(57)【要約】【課題】表示領域全面で表示不良の発生を抑えることが可能な表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】第１基板の表示領域に設けられ、前記第１基板上に第１電極、発光層および第２電極をこの順に有する複数の発光素子と、前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板に設けられ、前記表示領域から前記表示領域を囲む周辺領域に至るまで延在する補助配線と、前記補助配線と前記発光素子の第２電極とを電気的に接続する第１ピラーと、前記補助配線と前記第１基板の周辺領域に設けられた周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーとを備えた表示装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の表示領域に設けられ、前記第１基板上に第１電極、発光層および第２電極をこの順に有する複数の発光素子と、
前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板に設けられ、前記表示領域から前記表示領域を囲む周辺領域に至るまで延在する補助配線と、
前記補助配線と前記発光素子の第２電極とを電気的に接続する第１ピラーと、
前記補助配線と前記第１基板の周辺領域に設けられた周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーと
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記第２ピラーの高さは前記第１ピラーの高さと同じである
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極は前記複数の発光素子に共通して設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
隣り合う前記発光素子の間に隔壁を有し、
前記隔壁上に延在した前記第２電極と前記補助配線との間に前記第１ピラーが設けられている
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１基板の周辺領域には、前記隔壁と同じ厚みの絶縁膜が設けられている
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記周辺電極は、
前記第１電極の厚みと同じ厚みの第１コンタクト電極と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第２電極の厚みと同じ厚みを有する第２コンタクト電極とを含み、
前記第２コンタクト電極は、前記絶縁膜に設けられた接続孔で前記第１コンタクト電極に接している
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１コンタクト電極は、前記絶縁膜の複数の接続孔で前記第２コンタクト電極に接している
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記周辺電極は共通電源供給線に電気的に接続されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１ピラーおよび前記第２ピラーはそれぞれ複数設けられ、
前記周辺領域での前記第２ピラーの分布密度は前記表示領域での前記第１ピラーの分布密度よりも高い
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２ピラーの太さは前記第１ピラーの太さよりも大きい
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２ピラーの周囲には充填樹脂層が設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１ピラーおよび前記第２ピラーは弾性を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１ピラーおよび第２ピラーは、樹脂材料を含む成形部材と前記成形部材を覆う導電膜とを有している
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１ピラーおよび第２ピラーは同じ材料により構成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
第１基板の表示領域に設けられ、前記第１基板上に第１電極、発光層および第２電極をこの順に有する複数の発光素子と、
前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板に設けられ、前記表示領域から前記表示領域を囲む周辺領域に至るまで延在する補助配線と、
前記補助配線と前記発光素子の第２電極とを電気的に接続する第１ピラーと、
前記補助配線と前記第１基板の周辺領域に設けられた周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーとを含む
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、有機発光素子等の発光素子を有する表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機層を含む自発光型の有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、例えば液晶ディスプレイなどに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。
【０００３】
これまで有機発光素子については、共振器構造を導入し、発光色の色純度を向上させたり発光効率を高めたりするなど発光層で発生する光を制御することにより、表示性能を向上させる試みがなされている。有機発光素子は、例えば第１基板の上に、駆動トランジスタなどを含む駆動回路を介して第１電極と有機層と第２電極とが順に積層された構造を採用している。上面発光型（トップエミッション方式）の有機発光素子では、第２電極を透明導電材料により構成し、第１電極と第２電極との間で有機層からの光を多重反射させ、第１基板と反対側の第２基板（上面）から光を取り出すようになっている。第２電極として用いる透明導電材料は、一般に、金属材料よりも高い抵抗値を有するものである。したがって、より大型の有機発光表示装置では、表示部において端部領域から中央領域に向かうほど電圧降下の影響により表示性能が低下してしまう場合がある。第２電極の膜厚を厚くすると、抵抗値が下がり、表示面内での電圧降下が緩和されるものの、第２電極の可視光透過率が低下し、発光素子の光取出し効率を低下させてしまうことになる。
【０００４】
このような問題を解決するため、第２基板に補助配線を形成し、補助配線と有機発光素子の第２電極とを電気的に接続することにより、第２電極の電圧降下を緩和する手法が提案されている（例えば特許文献１参照）。補助配線は、例えば第１基板に設けられた配線を介して共通電源供給線に電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４１８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、補助配線を設けても表示領域内の第２電極に均等に電圧を印加することができず、表示不良が生じる虞がある。
【０００７】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、表示領域全面で表示不良の発生を抑えることが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術の表示装置は、第１基板の表示領域に設けられ、第１基板上に第１電極、発光層および第２電極をこの順に有する複数の発光素子と、発光素子を間にして第１基板に対向する第２基板に設けられ、表示領域から表示領域を囲む周辺領域に至るまで延在する補助配線と、補助配線と発光素子の第２電極とを電気的に接続する第１ピラーと、補助配線と第１基板の周辺領域に設けられた周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーとを備えたものである。
【０００９】
本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【００１０】
