(57)【要約】【課題】温度変化にともなう歪みを抑制した実装基板と、バイアスシフトを抑制したセンサーユニットと、を提供する。【解決手段】接続面に出力端子が設けられているセンサーと、センサーが実装されている実装領域を第１面に有する基材と、実装領域に、排他的に設けられている出力端子が接続される実装端子と、実装端子から実装領域の外側に向かって延設されている配線と、を備えている。【選択図】図５
2015076463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサーが実装される実装領域を第１面に設けた基材を備え、
前記実装領域には、前記センサーに設けられている端子が接続される実装端子が設けられた第１部分と、絶縁部を含む第２部分と、が設けられ、
前記実装端子から前記実装領域の外側に向かって配線が延設されていること、を特徴とする実装基板。
【請求項２】
前記実装領域の前記絶縁部は、基材の表面に設けられた絶縁層、および、基材表面が露出した部分の少なくとも一方を備えていることを特徴とする請求項１に記載の実装基板。
【請求項３】
前記実装領域の前記第２部分には、陥没部または貫通穴が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の実装基板。
【請求項４】
前記基材は、複数の層を備えた多層構造であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項５】
前記配線は、前記複数の層の少なくとも一つに設けられ、前記第１面と交差する垂直方向から前記基材を平面視した場合において、前記実装領域を迂回して設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項６】
接続面に端子が設けられているセンサーと、
前記センサーが実装されている実装領域を第１面に有する基材と、を備え、
前記基材は、前記実装領域には、前記センサーに設けられている端子が接続される実装端子が設けられた第１部分と、絶縁部を含む第２部分と、が設けられ、
前記実装端子から前記実装領域の外側に向かって配線が延設されていること、を特徴とするセンサーユニット。
【請求項７】
前記センサーの前記接続面には、溝部が設けられていることを特徴とする請求項６に記載のセンサーユニット。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載したセンサーユニットが搭載されていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項６または請求項７に記載したセンサーユニットが搭載されていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーを実装する実装基板や、そうした実装基板を利用するセンサーユニット、センサーユニットを利用する電子機器および移動体等に関する。
【背景技術】
【０００２】
加速度センサーや角速度センサーといった物理量センサーが広く知られている。この様な物理量センサーは、実装基板に設けられた実装端子と、物理量センサーに設けられた端子と、が接続されることで実装基板に実装される。実装端子には、例えばランドグリッドアレイを用いることができる。ランドグリッドアレイは、物理量センサーの輪郭に沿って列をなして配置される複数の実装端子で構成される。この様な複数の実装端子は、例えば四角形の輪郭の一辺に沿って一列に並べられることもあれば、輪郭を一回りするように列をなすこともある。近年、センサーユニットを利用する電子機器などの小型化にともない、センサーユニットの小型化が要求され、その実装密度が高まっている。そのため、実装端子に接続される配線などの複雑化をともない、実装端子が配列される内周囲にも配線が設けられることが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１９５１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した物理量センサーは温度特性を有する。温度変化に応じて無負荷時（検出すべき物理量が作用しないとき）の出力信号すなわちゼロ点電圧が変動する。こうした変動は温度変化に応じて生じる。本発明者の観察によれば、実装基板に実装された物理量センサーと平面視で重なる領域に導電材料で構成された配線等が設けられていると、物理量センサーの温度特性のヒステリシスに特定の温度領域において特異点（以下、「バイアスシフト」と称す）が発生することが判明した。このようなバイアスシフトが生じると、ある特定の温度領域においてゼロ点電圧が大幅に異なってしまい、良好な温度特性を得ることができない課題があった。また、バイアスシフトによって、計測結果の信頼性低下を招く虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］
