(57)【要約】【課題】処理液の消費量を抑えつつ良好な基板処理を実現することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置１は、上面に開口部２ａを有し、処理液を貯留する貯留部２と、処理対象面Ｗａを有する基板Ｗを、その処理対象面Ｗａを貯留部２に向けて開口部２ａを塞ぐように保持する保持部３と、保持部３により保持された基板Ｗの処理対象面Ｗａに接触する位置まで処理液を貯留部２に供給する供給部５とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に開口部を有し、処理液を貯留する貯留部と、
処理対象面を有する基板を、その処理対象面を前記貯留部に向けて前記開口部を塞ぐように保持する保持部と、
前記保持部により保持された前記基板の処理対象面に接触する位置まで処理液を前記貯留部に供給する供給部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記貯留部は、
前記処理液を溜める第１の槽と、
前記第１の槽から溢れた処理液を収容する第２の槽と、
を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の槽は、上端部に切欠部を有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記保持部は、前記貯留部の一部であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記供給部は、前記貯留部に種類が異なる複数の処理液を供給することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記供給部は、前記複数の処理液を一緒又は順番に供給することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記供給部は、前記複数の処理液として溶液とリンス液とを交互に供給することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記供給部は、前記貯留部に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記供給部は、前記処理液を供給する前段階で前記不活性ガスを供給することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
上面に開口部を有し、処理液を貯留する貯留部と、処理対象面を有する基板を、その処理対象面を前記貯留部に向けて前記開口部を塞ぐように保持する保持部と、前記保持部により保持された前記基板の処理対象面に接触する位置まで処理液を前記貯留部に供給する供給部とを備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記保持部により前記処理対象面を前記貯留部に向けて前記開口部を塞ぐように前記基板を保持する工程と、
前記保持部により保持された前記基板の処理対象面に接触する位置まで処理液を前記供給部により前記貯留部に供給する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、処理対象物であるウェーハや液晶基板などの基板を処理液（例えば、レジスト剥離液や洗浄液など）により処理する装置である。この基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽内に基板を沈めて処理を行うバッチ式の基板処理装置、あるいは、回転ステージに基板を置き、回転する基板上に処理液を供給する枚葉式の基板処理装置に大別される。
【０００３】
バッチ式の基板処理装置では、処理液に基板を沈めて処理を行うため、処理液の消費量が多くなる傾向がある。この処理液の消費量を抑えるためには、枚葉式の基板処理装置を用いることが望ましいが、回転する基板の表面に処理液が供給されると、その処理液は基板の回転による遠心力によって基板の外周に向かって広がっていく。このため、基板の処理中に処理液の流れが生じることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２６３５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように枚葉式の基板処理装置では、基板の処理中に処理液の流れが発生するため、処理液中の溶質が基板の表面にうまく作用せず（例えば、溶質が基板の表面に付着せず）、基板処理が不十分となることから、良好な基板処理を行うことは難しい。
【０００６】
