(57)【要約】【課題】位置ずれを抑制することのできる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１０は、絶縁性基材２１、及び絶縁性基材２１を厚さ方向に貫通する多数の線状導体２２を有するコア層２０と、コア層２０の上面２０Ａに形成され、開口部３０Ｘを有する導電層３０と、コア層２０の下面２０Ｂに形成され、開口部４０Ｘを有する導電層４０と、開口部４０Ｘから露出するコア層２０の下面２０Ｂに形成され、開口部５０Ｘを有する導電層５０を有する。開口部４０Ｘは、開口部３０Ｘよりも平面形状が大きく形成され、その一部が開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に形成されている。開口部５０Ｘは、開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に形成されるとともに、開口部３０Ｘの平面形状と略同じ大きさに形成されている。開口部３０Ｘに上端面２２Ａが露出する線状導体２２の下端面２２Ｂは、開口部５０Ｘに露出されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材、及び前記絶縁性基材を厚さ方向に貫通する多数の線状導体を有するコア層と、
前記コア層の上面にベタ状に形成され、第１開口部を有する第１導電層と、
前記コア層の下面にベタ状に形成され、第２開口部を有する第２導電層と、
前記第２開口部から露出する前記コア層の下面に形成され、第３開口部を有する第３導電層と、を有し、
前記第２開口部は、前記第１開口部よりも平面形状が大きく形成されるとともに、一部が前記第１開口部と平面視で重なる位置に形成され、
前記第３開口部は、前記第１開口部と平面視で重なる位置に形成されるとともに、前記第１開口部の平面形状と同じ大きさに形成され、
前記第１開口部及び前記第３開口部の底部には、複数の前記線状導体が露出されており、前記第１開口部に上端面が露出する前記線状導体の下端面は前記第３開口部に露出され、
前記第１開口部及び前記第３開口部はアライメントマークであることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１導電層は、前記コア層の上面から、第１金属層と第２金属層とが順に積層された構造を有し、
前記第２導電層は、前記コア層の下面から、第３金属層と第４金属層とが順に積層された構造を有し、
前記第１金属層は、前記第２金属層よりも前記絶縁性基材との密着性が高い金属材料からなり、
前記第３金属層は、前記第４金属層よりも前記絶縁性基材との密着性が高い金属材料からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記多数の線状導体は、隣接する線状導体の間隔が前記各線状導体の直径以下になるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁性基材、及び前記絶縁性基材を厚さ方向に貫通する多数の線状導体を有するコア層を形成する工程と、
前記コア層の上面に第１導電層を形成するとともに、前記コア層の下面に第２導電層を形成する工程と、
前記第１導電層に、前記コア層の上面を露出し、複数の前記線状導体を露出する第１開口部を形成する工程と、
前記第２導電層の前記第１開口部と平面視で重なる位置に、前記第１開口部よりも平面形状の大きい第２開口部を形成する工程と、
前記第１導電層及び前記第１導電層と電気的に接続された前記線状導体を給電経路とする電解めっき法により、前記第１開口部と平面視で重なる位置に形成された第３開口部を有する第３導電層を、前記第２開口部から露出する前記コア層の下面に形成する工程と、を有し、
前記第３開口部は、前記第１開口部の平面形状と同じ大きさに形成されるとともに、複数の前記線状導体を露出するように、且つ、前記第１開口部に上端面が露出する前記線状導体の下端面を露出するように形成され、
前記第１開口部及び前記第３開口部は、アライメントマークであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第３導電層を形成する工程の後に、
前記コア層の上面に、前記第１導電層の一部を被覆し、所定の開口パターンを有する第１レジスト層を形成する工程と、
前記コア層の下面に、前記第２導電層の一部を被覆し、所定の開口パターンを有する第２レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層をマスクとし、前記第１導電層及び前記第２導電層を給電経路とする電解めっき法により、前記第１導電層上に第１電解めっき層を形成し、前記第２導電層上に第２電解めっき層を形成する工程と、
前記第１電解めっき層をマスクにして前記第１導電層をパターニングし、前記コア層の上面に、パターニング後の第１導電層と前記第１電解めっき層とからなる第１配線パターンと、第１認識マークとを形成する工程と、
前記第２電解めっき層をマスクにして前記第２導電層をパターニングし、前記コア層の下面に、パターニング後の第２導電層と前記第２電解めっき層とからなる第２配線パターンと、第２認識マークとを形成する工程と、を有し、
前記第１配線パターン及び前記第１認識マークは、前記第１開口部を位置基準として位置決めされて形成され、
前記第２配線パターン及び前記第２認識マークは、前記第３開口部を位置基準として位置決めされて形成されることを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２配線パターン及び前記第２認識マークを形成する工程では、前記第３導電層が除去され、
前記第２配線パターン及び前記第２認識マークを形成する工程の後に、
前記コア層の上面に、前記第１配線パターンの上面を露出する第１ビアホールを有する第１層間絶縁層を形成する工程と、
前記コア層の下面に、前記第２配線パターンの下面を露出する第２ビアホールを有する第２層間絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記第１ビアホールは、前記第１認識マークを位置基準として位置決めされて形成され、
前記第２ビアホールは、前記第２認識マークを位置基準として位置決めされて形成されることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
支持体上に、絶縁性基材、及び前記絶縁性基材を厚さ方向に貫通する多数の線状導体を有するコア層が形成された構造体を準備する工程と、
前記コア層の上面に、第１配線パターンと、前記第１配線パターンの一部に形成され、前記コア層の上面を露出し複数の前記線状導体を露出する第１開口部と、を形成する工程と、
前記コア層の上面に、前記第１配線パターンの上面を露出する第１ビアホールを有する第１層間絶縁層を形成する工程と、
前記第１層間絶縁層を形成した後に、前記支持体を除去する工程と、
前記コア層の下面に第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層の前記第１開口部と平面視で重なる位置に、前記第１開口部よりも平面形状の大きい第２開口部を形成する工程と、
前記第１配線パターン及び前記第１配線パターンと電気的に接続された前記線状導体を給電経路とする電解めっき法により、前記第１開口部と平面視で重なる位置に形成された第３開口部を有する第３導電層を、前記第２開口部から露出する前記コア層の下面に形成する工程と、
前記コア層の下面に、前記第２導電層の一部を被覆し、所定の開口パターンを有する第２レジスト層を形成する工程と、
前記第２レジスト層をマスクとし、前記第２導電層を給電経路とする電解めっき法により、前記第２導電層上に第２電解めっき層を形成する工程と、
前記第２電解めっき層をマスクにして前記第２導電層をパターニングし、前記コア層の下面に、パターニング後の第２導電層と前記第２電解めっき層とからなる第２配線パターンと、第２認識マークとを形成する工程と、を有し、
前記第３開口部は、前記第１開口部の平面形状と同じ大きさに形成されるとともに、複数の前記線状導体を露出するように、且つ、前記第１開口部に上端面が露出する前記線状導体の下端面を露出するように形成され、
前記第２配線パターン及び前記第２認識マークは、前記第３開口部を位置基準として位置決めされて形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、厚さ方向に貫通する多数の線状導体が設けられた絶縁性基材を有する配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。線状導体は、その両端が絶縁性基材から露出するように形成されている。この配線基板では、絶縁性基材の上面及び下面の対向する位置に各々パッドが形成されている。これら互いに対向するパッドは、線状導体を介して電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２７２５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した配線基板では、絶縁性基材の上面及び下面の対向する位置に各々パッドが形成されているが、実際には製造上のばらつき等により、各々のパッドを完全に対向する位置に形成することはできない。すなわち、製造上のばらつき等により、絶縁性基材の上面に形成されたパッドと絶縁性基材の下面に形成されたパッドとの間には位置ずれが発生する。このような位置ずれが大きくなると、両パッド間で電気的な接続ができなくなるという問題が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、絶縁性基材、及び前記絶縁性基材を厚さ方向に貫通する多数の線状導体を有するコア層と、前記コア層の上面にベタ状に形成され、第１開口部を有する第１導電層と、前記コア層の下面にベタ状に形成され、第２開口部を有する第２導電層と、前記第２開口部から露出する前記コア層の下面に形成され、第３開口部を有する第３導電層と、を有し、前記第２開口部は、前記第１開口部よりも平面形状が大きく形成されるとともに、一部が前記第１開口部と平面視で重なる位置に形成され、前記第３開口部は、前記第１開口部と平面視で重なる位置に形成されるとともに、前記第１開口部の平面形状と同じ大きさに形成され、前記第１開口部及び前記第３開口部の底部には、複数の前記線状導体が露出されており、前記第１開口部に上端面が露出する前記線状導体の下端面は前記第３開口部に露出され、前記第１開口部及び前記第３開口部がアライメントマークである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、位置ずれを抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略断面図（図１（ｂ）及び図１（ｃ）における１−１断面図）、（ｂ），（ｃ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略平面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図。
【図５】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図６】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】第１実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１５】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１６】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１７】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１８】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１９】（ａ）は、第３実施形態の配線基板を示す概略断面図（図１９（ｂ）及び図１９（ｃ）における１９−１９断面図）、（ｂ），（ｃ）は、第３実施形態の配線基板を示す概略平面図。
【図２０】（ａ），（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２１】（ａ），（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２２】（ａ），（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２３】（ａ），（ｂ）は、変形例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２４】（ａ），（ｂ）は、第４実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図２５】（ａ），（ｂ）は、第４実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図２６】（ａ），（ｂ）は、第４実施形態の配線基板及び半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図２７】（ａ）は、第５実施形態の配線基板を示す概略断面図（図２７（ｂ）及び図２７（ｃ）における２７−２７断面図）、（ｂ），（ｃ）は、第５実施形態の配線基板を示す概略平面図。
【図２８】（ａ），（ｂ）は、第５実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２９】（ａ），（ｂ）は、第５実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３０】（ａ），（ｂ）は、第５実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３１】（ａ）〜（ｃ）は、第６実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３２】（ａ），（ｂ）は、第６実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３３】（ａ），（ｂ）は、第６実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３４】（ａ），（ｂ）は、第６実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３５】（ａ），（ｂ）は、第６実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３６】（ａ）〜（ｃ）は、比較例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３７】（ａ），（ｂ）は、比較例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、図１〜図１２に従って第１実施形態を説明する。
