(57)【要約】    【課題】  電子部品を内蔵し反りの小さいプリント配線板を提供する。    【解決手段】  ＩＣチップ９０を埋設する第１樹脂絶縁層３０は、該第１樹脂絶縁層上に形成される第２樹脂絶縁層５０Ａ、第３樹脂絶縁層５０Ｂ、第４樹脂絶縁層５０Ｃよりも熱膨張係数が高い。第１樹脂絶縁層は、熱膨張係数が高いため、高温時に第１樹脂絶縁層の外縁側が下がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の小さな第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層での外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板の反りを小さくすることができる。更に、第１絶縁層の副面側で、電子部品の背面に導体膜を備えるため、導体面積の少ない第１絶縁層の副面側と、第２絶縁層上、第３絶縁層上、第４絶縁層上との導体面積の差が小さくなり、導体面積差による反りを低減できる。【選択図】  図１
2015028986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と該主面の反対側の副面とを備える第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に内蔵される電子部品と
ビアを備え前記第１絶縁層の主面上の第２絶縁層と、
ビアを備え前記第２絶縁層上の第３絶縁層と、
前記電子部品の背面であって、前記第１絶縁層の副面側に設けられた導体膜とを備えるプリント配線板であって、
前記第１絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層の熱膨張係数よりも高い。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記導体膜の面積は、前記電子部品の背面の面積よりも広い。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１絶縁層の熱膨張係数は、前記第３絶縁層の熱膨張係数よりも高い。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、
前記第１絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層の熱膨張係数の１．５〜３倍である。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記電子部品と前記導体膜との間に、接着剤が配置されている。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、
前記接着剤は導電性接着剤もしくは、絶縁性接着剤である。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１絶縁層は、前記副面側に前記導体膜収容用の第１凹部と、外部接続パッド収容用の第２凹部とを備え、
前記導体膜の表面は、前記副面よりも凹んだ位置にある。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１絶縁層は、前記副面側に前記導体膜収容用の第１凹部と、外部接続パッド収容用の第２凹部とを備え、
前記導体膜の表面は、前記副面と同一面上にある。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１絶縁層は、前記副面側に前記導体膜収容用の第１凹部と、外部接続パッド収容用の第２凹部とを備え、
前記導体膜の表面は、前記副面よりも出た位置にある。
【請求項１０】
請求項７のプリント配線板であって、
前記導体膜は、表面処理された銅層から成る。
【請求項１１】
請求項７のプリント配線板であって、
前記導体膜は、銅−ニッケル−金層から成る。
【請求項１２】
請求項７のプリント配線板であって、
前記導体膜の表面と外部接続パッドの表面は同一位置である。
【請求項１３】
請求項８又は請求項９のプリント配線板であって、
前記導体膜は、銅−ニッケル−銅層から成り、表面側の銅層には表面処理が施されている。
【請求項１４】
請求項８又は請求項９のプリント配線板であって、
前記導体膜は、銅−ニッケル−金-銅層から成り、表面側の銅層には表面処理が施されている。
