(57)【要約】【課題】高い周波数の電気信号が伝送された場合であっても、電気信号の伝送損失を低減するとともに、所定のピール強度を維持する。【解決手段】基材と、基材の少なくともいずれかの主面上に成長される下地めっき層及び粗化めっき層を有するめっき層と、を備え、最終の焼鈍処理後のめっき層成長面は、ピーク強度比（Ａ）と、面外配向比（Ｂ）と、面内配向比（Ｃ）との積で表される立方体集合組織の総合配向率が８０％以上である面であり、電気信号の周波数をｆとしたとき、めっき層の厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であり、めっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下である。【選択図】図１
2015028197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波の電気信号が伝送されるプリント配線板に用いられる粗化銅箔であって、
銅箔又は銅合金箔からなる基材と、
前記基材の少なくともいずれかの主面上に成長される下地めっき層及び前記下地めっき層上に成長される粗化めっき層を有するめっき層と、を備え、
最終の焼鈍処理後の前記基材のめっき層成長面は、Ｘ線回折法によって、前記めっき層成長面に対するＸ線の入射角度をθとして２θ／θ法によって測定して得られた前記立方体集合組織のピーク強度比をＡとし、ωスキャンによって測定して得られた前記立方体集合組織のロッキングカーブの半価幅と積分幅との比である面外配向比をＢとし、φスキャンによって得られた極点図から算出した前記立方体集合組織の半価幅と積分幅との比である面内配向比をＣとしたとき、ＡとＢとＣとの積で表される前記立方体集合組織の総合配向率が８０％以上である面であり、
前記電気信号の周波数をｆとしたとき、前記めっき層の厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であり、
前記めっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下である
ことを特徴とする粗化銅箔。
【請求項２】
前記めっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上０．８μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の粗化銅箔。
【請求項３】
高周波の電気信号が伝送されるプリント配線板に用いられる粗化銅箔であって、
銅箔又は銅合金箔からなる基材と、
前記基材の少なくともいずれかの主面上に成長される下地めっき層及び前記下地めっき層上に成長される粗化めっき層を有するめっき層と、を備え、
最終の焼鈍処理後の前記基材のめっき層成長面は、Ｘ線回折法によって、前記めっき層成長面に対するＸ線の入射角度をθとして２θ／θ法によって測定して得られた前記立方体集合組織のピーク強度比をＡとし、ωスキャンによって測定して得られた前記立方体集合組織のロッキングカーブの半価幅と積分幅との比で定義される面外配向比をＢとし、φスキャンによって得られた極点図から算出した前記立方体集合組織の半価幅と積分幅との比で定義される面内配向比をＣとしたとき、ＡとＢとＣとの積で表される前記立方体集合組織の総合配向率が５０％以上である面であり、
前記電気信号の周波数をｆとしたとき、前記めっき層の厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であり、
前記めっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上０．８μｍ以下である
ことを特徴とする粗化銅箔。
【請求項４】
前記下地めっき層は、有機硫黄化合物を含むめっき液を用いて形成されている
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の粗化銅箔。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の粗化銅箔と、
前記粗化銅箔のめっき層成長面と接するように設けられる樹脂層と、を備える
ことを特徴とする銅張積層板。
【請求項６】
請求項５に記載の銅張積層板を用いて形成された
ことを特徴とするプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波の電気信号が伝送される粗化銅箔、銅張積層板及びプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えばコンピュータ等の電気・電子機器やモバイル機器等の通信機器には、配線部品としてフレキシブルプリント配線板等のプリント配線板が用いられている。プリント配線板は、例えば、銅箔と、銅箔上に設けられる樹脂層と、を備えて構成されている。このようなプリント配線板は、例えば、ラミネート法を用いて銅箔と樹脂層とを積層した後、加熱加圧して銅箔と樹脂層とを接着したり、銅箔上に樹脂を塗布して乾燥させることで製造されている。銅箔には、所定の幅と間隔とを備える電気信号の伝送路としての回路（配線パターン）が形成されている。このような配線パターンは、例えば銅箔にマスクパターンを形成した後エッチング処理を行うことで形成される。すなわち、プリント配線板において、銅箔は回路導電体として機能する。
【０００３】
近年、電気・電子機器や通信機器の大容量化、通信速度の高速化の要求がますます増大している。従って、電気・電子機器や通信機器では、大容量の情報を低損失かつ高速で伝送・処理することが要求されている。これに伴い、電気・電子機器や通信機器に搭載されるプリント配線板においても、銅箔を伝送する電気信号の高周波数化が要求されている。例えば、現在規格化されているＳ−ＡＴＡ（Serial Advanced Technology Attachment）  ｒｅｖ．３などの高速伝送規格では、通信速度（伝送速度）が６Ｇｂｐｓ（基本周波数が３ＧＨｚ）にもなる。このとき、パルス波をフーリエ級数展開した際に現れる高調波（高調波成分）として、例えば第３高調波まで考慮すると、プリント配線板（プリント配線板が備える銅箔）には、９ＧＨｚ程度の周波数の電気信号が伝送されることになる。
【０００４】
しかしながら、銅箔を伝送する電気信号の周波数が高くなるほど（例えば電気信号の周波数が１ＧＨｚ以上になると）、電気信号の損失（すなわち伝送損失）が増加するという問題がある。このため、高周波の電気信号が伝送されるプリント配線板には、伝送損失を低減することが要求されている。すなわち、プリント配線板には、より高い高周波特性を有することが要求されている。
【０００５】
一般的に、伝送損失は、例えば表皮効果による抵抗に起因する導体損失と、例えば樹脂層の誘電率や誘電正接に起因する誘電損失との合計である。このうち、導体損失は、プリント配線板が備える銅箔に直接関連する。すなわち、プリント配線板が備える銅箔に高周波の電気信号が伝送されると、高周波の電気信号は、表皮効果によって銅箔の表面側部分に集中して伝送されるようになる。例えば、銅箔に交流の電気信号が伝送されると、磁束変化により銅箔の中心部に逆起電力が生じる。このため、銅箔の中心部では、電気信号が伝送されにくくなる。すなわち、電気信号は、主に銅箔の表面側部分を伝送するようになる。
【０００６】
ここで、銅箔を伝送する電気信号の周波数と、表皮深さとの関係について示す。なお、表皮深さとは、銅箔に電気信号を伝送させた際、銅箔の最表面を流れる電流密度を１としたとき、電流密度が１／ｅになる深さを言う。例えば、電気信号の周波数が１００ＭＨｚである場合、表皮深さは６．６μｍであり、電気信号の周波数が１ＧＨｚである場合、表皮深さは２．１μｍであり、電気信号の周波数が１０ＧＨｚである場合、表皮深さは０．６６μｍであると算出される。このように、電気信号の周波数が高くなるほど、電気信号は銅箔の表面側部分しか伝送しないことが分かる。
【０００７】
すなわち、銅箔を伝送する電気信号の周波数が高くなるほど、銅箔の断面積のうち、電気信号が伝送する部分の面積（以下では、有効断面積とも言う。）が減少する。その結果、表皮抵抗と呼ばれる抵抗が増加し、導体損失が増加する。このように、高周波の電気信号が伝送される際に発生する導体損失は、表皮効果による銅箔の有効断面積の減少が原因である。しかしながら、減少した銅箔の有効断面積を大きくすることはできない。従って、銅箔の電気信号が伝送する部分において、電気信号の伝送損失を低減する必要がある。例えば、銅箔が、基材と、粗化めっき層や防錆めっき層を有するめっき層とを備えて構成されている場合、めっき層及び基材の導体損失をそれぞれ低減する必要がある。
【０００８】
また、導体損失の増減は、銅箔の表面粗さにも依存する。すなわち、プリント配線板が形成される際、樹脂層が形成される側の銅箔の表面の表面粗さが大きいほど、導体損失が増加する傾向を示す。これは、電気信号は銅箔の表面の凹凸に沿って伝送されるため、銅箔の表面粗さが大きくなると、電気信号の伝送距離が長くなることに起因する。
【０００９】
そこで、例えば、平均結晶粒径が少なくとも０．４ｍｍとなるように結晶粒を巨大化した酸素含有量が１０ｐｐｍ以下の無酸素銅素材からなる、粗化面を持たない圧延銅箔が提案されている（例えば特許文献１参照）。このように、銅箔が亜酸化銅等の不純物を含まない無酸素銅素材から形成されることで、信号伝送特性を向上させることができる。従って、このような銅箔が用いられたプリント配線板は、高周波における優れた電気特性を有するようになる。この他、例えば、伝送損失（導体損失）を低減するため、表面粗さを非常に小さくした平滑度の高い種々の銅箔が提案されている。
【００１０】
しかしながら、電気・電子機器や通信機器では、小型化や薄型化、高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度実装化がさらに進んでいる。従って、プリント配線板が備える配線パターン、すなわち銅箔に形成される配線パターンのさらなる微細化が進んでいる。このため、プリント配線板に用いられる銅箔には、樹脂層とのより高い密着性（ピール強度）が求められている。このとき、プリント配線板に、例えば特許文献１に記載されているような粗化面を持たない平坦な表面を有する銅箔や、表面の平滑度が高い銅箔が用いられた場合、銅箔と樹脂層との接触面積が減ってしまう。このため、銅箔と樹脂層との密着性が低くなり、実用に供することが難しいことがあった。従って、電子部品の高密度実装に耐え得る密着性を確保するためには、粗化面を持つ銅箔、すなわち粗化処理を行った銅箔を用いる必要がある。
