(57)【要約】【課題】高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を提供する。【解決手段】主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物を含む、近赤外線吸収性組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物を含む、近赤外線吸収性組成物。
【請求項２】
前記重合体（Ａ１）が、下記式（Ａ１−１）で表される構成単位を含む、請求項１に記載の近赤外線吸収性組成物。
【化１】
2015004943.tif 000047
（式（Ａ１−１）中、Ａｒ1は芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を表し、Ｙ1は単結合又は２価の連結基を表し、Ｘ1は酸基又はその塩を表す。）
【請求項３】
前記重合体（Ａ１）が、下記式（Ａ１−２）で表される構成単位を含む、請求項１又は２に記載の近赤外線吸収性組成物。
【化２】
2015004943.tif 000048
（式（Ａ１−２）中、Ａｒ2は芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を表し、Ｙ2は単結合又は２価の連結基を表し、Ｘ2は酸基又はその塩を表し、Ｙ3は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ0−(Ｒ0は水素原子、炭化水素基、またはヒドロキシル基を表す。)、−ＣＲ1Ｒ2−（Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に水素原子または炭化水素基を表す。）または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ3−(Ｒ3は水素原子または炭化水素基を表す。)を表す。）
【請求項４】
前記２価の連結基が、直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、又は、これらの組み合わせからなる基を表す、請求項２又は３に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項５】
前記酸基又はその塩が、カルボン酸基およびその塩、リン酸基およびその塩、ホスホン酸およびその塩、ならびに、スルホン酸基およびその塩から選択される少なくとも１種から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項６】
前記酸基又はその塩が、カルボン酸基およびその塩、ならびに、スルホン酸基およびその塩から選択される少なくとも１種から選択される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項７】
前記重合体（Ａ１）の重量平均分子量が１０００〜１０００万である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項８】
さらに水を含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項９】
主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基イオンを含有する重合体（Ａ２）の酸基イオン部位を配位子とする銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物。
【請求項１０】
主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）及び銅成分の反応で得られる化合物と、
酸基またはその塩を含有する低分子化合物及び銅成分の反応で得られる銅錯体と
を含む、近赤外線吸収性組成物。
【請求項１１】
前記低分子化合物の分子量が１０００以下である、請求項１０に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１２】
前記低分子化合物がスルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基のうち少なくとも１つを含む、請求項１０または１１に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物を用いて得られた近赤外線カットフィルタ。
【請求項１４】
２００℃で５分間加熱した前後における、下記式で求められる吸光度比の変化率がいずれも５％以下である、請求項１３に記載の近赤外線カットフィルタ。
[（加熱前における吸光度比−加熱後における吸光度比）／加熱前における吸光度比]
ここで、吸光度比とは、（波長７００〜１４００ｎｍにおける最大吸光度／波長４００〜７００ｎｍにおける最少吸光度）をいう。
【請求項１５】
固体撮像素子基板の受光側において、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより膜を形成する工程を含む、近赤外線カットフィルタの製造方法。
【請求項１６】
固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有し、前記近赤外線カットフィルタが請求項１３又は１４に記載の近赤外線カットフィルタである、カメラモジュール。
【請求項１７】
固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュールの製造方法であって、固体撮像素子基板の受光側において、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより膜を形成する工程を含む、カメラモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などにはカラー画像の固体撮像素子であるＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサが用いられている。固体撮像素子はその受光部において近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードを使用しているために、視感度補正を行うことが必要であり、近赤外線カットフィルタ（以下、ＩＲカットフィルタともいう）を用いることが多い。
近赤外線カットフィルタの材料として、特許文献１には、（メタ）アクリルアミドとリン酸との反応物又はその加水分解物と、エチレン性不飽和結合を有する化合物との共重合体に、金属化合物を添加してなる赤外線遮断性樹脂を含む赤外線遮断性フィルムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１３４４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、上記特許文献１に開示された赤外線遮断性樹脂を検討したところ、耐熱性が不十分であることが分かった。
本発明は、かかる課題を解決するものであって、高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を形成可能な近赤外線吸収性組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者が鋭意検討を行った結果、主鎖に芳香族炭化水素基及び芳香族ヘテロ環基の少なくとも一方を有し、かつ、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物を採用することにより、上記課題を解決しうることを見出した。具体的には、以下の手段＜１＞により、好ましくは、＜２＞〜＜１７＞により、上記課題は解決された。
＜１＞主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物を含む、近赤外線吸収性組成物。
＜２＞前記重合体（Ａ１）が、下記式（Ａ１−１）で表される構成単位を含む、＜１＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
【化１】
2015004943.tif 000002
（式（Ａ１−１）中、Ａｒ1は芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を表し、Ｙ1は単結合又は２価の連結基を表し、Ｘ1は酸基又はその塩を表す。）
＜３＞前記重合体（Ａ１）が、下記式（Ａ１−２）で表される構成単位を含む、＜１＞又は＜２＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
【化２】
2015004943.tif 000003
（式（Ａ１−２）中、Ａｒ2は芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を表し、Ｙ2は単結合又は２価の連結基を表し、Ｘ2は酸基又はその塩を表し、Ｙ3は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ0−(Ｒ0は水素原子、炭化水素基、またはヒドロキシル基を表す。)、−ＣＲ1Ｒ2−（Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に水素原子または炭化水素基を表す。）または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ3−(Ｒ3は水素原子または炭化水素基を表す。)を表す。）
＜４＞前記２価の連結基が、直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、又は、これらの組み合わせからなる基を表す、＜２＞又は＜３＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜５＞前記酸基又はその塩が、カルボン酸基およびその塩、リン酸基およびその塩、ホスホン酸およびその塩、ならびに、スルホン酸基およびその塩から選択される少なくとも１種から選択される、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜６＞前記酸基又はその塩が、カルボン酸基およびその塩、ならびに、スルホン酸基およびその塩から選択される少なくとも１種から選択される、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜７＞前記重合体（Ａ１）の重量平均分子量が１０００〜１０００万である、＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜８＞さらに水を含有する、＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜９＞主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基イオンを含有する重合体（Ａ２）の酸基イオン部位を配位子とする銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物。
＜１０＞主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）及び銅成分の反応で得られる化合物と、
酸基またはその塩を含有する低分子化合物及び銅成分の反応で得られる銅錯体と
を含む、近赤外線吸収性組成物。
＜１１＞低分子化合物の分子量が１０００以下である、＜１０＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１２＞低分子化合物がスルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基のうち少なくとも１つを含む、＜１０＞または＜１１＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１３＞＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物を用いて得られた近赤外線カットフィルタ。
＜１４＞２００℃で５分間加熱した前後における、下記式で求められる吸光度比の変化率がいずれも５％以下である、＜１３＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
[（加熱前における吸光度比−加熱後における吸光度比）／加熱前における吸光度比]
ここで、吸光度比とは、（波長７００〜１４００ｎｍにおける最大吸光度／波長４００〜７００ｎｍにおける最少吸光度）をいう。
＜１５＞固体撮像素子基板の受光側において、＜１＞〜＜１２＞のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより膜を形成する工程を含む、近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１６＞固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有し、前記近赤外線カットフィルタが＜１３＞又は＜１４＞に記載の近赤外線カットフィルタである、カメラモジュール。
＜１７＞固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュールの製造方法であって、固体撮像素子基板の受光側において、請求項１〜＜１２＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより膜を形成する工程を含む、カメラモジュールの製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明における重合体（Ａ２）と銅イオンを含有する化合物の一例を示すイメージ図である。
【図２】本発明の実施形態に係る固体撮像素子を備えたカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る固体撮像素子基板の概略断面図である。
【０００８】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、“（メタ）アクリレート”はアクリレートおよびメタクリレートを表し、“（メタ）アクリル”はアクリルおよびメタクリルを表し、“（メタ）アクリロイル”はアクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書において、“単量体”と“モノマー”とは同義であり、また、“重合体”と“ポリマー”とは同義である。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。
本発明における近赤外線とは、極大吸収波長領域が７００〜２５００ｎｍ、特に７００〜１０００ｎｍをいう。
本発明における近赤外線吸収性とは、近赤外線領域に極大吸収波長を有することをいう。
本発明における重合体の主鎖とは、重合体の骨格（長鎖）を形成するのに必要な原子又は原子団をいい、前記骨格の一部または全部が環状の基（例えばアリール基）である場合、該環状の基も主鎖の一部とする。また、この主鎖に直接結合した原子も、主鎖の一部とする。本発明における重合体の側鎖とは、主鎖以外の部分をいう。ただし、主鎖に直接結合した官能基（例えば、後述する酸基またはその塩）も側鎖とする。
【０００９】
＜本発明の近赤外線吸収性組成物＞
本発明の第一の近赤外線吸収性組成物は、主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）と、銅成分との反応で得られる化合物を含むことを特徴とする。
