(57)【要約】【課題】  ＩＣチップをフリップチップ実装した圧電デバイスにおいて、大気中に放置した場合の発振周波数の変化を抑制し得る技術を提供する。【解決手段】  圧電デバイス１０は、水晶振動素子４０と、凹部空間１２を有する素子搭載部材２０と、水晶振動素子４０の発振回路を有するとともに凹部空間１２の底面２２にフリップチップ実装されたＩＣチップ５０と、底面２１とＩＣチップ５０との隙間に充填されたアンダーフィル樹脂６０と、アンダーフィル樹脂６０の表面を覆う防湿膜７０と、を備えている。【選択図】  図１
2015076650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部空間を有する素子搭載部材と、
この素子搭載部材に搭載された圧電素子と、
この圧電素子の発振回路を有するとともに、前記凹部空間の底面にフリップチップ実装されたＩＣチップと、
前記底面と前記ＩＣチップとの隙間に充填されたアンダーフィル樹脂と、
前記アンダーフィル樹脂の表面を覆う防湿膜と、
を備えた圧電デバイス。
【請求項２】
前記防湿膜はフッ素コーティング剤からなる、
請求項１記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記フッ素コーティング剤はフロロサーフである、
請求項２記載の圧電デバイス。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の圧電デバイスを製造する方法であって、
前記凹部空間の底面に前記ＩＣチップをフリップチップ実装する工程と、
前記底面とフリップチップ実装された前記ＩＣチップとの隙間に、アンダーフィル樹脂を充填する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面を防湿膜で覆う工程と、
を含む圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば温度補償型水晶発振器（以下「ＴＣＸＯ（Temperature Compensated Crystal Oscillator）」という。）などの圧電デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップ（以下「ＦＣ（Flip Chip）」という。）とは、回路形成面にバンプを設けたＩＣチップのことをいい、ベアチップのままで実装される。ＦＣ実装は、ＦＣの回路形成面を基板の電極パッドに向けて、すなわちフェイスダウンで、ＦＣをバンプを介して基板に実装する方法である。また、ＦＣ実装されたＩＣチップの回路形成面は配線や半導体回路などが剥き出しになっているので、その回路形成面を保護するために、ＩＣチップと基板との間とにはアンダーフィル樹脂が充填される。
【０００３】
ＦＣ実装は、電子部品の実装密度を高めるためにプリント配線板に用いられことが一般的であるが、圧電デバイスにも用いられる（例えば特許文献１、２）。圧電デバイスでは、ＦＣ実装されたＩＣチップと素子搭載部材との間にアンダーフィル樹脂が充填される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−００６１７１号公報
【特許文献２】特開２０１０−０１１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＩＣチップをＦＣ実装した圧電デバイスを大気中に放置すると、圧電デバイスの発振周波数が変化してしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、ＩＣチップをＦＣ実装した圧電デバイスにおいて、大気中に放置した場合の発振周波数の変化を抑制し得る技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、ＩＣチップをＦＣ実装した圧電デバイスを大気中に放置すると、発振周波数が変化する原因について、実験及び考察を繰り返したところ次の知見を得た。つまり、アンダーフィル樹脂でＩＣチップの回路形成面を保護した圧電デバイスを大気中に放置すると、アンダーフィル樹脂の中に湿気が入り、アンダーフィル樹脂の誘電率が湿気により高くなり、ＩＣチップと素子搭載部材との間の容量成分が大きくなり、その結果、圧電デバイスの発振周波数が変化するのである。換言すると、プリント配線板におけるＦＣ実装で用いられるアンダーフィル樹脂をそのまま圧電デバイスにも用いたため、圧電デバイスに特有の問題が考慮されていないのである。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
