(57)【要約】【課題】利便性または信頼性に優れた新規な検知器を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する。【解決手段】可視光を透過する窓部と、可撓性の絶縁層およびそれを挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子と、検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給する検知回路と、検知素子および検知回路を支持する可撓性の基材と、を有する構成に想到した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光を透過する窓部と、
前記窓部に重なる透光性の検知素子と、
前記検知素子と電気的に接続される検知回路と、
前記検知素子および前記検知回路を支持する可撓性の基材と、を有し、
前記検知素子は、可撓性の絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
前記検知回路は、前記検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給する、検知器。
【請求項２】
前記検知素子が、前記絶縁層にシリコーンゲルを含み且つ１ｍｍ以上の曲率半径で折り曲げることができる請求項１記載の検知器。
【請求項３】
前記検知回路が、
ゲートが前記検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１のトランジスタと、
制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される第１のスイッチと、
制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第２の端子が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２のスイッチと、を備える請求項１に記載の検知器。
【請求項４】
マトリクス状に配置される複数の検知ユニットと、
行方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される走査線と、
列方向に配置される前記検知ユニットが電気的に接続される信号線と、
前記検知ユニット、前記走査線および前記信号線が配設される可撓性の基材と、を有し、
前記検知ユニットは、可視光を透過する窓部、前記窓部に重なる検知素子および前記検知素子と電気的に接続される検知回路を備え、
前記検知素子は、可撓性の絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
前記検知回路は、選択信号を供給され且つ前記検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給し、
前記走査線は、前記選択信号を供給することができ、
前記信号線は、前記検知信号を供給されることができる、入力装置。
【請求項５】
前記検知素子が、前記絶縁層にシリコーンゲルを含み且つ１ｍｍ以上の曲率半径で折り曲げることができる請求項４記載の入力装置。
【請求項６】
前記検知回路が、
ゲートが前記検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１のトランジスタと、
制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される第１のスイッチと、
制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第２の端子が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２のスイッチと、を備える請求項４に記載の入力装置。
【請求項７】
検知素子の前記第２の電極の面積が、一の信号線に電気的に接続される複数の検知素子が備える第１の電極の面積の和の１０倍以上である請求項４に記載の入力装置。
【請求項８】
可視光を透過する窓部を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット、行方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される走査線、列方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される信号線ならびに複数の前記検知ユニット、前記走査線および前記信号線を支持する可撓性の第１の基材を備える可撓性の入力装置と、
マトリクス状に配設され且つ前記窓部に重なる複数の画素および前記画素を支持する可撓性の第２の基材を備える表示部と、を有し、
前記検知ユニットは、前記窓部に重なる検知素子および前記検知素子と電気的に接続される検知回路を備え、
前記検知素子は、可撓性の絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
前記検知回路は、選択信号を供給され且つ前記検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給し、
前記走査線は、前記選択信号を供給することができ、
前記信号線は、前記検知信号を供給することができ、
前記検知回路は、複数の前記窓部の間隙に重なるように配置される、入出力装置。
【請求項９】
前記検知ユニットおよび前記画素の間に着色層を備える請求項８記載の入出力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、検知器、入力装置または入出力装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになっている。
【０００４】
このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。
【０００５】
例えば、携帯可能な情報処理装置は持ち歩いて使用されることが多く、落下により思わぬ力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成が知られている（特許文献１）。
【０００６】
例えば、筐体の正面及び長手方向の上部に表示装置が配置されていることを特徴とする携帯電話機が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１９０７９４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５３８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な検知器を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な検知器、新規な入力装置、新規な入出力装置、または、新規な半導体装置、を提供することを課題の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、可視光を透過する窓部と、窓部に重なる透光性の検知素子と、検知素子と電気的に接続される検知回路と、検知素子および検知回路を支持する可撓性の基材と、を有する。
【００１１】
そして、検知素子は、可撓性の絶縁層、絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、検知回路は、検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給する、検知器である。
【００１２】
また、本発明の一態様は、検知素子が、絶縁層にシリコーンゲルを含み且つ１ｍｍ以上の曲率半径で折り曲げることができる上記の検知器である。
【００１３】
また、本発明の一態様は、検知回路が、ゲートが検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１のトランジスタと、制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される第１のスイッチと、制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第２の端子が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２のスイッチと、を備える上記の検知器である。
【００１４】
上記本発明の一態様の検知器は、可視光を透過する窓部と、可撓性の絶縁層およびそれを挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子と、検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給する検知回路と、検知素子および検知回路を支持する可撓性の基材と、を含んで構成される。
【００１５】
なお、検知素子の容量は、例えば、第１の電極または第２の電極にものが近接すること、もしくは第１の電極および第２の電極の間隔が変化することにより変化する。これにより、検知器は検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知器を提供することができる。
【００１６】
また、本発明の一態様は、マトリクス状に配置される複数の検知ユニットと、行方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される走査線と、列方向に配置される検知ユニットが電気的に接続される信号線と、検知ユニット、走査線および信号線が配設される可撓性の基材と、を有する。
【００１７】
そして、検知ユニットは、可視光を透過する窓部、窓部に重なる検知素子および検知素子と電気的に接続される検知回路を備え、検知素子は、可撓性の絶縁層、絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、検知回路は、選択信号を供給され且つ検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給し、走査線は、選択信号を供給することができ、信号線は、検知信号を供給されることができる、入力装置である。
【００１８】
また、本発明の一態様は、検知素子が、絶縁層にシリコーンゲルを含み且つ１ｍｍ以上の曲率半径で折り曲げることができる上記の入力装置である。
【００１９】
また、本発明の一態様は、検知回路が、ゲートが検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１のトランジスタと、制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される第１のスイッチと、制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第２の端子が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２のスイッチと、を備える上記の入力装置である。
【００２０】
上記本発明の一態様の入力装置は、可視光を透過する窓部、可撓性の絶縁層およびそれを挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子ならびに検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給する検知回路を含み且つマトリクス状に配置される検知ユニットと、検知ユニットを支持する可撓性の基材を含んで構成される。
【００２１】
なお、検知素子の容量は、例えば、第１の電極または第２の電極にものが近接すること、もしくは第１の電極および第２の電極の間隔が変化することにより変化する。これにより、入力装置は、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知する検知信号を、供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。
【００２２】
また、本発明の一態様は、検知素子の第２の電極の面積が、一の信号線に電気的に接続される複数の検知素子が備える第１の電極の面積の和の１０倍以上である上記の入力装置である。
【００２３】
上記本発明の一態様の入力装置は、選択信号を用いて一の信号線に接続された複数の検知ユニットから一の検知ユニットを選択することができ且つ第２の電極に比べて十分小さい第１の電極の面積を含んで構成される。
【００２４】
これにより、選択している検知ユニットに由来する容量を、選択していない検知ユニットに由来する容量から分離することができる。また、第１電極の面積が小さい検知ユニットを配置して、位置情報を詳細に取得することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。
【００２５】
また、本発明の一態様は、可視光を透過する窓部を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット、行方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される走査線、列方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される信号線ならびに複数の検知ユニット、走査線および信号線を支持する可撓性の第１の基材を備える可撓性の入力装置と、マトリクス状に配設され且つ窓部に重なる複数の画素および画素を支持する可撓性の第２の基材を備える表示部と、を有する。
【００２６】
そして、検知ユニットは、窓部に重なる検知素子および検知素子と電気的に接続される検知回路を備え、検知素子は、可撓性の絶縁層、絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、検知回路は、選択信号を供給され且つ検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給し、走査線は、選択信号を供給することができ、信号線は、検知信号を供給することができ、検知回路は、複数の窓部の間隙に重なるように配置される、入出力装置である。
【００２７】
また、本発明の一態様は、検知ユニットおよび画素の間に、着色層を備える上記の入出力装置である。
【００２８】
上記本発明の一態様の入出力装置は、可視光を透過する窓部を具備する検知ユニットを複数備える可撓性の入力装置と、窓部に重なる画素を複数備える可撓性の表示部と、を有し、窓部と画素の間に着色層を含んで構成される。
【００２９】
これにより、入出力装置は容量の変化に基づく検知信号とそれを供給する検知ユニットの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示すること、および曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【００３０】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。
【００３１】
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
【００３２】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイスまたは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【００３３】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００３４】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００３５】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００３６】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００３７】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態にすることができるような回路構成になっている場合に相当する。従って、接続している回路構成とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している回路構成も、その範疇に含む。
【００３８】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００３９】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な検知器を提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供できる。利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供できる。または、新規な検知器、新規な入力装置、新規な入出力装置、または、新規な半導体装置、を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施の形態に係る検知器の構成を説明する模式図および回路図。
【図２】実施の形態に係る検知器の構成を説明する図。
【図３】実施の形態に係る検知器の構成を説明する回路図および駆動方法を説明するタイミングチャート。
【図４】実施の形態に係る入力装置の構成を説明する図。
【図５】実施の形態に係る入力装置の構成を説明するブロック図および駆動方法を説明するタイミングチャート。
【図６】実施の形態に係る入力装置の構成を説明する投影図。
【図７】実施の形態に係る入力装置の構成を説明する断面図。
【図８】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。
【図９】実施の形態に係る検知回路に用いることができるトランジスタの構成を説明する図。
【図１０】実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。
【図１１】実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。
【図１２】実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。
【図１３】実施の形態に係る支持体に開口部を有する積層体の作製工程を説明する模式図。
【図１４】実施の形態に係る加工部材の構成を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本発明の一態様の検知器は、可視光を透過する窓部と、可撓性の絶縁層およびそれを挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子と、検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給する検知回路と、検知素子および検知回路を支持する可撓性の基材と、を含んで構成される。
【００４３】
これにより、検知器は検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知器、入力装置または入出力装置を提供することができる。
【００４４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００４５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知器の構成について、図１乃至図３を参照しながら説明する。
【００４６】
図１は本発明の一態様の検知器１０の構成を説明する図である。
【００４７】
