(57)【要約】【課題】端面の位置にバラツキが生じても光が発光する場所を正確に認識できる発光デバイスを提供する。【解決手段】積層基板４１と、積層基板４１の第１側面４１ａから光１７を射出する第１射出部１６ｂと、積層基板４１の厚み方向から見た平面視で形状の一部が第１側面４１ａを含む第１素子マーク１８と、を備える。第１素子マーク１８は第１光軸辺１８ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の側面から光を射出する射出部と、
前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の発光デバイスであって、
前記マークは前記形状の一部が前記光の光軸と平行となっていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光デバイスであって、
前記基板は電流を入力する電極を備え、
前記マークは前記電極の一部であることを特徴とする発光デバイス。
【請求項４】
請求項１または２に記載の発光デバイスであって、
前記基板はベース基板を含む複数の層を有し、
前記マークは前記ベース基板の凹凸により成り立っていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の発光デバイスであって、
前記基板は発光層を備え、前記マークは前記発光層の凹凸により成り立っていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項６】
請求項４に記載の発光デバイスであって、
前記基板は絶縁層を備え、前記マークは前記絶縁層の凹凸により成り立っていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光デバイスであって、
前記マークは複数設置されていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項８】
母材に射出部を設置し、
前記母材にマークを設置し、
前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材を分割することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
【請求項９】
第１マークが設置されたベース基板と、
前記ベース基板に設置された発光デバイスと、を備え、
前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、
前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含む第２マークと、を備えることを特徴とする発光モジュール。
【請求項１０】
母材に射出部を設置し、
前記母材にマークを設置し、
前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材を分割して発光デバイスを形成し、
ベース基板に位置合わせマークを設置し、
前記位置合わせマークと分割された前記マークとを用いて、前記ベース基板に前記発光デバイスを設置することを特徴とする発光モジュールの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光デバイスと、
前記発光デバイスから射出された光を集光するレンズと、
前記レンズによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含むことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１２】
ベース基板と、
前記ベース基板に設置された発光デバイスと、
前記ベース基板に設置された光ファイバーと、を備え、
前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、
前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光デバイス、発光モジュール、プロジェクター、通信機器、発光デバイスの製造方法及び発光モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターの光源や光通信の光源にスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）や半導体レーザー等が用いられている。光源はレンズや光ファイバー等の光学系に組み合わせて用いられる。
【０００３】
半導体レーザー素子を用いた光モジュールが特許文献１に開示されている。それによると、基板上に半導体レーザー素子と光ファイバーが設置されている。基板にはＶ溝が形成され、光ファイバーはＶ溝に沿って設置されている。そして、半導体レーザー素子及び基板には位置合わせ用のマークが設置されている。そして、半導体レーザー素子を基板に設置するときには、撮像カメラとロボットとを活用する。撮像カメラにて位置合わせ用のマークの像を撮像し、マークの位置を認識する。そして、位置合わせ用のマークの像を用いて半導体レーザー素子の位置と基板の位置とを認識する。次に、ロボットを制御して基板上の所定の位置に半導体レーザー素子を設置していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−５２１９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では半導体レーザー素子にマークが設置され、マークには光軸との相対位置が設定されている。従って、マークを用いて光軸の位置を認識することが可能になっている。半導体レーザー素子等の製造工程ではシリコンウエハー等の母材が用いられる。そして、発光デバイスが母材に複数格子状に形成される。そして、母材が分割されて発光デバイスとなる。発光層にガリウム、インジウム、リンが用いられるとき、これらの物質は水溶性である。従って、母材をダイヤモンドブレードに純水を流動させながら切断すると発光層に損傷を与える。このため、母材を分割するときには母材の結晶面に沿って劈開する方法が行われている。
【０００６】
劈開法では分割された面が光軸方向の位置にバラツキが生じる。マークに対しても光軸方向の位置にバラツキが生じる。分割された面には光が射出される場所があり、光学部品との位置合わせをするときには分割された面を認識する必要がある。そこで、分割により形成された面の位置にバラツキが生じても光が発光する場所を正確に認識することができる発光デバイスが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例にかかる発光デバイスであって、基板と、前記基板の側面から光を射出する射出部と、前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、発光デバイスは基板を備えている。射出部は基板の側面から光を射出する。発光デバイスはマークを有し、基板の厚み方向から見た平面視でマークの形状の一部が基板の側面を含んでいる。従って、マークを見ることにより基板の側面の位置を認識することができる。そして、基板の側面から光が射出されるので、光の光軸方向で光が射出される位置を認識することができる。発光デバイスは母材から分割して形成されるので、発光デバイスの側面の位置にバラツキが生じる。マークは側面の位置を示すので、側面の位置にバラツキが生じてもマークを用いて光が発光する場所を正確に認識することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記マークは前記形状の一部が前記光の光軸と平行となっていることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、マークは形状の一部が光の光軸と平行となっている。従って、マークは光軸の方向を示す為、マークを用いて光軸の方向を正確に認識することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板は電流を入力する電極を備え、前記マークは前記電極の一部であることを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、発光デバイスは電流を入力する電極を備えている。そして、マークは電極の一部となっている。従って、電極を形成するときにマークを形成することができる。その結果、電極を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板はベース基板を含む複数の層を有し、前記マークは前記ベース基板の凹凸により成り立っていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、基板は複数の層が積層された基板である。ベース基板をマークの形状にパターニングすることによりベース基板に積層された各層にマークの形状の凹凸を形成することができる。従って、ベース基板を形成するときにマークに対応した凹凸を形成することができる。その結果、層を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板は発光層を備え、前記マークは前記発光層の凹凸により成り立っていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、基板は発光層を備えた基板である。発光層をマークの形状にパターニングすることにより発光層に積層された各層にマークの形状の凹凸を形成することができる。従って、発光層を形成するときにマークに対応した凹凸を形成することができる。その結果、発光層を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。
【００１８】
［適用例６］
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板は絶縁層を備え、前記マークは前記絶縁層の凹凸により成り立っていることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、基板は絶縁層を備えた基板である。絶縁層をマークの形状にパターニングすることにより絶縁層に積層された層にマークの形状の凹凸を形成することができる。従って、絶縁層を形成するときにマークに対応した凹凸を形成することができる。その結果、絶縁層を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。
【００２０】
［適用例７］
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記マークは複数設置されていることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、基板にはマークが複数設置されている。マークと光軸との相対位置は所定の位置関係となっている。従って、複数のマークのうち２つのマークを結ぶ線の方向から光軸の方向を認識することができる。そして、２つのマークが離れている程、２つのマークを結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、マークが１つのときに比べて精度良く光軸の方向を認識することができる。
【００２２】
［適用例８］
本適用例にかかる発光デバイスの製造方法であって、母材に射出部を設置し、前記母材にマークを設置し、前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材とを分割することを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、母材には射出部とマークとが設置される。そして、マークと射出部とを通る分割線に沿って母材が分割される。従って、射出部の端とマークの一部とが分割線上に位置する。その結果、分割線と直交する方向においてマークの位置を用いて射出部の端の位置を正確に認識することができる。
