(57)【要約】【課題】  真空容器内において真空状態を維持したままで電子部品に対して加熱処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達して電子部品を加熱処理できる。【解決手段】  本発明の真空装置１０は、内部に基板２１が固定された真空容器２０と、真空容器２０の外周に配置された複数の発熱体３０と、真空容器２０を真空引きする真空ポンプ４０と、基板２１が温度Ｔｐに維持されるように複数の発熱体３０を制御する制御手段５０と、を備える。ここで、制御手段５０は、第１の期間においては複数の発熱体３０を温度Ｔ１に保持し、第２の期間においては基板２１から所定の距離ｌ以上離れた発熱体３０を温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２にすると共にその他の発熱体３０を温度Ｔ３にする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に基板が固定された真空容器と、
前記真空容器の外周に配置された複数の発熱体と、
前記真空容器を真空引きする真空ポンプと、
前記基板が温度Ｔｐに維持されるように前記複数の発熱体を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、第１の期間においては前記複数の発熱体を温度Ｔ１に保持し、第２の期間においては前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２にすると共にその他の発熱体を温度Ｔ３にすることを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記制御手段は、第２の期間において、前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度Ｔ２にする代わりに真空容器の外周から離脱させる、請求項１記載の真空装置。
【請求項３】
前記制御手段は前記真空容器の真空度を監視する機能を有し、
前記制御手段は、第１の期間において前記真空度の低下率が所定の閾値よりも小さくなった時、第２の期間に入ったと判断する、
請求項１または２記載の真空装置。
【請求項４】
前記制御手段は、第２の期間において前記真空度が目標値に達した時、前記基板が温度Ｔｐよりも高い温度Ｔｑに維持されるように前記その他の発熱体を温度Ｔ４に保持する、請求項３記載の真空装置。
【請求項５】
前記真空容器の外周に配置され、動作時に前記真空容器を冷却する冷却手段をさらに備え、
前記制御手段は、第１の期間において前記冷却手段を動作させず、第２の期間において前記冷却手段を動作させる、
請求項１乃至４のいずれか１項記載の真空装置。
【請求項６】
外周に複数の発熱体が配置されると共に内部に基板が固定された真空容器を備えた真空装置を用いた真空処理方法であって、
前記基板上に被処理体が配置された状態で前記真空容器を稼働し、
第１の期間において、前記基板が温度Ｔｐに維持されるように、前記複数の発熱体を温度Ｔ１に保持し、
第２の期間において、前記基板が温度Ｔｐに維持されるように、前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２にすると共にその他の発熱体を温度Ｔ３にし、
前記真空容器の真空度が目標値に到達した場合、前記基板が温度Ｔｐよりも高い温度Ｔｑに維持されるように、前記その他の発熱体を温度Ｔ４に保持すると共に前記被処理体を処理する、
真空処理方法。
【請求項７】
第２の期間において、前記基板から所定の距離以上離れた発熱体を、温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２にする代わりに真空容器の外周から離脱させる、請求項６記載の真空処理方法。
【請求項８】
電子部品およびパッケージを被処理体として真空容器の基板上に配置し、請求項６または７記載の真空処理方法によって、前記電子部品をパッケージ内に真空封止処理して形成された、電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空容器内において真空状態を維持したまま電子デバイスに対して加熱処理を行うことができる真空装置、真空処理方法および該真空処理方法によって形成された電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線センサー、ジャイロセンサー、温度センサー、圧力センサー、加速度センサー等の電子部品をパッケージ内に真空封止した電子デバイスが実用化されている。例えば、夜間のセキュリティ用監視カメラや、温度分布を割り出して表示するサーモグラフィなどに用いられる赤外線センサー封止パッケージは、赤外線センサーを高い真空度でパッケージ内に封止することによって形成される。
