(57)【要約】【課題】本発明は、プリント回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施例によるプリント回路基板によれば、絶縁層と無電解めっき層との間にイミダゾール系アルコキシシラン層を含むことで剥離強度を向上させることができる。また、本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法によれば、ウェットデスミア（ｗｅｔ  ｄｅｓｍｅａｒ）工程で形成した絶縁層上に前記イミダゾール系アルコキシシラン層を導入することで、温度および湿度が変化する環境下でも信頼性を高めることができる。また、前記イミダゾール系アルコキシシラン層により、高温条件下でも絶縁層と無電解めっき層との層間剥離現象を抑制することができる。【選択図】図１
2015130478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、ビアホールを有する絶縁層と、
前記絶縁層の表面に形成されたイミダゾール系アルコキシシラン層と、
前記イミダゾール系アルコキシシラン層上に形成された回路層と、を含むプリント回路基板であって、
前記回路層が、前記イミダゾール系アルコキシシラン層の表面に形成された無電解めっき層と、前記無電解めっき層上に形成された電解めっき層と、を含む、プリント回路基板。
【請求項２】
前記絶縁層が、１００ｎｍ以下の表面粗さを有する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記絶縁層が、絶縁フィルム、プリプレグまたはビルドアップフィルムのいずれか一つである、請求項１または２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記絶縁層が、無機フィラー、ガラス繊維またはこれらの混合物を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記無機フィラーが、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）から選択される一つ以上のものである、請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記ガラス繊維が、Ｅガラス、Ｔガラス、ＳガラスおよびＮＥガラスから選択される一つ以上のものである、請求項４または５に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、下記化１で表される、請求項１から６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【化１】
2015130478.tif 000020
（ここで、前記Ｒ１は、アルキル基またはアリール基であり、Ｒ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【請求項８】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、化２、化３または化４のいずれか一つの化学構造を有するイミダゾール系アルコキシシランを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【化２】
2015130478.tif 000021
【化３】
2015130478.tif 000022
【化４】
2015130478.tif 000023
（ここで、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【請求項９】
前記無電解めっき層および電解めっき層が、銅（Ｃｕ）を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
基板を準備する段階と、
前記基板上にビアホールを有する絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に液状のイミダゾール系アルコキシシラン層を形成する段階と、
前記イミダゾール系アルコキシシラン層上に回路層を形成する段階と、を含むプリント回路基板の製造方法であって、
前記回路層が、前記イミダゾール系アルコキシシラン層上に形成された無電解めっき層と、前記無電解めっき層上に形成された電解めっき層と、を含む、プリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層が、絶縁フィルム、プリプレグまたはビルドアップフィルムのいずれか一つである、請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ビアホールを有する絶縁層を形成する段階は、
前記基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層にビアホールを形成する段階と、
前記ビアホールが形成された絶縁層にデスミア処理を施す段階と、を含む、請求項１０または１１に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層が、１００ｎｍ以下の表面粗さを有する、請求項１０から１２のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層が、無機フィラー、ガラス繊維またはこれらの混合物を含む、請求項１０から１３のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記無機フィラーが、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）から選択される一つ以上のものである、請求項１４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ガラス繊維が、Ｅガラス、Ｔガラス、ＳガラスおよびＮＥガラスから選択される一つ以上のものである、請求項１４または１５に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記液状のイミダゾール系アルコキシシラン層を形成する段階は、スプレーコート法、ディップコート法またはスピンコート法により行われる、請求項１０から１６のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、下記化１で表される、請求項１０から１７のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【化１】