【００２４】
［適用例９］
本適用例にかかる発光モジュールであって、第１マークが設置されたベース基板と、前記ベース基板に設置された発光デバイスと、を備え、前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含む第２マークと、を備えることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、発光モジュールはベース基板と発光デバイスとを備えている。ベース基板には第１マークが設置され、発光デバイスには第２マークが設置されている。従って第１マークと第２マークとを用いてベース基板に対して発光デバイスを位置精度良く設置することができる。そして、射出部は基板の側面から光を射出する。発光デバイスは第２マークを有し、基板の厚み方向から見た平面視で第２マークの形状の一部が基板の側面を含んでいる。従って、第２マークを見ることにより基板の側面の位置を認識することができる。そして、基板の側面から光が射出されるので、光の光軸方向で光が出る位置を認識することができる。発光デバイスは母材から分割して形成されるので、発光デバイスの側面の位置にバラツキが生じる。第２マークは側面の位置を示すので、側面の位置にバラツキが生じても第２マークを用いてベース基板に対して光が発光する場所を正確に認識することができる。従って、側面の位置にバラツキが生じてもベース基板に対する射出部の場所を精度良く設置することができる。
【００２６】
［適用例１０］
本適用例にかかる発光モジュールの製造方法であって、母材に射出部を設置し、前記母材にマークを設置し、前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材を分割して発光デバイスを形成し、ベース基板に位置合わせマークを設置し、前記位置合わせマークと分割された前記マークとを用いて、前記ベース基板に前記発光デバイスを設置することを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、母材には射出部とマークとが設置される。そして、マークと射出部とを通る分割線に沿って母材が分割される。従って、射出部の端とマークの一部とが分割線上に位置する。その結果、分割線と直交する方向においてマークの位置を用いて射出部の端の位置を正確に認識することができる。ベース基板には位置合わせマークが設置される。そして、位置合わせマークと分割されたマークとを用いて、ベース基板に発光デバイスが設置される。その結果、ベース基板に射出部を位置精度良く設置することができる。
【００２８】
［適用例１１］
本適用例にかかるプロジェクターであって、上記のいずれかに記載の発光デバイスと、前記発光デバイスから射出された光を集光するレンズと、前記レンズによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、を含むことを特徴とする。
【００２９】
本適用例によれば、発光デバイスが射出した光をレンズが集光する。集光された光を光変調装置が変調する。そして、変調した光を投射装置が投射している。発光デバイスは、光を発光する場所を位置精度良く設置することができる。従って、マークを用いて発光デバイスのアライメントを容易に行うことができる。その結果、本適用例のプロジェクターは位置合わせが容易な発光デバイスを備えたプロジェクターとすることができる。
【００３０】
［適用例１２］
本適用例にかかる通信機器であって、ベース基板と、前記ベース基板に設置された発光デバイスと、前記ベース基板に設置された光ファイバーと、を備え、前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする。
【００３１】
本適用例によれば、ベース基板には発光デバイスと光ファイバーとが設置される。発光デバイスが射出した光は光ファイバーに入光する。マークを用いることにより発光デバイスは光を発光する場所を位置精度良くベース基板に設置することができる。従って、光ファイバーと発光デバイスとの位置を合わせるアライメントを容易に行うことができる。その結果、本適用例の通信機器は設置位置の調整が容易な発光デバイスを備えた通信機器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１の実施形態にかかわるプロジェクターの光学系の構造を示すブロック図。
【図２】（ａ）は光学モジュールの構造を示す模式平面図、（ｂ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図。
【図３】（ａ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図、（ｂ）は、発光モジュールの構造を示す模式平面図。
【図４】発光デバイスの製造方法を説明するための模式図。
【図５】発光デバイスの製造方法を説明するための模式図。
【図６】発光デバイスの製造方法を説明するための模式図。
【図７】第２の実施形態にかかわり、（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。
【図８】第３の実施形態にかかわり、（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。
【図９】第４の実施形態にかかわり、（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。
【図１０】第５の実施形態にかかわり、（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。
【図１１】第６の実施形態にかかわり、（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。
【図１２】第７の実施形態にかかわり、（ａ）は、通信装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は、通信装置の構造を示す模式側面図。
【図１３】比較例における基板の分断方法を説明する為の要部拡大模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
本実施形態では、発光デバイス、発光デバイスが設置された発光モジュール、発光モジュールが設置されたプロジェクター及び発光モジュールの製造方法の特徴的な例について、図１〜図６に従って説明する。図１は、プロジェクターの光学系の構造を示すブロック図である。
【００３４】
図１に示すように、プロジェクター１は図中中央に位置するクロスダイクロイックプリズム２を備えている。クロスダイクロイックプリズム２の図中上側には赤色光学系３が設置され、クロスダイクロイックプリズム２の図中左側には緑色光学系４が設置されている。クロスダイクロイックプリズム２の図中下側には青色光学系５が設置されている。
【００３５】
赤色光学系３は赤色の画像をクロスダイクロイックプリズム２に射出し、緑色光学系４は緑色の画像をクロスダイクロイックプリズム２に射出する。青色光学系５は青色の画像をクロスダイクロイックプリズム２に射出する。
【００３６】
赤色光学系３はクロスダイクロイックプリズム２に近い方から順に光変調装置としての液晶ライトバルブ６、均一化光学系７、発光デバイスとしての赤色光源８が設置されている。緑色光学系４及び青色光学系５も赤色光学系３と同様な構成となっている。緑色光学系４はクロスダイクロイックプリズム２に近い方から順に液晶ライトバルブ６、均一化光学系７、発光デバイスとしての緑色光源９が設置されている。青色光学系５はクロスダイクロイックプリズム２に近い方から順に液晶ライトバルブ６、均一化光学系７、発光デバイスとしての青色光源１０が設置されている。
【００３７】
赤色光源８は赤色光を発光する発光モジュールであり、緑色光源９は緑色光を発光する発光モジュールである。青色光源１０は青色光を発光する発光モジュールである。
【００３８】
均一化光学系７はホログラム７ａ及びレンズとしてのフィールドレンズ７ｂ等によって構成されている。均一化光学系７は赤色光源８、緑色光源９及び青色光源１０が射出する光の照度分布を均一にする。
【００３９】
液晶ライトバルブ６は光の透過と遮断とを制御する機能を有している。液晶ライトバルブ６は対向する透明板に液晶が挟まれた構造をしている。透明板にはマトリックス状の透明電極が配置され、電気信号により液晶を駆動する。液晶により光は偏光具合を制御される。さらに、液晶ライトバルブ６には偏光板を備え、特定の方向に偏光した光を透過させる。画像情報に対応する電気信号にて液晶を駆動することにより、液晶ライトバルブ６は通過する光の分布を画像に対応する光の分布にすることが可能になっている。電気信号に対応して光の分布を制御することを光変調と称す。従って、液晶ライトバルブ６は光変調装置であり、画像を形成する装置になっている。
【００４０】
クロスダイクロイックプリズム２は４つの直角プリズムを貼り合わせて形成されている。クロスダイクロイックプリズム２の内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３色の光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。従って、クロスダイクロイックプリズム２は色光合成手段になっている。
【００４１】
クロスダイクロイックプリズム２の図中右側には投射装置としての投射レンズ１１が設置され、投射レンズ１１の図中右側にはスクリーン１２が設置されている。そして、クロスダイクロイックプリズム２によって合成された光は投射レンズ１１によりスクリーン１２上に投射され、拡大された画像が表示される。投射レンズ１１は投射装置であり、スクリーン１２は表示面になっている。
【００４２】
尚、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【００４３】
また、赤色光源８、緑色光源９及び青色光源１０からの光をスクリーン上で走査させる走査型のプロジェクター等の画像表示装置にしても良い。この装置においても赤色光源８、緑色光源９及び青色光源１０を用いて、表示面に走査手段を用いて所望の大きさの画像を表示させることができる。
【００４４】
次に、赤色光源８に用いられる光学モジュールについて説明する。緑色光源９及び青色光源１０は赤色光源８と同様の構造であり、説明を省略する。図２（ａ）は光学モジュールの構造を示す模式平面図である。図２（ｂ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面側からみた図である。
【００４５】
図２に示すように、発光モジュール１３はベース基板１４を備えている。ベース基板１４は有底角筒状であり、底部１４ａと底部１４ａの周囲に立設する側壁部１４ｂとを備えている。底部１４ａは矩形の板状であり、長手方向をＸ方向とする。底部１４ａの平面方向でＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。底部１４ａの厚み方向であり側壁部１４ｂが立設する方向をＺ方向とする。
【００４６】
ベース基板１４の材質としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯ等）や合金（例えばＣｕＭｏ等）等を挙げることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層の多層構造等から、ベース基板１４を構成することもできる。
【００４７】
