(57)【要約】【課題】内部導体とこれを被覆する絶縁層との接合強度に優れると共に細径化に適し、高周波信号の伝送特性を改善し得る絶縁電線及びケーブルを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、内部導体と、この内部導体を被覆する絶縁層とを備える絶縁電線であって、絶縁層がフッ素樹脂を主成分とし、このフッ素樹脂と内部導体の表面との間に化学結合を有している。上記化学結合が上記フッ素樹脂に対する電離放射線照射により形成されるとよい。上記化学結合がＮ原子又はＳ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤を介するものであるとよい。内部導体としては複数本の素線を撚り合わせた撚り線が好ましい。内部導体が、表面にコバルト又はコバルト合金を主成分とする防錆処理層を有しているとよい。本発明のケーブルは当該絶縁電線を備える。当該ケーブルは絶縁層の外側を覆う外部導体をさらに備える同軸ケーブルであるとよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体と、この内部導体を被覆する絶縁層とを備える絶縁電線であって、
上記絶縁層がフッ素樹脂を主成分とし、
上記フッ素樹脂と上記内部導体の表面との間に化学結合を有している絶縁電線。
【請求項２】
上記化学結合が、上記フッ素樹脂に対する電離放射線照射により形成される請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
上記化学結合が、Ｎ原子又はＳ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤を介しするものである請求項１又は請求項２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
上記内部導体が、複数本の素線を撚り合わせた撚り線である請求項１、請求項２又は請求項３の絶縁電線。
【請求項５】
上記内部導体が、単線である請求項１、請求項２又は請求項３の絶縁電線。
【請求項６】
上記内部導体が、表面にコバルト又はコバルト合金を主成分とする防錆処理層を有している請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の絶縁電線。
【請求項７】
上記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン・ヘキサオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はテトラフルオロエチレン・パーフルオロジオキソール共重合体（ＴＦＥ／ＰＤＤ）である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の絶縁電線。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の絶縁電線を備えるケ−ブル。
【請求項９】
上記絶縁層の外側を覆う外部導体をさらに備える同軸ケーブルである請求項８に記載のケーブル。
【請求項１０】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の絶縁電線を覆う外部導体を備える同軸ケーブル。
【請求項１１】
請求項１０に記載の同軸ケーブルを多芯にした多芯ケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁電線、ケーブル、同軸ケーブル及び多芯ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器内の配線として同軸ケーブルが用いられる。この同軸ケーブルは、一般に、内部導体を絶縁体で被覆し、絶縁体の外周を外部導体で覆い、その外側を外被で覆った構造を有している。
【０００３】
同軸ケーブルは、固定部に対してスライド又は回動する可動部を有する電子機器の配線に使用されることがある。このような配線に使用される同軸ケーブルは、電子機器の小型化の要望に応えるために細径化することが望まれている。一方、携帯情報端末等の電子機器は、高速大容量通信が可能とされており、このような高速大容量通信では同軸ケーブルに高周波信号が流れることになる。そのため、同軸ケーブルには、優れた伝送特性を有すること、具体的には伝送遅延や伝送損失の小さいことが要求される。このような伝送特性を得るためには、比誘電率（εｒ）及び誘電正接（ｔａｎδ）が小さい絶縁材料を使用する必要がある。
【０００４】
比誘電率（εｒ）及び誘電正接（ｔａｎδ）が小さい絶縁材料としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂が知られている（例えば特開２００１−７４６６号公報、特許４２９６２５０号公報参照）。また、同軸ケーブルの絶縁体として、フッ素樹脂を使用することも検討されている（特開２０１２−２３４７６３号公報）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−７４６６号公報
【特許文献２】特許４２９６２５０号公報
【特許文献３】特開２０１２−２３４７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＰＴＦＥ等のフッ素樹脂は、表面エネルギーが著しく低く非粘着性である。そのため、絶縁体の材料としてフッ素樹脂を適用した場合、内部導体と絶縁体との接合強度を充分に確保できないおそれがある。特に、電子機器の可動部では、固定部に対するスライド又は回動が繰り返されるため、内部導体に対して絶縁体が剥離しやすくなるものと考えられる。また、内部導体を細径化すると、押出工程でフッ素絶縁体を被覆する際に、押し出し時の圧力を上げられないため、フッ素の絶縁体と内部導体との密着力が弱くなる傾向があり、電線のコア径が安定して製造できない課題があった。また、電線を使用する際にも絶縁体が内部導体から剥離しやすくなる。このような課題は、特に単線において顕著となる。このような剥離の問題は、同軸ケーブルに限らず、他のケーブルや絶縁電線においても同様に生じ得る。さらに、高周波信号の伝送用に使用される同軸ケーブルでは、内部導体を細径化することで、伝送遅延や伝送損失が大きくなり、伝送特性が低下する傾向にある。
