(57)【要約】【課題】半導体装置における封止用樹脂の剥離を抑制する。【解決手段】隣接する金属層３及び金属層４は、方形状の金属材で形成され、金属層４の大きさは金属層３より大となるように形成されている。金属層３及び金属層４の中心を合わせて積層した時、金属層４の周囲の端面位置１１が金属層３の周囲の端面位置１２より金属層４の平面方向に均等にずれて突出する係合部１３及び空間１４が形成される。半導体装置１を構成するセラミック層２、金属層３、金属層４及び半導体素子５と、電極９及び電極１０の一部を封止する樹脂１５は、係合部１３の空間１４を充填する。このため、金属層３及び金属層４から樹脂１５を剥離する力は、樹脂１５が係合部１３に引っ掛かることにより、係合部１３によって受止められるので、樹脂１５は金属層３及び金属層４から剥離することを抑制される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁機能を有するセラミック層に複数の金属層を積層し、最上層の金属層に半導体素子を接合し、前記セラミック層、前記金属層及び前記半導体素子を樹脂により封止した半導体装置において、
少なくとも隣接する２層の金属層の内、上層側の金属層の一部に下層側の金属層に対して前記金属層の平面方向に突出する係合部を形成することにより、前記係合部の下層側に空間を形成し、前記係合部の下層側の空間に封止用の前記樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記係合部は、前記複数の金属層の端面位置を前記金属層の平面方向に相互にずらすことにより形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の金属層の内、最上層の金属層に貫通孔を穿設し、前記最上層の金属層より下層の１又は複数の金属層に前記最上層の金属層の貫通孔に連通する貫通孔を穿設し、前記最上層の金属層を含めた複数の金属層において、隣接する金属層の間で、下層側金属層の貫通孔の開口面積を上層側金属層の貫通孔よりも大きく形成することにより、前記金属層の貫通孔の周囲に前記係合部を形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記最上層の金属層の上面に、鉤状の突起部を形成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記セラミック層の前記複数の金属層と反対側の面に、ヒートスプレッダ及びヒートシンクを接合したことを特徴する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、金属層及び金属層に接合した半導体素子等を樹脂により封止した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂により封止された半導体装置では、金属層と樹脂との熱膨張率の差に起因して、樹脂が金属層から剥離し易く、樹脂の剥離により金属層に接合した半導体素子を損傷する恐れがある。樹脂の剥離を抑制するため、例えば、特許文献１及び特許文献２には、金属層と樹脂との間のアンカー効果を期待した樹脂の剥離抑制手段が開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示された半導体装置は、裏面に保護膜を設けた絶縁シートの上にヒートスプレッダが搭載されるとともに、ヒートスプレッダの上にパワー半導体チップが半田で接合され、これらがモールド樹脂により封止された構成を有する。ヒートスプレッダの表面には、複数のディンプルが設けられている。ディンプルは、窪み状の第１底部と第１底部からさらに第１底部より深く窪んだ第２底部から構成され、第２底部の側壁には、窪みの内方に突出するように傾斜された返り部が形成されている。
【０００４】
封止用のモールド樹脂は、返り部の下側にも充填され、アンカー効果によりヒートスプレッダとモールド樹脂との密着性が向上する。従って、半導体装置の使用中や周囲の温度変化によりヒートスプレッダとモールド樹脂とを剥がすような応力が負荷されても、返り部の下側に入り込んだモールド樹脂により両者の剥離が抑制される。
【０００５】