本適用例に係る実装基板は、センサーが実装される実装領域を第１面に設けた基材を備え、実装領域には、センサーに設けられている端子が接続される実装端子が設けられた第１部分と、絶縁部を含む第２部分と、が設けられ、実装端子から実装領域の外側に向かって配線が延設されていること、を特徴とする。
【０００７】
この様な実装基板によれば、センサーが実装される実装領域の第１部分に実装端子が設けられ、実装端子から実装領域の外側に向かって配線が延設されている。したがって、実装領域には、第１部分と排他的に絶縁部を有する第２部分が設けられている。よって、配線などの熱膨張による基材の歪みが実装領域に生じることが抑制されるとともに、実装領域に実装されるセンサーへ歪みが生じることを抑制することができる。
【０００８】
［適用例２］
上記適用例に係る実装基板の実装領域の絶縁部は、基材の表面に設けられた絶縁層、および、基材表面が露出した部分の少なくとも一方を備えていることが好ましい。
【０００９】
このような実装基板によれば、絶縁部は、絶縁層および基材の表面が露出した部分の少なくとも一方を備えることで、第１部分に設けられた実装端子と排他的に第２部分に絶縁部を設けられ、実装端子間を絶縁することができる。
【００１０】
［適用例３］
上記適用例に係る実装基板の第２部分には陥没部または貫通穴が設けられていることが好ましい。
【００１１】
この様な実装基板によれば、実装領域の第２部分には陥没部または貫通穴が設けられている。したがって、熱膨張による基材の歪みが生じた場合、陥没部がその歪みを吸収することで、実装されるセンサーに歪みが生じることを抑制することができる。また、貫通穴とすることで基材に蓄積される熱が効率良く放散され、基材の熱膨張を抑制することができる。
【００１２】
［適用例４］
上記適用例に係る実装基板の基材は、複数の層を備えた多層構造であることが好ましい。
【００１３】
この様な実装基板によれば、基材を複数の層を備えた多層構造とすることで、各層間に実装端子から延設されている配線を設けることができる。これにより、センサーに最も近い実装領域の第１面にて発生する歪を分散することが可能となる。また、熱膨張による基材の歪みを各層が互いに吸収することができる。よって、基材の歪みを抑制するとともに、実装されるセンサーに歪みが生じることを抑制することができる。
【００１４】
［適用例５］
上記適用例に係る実装基板は、配線は、複数の層の少なくとも一つに設けられ、第１面と交差する垂直方向から基材を平面視した場合において、実装領域を迂回して設けられていることが好ましい。
【００１５】
この様な実装基板によれば、複数の層の少なくとも一つに設けられている配線は、実装領域を迂回して設けられている。したがって、実装領域と重なる基材の各層には配線が設けられていない。よって、配線などの熱膨張による基材の歪みが実装領域に生じることが抑制されるとともに、実装領域に実装されるセンサーへ歪みが生じることを抑制することができる。
【００１６】
［適用例６］
本適用例に係るセンサーユニットは、接続面に出力端子が設けられているセンサーと、センサーが実装されている実装領域を第１面に有する基材と、を備え、実装領域には、センサーに設けられている端子が接続される実装端子が設けられた第１部分と、絶縁部を含む第２部分と、が設けられ、実装端子から実装領域の外側に向かって配線が延設されていること、を特徴とする。
【００１７】
この様なセンサーユニットによれば、センサーが実装される実装領域の第１部分に実装端子が設けられ、実装端子から実装領域の外側に向かって配線が延設されている。また、実装領域には、第１部分に実装端子が設けられ、第１部分と排他的に設けられている第２部分には絶縁部が設けられている。したがって、配線などの熱膨張による基材の歪みが実装領域に生じることを抑制されるとともに、実装領域に実装されるセンサーへ歪みが生じることを抑制することができる。よって、この様なセンサーユニットは、実装されるセンサーが歪みを生じることによって、センサーの特性変化が生じることを抑制することができる。
