(57)【要約】【課題】真空チャンバーのベント工程における気体の乱流による電子部品の表面への粉塵（パーティクル）の付着を防止し、且つベント工程の時間短縮を図る。【解決手段】真空蒸着装置１００のベント方法は、真空チャンバー１１０内に第１気体を導入する第１ベント工程と、第１ベント工程の後、第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を真空チャンバー１１０内に導入する第２ベント工程と、を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、
前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、
を含んでいることを特徴とする真空装置のベント方法。
【請求項２】
前記第２ベント工程では、前記チャンバー内の気圧が、１．０気圧を超え１．２気圧以下となるまでベントを行うことを特徴とする請求項１に記載の真空装置のベント方法。
【請求項３】
前記第２ベント工程における前記ベントは、前記チャンバー内の圧力が０．１気圧以上０．９気圧以下の圧力になったら開始されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空装置のベント方法。
【請求項４】
前記第２ベント工程の後に、前記第２気体を前記チャンバー内に導入する第３ベント工程を含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の真空装置のベント方法。
【請求項５】
チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、
前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、を含んでいる真空装置のベント方法を含み製造されていることを特徴とする電子部品。
【請求項６】
チャンバー内に第１気体を導入する第１ポートと、
前記第１気体の導入後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ポートと、
が備えられていることを特徴とする真空装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空装置のベント方法、真空装置を用いて製造された電子部品、および真空装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の製造方法では、真空装置を用いて、例えば成膜などの表面処理が行われている。このような真空装置を用いる場合、チャンバー（排気室）を開放する際に粉塵が発生し、電子部品の表面に付着してしまうことがあった。それに対応するため、チャンバー（排気室）を開放する際のベント方法を、チャンバー（排気室）内の圧力をチャンバー（排気室）外の圧力より高くなるように気体を導入して、チャンバー（排気室）内を大気圧にする過程を有することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−２０９８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述の方法では、チャンバー（排気室）内を大気圧にするために気体を導入する際、気体の乱流が発生し、チャンバー（排気室）内の粉塵（パーティクル）が巻き上げられて落下し、電子部品の表面に付着してしまう虞があった。また、気体の乱流を生じさせないためには、導入する気体量を絞ることが必要となり、チャンバー（排気室）内を大気圧にするまでの時間が長くなり、作業効率の低下を招いてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る真空装置のベント方法は、チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、を含んでいることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、第１ベント工程と第２ベント工程を有しており、第１気体による乱流を生じさせないスローベントの第１ベントと、第２気体による冷却効果の高い第２ベントとを組み合わせることにより、電子部品への粉塵（パーティクル）の付着を防止しつつ、効率的（短時間）にベントを行うことが可能となる。なお、本明細書で用いている「ベント」とは、低圧力チャンバー内の圧力を上げ、大気圧に近づける処理、あるいは真空容器内を大気圧にする処理のことをいう。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の真空装置のベント方法において、前記第２ベント工程では、前記チャンバー内の気圧が、１．