まず、配線基板１０の構造について説明する。
【００１０】
図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、コア層２０と、導電層３０と、導電層４０と、導電層５０とを有している。
コア層２０は、導電層３０等を形成するための基体となる平板状の部材である。コア層２０の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、コア層２０の平面形状は、２００ｍｍ×２００ｍｍ程度の正方形状とすることができる。また、コア層２０の厚さは、例えば、７０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００１１】
コア層２０は、絶縁性基材２１と、複数の線状導体２２とを有している。
絶縁性基材２１は、上面２１Ａと下面２１Ｂとを有している。絶縁性基材２１には、その絶縁性基材２１の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔２１Ｘが形成されている。すなわち、各貫通孔２１Ｘは、絶縁性基材２１の上面２１Ａと下面２１Ｂとの間を貫通するように形成されている。
【００１２】
絶縁性基材２１の材料としては、例えば、アルミナ（酸化アルミニウム）、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックス（ガラスとセラミックスの複合材料）、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタンジルコン酸鉛等の無機材料を用いることができる。
【００１３】
各線状導体２２は、貫通孔２１Ｘ内を充填するように形成されている。この各線状導体２２は、絶縁性基材２１を厚さ方向に貫通するように形成されている。このため、各線状導体２２は、上端面２２Ａが絶縁性基材２１の上面２１Ａから露出されており、下端面２２Ｂが絶縁性基材２１の下面２１Ｂから露出されている。これら複数の線状導体２２は平行に隣接して形成されている。また、これら複数の線状導体２２は、絶縁性基材２１の上面２１Ａ又は下面２１Ｂが広がる方向（平面方向）全体に亘って形成されている。これら複数の線状導体２２の配置形態については、特に限定されず、例えば、ヘキサゴナル状に配置してもよいし、グリッド状に配置してもよい。
【００１４】
各線状導体２２の上端面２２Ａは、絶縁性基材２１の上面２１Ａと略面一となるように形成されている。また、各線状導体２２の下端面２２Ｂは、絶縁性基材２１の下面２１Ｂと略面一となるように形成されている。各線状導体２２の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、各線状導体２２は、直径が１０〜１０００ｎｍ程度の平面視円形状に形成されている。ここで、本明細書における「平面視円形状」とは、厳密に円形である場合のみならず、おおよそ円形である場合も含むものとする。また、各線状導体２２は、例えば、隣接する線状導体２２との間隔が各線状導体２２の直径以下となる程度に密度に形成されている。このような線状導体２２のピッチは、例えば、２０〜２０００ｎｍ程度とすることができる。なお、線状導体２２の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はそれらの合金を用いることができる。
【００１５】
導電層３０は、コア層２０の上面２０Ａ（絶縁性基材２１の上面２１Ａ及び線状導体２２の上端面２２Ａ）に形成されている。この導電層３０は、コア層２０の上面２０Ａにベタ状に形成されている。例えば、導電層３０は、コア層２０の上面２０Ａの略全面を被覆するように形成されている。導電層３０は、複数の線状導体２２と電気的に接続されている。
【００１６】
導電層３０には、所要の箇所（ここでは、４箇所）に、当該導電層３０を厚さ方向に貫通してコア層２０の上面２０Ａの一部を露出する開口部３０Ｘが形成されている。開口部３０Ｘの底部（コア層２０側（図中下側）の開口部）には、複数の線状導体２２の上端面２２Ａが露出されている。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、本例の開口部３０Ｘは、導電層３０の上面（コア層２０の上面２０Ａ）の四隅近傍に形成されている。各開口部３０Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、各開口部３０Ｘの平面形状は、直径が１００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、導電層３０は、コア層２０の上面２０Ａから、金属層３１と金属層３２とが順に積層された構造を有している。金属層３２は、例えば、金属層３１の上面全面を被覆するように形成されている。金属層３２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属層３１の材料としては、金属層３２を構成する金属材料（例えば、銅）よりも絶縁性基材２１との密着性が高い金属材料を用いることが好ましい。金属層３１の材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）を用いることができる。なお、このような金属材料からなる金属層３１は、導電層３０と絶縁性基材２１との密着性を高める密着層として機能するとともに、金属層３２（例えば、Ｃｕ層）から絶縁性基材２１に銅が拡散することを抑制する金属バリア層としても機能する。また、金属層３１の厚さは、例えば１０〜１００ｎｍ程度とすることができ、金属層３２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍ程度とすることができる。
【００１９】
一方、導電層４０は、コア層２０の下面２０Ｂ（絶縁性基材２１の下面２１Ｂ及び線状導体２２の下端面２２Ｂ）に形成されている。導電層４０は、導電層３０と平面視で重なる位置に形成されている。この導電層４０は、コア層２０の下面２０Ｂにベタ状に形成されている。例えば、導電層４０は、コア層２０の下面２０Ｂの略全面を被覆するように形成されている。導電層４０は、複数の線状導体２２と電気的に接続されている。
【００２０】
図１（ｃ）に示すように、導電層４０には、所要の箇所（ここでは、４箇所）に、当該導電層４０を厚さ方向に貫通してコア層２０の下面２０Ｂの一部を露出する開口部４０Ｘが形成されている。開口部４０Ｘは、その一部が開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に形成されている。開口部４０Ｘの平面形状は、開口部３０Ｘよりも大きく形成されている。なお、開口部４０Ｘの平面形状は、任意の形状とすることができ、開口部３０Ｘと同様の形状（ここでは、円形状）であってもよいし、開口部３０Ｘと異なる形状（例えば、矩形状）であってもよい。例えば、開口部４０Ｘの平面形状は、５００×５００μｍ程度の正方形状とすることができる。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、導電層４０は、コア層２０の下面２０Ｂから、金属層４１と金属層４２とが順に積層された構造を有している。金属層４２は、例えば、金属層４１の下面全面を被覆するように形成されている。金属層４２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属層４１の材料としては、金属層４２を構成する金属材料（例えば、銅）よりも絶縁性基材２１との密着性が高い金属材料を用いることが好ましい。金属層４１の材料としては、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｔａ、Ｃｒを用いることができる。なお、このような金属材料からなる金属層４１は、導電層４０と絶縁性基材２１との密着性を高める密着層として機能するとともに、金属層４２（例えば、Ｃｕ層）から絶縁性基材２１に銅が拡散することを抑制する金属バリア層としても機能する。また、金属層４１の厚さは、例えば１０〜１００ｎｍ程度とすることができ、金属層４２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍ程度とすることができる。
【００２２】
導電層５０は、開口部４０Ｘから露出されたコア層２０の下面２０Ｂに形成されている。このため、コア層２０の下面２０Ｂには、４つの導電層５０が形成されている。各導電層５０は、開口部４０Ｘ内に形成されている。各導電層５０は、複数の線状導体２２と電気的に接続されている。具体的には、各導電層５０は、開口部４０Ｘと平面視で重なる位置に形成された導電層３０と接続される線状導体２２と電気的に接続されている。なお、導電層５０の材料としては、例えば、銅やニッケルなどの電解めっきで成膜可能な金属を用いることができる。
【００２３】
各導電層５０には、所要の箇所（ここでは、１箇所）に、当該導電層５０を厚さ方向に貫通してコア層２０の下面２０Ｂの一部を露出する開口部５０Ｘが形成されている。開口部５０Ｘの底部（コア層２０側（図中上側）の開口部）には、複数の線状導体２２の下端面２２Ｂが露出されている。開口部５０Ｘは、開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に形成されている。図１（ｃ）に示すように、開口部５０Ｘの平面形状は、開口部３０Ｘと同様の形状（ここでは、円形状）に形成されている。また、開口部５０Ｘの平面形状は、開口部３０Ｘの平面形状と同じ大きさ、又は開口部３０Ｘの平面形状よりも若干小さく形成されている。例えば、開口部５０Ｘの平面形状は、直径が１００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【００２４】
このような開口部５０Ｘと開口部３０Ｘとは、平面視において略完全に重なった状態で形成されている。詳述すると、開口部３０Ｘに上端面２２Ａが露出した線状導体２２の下端面２２Ｂは、開口部５０Ｘに露出している。すなわち、開口部３０Ｘと開口部５０Ｘとは、平面方向にほとんど位置ずれすることなく形成されている。なお、開口部３０Ｘ及び開口部５０Ｘから両端面が露出する線状導体２２は、導体には接続されず、電気的に孤立（フローティング）した状態となっている。
【００２５】
これら開口部３０Ｘ，５０Ｘは、導電層３０，４０が形成されている領域に配線パターン等を形成する際に、アライメントマークとして利用される。
次に、配線基板１０の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
【００２６】
図２（ａ）に示す工程では、まず、多数の貫通孔２１Ｘを有する絶縁性基材２１を準備する。ここで、各貫通孔２１Ｘの深さは、例えば、７０〜１００μｍ程度とすることができる。各貫通孔２１Ｘは、例えば平面視円形状とすることができ、その場合の直径Φは例えば１０〜１０００ｎｍ程度とすることができる。また、貫通孔２１Ｘは、隣接する貫通孔２１Ｘの間隔Ｐが貫通孔２１Ｘの直径Φ以下となる程度に高密度に形成されている。このような貫通孔２１Ｘのピッチは、例えば、２０〜２０００ｎｍ程度とすることができる。
【００２７】
このような微小径でアスペクト比（孔深さと孔径の比）が高く、且つ高密度に配置された貫通孔２１Ｘの形成方法の一例を以下に示す。貫通孔２１Ｘは、例えば、陽極酸化法を用いて形成することができる。ここでは、酸化アルミニウムからなる絶縁性基材２１に貫通孔２１Ｘを形成する方法について説明する。
【００２８】
具体的には、アルミニウム（Ａｌ）の基板の一方の面を絶縁被膜したＡｌ基板、又はガラス基板上にスパッタリング等によりＡｌの電極層を形成したＡｌ電極層を用意する。その用意したＡｌ基板又はＡｌ電極層の表面を洗浄後、電解液（好適には硫酸水溶液）中に浸漬し、浸漬したＡｌ基板又はＡｌ電極層を陽極とし、これに対向配置される白金（Ｐｔ）電極を陰極として通電（パルス電圧を印加）する。これにより、Ａｌ基板又はＡｌ電極層の表面に多孔質金属酸化膜（微小径の孔が規則正しく形成された酸化アルミニウムの膜）を形成することができる。
【００２９】
この後、陽極酸化とは逆電位の電圧を各電極に印加（Ａｌ基板又はＡｌ電極層を陰極とし、白金電極を陽極として通電）することで、多孔質金属酸化膜をＡｌ配線基板又はＡｌ電極層から分離する。これによって、所望の微小径の貫通孔２１Ｘが高密度に形成された絶縁性基材２１が得られる。
【００３０】
なお、陽極酸化法では、電解液の種類、電圧、時間などの条件を変更することにより、絶縁性基材２１の厚さ（貫通孔２１Ｘの深さ）、貫通孔２１Ｘの径や貫通孔２１Ｘのピッチを調整することができる。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、絶縁性基材２１の貫通孔２１Ｘに金属材料を充填して線状導体２２（ビア）を形成する。これにより、絶縁性基材２１を厚さ方向に貫通する複数の線状導体２２を有するコア層２０が製造される。線状導体２２は、例えば、スクリーン印刷法やインクジェット法等を用いて、銅や銀等の導電性ペーストを貫通孔２１Ｘに充填して形成することができる。また、絶縁性基材２１の一方の面に電極を設けた電解めっき法によっても線状導体２２を形成することができる。
【００３２】
さらに、必要に応じて、機械研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）等により両面を研磨して平坦化してもよい。これにより、線状導体２２の両端を絶縁性基材２１の両面から露出させることができ、線状導体２２の長さの均一性を確保することができる。
【００３３】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａに導電層３０を形成するとともに、コア層２０の下面２０Ｂに導電層４０を形成する。本工程では、導電層３０はコア層２０の上面２０Ａ全面を被覆するように形成され、導電層４０はコア層２０の下面２０Ｂ全面を被覆するように形成される。これら導電層３０，４０は、例えば、スパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。
【００３４】
