(57)【要約】【課題】マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にする。【解決手段】固体撮像装置は、マイクロレンズと、マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、マイクロレンズと、光電変換部と、光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備え、マイクロレンズは、撮像画素および焦点検出画素において一様に形成され、焦点検出画素は、マイクロレンズの下層に形成された高屈折率膜をさらに有する。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図３
2015076475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記焦点検出画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された高屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置。
【請求項２】
前記マイクロレンズは、前記光電変換部に集光ポイントをもつ
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記高屈折率膜は、SiN、アクリル系樹脂、シロキサン、または平坦化膜で形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記焦点検出画素において、前記マイクロレンズの下層に高屈折率膜を形成し、
前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記焦点検出画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された高屈折率膜をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
【請求項６】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された低屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置。
【請求項７】
前記マイクロレンズは、前記遮光部に集光ポイントをもつ
請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記低屈折率膜は、SiOで形成される
請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記低屈折率膜は、前記撮像画素が有するカラーフィルタを通過する光の波長域に応じた膜厚で形成される
請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像画素において、前記マイクロレンズの下層に低屈折率膜を形成し、
前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された低屈折率膜をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
【請求項１２】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された導波路をさらに有する
固体撮像装置。
【請求項１３】
前記マイクロレンズは、前記遮光部に集光ポイントをもつ
請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記導波路は、前記撮像画素において、前記マイクロレンズから入射した光を前記光電変換部に導く
請求項１３に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記導波路は、光を伝搬するコアと、前記コアを伝搬する光を閉じ込めるクラッドとからなり、
前記コアは、高屈折率材料で形成され、
前記クラッドは、低屈折率材料で形成される
請求項１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記コアは、SiN、アクリル系樹脂、またはシロキサンで形成される
請求項１５に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記クラッドは、SiOで形成される
請求項１５に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像画素において、前記マイクロレンズの下層に導波路を形成し、
前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された導波路をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素アレイ部に、撮像画素とともに焦点検出画素を設け、一対の焦点検出画素によって出力される信号のずれ量に基づいて焦点を検出する、いわゆる瞳分割位相差方式による焦点検出を行う固体撮像装置が知られている。
【０００３】
このような固体撮像装置において、撮像画素は、遮光膜より下層の光電変換部の受光面にマイクロレンズの集光ポイントがある場合に、その感度が最大となる一方、焦点検出画素は、遮光膜にマイクロレンズの集光ポイントがある場合に、その分離性能が最大となる。しかしながら、従来、撮像画素の感度を最適にするために、焦点検出画素の分離性能は犠牲となっていた。
【０００４】
そこで、焦点検出画素において、マイクロレンズの集光ポイントを撮像画素と合わせるために、撮像画素と焦点検出画素とでマイクロレンズを作り分けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、焦点検出画素のマイクロレンズ設置位置に段差を設けることで、マイクロレンズの集光ポイントを調整するようにした構成が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１０９９６５号公報
【特許文献２】特開２００７−２８１２９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の構成では、撮像画素と焦点検出画素とにおいて、マイクロレンズの一括形成が容易ではなかった。
【０００８】
また、特許文献２の構成では、焦点検出画素において、マイクロレンズの高さが撮像画素より高くなるため、焦点検出画素に隣接する撮像画素においてシェーディングが発生し、画質が劣化するおそれがあった。