特許文献２に開示された半導体装置は、半導体チップと、半導体チップが載置されるダイパッドと、ダイパッドの短辺側の各端部から連続して一体に延びる第１のリードと、ダイパッドを挟んでアウター側に延びる一対の第２リードとを有している。ダイパッドの側部には、載置面にほぼ平行に張り出した薄肉部が設けられている。また、第２リードのインナー側には、底面から上面に向かう方向に屈曲する屈曲部が形成されている。ダイパッド、半導体チップ、第１のリードのインナー部及び第２のリードのインナー部はモールド樹脂によって一体に封止されている。
【０００６】
従って、モールド樹脂がダイパッドの薄肉部の底面側領域に充填されているため、ダイパッドの底面及び第１のリードのインナー側底面が露出していてもダイパッド及び第１のリードが剥離しにくくなる。また、モールド樹脂は、第２のリードのインナー側に形成された屈曲部の底面側の領域に充填されるため、第２のリードの底面がモールド樹脂の底面に露出していても第２のリードがモールド樹脂から剥離することがない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４０８６７７４号公報
【特許文献２】特開平１１−１０３００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に開示された返り部はパワー半導体チップが接合される１層のヒートスプレッダに形成された構成であり、また、特許文献２に開示された薄肉部は半導体チップが接合される１層のダイパッドに形成された構成である。このため、ヒートスプレッダ及びダイパッドは、それぞれ、返り部を有するディンプルや張り出し形状の薄肉部を加工により形成できる一定の厚みが必要である。
【０００９】
このため、特許文献１及び特許文献２に開示されたモールド樹脂の剥離抑制手段は、特定の厚い金属板の場合に利用可能である。しかし、例えば、半導体装置のコンパクト化のために、半導体素子を接合する金属層をより薄く形成している場合には、ディンプルや張り出し形状の薄肉部の加工が難しく、利用できない問題がある。
【００１０】
本願発明は、半導体装置における封止用樹脂の剥離を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１は、絶縁機能を有するセラミック層に複数の金属層を積層し、最上層の金属層に半導体素子を接合し、前記セラミック層、前記金属層及び前記半導体素子を樹脂により封止した半導体装置において、少なくとも隣接する２層の金属層の内、上層側の金属層の一部に下層側の金属層に対して前記金属層の平面方向に突出する係合部を形成することにより、前記係合部の下層側に空間を形成し、前記係合部の下層側の空間に封止用の前記樹脂を充填したことを特徴とする。
【００１２】
請求項１によれば、２層の金属層を用いて樹脂が充填される係合部を構成するため、金属層の厚みに関係無く、樹脂の充填可能な係合部を簡単に形成することができ、係合部における樹脂の引っ掛かりにより金属層からの樹脂の剥離を抑制することができる。
【００１３】
請求項２は、前記係合部は、前記複数の金属層の端面位置を前記金属層の平面方向に相互にずらすことにより形成したことを特徴とする。請求項２によれば、隣接する金属層の配置を相互に単にずらすだけで樹脂の係合部を簡単に形成することができ、金属層に特別な加工を施す必要が無い。
【００１４】
請求項３は、前記複数の金属層の内、最上層の金属層に貫通孔を穿設し、前記最上層の金属層より下層の１又は複数の金属層に前記最上層の金属層の貫通孔に連通する貫通孔を穿設し、前記最上層の金属層を含めた複数の金属層において、隣接する金属層の間で、下層側金属層の貫通孔の開口面積を上層側金属層の貫通孔よりも大きく形成することにより、前記金属層の貫通孔の周囲に前記係合部を形成したことを特徴とする。請求項３によれば、複数の金属層に開口面積の異なる貫通孔を穿設するのみで、係合部を簡単に形成することができる。特に、金属層に接合した半導体素子の周辺に係合部を自由に形成することができ、樹脂の剥離による半導体素子の損傷を確実に無くすことができる。
【００１５】
請求項４は、前記最上層の金属層の上面に、鉤状の突起部を形成したことを特徴とする。請求項４によれば、半導体素子が接合される最上層の金属層の上面に鉤状の突起部を形成することにより、樹脂が突起部で形成される空間に充填されるため、係合部との相乗効果により最上層の金属層の表面からの樹脂の剥離をより確実に抑制することができる。
