(57)【要約】【課題】大きな駆動電圧を要することなく、かつ、デバイスに大きな空間を要せずに、可変容量比を大きくすることが可能なデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】第１の電極２１から第２の電極２２における静電容量が、駆動電圧が印加されない状態では、第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１と、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２と、第２の電極２２と第４の電極３４との距離ｇ１との総和（２×（ｇ１＋ｇ２））に依存し、駆動電圧が印加された状態では、第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１´と、第２の電極２２と第４の電極３４との距離ｇ１´との総和（２×ｇ１´）に依存するように、各電極２１、２２、３３、３４が配設されている。【選択図】  図１
2015050325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極とが配設された固定板と、
前記第１の電極と対向する第３の電極と、前記第２の電極と対向しかつ前記第３の電極と電気的に隔離された第４の電極とが絶縁板に配設され、駆動電圧が印加されると前記固定板側に変位する可動板と、
前記可動板の反固定板側に配設され、前記第３の電極および前記第４の電極と対向する電極板と、を備え、
前記第１の電極から前記第２の電極における静電容量が、駆動電圧が印加されない状態では、前記第１の電極と前記第３の電極との距離と、前記第３の電極および前記第４の電極と前記電極板との距離と、前記第２の電極と前記第４の電極との距離との総和に依存し、駆動電圧が印加された状態では、前記第１の電極と前記第３の電極との距離と、前記第２の電極と前記第４の電極との距離との総和に依存するように、前記各電極が配設されている、
ことを特徴とするデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量（ＲＦ容量）が可変なＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、微小電子機械システム）デバイスである、デジタル可変容量ＭＥＭＳデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量が可変なＭＥＭＳデバイスとして、固定板と可動板とを所定の間隔で対向して配設し、駆動電極に駆動電圧を印加することで可動板に静電引力を作用させ、可動板を変位させるものが知られている（例えば、特許文献１）。すなわち、図４に示すように、ＭＥＭＳ基板（固定板）１０１の上に、第１の電極１０２、第２の電極１０３および駆動電極１０４が配設され、駆動電極１０４の上面には、層間誘電膜１０４Ａが形成されている。一方、ＭＥＭＳ基板１０１に対向し、かつＭＥＭＳ基板１０１から所定距離だけ隔ててＭＥＭＳブリッジ（可動板）１０５が配設され、このＭＥＭＳブリッジ１０５には、複数のストッパ１０６が配設されている。
【０００３】
そして、駆動電極１０４に電圧が印加されると、図５に示すように、静電引力によってＭＥＭＳブリッジ１０５がＭＥＭＳ基板１０１側に変位し、ＭＥＭＳブリッジ１０５が第１の電極１０２と第２の電極１０３とに接近する。このようにＭＥＭＳブリッジ１０５が変位することで、第１の電極１０２から第２の電極１０３における静電容量Ｃ（＝Ｃ１１＋Ｃ１２）が変化するものである。
【０００４】
すなわち、第１の電極１０２から第２の電極１０３に至る静電容量Ｃは、次式のように、電極１０２、１０３とＭＥＭＳブリッジ１０５との隙間・距離ｇ１に依存し、ＭＥＭＳブリッジ１０５が電極１０２、１０３に接近して隙間ｇ１が小さくなる（ｇ１からｇ１´になる）ことで、静電容量Ｃが大きくなる。
Ｃ＝ε０×εｒ×Ｓ÷（２×ｇ１）
ε０：真空の誘電率
εｒ：層間誘電体の比誘電率
Ｓ：電極面積
【０００５】
また、駆動電極１０４に電圧が印加されていない状態における静電容量ＣをＯＦＦ容量とし、駆動電極１０４に電圧が印加されている状態における静電容量ＣをＯＮ容量とし、ＯＦＦ容量に対するＯＮ容量の比（ＯＮ容量／ＯＦＦ容量）を可変容量比とした場合、可変容量比が大きいとデバイス特性が向上する。例えば、可変容量比が大きいと、１つのデバイス・回路で、遷移した周波数バンドに適用すること（無線機の広帯域化）が可能となる。
【０００６】
そこで、可変容量比を大きくするために、駆動電極１０４に電圧が印加されていない状態における隙間ｇ１を大きくして、ＯＦＦ容量を小さくすることが考えられる。また、電極を有する可動部に駆動電圧が加えられていない状態において、自身の保有する応力によって可動部が大きく反り上がることで、固定部と重なる面積を減らして静電容量・寄生容量を小さくする、という技術が知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１７６４４５号公報
