(57)【要約】【課題】被処理体とマスクとに対する測定精度を確保する。【解決手段】単一の内部空間Ｓ１を有する成膜室Ｓ内に配された複数のゾーンＺ２を通過することにより有機ＥＬデバイスを製造する装置１０であって、成膜終了後に被処理体Ｗの成膜状態を検査する検査手段Ｃ３０が大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３に内蔵されるとともに、検査手段による検査領域が被処理体の幅方向全域をカバーするように検査手段が幅方向Ｈｂに複数設けられる。【選択図】図１
2015130263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室を備え、前記処理室Ａから前記成膜室へ搬入された被処理体が、該成膜室の内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段を用いて前記被処理体の裏面を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面上に蒸着膜を形成する第二ゾーン、
前記保持手段から前記被処理体の保持を解除する第三ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンにおける成膜終了後に前記被処理体の成膜状態を検査する検査手段を有する第三ゾーンが設けられ、
前記検査手段が前記内部空間に対して密閉された大気ボックスに内蔵されるとともに、前記検査手段による検査領域が前記被処理体の幅方向全域をカバーするように前記検査手段が前記被処理体の幅方向に複数設けられることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項２】
前記検査手段が前記被処理体の搬送方向に複数列設けられることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項３】
前記大気ボックスには、前記計測対象を所定の波長の照射光で照らすための照射手段が搭載されることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイスの製造装置に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬデバイス等の製造工程においては、被処理体であるフィルムあるいは基板の表面に所定の薄膜を成膜する工程を有することがあり、この成膜工程には、基板等に対して所定のパターンで成膜する等、特定の領域に成膜範囲を制限（限定）して成膜する場合がある。真空蒸着法にて基板に対して所定のパターンで成膜する場合を例に説明すると、処理室内に蒸発源と基板とを配置し、真空下で蒸発源から所定の材料を蒸発させる。このとき、基板の蒸発源側に、成膜範囲を限定するマスクを配置し、マスク越しに成膜することで、特定の領域にのみ成膜される。ここで、基板の特定の領域に精度よく成膜するには、処理室内で相互に対向配置される基板とマスクとの配置を精度よく計測する必要がある。
【０００３】
特許文献１に示されるように、基板とマスクとが処理チャンバ内で真空雰囲気に保たれるのに対して、センサであるカメラや照明手段等は、真空外であるチャンバ外に配置され、チャンバ壁に設けられた窓部から計測をおこなっている。
【０００４】
また、有機ＥＬデバイスの製造においては、特許文献２に示されるように、成膜処理終了後に成膜状態を検査することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−００１９４７号公報
【特許文献２】特開２０１１−０７０９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、有機ＥＬデバイスの大型化に伴って、被処理体である基板が大型化しチャンバの容量が増えたにもかかわらず、チャンバ内における基板の搬送位置はほぼ変化させられないことにより、チャンバ外に位置するセンサと基板との距離が離間して、必要な精度で適確な測定ができなくなるという問題が生じてきた。特に、基板およびマスクと計測手段であるカメラとの距離は、ＷＤ（Working distance）とも称され、必要な精度を維持するために、これらの距離を極めて厳密に設定することが必要である。
【０００７】
さらに、センサ等の計測デバイスの多くは真空仕様に対応していないため、チャンバ壁部を必要な形状に変形させてセンサの位置が計測可能な配置となるように対応することが考えられるが、基板の大型化に伴いチャンバ壁が複雑な凹凸形状となってしまい、このような場合、蒸着装置のメンテナンス作業性が低下するという問題が起きる可能性があり、また、複雑な凹凸形状となってしまうチャンバ壁部からのリークや真空度の低下が発生するという問題が起きる可能性があり好ましくない。
さらに、これらの問題を解決する際に低コストに対応したいという要求があった。
【０００８】
また、有機ＥＬデバイスの製造においては、成膜処理終了後、速やかに成膜状態を検査したいという要求がある。つまり、成膜後、同一チャンバ内で検査をおこないたいという要求がある。しかし、特許文献２に示されたような紫外線等を照射する発光層などの成膜状態検査に必要な装置は極めて大型であり、成膜処理をおこなったチャンバとは別の場所に設定されて、この検査装置まで処理後の基板を移送していたため、成膜雰囲気から一度、チャンバ外を搬送した後、再度検査雰囲気にする必要があった。