2015130478.tif 000024
（ここで、前記Ｒ１は、アルキル基またはアリール基であり、Ｒ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【請求項１９】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、化２、化３または化４のいずれか一つの化学構造を有するイミダゾール系アルコキシシランを含む、請求項１０から１８のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【化２】
2015130478.tif 000025
【化３】
2015130478.tif 000026
【化４】
2015130478.tif 000027
（ここで、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【請求項２０】
前記無電解めっき層および電解めっき層が、銅（Ｃｕ）を含む、請求項１０から１９のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および高性能化の傾向に伴い、プリント回路基板の微細配線化が非常に重要になっている。絶縁層の表面に過マンガン酸塩液で粗化処理を施した後、めっきを行って導体層を形成するセミアディティブ法（ｓｅｍｉ  ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ、ＳＡＰ）の場合、絶縁層の粗さを大きくすれば、絶縁層と化学めっき層との剥離強度（ｐｅｅｌ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ）は増加するが、微細配線化が困難になる問題があって、できる限り低い粗さで層間の剥離強度を高めなければならない状況となり、表面粗さと剥離強度は、互いにトレードオフ（ｔｒａｄｅ‐ｏｆｆ）の関係にある。
【０００３】
前記のような層間密着性を改善するための試みとして、樹脂基材の表面粗さ（Ｒａ）がμｍになるように、物理的方法または化学的方法で樹脂基材の表面に粗化処理を施すことが一般的である。
【０００４】
しかし、粗化による表面粗さは、金属パターンの精度を低下させるだけでなく、回路基板において電気信号にノイズ（ｎｏｉｚｅ）が生じる原因となり、近年の表面粗さは１００ｎｍのレベルに近づいている。
【０００５】
このように低い表面粗さで高い剥離強度を具現するために粗化処理を施した電気絶縁層上にゴムおよび樹脂などの高分子成分を含有する無電解めっき用接着剤を塗布する方法が提案（日本特開２００１−１９２８４４号公報、日本特開２００１−１２３１３７号公報および日本特開１９９９−４０６９号公報）されてもいるが、電気絶縁層を形成した後、温度および湿度が変化すると、十分な密着性が得られず、層間剥離現象が生じて基板の寿命を短縮することもあった。
【０００６】
一方、特許文献１には、絶縁層上に伝導体回路が形成された内層基板上に前記伝導体回路を覆うようにチオール化合物層を積層し、その上に脂環式オレフィン重合体を含有する絶縁層を形成することで、内層基板とその上に形成された絶縁層との密着性を改善するための方法が提案されているが、チオール化合物と銅（Ｃｕ）との密着力には限界があった。また、樹脂基材の表面に粗化処理を施さずに樹脂基材と銅層との高い密着性が得られる方法が多数報告されているが、温度および湿度が変化する条件下では、十分な密着力が期待できなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本特開２００１−１６０６８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明の一つの目的は、絶縁層と無電解めっき層との間にイミダゾール系アルコキシシラン層を含むことで剥離強度を向上したプリント回路基板を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、ウェットデスミア（ｗｅｔ  ｄｅｓｍｅａｒ）工程で形成した絶縁層上に前記イミダゾール系アルコキシシラン層を導入したプリント回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一つの目的によるプリント回路基板は、基板上に形成され、ビアホールを有する絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されたイミダゾール系アルコキシシラン層と、前記イミダゾール系アルコキシシラン層上に形成された回路層と、を含むプリント回路基板であって、前記回路層が、前記イミダゾール系アルコキシシラン層の表面に形成された無電解めっき層と、前記無電解めっき層上に形成された電解めっき層と、を含むことができる。
【００１１】
前記プリント回路基板において、前記絶縁層が、１００ｎｍ以下の表面粗さを有することができる。
【００１２】
前記プリント回路基板において、前記絶縁層が、絶縁フィルム、プリプレグまたはビルドアップフィルムのいずれか一つであることができる。
【００１３】
前記プリント回路基板において、前記絶縁層が、無機フィラー、ガラス繊維またはこれらの混合物を含むことができる。
【００１４】
前記プリント回路基板において、前記無機フィラーが、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）から選択される一つ以上のものであることができる。
【００１５】
前記プリント回路基板において、前記ガラス繊維が、Ｅガラス、Ｔガラス、ＳガラスおよびＮＥガラスから選択される一つ以上のものであることができる。
【００１６】
前記プリント回路基板において、前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、下記化１で表されることができる。
【化１】
