(57)【要約】【課題】所望のＸ線入射角度を高速に調整することができる基板計測装置および基板計測方法を提供する。【解決手段】実施形態の基板計測装置は、電磁波を照射する光源と、検出器と、データ演算ユニットと、ミラーユニットと、ミラー駆動ユニットと、ミラー駆動演算ユニットと、ミラー駆動制御ユニットと、を持つ。前記検出器は、前記基板からの回折または散乱された電磁波を検出する。前記データ演算ユニットは、基板情報を取得する。前記ミラーユニットは、入射した電磁波が全反射となる光学条件に調整される偏向用ミラーを持ち、前記光源と前記基板との間に設置されて電磁波の軌道を制御する。前記ミラー駆動ユニットは、前記基板への電磁波の照射中に前記偏向用ミラーを垂直方向、水平方向または回転方向において駆動する。前記ミラー駆動演算ユニットは、所望の入射方向で電磁波が入射するように、前記偏向用ミラーの垂直方向、水平方向又は回転方向の駆動量を演算する。【選択図】図１
2015004670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を生成して計測対象である基板へ電磁波を照射する光源と、
前記基板への照射により回折または散乱された電磁波を検出する検出器と、
前記検出器からの信号を処理して基板情報を取得するデータ演算ユニットと、
入射した電磁波が全反射となる光学条件に調整される偏向用ミラーを備え、前記光源と前記基板との間に設置されて電磁波の軌道を制御するミラーユニットと、
前記基板への電磁波の照射中に前記偏向用ミラーを垂直方向、水平方向および回転方向の少なくともいずれかの方向において駆動するミラー駆動ユニットと、
所望の入射方向で電磁波を前記基板に入射させるように前記偏向用ミラーを垂直方向、水平方向および回転方向の少なくともいずれかの方向に駆動させるための駆動量を演算するミラー駆動演算ユニットと、
演算された前記駆動量で前記偏向用ミラーが駆動されるように前記ミラー駆動ユニットを制御するミラー駆動制御ユニットと、
を備える基板計測装置。
【請求項２】
前記ミラー駆動演算ユニットは、電磁波の入射方向が前記基板に対して仰角方向となるように前記駆動量を演算することを特徴とする請求項１に記載の基板計測装置。
【請求項３】
前記ミラーユニットは、前記光源から前記基板へ向かう順に第１乃至第３の偏向用ミラーを備え、
前記ミラー駆動演算ユニットは、
第１の仰角においては、第１乃至第３の偏向用ミラーに反射して電磁波が前記基板に入射し、前記第１の仰角よりも低い第２の仰角においては、第２の偏向用ミラーに反射して電磁波が前記基板に入射するように前記駆動量を演算することを特徴とする請求項２に記載の基板計測装置。
【請求項４】
前記ミラー駆動演算ユニットは、電磁波の入射方向が前記基板に対して方位角方向となるように前記駆動量を演算する請求項１または２に記載の基板計測装置。
【請求項５】
電磁波を生成して計測対象である基板へ電磁波を照射することと、
前記基板への照射により回折または散乱された電磁波を検出することと、
前記検出器からの信号を処理して基板情報を取得することと、
入射した電磁波が全反射となる光学条件に調整された偏向用ミラーを用い、前記基板への電磁波の照射中に前記光源と前記基板との間で電磁波の軌道を制御することと、
を備え、
前記軌道を制御することは、前記偏向用ミラーを垂直方向、水平方向および回転方向の少なくともいずれかの方向において移動させることを備える基板計測方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板計測装置および基板計測方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化に伴い、回路パターン形状を管理する上で測定精度の要求仕様は厳しくなっている。微細な回路パターンの形状を観察するには微小なプローブが必要となり、電子ビームや光などが利用されている。特にＸ線は波長１ｎｍ以下と極短波長であり、微細化された回路パターン構造を高精度に計測できる手法として注目されている。
【０００３】
Ｘ線を用いて半導体回路のパターン形状を測定する測定装置としては、Ｘ線反射率測定方法（Ｘ−ｒａｙ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ：以下、単に「ＸＲＲ」という）やＸ線小角散乱法（Ｓｍａｌｌ  Ａｎｇｌｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ：以下、単に「ＳＡＸＳ」という）などが挙げられる。
