(57)【要約】【課題】反応管に磁場を印加する磁場発生体が搭載された自動分析装置において、測定結果の信頼性の向上。【解決手段】磁場発生体４１は、反応管３１に収容されている反応液において磁性粒子により磁気分離する。測光機構２７は、光を発生する測光用光源２１０と、測光用光源２１０から発生され反応管３１に収容されている反応液を透過した光を検出し、検出された光に応じた測光信号を発生する測光用検出器２２０とを有する。測定項目計算部５は、測光用検出器２２０からの出力信号に基づいて測定項目を計測する。信号処理部４は、磁場発生体４１による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、測定項目の計測に利用される測光信号の利用範囲を決定する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管に収容されている反応液において磁性粒子により磁気分離するための磁場発生体と、
光を発生する光源部と前記光源から発生され前記反応管に収容されている反応液を透過した光を検出し前記検出された光に応じた出力信号を発生する検出部とを有する測光部と、
前記出力信号に基づいて測定項目を計測する計測部と、
前記磁場発生体による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、前記測定項目の計測に利用される前記出力信号の範囲を決定する決定部と、
を具備する自動分析装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記反応管に収容されている反応液を透過した光に応じた出力信号を繰り返し発生し、
前記決定部は、前記利用範囲として、前記磁場発生体による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、前記繰り返し発生される出力信号のうちの前記測定項目の計測に利用される時間範囲を決定する、
請求項１記載の自動分析装置。
【請求項３】
複数の反応管を保持する反応管保持機構と、
前記複数の反応管が測光位置を順番に通過するように前記反応管保持機構を駆動する駆動部と、をさらに備え、
前記決定部は、前記繰り返し発生される出力信号の時間変化波形に応じて前記利用範囲を前記複数の反応管の各々について個別に決定する、
請求項２記載の自動分析装置。
【請求項４】
前記磁場発生体は、前記複数の反応管の各々に磁場を印加するために前記反応管保持機構に設けられる、請求項３記載の自動分析装置。
【請求項５】
前記磁場発生体は、前記測光位置に対して前記複数の反応管の各々が通過する方向に磁場を印加するため、前記複数の反応管の各々を挟むように設けられる、請求項３記載の自動分析装置。
【請求項６】
前記繰り返し発生される出力信号の時間変化波形に基づいて前記複数の反応管の各々での前記磁気分離の揺らぎの有無を判定する判定部と、
前記判定部による判定結果を報知する報知部と、をさらに備える、
請求項３記載の自動分析装置。
【請求項７】
前記報知部は、前記判定結果を前記測定項目の計測値とともに報知する、請求項６記載の自動分析装置。
【請求項８】
前記判定部は、前記繰り返し出力される出力信号の時間変化波形が極値を有しているか否かに基づいて前記磁気分離の揺らぎの有無を判定する、請求項６記載の自動分析装置。
【請求項９】
前記決定部は、前記繰り返し発生される出力信号の時間変化波形の極値を検出し、前記極値を含む既定の時間範囲を前記利用範囲に決定する、請求項２記載の自動分析装置。
【請求項１０】
前記極値は最大値である、請求項９記載の自動分析装置。
【請求項１１】
前記極値は最小値である、請求項９記載の自動分析装置。
【請求項１２】
前記複数の反応管の各々について前記磁気分離の要否を設定する設定部をさらに備え、
前記決定部は、前記設定部により前記磁気分離を要すると設定された反応管について、前記利用範囲を前記磁気分離の空間的な不均一さに応じて決定し、前記設定部により前記磁気分離を要しないと設定された反応管について、前記利用範囲を予め設定された範囲に決定する、
請求項１記載の自動分析装置。
【請求項１３】
前記光源部は、前記反応管の互いに位置が異なる複数の領域に光を照射し、
前記検出部は、前記複数の領域を透過した光に応じた複数の出力信号を発生し、
前記決定部は、前記利用範囲として、前記磁場発生体による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、前記複数の出力信号のうちの前記測定項目の計測に利用される出力信号を決定する、
請求項１記載の自動分析装置。
【請求項１４】
前記決定部は、時間的に略一致する前記複数の出力信号における極値を検出し、前記複数の領域のうちの前記極値の近傍にある前記少なくとも一つの領域に対応する出力信号を決定する、請求項１３記載の自動分析装置。
【請求項１５】
前記極値は最大値である、請求項１４記載の自動分析装置。
【請求項１６】
前記極値は最小値である、請求項１４記載の自動分析装置。
【請求項１７】
前記磁場発生体は、一対の磁場発生体を有し、
前記一対の磁場発生体は、前記光源部から発生された光の進行方向に対する直交方向に関して対向して配置される、
請求項１記載の自動分析装置。
【請求項１８】
前記測定項目が前記磁気分離を必要とするか否かに応じて前記利用範囲を切り替える制御部をさらに備える、請求項１記載の自動分析装置。
【請求項１９】
反応管に収容されている反応液において磁性粒子により磁気分離するための磁場発生体と、
光を発生する光源部と前記光源から発生され前記反応管に収容されている反応液を透過した光を検出し前記検出された光に応じた出力信号を発生する検出部とを有する測光部と、
前記出力信号のうちの前記測定項目の計測に利用される範囲の出力信号に基づいて測定項目を計測する計測部と、
前記磁場発生体による磁気分離の空間的な不均一さに応じて前記範囲を補正する補正部と、
を具備する自動分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、自動分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動分析装置においては、反応管に繰り返し光を照射し、反応管を透過した光を繰り返し検出し、検出された出力値の平均値を利用して測定項目の計測値を算出している。平均値の算出に用いられる出力値のサンプリングウィンドウは、既定の時間範囲に設定されている。
【０００３】
