(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率が高く、長寿命であり且つ駆動電圧の低減された発光素子を提供する。【解決手段】陽極３０１と、陰極３０２と、それら２つの電極間に互いに接して層構造を形成する複数の発光層３１３と、を有し、複数の発光層は、陽極に近接する第１の発光層３１３−１と、陰極に近接する第２の発光層３１３−２と、を有し、第１及び第２の発光層は、各々ホスト材料、正孔輸送性材料、及び発光材料を含み、正孔輸送性材料の濃度は、第１の発光層の方が第２の発光層よりも高い発光素子。【選択図】図１
2015028941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極としての機能を有する第１の電極と、陰極としての機能を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の発光層と、を有し、
前記発光層は、第１の層と、第２の層と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極と前記第２の層の間に設けられ、前記第２の層と接しており、
前記第１の層及び前記第２の層は、電子輸送性のホスト材料と、正孔輸送性材料と、発光材料と、を有し、
前記第１の層における前記正孔輸送性材料の濃度は、前記第２の層における前記正孔輸送性材料の濃度よりも高く、
前記第１の層が有する前記発光材料と、前記第２の層が有する前記発光材料とは、同一の材料であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層が有する前記発光材料と、前記第２の層が有する前記発光材料とは、ピラジン骨格を有する配位子を有し且つ中心金属が第９族又は第１０族元素である有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機化合物を含む層を一対の電極間に挟んでなる発光素子に関する。また、
当該発光素子を用いた発光装置に関する。また、本発明は、当該発光装置を用いた電子機
器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光性の有機化合物や無機化合物を発光材料として用いた発光素子の開発が盛ん
である。特に、ＥＬ素子と呼ばれる発光素子の構成は、電極間に発光材料を含む発光層を
設けただけの単純な構造であり、薄型軽量・高速応答性・直流低電圧駆動などの特性から
、次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。また、このような発
光素子を用いたディスプレイは、コントラストや画質に優れ、視野角が広いという特徴も
有している。さらに、これらの発光素子は面状光源であるため、液晶ディスプレイのバッ
クライトや照明等の光源としての応用も考えられている。
【０００３】
発光材料が発光性の有機化合物である場合、発光素子の発光機構はキャリア注入型であ
る。すなわち、電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、電極から注入された
キャリア（ホールおよび電子）が再結合して発光材料が励起状態となり、その励起状態が
基底状態に戻る際に発光する。そして、励起状態の種類としては、一重項励起状態（Ｓ＊
）と三重項励起状態（Ｔ＊）が可能である。また、発光素子におけるその統計的な生成比
率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。
【０００４】
発光性の有機化合物は通常、基底状態が一重項状態である。したがって、一重項励起状
態（Ｓ＊）からの発光は、同じ多重度間の電子遷移であるため蛍光と呼ばれる。一方、三
重項励起状態（Ｔ＊）からの発光は、異なる多重度間の電子遷移であるため燐光と呼ばれ
る。ここで、蛍光を発する化合物（以下、蛍光性化合物と称す）は室温において、通常、
燐光は観測されず蛍光のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子に
おける内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界
は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であることを根拠に２５％とされている。
【０００５】
一方、燐光を発する化合物（以下、燐光性化合物と称す）を用いれば、内部量子効率は
７５〜１００％まで理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて３〜４倍の発光
効率が可能となる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために、燐光性化
合物を用いた発光素子が提案されている（例えば、非特許文献１および非特許文献２参照
）。なお、非特許文献１では、２−フェニルピリジンを配位子とするイリジウム錯体（Ｉ
ｒ（ｐｐｙ）３）が、非特許文献２では、２−（２’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニル）
ピリジンを配位子とするイリジウム錯体（［ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）］）が、それぞれ
燐光性化合物として用いられている。
【０００６】
また、燐光性化合物を用いた発光素子の素子寿命と効率を改善するため、有機低分子正
孔輸送物質及び有機低分子電子輸送物質を、燐光性ドーパント用のホスト物質として含有
する発光層を使用した発光素子が開示されている（特許文献１参照）。
【０００７】
高効率な発光素子を用いるメリットとしては、当該発光素子を用いた電子機器の消費電
力を低減させることができることが挙げられる。エネルギー問題がとりざたされる昨今、
消費電力は消費者の購買動向を左右する大きなファクターとなりつつあることから、非常
に重要な要素である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２００４−５１５８９５号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】テツオ  ツツイ、外８名、ジャパニーズ  ジャーナル  オブ  アプライド  フィジックス、ｖｏｌ．３８、Ｌ１５０２−Ｌ１５０４（１９９９）
【非特許文献２】チハヤ  アダチ、外５名、アプライド  フィジクス  レターズ、Ｖｏｌ．７８、Ｎｏ．１１、１６２２−１６２４（２００１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した非特許文献１の報告によると、初期輝度を５００ｃｄ／ｍ２に設定した定電流
駆動時の輝度の半減期は１７０時間程度であり、素子寿命に問題がある。非特許文献１で
は、ホールブロック層としてバソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）を適用しているが、その
ＢＣＰの安定性が不十分であるため、素子寿命が良くないと報告されている。
【００１１】
しかしながら、非特許文献１の素子構造からＢＣＰを取り除いてしまうと、効率の良い
発光は得られない。なぜならば、非特許文献１で発光層のホスト材料に用いられている４
，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）はホール輸送性が強いため
、ＢＣＰをホールブロック層として設けなければ、ホールが電子輸送層にまで突き抜けて
しまうためである。また、ＢＣＰが、発光層で生じた励起エネルギー（この場合は三重項
励起エネルギー）をブロックする役目を果たしているためでもある。したがって、非特許
文献１の素子構造では、ＢＣＰのおかげで高効率は得られるものの、ＢＣＰの影響で長寿
命の発光素子は得られない。
【００１２】
一方、特許文献１では、素子寿命と効率の改善について報告されているが、効率の面で
は、燐光性化合物の性能を引き出すことができていない。実際、特許文献１では、非特許
文献２でも用いられているイリジウム錯体（［ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）］）を用いて発
光素子を作製しているが、その効率は０．９ｃｄ／Ａ〜２．０ｃｄ／Ａ程度であり、非特
許文献２で報告されている効率に比べれば大きく劣る。
【００１３】
以上のことから、高い発光効率と、長寿命とを両立させることは非常に困難であること
がわかる。したがって現実的には、多少効率を犠牲にして寿命を確保しているのが現状で
ある。
【００１４】
さらに、このような発光素子を応用した電子機器を実際に使用することを考えると、そ
の消費電力は重要な要素となりうる。そのため、消費電力を左右する要因としては、発光
効率だけでなく、素子の駆動電圧を低減させることが非常に重要となってくる。
【００１５】
以上のことから、発光効率が高く、長寿命でありかつ駆動電圧の低減された発光素子を
提供することを課題の一とする。また、上述した発光素子を用いて発光装置を作製するこ
とにより、消費電力が少なく寿命が長い発光装置を提供することを課題の一とする。さら
に、このような発光装置を電子機器に適用することにより、消費電力が少なく寿命が長い
電子機器を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決する為に本発明者らは、陽極と陰極の間に、ホスト材料、正孔輸送性材
料、及び発光材料を含む発光層を複数有し、当該複数の発光層の中で、最も陽極に近接す
る発光層の正孔輸送性材料の濃度が、最も陰極に近接する発光層より高い発光素子を提案
する。
【００１７】
すなわち、本発明の一態様は、陽極と、陰極と、陽極と陰極の間に、互いに接して層構
造を形成する複数の発光層と、を有し、当該複数の発光層は、複数の発光層の中で最も陽
極に近接する第１の発光層と、複数の発光層の中で最も陰極に近接する第２の発光層と、
を有し、第１の発光層は、ホスト材料、正孔輸送性材料、及び発光材料を有し、第２の発
光層は、ホスト材料、第１の発光層よりも低濃度の正孔輸送性材料、及び発光材料を有す
ることを特徴とする発光素子である。
【００１８】
このような構成を有する発光素子は、発光効率が高く、長寿命でありかつ駆動電圧の低
減された発光素子とすることができる。
【００１９】
なお、上記構成を有する発光素子において、複数の発光層の中で最も正孔輸送性材料の
濃度が高い発光層においても、ホスト材料に対する正孔輸送性材料の質量比は１以下とす
ることが好ましい。電子の注入がホスト材料に対して優先的に行われるようにするためで
ある。また、複数の発光層の中で、最も正孔輸送性材料の濃度が低い発光層においても、
ホスト材料に対する正孔輸送性材料の質量比は０．０５以上であることが好ましい。当該
発光層への正孔の注入がスムーズに行われるようにするためである。
【００２０】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、第１の発光層にお
けるホスト材料に対する正孔輸送性材料の質量比は１以下であり、第２の発光層における