2015130478.tif 000003
（ここで、前記Ｒ１は、アルキル基またはアリール基であり、Ｒ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００１７】
前記プリント回路基板において、前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、化２、化３または化４のいずれか一つの化学構造を有するイミダゾール系アルコキシシランを含むことができる。
【化２】
2015130478.tif 000004
【化３】
2015130478.tif 000005
【化４】
2015130478.tif 000006
（ここで、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００１８】
前記プリント回路基板において、前記無電解めっき層および電解めっき層が、銅（Ｃｕ）を含むことができる。
【００１９】
本発明の他の目的によるプリント回路基板の製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にビアホールを有する絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に液状のイミダゾール系アルコキシシラン層を形成する段階と、前記イミダゾール系アルコキシシラン層上に回路層を形成する段階と、を含むプリント回路基板の製造方法であって、前記回路層が、前記イミダゾール系アルコキシシラン層上に形成された無電解めっき層と、前記無電解めっき層上に形成された電解めっき層と、を含むことができる。
【００２０】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記絶縁層が、絶縁フィルム、プリプレグまたはビルドアップフィルムのいずれか一つであることができる。
【００２１】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記ビアホールを有する絶縁層を形成する段階は、前記基板上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層にビアホールを形成する段階と、前記ビアホールが形成された絶縁層にデスミア処理を施す段階と、を含むことができる。
【００２２】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記絶縁層が、１００ｎｍ以下の表面粗さを有することができる。
【００２３】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記絶縁層が、無機フィラー、ガラス繊維またはこれらの混合物を含むことができる。
【００２４】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記無機フィラーが、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）から選択される一つ以上のものであることができる。
【００２５】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記ガラス繊維が、Ｅガラス、Ｔガラス、ＳガラスおよびＮＥガラスから選択される一つ以上のものであることができる。
【００２６】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記液状のイミダゾール系アルコキシシラン層を形成する段階は、スプレーコート法、ディップコート法またはスピンコート法により行われることができる。
【００２７】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、下記化１で表されることができる。
【化１】
2015130478.tif 000007
（ここで、前記Ｒ１は、アルキル基またはアリール基であり、Ｒ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００２８】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記イミダゾール系アルコキシシラン層が、化２、化３または化４のいずれか一つの化学構造を有するイミダゾール系アルコキシシランを含むことができる。
【化２】
2015130478.tif 000008
【化３】
2015130478.tif 000009
【化４】
2015130478.tif 000010
（ここで、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００２９】
前記プリント回路基板の製造方法において、前記無電解めっき層および電解めっき層が、銅（Ｃｕ）を含むことができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の一実施例によるプリント回路基板によれば、絶縁層と回路層との間にイミダゾール系アルコキシシラン層を含むことで剥離強度を向上させることができる。
【００３１】
また、前記絶縁層の表面の官能基と、イミダゾール系アルコキシシラン層のアルコキシシランが、縮合反応によって共有結合を形成することで剥離強度を向上させることができる。
また、前記回路層の銅（Ｃｕ）と、イミダゾール系アルコキシシラン層のイミダゾールが、配位結合によって相互作用を形成することで剥離強度を向上させることができる。
本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法によれば、ウェットデスミア（ｗｅｔ  ｄｅｓｍｅａｒ）工程で形成した絶縁層上に前記イミダゾール系アルコキシシラン層を導入することで温度および湿度が変化する環境下でも信頼性を高めることができる。
