(57)【要約】【課題】発光面積を減少させることなく、上部電極の電位を均一化した有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配置された表示領域内の画素毎に配置され、導電材料からなり、画素毎に電位が制御される下部電極（３０４）と、表示領域の全体を覆うように配置され、導電材料からなる上部電極（３０７）と、下部電極及び上部電極の間に配置され、発光層を含む複数の層からなる第１有機層（３０６）と、表示領域内の画素間で、それぞれ導電材料からなる第１補助配線及び第２補助配線が順に重ねられて一方向に延びる積層補助配線（３２０）と、第１有機層と同じ複数の層からなり、第２補助配線に開けられた接続孔において第１補助配線と接触して配置されることにより、第１有機層とは非接触である第２有機層（３３０）と、を備え、上部電極は、接続孔を埋めるように、第２有機層の周囲で第１補助配線と接触して配置される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された表示領域内の画素毎に配置され、導電材料からなり、前記画素毎に電位が制御される下部電極と、
前記表示領域の全体を覆うように配置され、導電材料からなる上部電極と、
前記下部電極及び前記上部電極の間に配置され、発光する有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる第１有機層と、
前記表示領域内の前記画素間で、それぞれ導電材料からなる、少なくとも第１補助配線及び第２補助配線が順に重ねられて一方向に延びる積層補助配線と、
前記第１有機層と同じ複数の層からなり、前記第２補助配線に開けられた接続孔において前記第１補助配線と接触して配置されることにより、前記第１有機層とは非接触である第２有機層と、を備え、
前記上部電極は、前記接続孔を埋めるように、前記第２有機層の周囲で前記第１補助配線と接触して配置されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
基板上に形成された薄膜トランジスタを含む回路を覆う有機材料からなる平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成された、前記下部電極、前記第１有機層及び前記上部電極のうち、前記下部電極の端部を覆い、前記画素の間を電気的に絶縁する絶縁バンクと、を更に備え、
前記積層補助配線は、前記下部電極と共に前記平坦化膜上に形成され、
前記上部電極は、前記絶縁バンクに開けられた前記接続孔を介して前記第１補助配線と接触している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記表示領域内の前記画素間に延びる金属配線と、
前記金属配線を覆う有機材料からなる平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成された、前記下部電極、前記第１有機層及び前記上部電極のうち、前記下部電極の端部を覆い、前記画素の間を電気的に絶縁する絶縁バンクと、を更に備え、
前記積層補助配線は、前記金属配線上に形成され、
前記上部電極は、前記平坦化膜及び前記絶縁バンクに開けられた前記接続孔を介して前記第１補助配線と接触している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記下部電極は、前記積層補助配線と同じ積層構造を有する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記積層補助配線は、前記第１補助配線及び前記第２補助配線に加えて、更に第３補助配線が積層される構造を有し、
前記接続孔は、前記第２補助配線に開けられた位置に対応する位置に前記第３補助配線にも開けられている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記第３補助配線を形成する材料は、前記第１補助配線を形成する材料と同一である、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１補助配線を形成する材料は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であり、
前記第２補助配線を形成する材料は、Ａｇである、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１有機層は、前記表示領域内の全ての前記画素において同一の発光層を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
それぞれ導電材料からなる第１補助配線及び第２補助配線を順に成膜する積層補助配線形成工程と、
前記第２補助配線に対してオーバーエッチングにより接続孔を形成し、前記第１補助配線を露出させるオーバーエッチング工程と、
発光する有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる第１有機層と、前記接続孔を介して前記第１補助配線上に配置され、前記第１有機層と不連続な第２有機層とを同時に形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程の後、導電材料からなり、前記接続孔を介して前記第１補助配線と接触し、前記表示領域全体を覆う上部電極を形成する上部電極形成工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記積層補助配線形成工程は、前記第２補助配線上の前記接続孔に対応する位置以外に第３補助配線を更に成膜する工程を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
有機材料により平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程と、
前記平坦化膜上に前記画素毎に下部電極を形成する下部電極形成工程と、を更に備え、
