(57)【要約】【課題】信頼性を向上することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に延在した第１共通電極と、第１共通電極を覆う第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜上で第１共通電極と対向した画素電極と、画素電極を覆う第１垂直配向膜と、を備えた第１基板と、第１共通電極と同電位の第２共通電極と、第２共通電極を覆う第２垂直配向膜と、を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間にセルギャップを形成した状態で第１基板と第２基板とを貼り合せるシール材と、第１垂直配向膜と第２垂直配向膜との間のセルギャップに保持された液晶層と、を備え、第１垂直配向膜及び第２垂直配向膜は、主鎖がシリカ（ＳｉＯ２）で構成された材料によって形成され、シール材の内面と外面との間に亘って前記シール材と重なる位置に延在した、液晶表示装置。【選択図】      図５
2015069195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に位置するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上に延在した第１共通電極と、前記第１共通電極を覆う第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜上で前記第１共通電極と対向し前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極を覆う第１垂直配向膜と、を備えた第１基板と、
第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側に延在し前記第１共通電極と同電位の第２共通電極と、前記第２共通電極を覆う第２垂直配向膜と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間にセルギャップを形成した状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、
誘電率異方性が負の液晶材料からなり、前記第１垂直配向膜と前記第２垂直配向膜との間のセルギャップに保持された液晶層と、を備え、
前記第１垂直配向膜及び前記第２垂直配向膜は、主鎖がシリカ（ＳｉＯ２）で構成された材料によって形成され、前記シール材の内面と外面との間に亘って前記シール材と重なる位置に延在した、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１層間絶縁膜は、前記第１絶縁基板の基板端部よりも内側に端面を有し、
前記第２層間絶縁膜は、前記第１層間絶縁膜の前記端面を覆うとともに前記第１絶縁基板の基板端部まで延在し、
前記第１垂直配向膜は、前記第２層間絶縁膜と前記シール材との間に介在する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２基板は、さらに、前記第２共通電極の下地となるとともに前記第２絶縁基板の基板端部よりも内側で途切れたオーバーコート層を備え、
前記第２垂直配向膜は、前記オーバーコート層と前記シール材との間に介在する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１垂直配向膜及び前記第２垂直配向膜のそれぞれの端面は、前記シール材から露出している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１共通電極は、前記スイッチング素子に電気的に接続されるソース配線と対向する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各画素にスイッチング素子及び容量を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどの主として縦電界を利用した構造が実用化されている。このような縦電界モードの液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と対向基板に形成された共通電極との間に形成した電界で液晶分子をスイッチングする。
【０００３】
ところで、液晶表示装置においては、液晶層に電圧が印加されていない状態で液晶分子の配向方向を揃えるために配向膜を必要としている。一般に、配向膜は、ポリイミドなどの有機材料を用いて形成されているが、近年では、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機材料によって形成する技術も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２２６１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、信頼性を向上することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に位置するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上に延在した第１共通電極と、前記第１共通電極を覆う第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜上で前記第１共通電極と対向し前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極を覆う第１垂直配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側に延在し前記第１共通電極と同電位の第２共通電極と、前記第２共通電極を覆う第２垂直配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間にセルギャップを形成した状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、誘電率異方性が負の液晶材料からなり、前記第１垂直配向膜と前記第２垂直配向膜との間のセルギャップに保持された液晶層と、を備え、前記第１垂直配向膜及び前記第２垂直配向膜は、主鎖がシリカ（ＳｉＯ２）で構成された材料によって形成され、前記シール材の内面と外面との間に亘って前記シール材と重なる位置に延在した、液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能なアレイ基板ＡＲの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能な対向基板ＣＴの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、図２に示したスイッチング素子ＳＷを含むアクティブエリアにおける液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。