【００１８】
［適用例７］
上記適用例に係るセンサーユニットのセンサー接続面には、溝部が設けられていることが好ましい。
【００１９】
この様なセンサーユニットによれば、センサーの接続面に溝部が設けられていることで、基材に生じた歪みによってセンサーに歪みが生じた場合に、歪みを溝部で吸収することができる。よって、センサーの特性変化が生じることを抑制することができる。
【００２０】
［適用例８］
本適用例に係る電子機器は、上述したセンサーユニットが搭載されていることを特徴とする。
【００２１】
この様な電子機器によれば、センサー特性変化が抑制されたセンサーユニットが搭載されていることで、電子機器の信頼性を高めることができる。
【００２２】
［適用例９］
本適用例に係る移動体は、上述したセンサーユニットが搭載されていることを特徴とする。
【００２３】
この様な移動体によれば、センサー特性変化が抑制されたセンサーユニットが搭載されていることで、移動体の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態に係る実装基板にセンサーが実装されたセンサーユニットの外観を概略的に示す斜視図。
【図２】図１に示すセンサーユニットの裏面から見た外観を概略的に示す斜視図。
【図３】実装基板にセンサーが実装された状態を概略的に示す斜視図。
【図４】図３に示すセンサーを裏面から見た外観を概略的に示す斜視図。
【図５】図３に示すセンサーが実装された実装基板の第１面から平面視した実装基板の平面を概略的に示す平面図。
【図６】図５に示すセンサーが実装された実装基板を備えたセンサーユニットの断面を概略的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係るセンサーユニットのセンサー温度特性を示すグラフ。
【図８】比較例に係るセンサーユニットのセンサー温度特性を示すグラフ。
【図９】実施例に係る電子機器の構成を概略的に示すブロック図。
【図１０】実施例に係る移動体の構成を概略的に示すブロック図。
【図１１】実施例に係る機械の構成を概略的に示すブロック図。
【図１２】変形例１に係るセンサーユニットに実装されるセンサーを裏側からみた外観を概略的に示す斜視図。
【図１３】変形例１に係るセンサーが実装された実装基板を備えたセンサーユニットの断面を概略的に示す断面図。
【図１４】変形例２に係る実装基板の第１面から平面視したセンサーが実装された実装基板の平面を概略的に示す平面図。
【図１５】変形例２に係るセンサーが実装された実装基板を備えたセンサーユニットの断面を概略的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
【００２６】
本実施形態に係る実装基板、および実装基板にセンサーが実装されたセンサーユニットについて、図１ないし図８を用いて説明する。
図１は、本実施形態に係る実装基板を用いたセンサーユニットの外観を概略的に示す斜視図である。図２は、図１に示すセンサーユニットの裏面から見た外観を概略的に示す斜視図である。図３は、実装基板にセンサーが実装された状態を概略的に示す斜視図であり、実装端子から延設される配線等の図示を省略しているものである。図４は、図３に示すセンサーを裏面から見た外観を概略的に示す斜視図である。図５は、図３に示す実装基板の第１面から平面視した平面を概略的に示す実装基板平面図であり、センサーの図示を省略しているものである。図６は、図５に示す線分Ａ−Ａ’におけるセンサーユニットの断面を概略的に示す断面図である。図７は、本実施形態に係るセンサーユニットのセンサー温度特性を示すグラフである。図８は、比較例に係るセンサーユニットのセンサー温度特性を示すグラフである。
【００２７】
＜センサーユニットの構成＞
図１に示すセンサーユニット１１には、筐体１２を備える。筐体１２は、例えば直方体の箱形に形成されている。筐体１２は、直方体の内部空間を区画する。筐体１２は、箱体１２ａおよびベース１２ｂに分割されている。箱体１２ａは内部空間の天面および４つの側面を覆う。ベース１２ｂは、内部空間の底面を覆う。箱体１２ａおよびベース１２ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）材から成形されている。箱体１２ａおよびベース１２ｂの表面は、例えばニッケル（Ｎｉ）のめっき膜で覆われている。