【００１６】
請求項５は、前記セラミック層の前記複数の金属層と反対側の面に、ヒートスプレッダ及びヒートシンクを接合したことを特徴とする。請求項５によれば、セラミック層にヒートシンクを接合することにより、樹脂の剥離を抑制された半導体装置の冷却を充分に行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本願発明は、半導体装置における封止用樹脂の剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態を示す半導体装置の正面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の縦断面図である。
【図３】図２の概略平面図である。
【図４】第２の実施形態を示す半導体装置の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】第３の実施形態を示す半導体装置の平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】（Ａ）は第３の実施形態の別例を示す部分断面図、（Ｂ）は第３の実施形態の他の別例を示す部分断面図、（Ｃ）は第３の実施形態のその他の別例を示す部分断面図である。
【図９】第４の実施形態を示す半導体装置の平面図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
第１の実施形態を図１〜図３に基づいて説明する。半導体装置１は、絶縁機能を有するセラミック層２の上面に、金属層３及び金属層４を積層し、最上層の金属層４に半導体素子５を半田６により接合するとともにセラミック層２の下面に冷却用のヒートスプレッダ７及びヒートシンク８（図１のみに図示）を接合した構成を有する。
【００２０】
なお、金属層３はセラミック層２に金属拡散接合、ろう付け等により接合されている。また、２層の金属層３及び金属層４は、例えば、アルミニューム合金、銅合金等の金属材から選択された同一種類の金属材又は異なる種類の金属材で構成され、金属拡散接合、ろう付け、半田付け及び超音波接合等の接合手段の１つを用いて接合されている。また、最上層の金属層４及び半導体素子５には、それぞれ電極９及び電極１０が固定されている。
【００２１】
隣接する金属層３及び金属層４は、図３に示すように、共に方形状の金属材で形成され、金属層４の大きさは、長さ、幅共に金属層３より大となるように形成されている。従って、金属層３及び金属層４の中心を合わせて積層した時、金属層４の周囲の端面位置１１が金属層３の周囲の端面位置１２より金属層４の平面方向に均等にずれて突出する係合部１３が形成される。また、係合部１３の形成により係合部１３の下層側には、空間１４が形成される。
【００２２】
なお、金属層３及び金属層４は、必ずしも中心を合わせて積層する必要が無く、また、金属層４の端面位置１１が金属層３の端面位置１２から平面方向に均等にずれて突出する必要も無い。また、係合部１３は、金属層４の周囲全体に形成する必要も無い。
【００２３】
半導体装置１を構成するセラミック層２、金属層３、金属層４及び半導体素子５、電極９及び電極１０の一部は、熱硬化性の樹脂１５により封止され、一体化される。封止用の樹脂１５は、セラミック層２の上面と、金属層３、金属層４及び半導体素子５の全域を覆い、また、係合部１３の空間１４を充填する（図２参照）。
【００２４】
セラミック層２の金属層３及び金属層４と反対側の面には、ヒートスプレッダ７が接合され、さらに、ヒートスプレッダ７にヒートシンク８が接合されている。半導体装置１の使用により発生する熱は、ヒートスプレッダ７に伝達され、ヒートシンク８によって冷却される。
【００２５】
半導体装置１を構成する金属層３及び金属層４とこれを封止する樹脂１５とは、熱膨張率の異なる材料で構成されている。このため、半導体装置１の使用により発生する熱及び半導体装置１の周囲の温度変化により、金属層３及び金属層４と樹脂１５との間に相互に離間する力が作用し、樹脂１５が金属層３及び金属層４から剥離する恐れがある。
【００２６】