前記下部電極は、前記積層補助配線と同じ層構造であり、
前記下部電極形成工程は、前記積層補助配線形成工程と同じ工程であり、同時に実施される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９又は１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
画素がマトリクス状の配置される表示領域において、前記画素間に金属配線を形成する金属配線形成工程と、
前記金属配線形成工程の後、前記表示領域を覆うように、絶縁材料により絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜に対して、前記金属配線の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、を更に備え、
積層補助配線形成工程では、第１補助配線及び第２補助配線を前記コンタクトホールを介して、前記金属配線上に形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記有機層形成工程は、蒸着法により有機層を形成する工程であり、
前記上部電極形成工程は、スパッタ法により上部電極を形成する工程である、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関し、より詳しくは、各画素に配置された自発光体である発光素子に発光させて表示を行う有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。この有機ＥＬ表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。
【０００３】
絶縁基板の発光素子が形成された側に光が出射される、いわゆるトップエミッション方式の表示装置においては、発光層を少なくとも１つの層とする有機層を挟む２つの電極である上部電極及び下部電極のうち、上部電極は、有機層が形成された表示領域全面を覆う電極であり、透明の導電性材料により形成される。この上部電極は、光の透過率を向上させるために、より薄く形成されることが望ましいが、薄くなるほど抵抗値が上昇し電圧降下が生じるため、表示領域の端部と中央で輝度ムラが生じやすくなる。
【０００４】
特許文献１は、表示領域内の下部電極と同一層の補助電極に、上部電極を接続孔を介して接触させ、上部電極を低抵抗化させることについて開示している。特許文献２は、表示領域内で接続孔を介して導電性基板に、上部電極を電気的に接続することについて開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献２】特開２０１１−２２１２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の特許文献１及び２に記載された表示領域内で上部電極を導電性の高い金属の電極に接触させることは、上部電極の低抵抗化及び電位の均一化に有効である。しかしながら、いずれの場合も有機層に接続孔を要するため、蒸着マスクを用いて形成される有機層の蒸着精度を考慮すると、高精細な孔を開けることは難しく、各画素に開けられる接続孔はある程度の大きさを有することとなる。しかしながら、これは発光する部分の面積を減少させ、表示のコントラスト低下に繋がってしまう。特に、蒸着マスクを使用せず、表示領域の全面を覆う有機層を有する有機ＥＬ表示装置においては、表示領域内に接続孔を設けることは困難であった。
【０００７】
本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、発光面積を減少させることなく、上部電極の電位を均一化した有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配置された表示領域内の画素毎に配置され、導電材料からなり、前記画素毎に電位が制御される下部電極と、前記表示領域の全体を覆うように配置され、導電材料からなる上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間に配置され、発光する有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる第１有機層と、前記表示領域内の前記画素間で、それぞれ導電材料からなる、少なくとも第１補助配線及び第２補助配線が順に重ねられて一方向に延びる積層補助配線と、前記第１有機層と同じ複数の層からなり、前記第２補助配線に開けられた接続孔において前記第１補助配線と接触して配置されることにより、前記第１有機層とは非接触である第２有機層と、を備え、前記上部電極は、前記接続孔を埋めるように、前記第２有機層の周囲で前記第１補助配線と接触して配置されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【０００９】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、基板上に形成された薄膜トランジスタを含む回路を覆う有機材料からなる平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成された、前記下部電極、前記第１有機層及び前記上部電極のうち、前記下部電極の端部を覆い、前記画素の間を電気的に絶縁する絶縁バンクと、を更に備え、前記積層補助配線は、前記下部電極と共に前記平坦化膜上に形成され、前記上部電極は、前記絶縁バンクに開けられた前記接続孔を介して前記第１補助配線と接触していてもよい。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記表示領域内の前記画素間に延びる金属配線と、前記金属配線を覆う有機材料からなる平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成された、前記下部電極、前記第１有機層及び前記上部電極のうち、前記下部電極の端部を覆い、前記画素の間を電気的に絶縁する絶縁バンクと、を更に備え、前記積層補助配線は、前記金属配線上に形成され、前記上部電極は、前記平坦化膜及び前記絶縁バンクに開けられた前記接続孔を介して前記第１補助配線と接触していてもよい。