(57)【要約】【課題】フレキシブルプリント基板等の電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する電磁波シールドフィルム、及びフレキシブルプリント基板を提供する。【解決手段】電磁波シールドフィルムであって、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルム。【選択図】図１
2015159214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波シールドフィルムであって、
少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、
前記電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
【請求項２】
前記電磁波遮断層は、導電性組成物及びバインダーを含有し、
前記バインダーが非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項３】
前記バインダーが１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項４】
前記非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項５】
前記基材層は、少なくとも２つの層が積層された積層体を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項６】
前記基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが順に積層された積層体であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項７】
前記第１の層の厚さＴ（Ａ）と前記第２の層の厚さＴ（Ｃ）と前記第３の層の厚さＴ（Ｂ）が下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０・・・（１）
【請求項８】
さらに、絶縁層を前記基材層の表面あるいは前記電磁波遮断層の表面に積層することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項９】
電子部品を搭載する基板であって、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを基板上の凹凸の被覆部材として備え、
前記凹凸は、１ｍｍ以上の段差を有することを特徴とする基板。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールドフィルム及びフレキシブルプリント基板に関する。より詳細に、本発明は、Ｚ折りを行ってもクラックが発生しない電磁波シールドフィルム、及びこの電磁波シールドフィルムを用いたフレキシブルプリント基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサ一、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するためその表面に電磁波シールドフィルムが貼付されている。このような電磁波シールドフィルムとしては、特許文献１〜４に記載されている様な、絶縁性材料からなる基材層と基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが使用されてきた。
【０００３】
しかしながら、こうした金属層を有する電磁波シールドフィルムを、上記の電子部品の表面に貼付した場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。また、特に柔軟性が要求されるフレキシブルプリント基板の表面に従来の金属層を有する電磁波シールドフィルムを貼付すると、充分な柔軟性や屈曲性が得られないことがあり、小型携帯機器等の限られたスペース部分での配線に適用すると、耐ハゼ折り性が劣るために電磁波シールドフィルムの一部にクラックが発生する事があるという問題があった。さらに、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波シールドフィルムを貼付すると、電磁波シールドフィルムが表面の凹凸に対して充分な形状追従性や密着性が得られないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１５６９４６号公報
【特許文献２】特開平０７−２９７５９２号公報
【特許文献３】特開平０６−２２４５８９号公報
【特許文献４】特開平０６−１５２１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、フレキシブルプリント基板等の電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する電磁波シールドフィルム、及びフレキシブルプリント基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成される電磁波シールドフィルムが、上記の問題を解決することができることを見出した。本発明は、これらの知見に基づき、さらに検討を重ねた結果、完成するに至ったものである。
【０００７】
すなわち、本発明は以下の態様を包含するものである。
［１］  電磁波シールドフィルムであって、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
［２］  電磁波遮断層は、導電性組成物及びバインダーを含有し、バインダーが非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］  バインダーが１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることを特徴とする［１］または［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］  非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることを特徴とする［１］ないし［３］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］  基材層は、少なくとも２つの層が積層された積層体を備えることを特徴とする［１］ないし［４］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［６］  基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが順に積層された積層体であることを特徴とする［１］ないし［５］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［７］  第１の層の厚さＴ（Ａ）と第２の層の厚さＴ（Ｃ）と第３の層の厚さＴ（Ｂ）が下記式（１）を満たすことを特徴とする［１］ないし［６］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム．
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０・・・（１）
［８］  さらに、絶縁層を基材層の表面あるいは電磁波遮断層の表面に積層することを特徴とする［１］ないし［７］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［９］  電子部品を搭載する基板であって、［１］ないし［８］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを基板上の凹凸の被覆部材として備え、凹凸は、１ｍｍ以上の段差を有することを特徴とする基板。