【００２８】
図２に示す様にベース１２ｂは、箱体１２ａの開放面を塞ぐ様に設けられている。ベース１２ｂの輪郭に沿ってベース１２ｂおよび箱体１２ａの隙間には、封止材１３が設けられている。ベース１２ｂには、開口１４が設けられている。開口１４内には、コネクター１５が配置されている。コネクター１５は、受け側のコネクター（不図示）に受け止められることができる。コネクター１５は、センサーユニット１１の外部端子を構成する。コネクター１５の輪郭に沿ってコネクター１５およびベース１２ｂの隙間には、封止材１６が詰められる。上述した構成により、筐体１２の内部空間は気密に密閉することができる。
【００２９】
図３に示す様にセンサーユニット１１は、物理量センサーとしての加速度センサー１８と、当該加速度センサー１８が実装される基材としての実装基板１７（以下、単に「基板１７」と称する。）と、を備える。加速度センサー１８は、基板１７の第１面１７ａに実装されている。加速度センサー１８は、例えば平らな直方体形状に形成される。なお、加速度センサー１８の形状は、特に限定されることなく、正方形やその他の形状としても良い。こうした形状は、加速度センサー１８の輪郭線に相当する。基板１７および加速度センサー１８は、筐体１２の内部空間に収容される。
【００３０】
＜実装基板の構成＞
基板１７は、例えば絶縁材料を主たる材料とする基板本体１９を有する。基板本体１９の表面（基板１７の第１面１７ａ）には、加速度センサー１８の投影像である実装領域２１が区画（設定）される。加速度センサー１８の投影像は、第１面１７ａに垂直方向から平行光線が当てられる際に、第１面１７ａに投影される加速度センサー１８の陰に相当する。換言すると、実装領域２１は、平面視で加速度センサー１８を実装した後の加速度センサー１８の輪郭領域とも言える。
【００３１】
基板１７には、シールド電極（シールド用の導電膜）２２を備える。シールド電極２２は、実装領域２１の外側で第１面１７ａに配置されている。シールド電極２２は、例えば銅といった金属、またはその他の導電材の「べた膜」で設けられている。シールド電極２２は、例えばグラウンド電位に落とされる。後述するように、シールド電極２２は、実装領域２１から所定の間隔を以て設けられている。シールド電極２２は、非電極形成部分２２ａを囲む。実装領域２１は、非電極形成部分２２ａに区画されている。第１面１７ａに設けられているシールド電極２２は、実装領域２１および非電極形成部分２２ａと排他的に設けられている。
【００３２】
図４に示す様に加速度センサー１８は、複数の出力端子２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆ，２３ｇ，２３ｈ，２３ｉ，２３ｊ，２３ｋ，２３ｍ，２３ｎ，２３ｐ（以下、総称する場合は「出力端子２３」と称する。また、省略する場合は「出力端子２３ａから２３ｐ」と称する。）が設けられている。出力端子２３は、加速度センサー１８の輪郭線２４に沿って、例えば単一列に配置されている。
【００３３】
ここでは、出力端子２３ａから２３ｐは加速度センサー１８の輪郭を一回りするように列をなす様に設けられている。出力端子２３は、加速度センサー１８に対して信号の入出力や電源の供給に用いられ、例えば出力端子２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、直交三軸の軸ごとに加速度信号が出力される。また、出力端子２３ｄは、グラウンドに接続され、その他の出力端子２３は電源等に接続されている。出力端子２３は、その材料として、例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料で構成される。出力端子２３は、その形状が特に限定されるものでなく、後述する実装端子２５と安定的に接続することができれば良い。
【００３４】
図５に示す様に、基板１７の第１面１７ａに設定されている実装領域２１には、複数の実装端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ，２５ｇ，２５ｈ，２５ｉ，２５ｊ，２５ｋ，２５ｍ，２５ｎ，２５ｐ（以下、総称する場合は「実装端子２５」と称する。また、省略する場合は「実装端子２５ａから２５ｐ」と称する。）が設けられている。また、実装領域２１には、実装端子２５が設けられる領域として第１部分が設けられている。さらに、実装領域２１には、実装端子２５が設けられる第１部分と排他的に第２部分２１ｑが設けられている。第２部分２１ｑは、絶縁部２１ｒを含み構成されている。本実施形態においては、後述するビルドアップ層２８が絶縁部２１ｒとして設けられている。なお、第１部分は、実装端子２５と重なるため各図において図示を省略している。