【０００４】
ＸＲＲは光源と検出器を同じ仰角で同時に駆動させることで、仰角に応じたＸ線反射強度の変化を捉えることで積層膜の膜厚を測定する方法である。
【０００５】
また、ＳＡＸＳは回路パターンに対して１°以下の非常に浅い角度でＸ線を入射させ、回路パターンの形状に応じた回折光を検出器で検出し、得られた散乱プロファイルから断面形状を再構成する形状計測手法である。断面形状を測定するには様々な入射角でＸ線を照射する必要があり、Ｘ線を照射しながら例えばステージを回転させることで様々な方位角での散乱光を検出することが可能となる。
【０００６】
ＳＡＸＳおよびＸＲＲのいずれについても、ステージ回転駆動機構またはゴニオメータ駆動機構が設けられた測定装置を用いることで、回路パターンへのＸ線の入射角度や方位角を制御して回路パターンの形状情報が検出される。
【０００７】
しかし、このようなステージ回転機構やゴニオメータ機構には、高い角度分解能を有するように設計された大型の駆動機構が設けられ、駆動時間を短縮することが困難であり、長い測定時間が必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２６１７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、所望のＸ線入射角度を高速に調整することができる基板計測装置および基板計測方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態の基板計測装置は、光源と、検出器と、データ演算ユニットと、ミラーユニットと、ミラー駆動ユニットと、ミラー駆動演算ユニットと、ミラー駆動制御ユニットと、を持つ。前記光源は、電磁波を生成して計測対象である基板へ電磁波を照射する。前記検出器は、前記基板への照射により回折または散乱された電磁波を検出する。前記データ演算ユニットは、前記検出器からの信号を処理して基板情報を取得する。前記ミラーユニットは、入射した電磁波が全反射となる光学条件に調整される偏向用ミラーを持ち、前記光源と前記基板との間に設置されて電磁波の軌道を制御する。前記ミラー駆動ユニットは、前記基板への電磁波の照射中に前記偏向用ミラーを垂直方向、水平方向および回転方向の少なくともいずれかの方向において駆動する。前記ミラー駆動演算ユニットは、所望の入射方向で電磁波が入射するように、前記偏向用ミラーの垂直方向、水平方向又は回転方向の駆動量を演算する。前記ミラー駆動制御ユニットは、演算された前記駆動量で前記偏向用ミラーが駆動されるように前記ミラー駆動部を制御する。  
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態１による基板検査装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】図１に示す基板検査装置における、Ｘ線の経路とパターンの方向との関係を示す上面図。
【図３】（ａ）は図１に示す基板検査装置が含むＸ線管球およびミラーユニットのより具体的な構成を示す上面図、（ｂ）は、（ａ）に示すミラー駆動部の動作を説明する図。
【図４】仰角の変化に伴う偏向用ミラーの位置変化を説明する図。
【図５】実施形態２による基板検査装置の概略構成を示すブロック図。
【図６】図５に示す基板検査装置が含むＸ線管球およびミラーユニットのより具体的な構成を示す上面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態のいくつかについて図面を参照しながら説明する。図面において、同一の部分には同一の参照番号を付し、その重複説明は適宜省略する。
【００１３】
（１）実施形態１
図１は、実施形態１による基板検査装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態の基板検査装置は、ＸＲＲ測定に好適な態様に構成されている。
【００１４】
具体的には、図１の基板検査装置は、主要な構成要素として、ステージ２と、ステージ制御部１３と、Ｘ線管球４と、光源制御部８と、ミラーユニット５と、ミラー駆動演算部１０と、ミラー駆動制御部１６と、二次元検出器３と、データ処理部１２と、基板情報算出部１４と、制御コンピュータ６と、を含む。
【００１５】
