(57)【要約】【課題】半導体チップの一部をモールド樹脂で封止し、残部をモールド樹脂より露出させてなる電子装置において、モールド樹脂中のフィラーが電子部品の露出面に異物として付着する可能性を低減する。【解決手段】半導体チップ１０における露出面１４、１１２、１２２、１５２、１６２の少なくとも一部を、フィラーを含まない樹脂であるフィラーレス樹脂７０により被覆する被覆工程と、金型１００に半導体チップ１０を設置して、半導体チップ１０における封止面１３、１１１、１２１、１５１、１６１がモールド樹脂２０で封止されるように、モールド樹脂２０を成形するモールド工程と、フィラーレス樹脂７０に対してレーザＬを照射することにより、フィラーレス樹脂７０を除去して当該露出面を露出させるレーザ工程と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品（１０）と、
無機材料よりなるフィラーを含む樹脂であって、前記電子部品の一部を封止するモールド樹脂（２０）と、を備え、
前記電子部品の表面のうち、前記モールド樹脂により封止されている面が封止面（１３、１１１、１２１、１５１、１６１）とされ、前記モールド樹脂より露出している面が露出面（１４、１１２、１２２、１５２、１６２）とされている電子装置の製造方法であって、
前記電子部品を用意する用意工程と、
前記電子部品における前記露出面の少なくとも一部を、前記フィラーを含まない樹脂であるフィラーレス樹脂（７０）により被覆する被覆工程と、
前記モールド樹脂の成形用の金型（１００）に前記電子部品を設置して、前記電子部品のうち少なくとも前記封止面が前記モールド樹脂で封止されるように、前記モールド樹脂を成形するモールド工程と、
前記フィラーレス樹脂に対してレーザ（Ｌ）を照射することにより、当該フィラーレス樹脂を除去して前記露出面を露出させるレーザ工程と、を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記モールド工程では、前記封止面とともに、前記フィラーレス樹脂および前記露出面も前記モールド樹脂で封止するようにし、
前記レーザ工程では、前記露出面上の前記フィラーレス樹脂および前記モールド樹脂を、前記レーザで除去して前記露出面を露出させることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
電子部品（１０）と、
無機材料よりなるフィラーを含む樹脂であって、前記電子部品の一部を封止するモールド樹脂（２０）と、を備え、
前記電子部品の表面のうち、前記モールド樹脂により封止されている面が封止面（１３、１１１、１２１、１５１、１６１）とされ、前記モールド樹脂より露出している面が露出面（１４、１１２、１２２、１５２、１６２）とされており、
前記電子部品における前記露出面の全体で、前記フィラーが付着していないことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の一部をモールド樹脂で封止し、残部をモールド樹脂より露出させてなる電子装置、および、そのような電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置としては、半導体チップ等の電子部品と、電子部品の一部を封止するモールド樹脂と、を備えたものが提案されている（特許文献１参照）。ここで、電子部品の表面のうちモールド樹脂により封止されている面が封止面とされ、モールド樹脂より露出している面が露出面とされている。
【０００３】
このような電子装置は、モールド樹脂の成形用の金型を用い、当該金型に電子部品を設置して、電子部品のうちの封止面がモールド樹脂で封止されるように、モールド樹脂を成形することにより、製造される。
【０００４】
ここで、モールド樹脂の成形時においては、金型の寸法公差等によりモールド樹脂が露出面側へ漏れだして、露出面に付着する。いわゆる樹脂バリの問題が発生する。そこで、この樹脂バリを除去するために、従来では、上記特許文献１のようにレーザを照射して、樹脂バリを除去する方法が採用されている。
【０００５】
また、このレーザ除去方法を採用する場合の他の方法として、電子部品全体をモールド樹脂で封止した後、レーザによって露出面上のモールド樹脂を除去して、露出面を露出させることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１１８２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、モールド樹脂は無機材料よりなるフィラーを含む樹脂であるため、上記した各レーザ除去方法のいずれを行うにせよ、モールド樹脂の除去後において、フィラーが異物として露出面に付着した状態となってしまう。また、モールド樹脂中のフィラーがミラーの如くレーザを反射する可能性があり、レーザによる加工形状がいびつな形状となるおそれもある。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子部品の一部をモールド樹脂で封止し、残部をモールド樹脂より露出させてなる電子装置において、モールド樹脂中のフィラーが電子部品の露出面に異物として付着する可能性を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、電子部品（１０）と、無機材料よりなるフィラーを含む樹脂であって、電子部品の一部を封止するモールド樹脂（２０）と、を備え、電子部品の表面のうち、モールド樹脂により封止されている面が封止面（１３、１１１、１２１、１５１、１６１）とされ、モールド樹脂より露出している面が露出面（１４、１１２、１２２、１５２、１６２）とされている電子装置の製造方法であって、さらに以下の各工程を有するものである。