０気圧を超え１．２気圧以下となるまでベントを行うことが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、チャンバーの開放時に、チャンバー内の圧力が外気圧力に対して正圧になっているため、チャンバー内への外気の流入を抑えることができ、外気の流入によって持ち込まれる粉塵（パーティクル）が電子部品に付着することを防止することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の真空装置のベント方法において、前記第２ベント工程における前記ベントは、前記チャンバー内の圧力が０．１気圧以上０．９気圧以下の圧力になったら開始されることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第２ベント工程によりチャンバー内の圧力を正圧にすることが出来、チャンバー開放時にパーティクルの流入を防ぐことが出来ると同時に、冷却効果をより高めることができることからチャンバー内の冷却時間を短縮することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の真空装置のベント方法において、前記第２ベント工程の後に、前記第２気体を前記チャンバー内に導入する第３ベント工程を含んでいることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、チャンバーが開放されている際に、チャンバー内からチャンバー外へ流れている第２気体によって粉塵（パーティクル）がチャンバー内に流入することを防止することができ、冷却効果を更に高めることができることからチャンバー内の冷却時間を短縮することができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例に係る電子部品は、チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、を含む真空装置のベント方法を含み製造されていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、第１気体による乱流を生じさせないスローベントの第１ベントと、第２気体による冷却効果の高い第２ベントとを組み合わせることにより、効率的（短時間）、且つ粉塵（パーティクル）の付着を防止して製造された電子部品を提供することができる。
【００１６】
［適用例６］本適用例に係る真空装置は、チャンバー内に第１気体を導入する第１ポートと、前記第１気体の導入後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ポートと、が備えられていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、第１気体による乱流を生じさせないスローベントの第１ベントと、第２気体による冷却効果の高い第２ベントとを組み合わせてベントを行うことができる。これにより、効率的（短時間）、且つ粉塵（パーティクル）の付着を防止することが可能な真空装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る真空装置としての真空蒸着装置の概略構成を示す構成図。
【図２】真空蒸着装置に用いるデバイス保持具の概略を示す斜視図。
【図３】真空蒸着装置のベント工程の手順を示すフローチャート。
【図４】真空蒸着装置内の温度および真空度のプロファイル。
【図５】真空蒸着装置の扉開放時における風の流れ状態を示すグラフ。
【図６】真空蒸着装置内におけるデバイス保持具上の落下塵（パーティクル）の状態を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を添付図面に示した実施形態にもとづいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態では本発明に係る真空装置のベント方法を用いて製造される電子部品として、光学デバイス（光学多層膜フィルター）を一例に説明する。
【００２０】
（真空蒸着装置の構成）
先ず、本発明に係る真空装置としての真空蒸着装置の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、本発明に係る真空装置の一例としての真空蒸着装置の概略構成を示す構成図である。図２は、真空蒸着装置に用いるデバイス保持具の概略を示す斜視図である。なお、作図の便宜上、図１の配管部品については、記号を用いて示している。
【００２１】
図１に示すように、真空装置の一例としての真空蒸着装置１００は、真空チャンバー１１０内に、加熱装置を含む蒸着源１３０、防着容器１５０、シャッター１６０、多数の光学デバイス用の基板１０を保持するデバイス保持具１７０を備えている。なお、本形態における基板１０の材質は、例えば、ガラス、シリコン、水晶を適用することができる。
