(57)【要約】【課題】高密度な配線部を備えると共に、ビルドアップ薄膜層の表面が平坦である多層配線基板およびその製造方法を供すること。【解決手段】本発明は、コア基板およびコア基板上に設けられた導体部を有して成るコア基板層と、コア基板層上に設けられ、内部に第１層間接続ビアを有して成る第１絶縁樹脂層と、第１絶縁樹脂層上に設けられた第２絶縁樹脂層と、第２絶縁樹脂層の内部に設けられた第２層間接続ビアを介して相互に接続され、かつ第２絶縁樹脂層の２つの主面の各々に少なくとも１つ設けられた配線部とを有して成るビルドアップ薄膜層とを有して成り、第１絶縁樹脂層と接するビルドアップ薄膜層の第１主面に、凹凸部が形成されていることを特徴とする、多層配線基板である。【選択図】図１
2015130398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板および該コア基板上に設けられた導体部を有して成るコア基板層と、
前記コア基板層上に設けられ、内部に第１層間接続ビアを有して成る第１絶縁樹脂層と、
前記第１絶縁樹脂層上に設けられた第２絶縁樹脂層と、該第２絶縁樹脂層の内部に設けられた第２層間接続ビアを介して相互に接続され、かつ該第２絶縁樹脂層の２つの主面の各々に少なくとも１つ設けられた配線部とを有して成るビルドアップ薄膜層と
を有して成り、
前記第１絶縁樹脂層と接する前記ビルドアップ薄膜層の第１主面に、凹凸部が形成されていることを特徴とする、多層配線基板。
【請求項２】
前記ビルドアップ薄膜層の前記第２主面が略平坦であることを特徴とする、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記ビルドアップ薄膜層の前記第２主面上に設けられた前記配線部および前記第２絶縁樹脂層が略面一であることを特徴とする、請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記コア基板が、その内部に前記導体部と相互に接続する接続ビアを更に有して成ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記コア基板がセラミック基板から成り、前記コア基板の弾性率が、前記コア基板上に設けられた前記第１絶縁樹脂層および前記第２絶縁樹脂層の弾性率よりも高いことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記コア基板層の２つの主面上に、前記第１絶縁樹脂層と前記ビルドアップ薄膜層とが順に各々設けられていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記ビルドアップ薄膜層の前記第２主面上に設けられた前記配線部上に、半導体チップが実装されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の多層配線基板を用いた半導体集積回路パッケージ。
【請求項８】
前記ビルドアップ薄膜層の前記第２主面上に設けられた前記配線部上に、検査プローブが設けられていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の多層配線基板を用いた半導体検査装置。
【請求項９】
多層配線基板を製造するための方法であって、
コア基板および該コア基板上に導体部を設けてコア基板層を形成する工程、
キャリアおよび該キャリア上に設けられた配線下地層を有して成るビルドアップ支持体を形成し、該配線下地層上にビルドアップ薄膜層前駆体を設けてビルドアップ薄膜層複合体を形成する工程、
第１層間接続ビア前駆体を有して成る第１絶縁樹脂層前駆体を形成する工程、
前記コア基板層と前記ビルドアップ薄膜層複合体とが相互に電気的に接続されるように、前記第１絶縁樹脂層前駆体を介して前記コア基板層と前記ビルドアップ薄膜層複合体とを相互に接続して、多層配線基板積層体を形成する工程、
前記多層配線基板積層体に加熱および加圧処理を施す工程、および
前記キャリアを除去し、次いで前記配線下地層を除去する工程
を含む、多層配線基板を製造するための方法。
【請求項１０】
前記ビルドアップ薄膜層前駆体と前記ビルドアップ支持体との接触面が略平坦状であることを特徴とする、請求項９に記載の多層配線基板を製造するための方法。
【請求項１１】
前記ビルドアップ薄膜層前駆体と前記ビルドアップ支持体との接触面に対向する面に凹凸部が形成されていることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の多層配線基板を製造するための方法。
【請求項１２】
前記コア基板が、その内部に前記導体部と相互に接続する接続ビアを更に有して成ることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載の多層配線基板を製造するための方法。
【請求項１３】
前記コア基板がセラミック基板から成ることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれかに記載の多層配線基板を製造するための方法。
【請求項１４】
前記コア基板にビアホールを形成し、該ビアホールに導体ペーストを充填後、焼成して、前記コア基板上に導体部を設けることを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記載の多層配線基板を製造するための方法。
【請求項１５】
前記キャリアが低熱膨張係数の基板であることを特徴とする、請求項９〜１４のいずれかに記載の多層配線基板を製造するための方法。
【請求項１６】
前記コア基板層の２つの主面上に、前記第１絶縁樹脂層前駆体と前記ビルドアップ薄膜層複合体とを順に各々設けることを特徴とする、請求項９〜１５のいずれかに記載の多層配線基板を製造するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板および多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の発達に伴い、コンピュータのＣＰＵやデジタルテレビに用いる半導体集積回路の高速化が一層進んでいる。特に、半導体集積回路ＬＳＩでは、高速化に加えて高集積化が一層進んでいるため、半導体集積回路ＬＳＩの小型化とＩ／Ｏ端子の増大が望まれている。これに伴い、端子ピッチの小型化と狭ピッチ化が進み、それによって、半導体集積回路ＬＳＩのパッケージ用配線基板への実装が困難となる。パッケージ用配線基板では、ビルドアップ配線基板が一般的に用いられる。ビルドアップ配線基板は、弾性率の高いコア基板上に、内部に層間接続ビアを有する絶縁樹脂層と当該絶縁樹脂層上の一部に設けられた配線部とを交互に積層したビルドアップ薄膜層を有して成る。絶縁樹脂層上に設けられた配線部は、絶縁樹脂層内の層間接続ビアを介して相互に接続されている。