本技術の表示装置または電子機器では、発光素子の第２電極に電気的に接続された第１ピラーとは別に、補助配線と周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーが設けられているので、表示領域内の全ての発光素子の第２電極に均等に電圧が印加され易くなる。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の表示装置および電子機器によれば、第１ピラーに加えて、補助配線と周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーを設けるようにしたので、表示領域全面で表示不良の発生を抑えることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の平面構成を表す図である。
【図３】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図４】図３に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図５】図１に示した素子パネルと封止パネルとの間の封止材の構成を表す平面図である。
【図６】図１に示した第２コンタクト電極の構成を表す平面図である。
【図７Ａ】図１に示した表示装置の素子パネルの製造工程を表す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８】図１に示した表示装置の封止パネルの製造工程を表す断面図である。
【図９Ａ】図７Ｃに示した素子パネルと図８に示した封止パネルとの貼り合わせ工程を表す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１０】変形例に係る表示装置の周辺領域の構成を表す断面図である。
【図１１】図１に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１２Ａ】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１２Ｂ】適用例１の外観を表す他の斜視図である。
【図１３】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１５Ａ】適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１５Ｂ】適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１７】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図１８Ａ】適用例７の閉じた状態を表す図である。
【図１８Ｂ】適用例７の開いた状態を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（表示装置）
２．変形例（周辺領域のピラーの太さが表示領域のピラーの太さよりも大きい例）
３．適用例
【００１４】
＜実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本技術の一実施の形態としての有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の要部断面構成、図２は表示装置１の平面構成をそれぞれ表したものである。表示装置１は、素子パネル１０と封止パネル２０とを有し、封止パネル２０を透過した光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の表示装置である。表示装置１は大型の表示装置であり、例えば３２インチ以上のサイズを有している。
【００１５】
素子パネル１０は、素子基板１１（第１基板）の表示領域１１０Ａ上に、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒ、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇ、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂおよび白色の光を発生する有機発光素子１０Ｗが設けられたものである（図２）。この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗは、例えば素子基板１１上に第１電極１４、有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８をこの順に有している（図１）。図１には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇの構成を示したが、有機発光素子１０Ｂ，１０Ｗもこれと略同じ構成を有している。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗと素子基板１１との間にはＴＦＴ１２および平坦化層１３が設けられている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗは、封止パネル２０との間に設けられた充填樹脂層１９に覆われている。封止パネル２０は、素子基板１１と対向する封止基板２１（第２基板）を有しており、その封止基板２１の素子基板１１との対向面に、遮光層２２、カラーフィルタ２３、オーバーコート層２４、および補助配線２５がこの順に設けられたものである。
【００１６】
表示装置１の表示領域１１０Ａでは、素子パネル１０と封止パネル２０との間にピラー２６（第１ピラー）が設けられており、このピラー２６を介して封止パネル２０における補助配線２５と、素子パネル１０における第２電極１８とが電気的に接続されている。
【００１７】
図３は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１の中央部に設けられた表示領域１１０Ａには、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗがマトリクス状に二次元配置されている。例えばこの有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ各々がサブピクセルに相当し、この４色のサブピクセルにより１のピクセルが構成される。表示領域１１０Ａを囲む周辺領域１１０Ｂには、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。
【００１８】
表示領域１１０Ａには、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗと共に、それらを駆動するための画素駆動回路１５０が形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗは、信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点にそれぞれ設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００１９】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに供給する。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどを含む。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗへの映像信号の書き込みに際し、行単位でそれらを走査し各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給する。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給される。
【００２０】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどを含む。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、各々の両端から、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述するトランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００２１】
