(57)【要約】【課題】隔壁のパターンと画素電極のパターンとの精密なアライメントを要することなくモアレ現象の発現を抑制することが可能な反射型表示装置を提供すること。【解決手段】対向する２枚の基板間に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されている、反射型表示装置であって、一方の基板が透光性を有しており、前記一方の基板と他方の基板との間に、周期的なパターンで配列された複数の画素電極と、当該複数の画素電極に対応する複数の電極構造とが、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て当該順序で設けられており、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域には、前記電極構造に対する配線の少なくとも一部が配置されていることを特徴とする反射型表示装置。【選択図】図１
2015004752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々電極が形成されている対向する２枚の基板間に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記２枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置であって、
一方の基板が透光性を有しており、
前記一方の基板と他方の基板との間に、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極と、複数のセルを区画する隔壁と、周期的なパターンで配列された複数の画素電極と、当該複数の画素電極に対応する複数の電極構造とが、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て当該順序で設けられており、
前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域には、前記電極構造に対する配線の少なくとも一部が配置されており、
前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じである
ことを特徴とする反射型表示装置。
【請求項２】
前記画素電極と前記画素電極間の領域に配置された前記配線とは、同じ材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型表示装置。
【請求項３】
前記電極構造は、ＴＦＴ電極構造であり、
前記画素電極間の領域に配置された前記配線は、ソース・ドレイン電極に電気的に接続されたデータ配線、及び／または、ゲート電極に電気的に接続されたスキャン配線である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の反射型表示装置。
【請求項４】
前記隔壁は、非周期的なパターンで形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の反射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ペーパー等に応用されている反射型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射型表示装置として、最近、表示媒体に含まれる電気応答性材料として電気泳動体を用いた電気泳動表示装置が広く用いられている。電気泳動表示装置とは、空気中または溶媒中の電気泳動体（通常は電気泳動する粒子）の電気的な泳動、すなわち粒子移動を利用して情報を表示する装置である。通常、２枚の基板間に電界を与えることで電気的な泳動の状態が制御され、それによって所望の表示が実現されるように構成される。電気泳動体としては、荷電粒子の他、荷電粉体をも利用され得る。その場合、当該荷電粉体は気体中を電気的に泳動する。
【０００３】
電気泳動表示装置は、近年では特に、電子ペーパーとしての応用が注目されている。電子ペーパーとして応用する場合には、印刷物レベルの視認性（目にやさしい）、情報書き換えの容易性、低消費電力、軽量といった利点を享受できる。
【０００４】
電気泳動表示装置では、しかし、粒子や粉体の沈降や偏在に起因して、表示の不良、特にコントラストの低下が生じることがある。この現象を防止するべく、上下の電極基板間に隔壁を形成して、電気泳動する粒子や粉体の泳動空間、すなわち移動空間を微小な空間に分割することが採用されている。この微小な空間は、セルと呼ばれている。各セルの中に、電気泳動体を含むインキやガス（表示媒体）が封入されている。例えば特許文献１（特開２００５−２４８６８号公報）及び特許文献２（特表２０１１−５２４５４８号公報）には、そのようなタイプの電気泳動表示装置の従来例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２４８６８号公報
【特許文献２】特表２０１１−５２４５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本件発明者は、一方の基板の側から隔壁越しに他方の基板を観察する反射型表示装置について鋭意研究を重ねるうち、以下のような知見を得るに至った。
【０００７】
前述のような反射型表示装置において、一方の基板と他方の基板との間に、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極と、複数のセルを区画する隔壁と、周期的なパターンで配列された複数の画素電極とが、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て当該順序で設けられている。そして、各セル毎に、表示媒体に含まれる電気応答性材料の電気的な泳動の状態を制御することで、所望の表示を実現している。画素電極のパターンは、一般的には全体として長方形を成すような、マトリックス状の周期的な整列パターンである。そして一般的には、隔壁も、同様に周期性を有するパターンで形成されている。
【０００８】
このため、隔壁のパターンと画素電極のパターンとが精密にアライメントされていない反射型表示装置においては、モアレ現象が発現して表示ムラが生じてしまう。特に高精細かつ大画面の反射型表示装置を製造する際には、より一層高い精度でアライメントを行う必要がある。
【０００９】
本発明は、このような事情に基づいて行われたものであり、その目的は、隔壁のパターンと画素電極のパターンとの精密なアライメントを要することなくモアレ現象の発現を抑制することが可能な反射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、各々電極が形成されている対向する２枚の基板間に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記２枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置であって、一方の基板が透光性を有しており、前記一方の基板と他方の基板との間に、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極と、複数のセルを区画する隔壁と、周期的なパターンで配列された複数の画素電極と、当該複数の画素電極に対応する複数の電極構造とが、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て当該順序で設けられており、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域には、前記電極構造に対する配線の少なくとも一部が配置されており、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じであることを特徴とする反射型表示装置である。