また、本発明の第二の近赤外線吸収性組成物は、主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）及び銅成分の反応で得られる化合物と、酸基またはその塩を含有する低分子化合物及び銅成分の反応で得られる銅錯体とを含むことを特徴とする。
本発明の近赤外線吸収性組成物は、前記重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物を含有するため、硬化膜としたときに高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を形成することができる。この理由は推定であるが、以下のように考えられる。
重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物は、例えば、酸基イオンを含む重合体（Ａ２）および銅イオンを含有する化合物であり、好ましい態様は、重合体（Ａ２）中の酸基イオン部位を配位子とする銅錯体である。図１は、酸基イオンを含む重合体（Ａ２）および銅イオンを含有する化合物の一例を示すイメージ図であって、１は酸基イオンを含む重合体（Ａ２）および銅イオンを含有する化合物を、２は銅イオンを、３は重合体（Ａ２）の主鎖を、４は重合体（Ａ２）の側鎖を、５は酸基またはその塩に由来する酸基イオン部位をそれぞれ示している。本発明では、酸基イオン部位５が銅イオン２に結合（例えば、配位結合）し、銅を起点として、重合体（Ａ２）の側鎖４間に架橋構造を形成する。このような構成とすることにより、加熱しても、化合物１の構造が壊れにくく、結果として、耐熱性に優れた硬化膜が得られると推定される。さらに、重合体（Ａ２）は、その主鎖３に芳香族炭化水素基及び芳香族ヘテロ環基の少なくとも一方を有するため、さらに、耐熱性により優れた硬化膜が得られる。
また、本発明では、重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物を用いることにより、組成物中の銅の含有量をより多くすることができ、また、加熱しても銅が抜け落ちにくいという利点もある。
また、前記重合体（Ａ１）と、銅成分とを反応させて得られる化合物を含有する近赤外線吸収性組成物中の銅の含有量は、５〜２５質量％が好ましく、７〜２０質量％がより好ましく、８〜１５質量％がさらに好ましい。
【００１０】
重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物の含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対して７０〜１００質量％であることが好ましく、８０〜１００質量％であることがより好ましい。
また、本発明の第二の近赤外線吸収性組成物中、重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物の含有量は、組成物中の全固形分に対して１０〜９０質量％が好ましく、１５〜８０質量％がより好ましく、１５〜７０質量％がさらに好ましく、２０〜７０質量％がよりさらに好ましい。
【００１１】
前記重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物の反応条件については、特に定めるものではないが、例えば、０〜１４０℃で、１０分以上とすることが挙げられる。
【００１２】
＜＜銅成分＞＞
銅成分としては、２価の銅を含む化合物がより好ましい。本発明に用いられる銅成分中の銅含有量は、好ましくは２〜９０質量％であり、より好ましくは１０〜７０質量％である。銅成分は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
本発明に用いられる銅成分としては、例えば、銅または銅を含む化合物を用いることができる。銅を含む化合物としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、１価または２価の銅が好ましく、２価の銅がより好ましい。銅塩としては、例えば、水酸化銅、酢酸銅、塩化銅、ギ酸銅、ステアリン酸銅、安息香酸銅、エチルアセト酢酸銅、ピロリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、硝酸銅、硫酸銅、炭酸銅、塩素酸銅、（メタ）アクリル酸銅、過塩素酸銅が例示され、水酸化銅、酢酸銅、塩化銅、硫酸銅、安息香酸銅、（メタ）アクリル酸銅がさらに好ましく、水酸化銅、酢酸銅及び硫酸銅が特に好ましい。
重合体（Ａ１）と反応させる銅成分の量は、前記重合体（Ａ１）の酸基またはその塩１当量に対して、０．０１〜１当量が好ましく、０．１〜０．６当量がより好ましく、０．４〜０．５当量がさらに好ましい。銅成分中の銅の量をこのような範囲とすることにより、より高い近赤外線遮蔽性を有する硬化膜が得られる傾向にある。
【００１３】
＜＜主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有し、酸基又はその塩を有する重合体（Ａ１）＞＞
前記重合体（Ａ１）は、主鎖に芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を有する。前記重合体（Ａ１）は、主鎖に、芳香族炭化水素基及び芳香族ヘテロ環基のうち少なくとも１種を有していればよく、２種以上有していてもよい。前記重合体（Ａ１）は、１種のみを用いてもよいが、２種以上を用いてもよい。
芳香族炭化水素基としては、例えば、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、炭素数６〜１５のアリール基がより好ましく、炭素数６〜１２のアリール基がさらに好ましく、フェニル基、ナフチル基又はビフェニル基が特に好ましい。芳香族炭化水素基は単環又は多環であってもよいが、単環が好ましい。
芳香族ヘテロ環基としては、例えば、炭素数２〜３０の芳香族ヘテロ環基を用いることができる。芳香族ヘテロ環基は、５員環又は６員環が好ましい。また、芳香族ヘテロ環基は、単環又は縮合環であり、単環又は縮合数が２〜８の縮合環が例示される。ヘテロ環に含まれるヘテロ原子としては、窒素、酸素、硫黄原子が例示され、窒素または酸素が好ましい。
芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基が置換基Ｔを有していている場合、置換基Ｔとしては、例えば、アルキル基、重合性基（好ましくは、炭素−炭素二重結合を含む重合性基）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボン酸エステル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、エーテル基、スルホニル基、スルフィド基、アミド基、アシル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アラルキル基などが例示され、アルキル基（特に炭素数１〜３のアルキル基）が好ましい。
【００１４】
特に、前記重合体（Ａ１）は、ポリエーテルスルホン系重合体、ポリスルホン系重合体、ポリエーテルケトン系重合体、ポリフェニレンエーテル系重合体、ポリイミド系重合体、ポリベンズイミダゾール系重合体、ポリフェニレン系重合体、フェノール樹脂系重合体、ポリカーボネート系重合体、ポリアミド系重合体及びポリエステル系重合体から選択される少なくとも１種の重合体であることが好ましい。以下に各重合体の例を示す。
ポリエーテルスルホン系重合体：（−Ｏ−Ｐｈ−ＳＯ2−Ｐｈ−）で表される主鎖構造（Ｐｈはフェニレン基を示す、以下同じ）を有する重合体
ポリスルホン系重合体：（−Ｏ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｏ−Ｐｈ−ＳＯ2−Ｐｈ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリエーテルケトン系重合体：（−Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｐｈ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリフェニレンエーテル系重合体：（−Ｐｈ−Ｏ−、−Ｐｈ−Ｓ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリフェニレン系重合体：（−Ｐｈ−）で表される主鎖構造を有する重合体
フェノール樹脂系重合体：（−Ｐｈ（ＯＨ）−ＣＨ2−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリカーボネート系重合体：（−Ｐｈ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリアミド系重合体としては、例えば、（−Ｐｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリエステル系重合体としては、例えば、（−Ｐｈ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）で表される主鎖構造を有する重合体
ポリエーテルスルホン系重合体、ポリスルホン系重合体及びポリエーテルケトン系重合体としては、例えば、特開２００６−３１００６８号公報の段落００２２及び特開２００８−２７８９０号公報の段落００２８に記載の主鎖構造を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
ポリイミド系重合体としては、特開２００２−３６７６２７号公報の段落００４７〜００５８の記載及び特開２００４−３５８９１号公報の００１８〜００１９に記載の主鎖構造を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【００１５】
重合体（Ａ１）は酸基またはその塩を含有するが、かかる酸基またはその塩は、１種のみでもよいし、２種以上であっても良い。
前記重合体（Ａ１）が有する酸基としては、上述した銅成分と反応可能なものであれば特に限定されないが、銅成分と配位結合するものが好ましい。例えば、酸解離定数（ｐＫａ）が５以下の酸基が挙げられ、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、イミド酸基等が好ましい。
本発明で用いられる酸基の塩を構成する原子又は原子団としては、ナトリウム等の金属原子（特にアルカリ金属原子）、テトラブチルアンモニウム等のような原子団が挙げられ、金属原子が好ましく、アルカリ金属原子がより好ましい。
尚、重合体（Ａ１）において、酸基またはその塩は、その主鎖および側鎖の少なくとも一方に含まれていればよく、少なくとも側鎖に含まれていることが好ましい。特に、前記重合体（Ａ１）において、酸基又はその塩は、芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基に直接又は連結基を介して結合していることが好ましい。
酸基又はその塩の中でも、例えば、カルボン酸基およびその塩、リン酸基およびその塩、ホスホン酸およびその塩、ならびに、スルホン酸基およびその塩から選択される少なくとも１種を含有することが好ましい。
前記重合体（Ａ１）の酸価は、１．５ｍｅｑ／ｇ以上であることが好ましく、２．０〜７．０ｍｅｑ／ｇであることがより好ましい。
また、前記重合体（Ａ１）中の全酸基中の９９モル％以上が、カルボン酸基およびその塩、リン酸基およびその塩、ホスホン酸およびその塩、ならびに、スルホン酸基およびその塩から選択される少なくとも１種であることが好ましい。特に、前記重合体（Ａ１）中の全酸基中の９９モル％以上が、カルボン酸基およびその塩、ならびに、スルホン酸基およびその塩から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００１６】
前記重合体（Ａ１）は、下記式（Ａ１−１）で表される構成単位を含むことが好ましく、下記式（Ａ１−２）で表される構成単位がより好ましい。
【化３】
2015004943.tif 000004
（式（Ａ１−１）及び式（Ａ１−２）中、Ａｒ1及びＡｒ2はそれぞれ独立して芳香族炭化水素基及び／又は芳香族ヘテロ環基を表し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ独立して単結合又は２価の連結基を表し、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立して酸基又はその塩を表す。式（Ａ１−２）中、Ｙ3は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ0−(Ｒ0は水素原子、炭化水素基、またはヒドロキシル基を表す。)、−ＣＲ1Ｒ2−（Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に水素原子または炭化水素基を表す。）または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ3−(Ｒ3は水素原子または炭化水素基を表す。)を表す。）
【００１７】
式（Ａ１−１）及び式（Ａ１−２）中、Ａｒ1が芳香族炭化水素基を表す場合、上述した芳香族炭化水素基と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ａｒ1が芳香族ヘテロ環基を表す場合、上述した芳香族ヘテロ環基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ａｒ1は、前記式（Ａ１−１）中の−Ｙ1−Ｘ1の他に、また、Ａｒ2は、前記式（Ａ１−２）中の−Ｙ2−Ｘ2の他に、置換基を有していてもよい。Ａｒ1及びＡｒ2が置換基を有する場合、置換基としては上述した置換基Ｔと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００１８】
式（Ａ１−１）中、Ｙ1及びＹ2は、単結合であることが好ましい。Ｙ1及びＹ2が２価の連結基を表す場合、２価の連結基としては、例えば、炭化水素基、芳香族ヘテロ環基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ2−、−ＮＸ−（Ｘは水素原子又はアルキル基を表し、水素原子が好ましい）、−Ｃ（ＲY1）（ＲY2）−、又は、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。ここで、ＲY1及びＲY2は、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。
炭化水素基としては、例えば、直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基や、アリーレン基が挙げられる。直鎖状のアルキレン基としては、炭素数１〜２０のアルキレン基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜６のアルキレン基がさらに好ましい。分岐状のアルキレン基としては、炭素数３〜２０のアルキレン基が好ましく、炭素数３〜１０のアルキレン基がより好ましく、炭素数３〜６のアルキレン基がさらに好ましい。環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。環状のアルキレン基としては、炭素数３〜２０のシクロアルキレン基が好ましく、炭素数４〜１０のシクロアルキレン基がより好ましく、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基がさらに好ましい。これら直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基は、アルキレン基中の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
