(57)【要約】      （修正有）【課題】クロストークによる表示品質低下を防止することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、表示領域ＤＡ及び前記表示領域を囲む周辺領域ＰＡに区分されるベース基板１１０と、前記ベース基板の前記表示領域上に第１方向に配列された多数の画素電極ＥＬ１と、前記多数の画素電極に対応して具備された多数のアクティブキャビティと、前記画素電極との間に前記アクティブキャビティが形成されるように前記画素電極と対向する多数の共通電極ＥＬ２と、前記表示領域で前記共通電極の中で少なくとも１つの共通電極と電気的にコンタクトされるメタルラインと、を含む。【選択図】図１
2015028631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域に区分されるベース基板と、
前記ベース基板の前記表示領域上に第１方向に配列された多数の画素電極と、
前記多数の画素電極に対応して具備された多数のアクティブキャビティと、
前記画素電極との間に前記アクティブキャビティが形成されるように前記画素電極と対向する多数の共通電極と、
前記表示領域で前記共通電極の中で少なくとも１つの共通電極と電気的にコンタクトされるメタルラインと、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記共通電極は、前記画素電極の中で少なくとも２つの画素電極と重畳するように前記第１方向に延長し、前記第１方向と異なる第２方向に配列されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記メタルラインは、前記第１方向に延長したストレージラインであることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記共通電極の中で前記少なくとも１つの共通電極と前記ストレージラインを電気的に連結させるブリッジ電極をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ブリッジ電極の一部分は、前記画素電極と同一層上に形成され、前記画素電極と電気的に絶縁されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ストレージラインから分岐されて前記ブリッジ電極と直接的にコンタクトされる延長部をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記画素電極と前記ストレージラインとの間に介在された層間絶縁膜をさらに含み、前記層間絶縁膜には、前記延長部を露出させるコンタクトホールが形成され、
前記ブリッジ電極は、前記コンタクトホールを通じて前記延長部と直接的にコンタクトされ、前記絶縁膜上で前記共通電極の中で前記少なくとも１つの共通電極と直接的にコンタクトされることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ブリッジ電極と前記少なくとも１つの共通電極とが直接的にコンタクトされる領域は、前記アクティブキャビティの外側に位置することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ブリッジ電極は、多数になされて前記画素の各々に対応して具備されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記ブリッジ電極は、多数になされて前記画素の中でブルー画素に対応して具備されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記ストレージラインから分岐された延長部をさらに含み、
前記少なくとも１つの共通電極は、前記アクティブキャビティの外側で前記延長部と直接的にコンタクトされることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記延長部と前記共通電極との間に順次的に積層された層間絶縁膜をさらに含み、前記層間絶縁膜には、前記延長部を露出させるコンタクトホールが形成され、
前記少なくとも１つの共通電極は、前記コンタクトホールを通じて前記延長部と直接的にコンタクトされることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記アクティブキャビティを定義するカバー層をさらに含み、
前記共通電極は、前記カバー層の内面に塗布されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記ベース基板の前記周辺領域に具備され、前記第２方向に延長し、前記周辺領域で前記少なくとも１つの共通電極と電気的にコンタクトされる連結ラインをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記メタルラインは、前記第２方向に延長して前記少なくとも１つの共通電極を互いに電気的にコンタクトさせることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２方向に延長する２つのデータラインをさらに含み、前記画素電極の各々は、前記２つのデータラインの間に配置され、前記メタルラインは、２つのデータラインの間で前記画素電極の非有効表示領域に対応して配置されることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記メタルラインは、前記データラインと同一層上に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記画素電極の各々は、
前記第１及び第２方向に各々延長して十字状を有する幹部及び前記幹部から放射状に突出されて延長した多数の枝部を含み、
前記メタルラインは、前記幹部の前記第２方向に延長した縦部分に重畳して配置されることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１方向に延長したストレージラインをさらに含み、前記メタルラインは、前記ストレージラインと電気的にコンタクトされることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記ストレージラインと前記メタルラインとは、互に異なる層上に具備され、前記ストレージラインと前記メタルラインとの間の絶縁膜で形成されたコンタクトホールを通じて電気的にコンタクトされることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記共通電極は、前記第１方向と前記第２方向とに所定の間隔が離隔してマトリックス状に配列されることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第１方向に互いに隣接する２つの共通電極間の離隔距離は、前記第１方向に互いに隣接する２つの画素電極間の離隔距離より小さいことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１方向に互いに隣接する２つの共通電極間の離隔距離は、前記第１方向に互いに隣接する２つの画素電極間の離隔距離より大きいことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１方向に互いに隣接する２つの画素電極と各々オーバーラップする２つのデータラインをさらに含み、
前記２つのデータラインは、前記第２方向に延長することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記２つのデータライン間の離隔距離は、前記第２方向に互いに隣接する２つの画素電極間の離隔距離より大きいことを特徴とする請求項２４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、より詳細には表示品質を改善させることができる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、既存のＣＲＴ管を代替して液晶表示装置、電氣泳動表示装置等の平板表示装置が多く使用されている。
【０００３】
一般的に表示装置は互いに対向する２つの基板と、前記２つの基板の間に介在された液晶層や電氣泳動層のような映像表示層を含む。平板表示装置では２つの基板が互いに対向して接着され、２つの基板の間に映像表示層が具備されるように２つの基板間の間隔が維持される。
【０００４】
前記平板表示装置を製造するためには前記２つの基板の中でいずれか１つの基板には前記２つの基板間の間隔を維持するためのスペーサーを形成し、接着剤を利用して前記スペーサーと他の１つの基板を接着させる過程が必要である。
【０００５】
したがって、前記平板表示装置の製造工程が複雑になり、費用が増加される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許公開第２０１３／００９３９８５号公報
【特許文献２】米国特許公開第２０１２／００６２４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は画素単位にアクティブキャビティを具備する表示装置でクロストークによる表示品質の低下を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による表示装置は、表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域に区分されるベース基板と、前記ベース基板の前記表示領域上に第１方向に配列された多数の画素電極と、前記多数の画素電極に対応して具備された多数のアクティブキャビティと、前記画素電極との間に前記アクティブキャビティが形成されるように前記画素電極と対向する多数の共通電極と、前記表示領域で前記共通電極の中で少なくとも１つの共通電極と電気的にコンタクトされるメタルラインと、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、画素単位にアクティブキャビティを具備する表示装置でクロストークによる表示品質の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置の平面図である。