【００１１】
そこで、例えば、圧延銅箔の最終の焼鈍処理後の圧延面でのＸ線回折で求めた（２００）面の積分強度（Ｉ（２００））が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の積分強度（Ｉ０（２００））に対し、Ｉ（２００）／Ｉ０（２００）＞４０であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０２μｍ〜０．２μｍ、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．１μｍ〜１．５μｍであって、プリント回路基板用素材である高周波回路用粗化処理圧延銅箔が提案されている（例えば特許文献２参照）。これにより、圧延面の立方体集合組織を発達させて、圧延面の結晶粒径を大きくできるため、粒界の数を減らすことができる。従って、結晶粒界における抵抗を低くでき、伝送損失の増加を抑制できる。そして、このような高周波回路用粗化処理圧延銅箔を用いてプリント配線板を形成することで、１ＧＨｚ以上の高周波数下での使用が可能なプリント配線板を低コストで形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特公平０３−３５６７９号公報
【特許文献２】特許第４７０４０２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、例えば特許文献２に記載される高周波回路用粗化処理圧延銅箔の圧延面の結晶配向は一軸配向である。このため、このような高周波回路用粗化処理圧延銅箔を用いて形成されたプリント配線板では、近年のプリント配線板に要求される高周波特性を満足することが難しかった。すなわち、例えば、Ｓ−ＡＴＡ  ｒｅｖ．３等の高速伝送規格のような通信速度（伝送速度）が６Ｇｂｐｓ（基本周波数が３ＧＨｚ）である高周波の電気信号が伝送される場合においても、伝送損失を低減することが難しかった。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決し、高い周波数の電気信号が伝送された場合であっても、電気信号の伝送損失が低減されるとともに、所定のピール強度を維持できる粗化銅箔、銅張積層板及びプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様によれば、高周波の電気信号が伝送されるプリント配線板に用いられる粗化銅箔であって、銅箔又は銅合金箔からなる基材と、前記基材の少なくともいずれかの主面上に成長される下地めっき層及び前記下地めっき層上に成長される粗化めっき層を有するめっき層と、を備え、最終の焼鈍処理後の前記基材のめっき層成長面は、Ｘ線回折法によって、前記めっき層成長面に対するＸ線の入射角度をθとして２θ／θ法によって測定して得られた前記立方体集合組織のピーク強度比をＡとし、ωスキャンによって測定して得られた前記立方体集合組織のロッキングカーブの半価幅と積分幅との比である面外配向比をＢとし、φスキャンによって得られた極点図から算出した前記立方体集合組織の半価幅と積分幅との比である面内配向比をＣとしたとき、ＡとＢとＣとの積で表される前記立方体集合組織の総合配向率が８０％以上である面であり、前記電気信号の周波数をｆとしたとき、前記めっき層の厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であり、前記めっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下である粗化銅箔が提供される。
【００１６】
本発明の第２の態様によれば、前記めっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上０．８μｍ以下である第１の態様の粗化銅箔が提供される。
【００１７】
本発明の第３の態様によれば、高周波の電気信号が伝送されるプリント配線板に用いられる粗化銅箔であって、銅箔又は銅合金箔からなる基材と、前記基材の少なくともいずれかの主面上に成長される下地めっき層及び前記下地めっき層上に成長される粗化めっき層を有するめっき層と、を備え、最終の焼鈍処理後の前記基材のめっき層成長面は、Ｘ線回折法によって、前記めっき層成長面に対するＸ線の入射角度をθとして２θ／θ法によって測定して得られた前記立方体集合組織のピーク強度比をＡとし、ωスキャンによって測定して得られた前記立方体集合組織のロッキングカーブの半価幅と積分幅との比で定義される面外配向比をＢとし、φスキャンによって得られた極点図から算出した前記立方体集合組織の半価幅と積分幅との比で定義される面内配向比をＣとしたとき、ＡとＢとＣとの積で表される前記立方体集合組織の総合配向率が５０％以上である面であり、前記電気信号の周波数をｆとしたとき、前記めっき層の厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であり、前記めっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上０．８μｍ以下である粗化銅箔が提供される。
【００１８】
本発明の第４の態様によれば、前記下地めっき層は、有機硫黄化合物を含むめっき液を用いて形成されている第１ないし第３の態様のいずれかの粗化銅箔が提供される。
【００１９】
本発明の第５の態様によれば、第１ないし第４の態様のいずれかの粗化銅箔と、前記粗化銅箔のめっき層成長面と接するように設けられる樹脂層と、を備える銅張積層板が提供される。
【００２０】
本発明の第６の態様によれば、第５の態様の銅張積層板を用いて形成されたプリント配線板が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明にかかる粗化銅箔、銅張積層板及びプリント配線板によれば、高い周波数の電気信号が伝送された場合であっても、電気信号の伝送損失を低減できるとともに、所定のピール強度を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる粗化銅箔の概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる粗化銅箔に伝送される電気信号の周波数と表皮深さとの関係を示すグラフ図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる粗化銅箔に伝送される電気信号の表皮距離と電流密度比との関係を示すグラフ図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる粗化銅箔に伝送される電気信号の周波数と表皮距離との関係を示すグラフ図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる粗化銅箔の製造工程を示すフロー図である。
【図６】本発明の一実施例にかかる基材の総合配向率と伝送損失との関係を示すグラフ図である。
【図７】本発明の一実施例にかかる粗化めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）と伝送損失との関係を示すグラフ図である。
【図８】本発明の一実施例にかかる粗化めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）と伝送損失との関係を示すグラフ図である。
【図９】本発明の一実施例にかかる電気信号の周波数と伝送損失との関係を示すグラフ図である。
【図１０】本発明の一実施例にかかる基材の総合配向率と下地めっき層の厚さとの関係を示すグラフ図である。
【図１１】本発明の一実施例にかかる実効比誘電率とめっき層の表面粗さ（Ｒｚ）との関係を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
（１）粗化銅箔の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる粗化銅箔の構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態にかかる粗化銅箔１の概略断面図である。
【００２４】
（基材）
図１に示すように、粗化銅箔１は、銅箔又は銅合金箔からなる基材２を備えている。基材２としては、高屈曲性を有する圧延銅箔を用いるとよい。すなわち、基材２は、銅や銅合金等の鋳塊に圧延処理や焼鈍処理等を行うことで形成されているとよい。
【００２５】
基材２の後述するめっき層３が成長される面（以下では、単にめっき層成長面とも言う。）は、立方体集合組織が発達した結晶配向性が高く、例えば粗化銅箔１を用いてプリント配線板が形成されて、プリント配線板（すなわちプリント配線板が備える粗化銅箔１）に電気信号が伝送された際に、電気信号の伝送損失が低減されるような面である。すなわち、めっき層成長面は、最終の焼鈍処理後において、Ｘ線回折法によって、めっき層成長面に対するＸ線の入射角度をθとして２θ／θ法によって測定した立方体集合組織のピーク強度比をＡとし、ωスキャンによって測定したロッキングカーブの立方体集合組織の半価幅と積分幅との比で定義される面外配向比をＢとし、φスキャンによる極点図から算出した立方体集合組織の半価幅と積分幅との比で定義される面内配向比をＣとしたとき、ＡとＢとＣとの積（Ａ×Ｂ×Ｃ）で表される立方体集合組織の総合配向率が８０％以上である。ここで、立方体集合組織が発達した面とは、（２００）面の占有率が高い面を言う。なお、以下では、基材２の総合配向率というときは、最終の焼鈍処理後の基材２のめっき層成長面の立方体集合組織の総合配向率を意味することとする。また、総合配向率の算出方法については、後述する。
【００２６】
このように、めっき層成長面に立方体集合組織を発達させて、結晶配向性を揃えることで、めっき層成長面の結晶粒の粒径を大きくできる。これにより、めっき層成長面に形成される結晶の粒界の数を低減でき、異なる結晶粒子の接触界面での抵抗（粒界抵抗）を低減できる。従って、粗化銅箔１に、例えばＳ−ＡＴＡ  ｒｅｖ．３の高速伝送規格に適合するような高周波の電気信号が伝送された場合であっても、電気信号の導体損失を低減できる。例えば、高周波特性が高いとされる表面の平滑度が高い電解銅箔と同程度まで導体損失を低減できる。その結果、電気信号の伝送損失を低減でき、高周波特性を向上させることができる。
