(57)【要約】【課題】発光ダイオードにおける電流阻止層による光透過率を向上させる発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】上記発光ダイオードは、第１導電型半導体層と、発光層と、電流拡散領域及び電流阻止領域を含む第２導電型半導体層と、第１電流拡散層と、複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含む電流阻止層と、第２電流拡散層と、を備える。上記電流阻止層は、ハイパワースパッタリング法により第２導電型半導体層の電流阻止領域において窒素ベーカンシを形成することで、電流阻止層による抵抗値を向上させ、電流阻止という効果を生じさせる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に形成される発光層と、
前記発光層に形成され、電流拡散領域及び電流阻止領域を含み、そして、前記発光層と接触する第１表面、及び前記第１表面に対向する第２表面を有する第２導電型半導体層と、
前記電流拡散領域における前記第２表面を覆い、且つ前記電流阻止領域表面における前記第２表面を露出させた第１電流拡散層と、
露出された前記電流阻止領域における前記第２表面に形成される、複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含む電流阻止層と、
前記電流阻止層及び前記第１電流拡散層を覆う第２電流拡散層と、
を備える発光ダイオード。
【請求項２】
前記第１電流拡散層による抵抗値は、ｒ１であり、前記第２電流拡散層による抵抗値は、ｒ２であり、且つｒ１＞ｒ２である請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記電流阻止層内における前記窒素ベーカンシの分布は、前記電流阻止領域における前記第２表面から前記第１表面の方向へ逓減する請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層である請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第１導電型半導体層は、Ｎ型ガリウム含有窒化物であり、前記第２導電型半導体層は、Ｐ型ガリウム含有窒化物である請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記第２電流拡散層に形成され、且つ前記電流阻止層の真上に位置する第１電極を更に備える請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記第１、第２電流拡散層は、何れも透明導電性材料を含む請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記透明導電性材料は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）を含む請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記第１導電型半導体層の前記発光層と接触していない他側に位置する基板を更に備える請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
基板を提供する工程と、
第１導電型半導体層を前記基板上に形成する工程と、
発光層を前記第１導電型半導体層上に形成する工程と、
電流拡散領域及び電流阻止領域を含み、そして、前記発光層と接触する第１表面、及び前記第１表面に対向する第２表面を有する第２導電型半導体層を、前記発光層上に形成する工程と、
前記電流拡散領域における前記第２表面を覆い、前記電流阻止領域表面における前記第２表面を露出させるように第１電流拡散層を形成する工程と、
前記第１電流拡散層及び前記露出された第２表面を覆い、前記露出された第２表面を、複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含む電流阻止層に転換させる第２電流拡散層を形成する工程と、
を備える発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記第１電流拡散層による抵抗値は、ｒ１であり、前記第２電流拡散層による抵抗値は、ｒ２であり、且つｒ１＞ｒ２である請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第１、第２電流拡散層は、何れもスパッタリング法によって形成され、前記第２電流拡散層を形成するためのスパッタパワーは、前記第１電流拡散層を形成するためのスパッタパワーより大きい請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第１、第２電流拡散層は、何れも透明導電性材料を含む請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記透明導電性材料は