【０００３】
又、ビルドアップ薄膜層を構成する絶縁樹脂層の形成方法としては、レーザビア方式とフォトビア方式が挙げられる。まず、レーザビア方式は、樹脂コア基板上に樹脂フィルムを貼り付けた後にレーザ加工にて樹脂フィルム内の所定の位置に穴を形成する方法である。しかしながら、レーザビア方式では、樹脂フィルムを樹脂コア基板上に貼り付けることは操作性の観点から容易ではないため、絶縁樹脂層の薄膜化には限界がある。又、レーザビア方式では、レーザの絞り精度の問題で、穴の小径化に向かないという欠点を有している。又、レーザビア方式では、樹脂フィルム内の所定に位置に１つずつ穴加工をする必要があるため、穴加工に時間を要する。それ故、レーザビア方式を用いて得られるビルドアップ配線基板の生産効率は低い。これに対して、フォトビア方式は、コア基板上に感光性
樹脂を塗布した後、露光・現像工程を踏んで微細なビア穴を形成する方法である。フォトビア方式では、コア基板上に感光性樹脂を塗布して絶縁樹脂層を形成するため絶縁樹脂層の薄膜化を比較的容易にできると共に、露光、現像工程を一括して行えるためビア穴間の相対的位置精度が高く、ビア数に関わらず短時間で形成することができる利点を有する。
【０００４】
しかしながら、内部に層間接続ビアを有する絶縁樹脂層と当該絶縁樹脂層上の一部に設けた配線部とを交互に積層したビルドアップ薄膜層は、以下の問題を有する。具体的には、配線部上に設けられた絶縁樹脂層と配線部が設けられていない絶縁樹脂層との間に段差が生じてしまうため、絶縁樹脂層の表面に凹凸部が生じてしまう。すなわち、絶縁樹脂層の厚みが均一ではなくなる問題が生じる。又、ビアホールにめっきを施してフィルドビアを形成する場合、めっきの厚みにばらつきが生じ、それによって、配線部の表面にも凹凸部が生じてしまう。
【０００５】
絶縁樹脂層や配線部の表面に凹凸部が生じた状態でビアホールやレジストパターンを形成すると、露光不足、剥離不良、および現像残渣不良等が生じるおそれがある。そのため、所望のサイズの小さいビアホールや微細なレジストパターンを形成することが困難となる。それ故、フィルドビアの接続信頼性の低下を招き、又微細な配線部の断線を生じてしまうおそれがある。この事は、絶縁樹脂層と配線部とを連続的に交互に積層した場合に顕著となる。そのため、最終的に得られる多層配線基板において、高密度な配線部を形成すると共に、ビルドアップ配線基板を構成するビルドアップ薄膜層の表面を平坦にすることは困難である。この問題を解消するため、絶縁樹脂層の表面に生じた凹凸部を機械的に研磨することにより多層配線基板の表面の平坦化が行われている。
【０００６】
又、主として単層の配線基板の製造方法として剥離転写法が知られている。剥離転写法は、可撓性を有したキャリア層およびこのキャリア層上に設けた剥離層から構成される構造体を用い、又、キャリア層と剥離層とを一体的に引き剥がして、最終的に配線部および絶縁樹脂層を有した配線基板を形成する方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平４−１５２６９４号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６７３７号公報
【特許文献３】特開２００７−２５０８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ビルドアップ薄膜層の表面の平坦化を図るには、絶縁樹脂層の表面に生じた凹凸部の機械的研磨工程が必要不可欠であるため、生産効率が低くなってしまう。ビルドアップ薄膜層の表面の平坦化を図るためには、所望の厚さよりも厚い絶縁樹脂層を用いる必要がある。そのため、絶縁樹脂層内のビアホールのアスペクト比が大きくなり、所望のサイズの小さいビアの形成が困難になってしまう。又、絶縁樹脂層の表面に生じた凹凸部に対して直接的に機械的研磨を行うため、多層配線基板に応力がかかる。それ故、多層配線基板は、全体として反りが大きくなってしまう。従来の多層配線基板では、ビルドアップ薄膜層がコア基板上に設けられているため、コア基板表面上に凹凸部が生じている場合、ビルドアップ薄膜層の表面の平坦性に悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００９】
又、上記の剥離転写法における、キャリア層と剥離層とを一体的に引き剥がして、最終的に配線部および絶縁樹脂層を有した配線基板を形成する方法では、以下の問題が生じる。具体的には、剥離転写法では、キャリア層と剥離層とを一体的に引き剥がすことを容易にするため、剥離層と配線部との密着性は相対的に弱い。それ故、剥離層上に高密度な配線部を形成することは困難である。何故ならば、配線部が高密度になるほど配線部の幅が狭く（剥離層と配線部とが接地している面積が小さく）なるため、剥離層と配線部との密着性が弱いと配線部を保持できずに断線などが起こるからである。又、キャリア層は、可撓性を有するため剛性が低いため、絶縁樹脂層および配線部を平坦にすることは困難である。又、キャリア層と剥離層とを一体的に引き剥がして最終的に単層の配線基板を形成するため、絶縁樹脂層および配線部に対する応力が大きくなる。それ故、絶縁樹脂層と配線部との間に隙間が生じるおそれがある。従って、剥離転写法を用いて多層配線基板を形成した場合に、当該多層配線基板の接続信頼性は十分ではないと言える。
【００１０】
そこで、本発明は、高密度な配線部を備えると共に、ビルドアップ薄膜層の表面が平坦である多層配線基板およびその製造方法を供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明では、
コア基板およびコア基板上に設けられた導体部を有して成るコア基板層と、
コア基板層上に設けられ、内部に第１層間接続ビアを有して成る第１絶縁樹脂層と、