【図２】図１に図示された画素の平面図である。
【図３Ａ】図２のＩ−Ｉ’線にしたがう断面図である。
【図３Ｂ】図２のII−II’線にしたがう断面図である。
【図３Ｃ】図２のIII−III’線にしたがう断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による表示装置の断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による画素を示した平面図である。
【図６】図５のＡ１部分の拡大図である。
【図７Ａ】図５に図示された切断線IV−IV’線にしたがう断面図である。
【図７Ｂ】図５に図示された切断線Ｖ−Ｖ’線にしたがう断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による画素を示した平面図である。
【図９】図８に図示されたＶＩ−ＶＩ’線にしたがう断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態による表示装置の平面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による表示装置の断面図である。
【図１２】図１１に図示された画素の平面図である。
【図１３】図１２に図示された切断線ＶＩＩ−ＶＩＩ’線にしたがう断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による表示装置の平面図である。
【図１５】図１４に図示された切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線にしたがう断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による共通電極の平面図である。
【図１７】本発明の一実施形態による２つの画素を示した平面図である。
【図１８】図１７に図示された切断線IX−IX’線にしたがう断面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態による２つの画素を示した平面図である。
【図２０】図１９に図示された切断線Ｘ−Ｘ’線にしたがう断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、特定実施形態を図面に例示し、本文で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に対して限定しようとすることでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解しなければならない。
【００１２】
各図面を説明しながら、類似な参照符号を類似な構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明を明確に説明するために実際より拡大して示したことである。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しなくて第１構成要素は第２構成要素と称することができ、同様に第２構成要素も第１構成要素と称することができる。単数の表現は文脈の上に明確に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１３】
本出願で、“包含する”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合ったことが存在することを指定しようとすることであるが、１つ又はその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組み合ったことの存在又は付加の可能性を予め排除しないこととして理解しなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分“上に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに上に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板等の部分が他の部分“下に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに下に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
【００１４】
図１は本発明の一実施形態による表示装置の平面図である。
【００１５】
図１を参照すれば、表示装置１００はベース基板１１０及び前記ベース基板１１０上に提供された多数の画素ＰＸを含む。
【００１６】
前記ベース基板１１０は透明又は不透明な絶縁基板から形成することができ、シリコン基板、ガラス基板、及びプラスチック基板の中でいずれか１つから形成され得る。前記ベース基板１１０は表示領域ＤＡ及び周辺領域ＰＡを含む。前記表示領域ＤＡは前記多数の画素ＰＸが具備されて実質的に映像を表示する領域である。前記多数の画素ＰＸの各々には薄膜トランジスタ（図示せず）及び画素電極ＥＬ１が具備される。
【００１７】
前記周辺領域ＰＡは前記表示領域ＤＡの少なくとも１辺に隣接するか、両辺に隣接して形成されるか、或いは前記表示領域ＤＡを囲むように形成され得る。
【００１８】
前記画素ＰＸは、複数の列と複数の行とを有するマトリックス状に前記ベース基板１１０の前記表示領域ＤＡ上に配列される。前記ベース基板１１０の上には前記画素ＰＸにゲート信号を伝達する多数のゲートライン（図示せず）及び前記画素ＰＸにデータ信号を伝達する多数のデータライン（図示せず）が具備される。前記多数のゲートラインは前記表示領域ＤＡ上で第１方向Ｄ１に沿って延長され、第２方向Ｄ２に沿って互いに離隔されて配列される。ここで、第１方向と第２方向とは概ね直交する。前記多数のデータラインは前記表示領域ＤＡ上で前記第２方向Ｄ２に沿って延長され、前記第１方向Ｄ１に沿って互いに離隔されて配列される。図１では前記ゲートライン及びデータラインが便宜上省略された。
【００１９】
前記表示領域ＤＡには前記ゲートラインに沿ってストレージラインＳＬが配置される。具体的に、前記ストレージラインＳＬは前記第１方向Ｄ１に沿って延長され、前記第２方向Ｄ２に沿って互いに離隔されて配列される。前記周辺領域ＰＡには、前記第２方向Ｄ２に沿って延長し、前記ストレージラインＳＬを電気的に連結させるための第１及び第２連結ラインＣＬ１、ＣＬ２が具備される。具体的に、前記第１連結ラインＣＬ１は前記ストレージラインＳＬの一端を電気的に連結し、前記第２連結ラインＣＬ２は前記ストレージラインＳＬの他端を電気的に連結する。また、前記第１及び第２連結ラインＣＬ１、ＣＬ２は外部からストレージ電圧を受信して前記ストレージラインＳＬに供給することができる。
【００２０】
前記ベース基板１１０の前記表示領域ＤＡ内には共通電極ＥＬ２がさらに具備される。前記共通電極ＥＬ２は、前記表示領域ＤＡ内で前記第１方向Ｄ１に沿って延長され、前記第２方向Ｄ２に配列される。前記周辺領域ＰＡには、前記共通電極ＥＬ２を電気的に連結させるための第１及び第２垂直電極部ＶＰ１、ＶＰ２がさらに具備される。前記第１及び第２垂直電極部ＶＰ１、ＶＰ２は、前記共通電極ＥＬ２の両端部から延長されて形成されたものであり、前記共通電極ＥＬ２が互いに電気的に連結されるように前記第２方向に長く延長した構造を有する。
【００２１】
前記周辺領域ＰＡには前記第１及び第２垂直電極部ＶＰ１、ＶＰ２と電気的にコンタクトされる第１及び第２共通電圧ラインＣＳＬ１、ＣＳＬ２がさらに具備される。前記第１共通電圧ラインＣＳＬ１は前記第２方向Ｄ２に沿って延長され、前記第１垂直電極部ＶＰ１と多数の第１コンタクトホールＣ１を通じて電気的にコンタクトされる。前記第２共通電圧ラインＣＳＬ２は前記第２方向Ｄ２に沿って延長され、前記第２垂直電極部ＶＰ２と多数の第２コンタクトホールＣ２とを通じて電気的にコンタクトされる。
【００２２】
したがって、前記第１及び第２共通電圧配線ＣＳＬ１、ＣＳＬ２は外部から供給される共通電圧を前記共通電極ＥＬ２に供給することができる。
【００２３】
図１に示したように、前記共通電極ＥＬ２の各々は前記表示領域ＤＡの多数の画素行に各々対応して具備され得る。しかし、前記共通電極ＥＬ２に印加された共通電圧は前記表示領域ＤＡの中心部に行くほど、ライン抵抗によって電圧レベルがダウンされ得る。前記共通電圧の変動は前記表示装置１００でクロストークの不良として視認され得る。
【００２４】
これを解決するために、前記共通電極ＥＬ２の各々は隣接するメタルラインと電気的に連結され得る。前記メタルラインはストレージ電圧を受信する前記ストレージラインＳＬであり得る。前記ストレージ電圧は前記共通電圧と同一の電位を有することができる。したがって、前記共通電極ＥＬ２の各々は、隣接するストレージラインＳＬを通じて前記ストレージ電圧を前記共通電圧として受信することができる。
【００２５】