【００１０】
すなわち、請求項１の製造方法においては、電子部品を用意する用意工程と、電子部品における露出面の少なくとも一部を、フィラーを含まない樹脂であるフィラーレス樹脂（７０）により被覆する被覆工程と、モールド樹脂の成形用の金型（１００）に電子部品を設置して、電子部品のうち少なくとも封止面がモールド樹脂で封止されるように、モールド樹脂を成形するモールド工程と、フィラーレス樹脂に対してレーザ（Ｌ）を照射することにより、当該フィラーレス樹脂を除去して露出面を露出させるレーザ工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
それによれば、露出面のうち樹脂バリが生じやすい部位をフィラーレス樹脂で被覆して、モールド樹脂を型成形することができるので、当該型成形時にモールド樹脂が露出面側へ漏れても、当該漏れたモールド樹脂は、露出面のうちフィラーレス樹脂で被覆された部分ではフィラーレス樹脂上に付着する。
【００１２】
そして、レーザ工程においては、当該漏れたモールド樹脂は、フィラーレス樹脂とともにレーザで除去される。そのため、露出面のうちフィラーレス樹脂がレーザ除去された部分では、フィラーが付着していない状態とできる。よって、本発明によれば、露出面にフィラーが付着する可能性を低減することができる。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置の製造方法において、モールド工程では、封止面とともに、フィラーレス樹脂および露出面もモールド樹脂で封止するようにし、レーザ工程では、露出面上のフィラーレス樹脂およびモールド樹脂を、レーザで除去して露出面を露出させることを特徴とする。
【００１４】
この場合も、露出面のうちフィラーレス樹脂で被覆された部分では、フィラーレス樹脂のレーザ除去により、フィラーが付着していない状態とできる。また、この場合、電子部品の実質全体をモールド樹脂で封止する方法を採用できるから、モールド樹脂成形用の金型において、電子部品の露出面と封止面とで区別して封止する構成が不要となり、金型の簡素化が期待できる。
【００１５】
請求項３に記載の発明では、電子部品（１０）と、無機材料よりなるフィラーを含む樹脂よりなり、電子部品の一部を封止するモールド樹脂（２０）と、を備え、電子部品の表面のうち、モールド樹脂により封止されている面が封止面（１３、１１１、１２１、１５１、１６１）とされ、モールド樹脂より露出している面が露出面（１４、１１２、１２２、１５２、１６２）とされており、電子部品における露出面の全体で、フィラーが付着していないことを特徴とする電子装置が提供される。
【００１６】
本発明の電子装置は、請求項１の製造方法により適切に製造し得るものであり、露出面にフィラーが付着しない構成を実現できる。
【００１７】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子装置の外観斜視図、（ｂ）は同電子装置の概略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法を断面的に示す工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図２に続く電子装置の製造方法を断面的に示す工程図である。
【図４】図２（ｅ）の矢印Ａ方向から視た部分概略平面図である。
【図５】図３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った部分の概略断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造方法を断面的に示す工程図である。
【図７】図６（ｂ）の矢印Ｃ方向から視た部分概略平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態にかかる電子装置の製造方法の要部を断面的に示す工程図である。
【図９】本発明の第４実施形態にかかる電子装置の製造方法の要部を断面的に示す工程図である。
【図１０】本発明の第５実施形態にかかる電子装置の製造方法の要部を断面的に示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２０】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電子装置Ｓ１について、図１を参照して述べる。この電子装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。この電子装置Ｓ１は、大きくは、電子部品としての半導体チップ１０と、半導体チップ１０の一部を封止し残部を露出させるモールド樹脂２０と、を備えて構成されている。