［１０］  ［１］ないし［８］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電磁波シールドフィルムは、電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する。また、本発明のフレキシブルプリント基板は、表面に本発明の電磁波シールドフィルムが電磁波遮蔽層として用いられているので、電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有するフレキシブルプリント基板の表面と電磁波遮蔽層の密着性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の電磁波シールドフィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の電磁波シールドフィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の電磁波シールドフィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。
【図５】本発明の電磁波シールドフィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。
【図６】本発明の電磁波シールドフィルムの第６実施形態を示す縦断面図である
【図７】図１〜６に示す電磁波シールドフィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の電磁波シールドフィルムは、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする。本発明において、基材層は、電磁波遮断層の保護フィルムとしての機能を有するとともに、図７に示される様に、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波遮断層３が貼付する際に、電磁波遮断層３が良好な形状追従性と密着性を保持せしめる機能とを有する。基材層は、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波遮断層が貼付された後、電磁波遮断層から剥離される。本発明において、電磁波遮断層は、凹凸を有する電子部品の表面に隙間なく密着されるので、電子部品の優れた電磁波シールド層として機能する。
【００１１】
本発明の電磁波シールドフィルムは、１．第１実施形態、２．第２実施形態、３．第３実施形態、４．第４実施形態、５．第５実施形態、６．第６実施形態、及び７．その他の実施形態、を包含する。
以下に、第１実施形態〜第６実施形態、及びその他の実施形態について詳細に説明する。また、７．その他の実施形態、及び８．電子部品の被覆方法についても説明する。
【００１２】
１．第１実施形態
図１は、本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。
なお、以下において、図１中の上側を上と呼び、下側を下と呼ぶことがある（以下、図２〜図７においても同様である）。
【００１３】
第１実施形態は、図１に示す様に、基材層１が第１の層１１、第２の層１３、及び第３の層１２の３層より成り、この３層がこの順に積層しており、第３の層１２の下面に電磁波遮断層３が接触して積層している形態である。さらに電磁波遮断層３の下面には、必要に応じて絶縁層２が積層していても良い。
【００１４】
＜基材層＞
まず、基材層１について説明する。
基材層１は、図７の電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付する工程において、電磁波シールドフィルム１００を、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押しみ被覆する際に、電磁波遮断層３が良好な形状追従性と密着性を保持せしめる機能とを有する。基材層１は、基板５上の凹凸６の表面に電磁波遮断層が貼付された後、電磁波遮断層から剥離される。
【００１５】
本発明において、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率は２．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下が好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ以上３０Ｅ＋０８Ｐａ以下であるのがより好ましく、３．０Ｅ＋０６Ｐａ以上９．０Ｅ＋０７Ｐａ以下であるのがさらに好ましい。第１実施形態の場合、基材層１を構成する、第１の層１１、第２の層１３、及び第３の層１２の各層の平均線膨張係数を、適宜設定することで基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記の範囲に容易に設定することができる。
基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記の範囲にすることによって電磁波シールドフィルム１００を、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押しみ被覆する際に、電磁波遮断層３が良好な形状追従性と密着性を保持せしめることができる。これによって、電磁波シールド（遮断）性が向上する。
【００１６】
また、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記範囲とすることにより、基板５に設けられた凹凸６の段差が０．５ｍｍ以上、さらに１．０ｍｍないし３．０ｍｍ程度に大きい場合であっても、また凸部６１の離間距離が２００μｍ以下、さらに１００μｍないし１５０μｍ程度に短くても、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して良好な形状追従性と密着性を保持して、確実に押し込むことができる。
【００１７】
本発明において、基材層１の２５℃における貯蔵弾性率は１．０Ｅ＋０７Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０以下Ｐａが好ましく、５．０Ｅ＋０８Ｐａ以上５．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがより好ましい。上記範囲であれば基材層１は、電磁波シールドフィルム１００の加熱前には固形状であり、加熱時には半固形状とすることができる。これによって、電磁波シールドフィルム１００にシワ等を生じさせることなく貼付することができ、規定のサイズにカットする際の作業性も向上する事ができ、さらに電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に確実に押し込むことができる。第１実施形態において、貯蔵弾性率の範囲を有する基材層１は、少なくとも第１の層１１及び第３の層１２が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程で電磁波シールドフィルム１００が加熱された後においても、２５℃における貯蔵弾性率が上記範囲を維持していることが好ましい。こうする事によって、剥離工程において、電磁波遮断層３から基材層１を容易に剥離させることができる。
【００１８】
基材層１の１２０℃における貯蔵弾性率をＡＰａ、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率をＢＰａとしたとき、０．０２≦Ａ／Ｂ≦１．００なる関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ａ／Ｂ≦０．５０なる関係を満足するのがより好ましい。この範囲において基材層１は、加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅は小さくでき、加熱時の温度条件を変化させても、温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限に小さくとどめることができるため、電磁波遮断層３を凹部６２内に確実に押し込むことができる。
【００１９】
基材層１の２５℃、１２０℃及び１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、２５〜２００℃までの貯蔵弾性率を、４９ｍＮの定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃及び１５０℃での貯蔵弾性率を、読み取ることにより求めることができる。
【００２０】
第１実施形態において、第１の層１１の厚さＴ（Ａ）と第２の層１３の厚さＴ（Ｃ）と第３の層１２の厚さＴ（Ｂ）は、次の関係式を満たすことが好ましく、