【０００９】
このように成膜雰囲気から、搬送雰囲気、検査雰囲気と切り替えることにより、表面汚染等により歩留まりが低下する可能性がある、さらにまた、チャンバ外で検査を実施すると作業時間を余計に要する、他装置の搬送を待つ必要があるという問題がある。さらに、真空内に設置する事で、リアルタイムに成膜情報をフィードバックすることを可能としたいという要求があった。しかも、蒸着処理において、基板チャック等で保持していた基板（被処理体）を、処理室外に出すために保持を解除し、処理室外での搬送時や検査装置内での検査時に再度保持する必要があり、このように際保持あるいは検査用に載置する際などに、蒸着膜にダメージを与える可能性があるという問題があった。さらに、検査用に再度位置合わせをする必要があり、作業効率が悪くなるためこれを改善したいという要求があった。
さらに、基板の全面においては、成膜状態検査から漏れた領域がないように、しかも、一回の動作で、一度に基板の成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮したいという要求があった。
【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．同一チャンバ内で検査をおこない、検査精度を確保すること。
２．処理雰囲気および検査雰囲気におけるリーク発生や真空度の低下を低コストに防止すること。
３．メンテナンス性の低下を安価に防止すること。
４．歩留まりの向上と有機ＥＬデバイスの製造コスト低減とを図ること。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置は、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室を備え、前記処理室Ａから前記成膜室へ搬入された被処理体が、該成膜室の内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段を用いて前記被処理体の裏面を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面上に蒸着膜を形成する第二ゾーン、
前記保持手段から前記被処理体の保持を解除する第三ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンにおける成膜終了後に前記被処理体の成膜状態を検査する検査手段を有する第三ゾーンが設けられ、
前記検査手段が前記内部空間に対して密閉された大気ボックスに内蔵されるとともに、前記検査手段による検査領域が前記被処理体の幅方向全域をカバーするように前記検査手段が前記被処理体の幅方向に複数設けられることにより上記課題を解決した。
本発明は、前記検査手段が前記被処理体の搬送方向に複数列設けられることが好ましい。
本発明は、前記大気ボックスには、前記計測対象を所定の波長の照射光で照らすための照射手段が搭載されることができる。
【００１２】
本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置は、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に（仕切りバルブを介して）設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室（チャンバ）Ｓを備え、前記処理室Ａから前記成膜室Ｓへ搬入された（平板状の）被処理体が、該成膜室Ｓの内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段（基板チャック）を用いて前記被処理体の裏面（一面）を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面（他面）上に（陽極として機能するＩＴＯなどの）第一導電膜を蒸着し、前記第一導電膜上に正孔輸送層を蒸着し、前記正孔輸送層上に発光層を蒸着し、前記発光層上に電子輸送層を蒸着し、前記電子輸送層上に（陰極として機能する）第二導電膜を蒸着する第二ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンンの各蒸着位置のいずれかにおける成膜終了後に前記被処理体の成膜状態を検査する検査手段を有する第三ゾーンが設けられ、
前記検査手段が前記内部空間に対して密閉された大気ボックスに内蔵されるとともに、前記検査手段による検査領域が前記被処理体の幅方向全域をカバーするように前記検査手段が前記被処理体の幅方向に複数設けられることにより、成膜後ただちに同一チャンバ内において、大気圧中でないと動作保証がされていないデバイスを備えた検査装置を用いてその精度を確保して検査をおこなうことが可能となる。同時に、蒸着をおこなった成膜雰囲気から、搬送雰囲気、検査雰囲気と切り替える必要がないので、蒸着した膜への雰囲気切り替えによる影響をなくすことができる。
【００１３】
本発明は、前記検査手段が前記被処理体の搬送方向に複数列設けられることにより、一回の動作で、一度に基板の成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮することが可能となる。同時に、各ゾーンにおける成膜をおこなう位置での搬送動作と同じ動作により検査ゾーンでの検査動作をおこなうことができるため作業効率を安価により向上することができる。