【特許文献２】特許第４９１０６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ＭＥＭＳブリッジ１０５を変位させるのに要する駆動電圧の大きさは、駆動電極１０４に電圧が印加されていない状態における隙間ｇ１に依存し、この隙間ｇ１を大きくすると、ＭＥＭＳブリッジ１０５を変位させるのに大きな駆動電圧を要する。また、特許文献２の技術では、可動部が大きく反り上がるため、デバイスの厚み方向に大きな空間（例えば、７００μｍ程度）を要する。そして、このような大きな空間を形成する場合、高さが１００〜１５０μｍ程度の一般的なバンプを用いたフリップチップ実装を行うことができず、デバイスチップとインターポーザ基板とをワイヤボンディングで接続しなければならない。しかし、ワイヤボンディングでは、抵抗値やインダクタンス値が高くなり、高周波デバイスとしての損失が大きくなり、Ｑ値が低下する。また、層間誘電膜の誘電正接が最小の物質である真空（空気）を層間膜とし、これにより誘電体ロスを最小化できる、すなわち高Ｑ値化できる可変キャパシタを実現する際に、可変容量比を大きくすることができない、という問題が生じる。
【０００９】
そこで本発明は、大きな駆動電圧を要することなく、かつ、デバイスに大きな空間を要せずに、可変容量比を大きくすることが可能なデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１に記載のデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイスは、第１の電極と第２の電極とが配設された固定板と、前記第１の電極と対向する第３の電極と、前記第２の電極と対向しかつ前記第３の電極と電気的に隔離された第４の電極とが絶縁板に配設され、駆動電圧が印加されると前記固定板側に変位する可動板と、前記可動板の反固定板側に配設され、前記第３の電極および前記第４の電極と対向する電極板と、を備え、前記第１の電極から前記第２の電極における静電容量が、駆動電圧が印加されない状態では、前記第１の電極と前記第３の電極との距離と、前記第３の電極および前記第４の電極と前記電極板との距離と、前記第２の電極と前記第４の電極との距離との総和に依存し、駆動電圧が印加された状態では、前記第１の電極と前記第３の電極との距離と、前記第２の電極と前記第４の電極との距離との総和に依存するように、前記各電極が配設されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、駆動電圧が印加されない状態では、第１の電極から第２の電極に至る静電容量Ｃが、第１の電極と第３の電極との距離（例えば、「ｇ１」とする）と、第３の電極および第４の電極と電極板との距離（例えば、「ｇ２」とする）と、第２の電極と第４の電極との距離（例えば、「ｇ１」とする）との総和（２×（ｇ１＋ｇ２））に依存する。また、駆動電圧が印加されて、可動板が固定板側に変位した状態では、第１の電極から第２の電極に至る静電容量Ｃが、第１の電極と前記第３の電極との距離（例えば、「ｇ１´」とする）と、第２の電極と第４の電極との距離（例えば、「ｇ１´」とする）との総和（２×ｇ１´）に依存する。
【００１２】
従って、可変容量比を大きくするには、第３の電極および第４の電極と電極板との距離ｇ２を大きくすることが有効である。一方、可動板を変位させるのに要する駆動電圧の大きさは、第１の電極と第３の電極との距離ｇ１（第２の電極と第４の電極との距離ｇ１）に依存し、第３の電極および第４の電極と電極板との距離ｇ２には依存しない。従って、第３の電極および第４の電極と電極板との距離ｇ２を大きくしても駆動電圧は変わらず、大きな駆動電圧を要することなく、可変容量比を大きくすることが可能となる。
【００１３】
また、可動板を大きく反り上げる必要がなく、第３の電極および第４の電極と電極板との距離ｇ２を大きくすればよいため、デバイスに大きな空間を要することなく、可変容量比を大きくすることが可能となる。この結果、一般的なバンプを用いたフリップチップ実装が可能となり、抵抗値やインダクタンス値を低くして、高周波デバイスとしてのＱ値を上げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態に係るデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイスにおいて、駆動電圧が印加されていない状態を示す断面図である。
【図２】図１のデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイスにおいて、駆動電圧が印加されている状態を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態において、シミュレーションに用いたパラメータを示す図（ａ）と、従来の可変容量ＭＥＭＳデバイスにおけるシミュレーション結果を示す図（ｂ）と、図１のデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイスにおけるシミュレーション結果を示す図（ｃ）である。
【図４】従来の可変容量ＭＥＭＳデバイスにおいて、駆動電圧が印加されていない状態を示す断面図である。