【図５】図５は、液晶表示パネルＬＰＮの端部の断面構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１０】
すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された第２基板である対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。アクティブエリアＡＣＴは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱが保持された領域に相当し、例えば、四角形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１１】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第１方向Ｘに沿って延出した複数のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延出した複数のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに電気的に接続された画素電極ＰＥ、画素電極ＰＥと向かい合う第１共通電極ＣＥ１などを備えている。蓄積容量ＣＳは、例えば、第１共通電極ＣＥ１と画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１２】
一方、対向基板ＣＴは、画素電極ＰＥと液晶層ＬＱを介して対向する第２共通電極ＣＥ２などを備えている。
【００１３】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第１駆動回路ＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第２駆動回路ＳＤに接続されている。第１駆動回路ＧＤ及び第２駆動回路ＳＤは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ＡＲに形成され、駆動ＩＣチップ２と接続されている。駆動ＩＣチップ２は、第１駆動回路ＧＤ及び第２駆動回路ＳＤを制御するコントローラを内蔵し、液晶表示パネルＬＰＮを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源として機能する。図示した例では、駆動ＩＣチップ２は、液晶表示パネルＬＰＮのアクティブエリアＡＣＴの外側において、アレイ基板ＡＲに実装されている。
【００１４】
第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２は同電位であり、いずれもアクティブエリアＡＣＴの全域に亘って延在しており、複数の画素ＰＸに亘って共通に形成されている。これらの第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２は、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、給電部Ｖｃｏｍに接続されている。給電部Ｖｃｏｍは、例えばアクティブエリアＡＣＴの外側においてアレイ基板ＡＲに形成され、第１共通電極ＣＥ１と電気的に接続されるとともに、図示しない導電部材を介して第２共通電極ＣＥ２と電気的に接続されている。給電部Ｖｃｏｍでは、第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２に対して、例えばコモン電位が供給される。
【００１５】
図２は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能なアレイ基板ＡＲの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。
【００１６】
アレイ基板ＡＲは、ゲート配線Ｇ１、ソース配線Ｓ１、ソース配線Ｓ２、スイッチング素子ＳＷ、第１共通電極ＣＥ１、画素電極ＰＥなどを備えている。図示した例では、画素ＰＸは、図中の破線で示したように、第１方向Ｘに平行な一対の短辺を有するとともに、第２方向Ｙに平行な一対の長辺を有する長方形状である。一例として、画素ＰＸにおいて、第２方向Ｙに沿った長辺の長さは、第１方向Ｘに沿った短辺の長さの約３倍である。詳述しないが、カラー表示を実現するための単位画素は、各々異なる色を表示する３個の画素ＰＸが第１方向Ｘに並んで構成される。
【００１７】
ゲート配線Ｇ１は、第１方向Ｘに沿って延出している。ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２は、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出している。画素ＰＸの第１方向Ｘに沿った長さは、隣接するソース配線の第１方向Ｘに沿ったピッチに相当する。画素ＰＸの第２方向Ｙに沿った長さは、隣接するゲート配線の第２方向Ｙに沿ったピッチと略同等である。
【００１８】
図示した画素ＰＸにおいて、ソース配線Ｓ１は左側端部に位置し当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ソース配線Ｓ２は右側端部に位置し当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。ゲート配線Ｇ１は、画素ＰＸの中央部を横切るように配置されている。図示したように、本実施形態においては、蓄積容量ＣＳを形成するために画素ＰＸを横切る補助容量線は存在しない。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。詳細な図示を省略するが、スイッチング素子ＳＷは、例えば、ポリシリコンなどの半導体層と、ゲート配線Ｇ１に接続されたゲート電極と、ソース配線Ｓ１に接続され半導体層にコンタクトしたソース電極と、半導体層にコンタクトしたドレイン電極ＷＤと、を備えている。
【００２０】
第１共通電極ＣＥ１は、例えば、図中に右下がりの斜線で示したように、当該画素ＰＸの略全面に配置され、さらに、当該画素ＰＸから、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２を跨いで第１方向Ｘに延在するとともに、第２方向Ｙにも延在している。つまり、第１共通電極ＣＥ１は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２に対向するとともに、当該画素ＰＸに対して第１方向Ｘに隣接する各画素に亘って連続的に形成されている。また、第１共通電極ＣＥ１は、当該画素ＰＸに対して第２方向Ｙに隣接する各画素に亘って連続的に形成されている。さらに言えば、詳述しないが、第１共通電極ＣＥ１は、画像を表示するアクティブエリアの略全面に配置され、その一部がアクティブエリアの外側に引き出され、上記の通り、給電部と電気的に接続されている。但し、第１共通電極ＣＥ１には、ドレイン電極ＷＤを露出する開口部ＯＰが形成されている。