【０００３】
赤外線センサー封止パッケージ等の電子デバイスは、真空容器内において電子部品を加熱処理し、パッケージ内に真空封止する。電子部品をパッケージ内に真空封止する技術は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２０１０／０９５３６７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、真空容器内において真空状態を維持したままで電子部品に対して加熱処理を行う場合、真空容器の温度が高くなり、真空容器内面に付着した水蒸気や酸素が真空容器内に放出されるため、目標の真空度に到達するまでに長い時間を要する。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、真空容器内において真空状態を維持したままで電子部品に対して加熱処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達して電子部品を加熱処理できる、真空装置、真空処理方法および該真空処理方法によって形成された電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明に係る真空装置は、内部に基板が固定された真空容器と、真空容器の外周に配置された複数の発熱体と、真空容器を真空引きする真空ポンプと、基板が温度Ｔｐに維持されるように複数の発熱体を制御する制御手段と、を備える。ここで、制御手段は、第１の期間においては複数の発熱体を温度Ｔ１に保持し、第２の期間においては基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２にすると共にその他の発熱体を温度Ｔ３にする。
【０００８】
上記目的を達成するために本発明に係る真空処理方法は、外周に複数の発熱体が配置されると共に内部に基板が固定された真空容器を備えた真空装置を用いた真空処理方法であって、基板上に被処理体が配置された状態で真空容器を稼働し、第１の期間において、基板が温度Ｔｐに維持されるように、複数の発熱体を温度Ｔ１に保持し、第２の期間において、基板が温度Ｔｐに維持されるように、基板から所定の距離以上離れた発熱体を温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２にすると共にその他の発熱体を温度Ｔ３にし、真空容器の真空度が目標値に到達した場合、基板が温度Ｔｐよりも高い温度Ｔｑに維持されるように、その他の発熱体を温度Ｔ４に保持すると共に被処理体を処理する。
【０００９】
上記目的を達成するために本発明に係る電子デバイスは、電子部品およびパッケージを被処理体として真空容器の基板上に配置し、上記の真空処理方法によって、電子部品をパッケージ内に真空封止処理して形成される。
【発明の効果】
【００１０】
上述した本発明の態様によれば、真空容器内において真空状態を維持したままで電子部品に対して加熱処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達して電子部品を加熱処理できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る真空装置１０の、（ａ）断面図、（ｂ）真空度と温度の経時変化を示した図である。
【図２】第２の実施形態に係る真空装置１００の断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る真空装置１００の真空度と温度の経時変化を示した図である。
【図４】発熱体に対して同一の制御を行った場合の真空度と温度の経時変化を示した図である。
【図５】第２の発熱体群３２０が着脱可能に配置された真空装置１００の断面図である。
【図６】第３の実施形態に係る真空装置１００Ｂの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。本実施形態に係る真空装置の断面図を図１（ａ）に示す。図１（ａ）において、真空装置１０は、真空容器２０、複数の発熱体３０、真空ポンプ４０および制御手段５０を備える。
【００１３】