【００２７】
また、基材２の総合配向率が８０％以上である場合、めっき層３の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下であるとよい。これにより、粗化銅箔１のめっき層３上に樹脂層が設けられてプリント配線板が形成された場合、粗化銅箔１と樹脂層との所定の接着強度（ピール強度）を維持できる。例えば、電子部品の高密度実装に耐え得るような粗化銅箔１と樹脂層との高い密着性を維持できる。その結果、粗化銅箔１に高周波の電気信号が伝送された場合であっても、導体損失を低減させつつ、所定のピール強度（例えば１Ｎ／ｍｍ以上）を維持できる。すなわち、基材２の総合配向率を８０％以上とすることで、導体損失を低減させつつ、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）を０．６μｍ以上１．２μｍ以下とすることで所定のピール強度を維持できる。
【００２８】
基材２である銅箔又は銅合金箔の形成材料としては、例えば無酸素銅や希薄銅合金、タフピッチ銅等を用いることができる。特に、基材２の形成材料として無酸素銅又は希薄銅合金が用いられると、焼鈍処理後の基材２の結晶粒径を大きくできるため、導体損失をより低減できる。
【００２９】
（めっき層）
基材２の少なくともいずれかの主面には、めっき層３が成長されて形成されている。めっき層３は、少なくとも下地めっき層４と粗化めっき層５とを備えて構成されている。
【００３０】
めっき層３の厚さは、粗化銅箔１を伝送する電気信号の周波数をｆ（ＧＨｚ）としたとき、０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下である。例えば、粗化銅箔１に基本周波数が３ＧＨｚである電気信号が伝送される場合、基本周波数の３倍の高調波（第３高調波）（９ＧＨｚ）まで考慮すると、めっき層３の厚さは０．４μｍ以上２μｍ以下であるとよい。めっき層３の厚さとは、下地めっき層４及び粗化めっき層５を含むめっき層３の合計厚さである。なお、めっき層３の厚さの上限値（６．３／（ｆ）１／２μｍ）の算出方法については後述する。
【００３１】
これにより、粗化銅箔１に高周波の電気信号が伝送された場合であっても、導体損失を低減させつつ、所定のピール強度を維持できる。すなわち、粗化銅箔１に高周波数の電気信号が伝送された場合、めっき層３の厚さが６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であれば、高い結晶配向性（高い総合配向率）を有するめっき成長面を有する基材２にも電気信号が伝送される。従って、電気信号が伝送される基材２の有効断面積の減少を抑制できる。その結果、表皮抵抗を抑制できるため、導体損失を低減できる。これに対し、めっき層３の厚さが６．３／（ｆ）１／２μｍを超えると、粗化銅箔１に高周波の電気信号が伝送された際、表皮効果により、電気信号がめっき層３に集中して流れるようになる。従って、電気信号が伝送される基材２の有効断面積が減少してしまうため、導体損失が増加してしまう。また、めっき層３は、粗化めっき層５を備えるため、基材２と比べて、表皮効果による導体損失が大きい。また、例えば電解めっきにより形成されるめっき層３の結晶は、最終の焼鈍処理による再結晶がほどんどない上、結晶配向性が低いため、導体損失が大きい。このため、導体損失を低減させるという観点からは、めっき層３の厚さはできるだけ薄くする方がよい。しかしながら、めっき層３の厚さが０．４μｍ未満であると、粗化めっき層５の厚さも薄くなるため、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）を所定値（例えば０．６μｍ）以上にできない。従って、所定のピール強度を維持できない場合がある。
【００３２】
（下地めっき層）
下地めっき層４は、基材２の少なくともいずれかの主面上に成長されて形成されている。下地めっき層４は、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ４）を主成分とするめっき液を用いた電解めっきにより成長されて形成されているとよい。下地めっき層４の厚さは、例えば基本周波数が３ＧＨｚである電気信号が粗化銅箔１に伝送される場合、０．２μｍ以上１．８μｍ以下であるとよい。これにより、導体損失をより低減させつつ、所定のピール強度を維持できる。この場合において、下地めっき層４の厚さが０．２μｍ未満であると、下地めっき層４上に後述する粗化めっき層５を面内均一に成長させることができず、所定のピール強度を維持できない場合がある。また、めっき層３の厚さの上限値が６．３／（ｆ）１／２μｍ（例えば基本周波数が３ＧＨｚである電気信号が粗化銅箔１に伝送される場合は、第３高調波まで考慮して２μｍ）であるため、下地めっき層４の厚さが１．８μｍを超えると、粗化めっき層５の厚さを薄くする必要がある。従って、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）を所定値（例えば０．６μｍ）以上にできず、所定のピール強度を維持できない場合がある。
【００３３】
（粗化めっき層）
粗化めっき層５は、下地めっき層４上に成長されて形成されている。粗化めっき層５は、例えば粗化めっき処理により成長されて形成されているとよい。すなわち、粗化めっき層５は、表面に微細な凹凸が形成されるように、下地めっき層４上に、多数の例えば小球状や樹脂状の金属（以下では金属粒とも言う。）を電着させて形成されているとよい。例えば、基本周波数が３ＧＨｚである電気信号が伝送される場合、第３高調波まで考慮すると、粗化めっき層５の厚さは０．２μｍ以上１．０μｍ以下であるとよい。これにより、導体損失をより低減させつつ、所定のピール強度を維持できる。なお、粗化めっき層５の厚さが０．２μｍ未満であると、下地めっき層４上に金属粒を均一に電着させることができないことがある。すなわち、下地めっき層４上に粗化めっき層５に金属粒が付着しない箇所が生じてしまう、所謂「めっき欠け」が発生してしまう。従って、所定のピール強度を維持できない場合がある。また、粗化めっき層５の厚さが１．０μｍを超えると、粗化めっき層５の表面粗さ（Ｒｚ）が大きくなるため、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）が大きくなる。従って、粗化銅箔１を伝送する電気信号の伝送距離が長くなるため、導体損失が増加してしまう。
【００３４】
めっき層３は、下地めっき層４及び粗化めっき層５の他、例えば粗化めっき層５を構成する金属粒の脱落を防止する金属粒脱落防止めっき層や、防錆めっき層等を備えていてもよい。金属粒脱落防止めっき層は、例えば電解銅めっきにより、粗化めっき層５上に成長されて形成されているとよい。金属粒脱落防止めっき層は、例えば下地めっき層４と同じ電解めっき液を用いて形成されているとよい。防錆めっき層は、例えばクロメート処理により、粗化めっき層５又は金属粒脱落防止めっき層上に成長されて形成されているとよい。
【００３５】
（総合配向率の算出方法）
以下では、Ｘ線回折法を用い、基材２のめっき層成長面、すなわち最終の焼鈍処理後の圧延面における立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）、立方体集合組織の面外配向比（Ｂ）及び立方体集合組織の面内配向比（Ｃ）を算出し、立方体集合組織の総合配向率を算出する方法について説明する。
【００３６】
Ｘ線回折（ＸＲＤ）法を用い、基材２のめっき層成長面における立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）を算出する方法について説明する。立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）は、めっき層成長面に対するＸ線の入射角度をθとし、２θ／θ法を用いて算出した。Ｘ線回折法を用いた２θ／θ法とは、Ｘ線をめっき層成長面に対して水平方向からθの角度で入射させ、めっき層成長面から反射されるＸ線のうち、入射Ｘ線に対して２θの角度のＸ線を検出することで、θに対する回折ピークの強度変化を調べる方法である。２θ／θ法による回折ピークの強度によって、多結晶体であるめっき層成長面（圧延銅箔の圧延面）において、どの結晶面が優勢であるのかを評価できる。すなわち、めっき層成長面において、各結晶面の占有率を評価できる。従って、立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）を算出することで、めっき層成長面における立方体集合組織の占有率を評価できる。
【００３７】
すなわち、まず、めっき層成長面に対するＸ線の入射角度をθとし、２θ／θ法によって、めっき層成長面のＸ線回折強度曲線を得る。得られたＸ線回折強度曲線から、（２００）面、（２２０）面、（１１１）面及び（３１１）面のピーク強度をそれぞれ測定する。そして、得られた各面のピーク強度から、立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）を算出する。なお、上述したように、立方体集合組織が発達した面とは、（２００）面の占有率が高い面である。従って、めっき層成長面の各結晶面のピーク強度の合計に対する（２００）面の強度の比率を算出することで、立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）を算出できる。すなわち、立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）は、下記に示す（式１）から算出される。
（式１）
Ａ＝｛２００｝／（｛２００｝＋｛２２０｝＋｛１１１｝＋｛３１１｝）
なお、（式１）中、｛２００｝は（２００）面のピーク強度を示し、｛２２０｝は（２２０）面のピーク強度を示し、｛１１１｝は（１１１）面のピーク強度を示し、｛３１１｝は（３１１）面のピーク強度を示す。
【００３８】
次に、Ｘ線回折法を用い、基材２のめっき層成長面における立方体集合組織の面外配向比（Ｂ）及び面内配向比（Ｃ）を算出する方法について説明する。