Ｘ線管球４は、光源制御部８を介して制御コンピュータ６に接続される。二次元検出器３は、データ処理部１２を介して基板情報算出部１４に接続される。基板情報算出部１４はまた、制御コンピュータ６、メモリＭＲおよびモニタ２２に接続される。
【００１６】
ステージ２は、その上面にウェーハＷが載置されてこれを支持する。ステージ２はまた、ステージ制御部１３から制御信号を与えられ、図示しないアクチュエータにより、Ｘ，Ｙ，Ｚの三次元空間内でウェーハＷを移動させる他、ウェーハＷを任意の回転角で回転させる。
【００１７】
図２は、図１に示す基板検査装置における、Ｘ線の経路とパターンの方向との関係を示す上面図である。図２に示すように、ウェーハＷの表面には、検査対象である周期構造のパターンＰＳが形成されている。周期構造としては、図２に示すライン・アンド・スペース構造の他、例えば一方向もしくは互いに直交する２方向に所定ピッチで配置された穴パターン構造、または穴パターンとラインパターンとが混在する構造などが含まれる。ウェーハＷは、本実施形態において例えば基板に対応する。基板としては、ウェーハＷに限ることなく、例えばガラス基板、化合物半導体基板、セラミック基板なども含まれる。
【００１８】
Ｘ線管球４は、光源４０（図３（ａ）参照）および凹面鏡（図示せず）を含み、例えば１ｎｍ以下の波長のＸ線Ｘｉを生成する。光源４０としては例えばＣｕのＫα線を生成するものが挙げられるが、Ｘ線を生成するものであれば特に限定されない。
【００１９】
Ｘ線管球４、ミラーユニット５およびミラー駆動部１８１〜１８３のより具体的な構成を図３（ａ）の上面図に示す。Ｘ線管球４は、光源４０とフォーカスレンズ４２を含む。光源制御部８から制御信号を与えられてＸ線管球４０で生成したＸ線Ｘｉは、Ｘ線管球４内の図示しない凹面鏡によって光路が調整され、フォーカスレンズ４２により集束されて焦点位置が調整された上で所望の仰角αｘ１（図１参照）でパターンＰＳへＸ線Ｘｉを照射する。
【００２０】
ミラーユニット５は、偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３を含む。これらの偏向用ミラーは、いずれも積層ミラーとなっており全反射となる光学条件を有するように、すなわち全反射でＸ線を偏向させるように設計され製作される。
【００２１】
偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３は、曲率が小さい凹面鏡となっており、図３（ａ）に示す例では、偏向用ミラーＤＭ１の凹面が、鉛直方向であるＺ方向の上方、すなわちウェーハＷ側とは反対の側を向くように、偏向用ミラーＤＭ１が配置され、偏向用ミラーＤＭ２，３の凹面がＺ方向の下方、すなわちウェーハＷ側を向くように、偏向用ミラーＤＭ２，３が配置され、これにより入射したＸ線Ｘｉが全反射を繰り返しながら軌道ＴＲ１を進行してウェーハＷに仰角αｘ１で入射する。このようにミラーユニット５は、複数個の偏向用ミラーにてＸ線を偏向させてパターンＰＳに所望の入射角でＸ線を入射させる。
【００２２】
ミラー駆動部１８１〜１８３は、偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３にそれぞれ結合され、水平方向（ＸＹ方向）および垂直方向（Ｚ方向）に偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３を移動させる直動駆動機構、およびＸ方向、Ｙ方向、又はＺ方向のいずれかを軸とする任意の回転方向に偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３を移動させる回転駆動機構をそれぞれ有する。ミラー駆動部１８１〜１８３はまた、ミラー駆動制御部１６に接続され、制御信号を与えられて偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３を垂直、水平および回転の少なくともいずれかの方向において計測前および計測中に駆動し、これにより、ウェーハＷへ入射するＸｉの仰角αｘ１を計測前および計測中に変更させる。
【００２３】
例えばミラー駆動部１８１を代表例として取り挙げて説明すると、図３（ｂ）に示すように、ミラー駆動部１８１は、偏向用ミラーＤＭ１をＸ方向およびＺ方向の二次元方向で任意に移動し、また、任意の回転角度θで回転させる。ミラー駆動部１８による偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３の駆動とＸ線Ｘｉの軌道との関係は後に詳述する。