第１絶縁樹脂層上に設けられた第２絶縁樹脂層と、第２絶縁樹脂層の内部に設けられた第２層間接続ビアを介して相互に接続され、かつ第２絶縁樹脂層の２つの主面の各々に少なくとも１つ設けられた配線部とを有して成るビルドアップ薄膜層と
を有して成り、
第１絶縁樹脂層と接するビルドアップ薄膜層の第１主面に、凹凸部が形成されていることを特徴とする、多層配線基板が供される。
【００１２】
又、上記目的を達成するために、本発明では、
多層配線基板を製造するための方法であって、
コア基板およびコア基板上に導体部を設けてコア基板層を形成する工程、
キャリアおよびキャリア上に設けられた配線下地層を有して成るビルドアップ支持体を形成し、配線下地層上にビルドアップ薄膜層前駆体を設けてビルドアップ薄膜層複合体を形成する工程、
第１層間接続ビア前駆体を有して成る第１絶縁樹脂層前駆体を形成する工程、
コア基板層とビルドアップ薄膜層複合体とが相互に電気的に接続されるように、第１絶縁樹脂層前駆体を介してコア基板層とビルドアップ薄膜層複合体とを相互に接続して、多層配線基板積層体を形成する工程、
多層配線基板積層体に加熱および加圧処理を施す工程、および
キャリアを除去し、次いで配線下地層を除去する工程
を含む、多層配線基板を製造するための方法が供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の多層配線基板を製造するための方法により得られた本発明の多層配線基板は、以下の特徴を有する。具体的には、剛性が高く、又熱膨張係数が低いビルドアップ支持体を用いてビルドアップ薄膜層が形成されるため、ビルドアップ支持体と接していたビルドアップ薄膜層の第２主面を略平坦にすることができると共に、同時にビルドアップ薄膜層の第２主面上に高密度な配線部を形成することができる。又、剛性が高く、又熱膨張係数が低いビルドアップ支持体を用いてビルドアップ薄膜層が形成されるため、最終的に得られる本発明の多層配線基板の反りを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態の多層配線基板を示した拡大概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態の多層配線基板を示した概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２実施形態の多層配線基板を示した概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の多層配線基板の構成要素であるコア基板の内部に設けられた層間接続構造体の採り得る態様を示した概略断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３実施形態の多層配線基板を示した概略断面図である。
【図６】図６は、本発明の第４実施形態の多層配線基板を示した概略断面図である。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態の多層配線基板の製造方法のコア基板層の形成工程を示した概略フロー図である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態の多層配線基板の製造方法のビルドアップ薄膜層複合体の形成工程を示した概略フロー図である。
【図９】図９は、本発明の第１実施形態の多層配線基板の製造方法の第１絶縁樹脂層前駆体の形成工程を示した概略フロー図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施形態の多層配線基板の製造方法により本発明の第１実施形態の多層配線基板を得るための工程を示した概略フロー図である。
【図１１】図１１は、ビルドアップ薄膜層複合体を示した拡大概略断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２実施形態の多層配線基板の製造方法のコア基板層の形成工程を示した概略フロー図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２実施形態の多層配線基板を得るための工程を示した概略フロー図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本発明の第３実施形態の多層配線基板を得るための工程を示した概略フロー図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、本発明の第３実施形態の多層配線基板を得るための工程を示した概略フロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜本発明の実施形態の多層配線基板＞
以下、本発明の実施形態の多層配線基板１について詳細に説明する。
【００１６】
まず、本発明の第１実施形態の多層配線基板１について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の第１実施形態の多層配線基板１を示した拡大概略断面図である。図２は、本発明の第１実施形態の多層配線基板１を示した概略断面図である。図１および図２に示すように、本発明の多層配線基板１は、コア基板層２、コア基板層２上に設けられた第１絶縁樹脂層３、および第１絶縁樹脂層３上に設けられたビルドアップ薄膜層４を有して成る。
【００１８】
コア基板層２は、コア基板５およびコア基板５上に設けられた導体部６を有して成る。
コア基板５としては、特に限定されるものではないが、加熱、加圧処理を施しても反りが生じにくい高剛性のセラミック基板が挙げられる。セラミック基板は、一般的に加熱処理による反りに対して弾性率の点で有機絶縁材料からなる基板よりも有利である。対して、第１絶縁樹脂層３およびビルドアップ薄膜層４は、特に限定されるものではないが、ビルドアップ薄膜層４の第１主面の凹凸を緩和できる有機材料、又は感光性が付与された有機材料であればよい。そのため、コア基板５の弾性率は、コア基板層２の上に設けられた第１絶縁樹脂層３およびビルドアップ薄膜層４の弾性率（例えば５ＧＰａ以下程度）よりも高いことが好ましい。又、コア基板層２は、導体部６と接続された回路部品を内部に更に有して成ってよい。
【００１９】