また、前記イミダゾール系アルコキシシラン層により、高温条件下でも絶縁層と回路層との層間剥離現象を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施例によるプリント回路基板の断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【図４】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【図５】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【図７】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【図８】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【図９】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の目的、特定の長所および新規の特徴は添付図面に係る以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００３４】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３５】
プリント回路基板
図１は本発明の一実施例によるプリント回路基板の断面図である。
【００３６】
図１を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００は、基板１０上に形成され、ビアホール３を有する絶縁層２０と、前記絶縁層２０の表面に形成されたイミダゾール系アルコキシシラン層３０と、前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０上に形成された回路層８０と、を含むことができる。ここで、前記回路層８０は、前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０の表面に形成された無電解めっき層５０と、前記無電解めっき層５０上に形成された電解めっき層７０と、を含むことができる。
【００３７】
前記基板１０は、所定強度以上の材質であれば特に限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）フィルム、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）フィルム、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）フィルム、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、二軸延伸ポリスチレン（Ｋ樹脂含有ｂｉａｘｉａｌｌｙ  ｏｒｉｅｎｔｅｄ  ＰＳ；ＢＯＰＳ）、ガラスまたは強化ガラスなどからなってもよい。
【００３８】
前記絶縁層２０は、絶縁フィルム、プリプレグまたはビルドアップフィルムのいずれか一つであってもよく、特にこれに限定されるものではない。
【００３９】
また、前記絶縁層２０は、熱膨張係数の特性を向上させるために、無機フィラー、ガラス繊維またはこれらの混合物を含んでもよい。
【００４０】
前記無機フィラーは、特に限定されるものではないが、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）から選択される一つ以上のものであってもよい。
【００４１】
前記ガラス繊維は、特に限定されるものではないが、例えば、Ｅガラス、Ｔガラス、ＳガラスおよびＮＥガラスから選択される一つ以上のものであってもよい。また、炭素繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、サーモトロピック（ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ）液晶ポリマー繊維、リオトロピック液晶ポリマー繊維、アラミド繊維、ポリピリドビスイミダゾール繊維、ポリベンゾチアゾール繊維、およびポリアリレート繊維のような有機繊維を用いてもよく、特にこれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００４２】
前記プリント回路基板１００において、前記絶縁層２０は、１００ｎｍ以下の表面粗さ５を有することができる。これにより、プリント回路基板１００の高速伝送が可能となる。
【００４３】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０は、前記絶縁層２０の表面に形成されることができる。
【００４４】
本発明の一実施例による前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０を構成する物質は、下記化１で表されることができる。
【化１】
2015130478.tif 000011
（ここで、前記Ｒ１は、アルキル基またはアリール基であり、Ｒ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００４５】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０は、化２、化３または化４のいずれか一つの化学構造を有するイミダゾール系アルコキシシランを含むことができる。
【化２】
2015130478.tif 000012
【化３】
2015130478.tif 000013
【化４】
2015130478.tif 000014
（ここで、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００４６】
通常、イミダゾール系アルコキシシランは、様々な状態で存在してもよく、本発明に適用できる前記イミダゾール系アルコキシシランは、常温で液状で存在することができる。その理由は、粗さが形成された絶縁層２０上に前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０を形成する際に、液状ではなく粉末状または固体状で存在すると、絶縁層２０と無電解めっき層５０との接着力が低下する可能性があるためである。
【００４７】
また、温度および湿度による絶縁層２０と無電解めっき層５０との層間剥離を抑制するためには、構造的に、前記イミダゾール系アルコキシシランのイミダゾールの２位（２‐ｐｏｓｉｔｉｏｎ）がアルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。
【００４８】