また、バッチ式の基板処理装置においては、処理液に基板全体を沈めるため、処理対象面以外の面も処理液に接触することになる。このため、処理液に基板全体を沈めたくない場合、例えば、処理対象面以外の面が処理液に対する耐性が弱い場合など、処理対象面以外の面が処理液によって劣化するため、やはり良好な基板処理を行うことは難しい。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、処理液の消費量を抑えつつ良好な基板処理を実現することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係る基板処理装置は、上面に開口部を有し、処理液を貯留する貯留部と、処理対象面を有する基板を、その処理対象面を貯留部に向けて開口部を塞ぐように保持する保持部と、保持部により保持された基板の処理対象面に接触する位置まで処理液を貯留部に供給する供給部とを備える。
【０００９】
実施形態に係る基板処理方法は、上面に開口部を有し、処理液を貯留する貯留部と、処理対象面を有する基板を、その処理対象面を貯留部に向けて開口部を塞ぐように保持する保持部と、保持部により保持された基板の処理対象面に接触する位置まで処理液を貯留部に供給する供給部とを備える基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、保持部により処理対象面を貯留部に向けて開口部を塞ぐように基板を保持する工程と、保持部により保持された基板の処理対象面に接触する位置まで処理液を供給部により貯留部に供給する工程とを有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、処理液の消費量を抑えつつ良好な基板処理を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る貯留部の概略構成を示す外観斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る基板処理の流れを示すフローチャートである。
【図４】第２の実施形態に係る基板処理装置の一部を示す図である。
【図５】第３の実施形態に係る基板処理装置の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１ないし図３を参照して説明する。
【００１３】
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、処理液を貯留する貯留部２と、その貯留部２の上部に基板Ｗを保持する保持部３と、貯留部２及び保持部３を支持するベース４と、貯留部２に処理液を供給する供給部５と、各部を制御する制御部６とを備えている。
【００１４】
貯留部２は、上面に開口部２ａを有する上面開口の箱形状に形成されており、その開口部２ａから処理液の一部を露出させて処理液を貯留する構造になっている。この貯留部２は、処理液を溜めるディップ槽（第１の槽）２ｂと、そのディップ槽２ｂから溢れた処理液を収容するオーバーフロー槽（第２の槽）２ｃとを有している。
【００１５】
ディップ槽２ｂは、図２に示すように、上面開口の中空の円柱形状に形成されており、処理液を溜めることが可能な構造になっている。このディップ槽２ｂの内壁（環状の内壁で、貯留部２の内壁ともいう。）の上面（上端部）には、複数の切欠部２ｂ１（図２では、一例として４個）がほぼ等間隔に並ぶように形成されており、処理液がオーバーフローする（溢れだす）ことが可能な構造になっている。また、ディップ槽２ｂの底面には、気体及び液体の流体供給用の供給口２ｂ２が形成されている（図２では、一例として１個）。この供給口２ｂ２は貫通孔であり、ディップ槽２ｂの底面のほぼ中央に形成されている。なお、供給口２ｂ２には供給部５が接続されている。
【００１６】
オーバーフロー槽２ｃは、図２に示すように、上面開口の中空の円柱形状のディップ槽２ｂを囲む円環状の溝形状に形成されており、そのディップ槽２ｂから溢れた処理液を収容することが可能な構造になっている。このオーバーフロー槽２ｃの外壁（環状の外壁で、貯留部２の外壁ともいう。）の上端高さは、ディップ槽２ｂの内壁で切欠部２ｂ１のない部分の上端高さより数ｍｍ程度高く形成される。オーバーフロー槽２ｃの底面には、廃液用の排出口２ｃ１が前述の切欠部２ｂ１の個数に合わせて複数形成されている。これらの排出口２ｃ１はそれぞれ貫通孔であり、オーバーフロー槽２ｃの底面の延伸方向に沿ってほぼ等間隔に並ぶように形成されている。
【００１７】
ここで、各排出口２ｃ１には、廃液配管（図示せず）が個別に接続されており、それらの廃液配管が接続されて一本となった廃液配管の途中には、流路を開閉する開閉弁（図示せず）が設けられている。この開閉弁は制御部６に電気的に接続されており、その制御部６による制御に応じて廃液配管を開閉する。