【請求項１５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記導体膜はグランド層である。
【請求項１６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１絶縁層の厚みは、前記第２絶縁層、前記第３絶縁層よりも厚い。
【請求項１７】
請求項１６のプリント配線板であって、
前記第１絶縁層の厚みは、５０〜２５０μｍである。
【請求項１８】
請求項１のプリント配線板であって、
前記電子部品は、厚み３０〜２００μｍである。
【請求項１９】
請求項１のプリント配線板であって、
前記電子部品は、再配線層を備える半導体素子である。
【請求項２０】
請求項５のプリント配線板であって、
前記電子部品は電力素子である。
【請求項２１】
請求項１のプリント配線板であって、
ビアを備え前記第１絶縁層の副面上の第４絶縁層と、
ビアを備え前記第４絶縁層上の第５絶縁層と、を備える。
【請求項２２】
プリント配線板の製造方法であって：
銅箔を備える支持板を用意することと；
前記支持板の銅箔上に銅層を介在させ、導体膜、外部接続パッドを形成することと；
前記導体膜上に電極を備える半導体素子を、該半導体素子の背面が支持板と対向するように接着剤を介して搭載することと；
前記支持板上に主面と該主面とは反対側の副面とを有する第１絶縁層を該第１絶縁層の副面が前記支持板に向くように形成することと；
前記第１絶縁層に前記電極に至る第１ビア導体を形成することと；
前記第１絶縁層の上に第２ビア導体を有する第２絶縁層を形成することと；
前記第２絶縁層の上に第３ビア導体を有する第３絶縁層を形成することと；
前記支持板を剥離することと；
前記銅箔及び該銅箔上の前記銅層を除去し、導体膜、外部接続パッドを露出させることとから成る。
【請求項２３】
請求項２２のプリント配線板の製造方法であって、
前記導体膜、外部接続パッドが、銅−ニッケル−金層から成り、前記金層が前記銅層の除去により露出される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を内蔵しているプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、薄型化のためコア基板を用いず、電子部品を絶縁層に埋め込むことを開示している。該特許文献１は、支持板上に電子部品を搭載することと、支持板上で電子部品を絶縁層に埋め込むことと、支持板を除去することとを含む半導体装置の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１９１２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
樹脂絶縁層に電子部品を埋め込むと、シリコンからなり剛性の高い電子部品の外縁部の樹脂絶縁層に反りが生じ易く、常温時にプリント配線板の外縁部が下がる形状に、高温時にプリント配線板の外縁部が上がる形状に反り、該プリント配線板上に電子部品又は第２のプリント配線板の実装する際の接続信頼性が低下すると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、電子部品を内蔵し反りの小さいプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、主面と該主面の反対側の副面とを備える第１絶縁層と、前記第１絶縁層に内蔵される電子部品と、ビアを備え前記第１絶縁層の主面上の第２絶縁層と、ビアを備え前記第２絶縁層上の第３絶縁層と、前記電子部品の背面であって、前記第１絶縁層の副面側に設けられた導体膜とを備えるプリント配線板であって、前記第１絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層の熱膨張係数よりも高いことを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のプリント配線板は、電子部品を埋設する第１絶縁層の熱膨張係数は、該第１絶縁層上に形成される第２絶縁層の熱膨張係数よりも高い。第１絶縁層は、熱膨張係数が高いため、高温時に第１絶縁層の外縁側が下がる方向への反りが生じ、第２絶縁層での外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、常温時に第１絶縁層の外縁側が上がる方向への反りが生じ、第２絶縁層での外縁部が下がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板の反りを小さくすることができる。