【０００９】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本技術の第１の側面の固体撮像装置は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備え、前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、前記焦点検出画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された高屈折率膜をさらに有する。
【００１１】
前記マイクロレンズは、前記光電変換部に集光ポイントをもつようにすることができる。
【００１２】
本技術の第１の側面の固体撮像装置の製造方法は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、前記焦点検出画素において、前記マイクロレンズの下層に高屈折率膜を形成し、前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成するステップを含む。
【００１３】
本技術の第１の側面の電子機器は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備え、前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、前記焦点検出画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された高屈折率膜をさらに有する固体撮像装置を備える。
【００１４】
本技術の第１の側面においては、焦点検出画素において、マイクロレンズの下層に高屈折率膜が形成され、マイクロレンズが、撮像画素および焦点検出画素において一様に形成される。
【００１５】
本技術の第２の側面の固体撮像装置は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備え、前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された低屈折率膜をさらに有する。
【００１６】
前記マイクロレンズは、前記遮光部に集光ポイントをもつようにすることができる。
【００１７】
前記低屈折率膜は、前記撮像画素が有するカラーフィルタを通過する光の波長域に応じた膜厚で形成されるようにすることができる。
【００１８】
本技術の第２の側面の固体撮像装置の製造方法は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、前記撮像画素において、前記マイクロレンズの下層に低屈折率膜を形成し、前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成するステップを含む。
【００１９】
本技術の第２の側面の電子機器は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備え、前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された低屈折率膜をさらに有する固体撮像装置を備える。
【００２０】
本技術の第２の側面においては、撮像画素において、マイクロレンズの下層に低屈折率膜が形成され、マイクロレンズが、撮像画素および焦点検出画素において一様に形成される。
【００２１】
本技術の第３の側面の固体撮像装置は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備え、前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された導波路をさらに有する。
【００２２】
前記マイクロレンズは、前記遮光部に集光ポイントをもつようにすることができる。
【００２３】
本技術の第３の側面の固体撮像装置の製造方法は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、前記撮像画素において、前記マイクロレンズの下層に導波路を形成し、前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成するステップを含む。
【００２４】
本技術の第３の側面の電子機器は、マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備え、前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された導波路をさらに有する固体撮像装置を備える。
【００２５】
本技術の第３の側面においては、撮像画素において、マイクロレンズの下層に導波路が形成され、マイクロレンズが、撮像画素および焦点検出画素において一様に形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本技術の第１乃至第３の側面によれば、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】画素アレイ部の画素配置について説明する図である。
【図３】本技術の第１の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【図４】画素形成処理について説明するフローチャートである。
【図５】画素形成の工程を説明する図である。
【図６】本技術の第２の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【図７】画素形成処理について説明するフローチャートである。
【図８】画素形成の工程を説明する図である。
【図９】本技術の第３の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【図１０】画素形成処理について説明するフローチャートである。
【図１１】画素形成の工程を説明する図である。
【図１２】本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本技術の実施の形態について図を参照して説明する。
【００２９】
＜固体撮像装置の構成例＞
図１は、本技術が適用される固体撮像装置の一実施の形態を示すブロック図である。以下においては、増幅型固体撮像装置の１つである、裏面照射型のCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサの構成について説明する。なお、本技術は、裏面照射型のCMOSイメージセンサへの適用に限られるものではなく、表面照射型のCMOSイメージセンサや他の増幅型固体撮像装置、CCD（Charge Coupled Device）イメージセンサ等の電荷転送型の固体撮像装置にも適用可能である。
【００３０】