【００１１】
本発明によれば、画素電極間の領域には、画素電極の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線が配置されているため、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板側から他方の基板に向かう方向に見た画素電極のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。
【００１２】
好ましくは、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の前記一方の基板の側には、絶縁膜が設けられており、前記絶縁膜は、光透過率が９０％以上である。この場合、絶縁膜は画素電極間の領域に配置された配線により反射される光を十分に透過させ得る。したがって、当該配線上に絶縁膜が配置されている画素電極間の領域の光反射特性が、画素電極間の領域に配置された配線そのものの光反射特性と略同じになり得る。
【００１３】
好ましくは、前記画素電極と前記画素電極間の領域に配置された前記配線とは、同じ材料で形成されている。この場合、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性、とを略同じにすることが容易である。
【００１４】
例えば、前記電極構造は、ＴＦＴ電極構造であり、前記画素電極間の領域に配置された前記配線は、ソース・ドレイン電極に電気的に接続されたデータ配線、及び／または、ゲート電極に電気的に接続されたスキャン配線である。
【００１５】
好ましくは、前記隔壁は、画素電極の周期的なパターンに対してモアレ縞を発生させないパターンで形成されている。この場合、モアレ現象の発現が顕著に抑制される。例えば、前記隔壁は、非周期的なパターンで形成されている。
【００１６】
あるいは、本発明は、少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する２枚の基板間に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記２枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置、を製造する方法であって、透光性を有しており、少なくとも表示領域を覆う共通の透光性電極が形成された一方の基板の当該共通の透光性電極上に、複数のセルを区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、他方の基板上に複数の電極構造を形成する電極構造形成工程と、前記複数の電極構造上に当該複数の電極構造に対応する複数の画素電極を周期的なパターンで形成する画素電極形成工程と、前記一方の基板と前記他方の基板とを、当該一方の基板の前記隔壁の頂面と当該他方の基板の前記画素電極とが対向するように配置する対向基板配置工程と、を備え、前記電極構造形成工程において、前記電極構造のための配線の少なくとも一部が、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域に配置されるように形成され、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じであることを特徴とする反射型表示装置の製造方法である。
【００１７】
本発明によれば、画素電極間の領域には、画素電極の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線が配置されるため、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板側から他方の基板に向かう方向に見た画素電極のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。
【００１８】
あるいは、本発明は、少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する２枚の基板間に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記２枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置、を製造する方法であって、透光性を有している一方の基板の少なくとも表示領域を覆うように形成される共通の透光性電極に対向するように、他方の基板上に複数の電極構造を形成する電極構造形成工程と、前記複数の電極構造上に当該複数の電極構造に対応する複数の画素電極を周期的なパターンで形成する画素電極形成工程と、前記画素電極形成工程の後に実施され、前記他方の基板の前記画素電極が形成されている側に、複数のセルを区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記一方の基板と前記他方の基板とを、当該一方の基板の前記透光性電極と当該他方の基板の前記隔壁の頂面とが対向するように配置する対向基板配置工程と、を備え、前記電極構造形成工程において、前記電極構造のための配線の少なくとも一部が、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て画素電極間の領域に配置されるように形成され、前記一方の基板の側から前記他方の基板の側に向かう方向に見て、前記画素電極の光反射特性と、前記画素電極間の領域に配置された前記配線の光反射特性とは、略同じであることを特徴とする反射型表示装置の製造方法である。
【００１９】
本発明によれば、画素電極間の領域には、画素電極の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線が配置されるため、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板側から他方の基板に向かう方向に見た画素電極のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。
【００２０】
好ましくは、前記電極構造形成工程は、前記画素電極間の領域に配置された前記配線上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有しており、前記絶縁膜は、光透過率が９０％以上である。この場合、絶縁膜は画素電極間の領域に配置された配線により反射される光を十分に透過させ得る。したがって、当該配線上に絶縁膜が配置されている画素電極間の領域の光反射特性が、画素電極間の領域に配置された配線そのものの光反射特性と略同じになり得る。
【００２１】
好ましくは、前記画素電極と前記画素電極間の領域に配置された前記配線とは、同じ材料で形成される。この場合、画素電極の光反射特性と、画素電極間の領域の光反射特性、とを略同じにすることが容易である。
【００２２】
例えば、前記電極構造は、ＴＦＴ電極構造であり、前記画素電極間の領域に配置された前記配線は、ソース・ドレイン電極に電気的に接続されたデータ配線、及び／または、ゲート電極に電気的に接続されたスキャン配線である。
【００２３】
好ましくは、前記隔壁は、画素電極の周期的なパターンに対してモアレ縞を発生させないパターンで形成されている。この場合、モアレ現象の発現が顕著に抑制される。例えば、前記隔壁は、非周期的なパターンで形成されている。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、隔壁のパターンと画素電極のパターンとの精密なアライメントを要することなくモアレ現象の発現を抑制することが可能な反射型表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図３】図３は、隔壁形成工程の一例を概略的に示す図である。
