(57)【要約】【課題】結合過程で発生する応力を効果良く緩衝することができるソルダーボール及び、該ソルダーボールを用いる結合過程を経てもクラックによる不良率を減少させることができる回路基板を提供する。【解決手段】本発明のソルダーボールは、２０〜１１０℃で液状を維持する物質からなるコア１１０と、２７０℃以下の温度で固体状を維持する物質からなる中間層１２０と、融点が２３０〜２７０℃の物質からなる表面層１３０とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２０〜１１０℃で液状を維持する物質からなるコアと、
２７０℃以下の温度で固体状を維持する物質からなる中間層と、
融点が２３０〜２７０℃の物質からなる表面層と
を含むソルダーボール。
【請求項２】
前記中間層を成す物質は、２０〜２７０℃の温度条件で前記コアを成す物質と金属間化合物を形成しない金属である、請求項１に記載のソルダーボール。
【請求項３】
前記中間層を成す物質は、２０〜２７０℃の温度条件で前記表面層を成す物質と金属間化合物を形成しない金属である、請求項２に記載のソルダーボール。
【請求項４】
前記中間層を成す物質は、２０〜２７０℃の温度条件で前記表面層を成す物質と金属間化合物を形成しない金属である、請求項１に記載のソルダーボール。
【請求項５】
前記コアを成す物質には、Ｇａ及びＣｓよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１に記載のソルダーボール。
【請求項６】
前記コアを成す物質には、Ｇａ−Ａｌ、Ｇａ−Ｂｉ、Ｇａ−Ｉｎ、Ｇａ−Ｓｎ、Ｇａ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ及びＢｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ−Ｔｉよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１に記載のソルダーボール。
【請求項７】
前記コアを成す物質には、Ｇａ、Ｃｓ、Ｇａ−Ａｌ、Ｇａ−Ｂｉ、Ｇａ−Ｉｎ、Ｇａ−Ｓｎ、Ｇａ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ、ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ及びＢｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ−Ｔｉよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれ、
前記中間層を成す物質は、Ａｌ、Ｚｎ及びＰｂよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１に記載のソルダーボール。
【請求項８】
前記表面層を成す物質には、Ｓｎが含まれる、請求項７に記載のソルダーボール。
【請求項９】
請求項１に記載のソルダーボールが少なくとも一面に設けられ、導電パターンを含む回路基板。
【請求項１０】
前記ソルダーボールには、能動素子、受動素子、印刷回路基板及び半導体パッケージよりなる群から選ばれる少なくとも一つが結合される、請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
第１の金属からなるコア、第２の金属からなる中間層、第３の金属からなる表面層を含み、
前記第１の金属と前記第２の金属は、２０〜２７０℃の温度条件で金属間化合物を形成しない物質からなるソルダーボール。
【請求項１２】
前記コアは、２０〜１１０℃で液状を維持する物質からなり、
前記中間層は、２７０℃以下の温度で固体状を維持する物質からなり、
前記表面層は、融点が２３０〜２７０℃の物質からなる、請求項１１に記載のソルダーボール。
【請求項１３】
前記中間層は、前記コアの外部を囲むように設けられ、
前記表面層は、前記中間層を囲むように設けられる、請求項１２に記載のソルダーボール。
【請求項１４】
前記コアを成す物質には、Ｇａ、Ｃｓ、Ｇａ−Ａｌ、Ｇａ−Ｂｉ、Ｇａ−Ｉｎ、Ｇａ−Ｓｎ、Ｇａ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ及びＢｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ−Ｔｉよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれ、
前記中間層を成す物質には、Ａｌ、Ｚｎ及びＰｂよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１１に記載のソルダーボール。
【請求項１５】
