(57)【要約】【課題】大口径や薄型ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体を提供する。【解決手段】１個以上の半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材と、該樹脂含有繊維基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体。【選択図】図１
2015050447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個以上の半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、
硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材と、該樹脂含有繊維基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有するものであることを特徴とする封止材積層複合体。
【請求項２】
前記シアネートエステル樹脂が、
（Ａ）下記一般式（１）で示されるシアネートエステル化合物又はそのオリゴマー
【化１】
2015050447.tif 000014
（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は
【化２】
2015050447.tif 000015
のいずれかを示し、ｎ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチル基である。）
（Ｂ）下記一般式（２）で示される１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）又は下記一般式（３）で表されるジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）、もしくはその両方
【化３】
2015050447.tif 000016
（式中、Ｒ５及びＲ６は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ７は
【化４】
2015050447.tif 000017
のいずれかを示し、ｍ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチル基である。）
【化５】
2015050447.tif 000018
を含有するものであり、該シアネートエステル樹脂の硬化後のガラス転移温度が２００℃以上であり、熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下のものであることを特徴とする請求項１に記載の封止材積層複合体。
【請求項３】
前記未硬化樹脂層の厚みが２０μｍ以上２０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の封止材積層複合体。
【請求項４】
前記未硬化樹脂層が、５０℃未満で固形化し、かつ５０℃以上１５０℃以下で溶融するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の封止材積層複合体。
【請求項５】
半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を封止した封止後半導体素子搭載基板であって、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子搭載基板。
【請求項６】
半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止した封止後半導体素子形成ウエハであって、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子形成ウエハ。
【請求項７】
請求項５に記載の封止後半導体素子搭載基板又は請求項６に記載の封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化したものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体装置の製造方法であって、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び、
該封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエハレベルで一括封止が可能な封止材に関し、さらに、封止材により封止された半導体素子形成ウエハ又は半導体素子を搭載した基板、該半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記基板状の封止材を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面のウエハレベルの封止は、種々の方式が提案、検討されており、スピンコーティングによる封止、スクリーン印刷による封止（特許文献１）や、フィルム支持体に熱溶融性エポキシ樹脂をコーティングさせた複合シートを用いた方法が例示される（特許文献２、３）。
【０００３】
なかでも、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面のウエハレベルの封止方法としては、金属、シリコンウエハ、又はガラス基板等の上部に両面接着層を有するフィルムを貼り付け、又は接着剤をスピンコート等で塗布した後、基板上に半導体素子を配列し接着、搭載させ半導体素子搭載面とし、その後、液状エポキシ樹脂やエポキシモールディングコンパウンド等で加熱下、加圧成形し封止することで、半導体素子搭載面を封止する方法が最近量産化されつつある（特許文献４）。また、同様に、半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面のウエハレベルの封止方法としても、液状エポキシ樹脂やエポキシモールディングコンパウンド等で加熱下、加圧成形し封止することで、半導体素子形成面を封止する方法が最近量産化されつつある。
【０００４】
しかしながら、上記のような方法では、直径２００ｍｍ（８インチ）程度の小口径ウエハや金属等の小口径基板を使用した場合は現状でも大きな問題もなく封止できるが、直径３００ｍｍ（１２インチ）以上の半導体素子を搭載した大口径基板や半導体素子を形成した大口径ウエハを封止した場合では、封止硬化時のエポキシ樹脂等の収縮応力により基板やウエハに反りが生じることが大きな問題であった。また、半導体素子を搭載した大径基板の半導体素子搭載面をウエハレベルで封止する場合には、封止硬化時のエポキシ樹脂等の収縮応力により半導体素子が金属等の基板から剥離するといった問題が発生した。これらの問題から、半導体装置の一括封止による量産化を行うことは困難であった。
【０００５】
このような半導体素子を搭載した基板や半導体素子を形成したウエハの大口径化に伴う問題を解決する方法として、フィラーを封止用樹脂組成物に９０ｗｔ％（質量％）近く充填することや、封止用樹脂組成物の低弾性化で硬化時の収縮応力を小さくすることが挙げられている（特許文献１、２、３）。
【０００６】
しかし、エポキシ樹脂にフィラーを９０ｗｔ％近く充填すると封止用樹脂組成物の粘度が上昇し、封止用樹脂組成物を流し込み成形、封止する時に基板に搭載された半導体素子に力が加わり、半導体素子が基板から剥離するといった問題が新たに発生した。また、封止用樹脂を低弾性化すると、封止された半導体素子を搭載した基板や半導体素子を形成したウエハの反りは改善されるが、耐熱性や耐湿性等の封止性能の低下の問題も新たに発生した。そのため、これらの解決方法では根本的な課題の解決に至っていなかった。
【０００７】
以上のように、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることなく、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１７９８８５号公報
【特許文献２】特開２００９−０６０１４６号公報
【特許文献３】特開２００７−００１２６６号公報
【特許文献４】特表２００４−５０４７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、大口径ウエハや薄型ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い封止材積層複合体を提供することを目的とする。
【００１０】
また、封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、該封止後半導体素子搭載基板及び該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記封止材積層複合体を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明では、
１個以上の半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、
硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材と、該樹脂含有繊維基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体を提供する。
【００１２】