【００１８】
図１に戻り、保持部３は、基板Ｗを支持する複数の支持ピン（支持部材）３ａと、それらの支持ピン３ａ上の所定位置に基板Ｗを案内する複数のガイドピン３ｂとを備えている。この保持部３は、基板Ｗの処理対象面Ｗａを貯留部２に向けてその貯留部２の開口部２ａを塞ぐように基板Ｗを保持する。
【００１９】
支持ピン３ａは、貯留部２の外壁に沿ってベース４上に例えば三本ほぼ等間隔に設けられている。また、ガイドピン３ｂも、貯留部２の外壁に沿ってベース４上に支持ピン３ａの個数に合わせて複数設けられている。これらのガイドピン３ｂは、貯留部２に対する基板Ｗの水平方向の位置を決める位置決め部として機能する。
【００２０】
ここで、基板Ｗの保持位置は、ディップ槽２ｂが処理液により満たされた状態（満杯状態）で、その処理液の露出部分に各支持ピン３ａ上の基板Ｗの処理対象面Ｗａが接触する位置であり、さらに、各支持ピン３ａ上の基板Ｗの処理対象面Ｗａと貯留部２の外壁の上面との離間距離が数百ミクロン程度となる位置である。この離間距離は、各支持ピン３ａ上の基板Ｗの処理対象面Ｗａと貯留部２の外壁の上面とを接触させないための距離である。これにより、基板Ｗの処理対象面Ｗａに対する物体の接触を避け、その物体の接触に起因する問題（例えば、傷や破損など）を回避することが可能となる。
【００２１】
支持ピン３ａで支持された基板Ｗの処理対象面Ｗａが、ディップ槽２ｂに満たされた処理液の露出部分に接触するようにするため、ディップ槽２ｂの内壁の上面に形成された各切欠部２ｂ１の深さはそれぞれ数ｍｍ程度とされる。これは、基板Ｗが保持部３により保持され、ディップ槽２ｂが処理液により満たされた状態（満杯状態）で、かつ処理液の供給が停止されている状態で、ディップ槽２ｂを満たす液体が表面張力によって各切欠部２ｂ１からオーバーフロー槽２ｃに溢れださない深さに設定されている。しかも、ディップ層２ｂの内壁で切欠部２ｂ１のない部分の上端と基板間には、基板Ｗの処理対象面Ｗａと貯留部２の外壁の上面との離間距離より大きな隙間が形成され、ディップ槽２ｂが処理液により満たされ、処理液の供給が停止されている状態では、この隙間に液体は充満するものの、表面張力によって、この隙間からオーバーフロー槽２ｃには溢れださない隙間に設定される。従って、基板Ｗの処理対象面Ｗａにおける処理対象領域は、保持部３により保持された基板Ｗの処理対象面Ｗａのうちディップ槽２ｂに対向する領域となる。
【００２２】
ベース４は、貯留部２及び保持部３を支持する支持体であり、例えば、円形状の貫通孔４ａを有する板形状に形成されている。この貫通孔４ａはベース４のほぼ中央に貯留部２の下面よりも小さく、すなわちベース４が貯留部２を支持することが可能な大きさに形成されている。なお、貯留部２はベース４に対して着脱可能に形成されている。これにより、使用する処理液の種類に応じて貯留部２を交換することも可能となる。
【００２３】
供給部５は、気体（例えば、不活性ガス）を貯留する気体タンク５ａと、第１の処理液（例えば、水溶液）を貯留する第１の加圧タンク５ｂと、第２の処理液（例えば、リンス液）を貯留する第２の加圧タンク５ｃとを備えている。これらのタンク５ａ、５ｂ及び５ｃの個数は処理内容（例えば、使用気体や使用処理液の種類数など）に応じて変わるものであり、特に限定されるものではない。
【００２４】
さらに、供給部５は、気体タンク５ａと貯留部２とを接続する第１の供給配管５ｄと、その第１の供給配管５ｄの途中と第１の加圧タンク５ｂとを接続する第２の供給配管５ｅと、第１の供給配管５ｄの途中と第２の加圧タンク５ｃとを接続する第３の供給配管５ｆとを備えている。これらの供給配管５ｄ、５ｅ及び５ｆの途中にはそれぞれ、流路を開閉する開閉弁Ａ１及び異物を除去するフィルタＡ２が設けられている。
【００２５】
各開閉弁Ａ１はそれぞれ制御部６に電気的に接続されており、その制御部６による制御に応じて対応する供給配管５ｄ〜５ｆを開閉する。第１の供給配管５ｄの開閉弁Ａ１が開状態となると、気体が気体タンク５ａから第１の供給配管５ｄを流れて貯留部２内に供給される。同じように、第２の供給配管５ｅの開閉弁Ａ１が開状態となると、第１の処理液が第１の加圧タンク５ｂから第２の供給配管５ｅを流れて貯留部２内に供給される。第３の供給配管５ｆの開閉弁Ａ１が開状態となると、第２の処理液が第２の加圧タンク５ｃから第３の供給配管５ｆを流れて貯留部２内に供給される。
【００２６】