【０００７】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、内部導体とこれを被覆する絶縁層との接合性に優れると共に細径化に適し、高周波信号の伝送特性を改善し得る絶縁電線及びケーブルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、内部導体と、この内部導体を被覆する絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記絶縁層がフッ素樹脂を主成分とし、上記フッ素樹脂と上記内部導体の表面との間に化学結合を有している。
【０００９】
別の本発明は、当該絶縁電線を備えるケ−ブル、当該絶縁電線を覆う外部導体を備える同軸ケーブル、及び当該同軸ケーブルを多芯にした多芯ケーブルを含む。
である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、内部導体とこれを被覆する絶縁層との接合性に優れると共に細径化に適し、高周波信号の伝送特性を改善し得る絶縁電線及びケーブルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る絶縁電線の要部を示す模式的斜視図である。
【図２】図１のＸ１−Ｘ１線に沿う断面図である。
【図３】絶縁層のフッ素樹脂と内部導体との間の化学結合を説明するイメージ図である。
【図４】絶縁層のフッ素樹脂と内部導体との間の化学結合の他の例を説明するイメージ図である。
【図５】本発明の第二実施形態に係るケーブルの要部を示す模式的斜視図である。
【図６】図５のＸ２−Ｘ２線に沿う断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る絶縁電線の要部を示す図１に相当する模式的斜視図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る同軸ケーブルの要部を示す図５に相当する模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［本発明の実施形態の説明］
上記課題を解決するためになされた発明は、内部導体と、この内部導体を被覆する絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記絶縁層がフッ素樹脂を主成分とし、上記フッ素樹脂と上記内部導体の表面との間に化学結合を有している。
【００１３】
当該絶縁電線では、内部導体の表面とフッ素樹脂との間に化学結合を有している。そのため、絶縁層の主成分として表面エネルギーが著しく低い非粘着性のフッ素樹脂を採用する場合であっても、上記化学結合によって内部導体と絶縁層との接合強度を確保することができ、内部導体と絶縁層との間の剥離を生じにくくすることができる。その結果、当該絶縁電線は、内部導体に対する絶縁層の剥離が抑制されることで、好適に細径化を実現することが可能となる。
【００１４】
また、当該絶縁電線は、絶縁層の主成分がフッ素樹脂であることで、高周波信号に対する優れた伝送特性を発揮し得る。従って、当該絶縁電線は、細径化が要求される用途ばかりでなく、高周波信号用の配線としても好適に使用することができる。
【００１５】
上記化学結合が、上記フッ素樹脂に対する電離放射線照射により形成されることが好ましい。このように上記化学結合が電離線照射により形成されることで、より適切に接合強度を高めることができる。その結果、当該絶縁電線は、内部導体に対する絶縁層の剥離がより適切に抑制され、より好適に細径化を実現することが可能となる。また、フッ素樹脂が電離線照射されたものであることで、フッ素樹脂分子間に化学結合を有するものとすることができる。この化学結合は、共有結合又は水素結合であり、これらの化学結合はフッ素樹脂の分子間結合（Ｆ−Ｆ結合）に比べて強い。そのため、当該絶縁電線では、フッ素樹脂分子同士が化学結合によって強固に結合され得る。その結果、当該絶縁電線では、化学結合により絶縁層の機械的強度を向上させることが可能となる。
【００１６】
上記化学結合が、Ｎ原子又はＳ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤を介するものであるとよい。このようなＮ原子又はＳ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤を介して内部導体とフッ素樹脂との間に化学結合を形成することで、内部導体と絶縁層との接合強度がさらに高められる。この理由は明確ではないが、上記カップリング剤の加水分解基が内部導体の表面に固定される一方で、上記カップリング剤のアミノ基、スルフィド基等のＮ原子又はＳ原子を含む官能基が、絶縁層の主成分であるフッ素樹脂がラジカル化した際に生じるＣ・又はＣ＝Ｏ若しくはＣＯＯＨ部分と化学結合することで接合強度が向上するものと推定される。
【００１７】
上記内部導体としては、複数本の素線を撚り合わせた撚り線が好ましい。このように内部導体として撚り線を用いることで、内部導体として単線を用いる場合に比べて当該絶縁電線の柔軟性及び折り曲げ強度が向上する。そのため、当該絶縁電線は、電子機器の可動部の配線のように、繰り返し折り曲げ力が作用する用途に適したものとなる。一方、内部導体が単線であると、内部導体とシールド層との距離が一定になり、ノイズが低減できる効果がある。
【００１８】
