(57)【要約】      （修正有）【課題】処理時間が短くかつ高精度な座標アライメント方法及び、アライメントエラーによる装置停止が少なく、稼働率の高い荷電粒子線装置を提供する。【解決手段】基板において、複数のパターンをアライメント候補として指定し、前記複数のパターンからなるパターン群を前記基板の異なる領域に複数設定するステップと、前記基板における、前記複数のパターン群の位置情報を、記憶部に登録するステップと、を有し、前記パターン群の各々について、少なくともひとつのアライメント候補についてパターン検出を実行し、パターン検出に失敗した場合、検出に失敗したパターンが含まれるパターン群において当該検出に失敗したパターンとは異なるアライメント候補についてパターンを検出し直し、パターン検出に成功した場合、検出に成功したパターンが含まれるパターン群と異なるパターン群に含まれるパターンを次のアライメント候補として選択する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を用いた基板の座標アライメント方法であって、
前記基板において、複数のパターンをアライメント候補として指定し、前記複数のパターンからなるパターン群を前記基板の異なる領域に複数設定するステップと、
前記基板における、前記複数のパターン群の位置情報を、記憶部に登録するステップと、を有し、
前記パターン群の各々について、少なくともひとつのアライメント候補についてパターン検出を実行し、
パターン検出に失敗した場合、検出に失敗したパターンが含まれるパターン群において当該検出に失敗したパターンとは異なるアライメント候補についてパターンを検出し直し、
パターン検出に成功した場合、検出に成功したパターンが含まれるパターン群と異なるパターン群に含まれるパターンを次のアライメント候補として選択することを特徴とする座標アライメント方法。
【請求項２】
前記記憶部に登録された前記複数のパターン群の位置情報に基づき、パターン検出を実行するパターンを選択する際、予め指定した指定順、補正精度優先順、処理時間優先順のいずれかによりパターン検出順を決定する請求項１に記載の座標アライメント方法。
【請求項３】
前記パターン検出に成功した場合において、前記記憶部に登録された前記複数のパターン群の位置情報に基づき、その後のパターン検出順を再計算し、次に検出するパターン群およびパターンを決定することを特徴とする請求項１に記載の座標アライメント方法。
【請求項４】
前記パターン検出に成功した場合において、前記記憶部に登録された前記複数のパターン群の位置情報に基づき、次にパターン検出を実行するパターンまでの移動距離が最も短くなるよう再計算を行い、次に検出するパターン群およびパターンを決定することを特徴とする請求項３に記載の座標アライメント方法。
【請求項５】
補正精度優先順によりパターン検出順を決定する場合において、前記基板の外周部に近いパターンを優先的に選択し、パターン検出順を決定することを特徴とする請求項２に記載の座標アライメント方法。
【請求項６】
処理時間優先順によりパターン検出順を決定する場合において、前記記憶部に登録された前記複数のパターン群の位置情報に基づき、次にパターン検出を実行するパターンまでの移動距離が最も短いパターン群およびパターンを選択することを特徴とする請求項２に記載の座標アライメント方法。
【請求項７】
基板に荷電粒子線を照射し、前記基板から得られる二次電子および反射電子を検出することにより前記基板のパターン画像を撮像する走査型電子顕微鏡を備えた、前記基板のパターン検出に用いる荷電粒子線装置であって、
前記基板を保持し、前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置を変えるステージと、
前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報を入力する入力手段と、
前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報を登録する記憶部と
前記記憶部に登録された前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報に基づき、前記走査型電子顕微鏡および前記ステージの動作を制御する制御部と、を備え、
前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報は、前記基板において、複数のパターンをアライメント候補として指定し、前記複数のパターンからなるパターン群を前記基板の異なる領域に複数設定したパターン情報であり、
パターン検出に失敗した場合、検出に失敗したパターンが含まれるパターン群において当該検出に失敗したパターンとは異なるアライメント候補についてパターンを検出し直し、
パターン検出に成功した場合、検出に成功したパターンが含まれるパターン群と異なるパターン群に含まれるパターンを次のアライメント候補として選択することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記記憶部に登録された前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報に基づき、予め指定した指定順、補正精度優先順、処理時間優先順のいずれかによりパターン検出順を決定することを特徴とする請求項７に記載の荷電粒子線装置。