【図４】図４は、隔壁のパターンの例を示す図。詳しくは、図４（ａ）が、六角形の単位パターンを規則的に配列してなるハニカム状の周期的なパターンを示す図であり、図４（ｂ）が、矩形の単位パターンを規則的に配列してなる格子状の周期的なパターンを示す図であり、図４（ｃ）が、画素電極のマトリックス状の周期的なパターンに対して、モアレ縞を発生させないような非周期的なパターンを示す図である。
【図５】図５は、隔壁の頂面の幅の定義について説明する図である。
【図６】図６は、接着層形成工程の一例を概略的に示す図である。
【図７】図７は、表示媒体配置工程の一例を概略的に示す図である。
【図８】図８は、導電性ペーストの機能を説明するための概略図である。
【図９】図９は、他方の基板上にマトリックス状の周期的なパターンで配列された画素電極を示す平面図である。
【図１０】図１０は、画素電極と、当該画素電極に対応するＴＦＴ電極構造と、を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１１は、モアレ現象の発現のメカニズムを説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明によるモアレ現象の発現を抑制するメカニズムを説明するための図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施の形態による電極構造において採用可能なＴＦＴ電極構造の構造と、当該ＴＦＴ電極構造のためのデータ配線及びスキャン配線の一方の基板が配置される側の材料と、画素電極一方の基板が配置される側の材料と、半導体の材料と、絶縁膜としてのゲート絶縁膜及びパッシベーション層の材料と、の組み合わせの例を示す図である。
【図１４】図１４は、画素電極の側から他方の基板の側に向かう方向に見た、画素電極と電極構造のための配線との配置関係を説明するための図である。詳しくは、図１４（ａ）が、電極構造上に形成された画素電極を概略的に示す平面図であり、図１４（ｂ）が、図１４（ａ）の部分拡大図であって、画素電極間の領域の幅と、当該画素電極間の領域に配置された配線の幅と、の関係を説明するための図である。
【図１５】図１５は、対向基板配置工程において、一方の基板の隔壁頂面に他方の基板が接着されている様子を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の比較例による表示パネルにおける、一方の基板の側から他方の基板の側に向かう方向に見た、画素電極と電極構造のための配線との配置関係を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態による反射型表示装置は、少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する２枚の基板間１１，１６に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体１３が封入されていて、２枚の基板１１，１６間に所定の電界が与えられる際に表示媒体１３が所望の表示をするようになっている。ここで、本件の明細書及び特許請求の範囲において「透光性」とは、光を透過する性質、という程度の意味である。本実施の形態においては、視認側に配置される基板は、全光透過率が５０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上となるような透光性を有している。
【００２７】
図１乃至図１６において、一方の基板１１の面上には、電極が設けられているが、それらの電極の図示は省略されている。本実施の形態においては、一方の基板１１が視認側に配置され、他方の基板１６が非視認側に配置される。
【００２８】
一方の基板１１としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の透光性フィルムや透光性ガラスに、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透光性を有する電極（透光性電極）を少なくとも一方の基板１１の表示領域を覆うように付したものが、典型的に用いられ得る。ここで「表示領域」とは、反射型表示装置における所望の表示に利用される領域をいう。
【００２９】
透光性電極は、塗工法やスパッタリング、真空蒸着法、ＣＶＤ法等によって形成され得る。透光性電極は、本実施の形態では、アクティブマトリクス駆動用の共通電極として形成されている。
【００３０】
一方の基板１１の厚みは、１０μｍ〜１ｍｍが好適である。１０μｍよりも薄いと、パネルとしての強度を得ることができず、破損に至る危険度が増す一方、１ｍｍよりも厚いと、パネル重量が重くなり過ぎて取り扱いが不便になるし、コストも高くなるからである。破損しにくく取り扱いが容易である好適な厚みの範囲は、５０μｍ〜３００μｍ程度である。
【００３１】
一方の基板１１は、ロール状でもシート状でもどちらでも適用可能である。
【００３２】
他方の基板１６としては、樹脂フィルム、樹脂板、ガラス、エポキシガラス（ガラエポ）等の基材が用いられ得る。また他方の基板１６は、透光性を有する基材が用いられてもよい。さらに透光性を有しているが不透明な基材であってもよく、電極面とは異なるもう一方の面を粗面化した不透明なガラス基材、樹脂フィルム、樹脂板、ガラス、エポキシガラス（ガラエポ）等が用いられ得る。本実施の形態では、他方の基板１６は、視認側と反対側の位置に配置されるため、透光性を有している必然性はない。しかし、熱膨張特性など一方の基板１１と同じ物性が必要とされる場合は、一方の基板１１と同様の透光性の部材が使用され得る。
【００３３】
他方の基板１６の表示媒体側の面には、後の工程において、複数の画素電極１６１と、当該複数の画素電極に対応する電極構造１６３とが、設けられる。本実施の形態では、電極構造１６３は、アクティブマトリクス駆動用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層に対応する電極構造である。
【００３４】
他方の基板１６の厚みも、一方の基板１１の厚みと同様に、１０μｍ〜１ｍｍが好適である。１０μｍよりも薄いと、パネルとしての強度を得ることができず、破損に至る危険度が増す一方、１ｍｍよりも厚いと、パネル重量が重くなり過ぎて取り扱いが不便になるし、コストも高くなるからである。破損しにくく取り扱いが容易である好適な厚みの範囲は、５０μｍ〜３００μｍ程度である。
【００３５】
他方の基板１６も、ロール状でもシート状でもどちらでも適用可能である。
【００３６】
＜反射型表示装置の製造方法＞
図２は、本発明の一実施の形態による反射型表示装置の製造方法を概略的に示すフロー図である。
【００３７】
図３は、隔壁形成工程の一例を概略的に示す図である。図３に示すように、まず、一般には水平方向に載置される一方の基板１１の上面に、例えばフォトリソグラフィ法（紫外線（ＵＶ）照射による露光→現像→焼成）によって、隔壁１２が形成される。隔壁１２は、後述する複数のセルを規定する部材である。
【００３８】
隔壁１２は、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、常温硬化樹脂等によって構成可能であり、隔壁１２の形成方法は、フォトリソグラフィ法の他、エンボス加工などの型転写方法も採用され得る。さらに、所望のパターンの構造物を隔壁として製造しておいて、それを一方の基板１１に貼り付けるという方法も採用され得る。隔壁１２は、後述する画素電極１６１の上に形成されてもよい。
【００３９】