アリーレン基としては、炭素数６〜１８のアリーレン基が好ましく、炭素数６〜１４のアリーレン基がより好ましく、炭素数６〜１０のアリーレン基がさらに好ましく、フェニレン基が特に好ましい。
芳香族ヘテロ環基としては、特に限定されないが、５員環または６員環が好ましい。また、芳香族ヘテロ環基は、単環でも縮合環であってもよく、単環または縮合数が２〜８の縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜４の縮合環がより好ましい。
特に、前記式（Ａ１−１）及び式（Ａ１−２）中のＹ1及びＹ2が２価の連結基を表す場合、直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、又は、これらの組み合わせからなる基であることが好ましい。特に、−Ｓ−、−Ｃ（ＲX1）（ＲX2）−（ＲX1及びＲX2は、それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基又はフッ素原子を表すことが好ましい）、炭素数１〜３のアルキレン基、又は、これらの組み合わせからなる基であることが好ましい。
式（Ａ１−１）及び式（Ａ１−２）中、Ｘ1及びＸ2で表される酸基又はその塩としては、上述した酸基又はその塩と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００１９】
式（Ａ１−２）中、Ｙ3が−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ0−で表される場合、Ｒ0としての炭化水素基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基であることが好ましい。
Ｙ3が−ＣＲ1Ｒ2−で表される場合、炭化水素基は、炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましい。また、Ｒ1とＲ2が連結して環を形成しても良い。
Ｙ3が−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ3−で表される場合、Ｒ3としての炭化水素基は、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数６〜１２のアリール基から選択されるいずれかの基であることが好ましい。
【００２０】
前記重合体（Ａ１）の重量平均分子量は、１０００以上が好ましく、１０００〜１０００万がより好ましく、３０００〜１００万がさらに好ましく、４０００〜４００，０００が特に好ましい。前記重合体（Ａ１）の重量平均分子量をこのような範囲とすることにより、得られる硬化膜の耐湿性がより向上する傾向にある。
【００２１】
本発明に用いられる前記重合体（Ａ１）の具体例としては、下記化合物及び下記酸基の塩（例えば上述した金属塩）の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【化４】
2015004943.tif 000005
【化５】
2015004943.tif 000006
【化６】
2015004943.tif 000007
【化７】
2015004943.tif 000008
【化８】
2015004943.tif 000009
【化９】
2015004943.tif 000010
【化１０】
2015004943.tif 000011
【００２２】
本発明の近赤外線吸収性組成物は、前記重合体（Ａ１）と銅成分とを反応させて得られた化合物を含有していれば良いが、必要に応じて、他の近赤外線吸収性化合物、溶剤、硬化性化合物、バインダーポリマー、界面活性剤、重合開始剤、その他の成分を配合してもよい。
また、本発明の近赤外線吸収性組成物には、後述する他の近赤外線吸収性化合物を得るために用いられる酸基またはその塩を含有する化合物が配合されていてもよい。
【００２３】
＜＜他の近赤外線吸収性化合物＞＞
本発明の組成物には、近赤外線吸収能をさらに向上させる目的で、上述した重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物以外の近赤外線吸収性化合物を配合してもよい。本発明で用いる他の近赤外線吸収性化合物は、通常極大吸収波長領域が７００〜２５００ｎｍ、好ましくは７００〜１０００ｎｍの範囲内（近赤外線領域）に極大吸収波長を有するものであれば、特に制限されるものではない。
他の近赤外線吸収性化合物としては、銅化合物が好ましく、銅錯体がより好ましい。また、他の近赤外線吸収性化合物を配合する場合、重合体（Ａ１）と銅成分との反応で得られる化合物と他の近赤外線吸収性化合物の比（質量比）は、１０：９０〜９５：５が好ましく、２０：８０〜９０：１０がより好ましく、２０：８０〜８０：２０がさらに好ましい。
他の近赤外線吸収性化合物の分子量は、特に限定されないが、７０〜１０００が好ましく、１３０〜５００がより好ましい。
他の近赤外線吸収性化合物が銅錯体である場合、銅に配位する配位子Ｌとしては、銅イオンと配位結合可能であれば特に限定されないが、例えば、スルホン酸、カルボン酸、リン酸、リン酸エステル、ホスホン酸、ホスホン酸エステル、ホスフィン酸、置換ホスフィン酸、カルボニル（エステル、ケトン）、アミン、アミド、スルホンアミド、ウレタン、ウレア、アルコール、チオールなどを有する化合物が挙げられる。これらの中でも、カルボン酸及びスルホン酸が好ましく、スルホン酸がより好ましい。
銅錯体の具体例としては、リン含有銅化合物、スルホン酸銅化合物または下記式（Ａ）で表される銅化合物が挙げられる。リン含有銅化合物として具体的には、例えば、ＷＯ２００５／０３０８９８号公報の第５頁第２７行目〜第７頁第２０行目に記載された化合物を参酌することができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【００２４】
前記銅錯体としては、例えば、下記式（Ａ）で表される銅錯体が挙げられる。
Ｃｕ（Ｌ）n1・（Ｘ）n2      式（Ａ）
上記式（Ａ）中、Ｌは、銅に配位する配位子を表し、Ｘは、存在しないか、ハロゲン原子、Ｈ2Ｏ、ＮＯ3、ＣｌＯ4、ＳＯ4、ＣＮ、ＳＣＮ、ＢＦ4、ＰＦ6、ＢＰｈ4（Ｐｈはフェニル基を表す）又はアルコールを表す。ｎ１、ｎ２は、各々独立に１〜４の整数を表す。
配位子Ｌは、銅に配位可能な原子としてＣ、Ｎ、Ｏ、Ｓを含む置換基を有するものであり、さらに好ましくはＮやＯ、Ｓなどの孤立電子対を持つ基を有するものである。配位可能な基は分子内に１種類に限定されず、２種以上を含んでも良く、解離しても非解離でも良い。非解離の場合、Ｘは存在しない。
前記の銅錯体は、中心金属の銅に配位子が配位した銅化合物であり、銅は、通常２価の銅である。例えば銅成分に対して、配位子となる化合物またはその塩を混合・反応等させて得ることができる。
上記配位子となる化合物またはその塩としては、特に限定されないが、例えば、有機酸化合物（例えば、スルホン酸化合物、カルボン酸化合物、リン酸化合物）またはその塩などが好適に挙げられる。
【００２５】
上記配位子となる化合物またはその塩は、酸基またはその塩を含有する化合物であることが好ましく、下記一般式（ｉ）で表されることが好ましい。
一般式（ｉ）
【化１１】
2015004943.tif 000012
（一般式（ｉ）中、Ｒ1はｎ価の有機基を表し、Ｘ1は酸基を表し、ｎは１〜６の整数を表す。）
一般式（ｉ）中、ｎ価の有機基は、炭化水素基またはオキシアルキレン基が好ましく、脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基がより好ましい。炭化水素基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、（メタ）アクリロイル基、不飽和二重結合を有する基が挙げられる。
上記炭化水素基が１価の場合、アルキル基またはアリール基が好ましく、アリール基がより好ましい。２価の場合、アルキレン基、アリーレン基、オキシアルキレン基が好ましく、アリーレン基がより好ましい。また３価以上の場合には、上記炭化水素基に対応するものが好ましい。
上記アルキル基及びアルキレン基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましい。
上記アリール基及びアリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
一般式（ｉ）中、Ｘ1は、スルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基のうちの少なくとも１つが好ましい。Ｘ1は、１種単独でも２種以上であってもよいが、２種以上であることが好ましい。
一般式（ｉ）中、ｎは、１〜３が好ましく、２または３がより好ましく、３がさらに好ましい。
上記配位子となる化合物またはその塩（酸基またはその塩を含有する化合物）の分子量は、１０００以下が好ましく、７０〜１０００が好ましく、７０〜５００がより好ましい。
【００２６】
酸基またはその塩を含有する化合物の好ましい態様としては、（１）スルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基のうち少なくとも１種を有する化合物が挙げられ、より好ましくは、（２）酸基を２つ以上有する態様であり、さらに好ましくは、（３）スルホン酸基とカルボン酸基を有する態様である。これらの態様では、赤外線吸収能がより効果的に発揮される。さらに、スルホン酸基およびカルボン酸基を有する化合物を用いることにより、色価をより向上させることができる。
（１）スルホン酸基、カルボン酸基およびリン原子を含有する酸基のうち少なくとも１種を有する化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。また、スルホン酸基を有する化合の具体例としては、後述する式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物の具体例も挙げられる。また、後述する態様（２）、（３）に記載の化合物のうち、本態様に該当する化合物も好ましい例として挙げられる。
【化１２】
2015004943.tif 000013
（２）酸基を少なくとも２以上有する化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。また、後述する態様（３）に記載の化合物のうち、本態様に該当する化合物も好ましい例として挙げられる。
【化１３】
2015004943.tif 000014
（３）スルホン酸基およびカルボン酸基を有する化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。また、後述する式（Ｉ）で表されるスルホン酸基およびカルボン酸基を有する化合物の具体例も挙げられる。
【化１４】
2015004943.tif 000015
【００２７】
本発明で用いることができる他の銅錯体としては、下式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物またはその塩と銅成分を反応させて得られる銅錯体も好ましい。
式（Ｉ）
【化１５】
2015004943.tif 000016
（式（Ｉ）中、Ｒ7は１価の有機基を表す。）
具体的な１価の有機基としては、特に限定されないが、直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、アルケニル基、アリール基を挙げることができる。ここで、これらの基は、２価の連結基（例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子あるいはアルキル基）など）を介した基であってもよい。また１価の有機基は置換基を有していてもよい。
直鎖状または分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がさらに好ましい。
環状のアルキル基は、単環、多環のいずれであってもよい。環状のアルキル基としては、炭素数３〜２０のシクロアルキル基が好ましく、炭素数４〜１０のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数６〜１０のシクロアルキル基がさらに好ましい。アルケニル基としては、炭素数２〜１０のアルケニル基が好ましく、炭素数２〜８のアルケニル基がより好ましく、炭素数２〜４のアルケニル基がさらに好ましい。
アリール基としては、炭素数６〜１８のアリール基が好ましく、炭素数６〜１４のアリール基がより好ましく、炭素数６〜１０のアリール基がさらに好ましい。
【００２８】
２価の連結基であるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基としては、前述のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基から水素原子を１個除いて誘導される２価の連結基が挙げられる。
１価の有機基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、重合性基（例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、オキセタン基など）、ハロゲン原子、カルボキシル基、カルボン酸エステル基（例えば、−ＣＯ2ＣＨ3など）水酸基、アミド基、ハロゲン化アルキル基（例えば、フルオロアルキル基、クロロアルキル基）などが例示される。
下式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物あるいはその塩の分子量は、８０〜７５０が好ましく、８０〜６００がより好ましく、８０〜４５０がさらに好ましい。
式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２９】
【化１６】
2015004943.tif 000017
【００３０】
【化１７】
2015004943.tif 000018
【００３１】
本発明に用いることができるスルホン酸化合物は、市販のスルホン酸を用いることもできるし、公知の方法を参照して、合成することもできる。本発明で用いることができるスルホン酸化合物の塩としては、例えば金属塩が挙げられ、具体的には、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられる。
【００３２】
本発明で用いることができる他の銅錯体としては、上述したもの以外に、カルボン酸エステルを配位子とする銅錯体が挙げられる。例えば、下記式（Ｋ）で表される銅錯体を用いることができる。
【００３３】
【化１８】
2015004943.tif 000019
（式（Ｋ）中、Ｒ1は１価の有機基を表す。）
式（Ｋ）中、Ｒ1は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、特に限定されないが、例えば、上述した式（Ｉ）中の１価の有機基と同義である。
【００３４】
（無機微粒子）
本発明の組成物は、他の近赤外線吸収性化合物として、無機微粒子を含んでいてもよい。無機微粒子は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
無機微粒子は、主に、赤外線を遮光（吸収）する役割を果たす粒子である。無機微粒子としては、赤外線遮光性がより優れる点で、金属酸化物粒子及び金属粒子からなる群から選択される少なくとも１つであることが好ましい。