例えば、スパッタ法により導電層３０を形成する場合には、まず、コア層２０の上面２０Ａ上にチタンをスパッタリングにより堆積させて金属層３１（Ｔｉ層）を形成する。その後、金属層３１上に銅をスパッタリングにより堆積させて金属層３２（Ｃｕ層）を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）の導電層３０を形成することができる。同様に、スパッタ法により導電層４０を形成する場合には、まず、コア層２０の下面２０Ｂ上にチタンをスパッタリングにより堆積させて金属層４１（Ｔｉ層）を形成する。その後、金属層４１上に銅をスパッタリングにより堆積させて金属層４２（Ｃｕ層）を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）の導電層４０を形成することができる。なお、コア層２０と金属層３２，４２（Ｃｕ層）との間に金属層３１，４１（Ｔｉ層）を形成することにより、絶縁性基材２１と導電層３０，４０との密着性を向上させることができる。
【００３５】
続いて、図３（ａ）に示す工程では、導電層３０の上面に開口パターン６０Ｘを有するレジスト層６０を形成するとともに、導電層４０の下面に開口パターン６１Ｘを有するレジスト層６１を形成する。開口パターン６０Ｘは、開口部３０Ｘの形成領域に対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。また、開口パターン６１Ｘは、開口部４０Ｘ（図１（ａ）参照）の形成領域に対応する部分の導電層４０を露出するように形成されている。レジスト層６０，６１の材料としては、後工程のエッチング処理及びめっき処理に対して耐エッチング性及び耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層６０，６１の材料としては、例えば、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、導電層３０の上面及び導電層４０の下面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして開口パターン６０Ｘ，６１Ｘを有するレジスト層６０，６１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層６０，６１を形成することができる。また、レジスト層６０，６１として非感光性のレジストを用いるようにしてもよい。この場合には、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザによるレーザ加工法等によって開口パターン６０Ｘ，６１Ｘを形成することができる。
【００３６】
ここで、開口パターン６０Ｘ，６１Ｘは平面視で重なる位置に形成される。さらに、開口パターン６１Ｘの平面形状は、開口パターン６０Ｘの平面形状よりも大きく形成される。このため、例えば、露光装置（製造装置）の位置精度（位置合わせ精度）等に起因して、開口パターン６０Ｘ，６１Ｘの形成位置が設計位置からずれた場合であっても、開口パターン６０Ｘの平面全面が開口パターン６１Ｘと平面視で重なるように開口パターン６０Ｘ，６１Ｘを好適に形成することができる。換言すると、開口パターン６１Ｘを開口パターン６０Ｘよりも大きく形成したため、露光装置の位置精度に起因した開口パターン６０Ｘ，６１Ｘの位置ずれによって、開口パターン６０Ｘの一部が開口パターン６１Ｘと平面視で重ならない位置に形成されることを抑制することができる。
【００３７】
次いで、図３（ｂ）に示す工程では、レジスト層６０，６１をエッチングマスクとして、導電層３０，４０をエッチングする。具体的には、レジスト層６０の開口パターン６０Ｘから露出する導電層３０（金属層３１，３２）をエッチングし、導電層３０に開口部３０Ｘを形成する。また、レジスト層６１の開口パターン６１Ｘから露出する導電層４０（金属層４１，４２）をエッチングし、導電層４０に開口部４０Ｘを形成する。
【００３８】
これにより、図４（ａ）に示すように、導電層３０の上面の四隅近傍に、平面視円形状の開口部３０Ｘが形成され、その開口部３０Ｘにコア層２０の上面２０Ａが露出される。また、図４（ｂ）に示すように、導電層４０の下面の四隅近傍に、平面視略矩形状の開口部４０Ｘが形成され、その開口部４０Ｘにコア層２０の下面２０Ｂが露出される。これら開口部３０Ｘと開口部４０Ｘとは、開口パターン６０Ｘと開口パターン６１Ｘと同様に、平面視で重なるように形成される。
【００３９】
次に、図５（ａ）に示す工程では、レジスト層６０の上面全面を被覆するようにマスク材６２を形成する。このマスク材６２は、次工程のめっき処理におけるめっき液が開口部３０Ｘに露出する導電層３０やコア層２０に接触することを抑制するために形成される。マスク材６２の材料としては、例えば、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、マスク材６２の材料としては、マスキングテープやレジスト層を用いることができる。マスキングテープの材料としては、例えば、塩化ビニルやＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いることができる。例えば、マスク材６２としてマスキングテープを用いる場合には、レジスト層６０上にマスキングテープを貼り付けることによりマスク材６２を形成することができる。なお、この場合のマスク材６２（マスキングテープ）は、後工程においてレジスト層６０から容易に剥離できる状態で仮接着される。
【００４０】
続いて、開口部４０Ｘから露出するコア層２０の下面２０Ｂに、開口部５０Ｘを有する導電層５０を形成する。例えば、レジスト層６１及びマスク材６２をめっきマスクとして、開口部４０Ｘから露出するコア層２０の下面２０Ｂに、導電層３０及びその導電層３０と電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施す。すると、開口部４０Ｘ及び開口パターン６１Ｘから露出するコア層２０の下面２０Ｂでは、平面視で重複する位置に導電層３０が存在する部分だけに、その導電層３０及び線状導体２２を介して給電され、その部分だけにめっき膜が析出成長される。これにより、開口部４０Ｘと平面視で重なる位置に形成された導電層３０と対向する位置に、導電層５０が形成される。
【００４１】
図５（ｂ）に示すように、導電層５０は、開口部４０Ｘと平面視で重なる位置に形成された導電層３０に上端面２２Ａが接続された線状導体２２の下端面２２Ｂのみから、めっき膜が析出成長して形成される。また、開口部４０Ｘと平面視で重なる位置であって、導電層３０の形成されていない位置に配置された線状導体２２（つまり、開口部３０Ｘに上端面２２Ａが露出する線状導体２２）の下端面２２Ｂからは、めっき膜が析出成長されない。このため、導電層５０は、開口部４０Ｘと平面視で重なる位置に形成された導電層３０の平面形状が転写されて形成され、開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に開口部５０Ｘが形成される。換言すると、図６（ａ）に示すように、開口部４０Ｘに露出するコア層２０の下面２０Ｂにおいて、開口部３０Ｘと平面視で重なる位置以外の部分に導電層５０が形成され、開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に開口部５０Ｘが形成される。したがって、導電層５０の開口部５０Ｘを、開口部３０Ｘと平面視において、極めて精度良く重複する位置に形成することができる。
【００４２】
なお、コア層２０の下面２０Ｂに析出成長されるめっき膜は、略等方的に成長するため、下面２０Ｂの平面方向へも成長する。このため、開口部５０Ｘの平面形状は、開口部３０Ｘよりも若干小さくなる場合がある。但し、この場合であっても、開口部５０Ｘは、直径が１００〜３００μｍ程度の平面視円形状の開口部３０Ｘよりも直径が１００〜５００ｎｍ程度小さくなるだけであるため、開口部３０Ｘとほとんど同じ大きさ及び形状と見ることができる。
【００４３】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示したマスク材６２を除去する。例えば、マスク材６２としてマスキングテープを用いる場合には、レジスト層６０からマスク材６２（マスキングテープ）を機械的に剥離する。続いて、図５（ａ）に示したレジスト層６０，６１を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。
【００４４】
以上の製造工程により、図１に示した配線基板１０を製造することができる。すなわち、コア層２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂで位置ずれのほとんどない略同一形状の開口部３０Ｘ，５０Ｘ（アライメントマーク）が形成された配線基板１０を製造することができる。
【００４５】
（配線基板の適用例）
次に、配線基板１０を利用して、コア層２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに配線パターンや絶縁層を形成する方法の一例について説明する。
【００４６】
まず、図７（ａ）に示す工程では、導電層３０の上面に開口パターン６３Ｘを有するレジスト層６３を形成するとともに、導電層４０の下面に開口パターン６４Ｘを有するレジスト層６４を形成する。開口パターン６３Ｘは、所定の配線パターンに対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。開口パターン６４Ｘは、所定の配線パターンに対応する部分の導電層４０を露出するように形成されている。また、レジスト層６３は、所定の認識マークに対応する部分の導電層３０を被覆するレジスト層６３Ａを有している。レジスト層６４は、所定の認識マークに対応する部分の導電層４０を被覆するレジスト層６４Ａを有している。レジスト層６３，６４の材料としては、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層６３，６４の材料としては、例えば、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）を用いることができる。
【００４７】
本工程では、平面視において略完全に重複して形成された開口部３０Ｘ，５０Ｘがアライメントマークとして利用される。例えば、レジスト層６３，６４の材料として感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、まず、導電層３０の上面全面及び導電層４０の下面全面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートする。その後、開口部３０Ｘ（例えば、開口部３０Ｘの平面中心）をアライメントマークとしてＣＣＤカメラなどの撮像装置（図示略）で検出し、その検出した開口部３０Ｘを位置基準（基準位置）として用いて、露光装置によりマスクの位置合わせを行った上で、露光・現像を行う。これにより、導電層３０の上面に形成されたドライフィルムがパターニングされて、導電層３０の上面に所定の開口パターン６３Ｘを有するレジスト層６３が形成される。同様に、開口部５０Ｘ（例えば、開口部５０Ｘの平面中心）をアライメントマークとしてＣＣＤカメラなどの撮像装置（図示略）で検出し、その検出した開口部５０Ｘを位置基準として用いて、露光装置（図示略）によりマスクの位置合わせを行った上で、露光・現像を行う。これにより、導電層４０の下面に形成されたドライフィルムがパターニングされて、導電層４０の下面に所定の開口パターン６４Ｘを有するレジスト層６４が形成される。このとき、位置基準として利用される開口部３０Ｘ，５０Ｘが平面視において略完全に重複して形成されているため、レジスト層６３の開口パターン６３Ｘとレジスト層６４の開口パターン６４Ｘとを位置精度良く形成することができる。また、レジスト層６３Ａとレジスト層６４Ａとを位置精度良く形成することができる。
【００４８】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、レジスト層６３，６４をめっきマスクとして、導電層３０上及び導電層４０上に、それら導電層３０，４０を給電経路とする電解めっき法を施す。例えば、レジスト層６３の開口パターン６３Ｘから露出された導電層３０の上面に電解銅めっき法を施すことにより、開口パターン６３Ｘ内に電解めっき層３３を形成する。また、レジスト層６４の開口パターン６４Ｘから露出された導電層４０の下面に電解銅めっき法を施すことにより、開口パターン６４Ｘ内に電解めっき層４３を形成する。なお、電解めっき層３３，４３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【００４９】
続いて、図８（ａ）に示す工程では、図７（ｂ）に示したレジスト層６３，６４を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。このとき、図７（ｂ）に示したレジスト層６３Ａが除去されると、レジスト層６３Ａが形成されていた位置に開口部３３Ｘが形成される。同様に、レジスト層６４Ａが除去されると、レジスト層６４Ａが形成されていた位置に開口部４３Ｘが形成される。
【００５０】
次いで、図８（ｂ）に示す工程では、電解めっき層３３によって被覆されていない導電層３０（金属層３１，３２）をエッチング等により除去し、導電層３０をパターニングする。また、電解めっき層４３によって被覆されていない導電層４０（金属層４１，４２）をエッチング等により除去する。これらにより、電解めっき層３３と導電層３０とからなる配線パターン３４が形成され、電解めっき層４３と導電層４０とからなる配線パターン４４が形成される。また、配線パターン３４の一部（開口部３３Ｘ（図８（ａ）参照）が形成されていた位置）に開口部３４Ｘが形成される。開口部３４Ｘは、配線パターン３４（電解めっき層３３及び導電層３０）を厚さ方向に貫通してコア層２０の上面２０Ａを露出するように形成されている。同様に、開口部４３Ｘ（図８（ａ）参照）が形成されていた位置に、配線パターン４４によって囲まれた開口部４４Ｘが形成される。開口部４４Ｘは、配線パターン４４（電解めっき層４３及び導電層４０）を厚さ方向に貫通してコア層２０の下面２０Ｂを露出するように形成されている。これら開口部３４Ｘ，４４Ｘが後工程において認識マーク（アライメントマーク）として機能する。以下では、説明の便宜上、開口部３４Ｘを「認識マーク３４Ｘ」、開口部４４Ｘを「認識マーク４４Ｘ」と称する場合もある。
【００５１】
本工程では、金属層４２（Ｃｕ層）と併せて、図８（ａ）に示すように、導電層５０（Ｃｕ層）をエッチング等により除去する。また、本工程において、開口部３０Ｘ，５０Ｘ（アライメントマーク）が形成されたコア層２０の周縁領域（アライメントマーク形成領域）を切断する（例えば、図中の破線位置で切断する）ことにより、導電層５０を除去するようにしてもよい。
【００５２】
