(57)【要約】      （修正有）【課題】接着層を跨いで形成される配線層の剥離を抑制すると共に断線を防止することができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。【解決手段】圧電素子３００が保護基板３０の外側まで延び、圧電素子上に保護基板が接着層３５で接着された接着部位が形成され、接着部位の圧電素子の部分を圧電体層７０の厚さ方向に切断した断面における接着層が、保護基板の外側端部で圧電素子上に設けられた第１の配線層９１と保護基板とを接着する第１の接着部と、保護基板の内側端部で圧電素子上に設けられ第１の配線層とは電気的に分離されている金属層９２と保護基板とを接着する第２の接着部と、第１の接着部と第２の接着部の間にあって、圧電素子と保護基板とを接着する第３の接着部とからなり、保護基板の接着部位側の側面には、第１の配線層に接続され保護基板の側面を介して保護基板の上面まで延設される第２の配線層９５が設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１電極、圧電体層、第２電極が積層された圧電素子と、前記圧電素子の一部を覆うように設けられ、前記第１電極の配線として構成される第１の配線層と、前記圧電素子を覆う保護基板と、を具備する液体噴射ヘッドであって、
前記圧電素子が前記保護基板の外側まで延び、前記圧電素子上に前記保護基板が接着層で接着された接着部位が形成され、
前記接着部位の前記圧電素子の部分を前記圧電体層の厚さ方向に切断した断面における前記接着層が、前記保護基板の外側端部で前記圧電素子上に設けられた前記第１の配線層と前記保護基板とを接着する第１の接着部と、前記保護基板の内側端部で前記圧電素子上に設けられ前記第１の配線層とは電気的に分離されている金属層と前記保護基板とを接着する第２の接着部と、前記第１の接着部と前記第２の接着部の間にあって、前記圧電素子と前記保護基板とを接着する第３の接着部とからなり、
前記保護基板の前記接着部位側の側面には、前記第１の配線層に接続され当該保護基板の側面を介して前記保護基板の上面まで延設される第２の配線層が設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記保護基板は、前記接着部位側の側面が前記保護基板の内側に向かって傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記第１の接着部又は前記第２の接着部と前記第３の接着部との厚さの比は、１：２〜１：９であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記第１の配線層が前記保護基板の外側へ引き出される方向において、前記第１の接着部位の長さと前記第２の接着部位は略同一であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記第１の配線層が前記保護基板の外側へ引き出される方向において、前記第３の接着部の長さと前記第１の接着部又は前記第２の接着部の長さとの比は、１：１．３〜１：３であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項６】
前記第１の配線層、前記第２の配線層及び前記金属層のうち、少なくとも一以上が金を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項７】
前記第１の配線層、前記第２の配線層及び前記金属層は金を含むことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル開口から液体を噴射する液体噴射ヘッド及び液体噴射ヘッドを具備する液体噴射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子を変形させて圧力発生室内の液体に圧力変動を生じさせることで、圧力発生室に連通するノズル開口から液滴を噴射させる液体噴射ヘッドが知られている。この液体噴射ヘッドの代表例としては、液滴としてインク滴を噴射させるインクジェット式記録ヘッドがある。
【０００３】
インクジェット式記録ヘッドは、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板の一方面側に圧電素子を備え、圧電素子の駆動によって振動板を変形させることで、圧力発生室内のインクに圧力変化を生じさせて、ノズル開口からインク滴を噴射させる。
【０００４】
近年、インクジェットヘッドは、低コスト化や高密度化が求められている。これを実現するためには、ヘッドに設けられたノズル開口部同士の距離（ノズルピッチ）をできるだけ小さく（狭く）することが必須になる。これに伴い、圧電素子もノズルピッチに応じて圧電素子同士の間の距離を小さくする必要がある。ところが、圧電素子同士の間の距離が小さくなると、複数の圧電素子に接続されたそれぞれの配線と、駆動ＩＣとをワイヤーボンディングの手法によって接続することが困難となり、隣接するワイヤーボンディングが接触して短絡する等の問題が生じる。
【０００５】
そこで、ワイヤーボンディングに代えて配線パターンを保護基板上まで延設し、圧電素子と、保護基板上の駆動ＩＣとをフリップチップ実装する構造、すなわち、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この場合、保護基板の上面から保護基板の側面を通って圧電素子まで配線層を形成する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−６６９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した配線構造では保護基板と圧電素子を設けた流路形成基板とを接着する接着部位からはみ出した接着剤上に保護基板まで延設される配線層を形成しなければならない。接着剤と配線層とは、熱膨張率が異なる材料からなるため、例えば圧電素子を駆動した場合、発生した熱により、接着剤と配線層との密着力が弱まり、配線層が剥がれ易くなるという問題がある。他方、保護基板と圧電素子とを接着する部位では段差が生じている箇所が存在する。このような段差箇所に接着剤を塗布した場合は、接着剤のはみ出す量の調整が困難であり、接着剤のはみ出し部分と配線層との接着面が大きくなると、配線層の剥離が一層生じ易くなる。
【０００８】
なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドだけではなく、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにおいても同様に存在する。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑み、接着層を跨いで形成される配線層の剥離を抑制すると共に断線を防止することができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の態様は、基板上に第１電極、圧電体層、第２電極が積層された圧電素子と、前記圧電素子の一部を覆うように設けられ、前記第１電極の配線として構成される第１の配線層と、前記圧電素子を覆う保護基板と、を具備する液体噴射ヘッドであって、前記圧電素子が前記保護基板の外側まで延び、前記圧電素子上に前記保護基板が接着層で接着された接着部位が形成され、前記接着部位の前記圧電素子の部分を前記圧電体層の厚さ方向に切断した断面における前記接着層が、前記保護基板の外側端部で前記圧電素子上に設けられた前記第１の配線層と前記保護基板とを接着する第１の接着部と、前記保護基板の内側端部で前記圧電素子上に設けられ前記第１の配線層とは電気的に分離されている金属層と前記保護基板とを接着する第２の接着部と、前記第１の接着部と前記第２の接着部の間にあって、前記圧電素子と前記保護基板とを接着する第３の接着部とからなり、前記保護基板の前記接着部位側の側面には、前記第１の配線層に接続され当該保護基板の側面を介して前記保護基板の上面まで延設される第２の配線層が設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、第１の接着部と第２の接着部の厚さを極力小さくし、余剰の接着剤は第３の接着部に吸収されるため、第１の接着部での接着剤のはみ出す量の調整が容易になり、第１の接着部の接着剤のはみ出し部分に設けられた第２の配線層との接触面の調整も容易になる。これにより、第２の配線層の剥離を抑制すると共に断線を防止することができる液体噴射ヘッドが実現される。
【００１１】
ここで、前記保護基板は、前記接着部位側の側面が前記保護基板の内側に向かって傾斜していることが好ましい。これによれば、第２の配線層の形成を比較的容易に行うことができる。
【００１２】
ここで、第１の接着部又は前記第２の接着部と前記第３の接着部との厚さの比は、１：２〜１：９であることが好ましい。これによれば、接着部位において第３の接着部の存在により第１の接着部側への接着剤のはみ出す量と第２の接着部側へのはみ出す量とを抑制できるので接着剤のはみ出す量を少なく調整することができ、第２の配線層の剥離を確実に抑制することができる。
【００１３】
また、前記第１の配線層が前記保護基板の外側へ引き出される方向において、前記第１の接着部位の長さと前記第２の接着部位は略同一であることが好ましい。これによれば、接着部位において第１の接着部側への接着剤のはみ出す量と第２の接着部側への接着剤のはみ出す量とを同じにできるので接着剤のはみ出す量を容易に調整することができ、第２の配線層の剥離を一層確実に抑制することができる。
【００１４】
また、前記第１の配線層が前記保護基板の外側へ引き出される方向において、前記第３の接着部の長さと前記第１の接着部又は前記第２の接着部の長さとの比は、１：１．３〜１：３であることが好ましい。これによれば、接着剤のはみ出す量を容易に調整することができ、保護基板と圧電素子とを安定に接着することができる。
【００１５】
また、前記第１の配線層、前記第２の配線層及び前記金属層のうち、少なくとも一以上が金を含むことが好ましい。これによれば、配線抵抗を下げる配線層を形成しつつ、第２の配線層により第１の配線層との高さが調整されるため、比較的容易に接着部位の接着構造が実現できる。
【００１６】
また、前記第１の配線層、前記第２の配線層及び前記金属層は金を含むことが好ましい。これによれば、配線抵抗を確実に下げる配線層を形成することができる。
【００１７】
本発明の他の態様は、上記何れかの態様に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、第１の接着部での接着剤のはみ出す量の調整が容易になり、第１の接着部のはみ出し部分に設けられた第２の配線層との接触面の調整も容易になるため、第２の配線層の剥離を抑制すると共に断線を防止することができる液体噴射装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す一部分解斜視図。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの断面図及び要部拡大図。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図８】本発明の一実施形態に係る記録装置の概略構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す一部分解斜視図であり、図２は、インクジェット式記録ヘッドの平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ′線断面図及び要部拡大図である。
【００２１】
図示するように、本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドＩが備える流路形成基板１０には、圧力発生室１２が形成されている。そして、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２が同じ色のインクを吐出する複数のノズル開口２１が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方向を圧力発生室１２の並設方向、又は第１の方向Ｘと称する。また、この第１の方向Ｘと直交する方向を、以降、第２の方向Ｙと称する。
【００２２】
また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向の一端部側、すなわち第２の方向Ｙの一端部側には、インク供給路１３と連通路１４とが複数の隔壁１１によって区画されている。連通路１４の外側（第２の方向Ｙにおいて圧力発生室１２とは反対側）には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるマニホールド１００の一部を構成する連通部１５が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５からなる液体流路が設けられている。
【００２３】
流路形成基板１０の一方面側、すなわち圧力発生室１２等の液体流路が開口する面には、各圧力発生室１２に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって接合されている。すなわち、ノズルプレート２０には、第１の方向Ｘにノズル開口２１が並設されている。