【０００８】
すなわち、本発明に係る圧電デバイスは、
凹部空間を有する素子搭載部材と、
この素子搭載部材に搭載された圧電素子と、
この圧電素子の発振回路を有するとともに、前記凹部空間の底面にＦＣ実装されたＩＣチップと、
前記底面と前記ＩＣチップとの隙間に充填されたアンダーフィル樹脂と、
前記アンダーフィル樹脂の表面を覆う防湿膜と、
を備える。
【０００９】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法は、
本発明に係る圧電デバイスを製造する方法であって、
前記凹部空間の底面に前記ＩＣチップをＦＣ実装する工程と、
前記凹部空間の前記底面とＦＣ実装された前記ＩＣチップとの隙間に、アンダーフィル樹脂を充填する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面を防湿膜で覆う工程と、
を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＦＣ実装されたＩＣチップと素子搭載部材との間に充填されたアンダーフィル樹脂の表面を、防湿膜で覆うことにより、アンダーフィル樹脂の中へ湿気が入り込むことを阻止できるので、圧電デバイスを大気中に放置した場合の発振周波数の変化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態１の圧電デバイスを示し、図１［Ａ］は下面図、図１［Ｂ］は図１［Ａ］におけるIb−Ib線断面図である。
【図２】実施形態１の圧電デバイスを示す分解斜視図である。
【図３】図２におけるIII−III線断面図である。
【図４】実施形態１の圧電デバイスを示す回路図である。
【図５】実施形態２の製造方法を示す工程図である。
【図６】実施形態１の圧電デバイスを大気中に放置した場合の発振周波数の変化を示すグラフであり、図６［１］は比較例、図６［２］は実施例である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００１３】
図１は、実施形態１の圧電デバイスを示し、図１［Ａ］は下面図、図１［Ｂ］は図１［Ａ］におけるIb−Ib線断面図である。図２は、実施形態１の圧電デバイスを示す分解斜視図である。図３は、図２におけるIII−III線断面図である。以下、図１を中心に、図２及び図３も適宜参照しつつ説明する。
【００１４】
図１は圧電デバイス１０の完成後の状態を示し、図２は水晶振動素子４０及びＩＣチップ５０を素子搭載部材２０に搭載する前の状態を示し、図３はアンダーフィル樹脂６０及び防湿膜７０を形成する前の状態を示している。図２では、凹部空間１２及びＩＣ用パッド２４を図示していない。まず、圧電デバイス１０の構成を概略的に説明する。
【００１５】
圧電デバイス１０は、凹部空間１２を有する素子搭載部材２０と、素子搭載部材２０に搭載された圧電素子としての水晶振動素子４０と、水晶振動素子４０の発振回路８０（図４）を有するとともに凹部空間１２の底面２２のＩＣ用パッド２４にＦＣ実装されたＩＣチップ５０と、底面２２とＩＣチップ５０との隙間に充填されたアンダーフィル樹脂６０と、アンダーフィル樹脂６０の表面を覆う防湿膜７０と、を基本的に備えている。また、圧電デバイス１０は、凹部空間１１、蓋部材３０などを、更に備えたＴＣＸＯである。
【００１６】
素子搭載部材２０は、ＩＣチップ５０及び水晶振動素子４０を搭載する。蓋部材３０は、素子搭載部材２０上に設けられる。凹部空間１１は、素子搭載部材２０に形成され、水晶振動素子４０を収容する。凹部空間１２は、素子搭載部材２０に形成され、ＩＣチップ５０を収容する。
【００１７】