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）の１つ又はその組み合わせからなるものを含む請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記窒素ベーカンシを含む前記電流阻止層は、スパッタリングによって前記第２電流拡散層を形成する時に、エネルギーを有する複数のスパッタ粒子が前記電流阻止領域で露出された前記第２表面にぶつかることによって、前記露出された第２表面に位置する前記第２導電型半導体層を、前記窒素ベーカンシを含む前記電流阻止層に転換させる請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記電流阻止層内における前記窒素ベーカンシの分布は、前記電流阻止領域の前記第２表面から前記第１表面の方向へ逓減する請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層である請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記第１導電型半導体層は、Ｎ型ガリウム含有窒化物であり、前記第２導電型半導体層は、Ｐ型ガリウム含有窒化物である請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記第２電流拡散層に形成され、前記電流阻止層の真上に位置する第１電極を更に備える請求項１０に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記スパッタリング方式は、アルゴン、酸化窒素（Ｎ２Ｏ）又は酸素により生じたプラズマで達成される請求項１１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード及びその製造方法に関し、特に、窒素ベーカンシによる電流阻止領域を有する発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１Ａは、従来の発光ダイオードの構造を示す断面構造図である。図１Ａにおいて、発光ダイオード１００の構造は、主に基板１１０、Ｎ型半導体層１２０、Ｎ型金属電極１３０、発光層１４０、Ｐ型半導体層１５０、電流阻止層１６０、電流拡散層１７０、Ｐ型金属電極１８０により構成される。電流阻止層１６０は、絶縁材料により構成され、且つ電流阻止層１６０の上に位置する電流拡散層１７０とともに、発光ダイオードによる電流分散性及び発光均一性を向上させることに用いられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、電流阻止層の材料による光透過率が約９３％であるため、約７％の光が損失した。図１Ｂにおいて、発光層１４０から放出された光線Ａが電流阻止層１６０を透過する場合、電流阻止層１６０は、一部の光エネルギーを吸収又は反射することで、透過する光線Ｂの輝度を低くさせる。
【０００４】
従って、現在、従来の発光ダイオードの電流阻止層による問題を解決するために、斬新な発光ダイオード及びその製造方法が望まれている。
【０００５】
本発明は、従来の発光ダイオードの問題を解決し、発光ダイオードにおける電流阻止層による光透過率を向上させるための発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、第１導電型半導体層と、発光層と、第２導電型半導体層と、第１電流拡散層と、電流阻止層と、第２電流拡散層と、を備える発光ダイオードを提供する。発光層は、第１導電型半導体層上に形成される。
【０００７】
第２導電型半導体層は、発光層上に形成される。第２導電型半導体層は、電流拡散領域及び電流阻止領域を含み、そして、発光層と接触する第１表面と、第１表面に対向する第２表面と、を有する。
【０００８】
第１電流拡散層は、電流拡散領域における第２表面を覆い、且つ電流阻止領域表面における第２表面を露出させる。電流阻止層は、複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含み、且つ露出された電流阻止領域における第２表面に形成される。第２電流拡散層は、電流阻止層及び第１電流拡散層に覆う。
【０００９】
本発明の一実施例によると、上記第１電流拡散層による抵抗値は、ｒ１であり、第２電流拡散層による抵抗値は、ｒ２であり、且つｒ１＞ｒ２である。
【００１０】
本発明の一実施例によると、上記電流阻止層内における諸窒素ベーカンシの分布は、電流阻止領域における第２表面から第１表面の方向へ逓減する。
【００１１】
本発明の一実施例によると、上記第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層であり、第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層である。
【００１２】
本発明の一実施例によると、上記第１導電型半導体層は、Ｎ型ガリウム含有窒化物であり、第２導電型半導体層は、Ｐ型ガリウム含有窒化物である
