(57)【要約】      （修正有）【課題】微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置内の露出するガラスの帯電を制御する方法が提供される。【解決手段】本方法は、少なくとも１つの検出プレート１４および少なくとも１つの板外金属化層１６から離間して位置決めされるプルーフマス１２を有するＭＥＭＳ装置１０を提供することを含み、少なくとも１つの電導性ガラス層１８は検出プレートおよび板外金属化層に連結され、電導性ガラス層は、プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出するガラス部分２０を含み、本方法は、検出プレートに第１電位を付与し、板外金属化層に第２電位を付与することを含む。露出するガラス部分が第１電位と第２電位との間の電位中間に対応する平均電位を備えるように、第１電位は予め決定される電位レベルだけ第２電位から分離される。【選択図】図１Ａ
2015037828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置内の露出するガラスの帯電を制御する方法であって、前記方法は、
少なくとも１つの検出プレートおよび少なくとも１つの板外金属化層から離間して位置決めされるプルーフマスを有するＭＥＭＳ装置を提供することを含み、少なくとも１つの電導性ガラス層が、前記検出プレートおよび前記板外金属化層に連結され、前記電導性ガラス層は、前記プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出するガラス部分を含み、
前記方法は、前記検出プレートに第１電位を付与し、前記板外金属化層に第２電位を付与することを含み、前記露出するガラス部分が前記第１電位と前記第２電位との間の電位中間に対応する平均電位を備えるように、前記第１電位は前記第２電位から予め決定される電位レベルだけ分離される、方法。
【請求項２】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置であって、
プルーフマスと、
前記プルーフマスから離間されて位置決めされる第１検出プレートと、
前記プルーフマスから離間されて位置決めされる第１板外金属化層と、
前記第１検出プレートおよび前記第１板外金属化層に連結される第１電導性ガラス層と、を有し、前記第１電導性ガラス層は、前記プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出するガラス部分を含み、
前記ＭＥＭＳ装置はさらに、前記第１検出プレートに電気的に接続され、且つ、第１電位レベルを備える第１電位ラインと、
前記１板外金属化層に電気的に接続され、且つ、前記第１電位レベルと異なる第２電位レベルを備える第２電位ラインと、を含み、
前記露出するガラス部分は、前記第１電位レベルと前記第２電位レベルとの間の電位中間に対応する平均電位を備える、ＭＥＭＳ装置。
【請求項３】
請求項２に記載のＭＥＭＳ装置であって、さらに、
前記第１検出プレートから反対側で前記プルーフマスから離間して位置決めされる第２検出プレートを有し、前記プルーフマスは前記第１検出プレートと前記第２検出プレートとの間に位置し、
前記ＭＥＭＳ装置はさらに、前記プルーフマスから離間して位置決めされる第２板外金属化層と、
前記第２検出プレートおよび前記第２板外金属化層に連結される第２電導性ガラス層と、を有し、前記第２電導性ガラス層は、前記プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出するガラス部分を含み、
前記ＭＥＭＳ装置はさらに、前記第１検出プレートおよび前記第２検出プレートに連結される複数の停止構造を有し、
前記第１電位ラインは、前記第２検出プレートに電気的に連結され、前記第２電位ラインは、前記第２板外金属化層に電気的に連結され、前記露出するガラス部分が前記プルーフマスの電位レベルと実質的に同一の電位となる平均電位を備えるように、前記第１電位レベルは、前記第２電位レベルから分離される、ＭＥＭＳ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、ＭＥＭＳ装置内のガラス帯電の効果の低減に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0001]微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置は、ジャイロスコープおよび加速度計などの様々なセンサを含むことができ、これらは、様々な慣性ナビゲーションおよび制御システムの用途に使用されることがある。ＭＥＭＳジャイロスコープまたは加速度計は、容量センサを形成する検出プレートのペアの間に挿入されるプルーフマスのような微小構造検出素子を含むことができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
