(57)【要約】【課題】面取り部が一度に割れることを抑制することができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面Ｗａを露出させつつ当該ウェーハをチャックテーブル１１の保持面１１ａで保持する保持ステップと、ウェーハの外周端部に対して、所定厚み以上の切り込み深さに切削ブレード１２ａを切り込ませる切り込みステップと、ウェーハを保持したチャックテーブル１１を回転させつつ切削ブレード１２ａでウェーハの外周端部を切削し、所定厚み以上の切り込み深さで面取り部Ｗｃを除去する面取り部除去ステップと、ウェーハの表面Ｗａに保護部材を配設する保護部材配設ステップと、ウェーハの裏面Ｗｂを研削して当該ウェーハを所定厚みへと薄化する研削ステップと、を備え、面取り部除去ステップにおいて形成される切削溝Ｃｇの深さは、ウェーハの外周全体で不均一である。【選択図】図３
2015050296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、前記デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、前記外周余剰領域の外周端部に面取り部が形成されたウェーハを所定厚みに形成するウェーハの加工方法であって、
前記ウェーハの前記表面を露出させつつ当該ウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
前記保持ステップを実施した後、前記ウェーハの前記外周端部に対して、前記所定厚み以上の切り込み深さに切削ブレードを切り込ませる切り込みステップと、
前記切り込みステップを実施した後、前記ウェーハを保持した前記チャックテーブルを回転させつつ前記切削ブレードで前記ウェーハの前記外周端部を切削し、前記所定厚み以上の深さで前記面取り部を除去する面取り部除去ステップと、
前記面取り部除去ステップを実施した後、前記ウェーハの前記表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
前記保護部材配設ステップを実施した後、前記ウェーハの裏面を研削して当該ウェーハを前記所定厚みへと薄化する研削ステップと、を備え、
前記面取り部除去ステップにおいて形成される切削溝の深さは、前記ウェーハの外周全体で不均一であることを特徴とするウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外周に面取り部を有するウェーハの前記面取り部を切削ブレードで除去するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
外周に面取り部を有する半導体ウェーハの薄化工程において、いわゆるナイフエッジの発生による研削加工時の半導体ウェーハの欠け（チッピング）が問題となる。そこで、半導体ウェーハのデバイスが形成された表面側の面取り部を切削して除去した後、半導体ウェーハのデバイスが形成されていない裏面側を研削して薄化する、エッジトリミングという加工方法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１７３９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような加工方法では、半導体ウェーハの裏面側の研削が進み、表面側が切削されて除去された後に残存する面取り部の厚みが薄くなると、その残存する面取り部が環状の庇状に形成され、その環状の庇状に形成された面取り部が研削されて除去される直前に、その環状の庇状の面取り部が一度に割れてしまい、半導体ウェーハの裏面側に大きいチッピングが形成される虞がある。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、面取り部が一度に割れることを抑制することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、外周余剰領域の外周端部に面取り部が形成されたウェーハを所定厚みに形成するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面を露出させつつ当該ウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、保持ステップを実施した後、ウェーハの外周端部に対して、所定厚み以上の切り込み深さに切削ブレードを切り込ませる切り込みステップと、切り込みステップを実施した後、ウェーハを保持したチャックテーブルを回転させつつ切削ブレードでウェーハの外周端部を切削し、所定厚み以上の切り込み深さで面取り部を除去する面取り部除去ステップと、面取り部除去ステップを実施した後、ウェーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、保護部材配設ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して当該ウェーハを所定厚みへと薄化する研削ステップと、を備え、面取り部除去ステップにおいて形成される切削溝の深さは、ウェーハの外周全体で不均一であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のウェーハの加工方法によれば、面取り部除去ステップにおいて形成される切削溝の深さがウェーハの外周全体で不均一であるため、研削ステップによりウェーハを所定厚みへと薄化する際、ウェーハの裏面の研削に伴って面取り部が不均一に除去される。このため、本発明のウェーハの加工方法によれば、面取り部が一度に割れることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係るウェーハの概略構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保持ステップおよび切り込みステップの説明図である。
【図３】図３は、実施形態に係るウェーハの加工方法の面取り部除去ステップの説明図である。
【図４】図４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保護部材配設ステップおよび研削ステップの説明図である。
【図５】図５は、研削ステップにおいてウェーハを所定厚みの手前まで薄化した状態を示す説明図である。
【図６】図６は、研削ステップにおいてウェーハを所定厚みへと薄化した状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１０】
〔実施形態〕
図１は、実施形態に係るウェーハの概略構成例を示す斜視図である。図２は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保持ステップおよび切り込みステップの説明図である。図３は、実施形態に係るウェーハの加工方法の面取り部除去ステップの説明図である。図４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保護部材配設ステップおよび研削ステップの説明図である。図５は、研削ステップにおいてウェーハを所定厚みの手前まで薄化した状態を示す説明図である。図６は、研削ステップにおいてウェーハを所定厚みへと薄化した状態を示す説明図である。
【００１１】
本実施形態は、ウェーハの加工方法に関する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、図１に示すように、面取り部Ｗｃが形成されたウェーハＷを所定厚みｔ（図６参照）に形成する加工方法である。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、保持ステップ、切り込みステップ、面取り部除去ステップ、保護部材配設ステップおよび研削ステップを含む。
【００１２】
ここで、加工対象としてのウェーハＷは、本実施形態において、一例として、その直径が３００ｍｍ程度、厚みが７００〜８００μｍ程度の円盤状のシリコンで構成されている。ウェーハＷは、図１に示すように、複数の分割予定ラインＳが表面Ｗａに格子状に設定され、複数の分割予定ラインＳで囲まれた矩形状領域にＩＣ（Integrated  Circuit）やＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等の複数のデバイスＤが表面Ｗａに形成されている。ウェーハＷは、複数のデバイスＤが形成されたデバイス領域Ａｄと、このデバイス領域Ａｄを囲繞する外周余剰領域Ａｐと、を有する。外周余剰領域Ａｐには、その外周端部に面取り部Ｗｃが形成されている。面取り部Ｗｃは、図２に示すように、表面Ｗａから裏面Ｗｂにかけて円弧状に形成されている。
【００１３】
（保持ステップ）
保持ステップは、図２に示すように、ウェーハＷをチャックテーブル１１に保持させるステップである。保持ステップは、切削装置１０により実施される。
【００１４】
ここで、切削装置１０は、チャックテーブル１１と、切削手段１２と、図示しない移動手段と、を含んで構成されている。
