(57)【要約】      （修正有）【課題】検査の正常な進行が温度上昇で妨げられる事態を回避することができる磁気共鳴イメージング装置を提供する。【解決手段】磁気共鳴イメージング装置１００は、予測部（温度変化予測部１３３ｃ）と、撮像制御部１３３ｄとを備える。前記予測部は、各パルスシーケンスの実行前に、傾斜磁場コイルの温度と、傾斜磁場パルスの電流波形情報とに基づいて、該パルスシーケンスを実行した場合の前記傾斜磁場コイルの温度変化を予測する。前記撮像制御部は、前記予測の結果に従って前記パルスシーケンスの実行を制御する。前記予測部は、前記傾斜磁場コイルにおける発熱を、前記傾斜磁場コイルの電気抵抗としての発熱に相当する成分と、前記傾斜磁場コイルのスイッチングにより誘導される誘導回路としての発熱に相当する成分とに分けて、前記温度変化を予測する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各パルスシーケンスの実行前に、傾斜磁場コイルの温度と、傾斜磁場パルスの電流波形情報とに基づいて、該パルスシーケンスを実行した場合の前記傾斜磁場コイルの温度変化を予測する予測部と、
前記予測の結果に従って前記パルスシーケンスの実行を制御する撮像制御部とを備え、
前記予測部は、前記傾斜磁場コイルにおける発熱を、前記傾斜磁場コイルの電気抵抗としての発熱に相当する成分と、前記傾斜磁場コイルのスイッチングにより誘導される誘導回路としての発熱に相当する成分とに分けて、前記温度変化を予測することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記予測部は、前記温度変化として、前記傾斜磁場コイルの温度上昇量及び温度上昇の時定数を予測することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記予測部は、前記傾斜磁場コイルの温度上昇量を予測する場合に、互いに直交する各コイルの電力と、異なるコイル間の電力の積とを重み付け加算することで、予測することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記予測部は、磁気共鳴イメージング装置の開発段階若しくは据付段階にて準備された温度変化予測モデルを用いて前記温度変化を予測するものであり、
前記温度変化予測モデルは、開発段階若しくは据付段階にて、傾斜磁場パルスの形状、極性、及び時間間隔のうち、少なくとも１つが異なる基準撮像が実行され、各基準撮像における温度変化の測定結果を比較することで導出されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記予測部は、更に、前記傾斜磁場コイルの冷却条件との関係にも基づいて、前記温度変化を予測することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記撮像制御部は、前記予測部による温度変化の予測の結果に基づいて、前記傾斜磁場コイルの冷却条件を変更することを特徴とする請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
パルスシーケンスの撮像パラメータの設定を受け付ける撮像条件設定部と、
前記撮像パラメータに従って、前記パルスシーケンスの実行を制御する撮像制御部とを備え、
前記撮像条件設定部は、傾斜磁場パルスの電流波形情報と、前記電流波形情報に従ってパルスシーケンスを実行した場合の傾斜磁場コイルの温度変化との関係に基づいて、撮像パラメータの設定限界値を定め、該設定限界値の範囲内で、前記撮像パラメータの設定を受け付けることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング装置（以下、適宜「ＭＲＩ（Magnetic  Resonance  Imaging）装置」）は、静磁場、傾斜磁場、及び高周波磁場の３種の磁場を利用して核磁気共鳴を発生させ、共鳴信号の再構成処理により被検体の画像を得るものである。このうち、傾斜磁場は、傾斜磁場コイル及び傾斜磁場アンプによってパルス状に生成され、共鳴する核スピンを選択したり、共鳴信号の位相に空間的な位置に依存する量を加えるという役割を担っている。傾斜磁場パルスの強度や印加時間、及び頻度は、共鳴信号を生成させ読み出す速度や時間効率に直接的に影響する。このため、ＭＲＩ装置の高速化や高機能化の進展には、傾斜磁場サブシステムの性能の向上、例えば、高強度や短時間スイッチング、高稼働率等を実現する技術開発が、大きな寄与を果たしてきた。
【０００３】
このなかで、高強度や高稼働率を一時的に高める「バースト駆動」という方式がある。一般的にＭＲＩ装置による検査では、複数のコントラスト画像が組み合わせて読影されることから、異なる種類の画像が撮像される。このように、撮像の種類や撮像の目的にバリエーションがあることで、傾斜磁場サブシステムの稼動率は、一検査の中でも高低が存在し、異なる検査間でもばらつきが存在する。通常の検査では稼働率の平均値は小さいが、短期的に高い稼働率で傾斜磁場を発生させるニーズは大きい。ＭＲＩ装置による検査では、このようなバースト駆動による一時的な温度上昇を許容しつつ、ＭＲＩ装置を保護するとともに、検査の正常な進行が温度上昇で妨げられる事態を回避することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−７５７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、検査の正常な進行が温度上昇で妨げられる事態を回避することができる磁気共鳴イメージング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、予測部と、撮像制御部とを備える。前記予測部は、各パルスシーケンスの実行前に、傾斜磁場コイルの温度と、傾斜磁場パルスの電流波形情報とに基づいて、該パルスシーケンスを実行した場合の前記傾斜磁場コイルの温度変化を予測する。前記撮像制御部は、前記予測の結果に従って前記パルスシーケンスの実行を制御する。前記予測部は、前記傾斜磁場コイルにおける発熱を、前記傾斜磁場コイルの電気抵抗としての発熱に相当する成分と、前記傾斜磁場コイルのスイッチングにより誘導される誘導回路としての発熱に相当する成分とに分けて、前記温度変化を予測する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置の構成を示す機能ブロック図。