蒸着源１３０は、真空チャンバー１１０内の底面側に設けられ、デバイス保持具１７０は天井側に設けられている。また、シャッター１６０は、蒸着源１３０とデバイス保持具１７０との間に配設されている。
【００２２】
真空チャンバー１１０には、側壁に排気口１１１と、第１ベント口１１５と、第２ベント口１１６と、図示しない開閉扉が設けられている。排気口１１１には、図示しないドライポンプとターボ分子ポンプを組み合わせた真空ポンプが連結されている。この真空ポンプを作動して真空チャンバー１１０内の排気が行われることで所定の真空状態が確保される。なお、真空ポンプは図示しない制御部に接続され、この制御部により制御される。また、本説明における真空状態とは、通常の大気圧より低い圧力（１×１０5Ｐａ〜１×１０-10Ｐａ以下（ＪＩＳ  Ｚ  ８１２６−１：１９９９））の空間の状態をいう。なお、図示しない開閉扉は、例えば、真空チャンバー１１０内に保持するデバイス保持具１７０を脱着したり、蒸着源１３０に蒸着材料１３４を投入したりする場合に開放される。
【００２３】
第１ベント口１１５には、第１ベント口１１５側から、第１バルブ１８０、レギュレーター（減圧弁）１８１、フィルター１８９などが連結されている。第１ベント口１１５、第１ベント口１１５に連結されている第１バルブ１８０、フィルター１８９などが、第１ベントを行う第１ポートを構成する。そして、第１ベント口１１５には、フィルター１８９などによって異物が除去され、レギュレーター１８１によって減圧された第１気体としての大気が供給される。第１ベント口１１５は、第１ベントのための吸気口としての機能を有している。
【００２４】
第２ベント口１１６には、第２ベント口１１６側から、圧力計（例えば、ピラニー真空計）１８８、第２バルブ１８５、レギュレーター（減圧弁）１８７、フィルター１８９、空気溜め器１８２、空気圧縮機１８６などが連結されている。第２ベント口１１６、第２ベント口１１６に連結されている圧力計１８８、第２バルブ１８５、レギュレーター１８７、フィルター１８９、空気溜め器１８２、空気圧縮機１８６などが、第２ベントを行う第２ポートを構成する。なお、空気溜め器１８２には、図示しないが、例えばエアードライヤーなどの水分や異物を除去する機器が設けられており、水分や異物が除去された比較的高い圧力のドライエアーが貯留されている。そして、第２ベント口１１６には、レギュレーター１８７によって流量が絞られた第２気体としてのドライエアーが供給される。このときの第２ベント口１１６に供給されるドライエアーの圧力は、第１気体としての大気より高い圧力に設定される。第２ベント口１１６は、第１ベントに続く第２ベントのための吸気口としての機能を有している。また、第２ベント口１１６は、デバイス保持具１７０を間にして真空チャンバー１１０の開閉扉の反対側に設けられていることが望ましい。これは、ドライエアーの流れを、第２ベント口１１６からデバイス保持具１７０を通り、真空チャンバー１１０の開閉扉に向かうようにすることで、デバイス保持具１７０の位置に真空チャンバー１１０の開閉扉から流れ込む気流を生じさせないためである。
【００２５】
蒸着源１３０は、基板１０への蒸着材料１３４が充填されたルツボ１３１、ヒーター１３２、ルツボ１３１を保持する保持容器１３３を備えている。
ルツボ１３１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）あるいはベリリア（ＢｅＯ）などの高融点酸化物からなり、内部に蒸着材料１３４が充填されている。また、ルツボ１３１の外周部には、ヒーター１３２が巻き回されて、ルツボ１３１とヒーター１３２は、共に保持容器１３３内に収容、保持されている。なお、本実施形態において、ヒーター１３２と保持容器１３３とで加熱手段を構成している。
【００２６】
ヒーター１３２は、図示しない制御部を介して電源に接続されており、制御部の制御により通電されてルツボ１３１を加熱し、ルツボ１３１内に充填された蒸着材料１３４を加熱する。このように構成された蒸着源１３０は、防着容器１５０内に収容されている。
【００２７】
防着容器１５０は、真空チャンバー１１０の天井に向かって開口する開口部１５１を有し、例えばステンレス鋼から形成されている。この防着容器１５０は、蒸着源１３０のルツボ１３１内に充填された蒸着材料１３４の蒸気を基板１０に蒸着する際に、蒸着源１３０から放出される蒸発物質が、他の構成部位に付着して汚染されることを防止する機能を有する。また、蒸着源１３０が収納された防着容器１５０は、真空チャンバー１１０の底面上に配設されている。
【００２８】