また、前記化１で表されたように、イミダゾール系アルコキシシランのＲ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基を有することができる。仮に、前記イミダゾール系アルコキシシランの炭素数が５個を超える場合には、分子構造が長くなって容易に切断される可能性がある。そのため、絶縁層２０と無電解めっき層５０との接着力を向上させる過程において、前記イミダゾール系アルコキシシランの効果が発現しないこともある。
【００４９】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０の機能は、二つの機能に大別することができる。第一に、前記絶縁層２０の表面の官能基と、イミダゾール系アルコキシシラン層３０のアルコキシシランが、縮合反応によって共有結合を形成することで剥離強度を向上させることができる。また、第二に、前記無電解めっき層５０の銅（Ｃｕ）と、イミダゾール系アルコキシシラン層のイミダゾールが、配位結合によって相互作用を形成することで剥離強度を向上させることができる。
【００５０】
本発明の一実施例によるプリント回路基板１００は、無電解めっき層５０上に電解めっき層７０を形成することができる。また、前記無電解めっき層５０および電解めっき層７０は、経済の面と電気伝導度の特性を鑑みて銅（Ｃｕ）を含んでもよく、特にこれに限定されるものではない。
【００５１】
前記無電解めっき層５０および電解めっき層７０を含む回路層８０に回路パターン６３およびビアランド（ｖｉａ  ｌａｎｄ）６１を形成することができ、これは、当業界に公知のサブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、アディティブ（ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、モディファイドセミアディティブ（ＭＳＡＰ）法などのプリント回路基板１００のすべての製造工程を適用してもよく、特にこれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５２】
プリント回路基板の製造方法
図２から図９は本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程の流れを示した断面図である。
【００５３】
本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、基板１０を準備する段階と、前記基板１０上にビアホール３を有する絶縁層２０を形成する段階と、前記絶縁層２０上に液状のイミダゾール系アルコキシシラン層３０を形成する段階と、前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０上に回路層８０を形成する段階と、を含むことができる。
【００５４】
ここで、前記回路層８０は、前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０上に形成された無電解めっき層５０と、前記無電解めっき層５０上に形成された電解めっき層７０と、を含むことができる。
【００５５】
図２を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、基板１０を準備する段階を含むことができる。
【００５６】
前記基板１０は、所定強度以上の材質であれば特に限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）フィルム、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）フィルム、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）フィルム、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、二軸延伸ポリスチレン（Ｋ樹脂含有ｂｉａｘｉａｌｌｙ  ｏｒｉｅｎｔｅｄ  ＰＳ；ＢＯＰＳ）、ガラスまたは強化ガラスなどからなってもよい。
【００５７】
図３を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、前記基板１０上に絶縁層２０を形成する段階を含むことができる。前記絶縁層２０は、絶縁フィルム、プリプレグまたはビルドアップフィルムのいずれか一つであってもよく、特にこれに限定されるものではない。
【００５８】
また、前記絶縁層２０は、熱膨張係数の特性を向上させるために、無機フィラー、ガラス繊維またはこれらの混合物を含んでもよい。
【００５９】
前記無機フィラーは、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）から選択される一つ以上のものであってもよい。
【００６０】
前記ガラス繊維は、Ｅガラス、Ｔガラス、ＳガラスおよびＮＥガラスから選択される一つ以上のものであってもよく、特にこれに限定されるものではない。
【００６１】
図４を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、前記絶縁層２０にビアホール３を形成する段階を含むことができる。ビアホール３を含む絶縁層２０を形成する段階は、前記基板１０上に絶縁層２０を形成する段階と、前記絶縁層２０にビアホール３を形成する段階と、前記ビアホール３が形成された絶縁層２０にデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理を施す段階と、を含むことができる。
【００６２】
前記ビアホール３を形成する段階は、レーザドリルを用いた工程により行われてもよく、特にこれに限定されるものではない。
【００６３】
図５を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、ビアホール３が形成された絶縁層２０にデスミア処理を施す段階を含むことができる。前記絶縁層２０にビアホール３を形成すると、ドリリング（ｄｒｉｌｌｉｎｇ）過程でドリルビット（ｄｒｉｌｌ  ｂｉｔ）との摩擦熱によってホール（ｈｏｌｅ）の内壁にスミア（ｓｍｅａｒ）が生じることがある。これは、内層回路のホールと外層回路との接続を弱化させうるため、前記スミアを化学薬品によって除去するデスミア処理を行ってもよい。
