(57)【要約】【課題】ガラス基板の主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行う。【解決手段】上定盤および下定盤に貼り付けられた研磨パッドとガラス基板の主表面との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させることで、ガラス基板の主表面を研磨する研磨処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、研磨処理は、研磨を行う前に研磨パッドをガラス基板の主表面に押圧する際のガラス基板に対する押圧力がガラス基板の主表面に対して斜めに掛かるように、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させながら、研磨パッドをガラス基板の主表面に押圧することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【選択図】  図１
2015069665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上定盤および下定盤に貼り付けられた研磨パッドとガラス基板の主表面との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させることで、ガラス基板の主表面を研磨する研磨処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記研磨処理は、研磨を行う前に研磨パッドをガラス基板の主表面に押圧する際のガラス基板に対する押圧力がガラス基板の主表面に対して斜めに掛かるように、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させながら、研磨パッドをガラス基板の主表面に押圧することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
ガラス基板を保持するキャリアと、前記キャリアに保持されたガラス基板の主表面に対向する研磨パッドが貼り付けられた定盤を備える研磨装置とを用いて、前記キャリアに保持されたガラス基板の主表面と前記研磨パッドとの間に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させることで、ガラス基板の主表面を研磨する研磨処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記研磨処理は、前記キャリアに保持されたガラス基板の主表面に対して平行な面上で、前記キャリアと前記定盤とを相対的に移動させながら、ガラス基板の主表面と前記研磨パッドとの接触を開始させることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、情報記録媒体の１つとして用いられる磁気ディスクには、ガラス基板が好適に用いられている。今日、ハードディスクドライブ装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。これに伴って、磁気ヘッドの磁気記録面からの浮上距離を極めて短くして磁気記録情報エリアを微細化することが行われている。このような磁気ディスクに用いるガラス基板の寸法及び形状は目標通り精度高く作製されていることが好ましい。
【０００３】
ガラス基板の寸法及び形状を精度高く作製するために、ガラス基板の主表面の研磨を行う。ガラス基板の研磨の処理では、研磨パッドが貼り付けられた２つの定盤間に挟まれて研磨されるガラス基板を、研磨中保持するための板状の研磨用キャリアが用いられる。このキャリアには、ガラス基板を保持するための保持穴が設けられている。
従来、キャリアの保持穴内に保持されたガラス基板の主表面と定盤との接触を開始させた後、ガラス基板と定盤とを相対的に移動させることで、ガラス基板の主表面の研磨を行う。このとき、定盤によってガラス基板の主表面に荷重を掛けた後、ガラス基板の主表面に研磨パッドを押圧することで、効率的に研磨を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−６７９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の研磨処理では、ガラス基板の主表面と定盤との接触が開始した時点では、ガラス基板と定盤とは、キャリアがガラス基板を保持している面に対して水平な面（以下「水平面」という）上で相対的に移動していないので、ガラス基板の主表面には、定盤からの荷重による押圧力が垂直方向のみに掛かる。そのため、ガラス基板の主表面と定盤との間に異物が存在する場合には、ガラス基板の主表面に対する押圧力が異物を介して局所的に垂直方向のみに掛かるので、ガラス基板の主表面から垂直方向に深いクラックが生じる。このクラックを除去するためには、クラックの深さ（垂直方向の長さ）に相当する分の取代量で研磨を行う必要があるため、研磨処理に要する時間が長くなる。
【０００６】
そこで、本発明は、ガラス基板の主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行うことができる、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１態様は、上定盤および下定盤に貼り付けられた研磨パッドとガラス基板の主表面との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させることで、ガラス基板の主表面を研磨する研磨処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨処理は、研磨を行う前に、研磨パッドをガラス基板の主表面に押圧する際のガラス基板に対する押圧力がガラス基板の主表面に対して斜めに掛かるように、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させながら、研磨パッドをガラス基板の主表面に押圧することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。        
【０００８】
