(57)【要約】【課題】少ない温度センサーで正確な温度情報を得ることができる有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置は、基板と、基板上に設けられた有機ＥＬ素子を含む画素領域２０と、基板上に設けられた外部接続端子２４を含む端子領域２２と、基板上に設けられた温度センサー２６と、を備え、温度センサー２６が、画素領域２０と端子領域２２との間に設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を含む画素領域と、
前記基板上に設けられた外部接続端子を含む端子領域と、
前記基板上に設けられた温度センサーと、を備え、
前記温度センサーが、前記画素領域と前記端子領域との間に設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記基板は、半導体基板であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記温度センサーが、前記半導体基板上に形成されたバンドギャップリファレンス回路を備えることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記基板上の前記画素領域の外側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動回路を含む駆動回路領域をさらに備え、
前記温度センサーが、前記駆動回路領域と前記端子領域との間に設けられたことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた画素領域と、
前記半導体基板上に設けられた外部接続端子を含む端子領域と、
前記半導体基板上に設けられた温度センサーと、を備え、
前記温度センサーが、前記画素領域と前記端子領域との間に設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、半導体装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、有機エレクトロルミネッセンス素子等の電気光学素子を用いた表示装置が実用化されている。以下、有機エレクトロルミネッセンス（Electro-Luminescence）を有機ＥＬと略記する。この種の表示装置では、トランジスターのゲート電位に応じて電気光学素子に供給する電流を制御する画素回路が用いられる。この種のトランジスターを駆動トランジスターと称する。一般に、電気光学素子や駆動トランジスターの特性は、温度の影響により変化する。そのため、温度変化に応じて電気光学素子に供給する電流が変化し、画像の明るさが変わるなど、表示品位の低下を引き起こす場合がある。
【０００３】
下記の特許文献１には、プロジェクターにおいて、ランプから発せられる熱による表示への悪影響を低減する目的で、冷却の度合いを調整する目安となる温度を検出するための温度センサーを備えた液晶ライトバルブが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１５９６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、液晶ライトバルブを構成するアクティブマトリクス基板の６箇所に温度センサーを配置した例が開示されている。この構成では、基板の温度は検出できたとしても、温度センサーの占有面積が大きくなる。したがって、この構成を有機ＥＬ装置に適用したとしても、温度センサー６個分の面積のために有機ＥＬ装置の小型化が阻害される恐れがある。そのため、より少ない温度センサーで正確な温度を検出できる構成が求められている。この問題は、有機ＥＬ装置に限らず、例えばＣＭＯＳイメージセンサー等の半導体装置にも共通の問題である。
【０００６】
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであり、少ない温度センサーで正確な温度情報を得ることができる有機ＥＬ装置の提供を目的の一つとする。また、本発明の一つの態様は、少ない温度センサーで正確な温度情報を得ることができる半導体装置の提供を目的の一つとする。また、本発明の一つの態様は、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器の提供を目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の一つの態様の有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に設けられた有機ＥＬ素子を含む画素領域と、前記基板上に設けられた外部接続端子を含む端子領域と、前記基板上に設けられた温度センサーと、を備え、前記温度センサーが、前記画素領域と前記端子領域との間に設けられている。
【０００８】
本発明者は、有機ＥＬ装置においては有機ＥＬ素子を含む画素領域で発生する熱量が最も多く、画素領域で発生した熱が基板を介して端子領域から外部に流れる熱伝導経路に着目した。本発明の一つの態様の有機ＥＬ装置によれば、温度センサーが画素領域と端子領域との間の領域、すなわち熱伝導経路に設けられているため、温度を効率良く検出でき、少ない温度センサーで正確な温度情報を得ることができる。
【０００９】
本発明の一つの態様の有機ＥＬ装置において、前記基板は、半導体基板であってもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスターを用いることなく、画素回路や駆動回路を構成するトランジスターを半導体基板上に直接形成することができる。
【００１０】
本発明の一つの態様の有機ＥＬ装置において、前記温度センサーは、前記半導体基板上に形成されたバンドギャップリファレンス回路を備えていてもよい。
