(57)【要約】【課題】クリスタルセンサの個体差によるバラツキに対しても、安定にクリスタルセンサを冷却することが可能なクリスタルセンサユニット及び有機ＥＬ製造装置を提供する。【解決手段】複数のクリスタルセンサで構成され、そのうちの１つのクリスタルセンサが膜厚を測定するクリスタルセンサユニットであって、前記クリスタルセンサユニットに流体を流して冷却する冷却水ポンプと、前記冷却水ポンプに流す流体の流量を調整する冷却水ポンプ制御部と、前記クリスタルセンサの温度を測定して、前記温度が所定の温度範囲を外れるときは前記冷却水ポンプ制御部に対して前記冷却水ポンプに流す前記流量を指示する温調器とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のクリスタルセンサで構成され、そのうちの１つのクリスタルセンサが膜厚を測定するクリスタルセンサユニットであって、
前記クリスタルセンサユニットに流体を流して冷却する冷却水ポンプと、
前記冷却水ポンプに流す流体の流量を調整する冷却水ポンプ制御部と、
前記クリスタルセンサの温度を測定して、前記温度が所定の温度範囲を外れるときは前記冷却水ポンプ制御部に対して前記冷却水ポンプに流す前記流量を指示する温調器と、
を有することを特徴とするクリスタルセンサユニット。
【請求項２】
請求項１記載のクリスタルセンサユニットにおいて、前記温調器が測定する前記クリスタルセンサは、現在膜厚モニタ中のクリスタルセンサであることを特徴とするクリスタルセンサユニット。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のクリスタルセンサユニットにおいて、前記所定の温度範囲は、クリスタルセンサの周波数許容偏差を直線的に変化させることができる温度範囲であることを特徴とするクリスタルセンサユニット。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のクリスタルセンサユニットにおいて、前記所定の温度範囲は、摂氏１０度以上摂氏５０度以下であることを特徴とするクリスタルセンサユニット。
【請求項５】
有機ＥＬ素子を製造するための蒸着材料を蒸気にして、前記蒸気を被処理対象物に付着するために噴射する蒸発源と、前記被処理対象物に付着された前記蒸着材料の膜厚を測定するクリスタルセンサユニットとを備えた有機ＥＬ製造装置において、
前記クリスタルセンサユニットは、前記クリスタルセンサユニットに流体を流して冷却する冷却水ポンプと、前記冷却水ポンプに流す流体の流量を調整する冷却水ポンプ制御部と、前記クリスタルセンサの温度を測定して、前記温度が所定の温度範囲を外れるときは前記冷却水ポンプ制御部に対して前記冷却水ポンプに流す前記流量を指示する温調器とを有することを特徴とする有機ＥＬ製造装置。
【請求項６】
請求項５記載の有機ＥＬ製造装置において、前記クリスタルセンサユニットの前記温調器が測定する前記クリスタルセンサは、現在膜厚モニタ中のクリスタルセンサであることを特徴とする有機ＥＬ製造装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６記載の有機ＥＬ製造装置において前記所定の温度範囲は、クリスタルセンサの周波数許容偏差を直線的に変化させることができる温度範囲であることを特徴とする有機ＥＬ製造装置。
【請求項８】
請求項５または請求項６記載の有機ＥＬ製造装置において、前記所定の温度範囲は、摂氏１０度以上摂氏５０度以下であることを特徴とする有機ＥＬ製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クリスタルセンサユニット及びこれを用いた有機ＥＬ製造装置に関する。特に、クリスタルセンサユニットの冷却及び有機ＥＬ製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理対象物（以降、基板と称する）に薄膜を形成する技術として、真空槽内に蒸着させる材料を蒸発させて薄膜を形成する真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など多くの方法が実用化されている。このうち、真空蒸着法は、真空蒸着チャンバ内に設けた蒸発源の坩堝（るつぼ）に貯留された蒸着材料を電熱線等の加熱装置で坩堝ごと加熱し、気化または昇華した蒸着材料の蒸気（蒸着物）にして、当該蒸気を坩堝の蒸着ノズルなどの蒸着物出口部から噴射し、基板に蒸着するものである。