ここで、気体としては、例えば、窒素などの不活性ガスを用いることが可能であり、用途に応じて各種ガスを用いることが可能である。なお、第１の処理液が空気中の水分や酸素により劣化する場合などには、貯留部２内の空気を不活性ガスに置換しておき、置換後の貯留部２内に第１の処理液を供給することによって、第１の処理液の劣化を抑止することが可能である。さらに、貯留部２内の空気を不活性ガスに置換することで、貯留部２内をクリーンな環境に維持することができる。
【００２７】
また、第１の処理液としては、処理内容に応じて各種の処理液（例えば、界面活性剤や有機溶剤を含む溶液あるいは水溶液など）を用いることが可能である。また、第２の処理液としては、第１の処理液に応じて各種の処理液（例えば、リンス液など）を用いることが可能である。例えば、第１の処理液が有機溶剤を含む場合には、第２の処理液としてアルコールなどを用いる。
【００２８】
制御部６は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部とを備えている。この制御部６は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて供給部５の各開閉弁Ａ１などを制御し、基板Ｗが保持部３により保持された状態で貯留部２に処理液を供給し、その貯留部２上に位置する基板Ｗの処理対象面Ｗａを処理する基板処理の制御を行う。
【００２９】
次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理工程について図３を参照して説明する。
【００３０】
図３に示すように、基板Ｗがロボットハンドリングなどの搬送機構によって保持部３の各支持ピン３ａ上に置かれる（ステップＳ１）。このとき、基板Ｗは保持部３の各ガイドピン３ｂにより各支持ピン３ａ上に導かれて所定位置に載置される。なお、第１の供給配管５ｄの開閉弁Ａ１、第２の供給配管５ｅの開閉弁Ａ１、第３の供給配管５ｆの開閉弁Ａ１及び廃液配管の開閉弁は閉状態になっている。
【００３１】
この基板Ｗの保持状態で、気体が貯留部２のディップ槽２ｂに供給される（ステップＳ２）。このとき、第１の供給配管５ｄの開閉弁Ａ１が開状態にされ、気体（例えば、不活性ガス）が気体タンク５ａからディップ槽２ｂ内に供給される。これにより、ディップ槽２ｂ内の空気が供給気体に置換される。ディップ槽２ｂ内の空気が供給気体に置換された後、気体の供給は、第１の供給配管５ｄの開閉弁Ａ１が閉状態とされることで停止する。
【００３２】
次いで、第１の処理液が貯留部２のディップ槽２ｂに供給され（ステップＳ３）、ディップ槽２ｂに満たされた第１の処理液により基板Ｗの処理面Ｗａが処理される（ステップＳ４）。具体的には、ステップＳ３では、廃液配管の開閉弁及び第２の供給配管５ｅの開閉弁Ａ１が開状態にされ、第１の処理液（例えば、溶液）が第１の加圧タンク５ｂからディップ槽２ｂ内に供給される。ディップ槽２ｂが第１の処理液により満たされると（第１の処理液の供給開始から所定時間後）、廃液配管の開閉弁及び第２の供給配管５ｅの開閉弁Ａ１が閉状態にされる。これにより、ディップ槽２ｂでの処理液の流動が止る。そして、ステップＳ４では、基板Ｗの処理面Ｗａが、ディップ槽２ｂに満たされた静止状態の第１の処理液に接触する状態を、予め設定した処理時間だけ維持（待機）させることで、第１の処理液による処理が実行される。
【００３３】
この待機後、第２の処理液が貯留部２のディップ槽２ｂに供給され（ステップＳ５）、ディップ槽２ｂ内が第１の処理液から第２の処理液に置換される。具体的には、廃液配管の開閉弁及び第３の供給配管５ｆの開閉弁Ａ１が開状態にされ、第２の処理液（例えば、リンス液）が第２の加圧タンク５ｃからディップ槽２ｂ内に供給される。これにより、ディップ槽２ｂ内の第１の処理液はディップ槽２ｂから溢れてオーバーフロー槽２ｃに流れ、オーバーフロー槽２ｃの各排出口２ｃ１から廃液される。ディップ槽２ｂが第２の処理液により満たされると（第２の処理液の供給開始から所定時間後）、廃液配管の開閉弁及び第３の供給配管５ｆの開閉弁Ａ１が閉状態にされ、その後、予め設定された時間、例えば数分程度の待機が行われ、第２の処理液によるリンス処理が実行される。
【００３４】
このリンス処理後、基板Ｗの乾燥が行われる（ステップＳ６）。このとき、枚葉式の基板処理部を用いた乾燥が実行される。すなわち、リンス処理後の基板Ｗがロボットハンドリングなどの搬送機構によって保持部３の各支持ピン３ａ上から搬出され、枚葉式の基板処理部の回転テーブルに設置される。その後、回転テーブルが回転し、基板Ｗの回転による振り切り乾燥が行われる。
【００３５】
ここで、前述のステップＳ５においては、貯留部２を用いたリンス処理を実行しているが、これに限るものではなく、例えば、回転する基板にリンス液を供給する枚葉式の基板処理部を用いたリンス処理を実行することも可能であり、必ずしも貯留部２を用いる必要はない。また、前述のステップＳ６においては、基板Ｗの回転による振り切り乾燥を実行しているが、これに限るものではなく、他の乾燥手段を用いることも可能である。