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記下部電極は、前記積層補助配線と同じ積層構造を有していてもよい。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記積層補助配線は、前記第１補助配線及び前記第２補助配線に加えて、更に第３補助配線が積層される構造を有し、前記接続孔は、前記第２補助配線に開けられた位置に対応する位置に前記第３補助配線にも開けられていてもよい。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記第３補助配線を形成する材料は、前記第１補助配線を形成する材料と同一であってもよい。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記第１補助配線を形成する材料は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であり、前記第２補助配線を形成する材料は、Ａｇであってもよい。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記第１有機層は、前記表示領域内の全ての前記画素において同一の発光層を有していてもよい。
【００１６】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、それぞれ導電材料からなる第１補助配線及び第２補助配線を順に成膜する積層補助配線形成工程と、前記第２補助配線に対してオーバーエッチングにより接続孔を形成し、前記第１補助配線を露出させるオーバーエッチング工程と、発光する有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる第１有機層と、前記接続孔を介して前記第１補助配線上に配置され、前記第１有機層と不連続な第２有機層とを同時に形成する有機層形成工程と、前記有機層形成工程の後、導電材料からなり、前記接続孔を介して前記第１補助配線と接触し、前記表示領域全体を覆う上部電極を形成する上部電極形成工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記積層補助配線形成工程は、前記第２補助配線上の前記接続孔に対応する位置以外に第３補助配線を更に成膜する工程を有していてもよい。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機材料により平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程と、前記平坦化膜上に前記画素毎に下部電極を形成する下部電極形成工程と、を更に備え、前記下部電極は、前記積層補助配線と同じ層構造であり、前記下部電極形成工程は、前記積層補助配線形成工程と同じ工程であり、同時に実施されてもよい。
【００１９】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、画素がマトリクス状の配置される表示領域において、前記画素間に金属配線を形成する金属配線形成工程と、前記金属配線形成工程の後、前記表示領域を覆うように、絶縁材料により絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜に対して、前記金属配線の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、を更に備え、積層補助配線形成工程では、第１補助配線及び第２補助配線を前記コンタクトホールを介して、前記金属配線上に形成してもよい。
【００２０】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記有機層形成工程は、蒸着法により有機層を形成する工程であり、前記上部電極形成工程は、スパッタ法により上部電極を形成する工程であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。
【図２】図１の有機ＥＬパネルの構成を示す図である。
【図３】図２の４つの画素について概略的に示す拡大図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図４のＡの部分の拡大図である。
【図６】接続孔に形成される上部電極の形成工程について説明するための図である。
【図７】本実施形態の変形例について示す図ある。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２３】
図１には、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００が概略的に示されている。この図に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル２００から構成されている。
【００２４】
図２には、図１の有機ＥＬパネル２００の構成が示されている。有機ＥＬパネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板２２０と封止基板２３０の２枚の基板を有し、これらの基板の間には不図示の透明樹脂が充填されている。ＴＦＴ基板２２０は、表示領域２０２にマトリクス状に配置された画素２８０を有している。また、ＴＦＴ基板２２０には、画素のそれぞれに配置された画素トランジスタの走査信号線（不図示）に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタのデータ信号線に対して画素の階調値に対応する電圧を印加する駆動回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２６０が載置されている。
