(57)【要約】【課題】  本発明の課題は、複数個の円筒形焼結体からなる多分割円筒形スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜した場合において、成膜工程の製造歩留まりの高い円筒形スパッタリングターゲットを提供することである。【解決手段】  円筒形基材と複数個の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合してなる多分割の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、隣り合う少なくとも２個以上の円筒形焼結体の端面が導電性樹脂接着剤により接着されており、円筒形焼結体同士の間に存在する導電性樹脂接着剤の幅が０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ未満であることを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形基材と複数個の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合してなる多分割の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、隣り合う少なくとも２個以上の円筒形焼結体の端面が導電性樹脂接着剤により接着されており、円筒形焼結体同士の間に存在する導電性樹脂接着剤の幅が０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ未満であることを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記円筒形焼結体の外周端面が面取り加工されていることを特徴とする請求項１記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記導電性樹脂接着剤の熱伝導率が前記円筒形焼結体の熱伝導率以上であることを特徴とする請求項１または２記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記導電性樹脂接着剤の抵抗率が前記円筒形焼結体の抵抗率以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記円筒形焼結体がＩｎ，Ｓｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌの少なくとも１種類と酸素から構成されているセラミックス焼結体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項６】
前記円筒形基材の材質がＴｉであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項７】
少なくとも２個以上の円筒形焼結体の端面を導電性樹脂接着剤で接着固化させた後、円筒形基材と複数個の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合させることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミックス製の円筒形スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セラミックス製の円筒形スパッタリングターゲットは、高速で成膜でき、かつ焼結体材料の使用効率が高いことから近年注目を集めている。しかし、一般にセラミックス材料は金属材料と比較すると強度が低いために大型のターゲットを製造することが難しく、複数個の円筒形セラミックス焼結体（以下、焼結体ということがある）を金属製のバッキングチューブに張り合わせ、一つの大型ターゲットを製造する方法が一般的である。
【０００３】
このような複数の焼結体をバッキングチューブに接合したスパッタリングターゲットは、隣接する焼結体の間に通常０．２〜０．８ｍｍ程度の間隔が設けられている。これはスパッタリング中に焼結体表面が加熱され膨張し、隣接する焼結体がお互いにぶつかることにより割れや欠けが生じないようするためである。この一定の間隔をあけた部分を分割部と言う。この分割部に存在するクリアランスは、スパッタリング中にアーキング（異常放電）を誘発する問題があった。アーキングはスパッタ装置内にパーティクルを舞上げるために、基板表面にパーティクルが付着し成膜工程の歩留まりを低下させる原因となっていた。
【０００４】
分割部におけるアーキングを低減させる方法として、平板形状のターゲットにおいては、分割部の０．２〜０．８ｍｍのクリアランスにインジウムを充填する方法（例えば、特許文献１参照）や０．３〜２ｍｍのクリアランスに、焼結体のインジウムと錫の原子比に等しいインジウム−錫合金を注入する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかし、インジウムやインジウム−スズ合金が比較的低融点の金属であるため、スパッタリング中に溶融し、液滴状の異物として基板に付着して欠陥（スプラッシュ欠陥）となる問題がある。特に、平板形状のターゲットよりも投入電力を高くできる円筒形状のターゲットにおいては、欠陥の発生が顕著である。
【０００５】