【請求項９】
前記パターン検出に成功した場合において、前記記憶部に登録された前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報に基づき、その後のパターン検出順を再計算し、次に検出するパターン群およびパターンを決定することを特徴とする請求項７に記載の荷電粒子線装置。
【請求項１０】
前記パターン検出に成功した場合において、前記記憶部に登録された前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報に基づき、次にパターン検出を実行するパターンまでの移動距離が最も短くなるよう再計算を行い、次に検出するパターン群およびパターンを決定することを特徴とする請求項９に記載の荷電粒子線装置。
【請求項１１】
補正精度優先順によりパターン検出順を決定する場合において、前記基板の外周部に近いパターンを優先的に選択し、パターン検出順を決定することを特徴とする請求項８に記載の荷電粒子線装置。
【請求項１２】
処理時間優先順によりパターン検出順を決定する場合において、前記記憶部に登録された前記基板に対する前記荷電粒子線の照射位置情報に基づき、次にパターン検出を実行するパターンまでの移動距離が最も短いパターン群およびパターンを選択することを特徴とする請求項８に記載の荷電粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線を用いた座標アライメント方法および荷電粒子線装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置や液晶表示装置等の薄膜デバイスの製造では、ほぼ全ての工程において、基板上に形成されたパターンの計測や欠陥検査をインラインで実施し、製品の品質管理や歩留り管理を行っている。計測装置や検査装置は高価であり、ユーザーである半導体メーカーや液晶パネルメーカーからは、装置の総合稼働率向上に対する要求が高い。計測装置や検査装置の稼働率向上のためには、スタンバイ時間や予期せぬエラー、メンテナンス時間を極力減らすと共に、非計測・非検査、誤計測・誤検査が少なく、装置パラメーターを設定するレシピ作成が短時間で簡易に行えるようにすることが重要である。
【０００３】
ところで、例えば半導体集積回路装置の製造において、ウェハ上のパターンや欠陥を走査型電子顕微鏡等の拡大撮像装置を用いて検査やレビュー（評価）を行うためには、装置内における当該ウェハを高精度で位置決めする必要がある。この方法として、位置合わせするためのパターンとその位置を登録し、その位置と実際にパターンを検出した位置のずれを補正することで位置決めを行う技術がある。位置合わせするためのパターンは、実際のウェハの画像を用いたり、設計データを用いることがある。ウェハ上でパターンを検出する位置は、その装置構成や補正アルゴリズムによって、適切な点数をユーザーが決定する。また、パターンは、製造工程によって見え方が異なるため、工程毎のパターンを複数登録できるようにし、いずれかに一致するパターンを検出して位置のずれを補正することもある。そして、これらの方法によっても位置合わせ用のパターンを検出できない場合は、オペレーターに通知してアシストを実施したり、当該ウェハの処理を中断して次のウェハ処理に進むようにしている。
【０００４】
本技術分野の背景技術として、例えば特許文献１に、グローバルアライメント機能を備えた画像撮像装置或いは画像撮像方法において、光学顕微鏡の撮像条件やウェハ積層膜の膜厚変動等により撮像画像が変化し、マッチング用データと光学顕微鏡による撮像画像とのマッチングが失敗する危険性があるため、複数のアライメントパターン候補を決定しておく技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１１４２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１０に、従来の欠陥レビュー装置における、アライメント点登録画面の例を示す。従来はアライメント点の登録時に、アライメント点登録画面２０１のウェハマップ２０２上で、任意のダイ２０３（或いは２０４、２０５、２０６）をクリックすることにより、アライメント点の登録および解除を行う。アライメントの実行順はダイの選択順で登録される。アライメント点の選択は、ウェハマップ２０２でのダイ選択の他、ダイ座標（ＣｏｌｕｍｎおよびＲｏｗ）の入力でも選択できる。図１１に、従来の欠陥レビュー装置における、アライメント処理フローの例を示す。例えば、パターン検出実行時３０４において、パターン検出に失敗した場合、アライメントエラー３０６を発生させ、設定によりエラー処理の内容を決定する。エラー発生時に、オペレータアシストを行う設定の場合、オペレータがマニュアルでアライメントパターンを探して、アライメント補正値を取得する操作３０８を行う必要がある。また、オペレータアシストを行わない設定の場合、レビュー処理を行わずにレシピを終了し、ウェハアンロード３０９を行う。