【０００３】
このような真空蒸着法を用いる蒸着装置は、一般に、基板に蒸着される材料の膜厚を均一にすることを重要視する。このため、クリスタルセンサユニット等の膜厚モニタを用いて、基板に所定の蒸着レートで膜が形成されるように管理している。
クリスタルセンサユニットは、クリスタルセンサ（水晶振動子）に付着される蒸着物の重量によって、クリスタルセンサの振動数が減少することを利用して膜厚を測定するものである。通常、クリスタルセンサの振動数が減少するにつれて、付着される膜厚も増加する。
特許文献１に記載されたクリスタルセンサユニットは、センサ回転モータと共にカバー内部に配置されている。このカバーには、冷却手段が備えられている。冷却手段として、カバー内部に、クリスタルセンサユニットの一領域を少なくとも覆う形態で冷却コイルラインを備える。冷却コイルラインの内部には、冷却水が注入される。冷却水が、冷却コイルラインに沿って均一に回転するので、クリスタルセンサの熱損傷を低減する。
【０００４】
図６と図７によって、従来のクリスタルセンサユニットの冷却システムについて説明する。図６は、クリスタルセンサの温度特性の一例を表すグラフであり、図７は、従来のクリスタルセンサユニットの冷却システムの構成例を示すブロック図である。
【０００５】
図６のグラフは、横軸に温度（単位：［℃］）、縦軸に周波数許容偏差を用いて、クリスタルセンサの温度に対する周波数許容偏差（単位：［１×１０−６］）を示している。
図６に示すように、温度がマイナス４０［℃］から０［℃］までは、周波数許容偏差は曲線的に上昇していく。０［℃］から６０［℃］までは、周波数許容偏差は減少していき、６０［℃］を超えると、周波数許容偏差は曲線的に増加していく。
このとき、１０［℃］から５０［℃］までの範囲では、周波数許容偏差は、ほぼ直線的に減少している。そこで、クリスタルセンサ１１０を１０［℃］から５０［℃］の範囲で使用すると、周波数許容偏差を直線的に変化させることができる。この温度１０［℃］から５０［℃］までの範囲を定速制御温度範囲と称する。
【０００６】
図７の従来のクリスタルセンサユニット２１の冷却システム２１１は、複数のクリスタルセンサから構成されるクリスタルセンサユニット２１の冷却を行う。図７の冷却システム２１１は、クリスタルセンサ１１０を含むクリスタルセンサユニット２１、温度センサ１６０、温調器１２１、冷却水ポンプ１５０、及びインバータ部１４１を備える。ただし、図７では、現在使用（膜厚モニタ）中のクリスタルセンサ１１０しか図示していない。
図７において、温度センサ１６０は、例えば、熱電対等であり、膜厚を計測中（使用中）のクリスタルセンサ１１０の温度を計測し、計測した温度情報を温調器１２１に出力する。温調器１２１は、使用中のクリスタルセンサ１１０の温度が定速制御温度範囲内であるか否かを判定し、定速制御温度範囲外の場合には、アラームを出力する。インバータ部１４１は、予め定められた所定の回転数で回転するように冷却水ポンプ１５０を制御する。即ち、インバータ部１４１は、冷却水ポンプ１５０を通過する冷却水の流量を調整する制御信号を出力する。インバータ１４０には、冷却水ポンプ１５０の冷却水を一定の流量で流す定速制御信号が組み込まれている。
冷却水ポンプ１５０は、インバータ部１４１の制御に応じて所定の回転数で回転し、クリスタルセンサ１１０内に冷却水を循環させる。
また、温調器１２１は、膜厚計測中（使用中）のクリスタルセンサ１１０の温度の計測結果を外部に出力するための外部出力端子１７０を備える。
【０００７】