本発明の一例として、前記共通電極ＥＬ２の各々を隣接するストレージラインＳＬと電気的に連結させるためのコンタクト部ＣＰが前記画素ＰＸの各々に配置され得る。前記コンタクト部ＣＰの各々は、当該共通電極ＥＬ２及び当該ストレージラインＳＬを直接的にコンタクトさせる構造を採用することができ、あるいは、別の部材を利用して当該共通電極ＥＬ２及び当該ストレージラインＳＬを電気的に連結させる構造を採用することができる。前記コンタクト部ＣＰの構造に対しては以下に図面を参照して具体的に説明する。なお、図１においては１つの画素ごとにコンタクト部ＣＰを設けている。図面に図示しなかったが、本発明の他の実施形態では、前記コンタクト部ＣＰは２つの画素単位又は４つ以上の画素単位にも提供され得る
説明を簡単にするために、図１では前記共通電極ＥＬ２の間の離隔空間にストレージラインＳＬが配置される構造として図示したが、前記ストレージラインＳＬは前記共通電極ＥＬ２と互いに重畳して配置され得る。
【００２６】
図２は図１に図示された画素の平面図であり、図３Ａは図２のＩ−Ｉ’線にしたがう断面図であり、図３Ｂは図２のII−II’線にしたがう断面図であり、図３Ｃは図２のIII−III’線にしたがう断面図である。
【００２７】
前記画素ＰＸは互いに同一の構造を有するので、図２では、説明の便宜上１つの画素ＰＸのみを一例として説明する。また、前記画素は一方向に長く延長された長方形状に図示したが、これに限定されることではない。例えば、前記画素の形状は平面上から見た時、Ｖ字状、Ｚ字状等の多様に変形され得る。
【００２８】
図２、図３Ａ乃至図３Ｃを参照すれば、画素ＰＸは２つのゲートラインＧＬと２つのデータラインＤＬによって定義された画素領域に具備される。前記画素ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極ＥＬ１、アクティブキャビティＥＭ、及び液晶層ＬＣを含む。
【００２９】
前記薄膜トランジスタＴＦＴは、前記ゲートラインＧＬと前記データラインＤＬとに連結され、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。
【００３０】
前記ゲート電極ＧＥは、前記ゲートラインＧＬから平面方向に突出させるか、或いは前記ゲートラインＧＬの一部の領域上に提供される。前記ゲートラインＧＬと前記ゲート電極ＧＥとは金属からなされ得る。前記ゲートラインＧＬと前記ゲート電極ＧＥとは、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン、及びこれらを含む合金からなされ得る。前記ゲートラインＧＬと前記ゲート電極ＧＥとは、前記金属を利用する単一膜又は多重膜で形成され得る。例えば、前記ゲートラインＧＬと前記ゲート電極ＧＥとは、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンが順次的に積層された三重膜であるか、或いはチタニウムと銅とが順次的に積層された二重膜、又はチタニウムと銅との合金からなされた単一膜であり得る。
【００３１】
第１絶縁膜１２１は前記ベース基板１１０の全面に提供されて、前記ゲートラインＧＬ及び前記ゲート電極ＧＥをカバーする。
【００３２】
前記半導体層ＳＭは前記第１絶縁膜１２１を介して前記ゲートラインＧＥ上に提供される。前記ソース電極ＳＥは前記データラインＤＬから分枝され、前記半導体層ＳＭと重畳する。前記ドレーン電極ＤＥは前記半導体層ＳＭ上で前記ソース電極ＳＥから離隔される。ここで、前記半導体層ＳＭは前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレーン電極ＤＥの間で導電チャンネル（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｃｈａｎｎｅｌ）を形成する。
【００３３】
前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの各々は導電性物質、例えば金属からなされ得る。前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの各々は単一金属で形成されることもあるが、これに限定されることではない。例えば、前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとは２種以上の金属、又は２種以上の金属の合金等からなされ得る。前記金属はニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン、及びこれらを含む合金を含む。また、前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの各々は単一膜又は多重膜で形成され得る。例えば、前記前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの各々はチタニウムと銅からなされた二重膜からなされ得る。
【００３４】
前記第１絶縁膜１２１の上にはカラーフィルター１２３が形成される。特に、前記カラーフィルター１２３は前記画素領域の中で実質的に映像を表示するのに利用される有効領域ＡＡに提供される。前記カラーフィルター１２３は、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、及び青色カラーフィルターの中でいずれか１つであり、各画素領域に対応して提供され得る。また、前記カラーフィルター１２３は、前記色以外にも他の色をさらに包含することができるが、例えば白色カラーフィルターをさらに包含することができる。
【００３５】
前記第１絶縁膜１２１の一部分及び前記薄膜トランジスタＴＦＴの上にはブラックマトリックス１２５がさらに提供される。前記ブラックマトリックス１２５は前記画素領域の中で非有効領域ＮＡＡに提供されて映像を具現することにおいて不必要な光を遮断する。前記ブラックマトリックス１２５は光漏れや、混色を遮断する役割を果たす。
【００３６】
前記ブラックマトリックス１２５には、前記薄膜トランジスタＴＦＴの前記ドレーン電極ＤＥの一部を露出させる第１コンタクトホールＣＨ１が提供され得る。本実施形態で前記第１コンタクトホールＣＨ１は、前記ブラックマトリックス１２５が形成された領域をオープンすることによって形成されたが、これに限定することではない。他の実施形態で、前記第１コンタクトホールＣＨ１は前記カラーフィルター１２３をオープンして形成されることもあり得る。
【００３７】
前記カラーフィルター１２３及び前記ブラックマトリックス１２５の上には前記画素電極ＥＬ１が提供される。前記画素電極ＥＬ１は、前記ブラックマトリックス１２５の前記第１コンタクトホールＣＨ１を通じて前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレーン電極ＤＥに電気的に連結される。前記画素電極ＥＬ１の上には前記画素電極ＥＬ１を保護する第２絶縁膜１２７が提供される。しかし、前記第２絶縁膜１２７は省略され得る。前記第２絶縁膜１２７は無機絶縁材料又は有機絶縁材料からなされ得る。
【００３８】
前記第２絶縁膜１２７の上には、アクティブキャビティ（ａｃｔｉｖｅｃａｖｉｔｙ）ＥＭを定義するカバー層１３１、前記アクティブキャビティＥＭ内に提供される液晶層ＬＣ、前記液晶層ＬＣの液晶分子を配向する配向膜１３３、及び前記画素電極ＥＬ１と共に前記液晶層ＬＣを制御する共通電極ＥＬ２が具備される。
【００３９】
前記カバー層１３１は、前記第２絶縁膜１２７上に前記第１方向Ｄ１に沿って延長される。前記カバー層１３１は、前記第２絶縁膜１２７の上面から離隔されて、前記第２絶縁膜１２７と共に前記アクティブキャビティＥＭを定義する。言い換えれば、前記カバー層１３１は、前記第２絶縁膜１２７から図３Ｂ中の上部方向（ベース基板１１０の厚み方向）に離隔されて前記カバー層１３１と前記第２絶縁膜１２７との間に所定の空間を形成し、前記空間が前記アクティブキャビティＥＭとして定義される。前記アクティブキャビティＥＭは前記有効領域ＡＡに対応して形成され、トンネル状（ｔｕｎｎｅｌ  ｓｈａｐｅ）を有する。有効領域ＡＡとは、表示領域ＤＡのうち、実質的に映像を表示する各画素に対応する領域であり、例えばデータ配線やブラックマトリックスを除く領域である。
【００４０】
一方、前記アクティブキャビティＥＭは前記非有効領域ＮＡＡには形成されない。即ち、前記非有効領域ＮＡＡで前記カバー層１３１は前記第２絶縁膜１２７と接触されてその間に空間を形成しない。非有効領域ＮＡＡとは、表示領域ＤＡのうち、有効領域ＡＡ以外の領域である。
【００４１】
前記アクティブキャビティＥＭは、図２に示す画素領域の形状に沿って前記第２方向Ｄ２に延長された形状を有し、前記アクティブキャビティＥＭの両端部は、図３Ｃに示すように前記カバー層１３１によってカバーされずに、オープンされる。図３Ｃを参照すると、アクティブキャビティＥＭの側面はカバー層１３１によって覆われていない。オープンされた部分を通じて前記液晶が注入されるので、オープンされた部分を注入口と称する。前記カバー層１３１の形成方向は、これに限定されず、前記第２方向Ｄ２と異なる方向にしたがって延長され得る。
【００４２】
前記カバー層１３１は有機又は無機絶縁膜からなされ得る。また、本発明の一実施形態において、前記カバー層１３１は単一膜で形成されたことが図示されたが、これに限定されることではない。前記カバー層１３１は多重膜、例えば、３重膜で形成され得る。前記カバー層１３１が３重膜で形成された場合、順次的に無機絶縁膜、有機絶縁膜、及び無機絶縁膜からなされ得る。
【００４３】
前記共通電極ＥＬ２は前記カバー層１３１の下面に沿って提供され、前記共通電極ＥＬ２は前記画素電極ＥＬ１と共に電界を形成する。前記共通電極ＥＬ２は、図１に示すように前記第１方向Ｄ１に長く延長されて形成されて、前記第２方向Ｄ２に配列された画素に共有（ｓｈａｒｅ）されるように形成され得る。
【００４４】
また、前記共通電極ＥＬ２は、前記有効領域ＡＡで前記アクティブキャビティＥＭを定義する前記カバー層１３１の内壁にしたがって形成されて前記第２絶縁膜１２７と離隔され得る。
