(57)【要約】【課題】エレクトロルミネッセンス表示装置の高精細化、高輝度化及び製品寿命の長期化を実現することを目的とする。【解決手段】本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、前記画素分離膜は、前記画素の外周に沿って形成された、前記発光層を前記画素毎に区分する画素区分部と、平面視で前記画素区分部から前記画素の中央に向けて突出する部分である、前記コンタクトホール上に形成された台座基礎部と、を有し、二以上の前記コンタクトホール同士が平面視で前記画素区分部を挟んで互いに隣接するように配置されることにより、前記画素区分部を挟んで互いに隣接する複数の前記台座基礎部と前記画素区分部のうち前記複数の前記台座基礎部同士の間に位置する領域とを有する台座部が構成され、前記スペーサは、前記画素分離膜の前記台座部上に配置されている、ことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、トランジスタを有する回路層と、
前記回路層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に画素毎に形成された、前記トランジスタに接続するコンタクトホールと、
前記絶縁層上に形成された、前記コンタクトホールに接続する下部電極と、
前記下部電極の上層に形成された発光層と、
前記発光層を前記画素毎に区分する画素分離膜と、
前記画素分離膜上に配置されたスペーサと、
前記スペーサ上に配置されたカラーフィルタ基板と、を有し、
前記画素分離膜は、
前記画素の外周に沿って形成された、前記発光層を前記画素毎に区分する画素区分部と、
平面視で前記画素区分部から前記画素の中央に向けて突出する部分である、前記コンタクトホール上に形成された台座基礎部と、を有し、
二以上の前記コンタクトホール同士が平面視で前記画素区分部を挟んで互いに隣接するように配置されることにより、前記画素区分部を挟んで互いに隣接する複数の前記台座基礎部と前記画素区分部のうち前記複数の前記台座基礎部同士の間に位置する領域とを有する台座部が構成され、
前記スペーサは、前記画素分離膜の前記台座部上に配置されている、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
平面視で、前記スペーサが、前記台座部内の前記コンタクトホールを頂点とする四角形よりも内側に位置する、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記台座部が４つの前記台座基礎部を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記スペーサがフォトレジストからなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、エレクトロルミネッセンス発光（electro luminescent）素子が注目を集めており、多数のエレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する、少なくとも一層の薄膜が、画素電極と対向電極とで挟まれた構造を有する。近年、このようなエレクトロルミネッセンス発光素子を有するエレクトロルミネッセンス表示装置は、画素の高精細化、高輝度化及び製品寿命の長期化が要求されている。
【０００３】
また、エレクトロルミネッセンス発光素子を有するエレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば、透明な基板、電子部品（薄膜トランジスタ）、カラーフィルタ、平坦化膜、透明電極、発光する有機層及び反射性を有する電極が積層されたボトム−エミッション型の構成が開示されている（特許文献１）。
【０００４】
また、近年、エレクトロルミネッセンス表示装置の高精細化と高輝度化の実現のため、エレクトロルミネッセンス発光素子上にカラーフィルタ基板が搭載された、トップ−エミッション型の構成も採用されている。トップ−エミッション型のエレクトロルミネッセンス表示装置においては、カラーフィルタ基板とエレクトロルミネッセンス発光素子との間隔を一定に保つために、各画素を区分するバンク状の画素分離膜上にスペーサが搭載される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００９−５２４９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、トップ−エミッション型のエレクトロルミネッセンス表示装置においては、画素の微細化に伴い、スペーサが搭載される領域を画素分離膜上に確保することが困難となる。また、スペーサが搭載される領域を画素分離膜上に確保すると、その分、画素分離膜によって囲まれた発光層の領域からなる発光領域が小さくなる。このため、電流密度の増加による発光素子の劣化と、輝度の低下を防ぐことが困難であった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、エレクトロルミネッセンス表示装置の高精細化、高輝度化及び製品寿命の長期化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板上に形成された、トランジスタを有する回路層と、前記回路層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に画素毎に形成された、前記トランジスタに接続するコンタクトホールと、前記絶縁層上に形成された、前記コンタクトホールに接続する下部電極と、前記下部電極の上層に形成された発光層と、前記発光層を前記画素毎に区分する画素分離膜と、前記画素分離膜上に配置されたスペーサと、前記スペーサ上に配置されたカラーフィルタ基板と、を有し、前記画素分離膜は、前記画素の外周に沿って形成された、前記発光層を前記画素毎に区分する画素区分部と、平面視で前記画素区分部から前記画素の中央に向けて突出する部分である、前記コンタクトホール上に形成された台座基礎部と、を有し、二以上の前記コンタクトホール同士が平面視で前記画素区分部を挟んで互いに隣接するように配置されることにより、前記画素区分部を挟んで互いに隣接する複数の前記台座基礎部と前記画素区分部のうち前記複数の前記台座基礎部同士の間に位置する領域とを有する台座部が構成され、前記スペーサは、前記画素分離膜の前記台座部上に配置されている、ことを特徴とする。