【００２１】
尚、第１共通電極ＣＥ１は、当該画素ＰＸの略全面に配置され、さらに、当該画素ＰＸから、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２を跨いで第１方向Ｘに延在し、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２に対向するとともに、当該画素ＰＸに対して第１方向Ｘに隣接する各画素に亘って帯状に連続的に形成されても良い。この場合も第１共通電極ＣＥ１は、画像を表示するアクティブエリアの外側に引き出され、上記の通り、給電部と電気的に接続されている。
【００２２】
画素電極ＰＥは、図中に右上がりの斜線で示したように、画素ＰＸにおいて、第１共通電極ＣＥ１と対向する位置に島状に形成されている。なお、図示した例では、当該画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥのみを図示しているが、当該画素ＰＸの第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに隣接する他の画素にも同一形状の画素電極が配置されている。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。図示した画素電極ＰＥの形状は、例えば、画素ＰＸの形状に対応して、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。なお、画素電極ＰＥの一部は、ソース配線Ｓ１やソース配線Ｓ２と重なる位置まで延在していても良い。
【００２３】
図３は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能な対向基板ＣＴの一画素ＰＸの構成例を概略的に示す平面図である。なお、ここでは、説明に必要な構成のみを図示し、また、アレイ基板の主要部であるソース配線Ｓ１、ソース配線Ｓ２、ゲート配線Ｇ１、及び、画素電極ＰＥを破線で示し、第１共通電極の図示を省略している。
【００２４】
対向基板ＣＴは、第２共通電極ＣＥ２を備えている。第２共通電極ＣＥ２は、例えば、アクティブエリアの外側などにおいて、アレイ基板に備えられた第１共通電極ＣＥ１あるいは給電部と電気的に接続されており、第１共通電極ＣＥ１と同電位である。
【００２５】
第２共通電極ＣＥ２は、当該画素ＰＸに配置され、画素電極ＰＥと対向している。また、第２共通電極ＣＥ２は、当該画素ＰＸから第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに亘って延在し、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方にも位置している。つまり、第２共通電極ＣＥ２は、詳述しないが、当該画素ＰＸの第１方向Ｘに沿った右側及び左側に隣接する画素や、当該画素ＰＸの第２方向Ｙに沿った上側及び下側に隣接する画素に亘って連続的に形成されている。さらに言えば、詳述しないが、第２共通電極ＣＥ２は、アクティブエリアの略全面に亘って配置されている。
【００２６】
第２共通電極ＣＥ２には、画素電極ＰＥと対向する位置にスリットＳＬが形成されている。図示した例では、スリットＳＬは、第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成され、画素ＰＸの略中央に位置している。このようなスリットＳＬは、主として液晶分子の配向を制御する配向制御部材に相当する。なお、液晶分子の配向を制御する機能を有するものであれば、スリットに代えて、第２共通電極ＣＥ２に積層した突起などの他の配向制御部材を設置しても良い。また、スリットＳＬの形状については、図示した例に限らず、十字などであっても良い。
【００２７】
図４は、図２に示したスイッチング素子ＳＷを含むアクティブエリアにおける液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。
【００２８】
アレイ基板ＡＲは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、スイッチング素子ＳＷ、第１共通電極ＣＥ１、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第１垂直配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００２９】
図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０の上に配置された半導体層ＳＣを備えている。なお、第１絶縁基板１０と半導体層ＳＣとの間に絶縁膜であるアンダーコート層が介在していても良い。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１によって覆われている。また、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上にも配置されている。このような第１絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。
【００３０】
スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第１絶縁膜１１の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇ１に電気的に接続され（あるいは、ゲート配線Ｇ１と一体的に形成され）、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１２は、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）などの無機系材料によって形成されている。
【００３１】
スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。また、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２も同様に第２絶縁膜１２の上に形成されている。図示したソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓ１に電気的に接続されている（あるいは、ソース配線Ｓ１と一体的に形成されている）。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣにコンタクトしている。このような構成のスイッチング素子ＳＷは、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２とともに第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１３は、例えば、透明な樹脂材料によって形成されている。この第３絶縁膜１３は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２、スイッチング素子ＳＷを覆う第１層間絶縁膜に相当する。
【００３２】
第１共通電極ＣＥ１は、第３絶縁膜１３の上に延在している。図示したように、第１共通電極ＣＥ１は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方をカバーし、隣接する画素に向かって延在している。このような第１共通電極ＣＥ１は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。第１共通電極ＣＥ１の上には、第４絶縁膜１４が配置されている。第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４には、ドレイン電極ＷＤまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３と比較して薄い膜厚に形成され、例えば、シリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。この第４絶縁膜１４は、第１共通電極ＣＥ１を覆う第２層間絶縁膜に相当する。
【００３３】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上において島状に形成され、第１共通電極ＣＥ１と対向している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１垂直配向膜ＡＬ１によって覆われている。
【００３４】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板３０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、第２絶縁基板３０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、遮光層３１、カラーフィルタ３２、オーバーコート層３３、第２共通電極ＣＥ２、第２垂直配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３５】
遮光層３１は、アクティブエリアＡＣＴにおいて各画素ＰＸを区画し、開口部ＡＰを形成する。遮光層３１は、アレイ基板ＡＲに設けられたソース配線と対向する位置や、スイッチング素子と対向する位置などに設けられている。遮光層３１は、遮光性の金属材料や黒色の樹脂材料によって形成されている。
【００３６】
カラーフィルタ３２は、開口部ＡＰに形成され、その一部が遮光層３１と重なっている。カラーフィルタ３２は、例えば、赤色、緑色、青色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。第１方向Ｘに隣接する各画素は異なる色画素であり、例えば赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタがこの順に並んでいる。異なる色のカラーフィルタ３２間の境界は、ソース配線Ｓの上方の遮光層３１と重なる位置にある。
【００３７】
オーバーコート層３３は、カラーフィルタ３２を覆っている。オーバーコート層３３は、遮光層３１やカラーフィルタ３２の凹凸を平坦化する。オーバーコート層３３は、透明な樹脂材料によって形成されている。このオーバーコート層３３は、第２共通電極ＣＥ２の下地となる。
【００３８】
第２共通電極ＣＥ２は、オーバーコート層３３のアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。図示したように、第２共通電極ＣＥ２は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方を通り、隣接する画素に向かって延在している。このような第２共通電極ＣＥ２は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第２共通電極ＣＥ２は、第２垂直配向膜ＡＬ２によって覆われている。
【００３９】
第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、垂直配向性を示す材料によって形成され、ラビングなどの配向処理を必要とせずに液晶分子を基板の法線方向に配向させる配向規制力を有している。本実施形態では、第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、主鎖がシリカ（ＳｉＯ２）で構成された材料によって形成されている。
【００４０】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、第１垂直配向膜ＡＬ１と第２垂直配向膜ＡＬ２との間に形成されたセルギャップに封入されている。この液晶層ＬＱは、誘電率異方性が負（ネガ型）の液晶材料によって構成されている。
【００４１】
このような構成の液晶表示パネルＬＰＮに対して、その背面側には、バックライトＢＬが配置されている。バックライトＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、ここでは詳細な構造についての説明は省略する。
【００４２】
第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。第２絶縁基板３０の外面３０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、例えば、それぞれの偏光軸が直交するクロスニコルの位置関係となるように配置される。
【００４３】
図５は、液晶表示パネルＬＰＮの端部の断面構造を概略的に示す断面図である。
【００４４】
すなわち、アレイ基板ＡＲの端部においては、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２は、第１絶縁基板１０の基板端部１０Ｅまで延在している。第３絶縁膜１３は、基板端部１０Ｅよりも内側に端面１３Ｅを有している。第４絶縁膜１４は、端面１３Ｅを覆うように配置され、さらに外側に向かって延在し、基板端部１０Ｅまで延在している。端部付近では、第４絶縁膜１４は、第２絶縁膜１２に重なっている。第１垂直配向膜ＡＬ１は、第４絶縁膜１４の上に配置され、基板端部１０Ｅまで連続的に延在している。