シャッター１６０は、回転軸１６１に固着され、真空チャンバー１１０の底面の中央部に、回転可能に支持されている。回転軸１６１は、真空チャンバー１１０の底面壁を貫通して外部に延出し、端部には回転軸１６１を回転駆動する、すなわちシャッター１６０を回転するためのモーター１６２が接続されている。
【００２９】
シャッター１６０は、蒸着源１３０が収容された防着容器１５０の少なくとも開口部１５１を被う大きさを有し、防着容器１５０の上部に近接して配置されている。この防着容器１５０の上部（開口部１５１）とシャッター１６０との間隔は、小さい程好ましいが、シャッター１６０の確実な作動を確保すると共に、蒸着源１３０から放出される蒸気の回り込みを防ぐためには、１ｍｍ〜５ｍｍ程度の範囲が好ましい。
【００３０】
回転軸１６１を回転駆動するモーター１６２は、モーター１６２の回転位置（すなわち、回転軸１６１およびシャッター１６０の位置）を検出するためのエンコーダー（図示せず）が取り付けられており、エンコーダーの検出位置に基づいてモーター１６２が回転制御される。なお、モーター１６２およびエンコーダーは図示しない制御部に接続し、制御部によって制御される。
このモーター１６２が回転駆動することで回転軸１６１が回転すると共に、回転軸１６１に固着されたシャッター１６０が回転する。これにより、シャッター１６０は、防着容器１５０の開口部１５１を開放状態、あるいは遮蔽状態にする。
【００３１】
図２に示すように、デバイス保持具１７０は、円錐型ドーム状に形成された基板１０の保持具である。デバイス保持具１７０は、円錐型ドーム状の本体５１に複数の開口窓５２が形成された構造である。これらの開口窓５２は、デバイス保持具１７０の頂部から底部へ向かって放射状に形成されており、成膜治具１２に装着された基板１０が取り付けられた際に、基板１０の成膜面がデバイス保持具１７０の内表面側に露出するように形成されている。ここで、デバイス保持具１７０の内表面側とは、円錐型ドームの重心に近い方の面である。成膜治具１２は、デバイス保持具１７０の本体５１に装着されるホルダー（図示せず）と、このホルダーへ基板１０を押さえる押さえ部材（図示せず）とを備えている。基板１０は、ホルダーと押さえ部材との間に保持されている。そして、開口窓５２に露出する基板１０に蒸着材料１３４からなる薄膜が蒸着される。また、デバイス保持具１７０は、ドーム状の上面中央部が回転軸１７１に取り外し可能に構成され、真空チャンバー１１０の天井壁の中央部に回転可能に支持された回転軸１７１に保持固定されている。即ち、デバイス保持具１７０は、内表面側が蒸着源１３０に向けて配置されている。
【００３２】
デバイス保持具１７０が保持固定された回転軸１７１は、真空チャンバー１１０の天井壁を貫通して外部に延出し、端部には、デバイス保持具１７０の多数の開口に載置されて有機蒸着物質が蒸着される基板１０間での成膜厚さを平均化するために、回転軸１７１（即ち、デバイス保持具１７０）を回転するモーター１７２が接続されている。
【００３３】
なお、上述の例では、ルツボ１３１の加熱手段として、ヒーター１３２と保持容器１３３とを含む構成で説明したが、ヒーター１３２に替えて、電子銃を用いた電子ビーム蒸着（いわゆるＥＢ蒸着法）を用いることもできる。具体的には、基板１０を真空チャンバー１１０内に取り付けた後、真空チャンバー１１０内の下部に蒸着材料１３４を充填したルツボ１３１を配置し、電子ビームにより蒸着材料１３４を加熱して蒸発させることによって、基板１０に蒸着材料１３４を付着させる。
【００３４】
（真空蒸着装置のベント方法）
次に、このように構成された真空蒸着装置１００を用いて、基板１０の表面に無機薄膜を形成する蒸着工程における真空蒸着装置１００のベント工程について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、真空蒸着装置のベント工程の手順を示すフローチャートである。図４は、真空装置内の温度および真空度の時間軸に沿ったプロファイルであり（ａ）は比較例としての従来例のプロファイルを示し、（ｂ）は本発明に係る実施形態の真空蒸着およびベント工程のプロファイルを示している。なお、本説明では、光学デバイスの一例としての光学多層膜フィルターの製造方法を例に説明する。また、本説明においては、前述の図１および図２も併せて参照し、同符号を用いて説明する。
【００３５】
先ず、光学多層膜フィルターの製造方法について簡潔に説明する。ここで説明する光学多層膜フィルターは、可視波長域を通過し、所定波長以下の紫外波長域と所定波長以上の赤外波長域での光をカットする分光特性を有しており、ＵＶ−ＩＲカットフィルターともいわれる。図示しないが、多層の無機薄膜を備えてなる光学多層膜フィルターは、光を透過させるための、例えば厚さ０．３ｍｍのガラス基板（基板１０）の上面に複数層の無機薄膜を備えて構成される。この複数層の無機薄膜の形成工程において、真空蒸着装置１００が用いられ、真空蒸着法により基板１０に無機薄膜が形成される。