【０００７】
図１０および図１１に示すように、従来の欠陥レビュー装置では、登録したアライメント点すべてにおいてアライメントパターンを用いてパターン検出を行い、パターン検出に失敗した時点でアライメントエラーが発生し、エラー処理を実行していた。つまり、登録したアライメント点すべてにおいてパターン検出に成功しないとアライメントエラーとなり、エラー処理が実行され、装置は停止してしまう。エラーが発生した場合に、アライメント点を再登録し、処理を再実行することもできるが、レシピ編集等の手間と時間が掛る。また、ウェハ処理を終了してしまうと、再度レビューを行うためにはウェハを再度装置にロードする必要があり、装置を有効に稼働させることができない。アライメントエラー発生時に、オペレータアシスト操作待ちにすることは可能だが、オペレータアシスト操作が必要になると、オペレータの操作待ち状態になり、オペレータの作業が増加する。
【０００８】
特許文献１の記載のように、複数のパターンをアライメントパターン候補として登録しておく方法もあるが、複数パターンを登録する手間がかかることや、異なるパターン間の位置ずれ特性により補正精度を低下させるなどの問題がある。また、アライメント点でのパターン検出に失敗した時に、自動的に隣接するダイで再度パターン検出する方法も考えられるが、補正精度の低下や処理時間が長く装置稼働率が低下するなどのリスクが懸念される。
【０００９】
本発明の目的は、荷電粒子線を用いた座標アライメント方法において、処理時間が短くかつ高精度な座標アライメント方法を提供することにある。また、アライメントエラーによる装置停止が少なく、稼働率の高い荷電粒子線装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線を用いた基板の座標アライメント方法であって、前記基板において、複数のパターンをアライメント候補として指定し、前記複数のパターンからなるパターン群を前記基板の異なる領域に複数設定するステップと、前記基板における、前記複数のパターン群の位置情報を、記憶部に登録するステップと、を有し、前記パターン群の各々について、少なくともひとつのアライメント候補についてパターン検出を実行し、パターン検出に失敗した場合、検出に失敗したパターンが含まれるパターン群において当該検出に失敗したパターンとは異なるアライメント候補についてパターンを検出し直し、パターン検出に成功した場合、検出に成功したパターンが含まれるパターン群と異なるパターン群に含まれるパターンを次のアライメント候補として選択することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、荷電粒子線を用いた座標アライメント方法において、処理時間が短くかつ高精度な座標アライメントが可能となる。また、アライメントエラーによる装置停止が少なく、稼働率の高い荷電粒子線装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る装置構成の全体概要を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るアライメント点登録画面を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るアライメント処理フローを示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る処理内容を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る処理内容を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るアライメント点登録画面を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る処理内容を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係るアライメント点登録画面を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る処理内容を示す図である。
【図１０】アライメント点登録画面の従来例を示す図である。
【図１１】アライメント処理フローの従来例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の一実施例における装置構成の全体概要を示す。本実施例のレビュー装置１は、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いたＳＥＭ式の欠陥レビュー装置である。レビュー装置１は、大別して、試料を計測或いは検査する走査型電子顕微鏡５とその動作を制御する制御ユニット１３を含む管理コンソールにより構成されている。走査型電子顕微鏡５は、荷電粒子線照射手段である電子光学カラム６、ステージ９を格納する試料室７などにより構成され、制御ユニット１３により制御される。半導体ウェハや液晶パネル基板すなわち計測或いは検査の対象となる試料８はステージ９に搭載、保持され、ステージ９は制御ユニット１３からの信号に基づき、Ｘ方向およびＹ方向に移動する。試料８には、制御ユニット１３により制御される電子光学カラム６から荷電粒子線すなわち電子ビームが照射され、この照射によって試料８から得られる二次電子や反射電子を検出し、ＳＥＭ像が生成される。制御ユニット１３は、操作画面を表示するディスプレイ１１と入力部１２などの入出力装置、装置レシピや基板上の位置情報を登録する記憶装置１０が接続されている。
