(57)【要約】【課題】従来の光プローブ電流センサにおいては、磁性体の面内方向に誘導磁気異方性あるいはまた結晶磁気異方性を用いて磁気異方性を付与させ、センサ感度を得ているが、自動車の内部等、２００℃程度の環境下におかれると、磁性体の磁気モーメントの方向が変化してしまい、センサ感度が変化してしまうという問題が生じていた。【解決手段】本発明の光プローブ電流センサは、測定対象である電流が流れる導体の近傍に配置され、形状磁気異方性を備え、磁化容易軸方向に沿った部分の長さが磁化困難軸方向に沿った部分の長さより長い磁性体と、磁性体に光を照射する光源と、磁性体で反射された反射光の偏光状態に基づいて磁性体に印加された磁界を検出する磁界検出部と、磁界検出部が検出した磁界に基づいて、導体に流れる電流を算出する電流算出部と、を有することを特徴とする。【選択図】図４
2015014494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象である電流が流れる導体の近傍に配置され、形状磁気異方性を備え、磁化容易軸方向に沿った部分の長さが磁化困難軸方向に沿った部分の長さより長い磁性体と、
前記磁性体に光を照射する光源と、
前記磁性体で反射された反射光の偏光状態に基づいて前記磁性体に印加された磁界を検出する磁界検出部と、
前記磁界検出部が検出した磁界に基づいて、導体に流れる電流を算出する電流算出部と、
を有することを特徴とする光プローブ電流センサ。
【請求項２】
前記磁性体の磁化困難軸方向に沿った部分の長さは、前記光源からの光が前記磁性体上に照射される領域における磁化困難軸方向の長さより大きい、請求項１に記載の光プローブ電流センサ。
【請求項３】
前記磁性体は、磁化容易軸方向に沿って１つまたは複数の溝を有する、請求項１または２に記載の光プローブ電流センサ。
【請求項４】
前記１つまたは複数の溝のうちの少なくとも１つの溝の深さは、前記磁性体の厚さ以下である、請求項３に記載の光プローブ電流センサ。
【請求項５】
導体を流れる電流の方向が、前記磁性体の磁化容易軸方向と一致している、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光プローブ電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光プローブ電流センサに関し、特に形状磁気異方性を有する磁性体を備えた光プローブ電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
家電製品、電気／ハイブリッド自動車など各種電子機器には、電流量を観測するための電流センサが多く利用されている。特に近年は、外部から伝搬する電磁ノイズあるいは機器自身から発生するノイズが測定電流に与える影響が問題視されており、Ｓ／Ｎ比が良い高精度な電流センサが要求されている。
【０００３】
しかしながら、従来利用されているホール素子を用いた電流センサは、センサに接続された導線（ワイヤハーネス）にノイズが誘導されることにより、高精度な電流測定ができないという問題が生じていた。そこで、光磁気ディスクの技術を応用した磁性体における磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果を利用した光プローブ電流センサが報告されている（例えば、特許文献１）。これは電磁ノイズの影響を受けない光をプローブとしているため、劣悪な電磁ノイズ環境下でも高精度な電流検出が可能であるというものである。
【０００４】
図１に従来の光プローブ電流センサの構成を示す。図１（ａ）は導体に電流を流していない状態を示し、図１（ｂ）は導体に電流を流した状態を示す。図１（ａ）に示すように、導体２の近傍に磁性体１００を配置して導体２に流れる電流によって生じる磁界を検出する。磁性体１００は磁気異方性を有しており、初期の磁気モーメントの方向ｍｐ0を導体２に流れる電流の向きと一致させておく。磁性体１００には、例えば誘導磁気異方性あるいはまた結晶磁気異方性を利用して磁気異方性を付与している。
【０００５】