図１に示されるCMOSイメージセンサ１０は、図示せぬ半導体基板上に形成された画素アレイ部１１と、画素アレイ部１１と同じ半導体基板上に集積された周辺回路部とを有する構成となっている。周辺回路部は、例えば、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、水平駆動部１４、およびシステム制御部１５から構成されている。
【００３１】
さらに、CMOSイメージセンサ１０は、信号処理部１８およびデータ格納部１９を備えている。
【００３２】
画素アレイ部１１は、受光した光量に応じた光電荷を生成し、蓄積する光電変換部を有する単位画素（以下、単に画素ともいう）が行方向および列方向に、すなわち、行列状に２次元配置された構成を採る。ここで、行方向とは画素行の画素の配列方向（水平方向）を表し、列方向とは画素列の画素の配列方向（垂直方向）を表している。画素アレイ部１１には、複数の画素として、受光した被写体光に基づいて撮像画像を生成するための信号を生成する画素（撮像画素）と、焦点検出を行うための信号を生成する画素（焦点検出画素）とが配置される。
【００３３】
画素アレイ部１１においては、行列状の画素配列に対して、画素行毎に画素駆動線１６が行方向に沿って配線され、画素列毎に垂直信号線１７が列方向に沿って配線されている。画素駆動線１６は、画素から信号を読み出す際の駆動を行うための駆動信号を伝送する。図１では、画素駆動線１６は１本の配線として示されているが、１本に限られるものではない。画素駆動線１６の一端は、垂直駆動部１２の各行に対応した出力端に接続されている。
【００３４】
垂直駆動部１２は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素アレイ部１１の各画素を全画素同時または行単位等で駆動する。すなわち、垂直駆動部１２は、垂直駆動部１２を制御するシステム制御部１５とともに、画素アレイ部１１の各画素を駆動する駆動部を構成している。垂直駆動部１２は、その具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の２つの走査系を有する構成となっている。
【００３５】
読出し走査系は、単位画素から信号を読み出すために、画素アレイ部１１の単位画素を行単位で順に選択走査する。単位画素から読み出される信号はアナログ信号である。掃出し走査系は、読出し走査系によって読出し走査が行われる読出し行に対して、その読出し走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して掃出し走査を行う。
【００３６】
この掃出し走査系による掃出し走査により、読出し行の単位画素の光電変換部から不要な電荷が掃出されることによって光電変換部がリセットされる。そして、この掃出し走査系による不要電荷の掃出す（リセットする）ことにより、電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換部の光電荷を捨てて、新たに露光を開始する（光電荷の蓄積を開始する）動作のことをいう。
【００３７】
読出し走査系による読出し動作によって読み出される信号は、その直前の読出し動作または電子シャッタ動作以降に受光した光量に対応するものである。そして、直前の読出し動作による読出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃出しタイミングから、今回の読出し動作による読出しタイミングまでの期間が、単位画素における光電荷の露光期間となる。
【００３８】
垂直駆動部１２によって選択走査された画素行の各単位画素から出力される信号は、画素列毎に垂直信号線１７の各々を通してカラム処理部１３に入力される。カラム処理部１３は、画素アレイ部１１の画素列毎に、選択行の各画素から垂直信号線１７を通して出力される信号に対して所定の信号処理を行うとともに、信号処理後の画素信号を一時的に保持する。
【００３９】
具体的には、カラム処理部１３は、信号処理として、少なくともノイズ除去処理、例えばCDS（Correlated Double Sampling）処理を行う。カラム処理部１３によるCDS処理により、リセットノイズや画素内の増幅トランジスタの閾値ばらつき等の、画素固有の固定パターンノイズが除去される。カラム処理部１３には、ノイズ除去処理以外に、例えば、AD（Analog-Digital）変換機能を持たせ、アナログの画素信号をデジタル信号に変換して出力させることも可能である。
【００４０】
水平駆動部１４は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、カラム処理部１３の画素列に対応する単位回路を順番に選択する。水平駆動部１４による選択走査により、カラム処理部１３において単位回路毎に信号処理された画素信号が順番に出力される。
【００４１】
システム制御部１５は、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ等によって構成され、そのタイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、および水平駆動部１４等の駆動制御を行う。
【００４２】
信号処理部１８は、少なくとも演算処理機能を有し、カラム処理部１３から出力される画素信号に対して演算処理等の種々の信号処理を行う。データ格納部１９は、信号処理部１８での信号処理に必要なデータを一時的に格納する。
【００４３】
なお、信号処理部１８およびデータ格納部１９は、CMOSイメージセンサ１０と同じ基板（半導体基板）上に搭載されても構わないし、CMOSイメージセンサ１０とは別の基板上に配置されるようにしても構わない。また、信号処理部１８およびデータ格納部１９の各処理は、CMOSイメージセンサ１０とは別の基板に設けられる外部信号処理部、例えば、DSP（Digital Signal Processor）回路やソフトウエアによる処理として実行されても構わない。
【００４４】
また、CMOSイメージセンサ１０が裏面照射型のCMOSイメージセンサである場合、画素アレイ部１１を含む半導体基板とロジック回路を含む半導体基板とを貼り合わせた、積層型のCMOSイメージセンサとして構成されるようにしてもよい。
【００４５】
＜画素アレイ部の画素配列＞
次に、図２を参照して、画素アレイ部１１の画素配置について説明する。
【００４６】
図２に示されるように、画素アレイ部１１には、黒色の正方形で示される複数の撮像画素３１が行列状に２次元配置されている。撮像画素３１は、Ｒ画素、Ｇ画素、およびＢ画素からなり、これらは、ベイヤ配列に従い規則的に配置されている。
【００４７】