図２は本発明の一態様の検知器１０Ｂの構成を説明する図である。
【００４８】
図３は本発明の一態様の検知器１０Ｂの駆動方法を説明する図である。
【００４９】
図１（Ａ）は本発明の一態様の検知器１０の構成を説明する模式図である。
【００５０】
図１（Ｂ−１）および図１（Ｂ−２）は検知器１０の容量が変化する様子を説明する模式図である。
【００５１】
図１（Ｃ）は検知器１０に適用することができる検知回路の構成の一例を説明する回路図である。
【００５２】
＜検知器の構成例１．＞
本実施の形態で説明する検知器１０は、可視光を透過する窓部１４と、窓部１４に重なる透光性の検知素子Ｃと、検知素子Ｃと電気的に接続される検知回路１９と、検知素子Ｃおよび検知回路１９を支持する可撓性の基材１６と、を有する（図１（Ａ）参照）。
【００５３】
そして、検知素子Ｃは、可撓性の絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える。
【００５４】
検知回路１９は、検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号ＤＡＴＡを供給する。
【００５５】
また、検知器１０は、シリコーンゲルを検知素子Ｃの絶縁層１３に含み且つ４ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは１ｍｍ以上の曲率半径で、百回以上、好ましくは千回以上、より好ましくは１万回以上、より好ましくは１０万回以上、繰り返し折り曲げることができる構成であってもよい（図１（Ｂ−２）参照）。
【００５６】
また、検知回路１９は、ゲートが検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続され、第１の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える構成であってもよい（図１（Ｃ）参照）。
【００５７】
また、制御端子が選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が例えば検知信号ＤＡＴＡを供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第１のスイッチＳＷ１を備える構成であってもよい。
【００５８】
また、制御端子がリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続され、第２の端子が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第２のスイッチＳＷ２を備える構成であってもよい。
【００５９】
本実施の形態で説明する検知器１０は、可視光を透過する窓部１４と、可撓性の絶縁層１３およびそれを挟持する一対の電極を備え且つ窓部１４に重なる透光性の検知素子Ｃと、検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給する検知回路１９と、検知素子Ｃおよび検知回路１９を支持する可撓性の基材１６と、を含んで構成される。
【００６０】
なお、検知素子Ｃの容量は、例えば、第１の電極１１または第２の電極１２にものが近接することもしくは第１の電極１１および第２の電極１２の間隔ｄが変化することにより変化する（図１（Ｂ−１）参照）。これにより、検知器１０は検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知器を提供することができる。
【００６１】
また、検知器１０は、検知素子Ｃの第２の電極１２に電気的に接続され且つ検知素子Ｃの第２の電極の電位を制御することができる制御信号を供給することができる配線ＣＳ、検知回路１９と電気的に接続され且つ検知信号ＤＡＴＡを供給されることができる信号線ＤＬまたは第２の電極１２を支持する可撓性の基材１７を含むことができる。
【００６２】
なお、検知器１０の第１の電極１１、第１のトランジスタＭ１のゲートおよび第２のスイッチＳＷ２の第１の端子が電気的に接続される結節部をノードＡという。
【００６３】
以下に、検知器１０を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【００６４】
例えば、絶縁性および可撓性を備え第２の電極１２を支持する支持体は、絶縁層１３であるとともに基材１７でもある。
【００６５】
《全体の構成》
検知器１０は、窓部１４、検知素子Ｃ、検知回路１９および基材１６を有する。
【００６６】
また、基材１７、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＣＳ、走査線Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび信号線ＤＬを有していてもよい。
【００６７】
《窓部１４》
窓部１４は可視光を透過する。これにより検知器１０の使用者は、一方の側から他方の側にあるものを視認することができる。例えば、検知器１０の一方の側から、他方の側に配置された表示装置が表示する画像情報を視認することができる。
【００６８】
例えば、可視光を透過する材料または可視光を透過する程度に薄い材料を用いた基材１６、第１の電極１１、可撓性を有する絶縁層１３、基材１７および第２の電極１２を、可視光の透過を妨げないように重ねて配置して、窓部１４を構成すればよい（図１（Ａ）参照）。
【００６９】
例えば、可視光を透過しない材料に開口部を設けて用いてもよい。具体的には、矩形などさまざまな形の開口部を１つまたは複数設けて用いてもよい。
【００７０】
《検知素子Ｃ》
検知素子Ｃは、第１の電極１１、第２の電極１２および可撓性を有する絶縁層１３を有する。
【００７１】
第２の電極１２は、第１の電極１１と容量を形成するように配置する。例えば、第２の電極１２を第１の電極１１に重なるように配置してもよく、第２の電極１２を第１の電極１１に並ぶように配置してもよい。
【００７２】
例えば、図１（Ａ）に示す検知素子Ｃは、第１の電極１１と第１の電極１１に重なる第２の電極１２を備える。
【００７３】
例えば、大気中に置かれた検知素子Ｃの第１の電極１１または第２の電極１２に、大気と異なる誘電率を有するものが近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。具体的には、指などのものが検知素子Ｃに近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する（図１（Ｂ−１）左参照）。これにより、近接検知器に用いることができる。
【００７４】
例えば、変形することができる検知素子Ｃの容量は、変形に伴い変化する。
【００７５】
具体的には、指などのものが検知素子Ｃに触れることにより、第１の電極１１と第２の電極１２の間隔ｄが狭くなると、検知素子Ｃの容量は大きくなる（図１（Ｂ−１）右参照）。これにより、接触検知器に用いることができる。その結果、筆圧を検知することができる。
【００７６】
具体的には、検知素子Ｃが折り曲げることができるように可撓性を有する絶縁層１３を備える場合、検知素子Ｃを折り曲げることにより可撓性を有する絶縁層１３は圧縮され、第１の電極１１と第２の電極１２の間隔ｄが狭くなる。これにより、検知素子Ｃの容量は大きくなる（図１（Ｂ−２）参照）。これにより、屈曲検知器に用いることができる。
【００７７】
第１の電極１１および第２の電極１２は、導電性の材料を含む。
【００７８】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを第１の電極１１および第２の電極１２に用いることができる。
【００７９】
具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。
【００８０】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【００８１】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。
【００８２】
具体的には、導電性高分子を用いることができる。
【００８３】
《絶縁層１３》
絶縁層１３は大きな体積抵抗率を備える。例えば、１×１０１４以上、好ましくは２×１０１４以上、より好ましくは４×１０１４以上の体積抵抗率を備える。
【００８４】
１０μｍ以上３０００μ以下、好ましくは１０μｍ以上１０００μ以下の厚さを有する材料を、絶縁層１３に用いることができる。
【００８５】
絶縁層１３は可撓性を有する。例えば、５０ＫＰａ以下、好ましくは３０ＫＰａ以下、より好ましくは１５ＫＰａ以下のヤング率を備える。また、１００以上、好ましくは１５０以上より好ましくは２００以上の１／１０ｍｍの針入度を備える。また、２５０％以上、好ましくは３４０％以上より好ましくは３８０％以上の伸びを有する。
【００８６】
弾性体を絶縁層１３に用いることができる。例えば、シリコーンゲルまたは低分子シロキサンを含むシリコーンゲルを用いることができる。
【００８７】
《検知回路１９》
検知回路１９はトランジスタＭ１ならびに第１のスイッチＳＷ１および第２のスイッチＳＷ２を含む。また、検知回路１９は電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＣＳ、走査線Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび信号線ＤＬなどを含む。
【００８８】
なお、窓部１４と重ならない領域に検知回路１９を配置してもよい。例えば、窓部１４と重ならない領域に配線を配置することにより、検知器１０の一方の側から他方の側にあるものを視認し易くできる。
【００８９】
例えば、トランジスタＭ１と同一の工程で形成することができるトランジスタを第１のスイッチＳＷ１および第２のスイッチＳＷ２に用いることができる。
【００９０】
トランジスタＭ１は半導体層を有する。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
【００９１】
なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において詳細に説明する。
【００９２】
導電性を有する材料を配線に適用できる。
【００９３】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に用いることができる。具体的には、第１の電極１１および第２の電極１２に用いることができる材料を適用できる。
【００９４】
基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。
【００９５】
または、検知回路１９を他の基材に形成し、他の基材に形成された検知回路１９を基材１６に転置してもよい。
【００９６】
なお、検知回路１９を含む検知器１０の作製方法を、実施の形態６において詳細に説明する。
【００９７】
《基材１６》
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を基材１６に用いることができる。
【００９８】
５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１７０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１６に用いることができる。
【００９９】
また、不純物の透過が抑制された材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。
【０１００】
また、線膨張率がおよそ等しい材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
【０１０１】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用いることができる。
【０１０２】
例えば、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を、基材１６に用いることができる。
【０１０３】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料の膜を樹脂フィルム等に貼り合せた複合材料を、基材１６に用いることができる。
【０１０４】
例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。
【０１０５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。
【０１０６】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラス等を用いることができる。
【０１０７】
具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。
【０１０８】
具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。
【０１０９】
＜検知器の構成例２．＞
本発明の一態様の検知器の別の構成について、図２を参照しながら説明する。
【０１１０】
図２（Ａ）は本発明の一態様の検知器１０Ｂの底面を説明する模式図および回路図である。なお、均等に図中に配置された破線と黒丸は、矩形の領域が繰り返し配置されている旨を省略して図示するものである。
【０１１１】
図２（Ｂ）は図２（Ａ）に破線の円で囲まれた部分の矩形の領域の詳細な底面図である。
【０１１２】
図２（Ｃ）は図２（Ａ）に記号で示すトランジスタＭ１を含む部分の底面図である。
【０１１３】
図２（Ｄ）は図２（Ｃ）に示す切断線Ｘ１−Ｘ２および切断線Ｙ１−Ｙ２における断面の構造を説明する断面図である。
【０１１４】
本実施の形態で説明する検知器１０Ｂは、可視光を透過する窓部１４と、窓部１４に重なり且つ所定の色の光を透過する着色層と、窓部１４を囲む遮光性の層ＢＭと、窓部１４に重なる検知素子Ｃと、遮光性の層ＢＭに重なり検知素子Ｃと電気的に接続される検知回路１９と、検知素子Ｃおよび検知回路１９を支持する可撓性の基材１６と、を有する（図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）参照）。
【０１１５】
そして、検知素子Ｃは、可撓性の絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える。
【０１１６】
検知回路１９は、検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号ＤＡＴＡを供給する。
【０１１７】
また、検知回路１９は、ゲートが検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続され、第１の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える構成であってもよい（図２（Ａ）参照）。
【０１１８】
また、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が例えば検知信号ＤＡＴＡを供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトランジスタＭ２を備える構成であってもよい。
【０１１９】
また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の電極が検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続され、第２の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を備える構成であってもよい。
【０１２０】
また、検知素子Ｃの第２の電極１２と電気的に接続され且つ第２の電極の電位を制御することができる制御信号を供給することができる配線ＣＳを備える構成であってもよい。
【０１２１】
本実施の形態で説明する検知器１０Ｂは、窓部１４と、窓部１４に重なり且つ所定の色の可視光を透過する着色層と、窓部１４を囲む遮光性の層ＢＭと、可撓性の絶縁層１３およびそれを挟持する一対の電極を備え且つ窓部１４に重なる透光性の検知素子Ｃと、遮光性の層ＢＭに重なり検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給する検知回路１９と、検知素子Ｃおよび検知回路１９を支持する可撓性の基材１６と、を含んで構成される。
【０１２２】
なお、検知素子Ｃの容量は、例えば、第１の電極１１または第２の電極１２にものが近接すること、もしくは第１の電極１１および第２の電極１２の間隔が変化することにより変化する。これにより、検知器１０は検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知器を提供することができる。
【０１２３】
なお、配線ＶＲＥＳおよび配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯおよび配線ＢＲは例えば高電源電位を供給することができる。
【０１２４】
また、配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給することができ、配線ＣＳは検知素子の第２の電極１２の電位を制御する制御信号を供給することができる。
【０１２５】
また、信号線ＤＬは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴは検知信号ＤＡＴＡに基づいて変換された信号を供給することができる。
【０１２６】
本実施の形態で説明する検知器１０Ｂは、窓部１４に重なり所定の色の光を透過する着色層を備える点、窓部１４を囲む遮光性の層ＢＭを備える点、遮光性の層ＢＭに重なる位置に配置される検知回路１９を備える点、第１のスイッチにとして第２のトランジスタを備える点、第２のスイッチとして第３のトランジスタを備える点が、図１を参照しながら説明する検知器１０とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０１２７】
以下に、検知器１０Ｂを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０１２８】
《窓部、着色層および遮光性の層》
窓部１４は可視光を透過する。
【０１２９】
窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を透過する着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧまたは着色層ＣＦＲを備える（図２（Ｂ）乃至図２（Ｄ）参照）。
【０１３０】
なお、青色、緑色または／および赤色に加えて、白色の光を透過する着色層または黄色の光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。
【０１３１】
金属材料、顔料または染料等を着色層に用いることができる。
【０１３２】
なお、着色層および遮光性の層ＢＭを覆う透光性のオーバーコート層を備えることができる。
【０１３３】
窓部１４を囲む遮光性の層ＢＭを備える。遮光性の層ＢＭは窓部１４より光を透過しにくい。
【０１３４】
カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光性の層ＢＭに用いることができる。
【０１３５】
《検知回路および配線》
検知回路１９および配線を遮光性の層ＢＭに重なる位置に備える構成が好ましい。
【０１３６】
第１のトランジスタＭ１と同一の工程で形成することができるトランジスタを、第２のトランジスタＭ２および第３のトランジスタＭ３に用いることができる。
