(57)【要約】【課題】暗電流によるノイズを軽減させつつ、適切に発光光を検出することができる放射線画像読出装置を提供すること。【解決手段】放射線画像読出装置２０は、画像が記録されている記録媒体上に励起光を走査させるＭＥＭＳミラー４と、フォトダイオードアレイ１０を一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有し、記録媒体における励起光が照射される位置から生じる発光光を検出する光検出素子６と、複数のチャンネルの内、励起光が照射される位置に対応するチャンネルを、発光光を検出するチャンネルに決定するＭＥＭＳミラー駆動回路１５と、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５が決定したチャンネルから発光光の検出結果を読出回路１２と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線画像が記録されている記録媒体上に励起光を走査させる光走査手段と、
フォトダイオードアレイを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有し、記録媒体における前記励起光が照射される位置から生じる発光光を検出する光検出手段と、
前記複数のチャンネルの内、前記励起光が照射される位置に対応するチャンネルを、前記発光光を検出するチャンネルに決定する制御手段と、
前記制御手段が決定したチャンネルから前記発光光の検出結果を読出す読出手段と、
を備えることを特徴とする放射線画像読出装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記励起光が照射される位置に基づいた第１の制御信号を前記光走査手段へ出力し、前記励起光が照射される位置に基づいた第２の制御信号を前記読出手段へ出力することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像読出装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記励起光が照射される位置の近傍に配置されているチャンネルを前記発光光を検出するチャンネルに決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像読出装置。
【請求項４】
前記フォトダイオードアレイは、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードと、それぞれの前記アバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されたクエンチング抵抗と、を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像読出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像読出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線画像情報を担持した蓄積性蛍光体シートに励起光を照射し、該励起光照射により発生する蛍光を読取り、画像信号を得る放射線画像情報読取装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公平６―１８４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の放射線画像情報読取装置では、光検出器が蛍光を検出する。当該光検出器として、フォトダイオードが用いられることが考えられる。フォトダイオードは、その集光面積が小さいと、小面積のフォトダイオードに集光しなければならず、集光のロスが生じるため、その集光面積は大きい方がよい。しかし、フォトダイオードから発生する暗電流がフォトダイオードの集光部の周囲長の平方根にほぼ比例して大きくなるため、集光部周囲長が長くなると、その分暗電流やノイズが増大してしまうという問題点がある。
【０００５】
本発明は、暗電流によるノイズを軽減させつつ、適切に発光光を検出することができる放射線画像読出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る放射線画像読出装置は、放射線画像が記録されている記録媒体上に励起光を走査させる光走査手段と、フォトダイオードアレイを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有し、記録媒体における励起光が照射される位置から生じる発光光を検出する光検出手段と、複数のチャンネルの内、励起光が照射される位置に対応するチャンネルを、発光光を検出するチャンネルに決定する制御手段と、制御手段が決定したチャンネルから発光光の検出結果を読出す読出手段と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