使用中のクリスタルセンサ１１０は、真空蒸着時に膜厚を測定している。インバータ部１４１は、予め定められた所定の回転数で冷却水ポンプ１５０が回転し、所定の量の冷却水が常時クリスタルセンサユニット２１内を通る図示しない冷却パイプ（冷却コイルライン）中を循環するように冷却水ポンプ１５０を制御する。冷却水ポンプ１５０は、インバータ部１４１からの制御信号を受信して所定の回転数で回転し、冷却水を循環させてクリスタルセンサ１１０を冷却する。
温度センサ１６０は、使用中のクリスタルセンサ１１０の所定箇所の温度を計測し、計測した温度情報を温調器１２１に出力する。温調器１２１は、入力された温度情報から、使用中のクリスタルセンサ１１０の温度が所定の定速制御温度範囲内であるか否かを判定する。温調器１２１は、使用中のクリスタルセンサ１１０の温度が所定の定速制御温度範囲内であれば、何もしないか、若しくは、正常であることを示す信号を外部出力端子１７０から出力する。外部機器は、例えば、正常または異常の警告を表示する表示装置であり、例えば、音声や光を発する警報機である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−１０８１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のように、特許文献１や図６、７で説明したクリスタルセンサは、冷却水をクリスタルセンサ内に循環することによって冷却される。冷却されることによって、熱損傷を低減することができる。
しかし、冷却水がクリスタルセンサ内に循環するだけでは、クリスタルセンサを必ずしも一定の温度範囲に保つことができるとは限らない。
通常、クリスタルセンサユニットは複数個（例えば、１２個）のクリスタルセンサを１個ずつ順番に使用して、その使用時間を延長している。
さて、個々のクリスタルセンサの特性にはバラツキがあり、上述の所定の定速制御温度範囲内でも、周波数許容偏差を直線的に変化させることができないことが考えられる。また、冷却効果も同様である。従って、単に、所定の定速制御温度範囲内で使用するために、所定の回転速度で冷却水ポンプを回転するように制御しても、所定の温度範囲に保持できず、正常な蒸着レートを維持できない恐れがある。
本発明の目的は、上記のような問題に鑑み、クリスタルセンサの個体差によるバラツキに対しても、安定にクリスタルセンサを冷却することが可能なクリスタルセンサユニット及び有機ＥＬ製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するため、本発明のクリスタルセンサユニットは、複数のクリスタルセンサで構成され、そのうちの１つのクリスタルセンサが膜厚を測定するクリスタルセンサユニットであって、前記クリスタルセンサユニットに流体を流して冷却する冷却水ポンプと、前記冷却水ポンプに流す流体の流量を調整する冷却水ポンプ制御部と、前記クリスタルセンサの温度を測定して、前記温度が所定の温度範囲を外れるときは前記冷却水ポンプ制御部に対して前記冷却水ポンプに流す前記流量を指示する温調器とを有することを第１の特徴とする。
【００１１】
上記本発明の第１の特徴のクリスタルセンサユニットにおいて、前記温調器が測定する前記クリスタルセンサは、現在膜厚モニタ中のクリスタルセンサであることを本発明の第２の特徴とする。
【００１２】
上記本発明の第１の特徴または第２の特徴のクリスタルセンサユニットにおいて、前記所定の温度範囲は、クリスタルセンサの周波数許容偏差を直線的に変化させることができる温度範囲であることを本発明の第３の特徴とする。
【００１３】
上記本発明の第１の特徴または第２の特徴のクリスタルセンサユニットにおいて、前記所定の温度範囲は、摂氏１０度以上摂氏５０度以下であることを本発明の第４の特徴とする。
【００１４】
また、上記の目的を達成するため、本発明の有機ＥＬ製造装置は、有機ＥＬ素子を製造するための蒸着材料を蒸気にして、前記蒸気を被処理対象物に付着するために噴射する蒸発源と、前記被処理対象物に付着された前記蒸着材料の膜厚を測定するクリスタルセンサユニットとを備えた有機ＥＬ製造装置において、前記クリスタルセンサユニットは、前記クリスタルセンサユニットに流体を流して冷却する冷却水ポンプと、前記冷却水ポンプに流す流体の流量を調整する冷却水ポンプ制御部と、前記クリスタルセンサの温度を測定して、前記温度が所定の温度範囲を外れるときは前記冷却水ポンプ制御部に対して前記冷却水ポンプに流す前記流量を指示する温調器とを有することを本発明の第５の特徴とする。