【００１４】
本発明は、前記大気ボックスには、前記計測対象を所定の波長の照射光で照らすための照射手段が搭載されることにより、紫外線等を照射する発光層などの成膜状態検査をおこなうことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板サイズの大型化に対応し、成膜処理終了後、成膜雰囲気から、搬送雰囲気、検査雰囲気へと切り替えることなく、同一チャンバ内で速やかに成膜状態検査を可能とすることができる。しかも、蒸着処理において、基板チャック等で保持していた基板（被処理体）を、搬送時や検査時に再度保持あるいは検査用に載置して再度位置合わせをする必要がなく、作業効率を改善することができる。
さらに、基板の全面において漏れがないように、しかも、一回の動作で、一度に基板の成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮することができる。同時に、検査手段（光学系カメラ）におけるＷＤ（Working distance）を所定の範囲内に設定して、成膜室内の真空度の低下やリークを生じることなく、メンテナンスの作業性の低下を防止でき、製品コストの増大を防止することが可能となる、という効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態を示す模式正面図である。
【図２】有機ＥＬデバイスの製造工程を示す模式断面図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態における検査手段を示す模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置を示す模式正面図であり、図において、符号１０は、有機ＥＬデバイスの製造装置である。
【００１８】
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０は、図１に示すように、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に、仕切りバルブＡ１、Ｂ１を介して設けられた、減圧可能な単一の内部空間Ｓ１を有する成膜室（チャンバ）Ｓを備え、前記処理室Ａから前記成膜室Ｓへ搬入された平板状の被処理体Ｗが、該成膜室Ｓの内部空間Ｓ１内に配された複数のゾーンＺ１〜Ｚ３を通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置である。
【００１９】
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０によって製造される有機ＥＬデバイスは、図３にその一例を示すように、ガラスや可撓性材料等とされる透明基板Ｗに、陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１が形成され、前記第一導電膜Ｖ１上に正孔輸送層Ｖ２が形成され、前記正孔輸送層Ｖ２上に発光層Ｖ３が形成され、前記発光層Ｖ３上に電子輸送層Ｖ４が形成され、前記電子輸送層Ｖ４上に陰極として機能する第二導電膜Ｖ５が形成されている。
【００２０】
有機ＥＬデバイスの製造装置１０において、図１に示すように、チャンバＳに前記複数のゾーンＺ１〜Ｚ３として、保持手段（基板チャック）Ｔを用いて前記被処理体Ｗの裏面（一面）を保持する第一ゾーンＺ１、前記保持手段Ｔにより保持された前記被処理体Ｗの表面（他面）上に陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１を形成し、前記第一導電膜Ｖ１上に正孔輸送層Ｖ２を形成し、前記正孔輸送層Ｖ２上に発光層Ｖ３を形成し、前記発光層Ｖ３上に電子輸送層Ｖ４を形成し、前記電子輸送層Ｖ４上に陰極として機能する第二導電膜Ｖ５を形成する第二ゾーンＺ２、前記被処理体Ｗの移動方向における前記第二ゾーンＺ２よりも下流側位置で被処理体Ｗの成膜状態を検査するとともに保持手段Ｔから被処理体Ｗの保持を解除する第三ゾーン（検査ゾーン）Ｚ３、が順に並んで構成されている。なおこれらの第二ゾーンＺ２の各蒸着位置における蒸着源Ｅ等は、模式的に示されたものであり、それぞれの蒸着膜Ｖ１〜Ｖ５等に対応して設けられるものであり、また、蒸着源を加熱する加熱手段、温度測定手段、膜厚制御用のシャッター等は図示を省略する。また、有機ＥＬデバイスの製造装置１０における雰囲気ガス制御手段も図示を省略する。
【００２１】
有機ＥＬデバイスの製造装置１０において、図１に示すように、第一ゾーンＺ１〜第三ゾーンＺ２に亘って、基板Ｗを吸着した基板チャックＴを搬送する基板搬送部（搬送手段）Ｌ１として、基板チャックＴの移動方向と直交する軸線を有するローラＬａが水平方向に多数並設され、図示しない駆動手段により、基板チャックＴを搬送方向Ｈに搬送する。第三ゾーンＺ３の基板搬送部Ｌ１より下側位置には、大気ボックスに収納された検査手段（光学系カメラ）Ｃ３０が設けられる。
【００２２】