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０  ・・・（１）  
次の関係式を満たすことがより好ましく、
０．１４＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜４  ・・・（２）
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである。
０．３＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１．５  ・・・（３）
第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とが、上記関係式を満たすことにより、形状追従性が特に向上する。
【００２１】
基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、２０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上２２０μｍ以下であることがより好ましく、７０μｍ以上１６０μｍ以下であることがさらに好ましい。基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）が２０μｍよりも薄い場合には、第１の層１１が破断して基材層１の離型性が低下するという恐れがあり、３００μｍよりも厚い場合には、基材層１の形状追従性が低下して電磁波遮断層３の形状追従性が低下するという恐れがある。
【００２２】
＜第１の層＞
基材層１を構成する第１の層１１は、図７の電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付る工程において、電子部品の基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を、基材層１の上部から真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込んだ後に、真空加圧式ラミネーター等の押圧部と基材層１が離型しやすくする層である。また、第２の層１３側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。
【００２３】
第１の層１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ボリメチルペンテン、ボリブチレンテレブタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン等の樹脂が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、結晶性を有しているので、第１の層１１と真空加圧式ラミネーター等の押圧部との離型性に優れており、耐熱性や形状追従性にも優れている。
【００２４】
第１の層１１にシンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が６０質量％より少ないと第１の層１１の離型性が低下する恐れがある。
【００２５】
第１の層１１には、スチレン系エラストマ一、ポリエチレン、またはポリプロピレン等が含有していてもよい。
【００２６】
第１の層１１の厚みＴ（Ａ）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上７０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。第１の層１１の厚みが５μｍより薄くなると第１の層１１が破断して離型性が低下する恐れがあり、１００μｍより厚くなると基材層１の形状追従性が低下して電磁波遮断層３の形状追従性が低下する恐れがある。上記の関係式（１）を満足できる範囲であることが好ましい。
【００２７】
第１の層１１の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であること好ましく、８０ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。第１の層１１の２５〜１５０℃における平均線膨張係数を、かかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第１の層１１は優れた伸縮性を有するものとなり、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【００２８】
第１の層１１の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。第１の層１１の表面張力をかかる範囲に設定することにより、第１の層１１は離型性に優れた性能となるので、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を容易に剥離する事ができる。
【００２９】
＜第３の層＞
基材層１を構成する第３の層１２は、図７に示す様に、電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付けた後に、電磁波遮断層３から基材層１を剥離する際に、基材層１と電磁波遮断層３の剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板５上の凹凸形状に応じて、第３の層１２が追従する追従性を有する機能と、電磁波遮断層３側に押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つ。
【００３０】
第３の層１２の構成材料としては、特に限定されないが上記の第１の層１１の構成材料と同様の材料を用いることができる。第１の層１１と同様にシンジオタクチックポリスチレンが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、結晶性を有しているので、第３の層１２と電磁波遮断層３との離型性に優れており、耐熱性や形状追従性にも優れている。第３の層１２は、第１の層１１を構成する樹脂と同じであっても良いし、異なっていても良い。
【００３１】
第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上７０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。第３の層１２の厚みが５μｍより薄くなると耐熱性が不足して、電磁波遮断層が変形するおそれがあり、１００μｍより厚くなると電磁波シールドフィルム全体の厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下する恐れがあり、コスト面でも経済的ではない。
第３の層１２の厚みは、第１の層１１の厚みと同じであっても異なっていても良いが、上記の関係式（１）を満足できる範囲であることが好ましい。
【００３２】
第３の層１２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、８０ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。第３の層１２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第３の層１２は優れた伸縮性を有するものとなり、第３の層１２の形状追従性や電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【００３３】
第３の層１２の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。第３の層１２の表面張力をかかる範囲に設定することにより、第３の層１２は離型性に優れた性能となるので、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層１と電磁波遮断層３を確実に剥離させることができる。
【００３４】
＜第２の層＞
基材層１を構成する第２の層１３は、基材層１の上部から第３の層１２を介して電磁波遮断層３を凹凸６に押し込むためのクッションとしての機能と、電磁波遮断層３を凹凸６に均一に押し込む機能とを有するものである。第２の層１３によって、電磁波遮断層３と凹凸６との聞にボイドを発生させることなく、電磁波遮断層３を凹凸６に優れた密閉性をもって押し込むことができる。
【００３５】
