(57)【要約】      （修正有）【課題】消費電力の低減する光送信回路を提供する。【解決手段】光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子１０２と、電流信号を光に変換して出力する光通信用光源２３に、駆動素子１０２によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路１０３と、一定の電流を光通信用光源２３に供給する定電流供給回路１０１とを備える。そして、電圧信号が第１のレベルであるとき駆動素子１０２はオンとなって変調電流駆動回路１０３は変調電流を光通信用光源２３に供給し、電圧信号が第２のレベルであるとき駆動素子１０２はオフとなって変調電流駆動回路１０３は変調電流の供給を停止する。【選択図】図７
2015076581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、
電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、
一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路と
を備え、
前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、
前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する
光送信回路。
【請求項２】
前記光送信回路は、前記駆動素子の一方の端子に供給される電圧の電圧値を任意の値に変更する制御回路をさらに有し、
前記制御回路は、前記光通信用光源の特性に合致した最適な変調電流を前記変調電流駆動回路から前記光通信用光源に供給するように調整を行う
請求項１に記載の光送信回路。
【請求項３】
前記光送信回路は、前記変調電流駆動回路および前記定電流供給回路を有する駆動回路と、前記駆動回路に信号伝送する入力バッファとを有し、
前記入力バッファは、第１のインバータの出力に付加容量および帰還抵抗を備えた第２のインバータを接続して構成される
請求項１に記載の光送信回路。
【請求項４】
前記入力バッファを構成する前記第１のインバータおよび前記第２のインバータは、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）インバータである
請求項３に記載の光送信回路。
【請求項５】
前記入力バッファを構成する前記第１のインバータおよび前記第２のインバータは、カスコード型のCMOSインバータである
請求項３に記載の光送信回路。
【請求項６】
所望の変調電流を前記光通信用光源に供給するために、前記変調電流駆動回路の前記駆動素子に前記電圧信号が供給される端子の電圧を制御する電圧レギュレータ
をさらに備える請求項１に記載の光送信回路。
【請求項７】
前記変調電流駆動回路の前記駆動素子に供給される前記電圧信号の信号増幅量を変更する変更部
をさらに備える請求項６に記載の光送信回路。
【請求項８】
光送信する電圧信号を電流信号に変換する光送信回路と、
前記光送信回路から供給される電流信号を光に変換して出力する光通信用光源と
を備え、
前記光送信回路は、
光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、
電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、
一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路と
を有し、
前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、
前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する
を備える光送信装置。
【請求項９】
複数の前記光送信回路が配置され、それぞれの前記光送信回路において並列的に電圧信号を電流信号に変換可能な
請求項８に記載の光送信装置。
【請求項１０】
光送信する電圧信号を電流信号に変換する光送信回路と、前記光送信回路から供給される電流信号を光に変換して出力する光通信用光源とを有する光送信装置と、
光伝送経路を介して前記光信号を受光し、前記光信号を光電気変換した電流信号を出力する受光素子と、前記受光素子から出力される電流信号を電圧変換する光受信回路とを有する光受信装置と
を備え、
前記光送信回路は、
光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、
電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、
一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路と
を有し、
前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、
前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する
光伝送システム。
【請求項１１】
前記光受信装置には複数の前記光送信回路が配置され、それぞれの前記光送信回路において並列的に電圧信号を電流信号に変換可能な
請求項１０に記載の光伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光送信回路、光送信装置、および、光伝送システムに関し、特に、消費電力を抑制することができるようにした光送信回路、光送信装置、および、光伝送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光によりデータを伝送する光伝送システムでは、光送信装置が電気信号を光変換してデータを送信し、光受信装置が光を電気変換することによりデータを受信する。
【０００３】
例えば、光送信装置では、駆動回路から出力された電気信号が、電気光変換素子により光変換され、光ファイバを介して伝送される。そして、光受信装置では、受光素子（例えば、Photo Diode）により光電気変換された電流信号が、光受信回路により電圧変換され、信号の振幅が増幅され、後段の回路に供給される。
【０００４】