[0002]しばしば、ガラス層がＭＥＭＳ装置内の構造として使用される。これらのガラス層は、典型的にはドープされ、これは、ガラスにいくらかの電導性を生じさせ、ＭＥＭＳ装置の動作中に、電荷が流れ、またガラスに電荷が蓄積することを可能にする。カバーされないガラスが容量性ＭＥＭセンサのようなＭＥＭＳ装置のプルーフマスに露出されるようにすることは、しばしば有利でありまた必要なことがある。結果として、動作中にガラス上に電荷が蓄積すると、装置の有効な感度が変化する。これは、スケールファクタ、バイアス、またはＭＥＭＳセンサの他の性能メトリックの信頼性を損なうことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0003]微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置内の露出したガラスの帯電を制御する方法は、ＭＥＭＳ装置を提供することを含み、ＭＥＭＳ装置は、少なくとも１つの検出プレートおよび少なくとも１つの板外金属化層から離れて位置決めされるプルーフマスを有し、少なくとも１つの電導性ガラス層は、検出プレートおよび板外金属化層に連結され、電導性ガラス層は、プルーフマスの近くで少なくとも１つの露出されたガラス部分を含み、該方法は、検出プレートに第１電位を付与し、板外金属化層に第２電位を付与する、ことを含む。第１電位は、予め決定される電位レベルだけ第２電位から分離され、露出されるガラス部分が、第１電位と第２電位との間の電位中間に対応する平均電位を備えるようにする。
【０００５】
[0004]図面は単なる例示的な実施形態を示し、本発明の範囲を制限するものではなく、例示的な実施形態は追加的な特徴とともに説明され、添付図面を使用して詳細に説明される。添付図面は以下の通りである。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】ＭＥＭＳ装置の概略図および電圧ダイアグラムであり、一実施形態による技術を説明する図である。
【図１Ｂ】ＭＥＭＳ装置の概略図および電圧ダイアグラムであり、他の実施形態による技術を説明する図である。
【図２】他の実施形態によるＭＥＭＳ装置の背面図である。
【図３】他の実施形態によるＭＥＭＳ装置の上面図である。
【図４】他の実施形態によるＭＥＭＳ装置の上面図である。
【図５Ａ】図４のＭＥＭＳ装置の第１検出プレートを示す図である。
【図５Ｂ】図４のＭＥＭＳ装置の第２検出プレートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
[0012]以下の詳細な説明において、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に実施形態が説明される。本発明の範囲から逸脱することなく他の実施形態を使用することができることを理解されたい。以下の詳細な説明は、限定的なものではない。
【０００８】
[0013]微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置内のガラスの帯電を制御する方法が提供される。本アプローチは、ＭＥＭＳ装置内の露出されるガラスの電導性の電荷の制御により、ガラスの帯電がセンサの性能に影響を与えないようにすることができる。本技術は、露出されるガラスの帯電を防止するのではなく、時間にわたりセンサバイアスまたはスケールファクタに正味の影響を与えないようにするバランスのとれた態様にすることを可能にする。このようにして、ＭＥＭＳ装置の時間経過による性能は、露出されるガラスの時間変化のポテンシャルにより影響を受けなくする。
【０００９】