【００３９】
立方体集合組織の面外配向比（Ｂ）とは、ωスキャン（ロッキングカーブ測定）によって測定して得られた立方体集合組織のロッキングカーブ（以下では、単にロッキングカーブとも言う。）の半価幅ＦＷＨＭ（Full Width at Half Maximum）（Ｂ）と積分幅ＩＷ（Integral Width）（Ｂ）との比（ＦＷＨＭ（Ｂ）／ＩＷ（Ｂ））である。これにより、めっき層成長面の垂直方向における結晶配向性を評価できる。
【００４０】
なお、半価幅ＦＷＨＭ（Ｂ）とは、立方体集合組織のロッキングカーブにおいて、最大強度の半分（１／２）の強度におけるロッキングカーブの最短幅である。また、積分幅ＩＷ（Ｂ）は、ロッキングカーブとベースライン（底辺）とにより囲まれる領域の面積（以下ではピーク面積とも言う。）を、ロッキングカーブの最大高さで除した値である。すなわち、積分幅ＩＷ（Ｂ）の算出は以下のように行った。まず、ロッキングカーブにおいて、ピーク面積を算出した。次に、最大強度のロッキングカーブの高さを算出した。そして、ロッキングカーブの高さを一辺とする矩形にしたとき、この矩形の面積が算出したピーク面積と同じ値になるときの他方の辺の長さを算出し、これを積分幅ＩＷ（Ｂ）とした。
【００４１】
また、立方体集合組織の面内配向比（Ｃ）とは、φスキャンにより得た立方体集合組織の極点図（Pole Figure）から算出した半価幅ＦＷＨＭ（Ｃ）と積分幅ＩＷ（Ｃ）との比（ＦＷＨＭ（Ｃ）／ＩＷ（Ｃ））である。すなわち、面内配向比（Ｃ）は、φスキャンによる立方体集合組織の極点図から得た回折強度曲線（以下では、単に回折強度曲線とも言う。）から算出した半価幅ＦＷＨＭ（Ｃ）と積分幅ＩＷ（Ｃ）との比である。半価幅ＦＷＨＭ（Ｃ）とは、極点図から得た立方体集合組織の回折強度曲線において、最大強度の半分の強度における回折強度曲線の最短幅である。また、積分幅ＩＷ（Ｃ）は、回折強度曲線とベースラインとにより囲まれる領域の面積を、回折強度曲線の最大高さで除した値である。これにより、基材２のめっき層成長面の３次元的な結晶配向性（２軸配向性）を評価できる。すなわち、面内配向比（Ｃ）が高いほど、めっき層成長面の立方体集合組織は高い２軸配向性を有することとなる。
【００４２】
ここで、面外配向比（Ｂ）及び面内配向比（Ｃ）において、回折ピークの半価幅ＦＷＨＭと、積分幅ＩＷとの比をとる理由を説明する。結晶配向性が高いめっき層成長面に対してωスキャンやφスキャンを行うと、ロッキングカーブや、回折強度曲線は、尖度が小さく（丸みがかったピークを有し）、裾野部が短いガウス曲線（正規分布曲線）となりやすい。これに対し、結晶配向性が低いめっき層成長面に対してωスキャンやφスキャンを行うと、ロッキングカーブや回折強度曲線は、尖度が大きく（鋭いピークを有し）、裾野部が広いガウス曲線となりやすい。すなわち、めっき層成長面が結晶配向性が高い面であるほど、半価幅ＦＷＨＭと積分幅ＩＷとの差が小さくなり、めっき層成長面が結晶配向性が低い面であるほど、半価幅ＦＷＨＭと積分幅ＩＷとの差が大きくなる。例えば、めっき層成長面の結晶配向性が高い面であるほど、半価幅ＦＷＨＭと積分幅ＩＷとの比（ＦＷＨＭ／ＩＷ）は１に近づく。従って、半価幅ＦＷＨＭと積分幅ＩＷとの比をとることで、半価幅ＦＷＨＭや積分幅ＩＷを個々に比較する場合と比べて、めっき層成長面の結晶配向性をより明確に判定することができるようになる。
【００４３】
そして、算出した立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）と、立方体集合組織の面外配向比（Ｂ）と、面内配向比（Ｃ）とにより、基材２の総合配向率を算出した。すなわち、下記の（式２）に示すように、ピーク強度比（Ａ）と面外配向比（Ｂ）と面内配向比（Ｃ）とを乗じて、基材２の総合配向率を算出した。
（式２）
基材の総合配向率（％）＝（Ａ×Ｂ×Ｃ）×１００
【００４４】
基材２の総合配向率は、めっき層成長面における立方体集合組織の占有率、及びその３次元的な結晶配向性（２軸配向性）を考慮しためっき層成長面の立方体集合組織の結晶配向性を評価する指標である。めっき層成長面は多結晶体であるので、基材２のめっき層成長面の立方体集合組織の総合配向率が１００％に近づくほど、めっき層成長面で立方体集合組織の結晶配向性が高いことを意味する。
【００４５】
（めっき層の厚さの上限値の算出方法）
次に、めっき層３の厚さの上限値を算出する方法について説明する。まず、粗化銅箔１の最表面（表皮）から所定距離（深さ）δでの電流密度Ｊを求める。粗化銅箔１と樹脂層とが貼り合されてプリント配線板が形成された場合の樹脂層の樹脂方向における表皮での電場をＥ０（Ｖ／ｍ）としたとき、表皮からの距離（以下では表皮距離とも言う）δでの電流密度Ｊは、下記に示す（式３）で表される。
（式３）
Ｊ＝σＥ０ｅｘｐ（−δ／ｄ）
ここで、σは導電率（１／Ωｍ）、ｄは表皮深さである。なお、表皮深さとは、表皮を流れる電流密度を１としたとき、電流密度が１／ｅになる表皮距離δである。
【００４６】
また、表皮（δ＝０）での電流密度をＪ０とすると、上記（式３）からＪ０＝σＥ０となる。従って、上記の（式３）は、下記に示す（式４）でも表せる。
（式４）
Ｊ／Ｊ０＝ｅｘｐ（−δ／ｄ）
以下では、Ｊ／Ｊ０を電流密度比と言う。すなわち、電流密度比とは、表皮での電流密度Ｊ０に対する表皮距離δにおける電流密度Ｊの比である。
【００４７】
（式４）に示すように、電流密度比は指数関数である。従って、表皮から表皮距離δまでの電流を積算した電流積算値もまた指数関数となる。例えば、全ての電流積算値に対する、表皮から電流密度比が５％まで低下する表皮距離δまでの電流積算値の比は、その表皮距離δにおける電流密度比と同じになる。
【００４８】
また、表皮深さｄは、下記に示す（式５）で表される。
（式５）
ｄ＝（πσｆμ）１／２
ここで、σは導電率（１／Ωｍ）、ｆは、粗化銅箔１を伝送する電気信号の周波数（Ｈｚ）、μは透磁率（Ｈ／ｍ）である。
【００４９】
図２に、上記（式５）から算出した電気信号の周波数ｆと表皮深さｄとの関係をグラフ図で示す。このとき、導電率σ＝５８．１×１０６（１／Ωｍ）とし、透磁率＝４π×１０−７（Ｈ／ｍ）とした。すなわち、導電率として粗化銅箔１の形成材料である銅の導電率を用いた。また、銅は非磁性体であるので、透磁率として空気の透磁率を用いた。図２から、電気信号の周波数ｆが１ＧＨｚである場合、表皮深さｄは２．１μｍであることが分かる。また、図３に、上記（式４）及び（式５）から算出した表皮距離δと電流密度比との関係をグラフ図で示す。
【００５０】
また、上記の（式３）及び（式５）から、表皮距離δは、電気信号の周波数ｆと電流密度比とを用いて、下記に示す（式６）で表される。
（式６）
δ＝−１／（πσｆμ）１／２×ｌｎ（Ｊ／Ｊ０）
【００５１】
上記（式６）から、電流密度比が５％まで低下する表皮距離ｄは下記に示す（式７）で表される。このとき、導電率σ＝５８．１×１０６（１／Ωｍ）とし、透磁率＝４π×１０−７（Ｈ／ｍ）とした。ここで、表皮距離δを、表皮深さｄに対応する１／ｅではなく、電流密度比が５％まで低下する表皮からの距離としたのは、実際に粗化銅箔１を伝送する電気信号の深さを、表皮効果による導体損失低減の影響があると考えられる下限値５％で判断するためである。
（式７）
δ＝６．３／（ｆ）１／２（μｍ）
【００５２】
図４に、上記（式７）から算出した電気信号の周波数ｆと表皮距離δとの関係をグラフ図で示す。図４から、粗化銅箔１を伝送する電気信号の周波数が高くなるほど、電気信号は粗化銅箔１の表面側部分しか伝送しないことが分かる。例えば、最新の伝送規格の一つであるＳ−ＡＴＡ  ｒｅｖ．３では、伝送速度が６Ｇｂｐｓ（基本周波数３ＧＨｚ）となっている。このとき、粗化銅箔１に伝送される電気信号であるパルス波は、正弦波の重ね合わせで表され、基本周波数の３倍の高調波（第３高調波）、基本周波数の５倍の高調波（第５高調波）まででほぼ近似できる。従って、図４から、電流密度比（Ｊ／Ｊ０）が５％であるとき、Ｓ−ＡＴＡ  ｒｅｖ．３の高速伝送規格において、例えば基本周波数（３ＧＨｚ）の３倍である９ＧＨｚでの表皮距離δは２μｍであることが分かる。すなわち、例えば基本周波数が３ＧＨｚである電気信号が伝送される場合、めっき層３の厚さの上限値が２μｍであると、粗化銅箔１が備える基材２にも電気信号が伝送されるため、表皮効果による導体損失を低減できる。
【００５３】
上述したように、めっき層３の厚さが上記（式７）で算出される値以下であると、粗化銅箔１が備える基材２にも電気信号が伝送されるため、表皮効果による導体損失を低減できる。従って、めっき層３の厚さの上限値を、上記（式７）から算出される値とした。
【００５４】
（２）銅張積層板及びプリント配線板の構成
次に、上述の粗化銅箔１を用いて形成した銅張積層板及びプリント配線板について説明する。本実施形態にかかる銅張積層板は、上述の粗化銅箔１と、粗化銅箔１のめっき層成長面と接するように設けられた樹脂層と、を備えて構成されている。樹脂層としては、例えばポリイミドフィルムやポリエステルフィルム等を用いることができる。すなわち、銅張積層板は、例えば、粗化銅箔１のめっき層成長面上に樹脂層を積層した後、ラミネート加工を行うことで、樹脂層と粗化銅箔１とをクラッド接合することで形成できる。また、銅張積層板は、樹脂層の両面に粗化銅箔１が積層された両面銅張積層板であってもよい。そして、銅張積層板（粗化銅箔１が備える基材２）にエッチング処理を行い、電気信号の伝送路である所定の回路を形成することで、プリント配線板が形成される。このようなプリント配線板には、例えばハンダなどで電子部品が接続されて実装される。また、このようなプリント配線板は、例えば異方性導電フィルムを介して他のリジッド基板と導電接続されて実装される。
【００５５】
（３）粗化銅箔の製造方法
次に、本実施形態にかかる粗化銅箔１の製造方法の一実施形態について、主に図５を用いて説明する。図５は、本実施形態にかかる粗化銅箔１の製造工程を示すフロー図である。
【００５６】
（鋳造工程（Ｓ１０））
本実施形態にかかる粗化銅箔１の製造方法では、例えば連続鋳造圧延方式を用いた。図５に示すように、まず、例えば坩堝式溶解炉、チャネル式溶解炉等の電気炉を用い、母材である銅（Ｃｕ）を溶解して銅の溶湯を製造する。なお、銅合金の鋳塊を鋳造する場合は、銅の溶湯中に所定量の所定元素を添加し、銅合金の溶湯を製造する。そして、この銅の溶湯又は銅合金の溶湯を鋳型に供給して、所定形状の鋳塊（ケーク）を鋳造する。