第２の層１３の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、ブロピレン、ブテン、ぺンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を含有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルファイド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂等が挙げられ、これらを単独で使用しても良く、あるいは複数併用しでもよい。これらの樹脂のうち、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましく、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、及びそれらの部分イオン架橋物等がより好ましい。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層１２の構成材料と比較して柔軟性に優れるので、凹凸６に対して押し込むためのクッション機能を確実に付与することができる。
【００３６】
第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）は、上記の関係式を満足できる範囲であることが好ましい。１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以上６０μｍ以下がさらに好ましい。第２の層１３の厚みが１０μｍより薄くなると第２の層１３の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するという恐れがあり、１００μｍより厚くなると熱圧着工程において、第２の層１３を通して樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するという恐れがあり、また、電磁波シールドフィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下する恐れがあり、さらにコスト面でも経済的ではない。
【００３７】
第２の層１３の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４００ｐｐｍ／℃以上が好ましく、８００ｐｐｍ／℃以上がより好ましい。第２の層１３の平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第３の層１２よりも優れた伸縮性を有するものにすることができる。これによって、第２の層１３、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【００３８】
＜電磁波遮断層＞
電磁波遮断層３は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成される。これによって凹凸を有する電子部品４の表面に隙間なく密着され、Ｚ折りしてもクラックの発生がなく、電子部品４の電磁波シールド層として優れた機能を発揮する。
【００３９】
本発明の電磁波シールドフィルムに用いられる電磁波遮断層３は導電性組成物及びバインダーを含有する。これによって、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物とすることができる。本発明において、電磁波遮断層３は、導電性組成物及びバインダーを含有すること以外は特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよい。例えば、電磁波遮断層３は電磁波遮断層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断・遮蔽する反射層であっても良く、あるいは電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断・遮蔽する吸収層であっても良い。また、反射層と吸収層が積層された層であってもよく、反射層を構成する物質と吸収層を構成する物質の混合物から成る層でも良い。
【００４０】
電磁波遮断層３が反射層である場合には、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。
【００４１】
導電性接着剤層は、導電性組成物である金属粉とバインダーを含有する。金属粉は、例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。
【００４２】
バインダーは、非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることが好ましい。非晶質熱可塑性樹脂としては、非晶質ポリエステル系樹脂；塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル等のビニル系樹脂；ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系樹脂；ＧＰＰＳ等のポリスチレン系樹脂；ビスフェノールＡ型ポリカーボネート等のポリカーボネート系樹脂；等が例示できる。これらの非晶質熱可塑性樹脂のうち、層間の密着力の点から、非晶質ポリエステル系樹脂及びビニル系樹脂が好ましく、基材層及び電子部品との密着力、耐熱性、形状追従性、などのバランスに優れる点から、非晶質ポリエステル系樹脂が特に好ましい。非晶質ポリエステル系樹脂としては、実質的に非晶質であれば特に限定されず、ジカルボン酸成分とジオール成分とで構成される種々のポリエステルが挙げられる。
【００４３】
ジカルボン酸成分としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、トランス−３，３’−スチルベンジカルボン酸、トランス−４，４’−スチルベンジカルボン酸、４，４’−ジベンジルジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、２，２，６，６−テトラメチルビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，１，３−トリメチル−３−フェニルインデン−４，５−ジカルボン酸、１，２−ジフェノキシエタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、及びこれらの置換体等の芳香族ジカルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、イコサン二酸、ドコサン二酸、１，１２−ドデカンジオン酸、及びこれらの置換体等の脂肪族ジカルボン酸；１，４−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，５−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、２，６−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、シス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、及びこれらの置換体等の脂環式ジカルボン酸などが挙げられる。これらのジカルボン酸成分は、単独でまたは２種以上組み合わせて使用できる。
【００４４】
ジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２−エチル−２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−１，３−プロパンジオール、１，８−オクタンジオール、２−エチル−２−ブチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−２，４−ジメチル−１，３−ヘキサンジオール、１，１０−デカンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の脂肪族ジオール；１，２−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、２，２，４，４−テトラメチル−１，３−シクロブタンジオール等の脂環式ジオール；２，２−ビス（４’−β−ヒドロキシエトキシジフェニル）プロパン、ビス（４’−β−ヒドロキシエトキシフェニル）スルホン等のビスフェノール系化合物のエチレンオキシド付加物、キシリレングリコール等の芳香族ジオールなどが挙げられる。これらのジオール成分は単独でまたは２種以上を組み合わせて使用できる。