有機ＥＬデバイスの製造装置１０では、検査手段（光学系カメラ）Ｃ３０によって、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置において、それぞれ蒸着源Ｅと被処理体（基板）Ｗの表面側との間に所望のマスクＭを設けておこなった所定の成膜状態に対して第三ゾーンＺにおいて検査処理をおこなうように、図１に示すように、第三ゾーンＺ３の基板搬送部Ｌ１より下側位置に設けられ基板チャックＴに保持された基板Ｔを蒸着面側から検査するものとされる。検査手段Ｃ３０は、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置のいずれかにおける成膜終了後に基板（被処理体）Ｗの成膜状態を検査するものとされ、図１に示すように、内部空間Ｓ１に対して密閉された大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３に内蔵される。光学系カメラとしては、ＣＣＤカメラやＣＭＯＳセンサなど、発熱の少ないものを採用することが好ましい。
【００２３】
検査手段（光学系カメラ）Ｃ３０は、基板Ｗの搬送方向Ｈと直交する基板幅方向Ｈｂに複数設けられる。具体的には、図３に示すように、第三ゾーンＺ３においては搬送方向Ｈに沿って順に大気ボックスＢＯ１、大気ボックスＢＯ２、大気ボックスＢＯ３が並べられる。大気ボックスＢＯ１には、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３６が平面視して基板幅方向Ｈｂに一列となるように収納される。大気ボックスＢＯ２には、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５が平面視して基板幅方向Ｈｂに異なる列となる位置に収納されるとともに、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａが、撮像装置（カメラ）Ｃ３４と基板幅方向Ｈｂにおいて同じ位置となるように、搬送方向Ｈに２列に設けられる。
【００２４】
大気ボックスＢＯ３には、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａが平面視して基板幅方向Ｈｂに一列となるように収納される。大気ボックスＢＯ３に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａと、は、大気ボックスＢＯ１に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３とは、それぞれ、対応する番号を付したものどうしが基板幅方向Ｈｂにおいて同じ位置となるように配置され、検査手段Ｃ３０として、搬送方向Ｈに２列の撮像装置（カメラ）が設けられている。
【００２５】
大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３には、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５、撮像装置（カメラ）Ｃ３６、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａのレンズに対応する位置に検査窓部Ｂｂが設けられて、この検査窓部Ｂｂを介して基板Ｗの撮像をおこなう。
【００２６】
また、大気ボックスＢＯ１に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３は、それぞれ、基板幅方向Ｈｂにおいて互いに離間した状態に配置されるが、基板幅方向Ｈｂでこれらの間となる位置には、大気ボックスＢＯ２に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３４と撮像装置（カメラ）Ｃ３５が位置して、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５により、第三ゾーンＺ３において検査手段Ｃ３０の下側位置を搬送される基板Ｗ２（Ｗ）の基板幅方向Ｈｂにおける全幅をカバーして検査可能なように配置されている。
【００２７】
また、大気ボックスＢＯ１に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３６は、第三ゾーンＺ３において検査手段Ｃ３０の下側位置を搬送される基板Ｗ２（Ｗ）の縁部を認識し、被検査基板Ｗ２（Ｗ）の全幅となる全領域が検査されるように、基板Ｗの位置を測定するものとされる。
【００２８】
これらの撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５、撮像装置（カメラ）Ｃ３６、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａには、それぞれ、基板幅方向Ｈｂにおいて同じ位置となるように、照射手段Ｌが設けられる。照射手段Ｌはいずれも、各照射手段Ｌに対応した検査窓部Ｂｂを介して所定の波長の照射光で基板Ｗを照らすためのものとされ、蒸着される各層における有機ＥＬ材料の吸光特性により、発光層Ｖ３が吸光する吸光波長を除いて吸光しない波長のみを照射可能となっている。
【００２９】
例えば、検査窓部Ｂｂの照射部分にフィルタとしての光学的反射防止膜が設けられて、発光層Ｖ３が吸光する吸光波長を除いて吸光しない波長のみを照射可能とすることができる。また、照射手段Ｌ３６は、撮像装置（カメラ）Ｃ３６によって基板Ｗの位置を測定可能な照明光を照射可能なものとされる。
【００３０】