図４に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗとを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗは、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間においてトランジスタＴｒ１と直列に接続されている。トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２は、逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）であってもスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。
【００２２】
トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２３】
トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗと接続されている。
【００２４】
保持容量Ｃｓは、トランジスタＴｒ１のゲート電極（トランジスタＴｒ２のソース電極）と、トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。
【００２５】
[表示装置１の要部構成]
次に、再び図１および図２を参照して、素子パネル１０および封止パネル２０の詳細な構成について説明する。
【００２６】
素子基板１１は、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。素子基板１１は、その一主面に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗが配列形成される支持体である。素子基板１１の構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて素子基板１１を構成してもよい。素子基板１１には、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では封止基板２１から光が取り出されるため、素子基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板２１には素子基板１１と同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により素子基板１１を構成してもよい。
【００２７】
ＴＦＴ１２は、例えば、上記トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のいずれかに対応するトランジスタであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの能動素子として機能するものである。ＴＦＴ１２は例えば、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を有している。例えば、このＴＦＴ１２のソース電極およびドレイン電極は、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１２Ａを介して配線１２Ｂに電気的に接続されている。ＴＦＴ１２が例えばトランジスタＴｒ２であるとき、配線１２Ｂは信号線１２０Ａに接続され、ＴＦＴ１２が例えばトランジスタＴｒ１であるとき、配線１２Ｂは平坦化層１３の接続孔１３Ａを介して有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ（の第１電極１４）に接続される。層間絶縁膜１２Ａには、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機材料を用いることができる。例えばＢＰＳＧ（Boro-phosphosilicate glass）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（Spin on glass）、低融点ガラスおよびガラスペースト等のＳｉＯ2系材料を層間絶縁膜１２Ａに用いるようにしてもよい。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム―銅（Ｃｕ）合金等により構成されている。
【００２８】
平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された素子基板１１の表面を平坦化するためのものであり、配線１２Ｂと第１電極１４とを接続するための微細な接続孔１３Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。吸水率の低い材料を平坦化層１３に用いると、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの水分による劣化を防ぐことができる。平坦化層１３には、例えば、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。平坦化層１３に、青色光またはＵＶ光を遮光する機能を加えることで、ＴＦＴ１２の劣化を抑制できる。
【００２９】
隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの間には隔壁１５が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの配列は特に限定されず、例えばストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列あるいはレクタングル配列などが採用される。
【００３０】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ各々の第１電極１４は、平坦化層１３上に互いに離間して配置されている。第１電極１４は例えばアノード電極としての機能および反射層としての機能を兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が０．１μｍ以上１μｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１４は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。銀に０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３重量％〜１重量％の銅とを含有させたＡｇ―Ｐｄ―Ｃｕ合金あるいはＡｌ―ネオジム（Ｎｄ）合金を第１電極１４に用いるようにしてもよい。第１電極１４には仕事関数の高い材料を用いることが好ましいが、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の仕事関数の小さい金属であっても、適切な有機層１６（特に、後述の正孔注入層）を選択することにより、第１電極１４として用いることが可能となる。
【００３１】
第１電極１４の表面（第２電極１８との対向面）から側面は、隔壁１５で覆われている。この隔壁１５の開口１５Ｈが有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの発光領域となる。隔壁１５は、この発光領域を正確に所望の形状に制御すると共に、第１電極１４と第２電極１８との間の絶縁性を確保する役割を担っている。隔壁１５には例えば、ポリイミド等の有機材料または酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料を用いることができる。隔壁１５の厚みは例えば５０ｎｍ〜２５００ｎｍである。
【００３２】
有機層１６は、例えば、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通して設けられ、第１電極１４側から、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層（いずれも図示せず）をこの順に有している。正孔輸送層，発光層および電子輸送層により有機層１６を構成するようにしてもよく、このとき、発光層が電子輸送層を兼ねるようにしてもよい。このような一連の積層構造（いわゆるタンデムユニット）が接続層を介して複数重なることで有機層１６が構成されてもよい。例えば、赤色、緑色、青色および白色の色毎にタンデムユニットを有し、これらを積層して有機層１６を構成するようにしてもよい。
【００３３】
正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層は、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。