【００１３】
本発明の一実施例によると、上記発光ダイオードは、第２電流拡散層に形成され、且つ電流阻止界面の真上に位置する第１電極を更に備える。
【００１４】
本発明の一実施例によると、上記第１、第２電流拡散層は、何れも透明導電性材料を含む。
【００１５】
本発明の一実施例によると、上記透明導電性材料は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）を含む。
【００１６】
本発明の一実施例によると、上記発光ダイオードは、第１導電型半導体層の発光層と接触していない他側に位置する基板を更に備える。
【００１７】
本発明の別の態様は、発光ダイオードの製造方法を提供する。この製造方法は、基板を提供する工程と、第１導電型半導体層を基板上に形成する工程と、発光層を第１導電型半導体層上に形成する工程と、第２導電型半導体層を発光層上に形成する工程と、電流拡散領域における第２表面を覆い、電流阻止領域表面における第２表面を露出させるように第１電流拡散層を形成する工程と、第１電流拡散層及び露出された第２表面を覆い、露出された第２表面を、複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含む電流阻止層に転換させる第２電流拡散層を形成する工程と、を備える。
【００１８】
第２導電型半導体層は、電流拡散領域及び電流阻止領域を含み、そして、発光層と接触する第１表面と、第１表面に対向する第２表面と、を有する。
【００１９】
本発明の一実施例によると、上記第１電流拡散層による抵抗値は、ｒ１であり、第２電流拡散層による抵抗値は、ｒ２であり、且つｒ１＞ｒ２である。
【００２０】
本発明の一実施例によると、上記第１、第２電流拡散層は、何れもスパッタリング法によって形成され、第２電流拡散層を形成するためのスパッタパワーは、第１電流拡散層を形成するためのスパッタパワーより大きい。
【００２１】
本発明の一実施例によると、上記第１、第２電流拡散層は、何れも透明導電性材料を含む。
【００２２】
本発明の一実施例によると、上記透明導電性材料は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）の１つ又はその組み合わせからなるものを含む。
【００２３】
本発明の一実施例によると、上記諸窒素ベーカンシを含む電流阻止層は、スパッタリングによって第２電流拡散層を形成する時に、エネルギーを有する複数のスパッタ粒子が電流阻止領域で露出された第２表面にぶつかることによって、露出された第２表面に位置する第２導電型半導体層を、諸窒素ベーカンシを含む電流阻止層に転換させる。
【００２４】
本発明の一実施例によると、上記電流阻止層内における諸窒素ベーカンシの分布は、電流阻止領域における第２表面から第１表面の方向へ逓減する。
【００２５】
本発明の一実施例によると、上記第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層であり、第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層である。
【００２６】
本発明の一実施例によると、上記第１導電型半導体層は、Ｎ型ガリウム含有窒化物であり、第２導電型半導体層は、Ｐ型ガリウム含有窒化物である。
【００２７】
本発明の一実施例によると、上記製造方法は、電流阻止層の真上に位置する第１電極を第２電流拡散層上に形成する工程を更に備える。
【００２８】
本発明の一実施例によると、上記スパッタリング方式は、アルゴン、酸化窒素（Ｎ２Ｏ）又は酸素により生じたプラズマで達成される。
【発明の効果】
【００２９】
以上のように、本発明によれば、発光ダイオードにおける電流阻止層による光透過率を向上させる発光ダイオード及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】従来の発光ダイオードを示す断面構造図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示した一部の光線の経路模式図である。
【図２】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの断面構造図である。
【図３Ａ】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの工程断面構造図である
【図３Ｂ】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの工程断面構造図である
【図３Ｃ】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの工程断面構造図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの工程断面構造図である
【図３Ｅ】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの工程断面構造図である