【００３５】
実装端子２５は、実装領域２１の輪郭線２１ｃに沿って単一列に配列されている。実装端子２５は、出力端子２３の配置が反映されている。したがって、実装端子２５は実装領域２１内で個々に孤立して配置される。出力端子２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、対応する実装端子２５に個別に接合される。出力端子（グラウンド端子）２３ｄは、実装端子２５ｄに接合される。その他の出力端子２３も、対応する実装端子２５に個別に接合される。
実装端子２５は、その材料として、例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料で構成される。実装端子２５は、その形状が特に限定されるものでなく、前述した出力端子２３と安定的に接続することができれば良い。
【００３６】
また、実装端子２５には、実装端子２５から実装領域２１の外側（非電極形成部分２２ａ）に向かって延伸する配線２６が設けられている。即ち、実装領域２１には、排他的に実装端子２５が設けられ、実装端子２５に接続されている配線２６は、実装領域２１の外側に設けられている。配線２６は、実装端子２５ａから２５ｐに対応して配線２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈ，２６ｉ，２６ｊ，２６ｋ，２６ｍ，２６ｎ，２６ｐ（以下、総称する場合は「配線２６」と称する。また、省略する場合は「配線２６ａから２６ｐ」と称する。）が設けられている。
配線２６は、その材料として、例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料で構成される。配線２６は、その形状が特に限定されるものでなく、前述した実装端子２５、および後述するビア３２（導電体３１）と安定的に接続することができれば良い。
【００３７】
図６に示す様に、基板本体１９は、コア層２７およびコア層２７の表裏に設けられたビルドアップ層２８を備える。コア層２７は、例えば単独で形状を維持する程度の剛性を有する。コア層２７は、単層であってもよくプリプレグの積層体であってもよい。コア層２７の表裏にはビルドアップ層２８が積層されている。コア層２７およびビルドアップ層２８は、それぞれ絶縁層が形成されている。絶縁層は、樹脂から構成されている。樹脂には、炭素繊維やガラス繊維が含浸されている。ビルドアップ層２８の表面である基板１７の第１面１７ａに実装端子２５（図６には一部のみが示される）が設けられている。実装端子２５は、例えば「はんだ」を用いた接合部材２９によって対応する出力端子２３と接合され、加速度センサー１８が実装される。
【００３８】
基板本体１９の内部には、ビア３２が設けられている。ビア３２は、実装端子２５ａから２５ｐに対応してビア３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆ，３２ｇ，３２ｈ，３２ｉ，３２ｊ，３２ｋ，３２ｍ，３２ｎ，３２ｐ（以下、総称する場合は「ビア３２」と称する。また、省略する場合は「ビア３２ａから３２ｐ」と称する。）が設けられている。
ビア３２は、実装端子２５から個々に延設され、絶縁層のうち少なくとも最表層の絶縁層、すなわちビルドアップ層２８を貫通する。ビア３２は、ビルドアップ層２８の表面である第１面１７ａに直交する方向（Ｚ軸方向）、すなわち基板本体１９の厚み方向に相互に平行に延設されている。ビア３２は、その内部に導電性を有する材料で構成された導電体３１が設けられ、導電ビアとして機能する。
ビア３２の内部に設けられている導電体３１は、ビア３２ａから３２ｐおよび実装端子２５ａから２５ｐに対応して、導電体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ，３１ｇ，３１ｈ，３１ｉ，３１ｊ，３１ｋ，３１ｍ，３１ｎ，３１ｐ（以下、総称する場合は「導電体３１」と称する。また、省略する場合は「導電体３１ａから３１ｐ」と称する。）が設けられている。導電体３１は、一端を配線２６に接続され、他端を配線３３に接続されている。
【００３９】