更に、第１絶縁層の副面側で、電子部品の背面に導体膜を備えるため、導体面積の少ない第１絶縁層の副面側と、第２絶縁層上、第３絶縁層上との導体面積の差が小さくなり、導体面積差による反りを低減できる。これにより、プリント配線板上への電子部品、第２プリント配線板の実装の信頼性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図２】図１のプリント配線板の応用例
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図８】ＩＣチップを載置した導体膜の平面図
【図９】電子部品の厚みと導体膜の厚みとによる反り量の変化を示す図表
【図１０】第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図
【図１１】第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図
【図１２】第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の断面図
【図１３】第１実施形態の第４改変例に係るプリント配線板の断面図
【図１４】第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の製造工程図
【図１５】第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の製造工程図
【図１６】本発明の本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図１７】第２実施形態のプリント配線板の応用例
【図１８】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図１９】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１、図２を参照して本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が以下に説明されている。
図１は第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面を示している。図２は、第１実施形態のプリント配線板の用途を示している。図２では、図１のプリント配線板のパッド７１ＦＰに半田バンプ７６が形成されている。
【００１０】
図１に示されるようにプリント配線板１０は、再配線層を備えるＩＣチップ９０を収容し、主面（Ｆ）と該主面の反対側の副面（Ｓ）を備える最外層の第１樹脂絶縁層３０と、該第１樹脂絶縁層３０の副面側のパッド５１ＳＰと、該第１樹脂絶縁層の主面（Ｆ）上の第１導体層３４と、第１樹脂絶縁層３０の主面上の第２樹脂絶縁層５０Ａと、第２樹脂絶縁層５０Ａ上の第２導体層５８Ａと、第２樹脂絶縁層５０Ａ及び第２導体層５８Ａ上の第３樹脂絶縁層５０Ｂと、第３樹脂絶縁層５０Ｂ上の第３導体層５８Ｂと、第３樹脂絶縁層５０Ｂ及び第３導体層５８Ｂ上の最外層の第４樹脂絶縁層５０Ｃと、最外層の第４樹脂絶縁層５０Ｃ上の最外層の第４導体層５８Ｃとを有する。ＩＣチップ９０の背面には、接着剤２４を介して導体膜２２Ｄが形成されている。接着剤の代わりに銀ペースト等からなるダイアタッチペースト或いはダイアタッチフィルム、或いは、導電性接着剤を用いても良い。パッド５１ＳＰは、第１樹脂絶縁層３０の副面から凹んだ位置に形成されている。パッド５１ＳＰと第１導体層３４とは、第１樹脂絶縁層を貫通するビア導体３６を介して接続されている。ＩＣチップの電極９２と第１導体層３４とは接続ビア導体３６Ａを介して接続されている。第１導体層３４と第２導体層５８Ａとは、第２樹脂絶縁層を貫通するビア導体６０Ａを介して接続されている。第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとは第３樹脂絶縁層５０Ｂを貫通するビア導体６０Ｂを介して接続されている。第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃとは、第４樹脂絶縁層５０Ｃを貫通するビア導体６０Ｃを介して接続されている。第４樹脂絶縁層５０Ｃ上にはソルダーレジスト層７０が形成されている。ソルダーレジスト層７０には、パッド７１ＦＰを露出する開口７１が形成され、パッド７１ＦＰには、ニッケル膜７２、金膜７４が形成され、金膜７４上に半田バンプ７６が形成されている（図２参照）。