【００４５】
前記ベース基板１１０の上には前記共通電極ＥＬ２と電気的に連結されるストレージラインＳＬがさらに具備される。前記ストレージラインＳＬは、図１に示すように前記ゲートラインＧＬの延長方向に沿って延長され、前記２つのゲートラインＧＬの間に位置する。前記画素ＰＸは、前記ストレージラインＳＬから分岐されて前記画素電極ＥＬ１と重畳する第１及び第２ストレージ電極ＳＳＥ１、ＳＳＥ２をさらに包含することができる。したがって、前記画素電極ＥＬ１と前記第１及び第２ストレージ電極ＳＳＥ１、ＳＳＥ２とは、第１絶縁膜１２１及びカラーフィルター１２３等を介して互いに対向してストレージキャパシターを形成する。
【００４６】
また、前記画素ＰＸは、図２に示すように、前記ストレージラインＳＬから分岐された延長部ＳＥＰ、及び一端が前記延長部ＳＥＰとコンタクトされ、他端が前記共通電極ＥＬ２とコンタクトされるブリッジ電極ＢＥをさらに含む。図３Ｃに示すように、前記延長部ＳＥＰは前記非有効領域ＮＡＡに位置する。図３Ａ及び図３Ｃに示すように、前記延長部ＳＥＰに対応して、前記第１絶縁膜１２１及びブラックマトリックス１２５には前記延長部ＳＥＰを部分的に露出させる第２コンタクトホールＣＨ２が形成される。前記ブリッジ電極ＢＥは前記ブラックマトリックス１２５上に具備され、前記ブリッジ電極ＢＥの一端は前記第２コンタクトホールＣＨ２を通じて前記延長部ＳＥＰと直接的にコンタクトされる。図３Ｂに示すように、前記ブリッジ電極ＣＥの他端は前記第２絶縁膜１２７によって部分的に露出され、前記第２絶縁膜１２７上に具備された前記共通電極ＥＬ２は前記露出された前記ブリッジ電極ＢＥと直接的に接続され得る。
【００４７】
したがって、前記ブリッジ電極ＢＥを通じて前記共通電極ＥＬ２は前記ストレージラインＳＬと電気的に連結されて前記ストレージ電圧を前記共通電圧として受信することができる。その結果、前記共通電極ＥＬ２の電位が前記表示領域ＤＡ（図１に示す）の中央部位でダウンされる現象を防止することができ、クロストークの不良を改善することができる。
【００４８】
前記画素電極ＥＬ１と前記共通電極ＥＬ２との各々は透明な導電物質からなされるか、或いは不透明導電物質、例えば、金属からなされ得る。即ち、前記画素電極ＥＬ１と前記共通電極ＥＬ２との各々の材料は本発明の一実施形態による表示装置の作動モードにしたがって透明であるか、或いは不透明ものから選択され得る。例えば、本発明の一実施形態による表示装置１００が前記ベース基板１１０の下部にバックライトユニットが配置される透過型表示装置である場合、前記画素電極ＥＬ１と前記共通電極ＥＬ２とは全て透明導電物質からなり得る。しかし、前記表示装置１００が別の光源無しで動作する反射型表示装置である場合、前記画素電極ＥＬ１と前記共通電極ＥＬ２との中で前記画素電極ＥＬ１は不透明物質（特に反射可能である物質）で、前記共通電極ＥＬ２は透明物質で形成され得る。前記透明導電性物質はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）を含む。前記不透明導電物質はニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン、及びこれらを含む合金等の金属を含む。前記カバー層１３１を含む他の構成要素は、また前記表示装置の作動モードにしたがって、透明又は不透明物質からなされ得ることは勿論である。
【００４９】
前記液晶層ＬＣは、前記注入口を通じて前記アクティブキャビティＥＭ内に提供される。なお、注入口とは、アクティブキャビティＥＭの両端部において前記カバー層１３１によってカバーされずにオープンされた開口である。図３Ｂ、図３Ｃに示すように、前記アクティブキャビティＥＭは、画素電極ＥＬ１と共通電極ＥＬ２との間の空間として定義される。したがって、前記画素電極ＥＬ１、共通電極ＥＬ２、及び前記液晶層ＬＣは前記ベース基板１１０上に共に形成され得る。本発明の一実施形態によれば、前記液晶層ＬＣは互いに対向する前記画素電極ＥＬ１と前記共通電極ＥＬ２との間に提供され、前記画素電極ＥＬ１及び前記共通電極ＥＬ２の間に形成された垂直電界によって制御されて映像を表示する。
【００５０】
前記液晶層ＬＣは光学的な異方性を有する液晶分子を含む。前記液晶層ＬＣは垂直配向液晶分子を包含することができる。前記液晶分子は垂直電界によって駆動されて前記液晶層ＬＣは通る光を透過させるか、或いは遮断させる。
【００５１】
前記配向膜１３３は、図３Ｂ、図３Ｃに示すように、前記画素電極ＥＬ１と前記液晶層ＬＣとの間及び前記共通電極ＥＬ２と前記液晶層ＬＣとの間に提供される。前記配向膜１３３は垂直配向膜であり得る。前記配向膜１３３は前記液晶層ＬＣの液晶分子を初期配向するためのものとして、ポリイミド及び／又はポリアミック酸のような有機高分子からなされ得る。
【００５２】
一方、前記液晶層ＬＣと前記共通電極ＥＬ２との間、及び／又は前記共通電極ＥＬ２と前記カバー層１３１との間には無機絶縁膜（図示せず）が追加に提供され得る。前記無機絶縁膜はシリコン窒化物やシリコン酸化物のような物質を包含することができる。前記無機絶縁膜は前記カバー層１３１が安定的に前記アクティブキャビティＥＭを維持することができる支持する。
【００５３】
前記カバー層１３１の上には封止層１４０が提供される。前記封止層１４０は前記有効領域ＡＡと前記非有効領域ＮＡＡとに形成される。図３Ｃに示すように、前記非有効領域ＮＡＡにおいて、前記封止層１４０は前記アクティブキャビティＥＭの両端の開口を塞いで前記アクティブキャビティＥＭを密閉させる。
【００５４】
前記封止層１４０は有機高分子からなされ得る。前記有機高分子の例としてはポリ（ｐ−キシレンス）ポリマー（ｐｏｌｙ（ｐ−ｘｙｌｅｎｅ）ｐｏｌｙｍｅｒ、即ち、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ））を挙げられる。
【００５５】
図面に図示しなかったが、前記ベース基板１１０の下面及び前記封止層１４０の上面には第１及び第２偏光板が各々提供され得る。また、前記ベース基板１１０と前記第１偏光板との間には、第１の１／４波長板（ｑｕａｒｔｅｒ−ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｐｌａｔｅ）及び、前記封止層１４０と前記第２偏光板との間には第２の１／４波長板がさらに提供され得る。本発明の一例として、前記第１偏光板と前記第２偏光板の偏光軸とは互いに概ね垂直に交差する。前記第１の１／４波長板と前記第２の１／４波長板との長軸は、また互いに概ね垂直に交差することができる。
【００５６】
上記した構造を有する本発明の一実施形態では前記液晶分子がポジティブタイプに使用されたＥＣＢ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードに駆動される。但し、本発明の実施形態において、前記液晶層ＬＣのタイプ（即ち、ポジティブ又はネガティブ）及び前記表示装置の駆動タイプ（例えば、ＩＰＳ（ｉｎ  ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、又はＥＣＢモード等）にしたがって前記光学部材の中で一部が省略され得、或いは追加の構成要素をさらに包含することができる。また、前記第１及び第２偏光板の偏光軸及び前記第１及び第２の１／４波長板の長軸の配置は、また前記液晶層ＬＣのタイプや前記表示装置の駆動タイプによって変わることができるのは勿論である。
【００５７】
図４は本発明の他の実施形態による表示装置の断面図である。但し、図４に図示された構成要素の中で図１に図示された構成要素と同一な構成要素に対しては同一な参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
【００５８】
図４を参照すれば、前記共通電極ＥＬ２の各々を隣接ストレージラインＳＬと電気的に連結させるためのコンタクト部ＣＰは前記画素ＰＸの中でブルー色の画素Ｂに対応する画素ＰＸ（以下、ブルー画素）に配置され得る。前記ブルー画素はレッド及びグリーン画素に比べて相対的に同一の階調での輝度が高いので、前記コンタクト部ＣＰによる開口率の減少による輝度の低下問題が生じても、前記表示装置１００の全体的な輝度特性に大きく影響を及ばないこともあり得る。
【００５９】
図４においては１つの画素Ｂごとにコンタクト部ＣＰを設けている。図面に図示しなかったが、本発明の他の実施形態に前記コンタクト部ＣＰは２つのＢ画素単位又は４つ以上のＢ画素単位にも提供され得る。
【００６０】
図５は本発明の他の実施形態による画素を示した平面図であり、図６は図５のＡ１部分の拡大図である。
【００６１】
図５及び図６を参照すれば、本発明の他の実施形態による画素ＰＸは、第１サブ画素電極ＰＥ１及び第１薄膜トランジスタＴＦＴ１からなされた第１サブ画素及び、前記第２サブ画素電極ＰＥ２及び前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２からなされた第２サブ画素を含む。前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２それぞれは互いに前記第２方向Ｄ２に沿って配置され、前記第１サブ画素電極ＰＥ１と前記第２サブ画素電極ＰＥ２との間にはゲートラインＧＬ及びストレージラインＳＬが具備される。
【００６２】
