(57)【要約】【課題】  キャビティの内部で配向物質が水平配向している液晶表示装置を提供する。【解決手段】  基板と、基板の上に配設される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上に配設される保護層と、保護層の上に配設される第１電極及び第２電極と、第２電極の上に配設される配向膜と、第２電極と向かい合うルーフ層と、を備え、第２電極とルーフ層との間に複数の微細空間が形成されており、微細空間は液晶物質を含み、配向膜は光配向物質を含む液晶表示装置を提供する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配設される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上に配設される保護層と、
前記保護層の上に配設される第１電極及び第２電極と、
前記第２電極の上に配設される配向膜と、
前記第２電極と向かい合うルーフ層と、
を備え、
前記第２電極と前記ルーフ層との間に複数の微細空間が形成されており、前記微細空間は液晶物質を含み、
前記配向膜は光配向物質を含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記光配向物質は、光異性質化型の物質である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記光配向物質は、シス型の光学異性質体を含む請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記光配向物質は、アゾベンゼンを含む請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記光配向物質は、３６５ナノメートル以下の波長でＵＶ光反応をする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記微細空間と前記ルーフ層との間に配設される下部絶縁層と、
前記ルーフ層の上に配設される上部絶縁層と、
をさらに備える請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ルーフ層の上に配設されるキャッピング層をさらに備える請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域が配設され、前記キャッピング層は前記液晶注入口形成領域を覆っている請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１電極と前記第２電極との間に層間絶縁層が配設され、前記第１電極は平面状であり、前記第２電極は複数の枝電極を備える請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記複数の枝電極は、前記平面状の第１電極と重なり合う請求項９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も幅広く用いられているフラットパネル表示装置の一つであり、画素電極や共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、これらの間に挟持されている液晶層と、を備える。
【０００３】
液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これにより液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することにより映像を表示する
【０００４】
液晶表示装置の一つとして、下板や上板を形成する代わりに、ピクセル単位でパネルにキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、ここに液晶を充填してディスプレイを実現する技術が開発されている。これは、+有機物質などから形成される犠牲層や、その上部に形成される支持部材を形成した後に犠牲層を除去し、犠牲層の除去により形成された空間に液晶注入口を介して液晶を充填して表示装置を製作する技術である。
【０００５】
上述した表示装置の製作技術では、根本的に、配向膜が基板に対して垂直にラビングされるように液晶が充填されるキャビティの内部をラビングすることができないという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、キャビティの内部で配向物質が水平配向している液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、基板と、基板の上に配設される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上に配設される保護層と、保護層の上に配設される第１電極及び第２電極と、第２電極の上に配設される配向膜と、第２電極と向かい合うルーフ層と、を備え、第２電極とルーフ層との間に複数の微細空間が形成されており、微細空間は液晶物質を含み、配向膜は光配向物質を含む。
【０００８】
光配向物質は、光異性質化型であってもよい。
【０００９】
光配向物質は、シス型の光学異性質体を含んでいてもよい。
【００１０】
光配向物質は、アゾベンゼンを含んでいてもよい。
【００１１】
光配向物質は、３６５ナノメートル以下の波長でＵＶ光反応をしてもよい。
【００１２】
液晶表示装置は、微細空間とルーフ層との間に配設される下部絶縁層と、ルーフ層の上に配設される上部絶縁層と、をさらに備えていてもよい。
【００１３】
液晶表示装置は、ルーフ層の上に配設されるキャッピング層をさらに備えていてもよい。
【００１４】
複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域が配設され、キャッピング層は液晶注入口形成領域を覆っていてもよい。
【００１５】