【００３４】
【化１】
2015069844.tif 000003
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
【００３５】
【化２】
2015069844.tif 000004
【００３６】
正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。
【００３７】
発光層は例えば白色発光用の発光層であり、第１電極１４と第２電極１８との間に例えば赤色発光層、緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）の積層体を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１８から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生させるものである。
【００３８】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３９】
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００４０】
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００４１】
電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。電子注入層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等により構成されている。
【００４２】
高抵抗層１７は、第１電極１４と第２電極１８との間の短絡の発生を防止するためのものであり、全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通して設けられている。高抵抗層１７は、第１電極１４および第２電極１８よりも電気抵抗が高く、電荷の輸送機能あるいは電荷の注入機能を備えている。第１電極１４上に意図せずパーティクル（異物）や突起物が付着し、その状態で有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを形成した場合、第１電極１４と第２電極１８との接触による短絡が生じるおそれがある。高抵抗層１７により、このような第１電極１４と第２電極１８との接触を防ぐことができる。
【００４３】
高抵抗層１７は、例えば、電気抵抗率が１×１０6Ω・ｍ以上１×１０8Ω・ｍ以下の材料により構成されていることが好ましい。この範囲内であれば、十分に短絡の発生を防止し、かつ、駆動電圧を低く抑えることができるためである。高抵抗層１７は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化モリブデン（ＭｏＯ2，ＭｏＯ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），酸化ハフニウム（ＨｆＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と酸化錫（ＳｎＯ2）との混合物または酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のうちから少なくとも１つを混合した混合物により構成されている。これらの材料を適宜組み合わせて高抵抗層１７を構成するようにしてもよい。有機層１６および第２電極１８の屈折率に近い値、例えば屈折率１．７以上の高抵抗層１７を用いることが好ましく、１．９以上であることがより好ましい。これにより、有機層１６の発光層の外部量子効率が向上する。高抵抗層１７の厚みは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００４４】
第２電極１８は、有機層１６を間にして第１電極１４と対をなし、例えば電子注入層の上に全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通して設けられている。第２電極１８は例えばカソード電極としての機能および光透過層としての機能を兼ね備えたものであり、導電性が高く、かつ、光透過率も高い材料により構成されていることが望ましい。したがって、第２電極１８は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極１８の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。詳細は後述するが、表示装置１には補助電極２５が設けられているので、第２電極１８を薄膜化することが可能であり、第２電極１８の厚みは、例えば１０〜５００ｎｍ程度である。第２電極１８および高抵抗層１７は、有機層１６への水分の浸入を防ぐ機能も有している。
【００４５】
素子パネル１０と封止パネル２０との間の充填樹脂層１９は、有機層１６への水分の侵入を防ぐと共に、表示装置１の機械的強度を高めるためのものであり、第２電極１８を覆うように設けられている。この充填樹脂層１９の光透過率は８０％程度、厚みは３μｍ〜２０μｍ、中でも５μｍ〜１５μｍであることが好ましい。充填樹脂層１９の厚みが２０μｍよりも大きいと、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗとカラーフィルタ２３との間の距離が長くなり、素子基板１１に対して斜め方向の輝度が正面方向の輝度に比べて低くなる虞がある。また、混色が発生して色度が低下することにより、視野角が狭くなる虞もある。一方、充填樹脂層１９の厚みが３μｍよりも小さいと、素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせる際に異物を挟み込んでしまった場合に、この異物が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに接触しやすい。異物により有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに圧力がかかり、画素抜けなどの滅点が生じる虞がある。
【００４６】
図５に示したように、表示装置１の周縁には封止材３９が設けられている。この封止材３９は、素子パネル１０と封止パネル２０との間に充填樹脂層１９を囲むように設けられ、素子パネル１０と封止パネル２０とを接着している。封止材３９は、外部から表示領域１１０Ａへの水分の侵入を防ぐ役割も担っている。
【００４７】
封止パネル２０の遮光層２２は、いわゆるブラックマトリクス（ＢＭ）である。この遮光層２２は、表示領域１１０Ａでは有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの配置に合わせて、例えばマトリクス状にパターニングされており、周辺領域１１０Ｂでは全面に設けられている。遮光層２２は、例えばカーボンブラックにより構成される。遮光性と導電性を兼ねた材料、クロムおよびグラファイト等を遮光層２２に用いるようにしてもよい。あるいは、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより遮光層２２を構成するようにしてもよい。この薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物または金属酸化物等の薄膜を１層以上積層することにより、薄膜の干渉を生じさせて光を減衰させるものである。このような薄膜フィルタとしては、例えば、封止基板２１側から、窒化シリコン（ＳｉＮ）６５ｎｍ、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの、あるいは、封止基板２１側から、酸化モリブデン（ＭｏＯx）４５ｎｍ、モリブデン１０ｎｍ、酸化モリブデン４０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの等を挙げることができる。
【００４８】