【０１３７】
また、遮光性の層ＢＭに重なるように配線を配置する場合、可視光を透過しにくい材料を配線に用いることができる。例えば、透光性を有する導電膜と比較して優れた導電性を有する材料を用いることができる。具体的には、金属を用いることができる。
【０１３８】
基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。
【０１３９】
または、検知回路１９を他の基材に形成し、他の基材に形成された検知回路１９を基材１６に転置してもよい。
【０１４０】
なお、検知回路１９を含む検知器の作製方法を、実施の形態６において詳細に説明する。
【０１４１】
＜検知器の駆動方法＞
本実施の形態で説明する検知器１０Ｂの駆動方法について、図３を参照しながら説明する。
【０１４２】
図３（Ａ）は本発明の一態様の検知器１０Ｂおよび変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回路図であり、図３（Ｂ−１）および図３（Ｂ−２）は駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【０１４３】
なお、検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給することができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知回路１９と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成されるようにしてもよい。
【０１４４】
具体的には、トランジスタＭ４を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路を構成できる（図３（Ａ）参照）。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジスタＭ３と同一の工程で作製することができるトランジスタをトランジスタＭ４に用いてもよい。
【０１４５】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第３のトランジスタを導通状態にした後に非導通状態にするリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第１の電極の電位を所定の電位にする（図３（Ｂ−１）期間Ｔ１参照）。
【０１４６】
具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３のトランジスタは、ノードＡの電位を例えば接地電位にする（図３（Ａ）参照）。
【０１４７】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を導通状態にする選択信号をゲートに供給し、第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する。
【０１４８】
具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給させる。選択信号が供給された第２のトランジスタＭ２は、第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する（図３（Ｂ−１）期間Ｔ２参照）。
【０１４９】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、制御信号を検知素子の第２の電極１２に供給し、制御信号および検知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する。
【０１５０】
具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給させる。矩形の制御信号を第２の電極１２に供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇する（図３（Ｂ−１）期間Ｔ２の後半を参照）。
【０１５１】
例えば、検知素子が大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素子Ｃの第２の電極１２に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくなる。
【０１５２】
これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高いものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる（図３（Ｂ−２）実線参照）。
【０１５３】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化に基づく信号を、信号線ＤＬに供給する。
【０１５４】
例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化に基づく電流の変化を信号線ＤＬに供給する。
【０１５５】
変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して供給する。
【０１５６】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第２のトランジスタを非導通状態にする選択信号をゲートに供給する。
【０１５７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１５８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図４および図５を参照しながら説明する。
【０１５９】
図４は本発明の一態様の入力装置２００の構成を説明する図である。
【０１６０】
図５は本発明の一態様の入力装置２００の駆動方法を説明する図である。
【０１６１】
図４（Ａ）は入力装置２００の構成を説明するブロック図であり、図４（Ｂ）は入力装置２００の外観を説明する投影図である。
【０１６２】
なお、入力装置２００はタッチセンサということもできる。
【０１６３】
＜入力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入力装置２００は、マトリクス状に配置される複数の検知ユニット１０Ｕと、行方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される走査線Ｇ１と、列方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される信号線ＤＬと、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬが配設される可撓性の基材１６と、を有する（図４（Ａ）参照）。
【０１６４】
例えば、複数の検知ユニット１０Ｕをｎ行ｍ列（ｎおよびｍは１以上の自然数）のマトリクス状に配置することができる。
【０１６５】
なお、ｉ行目のｊ列目（ｉはｎ以下の自然数、ｊはｍ以下の自然数）に配設される検知ユニット１０Ｕを検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と表記する。また、ｉ行目に配設される走査線Ｇ１を走査線Ｇ１（ｉ）と表記し、ｊ列目に配設される信号線ＤＬを信号線ＤＬ（Ｊ）と表記する。
【０１６６】
そして、検知ユニット１０Ｕは、可視光を透過する窓部１４（図示せず）、窓部１４に重なる検知素子Ｃおよび検知素子Ｃと電気的に接続される検知回路１９（図示せず）を備える。
【０１６７】
例えば、実施の形態１で説明する検知器１０Ｂと同様の構成を検知ユニット１０Ｕに適用できる（図２参照）。
【０１６８】
検知素子Ｃは、可撓性の絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える。
【０１６９】
検知回路１９は、選択信号を供給され且つ検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号を供給する。
【０１７０】
走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができ、信号線ＤＬは、検知信号を供給することができる。
【０１７１】
また、入力装置２００は、シリコーンゲルを検知素子Ｃの絶縁層１３に含み且つ４ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは１ｍｍ以上の曲率半径で繰り返し折り曲げることができる構成であってもよい。
【０１７２】
また、検知回路１９は、ゲートが検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続され、第１の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える構成であってもよい（図３（Ａ）参照）。
【０１７３】
また、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が例えば検知信号ＤＡＴＡを供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトランジスタＭ２を備える構成であってもよい。
【０１７４】
また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の電極が検知素子Ｃの第１の電極と電気的に接続され、第２の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を備える構成であってもよい。
【０１７５】
本実施の形態で説明する入力装置２００は、可視光を透過する窓部、可撓性の絶縁層およびそれを挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子ならびに検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給する検知回路を含み且つマトリクス状に配置される検知ユニットと、検知ユニットを支持する可撓性の基材を含んで構成される。
【０１７６】
なお、検知素子の容量は、例えば、第１の電極または第２の電極１２にものが近接すること、もしくは第１の電極および第２の電極１２の間隔が変化することにより変化する。これにより、入力装置は、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知する検知信号を、供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。
【０１７７】
また、入力装置２００は、検知素子Ｃの第２の電極１２の面積が、一の信号線に電気的に接続される複数の検知素子Ｃが備える第１の電極１１の面積の和の１０倍以上好ましくは２０倍以上である。
【０１７８】
本実施の形態で説明する入力装置２００は、選択信号を用いて一の信号線ＤＬに接続された複数の検知ユニット１０Ｕから一の検知ユニット１０Ｕを選択することができ且つ面積が第２の電極１２に比べて十分小さい第１の電極１１を含んで構成される。
【０１７９】
これにより、選択している検知ユニットに由来する容量を、選択していない検知ユニットに由来する容量から分離することができる。また、第１電極の面積が小さい検知ユニットを配置して、位置情報を詳細に取得することができる。また、第１の電極がノイズを拾いにくくなる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。
【０１８０】
また、入力装置２００は選択信号を所定のタイミングで供給することができる駆動回路ＧＤを備えていてもよい。例えば、駆動回路ＧＤは選択信号を走査線ごとに所定の順番で供給する。
【０１８１】
また、入力装置２００は検知ユニット１０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換する変換器ＣＯＮＶを備えていてもよい。変換器ＣＯＮＶは複数の変換器ＣＯＮＶ（１）乃至ＣＯＮＶ（ｊ）を備える（ｊは１以上ｍ以下の自然数）。例えば、変換器ＣＯＮＶ（ｊ）は、信号線ＤＬ（ｊ）が供給する検知信号ＤＡＴＡを変換して、供給してもよい。
【０１８２】
また、入力装置２００は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣと電気的に接続されてもよい。例えば、フレキシブルプリント基板ＦＰＣは、電源電位などさまざまな電位またはさまざまなタイミング信号などを供給してもよく、検知信号ＤＡＴＡに基づく信号を供給されてもよい。
【０１８３】
なお、本実施の形態で説明する入力装置は、実施の形態１で説明する検知器１０Ｂと同じ構成を備える検知ユニット１０Ｕを基材１６上にマトリクス状に複数備える点、行方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される走査線Ｇ１を複数備える点、列方向に配置される検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される信号線ＤＬを複数備える点、検知ユニット１０Ｕの第１の電極１１が第２の電極１２に比べて十分小さい点が、図２を参照しながら実施の形態１で説明する検知器１０とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０１８４】
以下に、入力装置２００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０１８５】
《全体の構成》
入力装置２００は、複数の検知ユニット１０Ｕと、走査線Ｇ１と、信号線ＤＬとを有する。
【０１８６】
また、駆動回路ＧＤと、変換器ＣＯＮＶと、を有してもよい。
【０１８７】
同一の工程で形成することができるトランジスタを用いて、複数の検知ユニット１０Ｕの検知回路１９、駆動回路ＧＤおよび変換器ＣＯＮＶを構成することができる。
【０１８８】
《走査線および信号線》
走査線Ｇ１および信号線ＤＬを、検知ユニット１０Ｕの遮光性の膜ＢＭと重なる位置に配置すると好ましい。
【０１８９】
なお、複数の検知ユニット１０Ｕをストライプ状、モザイク状、デルタ状、ハニカム状またはベイヤ状に基材１６に配置してもよい。
【０１９０】
《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、さまざまな組み合わせ回路を用いた論理回路で構成することができる。例えば、シフトレジスタを適用できる。
【０１９１】
《変換器ＣＯＮＶ》
変換器ＣＯＮＶは変換回路を備える。検知信号ＤＡＴＡを変換して供給することができるさまざまな回路を用いることができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知回路１９と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成されるようにしてもよい。
【０１９２】
＜入力装置の駆動方法１．＞
本実施の形態で説明する入力装置２００の駆動方法について、図５を参照しながら説明する。
【０１９３】
図５（Ａ）は入力装置２００の構成を説明するブロック図であり、図５（Ｂ）は入力装置２００の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【０１９４】
なお、配線ＶＲＥＳおよび配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯおよび配線ＢＲは例えば高電源電位を供給することができる。
【０１９５】
また、配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給することができ、配線ＣＳは制御信号を供給することができる。
【０１９６】
また、信号線ＤＬは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴ（ｊ）は検知信号ＤＡＴＡに基づいて変換された信号を供給することができる。
【０１９７】
本実施の形態で説明する入力装置２００の駆動方法は、同一のタイミングで一の走査線Ｇ１（ｊ）が複数の検知ユニット１０Ｕに選択信号を供給する点および同一のタイミングで複数の端子ＯＵＴ（ｊ）が検知信号ＤＡＴＡに基づいて変換された信号を供給する点が、図３を参照しながら説明する検知器１０の駆動方法とは異なる。ここでは異なるステップについて詳細に説明し、同様のステップを用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０１９８】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、リセット信号を供給し、すべての検知ユニット１０Ｕの検知素子Ｃの第１の電極１１の電位を所定の電位にする（図３（Ａ）および図５（Ｂ−１）期間Ｔ１参照）。例えば、検知素子Ｃの第１の電極１１の電位を接地電位にする。
【０１９９】
また、所定の走査線を順番に選択するように、例えばｉの値を１にする。なお、ｉの値が１であるときを入力フレーム期間の始期ということができる。
【０２００】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、走査線Ｇ１（ｉ）を選択し、選択された走査線Ｇ１（ｉ）に電気的に接続される検知ユニット１０Ｕ（ｉ，１）乃至１０Ｕ（ｉ，ｍ）に選択信号を所定の期間供給する。選択信号が供給された第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬ（１）乃至ＤＬ（ｍ）と電気的に接続する（図３（Ａ）および図５（Ｂ−１）期間Ｔ２参照）。
【０２０１】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、所定の制御信号を検知素子の第２の電極１２に供給し、制御信号および検知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する。
【０２０２】
なお、選択信号と同期する信号を制御信号に用いることができる。
【０２０３】
具体的には、選択信号と同じ周期の矩形波を用いることができる（図５（Ｂ−１）参照）。
【０２０４】
具体的には、選択信号の２倍の周期の矩形波を用いることができる（図５（Ｂ−２）参照）。
【０２０５】
矩形の制御信号を第２の電極１２に供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇する（図５（Ｂ−１）期間Ｔ２の後半を参照）。
【０２０６】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位にもたらされる変化に基づいて変化する電流を、信号線ＤＬに供給する。
【０２０７】
変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して供給する。
【０２０８】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第２のトランジスタを非導通状態にする選択信号をゲートに供給する。
【０２０９】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、ｉの値に１を加え、その値がｎ以下である場合は、第２のステップに進む。
【０２１０】
具体的には、ｉの値がｎより小さい場合は、第２のステップにおいて、走査線Ｇ１（ｉ＋１）を選択し、選択された走査線Ｇ１（ｉ＋１）に電気的に接続される検知ユニット１０Ｕ（ｉ＋１，１）乃至１０Ｕ（ｉ＋１，ｍ）に選択信号を所定の期間供給する。選択信号が供給された第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬ（１）乃至ＤＬ（ｍ）と電気的に接続する（図３（Ａ）および図５（Ｂ−１）期間Ｔ３参照）。