底部１４ａの中程にはサブマウント１５が設置され、サブマウント１５に重ねて発光デバイス１６が設置されている。サブマウント１５の熱伝導率は、例えば、発光デバイス１６の熱伝導率よりも大きく、ベース基板１４の熱伝導率よりも小さい。ベース基板１４及びサブマウント１５の各々の熱伝導率は、例えば、１４０Ｗ／ｍＫ以上である。サブマウント１５の材質としては、例えば、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＣｕＭｏ、ＣｕとＭｏを積層したＣＭＣ等を挙げることができる。サブマウント１５は、ベース基板１４と発光デバイス１６との熱膨張率の差により生じる発光デバイス１６の反りを防止する。
【００４８】
発光デバイス１６はＸ方向に長い直方体の形状をしており、Ｘ方向及び−Ｘ方向に光１７を射出するスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅである。以下「ＳＬＤ」ともいう。）である。本実施形態では、発光デバイス１６がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤの場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することが可能になっている。発光デバイス１６において＋Ｘ方向に光１７を射出する場所を射出部としての第１射出部１６ｂとし、−Ｘ方向に光１７を射出する場所を射出部としての第２射出部１６ｃとする。
【００４９】
発光デバイス１６においてＺ方向を向く上面１６ａには第２マーク及びマークとしての第１素子マーク１８及び第２マーク及びマークとしての第２素子マーク２１が設置されている。第１素子マーク１８は上面１６ａの＋Ｘ方向且つ＋Ｙ方向に位置している。第２素子マーク２１は上面１６ａの−Ｘ方向且つ−Ｙ方向に位置している。
【００５０】
Ｚ方向から底部１４ａを見たとき第１素子マーク１８の＋Ｘ側には底部１４ａに第１マークとしての第１ベースマーク２２が設置されている。同様に、Ｚ方向から底部１４ａを見たとき第２素子マーク２１の−Ｘ側には底部１４ａに第１マークとしての第２ベースマーク２３が設置されている。第１素子マーク１８〜第２ベースマーク２３はベース基板１４に発光デバイス１６を設置するときに用いるマークである。
【００５１】
発光デバイス１６の＋Ｘ方向側には第１凹部１４ｃが形成されている。第１凹部１４ｃはＺ方向から見た形状が四角形であり、第１凹部１４ｃには底部１４ａ側の面が四角形の第１反射鏡２４が設置されている。第１凹部１４ｃの形状に合わせて第１反射鏡２４を設置することにより、第１反射鏡２４は所定の位置に設置されるようになっている。同様に、発光デバイス１６の−Ｘ方向側には第２凹部１４ｄが形成されている。第２凹部１４ｄはＺ方向から見た形状が四角形であり、第２凹部１４ｄには底部１４ａ側の面が四角形の第２反射鏡２５が設置されている。第２凹部１４ｄの形状に合わせて第２反射鏡２５を設置することにより、第２反射鏡２５は所定の位置に設置されるようになっている。
【００５２】
第１反射鏡２４及び第２反射鏡２５の光１７に対する反射率は、５０％より高く、１００％以下であることが好ましい。第１反射鏡２４及び第２反射鏡２５の材質としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等が挙げられる。例えば、第１反射鏡２４及び第２反射鏡２５の表面の材質のみを、上記材質（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ）としてもよい。
【００５３】
第１反射鏡２４及び第２反射鏡２５は三角柱の形状をしている。そして、発光デバイス１６から射出される光１７の光軸１７ａが第１反射鏡２４の反射面となす角度は４５度になっている。そして、発光デバイス１６から＋Ｘ方向に射出される光１７は第１反射鏡２４にて反射し＋Ｚ方向に進行する。同様に、発光デバイス１６から射出される光１７の光軸１７ａが第２反射鏡２５の反射面となす角度は４５度になっている。発光デバイス１６から−Ｘ方向に射出される光１７は第２反射鏡２５にて反射し＋Ｚ方向に進行する。従って発光モジュール１３から射出される光１７は＋Ｚ方向に進行するようになっている。
【００５４】
側壁部１４ｂの＋Ｚ方向側には蓋部２６が設置されている。蓋部２６はリッドとも称される。尚、図２（ａ）は見易くするために蓋部２６が省略された図となっている。蓋部２６は、ベース基板１４の側壁部１４ｂに囲まれた凹部２７を密閉して、凹部２７内に設けられた発光デバイス１６を封止する。蓋部２６の材質は光１７の波長に対して透過性のある材質である。これにより、光１７のうちの少なくとも一部は、蓋部２６を透過する。蓋部２６の材質は、特に限定されず例えば、石英、ガラス、水晶、プラスチック等を用いることができる。これらは、発光デバイス１６が射出する光１７の波長に応じて適宜選択されることができる。これにより、光１７の吸収損失を低減することができる。
【００５５】
発光デバイス１６の−Ｙ方向側には底部１４ａに貫通電極２８が設置されている。そして、発光デバイス１６の上面１６ａと貫通電極２８とは、ワイヤーボンディング等の接続部材２９により接続されている。
【００５６】
図３（ａ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面側から見た図である。図３（ａ）に示すように、サブマウント１５上には第１電極３０が設置されている。第１電極３０はＹ方向の中程にＺ方向に突出する凸部３０ａが設置されている。凸部３０ａは発光デバイス１６のＸ方向の全幅に渡って設置されている。
【００５７】
凸部３０ａを挟んで＋Ｙ方向側と−Ｙ方向側とには絶縁層３１が設置されている。凸部３０ａ及び絶縁層３１に重ねてコンタクト層３２が設置されている。コンタクト層３２は凸部３０ａと接触している。コンタクト層３２に重ねて第１クラッド層３３が設置され、第１クラッド層３３に重ねて活性層３４が設置されている。活性層３４において凸部３０ａと対向する部分が発光する利得領域３５になっている。利得領域３５の中央が光軸１７ａとなる。
【００５８】
活性層３４に重ねて第２クラッド層３６が設置され、第２クラッド層３６に重ねてベース基板３７が設置されている。ベース基板３７に重ねて電極としての第２電極３８が設置され、第２電極３８には第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１が設置されている。第２電極３８には接続部材２９が接続され、接続部材２９は第２電極３８と貫通電極２８とを電気的に接続する。第１電極３０〜第２電極３８まで積層された基板を基板としての積層基板４１とする。
【００５９】
第１電極３０は、コンタクト層３２を介して第１クラッド層３３と電気的に接続されている。第１電極３０は、発光デバイス１６を駆動するための一方の電極であり、第１電極３０及び第２電極３８は電流を入出力する部位となっている。第１電極３０としては、例えば、コンタクト層３２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したもの等を用いることができる。第１電極３０の凸部３０ａとコンタクト層３２との接触面の平面形状は利得領域３５の平面形状と同じ形状となる。第１電極３０とコンタクト層３２との接触面の平面形状によって、第１電極３０と第２電極３８との間の電流経路が決定される。その結果、利得領域３５の平面形状が決定される。
【００６０】
絶縁層３１は、利得領域３５と対向する場所以外のコンタクト層３２の−Ｚ方向側に形成されている。すなわち、絶縁層３１は利得領域３５の下方に開口を有し、開口では第１電極３０とコンタクト層３２とが接触する。絶縁層３１としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ2層、ポリイミド層等を用いることができる。絶縁層３１は第１電極３０とコンタクト層３２との間で電流が流れる場所を凸部３０ａに限定する機能を有している。
【００６１】
コンタクト層３２は、第１クラッド層３３と第１電極３０の凸部３０ａとの間に形成されている。コンタクト層３２は第１電極３０とオーミックコンタクトする層であれば良く特に限定されない。コンタクト層３２は第２導電型の半導体を用いることができ、本実施形態では例えばコンタクト層３２にｐ型ＧａＡｓ層を用いている。
【００６２】
第１クラッド層３３は、コンタクト層３２と活性層３４との間に形成されている。第１クラッド層３３としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＩｎＰ層等を用いることができる。ｐ型の第１クラッド層３３を用いたとき不純物がドーピングされていない活性層３４、及びｎ型の第２クラッド層３６を配置することにより、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層３３及び第２クラッド層３６の各々は、活性層３４よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。
【００６３】
活性層３４は、第１クラッド層３３と第２クラッド層３６とに挟まれた積層構造体を構成している。活性層３４は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層３３及び第２クラッド層３６は、活性層３４を挟んで、注入キャリア（電子及び正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。活性層３４は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００６４】
活性層３４の形状は、例えば、直方体や立方体等にすることができる。活性層３４では＋Ｘ方向側の側面である第１側面と−Ｘ方向側の側面である第２側面とが互いに対向しており平行となっている。第１側面及び第２側面は活性層３４の界面のうち第１クラッド層３３または第２クラッド層３６に接していない面である。積層構造体において第１側面及び第２側面は露出している面である。第１クラッド層３３、活性層３４、第２クラッド層３６の積層構造体は、コンタクト層３２とベース基板３７とに挟まれている。
【００６５】
利得領域３５は活性層３４の一部であり、活性層３４に電流が流動する場所である。利得領域３５は光１７を生じさせることができ、光１７は利得領域３５内で利得を受けることができる。利得領域３５の平面形状は特に限定されないが、本実施形態では例えば、長方形となっている。第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂから光１７が射出される。
【００６６】
第２クラッド層３６は、活性層３４と接して設置されている。第２クラッド層３６としては、例えば、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ層等を用いることができる。尚、図示はしないが、ベース基板３７と第２クラッド層３６との間にはバッファー層が形成されていてもよい。バッファー層としては、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層等を用いることができる。
【００６７】
ベース基板３７には、例えば、ｎ型の第１導電型であるＧａＡｓ基板等を用いることができる。
【００６８】
第２電極３８はベース基板３７上の全面に設置され、ベース基板３７と電気的に接続している。第２電極３８はベース基板３７を介して第２クラッド層３６と電気的に接続されている。第２電極３８は、発光デバイス１６を駆動するための電極であり、第１電極３０とともに電流を入出力する部位となっている。第２電極３８としては、例えば、ベース基板３７側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したもの等を用いることができる。