【００５７】
（熱間圧延工程（Ｓ２０））
鋳造工程（Ｓ１０）が終了した後、鋳造したケークを所定温度に加熱して熱間圧延処理を行い、所定厚さの熱延板を形成する。すなわち、所定温度に加熱した加熱炉中にケークを搬入する。そして、加熱炉中で所定時間ケークを保持してケークを加熱する。所定時間が経過したら、ケークを加熱炉から搬出する。その後、熱間圧延機を用いて、例えば室温でケークを所定厚さとなるように圧延し、熱延板を形成する。熱間圧延処理が終了した後は、なるべく速やかに熱延板を例えば室温程度まで冷却するとよい。
【００５８】
熱間圧延処理の処理温度、すなわち加熱炉の加熱温度は、銅合金の化学組成によって調整するとよい。例えば、銅合金中に添加した添加物を析出させた銅合金（析出型銅合金）では、熱間圧延処理の処理温度（特に熱間圧延処理の開始温度）は、銅合金中に添加している元素が固溶する温度であると良い。これにより、熱間圧延処理によって熱延板の表面に形成される酸化膜（酸化スケール）を低減できる。すなわち、熱間圧延処理の処理温度が高すぎると、熱延板の表面に形成される酸化スケールが増大する場合がある。
【００５９】
（面削工程（Ｓ３０））
熱間圧延工程（Ｓ２０）が終了した後、面削を行うことで、熱間圧延処理により熱延板の表面に形成された酸化膜（酸化スケール）を削り、酸化膜を除去する。
【００６０】
（冷間圧延工程・焼鈍工程（Ｓ４０・Ｓ５０））
面削工程（Ｓ３０）が終了した後、熱延板に、所定の加工度の冷間圧延処理（冷間圧延工程（Ｓ４０））と、所定温度で所定時間加熱する焼鈍処理（焼鈍工程（Ｓ５０））とを所定回数繰り返して行い、所定厚さの生地と呼ばれる冷延板を形成する。
【００６１】
（仕上圧延工程（Ｓ６０））
冷間圧延工程（Ｓ４０）と焼鈍工程（Ｓ５０）とを所定回数繰り返した後、冷延板に、所定の加工度で仕上圧延処理を行い、基材２としての所定厚さの銅箔又は銅合金箔を形成する。
【００６２】
（めっき層形成工程（Ｓ７０））
仕上圧延工程（Ｓ６０）が終了した後、銅箔又は銅合金箔の基材２の少なくともいずれかの主面上に、少なくとも下地めっき層４と粗化めっき層５とを有するめっき層３を形成する。めっき層３は、厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下となるように形成する。
【００６３】
［下地めっき層形成工程（Ｓ７１）］
まず、基材２の少なくともいずれかの主面（圧延面）上に、例えば電解めっきにより、所定厚さの下地めっき層４を成長させて形成する。下地めっき層４は、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ４）等を主成分とするめっき液を用いて形成するとよい。
【００６４】
［粗化めっき層形成工程（Ｓ７２）］
下地めっき層形成工程（Ｓ７１）が終了したら、例えば粗化めっき処理により、下地めっき層４上に、粗化めっき層５を成長させて形成する。すなわち、粗化めっき層５は、下地めっき層４上に、表面に微細な凹凸を形成するように、多数の例えば小球状や樹脂状の金属（金属粒）を電着させて形成するとよい。
【００６５】
なお、粗化めっき層形成工程（Ｓ７２）が終了した後、粗化めっき層５上に、例えば金属粒脱落防止めっき層を成長させて形成してもよい。このとき、金属粒脱落防止めっき層は、例えば下地めっき層４を形成した際に用いためっき液と同様のめっき液を用いることができる。また、粗化めっき層形成工程（Ｓ７２）が終了した後、又は金属粒脱落防止めっき層を形成した後、クロメート処理を行い、粗化めっき層５上又は金属粒脱落防止めっき層上に防錆めっき層としてのクロメート皮膜を成長させて形成してもよい。
【００６６】
（最終の焼鈍工程（Ｓ８０））
めっき層形成工程（Ｓ７０）が終了したら、めっき層３を形成した基材２を所定温度に所定時間加熱する最終の焼鈍処理を行う。例えば、本実施形態に係る粗化銅箔１のめっき層３上にポリイミド等の樹脂等により形成される樹脂層を貼り合わせてプリント配線板を形成する場合、最終の焼鈍処理は、樹脂層を粗化銅箔１に貼り合わせる際の加熱により行うことができる。なお、最終の焼鈍処理は、上述の樹脂層を粗化銅箔１に貼り合わせる際の加熱とは別工程にて行ってもよい。これにより、本実施形態にかかる粗化銅箔１が製造されて、その製造工程を終了する。
【００６７】
（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００６８】
（ａ）本実施形態によれば、粗化銅箔１は、銅箔又は銅合金箔からなる基材２と、基材２の少なくともいずれかの主面上に成長されるめっき層３と、を備えて構成されている。めっき層３は、少なくとも下地めっき層４と粗化めっき層５とを備えて形成されている。基材２のめっき層３が成長される面（めっき層成長面）は、最終の焼鈍処理後において、立方体集合組織のピーク強度比（Ａ）と、面外配向比（Ｂ）と、面内配向比（Ｃ）との積で表される基材２の総合配向率が８０％以上である面である。また、めっき層３の厚さは、粗化銅箔１を伝送する電気信号の周波数をｆとしたとき、０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下である。また、めっき層３の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下である。これにより、導体損失を低減することで伝送損失を低減でき、高周波特性を向上させるとともに、粗化銅箔１を用いてプリント配線板が形成された際に、所定のピール強度（例えば１Ｎ／ｍｍ以上）を維持できる。例えば、Ｓ−ＡＴＡ  ｒｅｖ．３等の高速伝送規格に適合するような高周波（基本周波数が３ＧＨｚ）の電気信号が伝送された場合であっても、電気信号の導体損失を低減させつつ、所定のピール強度を維持できる。
【００６９】
（ｂ）本実施形態によれば、電気信号の伝送損失を低減する立方体集合組織が発達した結晶性が高い面を有する粗化銅箔１を用いて銅張積層板及びプリント配線板を形成している。従って、銅張積層板及びプリント配線板の導体損失を低減して、高周波特性を向上させつつ、所定のピール強度を維持できる。
【００７０】
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００７１】
上述の実施形態では、基材２の総合配向率が８０％以上であり、めっき層３の厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であり、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下である場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、基材２の総合配向率が５０％以上である場合、めっき層３の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上０．８μｍ以下であれば良い。このように、最終の焼鈍処理後のめっき層成長面の結晶配向性が低い場合であっても、基材２の総合配向率が５０％以上であれば、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）を所定範囲とすることで、導体損失を低減させつつ、所定のピール強度（例えば１Ｎ／ｍｍ以上）を維持できる。
【００７２】
また、上述の実施形態では、下地めっき層４を、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ４）を主成分とするめっき液を用いて形成したが、これに限定されるものではない。例えば、基材２として圧延銅箔（圧延銅合金箔）が用いられる場合、下地めっき層４を例えばＳＰＳ等の有機硫黄化合物を含むめっき液を用いて形成してもよい。これにより、最終の焼鈍工程（Ｓ８０）において、下地めっき層４は、基材２のめっき層成長面の結晶組織にしたがってオストワルド成長する。すなわち、最終の焼鈍処理を行うことで、下地めっき層４の結晶粒は、基材２のめっき層成長面の結晶組織と一体化するように結晶成長する。つまり、基材２のめっき層成長面の結晶組織は、下地めっき層４の結晶組織を取り込みつつ結晶成長する。従って、見かけ上、下地めっき層４と基材２との区別がなくなる。また、下地めっき層４は、基材２のめっき層成長面の結晶組織と同様の結晶粒径及び結晶配向となるように結晶粒が再結晶するため、下地めっき層４の結晶粒が大きくできる。すなわち、結晶粒の大きさが小さく導体損失が大きいめっき層３の厚さを薄くできる。その結果、下地めっき層４の導電損失が低減する。このため、例えばＳ−ＡＴＡ  ｒｅｖ．３等の高速伝送規格に適合するような高周波の電気信号が粗化銅箔１に伝送された場合であっても、表皮効果によって、粗化銅箔１内における電気信号が流れる有効断面積が減少することを抑制でき、表皮抵抗を低減できる。従って、導体損失をより低減できる。なお、基材２として、例えば結晶方位がランダムである電解銅箔が用いられた場合、下地めっき層４が有機硫黄化合物を含むめっき液を用いて形成されても、最終の焼鈍処理において、下地めっき層４はオストワルド成長しない。
【００７３】
また、上述の実施形態では、最終の焼鈍工程（Ｓ８０）をめっき層形成工程（Ｓ７０）の後に行ったが、これに限定されるものではない。例えば、最終の焼鈍工程（Ｓ８０）をめっき層形成工程（Ｓ７０）の前に行ってもよい。
【００７４】
（誘電損失について）
また、上述の実施形態では、基材２の総合配向率が８０％以上であり、めっき層３の厚さが０．４μｍ以上６．３／（ｆ）１／２μｍ以下であり、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下である場合を例に説明した。このとき、めっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上０．８μｍ以下であると、導体損失を低減できるとともに、誘電損失も低減できる。従って、高周波特性をより向上させることができる。
【００７５】