【００２１】
半導体チップ１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたもので、シリコン半導体などよりなる。たとえば、半導体チップ１０は、検出部としての図示しないセンシング部を有するセンサチップとして構成される。具体的には、当該センシング部としてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、または当該センシング部として可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。
【００２２】
ここでは、半導体チップ１０は、表裏の関係にある第１の板面１１、第２の板面１２、および、これら第１、第２の両板面１１、１２を連結する側面としての４個のチップ側面１３、１４、１５、１６を有する典型的な矩形板状をなす。
【００２３】
具体的に、半導体チップ１０は、両板面１１、１２に水平な方向にて隔てられた両端１０ａ、１０ｂを有し、この両端１０ａ、１０ｂ間の方向を長手方向とする長方形板状をなしている。
【００２４】
そして、チップ側面１３〜１６は、半導体チップ１０の一端１０ａに位置する一端面１３と、半導体チップ１０の両端１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここではチップ長手方向に延びる）２個のチップ側面１５、１６と、半導体チップ１０の他端１０ｂに位置する他端面１４との４個よりなるものである。
【００２５】
そして、半導体チップ１０においては、上記長手方向の両端１０ａ、１０ｂ間にて一端１０ａ側に位置する一部がモールド樹脂２０により封止されており、他端１０ｂ側に位置する残部がモールド樹脂２０より露出している。そのため、半導体チップ１０の表面のうち、モールド樹脂２０により封止されている面が封止面とされ、モールド樹脂２０より露出している面が露出面とされる。
【００２６】
具体的に、半導体チップ１０の封止面は、チップ側面としての一端面１３と、上記両端１０ａ、１０ｂ間に延びる２個のチップ側面１５、１６のうちの一端１０ａ側に位置する部位１５１、１６１と、両板面１１、１２のうちの一端１０ａ側に位置する部位１１１、１２１と、により構成される。
【００２７】
一方、半導体チップ１０の露出面は、チップ側面としての他端面１４と、上記両端１０ａ、１０ｂ間に延びる２個のチップ側面１５、１６のうちの他端１０ｂ側に位置する部位１５２、１６２と、両板面１１、１２のうちの他端１０ｂ側に位置する部位１１２、１２２と、により構成される。
【００２８】
以下、両板面１１、１２、および、当該２個のチップ側面１５、１６については、一端１０ａ側に位置してモールド樹脂２０で封止されている部位１１１、１２１、１５１、１６１を、封止面１１１、１２１、１５１、１６１と言い、他端１０ｂ側に位置してモールド樹脂２０より露出している部位１１２、１２２、１５２、１６２を、露出面１１２、１２２、１５２、１６２と言うことにする。
【００２９】
このような半導体チップ１０においては、典型的には表裏の両板面１１、１２が、回路やセンシング部等の素子が形成される素子形成面とされる。そして、上記のセンシング部は、通常、上記の露出面、典型的には第１の板面１１における露出面１１２に設けられる。
【００３０】
また、モールド樹脂２０は、線膨張係数、熱伝導率等を考慮して、無機材料よりなるフィラー（図示せず）が含有された樹脂よりなる。典型的には、モールド樹脂２０はエポキシ樹脂等よりなり、フィラーとしては、アルミナ、シリカ等の無機材料が挙げられる。このようなモールド樹脂２０は、後述する金型１００を用いたトランスファーモールド法により成形されたものである。
【００３１】
ここにおいて、本実施形態の電子装置Ｓ１では、半導体チップ１０における露出面１４、１１２、１２２、１５２、１６２の全体で、モールド樹脂２０に含有されているフィラーが付着していない構成とされている。
【００３２】
また、図１（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０は、一端１０ａ側の部位１にてリードフレーム３０のアイランド３１に固定され支持されている。ここでは、第２の板面１２における封止面１２１とアイランド３１とを対向させた状態で、半導体チップ１０とアイランド３１とが、接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえば、エポキシ樹脂等の樹脂や、はんだ、Ａｇペーストなどよりなるものである。
【００３３】
また、ここでは、アイランド３１上には、半導体チップ１０とともに回路チップ６０が搭載され、接着剤４０を介してアイランド３１に固定されている。この回路チップ６０は、たとえばセンサチップとしての半導体チップ１０を制御するものとして機能する。
【００３４】