素子搭載部材２０は、水晶振動素子４０を搭載する底面２１及びＩＣチップ５０を搭載する底面２２を有する基板部２５と、基板部２５の底面２１の周縁に設けられた枠部２６ａと、基板部２５の底面２２の周縁に設けられた枠部２６ｂとからなる。基板部２５と枠部２６ａとによって凹部空間１１が形成され、基板部２５と枠部２６ｂとによって凹部空間１２が形成される。
【００１８】
アンダーフィル樹脂６０は、プリント配線板にＦＣ実装をする際の封止に用いられる液状硬化性樹脂の総称であり、主にエポキシ樹脂を主剤としたコンポジットレジンが主流である。また、エポキシ樹脂は熱膨張及び熱収縮が大きいため、コンポジットレジンとして線膨張係数の小さな二酸化ケイ素のフィラーをアンダーフィルに含有させることが多い。本実施形態１におけるアンダーフィル樹脂６０も、このような一般的なアンダーフィルを用いており、塗布後に一定温度で一定時間加熱して硬化させる。なお、アンダーフィル樹脂６０の表面とは、アンダーフィル樹脂６０の外気に触れる面と言い換えることができる。
【００１９】
防湿膜７０の材料は、好ましくはフッ素コーティング剤であり、より好ましくはフロロサーフ（登録商標）である。フロロサーフとは、特殊なフッ素樹脂を不燃性のフッ素系溶剤や石油系溶剤に溶解し溶液化したものであり、防湿性、防水性、撥水性、絶縁性、耐酸性、耐腐食ガス性などに優れている。例えば、フロロサーフＦＧ−３０３０シリーズの膜厚としては、１〜５０μｍ程度が推奨されている。
【００２０】
次に、圧電デバイス１０の構成について更に詳しく説明する。
【００２１】
圧電デバイス１０は、水晶振動素子４０が素子搭載部材２０に搭載された状態で、素子搭載部材２０と蓋部材３０とがシーム溶接などによって接合されることにより、水晶振動素子４０が凹部空間１１内に気密封止された構造となっている。つまり、枠部２６ａの上端に金属枠（図示せず）を設け、その金属枠と蓋部材３０とに電流を流すことにより、ジュール熱を発生させてこれらを溶接する。
【００２２】
水晶振動素子４０は、表裏関係にある上面４１及び下面４２を有する水晶片４３と、水晶片４３の上面４１から下面４２まで延設された電極４４と、を備えている。水晶片４３は例えばＡＴカット板からなる。電極４４は、互いに絶縁された二つからなり、それぞれ励振電極、引き出し電極、パッド電極などに分けられ、上面４１から側面を跨いで下面４２まで延びている。
【００２３】
素子搭載部材２０における基板部２５及び枠部２６ａ，２６ｂは、例えば複数のグリーンシートが積層及び焼成された積層セラミックス板からなる。枠部２６ａは、基板部２５の底面２１側の周縁に沿って環状に設けられている。枠部２６ｂは、基板部２５の底面２２側の周縁に沿って環状に設けられている。内部配線２８（一部のみ図示）は、例えばグリーンシートに印刷された導体パターンやビアホール導体からなる。凹部空間１１の底面２１には素子用パッド２３が設けられ、凹部空間１２の底面２２にはＩＣ用パッド２４が設けられている。
【００２４】
素子用パッド２３は、水晶振動素子４０の電極４４に対向する位置に設けられ、導電性接合材２７によって電極４４に電気的に接続される。導電性接合材２７は、例えば銀ペーストなどの導電性接着剤であり、硬化前は流動性を有する。枠部２６ｂの四隅の突端面には、それぞれ外部接続端子２９が設けられている。外部接続端子２９には、例えば、周波数制御端子、接地端子、出力端子、電源電圧端子などがある。なお、素子用パッド２３、ＩＣ用パッド２４及び外部接続端子２９は、内部配線２８（一部のみ図示）によって相互にかつ電気的に接続されている。
【００２５】
ＩＣチップ５０は、接続端子であるバンプ５１を有する。バンプ５１は、例えば金やはんだからなり、ＩＣ用パッド２４に電気的に接続される。つまり、バンプ５１とＩＣ用パッド２４とは、同じ数だけ設けられている。
【００２６】
蓋部材３０は、例えばコバール（Kovar）などの金属からなり、矩形形状の平板となっている。また、蓋部材３０は、素子搭載部材２０に電気溶接などにより接合され、凹部空間１１を気密封止する。凹部空間１１は、本実施形態１では素子搭載部材２０側に形成しているが、蓋部材３０側に形成してもよい。
【００２７】
