(57)【要約】【課題】ダミー溝６の溝幅が狭くなる場合でも、ダミー溝６の両側面に形成される電極層７を確実に電気的に分離することができる。【解決手段】液体噴射ヘッド１の製造方法は、圧電体基板２に透光性基板Ｔを設置する透光性基板設置工程Ｓ１と、圧電体基板２に液体を吐出する吐出溝５と液体を吐出しないダミー溝６とを基準方向Ｋに交互に形成する溝形成工程Ｓ２と、吐出溝５とダミー溝６の内表面ＩＰに電極層７を形成する電極層形成工程Ｓ３と、電極層７に透光性基板Ｔを通してレーザー光を照射し、ダミー溝６の両側面に形成される電極層７を電気的に分離する電極分離工程Ｓ４と、を備える。【選択図】図１
2015085534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体基板に透光性基板を設置する透光性基板設置工程と、
前記圧電体基板に液体を吐出する吐出溝と液体を吐出しないダミー溝とを基準方向に交互に形成する溝形成工程と、
前記吐出溝と前記ダミー溝の内表面に電極層を形成する電極層形成工程と、
前記電極層に前記透光性基板を通してレーザー光を照射し、前記ダミー溝の両側面に形成される前記電極層を電気的に分離する電極分離工程と、を備える液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記透光性基板設置工程は、前記圧電体基板の下部に前記透光性基板を設置して積層基板を形成する工程であり、
前記溝形成工程は、前記圧電体基板の上面に前記吐出溝と前記ダミー溝とを形成する工程であり、
前記電極層形成工程は、前記圧電体基板の上面に前記電極層を形成する工程を含み、
前記圧電体基板の上部にカバープレートを設置するカバープレート設置工程を更に備える請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記電極層形成工程の前に、前記圧電体基板の上面に感光性樹脂膜のパターンを形成する感光性樹脂膜形成工程と、
前記電極層形成工程の後に、前記感光性樹脂膜を除去し、前記電極層のパターンを形成する電極パターン形成工程と、を備える請求項２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
ノズルプレートを前記積層基板の側部に設置し、前記積層基板の側面に開口する前記吐出溝と前記ノズルプレートに配列するノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備える請求項２又は３に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記溝形成工程は、前記圧電体基板の上面に前記吐出溝と前記ダミー溝とを形成する工程であり、
前記透光性基板設置工程は、前記圧電体基板の上部に前記透光性基板を設置する工程であり、
前記圧電体基板の下面を研削し前記吐出溝と前記ダミー溝とを下面に開口させる圧電体基板研削工程を更に備え、
前記電極層形成工程は、前記圧電体基板の下面に前記電極層を形成する工程を含む、請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記溝形成工程の後に、前記圧電体基板の上面に導通配線を形成する導通配線形成工程と、
前記電極層形成工程の後に、前記圧電体基板の下面に形成される前記電極層を除去する下面電極除去工程と、を備える請求項５に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記電極層が除去された前記圧電体基板の下面に底板を設置する底板設置工程と、
ノズルが配列するノズルプレートを前記圧電体基板の側部に設置し、前記圧電体基板の側面に開口する前記吐出溝と前記ノズルとを連通させるノズルプレート設置工程と、を備える請求項６に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項８】
基準方向にノズルが配列するノズルプレートを前記圧電体基板の下部に設置し、前記圧電体基板の下面に開口する前記吐出溝と前記ノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備える請求項６に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記電極層形成工程の前に、前記圧電体基板の下面に感光性樹脂膜のパターンを形成する感光性樹脂膜形成工程と、
前記電極層形成工程の後に、前記感光性樹脂膜を除去し、前記電極層のパターンを形成する電極パターン形成工程と、を備える請求項５に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
ノズルプレートを前記圧電体基板の下部に設置し、前記圧電体基板の下面に開口する前記吐出溝と前記ノズルプレートの基準方向に配列するノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備える請求項９に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
ノズルプレートを前記圧電体基板の側部に設置し、前記圧電体基板の側面に開口する前記吐出溝と前記ノズルプレートの基準方向に配列するノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備える請求項９に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
基準方向に吐出溝とダミー溝とが交互に配列し、前記吐出溝は板厚方向に貫通する圧電体基板と、
前記吐出溝に連通する２つの液室を有し、前記圧電体基板の上部に設置される透光性基板から成るカバープレートと、
前記吐出溝に連通するノズルを有し、前記圧電体基板の下部に設置するノズルプレートと、を備える液体噴射ヘッド。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液体噴射ヘッドと、
前記液体噴射ヘッドと被記録媒体とを相対的に移動させる移動機構と、
前記液体噴射ヘッドに液体を供給する液体供給管と、
前記液体供給管に前記液体を供給する液体タンクと、を備える液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被記録媒体に液滴を噴射して記録する液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録紙等にインク滴を吐出して文字や図形を記録する、或いは素子基板の表面に液体材料を吐出して機能性薄膜を形成するインクジェット方式の液体噴射ヘッドが利用されている。この方式は、インクや液体材料などの液体を液体タンクから供給管を介してチャンネルに導き、チャンネルに充填される液体に圧力を印加してチャンネルに連通するノズルから液滴として吐出する。液滴の吐出の際には、液体噴射ヘッドや被記録媒体を移動させて文字や図形を記録する、或いは所定形状の機能性薄膜や三次元構造を形成する。
【０００３】
この種の液体噴射ヘッドとして、シアモードタイプのインクジェットヘッドが知られている。図２１は特許文献１に記載されるインクジェットヘッド１０１の分解斜視図である。インクジェットヘッド１０１は、アクチュエータ基板１０２と、カバープレート１１０と、ノズルプレート１１５と、板状部材であるプレート１１７と、マニホールド部材１１３から構成される。アクチュエータ基板１０２には、互いに平行に溝１０４と溝１１４が隣接して多数本形成される。溝１１４がインクを噴射する吐出チャンネル１１２となり、溝１０４はインクを噴射しないダミーチャンネル１１１となる。吐出チャンネル１１２とダミーチャンネル１１１の間に圧電側壁１０３が形成される。各圧電側壁１０３の壁面には電極１０５Ａ、１０５Ｂが形成される。ダミーチャンネル１１１を構成する圧電側壁１０３の側面には互いに電気的に分離する電極１０５Ａが形成され、個別導通パターン１０７に接続される。また、吐出チャンネル１１２を構成する圧電側壁１０３は各側面に互いに電気的に接続される電極１０５Ｂが形成され、共通導通パターン１０８に接続されている。ノズルプレート１１５にはノズル１１６が形成され、ノズル１１６は吐出チャンネル１１２に連通する。
【０００４】
このインクジェットヘッド１０１は次のように製造される。まず、アクチュエータ基板１０２に平行な溝をダイヤモンドカッター等により切削形成して、圧電側壁１０３を形成する。次に、真空蒸着やめっき等によってアクチュエータ基板１０２の表面及び溝１０４、１１４の内面に導電層を形成する。隣接する吐出チャンネル１１２を独立して駆動させるため、ダミーチャンネル１１１を構成する両圧電側壁１０３の電極１０５Ａは電気的に分離する必要がある。そこで、レーザー装置又はダイヤモンドカッターを用いてダミーチャンネル１１１の底面に形成された電極に第一分割溝１１８Ａを形成し、左右の側壁の電極１０５Ａを電気的に分離する。なお、アクチュエータ基板１０２の前端面１０２Ｄにはダミーチャンネル１１１に連続する縦溝１０９が形成され、電極が下面１０２Ｃ側に引き回される。
【０００５】