【００６９】
第１電極３０と第２電極３８との間にｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する。これにより、活性層３４の利得領域３５では電子と正孔との再結合が起こり、再結合により発光が生じる。生じた光１７を起点として連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域３５内を光が進行して光強度が増幅される。そして、発光デバイス１６では＋Ｘ方向と−Ｘ方向との両面から光１７が射出される。
【００７０】
図３（ｂ）は、発光モジュールの構造を示す模式平面図である。図３（ｂ）に示すように、第２電極３８には第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１が設置されている。第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は第２電極３８の一部が除去されて凹部となっている。従って、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は第２電極３８の一部となっている。第２電極３８を形成するときに第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を形成することができる。その結果、第２電極３８を形成する工程と、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を形成することができる。
【００７１】
積層基板４１の側面のうち＋Ｘ方向側の側面を側面としての第１側面４１ａとし、−Ｘ方向側の側面を側面としての第２側面４１ｂとする。第１側面４１ａに第１射出部１６ｂが位置し、第２側面４１ｂに第２射出部１６ｃが位置している。そして、Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク１８の＋Ｘ方向側の辺である第１端辺１８ａは第１側面４１ａを含んでいる。同様に、第２素子マーク２１の−Ｘ方向側の辺である第２端辺２１ａは第２側面４１ｂを含んでいる。つまり、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は形状の一部が積層基板４１の側面を含んでいる。
【００７２】
Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク１８の＋Ｘ方向側の第１端辺１８ａは第１側面４１ａと同一線上にある。従って、第１素子マーク１８を見ることにより第１側面４１ａの光１７の光軸１７ａの方向の位置を認識することができる。そして、第１側面４１ａから光が射出されるので、光１７の光軸１７ａの方向で光１７が出る位置を認識することができる。積層基板４１はマザーボードから分割して形成されるので、第１側面４１ａの位置にバラツキが生じる。第１素子マーク１８は第１側面４１ａの位置を示すので、第１側面４１ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク１８を用いて光１７が射出される場所を正確に認識することができる。
【００７３】
第２素子マーク２１においても第２素子マーク２１と第２側面４１ｂとの位置関係が同様の関係となっている。従って、第２素子マーク２１は第２側面４１ｂの位置を示すので、第２側面４１ｂの位置にバラツキが生じても第２素子マーク２１を用いて光１７が射出される場所を正確に認識することができる。
【００７４】
第１素子マーク１８の−Ｙ方向側の辺を第１光軸辺１８ｂとする。第１光軸辺１８ｂは第１素子マーク１８の形状の一部である。第１光軸辺１８ｂは光１７の光軸１７ａと平行となっている。第１光軸辺１８ｂは光１７の光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク１８を用いて光１７の光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。同様に、第２素子マーク２１の＋Ｙ方向側の辺を第２光軸辺２１ｂとする。第２光軸辺２１ｂは第２素子マーク２１の形状の一部である。第２光軸辺２１ｂは光１７の光軸１７ａと平行となっている。第２光軸辺２１ｂは光１７の光軸１７ａの方向を示す為、第２素子マーク２１を用いて光１７の光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【００７５】
積層基板４１には第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１の複数のマークが設置されている。第１素子マーク１８と第２素子マーク２１と光１７の光軸１７ａとの相対位置は予め設定された所定の位置関係となっている。従って、第１素子マーク１８と第２素子マーク２１のマークを結ぶ線の方向から光１７の光軸１７ａの方向を認識することができる。そして、第１素子マーク１８と第２素子マーク２１が離れている程、第１素子マーク１８と第２素子マーク２１を結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、マークが１つのときに比べて精度良く光１７の光軸の方向を認識することができる。
【００７６】
次に、図４〜図６を用いて、製造方法を詳細に説明する。図４〜図６は発光モジュールの製造方法を説明するための模式図である。図４（ａ）に示すように、母材としてのマザーボード４２を用意する。マザーボード４２は複数のベース基板３７を配置可能な大きさを備えた基板である。マザーボード４２の大きさは特に限定されないが、本実施例では例えば、ベース基板３７を３行６列の１８個並べた大きさになっている。
【００７７】
マザーボード４２上に第２クラッド層３６、活性層３４、第１クラッド層３３、及びコンタクト層３２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法等を用いることができる。
【００７８】
図４（ｂ）に示すように、コンタクト層３２上に開口部を有する絶縁層３１を形成する。絶縁層３１は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により形成される。開口部は、例えば、絶縁部をフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によりパターニングし、コンタクト層３２が露出するように形成される。開口部はマザーボード４２を切断する分割線としての切断予定線４３を平面方向に挟んで複数設置される。
【００７９】
次に、露出したコンタクト層３２及び絶縁層３１上に第１電極３０を形成する。次に、マザーボード４２の図中下側の面に第２電極３８を形成する。第１電極３０及び第２電極３８は、例えば、真空蒸着法により形成される。尚、第１電極３０及び第２電極３８の形成順序は、特に限定されない。
【００８０】
図４（ｃ）に示すように、第２電極３８に第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を設置する。第１素子マーク１８と第２素子マーク２１とは繋がった形状となっている。第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は切断予定線４３を挟んで設置される。第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は例えば、絶縁部をフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によりパターニングして形成することができる。切断予定線４３は第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃを通る線となっている。
【００８１】
図５（ａ）に示すように、マザーボード４２の第１電極３０側を樹脂シート４４に接着する。樹脂シート４４は図示しない枠に固定されている。次に、第２電極３８上において切断予定線４３に沿ってスクラビングホイール４５を転動させる。これにより、マザーボード４２には切断予定線４３に沿ってクラック４６が形成される。切断予定線４３は格子状に設定されており、クラック４６も格子状に形成される。
【００８２】
図５（ｂ）に示すように、マザーボード４２の第２電極３８側に張力が作用するようにマザーボード４２に圧力を加える。切断予定線４３にはクラックが形成されているので、切断予定線４３に沿ってマザーボード４２が切断される。そして、マザーボード４２から積層基板４１が形成され、劈開された面が第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂになる。このとき、第１素子マーク１８と第２素子マーク２１とが接合したマークは切断予定線４３を挟んでいるので、分断されて第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１になる。これにより、第１側面４１ａの一部が第１素子マーク１８の形状の一部になり、第２側面４１ｂの一部が第２素子マーク２１の形状の一部になる。そして、切断予定線４３は第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃを通る線となっている。つまり、第１素子マーク１８、第２素子マーク２１、第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃを通る切断予定線４３に沿ってマザーボード４２が分割される。
【００８３】
図５（ｃ）に示すように、積層基板４１の第１電極３０をサブマウント１５に実装する。実装方法ははんだ付けの他、導電性樹脂接着法を用いることができる。以上の工程により、発光デバイス１６が完成する。
【００８４】
図６（ａ）に示すように、例えば切削加工等により、第１凹部１４ｃ及び第２凹部１４ｄを有するベース基板１４を形成する。次に、ベース基板１４に貫通電極２８を形成する。公知の方法により底部１４ａに貫通孔を形成する。次に、貫通孔の内側の側面を覆うように絶縁部材を配置する。絶縁部材は、貫通孔を塞がないように形成される。絶縁部材は、例えばＣＶＤ法等により成膜される。次に、絶縁部材の内側に棒状の端子を挿入する。尚、棒状の端子の周囲に絶縁部材を形成したものを、貫通孔に挿入する方法を用いることもできる。
【００８５】
次に、底部１４ａのＺ方向側の面に第１ベースマーク２２及び第２ベースマーク２３を設置する。第１ベースマーク２２及び第２ベースマーク２３はオフセット印刷やインクジェット法を用いた印刷等各種の方法を用いることができる。
【００８６】
図６（ｂ）に示すように、ロボット等の組立装置４７を用いて発光デバイス１６をベース基板１４の底部１４ａに実装する。ベース基板１４とサブマウント１５との接合には、はんだペーストや導電性樹脂接着等の接合部材５１を用いて接合することができる。組立装置４７はロボットハンド４８、第１撮像装置４９、第２撮像装置５０を備えている。ロボットハンド４８は真空ポンプを備え発光デバイス１６を吸着して把持することができる。第１撮像装置４９及び第２撮像装置５０にはオートフォーカス装置が設置され、離れた場所のマークに対して個別にフォーカスを合わせる事が可能になっている。まず、ベース基板１４においてサブマウント１５を設置する場所に接合部材５１を設置する。接合部材５１の設置には各種の印刷法やシリンジを用いることができる。
【００８７】
次に、組立装置４７はロボットハンド４８に発光デバイス１６を把持させて、接合部材５１と対向する場所に発光デバイス１６を移動させる。次に、組立装置４７は第１撮像装置４９に第１素子マーク１８及び第１ベースマーク２２を撮像させる。組立装置４７は第１素子マーク１８の第１端辺１８ａ及び第１光軸辺１８ｂの位置と向きから第１射出部１６ｂの位置と光１７の光軸１７ａの方向を精度良く認識する。