【００２４】
流路形成基板１０の他方面側には、振動板５０が形成されている。本実施形態に係る振動板５０は、流路形成基板１０上に形成された弾性膜５１と、弾性膜５１上に形成された絶縁体膜５２とで構成されている。なお、圧力発生室１２等の液体流路は、流路形成基板１０を一方面から異方性エッチングすることにより形成されており、圧力発生室１２等の液体流路の他方面は、振動板５０（弾性膜５１）で構成されている。
【００２５】
絶縁体膜５２上には、厚さが例えば、約０．２μｍの第１電極６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの第２電極８０とで構成される圧電素子３００が形成されている。
【００２６】
図示するように、圧電素子３００を構成する第１電極６０は、圧力発生室１２毎に切り分けられて、後述する能動部毎に独立する個別電極を構成する。この第１電極６０は、圧力発生室の第１の方向Ｘにおいては、圧力発生室１２の幅よりも狭い幅で形成されている。すなわち、圧力発生室１２の第１の方向Ｘにおいて、第１電極６０の端部は、圧力発生室１２に対向する領域の内側に位置している。また、第２の方向Ｙにおいて、第１電極６０の両端部は、それぞれ圧力発生室１２の外側まで延設されている。なお、第１電極６０の材料は、後述する圧電体層７０を成膜する際に酸化せず、導電性を維持できる材料であることが必要であり、例えば、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等の貴金属、またはランタンニッケル酸化物（ＬＮＯ）などに代表される導電性酸化物が好適に用いられる。
【００２７】
また、第１電極６０として、前述の導電材料と、振動板５０との間に、密着力を確保するための密着層を用いてもよい。密着層としては、チタンの他、ジルコニウム、酸化チタンなどを用いることができる。
【００２８】
圧電体層７０は、第２の方向Ｙが所定の幅となるように、第１の方向Ｘに亘って連続して設けられている。圧電体層７０の第２の方向Ｙの幅は、圧力発生室１２の第２の方向Ｙの長さよりも大きい。このため、圧力発生室１２の第２の方向Ｙでは、圧電体層７０は圧力発生室１２の外側まで設けられている。
【００２９】
圧力発生室１２の第２の方向Ｙにおいて、圧電体層７０のインク供給路１３側の端部は、第１電極６０の端部よりも外側に位置している。すなわち、第１電極６０の端部は圧電体層７０によって覆われている。また、圧電体層７０のノズル開口２１側の端部は、第１電極６０の端部よりも内側（圧力発生室１２側）に位置しており、第１電極６０のノズル開口２１側の端部は、圧電体層７０に覆われていない。
【００３０】
圧電体層７０は、第１電極６０上に形成される電気機械変換作用を示す強誘電性セラミックス材料からなるペロブスカイト構造の結晶膜（ペロブスカイト型結晶）である。圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電材料や、これに酸化ニオブ、酸化ニッケル又は酸化マグネシウム等の金属酸化物を添加したもの等を用いることができる。具体的には、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、ジルコニウム酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）、チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ），ＴｉＯ３）、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）又は、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３）等を用いることができる。本実施形態では、圧電体層７０として、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を用いた。
【００３１】
また、圧電体層７０の材料としては、鉛を含む鉛系の圧電材料に限定されず、鉛を含まない非鉛系の圧電材料を用いることもできる。非鉛系の圧電材料としては、例えば、鉄酸ビスマス（（ＢｉＦｅＯ３）、略「ＢＦＯ」）、チタン酸バリウム（（ＢａＴｉＯ３）、略「ＢＴ」）、ニオブ酸カリウムナトリウム（（Ｋ，Ｎａ）（ＮｂＯ３）、略「ＫＮＮ」）、ニオブ酸カリウムナトリウムリチウム（（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ）（ＮｂＯ３））、ニオブ酸タンタル酸カリウムナトリウムリチウム（（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ）（Ｎｂ，Ｔａ)Ｏ３）、チタン酸ビスマスカリウム（（Ｂｉ１／２Ｋ１／２）ＴｉＯ３、略「ＢＫＴ」）、チタン酸ビスマスナトリウム（（Ｂｉ１／２Ｎａ１／２）ＴｉＯ３、略「ＢＮＴ」）、マンガン酸ビスマス（ＢｉＭｎＯ３、略「ＢＭ」）、ビスマス、カリウム、チタン及び鉄を含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物（ｘ［（ＢｉｘＫ１−ｘ）ＴｉＯ３］−（１−ｘ）［ＢｉＦｅＯ３］、略「ＢＫＴ−ＢＦ」）、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物（（１−ｘ）[ＢｉＦｅＯ３]−ｘ[ＢａＴｉＯ３]、略「ＢＦＯ−ＢＴ」）や、これにマンガン、コバルト、クロムなどの金属を添加したもの（（１−ｘ）[Ｂｉ（Ｆｅ１−ｙＭｙ）Ｏ３]−ｘ[ＢａＴｉＯ３]（Ｍは、Ｍｎ、ＣｏまたはＣｒ））等が挙げられる。
【００３２】
圧電体層７０は、詳しくは後述するが、ゾル−ゲル法、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法などの液相法や、スパッタリング法、レーザーアブレーション法等などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法（気相法）などで形成することができる。
【００３３】
このような圧電体層７０には、各隔壁１１に対応する凹部７１が形成されている。この凹部７１の第１の方向Ｘの幅は、各隔壁１１の第１の方向の幅と略同一、もしくはそれよりも広くなっている。これにより、振動板５０の圧力発生室１２の第２の方向Ｙの端部に対抗する部分（いわゆる振動板５０の腕部）の剛性が押さえられるため、圧電素子３００を良好に変位させることができる。
【００３４】
