(57)【要約】      （修正有）【課題】ハンダ接合に用いる反応性多層膜のクラックの発生を抑制する。【解決手段】第１の被接合体１と第２の被接合体７とをハンダ層および反応性多層膜を含む接合部を用いて接合するデバイス用接合方法であり、異種金属をナノメータオーダーの膜厚で交互に積層した積層膜をパターニングして反応性多層膜６ａを形成し、反応性多層膜を反応させて発熱せしめ、反応性多層膜の両面に配置された前記ハンダ層を溶融させて流動せしめ第１の被接合体と第２の被接合体とを接合する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の被接合体と第２の被接合体とをハンダ層および反応性多層膜を含む接合部を用いて接合するデバイス用接合方法であって、
異種金属をナノメータオーダーの膜厚で交互に積層した積層膜をパターニングして前記反応性多層膜を形成し、
前記反応性多層膜を反応させて発熱せしめ、前記反応性多層膜の両面に配置された前記ハンダ層を溶融させて第１の被接合体と第２の被接合体とを接合する、該デバイス用接合方法。
【請求項２】
前記反応性多層膜が、１つの線または連結された複数の線で形成される線状パターンからなる請求項１記載の接合方法。
【請求項３】
前記両面のハンダ層の各ハンダ層の厚さが２μｍ以上である請求項１または２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記線状パターンの厚さが１５μｍ以上、線幅が７５０μｍ以下である請求項２または３に記載の接合方法。
【請求項５】
第１の被接合体および／または第２の被接合体が半導体基板である請求項１記載の接合方法。
【請求項６】
前記接合部を挟むように第１の被接合体と第２の被接合体とを積層後、第１の被接合体または第２の被接合体を加圧しながら、前記反応性多層膜を反応させる請求項１記載の接合方法。
【請求項７】
前記異種金属が、ＮｉとＡｌ、ＴｉとＡｌ、またはＴｉとＳｉである請求項１記載の接合方法。
【請求項８】
デバイスと、接合部を介して接合され、該デバイスを封止する第１の被接合体と第２の被接合体とを有し、
該接合部が、両面にハンダ層を有する金属間化合物膜を有し、
該金属間化合物膜のクラック面積が１．８％以下である、パッケージデバイス。
【請求項９】
前記金属間化合物膜が、ＮｉとＡｌ、ＴｉとＡｌ、またはＴｉとＳｉとからなる金属間化合物を含む請求項８記載のパッケージデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス用接合方法、およびそれを用いて製造されるパッケージデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体加工技術を応用したマイクロマシニング技術の発達に伴い、様々な機能を有する電子デバイスの設計開発が盛んに行われている。例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスの場合、そのＭＥＭＳデバイスの性能向上のためには、その動作環境の一定保持が必須であり、微小なゴミや熱、物理的および電気的外乱から保護する必要がある。そのため、ＭＥＭＳデバイスをパッケージングする方法が行われている。
【０００３】
パッケージングのためにはハンダ接合が行われ、ハンダを溶融させるためには、電気炉加熱やジュール熱加熱等が用いられている。しかし、これらの加熱方法では、ハンダを溶融させるために、ＭＥＭＳデバイスを含むパッケージ全体を４００℃程度の比較的高温に長時間加熱しなければならないため、熱損傷によりＭＥＭＳデバイスの性能や信頼性が低下する可能性がある。
【０００４】