特許文献２にはエッジシュート型の液体噴射ヘッドが記載される。この液体噴射ヘッドは、カバープレートと、流路形成基板と、カバープレートと流路形成基板との間に所定の間隔で配列する圧電セラミックスからなる隔壁と、ノズルプレートとを備える。隣接する２つの隔壁と、上下のカバープレート及び流路形成基板によりチャンネルが構成され、このチャンネルの端部にチャンネルと連通するノズルを備えるノズルプレートが設置される。そして、カバープレートと流路形成基板の少なくとも一方の基板を透光性基板とする。これにより、チャンネル内の液体に異物が含まれるか否かを確認することができると共に、液体に異物が含まれる場合には透光性基板を通して当該異物にレーザー光を照射して粉砕することが記載される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１６８０９４号公報
【特許文献２】特開２００１−３４１３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１では、ダミーチャンネル１１１の両側面に形成される電極を電気的に分離する方法として、溝１０４及び前端面１０２Ｄに形成される縦溝１０９の底面にレーザー光を照射する、或いは溝１０４の溝幅よりも薄いダイヤモンドカッターを用いて底面を切削して、第一分割溝１１８Ａや第二分割溝１１８Ｂを形成する。しかし、峡ピッチ化に伴い溝１０４の溝幅が狭くなると、圧電側壁１０３の上面１０２Ａの開口側から照射されるレーザービームがダミーチャンネル１１１の底面に達しない。或いは、レーザービームが圧電側壁１０３の上面にも照射されてしまい、圧電側壁１０３の表面が破損する場合がある。また、ダミーチャンネル１１１の溝幅がダイヤモンドカッターの厚さよりも狭くなってダミーチャンネル１１１の底面の加工ができないことがある。そのため、液体噴射ヘッド１の高解像度化に対応できない場合がある。
【０００８】
また、特許文献２では、圧電セラミックスにより構成する隔壁の上部または下部をガラス基板とし、チャンネル内の液体に異物が含まれるか否かを確認することができると共に、液体に異物が含まれる場合に透光性基板を通し当該異物にレーザー光を照射して粉砕することが記載される。しかし、チャンネル幅の峡ピッチ化に伴う課題や、２つの壁に形成した電極をガラス基板を通してレーザー光により切断分離することについては何ら言及されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電体基板に透光性基板を設置する透光性基板設置工程と、前記圧電体基板に液体を吐出する吐出溝と液体を吐出しないダミー溝とを基準方向に交互に形成する溝形成工程と、前記吐出溝と前記ダミー溝の内表面に電極層を形成する電極層形成工程と、前記電極層に前記透光性基板を通してレーザー光を照射し、前記ダミー溝の両側面に形成される前記電極層を電気的に分離する電極分離工程と、を備えることとした。
【００１０】
また、前記透光性基板設置工程は、前記圧電体基板の下部に前記透光性基板を設置して積層基板を形成する工程であり、前記溝形成工程は、前記圧電体基板の上面に前記吐出溝と前記ダミー溝とを形成する工程であり、前記電極層形成工程は、前記圧電体基板の上面に前記電極層を形成する工程を含み、前記圧電体基板の上部にカバープレートを設置するカバープレート設置工程を更に備えることとした。
【００１１】
また、前記電極層形成工程の前に、前記圧電体基板の上面に感光性樹脂膜のパターンを形成する感光性樹脂膜形成工程と、前記電極層形成工程の後に、前記感光性樹脂膜を除去し、前記電極層のパターンを形成する電極パターン形成工程と、を備えることとした。
【００１２】
また、ノズルプレートを前記積層基板の側部に設置し、前記積層基板の側面に開口する前記吐出溝と前記ノズルプレートに配列するノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備えることとした。
【００１３】
また、前記溝形成工程は、前記圧電体基板の上面に前記吐出溝と前記ダミー溝とを形成する工程であり、前記透光性基板設置工程は、前記圧電体基板の上部に前記透光性基板を設置する工程であり、前記圧電体基板の下面を研削し前記吐出溝と前記ダミー溝とを下面に開口させる圧電体基板研削工程を更に備え、前記電極層形成工程は、前記圧電体基板の下面に前記電極層を形成する工程を含むこととした。
【００１４】
また、前記溝形成工程の後に、前記圧電体基板の上面に導通配線を形成する導通配線形成工程と、前記電極層形成工程の後に、前記圧電体基板の下面に形成される前記電極層を除去する下面電極除去工程と、を備えることとした。
【００１５】
また、前記電極層が除去された前記圧電体基板の下面に底板を設置する底板設置工程と、ノズルが配列するノズルプレートを前記圧電体基板の側部に設置し、前記圧電体基板の側面に開口する前記吐出溝と前記ノズルとを連通させるノズルプレート設置工程と、を備えることとした。
【００１６】
また、基準方向にノズルが配列するノズルプレートを前記圧電体基板の下部に設置し、前記圧電体基板の下面に開口する前記吐出溝と前記ノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備えることとした。
【００１７】
また、前記電極層形成工程の前に、前記圧電体基板の下面に感光性樹脂膜のパターンを形成する感光性樹脂膜形成工程と、前記電極層形成工程の後に、前記感光性樹脂膜を除去し、前記電極層のパターンを形成する電極パターン形成工程と、を備えることとした。
【００１８】
また、ノズルプレートを前記圧電体基板の下部に設置し、前記圧電体基板の下面に開口する前記吐出溝と前記ノズルプレートの基準方向に配列するノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備えることとした。
【００１９】
また、ノズルプレートを前記圧電体基板の側部に設置し、前記圧電体基板の側面に開口する前記吐出溝と前記ノズルプレートの基準方向に配列するノズルとを連通させるノズルプレート設置工程を備えることとした。
【００２０】
本発明の液体噴射ヘッドは、基準方向に吐出溝とダミー溝とが交互に配列し、前記吐出溝は板厚方向に貫通する圧電体基板と、前記吐出溝に連通する２つの液室を有し、前記圧電体基板の上部に設置される透光性基板から成るカバープレートと、前記吐出溝に連通するノズルを有し、前記圧電体基板の下部に設置するノズルプレートと、を備えることとした。
【００２１】
本発明の液体噴射装置は、上記の液体噴射ヘッドと、前記液体噴射ヘッドと被記録媒体とを相対的に移動させる移動機構と、前記液体噴射ヘッドに液体を供給する液体供給管と、前記液体供給管に前記液体を供給する液体タンクと、を備えることとした。
【発明の効果】
【００２２】
本発明による液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電体基板に透光性基板を設置する透光性基板設置工程と、圧電体基板に液体を吐出する吐出溝と液体を吐出しないダミー溝とを基準方向に交互に形成する溝形成工程と、吐出溝とダミー溝の内表面に電極層を形成する電極層形成工程と、電極層に透光性基板を通してレーザー光を照射し、ダミー溝の両側面に形成される電極層を電気的に分離する電極分離工程と、を備える。これにより、ダミー溝の溝幅が狭くなる場合でも、ダミー溝の両側面に形成される電極層を確実に電気的に分離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る液体噴射ヘッドの基本的な製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明に係る基本的な製造方法の各工程を説明するための断面模式図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図６】本発明の第一実施形態の製造方法により製造される液体噴射ヘッドの模式的な分解斜視図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図８】本発明の第二実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図９】本発明の第二実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図１０】本発明の第三実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１１】本発明の第三実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図１２】本発明の第三実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図１３】本発明の第三実施形態の製造方法により製造される液体噴射ヘッドの模式的な分解斜視図である。
【図１４】本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１５】本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図１６】本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図１７】本発明の第五実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１８】本発明の第五実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図１９】本発明の第五実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の各工程の説明図である。