【図２】図２は、第１の実施形態における温度変化予測に基づく撮像制御の概要を説明するための図。
【図３】図３は、第１の実施形態における係数マトリックスの導出を説明するための図。
【図４】図４は、第１の実施形態における基準撮像を説明するための図。
【図５】図５は、第１の実施形態における検査の処理手順を示すフローチャート。
【図６】図６は、第１の実施形態における温度変化予測の一例を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置を説明する。なお、実施形態は、以下の実施形態に限られるものではない。また、各実施形態において説明する内容は、原則として、他の実施形態においても同様に適用することができる。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００の構成を示す機能ブロック図である。図１に示すように、ＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１０１と、静磁場電源１０２と、傾斜磁場コイル１０３と、傾斜磁場電源１０４と、寝台１０５と、寝台制御部１０６と、送信コイル１０７と、送信部１０８と、受信コイル１０９と、受信部１１０と、シーケンス制御部１２０と、冷却装置１２５と、計算機１３０とを備える。なお、ＭＲＩ装置１００に、被検体Ｐ（例えば、人体）は含まれない。また、図１に示す構成は一例に過ぎない。例えば、シーケンス制御部１２０及び計算機１３０内の各部は、適宜統合若しくは分離して構成されてもよい。
【００１０】
静磁場磁石１０１は、中空の円筒形状に形成された磁石であり、内部の空間に静磁場を発生する。静磁場磁石１０１は、例えば、超伝導磁石等であり、静磁場電源１０２から電流の供給を受けて励磁する。静磁場電源１０２は、静磁場磁石１０１に電流を供給する。なお、静磁場磁石１０１は、永久磁石でもよく、この場合、ＭＲＩ装置１００は、静磁場電源１０２を備えなくてもよい。また、静磁場電源１０２は、ＭＲＩ装置１００とは別に備えられてもよい。
【００１１】
傾斜磁場コイル１０３は、中空の円筒形状に形成されたコイルであり、静磁場磁石１０１の内側に配置される。傾斜磁場コイル１０３は、互いに直交するＸ、Ｙ、及びＺの各軸に対応する３つのコイルが組み合わされて形成されており、これら３つのコイルは、傾斜磁場電源１０４から個別に傾斜磁場パルスの供給を受けて、Ｘ、Ｙ、及びＺの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生する。傾斜磁場コイル１０３によって発生するＸ、Ｙ、及びＺの各軸の傾斜磁場は、例えば、スライスエンコード用傾斜磁場Ｇs、位相エンコード用傾斜磁場Ｇe、及び読み出し用傾斜磁場Ｇrである。
【００１２】
また、傾斜磁場コイル１０３は、温度センサー１０３ａを有する。温度センサー１０３ａは、傾斜磁場コイル１０３において、温度上昇し易い部分や、熱が溜まり易い部分等の代表点に配置され、温度を計測する。なお、温度センサー１０３ａからの温度の読み出しのタイミングは、ＲＦ（Radio  Frequency）パルスの照射による誤差を避けるように調整される。例えば、温度センサー１０３ａとして半導体素子を利用し、ＲＦパルスの照射が無いタイミングでの読み出しデータを有効な温度計測データとする。傾斜磁場電源１０４は、傾斜磁場コイル１０３に傾斜磁場パルスを供給する。
【００１３】
寝台１０５は、被検体Ｐが載置される天板１０５ａを備え、寝台制御部１０６による制御の下、天板１０５ａを、被検体Ｐが載置された状態で、傾斜磁場コイル１０３の空洞（撮像口）内へ挿入する。通常、寝台１０５は、長手方向が静磁場磁石１０１の中心軸と平行になるように設置される。寝台制御部１０６は、計算機１３０による制御の下、寝台１０５を駆動して天板１０５ａを長手方向及び上下方向へ移動する。
【００１４】
送信コイル１０７は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置され、送信部１０８からＲＦパルスの供給を受けて、高周波磁場を発生する。送信部１０８は、対象とする原子の種類及び磁場強度で定まるラーモア周波数に対応するＲＦパルスを送信コイル１０７に供給する。
【００１５】
受信コイル１０９は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置され、高周波磁場の影響によって被検体Ｐから発せられる磁気共鳴信号（以下、適宜「ＭＲ（Magnetic  Resonance）信号」）を受信する。受信コイル１０９は、ＭＲ信号を受信すると、受信したＭＲ信号を受信部１１０へ出力する。
【００１６】
なお、上述した送信コイル１０７及び受信コイル１０９は一例に過ぎない。送信機能のみを備えたコイル、受信機能のみを備えたコイル、若しくは送受信機能を備えたコイルのうち、１つ若しくは複数を組み合わせることによって構成されればよい。
【００１７】
受信部１１０は、受信コイル１０９から出力されるＭＲ信号を検出し、検出したＭＲ信号に基づいてＭＲデータを生成する。具体的には、受信部１１０は、受信コイル１０９から出力されるＭＲ信号をデジタル変換することによってＭＲデータを生成する。また、受信部１１０は、生成したＭＲデータをシーケンス制御部１２０へ送信する。なお、受信部１１０は、静磁場磁石１０１や傾斜磁場コイル１０３等を備える架台装置側に備えられてもよい。
【００１８】
シーケンス制御部１２０は、計算機１３０から送信されるシーケンス情報に基づいて、傾斜磁場電源１０４、送信部１０８及び受信部１１０を駆動することによって、被検体Ｐの撮像を行う。ここで、シーケンス情報は、撮像を行うための手順を定義した情報である。シーケンス情報には、傾斜磁場パルスの電流波形情報（即ち、電流の強度や印加時間、印加タイミング等）、ＲＦパルスの電流波形情報（即ち、電流の強度や印加時間、印加タイミング等）、受信部１１０がＭＲ信号を検出するタイミング等が定義される。例えば、シーケンス制御部１２０は、ＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）、ＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）等の集積回路、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＭＰＵ（Micro  Processing  Unit）等の電子回路である。