ホスト材料に対する正孔輸送性材料の質量比は０．０５以上であることを特徴とする発光
素子である。
【００２１】
また、上記構成の発光素子において、複数の発光層は、２層であってもその効果を充分
に発揮する。さらに、当該複数の発光層が２層であることは、素子構造的に簡便であり好
ましい構成である。
【００２２】
すなわち、本発明の一態様は、陽極と、陰極と、陽極と陰極の間に、第１の発光層、及
び第１の発光層と接し且つ第１の発光層よりも陰極に近接する第２の発光層と、を有し、
第１の発光層は、ホスト材料、正孔輸送性材料、及び発光材料を有し、第２の発光層は、
ホスト材料、第１の発光層よりも低濃度の正孔輸送性材料、及び発光材料を有することを
特徴とする発光素子である。
【００２３】
また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、第１の発光層における
ホスト材料に対する正孔輸送性材料の質量比は１以下であり、第２の発光層におけるホス
ト材料に対する正孔輸送性材料の質量比は０．０５以上であることを特徴とする発光素子
である。
【００２４】
また、上記構成の発光素子は、発光材料が電子をトラップしやすい素子構成の場合に有
効に駆動電圧を低減できるため、好ましい構成である。
【００２５】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、発光材料のＬＵＭ
Ｏ準位が、ホスト材料のＬＵＭＯ準位及び正孔輸送性材料のＬＵＭＯ準位と比較し、０．
２ｅＶ以上低いことを特徴とする発光素子である。
【００２６】
また、上記構成を有する発光素子は、ホスト材料が電子輸送性を有する材料である場合
、正孔輸送性材料を添加した効果が顕著となるため好ましい構成である。電子輸送性を有
する材料としては、代表的に複素芳香族化合物や金属錯体がある。
【００２７】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、ホスト材料が、複
素芳香族化合物または金属錯体であることを特徴とする発光素子である。
【００２８】
また、上記構成を有する発光素子は、キャリアバランスに優れ、発光層の局在化によっ
て発光効率の低減が引き起こされやすい（いわゆるＴ−Ｔ消滅による効率低下が起こりや
すい）燐光性化合物を発光材料として用いた場合に特に適する。
【００２９】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、発光材料から得ら
れる発光が、燐光であることを特徴とする発光素子である。
【００３０】
また、ピラジン骨格を有する配位子を含み、且つ中心金属が第９属または第１０属元素
である有機金属錯体は、燐光性化合物である上、高い発光効率を示すが、ＬＵＭＯ準位が
低く電子トラップ性となりやすいため、上記構成の発光素子の構成を適用するのが好適で
ある。
【００３１】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、発光材料が、ピラ
ジン骨格を有する配位子を含み且つ中心金属が第９属または第１０属元素である有機金属
錯体、であることを特徴とする発光素子である。
【００３２】
また、上記有機金属錯体において、ピラジン骨格を有する配位子としては２−アリール
ピラジン誘導体が好ましい。
【００３３】
すなわち、本発明の一態様は、ピラジン骨格を有する配位子が、２−アリールピラジン
誘導体であることを特徴とする発光素子である。
【００３４】
また、上記有機金属錯体において、２−アリールピラジン誘導体としては２−フェニル
ピラジン誘導体が好ましい。
【００３５】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、２−アリールピラ
ジン誘導体が、２−フェニルピラジン誘導体であることを特徴とする発光素子である。
【００３６】
また、上記有機金属錯体において、２−フェニルピラジン誘導体としては２，５−ジフ
ェニルピラジン誘導体が好ましい。
【００３７】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、２−フェニルピラ
ジン誘導体が、２，５−ジフェニルピラジン誘導体であることを特徴とする発光素子であ
る。
【００３８】
また、上記中心金属としてはイリジウム又は白金が好ましい。
【００３９】
すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、中心金属がイリジ
ウム又は白金であることを特徴とする発光素子である。
【００４０】
また、上記構成を有する発光素子を備えた発光装置は、消費電力、寿命共に優れた発光
装置である。
【００４１】
すなわち、本発明の一態様は、上記に記載の構成を有する発光素子と、当該発光素子を
制御する手段とを備えた発光装置である。
【００４２】
また、上記構成を有する発光装置を備えた電子機器は、消費電力、寿命共に優れた電子
機器である。
【００４３】
すなわち、本発明の一態様は、上記に記載の構成を有する発光装置を備えた電子機器で
ある。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の一態様の発光素子は、発光効率が高く、長寿命であり且つ駆動電圧が低減され
た発光素子である。
【００４５】
また、本発明の一態様の発光装置は、消費電力が小さく且つ寿命の長い発光装置とする
ことができる。
【００４６】
また、本発明の一態様の電子機器は、消費電力が小さく且つ寿命の長い発光装置とする
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一態様の発光素子を表す模式図。
【図２】本発明の一態様の発光装置を表す模式図。
【図３】本発明の一態様の発光装置を表す模式図。
【図４】本発明の一態様の電子機器を表す模式図。
【図５】本発明の一態様の電子機器を表す模式図。
【図６】実施例１乃至実施例４で作製した本発明の一態様の発光素子の模式図。
【図７】発光素子１乃至３及び比較発光素子１の電流密度−輝度特性を示す図。
【図８】発光素子１乃至３及び比較発光素子１の電圧−輝度特性を示す図。
【図９】発光素子１乃至３及び比較発光素子１の輝度−電流効率特性を示す図。
【図１０】発光素子１乃至３及び比較発光素子１の電圧−電流特性を示す図。
【図１１】発光素子１乃至３及び比較発光素子１の輝度−外部量子効率特性を示す図。
【図１２】発光素子１乃至３及び比較発光素子１の輝度−パワー効率特性を示す図。
【図１３】比較発光素子１乃至４の電流密度−輝度特性を示す図。
【図１４】比較発光素子１乃至４の電圧−輝度特性を示す図。
【図１５】比較発光素子１乃至４の輝度−電流効率特性を示す図。
【図１６】比較発光素子１乃至４の電圧−電流特性を示す図。
【図１７】比較発光素子１乃至４の輝度−外部量子効率特性を示す図。
【図１８】比較発光素子１乃至４の輝度−パワー効率特性を示す図。
【図１９】発光素子４、５及び比較発光素子５の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２０】発光素子４、５及び比較発光素子５の電圧−輝度特性を示す図。
【図２１】発光素子４、５及び比較発光素子５の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２２】発光素子４、５及び比較発光素子５の電圧−電流特性を示す図。
【図２３】発光素子４、５及び比較発光素子５の輝度−外部量子効率特性を示す図。
【図２４】発光素子４、５及び比較発光素子５の輝度−パワー効率特性を示す図。
【図２５】発光素子４、５及び比較発光素子５の輝度劣化曲線を示す図。
【図２６】合成例１で合成した有機金属錯体の１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
【図２７】有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］のジクロロメタン溶液における紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。
【図２８】合成例２で合成した有機金属錯体の１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。
【図２９】有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２（ａｃａｃ）］のジクロロメタン溶液における紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。
【図３０】発光素子６及び比較発光素子６の電流密度−輝度特性を示す図
【図３１】発光素子６及び比較発光素子６の電圧−輝度特性を示す図。
【図３２】発光素子６及び比較発光素子６の輝度−電流効率特性を示す図。
【図３３】発光素子６及び比較発光素子６の電圧−電流特性を示す図。
【図３４】発光素子６及び比較発光素子６の輝度−外部量子効率特性を示す図。
【図３５】発光素子６及び比較発光素子６の輝度−パワー効率特性を示す図。
【図３６】発光素子６及び比較発光素子６の輝度劣化曲線を示す図。
【図３７】発光素子７、８及び比較発光素子７の電流密度−輝度特性を示す図。
【図３８】発光素子７、８及び比較発光素子７の電圧−輝度特性を示す図。
【図３９】発光素子７、８及び比較発光素子７の輝度−電流効率特性を示す図。
【図４０】発光素子７、８及び比較発光素子７の電圧−電流特性を示す図。
【図４１】発光素子７、８及び比較発光素子７の輝度−外部量子効率特性を示す図。
【図４２】発光素子７、８及び比較発光素子７の輝度−パワー効率特性を示す図。
【図４３】発光素子７、８及び比較発光素子７の輝度劣化曲線を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４９】
（実施の形態１）
一対の電極間に、有機化合物を含む層を有する発光素子においては、現状、当該有機化
合物を含む層は機能分離した複数の層により形成される構成が主流となっている。機能分
離された層としては、発光を担う発光層の他に、キャリア注入層、キャリア輸送層など様
々な種類がある。当該有機化合物を含む層は、これら全ての層を有していなくとも良いし
、ここに挙げる以外の層を有していても良い。
【００５０】
このような機能分離された層を有する発光素子においては、これら層の性質が異なるこ
とから、層と層の界面（特に発光層とその他の層の界面）にキャリアの蓄積が起こる場合
がある。また、これにより発光素子の寿命に悪影響を及ぼす場合がある。
【００５１】
この際、ホスト材料中に発光材料を分散してなるホスト−ゲスト型の発光層に、さらに
正孔輸送性材料を添加することによって、電子とホールの両方が発光層に入りやすくする
ことができる。つまり、キャリアの蓄積による界面由来の問題を低減させることができる
。これにより、発光素子の長寿命化が可能となる。
【００５２】
さらに、発光層とその他の層の界面に局在化していたキャリアの再結合領域を、発光層
の中心部へと広げることができるようになり、発光効率の改善も見込める。また、発光材
料として燐光を発する有機化合物を用いた発光素子では、再結合領域が局在化していると
