重合開始剤を５質量部配合し、水銀ランプを用いて、照射量１，０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射して得た硬化物を試験片として用い、示差走査熱量測定装置や熱機械分析装置により求めることができる。
【００７２】
前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物における前記多官能（メタ）アクリルモノマーの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１５．０質量％〜９９．９質量％が好ましく、５０．０質量％〜９９．０質量％がより好ましく、７５．０質量％〜９８．０質量％が特に好ましい。
【００７３】
−−光重合開始剤−−
前記光重合開始剤としては、例えば、光ラジカル重合開始剤、光酸発生剤、ビスアジド化合物、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシグリコユリルなどが挙げられる。
前記光ラジカル重合開始剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エトキシフェニル（２，４，６−トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメチルベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、ビス（２，６−ジクロルベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、１−フェニル２−ヒドロキシ−２メチルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１，２−ジフェニルエタンジオン、メチルフェニルグリオキシレートなどが挙げられる。
【００７４】
前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物における前記光重合開始剤の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１質量％〜１０質量％が好ましく、０．５質量％〜８質量％がより好ましく、１質量％〜５質量％が特に好ましい。
【００７５】
前記未硬化樹脂層は、前記基材上に前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布して、必要に応じて乾燥を行うことにより形成される。前記未硬化樹脂層は、固体の膜であってもよいし、前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物に含有される低分子量の硬化性成分によって流動性を有した膜であってもよい。
【００７６】
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ワイヤーバーコーティング、ブレードコーティング、スピンコーティング、リバースロールコーティング、ダイコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、マイクログラビアコーティング、リップコーティング、エアーナイフコーティング、カーテンコーティング、コンマコート法、ディッピング法などが挙げられる。
【００７７】
前記未硬化樹脂層は、活性エネルギー線が照射されていないため、硬化していない。
【００７８】
＜構造体形成工程＞
前記構造体形成工程としては、前記未硬化樹脂層に微細な凸部及び凹部のいずれかを有する転写原盤を密着させ、前記転写原盤が密着した前記未硬化樹脂層に活性エネルギー線を照射し前記未硬化樹脂層を硬化させて前記微細な凸部及び凹部のいずれかを転写することにより、可視光の波長以下の微細ピッチで配置された構造体を形成する工程あれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７９】
−転写原盤−
前記転写原盤は、微細な凸部及び凹部のいずれかを有する。
前記転写原盤の材質、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記転写原盤の微細な凸部及び凹部のいずれかの形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、所定のパターン形状を有するフォトレジストを保護膜として前記転写原盤の表面をエッチングすることにより形成することが好ましい。また、レーザーを前記転写原盤の表面に照射して前記転写原盤をレーザー加工することにより形成することが好ましい。
【００８０】
−活性エネルギー線−
前記活性エネルギー線としては、前記未硬化樹脂層を硬化させる活性エネルギー線であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線等）、マイクロ波、高周波などが挙げられる。
【００８１】
＜無機誘電体層形成工程＞
前記無機誘電体層形成工程としては、基材上に、無機誘電体層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記基材は、前記構造体が形成された基材であってもよい。
【００８２】
前記基材としては、例えば、本発明の前記導電性積層体の説明において例示した前記基材などが挙げられる。
前記無機誘電体層としては、例えば、本発明の前記導電性積層体の説明において例示した前記無機誘電体層などが挙げられる。
【００８３】
前記無機誘電体層を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ウェットプロセス、ドライプロセスなどが挙げられる。前記ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法などが挙げられる。これらの中でも、スパッタリング法が好ましい。
【００８４】
＜プラズマ処理工程＞
前記プラズマ処理工程としては、前記無機誘電体層にプラズマ処理をする工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８５】
前記プラズマ処理としては、例えば、本発明の前記導電性積層体の説明において例示した前記プラズマ処理などが挙げられる。
【００８６】
＜透明導電層形成工程＞
前記透明導電層形成工程としては、前記無機誘電体層上に透明導電層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８７】
前記透明導電層は、前記無機誘電体層の表面に接するように形成される。
【００８８】
前記透明導電層としては、例えば、本発明の前記導電性積層体の説明において例示した前記透明導電層などが挙げられる。
【００８９】