この構成によれば、半導体基板上に形成された抵抗、トランジスター等の素子で構成されるバンドギャップリファレンス回路からの出力信号を用いて温度を検出することができる。
【００１１】
本発明の一つの態様の有機ＥＬ装置において、前記基板上の前記画素領域の外側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動回路を含む駆動回路領域をさらに備え、前記温度センサーは、前記駆動回路領域と前記端子領域との間に設けられていてもよい。
有機ＥＬ装置では、上記の画素領域の他、駆動回路領域が熱源の一つとなる場合がある。この場合、上記の構成によれば、温度センサーが駆動回路領域から端子領域に向かう熱伝導経路に設けられているため、画素領域から伝達される熱に加え、駆動回路領域から伝達される熱の影響も加味した温度を検出することができる。これにより、より正確な温度検出が可能となる。
【００１２】
本発明の一つの態様の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた画素領域と、前記半導体基板上に設けられた外部接続端子を含む端子領域と、前記半導体基板上に設けられた温度センサーと、を備え、前記温度センサーが、前記画素領域と前記端子領域との間に設けられている。
本発明の一つの態様の半導体装置によれば、温度センサーが画素領域と端子領域との間に設けられているため、温度を効率良く検出でき、少ない温度センサーで正確な温度情報を得ることができる。
【００１３】
本発明の一つの態様の電子機器は、本発明の一つの態様の有機ＥＬ装置を備えている。
本発明の一つの態様の有機ＥＬ装置を表示部として備えることにより、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の有機ＥＬ装置を示す斜視図である。
【図２】有機ＥＬ装置の各領域の配置を示す平面図である。
【図３】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】有機ＥＬ装置の画素回路を示す図である。
【図５】温度センサーを構成するバンドギャップリファレンス回路の構成例を示す図である。
【図６】バンドギャップリファレンス回路の特性例を示す図である。
【図７】有機ＥＬ装置における熱伝導経路を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態の有機ＥＬ装置を示す平面図である。
【図９】本発明の電子機器の一例であるヘッドマウント・ディスプレイを示す斜視図である。
【図１０】ヘッドマウント・ディスプレイの光学的構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図１〜図７を用いて説明する。
本実施形態では、シリコン基板を用いて構成した有機ＥＬ装置の一例を示す。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
【００１６】
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置を示す斜視図である。 
図１に示すように、有機ＥＬ装置１は、例えばヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）に適用されて画像を表示するマイクロディスプレイ１０として機能する。すなわち、マイクロディスプレイ１０は、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などがシリコン等の半導体基板に形成された有機ＥＬ装置で構成される。画素回路には、発光素子の一例である有機ＥＬが含まれる。以下の記載では、本実施形態に好適な半導体基板としてシリコン基板を例として説明するが、その他の公知の半導体材料からなる半導体基板も適用可能である。
【００１７】
マイクロディスプレイ１０は、開口部を有する枠状のケース１２に収納されている。マイクロディスプレイ１０には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板１４の一端が接続されている。ＦＰＣ基板１４の他端には、複数の端子１６が設けられ、図示しない回路モジュールに接続されている。端子１６に接続される回路モジュールは、マイクロディスプレイ１０の電源回路および制御回路を兼ねている。回路モジュールは、ＦＰＣ基板１４を介して各種の電位を給電する他、データ信号や制御信号などを供給する。
【００１８】
図２は、マイクロディスプレイ１０において各部の配置を示す平面図である。
図３は、マイクロディスプレイ１０における電気的な構成を示すブロック図である。図２は、説明の便宜上、図１におけるケース１２を取り外した状態で示す。
図２において、表示部１００は、平面視したときに、例えば対角で１インチ程度のサイズであり、図における左右方向に横長の長方形の形状となっている。
【００１９】
より詳しくは、図３に示すように、表示部１００には、ｍ行の走査線１１２が図における左右方向に沿って設けられている。また、ｎ列のデータ線１１４が図における上下方向に沿って、かつ、各走査線１１２と互いに電気的に絶縁された状態で設けられている。このように、表示部１００においては、ｍ行の走査線１１２とｎ列のデータ線１１４との各交差に対応して、複数の画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。すなわち、複数の画素回路１１０がマトリクス状に配列された画素領域２０は、表示部１００を構成する。
なお、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。
【００２０】