これに対し、ハンダ接合に反応性多層膜を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１）。反応性多層膜とは、異種金属をナノメータオーダーの膜厚で交互に積層した多層膜であり、微小エネルギーを与えることにより瞬時に大量に熱を発生させることができる。例えば、ＡｌとＮｉの多層膜は、微小エネルギーを与えることでＮｉＡｌ金属間化合物が生成し、発熱する。例えば、ＡｌとＮｉの多層膜では、最大温度が約１０００Ｋにまで達し、反応は１秒未満に瞬時に生じ、その１秒後には室温に戻る。反応性多層膜の反応は自己伝播発熱反応であり、熱が瞬時に膜全体に伝わるため、反応性多層膜を熱源として用いることによりハンダを瞬時に溶融でき、および局所的な加熱であるため、ＭＥＭＳデバイスの熱損傷を抑制することが期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００７−５０２２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように反応性多層膜（以下、とくに断らない限り多層膜という）を用いた接合方法は、ハンダを瞬時に溶融でき、および局所的な加熱であるため、ＭＥＭＳデバイスの熱損傷を抑制できる点で優れた接合方法である。しかしながら、多層膜は反応により、結晶構造や格子面間隔が変化し、そのため体積が収縮して、クラックが発生しやすいという問題がある。例えば、ＡｌとＮｉの多層膜の場合、ＮｉＡｌ金属間化合物の生成に伴い、結晶構造がＦＣＣ（面心立方格子）からＢＣＣ（体心立方格子）に変化し、かつ格子面間隔が約１／２となるため、体積が反応前に比べて約１２％減少する。この体積減少により多層膜にクラックが発生し、接合部の強度低下やパッケージの封止性低下の原因となる。そのため、多層膜を用いた接合方法の実用化のためには、反応後の多層膜のクラックの発生を抑制あるいは防止できる技術が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、反応後の多層膜のクラックの発生を顕著に抑制できることを見出して本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明のデバイス用接合方法は、第１の被接合体と第２の被接合体とをハンダ層および反応性多層膜を含む接合部を用いて接合するデバイス用接合方法であって、異種金属をナノメータオーダーの膜厚で交互に積層した積層膜をパターニングして前記反応性多層膜を形成し、前記反応性多層膜を反応させて発熱せしめ、前記反応性多層膜の両面に配置された前記ハンダ層を溶融させて第１の被接合体と第２の被接合体とを接合することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明のパッケージデバイスは、デバイスと、接合部を介して接合され、該デバイスを封止する第１の被接合体と第２の被接合体とを有し、該接合部が、両面にハンダ層を有する金属間化合物膜を有し、該金属間化合物膜のクラック面積が１．８％以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の接合方法によれば、接合部におけるクラックの発生を抑制または防止することができるのでデバイスの性能および信頼性を向上させることが可能となる。また線状パターンの反応性金属多層膜を用いることにより、接合部の幅も狭くすることができるので、パッケージデバイスをさらに小型化することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の接合方法の工程の一例を示す模式断面図である。
【図２】Ｎｉ／Ａｌ多層膜のＤＳＣ曲線の一例である。
【図３】Ｔｉ／Ａｌ多層膜のＤＳＣ曲線の一例である。
【図４】Ｔｉ／Ｓｉ多層膜のＤＳＣ曲線の一例である。
【図５】本発明のパッケージデバイスの構造の一例を示す模式断面図である。
【図６】接合体Ｎｏ．２０の多層膜の横断面のＳＥＭ写真である。
【図７】多層膜（Ｎｏ．１〜４）の横断面のＳＥＭ写真である。
【図８】多層膜（Ｎｏ．１〜４，９〜１２等）の横断面ＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面等を参照して本発明の実施の形態について詳しく説明する。
（デバイス用接合方法）
本発明のデバイス用接合方法は、第１の被接合体と第２の被接合体とをハンダ層および反応性多層膜を含む接合部を用いて接合するデバイス用接合方法であって、異種金属をナノメータオーダーの膜厚で交互に積層した積層膜をパターニングして前記反応性多層膜を形成し、前記反応性多層膜を反応させて発熱せしめ、前記反応性多層膜の両面に配置された前記ハンダ層を溶融させて第１の被接合体と第２の被接合体とを接合することを特徴とするものである。