【００１９】
なお、シーケンス制御部１２０は、傾斜磁場電源１０４、送信部１０８及び受信部１１０を駆動して被検体Ｐを撮像した結果、受信部１１０からＭＲデータを受信すると、受信したＭＲデータを計算機１３０へ転送する。また、シーケンス制御部１２０は、冷却装置１２５の制御も行う。
【００２０】
冷却装置１２５は、傾斜磁場コイル１０３に設けられた冷却管に冷媒（例えば、水等）を循環させることで、傾斜磁場コイル１０３を冷却する。冷却装置１２５と冷却管とは、冷却パイプ（図示を省略）によって接続され、傾斜磁場コイル１０３は、冷却管及び冷却パイプの内部を流れる冷媒によって冷却される。傾斜磁場コイル１０３によって暖められた冷媒は、再び冷却装置１２５に運ばれて、所定の温度に冷却され、再び傾斜磁場コイル１０３に供給される。
【００２１】
計算機１３０は、ＭＲＩ装置１００の全体制御や、画像の生成等を行う。計算機１３０は、インタフェース部１３１、記憶部１３２、制御部１３３、入力部１３４、表示部１３５、及び画像生成部１３６を備える。
【００２２】
インタフェース部１３１は、シーケンス情報をシーケンス制御部１２０へ送信し、シーケンス制御部１２０からＭＲデータを受信する。また、インタフェース部１３１は、ＭＲデータを受信すると、受信したＭＲデータを記憶部１３２に格納する。記憶部１３２に格納されたＭＲデータは、制御部１３３によってｋ空間に配置される。この結果、記憶部１３２は、ｋ空間データを記憶する。
【００２３】
記憶部１３２は、インタフェース部１３１によって受信されたＭＲデータや、制御部１３３によってｋ空間に配置されたｋ空間データ、画像生成部１３６によって生成された画像データ等を記憶する。例えば、記憶部１３２は、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等である。
【００２４】
入力部１３４は、操作者からの各種指示や情報入力を受け付ける。入力部１３４は、例えば、マウスやトラックボール等のポインティングデバイス、キーボード等の入力デバイスである。表示部１３５は、制御部１３３による制御の下、撮像条件の入力を受け付けるためのＧＵＩ（Graphical  User  Interface）や、画像生成部１３６によって生成された画像等を表示する。表示部１３５は、例えば、液晶モニタ等の表示デバイスである。
【００２５】
制御部１３３は、ＭＲＩ装置１００の全体制御を行い、撮像や画像の生成、画像の表示等を制御する。例えば、制御部１３３は、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等の集積回路、ＣＰＵ、ＭＰＵ等の電子回路である。また、制御部１３３は、図１に示すように、係数導出部１３３ａと、撮像条件設定部１３３ｂと、温度変化予測部１３３ｃと、撮像制御部１３３ｄとを備える。ここで、温度変化予測部１３３ｃは、各パルスシーケンスの実行前に、傾斜磁場コイル１０３の温度と、傾斜磁場パルスの電流波形情報とに基づいて、このパルスシーケンスを実行した場合の傾斜磁場コイル１０３の温度変化を予測する。また、温度変化予測部１３３ｃは、傾斜磁場コイル１０３における発熱を、傾斜磁場コイル１０３の電気抵抗としての発熱に相当する成分と、傾斜磁場コイル１０３のスイッチングにより誘導される誘導回路としての発熱に相当する成分とに分けて、温度変化を予測する。撮像制御部１３３ｄは、予測の結果に従って、パルスシーケンスの実行を制御する。なお、各部の具体的な処理内容は、後に詳述する。
【００２６】
画像生成部１３６は、ｋ空間データを記憶部１３２から読み出し、読み出したｋ空間データにフーリエ変換等の再構成処理を施すことで、画像を生成する。
【００２７】
図２は、第１の実施形態における温度変化予測に基づく撮像制御の概要を説明するための図である。図２に示すように、第１の実施形態においては、パルスシーケンスの種類や撮像条件のバリエーションを包含する、統一的な「温度変化予測モデル」を予め準備し、この「温度変化予測モデル」を用いて、各撮像（各パルスシーケンス）の実行前に、温度変化を予測（推定）する。
【００２８】
ここでは、図２に示すように、ＭＲＩ装置１００の製造業者による開発段階・据付段階と、実際に検査に使用される実使用段階とに分けて考える。まず、「温度変化予測モデル」は、ＭＲＩ装置１００の開発段階・据付段階等に導出されるものである。また、この「温度変化予測モデル」は、傾斜磁場コイル１０３のチャンネル毎の発熱や、異なるチャンネル間の交互作用による発熱を投入指標とし、これらの投入指標を重み付け加算した数式で表現される。なお、「チャンネル」は、Ｘ、Ｙ、及びＺの各軸に対応する３つのコイルに対応し、傾斜磁場コイル１０３には、「Ｘチャンネル」、「Ｙチャンネル」、「Ｚチャンネル」がある。
【００２９】
開発段階・据付段階においては、各種基準撮像が実行され、各種基準投入条件での温度変化が測定され（Ｂ１）、「温度変化予測モデル」の連立方程式が解かれることで、温度上昇の性質を決める、重み付け加算の係数マトリックスが導出される（Ｂ２）。
【００３０】
また、実使用段階においては、その都度実使用条件での投入指標が計算され（Ｂ３）、計算された投入指標が上述した「温度変化予測モデル」に適用されることで、実使用条件での温度変化が予測される（Ｂ４）。その後、実使用段階においては、予測された温度変化に基づいて、あるパルスシーケンスの実行が温度限界条件を満たすか否かが判定される（Ｂ５）。そして、判定の結果に基づいて、そのまま撮像の実行が許可されるか（Ｂ６）、あるいは、撮像条件の再設定や撮像順序の変更等が検討される（Ｂ７）。
【００３１】