上記内部導体が、表面にコバルト又はコバルト合金を主成分とする防錆処理層を有しているとよい。この防錆処理層により、内部導体の表面での酸化を抑制できる。その結果、内部導体の表面の酸化に起因する内部導体と絶縁層との接合強度の低下をより適切に抑制できる。
【００１９】
上記フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・ヘキサオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はテトラフルオロエチレン・パーフルオロジオキソール共重合体（ＴＦＥ／ＰＤＤ）が好ましい。このようなフッ素樹脂は、加熱や電子線照射等によりフッ素ラジカルを生成しやすいものであると考えられる。そのため、例示したフッ素樹脂を主成分とする絶縁層を用いた絶縁電線は、内部導体と絶縁層との接合強度、及び絶縁層の機械的強度により優れたものとなる。
【００２０】
また、上記フッ素樹脂内に空孔を生じさせることによる誘電率低下や、各種フィラーの混合により、放熱性向上、誘電率低下（中空フィラーの混合）、誘電率向上（高ε無機物の混合）、耐摩耗性向上等の各種特性を向上させたフッ素樹脂を使用することもできる。
【００２１】
上記課題を解決するためになされた別の本発明は、当該絶縁電線を備えるケ−ブルである。
【００２２】
当該ケーブルは、当該絶縁電線を備えているため、当該絶縁電線と同様に、上記化学結合によって内部導体と絶縁層との接合強度を確保し、好適に当該ケーブルの細径化を実現することが可能となる。また、当該ケーブルの絶縁層がフッ素樹脂を主成分とすることで、当該ケーブルを高周波信号用の配線としても好適に使用することができる。
【００２３】
当該ケーブルとしては、上記絶縁層の外側を覆う外部導体をさらに備える同軸ケーブルが好ましい。また、この同軸ケーブルを更に多芯にした多芯ケーブルも好ましい。このような同軸ケーブルは、細径化が実現可能であり、高周波信号に対する伝送特性に優れることから、小型化が要求される携帯通信端末等の電子機器、特に固定部に対して可動部がスライド又は回動する電子機器の配線として好適に使用することができる。
【００２４】
ここで、「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基で置換されたものをいう。「主成分」とは、最も含有量の多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。「化学結合」とは、共有結合又は水素結合をいう。
【００２５】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の絶縁電線及びケーブルについて、図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、後述の実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００２７】
［絶縁電線］
まず、本発明の第一実施形態に係る絶縁配線について、図１〜図４を参照しつつ説明する。
【００２８】
図１及び図２の絶縁電線１は、内部導体２の外周側を絶縁層３で被覆したものである。
【００２９】
＜内部導体＞
内部導体２は、複数本（本実施形態では７本）の素線２０を撚り合わせた撚り線である。この内部導体２の直径（撚り線の半径方向断面の外接円）は、例えばＡＷＧ（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｗｉｒｅ  Ｇａｕｇｅ）の規格におけるＡＷＧ２６以上４６以下（０．０４８ｍｍ以上０．４８ｍｍ以下）とされる。
【００３０】
素線２０としては、例えば錫めっき軟銅線を使用することができる。素線２０の直径は、例えば０．０１６ｍｍ以上０．１６ｍｍ以下とされる。この素線２０は表面に防錆処理層が形成されていることが好ましく、カップリング剤が固定されていることが好ましい。
【００３１】
また、内部導体として撚線ではなく、単線を使用することもできる。単線を使用することで、導体とシールド層との距離が一定になり、ノイズが低減できる効果がある。しかし、この場合、導体の表面が平滑であるため、ＡＷＧ４０より細い極細の単線導体へのフッ素樹脂の被覆が容易ではないという課題がある。これに対しても、表面に防錆処理層が形成されているとカップリング剤の反応がより高くなるため好ましいが、組成によっては防錆処理層がなくても、カップリング剤が十分な接着力を持つことも可能である。
【００３２】
（防錆処理層）
防錆処理層は、素線２０の表面が酸化することによる接合強度の低下を抑制するものである。この防錆処理層としては、コバルト、クロム又は銅を含むことが好ましく、コバルト又はコバルト合金を主成分として含むことがさらに好ましい。防錆処理層は、１層として形成しても複数層として形成してもよい。防錆処理層は、めっき層として形成してもよい。このめっき層は、単一金属めっき層又は合金めっき層として形成される。単一金属めっき層を構成する金属としてはコバルトが好ましい。合金めっき層を構成する合金としては、例えばコバルト−モリブデン、コバルト−ニッケル−タングステン、コバルト−ニッケル−ゲルマニウム等のコバルト系合金などが挙げられる。
【００３３】
防錆処理層の厚みの下限としては、０．５ｎｍが好ましく、１ｎｍがより好ましく、１．５ｎｍがさらに好ましい。上記厚みが上記下限未満であると素線２０の酸化を充分に抑制できないおそれがある。一方、上記厚みの上限としては、５０ｎｍが好ましく、４０ｎｍがより好ましく、３５ｎｍがさらに好ましい。上記厚みが上記上限を超えると、厚みの増加分に比してそれに見合うだけの酸化防止効果を得られないおそれがある。
【００３４】
（カップリング剤）