近年、磁性粒子を用いて検出対象分子を分離して検査するため、反応管内の反応液に磁場を印加するための磁石が搭載された自動分析装置が提案されている。磁石は、反応管内の反応液において磁場の磁束密度が略均一になるように配置されている。しかし、反応ディスクの回動や磁石の位置ずれ等に起因して、反応管内において磁気分離が空間的に均一に進行しない場合がある。以下、磁気分離が空間的に均一に進行しない現象を磁気分離の揺らぎと呼ぶことにする。磁気分離の揺らぎが発生すると、計測結果の精度が悪化してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１６２７１９号公報
【特許文献２】特許第４５９８６８２号公報
【特許文献３】特開２００１−１９４３７１号公報
【特許文献４】特開２００１−１７４３２８号公報
【特許文献５】特開２０００−２７５２５４号公報
【特許文献６】特開２０００−２７５２５２号公報
【特許文献７】特開平０９−８００５５号公報
【特許文献８】特許第２５９０６７８号公報
【特許文献９】特開平０３−１４６８６６号公報
【特許文献１０】特開昭６１−２２６６６１号公報
【特許文献１１】特開昭５９−６０３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
目的は、反応管に磁場を印加する磁場発生体が搭載された自動分析装置において、測定結果の信頼性の向上を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態に係る自動分析装置は、反応管に収容されている反応液において磁性粒子により磁気分離するための磁場発生体と、光を発生する光源部と前記光源から発生され前記反応管に収容されている反応液を透過した光を検出し前記検出された光に応じた出力信号を発生する検出部とを有する測光部と、前記出力信号に基づいて測定項目を計測する計測部と、前記磁場発生体による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、前記測定項目の計測に利用される前記出力信号の利用範囲を決定する決定部と、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る自動分析装置の構成を示す図。
【図２】図１の反応ディスクにおける複数の反応管と複数の磁場発生体との配置を模式的に示す図。
【図３】図２の反応管と磁場発生体との配置を模式的に示す図。
【図４】図１の測光機構の詳細な構成を示す図。
【図５】通常検査に係る、図１の測光用検出器からの測光信号の典型的な時間変化波形を示す図。
【図６】本実施形態に係る測光信号の時間変化波形を示す図であり、磁気分離の揺らぎが発生していない場合の典型的な時間変化波形を示す図。
【図７】本実施形態に係る測光信号の時間変化波形を示す図であり、磁気分離の揺らぎが発生している場合の時間変化波形の一例を示す図。
【図８】本実施形態に係る測光信号の時間変化波形を示す図であり、磁気分離の揺らぎが発生している場合の時間変化波形の他の例を示す図。
【図９】本実施形態の実施例１に係る信号処理部の構成を示す図。
【図１０】本実施形態の実施例２に係る信号処理部の構成を示す図。
【図１１】本実施形態の実施例２に係る反応管検出機構を説明するための図であり、反応ディスク内の反応管ホルダと反応管検出機構との外観を示す図。
【図１２】本実施形態の実施例２に係る、測光位置周辺における反応ディスクの内部構造と反応管検出用信号の出力値と測光信号（オリジナル）の出力値と（測光信号（抽出後）の出力値との関係を示す図。
【図１３】図１０の測定範囲決定部によるサンプリングウィンドウの決定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの無い場合における、Ａ／Ｄ変換器からの測光信号の時間変化波形を示す図。
【図１４】図１０の測定範囲決定部によるサンプリングウィンドウの決定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器からの測光信号の時間変化波形を示す図。
【図１５】図１０の測定範囲決定部によるサンプリングウィンドウの決定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器からの他の測光信号の時間変化波形を示す図。
【図１６】変形例に係る測光機構による反応管の光の照射例を模式的に説明するための図。
【図１７】磁気分離の揺らぎが発生していない場合における、複数の照射領域にそれぞれ対応する複数の測光信号の出力値のグラフを示す図。
【図１８】磁気分離の揺らぎが発生している場合における、複数の照射領域Ｐｎにそれぞれ対応する複数の測光信号Ｓｎの出力値のグラフを示す図。
【図１９】磁気分離の揺らぎが発生している場合における、複数の照射領域Ｐｎにそれぞれ対応する複数の測光信号Ｓｎの出力値の他のグラフを示す図。
【図２０】図１の判定部の判定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの無い場合における、Ａ／Ｄ変換器からの測光信号の時間変化波形を示す図。
【図２１】図１の判定部の判定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器からの測光信号の時間変化波形を示す図。
【図２２】図１の判定部の判定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器からの他の測光信号の時間変化波形を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら本実施形態に係わる自動分析装置を説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る自動分析装置の構成を示す図である。図１に示すように、自動分析装置１は、分析機構２、分析機構制御部３、信号処理部４、測定項目計算部５、判定部、表示部７、操作部８、記憶部９、及びシステム制御部１０を備える。
【００１０】
分析機構２は、分析機構制御部３による制御に従って作動する。分析機構２は、自動分析装置の筐体に設けられている。分析機構２は、例えば、図１に示すように、反応ディスク１１、サンプルディスク１３、第１試薬庫１５、第２試薬庫１７、サンプルアーム１９―１、サンプルプローブ２１―１、第１試薬アーム１９―２、第１試薬プローブ２１―２、第２試薬アーム１９―３、第２試薬プローブ２１―３、撹拌アーム２３、撹拌子２５、測光機構２７、及び洗浄機構２９を搭載する。
【００１１】