【００８８】
次に、組立装置４７は第２撮像装置５０に第２素子マーク２１及び第２ベースマーク２３を撮像させる。組立装置４７は第２素子マーク２１の第２端辺２１ａ及び第２光軸辺２１ｂの位置と向きから第２射出部１６ｃの位置と光１７の光軸１７ａの方向を精度良く認識する。
【００８９】
組立装置４７は第１ベースマーク２２及び第２ベースマーク２３より発光デバイス１６を設置する予定の位置を算出する。そして、第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃが設置予定の位置に近い位置になるように組立装置４７はロボットハンド４８を制御して発光デバイス１６をベース基板１４に設置する。従って、ベース基板１４に対して発光デバイス１６はＸ方向及びＹ方向において位置精度良く設置される。
【００９０】
尚、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を結ぶ線の方向から光軸１７ａの方向を認識しても良い。第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１が離れている程、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、精度良く光軸１７ａの方向を認識することができる。
【００９１】
次に、接合部材５１を加熱しサブマウント１５をベース基板１４に固着させる。その結果、図６（ｃ）に示すように、発光デバイス１６がベース基板１４に位置精度よく実装される。
【００９２】
次に、図６（ｄ）に示すように、貫通電極２８と発光デバイス１６の第２電極３８とを接続部材２９により接続する。本工程は、例えばワイヤーボンディング等により行われる。
【００９３】
次に、図６（ｅ）に示すように、第１反射鏡２４を第１凹部１４ｃに押し当てて設置し固定する。同様に、第２反射鏡２５を、第２凹部１４ｄに押し当てて設置し固定する。第１反射鏡２４及び第２反射鏡２５は接着剤を用いて固定してもよい。第１反射鏡２４及び第２反射鏡２５は、例えば、蒸着法等により表面に膜を形成し反射率を高めても良い。尚、貫通電極２８と第２電極３８とを接続する工程と、第１反射鏡２４及び第２反射鏡２５を設置する工程とは、順番を入れ替えても良い。
【００９４】
次に、蓋部２６を、例えば窒素雰囲気中でベース基板１４に接着する。これにより、発光デバイス１６が封止される。以上の工程により、発光モジュール１３が完成する。
【００９５】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃは積層基板４１の側面から光を射出する。積層基板４１の厚み方向から見た平面視で第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１の形状の一部が積層基板４１の第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂを含んでいる。従って、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を見ることにより積層基板４１の第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂの位置を認識することができる。そして、積層基板４１の第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂから光１７が射出されるので、光１７の光軸１７ａの方向で光１７が出る位置を認識することができる。発光デバイス１６はマザーボード４２から分割して形成されるので、発光デバイス１６の第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂの位置にバラツキが生じる。第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は側面の位置を示すので、第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂの位置にバラツキが生じても第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を用いて光１７が発光する場所を正確に認識することができる。
【００９６】
（２）本実施形態によれば、第１素子マーク１８は形状の一部である第１光軸辺１８ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。従って、第１素子マーク１８は光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク１８を用いて光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。同様に、第２素子マーク２１は形状の一部である第２光軸辺２１ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。従って、第２素子マーク２１は光軸１７ａの方向を示す為、第２素子マーク２１を用いて光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【００９７】
（３）本実施形態によれば、発光デバイス１６は活性層３４に電気を送る第２電極３８を備えている。そして、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は第２電極３８の一部となっている。従って、第２電極３８を形成するときに第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を形成することができる。その結果、第２電極３８を形成する工程と、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を形成することができる。
【００９８】
（４）本実施形態によれば、積層基板４１には第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１が設置されている。第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１と光軸１７ａとの相対位置は予め設定された所定の位置関係となっている。従って、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を結ぶ線の方向から光軸１７ａの方向を認識することができる。そして、２つのマークが離れている程、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、マークが１つのときに比べて精度良く光軸１７ａの方向を認識することができる。
【００９９】
（５）本実施形態によれば、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１と第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃとを通る切断予定線４３に沿ってマザーボード４２が分割される。従って、第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃと第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１の一部とが切断予定線４３上に位置する。その結果、切断予定線４３と直交する方向において第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１の位置を用いて第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃの位置を正確に認識することができる。
【０１００】
（６）本実施形態によれば、第１ベースマーク２２、第２ベースマーク２３、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１を用いて、ベース基板１４に発光デバイス１６が設置される。切断予定線４３と直交する方向において第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１の位置を用いることにより、第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃの位置を正確に認識することができる。その結果、ベース基板１４に第１射出部１６ｂ及び第２射出部１６ｃを位置精度良く設置することができる。
【０１０１】
（第２の実施形態）
次に、発光デバイスの一実施形態について図７を用いて説明する。図７（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図７（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図７（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う模式断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第１電極に位置合わせ用のマークが設置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１０２】
すなわち、本実施形態では、図７に示すように、発光デバイス５４は積層基板５５を備え、サブマウント１５上に設置されている。積層基板５５はサブマウント１５側から順に、第２電極５６、ベース基板３７、第２クラッド層３６、活性層３４、第１クラッド層３３、コンタクト層３２、絶縁層３１、電極としての第１電極５７が積層されている。第１電極５７はＹ方向の中程に凸部５７ａが設置され、凸部５７ａはコンタクト層３２と接触している。
【０１０３】
活性層３４において凸部５７ａと対向する場所は光１７を発光する利得領域３５となっている。積層基板５５の＋Ｘ方向側の端面である第１側面５５ａから光１７が射出される。第１側面５５ａにおいて光１７が射出される場所を第１射出部５４ｂとする。第１射出部５４ｂは利得領域３５に位置する。
【０１０４】
第１電極５７にはマークとしての第１素子マーク５８が設置されている。そして、Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク５８の＋Ｘ方向側の辺である第１端辺５８ａは第１側面５５ａを含んでいる。第１素子マーク５８は形状の一部が積層基板５５の側面である第１側面５５ａを含んでいる。
【０１０５】
Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク５８の＋Ｘ方向側の第１端辺５８ａは第１側面５５ａと同一線上にある。従って、第１素子マーク５８を見ることにより第１側面５５ａの光１７の光軸１７ａの方向の位置を認識することができる。そして、第１側面５５ａから光が射出されるので、光１７の光軸１７ａの方向で光１７が出る位置を認識することができる。積層基板５５はマザーボードから分割して形成されるので、第１側面５５ａの位置にバラツキが生じる。第１素子マーク５８は第１側面５５ａの位置を示すので、第１側面５５ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク５８を用いて光１７が射出される場所を正確に認識することができる。
【０１０６】