Ｔ−Ｔ消滅が起こりやすい。これに対し、再結合領域が拡大された発光素子では、Ｔ−Ｔ
消滅が低減され、高い発光効率を実現することが可能となる。
【００５３】
一般に、正孔輸送性を有する有機化合物（正孔輸送性材料）はキャリア輸送性が高いた
め、発光素子への正孔輸送性材料の添加量を増やすことにより電流は流れやすくなる。し
たがって、正孔輸送性材料の添加量を増やせば、発光素子の駆動電圧を低減することがで
きる。しかしながら、発光素子への正孔輸送性材料の添加量を増やしすぎると、正孔は陰
極側に抜けやすくなってしまい、再結合に関与しない正孔の割合が増加する。そのため、
発光素子の駆動電圧は下がるものの、発光効率が低下してしまうという問題があった。す
なわち、ある程度の水準以上の発光効率の実現と、駆動電圧の低減とはトレードオフの関
係にあった。
【００５４】
以上のことから、この問題を解決するため本発明者らは以下のような構成を見いだした
。
【００５５】
すなわち、発光層がホスト材料と、正孔輸送性材料と、発光材料とからなる発光素子に
おいて、陽極側に正孔輸送性材料の濃度が第２の発光層より高い第１の発光層を形成し、
陰極側に正孔輸送性材料の濃度が第１の発光層より低い第２の発光層を形成する。第１の
発光層は正孔輸送性材料の濃度が高いので、駆動電圧の低減に寄与する。しかしながら、
第１の発光層と同組成で第２の発光層を形成すると、正孔が再結合に関与せずに発光層を
抜けてしまう割合が高くなるため、第２の発光層における正孔輸送性材料の添加量は第１
の発光層より低くする。これにより、発光効率、寿命、駆動電圧が共に良好な発光素子を
作製することが可能となる。
【００５６】
ここで重要なのは、第２の発光層にも正孔輸送性材料が添加されていることである。第
２の発光層をホスト材料と発光材料のみで形成しても、正孔の抜けは抑制できると考えら
れるが、第２の発光層に正孔が入りにくくなってしまう。したがって、正孔が第１の発光
層と第２の発光層の界面に蓄積してしまい、発光素子の寿命が低下する可能性がある。こ
のことから、第２の発光層、すなわち最も陰極側に位置する発光層には、正孔輸送性材料
がホスト材料との質量比において０．０５以上含まれることが好ましい。
【００５７】
また、第１の発光層において、正孔輸送性材料の濃度が高すぎた場合（端的には、ホス
ト材料よりも濃度が高い場合）にも問題が生じる。この場合は、第１の発光層において、
ホスト材料ではなく正孔輸送性材料に電子が入りやすくなってしまうため、劣化を招きや
すい。このことから、第１の発光層、すなわち最も陽極側に位置する発光層には、正孔輸
送性材料がホスト材料との質量比において、１以下、さらには０．５以下であることが好
ましい。
【００５８】
以上より、第１の発光層及び第２の発光層は、ホスト材料が層を構成する物質であり、
それに対して正孔輸送性材料と発光材料が添加されていると表現することもできる。また
、正孔輸送性材料の濃度が第１の発光層よりも第２の発光層が低い構造を形成することに
より、発光効率が高く、寿命が長い発光素子が得られる。さらに、駆動電圧の低い発光素
子が得られる。
【００５９】
なお、上記説明では、発光層が２層である場合を例に説明したが、発光層は３層以上の
複数層で構成されていても構わない。この場合、複数の発光層において、最も陽極側に位
置する発光層の正孔輸送性材料の濃度が最も高く、最も陰極側に位置する発光層の正孔輸
送性材料の濃度が最も低くなるように発光層を構成する。また、接する２層の発光層にお
いて、陽極側に位置する発光層の正孔輸送性材料の濃度が陰極側に位置する正孔輸送性材
料の濃度よりも高くなるように発光層を形成することによって、発光効率、寿命、及び消
費電力が良好な発光素子を得ることができる。
【００６０】
上述の発光素子に用いることができるホスト材料としては、電子が輸送可能であればど
のような材料を用いても良い。ただし、正孔輸送性材料を添加して、発光層中の正孔の輸
送性を制御していることから、当該ホスト材料は電子輸送性を有する材料であることが好
ましい。電子輸送性を有する材料としては、代表的には複素芳香族化合物や金属錯体など
が挙げられる。なお、本明細書中において、「電子輸送性」とは正孔の輸送性より電子の
輸送性が高いことを意味し、「正孔輸送性」とは電子の輸送性より正孔の輸送性が高いこ
とを意味する。
【００６１】
また、上述の発光素子に用いることができる正孔輸送性材料としては、特に制限はない
が、特に芳香族アミン化合物やカルバゾール誘導体が好ましい。
【００６２】
また、上述の発光素子に用いることができる発光材料としては特に制限はない。なお、
上述のような素子構造は、発光材料の電子トラップ性が高い場合に有効である。当該発光
素子の構成を適用することにより、駆動電圧を低減させることができるからである。具体
的には、ホスト材料のＬＵＭＯ準位よりも発光材料のＬＵＭＯ準位が０．２ｅＶ以上低い
場合に有効である。発光材料の電子トラップ性が高い場合は、発光層の電子輸送性が全体
的に悪くなる。そのため、駆動電圧の上昇を招きやすい。それに対し、上述の構成を有す
る発光素子では、駆動電圧の低減が可能である。
【００６３】
電子トラップ性が高い発光材料としては、例えば、配位子としてピラジン骨格を含む有
機金属錯体が挙げられる。また、このような有機金属錯体の中心金属としては、第９属又
は第１０属元素が好ましい。
【００６４】
当該有機金属錯体としては、下記構造式（Ａ１）〜（Ａ１５）で表されるようなキノキ
サリン系の配位子を有する有機金属錯体や、下記構造式（Ｂ１）〜（Ｂ５）で表されるよ
うなテトラヒドロキノキサリン系の配位子を有する有機金属錯体、下記構造式（Ｃ１）〜
（Ｃ５）で表されるようなジベンゾキノキサリン系の配位子を有する有機金属錯体等が挙
げられる。もちろん、下記構造式（Ｄ１）〜（Ｄ３２）で表されるようなピラジン系の配
位子を有する有機金属錯体も該当する。なお、上述の発光素子に適用することが可能な発
光材料は、これらに限られない。
【００６５】
【化１】
2015028941.tif 000003
【００６６】
【化２】
2015028941.tif 000004
【００６７】
【化３】
2015028941.tif 000005
【００６８】
【化４】
2015028941.tif 000006
【００６９】
【化５】
2015028941.tif 000007
【００７０】
【化６】
2015028941.tif 000008
【００７１】
【化７】
2015028941.tif 000009
【００７２】
【化８】
2015028941.tif 000010
【００７３】
【化９】
2015028941.tif 000011
【００７４】
【化１０】
2015028941.tif 000012
【００７５】
【化１１】
2015028941.tif 000013
【００７６】
【化１２】
2015028941.tif 000014
【００７７】
【化１３】
2015028941.tif 000015
【００７８】
【化１４】
2015028941.tif 000016
【００７９】
ピラジン骨格を含む配位子を有する有機金属錯体は、燐光を発することができ、且つ高
い発光効率を有する。そのため、上述の発光材料として用いることによって、長寿命であ
りながら高発光効率と低駆動電圧を両立することが可能となる。すなわち、消費電力の低
い発光素子が得られる。特に、上記構造式（Ｄ１）乃至（Ｄ３２）で表される２−アリー
ルピラジン系の配位子を有する有機金属錯体は発光効率が高い。そのため、当該有機金属
錯体を用いることによって発光素子の低駆動電圧化効果との相乗効果により、非常に消費
電力の小さい発光素子を得ることができる。
【００８０】
続いて、本実施の形態の発光素子の構成について、図１（Ａ）を用いて説明する。また
、当該発光素子に適用可能な材料についても列挙する。
【００８１】
図１（Ａ）は、陽極として機能する第１の電極３０１と陰極として機能する第２の電極
３０２の間に、複数の発光層３１３を有する発光素子を示した図である。複数の発光層３
１３は正孔輸送性材料３２１と、ホスト材料３２２と、発光材料３２３とを含む。以下で
は、複数の発光層３１３の構成について説明する。
【００８２】
複数の発光層３１３において、正孔輸送性材料３２１は、正孔輸送性を有する化合物で
ある。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフ
ェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９−フェナントリル）−Ｎ−フェニル
アミノ］ビフェニル（略称：ＰＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジ
メチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢ
ｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略
称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリ
（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、１，１−ビス［４−（ジ
フェニルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（略称：ＴＰＡＣ）、９，９−ビス［４−（
ジフェニルアミノ）フェニル］フルオレン（略称：ＴＰＡＦ）、４−（９−カルバゾリル
）−４’−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）トリフェニルア
ミン（略称：ＹＧＡＯ１１）、Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニ
ル−９，９−ジメチルフルオレン−２−アミン（略称：ＹＧＡＦ）などの芳香族アミン化
合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３−ビス
（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、１，３，５−トリス（Ｎ−カルバゾリ
ル）ベンゼン（略称：ＴＣｚＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバ
ゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）などのカルバゾール誘
導体を用いることができる。芳香族アミン化合物としては、ポリ（４−ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）などの高分子化合物を用いることもできる。また、カル
バゾール誘導体としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）などの高分
子化合物を用いることもできる。なお、正孔輸送性材料３２１の一重項励起エネルギー（
発光材料の発光が燐光である場合は三重項励起エネルギー）は発光材料３２３の一重項励
起エネルギー（又は三重項励起エネルギー）より大きいことが好ましい。
【００８３】