この放射線画像読出装置では、励起光が照射される位置に対応するチャンネルから発光光の検出結果を読み出すので、発光光を適切に検出することができる。また、放射線画像読出装置では、励起光が照射される位置から離れた位置のチャンネルから検出結果を読み出さないので、暗電流によるノイズを軽減させることができる。
【０００８】
好ましくは、制御手段は、励起光が照射される位置に基づいた第１の制御信号を光走査手段へ出力し、励起光が照射される位置に基づいた第２の制御信号を読出手段へ出力する。この場合、制御手段が、励起光が照射される位置に基づいた第１の制御信号を光走査手段へ出力すると共に、励起光が照射される位置に基づいた第２の制御信号を読出手段へ出力するので、読出手段は、当該制御信号に応じたチャンネルから発光光の検出結果を読み出すことができると共に制御手段は、励起光が照射される位置と、読出し対象のチャンネルとの対応付けを適切に行うことができる。
【０００９】
好ましくは、制御手段は、励起光が照射される位置の近傍に配置されているチャンネルを、発光光を検出するチャンネルに決定する。この場合、放射線画像読出装置は、励起光が照射される位置に近いチャンネルを、発光光を検出するチャンネルに決定するので、より適切に発光光を検出することができる。
【００１０】
好ましくは、フォトダイオードアレイは、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードと、それぞれのアバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されたクエンチング抵抗と、を有していることを特徴とする。この場合、放射線画像読出装置は、励起光が照射される位置から離れた位置のチャンネルから発光光の検出結果を読み出さないので、アバランシェ増倍により増大し得るノイズの影響を最小限に留めることができる。また、放射線画像読取装置では、アバランシェ増倍によりフォトダイオードアレイの感度を高めているので、発光光が微弱光であっても適切に検出することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、暗電流によるノイズを軽減させつつ、適切に発光光を検出することができる放射線画像読出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る放射線画像読出装置を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る蛍光検出ユニットの概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る放射線画像読出装置のブロック図である。
【図４】本実施形態に係るフォトダイオードアレイの斜視図である。
【図５】図４に示したフォトダイオードアレイのＩＩ−ＩＩ矢印断面図（ａ）と、その回路図（ｂ）である。
【図６】本実施形態に係るフォトダイオードアレイの全体の回路図である。
【図７】蛍光の読み出し動作を示す概略説明図である。
【図８】走査位置と読み出し対象の読出回路との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
まず、図１〜図３を参照して、本実施形態に係る放射線画像読出装置２０を説明する。図１は、本実施形態に係る放射線画像読出装置２０を示す概略構成図である。図２は、蛍光を検出する蛍光検出ユニット５の概略構成図である。図３は、放射線画像読出装置２０のブロック図である。
【００１５】
放射線画像読出装置２０は、放射線画像が記録されている記録媒体であるイメージングプレートＩＰに励起光を照射し、イメージングプレートＩＰから放射される光（発光光）を検出する。イメージングプレートＩＰから放射される発光光（蛍光）の波長は、励起光の波長とは異なる。
【００１６】
放射線画像読出装置２０は、各種制御回路から構成される制御ユニット２を有する。制御ユニット２は、放射線画像読出装置２０全体を制御する。制御ユニット２は、レーザダイオード３、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）ミラー４、及び搬送機構８の作動を制御する。制御ユニット２は、制御回路１８が蛍光の検出結果を蛍光検出ユニット５から取得する。
【００１７】
放射線画像読出装置２０は、イメージングプレートＩＰを所定方向に延びる搬送路に沿って搬送する搬送機構８を備えている。搬送機構８は、搬送用ローラ及び搬送用ローラを駆動するモータ（不図示）を有する。
【００１８】
放射線画像読出装置２０は、上記搬送機構８を作動させることにより、イメージングプレートＩＰをＹ方向に搬送する。レーザ光源であるレーザダイオード３は、励起光（レーザビーム）を出射する。出射した励起光は、光走査手段として機能するＭＥＭＳミラー４で反射して、イメージングプレートＩＰ上に照射される。励起光がイメージングプレートＩＰ上に照射された結果、当該イメージングプレートＩＰから蛍光が放射される。