また、分割部の０．２ｍｍ〜０．８ｍｍのクリアランスにハンダ材以上の融点を有する合金を充填する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。この方法は、高融点金属であるため、溶融によるスプラッシュ欠陥の問題は無いが、０．２ｍｍ〜０．８ｍｍのクリアランスに成膜材料と異なる合金が存在するため、スパッタリングによって作製された薄膜中に前記合金が不純物として取り込まれ、薄膜の透過率の低下などを引き起こす問題がある。
【０００６】
さらに、分割部のクリアランスを１０ｍｍ程度とし、クリアランスに同一材料からなるＩＴＯ粉末を溶射する方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。しかし、この方法ではターゲット製造時に溶射により溶融された高温の粒子が直接焼結体に接触するため、ヒートショックにより焼結体にクラックが入りやすい問題がある。
【０００７】
また、複数からなる焼結体の間に同一組成系からなるセラミックス材料を介在させ、そのセラミックス材料を焼結することにより焼結体を接着する方法が提案されている（例えば、特許文献５参照）。しかし、この方法を高密度なＩＴＯなどに適用する場合、接着部分はバインダーと共に混練した低密度のペースト状の原料粉末を使用するため、熱処理後の密度は極めて低く、高い電力を投入して使用する円筒形状のターゲットの場合は、ターゲット表面が加熱され焼結体と接着部分の熱膨張率差によりクラックが入る問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１４４０５２号公報
【特許文献２】特開平１−２３０７６８号公報
【特許文献３】特開２０００−１４４４００号公報
【特許文献４】特開平１１−２６９６３７号公報
【特許文献５】特開昭５９−２０４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、複数個の円筒形焼結体からなる多分割円筒形スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜した場合において、成膜工程の製造歩留まりの高い円筒形スパッタリングターゲットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、多分割の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、隣り合う少なくとも２個以上の円筒形焼結体を導電性樹脂接着剤により接着させることにより、スパッタリング時のアーキングを著しく抑制可能な円筒形スパッタリングターゲットが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
本発明の態様は以下のとおりである。
（１）円筒形基材と複数個の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合してなる多分割の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、隣り合う少なくとも２個以上の円筒形焼結体の端面が導電性樹脂接着剤により接着されており、円筒形焼結体同士の間に存在する導電性樹脂接着剤の幅が０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ未満であることを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。
（２）前記円筒形焼結体の外周端面が面取り加工されていることを特徴とする（１）に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
（３）前記導電性樹脂接着剤の熱伝導率が前記円筒形焼結体の熱伝導率以上であることを特徴とする（１）または（２）に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
（４）前記導電性樹脂接着剤の抵抗率が前記円筒形焼結体の抵抗率以下であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
（５）前記円筒形焼結体がＩｎ，Ｓｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌの少なくとも１種類と酸素から構成されているセラミックス焼結体であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
（６）前記円筒形基材の材質がＴｉであることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
（７）少なくとも２個以上の円筒形焼結体の端面を導電性樹脂接着剤で接着固化させた後、円筒形基材と複数個の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合させることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
【００１２】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】