【００２４】
図１に戻り、二次元検出器３は、パターンＰＳから十分に離れた位置に配置され、Ｘ線Ｘｉが照射したパターンＰＳで反射したＸ線Ｘｏを受光素子で検出し、その強度を測定する。
【００２５】
二次元検出器３の受光部では受光素子が二次元に配置され、各受光素子は、ミラー駆動演算部１０、ミラー駆動制御部１６およびミラーユニット５により所定の測定角度範囲、例えば０度から１０度までの範囲内で所定の角度間隔ごとに仰角αｘ１を変更しながらパターンＰＳに入射して反射したＸ線Ｌｏの強度を測定し、測定した強度を自身の位置に対応付けることにより、受光部全体としてＸ線反射強度の二次元画像を作成する。
【００２６】
データ処理部１２は、本実施形態において、二次元検出器３の各受光素子が測定した散乱強度を足し合わせることにより、反射率プロファイルを作成する。
【００２７】
ウェーハＷに設けられた周期構造が積層膜になっている場合は、ウェーハＷの表面や周期構造内の膜と膜との界面でＸ線が反射され、それらが干渉を引き起こす。仰角αｘ１の角度間隔毎に強度をプロットすると、角度によって強度の大小がある干渉縞が観察され、これにより反射率プロファイルが得られる。これら干渉縞を含む反射率プロファイルは、光学条件と積層情報から計算により取得することが可能である。
【００２８】
ここで、光学条件とは、ウェーハＷに入射するＸ線Ｘｉの波長、入射角（方位角方向、仰角方向）などをいい、パターン情報は、表面パターンの輪郭部分を意味する断面形状を含む。断面形状は、ピッチ、ＣＤ、高さ、側壁角、トップラウンディング、ボトムラウンディングの形状パラメータよって表わされる関数である。
【００２９】
また、積層情報は、膜厚、界面ラフネスおよび電子密度を含む。Ｘ線の波長、入射角度と積層膜中の界面と界面の距離から行路差を計算することにより、シミュレーションで反射率プロファイルを求めることができる。
【００３０】
基板情報算出部１４は、制御コンピュータ６の他にデータ処理部１２およびメモリＭＲ２にも接続される。メモリＭＲ２は、シミュレーションで得られた反射率プロファイル（以下、「シミュレーション反射率プロファイル」という）を格納する。
【００３１】
基板情報算出部１４は、データ処理部１２から実測による反射率プロファイルを与えられる一方で、メモリＭＲ２からシミュレーション反射率プロファイルを取り出して実測による反射率プロファイルをシミュレーション反射率プロファイルと照合し、両者の差異が最小となるようにフィッティングを行い、フィッティング誤差が最小となるときの形状パラメータの値をパターンＰＳの表面形状の計測値として出力する。基板情報算出部１４は本実施形態において例えばデータ演算ユニットに対応する。
【００３２】
なお、シミュレーション反射率プロファイルとして、予め求めたものをメモリＭＲ２に格納するだけでなく、基板情報算出部１４自身で作成することとしてもよい。
【００３３】
メモリＭＲ１には、ＸＲＲ測定の一連の手順を記述したレシピファイルが格納される。
【００３４】
制御コンピュータ６は、メモリＭＲ１からレシピファイルを読み出し、各種の制御信号を生成して光源制御部８、ミラー駆動演算部１０、基板情報算出部１４およびステージ制御部１３に送る。
【００３５】
ミラー駆動演算部１０は、制御コンピュータ６から制御信号を与えられ、レシピファイルに記述されたＸＲＲ測定手順に従ってＸ線Ｘｉの仰角αｘ１が変化するように第１乃至第３偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３の水平方向および垂直方向の駆動量、並びに回転量を演算し、演算結果をミラー駆動制御部１６へ送る。
【００３６】
ミラー駆動制御部１６は、ミラー駆動演算部１０から与えられた演算結果に従って各偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３が直動駆動し、かつ、回転駆動するように制御信号を生成してミラー駆動部１８１〜１８３へ送る。
【００３７】
ミラー駆動部１８１〜１８３は、ミラー駆動制御部１６から与えられる制御信号に従って各偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３が移動し回転するように直動駆動および回転駆動を行い、これにより、偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３の位置決めを行う。