【００１９】
上記ＭＥＭＳミラー４は、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５による制御信号に応じて、作動する。この結果、ＭＥＭＳミラー４の傾きが変わる。このように、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、制御信号をＭＥＭＳミラー４へ出力して、ＭＥＭＳミラー４の傾きを変えることにより、励起光がＭＥＭＳミラー４で反射する方向を変える。よって、励起光がイメージングプレートＩＰ上に照射される位置が変わる。すなわち、放射線画像読出装置２０は、ＭＥＭＳミラー４の傾きを変えることにより励起光をイメージングプレートＩＰ上でＸ方向に走査させる。
【００２０】
放射線画像読出装置２０は、２つの光検出素子６を備えている。この２つの光検出素子６は、励起光除去フィルタ７を介して、イメージングプレートＩＰから放射された蛍光を検出する。上述の放射線画像読出装置２０では、２つの光検出素子６を備えているが、１つのみ備えるようにしてもよい。上記光検出素子６及び励起光除去フィルタ７を含む蛍光の検出結果を出力するユニットを蛍光検出ユニット５とする。
【００２１】
図２に示すように、蛍光検出ユニット５は、励起光除去フィルタ７と、複数のフォトダイオードアレイ１０（フォトダイオードアレイ１０Ａ〜１０Ｉ）を有する光検出素子６と、集光機能を有するシリンドリカルレンズ９と、各フォトダイオードアレイ１０に接続するアレイ状のアンプ１１と、各アンプ１１に接続するスイッチＳＷ（スイッチＳＷ１〜ＳＷ８）を有する読出回路１２と、アンプ１３と、ＡＤコンバータ１４とを備える。
【００２２】
光検出手段として機能する光検出素子６は、フォトダイオードアレイ１０を一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。ここで、図４〜図６を参照して、本実施形態に係るフォトダイオードアレイ１０の構成を説明する。
【００２３】
図４は、フォトダイオードアレイ１０の斜視図であり、図５は、図４に示したフォトダイオードアレイ１０のＩＩ−ＩＩ矢印断面図（ａ）と、その回路図（ｂ）である。図６は、フォトダイオードアレイ１０の全体の回路図である。
【００２４】
フォトダイオードアレイ１０は、複数のフォトダイオードＤ１（図６参照）をＮ型（第１導電型）の半導体基板１Ｎに形成してなる。
【００２５】
個々のフォトダイオードＤ１は、半導体基板１Ｎの一方の表面側に形成されたＰ型（第２導電型）の第１半導体領域１ＰＡと、第１半導体領域１ＰＡ内に形成されこの第１半導体領域１ＰＡよりも高い不純物濃度を有するＰ型（第２導電型）の第２半導体領域１ＰＢと、を有している。フォトダイオードＤ１は、半導体基板１Ｎに電気的に接続された第１電極Ｅ１と、第２半導体領域１ＰＢ上に形成された表面電極Ｅ３と、を有している。第１半導体領域１ＰＡの平面形状は、四角形である。第２半導体領域１ＰＢは、第１半導体領域の内側に位置し、平面形状は四角形である。第１半導体領域１ＰＡの深さは、第２半導体領域１ＰＢよりも深い。図５中の半導体基板１は、Ｎ型の半導体基板１Ｎと、Ｐ型の半導体領域１ＰＡ，１ＰＢの双方を含んだものを示している。
【００２６】
フォトダイオードアレイ１０は、個々のフォトダイオードＤ１毎に、第１半導体領域１ＰＡの外側の半導体基板１Ｎ上に、絶縁層Ｌ（図５参照）を介して形成された金属層からなる第１反射体Ｅ２と、表面電極Ｅ３に、その一方端が連続し、第１半導体領域１ＰＡ上の絶縁層Ｌの表面に沿って延びた抵抗層（クエンチング抵抗）Ｒ１と、を備えている。図４では、構造の明確化のため、図５に示した絶縁層Ｌの記載を省略している。
【００２７】
第１反射体Ｅ２は、平面形状がＬ字型の金属層からなる反射体Ｅ２１からなる。半導体基板１Ｎ上に位置する第１反射体Ｅ２１（Ｅ２）と、第１開口を有する環状の表面電極Ｅ３とは、電気的に隔離されている。すなわち、フォトダイオードＤ１のアノードとカソードには、それぞれ電極が設けられるが、一方の表面電極Ｅ３は、第１反射体Ｅ２から電気的に分離している。これにより、第１反射体Ｅ２は、表面電極Ｅ３とは明確に区別され、反射に適した箇所にこれを配置するための設計の自由度が増加している。個々のフォトダイオードＤ１に接続される抵抗層Ｒ１の他方端は、必要に応じて抵抗層Ｒ１に連続した配線電極を介して、共通の信号読出線ＴＬに電気的に接続されている。
【００２８】
図４においては、列方向に隣接する一対のフォトダイオード（半導体領域１ＰＡの直下の領域）は、共に、抵抗層Ｒ１を介して、行方向に延びる信号読出線ＴＬに接続されている。１つの信号読出線ＴＬには、複数対のフォトダイオードが、それぞれ抵抗層Ｒ１を介して接続されている。行方向に延びる信号線ＴＬは、列方向に沿って複数本整列している。個々の信号線ＴＬに対しても、同様に複数対のフォトダイオードが、それぞれ、抵抗層Ｒ１を介して接続されている。図４に示される各信号線ＴＬは、最終的には全て接続され、回路的には１本の信号線ＴＬとして、図６に示すような回路を構成する。