すなわち、上述したように、伝送損失は、導体損失と誘電損失との合計である。従って、導体損失を低減しつつ、さらに誘電損失を低減できると、高周波特性をより向上させることができる。誘電損失は、以下のように発生する。すなわち、例えば、粗化銅箔１と、粗化銅箔１が備えるめっき層３上に設けられる樹脂層と、を備えて構成され、粗化銅箔１に電気信号の伝送路としての回路が形成されているプリント配線板に電気信号が伝送されると、回路の周りの電界に変化が起こる。この電界が変化する周期（周波数）が樹脂層を形成する樹脂の分極の緩和時間に近づくと、電気変位に遅れが生ずる。このとき、樹脂内部に分子摩擦が生じて熱が発生し、この熱が誘電損失となる。誘電損失の増減は、プリント配線板が備える樹脂層の誘電率（比誘電率）や、誘電正接に依存する。そして、樹脂層の比誘電率や誘電正接は、樹脂層を構成する樹脂の種類によって決定される。例えば、樹脂層がポリイミドにより形成されている場合、一般的に樹脂層の比誘電率は３．３程度となる。しかしながら、粗化銅箔１に形成された回路が例えばマイクロストリップラインである場合、電気力線は、樹脂層であるポリイミドの外側の空気中を通過するため、空気の比誘電率（約１）の影響を受ける。従って、樹脂層の実効比誘電率は３．３よりも小さくなる。また、一般的に、導体損失は、プリント配線板に伝送される電気信号の周波数の０．５乗に比例して増加する。これに対し、誘電損失は、プリント配線板に伝送される電気信号の１乗に比例して増加する。従って、プリント配線板に伝送される電気信号が高周波になるほど、誘電損失が増加する。
【００７６】
従って、誘電損失を低減するため、樹脂層を形成する樹脂として、電界変化による分極を起こしにくい樹脂を用いることが考えられる。例えば、樹脂層を形成する樹脂として、極性が大きい置換基を減らした樹脂や、極性が大きい置換基を無くした樹脂を用いることが考えられる。しかしながら、極性の大きな置換基は、粗化銅箔１と樹脂層との化学的な密着性に大きく寄与している。従って、誘電損失を低減するために、極性が大きい置換基を減らした樹脂を用いて樹脂層が形成されると、銅箔と樹脂層との密着性（ピール強度）が極端に低下してしまう。すなわち、プリント配線板に形成された回路の引き剥がし強度が極端に低下してしまう。
【００７７】
このとき、粗化銅箔１が備えるめっき層３の表面粗さ（Ｒｚ）が、０．６μｍ以上０．８μｍ以下であると、所定のピール強度を維持しつつ、導体損失を低減できるとともに、誘電損失を低減できる。従って、高周波特性をより向上させつつ、所定のピール強度を維持できる。
【実施例】
【００７８】
次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７９】
（実施例１）
実施例１では、４０ｐｐｍの錫（Ｓｎ）を含み、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物からなる無酸素銅（希薄銅合金）を用いた。そして、坩堝式溶解炉を用い、窒素雰囲気下にて無酸素銅を溶解して溶湯を作製した。その後、溶湯を鋳型に供給し、所定形状のケークを鋳造した。次に、ケークを所定温度に加熱して熱間圧延処理を行い、所定厚さの熱延板を作製した。そして、熱延板に、所定の加工度の冷間圧延処理と、焼鈍処理とを所定回数繰り返して行い、所定厚さの冷延板を作製した。そして、銅条に、仕上圧延処理を行い、厚さが１０．５μｍ及び１０μｍの銅箔を作製し、これを基材とした。仕上げ圧延処理は、後述する最終の焼鈍処理を行った後に、基材のめっき層成長面の立方体集合組織の総合配向率（基材の総合配向率）が８０％となるように行った。また、基材の圧延面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は０．５μｍであった。
【００８０】
次に、基材に、電解脱脂処理と酸洗処理とを行い、基材の表面を清浄化した。すなわち、まず、水酸化ナトリウム３０ｇ／Ｌと、炭酸ナトリウム４０ｇ／Ｌとを含み、液温を４０℃とした水溶液を作製した。そして、この水溶液中にて、電流密度を５Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を３０秒として、基材に電解脱脂処理を行った。電解脱脂処理が終了した後、基材を水洗した。その後、硫酸１５０ｇ／Ｌを含み、液温を２５℃とした水溶液を作製した。そして、この水溶液中にて、基材を１０秒間水溶液に浸漬し、酸洗処理を行った。
【００８１】
そして、基材のいずれかの主面（圧延面）であるめっき層成長面上に、めっき層を成長させて形成した。すなわち、めっき層として、基材のめっき層成長面の側から順に、下地めっき層と、粗化めっき層と、金属粒脱落防止めっき層と、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、亜鉛（Ｚｎ）めっき層と、防錆めっき層と、シランカップリング層とをそれぞれ成長させて形成した、粗化銅箔を作製した。
【００８２】
すなわち、まず、電解脱脂処理と酸洗処理とを行った基材を水洗した。そして、基材のいずれかの主面であるめっき層成長面上に、下地めっき層を成長させて形成した。すなわち、硫酸銅五水和物１００ｇ／Ｌと、硫酸６０ｇ／Ｌとを含み、液温を３５℃としためっき液（以下では、このめっき液を基本下地めっき液とも言う。）を作製した。そして、この基本下地めっき液中にて、電流密度を８Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を２０秒として、電解めっき処理を行い、基材のめっき層成長面上に厚さが０．６μｍの下地めっき層を形成した。以下では、下地めっき層を形成する電解めっき処理を下地めっき処理とも言う。
【００８３】
次に、少なくとも下地めっき層の表面を水洗した後、下地めっき層上に、粗化めっき層を成長させて形成した。すなわち、硫酸銅五水和物５０ｇ／Ｌと、硫酸８０ｇ／Ｌと、硫酸鉄七水和物５０ｇ／Ｌとを含み、液温を３０℃とした粗化めっき液を作製した。そして、この粗化めっき液中にて、電流密度を４０Ａ／ｄｍ２〜６０Ａ／ｄｍ２の範囲内で所定の値とし、処理時間を０．５秒〜４秒の範囲内で所定の時間として、粗化めっき処理を行い、下地めっき層上に厚さが０．６μｍの粗化めっき層を形成した。
【００８４】
次に、少なくとも粗化めっき層の表面を水洗した後、粗化めっき層上に、金属粒脱落防止めっき層を成長させて形成した。金属粒脱落防止めっき層は、上述の下地めっき層と同様のめっき液（基本下地めっき液）を用いた電解めっき処理により形成した。そして、このめっき液中にて、電流密度を８Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を所定時間として、電解めっき処理を行い、基材のめっき成長面上に所定厚さの金属粒脱落防止めっき層を形成した。
【００８５】
次に、少なくとも金属粒脱落防止めっき層の表面を水洗した後、金属粒脱落防止めっき層上に、ニッケルめっき層を成長させて形成した。すなわち、硫酸ニッケル六水和物３００ｇ／Ｌと、塩化ニッケル４５ｇ／Ｌと、硼酸４０ｇ／Ｌとを含み、液温を５０℃としためっき液を作製した。そして、このめっき液中にて、電流密度を２．５Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を５秒として、めっき処理を行い、金属粒脱落防止めっき層上に厚さが２５ｎｍのニッケルめっき層を形成した。
【００８６】
次に、少なくともニッケルめっき層の表面を水洗した後、ニッケルめっき層上に、亜鉛めっき層を成長させて形成した。すなわち、硫酸亜鉛七水和物９０ｇ／Ｌと、硫酸ナトリウム７０ｇ／Ｌとを含み、液温を３０℃としためっき液を作製した。そして、このめっき液中にて、電流密度を１．８Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を４秒として、めっき処理を行い、ニッケルめっき層上に厚さが７ｎｍの亜鉛めっき層を形成した。
【００８７】
次に、少なくとも亜鉛めっき層の表面を水洗した後、亜鉛めっき層上に、３価クロム化成処理を行って、防錆めっき層として４ｎｍのクロメート皮膜を形成した。
【００８８】
そして、少なくともクロメート皮膜の表面を水洗した後、クロメート皮膜上に、シランカップリング処理層を成長させて形成した。すなわち、３―アミノプロピルトリメトキシシランの濃度が５％であるシランカップリング液中にて、液温を２５℃として、５秒間浸漬した後、直ちに２００℃の温度で乾燥して、所定厚さのシランカップリング処理層を形成した。
【００８９】
また、基材の他方の主面、すなわち少なくとも下地めっき層と粗化めっき層とを備えるめっき層を成長させて形成した面とは反対側の面には、ニッケルめっき層と、亜鉛めっき層と、防錆めっき層としてのクロメート皮膜とをそれぞれ基材の側から順に成長させて形成した。なお、ニッケルめっき層、亜鉛めっき層、及び防錆めっき層はそれぞれ、上述のめっき層を構成するニッケルめっき層、亜鉛めっき層、及び防錆めっき層と同様のめっき処理条件で成長させて形成した。なお、以下では、単に「めっき層」というときは、上述の少なくとも下地めっき層と粗化めっき層とを含むめっき層を意味するものとする。
【００９０】
上述のようにして作製した粗化銅箔のめっき層（粗化処理面）の表面粗さ（Ｒｚ）を、ＪＩＳ−Ｂ０６０１に従って、接触粗さ計を用いて測定した。その結果は、１．２μｍであった。
【００９１】
次に、上述のようにして作製した粗化銅箔を用いて両面銅張積層板を作製した。すなわち、まず、粗化銅箔のめっき層の表面がポリイミドフィルムと接触するように、ポリイミドフィルムの両面に粗化銅箔を積層した。そして、ラミネート加工を行うことで、ポリイミドフィルムと粗化銅箔とをクラッド接合して両面銅張積層板を作製した。なお、ポリイミドフィルムとして、宇部日東化成株式会社製のユーピレックスを使用した。
【００９２】
そして、ラミネート加工を行う際の加熱により、粗化銅箔に最終の焼鈍処理を行った。これにより、粗化銅箔の基材のめっき層成長面（すなわち粗化銅箔のめっき層が成長された面）は、立方体集合組織の総合配向率が８０％である面となった。
【００９３】
そして、両面銅張積層板の一方の面の粗化銅箔（粗化銅箔が備える基材）に、スルーホールの穿設、スルーホールめっき処理を順次行った後、エッチング処理を行い、電気信号の伝送路である回路として１００ｍｍのマイクロストリップラインの配線パターンを形成してプリント配線板を形成した。このとき、プリント配線板の特性インピーダンスが５０±５Ωとなるように、マイクロストリップラインの線幅を決定した。このプリント配線板を実施例１の試料とした。