以上の製造工程により、図９（ａ）に示すように、コア層２０の上面２０Ａの中央部に複数の配線パターン３４が形成され、それら複数の配線パターン３４が形成される領域の四隅に認識マーク（開口部）３４Ｘが形成される。また、図９（ｂ）に示すように、コア層２０の下面２０Ｂの中央部に複数の配線パターン４４が形成され、それら複数の配線パターン４４が形成される領域の四隅に認識マーク（開口部）４４Ｘが形成される。なお、図９（ａ）では、各配線パターン３４の平面形状については図示を省略し、図９（ｂ）では、各配線パターン４４の平面形状については図示を省略している。
【００５３】
ここで、図８及び図９を参照して、配線パターン３４，４４及び認識マーク３４Ｘ，４４Ｘについて説明する。
配線パターン３４，４４の厚さは、例えば、３〜３０μｍ程度とすることができる。配線パターン３４，４４の配置形態については、特に限定されず、例えば、ヘキサゴナル状に配置されていてもよいし、グリッド状に配置されていてもよい。配線パターン３４，４４のピッチは、例えば、５０μｍ程度とすることができる。各配線パターン３４，４４の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。配線パターン３４の平面形状と配線パターン４４の平面形状とは、例えば、略同じ形状に形成されている。但し、配線パターン３４の平面形状と配線パターン４４の平面形状とは完全に同一の形状である必要はない。これら配線パターン３４，４４は、平面視において重複する位置に精度良く形成されたレジスト層６３．６４の開口パターン６３Ｘ，６４Ｘ（図７（ａ）参照）の平面形状が転写されて形成されている。このため、これら配線パターン３４と配線パターン４４とは、平面視において重複する位置に精度良く形成されている。すなわち、配線パターン３４と配線パターン４４とは、略同じ平面位置に形成されている。そして、配線パターン３４と配線パターン４４とは、複数の線状導体２２を介して電気的に接続されている。すなわち、コア層２０を介して対向配置された配線パターン３４と配線パターン４４とは単軸状に導電接続されている。ここで、「単軸状に導電接続される」とは、配線層等を平面方向に引き回すことなく、コア層２０の厚さ方向に形成された導体（ここでは、線状導体２２）により接続することをいう。
【００５４】
このように、導電層３０をパターニングして配線パターン３４の一部が形成され、導電層４０をパターニングして配線パターン４４の一部が形成される。換言すると、配線基板１０の導電層３０は、少なくとも、配線パターン３４が形成される領域に形成されている。また、配線基板１０の導電層４０は、少なくとも、配線パターン４４が形成される領域に形成されている。
【００５５】
認識マーク３４Ｘ，４４Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、認識マーク３４Ｘの平面形状は、直径が１００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。また、認識マーク４４Ｘの平面形状は、認識マーク３４Ｘと同様の形状（ここでは、円形状）に形成され、認識マーク３４Ｘと同じ大きさに形成されている。例えば、認識マーク４４Ｘの平面形状は、直径が１００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。これら認識マーク３４Ｘ，４４Ｘは、平面視において重複する位置に精度良く形成されたレジスト層６３Ａ，６４Ａの平面形状が転写されて形成されている。このため、これら認識マーク３４Ｘと認識マーク４４Ｘとは、平面視において重複する位置に精度良く形成されている。
【００５６】
なお、認識マーク３４Ｘと認識マーク４４Ｘとを、異なる位置に形成するようにしてもよく、異なる形状及び異なる大きさに形成するようにしてもよい。
ここで、比較例に係る配線基板の製造方法を示しつつ、本実施形態の配線基板１０を利用して配線パターン３４，４４を形成する際の効果について説明する。
【００５７】
図３６（ａ）に示すように、比較例では、まず、絶縁性基材２０１とその絶縁性基材２０１を厚さ方向に貫通する多数の線状導体２０２とを有するコア層２００の所要の箇所に、当該コア層２００を厚さ方向に貫通する貫通孔２００Ｘを形成する。貫通孔２００Ｘは、後工程においてアライメントマークとして利用される。この貫通孔２００Ｘは、例えば、レーザ加工法や機械ドリル加工法などにより形成される。このとき、図３６（ａ）に示すように、貫通孔２００Ｘが絶縁性基材２０１に対して斜めに形成されると、コア層２００の上方から見た貫通孔２００Ｘの平面中心（アライメントマーク）と、コア層２００の下方から見た貫通孔２００Ｘの平面中心（アライメントマーク）との間には、位置ずれＤ１が発生してしまう。
【００５８】
次に、図３６（ｂ）に示す工程では、コア層２００の上面２００Ａ全面を被覆するシード層２０３を形成し、コア層２００の下面２００Ｂ全面を被覆するシード層２０４を形成する。これらシード層２０３，２０４は、例えば、スパッタ法により形成される。
【００５９】
続いて、図３６（ｃ）に示す工程では、所定の配線パターンに対応する開口パターン２０５Ｘを有するレジスト層２０５をシード層２０３上に形成し、所定の配線パターンに対応する開口パターン２０６Ｘを有するレジスト層２０６をシード層２０４上に形成する。開口パターン２０５Ｘ，２０６Ｘは、例えば、フォトリソグラフィ法により形成される。このとき、製造装置（例えば、露光装置）の位置精度により、開口パターン２０５Ｘ，２０６Ｘの形成位置が設計位置からずれる場合がある。具体的には、露光装置の位置精度により、アライメントマーク（ここでは、貫通孔２００Ｘの平面中心）を基準位置としたときの開口パターン２０５Ｘ，２０６Ｘの形成位置が設計値からずれる場合がある。さらに、上述したように、コア層２００の上面２００Ａ側のアライメントマークとコア層２００の下面２００Ｂ側のアライメントマークとの間には位置ずれＤ１（図３６（ａ）参照）が発生している。このため、アライメントマークの位置ずれＤ１と露光装置の位置精度に起因した位置ずれとによって、レジスト層２０５（開口パターン２０５Ｘ）とレジスト層２０６（開口パターン２０６Ｘ）との間には位置ずれＤ２が発生する。
【００６０】
次いで、図３７（ａ）に示す工程では、電解めっき法により、開口パターン２０５Ｘから露出したシード層２０３上に導電層２０７を形成するとともに、開口パターン２０６Ｘから露出したシード層２０４上に導電層２０８を形成する。
【００６１】
その後、図３７（ｂ）に示す工程では、図３７（ａ）に示したレジスト層２０５，２０６を除去する。続いて、導電層２０７によって被覆されていないシード層２０３をエッチングにより除去し、導電層２０８によって被覆されていないシード層２０４をエッチングにより除去する。これにより、コア層２００の上面２００Ａに、シード層２０３と導電層２０７とからなる配線パターン２０９が形成され、コア層２００の下面２００Ｂに、シード層２０４と導電層２０８とからなる配線パターン２１０が形成される。このとき、配線パターン２０９は、開口パターン２０５Ｘ（図３７（ａ）参照）の平面形状が転写されたパターンとなり、配線パターン２１０は、開口パターン２０６Ｘ（図３７（ａ）参照）の平面形状が転写されたパターンとなる。このため、配線パターン２０９と配線パターン２１０との間には、開口パターン２０５Ｘ，２０６Ｘと同様に、位置ずれＤ２が発生している。このような位置ずれＤ２が大きくなると、コア層２００（線状導体２０２）を介した配線パターン２０９と配線パターン２１０との電気的な接続が正しく行うことができなくなる。すなわち、位置ずれＤ２が大きくなると、平面視において重複した位置に形成されるべき配線パターン２０９，２１０を、平面視において重複して形成することができなくなる。また、位置ずれＤ２が大きくなると、配線パターン２０９と、配線パターン２１０の本来は導通しない部分（例えば、本来は導通すべき配線パターン２１０に隣接する配線パターン２１０）とが線状導体２０２を介して電気的に接続されてしまう。このような問題は、当然、配線パターン２０９，２１０が狭ピッチ化されるほど（配線密度が高くなるほど）生じやすい。このため、比較例における製造方法では、配線パターン２０９，２１０の狭ピッチ化に対応することが困難である。すなわち、比較例における製造方法では、配線パターン２０９と配線パターン２１０との位置ずれを考慮した設計をしなければ接続信頼性を維持できないため、配線パターン２０９，２１０の狭ピッチ化を実現することが困難である。
【００６２】
これに対し、本実施形態の製造方法では、配線基板１０の開口部３０Ｘ，５０Ｘを検出し、その検出した開口部３０Ｘ，５０Ｘを位置基準として利用し、レジスト層６３，６４に開口パターン６３Ｘ，６４Ｘを形成するようにした。そして、これら開口パターン６３Ｘ，６４Ｘの平面形状が転写された配線パターン３４，４４を形成するようにした。ここで、レジスト層６３，６４をパターニングする際の位置基準として利用される開口部３０Ｘ，５０Ｘが平面視において略完全に重複して形成されている。すなわち、コア層２０の上面２０Ａに形成された開口部３０Ｘ（アライメントマーク）と、コア層２０の下面２０Ｂに形成された開口部５０Ｘ（アライメントマーク）との間には、位置ずれがほとんど無い。このため、レジスト層６３の開口パターン６３Ｘとレジスト層６４の開口パターン６４Ｘとの位置ずれにおいては、開口部３０Ｘ，５０Ｘ（アライメントマーク）の位置ずれによる影響をほとんど受けない。したがって、コア層２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに形成された各々のアライメントマークに大きな位置ずれが生じている場合に比べて、開口パターン６３Ｘと開口パターン６４Ｘとを位置精度良く形成することができる。すなわち、コア層２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに形成された各々のアライメントマークに大きな位置ずれが生じている場合に比べて、開口パターン６３Ｘと開口パターン６４Ｘとの位置ずれ量を小さくすることができる。具体的には、各開口パターン６３Ｘと各開口パターン６４Ｘとを平面視で重複する位置に精度良く形成することができる。この結果、各配線パターン３４と各配線パターン４４とを平面視で重複する位置に精度良く形成することができる。これにより、比較例に比べて、配線パターン３４，４４の位置ずれを考慮したマージンを小さくすることができるため、配線パターン３４，４４の狭ピッチ化に容易に対応することができる。
【００６３】
次に、図１０（ａ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａに、配線パターン３４を覆うように層間絶縁層３５を形成するとともに、コア層２０の下面２０Ｂに、配線パターン４４を覆うように層間絶縁層４５を形成する。その後、層間絶縁層３５に、配線パターン３４の上面に達するビアホール３５Ｘと、コア層２０の上面２０Ａに達する貫通孔３５Ｙとを形成する。また、層間絶縁層４５に、配線パターン４４の下面に達するビアホール４５Ｘと、コア層２０の下面２０Ｂに達する貫通孔４５Ｙとを形成する。なお、層間絶縁層３５，４５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。層間絶縁層３５，４５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。層間絶縁層３５，４５の厚さは、例えば、３〜３０μｍ程度とすることができる。
【００６４】
本工程において、層間絶縁層３５は、例えば、コア層２０の上面２０Ａに樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。同様に、層間絶縁層４５は、例えば、コア層２０の下面２０Ｂに樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。なお、樹脂フィルムのラミネートに代えて、液状又はペースト状の樹脂をスピンコート法等により塗布するようにしてもよい。また、ビアホール３５Ｘ，４５Ｘ及び貫通孔３５Ｙ，４５Ｙは、例えば、レーザ加工法やフォトリソグラフィ法により形成することができる。なお、これらビアホール３５Ｘ，４５Ｘ及び貫通孔３５Ｙ，４５Ｙを形成する際には、認識マーク３４Ｘ，４４Ｘが位置基準として利用される。
【００６５】
続いて、ビアホール３５Ｘ，４５Ｘ及び貫通孔３５Ｙ，４５Ｙをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホール３５Ｘ，４５Ｘ及び貫通孔３５Ｙ，４５Ｙ内の樹脂残渣（樹脂スミア）を除去する。このデスミア処理は、例えば、過マンガン酸塩法を用いて行うことができる。
【００６６】
次いで、図１０（ｂ）に示す工程では、ビアホール３５Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線パターン３４と電気的に接続され、層間絶縁層３５の上面に積層された配線パターンとを有する配線層３６を形成する。また、ビアホール４５Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線パターン４４と電気的に接続され、層間絶縁層４５の下面に積層された配線パターンとを有する配線層４６を形成する。これら配線層３６，４６は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。
【００６７】
なお、配線層３６，４６の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。配線層３６，４６の厚さは、例えば、１０〜３０μｍ程度とすることができる。
次に、図１１（ａ）に示す工程では、配線層３６の一部を露出させるための開口部３７Ｘを有するソルダレジスト層３７を、層間絶縁層３５の上面に積層する。また、配線層４６の一部を露出させるための開口部４７Ｘ，４７Ｙを有するソルダレジスト層４７を、層間絶縁層４５の下面に積層する。例えば、ソルダレジスト層３７，４７は、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により所要の形状にパターニングして形成することができる。なお、ソルダレジスト層３７，４７の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層３７，４７は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。ソルダレジスト層３７，４７の厚さは、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。
【００６８】
ソルダレジスト層３７の開口部３７Ｘから露出する配線層３６は、例えば、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続される接続パッドとして機能する。開口部３７Ｘの平面形状は、例えば円形状とすることができる。開口部３７Ｘの直径やピッチは、搭載される電子部品（半導体チップ）の仕様に合わせて適宜設定される。