第２電極８０は、圧電体層７０の第１電極６０とは反対面側に設けられており、複数の能動部３１０に共通する共通電極を構成する。本実施形態では、第２電極８０は、圧電体層７０側に設けられた第１層８１と、第１層８１の圧電体層７０とは反対側に設けられた第２層８２と、を具備する。
【００３５】
第１層８１は、圧電体層７０との界面を良好に形成できること、圧電特性を発揮できる材料が望ましく、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料、及びランタンニッケル酸化物（ＬＮＯ）に代表される導電性酸化物が好適に用いられる。また、第１層８１は、複数材料の積層であってもよい。本実施形態では、イリジウムとチタンとの積層体（イリジウムが圧電体層７０と接する）を使用している。そして、第１層８１は、スパッタリング法、レーザーアブレーション法などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法（気相法）、ゾル−ゲル法、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法、メッキ法などの液相法により形成することができる。また、第１層８１の形成後に、加熱処理を行うことにより、圧電体層７０の特性改善を行うことができる。このような第１層８１は、圧電体層７０上のみ、すなわち、圧電体層７０の流路形成基板１０とは反対側の表面上のみに形成されている。
【００３６】
また、第２電極８０を構成する第２層８２は、導電性を有する材料、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料を用いることができる。もちろん、第２層８２は、上記金属材料の単一材料であっても、複数の材料が混合した複数材料であってもよい。また、第１層８１と第２層８２との間に、チタン等を設けるようにしてもよい。本実施形態では、第２層８２として、イリジウムとチタンとの積層体（イリジウムが第１層８１と接する）を使用している。
【００３７】
このような第２層８２は、本実施形態では、第１層８１上と、第１層８１が設けられていない圧電体層７０の側面上と、第１電極６０上と、に亘って連続して設けられている。ちなみに、第１層８１上の第２層８２と、第１電極６０上の第２層８２とは、電気的に切断されている。すなわち、第１層８１上の第２層８２と、第１電極６０上の第２層８２とは、同一層からなるが電気的に不連続となるように形成されている。ここで、除去部８３は、圧電体層７０上の第２電極８０を、すなわち、第１層８１及び第２層８２を厚さ方向（第１層８１と第２層８２との積層方向）に貫通して電気的に切断するものである。このような除去部８３は、第１の方向Ｘに亘って連続して第２電極８０を厚さ方向に貫通して設けられており、除去部８３の圧力発生室１２側が共通電極となる第２電極８０となる、一方、除去部８３の圧力発生室１２とは反対側は、圧力発生室１２の外側に引き出された個別の第１電極６０上に積層され、第１電極６０と同様に圧電素子３００毎に個別になるようにパターニングされた第１の配線層９１（個別リード電極）となる。
【００３８】
第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を具備する圧電素子３００は、流路形成基板１０に変形可能に設けられ、本実施形態の圧電アクチュエーターを構成し、第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加することで変位が生じる。すなわち両電極の間に電圧を印加することで、第１電極６０と第２電極８０とで挟まれている圧電体層７０に圧電歪みが生じる。そして、両電極に電圧を印加した際に、圧電体層７０に圧電歪みが生じる部分を能動部３１０と称する。これに対して、圧電体層７０に圧電歪みが生じない部分を非能動部と称する。また、圧電体層７０に圧電歪みが生じる能動部３１０において、圧力発生室１２に対向する部分を可撓部と称し、圧力発生室１２の外側の部分を非可撓部と称する。
【００３９】
本実施形態では、第２の方向Ｙにおいて、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０の全てが圧力発生室１２の外側まで連続的に設けられている。すなわち能動部３１０が圧力発生室１２の外側まで連続的に設けられている。このため、能動部３１０のうち圧電素子３００の圧力発生室１２に対向する部分が可撓部となり、圧力発生室１２の外側の部分が非可撓部となっている。
【００４０】
また、能動部３１０の第１の方向Ｘの端部は、第１電極６０によって規定されている。そして、第１電極６０の第１の方向Ｘの端部は、圧力発生室１２に相対向する領域内に設けられている。したがって、能動部３１０の第１の方向Ｘの端部は、可撓部に設けられていることになり、第１の方向Ｘにおいて、能動部３１０と非能動部との境界における応力が振動板の変形によって開放される。このため、能動部３１０の第１の方向Ｘの端部における応力集中に起因する焼損やクラック等の破壊を抑制することができる。
【００４１】
このような圧電素子３００では、第２電極８０が、圧電体層７０を覆っているため、第１電極６０と第２電極８０との間で電流がリークすることがなく、圧電素子３００の破壊を抑制することができる。
【００４２】
このような圧電素子３００の第１電極６０と、第２電極８０とには、第１の配線層９１（個別リード電極）と、第１の金属層９２、第２の金属層９３及び第３の金属層９４（共通リード電極）とが接続されている。
【００４３】
第１の配線層９１は、上述した除去部８３により第２電極８０と電気的に分離され且つ各圧電素子３００毎に分離された第１層８１及び第２層８２上に圧電素子３００毎に設けられ、圧電体層７０の端部より外側に延設されている第１電極６０上まで延設され、保護基板３０の外側まで延びている。
【００４４】
第１の金属層９２及び第２の金属層９３は、第１の配線層９１と同じ層で構成され、第１の金属層９２は、第２電極８０の除去部８３側端部に、第１の方向Ｘ方向に連続して延設されている。また第２の金属層９３は、第２電極８０の除去部８３とは反対側の端部に、第１の方向Ｘ方向に連続して延設されている。これら第１の金属層９２及び第２の金属層９３は、第１の方向Ｘの外側で第３の金属層９４により連結され、第３の金属層９４は、第１の配線層９１と同様に保護基板３０の外側まで延びている。なお、第３の金属層９４も、第１の配線層９１、第１の金属層９２及び第２の金属層９３と同じ層で構成されている。
【００４５】