【００１５】
チャックテーブル１１は、円盤状に形成され、上面が水平方向と平行に形成されている。チャックテーブル１１は、上面と面一となる保持面１１ａを有している。保持面１１ａは、ポーラスセラミック等で構成され、図示しない真空吸引源と接続されている。
【００１６】
切削手段１２は、切削ブレード１２ａと、スピンドル１２ｂと、を備えている。切削ブレード１２ａは、後述する所定切り込み幅ｋ（図２参照）よりも幅の広いリング状の切削砥石である。スピンドル１２ｂは、図示しない回転駆動手段により、回転自在に支持されている。スピンドル１２ｂは、その一端に着脱可能に切削ブレード１２ａを固定する。
【００１７】
移動手段は、チャックテーブル１１をＸ軸方向（切削送り方向に相当）に移動可能であり、切削手段１２をＹ軸方向（割り出し送り方向に相当）およびＺ軸方向（切り込み送り方向に相当）に移動可能である。また、移動手段は、チャックテーブル１１をその中心軸周りに回転可能である。なお、本実施形態において、Ｘ軸方向は、鉛直方向およびスピンドル１２ｂの回転軸線のそれぞれと直交する方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向および鉛直方向と直交する方向であり、スピンドル１２ｂの回転軸線と平行する方向である。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のそれぞれと直交する方向であり、鉛直方向である。
【００１８】
このように構成された切削装置１０において、図示しない搬送手段により、ウェーハＷを収容する図示しないカセット等からウェーハＷが搬出され、チャックテーブル１１の保持面１１ａとウェーハＷの裏面Ｗｂとが対面した状態で、チャックテーブル１１上にウェーハＷが載置される。次に、切削装置１０において、図示しない真空吸引源により、チャックテーブル１１の保持面１１ａにウェーハＷが吸引保持される。これにより、ウェーハＷは、表面Ｗａが露出した状態で、チャックテーブル１１の保持面１１ａに保持される。
【００１９】
図２に示すように、切削装置１０により、チャックテーブル１１の保持面１１ａにウェーハＷが吸引保持されると、保持ステップは終了する。
【００２０】
（切り込みステップ）
切り込みステップは、図２に示すように、上記保持ステップの実施後に、ウェーハＷの外周端部に切削ブレード１２ａを切り込ませるステップである。切り込みステップは、切削装置１０により実施される。
【００２１】
切削装置１０において、上記保持ステップの実施後に、チャックテーブル１１の側方に、移動手段により切削ブレード１２ａが移動されて位置付けられる。次に、切削装置１０において、図示しない切削水供給ノズルから切削水が供給され、チャックテーブル１１に保持されたウェーハＷに対して所定切り込み幅ｋ（図２参照）となる位置に、移動手段により切削ブレード１２ａがＹ軸方向に移動される。次に、切削装置１０において、露出された表面Ｗａから鉛直方向下側の深さが所定厚みｔ（図６参照）以上の切り込み深さｄ１となる位置に、移動手段により切削ブレード１２ａがＺ軸方向に移動される。次に、切削装置１０において、移動手段によりチャックテーブル１１がＸ軸方向に移動され、ウェーハＷの外周端部に切削ブレード１２ａが切り込まれる（いわゆるトラバースカット）。これにより、ウェーハＷの面取り部Ｗｃは、図２に示すように、切り込み深さｄ１かつ所定切り込み幅ｋで切削される。
【００２２】
図２に示すように、切削装置１０により、ウェーハＷの外周端部に対して所定切り込み幅ｋかつ切り込み深さｄ１で切削ブレード１２ａが切り込まれると、切り込みステップは終了する。
【００２３】
なお、本実施形態において、所定厚みｔは、デバイスＤが形成されたウェーハＷの表面Ｗａを基準とする厚みであり、研削ステップによりウェーハＷを薄化した時の目標厚みである。所定厚みｔは、５０μｍ程度である。切り込み深さｄ１は、ウェーハＷの表面Ｗａを基準に面取り部Ｗｃに対して切削ブレード１２ａがＺ軸方向下側に切り込む深さであり、研削ステップにより後述する切削溝Ｃｇが研削されて除去される深さである。つまり、切り込み深さｄ１は、所定厚みｔよりも大きい値である。切り込み深さｄ１は、１００μｍ程度である。所定切り込み幅ｋは、図２に示すように、面取り部ＷｃのエッジＥを基点とするＹ軸方向の切り込み幅である。所定切り込み幅ｋは、例えば、最大で３ｍｍ程度である。
【００２４】
（面取り部除去ステップ）
面取り部除去ステップは、上記切り込みステップの実施後に、所定厚みｔ以上の深さで面取り部Ｗｃを不均一に除去するステップである。面取り部除去ステップは、切削装置１０により実施される。