反応ディスク１１は、環状に配列された複数の反応管３１を保持する。反応ディスク１１は、既定の時間間隔で回動と停止とを交互に繰り返す。後述するように、反応ディスク１１には、各反応管３１に磁場を印加するための磁場発生体が設けられている。反応管３１は、例えば、ガラスにより形成されている。サンプルディスク１３は、反応ディスク１１の近傍に配置されている。サンプルディスク１３は、サンプルが収容されたサンプル容器３３を保持する。サンプルディスク１３は、分注対象のサンプルが収容されたサンプル容器３３がサンプル吸入位置に配置されるように回動する。第１試薬庫１５は、サンプルの検査項目に選択的に反応する第１試薬が収容された複数の第１試薬容器３５を保持する。第１試薬庫１５は、分注対象の第１試薬が収容された第１試薬容器３５が第１試薬吸入位置に配置されるように回動する。第２試薬庫１７は、反応ディスク１１の近傍に配置される。第２試薬庫１７は、第１試薬に対応する第２試薬が収容された複数の第２試薬容器３７を保持する。第２試薬庫１７は、分注対象の第２試薬が収容された第２試薬容器３７が第２試薬吸入位置に配置されるように回動する。
【００１２】
本実施形態において、第１試薬または第２試薬として、サンプルに含まれる検査対象の分子等の物質に直接または間接に特異的に結合する磁性粒子を含む溶液が用いられる。検査対象物質を高感度に定量分析することができる。
【００１３】
反応ディスク１１とサンプルディスク１３との間にはサンプルアーム１９―１が配置される。サンプルアーム１９―１の先端には、サンプルプローブ２１―１が取り付けられている。サンプルアーム１９―１は、サンプルプローブ２１―１を上下動可能に支持している。また、サンプルアーム１９―１は、円弧状の回動軌跡に沿って回動可能にサンプルプローブ２１―１を支持している。サンプルプローブ２１―１の回動軌跡は、サンプルディスク１３上のサンプル吸入位置や反応ディスク１１上のサンプル吐出位置を通過する。サンプルプローブ２１―１は、サンプルディスク１３上のサンプル吸入位置に配置されているサンプル容器３３からサンプルを吸入し、反応ディスク１１上のサンプル吐出位置に配置されている反応管３１にサンプルを吐出する。
【００１４】
反応ディスク１１の外周近傍には第１試薬アーム１９―２が配置される。第１試薬アーム１９―２の先端には第１試薬プローブ２１―２が取り付けられている。第１試薬アーム１９―２は、第１試薬プローブ２１―２を上下動可能に支持する。また、第１試薬アーム１９―２は、円弧状の回動軌跡に沿って回動可能に第１試薬プローブ２１―２を支持している。第１試薬プローブ２１―２の回動軌跡は、第１試薬庫１５上の第１試薬吸入位置と反応ディスク１１上の第１試薬吐出位置とを通る。第１試薬プローブ２１―２は、第１試薬庫１５上の第１試薬吸入位置に配置されている第１試薬容器３５から第１試薬を吸入し、反応ディスク１１上の第１試薬吐出位置に配置されている反応管３１に第１試薬を吐出する。
【００１５】
反応ディスク１１と第２試薬庫１７との間には第２試薬アーム１９―３が配置される。第２試薬アーム１９―３の先端には第２試薬プローブ２１―３が取り付けられている。第２試薬アーム１９―３は、第２試薬プローブ２１―３を上下動可能に支持する。また、第２試薬アーム１９―３は、円弧状の回動軌跡に沿って回動可能に第２試薬プローブ２１―３を支持している。第２試薬プローブ２１―３の回動軌跡は、第２試薬庫１７上の第２試薬吸入位置と反応ディスク１１上の第２試薬吐出位置とを通る。第２試薬プローブ２１―３は、第２試薬庫１７上の第２試薬吸入位置に配置されている第２試薬容器３７から第２試薬を吸入し、反応ディスク１１上の第２試薬吐出位置に配置されている反応管３１に第２試薬を吐出する。
【００１６】
反応ディスク１１の外周近傍には撹拌アーム２３が配置される。撹拌アーム２３の先端には撹拌子２５が取り付けられている。撹拌アーム２３は、撹拌子２５を上下動可能に支持する。また、撹拌アーム２３は、円弧状の回動軌跡に沿って回動可能に撹拌子２５を支持している。撹拌子２５は、反応ディスク１１上の撹拌位置に配置された反応管３１内のサンプルと第１試薬との混合液、または、サンプルと第１試薬と第２試薬との混合液を攪拌する。以下、これら混合液を反応液と呼ぶことにする。
【００１７】
図１に示すように、反応ディスク１１近傍には、測光機構２７が設けられている。測光機構２７は、分析機構制御部３による制御に従って作動する。具体的には、測光機構２７は、光源２１０と光検出器２２０とを有している。以下、測光機構の光源を測光用光源と呼び、光検出器を測光用検出器と呼ぶことにする。測光用光源２１０は、反応ディスク１１内の測光位置に向けて光を照射する。測光用検出器２２０は、測光位置を挟んで測光用光源に対向する位置に配置される。測光用検出器２２０は、測光用光源から照射され反応管３１及び反応液を透過した光を検出する。測光用検出器２２０は、検出された光の強度に応じた出力値を有するアナログの出力信号を生成する。以下、測光用検出器２２０からの出力信号を測光信号と呼ぶことにする。生成された測光信号は、信号処理部４に供給される。
【００１８】
反応ディスク１１の外周には、洗浄機構２９が設けられている。洗浄機構２９は、分析機構制御部３による制御に従って作動する。具体的には、洗浄機構２９は、洗浄ノズルと乾燥ノズルとが取り付けられている。洗浄機構２９は、反応ディスク１１の洗浄位置にある反応管３１を洗浄ノズルで洗浄し、乾燥ノズルで乾燥する。
【００１９】
分析機構制御部３は、システム制御部１０による制御に従って分析機構２の各装置や機構を作動する。信号処理部４は、測光用検出器２２０からの測光信号に基づいてデジタルの出力信号を発生する。また、信号処理部４は、磁場発生体による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、測定項目計算部５による測定項目の計測に利用する測光信号の利用範囲を決定する。換言すれば、信号処理部４は、磁場発生体による磁気分離の空間的な不均一さに応じて利用範囲を補正する。具体的には、信号処理部４は、測光用検出器２２０からの測光信号の時間変化波形に応じて、測定項目の計測に利用する測光信号の時間範囲を複数の反応管の各々について決定する。以下、測定項目の計測に利用する測光信号の時間範囲をサンプリングウィンドウと呼ぶことにする。測定項目計算部５は、サンプリングウィンドウ内の測光信号に基づいて、測定項目の計測値を複数の反応管の各々について計算する。判定部６は、信号処理部４からの測光信号の時間変化波形のうちの時間範囲に極値が含まれるか否かを、複数の反応管３１の各々について判定する。表示部７は、例えばＣＲＴディスプレイや、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ等の表示デバイスを有する。表示部７は、測定項目計算部５による計算結果や判定部６による判定結果を表示する。操作部８は、オペレータからの入力機器を介した各種指令や情報入力を受け付ける。入力機器としては、マウスやトラックボールなどのポインティングデバイス、スイッチボタン等の選択デバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスが適宜利用可能である。記憶部９は、自動分析装置１の動作プログラム等を記憶している。システム制御部１０は、自動分析装置１の中枢として機能する。システム制御部１０は、記憶部９から動作プログラムを読み出し、動作プログラムに従って各部を制御する。