ホスト材料３２２は、電子を輸送することが可能であればどのようなものであっても良
いが、電子輸送性を有する化合物であることが好ましい。具体的には、９−［４−（５−
フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（略称：
ＣＯ１１）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２−（４−ビフェニリル）−
５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ
）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ
−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）
、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビ
フェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、９，９’，９’’
−［１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル］トリカルバゾール（略称：ＴＣｚ
ＴＲＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（６，７−ジメ
チル−３−フェニルキノキサリン）（略称：ＴｒｉＭｅＱｎ）、９，９’−（キノキサリ
ン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ジ（９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＣｚＱ
ｎ）、３，３’，６，６’−テトラフェニル−９，９’−（キノキサリン−２，３−ジイ
ルジ−４，１−フェニレン）ジ（９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＤＣｚＰＱ）、バソフェ
ナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、３−フェニル
−９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−
９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１ＩＩ）などの複素芳香族化合物や、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ｂ
Ａｌｑ）、トリス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキ
サジアゾラト］アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌ（ＯＸＤ）３）、トリス（２−ヒド
ロキシフェニル−１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（
略称：Ａｌ（ＢＩＺ）３）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］
亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベン
ズオキサゾラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＰＢＯ）２）などの金属錯体を用いること
ができる。複素芳香族化合物としては、ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰ
ｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。また、金属錯体としては、下記参考文
献で開示されているような金属錯体高分子化合物を用いることもできる（参考文献；  Ｘ
．Ｔ．Ｔａｏ、外５名、アプライド  フィジクス  レターズ、Ｖｏｌ．７０（１２）、１
５０３−１５０５（１９９７））。なお、ホスト材料３２２の一重項励起エネルギー（発
光材料の発光が燐光である場合は三重項励起エネルギー）は発光材料３２３の一重項励起
エネルギー（又は三重項励起エネルギー）より大きいことが好ましい。
【００８４】
発光材料３２３としては、特に限定は無く蛍光発光材料、燐光発光材料共に用いること
ができる。具体的には、先に述べた構造式（Ａ１）〜（Ａ１５）、（Ｂ１）〜（Ｂ５）、
（Ｃ１）〜（Ｃ５）、（Ｄ１）〜（Ｄ３２）で表されるような有機金属錯体の他、Ｎ，Ｎ
’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルス
チルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−
イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ
ＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−
アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−
［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミ
ン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリ
レン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニ
ル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，
Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレ
ン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰ
ＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル
）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−
（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル
−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’
，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，
１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェ
ニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称
：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−ア
ントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢ
ＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェ
ニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１
，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−
１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−
ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ
−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフ
ェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ
’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１
’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−
（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラ
ン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［
２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イ
ル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）
、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジア
ミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキ
ス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミ
ン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７
−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジ
ン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：
ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチ
ル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル
）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）
、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピ
ラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス
［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ
−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−
イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などの蛍光発光材料や、ビス
［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６
’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート
（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）
ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐ
ｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，
Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス
（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（
２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ
ｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テル
ビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノ
リナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａ
ｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（
ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（
４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセ
トナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾ
チアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂ
ｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト
−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（
ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）
アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２
，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称
：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェ
ナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリ
ス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロ
リン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などの燐光発光
材料を用いることができる。
【００８５】
なお、本実施の形態で用いる発光材料３２３として電子トラップ性が高い物質を用いた
場合、具体的には、発光材料３２３のＬＵＭＯ準位がホスト材料３２２のＬＵＭＯ準位お
よび正孔輸送性材料３２１のＬＵＭＯ準位に比べ、０．２ｅＶ以上低い場合、寿命改善効
果および効率改善効果が著しいため、好ましい構成である。
【００８６】
以上で述べたような正孔輸送性材料３２１、ホスト材料３２２、および発光材料３２３
を適宜組み合わせることにより、本実施の形態の発光素子における複数の発光層３１３は
構成される。ただし、当該複数の発光層３１３は他の物質をさらに含んでいてもよい。な
お、これら複数の発光層３１３の境界は、含まれるホスト材料と正孔輸送性材料の質量比
の違いで判断することとする。発光材料３２３は複数の発光層３１３において同一である
が、濃度は発光層毎に同一であっても異なっていても良い。
【００８７】
本実施の形態の発光素子における複数の発光層３１３は、隣り合う発光層同士が接して
形成されており、より陽極に近接する発光層の正孔輸送性材料の濃度が、より陰極に近接
する発光層において正孔輸送性材料の濃度よりも高くなるように作製される。すなわち、
最も陽極に近接する発光層における正孔輸送性材料の濃度が最も高く、最も陰極に近接す
る発光層における正孔輸送性材料の濃度が最も低くなる。なお、正孔輸送性材料の濃度は
ホスト材料に対する割合で表すと、最も陽極に近接する発光層におけるホスト材料と正孔
輸送性材料の質量比を１以下、最も陰極に近接する発光層におけるホスト材料と正孔輸送
性材料の質量比を０．０５以上とすることが好ましい。さらに、寿命の観点から、最も陽
極に近接する発光層におけるホスト材料と正孔輸送性材料の質量比は０．５以下であるこ
とが効果的であることがわかっている。
【００８８】
なお、本実施の形態の発光素子が奏する効果は、図１（Ｂ）のように発光層の層数が第
１の発光層３１３−１、第２の発光層３１３−２の２層であっても充分に発現する。さら
に、当該構成は簡便であることから好ましい構成である。
【００８９】
次に、複数の発光層３１３以外の層について説明する。正孔輸送層３１２および正孔注
入層３１１は、必ずしも必要ではなく、適宜設ければよい。これらの層を構成する具体的
な材料としては、ホール輸送性化合物が好ましく、上述したＮＰＢ、ＰＰＢ、ＴＰＤ、Ｄ
ＦＬＤＰＢｉ、ＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＣＴＡ、ＴＰＡＣ、ＴＰＡＦ、ＹＧＡ
Ｏ１１、ＹＧＡＦ、ＣＢＰ、ｍＣＰ、ＴＣｚＢ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、ＰＶＴＰＡ、ＰＶＫな
どを用いることができる。
【００９０】
また、本実施の形態の複数の発光層３１３は、キャリアバランスがよいため、発光領域
が発光層３１３と正孔輸送層３１２又は正孔注入層３１１の界面に偏ることがない。した
がって、発光層３１３と接する正孔輸送層３１２又は正孔注入層３１１に、発光材料３２
３よりも一重項励起エネルギー（又は三重項励起エネルギー）が低い物質を適用したとし
ても、発光材料３２３に対するクエンチャ（消光剤）になりにくい構成となっている。こ
のことから、正孔輸送層３１２又は正孔注入層３１１を構成する材料として９，１０−ビ
ス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］アントラセン（略称：ＴＰＡ２Ａ）、２−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）の
ように、三重項励起エネルギーの低いアントラセン誘導体も用いることができる。
【００９１】
なお、上述の正孔輸送性化合物と電子受容体を混合して正孔輸送層３１２や正孔注入層
３１１を形成してもよい。電子受容体としては、クロラニルや７，７，８，８−テトラシ
アノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）のような
有機化合物の他、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化レニウムなどの遷移金属酸化物
を用いることができる。また特に、正孔注入層３１１として、銅フタロシアニン、バナジ
ルフタロシアニン、フルオロカーボンのような有機化合物や、酸化モリブデン、酸化ルテ
ニウム、酸化アルミニウムのような無機化合物を使うこともできる。なお、正孔注入層３
１１は、２層以上の層を積層して形成された多層構造であってもよい。また、正孔注入層
３１１および正孔輸送層３１２は二種類以上の物質を混合して形成してもよい。
【００９２】
電子輸送層３１４および電子注入層３１５は、必ずしも必要ではなく、適宜設ければよ
い。これらの層を構成する具体的な材料としては、電子輸送性化合物が好ましく、上述し
たＣＯ１１、ＯＸＤ−７、ＰＢＤ、ＴＰＢＩ、ＴＡＺ、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＣｚＴＲＺ、
ＴｒｉＭｅＱｎ、ＣｚＱｎ、ＤＣｚＰＱ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ＣＯ１１ＩＩ、ＢＡｌｑ
、Ａｌ（ＯＸＤ）３、Ａｌ（ＢＩＺ）３、Ｚｎ（ＢＴＺ）２、Ｚｎ（ＰＢＯ）２、ＰＰｙ
などを用いることができる。
【００９３】
また、本実施の形態の複数の発光層３１３は、キャリアバランスがよいため、発光領域
が複数の発光層３１３と電子輸送層３１４又は電子注入層３１５の界面に偏ることがない
。したがって、複数の発光層３１３と接する電子輸送層３１４又は電子注入層３１５に、
発光材料３２３よりも三重項励起エネルギーが低い物質を適用したとしても、それが発光
材料３２３に対するクエンチャ（消光剤）になりにくい構成となっている。このことから
、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０
−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）のよう
に、三重項励起エネルギーの低い物質も、電子輸送層３１４及び電子注入層３１５の材料
として用いることができる（例えば、Ａｌｑの燐光スペクトルは、深赤色の６５０〜７０
０ｎｍ程度であることが報告されている）。
【００９４】
なお、上述の電子輸送性化合物と電子供与体を混合して電子輸送層３１４や電子注入層
３１５を形成してもよく、電子供与体としては、テトラチアフルバレン、テトラチアナフ
タセンのような有機化合物の他、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム
、カルシウムなどのアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウムなどの希土類金属や
、それら金属の酸化物を用いることができる。また、電子注入層３１５として、酸化リチ
ウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、フッ化エルビウムなどのアルカリ金属化合物
またはアルカリ土類金属化合物または希土類金属化合物を単独で用いることができる。な
お、電子注入層３１５は、２層以上の層を積層して形成された多層構造であってもよい。
また、電子輸送層３１４および電子注入層３１５は２種類以上の物質を混合して形成して
もよい。
【００９５】
第１の電極３０１について特に限定はないが、本実施の形態のように、陽極として機能
する際は仕事関数の大きい物質で形成されていることが好ましい。具体的には、インジウ
ム錫酸化物（ＩＴＯ）、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、２〜２
０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム（ＩＺＯ）のような透光性の高い物質の他、金
（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等
を用いることができる。なお、第１の電極３０１は、例えばスパッタ法や蒸着法等を用い
て形成することができる。
【００９６】
また、第２の電極３０２について特に限定はないが、本実施の形態のように、陰極とし
て機能する際は仕事関数の小さい物質で形成されていることが好ましい。具体的には、ア
ルミニウム（Ａｌ）やインジウム（Ｉｎ）の他、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等
のアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）やカルシウム（Ｃａ）等のアルカリ土類金属、エ
ルビウム（Ｅｒ）やイッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属を用いることができる。また
、アルミニウムリチウム合金（ＡｌＬｉ）やマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）のような合
金を用いることもできる。また、電子輸送性化合物と電子供与体を混合して電子注入層３
１５を形成した場合、ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、ＩＺＯのように、仕事関数は高いが透光性の高
い物質を用いることもできる。なお、第２の電極３０２は、例えばスパッタ法や蒸着法等
を用いて形成することができる。
【００９７】
なお、発光した光を外部に取り出すために、第１の電極３０１と第２の電極３０２のい
ずれか一または両方が、上述したＩＴＯ、ＩＴＳＯ、ＩＺＯ等の透光性の高い物質からな
る電極であることが好ましい。また、可視光を透過出来るように、数〜数十ｎｍの厚さで
形成された電極であることが好ましい。
【００９８】
以上で述べた本実施の形態の発光素子において、正孔注入層３１１、正孔輸送層３１２
、複数の発光層３１３、電子輸送層３１４、電子注入層３１５は、それぞれ、蒸着法、ま
たはインクジェット法、または塗布法等、いずれの方法で形成しても構わない。また、第
１の電極３０１または第２の電極３０２についても、スパッタ法、蒸着法等、インクジェ
ット法、または塗布法等、いずれの方法を用いて形成しても構わない。
【００９９】
また、以上で述べた本実施の形態の発光素子は、タンデム構造の発光素子（マルチフォ
トン素子とも呼ばれる）に適用してもよい。
【０１００】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した発光素子を有する発光装置の一例として、画
像表示装置について説明する。
【０１０１】
本実施の形態では、画素部に発光素子を有する画像表示装置について図２を用いて説明
する。なお、図２（Ａ）は、画像表示装置を示す上面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）をＡ−
Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。この画像表示装置は、点線で示された画素
部６０２における発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソ
ース側駆動回路）６０１及び駆動回路部（ゲート側駆動回路）６０３を含んでいる。また
、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間
６０７になっている。
【０１０２】
なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。なお、本明細書における発光装置には
、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含む
ものとする。
【０１０３】
次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１
と、画素部６０２中の一つの画素とが示されている。
【０１０４】
なお、ソース側駆動回路６０１としては、Ｎチャネル型ＴＦＴ６２３と、Ｐチャネル型
ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を有する駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、又はＮＭＯＳ回路によ
って形成することができる。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドラ
イバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成す
ることもできる。
【０１０５】
また、画素部６０２は、スイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２と、
そのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成され
る。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、
絶縁物６１４としてポジ型の感光性アクリル樹脂膜を形成する。
【０１０６】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲面が形
成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を
用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面
を形成することが好ましい。また、絶縁物６１４として、光の照射によってエッチャント
に不溶解性となるネガ型、又は光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のい
ずれも使用することができる。
【０１０７】
第１の電極６１３上には、発光層を含む層６１６および第２の電極６１７がそれぞれ形
成されている。ここで、第１の電極６１３に用いる材料としては、さまざまな金属、合金
、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第１の電極を陽極と
して用いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）金属、
合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、
珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ膜、酸化インジウム−酸化亜鉛膜、窒化チタン
膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミ
ニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化
チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての
抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれる。
【０１０８】
また、発光層を含む層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピ
ンコート法等の種々の方法によって形成される。発光層を含む層６１６は、実施の形態１
で示した発光層を有している。また、発光層を含む層６１６を構成する他の材料としては
、低分子材料、高分子材料と低分子材料の中間の性質を有する中分子材料（オリゴマー、
デンドリマーを含む）、または高分子材料であっても良い。また、発光層を含む層６１６
に用いる材料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用いてもよい。
【０１０９】
また、第２の電極６１７に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化
合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第２の電極６１７を陰極として用い
る場合には、その中でも、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電
気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期
表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等
のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（
Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）等が挙げ
られる。なお、発光層を含む層６１６で生じた光を第２の電極６１７を透過させる場合に
は、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（酸化インジウム
−酸化スズ（ＩＴＯ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸
化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化イン
ジウム（ＩＷＺＯ）等）との積層を用いることも可能である。
【０１１０】
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填され
る場合もある。なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、
これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封
止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａ
ｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、
ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１１１】
以上のようにして、本実施の形態の発光素子を有するアクティブマトリクス型の画像表
示装置を得ることができる。
【０１１２】
以上では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の
画像表示装置について説明したが、この他、トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けず
に発光素子を駆動させるパッシブマトリクス型の画像表示装置であってもよい。図３には
実施の形態１で示した発光素子を適用して作製したパッシブマトリクス型の画像表示装置
の斜視図を示す。図３において、基板９５１上の電極９５２と電極９５６の間には発光層
を含む層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そ
して、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板
面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を
有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３
の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面
方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層