ここで、第１の金属層９２及び第２の金属層９３は、圧力発生室１２の第２の方向Ｙの両端部の境界、すなわち、圧電素子３００の可撓部と非可撓部との境界を跨ぐように設けられ且つ第１の方向Ｘの方向に連続して設けられているので、境界部での応力集中における圧電体層７０の破壊を抑制するという機能を具備する。また、共通リード電極が可撓部上には実質的に形成されていないため、能動部３１０の変位低下を抑えることができる。
【００４６】
このような第１の配線層９１、第１の金属層９２、第２の金属層９３及び第３の金属層９４は、併せてリード電極９０と呼称するが、これらは、本実施形態では流路形成基板１０側に設けられた密着層１９１と、密着層１９１上に設けられた導電層１９２と、を具備する。
【００４７】
密着層１９１は、第２電極８０、第１電極６０及び振動板５０等と導電層１９２との密着性を向上させるためのものであり、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）の少なくとも一方を含む材料やニッケルやニッケル・クロムの合金（ニクロム）などで形成されている。本実施形態では、密着層１９１として、チタンタングステン（ＴｉＷ）を用いた。
【００４８】
導電層１９２は、密着層１９１上に設けられており、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）を含む材料で形成される。本実施形態では、導電層１９２として金（Ａｕ）を用いた。
【００４９】
圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、上述したように圧電素子３００及び流路形成基板１０を覆うための保護基板３０が接着層３５によって接着されている。保護基板３０には、圧電素子３００を収容する空間を画成する凹部である圧電素子保持部３１が設けられている。また保護基板３０には、マニホールド１００の一部を構成するマニホールド部３２が設けられている。マニホールド部３２は、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、流路形成基板１０の連通部１５と連通している。また保護基板３０のマニホールド部３２とは反対側には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。貫通孔３３は、第１の配線層９１の接続端及び上述した第３の金属層９４の接続端がこの貫通孔３３内に露出するように設けられている。
【００５０】
保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってマニホールド部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００５１】
また、保護基板３０上に固定されている駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０と、個別リード電極を構成する第１の配線層９１及び共通リード電極を構成する第３の金属層９４とは、貫通孔３３の圧力発生室１２側の壁面に設けられた第２の配線層９５を介して電気的に接続されている。
【００５２】
ここで、貫通孔３３の少なくとも第２の配線層９５が設けられた壁面（側面）は、保護基板３０が内側に向かって傾斜している。このように保護基板３０の側面がその内側に向かって傾斜していることにより、第２の配線層９５の形成を比較的に容易に行うことができ、圧電素子３００と駆動回路１２０との間を良好に導通させることができる。
【００５３】
また、保護基板３０の外側端部及び圧電素子３００の間は、接着層３５で接着され、貫通孔３３と圧電素子保持部３１との間の保護基板３０の壁面の接着面（保護基板３０の下面）は、圧電体層７０の端部の第１の配線層９１及び第１の金属層９２が除去部８３を介して分離して設けられている部位に当接する。
【００５４】
そして、貫通孔３３と圧電素子保持部３１との間の壁面の接着部位の接着層３５は、第１の配線層９１と壁面とを接着する、相対的に薄い第１の接着部３５ａと、第１の金属層９２と壁面とを接着する、第１の接着部３５ａとほぼ同一厚さの第２の接着部３５ｂと、これら第１の接着部３５ａと第２の接着部３５ｂとの間で、除去部８３に対応する部位である第３の接着部３５ｃとからなる。ここで、第３の接着部３５ｃは、圧電体層７０と壁面とを接着しており、厚さは第１の接着部３５ａ及び第２の接着部３５ｂより厚い。
【００５５】
具体的には、図３（ｂ）に示すように、圧電素子３００の部分を圧電体層７０の厚さ方向に切断した断面において、第１の接着部３５ａの厚さＡと第２の接着部３５ｂの厚さＢを略同一、すなわち、略１：１とする。これにより、第１の接着部３５ａの厚さＡと第２の接着部３５ｂの厚さＢを極力小さくし、余剰の接着剤は第３の接着部３５ｃに吸収されるため、第１の接着部３５ａでの接着剤のはみ出す量の調整が容易になり、第１の接着部３５ａのはみ出し部分に設けられた第２の配線層９５との接触面の調整も容易になる。
【００５６】
ここで、第１の接着部３５ａの厚さＡ又は第２の接着部３５ｂの厚さＢと、第３の接着部３５ｃの厚さＣとの比は、１：２〜１：９であることが好ましい。これにより、第３の接着部３５ｃの存在により、第１の接着部３５ａ側への接着剤のはみ出す量と第２の接着部３５ｂ側への接着剤のはみ出す量とを抑制できるので接着剤のはみ出す量をより少なく調整することができる。また、第１の接着部３５ａの接着剤のはみ出し部分と第２の配線層９５との接触面を小さくすることができるので、接着層３５と第２の配線層９５との密着性の低下を防止し、第２の配線層９５の剥離を抑制することができる。
【００５７】
また、第１の配線層９１が保護基板３０の外側へ引き出される方向において、第１の接着部３５ａの長さをＤとし、第２の接着部３５ｂの長さをＥとし、第３の接着部３５ｃの長さをＦとすると、第１の接着部３５ａの長さＤ又は第２の接着部３５ｂの長さＥと、第３の接着部３５ｃの長さＦとの比は、１：１．３〜１：３であることが好ましい。これにより、接着剤のはみ出す量を容易に調整することができ、保護基板３０と圧電素子３００との間を安定に接着することができる。
【００５８】
このように本発明では、第１の接着部３５ａの接着剤（接着層３５）のはみ出し部分を介して配線構造を形成しているため、第１の接着部３５ａの厚さと、接着剤のはみ出し量とは、配線状態に影響を与える。具体的には、接着剤のはみ出し量が多いと、接着剤のはみ出し部分と第２の配線層９５との接触面が大きくなり、また、第２の配線層９５が厚さ方向に屈曲することになるため、第１の接着部３５ａの側面と第２の配線層９５との密着力が低下し、圧電アクチュエーターの駆動時に第２の配線層９５の剥離が生じ易くなる。逆に、接着剤のはみ出し量が少なすぎて、保護基板３０の外側端部からはみ出さない場合は、第１の接着部３５ａの側面と第２の配線層９５とが接触しなくなるため断線を生じ易くなる。