【００２９】
抵抗層Ｒ１は、これが接続される表面電極Ｅ３よりも抵抗率が高く、また、第１反射体Ｅ２よりも抵抗率が高い。具体的には、抵抗層Ｒ１は、ポリシリコンからなり、残りの電極及び反射体は全てアルミニウムなどの金属からなる。半導体基板１がＳｉからなる場合には、電極材料としては、アルミニウムの他に、ＡｕＧｅ／Ｎｉなどもよく用いられる。Ｓｉを用いた場合におけるＰ型不純物としてはＢなどの３族元素が用いられ、Ｎ型不純物としては、Ｎ、Ｐ又はＡｓなどの５族元素が用いられる。半導体の導電型であるＮ型とＰ型は、互いに置換して素子を構成しても、当該素子を機能させることができる。これらの不純物の添加方法としては、拡散法やイオン注入法を用いることができる。
【００３０】
絶縁層Ｌの材料としては、ＳｉＯ２又はＳｉＮを用いることができる。絶縁層Ｌの形成方法としては、これが例えばＳｉＯ２からなる場合には、熱酸化法やスパッタ法を用いることができる。
【００３１】
上述の構造の場合、Ｎ型の半導体基板１ＮとＰ型の第１半導体領域１ＰＡとの間に、ＰＮ接合が構成されることで、フォトダイオードＤ１が形成されている。半導体基板１Ｎは、基板裏面に形成された第１電極Ｅ１に電気的に接続され、第１半導体領域１ＰＡは、第２半導体領域１ＰＢを介して、表面電極Ｅ３に接続されている。抵抗層Ｒ１はフォトダイオードＤ１に対して直列に接続されている（図５の（ｂ）参照）。
【００３２】
フォトダイオードアレイ１０においては、個々のフォトダイオードＤ１をガイガーモードで動作させる。ガイガーモードでは、フォトダイオードＤ１のブレークダウン電圧よりも大きな逆方向電圧（逆バイアス電圧）をフォトダイオードＤ１のアノード／カソード間に印加する。すなわち、アノードには（−）電位Ｖ１を、カソードには（＋）電位Ｖ２を印加する。これらの電位の極性は相対的なものであり、一方の電位をグランド電位とすることも可能である。
【００３３】
アノードはＰ型の半導体領域１ＰＡであり、カソードはＮ型の半導体基板１Ｎである。フォトダイオードＤ１は、アバランシェフォトダイオードとして機能する。フォトダイオードＤ１に光（フォトン）が入射すると、基板内部で光電変換が行われて光電子が発生する。図５の（ａ）に示したＰ型半導体領域１ＰＡのＰＮ接合界面の近傍領域ＡＶＣにおいて、アバランシェ増倍が行われ、増幅された電子群は電極Ｅ１に向けて流れる。
【００３４】
第１反射体Ｅ２は、第２半導体領域１ＰＢに対して、相対的に低不純物濃度の第１半導体領域１ＰＡの外側の半導体基板１Ｎの表面上に設けられている。半導体基板１Ｎの露出面の領域は、光入射に対しては、殆ど検出に寄与しないデッドスペースである。第１反射体Ｅ２は、入射した光を反射し、第２反射体（たとえば、金属パッケージ内面など）に入射させる。第２反射体は、入射した光を再度反射させ、再反射された光を、有効にフォトダイオードＤ１に導く。
【００３５】
個々のフォトダイオードＤ１に接続された抵抗層Ｒ１の他方端は、半導体基板１Ｎの表面に沿って共通の信号読出線ＴＬに電気的に接続されている。複数のフォトダイオードＤ１は、ガイガーモードで動作しており、各フォトダイオードＤ１は、共通の信号線ＴＬに接続されている。このため、複数のフォトダイオードＤ１に同時にフォトンが入射した場合、複数のフォトダイオードＤ１の出力は全て共通の信号線ＴＬに入力され、全体としては入射フォトン数に応じた高強度の信号として計測される。信号読出線ＴＬには、信号読み出し用の電圧降下が生じる負荷抵抗を接続してもよい。
【００３６】
上述の構造は、表面入射型のフォトダイオードアレイの構造であるが、裏面入射型のフォトダイオードアレイの構造を採用してもよい。この場合には、半導体基板１Ｎの厚みを薄くして、裏面側の電極Ｅ１を透明電極とすればよい。また、裏面側の電極Ｅ１を、半導体基板１Ｎの別の位置（例えば基板表面側）に配置してもよい。
【００３７】
図２に戻り、シリンドリカルレンズ９は、イメージングプレートＩＰから放射された蛍光を集光する。シリンドリカルレンズ９の代わりにマイクロレンズアレイを、蛍光を集光する手段として用いてもよい。光検出素子６による検出結果の出力は、それぞれアンプ１１により増幅され、読出手段として機能する読出回路１２を介してアンプ７５でさらに増幅され、ＡＤコンバータ１４でＡ／Ｄ変換される。上記読出回路１２は、マルチプレクサにより実現される。
【００３８】
図３に示すように、放射線画像読出装置２０は、光検出素子６と、レーザダイオード３と、ＭＥＭＳミラー４と、アンプ１１のアレイと、読出回路１２と、ＡＤコンバータ１４と、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５と、制御回路１８と、レーザダイオード駆動回路１６と、搬送機構制御回路１７と、搬送機構８とを備える。
【００３９】