【図２０】本発明の第六実施形態に係る液体噴射装置の模式的な斜視図である。
【図２１】従来公知のインクジェットヘッドの分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（基本構成）
図１及び図２は、本発明の基本的な構成の説明図である。図１は、本発明に係る液体噴射ヘッド１の基本的な製造方法を示す工程図である。図２は、基本的な製造方法の各工程を説明するための断面模式図である。
【００２５】
まず、図２（Ｓ１）に示すように、透光性基板設置工程Ｓ1において、圧電体基板２に透光性基板Ｔを設置する。具体的には、圧電体基板２と透光性基板Ｔの間に接着剤を介在させ、加熱処理、或いは紫外線照射処理を行って圧電体基板２と透光性基板Ｔを接合する。圧電体基板２は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）セラミックスやＢａＴｉＯ3からなるセラミックス、その他の圧電体材料を使用することができる。圧電体基板２は、基板面の垂直方向とこれと反対方向に分極処理を施した２枚の圧電体基板を積層したシェブロン型の基板を使用することができる。透光性基板Ｔは、ガラス材料、例えば石英ガラス、ほうけい酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス等を使用することができる。ガラス材料はセラミックスからなる圧電体材料と比較してボイドが少ない。そのため、吐出溝に面する部分にガラス材料を使用すれば、液体のリークを低減させることができる。圧電体基板２の厚さは、例えば２００μｍ〜４００μｍとする。透光性基板Ｔは、可視光において圧電体基板２の下面ＬＰが視認可能な程度に透光性を有するとともにレーザー光Ｌを透過する。透光性基板Ｔの厚さは、例えば２００μｍ〜８００μｍとする。
【００２６】
次に、図２（Ｓ２）に示すように、溝形成工程Ｓ２において、圧電体基板２に液体を吐出する吐出溝５と液体を吐出しないダミー溝６とを基準方向Ｋに交互に形成する。各溝は、円盤状のブレードの外周に切削砥粒を埋め込んだダイシングブレード（ダイヤモンドカッターともいう）等により切削して形成する。吐出溝５及びダミー溝６の溝幅は、例えば２０μｍ〜５０μｍ、深さは、例えば３００μｍ〜５００μｍとする。
【００２７】
次に、図２（Ｓ３）に示すように、電極層形成工程Ｓ３において、吐出溝５とダミー溝６の内表面ＩＰに電極層７を形成する。具体的には、電極層７を吐出溝５及びダミー溝６の側面及び底面に形成する。電極層７は、例えば金属材料や半導体材料を蒸着法、スパッタリング法、或いはめっき法により成膜する。金属材料として、例えば、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン等を、半導体材料として酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛等を用いる。
【００２８】
次に、図２（Ｓ４）に示すように、電極分離工程Ｓ４において、電極層７に透光性基板Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、ダミー溝６の両側面に形成され電極層７を電気的に分離する。具体的には、ダミー溝６の底面ＢＰに形成される電極層７に透光性基板Ｔの外面側から透光性基板Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、底面ＢＰに形成される電極層７を除去する。透光性基板Ｔは可視光を透過するので、レーザー光Ｌの照射位置を容易に合わせ込むことができる。
【００２９】
レーザー加工は、フェムト秒レーザーを使用することが好ましい。フェムト秒レーザーはパルス幅が１００フェムト秒程度であり、原子振動の一周期よりも短い時間で照射することができる。そのため、レーザー光Ｌのエネルギーが熱振動に使われない非熱過程となり、レーザー集光領域のみにおいて非常に高い電場強度が得られる。レーザー光Ｌの波長に対して透明な材料は、集光点近傍で多光子吸収、多光子イオン化などの非線形な光相互作用が起こり、集光点近傍でのみ材料内部に屈折率変化を誘起する、或いは表面をアブレーションすることができる。レーザー光源として、チタンサファイヤレーザーを用いることができる。チタンサファイヤレーザーはガラスを透過する６００ｎｍ〜８００ｎｍ付近の波長で発振する。このレーザー光Ｌを、透光性基板Ｔを透過させて電極層７に集光させることにより、集光点の電極層７を除去することができる。
【００３０】
この後、圧電体基板２の上面ＵＰに図示しないカバープレートを設置し、吐出溝５が開口する圧電体基板２の側面及び透光性基板Ｔの側面に図示しないノズルプレートを設置して、液体噴射ヘッド１が完成する。吐出溝５に液体を充填し、ダミー溝６には液体を充填せず、駆動の際には、吐出溝５ａの内壁に形成した電極層７と、吐出溝５ａを挟むダミー溝６ａ、６ｂの吐出溝５ａ側の側面に形成した２つの電極層７に駆動信号を印加する。これにより、吐出溝５ａを挟む２つの側壁Ｗが厚みすべり変形し、吐出溝５ａに充填される液体に圧力波を誘起して、吐出溝５に連通するノズルから液滴を吐出する。
【００３１】
なお、上記製造方法では透光性基板設置工程Ｓ１の後に溝形成工程Ｓ２を行っているが、溝形成工程Ｓ２の後に透光性基板設置工程Ｓ１を行ってもよい。例えば、圧電体基板２の上面ＵＰに吐出溝５とダミー溝６を基準方向Ｋに交互に形成し、次に、カバープレートとしての透光性基板Ｔを吐出溝５とダミー溝６を覆うように圧電体基板２の上面ＵＰに設置する。そして、圧電体基板２の下面ＬＰを研削して吐出溝５とダミー溝６を圧電体基板２の下方に開口させる。その後、電極層形成工程Ｓ３と電極分離工程Ｓ４を行う。
【００３２】
本発明の液体噴射ヘッド１の製造方法によれば、ダミー溝６の溝幅が狭くなる場合でも、溝上面や溝側面にレーザー光Ｌによるダメージを与えることなく、電極層７を確実に電気的に分離することができる。また、レーザー光Ｌをダミー溝６の底面ＢＰに集光させる際に、レーザー光Ｌがダミー溝６の側壁Ｗの上面ＵＰで阻まれることがない。これにより高記録密度の液体噴射ヘッド１を作成することができる。
【００３３】
（第一実施形態）
図３〜図５は、本発明の第一実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図３は第一実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法を示す工程図である。図４及び図５は第一実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の各工程の説明図である。図４及び図５の左図が液体噴射ヘッド１の基準方向Ｋの断面模式図であり、中図が吐出溝５の溝方向の断面模式図であり、右図がダミー溝６の溝方向の断面模式図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３４】
図４（Ｓ０１）に示すように、透光性基板設置工程Ｓ０１において、圧電体基板２の下部に透光性基板としての透光性底板３Ｔを設置して積層基板４を形成する。具体的には、圧電体基板２と透光性底板３Ｔの間に接着剤を介在させ、加熱処理、或いは紫外線照射を行って圧電体基板２と透光性底板３Ｔを接合する。圧電体基板２及び透光性底板３Ｔは、基本構成の説明と同じである。即ち、圧電体基板２としてＰＺＴセラミックス等からなりシェブロン型に分極処理が施された圧電体材料を使用し、透光性底板３Ｔとして、例えばガラス材料を使用する。
【００３５】
次に、図４（Ｓ０２）に示すように、感光性樹脂膜形成工程Ｓ０２において、圧電体基板２の上面ＵＰに感光性樹脂膜１４のパターンを形成する。まず、感光性樹脂膜１４としてレジスト膜を用い、ドライフィルム等のレジスト膜を圧電体基板２の上面ＵＰに貼り付ける。次に、フォトプロセスを通して露光及び現像を行い、感光性樹脂膜１４のパターンを形成する。例えば、電極配線や電極端子が形成される領域から感光性樹脂膜１４を除去する。
【００３６】
次に、図４（Ｓ０３）に示すように、溝形成工程Ｓ０３において圧電体基板２の上面ＵＰに液体を吐出する吐出溝５と液体を吐出しないダミー溝６とを基準方向Ｋに交互に形成する。吐出溝５及びダミー溝６は、好ましくは圧電体基板２の下面ＬＰに設置される透光性底板３Ｔに達する深さに形成する。透光性底板３Ｔの下方からダミー溝６を視認可能とし、また、透光性底板３Ｔの下方からレーザー光Ｌを照射して後に形成する電極層７の切断を可能とするためである。吐出溝５は、積層基板４の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢの手前まで形成する。ダミー溝６は積層基板４の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢに亘って形成する。吐出溝５の右端部は溝を研削する際に使用するダイシングブレードの外形が転写され、上面ＵＰに向けて切り上がる形状を有する。吐出溝５及びダミー溝６の溝幅及び深さは基本構成と同じであり、説明を省略する。
【００３７】