【０２１１】
ｉの値に１を加えた値がｎより大きい場合は、第１のステップに進む。また、ｉの値に１を加えた値がｎより大きいときを入力フレーム期間の終期ということができる。
【０２１２】
この駆動方法によれば、入力フレーム期間ごとに、すべての検知ユニットが検知信号ＤＡＴＡを供給する。
【０２１３】
例えば、検知信号ＤＡＴＡは、各検知ユニットに近接するものの位置情報を含む。また、あらかじめマトリクス状に配置されている検知ユニットの位置情報は既知である。
【０２１４】
検知信号ＤＡＴＡおよび検知ユニットの位置情報を関連付けることにより、入力装置２００は入力フレーム期間ごとに入力装置２００に近接するものの位置情報を供給することができる。
【０２１５】
具体的には、演算装置を用いて検知信号ＤＡＴＡおよび検知ユニットの位置情報を解析することにより、入力装置２００に近接するものの位置情報を、入力期間ごとに知ることができる。
【０２１６】
＜入力装置の駆動方法２．＞
本実施の形態で説明する入力装置２００の他の駆動方法について、図５（Ｂ−３）を参照しながら説明する。
【０２１７】
なお、本実施の形態で説明する入力装置の駆動方法は、第１のステップにおいて、検知素子Ｃの第２の電極１２の電位を第１の電位にする制御信号を供給する点、第２のステップにおいて、ｉの値がｎ以上２ｎより小さい場合は、走査線Ｇ１（（ｉ−ｎ＋１）を選択し、検知ユニット１０Ｕ（ｉ−ｎ＋１，１）乃至１０Ｕ（ｉ−ｎ＋１，ｍ）に選択信号を供給する点、第３のステップにおいて、第１の電位または第２の電位が第２の電極１２に供給された検知素子Ｃの容量の変化に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する点、第６のステップにおいて、ｉの値に１を加え、その値がｎ＋１である場合、検知素子の第２の電極１２の電位を、第１のステップで与えた第１の電位と異なる第２の電位にする制御信号を供給する点が、上記で説明する駆動方法とは異なる。ここでは異なるステップについて詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０２１８】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、リセット信号を供給し、すべての検知ユニット１０Ｕの検知素子Ｃの第１の電極の電位を所定の電位にする（図３（Ａ）および図５（Ｂ−３）期間Ｕ１参照）。
【０２１９】
また、検知素子Ｃの第２の電極１２の電位を第１の電位にする制御信号を供給する。
【０２２０】
また、所定の走査線を順番に選択するように、例えばｉの値を１にする。なお、ｉの値が１であるときを入力フレーム期間の始期ということができる。
【０２２１】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、ｉの値がｎより小さい場合は、走査線Ｇ１（ｉ）を選択し、選択された走査線Ｇ１（ｉ）に電気的に接続される検知ユニット１０Ｕ（ｉ，１）乃至１０Ｕ（ｉ，ｍ）に選択信号を所定の期間供給する。選択信号が供給された第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬ（１）乃至ＤＬ（ｍ）と電気的に接続する。
【０２２２】
第２のステップにおいて、ｉの値がｎ以上２ｎより小さい場合は、走査線Ｇ１（（ｉ−ｎ＋１）を選択し、選択された走査線Ｇ１（ｉ−ｎ＋１）に電気的に接続される検知ユニット１０Ｕ（ｉ−ｎ＋１，１）乃至１０Ｕ（ｉ−ｎ＋１，ｍ）に選択信号を所定の期間供給する。選択信号が供給された第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬ（１）乃至ＤＬ（ｍ）と電気的に接続する。
【０２２３】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、検知素子Ｃの容量の変化に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する。
【０２２４】
具体的には、検知素子Ｃの第２の電極１２に、第１の電位または第２の電位が供給され、検知素子Ｃはその容量の変化に基づいてノードＡの電位を変化する（図３（Ａ）参照）。
【０２２５】
例えば、検知素子が大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素子Ｃの第２の電極１２に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくなる。
【０２２６】
これにより、ノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高いものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる。
【０２２７】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、ｉの値に１を加え、その値がｎ＋１である場合、検知素子の第２の電極１２の電位を、第１のステップで与えた第１の電位と異なる第２の電位にする制御信号を供給する（図５（Ｂ−３）期間Ｕ２参照）。
【０２２８】
また、ｉの値に１を加えた値が２ｎ以下である場合は、第２のステップに進む。
【０２２９】
また、ｉの値に１を加えた値が２ｎより大きい場合は、第１のステップに進む。なお、ｉの値に１を加えた値が２ｎより大きいときを入力フレーム期間の終期ということができる。
【０２３０】
この駆動方法によれば、入力フレーム期間ごとに、すべての検知ユニットが、一組の検知信号ＤＡＴＡと、を供給する。
【０２３１】
具体的には、第２の電極１２の電位が第１の電位である場合の検知信号ＤＡＴＡと、第２の電位である場合の検知信号ＤＡＴＡと、を供給する。
【０２３２】
例えば、一組の検知信号ＤＡＴＡの差は、各検知ユニットに近接するものの位置情報を含む。また、あらかじめマトリクス状に配置されている検知ユニットの位置情報は既知である。
【０２３３】
一組の検知信号ＤＡＴＡの差および検知ユニットの位置情報を関連付けることにより、入力装置２００は入力フレーム期間ごとに入力装置２００に近接するものの位置情報を供給することができる。
【０２３４】
具体的には、演算装置を用いて一組の検知信号ＤＡＴＡの差および検知ユニットの位置情報を解析することにより、入力装置２００に近接するものの位置情報を、入力期間ごとに知ることができる。
【０２３５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２３６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図６および図７を参照しながら説明する。
【０２３７】
図６は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する投影図である。
【０２３８】
図６（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置５００の投影図であり、図６（Ｂ）は入出力装置５００が備える検知ユニット１０Ｕの構成を説明する投影図である。
【０２３９】
図７は本発明の一態様の入出力装置５００の構成を説明する断面図である。
【０２４０】
図７（Ａ）は図６に示す本発明の一態様の入出力装置５００のＺ１−Ｚ２における断面図である。
【０２４１】
なお、入出力装置５００はタッチパネルということもできる。
【０２４２】
＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ、行方向（図中に矢印Ｒで示す）に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される走査線Ｇ１、列方向（図中に矢印Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される信号線ＤＬならびに、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬを支持する可撓性の第１の基材１６を備える可撓性の入力装置２００と、マトリクス状に配設され且つ窓部１４に重なる複数の画素５０２および画素５０２を支持する可撓性の第２の基材５１０を備える表示部５０１と、を有する（図６（Ａ）乃至図６（Ｃ）参照）。
【０２４３】
検知ユニット１０Ｕは、窓部１４に重なる検知素子Ｃおよび検知素子Ｃと電気的に接続される検知回路１９を備える（図６（Ｂ）参照）。
【０２４４】
検知素子Ｃは、可撓性の絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える。
【０２４５】
検知回路１９は、選択信号を供給され且つ検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号ＤＡＴＡを供給する。
【０２４６】
検知回路１９は、選択信号を供給され且つ検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号ＤＡＴＡを供給する。
【０２４７】
走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができ、信号線ＤＬは、検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、検知回路１９は、複数の窓部１４の間隙に重なるように配置される。
【０２４８】
また、本実施の形態で説明する入出力装置５００は、検知ユニット１０Ｕおよび検知ユニット１０Ｕの窓部１４と重なる画素５０２の間に、着色層を備える。
【０２４９】
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備する検知ユニット１０Ｕを複数備える可撓性の入力装置２００と、窓部１４に重なる画素５０２を複数備える可撓性の表示部５０１と、を有し、窓部１４と画素５０２の間に着色層を含んで構成される。
【０２５０】
これにより、入出力装置は容量の変化に基づく検知信号およびそれを供給する検知ユニットの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示することならびに曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０２５１】
また、入出力装置５００は、入力装置２００が供給する信号を供給されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１または／および画像情報を含む信号を表示部５０１に供給するフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を備えていてもよい。
【０２５２】
また、傷の発生を防いで入出力装置５００を保護する保護層１７ｐまたは／および入出力装置５００が反射する外光の強度を弱める反射防止層５６７ｐを備えていてもよい。
【０２５３】
また、入出力装置５００は、表示部５０１の信号線に画像線信号を供給する信号線駆動回路５０３ｓ、信号を供給する配線５１１およびフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２と電気的に接続される端子５１９を有する。
【０２５４】
以下に、入出力装置５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０２５５】
例えば、複数の窓部１４に重なる位置に着色層を備える入力装置２００は、入力装置２００であるとともにカラーフィルタでもある。
【０２５６】
また、例えば入力装置２００が表示部５０１に重ねられた入出力装置５００は、入力装置２００であるとともに表示部５０１でもある。
【０２５７】
《全体の構成》
入出力装置５００は、入力装置２００と、表示部５０１と、を備える（図６（Ａ）参照）。
【０２５８】
《入力装置２００》
入力装置２００は複数の検知ユニット１０Ｕおよび検知ユニットを支持する可撓性の基材１６を備える。
【０２５９】
例えば、４０行１５列のマトリクス状に複数の検知ユニット１０Ｕを可撓性の基材１６に配設する。また、検知ユニットの大きさを幅７．６６８ｍｍ高さ５．１１２ｍｍの大きさにしてもよい。
【０２６０】
《窓部１４、着色層および遮光性の層ＢＭ》
窓部１４は可視光を透過する。
【０２６１】
窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を透過する着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧまたは着色層ＣＦＲを備える（図６（Ｂ）参照）。
【０２６２】
なお、青色、緑色または／および赤色に加えて、白色の光を透過する着色層または黄色の光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。
【０２６３】
着色層に金属材料、顔料または染料等を用いることができる。
【０２６４】
窓部１４を囲むように遮光性の層ＢＭを備える。遮光性の層ＢＭは窓部１４より光を透過しにくい。
【０２６５】
カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光性の層ＢＭに用いることができる。
【０２６６】
遮光性の層ＢＭと重なる位置に走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび配線ＶＲＥＳならびに検知回路１９を備える。
【０２６７】
なお、着色層および遮光性の層ＢＭを覆う透光性のオーバーコート層を備えることができる。
【０２６８】
《検知素子Ｃ》
検知素子Ｃは、第１の電極１１、第２の電極１２および第１の電極１１および第２の電極１２の間に可撓性を有する絶縁層１３を有する（図７（Ａ）参照）。
【０２６９】
第１の電極１１は他の領域から分離されるように、例えば島状に形成される。特に、入出力装置５００の使用者に第１の電極１１が識別されないように、第１の電極１１と同一の工程で作製することができる層を第１の電極１１に近接して配置する構成が好ましい。より好ましくは、第１の電極１１および第１の電極１１に近接して配置する層の間隙に配置する窓部１４の数をできるだけ少なくするとよい。特に、当該間隙に窓部１４を配置しない構成が好ましい。なお、第１の電極１１の大きさは検知ユニットの大きさとおよそ等しくできる。
【０２７０】
第１の電極１１と重なるように第２の電極１２を備え、第１の電極１１と第２の電極１２の間に絶縁層１３を備える。
【０２７１】
なお、第１の電極の面積を、第２の電極の面積より小さくすることができる。例えば、第２の電極の面積を、一の信号線ＤＬに電気的に接続された列方向に並ぶ複数の検知ユニットが備える第１の電極の面積の和の０．８倍以上にする。
【０２７２】
例えば、大気中に置かれた検知素子Ｃの第１の電極１１または第２の電極１２に、大気と異なる誘電率を有するものが近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。具体的には、指などのものが検知素子Ｃに近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。これにより、近接検知器に用いることができる。
【０２７３】
例えば、変形することができ、変形に伴い容量が変化する容量素子を、検知素子Ｃに用いることができる。
【０２７４】
具体的には、指などのものが検知素子Ｃに触れることにより、第１の電極１１と第２の電極１２の間隔が狭くなる容量素子Ｃを用いることができる。第１の電極１１と第２の電極１２の間隔が狭くなると、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、接触検知器に用いることができる。
【０２７５】
具体的には、検知素子Ｃを折り曲げることにより、第１の電極１１と第２の電極１２の間隔が狭くなる。これにより、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、屈曲検知器に用いることができる。
【０２７６】
導電性の材料を、第１の電極１１および第２の電極１２に用いることができる。
【０２７７】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを第１の電極１１および第２の電極１２に用いることができる。
【０２７８】
具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。
【０２７９】
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【０２８０】
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜に含まれる酸化グラフェンを還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０２８１】
または、導電性高分子を用いることができる。
【０２８２】
《検知回路１９》
検知回路１９は例えばトランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３を含む。また、検知回路１９は電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、配線ＶＰＩ、配線ＣＳ、走査線Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび信号線ＤＬなどを含む。
【０２８３】
なお、検知回路１９の具体的な構成は実施の形態２で詳細に説明する。
【０２８４】
なお、検知回路１９を窓部１４と重ならない領域に配置してもよい。例えば、窓部１４と重ならない領域に配線を配置することにより、検知器１０の一方の側から他方の側にあるものを視認し易くできる。
【０２８５】
例えば、同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３に用いることができる。
【０２８６】
トランジスタＭ１は半導体層を有する。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。また、半導体は、単結晶、多結晶もしくは非晶質またはこれらのうちのいずれかを含む混合物であってもよい。
【０２８７】
なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において詳細に説明する。
【０２８８】
導電性を有する材料を配線に適用できる。
【０２８９】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に用いることができる。具体的には、第１の電極１１および第２の電極１２に用いることができる材料と同一の材料を適用できる。
【０２９０】
アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび配線ＶＲＥＳに用いることができる。
【０２９１】
基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。
【０２９２】
または、他の基材に形成した検知回路１９を基材１６に転置してもよい。
【０２９３】
《基材１６》
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を可撓性の基材１６に用いることができる。
【０２９４】