第１電極と第２電極との間に層間絶縁層が配設され、第１電極は平面状であり、第２電極は複数の枝電極を備えていてもよい。
【００１６】
複数の枝電極は、平面状の第１電極と重なり合っていてもよい。
【００１７】
本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、基板の上に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタの上に保護層を形成し、保護層の上に水平電界を形成する第１電極及び第２電極を形成し、第２電極の上に犠牲層を形成し、犠牲層の上にルーフ層を形成し、犠牲層を除去して液晶注入口が形成された複数の微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）を形成し、微細空間に光配向物質を注入し、光配向物質に偏光された光を照射し、光配向物質をベイク（Ｂａｋｅ）し、複数の微細空間に液晶物質を注入することを含む。
【００１８】
光配向物質は、光異性質化型の物質であってもよい。
【００１９】
光配向物質は、偏光された光を照射することで、シス型の光学異性質体を形成してもよい。
【００２０】
光配向物質は、アゾベンゼンを含んでいてもよい。
【００２１】
偏光された光は、３６５ナノメートル以下の波長を有していてもよい。
【００２２】
偏光された光は、４Ｊ〜６Ｊのエネルギーを有していてもよい。
【００２３】
液晶表示装置の製造方法は、微細空間とルーフ層との間に配設される下部絶縁層を形成し、ルーフ層の上に配設される上部絶縁層を形成し、上部絶縁層の上に配設されるキャッピング層を形成することをさらに含んでいてもよい。
【００２４】
複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域が配設され、キャッピング層は液晶注入口形成領域を覆うように形成してもよい。
【００２５】
第１電極と第２電極との間に層間絶縁層が配設され、第１電極は平面状（ｐｌａｎａｒ ｓｈａｐｅ）であり、第２電極は複数の枝電極を含むように形成してもよい。
【００２６】
複数の枝電極は、平面状の第１電極と重なり合うように形成してもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一実施形態によれば、水平な光配向膜である光異性質化型の物質を用いてキャビティの内部に配向膜が形成される。したがって、キャビティの内部に液晶を充填してディスプレイを実現する技術に水平配向を用いる広視野角液晶モードを適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１の切断線ＩＩ-ＩＩに沿って切り取った断面図である。
【図３】図１の切断線ＩＩＩ-ＩＩＩに沿って切り取った断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、添付の図面に基づき、本発明の好適な実施形態について詳述する。しかしながら、本発明は、ここで説明される実施形態に何ら限定されるものではなく、他の形態に具体化可能である。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容を徹底して完全たるものにし、当業者に本発明の思想を十分に伝えるために提供されるものである。
【００３０】
図中、層及び領域の厚さは、明確性を図るために誇張されている。なお、層が他の層または基板の「上」にあるとしたとき、それは、他の層または基板の上に直接的に形成されてもよく、あるいは、これらの間に第３の層が提供されてもよい。明細書全般に亘って同じ参照番号で表示された部分は、同じ構成要素を意味する。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図２は、図１の切断線ＩＩ-ＩＩに沿って切り取った断面図であり、図３は、図１の切断線ＩＩＩ-ＩＩＩに沿って切り取った断面図である。
【００３２】
図１から図３を参照すると、透明ガラス製またはプラスチック製の基板１１０の上にゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は、ゲート電極１２４及び他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を有する。ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）などから形成されてもよい。しかしながら、ゲート線１２１は、物理的性質が異なる少なくとも二つの導電膜を有する多重膜構造を有していてもよい。
【００３３】
ゲート線１２１の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０は、物理的性質が異なる少なくとも二つの絶縁層を有する多層膜構造を有していてもよい。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に配設される半導体層１５１と、ソース／ドレイン電極の下部に配設され、薄膜トランジスタＱのチャネル部分に対応する半導体層１５４と、が形成されている。半導体層１５４は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどから形成されてもよく、あるいは、酸化物半導体から形成されてもよい。
【００３４】
各半導体層１５１、１５４の上の、データ線１７１とソース／ドレイン電極との間には、複数の抵抗性接触部材が形成されていてもよいが、図示は省略されている。
【００３５】
各半導体層１５１、１５４及びゲート絶縁膜１４０の上に、ソース電極１７３、ソース電極１７３と接続されるデータ線１７１、ドレイン電極１７５を有するデータ導電体１７１、１７３、１７５が形成されている。データ線１７１は、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を有する。データ線１７１はデータ信号を伝達し、主として縦方向に伸びてゲート線１２１と交差する。