無機微粒子としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子、アルミニウムによりドープされていてもよい酸化亜鉛（ＡｌによりドープされてもよいＺｎＯ）粒子、フッ素ドープ二酸化スズ（ＦドープＳｎＯ2）粒子、又はニオブドープ二酸化チタン（ＮｂドープＴｉＯ2）粒子などの金属酸化物粒子や、銀（Ａｇ）粒子、金（Ａｕ）粒子、銅（Ｃｕ）粒子、又はニッケル（Ｎｉ）粒子などの金属粒子が挙げられる。なお、赤外線遮光性とフォトリソ性とを両立するためには、露光波長（３６５−４０５ｎｍ）の透過率が高い方が望ましく、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子又は酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子が好ましい。
無機微粒子の形状は特に制限されず、球状、非球状を問わず、シート状、ワイヤー状、チューブ状であってもよい。
また無機微粒子としては酸化タングステン系化合物が使用でき、具体的には、下記一般式（組成式）（Ｉ）で表される酸化タングステン系化合物であることがより好ましい。
ＭxＷyＯz・・・（Ｉ）
Ｍは金属、Ｗはタングステン、Ｏは酸素を表す。
０．００１≦ｘ／ｙ≦１．１
２．２≦ｚ／ｙ≦３．０
Ｍの金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉが挙げられるが、アルカリ金属であることが好ましく、Ｒｂ又はＣｓであることが好ましく、Ｃｓであることがより好ましい。Ｍの金属は１種でも２種以上でも良い。
ｘ／ｙが０．００１以上であることにより、赤外線を十分に遮蔽することができ、１．１以下であることにより、酸化タングステン系化合物中に不純物相が生成されることをより確実に回避することできる。
ｚ／ｙが２．２以上であることにより、材料としての化学的安定性をより向上させることができ、３．０以下であることにより赤外線を十分に遮蔽することができる。
金属酸化物は、セシウム酸化タングステンであることが好ましい。
上記一般式（Ｉ）で表される酸化タングステン系化合物の具体例としては、Ｃｓ0.33ＷＯ3、Ｒｂ0.33ＷＯ3、Ｋ0.33ＷＯ3、Ｂａ0.33ＷＯ3などを挙げることができ、Ｃｓ0.33ＷＯ3又はＲｂ0.33ＷＯ3であることが好ましく、Ｃｓ0.33ＷＯ3であることが更に好ましい。
金属酸化物は微粒子であることが好ましい。金属酸化物の平均粒子径は、８００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましい。平均粒子径がこのような範囲であることによって、金属酸化物が光散乱によって可視光を遮断しにくくなることから、可視光領域における透光性をより確実にすることができる。光酸乱を回避する観点からは、平均粒子径は小さいほど好ましいが、製造時における取り扱い容易性などの理由から、金属酸化物の平均粒子径は、通常、１ｎｍ以上である。
酸化タングステン系化合物は、例えば、住友金属鉱山株式会社製のＹＭＦ−０２などのタングステン微粒子の分散物として入手可能である。
金属酸化物の含有量は、金属酸化物を含有する組成物の全固形分質量に対して、０．０１〜３０質量％であることが好ましく、０．１〜２０質量％であることがより好ましく、１〜１０質量％であることがさらに好ましい。
【００３５】
＜溶剤＞
本発明で用いられる溶剤は、特に制限はなく、本発明の組成物の各成分を均一に溶解或いは分散しうるものであれば、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水、アルコール類などの水系溶剤が好適に挙げられる。また、その他、本発明で用いられる溶剤は、有機溶剤、ケトン類、エーテル類、エステル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホラン等が好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類の具体例としては、特開２０１２−１９４５３４号公報段落０１３６等に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。また、エステル類、ケトン類、エーテル類の具体例としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４９７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６０９]）に記載のものが挙げられ、さらに、酢酸−ｎ−アミル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、硫酸メチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
本発明の組成物は、水を含んでいることが特に好ましい。水は、本発明の組成物に対し４０〜９５質量％含むことが好ましく、本発明の組成物に対し５０〜８５質量％含むことがより好ましい。
本発明の組成物が水以外の溶剤を含む場合、本発明の組成物に対し４０〜９０質量％の割合で含むことが好ましい。水以外の溶剤は１種類のみでも、２種類以上でもよい。
【００３６】
＜硬化性化合物＞
本発明の組成物は、さらに硬化性化合物を含んでいてもよい。硬化性化合物としては、重合性化合物であってもよいし、バインダー等の非重合性化合物であってもよい。また、熱硬化性化合物であってもよいし、光硬化性化合物であってもよいが、熱硬化性組成物の方が反応率が高いため好ましい。
＜＜重合性基を有する化合物＞＞
本発明の組成物は、重合性基を有する化合物（以下、「重合性化合物」ということがある）を含んでいてもよい。このような化合物群は当該産業分野において広く知られているものであり、本発明においてはこれらを特に限定なく用いることができる。これらは、例えば、モノマー、オリゴマー、プレポリマー、ポリマーなどの化学的形態のいずれであってもよい。
【００３７】
＜＜重合性モノマーおよび重合性オリゴマー＞＞
本発明の組成物は、重合性化合物として、重合性基を有するモノマー（重合性モノマー）または重合性基を有するオリゴマー（重合性オリゴマー）（以下、重合性モノマーと重合性オリゴマーを合わせて「重合性モノマー等」ということがある。）を含んでいてもよい。
重合性モノマー等の例としては、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）やそのエステル類、アミド類が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、および不飽和カルボン酸と脂肪族多価アミン化合物とのアミド類である。また、ヒドロキシル基やアミノ基、メルカプト基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と、単官能若しくは多官能イソシアネート類或いはエポキシ類との付加反応物や、単官能若しくは多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基やエポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、更に、ハロゲン基やトシルオキシ基等の脱離性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、上記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等のビニルベンゼン誘導体、ビニルエーテル、アリルエーテル等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。
これらの具体的な化合物としては、特開２００９−２８８７０５号公報の段落番号００９５〜段落番号０１０８に記載されている化合物を本発明においても好適に用いることができる。
【００３８】
また、前記重合性モノマー等は、少なくとも１個の付加重合可能なエチレン基を有する、常圧下で１００℃以上の沸点を持つエチレン性不飽和基を持つ化合物も用いることができ、単官能（メタ）アクリレート、２官能（メタ）アクリレート、３官能以上の（メタ）アクリレート（例えば、３〜６官能の（メタ）アクリレート）も用いることができる。
その例としては、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、等の単官能のアクリレートやメタアクリレート；
ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリ（アクリロイロキシエチル）イソシアヌレート、グリセリンやトリメチロールエタン等の多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後（メタ）アクリレート化したものを挙げることができる。
重合性化合物としては、エチレンオキシ変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としてはＮＫエステルＡＴＭ−３５Ｅ；新中村化学社製）、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３３０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３２０；日本化薬株式会社製）ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３１０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ ；日本化薬株式会社製）、及びこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介している構造を用いることができる。またこれらのオリゴマータイプも使用できる。特開２００７−２６９７７９号公報の段落番号０２４８〜段落番号０２５１に記載されている化合物を本発明においても用いることができる。
重合性モノマー等としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４７７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０５８５]）に記載の重合性モノマー等が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。また、ジグリセリンＥＯ（エチレンオキシド）変性（メタ）アクリレート（市販品としては  Ｍ−４６０；東亜合成製）を用いることができる。ペンタエリスリトールテトラアクリレート（新中村化学製、Ａ−ＴＭＭＴ）、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（日本化薬社製、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＨＤＤＡ）も用いることができる。これらのオリゴマータイプも使用できる。
例えば、ＲＰ−１０４０（日本化薬株式会社製）などが挙げられる。
【００３９】
本発明において、酸基を有するモノマーとしては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルであり、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシル基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた多官能モノマーを用いることができる。市販品としては、例えば、東亞合成株式会社製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、アロニックスシリーズのＭ−３０５、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０などが挙げられる。
酸基を有する多官能モノマーの酸価としては、０．１〜４０ｍｇ−ＫＯＨ／ｇであり、特に好ましくは５〜３０ｍｇ−ＫＯＨ／ｇである。異なる酸基の多官能モノマーを２種以上併用する場合、或いは酸基を有しない多官能モノマーを併用する場合、全体の多官能モノマーとしての酸価が上記範囲に入るように調製することが必須である。
【００４０】
＜＜側鎖に重合性基を有するポリマー＞＞
本発明の組成物の第二の態様は、重合性化合物として、側鎖に重合性基を有するポリマーを含む態様であってもよい。重合性基としては、エチレン性不飽和二重結合基、エポキシ基やオキセタニル基が挙げられる。
＜＜エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物＞＞
本発明の第三の態様は、重合性化合物として、エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物を含む態様であってもよい。エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物としては、具体的には側鎖にエポキシ基を有するポリマー、および分子内に２個以上のエポキシ基を有する重合性モノマーまたはオリゴマーがあり、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。また単官能または多官能グリシジルエーテル化合物も挙げられる。
これらの化合物は、市販品を用いてもよいし、ポリマーの側鎖へエポキシ基を導入することによっても得られる。  市販品としては、例えば、特開２０１２−１５５２８８号公報段落０１９１等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、市販品としては、デナコール  ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ（以上、ナガセケムテックス(株)製）等の多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が挙げられる。これらは、低塩素品であるが、低塩素品ではない、ＥＸ−２１２、ＥＸ−２１４、ＥＸ−２１６、ＥＸ−３２１、ＥＸ−８５０なども同様に使用できる。
その他にも、ＡＤＥＫＡ  ＲＥＳＩＮ  ＥＰ−４０００Ｓ、同ＥＰ−４００３Ｓ、同ＥＰ−４０１０Ｓ、同ＥＰ−４０１１Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＮＣ−２０００、ＮＣ−３０００、ＮＣ−７３００、ＸＤ−１０００、ＥＰＰＮ−５０１、ＥＰＰＮ−５０２（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＪＥＲ１０３１Ｓ等も挙げられる。
さらに、フェノールノボラック型エポキシ樹脂の市販品として、ＪＥＲ−１５７Ｓ６５、ＪＥＲ−１５２、ＪＥＲ−１５４、ＪＥＲ−１５７Ｓ７０、（以上、三菱化学（株）製）等が挙げられる。
側鎖にオキセタニル基を有するポリマー、および上述の分子内に２個以上のオキセタニル基を有する重合性モノマーまたはオリゴマーの具体例としては、アロンオキセタンＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ（以上、東亞合成（株）製）を用いることができる。
ポリマー側鎖へ導入して合成する場合、導入反応は、例えばトリエチルアミン、ベンジルメチルアミン等の３級アミン、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、等の４級アンモニウム塩、ピリジン、トリフェニルフォスフィン等を触媒として有機溶剤中、反応温度５０〜１５０℃で数〜数十時間反応させることにより行える。脂環式エポキシ不飽和化合物の導入量は得られるポリマーの酸価が５〜２００ＫＯＨ・ｍｇ／ｇを満たす範囲になるように制御することができる。また、分子量は重量平均で５００〜５００００００、更には１０００〜５０００００の範囲とすることができる。