隔壁１２は、本実施の形態では、図４（ａ）に示すような六角形の単位パターンを規則的に配列したハニカム状の周期的なパターンで形成される。もっとも、隔壁１２のパターンとしては、他の形状も採用可能であり、例えば、図４（ｂ）に示すような矩形の単位パターンを規則的に配列した正方格子状の周期的なパターンであってもよい。さらに、隔壁１２のパターンは、図４（ｃ）に示すような非周期的なパターン、すなわち後述する画素電極１６１の周期的なパターンに対してモアレ現象を発生させないようなパターンであってもよい。ここで、隔壁１２の非周期的なパターンの具体例としては、例えば、隔壁１２によって区画された複数のセルの互いの形状が異なるような隔壁１２のパターンが挙げられる。この場合、全てのセルについて互いの形状が異なっていてもよいし、一部のセルについてのみ互いの形状が異なっていてもよい。また、セルの形状の変化の仕方については、周期性があってもよいし、周期性がなくてもよい。
【００４０】
隔壁１２の頂面の幅は、９μｍ〜５０μｍ、好ましくは９μｍ〜２０μｍである。９μｍというのは、隔壁１２が倒れることなくパターニングできる線幅の下限である。隔壁１２の頂面の幅が９μｍ未満である場合、隔壁１２の長さが６０μｍ以上に亘るようなパターンでは、少なくとも隔壁１２の一部が倒れたり、剥がれたり、剥がれた隔壁１２が基板上を移動したりする。そうなった場合には、隔壁１２による粒子の移動を防ぐという機能が失われ、表示品質が劣化してしまう。一方、好適な範囲の上限である５０μｍというのは、目視したときに隔壁１２が目立ち過ぎない上限である。
【００４１】
ここで、隔壁１２の頂面の幅の定義を、図５に示す。頂面の角が丸まっていなければ、図５（ａ）や図５（ｂ）に示すように、頂面の幅はそのまま定義される。一方、頂面の角が丸まっている場合には、図５（ｃ）や図５（ｄ）に示すように、頂面の延長面と壁面の延長面との交線間の幅として理解される。評価のための測定方法としては、隔壁１２が形成された一方の基板１１を硬化性樹脂にて包埋し、ミクロートーム（大和光機工業株式会社製：ＦＸ−８０１）により隔壁１２の断面を切り出し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影した画像に基づいて各幅を測定することができる。
【００４２】
隔壁１２の厚みは、５〜５０μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。５μｍ以下では、充填するインキ量が少なく、十分な表示特性、特にコントラストが得られない一方、５０μｍ以上では、パネルの厚みが厚すぎて、駆動電圧が上昇し過ぎてしまう。低駆動電圧で良好な表示特性が得られるという観点から、１０〜５０μｍの範囲の厚みが好適である。
【００４３】
セルの開口率は、７０％以上が好ましく、特に９０％以上が好ましい。高開口率であるほど、表示可能エリアが広くなるため、高コントラストを得ることができる。
【００４４】
次に、隔壁１２上に接着層２２が形成される（接着層形成工程：図２の工程（２））。この接着層形成工程では、例えば転写法や印刷法により、ポリエステル系熱可塑性接着剤のような熱可塑性樹脂が、１μｍ〜１００μｍの厚みで形成される。好ましくは、１μｍ〜５０μｍの厚みで形成され、特に好ましくは、１μｍ〜２０μｍの厚みで形成される。
【００４５】
転写法として典型的な熱転写法の一例について具体的な説明を補足すれば、図６に示すように、例えば基材２１としてのＰＥＴフィルム上に２０μｍの厚みでポリエステル系熱可塑性接着剤のような接着剤２２１を形成した転写シート２０を用意する。次に、この転写シート２０を、接着剤２２１の面が一方の基板１１の隔壁１２の頂面上に配置されるように、一方の基板１１と対向して配置する。この状態で、一方の基板１１と転写シート２０とを、常温で１ｋＰａの圧力でラミネートする。ラミネートの後で、一方の基板１１を、一方の基板１１側の隔壁１２の端部が一方の基板１１とは反対の側の当該隔壁１２の頂面よりも高い位置となるように向けられた状態にして、一方の基板１１と転写シート２０とを接着剤２２１の軟化点または融点より高い温度で一方の基板１１と転写シート２０とを１分間加熱する。これにより、隔壁１２上に接着層２２が形成される。
【００４６】
接着層２２を形成するための接着剤２２１としては、熱可塑性材料を用いた接着剤が好ましく、加熱により軟化して、冷却すると固化する性質を有し、冷却と加熱を繰り返した場合に、塑性が可逆的に保たれる材料である。
【００４７】
熱可塑性材料からなる接着剤を接着層として用いた場合には、転写シート基材２１上の固化している接着剤２２１をその軟化点または融点を超える温度にまで加熱することにより軟化させて、隔壁頂面のみに確実に接着剤２２１を熱転写することもできる。また、熱転写後の接着剤２２１は常温まで冷却して再び固化することにより、タック、すなわちねばつきが無くなるため、取り扱いの便宜が極めて良い。また、タック、すなわちねばつきが無いことによって、セル内に充填された表示媒体１３が接着剤２２１と接着してしまうことがない。そして、再び隔壁頂面の接着剤２１をその軟化点または融点を超える温度にまで加熱して軟化させることにより、タック、すなわちねばつきを有するようになるため、他方の基板１６に確実に接着される。他方の基板１６との接着後の接着剤２２１は、再び常温においてはタック、すなわちねばつきが無いため、やはり表示媒体１３が接着剤２２１と接着してしまうことがなく、表示品質の低下のおそれもない。
【００４８】
具体的には、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリウレタンなどの熱可塑性ベースポリマーや、天然ゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン共重合体などの熱可塑性エラストマーを主成分とし、粘着性付与樹脂や可塑剤を配合した樹脂が主に使用される。
【００４９】
隔壁１２と接着剤２２１との密着性を上げるために、隔壁１２に紫外線照射やプラズマ処理などにより表面処理が施されてもよいし、プライマーが形成されてもよい。あるいは、接着剤２２１の方にシランカップリング剤が添加されてもよい。
【００５０】
次に、一方の基板１１上に表示媒体としてのインキ１３が配置される（表示媒体配置工程：図２の工程（３））。図７は、表示媒体配置工程の一例を概略的に示す図である。ここでは、（１）ディスペンサ３１あるいはインクジェット、ダイコートからインキ１３が滴下され（インキ滴下工程）、（２）アプリケータ３２あるいはドクターブレード、ドクターナイフ、中央スキージによって面内均一となるようにインキ１３が塗布される（インキ塗布工程）。なお、インキ１３は、一方の基板１６上に配置されてもよい。
【００５１】
表示媒体１３としては、少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が用いられ得る。電気応答性材料としては、電荷粒子材料、液晶材料があり、電荷粒子材料には白や黒、カラーなどの色づけされた粒子が電場に応答して移動するいわゆる電気泳動材料、または、粒子が二色に色分けされ電場により回転するツイストボールに代表される材料、または、電場により移動するナノ粒子材料等がある。一方、液晶材料は、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）で知られる透過と散乱を電気的に制御する材料や、液晶に色素を混合した材料、コレステリック液晶材料などがある。これらの電気応答性を有し光学特性を変化させる材料は、種類を問わずセルに隔離する必要があり、本発明の適用対象である。
【００５２】