【００１５】
上記本発明の第５の特徴の有機ＥＬ製造装置において、前記クリスタルセンサユニットの前記温調器が測定する前記クリスタルセンサは、現在膜厚モニタ中のクリスタルセンサであることを本発明の第６の特徴とする。
【００１６】
上記本発明の第５の特徴または第６の特徴の有機ＥＬ製造装置において、前記所定の温度範囲は、クリスタルセンサの周波数許容偏差を直線的に変化させることができる温度範囲であることを本発明の第７の特徴とする。
【００１７】
上記本発明の第５の特徴または第６の特徴の有機ＥＬ製造装置において、前記所定の温度範囲は、摂氏１０度以上摂氏５０度以下であることを本発明の第８の特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、クリスタルセンサの個体差によるバラツキに対しても、安定にクリスタルセンサを冷却することが可能なクリスタルセンサユニットを実現できる。この結果、膜厚の計測が正確及び安定して可能となるため、品質の向上した有機ＥＬ素子を製造可能な有機ＥＬ製造装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の蒸着装置を適用した有機ＥＬ製造装置の実施形態を示す図である。
【図２】図１における真空搬送室と真空蒸着チャンバの構成の模式図と動作説明図である。
【図３】図１の制御部４０の構成を示す図である。
【図４】本発明のクリスタルセンサユニットの冷却システムの構成の一実施例を示すブロック図である。
【図５】本発明のクリスタルセンサユニットの冷却動作手順の一実施例を説明するためのフローチャートである。
【図６】クリスタルセンサの温度特性一例を表すグラフである。
【図７】従来のクリスタルセンサユニットの冷却システムの構成例を示すブロック図である。
【図８】本発明における有機ＥＬ製造装置の生産工程の一実施例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明の一実施形態について、図面等を用いて説明する。
また、以下の説明は、本発明の一実施形態を説明するためのものであり、本願発明の範囲を制限するものではない。従って、当業者であればこれらの各要素若しくは全要素をこれと均等なものに置換した実施形態を採用することが可能であり、これらの実施形態も本願発明の範囲に含まれる。
なお、各図の説明において、従来の技術を説明した図６と図７を含め、同一の機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、重複を避けるため、できるだけ説明を省略する。
【００２１】
図１は、本発明の蒸着装置を適用した有機ＥＬ製造装置の実施形態を示す図である。図１は、本発明の有機ＥＬ製造装置の一実施形態であって、更にアライメントと蒸着を同一の真空蒸着チャンバ１で実現する有機ＥＬ製造装置１００を示している。有機ＥＬ製造装置１００は中心部に真空搬送ロボット５を持った多角形の真空搬送室２と、その周辺部に放射状に基板ストッカ室３や成膜室である真空蒸着チャンバ１を配置したクラスタ型の有機ＥＬ製造装置の構成を有している。各真空蒸着チャンバ１は基板６を保持する基板保持部９とマスク８とを有する。また、真空蒸着チャンバ１及び基板ストッカ室３と真空搬送室２との間には互いの真空を隔離するゲート弁１０が設けられており、各室は適宜真空状態と通常の大気中の状態を切替える。なお、４０は有機ＥＬ製造装置１００の構成要素を制御する制御装置である。
【００２２】
図２は、図１における真空搬送室２と真空蒸着チャンバ１の構成の模式図と動作説明図である。図２における真空搬送ロボット５は、全体を上下に移動可能（図示せず）で、左右に旋回可能な２リンク構造のアーム５７を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５８を有する。
【００２３】