前記透明導電層を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ウェットプロセス、ドライプロセスなどが挙げられる。前記ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法などが挙げられる。これらの中でも、スパッタリング法が好ましい。
【００９０】
ここで、前記無機誘電体層形成工程、前記プラズマ処理、及び前記透明導電層は、減圧下、好ましくは真空下で、連続して行われることが好ましい。そうすることにより、不純物の混入を防ぐことができる。
【００９１】
以下に本発明の導電性積層体の製造方法の一例を示す。以下の導電性積層体は、前記基材と前記無機誘電体層との間に前記構造体を有する導電性積層体であるが、本発明の導電性積層体は、前記構造体を有するものに限定されない。
【００９２】
［ロールマスタの構成］
図１０Ａ及び図１０Ｂは、上述の構成を有する導電性積層体を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、ロールマスタ１１は、例えば、原盤１２の表面に凹部である構造体１３が可視光などの光の波長と同程度のピッチで多数配置された構成を有している。原盤１２は、円柱状又は円筒状の形状を有する。原盤１２の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターン又は準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。
【００９３】
［導電性積層体の製造方法］
次に、図１１〜図１４を参照しながら、以上のように構成される導電性積層体１の製造方法の一例について説明する。
【００９４】
＜＜露光装置の構成＞＞
まず、図１１を参照して、モスアイパターンの露光工程に用いるロール原盤露光装置の構成について説明する。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
【００９５】
レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１２の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１５を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１５は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１５は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
【００９６】
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１５の位相変調を行う。
【００９７】
変調光学系２５において、レーザー光１５は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ２）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔ−Ｏｐｔｉｃ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２７に集光される。レーザー光１５は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１５は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
【００９８】
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、及び対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１２上のレジスト層へ照射される。原盤１２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１５を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
【００９９】
露光装置は、図１Ｂに示した六方格子又は準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォーマッタ２９とドライバ３０とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
【０１００】
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントローラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子又は準六方格子パターンを記録することができる。例えば、図１０Ｂに示すように、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォマッター信号の周波数はロールの回転数（例えば１，８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１，８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォマッター信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介して原盤１２上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
【０１０１】
＜＜レジスト成膜工程＞＞
まず、図１２Ａに示すように、円柱状の原盤１２を準備する。この原盤１２は、例えばガラス原盤である。次に、図１２Ｂに示すように、原盤１２の表面にレジスト層１４を形成する。レジスト層１４の材料としては、例えば有機系レジスト、及び無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、タングステンやモリブデンなどの１種又は２種以上の遷移金属からなる金属酸化物を用いることができる。
【０１０２】
＜＜露光工程＞＞
次に、図１２Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、原盤１２を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１５をレジスト層１４に照射する。このとき、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向（円柱状又は円筒状の原盤１２の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１５を間欠的に照射することで、レジスト層１４を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１５の軌跡に応じた潜像１６が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１４の全面にわたって形成される。