【００５９】
本発明は、接着層３５の各接着部位の膜厚を予め規定し、保護基板３０の外側端部からはみ出す接着剤の量をより少なく且つ容易に調整できるようにすることにより、第２の配線層９５の剥離を抑制すると共に断線を防止するものである。
【００６０】
さらに、第１の配線層９１、第２の配線層９５及び第１の金属層９２のうち、少なくとも一以上は金（Ａｕ）を含むことが好ましい。これにより、配線抵抗を下げることができるため、第１の配線層９１及び第２の配線層９５を高密度に配置することが可能となり、これらの配線層の剥離を防止することができる。ちなみに、第１の配線層９１、第２の配線層９５及び第１の金属層９２の全てが金（Ａｕ）を含む場合、配線抵抗を確実に下げることができる。また、第１の金属層９２により第１の配線層９１との高さが調整されるため、比較的容易に接着部位の接着構造を形成することができる。
【００６１】
ここで、金（Ａｕ）を含む配線層を使用すると、一般的に製造コストが嵩むという点が問題となる。しかしながら、本発明によれば、保護基板３０の外側端部からはみ出す接着剤の量をより少なく調整することができ、第１の接着部３５ａの接着剤のはみ出し部分と第２の配線層９５との接触面を最小にすることができる。これにより、第２の配線層９５として使用する金（Ａｕ）の使用量を最小限に押さえることができ、製造コストの増加を抑制することができる。
【００６２】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加する。これにより圧電素子３００と共に振動板５０がたわみ変形して各圧力発生室１２内の圧力が高まり、各ノズル開口２１からインク滴が噴射される。
【００６３】
ここで、このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法について説明する。なお、図４〜図７は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【００６４】
図４（ａ）に示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０を熱酸化することによって二酸化シリコンからなる弾性膜５１を形成し、次いで、弾性膜５１上に、弾性膜５１とは異なる材料の酸化膜からなる絶縁体膜５２を形成する。本実施形態では、この弾性膜５１及び絶縁体膜５２によって振動板５０が形成される。
【００６５】
次いで、絶縁体膜５２上の全面に第１電極６０を形成する。この第１電極６０の材料は特に限定されないが、圧電体層７０としてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を用いる場合には、酸化鉛の拡散による導電性の変化が少ない材料であることが望ましい。このため、第１電極６０の材料としては白金、イリジウム等が好適に用いられる。また、第１電極６０は、例えば、スパッタリング法やＰＶＤ法（物理蒸着法）などにより形成することができる。
【００６６】
次いで、第１電極６０上にチタン（Ｔｉ）からなる結晶種層６１を形成する。このように第１電極６０の上に結晶種層６１を設けることにより、後の工程で第１電極６０上に結晶種層６１を介して圧電体層７０を形成する際に、圧電体層７０の優先配向方位を制御することができ、電気機械変換素子として好適な圧電体層７０を得ることができる。なお、結晶種層６１は、圧電体層７０が結晶化する際に、結晶化を促進させるシードとして機能する。
【００６７】
次に、本実施形態では、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する。ここで、本実施形態では、金属錯体を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成している。なお、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法やスパッタリング法又はレーザーアブレーション法等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法等を用いてもよい。すなわち、圧電体層７０は液相法、気相法の何れで形成してもよい。
【００６８】
圧電体層７０の具体的な形成手順としては、まず、図４（ｂ）に示すように、結晶種層６１上にＰＺＴ前駆体膜である圧電体前駆体膜７３を成膜する。すなわち、第１電極６０（結晶種層６１）が形成された流路形成基板用ウェハー１１０上に金属錯体を含むゾル（溶液）を塗布する（塗布工程）。次いで、この圧電体前駆体膜７３を所定温度に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。例えば、本実施形態では、圧電体前駆体膜７３を１７０〜１８０℃で３〜３０分間保持することで乾燥することができる。
【００６９】
次に、乾燥した圧電体前駆体膜７３を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。例えば、本実施形態では、圧電体前駆体膜７３を３００〜４００℃程度の温度に加熱して約３〜３０分保持することで脱脂した。なお、ここでいう脱脂とは、圧電体前駆体膜７３に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等として離脱させることである。
【００７０】
次に、図４（ｃ）に示すように、圧電体前駆体膜７３を所定温度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜７４を形成する（焼成工程）。この焼成工程では、圧電体前駆体膜７３を７００℃以上に加熱するのが好ましい。なお、焼成工程では、昇温レートを５０℃／ｓｅｃ以上とするのが好ましい。これにより優れた特性の圧電体膜７４を得ることができる。
【００７１】
また、第１電極６０上に形成された結晶種層６１は、圧電体膜７４内に拡散する。もちろん、結晶種層６１は、第１電極６０と圧電体膜７４との間にチタンとして残留してもよいし、酸化チタンとして残留してもよい。
【００７２】
なお、このような乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、ホットプレートや、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＰ（Rapid Thermal Processing）装置などを用いることができる。
【００７３】