それでは、まず、第１の実施形態における統一的「温度変化予測モデル」を説明する。第１の実施形態において、「温度変化予測モデル」には、温度上昇量を予測するモデル（以下、「温度上昇量モデル」と呼ぶ）と、温度上昇の時定数を予測するモデル（以下、「時定数モデル」と呼ぶ）とが含まれる。
【００３２】
温度上昇量モデルは、以下の（１）式で表現される。
【数１】
2015085137.tif 000003
【００３３】
このように、温度測定点（ｊ）における温度上昇量δＴ（ｊ）は、各チャンネルの電力（Ｐch）と、異なるチャンネル間の電力の積（Ｐch×Ｐch´）とを投入指標とし、これらの投入指標を重み付け加算することで求められる。各チャンネルの電力は、チャンネル毎の発熱に相当し、異なるチャンネル間の電力の積は、異なるチャンネル間の交互作用による発熱に相当する。即ち、温度上昇量δＴ（ｊ）は、「Ｘコイルの電力」、「Ｙコイルの電力」、「Ｚコイルの電力」、「Ｘコイルの電力とＹコイルの電力との積」、「Ｙコイルの電力とＺコイルの電力との積」、及び、「Ｚコイルの電力とＸコイルの電力との積」を重み付け加算することで求められる。また、（１）式において、Ａchjや、Ａ´ch,ch´jは、重み付け加算の係数マトリックスである。なお、（１）式において、「ch<>ch´」の表記は、同一コイル間（例えば、Ｘコイルの電力とＸコイルの電力との積）を除くことを意味する。
【００３４】
また、時定数モデルは、以下の（２）式で表現される。
【数２】
2015085137.tif 000004
【００３５】
このように、温度測定点（ｊ）における温度上昇の時定数（τ（ｊ））は、各チャンネルの電力（Ｐch）を投入指標とし、これらの投入指標を係数マトリックス（Ｂchj）により重み付け加算することで求められる。なお、投入指標に、異なるチャンネル間の電力の積（異なるチャンネル間の交互作用による発熱）を含める場合もある。
【００３６】
上述したように、温度上昇モデル及び時定数モデルのいずれも、各チャンネルの電力を投入指標とする。この点、第１の実施形態においては、各チャンネルの電力（Ｐtotal）を、以下の（３）式に示すように、電気抵抗（ＤＣ抵抗）としての発熱に相当する成分（Ｐdc）と、傾斜磁場コイル１０３のスイッチングによって誘導される誘導回路としての発熱に相当する成分（Ｐe）とに分けて考える。
【数３】
2015085137.tif 000005
【００３７】
ここで、電力Ｐと抵抗Ｒと電流Ｉとの間には、以下の（４）式の関係が成立することが知られている。
【数４】
2015085137.tif 000006
【００３８】
そこで、（４）式の関係を用いてＤＣ抵抗としての発熱に相当する成分（Ｐdc）を表現すると、次の（５）式となる。なお、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する成分（Ｐdc）は、チャンネル毎に、即ち、Ｘコイル、Ｙコイル、及びＺコイルのそれぞれ毎に、（５）式により求められる。
【数５】
2015085137.tif 000007
【００３９】
Ｒdcは、各チャンネルのＤＣ抵抗であり、開発段階・据付段階において算出、若しくは実測される値である。Ｉmaxは、各チャンネルの最大電流値であり、同じく開発段階・据付段階において算出、若しくは実測される値である。一方、Ｉ（ｔ）は、パルスシーケンス実行中の時刻ｔにおける電流値であり、Ｔは、パルスシーケンスの実行時間（例えば、１ＴＲ（Repetition  Time）分の実行時間、１パルスシーケンス分の実行時間等）である。（５）式において、電流値Ｉ（ｔ）の二乗は、パルスシーケンスの実行時間の時間平均で算出される。この（５）式において、ＭＲＩ装置１００の実使用段階で入力される未知のパラメータは、パルスシーケンス実行中の時刻ｔにおける電流値Ｉ（ｔ）、及び、パルスシーケンスの実行時間Ｔの２つである。
【００４０】
また、（４）式の関係を用いて誘導回路としての発熱に相当する成分（Ｐe）を表現すると、次の（６）式となる。なお、誘導回路としての発熱に相当する成分（Ｐe）は、チャンネル毎に、即ち、Ｘコイル、Ｙコイル、及びＺコイルのそれぞれ毎に、（６）式により求められる。
【数６】
2015085137.tif 000008
【００４１】
（６）式において、（ｄ（Ｉ（ｔ）／Ｉmax）／ｄｔ）×ｈ（ｔ）は、電流値の時間微分ｄ（Ｉ（ｔ）／Ｉmax）／ｄｔと、誘導で決まる時間応答ｈ（ｔ）との畳み込みを表す。なお、ｋは、誘導回路としての発熱による温度上昇量を、ＤＣ抵抗としての発熱による温度上昇量を基準とする相対量で表現するためのパラメータであり、便宜上のものである。
【００４２】
また、時間応答ｈ（ｔ）は、次の（７）式で表現される。
【数７】
2015085137.tif 000009
【００４３】
（７）式に示すように、時間応答ｈ（ｔ）は、一般的には、時定数ｔａｕmの指数減衰で表現される。なお、Ｃmは、時間応答ｈ（ｔ）が複数成分存在する場合に、各成分の強さを相対的に表現するための係数である。
【００４４】
このように、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する成分（Ｐdc）及び誘導回路としての発熱に相当する成分（Ｐe）は、それぞれ、（５）式、並びに、（６）式及び（７）式によって表現され、このうち、ＭＲＩ装置１００の実使用段階で入力される未知のパラメータは、パルスシーケンス実行中の時刻ｔにおける電流値Ｉ（ｔ）、及び、パルスシーケンスの実行時間Ｔの２つである。即ち、ＭＲＩ装置１００の実使用段階において、実行予定のパルスシーケンスが決定され、これら２つのパラメータの値が決定されれば、（５）式、（６）式、及び（７）式から、投入指標、即ち、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する成分（Ｐdc）及び誘導回路としての発熱に相当する成分（Ｐe）が求められる。そして、これらの投入指標を（１）式の温度上昇量モデル及び（２）式の時定数モデルに代入し、（１）式及び（２）式を解くことで、温度測定点（ｊ）における温度上昇量δＴ（ｊ）と、温度上昇の時定数τ（ｊ）とが予測される。
【００４５】
なお、以下の（８）式に示すように、（１）式の温度上昇量δＴ（ｊ）は、Ｘコイル、Ｙコイル、及びＺコイルそれぞれの電力Ｐに比例するとしてモデル化されたものである。この電力Ｐは、Ｐdc、Ｐe、Ｐtotalのいずれでもよい。即ち、上述してきた各式には、多数の等価な表現が存在することに留意すべきである。