【図３Ｆ】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの工程断面構造図である
【図３Ｇ】本発明の一実施例によって示される発光ダイオードの工程断面構造図である
【図４】本発明の一実施例によって示される発光ダイオード４００の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
次に、実施例で図面に合わせて本発明を詳しく説明する。図面又は叙述において、類似又は同じ部分については、同じ符号又は番号を用いる。図面において、簡略化し又は示しやすくするためには、実施例の形状又は厚さが拡大される可能性がある。図面における素子の一部は、文字で叙述される。理解すべきなのは、示されていなく又は叙述されていない素子の構成は、当業者の知っている様々な様式であってよい。
【００３２】
図２は、本発明の一実施例によって示される発光ダイオード２００の断面構造図である。発光ダイオード２００は、基板２１０と、第１導電型半導体層２２０と、発光層２３０と、第２導電型半導体層２４０と、第１電流拡散層２５０と、電流阻止層２６０と、第２電流拡散層２７０と、を備える。
【００３３】
図２において、第１導電型半導体層２２０は、基板２１０上に設けられる。第１導電型半導体層２２０は、プラットフォーム構造であり、第１領域２２１及び第２領域２２２を含み、第１領域２２１は、第２領域２２２より高い。
【００３４】
本発明の一実施例によると、第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層である。本発明の別の実施例によると、第１導電型半導体層は、Ｎ型ガリウム含有窒化物である。
【００３５】
発光層２３０及び第２導電型半導体層２４０は、第１領域２２１上に順に設けられる。第２導電型半導体層２４０は、電流拡散領域２４１及び電流阻止領域２４２を含み、そして、発光層２３０と接触する第１表面２４３と、第１表面２４３に対向する第２表面２４４と、を有する。
【００３６】
本発明の一実施例によると、第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層である。本発明の別の実施例によると、第２導電型半導体層は、Ｐ型ガリウム含有窒化物である。本発明の更に他の実施例によると、第１導電型半導体層、発光層、及び第２導電型半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体材料により構成され、発光層は、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化インジウム（ＩｎＮ）のようなＩＩＩ−Ｖ族元素を主とする量子井戸（ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ）構造である。
【００３７】
第１電流拡散層２５０は、第２導電型半導体層２４０の電流拡散領域２４１における第２表面２４４を覆い、且つ電流阻止領域２４２における第２表面２４４を露出させる。次に、電流阻止層２６０は、露出された電流阻止領域２４２における第２表面２４４に形成され、且つ複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含む。本発明の一実施例によると、電流阻止層内における窒素ベーカンシの分布は、電流阻止領域における第２表面から第１表面の方向へ逓減する。第２電流拡散層２７０は、電流阻止層２６０及び第１電流拡散層２５０を覆っている。
【００３８】
本発明の一実施例によると、第１、第２電流拡散層は、何れも透明導電性材料を含み、透明導電性材料は、例えばインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）であってよいが、これらに制限されない。本発明の別の実施例によると、第１電流拡散層による抵抗値は、ｒ１であり、第２電流拡散層による抵抗値は、ｒ２であり、且つｒ１＞ｒ２である。
【００３９】
本発明の一実施例によると、図２に示すように、第２電流拡散層２７０に形成され電気的に接続され、電流阻止層２６０の真上に位置する第１電極２８０と、第２導電型半導体層２２０の第２領域２２２に形成され電気的に接続される第２電極２９０と、を更に備える。
【００４０】
本発明の一実施例によると、第１、第２電極の材料は、例えば金、クロム、プラチナ、チタン、アルミニウム、イリジウム、ロジウム又は他の金属であってよい。
【００４１】
図３Ａ〜３Ｇは、本発明の一実施例によって示される発光ダイオード３００の工程断面構造図である。
【００４２】