第１素子マーク５８の−Ｙ方向側の辺を第１光軸辺５８ｂとする。第１光軸辺５８ｂは第１素子マーク５８の形状の一部である。第１光軸辺５８ｂは光１７の光軸１７ａと平行となっている。第１光軸辺５８ｂは光１７の光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク５８を用いて光１７の光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１０７】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、発光デバイス５４は第１素子マーク５８を有し、積層基板５５の厚み方向から見た平面視で第１素子マーク５８の形状の一部が積層基板５５の第１側面５５ａを含んでいる。従って、第１素子マーク５８を見ることにより積層基板５５の第１側面５５ａの位置を認識することができる。第１素子マーク５８は第１側面５５ａの位置を示すので、第１側面５５ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク５８を用いて光１７が射出される第１射出部５４ｂの場所を正確に認識することができる。
【０１０８】
（２）本実施形態によれば、第１素子マーク５８は形状の一部である第１光軸辺５８ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。従って、第１素子マーク５８は光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク５８を用いて光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１０９】
（３）本実施形態によれば、発光デバイス５４は活性層３４に電気を送る第１電極５７を備えている。そして、第１素子マーク５８は第１電極５７の一部となっている。従って、第１電極５７を形成するときに第１素子マーク５８を形成することができる。その結果、第１電極５７を形成する工程と、第１素子マーク５８を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第１素子マーク５８を形成することができる。
【０１１０】
（第３の実施形態）
次に、発光デバイスの一実施形態について図８を用いて説明する。図８（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図８（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う模式断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第２電極の位置合わせマークに対応する凹部がベース基板に設置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１１１】
すなわち、本実施形態では、図８に示すように、発光デバイス６１は積層基板６２を備え、積層基板６２はサブマウント１５上に設置されている。積層基板６２はサブマウント１５側から順に、第１電極３０、絶縁層３１、コンタクト層３２、第１クラッド層３３、活性層３４、第２クラッド層３６、ベース基板６３、電極としての第２電極６４が積層されている。第１電極３０はＹ方向の中程に凸部３０ａが設置され、凸部３０ａはコンタクト層３２と接触している。
【０１１２】
活性層３４において凸部３０ａと対向する場所は光１７を発光する利得領域３５となっている。積層基板６２の＋Ｘ方向側の端面である第１側面６２ａから光１７が射出される。第１側面６２ａにおいて光１７が射出される場所を第１射出部６１ｂとする。
【０１１３】
ベース基板６３にはＺ方向側の面に凹凸としての凹部６３ａが形成されている。凹部６３ａはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第２電極６４には凹部６３ａの形状に凹んだマークとしての第１素子マーク６５が形成されている。第２電極６４は蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ法等により成膜されて形成されている。従って、第１素子マーク６５は凹部６３ａの形状に倣った形状となっている。つまり、第１素子マーク６５はベース基板６３の凹部６３ａにより成り立っている。Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク６５の＋Ｘ方向側の辺である第１端辺６５ａは第１側面６２ａを含んでいる。第１素子マーク６５は形状の一部が積層基板６２の側面である第１側面６２ａを含んでいる。
【０１１４】
Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク６５の＋Ｘ方向側の第１端辺６５ａは第１側面６２ａと同一線上にある。従って、第１素子マーク６５を見ることにより第１側面６２ａの光１７の光軸１７ａの方向の位置を認識することができる。そして、第１側面６２ａから光１７が射出されるので、光１７の光軸１７ａの方向で光１７が出る第１射出部６１ｂの位置を認識することができる。積層基板６２はマザーボードから分割して形成されるので、第１側面６２ａの位置にバラツキが生じる。第１素子マーク６５は第１側面６２ａの位置を示すので、第１側面６２ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク６５を用いて光１７が射出される場所を正確に認識することができる。
【０１１５】
第１素子マーク６５の−Ｙ方向側の辺を第１光軸辺６５ｂとする。第１光軸辺６５ｂは第１素子マーク６５の形状の一部である。第１光軸辺６５ｂは光１７の光軸１７ａと平行となっている。第１光軸辺６５ｂは光１７の光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク６５を用いて光１７の光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１１６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、発光デバイス６１は第１素子マーク６５を有し、積層基板６２の厚み方向から見た平面視で第１素子マーク６５の形状の一部が積層基板６２の第１側面６２ａを含んでいる。従って、第１素子マーク６５を見ることにより積層基板６２の第１側面６２ａの位置を認識することができる。第１素子マーク６５は第１側面６２ａの位置を示すので、第１側面６２ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク６５を用いて光１７が射出される第１射出部６１ｂの場所を正確に認識することができる。
【０１１７】
（２）本実施形態によれば、第１素子マーク６５は形状の一部である第１光軸辺６５ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。従って、第１素子マーク６５は光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク６５を用いて光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１１８】
（３）本実施形態によれば、積層基板６２の基礎となるベース基板６３を備えている。そして、第１素子マーク６５の形状はベース基板６３の凹部６３ａにより成り立っている。ベース基板６３を形成するときに第１素子マーク６５に対応する凹部６３ａを形成することができる。その結果、ベース基板６３を形成する工程と、第１素子マーク６５を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第１素子マーク６５を形成することができる。
【０１１９】
（第４の実施形態）
次に、発光デバイスの一実施形態について図９を用いて説明する。図９（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図９（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図９（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、ベース基板に位置合わせマークに対応する凹部が設置されている点にある。尚、第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２０】
すなわち、本実施形態では、図９に示すように、発光デバイス６８は積層基板６９を備え、積層基板６９はサブマウント１５上に設置されている。積層基板６９はサブマウント１５側から順に、第２電極５６、ベース基板７０、第２クラッド層７１、活性層７２、第１クラッド層７３、コンタクト層７４、絶縁層７５、電極としての第１電極７６が積層されている。第１電極７６はＹ方向の中程に凸部７６ａが設置され、凸部７６ａはコンタクト層７４と接触している。
【０１２１】
活性層７２において凸部７６ａと対向する場所は光１７を発光する利得領域３５となっている。積層基板６９の＋Ｘ方向側の端面である第１側面６９ａから光１７が射出される。第１側面６９ａにおいて光１７が射出される場所を第１射出部６８ｂとする。
【０１２２】
ベース基板７０にはＺ方向側の面に凹凸としての凹部７０ａが形成されている。凹部７０ａのＺ方向側には凹部７０ａと対向する場所に第２クラッド層７１が凹んだ凹部７１ａが形成されている。さらに、凹部７１ａのＺ方向側には凹部７１ａと対向する場所に活性層７２が凹んだ凹部７２ａが形成されている。さらに、凹部７２ａのＺ方向側には凹部７２ａと対向する場所に第１クラッド層７３が凹んだ凹部７３ａが形成されている。さらに、凹部７３ａのＺ方向側には凹部７３ａと対向する場所にコンタクト層７４が凹んだ凹部７４ａが形成されている。さらに、凹部７４ａのＺ方向側には凹部７４ａと対向する場所に絶縁層７５が凹んだ凹部７５ａが形成されている。さらに、凹部７５ａのＺ方向側には凹部７５ａと対向する場所に第１電極７６が凹んだマークとしての第１素子マーク７７が形成されている。
【０１２３】
凹部７０ａはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第２クラッド層７１、活性層７２、第１クラッド層７３、コンタクト層７４、絶縁層７５、第１電極７６は蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ法等により成膜されて形成されている。従って、第１素子マーク７７は凹部７０ａの形状に倣った形状となっている。つまり、第１素子マーク７７はベース基板７０の凹部７０ａにより成り立っている。Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク７７の＋Ｘ方向側の辺である第１端辺７７ａは第１側面６９ａを含んでいる。第１素子マーク７７は形状の一部が積層基板６９の側面である第１側面６９ａを含んでいる。
【０１２４】
Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク７７の＋Ｘ方向側の第１端辺７７ａは第１側面６９ａと同一線上にある。従って、第１素子マーク７７を見ることにより第１側面６９ａの光１７の光軸１７ａの方向の位置を認識することができる。そして、第１側面６９ａから光が射出されるので、光１７の光軸１７ａの方向で光１７が出る第１射出部６８ｂの位置を認識することができる。積層基板６９はマザーボードから分割して形成されるので、第１側面６９ａの位置にバラツキが生じる。第１素子マーク７７は第１側面６９ａの位置を示すので、第１側面６９ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク７７を用いて光１７が射出される場所を正確に認識することができる。
【０１２５】