検査手段Ｃ３０においては、撮像装置（カメラ）Ｃ３１と撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２と撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３と撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４と撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａは、基板幅方向Ｈｂで同じ位置、つまり、搬送される基板Ｗの同じ領域を、異なる撮像装置（カメラ）で、２度検査するものとされる。これにより、撮像装置（カメラ）Ｃ３１における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａにより担保している。同様に、撮像装置（カメラ）Ｃ３２における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａにより担保し、撮像装置（カメラ）Ｃ３３における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａにより担保し、撮像装置（カメラ）Ｃ３４における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａにより担保している。
【００３１】
大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３には、いずれも真空性能として、収納側となる内部が大気圧、外部が例えば１×１０−５Ｐａ程度の高真空であっても、歪み発生がないという条件を設定することができる。検査手段Ｃ３０は、大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３の内部から図示しない真空対応の端子および真空対応のケーブルによってチャンバＳの外部に設けられた図示しない制御部等に接続されて検査結果を出力する。また、大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３を搬送方向Ｈに３分割された構成としたが、単一の大気ボックス、あるいは、他の個数の大気ボックスとすることもできる。
【００３２】
次に、本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造装置１０における有機ＥＬデバイスの製造動作について説明する。
【００３３】
本実施形態においては、処理室Ａにおいて前段のプロセスを行い、この前処理が終了した基板Ｗを図示しない、搬送手段により仕切りバルブＡ１を介してチャンバＳ内に搬送する。
次いで、第一ゾーンＺ１において、基板チャック（保持手段）Ｔを用いて基板（被処理体）Ｗの裏面（一面）を保持する。
【００３４】
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第二ゾーンＺ２の第一の蒸着位置に移動し、基板Ｗの表面（下面）上に陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１を形成する。
【００３５】
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第二の蒸着位置に移動し、同様にして、第一導電膜Ｖ１上にマスクＭのパターンＭａに応じた正孔輸送層Ｖ２を形成する。
【００３６】
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第三の蒸着位置に移動し、同様にして、正孔輸送層Ｖ２上にマスクＭのパターンＭａに応じた発光層Ｖ３を形成する。
【００３７】
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第四の蒸着位置に移動し、同様にして、発光層Ｖ３上にマスクＭのパターンＭａに応じた電子輸送層Ｖ４を形成する。
【００３８】
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第五の蒸着位置に移動し、同様にして、電子輸送層Ｖ４上にマスクＭのパターンＭａに応じた第二導電膜Ｖ５を形成する。
【００３９】
本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造装置１０においては、第二ゾーンＺ２の第五の蒸着位置までの成膜終了後に同一のチャンバＳ内において検査手段Ｃ３０により基板Ｗの成膜状態を検査する。
【００４０】
具体的には、図３に示すように、蒸着処理（成膜処理）の終了した基板Ｗ１（Ｗ）が基板搬送部Ｌ１により第三ゾーンＺ３に搬送されてくると、基板Ｗ２（Ｗ）として示す位置まできたときに、照射手段Ｌ３６により照明するとともに撮像装置（カメラ）Ｃ３６により、基板Ｗの縁部を撮像して計測し、基板Ｗ２が基板幅方向Ｈｂにおいて所定の場所に位置して、基板幅方向Ｈｂの全域でこの基板Ｗ２が検査可能かどうかを確認する。同時に、照射手段Ｌによって所定の照射光を照射しつつ、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３によって、基板Ｗを搬送方向Ｈに沿った帯状に連続撮像し、欠陥等の不具合の有無検出および膜厚測定をおこなう。これにより、基板Wの搬送方向Ｈの全長に亘って各カメラＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３が帯状に検査をおこなう。