本発明は、円筒形基材と複数個の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合してなる多分割の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、隣り合う少なくとも２個以上の円筒形焼結体の端面が導電性樹脂接着剤（以下、単に接着剤と言うことがある。）により接着されており、円筒形焼結体同士の間に存在する導電性樹脂接着剤の幅が０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ未満であることを特徴とする円筒形スパッタリングターゲットに関するものである。円筒形焼結体の端面に接着剤を介在させることで、スパッタリング時の放電による円筒形ターゲット材の熱膨張の繰り返しがあっても円筒形ターゲット材同士が剥離することがなく、クラックの発生を防止することができる。
【００１４】
本発明の円筒形スパッタリングターゲットは、円筒形基材と複数の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合してなり、隣り合う少なくとも２個以上の円筒形焼結体が導電性樹脂接着剤により接着されている。隣り合う円筒形焼結体を接着することにより、焼結体間の分割部のクリアランス（隙間）が無くなり、クリアランスに起因したアーキングを低減させることができる。３個以上の円筒形焼結体が存在する場合、隣り合うすべての円筒形焼結体が接着剤により接着されていることが好ましいが、必ずしもすべての円筒形焼結体が接着されている必要はない。パーティクルが多い部分やターゲット端部など特定の部分のみの円筒形焼結体を接着した場合においても、本発明の効果が得られる。
【００１５】
円筒形焼結体同士を導電性樹脂接着剤で接着させる場合、円筒形焼結体端面の全面に接着剤を介在させ、隣り合う円筒形焼結体が接着されていることが好ましい。本発明で言う円筒形焼結体端面とは、円筒形焼結体の円筒軸方向に垂直な位置にあるリング状の面であり、円筒形焼結体を積み上げた際に、円筒形焼結体同士が接触する面である。円筒形焼結体の端面は、円筒形焼結体の間に存在する導電性樹脂接着剤の幅を極力小さくするために平面であることが望ましい。また、端面の表面粗さ（Ｒａ）は０．１μｍ以上、３．０μｍ以下が好ましい。表面粗さが大きいほどアンカー効果により密着力が増加し強固に接着できるが、大きすぎると接着剤とターゲット端面との濡れ性が悪化し密着力が低下する。
【００１６】
円筒形焼結体同士の間に存在する導電性樹脂接着剤の幅は、０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ未満であり、０．０５ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下であることが好ましい。接着剤の幅が０．２ｍｍ以上の場合は、スパッタリング中に異常放電が多発し、パーティクルによる歩留まりが悪化するとともに、スパッタされた接着剤の膜質への悪影響が顕著となる。一方、０．０２ｍｍより小さい場合は、接着剤の量が不十分であり、円筒形焼結体同士を接着する接着強度を確保できず、スパッタリング中に剥離が発生し、クラックが発生するおそれがある。
【００１７】
本発明に用いる円筒形焼結体は外周端面を面取り加工することが好ましい。セラミックスは脆性が高いために鋭角な部分は割れやすく、ターゲット表面がスパッタリング中に加熱され膨張した時に鋭角な端面は割れが生じやすいためである。面取りが大きいと使用できるターゲット量が低下するためにＲ１以下、Ｃ１以下が好ましい。更に好ましくはＲ０．５以下Ｃ０．５以下が好ましい。更に好ましくは糸面取りが好ましい。
【００１８】
本発明に用いる導電性樹脂接着剤は、使用する円筒形焼結体以上の熱伝導率を有することが好ましい。円筒形焼結体以上の熱伝導率を有する接着剤であれば、分割部近傍での熱拡散の不具合は発生しないため、クラックを防止することができる。
【００１９】
本発明に用いる導電性樹脂接着剤は、使用する円筒形焼結体以下の抵抗率を有することが好ましい。このような導電性樹脂接着剤はアーキングを誘発する起点となりにくく、使用開始時とライフエンドとの成膜速度の変化や膜厚分布などの問題も生じにくい。
【００２０】
上述した条件を満たす導電性樹脂接着剤としては、エポキシ、アクリル、ウレタン、フェノール等の樹脂に、導電性フィラーとしてＡｇ、Ｃ、Ｃｕ等を使用したものが挙げられる。また、接着剤の種類は熱硬化タイプ、大気硬化タイプおよび２液混合硬化タイプ等があり、接着工程を簡略化することができる熱硬化タイプを用いるのが好ましい。熱硬化樹脂を用いることにより、焼結体を円筒形基材に接合する際に加熱する熱を利用して接着剤を硬化させることができる。さらに、硬化時に樹脂の揮発が多く、硬化後の接着剤は導電性フィラーが大部分を占めるタイプの接着剤である方が高い熱伝導性と低い抵抗率を持つ導電性樹脂接着剤層を得ることができるため好ましい。
【００２１】
従来のスパッタリングターゲットでは、隣接する焼結体の間に間隔を設け、隣接する焼結体同士がお互いにぶつかることを防止することで、割れや欠けが生じないようにしていた。特に長尺の円筒形スパッタリングターゲットでは、輸送やスパッタ装置に取付ける際に大きなたわみが発生し割れや欠けが発生しやすい。本発明の円筒形スパッタリングターゲットでは、隣接する焼結体同士が間隔なく導電性樹脂接着剤で接着されており、樹脂の弾力性によりたわみによる応力が円筒形焼結体端面全体に分散されるため、長尺ターゲットのハンドリングにおいても割れや欠けの発生を抑制することができる。また、隣接する焼結体同士の接着にハンダ材を用いることも考えられるが、金属であるハンダ材では弾力性がなく、長尺ターゲットのたわみによる応力が集中し割れや欠けの原因となる。