【図５】図４の可変容量ＭＥＭＳデバイスにおいて、駆動電圧が印加されている状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、この発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、この発明の実施の形態に係るデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス１において、駆動電圧が印加されていない状態を示す断面図である。このデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス１は、静電容量（ＲＦ容量）が可変なＭＥＭＳデバイスであり、図中下から順に、ＭＥＭＳ基板（固定板）２と、ＭＥＭＳブリッジ（可動板）３と、パッケージ基板４とが積層されて、構成されている。
【００１７】
ＭＥＭＳ基板２の一方（ＭＥＭＳブリッジ３側）の面には、第１の電極（固定電極）２１と第２の電極（固定電極）２２とが所定の距離を隔てて並列に配設され、また、第１の電極２１に隣接する第１の駆動電極２３と、第２の電極２２に隣接する第２の駆動電極２４とが配設されている。これらの駆動電極２３、２４の上面には、それぞれ層間誘電膜２３Ａ、２４Ａが形成されている。ここで、第１の電極２１と第２の電極２２の電極面積（ＭＥＭＳブリッジ３に対向する面積）は、同面積Ｓに設定されている。
【００１８】
また、第１の電極２１と第２の電極２２との間には、導電性の第１の導体２５が配設され、第１の電極２１と第１の駆動電極２３との間には、導電性の第２の導体２６が配設され、第２の電極２２と第２の駆動電極２４との間には、導電性の第３の導体２７が配設されている。
【００１９】
ＭＥＭＳブリッジ３は、ＭＥＭＳ基板２の電極２１〜２４側に対向して配設され、変形・変位自在な導電性の変位板３１と、電気絶縁性の絶縁板３２とを備えている。変位板３１は、断面が凸状で、ＭＥＭＳ基板２から所定の距離だけ隔てて配設されている。変位板３１の中央部には、変位板３１を貫通するように絶縁板３２が配設され、さらに、この絶縁板３２を貫通して第３の電極（可動電極）３３と第４の電極（可動電極）３４とが、並列に配設されている。
【００２０】
第３の電極３３は、第１の電極２１と対向して配設され、第４の電極３４は、第２の電極２２と対向して配設されている。また、第３の電極３３と第４の電極３４のＭＥＭＳ基板２側（図中下面側）の電極面積は、第１の電極２１と第２の電極２２の電極面積Ｓよりも大きく、第３の電極３３と第４の電極３４のパッケージ基板４側（図中上面側）の電極面積は、第１の電極２１と第２の電極２２の電極面積Ｓと同面積に設定されている。
【００２１】
このような第３の電極３３と第４の電極３４とは、絶縁板３２の絶縁中央部３２ａによって電気的に隔離されている。また、第３の電極３３の下面には、第１の導体２５と対向する導電性の第４の導体３５と、第２の導体２６と対向する導電性の第５の導体３６とが配設されている。同様に、第４の電極３４の下面には、第１の導体２５と対向する導電性の第６の導体３７と、第３の導体２７と対向する導電性の第７の導体３８とが配設されている。
【００２２】
そして、駆動電極２３、２４に駆動電圧が印加されない状態では、第１の電極２１と第３の電極３３および第２の電極２２と第４の電極３４とは、距離ｇ１だけ離隔されている。一方、駆動電極２３、２４に駆動電圧が印加されると、図２に示すように、変位板３１がＭＥＭＳ基板２側に変位・接近し、第４の導体３５と第６の導体３７とが第１の導体２５に接し、第５の導体３６と第７の導体３８とがそれぞれ、第２の導体２６と第３の導体２７とに接する。これと同時に、第３の電極３３が第１の電極２１に距離ｇ１´（ｇ１＞ｇ１´）まで接近し、同様に、第４の電極３４が第２の電極２２に距離ｇ１´まで接近する。換言すると、このような接触、接近が行われるように、各導体２５〜２７、３５〜３８の厚み・高さが設定され、各導体２５〜２７、３５〜３８は、ストッパ・ゲタの役割を有している。
【００２３】
パッケージ基板４は、ＭＥＭＳブリッジ３の反ＭＥＭＳ基板２側（図中上側）に配設され、ＭＥＭＳブリッジ３に対向する面（図中下面）に、第３の電極３３および第４の電極３４と対向する電極板４１が配設されている。このようなパッケージ基板４は、バンプ４２を介してＭＥＭＳブリッジ３と対向して配設され、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１とが、所定の距離ｇ２だけ隔てられるようにバンプ４２の高さが設定されている。ここで、ＭＥＭＳ基板２とＭＥＭＳブリッジ３とがデバイスチップに該当し、パッケージ基板４がインターポーザ基板に該当する。
【００２４】
ここで、各電極２１〜２４、３３、３４の材料として、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルビジウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）の単一物質、あるいは、これらの金属の合金が挙げられる。また、絶縁板３２の材料として、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、パラキシレン系ポリマー（商標名パリレン）の単一材料、あるいは、これらの絶縁物の積層体が挙げられる。