このように、シアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材と、その片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体であれば、膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂が、封止硬化時の未硬化樹脂層の収縮応力を抑制することができるため、大径や薄型のウエハや金属等の大径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れた非常に汎用性が高い基板を得ることができる。
【００１３】
前記シアネートエステル樹脂が、
（Ａ）下記一般式（１）で示されるシアネートエステル化合物又はそのオリゴマー
【化１】
2015050447.tif 000003
（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は
【化２】
2015050447.tif 000004
のいずれかを示し、ｎ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチル基である。）
（Ｂ）下記一般式（２）で示される１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）又は下記一般式（３）で表されるジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）、もしくはその両方
【化３】
2015050447.tif 000005
（式中、Ｒ５及びＲ６は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ７は
【化４】
2015050447.tif 000006
のいずれかを示し、ｍ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチル基である。）
【化５】
2015050447.tif 000007
を含有するものであり、該シアネートエステル樹脂の硬化後のガラス転移温度が２００℃以上であり、熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下のものであることが好ましい。
【００１４】
このようなシアネートエステル樹脂であれば、２００℃以下での熱膨張係数の変化がほとんどなく、熱膨張率の変化による半導体成形物への歪を抑えることができる。すなわち、歪による剥離現象や半導体素子への影響を抑えることができる。
【００１５】
前記未硬化樹脂層の厚みが２０μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
このような厚みの未硬化樹脂層であれば、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止するのに充分であり、かつ、封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが厚くなり過ぎることを抑制できるため好ましい。
【００１７】
前記未硬化樹脂層が、５０℃未満で固形化し、かつ５０℃以上１５０℃以下で溶融するものであることが好ましい。
【００１８】
このような未硬化樹脂層であれば、膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂がこれら樹脂を含む未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができるため、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離をより確実に抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止できる封止材積層複合体となり、かつこれら樹脂を含む未硬化樹脂層を有する複合体であれば、特に封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体となる。
【００１９】
また、本発明は、
半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を封止した封止後半導体素子搭載基板であって、
前記封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子搭載基板を提供する。
【００２０】
このような封止後半導体素子搭載基板であれば、基板の反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板となる。
【００２１】
また、本発明は、
半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止した封止後半導体素子形成ウエハであって、
前記封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子形成ウエハを提供する。
【００２２】
このような封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたりすることが抑制された封止後半導体素子形成ウエハとなる。
【００２３】
さらに、本発明は、
前記封止後半導体素子搭載基板又は前記封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化した半導体装置を提供する。
【００２４】
このような半導体装置であれば、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体により封止され、かつ反りが抑制された基板やウエハから半導体装置を製造できるため、高品質な半導体装置となる。
【００２５】
さらに、本発明は、
半導体装置の製造方法であって、
前記封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び、
該封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【００２６】
このような半導体装置の製造方法であれば、より簡便に、充填不良なく半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆することができ、薄型で大口径ウエハや金属等の大口径基板を一括封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハを得ることができ、さらに、このような基板又はウエハを個片化することで、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れた高品質な半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明の封止材積層複合体であれば、シアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材が硬化封止時の未硬化樹脂層の収縮応力を抑制することができるので、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることを抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い基板を得ることができる。
また、本発明の封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハは、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることが抑制されたものとなる。さらに、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れるシアネートエステル樹脂を用いた本発明の封止材積層複合体により封止され、かつ反りが抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハを個片化する工程を有する半導体装置の製造方法であれば、高品質な半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の封止材積層複合体の断面図の一例である。
【図２】本発明の封止材積層複合体により封止された（ａ）封止後半導体素子搭載基板及び（ｂ）封止後半導体素子形成ウエハの断面図の一例である。
【図３】（ａ）封止後半導体素子搭載基板から作製された本発明の半導体装置、及び（ｂ）封止後半導体素子形成ウエハから作製された本発明の半導体装置の断面図の一例である。
【図４】本発明の封止材積層複合体を用いて半導体素子を搭載した基板から半導体装置を製造する方法のフロー図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の封止材積層複合体、該封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハ、該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記封止材積層複合体を用いた半導体装置の製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
前述のように、半導体素子を搭載した金属等の大口径基板や半導体素子を形成した大口径ウエハを封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることが抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる汎用性の高い封止材が求められていた。