また、光送信装置において、電気光変換素子として、レーザダイオード（LD：Laser Diode）の一種に、短波長光トランシーバ用の光源として、垂直共振器面発光レーザ（VCSEL：Vertical Cavity Surface Emitting LASER）が使用される。そして、垂直共振器面発光レーザを駆動するためには電流が必要となり、そのときにバイアス電流を垂直共振器面発光レーザに流した上で、変調電流でデータ信号を変調することで、垂直共振器面発光レーザから０または１のデータ列が出力される。
【０００５】
このような垂直共振器面発光レーザを駆動するためには、プッシュプル（push-pull）型の差動ドライバ回路が用いられている半導体レーザ駆動回路を使用することができる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−２４３８９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、垂直共振器面発光レーザを駆動するための電流は、光送信装置の消費電力に反映され、電力が大きくなるのに伴って発熱が大きくなる。このとき、垂直共振器面発光レーザは熱の影響により光出力パワーが低下するという特性を持っているため、消費電力に起因する発熱が垂直共振器面発光レーザの特性に悪影響を与えることが懸念され、消費電力を抑制することが求められている。
【０００８】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、消費電力を抑制することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一側面の光送信回路は、光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路とを備え、前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する。
【００１０】
本開示の一側面の光送信装置は、光送信する電圧信号を電流信号に変換する光送信回路と、前記光送信回路から供給される電流信号を光に変換して出力する光通信用光源とを備え、前記光送信回路は、光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路とを有し、前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する。
【００１１】
本開示の一側面の光伝送システムは、光送信する電圧信号を電流信号に変換する光送信回路と、前記光送信回路から供給される電流信号を光に変換して出力する光通信用光源とを有する光送信装置と、光伝送経路を介して前記光信号を受光し、前記光信号を光電気変換した電流信号を出力する受光素子と、前記受光素子から出力される電流信号を電圧変換する光受信回路とを有する光受信装置とを備え、前記光送信回路は、光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路とを有し、前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する。
【００１２】
本開示の一側面においては、電圧信号が第１のレベルであるとき駆動素子はオンとなって変調電流駆動回路により変調電流が光通信用光源に供給され、電圧信号が第２のレベルであるとき駆動素子はオフとなって変調電流駆動回路により変調電流の供給が停止される。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の一側面によれば、消費電力を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本技術を適用した光伝送システムの一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図２】光送信回路の回路構成を示す図である。
【図３】光送信回路における電流信号および電圧信号を示す図である。
【図４】レーザダイオードのＩ−Ｖ特性を示す図である。
【図５】ＣＭＬ型の駆動回路の構成例を示す図である。
【図６】入力バッファの従来の構成例を示す図である。
【図７】本技術を適用したＬＤＤの第１の実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図８】データおよび供給電流について説明する図である。
【図９】ＬＤＤにおける電圧の制御方法について説明する図である。
【図１０】ＬＤＤにおける電圧の制御方法について説明する図である。
【図１１】電圧レギュレータの構成例を示す図である。
【図１２】入力バッファ回路の構成例を示す図である。
【図１３】入力バッファ回路のブロック図を示す図である。
【図１４】CMOSインバータを示す図である。
【図１５】光送信回路の構成例を示す図である。
【図１６】光送信回路の第１の変形例を示す図である。
【図１７】光送信回路の第２の変形例を示す図である。
【図１８】光送信回路の第３の変形例を示す図である。
【図１９】マルチチャンネル送信することができる光送信装置を示す図である。
【図２０】光送信装置の変形例を示す図である。
【図２１】複数の光送信回路を備えた光通信チップの構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本技術を適用した光伝送システムの一実施の形態の構成例を示すブロック図である。なお、本明細書において、システムとは、複数の装置により構成される装置全体を表すものである。
【００１７】
図１に示すように、光伝送システム１１は、光送信装置１２および光受信装置１４が、光ファイバなどの光伝送経路１３を介して接続されて構成され、光送信装置１２から光受信装置１４に光信号が伝送される。
【００１８】
光送信装置１２は、信号処理回路２１、光送信回路２２、および光通信用光源２３を備えて構成され、光受信装置１４は、受光素子３１、光受信回路３２、および信号処理回路３３を備えて構成される。また、このような構成の光伝送システム１１のうち、光伝送経路１３、光送信回路２２、光通信用光源２３、受光素子３１、および光受信回路３２により、光伝送モジュール１５が構成される。
【００１９】
信号処理回路２１は、光伝送されるデータに応じた信号を生成する信号処理を行い、例えば、一対の反転した相の電圧信号からなる差動電圧信号を、光送信回路２２に供給する。