【００３８】
ここで、ＸＸＲ測定中の仰角範囲の内で２つの仰角を取り挙げてミラー駆動部１８１〜１８３による偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３の位置決めをより具体的に説明する。  
【００３９】
図４は、仰角αｘをαｘ１からαｘ２（＜αｘ１）へ変化させる場合の偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３の位置変化を説明する図である。図４において、仰角αｘ１でＸ線ＸｉがウェーハＷに入射する場合のミラー駆動部１８１〜１８３およびＸ線軌道ＴＲ１を実線で示し、仰角αｘ２でＸ線ＸｉがウェーハＷに入射する場合のミラー駆動部１８１〜１８３およびＸ線軌道ＴＲ２を点線で示す。
【００４０】
仰角αｘ１においては、光源４０から出射したＸ線Ｘｉは偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３の各凹面で全反射しながら進行し、図３（ａ）に示したものと同一の軌道ＴＲ１を描いてウェーハＷに入射する。
【００４１】
仰角αｘ２においては、偏向用ミラーＤＭ１にＸ線Ｘｉが入射しないようにミラー駆動部１８１により，ＤＭ２がＺ方向下方、すなわちウェーハＷ側へ移動する。偏向用ミラーＤＭ２については、ミラー駆動部１８２によりＺ方向下方へ移動するとともに反時計回りに回転することにより凹面にＸ線Ｘｉが入射するように調整される。偏向用ミラーＤＭ３による偏向は不要であるため、偏向用ミラーＤＭ３はミラー駆動部１８３により僅かにＺ方向下方へ移動する一方、回転駆動により反時計回りに回転することによりＸ線Ｘｉの軌道ＴＲ２から外される。本実施形態において、仰角αｘ１は例えば第１の仰角に対応し、仰角αｘ２は例えば第２の仰角に対応する。
【００４２】
（２）実施形態２
図５は、実施形態２による基板検査装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態の基板検査装置は、ＳＡＸＳ測定に好適な態様に構成されている。
【００４３】
図１との対比により明らかなように、本実施形態の基板検査装置は、図１のミラーユニット５に代えてミラーユニット２５を含み、図１のミラー駆動演算部１０に代えてミラー駆動演算部２０を含む。また、本実施形態において、メモリＭＲ１に格納されるレシピファイルにはＳＡＸＳ測定の一連の手順を記述されており、メモリＭＲ２には、シミュレーションで得られた散乱プロファイル（以下、「シミュレーション散乱プロファイル」という）が格納される。
【００４４】
二次元検出器３は、パターンＰＳから十分に離れた位置に配置され、Ｘ線Ｘｉが照射したパターンＰＳにより散乱されたＸ線Ｘｏを受光素子で検出し、その強度を測定する。
【００４５】
データ処理部１２は、本実施形態において、二次元検出器３の各受光素子が測定した散乱強度を足し合わせることにより、二次元のＸ線散乱プロファイルを作成する。本実施形態の基板検査装置のその他の構成は、図１に示す基板検査装置と実質的に同一である。
【００４６】
ＳＡＸＳ測定において、取り込まれる散乱強度画像には、方位角方向、仰角方向にブラッグの回折条件で決まる角度に干渉縞が現れている。データ処理部１２は、二次元の散乱強度画像を方位角方向、仰角方向に分割し、それぞれの方向での散乱プロファイルを算出する。ここで、方位角方向のプロファイルとは入射Ｘ線Ｌｉの仰角と散乱Ｘ線Ｌｓの仰角が等しいときの散乱プロファイルをいい、仰角方向のプロファイルとは回折ピークの仰角方向の強度変化をいう。
【００４７】
ラインパターンの長手方向に対して平行に近い方位角で、かつ、1°以下、望ましくは０．２°以下の仰角を持ったＸ線Ｌｉをラインパターンに照射させると（図６参照）、Ｘ線Ｌｉはパターンによって散乱される。散乱されたＸ線Ｌｓが干渉することにより、方位角方向の散乱プロファイルには回折ピークが現われ、仰角方向にはその回折ピークごとに干渉縞が現われる。
【００４８】
基板情報算出部１４は、データ処理部１２から実測による散乱プロファイルを与えられる一方で、メモリＭＲ２からシミュレーション散乱プロファイルを取り出して実測による散乱プロファイルをシミュレーション散乱プロファイルと照合し、両者の差異が最小となるようにフィッティングを行い、フィッティング誤差が最小となるときの形状パラメータの値をパターンＰＳの表面形状の計測値として出力する。基板情報算出部１４は本実施形態において例えばデータ演算ユニットに対応する。