【００２５】
次に、このような構成のデジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス１の作用などについて説明する。
【００２６】
まず、駆動電極２３、２４に駆動電圧が印加されない状態では、第１の電極２１から第２の電極２２における静電容量（ＯＦＦ容量）ＣＦは、第１の電極２１と第３の電極３３との間における静電容量Ｃ１と、第３の電極３３と電極板４１との間における静電容量をＣ２と、第４の電極３４と電極板４１との間における静電容量Ｃ３と、第２の電極２２と第４の電極３４との間における静電容量Ｃ４との総和である。そして、静電容量Ｃ１、Ｃ４は、第１の電極２１と第３の電極３３および第２の電極２２と第４の電極３４との距離ｇ１に依存し、静電容量Ｃ２、Ｃ３は、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２に依存する。
【００２７】
つまり、第１の電極２１から第２の電極２２における静電容量ＣＦは、例えば、次の式で算出される。
ＣＦ＝ε０×εｒ×Ｓ÷{２×（ｇ１＋ｇ２）}
ε０：真空の誘電率
εｒ：層間誘電体の比誘電率
Ｓ：電極面積
【００２８】
一方、駆動電極２３、２４に駆動電圧が印加されると、ＭＥＭＳブリッジ３が変位して、第４の導体３５と第６の導体３７とが第１の導体２５に接し、第５の導体３６と第７の導体３８とがそれぞれ、第２の導体２６と第３の導体２７とに接する。これにより、第３の電極３３と第４の電極３４とが、第４の導体３５、第１の導体２５および第６の導体３７を介して電気的に導通した状態となる。つまり、第３の電極３３と第４の電極３４とが、電気的に一体となり、かつ、導体３６、２６および導体３８、２７を介してＭＥＭＳ基板２に接続された状態となる。
【００２９】
また、第１の電極２１と第３の電極３３との距離、および第２の電極２２と第４の電極３４との距離が、距離ｇ１´となる。このような状態では、第１の電極２１から第２の電極２２に至る静電容量（ＯＮ容量）ＣＯは、第１の電極２１と第３の電極３３との間の静電容量および第２の電極２２と第４の電極３４との間の静電容量に依存する。つまり、第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１´（第２の電極２２と第４の電極３４との距離ｇ１´）に依存し、例えば、次の式で算出される。
ＣＯ＝ε０×εｒ×Ｓ÷２ｇ１´
【００３０】
従って、駆動電圧が印加されない状態での第１の電極２１から第２の電極２２における静電容量ＣＦに対する、駆動電圧が印加された状態での第１の電極２１から第２の電極２２における静電容量ＣＯの比（ＯＮ容量／ＯＦＦ容量）を示す可変容量比は、
ＣＯ÷ＣＦ＝{２×（ｇ１＋ｇ２）}÷２ｇ１´＝（ｇ１＋ｇ２）÷ｇ１´
（ｇ１＞ｇ１´）
となる。
【００３１】
このため、可変容量比を大きくするには、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２を大きくすることが有効となる。一方、ＭＥＭＳブリッジ３を変位させるのに要する駆動電圧の大きさは、駆動電圧が印加されない状態での第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１（第２の電極２２と第４の電極３４との距離ｇ１）に依存し（例えば、距離ｇ１の３／２乗に比例し）、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２には依存しない。従って、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２を大きくしても駆動電圧は変わらず、大きな駆動電圧を要することなく、可変容量比を大きくすることが可能となる。
【００３２】
また、ＭＥＭＳブリッジ３を大きく反り上げる必要がなく、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２を大きくすればよいため、本デバイス１に大きな空間を要することなく、可変容量比を大きくすることが可能となる。この結果、上記のように、高さが１００〜１５０μｍ程度の一般的なバンプ４２を用いたフリップチップ実装が可能となり、抵抗値やインダクタンス値を低くして、高周波デバイスとしてのＱ値を上げることが可能となる。
【００３３】
ここで、図３（ａ）に示すパラメータの下、従来の可変容量ＭＥＭＳデバイスにおける可変容量比をシミュレーションした結果を図３（ｂ）に示し、本デジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス１における可変容量比をシミュレーションした結果を示す３図（ｃ）に示す。
【００３４】