導電体３１と接続されている配線３３は、絶縁層同士の間に設けられている。配線３３は、ビア３２ａから３２ｐおよび実装端子２５ａから２５ｐに対応して、配線３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇ，３３ｈ，３３ｉ，３３ｊ，３３ｋ，３３ｍ，３３ｎ，３３ｐ（以下、総称する場合は「配線３３」と称する。また、省略する場合は「配線３３ａから３３ｐ」と称する。）が設けられている。
【００４０】
ここで、実装端子２５に接続されている配線２６、ビア３２（導電体３１）、及び配線３３は、実装領域２１と排他的に設けられている。換言すると、基板１７の第１面１７ａと交差する垂直方向からの平面視において、配線２６、ビア３２（導電体３１）、及び配線３３は、実装領域２１以外の基板１７に設けられている。すなわち、実装領域２１を迂回するように配線２６、ビア３２（導電体３１）、及び配線３３は設けられている。
これにより、配線２６、ビア３２（導電体３１）、および配線３３の熱膨張に基づく変形による基板１７の歪みが、実装領域２１に設けられた加速度センサー１８に伝わることを抑制することができる。すなわち、配線２６、ビア３２（導電体３１）、および配線３３の熱膨張に基づく変形による基板１７の歪みによる加速度センサー１８の歪み（変形）を抑制することができる。
【００４１】
そこで、発明者等は、本発明の技術的効果の検証をおこなった。温度変化に応じて無負荷時（検出すべき物理量が作用しないとき）の出力信号すなわちゼロ点電圧が測定された。その結果、図７に示すように、本実施形態のセンサーユニット１１においては、温度変化に対してゼロ点電圧が線形に変化した。したがって、実装領域２１に配線２６，３３、ビア３２等が設けられていないセンサーユニット１１の温度特性は、良好に維持されることが確認された。
【００４２】
さらに、本発明者等は２つの比較例の検証をおこなった。比較例となるセンサーユニット（不図示）では、実装領域内に導電材で構成された配線が設けられている。前述の検証と同様に、温度変化に応じて無負荷時のゼロ点電圧が測定された。その結果、図８に示すように、センサーの温度特性のある温度領域に特異点（バイアスシフト）が生じた。これは、温度変化に応じて配線同士の間で相対的な位置ずれや向きの変化が生じ、こうした位置ずれや向きの変化が基板の実装端子に作用し、出力端子を介してセンサーに歪みや応力を引き起こしたことが原因と考えられる。こうした場合には、同一の温度であっても温度の上昇時と下降時とでゼロ点電圧が相違してしまい、良好な温度特性を得ることができないことを知らしめた。
【００４３】
＜センサーユニットの適用例＞
以上のようなセンサーユニット１１は、例えば図９に示されるように、電子機器１０１に組み込まれて利用される。電子機器１０１では、例えばメインボード１０２に演算処理回路１０３およびコネクター１０４が実装される。コネクター１０４には、例えばセンサーユニット１１のコネクター１５が結合される。演算処理回路１０３には、センサーユニット１１から検出信号が供給される。演算処理回路１０３は、センサーユニット１１からの検出信号を処理し処理結果を出力する。電子機器１０１には、例えばモーションセンシングユニットや民生用ゲーム機器、運動解析装置、外科手術ナビゲーションシステム、自動車のナビゲーションシステムなどが例示される。
【００４４】
センサーユニット１１は、例えば図１０に示されるように、移動体１０５に組み込まれて利用される。移動体１０５では、例えば制御ボード１０６に制御回路１０７およびコネクター１０８が実装される。コネクター１０８には、例えばセンサーユニット１１のコネクター１５が結合される。制御回路１０７には、センサーユニット１１から検出信号が供給される。制御回路１０７は、センサーユニット１１からの検出信号を処理し処理結果に応じて移動体１０５の運動を制御することができる。こういった制御には、移動体１０５としての自動車の挙動制御、自動車のナビゲーション制御、自動車用エアバッグの起動制御、移動体１０５としての飛行機や船舶の慣性航法制御、誘導制御などが例示される。
【００４５】
センサーユニット１１は、例えば図１１に示されるように、機械１０９に組み込まれて利用される。機械１０９では、例えば制御ボード１１１に制御回路１１２およびコネクター１１３が実装される。コネクター１１３には、例えばセンサーユニット１１のコネクター１５が結合される。制御回路１１２には、センサーユニット１１から検出信号が供給される。制御回路１１２は、センサーユニット１１からの検出信号を処理し処理結果に応じて機械１０９の動作を制御することができる。こういった制御には、産業用機械の振動制御および動作制御やロボットの運動制御などが例示される。