５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１７０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１６に用いることができる。
【０２９５】
また、不純物の透過が抑制された材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。
【０２９６】
また、線膨張率がおよそ等しい材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
【０２９７】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用いることができる。
【０２９８】
例えば、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を、基材１６に用いることができる。
【０２９９】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料の膜を、樹脂層を用いて樹脂フィルム等に貼り合せて形成された複合材料を、基材１６に用いることができる。
【０３００】
例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂または樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。
【０３０１】
例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を樹脂層に用いることができる。
【０３０２】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。
【０３０３】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラス等を用いることができる。
【０３０４】
具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。
【０３０５】
具体的には、開口部が設けられたＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。
【０３０６】
具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
【０３０７】
例えば、可撓性を有する基材１６ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜１６ａと、基材１６ｂおよびバリア膜１６ａを貼り合わせる樹脂層１６ｃと、が積層された積層体を基材１６に好適に用いることができる（図７（Ａ）参照）。
【０３０８】
具体的には、６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜が積層された積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることができる。
【０３０９】
具体的には、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることができる。
【０３１０】
ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材１６ｂに用いることができる。
【０３１１】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を樹脂層１６ｃに用いることができる。
【０３１２】
《基材１７、保護層１７ｐ》
可撓性の基材１７または／および保護層１７ｐを設けることができる。可撓性の基材１７または保護層１７ｐは傷の発生を防いで入力装置２００を保護する。
【０３１３】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材１７に用いることができる。
【０３１４】
例えば、ハードコート層またはセラミックコート層を保護層１７ｐに用いることができる。具体的には、ＵＶ硬化樹脂または酸化アルミニウムを含む層を第２の電極１２に重なる位置に形成してもよい。
【０３１５】
《表示部５０１》
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を備える（図６（Ｃ）参照）。
【０３１６】
例えば、画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、それぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
【０３１７】
なお、画素５０２の副画素５０２Ｂは着色層ＣＦＢと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｇは着色層ＣＦＧと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｒは着色層ＣＦＲと重なる位置に配置される。
【０３１８】
本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。
【０３１９】
例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。
【０３２０】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の他、電気泳動方式や電子粉流体（登録商標）方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表示素子を表示素子に用いることができる。
【０３２１】
また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。
【０３２２】
また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
【０３２３】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
【０３２４】
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。
【０３２５】
《基材５１０》
可撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。例えば、基材１６に用いることができる材料を基材５１０に適用することができる。
【０３２６】
例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜５１０ａと、基材５１０ｂおよびバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃと、が積層された積層体を基材５１０に好適に用いることができる（図７（Ａ）参照）。
【０３２７】
《封止材５６０》
封止材５６０は基材１６と基材５１０を貼り合わせる。封止材５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学的に接合する機能を有する層を兼ねる。
【０３２８】
画素回路および発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基材５１０と基材１６の間にある。
【０３２９】
《画素の構成》
副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
【０３３０】
副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。
【０３３１】
発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。
【０３３２】
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層の設けられていない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出させてもよい。
【０３３３】
また、封止材５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止材５６０は、発光素子５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接する。
【０３３４】
着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。
【０３３５】
着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。
【０３３６】
《画素回路の構成》
画素回路に含まれるトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
【０３３７】
絶縁膜５２１の上に下部電極が配置され、下部電極の端部に重なるように隔壁５２８が絶縁膜５２１の上に配設される。
【０３３８】
下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。
【０３３９】
また、隔壁５２８上に、基材１６と基材５１０の間隔を制御するスペーサを有する。
【０３４０】
《信号線駆動回路の構成》
信号線駆動回路５０３ｓは、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。なお、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路に用いることができる。
【０３４１】
《変換器ＣＯＮＶ》
検知ユニット１０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換してフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１に供給することができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる（図６（Ａ）および図７（Ａ）参照）。
【０３４２】
例えば、トランジスタＭ４を変換器ＣＯＮＶに用いることができる。
【０３４３】
《他の構成》
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
【０３４４】
表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。
【０３４５】
なお、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０３４６】
表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々な導電膜を配線に用いることができる。
【０３４７】
具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０３４８】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。
【０３４９】
具体的には、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた元素の膜をアルミニウム膜上に積層した積層膜、またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた複数の元素を組み合わせた合金膜をアルミニウム膜上に積層した積層膜、またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた元素を含む窒化膜を積層した積層膜を用いることができる。
【０３５０】
また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いてもよい。
【０３５１】
＜表示部の変形例＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。
【０３５２】
ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に図示する。
【０３５３】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図７（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３５４】
例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【０３５５】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。
【０３５６】
酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。
【０３５７】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０３５８】
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図７（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３５９】
トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図７（Ｃ）に図示する。
【０３６０】
例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図７（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３６１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３６２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図８を参照しながら説明する。
【０３６３】
図８は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
【０３６４】
図８（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された状態を説明する投影図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における情報処理装置Ｋ１００の断面図である。図８（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた状態を説明する投影図である。
【０３６５】
＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置Ｋ１００は、入出力装置Ｋ２０と、演算装置Ｋ１０と、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）と、を有する（図８参照）。
【０３６６】
《入出力装置》
入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０および入力装置Ｋ４０を備える。入出力装置Ｋ２０は、画像情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する。表示部Ｋ３０は画像情報Ｖを供給され、入力装置Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する（図８（Ｂ）参照）。入力装置Ｋ４０と表示部Ｋ３０が一体に重ねられた入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０であるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。なお、入力装置Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示部Ｋ３０に表示パネルを用いた入出力装置Ｋ２０は、タッチパネルである。また、実施の形態３で説明する入出力装置５００を含む入出力装置Ｋ２０と、入出力装置５００の第２の電極１２と電気的に接続される筐体（例えば筐体Ｋ０１（１））と、を用いることができる。これにより、制御信号を筐体を介して第２の電極１２に供給することができる。
【０３６７】
《表示部》
表示部Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図８（Ａ）参照）。
【０３６８】
表示部Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目および第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態および展開された状態にすることができる（図８（Ａ）および図８（Ｃ）参照）。
【０３６９】
《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備える。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。
【０３７０】
《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２）および筐体Ｋ０１（３）を含み、この順に配置される。
【０３７１】
筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる（図８（Ｂ）参照）。
【０３７２】
本実施の形態では、３つの筐体が２つのヒンジを用いて接続される構成を備える情報処理装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を２か所で折って折り畳むことができる。
【０３７３】
なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ−１）個のヒンジを用いて接続してもよい。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ−１）箇所で折って折り畳むことができる。
【０３７４】
筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なり、釦Ｋ４５（１）を備える。
【０３７５】
筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる。
【０３７６】
筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なり、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。
【０３７７】
ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なり、筐体Ｋ０１（１）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。
【０３７８】
ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なり、筐体Ｋ０１（２）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。
【０３７９】
アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される。
【０３８０】
また、アンテナＫ１０Ａは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１０Ｂに供給する。
【０３８１】
バッテリーＫ１０Ｂは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、電力を供給または供給する。