また、画素アレイ部１１には、行列状に２次元配置される複数の撮像画素３１の中に、白色の正方形で示される複数の焦点検出画素３２が散在して配置されている。具体的には、焦点検出画素３２は、画素アレイ部１１における画素行のうちの所定の１行において、撮像画素３１の一部を置き換えることで、特定のパターンで規則的に配置されている。なお、画素アレイ部１１における撮像画素３１および焦点検出画素３２の配置は、これに限られるものではなく、他のパターンで配置されるようにしてもよい。
【００４８】
以下、画素アレイ部１１における撮像画素３１および焦点検出画素３２の実施の形態について説明する。
【００４９】
＜第１の実施の形態の画素の構成例＞
図３は、CMOSイメージセンサ１０における第１の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。図３においては、CMOSイメージセンサ１０における撮像画素３１および焦点検出画素３２の断面図が示されている。
【００５０】
図３に示されるように、撮像画素３１においては、半導体基板５１に、入射した光を受光し光電変換を行う光電変換部５２が形成されている。半導体基板５１の上層には、HDP（High Density Plasma）プロセスによって、SiO等からなる絶縁層５３が100nm程度の膜厚で形成され、絶縁層５３の上には、Ｗ等からなる遮光膜５４が、光電変換部５２の上部に開口を有するように形成されている。遮光膜５４の膜厚は200乃至250nm程度とされ、その開口は、例えばフォトリソグラフィ工程によって生成される。
【００５１】
遮光膜５４を含む絶縁層５３の上には、平坦化膜５５が形成され、平坦化膜５５の上には、撮像画素３１それぞれに応じた分光特性を有するカラーフィルタ５６が、アクリル系基材等により形成されている。カラーフィルタ５６の上には、SiO等からなるエッチングストッパ膜５７が形成され、エッチングストッパ膜５７の上には、マイクロレンズ５８が形成されている。マイクロレンズ５８は、屈折率が1.6程度のアクリル樹脂からなるマイクロレンズ材料を、例えば3000nm程度の膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て、エッチバックを行うことによって形成される。なお、CMOSイメージセンサ１０が表面照射型のCMOSイメージセンサである場合、平坦化膜５５には、CuやAlからなる配線層が形成され、その一部が、遮光膜５４として形成されるようにしてもよい。
【００５２】
撮像画素３１においては、遮光膜５４の開口により、光電変換部５２の受光領域が規定されており、遮光膜５４が、隣接する画素からの光を遮光するように配置されている。これにより、撮像画素３１においては、光電変換部５２が、マイクロレンズ５８から入射した被写体光を受光することで、撮像画像を生成するための信号が得られる。
【００５３】
一方、焦点検出画素３２においても、撮像画素３１と同様に、半導体基板５１、光電変換部５２、絶縁層５３、遮光膜５４、平坦化膜５５、エッチングストッパ膜５７、およびマイクロレンズ５８が形成されている。なお、焦点検出画素３２においては、遮光膜５４が、光電変換部５２の受光領域の略半分の大きさの開口を有するように形成され、平坦化膜５５の上には、撮像画素３１のカラーフィルタ５６と同程度に入射光量を低減させるための減光フィルタ５６ｚが形成されている。なお、この減光フィルタ５６ｚは、焦点検出画素３２において設けないようにしてもよい。
【００５４】
さらに、焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８の下層であって、エッチングストッパ膜５７の上には、SiNからなる高屈折率膜６０が形成されている。高屈折率膜６０の屈折率は、1.6より大きい値とされ、この場合、2.0とされる。また、高屈折率膜６０の膜厚は、200乃至400nm程度とされる。
【００５５】
なお、高屈折率膜６０は、SiNに限らず、他の高屈折率材料で形成されるようにすることもできる。例えば、高屈折率膜６０は、アクリル系樹脂で形成されるようにしてもよい。この場合、アクリル系樹脂には、TiO2，ZrO2，TaO2や、希土類酸化物、Al2O3等の高屈折率材料が分散させるようにする。さらに、高屈折率膜６０は、シロキサンで形成されるようにしてもよいし、平坦化膜で形成されるようにしてもよい。
【００５６】
また、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８は一様に、すなわち、同一の形状、大きさで形成されており、同一の集光ポイントをもつ。ここで、画素サイズを1.12μmとし、マイクロレンズ高さを400nmとした場合、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、光電変換部５２の受光面とされる。
【００５７】
これにより、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、光電変換部５２の受光面となる。一方、焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、高屈折率膜６０によって、遮光膜５４の上面となる。
【００５８】
このように、焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、高屈折率膜６０によって、光電変換部５２より上側（マイクロレンズ５８側）の位置に設定される。なお、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、高屈折率膜６０の屈折率や膜厚が調整されることによって細かく設定されるようにすることができる。
【００５９】
本実施の形態の構成によれば、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８が一様に形成されている中で、焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８の下層に高屈折率膜６０を設けるようにしたので、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、光電変換部５２の受光面としつつ、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、遮光膜５４の上面とすることができる。すなわち、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることが可能となる。
【００６０】
＜画素形成の流れについて＞
次に、図４および図５を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図４は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図５は、画素形成の工程を示す断面図である。