一方、真空蒸着チャンバ１は、真空搬送ロボット５から搬入された基板６を保持する基板保持部９と、発光層を形成するための蒸着材料を蒸発させ基板６に成膜させる蒸発源７と、蒸発源７を上下方向移動させる蒸発源走査手段４３、基板６への蒸着パターンを規定するマスク８とを有する。基板保持部９は、櫛歯状ハンド９１と基板保持部９を旋回させて直立しているマスク８に正対させる基板旋回手段９３とを有する。
また真空蒸着チャンバ１は、マスク８の上部にマスク８と基板６とにそれぞれ存在するアライメントマーク８４、８５（引出図参照）を撮像するアライメントカメラ８６と、その撮像結果に基づいてマスク８移動させるアライメント駆動部（図示せず）とを有する。
各真空蒸着チャンバ１は、有機ＥＬ素子を製造するにあたって、それぞれの真空蒸着チャンバ内で、異なる蒸着材料を用いて蒸着を行い、最終的な有機ＥＬ素子を形成する。即ち、基板６は、各真空蒸着チャンバ１を移動して、それぞれの真空蒸着チャンバ１内での処理がなされる。それぞれの真空蒸着チャンバ１内では、有機ＥＬ素子を製造するために必要な膜を形成するため、様々な蒸着材料２を基板６に蒸着することによって有機ＥＬ素子が製造される。
【００２４】
このような構成によって、真空搬送ロボット５は、基板ストッカ室３から基板６を取出し、真空蒸着チャンバ１の基板保持部９に搬入する。そして、真空蒸着チャンバ１では、搬入された基板６を基板旋回手段９３でマスク８に正対させ、アライメントし、蒸発源７を上下させ基板６に蒸着する。蒸着後、基板６を水平状態に戻す。その後、真空搬送ロボット５により基板６を真空蒸着チャンバ１から搬出し、他の真空蒸着チャンバ１に搬入又は基板ストッカ室３に戻す。このような処理における基板６の搬出入おいて、各真空蒸着チャンバ１の処理に影響を与えないように関連するゲート弁１０が制御される。
【００２５】
図３は、図１の制御部４０の構成を示す図である。
膜厚センサ（クリスタルセンサユニット２０）は、蒸発源７の蒸着物出口部７８から出る蒸着材料である蒸着物７２ｆの量を検出する。制御ユニット２２は、膜厚センサ２０からの情報に基づき蒸発レートを計算し、蒸発源７の加熱装置に予め定められた蒸発レートになるように電力が供給されるように加熱用電力源２４を制御する。クリスタルセンサユニット２０は、クリスタルセンサ（水晶振動子）に蒸着材料が付着することによって、当該クリスタルセンサの固有振動数が変化することを利用し、複数のクリスタルセンサ１１０のうちの１つずつを順番に使用する。即ち、複数のクリスタルセンサ１１０のうちの１つのクリスタルセンサが膜厚を測定する。
図３において、クリスタルセンサユニット２０は、蒸発源７の坩堝（図面に記載なし）の蒸着物出口部７８から出る蒸着材料である蒸着物７２ｆの量を検出する。制御ユニット２２は、膜厚センサ２１からの情報に基づき蒸着レートを計算し、坩堝の加熱手段（図面に記載なし）に予め決められた蒸発レートになるように電力が供給されるように加熱用電力源２４を制御する。
【００２６】
上記の説明では、所謂フィードバック制御の場合を説明したが、蒸着物７２ｆの量も取り込まず制御ユニットが予め決めた蒸発レートに対応した電力量になるように加熱手段電力源２４を制御する所謂オープン制御でもよい。
なお、制御装置４０は、有機ＥＬ製造装置１００の全体を制御する制御装置である。制御ユニット２２は、制御装置４０の管理下において動作する。
【００２７】
次に、本発明の有機ＥＬ製造装置１００において、クリスタルセンサユニット２０を使った場合の冷却システム１００について説明する。
図４は、本発明のクリスタルセンサユニット２０の冷却システム２１０の構成の一実施例を示すブロック図である。図４においても、図６で説明したクリスタルセンサの温度特性の一例を表すグラフを参照して説明する。なお、図４においても、図７と同様に、クリスタルセンサユニット２０には、現在使用（膜厚モニタ）中のクリスタルセンサ１１０しか図示していない。
【００２８】