カップリング剤は、素線２０と絶縁層３との接合強度を高めるために、これらの間に化学結合を形成するために使用される。このカップリング剤としては、Ｎ原子又はＳ原子を含む官能基（以下、「反応性官能基」ともいう）を持つシラン系カップリング剤が好ましい。このシランカップリング剤は、加水分解基（ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＯＣＯＣＨ３等）が加水分解されて素線２０の表面又は防錆処理層と結合することにより素線２０に固定されるものと考えられる。一方、シランカップリング剤は、後述するように絶縁層３に対して上記反応性官能基において固定されるものと推定される。
【００３５】
Ｎ原子を含む官能基としては、例えばアミノ基、ウレイド基等を挙げることができる。
【００３６】
Ｎ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤としては、例えばアミノアルコキシシラン、ウレイドアルコキシシラン、これらの誘導体が挙げられる。
【００３７】
アミノアルコキシシランとしては、例えば３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００３８】
アミノエトキシシランの誘導体としては、例えば３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン等のケチミン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの酢酸塩等のシランカップリング剤の塩などが挙げられる。
【００３９】
ウレイドアルコキシシランとしては、例えば３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−（２‐ウレイドエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４０】
Ｓ原子を含む官能基としては、例えばメルカプト基、スルフィド基等が挙げられる。
【００４１】
Ｓ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤としては、例えばメルカプトアルコキシシラン、スルフィドアルコキシシラン、これらの誘導体が挙げられる。
【００４２】
メルカプトアルコキシシランとしては、例えば３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル(ジメトキシ)メチルシラン、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）等が挙げられる。
【００４３】
スルフィドアルコキシシランとしては、例えばビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィド、ビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド等が挙げられる。
【００４４】
上記シラン系カップリング剤としては、変性基を導入したものであってもよい。変性基としては、フェニル基が好ましい。
【００４５】
中でも、上記シラン系カップリング剤としては、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、及びビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィドが好ましい。
【００４６】
カップリング剤としては、Ｎ原子又はＳ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤に代えて、又はこのシラン系カップリング剤に加えて他のカップリング剤を使用することができる。他のカップリング剤としては、絶縁層３の主成分であるフッ素樹脂又はそのラジカルに対して反応性を有する官能基を含み、素線２０又は防錆処理層に結合できる官能基等を含むものが好ましく、例えばチタン系カップリング剤を使用することができる。
【００４７】
チタン系カップリング剤としては、例えばイソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリステアロイルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−1−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート、ビス（ジオクチルパオロホスフェート）エチレンチタネート、ビス（ジオクチルパオロホスフェート）ジイソプロピルチタネート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テトラプロピルオルソチタネート、テトライソプロピルテトラエチルオルソチタネート、テトラブチルオルソチタネート、ブチルポリチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、２−エチルヘキシルチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス−（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、チタニウムラクテート、アセトアセティックエスチルチタネート、ジイソプロポキシビス８アセチルアセトナト）チタン、ジ−ｎ−ブトキシビス（トリエタノールアルミナト）チタン、ジヒドロキシビス（ラクタト）チタン、チタニウム−イソプロポキシオクチレングリコレート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、ブチルチタネートダイマー、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００４８】
＜絶縁層＞
絶縁層３は、内部導体２を保護するものである。この絶縁層３は、フッ素樹脂を主成分とし、必要に応じて任意成分を含む。絶縁層３は、主成分であるフッ素樹脂が内部導体２の表面との間に化学結合を形成している。
【００４９】
（フッ素樹脂）
