(57)【要約】【課題】基板支持部に付着したパーティクル等が基板に再付着するのを防止すること。【解決手段】本発明では、基板を処理液で処理する基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムにおいて、回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることにした。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、
回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を保持しながら前記基板を回転させる基板保持機構と、
処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、
前記処理液吐出ノズルを前記基板に沿って移動させるノズル移動機構と、
前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、
前記基板保持機構と処理流体供給部とノズル移動機構を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記基板支持部で前記基板を支持した状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させながら前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから回転する前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記制御装置は、
前記基板の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記制御装置は、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記制御装置は、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも高速の第４の回転速度で回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記制御装置は、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから第１の処理液流量の処理液を吐出させ、
前記回収カップの洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから第１の処理液流量よりも多量の第２の処理液流量の処理液を吐出させることを特徴とする請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記処理流体供給部は、前記処理液吐出ノズルとして２流体ノズルを用いて処理液と不活性ガスとの混合流体を吐出可能としたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記制御装置は、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液だけを吐出させることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記制御装置は、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから、前記基板の洗浄処理よりも少ない量の不活性ガスを含む混合流体を吐出させることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記制御装置は、
前記基板支持部の洗浄処理後に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから不活性ガスだけを吐出させることを特徴とする請求項６〜請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記制御装置は、
前記回収カップの洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートの回転方向を逆転させながら繰返し前記回収カップの洗浄を行わせることを特徴とする請求項３〜請求項９のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記制御装置は、
前記回収カップの洗浄処理時に、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部よりも前記回転プレートの内周側に移動させてから、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記回転プレートの上面に向けて処理液を吐出させることを特徴とする請求項３〜請求項１０のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１２】
基板を処理液で処理する基板処理方法において、
回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理液で処理する基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板処理システムを用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄処理を施す。
【０００３】
従来の基板処理システムは、基板を保持しながら回転させる基板保持機構と、回転する基板に処理液を供給する処理液供給機構とを備える。基板保持機構は、回転プレートの上部に基板支持部を設けて、基板支持部によって基板の外周端縁を支持する。処理液供給機構は、処理液吐出ノズルを基板に沿って移動可能に設けて、処理液吐出ノズルから基板の表面に向けて処理液を吐出させる。
【０００４】
そして、基板処理システムでは、基板支持部で基板を支持するとともに、回転プレートを回転させ、処理液吐出ノズルから基板の表面に向けて処理液を吐出する。これにより、基板処理システムは、基板の表面を処理液で洗浄する。洗浄で使用された処理液は、基板の回転による遠心力によって基板の外周外方に振り切られ、基板の外周外方に設けられた回収カップで回収される（特許文献１参照）。