【００３１】
本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意検討を重ねた結果、硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材と、該樹脂含有繊維基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体であれば、膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材が未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができることを見出し、この収縮応力の抑制作用により、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制できることを見出した。さらに、本発明の封止材積層複合体を用いれば半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い封止材となることを見出して、本発明の封止材積層複合体を完成させた。
【００３２】
また、本発明者らは、前記封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハとなることを見出し、さらに、このように反りや半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハを個片化することで、高品質の半導体装置が得られることを見出し、本発明の封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、及び半導体装置を完成させた。
【００３３】
さらに、本発明者らは、前記封止材積層複合体を用いることで簡便に半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆できることを見出し、前記封止材積層複合体の未硬化樹脂層を加熱、硬化することで該半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を一括封止できることを見出し、さらに、このように封止性能に優れるシアネートエステル樹脂を有する封止材積層複合体により封止され、反り、半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、高品質な半導体装置を製造できることを見出して、本発明の半導体装置の製造方法を完成させた。
【００３４】
即ち、本発明は、
１個以上の半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、
硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材と、該樹脂含有繊維基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体を提供する。
以下、本発明の封止材積層複合体の有する樹脂含有繊維基材及び未硬化樹脂層について詳述する。
【００３５】
＜樹脂含有繊維基材＞
本発明で用いる樹脂含有繊維基材は、シアネートエステル樹脂を含有するものである。この樹脂含有繊維基材としては、例えば、繊維基材にシアネートエステル樹脂を含浸させて半硬化又は硬化したものや、シアネートエステル樹脂に繊維基材を含ませて半硬化又は硬化させたものを用いることができる。このような樹脂含有繊維基材は、膨張係数が非常に小さく、後に詳述する未硬化樹脂層を硬化させた際の収縮応力を抑制することができるため、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反りや半導体素子の剥離を抑制できる封止材積層複合体を得ることができる。
【００３６】
［繊維基材］
繊維基材として使用することができるものとしては、例えば、炭素繊維、ガラス繊維、石英ガラス繊維、金属繊維等の無機繊維、芳香族ポリアミド繊維、ポリイミド繊維、ポリアミドイミド繊維等の有機繊維、さらには炭化ケイ素繊維、炭化チタン繊維、ボロン繊維、アルミナ繊維等が例示され、製品特性に応じていかなるものも使用することができる。また、特に好ましい繊維基材としてはガラス繊維、石英繊維、炭素繊維等が例示される。中でも絶縁性の高いガラス繊維や石英ガラス繊維が繊維基材として、最も好ましい。
【００３７】
繊維基材の形態としては、特に制限はされないが、例えば、長繊維フィラメントを一定方向に引きそろえたロービング、繊維クロス、不織布等のシート状のもの、更にはチョップストランドマット等が例示され、このうち、積層体を容易に形成することができるものが好ましい。
【００３８】
［シアネートエステル樹脂］
シアネートエステル樹脂の成分としては、（Ａ）成分のシアネートエステル化合物のシアネート基１モルに対して、（Ｂ）成分のフェノール化合物又はジヒドロキシナフタレンもしくは両方の水酸基を０．０５〜０．４モルの割合で配合した樹脂組成物を好ましく用いることができる。
【００３９】
［（Ａ）成分］
（シアネートエステル化合物又はそのオリゴマー）
本発明で用いるシアネートエステル樹脂の（Ａ）成分として、下記一般式（１）で示されるシアネートエステル化合物又はそのオリゴマーを好ましく用いることができる。
【化６】
2015050447.tif 000008
（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は
【化７】
2015050447.tif 000009
のいずれかを示し、ｎ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチル基である。）
【００４０】
このシアネートエステル化合物は、１分子中にシアネート基を２個以上有するものであり、具体的には、多芳香環の２価フェノールのシアン酸エステル、例えばビス（３，５−ジメチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−エチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（４−シアネートフェニル）−１，１−エタン、ビス（４−シアネートフェニル）−２，２−プロパン、ジ（４−シアネートフェニル）エーテル、ジ（４−シアネートフェニル）チオエーテル、多価フェノールのポリシアン酸エステル、例えばフェノールノボラック型シアネートエステル、クレゾールノボラック型シアネートエステル、フェニルアラルキル型シアネートエステル、ビフェニルアラルキル型シアネートエステル、ナフタレンアラルキル型シアネートエステルなどが挙げられる。
【００４１】
前述のシアネートエステル化合物はフェノール類と塩化シアンを塩基性下、反応させることにより得ることができる。このようなシアネートエステル化合物は、その構造より軟化点が１０６℃の固形のものから、常温で液状のものまでの幅広い特性を有するものを得ることができ、その中から用途に合せて適宜選択することができる。このうち、シアネート基の当量が小さいもの、即ち官能基間分子量が小さいものは硬化収縮が小さく、低熱膨張、ガラス転移温度の高い硬化物を得ることができる。シアネート基当量が大きいものは若干ガラス転移温度が低下するが、トリアジン架橋間隔がフレキシブルになり、低弾性化、高強靭化、低吸水化が期待できる。シアネートエステル化合物中に結合あるいは残存している塩素は好ましくは５０ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐｐｍ以下であることが好適である。５０ｐｐｍ以下であれば長期高温保管時熱分解により遊離した塩素あるいは塩素イオンが酸化されたＣｕフレームやＣｕワイヤー、Ａｇメッキを腐食させ、剥離や電気的不良を引き起こす可能性がないため好ましい。また、樹脂の絶縁性も低下することがないため好ましい。
【００４２】
［（Ｂ）成分］
本発明で用いるシアネートエステル樹脂は、硬化剤として（Ｂ）成分を含有するものであることが好ましい。一般に、シアネートエステル化合物の硬化剤や硬化触媒としては、金属塩、金属錯体や活性水素を持つフェノール性水酸基や一級アミン類などが用いられるが、本発明では、フェノール化合物（ｂ−１）やジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）といったものが好適に用いられる。
【００４３】
（フェノール化合物（ｂ−１））
（Ｂ）成分として、下記一般式（２）で示される１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）を好ましく用いることができる。
【化８】
2015050447.tif 000010
（式中、Ｒ５及びＲ６は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ７は
【化９】
2015050447.tif 000011
のいずれかを示し、ｍ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチル基である。）
【００４４】
このフェノール化合物としては、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を持つフェノール樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂，フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル型樹脂、ビフェニルアラルキル型樹脂、ナフタレンアラルキル型樹脂が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。