本発明の第２態様は、ガラス基板を保持するキャリアと、前記キャリアに保持されたガラス基板の主表面に対向する研磨パッドが貼り付けられた定盤を備える研磨装置とを用いて、前記キャリアに保持されたガラス基板の主表面と前記研磨パッドとの間に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させることで、ガラス基板の主表面を研磨する研磨処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨処理は、前記キャリアに保持されたガラス基板の主表面に対して平行な面上で、前記キャリアと前記定盤とを相対的に移動させながら、ガラス基板の主表面と前記研磨パッドとの接触を開始させることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
上述の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法では、ガラス基板の主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態の両面研磨装置の一例の分解斜視図である。
【図２】図１に示す両面研磨装置の一例の断面図である。
【図３】従来の研磨処理及び本実施形態の第２研磨処理におけるガラス基板に対する押圧力の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。
【００１２】
［研磨装置］
本実施形態のキャリアを用いるガラス基板の研磨装置について図１及び図２を参照して説明する。図１は、両面研磨装置の分解斜視図である。図２は、両面研磨装置の断面図である。
【００１３】
図１に示すように、両面研磨装置は、定盤の移動方向（例えば、垂直方向（Ｚ方向））に対向する上下一対の定盤（すなわち、上定盤４０および下定盤６０）を有している。上定盤４０および下定盤６０の間に円環状のガラス基板Ｇが狭持され、上定盤４０または下定盤６０のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、キャリア３０に保持されたガラス基板Ｇの主表面に対して平行な面（例えば、水平面（ＸＹ平面））上で、ガラス基板Ｇと各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス基板Ｇの両主表面を研磨することができる。なお、ガラス基板と定盤との間には、研磨砥粒を含む水溶液（以下「研磨液」又は「研磨スラリー」という）が供給される。以降、上定盤４０及び下定盤６０を総称して説明するとき、単に定盤という。
【００１４】
図１及び図２を参照して研磨装置の構成をさらに具体的に説明する。
研磨装置において、下定盤６０の上面および上定盤４０の底面には、研磨パッドＰが貼り付けられている。
キャリア３０は、円板状のガラス基板Ｇを２つの定盤で挟んでガラス基板Ｇの主表面を研磨する際に、ガラス基板Ｇを保持するための保持穴を有する。具体的には、キャリア３０は、外周部に設けられて太陽歯車６１及び内歯車６２に噛合する歯部３１と、ガラス基板Ｇを収容し保持するための１または複数の保持穴３２とを有する。太陽歯車６１、外縁に設けられた内歯車６２および円板状のキャリア３０は全体として、中心軸ＣＴＲを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア３０は、内周側で太陽歯車６１に噛合し、かつ外周側で内歯車６２に噛合するともに、１または複数のガラス基板Ｇ（ワーク）を収容して保持する。下定盤６０上では、キャリア３０が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス基板Ｇと下定盤６０とが水平面（ＸＹ平面）上で相対的に移動する。例えば、太陽歯車６１がＣＣＷ（反時計回り）の方向に回転すれば、キャリア３０はＣＷ（時計回り）の方向に回転し、内歯車６２はＣＣＷの方向に回転する。その結果、下定盤６０とガラス基板Ｇの間に水平面（ＸＹ平面）上での相対運動が生じる。同様にして、ガラス基板Ｇと上定盤４０とを水平面（ＸＹ平面）上で相対的に移動させてもよい。
【００１５】
上記水平面（ＸＹ平面）上での相対運動の動作中には、上定盤４０が、キャリア３０に保持されたガラス基板Ｇに対して垂直方向（Ｚ方向）に荷重を掛けることにより押圧する。これによりガラス基板Ｇに対して、研磨パッドＰが押圧される。また、ポンプ（不図示）によって研磨スラリーが、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとの間に供給される。
【００１６】
（磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の説明）
本実施形態の製造方法では、まず、一対の主表面を有する板状の磁気ディスク用ガラス基板の素材となるガラスブランクの成形処理が行われる。次に、このガラスブランクの粗研削処理が行われる。この後、ガラスブランクに形状加工処理及び端面研磨処理が施される。この後、ガラスブランクから得られたガラス基板に固定砥粒を用いた精研削処理が行われる。この後、第１研磨処理、化学強化処理、及び、第２研磨処理がガラス基板に施される。なお、本実施形態では、上記流れに沿って説明するが、上記処理の全てが必須ではなく、これらの処理は適宜省略可能である。以下、各処理について、説明する。
【００１７】
（ａ）ガラスブランクの成形処理
ガラスブランクの成形では、例えばプレス成形法を用いることができる。プレス成形法により、円形状のガラスブランクを得ることができる。さらに、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの公知の製造方法で作られた板状ガラスブランクに対し、適宜形状加工を行うことによって磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラス基板が得られる。
【００１８】
（ｂ）粗研削処理
粗研削処理では、具体的には、ガラスブランクを、周知の両面研削装置（例えば、図２と同様の構成を有する両面研削装置）に装着される保持部材（例えば、図１と同様の構成を有するキャリア）に設けられた保持穴内に保持しながらガラスブランクの両側の主表面の研削が行われる。研削材として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削処理では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削処理は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるものであり、場合によっては行われなくてもよい。
