(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することを目的とする。【解決手段】発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、ＴＦＴ基板２０と、前記ＴＦＴ基板の表示領域Ｄ上に形成された発光層３３と、を備え、前記ＴＦＴ基板は、少なくとも前記表示領域に形成された、有機材料からなる有機バリア層８と、前記有機バリア層の下面８ａを覆う第１金属層７と、前記有機バリア層の上面８ｂを覆う第２金属層９と、前記第２金属層上に形成された薄膜トランジスタ１１と、を有することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板の表示領域上に形成された発光層と、
を備え、
前記ＴＦＴ基板は、
少なくとも前記表示領域に形成された、有機材料からなる有機バリア層と、
前記有機バリア層の下面を覆う第１金属層と、
前記有機バリア層の上面を覆う第２金属層と、
前記第２金属層上に形成された薄膜トランジスタと、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記有機バリア層の側面が前記第２金属層によって覆われていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記ＴＦＴ基板が、有機材料からなる湾曲可能な有機基材を有し、
前記第１金属層が前記有機基材上に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１金属層及び前記第２金属層の少なくとも一方は、複数の金属層が積層してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記ＴＦＴ基板が、前記表示領域とその外側の非表示領域とに区画され、
前記第１金属層及び前記第２金属層の外周が、平面視で前記非表示領域の外周よりも内側にあることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１金属層の下側に、金属からなる熱拡散層が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１金属層がグランドとして機能することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１金属層及び前記第２金属層が蒸着により形成されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、可撓性を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されている。このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、湾曲可能な樹脂基板を基材としており、樹脂基板上に薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ（thin film transistor）基板と、発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス（organic electro luminescent）素子とを備えている。
【０００３】
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては例えば、特許文献１において、樹脂基板上に窒化シリコン膜からなる第１のバリア層と、樹脂フィルム層と、窒化シリコン膜からなる第２のバリア層と、薄膜トランジスタと、が順に積層されたＴＦＴ基板を有する構成が開示されている。この第２のバリア層は、第２の樹脂フィルムの上面と側面を覆うように形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２２７３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のフレキシブルな有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、樹脂基板や第１、第２のバリア層が薄くなるほどその防水性が低下し、樹脂フィルム層に水分が浸透するおそれが生じる。また、樹脂フィルム層に水分が浸透すると、複数の画素にわたって水分が拡散する。そして、樹脂フィルム層の水分が拡散した部分は劣化し、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の不良発生のおそれが生じる。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の表示領域上に形成された発光層と、を備え、前記ＴＦＴ基板は、少なくとも前記表示領域に形成された、有機材料からなる有機バリア層と、前記有機バリア層の下面を覆う第１金属層と、前記有機バリア層の上面を覆う第２金属層と、前記第２金属層上に形成された薄膜トランジスタと、を有することを特徴とする。
【０００８】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記有機バリア層の側面が前記第２金属層によって覆われていてもよい。
【０００９】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）または（２）において、前記ＴＦＴ基板が、有機材料からなる湾曲可能な有機基材を有し、前記第１金属層が前記有機基材上に形成されていてもよい。
【００１０】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（３）のいずれか一項において、前記第１金属層及び前記第２金属層の少なくとも一方は、複数の金属層が積層してもよい。
【００１１】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は（１）乃至（４）のいずれか一項において、前記ＴＦＴ基板が、前記表示領域とその外側の非表示領域とに区画され、前記第１金属層及び前記第２金属層の外周が、平面視で前記非表示領域の外周よりも内側にあってもよい。
【００１２】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（５）のいずれか一項において、前記第１金属層の下側に、金属からなる熱拡散層が形成されていてもよい。
【００１３】
（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（６）のいずれか一項において、前記第１金属層がグランドとして機能してもよい。
【００１４】