【００４６】
上述した本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な基板１７（実装基板）に搭載された加速度センサー１８を備えるにセンサーユニット１１によれば、加速度センサー１８が実装される実装領域２１に実装端子２５が排他的に設けられ、実装端子２５から実装領域２１の外側（非電極形成部分２２ａ）に向かって配線２６，３３が延設されている。すなわち、実装領域２１には、配線２６，３３が設けられていない。したがって、配線２６，３３などの熱膨張による基板１７の歪みが実装領域２１に生じることを抑制するとともに、実装領域２１に実装される加速度センサー１８へ歪みが生じることを抑制することができる。よって、この様な基板１７に実装される加速度センサー１８は、その温度特性のヒステリシスにバイアスシフトが生じることが抑制され、信頼性の高いセンサーユニット１１を実現することができる。
【００４７】
＜変形例＞
なお、上述した実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更や改良を加えて実施することが可能である。以下に変形例を説明する。
【００４８】
（変形例１）
図１２は、変形例１に係るセンサーユニット１１に実装される加速度センサー１８ｂを裏側からみた外観を概略的に示す斜視図である。図１３は、変形例に係るセンサーユニット１１の断面を概略的に示す断面図であり、図５に示す線分Ａ−Ａ’におけるセンサーユニットの断面を概略的に示す断面図である。
変形例１に係るセンサーユニット１１は、図１２に示す様に基板１７に搭載される加速度センサー１８ｂの出力端子２３が設けられた接続面１８ａに、溝部１８ｃが設けられている。センサーユニット１１は、加速度センサー１８ｂに歪みが生じた場合、溝部１８ｃが歪みを吸収することで、歪みから生じるバイアスシフトを抑制することができる。
また、変形例１に係るセンサーユニット１１は、図１２および図１３に示す様に加速度センサー１８ｂの接続面１８ａに設けられている出力端子２３と排他的な領域に凹形状を有する陥没部１８ｄを設けても良い。センサーユニット１１は、加速度センサー１８ｂに歪みが生じた場合、陥没部１８ｄが歪みを吸収することで、歪みから生じるバイアスシフトをさらに抑制することができる。
【００４９】
（変形例２）
図１４は、変形例２に係る基板１７ｂを第１面１７ａから平面視した平面を概略的に示す平面図であり、センサーの図示を省略しているものである。また、図１５は、図１４に示す線分Ａ−Ａ’における基板１７ｂを有するセンサーユニット１１の断面を概略的に示す断面図である。
変形例２に係る基板１７ｂは、図１４および図１５に示す様に基板１７ｂの第１面１７ａに設定された実装領域２１において、実装端子２５と排他的に有底の穴である陥没部１７ｃが設けられている。基板１７ｂは、基板１７の熱膨張による歪みが生じた場合、陥没部１７ｃが歪みを吸収することで、基板１７ｂに実装される加速度センサー１８に歪みが伝わることを抑制するとともに、歪みから生じる加速度センサー１８のバイアスシフトを抑制することができる。なお、陥没部１７ｃは、貫通穴であっても良い。貫通穴とすることで基板１７ｂに蓄積される熱を効率良く放散することができ、基板１７ｂの熱膨張を抑制することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１１…センサーユニット、１２…筐体、１２ａ…箱体、１２ｂ…ベース、１３…封止材、１４…開口、１５…コネクター、１６…封止材、１７，１７ｂ…基板、１７ａ…第１面、１７ｃ…陥没部、１８，１８ｂ…加速度センサー、１８ａ…接続面、１８ｃ…溝部、１８ｄ…陥没部、１９…基板本体、２１…実装領域、２１ｃ…輪郭線、２２…シールド電極、２２ａ…非電極形成部分、２３…出力端子、２４…輪郭線、２５…実装端子、２６…配線、２７…コア層、２８…ビルドアップ層、２９…接合部材、３１…導電体、３２…ビア、３３…配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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