【００１９】
（ｃ）形状加工処理
次に、形状加工処理が行われる。形状加工処理では、ガラスブランクの成形処理後、公知の加工方法を用いて円孔を形成することにより、円孔があいた円盤形状のガラス基板を得る。その後、ガラス基板の端面の面取りを実施する。これにより、ガラス基板の端面には、主表面と直交している側壁面と、側壁面と主表面を繋ぐ面取り面（介在面）が形成される。
【００２０】
（ｄ）端面研磨処理
次にガラス基板の端面研磨処理が行われる。端面研磨処理は、研磨ブラシとガラス基板の端面との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して研磨ブラシとガラス基板とを相対的に移動させることにより研磨を行う処理である。端面研磨では、ガラス基板の内周側端面及び外周側端面を研磨対象とし、内周側端面及び外周側端面を鏡面状態にする。
【００２１】
（ｅ）精研削処理
次に、ガラス基板の主表面に精研削処理が施される。具体的には、固定砥粒を貼り付けた定盤を用い、図１，２と同様の構成を有する両面研削装置を用いて、ガラス基板の主表面に対して研削を行う。具体的には、ガラス基板を、両面研削装置の保持部材であるキャリア３０に設けられた保持穴３２内に保持しながらガラス基板の両側の主表面の研削を行う。研削による取代量は、例えば１０μｍ〜２００μｍ程度である。このとき、上定盤４０あるいは下定盤６０がガラス基板Ｇを押圧する圧力は１０〜２００ｇ/ｃｍ2であることが、研削を効果的に行う点で好ましい。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤及び下定盤の表面に例えばダイヤモンドの砥粒を含む固定砥粒が貼り付けられている。砥粒として例えば平均粒径が５μｍ〜５０μｍの砥粒が用いられる。なお、砥粒としては、ダイヤモンド等の粒子や、複数の粒子をガラス、セラミック、金属、または樹脂などのバインダーで固めた凝集体を用いることができる。そして、例えば、それらの砥粒を樹脂などの支持材を用いて固定したペレットをシートに貼り付けたものを固定砥粒とすることができる。このような上定盤及び下定盤の間にガラス基板が狭持される。そして、クーラントを供給しつつ、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることにより、このガラス基板の両主表面を研削することができる。
本実施形態の研削処理では、固定砥粒を含んだ研削面とガラス基板の主表面とを接触させてガラス基板の主表面を研削するが、遊離砥粒を用いた研削を行ってもよい。
【００２２】
（ｆ）第１研磨処理
次に、ガラス基板の主表面に第１研磨処理が施される。具体的には、ガラス基板の外周側端面を、図１，２に示した両面研磨装置のキャリアに設けられた保持穴内に保持しながらガラス基板の両側の主表面の研磨が行われる。第１研磨処理は、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドを用いる。第１研磨は、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面に残留したクラックや歪みの除去、あるいは、結晶化処理により主表面に生じた微小な表面凹凸の除去をする。取代量を上記範囲内とすることで、主表面端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の表面粗さ、例えば算術平均粗さＲａを低減することができる。
第１研磨に用いる遊離砥粒は特に制限されないが、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。
研磨パッドの種類は特に制限されないが、例えば、硬質発泡ウレタン樹脂ポリッシャが用いられる。
【００２３】
（ｇ）化学強化処理
ガラス基板は適宜化学強化することができる。化学強化液として、例えば硝酸カリウム，硝酸ナトリウム、またはそれらの混合物を加熱して得られる溶融液を用いることができる。そして、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層にあるガラス組成中のリチウムイオンやナトリウムイオンが、それぞれ化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオンやカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。
化学強化処理を行うタイミングは、適宜決定することができるが、化学強化処理の後に研磨処理を行うようにすると、表面の平滑化とともに化学強化処理によってガラス基板の表面に固着した異物を取り除くことができるので特に好ましい。また、化学強化処理は、必要に応じて行われればよく、行われなくてもよい。
【００２４】
（ｈ）第２研磨（鏡面研磨）処理
次に、化学強化処理後のガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨においても、第１研磨に用いる両面研磨装置と同様の構成を有する両面研磨装置が用いられる。こうすることで主表面の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の粗さを低減することができる。第２研磨処理が第１研磨処理と異なる点は、遊離砥粒の種類が異なり及び粒子サイズが小さくなることと、研磨パッドの樹脂ポリッシャの硬度が軟らかくなることである。
【００２５】
第２研磨処理に用いる遊離砥粒として、例えばコロイダルシリカ等の微粒子が用いられる。研磨されたガラス基板を洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
第２研磨処理により、ガラス基板の主表面の表面凹凸のレベルをさらに良好なものとすることができる点で実施することが好ましい。このようにして、第２研磨の施されたガラス基板は磁気ディスク用ガラス基板となる。
【００２６】