第１絶縁樹脂層３は、内部に第１層間接続ビア７を有して成る。第１絶縁樹脂層３は、補強部材および補強部材に含有された熱硬化性樹脂を含んで成ってよい。補強部材は、ガラス繊維の織布、ガラス繊維の不織布、耐熱性有機繊維の織布、および耐熱性有機繊維の不織布から構成される群から少なくとも１つ選択されたものである。熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、およびシアネート樹脂から構成される群から少なくとも１つ選択されたものである。又、第１絶縁樹脂層３は、無機フィラーを有して成ってよい。無機フィラーの存在により、第１絶縁樹脂層３の熱膨張係数を制御することができるため、第１絶縁樹脂層３に対して加熱処理が施されても多層配線基板１の反りを抑制することができる。この無機フィラーは、第１絶縁樹脂層３内に５０体積％〜９０体積％含まれて成り、又、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＢＮ、およびＡｌＮから構成される群から少なくとも１つ選択されたものである。又、第１絶縁樹脂層３は、コア基板層２を構成する導体部６に実装された回路部品を内部に更に有して成ってよい。
【００２０】
第１層間接続ビア７は、コア基板層２とビルドアップ薄膜層４とを電気的に接続するためのビアである。具体的には、第１層間接続ビア７は、コア基板層２を構成する導体部６と後述するビルドアップ薄膜層４を構成する配線部８とを電気的に接続するためのビアである。又、第１層間接続ビア７としては、特に限定されるものではないが、導電性樹脂から構成される構造体が挙げられる。この導電性樹脂は、金、銀、銅、およびニッケルから構成される群から少なくとも１つ選択される金属の粒子と、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂又はシアネート樹脂とから構成される。
【００２１】
ビルドアップ薄膜層４は、内部に第２層間接続ビア１０を備えた第２絶縁樹脂層９および配線部８を有して成る。配線部８は、第２層間接続ビア１０を介して相互に接続され、かつ第２絶縁樹脂層９の２つの主面１１の各々に少なくとも１つ設けられている。この第２絶縁樹脂層９は、感光性樹脂から構成されている。ビルドアップ薄膜層４は、第１絶縁樹脂層３と接するビルドアップ薄膜層４の第１主面１２および第１主面１２に対向する第２主面１４を有して成る。ここで言う「ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４」とは、後述する本発明の第４実施形態の多層配線基板１の場合も含め、コア基板層２からビルドアップ薄膜層４の設置方向に向かって、ビルドアップ薄膜層４の第１主面１２から最も遠くに位置する端面を指す。
【００２２】
又、本発明の第１実施形態の多層配線基板１では、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４よりもビルドアップ薄膜層４の第１主面１２に、凹凸部１３が形成されている。具体的には、本発明の第１実施形態の多層配線基板１では、第１絶縁樹脂層３と接する第２絶縁樹脂層９および配線部８の面に凹凸部１３が形成されている。それ故、第１絶縁樹脂層３は、その弾性特性に起因して第１絶縁樹脂層３と接している第２絶縁樹脂層９および配線部８の面の凹凸部１３と相互にかみ合うように変形する。すなわち、第１絶縁樹脂層３は、その弾性特性に起因してビルドアップ薄膜層４の第１主面１２の凹凸部１３と相互にかみ合うように変形する。従って、第１絶縁樹脂層３とビルドアップ薄膜層４との密着性を向上させることができる。
【００２３】
その一方で、後述の本発明の多層配線基板１の製造方法で説明するように、剛性が高く、又熱膨張係数が低いビルドアップ支持体１７を用いてビルドアップ薄膜層４が形成されるため、ビルドアップ支持体１７と接していたビルドアップ薄膜層４の第２主面１４を略平坦にすることができる。具体的には、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４上に設けられた配線部８と第２絶縁樹脂層９とを略面一にすることができる。ここで言う「面一」とは、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４上に設けられた配線部８の表面と第２絶縁樹脂層９の主面との間の高さの違いが１μｍ以下である状態を言う。この時、好ましくは、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４を構成する第２絶縁樹脂層９の主面は、１μｍ以下の凹凸部が形成されている。又、好ましくは、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４を構成する配線部８の表面も、１μｍ以下の凹凸部が形成されている。又、同時に併せて、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４上に高密度な配線部８を形成することができる。又、後述の本発明の多層配線基板１の製造方法で説明するように、剛性が高く、又熱膨張係数が低いビルドアップ支持体１７を用いてビルドアップ薄膜層４が形成されるため、最終的に得られる本発明の多層配線基板１の反りを小さくすることができる。
【００２４】
本発明の多層配線基板１が上記の利点を有する事から、本発明の多層配線基板１上に回路部品、半導体チップ、および検査プローブ等を歩溜まりおよび接続信頼性が一層安定化された状態で実装することが可能となる。これにより、信頼性の高い半導体集積回路パッケージや半導体検査装置を形成することができる。
【００２５】
次に、本発明の第２実施形態の多層配線基板１について説明する。
【００２６】
図３は、本発明の第２実施形態の多層配線基板１を示した概略断面図である。図３に示すように、本発明の第２実施形態の多層配線基板１は、構成要素であるコア基板層２は接続ビア１５および接続ビア１５上に導体部６を更に有して成る。この接続ビア１５は、層間接続構造体としてコア基板５内部に設けられており、コア基板５上に設けられた導体部６と接続している。これにより、コア基板層２の一方の主面のみならず、一方の主面に対向する他方の主面上にも第１絶縁樹脂層３を介してビルドアップ薄膜層４を設けることが可能となる。
【００２７】