次に、図４（Ｓ０４）に示すように、電極層形成工程Ｓ０４において、圧電体基板２の上面ＵＰと吐出溝５及びダミー溝６の内表面ＩＰに電極層７を形成する。即ち、電極層７は、圧電体基板２の上面ＵＰ及び感光性樹脂膜１４の表面と、吐出溝５及びダミー溝６の側面及び底面ＢＰに形成する。電極層７をめっき法により形成すれば、底面ＢＰまで容易に形成することができる。電極材料は基本構成と同じであり、説明を省略する。
【００３８】
次に、図４（Ｓ０５）に示すように、電極パターン形成工程Ｓ０５において、感光性樹脂膜１４を除去し、電極層７のパターンを形成する。つまり、圧電体基板２の上面ＵＰから感光性樹脂膜１４を剥離し除去することにより、その上に形成される電極層７も除去される（リフトオフ法）。これにより、吐出溝５及びダミー溝６の側面に駆動電極１８を形成し、圧電体基板２の他方の側面ＳＢの上面ＵＰに個別端子１６ｂ、個別端子１６ｂと吐出溝５の上面開口との間に共通端子１６ａを形成する。なお、共通端子１６ａは吐出溝５の両側面の駆動電極１８と電気的に接続する。個別端子１６ｂは、吐出溝５を挟む両ダミー溝６の吐出溝５側の側面の２つの駆動電極１８と電気的に接続する。
【００３９】
次に、図５（Ｓ０６）に示すように、カバープレート設置工程Ｓ０６において、圧電体基板２の上部にカバープレート９を設置する。具体的には、カバープレート９は、圧電体基板２の上面に、吐出溝５を覆い、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂを露出させて、接着剤により接合する。カバープレート９は液室１０と、液室１０の底部に複数のスリット１１を備える。複数のスリット１１のそれぞれは複数の吐出溝５のそれぞれに吐出溝５の切り上がり部において連通する。これにより、液室１０に供給される液体はスリット１１を介して各吐出溝５に供給されるが、液室１０はダミー溝６とは連通せず、ダミー溝６には液体が流入しない。カバープレート９は、圧電体基板２と同じ材料や、ＰＺＴセラミックス、他のセラミックス、ガラス材料、プラスチック材料等を使用することができる。透光性底板３Ｔと同じ材料、例えばガラス材料を使用すれば、材質の異なる圧電体基板２を上下から同じ材料から成る基板で挟むので、熱膨張差による基板の反りを防止することができる。
【００４０】
次に、図５（Ｓ０７）に示すように、電極分離工程Ｓ０７において、電極層７に透光性底板３Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、ダミー溝６の両側面に形成される電極層７を電気的に分離する。これにより、ダミー溝６の両側壁の駆動電極１８は電気的に分離される。そして、圧電体基板２の他方の側面ＳＢの上面ＵＰに形成される個別端子１６ｂは、吐出溝５を挟む２つのダミー溝６の吐出溝５側の側面に形成される２つの駆動電極１８に電気的に接続し、隣接する２つの個別端子１６ｂとは電気的に分離される。レーザー加工については基本構成と同様なので、説明を省略する。
【００４１】
次に、図５（Ｓ０８）に示すように、ノズルプレート設置工程Ｓ０８において、ノズルプレート１２を積層基板４の一方の側面ＳＡ側に設置し、積層基板４の一方の側面ＳＡに開口する吐出溝５とノズルプレート１２に配列するノズル１３とを連通させる。具体的には、ノズルプレート１２と積層基板４の一方の側面ＳＡとの間に接着剤を介して接合する。なお、ノズルプレート１２と積層基板４の間に他の板材を介在させてもよい。ノズルプレート１２は、ポリイミドフィルム、他のプラスチック材料、金属板等を用いることができる。
【００４２】
本発明による液体噴射ヘッド１の製造方法によれば、ダミー溝６の両側面の電極層７を、透光性底板３Ｔを通して下方からレーザー光Ｌを照射して切断分離する。そのため、ダミー溝６の幅や深さに影響されることなく電極層７を確実に切断することができる。
【００４３】
なお、上記第一実施形態では、カバープレート設置工程Ｓ０６を行って圧電体基板２の上部にカバープレート９を設置した後に電極分離工程Ｓ０７を行っているが、これを、電極分離工程Ｓ０７を行ってダミー溝６の両側面に形成される電極層７を電気的に分離した後にカバープレート設置工程Ｓ０６を行ってもよい。上記第一実施形態の製造方法では、電極層７にレーザー光Ｌを照射して電極層７を切断分離する際に電極層７の残渣がダミー溝６内に付着するが、電極分離工程Ｓ０７の後にカバープレート設置工程Ｓ０６を行えばこの付着物を洗浄して除去することができる。カバープレート設置工程Ｓ０６の後に電極分離工程Ｓ０７を行うと電極層７の残渣を除去することはできない。しかし、残渣がダミー溝６内に残ったとしても、ダミー溝６の圧電体基板２の上面ＵＰ側はカバープレート９によって塞がれているため、残渣が吐出溝５内に混入する可能性は低く、ノズル１３を閉塞するなどの問題は生じにくい。
【００４４】
図６は、本発明の第一実施形態の製造方法により製造される液体噴射ヘッド１の模式的な分解斜視図である。液体噴射ヘッド１は、圧電体基板２の下部に透光性基板である透光性底板３Ｔを設置した積層基板４と、圧電体基板２の上部に設置されるカバープレート９と、積層基板４の側方の一方の側面ＳＡに設置されるノズルプレート１２と、を備える。積層基板４の上面ＵＰには吐出溝５とダミー溝６が基準方向Ｋに交互に形成され、吐出溝５とダミー溝６の両側面には駆動電極１８が形成され、ダミー溝６の両側面に形成される駆動電極１８は互いに電気的に分離される。積層基板４の他方の側面ＳＢの側の上面ＵＰには共通端子１６ａと個別端子１６ｂが設置され、共通端子１６ａは吐出溝５の駆動電極１８と電気的に接続し、個別端子１６ｂは、吐出溝５を挟む２つのダミー溝６の吐出溝５側の側面の駆動電極１８と電気的に接続する。他方の側面ＳＢの上面ＵＰには図示しないフレキシブル基板が設置され、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂに駆動信号が供給される。カバープレート９は、液室１０と液室１０の底面にスリット１１を備える。各スリット１１のそれぞれは複数の吐出溝５のそれぞれと、他方の側面ＳＢの側の端部において連通する。ノズルプレート１２は複数のノズル１３を備え、積層基板４の一方の側面ＳＡに開口する複数の吐出溝５のそれぞれと連通する。
【００４５】
（第二実施形態）
図７〜図９は、本発明の第二実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図７は第二実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法を示す工程図である。図８及び図９は第二実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の各工程の説明図である。図８及び図９の左図が液体噴射ヘッド１の基準方向Ｋの断面模式図であり、中図が吐出溝５の溝方向の断面模式図であり、右図がダミー溝６の溝方向の断面模式図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００４６】
図８（Ｓ１１）に示すように、溝形成工程Ｓ１１において、圧電体基板２の上面ＵＰに液体を吐出する吐出溝５と液体を吐出しないダミー溝６とを基準方向Ｋに交互に形成する。圧電体基板２は、基本構成において説明したように、基板面の垂直方向に分極処理を施した圧電体基板２ａと、これと反対方向に分極処理を施した圧電体基板２ｂとを接着剤を介して積層したシェブロン型の基板を使用する。そして、溝を研削する上側の圧電体基板２ａよりも下側の圧電体基板２ｂを厚くする。例えば上側の圧電体基板２ａを厚さ１００μｍ〜２００μｍとするのに対して、下側の圧電体基板２ｂを厚さ２００μｍ以上とする。吐出溝５及びダミー溝６はダイシングブレードを用いて研削する。吐出溝５は圧電体基板２の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢの手前まで形成する。ダミー溝６は圧電体基板２の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢまでストレートに形成する。各溝の底部には圧電体基板２を残す。底部に圧電体基板２を残すことにより、吐出溝５とダミー溝６の間の側壁が分解するのを防止する。
【００４７】
次に、図８（Ｓ１２）に示すように、導通配線形成工程Ｓ１２において、圧電体基板２の上面ＵＰに導通配線１５を形成する。具体的には、ドライフィルム等のレジスト膜を、フォトプロセスを通して露光及び現像を行い、レジスト膜のパターンを形成する。次に、圧電体基板２の上面ＵＰと吐出溝５及びダミー溝６の側面の一部に電極材料を堆積し、次に、レジスト膜を剥離除去するリフトオフ法により、電極材料のパターンからなる導通配線１５を形成する。導通配線１５は、圧電体基板２の他方の側面ＳＢの上面ＵＰにおいては共通端子１６ａと個別端子１６ｂとなる。共通端子１６ａは吐出溝５の両側面に形成される導通配線１５と電気的に接続される。個別端子１６ｂは、吐出溝５を挟む２つのダミー溝６の吐出溝５側の側面に形成される２つの導通配線１５と電気的に接続される。電極材料として、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン等の金属材料や半導体材料を用い、スパッタリング、蒸着法などにより成膜することができる。
【００４８】