制御ユニット２は、制御回路１８と、搬送機構制御回路１７と、レーザダイオード駆動回路１６と、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５とを有する。制御回路１８は、ＡＤコンバータ１４からＡ／Ｄ変換された光検出素子６による検出結果の出力を取得する。制御回路１８は、搬送機構制御回路１７と、レーザダイオード駆動回路１６と、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５とを制御する。
【００４０】
搬送機構制御回路１７は、搬送機構８を作動させて、図１に示したようにＹ方向にイメージングプレートＩＰを搬送する。レーザダイオード駆動回路１６は、レーザダイオード３へ制御信号を出力することにより、レーザダイオード３に励起光を出射させる。
【００４１】
制御手段として機能するＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４へ第１制御信号として制御信号を出力し、ＭＥＭＳミラー４の傾きを制御する。具体的には、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４の傾きを決定し、当該傾きに基づく制御信号をＭＥＭＳミラー４へ出力することにより、ＭＥＭＳミラー４の傾きを制御する。
【００４２】
ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、第２制御信号として、第１制御信号と同様の制御信号を読出回路１２へ出力する。そして、読出回路１２は、制御信号に基づいて読出し対象のフォトダイオードアレイ１０に対応するスイッチＳＷをオンにする。
【００４３】
この場合、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５がＭＥＭＳミラー４へ出力する制御信号は、ＭＥＭＳミラー４の傾きに対応している。よって、励起光がＭＥＭＳミラー４に反射して、イメージングプレートＩＰ上に照射される位置を、上記制御信号に基づいて特定することができる。
【００４４】
このように、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４へ出力する制御信号と同一の制御信号を読出回路１２へ出力し、当該制御信号に基づいて読出回路１２を動作させることにより、放射線画像読出装置２０は、イメージングプレートＩＰ上に励起光が照射される位置に対応するフォトダイオードアレイ１０から蛍光の検出結果を得ることができる。
【００４５】
具体的に、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４へ制御信号を出力すると、当該制御信号に応じてＭＥＭＳミラー４が傾く。この結果、レーザダイオード３から出力される励起光は、当該ＭＥＭＳミラー４に反射し、イメージングプレートＩＰ上に照射される。
【００４６】
この場合、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４の傾きに対応している制御信号（即ち、励起光がイメージングプレートＩＰ上に照射される位置に対応している制御信号）を読出回路１２へ出力して、当該制御信号に基づいて読出回路１２中のスイッチＳＷを動作させる（例えば、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０に対応するスイッチＳＷをオンにさせる）。このように、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、イメージングプレートＩＰ上における、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０を読出し対象として決定し、ＭＥＭＳミラー４の傾きに対応している制御信号を読出回路１２へ出力する。
【００４７】
例えば、図７に示すように、放射線画像読出装置２０が、励起光をイメージングプレートＩＰ上に照射させる場合、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４へ出力した制御信号と同一の制御信号を読出回路１２へ出力する。この結果、読出回路１２では、励起光が照射される位置に最も近い位置であるフォトダイオードアレイ１０Ｂに対応するスイッチＳＷ２をオンにする。
【００４８】
このように、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４へ出力する制御信号と同一の制御信号を読出回路１２へ出力することにより、励起光が照射される位置と、読出し対象のフォトダイオードアレイ１０との対応付けを適切に行うことができる。また、読出回路１２では、励起光が照射される位置に最も近い位置であるフォトダイオードアレイ１０Ｂに対応するスイッチＳＷ２をオンにしているので、放射線画像読出装置２０は、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０の検出結果のみ読み出すことができる。よって、放射線画像読出装置２０は、より適切に発光光の検出結果を読み出すことができる。