【００４５】
このフェノール化合物（ｂ−１）は、フェノール水酸基当量が小さいもの、例えば、水酸基当量１２０以下のものはシアネート基との反応性が高く、１２０℃以下の低温でも硬化反応が進行する。この場合はシアネート基に対する水酸基のモル比を小さくすると良い。好適な範囲はシアネート基１モルに対し０．０５〜０．１１モルである。この場合、硬化収縮が少なく、低熱膨張で高Ｔｇの硬化物が得られる。
【００４６】
一方、フェノール水酸基当量が大きいもの、例えば水酸基当量１７５以上のものはシアネート基との反応が抑えられ保存性が良く、流動性が良い組成物が得られる。好適な範囲はシアネート基１モルに対し０．１〜０．４モルである。この場合、Ｔｇは若干低下するが吸水率の低い硬化物が得られる。希望の硬化物特性と硬化性を得る為にこれらフェノール樹脂は２種類以上併用することもできる。
【００４７】
（ジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２））
（Ｂ）成分として、下記一般式（３）で表されるジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）を好ましく用いることができる。
【化１０】
2015050447.tif 000012
【００４８】
上記のジヒドロキシナフタレンとしては、１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどが挙げられる。
融点が１３０℃の１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレンは非常に反応性が高く少量でシアネート基の環化反応を促進する。融点が２００℃以上の１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレンは比較的反応が抑制される。
【００４９】
これらジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）を単独で使用した場合、官能基間分子量が小さく、かつ剛直な構造である為硬化収縮が小さく、高Ｔｇの硬化物が得られる。また水酸基当量の大きい１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）と併用することにより硬化性を調整することもできる。
【００５０】
尚、上記フェノール化合物（ｂ−１）及びジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）中のハロゲン元素やアルカリ金属などが１２０℃、２気圧下での抽出で１０ｐｐｍ、特に５ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００５１】
本発明で用いるシアネートエステル樹脂は、上記のフェノール化合物（ｂ−１）を単独で、又は上記のジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）を単独で、もしくはフェノール化合物（ｂ−１）及びジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）の組み合わせを（Ｂ）成分として含有することが好ましい。
【００５２】
［無機充填剤］
本発明で用いるシアネートエステル樹脂には、さらに無機充填剤を配合することができる。配合される無機充填剤としては、例えば、ヒュームドシリカ（煙霧質シリカ）、沈降シリカ、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミノシリケート、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。
【００５３】
また、シアネートエステル樹脂のガラス転移温度は２００℃以上であることが好ましい。２００℃以上であれば、２００℃以下での熱膨張係数の変化がほとんどなく、熱膨張率の変化による半導体成形物への歪を抑えることができる。すなわち、歪による剥離現象や半導体素子への影響を抑えることができる。ガラス転移温度は２００℃以上あれば良いが、好ましくはガラス転移温度が２５０℃以上である。
【００５４】
さらに、樹脂含有繊維基材中のシアネートエステル樹脂のＸ−Ｙ方向の線膨張係数は５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、より好ましくは１ｐｐｍ／℃以上３ｐｐｍ／℃以下、特に好ましくは２ｐｐｍ／℃以上３ｐｐｍ／℃以下である。シアネートエステル樹脂の線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下であれば、半導体素子を搭載した基板又は半導体素子を形成したウエハとの膨張係数の差が大きくなることを抑制でき、そのためこれら基板又はウエハの反りをより確実に抑制することができる。特にウエハの口径が３００ｍｍ以上で厚みが１００μｍ以下の大口径薄膜状のウエハに対してはわずかな反りや歪応力が原因となって簡単に破壊される可能性が高いので線膨張係数は２ｐｐｍ／℃−３ｐｐｍ／℃程度であることが特に好ましい。尚、Ｘ−Ｙ方向とは樹脂含有繊維基材の面方向をいう。また、Ｘ−Ｙ方向の膨張係数は、樹脂含有繊維基材の面方向に任意にＸ軸、Ｙ軸をとって測定した膨張係数をいう。
【００５５】
［樹脂含有繊維基材の作製方法］
樹脂含有繊維基材の作製方法の一例として、繊維基材にシアネートエステル樹脂を含浸させる方法について説明する。この方法は、溶剤法とホットメルト法のいずれの方法でも実施できる。溶剤法とはシアネートエステル樹脂を有機溶剤に溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを繊維基材に含浸させる方法であり、ホットメルト法とは固形のシアネートエステル樹脂を加熱して溶かし繊維基材に含浸させる方法である。
【００５６】
繊維基材に含浸したシアネートエステル樹脂を半硬化する方法としては、特に制限はされないが、繊維基材に含浸したシアネートエステル樹脂を加熱により脱溶媒等して半硬化する方法等が例示される。繊維基材に含浸したシアネートエステル樹脂を硬化する方法としては、特に制限はされないが、繊維基材に含浸したシアネートエステル樹脂を加熱により硬化する方法等が例示される。
【００５７】
尚、本発明において、半硬化とは、ＪＩＳ  Ｋ  ６８００「接着剤・接着用語」に定義されているようなＢ−ステージ（熱硬化性樹脂の硬化中間体、この状態での樹脂は加熱すると軟化し、ある種の溶剤に触れると膨潤するが、完全に溶融、溶解することはない）状態をいうものである。
【００５８】
繊維基材にシアネートエステル樹脂を含浸させて、シアネートエステル樹脂を半硬化又は硬化した場合の樹脂含浸繊維基材の厚みは、使用する繊維クロス等の繊維基材の厚みによって決まり、厚い樹脂含浸繊維基材を作製する場合は繊維クロス等の繊維基材の使用枚数を多くし、積層して作製する。樹脂含有繊維基材の厚みは５０μｍ〜１ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１００μｍ〜５００μｍのものが望ましい。５０μｍ以上であれば薄すぎて変形しやすくなることを抑制できるため好ましく、また１ｍｍ以下であれば半導体装置そのものが厚くなることを抑制できるため好ましい。
【００５９】
このような樹脂含有繊維基材は、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止したあとの反りを低減させ、一個以上の半導体素子を配列、接着させた基板を補強するために重要である。そのため、硬くて剛直な基材であることが望ましい。本発明で用いる樹脂含有繊維基材は、繊維基材に対して線膨張係数の低いシアネートエステル樹脂を含有させるため、従来のものに比べて封止硬化時の加熱の際の膨張をさらに抑制することができる、硬くて剛直な基材とすることができる。
【００６０】
＜未硬化樹脂層＞
本発明の封止材積層複合体は未硬化樹脂層を有する。この未硬化樹脂層は、前述の樹脂含有繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなるものである。この未硬化樹脂層は、半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を封止するための樹脂層となる。
【００６１】
未硬化樹脂層の厚みは２０μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましい。２０μｍ以上であれば半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止するのに充分であり、薄すぎることによる充填性の不良が生じることを抑制できるため好ましく、２０００μｍ以下であれば封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが厚くなり過ぎることが抑制できるため好ましい。
【００６２】