次に、図８（Ｓ１３）に示すように、透光性基板設置工程Ｓ１３において、圧電体基板２の上面ＵＰに透光性基板である透光性カバープレート９Ｔを設置する。透光性カバープレート９Ｔは、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂが外部に露出するように圧電体基板２の上面ＵＰに設置する。具体的には、透光性カバープレート９Ｔと圧電体基板２とは接着剤を介して接合する。透光性基板である透光性カバープレート９Ｔの材質等は基本構成と同じなので、説明を省略する。透光性カバープレート９Ｔは、液室１０と液室１０の底部に複数のスリット１１を備え、複数のスリット１１のそれぞれは複数の吐出溝５のそれぞれと切り上がり部において連通する。その際、透光性カバープレート９Ｔは可視光を透過するので、スリット１１と吐出溝５の位置合わせが容易となる。液室１０に供給される液体はスリット１１を介して各吐出溝５に供給されるが、液室１０はダミー溝６とは連通せず、ダミー溝６には液体が流入しない。
【００４９】
次に、図８（Ｓ１４）に示すように、圧電体基板研削工程Ｓ１４において、圧電体基板２の下面ＬＰを研削し吐出溝５とダミー溝６とを下面ＬＰに開口させる。グラインダーや平面研削盤を用いて研削し、又は砥粒を用いて研磨して圧電体基板２の一部を除去することができる。
【００５０】
次に、図９（Ｓ１５）に示すように、電極層形成工程Ｓ１５において、吐出溝５とダミー溝６の内表面ＩＰと、圧電体基板２の下面ＬＰに電極層７を形成する。即ち、電極層７は、圧電体基板２の下面ＬＰと吐出溝５及びダミー溝６の側面及び天井面ＴＰに形成される。電極層７をめっき法により形成すれば、天井面ＴＰまで容易に形成することができる。電極材料は基本構成と同じなので、説明を省略する。なお、電極層７を形成する際に、透光性カバープレート９Ｔのスリット１１の内面や液室１０の内面にも電極層７が形成されることが考えられる。吐出溝５の側面の駆動電極１８は駆動の際に同電位となるので、スリット１１や液室１０の内面に電極層７が残っても問題は生じない。ただし、圧電体基板２の上面ＵＰの共通端子１６ａや個別端子１６ｂには電極層７が堆積しないように、マスク等により覆っておく等の対策が必要である。なお、吐出溝５及びダミー溝６の側面の一部に形成される導通配線１５は電極層７により覆われるので、以降の図においては省略する。
【００５１】
次に、図９（Ｓ１６）に示すように、下面電極除去工程Ｓ１６において、圧電体基板２の下面ＬＰに形成される電極層７を除去する。これにより、吐出溝５の側面に形成される電極層７とダミー溝６の側面に形成される電極層７とを分離する。グラインダーや平面研削盤を用いて研削し、又は砥粒を用いて研磨して下面ＬＰの電極層７又は圧電体基板２の一部を除去する。
【００５２】
次に、図９（Ｓ１７）に示すように、底板設置工程Ｓ１７において、電極層７が除去された圧電体基板２の下面ＬＰに底板３を設置する。底板３を下面ＬＰに設置することにより、吐出溝５及びダミー溝６の下面ＬＰに開口する開口部を閉塞する。底板３として、圧電体基板２と同じ材料や透光性カバープレート９Ｔと同じ材料を使用することができる。底板３として圧電体基板２と同じ材料を使用すれば、熱膨張差による反りを防止することができる。底板３として透光性カバープレート９Ｔと同じガラス材料を使用すれば、材質の異なる圧電体基板２を両側から挟むことになるので、熱膨張差による基板の反りを防止することができる。
【００５３】
次に、図９（Ｓ１８）に示すように、電極分離工程Ｓ１８において、電極層７に透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、ダミー溝６の両側面に形成される電極層７を電気的に分離する。つまり、ダミー溝６の天井面ＴＰに形成される電極層７を、上方から透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、天井面ＴＰに形成される電極層７を除去する。ダミー溝６の天井面ＴＰは透光性カバープレート９Ｔの平滑面からなり、そのために、天井面ＴＰに形成される電極層７は除去しやすい。なお、レーザー加工については基本構成と同様なので、説明を省略する。
【００５４】
次に、図９（Ｓ１９）に示すように、ノズルプレート設置工程Ｓ１９において、ノズル１３が配列するノズルプレート１２を圧電体基板２の側部に設置し、圧電体基板２の一方の側面ＳＡに開口する吐出溝５とノズル１３とを連通させる。具体的には、ノズルプレート１２を、圧電体基板２の一方の側面ＳＡと、一方の側面ＳＡと面一に設置される透光性カバープレート９Ｔの側面に接着剤を介して接合する。
【００５５】
本発明による液体噴射ヘッド１の製造方法によれば、第一実施形態と同様に、ダミー溝６の両側面の電極層７を、透光性カバープレート９Ｔを通して上方からレーザー光Ｌを照射して切断分離する。そのため、ダミー溝６の幅や深さに影響されることなく電極層７を確実に切断することができる。特に、ダミー溝６の天井面ＴＰは平滑面であることから、第一実施形態の場合よりも切断分離が容易となる。また、透光性カバープレート９Ｔとしてガラス材料を使用すれば、ガラス材料はセラミックスからなる圧電体材料と比較してボイドが少なく、液体のリークを低減させることができる。
【００５６】
なお、上記第二実施形態では、底板設置工程Ｓ１７の後に電極分離工程Ｓ１８を行うが、電極分離工程Ｓ１８の後に底板設置工程Ｓ１７を行ってもよい。また、上記第二実施形態では、透光性カバープレート９Ｔが液室１０とスリット１１を備えるが、透光性カバープレート９Ｔとしてスリット１１のみを備える透光性基板を圧電体基板２の上面ＵＰに接合してもよい。これにより、透光性カバープレート９Ｔの外表面の平滑性が向上し、電極層７に照射するレーザー光Ｌの集光が容易となる。このように製造した液体噴射ヘッド１は、図６に示す液体噴射ヘッド１とほぼ同様の構成となる。異なる点は、圧電体基板２の下面ＬＰに設置する底板３は不透明基板であってもよく、圧電体基板２の上面ＵＰに設置するカバープレート９は透光性基板となる点である。
【００５７】
（第三実施形態）
図１０〜図１２は、本発明の第三実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図１０は第三実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法を示す工程図である。図１１及び図１２は第三実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の各工程の説明図である。図１１及び図１２の左図が液体噴射ヘッド１の基準方向Ｋの断面模式図であり、中図が吐出溝５の溝方向の断面模式図であり、右図がダミー溝６の溝方向の断面模式図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００５８】
図１１（Ｓ１１）に示すように、溝形成工程Ｓ１１において、圧電体基板２の上面ＵＰに液体を吐出する吐出溝５と液体を吐出しないダミー溝６とを基準方向Ｋに交互に形成する。圧電体基板２は、基本構成において説明したように、基板面の垂直方向に分極処理を施した圧電体基板２ａと、これと反対方向に分極処理を施した圧電体基板２ｂとを接着剤を介して積層したシェブロン型の基板を使用する。そして、溝を研削する上側の圧電体基板２ａよりも下側の圧電体基板２ｂを厚くする。例えば上側の圧電体基板２ａを厚ささ１００μｍ〜２００μｍとするのに対して、下側の圧電体基板２ｂを厚さ２００μｍ以上とする。吐出溝５及びダミー溝６はダイシングブレードを用いて研削する。吐出溝５は圧電体基板２の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢの手前まで形成する。ダミー溝６は圧電体基板２の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢまでストレートに形成する。各溝の底部には圧電体基板２を残す。底部に圧電体基板２を残すことにより、吐出溝５とダミー溝６の間の側壁が分解するのを防止する。
【００５９】
次に、図１１（Ｓ１２）に示すように、導通配線形成工程Ｓ１２において、圧電体基板２の上面ＵＰに導通配線１５を形成する。具体的には、ドライフィルム等のレジスト膜を、フォトプロセスを通して露光及び現像を行い、レジスト膜のパターンを形成する。次に、圧電体基板２の上面ＵＰと吐出溝５及びダミー溝６の側面の一部に電極材料を堆積し、次に、レジスト膜を剥離除去するリフトオフ法により、電極材料のパターンからなる導通配線１５を形成する。導通配線１５は、圧電体基板２の他方の側面ＳＢの上面ＵＰにおいては共通端子１６ａと個別端子１６ｂとなる。共通端子１６ａは吐出溝５の両側面に形成される導通配線１５と電気的に接続される。個別端子１６ｂは、吐出溝５を挟む２つのダミー溝６の吐出溝５側の側面に形成される２つの導通配線１５と電気的に接続される。電極材料として、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン等の金属材料や半導体材料を用い、スパッタリング、蒸着法などにより成膜することができる。
【００６０】