図４は、実施形態１の圧電デバイスを示す回路図である。以下、図４に基づき、ＩＣチップ５０の構成及び圧電デバイス１０の動作について説明する。なお、図４における素子用パッド２３ａ，２３ｂは図１乃至図３における二つの素子用パッド２３のいずれか一方及び他方に相当し、図４におけるＩＣ用パッド２４ａ，２４ｂ，２４ｇは図１及び図３における複数のＩＣ用パッド２４のいずれか三つに相当し、図４における外部接続端子２９ｇは図１乃至図３における複数の外部接続端子２９のいずれかに一つに相当し、図４におけるバンプ５１ａ，５１ｂ，５１ｇは図１乃至図３における複数のバンプ５１のいずれかに三つに相当する。
【００２８】
圧電デバイス１０は、水晶振動素子４０と、水晶振動素子４０に電気的に接続されたＩＣチップ５０とを備え、所定の発振周波数からなる出力信号Ｆｏｕｔを生成する。ＩＣチップ５０の内部には、水晶振動素子４０に接続された発振回路８０と、水晶振動素子４０の周波数温度特性を補償する温度補償回路９０とが形成されている。
【００２９】
より具体的には、水晶振動素子４０の一端は、素子用パッド２３ａ、ＩＣ用パッド２４ａ及びバンプ５１ａを介して、発振回路８０のうち、帰還抵抗としての抵抗器８１の一端に接続されるとともに、インバータ８２の入力端子に接続されている。また、水晶振動素子４０の一端とグランドＧＮＤ用のバンプ５１ｇとの間には、素子用パッド２３ａ、ＩＣ用パッド２４ａ及びバンプ５１ａを介して、可変コンデンサ８４が接続されている。バンプ５１ｇは、ＩＣ用パッド２４ｇ及び外部接続端子２９ｇを介して接地される。
【００３０】
一方、水晶振動素子４０の他端は、素子用パッド２３ｂ、ＩＣ用パッド２４ｂ及びバンプ５１ｂを介して、発振回路８０のうち、抵抗器８１の他端に接続されるとともに、インバータ８２の出力端子に接続されている。また、水晶振動素子４０の他端とグランドＧＮＤ用のバンプ５１ｇとの間には、素子用パッド２３ｂ、ＩＣ用パッド２４ｂ及びバンプ５１ｂを介して、可変コンデンサ８５が接続されている。可変コンデンサ８４，８５は、例えば可変容量ダイオードである。
【００３１】
インバータ８２の出力端子には、バッファとしてのインバータ８３の入力端子が接続され、インバータ８３の出力端子から、所定の発振周波数からなる出力信号Ｆｏｕｔが出力される。
【００３２】
温度補償回路９０は、温度の変化にかかわらず、所定の発振周波数からなる出力信号Ｆｏｕｔを発振回路８０が出力するように、水晶振動素子４０の周波数温度特性を補償する回路である。
【００３３】
具体的には、温度補償回路９０は、水晶振動素子４０の周波数温度特性のデータを記憶するメモリと、水晶振動素子４０の周囲の温度を測定するための温度センサとを内蔵し、当該温度センサによって得られた温度に基づいて、所定の温度補償電圧を生成する。
【００３４】
そして、温度補償回路９０は、この温度補償電圧を可変コンデンサ８４，８５に印加し、可変コンデンサ８４，８５の容量を変化させることにより、出力信号Ｆｏｕｔの発振周波数を調整して温度補償を行う。
【００３５】
このようにして、圧電デバイス１０は、温度補償された発振周波数からなる出力信号Ｆｏｕｔを生成し、これを外部に出力する。すなわち、圧電デバイス１０では、予め記憶した周波数温度特性を補償することにより、周囲温度の影響を受けない発振周波数となるように動作を調整している。
【００３６】
次に、図４に基づき、アンダーフィル樹脂６０に湿気が入り込むと発振周波数が変化する理由について詳しく説明する。
【００３７】
ＩＣチップ５０と素子搭載部材２０との間、すなわちＩＣチップ５０と基板部２５との間において、アンダーフィル樹脂６０からなる容量成分のうち、特に発振周波数に影響するものとして寄生コンデンサ６１，６２，６３が挙げられる。寄生コンデンサ６１はバンプ５１ａとバンプ５１ｇとの間、寄生コンデンサ６２はバンプ５１ｂとバンプ５１ｇとの間、寄生コンデンサ６３はバンプ５１ａとバンプ５１ｂとの間に、それぞれ形成される。
【００３８】
一方、水晶振動素子４０の等価回路における直列容量及び並列容量並び水晶振動素子４０の負荷容量をそれぞれＣ１，Ｃ０，ＣＬ、水晶振動素子４０の共振周波数をｆｒとすると、圧電デバイス１０の発振周波数ｆＬは次の式<1>で与えられる。