【数８】
2015085137.tif 000010
【００４６】
それでは次に、図２でいうところの開発段階・据付段階の処理、即ち、各種基準撮像の実行、及び、「温度変化予測モデル」の係数マトリックスの導出について説明する。図３は、第１の実施形態における係数マトリックスの導出を説明するための図である。なお、この段階においては、「温度変化予測モデル」の係数マトリックスの他、上述した（７）式における時定数ｔａｕm及びパラメータＣmが、未知のパラメータである。
【００４７】
まず、係数導出部１３３ａは、予め準備された各種基準撮像を実行する。そして、係数導出部１３３ａは、この基準投入条件におけるシーケンス情報の電流波形情報に基づいて、電流値Ｉ（ｔ）及びパルスシーケンス実行時間Ｔの２つを特定する。続いて、係数導出部１３３ａは、電流値Ｉ（ｔ）及びパルスシーケンス実行時間Ｔを、電力計算モデル、即ち、上述した（５）式、（６）式に代入することで、図３に示すように、各チャネルの電力Ｐを求める。そして、係数導出部１３３ａは、求めた電力Ｐを上述した（１）式、（２）式に代入するとともに、この基準撮像を実行した結果として測定された温度変化の測定結果を（１）式、（２）式に代入し、係数マトリックスや、時定数ｔａｕm及びパラメータＣmを未知のパラメータとして連立方程式を解く。こうして、図３に示すように、係数マトリックスや、時定数ｔａｕm、及びパラメータＣmが導出される。
【００４８】
ところで、係数導出部１３３ａは、チャンネル毎の発熱や、異なるチャンネル間の交互作用による発熱がそれぞれ分離されるように、基準撮像を実行する必要がある。また、係数導出部１３３ａは、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する成分と、誘導回路としての発熱に相当する成分とが分離されるように、基準撮像を実行する必要がある。更に、係数導出部１３３ａは、時定数ｔａｕmやパラメータＣmも求めなければならない。そこで、係数導出部１３３ａは、例えば、傾斜磁場パルスを印加するコイルや傾斜磁場パルスの形状を変更しながら、各種基準撮像を実行し、それぞれの場合の温度変化の測定結果を比較することで、上述した要素を分離して、目的の未知のパラメータを導出する。
【００４９】
図４は、第１の実施形態における基準撮像を説明するための図である。係数導出部１３３ａは、基準撮像として、所定の形状、極性、時間間隔で傾斜磁場パルスが繰り返し印加されるパルスシーケンスを実行する。例えば、図４の（Ａ）は、係数導出部１３３ａが、傾斜磁場コイル１０３のうち、ＸコイルＧxを駆動し、（Ａ）に示す傾斜磁場パルスを繰り返し印加するパルスシーケンスを実行することを示す。
【００５０】
また、（Ａ）の二重括弧は、内側の括弧内の傾斜磁場パルスの印加を連続してＮ回繰り返すこと、また、一定時間を空けながらその全体、即ち外側の括弧内を繰り返すこと、そして、その全体の繰り返しがＭ回であることを意味する。図４の（Ｂ）、（Ｃ）、及び（Ｄ）においても、同様の意味である。
【００５１】
なお、（Ａ）では、係数導出部１３３ａが、傾斜磁場コイル１０３のうち、ＸコイルＧxのみを駆動する例を示したが、基準撮像はこれに限られるものではない。係数導出部１３３ａは、ＹコイルＧyのみを駆動する場合、ＺコイルＧzのみを駆動する場合、ＸコイルＧx及びＹコイルＧyのみを駆動する場合、ＹコイルＧy及びＺコイルＧzのみを駆動する場合、ＺコイルＧz及びＸコイルＧxのみを駆動する場合等、駆動するコイルを変更しながら各種基準撮像を実行する。こうして、係数導出部１３３ａは、各種基準撮像それぞれの場合における温度変化の測定結果を比較することで、チャンネル毎の発熱や、異なるチャンネル間の交互作用による発熱をそれぞれ分離することができる。
【００５２】
また、係数導出部１３３ａは、傾斜磁場パルスの形状を変更しながら基準撮像を実行し、それぞれの場合における温度変化の測定結果を比較することで、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する成分と、誘導回路としての発熱に相当する成分とを分離することができる。例えば、（Ｂ）が、ＤＣ抵抗主体の温度上昇を測定するための基準撮像であるとすると、（Ｃ）は、ＤＣ抵抗と誘導電流とが同程度に寄与する場合の温度上昇を測定するための基準撮像である。（Ｃ）は、（Ｂ）に比較して、傾斜磁場パルスの立ち上がりが大きく、スイッチングの占める割合が多い。係数導出部１３３ａは、この２つの場合の測定結果を比較することで、誘導回路としての発熱に相当する成分の係数マトリックスを求めることができる。
【００５３】
また、係数導出部１３３ａは、例えば（Ｄ）に示すように、個々の傾斜磁場パルスの形状を維持しつつ、同一極性の傾斜磁場パルスを印加する時間間隔（Ｔdur（Time  duration））を変更しながら基準撮像を実行し、それぞれの場合における温度変化の測定結果を比較することで、時定数ｔａｕmを求めることができる。また、係数導出部１３３ａは、更に、傾斜磁場パルスの立ち上がり（スルーレート）を変更しながら基準撮像を実行し、それぞれの場合における温度変化の測定結果を比較することで、パラメータＣmを求めることができる。
【００５４】
なお、図４に示した基準撮像は一例に過ぎない。係数導出部１３３ａは、上述したように、傾斜磁場パルスの形状、極性、時間間隔等が異なる各種基準撮像を適宜実行し、それぞれの場合における温度変化の測定結果を比較することで、温度上昇の性質を決める要素を分離し、目的の未知のパラメータを導出する。
【００５５】
これまで、開発段階・据付段階において行われる「温度変化予測モデル」の導出処理を説明してきた。実使用段階では、こうして導出された「温度変化予測モデル」に、実使用条件での投入指標が適用されることで、実使用条件での温度変化が予測される。そこで、以下では、実使用段階における温度変化の予測を説明する。
【００５６】