図４の本発明のクリスタルセンサユニットの冷却システム２１０は、複数のクリスタルセンサから構成されるクリスタルセンサユニット２０の冷却を行う。図４の冷却システム２１０は、クリスタルセンサ１１０を含むクリスタルセンサユニット２０、温度センサ１６０、温調器１２０、冷却水ポンプ１５０、インバータ部１４０、及び、フィードバックスイッチ１３０を備える。また、温調器１２０は、膜厚計測中（使用中）のクリスタルセンサ１１０の温度の計測結果を外部に出力するための外部出力端子１７０を備える。
【００２９】
図４の複数のクリスタルセンサ１１０から構成されるクリスタルセンサユニット２０において、インバータ部１４０は、温調器１２０から制御信号が送信されていない場合には、予め定められた所定の回転数で回転するように冷却水ポンプ１５０を制御する。冷却水ポンプ１５０は、インバータ部１４０の制御に応じて所定の回転数で回転し、クリスタルセンサ１１０内に冷却水を循環させる。即ち、インバータ部１４０は、冷却水ポンプ１５０を通過する冷却水の流量を調整する制御信号を出力する。インバータ１４０には、冷却水ポンプ１５０の冷却水を一定の流量で流す定速制御信号が組み込まれている。冷却水は、周囲の熱を奪い冷却可能な流体であればよい。
熱電対等の温度センサ１６０は、クリスタルセンサ１１０が動作している環境の温度を測定する。クリスタルセンサ１１０自体の温度は、その環境の温度から経験的に推定可能である。即ち、温度センサ１６０は、膜厚を計測中（使用中）のクリスタルセンサ１１０の温度を計測し、計測した温度情報を温調器１２０に出力する。温調器１２０は、使用中のクリスタルセンサ１１０の温度が定速制御温度範囲内であるか否かを判定する。即ち、温調器１２０は、計測された温度が定速制御温度範囲外である場合には、アラームを出力すると共に、フィードバックスイッチ１３０をＯＮに切換えて、温調器１２０の回転制御信号がインバータ部１４０に伝送できる状態とする。
温調器１２０からの回転制御信号がインバータ部１４０に入力されると、インバータ部１４０は、定速制御信号を出力せず、温調器１２０からの回転制御信号を出力して、冷却水ポンプ１５０の流量を制御する。
冷却水ポンプ１５０は、クリスタルセンサユニット２０に冷却水を供給して、クリスタルセンサユニット２０のクリスタルセンサ１１０を冷却する。
【００３０】
また、温調器１２０は、計測された温度が定速制御温度範囲内の場合には、フィードバックスイッチ１３０をＯＦＦに切換えて、温調器１２０の制御信号がインバータ部１４０に伝送できない状態とする。その結果、インバータ部１４０は、温調器１２０から制御信号が送信されていないので、予め定められた所定の回転数で回転するように冷却水ポンプ１５０を制御する。冷却水ポンプ１５０は、インバータ部１４１の制御に応じて所定の回転数で回転し、クリスタルセンサ１１０内に冷却水を循環させる。
即ち、温調器１２０は、計測された温度が定速制御温度範囲内の場合には、インバータ部１４０は、組み込まれている定速制御信号を出力する。冷却水ポンプ１５０は、定速制御信号を受信して定速制御信号に対応した回転数で冷却水を流し、クリスタルセンサユニット２０のクリスタルセンサ１１０を冷却する。クリスタルセンサ１１０は、周波数許容偏差が直線性を有する範囲であるため、クリスタルセンサ１１０から出力される信号をこの周波数許容偏差に基づいて補正することができる。
【００３１】
図５によって、本発明のクリスタルセンサユニット２０の冷却システム２１０における温調器１２０の温度制御に関する動作手順を説明する。図５は、本発明のクリスタルセンサユニットの冷却動作手順の一実施例を説明するためのフローチャートである。
図５における制御は、冷却システム２１０を構成する温調器１２０が、システム内の各機器を制御して実行する。
【００３２】
まず、所定時間経過判定ステップＳ５０１では、前の処理から経過した時間が所定時間経過したか否かを判定する。所定時間経過していなければ、所定時間経過判定ステップＳ５０１に戻り、経過していれば温度情報取得ステップＳ５０２の処理に移行する。
温度情報取得ステップＳ５０２では、温度センサ１６０から出力された最新の温度情報を取得し、現在使用中のクリスタルセンサ１１０の温度を算出する。