（８）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（７）のいずれか一項において、前記第１金属層及び前記第２金属層が蒸着により形成されてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
上記（１）乃至（８）のいずれかによれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機バリア層への水分の浸透が抑えられる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。
【図４】図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【図５】図５は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図６】図６は図５に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１８】
図１は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは可撓性を有しており、表示領域Ｄと非表示領域Ｅとに区画されたＴＦＴ基板（薄膜トランジスタ基板）２０と、フレキシブル回路基板２と、ＴＦＴ基板２０の非表示領域Ｅ上に配置されたＩＣチップ（Integrated Circuit）３と、ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄに対向して配置された対向基板５０と、を有している。
【００１９】
ＩＣチップ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データが供給される、ＴＦＴ基板２０上に配置されたＩＣ（Integrated Circuit）である。図１に示すように、ＩＣチップ３は、ＴＦＴ基板２０の上面２０ａのうち、対向基板５０が配置されていない領域２０ａ１に設けられている。また、ＩＣチップ３は、非表示領域Ｅに形成された図示しない配線によって、後述する薄膜トランジスタ１１に接続されている。
【００２０】
ＴＦＴ基板２０は、後述する薄膜トランジスタ１１が形成されるための部材であり、表示領域Ｄとその外側の非表示領域Ｅとに区画されている。ＴＦＴ基板２０は表示領域Ｄと非表示領域Ｅにおいて、熱拡散層４上に、有機基材５と、第１ＳｉＮ層６ａと、第１ＳｉＯ２層６ｂと、第１金属層７と、有機バリア層８と、第２金属層９と、第２ＳｉＮ層１０ａと、第２ＳｉＯ２層１０ｂとが積層されており、第２ＳｉＯ２層１０ｂの表示領域Ｄ上に薄膜トランジスタ１１を有する回路層１２が形成されている。
【００２１】
また、ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄ上には、平坦化膜１３と有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９と封止膜４０とが積層され、封止膜４０上には、充填剤４５を介して対向基板５０が配置されている。この充填剤４５は、非表示領域Ｅに配置されたシール材Ｓによって封止されている。
【００２２】
図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩＩ領域の部分拡大図である。以下、各構成についてその詳細を説明する。熱拡散層４は、薄膜トランジスタ１１や、有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９における、後述する有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱を拡散させるために設けられる層である。熱拡散層４は金属からなることが好ましいが、熱を拡散させる機能を有すればその他の材料から形成されていてもよい。また、熱拡散層４は、少なくとも表示領域Ｄにおける第１金属層７の下側（有機基材５側）を覆うように形成されていればよいが、図２に示すように表示領域Ｄから非表示領域Ｅまでの全面にわたって形成されていてもよい。
【００２３】
有機基材５は有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの基材として機能する湾曲可能な基材である。有機基材５は例えば樹脂などの有機材料からなり、具体的には例えばポリイミドが用いられる。なお、有機基材５の材料は有機材料に限られず、ＴＦＴ基板２０を湾曲可能な柔軟性を有する材料であれば、その他の材料であってもよい。
【００２４】
有機基材５上には、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ２層６ｂとが形成されている。このように第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ２層６ｂとが有機基材５の上面を覆うように形成されていることにより、有機基材５の外側から侵入した水分が薄膜トランジスタ１１や有機エレクトロルミネッセンス素子３０に浸透することが防がれる。なお、本実施形態においては、有機基材５側から対向基板５０側へ第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ２層６ｂとが順に積層されているが、ＳｉＮ層とＳｉＯ２層の順序は逆でもよい。また、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ２層６ｂは、二層が積層した構造に限られず、少なくともいずれか一方が形成されていてもよい。
【００２５】
なお、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ２層６ｂが有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの基材として機能し、かつ、湾曲可能な程度の厚さを有するのであれば、先述した有機基材５の代わりに、これらが基材として用いられてもよい。
【００２６】
第１金属層７は、後述する有機バリア層８への水分の浸透を防ぎ、かつ、薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱を拡散するために設けられている。第１金属層７は、後述する有機バリア層８の下面８ａの全面を覆っていることが好ましいが、下面８ａの少なくとも一部を覆うように形成されていればよい。
【００２７】
第１金属層７の材料としては、具体的には例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらの合金であるＴｉＷやＭｏＷを用いることができる。なお、第１金属層７の材料はここに挙げた金属に限定されず、その他の金属であってもよい。
【００２８】