フッ素樹脂は、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状、分岐状又は環状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
【００５０】
「フルオロアルキル基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、「パーフルオロアルキル基」を包含する。具体的には、「フルオロアルキル基」は、アルキル基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルキル基の末端の１個の水素原子以外の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基等を包含する。
【００５１】
「フルオロアルコキシ基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基を意味し、「パーフルオロアルコキシ基」を包含する。具体的には、「フルオロアルコキシ基」は、アルコキシ基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルコキシ基の末端の１個の水素原子以外の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基等を包含する。
【００５２】
「フルオロポリエーテル基」とは、繰り返し単位として複数のアルキレンオキシド鎖を有し、末端にアルキル基又は水素原子を有する１価の基であって、当該アルキレンオキシド鎖及び／又は末端のアルキル基若しくは水素原子中の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された基を有する１価の基を意味する。「フルオロポリエーテル基」は、繰り返し単位として複数のパーフルオロアルキレンオキシド鎖を有する「パーフルオロポリエーテル基」を包含する。
【００５３】
フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・ヘキサオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、及びテトラフルオロエチレン−パーフルオロジオキソール共重合体（ＴＦＥ／ＰＤＤ）が好ましい。特に、流動特性から、ＦＥＰ、ＰＦＡが好ましい。
【００５４】
（任意成分）
任意成分としては、例えばエンジニアリングプラスチック、難燃剤、難燃助剤、顔料、酸化防止剤、反射付与剤、隠蔽剤、滑剤、加工安定剤、可塑剤、発泡剤等が挙げられる。
【００５５】
上記エンジニアリングプラスチックとしては、絶縁層に求められる特性に応じて公知のものから選択して使用でき、典型的には芳香族ポリエーテルケトンを使用することができる。
【００５６】
この芳香族ポリエーテルケトンは、主として当該樹脂組成物から得られる混合樹脂成形体の耐摩耗性を向上させるものである。この芳香族ポリエーテルケトンは、ベンゼン環がパラ位に結合し、剛直なケトン結合（−Ｃ＝Ｏ）又はフレキシブルなエーテル結合（−Ｏ−）によってベンゼン環同士が連結された構造を有する熱可塑性樹脂である。芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えばエーテル結合、ベンゼン環、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）が挙げられる。中でも、芳香族ポリエーテルケトンとしては、ＰＥＥＫが好ましい。このような芳香族ポリエーテルケトンは、耐摩耗性、耐熱性、絶縁性、加工性等に優れるものであるため、芳香族ポリエーテルケトンを含む絶縁層３は、内部導体２との接合性等に優れる。
【００５７】
ＰＥＥＫ等の芳香族ポリエーテルケトンとしては、市販品を使用することができる。ＰＥＥＫ等の芳香族ポリエーテルケトンとしては、様々なグレードのものが市販されており、市販されている単一のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを単独で使用してもよく、複数のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを併用してもよく、また変性した芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよい。
【００５８】
エンジニアリングプラスチックの含有量としては、特に限定はないが、エンジニアリングプラスチックの含有量の下限としては、フッ素樹脂との合計質量比で、通常１０であり、２０が好ましく、３５がより好ましい。上記含有量の上記上限としては、通常５０であり、４５以下が好ましい。エンジニアリングプラスチックの含有量が上記下限未満であると、絶縁層３の特性を充分に改善することができないおそれがある。一方、エンジニアリングプラスチックの含有量が上記上限を超えると、フッ素樹脂の有利な特性を充分に発現させることができないおそれがある。
【００５９】
難燃剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば臭素系難燃剤、塩素系難燃剤等のハロゲン系難燃剤が挙げられる。
【００６０】
難燃助剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば三酸化アンチモン等が挙げられる。
【００６１】
顔料としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等が挙げられる。
【００６２】
酸化防止剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えばフェノール系酸化防止剤等が挙げられる。
【００６３】
反射付与剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等が挙げられる。