【００２５】
切削装置１０において、上記切り込みステップの実施後に、図示しない移動手段により、チャックテーブル１１が回転されるとともに切削ブレード１２ａがＺ軸方向下側に切り込み送りされる。ここで、切削ブレード１２ａは、チャックテーブル１１が上記切り込みステップの実施後から一回転した時、所定厚みｔ以上の切り込み深さｄ２に位置付けられるように、Ｚ軸方向下側に徐々に切り込み送りされる。本実施形態においては、面取り部Ｗｃを不均一に除去する一例として、切削ブレード１２ａは、図２および図３に示すように、外周端部の周方向に設定される切削溝予定ラインＣｗに沿って切り込み送りされる。なお、切削溝予定ラインＣｗは、切削ブレード１２ａにかかる切削負荷の変動を抑えるため、チャックテーブル１１が一回転する間に、切り込み深さｄ１から切り込み深さｄ２へ切削ブレード１２ａを一定速度で切り込み送りさせるように設定される。
【００２６】
なお、本実施形態において、切り込み深さｄ２は、ウェーハＷの表面Ｗａを基準に面取り部Ｗｃに対して切削ブレード１２ａがＺ軸方向下側に切り込む深さであり、所定厚みｔ以上となる深さである。切り込み深さｄ２は、上記切り込みステップでの切り込み深さｄ１よりも大きい。すなわち、切り込み深さｄ２は、所定厚みｔよりも大きい値である。切り込み深さｄ２は、外周端部の面取り部Ｗｃの切り残しが３００μｍ程度あれば搬送時の外周端部の欠けを抑制できることから、１５０〜５００μｍ程度である。
【００２７】
次に、切削装置１０において、チャックテーブル１１が上記切り込みステップの実施後から一回転され、切削ブレード１２ａが切り込み深さｄ２まで切り込み送りされる。これにより、図３に示すように、外周端部が周方向に不均一に切削され、面取り部Ｗｃも周方向に不均一に切削されて除去される。また、外周端部の周方向に切削溝Ｃｇが不均一な形状、すなわち本実施形態においては螺旋状に形成される。
【００２８】
次に、切削装置１０において、チャックテーブル１１の回転が停止され、移動手段により切削ブレード１２ａがウェーハＷから離され、切削水供給ノズルからの切削水の供給が停止される。次に、切削装置１０において、真空吸引源による吸引が停止された後、搬送手段により、図示しない洗浄・乾燥手段へウェーハＷが搬送される。次に、切削装置１０において、洗浄および乾燥されたウェーハＷが搬送手段によりカセットに収納される。
【００２９】
切り込み深さｄ１から切り込み深さｄ２、すなわち所定厚みｔ以上の深さで面取り部Ｗｃが除去されると、面取り部除去ステップは終了する。
【００３０】
（保護部材配設ステップ）
保護部材配設ステップは、上記面取り部除去ステップの実施後に、表面Ｗａに保護部材Ｐを配設するステップである。保護部材配設ステップは、例えば、作業員等のオペレータにより実施される。
【００３１】
ここで、保護部材Ｐは、例えば、ガラス等の剛性を有する板状物であり、サブストレート（支持基板）である。保護部材Ｐは、ウェーハＷの表面Ｗａとほぼ同じ大きさの形状に形成されている。保護部材Ｐは、図４に示すように、接着材Ｈを介してウェーハＷの表面Ｗａに配設される。接着材Ｈは、例えば、加熱することで溶融する熱軟化性樹脂（ホットメルトワックス）等である。
【００３２】
オペレータにより、カセットからウェーハＷが取り出された後、図示しないホットプレートに保護部材Ｐが載置され、保護部材Ｐ上の接着材Ｈが溶融される。次に、オペレータにより、接着材Ｈが溶融した後、ウェーハＷの表面Ｗａと保護部材Ｐ上の接着材Ｈとを対面させた状態で、ウェーハＷが保護部材Ｐに載置される。次に、オペレータにより、ウェーハＷが載置された保護部材Ｐがホットプレートから取り外され、接着材Ｈが冷却されるまで、ウェーハＷと保護部材Ｐとがプレスされる。これにより、接着材Ｈが硬化し、ウェーハＷの表面Ｗａに保護部材Ｐが貼着されて配設される。次に、オペレータにより、ウェーハＷがカセットに収納される。
【００３３】
ウェーハＷの表面Ｗａに保護部材Ｐが配設されると、保護部材配設ステップは終了する。
【００３４】
（研削ステップ）
研削ステップは、上記保護部材配設ステップの実施後に、ウェーハＷを所定厚みｔへと薄化するステップである。研削ステップは、図４に示すように、研削装置２０により実施される。
【００３５】
ここで、研削装置２０は、チャックテーブル２１と、研削手段２２と、を含んで構成されている。
【００３６】