【００４５】
一方、対向基板ＣＴの端部においては、遮光層３１は、第２絶縁基板３０の基板端部３０Ｅまで延在している。カラーフィルタ３２は、基板端部３０Ｅよりも内側に端面を有している。オーバーコート層３３は、基板端部３０Ｅよりも内側で途切れている。つまり、オーバーコート層３３には、基板端部３０Ｅまで延在したセグメント３３１と、基板端部３０Ｅよりも内側に位置しているセグメント３３２との間に、遮光層３１まで到達する溝が形成されている。第２垂直配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層３３を覆うように配置され、基板端部３０Ｅまで連続的に延在している。つまり、第２垂直配向膜ＡＬ２は、セグメント３３１及びセグメント３３２をそれぞれ覆うとともに、セグメント間の溝にも充填されている。
【００４６】
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、シール材ＳＥによって貼り合わせられている。図示したシール材ＳＥは、液晶層ＬＱに接する内面ＳＥＩと、基板端部１０Ｅ及び基板端部３０Ｅの側に位置する外面ＳＥＯと、を有している。シール材ＳＥの幅は、内面ＳＥＩから外面ＳＥＯまでの距離に相当する。
【００４７】
このようなシール材ＳＥと、第１配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２との位置関係に着目すると、第１配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、シール材ＳＥの内面ＳＥＩと外面ＳＥＯとの間に亘ってシール材ＳＥと重なる位置に延在している。つまり、第１配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、シール材ＳＥの全幅方向に亘ってシール材ＳＥと重なっている。第１垂直配向膜ＡＬ１の端面ＡＥ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２の端面ＡＥ２は、いずれもシール材ＳＥから露出している。
【００４８】
第１垂直配向膜ＡＬ１は、第４絶縁膜１４とシール材ＳＥとの間に介在している。つまり、シール材ＳＥのアレイ基板側の下面の全体は、第１配向膜ＡＬ１と密着している。第２垂直配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層３３とシール材ＳＥとの間に介在している。つまり、シール材ＳＥの対向基板側の上面の全体は、第２配向膜ＡＬ２と密着している。これらの第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、上記の通り、主鎖がシリカ（ＳｉＯ２）で構成された材料によって形成されており、シール材ＳＥと共有結合により強固に結合している。
【００４９】
次に、本実施形態における液晶表示装置の動作について説明する。
【００５０】
画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に電位差が形成されていないＯＦＦ状態（つまり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態）では、画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に電界が形成されていないため、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、図４に示したように、第１垂直配向膜ＡＬ１と第２垂直配向膜ＡＬ２との間において、基板主面（Ｘ−Ｙ平面）に対して略垂直に初期配向する。このとき、バックライトＢＬからのバックライト光のうち、一部の直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した直線偏光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過した際にほとんど変化しないため、液晶表示パネルＬＰＮを透過した直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１に対してクロスニコルの位置関係にある第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００５１】
画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に電位差が形成されたＯＮ状態（つまり、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態）では、画素電極ＰＥと第２共通電極ＣＥ２との間に縦電界あるいはスリットＳＬを避ける傾斜電界が形成される。このため、液晶分子ＬＭは、縦電界あるいは傾斜電界の作用によって初期配向方向とは異なる方位に配向する。すなわち、ネガ型の液晶分子ＬＭは、その長軸が電界に対して交差するように配向するため、ＯＮ状態では、基板主面に対して斜め方向あるいは水平方向に配向する。
【００５２】
このようなＯＮ状態では、液晶表示パネルＬＰＮに入射した直線偏光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態（あるいは、液晶層のリタデーション）に応じて変化する。このため、ＯＮ状態においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００５３】
また、ＯＮ状態では、第４絶縁膜１４を介して対向する画素電極ＰＥと第１共通電極ＣＥ１とで蓄積容量ＣＳを形成し、画像を表示するのに必要な容量を保持する。つまり、スイッチング素子ＳＷを介して各画素に書き込まれた画素電位が上記の蓄積容量ＣＳによって一定期間保持される。
【００５４】
このような本実施形態によれば、第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、ポリイミドなどの有機材料ではなく、主鎖がシリカ（ＳｉＯ２）で構成された無機材料によって形成されており、しかも、シール材ＳＥの内面ＳＥＩと外面ＳＥＯとの間に亘ってシール材ＳＥと重なる位置に延在している。このため、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴのシール材ＳＥと重なる端部での層構造にかかわらず、アレイ基板ＡＲとシール材ＳＥとの界面には第１垂直配向膜ＡＬ１が位置し、また、対向基板ＣＴとシール材ＳＥとの界面には第２垂直配向膜ＡＬ２が位置している。これらの第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、シール材ＳＥと共有結合により強固に結合しているため、シール材ＳＥとの密着強度を向上することが可能となる。したがって、液晶表示パネルＬＰＮにおけるアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの剥離を抑制することが可能となる。