【００２０】
光送信回路２２は、入力バッファ回路４１およびＬＤＤ（Laser Diode Driver：レーザダイオード駆動回路）４２を有して構成され、信号処理回路２１から供給される差動電圧信号を電流信号に変換して光通信用光源２３に供給する。
【００２１】
光通信用光源２３は、光送信回路２２から供給される電流信号を光に変換した光信号を、光伝送経路１３を介して送信する。光通信用光源２３としては、例えば、垂直共振器面発光レーザ（VCSEL）などの半導体レーザが使用される。
【００２２】
受光素子３１は、光通信用光源２３から送信される光信号を、光伝送経路１３を介して受光して光電気変換を行い、光信号に応じた電流信号を出力する。
【００２３】
光受信回路３２は、電流電圧変換回路５１、信号増幅回路５２、および出力バッファ回路５３を有して構成され、受光素子３１から出力される電流信号を電圧変換した差動電圧信号を信号処理回路３３に供給する。即ち、光受信回路３２では、電流電圧変換回路５１により電流信号が電圧信号に変換され、その電圧信号が信号増幅回路５２により増幅されて、出力バッファ回路５３から信号処理回路３３へ出力される。
【００２４】
信号処理回路３３は、光受信回路３２から供給される差動電圧信号に対する信号処理を行って、光送信装置１２から光伝送されたデータを受け取る。
【００２５】
次に、図２および図３を参照して、光送信回路２２の回路構成について説明する。
【００２６】
一般的に、信号処理回路２１および光送信回路２２のインターフェースでは、高速に信号伝送するための手段として、信号振幅を電源電圧より低い数100ｍＶの振幅にすることにより比較的に短時間で電圧を変化させ、かつ、雑音耐性を向上させるために信号を差動にして伝送する差動伝送方式が採用されている。ところが、信号処理回路２１および光送信回路２２のインターフェース部に付加される抵抗成分や、インダクタンス成分、容量成分などによって振幅が減衰してしまうことがあるとともに、振幅が小さいために信号品質が劣化し易くなる。
【００２７】
そのため、図２に示すように、光送信回路２２では、入力バッファ回路４１が、波形整形回路（ＥＱ）４３および増幅回路（ＡＭＰ）４４を有して構成される。
【００２８】
波形整形回路４３は、信号品質を保持するための回路であり、信号処理回路２１から供給される減衰した信号を補う波形整形を行って、増幅回路４４に供給する。
【００２９】
増幅回路４４は、波形整形回路４３により波形整形された信号を電源電圧まで増幅する回路であり、その増幅された信号をＬＤＤ４２に供給する。
【００３０】
ＬＤＤ４２は、増幅回路４４から供給される信号を、光通信用光源２３を駆動するための電流信号に変換して、駆動電流を光通信用光源２３に供給する。
【００３１】
このように光送信回路２２は構成されており、例えば、図３Ａに示すような差動電圧信号Data（＋）およびData（−）が信号処理回路２１から供給されると、光送信回路２２は、図３Ｂに示すようなシングルエンド電流信号を光通信用光源２３に供給する。これにより、光通信用光源２３から、図３Ｃに示すようなシングルエンド光信号が出力される。そして、光通信用光源２３において光信号に変換されて光伝送される光送信波形は、図１の光伝送経路１３を介して、光受信装置１４の受光素子３１により光から電流信号へ変換される。その後、光受信回路３２において電圧信号に変換されて信号処理回路３３で信号処理される。
【００３２】
ところで、上述したように、消費電力に起因する発熱が光通信用光源２３の特性に悪影響を与えることを回避するため、光送信回路２２全体の電流消費を抑制することが要求される。
【００３３】
ここで、図４には、レーザダイオードの重要な特性の一つであるＩ−Ｖ特性が示されている。
【００３４】
レーザ素子は、駆動電流を変化させることでデジタルデータを表現しており、通常、駆動電流が多い電流Ｉ１がデータData1として使用され、駆動電流が少ない電流Ｉ０がデータData0として使用される。
【００３５】
通常、電流Ｉ１および電流Ｉ０の平均電流（（Ｉ０＋Ｉ１）／２）はバイアス電流Ｉｂと称され、電流Ｉ１および電流Ｉ０の差電流（Ｉ１−Ｉ０）は変調電流Ｉｍと称される。また、電圧Ｖ１は、電流Ｉ１を供給したときのレーザダイオードのアノード電圧であり、電圧Ｖ０は、電流Ｉ０を供給したときのレーザダイオードのアノード電圧である。このとき、レーザダイオードは、図４に示すような微分抵抗Ｒｓを保有することになる。そして、直流成分のバランスが保持されるデータ伝送が行われる場合、駆動電流の平均消費電流としては、バイアス電流Ｉｂであることが最も好適な状態である。
【００３６】
また、図５には、従来より、レーザ駆動電流を供給するためのＬＤＤとして用いられるＣＭＬ（Current Mode Logic）型の駆動回路が示されている。
【００３７】
図５に示すように、ＣＭＬ型の駆動回路６１は、コンデンサ６２およびコイル６３を介して光通信用光源２３に接続され、電流源６４−１および６４−２、抵抗６５−１および６５−２、並びに、トランジスタ６６−１および６６−２を備えて構成される。
【００３８】
図５に示すように、ＣＭＬ型の駆動回路６１は、コンデンサ６２およびコイル６３から構成されるバイアスティー（Bias Tee）を介してバイアス電流Ｉｂを電流源６４−１から光通信用光源２３に供給する。また、変調電流Ｉｍは、ＣＭＬ型の駆動回路６１からコンデンサ６２を介して、光通信用光源２３に供給される。
【００３９】
このとき、ＣＭＬ型の駆動回路６１は、変調電流Ｉｍを光通信用光源２３に供給するために、データData1およびData0によらず、常に、電流源６４−２を介して２倍の変調電流分（２×Ｉｍ）を電源からＧＮＤに流しておく必要がある。このため、ＣＭＬ型の駆動回路６１の駆動中の平均消費電流は、バイアス電流Ｉｂと２倍の変調電流Ｉｍを加算したもの（＝Ｉｂ＋２×Ｉｍ）となる。
【００４０】
また、上述した特許文献１に開示されているレーザ駆動回路では、駆動中の平均消費電流はバイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍを加算したもの（＝Ｉｂ＋Ｉｍ）であった。
【００４１】
このように、従来、図５のＣＭＬ型の駆動回路６１、または、特許文献１のレーザ駆動回路では、ＬＤＤとしての理想の平均消費電流Ｉｂよりも多くの電流を消費しており、消費電流を抑制することが求められている。