【００３６】
なお、ガラス基板としては、白板ガラス、ＢＫ７、サファイアガラス、ホウケイ酸ガラス、青板ガラス、ＳＦ３、ＳＦ７、シリコン、および水晶などの透明基板であってもよいし、一般に市販されている光学ガラス基板も使用できる。また、高屈折率材料層の材料としてＴｉＯ2を用いた場合で説明するが、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5を適用することもできる。
【００３７】
無機薄膜の材料は、高屈折率材料層（Ｈ）がＴｉＯ2（ｎ＝２．４０）、低屈折率材料層（Ｌ）がＳｉＯ2（ｎ＝１．４６）から構成される。
この無機薄膜は、ガラス基板側から、高屈折率材料のＴｉＯ2膜がまず積層され、積層された高屈折率材料のＴｉＯ2膜の上面に、低屈折率材料のＳｉＯ2膜が積層され、以下、低屈折率材料のＳｉＯ2膜の上面に高屈折率材料のＴｉＯ2膜と低屈折率材料のＳｉＯ2膜が順次、交互に積層され、無機薄膜の最上膜層（最表層）は、低屈折率材料のＳｉＯ2膜が積層されて、各々３０層、計６０層の無機薄膜を形成している。
【００３８】
真空蒸着装置１００による真空蒸着法は、基板１０が装着されたデバイス保持具１７０を真空チャンバー１１０内に固定した後、真空チャンバー１１０の開閉扉が閉じられる。その後、真空チャンバー１１０と連結されている、図示しないドライポンプとターボ分子ポンプを組み合わせた真空ポンプを作動させて、基板１０を加熱しながら真空チャンバー１１０内の圧力が所定の圧力となるまで排気が行われる。本例では、真空チャンバー１１０内の圧力が、１×１０-3Ｐａ以下となるように設定されている。そして、真空チャンバー１１０内の圧力が、１×１０-3Ｐａ以下となった後、上述の無機薄膜を真空蒸着法において基板１０の表面に形成する。基板１０の加熱条件としては、一例として３５０℃程度の加熱温度が適用される。
【００３９】
（真空チャンバーのベント）
続いて、表面に無機薄膜が形成された基板１０を真空チャンバー１１０から取り出すために真空チャンバー１１０内を大気開放するベント工程が行われる。ここで、図３および図４を参照しながら基板１０の表面に無機薄膜を形成する蒸着工程における真空蒸着装置１００のベント工程について説明する。なお、ここでの「ベント工程」とは、真空チャンバー１１０内の圧力を上げ、大気圧に近づける処理を行う工程、あるいは真空チャンバー１１０内を大気圧にする処理を行う工程をいう。なお、後述する「第１ベント工程」、および「第２ベント工程」についても同様である。また、以下に説明するベント工程は、図４（ｂ）に示す真空装置内の温度および真空度のプロファイルに沿った条件において行われている。
【００４０】
先ず、蒸着工程が終了し、表面に無機薄膜が形成された基板１０は、真空チャンバー１１０内において、真空中での冷却が行われる（ステップＳ１０１）。そして、所定の冷却を行った後、第１ベント工程に移行する。第１ベント工程には、スローベント（ステップＳ１０２）およびベント（ステップＳ１０３）の二つのベント処理が含まれており、第１ポートから行われる。
【００４１】
第１ベント工程では、先ず第１バルブ１８０を開き、レギュレーター１８１によって流量を絞った第１気体としての大気が、第１ベント口１１５から真空チャンバー１１０内に流入するスローベントを開始する（ステップＳ１０２）。このように、先ず、流量を絞った大気を導入するスローベントを行うことにより、真空チャンバー１１０内の気体の乱流を防止することができ、これにより気体の乱流によって生じる粉塵（パーティクル）の巻き上げと、巻き上げられた粉塵（パーティクル）が落下し、基板１０の表面に付着してしまうことを防止することができる。
所定時間が経過した後、引き続き、流量を多くした大気を真空チャンバー１１０内に流入するベントを開始する（ステップＳ１０３）。
【００４２】
次に、スローベントおよびベントにより真空チャンバー１１０内の圧力が上がり、所定の圧力に到達したか否かを圧力計１８８によって判定する（ステップＳ１０４）。ここで、所定の圧力は、０．１気圧以上０．９気圧以下に設定され、本形態では０．５気圧（５×１０4（Ｐａ））に設定されている。この判定で所定の圧力に到達していれば（ステップＳ１０４：Ｙｅｓ）、規定時間経過後にスローベントとベントを終了する（ステップＳ１０５）。換言すれば、第１ベント工程を終了する。なお、本形態での、ステップＳ１０４における規定時間は、ほぼ５分に設定されている。
【００４３】