【００１５】
制御ユニット１３は、走査型電子顕微鏡５の動作制御に加え、ウェハアライメントを行うパターンの検出処理の際に行われる画像処理を実行する機能も有し、取得画像から予め登録されたパターンの有無を求める画像演算部１４、オペレータの操作あるいは所定の選別基準に従って欠陥候補の中から該当欠陥を決定する欠陥分類部１５などを備えている。また、ディスプレイ１１上には、レビュー装置１の動作条件を設定するための操作画面つまりＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ−Ｕｓｅｒ−Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）が表示され、入力部１２となるマウス、タッチパネルおよびタッチペンなどのポインティングデバイスやキーボードを用いて、オペレータが動作条件を設定入力することができる。また、記憶装置１０には、ウェハアライメントなどの動作条件が記載されたファイルが格納され、必要に応じて管理コンソールあるいは制御ユニット１３で使用される。管理コンソールはパーソナルコンピュータを備えており、簡単な演算処理であれば実行する機能を有している。
【００１６】
図２は、本発明の一実施例における欠陥レビュー装置のアライメント点登録画面の例を示す。ここで、パターン計測装置においては、計測パターンをアライメント点として登録し、パターン検査装置においては、検査パターンをアライメント点として登録するため、以下、計測パターン或いは検査パターンをアライメント点として説明する。複数のアライメント点をアライメント群としてグループ指定する場合、グループ指定４０１の項でグループ指定有無選択ボタン４０２の設定を有にして、ウェハマップ４０７で連続してダイを複数選択することでグループ番号設定／表示ボタン４０３で表示されているグループ番号でグループ化されて登録される。新しいグループを追加したい場合は、グループ追加ボタン４０４を押すことで、グループ番号設定／表示ボタン４０３の表示が、すでに登録済みのグループ番号の最大値に１を足した値が表示され、次にウェハマップでダイを選択したとき、新しいグループ番号で登録される。このとき、選択されたダイ４０８、ダイ４０９、ダイ４１０、ダイ４１１ごとにグループ番号‐指定順番を表示する。例えば、ダイ４０８については、相互に近接する複数のダイ、ここでは二つのダイを指定し、グループ内において、２−１、２−２、２−３のようにグループ内で番号を付与し、グループ２としてグループ化して記憶部に登録する。引き続き、グループ２と同様の手順により、ウェハ内の異なる領域に複数のアライメントグループを指定する。本実施例では、グループ３として３−１、３−２、３−３を、グループ４として４−１、４−２、４−３を、またグループ１として１−１、１−２、１−３をそれぞれグループ化して指定し、記憶部に登録する。
ここで、従来と同様に、グループ化せずにアライメント点すべてについて計測或いは検査を実行する場合は、グループ指定有無選択ボタン４０２の設定を無にして、ダイを選択することで、登録することが可能である。
【００１７】
図２では、処理順指定４０５の項で、指定順優先４０６を選択しているため、各グループ内で指定した順番に従ってアライメントの優先順位が決定される。例えば、グループ１では、グループ内番号１−１がグループ１内で優先的に処理され、続いて、１−２、１−３の順に処理される。
【００１８】
図３に、本発明の一実施例における欠陥レビュー装置のアライメント処理フローの例を示す。アライメント処理５０１の信号が入力されると、記憶部に登録されたアライメントグループ数の分について、処理フローが繰り返し実行される。（５０２）また、同様に各グループ内の登録ダイ数の分について、処理フローが繰り返し実行される。（５０３）初めに、グループ1の１点目のダイ１−１にアライメント検出手段を移動し（５０４）、アライメント処理を実行し（５０５）、パターン検出に失敗した場合は、アライメントエラーを発生させず、グループ1の次の点でアライメント処理を実行する。本実施例では、図２に示すように、１−２に移動し、アライメント処理を再度実行する。パターン検出に成功し（５０６）、正常にアライメント補正値を取得できたら、（５１２）次のグループの1点目でアライメント処理を実行する。グループ内登録ダイ数分のループは、アライメント補正値を取得するまで、つまり、グループ内で最後のダイと判断されるまで繰り返される。（５０７）グループ内の最後のダイでパターン検出に失敗した場合は、アライメントエラーを発生させ（５０８）、オペレータアシスト（５０９および５１０）またはレシピ終了すなわちウェハアンロード（５１１）を実行する。