第１素子マーク７７の−Ｙ方向側の辺を第１光軸辺７７ｂとする。第１光軸辺７７ｂは第１素子マーク７７の形状の一部である。第１光軸辺７７ｂは光１７の光軸１７ａと平行となっている。第１光軸辺７７ｂは光１７の光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク７７を用いて光１７の光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１２６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、発光デバイス６８は第１素子マーク７７を有し、積層基板６９の厚み方向から見た平面視で第１素子マーク７７の形状の一部が積層基板６９の第１側面６９ａを含んでいる。従って、第１素子マーク７７を見ることにより積層基板６９の第１側面６９ａの位置を認識することができる。第１素子マーク７７は第１側面６９ａの位置を示すので、第１側面６９ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク７７を用いて光１７が射出される第１射出部６８ｂの場所を正確に認識することができる。
【０１２７】
（２）本実施形態によれば、第１素子マーク７７は形状の一部である第１光軸辺７７ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。従って、第１素子マーク７７は光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク７７を用いて光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１２８】
（３）本実施形態によれば、積層基板６２は基礎となるベース基板７０を備えている。そして、第１素子マーク７７の形状はベース基板７０の凹部７０ａにより成り立っている。ベース基板７０を形成するときに第１素子マーク７７に対応する凹部７０ａを形成することができる。その結果、ベース基板７０を形成する工程と、第１素子マーク７７を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第１素子マーク７７を形成することができる。
【０１２９】
（第５の実施形態）
次に、発光デバイスの一実施形態について図１０を用いて説明する。図１０（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図１０（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図１０（ａ）のＦ−Ｆ線に沿う模式断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、絶縁層に位置合わせマークに対応する凹部が設置されている点にある。尚、第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１３０】
すなわち、本実施形態では、図１０に示すように、発光デバイス８０は積層基板８１を備え、積層基板８１はサブマウント１５上に設置されている。積層基板８１はサブマウント１５側から順に、第２電極５６、ベース基板３７、第２クラッド層３６、活性層３４、第１クラッド層３３、コンタクト層３２、絶縁層８２、第１電極７６が積層されている。第１電極７６はＹ方向の中程に凸部７６ａが設置され、凸部７６ａはコンタクト層３２と接触している。
【０１３１】
活性層３４において凸部７６ａと対向する場所は光１７を発光する利得領域３５となっている。積層基板８１の＋Ｘ方向側の端面である第１側面８１ａから光１７が射出される。第１側面８１ａにおいて光１７が射出される場所を第１射出部８０ｂとする。
【０１３２】
絶縁層８２にはＺ方向側の面に凹部８２ａが形成されている。凹部８２ａのＺ方向側には凹部８２ａと対向する場所に第１電極７６が凹んだマークとしての第１素子マーク８３が形成されている。
【０１３３】
凹部８２ａはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第１電極７６は蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ法等により成膜されて形成されている。従って、第１素子マーク８３は凹部８２ａの形状に倣った形状となっている。つまり、第１素子マーク８３は絶縁層８２の凹部８２ａにより成り立っている。
【０１３４】
第１電極７６には第１素子マーク８３が設置されている。そして、Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク８３の＋Ｘ方向側の辺である第１端辺８３ａは第１側面８１ａを含んでいる。従って、第１素子マーク８３は形状の一部が積層基板８１の側面である第１側面８１ａを含んでいる。
【０１３５】
Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク８３の＋Ｘ方向側の第１端辺８３ａは第１側面８１ａと同一線上にある。従って、第１素子マーク８３を見ることにより第１側面８１ａの光１７の光軸１７ａの方向の位置を認識することができる。そして、第１側面８１ａから光が射出されるので、光１７の光軸１７ａの方向で光１７が出る第１射出部８０ｂの位置を認識することができる。積層基板８１はマザーボードから分割して形成されるので、第１側面８１ａの位置にバラツキが生じる。第１素子マーク８３は第１側面８１ａの位置を示すので、第１側面８１ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク８３を用いて光１７が射出される場所を正確に認識することができる。
【０１３６】
第１素子マーク８３の−Ｙ方向側の辺を第１光軸辺８３ｂとする。第１光軸辺８３ｂは第１素子マーク８３の形状の一部である。第１光軸辺８３ｂは光１７の光軸１７ａと平行となっている。第１光軸辺８３ｂは光１７の光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク８３を用いて光１７の光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１３７】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、発光デバイス８０は第１素子マーク８３を有し、積層基板８１の厚み方向から見た平面視で第１素子マーク８３の形状の一部が積層基板８１の第１側面８１ａを含んでいる。従って、第１素子マーク８３を見ることにより積層基板８１の第１側面８１ａの位置を認識することができる。第１素子マーク８３は第１側面８１ａの位置を示すので、第１側面８１ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク８３を用いて光１７が射出される第１射出部８０ｂの場所を正確に認識することができる。
【０１３８】
（２）本実施形態によれば、第１素子マーク８３は形状の一部である第１光軸辺８３ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。従って、第１素子マーク８３は光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク８３を用いて光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１３９】
（３）本実施形態によれば、発光デバイス８０は活性層３４に電気を送る第１電極７６を備えている。そして、第１素子マーク８３の形状は絶縁層８２の凹部８２ａにより成り立っている。絶縁層８２を形成するときに第１素子マーク８３に対応する凹部８２ａを形成することができる。その結果、絶縁層８２を形成する工程と、第１素子マーク８３を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第１素子マーク８３を形成することができる。
【０１４０】
（第６の実施形態）
次に、発光デバイスの一実施形態について図１１を用いて説明する。図１１（ａ）は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図１１（ｂ）は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図１１（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う模式断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、活性層に位置合わせマークに対応する凹部が設置されている点にある。尚、第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１４１】
すなわち、本実施形態では、図１１に示すように、発光デバイス８６は積層基板８７を備え、積層基板８７はサブマウント１５上に設置されている。積層基板８７はサブマウント１５側から順に、第２電極５６、ベース基板３７、第２クラッド層３６、発光層としての活性層８８、第１クラッド層７３、コンタクト層７４、絶縁層７５、第１電極７６が積層されている。第１電極７６はＹ方向の中程に凸部７６ａが設置され、凸部７６ａはコンタクト層７４と接触している。
【０１４２】
活性層８８において凸部７６ａと対向する場所は光１７を発光する利得領域３５となっている。積層基板８７の＋Ｘ方向側の端面である第１側面８７ａから光１７が射出される。第１側面８７ａにおいて光１７が射出される場所を第１射出部８６ｂとする。
【０１４３】
活性層８８には凹凸としての孔部８８ａが形成されている。孔部８８ａのＺ方向側には孔部８８ａと対向する場所に第１クラッド層７３が凹んだ凹部７３ａが形成されている。さらに、凹部７３ａのＺ方向側には凹部７３ａと対向する場所にコンタクト層７４が凹んだ凹部７４ａが形成されている。さらに、凹部７４ａのＺ方向側には凹部７４ａと対向する場所に絶縁層７５が凹んだ凹部７５ａが形成されている。さらに、凹部７５ａのＺ方向側には凹部７５ａと対向する場所に第１電極７６が凹んだマークとしての第１素子マーク８９が形成されている。
【０１４４】
孔部８８ａはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第１クラッド層７３、コンタクト層７４、絶縁層７５、第１電極７６は蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ法等により成膜されて形成されている。従って、第１素子マーク８９は孔部８８ａの形状に倣った形状となっている。つまり、第１素子マーク８９は活性層８８の孔部８８ａにより成り立っている。Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク８９の＋Ｘ方向側の辺である第１端辺８９ａは第１側面８７ａを含んでいる。第１素子マーク８９は形状の一部が積層基板８７の側面である第１側面８７ａを含んでいる。
【０１４５】
Ｚ方向から見た平面形状において第１素子マーク８９の＋Ｘ方向側の第１端辺８９ａは第１側面８７ａと同一線上にある。従って、第１素子マーク８９を見ることにより第１側面８７ａの光１７の光軸１７ａの方向の位置を認識することができる。そして、第１側面８７ａから光が射出されるので、光１７の光軸１７ａの方向で光１７が出る第１射出部８６ｂの位置を認識することができる。積層基板８７はマザーボードから分割して形成されるので、第１側面８７ａの位置にバラツキが生じる。第１素子マーク８９は第１側面８７ａの位置を示すので、第１側面８７ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク８９を用いて光１７が射出される場所を正確に認識することができる。
【０１４６】