【０１０３】
潜像１６は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターン又は準六方格子パターンを形成する。潜像１６は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
【０１０４】
＜＜現像工程＞＞
次に、原盤１２を回転させながら、レジスト層１４上に現像液を滴下して、図１３Ａに示すように、レジスト層１４を現像処理する。図示するように、レジスト層１４をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１５で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１４に形成される。
【０１０５】
＜＜エッチング工程＞＞
次に、原盤１２の上に形成されたレジスト層１４のパターン（レジストパターン）をマスクとして、原盤１２の表面をエッチング処理する。これにより、図１３Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状又は楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１３を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１３のパターンを形成することができる。また、レジスト層１４の３倍以上の深さ（選択比３以上）のガラスマスターを作製でき、構造体３の高アスペクト比化を図ることができる。ドライエッチングとしては、ロールエッチング装置を用いたプラズマエッチングが好ましい。ロールエッチング装置は、円柱状の電極を有するプラズマエッチング装置であり、この円柱状の電極を筒状の原盤１２の空洞内に挿入し、原盤１２の柱面に対してプラズマエッチングを施すように構成されている。
【０１０６】
以上により、例えば、深さ１２０ｎｍ程度から３５０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターン又は準六方格子パターンを有するロールマスタ１１が得られる。
【０１０７】
次に、例えば、ロールマスタ１１と転写材料を塗布したシートなどの基材２を密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離する。これにより、図１３Ｃに示すように、凸部である複数の構造体が基材２の一主面に形成され、モスアイ紫外線硬化複製シートなどが作製される。
【０１０８】
次に、図１４Ａに示すように、必要に応じて、構造体３が形成された基材２の凹凸面上に、無機誘電体層５を成膜する。無機誘電体層５の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
【０１０９】
次に、無機誘電体層５に対して、プラズマ処理を行う。
【０１１０】
次に、図１４Ｂに示すように、無機誘電体層５上に、透明導電層４を成膜する。透明導電層４の成膜方法としては、例えば、上述の無機誘電体層の成膜方法と同様の方法を用いることができる。次に、必要に応じて、透明導電層４に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電層４が、アモルファスと多結晶との混合状態となる。
以上により、目的とする導電性積層体１が得られる。
【０１１１】
この実施形態によれば、構造体３が形成された基材２の凹凸面に膜厚９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の透明導電層４を形成していので、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができる。また、構造体３のアスペクト比を０．３以上１．０以下の範囲内とし、透明導電層４の表面形状を構造体３の形状に倣わせているので、優れた透過特性を得ることができる。また、無機誘電体層５に対してプラズマ処理を行うことにより、視認性を低下させずに表面抵抗値を低くできる。
【０１１２】
（情報入力装置）
本発明の情報入力装置は、本発明の前記導電性積層体を少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記情報入力装置としては、例えば、タッチパネルなどが挙げられる。
【０１１３】
図１５Ａは、本発明の情報入力装置の一例としてのタッチパネルの構成を示す斜視図である。図１５Ｂは、本発明の情報入力装置の一例としてのタッチパネルの構成を示す断面図である。このタッチパネル５０は、いわゆる抵抗膜方式タッチである。抵抗膜方式タッチパネルとしては、アナログ抵抗膜方式タッチパネル、及びデジタル抵抗膜方式タッチパネルのいずれであってもよい。
【０１１４】
タッチパネル５０は、第１の導電性積層体５１と、この第１の導電性積層体５１と対向する第２の導電性積層体５２とを備える。第１の導電性積層体５１と、第２の導電性積層体５２は、それらの周縁部間に配置された貼り合わせ部５５を介して互いに貼り合わされている。貼り合わせ部５５としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。タッチパネル５０は、耐擦傷性の向上の観点からすると、第１の導電性積層体５１のタッチ側となる面に、ハードコート層７を備えることが好ましい。このハードコート層７の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して貼り合わせ層５３を介して貼り合わされる。貼り合わせ層５３の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。
【０１１５】
（表示装置）
本発明の表示装置は、本発明の前記導電性積層体を少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【０１１６】
前記表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＳＥＤ）などが挙げられる。
【０１１７】
図１６は、液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。図１６に示すように、液晶表示装置７０は、第１、及び第２の主面を有する液晶パネル（液晶部）と、第１の主面上に形成された第１の偏光子７２と、第２の主面上に形成された第２の偏光子７３と、液晶パネル７１と第１の偏光子７２との間に配置されたタッチパネル５０とを備える。タッチパネル５０は、液晶ディスプレイ一体型タッチパネル（いわゆるインナータッチパネル）である。