【００６９】
ソルダレジスト層４７の開口部４７Ｘから露出する配線層４６は、例えば、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続される接続パッドとして機能する。開口部４７Ｘの平面形状は、例えば円形状とすることができる。開口部４７Ｘの直径やピッチは、搭載される電子部品（半導体チップ）の仕様に合わせて適宜設定される。
【００７０】
ソルダレジスト層４７の開口部４７Ｙから露出する配線層４６は、例えば、マザーボード等の実装基板（図示略）と電気的に接続される外部接続用パッドとして機能する。開口部４７Ｙの平面形状は、例えば円形状とすることができる。開口部４７Ｙの直径やピッチは、接続される実装基板の仕様に合わせて適宜設定される。
【００７１】
なお、必要に応じて、開口部３７Ｘから露出する配線層３６上に表面処理層３８を形成し、開口部４７Ｘから露出する配線層４６上に表面処理層４８を形成し、開口部４７Ｙから露出する配線層４６上に表面処理層４９を形成するようにしてもよい。表面処理層３８，４８，４９の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。なお、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。また、開口部３７Ｘ，４７Ｘ，４７Ｙから露出する配線層３６，４６の上面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層３８，４８，４９を形成するようにしてもよい。
【００７２】
次に、破線で示した切断位置のソルダレジスト層３７，４７、層間絶縁層３５，４５及びコア層２０をダイシングブレード等によって切断する。これにより、図１１（ｂ）に示すように、配線パターン３４，４４等の形成されていない配線基板１０の外周領域が除去される。以上の製造工程により、配線基板１０を利用して、配線パターン３４，４４や層間絶縁層３５，４５等を有する配線基板１１を製造することができる。なお、配線基板１０の外周領域を切断する際には、認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを除去するように切断位置を設定してもよいし、認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを残すように切断位置を設定してもよい。また、配線基板１０の外周領域を切断する工程を省略してもよい。
【００７３】
次に、配線基板１１を有する半導体パッケージ１２の製造方法について説明する。ここでは、まず、半導体パッケージ１２の製造方法の説明に先立ち、半導体パッケージ１２の全体構造について説明する。
【００７４】
半導体パッケージ１２は、配線基板１１と、配線基板１１の上面に実装された１又は複数の半導体チップ７０と、アンダーフィル樹脂７３と、配線基板１１の下面に実装された１又は複数の半導体チップ７５と、アンダーフィル樹脂７８と、外部接続端子７９とを有している。
【００７５】
半導体チップ７０は、配線基板１１の上面にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ７０の回路形成面（ここでは、下面）に配設された接続端子７１を、接合部材７２を介して配線基板１１の表面処理層３８に接合することにより、半導体チップ７０は、接続端子７１及び接合部材７２を介して表面処理層３８（配線層３６）と電気的に接続されている。
【００７６】
半導体チップ７０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ７０としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。なお、配線基板１１に複数の半導体チップ７０を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１１に搭載するようにしてもよい。
【００７７】
接続端子７１としては、例えば金属ポストを用いることができる。この接続端子７１は、半導体チップ７０の回路形成面から下方に延びる柱状の接続端子である。本例の接続端子７１は、例えば円柱状に形成されている。このような接続端子７１の高さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の直径は、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。なお、接続端子７１としては、金属ポストの他に、例えば、金バンプやはんだバンプを用いることもできる。
【００７８】
接合部材７２は、表面処理層３８に接合されるとともに、接続端子７１に接合されている。接合部材７２としては、例えば、錫（Ｓｎ）層や鉛（Ｐｂ）フリーはんだのはんだめっきを用いることができる。はんだめっきの材料としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだを用いることができる。なお、接合部材７２の厚さは、例えば５〜１５μｍ程度とすることができる。
【００７９】
アンダーフィル樹脂７３は、配線基板１１と半導体チップ７０との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂７３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００８０】
半導体チップ７５は、配線基板１１の下面にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ７５の回路形成面（ここでは、上面）に配設された接続端子７６を、接合部材７７を介して表面処理層４８に接合することにより、半導体チップ７５は、接続端子７６及び接合部材７７を介して表面処理層４８（配線層４６）と電気的に接続されている。
【００８１】
半導体チップ７５としては、例えば、ロジックチップやメモリチップを用いることができる。なお、配線基板１１に複数の半導体チップ７５を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１１に搭載するようにしてもよい。
【００８２】
接続端子７６としては、例えば、接続端子７１と同様の接続端子を用いることができる。また、接合部材７７としては、例えば、接合部材７２と同様の部材を用いることができる。
【００８３】
アンダーフィル樹脂７８は、配線基板１１と半導体チップ７５との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂７８の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００８４】
外部接続端子７９は、表面処理層４９上に形成されている。この外部接続端子７９は、例えば、マザーボード等の実装基板（図示略）に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子７９としては、例えば、はんだボールやリードピンを用いることができる。なお、本例では、外部接続端子７９として、はんだボールを用いている。
【００８５】
次に、図１２に従って、半導体パッケージ１２の製造方法について説明する。
図１２に示す工程では、表面処理層４９上に外部接続端子７９を形成する。例えば、表面処理層４９上に、適宜フラックスを塗布した後、外部接続端子７９（ここでは、はんだボール）を搭載し、２４０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。
【００８６】
また、図１２に示す工程では、柱状の接続端子７１を有する半導体チップ７０と、柱状の接続端子７６を有する半導体チップ７５とを用意する。接続端子７１，７６は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、図示を省略して詳細な説明を割愛するが、例えば以下のような方法で製造される。なお、接続端子７１，７６は同様に製造することができるため、ここでは、接続端子７１及び接合部材７２の製造方法についてのみ説明する。
【００８７】
まず、半導体チップ７０の回路形成面に、例えば、電極パッドを露出させる開口部を有する保護膜を形成し、その保護膜の下面及び電極パッドの下面を被覆するようにシード層を形成する。次に、接続端子７１の形成領域に対応する部分のシード層（電極パッドの下面を被覆するシード層）を露出させたレジスト層を形成する。続いて、レジスト層から露出されたシード層上に、そのシード層を給電層に利用する電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施すことにより、電極パッド上に柱状の接続端子７１を形成する。
【００８８】
続いて、接続端子７１の下面に、接合部材７２を形成する。この接合部材７２は、例えば、シード層上に形成されたレジスト層をめっきマスクに利用し、シード層をめっき給電層に利用する電解はんだめっき法により、接続端子７１の下面にはんだを被着することにより形成することができる。その後、不要なシード層及びレジスト層を除去する。
【００８９】
次に、配線基板１１の表面処理層３８上に、半導体チップ７０の接続端子７１をフリップチップ接合する。例えば、配線基板１１と半導体チップ７０とを位置合わせした後に、リフロー処理を行って接合部材７２（はんだめっき層）を溶融させ、接続端子７１を表面処理層３８に電気的に接続する。その後、フリップチップ接合された半導体チップ７０と配線基板１１との間に、アンダーフィル樹脂７３を充填し、そのアンダーフィル樹脂７３を硬化する。
【００９０】
同様に、配線基板１１の表面処理層４８上に、半導体チップ７５の接続端子７６をフリップチップ接合する。その後、フリップチップ接合された半導体チップ７５と配線基板１１との間に、アンダーフィル樹脂７８を充填し、そのアンダーフィル樹脂７８を硬化する。
【００９１】
以上の製造工程により、図１２に示した半導体パッケージ１２を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
【００９２】
（１）平面視において略完全に重複する開口部３０Ｘ，５０Ｘを形成し、それら開口部３０Ｘ，５０Ｘを、導電層３０，４０が形成された領域に配線パターン３４，４４を形成するときにアライメントマークとして利用するようにした。これにより、配線パターン３４と配線パターン４４との位置ずれ量を小さくすることができる。
【００９３】
（２）配線パターン３４と配線パターン４４との位置ずれ量が小さくなるため、配線パターン３４，４４の位置ずれを考慮したマージンを小さくすることができる、これにより、配線パターン３４，４４の狭ピッチ化に容易に対応することができる。
【００９４】
（３）導電層３０では、銅等からなる金属層３２とコア層２０との間にチタン等からなる金属層３１を形成するようにした。また、導電層４０では、銅等からなる金属層４２とコア層２０との間にチタン等からなる金属層４１を形成するようにした。このように、絶縁性基材２１と金属層３２，４２との間に、それら金属層３２，４２よりも絶縁性基材２１との密着性が高い金属層３１，４１を設けるようにした。これにより、導電層３０，４０と絶縁性基材２１との密着性を向上させることができるため、コア層２０からの導電層３０，４０の剥離を好適に抑制することができる。ひいては、コア層２０からの配線パターン３４，４４の剥離を好適に抑制することができる。
【００９５】
（４）認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを形成するときに、導電層５０を除去するようにした。ここで、導電層５０は、銅やニッケルなどの電解めっきで成膜可能な金属からなる単層の金属層（Ｃｕ層）であり、導電層３０，４０のようにコア層２０とＣｕ層との間に、絶縁性基材２１との密着性が高い金属層が形成されていない。このため、導電層５０は、導電層３０，４０よりもコア層２０から剥離しやすい。このような導電層５０を残したまま、例えば図１０及び図１１に示した製造工程を実施すると、その製造途中に導電層５０が絶縁性基材２１から剥離するおそれがある。仮に、製造途中に導電層５０が部分的に剥離すると、層間絶縁層３５に気泡が生じるという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法では、認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを形成するのと同時に、導電層５０を除去するようにしたため、上述した問題の発生を未然に防止することができる。
【００９６】
（５）平面視において略完全に重複する開口部３０Ｘ，５０Ｘを位置基準として位置決めして認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを形成するようにした。これにより、認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを位置精度良く形成することができる。このため、導電層５０を除去した後の工程においても、認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを位置基準として利用することにより、層間絶縁層３５，４５に形成されるビアホール３５Ｘ，４５Ｘ等の位置ずれを小さくすることができる。
【００９７】
（６）フォトリソグラフィ法を用いて開口部３０Ｘを形成し、電解めっき法を用いて開口部３０Ｘと略同一形状の開口部５０Ｘを形成するようにした。これにより、開口部３０Ｘ，５０Ｘの平面形状を、高精度に、且つ再現性良く形成することができる。このため、比較例の貫通孔２００Ｘをアライメントマークとして利用する場合に比べて、開口部３０Ｘ，５０Ｘを検出する際の認識精度を向上させることができる。
【００９８】
（７）また、レーザ加工法や機械ドリル加工法などにより貫通孔２００Ｘを形成する場合に比べて、開口部３０Ｘ，５０Ｘ（アライメントマーク）の設置位置や設置個数の自由度を向上させることができる。さらに、本実施形態の製造方法によれば、多数の開口部３０Ｘ，５０Ｘを一括して形成することができる。
【００９９】
（８）比較例の貫通孔２００Ｘのような貫通孔をコア層２０に形成しないため、レーザ加工法や機械ドリル加工などによってコア層２０が損傷するおそれがない。
（第２実施形態）
以下、図１３〜図１８に従って第２実施形態を説明する。この実施形態では、配線基板１０の製造方法及び配線基板１０を有する半導体パッケージ１２の製造方法が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１２に示した部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１００】