【００４２】
また、図６には、入力バッファの従来の構成例が示されている。
【００４３】
図６に示すように、入力バッファ７１は、波形整形回路７２および増幅回路７３からなり、電流源８１−１乃至８１−３、抵抗８２−１乃至８２−７、コンデンサ８３、並びに、トランジスタ８４−１乃至８４−４を備えて構成される。
【００４４】
従来、入力バッファ７１として、ＣＭＬ型の駆動回路６１が、差動入力回路であり、かつ、電気インターフェースが差動伝送であることが規格として多いことより、図５のＣＭＬ型の駆動回路６１と同様に、ＣＭＬ型が用いられることが多かった。そのため、入力バッファ７１としては、差動入出力回路であり、かつ、光システムに要求される高速動作の場合、十分に帯域の広い回路としてＣＭＬ型で構成されていた。しかしながら、ＣＭＬ型の入力バッファ７１は、高速かつ広帯域動作を実現するために、消費電力が多くなっていたため、消費電流の抑制が求められている。
【００４５】
図７は、本技術を適用したＬＤＤ４２の第１の実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【００４６】
図７に示すように、ＬＤＤ４２は、定電流供給回路１０１、PMOSドライバ１０２、電圧レギュレータ１０３、および制御回路１０４を備えて構成される。
【００４７】
定電流供給回路１０１は、電流源１０５、並びに、トランジスタ１０６−１および１０６−２を有して構成され、光通信用光源２３に定電流（Ib-Im/2）を供給する。
【００４８】
PMOSドライバ１０２のゲート電極には、図２の入力バッファ回路４１から出力される信号が供給され、PMOSドライバ１０２は、その信号のハイレベル／ローレベルに応じてオン／オフを切り替えるように駆動する。
【００４９】
電圧レギュレータ１０３は、入力バッファ回路４１からPMOSドライバ１０２にデータData1が供給されているときの光通信用光源２３のアノード電圧に応じて所望の変調電流を供給することができるように、PMOSドライバ１０２のソース電圧を制御する。
【００５０】
制御回路１０４は、電圧レギュレータ１０３の出力を制御する。
【００５１】
例えば、図８に示すように、入力バッファ回路４１の出力がデータData1である場合にはPMOSドライバ１０２はオンとなり、光通信用光源２３には、PMOSドライバ１０２を介して電流Ｉｍが供給される。一方、入力バッファ回路４１の出力がデータData0である場合にはPMOSドライバ１０２はオフとなり、光通信用光源２３には、PMOSドライバ１０２を介して供給される電流がゼロとなる。
【００５２】
また、光通信用光源２３には、定電流供給回路１０１から定電流（Ib-Im/2）が供給されている。従って、光通信用光源２３に供給される供給電流は、入力バッファ回路４１の出力がデータData1である場合には電流（Ib+Im/2）となり、入力バッファ回路４１の出力がデータData0である場合には電流（Ib-Im/2）となる。
【００５３】
このように、ＬＤＤ４２は、上述したような多くの電流が発生することを回避し、平均消費電流Ｉｂだけを消費することができるように構成されている。
【００５４】
また、図７のＬＤＤ４２では、制御回路１０４が、ＬＤＤ４２が電流（Ib+Im/2）（図４の電流Ｉ１に相当する電流）を光通信用光源２３に供給する際に発生する電圧Ｖ１（図４参照）に対して、PMOSドライバ１０２が電流Ｉｍを供給することができるように、PMOSドライバ１０２のソース電圧を制御する。
【００５５】
図９および図１０を参照して、ＬＤＤ４２における電圧の制御方法について説明する。
【００５６】
図９では、光通信用光源２３に定電流（Ib+Im/2）を供給したときに発生するアノード電圧を内部回路に保持する方法について説明する。PMOSドライバ１０２をオフさせた状態で、定電流供給回路１０１から定電流（Ib+Im/2）を光通信用光源２３に供給することで、光通信用光源２３のアノードと接続される接続端に、光通信用光源２３に定電流（Ib+Im/2）を供給したときのアノード電圧V_anodeを発生させ、このときのアノード電圧を制御回路１０４が保持する。
【００５７】
図１０では、PMOSドライバ１０２のソース電圧を制御する方法について説明する。図９を参照して上述したように、光通信用光源２３に定電流（Ib+Im/2）を供給したときのアノード電圧V_anodeが制御回路１０４に保持されている状態で、PMOSドライバ１０２をオンさせ、定電流供給回路１０１から定電流（Ib-Im/2）を光通信用光源２３に供給する。このとき、PMOSドライバ１０２から供給される電流（以下、電流Ａと称する）と、定電流（Ib-Im/2）とが光通信用光源２３に供給されることになり、光通信用光源２３には、電流（Ib-Im/2+A）が供給される。
【００５８】
このときPMOSドライバ１０２のソース電圧を電圧レギュレータ１０３で制御することで、PMOSドライバ１０２から供給される電流Ａを調整することがでる。制御回路１０４は、保持しているアノード電圧V_anodeと、光通信用光源２３のアノードと接続される接続端に発生している電圧とを比較し、アノード電圧V_anodeが、光通信用光源２３のアノードと接続される接続端に発生している電圧と一致するようにPMOSドライバ１０２のソース電圧を制御する。これにより、PMOSドライバ１０２から供給される電流Ａが、電流Ｉｍとなり、PMOSドライバ１０２から所望の電流Ｉｍを供給できるPMOSドライバ１０２のソース電圧を決定することができる。
【００５９】
ここで、ＬＤＤ４２における電圧の制御方法について、さらに詳細に説明する。図９および図１０に示すように、制御回路１０４は、比較器１０７、可変電圧生成回路１０８、および論理回路１０９を有して構成される。
【００６０】
まず、図９に示すように、PMOSドライバ１０２をオフにした状態で、光通信用光源２３に定電流（Ib-Im/2）を供給したときに発生する電圧Ｖ０（図４参照）が制御回路１０４の比較器１０７に入力されるとともに、可変電圧生成回路１０８から変化可能な基準電圧Ｖrefが比較器１０７に入力され、比較器１０７が電圧Ｖ０と基準電圧Ｖrefとを比較する。そして、論理回路１０９は、比較器１０７の出力（比較結果）を処理して、電圧Ｖ０と基準電圧Ｖrefとが等しくなる（Ｖ０＝Ｖref）ように可変電圧生成回路１０８を制御し、このときの基準電圧Ｖref（＝Ｖ０）を保持する。