次に、図１１（Ｓ１３）に示すように、透光性基板設置工程Ｓ１３において、圧電体基板２の上面ＵＰに透光性基板である透光性カバープレート９Ｔを設置する。透光性カバープレート９Ｔは、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂが外部に露出するように圧電体基板２の上面ＵＰに設置する。具体的には、透光性カバープレート９Ｔと圧電体基板２とは接着剤を介して接合する。透光性基板である透光性カバープレート９Ｔの材質等は、基本構成と同じなので、説明を省略する。透光性カバープレート９Ｔは、２つの液室１０ａ、１０ｂと各液室１０ａ、１０ｂの各底部に複数のスリット１１を備える。液室１０ａは複数のスリット１１を介して複数の吐出溝５の一方の側面ＳＡ側の端部の切り上がり部に連通する。液室１０ｂは複数のスリット１１を介して複数の吐出溝５の他方の側面ＳＢ側の端部の切り上がり部に連通する。液体が、液室１０ａから吐出溝５に、更に液室１０ｂに循環可能に構成する。なお、２つの液室１０ａ、１０ｂはいずれのダミー溝６にも連通しない。透光性カバープレート９Ｔと圧電体基板２との接合の際に、透光性カバープレート９Ｔは可視光を透過するので、各液室１０ａ、１０ｂのスリット１１と吐出溝５との位置合わせが容易となる。
【００６１】
次に、図１１（Ｓ１４）に示すように、圧電体基板研削工程Ｓ１４において、圧電体基板２の下面ＬＰを研削し吐出溝５とダミー溝６とを下面ＬＰに開口させる。グラインダーや平面研削盤を用いて研削し、又は砥粒を用いて研磨して圧電体基板２の一部を除去することができる。
【００６２】
次に、図１２（Ｓ１５）に示すように、電極層形成工程Ｓ１５において、吐出溝５とダミー溝６の内表面ＩＰと、圧電体基板２の下面ＬＰに電極層７を形成する。即ち、電極層７は、圧電体基板２の下面ＬＰと吐出溝５及びダミー溝６の側面及び天井面ＴＰに形成される。電極層７をめっき法により形成すれば、天井面ＴＰまで容易に形成することができる。電極材料は基本構成と同じなので、説明を省略する。なお、電極層７を形成する際に、透光性カバープレート９Ｔのスリット１１の内面や液室１０の内面に電極層７が形成されることが考えられる。吐出溝５の側面の駆動電極１８（電極層７）は駆動の際に同電位となるので、スリット１１や液室１０の内面に電極層７が残っても問題は生じない。ただし、圧電体基板２の上面ＵＰの共通端子１６ａや個別端子１６ｂには電極層７が堆積しないように、マスク等により覆っておく等の対策が必要である。吐出溝５及びダミー溝６の側面の一部に形成される導通配線１５は電極層７により覆われるので、本図以降においては省略する。
【００６３】
次に、図１２（Ｓ１６）に示すように、下面電極除去工程Ｓ１６において、圧電体基板２の下面ＬＰに形成される電極層７を除去する。これにより、吐出溝５の側面に形成される電極層７とダミー溝６の側面に形成される電極層７とを分離する。グラインダーや平面研削盤を用いて研削し、又は砥粒を用いて研磨して下面ＬＰの電極層７又は圧電体基板２の一部を除去する。
【００６４】
次に、図１２（Ｓ１８）に示すように、電極分離工程Ｓ１８において、電極層７に透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、ダミー溝６の両側面に形成される電極層７を電気的に分離する。つまり、上方から透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、天井面ＴＰに形成される電極層７を除去する。ダミー溝６の天井面ＴＰは透光性カバープレート９Ｔの平滑面からなり、そのために、天井面ＴＰに形成される電極層７は除去しやすい。なお、レーザー加工については基本構成と同じなので、説明を省略する。
【００６５】
次に、図１２（Ｓ１９）に示すように、ノズルプレート設置工程Ｓ１９において、ノズル１３が配列するノズルプレート１２を圧電体基板２の下部に設置し、圧電体基板２の下面ＬＰに開口する吐出溝５とノズル１３とを連通させる。具体的には、ノズルプレート１２を、圧電体基板２の下面ＬＰに接着剤を介して接合する。なお、ノズルプレート１２と下面ＬＰの間に補強板等を設置してもよい。つまり、下面ＬＰにノズルプレート１２よりも高硬度であり、吐出溝５に対応する位置に貫通孔を備える補強板を接合し、この補強板の外表面にノズルプレート１２を接合してもよい。
【００６６】
本発明による液体噴射ヘッド１の製造方法によれば、第一実施形態と同様に、ダミー溝６の両側面の電極層７を、透光性カバープレート９Ｔを通して上方からレーザー光Ｌを照射して切断分離する。そのため、ダミー溝６の幅や深さに影響されることなく電極層７を確実に切断することができる。特に、ダミー溝６の天井面ＴＰは平滑面であることから、第一実施形態の場合よりも切断分離が容易となる。また、透光性カバープレート９Ｔとしてガラス材料を使用すれば、ガラス材料はセラミックスからなる圧電体材料と比較してボイドが少なく、液体のリークを低減させることができる。
【００６７】
なお、上記第三実施形態では、電極分離工程Ｓ１８の後にノズルプレート設置工程Ｓ１９を行うが、ノズルプレート設置工程Ｓ１９の後に電極分離工程Ｓ１８を行ってもよい。また、上記第三実施形態では、透光性カバープレート９Ｔが液室１０とスリット１１を備えるが、透光性カバープレート９Ｔとしてスリット１１のみを備える透光性基板を圧電体基板２の上面ＵＰに接合してもよい。これにより、透光性カバープレート９Ｔの外表面の平滑性が向上し、電極層７に照射するレーザー光Ｌの集光が容易となる。
【００６８】
図１３は、本発明の第三実施形態の製造方法により製造される液体噴射ヘッド１の模式的な分解斜視図である。液体噴射ヘッド１は、圧電体基板２と、圧電体基板２の上部に設置される透光性基板からなる透光性カバープレート９Ｔと、圧電体基板２の下部に設置されるノズルプレート１２と、を備える。圧電体基板２は、基準方向Ｋに吐出溝５とダミー溝６が交互に配列し、吐出溝５とダミー溝６は板厚方向に貫通する。吐出溝５の両側面に形成される駆動電極１８は電気的に接続し、ダミー溝６の両側面に形成される駆動電極１８は互いに電気的に分離する。圧電体基板２の他方の側面ＳＢの側の上面ＵＰには共通端子１６ａと個別端子１６ｂが設置され、共通端子１６ａは吐出溝５の駆動電極１８と電気的に接続し、個別端子１６ｂは、吐出溝５を挟む２つのダミー溝６の吐出溝５側の側面の駆動電極１８と電気的に接続する。透光性カバープレート９Ｔは、吐出溝５に連通する２つの液室１０ａ、１０ｂを有し、圧電体基板２の上部に設置される。液室１０ａはスリット１１を介して吐出溝５の一方の側面ＳＡ側の端部に連通し、液室１０ｂはスリット１１を介して吐出溝５の他方の側面ＳＢ側の端部に連通する。ノズルプレート１２は吐出溝５に連通するノズル１３を備える。透光性カバープレート９Ｔを透明基板とすることにより、ダミー溝６に形成される電極層７を透光性カバープレート９Ｔの上方からレーザー光Ｌを照射して電気的に分離することができる。そのため、ダミー溝６の溝幅を狭く形成することができ、高密度記録の液体噴射ヘッド１とすることができる。
【００６９】
（第四実施形態）
図１４〜図１６は、本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図１４は第四実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法を示す工程図である。図１５及び図１６は第四実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の各工程の説明図である。図１５及び図１６の左図が液体噴射ヘッド１の基準方向Ｋの断面模式図であり、中図が吐出溝５の溝方向の断面模式図であり、右図がダミー溝６の溝方向の断面模式図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００７０】
まず、溝形成工程Ｓ１１において、圧電体基板２の上面ＵＰに液体を吐出する吐出溝５と液体を吐出しないダミー溝６とを基準方向Ｋに交互に形成する。第三実施形態の溝形成工程Ｓ１１と同様なので、説明を省略する。
【００７１】
次に、図１５（Ｓ１３）に示すように、透光性基板設置工程Ｓ１３において、圧電体基板２の上面ＵＰに透光性基板である透光性カバープレート９Ｔを設置する。透光性カバープレート９Ｔは、圧電体基板２の一方の側面ＳＡ及び他方の側面ＳＢと面一に設置することができる。そのために、第三実施形態の場合と比較して圧電体基板２の他方の側面ＳＢ側の強度を確保することができる。具体的には、透光性カバープレート９Ｔと圧電体基板２とは接着剤を介して接合する。透光性基板の材質等は、基本構成と同じなので、説明を省略する。透光性カバープレート９Ｔは２つの液室１０ａ、１０ｂと各液室１０ａ、１０ｂの各底部に複数のスリット１１を備える。液室１０ａは複数のスリット１１を介して複数の吐出溝５の一方の側面ＳＡ側の端部の切り上がり部に連通する。液室１０ｂは複数のスリットを介して複数の吐出溝５の他方の側面ＳＢ側の端部の切り上がり部に連通する。これにより、液体は、液室１０ａ→スリット１１→吐出溝５→スリット１１→液室１０ｂ、或いはその逆方向に循環可能となる。また、２つの液室１０ａ、１０ｂはいずれのダミー溝６にも連通しない。透光性カバープレート９Ｔと圧電体基板２との接合の際に、透光性カバープレート９Ｔは可視光を透過するので、各液室１０ａ、１０ｂのスリット１１と吐出溝５との位置合わせが容易となる。
【００７２】
次に、圧電体基板研削工程Ｓ１４において、圧電体基板２の下面ＬＰを研削し吐出溝５とダミー溝６とを下面ＬＰに開口させる。第三実施形態の圧電体基板研削工程Ｓ１４と同様なので、説明を省略する。