まず、図１３（ａ）に示す工程では、支持体８０付きのコア層２０を積層し、コア層２０の上面２０Ａに導電層３０を形成する。ここで、支持体８０としては、例えば、金属板や金属膜を用いることができる。本例の支持体８０の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）を用いる。この支持体８０の厚さは、例えば、２００〜８００μｍ程度とすることができる。
【０１０１】
次に、図１３（ｂ）に示す工程では、導電層３０の上面に開口パターン８１Ｘ，８１Ｙを有するレジスト層８１を形成する。開口パターン８１Ｘは、所定の配線パターンに対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。開口パターン８１Ｙは、所定の認識マークに対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。また、レジスト層８１は、開口部３０Ｘ（図１（ａ）参照）に対応する部分の導電層３０を被覆するレジスト層８１Ａを有している。レジスト層８１の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層８１の材料としては、図３（ａ）に示したレジスト層６０と同様の材料を用いることができる。また、レジスト層８１は、レジスト層６０と同様の方法により形成することができる。
【０１０２】
続いて、図１４（ａ）に示す工程では、レジスト層８１をめっきマスクとして、導電層３０上に、その導電層３０を給電経路とする電解めっき法を施す。これにより、開口パターン８１Ｘ内に電解めっき層３３を形成し、開口パターン８１Ｙ内に電解めっき層５１Ａを形成する。なお、電解めっき層３３，５１Ａの材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【０１０３】
次いで、図１４（ｂ）に示す工程では、図１４（ａ）に示したレジスト層８１を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。続いて、電解めっき層３３，５１Ａによって被覆されていない導電層３０（金属層３１，３２）をエッチング等により除去し、導電層３０をパターニングする。これにより、電解めっき層３３とその電解めっき層３３の直下に形成された導電層３０とからなる配線パターン３４が形成され、電解めっき層５１Ａとその電解めっき層５１Ａの直下に形成された導電層３０とからなる認識マーク５１が形成される。また、外周領域に形成された配線パターン３４の一部（具体的には、図１４（ａ）においてレジスト層８１Ａが形成されていた位置）に開口部３０Ｘが形成される。
【０１０４】
次に、図１５（ａ）に示す工程では、図１０（ａ）〜図１１（ａ）に示した工程と同様に、コア層２０の上面２０Ａ上に、層間絶縁層３５と、配線層３６と、ソルダレジスト層３７と、表面処理層３８とを順に形成する。このとき、層間絶縁層３５及びソルダレジスト層３７の外側面の一部は、コア層２０の外側面からコア層２０の内側に後退するように形成される。すなわち、層間絶縁層３５及びソルダレジスト層３７の外側面の一部に、それら層間絶縁層３５及びソルダレジスト層３７を厚さ方向に貫通して、外周領域に形成された配線パターン３４の上面を露出する開口部３７Ｙが形成される。なお、ビアホール３５Ｘや貫通孔３５Ｙ等を形成する際には、開口部３０Ｘ又は認識マーク５１がアライメントマークとして利用される。
【０１０５】
続いて、図１５（ｂ）に示す工程では、図１２に示した工程と同様に、表面処理層３８上に、半導体チップ７０の接続端子７１をフリップチップ接合し、半導体チップ７０とソルダレジスト層３７との間に、アンダーフィル樹脂７３を形成する。
【０１０６】
次いで、図１６（ａ）に示す工程では、図１５（ｂ）に示した支持体８０を、エッチング等により除去する。
次に、図１６（ｂ）に示す工程では、図２（ｃ）〜図３（ｂ）に示した工程と同様に、コア層２０の下面２０Ｂに、開口部４０Ｘを有する導電層４０を形成する。このとき、導電層４０の下面には、その下面を被覆するレジスト層６１が形成されている。開口部４０Ｘは、上記第１実施形態と同様に、一部が開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に形成され、開口部３０Ｘよりも大きく形成されている。
【０１０７】
次いで、図１７（ａ）に示す工程では、開口部４０Ｘから露出するコア層２０の下面２０Ｂに、開口部５０Ｘを有する導電層５０を形成する。例えば、レジスト層６１をめっきマスクとして、開口部４０Ｘから露出するコア層２０の下面２０Ｂに、外周領域に形成された配線パターン３４とその配線パターン３４と電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施す。すると、開口部４０Ｘ及び開口パターン６１Ｘから露出するコア層２０の下面２０Ｂでは、平面視で重複する位置に配線パターン３４（導電層３０）が存在する部分だけに、その配線パターン３４及び線状導体２２を介して給電され、その部分だけにめっき膜が析出成長される。これにより、開口部４０Ｘと平面視で重なる位置に形成された導電層３０と対向する位置に導電層５０が形成され、その導電層５０の開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に開口部５０Ｘが形成される。本工程では、開口部３７Ｙから露出された配線パターン３４を利用して給電経路を確保している。なお、平面視は図示を省略するが、外周領域に形成された配線パターン３４は、コア層２０の周縁部に沿って枠状に連続して形成されている。
【０１０８】
次に、図１７（ｂ）に示す工程では、図７（ａ）に示した工程と同様に、導電層４０の下面に開口パターン８２Ｘ，８２Ｙを有するレジスト層８２を形成する。開口パターン８２Ｘは、所定の配線パターンに対応する部分の導電層４０を露出するように形成されている。開口パターン８２Ｙは、所定の認識マークに対応する部分の導電層４０を露出するように形成されている。
【０１０９】
続いて、図７（ｂ）に示した工程と同様に、レジスト層８２をめっきマスクとして、導電層４０上に、その導電層４０を給電経路とする電解めっき法を施す。これにより、開口パターン８２Ｘ内に電解めっき層４３を形成し、開口パターン８２Ｙ内に電解めっき層５２Ａを形成する。その後、レジスト層８２を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。
【０１１０】
次に、図１８（ａ）に示す工程では、電解めっき層４３，５２Ａによって被覆されていない導電層４０をエッチング等により除去し、導電層４０をパターニングする。これにより、電解めっき層４３とその電解めっき層４３の直上に形成された導電層４０とからなる配線パターン４４が形成され、電解めっき層５２Ａとその電解めっき層５２Ａの直上に形成された導電層４０とからなる認識マーク５２が形成される。本工程では、認識マーク５２を形成する際に、導電層５０（図１７（ｂ）参照）をエッチング等により除去する。
【０１１１】
図１７（ｂ）及び図１８（ａ）に示した工程では、例えば、レジスト層８２の開口パターン８２Ｘ，８２Ｙを形成する際に、開口部５０Ｘが位置基準として利用される。このため、配線パターン４４及び認識マーク５２は、開口部５０Ｘを位置基準として位置決めされて形成されたことになる。
【０１１２】
図１８（ｂ）に示す工程では、図１０（ａ）〜図１１（ａ）に示した工程と同様に、コア層２０の下面２０Ｂに、層間絶縁層４５と、配線層４６と、ソルダレジスト層４７と、表面処理層４８，４９を形成する。なお、ビアホール４５Ｘや貫通孔４５Ｙ等を形成する際には、認識マーク５２がアライメントマークとして利用される。
【０１１３】
続いて、破線で示した切断位置のソルダレジスト層３７，４７、層間絶縁層３５，４５及びコア層２０をダイシングブレード等によって切断する。その後、表面処理層４８上に、半導体チップ７５の接続端子７６をフリップチップ接合し、半導体チップ７５とソルダレジスト層４７との間にアンダーフィル樹脂７８を形成する。
【０１１４】
以上の製造工程により、図１２に示した半導体パッケージ１２と同様の半導体パッケージを製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（８）の効果に加えて、以下の効果を奏することができる。
【０１１５】
（９）支持体８０上に、コア層２０、配線パターン３４や層間絶縁層３５等の構造体を製造した後に、支持体８０を除去し、コア層２０の下面２０Ｂに配線パターン４４や層間絶縁層４５等を形成するようにした。支持体８０によって製造途中の構造体の機械的強度を確保することができるため、その構造体の搬送時のハンドリング性を向上させることができる。
【０１１６】
（１０）認識マーク５１，５２を、配線パターン３４，４４と同様に導電層３０，４０を利用して形成するようにした。このため、認識マーク５１，５２は、導電層５０よりもコア層２０との密着性が高い。したがって、認識マーク５１，５２がコア層２０から剥離することを好適に抑制することができる。
【０１１７】
（第３実施形態）
以下、図１９〜図２２に従って第３実施形態を説明する。先の図１〜図１８に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【０１１８】
図１９（ａ）に示すように、配線基板１０Ａは、コア層２０と、開口部３０Ｘを有する導電層３０と、開口部４０Ｘを有する導電層４０と、認識マーク５５と、認識マーク５６とを有している。
【０１１９】
認識マーク５５は、導電層３０の開口部３０Ｘから露出されたコア層２０の上面２０Ａに形成されている。認識マーク５５は、導電層３０と離間して形成されている。すなわち、認識マーク５５は、導電層３０と電気的に絶縁されている。例えば、図１９（ｂ）に示すように、認識マーク５５は、コア層２０の上面２０Ａの四隅近傍に形成された開口部３０Ｘ内に形成されている。各認識マーク５５は、例えば、開口部３０Ｘ内に島状に形成されている。各認識マーク５５の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、各認識マーク５５の平面形状は、直径が１００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。
【０１２０】
図１９（ａ）に示すように、認識マーク５５は、導電層３０と同様に、金属層３１と金属層３２とが順に積層された構造を有している。
認識マーク５６は、導電層４０の開口部４０Ｘから露出されたコア層２０の下面２０Ｂに形成されている。認識マーク５６は、例えば、導電層４０と離間して形成されている。すなわち、認識マーク５６は、導電層４０と電気的に絶縁されている。例えば、図１９（ｃ）に示すように、認識マーク５６は、コア層２０の下面２０Ｂの四隅近傍に形成された開口部４０Ｘ内に形成されている。各認識マーク５６は、例えば、開口部４０Ｘ内に島状に形成されている。認識マーク５６は、認識マーク５５と平面視で重なる位置に形成されている。認識マーク５６の平面形状は、認識マーク５５と同様の形状（ここでは、円形状）に形成されている。また、認識マーク５６の平面形状は、認識マーク５５と同じ大きさ、又はめっき膜の等方成長により認識マーク５５よりも若干大きく形成されている。例えば、認識マーク５５の平面形状は、直径が１００〜３００ｎｍ程度の円形状とすることができる。なお、認識マーク５６は、例えば、銅又は銅合金からなる１層の金属層から構成されている。
【０１２１】
このような認識マーク５５と認識マーク５６とは、平面視において略完全に重なった状態で形成されている。詳述すると、図１９（ａ）に示すように、上端面２２Ａが認識マーク５５に接続された線状導体２２の下端面２２Ｂは、認識マーク５６と接続されている。すなわち、認識マーク５５と認識マーク５６とは、平面方向にほとんど位置ずれすることなく形成されている。なお、これら認識マーク５５，５６は、上記第１実施形態の開口部３０Ｘ，５０Ｘと同様に、導電層３０，４０が形成されている領域に配線パターン等を形成する際に、アライメントマークとして利用される。
【０１２２】
次に、配線基板１０Ａの製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０Ａの各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
図２０（ａ）に示す工程では、まず、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示した工程と同様に、コア層２０の上面２０Ａ全面を被覆する導電層３０を形成するとともに、コア層２０の下面２０Ｂ全面を被覆する導電層４０を形成する。続いて、図３（ａ）に示した工程と同様に、導電層３０の上面に開口パターン８３Ｘを有するレジスト層８３を形成するとともに、導電層４０の下面に開口パターン８４Ｘを有するレジスト層８４を形成する。開口パターン８３Ｘは、開口部３０Ｘの形成領域に対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。但し、レジスト層８３では、認識マーク５５の形成領域に対応する部分の導電層３０を被覆するレジスト層８３Ａが開口パターン８３Ｘ内に形成されている。開口パターン８４Ｘは、開口部４０Ｘの形成領域に対応する部分の導電層４０を露出するように形成されている。
【０１２３】
次に、図２０（ｂ）に示す工程では、図３（ｂ）に示した工程と同様に、レジスト層８３，８４をエッチングマスクとして、導電層３０，４０をエッチングする。これにより、導電層３０に開口部３０Ｘが形成され、その開口部３０Ｘ内のレジスト層８３Ａが形成されている位置に認識マーク５５が形成される。また、導電層４０に開口部４０Ｘが形成される。このように、認識マーク５５は、導電層３０をパターニングすることにより形成することができる。その後、レジスト層８３，８４を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。
【０１２４】
続いて、図２１（ａ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａ及び導電層３０の上面に、開口パターン８５Ｘを有するレジスト層８５を形成する。開口パターン８５Ｘは、認識マーク５５の上面を露出するように形成されている。
【０１２５】
次いで、レジスト層８５の上面及び認識マーク５５の上面を被覆する金属層８６を形成する。この金属層８６は、４つの認識マーク５５と接続される。このため、互いに離間して形成された４つの認識マーク５５は、金属層８６によって電気的に接続される。金属層８６は、例えば、スパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。