【００４５】
非晶質ポリエステル系樹脂は、これ以外にも、ｐ−オキシ安息香酸、ｐ−オキシエトキシ安息香酸等のオキシカルボン酸；安息香酸、ベンゾイル安息香酸等のモノカルボン酸；トリメリット酸等の多価カルボン酸；ポリアルキレングリコールモノメチルエーテル等の１価アルコール；グリセリン、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン等の多価アルコールなどの構成単位を含んでいてもよい。
【００４６】
本発明において、バインダーは、１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下の配合量であることがより好ましい。バインダーの配合量が１５質量％よりも少ない場合には可撓性や電子機器部品との密着性が低下する恐れがあり、５５質量％よりも多い場合には電磁波シールド性が悪くなることがある。
【００４７】
導電性接着剤層は、金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しでも良い。
【００４８】
電磁波遮断層３が反射層である場合には、反射層の厚みＴ（Ｅ１）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、８μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下がさらに好ましい。反射層の厚みが５μｍよりも薄い場合には、反射層の構成材料等によっては耐ハゼ折り性が不足し、搭載部品端部で破断する恐れがあり、１００μｍよりも厚い場合には反射層の構成材料等によっては形状追従性が不足する恐れがある。また、かかる範囲の厚みＴ（Ｅ１）としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、反射層の厚みＴ（Ｅ１）の薄膜化を実現すること、ひいては、電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。
【００４９】
電磁波遮断層３が吸収層である場合、吸収層は吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。電磁波遮断層３を構成する吸収層は、例えば、導電性組成物として金属粉または導電性高分子材料とバインダーを含有する導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、導電性組成物として炭素系材料または導電性高分子材料とバインダーを含有する誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、及び導電性組成物として軟磁性金属とバインダーを含有する磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用しでもよい。
【００５０】
導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで電磁波を吸収する。
【００５１】
電磁波遮断層３を構成する吸収層は、導電吸収層、誘電吸収層、及び磁性吸収層のいずれでも用いることができる。導電吸収層、誘電吸収層、及び磁性吸収層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。
【００５２】
導電吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、導電性高分子、ＡＴＯ等の金属酸化物、導電性セラミックス等が挙げられる。導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５３】
誘電吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、炭素系材料、導電性高分子等が挙げられる。炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢｃＮナノチューブ、ＢｃＮナノファイバー、グラフェン、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノボール等の炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。導電性高分子等としては、上記の導電性高分子を挙げることができる。
【００５４】
磁性吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（ＦｅＣｒＡ１Ｓｉ合金）、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ合金）、パーマロイ（ＦｅＮｉ合金）、ケイ素銅（ＦｅＣｕＳｉ合金）、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＳｉＢ（ＣｕＮｂ）合金のような軟磁性金属、等を挙げることが出来る。
【００５５】
導電吸収材料、誘電吸収材料、及び磁性吸収材料に用いられるバインダーとしては、上記の非晶質熱
可塑性樹脂を主成分とすることが好ましく、非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることがより好ましい。バインダーの配合量は、反射層で用いられるバインダーの配合量と同様である。
【００５６】
吸収層の厚みＴ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、２μｍ以上８０μｍ以下がより好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。吸収層の厚みＴ（Ｅ２）が１μｍよりも薄い場合には、吸収層の構成材料等によっては基板搭載部品の端部で破断する恐れがあり、１００μｍよりも厚い場合には、吸収層の構成材料等によっては形状追従性が不足する恐れがある。かかる範囲の厚みＴ（Ｅ２）とすることによって、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、吸収層の厚みＴ（Ｅ２）の薄膜化を実現すること、ひいては、電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。
【００５７】
電磁波遮断層３の１５０℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下が好ましく、５．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下がより好ましい。１５０℃における貯蔵弾性率がかかる範囲に設定されることによって、貼付の工程において、電磁波シールドフィルム１００を加熱して、基材層１を押圧し基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込んで凹凸６を被覆する際に、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。
【００５８】
なお、上記のとおり、電磁波遮断層３は、反射層と吸収層とのいずれであってもよいが、ほぼ同じ電磁波シールド性を有する場合には、吸収層であるのが好ましい。吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断するため、この吸収により電磁波が消滅することから、反射層のように反射した電磁波が、電磁波遮断層３で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまう、といった欠点を確実に防止することができる。
【００５９】
＜絶縁層＞
本発明の電磁波シールドフィルムは、必要に応じて絶縁層を基材層１の上面や下面、あるいは電磁波遮断層３の下面に積層することが出来る。図１は、絶縁層２が電磁波遮断層３の下面に積層され、基板５の凹凸６に接する場合の例である。電磁波シールドフィルムを構成する層に絶縁層２を積層することによって、基板５と反対側に位置する他の電子部品等の部材から絶縁する。絶縁層２は電子部品の角部で破れないこと、Ｚ折りを行ってもクラックが発生しないことが重要である。