【００２２】
なお、本発明に用いる円筒形焼結体として、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌの少なくとも１種類と酸素から構成されているセラミックス焼結体を挙げられる。具体的には、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯ等である。
【００２３】
また、本発明に用いる円筒形基材としては、種々の材質が使用可能であり、ターゲット使用時、円筒形基材と円筒形焼結体とを接合するハンダ材が劣化、溶融しない十分な冷却効率を確保できる熱伝導性があり、スパッタリング時に放電可能な電気伝導性、ターゲットを支えることが可能な強度等を備えているものであれば良い。このような材質としては、例えば、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、それらの金属を含む合金、ＳＵＳ等が挙げられる。特に、熱膨張率がセラミックスに近いＴｉがより好ましい。
【００２４】
また、本発明に用いるハンダ材としては、ターゲット使用時、ハンダ材が劣化、溶融しない十分な冷却効率を確保できる熱伝導性があり、スパッタリング時に放電可能な電気伝導性とターゲットを支えることが可能な強度等を備えている材質であればよく、一般にハンダ材として使用されるものであれば使用可能である。好ましくは、低融点ハンダであり、例えば、Ｉｎ、Ｉｎ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金等が挙げられる。より好ましくはＩｎ又はＩｎ合金ハンダである。Ｉｎ又はＩｎ合金ハンダは平板型のターゲットでの実績も豊富であり、また、展延性に富むため、スパッタリング中に加熱されるターゲット材と冷却されている基材との熱膨張等の歪みを緩和する効果がある。
【００２５】
次に、本発明の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を示す。
【００２６】
本発明の円筒形スパッタリングターゲットは、少なくとも２個以上の円筒形焼結体の端面を導電性樹脂接着剤で接着固化させた後、円筒形基材と複数個の円筒形焼結体とをハンダ材を用いて接合させることを特徴とする。以下に、円筒形焼結体の製造工程とスパッタリングターゲットの組み立て工程とに分けて詳細に説明する。
【００２７】
（１）円筒形焼結体製造工程
円筒形焼結体の製造方法は、原料粉末の焼結挙動に適した成形方法および焼成方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。成形方法は、原料粉末を目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。成形方法としてはプレス成形法、鋳込み成形法、射出成形法等が例示できる。成形体の密度は特に限定されるものではないが、密度が高いほど取扱いによる成形体の割れが少なくなり、かつ、焼成した後の焼結体密度も上昇しやすいので可能な限り高めた方が好ましい。そのために冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）成形等の方法を用いることも可能である。また、焼成方法としては、電気炉、ガス炉、ＨＩＰ（等方熱間プレス）、ＨＰ（ホットプレス）およびマイクロ波炉等が例示できる。
【００２８】
得られた焼結体は、平面研削盤、円筒研削盤、旋盤、切断機、マシニングセンター等の機械加工機を用いて、円筒形状に研削加工する。
【００２９】
また、本発明に用いる円筒形焼結体は外周端面を面取り加工することが好ましい。これは、セラミックスは脆性が高いために鋭角な部分は割れやすく、ターゲット表面がスパッタリング中に加熱され膨張した時に鋭角な端面は割れが生じやすいためである。面取りは大きいとターゲットの寿命が低下するためにＲ１以下、Ｃ１以下が好ましい。更に好ましくはＲ０．５以下Ｃ０．５以下が好ましい。更に好ましくは糸面取りが好ましい。
【００３０】
（２）スパッタリングターゲット組み立て工程
スパッタリングターゲット組み立て工程について、図１を用いて説明する。まず、円筒形焼結体１および／または２の端面に予め導電性樹脂接着剤３を塗布する。なお、円筒形焼結体１および／または２の端面は、接着剤を塗布する前に予め超音波洗浄、およびＵＶ洗浄を実施しておくことが好ましい。このようにすることで、接着剤の濡れ性が向上し、接着剤本来の接着強度を得ることが可能となる。
【００３１】
次に、この円筒形焼結体１を円筒形基材４と中心軸が一致するように外周に設置し、更に、その上に円筒形焼結体２を円筒形基材４と中心軸が同じになるように設置する。その際、接着面である円筒形焼結体の端面同士が接触するように設置する。導電性樹脂接着剤３がはみ出した場合は、はみ出した導電性樹脂接着剤３は拭き取ることが望ましい。また、ターゲット表面の導電性樹脂接着剤３による汚染を防止するためにあらかじめ円筒形焼結体表面にマスキングしておいても良い。
【００３２】