[0014]一般に、本方法は、露出されるガラスの電位がセンサの性能に重要でなくなるように、また、影響を与えないように、露出されるガラスの電位レベルを制御する。たとえば、第１電位がセンサプレートに付与され、第２電位が板外金属化層に付与され、第１電位は予め決定される電位レベルだけ第２電位から分離され、露出されるガラスが、第１電位レベルと第２電位レベルとの間の電位中間に対応する平均電位を備えるようにする。これは、ガラスが露出されるギャップに渡る平均電位が、ＭＩＤに等しくなるようにする（たとえば、プルーフマスの電位に等しい）。このプルーフマスの電位と等しい平均ガラス帯電電位により、センサ性能に負の影響（性能劣化）を与えないようにする。
【００１０】
[0015]一実施形態において、ＭＥＭＳ装置のセンサレイアウトは、オーバーラップ金属プロセス（an overlapping metal process）を使用することなく、ガラスの帯電の効果を除去するように提供される。
【００１１】
[0016]以下、図面を参照しながら本アプローチを詳細に説明する。図示される露出されるガラスは、寸法通りに示されているわけではなく、露出されるガラスは、全体のセンサプレート領域の非常に小さな部分である。ガラスの大部分は、「金属化」されており、ガラスの小さな部分だけがカバーされておらず、典型的には、ＭＥＭＳ装置内の電位差を分離する領域の境界においてカバーされていない。
【００１２】
[0017]図１Ａは、一実施形態によるＭＥＭＳ装置１０の概略図であり、本技術の一側面を説明する電位ダイアグラムを含む。ＭＥＭＳ装置１０は、検出プレート１４および板外金属化層１６の上に位置決めされるプルーフマス１２を含む。ガラス層１８は、検出プレート１４および板外金属化層１６に連結される。ガラス層１８は、電導性分子（たとえばＮａイオン）がドープされ、これによりわずかに電導性のガラスを生じさせ、検出プレート１４および板外金属化層１６のガラス層１８への接着を促す。プルーフマス１２に近いガラス層１８の露出するガラス部分２０は、プルーフマス１２のエッジ部１３に面している。ＭＥＭＳ装置１０に電力が供給されるとき、露出するガラス部分２０は、ゆっくりと電荷を集め、時間とともに変化する電位を備える。一方、金属で被覆されるガラス層１８の部分は、金属の電導性が非常に高いので即座に電位ポテンシャルを達成する。
【００１３】
[0018]図１Ａに示されるように、板外金属化層１６は、−ＶＳＢ（電位スタンバイ）ライン２２に接続され、検出プレート１４は、＋ＶＳＢライン２４に接続される。この構成により、電位ダイアグラムに示されるように、露出するガラス部分２０がＭＩＤ（たとえばゼログラウンド）に等しい平均電位（ＶＡＶ）を備えることになる。プルーフマス１２および露出するガラス部分２０の両者が同一の電位であることで、センサキャパシタンス上のガラス帯電の時間変化の効果が除去される。したがって、プルーフマス１２上のガラス帯電の効果は、検出プレート１４および板外金属化層１６に付与される電位の制御により取り除かれる。
【００１４】
[0019]図１Ｂは、他の実施形態によるＭＥＭＳ装置５０の概略図であり、本技術の他の側面を示している。ＭＥＭＳ装置５０は、全体として、第１検出プレート６０と第２検出プレート７０との間に位置決めされるプルーフマス５４を含む。第１検出プレート６０は、第１ガラス層６２に取り付けられ、第１板外金属化層６４は、ガラス層６２に取り付けられる。検出プレート６０と金属化層６４との取り付けを支援するために、ガラス層６２は電導性分子がドープされる。ガラス層６２の露出するガラス部分６６は、プルーフマス５４の第１エッジ表面５６の方を向く。第２検出プレート７０は、第２ガラス層７２に取り付けられ、第２外板金属化層７４はガラス層７２に取り付けられる。検出プレート７０と金属化層７４との取り付けを支援するために、ガラス層７２は電導性分子がドープされる。ガラス層７２の露出されるガラス部分７６は、プルーフマス５４の第２エッジ表面５８の方を向く。ＭＥＭＳ装置５０に電力が供給されると、露出されるガラス部分６６、７６は時間とともにゆっくりと電荷を集める。
【００１５】
[0020]図１Ｂに示されるように、金属化層６４、７４は、−ＶＳＢライン８２に接続され、検出プレート６０、７０は、＋ＶＳＢライン８４に接続される。代替的に、金属化層６４、７４を＋ＶＳＢライン８４に接続し、検出プレート６０、７０を−ＶＳＢライン８２に接続することができる。この対称的なＶＡＶ構成により、電位ダイアグラムに示されるように、露出するガラス部分６６、７６は同一の平均電位（ＭＩＤ）を備えることになる。プルーフマス５４の各側部上の露出するガラス部分６６、７６が時間とともに同一の平均電位を達成するので、センサキャパシタンス上のガラス帯電の時間変化の効果が除去され、一方で、所望であれば、プルーフマスが露出するガラス部分と異なる電位を備えることを可能にする。