真空容器２０は、外周に複数の発熱体３０が配置されると共に、内部に基板２１が固定されている。真空容器２０の一端には真空ポンプ４０が連結され、真空ポンプ４０によって内部の空気が真空引きされる。ここで、図１（ａ）に示すように、基板２１から所定の距離ｌ以内の発熱体３０を発熱体３０ａとし、その他の発熱体３０を発熱体３０ｂとする。
【００１４】
制御手段５０は、真空容器２０の真空度および基板２１の温度に基づいて、複数の発熱体３０を制御する。具体的には、制御手段５０は、基板２１が温度Ｔｐに維持されるように、発熱体３０を制御する。
【００１５】
制御手段５０の動作を図１（ｂ）を用いて詳細に説明する。図１（ｂ）において、実線が真空容器２０の真空度、点線が基板２１の温度、一点鎖線が基板２１から所定の距離ｌ以内である発熱体３０ａの制御温度、二点鎖線がその他の発熱体３０ｂの制御温度である。
【００１６】
図１（ａ）、（ｂ）において、制御手段５０は、基板２１の上に図示しない被処理体を配置した状態で真空ポンプ４０による真空引きを開始した後、第１の期間においては、基板２１が温度Ｔｐに維持されるように発熱体３０を温度Ｔ１に保持する。例えば、制御手段５０が発熱体３０を３００℃程度の高温に保持する、これによって、真空容器２０の温度が上昇し、真空容器２０内に付着している水蒸気や酸素などが放出ガスとして真空容器２０内に放出され、放出ガスが真空ポンプ４０によって真空容器２０外へ排出される。
【００１７】
そして、第１の期間において真空容器２０の真空度の低下率が所定の閾値よりも小さくなった時、制御手段５０は第２の期間に入ったと判断し、基板２１が温度Ｔｐに維持されるように、基板２１からの距離が距離ｌより大きい発熱体３０ｂを温度Ｔ１よりも小さい温度Ｔ２まで変化させると共に基板２１からの距離が距離ｌ以内の発熱体３０ａを温度Ｔ３まで上昇させる。
【００１８】
すなわち、真空ポンプ４０が能力限界に近づくことによって真空度の低下が鈍くなった場合、基板２１近傍の発熱体３０ａの温度を高くする一方、その他の発熱体３０ｂの温度を低くすることによって、基板２１を温度Ｔｐに維持する。これにより、真空容器２０の温度が低下して放出ガスの発生が抑制され、真空度が再び低下するようになる。
【００１９】
そして、制御手段５０は、第２の期間において真空容器２０の真空度が目標の真空度Ｐｔに到達した時、第３の期間に入ったと判断する。制御手段５０は、第３の期間においては、基板２１の温度が処理温度Ｔｑ（＞Ｔｐ）に維持されるように、発熱体３０ａを温度Ｔ３から温度Ｔ４に上昇させる。そして、基板２１の温度が処理温度Ｔｑに維持された状態で、基板２１の上に配置された被処理体に対して真空封止等の処理を施す。
【００２０】
以上のように、本実施形態に係る真空装置１０は、第１の期間においては全ての発熱体３０を動作させて速やかに真空度を低下させる。そして、真空度の低下率が所定の閾値よりも小さくなった時、真空装置１０は、基板２１から離れた発熱体３０ｂの温度を下げる一方、基板２１近傍の発熱体３０ａの温度を上昇させることによって、基板２１の温度を温度Ｔｐに維持したまま、真空容器２０の温度を低下させて真空度を低下させることができる。
【００２１】
従って、本実施形態に係る真空装置１０は、真空容器２０内において真空状態を維持したままで被処理体に対して処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達させて、被処理体を処理することができる。
【００２２】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。本実施形態に係る真空装置の断面図を図２に示す。図２において、真空装置１００は、真空容器２００、８つの発熱体３００ａ−３００ｈ、真空ポンプ４００、および、図２には図示しない制御部５００から成る。
【００２３】
真空容器２００は、長筒状に形成された中空容器であり、内部には電子デバイスを置くためのプレート２１０が溶接またはネジによって固定されている。
【００２４】
発熱体３００は、例えば、棒状に形成されたカートリッジヒータを適用することができ、それぞれ独立して温度制御される。発熱体３００としては、例えば、カートリッジヒータ、セラミックヒータ、ニクロム線等を適用することができる。
【００２５】
本実施形態では、８つの発熱体３００ａ−３００ｈが、真空容器２００の外周上に等間隔で固定されている。そして、発熱体３００ａは真空容器２００の内部に固定されているプレート２１０の真上に位置するように固定され、発熱体３００ｅはプレート２１０の真下に位置するように固定されている。また、発熱体３００ｃ、３００ｇがプレート２１０のほぼ真横に位置するように、発熱体３００ｂ、３００ｈがプレート２１０の斜め上方に位置するように、発熱体３００ｄ、３００ｆがプレート２１０の斜め下方に位置するように、それぞれ真空容器２００の外周上に固定されている。