以下、複数の走査線１１２および複数の画素回路１１０のうち、行を便宜的に区別するために、図３において上から順に１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行と呼ぶ場合がある。同様に、複数のデータ線１１４および複数の画素回路１１０のうち、列を便宜的に区別するために、図３において左から順に１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列と呼ぶ場合がある。
【００２１】
実際には、例えば同一行の走査線１１２と互いに隣り合う３列のデータ線１１４との交差に対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素に対応している。これらの３画素は、表示すべきカラー画像の１ドットに対応する。換言すれば、本実施形態は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの画素回路１１０の発光素子による加法混色により、１ドットのカラーを表現する構成になっている。
【００２２】
表示部１００の周辺に、画素回路１１０を駆動するための駆動回路（周辺回路）が設けられている。本実施形態において、駆動回路は、走査線駆動回路１４０とデータ線駆動回路１５０とを含む。走査線駆動回路１４０は、表示部１００の左右両側に、それぞれ表示部１００から離間して設けられている。２つの走査線駆動回路１４０は、ｍ行の走査線１１２の各々を両側からそれぞれ駆動する構成となっている。走査線駆動回路１４０の各々は、回路モジュールから同じ制御信号Ｃtryが供給されて、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２にそれぞれ走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)を供給する。
なお、走査信号の供給に際して、走査信号の遅延が問題にならないのであれば、走査線駆動回路１４０を片側１個だけの構成としてもよい。
【００２３】
図２、図３に示すように、データ線駆動回路１５０は、ＦＰＣ基板１４が接続された端子領域２２と表示部１００との間で、表示部１００から距離をおいて設けられている。端子領域２２は、ＦＰＣ基板１４と接続される複数の外部接続端子２４が設けられた領域である。
【００２４】
データ線駆動回路１５０には、回路モジュールから画像信号Ｖd、制御信号Ｃtrxが供給される。データ線駆動回路１５０は、制御信号Ｃtrxに従って、画像信号Ｖdを、１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４に対して、画像信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、Ｖd(3)、…、Ｖd(n-1)、Ｖd(n)として供給する。また、表示部１００には、本実施形態では電位Ｖ1、Ｖ2が、回路モジュールからＦＰＣ基板１４を介して各画素回路１１０にわたって供給される。
【００２５】
温度センサー２６は、画素領域２０である表示部１００と端子領域２２との間に設けられている。より詳しくは、温度センサー２６は、画素領域２０である表示部１００と端子領域２２との間の領域であって、複数の外部接続端子２４の配列の両端間の区間と、複数の画素回路１１０の配列の両端間の区間（画素領域２０の幅）とには挟まれた領域に配置されている。すなわち、温度センサー２６は、画素領域２０の何れか１つの画素回路と、複数の外部接続端子２４のうちいずれか１つを結ぶ線上に設けられてなる。さらに温度センサー２６は、データ線駆動回路１５０からなる駆動回路領域２８と端子領域２２との間に設けられている。
【００２６】
より詳しくは、温度センサー２６は、駆動回路領域２８と端子領域２２との間の領域であって、複数の外部接続端子２４の配列の両端間の区間と、データ線駆動回路１５０の幅に対応する区間とには挟まれた領域に配置されている。温度センサー２６の構成については、後で詳しく説明する。画素領域２０における複数の画素回路１１０、温度センサー２６、走査線駆動回路１４０およびデータ線駆動回路１５０は、全て半導体基板上に形成されている。そして、これらの回路を構成するトランジスター等の半導体素子の能動層は、半導体基板内に設けられる。能動層とは、トランジスターにおける、チャネル領域、ソース領域、ドレイン領域等である。
【００２７】
走査線駆動回路１４０が出力する走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)は、ＨまたはＬレベルで規定される論理信号である。このため、走査線駆動回路１４０は、制御信号Ｃtryに従って動作するＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）論理回路の集合体となっている。また、走査線駆動回路１４０において電源の高位側を電位Ｖddとし、低位側を電位Ｖssとしている。このため、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)においてＨレベルは電位Ｖddに相当し、Ｌレベルは電位Ｖssに相当する。
【００２８】
図４は、画素回路１１０の回路図である。図４には、ｉ行目および当該ｉ行目に対して下側で隣り合う（ｉ＋１）行目の走査線１１２と、ｊ列目および当該ｊ列目に対して右側で隣り合う（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との交差に対応する２×２の合計４画素分の画素回路１１０を示す。ｉ、（ｉ＋１）は、画素回路１１０が配列される行を一般的に示す場合の記号であり、１以上、ｍ以下の整数である。同様に、ｊ、（ｊ＋１）は、画素回路１１０が配列される列を一般的に示す場合の記号であり、１以上、ｎ以下の整数である。