図４は、本発明の多層配線基板１の構成要素であるコア基板５の内部に設けられた層間接続構造体の採り得る態様を示した概略断面図である。図４（ａ）は、上述のようにコア基板５内部に接続ビア１５が設けられている態様である。層間接続構造体は、接続ビア１５に限定されない。例えば、図４（ｂ）に示すように、層間接続構造体は、接続ビア１５および接続ビア１５を囲むランド１６を有して成ってよい。又、図４（ｃ）に示すように、層間接続構造体は、接続ビア、接続ビア１５を囲むランド１６、および配線２９を有して成ってよい。
【００２８】
次に、本発明の第３実施形態の多層配線基板１について説明する。
【００２９】
図５は、本発明の第３実施形態の多層配線基板１を示した概略断面図である。上記の本発明の第２実施形態の多層配線基板１において述べたように、コア基板５の内部に層間接続構造体があることで、コア基板層２の一方の主面のみならず他方の主面上にも第１絶縁樹脂層３を介してビルドアップ薄膜層４を設けることが可能となる。それ故、図５に示すように、本発明の第３実施形態の多層配線基板１は、コア基板層２の２つの主面上に、第１絶縁樹脂層３を介してビルドアップ薄膜層４が各々設けられた構造体となる。これにより、本発明の多層配線基板１の反りをより一層小さくすることができる。なお、図５には、層間接続構造体として、図４（ａ）に示す接続ビア１５が用いられる態様を示しているが、これに限定されず、図４（ｂ）に示す接続ビア１５および接続ビア１５を囲むランド１６を有して成る態様、図４（ｃ）に示す接続ビア、接続ビア１５を囲むランド１６、および配線を有して成る態様を採ってよい。
【００３０】
次に、本発明の第４実施形態の多層配線基板１について説明する。
【００３１】
図６は、本発明の第４実施形態の多層配線基板１を示した概略断面図である。図６に示すように、本発明の第４実施形態の多層配線基板１は、コア基板層２の２つの主面上に第１絶縁樹脂層３を介してビルドアップ薄膜層４が各々設けられた構造体である。本発明の第４実施形態の多層配線基板１を構成するビルドアップ薄膜層４は、内部に「複数」の第２絶縁樹脂層９および「複数」の配線部８が交互に積層された構成を採っている。本発明の第４実施形態の多層配線基板１は、上述の本発明の第３実施形態の多層配線基板１と同様に、コア基板層２の２つの主面上に第１絶縁樹脂層３を介してビルドアップ薄膜層４が各々設けられた構造体であるため、本発明の多層配線基板１の反りをより一層小さくすることができる。又、後述の本発明の多層配線基板１の製造方法で説明するように、ビルドアップ薄膜層４は、剛性が高く、又熱膨張係数が低いビルドアップ支持体１７を用いて形成される。それ故、ビルドアップ薄膜層４が、内部に「複数」の第２絶縁樹脂層９および「複数」の配線部８が交互に積層された構成を採っていたとしても、ビルドアップ支持体１７と接していたビルドアップ薄膜層４の第２主面１４を略平坦にすることができる。従って、本発明の多層配線基板１を構成するビルドアップ薄膜層４は、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４の略平坦性を維持しつつ、内部に複数の第２絶縁樹脂層９および複数の配線部８が交互に積層された構成を採ることが可能となる。又、ビルドアップ薄膜層４は、剛性が高く、又熱膨張係数が低いビルドアップ支持体１７を用いてビルドアップ薄膜層４が形成されるため、同時に併せて、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４上に高密度な配線部８を形成することができる。又、本発明の第４実施形態の多層配線基板１では、内部に位置する複数の第２絶縁樹脂層９および複数の配線部８の面に凹凸部１３が形成されている。それ故、第１絶縁樹脂層３は、その弾性特性に起因してビルドアップ薄膜層４の第１主面１２の凹凸部１３と相互にかみ合うように変形する。従って、第１絶縁樹脂層３とビルドアップ薄膜層４との密着性を向上させることができる。
【００３２】
以上のように、本発明の第４実施形態の多層配線基板１は、その構成要素であるビルドアップ薄膜層４が内部に「複数」の第２絶縁樹脂層９および「複数」の配線部８が交互に積層された構成を採っていたとしても、（１）反りをより一層小さくすることができ、（２）ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４の略平坦性を維持でき、（３）ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４上に高密度な配線部８を形成することができ、および（４）第１絶縁樹脂層３とビルドアップ薄膜層４との密着性を向上させることができる利点を有する。
【００３３】
＜本発明の実施形態の多層配線基板１の製造方法＞
以下、本発明の実施形態の多層配線基板１の製造方法について詳細に説明する。なお、以下で「前駆体」と記載するものは、後述の加圧・加熱工程を施して硬化させる前の状態のものを指す。
【００３４】
まず、本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法について説明する。
【００３５】
（コア基板層２の形成工程）
まず、図７（ａ）に示すようにコア基板５を用意する。なお、コア基板５の平坦性を確保するためコア基板５の表面を研削および研磨処理を施すことが好ましい。本実施形態では、コア基板５としてセラミック基板を用いてよい。セラミック基板は次の工程を経て形成される。まず、シート状のガラス・セラミック組成物原料（５５ｗｔ％のアルミナ粉末＋４５ｗｔ％のガラス粉末）から構成されるグリーンシートを複数積層して加圧処理を施す。次いで、これらグリーンシートの両面にアルミナ粉末およびバインダから形成されたグリーンシートを更に積層して、焼成処理を施す。次いで、アルミナ粉末をブラスト法により除去して、所望の厚み方向にのみ収縮する特徴を有するセラミック基板を形成する。
【００３６】
次に、図７（ｂ）に示すようにコア基板５上に複数の導体部６を設けてコア基板層２を形成する。
【００３７】
（ビルドアップ薄膜層複合体２４の形成工程）