ｆＬ＝ｆｒ［Ｃ１／｛２（Ｃ０＋ＣＬ）｝＋１］  ・・・<1>
【００３９】
また、寄生コンデンサ６１，６２，６３の容量値をそれぞれＣx1，Ｃx2，Ｃs、可変コンデンサ８４，８５の容量値をそれぞれＣin，Ｃoutとすると、負荷容量ＣＬは次の式<2>で与えられる。
ＣＬ＝（Ｃx1＋Ｃin）（Ｃx2＋Ｃout）／｛（Ｃx1＋Ｃin）＋（Ｃx2＋Ｃout）｝＋Ｃs  ・・・<2>
【００４０】
ここで、湿気によってアンダーフィル樹脂６０の誘電率が高くなると、式<2>において容量値Ｃx1，Ｃx2，Ｃsがそれぞれ増加することにより、負荷容量ＣＬも増加する。その結果、式<1>において負荷容量ＣＬが増加することにより、発振周波数ｆＬが低下するのである。
【００４１】
次に、図１乃至図４に基づき、圧電デバイス１０の作用及び効果について説明する。
【００４２】
アンダーフィル樹脂６０は、エポキシ樹脂及び二酸化ケイ素を主成分とし、エポキシ樹脂の比誘電率が２．５〜６、二酸化ケイ素の比誘電率が４．５である。これに対し、水の比誘電率は８０と桁違いに大きい。そのため、湿気がアンダーフィル樹脂６０に入り込むと、アンダーフィル樹脂６０の誘電率が高くなる。アンダーフィル樹脂６０は、プリント配線板におけるＦＣ実装で用いられるアンダーフィル樹脂をそのまま圧電デバイス１０にも用いているため、圧電デバイス１０に特有の問題が考慮されていない。
【００４３】
そこで、圧電デバイス１０では、ＩＣチップ５０と素子搭載部材２０との間に充填されたアンダーフィル樹脂６０の表面を、防湿膜７０によって覆うことにより、アンダーフィル樹脂６０の中へ湿気が入り込むことを阻止する。これにより、圧電デバイス１０によれば、湿気がアンダーフィル樹脂６０の誘電率を高くして、ＩＣチップ５０と素子搭載部材２０との間の容量成分を大きくすることを防止できるので、大気中に放置された場合の発振周波数の変化を抑制できる。
【００４４】
また、防湿膜７０がフッ素コーティング剤からなる場合は、フッ素原子が優れた撥水性を有するので、より効果が大きい。
【００４５】
更に、防湿膜７０がフッ素コーティング剤の一種であるフロロサーフからなる場合は、フッ素原子の鎖がより優れた撥水性を有するので、更に大きな効果が得られる。乾燥後のフロロサーフ（ＦＧ−３０３０シリーズ）は、水の接触角が１１７度にもなるので、極めて優れた撥水性を示す。
【００４６】
次に、実施形態１の圧電デバイス１０を製造する方法を、実施形態２の製造方法として説明する。図５は、実施形態２の製造方法を示す工程図である。以下、図５を中心に、図１乃至図３も参照しつつ説明する。
【００４７】
本実施形態２の製造方法は、次の工程を含む。
凹部空間１２の底面２２にＩＣチップ５０をＦＣ実装する工程（図５ステップＳ１、図２→図３）。
底面２２とＦＣ実装されたＩＣチップ５０との隙間に、アンダーフィル樹脂６０を充填する工程（図５ステップＳ２、図３→図１）。
アンダーフィル樹脂６０の表面を防湿膜７０で覆う工程（図５ステップＳ３、図１）。
【００４８】
上記各工程について、詳しく説明する。
【００４９】
図５ステップＳ１では、凹部空間１２の底面２２にＩＣチップ５０のバンプ５１形成面を向け、ＩＣ用パッド２４とバンプ５１との位置を合わせ、ＩＣ用パッド２４にバンプ５１を押し付けるとともに熱又は超音波を加えることによって、ＩＣ用パッド２４にバンプ５１を接合する。
【００５０】
図５ステップＳ２では、図３に示す状態から図１に示す状態になるように製造途中の圧電デバイス１０を反転させ、凹部空間１２を上にして底面２２とＩＣチップ５０との隙間にアンダーフィル樹脂６０を流し込む。アンダーフィル樹脂６０に用いられるエポキシ樹脂は、一液型と呼ばれ、主剤と硬化剤を混ぜた状態で出荷されリフロー工程で硬化させるものが一般的である。
【００５１】
図５ステップＳ３では、防湿膜７０としてフロロサーフを用いる。フロロサーフは、刷毛やスプレーなどでアンダーフィル樹脂６０の表面に簡単にコーティングでき、室温で５秒から１５分程度で乾燥する。
【００５２】
なお、本実施形態２の製造方法は、上記工程の他にも、素子搭載部材２０に水晶振動素子４０を搭載する工程や、蓋部材３０を素子搭載部材２０に接合する工程も含むが、これらの工程は上記工程の前でも後でもよい。