【００６１】
次に、PMOSドライバ１０２をオフにした状態のまま光通信用光源２３に定電流（Ib+Im/2）を供給したときに発生する電圧Ｖ１（図４参照）が制御回路１０４の比較器１０７に入力されるとともに、可変電圧生成回路１０８から変化可能な基準電圧Ｖrefが比較器１０７に入力され、比較器１０７が電圧Ｖ１と基準電圧Ｖrefとを比較する。そして、論理回路１０９は、比較器１０７の出力（比較結果）を処理して、電圧Ｖ１と基準電圧Ｖrefとが等しくなる（Ｖ１＝Ｖref）ように可変電圧生成回路１０８を制御し、このときの基準電圧Ｖref（＝Ｖ１）を保持する。
【００６２】
そして、図１０に示すように、PMOSドライバ１０２をオンにし、論理回路１０９が保持している電圧Ｖ０と電圧Ｖ１との差分に応じた電流振幅Ｉｍ（図４参照）を流すために、PMOSドライバ１０２のソース電圧を制御する必要がある。即ち、論理回路１０９は、電流振幅Ｉｍを流すための電圧信号を電圧レギュレータ１０３に供給することにより、後述する図１１に示す電圧レギュレータ１０３が有する可変電流源１１１の電流を制御する。これに従って、電圧レギュレータ１０３によりPMOSドライバ１０２のソース電圧が調整され、PMOSドライバ１０２を介して、電流振幅Ｉｍの電流が光通信用光源２３に供給される。このようにして、制御回路１０４は、光通信用光源２３の特性に合致した最適な変調電流を電圧レギュレータ１０３からPMOSドライバ１０２を介して光通信用光源２３に供給するように調整を行うことができる。  
【００６３】
次に、図１１は、PMOSドライバ１０２のソース電圧を制御する電圧レギュレータ１０３の構成例を示す図である。
【００６４】
図１１に示すように、電圧レギュレータ１０３は、可変電流源１１１、低損失定レギュレータ（LDO：Low Drop Out）１１２、および抵抗１１３を備えて構成される。
【００６５】
電圧レギュレータ１０３は、低損失定レギュレータ１１２のリファレンス電圧を抵抗１１３および可変電流源１１１によりデジタル制御することで、PMOSドライバ１０２のソース電圧を調整することができる。従って、電圧レギュレータ１０３は、PMOSドライバ１０２のソース電圧を制御することで、PMOSドライバ１０２が所望の電流Ｉｍを光通信用光源２３に供給することができるようする。
【００６６】
次に、図１２は、入力バッファ回路４１の構成例を示す図である。
【００６７】
図１２に示すように、入力バッファ回路４１は、インバータ１２１−１および１２１−２、帰還抵抗１２２、並びに、コンデンサ１２３を備えて構成され、ＬＤＤ４２のPMOSドライバ１０２を駆動する。
【００６８】
上述したように、ＬＤＤ４２は、シングルエンド入力回路であり、ＬＤＤ４２に接続される入力バッファ回路４１の出力にはシングルエンド出力回路が使用される。そこで、入力バッファ回路４１では、インバータ１２１−１で信号を増幅するシングルエンド入出力型の増幅回路（アンプ）を構成し、インバータ１２１−１の出力信号に、帰還抵抗１２２およびコンデンサ１２３を接続したインバータ１２１−２の出力信号に負帰還をかけた信号を返すことで、シングルエンドのイコライザを実現している。
【００６９】
図１３には、入力バッファ回路４１のブロック図が示されている。
【００７０】
図１３Ａに示すように、インバータ１２１−１は伝達関数Ｇ１（ｓ）により表され、帰還抵抗１２２およびコンデンサ１２３を接続したインバータ１２１−２は伝達関数Ｇ２（ｓ）により表され、帰還抵抗１２２は帰還率βｆにより表される。また、入力バッファ回路４１の伝達関数Ｇ（ｓ）は、入力バッファ回路４１に入力される入力電圧Ｖｉと、入力バッファ回路４１から出力される出力電圧Ｖｏとに基づいて、図１３Ａに示すように求められる。
【００７１】
図１３Ｂには、入力バッファ回路４１による利得特性の概要が示されている。
【００７２】
図１３Ｂに示すように、伝達関数Ｇ（ｓ）の利得は、伝達関数Ｇ１（ｓ）および伝達関数Ｇ２（ｓ）ともに通過域であるときにおいて一定となる。また、伝達関数Ｇ（ｓ）の利得は、伝達関数Ｇ１（ｓ）が通過域であり、かつ、伝達関数Ｇ２（ｓ）が増加であるときと、伝達関数Ｇ１（ｓ）および伝達関数Ｇ２（ｓ）ともに遮断域であるときにおいて減少する。このため、伝達関数Ｇ（ｓ）の利得は、ピークを持つ特徴がある。
【００７３】
このような伝達関数Ｇ（ｓ）の利得のピーク特性と、入力信号の減衰特性を合わせることで波形整形を行い、入力バッファ回路４１では、イコライザを実現している。
【００７４】
また、入力バッファ回路４１に使用されるインバータ１２１には、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）インバータを採用することができる。例えば、図１４Ａには、PMOS（Positive channel Metal Oxide Semiconductor）型のトランジスタ１４１と、NMOS（Negative channel Metal Oxide Semiconductor）型のトランジスタ１４２とが組み合わされて構成されるCMOSインバータが示されている。
【００７５】
また、入力バッファ回路４１に使用されるインバータ１２１には、カスコード型のCMOSインバータを採用することができる。例えば、図１４Ｂには、PMOS型のトランジスタ１５１のドレイン側に接続されるPMOS型のトランジスタ１５３のゲート電圧が任意の電位Ｖbpにバイアスされ、NMOS型のトランジスタ１５２のドレイン側に接続されるNMOS型のトランジスタ１５４のゲート電圧が任意の電位Ｖbnにバイアスされるカスコード型のCMOSインバータが示されている。
【００７６】
次に、図１５には、図７のＬＤＤ４２および図１２の入力バッファ回路４１を実装した光送信回路２２の構成例が示されている。
【００７７】
図１の信号処理回路２１から入力バッファ回路４１に正極信号Data(+)が入力され、入力バッファ回路４１は、シングルエンド信号の波形整形および増幅を行う。この際、入力バッファ回路４１から出力される信号によって、ＬＤＤ４２のPMOSドライバ１０２のゲート電圧を駆動することによりPMOSドライバ１０２がオン／オフされる。これにより、制御回路１０４を通してコントロールされた電圧レギュレータ１０３から所望の変調電流を発生させ、定電流供給回路１０１から供給されるバイアス電流に重畳させて光通信用光源２３を駆動する。従って、光送信回路２２は、光信号を低消費電力で出力することができる。