【００６４】
絶縁層３は、電離放射線照射されたものであることが好ましい。絶縁層３に電離放射線照射を行うことで、フッ素樹脂がラジカル化される。電離放射線照射は、加熱下で行うことが好ましい。フッ素樹脂のラジカル化は、加熱により行うこともできる。
【００６５】
図３にイメージ図として示すように、フッ素樹脂には、ラジカル部分にカップリング剤の反応性官能基が化学結合することで、カップリング剤が固定されるものと推定される。このように、フッ素樹脂のラジカル部分にカップリング剤を化学結合させ、さらに上述のようにカップリング剤を素線２０（又は防錆処理層）に固定することで、フッ素樹脂と素線２０（又は防錆処理層）との間にカップリング剤を介した化学結合が形成される。その結果、フッ素樹脂と内部導体２の表面との間に化学結合が形成されることで、絶縁層３がフッ素樹脂を主成分とする場合であっても、絶縁層３と内部導体２との接合強度を高めることができる。
【００６６】
また、フッ素樹脂がラジカル化されることで、フッ素樹脂分子間に化学結合が形成され（図３参照）、絶縁層３がＰＥＥＫ樹脂等のエンジニアリングプラスチックを含む場合にはフッ素樹脂とエンジニアリングプラスチックとの間に化学結合が形成される。化学結合によるフッ素樹脂分子間の化学結合、フッ素樹脂とエンジニアリングプラスチックとの間の化学結合は共有結合又は水素結合であり、これらの化学結合はフッ素樹脂の分子間結合（Ｆ−Ｆ結合）に比べて強い。そのため、当該絶縁電線１では、フッ素樹脂分子同士が化学結合され、又はフッ素樹脂がエンジニアリングプラスチックとの間化学結合が形成されることで、絶縁層３の機械的強度を向上させることが可能となる。
【００６７】
ここで、上記シラン系カップリング剤は、素線２０（内部導体２）と絶縁層３との間にはÅオーダーで存在しているものと推定される。そのため、上記カップリング剤は、素線２０（内部導体２）の表面性状に殆ど影響を与えず、素線２０（内部導体２）の表面が粗面化されることもないため、カップリング剤による信号伝達性能の悪化が殆ど生じないものと考えられる。
【００６８】
一方、素線２０（又は防錆処理層）にカップリング剤を固定することなく電離放射線照射等によりフッ素樹脂をラジカル化させた場合、図４に示すように、フッ素樹脂のラジカル部分が素線２０（内部導体２）と化学結合を形成する。そのため、絶縁層３がフッ素樹脂を主成分とする場合であっても、素線２０（内部導体２）にカップリング剤を固定することなく、フッ素樹脂と内部導体２の表面との間に化学結合を形成することで、絶縁層３と内部導体２との接合強度を高めることが可能である。
【００６９】
ここで、電離放射線としては、電子線、高エネルギーイオン線等の荷電粒子線、γ線、Ｘ線等の高エネルギー電磁波、中性線などが挙げられ、中でも電子線が好ましい。これは、電子線発生装置が比較的安価であり、大出力の電子線が得られると共にラジカル生成程度、すなわち化学結合の形成程度の制御が容易であるためである。
【００７０】
電離放射線照射の照射線量としては、広い範囲で効果が得られるので任意に用いてもよいが、５０ＫＧｙ〜８００ＫＧｙ程度が好ましい。電離放射線の照射線量が上記下限未満であると、ラジカル化が不十分となり絶縁層３の機械的強度の向上効果、及び内部導体２と絶縁層３との接合強度の向上効果等が充分に得られないおそれがある。一方、電離放射線の照射線量が上記上限を超えると、樹脂成分の分解（ポリマー主鎖の切断）が過剰となって絶縁層３の機械的強度が低下するおそれがある。これに対して、照射線量を５０〜８００ｋＧｙとすれば、ラジカル化を十分に進行させることができる共に樹脂成分の分解も少なく、充分な機械的強度及び接合強度等が得られる。
【００７１】
電離放射線照射は、低酸素又は無酸素の雰囲気下において絶縁層３又はこの絶縁層３を形成する直前の樹脂材料を加熱した状態で行うことが好ましい。
【００７２】
電離放射線照射を低酸素又は無酸素の雰囲気下で行うことで、内部導体２に対する絶縁層３の接合強度を向上させることができる。具体的には、酸素濃度が１０００ｐｐｍ未満であれば、接合強度の向上効果が得られる。酸素濃度が５００ｐｐｍ以下であれば、顕著な接合強度の改善効果が得られ、１００ｐｐｍ以下でより顕著な接合強度の向上効果が得られる。なお、電離放射線照射時の酸素濃度の制御の安定性及び容易性の観点からは、酸素濃度としては１０ｐｐｍ以下が好ましい。
【００７３】
電離放射線照射時の加熱温度は、絶縁層３の主成分であるフッ素樹脂の融点以上が好ましい。上記加熱温度としては、上記融点より８０℃高い温度以下が好ましく、上記融点より４０℃高い温度以下がより好ましい。例えば絶縁層３の主成分がＦＥＰである場合、ＦＥＰの融点が約２７０℃であることから、上記加熱温度としては２７０℃〜３５０℃が好ましい。加熱温度を樹脂の融点よりも高い温度で行うことで、フッ素樹脂のラジカル化及び化学結合の形成を適切に促進することができる。その一方、上記加熱温度の上限をフッ素樹脂の融点よりも８０℃高い温度以下とすることで、フッ素樹脂の熱分解（ポリマー主鎖の切断）を抑制でき、絶縁層３の機械的強度や接合強度の低下を抑制できる。
【００７４】
なお、絶縁層３がエンジニアリングプラスチックを含有する場合、電離放射線照射時の加熱温度は、フッ素樹脂及びエンジニアリングプラスチックの融点以上が好ましい。このように加熱温度を設定することで、フッ素樹脂とエンジニアリングプラスチックとの間に化学結合を形成して絶縁層３の機械的強度等をさらに高めることができる。
【００７５】
＜絶縁電線の製造方法＞
絶縁電線１の製造方法は、内部導体形成工程及び絶縁層形成工程を備える。
【００７６】
《内部導体形成工程》
内部導体形成工程は、例えば予め防錆処理層を形成し、カップリング剤を固定した複数の素線２０を準備し、これらの素線２０を撚って撚り線を形成することで行われる。
【００７７】
（防錆処理層の形成）