カラーフィルタ２３は、例えば、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタおよび白色フィルタを含み、これらが遮光層２２および有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗのパターン毎に配色されている。遮光層２２に重なる位置にカラーフィルタ２３が設けられていてもよい。赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタおよび白色フィルタは、例えば顔料または染料を混入した樹脂により構成されている。この顔料または染料の種類を適宜選択することにより、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタおよび白色フィルタではそれぞれ、赤色、緑色、青色または白色それぞれの波長域の光透過率が高くなるように調整されている。赤色、緑色、青色および白色の目的とする波長域以外では、カラーフィルタ２３の光透過率は低くなっている。カラーフィルタ２３の厚みは例えば、１〜４μｍである。カラーフィルタ２３は、封止基板２１のどちらの面（素子基板１１との対向面あるいはその反対側の面）に設けられてもよいが、素子基板１１との対向面に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２３が表面に露出せず、充填樹脂層１９や補助配線２５により保護することができるからである。また、有機層１６とカラーフィルタ２３との間の距離が狭くなることにより、有機層１６から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。
【００４９】
カラーフィルタ２３の表面（素子基板１１との対向面）はオーバーコート層２４に覆われている。オーバーコート層２４は、カラーフィルタ２３表面の平坦性を高め、保護するためのコーティング剤であり、例えば樹脂等の有機材料やＳｉＯ，ＳｉＮあるいはＩＴＯなどの無機材料により構成されている。
【００５０】
補助配線２５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの第２電極１８と後述の配線３２とを電気的に接続するものである。この補助配線２５は、導電性が高く、かつ、空気中で酸化しにくい材料により構成されていることが好ましい。具体的には、補助配線２５の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）およびコバルト（Ｃｏ）等が挙げられる。アルミニウムは比較的酸化しやすいので、表面をモリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）等で被覆して補助配線２５を構成することが好ましい。このような補助配線２５を設けることにより、所謂ＩＲドロップの発生を抑えることが可能となる。以下、これについて説明する。
【００５１】
トップエミッション型の表示装置では、光透過性の導電膜を第２電極に使用するが、光透過性の導電膜は抵抗率が高いので、給電点から各有機発光素子までの距離に応じた配線抵抗の増加率が大きい。また、第２電極の厚みは薄い方が好ましいので、第２電極の抵抗は更に高くなる。このため、各々の有機発光素子と給電点との距離が長くなると、有機発光素子に印加される実効電圧が著しく降下し、輝度も大きく低下する。第２電極１８と第２電極１８の給電点との間の電流バイパスとして機能する補助配線２５を設けることにより、このようなＩＲドロップの発生を、抑えることができる。
【００５２】
表示領域１１０Ａ内の補助配線２５は、例えば図２に示したように、遮光層２２に重なるようにマトリクス状（格子状）に設けられている。補助配線２５は一方向のみに延在させるようにしてもよい（帯状）。導電性の遮光層２２を用いて、遮光層２２が補助配線２５を兼ねるようにしてもよい。補助配線２５の構成材料、厚みおよび幅等はパネルサイズ等に応じて、第２電極１８の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有するように適宜調整する。補助配線２５はこの表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂに至るまで延在し、周辺領域１１０Ｂで後述の配線３２（図１）に電気的に接続されている。周辺領域１１０Ｂの補助配線２５は、例えば表示領域１１０Ａを囲むように設けられている。周辺領域１１０Ｂでは、パターニングせずに補助配線２５を設けるようにしてもよい。
【００５３】
ピラー２６は、第２電極１８への給電点となるものであり、第２電極１８と補助配線２５とを電気的に接続している。このピラー２６は、例えば、テーパ状の成形部材２６Ａと成形部材２６Ａを覆う光透過性の導電膜２６Ｂとを含んでおり、導電膜２６Ｂが成形部材２６Ａの先端部で第２電極１８に、基端部で補助配線２５にそれぞれ接している。成形部材２６Ａは、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの間の領域（非発光領域）に配置されている。換言すれば、隔壁１５上に延在した第２電極１８と補助配線２５との間に成形部材２６Ａが設けられている。この成形部材２６Ａは、一のピクセル（４色のサブピクセル）毎に設けるようにしてもよく（図２）、一の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに、一の成形部材２６Ａを設けるようにしてもよい（図示せず）。成形部材２６Ａは例えば感光性樹脂材料により構成されている。成形部材２６Ａを、導電性材料、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂等の樹脂材料に導電性微粒子を混合したものにより構成することにより、導電膜２６Ｂを省略するようにしてもよい。成形部材２６Ａの形状はどのようなものであってもよく、テーパ状のほか、例えば直方体あるいは円柱であってもよい。導電膜２６Ｂは、成形部材２６Ａを覆うと共に補助配線２５に接していればよいが、全てのピラー２６に共通して導電膜２６Ｂを設けるようにしてもよい。導電膜２６Ｂは、例えば、上記第２電極１８と同様に光透過性の高い導電材料により構成されている。
【００５４】
ピラー２６は、封止パネル２０側から例えば、３μｍ〜２０μｍ、好ましくは５μｍ〜１５μｍ程度突出して第２電極１８に接していればよく、このピラー２６の大きさにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を規定することも可能である。弾性を有し、変形可能なピラー２６を用い、素子パネル１０の第２電極１８と封止パネル２０の補助配線２５とを確実に接続させることが好ましい。形成したピラー２６の大きさにばらつきがあると、封止パネル２０を素子パネル１０に貼り合わせていく際に、大きなピラー２６から順に素子パネル１０の第２電極１８に接していくことになる。弾性かつ変形可能なピラー２６は、この大きさのばらつきを吸収することが可能であり、最も小さなピラー２６までも第２電極１８に確実に接触させることができる。また、大きなピラー２６に加わる圧力を吸収して、その損傷も防ぐことができる。ピラー２６に加えて、遮光層２２と補助配線２４との間のカラーフィルタ２３の厚みにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を調整することも可能である。隣接する赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタおよび白色フィルタの互いの端部を重ねることで、この距離を調整するようにしてもよい。
【００５５】
表示装置１の周辺領域１１０Ｂには配線３２が設けられており、この配線３２に、ピラー４６（第２ピラー）、第２コンタクト電極３８および第１コンタクト電極３４を介して補助配線２５が電気的に接続されている。本技術の周辺電極は、第１コンタクト電極３４、第２コンタクト電極３８および配線３２に対応する。配線３２は素子基板１１上に設けられ、この配線３２上に平坦化層１３、第１コンタクト電極３４、絶縁膜３５および第２コンタクト電極３８がこの順に配置されている。
【００５６】
配線３２は、例えば図５に示したように、封止材３９の内側に配置され、素子基板１１の全ての辺にわたって設けられている。この配線３２は、一方が補助配線２５を介して有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの第２電極１８に、他方が例えば、共通電源供給線（ＧＮＤ）にそれぞれ電気的に接続されている。
【００５７】
配線３２上の平坦化層１３は表示領域１１０Ａの平坦化層１３と同一のものであり、その厚みおよび構成材料も同じである。平坦化層１３の接続孔１３Ｂを介して配線３２は第１コンタクト電極３４に接続されている。
【００５８】