【００４１】
さらに、基板Ｗが搬送されると、同様にして、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５によって、基板Ｗを搬送方向Ｈに沿った帯状に連続撮像し、欠陥等の不具合の有無検出および膜厚測定をおこなう。このとき、撮像装置（カメラ）Ｃ３４は、撮像装置（カメラ）Ｃ３１と撮像装置（カメラ）Ｃ３２とで撮像した帯状領域の間の帯状部分を、また、撮像装置（カメラ）Ｃ３５は、撮像装置（カメラ）Ｃ３２と撮像装置（カメラ）Ｃ３３とで撮像した帯状領域の間の帯状部分を撮像する。これにより、第１段となる撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５によって、基板Ｗの全域が検査される。
【００４２】
さらに、基板Ｗが搬送されると、同様にして、第２段となる撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａによって、再度、基板Ｗ３（Ｗ）が検査される。このとき、第１段のカメラと、第２段のカメラで、同様の波長帯の照射光による同じ検査を２度して検査の制限製を担保することもできるし、異なる波長帯の照射光による異なる内容の検査をおこなうように設定することも可能である。
【００４３】
検査手段Ｃ３０の検査終了後、図３に示すように、基板Ｗ４（Ｗ）は判別工程である第八ゾーンＺ８へと搬送され、検査手段Ｃ３０の検査結果によって、良好と判定された場合には、矢印Ｗ６に示すようにライン上を次工程へ搬送され、不良と判断された場合には、矢印Ｗ５に示すように製造ラインから待避させる。不良と判断された基板Ｗは、一時保管した後、蒸着工程に戻すこともできるし、処理室Ｓ外に取り出すこともできる。
【００４４】
次いで、検査・判定工程が終了した基板Ｗは、基板チャックＴによる保持を解除するとともに、このチャンバＳ内における処理が終了した基板Ｗを、図示しない搬送手段により仕切りバルブＢ１を介して処理室Ｂにおける後段のプロセスへと搬送する。
【００４５】
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０によれば、基板幅方向Ｈｂおよび搬送方向Ｈに複数列・複数段配置された撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５、撮像装置（カメラ）Ｃ３６、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａを有する検査手段Ｃ３０によって、蒸着成膜後ただちに同一チャンバＳ内において検査をおこなうことにより、蒸着をおこなった成膜雰囲気から、雰囲気を切り替えることなく成膜状態の検査をおこなうことができる。これにより、蒸着した膜への雰囲気切り替えによる影響をなくすことができる。基板サイズが大型化した場合であってもこれに対応して、成膜室Ｓ内の真空度の低下やリークを生じることなく、一度に基板Ｗの成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮することが可能となる。同時に、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置における成膜をおこなう位置での搬送動作と同じ動作により検査ゾーンＺ３での検査動作をおこなうことができるため作業効率を安価により向上することができる。
【００４６】
さらに、大気ボックスＢＯ１〜ＢＯ３が密閉されていることにより、検査デバイス等の計測手段が良好に動作して精度よく検査することが可能となる。また、計測手段Ｃ３０を大気ボックスＢＯの内部に収納したことにより、計測手段（光学系カメラ）Ｃ３０におけるＷＤ（Working distance）を所定の範囲内に設定して、基板Ｗへの蒸着状態、特に、発光層Ｖ３などの検査を精度よくおこなうことを安価に可能とすることができる。同時に、真空中では正常動作が確実でない計測デバイスを用いても安価にかつ精度よく計測をおこなうことができる。また、チャンバＳの内壁形状を、この計測用に複雑な凹凸形状とする必要がないので、メンテナンス性を確保し、また、リーク発生の可能性を低減して、同時に、製品コストの増大を防止することが可能となる。
【符号の説明】
【００４７】
１０…有機ＥＬデバイスの製造装置
Ｃ３０…検査手段
Ｃ３１，Ｃ３１ａ，Ｃ３２，Ｃ３２ａ，Ｃ３３，Ｃ３３ａ，Ｃ３４，Ｃ３４ａ，Ｃ３５，Ｃ３６，…撮像手段（カメラ）
Ｚ１〜Ｚ３…ゾーン
Ｌ１…基板搬送部（搬送手段）
ＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３…大気ボックス
Ｂｂ…検査窓部
Ｈ…搬送方向(進行方向）
Ｈｂ…基板幅方向
Ｍ…マスク
Ｅ…蒸着源
Ｗ…基板（被処理体）
Ｔ…基板チャック（保持手段）
Ｓ…チャンバ（成膜室）
Ｓ１…内部空間
ＸＹ…ＸＹステージ（調整手段）
Ｌ，Ｌ３６…照射手段
Ａ１，Ｂ１…仕切りバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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