図５は、第１の実施形態における検査の処理手順を示すフローチャートである。ＭＲＩ装置１００による検査が開始されると、撮像条件設定部１３３ｂは、本検査で実行されるプロトコル群の選択画面を表示部１３５に表示し、操作者からプロトコル群の選択を受け付ける（ステップＳ１０１）。ここで、ＭＲＩ装置１００は、撮像部位や撮像目的別に、予め、撮像パラメータの初期値が設定されたプロトコル群（即ち、パルスシーケンス群）のセットを準備していることがある。このプロトコル群には、各種準備スキャンのパルスシーケンスや、１つ又は複数のイメージングスキャンのパルスシーケンスが、予め組み込まれている。例えば、撮像条件設定部１３３ｂは、操作者から指定された撮像部位や撮像目的に対応する予め準備済みのプロトコル群を提示しながら、操作者による選択や変更を適宜受け付けて、本検査で実行されるプロトコル群を決定する。そして、撮像条件設定部１３３ｂは、各プロトコルの撮像パラメータに従ってシーケンス情報を生成し、生成したシーケンス情報をシーケンス制御部１２０へ送信する。
【００５７】
続いて、シーケンス制御部１２０は、ステップＳ１０１で決定されたプロトコル群に従って、まず、準備スキャンを実行する（ステップＳ１０２）。準備スキャンは、いわゆる診断用のＭＲ画像を収集するイメージングスキャンに先行して行われるスキャンのことであり、例えば、位置決め画像を収集するスキャンや、受信コイル１０９の感度情報を収集するスキャン、静磁場の均一性を補正する補正量を求めるシミングのためのスキャン等である。
【００５８】
かかる準備スキャンの実行後、シーケンス制御部１２０によって、１つ又は複数のイメージングスキャンが順次実行されることになるが、第１の実施形態においては、温度変化予測部１３３ｃが、各イメージングスキャンが実行される前のタイミングに、その都度、温度変化を予測する。なお、イメージングスキャンの具体例を挙げると、例えば、頭部のイメージングスキャンとしては、Ｔ２強調のＦＳＥ（Ｆast  spin  echo）法による撮像、Ｔ１強調のＳＥ（spin  echo）法による撮像、３次元ＭＲＡ（MR  Angiography）の撮像、ＥＰＩ（echo  planar  imaging）法による撮像等がある。
【００５９】
例えば、準備スキャンの実行後、あるイメージングスキャンの実行前に、撮像条件設定部１３３ｂは、必要に応じて、撮像条件の設定画面を表示部１３５に表示し、操作者から、撮像条件に含まれる各種撮像パラメータの設定を受け付ける（ステップＳ１０３）。例えば、撮像条件設定部１３３ｂは、準備スキャンで収集された位置決め画像を表示部１３４に表示し、操作者から、イメージングスキャンで収集される診断画像の撮像位置等の設定を受け付ける。その他、撮像条件設定部１３３ｂは、このタイミングで、操作者から、各種撮像パラメータの設定変更（例えば、初期値からの設定変更）を受け付けることができる。撮像パラメータとは、例えば、ＭＲ画像のマトリックス数、ＴＲ、ＴＥ（Echo  Time）、スライス数、スライス厚等である。
【００６０】
また、このタイミングで、温度変化予測部１３３ｃは、傾斜磁場コイル１０３の代表点の現在の温度を温度センサー１０３ａから取得し（ステップＳ１０４）、次に実行予定のイメージングスキャンが実行された場合の温度変化を予測する（ステップＳ１０５）。例えば、温度変化予測部１３３ｃは、次に実行予定のパルスシーケンスの電流波形情報に基づいて、未知のパラメータであった電流値Ｉ（ｔ）及びパルスシーケンスの実行時間Ｔを求める。この電流波形情報は、ステップＳ１０３で設定された撮像パラメータに基づいて生成される。例えば、撮像位置（例えば、オブリーク角）の情報や、マトリックス数等に応じて、傾斜磁場パルスの形状、極性、時間間隔が決まる。そこで、温度変化予測部１３３ｃは、傾斜磁場パルスの形状、極性、時間間隔を電流波形情報から読み取り、電流値Ｉ（ｔ）及びパルスシーケンスの実行時間Ｔを求める。
【００６１】
そして、温度変化予測部１３３ｃは、電流値Ｉ（ｔ）及びパルスシーケンスの実行時間Ｔを（５）式及び（６）式に代入して、各チャネルの電力Ｐ（Ｐdc、Ｐe、Ｐtotal）を求める。また、温度変化予測部１３３ｃは、求めた各チャネルの電力Ｐ（Ｐdc、Ｐe、Ｐtotal）を（１）式及び（２）式に代入して、温度測定点（ｊ）における温度上昇量δＴ（ｊ）と、温度上昇の時定数τ（ｊ）とを予測する。なお、このとき、温度変化予測部１３３ｃは、ステップＳ１０４で測定された代表点の現在の温度に基づいて、実際に到達する温度とそのタイミングを予測する。
【００６２】
なお、電流値Ｉ（ｔ）及びパルスシーケンスの実行時間Ｔが各式に代入されることで、温度上昇量δＴ（ｊ）や時定数τ（ｊ）が直接的に求められる手法を説明したが、実施形態はこれに限られるものではなく、温度上昇量δＴ（ｊ）や時定数τ（ｊ）が間接的に求められる手法でもよい。例えば、温度変化予測部１３３ｃは、予め、撮像パラメータと、投入指標（各チャンネルの電力Ｐ）との依存関係を、データベースで準備する。温度変化予測部１３３ｃは、ステップＳ１０３で設定された撮像パラメータを用いてデータベースを参照し、各チャンネルの電力Ｐを特定する。そして、温度変化予測部１３３ｃは、特定した電力Ｐを（１）式及び（２）式に代入して、温度上昇量δＴ（ｊ）と時定数τ（ｊ）とを予測する。
【００６３】
図６は、第１の実施形態における温度変化予測の一例を説明するための図である。例えば、温度変化予測部１３３ｃは、図６の（Ａ）に示すように、撮像パラメータ値と、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する電力（Ｐdc）との依存関係をデータベースで予め準備する。また、温度変化予測部１３３ｃは、（Ｂ）に示すように、撮像パラメータ値と、誘導回路としての発熱に相当する電力（Ｐe）との依存関係をデータベースで予め準備する。図６に示すように、ＤＣ抵抗成分と、誘導回路成分とが、別の依存関係を有していて、それぞれが、データベースとして、予め、温度変化予測部１３３ｃに備えられる。
【００６４】
その都度投入指標が計算される直接的な手法には、常に正確な予測が保証されるというメリットがある。一方で、依存関係をデータベースで備える間接的な手法には、計算量が低減され、撮像パラメータを変更する際のデッドタイムが減少してレスポンスが向上するというメリットがある。
【００６５】