しかし、第１の実施形態では、金属層３と金属層４とにより形成された係合部１３の空間１４に樹脂１５が充填されている。このため、剥離方向の力は、樹脂１５が係合部１３に引っ掛かることにより、係合部１３によって受止められるので、樹脂１５は金属層３及び金属層４から剥離することを抑制される。また、係合部１３は、隣接する２層の金属層３及び金属層４を利用するため、金属層３及び金属層４の厚みに関係なく、簡単に形成することができる。また例えば、金属層３及び金属層４は同一工程で一括ろう付けすることが可能で、工程を増やすことなく係合部１３を形成することができる。
【００２７】
（第２の実施形態）
図４及び図５は第２の実施形態を示したもので、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。第２の実施形態において、半導体装置１のセラミック層２に積層される下層の金属層１６及び半導体素子５を接合する最上層の金属層１７は、第１の実施形態における金属層３及び金属層４と同じ大きさの方形状に形成された金属材で構成されている。
【００２８】
金属層１７には、周囲の端面に複数の切り込み１８が刻まれている。切り込み１８の深さは、金属層１６の端面に一致させている。なお、切り込み１８の深さは金属層１６の端面に一致させる必要は無く、適宜設定することができる。金属層１７を金属層１６に積層すると、金属層１６と金属層１７の端部位置が金属層１７の平面方向に相互にずれた形態となり、金属層１７の一部が金属層１６に対して平面方向に突出した係合部２０が形成される。つまり、金属層１６に対して金属層１７が部分的に突出して係合部２０が形成される。また、係合部２０の形成により各係合部２０の下層側に空間２１が形成される。セラミック層２、金属層１６、金属層１７、半導体素子５及び電極９と電極１０の一部を封止する樹脂１５は、各係合部２０の空間２１に充填される。
【００２９】
第２の実施形態においても、金属層１６及び金属層１７と樹脂１５との間に生じる剥離方向の力は、樹脂１５が各係合部２０に引っ掛かることにより、各係合部２０によって受止められる。従って、第２の実施形態は、樹脂１５が金属層１６及び金属層１７から剥離することを抑制することができ、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００３０】
（第３の実施形態）
図６及び図７は第３の実施形態を示したもので、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。第３の実施形態における半導体装置１は、セラミック層２に接着された１層目の金属層２２及び２つの半導体素子２４、２５が半田２５、２６により接合された最上層の金属層２３から構成される。
【００３１】
金属層２２及び金属層２３は、同一の大きさを有する方形状の金属材で構成されている。なお、金属層２２及び金属層２３は、大きさを異ならせた金属材、あるいは方形状以外の形状の金属材で構成しても構わない。また、最上層の金属層２３と半導体素子２４、２５には、それぞれ電極２８、２９が固定されている。
【００３２】
上層側の金属層２３には、半導体素子２４、２５を取り囲むように、合計７個の開口面積の異なる貫通孔３０〜３６が穿設されている。金属層２３の下層側に隣接する金属層２２には、貫通孔３０〜３６と対応する位置に貫通孔３７〜４３が穿設されている。例えば、貫通孔３０に対応して貫通孔３７が穿設され、貫通孔３１に対応して貫通孔３８が穿設されている。貫通孔３７〜４３は、対応する貫通孔３０〜３６とそれぞれ連通するように穿設され、また、対応する貫通孔３０〜３６の開口面積より大きな開口面積を有するように形成されている。
【００３３】
各貫通孔３０〜３６の周囲に当たる金属層２３には、貫通孔３０〜３６の開口面積より大きな開口面積を有する各貫通孔３７〜４３の形成により、金属層２３に金属層２２に対して平面方向に突出する係合部４４が形成され、また、係合部４４の形成により係合部４４の下層側に空間４５が形成される。半導体装置１を構成するセラミック層２、金属層２２、金属層２３及び半導体素子２４、２５、電極２８の一部及び電極２９の一部は、樹脂１５により封止されて、一体化される。また、樹脂１５の一部は、最上層の金属層２３の貫通孔３０〜３６を通り、各係合部４４の空間４５にも充填される。
【００３４】
