(57)【要約】      （修正有）【課題】２００℃以上の高温領域でも使用可能な積層セラミックコンデンサの提供。【解決手段】一般式が（Ｃａ１−ａＳｒａ）ｘ（Ｔｉ１−ｂＺｒｂ）ｙ（Ｓｉ１−ｃＧｅｃ）ｚＯ５で示され、ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０．９≦ｘ≦１．１、０．９≦ｙ≦１．１、０．９≦ｚ≦１．１、０．０５≦ａ≦０．８、０．０５≦ｂ≦０．８、０．０５≦ｃ≦０．８である誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体組成物であり、ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折パターンおいて、２θが３２°から３４°の範囲に現れる、酸素八面体のＴｉの中心位置づけを示すピークの強度が、ＣａＴｉＳｉＯ５型構造のメインピークの強度に対して、０．１％以下である誘電体組成物。【選択図】図１
2015180589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分が、一般式（Ｃａ１−ａＳｒａ）ｘ（Ｔｉ１−ｂＺｒｂ）ｙ（Ｓｉ１−ｃＧｅｃ）ｚＯ５で示され、ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０．９≦ｘ≦１．１、０．９≦ｙ≦１．１、０．９≦ｚ≦１．１、０．０５≦ａ≦０．８、０．０５≦ｂ≦０．８、０．０５≦ｃ≦０．８である誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体組成物であり、
ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折パターンおいて、２θが３２°から３４°の範囲に現れる、酸素八面体のＴｉの中心位置づけを示すピークの強度が、ＣａＴｉＳｉＯ５型構造のメインピークの強度に対して、０．１％以下である、誘電体組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の誘電体組成物からなる誘電体層を有する電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物に関するものであり、特に車載用のような高温領域で使用される電子部品に関するものである
【背景技術】
【０００２】
例えば、積層セラミックコンデンサはその信頼性の高さやコストの安さから、多くの電子機器に用いられている。その中で、１２５℃や１５０℃などの高温での動作を保証しているものがあり、主に車載用で使用されている。近年、車載用で用いられる電子機器に対してさらなる高温保証が要求される傾向がある。そのため、２００℃以上という高温領域でも使用可能な積層セラミックコンデンサが必要とされる。
【０００３】
このような高温で動作保証する誘電体組成物は、静電容量の温度に対する変化（容量変化率）が小さく、比抵抗が低下しない特性であることが望ましい。
また高温環境下における、耐圧が低下しないために、内部電極間を厚くする傾向があるが、積層セラミックコンデンサの高容量化には、厚みに依存しない誘電体組成物が求められている。
すなわち、高温で動作保証する積層セラミックコンデンサの誘電体組成物は、容量変化率が小さく、比抵抗および比誘電率が高いことが必要である。
【０００４】
容量変化率が小さい誘電体としては、特許文献１に（（ＣａｘＳｒ１−ｘ）Ｏ）ｍ（（ＴｉｙＺｒ１−ｙ）Ｏ２）、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１０、０．７５≦ｍ≦１．０４の磁器組成物が開示されている。
【０００５】
しかしながら、前記磁器組成物は、比誘電率が２９〜４５程度と低く、所望の容量を得ることができないという問題があった。
【０００６】
また、特許文献２には、ＣａＯ、ＴｉＯ２、及びＳｉＯ２の３成分組成において、ＴｉＯ２の一部がＳｎＯ２，ＭｎＯ２，及びＺｒＯ２からなる群から選択される１種あるいは２種以上の成分により置換されている組成を備える、磁器組成物が開示されている。
【０００７】
しかし、前記磁器組成物は、ミリ波周波数帯域での大きな誘電正接（ｔａｎδ）を有する誘電体材料に関するものであり、高温環境下における誘電特性について、何ら開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−３３５１６９号公報
【特許文献２】特開２００２−２９３６１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温環境下において、容量変化率が小さく、比誘電率や比抵抗が高い誘電体組成物および電子部品を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するためには、本発明に係る誘電体組成物は、一般式が（Ｃａ１−ａＳｒａ）ｘ（Ｔｉ１−ｂＺｒｂ）ｙ（Ｓｉ１−ｃＧｅｃ）ｚＯ５で示され、ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０．９≦ｘ≦１．１、０．９≦ｙ≦１．１、０．９≦ｚ≦１．１、０．０５≦ａ≦０．８、０．０５≦ｂ≦０．８、０．０５≦ｃ≦０．８である誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体組成物であり、ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折パターンにおいて、２θが３２°から３４°の範囲に現れる、酸素八面体のＴｉの中心位置づけを示すピークの強度が、ＣａＴｉＳｉＯ５型構造のメインピークの強度に対して、０．１％以下の誘電体組成物である。