図３（ｂ）は、駆動電圧が印加された時（ＯＮ時）の第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１´（第２の電極２２と第４の電極３４との距離も同値であるため、以下省略する）が０．１μｍの場合の静電容量を、ＯＮ容量（Ｐ１−Ｐ２間合成容量）とする。また、駆動電圧が印加されていない時（ＯＦＦ時）の第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１が１μｍ、２μｍ、３μｍ、５０μｍの場合の静電容量を、ＯＦＦ容量（Ｐ１−Ｐ２間合成容量）とする。そして、このようなＯＦＦ容量に対するＯＮ容量の比を、可変容量比とするものである。ここで、「Ｐ１」は第１の電極２１を意味し、「Ｐ２」は第２の電極２２を意味する。このシミュレーション結果から、５００程度の高い可変容量比を得るには、ＯＦＦ時の第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１を、５０μｍにする必要がある。そして、駆動電圧の大きさは、第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１に依存するため、大きな駆動電圧を要することになる。
【００３５】
一方、図３（ｃ）は、本デジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス１において、駆動電圧が印加されていない時（ＯＦＦ時）の、第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１を１μｍ、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２を５０μｍとする。また、駆動電圧が印加された時（ＯＮ時）の、第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１´を０．１μｍ、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離を５０．９μｍとし、この場合のＯＮ容量（Ｐ１−Ｐ２間合成容量）と、ＯＦＦ容量（Ｐ１−Ｐ２間合成容量）と、可変容量比を示すものである。
【００３６】
このシミュレーション結果から、５００程度の高い可変容量比を得るのに、ＯＦＦ時の第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１を１μｍにすればよい。つまり、従来の可変容量ＭＥＭＳデバイスに比べて、同じ可変容量比を得るのに、距離ｇ１を１／５０にすることができる。そして、駆動電圧の大きさは、第１の電極２１と第３の電極３３との距離ｇ１に依存するため、高い可変容量比を得るのに、小さな駆動電圧しか要しないことになる。また、ＭＥＭＳブリッジ３を大きく反り上げる必要がなく、第３の電極３３および第４の電極３４と電極板４１との距離ｇ２を５０μｍにすればよいため、上記のように、高さが１００〜１５０μｍ程度の一般的なバンプ４２を用いたフリップチップ実装が可能となる。ここで、図３（ｂ）、（ｃ）における「ＯＦＦ容量／ＯＮ容量」は、可変容量比の逆数を百分率（％）表示したものである。
【００３７】
また、駆動電圧の印加によってＭＥＭＳブリッジ３をＭＥＭＳ基板２側（一方側）のみに変位させるだけであるため、１本の制御線のみを設ければよい。このため、制御線を接続する電極パッドの面積も小さくてすみ、本デジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス１の面積を小さくすることが可能となる。さらに、第３の電極３３および第４の電極３４がグランドに接続されていないため、シャントキャパシタのみならず、線路用直列キャパシタとしても使用することが可能である。
【００３８】
以上、この発明の実施の形態について説明したが、具体的な構成は、上記の実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、この発明に含まれる。例えば、第５の導体３６と第７の導体３８とを設けずに、これらの厚みだけ、第２の導体２６と第３の導体２７の厚みを厚くしてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１        デジタル可変容量ＭＥＭＳデバイス
２        ＭＥＭＳ基板（固定板）
２１      第１の電極
２２      第２の電極
２３      第１の駆動電極
２４      第２の駆動電極
２５      第１の導体
２６      第２の導体
２７      第３の導体
３        ＭＥＭＳブリッジ（可動板）
３１      変位板
３２      絶縁板
３２ａ    絶縁中央部
３３      第３の電極
３４      第４の電極
３５      第４の導体
３６      第５の導体
３７      第６の導体
３８      第７の導体
４        パッケージ基板
４１      電極板
４２      バンプ
ｇ１      駆動電圧が印加されない場合の、第１の電極と第３の電極との距離、第２の電極と第４の電極との距離
ｇ２      駆動電圧が印加されない場合の、第３の電極と電極板との距離、第４の電極と電極板との距離
ｇ１´    駆動電圧が印加された場合の、第１の電極と第３の電極との距離、第２の電極と第４の電極との距離
【図１】
2015050325.tif 000003
【図２】
2015050325.tif 000004
【図３】
2015050325.tif 000005
【図４】
2015050325.tif 000006
【図５】
2015050325.tif 000007