エポキシ不飽和化合物としてはグリシジル（メタ）アクリレートやアリルグリシジルエーテル等のエポキシ基としてグリシジル基を有するものも使用可能である。このようなものとしては例えば特開２００９−２６５５１８号公報段落００４５等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【００４１】
本発明では、不飽和二重結合、エポキシ基またはオキセタニル基などの架橋基を有する重合体を含むことが好ましい。これにより、硬化膜としたときの製膜性（クラックやそりの抑制）および耐湿性をより良好にすることができる。具体的には、下記の繰り返し単位を有する重合体が挙げられる。下記繰り返し単位を有する重合体としては、エポキシ基を有する重合体が好ましい。
【化１９】
2015004943.tif 000020
【００４２】
＜＜式（１）で示される部分構造を有する化合物＞＞
本発明で用いる硬化性化合物は、下記式（１）で示される部分構造を有することも好ましく、この硬化性化合物が不飽和二重結合、エポキシ基またはオキセタニル基などの架橋基を有していてもよい。
【化２０】
2015004943.tif 000021
（式（１）中、Ｒ1は水素原子または有機基を表す。）
このような化合物を含有することにより、本発明の近赤外線吸収性組成物を硬化膜としたときに近赤外線遮蔽性をより向上させ、耐湿性をより向上させることができる。
式（１）中、Ｒ1は水素原子または有機基を表す。有機基としては、炭化水素基、具体的には、アルキル基またはアリール基が挙げられ、炭素数が１〜２０のアルキル基、炭素数が６〜２０のアリール基、またはこれらの基と二価の連結基との組み合わせからなるものが好ましい。
このような有機基の具体例としては、−ＯＲ’、−ＳＲ’、またはこれらの基と−（ＣＨ2）m−（ｍは１〜１０の整数）、炭素数５〜１０の環状のアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および−ＮＨ−の少なくとも１つとの組み合わせからなるものが好ましい。ここで、Ｒ’は、水素原子、炭素数が１〜１０の直鎖、炭素数が３〜１０の分岐または環状のアルキル基（好ましくは炭素数１〜７の直鎖、炭素数３〜７の分岐または環状のアルキル基）、炭素数が６〜１０のアリール基、または、炭素数が６〜１０のアリール基と炭素数が１〜１０のアルキレン基との組み合わせからなる基が好ましい。
また、前記式（１）中、Ｒ1とＣとが結合して環構造（ヘテロ環構造）を形成していてもよい。ヘテロ環構造中におけるヘテロ原子は、前記式（１）中の窒素原子である。ヘテロ環構造は、５または６員環構造が好ましく、５員環構造がより好ましい。ヘテロ環構造は、縮合環であってもよいが、単環が好ましい。
特に好ましいＲ1の具体例としては、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、−ＯＲ’（Ｒ’は炭素数が１〜５の直鎖のアルキル基）と−（ＣＨ2）m−（ｍは１〜１０の整数、好ましくはｍは１〜５の整数）との組み合わせからなる基、前記式（１）中のＲ1とＣとが結合してヘテロ環構造（好ましくは５員環構造）を形成した基が挙げられる。
【００４３】
前記式（１）で示される部分構造を有する化合物は、（重合体の主鎖構造−前記（１）の部分構造−Ｒ1）で表されるか、（Ａ−前記（１）の部分構造−Ｂ）で表されることが好ましい。ここで、Ａは、炭素数が１〜１０の直鎖、炭素数が３〜１０の分岐、または、炭素数３〜１０の環状のアルキル基である。また、Ｂは、−（ＣＨ2）m−（ｍは１〜１０の整数、好ましくはｍは１〜５の整数）と、前記（１）の部分構造と、重合性基との組み合わせからなる基である。
【００４４】
また、前記式（１）で示される部分構造を有する化合物は、下記式（１−１）〜（１−５）のいずれかで表される構造を有することが好ましい。
【化２１】
2015004943.tif 000022
（式（１−１）中、Ｒ4は水素原子またはメチル基を表し、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立して水素原子または有機基を表す。式（１−２）中、Ｒ7は水素原子またはメチル基を表す。式（１−３）中、Ｌ1は二価の連結基を表し、Ｒ8は水素原子または有機基を表す。式（１−４）中、Ｌ2およびＬ3はそれぞれ独立して二価の連結基を表し、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立して水素原子または有機基を表す。式（１−５）中、Ｌ4は二価の連結基を表し、Ｒ11〜Ｒ14はそれぞれ独立して水素原子または有機基を表す。）
【００４５】
前記式（１−１）中、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立して水素原子または有機基を表す。有機基としては、前記式（１）中のＲ1と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記式（１−３）〜（１−５）中、Ｌ1〜Ｌ4は二価の連結基を表す。二価の連結基としては、−（ＣＨ2）m−（ｍは１〜１０の整数）、炭素数５〜１０の環状のアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および−ＮＨ−の少なくとも１つとの組み合わせからなるものが好ましく、−（ＣＨ2）m−（ｍは１〜８の整数）であることがより好ましい。
前記式（１−３）〜（１−５）中、Ｒ8〜Ｒ14はそれぞれ独立して水素原子または有機基を表す。有機基としては、炭化水素基、具体的にはアルキル基またはアルケニル基であることが好ましい。
アルキル基は、置換されていてもよい。また、アルキル基は、鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよいが、直鎖状または環状のものが好ましい。アルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましい。
アルケニル基は、置換されていてもよい。アルケニル基としては、炭素数１〜１０のアルケニル基が好ましく、炭素数１〜４のアルケニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
置換基としては、例えば、重合性基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボン酸エステル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、エーテル基、スルホニル基、スルフィド基、アミド基、アシル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基などが例示される。これらの置換基の中でも、重合性基（例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイルオキシ基）、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、アジリジニル基など）が好ましく、ビニル基がより好ましい。）
【００４６】
また、前記式（１）で示される部分構造を有する化合物は、モノマーであってもポリマーであってもよいが、ポリマーであることが好ましい。すなわち、前記式（１）で示される部分構造を有する化合物は、前記式（１−１）または前記式（１−２）で表される化合物であることが好ましい。
また、前記式（１）で示される部分構造を有する化合物がポリマーである場合、ポリマーの側鎖に前記部分構造を含有することが好ましい。
【００４７】
前記式（１）で示される部分構造を有する化合物の分子量は、好ましくは５０〜１００００００であり、より好ましくは５００〜５０００００である。このような分子量とすることにより、本発明の効果をより効果的に達成できる。
前記（１）で示される部分構造を有する化合物の含有量は、本発明の組成物中５〜８０質量％であることが好ましく、１０〜６０質量％であることがより好ましい。
【００４８】
前記式（１）で示される部分構造を有する化合物の具体例としては、下記構造を有する化合物または下記例示化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明では、特に、前記式（１）で示される部分構造を有する化合物がポリアクリルアミドであることが好ましい。
【化２２】
2015004943.tif 000023
【００４９】
また、前記式（１）で示される部分構造を有する化合物の具体例としては、水溶性ポリマーが挙げられ、好ましい主鎖構造としては、ポリビニルピロリドン、ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン、ポリウレアが挙げられる。水溶性ポリマーは共重合体であってもよく、該共重合体はランダム共重合体であってもよい。
ポリビニルピロリドンとしては、商品名ＫＷ−３０（日本触媒社製）が使用できる。
【００５０】
ポリ（メタ）アクリルアミドとしては、（メタ）アクリルアミドの重合体、共重合体が挙げられる。アクリルアミドの具体例としては、アクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−プロピルアクリルアミド、Ｎ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ベンジルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−トリルアクリルアミド、Ｎ−（ヒドロキシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（スルファモイルフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（フェニルスルホニル）アクリルアミド、Ｎ−（トリルスルホニル）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド等が挙げられる。またこれらに対応するメタクリルアミドも同様に使用できる。
【００５１】
水溶性ポリアミド樹脂は、特に、ポリアミド樹脂と親水性化合物とが共重合した化合物が挙げられる。水溶性ポリアミド樹脂の誘導体とは、例えば、水溶性ポリアミド樹脂を原料として、アミド結合（−ＣＯＮＨ−）の水素（−原子をメトキシメチル基ＣＨ2ＯＣＨ3）で置換した化合物のように、水溶性ポリアミド樹脂分子中の原子が置換され又は付加反応により、アミド結合の構造が変化した化合物をいう。
ポリアミド樹脂としては、例えば、ωアミノ酸の重合で合成される所謂「ｎ−ナイロン」やジアミンとジカルボン酸の共重合で合成される所謂「ｎ，ｍ−ナイロン」が挙げられる。中でも、親水性付与の観点から、ジアミンとジカルボン酸の共重合体が好ましく、ε−カプロラクタムとジカルボン酸との反応生成物がより好ましい。
親水性化合物としては、親水性含窒素環状化合物、ポリアルキレングリコール等が挙げられる。
ここで、親水性含窒素環状化合物とは、側鎖または主鎖に第３級アミン成分を有する化合物であって、例えばアミノエチルピペラジン、ビスアミノプロピルピペラジン、α-ジメチルアミノεカプロラクタム等が挙げられる。
一方、ポリアミド樹脂と親水性化合物とが共重合した化合物には、ポリアミド樹脂の主鎖に、例えば、親水性含窒素環状化合物およびポリアルキレングリコールからなる群より選択される少なくとも一つが共重合されているため、ポリアミド樹脂のアミド結合部の水素結合能力は、Ｎ−メトキシメチル化ナイロンに対して大きい。
ポリアミド樹脂と親水性化合物とが共重合した化合物の中でも、１）ε−カプロラクタムと親水性含窒素環状化合物とジカルボン酸との反応生成物、及び、２）ε−カプロラクタムとポリアルキレングリコールとジカルボン酸との反応生成物が好ましい。
これらは、例えば東レファインテック（株）より「ＡＱナイロン」という商標で市販されている。ε−カプロラクタムと親水性含窒素環状化合物とジカルボン酸との反応生成物は、東レファインテック（株）製ＡＱナイロンＡ−９０として入手可能であり、ε−カプロラクタムとポリアルキレングリコールとジカルボン酸との反応生成物は、東レファインテック（株）製ＡＱナイロンＰ−７０として入手可能である。 ＡＱナイロンＡ−９０ Ｐ−７０ Ｐ−９５ Ｔ−７０（東レ社製）が使用できる。
【００５２】
上述した式（１）で示される部分構造を有する繰り返し単位とエポキシ基を有する繰り返し単位を含む重合体のモル比は、１０／９０〜９０／１０であることが好ましく、３０／７０〜７０／３０であることがより好ましい。上記共重合体の重量平均分子量は、３，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜２００，０００であることがより好ましい。
【００５３】
これらの重合性化合物について、その構造、単独使用か併用か、添加量等の使用方法の詳細は、近赤外線吸収性組成物の最終的な性能設計にあわせて任意に設定できる。例えば、感度の観点では、１分子あたりの不飽和基含量が多い構造が好ましく、多くの場合は２官能以上が好ましい。また、近赤外線カットフィルタの強度を高める観点では、３官能以上のものがよく、更に、異なる官能数・異なる重合性基（例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、スチレン系化合物、ビニルエーテル系化合物）のものを併用することで、感度と強度の両方を調節する方法も有効である。また、近赤外線吸収性組成物に含有される他の成分（例えば、金属酸化物、色素、重合開始剤）との相溶性、分散性に対しても、重合性化合物の選択・使用法は重要な要因であり、例えば、低純度化合物の使用や２種以上の併用により相溶性を向上させうることがある。また、支持体などの硬質表面との密着性を向上させる観点で特定の構造を選択することもあり得る。
【００５４】
本発明の組成物中における重合性化合物の添加量は、溶剤を除いた全固形分に対して１〜５０質量％、より好ましくは１〜３０質量％、特に好ましくは１〜１０質量％の範囲とすることができる。
また、重合性化合物として、架橋基を有する繰り返し単位を含む重合体を用いる場合、溶剤を除いた本発明の組成物の全固形分に対して１０〜７５質量％、より好ましくは２０〜６５質量％、特に好ましくは２０〜６０質量％の範囲とすることが好ましい。
重合性化合物は、１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となる。
【００５５】
＜バインダーポリマー＞
本発明においては、皮膜特性向上などの目的で、必要に応じて、さらにバインダーポリマーを含んでもよい。バインダーポリマーとしては、アルカリ可溶性樹脂を用いることができる。
アルカリ可溶性樹脂としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５８〜０５７１（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８５]〜[０７００]）以降の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明におけるバインダーポリマーの含有量は、組成物の全固形分中に対して、８０質量％以下とすることができ、５０質量％以下とすることもでき、３０質量％以下とすることもできる。
【００５６】
＜界面活性剤＞