【０１２６】
次に、図２１（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示した工程と同様に、金属層８６の上面全面を被覆するマスク材６２を形成した後に、認識マーク５５と平面視において重複するコア層２０の下面２０Ｂに認識マーク５６を形成する。例えば、マスク材６２をめっきマスクとして、金属層８６、認識マーク５５、及び認識マーク５５と電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法により、コア層２０の下面２０Ｂからめっき膜を析出成長させ、開口部４０Ｘ内に認識マーク５６を形成する。このとき、認識マーク５６は、上端面２２Ａが認識マーク５５と電気的に接続された線状導体２２の下端面２２Ｂのみから、めっき膜が析出成長されて形成される。このため、認識マーク５６を、認識マーク５５と平面視において、極めて精度良く重複する位置に形成することができる。
【０１２７】
続いて、図２２（ａ）に示す工程では、図２１（ｂ）に示したマスク材６２を除去する。その後、導電層４０及び認識マーク５６を全体的に被覆し、それら導電層４０及び認識マーク５６から露出するコア層２０の下面２０Ｂ全面を被覆するレジスト層８７を形成する。そして、レジスト層８５，８７をマスクとして、図２１（ｂ）に示した金属層８６をエッチング等により除去する。
【０１２８】
次いで、レジスト層８５，８７を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。以上の製造工程により、図２２（ｂ）に示すように、本実施形態の配線基板１０Ａを製造することができる。なお、ここでは、説明を省略するが、上記第１実施形態と同様に、配線基板１０Ａを利用して配線基板１１及び半導体パッケージ１２を製造することができる。
【０１２９】
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
なお、上記第３実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【０１３０】
・上記第３実施形態では、図２２（ａ）に示した工程において、金属層８６を除去し、金属層３１，３２を有する認識マーク５５の上面を露出させるようにしたが、これに限定されない。
【０１３１】
例えば、図２３（ａ）に示すように、金属層８６（Ｃｕ層）の除去と合わせて、認識マーク５５の金属層３２（Ｃｕ層）をエッチング等により除去するようにしてもよい。この場合には、金属層３１がエッチングストッパ層として機能する。そして、この場合には、図２３（ｂ）に示すように、コア層２０の上面２０ＡにＴｉ等からなる金属層３１のみを有する認識マーク５５が形成され、コア層２０の下面２０ＢにＣｕ等からなる認識マーク５６が形成された配線基板１０Ａが製造される。
【０１３２】
このように製造された配線基板１０Ａでは、認識マーク５５，５６が互いに異なる金属によって構成されている。
（第４実施形態）
以下、図２４〜図２６に従って第４実施形態を説明する。この実施形態では、配線基板１０Ａの製造方法及び配線基板１０Ａを有する半導体パッケージの製造方法が上記第３実施形態と異なっている。以下、第３実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図２３に示した部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１３３】
まず、図２４（ａ）に示す工程では、図１３（ａ）に示した工程と同様に、支持体８０を準備し、その支持体８０上にコア層２０を積層し、コア層２０の上面２０Ａに導電層３０を形成する。続いて、図１３（ｂ）に示した工程と同様に、導電層３０の上面に開口パターン９１Ｘ，９１Ｙ，９１Ｚを有するレジスト層９１を形成する。開口パターン９１Ｘは、配線パターン３４に対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。開口パターン９１Ｙは、認識マーク５５に対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。開口パターン９１Ｚは、認識マーク５１に対応する部分の導電層３０を露出するように形成されている。次いで、図１４（ａ）に示した工程と同様に、レジスト層９１をめっきマスクとして、導電層３０上に、その導電層３０を給電経路とする電解めっき法を施す。これにより、開口パターン９１Ｘ内に電解めっき層３３が形成され、開口パターン９１Ｙ内に電解めっき層５５Ａが形成され、開口パターン９１Ｚ内に電解めっき層５１Ａが形成される。
【０１３４】
次いで、図２４（ｂ）に示す工程では、図２４（ａ）に示したレジスト層９１を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。続いて、電解めっき層３３，５１Ａ，５５Ａによって被覆されていない導電層３０をエッチング等により除去し、導電層３０をパターニングする。これにより、電解めっき層３３及び導電層３０からなる配線パターン３４と、電解めっき層５１Ａ及び導電層３０からなる認識マーク５１と、電解めっき層５５Ａ及び導電層３０からなる認識マーク５５とが形成される。
【０１３５】
次に、図２５（ａ）に示す工程では、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示した工程と同様に、コア層２０の上面２０Ａ上に、層間絶縁層３５と、配線層３６とを順に形成する。このとき、層間絶縁層３５の上面には、配線層３６と併せて、認識マーク５５と電気的に接続される、めっき給電用の給電ライン３６Ａが形成される。なお、ビアホール３５Ｘや貫通孔３５Ｙ等を形成する際には、認識マーク５５又は認識マーク５１がアライメントマークとして利用される。
【０１３６】
続いて、図２５（ｂ）に示す工程では、図１１（ａ）に示した工程と同様に、層間絶縁層３５の上面に、開口部３７Ｘを有するソルダレジスト層３７を形成し、開口部３７Ｘから露出する配線層３６上に表面処理層３８を形成する。このとき、ソルダレジスト層３７の外側面は、コア層２０の外側面からコア層２０の内側に後退するように形成される。すなわち、ソルダレジスト層３７の外側面に、そのソルダレジスト層３７を厚さ方向に貫通して、給電ライン３６Ａの上面を露出する開口部３７Ｙが形成される。次いで、図１２に示した工程と同様に、表面処理層３８上に、半導体チップ７０の接続端子７１をフリップチップ接合し、半導体チップ７０とソルダレジスト層３７との間に、アンダーフィル樹脂７３を形成する。その後、支持体８０を、例えば、エッチング等により除去する。
【０１３７】
次に、図２６（ａ）に示す工程では、図２０（ａ）〜図２１（ｂ）に示した工程と同様に、コア層２０の下面２０Ｂに、開口部４０Ｘを有する導電層４０を形成する。このとき、導電層４０の下面には、その下面を被覆するレジスト層６１が形成されている。開口部４０Ｘは、上記第１実施形態と同様に、一部が開口部３０Ｘと平面視で重なる位置に形成され、開口部３０Ｘよりも大きく形成されている。
【０１３８】
続いて、図２１（ｂ）に示した工程と同様に、給電ライン３６Ａ、認識マーク５５、及び認識マーク５５と電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法により、コア層２０の下面２０Ｂからめっき膜を析出成長させ、開口部４０Ｘ内に認識マーク５６を形成する。
【０１３９】
次いで、図２６（ｂ）に示す工程では、図１７（ｂ）〜図１８（ｂ）に示した工程と同様に、コア層２０の下面２０Ｂ上に、配線パターン４４と、層間絶縁層４５と、配線層４６と、ソルダレジスト層４７と、表面処理層４８，４９とを順に形成する。本工程では、配線パターン４４を形成する際に、認識マーク５２を形成する。また、この認識マーク５２を形成する際に、認識マーク５６をエッチング等により除去する。なお、配線パターン４４及び認識マーク５２を形成する際には、認識マーク５６が位置基準として利用される。また、本例では、ビアホール４５Ｘや貫通孔４５Ｙ等を形成する際には、認識マーク５２が位置基準として利用される。
【０１４０】
続いて、破線で示した切断位置のソルダレジスト層３７，４７、層間絶縁層３５，４５及びコア層２０をダイシングブレード等によって切断する。その後、表面処理層４８上に、半導体チップ７５の接続端子７６をフリップチップ接合し、半導体チップ７５とソルダレジスト層４７との間にアンダーフィル樹脂７８を形成する。
【０１４１】
以上の製造工程により、図１２に示した半導体パッケージ１２と同様の半導体パッケージを製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１及び第２実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１４２】
（第５実施形態）
以下、図２７〜図３０に従って第５実施形態を説明する。先の図１〜図２６に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【０１４３】
図２７（ａ）に示すように、配線基板１０Ｂは、コア層２０と、導電層３０Ａと、導電層４０Ａと、認識マーク５７と、認識マーク５８とを有している。
導電層３０Ａは、コア層２０の上面２０Ａに形成されている。導電層３０Ａは、金属層３１と、金属層３１とを有している。図２７（ｂ）に示すように、導電層３０Ａは、例えば、コア層２０の上面２０Ａの中央部にベタ状に形成されている。
【０１４４】
図２７（ａ）に示すように、導電層４０Ａは、コア層２０の下面２０Ｂに形成されている。導電層４０Ａは、金属層４１と、金属層４２とを有している。図２７（ｃ）に示すように、導電層４０Ａは、例えば、コア層２０の下面２０Ｂの中央部にベタ状に形成されている。
【０１４５】
図２７（ａ）に示すように、認識マーク５７は、コア層２０の上面２０Ａに形成されている。認識マーク５７は、例えば、導電層３０Ａと離間して形成されている。例えば、図２７（ｂ）に示すように、認識マーク５７は、コア層２０の上面２０Ａの四隅近傍に形成されている。各認識マーク５７の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、各認識マーク５７の平面形状は、直径が１００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。認識マーク５７の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【０１４６】
図２７（ａ）に示すように、認識マーク５８は、コア層２０の下面２０Ｂに形成されている。認識マーク５８は、例えば、導電層４０Ａと離間して形成されている。認識マーク５８は、認識マーク５７と平面視で重なる位置に形成されている。図２７（ｃ）に示すように、認識マーク５８の平面形状は、認識マーク５７と同様の形状（ここでは、円形状）に形成されている。また、認識マーク５８の平面形状は、認識マーク５７と同じ大きさ、又は認識マーク５７よりも若干小さく形成されている。例えば、認識マーク５８の平面形状は、直径が１００〜３００ｎｍ程度の円形状とすることができる。認識マーク５８の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【０１４７】
このような認識マーク５７と認識マーク５８とは、平面視において略完全に重なった状態で形成されている。詳述すると、図２７（ａ）に示すように、上端面２２Ａが認識マーク５７に接続された線状導体２２の下端面２２Ｂは、認識マーク５８と接続されている。すなわち、認識マーク５７と認識マーク５８とは、平面方向にほとんど位置ずれすることなく形成されている。なお、これら認識マーク５７，５８は、上記第１実施形態の開口部３０Ｘ，５０Ｘと同様に、導電層３０Ａ，４０Ａが形成されている領域に配線パターン等を形成する際に、アライメントマークとして利用される。
【０１４８】
次に、配線基板１０Ｂの製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０Ｂの各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
図２８（ａ）に示す工程では、まず、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示した工程と同様に、コア層２０の上面２０Ａ全面を被覆する導電層３０Ａを形成するとともに、コア層２０の下面２０Ｂ全面を被覆する導電層４０Ａを形成する。続いて、導電層３０Ａの上面全面を被覆するレジスト層１００を形成するとともに、導電層４０Ａの下面の一部を被覆するレジスト層１０１を形成する。レジスト層１０１は、図２７（ａ）に示した導電層４０Ａの形成領域に対応する部分を被覆するように形成される。
【０１４９】
続いて、レジスト層１００，１０１をエッチングマスクとして、導電層４０Ａをエッチングする。これにより、図２８（ｂ）に示すように、コア層２０の下面２０Ｂの中央部を被覆する導電層４０Ａが形成される。その後、図２８（ａ）に示したレジスト層１００，１０１を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。
【０１５０】
次いで、図２９（ａ）に示す工程では、導電層３０Ａの上面全面を被覆するレジスト層１０２を形成する。また、コア層２０の下面２０Ｂに、開口パターン１０３Ｘを有し、導電層４０Ａの下面及び側面を被覆するレジスト層１０３を形成する。開口パターン１０３Ｘは、認識マーク５８の形成領域に対応する部分のコア層２０の下面２０Ｂを露出するように形成されている。
【０１５１】
続いて、レジスト層１０２，１０３をめっきマスクとして、コア層２０の下面２０Ｂに、導電層３０Ａ及びその導電層３０Ａと電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法を施す。すると、レジスト層１０３の開口パターン１０３Ｘから露出されたコア層２０の下面２０Ｂにめっき膜が析出成長され、開口パターン１０３Ｘ内に認識マーク５８（電解めっき層）が形成される。
【０１５２】
続いて、図２９（ｂ）に示す工程では、レジスト層１０３の下面及び認識マーク５８の下面を被覆する金属層１０４を形成する。この金属層１０４によって、互いに離間して形成された４つの認識マーク５８が電気的に接続される。金属層１０４は、例えば、スパッタ法や電解めっき法により形成することができる。
【０１５３】
次いで、図３０（ａ）に示す工程では、導電層３０Ａの上面の一部を被覆するレジスト層１０５を形成するとともに、金属層１０４の下面全面を被覆するレジスト層１０６を形成する。続いて、レジスト層１０５，１０６をエッチングマスクとして、導電層３０Ａをエッチングする。これにより、コア層２０の上面２０Ａの中央部を被覆する導電層３０Ａが形成される。また、本工程により、認識マーク５８と平面視で重複する位置のコア層２０の上面２０Ａが導電層３０Ａから露出される。