【００６１】
以下においては、カラーフィルタ５６および減光フィルタ５６ｚが形成された後の処理について説明する。
【００６２】
ステップＳ１１において、図５Ａに示されるように、カラーフィルタ５６および減光フィルタ５６ｚの上に、エッチングストッパ膜５７が成膜される。
【００６３】
ステップＳ１２において、図５Ｂに示されるように、エッチングストッパ膜５７の上に、高屈折率材料６０ａが成膜される。
【００６４】
ステップＳ１３において、焦点検出画素３２以外の領域について、ドライエッチングにより高屈折率材料６０ａが除去される。これにより、図５Ｃに示されるように、焦点検出画素３２の領域のみに、高屈折率膜６０が形成されるようになる。
【００６５】
ステップＳ１４において、図５Ｄに示されるように、マイクロレンズ材料５８ａが、スピンコートにより成膜される。このとき、マイクロレンズ材料５８ａの膜厚は、例えば3000nmを超えない程度とされる。
【００６６】
そして、ステップＳ１５において、フォトリソグラフィ工程を経て、マイクロレンズ材料５８ａがエッチバックされることで、図５Ｅに示されるように、マイクロレンズ５８が形成される。なお、撮像画素３１か焦点検出画素３２かによらず、マイクロレンズ５８は、その集光ポイントが光電変換部５２の受光面となるよう一様に形成される。
【００６７】
このようにして、撮像画素３１と焦点検出画素３２とが形成される。
【００６８】
以上の処理によれば、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８が一様に形成される中で、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の下層に高屈折率膜６０が形成されるので、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、光電変換部５２の受光面としつつ、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、遮光膜５４の上面とすることができる。すなわち、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることが可能となる。
【００６９】
また、上述した処理においては、マイクロレンズの形成において、リフロー工程を用いずに、フォトリソグラフィ工程およびドライエッチング工程が用いられるので、マイクロレンズの形成プロセスを、正確で平易なプロセスとすることが可能となる。
【００７０】
さらに、マイクロレンズは一様に形成されるので、集光特性のばらつきによる画像の劣化を抑えることが可能となる。
【００７１】
＜第２の実施の形態の画素の構成例＞
次に、図６を参照して、第２の実施の形態の画素の構成例について説明する。
【００７２】
なお、図６に示される撮像画素３１および焦点検出画素３２と、図３に示される撮像画素３１および焦点検出画素３２とで、同様にして形成される部分については、その説明を省略する。
【００７３】
図６に示されるように、撮像画素３１において、マイクロレンズ５８の下層であって、エッチングストッパ膜５７の上には、SiOからなる低屈折率膜７０が形成されている。低屈折率膜７０の屈折率は、1.6より小さい値とされ、この場合、1.5とされる。また、低屈折率膜７０の膜厚は、200乃至400nm程度とされる。
【００７４】
なお、図６に示される焦点検出画素３２においては、図３に示される焦点検出画素３２と異なり、マイクロレンズ５８の下層に、高屈折率膜６０は設けられない。
【００７５】
また、本実施の形態においても、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８は一様に、すなわち、同一の形状、大きさで形成されており、同一の集光ポイントをもつ。ここで、画素サイズを1.12μmとし、マイクロレンズ高さを600nmとした場合、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、遮光膜５４の上面とされる。
【００７６】
これにより、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、遮光膜５４の上面となる。一方、撮像画素３１において、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、低屈折率膜７０によって、光電変換部５２の受光面となる。
【００７７】
このように、撮像画素３１において、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、低屈折率膜７０によって、遮光膜５４より下側（半導体基板５１側）の位置に設定される。なお、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、低屈折率膜７０の屈折率や膜厚が調整されることによって細かく設定されるようにすることができる。
【００７８】
本実施の形態の構成によれば、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８が一様に形成されている中で、撮像画素３１において、マイクロレンズ５８の下層に低屈折率膜７０を設けるようにしたので、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、遮光膜５４の上面としつつ、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、光電変換部５２の受光面とすることができる。すなわち、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることが可能となる。
【００７９】
なお、撮像画素３１において、低屈折率膜７０における光の屈折の割合は、カラーフィルタ５６を通過した光の波長域によって異なる。
【００８０】
例えば、カラーフィルタ５６が赤色カラーフィルタである場合、カラーフィルタ５６を通過した光の波長は、可視光の波長域の中では短波長となり、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、マイクロレンズ５８側になる、いわゆる前ピンの状態となる。また、カラーフィルタ５６が青色カラーフィルタである場合、カラーフィルタ５６を通過した光の波長は、可視光の波長域の中では長波長となり、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、半導体基板５１側になる、いわゆる後ピンの状態となる。
【００８１】