チャックテーブル２１は、切削装置１０のチャックテーブル１１と同様に、円盤状に形成されており、保持面２１ａを有している。保持面２１ａは、ポーラスセラミック等で構成され、図示しない真空吸引源と接続されている。
【００３７】
研削手段２２は、スピンドル２２ａと、マウンタ２２ｂと、基台部２２ｃと、研削砥石２２ｄと、を備えている。スピンドル２２ａは、図示しない回転駆動手段により回転自在に支持されている。マウンタ２２ｂは、スピンドル２２ａに基台部２２ｃを着脱可能に取り付ける。基台部２２ｃの下面には、研削砥石２２ｄが配設されている。研削手段２２は、図示しない研削水供給ノズルから研削水を供給しながら、研削砥石２２ｄとチャックテーブル２１とを同方向に回転させつつウェーハＷの裏面Ｗｂに研削砥石２２ｄを接触させて、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削する。
【００３８】
このように構成された研削装置２０において、上記保護部材配設ステップの実施後に、図示しない搬送手段により、切削溝Ｃｇが形成されたウェーハＷがカセットから搬出され、チャックテーブル２１の保持面２１ａとウェーハＷの表面Ｗａとが対面した状態で、保護部材Ｐを介してチャックテーブル２１にウェーハＷが載置される。次に、研削装置２０において、図示しない真空吸引源により、チャックテーブル２１の保持面２１ａにウェーハＷの表面Ｗａ側が吸引保持される。
【００３９】
次に、研削装置２０において、図示しない研削水供給ノズルから研削水が供給され、図４に示すように、研削手段２２のスピンドル２２ａとチャックテーブル２１とが同方向に回転され、ウェーハＷの裏面Ｗｂに研削砥石２２ｄが接触されて、図５に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂが研削される。これにより、図５に示すように、螺旋状に形成された切削溝Ｃｇが順次研削されて除去され、外周端部の面取り部Ｗｃの切り残しが順次除去される。
【００４０】
次に、研削装置２０において、図示しない公知の接触式厚さ測定ゲージによりウェーハＷの厚みが測定され、図６に示すように、測定されたウェーハＷの厚みが所定厚みｔへと薄化されると、研削手段２２による研削が停止される。これにより、切削溝Ｃｇが研削されて除去され、外周端部の面取り部Ｗｃの切り残しが除去される。つまり、ウェーハＷは、面取り部Ｗｃが除去され、所定厚みｔとなる。
【００４１】
次に、研削装置２０において、真空吸引源による吸引が停止された後、搬送手段により、図示しない洗浄・乾燥手段にウェーハＷが搬送される。次に、研削装置２０において、洗浄および乾燥されたウェーハＷが搬送手段により、洗浄・乾燥手段からカセットに収納される。
【００４２】
図６に示すように、ウェーハＷが所定厚みｔへと薄化されると、研削ステップは終了する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷの表面Ｗａから所定厚みｔ以上の深さの切り込み深さｄ１で面取り部Ｗｃを切り込んだ後、外周端部の周方向に面取り部Ｗｃを切り込み深さｄ２まで不均一な形状、すなわち螺旋状に切削し、螺旋状の切削溝Ｃｇを形成する。また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、螺旋状の切削溝Ｃｇが形成されたウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して所定厚みｔへと薄化する。すなわち、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷの表面Ｗａから所定厚みｔ以上の深さで、面取り部Ｗｃに螺旋状の切削溝Ｃｇを形成した後、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して所定厚みｔへと薄化するので、ウェーハＷの裏面Ｗｂの研削に伴って、螺旋状の切削溝Ｃｇが形成された面取り部Ｗｃが徐々に研削されて除去される。このため、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して所定厚みｔへと薄化する際、面取り部Ｗｃが一度に割れることを抑制することができる。
【００４４】
また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、面取り部Ｗｃが一度に割れることを抑制することができるので、研削後（研削ステップの実施後）、面取り部Ｗｃが一度に割れることを要因としたウェーハＷの裏面Ｗｂに大きなチッピングが形成されることを抑制することができる。
【００４５】