磁性体１００には、光源１１から偏光プリズム１２を通して直線偏光を含む入射光Ｌiを照射する。入射光Ｌiは磁性体１００の表面で反射され、反射光Ｌrとして磁界検出部２０へ出射される。磁界検出部２０において、反射光Ｌrは１／２波長板あるいは１／４波長板１３で方位調整されたのち、偏光ビームスプリッタ１４に入射され、Ｓ偏光ＬsとＰ偏光Ｌpに分離される。Ｓ偏光Ｌs及びＰ偏光Ｌpはそれぞれ第１受光素子１５及び第２受光素子１６に入射され、それぞれの出力電圧がオペアンプ１７の反転入力端子と非反転入力端子に入力され両者の差分が検出される。オペアンプ１７の出力電圧は導体２に流れる電流と相関関係があるため、電流算出部３０においてオペアンプ１７の出力電圧に基づいて導体２に流れる電流を算出することができる。
【０００６】
ここで、導体２に電流が流れていない場合には、反射光Ｌrは直線偏光のままであり、１／２波長板あるいは１／４波長板１３を通った光は円偏光を示す。従って、Ｐ偏光Ｌp及びＳ偏光Ｌsの大きさは同一であり、電流は検出されない。
【０００７】
一方、図１（ｂ）に示すように、導体２に電流Ｉが流れる場合は、電流Ｉによって生じた磁界ｍにより、磁性体１００の磁気モーメントの方向がｍｐ0からｍｐへ変化する。磁性体１００に光を照射する様子を図２に示す。導体２の上に磁性体１００が配置されており、導体２には矢印ｙの方向に電流Ｉが流れているとする。また、磁性体１００は幅ｗ0、長さｌo、厚さｔ0の大きさを有するものとする。長さｌo及び幅ｗ0は入射光Ｌiの照射領域１０に比べて十分大きい。光源１１から出射された光Ｌiは矢印ｄiの方向から入射し、磁性体１００の表面上の照射領域１０で反射されて矢印ｄrの方向へ反射光Ｌrとして反射される。このとき、照射領域１０において磁性体１００の磁気モーメントの方向がｍｐ0からｍｐに変化しているため、反射光Ｌrは楕円偏光となる。このように、磁化した磁性体の表面に直線偏光を照射した場合に、反射光が楕円偏光となる現象を「磁気カー効果」という。
【０００８】
反射光Ｌrが楕円偏光となると、Ｐ偏光Ｌp及びＳ偏光Ｌsの大きさに差が生じ、差分に比例した電流が検出される。このようにして、光を利用して電流を検出できるため、電磁波等のノイズが存在する環境下においても正確に電流を検出することができる。
【０００９】
電流センサは様々な環境下において使用されることが要求されており、特に電気／ハイブリッド自動車において利用する場合には、周囲温度が２００℃程度まで高温になってもセンサ感度や特性が変わらないことが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２−１９３９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の光プローブ電流センサにおいては、磁性体の面内方向に誘導磁気異方性あるいはまた結晶磁気異方性を用いて磁気異方性を付与させ、センサ感度を得ているが、自動車の内部等、２００℃程度の環境下に置かれると、磁性体の磁気モーメントの方向が変化してしまい、センサ感度が低下してしまうという問題が生じていた。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の光プローブ電流センサは、測定対象である電流が流れる導体の近傍に配置され、形状磁気異方性を備え、磁化容易軸方向に沿った部分の長さが磁化困難軸方向に沿った部分の長さより長い磁性体と、磁性体に光を照射する光源と、磁性体で反射された反射光の偏光状態に基づいて磁性体に印加された磁界を検出する磁界検出部と、磁界検出部が検出した磁界に基づいて、導体に流れる電流を算出する電流算出部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光プローブ電流センサによれば、形状磁気異方性を利用して磁性体に磁気異方性を付与しているため、周囲温度が変化してもセンサ感度に影響する磁気異方性が変化せず、温度特性の良い光プローブ電流センサを構成することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の光プローブ電流センサの構成を示す図である。
【図２】従来の光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図である。
【図３】本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサの構成を示す図である。