第２研磨による取代量は、例えば０．１μｍ以下である。ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとが接触し、且つ、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとの間の相対速度が０．１ｍ／ｓ未満のときの荷重（以下「第１荷重」という）は、加工開始時においてクラックの発生を抑制する点で、好ましくは０．０３ｋｇ／ｃｍ２以下であり、より好ましくは０．０１６ｋｇ／ｃｍ２以下である。一方、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとが接触し、且つ、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとの間の相対速度が０．１ｍ／ｓ以上のときの荷重（以下「第２荷重」という）は、研磨時においてクラックの発生を抑制する点で、好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ２以下であり、より好ましくは０．０７ｋｇ／ｃｍ２以下である。また、研磨時のキャリア３０の回転数は、加工時のクラックの発生を抑制する点で、荷重÷相対速度＝１．４×１０４ｋｇ・ｓ／ｍ３以下になるように設定することが好ましい。 
【００２７】
図３は、従来の研磨処理及び本実施形態の第２研磨処理におけるガラス基板に対する押圧力の説明図である。
【００２８】
従来の研磨処理では、ガラス基板Ｇの主表面に研磨パッドＰを押圧した後に、ガラス基板Ｇと定盤との水平面上の相対的な移動を開始させる。従って、図３（ａ）に示すように、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触が開始した時点では、ガラス基板Ｇに対する押圧力は、定盤からの荷重Ｌに応じた垂直方向（Ｚ方向）の力Ｆｚになる。その結果、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの間に異物が存在する場合に生じるクラックの深さは、力Ｆｚに応じた深さになる。
【００２９】
一方、本実施形態の第２研磨処理では、定盤をキャリア３０に対して水平面（ＸＹ平面）上で相対的に移動させながら、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触を開始させる。従って、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触が開始した時点では、ガラス基板Ｇに対する押圧力は、斜め方向の力Ｆ´になる。この斜め方向の力Ｆ´は、水平面成分Ｆ´ｘｙと垂直成分Ｆ´ｚ（但し、Ｆ´ｚ＜Ｆｚ）とに分解される。その結果、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの間に異物が存在する場合に生じるクラックの深さは、従来の研磨処理より浅くなる。これにより、ガラス基板Ｇの主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行うことができる。
【００３０】
ここで、第２研磨処理における両面研磨装置の動作の例（第１例〜第４例）について説明する。
【００３１】
（第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第１例）
第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第１例では、上定盤４０及び下定盤６０をＣＣＷの方向に回転させ、且つ、キャリア３０を停止させながら、定盤を垂直方向（Ｚ方向）に移動させることで、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触を開始させる。
この例では、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触が開始するときに、ガラス基板Ｇが停止し、且つ、研磨パッドＰが回転している状態（すなわち、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとが水平面（ＸＹ平面）上で相対運動している状態）にある。従って、ガラス基板Ｇに対する押圧力は、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとの相対運動により、垂直成分と水平面成分とに分解される。その結果、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの間に異物があっても、ガラス基板Ｇの主表面から垂直方向に生じるクラックの深さが浅くなる。
一般に、キャリアを回転させることはキャリアからガラス基板が離脱する危険を伴うが、特に、この例では、キャリアを回転させることなく、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとを水平面（ＸＹ平面）上で相対運動させるので、上記危険を伴うことなく、ガラス基板Ｇの主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行うことができる。
【００３２】
（第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第２例）
第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第２例では、上定盤４０及び下定盤６０をＣＣＷの方向に第１角速度ω１で回転させ、且つ、キャリア３０をＣＣＷの方向に第２角速度ω２（但し、ω２＜ω１）で回転させながら、定盤を垂直方向（Ｚ方向）に移動させることで、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触を開始させる。
この例では、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触が開始するときに、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとが互いに異なる角速度で回転している状態（すなわち、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとが水平面（ＸＹ平面）上で相対運動している状態）にある。従って、ガラス基板Ｇに対する押圧力は、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとの相対運動により、垂直成分と水平面成分とに分解される。その結果、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの間に異物があっても、ガラス基板Ｇの主表面から垂直方向に生じるクラックの深さが浅くなる。