【００１９】
図４および図５に、本発明の一実施例における欠陥レビュー装置のアライメント処理の処理内容の例を示す。図４では、グループ指定した場合の、アライメント処理実行時の具体的な処理の例を示す。初めに処理順１−１を実行し、パターン検出に成功したため、次のグループの処理に進む。次のグループの１点目（２−１）を実行し、パターン検出に失敗したため、同じグループ内の次の登録点（２−２）を実行し、パターン検出に成功したため、次のグループの１点目（３−１）を実行し、すべてのグループでパターン検出に成功したため、パターンのレビュー等、次の処理に進む事ができる。図５では、グループ指定した場合に、アライメントエラーが発生する場合の具体的な処理の例を示す。ここでは、アライメントエラー発生時にレシピ終了すなわちウェハアンロードする設定になっている事を前提としている。初めに処理順１−１を実行し、パターン検出に成功したため、次のグループの処理に進む。次のグループの最初のダイ（２−１）のパターン検出を実行し、パターン検出に失敗したため、同じグループ内の次の登録点（２−２）を実行し、パターン検出に失敗したため、同じグループ内の最後のダイ（２−３）を実行し、パターン検出に失敗すると、グループ３のすべてのダイでパターン検出が失敗し、アライメント補正値の取得ができないため、アライメントエラーが発生し、エラー処理が実行され、レシピ終了すなわちウェハアンロードとなる。
【００２０】
本実施例では、パターン検出の処理順として、図２に示すように処理順指定４０５の項で指定順優先４０６を選択した場合の例について説明したが、処理順指定には、指定順優先の他にも、例えば補正精度優先、処理時間優先なども選択することができる。指定順優先の場合、ウェハマップに表示された指定順番に従い実行するのに対し、補正精度優先を選択した場合は、ウェハの異なる領域に設定された複数のグループすなわちアライメント群について、各々のグループ内でウェハの一番外側つまりウェハの外周部に近いダイをアライメント候補として指定することにより、ウェハ全体において、アライメント精度すなわちパターン検出の精度を上げることができる。また、処理時間優先を選択した場合は、ステージ９の移動距離が少なくなるよう、次にアライメントを行うグループのダイを選択して処理を行うようにすることができる。つまり、ひとつのグループ内のダイのパターン検出に成功した場合、最短の時間で次の異なるグループ内のダイを選択してアライメントすなわちパターン検出を行うように設定することもできる。
【００２１】
本実施例により、荷電粒子線を用いた基板上のパターン計測或いはパターン検査において、処理時間が短くかつ高精度なパターン計測およびパターン検査が可能となる。また、荷電粒子線を用いたパターン計測装置或いはパターン検査装置において、パターン検出エラーによる装置停止が少なく、稼働率の高いパターン計測装置およびパターン検査装置を実現することができる。
【実施例２】
【００２２】
図６は、本発明の他の実施例における欠陥レビュー装置のアライメント点登録画面の例を示す。実施例１においては、図２に示すように、各々のグループについて、３つのダイを列状に、すなわち直線状に指定した例を用いて説明したが、本実施例では、図６に示すように、ウェハ上の異なる領域に複数設定されたグループの各々に対して、５つのダイを十字型に指定した例を示している。十字型以外にも、同様に５つのダイをクロス状（Ｘ字型）に指定することもできるし、また、９つのダイを四角状（横３ダイ×縦３ダイ）のように指定することもできる。
【００２３】
複数のアライメント点をアライメント群としてグループ指定する場合、グループ指定８０１の項でグループ指定有無選択ボタン８０２の設定を有にして、ウェハマップ８０７で連続してダイを複数選択することでグループ番号設定／表示ボタン８０３で表示されているグループ番号でグループ化されて登録される。新しいグループを追加したい場合は、グループ追加ボタン８０４を押すことで、グループ番号設定／表示ボタン８０３の表示が、すでに登録済みのグループ番号の最大値に１を足した値が表示され、次にウェハマップでダイを選択したとき、新しいグループ番号で登録される。このとき、選択されたダイ８０９、ダイ８１０、ダイ８１１、ダイ８０８ごとにグループ番号‐指定順番を表示する。例えば、ダイ８０９については、相互に近接する複数のダイ、ここでは四つのダイを指定し、グループ内において、２−１、２−２、２−３、２−４、２−５のようにグループ内で番号を付与し、グループ２としてグループ化して記憶部に登録する。引き続き、グループ２と同様の手順により、ウェハ内の異なる領域に複数のアライメントグループを指定する。本実施例では、グループ３として３−１、３−２、３−３、３−４、３−５を、グループ４として４−１、４−２、４−３、４−４、４−５を、またグループ１として１−１、１−２、１−３、１−４、１−５をそれぞれグループ化して指定し、記憶部に登録する。
【００２４】