そして、半導体チップ１０の一端１０ａ側と回路チップ６０とは、ボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。このボンディングワイヤ５０は、Ａｕやアルミニウム等よりなり、通常のワイヤボンディングで形成されるものである。
【００３５】
ここで、リードフレーム３０は、互いに分離したアイランド３１とリード部３２とよりなるもので、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属板材をエッチングやプレス等によりパターニング加工してなるものである。リード部３２は、たとえば外部との接続を行う端子として機能するもので、ここでは、リード部３２と回路チップ６０とがボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。
【００３６】
そして、図１（ｂ）に示されるように、アイランド３１、リード部３２、回路チップ６０、および、ボンディングワイヤ５０は、半導体チップ１０の一端１０ａ側の部位とともに、モールド樹脂２０で封止されている。なお、リード部３２の一部は、モールド樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。
【００３７】
次に、本実施形態の電子装置Ｓ１の製造方法について、図２〜図５を参照して述べる。なお、図２〜図５、および、その他の後述する各図では、モールド樹脂２０による封止および露出が完了する前の状態であっても、半導体チップ１０における封止面１３、１１１、１２１、１５１、１６１、および、露出面１４、１１２、１５２、１６２について、該当箇所に符号を付してある。
【００３８】
まず、用意工程では、半導体プロセスにより形成された半導体チップ１０を用意する。また、用意工程では、図２（ａ）に示されるように、リードフレーム３０を含む平板状のリードフレーム素材３を用意する。
【００３９】
このリードフレーム素材３は、アイランド３１とリード部３２とを有するリードフレーム３０に加えて、さらに、仮支持部３３を備えるもので、これら各部３１〜３３は、図示しないタイバーや外枠等により一体に連結されている。
【００４０】
ここで、仮支持部３３は、半導体チップ１０の他端１０ｂ側を支持する部分であり、アイランド３１に片持ち支持された半導体チップ１０が、モールド樹脂２０による封止までに傾かないようにするためのものである。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示されるように、アイランド３１上に、半導体チップ１０の一端１０ａ側および回路チップ６０を搭載し、接着剤４０を介してアイランド３１に固定する（搭載工程）。また、この搭載工程では、半導体チップ１０の他端１０ｂ側を、フィルム８０を介して仮支持部３３上に搭載し、当該他端１０ｂ側を仮支持部３３に支持させる。
【００４２】
ここで、フィルム８０は、後で半導体チップ１０から剥離するために非接着性の樹脂材料よりなることが望ましい。そのような樹脂材料としては、たとえばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）やポリイミド等が挙げられる。
【００４３】
次に、図２（ｃ）に示されるように、半導体チップ１０と回路チップ６０との間、および、回路チップ６０とリード部３２との間にて、ワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ５０を形成する（ワイヤボンディング工程）。こうして、リードフレーム素材３と半導体チップ１０および回路チップ６０とが一体化されたワークができあがる。
【００４４】
次に、図２（ｄ）、（ｅ）、図４に示されるように、半導体チップ１０における上記露出面のうち他端面１４、および、２個のチップ側面１５、１６における露出面１５２、１６２を、フィラーレス樹脂７０により被覆する（被覆工程）。
【００４５】
モールド樹脂２０が上記フィラーを含有する樹脂であったのに対し、このフィラーレス樹脂７０は、フィラーを含まない樹脂である。具体的には、フィラーレス樹脂７０は、エポキシ等の熱硬化性樹脂やＵＶ等の光硬化性樹脂よりなる。
【００４６】
このフィラーレス樹脂７０は、仮支持部３３上に支持された半導体チップ１０の他端１０ｂ側に対して、図２（ｄ）に示されるように、ディスペンサ２００等を用いて塗布し、その後、仮硬化させることで配置する。それにより、フィラーレス樹脂７０は、固化して露出面に密着し、当該露出面を被覆する。
【００４７】
なお、このフィラーレス樹脂７０の配置については、仮硬化されたフィルム状のものを露出面に貼り付け、その後、加熱等の処理を行い、当該露出面に密着させるようにしてもよい。ここでは、図４に示されるように、フィラーレス樹脂７０は、仮支持部３３上のフィルム８０上にて半導体チップ１０の他端１０ｂ側を囲む「コ」の字状をなすように配置される。
【００４８】
この被覆工程の後、フィラーレス樹脂７０が配置された半導体チップ１０を含む上記ワークを、モールド樹脂２０による封止を行うモールド工程に供する。このモールド工程では、まず、図３（ａ）に示されるように、当該ワークをモールド樹脂２０の成形用の金型１００に設置する。