【００１１】
第１実施形態のプリント配線板では、第１樹脂絶縁層３０が厚さｔ１：５０μｍに形成され、第２樹脂絶縁層５０Ａが厚さｔ２：３０μｍに形成され、第３樹脂絶縁層５０Ｂが厚さｔ３：３０μｍに形成され、第４樹脂絶縁層５０Ｃが厚さｔ４：３０μｍに形成され、ソルダーレジスト層７０が厚さｔ５：２０μｍに形成されている。ＩＣチップを埋設する第１樹脂絶縁層の厚みが最も厚く形成されており、厚みは５０〜２５０μｍ程度が好ましい。第２樹脂絶縁層５０Ａと第３樹脂絶縁層５０Ｂと第４樹脂絶縁層５０Ｃとは同一の組成であり、ＣＴＥ（熱膨張係数）は大体１０〜２０ppmである。第１樹脂絶縁層３０は、第２樹脂絶縁層５０Ａと第３樹脂絶縁層５０Ｂと第４樹脂絶縁層５０Ｃとは同一の樹脂成分から成るが無機フィラー量によりＣＴＥが調整され、大体３０〜４０ppmと第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層、第４樹脂絶縁層の１．５〜３倍程度に調整されている。ソルダーレジスト層のＣＴＥは、第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層、第４樹脂絶縁層との中間値になるように調整されている。第１、第２、第３樹脂絶縁層は樹脂中に水酸化物等からなる無機粒子が含有されてなる。樹脂としてエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。水酸化物からなる無機粒子として水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。第１、第２、第３、第４樹脂絶縁層は、芯材を備えない。但し、第２、第３、第４樹脂絶縁層は、芯材（補強材）を備えることもできる。その補強材として例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスはＴガラスであることが好ましい。
【００１２】
第１実施形態のプリント配線板で、ＩＣチップ９０を埋設する第１樹脂絶縁層３０は、該第１樹脂絶縁層上に形成される第２樹脂絶縁層５０Ａ、第３樹脂絶縁層５０Ｂ、第４樹脂絶縁層５０Ｃよりも熱膨張係数が高い。第１樹脂絶縁層は、熱膨張係数が高いため、高温時に第１樹脂絶縁層の外縁側が下がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層での外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、常温時に第１樹脂絶縁層の外縁側が上がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層での外縁部が下がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板の反りを小さくすることができる。これにより、プリント配線板上へのＩＣチップ、第１プリント配線板の実装の信頼性を高めることが可能となる。
【００１３】
第１実施形態のプリント配線板では、第１樹脂絶縁層３０の副面側で、ＩＣチップ９０の背面に導体膜２２Ｄを備えるため、導体面積の少ない第１樹脂絶縁層の副面側と、第２樹脂絶縁層上、第３樹脂絶縁層上、第４樹脂絶縁層上との導体面積の差が小さくなり、導体面積差による反りを低減できる。これにより、プリント配線板上への電子部品、第２プリント配線板の実装の信頼性を高めることが可能となる。
【００１４】
図８は、ＩＣチップ９０を載置する導体膜２２Ｄの平面図である。導体膜２２Ｄの面積は、ＩＣチップ９０の背面の面積よりも大きいことが望ましい。導体膜２２Ｄの面積を増やすことで、導体面積の少ない第１樹脂絶縁層の副面側と、第２樹脂絶縁層上、第３樹脂絶縁層上、第４樹脂絶縁層上との導体面積の差を小さくできる。
【００１５】
図９は、電子部品の厚みと導体膜２２Ｄの厚みとによる反り量の変化を示す図表である。図中で、上側が常温（２５℃）での電子部品の厚み１５０μｍ（黒三角）、１２５μｍ（黒四角）、１００μｍ（黒菱形）の反り量を、下側が高温（２６０℃）での反り量を示す。導体膜２２Ｄの無い場合（厚み０μｍ）と比べて、１５μｍの導体膜を設けることで、反り量を減らしており、更に、３０μｍの導体膜を設けることで、反り量を更に小さくしている。ここで、電子部品は、厚み３０〜２００μｍ程度であることが望ましく、導体膜２２Ｄの厚みは５〜４０μｍであることが望ましい。