また、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２の一側には第１データラインＤＬ１が具備され、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２の他側には第２データラインＤＬ２が具備される。前記ゲートラインＧＬ及び前記ストレージラインＳＬは前記第１方向Ｄ１に沿って延長され、互いに所定の間隔が離隔して配置される。前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２は前記第２方向Ｄ２に沿って延長され、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２を介して所定の間隔で離隔される。
【００６３】
前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１は前記第１データラインＤＬ１及びゲートラインＧＬに連結される。具体的に、前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１は、前記ゲートラインから分岐された第１ゲート電極ＧＥ１、前記第１データラインＤＬ１から分岐された第１ソース電極ＳＥ１、及び前記第１ソース電極ＳＥ１から離隔されて配置され前記第１サブ画素電極ＰＥ１と電気的に連結される第１ドレーン電極ＤＥ１を含む。前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２は、前記第２データラインＤＬ２及び前記ゲートラインＧＬに連結される。具体的に、前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２は、前記ゲートラインＧＬから分岐された第２ゲート電極ＧＥ２、前記第２データラインＤＬ２から分岐された第２ソース電極ＳＥ２、及び前記第２ソース電極ＳＥ２から離隔されて配置され前記第２サブ画素電極ＰＥ２と電気的に連結される第２ドレーン電極ＤＥ２を含む。
【００６４】
前記第１サブ画素電極ＰＥ１は、前記ストレージラインＳＬから前記第１方向Ｄ１に延長された第１及び第２ストレージ電極ＳＳＥ１、ＳＳＥ２と重畳して第１ストレージキャパシターを形成することができる。また、前記第２サブ画素電極ＰＥ２は、前記第１方向Ｄ１に延長された第３及び第４ストレージ電極ＳＳＥ３、ＳＳＥ４と重畳して第２ストレージキャパシターを形成することができる。前記第１及び第３ストレージ電極ＳＳＥ１、ＳＳＥ３は前記第１データラインＤＬ１と隣接して配置され、前記第２及び第４ストレージ電極ＳＳＥ２、ＳＳＥ４は前記第２データラインＤＬ２と隣接して配置され得る。
【００６５】
前記第１サブ画素電極ＰＥ１は、第１幹部ＰＥ１ａと前記第１幹部ＰＥ１ａから放射状に突出されて延長された複数の第１枝部ＰＥ１ｂとを包含することができる。
【００６６】
前記第１幹部ＰＥ１ａは本発明の実施形態のように十字状に提供され得、この場合、前記第１サブ画素電極ＰＥ１は前記第１幹部ＰＥ１ａによって複数の領域に区分される。前記第１サブ画素電極ＰＥ１は前記第１幹部ＰＥ１ａによって多数のドメインに区分され得る。前記第１枝部ＰＥ１ｂは各ドメインに対応して、各ドメイン毎に互いに異なる方向に延長され得る。互いに隣接するドメイン内での第１枝部ＰＥ１ｂの延長方向は互いに概ね直交する。本発明の他の実施形態では一例として前記第１サブ画素電極ＰＥ１が４つのドメインを含む構造を図示したが、これに限定されない。前記複数の第１枝部ＰＥ１ｂは互いに隣接する第１枝部ＰＥ１ｂと離隔されており、前記第１幹部ＰＥ１ａによって区分された領域内では互いに概ね平行な方向に延長される。前記第１枝部ＰＥ１ｂにおいて、互いに隣接する枝部ＰＥ１ｂの間はマイクロメーター単位の距離に離隔されており、これは前記液晶層ＬＣの液晶分子を前記ベース基板１１０と平行な平面上の特定方位角に整列させるための手段に該当する。
【００６７】
また、前記第２サブ画素電極ＰＥ２は、第２幹部ＰＥ２ａと前記第２幹部ＰＥ２ａから放射状に突出されて延長された複数の第２枝部ＰＥ２ｂとを包含することができる。前記第２幹部ＰＥ２ａは十字状に提供され得、この場合前記第２サブ画素電極ＰＥ２は前記第２幹部ＰＥ２ａによって複数の領域に区分される。前記第２サブ画素電極ＰＥ２において前記第２枝部ＰＥ２ｂは各ドメインに対応して、前記各ドメイン毎に互に異なる方向に延長され得る。互いに隣接するドメイン内での第１枝部ＰＥ２ｂの延長方向は互いに概ね直交する。本発明の実施形態では前記第２サブ画素電極ＰＥ２が４つのドメインからなされた構造を図示したが、これに限定されない。前記複数の第２枝部ＰＥ２ｂは互いに隣接する第２枝部ＰＥ２ｂと接触しないように離隔されており、前記第２幹部ＰＥ２ａによって区分された領域内では互いに概ね平行な方向に延長される。ここで、前記第２枝部ＰＥ２ａは各ドメインに対応して、前記各ドメイン毎に互に異なる方向に延長され得る。前記枝部ＰＥ２ｂおいて、互いに隣接する第２枝部ＰＥ２ａの間はマイクロメーター単位の距離に離隔されており、これは前記液晶層ＬＣの液晶分子を前記ベース基板１１０と平行な平面上の特定方位角に整列させるための手段に該当される。
【００６８】
本実施形態において、各ドメインにしたがって液晶の配向方向が異なるだけでなく、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２に互いに異なる大きさの電圧が印加されることができるので、各々に対応する液晶分子の配向角度を互いに異なるように調節することができるので、視野角が向上される。
【００６９】
また、前記画素ＰＸは、前記ストレージラインＳＬから分岐された延長部ＳＥＰ、及び一端が前記延長部ＳＥＰとコンタクトされ、他端が前記共通電極ＥＬ２とコンタクトされるブリッジ電極ＢＥをさらに含む。前記ブリッジ電極ＢＥの一端は前記第２コンタクトホールＣＨ２を通じて前記延長部ＳＥＰと直接的にコンタクトされる。前記ブリッジ電極ＢＥの他端は前記共通電極ＥＬ２と直接的に接続され得る。
【００７０】
したがって、前記ブリッジ電極ＢＥを通じて前記共通電極ＥＬ２は前記ストレージラインＳＬと電気的に連結されて前記ストレージ電圧を前記共通電圧として受信することができる。その結果、前記表示領域ＤＡ（図１に示す）の中央部位に位置する共通電極ＥＬ２の電位がダウンされる現象を防止することができ、クロストークの不良を改善することができる。
【００７１】
図７Ａは図５に図示された切断線ＩＶ−ＩＶ’線にしたがって切断した断面図であり、図７Ｂは図５に図示された切断線Ｖ−Ｖ’線にしたがって切断した断面図である。
【００７２】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すれば、第１絶縁膜１２１は前記ベース基板１１０の全面に提供されて、前記ゲートラインＧＬ、前記第１及び第２ゲート電極ＧＥ１、ＧＥ２をカバーする。
【００７３】
前記第１絶縁膜１２１の上には第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２、第１及び第２ソース電極ＳＥ１、ＳＥ２、前記第１及び第２ドレーン電極ＤＥ１、ＤＥ２が形成される。これらの各々は単一金属で形成されることもできるが、これに限定されることではない。また、図７Ａ及び図７Ｂに示したように、前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２は第１保護膜１２２によってカバーされる。図面に図示せずが、前記第１保護膜１２２は第１及び第２ソース電極ＳＥ１、ＳＥ２、前記第１及び第２ドレーン電極ＤＥ１、ＤＥ２をカバーすることができる。
【００７４】
前記第１保護膜１２２の上にはブラックマトリックス１２５及びカラーフィルター１２３が形成される。特に、前記カラーフィルター１２３は前記画素領域の中で実質的に映像を表示する領域に提供され、前記ブラックマトリックス１２５は前記画素領域の中で非有効領域に提供されて映像を具現することにおいて不必要な光を遮断する。また、本発明の一実施形態に、前記ブラックマトリックス１２５及び前記カラーフィルター１２３の上には有機膜１２８及び第２保護膜１２９がさらに形成され得る。
【００７５】
図７Ａに示したように、前記第１絶縁膜１２１、第１保護膜１２２、前記ブラックマトリックス１２５、有機膜１２８、及び前記第２保護膜１２９には、前記ストレージラインＳＬから延長された前記延長部ＳＥＰを露出させる第２コンタクトホールＣＨ２が提供され得る。
【００７６】
前記第２保護膜１２９の上には前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２が提供される。また、本発明の一例として、前記第２保護膜１２９の上にはブリッジ電極ＢＥが提供される。前記ブリッジ電極ＢＥは前記第２コンタクトホールＣＨ２を通じて前記延長部ＳＥＰと直接的にコンタクトされる。
【００７７】
前記第２保護膜１２９の上には、アクティブキャビティ（ａｃｔｉｖｅ  ｃａｖｉｔｙ）ＥＭを定義するカバー層１３１、前記アクティブキャビティＥＭ内に提供される液晶層ＬＣ、及び前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２と共に前記液晶層ＬＣを制御する共通電極ＥＬ２が具備される。
【００７８】
前記カバー層１３１は前記第２保護膜１２９上に前記第１方向Ｄ１に沿って延長される。前記カバー層１３１は前記第２保護膜１２９の上面から離隔されて、前記第２保護膜１２９と共に前記アクティブキャビティＥＭを定義する。言い換えれば、前記カバー層１３１は前記第２保護膜１２９から上部方向に離隔されて前記カバー層１３１と前記第２保護膜１２９との間に所定の空間を形成し、前記空間が前記アクティブキャビティＥＭとして定義される。したがって、前記アクティブキャビティＥＭはトンネル形状（ｔｕｎｎｅｌ  ｓｈａｐｅ）を有することができる。
【００７９】