【図４】本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図及び断面図である。
【図５】本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサの動作手順を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサを構成する磁性体のサイズと反磁界係数との関係を示す図である。
【図７】本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサの温度特性を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例２に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図及び断面図である。
【図９】本発明の実施例３に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明に係る光プローブ電流センサについて説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。
【００１６】
〔実施例１〕
本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサについて説明する。図３に本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサの構成を示す。図３（ａ）は導体２に電流が流れていない状態を示し、図３（ｂ）は導体２に電流が流れている状態を示している。また、図４に、本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図及び断面図を示す。本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサは、測定対象である電流Ｉが流れる導体２の近傍に配置された磁性体であって、形状磁気異方性を備え、磁化容易軸方向Ａｅに沿った部分の長さｌmが磁化困難軸方向Ａｈに沿った部分の長さｗsより長い磁性体１と、磁性体１に光Ｌiを照射する光源１１と、磁性体１で反射された反射光Ｌrの偏光状態に基づいて磁性体１に印加された磁界を検出する磁界検出部２０と、磁界検出部２０が検出した磁界に基づいて、導体２に流れる電流Ｉを算出する電流算出部３０と、を有する。
【００１７】
光源１１は、直線偏光を含む光を出力する光源である。例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザや半導体レーザなどのレーザ光を出力するレーザ光源を用いることができる。光源１１が出力する光は例えば直径が１００μｍ程度である。
【００１８】
光源１１から出力された光は、偏光子１２に入射され、偏光子１２は光源１１から出射される光を所定の偏光軸方向を有する直線偏光に偏光する。直線偏光した光は磁性体１に入射されるため、これを入射光Ｌiと呼ぶ。偏光子１２として、例えば、グラントムソン偏光プリズムやグランテーラー偏光プリズムを用いることができる。
【００１９】
本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図及び断面図をそれぞれ図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）の断面図は、図４（ａ）のＡ−Ａにおいて、導体２の水平面に対して垂直方向に切った断面図である。磁性体１は測定対象である電流が流れる導体２の近傍に配置されるが、接している必要はない。また、磁性体１は導体２上に直接配置してもよいが、ＳｉＯ2膜等の層間絶縁膜（図示せず）を磁性体１と導体２との間に設けてもよい。
【００２０】