【００６０】
絶縁層２は、熱硬化性絶縁樹脂でも熱可塑性絶縁樹脂でもどちらでもよいが、熱可塑性絶縁樹脂が好ましい。熱可塑性絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムとなることから、図１の例の場合の貼付工程において、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。
【００６１】
熱可塑性絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル系樹脂、αオレフィン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、セルロース系樹脂、等が挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル系樹脂やαオレフィン系樹脂を用いることが好ましい。
【００６２】
さらに、絶縁層２には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性絶縁樹脂には、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加しでもよい。
【００６３】
絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、４μｍ以上、３０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下がさらに好ましい。絶縁層２の厚みが５μｍより薄い場合には耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、電磁波遮断層３の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しく、２０μｍよりも厚い場合には形状追従性が不足する恐れがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を上記範囲に設定することにより、絶縁層２の屈曲性を優れたものとすることができ、貼付工程において、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。
【００６４】
また、絶縁層２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１００ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２及び電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【００６５】
なお、この絶縁層２は、図１の様に１層で構成される場合に限らない。上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。
【００６６】
以上、絶縁層について説明したが、本発明の電磁波シールドフィルム１００は、絶縁層は必要に応じて設ければよく、なくても良い。以下の第２実施形態〜第６実施形態では、絶縁層は設けていない。
【００６７】
以上の如き構成の電磁波シールドフィルム１００は、凹凸６に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性は、凹凸６の段差が０．５ｍｍ以上であることが好ましく、０．８ｍｍ以上であることがより好ましく、１．０ｍｍ以上であることがさらに好ましい。本発明の電磁波シールドフィルム１００は、このように凹凸６の段差が大きくても凹凸６に対して優れた形状追従性と密着性を有する。
【００６８】
なお、形状追従性は、次のようにして評価することができる。まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ２ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、間隔０．２ｍｍで必要高さの段差を有する溝を、碁盤目状に形成したプリント配線基板を作成する。このプリント配線基板に電磁波シールドフィルムを真空加圧式ラミネーターを用いて、１５０℃×２ＭＰａ×５分間の条件で圧着せしめ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールドフィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との聞に空隙があるかどうかを判断する。空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察する。
【００６９】
２．第２実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第２実施形態について説明する。
図２に示す第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第２の層１３及び第３の層１２の２層から構成される。第１の層１１が含まないことを除いて、図１に示した第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７０】
第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等の押圧部が、第２の層１３との離型性を備えることにより第１の層１１の形成が省略できる。第２の層１３と真空加圧式ラミネーター等の押圧部が接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。これにより真空加圧式ラミネーター等の押圧部によって電磁波シールドフィルム１００を押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。
【００７１】
第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。
【００７２】
３．第３実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第３実施形態について説明する。
図３に示す第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第１の層１１及び第２の層１３の２層から構成される。第３の層１２が含まないことを除いて、図１に示した第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７３】
第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面で基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えることにより第３の層１２の形成が省略できる。電磁波遮断層３と第２の層１３が接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲の表面張力を接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等の押圧部によって電磁波シールドフィルム１００を押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離することができる。
【００７４】
第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。
【００７５】
４．第４実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第４実施形態について説明する。
図４に示す第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２から選ばれるいずれか１層で構成されている。この他は、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００のいずれかと同様であるので、第１実施形態、第２実施形態、及び第３実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７６】