そこで、撮像画素３１においては、カラーフィルタ５６を通過した光の波長域に応じて、低屈折率膜７０の膜厚が設定されるようにしてもよい。
【００８２】
具体的には、カラーフィルタ５６が赤色カラーフィルタである場合、マイクロレンズ５８の集光ポイントは前ピンになる傾向があるので、低屈折率膜７０の膜厚を450nm程度に厚くして、集光ポイントを半導体基板５１側に近づけるようにする。また、カラーフィルタ５６が青色カラーフィルタである場合、マイクロレンズ５８の集光ポイントは後ピンになる傾向があるので、低屈折率膜７０の膜厚を350nm程度に薄くして、集光ポイントをマイクロレンズ５８側に近づけるようにする。なお、カラーフィルタ５６が緑色カラーフィルタである場合には、低屈折率膜７０の膜厚を400nm程度にする。なお、これら低屈折率膜７０の膜厚の最適値は、上述した値から±100nm程度の範囲内の値とされる。
【００８３】
これにより、カラーフィルタ５６を通過した光の波長域によらず、マイクロレンズ５８の集光ポイントが最適に設定されるようになる。
【００８４】
＜画素形成の流れについて＞
次に、図７および図８を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図７は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図８は、画素形成の工程を示す断面図である。
【００８５】
なお、以下においても、カラーフィルタ５６および減光フィルタ５６ｚが形成された後の処理について説明する。
【００８６】
ステップＳ３１において、図８Ａに示されるように、カラーフィルタ５６および減光フィルタ５６ｚの上に、エッチングストッパ膜５７が成膜される。
【００８７】
ステップＳ３２において、図８Ｂに示されるように、エッチングストッパ膜５７の上に、低屈折率材料７０ａが成膜される。
【００８８】
ステップＳ３３において、撮像画素３１以外の領域について、ドライエッチングにより低屈折率材料７０ａが除去される。これにより、図８Ｃに示されるように、撮像画素３１の領域のみに、低屈折率膜７０が形成されるようになる。
【００８９】
ステップＳ３４において、図８Ｄに示されるように、マイクロレンズ材料５８ａが、スピンコートにより成膜される。このとき、マイクロレンズ材料５８ａの膜厚は、例えば3000nmを超えない程度とされる。
【００９０】
そして、ステップＳ３５において、フォトリソグラフィ工程を経て、マイクロレンズ材料５８ａがエッチバックされることで、図８Ｅに示されるように、マイクロレンズ５８が形成される。なお、撮像画素３１か焦点検出画素３２かによらず、マイクロレンズ５８は、その集光ポイントが遮光膜５４の上面となるよう一様に形成される。
【００９１】
このようにして、撮像画素３１と焦点検出画素３２とが形成される。
【００９２】
以上の処理によれば、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８が一様に形成される中で、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の下層に低屈折率膜７０が形成されるので、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、遮光膜５４の上面としつつ、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、光電変換部５２の受光面とすることができる。すなわち、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることが可能となる。
【００９３】
また、上述した処理においては、マイクロレンズの形成において、リフロー工程を用いずに、フォトリソグラフィ工程およびドライエッチング工程が用いられるので、マイクロレンズの形成プロセスを、正確で平易なプロセスとすることができる。
【００９４】
さらに、マイクロレンズは一様に形成されるので、集光特性のばらつきによる画像の劣化を抑えることが可能となる。
【００９５】
＜第３の実施の形態の画素の構成例＞
次に、図９を参照して、第３の実施の形態の画素の構成例について説明する。
【００９６】
なお、図９に示される撮像画素３１および焦点検出画素３２と、図６に示される撮像画素３１および焦点検出画素３２とで、同様にして形成される部分については、その説明を省略する。
【００９７】
図９に示されるように、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、カラーフィルタ５６および減光フィルタ５６ｚの上には、エッチングストッパ膜５７は設けられず、焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８の下層には、低屈折率膜７０は設けられない。
【００９８】
また、図９に示されるように、撮像画素３１において、マイクロレンズ５８の下層、具体的にはカラーフィルタ５６の下層であって、光電変換部５２の上には、マイクロレンズ５８から入射した光を光電変換部５２に導く導波路８０が形成されている。
【００９９】
導波路８０は、光を伝搬するコアと、コアを伝搬する光を閉じ込めるクラッドとからなる。コアおよびクラッドは、入射する光の波長域で透過率が80％以上となる材料からなり、例えば、コアはSiN等の高屈折率材料、クラッドはSiO等の低屈折率材料で形成される。
【０１００】
導波路８０のコアは、SiNに限らず、他の高屈折率材料で形成されるようにすることもできる。例えば、導波路８０のコアは、アクリル系樹脂で形成されるようにしてもよい。この場合、アクリル系樹脂には、TiO2，ZrO2，TaO2や、希土類酸化物、Al2O3等の高屈折率材料が分散させるようにする。さらに、導波路８０のコアは、シロキサンで形成されるようにしてもよい。
【０１０１】
また、導波路８０において、コアの幅（径）は、カラーフィルタ５６を通過する光の波長をコアの屈折率で割った値となるように設計される。また、クラッドの幅は、50nm以上とされ、100nm程度とされることが望ましい。さらに、導波路８０の高さは、300nm以上とされ、500nm程度とされることが望ましい。
【０１０２】
なお、図９に示される焦点検出画素３２においても、図３に示される焦点検出画素３２と異なり、マイクロレンズ５８の下層に、高屈折率膜６０は設けられない。
【０１０３】
また、本実施の形態においても、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８は一様に、すなわち、同一の形状、大きさで形成されており、同一の集光ポイントをもつ。ここで、画素サイズを1.12μmとし、マイクロレンズ高さを600nmとした場合、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、遮光膜５４の上面とされる。