【００１１】
前記誘電体組成物のＸ線回折スペクトルにおいて、２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であれば静電容量の温度に対する変化率（容量変化率）が小さく、絶縁抵抗が高く、耐圧に優れていることを有する誘電体組成物を提供できる。
【００１２】
本発明のＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折パターンは、焼成後の誘電体層を粉末化し、粉末Ｘ線（Ｃｕ−Ｋα線）回折装置により、下記の条件で測定し、Ｘ線回折スペクトルを得た。Ｘ線発生条件は、出力：４５ｋＶ−４０ｍＡ、スキャン幅：０．２°／分とした。Ｘ線検出条件は、平行スリット：１．０°、発散スリット：１．０°、受講スリット：０．３０ｍｍとした。得られたＸ線回折スペクトルの一例を図２に示す。得られたＸ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の酸素八面体のＴｉの中心位置づけを示すピークの強度が、ＣａＴｉＳｉＯ５型構造のメインピークの強度に対する比率を算出し、ピーク強度比率として測定している。ここで、メインピークとは２θが２５°から３０°の範囲にある、面指数（００２）面のピークを指す。
【００１３】
本発明の誘電体組成物は、ＣａＴｉＳｉＯ５型構造を有し、結晶中に存在するＴｉイオンはＯイオンに囲まれて酸素八面体構造を取っており、Ｔｉイオンはその中心に位置する。
Ｘ線回折スペクトルにおいて、２θが３２°から３４°の範囲にピークが存在する場合、Ｔｉイオンが酸素八面体の中心からずれていることを意味しており、自発分極を有することになる。そのため、この自発分極は温度変化により分極量が変化するために、容量変化率を悪化させる要因となる。
【００１４】
しかし、前記２θが３２°から３４°の範囲に存在するピークの強度が、ＣａＴｉＳｉＯ５型構造のメインピークの強度に対して０．１％以下の場合、Ｔｉイオンが酸素八面体の中心に位置し、自発分極を持たないため、容量変化率を小さくすることができる。
すなわち、本発明に係る誘電体組成物において、ＳｒをＣａに置換することで酸素八面体の体積を増加させることで比誘電率が高くなる。
また、Ｔｉをよりイオン半径の大きなＺｒに置換することで酸素八面体中のＺｒイオンが酸素八面体の中心に位置することで自発分極を有さなくなり、容量変化率が小さくなる。
また、Ｓｉをよりイオン半径の大きなＧｅに置換することで、Ｓｉの四面体の体積を大きくなることで、隣接するＴｉの酸素八面体の体積を抑制して、Ｔｉイオンが酸素八面体の中心に位置することで自発分極を有さなくなり容量変化率が小さくなっている。
【００１５】
本発明に係る誘電体組成物からなる誘電体層を有する電子部品の用途は特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップバリスタ、チップサーミスタ、薄膜コンデンサなどに有用である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る誘電体組成物は、容量変化率が小さく、比誘電率や比抵抗が高いため、高温領域で使用可能な誘電体組成物および電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図。
【図２】実施例１および比較例１の誘電体組成物の回折角２θ＝２６°〜３４°でのＸ線回折チャート。
【図３】実施例１および比較例１の誘電体組成物の回折角２θ＝３２°〜３４°でのＸ線回折チャート。
【図４】実施例２および比較例１の誘電体組成物の２５℃から２５０℃での容量変化率のグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
積層セラミックコンデンサを例示し説明する。図１には、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す。積層セラミックコンデンサ１は誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００２０】
誘電体層２の厚みは、特に限定されず、積層セラミックコンデンサ１の用途に応じて適宜決定すれば良い。
【００２１】
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｄ−Ａｇ合金、ＣｕまたはＣｕ系合金が好ましい。なお、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｄ−Ａｇ合金、ＣｕまたはＣｕ系合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層３は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層３の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
【００２２】
誘電体層２は、主成分が、一般式が（Ｃａ１−ａＳｒａ）ｘ（Ｔｉ１−ｂＺｒｂ）ｙ（Ｓｉ１−ｃＧｅｃ）ｚＯ５で示され、ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０．９≦ｘ≦１．１、０．９≦ｙ≦１．１、０．９≦ｚ≦１．１、０．０５≦ａ≦０．８、０．０５≦ｂ≦０．８、０．０５≦ｃ≦０．８である誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体組成物であり、
ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折パターンおいて、２θが３２°から３４°の範囲に現れる、酸素八面体のＴｉの中心位置づけを示すピークの強度が、ＣａＴｉＳｉＯ５型構造のメインピークの強度に対して、０．１％以下であることを特徴とする。
【００２３】
一般式（Ｃａ１−ａＳｒａ）ｘ（Ｔｉ１−ｂＺｒｂ）ｙ（Ｓｉ１−ｃＧｅｃ）ｚＯ５で表され、ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０．９≦ｘ≦１．１、０．９≦ｙ≦１．１、０．９≦ｚ≦１．１、０．０５≦ａ≦０．８、０．０５≦ｂ≦０．８、０．０５≦ｃ≦０．８であり、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であれば容量変化率が小さく、比抵抗が高く、耐圧に優れていることを有する誘電体組成物を用いた積層セラミックコンデンサを得ることができる。好ましくは、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０．１≦ａ≦０．７５、０．１≦ｂ≦０．７５、０．１≦ｃ≦０．７５である。
【００２４】
次に、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例を説明する。
【００２５】
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００２６】
まず、一般式（Ｃａ１−ａＳｒａ）ｘ（Ｔｉ１−ｂＺｒｂ）ｙ（Ｓｉ１−ｃＧｅｃ）ｚＯ５が所望の割合となるように原料を用意し、混合し、８００℃以上で熱処理（仮焼成）を実施し、仮焼粉を得ることができる。
【００２７】
原料には、Ｃａや、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｇｅを主として構成する酸化物やその混合物を原料粉として用いることができる。さらには、焼成により上述した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。具体的には、Ｃａの原料としてＣａＯを用いてもよいし、ＣａＣＯ３を用いてもよい。
【００２８】
副成分の原料としては、副成分の酸化物やその混合物を原料粉として用いることができる。さらには、焼成により上述した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。具体的には、Ｍｇの原料としてＭｇＯ用いても良いし、ＭｇＣＯ３を用いても良い。
【００２９】
この主成分の仮焼粉と副成分の原料粉を混合し、乾燥することにより、誘電体組成物原料を準備する。また、主成分の仮焼粉と副成分の原料粉の混合は、後述する塗料化の際に行っても良い。
【００３０】
この誘電体組成物原料を塗料化して、誘電体層用ペーストを調製する。誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００３１】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００３２】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、たとえば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００３３】
内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００３４】
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００３５】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、たとえば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００３６】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に印刷、積層し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００３７】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００３８】
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０〜５００℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元雰囲気とする。
【００３９】
また、焼成時の保持温度は、好ましくは１０００〜１４００℃、より好ましくは１１００〜１３６０℃である。保持温度が上記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量変化率の悪化が生じやすくなる。
【００４０】
これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。
【００４１】
上記した脱バインダ処理において、Ｎ２  ガスや混合ガス等を加湿するには、たとえばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。また、脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
【００４２】