【００３６】
ソース電極１７３はデータ線１７１の一部であり、データ線１７１と同じ線上に配置される。ドレイン電極１７５は、ソース電極１７３と並ぶように伸びている。このため、ドレイン電極１７５はデータ線１７１の一部と並ぶように形成されている。このようなソース電極１７３及びドレイン電極１７５の構造は変形されてもよい。
【００３７】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は半導体層１５４と共に薄膜トランジスタＱを形成し、薄膜トランジスタＱのチャネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体層１５４に形成される。
【００３８】
データ線１７１とドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタンなど耐熱性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金から形成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を有する多重膜構造を有していてもよい。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜が挙げられる。
【００３９】
データ導電体１７１、１７３、１７５及び露出された半導体層１５４の上には、第１保護層１８０ａが形成されている。第１保護層１８０ａは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。
【００４０】
第１保護層１８０ａの上には、カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０が形成されている。
【００４１】
まず、遮光部材２２０は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子構造を有し、光が透過できない物質から形成されている。遮光部材２２０の開口部にはカラーフィルタ２３０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と平行な方向に沿って形成された横遮光部材２２０ａと、デート線１７１と平行な方向に沿って形成された縦遮光部材２２０ｂと、を備える。
【００４２】
カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示してもよい。しかしながら、赤色、緑色及び青色の三原色に制限されることなく、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色のうちの一つを表示してもよい。カラーフィルタ２３０は、隣り合う画素ごとに異なる色を表示する物質から形成されていてもよい。
【００４３】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、これらを覆う第２保護層１８０ｂが形成されている。第２保護層１８０ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。図２の断面図とは異なり、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０との厚さの差に起因して段差が発生した場合には、第２保護層１８０ｂに有機絶縁物を形成して段差を低減したり除去したりしてもよい。
【００４４】
カラーフィルタ２３０、遮光部材２２０及び保護層１８０ａ、１８０ｂには、ドレイン電極１７５を露出させる接触孔１８５が形成されている。
【００４５】
第２保護層１８０ｂの上には、共通電極２７０が配設される。共通電極２７０は平面状であり、基板１１０の全面の上に板状に形成されていてもよく、ドレイン電極１７５の周りに対応する領域に配置されている開口部１３８を有してもよい。すなわち、共通電極２７０は、板状の平面形状を有していてもよい。
【００４６】
隣り合う画素に配設される共通電極２７０は互いに接続されて、表示領域の外部から供給される所定の大きさの共通電圧を受信する。
【００４７】
共通電極２７０の上には層間絶縁層１８０ｃが配設される。層間絶縁層１８０ｃは、有機絶縁物質や無機絶縁物質などから形成されてもよい。
【００４８】
層間絶縁層１８０ｃの上には、画素電極１９１が配設される。画素電極１９１は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電物質から形成されてもよい。画素電極１９１は複数の切欠部９１を有し、隣り合う切欠部の間に配設される複数の枝電極１９２を備える。
【００４９】
第１保護層１８０ａ、第２保護層１８０ｂ及び層間絶縁層１８０ｃには、ドレイン電極１７５を露出させる接触孔１８５が形成されている。画素電極１９１は、接触孔１８５を介してドレイン電極１７５と物理的且つ電気的に接続されて、ドレイン電極１７５から電圧が印加される。
【００５０】
共通電極２７０は第１電場生成電極または第１電極であり、画素電極１９１は第２電場生成電極または第２電極である。画素電極１９１と共通電極２７０は、例えば電極に電圧を印加するにあたり、水平電界を形成してもよい。電場生成電極である画素電極１９１と共通電極２７０が電場を生成することにより、両電場生成電極１９１、２７０の上に配設される液晶分子３１０は電場の方向と平行な方向に回転する。このようにして決定された液晶分子の回転方向に応じて液晶層を通過する光の偏光が変わる。
【００５１】
開示された実施形態による液晶表示装置によれば、共通電極２７０が平面状であり、画素電極１９１が複数の枝電極１９２を有するが、本発明の他の実施形態による液晶表示装置によれば、画素電極１９１が平面状であり、共通電極２７０が複数の枝電極を有していてもよい。