第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層が、電磁波遮断層３から剥離される際に、電磁波遮断層３が基材層１との離型性を備えることにより他の２層が省略できる。また、第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層に対して、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等の押圧部が離型性を備えることにより他の２層が省略できる。この場合電磁波遮断層３と、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層と接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲の表面張力を接触面が有することにより、基材層１から押圧部を確実に剥離させることができると共に、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から基材層１を確実に剥離することができる。
【００７７】
第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。
【００７８】
５．第５実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第５実施形態について説明する。
図５に示す第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、図１に示した第１実施形態の電磁波遮断層３が単層の構成であるのに対して、吸収層３１及び反射層３２の２層からなる積層体で構成されている。この他は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、図１に示す第１実施形態との相違点を中心に説明する。第５実施形態の電磁波遮断層３は、基材層１の第３の層１２の下面に、吸収層３１及び反射層３２がこの順に積層され、反射層３２が凹凸６に密着する。
第５実施形態では、電磁波遮断層３が吸収層３１と、反射層３２とからなる積層体で構成されることによって、電磁波遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。
【００７９】
吸収層３１及び反射層３２の１５０℃における貯蔵弾性率は、いずれも１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ十０９Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下であるのがより好ましい。吸収層３１及び反射層３２における貯蔵弾性率を、上記範囲に設定することにより、基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３の反射層３２を凹凸６の形状に対応してより確実に密着させることができる。
【００８０】
第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。
【００８１】
６．第６実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第６実施形態について説明する。
図６に示す第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第５実施形態の電磁波遮断層３を構成する吸収層３１及び反射層３２を逆に積層した他は、第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第５実施形態との相違点を中心に説明する。第６実施形態の電磁波遮断層３は、基材層１の第３の層１２の下面に、反射層３２及び吸収層３１が、この順に積層され、吸収層３１が凹凸６に密着する。第６実施形態では、電磁波遮断層３が吸収層３１と、反射層３２とからなる積層体で構成されることによって、電磁波遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。
【００８２】
電磁波遮断層３の吸収層３１及び反射層３２の１５０℃における貯蔵弾性率は、第５実施形態の場合と同様である。吸収層３１及び反射層３２における貯蔵弾性率を、上記範囲に設定することにより、基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３の吸収層３１を凹凸６の形状に対応してより確実に密着させることができる。
【００８３】
第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。
【００８４】
第５実施形態と第６実施形態は類似するが、両者を比較した場合、反射層３２が電子部品の凹凸６に直接密着している第５実施形態の方が、電磁波遮断性は好ましい。
【００８５】
第５実施形態及び第６実施形態は、電磁波遮断層３が反射層３２と吸収層３１の２層よりなるが、さらに各種の反射層と各種の吸収層を有する多層構造とすることもできる。
【００８６】
７．その他の実施形態
以上、本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態〜第６実施形態について説明したが、本発明は、これ等に限定されるものではない。
例えば、本発明の電磁波シールドフィルムとしては、第１実施形態〜第６実施形態の他、基材層１を構成する第１の層、第２の層、または第３の層の各々がさらに２層以上の積層体である実施形態、電磁波遮断層が３層以上の積層体である実施形態、絶縁層が２層以上の積層体である実施形態、あるいはさらに他の任意の機能層が積層された実施形態、等多種多様な層の積層体を包含する。
【００８７】
８．電子部品の被覆方法
図７は、図１〜図６に示す本発明の電磁波シールドフィルム１００を用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。本発明の第１実施形態〜第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００を用いて、本発明のフレキシブルプリント基板を含む電子部品の被覆方法について説明する。
【００８８】
電子部品の被覆方法は、少なくとも貼付工程、及び剥離工程の２つの工程を含む。貼付工程は、図７（ａ）に示すように、電子部品の基板５上に設けられた凹凸６に電磁波シールドフィルム１００を貼付する工程である。貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。剥離工程は、図７（ｂ）に示すように、貼付工程の後、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する工程である。
【００８９】
貼付工程における真空圧空成形は、例えば、真空加圧式ラミネーター等によって、電磁波シールドフィルム１００を基板５上の凹凸６に被覆する方法である。まず、真空雰囲気下で基板５の凹凸６が形成されている面と電磁波遮断層３の面とを対向してセットし、電磁波シールドフィルム１００及び電子部品の全体を加熱して接近せしめ、真空雰囲気下のまま基材層１の上部から真空加圧式ラミネーターを用いて均一に加圧することにより実施される。加圧によって、基材層１及び電磁波遮断層３が凹凸６の形状に対応して形状追従して変形し、電磁波遮断層３が凹凸６の空間に押し込まれる状態で被覆される。
本発明では、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０５Ｐａ以上２．０Ｅ＋０８Ｐａ以下の範囲にあるため、基材層１は凹凸６に対して優れた形状追従性を発揮する事が出来る。
【００９０】
加熱温度は、電磁波遮断層３が凹凸６に押し込まれ貼り付く温度であれば良く、１００℃以上２００℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下であることがより好ましい。基材層１の上部から真空加圧式ラミネーターを用いて均一に加圧する圧力は、電磁波遮断層３が凹凸６に押し込まれ貼り付く圧力であれば良く、０．５ＭＰａ以上５．ＯＭＰａ以下であることが好ましく、１．ＯＭＰａ以上、３ＯＭＰａ以下であることがより好ましい。貼付する時間は、１分以上３０分以下であることが好ましく、５分以上１５分以下であることがより好ましい。
【００９１】
貼付工程は、上記条件下で実施することにより、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込んだ状態で確実に被覆することができる。また、凹凸６の形状に対応して電磁波シールドフィルム１００の形状を適宜設定することにより、凹凸６を選択的に電磁波遮断層３で被覆することができる。