【００９４】
（実施例２）
実施例２では、基材の総合配向率が９０％になるように仕上圧延処理を行った。この他は、上述の実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを実施例２の試料とした。
【００９５】
（実施例３）
実施例３では、基材の総合配向率が９０％になるように仕上圧延処理を行った。また、下地めっき層の厚さが０．２μｍとなるように下地めっき処理を行い、粗化めっき層の厚さが１．０μｍとなるように、電流密度を低くして（例えば４０Ａ／ｄｍ２にして）粗化めっき処理を行った。この他は、上述の実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを実施例３の試料とした。
【００９６】
（実施例４）
実施例４では、所定量の銀（Ａｇ）と所定量の硼素（Ｂ）とを含み、残部が銅及び不可避的不純物からなる無酸素銅を用い、基材としての圧延銅箔を作製した。また、基材の総合配向率が９５％になるように仕上圧延処理を行った。この他は、上述の実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを実施例４の試料とした。
【００９７】
（実施例５）
実施例５では、下地めっき層を、上述の基本下地めっき液に、添加剤として有機硫黄化合物（ＳＰＳ）（粉末試薬）を４０ｍｇ／Ｌと、ポリプロピレングリコール(液体試薬)を４ｍｌ／Ｌと、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトを０．３ｇ／Ｌと、塩酸を０．１５ｍｌ／Ｌとを添加し、液温を３５℃としためっき液（以下では、このめっき液を添加剤入り下地めっき液とも言う。）を用いて形成した。この他は、上述の実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを実施例５の試料とした。
【００９８】
（実施例６）
実施例６では、基材の総合配向率が９０％になるように仕上圧延処理を行った。また、粗化めっき層の厚さが０．２μｍとなるように粗化めっき処理を行った。また、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が０．８μｍとなるようにめっき層を形成した。この他は、上述の実施例５と同様にしてプリント配線板を作製した。これを実施例６の試料とした。
【００９９】
（実施例７〜８）
実施例７〜８では、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）がそれぞれ０．７μｍ、０．６μｍとなるようにめっき層を形成した。この他は、上述の実施例６と同様にしてプリント配線板をそれぞれ作製した。これらをそれぞれ、実施例７及び実施例８の試料とした。
【０１００】
（実施例９）
実施例９では、タフピッチ銅（ＴＰＣ）を用い、基材としての圧延銅合金箔を作製した。また、基材の総合配向率が５０％になるように仕上圧延処理を行った。この他は、上述の実施例６と同様にしてプリント配線板を作製した。これを実施例９の試料とした。
【０１０１】
（実施例１０〜１１）
実施例１０〜１１では、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）がそれぞれ０．７μｍ、０．６μｍとなるようにめっき層を形成した。この他は、上述の実施例９と同様にしてプリント配線板をそれぞれ作製した。これらをそれぞれ、実施例１０及び実施例１１の試料とした。
【０１０２】
（比較例１）
比較例１では、タフピッチ銅（ＴＰＣ）を用い、基材としての圧延銅合金箔を作製した。また、基材の総合配向率が５０％になるように仕上圧延処理を行った。この他は、上述の実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを比較例１の試料とした。
【０１０３】
（比較例２）
比較例２では、粗化めっき層の厚さが１．２μｍとなるように粗化めっき処理を行った。また、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が２．３μｍとなるようにめっき層を形成した。この他は、上述の比較例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを比較例２の試料とした。
【０１０４】
（比較例３）
比較例３では、基材の総合配向率が９０％になるように仕上圧延処理を行った。また、粗化めっき層の厚さが１．２μｍとなるように粗化めっき処理を行った。また、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が２．３μｍとなるようにめっき層を形成した。この他は、上述の実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを比較例３の試料とした。
【０１０５】
（比較例４）
比較例４では、基材として、厚さが１０μｍ又は１０．５μｍの電解銅箔を用いた。電解銅箔のめっき層成長面の立方体集合組織の総合配向率は５％であった。そして、下地めっき層の厚さが１０．６μｍとなり、粗化めっき層の厚さが０．６μｍとなるように、下地めっき処理及び粗化めっき処理をそれぞれ行った。また、めっき層の厚さが１２μｍとなり、粗化銅箔のめっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が１．２μｍとなるように、めっき層を形成した。この他は、上述の実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。これを比較例４の試料とした。
【０１０６】
（比較例５）
比較例５では、基材として、厚さが１０μｍ又は１０．５μｍの電解銅箔を用いた。電解銅箔のめっき層成長面の立方体集合組織の総合配向率は５％であった。そして、基材のいずかの主面であるめっき層成長面上に、厚さが１２μｍの下地めっき層を成長させて形成した。また、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍとなるようにめっき層を形成した。なお、比較例５では、粗化めっき層を形成せず、無粗化箔を作製した。この他は、上述の比較例４と同様にしてプリント配線板を作製した。これを比較例５の試料とした。
【０１０７】
上述の実施例１〜１１及び比較例１〜５の作製条件を、表１にまとめて示す。表１中、基材の総合配向率とは、最終の焼鈍処理後の基材のめっき層成長面の立方体集合組織の総合配向率である。また、下地めっき液の欄の「基本」とは、下地めっき層を基本下地めっき液を用いて形成したことを表し、「添加剤入り」とは、下地めっき層を添加剤入り下地めっき液を用いて形成したことを表す。
【０１０８】
【表１】
2015028197.tif 000003
【０１０９】
（評価）
実施例１〜１１及び比較例１〜５の各試料について、伝送損失を測定して高周波特性を評価した。なお、各試料の伝送損失の測定は、Ａｇｉｌｅｎｔ社製のネットワークアナライザＮ５２３０Ａを使用し、所定のキャリブレーションを実施してから、プローブ接点で測定した。そして、基材の総合配向率、めっき層の厚さ、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）、下地めっき層の形成に用いられるめっき液、及び誘電損失について評価した。
【０１１０】
［総合配向率の評価］
図６に、実施例１，２，４及び比較例１，４の各試料が備える基材の総合配向率と伝送損失との関係をグラフ図で示す。実施例１，２，４及び比較例１の各試料は、めっき層の厚さ（めっき層の合計厚さ）が１．５μｍであり、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が１．２μｍである。すなわち、実施例１，２，４及び比較例１の各試料はそれぞれ、基材の総合配向率だけが異なっている。また、比較例４の試料は、基材として、総合配向率が５％である電解銅箔を用いている。また、比較例５は、一般的に高周波特性に優れるとされる平滑度の高い無粗化の電解銅箔を基材として用いている。このため、図６では、実施例１，２，４及び比較例１，４の各試料の伝送損失は、比較例５の伝送損失に対する比率（伝送損失比）で示した。すなわち、伝送損失は、比較例５の試料の伝送損失を１００％としたときの相対割合で表した。従って、伝送損失比が１００％を超える場合は、比較例５の試料よりも伝送損失が大きいことを示す。図６から、実施例１の試料は、比較例５の試料と同程度まで伝送損失を低減できることを確認した。また、実施例２及び実施例４の試料は、比較例５の試料よりも伝送損失を低減できることを確認した。これに対し、比較例１及び比較例４の試料は、比較例５の試料よりも伝送損失が増加することを確認した。すなわち、図６から、基材の総合配向率が８０％以上であれば、比較例５の試料と同程度以上の高周波特性を得ることができることを確認した。例えば９ＧＨｚの高周波の電気信号が伝送された場合であっても、比較例５の試料と同程度の伝送損失を維持できることを確認した。
【０１１１】
［めっき層の厚さの評価］
実施例１〜１１及び比較例１〜５の各試料について、ピール強度を測定した。その結果を、表１に示す。
【０１１２】
＜下地めっき層の厚さの評価＞
下地めっき層の厚さとピール強度及び高周波特性との関係についての評価を行った。表１から、例えば、下地めっき層の厚さが０．６μｍである実施例２の試料と、下地めっき層の厚さが０．２μｍである実施例３の試料とを比較すると、実施例３の試料のピール強度は、実施例２の試料のピール強度と比べて、若干低くなることを確認した。しかしながら、実施例３の試料は、実用上十分なピール強度（例えば１Ｎ／ｍｍ以上）を有することを確認した。すなわち、下地めっき層の厚さが０．２μｍ以上であれば、下地めっき層上に粗化めっき層を均一に形成することができ、所定のピール強度を維持できることを確認した。また、実施例２の試料と実施例３の試料とは、伝送損失は同程度であることを確認した。これに対し、例えば、厚さが０．１μｍである下地めっき層上に、粗化めっき層を形成し、表面粗さ（Ｒｚ）が１．２μｍであるめっき層を形成した粗化銅箔を用いて作製したプリント配線板のピール強度は、０．６Ｎ／ｍｍであった。これらから、下地めっき層の厚さが０．２μｍ以上であると、高周波特性を向上させつつ、所定のピール強度を維持できることを確認した。