ステップＳ１０５の終了後、第２ベント工程に移行する。第２ベント工程は、第１ベントが終了した状態の圧力下で開始する。したがって、第２ベント工程は、０．１気圧以上０．９気圧以下で開始され、本形態では、０．５気圧（５×１０4（Ｐａ））で開始される。第２ベント工程では、先ず第２バルブ１８５を開き、第１気体よりも高い圧力に設定された第２気体としてのドライエアー（クリーンエアー）を第２ベント口１１６から真空チャンバー１１０内に流入させる第２ベントを開始する（ステップＳ１０６）。ここでのドライエアーは、空気圧縮機１８６によって概ね５気圧（５×１０5（Ｐａ））に加圧され、エアードライヤーやフィルターなどによって水分や異物が除去された後、レギュレーター１８７によって流量を絞った気体である。
【００４４】
次に、第２ベントにより真空チャンバー１１０内の圧力が上がり、大気圧に到達したか否かを圧力計１８８によって判定する（ステップＳ１０７）。この判定で大気圧に到達していれば（ステップＳ１０７：Ｙｅｓ）、第２ベントを終了する（ステップＳ１０８）。なお、ここでの大気圧は、１．０気圧（１×１０5（Ｐａ））を超え１．２気圧（１．２×１０5（Ｐａ））以下の範囲内で設定され、本形態では、１．１気圧（１．１×１０5（Ｐａ））に設定されている。即ち、真空チャンバー１１０内の圧力は、大気圧よりもわずかに高い圧力（正圧）となるように設定する。
以上説明した、ステップＳ１０６〜ステップＳ１０８が第２ベント工程である。
【００４５】
次に、第２ベント終了後、規定時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ１０９）。そして、規定時間が経過していれば（ステップＳ１０９：Ｙｅｓ）、ブザーなどで告知し、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放する（ステップＳ１１０）と共に、第３ベント工程に移行する。なお、本形態での、ステップＳ１０９における規定時間は、ほぼ５分に設定されている。
【００４６】
上述のように、真空チャンバー１１０内がわずかに大気圧より高い圧力（正圧）になった状態で第２ベント工程を終了し、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放することにより、真空チャンバー１１０の外側から内側への粉塵（パーティクル）の流入を防止することができる。
また、第２ベントにより第１ベントにおける第１気体よりも高い圧力に設定された第２気体としてのドライエアー（クリーンエアー）が導入されるため、真空チャンバー１１０内の冷却効果を向上させることができ、冷却時間を短縮することができる。
【００４７】
次に、第３ベント工程について説明する。第３ベント工程では、真空チャンバー１１０の開閉扉が開放された状態で、第２ベントと同じ圧力のドライエアーをレギュレーター１８７によって流量を絞り、第２ベント口１１６から真空チャンバー１１０内に流入する第３ベントを開始する（ステップＳ１１１）。
【００４８】
第３ベントは、タイマーによって流入時間が制御され、規定時間が経過したか否かを判定（ステップＳ１１２）し、規定時間が経過していれば（ステップＳ１１２：Ｙｅｓ）第３ベントのドライエアーの流入を停止して第３ベントを終了する（ステップＳ１１３）。なお、本形態での規定時間は、第３ベントの開始（ステップＳ１１１）を起点として約２０分間、ドライエアーを流入するように設定されている。
【００４９】
このように、真空チャンバー１１０の開閉扉が開放された状態で第３ベントを行うことにより、開閉扉の開放後に真空チャンバー１１０の内側から開閉扉の外側、即ち真空チャンバー１１０の外側に向かう気流を保ち続けることができ、この気流によって真空チャンバー１１０内への外気の流入を抑えることができ、外気の流入によって持ち込まれる粉塵（パーティクル）が基板１０や真空チャンバー１１０内に付着することを防止することができる。
また、真空チャンバー１１０の開閉扉の開放された状態で第３ベントを行うことにより、真空チャンバー１１０の内側から開閉扉の外側に向かう気流が継続して存在するため、冷却効果が向上し、第３ベント工程による真空チャンバー１１０内の冷却時間を短縮することができる。
【００５０】
なお、上述した第２ベント工程および第３ベント工程に係る粉塵付着防止の効果、および冷却効果については、後段にて詳細に説明する。
以上のような工程によって、真空チャンバー１１０内を大気開放するベント工程が終了する。
【００５１】
ここで、図４を参照して、真空チャンバー１１０内の冷却時間短縮の効果について、従来のベント工程と比較して詳細を説明する。図４（ａ）に示す比較例としての従来のプロファイルと、図４（ｂ）に示す本実施形態に係るプロファイルとを比較する。
【００５２】