【００４９】
なお、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４へ出力する制御信号と同一の制御信号を出力する代わりに、ＭＥＭＳミラー４の傾き又は励起光が照射される位置を特定し得る他の制御信号を第２制御信号として、読出回路１２へ出力するようにしてもよい。この場合でも、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、ＭＥＭＳミラー４の傾き又は励起光が照射される位置を特定し得る制御信号を読出回路１２へ出力しているので、放射線画像読出装置２０は、励起光が照射される位置と、読出し対象のフォトダイオードアレイ１０との対応付けを適切に行うことができる。
【００５０】
続いて、図８にＭＥＭＳミラー駆動回路１５が出力する制御信号と、当該制御信号に基づく読出し対象のスイッチＳＷとの関係を示す。ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、イメージングプレートＩＰにおけるフォトダイオードアレイ１０Ａ側からフォトダイオードアレイ１０Ｉ側へ励起光が照射されるように、図８（Ａ）に示すような制御信号をＭＥＭＳミラー４へ出力する。そして、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５は、同様の制御信号を読出回路１２へ出力する。
【００５１】
この場合、図８（Ｂ）に示すように、ＭＥＭＳミラー駆動回路１５が出力する制御信号に応じて、読出回路１２では、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０のスイッチＳＷがオン状態になるように動作する。すなわち、読出回路１２では、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０のスイッチＳＷがオン状態になるように動作する。
【００５２】
これにより、放射線画像読出装置２０は、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０の検出結果のみ取得することになる。よって、放射線画像読出装置２０は、発光光を適切に検出することができる。また、放射線画像読出装置２０では、励起光が照射される位置から離れた位置のスイッチＳＷから検出結果を読み出さないので、暗電流によるノイズを軽減させることができる。
【００５３】
また、放射線画像読出装置２０は、励起光が照射される位置に近傍するフォトダイオードアレイ１０の検出結果のみ読み出すので、より適切に発光光の検出結果を読み出すことができる。
【００５４】
放射線画像読出装置２０は、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０の検出結果のみ読み取る場合について述べたが、励起光が照射される位置に対応するフォトダイオードアレイ１０として、励起光が照射される位置に最も近いフォトダイオードアレイ１０の周囲のフォトダイオードアレイ１０の検出結果も読み出すようにしてもよい。
【００５５】
上述のように、フォトダイオードアレイ１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードと、それぞれのアバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されたクエンチング抵抗と、を有している場合に、放射線画像読出装置２０では、励起光が照射される位置から離れた位置のチャンネルから検出結果を読み出さないので、アバランシェ増倍により、増大し得るノイズの影響を最小限に留めることができる。また、放射線画像読出装置２０では、アバランシェ増倍によりフォトダイオードアレイ１０の感度を高めているので、微弱光の蛍光を適切に検出することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１…半導体基板、２…制御ユニット、３…レーザダイオード、４…ＭＥＭＳミラー、５…蛍光検出ユニット、６…光検出素子、７…励起光除去フィルタ、８…搬送機構、９…シリンドリカルレンズ、１０…フォトダイオードアレイ、１１…アンプ、１２…読出回路、１３…アンプ、１４…Ａ／Ｄコンバータ、１５…ＭＥＭＳミラー駆動回路、１６…レーザダイオード、１７…搬送機構制御回路、１８…制御回路、２０…放射線画像読出装置、ＩＰ…イメージングプレート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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