次に、図４（ｄ）に示すように、第１電極６０上に１層目の圧電体膜７４を形成した段階で、第１電極６０及び１層目の圧電体膜７４をそれらの側面が傾斜するように同時にパターニングする。なお、第１電極６０及び１層目の圧電体膜７４のパターニングは、例えば、イオンミリング等のドライエッチングにより行うことができる。
【００７４】
次に、図５（ａ）に示すように、１層目の圧電体膜７４と第１電極６０とをパターニングした後は、絶縁体膜５２上、第１電極６０の側面、１層目の圧電体膜７４の側面及び圧電体膜７４上に亘って中間結晶種層６２を形成する。中間結晶種層６２は、結晶種層６１と同様に、チタンやランタンニッケル酸化物等を用いることができる。
【００７５】
次に、図５（ｂ）に示すように、上述した塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程からなる圧電体膜形成工程を複数回繰り返すことにより複数層の圧電体膜７４からなる圧電体層７０を形成する。
【００７６】
ちなみに、２層目以降の圧電体膜７４は、絶縁体膜５２上、第１電極６０及び１層目の圧電体膜７４の側面上、及び１層目の圧電体膜７４上に亘って連続して形成される。この２層目以降の圧電体膜７４が形成される領域には、中間結晶種層６２が形成されているため、この中間結晶種層６２によって２層目以降の圧電体膜７４の優先配向方位が制御される。なお、中間結晶種層６２は、圧電体層７０が結晶化する際に、結晶化を促進させるシードとして機能し、圧電体層７０の焼成後には、全てが圧電体層７０に拡散してもよく、また、一部がそのまま又は酸化物として残留してもよい。
【００７７】
次に、図５（ｃ）に示すように、圧電体層７０上に第２電極８０の第１層８１を形成する。本実施形態では、特に図示していないが、まず、圧電体層７０上にイリジウムを有するイリジウム層と、イリジウム層上にチタンを有するチタン層とを積層する。なお、このイリジウム層及びチタン層は、スパッタリング法やＣＶＤ法等によって形成することができる。その後、イリジウム層及びチタン層が形成された圧電体層７０をさらに再加熱処理（ポストアニール）する。このように再加熱処理することで、圧電体層７０の第２電極８０側にイリジウム層等を形成した際のダメージが発生しても、再加熱処理を行うことで、圧電体層７０のダメージを回復して、圧電体層７０の圧電特性を向上することができる。
【００７８】
次に、図６（ａ）に示すように、第１層８１及び圧電体層７０を各圧力発生室１２に対応してパターニングする。本実施形態では、第１層８１上に所定形状に形成したマスク（図示なし）を設け、このマスクを介して第１層８１及び圧電体層７０をエッチングする、いわゆるフォトリソグラフィーによってパターニングした。なお、圧電体層７０のパターニングは、例えば、反応性イオンエッチングやイオンミリング等のドライエッチングが挙げられる。
【００７９】
次に、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の一方面側（圧電体層７０が形成された面側）に亘って、すなわち、第１層８１上、圧電体層７０のパターニングした側面上、絶縁体膜５２上、及び第１電極６０上等に亘って、例えば、イリジウム（Ｉｒ）からなる第２層８２を形成すると共にパターニングすることで第２電極８０を形成する。なお、第２層８２のパターニングでは、同時に第１層８１の一部をパターニングして、除去部８３を形成する。これにより、圧電素子３００の能動部３１０が規定される。
【００８０】
次に、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の一方面側（圧電体層７０が形成された面側）に亘って、すなわち、第２電極８０上、圧電体層７０のパターニングした側面上、絶縁体膜５２上、及び第１電極６０上等に亘って、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）からなる密着層１９１と、金（Ａｕ）からなる導電層１９２とを積層形成することで、第１の配線層９１（個別リード電極）を形成する。なお、密着層１９１及び導電層１９２の形成方法は特に限定されず、例えば、スパッタリング法や無電解めっき法等が挙げられる。
【００８１】
次に、図６（ｄ）に示すように、導電層１９２を所定形状にパターニングする。すなわち、導電層１９２上に所定形状のマスクを形成し（図示なし）、マスクを介して導電層１９２をエッチングすることでパターニングする。なお、導電層１９２のエッチングはウェットエッチングであってもドライエッチングであってもよい。
【００８２】
次に、図６（ｅ）に示すように、密着層１９１をウェットエッチングすることによりパターニングする。本実施形態では、導電層１９２をマスクとして、密着層１９１を過酸化水素水とアルカリ成分とを有するエッチング液でウェットエッチングする。これにより、第１の配線層９１（個別リード電極）、第１の金属層９２及び第２の金属層９３（共通リード電極）が形成されると共に、圧電体層７０及び第２電極８０の一部が露出される。
【００８３】
このとき、密着層１９１をエッチングするエッチング液として過酸化水素水とアンモニア過水とアルカリ成分とを有するものを用いているため、電極（第１電極６０及び第２電極８０）に電食が発生するのを抑制することができる。
【００８４】
本実施形態では、配線抵抗が低く、加工性に優れた金（Ａｕ）を用い、無電解めっきにより導電層１９２を形成している。したがって、導電層１９２を薄く形成することができるため、導電層１９２が圧電素子３００（能動部３１０）の変位を阻害するのを抑制して、圧電素子３００の変位特性を向上することができると共に、能動部３１０を高密度に配置することが可能となる。
【００８５】
次に、図７（ａ）に示すように、保護基板３０の外側端部と圧電素子３００とを接着層３５（接着剤）で接着する。接着層３５は、保護基板３０の外側端部からはみ出す接着剤の量がより少なくなるように調整されて設けられる。そして、第１の配線層９１の側端部から接着層３５の側面及び保護基板３０の側面を介して保護基板３０の上面まで延設される第２の配線層９５を形成する。本実施形態では、第２の配線層９５として金（Ａｕ）を用いている。第２の配線層９５は、スパッタリング法によって形成されたものであり、主成分として金（Ａｕ）を含むものである。本実施形態では、上述したように保護基板３０がその側面が内側に向かって傾斜して形成されており、第２の配線層９５は保護基板３０の傾斜面に沿って滑らかに形成される。これにより、第２の配線層９５を比較的容易に形成することができる。
【００８６】