本発明の組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。界面活性剤の添加量は、本発明の組成物の固形分に対して、０．０００１〜２質量％とすることができ、０．００５〜１．０質量％とすることもでき、０．０１〜０．１質量％とすることもできる。
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
【００５７】
特に、本発明の組成物は、フッ素系界面活性剤、およびシリコーン系界面活性剤の少なくともいずれかを含有することで、塗布液として調製したときの液特性（特に、流動性）がより向上することから、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。
即ち、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくともいずれかを含有する組成物を適用した塗布液を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
【００５８】
フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、例えば、３〜４０質量％とすることができる。
フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、同Ｒ０８（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５１、同ＥＦ３５２（以上、ジェムコ（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。
【００５９】
フッ素系界面活性剤としては、フルオロ脂肪族基を有する重合体を用いることができる。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有し、該フルオロ脂肪族基が、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）、またはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）によって製造されたフルオロ脂肪族化合物から得られたフッ素系界面活性剤が例示される。
ここで、「テロメリゼーション法」とは、低分子量の物質を重合させて分子内に１〜２個の活性基を有する化合物の合成方法を意味する。また、「オリゴメゼーション法」とは、単量体または単量体類の混合物をオリゴマーに転化する方法を意味する。
本発明におけるフルオロ脂肪族基としては、例えば、−ＣＦ3基、−Ｃ2Ｆ5基、−Ｃ3Ｆ7基、−Ｃ4Ｆ9基、−Ｃ5Ｆ11基、−Ｃ6Ｆ13基、−Ｃ7Ｆ15基、−Ｃ8Ｆ17基、Ｃ9Ｆ19基、Ｃ10Ｆ21基が挙げられ、相溶性・塗布性の点から、−Ｃ2Ｆ5基、−Ｃ3Ｆ7基、−Ｃ4Ｆ9基、−Ｃ5Ｆ11基、−Ｃ6Ｆ13基、−Ｃ7Ｆ15基、−Ｃ8Ｆ17基を用いることができる。
【００６０】
本発明におけるフルオロ脂肪族化合物は、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
本発明におけるフルオロ脂肪族基を有する重合体としては、本発明におけるフルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレートおよび／または（ポリ（オキシアルキレン））メタクリレートとの共重合体を用いることができる。該共重合体は、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、前記ポリ（オキシアルキレン）基としては、ポリ（オキシエチレン）基、ポリ（オキシプロピレン）基、ポリ（オキシブチレン）基などが挙げられ、ポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体）基やポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体）基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（またはメタクリレート）との共重合体は２元共重合体ばかりでなく、異なる２種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる２種以上の（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（またはメタクリレート）などを同時に共重合した３元系以上の共重合体でもよい。
【００６１】
本発明におけるフルオロ脂肪族基を有する重合体を含む市販の界面活性剤としては、例えば、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５２（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６７８]）等に記載の界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。また、メガファックＦ−７８１、（大日本インキ化学工業（株）製）、Ｃ6Ｆ13基を有するアクリレート（またはメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（またはメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（またはメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（またはメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（またはメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（またはメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（またはメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（またはメタクリレート）との共重合体、などを使用することができる。
【００６２】
ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックコポリマー、アセチレングリコール系界面活性剤、アセチレン系ポリオキシエチレンオキシド等が挙げられる。これらは単独あるいは２種以上を用いることができる。
具体的な商品名としては、サーフィノール６１，８２，１０４，１０４Ｅ、１０４Ｈ、１０４Ａ、１０４ＢＣ、１０４ＤＰＭ、１０４ＰＡ、１０４ＰＧ−５０、１０４Ｓ、４２０，４４０，４６５，４８５，５０４、ＣＴ−１１１，ＣＴ−１２１，ＣＴ−１３１，ＣＴ−１３６，ＣＴ−１４１，ＣＴ−１５１，ＣＴ−１７１，ＣＴ−３２４，ＤＦ−３７，ＤＦ−５８，ＤＦ−７５，ＤＦ−１１０Ｄ，ＤＦ−２１０，ＧＡ，ＯＰ−３４０，ＰＳＡ−２０４，ＰＳＡ−２１６，ＰＳＡ−３３６，ＳＥ，ＳＥ−Ｆ，ＴＧ、ＧＡ、ダイノール６０４（以上、日信化学（株）及びＡｉｒＰｒｏｄｕｃｔｓ＆Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社）、オルフィンＡ，Ｂ，ＡＫ−０２，ＣＴ−１５１Ｗ，Ｅ１００４，Ｅ１０１０，Ｐ，ＳＰＣ，ＳＴＧ，Ｙ，３２Ｗ、ＰＤ−００１、ＰＤ−００２Ｗ、ＰＤ−００３、ＰＤ−００４、ＥＸＰ．４００１、ＥＸＰ．４０３６、ＥＸＰ．４０５１、ＡＦ−１０３、ＡＦ−１０４、ＳＫ−１４、ＡＥ−３（以上、日信化学（株））アセチレノールＥ００、Ｅ１３Ｔ、Ｅ４０、Ｅ６０、Ｅ８１、Ｅ１００、Ｅ２００（以上全て商品名、川研ファインケミカル（株）社製）等を挙げることができる。なかでも、オルフィンＥ１０１０が好適である。
その他、ノニオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５３（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６７９]）等に記載のノニオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
カチオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５４（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８０]）に記載のカチオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
アニオン系界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）社製）等が挙げられる。
【００６３】
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５６（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８２]）等に記載のシリコーン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。また、東レ・ダウコーニング（株）製「トーレシリコーンＳＦ８４１０」、「同ＳＦ８４２７」、「同ＳＨ８４００」、「ＳＴ８０ＰＡ」、「ＳＴ８３ＰＡ」、「ＳＴ８６ＰＡ」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製「ＴＳＦ−４００」、「ＴＳＦ−４０１」、「ＴＳＦ−４１０」、「ＴＳＦ−４４４６」信越シリコーン株式会社製「ＫＰ３２１」、「ＫＰ３２３」、「ＫＰ３２４」、「ＫＰ３４０」等も例示される。
【００６４】
＜重合開始剤＞
本発明の組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。重合開始剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となる。例えば、重合開始剤の含有量は、本発明の組成物の固形分に対して０．０１〜３０質量％が好ましく、０．１〜２０質量％がより好ましく、０．１〜１５質量％がさらに好ましい。
重合開始剤としては、光、熱のいずれか或いはその双方により重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光重合性化合物であることが好ましい。光で重合を開始させる場合、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましい。
また、熱で重合を開始させる場合には、１５０〜２５０℃で分解する重合開始剤が好ましい。
【００６５】
本発明に用いうる重合開始剤としては、少なくとも芳香族基を有する化合物であることが好ましく、例えば、アシルホスフィン化合物、アセトフェノン系化合物、α−アミノケトン化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール誘導体化合物、チオキサントン化合物、オキシム化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、トリハロメチル化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、ジアゾニウム化合物、ヨードニウム化合物、スルホニウム化合物、アジニウム化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール誘導体化合物、メタロセン化合物等のオニウム塩化合物、有機硼素塩化合物、ジスルホン化合物などが挙げられる。
感度の観点から、オキシム化合物、アセトフェノン系化合物、α−アミノケトン化合物、トリハロメチル化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、および、チオール化合物が好ましい。
【００６６】
アセトフェノン系化合物、トリハロメチル化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、オキシム化合物としては、具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５０６〜０５１０（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６２２〜０６２８]）等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
光重合開始剤としては、オキシム化合物、アセトフェノン系化合物、および、アシルホスフィン化合物からなる群より選択される化合物が更に好ましい。より具体的には、例えば、特開平１０−２９１９６９号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第４２２５８９８号公報に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤、および、既述のオキシム系開始剤、更にオキシム系開始剤として、特開２００１−２３３８４２号公報に記載の化合物も用いることができる。
オキシム化合物としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アセトフェノン系開始剤としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３６９、および、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３７９（商品名：いずれもＢＡＳＦジャパン社製）を用いることができる。またアシルホスフィン系開始剤としては市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−８１９やＤＡＲＯＣＵＲ−ＴＰＯ（商品名：いずれもＢＡＳＦジャパン社製）を用いることができる。
【００６７】
＜その他の成分＞
本発明の組成物には、前記必須成分や前記添加剤に加え、本発明の効果を損なわない限りにおいて、目的に応じてその他の成分を適宜選択して用いてもよい。
併用可能なその他の成分としては、例えば、バインダーポリマー、分散剤、増感剤、架橋剤、硬化促進剤、フィラー、熱硬化促進剤、熱重合禁止剤、可塑剤などが挙げられ、更に基材表面への密着促進剤およびその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を併用してもよい。
これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする近赤外線吸収フィルタの安定性、膜物性などの性質を調整することができる。
これらの成分は、例えば、特開２０１２−００３２２５号公報の段落番号０１８３以降（対応する米国特許出願公開第２０１３／００３４８１２号明細書の[０２３７]以降）の記載、特開２００８−２５００７４号公報の段落番号０１０１〜０１０２、段落番号０１０３〜０１０４及び段落番号０１０７〜０１０９等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【００６８】
本発明の組成物は、液状とすることができるため、例えば、本発明の組成物を直接塗布し、乾燥させることにより近赤外線カットフィルタを容易に製造でき、上記した従来の近赤外線カットフィルタにおける不充分な製造適性を改善することができる。
本発明の近赤外線カットフィルタは、２００℃で５分間加熱した前後における、下記式で求められる吸光度比の変化率がいずれも７％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましく、２％以下であることがさらに好ましい。