９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。
【０１１３】
以上、本実施の形態で述べた画像表示装置は、実施の形態１で示した発光素子を有して
いるため、発光素子の発光効率が高く、寿命が長い上に駆動電圧が小さい。したがって、
本実施の形態で述べた画像表示装置は、非常に消費電力が低く、寿命が長いという特徴が
ある。
【０１１４】
なお、本実施の形態２は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
【０１１５】
（実施の形態３）
実施の形態１で示した発光素子は発光効率が高く寿命が長い上、駆動電圧が小さいため
、発光装置の一例である照明装置として好適である。そこで本実施の形態では、実施の形
態１で示した発光素子を有する照明装置の応用例を説明する。
【０１１６】
図４（Ａ）は、実施の形態１で示した発光素子を、照明装置の一種であるバックライト
に用いた液晶表示装置の一例である。図４（Ａ）に示した液晶表示装置は、筐体４０１、
液晶層４０２、バックライト４０３、筐体４０４を有し、液晶層４０２は、ドライバＩＣ
４０５と接続されている。また、バックライト４０３には、実施の形態１で示した発光素
子が用いられている。また、バックライト４０３には、端子４０６を介して電流が供給さ
れている。
【０１１７】
実施の形態１で示した発光素子を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより
、発光効率が高く、寿命が長い上に駆動電圧の小さいバックライトが得られる。また、実
施の形態１で示した発光素子を用いたバックライトは、面発光の照明装置であり大面積化
も可能であるため、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態１で示し
た発光素子を用いたバックライトは薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低
消費電力化も可能となる。
【０１１８】
図４（Ｂ）は、実施の形態１で示した発光素子を適用した照明装置を、電気スタンドの
光源として用いた例である。図４（Ｂ）に示す電気スタンドは、筐体４１１と、光源４１
２を有し、光源４１２として、実施の形態１で示した発光素子が用いられている。実施の
形態１で示した発光素子は、高発光効率、長寿命、低駆動電圧であるため、当該電気スタ
ンドは低消費電力化、長寿命化が可能である。
【０１１９】
以上、本実施の形態で述べた照明装置は、実施の形態１で示した発光素子を有している
ため、発光素子の発光効率が高く、寿命が長い上に駆動電圧が小さい。したがって、実施
の形態１で示した発光素子を用いた照明装置は、非常に消費電力が低く、寿命が長いとい
う特徴がある。
【０１２０】
（実施の形態４）
実施の形態２で示したような画像表示装置は、良好な画像を表示することができるため
、実施の形態２で示した画像表示装置を電子機器の表示部に適用することによって、優れ
た映像を提供できる電子機器を得ることができる。また、実施の形態１で示した発光素子
を含む画像表示装置や照明装置（すなわち発光装置）は非常に消費電力が低く寿命が長い
。したがって、当該発光装置を電子機器の表示部に適用することによって、消費電力の少
ない電子機器を得ることができ、例えば、待受時間等の長い電話機等を得ることができる
。以下に、実施の形態１で示した発光素子を適用した発光装置を実装した電子機器の一実
施例を示す。
【０１２１】
図５（Ａ）は、コンピュータであり、本体５１１、筐体５１２、表示部５１３、キーボ
ード５１４などによって構成されている。当該コンピュータには、実施の形態１で示した
発光素子を有する発光装置が表示部５１３に組み込まれている。実施の形態１で示した発
光素子を表示部５１３が有することで、当該コンピュータは、低消費電力且つ表示部５１
３の寿命が長いコンピュータとすることができる。
【０１２２】
図５（Ｂ）は、電話機であり、本体５２２は、表示部５２１、音声出力部５２４、音声
入力部５２５、操作スイッチ５２６、５２７、及びアンテナ５２３等によって構成されて
いる。当該電話機には、実施の形態１で示した発光素子を有する発光装置が表示部５２１
に組み込まれている。実施の形態１で示した発光素子を表示部５２１が有することで、当
該電話機は、低消費電力且つ表示部５２１の寿命が長い電話機とすることができる。
【０１２３】
図５（Ｃ）は、テレビジョン受像機であり、表示部５３１、筐体５３２、スピーカー５
３３などによって構成されている。当該テレビジョン受像機には、実施の形態１で示した
発光素子を有する発光装置が表示部５３１に組み込まれている。実施の形態１で示した発
光素子を表示部５３１が有することで、当該テレビジョン受像機は、低消費電力且つ寿命
が長いテレビジョン受像機とすることができる。
【０１２４】
図５（Ｄ）は、フレキシブルディスプレイであり、本体５４１、表示部５４２、外部メ
モリ挿入部５４３、スピーカー部５４４、操作キー５４５等によって構成されている。本
体５４１には他にテレビジョン受像アンテナ、外部入力端子、外部出力端子、バッテリー
などが搭載されていても良い。当該フレキシブルディスプレイには、実施の形態１で示し
た発光素子を有する発光装置が表示部５４２に組み込まれている。実施の形態１で示した
発光素子を表示部５４２が有することで、当該フレキシブルディスプレイは、低消費電力
且つ寿命の長いフレキシブルディスプレイとすることができる。
【０１２５】
以上のように実施の形態１で示した発光素子を有する発光装置は、各種電子機器の表示
部に組み込まれる発光装置として好適である。
【０１２６】
なお、本実施の形態では、コンピュータ等について述べているが、この他に、ナビゲイ
ション装置などに実施の形態１で示した発光素子を有する発光装置を実装しても構わない
。
【実施例１】
【０１２７】
本実施例では、実施の形態１で示した発光素子について、比較例を交えながら具体的に
例示する。なお、実施例で用いる物質の分子構造を下記（ｉ）〜（ｉｖ）に示す。また、
素子構造を図６に示す。
【０１２８】
【化１５】
2015028941.tif 000017
【０１２９】
≪発光素子１乃至３、比較発光素子１の作製≫
まず、ガラス基板上に陽極として機能する第１の電極３０１として１１０ｎｍの膜厚で
インジウム錫珪素酸化物（ＩＴＳＯ）を成膜した。第１の電極３０１は、２ｍｍ角の大き
さで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極の露出面積を２ｍｍ×２ｍｍと
した。当該基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面をオゾン水で洗浄
した。次いで、当該基板を２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行っ
た。その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空
蒸着装置内の加熱室において１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程
度放冷した。
【０１３０】
次に、第１の電極３０１が形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に
設けられたホルダーに固定した。
【０１３１】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、構造式（ｉ）で表されるＮＰＢと、酸化モリ
ブデン（ＶＩ）とを、ＮＰＢ：酸化モリブデン（ＶＩ）＝４：１（質量比）となるように
共蒸着することにより、正孔注入層３１１を形成した。本実施例における、正孔注入層３
１１の膜厚は５０ｎｍとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸
発源から同時に蒸発させる蒸着法である。次に、ＮＰＢを１０ｎｍ蒸着することにより、
正孔輸送層３１２を形成した。
【０１３２】
続いて、正孔輸送層３１２と接する第１の発光層３１３−１を２０ｎｍの膜厚となるよ
うに形成した。第１の発光層３１３−１はホスト材料として構造式（ｉｉ）で表されるＢ
Ａｌｑを、正孔輸送性材料としてＮＰＢを、発光材料として実施の形態１において構造式
（Ｄ１０）として示した（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジ
ナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））を適用し、これ
らを共蒸着することによって形成した。ここで、第１の発光層３１３−１における各々の
物質の質量比が、発光素子１はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１
：１：０．０６、発光素子２はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１
：０．５：０．０６、発光素子３はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）
＝１：０．２５：０．０６、比較発光素子１はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（
ａｃａｃ）＝１：０．１：０．０６となるようにそれぞれ形成した。
【０１３３】
次に、第１の発光層３１３−１と接する第２の発光層３１３−２を、２０ｎｍの膜厚と
なるように形成した。第２の発光層３１３−２は第１の発光層３１３−１と同様にホスト
材料としてＢＡｌｑを、正孔輸送性材料としてＮＰＢを、発光材料としてＩｒ（ｔｐｐｒ
）２（ａｃａｃ）を適用し、これらを共蒸着することによって形成した。第２の発光層３
１３−２における各々の物質の質量比は、発光素子１乃至３及び比較発光素子１共にＢＡ
ｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１：０．１：０．０６となるように形
成した。
【０１３４】
このように、発光素子１乃至３は２層の発光層のうち、陽極に近い第１の発光層３１３
−１の正孔輸送性材料の濃度が、陰極に近い第２の発光層３１３−２の正孔輸送性材料の
濃度よりも高い。つまり、発光素子１乃至３は、実施の形態１で示した発光素子の構成を
有する。一方、比較発光素子１は、第１の発光層３１３−１、第２の発光層３１３−２共
に、同じ組成となっており、４０ｎｍの発光層１層の発光素子と見ることもできる構成と
なっている。
【０１３５】
その後、構造式（ｉｉｉ）で表されるＡｌｑを１０ｎｍ、構造式（ｉｖ）で表されるＢ
Ｐｈｅｎを２０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層３１４を形成した。さらに電子輸送
層３１４と接する電子注入層３１５を形成した。本実施例では、電子注入層３１５として
、フッ化リチウムを１ｎｍの膜厚となるように形成した。最後に、陰極として機能する第
２の電極３０２としてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜し、本実施例の