【００１６】
接着剤２４は、厚み３〜２５μｍが好ましい。接着剤２４は、プリント配線板に収容される電子部品が、メモリー等の発熱量が小さいときには、非導電性接着剤が望ましく、電子部品が、電力用のパワーＭＯＳＦＥＴ等の発熱量が多いときには、伝熱性の高いダイアタッチフィルム、或いは、導電性接着剤が望ましい。導体膜２２Ｄをヒートシンクとして用いることができる。なお、導体膜２２Ｄは非導電性接着剤が介在する場合には、電源安定のためグランド層として用いられることが望ましい。
【００１７】
第１実施形態では、第１樹脂絶縁層の凹部５１Ｓにパッド５１ＳＰが設けられているため、半田バンプを形成する際の短絡防止用のソルダーレジスト層が不要である。このため、第１樹脂絶縁層の露出面側に熱膨張係数の低いソルダーレジスト層を設けることが無いため、第１樹脂絶縁層による反り低減の役割をソルダーレジスト層が阻害することが無い。
【００１８】
図３〜図７を参照して第１実施形態のプリント配線板の製造方法が以下に説明されている。
銅箔２３が樹脂基板２０に積層された両面銅張積層板２０Ａと、厚さ３〜２０μｍの銅箔２１が準備される（図３（Ａ））。銅張積層板の銅箔２３に銅箔２１が接着剤又は超音波接続により接合され、銅張積層板の外周と銅箔の外周が所定の幅で接合される。
【００１９】
銅箔２１上に開口を備えるめっきレジスト（図示せず）が形成され、開口内に電解めっきにより銅層２９、金層２８、ニッケル層２６、銅層２２が順次形成され、めっきレジストが剥離される（図３（Ｂ））。
【００２０】
ＩＣチップ搭載部の銅層２２上に接着剤２４を介してＩＣチップ９０が、該ＩＣチップの背面が両面銅張積層板２０Ａ側と対向するように配置される（図３（Ｃ））。
【００２１】
銅箔２１上に層間樹脂絶縁層形成用の樹脂フィルムが積層され、第１樹脂絶縁層３０が形成される（図３（Ｄ））。
【００２２】
レーザにより第１樹脂絶縁層３０に、銅層２２に至る開口３１、ＩＣチップの電極９２に至る開口３１Ａが形成される（図３（Ｅ））。
【００２３】
無電解めっき処理により、第１樹脂絶縁層３０の表面及び開口３１，３１Ａ内に無電解銅めっき膜３８が形成される（図４（Ａ））。
【００２４】
無電解銅めっき膜３８上に所定パターンのめっきレジスト３５が形成される（図４（Ｂ））。
【００２５】
電解めっき処理により、めっきレジスト３５非形成部に電解めっき膜３３が形成される（図４（Ｃ））。この際に、開口３１内が電解めっき膜で充填されビア導体３６が形成され、開口３１Ａ内が電解めっき膜で充填され接続ビア導体３６Ａが形成される。
【００２６】
めっきレジストが剥離され、電解めっき膜非形成部の無電解銅めっき膜３８が除去され、無電解めっき膜３８と電解めっき膜３３とから成る第１導体層３４が形成される（図５（Ａ））。
【００２７】
第１樹脂絶縁層３０上に、図３（Ｄ）〜図５（Ａ）を参照して上述されたと同様な工程により、第２樹脂絶縁層５０Ａ、及び、第２導体層５８Ａが形成される。第１導体層３４と第２導体層５８Ａはビア導体６０Ａを介して接続される（図５（Ｂ））。
【００２８】
第２樹脂絶縁層５０Ａ上に、図３（Ｄ）〜図５（Ａ）を参照して上述されたと同様な工程により、第３樹脂絶縁層５０Ｂ、及び、第３導体層５８Ｂが形成される。第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂはビア導体６０Ｂを介して接続される。第３樹脂絶縁層５０Ｂ上に、図３（Ｄ）〜図５（Ａ）を参照して上述されたと同様な工程により、第４樹脂絶縁層５０Ｃ、及び、第４導体層５８Ｃが形成される。第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃはビア導体６０Ｃを介して接続される（図６（Ａ））。
【００２９】
第４樹脂絶縁層５０Ｃ上に開口７１を備えるソルダーレジスト層７０が形成される。無電解めっきにより、開口７１内にＮｉ膜７２、Ａｕ膜７４が形成される（図６（Ｂ））。積層基板１０００が完成する。Ｎｉ／Ａｕ膜の代わりに、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ膜、Ｓｎ膜等の金属膜を形成することができる。