このようして得られた円筒形焼結体１および２、導電性樹脂接着剤３、円筒形基材４からなる組立体は密閉容器内に配置し、真空脱法を行うことが好ましい。真空脱法により導電性樹脂接着剤中に残存する気泡を除去することができ、接着剤層の熱伝導を更に向上させ、また電気抵抗を更に低下させる効果がある。
【００３３】
次いで、組立体の円筒形焼結体１または円筒形焼結体２と円筒形基材４により形成される隙間の一方を耐熱性Ｏリング５で封止した後、ハンダ材６の融点以上に加熱する。このとき、組立体は、焼結体固定治具７を用いて円筒形焼結体１および２の両端から固定しても良い。このようにすることで、円筒形焼結体の位置ずれを防止することができる。
【００３４】
組立体の加熱方法は、導電性樹脂接着剤３が熱硬化タイプで、硬化温度がハンダ材６の融点以上の場合は硬化温度以上に加熱する。次に、溶融させたハンダ材６を焼結体１および２と円筒形基材３で形成される隙間に流し込み充填する。その後、冷却し、耐熱性Ｏリング５、マスキング等を取り除くことにより本発明の円筒形スパッタリングターゲットが得られる。  
【発明の効果】
【００３５】
本発明の円筒形スパッタリングターゲットは製造が容易で、かつ従来の円筒形ターゲットに比較して、ターゲットの分割部近傍で発生するアーキングを抑制することができる。この結果、アーキングに起因する薄膜中の欠陥を防止でき、フラットパネルディスプレイ等で使用されるスパッタリングの生産性を飛躍的に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の円筒形スパッタリングターゲットの一例を、中心軸を含む面で切断した模式的な断面図として示す図である。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を、実施例をもって更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、アーキングレート（１時間当たりに発生する異常放電数：回／ｈｒ）は以下の条件で１０時間の放電を実施後、測定を行った。
（１）アーキング測定装置
マイクロアークモニター（ランドマークテクノロジー社製）
（２）放電試験条件
背圧            ：３．０×１０−４Ｐａ
使用ガス        ：Ａｒ、Ｏ２混合ガス
ガス流量        ：４０ｓｃｃｍ
ガス流量比      ：Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２）  ７．５％
全圧            ：０．３Ｐａ
スパッタ電力密度：２３．５Ｗ／ｃｍ２
（実施例１）
外周端面が面取り加工された円筒形ＩＴＯ焼結体（外径：１５０．０ｍｍφ、内径：１３６．０ｍｍφ、長さ：２００ｍｍ）を２個用意し、超音波洗浄、及びＵＶ洗浄処理を実施後、各々の円筒形ＩＴＯ焼結体の接着面と円筒形基材との接合面以外を耐熱性テープでマスキングした。次に、Ｔｉ製円筒形基材（外径：１３３．０ｍｍφ、内径１２３．０ｍｍφ、長さ：４４０ｍｍ）を用意し、超音波洗浄、及びＵＶ洗浄処理を実施後、接合面以外の面を耐熱性テープでマスキングした。さらに前記円筒形焼結体の端面全面に、高熱伝導性接着剤（ＴＳ３６０１ＬＤ−３５、田中貴金属社製）を塗布した。
【００３８】
次いで、Ｔｉ製円筒形基材と中心軸が同じとなるように円筒形ＩＴＯ焼結体を挿入した。焼結体の接着面からはみ出した接着剤を拭き取った後、円筒形ＩＴＯ焼結体の接着部（分割部）を耐熱性テープで固定した。次に円筒形焼結体と円筒形基材により形成される隙間の一方を耐熱性Ｏリングで封止した後、円筒形焼結体を焼結体固定治具で両端から固定した。焼結体固定治具の締め付け圧力を１．０ｋｇ／ｃｍ２とした。
【００３９】
密閉容器内で真空脱法を行った後、加熱容器内で全体を１８０℃まで加熱し、高熱伝導性接着剤を硬化させた後、ハンダ材である溶融させたＩｎを円筒形焼結体とＴｉ製円筒形基材と耐熱性Ｏリングから形成される隙間に流し込み、Ｉｎハンダを充填した後、２５℃まで冷却し、Ｔｉ製円筒形基材と円筒形焼結体を接合した。
【００４０】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間に介在する接着剤の幅は０．１６〜０．１９ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は８８．７回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、ターゲットに割れやクラック、及び焼結体間に異常は見られなかった。
【００４１】
（実施例２）
円筒形焼結体同士の間隔を調整するため、焼結体固定治具の締め付け圧力を５．０ｋｇ／ｃｍ２としたこと以外は、実施例１と同様にして円筒形ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造した。
【００４２】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間に介在する接着剤の幅は０．０２〜０．０３ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は３８．４回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、ターゲットに割れやクラック、及び焼結体間に異常は見られなかった。