上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼成し、外部電極４を形成する。そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００４５】
原料として、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＧｅＯ２の各粉末を用意した。
【００４６】
これらを組成が表１となるように秤量して、ボールミルにて湿式混合した後、乾燥して各混合粉を得た。そして、これらの混合粉を８００〜１０００℃、昇温速度を３００〜６００℃／ｈで仮焼し、仮焼粉を得た。
【００４７】
得られた仮焼粉：１００重量部と、ポリビニルブチラール樹脂：１０重量部と、可塑剤としてのジブチルフタレート（ＤＯＰ）：５重量部と、溶媒としてのアルコール：１００重量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを作製した。
【００４８】
また、上記とは別に、Ｐｄ粒子：４４．６重量部と、テルピネオール：５２重量部と、エチルセルロース：３重量部と、ベンゾトリアゾール：０．４重量部とを、３本ロールにより混練し、スラリー化して内部電極層用ペーストを作製した。
【００４９】
そして、作製した誘電体層用ペーストを用いて、ＰＥＴフィルム上に、乾燥後の厚みが７μｍとなるようにグリーンシートを形成した。次いで、この上に内部電極層用ペーストを用いて、内部電極層を所定パターンで印刷した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離し、内部電極層を有するグリーンシートを作製した。次いで、内部電極層を有するグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することによりグリーン積層体とし、このグリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。
【００５０】
次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理（昇温速度：１０℃／時間、保持温度：４００℃、温度保持時間：８時間、雰囲気：空気中）で行い、焼成（昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１２００〜１３００℃、温度保持時間：２時間、冷却速度：２００℃／時間、雰囲気：空気中）で行い積層セラミック焼成体を得た。
【００５１】
次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてＩｎ−Ｇａ共晶合金を塗布し、図１に示す積層セラミックコンデンサと同形状の実施例１から１５及び比較例１から１２の積層セラミックコンデンサを得た。
【００５２】
得られた積層セラミックコンデンサのサイズは、いずれも３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．２ｍｍであり、誘電体層の厚み５．０μｍ、内部電極層の厚み１．５μｍ、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は１０とした。
【００５３】
得られた実施例１から１５及び比較例１から１２の積層セラミックコンデンサについて、比誘電率（εｓ）、温度に対する静電容量の変化（容量変化率）、比抵抗を下記に示す方法により測定した。
【００５４】
［比誘電率（εｓ）］
積層セラミックコンデンサに対し、２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２８４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力し、静電容量Ｃを測定した。そして、比誘電率εｓ（単位なし）を、誘電体層の厚みと、有効電極面積と、測定の結果得られた静電容量Ｃとに基づき算出した。結果を表１に示す。比誘電率は高いほうが好ましく、５５以上を良好であると判断した。
【００５５】
［容量温度特性］
コンデンサ試料に対し、２５０℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２８４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの条件で静電容量を測定し、基準温度２５℃における静電容量に対する変化率（容量変化率）を算出した。変化率の絶対値は低いほうが好ましく、±３％以内を良好であると判断した。
【００５６】
［比抵抗］
コンデンサ試料に対し、２５０℃において、デジタル抵抗メータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製Ｒ８３４０）にて、測定電圧２０Ｖ、測定時間６０秒の条件で絶縁抵抗を測定した。コンデンサ試料の電極面積および誘電体厚みから比抵抗の値を算出した。比抵抗は高いほうが好ましく２×１０１１Ωｃｍ以上を良好であると判断した。比抵抗が低いとコンデンサとしては漏れ電流が大きくなり、電気回路において誤動作を起こしてしまう。
【００５７】
［Ｘ線回折］
焼成後の誘電体層を粉末化し、粉末Ｘ線（Ｃｕ−Ｋα線）回折装置（ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製Ｘ‘Ｐｅｒｔ  Ｐｒｏ）により、下記の条件で測定し、Ｘ線回折スペクトルを得た。Ｘ線発生条件は、出力：４５ｋＶ−４０ｍＡ、スキャン幅：０．２°／分とした。Ｘ線検出条件は、平行スリット：１．０°、発散スリット：１．０°、受講スリット：０．３０ｍｍとした。得られたＸ線回折スペクトルの一例を図２に示す。得られたＸ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度のメインピークの強度に対する比率を算出し、ピーク強度比率とした。