【００１２】
図１は、本発明の接合方法の工程の一例を示す模式図である。工程（１）では、第１の被接合体１として、例えば第１のシリコン基板を用意し、工程（２）で第１のシリコン基板上にＤＣスパッタリング装置を用いて第１のハンダ層２を製膜する。次いで、工程（３）で第１のハンダ層２の上にレジスト３を塗布し、工程（４）および（５）でフォトリソグラフィー技術により点もしくは線状のフォトマスク４を用いてレジスト３のパターニングを行いレジストパターン５を形成する。次いで、工程（６）でＤＣスパッタリング装置を用いて多層膜６を形成し、次いで、工程（７）でレジストパターン５をエッチングにより除去することにより、１つの線または連結された複数の線で形成される線状パターンからなる直線、曲線等の多層膜６ａを形成する。次いで、工程（８）に示すように、別途作製した第２のハンダ層８を有する第２の被接合体７（例えば、第２のシリコン基板）を向い合せて積層し、加圧手段（不図示）を用いて押圧する。次いで、工程（９）で多層膜６ａに外部からエネルギーを与えることで、反応させて発熱せしめ、第１および第２のハンダ層２，７を溶融させて第１および第２のシリコン基板同士を接合する。ここで、第１および第２のハンダ層２，７と多層膜６ａは、接合部９を構成する。
【００１３】
第１および第２のハンダ層は、ＤＣスパッタリング装置を用いて形成することができる。ハンダには、公知のハンダ材料を用いることができるが、好ましくはＡｕ−Ｓｎ、Ａｇ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕ、より好ましくはＡｇ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕ、さらに好ましくはＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕである。
【００１４】
多層膜には、異種金属をナノメータオーダーの膜厚で交互に積層した多層膜（積層膜）を用いる。多層膜は、ＤＣスパッタリング装置を用いて異種金属層を交互積層することにより作製できる。金属には、遷移金属と軽金属の組み合わせを用いることができる。遷移金属には、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、軽金属にはＡｌまたはＳｉを用いることができる。好ましい組み合わせは、発熱総量の観点から、ＮｉとＡｌ、ＴｉとＡｌ、ＴｉとＳｉ、より好ましくはＮｉとＡｌである。各金属層の膜厚は、２０〜２００ｎｍの範囲で、金属の組み合わせにより変化させることができる。すなわち、多層膜の反応熱量は、２種の金属の反応により生成する生成物の生成エンタルピーに依存する。そのため、その生成エンタルピーが最大となる化合物を生成するように、２種の金属の原子比を設定する必要があり、その原子比となるように、膜厚比を設定する。例えば、ＮｉとＡｌとの多層膜の場合、ＮｉとＡｌとの化合物で最も生成エンタルピーが大きい化合物は、原子比が１：１のＮｉＡｌであることが知られている。ＡｌとＮｉの単位結晶格子当たりの体積比が３：２であることから、反応時に原子比１：１のＮｉＡｌ化合物を生成するように、Ａｌ層とＮｉ層の膜厚比は３：２とする。
【００１５】
図２に、ＮｉとＡｌの多層膜の示差走査熱量（ＤＳＣ）測定の結果を示す。図中の厚さは２層全体の厚さを示しており、Ａｌ層とＮｉ層の膜厚比は３：２である。５０ｎｍでは約２２０℃、１００ｎｍでは約２５０℃、２００ｎｍでは約２７０℃に発熱ピークが見られた。ここで、ＤＳＣ測定は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のＤＳＣ６１００を用いて行った。
【００１６】
また、ＴｉとＡｌとの多層膜について、組成比を変えてＤＳＣ測定を行った結果を図３に示す。Ｔｉ：Ａｌ＝１：３の時に、約４４０℃に発熱総量の大きいピークが得られた。この結果より、反応時に原子比１：３のＴｉＡｌ化合物を生成するように、Ｔｉ層とＡｌ層の膜厚比は１：３とした。
【００１７】