図３Ａにおいて、第２導電型半導体層３４０を発光層３３０上に形成する。第１表面３４３は、発光層３３０と接触する。本発明の一実施例によると、基板は、シリコン基板又はサファイア基板を包含するが、これらに制限されない。本発明の一実施例によると、第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層であり、例えば、Ｎ型ガリウム含有窒化物であってよい。本発明の一実施例によると、第１導電型半導体層を形成する方法は、物理気相成長法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＶＤ）、化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ）又はエピタキシー法を含む。本発明の一実施例によると、発光層は、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化インジウム（ＩｎＮ）のようなＩＩＩ−Ｖ族元素を主とする量子井戸（ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ）構造である。本発明の一実施例によると、発光層を形成する方法は、エピタキシー法を含む。本発明の一実施例によると、第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層であり、例えば、Ｐ型ガリウム含有窒化物であってよい。本発明の一実施例によると、第１導電型半導体層を形成する方法は、物理気相成長法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）又はエピタキシー法を含む。
【００４３】
図３Ｂに示すように、第１電流拡散層３５０を第２導電型半導体層３４０における第２表面３４４上に形成する。本発明の一実施例によると、第１電流拡散層を形成する方法は、物理気相成長法、化学気相成長法又はスパッタリング法を含む。
【００４４】
図３Ｃにおいて、一部の第１電流拡散層３５０を取り除いて、第２導電型半導体層３４０上の一部の第２表面を露出させる。本発明の一実施例によると、フォトレジストプロセスによって、第１電流拡散層をパターン化して、第２導電型半導体層上の電流阻止領域を露出させる工程を更に備える。
【００４５】
図３Ｄに示すように、第１電流拡散層３５０及び露出された第２表面を覆うように、第２電流拡散層３７０を形成して、露出された第２表面を、複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含む電流阻止層３６０に転換させる。
【００４６】
図３Ｄにおいて、第２導電型半導体層３４０は、電流拡散領域３４１及び電流阻止領域３４２に分けられる。第２導電型半導体層の表面において窒素ベーカンシが発生する場合、第２導電型半導体の表面の電子濃度が高くなり、多すぎる電子と第２導電型半導体材料における正孔は、補償効果を生じて、透明導電性材料と第２導電型半導体層との間の接触抵抗を向上させて、窒素ベーカンシを有する電流阻止層を形成する。本発明の一実施例において、電流阻止層内における窒素ベーカンシの分布は、第２導電型半導体層の電流阻止領域における第２表面から第１表面の方向へ逓減する。
【００４７】
本発明の一実施例によると、窒素ベーカンシの電流阻止層を形成する方法は、ハイパワースパッタリング（ｈｉｇｈ  ｐｏｗｅｒ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法を含む。スパッタリングによって第２電流拡散層を形成する時に、エネルギーを有する複数のスパッタ粒子が電流阻止領域で露出された第２表面にぶつかることによって、露出された第２表面に位置する第２導電型半導体層を、窒素ベーカンシを含む電流阻止層に転換させる。本発明の一実施例によると、スパッタリング方式は、アルゴン、酸化窒素（Ｎ２Ｏ）又は酸素により生じたプラズマで達成される。
【００４８】
本発明の一実施例によると、第１、第２電流拡散層は、何れもスパッタリング法によって形成される。第２電流拡散層を形成するためのスパッタパワーは、第１電流拡散層を形成するためのスパッタパワーより大きい。本発明の一実施例によると、第１、第２電流拡散層は、透明導電性材料を含み、透明導電性材料は、例えばインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）であってよいが、これらに制限されない。
【００４９】
図３Ｅにおいて、第１電極３８０を第２電流拡散層３７０上に形成する。第１電極３８０は、第２電流拡散層３７０に電気的に接続され、且つ電流阻止層３６０の真上に位置する。
【００５０】
本発明の一実施例によると、第１、第２電極の材料は、例えば金、クロム、プラチナ、チタン、アルミニウム、イリジウム、ロジウム又は他の金属であってよい。本発明の別の実施例によると、第１、第２電極を形成する方法は、スパッタリング法又は蒸着法を含む。
【００５１】
図３Ｆにおいて、第１導電型半導体層３２０は、第１領域３２１及び第２領域３２２を有する。第１導電型半導体層３２０の第１領域３２１上の一部の第１導電型半導体材料、発光層３３０、第２導電型半導体層３４０、第１電流拡散層３５０、第２電流拡散層３７０を取り除いて、プラットフォーム構造が得られる。
【００５２】
図３Ｇに示すように、次に、第２電極３９０を第１導電型半導体層３２０の第１領域３２１上に形成して、プラットフォーム状の発光ダイオード３００が得られる。