図５に戻り、続いて、温度変化予測部１３３ｃは、ステップＳ１０５で予測した温度上昇量δＴ（ｊ）や時定数τ（ｊ）に基づいて、次のパルスシーケンスの実行が、温度限界条件を満たすか否かを判定する（ステップＳ１０６）。傾斜磁場電源１０２及び傾斜磁場コイル１０３を含む傾斜磁場サブシステムは、全チャンネルに同時に最大電流を流し続けることが可能なものではなく、全体の電力の上限値や、チャンネル毎の電力の上限値等、様々な制約が存在する。この制約は、傾斜磁場電源１０４や傾斜磁場コイル１０３の仕様に基づいて、予め算出若しくは実測されている。温度変化予測部１３３ｃは、次のパルスシーケンスの実行が、このように予め算出若しくは実測された温度限界条件を満たすか否かを判定する。
【００６６】
温度限界条件を満たす場合（ステップＳ１０６，Ｙｅｓ）、温度変化予測部１３３ｃは、その旨をシーケンス制御部１２０に出力し、シーケンス制御部１２０は、ステップＳ１０３で設定された撮像条件に従って、イメージングスキャンを実行する（ステップＳ１０７）。上述したように、撮像パラメータには、予め初期値が設定されている。この初期値のままであれば、通常は、温度限界条件を満たすと判定される場合が多いと考えられる。一方、例えば、ステップＳ１０３において操作者から初期値からの設定変更が受け付けられた場合、それでも、温度限界条件を満たし、操作者が意図した通りの撮像条件に従ってイメージングスキャンを実行可能な場合もあるが、設定変更の結果、温度限界条件を満たさなくなる場合もある。
【００６７】
このように温度限界条件を満たさない場合には（ステップＳ１０６，Ｎｏ）、温度変化予測部１３３ｃは、その旨を撮像条件設定部１３３ｂに出力する。すると、撮像条件設定部１３３ｂは、再び、ステップＳ１０３の処理に戻り、撮像条件の設定画面を表示部１３５に表示し、初期値に戻す操作や更なる撮像パラメータの変更を受け付ける。なお、この回復措置は、必ずしも、操作者の操作を介さずに行われてもよい。即ち、撮像条件設定部１３３ｂは、例えば自動的に、撮像パラメータを初期値に戻してもよい。また、撮像条件設定部１３３ｂは、警告情報や、撮像パラメータの変更を報知する情報等、適宜、必要な情報を表示部１３５やその他の出力部に出力することができる。
【００６８】
そして、温度変化予測部１３３ｃは、ステップＳ１０３からＳ１０６の処理を、温度限界条件を満たすまで繰り返す。もっとも、２回目以降においては、代表点の温度測定のステップを省略することが可能である。
【００６９】
こうして、温度限界条件が満たされ（ステップＳ１０６，Ｙｅｓ）、イメージングスキャンが実行されると（ステップＳ１０７）、例えば、画像生成部１３６が、ＭＲ画像を生成、表示する等する（ステップＳ１０８）。また、シーケンス制御部１２０は、後続のイメージングスキャンの有無を確認し（ステップＳ１０９）、後続のイメージングスキャンが有れば（ステップＳ１０９，Ｙｅｓ）、再び、撮像条件設定部１３３ｂによるステップＳ１０３の処理に戻るように制御する。一方、後続のイメージングスキャンが無ければ（ステップＳ１０９，Ｎｏ）、シーケンス制御部１２０は、一連の処理を終了する。その後、必要に応じて、後処理等が行われる。
【００７０】
上述してきたように、第１の実施形態においては、パルスシーケンスの撮像パラメータから導き出される電流値やパルスシーケンス実行時間を変数とする、各チャンネルの電力計算モデルが準備される。また、第１の実施形態においては、この電力計算モデルにより計算された各チャンネルの電力を投入指標とする、傾斜磁場コイル１０３の温度上昇量や時定数を予測する温度変化予測モデルが準備される。よって、第１の実施形態によれば、パルスシーケンスの撮像パラメータが実際に設定されたそのタイミングで、温度上昇量や時定数を予測することができ、各パルスシーケンスの実行前に、必要に応じて、撮像条件の再設定等を行うことができる。この結果、ＭＲＩ装置１００による検査の正常な進行が温度上昇で妨げられる事態を回避することができる。
【００７１】
また、パルスシーケンスの種類や撮像条件のバリエーションは多岐にわたるが、第１の実施形態では、これらのバリエーションを包含する統一的な温度変化予測により、正確な温度変化予測が可能となる。この結果、ＭＲＩ装置１００の保護を確実に行うとともに、操作者に対しては、撮像条件の設定を戸惑うことなく行わせることが可能になる。
【００７２】
（第１の実施形態の変形例）
なお、実使用段階における温度変化の予測は、上述した手法に限られるものではない。即ち、図５では、撮像パラメータの設定変更に対して逐次温度変化を予測し、その都度、温度限界条件を満たすか否かを判定する手法を説明した。しかしながら、実施形態はこれに限られるものではない。例えば、撮像条件設定部１３３ｂが、傾斜磁場パルスの電流波形情報と、この電流波形情報に従ってパルスシーケンスを実行した場合の傾斜磁場コイルの温度変化との関係に基づいて、撮像パラメータの設定限界値を定め、設定限界値の範囲内で、撮像パラメータの設定を受け付けるようにしてもよい。
【００７３】
例えば、撮像条件設定部１３３ｂは、（５）式及び（６）式に基づいて、撮像パラメータの設定限界値（上限値、下限値）を事前に定める。即ち、予め、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する電力（Ｐdc）や、誘導回路としての発熱に相当する電力（Ｐe）の限界値を定めておけば、（５）式及び（６）式の逆算から、設定可能な電流値Ｉ（ｔ）やパルスシーケンス実行時間Ｔを求めることが可能であり、更に、設定可能な各種撮像パラメータの値の範囲を絞ることも可能である。この場合、例えば、撮像条件設定部１３３ｂは、ステップＳ１０３において、設定可能な値の範囲でのみ撮像条件の設定を受け付けるので、シーケンス制御部１２０は、ステップＳ１０３で設定された撮像条件に従い、そのままイメージングスキャンを実行することができる。
【００７４】
また、更に、計測された現在の温度を加味して、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する電力（Ｐdc）や、誘導回路としての発熱に相当する電力（Ｐe）の限界値を、動的に、定めてもよい。この場合、例えば、現在の温度と、（１）式、（２）式、（５）式、及び（６）式とから、ＤＣ抵抗としての発熱に相当する電力（Ｐdc）や、誘導回路としての発熱に相当する電力（Ｐe）の限界値を動的に求め、設定可能な各種撮像パラメータの値の範囲を動的に絞る。撮像条件設定部１３３ｂは、動的に絞られた範囲内でのみ撮像パラメータの設定変更を受け付ける。