前記アクティブキャビティＥＭは前記第２方向Ｄ２に延長された形状を有し、前記アクティブキャビティＥＭの両端部は前記カバー層１３１によってカバーされず、オープンされる。つまり、アクティブキャビティＥＭの第２方向Ｄ２では、アクティブキャビティＥＭが形成されていない領域が存在し、そのアクティブキャビティＥＭの側面はカバー層１３１によって覆われていない。オープンされた部分を通じて前記液晶が注入されるので、オープンされた部分を注入口と称する。前記カバー層１３１の形成方向はこれに限定されず、前記第２方向Ｄ２と異なる方向にしたがって延長され得る。
【００８０】
前記カバー層１３１は有機又は無機絶縁膜からなされ得る。また、本発明の一実施形態において前記カバー層１３１は単一膜で形成されたことが図示されたが、これに限定されることではない。前記カバー層１３１は多重膜、例えば、３重膜で形成され得る。前記カバー層１３１が３重膜で形成された場合、順次的に無機絶縁膜、有機絶縁膜、及び無機絶縁膜からなされ得る。
【００８１】
前記共通電極ＥＬ２は前記カバー層１３１の下面に沿って提供され、前記共通電極ＥＬ２は前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２と共に電界を形成する。前記共通電極ＥＬ２は、前述の図１等と同様に前記第１方向Ｄ１に長く延長されて形成されて、前記第２方向Ｄ２に配列された画素に共有（ｓｈａｒｅ）されることができる。
【００８２】
また、前記共通電極ＥＬ２は前記アクティブキャビティＥＭを定義する前記カバー層１３１の内壁にしたがって形成され得る。
【００８３】
一方、前記共通電極ＥＬ２は前記アクティブキャビティＥＭの外部で前記ブリッジ電極ＢＥと部分的に重畳することができる。先に記述したように、前記ブリッジ電極ＢＥの一端は前記第２コンタクトホールＣＨ２を通じて前記延長部ＳＥＰと直接的にコンタクトされる。前記ブリッジ電極ＢＥの他端は前記アクティブキャビティＥＭの外側で前記第２保護膜１２９上に位置して前記共通電極ＥＬ２と直接的に接続され得る。
【００８４】
したがって、前記ブリッジ電極ＢＥを通じて前記共通電極ＥＬ２は前記ストレージラインＳＬと電気的に連結されて前記ストレージ電圧を前記共通電圧として受信することができる。その結果、前記共通電極ＥＬ２の電位が前記表示領域ＤＡ（図１に示す）の中央部位でダウンされる現象を防止することができ、クロストークの不良を改善することができる。
【００８５】
前記カバー層１３１の上には封止層１４０及び第３保護膜１４１が順次的に積層される。前記封止層１４０は前記アクティブキャビティＥＭ両端の開口を塞いで前記アクティブキャビティＥＭを密閉させる。前記封止層１４０は有機高分子からなされ得る。前記第３保護膜１４１は無機絶縁膜からなされて前記封止層１４０に水分又は酸素が浸透することを防止することができる。
【００８６】
図８は本発明の他の実施形態による画素の平面図であり、図９は図８に図示された切断線ＶＩ−ＶＩ’線にしたがって切断した断面図である。但し、図８及び図９に図示された構成要素の中で図５乃至図７Ｂに図示された構成要素と同一な構成要素に対しては同一な参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
【００８７】
図８及び図９を参照すれば、前記画素ＰＸは前記ストレージラインＳＬから分岐された延長部ＳＥＰをさらに含む。前記延長部ＳＥＰは第３コンタクトホールＣＨ３を通じて共通電極ＥＬ２と直接的にコンタクトされ得る。
【００８８】
図９に示したように、前記第３コンタクトホールＣＨ３は前記第１絶縁膜１２１、第１保護膜１２２、前記ブラックマトリックス１２５、及び有機膜１２８がオープンされて形成された第１オープン領域及び前記第２保護膜１２９と隔壁層１３０がオープンされて形成された第２オープン領域を包含することができる。
【００８９】
前記隔壁層１３０は前記アクティブキャビティＥＭの注入口に対応する位置に提供される。本発明の一実施形態として、前記隔壁層１３０は前記注入口に直ちに隣接する非有効領域に提供され得る。
【００９０】
前記隔壁層１３０は、前記カバー層１３１と前記第２保護膜１２９との間に、第２保護膜１２９上においてカバー層１３１を離隔して支持するように柱形状に提供されて前記第２保護膜１２９と直接接触することができる。前記隔壁層１３０は前記第２オープン領域によって２つの部分に分離され、前記隔壁層１３０の２つの部分は前記アクティブキャビティＥＭの長さ方向と概ね垂直方向の幅の中心を通る線を介して互いに対向することができる。つまり、アクティブキャビティＥＭの第１方向の幅の中心線上に第２オープン領域が位置し、隔壁層１３０はこの第２オープン領域を中心として２つの部分に分離される。これにしたがって、前記隔壁層１３０は前記注入口の一部のみを塞ぐことができる。この時、前記隔壁層１３０の２つ部分の間には前記注入口が位置し、製造の時、液晶層ＬＣが前記注入口を通じて充填される。
【００９１】
図面に図示せずが、前記隔壁層１３０は前記カバー層１３１と一体に形成され得る。
【００９２】
前記共通電極ＥＬ２は有効領域で、前述の図７Ｂ等に示すように前記アクティブキャビティＥＭの内壁に形成されるが、図９に示したように、非有効領域で前記隔壁層１３０上に具備される。
【００９３】
前記共通電極ＥＬ２は前記第３コンタクトホールＣＨ３を通じて前記ストレージラインＳＬから延長された前記延長部ＳＥＰと直接的にコンタクトされ得る。
【００９４】
したがって、前記共通電極ＥＬ２は前記延長部ＳＥＰを通じて前記ストレージラインＳＬと電気的に連結されて前記ストレージ電圧を前記共通電圧として受信することができる。その結果、前記共通電極ＥＬ２の電位が前記表示領域ＤＡ（図１に示す）の中央部位でダウンされる現象を防止することができ、クロストークの不良を改善することができる。
【００９５】
図１０は本発明の他の実施形態による表示装置の断面図である。但し、図１０に図示された構成要素の中で図１に図示された構成要素と同一な構成要素に対しては同一な参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
【００９６】
図１０を参照すれば、ベース基板１１０には多数の画素がマトリックス状に配置される。各画素は第１及び第２サブ画素が各々具備された第１及び第２サブ画素領域ＰＡ１、ＰＡ２を含む。前記第１サブ画素領域ＰＡ１と前記第２サブ画素領域ＰＡ２との間には非有効領域が具備される。前記非有効領域には第１及び第２薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２、第２コンタクトホールＣＨ２等が配置され得る。列方向（第２方向Ｄ２）に前記第１及び第２サブ画素領域ＰＡ１、ＰＡ２が交互に配置される。
【００９７】
また、前記共通電極ＥＬ２は前記第１方向Ｄ１に延長され、前記第２方向Ｄ２に所定の間隔に離隔されて配列される。前記共通電極ＥＬ２の間の離隔領域は前記第１サブ画素領域ＰＡ１と前記第２サブ画素領域ＰＡ２との間に具備された非有効領域に対応することができる。
【００９８】
本発明の一例として、前記共通電極ＥＬ２の各々は第１及び第２サブ画素領域ＰＡ１、ＰＡ２に対応する幅を有し、前記行方向（第１方向Ｄ１）に延長され得る。具体的に、前記共通電極ＥＬ２の中で、ｉ番目の共通電極（ここで、ｉは２以上の整数である）はｉ番目の画素ＰＸｉの第１サブ画素領域ＰＡ１及びｉ−１番目の画素ＰＸｉ−１の第２サブ画素領域ＰＡ２に重畳して配置され、ｉ＋１番目の共通電極はｉ番目の画素ＰＸｉの第２サブ画素領域ＰＡ２及びｉ＋１番目の画素ＰＸｉ＋１の第１サブ画素領域ＰＡ１に重畳して配置され得る。
【００９９】
前記共通電極ＥＬ２の各々は隣接するストレージラインＳＬと電気的に連結され得る。図１０に示したように、前記共通電極ＥＬ２の各々は多数のストレージラインＳＬの中で２つのストレージラインとオーバーラップされ得、２つのストレージラインの中で１つのストレージラインと電気的に連結され得る。前記共通電極ＥＬ２と前記ストレージラインＳＬとを電気的に連結させるためのコンタクト部は前記共通電極ＥＬ２の間の離隔領域に対応する非有効領域に位置することができる。したがって、前記コンタクト部によって前記画素の開口率が低下されることを防止することができる。
【０１００】
したがって、前記共通電極ＥＬ２は前記ストレージラインＳＬと電気的に連結されることによって前記ストレージ電圧を前記共通電圧として受信することによって、前記表示領域ＤＡの中央部位に位置する前記共通電極ＥＬ２の電位がダウンされる現象を防止することができ、クロストークの不良を改善することができる。
【０１０１】
図１１は本発明の他の実施形態による表示装置の平面図であり、図１２は図１１に図示された画素の平面図であり、図１３は図１２に図示された切断線ＶＩＩ−ＶＩＩ’線にしたがう断面図である。但し、図１１乃至図１３に図示された構成要素の中で図８及び図９に図示された構成要素と同一な構成要素に対しては同一な参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
【０１０２】
図１１では表示装置１００の表示領域ＤＡのみを図示したが、周辺領域ＰＡが前記表示領域ＤＡの少なくとも１辺に隣接するか、両辺に隣接して形成されるか、或いは前記表示領域ＤＡを囲むように形成され得る。
【０１０３】
前記表示装置１００の表示領域ＤＡは前記多数の画素ＰＸが具備されて実質的に映像を表示する領域である。図１２に示したように、前記多数の画素ＰＸの各々には第１サブ画素電極ＰＥ１及び第２サブ画素電極ＰＥ２が具備され得る。
【０１０４】
前記表示領域ＤＡ内には共通電極ＥＬ２がさらに具備される。前記共通電極ＥＬ２は前記表示領域ＤＡ内で前記第１方向Ｄ１に沿って延長され、前記第２方向Ｄ２に沿って配列される。前記共通電極ＥＬ２は前記第２方向Ｄ２において所定の間隔で離隔されて配置される。本発明の一例として、前記共通電極ＥＬ２の離隔領域は、同一画素内に位置する前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２の間の領域に位置することができる。