【０３８２】
なお、折り畳みセンサは、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、筐体の状態を示す情報を供給する折り畳みセンサを用いることができる。これにより、演算装置Ｋ１０は、筐体Ｋ０１の状態を示す情報を供給される。
【０３８３】
筐体Ｋ０１の状態を示す情報が折り畳まれた状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は第１の領域Ｋ３１（１１）に第１の画像を含む画像情報Ｖを供給する（図８（Ｃ）参照）。
【０３８４】
筐体Ｋ０１の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は表示部Ｋ３０の領域Ｋ３１に画像情報Ｖを供給する（図８（Ａ））。
【０３８５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３８６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知回路１９等に用いることのできるトランジスタの構成について、図９を用いて説明する。
【０３８７】
図９（Ａ）乃至図９（Ｃ）に、トランジスタ１５１の上面図及び断面図を示す。図９（Ａ）はトランジスタ１５１の上面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間の切断面の断面図に相当し、図９（Ｃ）は、図９（Ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｄ間の切断面の断面図に相当する。なお、図９（Ａ）では、明瞭化のため、構成要素の一部を省略して図示している。
【０３８８】
なお、本実施の形態において、第１の電極はトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方を、第２の電極は他方を指すものとする。
【０３８９】
トランジスタ１５１は、基板１０２上に設けられるゲート電極１０４ａと、基板１０２及びゲート電極１０４ａ上に形成される絶縁膜１０６及び絶縁膜１０７を含む第１の絶縁膜１０８と、第１の絶縁膜１０８を介して、ゲート電極１０４ａと重なる酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１０に接する第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂとを有する。
【０３９０】
また、第１の絶縁膜１０８、酸化物半導体膜１１０、第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂ上に、絶縁膜１１４、１１６、１１８を含む第２の絶縁膜１２０と、第２の絶縁膜１２０上に形成されるゲート電極１２２ｃとを有する。
【０３９１】
ゲート電極１２２ｃは、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａと接続する。また、絶縁膜１１８上に画素電極として機能する導電膜１２２ａが形成され、導電膜１２２ａは、第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと接続する。
【０３９２】
なお、第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１の第１のゲート絶縁膜として機能し、第２の絶縁膜１２０は、トランジスタ１５１の第２のゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜１２２ａは、画素電極として機能する。
【０３９３】
本実施の形態に示すトランジスタ１５１は、チャネル幅方向において、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃの間に、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０を介して酸化物半導体膜１１０が設けられている。また、ゲート電極１０４ａは図９（Ａ）に示すように、上面形状において、第１の絶縁膜１０８を介して酸化物半導体膜１１０の側面と重なる。
【０３９４】
第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０には複数の開口を有する。代表的には、図９（Ｂ）に示すように、第２の電極１１２ｂの一部が露出する開口１４２ａを有する。また、図９（Ｃ）に示すように、開口１４２ｅを有する。
【０３９５】
開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと導電膜１２２ａが接続する。
【０３９６】
また、開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃが接続する。
【０３９７】
ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有し、且つゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを同電位とすることで、キャリアが酸化物半導体膜１１０の広い範囲を流れる。これにより、トランジスタ１５１を移動するキャリアの量が増加する。
【０３９８】
この結果、トランジスタ１５１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、さらには２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上となる。なお、ここでの電界効果移動度は、酸化物半導体膜の物性値としての移動度の近似値ではなく、トランジスタの飽和領域における電流駆動力の指標であり、見かけ上の電界効果移動度である。
【０３９９】
なお、トランジスタのチャネル長（Ｌ長ともいう。）を０．５μｍ以上６．５μｍ以下、好ましくは１μｍより大きく６μｍ未満、より好ましくは１μｍより大きく４μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく３．５μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく２．５μｍ以下とすることで、電界効果移動度の増加が顕著である。また、チャネル長が０．５μｍ以上６．５μｍ以下のように小さいことで、チャネル幅も小さくすることが可能である。
【０４００】
また、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有することで、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、基板１０２及びゲート電極１０４ａの間、ゲート電極１２２ｃ上に設けられる荷電粒子等の電荷が、酸化物半導体膜１１０に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲート電極にマイナスの電位を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ  Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）の劣化が抑制されると共に、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。
【０４０１】
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。
【０４０２】
以下に、基板１０２およびトランジスタ１５１を構成する個々の要素について説明する。
【０４０３】
《基板１０２》
基板１０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板１０２は、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望ましい。
【０４０４】
《ゲート電極１０４ａ》
ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた複数の元素を組み合わせた合金膜、またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた元素を含む窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０４０５】
《第１の絶縁膜１０８》
第１の絶縁膜１０８は、絶縁膜１０６と絶縁膜１０７の２層の積層構造を例示している。なお、第１の絶縁膜１０８の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
【０４０６】
絶縁膜１０６としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また、絶縁膜１０６を積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒化シリコン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出量及びアンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁膜１０６に含まれる水素及び窒素が、後に形成される酸化物半導体膜１１０へ移動または拡散することを抑制できる。
【０４０７】
絶縁膜１０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。
【０４０８】
また、第１の絶縁膜１０８としては、絶縁膜１０６として、例えば、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、その後、絶縁膜１０７として、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する積層構造を用いることができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、ゲート電極１０４ａと重畳する位置の第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１のゲート絶縁膜として機能する。また、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶縁材料であり、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶縁材料のことをいう。
【０４０９】
《酸化物半導体膜１１０》
酸化物半導体膜１１０は、酸化物半導体を用いると好ましく、該酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０４１０】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。
【０４１１】
酸化物半導体膜１１０を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０４１２】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０４１３】
酸化物半導体膜１１０の成膜方法は、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。とくに、酸化物半導体膜１１０を成膜する際、スパッタリング法を用いると緻密な膜が形成されるため、好適である。
【０４１４】
酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を成膜する際、できる限り膜中に含まれる水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、例えば、スパッタリング法を用いて成膜を行う場合には、成膜室内を高真空排気するのみならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。
【０４１５】
また、成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子、水（Ｈ２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等の排気能力が高いため、これを用いて排気した成膜室で成膜された膜中に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【０４１６】
また、酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜する場合、成膜に用いる金属酸化物ターゲットの相対密度（充填率）は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上１００％以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜される膜を緻密な膜とすることができる。
【０４１７】
なお、基板１０２を高温に保持した状態で酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を形成することも、酸化物半導体膜中に含まれうる不純物濃度を低減するのに有効である。基板１０２を加熱する温度としては、１５０℃以上４５０℃以下とすればよく、好ましくは基板温度が２００℃以上３５０℃以下とすればよい。
【０４１８】
次に、第１の加熱処理を行うこがと好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、酸化物半導体膜１１０に用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに第１の絶縁膜１０８及び酸化物半導体膜１１０から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、酸化物半導体膜１１０を島状に加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。
【０４１９】
《第１の電極、第２の電極》
第１の電極１１２ａおよび第２の電極１１２ｂに用いることのできる導電膜１１２の材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０４２０】
《絶縁膜１１４、１１６》
第２の絶縁膜１２０は、絶縁膜１１４、１１６、１１８の３層の積層構造を例示している。なお、第２の絶縁膜１２０の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、２層の積層構造、または４層以上の積層構造としてもよい。
【０４２１】
絶縁膜１１４、１１６としては、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体との界面特性を向上させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。酸素を含む無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜等が挙げられる。また、絶縁膜１１４、１１６としては、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成することができる。
【０４２２】
絶縁膜１１４の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１１６の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
【０４２３】
また、絶縁膜１１４、１１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面は、破線で図示している。なお、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の２層構造について、説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁膜１１４の単層構造、絶縁膜１１６の単層構造、または３層以上の積層構造としてもよい。
【０４２４】
絶縁膜１１８は、外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、酸化物半導体膜１１０へ拡散するのを防ぐ材料で形成される膜であり、更には水素を含む。
【０４２５】
絶縁膜１１８の一例としては、厚さ１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。本実施の形態においては、絶縁膜１１８として、厚さ１５０ｎｍの窒化シリコン膜を用いる。
【０４２６】
また、上記窒化シリコン膜は、不純物等からのブロック性を高めるために、高温で成膜されることが好ましく、例えば基板温度１００℃以上基板の歪み点以下、より好ましくは３００℃以上４００℃以下の温度で加熱して成膜することが好ましい。また高温で成膜する場合は、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体から酸素が脱離し、キャリア濃度が上昇する現象が発生することがあるため、このような現象が発生しない温度とする。
【０４２７】
《導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃ》
導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃに用いることのできる導電膜としては、インジウムを含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜１２２ａ、１２２ｂに用いることのできる導電膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０４２８】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０４２９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知器または入力装置に用いることができる積層体の作製方法について、図１０を参照しながら説明する。
【０４３０】
図１０は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図１０の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図１０（Ｃ）を除いて右側に示す。
【０４３１】
＜積層体の作製方法＞
加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図１０を参照しながら説明する。
【０４３２】
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える（図１０（Ａ−１）および図１０（Ａ−２））。
【０４３３】
なお、加工部材８０の構成の詳細は、実施の形態８で説明する。
【０４３４】
《剥離の起点の形成》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する。
【０４３５】
剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。
【０４３６】
第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。
【０４３７】
《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する（図１０（Ｂ−１）および図１０（Ｂ−２）参照）。