【００３０】
積層基板は銅箔２１と両面銅張積層板２０Ａの接合箇所より内側のｋ−ｋで切断され、両面銅張積層板２０Ａが除去される（図７（Ａ））。
【００３１】
積層基板１０００から銅箔２１及び銅層２９が選択的にエッチングにより除去される。エッチング液としてメック社製のＳＦ−５４２０を使用することができる。金層２８が露出され、該金層がパッド５１ＳＰを構成し、ＩＣチップ下の銅層２２、ニッケル層２６、金層２８が導体膜２２Ｄを構成する（図７（Ｂ）、図１）。第１樹脂絶縁層の導体膜形成用の第１凹部５１ＳＳ、パッド形成用の第２凹部５１Ｓは、銅層２９の除去により形成され、該第１凹部５１ＳＳに導体膜２２Ｄが、該第２凹部５１Ｓにパッド５１ＳＰが形成されている。
【００３２】
ソルダーレジスト層７０の開口７１に半田バンプ７６が形成される（図２）。
【００３３】
第１実施形態のプリント配線板において、パッド５１ＳＰは、第１樹脂絶縁層３０の副面Ｓより凹んでいる。このため、隣接するパッド上の半田バンプが短絡し難い。
【００３４】
[第１実施形態の第１改変例]
第１実施形態では、ニッケル層の上に金層を設けたが、第１実施形態の第１改変例では、金層を省き、銅層２９、ニッケル層２６、銅層２２を形成し、銅層２９のエッチング後、ニッケル層２６を選択的にエッチングで除去し、銅層２２を露出させた後、図１０に示すように銅層２２（パッド５１ＳＰ及び導体膜２２Ｄ）上にＯＳＰ（耐熱型水溶性プレフレックス等の有機被膜）２７が形成される。ＯＳＰはめっきによる金属膜よりも簡易に形成できる。
【００３５】
[第１実施形態の第２改変例]
図１１は、第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面を示す。
第１実施形態では、第１凹部５１ＳＳに導体膜２２Ｄが形成され、導体膜２２Ｄの表面が第１樹脂絶縁層３０の副面よりも凹んでいた。これに対して、第１実施形態の第２改変例では、導体膜２２Ｄの表面と第１樹脂絶縁層３０の副面側表面とが同一位置にある。
【００３６】
図１４は、第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の製造方法を示す。図７（Ａ）に示される両面銅張積層板２０Ａの除去後、銅箔２１がエッチングで除去される（図１４（Ａ））。導体膜２２Ｄ上にエッチングレジスト１０２が形成され（図１４（Ｂ））、パッド形成部の銅層２９が除去され、金層２８から成るパッド５１ＳＰが第２凹部５１Ｓ内に形成される。第１実施形態の第２改変例では、導体膜２２Ｄの厚みを厚くすることで、層間の導体層の量を調整することができる。第２改変例では、金層を省き、導体膜２２を銅−ニッケル−銅層で形成し、露出した銅層に表面処理を施すことも可能である。
【００３７】
[第１実施形態の第３改変例]
図１２は、第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の断面を示す。
第１実施形態の第３改変例では、導体膜２２Ｄの表面が第１樹脂絶縁層３０の副面側表面よりも突出している。
【００３８】
図１５は、第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の製造方法を示す。図７（Ａ）に示される両面銅張積層板２０Ａの除去後、銅箔２１上の導体膜２２Ｄの位置にエッチングレジスト１０２が形成され（図１５（Ａ））、エッチングでエッチングレジスト非形成部の銅箔２１、及び、パッド形成部の銅層２９が除去され、金層２８から成るパッド５１ＳＰが第２凹部５１Ｓ内に形成される（図１５（Ｂ））。第２改変例では、金層を省き、導体膜２２を銅−ニッケル−銅層で形成し、露出した銅層に表面処理を施すことも可能である。
【００３９】
[第１実施形態の第４改変例]
図１３は、第１実施形態の第４改変例に係るプリント配線板の断面を示す。
第１実施形態では、第１樹脂絶縁層３０を貫通するビア導体３６はめっき充填により形成された。これに対して、第１実施形態の第４改変例では、第１樹脂絶縁層３０を貫通するビア導体３６Ｂに内部には樹脂３７が充填されている。第１実施形態の第４改変例では、厚みの厚い第１樹脂絶縁層３０を貫通するビア導体３６Ｂのみを樹脂充填とすることで、同層の接続ビア導体３６Ａ、他層のビア導体６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃとの剛性バランスを取ることができ、反りを低減できる。