【００２９】
図４に示すように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳのトランジスター１２２、１２４と、容量素子１２８と、有機ＥＬ１３０と、を含んでいる。画素回路１１０は、電気的には互いに同一の構成であるため、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明する。
【００３０】
ｉ行ｊ列の画素回路１１０のトランジスター１２２は、スイッチングトランジスターとして機能する。トランジスター１２２において、ゲートノードはｉ行目の走査線１１２に接続される一方、ソースまたはドレインノードの一方はｊ列目のデータ線１１４に接続され、ソースまたはドレインノードの他方は容量素子１２８の一端と、トランジスター１２４のゲートノードと、にそれぞれ接続されている。
【００３１】
トランジスター１２４のソースノードは、容量素子１２８の他端とともに、電源の高位側の電位Ｖ1を給電する給電線１１６に接続され、トランジスター１２４のドレインノードは、有機ＥＬ１３０のアノードに接続されている。トランジスター１２４は駆動トランジスターであり、容量素子１２８による保持電圧、すなわちゲート・ソース間の電圧に応じた電流を有機ＥＬ１３０に供給する。
【００３２】
有機ＥＬ１３０のアノードは、画素回路１１０毎に個別に設けられた画素電極である。有機ＥＬ１３０のカソードは、画素回路１１０の全てにわたる共通電極１１７であり、電源の低位側電位Ｖ2が給電されている。有機ＥＬ１３０は、シリコン基板において、互いに対向するアノードと透明性を有するカソードとで有機ＥＬ材料からなる発光層を挟持した素子であり、アノードからカソードに向かって流れる電流に応じた輝度で発光する。
【００３３】
図４において、Ｇwr(i)、Ｇwr(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示す。Ｖd(j)、Ｖd(j+1)は、それぞれｊ、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を示す。また、便宜的に、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１２４のゲートノードをｇ(i,j)と表記している。容量素子１２８については、トランジスター１２４のゲートノードに寄生する容量が用いられる場合がある。
【００３４】
温度センサー２６は、シリコン基板上に形成されたバンドギャップリファレンス回路４０を備えている。バンドギャップリファレンス回路４０は、温度に応じた電圧を示す温度信号を出力する。図５に、バンドギャップリファレンス回路４０の詳細な構成を示す。図示を省略するが、温度センサー２６は、水平同期信号をカウントしてカウントデータを出力するカウンター、カウントデータをＤＡ変換してカウント信号を出力するＤＡＣ回路、温度信号とカウント信号とを比較するコンパレーター、等をさらに備えている。なお、この種の温度センサーは周知であり、動作等の詳細な説明は省略する。
【００３５】
バンドギャップリファレンス回路４０において、温度信号Ｖtmpは、以下に示す式で与えられる。
Ｖtmp＝Ｖth＋（ＫＴ／ｑ）（Ｒ１・ｌｎＮ／Ｒ２）
ただし、Ｋはボルツマン定数（＝１．３８１×１０−２３［ｍ２・ｋｇ／ｓ２・Ｋ］）、Ｔは絶対温度［Ｋ］、ｑは電荷素量（＝１．６０２×１０−１９［Ｃ］）である。
【００３６】
例えば、Ｒ１を１ＭΩ、Ｒ２を１０ｋΩとしたときの温度信号Ｖtmpは、図６に示すように、温度が高くなるにつれて大きくなる特性を有する。このような温度と温度信号との相関関係から、温度センサー２６は、バンドギャップリファレンス回路４０から出力された温度信号Ｖtmpに基づいて有機ＥＬ装置１の温度を検出することができる。
【００３７】
温度センサー２６によって得られた温度情報は、有機ＥＬ装置１の各種の動作の制御に利用される。例えば標準的な動作温度に比べて現在の温度が高く検出された場合、例えば消費電力を下げる、動作周波数を下げる、一部の回路を停止する、発光時間を短縮する、等の発熱を抑える動作が行われる。
【００３８】
本実施形態の有機ＥＬ装置１において、図７に示すように、動作時には有機ＥＬ素子を含む画素領域２０で多くの熱が発生し、この熱が半導体基板５０を介して端子領域２２からＦＰＣ基板１４に伝達される熱伝導経路ができる。熱伝導経路を符号Ｈの矢印で示す。本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、温度センサー２６が画素領域２０と端子領域２２との間の領域、すなわち熱伝導経路Ｈ上に設けられているため、温度を効率良く検出でき、少ない温度センサーで正確な温度情報を得ることができる。特に、温度センサー２６は、外付けではなく、半導体基板５０上に直接作り込まれているため、より精度の高い温度検出が可能となる。
【００３９】
さらに、有機ＥＬ装置１では、上記の画素領域２０の他、駆動回路領域、特にデータ線駆動回路１５０が熱源の一つとなる場合がある。これに対し、本実施形態の構成によれば、図７に示すように、温度センサー２６がデータ線駆動回路１５０から端子領域２２に向かう熱伝導経路Ｈ上に設けられているため、画素領域２０から伝達される熱に加え、データ線駆動回路１５０から伝達される熱の影響も加味した温度を検出することができる。これにより、より正確な温度検出が可能となる。
【００４０】
［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態について、図８を用いて説明する。
第２実施形態の有機ＥＬ装置の基本構成は第１実施形態と同様であり、温度センサーの位置が第１実施形態と異なる。
図８は、第２実施形態の有機ＥＬ装置を示す平面図である。