【００４９】
シミュレーション散乱プロファイルは、光学条件とパターン情報から計算により得ることができる。
【００５０】
Ｘ線管球４、ミラーユニット２５およびミラー駆動部１８１〜１８３のより具体的な構成を図６の上面図に示す。Ｘ線管球４は、前述した実施形態１と同様に、光源４０とフォーカスレンズ４２を含む。光源制御部８から制御信号を与えられてＸ線管球４０で生成したＸ線Ｘｉは、Ｘ線管球４内の図示しない凹面鏡によって光路が調整され、フォーカスレンズ４２により集束されて焦点位置が調整された上で所望の仰角αｓ（図５参照）でパターンＰＳへＸ線Ｘｉを照射する。
【００５１】
図６に示すように、本実施形態のミラーユニット２５は、偏向用ミラーＤＭ１１〜ＤＭ１３と、ミラー駆動部１８１〜１８３とを含む。前述した実施形態１と同様に、偏向用ミラーＤＭ１１〜ＤＭ１３はいずれも、曲率が小さい凹面鏡を含む積層ミラーとなっており全反射でＸ線を偏向させるように設計され製作される。
【００５２】
ミラー駆動部１８１〜１８３は、偏向用ミラーＤＭ１〜ＤＭ３にそれぞれ結合され、水平方向（ＸＹ方向）および垂直方向（Ｚ方向）に偏向用ミラーを移動させる直動駆動機構、およびＸ方向、Ｙ方向、又はＺ方向のいずれかを軸とする任意の回転方向に偏向用ミラーを移動させる回転駆動機構をそれぞれ有し、これにより、ウェーハＷへ入射するＸｉの方位角αａを計測前のみならず計測中においても変更させる。
【００５３】
図６に示す例では、偏向用ミラーＤＭ１の凹面が、水平方向のうちＹ方向の正側、すなわち二次元検出器３の側とは反対の側を向くように、偏向用ミラーＤＭ１が配置され、偏向用ミラーＤＭ２，３の凹面がＹ方向の負側、すなわちウェーハＷ側を向くように、偏向用ミラーＤＭ２，３が配置され、これにより入射したＸ線Ｘｉが全反射を繰り返しながら軌道ＴＲ３を進行してウェーハＷに方位角αａで入射する。このようにミラーユニット２５は、複数個の偏向用ミラーにてＸ線を偏向させて回路パターンに所望の方位角でＸ線を入射させる。
【００５４】
上述した実施形態では、ＸＲＲ測定に好適な基板検査装置とＳＡＸＳ測定に好適な基板検査装置のそれぞれについて説明したが、これに限ることなく、例えば単一の基板検査装置でＸＸＲ測定機能とＳＡＸＳ測定機能の双方を有するように構成し、モード切り替えにより適宜機能変換できる装置も実施可能である。その場合、例えば、仰角および方位角の双方でＸ線軌道が制御されるようにミラー駆動部がミラーユニットを駆動可能な機構を含み、メモリＭＲ１にＸＸＲ測定とＳＡＸＳ測定との双方が実行可能なレシピファイルが格納され、メモリＭＲ２にシミュレーション反射率プロファイルとシミュレーション散乱プロファイルとの双方が格納され、制御コンピュータ６がモード切り替え機能を有するよう構成すればよい。
【００５５】
以上述べた少なくとも一つの実施形態によれば、基板への電磁波の照射中に、全反射となる光学条件を有する偏向用ミラーを垂直方向、水平方向および回転方向の少なくともいずれかの方向において駆動するミラー駆動ユニットと、所望の入射方向で電磁波を前記基板に入射させるように、該偏向用ミラーを垂直方向、水平方向および回転方向の少なくともいずれかの方向に駆動させるための駆動量を演算するミラー駆動演算ユニットとを含むので、大型駆動部が無い場合でもＸ線の全反射を利用することで計測中に所望のＸ線入射角度を高速に調整することが可能となる。
【００５６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５７】
３…二次元検出器、４…Ｘ線管球、５…ミラーユニット、１０…ミラー駆動演算部、１２…データ処理部、１６…ミラー駆動制御部、４０…光源、ＤＭ１〜ＤＭ３…偏向用ミラー、Ｘｉ…Ｘ線、１８１〜１８３…ミラー駆動部、Ｗ…ウェーハ、αｘ１，αｘ２…仰角。
【図１】
2015004670.tif 000003
【図２】
2015004670.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2015004670.tif 000007
【図６】
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