【００６４】
前記デスミアは、ウェットデスミア工程で行うことが最も効果的であり、前記化学薬品は、通常、当業界に公知の薬品を用いてもよい。前記デスミア工程により、絶縁層２０が１００ｎｍ以下の表面粗さ５を有することができ、これにより、プリント回路基板１００の高速伝送を可能とする。
【００６５】
図６を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、前記絶縁層２０上に液状のイミダゾール系アルコキシシラン層３０を形成する段階を含むことができる。前記液状のイミダゾール系アルコキシシラン層３０を形成する段階は、スプレーコート法、ディップコート法またはスピンコート法により行われてもよく、特にこれに限定されるものではない。また、形成された前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０は、乾燥過程で１８０℃以下で処理することができる。
【００６６】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０は、下記化１で表されることができる。
【化１】
2015130478.tif 000015
（ここで、前記Ｒ１は、アルキル基またはアリール基であり、Ｒ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００６７】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０は、化２、化３または化４のいずれか一つの化学構造を有するイミダゾール系アルコキシシランを含むことができる。
【化２】
2015130478.tif 000016
【化３】
2015130478.tif 000017
【化４】
2015130478.tif 000018
（ここで、Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ独立して、ＨまたはＣＨ３である。）
【００６８】
通常、イミダゾール系アルコキシシランは、様々な状態で存在してもよく、本発明に適用できる前記イミダゾール系アルコキシシランは、常温で液状で存在することができる。その理由は、粗さが形成された絶縁層２０上に前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０を形成する際に、液状ではなく粉末状または固体状で存在すると、絶縁層２０と無電解めっき層５０との接着力が低下する可能性があるためである。
【００６９】
また、温度および湿度による絶縁層２０と無電解めっき層５０との層間剥離を抑制するためには、構造的に、前記イミダゾール系アルコキシシランのイミダゾールの２位（２‐ｐｏｓｉｔｉｏｎ）がアルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。
【００７０】
また、前記化１で表されたように、イミダゾール系アルコキシシランのＲ２は、ヘテロ原子を有するか有しないＣ１〜Ｃ５のアルキル基を有することができる。仮に、前記イミダゾール系アルコキシシランの炭素数が５個を超える場合には、分子構造が長くなって容易に切断される可能性がある。そのため、絶縁層２０と無電解めっき層５０との接着力を向上させる過程において、前記イミダゾール系アルコキシシランの効果が発現しないこともある。
【００７１】
前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０の機能は、二つの機能に大別することができる。第一に、前記絶縁層２０の表面の官能基と、イミダゾール系アルコキシシラン層３０のアルコキシシランが、縮合反応によって共有結合を形成することで剥離強度を向上させることができる。第二に、前記無電解めっき層５０の銅（Ｃｕ）と、イミダゾール系アルコキシシラン層３０のイミダゾールが、配位結合によって相互作用を形成することで剥離強度を向上させることができる。
【００７２】
また、ウェットデスミア（ｗｅｔ  ｄｅｓｍｅａｒ）工程で形成した絶縁層２０上に前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０を導入することで温度および湿度が変化する環境下でも信頼性を高めることができる。
【００７３】
図７を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、前記イミダゾール系アルコキシシラン層上に無電解めっき層５０を形成する段階を含むことができる。前記無電解めっき層５０を形成する段階には、当業界に公知のすべての工程を適用できることは言うまでもない。
【００７４】
また、前記イミダゾール系アルコキシシラン層３０により、高温条件下でも絶縁層２０と無電解めっき層５０との層間剥離現象を抑制することができる。
【００７５】
図８を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、前記無電解めっき層５０上に電解めっき層７０を形成する段階を含むことができる。前記電解めっき層７０は、図面においてセミアディティブ（ＳＡＰ）法によりパターン化した状態を示しているが、特にこれに限定されるものではなく、当業界に公知のすべての工程を適用できることは言うまでもない。
【００７６】
前記無電解めっき層５０および電解めっき層７０は、経済の面と電気伝導度の特性を鑑みて銅（Ｃｕ）を含んでもよく、特にこれに限定されるものではない。
【００７７】
図９を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００の製造方法は、前記無電解めっき層５０と、電解めっき層７０と、を含む回路層８０から、回路層として用いられていない無電解めっき層５０をエッチングにより除去することで、回路パターン６３およびビアランド６１を形成することができ、これは、当業界に公知のサブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、アディティブ（ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、モディファイドセミアディティブ（ＭＳＡＰ）法などのプリント回路基板１００のすべての製造工程を適用してもよく、特にこれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００７８】