【００２５】
図３は、図２の４つの画素２８０について概略的に示す拡大図である。この図に示されるように各画素２８０は、画素２８０ごとに独立した下部電極３０４と、下部電極３０４を後述するソース・ドレイン電極３０９に接続する下部電極コンタクトホール２８２と、を有している。後述するが、下部電極３０４の上には、表示領域２０２の略全面に配置された発光層を含む第１有機層３０６と、その上に表示領域の全面に配置された上部電極３０７とが順に配置される。画素２８０の間には、下部電極３０４と同時に同じ工程により成膜される積層補助配線３２０が配置され、積層補助配線３２０の更に下方（ガラス基板３０１側）には発光制御に用いられる金属配線２８４が配置されている。なお、積層補助配線３２０は、表示領域２０２外において上部電極３０７の電位を供給する配線に接続される。
【００２６】
図４は、図３のIV−IV線における断面図である。この図に示されるように、ＴＦＴ基板２２０は、絶縁基板であるガラス基板３０１と、ガラス基板３０１上に導電材料により形成されたソース・ドレイン電極３０９及び金属配線２８４と、ソース・ドレイン電極３０９及び金属配線２８４上に絶縁材料により形成された平坦化膜３０３と、平坦化膜３０３に開けられたコンタクトホールを介してソース・ドレイン電極３０９と接続される下部電極３０４と、下部電極３０４の端部を覆い、画素間において電極間を絶縁する絶縁バンク３０５と、下部電極３０４及び絶縁バンク３０５上で略表示領域２０２全体を覆うように形成された発光層及び電子注入層、正孔輸送層等の共通層を含む第１有機層３０６と、第１有機層３０６上で表示領域２０２全体を覆うように形成された上部電極３０７と、第１有機層３０６の劣化を防ぐために空気や水を遮断する封止膜３０８と、下部電極３０４と同じ層構造を有し、画素間に形成された積層補助配線３２０と、積層補助配線３２０上に形成された第２有機層３３０と、を有している。なお、図示されていないが、ソース・ドレイン電極３０９は、ガラス基板３０１と平坦化膜３０３との間で、各画素２８０に形成されたＴＦＴと接続されている。第１有機層の発光層は、下部電極３０４から注入される正孔又は電子と、上部電極３０７から注入される電子又は正孔とが再結合し、励起状態が形成され、基底状態に移行する際に発光する。
【００２７】
この図に示されるように、上部電極３０７は、画素２８０の間に配置された積層補助配線３２０に、接続孔２８７を介して接している。そのため、表示領域２０２内で薄く形成されることにより抵抗値が高くなった上部電極３０７は、表示領域２０２内で導電性の高い積層補助配線３２０に接触できるため、上部電極３０７の電位は表示領域２０２内で均一に保たれる。なお、接続孔２８７が形成された領域の積層補助配線３２０上の一部には、第２有機層３３０が配置される。
【００２８】
ここで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、表示領域全面で一様な波長領域（例えばＷ（白））の光を発光させ、封止基板２３０に設けられたカラーフィルタによりＲＧＢに対応する波長領域の光を取り出す方式の有機ＥＬ表示装置であるが、これに限られず、各画素においてＲＧＢのそれぞれの波長領域の光を発光させ、カラーフィルタを用いずに光を取り出す方式の有機ＥＬ表示装置であってもよい。この場合には、発光層を含む第１有機層及び第２有機層は、蒸着等により、画素毎にドット状又はストライプ状に塗り分けられて形成される。
【００２９】
図５は、図４のＡの部分の拡大図である。この図に示されるように、積層補助配線３２０は、透明電極であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる第１補助配線３２１と、Ａｇからなる第２補助配線３２２と、ＩＴＯからなる第３補助配線３２３とから構成されている。なお、図示していないが、下部電極３０４においても積層補助配線３２０と同様の積層構造となっている。第１補助配線３２１は積層補助配線３２０の配線幅を有する配線であり、第２補助配線３２２及び第３補助配線３２３は、中央部に接続孔２８７を有しており、第２補助配線は、オーバーエッチングにより、第３補助配線３２３より内部がえぐられたような形状となっている。
【００３０】
第１有機層３０６は、接続孔２８７で分断されており、第２有機層３３０は、第１有機層３０６と離間しつつ、第１補助配線３２１上で接続孔２８７に配置されている。上部電極３０７は、第２有機層３３０の周囲を覆って接続孔２８７を埋めるように配置されるため、第１補助配線３２１と接触することとなる。なお、本実施形態においては、第３補助配線３２３／第２補助配線３２２／第１補助配線３２１の組み合わせを、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯであることとしたが、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉやＭｏ／Ｗ／Ｔｉの組み合わせであってもよく、第３補助配線３２３を有さずに、第２補助配線３２２／第１補助配線３２１の組み合わせとして、ＩＴＯ／Ａｌの組み合わせであってもよい。
【００３１】
図６は、上述の接続孔２８７に形成される上部電極３０７の形成工程について説明するための図である。この工程では、まず、積層補助配線形成工程Ｓ１１において、平坦化膜３０３上に積層補助配線３２０を形成する。ここで、積層補助配線３２０は、第１補助配線３２１、第２補助配線３２２及び第３補助配線３２３を順に重ねた構造であり、第３補助配線３２３は、配線の延びる方向に沿って両端にのみ形成され、中央部分には形成されず、中央部分で第２補助配線３２２が露出されるようにする。本実施形態においては、第１補助配線３２１はＩＴＯ層であり、スパッタ法又は蒸着法で１０ｎｍ〜１００ｎｍ形成するのが望ましく、第２補助配線３２２はＡｇ層であり、スパッタ法又は蒸着法で５０ｎｍ〜５００ｎｍが望ましく、第３補助配線３２３はＩＴＯ層であり、スパッタ法又は蒸着法で５ｎｍ〜１００ｎｍ形成するのが望ましい。なお、図示されていないが、画素２８０内の下部電極３０４も、積層補助配線３２０と同様の積層構造を有しており、積層補助配線形成工程Ｓ１１と同時に形成される。