前記表面層を成す物質には、Ｓｎが含まれる、請求項１４に記載のソルダーボール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、ソルダーボール及びこれを含む回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートホン、タブレット型ＰＣ、ノートパソコンなど各種電子製品の小型化、スリム化、軽量化の傾向に伴って、電子製品内に搭載される回路基板、ＣＰＵ、通信チップ、メモリー素子など各種電子部品も小型化されている。また、電子部品の高性能化によって、素子または配線などの密度がより一層高くなっている。
【０００３】
また、回路基板にパッケージ部品などの電子部品を取り付けたり、該回路基板間を繋げるのに活用されるバンプ形成工程も、新しいパラダイムの技術として要求されて来ている。
【０００４】
従来の半導体用フリップチップ基板（Ｆｉｌｐ  ｃｈｉｐ  ＰＣＢ）のバンプ形成工程には、ソルダーペースト（ＳＰ：Ｓｏｌｄｅｒ  Ｐａｓｔｅ）を用いる印刷工法が主に活用されていた。このような印刷工法は、小さな金属粉末と有機物が混合されたフラックス（Ｆｌｕｘ）とが混合したペースト形態のソルダーペーストを用いる。
【０００５】
しかし、バンプピッチの微細化の傾向に伴って、ソルダーペーストの印刷時、フラックスの拡がりによってバンプブリッジが発生するという不都合がある。
【０００６】
そのため、マイクロボール搭載工法（Ｍｉｃｒｏ−ｂａｌｌ  ｍｏｕｎｔｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）が提案されている。このようなマイクロボール搭載工法は、微細バンプピッチの具現に有利で、且つバンプの大きさや高さの均一性が高いという長所がある。
【０００７】
また、このマイクロボールは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕなどの造成を有する物質で構成され、この物質はソルダーペーストまたはソルダーボールを具現することにも広く活用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特開第６７５６６８７号明細書
【特許文献２】米国特開第４４６３０５９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、ストレスに脆弱なシリコーン台などの電子部品が上述の物質からなる従来のソルダーボールに結合される場合、シリコーン台などの電子部品にクラックが発生することがある。
【００１０】
そこで、結合過程で発生する応力を効果良く緩衝することができる手段の開発要求が高くなっている。
【００１１】
本発明の一態様は、結合過程で発生する応力を効果良く緩衝することができるソルダーボールを提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の態様は、ソルダーボールを用いる結合過程を経てもクラックによる不良率を減少させることができる回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を解決するために、本発明の一形態によるソルダーボールは、２０〜１１０℃で液状を維持する物質からなるコアと、２７０℃以下の温度で固体状を維持する物質からなる中間層と、融点が２３０〜２７０℃の物質からなる表面層とを含む。
【００１４】
一形態において、前記中間層を成す物質は、２０〜２７０℃の温度条件で前記コアを成す物質と金属間化合物を形成しない金属である。
【００１５】
また、一形態において、前記中間層を成す物質は、２０〜２７０℃の温度条件で前記表面層を成す物質と金属間化合物を形成しない金属である。
【００１６】
また、一形態において、前記中間層を成す物質は、２０〜２７０℃の温度条件で前記表面層を成す物質と金属間化合物を形成しない金属である。
【００１７】
また、一形態において、前記コアを成す物質には、Ｇａ及びＣｓよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる。
【００１８】
また、一形態において、前記コアを成す物質には、Ｇａ−Ａｌ、Ｇａ−Ｂｉ、Ｇａ−Ｉｎ、Ｇａ−Ｓｎ、Ｇａ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ及びＢｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ−Ｔｉよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる。
【００１９】
また、一形態において、前記コアを成す物質には、Ｇａ、Ｃｓ、Ｇａ−Ａｌ、Ｇａ−Ｂｉ、Ｇａ−Ｉｎ、Ｇａ−Ｓｎ、Ｇａ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ及びＢｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ−Ｔｉよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれ、前記中間層を成す物質には、Ａｌ、Ｚｎ及びＰｂよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる。