【００１６】
[0021]図２、３は、本技術を実装することができる一実施形態による容量性ＭＥＭＳ装置１００の概略図である。容量性ＭＥＭＳ装置１００は、全体として、内側表面１１２を備える第１検出プレート１１０、内側表面１２２を備える第２検出プレート１２０、および第１検出プレート１１０と第２検出プレート１２０との間に位置決めされるプルーフマス１３０を含み、プルーフマス１３０は、各内側表面１１２、１２２の方を向く。説明の便宜のため、検出プレート１１０、１２０およびプルーフマス１３０は図３において互いにオフセットして示されているが、実際の設計は図２に示されるように垂直に整合する。
【００１７】
[0022]停止構造１４０の第１セットは、第１検出プレート１１０の内側表面１１２に取り付けられる。停止構造１４０は、内側表面１１２に連結される金属化ガラス部分１４２を含み、また、金属化ガラス部分１４２により検出プレート１１０から離間されるスタンドオフポイント１４４を含む。同様に、停止構造１５０の第２セットは第２検出プレート１２０の内側表面１２２に取り付けられる。停止構造１５０は、内側表面１２２に連結される金属化ガラス部分１５２を含み、また、金属化ガラス部分１５２により検出プレート１２０から離間されるスタンドオフポイント１５４を含む。明確さのために、図３において検出プレート１１０、１２０の各々に１つの停止構造が示されているが、典型的には、図２に示されるように、２つまたはそれ以上の停止構造が各検出プレートの両側に配置される。
【００１８】
[0023]検出プレート１１０、１２０は、検出プレート１１０、１２０の上に露出されるガラス層１６０を備え、停止構造１４０、１５０は、停止構造１４０、１５０の上にガラス層１７０を備える。露出されるガラス層は、停止構造上で異なる位置において電位を変化させるので、本アプローチは、停止構造が電位バランスすることを提供し（すなわち、停止構造１５０はプルーフマス１３０に電位を一致させる）、プルーフマスと異なる電位を備える停止構造の成り行きを緩和する。
【００１９】
[0024]たとえば、ＭＥＭＳ装置１００の動作中、検出プレート１１０は第１電位（たとえば、−Ｖ１）を備え、プルーフマス１３０は第１電位よりも高い第２電位（たとえば、＋Ｖ２）を備え、検出プレート１２０は第２電位よりも高い第３電位（たとえば、Ｖ３）を備える。スタンドオフポイント１４４、１５４は、プルーフマス１３０に一致する電位を備えるように構成され、スタンドオフポイント１４４、１５４が動作中にプルーフマス１３０に接触しても、ＭＥＭＳ装置１００を電気的に破壊しないようにする。
【００２０】
[0025]プルーフマス１３０に向く露出するガラス部分は、金属化ガラス部分１４２およびスタンドオフポイント１４４の間の境界、および、金属化ガラス部分１５２およびスタンドオフポイント１５４の間において生じる。複数の電圧源は、ＭＥＭＳ装置１００に連結することができ、露出されるガラス部分が、ＭＥＭＳ装置１００の動作中にプルーフマス１３０の電位に対して電気的に中性である平均電位を備えるようにする。一実施形態において、第１付与電位は正電位であり、第２付与電位は負電位であり、正電位および負電位は、露出されるガラスが実質的にグラウンドである平均電位になるように、実質的に同一の絶対値である。
【００２１】
[0026]図４および図５Ａ−５Ｂは、他の実施形態によるＭＥＭＳ装置２００の概略的な上面図および下面図である。ＭＥＭＳ装置２００は、第１検出プレート２１０、第２検出プレート２２０、第１検出プレート２１０と第２検出プレート２２０との間に位置決めされるプルーフマス２３０を含む。検出プレート２１０、２２０およびプルーフマス２３０は、説明の便宜のために図４において互いにオフセットして示されているが、これらの構造は、図２におけるＭＥＭＳ装置１００で示されるように、実際の設計において垂直に整合する。図５Ａは、ＭＥＭＳ装置２００の他の構造から離間される第１検出プレート２１０を示し、図５Ｂは、ＭＥＭＳ装置２００の他の構造から離間される第２検出プレート２２０を示す。
【００２２】