以下、実施例および比較例を参照して本発明をより具体的に説明するが、下記例に本発明の範疇が限定されない。
【００７９】
実施例１
内層絶縁材（ＧＸ‐Ｔ３１、味の素社製）を真空ラミネータ（ｖａｃｕｕｍ  ｌａｍｉｎａｔｏｒ）で厚さ約２００μｍの銅張積層板（ＣＣＬ）上にラミネートした後、熱風乾燥炉で段階（ｓｔｅｐ）硬化（１００℃→１８０℃）して硬化物を形成した。前記硬化物にデスミア液（ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ＭＶ、アトテック社製）でスウェラー（ｓｗｅｌｌｅｒ）約５分、マイクロ‐エッチング（ｍｉｃｒｏ‐ｅｔｃｈｉｎｇ）約１０分、中和約５分の条件下で表面粗化処理を施してから３‐（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）‐Ｎ‐（（４‐ｍｅｔｈｙｌ‐２‐ｐｈｅｎｙｌ‐１Ｈ‐ｉｍｉｄａｚｏｌ‐５‐ｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ）ｐｒｏｐａｎ‐１‐ａｍｉｎｅが４０％溶解されたメタノールに約１０分間浸漬した後、取り出して１００℃で約３０分間乾燥した。
【００８０】
前記硬化物を化学めっき薬品（ｐｒｉｎｔｏｇａｎｔｈ  ＭＶ、アトテック社製）でめっきして無電解めっき層を形成した後、硫酸銅水溶液中で電解めっきし、厚さ約２０μｍのめっき層を前記内層絶縁材の粗化面上に形成して試験片を作製した。
【００８１】
前記試験片を幅１ｃｍ、長さ５ｃｍの大きさに切断し、万能試験機（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｔｅｓｔｉｎｇ  ｍａｃｈｉｎｅ、ＵＴＭ）を用いて９０゜で剥離強度を測定した。
【００８２】
実施例２
前記実施例１の３‐（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）‐Ｎ‐（（４‐ｍｅｔｈｙｌ‐２‐ｐｈｅｎｙｌ‐１Ｈ‐ｉｍｉｄａｚｏｌ‐５‐ｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ）ｐｒｏｐａｎ‐１‐ａｍｉｎｅの代りに、１‐（３‐（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ）‐２‐ｍｅｔｈｙｌ‐１Ｈ‐ｉｍｉｄａｚｏｌｅを用いたこと以外は、前記実施例１と同じ条件および方法で試験片を作製して剥離強度を測定した。
【００８３】
実施例３
前記実施例１の３‐（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）‐Ｎ‐（（４‐ｍｅｔｈｙｌ‐２‐ｐｈｅｎｙｌ‐１Ｈ‐ｉｍｉｄａｚｏｌ‐５‐ｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ）ｐｒｏｐａｎ‐１‐ａｍｉｎｅの代りに１‐（３‐（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ）‐２‐ｐｈｅｎｙｌ‐１Ｈ‐ｉｍｉｄａｚｏｌｅを用いたこと以外は、前記実施例１と同じ条件および方法で試験片を作製して剥離強度を測定した。
【００８４】
比較例１
内層絶縁材（ＧＸ‐Ｔ３１、味の素社製）を真空ラミネータ（ｖａｃｕｕｍ  ｌａｍｉｎａｔｏｒ）で厚さ約２００μｍの銅張積層板（ＣＣＬ）上にラミネートした後、熱風乾燥炉で段階（ｓｔｅｐ）硬化（１００℃→１８０℃）して硬化物を形成した。前記硬化物にデスミア液（ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ＭＶ、アトテック社製）でスウェラー（ｓｗｅｌｌｅｒ）約５分、マイクロ‐エッチング（ｍｉｃｒｏ‐ｅｔｃｈｉｎｇ）約１０分、中和約５分の条件下で表面粗化処理を施した。
【００８５】
前記硬化物を化学めっき薬品（ｐｒｉｎｔｏｇａｎｔｈ  ＭＶ、アトテック社製）でめ」っきして無電解めっき層を形成した後、硫酸銅水溶液中で電解めっきし、厚さ約２０μｍのめっき層を前記内層絶縁材の粗化面上に形成して試験片を作製した。
【００８６】
前記試験片を幅１ｃｍ、長さ５ｃｍの大きさに切断し、引張強度測定装置（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｔｅｓｔｉｎｇ  ｍａｃｈｉｎｅ、ＵＴＭ）を用いて９０゜で剥離強度を測定した。
【表１】
2015130478.tif 000019
前記表１を参照すると、本発明により製造された実施例１〜３の試験片は、イミダゾール系アルコキシシラン層を含んでいない比較例１の試験片より剥離強度に優れたことが分かる。したがって、絶縁層と無電解めっき層との間に、本発明に係る液状のイミダゾール系アルコキシシラン層を形成することで、剥離強度の特性を向上させることができる。
【００８７】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００８８】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【符号の説明】
【００８９】
３  ビアホール
５  表面粗さ
１０  基板
２０  絶縁層
３０  イミダゾール系アルコキシシラン層
５０  無電解めっき層
６１  ビアランド
６３  回路パターン
７０  電解めっき層
８０  回路層
１００  プリント回路基板
【図１】
2015130478.tif 000028
【図２】
2015130478.tif 000029
【図３】
2015130478.tif 000030
【図４】
2015130478.tif 000031
【図５】
2015130478.tif 000032
【図６】
2015130478.tif 000033
【図７】
2015130478.tif 000034
【図８】
2015130478.tif 000035
【図９】
2015130478.tif 000036