従って、金属層２２及び金属層２３と樹脂１５との間に生じる剥離方向の力は、樹脂１５が各係合部４４に引っ掛かることにより受止められる。第３の実施形態においても、樹脂１５が金属層２２及び金属層２３から剥離することを抑制することができ、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。特に、第３の実施形態は、半導体素子２４、２５に可能な限り近い位置に係合部４４を形成することができるため、半導体素子２４、２５に近い位置での樹脂１５の剥離を抑制し、樹脂１５の剥離による半導体素子２４、２５への影響を無くすことができる。また、金属層の外形の端面位置に関わらず係合部を形成できるので２つの半導体素子２４、２５の間の位置にも係合部４４を形成でき、樹脂１５の剥離を抑制できる。
【００３５】
図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第３の実施形態の別例を示したものである。図８の（Ａ）に示す半導体装置１は、セラミック層２に３層の金属層４６、４７、４８を積層した構成である。最上層となる金属層４８と下層側に隣接する金属層４７には、開口面積が同一となる貫通孔４９及び貫通孔５０が穿設されている。貫通孔４９及び貫通孔５０は、対応する位置に穿設され、互いに連通した状態にある。上層側の金属層４７の下層側に隣接する金属層４６には、金属層４７の貫通孔５０と対応する位置に、貫通孔５０より開口面積が大きい貫通孔５１が穿設されている。
【００３６】
従って、金属層４７の貫通孔５０の周囲に当たる金属層４７には、金属層４７と隣接する金属層４６とにより、係合部５２が形成され、また、係合部５２の形成により係合部５２の下層側に空間５３が形成される。セラミック層２及び金属層４６、４７、４８を封止する樹脂１５（図７参照）は、貫通孔４９及び貫通孔５０を通り、係合部５２の空間５３に充填される。係合部５２は、第３の実施形態と同等の作用効果を有する。
【００３７】
図８の（Ｂ）に示す半導体装置１は、セラミック層２に、４層の金属層５４、５５、５６、５７を積層した構成である。最上層の金属層５７には、貫通孔５８が穿設され、金属層５７の下層側に隣接する金属層５６には、貫通孔５８の開口面積より小さい開口面積を有する貫通孔５９が貫通孔５８と連通する状態で穿設されている。上層側の金属層５６の下層側に隣接する金属層５５には、貫通孔５９と対応する位置に、貫通孔５９より開口面積を大きくした貫通孔６０が穿設されている。なお、金属層５４には、貫通孔を形成していない。
【００３８】
従って、金属層５６の貫通孔５９の周囲に当たる金属層５６には、金属層５６と隣接する金属層５５とにより、係合部６１が形成され、また、係合部６１の形成により係合部６１の下層側に空間６２が形成される。セラミック層２及び金属層５４、５５、５６、５７を封止する樹脂１５（図７参照）は、貫通孔５８及び貫通孔５９を通り、係合部６１の空間６２に充填される。係合部６１は、第３の実施形態と同等の作用効果を有する。また、図８の（Ｂ）に示す別例では、最上層の金属層５７の貫通孔５８は開口面積を大きく形成しているため、樹脂１５を係合部６１の空間６２へ導入し易くする機能を期待できる。
【００３９】
図８の（Ｃ）に示す半導体装置１は、セラミック層２に、４層の金属層６３、６４、６５、６６を積層した構成である。最上層の金属層６６及び２層目の金属層６４には、ほぼ同等の開口面積を有する貫通孔６７及び貫通孔６８が穿設されている。上層側の金属層６６の下層側に隣接する３層目の金属層６５及び上層側の金属層６４の下層側に隣接する１層目の金属層６３には、それぞれ貫通孔６７及び貫通孔６８に対応した位置に、貫通孔６７及び貫通孔６８より大きな開口面積を有する貫通孔６９及び貫通孔７０が穿設される。貫通孔６８、貫通孔６９及び貫通孔７０は、全て、最上層の貫通孔６７に連通するように構成されている。
【００４０】
従って、金属層６６の貫通孔６７の周囲に当たる金属層６６には、金属層６６と隣接する金属層６５とにより、係合部７１が形成され、また、係合部７１の形成により係合部７１の下層側に空間７２が形成される。また、金属層６４の貫通孔６８の周囲に当たる金属層６４には、金属層６４と隣接する金属層６３とにより、係合部７３が形成され、また、係合部７３の形成により係合部７３の下層側に空間７４が形成される。セラミック層２及び金属層６３、６４、６５、６６を封止する樹脂１５（図７参照）は、貫通孔６７を通して係合部７１の空間７２に充填され、また、貫通孔６７、貫通孔６９及び貫通孔６８を通して係合部７３の空間７４に充填される。