図２に戻って、表示媒体配置工程の後で、導電性ペースト塗布工程が実施される（導電性ペースト塗布工程：図２の工程（４））。図８は、導電性ペーストの機能を説明するための概略図である。導電性ペースト１４は、例えば銀ペーストのような金属ペーストであり、例えばディスペンサ４１あるいはインクジェット、タンポ印刷、パット印刷、スタッピング印刷によって所定位置に塗布される。導電性ペースト１４は、図８に示すように、他方の基板１６に電圧をかけるための配線として機能する。一方の基板１１の透光性電極と他方の基板１６の画素電極１６１との間に所定の電界（電圧）が与えられる際、表示媒体であるインキ１３中の電気応答性材料が駆動され、文字パターン等の所望の情報が表示される。その後、電界が与えられなくなっても、新たな電界が両基板間に与えられるまで、当該情報表示状態が維持される。
【００５３】
次に、他方の基板１６上に、複数の電極構造１６３が形成され（電極構造形成工程：図２の工程（５））、当該複数の電極構造１６３上に、当該複数の電極構造１６３に対応する複数の画素電極が形成される（画素電極形成工程：図２の工程（６））。本実施の形態の電極構造１６３は、ＴＦＴ電極構造である。また、画素電極１６１は、図９に示すようなマトリックス状の周期的なパターンで形成される。
【００５４】
より詳細には、図１０に示すように、他方の基板１６上にアクティブマトリックス駆動用のＴＦＴ層に対応するＴＦＴ電極構造１６３が、図９に示す画素電極１６１のマトリックス状のパターンに対応して、全体としてマトリックス状に形成される。各ＴＦＴ電極構造１６３は、ソース・ドレイン電極とゲート電極とを有しており、ソース・ドレイン電極には、データ配線が電気的に接続されており、ゲート電極には、スキャン配線１６９が電気的に接続されている。
【００５５】
本実施の形態においては、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の配置、並びに、画素電極１６１、データ配線１６８、スキャン配線１６９及び絶縁膜１６４ａ，１６４ｂの材料は、モアレ現象の発現を抑制するように決定される。ここで、図１１及び図１２を参照して、モアレ現象の発現を効果的に抑制するための、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の配置、並びに、画素電極１６１、データ配線１６８、スキャン配線１６９及び絶縁膜１６４ａ，１６４ｂの材料について説明する。本実施の形態においては、絶縁膜１６４ａはゲート絶縁膜であり、絶縁膜１６４ｂはパッシベーション層である。
【００５６】
図１１は、モアレ現象の発現のメカニズムを説明するための図である。本件発明者が得た知見によれば、モアレ現象は、図１１に示すように、一方の基板１１側から他方の基板の側１６に向かう方向に見て、次の２つの周期的なパターンが視認されることにより生じる。第１のパターンは、隔壁１２の周期的なパターン、あるいは、隔壁１２が光透過率の高い材料で形成されている場合には、周期的なパターンで形成されている隔壁１２に対応して視認される光透過率の高い高透過率部分の周期的なパターンである。また、第２のパターンは、他方の基板１６の絶縁膜１６４の上に周期的に配置されている画素電極１６１の光反射特性が画素電極１６１間の領域の光反射特性と顕著に異なることにより視認される、光反射特性の周期的な変化のパターンである。すなわち、前述の第１のパターンと第２のパターンとが異なる周期及び回転ズレを伴って重なり合うことにより、一方の基板１１側から見て周期的な濃淡が発生し、これがモアレ現象の発現の原因となっていると考えられる。
【００５７】
したがって、図１２に示すように、画素電極１６１が形成されている領域と画素電極１６１間の領域との間の光反射特性の差を低減させて、他方の基板１６上に周期的な光反射特性の変化のパターンが形成されることを抑制すれば、モアレ現象の発現が抑制されると考えられる。
【００５８】
本実施の形態では、モアレ現象の発現を抑制するために、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１の光反射特性と画素電極１６１間の領域の光反射特性とが略同じとなるように、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の配置、並びに、画素電極１６１、データ配線１６８、スキャン配線１６９及び絶縁膜１６４ａ，１６４ｂの材料を、ＴＦＴ電極構造１６３の構造や当該ＴＦＴ電極構造１６３に用いられる半導体１６５の材料に応じて決定する。
【００５９】
ここで、本実施の形態では、光反射特性は、平均反射率である。平均反射率は、例えば、近赤外顕微分光測定機（オリンパス社製：ＵＳＰＭ−ＲＵ−Ｗ）を用いて測定可能である。本実施の形態においては、波長が４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内の光について、波長が１０ｎｍずつ異なる種々の波長の光の対象物における反射率を各波長の光について測定し、得られた測定値の平均値が、当該対象物の平均反射率として定義される。また、同様に、２つの対象物について、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光であって波長が１０ｎｍずつ異なる種々の波長の光の各対象物における反射率を各波長の光について測定し、同一波長の光毎に当該２つの対象物の反射率の差の絶対値を求め、得られた絶対値の平均値が、当該２つの対象物の平均反射率の差として定義される。そして、当該平均反射率の差が３０％以内である場合に、当該２つの対象物の光反射特性は略同じであると評価される。
【００６０】
ＴＦＴ電極構造１６３の構造と、当該ＴＦＴ電極構造１６３のためのデータ配線１６８及びスキャン配線１６９の一方の基板１１が配置される側の材料と、画素電極１６１の一方の基板１１が配置される側の材料と、半導体１６５の材料と、絶縁膜としてのゲート絶縁膜１６４ａ及びパッシベーション層１６４ｂの材料と、の組み合わせとしては、例えば図１３に示すような組み合わせが採用可能である。
【００６１】
画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９は、他方の基板１６の側から一方の基板１１が配置される側に向かって異なる金属で作られた複数の層を積層して形成され得るが、本実施の形態においては、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の少なくとも一方の基板１１が配置される側は、同じ材料で形成される。これにより、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の一方の基板１１が配置される側の面は、同一の光反射特性を有することとなる。ここで、「同じ材料」という用語の意味には、構成成分が完全に同一の材料のみならず、主成分が同じであれば不純物等、若干の構成成分の違いを有する材料も含まれるものとする。
【００６２】
本実施の形態においては、絶縁膜１６４ａ及び１６４ｂの材料は、絶縁膜１６４ａと絶縁膜１６４ｂとを併せた光透過率が９０％以上となるような光透過率の高い材料が採用される。
【００６３】
ここで、「光透過率」とは、対象物の一方の側から他方の側に向かって、光が当該対象物を通過する割合の平均値をいう。光透過率は、例えば、近赤外顕微分光測定機（オリンパス社製：ＵＳＰＭ−ＲＵ−Ｗ）を用いて測定可能である。本実施の形態においては、波長が４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内の光について、波長が１０ｎｍずつ異なる種々の波長の光が対象物を一方の側から他方の側へ通過する割合を各波長の光について測定し、得られた測定値の平均値が、当該対象物の光透過率として定義される。
【００６４】
以下では、各材料の光透過率は、当該材料の一方の基板１１が配置される側から他方の基板１６の側に向かう方向あるいは他方の基板１６の側から一方の基板１１が配置される側に向かう方向における光透過率として記載される。
【００６５】