防錆処理層は、例えば水溶性電解めっき法等のめっき法により形成することができる。めっき法を採用する場合、防錆処理層は単一金属めっき層又は合金めっき層として形成され、コバルト又はコバルト合金を主成分として含むように形成することが好ましい。
【００７８】
（カップリング剤の固定）
カップリング剤の固定は、カップリング剤含有組成物を素線２０に塗工した後にこの組成物を乾燥させることで行われる。
【００７９】
上記組成物を塗工する方法としては、特に制限はなく、例えばカップリング剤含有組成物に素線２０を浸漬する方法、カップリング剤含有組成物を素線２０に塗布する方法が挙げられるが、カップリング剤含有組成物に素線２０を浸漬する方法が好ましい。カップリング剤含有組成物に素線２０を浸漬する方法を採用する場合、カップリング剤含有組成物の温度は、２０℃〜４０℃とされ、浸漬時間は１０秒〜３０秒とされる。
【００８０】
カップリング剤含有組成物の乾燥は、自然乾燥及び強制乾燥のいずれで行ってもよいが、自然乾燥が好ましい。また、カップリング剤含有組成物の乾燥後は、素線２０又はこの素線２０から形成した撚り線の加熱処理を行うことが好ましい。このような加熱処理を行うことで、上記カップリング剤を素線２０の表面により確実に固定させることできる。加熱処理は、例えば恒温槽にて１００℃〜１３０℃で１分〜１０分間加熱、又はより高温で短時間で反応させることで行うこともできる。
【００８１】
カップリング剤含有組成物としては、Ｎ原子若しくはＳ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤、又はチタン系カップリング剤及び溶剤を含み、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含んでいてもよい。
【００８２】
上記カップリング剤としては、Ｎ原子又はＳ原子を含む官能基を持つシラン系カップリング剤が好ましく、中でも、接合強度の向上効果の高い３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、及びビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィドが好ましい。
【００８３】
カップリング剤含有組成物におけるカップリング剤の含有量の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましい。上記カップリング剤の含有量が上記下限未満であると、素線２０と絶縁層３との接合強度を充分に高めることができないおそれがある。一方、上記カップリング剤の含有量の上限としては、５質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、１．５質量％がさらに好ましい。上記カップリング剤の含有量が上記上限を超えると、上記シランカップリング剤が凝集しやすく、カップリング剤含有組成物の調製が困難となる場合がある。
【００８４】
溶剤としては、上記カップリング剤を溶解し得るものであれば特に限定されるものではなく、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、トルエン、ヘキサン、水などが挙げられる。ただし、溶剤としては、保存安定性の面から、エトキシシラン系のアミノシラン系カップリング剤にはエタノールが好ましく、メトキシシラン系のアミノシラン系カップリング剤にはメタノールが好ましい。
【００８５】
任意成分としては、酸化防止剤、粘度調整剤、界面活性剤等が挙げられる。酸化防止剤としては、例えば、鉄、糖、レダクトン、亜硫酸ナトリウム、アスコルビン酸（ビタミンＣ）等が挙げられる。
【００８６】
《絶縁層形成工程》
絶縁層形成工程は、例えば樹脂材料を用いた押出成形により行うことができる。押出成形としては、例えば充実押出、チューブ押出が挙げられる。
【００８７】
この絶縁層形成工程では、内部導体２に絶縁層３を被覆する直前又は直後に、絶縁層３に電離放射線照射を行うことが好ましい。電離放射線照射の条件は上述した通りである。好ましくは、電離放射線照射は、絶縁層３の主成分であるフッ素樹脂の融点以上、この融点より８０℃高い温度以下に加熱した１０ｐｐｍ以下の低酸素又は無酸素の雰囲気下において、絶縁層３に対して５０ＫＧｙ〜８００ＫＧｙ程度の電子線を照射することで行われる。
【００８８】
＜利点＞
当該絶縁電線１は、内部導体２の表面とフッ素樹脂との間に形成された化学結合を有している。そのため、絶縁層３の主成分として表面エネルギーが著しく低い非粘着性のフッ素樹脂を採用する場合であっても、上記化学結合によって内部導体２と絶縁層３との接合強度を確保することができ、内部導体２と絶縁層３との間の剥離を生じにくくすることができる。その結果、当該絶縁電線１は、内部導体２に対する絶縁層３の剥離が抑制されることで、好適に細径化を実現することが可能となる。
【００８９】
また、当該絶縁電線１は、絶縁層３がフッ素樹脂を主成分とすることで、高周波信号に対する優れた伝送特性を発揮し得る。従って、当該絶縁電線１は、細径化が要求される用途ばかりでなく、高周波信号用の配線としても好適に使用することができる。
【００９０】
［ケーブル］
次に、本発明の第二実施形態に係るケーブルついて、図５及び図６を参照しつつ説明する。なお、図５及び図６においては、図１及び図２の絶縁電線１と同様な要素等については同一の符号を付し、以下における重複説明を省略する。
【００９１】
図５及び図６のケーブル４は、同軸ケーブルとして構成されたものである、このケーブル４は、内部導体２、絶縁層３、外部導体５及び外被６を備えている。内部導体２及び絶縁層３は、図１及び図２の絶縁電線１と同様なものである。すなわち、ケーブル４は、図１及び図２の絶縁電線１に、外部導体５及び外被６を形成した構成を有している。
【００９２】
＜外部導体＞