【００７８】
図１６には、光送信回路２２の第１の変形例が示されている。
【００７９】
図１６に示すように、光送信回路２２Ａは、入力バッファ回路４１およびＬＤＤ４２Ａから構成され、入力バッファ回路４１は、図１２の入力バッファ回路４１と同様に構成される。
【００８０】
ＬＤＤ４２Ａは、定電流供給回路１０１、PMOSドライバ１０２、電圧レギュレータ１０３、および制御回路１０４を備える点で、図７のＬＤＤ４２と同様に構成される。一方、ＬＤＤ４２Ａは、バイアスレギュレータ１６１、コンデンサ１６２、および抵抗１６３をさらに備えて構成される。
【００８１】
即ち、ＬＤＤ４２Ａは、コンデンサ１６２を介して入力バッファ回路４１の出力端子およびPMOSドライバ１０２のゲート電極が接続され、コンデンサ１６２およびPMOSドライバ１０２のゲート電極を接続する配線に、抵抗１６３を介してバイアスレギュレータ１６１が接続される。
【００８２】
バイアスレギュレータ１６１は、入力バッファ回路４１の出力電圧のハイレベルおよびローレベルの信号に応じて、PMOSドライバ１０２のゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖgが、所望のバイアス値になるような制御を行う。即ち、バイアスレギュレータ１６１は、オン時には、PMOSドライバ１０２のゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖgが、PMOSドライバ１０２をオンにする電圧となるような制御を行う。一方、バイアスレギュレータ１６１は、オフ時には、PMOSドライバ１０２のゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖgが、PMOSドライバ１０２をオフにする電圧となるような制御を行う。
【００８３】
これにより、ＬＤＤ４２Ａでは、バイアスレギュレータ１６１によりPMOSドライバ１０２を駆動するのに適切な電圧を供給することができ、PMOSドライバ１０２を確実に駆動することができる。
【００８４】
図１７には、光送信回路２２の第２の変形例が示されている。
【００８５】
図１７に示すように、光送信回路２２Ｂは、入力バッファ回路４１ＡおよびＬＤＤ４２から構成され、ＬＤＤ４２は、図１２のＬＤＤ４２と同様に構成される。
【００８６】
入力バッファ回路４１Ａは、インバータ１２１−１および１２１−２、帰還抵抗１２２、並びに、コンデンサ１２３を備える点で、図１２の入力バッファ回路４１と同様に構成される。一方、入力バッファ回路４１Ａは、アンプ１７１をさらに備えて構成される。
【００８７】
即ち、入力バッファ回路４１Ａは、インバータ１２１−１の出力端子がアンプ１７１の入力端子に接続され、アンプ１７１の出力端子がPMOSドライバ１０２のゲート電極に接続される。
【００８８】
例えば、上述の光送信回路２２では、信号処理回路２１の出力振幅によっては、イコライザ機能付きの入力バッファ回路４１だけで、PMOSドライバ１０２を駆動するだけの振幅を得られない可能性がある。
【００８９】
これに対し、光送信回路２２Ｂでは、入力バッファ回路４１Ａがアンプ１７１を備えることにより、アンプ１７１がPMOSドライバ１０２に供給される電圧信号を増幅することで、PMOSドライバ１０２のゲート電極に印加される信号の利得を稼ぐことができ、PMOSドライバ１０２を確実に駆動することができる。
【００９０】
次に、図１８には、光送信回路２２の第３の変形例が示されている。
【００９１】
図１８に示すように、光送信回路２２Ｃは、入力バッファ回路４１ＡおよびＬＤＤ４２Ａから構成される。即ち、光送信回路２２Ｃは、図１７に示した入力バッファ回路４１Ａと、図１６に示したＬＤＤ４２Ａとを備えて構成される。
【００９２】
このように構成される光送信回路２２Ｃでは、図１６および図１７を参照して上述したように、ＬＤＤ４２ＡにおいてPMOSドライバ１０２を確実に駆動することができる。
【００９３】
ところで、光送信装置１２において並列で光送信する数が増加したときに、消費電力が問題となることが想定される。そこで、マルチチャンネル送信することができる光送信装置について説明する。
【００９４】
図１９に示されている光送信装置２１１は、並列的にＮ段の差動電圧信号を出力することができる信号処理部２１２、および、並列的にＮ段の光信号を出力することができる光送信回路２１３を備えて構成される。
【００９５】
光送信回路２１３は、Ｎ個の送信機２２１−１乃至２２１−Ｎを備えており、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎに光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎがそれぞれ接続されている。送信機２２１−１乃至２２１−Ｎは、入力バッファ回路４１およびＬＤＤ４２をそれぞれ備えており、信号処理装置２１２から供給される差動電圧信号に従って、光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎに電流信号を並列的に供給する。
【００９６】
このように構成される光送信装置２１において、低消費電力で、並列的に光送信することができる。なお、図１９の光送信回路２１３は、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎおよび光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎを備えて構成されているが、例えば、光送信回路２１３としては、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎだけを備える構成とし、光送信回路２１３に対して光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎが接続されるようにしてもよい。また、光送信回路２１３が、信号処理部２１２および送信機２２１−１乃至２２１−Ｎを備える構成としてもよい。また、光送信回路２１３が、信号処理部２１２、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎ、および光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎを備える構成としてもよい。