【００３６】
このような基板処理工程によれば、基板Ｗはその処理対象面Ｗａを貯留部２に向けて開口部２ａを塞ぐように保持部３によって保持される。この保持状態で、ディップ槽２ｂ内の空気が不活性ガス等の供給気体に置換され、貯留部２内のディップ槽２ｂに処理液が供給され、ディップ槽２ｂが処理液により満たされると、その供給が停止される。このとき、基板Ｗの処理対象面Ｗａとディップ槽２ｂ内の処理液は接触している状態であり、ディップ槽２ｂを満たす処理液は表面張力によって各切欠部２ｂ１から溢れだすことはない。このような処理液の満杯状態で所定時間の待機が行われ、基板Ｗの処理対象面Ｗａに対する処理液（第１の処理液）による処理が実行される。
【００３７】
このとき、処理液はディップ槽２ｂ内で静止した状態、すなわち流れが生じていない静止状態であるため、処理液中の溶質（例えば、界面活性剤など）が基板Ｗの処理対象面Ｗａにうまく作用し（例えば、溶質が基板の表面に付着し）、良好に基板処理を行うことが可能となる。また、基板Ｗの処理対象面Ｗａ以外の面が処理液に接触することはなく、処理液に基板全体を沈めたくない場合、例えば、処理対象面Ｗａ以外の面が処理液に対する耐性が弱い場合などでも、処理液に基板全体を沈めずに処理対象面Ｗａのみに処理液を接触させて基板処理を行うことが可能であり、良好に基板処理を行うことができる。
【００３８】
また、処理液は処理対象面Ｗａにおける処理対象領域にのみ供給されることになるので、処理液に基板Ｗの全体を沈めて処理を行うような場合に比べ、処理液の使用量を削減することが可能となるので、処理液の消費量を抑止することができる。さらに、ディップ槽２ｂ、すなわち貯留部２を小型にすることが可能となるので、装置の小型化を実現することができる。
【００３９】
また、処理液はディップ槽２ｂの各切欠部２ｂ１からオーバーフロー槽２ｃに流れるため、ディップ槽２ｂ内の処理液を容易に入れ替えることが可能となる。これにより、一つのディップ槽２ｂで複数の処理液を用いることができるため、様々な処理に対応することが可能になる。
【００４０】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、基板Ｗの処理対象面Ｗａを貯留部２に向けて開口部２ａを塞ぐように基板Ｗを保持し、その保持状態で基板Ｗの処理対象面Ｗａに接触する位置まで処理液を貯留部２に供給する。これにより、処理液に流れを生じさせず、処理液が静止した状態で基板Ｗの処理対象面Ｗａを処理することが可能となり、さらに、基板Ｗの処理対象面Ｗａのみを処理液に接触させて処理することが可能となる。したがって、処理液の消費量を抑えつつ良好な基板処理を実現することができる。
【００４１】
また、供給部５により貯留部２に種類が異なる複数の処理液を供給することによって、一つの貯留部２で複数の処理液により処理を行うことができる。さらに、複数の処理液を一緒又は順番に供給することによって、様々な処理を連続的に実行することができる。加えて、供給部５により複数の処理液として溶液とリンス液とを交互に供給することによって、一つの貯留部２で基板処理とリンス処理を行うことが可能となる。
【００４２】
また、供給部５により貯留部２に不活性ガスを、例えば、処理液を供給する前段階で供給することによって、空気中の水分や酸素により劣化するタイプの処理液を用いた場合でも、その処理液の劣化を抑えことが可能であり、良好な基板処理を実現することができる。さらに、貯留部２内の空気を不活性ガスに置換することで、貯留部２内をクリーンな環境に維持することが可能であり、ゴミなどの異物が基板に付着することに起因する基板処理の不均一を抑止することが可能となるため、良好な基板処理を実現することができる。
【００４３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について図４を参照して説明する。
【００４４】
第２の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。このため、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００４５】
図４に示すように、第２の実施形態に係る保持部３Ａにおいては、第１の実施形態に係る複数の支持ピン３ａにかえて、貯留部２の外周に位置する環状の外壁３ｃが基板Ｗを支持する支持部として機能する。なお、基板Ｗは、外壁３ｃの上面（上端部）に接触した状態で外壁３ｃによって支持されることになる。この第２の実施形態に係る基板Ｗは、その処理対象面Ｗａにおける外周近傍の円環状の部分が外壁３ｃの上面と接触することが可能な基板、すなわち接触しても問題が生じない基板である。