【００３２】
引き続き、エッチング工程Ｓ１２において、第２補助配線３２２の露出部分をウェットエッチングする。エッチング液に浸漬させると、露出部分だけでなく、第３補助配線３２３に覆われている部分の一部も溶解し、図に示されるような形状となる。次に不図示であるが、画素２８０において絶縁バンク３０５が形成される。なお、積層補助配線３２０の画素２８０側の端部も覆われるように形成されるのが望ましい。なお、この工程は、画素２８０内の絶縁バンク３０５形成工程と同時に実施することができる。この場合には、絶縁バンク３０５のエッチング液に、第２補助配線３２２、例えばＡｇ、のエッチング液を混合してエッチングしてもよい。絶縁バンク３０５には、接続孔２８７としてのコンタクトホールが形成される。
【００３３】
有機層形成工程Ｓ１３において、蒸着により同時に第１有機層３０６及び第２有機層３３０を形成する。ここで、第１有機層３０６及び第２有機層３３０は、蒸着により同時に成膜されるが、真空中で加熱された有機材料は、指向性をもって付着するため、接続孔２８７における大きい段差により、第３補助配線３２３上に形成される第１有機層３０６と、第１補助配線３２１上に形成される第２有機層３３０とが不連続な層（段切れ構造）として形成される。本実施形態では、全画素で同じＷ（白）色を発光する第１及び第２有機層を形成している。なお、本実施形態において第１有機層３０６及び第２有機層３３０は、蒸着により形成されることとしたが、オフセット印刷等の段差があることにより不連続な層となる形成方法により形成することができる。
【００３４】
最後に、上部電極形成工程Ｓ１４において、ＩｎＺｎＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明電極により、スパッタ法を用いて上部電極３０７が形成される。スパッタ法により形成される透明電極は、有機材料の蒸着と比較して付周りがよいため、第１有機層３０６と第２有機層３３０との間の不連続な部分にも付着され、第１補助配線３２１及び第２補助配線３２２に接触する連続的な上部電極３０７として形成される。その後の工程においては、ＳｉＮやガラスキャップによる封止膜が形成されるが、公知の工程であるため詳細な記載を省略する。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態においては、上部電極３０７を、表示領域２０２において、ガラス基板３０１上の抵抗値の低い金属配線２８４と接触させることができるため、上部電極３０７のシート抵抗を低減でき、消費電力を低減することができる。また、表示領域２０２において部分的な電圧低下がなくなるため、表示の均一性を保つことができる。更に、第１有機層及び第２有機層はパターニングすることなく、上部電極３０７を金属配線２８４と接触させることができるため、工程を増加させることがないと共に、画素の発光領域の面積を大きく保ち、高精細な画素とすることができる。また、積層補助配線３２０は、下部電極３０４と同時に同じ工程で形成することができるため、製造工程を増加させることがない。また、第１有機層は、接続孔２８７で途切れているため、第１有機層を介した画素間の電流リークを抑制し、電気的な混色を抑制することができる。また、横方向に出射されることにより絶縁バンク３０５に入った漏れ光は、多くの層の界面を通過しなければ出光されることはないため、光学的混色も抑制することができる。本実施形態は、特に表示領域２０２の全面に形成される発光層や共通層を含む有機層を有する有機ＥＬ表示装置に効果的に適用することができるが、互いに発光する光の波長領域が異なる発光層を形成する有機ＥＬ表示装置であっても適用することができる。
【００３６】
なお、本実施形態においては、画素間の一方向にのみ接続孔２８７を形成することとしたが、縦横の二方向に格子状に延びる接続孔２８７を形成することとしてもよい。このように形成することにより、画素２８０毎に独立な不連続な層（段切れ構造）となるため、電気的混色及び光学的混色をより抑制することができる。
【００３７】
図７は、上述の実施形態の変形例について示す断面図であり、上部電極３０７が表示領域２０２内で金属配線２８４に接続される部分の断面について示されている。本変形例では、平坦化膜３０３にスルーホール４８７を介して、ガラス基板３０１上に形成された金属配線２８４上に、積層補助配線４２０、第１有機層３０６及び第２有機層４３０が形成される。平坦化膜３０３にスルーホール４８７を形成することを除き、上述の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。なお、この場合には、金属配線２８４が上部電極３０７に電位を供給する配線に接続される。また、本変形例においては、ガラス基板３０１上に形成された金属配線２８４は、直接ガラス基板３０１上でなく絶縁膜を介して形成されていてもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１００  表示装置、１１０  上フレーム、１２０  下フレーム、２００  有機ＥＬパネル、２０２  表示領域、２２０  ＴＦＴ基板、２３０  封止基板、２８０  画素、２８２  下部電極コンタクトホール、２８４  金属配線、２８７  接続孔、３０１  ガラス基板、３０３  平坦化膜、３０４  下部電極、３０５  絶縁バンク、３０６  第１有機層、３０７  上部電極、３０８  封止膜、３０９  ソース・ドレイン電極、３２０  積層補助配線、３２１  第１補助配線、３２２  第２補助配線、３２３  第３補助配線、３３０  第２有機層、４２０  積層補助配線、４３０  第２有機層、４８７  スルーホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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