[（加熱前における吸光度比−加熱後における吸光度比）／加熱前における吸光度比]
ここで、吸光度比とは、（波長７００〜１４００ｎｍにおける最大吸光度／波長４００〜７００ｎｍにおける最少吸光度）をいう。
また、本発明の近赤外線カットフィルタは、８５℃／９５％ＲＨの高温高湿下で３時間放置する前後で、下記式で求められる吸光度比の変化率がそれぞれ７％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましく、２％以下であることがさらに好ましい。
[（試験前における吸光度比−試験後における吸光度比）／試験前における吸光度比]
ここで、吸光度比とは、（波長７００〜１４００ｎｍにおける最大吸光度／波長４００〜７００ｎｍにおける最少吸光度）をいう。
本発明の近赤外線カットフィルタの膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１〜５００μｍが好ましく、１〜３００μｍがより好ましく、１〜２００μｍが特に好ましい。本発明では、このような薄い膜とした場合でも、高い近赤外線遮光性を維持することができる。
【００６９】
本発明の近赤外線吸収性組成物の用途は、特に限定されないが、固体撮像素子基板の受光側における近赤外線カットフィルタ用（例えば、ウエハーレベルレンズに対する近赤外線カットフィルタ用など）、固体撮像素子基板の裏面側（受光側とは反対側）における近赤外線カットフィルタ用などを挙げることができ、固体撮像素子基板の受光側における遮光膜用であることが好ましい。特に、本発明の近赤外線吸収性組成物を、固体撮像素子用イメージセンサ上に直接塗布し塗膜形成することが好ましい。
特に、本発明の近赤外線吸収性組成物は、銅化合物と、前記式（１）の構造を含有し、膜厚が２００μｍ以下であり、可視光透過率が９０％以上である、近赤外線カットフィルタとすることが好ましい。
また、本発明の近赤外線吸収性組成物の粘度は、塗布により赤外線カット層を形成する場合、１ｍＰａ・ｓ以上３０００ｍＰａ・ｓ以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、１０ｍＰａ・ｓ以上２０００ｍＰａ・ｓ以下の範囲であり、さらに好ましくは、１００ｍＰａ・ｓ以上１５００ｍＰａ・ｓ以下の範囲である。
本発明の近赤外線吸収性組成物が、固体撮像素子基板の受光側における近赤外線カットフィルタ用であって、塗布により赤外線カット層を形成する場合、厚膜形成性と均一塗布性の観点から、１０ｍＰａ・ｓ以上３０００ｍＰａ・ｓ以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、５００ｍＰａ・ｓ以上１５００ｍＰａ・ｓ以下の範囲であり、最も好ましくは、７００ｍＰａ・ｓ以上１４００ｍＰａ・ｓ以下の範囲である。
本発明の近赤外線吸収性組成物の全固形分は、塗布方法により変更されるが、組成物に対して１〜５０質量％であることが好ましく、１〜３０質量％であることがより好ましく、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。
【００７０】
本発明は、上記近赤外線吸収性組成物を硬化させた近赤外線カット層と誘電体多層膜を有する積層体としてもよい。例えば、（ｉ）透明支持体、近赤外線カット層、誘電体多層膜が該順に設けられた態様、（ｉｉ） 近赤外線カット層、透明支持体、誘電体多層膜が該順に設けられた態様がある。上記透明支持体は、ガラス基板でも、透明樹脂基板が挙げられる。
上記誘電体多層膜は、近赤外線を反射および／または吸収する能力を有する膜である。
【００７１】
誘電体多層膜の材料としては、例えばセラミックを用いることができる。あるいは、近赤外域に吸収を有する貴金属膜を近赤外線カットフィルタの可視光の透過率に影響のないよう、厚みと層数を考慮して用いてもよい。
誘電体多層膜としては具体的には、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した構成を好適に用いることができる。
高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．７以上の材料を用いることができ、屈折率の範囲が通常は１．７〜２．５の材料が選択される。
この材料としては、例えば、酸化チタン（チタニア）、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化インジウムや、これら酸化物を主成分とし酸化チタン、酸化錫および／または酸化セリウムなどを少量含有させたものが挙げられる。これらの中でも、酸化チタン（チタニア）が好ましい。
低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６以下の材料を用いることができ、屈折率の範囲が通常は１．２〜１．６の材料が選択される。
この材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび六フッ化アルミニウムナトリウムが挙げられる。これらの中でも、シリカが好ましい。
これら高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚みは、通常、遮断しようとする赤外線波長λ（ｎｍ）の０．１λ〜０．５λの厚みである。厚みが上記範囲外になると、屈折率（ｎ）と膜厚（ｄ）との積（ｎ×ｄ）がλ／４で算出される光学的膜厚と大きく異なって反射・屈折の光学的特性の関係が崩れてしまい、特定波長の遮断・透過をコントロールしにくい傾向にある。
また、誘電体多層膜における積層数は、好ましくは５〜５０層であり、より好ましくは１０〜４５層である。
【００７２】
更に、本発明は、固体撮像素子基板の受光側において、本発明の近赤外線吸収性組成物を適用（好ましくは塗布や印刷、さらに好ましくはアプリケータ塗布）することにより膜を形成する工程、乾燥する工程を有する、近赤外線カットフィルタの製造方法にも関する。膜厚、積層構造などについては、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７３】
支持体は、ガラスなどからなる透明基板であっても、固体撮像素子基板であっても、固体撮像素子基板の受光側に設けられた別の基板（例えば後述のガラス基板３０）であっても、固体撮像素子基板の受光側に設けられた平坦化層等の層であっても良い。
近赤外線吸収性組成物（塗布液）を支持体上に塗布する方法は、例えば、スピンコーター、スリットスピンコーター、スリットコーター、スクリーン印刷、アプリケータ塗布等を用いることにより実施できる。
また、塗膜の乾燥条件としては、各成分、溶剤の種類、使用割合等によっても異なるが、通常６０℃〜２００℃の温度で３０秒間〜１５分間程度である。
【００７４】
本発明の近赤外線吸収性組成物を用いて近赤外線カットフィルタを形成する方法は、その他の工程を含んでいても良い。その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基材の表面処理工程、前加熱工程（プリベーク工程）、硬化処理工程、後加熱工程（ポストベーク工程）などが挙げられる。
＜前加熱工程・後加熱工程＞
前加熱工程および後加熱工程における加熱温度は、通常、８０℃〜２００℃であり、９０℃〜１８０℃であることが好ましい。
前加熱工程および後加熱工程における加熱時間は、通常、３０秒〜４００秒であり、６０秒〜３００秒であることが好ましい。
＜硬化処理工程＞
硬化処理工程は、必要に応じ、形成された前記膜に対して硬化処理を行う工程であり、この処理を行うことにより、近赤外線カットフィルタの機械的強度が向上する。
前記硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。ここで、本発明において「露光」とは、各種波長の光のみならず、電子線、Ｘ線などの放射線照射をも包含する意味で用いられる。
露光は放射線の照射により行うことが好ましく、露光に際して用いることができる放射線としては、特に、電子線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線や可視光が好ましく用いられる。好ましくは、ＫｒＦ、ｇ線、ｈ線、ｉ線が好ましい。
露光方式としては。ステッパー露光や、高圧水銀灯による露光などが挙げられる。
露光量は５〜３０００ｍＪ／ｃｍ2が好ましく１０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2がより好ましく、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ2が特に好ましい。
【００７５】
全面露光処理の方法としては、例えば、形成された前記膜の全面を露光する方法が挙げられる。近赤外線吸収性組成物が重合性化合物を含有する場合、全面露光により、上記組成物より形成される膜中の重合成分の硬化が促進され、前記膜の硬化が更に進行し、機械的強度、耐久性が改良される。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などのＵＶ露光機が好適に挙げられる。
また、全面加熱処理の方法としては、形成された前記膜の全面を加熱する方法が挙げられる。全面加熱により、パターンの膜強度が高められる。
全面加熱における加熱温度は、１２０℃〜２５０℃が好ましく、１２０℃〜２５０℃がより好ましい。該加熱温度が１２０℃以上であれば、加熱処理によって膜強度が向上し、２５０℃以下であれば、前記膜中の成分の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることを防止できる。
全面加熱における加熱時間は、３分〜１８０分が好ましく、５分〜１２０分がより好ましい。
全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、ＩＲヒーターなどが挙げられる。
【００７６】
また、本発明は、固体撮像素子基板と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有するカメラモジュールであって、前記近赤外線カットフィルタが本発明の近赤外線カットフィルタである、カメラモジュールにも関する。
以下、本発明の実施形態に係るカメラモジュールを、図３及び図４を参照しながら説明するが、本発明は以下の具体例によって限定されることはない。
なお、図３及び図４にわたり、共通する部分には共通する符号を付す。
また、説明に際し、「上」、「上方」及び「上側」は、シリコン基板１０から見て遠い側を指し、「下」、「下方」及び「下側」は、はシリコン基板１０に近い側を指す。
図３は、固体撮像素子を備えたカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
図３に示すカメラモジュール２００は、実装基板である回路基板７０に接続部材であるハンダボール６０を介して接続されている。
詳細には、カメラモジュール２００は、シリコン基板の第１の主面に撮像素子部を備えた固体撮像素子基板１００と、固体撮像素子基板１００の第１の主面側（受光側）に設けられた平坦化層（図３には不図示）と、平坦化層の上に設けられた近赤外線カットフィルタ４２と、近赤外線カットフィルタ４２の上方に配置され内部空間に撮像レンズ４０を有するレンズホルダー５０と、固体撮像素子基板１００及びガラス基板３０の周囲を囲うように配置された遮光兼電磁シールド４４と、を備えて構成されている。なお、平坦化層の上には、ガラス基板３０（光透過性基板）を設けてもよい。各部材は、接着剤４５により接着されている。
本発明は、固体撮像素子基板１００と、前記固体撮像素子基板の受光側に配置された近赤外線カットフィルタ４２とを有するカメラモジュールの製造方法であって、固体撮像素子基板の受光側において、上記本発明の近赤外線吸収性組成物を適用することにより膜４２を形成する工程にも関する。本実施形態に係るカメラモジュールにおいては、例えば、平坦化層の上に、本発明の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより膜を形成して、近赤外線カットフィルタ４２を形成できる。近赤外線カットフィルタを塗布する方法は前記した通りである。
カメラモジュール２００では、外部からの入射光ｈνが、撮像レンズ４０、近赤外線カットフィルタ４２、ガラス基板３０、平坦化層を順次透過した後、固体撮像素子基板１００の撮像素子部に到達するようになっている。
カメラモジュール２００は、平坦化層上に直接近赤外線カットフィルタを設けているが、平坦化層を省略しマイクロレンズ上に直接近赤外線カットフィルタを設けるようにしてもよいし、ガラス基板３０上に近赤外線カットフィルタを設けたり、近赤外線カットフィルタを設けたガラス基板３０を貼り合せてもよい。
【００７７】
図４は、図３中の固体撮像素子基板１００を拡大した断面図である。
固体撮像素子基板１００は、基体であるシリコン基板１０の第１の主面に、撮像素子１２、層間絶縁膜１３、ベース層１４、カラーフィルタ１５、オーバーコート１６、マイクロレンズ１７をこの順に備えている。撮像素子１２に対応するように、赤色のカラーフィルタ１５Ｒ、緑色のカラーフィルタ１５Ｇ、青色のカラーフィルタ１５Ｂ（以下、これらをまとめて「カラーフィルタ１５」ということがある）やマイクロレンズ１７は、それぞれ配置されている。シリコン基板１０の第１の主面と反対側の第２の主面には、遮光膜１８、絶縁膜２２、金属電極２３、ソルダレジスト層２４、内部電極２６、及び素子面電極２７を備えている。各部材は、接着剤２０により接着されている。
マイクロレンズ１７上には、平坦化層４６、近赤外線カットフィルタ４２を備えている。平坦化層４６の上に近赤外線カットフィルタ４２が設けられる代わりに、マイクロレンズ１７の上、ベース層１４とカラーフィルタ１５との間、または、カラーフィルタ１５とオーバーコート１６との間に、近赤外線カットフィルタが設けられる形態であってもよい。特に、マイクロレンズ１７表面から２ｍｍ以内（より好ましくは１ｍｍ以内）の位置に設けられることが好ましい。この位置に設けると、近赤外線カットフィルタを形成する工程が簡略化でき、マイクロレンズへの不要な近赤外線を十分にカットすることができるので、近赤外線遮断性をより高めることができる。
固体撮像素子基板１００については、特開２０１２−０６８４１８号公報段落０２４５（対応する米国特許出願公開第２０１２／０６８２９２号明細書の[０４０７]）以降の固体撮像素子基板１００の説明を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
以上、カメラモジュールの一実施形態について図３及び図４を参照して説明したが、前記一実施形態は図３及び図４の形態に限られるものではない。
【実施例】
【００７８】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
【００７９】
＜合成例＞
＜重合体（Ａ１）の合成＞
＜＜重合体Ａ−１の合成＞＞
ポリエーテルスルホン(ＢＡＳＦ社製、Ｕｌｔｒａｓｏｎ  Ｅ６０２０Ｐ)５．０ｇを硫酸４６ｇに溶解し、窒素気流下、室温にてクロロスルホン酸１６．８３ｇを滴下した。室温にて４８時間反応した後、氷水で冷却したヘキサン／酢酸エチル（１／１）混合液１Ｌ中に反応液を滴下した。上澄みを除き、得られた沈殿物をメタノールに溶解した。得られた溶液を、酢酸エチル０．５Ｌ中に滴下し、得られた沈殿物をろ過により回収した。得られた固体を減圧乾燥することで、重合体Ａ−１を４．９ｇ得た。中和滴定により、ポリマー中のスルホン酸基含有量（ｍｅｑ／ｇ）を算出した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーより重量平均分子量(Ｍｗ)を測定した。