【００５３】
図４は、本発明の一実施例によって示される発光ダイオード４００の断面構造図である。発光ダイオード４００は、第１電極４１０と、第１導電型半導体層４２０と、発光層４３０と、第２導電型半導体層４４０と、第１電流拡散層４５０と、電流阻止層４６０と、第２電流拡散層４７０と、第２電極４８０と、を備える。
【００５４】
図４において、第１導電型半導体層４２０は、第１表面４２１と、第１表面４２１に対向する第２表面４２２と、を有する。第１電極４１０は、第１導電型半導体層４２０の第１表面４２１に形成され電気的に接続される。
【００５５】
本発明の一実施例によると、第１導電型半導体層は、Ｎ型半導体層である。本発明の別の実施例によると、第１導電型半導体層は、Ｎ型ガリウム含有窒化物である。
【００５６】
発光層４３０及び第２導電型半導体層４４０は、第１導電型半導体層４２０における第２表面４２２上に順に形成される。第２導電型半導体層４４０は、電流拡散領域４４１及び電流阻止領域４４２を含み、そして、第１表面４４３と、第１表面４４３に対向する第２表面４４４と、を有する。第２導電型半導体層４４０の第１表面４４３は、発光層４３０と接触する。
【００５７】
本発明の一実施例によると、第２導電型半導体層は、Ｐ型半導体層である。本発明の別の実施例によると、第２導電型半導体層は、Ｐ型ガリウム含有窒化物である。
【００５８】
第１電流拡散層４５０は、第２導電型半導体層４４０の電流拡散領域４４１における第２表面４４４を覆い、且つ電流阻止領域４４２における第２表面４４４を露出させる。次に、電流阻止層４６０は、露出された電流阻止領域４４２における第２表面４４４に形成され、且つ複数の窒素ベーカンシ（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙ）を含む。本発明の一実施例によると、電流阻止層内における窒素ベーカンシの分布は、電流阻止領域における第２表面から第１表面の方向へ逓減する。第２電流拡散層４７０は、電流阻止層４６０及び第１電流拡散層４５０を覆う。第２電極４８０は、第２電流拡散層４７０に形成され電気的に接続され、且つ電流阻止層４６０の真上に位置する。
【００５９】
本発明の一実施例によると、第１、第２電流拡散層は、何れも透明導電性材料を含み、透明導電性材料は、例えばインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）であってよいが、これらに制限されない。本発明の別の実施例によると、第１電流拡散層による抵抗値は、ｒ１であり、第２電流拡散層による抵抗値は、ｒ２であり、且つｒ１＞ｒ２である。
【００６０】
従来の発光ダイオードの電流阻止層の材料は、シリカ（ＳｉＯ２）を用いる場合が多く、シリカは、一部の光線を吸収するため、光透過率を低下させ、発光ダイオードの輝度を低下させる。しかしながら、本発明の実施例により提供された発光ダイオードの電流阻止層の材料は、実質的に窒素ベーカンシを有する第２導電型半導体材料に属するため、光エネルギーを吸収して光透過率を低下させる問題がない。
【００６１】
一方、窒素ベーカンシによる電流阻止領域は、完全に絶縁されるものではないため、依然として少量の電流を通過させ、電流阻止領域の真下に位置する発光層を励起させることに用いられる。このように、本発明の実施例により提供された発光ダイオードは、光透過率を向上させることができるだけでなく、発光効率を向上させることもでき、これにより、全体の発光ダイオードの平均輝度を向上させる。
【００６２】
本発明では、実施例を前述の通りに開示したが、これは本発明を限定するものではなく、当業者なら誰でも、本発明の精神と領域から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【符号の説明】
【００６３】
１００、２００、３００、４００…発光ダイオード、
１１０、２１０、３１０…基板、
１２０…Ｎ型半導体層、
１３０…Ｎ型金属電極、
１４０…発光層、
１５０…Ｐ型半導体層、
１６０…電流阻止層、
１７０…電流拡散層、
１８０…Ｐ型金属電極、
２２０、３２０、４２０…第１導電型半導体層、
２３０、３３０、４３０…発光層、
２４０、３４０、４４０…第２導電型半導体層、
２４１、３４１、４４１…電流拡散領域、
２４２、３４２、４４２…電流阻止領域、
２４３、３４３、４２１、４４３…第１表面、
２４４、３４４、４２２、４４４…第２表面、
２５０、３５０、４５０…第１電流拡散層、
２６０、３６０、４６０…電流阻止層、
２７０、３７０、４７０…第２電流拡散層、
２８０、３８０、４１０…第１電極、
２９０、３９０、４８０…第２電極、
２２１、３２１…第１領域、
２２２、３２２…第２領域、
Ａ、Ｂ…光線。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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