磁性体１は、形状磁気異方性を備え、いわゆる短冊状の形状を備えている。磁性体１は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄのうちの少なくとも一種を含む軟磁性体であり、例えばイットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ：Yttrium-Iron-Garnet）フェライト単結晶である。形状磁気異方性を備えた磁性体は、磁化容易軸方向と磁化困難軸方向を有するが、「短冊状」とは、磁性体１の磁化容易軸方向Ａｅに沿った部分の長さｌmが、磁化困難軸方向Ａｈに沿った部分の長さｗsより長いことを意味している。磁性体を短冊状に加工することで、結晶磁気異方性などに対して周囲温度の影響を受け難い形状磁気異方性が支配的になる。その結果、磁性体の異方性磁界（センサ感度）の温度特性が改善する。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、導体２に電流が流れていない状態、即ち、磁性体１に磁界が印加されていない状態における磁性体１の磁気モーメントの方向ｍｐ1は磁化容易軸方向Ａｅと一致している。磁性体１の厚さをｔmとすると、ｔmは入射光Ｌiが透過しない程度に厚ければよく、例えば０．１μｍ程度あれば十分である。
【００２２】
磁性体１には、入射光Ｌiがｄiの方向から入射し、照射領域１０でｄrの方向に反射光Ｌrとして反射される。入射光Ｌiの全てが磁性体１の表面で反射されるためには、磁性体１の磁化困難軸方向Ａｈの長さｗsが、照射領域１０の幅以上であればよい。即ち、磁性体の磁化困難軸方向Ａｈに沿った部分の長さｗsは、光源からの光が磁性体１上に照射される領域における磁化困難軸方向の長さより大きいことが好ましい。例えば、入射光Ｌｉが磁性体１に対して角度θで入射し、円形状の入射光Ｌiの径がφである場合は、ｗs≧φ／ｓｉｎθを満たすようにｗsを決めればよい。
【００２３】
磁界検出部２０は、磁気カー効果を利用して磁性体１に印加される外部磁界の磁界強度を検出するものである。磁界検出部２０は、１／２波長板あるいは１／４波長板１３と、偏光ビームスプリッタ１４と、第１受光素子１５と、第２受光素子１６と、オペアンプ１７と、を備えている。１／２波長板あるいは１／４波長板１３は、反射光Ｌrの偏光方向を微調整する。偏光ビームスプリッタ１４は、反射光ＬrをＳ偏光Ｌs及びＰ偏光Ｌpに分離する。Ｓ偏光Ｌsは第１受光素子１５によって受光され、Ｐ偏光Ｌpは第２受光素子１６によって受光される。第１受光素子１５及び第２受光素子１６として、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、またはＣＣＤセンサを用いることができる。第１受光素子１５及び第２受光素子１６は、それぞれオペアンプ１７の反転入力端子及び非反転入力端子に光電変換した信号を出力する。電流算出部３０は、オペアンプ１７の出力結果である差分値に基づいて導体２に流れる電流を算出する。
【００２４】
次に、本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサの動作について、図５のフローチャートを用いて説明する。まず、磁性体１に外部磁界が印加されていない状態で、光プローブ電流センサの調整を行うために、導体２に電流を流さない状態（Ｉ＝０［Ａ］）とする（Ｓ１０１）。
【００２５】
次に、ステップＳ１０２において、１／４波長板（あるいは１／２波長板）１３でＰ・Ｓ偏光の強度を揃える。具体的には以下のように調整する。導体２に電流が流れていない場合、即ち磁性体１に印加される磁界がゼロである場合に、偏光ビームスプリッタ１４で分離される２つの偏光成分Ｌs、Ｌpの強度が等しくなるように、１／２波長板あるいは１／４波長板１３の遅相軸の角度を調整する。具体的には、１／２波長板あるいは１／４波長板１３の遅相軸を入射光Ｌiの偏光面に対して４５度傾けることにより、偏光ビームスプリッタ１４で分離される２つの偏光成分ＬsとＬpの光強度をほぼ等しくする。このように調整することにより、ＬsとＬpの強度の差分を検出することにより、磁性体１における磁界の大きさを検出することができる。導体２に電流が流れていない状態では、オペアンプ１７の差動出力Ｖは０［Ｖ］となる（Ｓ１０３）。
【００２６】