次に、図８（ａ）に示すように、剛性が高く、又熱膨張係数が低い金属キャリア１８を用意して、金属キャリア１８上に例えば、Ｔｉめっき層から成る配線下地層１９を乾式めっき法により形成して、ビルドアップ支持体１７を形成する。金属キャリア１８としては、特に限定されるものではないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、およびＡｇから構成される群から少なくとも１つ選択された金属、又は合金が挙げられる。好ましくは、金属キャリア１８は、加熱・加圧処理を施しても反りが生じにくく、ビルドアップ薄膜層４の前駆体４０に応力がかかりにくいようにするため、剛性が高く、コア基板５との熱膨張係数差が小さい金属にて構成されていることがよい。具体的には、金属キャリア１８は、３６Ｎｉ−Ｆｅ、３１Ｎｉ−５Ｃｏ−Ｆｅ等で構成されていることが好ましい。又、金属キャリア１８は、１ｍｍ厚以上の金属板であることが好ましい。なお、ビルドアップ支持体１７の平坦性を確保するため、金属キャリア１８上に配線下地層１９を形成する前に金属キャリア１８の表面に対して研磨処理を施すことが好ましい。ここで言う「配線下地層１９」とは、後述の湿式めっき法にて配線層２０を形成するために必要な下地層を指す。又、金属キャリア１８上に配線下地層１９を形成する前に樹脂層を更に設けてもよい。この樹脂層は、後述の金属キャリア１８の除去工程後にプラズマ処理等を施して除去してよい。
【００３８】
次に、図８（ｂ）に示すように、ビルドアップ支持体１７の配線下地層１９上に湿式めっき法にて配線層２０を形成する。本実施形態では、配線層２０として銅めっき層を用いてよい。次に、配線層２０上に感光性レジスト剤を塗布し、マスクパターンを介して紫外線照射による露光、現像処理を施して、図８（ｃ）に示すようにレジストパターン２１を形成する。次に、図８（ｄ）に示すように、配線層２０上に形成したレジストパターン２１を介して配線層２０にエッチング処理を施し、レジストを剥離除去することで、配線部８を形成する。
【００３９】
なお、図示していないが、図８（ｂ）〜図８（ｄ）の工程に代えて次の工程により配線部８を形成してもよい。具体的には、まず、ビルドアップ支持体１７の配線下地層１９上に、感光性樹脂レジスト剤を塗布し、マスクパターンを介して紫外線照射による露光、現像処理を施してレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンから露出した配線下地層１９上に隙間無くパターンめっきを施し、次いでレジストを剥離除去し、これによって、配線部８を形成してもよい。
【００４０】
次に、感光性樹脂を塗布し、マスクパターンを介して紫外線照射による露光、現像、および焼成処理を施して、図８（e）に示すようにビアホール２３を備えた第２絶縁樹脂層９の前駆体９０を形成する。次に、図８（ｆ）に示すように、ビアホール２３を充填するように第２絶縁樹脂層９の前駆体９０上に、配線下地層（図示せず）を形成した上で湿式めっき法にて配線層２２を形成する。次に、配線層２２上に感光性レジスト剤を塗布し、マスクパターンを介して紫外線照射による露光、現像処理を施して、配線層２２上にレジストパターンを形成する。次に、配線層２２上に形成されたレジストパターンを介して配線層２２にエッチング処理を施す。次に、配線層２２のエッチング処理により第２絶縁樹脂層９の前駆体９０上に露出した配線下地層にソフトエッチング処理を施して除去する。これにより、図８（ｇ）に示すように、ビルドアップ支持体１７と、ビルドアップ支持体１７上に設けられたビルドアップ薄膜層４の前駆体４０とが一体となったビルドアップ薄膜層複合体２４を形成することができる。
【００４１】
なお、ビルドアップ薄膜層複合体２４は、剛性が高く、又熱膨張係数が低い金属キャリア１８と配線下地層１９とを有して成るビルドアップ支持体１７上にビルドアップ薄膜層４の前駆体４０を形成したものである。それ故、図１１のビルドアップ薄膜層複合体２４の拡大概略断面図に示すように、ビルドアップ薄膜層４の前駆体４０とビルドアップ支持体１７とが接する面は略平坦状になっている。これに対し、ビルドアップ薄膜層４の前駆体４０とビルドアップ支持体１７とが接する面に対向する面には、第２絶縁樹脂層９の前駆体９０と第２絶縁樹脂層９の前駆体９０上の一部に設けた配線部８とを交互に積層したことに起因して凹凸部が生じている。
【００４２】
（第１絶縁樹脂層３の前駆体３０の形成工程）
次に、図９（ａ）に示すように樹脂シート２５を形成する。次に、図９（ｂ）に示すようにビアホール２６を形成する。次に、図９（ｃ）に示すように当該ビアホール２６内に
第１層間接続ビア７の前駆体７０を充填して、第１絶縁樹脂層３の前駆体３０を形成する。
【００４３】
（多層配線基板積層体２７の形成工程）
次に、図１０（ａ）に示すように、第１絶縁樹脂層３の前駆体３０を介して、コア基板層２とビルドアップ薄膜層複合体２４とを相互に接続する。具体的には、第１層間接続ビア７の前駆体７０を介して、コア基板５上設けられた複数の導体部６とビルドアップ薄膜層４の前駆体４０を構成する配線部８とが相互に接続されるように、第１絶縁樹脂層３の前駆体３０を介して、コア基板層２とビルドアップ薄膜層複合体２４とを相互に接続する。これにより、図１０（ｂ）に示すように多層配線基板積層体２７を形成することができる。
【００４４】
（多層配線基板積層体２７の加熱、加圧処理工程）
次に、多層配線基板積層体２７に加熱、加圧処理を施して、第１絶縁樹脂層３の前駆体３０と第２絶縁樹脂層９の前駆体９０を硬化させる。
【００４５】
（金属キャリア１８の除去工程）
次に、図１０（ｃ）に示すようにエッチング処理により金属キャリア１８を除去する。
【００４６】
（配線下地層１９の除去工程）
最後に、図１０（ｄ）に示すようにソフトエッチング処理によりビルドアップ支持体１７の配線下地層１９を除去する。
【００４７】
以上の工程を経て、本発明の第１実施形態の多層配線基板１を製造することができる。
【００４８】
本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法では、剛性が高く、又熱膨張係数が低い金属キャリア１８と配線下地層１９とを有して成るビルドアップ支持体１７を用いてビルドアップ薄膜層４を形成するため、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４を略平坦にすることができる。又、本発明の多層配線基板１の製造方法により得られた本発明の多層配線基板１では、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４よりもビルドアップ薄膜層４の第１主面１２に凹凸部１３が形成されている。この多層配線基板１は第１絶縁樹脂層３を介してコア基板層２とビルドアップ薄膜層４とが接続された構造体であるため、ビルドアップ薄膜層４の第１主面１２に凹凸部１３が形成されていても、第１絶縁樹脂層３はその弾性特性に起因してビルドアップ薄膜層４の第１主面１２の凹凸部１３と相互にかみ合うように変形する。それ故、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４の平坦性を保つことができる。又、コア基板５が加圧、加熱処理により反りを生じたとしても、第１絶縁樹脂層３はその弾性特性に起因して、反りが生じたコア基板５の形状と相互にかみ合うように変形する。それ故、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４の平坦性を保つことができる。