【００２０】
以下、本実施形態に係る自動分析装置１について詳細に説明する。
【００２１】
まずは、図２を参照しながら、反応ディスク１１における反応管３１と磁場発生体４１との配置について説明する。
【００２２】
図２は、反応ディスク１１における複数の反応管３１と複数の磁場発生体４１との配置を模式的に示す図である。図３は、反応管３１と磁場発生体４１との配置を模式的に示す図である。図３（ａ）は、反応管と磁場発生体４１との上面図であり、図３（ａ）は、反応管と磁場発生体４１との斜視図である。
【００２３】
図２に示すように、反応ディスク１１には、回転軸Ｒ１を中心とする円環に沿って複数の反応管３１が配列されている。複数の反応管３１は、反応ディスク１１により、回転軸Ｒ１回りに間欠的に回転と停止とを繰り返す。各反応管３１を挟むように一対の磁場発生体４１が配置されている。一対の磁場発生体４１は、反応管３１の回転方向に沿って磁場が印加するように配置される。本実施形態に係る磁場発生体４１としては、磁場を発生可能な如何なる物体も適用可能である。具体的には、磁場発生体４１としては、磁石が採用されると良い。本実施形態に係る磁石４１としては、既存の如何なるものも適用可能である。例えば、磁石４１として、フェライト磁石やアルニコ磁石、サマリウムコバルト磁石、ネオジム磁石等の永久磁石を用いることが望ましい。また、磁石４１として、永久磁石と他の磁性材料とを組み合わせたものでも良い。さらに、磁石４１は金属や合金、酸化物等の強磁性体を含んでも良い。さらに、磁石４１は電磁石を含んでも良い。この場合、上記の強磁性体と同様に、電磁石と永久磁石または他の磁性体とからなる磁石４１（磁気回路）が構成される。以下、磁場発生体４１は、磁石であるものとする。一対の磁石４１が反応管３１を挟んで配置されることにより、反応管３１内の反応液に磁場が印加される。
【００２４】
図２に示すように、測光機構２７は、測光用光源２１０と測光用検出器２２０とを有している。測光用光源２１０と測光用検出器２２０とは、自動分析装置１の筐体内部の所定位置に固定されている。測光用光源２１０から測光用検出器２２０に向けて光が照射される。測光用光源２１０から測光用検出器２２０までの光路上の所定位置に測光位置ＰＰが設けられている。反応管３１は、測光用光源２１０からの光を測光位置ＰＰで略直角に横切るように所定の時間間隔で反応ディスク１１により回転される。一対の磁石４１は、測光位置ＰＰに対する反応管３１の通過方向に沿って磁場が印加されるように配置される。あるいは、一対の磁石４１は、測光用光源２１０から発生される光の透過方向の直交方向に関して対向に配置される。反応管３１内の反応液は、測光位置ＰＰを横切る毎に測光機構２７により光学計測される。
【００２５】
次に本実施形態に係る測光機構２７について説明する。図４は、本実施形態に係る測光機構２７の詳細な構成を示す図である。図４に示すように、測光機構２７は、測光用光源２１０として、ハロゲンランプやタングステンランプ等のランプを搭載する。ランプ２１０は、光を発生する。反応ディスク１１は、分析機構制御部３からの駆動信号の供給を受けて、複数の反応管３１を、光学系内の所定位置（測光位置）ＰＰに順番に通過させる。ランプ２１０と測光位置ＰＰとの間の光路には、スリット２３０とレンズ２４０とが設けられている。スリット２３０は、ランプ２１０からの光の光量を制限する。レンズ２４０は、スリット２３０からの光を集光する。レンズ２４０により集光された光は、反応管３１を透過する。
【００２６】
測光位置ＰＰの反応管３１や反応管３１内の反応液を透過した光は、レンズ２５０、スリット２６０、及び分光器２７０を介して光検出器２２０に受光される。レンズ２５０は、反応管３１や反応管３１内の反応液を透過した光を集光する。スリット２６０は、レンズ２５０により集光された光の光量を制限する。分光器２７０は、スリット２６０からの光を分光する。分光器２７０としては、例えば、回折格子が用いられる。回折格子は、例えば、鏡面に等間隔に形成された複数の溝（格子線）が形成された凹面鏡により構成される。回折格子に照射された光は、回折格子上の格子線により波長毎に空間的に分散される。測光用検出器２２０は、分光器２７０により分光された光を受光し、受光された光の強度に応じた測光信号を発生する。測光用検出器２２０は、例えば、分光器２７０からの光の光路に垂直な垂直面上に１次元状又は２次元状に配列される複数の受光素子を有している。各受光素子は、その配置位置に応じた波長帯域に属する光線を受光し、受光された光線の強度に応じたアナログの電気信号、すなわち、測光信号を発生する。例えば、受光素子は、フォトダイオードにより実現される。
【００２７】
次に、磁気分離の揺らぎに起因する、測光用検出器２２０からのアナログの測光信号の時間変化波形の乱れについて説明する。磁気分離の揺らぎとは、磁気分離が空間的に均一に進行していない状態、すなわち、磁気分離が空間的に不均一な状態を指すものとする。磁気分離の揺らぎは、磁石４１の幾何学的なズレや磁力の低下等により磁束密度が空間的に不均一に分布することに伴い発生する。
【００２８】
図５は、通常検査に係る反応管３１内の測光信号の典型的な時間変化波形を説明するための図である。図５（ａ）は、通常検査に係る測光信号の典型的な時間変化波形を示すグラフである。図５（ａ）の縦軸は測光信号の出力値に規定され、横軸は時間に規定されている。図５（ｂ）は、測光位置ＰＰ周辺の反応ディスク１１の構造を示す図である。本実施形態において通常検査とは、磁気分離を用いない検査である。測光機構２７は、複数の反応管３１が順番に測光位置ＰＰを通過する状況下において、測光用光源２１０から測光位置ＰＰに向けて光を照射し、測光用検出器２２０により光を検出する。図５（ａ）の時間変化波形は、一個の反応管３１に関する時間変化波形を示している。時間変化波形は、反応ディスク１１や反応管３１等の構造的要因に起因して出力値が変動する時間範囲（以下、構造的要因範囲と呼ぶ）Ｒｓと反応液の液性に起因して出力値が変動する時間範囲（以下、反応液要因範囲と呼ぶ）Ｒｒとを有している。通常検査の場合、反応液要因範囲Ｒｒに予めサンプリングウィンドウが固定的に設定されている。
【００２９】