絶縁膜１６４ａ及び１６４ｂの材料として前述のような光透過率の高い材料が選択されることにより、一方の基板１１が配置される側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、絶縁膜１６４ａないし１６４ｂは、データ配線１６８ないしスキャン配線１６９から反射される光を十分に透過させることができる。この結果、データ配線１６８ないしスキャン配線１６９上に絶縁膜１６４ａ及び１６４ｂが配置された画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性が、データ配線１６８及びスキャン配線１６９そのものの光反射特性と略同じとなる。
【００６６】
また、本実施の形態においては、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の配置は、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の少なくとも一部が、画素電極１６１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、電極構造１６３上の画素電極１６１間の領域に配置されるように決定される。すなわち、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９は、隣り合う画素電極１６１の互いに対向する縁部が、画素電極１６１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、当該縁部の下に配置されているデータ配線１６８ないしスキャン配線１６９の対向する縁部上、または当該データ配線１６８ないしスキャン配線１６９の対向する縁部の間に位置するように、形成される。本実施の形態においては、画素電極１６１間の領域の幅Ｗｅは、５μｍ程度であり、データ配線１６８の幅Ｗｄ及びスキャン配線１６９の幅Ｗｓは、５μｍ〜１０μｍ程度である。
【００６７】
以上のように、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の配置、並びに、画素電極１６１、データ配線１６８、スキャン配線１６９及び絶縁膜１６４ａ，１６４ｂの材料を決定することにより、画素電極１６１の光反射特性と画素電極１６１間の領域の光反射特性とが略同じとなり、モアレの発現が有効に抑制される。
【００６８】
もっとも、画素電極１６１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１と、データ配線１６８ないしスキャン配線１６９と、の間には、隙間が形成されていてもよく、この場合、当該隙間の幅が５μｍ程度であればモアレの発現を実用上問題の生じない程度に抑制することができる。
【００６９】
また、画素電極１６１、データ配線１６８及びスキャン配線１６９の一方の基板１１が配置される側の材料は、必ずしも同一でなくてもよく、画素電極１６１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１の光反射特性と、データ配線１６８及びスキャン配線１６９上に絶縁膜１６４ａないし１６４ｂが配置された画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性と、の差がモアレの発現を実用上問題の生じない程度の差となれば、異なる材料が選択されてもよい。もっとも、電極構造１６３がボトムコンタクト構造の場合には、当該材料は、電極構造１６３の半導体とオーミックコンタクト可能な材料に限られる。電極構造１６３がトップコンタクト構造の場合には、配線を積層させることで、そのような制限を受けることなく、当該材料は選択され得る。
【００７０】
その後、隔壁１２上の接着層２２と一方の基板１１に対して対向する他方の基板１６とが、隔壁１２内のセル容積を超える余剰のインクを押し出しながら接着される（対向基板配置工程：図２の工程（６））。これにより、表示媒体（インキ１３）が各セル内に封止される。なお、一方の基板１１と他方の基板１６との位置決めは、顕微鏡などを用いて隔壁１２のパターンと画素電極１６のパターンとの位置関係を精密に調節して行うものでなくてよく、例えば、一方の基板１１に設けられたアライメント用のマークと、他方の基板１６に設けられたアライメント用のマークと、を肉眼で観察して一致させながら、すなわち、隔壁１２のパターンと画素電極１６のパターンとの位置関係を精密に調節することなく、行うものでよい。
【００７１】
対向基板接着工程は、図１５に示すように、接着層２２として転写された接着剤２２１を加熱させて接着力を得るようになっている。具体的には、ラミネータ９１によって所定の熱圧着圧力（ラミネート圧力）を付与しながら、接着剤２２１を周辺からその軟化温度を超える温度にまで加熱して軟化させることによって、隔壁１２と他方の基板１６とを接着する。もっとも、他の熱圧着の態様が採用されてもよい。
【００７２】
更に、本実施の形態では、ラミネータ９１による接着の後で、さらに両基板１１、１６の四辺（周辺部）を熱圧着する四辺熱圧着工程が実施される。具体的には、両基板１１、１６の四辺（周辺部）の下方にホットプレート９２を敷いておいて、両基板１１、１６の四辺部を内側から外側に金属片９３でラミネート圧を加えることで実施される。
【００７３】
その後、図２に示すように、ギロチン、上刃スライド装置、レーザカット装置、レーザーカッター等の断裁装置５１によって所定のサイズに断裁され（断裁工程：図２の工程（７））、所望の反射型表示装置の製造が完了する。
【００７４】
本実施の形態によれば、画素電極１６１間の領域１６６には、画素電極１６１の光反射特性と略同じ光反射特性を有する配線１６８ないし１６９が配置されているため、画素電極１６１の光反射特性と、画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性とが、略同じとなり、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見た画素電極１６１のパターンの周期の視認性が低減される。これにより、モアレ現象の発現が抑制される。
【００７５】
また、画素電極１６１間の領域１６６に配置された配線１６８ないし１６９の一方の基板１１の側には、絶縁膜１６４ａ及び１６４ｂが設けられており、絶縁膜１６４ａ及び１６４ｂは、光透過率が９０％以上である。このため、絶縁膜１６４ａ及び１６４ｂは画素電極１６１間の領域１６６に配置された配線１６８ないし１６９により反射される光を十分に透過させ得る。したがって、当該配線１６８ないし１６９上に絶縁膜１６４ａ及び１６４ｂが配置されている画素電極１６１間の領域１６６光反射特性が、画素電極１６１間の領域１６６に配置された配線１６８ないし１６９そのものの光反射特性と略同じになる。
【００７６】
また、画素電極１６１と画素電極１６１間の領域１６６に配置された配線１６８ないし１６９とは、同じ材料で形成されている。これにより、画素電極１６１の光反射特性と、画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性、とを略同じにすることが容易である。
【００７７】
さらに、隔壁１２が非周期的なパターンで形成されれば、モアレ現象の発現が顕著に抑制される。
【００７８】
次に、実際に行われた実施例について説明する。
【００７９】
＜反射型表示装置の実施例＞
＜実施例１＞