【００４０】
[第２実施形態]
図１６は、第２実施形態に係るプリント配線板の断面を示している。図１７は、第２実施形態のプリント配線板の用途を示している。図１７では、図１のプリント配線板の半田バンプ７６Ｆ、パッド９６Ｐを介してプリント配線板１０がマザーボード９６に搭載され、また、プリント配線板１０のパッド５１ＳＰに、メモリーチップ９４が半田バンプ７６Ｓ、パッド９４Ｐを介して実装されている。
【００４１】
図１６に示されるようにプリント配線板１０は、再配線層を備えるＩＣチップ９０を収容し、主面（Ｆ）と該主面の反対側の副面（Ｓ）を備える第１樹脂絶縁層３０と、該第１樹脂絶縁層の主面（Ｆ）上の第１導体層３４と、第１樹脂絶縁層３０の主面上の第２樹脂絶縁層５０Ａと、第２樹脂絶縁層５０Ａ上の第２導体層５８Ａと、第２樹脂絶縁層５０Ａ及び第２導体層５８Ａ上の第３樹脂絶縁層５０Ｂと、第３樹脂絶縁層５０Ｂ上の第３導体層５８Ｂと、第３樹脂絶縁層５０Ｂ及び第３導体層５８Ｂ上の最外層の第４樹脂絶縁層５０Ｃと、最外層の第４樹脂絶縁層５０Ｃ上の最外層の第４導体層５８Ｃとを有する。ＩＣチップ９０の背面には、接着剤２４を介して導体膜２２Ｄが形成されている。
【００４２】
プリント配線板は、第１樹脂絶縁層３０の副面側に、第５導体層５８Ｄと、第１樹脂絶縁層３０の副面上の第５樹脂絶縁層５０Ｄと、第５樹脂絶縁層５０Ｄ上の第６導体層５８Ｅと、第５樹脂絶縁層５０Ｄ及び第６導体層５８Ｅ上の第６樹脂絶縁層５０Ｅとを備える。第６樹脂絶縁層５０Ｅには、パッド５１ＳＰを露出する凹部５１Ｓが形成されている。パッド５１ＳＰと第６導体層５８Ｅとは、第６樹脂絶縁層を貫通するビア導体６０Ｅを介して接続されている。第６導体層５８Ｅと第５導体層５８Ｄとは、第５樹脂絶縁層を貫通するビア導体６０Ｄを介して接続されている。第５導体層５８Ｄと第１導体層３４とは、第１樹脂絶縁層を貫通するビア導体３６を介して接続されている。ＩＣチップの電極９２と第１導体層３４とは接続ビア導体３６Ａを介して接続されている。第１導体層３４と第２導体層５８Ａとは、第２樹脂絶縁層を貫通するビア導体６０Ａを介して接続されている。第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとは第３樹脂絶縁層５０Ｂを貫通するビア導体６０Ｂを介して接続されている。第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃとは、第４樹脂絶縁層５０Ｃを貫通するビア導体６０Ｃを介して接続されている。第４樹脂絶縁層５０Ｃ上にはソルダーレジスト層７０が形成されている。ソルダーレジスト層７０には、パッド７１ＦＰを露出する開口７１が形成され、パッド７１ＦＰには、ニッケル膜７２、金膜７４が形成され、金膜７４上に半田バンプ７６Ｆが形成されている（図１７参照）。
【００４３】
第２実施形態では、第２樹脂絶縁層５０Ａ、第３樹脂絶縁層５０Ｂ、第４樹脂絶縁層５０Ｃは同一の組成であり、ＣＴＥ（熱膨張係数）は大体１０〜２０ppmである。第１樹脂絶縁層３０は、第２樹脂絶縁層５０Ａ、第３樹脂絶縁層５０Ｂと第４樹脂絶縁層５０Ｃ、第５樹脂絶縁層５０Ｄ、第６樹脂絶縁層５０Ｅとは同一の樹脂成分から成るが無機フィラー量によりＣＴＥが調整され、大体３０〜４０ppmと、第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層、第４樹脂絶縁層の１．５〜３倍程度に調整されている。ソルダーレジスト層のＣＴＥ及び第５樹脂絶縁層５０Ｄ、第６樹脂絶縁層５０ＥのＣＥＴは、第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層、第４樹脂絶縁層との中間値になるように調整されている。
【００４４】
第２実施形態のプリント配線板で、ＩＣチップ９０を埋設する第１樹脂絶縁層３０は、該第１樹脂絶縁層上に形成される第２樹脂絶縁層５０Ａ、第３樹脂絶縁層５０Ｂ、第４樹脂絶縁層５０Ｃよりも熱膨張係数が高い。第１樹脂絶縁層は、熱膨張係数が高いため、高温時に第１樹脂絶縁層の外縁側が下がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層での外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、常温時に第１樹脂絶縁層の外縁側が上がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第２樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層での外縁部が下がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板の反りを小さくすることができる。これにより、プリント配線板上へのＩＣチップ、第１プリント配線板の実装の信頼性を高めることが可能となる。