【００９７】
次に、図２０には、光送信装置１２の変形例が示されている。
【００９８】
図２０Ａに示されている光送信装置２２１Ａは、VCSEL駆動回路２３１および定電流供給回路２３２を備えて構成され、VCSEL２２２を駆動するための電流信号を出力する。即ち、VCSEL駆動回路２３１は、データData1のとき電流Ｉｍを出力するとともに、データData0のとき電流の出力をゼロにし、定電流供給回路２３２は、定電流（Ib-Im/2）を出力する。
【００９９】
図２０Ｂに示されている光送信装置２２１Ｂは、VCSEL駆動回路２３１、定電流供給回路２３２、電圧レギュレータ２３３、および制御回路２３４を備えて構成され、VCSEL２２２を駆動するための電流信号を出力する。光送信装置２２１Ｂでは、電圧レギュレータ２３３が所望の電圧を発生することができるように、制御回路２３４による制御が行われる。これにより、VCSEL駆動回路２３１は、データData1のとき電流Ｉｍを確実に出力するとともに、データData0のとき電流の出力を確実にゼロにすることができる。
【０１００】
図２０Ｃに示されている光送信装置２２１Ｃは、VCSEL駆動回路２３１、定電流供給回路２３２、および制御回路２３５を備えて構成され、VCSEL２２２を駆動するための電流信号を出力する。光送信装置２２１Ｃでは、制御回路２３５がVCSEL駆動回路２３１そのものを制御して、所望の電圧を得ることができる。例えば、制御回路２３５は、VCSEL駆動回路２３１内の素子（例えば、MOSなど）のサイズを変更することにより電流を調整するような制御を行う。
【０１０１】
なお、以上の説明では、垂直共振器面発光レーザを一例として光通信用光源２３の説明を行ったが、光送信装置１２では、他のレーザダイオードを光通信用光源２３として採用してもよい。また、ＬＤＤ４２は、PMOSドライバ１０２を備える構成として説明したが、PMOSおよびNMOSのどちらをドライバとして用いてもよい。
【０１０２】
次に、図２１を参照して、複数の光送信回路２２を備えた光通信チップの構成例について説明する。
【０１０３】
図２１に示すように、光通信チップ３０１は、光送信ブロック３０２および光受信ブロック３０３を備えて構成され、例えば、図１の光送信装置１２と光受信装置１４との両方の機能を備える光通信装置に搭載される。つまり、光通信チップ３０１は、光伝送経路１３を介して、光送信装置１２のように光信号を送信し、光受信装置１４のように光信号を受信することができる。
【０１０４】
また、光通信チップ３０１において、光送信ブロック３０２は、複数の送信部３１１を有しているとともに、光受信ブロック３０３は、複数の受信部３１２を有している。例えば、図２１の構成例では、光送信ブロック３０２は、ｍ行×ｎ列のマトリックス状に単一面に配置された送信部３１１（１，１）乃至３１１（ｎ，ｍ）を有している。同様に、光受信ブロック３０３は、ｍ行×ｎ列で平面的に配置された受信部３１２（１，１）乃至３１２（ｎ，ｍ）を有している。ここで、ｍおよびｎは、任意の整数である。
【０１０５】
また、光通信チップ３０１において、光送信ブロック３０２では、送信部３１１ごとに光通信用光源３１３が接続され、光受信ブロック３０３では、受信部３１２ごとに受光素子３１４が接続される。
【０１０６】
従って、光通信チップ３０１では、光送信ブロック３０２が有する複数の送信部３１１が、通信相手となる他の光通信チップ３０１の光受信ブロック３０３が有する複数の受信部３１２に対して、光通信用光源３１３から光信号をそれぞれ送信することができる。また、光通信チップ３０１では、光受信ブロック３０３が有する複数の受信部３１２が、通信相手となる他の光通信チップ３０１の光送信ブロック３０２が有する複数の送信部３１１から送信されてくる光信号を、受光素子３１４によりそれぞれ受信することができる。
【０１０７】
また、送信部３１１は、入力バッファ回路４１、ＬＤＤ４２、およびレーザダイオード監視回路３２７を備えて構成され、入力バッファ回路４１が波形整形回路４３および増幅回路４４を有して構成される。
【０１０８】
入力バッファ回路４１、ＬＤＤ４２、波形整形回路４３、および増幅回路４４は、図２に示した光送信回路２２と同様に構成される。レーザダイオード監視回路３２７は、光通信用光源３１３を監視し、光通信用光源３１３に異常を検出した場合には、ＬＤＤ４２から光通信用光源３１３への電流信号の出力を停止する。
【０１０９】
また、受信部３１２は、信号強度測定部（RSSI：Received Signal Strength indicator）３３１、トランスインピーダンスアンプ３３２、リミッティングアンプ３３３、および出力バッファ３３４を備えて構成される。
【０１１０】
信号強度測定回路３３１は、受光素子３１４からトランスインピーダンスアンプ３３２に供給されるシングルエンドの電流信号の強度を測定する。
【０１１１】
トランスインピーダンスアンプ３３２は、受光素子３１４から供給されるシングルエンドの電流信号の直流成分を除去し、シングルエンドの電流信号を差動信号に変換して出力する。
【０１１２】
リミッティングアンプ３３３は、トランスインピーダンスアンプ３３２から出力される差動信号を、予め設定された所定のレベルまで増幅して出力する。出力バッファ３３４は、リミッティングアンプ３３３から出力される差動信号を一時的に保持し、図示しない信号線を介して、受信信号を処理する信号処理回路に供給する。
【０１１３】
このように、光通信チップ３０１において、複数の送信部３１１は、上述した各構成例の光送信回路２２を備えており、光通信チップ３０１は、複数の光送信回路２２が配置されて構成される。つまり、光通信チップ３０１では、複数の光送信回路２２において並列的に光通信用光源３１３を駆動することが可能である。従って、光通信チップ３０１を備えた送受信装置、および、その送受信装置を含んで構成される光伝送システムでは、光送信ブロック３０２において並列的に光信号を送信する駆動を行うとき、上述したように光信号を低消費電力で出力することができる。これにより、光通信チップ３０１における発熱を抑制することができ、光通信チップ３０１では、電源の電圧降下（ドロップ）を回避することができるとともに、熱によって光通信が受ける影響を抑制することができる。また、光通信チップ３０１は、隣接する送信部３１１どうしの間におけるクロストーク、および、隣接する受信部３１２どうしの間におけるクロストークを低減することができ、より低ノイズで通信を行うことができる。