一方の基板１１として、３００ｍｍ×４００ｍｍ×厚さ０．１ｍｍのＰＥＴ基板（東洋紡Ａ４１００）の一方の面に透光性電極として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）蒸着膜（厚さ０．２μｍ）が設けられた基板が用意された。透光性電極は、スパッタリング、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの一般的な成膜方法によって形成され、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の他に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等によっても形成され得る。
【００８０】
次に、当該一方の基板１１に、ネガ型感光性樹脂材料（デュポンＭＲＣドライフィルムレジスト（株）製のドライフィルムレジスト）を２０μｍの厚さにラミネートして１００℃、１分間の条件で加熱し、次いで露光マスクを使用して露光（露光量５００ｍＪ／ｃｍ２  ）し、その後、１％ＫＯＨ水溶液を用いた現像を３０秒行い、２００℃、６０分間の条件で焼成することで、線幅が２０μｍの隔壁１２が形成された。隔壁１２のパターンは、正六角形の単位パターンが規則的に配列されたハニカムパターン（ピッチ３００μｍ）が採用された。
【００８１】
そして、転写フィルム基材２１として厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム２１（帝人・デュポン社製）が用いられ、これに接着層２２形成用の接着材２２１としてヒートシール剤２２１（東洋紡製バイロン６３０）が厚さ２０μｍでダイコーダにて塗布され、乾燥された。これにより、１０μｍの接着層を有するロール状の転写シート２０が作製された。なお、ヒートシール剤２２１の軟化温度は約１１０℃であった。
【００８２】
そして、転写シート２０の上に、一方の基板１１が、その隔壁１２が形成されている側の面を下にした状態で載せられ、この状態で、１ｋＰａ程度の押圧力で常温でラミネートされた。その後、ヒートシール剤２２１の周辺がその軟化温度を超える温度、例えば１３０℃程度にまで加熱され、その状態で一方の基板１１が、転写シート２０から剥離された。その結果、ヒートシール剤２２１が隔壁１２の頂面の全面に熱転写された。隔壁１２の頂面に転写されたヒートシール剤２２１の高さ、すなわち、隔壁１２の頂面からヒートシール剤２２１の頭頂部までの高さは、約７μｍであった。
【００８３】
続いて、表示媒体として、以下の成分を有するインキ１３が用いられ、ディスペンサ３１から滴下されて、中央スキージ３２（ニューロング製のスキージ１：ウレタン樹脂製）にてスキージ処理されて、各セル内に充填された。基板幅方向にはみ出した余剰インキは、別の両端スキージ３３ａ、３３ｂ（ニューロング製のスキージ２：ウレタン樹脂製）にて掻き取られ、さらにロールワイパ３４にて拭き取られた。  
＜インキ成分＞
・電気泳動粒子（二酸化チタン）・・・６０重量部
・分散液                     ・・・４０重量部
【００８４】
続いて、隔壁パターン外周の一部（２ｍｍ×２ｍｍの正方形領域）に、銀ペースト（藤倉化成製）がディスペンサ４１によって点塗布された。
【００８５】
次いで、他方の基板１６として、３００ｍｍ×４００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの無アルカリガラス（日本電気硝子製ＯＡ−１０Ｇ）が用意され、当該他方の基板１６の一方の面に、酸化物薄膜トランジスタ（酸化物ＴＦＴ）層に対応するＴＦＴ電極構造１６３、当該ＴＦＴ電極構造１６３の為のデータ配線１６８及びスキャン配線１６９、並びに、当該ＴＦＴ電極構造電極構造１６３に対応する画素電極１６１が、以下のようにして形成された。
＜ＴＦＴ電極構造＞
・ＴＦＴ電極構造１６３の構造：ボトムゲート・トップコンタクト構造
・データ配線１６８、スキャン配線１６９及び画素電極１６１：スパッタ法により、他方の基板１６の側から一方の基板１１が配置される側に向かってＴｉ層（厚さ１０ｎｍ）／Ａｌ層（厚さ１００ｎｍ）／Ｔｉ層（厚さ１０ｎｍ）の三層を当該順序で有するように形成
・ゲート絶縁膜１６４ａ：スパッタ法により、ＳｉＯ２膜（厚さ２００ｎｍ、光透過率    ９６％）を形成
・酸化物半導体１６５：スパッタ法により、アモルファスＩｎＧａＺｎＯ（厚さ２０ｎｍ）を形成
・パッシベーション層１６４ｂ：スパッタ法により、ＳｉＯ２膜の上に塗布型透明紫外線硬化型樹脂（アデカ製ＦＸ−Ｖ５５０）層（厚さ４μｍ、光透過率９４％）を形成（ゲート絶縁膜１６４ａ及びパッシベーション層１６４ｂを併せた光透過率９０％）
【００８６】
なお、パターニングは、一般的なフォトリソ法により行われた。また、データ配線１６８とスキャン配線１６９と画素電極１６１とは、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、隣り合う画素電極１６１の互いに対向する縁部と、画素電極１６１間の領域１６６に配置されたデータ配線１６８ないしスキャン配線１６９と、の間に隙間が無いように形成された。また、画素電極１６１と当該画素電極１６１に対応する電極構造１６３とは、６００個×８００個、行列方向に整列されて成るマトリックス状の周期的なパターンで形成された。
【００８７】
そして、大気中にて、一方の基板１１の隔壁１２上の接着層２２の上に他方の基板１６を、一方の基板１１に設けられたアライメント用のマークと、他方の基板１６に設けられたアライメント用のマークと、を肉眼で観察して一致させながら重ね合わせた。そして、重ね合わされた一方の基板１１と他方の基板１６とにラミネータ９１で一定の熱圧着圧力をさらに付与しつつ、隔壁１２内のセル容積を超える余剰のインクを押し出しながら、一方の基板１１の隔壁１２と他方の基板１６とが密着された。
【００８８】
熱圧着時の温度は、ヒートシール剤２２１の軟化点または融点付近より高い温度が好ましく、８０℃〜１５０℃、好ましくは８０℃〜９０℃であり、本実施例では８０℃であった。また、熱圧着圧力は、０．０１ＭＰａ〜０．７ＭＰａが好ましく、特には０．１ＭＰａ〜０．４ＭＰａが好ましく、本実施例では０．３ＭＰａであった。
【００８９】
その後、断裁装置５１によって所定のサイズに断裁され、両方の基板１１，１６の周辺にディスペンサ（不図示）を用いて紫外線硬化樹脂（イー・エッチ・シー（株）製：ＬＣＢ−６１０）を塗工して封止し、紫外線を露光（露光量７００ｍＪ／ｃｍ２  ）して硬化させた（外周封止処理）。以上により表示パネルが作製された。
【００９０】
以上のようにして得られた表示パネルの画素電極１６１が形成されている領域及び画素電極１６１間の領域１６６に対して、近赤外顕微分光測定機（オリンパス社製：ＵＳＰＭ−ＲＵ−Ｗ）を用いて、波長が４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内の光について、波長が１０ｎｍずつ異なる種々の波長の光の当該２つの領域における反射率を各波長の光について測定した。そして、各領域について、得られた測定値の平均値、すなわち平均反射率、を求めたところ、画素電極１６１が形成されている領域の平均反射率は６０％であり、画素電極１６１間の領域１６６の平均反射率は５０％であった。更に、画素電極１６１が形成されている領域及び画素電極１６１間の領域１６６の、同一波長の光毎の反射率の差の絶対値を求め、得られた絶対値の平均値を計算したところ、当該絶対値の平均値、すなわち平均反射率の差は、２０％以内であった。すなわち、当該２つの領域の光反射特性は、略同一であった。
【００９１】
そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したが、モアレ現象によるムラはなく、一様な表示であった。これは、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１間の領域１６６に配置されたデータ配線１６８ないしスキャン配線１６９によって、画素電極１６１の光反射特性と、画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性と、の差が低減されたためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の差が低減されたことにより、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極のパターンの視認性が低減されたためであると考えられる。