また、ＴｉとＳｉとの多層膜について、組成比を変えてＤＳＣ測定を行った結果を図４に示す。Ｔｉ：Ｓｉ＝５：４の時に、約５５０℃に発熱総量の大きいピークが得られた。この結果より、反応時に原子比５：４のＴｉＳｉ化合物を生成するように、Ｔｉ層とＳｉ層の膜厚比は１１：１０とした。
【００１８】
パターニングにより形成される空隙の大きさ、形状、数は特に限定されない。形状は、定形でも不定形でもよく、定形の場合、例えば、平面視で、直線状、曲線状、円状、および三角形、矩形等の多角形状を挙げることができる。また、複数の空隙の配列は規則的でも不規則的でもよい。また、多層膜は、空隙により複数の多層膜が孤立した孤立多層膜群でもよく、あるいは多層膜が連続した連続膜でもよい。
【００１９】
ここで、多層膜は反応により金属間化合物を形成して体積収縮する。しかし、空隙を有する多層膜を用いることにより、従来ハンダ層の全面に形成していた場合に比べ、ハンダ層が変形することが容易となる。これにより、ハンダ層が変形することにより、反応後の多層膜の体積収縮に伴う変形力を吸収することが可能となり、反応後の多層膜のクラックを低減することが可能になったものと考えられる。
【００２０】
本発明の多層膜は、平面視で１つの線または連続する複数の線で形成される線状パターンからなる連続膜であることが好ましい。通電加熱等により、自己伝播発熱反応を利用して瞬時に多層膜全体の反応を開始させることができるからである。ここで、線には、直線と曲線が含まれ、その長さは、ハンダ層の上に形成可能であれば特に限定されない。曲線には、種々の形状の曲線が含まれ、一端と他端が連続する閉鎖形状や、一端と他端が連続しない開放形状が含まれる。また、閉鎖形状と開放形状には、円や楕円等の定形形状や不定形形状が含まれる。また連結された複数の線で形成される線状パターンにおける線には直線と曲線が含まれ、複数の線が連結していれば特にパターンは限定されない。例えば、線状パターンには、三角形、矩形等の多角形状、スノコ状、格子状、櫛状、梯子状、数珠状および直線と曲線との組み合わせ等を挙げることができる。
【００２１】
多層膜の線状パターンの厚さが１５μｍ以上、線幅が７５０μｍ以下であることが好ましい。多層膜の厚さは、より好ましくは２０μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは２５〜３０μｍである。また、線幅は、より好ましくは３０〜７５０μｍ、さらに好ましくは３０〜５００μｍ、さらに好ましくは３０〜３００μｍである。
【００２２】
第１および第２のハンダ層の厚さは、反応後の多層膜の変形を吸収できれば特に限定されないが、好ましく２μｍ以上、より好ましくは２μｍ〜１５μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜１５μｍ、さらに好ましくは１０〜１２μｍである。２μｍ以上とすることにより、接合強度をより向上させることができる。
【００２３】
また、多層膜は、空隙により複数の多層膜が孤立した孤立多層膜群でもよい。レーザパルス等を利用して複数の孤立多層膜を瞬時に反応させることができる。孤立多層膜群の形状は、平面視で、１つの線または複数の線で形成される線状パターンでもよく、線には、点線と直線と曲線が含まれ、その長さは、ハンダ層の上に形成可能であれば特に限定されない。また、曲線には、種々の形状の曲線が含まれる。また、孤立多層膜群の形状は、平面視で、不定形または定形の複数の多層膜が規則的または不規則的に配置されたパターンでもよい。例えば、水玉状を挙げることができる。
【００２４】
多層膜を反応させる方法には、通電加熱、スパーク、パルスレーザー等を用いることができる。多層膜は、平面視で１つの線または連続する複数の線で形成される線状パターンからなる連続膜である場合には、通電加熱が好ましい。また、多層膜が、空隙により複数の多層膜が孤立した孤立多層膜群である場合には、パルスレーザーが好ましい。
【００２５】
また、本発明では、接合部を挟むように第１の被接合体と第２の被接合体とを積層後、第１の被接合体または第２の被接合体を加圧しながら、多層膜を反応させることもできる。これにより、接合部と第１の被接合体または第２の被接合体との接触面積を増加させることができるので、接合強度をさらに向上させることができる。圧力は、１〜７．２ＭＰａ、好ましくは３．６〜７．２ＭＰａである。