【００５８】
【表１】
2015180589.tif 000003
【００５９】
図２から、２θ＝２９°付近にある回折ピークをメインピークとする。図３から、２θ＝３２°から３４°にある複数の回折ピークの強度をメインピークの強度と比較し、０．１％以内かどうかを判断した。
表１に示すように、実施例１から３と比較例１及び２とを比較することで、誘電体組成物のＳｒの含有量が０．０５以上０．８以下であるとき、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であるとき、比誘電率が高く、容量変化率が小さく、比抵抗が高いことがわかる。比較例１及び２では、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％より大きいため、比誘電率が低く、容量変化率が大きく、比抵抗が低かった。
【００６０】
また、実施例４から６と比較例３及び４とを比較することで、誘電体組成物のＺｒの含有量が０．０５以上０．８以下であるとき、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であるとき、比誘電率が高く、容量変化率が小さく、比抵抗が高いことがわかる。比較例３及び４では、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％より大きいため、比誘電率が低く、容量変化率が高く、比抵抗が低かった。
【００６１】
また、実施例７から９と比較例５及び６とを比較することで、誘電体組成物のＧｅの含有量が０．０５以上０．８以下であるとき、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であるとき、比誘電率が高く、容量変化率が小さく、比抵抗が高いことがわかる。比較例５及び６では、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％より大きいため、比誘電率が低く、容量変化率が高く、比抵抗が低かった。
【００６２】
また、実施例１０から１１と比較例７及び８とを比較することで、誘電体組成物のＣａとＳｒの合計の含有量が０．０５以上０．８以下であるとき、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であるとき、比誘電率が高く、容量変化率が小さく、比抵抗が高いことがわかる。比較例７及び８では、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％より大きいため、比誘電率が低く、容量変化率が高く、比抵抗が低かった。
【００６３】
また、実施例１２から１３と比較例９及び１０とを比較することで、誘電体組成物のＴｉとＺｒの合計の含有量が０．０５以上０．８以下であるとき、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であるとき、比誘電率が高く、容量変化率が小さく、比抵抗が高いことがわかる。比較例９及び１０では、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％より大きいため、比誘電率が低く、容量変化率が高く、比抵抗が低かった。
【００６４】
また、実施例１４から１５と比較例１１及び１２とを比較することで、誘電体組成物のＳｉとＧｅの合計の含有量が０．０５以上０．８以下であるとき、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％以下であるとき、比誘電率が高く、容量変化率が小さく、比抵抗が高いことがわかる。比較例１１及び１２では、Ｘ線回折スペクトルにおいて２θが３２°から３４°の範囲にあるピークの強度が、メインピークの強度に対して０．１％より大きいため、比誘電率が低く、容量変化率が高く、比抵抗が低かった。
【００６５】
さらに、実施例２の試料について２５℃から２５０℃の範囲で温度を変化させて比誘電率を測定した。測定結果について、比較例１の容量率変化と合わせて図３に示す。
【００６６】
図２より、比較例では温度が変化すると静電容量の変化が大きいのに対して、本発明に係る誘電体組成物を有する試料は静電容量の温度に対する変化が小さいことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
広範囲な温度領域において、温度特性が平坦なため、車載用としてエンジンルーム近傍など高温の環境での用途に適用できる。
【００６８】
本発明の誘電体組成物で構成される誘電体膜を備える薄膜コンデンサにも上記と同様な用途に適用できる。
【符号の説明】
【００６９】
１  積層セラミックコンデンサ
２  誘電体層
３  内部電極層
４  外部電極
１０  コンデンサ素子本体
【図１】
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【図２】
2015180589.tif 000005
【図３】
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【図４】
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