【００５５】
発明者は、上記の本実施形態で説明した液晶表示パネルと、比較例の液晶表示パネルとを用意し、それぞれの液晶表示パネルについて、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを剥離するのに必要な力（密着強度）を測定した。比較例の液晶表示パネルは、第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２の双方をポリイミドによって形成し、本実施形態と同様の構造を採用した。本実施形態の液晶表示パネルによれば、比較例の液晶表示パネルに対して、約３倍の密着強度が得られた。これは、比較例の液晶表示パネルではシール材ＳＥが第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２とイオン結合しているのに対して、本実施形態の液晶表示パネルではシール材ＳＥが第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２と共有結合しているためである。
【００５６】
また、本実施形態によれば、第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２はいずれもシール材ＳＥと重なる位置に延在し、それぞれの端面がシール材から露出しているが、これらの第１垂直配向膜ＡＬ１及び第２垂直配向膜ＡＬ２は、無機材料によって形成されているため、有機材料と比較して水分の吸収が極めて少ない。
【００５７】
さらに、アレイ基板ＡＲにおいて、有機材料によって形成された第３絶縁膜１３は、基板端部１０Ｅよりも内側に端面１３Ｅを有しており、この端面１３Ｅは、無機材料によって形成された第４絶縁膜１４及び第１垂直配向膜ＡＬ１によって覆われているため、水分侵入のパスがない。また、対向基板ＣＴにおいて、オーバーコート層３３のセグメント３３１が基板端部３０Ｅ側で露出しているが、その内側に位置するセグメント３３２とは切り離されており、また、このオーバーコート層３３は第２垂直配向膜ＡＬ２によって覆われているため、水分侵入のパスがセグメント３３１とセグメント３３２との間で途切れている。このため、水分による液晶表示パネルＬＰＮへのダメージを抑制することが可能となる。
【００５８】
発明者は、上記の本実施形態で説明した液晶表示パネルと、比較例の液晶表示パネルとを用意し、それぞれの液晶表示パネルを高温高湿環境下（温度６０℃、湿度９５％）に５００時間置いた後に、画像を表示する動作試験を行った。比較例の液晶表示パネルの構成については上記の通りである。比較例の液晶表示パネルについては画像を表示した際に表示不良が確認されたが、本実施形態の液晶表示パネルについては画像を表示した際の表示不良は確認されなかった。
【００５９】
したがって、本実施形態によれば、信頼性を向上することが可能となる。
【００６０】
また、本実施形態によれば、各画素において画像を表示するのに必要な容量は、第４絶縁膜１４を介して対向する画素電極ＰＥと第１共通電極ＣＥ１とで形成することが可能である。このため、容量を形成するに際して、画素を横切る遮光性の配線材料からなる配線や電極が不要となる。また、第４絶縁膜１４は、樹脂材料等で形成された第３絶縁膜と比較して薄い膜厚を有するように形成されている。このため、第４絶縁膜１４を介した画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１により、比較的大きな容量を容易に形成することが可能となる。
【００６１】
また、画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１は、いずれも透明な導電材料によって形成されているため、画素電極ＰＥ及び第１共通電極ＣＥ１と重なる領域が表示に寄与する。このため、本実施形態によれば、画素を横切る補助容量線を配置した比較例と比べて、表示に寄与する一画素あたりの開口率、透過率、あるいは、輝度を向上することが可能となる。したがって、表示に必要な容量を確保しつつ、表示品位を改善することが可能となる。
【００６２】
また、第１共通電極ＣＥ１は、ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の上方に延在している。このため、ＯＮ状態において、第１共通電極ＣＥ１により、ソース配線から液晶層ＬＱに向かう不所望な漏れ電界をシールドすることが可能となる。つまり、ソース配線と画素電極ＰＥあるいは第２共通電極ＣＥ２との間の不所望な電界の形成あるいは不所望な容量の形成を抑制することができ、ソース配線と重なる領域の液晶分子ＬＭの配向乱れを抑制することが可能となる。
【００６３】
しかも、ソース配線と重なる領域の液晶分子ＬＭは、ＯＮ状態においても第１共通電極ＣＥ１と第２共通電極ＣＥ２とが同電位で維持されており、初期配向状態を維持している。したがって、第１方向Ｘに隣接する画素電極ＰＥを加工限界まで接近させることが可能となり、一画素あたり表示に寄与する面積をさらに拡大することが可能である。
【００６４】
また、ソース配線を挟んで隣接する一方の画素がＯＮ状態であり、他方の画素がＯＦＦ状態であったとしても、第１共通電極ＣＥ１と第２共通電極ＣＥ２によって、ＯＮ状態の画素とＯＦＦ状態の画素との間のソース配線上の液晶層は電位差が無くなるので、ソース配線と重なる領域の液晶分子ＬＭが初期配向状態に維持されている。このため、液晶表示パネルＬＰＮを斜め方向から観察した場合であっても、混色による表示品位の劣化を抑制することが可能となる。また、混色防止のために遮光層３１の幅を拡大する必要がなくなるため、一画素あたりの表示に寄与する面積をさらに拡大することが可能となる。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性を向上することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
【００６６】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６７】
ＬＰＮ…液晶表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
ＰＥ…画素電極  ＣＥ１…第１共通電極  ＣＥ２…第２共通電極
ＡＬ１…第１垂直配向膜  ＡＬ２…第２垂直配向膜
ＳＥ…シール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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