【００７５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を説明する。第１の実施形態において、ＭＲＩ装置１００は、冷却装置１２５によって傾斜磁場コイル１０３を冷却することを説明した。そこで、第２の実施形態においては、冷却装置１２５による冷却との関係についても考慮する。
【００７６】
まず、冷却装置１２５について説明を補足しておく。冷却装置１２５は、シーケンス制御部１２０による制御の下、所定温度の冷媒を、Ｘコイル、Ｙコイル、Ｚコイルそれぞれの経路に分岐して、傾斜磁場コイル１０３に循環させるものである。冷却装置１２５は、冷媒の温度を調整するための機構（例えば、熱交換器等）を有しており、シーケンス制御部１２０から目標の温度を受け取ると、この温度となるように、冷媒の温度を調整する。また、冷却装置１２５は、冷媒の流量も調整する。
【００７７】
このように、ＭＲＩ装置１００の実使用段階においては、冷却装置１２５によって傾斜磁場コイル１０３を冷却しながら、撮像が行われる。このため、第１の実施形態において説明してきた、開発段階・据付段階等に導出される「温度変化予測モデル」の係数マトリックス等も、この冷却装置１２５による冷却条件との依存関係を反映したものであることが望ましい。即ち、例えば、係数導出部１３３ａは、開発段階・据付段階において、冷却装置１２５による冷却条件（冷媒の温度、流量等）も変更しながら各種基準撮像を実行し、冷却条件毎に、目的の未知のパラメータを導出する。
【００７８】
このように、「温度変化予測モデル」の係数マトリックス等と、冷却装置１２５による冷却条件との依存関係が予め判明していれば、実使用段階における温度変化の予測をより正確に行うことが可能になる。例えば、温度変化予測部１３３ｃは、図５のステップＳ１０５において温度変化を予測する際に、傾斜磁場コイル１０３の冷却条件との関係にも基づいて、温度変化を予測することができる。即ち、温度変化予測部１３３ｃは、適用予定の冷却条件に対応する係数マトリックス等の「温度変化予測モデル」を用いて、温度変化を予測する。
【００７９】
また、例えば、温度変化予測部１３３ｃが、適用予定の冷却条件に対応する係数マトリックス等の「温度変化予測モデル」を用いて温度変化を予測した結果、あまり温度が上昇しないことが判明した場合には、撮像制御部１３３ｄが、この結果を用いて、冷却条件を変更してもよい。
【００８０】
即ち、温度の変化は磁場の均一性にも影響を与えるものであるので、画質の観点からはあまり変化しないこと（例えば、冷却し過ぎないこと）も望ましい。そこで、撮像制御部１３３ｄは、温度変化予測部１３３ｃによる予測の結果、適用予定の冷却条件のままでは必要以上に温度が低下（若しくは低温で維持）することが予測された場合、あえて、冷却条件を変更し、温度変化がある程度パルスシーケンス間で平均化されるように（言い換えると、画質がある程度パルスシーケンス間で平均化されるように）制御することができる。この結果として、消費電力を低減することもできる。
【００８１】
（その他の実施形態）
なお、実施形態は、上述した実施形態に限られるものではない。
【００８２】
上述した実施形態においては、各パルスシーケンスの実行前に、温度変化の予測を行う手法を説明したが、温度変化の予測のタイミングは、必ずしも各パルスシーケンスの実行前のみに限定されるものではなく、その他のタイミングにおいて行ってもよい。例えば、温度変化予測部１３３ｃは、全パルスシーケンスの実行前にも、全パルスシーケンスを実行した場合の温度変化の予測をまとめて行ってもよい。
【００８３】
また、上述した実施形態においては、ＭＲＩ装置１００が係数導出部１３３ａを備える例を説明したが、実施形態はこれに限られるものではない。即ち、上述したように、係数導出部１３３ａによる処理は、ＭＲＩ装置１００の開発段階・据付段階で行われるものである。よって、例えば、係数導出部１３３ａは、ＭＲＩ装置１００とは別の試験装置等に備えられ、試験装置等で、温度変化の予測に必要な「温度変化予測モデル」のパラメータや、撮像パラメータ値と電力との依存関係を示すデータベース等が導出されてもよい。ＭＲＩ装置１００の温度予測部１３３ｃは、このように試験装置等で別途導出されたパラメータやデータベースを保持し、温度変化の予測を行う。
【００８４】
（具体的な数値、処理の順序）
また、上述した実施形態において例示した具体的な数値や処理の順序（例えば、図５に示す処理手順）は、原則として、一例に過ぎない。
【００８５】
（プログラム）
また、上述した実施形態の中で示した処理手順に示された指示は、ソフトウェアであるプログラムに基づいて実行されることが可能である。上述した実施形態で記述された指示は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、磁気ディスク、光ディスク、半導体メモリ、又はこれに類する記録媒体に記録される。コンピュータは、この記録媒体からプログラムを読み込み、このプログラムに基づいてプログラムに記述されている指示をＣＰＵで実行させれば、上述した実施形態のＭＲＩ装置１００と同様の動作を実現することができる。また、コンピュータがプログラムを取得する場合又は読み込む場合は、ネットワークを通じて取得又は読み込んでもよい。
【００８６】
以上述べた少なくとも１つの実施形態の磁気共鳴イメージング装置によれば、検査の正常な進行が温度上昇で妨げられる事態を回避することができる。
【００８７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８８】
１００  ＭＲＩ装置
１２０  シーケンス制御部
１３３  制御部
１３３ａ  係数導出部
１３３ｂ  撮像条件設定部
１３３ｃ  温度変化予測部
１３３ｄ  撮像制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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