【００４６】
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、貯留部２の外壁３ｃが基板Ｗを支持する支持部として機能することから、基板Ｗを支持するための部材を新たに設ける必要がなく、部品点数を削減することが可能となり、コスト削減や装置簡略化を実現することができる。
【００４７】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について図５を参照して説明する。
【００４８】
第３の実施形態は基本的に第２の実施形態と同様である。このため、第３の実施形態では、第２の実施形態との相違点について説明し、第２の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００４９】
図５に示すように、第３の実施形態に係る貯留部２Ａにおいては、ディップ槽２ｂの内面が供給口２ｂ２に向けてテーパー状（先細り状）に形成されており、さらに、オーバーフロー槽２ｃの内面が底面（排出口２ｃ１の直径と同じ幅を有する環状の底面）に向かって徐々に狭くなるように形成されている。
【００５０】
詳しくは、ディップ槽２ｂは、環状の内壁の上面から供給口２ｂ２に向けて徐々に傾斜する円錐状の斜面Ｂ１を有している。また、オーバーフロー槽２ｃは、環状の内壁の上面から底面（排出口２ｃ１の幅を有する底面）に向けて徐々に傾斜する環状の斜面Ｂ２及び環状の外壁３ｃの上面から底面（排出口２ｃ１の幅を有する底面）に向けて徐々に傾斜する環状の斜面Ｂ３を有している。
【００５１】
このような貯留部２Ａによれば、ディップ槽２ｂ及びオーバーフロー槽２ｃの底面や壁面には直角部分が無くなるため、処理液はディップ槽２ｂの内面やオーバーフロー槽２ｃの内面に沿って流れやすくなり、底面や壁面の直角部分に処理液が残留することを抑止することが可能となる。これにより、種類が異なる複数の処理液をディップ槽２ｂに供給する場合などに、残留した処理液が他の処理液と混ざることを抑えることが可能となるので、良好な基板処理を実現することができる。
【００５２】
以上説明したように、第３の実施形態によれば、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、前述の貯留部２Ａの形状によって、処理液がディップ槽２ｂの内面やオーバーフロー槽２ｃの内面に沿って流れやすくなるため、貯留部２Ａ内の処理液の残留を抑止することができる。また、貯留部２Ａのディップ槽２ｂの貯留量が減少するため、処理液の消費量を抑えることができる。
【００５３】
なお、前述の第１ないし第３の実施形態においては、気体用の供給配管と液体用の供給配管とを接続して供給配管の一部を共用しているが、これに限るものではなく、例えば、貯留部２（貯留部２Ａ）のディップ槽２ｂに供給口２ｂ２を複数形成し、気体用の供給配管と液体用の供給配管とを個別にディップ槽２ｂに接続するようにしても良い。この場合には、処理液による処理後にディップ槽２ｂに気体を供給したときに生じるスプラッシュ、すなわち配管に残留した処理液の飛散を防止すること可能となる。これにより、飛散した処理液が基板に付着することに起因する基板処理の不均一を抑止することが可能となるため、良好な基板処理を実現することができる。
【００５４】
また、前述の第１ないし第３の実施形態においては、貯留部２（貯留部２Ａ）を上面開口の円柱状に形成しているが、これに限るものではなく、例えば、上面開口の直方体形状に形成するようにしても良く、その形状は限定されるものではない。
【００５５】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。例えば、第１の処理液や第２の処理液などの供給は、それぞれの供給時間が重ならない実施形態で説明したが、一部重なっても構わない。また、上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１      基板処理装置
２      貯留部
２Ａ    貯留部
２ａ    開口部
２ｂ    ディップ槽
２ｂ１  切欠部
２ｃ    オーバーフロー槽
３      保持部
３Ａ    保持部
５      供給部
Ｗ      基板
【図１】
2015037126.tif 000003
【図２】
2015037126.tif 000004
【図３】
2015037126.tif 000005
【図４】
2015037126.tif 000006
【図５】
2015037126.tif 000007