また、第１金属層７の厚さは、１００ｎｍ以上、１μｍ以下であることが好ましいが、蒸着により形成されたものであれば１００ｎｍ未満の厚さであってもよい。蒸着により形成された第１金属層７は、他の方法で形成された金属層と比べてその表面粗さが小さくなる。このため、第１金属層７が１００ｎｍ未満の厚さであっても、十分な防水性を確保することができる。また、第１金属層７はグランドとして機能してもよい。具体的には例えば、第１金属層７は、図示しない配線に接続されることにより一定の電位に保たれる。
【００２９】
有機バリア層８は、有機基材５の外側から侵入した水分が薄膜トランジスタ１１や有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９に浸透することを防ぐために設けられている。例えば、第１ＳｉＮ層６ａと第１ＳｉＯ２層６ｂのＣＶＤ成膜時や、第１金属層７のスパッタ時に付着した異物によりカバレッジ不良によるピンホールが発生して水分の浸透防止が損なわれたとしても、一旦有機バリア層８により、これらの膜の表面が平坦化される。このため、次工程以降の成膜において、カバレッジ不良となった箇所が引き継がれることが防がれるとともに、水分の浸透防止機能を維持することが可能になる。有機バリア層８は有機材料からなり、第１金属層７によってその下面８ａが覆われている。有機バリア層８は例えばポリイミドからなるが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを湾曲可能とする有機材料であれば、その他の材料が用いられてもよい。有機バリア層８は表示領域Ｄの全面を覆うように形成されていることが好ましく、非表示領域Ｅにまでわたって形成されていることが特に好ましい。
【００３０】
第２金属層９は、有機バリア層８への水分の浸透を防ぎ、かつ、薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱を拡散するために設けられている。第２金属層９は有機バリア層８の上面８ｂ全体を覆うように形成されていることが好ましい。また、第２金属層９の材料としては、第１金属層７と同様にＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらの合金であるＴｉＷやＭｏＷなどの金属を選択することができる。また、第２金属層９の厚さは、１００ｎｍ以上、１μｍ以下であることが好ましいが、蒸着により形成された第２金属層９であれば、１００ｎｍ未満の厚さであってもよい。
【００３１】
なお、第１金属層７及び第２金属層９の構成は図３に示すものに限られず、その少なくとも一方が、複数の金属層が積層してなる金属層であってもよい。図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。具体的には例えば、第１金属層７は、第１ＳｉＯ２層６ｂ上を覆うように形成された第一層７ａと、第一層７ａ上に積層された第二層７ｂとから構成されており、第２金属層９は、有機バリア層８の上面８ｂを覆うように形成された第一層９ａと、第一層９ａ上に積層された第二層９ｂとから構成されている。
【００３２】
このような第一層７ａ、第二層７ｂ、第一層９ａ及び第二層９ｂの材料としては、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらの合金であるＴｉＷやＭｏＷなどが挙げられるが、これらに限定されず、その他の金属であってもよい。また、第１金属層７及び第２金属層９は図４に示すような二層構造に限られず、三以上の金属層が積層してもよい。なお、第１金属層７及び第２金属層９は、両方が複数の金属層が積層してなることが特に好ましいが、少なくともいずれか一方が積層構造を有していてもよい。
【００３３】
図３に示すように、第２金属層９上には、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ２層１０ｂとが形成されている。このように、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ２層１０ｂとが第２金属層９の上面を覆うように形成されることにより、有機基材５の外側から侵入した水分が薄膜トランジスタ１１や有機エレクトロルミネッセンス素子３０に浸透することが防がれる。なお、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ２層１０ｂの積層の順序は図３に示す順に限られず、その逆でもよい。
【００３４】
また、第２ＳｉＮ層１０ａと第２ＳｉＯ２層１０ｂは、いずれか一方が形成されていてもよく、ボトムゲートアモルファスＴＦＴの場合は第２ＳｉＮ層１０ａ、トップゲート低温ポリシリコンＴＦＴの場合は第２ＳｉＯ２層１０ｂが形成されていることが好ましい。
【００３５】
回路層１２は、薄膜トランジスタ１１及び図示しない電気配線が形成された層であり、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を駆動するために形成されている。
【００３６】
薄膜トランジスタ１１は第２金属層９上に画素Ｐごとに形成されており、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、第１の絶縁膜１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、第２の絶縁膜１１ｄ、ソース・ドレイン電極１１ｅ、及び、第３の絶縁膜１１ｆから構成されている。このうち、第２の絶縁膜１１ｄ及び第３の絶縁膜１１ｆは、ゲート電極１１ｃとソース・ドレイン電極１１ｅとの間の絶縁性を保つために形成されている。
【００３７】
回路層１２上（第３の絶縁膜１１ｆ上）は、絶縁材料からなる平坦化膜１３によって覆われている。平坦化膜１３は、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス素子３０との間に形成されることにより有機エレクトロルミネッセンス素子３０の発光層の平坦化や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス素子３０との間を電気的に絶縁する。
【００３８】
平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。また、平坦化膜１３には、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス素子３０とを接続するコンタクトホール３２ａが形成されている。
【００３９】
また、平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜は、後述する有機エレクトロルミネッセンス素子３０から出射した光を対向基板５０側へ向けて反射するために設けられる。反射膜は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。
【００４０】
ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄ上に対応する平坦化膜１３上の領域には、有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子形成領域２９は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３０と画素分離膜１４とを有している。
【００４１】
有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、各画素Ｐに応じてマトリクス状に形成されている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、陽極３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された陰極３４とを有することにより、発光源として機能する。
【００４２】
陽極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極である。陽極３２はコンタクトホール３２ａに接続することにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて、薄膜トランジスタ１１から駆動電流が供給される。
【００４３】
陽極３２は導電性を有する材料からなる。陽極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、陽極３２に接触するものであれば、反射膜は陽極３２の一部として機能する。
【００４４】
隣接する各陽極３２同士の間には、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４との間の漏れ電流と、を防止する機能を有する。画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。
【００４５】
有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層であり、陽極３２上を覆うように形成されている。有機層３３は、陽極３２毎に形成された構成に限られず、表示領域Ｄ内のうち、画素Ｐの配置されている領域の全面を覆うように形成されていてもよい。有機層３３は光を発する発光層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。
【００４６】
有機層３３は、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は限定されない。発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。
【００４７】
陰極３４は、有機層３３上を覆うように形成されている。陰極３４は、画素Ｐ毎に形成された構成に限られず、表示領域Ｄ内のうち、画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成されていてもよい。このような構成を有することにより、陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００４８】
陰極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。陰極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
【００４９】
有機エレクトロルミネッセンス素子３０上（陰極３４上）は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の浸透を防ぐ、絶縁材料からなる透明の膜であり、例えばＴＦＴ基板２０全体を覆うように形成されている。
【００５０】
封止膜４０の上面４０ａは、例えば無機材料からなる充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は例えば平面視でＴＦＴ基板２０よりも小さい外周を有する基板であり、ＴＦＴ基板２０の表示領域Ｄに対向するように配置されている。
【００５１】
このような対向基板５０としては具体的には例えば、有機層３３の発光層が白色光を発するものである場合には、カラーフィルタ基板を用いることができる。対向基板５０としてカラーフィルタ基板を用いることにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａはカラー表示を可能とする。
【００５２】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、有機バリア層８の下面８ａが第１金属層７によって覆われ、その上面８ｂが第２金属層９によって覆われていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機バリア層８への水分の浸入が抑えられる。このため、有機バリア層８に水分が浸透することによる有機バリア層８の品質の劣化や不良発生が防がれ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性の向上を実現することができる。
【００５３】
また、このような構成を有することにより、有機基材５の下側から有機エレクトロルミネッセンス素子３０の有機層３３への水分浸透が抑えられる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機層３３の品質の劣化や不良発生などによる画質の低下が抑えられる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの高画質化、高輝度化を実現することができる。
【００５４】
また、表示領域Ｄに第１金属層７と第２金属層９が形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの熱が拡散されやすい。このため、熱による有機層３３の劣化や、それに伴う輝度の低下が抑えられ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性向上、高輝度化を実現することができる。
【００５５】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、第１金属層７及び第２金属層９の少なくとも一方が複数の金属層が積層してなることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて有機バリア層８及び有機エレクトロルミネッセンス素子３０の有機層３３への水分の浸透が抑えられる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性の向上、高画質化及び高輝度化を実現することができる。