【００４５】
第２実施形態のプリント配線板は、ＩＣチップの背面にもビルドアップ層を備える。このため、メモリーなどの接続端子の多い電子部品を実装する構成においても、メモリー側のパッド配置デザインの自由度が高い。また、汎用デザインのメモリーがそのまま使用できるメリットもある。
【００４６】
図１８、図１９は第２実施形態のプリント配線板の製造工程を示す。
銅箔２３が樹脂基板２０に積層された両面銅張積層板２０Ａと、厚さ３〜２０μｍの銅箔２１が準備される（図１８（Ａ））。銅張積層板の銅箔２３に銅箔２１が接着剤又は超音波接続により接合され、銅張積層板の外周と銅箔の外周が所定の幅で接合される。
【００４７】
銅箔２１上に開口を備えるめっきレジスト（図示せず）が形成され、開口内に電解めっきにより銅層２９、金層２８、ニッケル層２６、銅層２２が順次形成され、めっきレジストが剥離される（図１８（Ｂ））。
【００４８】
銅箔２１上に、第１実施形態の図３（Ｄ）〜図５（Ａ）を参照して上述されたと同様な工程により、第６樹脂絶縁層５０Ｅ、及び、第６導体層５８Ｅが形成される。銅層２２と第６導体層５８Ｅはビア導体６０Ｅを介して接続される（図１８（Ｃ））。
【００４９】
第６樹脂絶縁層５０Ｅ上に、図３（Ｄ）〜図５（Ａ）を参照して上述されたと同様な工程により、第５樹脂絶縁層５０Ｄ、及び、第５導体層５８Ｄ、及び、導体膜２２Ｄが形成される。第６導体層５８Ｅと第５導体層５８Ｄはビア導体６０Ａを介して接続される（図１８（Ｄ））。
【００５０】
ＩＣチップ搭載部の導体膜２２Ｄ上に接着剤２４を介してＩＣチップ９０が、該ＩＣチップの背面が導体膜側と対向するように配置される（図１９（Ａ））。
【００５１】
図３（Ｄ）〜図５（Ａ）を参照して上述されたと同様な工程により、第１樹脂絶縁層３０第１導体層３４、ビア導体３６、接続ビア導体３６Ａが形成される。第１樹脂絶縁層３０上に、第２樹脂絶縁層５０Ａ、及び、第２導体層５８Ａが形成される。第１導体層３４と第２導体層５８Ａはビア導体６０Ａを介して接続される。第２樹脂絶縁層５０Ａ上に、第３樹脂絶縁層５０Ｂ、及び、第３導体層５８Ｂが形成される。第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂはビア導体６０Ｂを介して接続される。第３樹脂絶縁層５０Ｂ上に、第４樹脂絶縁層５０Ｃ、及び、第４導体層５８Ｃが形成される。第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃはビア導体６０Ｃを介して接続される。第４樹脂絶縁層５０Ｃ上に開口７１を備えるソルダーレジスト層７０が形成される。無電解めっきにより、開口７１内にＮｉ膜７２、Ａｕ膜７４が形成される（図１９（Ｂ））。積層基板１０００が完成する。以降の工程は第１実施形態と同様であるため説明が省略される。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
上述した実施形態では、ＩＣチップを１個内蔵するプリント配線板を例示したが、電子部品を複数個内蔵することもできる。また、ＩＣチップ等の能動部品の代わりに、チップコンデンサ等の受動部品を内蔵することも可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  プリント配線板
２２Ｄ  導体膜
３０  第１樹脂絶縁層
３４  第１導体層
３６  ビア導体
３６Ａ  接続ビア導体
５０Ａ  第２樹脂絶縁層
５０Ｂ  第３樹脂絶縁層
５８Ａ  第２導体層
５８Ｂ  第３導体層
６０Ａ  ビア導体
６０Ｂ  ビア導体
９０  ＩＣチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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