第１コンタクト電極３４は、例えば、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの第１電極１４と同じ材料で構成され、その厚みも第１電極１４の厚みと同じである。この第１コンタクト電極３４は、例えば周辺領域１１０Ｂ全面に設けられている（図２）。絶縁膜３５は、例えば、表示領域１１０Ａの隔壁１５と同じ材料、同じ厚みで構成されている。絶縁膜３５は、第１コンタクト電極３４上に複数の接続孔３５Ｈを有しており、この複数の接続孔３５Ｈで第１コンタクト電極３４に第２コンタクト電極３８が接している。接続孔３５Ｈは、隣り合うピラー４６の間に対向する位置に設けられていることが好ましく、例えば、周辺領域１１０Ｂの各々の辺に平行方向に延在している（図２）。周辺領域１１０Ｂの各々の辺に垂直方向に接続孔３５Ｈが延在していてもよい（図示せず）。延在させずに、各々の位置に例えば円形の接続孔３５Ｈを設けるようにしてもよい（図示せず）。
【００５９】
第２コンタクト電極３８は、例えば、図６に示したように、表示領域１１０Ａを囲むように設けられ、絶縁膜３５および絶縁膜３５の接続孔３５Ｈを覆っている。この第２コンタクト電極３８は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの第２電極１８と同じ材料で構成され、その厚みも第２電極１８の厚みと同じである。第２コンタクト電極３８と第２電極１８とが一体化していてもよい。
【００６０】
本実施の形態では、周辺領域１１０Ｂにおける封止パネル２０と素子パネル１０との間に、第２コンタクト電極３８と補助配線２５とを電気的に接続するためのピラー４６（第２ピラー）が設けられている。詳細は後述するが、これにより、表示領域１１０Ａの全面で表示不良を抑えることが可能となる。
【００６１】
ピラー４６は周辺領域１１０Ｂの全ての辺各々に、複数設けられている。周辺領域１１０Ｂでのピラー４６の分布密度は、表示領域１１０Ａでのピラー２６の分布密度よりも高いことが好ましい。配線３２と共にピラー４６は封止材３９の内側に設けられ（図５）、ピラー４６の周囲には充填樹脂層１９が設けられている。このピラー４６は、ピラー２６と同様に、テーパ状の成形部材４６Ａと成形部材４６Ａを覆う導電膜４６Ｂとを有している。導電膜４６Ｂが成形部材４６Ａの先端部で第２コンタクト電極３８に、基端部で補助配線２５にそれぞれ接している。成形部材４６Ａは絶縁膜３５上に配置されている。成形部材４６Ａおよび導電膜４６Ｂは、それぞれ成形部材２６Ａおよび導電膜２６Ｂと同じ材料により構成されていることが好ましく、また、成形部材４６Ａは成形部材２６Ａと同じ高さ（図１のＺ方向）を有していることが好ましい。導電膜４６Ｂの厚み（図１のＺ方向）は導電膜２６Ｂの厚みと同じであることが好ましい。即ち、ピラー４６とピラー２６とは互いに同じ材料により構成され、同じ高さを有していることが好ましい。成形部材４６Ａを導電性材料により構成して導電膜４６Ｂを省略するようにしてもよい。ピラー４６もピラー２６と同様に弾性を有し、変形可能であることが好ましい。成形部材４６Ａの形状はどのようなものであってもよく、テーパ状のほか、例えば直方体あるいは円柱であってもよい。導電膜４６Ｂは、成形部材４６Ａを覆うと共に補助配線２５に接していればよいが、例えば、全てのピラー４６に共通して導電膜４６Ｂを設けるようにしてもよい。一の第１コンタクト電極３４には、第２コンタクト電極３８を介して、例えば複数のピラー４６が電気的に接続されている。絶縁膜３５は、例えば一のピラー４６に対して一の接続孔３５Ｈを有している。
【００６２】
周辺領域１１０Ｂでは、補助配線２５と封止基板２１との間に表示領域１１０Ａから延在するオーバーコート層２４および遮光層２２が設けられている。
【００６３】
[表示装置１の製造方法]
表示装置１は、例えば素子パネル１０および封止パネル２０をそれぞれ形成したのち、これら素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせて製造する。以下、素子パネル１０の形成工程（図７Ａ〜図７Ｃ）と、封止パネル２０の形成工程（図８）と、素子パネル１０および封止パネル２０の貼り合わせ工程（図９Ａ〜図９Ｃ）とを順に説明する。
【００６４】
[素子パネル１０の製造方法]
まず、素子基板１１の表示領域１１０ＡにＴＦＴ１２、層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成すると共に素子基板１１の周辺領域１１０Ｂには配線３２を形成する。次いで、素子基板１１の全面に平坦化層１３を形成する。平坦化層１３は例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法、スパッタリング法および各種印刷法等により形成することができる。平坦化層１３には接続孔１３Ａ，１３Ｂを設けておく。
【００６５】
次いで、平坦化層１３上に導電膜を例えばスパッタ法により成膜したのち、これをフォトリソグラフィ工程によりパターニングし、表示領域１１０Ａに第１電極１４、周辺領域１１０Ｂに第１コンタクト電極３４をそれぞれ形成する。続いて、第１電極１４上および平坦化層１３上に、例えばプラズマＣＶＤ法により例えば窒化シリコン膜を成膜した後、この窒化シリコン膜に開口１５Ｈおよび接続孔３５Ｈを設けて隔壁１５および絶縁膜３５を形成する（図７Ａ）。
【００６６】
続いて、例えば真空蒸着法等の物理的気相成長法（PVD法:Physical Vapor Deposition
）により発光層を含む有機層１６および高抵抗層１７を素子基板１１上の表示領域１１０Ａの全面に形成する（図７Ｂ）。このとき、周辺領域１１０Ｂはマスク等で覆っておく。次いで、周辺領域１１０Ｂのマスク等を除去した後、例えば物理的気相成長法により、表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂにわたる透明導電膜を成膜する。これにより、表示領域１１０Ａの全面に第２電極１８、周辺領域１１０Ｂに第２コンタクト電極３８が形成される（図７Ｃ）。有機層１６、高抵抗層１７および第２電極１８は、スクリーン印刷法およびインクジェット印刷法等の印刷法、レーザ転写法あるいは塗布法等により形成するようにしてもよい。レーザ転写法は、転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層１６との積層構造にレーザを照射し、有機層１６を素子基板１１に転写する方法である。
【００６７】
[封止パネル２０の製造方法]
表示装置１の封止パネル２０は、例えば以下のようにして形成する（図８）。まず、封止基板２１の全面に遮光層２２の構成材料を成膜したのち、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングすることで、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの配置に合わせて開口を複数形成する。次いで、この遮光層２２を設けた封止基板２１上に赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタおよび白色フィルタを順次パターニングしてカラーフィルタ２３を形成する。続いて、封止基板２１の全面にオーバーコート層２４を成膜し、さらにオーバーコート層２４上に導電膜を成膜する。次いで、この導電膜の表示領域１１０Ａを例えばマトリクス状にパターニングして周辺領域１１０Ｂの導電膜に接続する。これにより、補助配線２５が形成される。
【００６８】
補助配線２５を設けた後、ピラー２６およびピラー４６を形成する。具体的には、まず、例えばアクリル樹脂等を、補助配線２５を設けた封止基板２１上の表示領域１１０Ａおよび周辺領域１１０Ｂに塗布した後、フォトリソグラフィ工程を用いてこれを所望の形状に成型して成形部材２６Ａおよび成形部材４６Ａを形成する。この後、成形部材２６Ａおよび成形部材４６Ａを含む封止基板２１の全面に例えばスパッタ法によりＩＴＯからなる導電膜２６Ｂおよび導電膜４６Ｂを成膜することにより、ピラー２６およびピラー４６が形成される。導電膜２６Ｂおよび導電膜４６Ｂは一体化されていてもよい。以上の工程により、封止パネル２０が完成する。
【００６９】
[素子パネル１０と封止パネル２０との貼り合わせ工程]