【００７３】
次に、図１５（Ｓ２０）に示すように、感光性樹脂膜形成工程Ｓ２０において、圧電体基板２の下面ＬＰに感光性樹脂膜１４のパターンを形成する。感光性樹脂膜１４としてレジスト膜を用い、ドライフィルム等のレジスト膜を圧電体基板２の下面ＬＰに貼り付ける。次に、フォトプロセスを通して露光及び現像を行い、感光性樹脂膜１４のパターンを形成する。例えば、電極配線や電極端子が形成される領域から感光性樹脂膜１４を除去する。
【００７４】
次に、図１５（Ｓ１５）に示すように、電極層形成工程Ｓ１５において、圧電体基板２の下面ＬＰと吐出溝５及びダミー溝６の内表面ＩＰに電極層７を形成する。即ち、電極層７は、圧電体基板２の下面ＬＰ及び感光性樹脂膜１４の表面と、吐出溝５及びダミー溝６の側面及び天井面ＴＰに形成される。電極層７をめっき法により形成すれば、天井面ＴＰまで容易に形成することができる。電極材料は基本構成と同じなので、説明を省略する。なお、吐出溝５及びダミー溝６の側面の一部に形成される導通配線１５は電極層７により覆われるので、以降の図においては省略する。
【００７５】
次に、図１６（Ｓ２１）に示すように、電極パターン形成工程Ｓ２１において、感光性樹脂膜１４を除去し、電極層７のパターンを形成する。つまり、圧電体基板２の下面ＬＰから感光性樹脂膜１４を剥離し除去することにより、その上に形成される電極層７も除去する（リフトオフ法）。これにより、吐出溝５及びダミー溝６の側面に駆動電極１８を形成し、圧電体基板２の他方の側面ＳＢの下面ＬＰに個別端子１６ｂと、吐出溝５の下面ＬＰ開口との間に共通端子１６ａを形成する。なお、共通端子１６ａは吐出溝５の両側面の駆動電極１８と電気的に接続する。
【００７６】
次に、図１６（Ｓ１８）に示すように、電極分離工程Ｓ１８において、電極層７に透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、ダミー溝６の両側面に形成される駆動電極１８（電極層７）を電気的に分離する。つまり、ダミー溝６の天井面ＴＰに形成される電極層７を、上方から透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、天井面ＴＰに形成される電極層７を除去する。ダミー溝６の天井面ＴＰは透光性カバープレート９Ｔの平滑面からなり、そのために、天井面ＴＰに形成される電極層７は除去しやすい。なお、レーザー加工については基本構成と同じなので、説明を省略する。
【００７７】
次に、図１６（Ｓ１９）に示すように、ノズルプレート設置工程Ｓ１９において、ノズル１３が配列するノズルプレート１２を圧電体基板２の下部に設置し、圧電体基板２の下面ＬＰに開口する吐出溝５とノズル１３とを連通させる。具体的には、ノズルプレート１２を、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂが露出するように圧電体基板２の下面ＬＰに接着剤を介して接合する。なお、ノズルプレート１２よりも高硬度であり、吐出溝５に対応する位置に貫通孔を備える補強板を接合し、この補強板の外表面にノズルプレート１２を接合してもよい。
【００７８】
本発明による液体噴射ヘッド１の製造方法によれば、第三実施形態と同様に、ダミー溝６の両側面の電極層７を、透光性カバープレート９Ｔを通して上方からレーザー光Ｌを照射して切断分離する。そのため、ダミー溝６の幅や深さに影響されることなく電極層７を確実に切断することができる。特に、ダミー溝６の天井面ＴＰは平滑面であることから、第一実施形態の場合よりも切断分離が容易となる。また、透光性カバープレート９Ｔとしてガラス材料を使用すれば、ガラス材料はセラミックスからなる圧電体材料と比較してボイドが少なく、液体のリークを低減させることができる。また、第三実施形態と比較して、電極材料を堆積して電極層を形成する工程が一回で済むので、工程数が減少し製造コストを低減させることができる。
【００７９】
なお、第三及び第四実施形態では、電極分離工程Ｓ１８の後にノズルプレート設置工程Ｓ１９を行うが、ノズルプレート設置工程Ｓ１９の後に電極分離工程Ｓ１８を行ってもよい。また、第三及び第四実施形態では、透光性カバープレート９Ｔが液室１０とスリット１１を備えるが、透光性カバープレート９Ｔとしてスリット１１のみを備える透光性基板を圧電体基板２の上面ＵＰに接合してもよい。これにより、透光性カバープレート９Ｔの外表面の平滑性が向上し、電極層７に照射するレーザー光Ｌの集光が容易となる。
【００８０】
本実施形態により製造される液体噴射ヘッド１は、図１３に示される液体噴射ヘッド１と類似する。図１３に示される液体噴射ヘッド１と異なる点は、圧電体基板２の上面ＵＰに設置される透光性カバープレート９Ｔの幅が圧電体基板２の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢまでの幅と同程度とすることができる点と、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂが圧電体基板２の下面ＬＰに設置されることと、ノズルプレート１２が共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂが露出するように下面ＬＰに設置される点である。その他の構成は、図１３に示すものと同様である。従って、圧電体基板２の特に他方の側面ＳＢ側の強度を確保することができる。
【００８１】
（第五実施形態）
図１７〜図１９は、本発明の第五実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図１７は第五実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法を示す工程図である。図１８及び図１９は第五実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の各工程の説明図である。図１８及び図１９の左図が液体噴射ヘッド１の基準方向Ｋの断面模式図であり、中図が吐出溝５の溝方向の断面模式図であり、右図がダミー溝６の溝方向の断面模式図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００８２】
まず、溝形成工程Ｓ１１において、圧電体基板２の上面ＵＰに液体を吐出する吐出溝５と液体を吐出しないダミー溝６とを基準方向Ｋに交互に形成する。第二実施形態の溝形成工程Ｓ１１と同様なので、説明を省略する。
【００８３】
次に、図１７（Ｓ１３）に示すように、透光性基板設置工程Ｓ１３において、圧電体基板２の上面ＵＰに透光性基板である透光性カバープレート９Ｔを設置する。透光性カバープレート９Ｔは、圧電体基板２の一方の側面ＳＡ及び他方の側面ＳＢと面一に設置することができる。そのために、第二実施形態の場合と比較して圧電体基板２の他方の側面ＳＢ側の強度を確保することができる。具体的には、透光性カバープレート９Ｔと圧電体基板２とは接着剤を介して接合する。透光性基板の材質等は、基本構成と同様なので、説明を省略する。透光性カバープレート９Ｔは液室１０と液室１０の底部に複数のスリット１１を備える。複数のスリット１１のそれぞれは複数の吐出溝５のそれぞれに吐出溝５の切り上がり部において連通する。液室１０に供給される液体はスリット１１を介して各吐出溝５に供給されるが、液室１０はダミー溝６とは連通せず、ダミー溝６には液体が流入しない。透光性カバープレート９Ｔと圧電体基板２との接合の際に、透光性カバープレート９Ｔは可視光を透過するので、液室１０のスリット１１と吐出溝５との位置合わせが容易となる。
【００８４】
次に、図１７（Ｓ１４）に示すように、圧電体基板研削工程Ｓ１４において、圧電体基板２の下面ＬＰを研削し、吐出溝５とダミー溝６とを下面ＬＰに開口させる。第二実施形態の圧電体基板研削工程Ｓ１４と同様なので、説明を省略する。
【００８５】
次に、図１８（Ｓ２０）に示すように、感光性樹脂膜形成工程Ｓ２０において、圧電体基板２の下面ＬＰに感光性樹脂膜１４のパターンを形成する。感光性樹脂膜１４としてレジスト膜を用い、ドライフィルム等のレジスト膜を圧電体基板２の下面ＬＰに貼り付ける。次に、フォトプロセスを通して露光及び現像を行い、感光性樹脂膜１４のパターンを形成する。例えば、電極配線や電極端子が形成される領域から感光性樹脂膜１４を除去する。
【００８６】
次に、図１８（Ｓ１５）に示すように、電極層形成工程Ｓ１５において、圧電体基板２の下面ＬＰと吐出溝５及びダミー溝６の内表面ＩＰに電極層７を形成する。即ち、電極層７は、圧電体基板２の下面ＬＰ及び感光性樹脂膜１４の表面と、吐出溝５及びダミー溝６の側面及び天井面ＴＰに形成される。電極層７をめっき法により形成すれば、天井面ＴＰまで容易に形成することができる。電極材料は基本構成と同様なので、説明を省略する。
【００８７】
次に、図１９（Ｓ２１）に示すように、電極パターン形成工程Ｓ２１において、感光性樹脂膜１４を除去し、電極層７のパターンを形成する。つまり、圧電体基板２の下面ＬＰから感光性樹脂膜１４を剥離し除去することにより、その上に形成される電極層７も除去される（リフトオフ法）。これにより、吐出溝５及びダミー溝６の側面に駆動電極１８を形成し、圧電体基板２の他方の側面ＳＢの下面ＬＰに個別端子１６ｂと、吐出溝５の下面ＬＰ開口との間に共通端子１６ａを形成する。なお、共通端子１６ａは吐出溝５の両側面の駆動電極１８と電気的に接続する。