[0027]図４、５Ａに示されるように、停止構造２４０の第１セットは、停止構造２４０がプルーフマス２３０の方を向くように、第１検出プレート２１０の内側表面２１２に取り付けられる。各停止構造２４０は、金属化ガラス部分２４２およびスタンドオフポイント２４４を含む。同様に、図４、５Ｂに示されるように、停止構造２５０の第２セットは、停止構造２５０がプルーフマス２３０の方を向くように、第２検出プレートの内側表面２２に取り付けられる。各停止構造２５０は、金属化部分２５２およびスタンドオフポイント２５４を含む。スタンドオフポイント２４４は、ＭＥＭＳ装置２００の動作中に、第１検出プレート２１０がプルーフマス２３０に接触することを防止する。同様に、スタンドオフポイント２５４は、ＭＥＭＳ装置２００の動作中に、第２検出プレート２２０がプルーフマス２３０に接触することを防止する。
【００２３】
[0028]図４は、各検出プレート２１０、２２０の外辺の周りに４つの停止機構を示し、高Ｇ力用途のような必要に応じて１つまたはそれ以上の追加的な停止機構を使用することができることを理解されたい。
【００２４】
[0029]プルーフマス２３０の方を向く露出されるガラス部分は、金属化ガラス部分２４２とスタンドオフポイントと間の境界において、および、金属化ガラス部分２５２とスタンドオフポイント２５４との間の境界において生じる。複数の電圧源をＭＥＭＳ装置２００に連結することができ、露出されるガラス部分が、ＭＥＭＳ装置２００の動作中にプルーフマスの電圧レベルに関して電気的に中性である平均電位を備えるようにする。
【００２５】
実施例
[0030]例１は、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置内の露出されるガラスの帯電を制する方法を含み、本方法は、少なくとも１つの検出プレートおよび少なくとも１つの板外金属化層から離間して位置決めされるプルーフマスを有するＭＥＭＳ装置を提供することを含み、少なくとも１つの電導性ガラス層が検出プレートおよび板外金属化層に連結され、電導性ガラス層は、プルーフマスの近くに少なくとも１つの露出されるガラス部分を含み、本方法はさらに、第１電位を検出プレートに付与し、第２電位を板外金属化層に付与することを含み、予め決定される電位レベルだけ第１電位は第２電位から離間され、露出されるガラス部分が、第１電位と第２電位との間の電位中間に対応する平均電位を備えるようにする。
【００２６】
[0031]例２は、例１の方法において、露出されるガラス部分が、プルーフマスと実質的に同一の電位である平均電位を備えるように、第１電位が第２電位から分離されることを含む。
【００２７】
[0032]例３は、例１の方法において、プルーフマスが第１検出プレートと第２検出プレートとの間に位置決めされ、第１検出プレートが第１電導性ガラス層、および第１電導性ガラス層に取り付けられる第１板外金属化層に取り付けられ、第２検出プレートが、第２電導性ガラス層、および第２電導性ガラス層に取り付けられる板外金属化層に取り付けられる。
【００２８】
[0033]例４は、例３の方法において、第１ガラス層の露出されるガラス部分が、プルーフマスの第１エッジ表面の方を向き、また、第２ガラス層の露出されるガラス部分が、プルーフマスの第２エッジ表面の方を向く。
【００２９】
[0034]例５は、例３または例４の方法において、第１電位が第１検出プレートおよび第２検出プレートに付与され、第２電位が第１板外金属化層および第２板外金属化層に付与され、露出されるガラス部分の各々が第１電位と第２電位との間の電位中間に対応する平均電位を備えるように、第１電位は第２電位から分離される。
【００３０】
[0035]例６は、例３−５の任意の１つの方法において、露出されるガラス部分が、プルーフマスと実質的に同一の平均電位を備える。
[0036]例７は、例１−６の任意の１つの方法において、第１電位が正電位であり、第２電位が負電位である。
【００３１】
[0037]例８は、例１−７の任意の１つにおいて、さらに、検出プレートに連結される複数の停止構造を有する。
[0038]例９は、例１−８の任意の１つにおいて、ＭＥＭＳ装置はジャイロスコープまたは加速度計を有する。
【００３２】
[0039]例１０は、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置を含み、該装置は、プルーフマス、プルーフマスから離間されて位置決めされる第１検出プレート、プルーフマスから離間されて位置決めされる板外金属化層、第１検出プレートおよび第１板外金属化層に連結される第１電導性ガラス層、を有し、前記第１電導性ガラス層は、プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出されるガラス部分を含み、該装置は、第１検出プレートに電気的に接続され、且つ、第１電位レベルを備える第１電位ラインを有し、また、第１板外金属化層に電気的に接続され、且つ、第１電位レベルと異なる第２電位レベルを備える第２電位ラインを有し、露出されるガラス部分は、第１電位レベルと第２電位レベルとの間の電位中間に対応する平均電位を備える。