【０１１３】
＜粗化めっき層の厚さの評価＞
次に、粗化めっき層の厚さとピール強度及び高周波特性との関係についての評価を行った。表１の実施例６〜９から、粗化めっき層の厚さが０．２μｍ以上であれば、下地めっき層上に粗化めっき層を均一に形成することができ、所定のピール強度（例えば１Ｎ／ｍｍ以上）を維持できることを確認した。また、実施例６〜９の各試料は、比較例５の試料と同程度以下まで伝送損失を低減できることを確認した。これに対し、例えば、厚さが０．１μｍの粗化めっき層を形成した場合、下地めっき層上に金属粒を均一に電着させることができず、所謂めっき欠けが発生してしまい、所定のピール強度を維持できないことを確認した。
【０１１４】
また、実施例３から、粗化めっき層の厚さが１．０μｍであれば、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）を１．２μｍにでき、伝送損失を低減しつつ、所定のピール強度を維持できることを確認した。これに対し、粗化めっき層の厚さをより厚くするため、実施例３の試料の作製時よりも、粗化めっき処理の電流密度を低くすると、下地めっき層上に、均一に金属粒を電着させることができず、粗化めっき処理を行うことができないことを確認した。また、比較例２から、粗化めっき処理の電流密度を低くすることなく、粗化めっき層の厚さを厚くすると、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が大きくなるため、電気信号の伝送距離が長くなってしまい、伝送損失が増加することを確認した。
【０１１５】
以上の結果から、粗化めっき層の厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下であると、伝送損失を低減して高周波特性を向上させつつ、所定のピール強度を維持できることを確認した。
【０１１６】
＜めっき層の厚さの評価＞
以上の結果から、めっき層の厚さの下限値は０．４μｍとなることを確認した。また、めっき層の上限値は、上述したように電気信号の周波数によって決まる。すなわち、プリント配線板の導体として粗化銅箔を用いる場合、めっき層の上限値は６．３／（ｆ）１／２μｍとなる。例えば、電気信号の基本周波数が３ＧＨｚである場合、第３高調波まで考慮すると、図４からめっき層の上限値は２μｍであると良い。また、上述したように粗化めっき層の厚さの下限値は０．２μｍであるため、基本周波数が３ＧＨｚである場合、下地めっき層の厚さの上限値は１．８μｍとなる。
【０１１７】
［表面粗さの評価］
次に、実施例１〜１１及び比較例１〜５の各試料のめっき層の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）と高周波特性との関係についての評価を行った。図７に、実施例２，６，８及び比較例３の各試料のめっき層の表面粗さ（Ｒｚ）と伝送損失との関係をグラフ図で示す。なお、図７では、実施例２，６，８及び比較例３の各試料の伝送損失は、比較例５の伝送損失に対する比率（伝送損失比）で示している。
【０１１８】
実施例２、実施例６、実施例８及び比較例３の各試料はそれぞれ、基材の総合配向率が９０％であるが、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が異なっている。図７から、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が小さくなるにつれて、伝送損失が低減することを確認した。例えば、実施例２の試料では、伝送損失を比較例５の試料と同程度まで低減させつつ、比較例５の試料よりもピール強度が高くなることを確認した。
【０１１９】
これに対し、比較例３から、基材の総合配向率が８０％以上である場合、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が１．２μｍを超えると、比較例５の試料と比べ、電気信号の伝送距離が長くなってしまい、伝送損失が増加することを確認した。また、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ未満である場合、所定のピール強度（例えば１Ｎ／ｍｍ以上）を維持できないことを確認した。
【０１２０】
以上の結果から、基材の総合配向率が８０％以上である場合、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上１．２μｍ以下であると、伝送損失を低減しつつ、所定のピール強度（例えば１Ｎ／ｍｍ以上）を維持できることを確認した。
【０１２１】
また、図８に、実施例９〜１１及び比較例１の各試料のめっき層の表面粗さ（Ｒｚ）と伝送損失との関係をグラフ図で示す。なお、図８では、実施例９〜１１及び比較例１の各試料の伝送損失は、比較例５の伝送損失に対する比率（伝送損失比）で示している。実施例９〜１１及び比較例１の各試料はそれぞれ、基材の総合配向率が５０％であるが、粗化銅箔のめっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が異なっている。図８から、基材の総合配向率が５０％である場合、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が０．６μｍ以上０．８μｍ以下であれば、伝送損失を比較例５の試料と同程度以下に低減させつつ、比較例５の試料よりもピール強度が高くなることを確認した。
【０１２２】
［下地めっき層の形成に用いられるめっき液の評価］
次に、添加剤入り下地めっき液を用いて形成した下地めっき層についての評価を行った。図９に、実施例１，５，７，１０及び比較例５の各試料に伝送される電気信号の周波数と伝送損失との関係をグラフ図で示す。図９から、伝送される電気信号の周波数が９ＧＨｚ以上である場合、実施例５、実施例７及び実施例１０の試料、すなわち下地めっき層を添加剤入り下地めっき液を用いて形成した試料であると、伝送損失をより低減できることを確認した。
【０１２３】
これは、下地めっき層を添加剤入り下地めっき液を用いて形成することで、最終の焼鈍処理を行う際、下地めっき層の結晶が、基材の圧延面（めっき層成長面）の結晶組織にしたがって、基材のめっき層成長面の結晶組織と一体化するようにオストワルド成長するためである。これにより、見かけ上、下地めっき層と基材との区別がなくなるとともに、下地めっき層の結晶粒が大きくなる。従って、結晶粒が小さく導体損失が大きいめっき層の厚さを薄くでき、その結果、下地めっき層での導電損失が低減できる。
【０１２４】
また、電気信号の通信速度が６Ｇｂｐｓより高速である（電気信号の基本周波数が３ＧＨｚより高い）場合、例えば第３高調波まで考慮した電気信号の周波数が２０ＧＨｚである場合、電気信号が基材にも伝送されるようにするためには、図４から、めっき層の厚さを１．４μｍ未満にする必要がことが分かる。このとき、下地めっき層を添加剤入りめっき液を用いて形成されていると、ラミネート加工により最終の焼鈍処理が行われる際、下地めっき層がオストワルド成長する。従って、下地めっき層は、基材である圧延銅箔と同様の結晶粒径及び結晶配向となり、見かけ上、下地めっき層は基材と一体化する。その結果、結晶粒が小さく導体損失が大きいめっき層の厚さを考慮する際に、下地めっき層の厚さを考慮する必要がなくなる。すなわち、電気信号の通信速度が６Ｇｂｐｓより高速である（電気信号の基本周波数が３ＧＨｚより高い）場合、めっき層の厚さから下地めっき層の厚さを引いた厚さが１．４μｍとなるようにすれば良いことを確認した。
【０１２５】
次に、添加剤入り下地めっき液を用いて形成した下地めっき層の厚さと基材の総合配向率との関係についての評価を行った。図１０に、実施例６及び実施例９の試料の添加剤入り下地めっき液を用いて形成した下地めっき層の厚さと基材の総合配向率との関係をグラフ図で示す。基材の総合配向率の評価は、Ｘ線回折法により行った。図１０から、下地めっき層の厚さが２μｍ以下であれば、最終の焼鈍処理による加熱により基材のめっき層成長面の結晶組織が結晶成長する際、下地めっき層はオストワルド成長し、基材のめっき層成長面と下地めっき層の結晶組織が一体化することを確認した。従って、オストワルド成長した下地めっき層の結晶領域では、結晶粒が大きくなるため、オストワルド成長していないランダムな結晶方位を有し結晶粒が小さいめっき層に比べて、導体損失が非常に小さくなることを確認した。なお、添加剤入り下地めっき液を用いて形成した場合であっても、均一な粗化めっき層を形成するため、下地めっき層の厚さの下限値は、０．２μｍであると良いことを確認した。
【０１２６】
［誘電損失について］
図１１に、実効比誘電率とめっき層の表面粗さ（Ｒｚ）との関係をグラフ図で示す。図１１は、周波数が２０ＧＨｚである電気信号を伝送した場合の、実効比誘電率とめっき層の表面粗さ（Ｒｚ）との関係を示すグラフ図である。図１１から、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）が０．８μｍ以下であると、実効比誘電率が低くなり、誘電損失を低減できることを確認した。例えば電気信号の周波数が９ＧＨｚ以上の高周波領域では、実施例６〜実施例１１の試料のように、めっき層の表面粗さ（Ｒｚ）を０．６μｍ以上０．８μｍ以下とすることで、導体損失を低減させつつ、さらに各試料が備える樹脂層側の誘電損失を低減できることを確認した。なお、実効比誘電率（εｅｆｆ）は、下記に示す（式８）で定義できる。なお、下記の（式８）において、比透磁率は１とした。
【数１】
2015028197.tif 000004
ここで、θは電圧と電流との位相差であり、ｃはキャパシタンスであり、ｆは周波数であり、Ｌはインダクタンスである。
【符号の説明】
【０１２７】
１        粗化銅箔
２        基材
３        めっき層
４        下地めっき層
５        粗化めっき層
【図１】
2015028197.tif 000005
【図５】
2015028197.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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