【０００５】
この基板処理システムでは、基板の表面を洗浄した際に基板の表面から剥離したパーティクル等が処理液とともに基板の外周外方に振り切られ、回収カップから外部に排出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２７３０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の基板処理システムでは、全てのパーティクル等が処理液とともに外部に排出されるのではなく、一部のパーティクル等が基板支持部に付着して残留してしまい、その後の基板の洗浄時にパーティクル等が基板に再付着するおそれがあった。そして、処理液吐出ノズルを基板支持部の洗浄のためにそのまま用いても付着したパーティクル等を良好に除去することはできなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を保持しながら前記基板を回転させる基板保持機構と、処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、前記処理液吐出ノズルを前記基板に沿って移動させるノズル移動機構と、前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、前記基板保持機構と処理流体供給部とノズル移動機構を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記基板支持部で前記基板を支持した状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させながら前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから回転する前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることにした。
【０００９】
また、前記制御装置は、前記基板の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させることにした。
【００１０】
また、前記制御装置は、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることにした。
【００１１】
また、前記制御装置は、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも高速の第４の回転速度で回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることにした。
【００１２】
また、前記制御装置は、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから第１の処理液流量の処理液を吐出させ、前記回収カップの洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから第１の処理液流量よりも多量の第２の処理液流量の処理液を吐出させることにした。
【００１３】
また、前記処理流体供給部は、前記処理液吐出ノズルとして２流体ノズルを用いて処理液と不活性ガスとの混合流体を吐出可能とすることにした。
【００１４】
また、前記制御装置は、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液だけを吐出させることにした。
【００１５】
また、前記制御装置は、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから、前記基板の洗浄処理よりも少ない量の不活性ガスを含む混合流体を吐出させることにした。
【００１６】
また、前記制御装置は、前記基板支持部の洗浄処理後に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから不活性ガスだけを吐出させることにした。
【００１７】
また、前記制御装置は、前記回収カップの洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートの回転方向を逆転させながら繰返し前記回収カップの洗浄を行わせることにした。
【００１８】
また、前記制御装置は、前記回収カップの洗浄処理時に、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部よりも前記回転プレートの内周側に移動させてから、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記回転プレートの上面に向けて処理液を吐出させることにした。
【００１９】
また、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理方法において、回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることにした。
【００２０】
また、本発明では、基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることにした。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、１つの処理液吐出ノズルを用いて基板支持部に付着したパーティクル等を良好に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】基板処理システムの概略構成を示す平面説明図。
【図２】処理ユニットの概略構成を示す側面説明図。
【図３】処理ユニットを示す平面説明図。
【図４】同側面説明図。
【図５】基板処理プログラムを示すフローチャート。
【図６】基板処理方法を示す説明図（基板洗浄処理）。
【図７】基板処理方法を示す説明図（基板支持部洗浄処理）。
【図８】基板処理方法を示す説明図（回収カップ洗浄処理）。