【００３３】
[0040]例１１は、例１０のＭＥＭＳ装置において、露出されるガラス部分がプルーフマスの電位レベルと実質的に同一となる平均電位を備えるように、第１電位レベルが第２電位レベルから分離される。
【００３４】
[0041]例１２は、例１０−１１のＭＥＭＳ装置において、さらに、第１検出プレートかの反対側でプルーフマスから離間して位置決めされる第２検出プレートを有し、プルーフマスが第１検出プレートと第２検出プレートとの間にあり、さらに、プルーフマスから離間して位置決めされる第２板外金属化層を有し、さらに、第２検出プレートおよび第２板外金属化層に連結される第２電導性ガラス層を有し、第２電導性ガラス層は、プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出するガラス部分を含む。
【００３５】
[0042]例１３は例１０−１２の任意のＭＥＭＳ装置において、第１ガラス層の露出されるガラス部分は、プルーフマスの第１エッジ表面の方を向き、第２ガラス層の露出される部分は、プルーフマスの第２エッジ表面の方を向く。
【００３６】
[0043]例１４は、例１０−１３の任意にＭＥＭＳ装置において、第１電位ラインは、第２検出プレートに電気的に接続され、第２電位ラインは、第２板外金属化層に電気的に接続される。
【００３７】
[0044]例１５は、例１０−１４の任意のＭＥＭＳ装置において、露出するガラス部分の各々が、第１電位レベルと第２電位レベルとの間の電位中間に対応する平均電位を備えるように、第１電位レベルは、第２電位レベルから分離される。
【００３８】
[0045]例１６は、例１０−１５の任意のＭＥＭＳ装置において、さらに、第１検出プレートおよび第２検出プレートに連結される複数の停止構造を有する。
[0046]例１７は、例１０−１６の任意のＭＥＭＳ装置において、ＭＥＭＳ装置がジャイロスコープまたは加速度計を有する。
【００３９】
[0047]例１８は、ＭＥＭＳ装置であって、第１内側表面を備える第１検出プレートと、第２内側表面を備える第２検出プレートと、第１検出プレートと第２検出プレートとの間に配置されるプルーフマスと、を有し、プルーフマスは第１内側表面および第２内側表面の方を向き、ＭＥＭＳ装置はさらに、第１検出プレートの第１内側表面に連結される停止構造の第１セットと、第２検出プレートの第２内側表面に連結される停止構造の第２セットと、第１検出プレートおよび停止構造の第１セットに連結される第１電導性ガラス層と、を有し、第１電導性ガラス層は、プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出されるガラス部分を含み、ＭＥＭＳ装置はさらに、第２検出プレートおよび停止構造の第２セットに連結される第２電導性ガラス層を有し、第２電導性ガラス層は、プルーフマスの付近に少なくとも１つの露出するガラス部分を含み、ＭＥＭＳ装置の動作中に、露出されるガラス部分がプルーフマスの電位レベルに対して電気的に中性である平均電位を備えるように、複数の電位源がＭＥＭＳ装置に連結される。
【００４０】
[0048]例１９は、例１８のＭＥＭＳ装置において、停止構造の各々は、１つまたはそれ以上の金属化ガラス部分、および、金属化ガラス部分により検出プレートから離間される１つまたはそれ以上のスタンドオフポイントを含む。
【００４１】
[0049]例２０は例１８または例１９のＭＥＭＳ装置において、スタンドオフポイントは、プルーフマスの電位レベルに一致する電位レベルを備えるように構成される。
[0050]本発明は、本質的な特徴から逸脱することなく他の形態で実施化することができる。説明された実施形態は、単に説明するためのものであり限定するためのものではないことを理解されたい。それゆえ、本発明は特許請求の範囲およびその均等物により限定されることを意図されている。
【図１Ａ】
2015037828.tif 000003
【図１Ｂ】
2015037828.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
2015037828.tif 000008
【図５Ｂ】
2015037828.tif 000009
【外国語明細書】
2015037828000001.pdf