図５（ｂ）に示すように、反応ディスク１１は、回転方向に沿って複数の反応管３１を保持している。各反応管３１の間には磁石４１が設けられている。測光機構２７の測光用光源２１０は、複数の反応管３１が回転方向に沿って回転している中、反応管３１の回転軌道の一定位置（測光位置）ＰＰに光を照射している。通常検査の場合、反応液要因範囲Ｒｒの測光信号の出力値は、図５（ａ）に示すように、時間経過に従って略均一、換言すれば、空間的に略均一となる。光は、筐体１１１、恒温槽１１３、反応管の壁部３１１、反応管３１、反応管の壁部３１１、恒温槽１１３、及び筐体１１１に対して順番に照射される。
【００３０】
図６は、本実施形態に係る測光信号の時間変化波形を示す図であり、磁気分離の揺らぎが発生していない場合の典型的な時間変化波形を示す図である。図６に示すように、磁気分離を施す場合、反応管３１の一端部から中央部にかけて徐々に出力値が上昇し、中央部から他端部にかけて徐々に出力値が下降する。換言すれば、磁気分離を施す場合、反応液要因範囲Ｒｒにおける測光信号の時間変化波形は極値を有している。極値は、磁気分離を必要とする測定項目の計測値に用いられるべき値である。磁気分離の揺らぎが発生していない場合、極値は、反応液要因範囲Ｒｒの略中央に位置する。
【００３１】
図７は、本実施形態に係る測光信号の時間変化波形を示す図であり、磁気分離の揺らぎが発生している場合の時間変化波形の一例を示す図である。図８は、本実施形態に係る測光信号の時間変化波形を示す図であり、磁気分離の揺らぎが発生している場合の時間変化波形の他の例を示す図である。図７と図８とに示すように、磁気分離の揺らぎが発生している場合、反応液要因範囲Ｒｒにおける測光信号の時間変化波形の極値は、反応管の中央部から左側（時間的に中央部よりも前側）または右側（時間的に中央部よりも後側）に逸れている。
【００３２】
磁気分離を施す場合においても通常検査と同様に、反応液要因範囲の略全体にサンプリングウィンドウが設定された場合、極値以外の値も計測値の計算に用いられてしまい、計測値の信頼性が劣化してしまう。また、極値以外の値を極力計測値の計算に用いないようにするため、反応液要因範囲の中央部に限定してサンプリングウィンドウを設定した場合、磁気分離の揺らぎが発生すると、サンプリングウィンドウ内に極値が発生しない事象も起こり得る。サンプリングウィンドウ内に極値が発生しない場合、計測値は正確な値とはならない。
【００３３】
本実施形態に係る信号処理部４は、磁気分離の揺らぎの発生の有無に影響されずに常に良好な精度の計測値を計算可能なようにサンプリングウィンドウを設定する。具体的には、信号処理部４は、磁石４１による磁気分離の空間的な不均一さに応じてサンプリングウィンドウを決定する。換言すれば、磁石４１による磁気分離の空間的な不均一さに応じてサンプリングウィンドウを補正する。サンプリングウィンドウは、複数の反応管３１の各々について個別に決定又は補正される。
【００３４】
図９は、本実施形態に係る信号処理部４の構成を示す図である。図９に示すように、信号処理部４は、抽出部４７０、Ａ／Ｄ変換器４３０、及び測定範囲決定部４５０を有している。抽出部４７０は、測光機構２７の測光用検出器２２０から測光信号から反応液要因範囲の測光信号を抽出する。反応液要因範囲の測光信号は、ソフトウェアによる方法やハードウェアを利用した方法等により抽出可能である。以下、実施例１について説明する。
【００３５】
抽出部４７０は、測光用検出器２２０からの測光信号に信号処理を施して反応液要因範囲内の測光信号を、測光用検出器２２０からの測光信号から抽出する。第１の抽出方法として、抽出部４７０は、反応ディスク１１の各反応管３１が測光位置ＰＰを通過する時間を予め記憶しておくことで、各反応管３１の反応要因範囲の開始点と終了点との時間を計測する。抽出部４７０は、測光用検出器２２０からの測光信号から、予め記憶した反応液要因範囲の開始点から終了点までの測光信号を抽出する。
【００３６】
また、抽出部４７０は、他の方法により測光信号を抽出しても良い。例えば、抽出部４７０は、間引き処理や標本化処理等により、測光用検出器２２０からの測光信号から反応液要因範囲内の測光信号を抽出しても良い。
【００３７】
次に、実施例２について説明する。
【００３８】
図１０は、他の信号処理部４´の構成を示す図である。図１０に示すように、信号処理部４´は、抽出部４１０、Ａ／Ｄ変換器４３０、及び測定範囲決定部４５０を有している。抽出部４１０は、後述する反応管検出機構の反応管用検出器５３からの出力信号を利用して、測光機構２７の測光用検出器２２０から測光信号から反応液要因範囲の測光信号を抽出する。Ａ／Ｄ変換器４３０は、抽出部４１０からの測光信号にＡ／Ｄ変換を施してアナログの測光信号からデジタルの測光信号に変換する。測定範囲決定部４５０は、Ａ／Ｄ変換器４３０からの測光信号の時間変化波形の極値を検出し、検出された極値を含む所定の時間範囲をサンプリングウィンドウに決定する。
【００３９】
図１１は、本実施形態に係る反応管検出機構５０を説明するための図であり、反応ディスク１１内の反応管ホルダ１１５と反応管検出機構５０との外観を示す図である。反応ディスク１１は略円周状に配列された複数の反応管ホルダ１１５を装備している。図１１には、一の反応管ホルダ１１５が例示されている。反応管ホルダ１１５は、反応管３１を挿し込み可能な複数の開口部１１７を有している。各開口部１１７には反応管３１が挿し込まれる。反応管ホルダ１１５の外周側にはスリット板１１９が取り付けられている。スリット板１１９には、複数の羽根状部材（以下、単に羽根と呼ぶ）１２１が設けられている。羽根１２１は遮光性を有する部材により形成される。隣り合う羽根１２１と羽根１２１との間にはスリットが形成されている。スリット板１１９には、複数の反応管３１（あるいは、開口部１１７）に対応する位置に複数のスリットが形成されている。スリット板１１９は、複数の羽根１２１が反応ディスク１１の外周側に突き出るように反応管ホルダ１１５に取り付けられている。
【００４０】
自動分析装置の筐体（図示せず）であって測光機構２７の近傍には、反応管３１を検出するための反応管検出機構５０が設けられている。反応管検出機構５０は、光源５１と光検出器５３とを有している。以下、反応管検出機構５０の光源５１を反応管用光源と呼び、光検出器５３を反応管用検出器と呼ぶことにする。反応管用光源５１は光を発生する。反応管用検出器５３は、反応管用光源５１からの光を検出する。ここで、反応管用光源５１の焦点と反応管用検出器５３の検出面中心とを結ぶ軸を光軸Ａ１と呼ぶことにする。反応管用光源５１と反応管用検出器５３とは、複数の羽根１２１の回転軌道を光軸Ａ１が交差するように自動分析装置の筐体に設けられている。反応管用検出器５３からの出力信号は、抽出部４１０に供給される。以下、反応管用検出器５３からの出力信号を反応管検出用信号と呼ぶことにする。