【図９】基板処理方法を示す説明図（回収カップ洗浄処理）。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明に係る基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００２５】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００２６】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００２７】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００２８】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００２９】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００３０】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００３１】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００３２】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００３３】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００３４】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００３５】
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００３６】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００３７】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
【００３８】
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
【００３９】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００４０】
図３及び図４に示すように、基板保持機構３０の保持部３１は、支柱部３２の上端に円板状の回転プレート３４を取付けている。回転プレート３４の外周端縁部には、ウェハＷの外周端縁を下側（裏面側）から支持する基板支持部３５が円周方向に間隔をあけて３個設けられている。各基板支持部３５は、円弧状の基板支持プレート３６の中央にチャッキングピン３７を設けるとともに、チャッキングピン３７の左右両側にガイドピン３８を設けている。チャッキングピン３７は、Ｌ字状に屈曲した形状となっており、バネ３９で付勢された状態で回転プレート３４に屈曲部が回動自在に取付けられている。このチャッキングピン３７には、制御装置４で制御される開閉機構４１が接続されている。
【００４１】
そして、開閉機構４１によってチャッキングピン３７の下端部をバネ３９の付勢力に抗して押し上げると、チャッキングピン３７の上端部が回転プレート３４の外周外方側に開く。この状態でウェハＷを基板支持部３５の上方に載置する。その際に、ガイドピン３８がウェハＷを基板支持プレート３６の上面傾斜部に案内する。その後、開閉機構４１を解除してバネ３９の付勢力でチャッキングピン３７の下端部が下げられると、チャッキングピン３７の上端部が回転プレート３４の内周側に閉じる。これにより、チャッキングピン３７の上端部でウェハＷが基板支持部３５の正規位置に保持される。
【００４２】
また、基板保持機構３０の保持部３１及び支柱部３２には、ウェハＷの裏面側中央部に向けて窒素ガス等の流体を吐出する流体供給部４２が設けられている。流体供給部４２は、回転プレート３４の中央に吐出口４３を形成し、吐出口４３に流体供給源４４を流量調整器４５を介して接続している。流量調整器４５は、制御装置４で制御される。
【００４３】
処理流体供給部４０は、処理液吐出ノズル４６にノズル移動機構４７を接続する。ノズル移動機構４７は、制御装置４で制御され、処理液吐出ノズル４６を上下及び左右に移動させる。処理液吐出ノズル４６は、液体と不活性ガスとを混合してミスト状に吐出できる２流体ノズルを用いる。処理液吐出ノズル４６には、処理流体供給源７０として処理液供給源４８と不活性ガス供給源４９がそれぞれ流量調整器５３，５４を介して接続されている。流量調整器５３，５４は、制御装置４で制御される。ここでは、処理液として純水を用い、不活性ガスとして窒素ガスを用いる。
【００４４】
回収カップ５０には、カップ昇降機構５５が接続されている。カップ昇降機構５５は、制御装置４で制御される。
【００４５】
基板処理システム１は、以上のように構成しており、制御装置４の記憶部１９に記憶された基板処理プログラムにしたがって動作する。
【００４６】
図５に示すように、制御装置４は、通常においてはウェハＷの洗浄処理を行う（基板洗浄処理ステップＳ１）。
【００４７】
ウェハＷの洗浄処理においては、図６に示すように、基板保持機構３０の保持部３１にウェハＷを載置して、基板支持部３５でウェハＷを支持する。その後、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第１の回転速度で回転させる。これにより、ウェハＷは、回転プレート３４とともに回転する。その後、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６をウェハＷの中心部上方に移動させる。その後、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３，５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から回転するウェハＷの上面（表面）に向けて第１の処理液流量の処理液と第１の不活性ガス流量の不活性ガスとを混合させたミスト状の処理液を吐出させる。また、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６をウェハＷの中心部上方とウェハＷの外周端縁上方との間を往復移動させる。これにより、ウェハＷは、ミスト状の処理液で洗浄される。処理液は、回転するウェハＷの遠心力でウェハＷの外周外方に振り切られ、回収カップ５０で回収され、排液口５１から外部に排出される。なお、このウェハＷの洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３からウェハＷの裏面側に供給させる。これにより、処理液がウェハＷの裏面側に流れ込むのを防止する。制御装置４は、ウェハＷの洗浄処理の終了後に、処理液、不活性ガス、流体の吐出を停止させ、基板を乾燥させ、処理液吐出ノズル４６を回収カップ５０の外方の待機位置に移動させ、回転プレート３４の回転を停止し、ウェハＷを処理ユニット１６から搬出させる。