【０１１８】
第１の偏光子７２、及び第２の偏光子７３は、その透過軸が互いに直交するようにして液晶パネル７１の第１、及び第２の主面上に対して、貼り合わせ層７４、７５を介して貼り合わされる。第１の偏光子７２、及び第２の偏光子７３は、入射する光のうち直交する偏光成分の一方のみを通過させ、他方を吸収により遮へいするものである。第１の偏光子７２、及び第２の偏光子７３としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムに、ヨウ素錯体や二色性染料を一軸方向に配列させたものを用いることができる。第１の偏光子７２、及び第２の偏光子７３の両面には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムなどの保護層を設けることが好ましい。
本実施形態では、偏光子７２を液晶パネル７１とタッチパネル５０とで共用した構成としているので、光学特性を向上することができる。
【実施例】
【０１１９】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【０１２０】
＜高さＨ、平均配置ピッチＰ、アスペクト比＞
以下の実施例において、導電性積層体の構造体の高さＨ、配置ピッチＰ、及びアスペクト比は以下のようにして求めた。
まず、光学シートの表面形状を、ＩＴＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により撮影した。そして、撮影したＡＦＭ像、及びその断面プロファイルから、構造体の配置ピッチＰ１、配置ピッチＰ２、高さＨを求めた。これらの測定を光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均配置ピッチＰ１、平均配置ピッチＰ２、及び平均高さＨを求め、これらの平均値をそれぞれ配置ピッチＰ１、配置ピッチＰ２、及び高さＨとした。次に、これらの（平均）配置ピッチＰ１、（平均）配置ピッチＰ２、及び（平均）高さＨを用いて、アスペクト比（＝高さＨ／平均配置ピッチＰ）を求めた。
ここで、平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３である。
【０１２１】
＜平均厚み＞
以下の実施例において、無機誘電体層及び透明導電層の平均厚みは以下のようにして求めた。
まず、導電性積層体を切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、無機誘電体層及び透明導電層の厚みを測定した。これらの測定を導電性積層体から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求め、この平均膜厚を無機誘電体層及び透明導電層の平均厚みとした。
なお、導電性積層体が、構造体を有する場合の平均厚みは、構造体上に無機誘電体層及び透明導電層を形成する条件と同じ条件で、平板上に無機誘電体層及び透明導電層を形成し、その平板上の無機誘電体層及び透明導電層の平均厚みを上記方法により測定することで求めた。
【０１２２】
（実施例１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を成膜した。すなわち、無機レジスト材料をスパッタリングにより厚み５０ｎｍ程度に成膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１１に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。
【０１２３】
具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚みは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚みは５０ｎｍ程度であった。
【０１２４】
次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。
【０１２５】
次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ３ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ２アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。
【０１２６】
次に、前記モスアイガラスロールマスタと、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布したＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シートを密着させ、紫外線を照射し活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された基材が得られた。この基材における構造体の高さＨは１７０ｎｍ、配置ピッチＰは２７０ｎｍ、アスペクト比は０．６３であった。
【０１２７】
次に、スパッタリング法（ガス種；ＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガス、混合ガスの混合比率（体積比率）；Ａｒ：Ｏ２＝２００：１３）により、構造体が形成された基材上に平均厚み５ｎｍのＳｉＯ２層を形成した。
続いて、ＳｉＯ２層に対して、Ａｒを用いたプラズマボンバード処理（ＲＦ電源、照射パワー：５００Ｗ、照射時間：２０秒間）を行った。
次に、スパッタリング法（ガス種；ＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガス、混合ガスの混合比率（体積比率）；Ａｒ：Ｏ２＝２００：１３）により、ＳｉＯ２層上に平均厚み３６ｎｍのＩＴＯ層を形成した。その後、１５０℃で１時間アニールを行った。
そうすることにより、導電性積層体を得た。なお、ＳｉＯ２層及びＩＴＯ層は、構造体の凹凸構造に倣った形状をしていた。図１７に実施例１で得られた導電性積層体の断面写真を示した。
【０１２８】
ＳｉＯ２層の形成、プラズマ処理、及びＩＴＯ層の形成は、真空条件下で、一連の処理として行った。即ち、ＳｉＯ２層の形成、プラズマ処理、及びＩＴＯ層の形成は、真空状態を維持して行った。そうすることにより、不純物の混入を避けることができた。
【０１２９】
得られた導電性積層体について、比抵抗の測定、視感反射率差の評価、及びＮＥＴ強度の測定を行った。結果を表１に示した。
【０１３０】
＜比抵抗の測定＞
比抵抗を４端子法で測定した。
【０１３１】
＜視感反射率差の評価＞