上記のようにして形成した素子パネル１０と封止パネル２０とは、例えば図９Ａ〜図９Ｃに示したように、ＯＤＦ（One Drop Fill）工程により貼り合わされる。具体的には、真空チャンバ内に一対の上プレート４１Ａおよび下プレート４１Ｂを準備し、上プレート４１Ａにおける下プレート４１Ｂと対向する面に封止パネル２０を、下プレート４１Ｂにける上プレート４１Ａと対向する面に素子パネル１０を、それぞれ固定する。次いで、下プレート４１Ｂ上の素子パネル１０の周縁部を封止材３９で囲み、この封止材３９で囲まれた領域内に、充填樹脂層１９を形成するための樹脂を滴下する（図９Ａ）。続いて、真空チャンバ内で素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせたのち（図９Ｂ）、チャンバ内を窒素（Ｎ2）雰囲気にして、素子パネル１０と封止パネル２０とを押し付ける。この状態で樹脂を硬化させることにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間に充填樹脂層１９を隙間なく設けることができる（図９Ｃ）。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００７０】
[表示装置１の動作]
表示装置１では、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、第１電極１４および第２電極１８を通じて、有機層１６に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層１６に含まれる発光層においてそれぞれ再結合され、発光を生じる。この光は、第２電極１８，カラーフィルタ２３および封止基板２１を透過して外部へ取り出される。このようにして、表示装置１では、例えばＲ，Ｇ，Ｂ，Ｗのフルカラーの映像表示がなされる。また、この映像表示動作の際に容量素子Ｃｓの一端に、映像信号に対応する電位が印加されることにより、容量素子Ｃｓには、映像信号に対応する電荷が蓄積される。
【００７１】
[表示装置１の作用・効果]
表示装置１では、周辺領域１１０Ｂに、補助電極２５と配線３２とを電気的に接続するためのピラー４６が設けられている。このため、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗで発光した後の余剰の電流は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの第２電極１８から、ピラー２６、補助配線２５およびピラー４６を介して、配線３２に流れるようになる。
【００７２】
仮に、周辺領域にピラーがないとすると、表示領域内の周縁に設けられたピラー、即ち有機発光素子に電気的に接続されたピラーを介して、封止パネルの補助配線から素子パネルの配線へと電流が流れる。この場合、表示領域の周縁のピラーに、全ての有機発光素子からの電流が集中するので、このピラーの抵抗が高くなり、補助配線を設けているのにも関わらず、表示領域全面に均一に電圧を印加できなくなる。これにより、表示領域の周縁の有機発光素子では表示不良が発生する虞がある。
【００７３】
これに対し、表示装置１では、周辺領域１１０Ｂに、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに接続されたピラー２６とは別のピラー４６が設けられているので、表示領域１１０Ａ内のピラー２６の抵抗の上昇が抑えられる。従って、表示領域１１０Ａ内の全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに均一に電圧を印加することが可能となり、表示不良の発生を防止することができる。
【００７４】
また、ピラー４６とピラー２６とを同一工程で形成することにより、ピラー４６の高さとピラー２６の高さとが同じになる。従って、ピラー４６以外の周辺領域１１０Ｂの構成も、表示領域１１０Ａの構成と略同じであれば、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間で素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を一定に保ち易くなる。具体的には、表示領域１１０Ａの平坦化層１３、第１電極１４、隔壁１５および第２電極１８それぞれと同じ厚みの平坦化層１３、第１コンタクト電極３４、絶縁膜３５および第２コンタクト電極３８を周辺領域１１０Ｂに設けることにより、周辺領域１１０Ｂの構成を表示領域１１０Ａの構成と略同じにすることができる。このように、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間で素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を一定に保つことにより、ピラー２６と第２電極１８、およびピラー４６と第２コンタクト電極３８の接続不良を防ぎ、高い表示品位を実現すると共に歩留まりを向上させることが可能となる。更に、製造工程数が少なくなり、製造コストを抑えることも可能となる。
【００７５】
例えば、周辺領域で封止パネルの補助配線と素子パネルの配線とを接続するための構造体を、金属ペースト等の材料を用いて形成することも考えられるが、この場合、製造工程数が増え、コストが増大する。また、有機発光素子に金属ペースト等の不純物が付着して、表示不良および歩留まりの低下が生じる虞がある。
【００７６】
更に、弾性のピラー２６およびピラー４６を用いることにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離の調整が容易となり、ピラー２６と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの第２電極１８との接続不良をより確実に防止することが可能となる。
【００７７】
加えて、封止材３９の内側にピラー４６を設け、ピラー４６の周囲を加圧硬化した充填樹脂層１９で囲むことにより、充填樹脂層１９が接着補強材として機能し、ピラー４６と第２コンタクト電極３８との接続不良を防止することが可能となる。
【００７８】
また、更に、周辺領域１１０Ｂでのピラー４６の分布密度を、表示領域１１０Ａでのピラー２６の分布密度よりも高くすることで、表示領域１１０Ａ全体から流れてくる電流を分散させ、補助電極２５と第２コンタクト電極３８との接触抵抗を低減させることが可能となる。
【００７９】
以上のように、表示装置１では、周辺領域１１０Ｂにピラー４６を設けるようにしたので、表示領域１１０Ａ内の全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに均一に電圧を印加することが可能となり、表示不良の発生を抑えることができる。よって、大型化した場合であっても表示品位を向上させることが可能となる。
【００８０】
以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００８１】
＜変形例＞
図１０に示したように、周辺領域１１０Ｂのピラー（ピラー５６）の太さを表示領域１１０Ａのピラー２６（図１）の太さよりも大きくしてもよい。このとき、第２コンタクト電極３８と第１コンタクト電極３４とが接する絶縁膜３５の接続孔３５Ｈは、一のピラー５６に対して複数であってもよく（図１０）、一つであってもよい（図示せず）。
【００８２】
ピラー５６は、ピラー４６（図１）と同様に成形部材５６Ａと導電膜５６Ｂとを有しており、例えば成形部材５６Ａの太さは、表示領域１１０Ａ内のピラー２６の成形部材２６Ａ（図１）の太さの約５倍である。成形部材５６Ａは設計上可能な範囲で太くすることが好ましい。周辺領域１１０Ｂのピラー４６Ａを表示領域１１０Ａのピラー２６よりも太くすることにより、ピラー５６と第２コンタクト電極３８との接触面積が増し、補助電極２５と第２コンタクト電極３８との接触抵抗を低減させることが可能となる。
【００８３】
＜適用例＞
以下、上記のような表示装置１の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００８４】
［モジュール］
上記表示装置１は、例えば図１１に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、素子パネル１０または封止パネル２０の一辺に、封止用基板２１または素子基板１１から露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源線供給回路１４０の配線を延長して外部接続端子（第１周辺電極および第２周辺電極等）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。
【００８５】
［適用例１］
図１２Ａおよび図１２Ｂはそれぞれ、上記実施の形態の表示装置１が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態の表示装置１により構成されている。