【００４１】
図８の（Ｃ）に示した別例は、第３の実施形態と同等の作用効果を有するとともに、金属層６３、６４、６５、６６の積層方向において、２段に係合部７１及び係合部７３を形成した構成であるため、より大きな樹脂１５の剥離抑制効果を得ることができる。
【００４２】
（第４の実施形態）
図９及び図１０は第４の実施形態を示したもので、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。なお、電極の図示は省略している。第４の実施形態は、剥離抑制を補助する手段を第１の実施形態に付加したものである。第４の実施形態における半導体装置１は、金属層３及び金属層４により形成された係合部１３に加えて、半導体素子５を接合した最上層の金属層４に、半導体素子５の周囲の８箇所に鉤状の突起部７５を形成した構成である。
【００４３】
突起部７５は、金属層４の平面部分を部分的に打ち抜いて上方へ折り曲げ、さらに抜けた部分の頭部７６を金属層４の平面方向へ折り曲げて鉤状に形成される。従って、突起部７５の頭部７６の下面側には、金属層３及び金属層４によって形成された係合部１３と同様に、空間７７が形成されている。
【００４４】
セラミック層２、金属層３、金属層４、半導体素子５及び電極９と電極１０（図２参照）の一部を封止する樹脂１５は、係合部１３の空間１４に充填されるとともに、突起部７５の空間７７に充填される。従って、樹脂１５を金属層３及び金属層４から剥離させる力は、金属層３及び金属層４の端面位置の係合部１３及び半導体素子５に近い金属層４の上面側位置の突起部７５で受止められるため、樹脂１５の剥離をより確実に抑制することができる。
【００４５】
本願発明は、前記した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本願発明の趣旨の範囲内で種々の変更が可能であり、次のように実施することができる。
【００４６】
（１）第１の実施形態における半導体装置１の金属層は、金属層３及び金属層４の２層で構成されているが、３層以上の複数の金属層で構成することができる。金属層が４層以上の複数層で構成される場合、係合部１３は金属層の積層方向で隣接する２層の金属層で形成され、係合部１３の形成箇所は、積層方向の１箇所に限らず、複数箇所で形成することができる。
【００４７】
（２）第１の実施形態において、金属層３及び金属層４は異なる大きさの金属材で形成されているが、同一の大きさで形成された金属材で構成しても良い。この場合、係合部１３の形成は、２層の金属材をいずれか１辺の側にずらすことにより形成することができる。２層の金属材を対角線の方向にずらせば、係合部１３は金属材の２辺の側に形成することができる。
【００４８】
（３）第１〜第４の実施形態に示した各金属層３、４、１６、１７、２２、２３、４６〜４８、５４〜５７、６３〜６６は、方形状に限らず、他の形状であっても構わない。
（４）半導体装置１は、第１の実施形態における係合部１３と第３の実施形態（別例を含む）における係合部４４（別例の係合部５２、６１、７３）とを組み合わせた構成としても良い。
（５）第４の実施形態に示した突起部７５は、第３の実施形態と組み合わせた半導体装置１として構成しても良い。
（６）第４の実施形態において、突起部７５を別部品として形成し、最上層の金属層４に接合することにより半導体装置１を構成しても良い。
【符号の説明】
【００４９】
１  半導体装置
２  セラミック層
３、４、１６、１７、２２、２３、４６〜４８、５４〜５７、６３〜６６  金属層
５、２４、２５  半導体素子
７  ヒートスプレッダ
８  ヒートシンク
９、１０、２８、２９  電極
１３、２０、４４、５２、６１、７１、７３  係合部
１４、２１、４５、５３、６２、７２、７４、７７  空間
１５  樹脂
３０〜４３、４９〜５１、５８〜６０、６７〜７０  貫通孔
７５  突起部
７６  頭部
【図１】
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【図２】
2015028998.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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