【００２６】
本発明によれば、以下の方法で算出される反応後の多層膜のクラック面積が、１．８％以下、好ましくは１．３％以下である。ここで、クラック面積は以下の方法で算出することができる。反応後の多層膜の横断面のＸ線ＣＴ透過観察する、または接合部を剥離して反応後の多層膜を露出させてその横断面のＳＥＭ観察を行い、得られた画像を解析してクラック部分と非クラック部分に二値化し、クラック部分の横断面全体に対する面積割合を算出して、それをクラック面積と定義した。
【００２７】
本発明の接合方法は、ハンダ材料を用いるデバイスの接合方法であればあらゆる接合方法に用いることができる。例えば、実装基板へのデバイスのフリップチップボンディングやワイヤボンディングに用いることができる。そのような場合、例えば、実装基板を第１の被接合体とし、デバイスの電極部またはリードフレームを第２の被接合体として用いることができる。また、本発明の接合方法は、ウエハレベルパッケージング技術に好適に用いることができる。ウエハレベルパッケージング技術は、ウエハをパッケージに用い、ウエハ状態でパッケージングを行い、その後で個別化する方法であり、個別化されたチップデバイスの大きさがパッケージの大きさとなるため、パッケージデバイスの小型化や軽量化が可能となり、また生産効率の向上も期待できる。この場合、第１の被接合体と第２の被接合体に半導体基板を用い、第１の被接合体または第２の被接合体の一方にフリップチップボンディング等により実装したデバイスを他方の被接合体を蓋体として用いることでデバイスが封止されたパッケージデバイスを製造することができる。
【００２８】
（パッケージデバイス）
本発明の接合方法を用いて製造したパッケージデバイスは、デバイスと、接合部を介して接合され、該デバイスを封止する第１の被接合体と第２の被接合体とを有し、該接合部が、両面にハンダ層を有する金属間化合物膜を有し、該金属間化合物膜のクラック面積が１．８％以下である。
【００２９】
図５は、本発明のパッケージデバイスの構造の一例を示す模式断面図である。パッケージデバイスＢは、第１の被接合体２０と第２の被接合体２１とによりデバイス２２が封止されている。第１の被接合体２０と第２の被接合体２１は、接合部２３，２４により接合されている。接合部２３，２４は、第１の被接合体２０の表面に形成された配線パターン（不図示）に接続している。第２の被接合体２１上には、電極端子２７，２８が形成され、該電極端子２７，２８は、第２の被接合体２１を貫通する、接続導体２５，２６にそれぞれ接続されている。接続導体２５，２６は、接合部２３，２４とそれぞれ接続している。また、接合部２３，２４は、それぞれ両面にハンダ層を有する金属間化合物膜（不図示）を有している。
【００３０】
第１の被接合体と第２の被接合体には、半導体基板、例えばシリコンウエハを用いることができる。また、デバイスには、圧力センサや加速度センサ等のＭＥＭＳデバイスを用いることができる。
【００３１】
金属間化合物膜の厚さは、１５μｍ以上、好ましくは１９μｍ以上、より好ましくは２５〜３０μｍである。また金属間化合物膜の幅は、３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは７５０μｍ以下、さらに好ましくは１００〜７５０μｍ、さらに好ましくは１００〜５００μｍである。また、ハンダ層の厚さは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは２〜１５μｍである。
【００３２】
金属間化合物は、遷移金属と軽金属を含む金属間化合物からなり、遷移金属には、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、軽金属にはＡｌまたはＳｉを用いることができる。好ましい金属間化合物は、ＮｉとＡｌの金属間化合物、ＴｉとＡｌの金属間化合物、ＴｉとＳｉの金属間化合物、より好ましくはＮｉとＡｌの金属間化合物である。金属間化合物膜の横断面におけるクラックの面積は、１．８％以下、好ましくは１．３％以下である。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３４】
実施例１.