次に、ステップＳ１０４において、導体２に電流Ｉを流す（Ｉ＝Ｉ［Ａ］）。導体２に流れる電流Ｉの向きは矢印ｙの方向であり、磁性体１の磁化容易軸方向Ａｅ、即ち、短冊状の磁性体１の長尺方向と一致している。図３（ｂ）に示すように、導体２に電流Ｉが矢印ｙの方向に流れた場合、導体２の周りに磁界ｍが発生する。その結果、磁性体１の磁気モーメントはｍｐ2の方向に変化する。この状態で、磁性体１に入射光Ｌiを照射すると、入射光Ｌiが磁性体１の磁化ベクトルｍｐ2により磁気カー効果を受けて偏光面が回転し、反射光Ｌrは楕円偏光となる（Ｓ１０５）。その結果、その旋光角の大きさに応じて２つの偏光成分ＬsとＬpの間に強度差が生じ、Ｐ・Ｓ偏光の強度差から差動出力Ｖ＝Ｖｏ［Ｖ］を検出することができる（Ｓ１０６）。次に、ステップＳ１０７において、電流算出部３０が差動出力Ｖｏから導体２に流れる電流Ｉを算出する。
【００２７】
次に、本発明の実施例１に係る光プローブ電流センサに用いる磁性体の形状の設計方法について説明する。磁性体の形状は、磁性体に生じる異方性磁界Ｈｋに基づいて設計することができる。形状磁気異方性による反磁界Ｈｄが優勢である場合、異方性磁界Ｈｋは概ねＨｄに一致する。図４（ａ）のように磁性体１を短冊状に加工した場合、反磁界Ｈｄは次式で表される。
Ｈｄ＝ＮＭｓ・・・・・・・・・（１）
ここで、Ｎは反磁界係数、Ｍｓは磁性体の飽和磁化である。飽和磁化Ｍｓは、磁性体材料に固有の値であるので、磁性体の形状と反磁界係数Ｎとの関係が重要である。反磁界係数Ｎは次式で表される（ただし、ｌm≫ｗs≧ｔm）。
【００２８】
【数１】
2015014494.tif 000003
上式を用いることにより、一例として以下のような組み合わせが得られる。
【００２９】
【表１】
2015014494.tif 000004
この場合、反磁界係数ＮはＮ ＝ ０．００９９と算出される。
式（１）より反磁界Ｈｄは
Hd = 0.0099 × 2.15 × 104 ≒ 213 [Oe] = 16.9 [kA/m] （純鉄の場合）
と求められる。
【００３０】
式（２）を用いることにより、反磁界係数Ｎから磁性体１の形状を決定することができる。例えば、磁性体１の磁化容易軸方向の長さｌmをパラメータとした場合の反磁界係数Ｎと磁性体１の磁化困難軸方向の長さｗsとの関係を図６に示す。ここで、磁性体１の厚さｔmは０．１［μｍ］としている。反磁界係数Ｎは、ｗsの増加に伴って単調に減少するが、ｌmが５または１０［μｍ］の場合は、ｗsの増加に伴って増加する場合が現れる。この結果から、磁性体１の短冊形状の長手方向の長さ、即ち、磁化容易軸方向の長さｌmは１０［μｍ］より大きいことが望ましいと言える。
【００３１】
図７に、実施例１に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の温度特性のグラフを示す。同図には、磁性体を配置した環境の温度を２５℃から１５０℃まで変化させたときの印加磁界強度Ｈ［Ｏｅ］と磁化４πＭ［ｋＧ］との関係を示している。温度を２５℃から１５０℃まで変化させても磁気特性に大きな変化は見られないことから、実施例１に係る光プローブ電流センサに用いる磁性体を利用することにより、少なくとも１５０℃まで環境温度を上昇させても磁気特性が変動しないことがわかる。この結果から、本発明のように磁性体の形状を磁化容易軸方向に沿った部分の長さが磁化困難軸方向に沿った部分の長さより長くなるようにして形状磁気異方性を付与することにより、高温の環境下においても正確に磁界を測定することができ、ひいては正確な電流測定が可能であることがわかる。
【００３２】
〔実施例２〕
次に、本発明の実施例２に係る光プローブ電流センサについて説明する。測定システムや測定手順は実施例１と同様であるので詳細な説明は省略する。実施例２の光プローブ電流センサが、実施例１の光プローブ電流センサと異なっている点は、磁性体が、磁化容易軸方向に沿って１つまたは複数の溝を有する点である。図８に本発明の実施例２に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図及び断面図を示す。図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ線で導体２の水平面に対して垂直方向に切断した断面図である。磁性体１´には、磁化容易軸方向Ａｅに沿って溝１ａが設けられている。溝１ａは磁性体１´の厚さ（ｔｍ）方向に向かって貫通するように形成されている。溝１ａは磁性体１´の磁化容易軸方向Ａｅの全ての領域に渡って形成されている必要はないが、形状磁気異方性が十分に現れる長さであることが好ましい。溝１ａが磁性体１´の磁化容易軸方向Ａｅの全ての領域に渡って形成されている場合は、２つの磁性体を並列させて配置したのと同じ状態となる。