【０１０５】
また、前記表示領域ＤＡ内には前記共通電極ＥＬ２を電気的に連結するためのメタルラインＭＬが具備される。前記メタルラインＭＬは前記第２方向Ｄ２に沿って延長して前記共通電極ＥＬ２と交差してオーバーラップするように配置される。
【０１０６】
前記画素ＰＸは複数の列と複数の行とを有するマトリックス状に前記ベース基板１１０の前記表示領域ＤＡ上に配列される。前記画素ＰＸの各々は互いに同一の構造を有するので、図１２では１つの画素を例として挙げて説明する。
【０１０７】
図１２に示したように、本発明の他の実施形態による画素ＰＸは第１サブ画素電極ＰＥ１及び第１薄膜トランジスタＴＦＴ１からなされた第１サブ画素、及び前記第２サブ画素電極ＰＥ２及び前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２からなされた第２サブ画素を含む。前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２は前記第２方向Ｄ２に沿って配置され、前記第１サブ画素電極ＰＥ１と前記第２サブ画素電極ＰＥ２との間には前記第１方向Ｄ１に沿って延長するゲートラインＧＬ及びストレージラインＳＬが具備される。
【０１０８】
また、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２の一側には第１データラインＤＬ１が具備され、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２の他側には第２データラインＤＬ２が具備される。前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２は前記第２方向Ｄ２に沿って延長され、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２を介して所定の間隔が離隔される。
【０１０９】
前記第１サブ画素電極ＰＥ１は第１幹部ＰＥ１ａと前記第１幹部ＰＥ１ａから放射状に突出されて延長された複数の第１枝部ＰＥ１ｂとを包含することができる。
【０１１０】
前記第１幹部ＰＥ１ａは本発明の実施形態のように十字状に提供され得、この場合前記第１サブ画素電極ＰＥ１は前記第１幹部ＰＥ１ａによって４つのドメインに区分され得る。前記第１枝部ＰＥ１ｂは各ドメインに対応して、各ドメイン毎に互に異なる方向に延長され得る。互いに隣接するドメイン内での第１枝部ＰＥ１ｂの延長方向は互いに概ね直交する。前記複数の第１枝部ＰＥ１ｂは互いに離隔されており、前記第１幹部ＰＥ１ａによって区分された領域内では互いに概ね平行な方向に延長される。
【０１１１】
また、前記第２サブ画素電極ＰＥ２は第２幹部ＰＥ２ａと前記第２幹部ＰＥ２ａから放射状に突出されて延長された複数の第２枝部ＰＥ２ｂとを包含することができる。前記第２幹部ＰＥ２ａは十字状に提供され得、この場合前記第２サブ画素電極ＰＥ２は前記第２幹部ＰＥ２ａによって複数のドメインに区分される。前記第２サブ画素電極ＰＥ２において前記第２枝部ＰＥ２ｂは各ドメインに対応されて、前記各ドメイン毎に互に異なる方向に延長され得る。互いに隣接するドメイン内での第２枝部ＰＥ２ｂの延長方向は互いに概ね直交する。前記複数の第２枝部ＰＥ２ｂは互いに離隔されており、前記第２幹部ＰＥ２ａによって区分された領域内では互いに概ね平行な方向に延長される。
【０１１２】
前記メタルラインＭＬは前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２の間に配置され、特に、前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２の間で前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２の非有効表示領域に対応して配置され得る。
【０１１３】
本発明の一例として、前記メタルラインＭＬは前記第１幹部ＰＥ１ａの前記第２方向Ｄ２に延長された部分（即ち、縦幹部分）及び前記第２幹部ＰＥ２ａの前記第２方向Ｄ２に延長された部分（即ち、縦幹部分）と対向するように配置され得る。
【０１１４】
図１３に示したように、前記メタルラインＭＬは前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２と同様に第１絶縁膜１２１上に配置され得る。
【０１１５】
前記メタルラインＭＬは第４コンタクトホールＣＨ４を通じて前記共通電極ＥＬ２と直接的にコンタクトされ得る。前記第４コンタクトホールＣＨ４は前記第１保護膜１２２、前記ブラックマトリックス１２５、及び有機膜１２８がオープンされて形成された第１オープン領域及び前記第２保護膜１２９と隔壁層１３０がオープンされて形成された第２オープン領域を包含することができる。
【０１１６】
前記隔壁層１３０は前記アクティブキャビティＥＭの注入口に対応する位置に提供される。本発明の一実施形態として、前記隔壁層１３０は前記注入口に直ちに隣接する非有効領域に提供され得る。
【０１１７】
前記共通電極ＥＬ２は有効領域で、前述の図７Ｂ等に示すように前記アクティブキャビティＥＭの内壁に形成されるが、図１３に示したように、非有効領域で前記隔壁層１３０上に具備される。
【０１１８】
前記共通電極ＥＬ２は前記第４コンタクトホールＣＨ４を通じて前記メタルラインＭＬと直接的にコンタクトされ得る。
【０１１９】
同一の方式で、前記メタルラインＭＬは前記第２方向Ｄ２に配列された前記共通電極ＥＬ２と各々電気的にコンタクトされて前記共通電極ＥＬ２を電気的に連結させる。
【０１２０】
また、前記メタルラインＭＬは前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２と同一の金属物質で行われるので、前記共通電極ＥＬ２を形成する透明伝導性酸化物（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等）より低い抵抗を有する。
【０１２１】
このように、前記共通電極ＥＬ２より低い抵抗を有する前記メタルラインＭＬを利用して、前記共通電極ＥＬ２を前記第２方向Ｄ２に電気的に連結させれば、前記共通電極ＥＬ２の各々の電位が前記表示領域ＤＡ（図１に示す）の中央部位でダウンされる現象を防止することができる。その結果、クロストークの不良を防止して表示品質を改善することができる。
【０１２２】
図１４は本発明の他の実施形態による表示装置の平面図であり、図１５は図１４に図示された切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線にしたがう断面図である。但し、図１４及び図１５に図示された構成要素の中で図１１乃至図１３に図示された構成要素と同一の構成要素に対しては同一の参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
【０１２３】
図１４及び図１５を参照すれば、本発明の他の実施形態による前記画素ＰＸは前記ストレージラインＳＬから分岐された延長部ＳＥＰ（図１２に示す）をさらに含む。前記延長部ＳＥＰは前記メタルラインＭＬと重畳するように配置する。
【０１２４】
前記共通電極ＥＬ２は第５コンタクトホールＣＨ５を通じて前記メタルラインＭＬ及び前記延長部ＳＥＰと直接的にコンタクトされる。前記第５コンタクトホールＣＨ５は前記延長部ＳＥＰを露出させる第３オープン領域及び前記メタルラインＭＬを露出させる第４オープン領域を包含することができる。
【０１２５】
前記第３オープン領域は前記第１絶縁膜１２１、前記第１保護膜１２２、前記ブラックマトリックス１２５、及び有機膜１２８がオープンされて形成された領域であり、前記第４オープン領域は前記第１保護膜１２２、前記ブラックマトリックス１２５、及び有機膜１２８がオープンされて形成された領域である。前記第３及び第４オープン領域の上には前記第２保護膜１２９と隔壁層１３０とがオープンされて形成された第２オープン領域が形成される。
【０１２６】
同一の方式で前記メタルラインＭＬと前記ストレージラインＳＬとは前記第２方向Ｄ２に配列された前記共通電極ＥＬ２との各々電気的にコンタクトされて前記共通電極ＥＬ２を電気的に連結させる。
【０１２７】
また、前記メタルラインＭＬ及び前記ストレージラインＳＬは前記共通電極ＥＬ２を形成する透明伝導性酸化物（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等）より低い抵抗を有する金属物質からなされる。
【０１２８】
このように、前記共通電極ＥＬ２より低い抵抗を有する前記メタルラインＭＬを利用して、前記共通電極ＥＬ２を前記第２方向Ｄ２に電気的に連結させ、前記ストレージラインＳＬを利用して前記共通電極ＥＬ２の各々の前記第１方向Ｄ１への電圧ダウン現象を補完することができる。したがって、前記共通電極ＥＬ２の各々の電位が前記表示領域ＤＡ（図１に示す）の中央部位でダウンされる現象を防止することができる。その結果、クロストークの不良を防止して表示品質を改善することができる。
【０１２９】
説明を簡単にするために、図１４では前記共通電極ＥＬ２は前記ストレージラインＳＬ及びその延長部ＳＥＰを全体的にカバーするように形成する構造を図示したが、平面から見た時、前記共通電極ＥＬ２の各々が前記ストレージラインＳＬと部分的に重畳する構造が適用され得る。
【０１３０】
また、前記延長部ＳＥＰは必要によって省略可能であり、前記延長部ＳＥＰが省略された場合、前記メタルラインＭＬは前記ストレージラインＳＬと直接的にコンタクトされ得る。
【０１３１】