【００４９】
それ故、本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法では、本発明の多層配線基板１を構成するビルドアップ薄膜層４は、その第２主面１４の略平坦性を維持しつつ、内部に第２層間接続ビア１０を備えた複数の第２絶縁樹脂層９および複数の配線部８が交互に積層された構成を採ることができる。
【００５０】
又、剛性が高く、又熱膨張係数が低い金属キャリア１８と配線下地層１９とを有して成るビルドアップ支持体１７を用いてビルドアップ薄膜層４を形成するため、同時に併せて、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４上に高密度な配線部８を形成することができる。すなわち、本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法では、高密度な配線部８の設計自由度を向上させることができる。
【００５１】
配線下地層１９は、配線層２０にエッチング処理を施して配線部８を形成する場合において、エッチングストップ層として機能するため、エッチング処理液による金属キャリア１８に対する損傷を抑制することができる。又、配線下地層１９は、エッチング処理により金属キャリア１８を除去する場合においても、エッチングストップ層として機能するため、エッチング処理液による配線部８に対する損傷を抑制することができる。又、配線下地層１９上の配線層２０は、剥離転写法における剥離層上に形成された配線層と異なり後の工程で剥離する必要がないため、金属キャリア１８と配線下地層１９、および配線下地層１９と配線層２０との間でともに高い密着性を有して形成することができる。そのため、高密度な配線部８を得ることができる。又、金属キャリア１８の熱膨張係数は相対的に低いため、金属キャリア１８とコア基板５との熱膨張係数の差は小さい。そのため、多層配線基板積層体２７の加熱、加圧処理を施した際にも多層配線基板積層体２７を構成するコア基板５および金属キャリア１８の反りを小さくすることができる。それ故、最終的に得られる本発明の多層配線基板１の反りも小さくすることができる。従って、本発明の多層配線基板１上に実装する回路部品、半導体チップ等の実装歩留まりおよび接続信頼性をより一層安定にすることができる。
【００５２】
更に、本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法では、コア基板層２、第１絶縁樹脂層３の前駆体３０、およびビルドアップ薄膜層複合体２４を別々に、例えば同時進行で形成することができる。又、ビルドアップ薄膜層複合体２４は、コア基板層２のサイズに依存することなく形成することができるため、コア基板５のサイズ限界（例えば１００ｍｍ×１００ｍｍ程度）よりも大きなサイズ（例えば３４０ｍｍ×５１０ｍｍ程度のプリント基板サイズ）で形成し、その後にコア基板層２のサイズにダイシング処理を施して個片化することができる。そのため、コア基板層２上に順に積層していく手法と比べて、本発明の多層配線基板１の製造時間を短縮することができると共に歩留まりを向上させることができる。それ故、本発明の多層配線基板１の製造効率を高めることができる。
【００５３】
次に、本発明の第２実施形態の多層配線基板１の製造方法について説明する。なお、上記本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法での説明と重複する部分については簡略又は省略する。
【００５４】
（コア基板層の形成工程）
まず、図１２（ａ）に示すようにコア基板５０を用意する。次に、図１２（ｂ）に示すようにＮＣパンチプレス又は炭酸ガスレーザによってコア基板内に複数のビアホール２８を形成する。次に、図１２（ｃ）に示すように接続ビア１５０および接続ビア１５０上に導電部６０を形成するように、各ビアホール２８に導体ペーストを充填し、次いで焼成してコア基板層３１を形成する。
【００５５】
（ビルドアップ支持体１７０の形成工程）
次に、金属キャリア１８０を用意して、金属キャリア１８上に配線下地層１９を乾式めっき法により形成して、ビルドアップ支持体１７を形成する。
【００５６】
（ビルドアップ薄膜層複合体２４０工程）
次に、上記本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法と同様に、ビルドアップ支持体１７０と、ビルドアップ支持体１７０上に設けられたビルドアップ薄膜層の前駆体４００とが一体となったビルドアップ薄膜層複合体２４０を形成する。
【００５７】
（第１絶縁樹脂層３の前駆体３００の形成工程）
次に、上記本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法と同様に、第１絶縁樹脂層の前駆体３００を形成する。
【００５８】
（多層配線基板積層体２７０の形成工程）
次に、上記本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法と同様に、図１３（ａ）に示すように第１絶縁樹脂層の前駆体３００を介して、コア基板層３１とビルドアップ薄膜層複合体２４０とを相互に接続して多層配線基板積層体２７０を形成する。
【００５９】
（多層配線基板積層体２７０の加熱、加圧処理工程）
次に、上記本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法と同様に、図１３（ｂ）に示すように多層配線基板積層体２７０に加熱、加圧処理を施す。
【００６０】
（金属キャリア１８０の除去工程）
次に、上記本発明の第１実施形態の多層配線基板１の製造方法と同様に、図１３（ｃ）に示すようにエッチング処理により金属キャリア１８０を除去する。