【００２６】
以下、プレート２１０の近くに位置している発熱体群を第１の発熱体群３１０と定義し、プレート２１０から離れた位置に位置している発熱体群を第２の発熱体群３２０と定義する。本実施形態では、第１の発熱体群３１０は、発熱体３００ｃ、３００ｄ、３００ｆ、３００ｇによって構成され、第２の発熱体群３２０は、発熱体３００ａ、３００ｂ、３００ｅ、３００ｈによって構成される。
【００２７】
真空ポンプ４００は、真空容器２００の一端に配置され、真空容器２００内の空気を真空引きする。真空ポンプ４００としては、例えば、ロータリポンプ、ドライポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、イオンポンプ、クライオポンプ等を適用することができる。
【００２８】
制御部５００（不図示）は、発熱体３００および真空ポンプ４００を制御する。本実施形態に係る制御部５００は、第１の発熱体群３１０と第２の発熱体群３２０とをそれぞれ独立に制御する。以下、制御部５００の動作および機能について図３を用いて詳細に説明する。
【００２９】
図３は、真空度と温度の経時変化を示したグラフである。実線が真空容器２００内の真空度、点線がプレート２１０の温度、一点鎖線が第１の発熱体群３１０の制御温度、二点鎖線が第２の発熱体群３２０の制御温度である。
【００３０】
制御部５００は、プレート２１０上に処理対象の電子デバイスＡが配置された状態で、真空ポンプ４００を動作させて真空容器２００の真空引きを開始し、同時に、第１の発熱体群３１０（発熱体３００ｃ、３００ｄ、３００ｆ、３００ｇ）および第２の発熱体群３２０（発熱体３００ａ、３００ｂ、３００ｅ、３００ｈ）の温度を上昇させる。
【００３１】
発熱体３００を加熱制御した状態で真空ポンプ４００を動作させることによって、真空容器２００の温度が上昇し、それに伴って、真空容器２００内面からガス分子が放出されて真空ポンプ４００によって真空容器２００の外部に排出される。すなわち、真空容器２００の真空度が低下する。制御部５００は、真空引き開始時には、全ての発熱体３００ａ−３００ｈを加熱制御することによって真空容器２１０の温度を速やかに上昇させ、ガス分子を一気に放出・排除することにより、真空容器２００の真空度を速やかに低下させる。
【００３２】
制御部５００は、プレート２１０の温度が待機温度Ｔｐになった時、発熱体３００ａ−３００ｈの温度を一定に保つ。本実施形態において、制御部５００は、発熱体３００ａ−３００ｈを温度Ｔ１に維持する。これにより、プレート２１０の温度が待機温度Ｔｐに維持されると共に、真空容器２１０も一定温度に維持される。真空容器２１０の温度が一定である状態においては、真空容器２００内面から放出されるガス分子の量も一定となり、真空容器２００の真空度の低下率が徐々に小さくなる。そして、時間ｔ１において真空ポンプ２１０の排気能力の限界に到達することによって、真空度が一定値（Ｐｓ）になる。
【００３３】
制御部５００は、真空ポンプ２１０の真空度が一定値（Ｐｓ）になった時（時間ｔ１）、プレート２１０から離れた位置に位置している第２の発熱体群３２０（発熱体３００ａ、３００ｂ、３００ｅ、３００ｈ）への加熱制御を停止すると共に、プレート２１０の温度が待機温度Ｔｐに維持されるように、プレート２１０の近くに位置している第１の発熱体群３１０（発熱体３００ｃ、３００ｄ、３００ｆ、３００ｇ）を加熱制御する。
【００３４】
第２の発熱体群３２０は、加熱制御が停止されることによって徐々に初期温度Ｔ０まで低下する。ここで、本実施形態では初期温度Ｔ０が請求項の温度Ｔ２に相当する。一方、第１の発熱体群３１０は、プレート２１０の近くに位置していることから、温度をそれほど高くしなくてもプレート２１０の温度を待機温度Ｔｐに維持することができる。従って、真空容器２００の温度が徐々に低下する。真空容器２００の温度低下に伴って真空容器２００内面から放出されるガス分子の量が減少し、真空容器２００の真空度が再び低下し始める。
【００３５】
制御部５００は、第２の発熱体群３２０の温度が初期温度Ｔ０まで低下したら（時間ｔ２）、第１の発熱体群３１０をその時の温度Ｔ３に維持する。
【００３６】