第１素子マーク８９の−Ｙ方向側の辺を第１光軸辺８９ｂとする。第１光軸辺８９ｂは第１素子マーク８９の形状の一部である。第１光軸辺８９ｂは光１７の光軸１７ａと平行となっている。第１光軸辺８９ｂは光１７の光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク８９を用いて光１７の光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１４７】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、発光デバイス８６は第１素子マーク８９を有し、積層基板８７の厚み方向から見た平面視で第１素子マーク８９の形状の一部が積層基板８７の第１側面８７ａを含んでいる。従って、第１素子マーク８９を見ることにより積層基板８７の第１側面８７ａの位置を認識することができる。第１素子マーク８９は第１側面８７ａの位置を示すので、第１側面８７ａの位置にバラツキが生じても第１素子マーク８９を用いて光１７が射出される第１射出部８６ｂの場所を正確に認識することができる。
【０１４８】
（２）本実施形態によれば、第１素子マーク８９は形状の一部である第１光軸辺８９ｂが光１７の光軸１７ａと平行となっている。従って、第１素子マーク８９は光軸１７ａの方向を示す為、第１素子マーク８９を用いて光軸１７ａの方向を正確に認識することができる。
【０１４９】
（３）本実施形態によれば、積層基板８７は活性層８８を備えている。そして、第１素子マーク８９の形状は活性層８８の孔部８８ａにより成り立っている。活性層８８を形成するときに第１素子マーク８９に対応する孔部８８ａを形成することができる。その結果、活性層８８を形成する工程と、第１素子マーク８９を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第１素子マーク８９を形成することができる。
【０１５０】
（第７の実施形態）
次に、発光デバイスが設置された通信装置の一実施形態について図１２を用いて説明する。図１２（ａ）は、通信装置の構造を示す模式平面図であり、図１２（ｂ）は、通信装置の構造を示す模式側面図である。本実施形態の通信装置には上記に記載された発光デバイスが設置されている。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１５１】
すなわち、本実施形態では、図１２に示すように、通信機器としての通信装置９１はベース基板９２を備えている。ベース基板９２は板状であり、平面形状が長方形となっている。長方形の長手方向をＸ方向とし、平面上でＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。ベース基板９２の厚み方向をＺ方向とする。
【０１５２】
ベース基板９２の中程には支持板９３が設置され、支持板９３上に発光デバイス９４が設置されている。発光デバイス９４には、上記に記載の発光デバイス１６、５４、６１、６８、８０、８６の何れかが用いられている。発光デバイス９４において＋Ｘ方向側の面を第１側面９４ａとし、−Ｘ方向側の面を第２側面９４ｂとする。第１側面９４ａには射出部としての第１射出部９４ｃが設けられ、第２側面９４ｂには射出部としての第２射出部９４ｄが設けられている。第１射出部９４ｃ及び第２射出部９４ｄからは光１７が射出される。
【０１５３】
発光デバイス９４の＋Ｘ方向側にはマークとしての第１素子マーク９５が設置され、−Ｘ方向側にはマークとしての第２素子マーク９６が設置されている。Ｚ方向から見た平面視で第１素子マーク９５は形状の一部が第１側面９４ａを含んでおり、第２素子マーク９６は形状の一部が第２側面９４ｂを含んでいる。
【０１５４】
ベース基板９２には第１素子マーク９５の＋Ｘ方向に第１ベースマーク９２ａが設置され、第２素子マーク９６の−Ｘ方向に第２ベースマーク９２ｂが設置されている。ベース基板９２と発光デバイス９４との位置合わせには第１素子マーク９５、第２素子マーク９６、第１ベースマーク９２ａ及び第２ベースマーク９２ｂが用いられている。
【０１５５】
光１７の光軸１７ａ上において、発光デバイス９４の＋Ｘ方向側には、第１凸レンズ９７、光学フィルター９８、コネクター９９が設置され、コネクター９９には光ファイバー１００が設置されている。発光デバイス９４の第１射出部９４ｃから射出された光１７は第１凸レンズ９７を通過して集光される。光１７は次に光学フィルター９８を通過し光ファイバー１００に入射し、光ファイバー１００内を進行する。
【０１５６】
発光デバイス９４の−Ｘ方向側にはコリメートレンズ１０１及び反射鏡１０２が設置されている。そして、発光デバイス９４の第２射出部９４ｄから射出された光１７はコリメートレンズ１０１を通過して平行光になる。光１７は次に、反射鏡１０２にて反射しコリメートレンズ１０１を通過して集光される。集光された光１７は発光デバイス９４に入射し発光デバイス９４を通過して第１射出部９４ｃから射出される。
【０１５７】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ベース基板９２には発光デバイス９４と光ファイバー１００とが設置されている。発光デバイス９４が射出した光１７は光ファイバー１００に入光する。第１素子マーク９５、第２素子マーク９６、第１ベースマーク９２ａ及び第２ベースマーク９２ｂを用いることにより発光デバイス９４は光１７を発光する場所を位置精度良くベース基板９２に設置することができる。従って、光ファイバー１００と発光デバイス９４とを合わせる位置合わせを容易に行うことができる。その結果、通信装置９１は位置合わせが容易な発光デバイス９４を備えた通信機器とすることができる。
【０１５８】
（比較例）
図１３は比較例における基板の分断方法を説明する為の要部拡大模式図である。マザーボード４２には利得領域３５と直交して切断予定線４３が設定されている。そして、マザーボード４２には位置合わせ用のマーク１０５が設置されている。切断予定線４３に沿って切断したときの側面が第１側面１０６になったときマーク１０５と第１側面１０６との距離を第１距離１０６ａとする。このとき、光１７は射出部１０６ｂから射出される。
【０１５９】
別の機会において、切断予定線４３に沿って切断したときの側面が第２側面１０７になったときマーク１０５と第２側面１０７との距離を第２距離１０７ａとする。このとき、光１７は射出部１０７ｂから射出される。光１７を射出する射出部は第１側面１０６または第２側面１０７に位置するので、光軸１７ａの方向においてマーク１０５から射出部までの距離は第１距離１０６ａまたは第２距離１０７ａになる。従って、マーク１０５から射出部までの距離は切断により形成された側面の位置に影響されることになる。第１の実施形態〜第６の実施形態ではマークが側面まで達している。従って、マークから射出部までの距離は切断により影響されない為、マークを用いて精度良く射出部の位置合わせをすることができる。
【０１６０】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１が凹んだ形状となっていたが、突出する形状でも良い。第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１は凹凸の形状でも良い。このときにもＺ方向から見て第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１の形状を確認することができる。この内容は、前記第２の実施形態の第１素子マーク５８、前記第３の実施形態における第１素子マーク６５、前記第４の実施形態における第１素子マーク７７、前記第５の実施形態における第１素子マーク８３、前記第６の実施形態における第１素子マーク８９にも適用することができる。
【０１６１】
前記第３の実施形態では、ベース基板６３に凹部６３ａを形成した。ベース基板６３には凸部を形成してもよく、凹凸部を形成しても良い。何れのときにも第２電極６４に第１素子マーク６５を形成することができる。前記第４の実施形態においても、ベース基板７０に凹部７０ａを形成した。ベース基板７０には凸部を形成してもよく、凹凸部を形成しても良い。何れのときにも第１電極７６に第１素子マーク７７を形成することができる。
【０１６２】
同様に、前記第４の実施形態ではベース基板７０の凹部７０ａを突出する形状や凹凸の形状にしても良い。前記第５の実施形態では絶縁層８２の凹部８２ａを突出する形状や凹凸の形状にしても良い。前記第６の実施形態では第２クラッド層３６、活性層８８、第１クラッド層７３の何れかを突出する形状や凹凸の形状にしても良い。このときにもＺ方向から見てマークの形状を確認することができる。製造し易い形態にしても良い。
【０１６３】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、光軸１７ａが第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂと直交した。光軸１７ａは第１側面４１ａ及び第２側面４１ｂと斜めに交差しても良い。このときにも第１光軸辺１８ｂ及び第２光軸辺２１ｂを光軸１７ａと平行にする。これにより、第１素子マーク１８を用いて第１射出部１６ｂの位置と光軸１７ａとを認識することができる。同様に、第２素子マーク２１を用いて第２射出部１６ｃの位置と光軸１７ａとを認識することができる。この内容は、前記第２の実施形態〜前記第６の実施形態にも適用することができる。
【０１６４】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、発光デバイス１６に第１素子マーク１８及び第２素子マーク２１の２つのマークが設置された。１つのマークでもベース基板１４に対して発光デバイス１６の位置を合わせることができるときには第１素子マーク１８または第２素子マーク２１の一方のマークのみ設置し他方を省略しても良い。マークを減らすことにより生産性良く発光デバイス１６を製造することができる。この内容は、前記第２の実施形態〜前記第６の実施形態にも適用することができる。
【０１６５】
（変形例４）
前記第６の実施形態では、活性層８８に孔部８８ａを形成した。活性層８８には凹部、凸部、凹凸部を形成してもよい。他にも、活性層８８以外にも第２クラッド層３６または第１クラッド層７３に凹部、凸部、凹凸部を形成してもよい。このときにも、第１電極７６に第１素子マーク８９を形成することができる。
【符号の説明】
【０１６６】
１…プロジェクター、６…光変調装置としての液晶ライトバルブ、７ｂ…レンズとしてのフィールドレンズ、８…発光デバイスとしての赤色光源、９…発光デバイスとしての緑色光源、１０…発光デバイスとしての青色光源、１１…投射装置としての投射レンズ、１４，６３，７０，９２…ベース基板、１６ｂ，９４ｃ…射出部としての第１射出部、１６ｃ，９４ｄ…射出部としての第２射出部、１６，５４，６１，６８，８０，８６，９４…発光デバイス、１７…光、１７ａ…光軸、１８…第２マーク及びマークとしての第１素子マーク、２１…第２マーク及びマークとしての第２素子マーク、２２…第１マークとしての第１ベースマーク、２３…第１マークとしての第２ベースマーク、３８，６４…電極としての第２電極、４１…基板としての積層基板、４１ａ…側面としての第１側面、４１ｂ…側面としての第２側面、４２…母材としてのマザーボード、４３…分割線としての切断予定線、５７，７６…電極としての第１電極、５８，６５，７７，８３，８９，９５…マークとしての第１素子マーク、６３ａ，７０ａ…凹凸としての凹部、７５…絶縁層、８８…発光層としての活性層、８８ａ…凹凸としての孔部、９１…通信機器としての通信装置、９６…マークとしての第２素子マーク、１００…光ファイバー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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