【０００９】
（２）本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、平面視で、前記スペーサが、前記台座部内の前記コンタクトホールを頂点とする四角形よりも内側に位置してもよい。
【００１０】
（３）本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）または（２）において、前記台座部が４つの前記台座基礎部を含んでいてもよい。
【００１１】
（４）本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（３）のいずれか一項において、前記スペーサがフォトレジストからなっていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明におけるエレクトロルミネッセンス表示装置は、画素区分部を挟んで互いに隣接する複数の台座基礎部と画素区分部のうち複数の台座基礎部同士の間に位置する領域とを有する台座部が構成される。これにより、本構成を有さないエレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、微細な画素を形成しても、画素分離膜によって囲まれた発光層の領域からなる発光領域を狭めることなく、画素分離膜上にスペーサが搭載される領域を確保できる。このように、十分な発光領域を確保できることにより、電流密度の増加が防がれる。このため、画素の微細化を実現しつつ、発光素子の劣化と、輝度の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示すエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図２に示すエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。
【図４】図４は図１に示すエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域の部分拡大図である。
【図５】図５は本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図６】図６は本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１５】
はじめに、本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例として説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【００１６】
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、基板である素子基板１０と、エレクトロルミネッセンス発光素子である有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、フレキシブル回路基板２と、ドライバ３と、封止膜４０と、カラーフィルタ基板５０と、を有している。
【００１７】
素子基板１０は、絶縁性の基板であって、その上面に後述する各種配線、薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される部材である。素子基板１０の上面１０ａには、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が設けられている。なお、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は複数設けられているが、説明の便宜上、図２においては詳細な図示を省略する。
【００１８】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば平面視で素子基板１０よりも小さい外周を有する表示領域Ｄに設けられており、その外側の領域には、例えばシール材ＢＭが配置されている。素子基板１０上の、表示領域Ｄに対応する領域には、図示しない駆動回路によって走査信号が加えられる複数本の制御信号線ＧＬと、図示しないデータ信号駆動ドライバによって映像信号が加えられる複数本のデータ信号線ＤＬと、図示しない電源線等の配線と、が設けられている。
【００１９】
素子基板１０の上面１０ａのうち、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されていない領域１０ａ１には、フレキシブル回路基板２が接続され、さらに、ドライバ３が設けられている。ドライバ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データを供給されるドライバである。ドライバ３は画像データを供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に、図１のデータ線を介して各画素に印加する電圧信号を供給する。