【００５３】
本実施形態２の製造方法によれば、実施形態１の圧電デバイス１０を製造できることにより、実施形態１の圧電デバイス１０と同等の作用及び効果を奏する。
【００５４】
図６は実施形態１の圧電デバイスを大気中に放置した場合の発振周波数の変化を示すグラフであり、図６［１］は比較例、図６［２］は実施例である。以下、図１乃至図３及び図６に基づき、比較例及び実施例について説明する。
【００５５】
比較例及び実施例の圧電デバイスは、次のように防湿膜７０の有無を除き同じ材料及び方法で製造されたものである。
比較例：アンダーフィル樹脂６０塗布→硬化
実施例：アンダーフィル樹脂６０塗布→硬化→防湿膜７０塗布→硬化
【００５６】
アンダーフィル樹脂６０は、エポキシ樹脂及び酸無水物硬化剤が４０〜５０ｗｔ％、二酸化ケイ素が４５〜５５ｗｔ％、残りがカーボンブラック、シリコーン系添加剤などの混合物であり、加熱によって硬化するものである。防湿膜７０はフロロサーフＦＧ−３０３０シリーズである。
【００５７】
そして、比較例及び実施例の圧電デバイスを、各５個ずつ、湿度５２％かつ室温２５．２℃の空間に６ヶ月放置し、発振周波数の変化を調べた。その結果を図６に示す。図６のグラフは、横軸が放置前及び放置後であり、縦軸が周波数偏差ｄｆ／ｆ［ｐｐｍ］である。
【００５８】
図６［Ａ］から明らかなように、比較例の圧電デバイスでは、アンダーフィル樹脂６０が露出しているため、放置後の発振周波数が約１ｐｐｍ低下した。これに対し、図６［Ｂ］から明らかなように、実施例の圧電デバイスでは、アンダーフィル樹脂６０の表面を防湿膜７０で覆ったため、放置後の発振周波数の変化をほぼ０ｐｐｍに抑えることができた。
【００５９】
以上、上記実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。なお、本発明は次の付記のように表現することもできる。
【００６０】
［付記１］凹部を有し、前記凹部の開口周囲に外部端子電極が形成された概略直方体状の素子搭載部材と、この素子搭載部材に搭載された圧電素子と、前記凹部内にＦＣ接合により取着収容されたＩＣ素子と、前記ＩＣ素子のＦＣ実装面と前記凹部の底面との間に充填されたアンダーフィル樹脂とから成る圧電デバイスにおいて、
前記アンダーフィル樹脂を覆うように、防湿剤を形成したことを特徴とする圧電デバイス。
【００６１】
［付記２］前記アンダーフィル樹脂を覆うように形成された前記防湿剤は、フロロサーフであることを特徴とする付記１記載の圧電デバイス。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、水晶やセラミックスからなる圧電素子を備えた圧電デバイスに利用可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  圧電デバイス
１１，１２  凹部空間
２０  素子搭載部材
２１，２２  底面
２３，２３ａ，２３ｂ  素子用パッド
２４，２４ａ，２４ｂ，２４ｇ  ＩＣ用パッド
２５  基板部
２６ａ，２６ｂ  枠部
２７  導電性接合材
２８  内部配線
２９，２９ｇ  外部接続端子
３０  蓋部材
４０  水晶振動素子（圧電素子）
４１  上面
４２  下面
４３  水晶片
４４  電極
５０  ＩＣチップ
５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｇ  バンプ
６０  アンダーフィル樹脂
６１，６２，６３  寄生コンデンサ
７０  防湿膜
８０  発振回路
８１  抵抗器
８２，８３  インバータ
８４，８５  可変コンデンサ
９０  温度補償回路
Ｆｏｕｔ  出力信号
ＧＮＤ  グランド
【図１】
2015076650.tif 000003
【図２】
2015076650.tif 000004
【図３】
2015076650.tif 000005
【図４】
2015076650.tif 000006
【図５】
2015076650.tif 000007
【図６】
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