（実験方法）
第１のシリコン基板上（幅３０ｍｍ）に自作のＤＣスパッタリング装置を用いてＡｇ−Ｓｎからなる第１のハンダ層を製膜した。次いで、第１のハンダ層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術によりレジストのパターニングを行った。次いで、ＤＣスパッタリング装置を用いてＮｉ／Ａｌの多層膜を製膜し、次いで、レジストをエッチングにより除去することにより、梯子状の多層膜を形成した。別途、第２のシリコン基板（幅２０ｍｍ）上にＤＣスパッタリング装置を用いてＡｇ−Ｓｎからなる第２のハンダ層を厚さ１２μｍとなるように製膜した。第１のシリコン基板と第２のシリコン基板を、多層膜と第２のハンダ層とを向い合せて積層し加圧した。次いで、スパークさせることで多層膜にエネルギーを与えて発熱させ、第１および第２のハンダ層を溶融させて第１および第２のシリコン基板同士を接合させて接合体を得た。ここで、ハンダ層の厚さは、２μｍ、６μｍ、および１２μｍの３種類とした。また、多層膜の厚さは、１０μｍ、２０μｍ、および３０μｍの３種類とした。また多層膜の線幅は、３０μｍ、６０μｍ、１００μｍ、３００μｍ、５００μｍ、１ｍｍおよび３ｍｍとした。また、加圧力は１．８ＭＰａとした。また、接合は、真空度４．０×１０-４Ｐａの条件で行った。表１に製造した接合体（試料Ｎｏ．１〜１９）の接合条件を示す。
【００３５】
作製した接合体を接合部で剥離し、その剥離面（横断面）を電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ、日立製作所製Ｓ−４８００）を用いて観察した。多層膜のクラック面積を前述の方法で算出した。
【００３６】
また、比較のため、第１のハンダ層の全面（幅２０ｍｍ）に多層膜を形成した接合体（試料Ｎｏ．２０）を作製し、その評価を行った。
【００３７】
（結果）
図６は、比較のために製造した接合体（Ｎｏ．２０）の多層膜の横断面のＳＥＭ写真である。非常に大きなクラックが無数認められた。図７に、多層膜の膜厚を３０μｍとし、ハンダ層の厚さを１２μｍとした時の接合後の多層膜の横断面のＳＥＭ写真を示す。Ｎｏ．２０の接合体に比べ、クラックの数は大幅に減少し、さらに５００μｍ以下にするとほとんど目視では認められなくなった。これは、多層膜の線幅を細くすると、ハンダ層が変形し易くなり、反応後の多層膜の体積収縮に伴う変形力を吸収することが可能となり、反応後の多層膜のクラックの発生を抑制できたものと考えられる。
【００３８】
次に、図８にハンダ層の厚さを１２μｍとし、多層膜の厚さと線幅を変化させた時の接合後の多層膜の横断面ＳＥＭ写真を示す。多層膜の厚さが１０μｍの場合、線幅が１ｍｍ以下では未反応部が存在した。一方、多層膜の厚さが２０μｍと３０μｍの場合、線幅が５００μｍと３００μｍではクラックの数は目視ではほとんど認められなくなった。
【００３９】
表１に製造した接合体のクラック面積を示す。比較のために製造した接合体（Ｎｏ．２０）のクラック面積は４．１％と非常に大きな値であったが、多層膜の幅を小さくしておくと大きく減少した。特に、多層膜の厚さが２０μｍ以上で、線幅が５００μｍ以下の場合、クラック面積は、０．６％という非常に低い値が得られた。
【００４０】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の接合方法は、ＭＥＭＳのパッケージング技術のみならず、実装基板へのデバイスの実装にも使用できるので、半導体産業における省エネルギー、低公害化、および低コスト化に寄与することが期待できる。
【符号の説明】
【００４２】
１  第１の被接合体
２  第１のハンダ層
３  レジスト
４  フォトマスク
５  レジストパターン
６,６ａ  多層膜
７  第２の被接合体
８  第２のハンダ層
９  接合部
２０  第１の被接合体
２１  第２の被接合体
２２  デバイス
２３，２４  接合部
２５，２６  接続導体
２７，２８  電極端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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