また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して所定厚みｔへと薄化する際、面取り部Ｗｃが徐々に研削されて除去されるので、面取り部Ｗｃが割れたとしても、その割れる範囲を小さくすることができ、その割れにより生じる欠片を小さくすることができる。面取り部Ｗｃの割れが大きい場合にはその欠片も大きくなり、研削ステップにおいて研削水等で欠片が流される際に、ウェーハＷや研削砥石２２ｄと欠片とが衝突してウェーハＷに傷付ける虞があり、研削水等を排水するための流路中に大きい欠片が引っ掛かる等して残留する虞があるが、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、これらの虞を軽減することができる。
【００４６】
なお、上記の実施形態において、保持ステップ、切り込みステップおよび面取り部除去ステップが切削装置１０により実施され、保護部材配設ステップがオペレータにより実施され、研削ステップが研削装置２０により実施されているが、全てのステップを１つの装置で実施するようにしてもよい。この場合、ウェーハＷに対する加工効率を向上させることができる。
【００４７】
また、上記の実施形態において、ウェーハＷは、シリコンで構成されていたが、特に限定されず、例えば、半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、無機材料基板や延性材料等、板状に形成された公知の各種加工材料であってもよい。これにより、各種の加工材料に対しても、裏面Ｗｂを研削して所定厚みｔへと薄化する際に、面取り部Ｗｃが一度に割れることを抑制できる。
【００４８】
また、上記切り込みステップにおいて、ウェーハＷの面取り部Ｗｃに対して、ウェーハＷの側方からＸ軸方向に切削ブレード１２ａを切り込ませるトラバースカットであったが、ウェーハＷの上方から厚み方向（Ｚ軸方向）に切削ブレード１２ａを切り込ませる、いわゆるチョッパーカットであってもよい。これにより、トラバースカットであってもチョッパーカットであってもウェーハＷの表面Ｗａから外周端部に切削ブレード１２ａを切り込ませることができる。
【００４９】
また、上記面取り部除去ステップにおいて、切削溝Ｃｇは、切り込み深さｄ１から切り込み深さｄ２へと不均一に切削されて螺旋状に形成されているが、周方向に間隔をおいて切り込み深さｄ１と切り込み深さｄ２とを複数回繰り返して不均一に切削して形成してもよく、切り込み深さｄ１から切り込み深さｄ２へと深くなった後、切り込み深さｄ１へと浅くなるように不均一に切削して形成してもよい。つまり、切削溝Ｃｇの深さは、ウェーハＷの外周全体で不均一であればよい。これにより、研削ステップにおいて、面取り部Ｗｃが一度に割れることを抑制し、割れたとしてもその範囲を抑えることができる。
【００５０】
また、上記切り込みステップおよび上記面取り部除去ステップにおいて、各切り込み深さｄ１、ｄ２は、切削ブレード１２ａへの切削負荷、切削ブレード１２ａの摩耗に伴うドレッシング、研削ステップでの面取り部Ｗｃの割れや欠けの大きさ等に応じて設定してもよい。これにより、切削ブレード１２ａのメンテナンス回数や交換回数を抑えつつ、研削ステップにおいてウェーハＷの面取り部Ｗｃが一度に割れることを抑制できる。
【００５１】
また、上記保護部材配設ステップにおいて、保護部材Ｐは、ガラス等の剛性を有するサブストレートであったが、ＢＧテープ等の粘着テープであってもよい。また、環状フレームの開口に粘着テープを介してウェーハＷを保持させ、フレーム搬送すれば、ウェーハＷの取り扱い性が向上する。
【００５２】
また、上記研削ステップにおいて、研削手段２２のスピンドル２２ａとチャックテーブル２１とが同方向に回転されていたが、逆方向であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１１  チャックテーブル
１１ａ  保持面
Ｐ  保護部材
Ｗ  ウェーハ
Ｗａ  表面
Ｗｂ  裏面
Ｗｃ  面取り部
Ｄ  デバイス
Ａｄ  デバイス領域
Ａｐ  外周余剰領域
Ｃｇ  切削溝
ｔ  所定厚み
ｄ１  切り込み深さ
ｄ２  切り込み深さ
【図１】
2015050296.tif 000003
【図２】
2015050296.tif 000004
【図３】
2015050296.tif 000005
【図４】
2015050296.tif 000006
【図５】
2015050296.tif 000007
【図６】
2015050296.tif 000008