【００６１】
（配線下地層１９０の除去工程）
最後に、図１３（ｄ）に示すように、ソフトエッチング処理によりビルドアップ支持体１７０の配線下地層１９０を除去する。
【００６２】
以上の工程を経て、本発明の第２実施形態の多層配線基板１を製造することができる。
【００６３】
次に、本発明の第３実施形態の多層配線基板１の製造方法について説明する。なお、上記本発明の第１、２実施形態の多層配線基板１の製造方法での説明と重複する部分については簡略又は省略する。
【００６４】
（コア基板層３１の形成工程）
まず、コア基板５０を用意する。次に、ＮＣパンチプレス又は炭酸ガスレーザによってコア基板５０内に複数のビアホール２８を形成する。次に、接続ビア１５０および接続ビア１５０上に導電部６０を形成するように、各ビアホール２８に導体ペーストを充填し、次いで焼成してコア基板層３１を形成する。
【００６５】
（ビルドアップ支持体１７０の形成工程）
次に、金属キャリア１８０を用意して金属キャリア１８上に配線下地層１９を乾式めっき法により形成して、ビルドアップ支持体１７を少なくとも２つ形成する。
【００６６】
（ビルドアップ薄膜層複合体２４０の形成工程）
次に、上記本発明の第１、２実施形態の多層配線基板１の製造方法と同様に、ビルドアップ支持体１７０と、ビルドアップ支持体１７０上に設けられたビルドアップ薄膜層の前駆体４００とが一体となったビルドアップ薄膜層複合体２４０を少なくとも２つ形成する。
【００６７】
（第１絶縁樹脂層３の前駆体３０の形成工程）
次に、上記本発明の第１、２実施形態の多層配線基板１の製造方法と同様に、第１絶縁樹脂層の前駆体３００を少なくとも２つ形成する。
【００６８】
（多層配線基板積層体２７０の形成工程）
次に、図１４Ａ（ａ）に示すように、コア基板層３１の２つの主面の各々に第１絶縁樹脂層の前駆体３００とビルドアップ薄膜層複合体２４０とが順に位置付けられるようにして多層配線基板積層体２７０を形成する。
【００６９】
（多層配線基板積層体２７０の加熱、加圧処理工程）
次に、図１４Ａ（ｂ）に示すように多層配線基板積層体２７０に加熱、加圧処理を施す。
【００７０】
（金属キャリア１８０の除去工程）
次に、図１４Ｂ（ｃ）に示すようにエッチング処理により少なくとも２つの金属キャリア１８０を除去する。
【００７１】
（配線下地層１９０の除去工程）
最後に、図１４Ｂ（ｄ）に示すように、ソフトエッチング処理により少なくとも２つの配線下地層１９０を除去する。
【００７２】
以上の工程を経て、本発明の第３実施形態の多層配線基板１を製造することができる。
【００７３】
なお、上記本発明の第１〜３実施形態の多層配線基板１の製造方法により得られた本発明の多層配線基板１はダイシング処理を施して個片化させてよい。
【００７４】
以上、本発明の実施形態の多層配線基板１およびその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく、下記の特許請求の範囲に規定される発明の範囲から逸脱することなく種々の変更が当業者によってなされると理解されよう。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明の実施形態の多層配線基板１は、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４の略平坦化、ビルドアップ薄膜層４の第２主面１４上における高密度な配線部８の形成、および反りの低減を可能とする。それ故、本発明の実施形態の多層配線基板１を、例えば半導体集積回路パッケージ、半導体検査装置等に利用することができる。
【符号の説明】
【００７６】
１          多層配線基板
２          コア基板層
３          第１絶縁樹脂層
３０        第１絶縁樹脂層前駆体
３００      第１絶縁樹脂層の前駆体
３１        コア基板層
４          ビルドアップ薄膜層
４０        ビルドアップ薄膜層前駆体
５          コア基板
５０        コア基板
６          導電部
６０        導電部
７          第１層間接続ビア
７０        第１層間接続ビア前駆体
８          配線部
９          第２絶縁樹脂層
９０        第２絶縁樹脂層前駆体
１０        第２層間接続ビア
１１        第２絶縁樹脂層の主面
１２        ビルドアップ薄膜層の第１主面
１３        凹凸部
１４        ビルドアップ薄膜層の第２主面
１５        接続ビア
１６        ランド
１７        ビルドアップ支持体
１７０      ビルドアップ支持体
１８        金属キャリア
１８０      金属キャリア
１９        配線下地層
１９０      配線下地層
２０        配線層
２１        レジストパターン
２２        配線層
２３        ビアホール
２４        ビルドアップ薄膜層複合体
２４０      ビルドアップ薄膜層複合体
２５        樹脂シート
２６        ビアホール
２７        多層配線基板積層体
２８        ビアホール
２９        配線
【図１】
2015130398.tif 000003
【図２】
2015130398.tif 000004
【図３】
2015130398.tif 000005
【図４】
2015130398.tif 000006
【図５】
2015130398.tif 000007
【図６】
2015130398.tif 000008
【図７】
2015130398.tif 000009
【図８】
2015130398.tif 000010
【図９】
2015130398.tif 000011
【図１０】
2015130398.tif 000012
【図１１】
2015130398.tif 000013
【図１２】
2015130398.tif 000014
【図１３】
2015130398.tif 000015
【図１４Ａ】
2015130398.tif 000016
【図１４Ｂ】
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