【０１５４】
続いて、図３０（ｂ）に示す工程では、認識マーク５８と平面視において重複するコア層２０の上面２０Ａに認識マーク５７を形成する。例えば、レジスト層１０５，１０６をめっきマスクとして、金属層１０４、認識マーク５８、及び認識マーク５８と電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法により、コア層２０の上面２０Ａからめっき膜を析出成長させ、認識マーク５７を形成する。このとき、認識マーク５７は、下端面２２Ｂが認識マーク５８と電気的に接続された線状導体２２の上端面２２Ａのみから、めっき膜が析出成長されて形成される。このため、認識マーク５７を、認識マーク５８と平面視において、極めて精度良く重複する位置に形成することができる。
【０１５５】
次いで、レジスト層１０５，１０６を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。その後、金属層１０４をエッチング等により除去する。そして、レジスト層１０３を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。
【０１５６】
以上の製造工程により、図２７に示した配線基板１０Ｂを製造することができる。なお、ここでは、説明を省略するが、上記第１実施形態と同様に、配線基板１０Ｂを利用して配線基板１１及び半導体パッケージ１２を製造することができる。
【０１５７】
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
（第６実施形態）
以下、図３１〜図３５に従って第６実施形態を説明する。この実施形態では、配線基板の製造方法が上記第５実施形態と異なっている。以下、配線基板１０Ｂと略同様の構造を有する配線基板１０Ｃを製造するための製造方法について説明する。なお、先の図１〜図３０に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１５８】
図３１（ａ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａに、開口パターン１１０Ｘ，１１０Ｙを有するレジスト層１１０を形成する。開口パターン１１０Ｘは、図２７（ａ）に示した認識マーク５８の形成領域と平面視において重複する部分の上面２０Ａを露出するように形成されている。
【０１５９】
次に、図３１（ｂ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａに、導電層３０Ａを形成する。導電層３０Ａは、コア層２０の上面２０Ａ全面及びレジスト層１１０の上面全面を被覆する金属層３１と、上面２０Ａ全面及び上面２０Ａに形成された構造体（レジスト層１１０及び金属層３１）の表面全面を被覆する金属層３２とが順に積層されて形成される。
【０１６０】
続いて、図３１（ｃ）に示す工程では、開口パターン１１０Ｘ，１１０Ｙ内に形成された導電層３０Ａ及びその導電層３０Ａと電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施す。すると、コア層２０の下面２０Ｂでは、平面視で重複する位置に開口パターン１１０Ｘ，１１０Ｙが存在する部分（つまり、レジスト層１１０が存在しない部分）だけにめっき膜が析出成長される。これにより、開口パターン１１０Ｘと平面視において重複する位置の下面２０Ｂに認識マーク５８（電解銅めっき層）が形成され、開口パターン１１０Ｙと平面視において重複する位置の下面２０Ｂに導電層５９（電解銅めっき層）が形成される。
【０１６１】
次いで、図３２（ａ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａの中央部分に形成された導電層３０Ａの上面を被覆するレジスト層１１３を形成し、コア層２０の下面２０Ｂの周縁領域（外周領域）を被覆するレジスト層１１４を形成する。レジスト層１１４は、外周領域に形成された導電層５９及び認識マーク５８を被覆するように形成される。
【０１６２】
次に、レジスト層１１３，１１４をエッチングマスクとして、導電層３０Ａ（金属層３１，３２）及び導電層５９をエッチングする。これにより、導電層３０Ａがパターニングされ、図３２（ｂ）に示すように、コア層２０の上面２０Ａの中央部を被覆する導電層３０Ａが形成される。また、コア層２０の下面２０Ｂの中央部に形成されていた導電層５９が除去される。その後、レジスト層１１０，１１３，１１４を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。
【０１６３】
次いで、図３３（ａ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａに、導電層３０Ａの表面（上面及び側面）全面を被覆し、開口パターン１１５Ｘを有するレジスト層１１５を形成する。また、コア層２０の下面２０Ｂに、開口パターン１１６Ｘ，１１６Ｙを有するレジスト層１１６を形成する。開口パターン１１５Ｘは、認識マーク５８と平面視において重複する位置に形成され、認識マーク５８よりも平面形状が大きくなるように形成されている。一方、開口パターン１１６Ｘは、認識マーク５８の下面の一部を露出するように形成されている。開口パターン１１６Ｙは、導電層４０Ａ（図２７（ａ）参照）の形成領域に対応する部分のコア層２０の下面２０Ｂを露出するように形成されている。
【０１６４】
次に、図３３（ｂ）に示す工程では、コア層２０の下面２０Ｂに、導電層４０Ａを形成する。導電層４０Ａは、コア層２０の下面２０Ｂから、金属層４１と金属層４２とが順に積層されて形成される。金属層４１は、コア層２０の下面２０Ｂ全面、レジスト層１１６の下面全面及び認識マーク５８の下面全面を被覆するように形成される。また、金属層４２は、コア層２０の下面２０Ｂ全面及び下面２０Ｂに形成された構造体（レジスト層１１６及び金属層４１）の表面全面を被覆するように形成される。
【０１６５】
続いて、導電層４０Ａの下面全面を被覆するようにマスク材１１７を形成する。このマスク材１１７は、次工程のめっき処理におけるめっき液が導電層４０Ａに接触することを抑制するために形成される。例えば、マスク材１１７の材料としては、図５（ａ）に示したマスク材６２と同様の材料を用いることができる。
【０１６６】
次いで、図３４（ａ）に示す工程では、図３０（ｂ）に示した工程と同様に、認識マーク５８と平面視において重複するコア層２０の上面２０Ａに認識マーク５７を形成する。例えば、レジスト層１１５及びマスク材１１７をめっきマスクとして、導電層４０Ａ、認識マーク５８、及び認識マーク５８と電気的に接続された線状導体２２を給電経路とする電解めっき法により、コア層２０の上面２０Ａからめっき膜を析出成長させ、認識マーク５７を形成する。このとき、認識マーク５７は、下端面２２Ｂが認識マーク５８と電気的に接続された線状導体２２の上端面２２Ａのみから、めっき膜が析出成長して形成される。このため、認識マーク５７は、認識マーク５８と平面視において、極めて精度良く重複する位置に形成することができる。その後、マスク材１１７及びレジスト層１１５を除去する。
【０１６７】
次に、図３４（ｂ）に示す工程では、コア層２０の上面２０Ａにレジスト層１１８を形成し、導電層４０Ａの下面にレジスト層１１９を形成する。レジスト層１１８は、認識マーク５７及び導電層３０Ａの表面（上面及び側面）全面と、コア層２０の上面２０Ａ全面とを被覆するように形成されている。レジスト層１１９は、図２７（ａ）に示した導電層４０Ａの形成領域に対応する部分を被覆するように形成されている。
【０１６８】
次に、レジスト層１１８，１１９をエッチングマスクとして、導電層４０Ａ（金属層４１，４２）をエッチングする。これにより、図３５（ａ）に示すように、コア層２０の下面２０Ｂの中央部を被覆する導電層４０Ａが形成される。
【０１６９】
続いて、レジスト層１１６，１１８，１１９を、例えば、アルカリ性の剥離液により除去する。これにより、図３５（ｂ）に示すように、図２７に示した配線基板１０Ｂと略同様の構造を有する配線基板１０Ｃを製造することができる。すなわち、コア層２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂで位置ずれのほとんどない同一形状の認識マーク５７，５８と、上面２０Ａの中央部に形成された導電層３０Ａと、下面２０Ｂの中央部に形成された導電層４０Ａとを有する配線基板１０Ｃを製造することができる。
【０１７０】
なお、ここでは、説明を省略するが、上記第１実施形態と同様に、配線基板１０Ｃを利用して配線基板１１及び半導体パッケージ１２を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１７１】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第１実施形態における認識マーク３４Ｘ，４４Ｘを、第２実施形態における認識マーク５１，５２に変更してもよい。
【０１７２】
・上記第２及び第４実施形態における認識マーク５１，５２を、上記第１実施形態における認識マーク３４Ｘ，４４Ｘに変更してもよい。
・上記各実施形態の配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃを利用した配線基板１１及び半導体パッケージ１２の製造において、認識マーク４４Ｘ（又は、認識マーク５２）の形成の際に、導電層５０（又は、認識マーク５６）を除去するようにした。これに限らず、例えば、導電層５０（又は、認識マーク５６）を残した状態のまま、層間絶縁層４５やソルダレジスト層４７等の製造を実施するようにしてもよい。この場合に、認識マーク４４Ｘ，５２の形成を省略し、層間絶縁層４５やソルダレジスト層４７等を製造する際においても開口部５０Ｘや認識マーク５６をアライメントマークとして利用するようにしてもよい。
【０１７３】
・上記各実施形態の配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃを利用した配線基板１１及び半導体パッケージ１２の製造において、認識マーク５１の形成を省略してもよい。この場合には、層間絶縁層３５やソルダレジスト層３７等を製造する際に、開口部３０Ｘや認識マーク５５，５７をアライメントマークとして利用する。
【０１７４】
・上記第２及び第４実施形態では、支持体８０を除去する前に、半導体チップ７０を表面処理層３８上にフリップチップ接合するようにした。これに限らず、例えば、支持体８０を除去した後に、半導体チップ７０を表面処理層３８上にフリップチップ接合するようにしてもよい。例えば、図１８（ｂ）等に破線で示した切断位置で構造体を切断した後に、半導体チップ７０を表面処理層３８上にフリップチップ接合するようにしてもよい。
【０１７５】
・上記第２及び第４実施形態における支持体８０を除去するタイミングは特に限定されない。例えば、コア層２０の上面２０Ａに層間絶縁層３５を形成した後であって、ソルダレジスト層３７を形成する前に、支持体８０を除去するようにしてもよい。
【０１７６】
・上記各実施形態の配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃを上下反転させ、その上下反転させた配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃを利用して配線基板１１及び半導体パッケージ１２を製造するようにしてもよい。
【０１７７】
・上記第１及び第２実施形態における開口部３０Ｘ，５０Ｘの個数は特に限定されない。但し、開口部３０Ｘ，５０Ｘはアライメントマークとして利用されるため、開口部３０Ｘ，５０Ｘの個数は３個以上であることが好ましい。
【０１７８】
・上記第３及び第４実施形態における認識マーク５５，５６の個数は特に限定されない。但し、認識マーク５５，５６はアライメントマークとして利用されるため、認識マーク５５，５６の個数は３個以上であることが好ましい。
【０１７９】
・上記第５及び第６実施形態における認識マーク５７，５８の個数は特に限定されない。但し、認識マーク５７，５８はアライメントマークとして利用されるため、認識マーク５７，５８の個数は３個以上であることが好ましい。
【０１８０】
・上記第１及び第３実施形態におけるマスク材６２や上記第６実施形態におけるマスク材１１７の形成を省略してもよい。
・上記各実施形態では、単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化したが、多数個取りの製造方法に具体化してもよい。
【０１８１】
・上記各実施形態における配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃを利用して製造される配線基板１１の構造は、図１１（ｂ）や図１８（ｂ）等に示した構造に限定されない。
・上記各実施形態における配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃを利用して製造される半導体パッケージ１２の構造は、図１２に示した構造に限定されない。例えば、配線基板１１の下面に実装される半導体チップ７５等を省略してもよい。
【符号の説明】
【０１８２】
１０，１０Ａ〜１０Ｃ  配線基板
１１  配線基板
１２  半導体パッケージ
２０  コア層
２０Ａ  上面
２０Ｂ  下面
２１  絶縁性基材
２２  線状導体
２２Ａ  上端面
２２Ｂ  下端面
３０  導電層（第１導電層）
３０Ｘ  開口部（第１開口部）
３１  金属層（第１金属層）
３２  金属層（第２金属層）
３３  電解めっき層（第１電解めっき層）
３４  配線パターン（第１配線パターン）
３４Ｘ，５１  認識マーク（第１認識マーク）
３５  層間絶縁層（第１層間絶縁層）
３５Ｘ  ビアホール（第１ビアホール）
４０  導電層（第２導電層）
４０Ｘ  開口部（第２開口部）
４１  金属層（第３金属層）
４２  金属層（第４金属層）
４３，５２Ａ  電解めっき層（第２電解めっき層）
４４  配線パターン（第２配線パターン）
４４Ｘ，５２  認識マーク（第２認識マーク）
４５  層間絶縁層（第２層間絶縁層）
４５Ｘ  ビアホール（第２ビアホール）
５０  導電層（第３導電層）
５０Ｘ  開口部（第３開口部）
６３  レジスト層（第１レジスト層）
６３Ｘ  開口パターン
６４，８２  レジスト層（第２レジスト層）
６４Ｘ，８２Ｘ，８２Ｙ  開口パターン
８０  支持体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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