【００２０】
表示領域Ｄは、多数の画素が規則的に、例えばマトリクス状に配置されている。１つの画素の大きさは、たとえば、２本の隣接する制御信号線ＧＬと２本の隣接するデータ信号線ＤＬとで囲まれる領域の大きさに相当する。図１においては、１つの画素につき、３本の制御信号線ＧＬが配置された構成を例として示す。
【００２１】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ領域の部分拡大図である。このＩＩＩ領域は、表示領域Ｄにおける１つの画素Ｐに対応する領域である。ＩＩＩ領域の素子基板１０上には、トランジスタである薄膜トランジスタ１１を有する回路層１２と、回路層１２上に形成された絶縁層である平坦化膜１３と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、カラーフィルタ基板５０とが積層されている。
【００２２】
回路層１２は、薄膜トランジスタ１１と、薄膜トランジスタ１１上を覆う絶縁膜１１ｅと、から構成されている。薄膜トランジスタ１１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するためのトランジスタであり、素子基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート線（ゲート電極）１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄから構成されている。
【００２３】
また、図３には、回路層１２中にデータ信号線ＤＬが形成された構成を示すが、制御信号線ＧＬや図示しない配線が形成されていてもよい。
【００２４】
平坦化膜１３は、回路層１２上を覆うように形成されている。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。平坦化膜１３が回路層１２上に形成されていることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が電気的に絶縁される。
【００２５】
また、平坦化膜１３には、画素Ｐ毎に、薄膜トランジスタ１１を有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に接続するコンタクトホール３２ａが形成されている。コンタクトホール３２ａは、データ信号線ＤＬの上層に形成されていることが好ましい。
【００２６】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば図示しない反射膜を介して平坦化膜１３上に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、平坦化膜１３上に形成された下部電極３２（本実施形態では陽極）と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された上部電極（本実施形態では陰極３４）と、から概略構成されている。
【００２７】
陽極３２は、各画素Ｐに対応して、平坦化膜１３上にマトリクス状に形成されている。陽極３２は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性及び導電性を有する材料からなり、平坦化膜１３上に形成されている。また、陽極３２はコンタクトホール３２ａに接続している。このような構成を有することにより、陽極３２は薄膜トランジスタ１１に電気的に接続され、薄膜トランジスタ１１から供給される駆動電流は、陽極３２を介して有機層３３に注入される。
【００２８】
発光層は、陽極３２の上層に形成されている。発光層を有する有機層３３は陽極３２上を覆うように形成されており、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
【００２９】
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。本実施形態においては、白色光を発する有機層３３を例にして説明する。
【００３０】
各有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、バンク状の画素分離膜１４によって画素Ｐ毎に区分されている。このように画素分離膜１４によって囲まれた発光層の領域を、発光領域Ｅとする。発光領域Ｅは画素Ｐと同じ領域となる。また、画素分離膜１４の一部は、コンタクトホール３２ａ上を覆うように形成されている。
【００３１】
このように画素分離膜１４が形成されていることにより、隣接する陽極３２同士の接触が防止される。また、陽極３２と陰極３４との間の漏れ電流を防止することができる。なお、画素分離膜１４の詳細な構成については、説明の便宜上、後述する。
【００３２】
陰極３４は、発光層を有する有機層３３上を覆うように形成されている。陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する、透明な共通電極である。陰極３４は、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる。
【００３３】