【００９２】
剥離工程は、図７（ｂ）に示すように、貼付工程の後、電磁波遮断層３から基材層１を剥離する工程である。基材層１を剥離する方法は、電磁波シールドフィルム１００が高温の状態では手作業による剥離が好ましい。手作業による剥離では、まず基材層１の方の端部を把持し、この把持した端部から基材層１を電磁波遮断層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層１を引き剥がすことにより、電磁波遮断層３から基材層１を剥離することができる。剥離する時の温度は、１８０℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１００℃以下であることがさらに好ましい。
【００９３】
貼付工程とその後の剥離工程によって、本発明の電磁波シールドフィルム１００を電子部品の凹凸６に貼り付けたのち、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する事によって、電磁波遮断層３が隙間なく被覆した凹凸６を得ることが出来る。また、電子部品の被覆方法は、貼付工程及び剥離工程の他にさらに任意の工程を追加しても良い。
【００９４】
以上の様な工程を経ることにより、電子部品を搭載する基板、特に、１ｍｍ以上の段差を有する電子部品を搭載する基板に対して、電磁波シールドフィルムを被覆部材として備えることができる。また、フレキシブルプリント基板に対して、電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることができる。
【実施例】
【００９５】
以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例により何ら制限されるものではない。
【００９６】
本発明に関わる第１の層、第２の層、及び第３の層の線膨張係数、本発明に関わる基材層１の１５０℃における弾性率、及び本発明の電磁波シールドフィルムのＺ折り後の導電性、マイクロストリップライン法による電磁波シールド性、及びＫＥＣ法による電磁波シールド性は、下記の試験方法によって評価した。
【００９７】
＜平均線膨張係数＞
平均線膨張係数の測定は、熱応力歪測定装置（ＥＸＳＴＡＲ  ＴＭＡ／ＳＳ６０００、エスアイアイナノテクノロジー社製）を用いて行なった。該複合体をカットし、金属チャックを用いて装置内にセットし、荷重は５ｇにし、引張モードで測定を行った。窒素雰囲気下で、１分間に５℃の割合で温度を２５℃から２５０℃まで上昇させて１０分間保持し、その後、１分間に５℃の割合で２５０℃から０℃まで下降させた。測定によって得られた伸長から、降温時の２０〜３０℃、１９５〜２０５℃における平均線膨張係数を求め、それぞれその範囲の中間値における平均線膨張係数として表１に記載した。
【００９８】
＜１５０℃における弾性率＞
１５０℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき層の弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、１５０℃での貯蔵弾性率を読み取る。
【００９９】
＜Ｚ折り後の導電性＞
電磁波シールドフィルムを、屈曲性のある基板に貼り合せたものをＺ折りした後、端間で電流が流れるかを確認した。
○  ：電流が流れる。
×  ：電流が流れない。
【０１００】
＜マイクロストリップライン法による電磁波シールド性＞
ＩＥＣ規格６２３３３２に準拠して、周波数ｌＧＨｚ及び周波数３ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。マイクロストリップライン法による電磁波シールド性は、吸収性により電磁波を遮断する程度を表す値として測定される。周波数ｌＧＨｚにおける、電磁波シールド性は、３ｄＢ以上であるのが好ましく、５ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。周波数３ＧＨｚにおける、電磁波シールド性は、５ｄＢ以上であるのが好ましく、１０ｄＢ以上であるのがより好ましく、２０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。
【０１０１】
＜ＫＥＣ法による電磁波シールド性＞
関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて周波数ｌＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。ＫＥＣ法による電磁波シールド性は、吸収性と反射性により電磁波を遮断する程度を表す値として測定される。ＫＥＣ法は、周波数１ＧＨｚにおける、電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が１０ｄＢ以上であるのが好ましく、１５ｄＢ以上であるのがより好ましい。
○  ：１５ｄＢ以上
×  ：１５ｄＢ未満
【０１０２】
（実施例１）
第１の層としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産社製、商品名：ザレックＳ１０７）、第３の層として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産社製、商品名：ザレックＳ１０７）、及び第２の層としてエチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）、をそれぞれ用いて、フィードブロック及びマルチマニホールドダイを用いて共押出し、表１に示す厚さを有する３層が順次積層して成る基材層を製造した。電磁波遮断層は、導電性組成物としてポリアニリン（レグルス社製）を用い、バインダーＡとして非晶質ポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）を用い、バインダーＡの含有量が２０質量％となる様に混合した。基材層に電磁波遮断層をコーティングして本発明の電磁波シールドフィルムを製造した。この電磁波シールドフィルムのＺ折り後の導電性、マイクロストリップライン法による電磁波シールド性、及びＫＥＣ法による電磁波シールド性を評価した。評価結果を表１に示す。
【０１０３】
（実施例２〜４）
電磁波遮断層３のバインダーＡの含有量がそれぞれ３０質量％、４０質量％及び５０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。
【０１０４】
（比較例１、２）
電磁波遮断層３のバインダーＡの含有量がそれぞれ１０質量％及び６０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。
【０１０５】
（比較例３〜５）
実施例１で用いたバインダーＡの代わりにバインダーＢとしてポリウレタン樹脂（ＤＩＣ社製、商品名：バーノック１６−４１１）を用い、バインダーＢの含有量がそれぞれ３０、４０、５０、及び６０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。
【０１０６】
（比較例６）
実施例１で用いたバインダーＡの含有量を０とした他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。
【０１０７】
【表１】
2015159214.tif 000003
※導電性はＺ折り後に端間で電流が流れるかを確認した。（○流れる、×流れない）
※ＫＥＣ法で１５ｄＢ以上を○とした。
【符号の説明】
【０１０８】
１００  電磁波シールドフィルム
１    基材層
１１    第１の層
１２    第３の層
１３    第２の層
２    絶縁層
３    電磁波遮断層
３１    吸収層
３２    反射層
４    電子部品
５    基板
６    凹凸
６１    凸部
６２    凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015159214.tif 000008
【図６】
2015159214.tif 000009
【図７】
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