未硬化樹脂層を形成する未硬化の熱硬化性樹脂としては、特に制限はされないが、通常、半導体素子の封止に使用される液状エポキシ樹脂や固形のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂、又は前述と同様のシアネートエステル樹脂からなる未硬化樹脂層であることが好ましい。特に、５０℃未満で固形化し、かつ５０℃以上１５０℃以下で溶融するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン混成樹脂、及びシアネートエステル樹脂のいずれかを含むものであることが好ましい。このような熱硬化性樹脂であれば、樹脂含有繊維基材中の線膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂が上記の樹脂を含む未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができるため、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離をより確実に抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止できる封止材積層複合体となり、かつこれら樹脂を含む未硬化樹脂層を有する複合体であれば、特に封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体となる。
以下、熱硬化性樹脂として用いることのできる、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂、及びシアネートエステル樹脂について詳述する。
【００６３】
［エポキシ樹脂］
エポキシ樹脂としては、特に制限はされないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビフェノール型エポキシ樹脂又は４，４’−ビフェノール型エポキシ樹脂のようなビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、及びフェノールジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂の芳香環を水素化したエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など室温で液状や固体の公知のエポキシ樹脂が挙げられる。また、必要に応じて、上記以外のエポキシ樹脂を目的に応じて一定量併用することができる。
【００６４】
エポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。各イオンを減らす方法としては、イオン交換水５０ｍｌに試料１０ｇを添加し、密封して１２０℃のオーブン中に２０時間静置した後、加熱抽出する方法を挙げることができ、１２０℃での抽出でいずれのイオンも１０ｐｐｍ以下とすることが望ましい。
【００６５】
エポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂にはさらにエポキシ樹脂の硬化剤を含ませることができる。このような硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、各種アミン誘導体、酸無水物や酸無水物基を一部開環させカルボン酸を生成させたものなどを使用することができる。なかでも本発明の封止材積層複合体を用いて製造される半導体装置の信頼性を確保するためにフェノールノボラック樹脂が望ましい。特に、エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂の混合比をエポキシ基とフェノール性水酸基の比率が１：０．８〜１．３となるように混合することが好ましい。
【００６６】
さらに、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進するため、反応促進剤（触媒）としてイミダゾール誘導体、フォスフィン誘導体、アミン誘導体、有機アルミニウム化合物などの金属化合物等を使用しても良い。
【００６７】
エポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂には、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、ワックス類、ハロゲントラップ剤等の添加剤を挙げることができ、目的に応じて添加配合することができる。
【００６８】
［シリコーン樹脂］
シリコーン樹脂としては、熱硬化性のシリコーン樹脂等が使用可能である。特に、シリコーン樹脂からなる未硬化樹脂層は付加硬化型シリコーン樹脂組成物を含むことが望ましい。付加硬化型シリコーン樹脂組成物としては、（ｉ）非共役二重結合を有するオルガノポリシロキサン（例えば、アルケニル基含有ジオルガノポリシロキサン）、（ｉｉ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び（ｉｉｉ）白金系触媒を含むものが特に好ましい。
【００６９】
（ｉ）オルガノポリシロキサンは側鎖に（即ち、主鎖シロキサン単位中のケイ素原子に結合する非置換又は置換１価炭化水素基として）メチル基以外のフェニル基、ビニル基、トリフロロアルキル基等の官能基を含んでもよく、特に限定されるものではない。（ｉｉ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン成分としては、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが好ましい。一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであれば、架橋剤として作用し、（ｉｉ）成分中のＳｉＨ基と（ｉ）成分のアルケニル基（例えば、ビニル基）等の非共役二重結合含有基とが付加反応することにより、硬化物を形成することができる。（ｉｉｉ）白金系触媒としては、例えば塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、キレート構造を有する白金錯体等が挙げられる。これらは１種単独でも、２種以上の組み合わせでも使用することができる。
【００７０】
熱硬化性樹脂としてシリコーン樹脂を用いる場合は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。各イオンを減らす方法としては、エポキシ樹脂と同様の方法を例示でき、１２０℃での抽出でいずれのイオンも１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００７１】
［エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂］
混成樹脂に含まれるエポキシ樹脂とシリコーン樹脂としては、前述のエポキシ樹脂と前述のシリコーン樹脂が挙げられる。
【００７２】
混成樹脂からなる熱硬化性樹脂は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。各イオンを減らす方法としては、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂と同様の方法を例示でき、１２０℃での抽出でいずれのイオンも１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００７３】
［シアネートエステル樹脂］
シアネートエステル樹脂としては、前述の樹脂含有繊維基材用のものと同様のものを例示できる。
【００７４】
［無機充填剤］
上記の熱硬化性樹脂には無機充填剤を配合することができる。配合される無機充填剤としては、例えば、ヒュームドシリカ（煙霧質シリカ）、沈降シリカ、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミノシリケート、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。
【００７５】
特にエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂に添加する無機充填剤としては、エポキシ樹脂と無機充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。
【００７６】
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン等を用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
【００７７】
シリコーン樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂やシアネートエステル樹脂からなる熱硬化性樹脂に添加する場合も、無機質充填剤の表面を上記のようなカップリング剤で処理したものを配合しても良い。
【００７８】
無機充填剤の配合量は、熱硬化性樹脂の総質量１００質量部に対し、１００〜１３００質量部が好ましく、特に２００〜１０００質量部が好ましい。１００質量部以上であれば十分な強度を得ることができ、１３００質量部以下であれば増粘による流動性の低下が抑制され、流動性低下による充填性の不良が抑制され、結果としてウエハに形成された半導体素子及び基板上に配列・搭載された半導体素子を良好に封止することができる。なお、この無機充填剤は、熱硬化性樹脂を構成する組成物全体の５０〜９５質量％、特に６０〜９０質量％の範囲で含有することが好ましい。
【００７９】
＜封止材積層複合体＞
本発明の封止材積層複合体の断面図の一例を図１に示す。本発明の封止材積層複合体１０は、硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材１と、樹脂含有繊維基材１の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層２とを有するものである。