【００２０】
また、一形態において、前記表面層を成す物質には、Ｓｎが含まれる。
【００２１】
本発明の他の形態による回路基板は、上記の実施形態によるソルダーボールが少なくとも一面に設けられ、導電パターンを含む。
【００２２】
また、一形態において、前記ソルダーボールには能動素子、受動素子、印刷回路基板及び半導体パッケージのうちの少なくともいずれか一つが結合される。
【００２３】
本発明のさらに他の形態によるソルダーボールは、第１の金属からなるコアと、第２の金属からなる中間層と、第３の金属からなる表面層とを含み、第１の金属及び第２の金属は、２０〜２７０℃の温度条件で金属間化合物を形成しない物質からなる。
【００２４】
一形態において、前記コアは、２０〜１１０℃で液状を維持する物質からなり、前記中間層は、２７０℃以下の温度で固体状を維持する物質からなり、前記表面層は、融点が２３０〜２７０℃の物質からなる。
【００２５】
また、一形態において、前記中間層は、前記コア外部を囲むように設けられ、前記表面層は、前記中間層を囲むように設けられる。
【００２６】
また、前記コアを成す物質には、Ｇａ、Ｃｓ、Ｇａ−Ａｌ、Ｇａ−Ｂｉ、Ｇａ−Ｉｎ、Ｇａ−Ｓｎ、Ｇａ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ及びＢｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ−Ｔｉよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれ、前記中間層を成す物質には、Ａｌ、Ｚｎ及びＰｂよりなる群から選ばれる少なくとも一つの物質が含まれる。
【００２７】
また、前記表面層を成す物質には、Ｓｎが含まれる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、ソルダーボールを用いる結合過程で発生する応力を効果良く緩衝させることができる。
【００２９】
また、本発明によれば、回路基板がソルダーボールを用いる結合過程を経てもクラックによる不良率を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態によるソルダーボールを概略的に示す断面図である。
【図２ａ】本発明の一実施形態によるソルダーボールにリフロー工程が行われる前の物質状態を示す図面である。
【図２ｂ】本発明の一実施形態によるソルダーボールにリフロー工程が遂行された場合の物質状態を示す図面である。
【図３ａ】本発明の一実施形態による回路基板を概略的に示す断面図である。
【図３ｂ】本発明の他の実施形態による回路基板を概略的に示す断面図である。
【図４ａ】ＧａとＡｌとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【図４ｂ】ＧａとＢｉとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【図４ｃ】ＧａとＩｎとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【図４ｄ】ＧａとＳｎとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【図４ｅ】ＧａとＺｎとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【図５ａ】ＣｓとＳｎとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【図５ｂ】ＢｉとＣｓとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【図５ｃ】ＩｎとＣｓとの割合及び温度別状態を概略的に示す金属状態図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下に示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
【００３２】
本明細書で使われた用語は、実施形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は文句で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で使われる「含む」とは、言及された構成要素、ステップ、動作及び／又は素子は、一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しないことに理解されたい。
【００３３】
図１は、本発明の一実施形態によるソルダーボール１００を概略的に示す断面図である。
【００３４】
図１を参照して、本発明の一実施形態によるソルダーボール１００は、コア１１０、中間層１２０及び表面層１３０を含む。
【００３５】
コア１１０はソルダーボール１００の中心に設けられ、中間層１２０はコア１１０の外部面を囲むように形成され、表面層１３０は中間層１２０を囲むように形成される。