【００５２】
本発明は、二つの電場生成電極が基板１１０の上で絶縁層を挟んで重なり合い、絶縁層の下に形成されている第１電場生成電極が平面状であり、絶縁層の上に形成されている第２電場生成電極が複数の枝電極を有する、あらゆる他の場合（あらゆる液晶表示パネルのデザイン）に適用可能である。
【００５３】
画素電極１９１の上には下部配向膜１１が形成されており、下部配向膜１１は光配向物質を含む。下部配向膜１１は、様々な種類のある光配向物質のうち、光学異性質体であってもよい。すなわち、下部配向膜を形成するために使用される光配向物質は、光の照射によって光学異性質体の間で変化する、光異性質化型の物質であってもよい。光異性質化型の物質の光配向物質は、トランス型（ｔｒａｎｓ ｔｙｐｅ）とシス型（ｃｉｓ ｔｙｐｅ）を含むが、本実施形態における光配向物質は、シス型の光学異性質体を含む。
【００５４】
シス型の光配向物質である場合には、側鎖（ｓｉｄｅ ｃｈａｉｎ）が基板１１０に平行に配列され、液晶も基板１１０に平行に配列される水平配向を実現することができる。
【００５５】
本実施形態による光配向物質は、下記の化学式１で表わされるシス型のアゾベンゼン（Ａｚｏ ｂｅｎｚｅｎｅ）を含んでいてもよい。
【００５６】
【化１】
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【００５７】
下部配向膜１１と対向する部分に上部配向膜２１が配設され、下部配向膜１１と上部配向膜２１との間には微細空間３０５が形成されている。微細空間３０５には液晶分子３１０を含む液晶物質が注入されており、微細空間３０５は液晶注入口３０７を有する。
【００５８】
微細空間３０５は画素電極１９１の列方向、換言すれば、縦方向に沿って形成されていてもよい。本実施形態において、配向膜１１、２１を形成する配向物質と液晶分子３１０を含む液晶物質は、毛管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ ｆｏｒｃｅ）を用いて微細空間３０５に注入されてもよい。
【００５９】
微細空間３０５は、ゲート線１２１と重なり合う部分に配設される複数の液晶注入口形成領域３０７ＦＰにより縦方向に分けられ、ゲート線１２１が伸びている方向に沿って複数形成されている。複数形成された微細空間３０５のそれぞれは一つの画素領域に対応し、画素領域は画面を表示する領域に対応する。
【００６０】
上部配向膜２１の上には下部絶縁層３５０が配設される。下部絶縁層３５０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から形成されてもよい。
【００６１】
下部絶縁層３５０の上にルーフ層（Ｒｏｏｆ Ｌａｙｅｒ）３６０が配設される。ルーフ層３６０は、微細空間３０５を形成できるように微細空間３０５を支持する役割を果たす。ルーフ層３６０は、フォトレジストまたはその他の有機物質を含んでいてもよい。
【００６２】
ルーフ層３６０の上に上部絶縁層３７０が配設される。上部絶縁層３７０はルーフ層３６０の上部面と接触してもよい。上部絶縁層３７０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から形成されてもよい。
【００６３】
本実施形態におけるキャッピング層３９０は、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを充填しながら、液晶注入口形成領域３０７ＦＰにより露出された微細空間３０５の液晶注入口３０７を覆う。キャッピング層３９０は、有機物質や無機物質を含む。
【００６４】
本実施形態においては、図３に示すように、横方向に隣り合う微細空間３０５の間に隔壁形成部ＰＷＰが形成されている。隔壁形成部ＰＷＰはデータ線１７１が伸びている方向に沿って形成されてもよく、ルーフ層３６０により覆われてもよい。隔壁形成部ＰＷＰは下部絶縁層３５０、上部絶縁層３７０及びルーフ層３６０で満たされているが、このような構造物が隔壁（Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ Ｗａｌｌ）を形成することにより微細空間３０５を分割または画定することができる。本実施形態においては、微細空間３０５の間に隔壁形成部ＰＷＰなどの隔壁構造があるため、絶縁基板１１０が撓んでも発生するストレスが少なく、セルギャップ（Ｃｅｌｌ Ｇａｐ）が変わる度合いが遥かに低減される。
【００６５】
図４から図１４は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００６６】
以下、図４から図１４に基づき、上述した液晶表示装置を製造する一実施形態について説明する。後述する実施形態は、製造方法の一実施形態に過ぎず、他の形態に変形して実施可能である。
【００６７】
図４から図１４は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。図４、図６、図８、図１０、図１１及び図１３は、図１の切断線ＩＩ-ＩＩに沿って切り取った断面図を順番に示すものである。図５、図７、図９、図１２及び図１４は、図１の切断線ＩＩＩ-ＩＩＩに沿って切り取った断面図である。
【００６８】
図１、図４及び図５を参照すると、基板１１０の上に周知のスイッチング素子を形成するために、横方向に伸びているゲート線１２１を形成し、ゲート線１２１の上にゲート絶縁膜１４０を形成し、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体層１５１、１５４を形成し、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５を形成する。このとき、ソース電極１７３と接続されたデータ線１７１は、ゲート線１２１と交差しながら縦方向に伸びるように形成してもよい。