【００４３】
（実施例３）
円筒形ＡＺＯ焼結体（外径：１５０．０ｍｍφ、内径：１３６．０ｍｍφ、長さ：２００ｍｍ）を２個使用した事以外は実施例１と同様にして円筒形ＡＺＯスパッタリングターゲットを製造した。
【００４４】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間に介在する接着剤の幅は０．１５〜０．１８ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は５０．２回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、ターゲットに割れやクラック、及び焼結体間に異常は見られなかった。
【００４５】
（比較例１）
円筒形焼結体の端面に、高熱伝導性接着剤を塗布せずに、円筒形焼結体同士の間に厚み０．４ｍｍのテフロンリングを挟んだ後、ハンダ材である溶融させたＩｎを円筒形焼結体とＴｉ製円筒形基材と耐熱性Ｏリングから形成される隙間に流し込み、Ｉｎハンダを充填した後、Ｉｎハンダの融点以下の１４０℃でテフロンリングを取り除いた以外は実施例１と同様にして円筒形ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造した。
【００４６】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間隔は、０．３８０〜０．３８４ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は３０７．１回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、ターゲットに割れやクラック、及び焼結体間に異常は見られなかった。
【００４７】
（比較例２）
テフロンリングの厚みを０．０３ｍｍとした以外は比較例１と同様にして円筒形ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造した。
【００４８】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間隔は、０．０２〜０．０３ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は１５７．５回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、円筒形焼結体の表面には、チッピングが発生しており、また割れも発生していた。
【００４９】
（比較例３）
円筒形焼結体同士の間隔を調整するため、焼結体固定治具の締め付け圧力を０．５ｋｇ／ｃｍ２としたこと以外は、実施例１と同様にして円筒形ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造した。
【００５０】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間に介在する接着剤の幅は０．３９〜０．４０ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は２９１．２回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、ターゲットに割れやクラック、及び焼結体間に異常は見られなかった。
【００５１】
（比較例４）
円筒形焼結体同士の間隔を調整するため、焼結体固定治具の締め付け圧力を０．５ｋｇ／ｃｍ２としたこと以外は、実施例３と同様にして円筒形ＡＺＯスパッタリングターゲットを製造した。
【００５２】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間に介在する接着剤の幅は０．３５〜０．３８ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は１４５．６回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、ターゲットに割れやクラック、及び焼結体間に異常は見られなかった。
【００５３】
（比較例５）
円筒形焼結体同士の間隔を調整するために焼結体固定治具の締め付け圧力を１０．０ｋｇ／ｃｍ２としたこと以外は、実施例１と同様にして円筒形ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造した。
【００５４】
得られた円筒形スパッタリングターゲットの焼結体同士の間に介在する接着剤の幅は０．０１５〜０．０１６ｍｍであった。また、アーキングレート測定結果は１６２．４回／ｈｒであった。１０時間の放電を実施後、ターゲットの状態を確認したところ、円筒形焼結体と接着剤の界面に０．０１ｍｍの隙間ゲージ入ることから、剥離が発生していることを確認した。さらに、隣り合う円筒形ＩＴＯ焼結体１および２表面には、チッピングが発生しており、また割れも発生していた。
【符号の説明】
【００５５】
１  円筒形焼結体
２  円筒形焼結体
３  導電性樹脂接着剤
４  円筒形基材
５  耐熱性Ｏリング
６  ハンダ材
７  焼結体固定治具
【図１】
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