図８において、第１実施形態で用いた図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１１においては、一方（図８における左側）の走査線駆動回路１４０の外側に、複数の外部接続端子２４を含む端子領域２２が設けられている。温度センサー２６は、画素領域２０と端子領域２２との間、特に走査線駆動回路１４０と端子領域２２との間に設けられている。より詳しくは、温度センサー２６は、走査線駆動回路１４０と端子領域２２との間の領域であって、複数の外部接続端子２４の配列の両端間の区間と、走査線駆動回路１４０の幅に対応する区間とには挟まれた領域に配置されている。その他の構成は第１実施形態と同様である。温度センサー２６自体の構成も第１実施形態と同様である。
【００４２】
本実施形態の有機ＥＬ装置１１においても、少ない温度センサーで正確な温度情報が得られるといった第１実施形態と同様の効果を得ることができる。本実施形態の場合、温度の検出にデータ線駆動回路１５０からの熱の影響が反映されにくい構成ではあるが、画素領域２０から端子領域２２の間に温度センサー２６が配置されるので、画素領域の熱影響を検出しやすい構成となっている。
【００４３】
［電子機器］
以下、上記の実施形態に係るマイクロディスプレイ１０を適用したヘッドマウント・ディスプレイについて説明する。
図９は、ヘッドマウント・ディスプレイの外観を示す図である。図１０は、ヘッドマウント・ディスプレイの光学的な構成を示す図である。
【００４４】
図９に示すように、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様、テンプル３１、ブリッジ３２、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、図１０に示すように、ブリッジ３２近傍のレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用のマイクロディスプレイ１０Ｌと右眼用のマイクロディスプレイ１０Ｒとが設けられている。
【００４５】
左眼用のマイクロディスプレイ１０Ｌの画像表示面は、図１０において左側を向くように配置されている。これにより、マイクロディスプレイ１０Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において左側に向けて射出される。ハーフミラー３０３Ｌは、マイクロディスプレイ１０Ｌによる表示画像を図１０において下側に向けて反射させる一方、上側から入射した光を透過させる。
【００４６】
右眼用のマイクロディスプレイ１０Ｒの画像表示面は、マイクロディスプレイ１０Ｌとは反対に、図１０において右側を向くように配置されている。これにより、マイクロディスプレイ１０Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において右側に向けて射出される。ハーフミラー３０３Ｒは、マイクロディスプレイ１０Ｒによる表示画像を図１０において下側に向けて反射させる一方、上側から入射した光を透過させる。
【００４７】
この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ３００の装着者は、マイクロディスプレイ１０Ｌ、１０Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で見ることができる。また、ヘッドマウント・ディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像をマイクロディスプレイ１０Ｌに表示させ、右眼用画像をマイクロディスプレイ１０Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させる表示、いわゆる３Ｄ表示を行うことができる。
【００４８】
なお、マイクロディスプレイ１０については、ヘッドマウント・ディスプレイ３００の他にも、ビデオカメラ、レンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーとしても適用可能である。
【００４９】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記実施形態では、バンドギャップリファレンス回路を備えた温度センサーの例を示したが、バンドギャップリファレンス回路に限らず、温度に応じた電圧を示す温度信号を出力する他の回路を備えた温度センサーを用いてもよい。その他、図４に示した画素回路の構成は一つの例に過ぎず、他の構成の画素回路を備えた有機ＥＬ装置であってもよい。
【００５０】
本発明は、上記の有機ＥＬ装置の他、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＣＣＤイメージセンサー、赤外線アレイセンサー等の半導体装置に適用することが可能である。この場合、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた画素領域と、半導体基板上に設けられた外部接続端子を含む端子領域と、半導体基板上に設けられた温度センサーと、を備え、温度センサーが画素領域と端子領域との間に設けられていればよい。
【符号の説明】
【００５１】
１，１０，１１…有機ＥＬ装置、２０…画素領域、２２…端子領域、２４…外部接続端子、２６…温度センサー、２８…駆動回路領域、４０…バンドギャップリファレンス回路、５０…半導体基板、１３０…有機ＥＬ、３００…ヘッドマウント・ディスプレイ（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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