【００６９】
ソース電極１７３、ドレイン電極１７５及びデータ線１７１を有するデータ導電体１７１、１７３、１７５及び露出された半導体層１５４部分の上には、第１保護層１８０ａを形成する。
【００７０】
第１保護層１８０ａ上の画素領域に対応する個所にカラーフィルタ２３０を形成し、複数のカラーフィルタ２３０の間に遮光部材２２０を形成する。
【００７１】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上にこれらを覆う第２保護層１８０ｂを形成し、第２保護層１８０ｂは画素電極１９１とドレイン電極１７５を電気的、物理的に接続する接触孔１８５を有するように形成する。
【００７２】
次いで、第２保護層１８０ｂの上に平面状の共通電極２７０を形成する。共通電極２７０は、ゲート線１２１またはデータ線１７１と重なり合う部分に配設される開口部１３８を有するが、隣り合う画素で互いに接続されるように形成してもよい。共通電極２７０の上に層間絶縁層１８０ｃを形成し、層間絶縁層１８０ｃの上に画素電極１９１を形成する。層間絶縁層１８０ｃは、第１保護層１８０ａ及び第２保護層１８０ｂのほかに画素電極１９１とドレイン電極１７５を電気的、物理的に接続する接触孔１８５を有する。
【００７３】
画素電極１９１は複数の切欠部９１を有し、隣り合う切欠部９１の間に配設される複数の枝電極１９２を備える。
【００７４】
次いで、画素電極１９１の上に犠牲層３００を形成する。犠牲層３００には、図５に示すように、データ線１７１と平行な方向に沿ってオープン部ＯＰＮが形成されている。オープン部ＯＰＮには、後続する工程において下部絶縁層３５０、ルーフ層３６０及び上部絶縁層３７０を形成して隔壁形成部ＰＷＰを形成してもよい。
【００７５】
図６及び図７を参照すると、犠牲層３００の上に下部絶縁層３５０及びルーフ層３６０をこの順に形成する。ルーフ層３６０は、露光または現像工程により、縦方向に隣り合う画素領域の間に配設される遮光部材２２０と対応する領域から除去されてもよい。ルーフ層３６０は、遮光部材２２０と対応する領域において下部絶縁層３５０を外部に露出させる。このとき、下部絶縁層３５０及びルーフ層３６０は縦遮光部材２２０ｂのオープン部ＯＰＮを満たしながら隔壁形成部ＰＷＰを形成する。
【００７６】
図８及び図９を参照すると、ルーフ層３６０と露出された下部絶縁層３５０を覆うように上部絶縁層３７０が形成されている。
【００７７】
図１０を参照すると、上部絶縁層３７０と下部絶縁層３５０をドライエッチングして、上部絶縁層３７０及び下部絶縁層３５０を部分的に除去することにより、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを形成する。このとき、上部絶縁層３７０がルーフ層３６０の側面を覆う構造を有していてもよいが、これに限定されるものではなく、ルーフ層３６０の側面を覆う上部絶縁層３７０が除去されて、ルーフ層３６０の側面が外部に露出されるようにしてもよい。
【００７８】
図１１及び図１２を参照すると、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを介して犠牲層３００を酸素（Ｏ２）アッシング（Ａｓｈｉｎｇ）処理やウェットエッチング法などにより除去する。このとき、液晶注入口３０７を有する微細空間３０５が形成される。微細空間３０５は、犠牲層３００が除去されて空間の状態である。
【００７９】
図１３及び図１４を参照すると、液晶注入口３０７を介して光配向物質を注入する。ここで、光配向物質は、上述したように、シス型またはトランス型の光学異性質体を含んでもよい。具体的に、下記の化学式１で表わされるシス型のアゾベンゼンを含んでもよい。
【００８０】
【化２】
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【００８１】
次いで、微細空間３０５内に注入された光配向物質に偏光された紫外線（ＵＶ）を照射する。これにより、まるでラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）したような効果が得られる。偏光された紫外線は３６５ナノメートルの波長を有していてもよいが、これに限定されるものではなく、３６５ナノメートル以下の波長を有していてもよい。なお、偏光された紫外線の照射エネルギーは、４Ｊ〜６Ｊであってもよい。ＵＶ照射によって、光配向物質は一つの異性質体の状態、例えば、シス型の異性質体の状態となる。特に、アゾベンゼンが光配向物質として用いられる場合、ＵＶ照射によって、シス型のアゾベンゼンが形成される。
【００８２】
次いで、光配向物質をベークして微細空間３０５の内壁に光配向膜１１、２１を形成する。
【００８３】
次いで、液晶注入口３０７を介して微細空間３０５にインクジェット方法などを用いて液晶分子３１０を含む液晶物質を注入する。液晶分子３１０は、水平配向してもよい。
【００８４】
次いで、上部絶縁層３７０の上に液晶注入口３０７及び液晶注入口形成領域３０７ＦＰを覆うようにキャッピング層３９０を形成すれば、図２に示す液晶表示装置を形成することができる。
【００８５】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに何ら限定されるものではなく、下記の特許請求の範囲において定義している本発明の基本概念を用いた当業者の種々の変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【００８６】
３００…犠牲層
３０５…微細空間
３０７…液晶注入口
３５０…下部絶縁層
３６０…ルーフ層
３７０…上部絶縁層
３９０…キャッピング層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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