導電性積層体の基材の透明導電層側とは反対側の面に黒色テープを貼り合わせることにより、測定試料を作製した。次に、この測定試料の可視周辺の波長域（３５０ｎｍ〜７００ｎｍ）での反射スペクトルを、分光光度計（日本分光株式会社製、商品名：Ｖ−５５０）により測定した。次に、以下の式により視感反射率の差ΔＹを算出した。視感反射率の差ΔＹの算出結果を表１に示した。ここで、視感反射率とは、波長５５０ｎｍにおける反射率である。
ΔＹ＝（測定試料の反射率）−（対象試料の反射率）
対象試料としては、ＩＴＯ層を形成しない以外は実施例１と同様にして作製したサンプルを用いた。
【０１３２】
＜ＮＥＴ強度＞
ＮＥＴ強度は、ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製のＸ’Ｐｅｒｔ  Ｐｒｏ  ＭＰＤを用いて測定を行った。具体的には、Ｃｕ管球（特性Ｘ線ＣｕＫα１  λ＝１．５４０５９８Å）を使用し、平行法（入射角１°  受光部に平板コリメーター使用）にて２θ（１０°〜８０°）の範囲で回折強度を測定し、ＩＴＯ結晶ピーク（２２２）（およそ２θ＝３０．６°）におけるピークフィッティング（フィッティング関数：Ｐｓｅｕｄｏ−Ｖｏｉｇｔ  関数）を行うことにより測定した。
【０１３３】
（比較例１）
実施例１において、ＳｉＯ２層に対してＡｒを用いたプラズマボンバード処理を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、導電性積層体を作製した。
得られた導電性積層体について、比抵抗の測定、視感反射率差の評価、及びＮＥＴ強度の測定を行った。結果を表１に示した。
【０１３４】
【表１】
2015028874.tif 000002
【０１３５】
実施例１と比較例１とを比べると、実施例１では、無機誘電体層をプラズマ処理することにより、導電性積層体の比抵抗を低くできることが確認できた。また、視感反射率の低下は見られなかった。
【０１３６】
（実施例２）
ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シート上に、スパッタリング法（ガス種；ＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガス、混合ガスの混合比率（体積比率）；Ａｒ：Ｏ２＝２００：１３）により、平均厚み５ｎｍのＳｉＯ２層を形成した。
続いて、ＳｉＯ２層に対して、Ａｒを用いたプラズマボンバード処理を行った。
次に、スパッタリング法（ガス種：ＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガス、混合ガスの混合比率（体積比率）；Ａｒ：Ｏ２＝２００：１３）により、ＳｉＯ２層上に平均厚み３６ｎｍのＩＴＯ層を形成した。その後、１５０℃で１時間アニールを行った。
そうすることにより、導電性積層体を得た。
得られた導電性積層体について、比抵抗の測定、視感反射率差の評価、及びＮＥＴ強度の測定を行った。結果を表２に示した。
【０１３７】
（比較例２）
実施例２において、ＳｉＯ２層に対してＡｒを用いたプラズマボンバード処理を行わなかった以外は、実施例２と同様にして、導電性積層体を作製した。
得られた導電性積層体について、比抵抗の測定、視感反射率差の評価、及びＮＥＴ強度の測定を行った。結果を表２に示した。
【０１３８】
【表２】
2015028874.tif 000003
【０１３９】
実施例２と比較例２とを比べると、実施例２では、無機誘電体層をプラズマ処理することにより、導電性積層体の比抵抗を低くできることが確認できた。また、視感反射率の低下は見られなかった。
【０１４０】
実施例１及び２、並びに比較例１及び２のＮＥＴ強度と、比抵抗との関係を図１８に示した。
プラズマ処理を行うことによりＮＥＴ強度が高くなっており、それにともなって比抵抗が低くなっていた。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明の導電性積層体は、視認性を低下させずに表面抵抗値を低くできることから、タッチパネルなどの情報入力装置に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１４２】
１      導電性積層体
２      基材
３      構造体
４      透明導電層
５      無機誘電体層
６      突出部
１１    ロールマスタ
１２    基材
１３    構造体
１４    レジスト層
１５    レーザー光
１６    潜像
４１    ディスクマスタ
４２    原盤
４３    構造体
５０    タッチパネル
５１    第１の導電性積層体
５２    第２の導電性積層体
５４    表示装置
【図４】
2015028874.tif 000004
【図５】
2015028874.tif 000005
【図６】
2015028874.tif 000006
【図１１】
2015028874.tif 000007
【図１６】
2015028874.tif 000008
【図１Ａ】
2015028874.tif 000009
【図１Ｂ】
2015028874.tif 000010
【図１Ｃ】
2015028874.tif 000011
【図１Ｄ】
2015028874.tif 000012
【図１Ｅ】
2015028874.tif 000013
【図１Ｆ】
2015028874.tif 000014
【図２】
2015028874.tif 000015
【図３Ａ】
2015028874.tif 000016
【図３Ｂ】
2015028874.tif 000017
【図７】
2015028874.tif 000018
【図８Ａ】
2015028874.tif 000019
【図８Ｂ】
2015028874.tif 000020
【図８Ｃ】
2015028874.tif 000021
【図８Ｄ】
2015028874.tif 000022
【図９Ａ】
2015028874.tif 000023
【図９Ｂ】
2015028874.tif 000024
【図１０Ａ】
2015028874.tif 000025
【図１０Ｂ】
2015028874.tif 000026
【図１２Ａ】
2015028874.tif 000027
【図１２Ｂ】
2015028874.tif 000028
【図１２Ｃ】
2015028874.tif 000029
【図１３Ａ】
2015028874.tif 000030
【図１３Ｂ】
2015028874.tif 000031
【図１３Ｃ】
2015028874.tif 000032
【図１４Ａ】
2015028874.tif 000033
【図１４Ｂ】
2015028874.tif 000034
【図１５Ａ】
2015028874.tif 000035
【図１５Ｂ】
2015028874.tif 000036
【図１７】
2015028874.tif 000037
【図１８】
2015028874.tif 000038