図６では、処理順指定８０５の項で、補正精度優先８０６を選択しているため、ウェハ全体として補正精度が上がるような順番でアライメントすなわちパターン検出の優先順位が決定される。補正精度優先の場合、各アライメント点の距離が最も長いダイを選択し、実行する。図６に示すグループ登録を行った場合、初めに実行順の候補として、（１−２）、（２-４）、（３-３）、（４-５）の順が設定される。パターン検出に失敗した場合、アライメント実行した点より内側のダイを選択し、実行する。（１−２）でパターン検出に失敗した場合、次に実行されるのは（１−１）となる。
【００２５】
ここで、ひとつのグループにおいてパターン検出に成功した場合、それ以降のアライメントを行うグループおよびダイを選択するために、処理順を再計算してさらに処理時間を短縮することもできる。図７に、実施例２における欠陥レビュー装置のアライメント処理において、処理開始時の処理順と再計算後の処理順の例を示す。図７の左の欄は、上記で説明したように、補正精度優先で処理を開始した場合の最初に計算した処理順、すなわち図６の処理開始時の処理順を示している。また、図７の右の欄は、再計算後の処理順を示している。処理開始時の処理順で処理を行ったとき、例えば１−５でパターン検出に成功した場合、次に実行する点は、最初に計算した各グループの１番優先度の高い点２-４、３-３、４-５は、すべてウェハの一番外側を選択しているので、補正精度自体は次にどのグループを実行しても影響はない。しかし、ステージ移動距離をみると、２-４よりも４-５の方が１−５からの距離が近いため、４−５を先に処理した方が補正精度を保ちつつ処理時間も短縮できるため、パターン検出成功時に再度処理順を再計算した方が効率が良いことが判る。
【００２６】
本実施例により、荷電粒子線を用いた基板上のパターン計測或いはパターン検査において、処理時間が短くかつ高精度なパターン計測およびパターン検査が可能となる。また、荷電粒子線を用いたパターン計測装置或いはパターン検査装置において、パターン検出エラーによる装置停止が少なく、稼働率の高いパターン計測装置およびパターン検査装置を実現できる。
【実施例３】
【００２７】
図８は、本発明の他の実施例における欠陥レビュー装置のアライメント点登録画面の例を示す。本実施例では、実施例２において、処理順指定９０５の項で処理時間優先９０６を選択した場合の例を説明する。ウェハ上の異なる領域に複数設定されたグループの各々に対するダイの指定は、実施例２と同様に５つのダイを十字型に指定しても良いし、５つのダイをクロス状（Ｘ字型）に指定することもできるし、９つのダイを四角状（横３ダイ×縦３ダイ）のように指定することもできる。本実施例においては、処理時間優先を選択しているため、アライメント精度を確保でき、最も近いダイすなわちステージ９の移動距離が最も短いダイを選択し、実行する。初めに実行順の候補となるのは、例えば図８の１−３、２-５、３-２、４-４の順が設定される。パターン検出に失敗した場合、グループ内候補の中からパターン検出を実行した点より外側のダイを自動的に選択して実行する。図８の例では、例えば１−３でパターン検出に失敗した場合、次に実行されるのは１−１となる。本実施例によれば、各グループ内で最初にアライメントを行うダイを、最も近いダイすなわちステージ９の移動距離が最も短いダイから選択するため、処理時間を短縮することが可能となる。
【００２８】
ここで、実施例２と同様に、ひとつのグループにおいてパターン検出に成功した場合、それ以降のアライメントを行うグループおよびダイを選択するために、処理順を再計算してさらに処理時間を短縮することもできる。つまり、パターン検出成功時に再度最短経路の算出を行い、次に実行するダイを選択し直す。処理時間優先で処理を開始したとき、最初に計算した処理順を図９の左の欄に示す。
処理開始時の処理順で処理を行ったとき、例えば１−５でパターン検出に成功した場合、最短経路の再計算を行うと、図９の右の欄すなわち再計算後の処理順に示すように、最初に計算した処理順である２−５ではなく、最もステージ９の移動距離が少なく処理を行うよう４−４へ移動するように再計算される。
【００２９】
本実施例により、荷電粒子線を用いた基板上のパターン計測或いはパターン検査において、処理時間が短くかつ高精度なパターン計測およびパターン検査が可能となる。また、荷電粒子線を用いたパターン計測装置或いはパターン検査装置において、パターン検出エラーによる装置停止が少なく、稼働率の高いパターン計測装置およびパターン検査装置を実現できる。
【００３０】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００３１】
１…レビュー装置、５…走査型電子顕微鏡、６…電子光学カラム、７…試料室、８…試料、９…ステージ、１０…記憶装置、１１…ディスプレイ、１２…入力部、１３…制御ユニット、１４…画像演算部、１５…欠陥分類部。
【図１】
2015130412.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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