【００３６】
一実施形態において、ソルダーボール１００はコア１１０−中間層１２０−表面層１３０からなる３階構造で具現されてもよい。
【００３７】
また、コア１１０、中間層１２０及び表面層１３０のうちの少なくともいずれか一つは略球状または楕円形状を有する。
【００３８】
一実施形態において、コア１１０は、常温で液体状態を維持する物質からなる。
【００３９】
一実施形態において、中間層１２０は、相対的に高温環境でも固体状を維持する物質からなる。
【００４０】
また、表面層１３０は常温では固体状を成し、所定温度以上の高温環境では液体状態に変化する物質からなる。
【００４１】
一実施形態において、コア１１０は２０〜１１０℃で液状を維持する物質からなり、中間層１２０は２７０℃以下の温度で固体状を維持する物質からなり、表面層１３０は融点が２３０〜２７０℃の物質からなる。
【００４２】
ソルダーボール１００を用いる結合過程では、リフロー工程が行われることがある。このリフロー工程が行われることによって、結合部位に熱風が加えられ、ソルダーボール１００が２３０〜２７０℃範囲に加熱される。
【００４３】
そのため、本発明の一実施形態によるソルダーボール１００のコア１１０−中間層１２０−表面層１３０の状態は、リフロー工程前には液体−固体−固体の状態を成し、リフロー工程を経て液体−固体−液体の状態を成し、リフロー工程が終了すると、液体−固体−固体の状態、すなわちリフロー工程前の状態に戻る。
【００４４】
図２ａは、本発明の一実施形態によるソルダーボール１００にリフロー工程が行われる前の物質状態を示す図面で、図２ｂは、本発明の一実施形態によるソルダーボール１００にリフロー工程が行われた場合の物質状態を示す図面である。
【００４５】
図２ａ及び図２ｂに示すように、リフローの前及びリフロー工程の過程において、コア１１０、中間層１２０及び表面層１３０の状態が前述のように変化することが分かる。
【００４６】
前述のように、リフロー工程の間にも固体状を維持する中間層１２０が常温で液状を維持するコア１１０の外部を取り囲んでいるので、リフロー工程を進行する過程において、ソルダーボール１００及び該ソルダーボール１００に結合される電子部品に加えられる熱的衝撃による応力がソルダーボール１００によって緩和されることができる。
【００４７】
また、本発明の一実施形態によるソルダーボール１００は、リフロー工程が行われても該ソルダーボール１００内に金属間化合物（ＩＭＣ：Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）が形成されないように具現されることができる。
【００４８】
一実施形態において、２０〜２７０℃の温度条件にてコア１１０を成す物質と金属間化合物を形成しない金属によって、中間層１２０が設けられてもよい。
【００４９】
また、２０〜２７０℃の温度条件にて表面層１３０を成す物質と金属間化合物を形成しない金属によって、中間層１２０が設けられてもよい。
【００５０】
金属間化合物は、硬質（Ｂｒｉｔｔｌｅ）特性を有するものが一般的である。ソルダーボール１００に金属間化合物が形成される場合、該ソルダーボール１００の軟性が減少したり、リフロー工程が進行されるにつれ発生する応力が該ソルダーボール１００以外の位置に強く反映されることがある。
【００５１】
一方、シリコーン台などの電子部品の誘電損失を減少させるための努力が行われている。シリコーン台の誘電損失を減少させるため、多孔性Ｓｉによってシリコーン台を具現するか、Ｓｉ間の空間に空気を満たしてシリコーン台を具現することができる。ところが、そのような方式でシリコーン台を具現すると、該シリコーン台のストレスに対する耐性が相対的に弱化されることがある。
【００５２】
そのため、ストレスに対する耐性がソルダーボール１００より低いシリコーン台などの電子部品が従来の一般的なソルダーボールと結合する場合、該結合過程で発生する応力によって、電子部品にクラックが発生することがある。
【００５３】
これに対して、本発明の一実施形態によるソルダーボール１００は、前述のように、コア１１０−中間層１２０−表面層１３０の相変化特性及び金属間化合物を形成しない特性のうちの少なくともいずれか一つによって、ソルダーボール１００と結合される電子部品のクラック発生の危険性を著しく減少させることができる。
【００５４】
詳しくは、ソルダーボール１００を用いて電子部品などを結合する過程において、異種材料間の熱膨脹率の差によって発生する熱応力が効果良く緩和されることができる。
【００５５】
また、一実施形態において、コア１１０は、ＧａまたはＣｓの１成分系物質からなる。また他の実施形態において、Ｇａ−Ａｌ、Ｇａ−Ｂｉ、Ｇａ−Ｉｎ、Ｇａ−Ｓｎ、Ｇａ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ及びＢｉ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｃｄ−Ｔｉよりなる群から選ばれる物質によって構成される。