外部導体５は、アースとしての役割を果たし、他の回路からの電気的な干渉を防ぐためのシールドとして機能する。この外部導体５は、絶縁層３の外面を被覆している。外部導体５としては、例えば編組シールド、横巻きシールド、テープシールド、導電性プラスチックシールド、金属チューブシールド等が挙げられる。中でも、高周波シールド性の観点からは、編組シールド及びテープシールドが好ましい。なお、外部導体５として編組シールドや金属チューブシールドを使用する場合のシールド数は、使用するシールドや目的とするシールド性に応じて適宜決定すればよく、１重シールドあっても、２重シールドや３重シールド等の多重シールドであってもよい。
【００９３】
＜外被＞
外被６は、内部導体２や外部導体５を保護し、絶縁性の他、難燃性、耐候性等の機能を付与するものである。この外被６は、例えば絶縁樹脂材料により形成されている。絶縁樹脂材料としては、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のいずれを使用してもよい。
【００９４】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば天然ゴム、合成天然ゴム、スチレン−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポリブタジエン、ネオプレン（クロロプレン）、ハイパロン、エチレンプロピレンコポリマー、エチレンプロピレンテルポリマー、イソブチレン−イソブレンコポリマー等が挙げられる。
【００９５】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば塩化ビニル、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチリン、発泡ポリエチリン、ポリプロピレン、ポリウレタン等が挙げられる。
【００９６】
例示した絶縁材料は、単独で使用して２種以上を併用してもよく、外被６によって実現すべき機能を応じて適宜選択すればよい。
【００９７】
＜ケーブルの製造方法＞
ケーブル４は、図１及び図２の絶縁電線１と同様にして内部導体２を絶縁層３により被覆した後、外部導体５及び外被６により被覆することで形成される。
【００９８】
外部導体５による被覆は、適用するシールド方法に応じた公知の方法により行うことができる。例えば、編組シールドは、チューブ状の編組内に絶縁電線１を挿入した後に編組を縮径させることで形成することができる。横巻きシールドは、例えば銅線等の金属線を絶縁層３に巻き付けることで形成することができる。テープシールドは、アルミニウムとポリエステルのラミネート・テープ等の導電性のテープを絶縁層３の周囲に巻き付けることで形成することができる。
【００９９】
外被６による被覆は、公知の方法、例えば樹脂材料を用いた押出成形により行うことができる。押出成形としては、例えば充実押出、チューブ押出を挙げることができる。
【０１００】
＜利点＞
当該ケーブル４は、当該絶縁電線１に相当するものを備えているため、図１及び図２の絶縁電線１と同様に、絶縁層３のフッ素樹脂と内部導体２との間に化学結合が形成されている。この化学結合によって内部導体２と絶縁層３との接合強度を確保することができ、好適に当該ケーブル４の細径化を実現することが可能となる。また、当該ケーブル４の絶縁層３がフッ素樹脂を主成分とすることで、高周波信号用の配線としても好適に使用することができる。
【０１０１】
このように、当該ケーブル４としての同軸ケーブルは、細径化を実現可能であると共に高周波信号に対する伝送特性に優れることから、小型化が要求される電子機器、特に固定部に対して可動部がスライド又は回動する電子機器の配線として好適に使用することができる。
【０１０２】
［他の実施形態］
図１及び図２の絶縁電線１並びに図５及び図６のケーブル４は、内部導体２として撚り線が使用されていたが、図７の絶縁電線７及び図８のケーブル８のように内部導体７０，８０として、撚り線に代えて単線を使用してもよい。このような内部導体７０，８０を使用する場合においても、内部導体７０，８０に防錆処理層を形成し、カップリング剤を固定することで内部導体７０，８０と絶縁層３との接合強度を高めるようにすることが好ましい。
【０１０３】
内部導体として撚り線を用いると共に内部導体に防錆処理やカップリング剤の固定を行う場合には、これらの処理を、撚り線を形成する前の素線に対して行わずに、撚り線に対して行うようにしてもよい。
【０１０４】
本発明のケーブルは、同軸ケーブルのような単芯ケーブルに限らず、二芯、三芯等の多芯ケーブル、ツイストペアケーブル、シールド線等として構成することもできる。
【０１０５】
本発明のケーブルは、同軸ケーブルやシールド線以外として構成する場合には、外部導体を省略してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明によれば、内部導体とこれを被覆する絶縁層との接合強度に優れると共に細径化に適し、高周波信号の伝送特性を改善し得る絶縁電線及びケーブルが提供される。従って、本発明の絶縁電線及びケーブルは、小型化が要求される携帯通信端末等の電子機器、特に固定部に対して可動部がスライド又は回動する電子機器の配線として好適に使用することができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１，７  絶縁電線
２，７０，８０  内部導体
２０  素線
３  絶縁層
４，８  ケーブル
５  外部導体
６  外被
【図１】
2015069950.tif 000003
【図２】
2015069950.tif 000004
【図３】
2015069950.tif 000005
【図４】
2015069950.tif 000006
【図５】
2015069950.tif 000007
【図６】
2015069950.tif 000008
【図７】
2015069950.tif 000009
【図８】
2015069950.tif 000010