陰極３４上には、例えばフォトレジストからなるスペーサ３５が、画素分離膜１４上に位置するように配置されている。スペーサ３５は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０とカラーフィルタ基板５０との距離を一定に保つために配置される。スペーサ３５は、製造工程において有機層３３にダメージを与えないために、カラーフィルタ基板５０側に設けられている。本実施形態におけるスペーサ３５は、上面３５ａの幅が下面３５ｂの幅よりも大きく形成されているが、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０とカラーフィルタ基板５０との距離を一定に保つことができるのであれば、その形状は制限されない。
【００３４】
陰極３４の上面は、封止膜４０によって覆われている。封止膜４０は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）層を有していることが好ましいが、例えばＳｉＯ層、ＳｉＯＮ層、樹脂層などを有していてもよい。また、封止膜４０は、これらの材料からなる単層膜であっても、積層膜であってもよい。
【００３５】
封止膜４０の上面は、カラーフィルタ基板５０によって覆われている。カラーフィルタ基板５０は、例えば、カラーフィルタが形成された基板であり、スペーサ３５上に配置されている。このようにスペーサ３５を介してカラーフィルタ基板５０が配置されることにより、カラーフィルタ基板５０と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の距離は一定に保たれる。なお、スペーサ３５は、各画素Ｐ単位で配置されていなくても良い。配置されるスペーサ３５の数は特に制限されないが、カラーフィルタ基板５０と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０との距離を安定して保つことができる程度の数が配置されていればよい。
【００３６】
次いで、画素分離膜１４の構成と、スペーサ３５の配置について、その詳細を説明する。図４は図１に示すエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域の部分拡大図である。なお、図４に示す領域は、図３に示したＩＩＩ領域に対応しており、図３は、図４のＩＩＩ−ＩＩＩ切断線における概略断面図でもある。なお、本図においては、説明の便宜上、カラーフィルタ基板５０の図示を省略している。
【００３７】
画素分離膜１４は、画素区分部１４ａと台座基礎部１４ｂとを有している。画素区分部１４ａは、画素Ｐの外周Ｐ１に沿って形成された、発光層を画素Ｐ毎に区分する部分である。本実施形態における画素Ｐは平面視で略矩形であるため、画素区分部１４ａは平面視で格子状の形状となる。
【００３８】
台座基礎部１４ｂは、平面視で画素区分部１４ａから画素Ｐの中央ＰＣに向けて突出する部分である。台座基礎部１４ｂは、コンタクトホール３２ａ上に位置するように形成されている。
【００３９】
二以上のコンタクトホール３２ａ同士は、平面視で画素区分部１４ａを挟んで互いに隣接するように配置されている。本実施形態においては、図４に示すように、２つのコンタクトホール３２ａが隣接するように配置された構成を例として説明する。
【００４０】
コンタクトホール３２ａがこのように配置されることにより、複数の台座基礎部１４ｂは、画素区分部１４ａを挟んで互いに隣接する。画素区分部１４ａのうち、複数の台座基礎部１４ｂ同士の間に位置する領域を領域１４ａ１とすると、領域１４ａ１と台座基礎部１４ｂを有する台座部１４ｃが構成される。すなわち、本実施形態における台座部１４ｃは、領域１４ａ１と、２つの台座基礎部１４ｂと、これら領域１４ａ１及び２つの台座基礎部１４ｂに隣接する画素区分部１４ａと、からなる。
【００４１】
スペーサ３５は、画素分離膜１４の台座部１４ｃ上に、平面視で台座部１４ｃの内側に位置するように配置されている。スペーサ３５がこのように配置されることにより、画素Ｐから発される発光がスペーサ３５によって遮られることが防がれるためである。
【００４２】
また、平面視で台座部１４ｃの内側に位置し、かつ、その複数の頂点を、台座部１４ｃ内に位置するコンタクトホール３２ａとする四角形を四角形Ｓとすると、スペーサ３５は、平面視で四角形Ｓよりも内側に位置することが好ましい。
【００４３】
本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、画素区分部１４ａを挟んで互いに隣接する複数の台座基礎部１４ｂと画素区分部１４ａのうち複数の台座基礎部１４ｂ同士の間に位置する領域１４ａ１とを有する台座部１４ｃが構成されている。このような構成を有することにより、本構成を有さないエレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、微細な画素Ｐを形成しても、発光領域Ｅを狭めることなく、スペーサ３５が搭載される領域を台座部１４ｃとして確保することができる。
【００４４】
このように十分な発光領域Ｅを確保できることにより、電流密度の増加が防がれる。このため、画素Ｐの微細化を実現しつつ、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の劣化と、輝度の低下を防ぐことができる。
【００４５】
また、スペーサ３５が平面視で四角形Ｓよりも内側に位置することにより、スペーサ３５が平面視でコンタクトホール３２ａ上を覆うことが防がれる。このため、カラーフィルタ基板５０の重量がスペーサ３５を介して台座部１４ｃに負荷されたとしても、コンタクトホール３２ａへの負荷の集中が防がれる。このため、コンタクトホール３２ａに不良が発生することが抑えられ、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の劣化を防ぐことができる。
【００４６】