図４（ａ）に示す比較例では、基板１０の表面への無機薄膜の形成が終わった時点（図中コート完了）からベント終了までの真空チャンバー１１０内の温度は、略同じ傾きで低下している。換言すれば、真空チャンバー１１０内の温度は、経過時間に比例して低下している。また、ベント終了からは自然冷却となる。
【００５３】
それに対し、図４（ｂ）に示す本実施形態では、第１ベント工程、第２ベント工程、および第３ベント工程で、それぞれベント処理が行われるため、冷却効率を高められる。詳細に説明すると、基板１０の表面への無機薄膜の形成が終わった時点（図中コート完了）以降、第１ベント工程から第３ベント工程終了までの真空チャンバー１１０内の温度は、三つの傾きを有して低下している。具体的には、真空チャンバー１１０内の温度は、第１ベント工程における温度低下の傾きと、第２ベント工程における温度低下の傾きと、第３ベント工程における温度低下の傾きとが、異なっている。図４（ｂ）の温度プロファイルに示されているように、第２ベント工程の温度低下の傾きが、第１ベント工程の温度低下の傾きよりも大きい。また、第３ベント工程における温度低下の傾きも第２ベント工程と同様な傾きとなっている。したがって、第２ベント工程および第３ベント工程によって、比較例と比べて高い冷却効果を得ていることが判る。
【００５４】
このように、第２ベント工程および第３ベント工程のそれぞれによる冷却効果が高いため、真空チャンバー１１０を開放して真空チャンバー１１０内の、例えば基板１０の取り出しなどの作業を行うことが可能となるまでの冷却時間が短縮される。図４（ａ）の比較例と、図４（ｂ）の本実施形態で比較すると、コート作業開始からチャンバー内作業開始までの所要時間は、比較例では２５０分（ｍｉｎ）であるのに対し、本実施形態では２２０分（ｍｉｎ）と、１サイクルで３０分（ｍｉｎ）の短縮が図れている。上述したように、光学多層膜フィルターでは、無機薄膜を計６０層形成する。したがって、この蒸着工程（コート工程）が繰り返し行われることになり、１サイクルごとの時間短縮が、全体として大きな作業効率の向上につながることになる。
【００５５】
ここで、図５および図６を参照して、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放する際の気体の流れ、および基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態について説明する。
図５は、真空蒸着装置の扉開放時における風（気体）の流れ状態を示すグラフであり、図５（ａ）は、真空蒸着装置１００を正面から見たときの概略図に、風（気体）の流れの測定位置を示した図、図５（ｂ）は、各測定位置における風（気体）の流れの状態を示したグラフである。なお、図５（ｂ）では、風（気体）の流れの状態について、比較例として従来のベント工程の後と、本実施形態の第２ベント工程の後との対比を行っている。
【００５６】
図５（ａ）、および図５（ｂ）に示されているように、比較例における風（気体）の流れは、それぞれの計測位置において、風速がマイナス（−）方向、即ち真空チャンバー１１０の外側から真空チャンバー１１０の内側に向かって流れる風（気体）が計測されている。したがって、真空チャンバー１１０の外側からの塵（パーティクル）の流入を生じる虞がある。それに対し本実施形態における風（気体）の流れは、測定Ｃの位置（真空チャンバー１１０の下部）を除き、他の測定位置では、風速がプラス（＋）方向、即ち真空チャンバー１１０の内側から真空チャンバー１１０の外側に向かって流れる風（気体）が計測されている。測定位置Ｃにおいては、真空チャンバー１１０の外側から真空チャンバー１１０の内側に向かって流れる風（気体）が計測されているが、風速はわずかではあり、且つデバイス保持具１７０と離れた位置であり、風（気体）の流入による影響は小さいと推測される。このように、本実施形態では、デバイス保持具１７０を取り囲む位置（計測位置Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ）では、真空チャンバー１１０の内側から真空チャンバー１１０の外側に向かって風（気体）が流れているため、真空チャンバー１１０の外側からの塵（パーティクル）の流入を防止することができる。
【００５７】
また、塵（パーティクル）の流入を防止するための風（気体）の流れの方向は、デバイス保持具１７０の位置において、真空チャンバー１１０の外側に向かっていることが望ましい。したがって、第２ベント工程を行う第２ベント口１１６の設置位置は、真空チャンバー１１０の開閉扉と反対側の真空チャンバー１１０の壁面に設けられることが望ましい。換言すれば、デバイス保持具１７０が、第２ベント口１１６と、真空チャンバー１１０の開閉扉との間に配置されるような構成が好ましい。
【００５８】