【００８０】
［封止材積層複合体の作製方法］
シアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材を使用して本発明の封止材積層複合体を作製する際は、樹脂含有繊維基材の片面上に、減圧又は真空下で、印刷やディスペンス等で熱硬化性樹脂をさらに塗布し、加熱することで、５０℃以下で固形な未硬化樹脂層を形成し、封止材積層複合体を作製する。
【００８１】
さらに、樹脂含有繊維基材の片面上に未硬化の熱硬化性樹脂をプレス成形、印刷するなど、従来のエポキシ熱硬化性樹脂やシリコーン熱硬化性樹脂等で用いられてきた各種の方法で未硬化樹脂層を形成することができる。形成後、通常では１８０℃程度の温度で４〜８時間ポストキュアさせることが好ましい。
【００８２】
その他、樹脂含有繊維基材の片面上に未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成する方法としては、室温で固体の熱硬化性樹脂を加熱しながら加圧する方法や熱硬化性樹脂組成物にアセトン等の極性溶剤を適量添加することで液状化し印刷などで薄膜を形成し、溶剤を減圧下で加熱するなどの方法で除去することで均一に樹脂含有繊維基材の片面上に未硬化樹脂層を形成することができる。
【００８３】
いずれの方法でも樹脂含有繊維基材の片面上に、ボイドや揮発成分のない、厚みが２０〜２０００μｍ、特には３０〜５００μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成することができる。
【００８４】
［半導体素子を搭載した基板及び半導体素子を形成したウエハ］
本発明の封止材積層複合体は半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、及び半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための複合体である。半導体素子を搭載した基板としては、例えば図２（ａ）中の一個以上の半導体素子３を接着剤４で無機、金属あるいは有機の基板５上に搭載したものが挙げられる。また、半導体素子を形成したウエハとしては、例えば図２（ｂ）中のウエハ７上に半導体素子６が形成されたものが挙げられる。尚、半導体素子を搭載した基板とは、基板５としてシリコンウエハ等の各種ウエハ、有機基板、ガラス基板、金属基板等を用いたものや、半導体素子を搭載し配列等した半導体素子アレイを含むものである。
【００８５】
＜封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ＞
本発明の封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハの断面図の一例を図２（ａ）及び（ｂ）に示す。本発明の封止後半導体素子搭載基板１１は、封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２（図１参照）により半導体素子３を搭載した基板５の半導体素子搭載面を被覆し、未硬化樹脂層２（図１参照）を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層２’とし、封止材積層複合体１０により一括封止されたものである（図２（ａ））。また、本発明の封止後半導体素子形成ウエハ１２は、封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２（図１参照）により半導体素子６を形成したウエハ７の半導体素子形成面を被覆し、未硬化樹脂層２（図１参照）を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層２’とし、封止材積層複合体１０により一括封止されたものである（図２（ｂ））。
【００８６】
このように、封止材積層複合体の未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとなる。
【００８７】
＜半導体装置＞
本発明の半導体装置の一例を図３（ａ）、（ｂ）に示す。本発明の半導体装置１３、１４は前述の封止後半導体素子搭載基板１１（図２参照）又は前述の封止後半導体素子形成ウエハ１２（図２参照）をダイシングして、個片化したものである。このように、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れるシアネートエステル樹脂を有する封止材積層複合体１０により封止され、かつ基板やウエハの反り、基板からの半導体素子３の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板１１（図２参照）又は封止後半導体素子形成ウエハ１２（図２参照）をダイシングし、個片化して作製された半導体装置１３、１４は高品質な半導体装置となる。封止後半導体素子搭載基板１１（図２（ａ）参照）をダイシングして個片化した場合、半導体装置１３は基板５上に接着剤４を介して半導体素子３が搭載され、その上から硬化後の樹脂層２’とシアネートエステル樹脂からなる支持基材１を有する封止材積層複合体１０により封止された半導体装置となる（図３（ａ））。また、封止後半導体素子形成ウエハ１２（図２（ｂ）参照）をダイシングして個片化した場合、半導体装置１４はウエハ７に半導体素子６が形成され、その上から硬化後の樹脂層２’とシアネートエステル樹脂からなる支持基材１を有する封止材積層複合体１０により封止された半導体装置となる（図３（ｂ））。
【００８８】
＜半導体装置の製造方法＞
本発明は、半導体装置を製造する方法であって、
前記封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び
該封止後半導体素子搭載基板あるいは該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
以下、図４を用いて本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
【００８９】
［被覆工程］
本発明の半導体装置の製造方法に係る被覆工程は、シアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材１と未硬化樹脂層２を有する封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２により、接着剤４を介して半導体素子３を搭載した基板５の半導体素子搭載面、又は半導体素子（不図示）を形成したウエハ（不図示）の半導体素子形成面を被覆する工程である（図４（Ａ））。
【００９０】
［封止工程］
本発明の半導体装置の製造方法に係る封止工程は、封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２を加熱、硬化して硬化後の樹脂層２’とすることで、半導体素子３を搭載した基板５の半導体素子搭載面又は半導体素子（不図示）を形成したウエハ（不図示）の半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板１１又は封止後半導体素子形成ウエハ（不図示）とする工程である（図４（Ｂ））。
【００９１】
［個片化工程］
本発明の半導体装置の製造方法に係る個片化工程は、封止後半導体素子搭載基板１１又は封止後半導体素子形成ウエハ（不図示）をダイシングし、個片化することで、半導体装置１３、１４（図３（ｂ）参照）を製造する工程である（図４（Ｃ）、（Ｄ））。
【００９２】
以下、より具体的に説明する。前述の被覆工程、封止工程においては、ソルダーレジストフィルムや各種絶縁フィルム等のラミネーションに使用されている真空ラミネータ装置等を使用することで、ボイドも反りもない被覆、封止を行うことができる。ラミネーションの方式としてはロールラミネーションやダイアフラム式真空ラミネーション、エアー加圧式ラミネーション等いずれの方式も使用することができる。なかでも、真空ラミネーションとエアー加圧式の併用が好ましい。
【００９３】
ここでは例として、ニチゴーモートン社製の真空ラミネーション装置を用いて、厚み５０μｍのシアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材と片面に厚み５０μｍの未硬化の熱硬化性エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層を有する封止材積層複合体で、厚み７０μｍ、直径３００ｍｍ（１２インチ）のシリコンウエハを封止する場合について説明する。
【００９４】
上下にヒーターが内蔵され１５０℃に設定されたプレートのうち、上側プレートにはダイアフラムラバーが減圧された状態でヒーターと密着している。下側プレート上に３００ｍｍ（１２インチ）のシリコンウエハをセットし、その上に片面に封止材積層複合体の未硬化樹脂層面をシリコンウエハの半導体形成面に合わせてセットする。その後、下側プレートが上昇し、下側プレート上にセットされたシリコンウエハを囲むように設置されたＯリングにより上下のプレートが密着して真空チャンバーが形成され、該真空チャンバー内が減圧される。真空チャンバー内が十分に減圧されたら、上側プレートのダイアフラムラバーとヒーターの間から真空ポンプにつながる配管の弁を閉じ、圧縮空気を送り込む。それにより、上側のダイアフラムラバーが膨張しシリコンウエハと封止材積層複合体を上側のダイアフラムラバーと下側のプレートで挟み、真空ラミネーションを行うと同時に未硬化樹脂層の熱硬化性エポキシ樹脂の硬化が進行し、封止が完了する。硬化時間としては３〜２０分程度あれば十分である。真空ラミネーションが完了したら真空チャンバー内を常圧に戻し、下側プレートを下降させ、封止したシリコンウエハを取り出す。上記工程によりボイドや反りのないウエハの封止を行うことができる。取り出したシリコンウエハは通常、１５０〜１８０℃の温度で１〜４時間ポストキュアすることで電気特性や機械特性を安定化させることができる。