【００３３】
また、図８（ａ）、（ｂ）には溝１ａを１つだけ形成した例を示したが、これには限られず、溝を複数設けてもよい。さらに、同図には、溝１ａを入射光Ｌiの反射領域１０と重なるように形成した例を示したが、これには限られず、ｗsを反射領域１０の磁化困難軸方向の長さよりも十分大きくして、反射領域１０の外部に設けるようにしてもよい。
【００３４】
実施例２に係る光プローブ電流センサによれば、形状磁気異方性を備えた磁性体に１つまたは複数の溝を設けているので、溝を形成していない場合に比べて形状磁気異方性を強く出現させることができる。また、磁性体の形状磁気異方性のレベルは磁化容易軸方向の長さと磁化困難軸方向の長さの比によって決まるため、溝を設けることによって、実効的な磁化困難軸方向の長さを短縮し、磁化容易軸方向の長さも短縮することができるため、磁性体のサイズを縮小することができる。
【００３５】
〔実施例３〕
次に、本発明の実施例３に係る光プローブ電流センサについて説明する。測定システムや測定手順は実施例１と同様であるので詳細な説明は省略する。実施例３の光プローブ電流センサが、実施例１の光プローブ電流センサと異なっている点は、磁性体が、磁化容易軸方向に沿って１つまたは複数の溝を有し、１つまたは複数の溝のうちの少なくとも１つの溝の深さｄは、磁性体の厚さｔｍ以下である点である。図９に本発明の実施例３に係る光プローブ電流センサに用いられる磁性体の斜視図及び断面図を示す。図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ線で導体２の水平面に対して垂直方向に切断した断面図である。磁性体１´´には、磁化容易軸方向Ａｅに沿って溝１ｂが設けられている。溝１ｂは磁性体１´´の厚さ方向に向かって形成されているが、貫通はしていない。溝１ｂは磁性体１´´の磁化容易軸方向Ａｅの全ての領域に渡って形成されている必要はないが、形状磁気異方性が十分に現れる長さであることが好ましい。
【００３６】
また、図９（ａ）、（ｂ）には溝１ｂを１つだけ形成した例を示したが、これには限られず、溝を複数設けてもよい。溝を複数設けた場合には、溝が磁性体の厚さ方向に向かって貫通しているもの（ｄ＝ｔｍ）と貫通していないもの（ｄ＜ｔｍ）とを混在させてもよい。さらに、同図には、溝１ｂを入射光Ｌiの反射領域１０と重なるように形成した例を示したが、これには限られず、磁性体の磁化困難軸方向の長さｗsを反射領域１０の大きさよりも十分大きくして、溝１ｂを反射領域１０の外部に設けるようにしてもよい。
【００３７】
実施例３に係る光プローブ電流センサによれば、形状磁気異方性を備えた磁性体に１つまたは複数の溝を設けているので、溝を形成していない場合に比べて形状磁気異方性を強く出現させることができる。さらに溝を磁性体の厚さ方向に貫通させないようにすることにより、入射光Ｌiが磁性体から漏れることを防止することができる。
【００３８】
以上のように、磁性体に形状磁気異方性を付与させる方法として、磁性体を細長い短冊状に形成する構成について説明したが、磁性体の面内の一方向に細長い針状の結晶構造を有するようにしてもよい。
【００３９】
また、以上の実施例においては磁性体を光プローブ電流センサに応用した例について説明したが、これには限られず、上述した磁性体を用いて磁界を検出する他の用途にも応用可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１    磁性体
２    導体
１１    光源
１２    偏光子
１３    １／２波長板あるいは１／４波長板
１４    偏光ビームスプリッタ
１５    第１受光素子
１６    第２受光素子
１７    オペアンプ
２０    磁界検出部
３０    電流算出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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