そして、真空容器２００の真空度が目標の真空度Ｐｔに到達した時（時間ｔ３）、制御部５００は、第１の発熱体群３１０の温度を温度Ｔ４まで上昇させることによってプレート２１０の温度を作業温度Ｔqまで上昇させ、プレート２１０上に予め配置された電子デバイスＡを加熱処理する。制御部５００は、電子デバイスＡへの加熱処理が終了したら（時間ｔ４）、第１の発熱体群３１０への加熱制御を停止する。これによって真空容器２００の温度が低下し、真空容器２００の真空度が低下する。なお、実験の結果から、「Ｔｐ＝２００℃、Ｔｑ＝２５０℃」である場合、上述の構成においては「Ｔ１＝３００℃、Ｔ３＝３３０℃、Ｔ４＝３５０℃」の時に最も効果的な結果を得ることができた。
【００３７】
ここで、比較のために、制御部５００’が８つの発熱体３００−３００ｈを全て同じように温度制御した場合の、真空度と温度の経時変化を示したグラフを図４に示す。図３と同様に、真空容器２００内の真空度を実線で、プレート２１０の温度を点線で示す。また、８つの発熱体３００−３００ｈの制御温度を一点鎖線で示す。
【００３８】
図４に示すように、制御部５００’は、真空ポンプ４００を動作させて真空容器２００の真空引きを開始し、同時に、８つの発熱体３００−３００ｈを温度Ｔ１まで上昇させて、プレート２１０の温度を待機温度Ｔｐに維持する。これにより、図３と同様に、真空容器２００内面からガス分子が一気に放出・排除されて真空容器２００の真空度が速やかに低下する。その後、真空ポンプ２１０の排気能力の限界に到達することによって、真空度が限界値からあまり下がらなくなる。８つの発熱体３００ａ−３００ｈをそのまま温度Ｔ１に維持する場合、真空容器２００の真空度は大きく改善されることがない。
【００３９】
そして、真空容器２００の真空度が目標の真空度Ｐ’ｔに到達した時（時間ｔ５）、制御部５００’は、８つの発熱体３００−３００ｈの温度を温度Ｔ’４まで上昇させることによってプレート２１０の温度を作業温度Ｔqに上昇させ、プレート２１０上に予め配置された電子デバイスＡを加熱処理する。
【００４０】
図４から分かるように、８つの発熱体３００ａ−３００ｈを全て同じように加熱制御する場合、十分な真空度を得ることができないと共に、目標の真空度に達するまで長時間にわたって発熱体３００ａ−３００ｈおよび真空ポンプ４００を稼働させる必要があり、生産性が悪い。
【００４１】
これに比べて本実施形態に係る真空装置１００は全ての発熱体３００ａ−３００ｈを加熱制御して速やかに真空度を下げた後で真空度の低下が小さくなった時、プレート２１０から離れた位置に位置している第２の発熱体群３２０への加熱制御を停止して、プレート２１０の近くに位置している第１の発熱体群３１０のみを稼働させる。プレート２１０の近くに位置している発熱体３００のみを稼働させることによって、効率よくプレート２１０の温度を温度Ｔｐに維持できて発熱コストを削減することができると共に、真空容器２００の温度が低下して真空容器２００からの放出されるガス分子の量が減少し、真空容器２００の真空度を目標の真空度Ｐｔまで低下させることができる。
【００４２】
従って、本実施形態に係る真空装置１００は、真空容器２００内において真空状態を維持したままで電子デバイスＡに対して加熱処理を行う場合においても、速やかに目標の真空度に到達して電子デバイスＡを加熱処理することができる。
【００４３】
なお、上述の実施形態では、８つの発熱体３００ａ−３００ｈを全て真空容器２００の外周上に固定したが、これに限定されない。例えば、真空度の低下用にのみ使用する第２の発熱体群３２０（発熱体３００ａ、３００ｂ、３００ｅ、３００ｈ）を真空容器２００の外周上に着脱可能に配置することもできる。第２の発熱体群３２０を真空容器２００の外周上に着脱可能に配置した時の断面図を図５に示す。
【００４４】
この場合、制御部５００は、真空ポンプ２１０の真空度が一定値（Ｐｓ）になった時（図３の時間ｔ１）、図５に図示しないモータやエアシリンダ等を駆動して第２の発熱体群３２０（発熱体３００ａ、３００ｂ、３００ｅ、３００ｈ）を真空容器２００から取り外すと共に、プレート２１０の温度が待機温度Ｔｐに維持されるように、第１の発熱体群３１０（発熱体３００ｃ、３００ｄ、３００ｆ、３００ｇ）を加熱制御する。なお、第１の発熱体群３１０が温度Ｔ３に保持された後の動作は、図３において説明した前述の動作と同じである。
【００４５】
プレート２１０から離れた位置に位置している第２の発熱体群３２０を着脱可能に配置し、真空度が一定値（Ｐｓ）になった時に第２の発熱体群３２０を真空容器２００から取り外す場合、第２の発熱体群３２０を真空容器２００上に配置させた状態で第２の発熱体群３２０への加熱制御を停止する場合と比較して、真空容器２００の温度を速やかに低下させることができる。従って、真空容器２００内面から放出されるガス分子の量が速やかに減少し、短時間で真空容器２００の真空度が目標の真空度Ｐｔに到達する。