【００４８】
その後、図５に示すように、制御装置４は、基板支持部３５や回収カップ５０などの処理ユニット１６の内部の洗浄処理を行うか否かを判断する（内部洗浄判断ステップＳ２）。たとえば、制御装置４は、前回の処理ユニット１６の内部の洗浄処理から経過した時間や、洗浄処理したウェハＷの枚数などに基づいて、内部の洗浄処理を行うか否かを判断する。なお、オペレーターの指示に基づいて強制的に内部の洗浄処理を行わせてもよい。
【００４９】
内部の洗浄処理を行うと判断した場合には、図５に示すように、主に基板支持部３５の洗浄処理を行う基板支持部洗浄処理ステップＳ３を実行する。
【００５０】
基板支持部３５の洗浄処理においては、図７に示すように、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転させる。その後、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６を基板支持部３５の上方に移動させる。ここでの上方位置は、基板支持部３５のチャッキングピン３７に対して垂直上方向の位置である。その後、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３，５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて第２の処理液流量の処理液と第２の不活性ガス流量の不活性ガスとを混合させたミスト状の処理液を吐出させる。ここで、基板洗浄処理ステップＳ１とは条件を変え、基板処理のときよりも不活性ガスの流量を弱くしたミスト状の処理液を処理液吐出ノズル４６から吐出させる。これにより、基板支持部３５は、ミスト状の処理液で洗浄され、基板支持部３５に付着したパーティクル等が除去される。処理液は、回転する回転プレート３４の遠心力で回転プレート３４の外周外方に振り切られ、回収カップ５０で回収され、排液口５１から外部に排出される。なお、この基板支持部３５の洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３から供給させる。これにより、処理液が吐出口４３から流れ込むのを防止する。なお、処理液吐出ノズル４６が移動する上方の位置は、基板支持部３５に対して垂直上方向の位置に限らず、処理液吐出ノズル４６による洗浄効果が得られる範囲であれば、垂直上方向の位置から多少ずれていてもよい。
【００５１】
この基板支持部３５の洗浄処理において、制御装置４は、処理液吐出ノズル４６の下方に基板支持部３５が位置する状態で回転プレート３４の回転を停止させてもよい。なお、複数の基板支持部３５に対しては、それぞれ処理液吐出ノズル４６の下方に基板支持部３５が位置する状態で回転プレート３４の回転を停止させて各基板支持部３５の洗浄処理を順次行う。
【００５２】
このように、基板支持部３５の洗浄処理では、回転プレート３４の第２の回転速度をウェハＷの洗浄処理時の第１の回転速度よりも低速にし、又は回転プレート３４を停止させることで、遠心力による処理液のカップ外への飛び散りが抑制され、基板支持部３５を重点的に洗浄することができる。
【００５３】
また、上記基板支持部３５の洗浄処理において、制御装置４は、不活性ガスの流量を適宜調整してもよく、不活性ガスを停止させて処理液だけを処理液吐出ノズル４６から吐出させてもよい。
【００５４】
このように、基板支持部３５の洗浄処理では、不活性ガスの流量を調整することで、処理液による洗浄力を調整することができ、基板支持部３５の汚れ具合等に応じた洗浄処理を行うことができる。
【００５５】
また、上記基板支持部３５の洗浄処理では、通常のウェハＷの洗浄処理時に処理液吐出ノズル４６をウェハＷの中心部と外周部との間で移動させる範囲よりも外周外方側の回転プレート３４の外周端縁の基板支持部３５の上方の位置まで移動させる。
【００５６】
このように、基板支持部３５の洗浄処理では、基板支持部３５の上方に処理液吐出ノズル４６を移動させることで、基板支持部３５を重点的に洗浄することができる。なお、基板支持部３５のチャッキングピン３７とガイドピン３８とでは汚れ具合が異なる。したがって、低速回転時において、処理液吐出ノズル４６がチャッキングピン３７とガイドピン３８のどちらの上方に位置しているかに応じて、処理液の吐出量や不活性ガスの混合量を変化させるようにしてもよい。
【００５７】
制御装置４は、基板支持部３５の洗浄処理の終了後に、図５に示すように、主に回収カップ５０の洗浄処理を行う回収カップ洗浄処理ステップＳ４を実行する。
【００５８】
まず、回収カップ５０の洗浄処理においては、回転プレート３４の上面に処理液を貯留する処理液貯留ステップを実行する。すなわち、図８に示すように、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度（停止を含む。）で回転させる。その後、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３、５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて第３の処理液流量の処理液だけを吐出させる。これにより、回転プレート３４の上面には、処理液が貯留される。ここで、制御装置４は、回転プレート３４の上面に吐出された処理液が回転プレート３４の遠心力で外周外方へ振り切られずに回転プレート３４の上面に良好に貯留できるような回転速度で回転プレート３４を回転させる。なお、この回収カップ５０の洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３から供給させる。これにより、処理液が吐出口４３から流れ込むのを防止する。
【００５９】