【００８６】
［適用例２］
図１３は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００８７】
［適用例３］
図１４は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００８８】
［適用例４］
図１５Ａ，図１５Ｂは、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態の表示装置１により構成されている。
【００８９】
［適用例５］
図１６は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態の表示装置１により構成されている。
【００９０】
［適用例６］
図１７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【００９１】
［適用例７］
図１８Ａ，図１８Ｂは、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態の表示装置１により構成されている。
【００９２】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗが共通の有機層１６を有する場合を例に挙げて説明したが、有機層１６のうちのいずれかの層が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通していてもよく、あるいは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ毎に有機層１６が塗り分けられていてもよい。
【００９３】
また、上記実施の形態等では、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層させて白色光を発生させる場合について説明したが、発光層の構成はどのようなものであってもよく、例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層させるようにしてもよい。
【００９４】
更に、上記実施の形態等では、カラーフィルタ２３として赤色フィルタ，緑色フィルタ，青色フィルタ，白色フィルタを設けて、赤色、緑色、青色および白色のサブピクセルを配置する場合について説明したが、白色に代えて黄色のサブピクセルを設けるようにしてもよい。あるいは、赤色、緑色および青色のサブピクセルにより１のピクセルを構成するようにしてもよい。
【００９５】
更にまた、上記実施の形態等では、高抵抗層１７を設ける場合について説明したが、これらの高抵抗層およびオーバーコート層の一方または双方を省略してもよい。
【００９６】
加えてまた、上記実施の形態等では、第１コンタクト電極３８および第２コンタクト電極を介してピラー４６と配線３２とを電気的に接続する場合について説明したが、第１コンタクト電極および第２コンタクト電極の一方または双方を省略してもよい。
【００９７】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【００９８】
また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）第１基板の表示領域に設けられ、前記第１基板上に第１電極、発光層および第２電極をこの順に有する複数の発光素子と、前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板に設けられ、前記表示領域から前記表示領域を囲む周辺領域に至るまで延在する補助配線と、前記補助配線と前記発光素子の第２電極とを電気的に接続する第１ピラーと、
前記補助配線と前記第１基板の周辺領域に設けられた周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーとを備えた表示装置。
（２）前記第２ピラーの高さは前記第１ピラーの高さと同じである前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第２電極は前記複数の発光素子に共通して設けられている前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）隣り合う前記発光素子の間に隔壁を有し、前記隔壁上に延在した前記第２電極と前記補助配線との間に前記第１ピラーが設けられている前記（３）に記載の表示装置。
（５）前記第１基板の周辺領域には、前記隔壁と同じ厚みの絶縁膜が設けられている前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記周辺電極は、前記第１電極の厚みと同じ厚みの第１コンタクト電極と、前記絶縁膜上に設けられ、前記第２電極の厚みと同じ厚みを有する第２コンタクト電極とを含み、前記第２コンタクト電極は、前記絶縁膜に設けられた接続孔で前記第１コンタクト電極に接している前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記第１コンタクト電極は、前記絶縁膜の複数の接続孔で前記第２コンタクト電極に接している前記（６）に記載の表示装置。
（８）前記周辺電極は共通電源供給線に電気的に接続されている前記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記第１ピラーおよび前記第２ピラーはそれぞれ複数設けられ、前記周辺領域での前記第２ピラーの分布密度は前記表示領域での前記第１ピラーの分布密度よりも高い前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記第２ピラーの太さは前記第１ピラーの太さよりも大きい前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）前記第２ピラーの周囲には充填樹脂層が設けられている前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）前記第１ピラーおよび前記第２ピラーは弾性を有する前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記第１ピラーおよび第２ピラーは、樹脂材料を含む成形部材と前記成形部材を覆う導電膜とを有している前記（１）乃至（１２）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記第１ピラーおよび第２ピラーは同じ材料により構成されている前記（１）乃至（１３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）表示装置を備え、前記表示装置は、第１基板の表示領域に設けられ、前記第１基板上に第１電極、発光層および第２電極をこの順に有する複数の発光素子と、前記発光素子を間にして前記第１基板に対向する第２基板に設けられ、前記表示領域から前記表示領域を囲む周辺領域に至るまで延在する補助配線と、前記補助配線と前記発光素子の第２電極とを電気的に接続する第１ピラーと、前記補助配線と前記第１基板の周辺領域に設けられた周辺電極とを電気的に接続する第２ピラーとを含む電子機器。
【符号の説明】
【００９９】
１…表示装置、１０…素子パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ…有機発光素子、１１…素子基板、１２…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ…配線、１３…平坦化層、１４…第１電極、１５…隔壁、１６…有機層、１７…高抵抗層、１８…第２電極、１９…充填樹脂層、２０…封止パネル、２１…封止基板、２２…遮光層、２３…カラーフィルタ、２４…オーバーコート層、２５…補助配線、２６，４６…ピラー、２６Ａ，４６Ａ…成形体、２６Ｂ，４６Ｂ…導電膜、３２…配線、３４…第１コンタクト電極、３５…絶縁膜、３８…第２コンタクト電極、１３Ａ，１３Ｂ，１５Ｈ，３５Ｈ…接続孔、１１０Ａ…表示領域、１１０Ｂ…周辺領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…電源供給線駆動回路、１５０…画素駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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