【０１０４】
これにより、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、遮光膜５４の上面となる。一方、撮像画素３１において、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、導波路８０の開口付近とされ、マイクロレンズ５８から導波路８０に入射した光が光電変換部５２に導かれる。
【０１０５】
このように、焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８の集光ポイントは、導波路８０によって、光電変換部５２の受光面に設定されたものとみなすことができる。
【０１０６】
本実施の形態の構成によれば、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８が一様に形成されている中で、撮像画素３１において、マイクロレンズ５８の下層に導波路８０を設けるようにしたので、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、遮光膜５４としつつ、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、光電変換部５２の受光面とすることができる。すなわち、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることが可能となる。
【０１０７】
＜画素形成の流れについて＞
次に、図１０および図１１を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図１０は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図１１は、画素形成の工程を示す断面図である。
【０１０８】
以下においては、平坦化膜５５が形成された後の処理について説明する。なお、本実施の形態においては、加工性の観点から、平坦化膜５５は、SiO等により形成されるものとする。
【０１０９】
ステップＳ５１において、図１１Ａに示されるように、撮像画素３１の領域について、ドライエッチングによって、平坦化膜５５および絶縁層５３が開口されることで、開口部８１が形成される。
【０１１０】
ステップＳ５２において、低屈折率材料が成膜された後、図１１Ｂに示されるように、開口部８１を埋め込むように、高屈折率材料８０ａがスピンコートにより成膜される。
【０１１１】
ステップＳ５３において、全面エッチバックまたはCMP（Chemical Mechanical Polishing）により高屈折率材料８０ａが除去される。これにより、図１１Ｃに示されるように、撮像画素３１の領域に、導波路８０が形成されるようになる。
【０１１２】
ステップＳ５４において、図１１Ｄに示されるように、撮像画素３１の領域にカラーフィルタ５６が形成され、焦点検出画素３２の領域に減光フィルタ５６ｚが形成される。
【０１１３】
ステップＳ５５において、図１１Ｅに示されるように、マイクロレンズ材料５８ａが、スピンコートにより成膜される。このとき、マイクロレンズ材料５８ａの膜厚は、例えば3300nmを超えない程度とされる。
【０１１４】
そして、ステップＳ５６において、フォトリソグラフィ工程を経て、マイクロレンズ材料５８ａがエッチバックされることで、図１１Ｆに示されるように、マイクロレンズ５８が形成される。なお、撮像画素３１か焦点検出画素３２かによらず、マイクロレンズ５８は、その集光ポイントが遮光膜５４の上面となるよう一様に形成される。
【０１１５】
このようにして、撮像画素３１と焦点検出画素３２とが形成される。
【０１１６】
以上の処理によれば、撮像画素３１および焦点検出画素３２において、マイクロレンズ５８が一様に形成される中で、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の下層に導波路８０が形成されるので、焦点検出画素３２においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、遮光膜５４の上面としつつ、撮像画素３１においては、マイクロレンズ５８の集光ポイントを、光電変換部５２の受光面とすることができる。すなわち、マイクロレンズの形成プロセスを容易にし、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることが可能となる。
【０１１７】
また、上述した処理においては、マイクロレンズの形成において、リフロー工程を用いずに、フォトリソグラフィ工程およびドライエッチング工程が用いられるので、マイクロレンズの形成プロセスを、正確で平易なプロセスとすることができる。
【０１１８】
さらに、マイクロレンズは一様に形成されるので、集光特性のばらつきによる画像の劣化を抑えることが可能となる。
【０１１９】
さらにまた、上述した処理においては、高屈折率膜や低屈折率膜の屈折率や膜厚を調整することなく、また、導波路を設ける以外は、撮像画素と焦点検出画素とが同一の工程で形成されるので、画素形成の工程全体を簡略することが可能となる。
【０１２０】
＜電子機器の構成例＞
次に、図１２を参照して、本技術を適用した電子機器の構成例について説明する。
【０１２１】
図１２に示される電子機器２００は、光学レンズ２０１、シャッタ装置２０２、固体撮像装置２０３、駆動回路２０４、および信号処理回路２０５を備えている。図１２においては、固体撮像装置２０３として、上述した実施の形態の画素を有するCMOSイメージセンサ１０を電子機器（デジタルスチルカメラ）に設けた場合の構成を示す。
【０１２２】
光学レンズ２０１は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置２０３の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置２０３内に一定期間信号電荷が蓄積される。シャッタ装置２０２は、固体撮像装置２０３に対する光照射期間および遮光期間を制御する。
【０１２３】
駆動回路２０４は、固体撮像装置２０３の信号転送動作およびシャッタ装置２０２のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路２０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置２０３は信号転送を行う。信号処理回路２０５は、固体撮像装置２０３から出力された信号に対して各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力される。