【００９５】
上記の真空ラミネーション装置を用いた被覆、封止工程は例示した熱硬化性エポキシ樹脂に限らず、シリコーン樹脂、エポキシとシリコーンの混成樹脂、及びシアネートエステル樹脂の場合にも用いることができる。
【００９６】
このような半導体装置の製造方法であれば、被覆工程においては封止材積層複合体の未硬化樹脂層により簡便に、充填不良なく半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆することができる。また、封止材積層複合体を使用するので、シアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材が未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制できるため、封止工程においては半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を一括封止することができ、薄型の大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハを得ることができる。さらに、個片化工程においては耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体により封止され、かつ反りが抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハから半導体装置をダイシングし、個片化することができるため、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法となる。
【実施例】
【００９７】
以下、本発明の封止材積層複合体を用いた半導体装置の製造方法について実施例及び比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９８】
［実施例１］
［樹脂含有繊維基材の作製］
シアネートエステル化合物１  プリマセット  ＰＴ−６０  （ロンザ製シアネート基当量１１９）９０質量部、フェノール化合物  ＴＤ−２１３１  （ＤＩＣ製フェノール性水酸基当量１１０）１０質量部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）５００質量部に溶解し均一な溶液を調製した。溶融球状シリカ（微粉末）９２０質量部を添加し、高速混合機で均一に混合し、シアネートエステル樹脂組成物のＭＥＫ分散液を製造した。
このシアネ−トエステル樹脂組成物のＭＥＫ分散液に繊維基材として石英ガラスクロス（信越石英製、厚さ：５０μｍ）を浸漬することにより、ＭＥＫ分散液をガラスクロスに含浸させた。その後、石英ガラスクロスを６０℃で２時間放置することによりＭＥＫを揮発させた。ＭＥＫを揮発させた後の石英ガラスクロスの両面には、室温（２５℃）で固体の皮膜が形成されていた。該石英ガラスクロスを熱プレス機にて１５０℃で１０分間加圧成形して成形品を得、更にこれを１５０℃で１時間２次硬化させて、含浸させたシアネートエステル樹脂を硬化させた樹脂含有繊維基材（Ｉ−ａ）を得た。得られた樹脂含有繊維基材のＸ−Ｙ方向の線膨張係数は３ｐｐｍ／℃であった。
【００９９】
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０  日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４  群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７μｍ）４００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂組成物（Ｉ−ｂ）を得た。
【０１００】
［封止材積層複合体の作製］
エポキシ樹脂組成物（Ｉ−ｂ）の顆粒粉末を樹脂含有繊維基材（Ｉ−ａ）上に均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、未硬化樹脂層の厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（Ｉ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１０１】
［半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止］
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を１３０℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに半導体素子が形成された３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが７０μｍのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（Ｉ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂（Ｉ−ｂ）面をシリコンウエハの半導体素子形成面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、封止材積層複合体（Ｉ−ｃ）により封止されたシリコンウエハを更に１５０℃で２時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ（Ｉ−ｄ）を得た。
【０１０２】
［実施例２］
［樹脂含有繊維基材の作製］
実施例１と同様にシアネートエステル樹脂組成物のＭＥＫ分散液を製造した。このシアネ−トエステル樹脂組成物のＭＥＫ分散液を繊維基材であるガラスクロスに含浸させて、ガラスクロスを６０℃で２時間放置することによりＭＥＫを揮発させて、含浸させたシアネートエステル樹脂を半硬化させた樹脂含有繊維基材（ＩＩ−ａ）を得た。尚、ＭＥＫを揮発させた後の石英ガラスクロスの両面には、室温（２５℃）で固体の皮膜が形成されていた。
【０１０３】
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０  日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４  群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７μｍ）３００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（ＩＩ−ｂ）を得た。
【０１０４】
［封止材積層複合体の作製］
樹脂含有繊維基材（ＩＩ−ａ）を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（ＩＩ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、未硬化樹脂層の厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（ＩＩ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１０５】
［半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止］
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を１３０℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに半導体素子が形成された３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが７０μｍのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（ＩＩ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂（ＩＩ−ｂ）面をシリコンウエハの半導体素子形成面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、封止材積層複合体（ＩＩ−ｃ）により封止されたシリコンウエハを更に１５０℃で２時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ（ＩＩ−ｄ）を得た。
【０１０６】
［実施例３］
［樹脂含有繊維基材の作製］
シアネートエステル化合物２  プリマセット  ＰＴ−６０  （ロンザ製シアネート基当量１１９）７８質量部、フェノール化合物＊ＭＥＨ−７８００ＳＳ  （明和化成製フェノール性水酸基当量１７５）２２質量部をＭＥＫ５００質量部に溶解し、均一な溶液を調製した。溶融球状シリカ（微粉末）９２０質量部を添加し、高速混合機で均一に混合し、シアネートエステル樹脂組成物のＭＥＫ分散液を製造した。
このＭＥＫ分散液を用いて実施例１と同様の手順で、シアネートエステル樹脂を含有する樹脂含有繊維基材（ＩＩＩ−ａ）を得た。
【０１０７】