【００４９】
この金型１００は、トランスファーモールド法に用いられる典型的なもので、図３（ａ）、図５に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、モールド樹脂２０の外形に対応した空間形状を有するキャビティ１０３が、形成されるようになっている。
【００５０】
具体的にワークの設置は、上下型１０１、１０２を合致させ、ワークを上下型１０１、１０２で挟み付けることにより行う。このとき、図３（ａ）、図５に示されるように、キャビティ１０３の外側では、モールド樹脂２０より露出する半導体チップ１０の他端１０ｂ側、および、当該他端１０ｂ側を支持する仮支持部３３は、上下型１０１、１０２に挟まれる。
【００５１】
ここで、図３（ａ）、図５に示されるように、金型１００における上型１０１のうち半導体チップ１０の第１の板面１１における露出面１１２に対向する部位に、フィルム８０を吸着等により貼り付けておく。なお、図３（ａ）、図５では、露出面１１２に対向する部位以外にも、上型１０１の内面全体に、フィルム８０を貼り付けている。そうすることで、ワークの金型１００への設置時に、当該第１の板面１１における露出面１１２は、上型１０１側のフィルム８０に密着する。
【００５２】
一方、半導体チップ１０の第２の板面１２における露出面１２２は、仮支持部３３上のフィルム８０に密着している。このように、両板面１１、１２における露出面１１２，１２２と金型１００とは、フィルム８０を介して隙間なく密着している。
【００５３】
また、図５に示されるように、半導体チップ１０のうちフィラーレス樹脂７０で被覆されている他端面１４およびチップ側面１５、１６における露出面１５２、１６２については、金型１００との間に隙間１０３ａが存在する。この隙間１０３ａは、金型１００の寸法公差等により形成されるものである。
【００５４】
こうして、ワークを金型１００に設置した後、モールド工程では、キャビティ１０３にモールド樹脂２０を充填し、モールド樹脂２０を成形する。これにより、半導体チップ１０の封止面１３、１１１、１２１、１５１、１６１がモールド樹脂２０で封止されることになる。
【００５５】
このとき、キャビティ１０３内のモールド樹脂２０は、上記隙間１０３ａに回り込んでくるが、当該隙間１０３ａに位置する露出面１４、１５２、１６２には直接付着せず、当該露出面１４、１５２、１６２を被覆するフィラーレス樹脂７０上に付着する。なお、フィラーレス樹脂７０は、モールド工程時の熱により硬化完了もしくは仮硬化の状態で、当該露出面１４、１５２、１６２に付着している。
【００５６】
こうして、モールド樹脂２０を成形した後、ワークを金型１００から取り出す。そして、リードフレーム素材３のタイバー等をカットするリードカットを行って、アイランド３１、リード部３２および仮支持部３３を互いに分離し、半導体チップ１０の他端１０ｂ側から仮支持部３３とともにフィルム８０を剥離する。このフィルム８０剥離後のワークの状態が、図３（ｂ）に示される。ここまでがモールド工程である。
【００５７】
モールド工程後のワークにおいては、図３（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０の露出面のうち両板面１１、１２における露出面１１２、１２２は露出している。しかし、半導体チップ１０の他端面１４、および、チップ側面１５、１６における露出面１５２、１６２は、フィラーレス樹脂７０で被覆されている。
【００５８】
そこで、次に、図３（ｃ）に示されるように、レーザ工程を行い、フィラーレス樹脂７０を除去する。この工程では、フィラーレス樹脂７０に対してレーザＬを照射することにより、フィラーレス樹脂７０を除去して露出面１４、１５２、１６２を露出させる。
【００５９】
ここで、レーザＬは、モールド樹脂２０を消失できるものであればよいが、半導体チップ１０を透過するとともに、モールド樹脂２０よりも半導体チップ１０の方が当該レーザの吸収率が小さくなる波長のものが望ましい。これは、レーザＬが半導体チップ１０に照射された場合に、半導体チップ１０のダメージを極力軽減するためである。
【００６０】
具体的には、赤外波長の中でも１．５μｍ帯から１０μｍ帯程度（好ましくは５μｍ以下）の波長を有するレーザＬを用いることが望ましい。このようなレーザＬとしては、具体的に、ＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）、およびファイバーレーザなど、波長が１μｍを超えるレーザが採用される。
【００６１】
半導体チップ１０を構成する半導体のレーザ吸収波長帯は１ｕｍ以下にあり、１μｍよりも長い長波長帯においては、半導体チップ１０は、レーザＬのエネルギーを吸収せずほぼ透過する。一方で、モールド樹脂２０は当該長波長帯にも吸収ピークが存在し、広い領域においてレーザＬの吸収が可能である。たとえば、−ＯＨ基の振動波長≒３ｕｍ、ＳＨ基の振動波長≒４ｕｍ、エポキシ３員環の振動波長≒８ｕｍなどである。
【００６２】
したがって、１．５ｕｍ帯〜１０μｍ帯程度の赤外波長のレーザＬを照射することにより、半導体チップ１０の機能損傷がなく、モールド樹脂２０を選択的に加熱、除去することができる。