次に、回収カップ５０の洗浄処理においては、回転プレート３４の上面に貯留した処理液を遠心力で回収カップ５０の内周面に向けて振り切る処理液振り切りステップを実行する。すなわち、図９に示すように、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第１の回転速度よりも高速の第４の回転速度で回転させる。回転プレート３４を高速回転させると、回転プレート３４の遠心力の作用で回転プレート３４の上面に貯留されていた処理液が回転プレート３４の外周外方に振り切られる。回転プレート３４から振り切られた処理液は、回収カップ５０の内周面に吹き付けられる。これにより、回収カップ５０の内周面は、処理液で洗浄され、回収カップ５０の内周面に付着していたパーティクル等が除去される。なお、この回収カップ５０の洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３から供給させる。これにより、処理液が吐出口４３から流れ込むのを防止する。
【００６０】
この処理液振り切りステップにおいて、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３、５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて第３の不活性ガス流量の不活性ガスだけを吐出させてもよい。これにより、回転プレート３４や基板支持部３５に不活性ガスが吹き付けられることになり、回転プレート３４や基板支持部３５の乾燥処理を行うことができる。
【００６１】
このように、回収カップ５０の洗浄処理では、処理液貯留ステップにおいて、回転プレート３４の第３の回転速度を基板支持部３５の洗浄処理時の第２の回転速度よりも低速又は停止させることで、遠心力による処理液の振り切りが抑制され、回転プレート３４の上部に処理液を良好に貯留させることができる。
【００６２】
また、回収カップ５０の洗浄処理では、処理液振り切りステップにおいて、回転プレート３４の第４の回転速度をウェハＷの洗浄処理時の第１の回転速度よりも高速にすることで、回転プレート３４の上部に貯留された処理液に作用する遠心力を増大させることができる。ウェハＷの洗浄処理時には、ウェハＷから振り切られた処理液は、重力の作用でウェハＷよりも少し下側の回収カップ５０の内周面に衝突する。そのため、回収カップ５０の内周面において、ウェハＷよりも少し下側となる部分にパーティクル等が多く付着している。回転プレート３４がウェハＷよりも下側に位置するため、ウェハＷの洗浄処理時と同じ遠心力が回収カップ５０の洗浄処理時の処理液に作用すると、回転プレート３４の上部に貯留された処理液が重力の作用で回転プレート３４よりも少し下側の回収カップ５０の内周面に衝突してしまい、パーティクル等が多く付着している部分に衝突しないおそれがある。そこで、回転プレート３４の上部に貯留された処理液に作用する遠心力を増大させることで、処理液が衝突する位置を上方側にすることができ、処理液をパーティクル等が多く付着している部分に衝突させることができる。これにより、回収カップ５０の内周面に付着したパーティクル等を除去して、回収カップ５０の内周面を良好に洗浄することができる。
【００６３】
また、回収カップ５０の洗浄処理では、処理液貯留ステップを行わずに処理液振り切りステップだけを行うようにしてもよい。この場合、処理液振り切りステップにおいて、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３、５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から回転プレート３４に向けて処理液を吐出させる。回転プレート３４に吐出された処理液は、回転する回転プレート３４によって回収カップ５０の内周面に向けて振り切られる。その際に、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６を基板支持部３５よりも回転プレート３４の内周側に移動させてもよい。これにより、処理液吐出ノズル４６から吐出された処理液が基板支持部３５に直接衝突して飛散するのを防止することができる。
【００６４】
制御装置４は、回収カップ５０の洗浄処理を行った後に、図５に示すように、処理ユニット１６の内部の洗浄処理を終了するか否かを判断する（終了判断ステップＳ５）。
【００６５】
処理ユニット１６の内部の洗浄処理を繰返し行う場合には、上記基板支持部３５の洗浄処理と回収カップ５０の洗浄処理とを繰返し実行する。その際に、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４の回転速度はそのままで回転方向だけを逆方向に変更してもよい（逆回転ステップＳ６）。なお、基板支持部３５の洗浄処理だけ、又は、回収カップ５０の洗浄処理だけを繰返し実行してもよい。また、回転プレート３４の回転速度を変更して基板支持部３５の洗浄処理や回収カップ５０の洗浄処理を繰返し実行してもよい。
【００６６】
上記基板支持部３５の洗浄処理や回収カップ５０の洗浄処理では、回転プレート３４の回転によって作用する遠心力で処理液を振り切っているために、処理液が多く流れる場所が回転プレート３４の回転方向や回転速度に強く依存する。そのため、繰り返して基板支持部３５の洗浄処理や回収カップ５０の洗浄処理を行う場合には、回転プレート３４の回転方向や回転速度を変えることで、処理液で万遍なく基板支持部３５や回収カップ５０を洗浄することができる。
【００６７】
以上に説明したように、上記基板処理システム１及び基板処理方法並びに基板処理プログラムでは、基板支持部３５でウェハＷを支持しない状態で、処理液吐出ノズル４６を基板支持部３５の上方に移動させるとともに、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて処理液を吐出させて基板支持部３５の洗浄処理を行わせることで、基板支持部３５に付着したパーティクル等を良好に除去することができる。また、ダミー基板の搬入や搬出が必要ないために、基板処理システム１による通常のウェハＷの洗浄処理を停止させる時間（ダウンタイム）を短くすることができる。
【符号の説明】
【００６８】
Ｗ  ウェハ
１  基板処理システム
３０  基板保持機構
４０  処理流体供給部
５０  回収カップ
３４  回転プレート
３５  基板支持部
４６  処理液吐出ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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