図１６は本発明の他の実施形態による共通電極の平面図であり、図１７は本発明の一実施形態による２つの画素を示した平面図であり、図１８は図１７に図示された切断線ＩＸ−ＩＸ’線にしたがう断面図である。
【０１３２】
図１６を参照すれば、前記共通電極ＥＬ２は前記第１及び第２方向Ｄ１、Ｄ２に所定の間隔が離隔してドット形態に配列される。前記共通電極ＥＬ２は第５コンタクトホールＣＨ５を通じて前記メタルラインＭＬ及び前記ストレージラインＳＬと直接的にコンタクトされる。前記メタルラインＭＬは、前記第２方向Ｄ２において互いに離隔されて配列された前記共通電極ＥＬ２を電気的に連結させ、前記ストレージラインＳＬは、前記第１方向Ｄ１において互いに離隔されて配列される前記共通電極ＥＬ２を電気的に連結させる役割を遂行する。
【０１３３】
前記共通電極ＥＬ２の各々は平面から見た時、方形状を有することができる。前記共通電極ＥＬ２の前記第１方向Ｄ１への離隔距離は前記第２方向Ｄ２への離隔距離と異なり得る。
【０１３４】
図１７を参照すれば、第１画素ＰＸ１は第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２の間に具備され、第２画素ＰＸ２は第３及び第４データラインＤＬ３、ＤＬ４の間に具備される。前記第１及び第２画素ＰＸ１、ＰＸ２の間には前記第２及び第３データラインＤＬ２、ＤＬ３が具備され、前記第２及び第３データラインＤＬ２、ＤＬ３は互いに所定の間隔が離隔されて電気的に絶縁される。
【０１３５】
前記第１画素ＰＸ１の第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２は前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２と部分的に重畳することができる。前記第２画素ＰＸ２の第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２は前記第３及び第４データラインＤＬ３、ＤＬ４と部分的に重畳することができる。
【０１３６】
図１８に示したように、前記第２及び第３データラインＤＬ２、ＤＬ３の間の第１方向Ｄ１への離隔距離を‘ｄ１’とし、前記第１画素ＰＸ１の第１サブ画素電極ＰＥ１と前記第２サブ画素電極ＰＥ２との間の第１方向Ｄ１への離隔距離を‘ｄ２’とした時、前記ｄ１はｄ２より小さい。また、前記共通電極ＥＬ２の前記第１方向Ｄ１への離隔距離を‘ｄ３’とした時、前記ｄ３は前記ｄ２より小さいことがあり得る。
【０１３７】
本発明の一例として、前記共通電極ＥＬ２の前記第１方向Ｄ１への離隔距離ｄ３は、前記第１画素ＰＸ１のアクティブキャビティＥＭと前記第２画素ＰＸ２のアクティブキャビティＥＭとの間に提供されるトレンチＴＣの幅と同一であるか、或いは大きくなり得る。
【０１３８】
前記トレンチＴＣ領域で前記共通電極ＥＬ２を除去すれば、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２と前記共通電極ＥＬ２との間のカップリングキャパシター又は前記データラインＤＬ１〜ＤＬ４と前記共通電極ＥＬ２との間のカップリングキャパシターを減少させ得る。したがって、前記カップリングキャパシターによって誘発される問題を改善することができる。
【０１３９】
図１９は本発明の他の実施形態による２つの画素を示した平面図であり、図２０は図１９に図示された切断線Ｘ−Ｘ’線にしたがう断面図である。但し、図１９及び図２０に図示された構成要素の中で図１７及び図１８に図示された構成要素と同一な構成要素に対しては同一な参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
【０１４０】
以下、説明を簡単にするために前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２を画素電極ＥＬ１であると通称して説明する。
【０１４１】
図１９及び図２０を参照すれば、前記第２及び第３データラインＤＬ２、ＤＬ３の間の第１方向Ｄ１への離隔距離を‘ｄ１’とし、前記第１画素ＰＸ１の画素電極ＥＬ１と前記第２画素ＰＸ２の画素電極ＥＬ１との間の第１方向Ｄ１への離隔距離を‘ｄ２’とした時、前記ｄ１はｄ２より大きい。また、前記共通電極ＥＬ２の前記第１方向Ｄ１への離隔距離を‘ｄ３’とした時、前記ｄ３は前記ｄ２より大きくなり得る。
【０１４２】
したがって、前記第１画素ＰＸ１の前記画素電極ＥＬ１は前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２とフルオーバーラップ（ｆｕｌｌ−ｏｖｅｒｌａｐ）され得、前記第２画素ＰＸ２の前記画素電極ＥＬ１は前記第３及び第４データラインＤＬ３、ＤＬ４とフルオーバーラップ、つまり完全に重畳され得る。
【０１４３】
本発明の一例として、前記共通電極ＥＬ２の前記第１方向Ｄ１への離隔距離ｄ３は前記第１画素ＰＸ１のアクティブキャビティＥＭと前記第２画素ＰＸ２のアクティブキャビティＥＭとの間に提供されるトレンチＴＣの幅より大きくなり得る。前記トレンチＴＣ領域で前記共通電極ＥＬ２を除去すれば、前記第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２と前記共通電極ＥＬ２との間のカップリングキャパシター又は前記データラインＤＬ１〜ＤＬ４と前記共通電極ＥＬ２との間のカップリングキャパシターを減少させ得る。したがって、前記カップリングキャパシターによって誘発される問題を改善することができる。
【０１４４】
したがって、前記共通電極ＥＬ２の前記第１方向Ｄ１に位置する端部は前記アクティブキャビティＥＭ上に存在し、前記第１方向Ｄ１に隣接する２つのアクティブキャビティＥＭの間には前記共通電極ＥＬ２が存在しない。
【０１４５】
また、前記第１画素ＰＸ１の前記画素電極ＥＬ１は左右側の前記トレンチ領域ＴＣに延長され、前記第２画素ＰＸ２の前記画素電極ＥＬ１は左右側のトレンチＴＣ領域に延長される。したがって、前記第１画素ＰＸ１の画素電極ＥＬ１と前記第２画素ＰＸ２の画素電極ＥＬ１との間の離隔距離Ｄ２は前記トレンチＴＣ領域の幅より小さいことがあり得る。
【０１４６】
前記トレンチＴＣ領域で前記共通電極ＥＬ２を除去すれば、前記画素電極ＥＬ１を前記トレンチ領域に延長しても、前記共通電極ＥＬ２と前記画素電極ＥＬ１とが電気的にショートされることを防止することができる。
【０１４７】
また、前記画素電極ＥＬ１を前記トレンチＴＣ領域に拡張することができるので、当該データラインとのフルオーバーラップ構造を実現することができる。フルオーバーラップ構造はハーフ−オーバーラップ構造に比べて前記画素電極ＥＬ１の各々の左右側のカップリングキャパシター差に対するマージンを確保することができる構造である。
【０１４８】
前記画素電極ＥＬ１を前記当該データラインとフルオーバーラップさせるために前記当該データラインを画素領域側に折曲させる等、前記当該データラインを画素領域側に移動させる方式は透過率を低下させる。
【０１４９】
しかし、当該データラインを画素領域側に移動させなく、前記画素電極ＥＬ１を前記トレンチＴＣ領域に拡張して、当該データラインとのフルオーバーラップ構造を実現することによって、透過率の低下を防止することができる。
【０１５０】
上記本発明の実施形態によれば、共通電極をメタルラインと電気的に連結させて共通電極の電位が表示領域の中央部位でダウンされる現象を防止することができ、その結果クロストークの不良を改善して表示品質を向上させることができる。
【０１５１】
また、共通電極を第１及び第２方向に互いに離隔されたドット形状に配列することによって、共通電極とデータ配線そして共通電極と画素電極との間のカップリングキャパシターを減少させ得る。
【０１５２】
以上実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練された当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させ得ることを理解できる。
【符号の説明】
【０１５３】
１００・・・表示パネル
１１０・・・ベース基板
１２１・・・第１絶縁膜
１２３：カラーフィルター
１２５・・・ブラックマトリックス
１２７・・・第２絶縁膜
１３１・・・カバー層
１３３・・・配向膜
１４０・・・封止層
【図１】
2015028631.tif 000003
【図２】
2015028631.tif 000004
【図３Ａ】
2015028631.tif 000005
【図３Ｂ】
2015028631.tif 000006
【図３Ｃ】
2015028631.tif 000007
【図４】
2015028631.tif 000008
【図５】
2015028631.tif 000009
【図６】
2015028631.tif 000010
【図７Ａ】
2015028631.tif 000011
【図７Ｂ】
2015028631.tif 000012
【図８】
2015028631.tif 000013
【図９】
2015028631.tif 000014
【図１０】
2015028631.tif 000015
【図１１】
2015028631.tif 000016
【図１２】
2015028631.tif 000017
【図１３】
2015028631.tif 000018
【図１４】
2015028631.tif 000019
【図１５】
2015028631.tif 000020
【図１６】
2015028631.tif 000021
【図１７】
2015028631.tif 000022
【図１８】
2015028631.tif 000023
【図１９】
2015028631.tif 000024
【図２０】
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