また、上述では、第２ベント工程終了時において、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放する際の気体の流れ、および基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態について説明したが、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放した状態で行う第３ベント工程においても同様な状態を得ることができる。したがって、第３ベント工程においても、第２ベント工程と同様な効果を得ることができる。
【００５９】
以上説明したように、第１ベント工程、第２ベント工程、および第３ベント工程を備えた一連の真空チャンバー１１０のベントを行うことにより、粉塵（パーティクル）が基板１０や真空チャンバー１１０内に付着することを防止すると共に、冷却効果をより高めることができ、真空チャンバー１１０内の冷却時間を短縮することができる。
【００６０】
図６は、真空蒸着装置１００の真空チャンバー１１０内において、デバイス保持具１７０に装着された基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態を示すグラフである。なお、図６における測定位置は、図２に示すＰ１〜Ｐ４の位置に対応している。即ち、デバイス保持具１７０上の略４等分に分割された位置に装着された基板１０について測定を行った結果である。なお、図６に示す落下塵（パーティクル）の状態とは、ベント工程終了後の、デバイス保持具１７０に装着された基板１０上に付着した落下塵（パーティクル）の数をカウントした値であり、測定位置（Ｐ１〜Ｐ４）ごとに４枚の基板１０を測定した平均値を示している。また、図６では、基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態について、比較例として従来のベント工程の後と、本実施形態の第２ベント工程の後との対比を行っている。
【００６１】
図６に示されているように、基板１０上の落下塵（パーティクル）の個数は、どの測定位置（Ｐ１〜Ｐ４）においても、比較例に対し本実施形態の方が少なくなっている。同図に示す実施形態では比較例に対し、基板１０上の落下塵（パーティクル）の個数は、１／２から１／１０に減少しており、明らかな削減効果がみられる。
【００６２】
このような工程による真空チャンバー１１０のベント工程によれば、第１ベント工程と、第１ベント工程に続く第２ベント工程および第３ベント工程を有している。そして、冷却効果を高めつつ、第２気体としてのドライエアー（クリーンエアー）によるチャンバー内を正圧にする第２ベント工程と、ドライエアーによる冷却効果の高い第３ベント工程とを組み合わせることにより、基板１０への粉塵（パーティクル）の付着を防止しつつ、効率的（短時間）にベントを行うことが可能となる。
【００６３】
また、上述した、第１ベント工程に続く第２ベント工程および第３ベント工程を有した真空チャンバー１１０のベント方法を適用した電子部品としての光学多層膜フィルターは、効率的（短時間）に製造されると共に、粉塵（パーティクル）の付着が減少している。なお、上述のように第１ベント工程に続く第２ベント工程および第３ベント工程を有した真空チャンバー１１０のベント方法を適用することが可能な電子部品としては、光学ローパスフィルター、水晶振動素子、半導体回路素子、加速度センサー素子、ジャイロセンサー素子などが挙げられる。
【００６４】
また、上述では、真空装置として真空蒸着装置１００を例に説明したが、真空装置は真空蒸着装置１００に限らず、例えば、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、化学蒸着（CVD: chemical vapor deposition）装置などを挙げることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１０…基板、１２…成膜治具、５１…本体、５２…開口窓、１００…真空蒸着装置、１１０…真空チャンバー、１１１…排気口、１１５…第１ベント口、１１６…第２ベント口、１３０…蒸着源、１３１…ルツボ、１３２…ヒーター、１３３…保持容器、１３４…蒸着材料、１５０…防着容器、１５１…開口部、１６０…シャッター、１６１…回転軸、１６２…モーター、１７０…デバイス保持具、１７１…回転軸、１７２…モーター、１８０…第１バルブ、１８１…レギュレーター（減圧弁）、１８２…空気溜め器、１８５…第２バルブ、１８６…空気圧縮機、１８７…レギュレーター（減圧弁）、１８８…圧力計、１８９…フィルター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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