【００８８】
次に、図１９（Ｓ１８）に示すように、電極分離工程Ｓ１８において、電極層７に透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、ダミー溝６の両側面に形成される電極層７を電気的に分離する。つまり、ダミー溝６の天井面ＴＰに形成される電極層７を、上方から透光性カバープレート９Ｔを通してレーザー光Ｌを照射し、天井面ＴＰに形成される電極層７を除去する。第四実施形態の電極分離工程Ｓ１８と同様なので説明を省略する。
【００８９】
次に、図１９（Ｓ１７）に示すように、底板設置工程Ｓ１７において、圧電体基板２の下面ＬＰに底板３を設置する。底板３は、吐出溝５の下面ＬＰに開口する開口部を閉塞し、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂは露出するように下面ＬＰに接着剤を介して接合する。底板３として、圧電体基板２と同じ材料や透光性カバープレート９Ｔと同じ材料を使用することができる。底板３として圧電体基板２と同じ材料を使用すれば、熱膨張差による反りを防止することができる。底板３として透光性カバープレート９Ｔと同じガラス材料を使用すれば、材質の異なる圧電体基板２を両側から挟むことになるので、熱膨張差による基板の反りを防止することができる。
【００９０】
次に、図１９（Ｓ１９）に示すように、ノズルプレート設置工程Ｓ１９において、ノズル１３が配列するノズルプレート１２を圧電体基板２の側部に設置し、圧電体基板２の一方の側面ＳＡに開口する吐出溝５とノズル１３とを連通させる。具体的には、ノズルプレート１２を圧電体基板２の一方の側面ＳＡと、一方の側面ＳＡと面一に設置される透光性カバープレート９Ｔの側面に接着剤を介して接合する。
【００９１】
本発明による液体噴射ヘッド１の製造方法によれば、第四実施形態と同様に、ダミー溝６の両側面の電極層７を、透光性カバープレート９Ｔを通して上方からレーザー光Ｌを照射して切断分離する。そのため、ダミー溝６の幅や深さに影響されることなく電極層７を確実に切断することができる。特に、ダミー溝６の天井面ＴＰは平滑面であることから、第一実施形態の場合よりも切断分離が容易となる。また、透光性カバープレート９Ｔとしてガラス材料を使用すれば、ガラス材料はセラミックスからなる圧電体材料と比較してボイドが少なく、液体のリークを抑制することができる。また、第三実施形態と比較して、電極材料を堆積して電極層を形成する工程が一回で済むので、工程数が減少し製造コストを低減させることができる。
【００９２】
なお、上記第五実施形態では、電極分離工程Ｓ１８の後に底板設置工程Ｓ１７を行うが、底板設置工程Ｓ１７の後に電極分離工程Ｓ１８を行ってもよい。また、上記第五実施形態では、透光性カバープレート９Ｔが液室１０とスリット１１を備えるが、透光性カバープレート９Ｔとしてスリット１１のみを備える透光性基板を圧電体基板２の上面ＵＰに接合してもよい。これにより、透光性カバープレート９Ｔの外表面の平滑性が向上し、電極層７に照射するレーザー光Ｌの集光が容易となる。
【００９３】
本実施形態により製造される液体噴射ヘッド１は、図６に示される液体噴射ヘッド１と類似する。図６に示される液体噴射ヘッド１と異なる点は、圧電体基板２の上面ＵＰに設置される透光性カバープレート９Ｔの幅が圧電体基板２の一方の側面ＳＡから他方の側面ＳＢまでの幅と同程度とすることができる点と、共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂが圧電体基板２の下面ＬＰに設置されることと、底板３が不透明基板であってもよく、更に、底板３が共通端子１６ａ及び個別端子１６ｂが露出するように下面ＬＰに設置される点である。その他の構成は、図６に示すものと同様である。従って、圧電体基板２の特に他方の側面ＳＢ側の強度を確保することができる。
【００９４】
（第六実施形態）
図２０は本発明の第六実施形態に係る液体噴射装置３０の模式的な斜視図である。液体噴射装置３０は、液体噴射ヘッド１、１’を往復移動させる移動機構４０と、液体噴射ヘッド１、１’に液体を供給し、液体噴射ヘッド１、１’から液体を排出する流路部３５、３５’と、流路部３５、３５’に連通する液体ポンプ３３、３３’及び液体タンク３４、３４’とを備えている。各液体噴射ヘッド１、１’は、圧電体基板２と、カバープレート９、ノズルプレート１２とを備える。液体ポンプ３３、３３’として、流路部３５、３５’に液体を供給する供給ポンプとそれ以外に液体を排出する排出ポンプのいずれかもしくは両方を設置し、液体を循環させることができる。また、図示しない圧力センサーや流量センサーを設置し、液体の流量を制御することもある。液体噴射ヘッド１、１’は、圧電体基板２に吐出溝３と非吐出溝４が交互に配列し、圧電体基板２の上部又は下部に透光性カバープレート９Ｔ又は透光性底板３Ｔが設置される。液体噴射ヘッド１、１’は、既に説明した第一〜第五実施形態により製造されるいずれかを使用する。
【００９５】
液体噴射装置３０は、紙等の被記録媒体４４を主走査方向に搬送する一対の搬送手段４１、４２と、被記録媒体４４に液体を吐出する液体噴射ヘッド１、１’と、液体噴射ヘッド１、１’を載置するキャリッジユニット４３と、液体タンク３４、３４’に貯留した液体を流路部３５、３５’に押圧して供給する液体ポンプ３３、３３’と、液体噴射ヘッド１、１’を主走査方向と直交する副走査方向に走査する移動機構４０とを備えている。図示しない制御部は液体噴射ヘッド１、１’、移動機構４０、搬送手段４１、４２を制御して駆動する。
【００９６】
一対の搬送手段４１、４２は副走査方向に延び、ローラ面を接触しながら回転するグリッドローラとピンチローラを備えている。図示しないモータによりグリッドローラとピンチローラを軸周りに移転させてローラ間に挟み込んだ被記録媒体４４を主走査方向に搬送する。移動機構４０は、副走査方向に延びた一対のガイドレール３６、３７と、一対のガイドレール３６、３７に沿って摺動可能なキャリッジユニット４３と、キャリッジユニット４３を連結し副走査方向に移動させる無端ベルト３８と、この無端ベルト３８を図示しないプーリを介して周回させるモータ３９を備えている。
【００９７】
キャリッジユニット４３は、複数の液体噴射ヘッド１、１’を載置し、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの４種類の液滴を吐出する。液体タンク３４、３４’は対応する色の液体を貯留し、液体ポンプ３３、３３’、流路部３５、３５’を介して液体噴射ヘッド１、１’に供給する。各液体噴射ヘッド１、１’は駆動信号に応じて各色の液滴を吐出する。液体噴射ヘッド１、１’から液体を吐出させるタイミング、キャリッジユニット４３を駆動するモータ３９の回転及び被記録媒体４４の搬送速度を制御することにより、被記録媒体４４上に任意のパターンを記録することできる。
【００９８】
なお、本実施形態は、移動機構４０がキャリッジユニット４３と被記録媒体４４を移動させて記録する液体噴射装置３０であるが、これに代えて、キャリッジユニットを固定し、移動機構が被記録媒体を２次元的に移動させて記録する液体噴射装置であってもよい。つまり、移動機構は液体噴射ヘッドと被記録媒体とを相対的に移動させるものであればよい。
【符号の説明】
【００９９】
１  液体噴射ヘッド
２  圧電体基板
３  底板、３Ｔ  透光性底板
４  積層基板
５  吐出溝
６  ダミー溝
７  電極層
９  カバープレート、９Ｔ  透光性カバープレート
１０、１０ａ、１０ｂ  液室
１１  スリット
１２  ノズルプレート
１３  ノズル
１４  感光性樹脂膜
１５  導通配線
１６ａ  共通端子、１６ｂ  個別端子
１８  駆動電極
ＵＰ  上面、ＩＰ  内表面、ＬＰ  下面、ＢＰ  底面、ＴＰ  天井面、Ｗ  側壁
Ｔ  透光性基板、ＳＡ  一方の側面、ＳＢ  他方の側面
Ｌ  レーザー光、Ｋ  基準方向
【図１】
2015085534.tif 000003
【図２】
2015085534.tif 000004
【図３】
2015085534.tif 000005
【図４】
2015085534.tif 000006
【図５】
2015085534.tif 000007
【図６】
2015085534.tif 000008
【図７】
2015085534.tif 000009
【図８】
2015085534.tif 000010
【図９】
2015085534.tif 000011
【図１０】
2015085534.tif 000012
【図１１】
2015085534.tif 000013
【図１２】
2015085534.tif 000014
【図１３】
2015085534.tif 000015
【図１４】
2015085534.tif 000016
【図１５】
2015085534.tif 000017
【図１６】
2015085534.tif 000018
【図１７】
2015085534.tif 000019
【図１８】
2015085534.tif 000020
【図１９】
2015085534.tif 000021
【図２０】
2015085534.tif 000022
【図２１】
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