【００４１】
図１２は、測光位置ＰＰ周辺における反応ディスク１１の内部構造と反応管検出用信号の出力値と測光信号の出力値との関係を示す図である。図１２（ａ）は、反応管検出用信号の出力値の時間変化波形を示す図である。図１２（ａ）のグラフの縦軸は出力値に規定され、横軸は時間に規定されている。図１２（ｂ）は測光信号（オリジナル）の出力値の時間変化波形を示す図である。図１２（ｃ）は測光信号（抽出後）の時間変化波形を示す図である。図１２（ｄ）は測光位置周辺における反応ディスク１１の内部構造を模式的に示す平面図である。
【００４２】
図１２（ｄ）に示すように、反応管用光源５１と反応管用検出器５３とは、光軸Ａ１が測光位置ＰＰを直交するように反応ディスク１１に設けられている。複数の羽根１２１は、反応管３１内部が測光位置ＰＰを追加している間、光軸Ａ１がスリット１２３を通過するように位置決めされている。従って反応管検出用信号は、測光位置ＰＰが反応管３１内部以外を通過している間、ＯＦＦ信号を出力し、測光位置ＰＰが反応管３１内部を通過している間、ＯＮ信号を出力する。すなわち、反応管検出用信号がＯＦＦ信号の期間、測光信号は構造的要因範囲Ｒｓにあり、反応管検出用信号がＯＮ信号の期間、測光信号は反応液要因範囲Ｒｒにある。反応管検出用信号は、抽出部４１０に供給される。
【００４３】
抽出部４１０は、反応管用検出器５３から反応管検出用信号を受信し、測光用検出器２２０から測光信号を受信する。図１２（ｃ）に示すように、抽出部４１０は、反応管検出用信号がＯＦＦ信号の期間、測光用検出器２２０からの測光信号を抽出せず、例えば、切り捨てる。一方、抽出部４１０は、反応管検出用信号がＯＮ信号の期間、測光用検出器２２０からの測光信号を抽出する。抽出された測光信号は、Ａ／Ｄ変換器４３０に供給される。Ａ／Ｄ変換器４３０は、供給された測光信号にＡ／Ｄ変換を施し、測光信号をアナログからデジタルに変換する。デジタルの測光信号は、測定範囲決定部４５０に供給される。
【００４４】
上記の通り、抽出部４７０又は抽出部４１０により測光信号が抽出されると、測定範囲決定部４５０によりサンプリングウィンドウの決定処理が行われる。
【００４５】
図１３は、測定範囲決定部４５０によるサンプリングウィンドウの決定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの無い場合における、Ａ／Ｄ変換器４３０からの測光信号の時間変化波形を示す図である。図１４は、測定範囲決定部４５０によるサンプリングウィンドウの決定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器４３０からの測光信号の時間変化波形を示す図である。図１５は、測定範囲決定部４５０によるサンプリングウィンドウの決定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器４３０からの他の測光信号の時間変化波形を示す図である。
【００４６】
図１３、図１４、及び図１５に示すように、測定範囲決定部４５０は、Ａ／Ｄ変換器４３０から供給される測光信号の時間変化波形を解析し、極値Ｖｐを検出する。極値の検出は、例えば、測光信号の時間変化波形の微分解析等、既知の方法により行われれば良い。極値Ｖｐが検出されると測定範囲決定部４５０は、測光信号が極値Ｖｐを取る時刻Ｔｐを特定し、時刻Ｔｐを含む既定の時間範囲をサンプリングウィンドウに設定する。既定の時間範囲は、極値が反応管３１の中央に位置しない場合にも、測定精度を向上させるために設定される。既定の時間範囲は、例えば、極値Ｖｐから前後方向各々に２又は３のサンプリング点分に設定されると良い。この既定の時間範囲は、ユーザにより入力部等を介して任意の値に設定可能である。サンプリングウィンドウに関するデータは、測定項目計算部５に供給される。
【００４７】
なお、通常検査の場合、測定範囲決定部４５０は、ＯＮ信号の出力時間範囲、すなわち、反応液要因範囲に対して一律にサンプリングウィンドウを設定する。
【００４８】
このように、信号処理部４は、磁石４１による磁気分離の空間的な不均一さを、反応液要因範囲における極値の出現タイミングに応じて判断し、磁気分離の空間的な不均一さに応じて測光信号の時間的範囲を決定又は補正することができる。
【００４９】
その後、測定項目計算部５は、複数の反応管３１の各々について、サンプリングウィンドウ内の測光信号の出力値の平均値を計算し、当該平均値に基づいて測定項目の計測値を個別に計算する。測定対象の反応液を収容する反応管３１は、複数回、測光機構２７により光学計測される。測定項目計算部５は、信号処理部４から測光信号とサンプリングウィンドウに関するデータとが供給される毎に当該サンプリングウィンドウ内の当該測光信号の出力値の平均値を算出する。計測値は、表示部７により表示される。
【００５０】
以上で本実施形態に係るサンプリングウィンドウの決定処理の説明を終了する。
【００５１】
（変形例）
上記の実施形態において自動分析装置は、測定項目の計測に利用する利用範囲として測光信号の時間範囲を決定するものとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。変形例に係る自動分析装置は、測定項目の計測に利用する利用範囲として測光信号の空間的な範囲を決定する。以下、変形例に係る自動分析装置１について説明する。なお以下の説明において、本実施形態と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
【００５２】
図１６は、変形例に係る測光機構による反応管３１の光の照射例を模式的に説明するための図である。なお、変形例に係る自動分析装置は、反応管３１を自動的に測光位置ＰＰに対して通過するための反応ディスク１１のような反応管保持機構を装備していないものとする。
【００５３】
図１６に示すように、測光位置ＰＰに反応管３１が配置されている。例えば、反応管３１の高さ方向をＺ方向とし、反応管３１の水平方向をＸ方向とし、Ｘ方向とＺ方向とに直交する方向をＹ方向と呼ぶことにする。磁石４１は、反応管３１を挟んでＸ方向に関して対向して配置される。すなわち、Ｘ方向は、磁石４１による磁場の印加方向に略一致する。Ｙ方向は、測光機構により発生された光の透過方向に略一致する。反応管３１は、例えば、ユーザにより測光位置ＰＰに配置される。変形例に係る測光機構は、反応管３１に対して、互いにＸ方向に関する位置（以下、Ｘ位置と呼ぶ）が異なる複数の領域Ｐｎ（ｎは整数）に光を照射可能な構成を有する。以下、反応管３１における領域Ｐｎを照射領域Ｐｎと呼ぶことにする。例えば、測光用光源２１０と測光用検出器２２０との組は照射領域Ｐｎ毎に設けられると良い。なお、単一の測光用光源２１０から複数の照射領域Ｐｎに光を照射し、当該複数の照射領域Ｐｎを透過した複数の光を区別可能に単一の測光用検出器２２０が検出できるのであれば、複数の照射領域Ｐｎに対して測光用光源２１０と測光用検出器２２０とが一組だけ設けられても良い。照射領域Ｐｎの数は２以上の任意に設定可能である。