【００６３】
こうして、レーザ工程の完了に伴い、半導体チップ１０におけるすべての露出面１４、１１２、１２２、１５２、１６２が露出し、上記図１に示した本実施形態の電子装置Ｓ１ができあがる。以上が、本実施形態の製造方法である。
【００６４】
ところで、本実施形態によれば、被覆工程にて、半導体チップ１０の露出面のうちの一部をフィラーレス樹脂７０で被覆している。具体的には、金型１０への半導体チップ１０の設置状態において、金型１００と隙間なく密着する露出面１１２、１２２ではなく、金型１００との間に隙間１０３ａが生じる露出面１４、１５２、１６２を、フィラーレス樹脂７０で被覆している。
【００６５】
それによれば、隙間１０３ａに位置して樹脂バリが生じやすい露出面１４、１５２、１６２をフィラーレス樹脂７０で被覆した状態で、モールド樹脂２０を型成形できる。そのため、モールド樹脂２０が隙間１０３ａから漏れたとしても、フィラーレス樹脂７０上に付着し、露出面１４、１５２、１６２には直接付着しない。また、金型１００と隙間なく密着している露出面１１２、１２２については、モールド樹脂２０の付着は起こらない。
【００６６】
そして、レーザ工程において、当該漏れたモールド樹脂２０は、フィラーレス樹脂７０とともにレーザＬで除去される。なお、モールド樹脂２０が隙間１０３ａから漏れ無かった場合、つまり、フィラーレス樹脂７０上に樹脂バリが付着しない場合においても、レーザ工程において、フィラーレス樹脂７０は、最終的に不要なものとしてレーザＬで除去されることはもちろんである。
【００６７】
そのため、フィラーレス樹脂７０除去後の露出面１４、１５２、１６２は、フィラーが付着していない状態となる。このように、本実施形態によれば、半導体チップ１０の露出面１４、１１２、１２２、１５２、１６２にフィラーが付着する可能性を低減することができる。
【００６８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造方法について、図６、図７を参照して述べる。本製造方法は、上記第１実施形態の製造方法に対して被覆工程を変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。
【００６９】
上記第１実施形態の被覆工程では、半導体チップ１０における露出面のうち他端面１４、および、２個のチップ側面１５、１６における露出面１５２、１６２を、フィラーレス樹脂７０により被覆した。
【００７０】
ここで、図６（ａ）、図７は被覆工程後のワークの状態を示すものであるが、本実施形態では、更に、第１の板面１１における露出面１１２もフィラーレス樹脂７０で被覆する。この場合のフィラーレス樹脂７０の配置も、上記同様、塗布および仮硬化や、フィルム貼り付け等により行える。
【００７１】
その後は、本実施形態においても、上記同様、ワークを金型１００に設置してモールド工程を行う。上記第１実施形態では、上記図５に示されるように、ワークの金型１００への設置時にて、半導体チップ１０の第１の板面１１における露出面１１２は、上型１０１側のフィルム８０に直接密着するものであったが、本実施形態では、同露出面１１２はフィラーレス樹脂７０を介して、同フィルム８０に密着する。
【００７２】
本実施形態のモールド工程後におけるワークが、図６（ｂ）に示される。本製造方法では、この後、上記同様、レーザ工程を行い、フィラーレス樹脂７０を除去する。これにより、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の電子装置Ｓ１ができあがる。
【００７３】
なお、半導体チップ１０の第１の板面１１における露出面１１２は、フィラーレス樹脂７０で被覆されており、多少樹脂バリが発生してもレーザ工程にてフィラーレス樹脂７０とともに除去される。そのため、本実施形態では、上記第１実施形態にて上型１０１に設けたフィルム８０を省略してもよい。
【００７４】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる電子装置の製造方法について、図８を参照して述べる。図８では、本製造方法におけるモールド工程後のワークの状態を示している。本製造方法は、上記第２実施形態の製造方法に対して被覆工程を変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。
【００７５】
上記第２実施形態の被覆工程では、半導体チップ１０における露出面のうち他端面１４、２個のチップ側面１５、１６における露出面１５２、１６２、および、第１の板面１１における露出面１１２を、フィラーレス樹脂７０により被覆した。
【００７６】
ここで、図８に示されるように、本実施形態では、更に、第２の板面１２における露出面１２２もフィラーレス樹脂７０で被覆する。すなわち、半導体チップ１０の他端１０ｂ側に位置する露出部分の全周をフィラーレス樹脂７０で被覆するものである。
【００７７】