また、コンタクトホール３２ａがデータ信号線ＤＬの上層に形成されていることにより、データ信号線ＤＬ、コンタクトホール３２ａ及び台座部１４ｃはスペーサ３５に対応する位置に配置される。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、より広い発光領域Ｅを確保することができる。また、データ信号線ＤＬのみならず、制御信号線ＧＬ、その他図示しない配線等がスペーサ３５に対応する位置に配置されていても、同様の効果を得ることができる。
【００４７】
次いで、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１について説明する。第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、台座部１４ｃが４つの台座基礎部１４ｂを含む点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１と異なっている。以下、台座部１４ｃの構成について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１と同様の構成についてはその説明を省略する。
【００４８】
図５は本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。第２の実施形態においては、図５に示すように、隣接する４つのコンタクトホール３２ａ同士が、平面視で画素区分部１４ａを挟んで互いに隣接するように配置されている。
【００４９】
コンタクトホール３２ａがこのように配置されることにより、４つの台座基礎部１４ｂは、画素区分部１４ａを挟んで互いに隣接する。本実施形態における台座部１４ｃは、４つの領域１４ａ１と、４つの台座基礎部１４ｂと、これら４つの領域１４ａ１に囲まれた画素区分部１４ａと、からなる。
【００５０】
また、平面視で台座部１４ｃ内に位置する４つのコンタクトホール３２ａを頂点とする四角形を四角形Ｓとすると、スペーサ３５は平面視で四角形Ｓよりも内側に位置することが好ましい。
【００５１】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、台座部１４ｃが４つの台座基礎部１４ｂを含むことにより、第１の実施形態における効果に加え、スペーサ３５が搭載される領域として、より広い領域を台座部１４ｃとして確保することができる。このため、画素Ｐが微細であっても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域Ｅを狭めることなく、スペーサ３５を配置するための十分な領域（台座部１４ｃ）を確保することができる。
【００５２】
また、第１の実施形態における構成よりも四角形Ｓの領域が大きくなるため、スペーサ３５が平面視で四角形Ｓよりも内側に配置されやすい。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、カラーフィルタ基板５０の重量がコンタクトホール３２ａへ集中することが抑えられる。のため、コンタクトホール３２ａの不良の発生による、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の劣化を防ぐことができる。
【００５３】
次いで、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１について説明する。図６は本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域に対応する領域の部分拡大図である。第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、発光領域Ｅが平面視で縦長形状である点が第２の実施形態と異なっている。
【００５４】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、このような構成を有することにより、発光領域Ｅの平面視での横幅が小さくても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域Ｅを狭めることなく、スペーサ３５を配置するための十分な領域として台座部１４ｃを確保することができる。
【００５５】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバ、１０  素子基板、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  絶縁層（平坦化膜）、１４  画素分離膜、１４ａ  画素区分部、１４ａ１  領域、１４ｂ  台座基礎部、１４ｃ  台座部、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  下部電極（陽極）、３２ａ  コンタクトホール、３３  有機層、３４  上部電極（陰極）、３５  スペーサ、３５ａ  上面、３５ｂ  下面、４０  封止膜、５０  カラーフィルタ基板、ＢＭ  シール材、Ｄ  表示領域、ＤＬ  データ信号線、Ｅ  発光領域、ＧＬ  制御信号線、Ｐ  画素、Ｐ１  外周、ＰＣ  中央、Ｓ  四角形。
【図１】
2015069805.tif 000003
【図２】
2015069805.tif 000004
【図３】
2015069805.tif 000005
【図４】
2015069805.tif 000006
【図５】
2015069805.tif 000007
【図６】
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