【００５６】
このような物質は、１１〜１０９℃の融点（Ｍｅｌｔｉｎｇ  ｔｅｍｐｅｒａｕｔｕｒｅ）を有する。そのため、常温環境、特に２０〜１１０℃の温度条件で液状を維持することができる。
【００５７】
また、中間層１２０を成す物質は、Ａｌ、Ｚｎ及びＰｂよりなる群から選ばれる少なくとも一つである。
【００５８】
また、表面層１３０は、Ｓｎを含む物質からなる。
【００５９】
図４ａ〜図４ｅは各々金属状態図であって、図４ａは、ＧａとＡｌとの割合及び温度別状態、図４ｂはＧａとＢｉの割合及び温度別状態、図４ｃはＧａとＩｎの割合及び温度別状態、図４ｄはＧａとＳｎの割合及び温度別状態、図４ｅはＧａとＺｎとの割合及び温度別状態を各々概略的に示す。また、図５ａ〜図５ｃは各々金属状態図であって、図５ａはＣｓとＳｎの割合及び温度別状態、図５ｂはＢｉとＣｓの割合及び温度別状態、図５ｃはＩｎとＣｓとの割合及び温度別状態を各々概略的に示す。
【００６０】
図４ａ〜図４ｅを参照すると、前述の物質によってコア１１０、中間層１２０及び表面層１３０を具現する場合、ソルダーボール１００内部に金属間化合物が形成されないことが分かる。とりわけ、ソルダーボール１００がリフロー工程によって最大温度になる２７０℃の温度下でも金属間化合物が形成されなくなる。
【００６１】
これに対して、図５ａ〜図５ｃを参照すると、Ｃｓ入り合金によってコアを具現する場合、ソルダーボール１００の内部に金属間化合物が形成されることがある。そのため、ソルダーボール１００を利用して電子部品や基板などを結合する過程で発生する応力が該ソルダーボール１００によって緩衝される程度が減少することがある。
【００６２】
図３ａは、本発明の一実施形態による回路基板２００を概略的に示す断面図で、図３ｂは、本発明の他の実施形態による回路基板２００を概略的に示す断面図である。
【００６３】
図３ａを参照して、本発明の一実施形態による回路基板２００は、前述のソルダーボール１００を含む。一実施形態において、ソルダーボール１００は、第１の基板２００の外面に設けられる第１の導電パターン２２０に接触される。この第１の導電パターン２２０は、ソルダー接続パッドであってもよい。また、ソルダーレジスト２３０が設けられることによって、第１の導電パターン２２０の少なくとも一部を露出させ、第１の基板２００の他の領域がソルダーボール１００によって汚染されるような現象を防止することができる。また、ソルダーボール１００がソルダーレジスト２３０と接触することによって、結合性がさらに堅固になることができる。
【００６４】
同図では、第１の基板２００を単に例示しているが、第１の基板２００の内部に電子部品が内蔵されるか、または第１の基板２００が多数の層状構造を成してもよい。また、多層構造の第１の基板２００には、各層ごとに導電性物質からなる回路パターンや層間接続のためのビアがさらに設けられてもよい。
【００６５】
図３ｂを参照すると、本発明の一実施形態による回路基板２００は、能動素子、受動素子、印刷回路基板３００、半導体パッケージなどの電子部品がソルダーボール１００に結合されている。詳しくは、第１の基板２００の第１の導電パターン２２０にソルダーボール１００の一側が接触され、ソルダーボール１００の他側には電子部品が結合される。
【００６６】
図３ｂでは、電子部品が第２の基板３１０及び第２の導電パターン３２０を含む印刷回路基板３００の場合を示したが、これに限定するものではなく、多様な電子部品がソルダーボール１００に結合されてもよい。
【００６７】
また、前述のシリコーン台、特に誘電損失の減少のために多孔性ＳｉまたはＳｉ間の空間に気体が充填された物質からなるシリコーン台は、電子部品の中でもストレスに対する耐性が非常に脆弱なので、前述のソルダーボール１００によって結合されることによって、クラック防止の効果をより一層奏することができる。
【００６８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６９】
１００  ソルダーボール
１１０  コア
１２０  中間層
１３０  表面層
２００  回路基板
２１０  第１の基板
２２０  第１の導電パターン
２３０  ソルダーレジスト
３００  印刷回路基板
３１０  第２の基板
３２０  第２の導電パターン
【図１】
2015168007.tif 000003
【図２ａ】
2015168007.tif 000004
【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
2015168007.tif 000007
【図４ａ】
2015168007.tif 000008
【図４ｂ】
2015168007.tif 000009
【図４ｃ】
2015168007.tif 000010
【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図５ａ】
2015168007.tif 000013
【図５ｂ】
2015168007.tif 000014
【図５ｃ】
2015168007.tif 000015