特に、この例では、上定盤４０及び下定盤６０の角速度（第１角速度ω１）の分だけキャリア３０の角速度（第２角速度ω２）を低く抑えて、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとを水平面（ＸＹ平面）上で相対運動させるので、キャリア３０からガラス基板Ｇが離脱する確率を低減し、且つ、ガラス基板Ｇの主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行うことができる。
【００３３】
（第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第３例）
第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第３例では、上定盤４０及び下定盤６０をＣＣＷの方向に第１角速度ω１で回転させ、且つ、キャリア３０をＣＷの方向に第３角速度ω３（但し、ω３＜ω２＜ω１）で回転させながら、定盤を垂直方向（Ｚ方向）に移動させることで、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触を開始させる。
この例では、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触が開始するときに、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとが互いに異なる方向に回転している状態（すなわち、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとが水平面（ＸＹ平面）上で相対運動している状態）にある。従って、ガラス基板Ｇに対する押圧力は、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとの相対運動により、垂直成分と水平面成分とに分解される。その結果、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの間に異物があっても、ガラス基板Ｇの主表面から垂直方向に生じるクラックの深さが浅くなる。
特に、この例では、上定盤４０及び下定盤６０と逆方向にキャリア３０を回転させることで、キャリア３０の角速度（第３角速度ω３）を第２例より低く抑えて、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとを水平面（ＸＹ平面）上で相対運動させるので、キャリア３０からガラス基板Ｇが離脱する確率を第２例よりも低減し、且つ、ガラス基板Ｇの主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行うことができる。
【００３４】
（第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第４例）
第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第４例では、上定盤４０及び下定盤６０を停止させ、且つ、キャリア３０をＣＣＷの方向に回転させながら、定盤を垂直方向（Ｚ方向）に移動させることで、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触を開始させる。
この例では、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触が開始するときに、ガラス基板Ｇが回転し、且つ、研磨パッドＰが停止している状態（すなわち、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとが水平面（ＸＹ平面）上で相対運動している状態）にある。従って、ガラス基板Ｇに対する押圧力は、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとの相対運動により、垂直成分と水平面成分とに分解される。その結果、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの間に異物があっても、ガラス基板Ｇの主表面から垂直方向に生じるクラックの深さが浅くなる。
【００３５】
（その他の変形例）
上記第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第１例〜第４例のいずれかの処理において、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの接触を開始させる前に、研磨スラリー中の砥粒濃度を上げてもよい（例えば、より高濃度の研磨スラリーを供給してもよい）。研磨スラリー中の砥粒濃度を上げることにより、ガラス基板Ｇに対する押圧力は、砥粒濃度の増加分だけ垂直成分と水平面成分にさらに分解される。従って、ガラス基板Ｇに対する押圧力の垂直成分は、さらに減少する。その結果、ガラス基板Ｇの主表面と研磨パッドＰとの間に異物があっても、ガラス基板Ｇの主表面から垂直方向に生じるクラックの深さがさらに浅くなる。
【００３６】
また、上述した化学強化処理及び第２研磨処理を省略する場合には、上述した第１研磨処理において、上記第２研磨処理における両面研磨装置の動作の第１例〜第４例のいずれかの処理を実行してもよい。
【００３７】
このように、本実施形態では、上定盤４０および下定盤６０に貼り付けられた研磨パッドＰとガラス基板Ｇの主表面との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとを相対的に移動させることで、ガラス基板Ｇの主表面を研磨する研磨処理を含み、前記研磨処理は、研磨を行う前に研磨パッドＰをガラス基板Ｇの主表面に押圧する際のガラス基板Ｇに対する押圧力がガラス基板Ｇの主表面に対して斜めに掛かるように、ガラス基板Ｇと研磨パッドＰとを相対的に移動させながら、研磨パッドＰをガラス基板Ｇの主表面に押圧する。その結果、ガラス基板Ｇの主表面から垂直方向に生じるクラックの深さが浅くなる。従って、ガラス基板Ｇの主表面の研磨処理を従来と比べて短時間で行うことができる。
【００３８】
以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００３９】
３０  キャリア
３１  歯部
３２  保持穴
４０  上定盤
４２  上定盤支持部
４４  上定盤軸
６０  下定盤
６１  太陽歯車
６２  内歯車
【図１】
2015069665.tif 000003
【図２】
2015069665.tif 000004
【図３】
2015069665.tif 000005