【００９２】
＜比較例１＞
前記実施例１に対して、図１６に示す従来型の画素電極１６１及びＴＦＴ電極構造１６３のためのデータ配線１６８及びスキャン配線１６９のように、画素電極１６１とデータ配線１６８とスキャン配線１６９とを、データ配線１６８及びスキャン配線１６９が主に画素電極１６１の下に配置されるように形成し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
【００９３】
以上のようにして得られた表示パネルの画素電極１６１が形成されている領域の平均反射率と、画素電極１６１間の領域１６６において配線が配置されている部分の平均反射率と、当該２つの領域の平均反射率の差と、を測定したところ、画素電極１６１が形成されている領域の平均反射率は約６０％であり、画素電極１６１間の領域１６６において配線が配置されていない部分の平均反射率は約１５％であり、当該２つの領域の平均反射率の差は５０％以上であった。すなわち、当該２つの領域の光反射特性は、顕著に異なっていた。
【００９４】
そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したところ、モアレ現象によるムラが発生した。これは、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１間の領域１６６にＴＦＴ電極構造１６３のためのデータ配線１６８とスキャン配線１６９とがほとんど配置されておらず、画素電極１６１の光反射特性と画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性との違いが顕著であったためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の顕著な違いにより、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１の周期的なパターンの視認性が高かったためであると考えられる。
【００９５】
＜実施例２＞
前記実施例１に対して、データ配線１６８及びスキャン配線１６９を、他方の基板１６の側から一方の基板１１が配置される側に向かって、Ｔｉ層／Ａｌ層の二層を当該順序で有するように形成し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
【００９６】
以上のようにして得られた表示パネルの画素電極１６１が形成されている領域の平均反射率と、画素電極１６１間の領域１６６において配線が配置されている部分の平均反射率と、当該２つの領域の平均反射率の差と、を測定したところ、画素電極１６１が形成されている領域の平均反射率は約６０％であり、画素電極１６１間の領域１６６において配線が配置されていない部分の平均反射率は約７０％であり、当該２つの領域の平均反射率の差は１０％以内であった。すなわち、当該２つの領域の光反射特性は、略同一であった。
【００９７】
そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したところ、モアレ現象によるムラが僅かに発生したものの、当該ムラの視認性は実用上問題のない程度に低かった。これは、電極構造１６３のためのデータ配線１６８及びスキャン配線１６９の一方の基板１１側の材料が、画素電極１６１の一方の基板１１側の材料と異なっていたものの、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、当該配線１６８ないし１６９によって、画素電極１６１の光反射特性と、画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性と、の差が低減されたためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の差が低減されたことにより、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極のパターンの視認性が低減されたためであると考えられる。
【００９８】
＜実施例３＞
前記実施例１に対して、電極構造１６３のためのデータ配線１６８及びスキャン配線１６９を、画素電極１６１と、データ配線１６８ないしスキャン配線１６９と、の間に０．１〜３μｍの隙間が形成されるように配置し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
【００９９】
以上のようにして得られた表示パネルの画素電極１６１が形成されている領域の平均反射率と、画素電極１６１間の領域１６６において配線が配置されている部分の平均反射率と、当該２つの領域の平均反射率の差と、を測定したところ、画素電極１６１が形成されている領域の平均反射率は約６０％であり、画素電極１６１間の領域１６６において配線が配置されていない部分の平均反射率は約４０％〜５０％であり、当該２つの領域の平均反射率の差は１０％以内であった。すなわち、当該２つの領域の光反射特性は、略同一であった。
【０１００】
そして、当該表示パネルについて表示品質を評価したところ、モアレ現象によるムラが僅かに発生したものの、当該ムラの視認性は実用上問題のない程度に低かった。これは、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１間の領域１６６に配置されたデータ配線１６８ないしスキャン配線１６９によって、画素電極１６１の光反射特性と、画素電極１６１間の領域１６６の光反射特性と、の差が低減されたためであると考えられる。すなわち、当該光反射特性の差が低減されたことにより、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極のパターンの視認性が低減されたためであると考えられる。
【０１０１】
＜実施例４＞
前記実施例１に対して、隔壁１２を図４（ｃ）に示すような非周期的なパターンで形成し、その他は同じ工程で、表示パネルを作製した。
【０１０２】
以上のようにして得られた表示パネルについて表示品質を評価したが、モアレ現象によるムラはなく、実施例１におけるよりもさらに一様な表示であった。これは、一方の基板１１の側から他方の基板１６の側に向かう方向に見て、画素電極１６１間の領域１６６に配置されたデータ配線１６８ないしスキャン配線１６９によって、画素電極のパターンの視認性が低減されたことに加えて、隔壁１２が非周期的なパターンで形成されていることにより、隔壁１２が形成する光透過率の高い高透過率部分のパターンも非周期的なパターンとなったためであると考えられる。
【符号の説明】
【０１０３】
１１  一方の基板
１２  隔壁
１３  インキ（表示媒体）
１４  導電性ペースト
１６  他方の基板
１６１  画素電極
１６３  電極構造
１６４ａ  絶縁膜
１６４ｂ  絶縁膜
１６６  画素電極間の領域
２０  転写シート
２１  ＰＥＴフィルム
２２  接着層
２２１  ヒートシール剤
３１  ディスペンサ
３２  アプリケータ
３３ａ  スキージ
３３ｂ  スキージ
３４  ロールワイパ
５１  断裁装置
９１  ラミネータ
９２  ホットプレート
９３  金属片
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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