【０１２４】
さらに、電子機器２００は、光学レンズ２０１をその光軸方向に駆動するレンズ駆動部（図示せず）を備えている。レンズ駆動部は、光学レンズ２０１とともに、焦点の調節を行うフォーカス機構を構成している。そして、電子機器２００においては、図示せぬシステムコントローラにより、フォーカス機構の制御や、上述した各構成要素の制御等、種々の制御が行われる。
【０１２５】
フォーカス機構の制御に関しては、本技術の固体撮像装置における焦点検出画素から出力される焦点検出信号に基づいて、例えば信号処理回路２０５において、焦点のずれ方向およびずれ量を算出する演算処理が行われる。この演算結果を受けて、システムコントローラは、レンズ駆動部を介して光学レンズ２０１をその光軸方向に移動させることによって焦点（ピント）が合った状態にするフォーカス制御を行う。
【０１２６】
本技術の実施の形態の電子機器２００においては、固体撮像装置２０３において、撮像画素の感度と焦点検出画素の分離性能とを最適にすることができるため、結果として画質の向上が図られるようになる。
【０１２７】
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１２８】
さらに、本技術は以下のような構成をとることができる。
（１）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記焦点検出画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された高屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置。
（２）
前記マイクロレンズは、前記光電変換部に集光ポイントをもつ
（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記高屈折率膜は、SiN、アクリル系樹脂、シロキサン、または平坦化膜で形成される
（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記焦点検出画素において、前記マイクロレンズの下層に高屈折率膜を形成し、
前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
（５）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記焦点検出画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された高屈折率膜をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
（６）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された低屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置。
（７）
前記マイクロレンズは、前記遮光部に集光ポイントをもつ
（６）に記載の固体撮像装置。
（８）
前記低屈折率膜は、SiOで形成される
（６）または（７）に記載の固体撮像装置。
（９）
前記低屈折率膜は、前記撮像画素が有するカラーフィルタを通過する光の波長域に応じた膜厚で形成される
（６）乃至（８）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１０）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像画素において、前記マイクロレンズの下層に低屈折率膜を形成し、
前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
（１１）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された低屈折率膜をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
（１２）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された導波路をさらに有する
固体撮像装置。
（１３）
前記マイクロレンズは、前記遮光部に集光ポイントをもつ
（１２）に記載の固体撮像装置。
（１４）
前記導波路は、前記撮像画素において、前記マイクロレンズから入射した光を前記光電変換部に導く
（１３）または（１４）に記載の固体撮像装置。
（１５）
前記導波路は、光を伝搬するコアと、前記コアを伝搬する光を閉じ込めるクラッドとからなり、
前記コアは、高屈折率材料で形成され、
前記クラッドは、低屈折率材料で形成される
（１４）に記載の固体撮像装置。
（１６）
前記コアは、SiN、アクリル系樹脂、またはシロキサンで形成される
（１５）に記載の固体撮像装置。
（１７）
前記クラッドは、SiOで形成される
（１５）に記載の固体撮像装置。
（１８）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像画素において、前記マイクロレンズの下層に導波路を形成し、
前記マイクロレンズを、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
（１９）
マイクロレンズと、前記マイクロレンズから入射した光を受光する光電変換部とを有する撮像画素と、
前記マイクロレンズと、前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する焦点検出画素と
を備え、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記焦点検出画素において一様に形成され、
前記撮像画素は、前記マイクロレンズの下層に形成された導波路をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
【符号の説明】
【０１２９】
１０  CMOSイメージセンサ，  １１  画素アレイ部，  ３１  撮像画素，  ３２  焦点検出画素，  ５１  半導体基板，  ５２  光電変換部，  ５４  遮光膜，  ５６  カラーフィルタ，  ５６ｚ  減光フィルタ，  ５７  エッチングストッパ膜，  ５８  マイクロレンズ，  ６０  高屈折率膜，  ７０  低屈折率膜，  ８０  導波路，  ２００  電子機器，  ２０３  固体撮像装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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