【化２３】
2015004943.tif 000024
【００８０】
＜＜重合体Ａ−２の合成＞＞
クロロスルホン酸の量を２５．１ｇに、反応温度及び時間を、７０℃で７時間に変更した以外は、重合体Ａ−１の合成と同様にして、重合体Ａ−２を得た。
【化２４】
2015004943.tif 000025
【００８１】
＜＜重合体Ａ−３の合成＞＞
クロロスルホン酸を３０％発煙硫酸１４．４ｇに、反応時間を８時間に変更した以外は、重合体Ａ−１の合成と同様にして、重合体Ａ−３を得た。
【化２５】
2015004943.tif 000026
【００８２】
＜＜重合体Ａ−４の合成＞＞
ポリスルホン(Ａｌｄｒｉｃｈ社製)８．０ｇをクロロホルム９２．０ｇに溶解し、窒素気流下、室温にてクロロスルホン酸８．４３ｇを滴下した。室温にて１時間反応した所、固体が析出した。上澄みを除去し、得られた固体をクロロホルムで洗浄した後、メタノールに溶解した。この溶液を酢酸エチル０．５Ｌ中に滴下し、得られた沈殿をろ過により回収した。得られた固体を減圧乾燥することで、重合体Ａ−４を８．３ｇ得た。
【化２６】
2015004943.tif 000027
【００８３】
＜＜重合体Ａ−５の合成＞＞
ディーンスターク管を備えた３口フラスコに、ヘキサフルオロビスフェノールＡ３．４２ｇ、ジフェニルスルホン−４,４‘−ジクロロ−３,３’−ジスルホン酸二ナトリウム５．００ｇ、炭酸カリウム１．６９ｇ、トルエン１０ｇ、Ｎ−メチルピロリドン２５ｇを加え、窒素気流下、４時間還流した。系内のトルエンを除去した後、１８０℃に昇温し、１５時間撹拌した。反応液を室温に戻した後、反応液をセライトを敷き詰めた桐山ロートでろ過し、ろ液を３００ｍｌの飽和食塩水中に滴下した。得られた沈殿をろ過し、メタノールに溶解した後、５００ｍｌのアセトン中に滴下した。得られた沈殿をろ過し、メタノールに溶解した後、Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ１５（水素フォーム）(ａｌｄｒｉｃｈ社製)により、プロトン型に塩交換することで、重合体Ａ−５を６．４ｇ得た。
【化２７】
2015004943.tif 000028
【００８４】
＜＜重合体Ａ−６の合成＞＞
ヘキサフルオロビスフェノールＡ３．４２ｇを、ヒドロキノン１．１２ｇに変更した以外は、重合体Ａ−５の合成と同様にして、重合体Ａ−６を３．９ｇ得た。
【化２８】
2015004943.tif 000029
【００８５】
＜＜重合体Ａ−７の合成＞＞
ディーンスターク管を備えた３口フラスコに、ジフェノール酸４．６６ｇ、ジフェニルスルホン−４,４’−ジクロロ−３,３’−ジスルホン酸二ナトリウム８．００ｇ、炭酸カリウム２．４８ｇ、トルエン１０ｇ、Ｎ−メチルピロリドン２５ｇを加え、窒素気流下、４時間還流した。系内のトルエンを除去した後、１８０℃に昇温し、１５時間撹拌した。反応液を室温に戻した後、反応液をセライトを敷き詰めた桐山ロートでろ過し、ろ液を３００ｍｌの飽和食塩水中に滴下した。得られた沈殿をろ過し、メタノールに溶解した後、５００ｍｌのアセトン中に滴下した。得られた沈殿をろ過し、減圧乾燥した。
乾燥したポリマーを硫酸７３．６ｇに溶解し、クロロスルホン酸４．５６ｇを滴下した。室温で６時間反応した後、氷水で冷却したヘキサン／酢酸エチル（１／１）混合液１．５Ｌ中に反応液を滴下した。上澄みを除き、得られた沈殿物をメタノールに溶解した。得られた溶液を、酢酸エチル０．５Ｌ中に滴下し、得られた沈殿物をろ過により回収した。得られた固体を減圧乾燥することで、重合体Ａ−７を７．５ｇ得た。
【化２９】
2015004943.tif 000030
【００８６】
＜＜重合体Ａ−８の合成＞＞
ディーンスターク管を備えた３口フラスコに、４,４‘−ビフェノール３．５３ｇ、ベンゾフェノン−４,４‘−ジフルオロ−３,３’−ジスルホン酸二ナトリウム８．００ｇ、炭酸カリウム３．１４ｇ、トルエン１０ｇ、ジメチルスルホキシド３０ｇを加え、窒素気流下、４時間還流した。系内のトルエンを除去した後、１７０℃に昇温し、１５時間撹拌した。反応液を室温に戻した後、反応液をセライトを敷き詰めた桐山ロートでろ過し、ろ液を５００ｍｌの飽和食塩水中に滴下した。得られた沈殿をろ過し、メタノールに溶解した後、８００ｍｌのアセトン中に滴下した。得られた沈殿をろ過し、メタノールに溶解した後、Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ１５（水素フォーム）（ａｌｄｒｉｃｈ社製）により、プロトン型に塩交換することで、重合体Ａ−８を７．２ｇ得た。
【化３０】
2015004943.tif 000031
【００８７】
＜＜重合体Ａ−９の合成＞＞
Ｊ．Ｍｅｍｂｒ．Ｓｃｉ．２２９、２００４、９５〜に記載の方法に準拠して、ポリエーテルエーテルケトンのスルホ化を行うことで、重合体Ａ−９を得た。
【化３１】
2015004943.tif 000032
【００８８】
＜＜重合体Ａ−１０の合成＞＞
Ｃｈｉｎｅｓｅ  Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．２０、Ｎｏ．１、２００２、５３〜に記載の方法に準拠して、ポリフェニレンオキシドのスルホ化を行うことで、重合体Ａ−１０を得た。
【化３２】
2015004943.tif 000033
【００８９】
＜＜重合体Ａ−１１の合成＞＞
特表２００８−５３３２２５号公報の実施例２に記載の方法に準拠して、重合体Ａ−１１を得た。
【化３３】
2015004943.tif 000034
【００９０】
＜＜重合体Ａ−１２の合成＞＞
特開２００４−１３１６６２号公報に記載の方法に準拠して、ポリスルホンのスルホメチル化を行うことで、重合体Ａ−１２を得た。
【化３４】
2015004943.tif 000035
【００９１】
＜＜重合体Ａ−１３の合成＞＞
特開２００８−２７８９０号公報に記載の方法に準拠して、重合体Ａ−１３を得た。
【化３５】
2015004943.tif 000036
【００９２】
＜＜重合体Ａ−１４の合成＞＞
３つ口フラスコに、４,４’ジアミノビフェニル−２,２’−ジスルホン酸６．８９ｇ、１２０ｍｌのｍ−クレゾール、４．８６ｇのトリエチルアミンを加え、窒素気流下で溶液が均一になるまで撹拌した。この溶液に、４,４’−オキシジフタル酸６．２０ｇと安息香酸６．８４ｇを加え、８０℃で４時間、次いで１８０℃で２０時間反応した。反応温度を室温に戻した後、反応液をアセトン中に滴下した。得られた沈殿をろ過し、メタノールに溶解した後、Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ１５（水素フォーム）（ａｌｄｒｉｃｈ社製）により、プロトン型に塩交換することで、重合体Ａ−１４を９．２ｇ得た。
【化３６】
2015004943.tif 000037
【００９３】
＜＜重合体Ａ−１５の合成＞＞
Ｊ．Ｍｅｍｂｒ．Ｓｃｉ．３６０、２０１０、２６〜に記載の方法に準拠して、ポリスルホンのホスホメチル化を行うことで、重合体Ａ−１５を得た。
【化３７】
2015004943.tif 000038
【００９４】
＜銅錯体の合成＞
＜＜銅錯体Ｃｕ−１の合成＞＞
重合体Ａ−１の２０％水溶液２０ｇに対し、水酸化銅５５６ｍｇを加え、室温で３時間撹拌し、水酸化銅を溶解させた。以上により、銅錯体（以下、エンプラ銅錯体ともいう）Ｃｕ−１の水溶液が得られた。
＜＜銅錯体Ｃｕ−２〜Ｃｕ−１７の合成＞＞
重合体Ａ１の酸基の等量と、銅原子の等量との質量比を、下記表１のようにした以外は、銅錯体Ｃｕ−１の合成と同様にして、銅錯体Ｃｕ−２〜Ｃｕ−１７を合成した。
【００９５】
【表１】
2015004943.tif 000039
【００９６】
＜＜銅錯体Ｃｕ−１８の合成＞＞
エタンスルホン酸３．００ｇ、ブタンスルホン酸３．７６ｇをメタノール１００ｍｌに希釈し、水酸化銅２．６６ｇを加えて室温で２時間撹拌した。反応液を濃縮し、得られた固体を減圧乾燥することで、銅錯体Ｃｕ−１８を得た。
＜＜銅錯体Ｃｕ−１９の合成＞＞
エタンスルホン酸６．００ｇをメタノール１００ｍｌに希釈し、水酸化銅２．６６ｇを加えて室温で２時間撹拌した。反応液を濃縮し、得られた固体を減圧乾燥することで、銅錯体Ｃｕ−１９を得た。
【００９７】
＜＜銅錯体Ｃｕ−２０の合成＞＞
重合体Ａ−３の２０％水溶液２０ｇに対し、酢酸銅１．８４ｇを加え、室温で３時間撹拌した。反応液をエバポレーターで濃縮し、生成した酢酸を除去した後、水を加え、再び２０％水溶液にする事で、銅錯体Ｃｕ−２０の水溶液が得られた。
【００９８】
＜＜銅錯体Ｃｕ−２１の合成（比較合成例１）＞＞
特開２０１１−２２７５２８号公報の実施例１に記載の方法と同様にして、銅錯体Ｃｕ−２１を合成した。
【化３８】
2015004943.tif 000040
【００９９】
＜近赤外線吸収性組成物の調製＞
＜＜実施例１＞＞
＜近赤外線吸収性組成物の調整１＞
下記表２に示す配合量となるように銅錯体、及び溶剤を混合して、実施例１〜２１及び比較例１の近赤外線吸収性組成物を調製した。
なお、下記表２中の銅錯体Ｃｕ−２２は、トリフルオロ酢酸銅(ＩＩ)水和物(和光純薬工業(株)社製)を使用し、溶剤ＥＧはエチレングリコール(和光純薬工業(株)社製)を使用し、溶剤ＭｅＯＨはメタノール(和光純薬工業(株)社製)を使用した。
【０１００】
【表２】
2015004943.tif 000041
【０１０１】
＜近赤外線カットフィルタの作製＞
実施例及び比較例で調製した近赤外線吸収性組成物の各々を、アプリケータ塗布法（ＹＯＳＨＩＭＩＴＳ  ＳＥＩＫＩ製のベーカーアプリケーター、ＹＢＡ−３型をスリット幅２５０μｍに調整して使用）を用いて、ガラス基板上にアプリケータ塗布し、１００℃、１２０秒間の前加熱（プリベーク）を行った。その後、全てのサンプルについて、１８０℃、１８０秒間、ホットプレートで加熱を実施し近赤外線カットフィルタを得た。
【０１０２】
＜評価＞
＜＜近赤外線遮蔽性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタにおける波長８００ｎｍの透過率を分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。近赤外線遮蔽性を以下の基準で評価した。
Ａ：波長８００ｎｍの透過率≦５％
Ｂ：５％＜波長８００ｎｍの透過率≦７％
Ｃ：７％＜波長８００ｎｍの透過率≦１０％
Ｄ：１０％＜波長８００ｎｍの透過率
【０１０３】
＜＜耐湿性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタを８５℃／９５％ＲＨの高温高湿下で３時間放置した。耐湿性試験前と耐湿性試験後とのそれぞれにおいて、近赤外線カットフィルタの波長７００〜１４００ｎｍにおける最大吸光度（Ａｂｓλｍａｘ）と、波長４００〜７００ｎｍにおける最小吸光度（Ａｂｓλｍｉｎ）とを、分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定し、「Ａｂｓλｍａｘ／Ａｂｓλｍｉｎ」で表される吸光度比を求めた。｜（試験前における吸光度比−試験後における吸光度比）／試験前における吸光度比×１００｜（％）で表される吸光度比変化率を以下の基準で評価した。
Ａ：吸光度比変化率≦２％
Ｂ：２％＜吸光度比変化率≦４％
Ｃ：４％＜吸光度比変化率≦７％
Ｄ：７％＜吸光度比変化率
【０１０４】
＜＜耐熱性評価１＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタを２００℃で５分間放置した。耐熱性試験前と耐熱性試験後とのそれぞれにおいて、近赤外線カットフィルタの波長７００〜１４００ｎｍにおける最大吸光度（Ａｂｓλｍａｘ）と、波長４００〜７００ｎｍにおける最小吸光度（Ａｂｓλｍｉｎ）とを、分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定し、「Ａｂｓλｍａｘ／Ａｂｓλｍｉｎ」で表される吸光度比を求めた。
｜（（試験前における吸光度比−試験後における吸光度比）／試験前における吸光度比）×１００｜（％）で表される吸光度比変化率を以下の基準で評価した。結果を以下の表３に示す。
Ａ：吸光度比変化率≦２％
Ｂ：２％＜吸光度比変化率≦４％
Ｃ：４％＜吸光度比変化率≦７％
Ｄ：７％＜吸光度比変化率
【０１０５】
＜＜耐熱性評価２＞＞
加熱温度を２００℃から２６５℃に変更した以外は、上記耐熱性評価１と同様にして、評価を実施した。
【０１０６】
【表３】
2015004943.tif 000042
【０１０７】
上記表３から明らかなとおり、実施例の近赤外線吸収性組成物は、硬化膜としたときに高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を形成することができた。また、実施例の近赤外線吸収性組成物は、耐湿性にも優れた硬化膜を形成することができた。
一方、比較例の近赤外線吸収性組成物は、実施例と比較して、硬化膜としたときに耐熱性が良好ではなかった。また、比較例の近赤外線吸収性組成物は、実施例と比較して、硬化膜としたときに耐湿性が良好ではなかった。
【０１０８】
＜＜実施例２３＞＞
＜＜近赤外線吸収性組成物の調製＞＞
下記の成分を下記表４に記載の配合量で混合して、実施例２３の近赤外線吸収性組成物を調製した。
・銅錯体Ａ(下記スルホフタル酸を配位子として有する銅錯体)
・上記エンプラ銅錯体Ｃｕ−１
・下記バインダーＡ
・下記界面活性剤Ａ
・溶剤（水）
【化３９】
2015004943.tif 000043
バインダーＡ：下記化合物（Ｍｗ：２４，０００）
【化４０】
2015004943.tif 000044
界面活性剤Ａ：オルフィンＥ１０１０（日信化学工業株式会社製）
【化４１】
2015004943.tif 000045
銅錯体Ａは、以下のようにして合成した。
スルホフタル酸５３．１％水溶液（１３．４９ｇ，２９．１ｍｍｏｌ）をメタノール５０ｍＬに溶かし、この溶液を５０℃に昇温した後、水酸化銅（２．８４ｇ，２９．１ｍｍｏｌ）を加え５０℃で２時間反応させた。反応終了後、エバポレータにて溶剤及び発生した水を留去することで銅錯体Ａ（８．５７ｇ）を得た。
＜＜実施例２４〜３７＞＞
実施例２３の近赤外線吸収性組成物において、エンプラ銅錯体Ｃｕ−１の代わりに、エンプラ銅錯体Ｃｕ−２〜Ｃｕ−１５をそれぞれ用いたこと以外は、実施例２３と同様にして実施例２４〜３７の近赤外線吸収性組成物を調製した。
実施例２３〜３７の近赤外線吸収性組成物では、さらに近赤外線吸収能が高まることが確認された。
【表４】
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【符号の説明】
【０１０９】
１  酸基イオンを含む重合体（Ａ２）および銅イオンを含有する化合物、２  銅、３  主鎖、４  側鎖、５  酸基イオン部位、
１０  シリコン基板、１２  撮像素子、１３  層間絶縁膜、１４  ベース層、１５  カラーフィルタ、１６  オーバーコート、１７  マイクロレンズ、１８  遮光膜、
２０  接着剤、２２  絶縁膜、２３  金属電極、２４  ソルダレジスト層、２６  内部電極、２７  素子面電極、
３０  ガラス基板、４０  撮像レンズ、４２  近赤外線カットフィルタ、４４  遮光兼電磁シールド、４５  接着剤、４６  平坦化層、
５０  レンズホルダー、６０  ハンダボール、７０  回路基板、１００  固体撮像素子基板
【図１】
2015004943.tif 000049
【図２】
2015004943.tif 000050
【図３】
2015004943.tif 000051