【０１１４】
なお、光通信チップ３０１から光送信ブロック３０２と光受信ブロック３０３とを独立して構成してもよく、光送信装置１２（図１）が、光送信ブロック３０２を備えた構成としてもよい。
【０１１５】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、
電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、
一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路と
を備え、
前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、
前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する
光送信回路。
（２）
前記光送信回路は、前記駆動素子の一方の端子に供給される電圧の電圧値を任意の値に変更する制御回路をさらに有し、
前記制御回路は、前記光通信用光源の特性に合致した最適な変調電流を前記変調電流駆動回路から前記光通信用光源に供給するように調整を行う
上記（１）に記載の光送信回路。
（３）
前記光送信回路は、前記変調電流駆動回路および前記定電流供給回路を有する駆動回路と、前記駆動回路に信号伝送する入力バッファとを有し、
前記入力バッファは、第１のインバータの出力に付加容量および帰還抵抗を備えた第２のインバータを接続して構成される
上記（１）または（２）に記載の光送信回路。
（４）
前記入力バッファを構成する前記第１のインバータおよび前記第２のインバータは、CMOSインバータである
上記（３）に記載の光送信回路。
（５）
前記入力バッファを構成する前記第１のインバータおよび前記第２のインバータは、カスコード型のCMOSインバータである
上記（３）に記載の光送信回路。
（６）
所望の変調電流を前記光通信用光源に供給するために、前記変調電流駆動回路の前記駆動素子に前記電圧信号が供給される端子の電圧を制御する電圧レギュレータ
をさらに備える上記（１）から（５）までのいずれかに記載の光送信回路。
（７）
前記変調電流駆動回路の前記駆動素子に供給される前記電圧信号の信号増幅量を変更する変更部
をさらに備える上記（１）から（６）までのいずれかに記載の光送信回路。
（８）
光送信する電圧信号を電流信号に変換する光送信回路と、
前記光送信回路から供給される電流信号を光に変換して出力する光通信用光源と
を備え、
前記光送信回路は、
光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、
電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、
一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路と
を有し、
前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、
前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する
を備える光送信装置。
（９）
複数の前記光送信回路が配置され、それぞれの前記光送信回路において並列的に電圧信号を電流信号に変換可能な  上記（９）に記載の光送信装置。
（１０）
光送信する電圧信号を電流信号に変換する光送信回路と、前記光送信回路から供給される電流信号を光に変換して出力する光通信用光源とを有する光送信装置と、
光伝送経路を介して前記光信号を受光し、前記光信号を光電気変換した電流信号を出力する受光素子と、前記受光素子から出力される電流信号を電圧変換する光受信回路とを有する光受信装置と
を備え、
前記光送信回路は、
光送信する電圧信号のレベルに応じて駆動する駆動素子と、
電流信号を光に変換して出力する光通信用光源に、前記駆動素子によって変調される変調電流を供給する変調電流駆動回路と、
一定の電流を前記光通信用光源に供給する定電流供給回路と
を有し、
前記電圧信号が第１のレベルであるとき前記駆動素子はオンとなって前記変調電流駆動回路は変調電流を前記光通信用光源に供給し、
前記電圧信号が第２のレベルであるとき前記駆動素子はオフとなって前記変調電流駆動回路は変調電流の供給を停止する
光伝送システム。
（１１）
前記光受信装置には複数の前記光送信回路が配置され、それぞれの前記光送信回路において並列的に電圧信号を電流信号に変換可能な
上記（１０）に記載の光伝送システム。
【０１１６】
なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１７】
１１  光伝送システム，  １２  光送信装置，  １３  光伝送経路，  １４  光受信装置，  １５  光伝送モジュール，  ２１  信号処理回路，  ２２  光送信回路，  ２３  光通信用光源，  ３１  受光素子，  ３２  光受信回路，  ３３  信号処理回路，  ４１  入力バッファ回路，  ４２  ＬＤＤ，  ５１  電流電圧変換回路，  ５２  信号増幅回路，  ５３  出力バッファ回路，  １０１  定電流供給回路，  １０２  PMOSドライバ，  １０３  電圧レギュレータ，  １０４  制御回路，  １０５  トランジスタ，  １０６  トランジスタ，  １１１  可変電流源，  １１２  低損失定レギュレータ，  １１３  抵抗，  １２１  インバータ，  １２２  帰還抵抗，  １２３  コンデンサ，  １４１  PMOS型のトランジスタ，  １４２  NMOS型のトランジスタ，  １５１  PMOS型のトランジスタ，  １５２  NMOS型のトランジスタ，  １５３  PMOS型のトランジスタ，  １５４  NMOS型のトランジスタ，  １６１  バイアスレギュレータ，  １６２  コンデンサ，  １６３  抵抗，  １７１  アンプ
【図１】
2015076581.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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