【０４３８】
《第２のステップ》
加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。これにより、加工部材８０から第１の残部８０ａを得る。
【０４３９】
具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図１０（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０および接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５を備える第１の残部８０ａを得る。
【０４４０】
また、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。
【０４４１】
また、剥離層Ｆ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。
【０４４２】
液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。
【０４４３】
特に、剥離層Ｆ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｆ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｆ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。
【０４４４】
《第３のステップ》
第１の接着層３１を第１の残部８０ａに形成し、第１の接着層３１を用いて第１の残部８０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる（図１０（Ｄ−１）および図１０（Ｄ−２）参照）。これにより、第１の残部８０ａから、積層体８１を得る。
【０４４５】
具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える積層体８１を得る（図１０（Ｅ−１）および図１０（Ｅ−２）参照）。
【０４４６】
なお、様々な方法を、接合層３０を形成する方法に用いることができる。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷法等を用いて接合層３０を形成する。接合層３０を接合層３０に用いる材料に応じた方法を用いて硬化する。例えば接合層３０に光硬化型の接着剤を用いる場合は、所定の波長の光を含む光を照射する。
【０４４７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４４８】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に用いることができる積層体の作製方法について、図１１および図１２を参照しながら説明する。
【０４４９】
図１１および図１２は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図１１および図１２の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図１１（Ｃ）、図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）を除いて右側に示す。
【０４５０】
＜積層体の作製方法＞
加工部材９０から積層体９２を作製する方法について、図１１乃至図１２を参照しながら説明する。
【０４５１】
加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。
【０４５２】
具体的には、基材Ｓ５に換えて、第２の基板Ｓ１、第２の基板Ｓ１上の第２の剥離層Ｓ２、第２の剥離層Ｓ２と他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３を有し、第２の被剥離層Ｓ３の一方の面が、接合層３０の他方の面に接する点が、異なる。
【０４５３】
加工部材９０は、第１の基板Ｆ１と、第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される（図１１（Ａ−１）および図１１（Ａ−２）参照）。
【０４５４】
なお、加工部材９０の構成の詳細は、実施の形態８で説明する。
【０４５５】
《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材９０を準備する（図１１（Ｂ−１）および図１１（Ｂ−２）参照）。
【０４５６】
剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。
【０４５７】
例えば、第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。
【０４５８】
《第２のステップ》
加工部材９０の一方の表層９０ｂを剥離する。これにより、加工部材９０から第１の残部９０ａを得る。
【０４５９】
具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図１１（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される第１の残部９０ａを得る。
【０４６０】
また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。
【０４６１】
また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。
【０４６２】
液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。
【０４６３】
特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。
【０４６４】
《第３のステップ》
第１の残部９０ａに第１の接着層３１を形成し（図１１（Ｄ−１）および図１１（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部９０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部９０ａから、積層体９１を得る。
【０４６５】
具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置された積層体９１を得る（図１１（Ｅ−１）および図１１（Ｅ−２）参照）。
【０４６６】
《第６のステップ》
積層体９１の第１の接着層３１の端部近傍にある第２の被剥離層Ｓ３の一部を、第２の基板Ｓ１から分離して、第２の剥離の起点９１ｓを形成する。
【０４６７】
例えば、第１の支持体４１および第１の接着層３１を、第１の支持体４１側から切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する。
【０４６８】
具体的には、剥離層Ｓ２上の第２の被剥離層Ｓ３が設けられた領域にある、第１の接着層３１および第１の支持体４１を、鋭利な先端を備える刃物等を用いて切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って、第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する（図１２（Ａ−１）および図１２（Ａ−２）参照）。
【０４６９】
このステップにより、新たに形成された第１の支持体４１ｂおよび第１の接着層３１の端部近傍に剥離の起点９１ｓが形成される。
【０４７０】
《第７のステップ》
積層体９１から第２の残部９１ａを分離する。これにより、積層体９１から第２の残部９１ａを得る（図１２（Ｃ）参照）。
【０４７１】
具体的には、第１の接着層３１の端部近傍に形成された剥離の起点９１ｓから、第２の基板Ｓ１を第２の剥離層Ｓ２と共に第２の被剥離層Ｓ３から分離する。これにより、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、がこの順に配置される第２の残部９１ａを得る。
【０４７２】
また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。
【０４７３】
また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。
【０４７４】
液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。
【０４７５】
特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら被剥離層Ｓ３を剥離すると、被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。
【０４７６】
《第９のステップ》
第２の残部９１ａに第２の接着層３２を形成する（図１２（Ｄ−１）および図１２（Ｄ−２）参照）。
【０４７７】
第２の接着層３２を用いて第２の残部９１ａと第２の支持体４２を貼り合わせる。このステップにより、第２の残部９１ａから、積層体９２を得る（図１２（Ｅ−１）および図１２（Ｅ−２）参照）。
【０４７８】
具体的には、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の接着層３２と、第２の支持体４２と、をこの順に配置される積層体９２を得る。
【０４７９】
＜支持体に開口部を有する積層体の作製方法＞
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図１３を参照しながら説明する。
【０４８０】
図１３は、被剥離層の一部が露出する開口部を支持体に有する積層体の作製方法を説明する図である。図１３の左側に、積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を右側に示す。
【０４８１】
図１３（Ａ−１）乃至図１３（Ｂ−２）は、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いて開口部を有する積層体９２ｃを作製する方法について説明する図である。
【０４８２】
図１３（Ｃ−１）乃至図１３（Ｄ−２）は、第２の支持体４２に形成された開口部を有する積層体９２ｄを作製する方法について説明する図である。
【０４８３】
《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例１》
上記の第９のステップにおいて、第２の支持体４２に換えて、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製方法である。これにより、第２の被剥離層Ｓ３の一部が露出した状態の積層体を作製することができる（図１３（Ａ−１）および図１３（Ａ−２）参照）。
【０４８４】
液状の接着剤を第２の接着層３２に用いることができる。または、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を用いることができる。シート状の接着剤を用いると、第２の支持体４２ｂより外側にはみ出す接着層３２の量を少なくすることができる。また、接着層３２の厚さを容易に均一にすることができる。
【０４８５】
また、第２の被剥離層Ｓ３の露出した部分を切除して、第１の被剥離層Ｆ３が露出する状態にしてもよい（図１３（Ｂ−１）および図１３（Ｂ−２）参照）。
【０４８６】
具体的には、鋭利な先端を有する刃物等を用いて、露出した第２の被剥離層Ｓ３に傷を形成する。次いで、例えば、傷の近傍に応力が集中するように粘着性を有するテープ等を露出した第２の被剥離層Ｓ３の一部に貼付し、貼付されたテープ等と共に第２の被剥離層Ｓ３の一部を剥離して、その一部を選択的に切除することができる。
【０４８７】
また、接合層３０の第１の被剥離層Ｆ３に接着する力を抑制することができる層を、第１の被剥離層Ｆ３の一部に選択的に形成してもよい。例えば、接合層３０と接着しにくい材料を選択的に形成してもよい。具体的には、有機材料を島状に蒸着してもよい。これにより、接合層３０の一部を選択的に第２の被剥離層Ｓ３と共に容易に除去することができる。その結果、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる。
【０４８８】
なお、例えば、第１の被剥離層Ｆ３が機能層と、機能層に電気的に接続された導電層Ｆ３ｂと、を含む場合、導電層Ｆ３ｂを第２の積層体９２ｃの開口部に露出させることができる。これにより、例えば開口部に露出された導電層Ｆ３ｂを、信号が供給される端子に用いることができる。
【０４８９】
その結果、開口部に一部が露出した導電層Ｆ３ｂは、機能層が供給する信号を取り出すことができる端子に用いることができる。または、機能層が供給される信号を外部の装置が供給することができる端子に用いることができる。
【０４９０】
《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例２》
第２の支持体４２に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク４８を、積層体９２に形成する。次いで、マスク４８の開口部に溶剤４９を滴下する。これにより、溶剤４９を用いてマスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を膨潤または溶解することができる（図１３（Ｃ−１）および図１３（Ｃ−２）参照）。
【０４９１】
余剰の溶剤４９を除去した後に、マスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を擦る等をして、応力を加える。これにより、マスク４８の開口部に重なる部分の第２の支持体４２等を除去することができる。
【０４９２】
また、接合層３０を膨潤または溶解する溶剤を用いれば、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる（図１３（Ｄ−１）および図１３（Ｄ−２）参照）。
【０４９３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４９４】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に用いることができる積層体に加工することができる加工部材の構成について、図１４を参照しながら説明する。
【０４９５】
図１４は積層体に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。
【０４９６】
図１４（Ａ−１）は、積層体に加工することができる加工部材８０の構成を説明する断面図であり、図１４（Ａ−２）は、対応する上面図である。
【０４９７】
図１４（Ｂ−１）は、積層体に加工することができる加工部材９０の構成を説明する断面図であり、図１４（Ｂ−２）は、対応する上面図である。
【０４９８】
＜１．加工部材の構成例＞
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を有する図１４（Ａ−１）および図１４（Ａ−２）。
【０４９９】
なお、剥離の起点Ｆ３ｓが、接合層３０の端部近傍に設けられていてもよい。
【０５００】
《第１の基板》
第１の基板Ｆ１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
【０５０１】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０２】
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０３】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０４】
具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０５】
具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０６】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０７】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０８】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５０９】
例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５１０】
例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５１１】
また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。
【０５１２】
具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。
【０５１３】
または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。
【０５１４】
《第１の剥離層》
第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１と第１の被剥離層Ｆ３の間に設けられる。第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１から第１の被剥離層Ｆ３を分離できる境界がその近傍に形成される層である。また、第１の剥離層Ｆ２は、その上に被剥離層が形成され、第１の被剥離層Ｆ３の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
【０５１５】
例えば無機材料または有機樹脂等を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。
【０５１６】
具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物等の無機材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。
【０５１７】
具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。
【０５１８】
例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。
【０５１９】
具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。
【０５２０】
なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法を用いて形成することができる。具体的には、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を積層する方法により形成してもよい。
【０５２１】
また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、オゾン水等）を用いる処理等により形成してもよい。
【０５２２】
具体的には、ポリイミドを含む層を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。ポリイミドを含む層は、第１の被剥離層Ｆ３を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備える。
【０５２３】
例えば、ポリイミドを含む層は、２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備える。