【００５４】
Ｘ方向に関する測光信号の出力値のばらつきを測定するため、複数の照射領域Ｐｎのうちの１つはＸ方向に関する略中央部に設定され、複数の照射領域Ｐｎのうちの２つはＸ方向に関する略両端部に設定されると良い。例えば、図１６に示すように、照射領域はＸ位置に関して５つ設定されると良い。変形例に係る測光機構は、複数の照射領域Ｐｎに光を並行して照射し、複数の照射領域Ｐｎを透過した光を検出し、複数の照射領域Ｐｎにそれぞれ対応する複数の測光信号Ｓｎを出力する。
【００５５】
次に、変形例に係る信号処理部４による測光信号の利用範囲の決定処理について説明する。図１７は、磁気分離の揺らぎが発生していない場合における、複数の照射領域Ｐｎにそれぞれ対応する複数の測光信号Ｓｎの出力値のグラフを示す図である。図１８は、磁気分離の揺らぎが発生している場合における、複数の照射領域Ｐｎにそれぞれ対応する複数の測光信号Ｓｎの出力値のグラフを示す図である。図１９は、磁気分離の揺らぎが発生している場合における、複数の照射領域Ｐｎにそれぞれ対応する複数の測光信号Ｓｎの出力値の他のグラフを示す図である。なお、図１７、図１８、及び図１９における照射領域は、図１６に対応し、５箇所に設定されているものとする。測光信号Ｓ１は照射領域Ｐ１に照射された光に由来し、測光信号Ｓ２は照射領域Ｐ２に照射された光に由来し、測光信号Ｓ３は照射領域Ｐ３に照射された光に由来し、測光信号Ｓ４は照射領域Ｐ４に照射された光に由来し、測光信号Ｓ５は照射領域Ｐ５に照射された光に由来する。
【００５６】
図１７に示すように、磁気分離の揺らぎが発生していない場合、磁気分離が空間的に均一に進行するので、Ｘ方向に関する複数の測光信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、及びＳ５のうちの、Ｘ方向に関する略中央部の測光信号Ｓ３の出力値Ｖ３が極値を有することとなる。一方、図１８及び図１９に示すように、磁気分離の揺らぎが発生している場合、磁気分離が空間的に不均一に進行するので、Ｘ方向に関する複数の測光信号のうちの、Ｘ方向に関する略中央部以外の測光信号の出力値が極値を有することとなる。例えば、図１８に示すように、Ｘ方向に関して中央部よりも左側の測光信号Ｓ２の出力値Ｖ２が極値を有していたり、図１９に示すように、Ｘ方向に関して中央部よりも右側の測光信号Ｓ４の出力値Ｖ４が極値を有していたりする。すなわち、磁気分離の空間的な不均一さに応じて、極値を有する測光信号Ｓｎに対応する照射領域Ｐｎの、中央部からのＸ位置が変動する。
【００５７】
信号処理部４は、Ｘ方向に関する複数の測光信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、及びＳ５の出力値をモニタリングし極値を検出する。そして信号処理部４は、検出された極値を有する測光信号に対応する照射領域Ｐｎの位置に応じて、測定項目の計測に利用する範囲、すなわち、出力信号を決定する。具体的には、信号処理部４は、検出された極値を有する測光信号に対応する照射領域Ｐｎを含む既定の空間範囲を設定する。既定の空間範囲は、検出された極値を有する測光信号Ｓｎに対応する照射領域Ｐｎを略中心に含む既定の照射領域数分の空間範囲である。既定の空間範囲は、全照射領域Ｐｎよりも狭い範囲に制限される。例えば、既定の空間範囲は、検出された極値を有する測光信号Ｓｎに対応する照射領域Ｐｎを略中心に含む、３つ分の照射領域を含む範囲に規定される。そして信号処理部４は、既定の空間範囲に含まれる照射領域に対応する出力信号にサンプリングウィンドウを設定する。例えば、図１７に示すように、測光信号Ｓ３が極値を有する場合、照射領域Ｐ２、Ｐ３、及びＰ４にそれぞれ対応する測光信号Ｐ２、Ｐ３、及びＳ４にサンプリングウィンドウが設定される。また、図１８に示すように、測光信号Ｓ２が極値を有する場合、照射領域Ｐ１、Ｐ２、及びＰ３にそれぞれ対応する測光信号Ｐ１、Ｐ２、及びＳ３にサンプリングウィンドウが設定される。図１９に示すように、測光信号Ｓ４が極値を有する場合、照射領域Ｐ３、Ｐ４、及びＰ５にそれぞれ対応する測光信号Ｐ３、Ｐ４、及びＳ５にサンプリングウィンドウが設定される。
【００５８】
このように、信号処理部４は、磁石４１による磁気分離の空間的な不均一さを、複数の照射領域のうちの極値の出現箇所に応じて判断し、磁気分離の空間的な不均一さに応じて測光信号の空間的範囲を決定又は補正することができる。
【００５９】
以上で変形例に係るサンプリングウィンドウの決定処理の説明を終了する。
【００６０】
サンプリングウィンドウが設定されると測定項目計算部５は、上記実施形態と同様に、サンプリングウィンドウ内の測光信号に基づいて測定項目の計測値を計算する。
【００６１】
（総論）
上記の説明の通り、本実施形態に係る自動分析装置１は、磁場発生体４１、測光機構２７、信号処理部４、及び測定項目計算部５を有している。磁場発生体４１は、反応管３１に収容されている反応液において磁性粒子により磁気分離する。測光機構２７は、光を発生する測光用光源２１０と、測光用光源２１０から発生され反応管３１に収容されている反応液を透過した光を検出し、検出された光に応じた測光信号を発生する測光用検出器２２０とを有する。測定項目計算部５は、測光用検出器２２０からの出力信号に基づいて測定項目を計測する。信号処理部４は、磁場発生体４１による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、測定項目の計測に利用される測光信号の利用範囲を決定する。
【００６２】
上記の構成により自動分析装置１は、磁気分離を行う検査において、磁場発生体４１による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、測光信号の利用範囲を決定する。換言すれば、自動分析装置１は、磁場発生体４１による磁気分離の空間的な不均一さに応じて、測光信号の利用範囲を補正する。この処理により自動分析装置１は、磁気分離の揺らぎの発生の有無に影響されない堅牢なサンプリングウィンドウを反応管３１毎に個別に設定することができる。これに伴い、測定項目の計測値は、反応管３１内の磁気分離の揺らぎの発生の有無に影響されず、常に高精度となる。従ってユーザは、測定項目の計測値を信頼することが出来る。