【００４６】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について説明する。本実施形態に係る真空装置の断面図を図６に示す。図６において、真空装置１００Ｂは、真空容器２００Ｂ、８つの発熱体３００Ｂａ−３００Ｂｈ、真空ポンプ４００Ｂ、６本の冷却管６００Ｂａ−６００Ｂｆ、および、図示しない制御部５００Ｂから成る。
【００４７】
本実施形態に係る真空装置１００Ｂは、第２の実施形態で説明した図２の真空容器２００の外周に、さらに、６本の冷却管６００Ｂａ−６００Ｂｆを配置することによって形成される。
【００４８】
冷却管６００Ｂは、内部に水や空気が流れる管であり、冷却管６００Ｂ内を水や空気が流れることによって真空容器２００Ｂが冷却される。本実施形態において、冷却管６００Ｂは、真空容器２００Ｂの外周上のプレート２１０Ｂから離れた領域において、発熱体３００Ｂと交互に配置される。具体的には、プレート２１０Ｂに近い、発熱体３００Ｂｃ−３００Ｂｄ間、発熱体３００Ｂｆ−３００Ｂｇ間には、冷却管６００Ｂは配置されない。
【００４９】
真空装置１００Ｂの動作について説明する。第２の実施形態で説明した真空装置１００と同様に、制御部５００Ｂは、プレート２１０Ｂ上に処理対象の電子デバイスＡが配置された状態で、真空ポンプ４００Ｂを動作させて真空容器２００Ｂの真空引きを開始し、発熱体３００Ｂａ−３００Ｂｈを温度Ｔ１まで上昇させる。これにより、真空容器２００Ｂの真空度が速やかに低下する。
【００５０】
そして、発熱体３００Ｂａ−３００Ｂｈが温度Ｔ１に維持された状態で、真空ポンプ２１０Ｂの排気能力が限界に到達した時、制御部５００Ｂは、プレート２１０Ｂから離れた所に配置されている発熱体３００Ｂａ、３００Ｂｂ、３００Ｂｅ、３００Ｂｈへの加熱制御を停止すると共にプレート２１０Ｂの近くに配置されている発熱体３００Ｂｃ、３００Ｂｄ、３００Ｂｆ、３００Ｂｇの温度をＴ３に上昇させることによって、プレート２１０Ｂの温度を温度Ｔｐに維持する。制御部５００Ｂはこの時さらに、６本の冷却管６００Ｂａ−６００Ｂｆへの水または空気の流入を開始して、真空容器２００Ｂの強制冷却を開始する。
【００５１】
これにより、プレート２１０Ｂの温度を温度Ｔｐに維持したまま、真空容器２００Ｂの温度を十分に低下させることができる。真空容器２００Ｂの温度が低下するのに伴い、真空容器２００Ｂの真空度も低下する。
【００５２】
制御部５００Ｂは、真空容器２００Ｂの真空度が目標の真空度Ｐｔに到達した時、プレート２１０Ｂの近くに位置している発熱体３００Ｂｃ、３００Ｂｄ、３００Ｂｆ、３００Ｂｇを上昇させることによってプレート２１０Ｂの温度を作業温度Ｔqまで上昇させ、プレート２１０Ｂ上に配置された電子デバイスＡへの加熱処理を実施する。制御部５００Ｂは、電子デバイスＡへの加熱処理が終了した後、発熱体３００Ｂｃ、３００Ｂｄ、３００Ｂｆ、３００Ｂｇの加熱制御を停止すると共に冷却管６００Ｂａ−６００Ｂｆへの水または空気の流入を停止する。
【００５３】
以上のように、本実施形態に係る真空装置１００Ｂは、真空容器２００Ｂ内において真空状態を維持したままで電子デバイスＡに対して加熱処理を行う場合においても、プレート２１０Ｂから離れた所に配置されている発熱体３００Ｂへの加熱制御を停止するのと並行して、冷却管６００Ｂによる真空容器２００Ｂの強制冷却を行うことによって、速やかに目標の真空度に到達させて電子デバイスＡを加熱処理することができる。
【００５４】
本願発明に係る真空装置は、真空中での加熱処理を必要とする工程に適用することができ、特に、赤外線パッケージを真空封止する工程に適用することができる。なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
【符号の説明】
【００５５】
１０    真空装置
２０    真空容器
２１    基板
３０    発熱体
４０    真空ポンプ
５０    制御手段
１００、１００Ｂ    真空装置
２００、２００Ｂ    真空容器
２１０、２１０Ｂ    プレート
３００、３００Ｂ    発熱体
４００、４００Ｂ    真空ポンプ
５００、５００Ｂ    制御部
６００Ｂ    冷却管
【図１】
2015069991.tif 000003
【図２】
2015069991.tif 000004
【図３】
2015069991.tif 000005
【図４】
2015069991.tif 000006
【図５】
2015069991.tif 000007
【図６】
2015069991.tif 000008