次に、温度範囲外判定ステップＳ５０３では、算出した温度が、所定の温度範囲（例えば、図１のグラフによれば、１０［℃］〜５０［℃］）内であるか範囲外であるかを判定する。温度範囲内であれば、所定時間経過判定ステップＳ５０１に戻る。また、温度範囲外であれば、温度判定ステップＳ５０４の処理に移行する。
温度判定ステップＳ５０４では、算出した温度が、所定の温度範囲より低いか高いかを判定する。算出した温度が所定の温度範囲より低い場合には、回転数下げステップＳ５０５の処理に移行する。また、算出した温度が所定の温度範囲より高い場合には、回転数上げステップＳ５０６の処理に移行する。
なお、温度範囲外判定ステップＳ５０３と温度判定ステップＳ５０４を同じ処理ステップとして実行してもよい。
回転数下げステップＳ５０５では、冷却水ポンプ１５０の回転数を所定数下げる制御信号をインバータ部１４０に出力し、所定時間経過判定ステップＳ５０１に戻る。即ち、クリスタルセンサ１１０の動作している環境の温度が摂氏１０度よりも低いときには、冷却水ポンプ１５０の回転数を遅くして、クリスタルセンサ１１０に供給する冷却水の流量が少なくするように制御する。
回転数上げステップＳ５０６では、冷却水ポンプ１５０の回転数を所定数上げる制御信号をインバータ部１４０に出力し、所定時間経過判定ステップＳ５０１に戻る。即ち、クリスタルセンサ１１０の動作している環境の温度が摂氏５０度よりも高いときには、冷却水ポンプ１５０の回転数を早くして、クリスタルセンサ１１０に供給する冷却水の流量を多くするように制御する。
【００３３】
なお、回転数下げステップＳ５０５では、あるいは冷却水ポンプ１５０の回転を所定時間止めて、冷却水による冷却を停止するように制御してもよい。
【００３４】
図８は、有機ＥＬ製造装置の生産工程の一実施例を示した工程図である。上述の図１乃至図７の説明では、この生産工程の金属蒸着の工程のみを主に説明した。
図８の工程図では、有機層と有機層に流れる電流を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板と、有機層を外部の湿気から保護する封止基板は別々に形成され、封止工程／シール硬化工程の封止工程において組み合わされる。
【００３５】
上述したように、本発明のクリスタルセンサユニットは、使用中のクリスタルセンサの個体差による温度変化を計測し、微小な温度変化時における周波数補正と、従来の冷却水流量制御で温度データをフィードバックし、ある一定以上の温度変化による冷却水制御の２段階制御を目的とする。
本発明によれば、冷却水の温度制御を２段階で実行することで、微小な温度変化によるクリスタルセンサユニットの複数のクリスタルセンサ（水晶振動子）それぞれの周波数温度変化に安定して追従することができる。このため、クリスタルセンサの個体差によるバラツキに対しても、安定にクリスタルセンサを冷却することが可能なクリスタルセンサユニットを実現できる。この結果、膜厚の計測が正確及び安定して可能となるため、品質の向上した有機ＥＬ素子を製造可能な有機ＥＬ製造装置を実現できる。
【符号の説明】
【００３６】
１：真空蒸着チャンバ、  ２：真空搬送室、  ３：基板ストッカ、  ５：真空搬送ロボット、  ６：基板、  ７：蒸発源、  ８：マスク、  ９：基板保持部、  １０：ゲート弁、  ２０，２１：クリスタルセンサユニット、  ２２：制御ユニット、  ２４：加熱用電力源、  ４０：制御装置、  ４３：蒸発源走査手段、  ５７：アーム、  ５８：櫛歯状ハンド、  ７２ｆ：蒸着物、  ７８：蒸着物出口部、  ８４，８５：アライメントマーク、  ８６：アライメントカメラ、  ９１：櫛歯状ハンド、  ９３：基板旋回手段、  １００：有機ＥＬ製造装置、  １１０：クリスタルセンサ、  １２０，１２１：温調器、  １３０：フィードバックスイッチ、  １４０，１４１：インバータ部、  １５０：冷却水ポンプ、  １６０：温度センサ、  １７０：外部出力端子、  ２１０，２１１：冷却システム。
【図１】
2015069858.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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