【００６３】
なお上記の説明において測定範囲決定部４５０は、測光信号の時間変化波形又はＸ方向に亘る複数の照射領域にそれぞれ対応する複数の測光信号のうちの最大値を極値として検出するものとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、測定範囲決定部４５０は、測光信号の時間変化波形又はＸ方向に亘る複数の照射領域にそれぞれ対応する複数の測光信号のうちの最小値を極値として検出しても良い。これにより液性や測定項目等に応じた最適なサンプリングウィンドウを設定することができる。
【００６４】
次に、本実施形態に係る自動分析装置１の応用例について説明する。なお以下の応用例は、本実施形態のように利用範囲として時間範囲を決定する実施形態にも、変形例のように利用範囲として空間範囲を決定する実施形態にも適用可能である。しかしながら、説明の簡単のため、以下の応用例を、本実施形態のように利用範囲として時間範囲を決定する実施形態に基づいて説明するものとする。
【００６５】
（応用例１）
磁気分離の揺らぎが発生する事態は好ましく無い。自動分析装置１の判定部６は、測光信号に基づいて磁気分離の揺らぎが発生している否かを判定する。
【００６６】
図２０は、判定部６の判定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの無い場合における、Ａ／Ｄ変換器４３０からの測光信号の時間変化波形を示す図である。図２１は、判定部６の判定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器４３０からの測光信号の時間変化波形を示す図である。図２２は、判定部６の判定処理を説明するための図であり、磁気分離の揺らぎの有る場合における、Ａ／Ｄ変換器４３０からの他の測光信号の時間変化波形を示す図である。
【００６７】
図２０、図２１、及び図２２に示すように、判定部６は、信号処理部４，４´からの測光信号の時間変化波形のうちの所定の時間範囲（以下、判定時間範囲と呼ぶ）Ｒａに極値が含まれるか否かを判定する。判定時間範囲Ｒａは、磁気分離の揺らぎが発生する場合にピークが発生されると推測される時間範囲や、磁気分離の揺らぎが発生しない場合にピークが発生されないと推測される時間範囲に設定されると良い。判定時間範囲は、ユーザにより操作部８を介して任意に設定可能である。判定部６は、測光信号の時間変化波形が判定時間範囲に極値Ｖｐを有しているか否かを判定する。例えば、図２０の場合、極値Ｖｐが判定時間範囲内に無い。この場合、判定部６は、判定時間範囲Ｒａに極値が無い旨の信号（以下、無警告信号と呼ぶ）を発生する。図２１及び図２２の場合、極値Ｖｐが判定時間範囲Ｒａに有る。この場合、判定部６は、判定時間範囲Ｒａに極値が有る旨の信号（以下、警告信号と呼ぶ）を発生する。無警告信号と警告信号とは、システム制御部１０に供給される。システム制御部１０は、無警告信号が供給された場合、磁気分離の揺らぎが無い旨を報知する。システム制御部１０は、警告信号が供給された場合、磁気分離の揺らぎが有る旨を報知する。報知の手段としては、例えば、表示部７による表示が利用される。例えば、システム制御部１０に無警告信号が供給された場合、表示部７は、磁気分離の揺らぎが無い旨のメッセージやマーク等を表示する。システム制御部１０に警告信号が供給された場合、表示部７は、磁気分離の揺らぎが有る旨のメッセージやマーク等を表示する。磁気分離の揺らぎの有無のメッセージやマーク等は、測定項目の計測値と並べて表示されると良い。なお報知の手段としては、表示部７による表示以外にもスピーカによる音声やランプの点灯であっても良い。
【００６８】
上記の通り、応用例１によれば、磁気分離の揺らぎの発生の有無を報知することができる。従ってユーザは、磁気分離の揺らぎの有無を知ることができる。これによりユーザは、測定項目の計測値が磁気分離の揺らぎを伴っているのか否かを知ることができ、計測値の信頼性がさらに向上する。また、磁気分離の揺らぎが発生していることを知ったユーザは、磁気分離の揺らぎの発生原因の追究に取り組むことができる。
【００６９】
（応用例２）
システム制御部１０は、複数の反応管３１の各々に測定項目を設定する。例えば、システム制御部１０は、磁気分離を必要とする項目と磁気分離を必要としない項目とについて測光方式を切り替える。
【００７０】
測定範囲決定部４５０は、測定項目が磁気分離を必要とする項目に関する測光信号については、当該測光信号の時間変化波形に応じて、上記の説明の通り、極値を含む所定の時間範囲にサンプリングウィンドウを決定する。測定項目が磁気分離を必要としない項目に関する測光信号について測定範囲決定部４５０は、反応液要因範囲の全体または予め定められた時間範囲にサンプリングウィンドウを決定する。測定項目計算部５は、磁気分離を要する測定項目と通常検査の測定項目との各々について、サンプリングウィンドウ内の測光信号の出力値の平均値を計算し、計算された平均値に基づいて測定項目の計測値を計算する。測定項目の計測値は、表示部７により表示される。
【００７１】
応用例２によれば、磁気分離を要する測定項目と磁気分離を要さない通常検査の測定項目との各々について最適なサンプリングウィンドウを設定することができる。従って、磁気分離を要する測定項目と通常検査の測定項目との各々について最良な精度の計測値を計算することができる。
【００７２】
かくして本実施形態によれば、反応管に磁場を印加する磁場発生体が搭載された自動分析装置において、測定結果の信頼性の向上が実現する。
【００７３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７４】
１…自動分析装置、２…分析機構、３…分析機構制御部、４…信号処理部、５…測定項目計算部、６…判定部、７…表示部、８…操作部、９…記憶部、１０…システム制御部、１１…反応ディスク、１３…サンプルディスク、１５…第１試薬庫、１７…第２試薬庫、１９―１…サンプルアーム、１９―２…第１試薬アーム、１９―３…第２試薬アーム、２１―１…サンプルプローブ、２１―２…第１試薬プローブ、２１―３…第２試薬プローブ、２３…撹拌アーム、２５…撹拌子、２７…測光機構、２９…洗浄機構、３１…反応管、３３…サンプル容器、３５…第１試薬容器、３７…第２試薬容器、２１０…測光用光源、２２０…測光用検出器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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