【００５６】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、有機材料からなる湾曲可能な有機基材５をＴＦＴ基板２０の基材として有することにより、フレキシブルでかつ防水性の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを実現することができる。
【００５７】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、第１金属層７の下側に金属からなる熱拡散層４が形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、熱が拡散されやすい。このため、熱による有機層３３の劣化が抑えられ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの信頼性向上を実現することができる。
【００５８】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、第１金属層７がグランドとして機能することにより、第１金属層７が所定の電位に保たれ、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて有機バリア層８に静電気が帯電することを防止できる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの不良発生を防止することができる。
【００５９】
次いで、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂについて説明する。図５は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂを図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【００６０】
第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、第１金属層７と有機バリア層８と第２金属層９との構成が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと異なっている。よって、以下、第１金属層７と有機バリア層８と第２金属層９とに関する構成について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと同様の構成についてはその説明を省略する。
【００６１】
本実施形態における第１金属層７は、その外周７ｃが平面視で非表示領域Ｅの外周Ｅ１よりも内側に位置している。このため、第１金属層７の外周７ｃは第２ＳｉＮ層１０ａによって覆われている。
【００６２】
有機バリア層８は、その側面８ｃが、平面視で図１に示す非表示領域Ｅの外周Ｅ１及び第１金属層７の外周７ｃよりも内側に位置している。このような構成を有することにより、有機バリア層８の下面８ａは全面にわたって第１金属層７によって覆われる。
【００６３】
有機バリア層８の上面８ｂと側面８ｃは第２金属層９によって覆われている。また、第２金属層９の外周９ｃは平面視で非表示領域Ｅの外周Ｅ１よりも内側に位置しており、第２ＳｉＮ層１０ａによって覆われている。
【００６４】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、このような構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて有機バリア層８の側面８ｃからの水分の侵入が防がれる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの信頼性向上を実現することができる。
【００６５】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、このような構成を有することにより、第１金属層７の外周７ｃ及び第２金属層９の外周９ｃが非表示領域Ｅの外周Ｅ１から露出することがない。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、第１金属層７及び第２金属層９の露出による劣化と、それによる防水性の低下を防ぐことができる。
【００６６】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【００６７】
例えば、第１金属層７及び第２金属層９は、有機バリア層の下面８ａの下側に対応する領域と、有機バリア層の上面８ｂの上側に対応する領域とを覆うものであれば、その少なくともいずれか一方は有機バリア層８に直接接触していなくてもよい。図６は図５に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【００６８】
具体的には例えば、図６に示すように第１金属層７は第１ＳｉＯ２層６ｂ上を覆うように形成され、第１金属層７上は第１ＳｉＮ層６ａによって覆われている。また、第１ＳｉＮ層６ａには有機バリア層８の下面８ａが接するように配置されている。また、有機バリア層８の上面８ｂと側面８ｃは、第２ＳｉＮ層１０ａと第２金属層９によって覆われている。
【００６９】
第１金属層７及び第２金属層９は、有機バリア層の下面８ａの下側に対応する領域と、有機バリア層の上面８ｂの上側に対応する領域とをそれぞれ覆うものであれば、その配置は図６に示した構成に限定されない。なお、有機バリア層８と第１金属層７または第２金属層９の間に配置される絶縁層は、ＳｉＮからなる層であることが好ましい。
【符号の説明】
【００７０】
１ａ、１ｂ  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバＩＣ、４  熱拡散層、５  有機基材、６ａ  第１ＳｉＮ層、６ｂ  第１ＳｉＯ２層、７  第１金属層、７ａ  第一層、７ｂ  第二層、７ｃ  第１金属層の外周、８  有機バリア層、８ａ  下面、８ｂ  上面、８ｃ  側面、９  第２金属層、９ａ  第一層、９ｂ  第二層、９ｃ  第２金属層の外周、１０ａ  第２ＳｉＮ層、１０ｂ  第２ＳｉＯ２層、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  平坦化膜、１４  画素分離膜、２０  薄膜トランジスタ基板、３０  有機エレクトロルミネッセンス素子、３２  陽極、３２ａ  コンタクトホール、３３  有機層、３４  陰極、４０  封止膜、４５  充填剤、５０  対向基板、Ｄ  表示領域、Ｅ  非表示領域、Ｅ１  外周、Ｐ  画素、Ｓ  シール材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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