【０５２４】
第１の基板Ｆ１に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む膜を用いることができる。
【０５２５】
《第１の被剥離層》
第１の被剥離層Ｆ３は、第１の基板Ｆ１から分離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
【０５２６】
第１の被剥離層Ｆ３を第１の基板から分離することができる境界は、第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に形成されてもよく、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に形成されてもよい。
【０５２７】
第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれず、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれる。
【０５２８】
無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された積層材料等を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。
【０５２９】
例えば、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等の無機材料を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。
【０５３０】
具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。
【０５３１】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。
【０５３２】
具体的には、ポリイミド膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。
【０５３３】
例えば、第１の剥離層Ｆ２と重なる機能層と、第１の剥離層Ｆ２と機能層の間に当該機能層の機能を損なう不純物の意図しない拡散を防ぐことができる絶縁層と、が積層された構造を有する材料を用いることができる。
【０５３４】
具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板を第１の基板Ｆ１に用い、第１の基板Ｆ１側から順に厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎｍのタングステン膜が積層された積層材料を第１の剥離層Ｆ２に用いる。そして、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。
【０５３５】
具体的には、上記の第１の被剥離層Ｆ３に換えて、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を積層された積層材料を含む膜を被剥離層に用いることができる。
【０５３６】
具体的には、第１の剥離層Ｆ２側から順に、ポリイミド膜と、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を含む層と、機能層と、が順に積層された積層材料を用いることができる。
【０５３７】
《機能層》
機能層は第１の被剥離層Ｆ３に含まれる。
【０５３８】
例えば、機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。
【０５３９】
具体的には、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。
【０５４０】
《接合層》
接合層３０は、第１の被剥離層Ｆ３と基材Ｓ５を接合するものであれば、特に限定されない。
【０５４１】
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０に用いることができる。
【０５４２】
例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いることができる。
【０５４３】
例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層３０に用いることができる。
【０５４４】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができる。
【０５４５】
《基材》
基材Ｓ５は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
【０５４６】
基材Ｓ５に用いることができる材料は、例えば、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。
【０５４７】
《剥離の起点》
加工部材８０は剥離の起点Ｆ３ｓを接合層３０の端部近傍に有していてもよい。
【０５４８】
剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。
【０５４９】
第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。
【０５５０】
＜２．加工部材の構成例＞
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図１４（Ｂ−１）および図１４（Ｂ−２）を参照しながら説明する。
【０５５１】
加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。
【０５５２】
具体的には、加工部材９０は、第１の剥離層Ｆ２および第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３が形成された第１の基板Ｆ１と、第２の剥離層Ｓ２および第２の剥離層Ｓ２に他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３が形成された第２の基板Ｓ１と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面を接し且つ第２の被剥離層Ｓ３の一方の面と他方の面が接する接合層３０と、を有する。（図１４（Ｂ−１）および図１４（Ｂ−２）参照）。
【０５５３】
《第２の基板》
第２の基板Ｓ１は、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。なお、第２の基板Ｓ１を第１の基板Ｆ１と同一の構成とする必要はない。
【０５５４】
《第２の剥離層》
第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と同様の構成を用いることができる。また、第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と異なる構成を用いることもできる。
【０５５５】
《第２の被剥離層》
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と同様の構成を用いることができる。また、第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と異なる構成を用いることもできる。
【０５５６】
具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が機能回路を備え、第２の被剥離層Ｓ３が当該機能回路への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。
【０５５７】
具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が第２の被剥離層に向けて光を射出する発光素子、当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への不純物の拡散を防ぐ防湿膜を第２の被剥離層Ｓ３が備える構成としてもよい。なお、このような構成を有する加工部材は、可撓性を有する表示装置として用いることができる積層体にすることができる。
【０５５８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５５９】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
【０５６０】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５６１】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。
【０５６２】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
【０５６３】
なお、「ＸとＹとが電気的に接続されている」と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
【０５６４】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０５６５】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５６６】
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことが出来る。
【０５６７】
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
【０５６８】
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０５６９】
なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除くことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に入らないことを規定することができる。
【０５７０】
具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないことを発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していないことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとっているような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。または、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有していない、と発明を規定することが可能である。
【０５７１】
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能である。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除くと発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であることが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとしても、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」などと記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。
【０５７２】
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
【０５７３】
別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」と記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
【０５７４】
別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とその膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である。
【０５７５】
なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施することが出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信機を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造および販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜して、発光装置として完成させる、という場合がある。
【０５７６】
このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発明の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様を構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明の一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張できるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみの場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成することができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。
【０５７７】
なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなくても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数のケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。したがって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子など）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の一態様を構成することが可能な場合がある。
【０５７８】
なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少なくとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つまり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定された発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。したがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
【０５７９】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのため、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成されるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、または、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能である。
【０５８０】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。
【０５８１】
なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていなくても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、その発明の一態様は明確であると言える。
【符号の説明】
【０５８２】
１０    検知器
１０Ｂ    検知器
１０Ｕ    検知ユニット
１１    電極
１２    電極
１３    絶縁層
１４    窓部
１６    基材
１６ａ    バリア膜
１６ｂ    基材
１６ｃ    樹脂層
１７    基材
１７ｐ    保護層
１９    検知回路
３０    接合層
３１    接着層
３２    接着層
４１    支持体
４１ｂ    支持体
４２    支持体
４２ｂ    支持体
４８    マスク
４９    溶剤
８０    加工部材
８０ａ    残部
８０ｂ    表層
８１    積層体
９０    加工部材
９０ａ    残部
９０ｂ    表層
９１    積層体
９１ａ    残部
９１ｓ    剥離の起点
９２    積層体
９２ｃ    積層体
９２ｄ    積層体
９９    ノズル
１０２    基板
１０４ａ    ゲート電極
１０６    絶縁膜
１０７    絶縁膜
１０８    絶縁膜
１１０    酸化物半導体膜
１１２    導電膜
１１２ａ    電極
１１２ｂ    電極
１１４    絶縁膜
１１６    絶縁膜
１１８    絶縁膜
１２０    絶縁膜
１２２ａ    導電膜
１２２ｂ    導電膜
１２２ｃ    ゲート電極
１４２ａ    開口
１４２ｅ    開口
１５１    トランジスタ
２００    入力装置
５００    入出力装置
５０１    表示部
５０２    画素
５０２Ｂ    副画素
５０２Ｇ    副画素
５０２Ｒ    副画素
５０２ｔ    トランジスタ
５０３ｃ    容量
５０３ｓ    信号線駆動回路
５０３ｔ    トランジスタ
５１０    基材
５１０ａ    バリア膜
５１０ｂ    基材
５１０ｃ    樹脂層
５１１    配線
５１９    端子
５２１    絶縁膜
５２８    隔壁
５５０Ｒ    発光素子
５６０    封止材
５６７ｐ    反射防止層
５８０Ｒ    発光モジュール
Ｋ０１    筐体
Ｋ０２    ヒンジ
Ｋ１０    演算装置
Ｋ１０Ａ    アンテナ
Ｋ１０Ｂ    バッテリー
Ｋ２０    入出力装置
Ｋ３０    表示部
Ｋ３１    領域
Ｋ４０    入力装置
Ｋ４５    釦
Ｋ１００    情報処理装置
Ｃ    検知素子
ＦＰＣ１    フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２    フレキシブルプリント基板
Ｍ１    トランジスタ
Ｍ２    トランジスタ
Ｍ３    トランジスタ
Ｍ４    トランジスタ
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
ＯＵＴ    端子
ＶＰＯ    配線
ＢＲ    配線
Ｇ１    走査線
ＣＳ    配線
ＤＬ    信号線
ＲＥＳ    配線
ＶＲＥＳ    配線
ＶＰＩ    配線
Ｔ１    期間
Ｔ２    期間
Ｔ３    期間
Ｕ１    期間
Ｕ２    期間
Ｆ１    基板
Ｆ２    剥離層
Ｆ３    被剥離層
Ｆ３ｂ    導電層
Ｆ３ｓ    剥離の起点
Ｓ１    基板
Ｓ２    剥離層
Ｓ３    被剥離層
Ｓ５    基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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