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０  日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４  群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７μｍ）４００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（ＩＩＩ−ｂ）を得た。
【０１０８】
［封止材積層複合体の作製］
樹脂含有繊維基材（ＩＩＩ−ａ）を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（ＩＩＩ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、未硬化樹脂層の厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（ＩＩＩ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１０９】
［半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止］
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を１７０℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが１００μｍの金属基板上に高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である４００個のシリコンチップ（形状：５ｍｍ×７ｍｍ、厚み１００μｍ）を整列し搭載した金属基板をセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（ＩＩＩ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物（ＩＩＩ−ｂ）面を金属基板の半導体素子搭載面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、１７０℃で４時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板（ＩＩＩ−ｄ）を得た。
【０１１０】
［実施例４］
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
多官能型エポキシ樹脂（ＥＰＰＮ−５０２Ｈ日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（ＤＬ−１００  明和化成製）３０質量部、球状シリカ（アドマテック製平均粒径１．５μｍ）４００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（ＩＶ−ｂ）を得た。
【０１１１】
［封止材積層複合体の作製］
樹脂含有繊維基材（ＩＩＩ−ａ）を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（ＩＶ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（ＩＶ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１１２】
［半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止］
次に、アピックヤマダ社製のプレート温度を１７５℃に設定した真空コンプレション成形装置を用いて被覆、封止した。まず、上側プレートに３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが１００μｍの金属基板上に高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である４００個のシリコンチップ（形状：５ｍｍ×７ｍｍ、厚み１００μｍ）を整列し搭載した金属基板をセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（ＩＶ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂（ＩＶ−ｂ）面を金属基板の半導体素子搭載面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、１７０℃で４時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板（ＩＶ−ｄ）を得た。
【０１１３】
［比較例１］
［半導体素子が搭載された基板］
直径３００ｍｍ（８インチ）で厚みが５００μｍの金属基板上に、高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である４００個のシリコンチップ（形状：５ｍｍ×７ｍｍ、厚み１２５μｍ）を整列し搭載した。
【０１１４】
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０  日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４  群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７ミクロン）８５０質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、熱ロ−ルにて加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（Ｖ−ｂ）を得た。
【０１１５】
［半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止］
この基板を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（Ｖ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を１７０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、未硬化樹脂層の厚みが５０μｍになるように３分間圧縮成形し、硬化封止した。硬化封止後、１７０℃で４時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板（Ｖ−ｄ）を得た。
【０１１６】
以上、実施例１〜４、比較例１において封止された封止後半導体素子形成ウエハ（Ｉ−ｄ）〜（ＩＩ−ｄ）、及び封止後半導体素子搭載基板（ＩＩＩ−ｄ）、（ＩＶ−ｄ）、（Ｖ−ｄ）の反り、外観、樹脂と基板の接着状態、金属基板からの半導体素子の剥離の有無を調査した。その結果を表１に示す。ここで、外観についてはボイド、未充填の有無をしらべ、これらがなければ良好とした。また、接着状態については成形時に剥離がなければ良好とした。結果を表１に示す。
【０１１７】
また、上記実施例１〜４、及び比較例１の封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化し以下の耐熱性試験と耐湿性試験を行った。耐熱性試験では、この試験片に対してヒートサイクル試験（−２５℃で１０分保持、１２５℃で１０分保持を１０００サイクル繰り返す）を行い、試験後にも導通がとれるかを評価した。また、耐湿性試験では、この試験片に対して温度８５℃、相対湿度８５％の条件下で回路の両極に１０Ｖの直流電圧を印加し、マイグレーションテスター（ＩＭＶ社製、ＭＩＧ−８６）を用いて短絡が生じるかを評価した。結果を表１に示す。
【０１１８】
【表１】
2015050447.tif 000013
【０１１９】
上記の結果から、実施例１〜４は、ボイドや未充填といったものも発生せずしっかりと封止され、基板の反りも小さかった。比較例１は、基板の反りも大きく、未充填の箇所も確認された。また、これらの封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハをダイシング、個片化して、ヒートサイクル試験及び耐湿性試験を行った結果、実施例１〜４は、封止材と半導体素子との間での剥離は発生せず、封止材の耐湿性も良好だったため、導通が問題なくとれ、かつ短絡も生じない高品質な半導体装置であった。比較例１は、ヒートサイクル試験及び耐湿性試験中に半導体装置が劣化し、試験後に評価できる状態ではなかった。
【０１２０】
上記の結果から、本発明の封止材積層複合体であれば、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れた封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが得られることが明らかになった。
【０１２１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１２２】
１…樹脂含有繊維基材、  ２…未硬化樹脂層、  ２’…硬化後の樹脂層、
３…半導体素子、  ４…接着剤、  ５…基板、  ６…半導体素子、  ７…ウエハ、
１０…封止材積層複合体、  １１…封止後半導体素子搭載基板、
１２…封止後半導体素子形成ウエハ、  １３…半導体装置、  １４…半導体装置。
【図１】
2015050447.tif 000019
【図２】
2015050447.tif 000020
【図３】
2015050447.tif 000021
【図４】
2015050447.tif 000022