この場合におけるフィラーレス樹脂７０の配置も、上記同様、塗布および仮硬化や、フィルム貼り付け等により行える。しかし、本実施形態では、フィラーレス樹脂７０による被覆工程は、上記搭載工程の前に、半導体チップ１０に対して行う。そして、フィラーレス樹脂７０で被覆された半導体チップ１０をアイランド３１上に搭載し、上記同様、ワイヤボンディング工程を行う。
【００７８】
この搭載工程後のワークについて、上記第２実施形態では、上記図６に示されるように、半導体チップ１０の第２の板面１２における露出面１２２は、仮支持部３３上のフィルム８０に直接密着するものであったが、本実施形態では、同露出面１２２はフィラーレス樹脂７０を介して、同フィルム８０に密着する。
【００７９】
その後は、上記同様、ワークを金型１００に設置してモールド工程を行うと、図８に示されるワークが形成される。この後、上記同様、レーザ工程を行い、フィラーレス樹脂７０を除去する。これにより、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の電子装置Ｓ１ができあがる。本実施形態によれば、すべての露出面においてフィラーが付着しない構成を、より確実に実現できる。
【００８０】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる電子装置の製造方法について、図９を参照して述べる。図９では、本製造方法におけるレーザ工程時のワークを示している。本製造方法は、上記第３実施形態の製造方法を変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。
【００８１】
まず、本実施形態では、用意工程にて、用意されるリードフレーム素材は、上記した仮支持部３３を持たずに、アイランド３１およびリード部３２を有するリードフレーム３０を備えたものとする。
【００８２】
そして、被覆工程では、上記第３実施形態と同様に、半導体チップ１０の他端１０ｂ側に位置する露出部分の全周をフィラーレス樹脂７０で被覆する。その後、上記第３実施形態と同様に、搭載工程を行い、この半導体チップ１０をアイランド３１上に搭載、固定し、続いて、ワイヤボンディング工程を行う。
【００８３】
次に、モールド工程では、図９に示されるように、半導体チップ１０の封止面１３、１１１、１２１、１５１、１６１だけでなく、さらにフィラーレス樹脂７０および露出面１４、１１２、１２２、１５２、１６２もモールド樹脂２０で封止する。つまり、半導体チップ１０の全体をモールド樹脂２０で封止する。この場合、金型１００のキャビティ１０３は、図９に示されるモールド樹脂２０に対応した空間形状を持つものであることは言うまでもない。
【００８４】
そして、モールド工程後に、レーザ工程を行う。このレーザ工程では、図９に示されるように、露出面１４、１１２、１２２、１５２、１６２上のフィラーレス樹脂７０およびモールド樹脂２０を、レーザＬで除去して当該露出面を露出させる。
【００８５】
これにより、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の電子装置Ｓ１ができあがる。本実施形態によっても、すべての露出面においてフィラーが付着しない構成を、より確実に実現できる。
【００８６】
また、上記図９の例では、半導体チップ１０における露出面の全体を、フィラーレス樹脂７０で被覆したが、本実施形態においても、上記第１実施形態や第２実施形態のように、露出面の一部のみをフィラーレス樹脂７０で被覆するようにしてもよい。その場合でも、露出面のうちフィラーレス樹脂７０で被覆された部分では、レーザＬによるフィラーレス樹脂７０の除去により、フィラーが付着していない状態とできる。
【００８７】
また、本実施形態によれば、半導体チップ１０の実質全体をモールド樹脂２０で封止する方法を採用できるから、モールド樹脂２０成形用の金型１００において、半導体チップ１０の露出面と封止面とを区別して封止する構成が不要となり、当該金型１００の簡素化が期待できる。
【００８８】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる電子装置の製造方法について、図１０を参照して述べる。なお、図１０において（ａ）はレーザ除去工程、（ｂ）はレーザ工程後のワークの状態を示している。
【００８９】
本製造方法は、第４実施形態と同様、モールド工程では、封止面とともに、フィラーレス樹脂７０および露出面もモールド樹脂２０で封止し、レーザ工程では、露出面上のフィラーレス樹脂７０およびモールド樹脂２０を、レーザＬで除去するものである。
【００９０】
しかし、本実施形態では、半導体チップ１０のアイランド３１への支持構成が、上記第４実施形態とは相違するものであり、この相違点を中心に述べることにする。上記第４実施形態では、上記第１〜第３実施形態と同様、半導体チップ１０の一端側をアイランド３１に支持させた片持ち支持構成であった。
【００９１】
一方、本実施形態の電子装置は、図１０（ｂ）に示されるように、第２の板面１２側にて半導体チップ１０の全体がアイランド３１に接着、固定され、アイランド３１に支持されている。そして、半導体チップ１０の第１の板面１１のうちの一部（図１０では中央部）が露出面１１２とされ、残部が封止面１１１とされている。また、両板面１１、１２を連結するチップ側面は封止面とされている。