次に、図７（ｂ）に示すように、保護基板３０の上に駆動回路１２０を接着する。具体的には、駆動回路１２０の下面に接着剤を塗布し、保護基板３０に対して加圧することにより、第２の配線層９５上に駆動回路１２０の端子部を押圧し実装する。本実施形態では、第２の配線層９５を形成した後に、駆動回路１２０をＦＣＢ実装したが、勿論、駆動回路２００の実装はこれに限定されない。
【００８７】
その後は、図示されないが、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハー１３０を接着剤を介して接合した後、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚みに薄くする。
【００８８】
次いで、流路形成基板用ウェハー１１０にマスク膜を新たに形成し、所定形状にパターニングし、流路形成基板用ウェハー１１０をマスク膜を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５等を形成する。
【００８９】
その後は、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハーの外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハーとは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハーにコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハー１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。なお、保護基板３０の貫通孔３３には、ポッティング樹脂が充填される。
【００９０】
（他の実施形態）
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明の基本的な構成は上述したものに限定されるものではない。
【００９１】
また、上述した実施形態１では、各能動部３１０の圧電体層７０が連続的に設けられた構成を例示したが、勿論、圧電体層７０は、能動部３１０毎に独立して設けられていてもよい。
【００９２】
上述した実施形態１では、第１電極６０が圧力発生室１２に対応して独立して設けられた個別電極を構成し、第２電極８０が圧力発生室１２の並設方向に亘って連続的に設けられた共通電極を構成している液体噴射ヘッドを例示したが、第１電極６０が圧力発生室１２の並設方向に亘って連続的に設けられた共通電極を構成し、第２電極８０が圧力発生室１２に対応して独立して設けられた個別電極を構成していてもよい。
【００９３】
さらに、上述した実施形態では、圧電体前駆体膜７３を塗布、乾燥及び脱脂した後、焼成して圧電体膜７４を形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、圧電体前駆体膜７３を塗布、乾燥及び脱脂する工程を複数回、例えば、２回繰り返し行った後、焼成することで圧電体膜７４を形成するようにしてもよい。
【００９４】
また、インクジェット式記録ヘッドＩは、例えば、図８に示すように、インクジェット式記録装置ＩＩに搭載される。インクジェット式記録ヘッドＩを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動可能に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、ブラックインク組成物及びカラーインク組成物を噴射する。
【００９５】
そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４には搬送手段としての搬送ローラー８が設けられており、紙等の記録媒体である記録シートＳが搬送ローラー８により搬送されるようになっている。なお、記録シートＳを搬送する搬送手段は、搬送ローラーに限られずベルトやドラム等であってもよい。
【００９６】
なお、上述した例では、インクジェット式記録装置ＩＩとして、インクジェット式記録ヘッドＩがキャリッジ３に搭載されて主走査方向に移動するものを例示したが、その構成は特に限定されるものではない。インクジェット式記録装置ＩＩは、例えば、インクジェット式記録ヘッドＩを固定し、紙等の記録シートＳを副走査方向に移動させることで印刷を行う、いわゆるライン式の記録装置であってもよい。
【００９７】
また、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００９８】
また、本発明にかかる圧電素子は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、その他のデバイスにも用いることができる。その他のデバイスとしては、例えば、超音波発信器等の超音波デバイス、超音波モーター、温度−電気変換器、圧力−電気変換器、強誘電体トランジスター、圧電トランス、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルター等のフィルターなどが挙げられる。また、センサーとして用いられる圧電素子、強誘電体メモリーとして用いられる圧電素子にも本発明は適用可能である。圧電素子が用いられるセンサーとしては、例えば、赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、及びジャイロセンサー（角速度センサー）等が挙げられる。
【符号の説明】
【００９９】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  ＩＩ  インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、  １０  流路形成基板（基板）、  １１  隔壁、  １２  圧力発生室、  １３  インク供給路、  １４  連通路、  １５  連通部、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  圧電素子保持部、  ３２  マニホールド部、  ３３  貫通孔、  ３５  接着剤、  ４０  コンプライアンス基板、  ４１  封止膜、  ４２  固定板、  ４３  開口部、  ５０  振動板、  ５１  弾性膜、  ５２  絶縁体膜、  ６０  第１電極、  ７０  圧電体層、  ７１  凹部、  ８０  第２電極、  ９０  リード電極、  ９１  第１の配線層、  ９２  第１の金属層、  ９３  第２の金属層、  ９５  第２の配線層、  １００  マニホールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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