【００９２】
また、リード部３２は、アイランド３１に対して平面的に配置され、半導体チップ１０とリード部３２とはボンディングワイヤ５０により接続されている。そして、モールド樹脂２０は、半導体チップ１０における露出面１１２、および、リードフレーム３０における半導体チップ１０搭載側とは反対側の面を露出させるように、各部１０、３０、５０を封止している。
【００９３】
ここで、本実施形態においても、半導体チップ１０がセンサチップである場合、たとえば露出面１１２に上記センシング部が配置された構成とすることができる。このように、本実施形態の電子装置は、いわゆるＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリードパッケージ）の形態をなしている。
【００９４】
このような本実施形態の電子装置を製造するにあたっては、まず、半導体チップ１０を用意し、これをアイランド３１に搭載し、ワイヤボンディングを行う。それとともに、被覆工程にて、半導体チップ１０における露出面１１２にフィラーレス樹脂７０を配置し、同露出面１１２をフィラーレス樹脂７０で被覆する。
【００９５】
その後は、図１０（ａ）に示されるように、上記第４実施形態と同様に、露出面１１２上のフィラーレス樹脂７０およびモールド樹脂２０を、レーザＬで除去して露出面１１２を露出させる。これにより、図１０（ｂ）に示されるような本実施形態の電子装置ができあがる。
【００９６】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態における電子部品としては、上記半導体チップ１０に限定するものではなく、たとえば、セラミックよりなるチップ、金属よりなるチップ、あるいは、コンデンサや配線基板等でもよい。
【００９７】
また、電子部品の形状についても、上記半導体チップ１０のような矩形板状に限らず、その他の多角形板状、円形板状、ブロック状等でもよいことはもちろんである。そして、電子部品は、一部がモールド樹脂２０で封止され、残部がモールド樹脂２０より露出するものであればよく、モールド樹脂２０による電子部品の封止形態についても、上記各実施形態のものに限定するものではない。
【００９８】
また、電子装置としては、モールド樹脂２０内には、電子部品以外にも、他の基板や部品等が内蔵されていてもよい。たとえば上記図１では回路チップ６０やリードフレーム３０が樹脂２０内に設けられている。
【００９９】
また、上記図１において、半導体チップ１０を接着固定するリードフレーム３０のアイランド３１に代えて、たとえば配線基板を採用し、この配線基板に半導体チップ１０を接着固定し、これらをモールド樹脂２０で封止した構成でもよい。この場合の製造方法において、上記図２におけるリードフレーム素材３の仮支持部３３に代えて、たとえば、当該配線基板とは別体の板材を用いればよい。
【０１００】
さらには、上記別体の板材や上記リードフレーム素材３の仮支持部３３ではなく、半導体チップ１０の他端１０ｂ側を支持する部材として金型１００を用いる方法も、可能である。また、上記第１実施形態では、フィルム８０を用いることにより、金型１００と半導体チップ１０における露出面との隙間を無くすようにしたが、金型１００と当該露出面との密着性が確保できるならば、フィルム８０は省略してもよい。
【０１０１】
さらには、電子装置としては、電子部品としての半導体チップ１０を固定するアイランド３１や上記配線基板等を持たずに、可能ならば、電子部品と、電子部品の一部を封止するモールド樹脂２０とのみにより構成されたものであってもよい。この場合、たとえば電子部品における露出部分にて外部との電気接続等を行うようにすればよい。
【０１０２】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【０１０３】
１０            半導体チップ
１３            半導体チップの一端面
１４            半導体チップの他端面
２０            モールド樹脂
７０            フィラーレス樹脂
１００          金型
１１１、１２１  半導体チップの板面における封止面
１１２、１２２  半導体チップの板面における露出面
１５１、１６１  チップ側面における封止面
１５２、１６２  チップ側面における露出面
【図１】
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【図２】
2015029000.tif 000004
【図３】
2015029000.tif 000005
【図４】
2015029000.tif 000006
【図５】
2015029000.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015029000.tif 000009
【図８】
2015029000.tif 000010
【図９】
2015029000.tif 000011
【図１０】
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