発光素子を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０１３６】
なお、比較発光素子１の発光層における上記３成分の質量比は、４０ｎｍの発光層を単
層で作製した場合に発光効率及び寿命の観点から最適と考えられる質量比を選択している
。
【０１３７】
≪発光素子１乃至３、比較発光素子１の動作特性≫
以上により得られた発光素子１乃至３、比較発光素子１を、窒素雰囲気のグローブボッ
クス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの
発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気
）で行った。
【０１３８】
各発光素子の電流密度−輝度特性を図７に、電圧−輝度特性を図８に、それぞれ示す。
また、各発光素子の輝度−電流効率特性を図９に、電圧−電流特性を図１０に示す。また
、輝度−外部量子効率特性を図１１、輝度−パワー効率特性を図１２に示す。なお、発光
スペクトルは、いずれの素子もほぼ同様であり、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）に由来
する赤色発光であった。
【０１３９】
図７乃至図１０から、発光素子１乃至３は、比較発光素子１と比較して電流効率、駆動
電圧共に改善していることがわかる。また、図１２から、発光素子１乃至３は比較発光素
子１と比較して、パワー効率も大きく改善していることがわかる。さらに、図１１から、
発光素子１乃至３は比較発光素子１と比較して、高輝度側での効率低下が少なく、Ｔ−Ｔ
消滅が抑制できていることがわかる。
【０１４０】
実用輝度１０００ｃｄ／ｃｍ２付近における各発光素子の主要な初期特性値を下表に示
す。
【０１４１】
【表１】
2015028941.tif 000018
【０１４２】
表１より、比較発光素子１と比較して発光素子１乃至３は１．０Ｖ〜２．２Ｖも低電圧
化していることがわかる。同時に、電流効率や量子効率も向上していることもわかる。こ
のように実施の形態１で示した構成の発光素子は、低電圧化と発光効率の向上が同時に達
成され、これらの相乗効果から消費電力低減の効果が大きく、指標としてのパワー効率も
約３０％〜７０％もの伸びを示した。
【０１４３】
なお、本実施例におけるホスト材料（ＢＡｌｑ）、正孔輸送性材料（ＮＰＢ）、及び発
光材料（Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））のＬＵＭＯ準位は、特開２００８−１６００
９８号公報より、同条件の測定においてＢＡｌｑ：−２．５４ｅＶ、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２
（ａｃａｃ）：−３．００ｅＶであることが開示されている。また、タイジュ  ツボイ、
他３名、カレント  アプライド  フィジックス、ｖｏｌ．５、ｐｐ．４７−５４（２００
５）によれば、ＮＰＢ（文献中のα−ＮＰＤ）はＢＡｌｑよりもさらに高いＬＵＭＯ準位
を有している。このように、本実施例においては発光材料のＬＵＭＯ準位がホスト材料及
び正孔輸送性材料のＬＵＭＯ準位より０．２ｅＶ以上低いことから、このような特に大き
な効果が得られたものと考えられる。なお、ＬＵＭＯ準位は、測定方法により多少得られ
る値に差異があるが、相対的な関係は変わらないため、以上のような比較を行った。
【０１４４】
以上のように、実施の形態１で示した発光素子を作製することにより、高い発光効率と
低駆動電圧化を両立させることができた。従って、実施の形態１で示した発光素子を作製
することにより、発光効率が高く、駆動電圧の低減された発光素子を得ることができる。
【０１４５】
＜参考例１＞
発光素子１乃至３は、第２の発光層のホスト材料、正孔輸送性材料、及び発光材料の組
成（質量比）を固定し、第１の発光層におけるホスト材料と正孔輸送性材料の質量比を変
化させた素子であったが、本参考例では、第１の発光層の組成を固定し、第２の発光層に
おけるホスト材料と正孔輸送性材料の質量比を変化させた素子について紹介する。なお、
素子構造は発光素子１乃至３及び比較発光素子１と同様であり、図６に示した構造である
。
【０１４６】
≪比較発光素子２乃至４の作製≫
陽極として機能する第１の電極３０１から正孔輸送層３１２までは、発光素子１乃至３
及び比較発光素子１と同様に作製した。
【０１４７】
続いて、第１の発光層３１３−１を２０ｎｍの膜厚となるように形成した。第１の発光
層３１３−１はホスト材料としてＢＡｌｑを、正孔輸送性材料としてＮＰＢを、発光材料
としてＩｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）を適用し、これらを共蒸着することによって形成
した。第１の発光層３１３−１における各々の物質の質量比は、比較発光素子２乃至４共
にＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１：０．１：０．０６となるよ
うに形成した。
【０１４８】
次に、第２の発光層３１３−２を２０ｎｍの膜厚となるように形成した。第２の発光層
３１３−２もホスト材料としてＢＡｌｑを、正孔輸送性材料としてＮＰＢを、発光材料と
してＩｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）を適用し、これらを共蒸着することによって形成し
た。第２の発光層３１３−２における各々の物質の質量比が、比較発光素子２はＢＡｌｑ
：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１：０．２５：０．０６、比較発光素子３
はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１：０．５：０．０６、比較発
光素子４はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１：１：０．０６とな
るようにそれぞれ形成した。
【０１４９】
このように、比較発光素子２乃至４では、第１の発光層３１３−１の成分比を固定し、
２層の発光層のうち、陽極に近い第１の発光層３１３−１の正孔輸送性材料の濃度が、陰
極に近い第２の発光層３１３−２の正孔輸送性材料の濃度よりも低い発光素子となってい
る。
【０１５０】
この後、発光素子１乃至３及び比較発光素子１と同様に電子輸送層３１４、電子注入層
３１５、及び陰極として機能する第２の電極３０２を形成し、発光素子を作製した。
【０１５１】
なお、発光素子１乃至３及び比較発光素子１乃至４の、発光層におけるホスト材料と正
孔輸送性材料の質量比（ホスト材料：正孔輸送性材料）を以下に示す。
【０１５２】
【表２】
2015028941.tif 000019
【０１５３】
≪比較発光素子２乃至４の動作特性≫
以上により得られた比較発光素子２乃至４を、窒素雰囲気のグローブボックス内におい
て、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動
作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０１５４】
比較発光素子２乃至４の電流密度−輝度特性を図１３に、電圧−輝度特性を図１４に、
それぞれ示す。また、各発光素子の輝度−電流効率特性を図１５に、電圧−電流特性を図
１６に示す。また、輝度−外部量子効率特性を図１７、輝度−パワー効率特性を図１８に
示す。なお、各特性図には、発光素子１乃至３との比較を容易にするため、比較発光素子
１の特性曲線も同時に示した。発光スペクトルは、いずれの素子もほぼ同様であり、Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）に由来する赤色発光であった。
【０１５５】
図１３乃至図１８からわかるように、いずれの特性においても比較発光素子１の方が比
較発光素子２乃至４より良好な結果となっている。比較発光素子１よりも、実施の形態１
で示した発光素子である発光素子１乃至３が良好な特性を示していることから、実施の形
態１で示した発光素子の構成の有効性がうかがえる。また、各特性は、第２の発光層３１
３−２における正孔輸送性材料の濃度が増加するに従って悪化する傾向が見られた。
【０１５６】
実用輝度１０００ｃｄ／ｃｍ２付近における各発光素子の主要な初期特性値を下表に示
す。
【０１５７】
【表３】
2015028941.tif 000020
【実施例２】
【０１５８】
本実施例では、実施例１とは異なる構成を有する発光素子について具体的に例示する。
なお、本実施例で用いる物質は実施例１と同様であるため、分子構造の呈示は割愛する。
実施例１で示した分子構造を参照されたい。本実施例では、第２の発光層３１３−２の膜
厚が実施例１と異なる発光素子について、図６を参照しながら説明する。
【０１５９】
≪発光素子４、５及び比較発光素子５の作製≫
陽極として機能する第１の電極３０１から正孔輸送層３１２までは、発光素子１乃至３
及び比較発光素子１と同様に作製した。
【０１６０】
続いて、正孔輸送層３１２上に、第１の発光層３１３−１を２０ｎｍの膜厚となるよう
に形成した。第１の発光層３１３−１はホスト材料として構造式（ｉｉ）で表されるＢＡ
ｌｑを、正孔輸送性材料としてＮＰＢを、発光材料として実施の形態１において構造式（
Ｄ１０）として示した（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナ
ト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））を適用し、これら
を共蒸着することによって形成した。ここで、第１の発光層３１３−１における各々の物
質の質量比が、発光素子４はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１：
０．２５：０．０６、発光素子５はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）
＝１：０．５：０．０６、比較発光素子５はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａ
ｃａｃ）＝１：０．１：０．０６となるようにそれぞれ形成した。
【０１６１】
次に、第１の発光層３１３−１上に第２の発光層３１３−２を、３０ｎｍの膜厚となる
ように形成した。第２の発光層３１３−２は第１の発光層と同様にホスト材料としてＢＡ
ｌｑを、正孔輸送性材料としてＮＰＢを、発光材料としてＩｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ
）を適用し、これらを共蒸着することによって形成した。第２の発光層３１３−２におけ
る各々の物質の質量比は、発光素子４、５及び比較発光素子５共にＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉ
ｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）＝１：０．１：０．０６となるように形成した。
【０１６２】
このように、発光素子４及び５は、陽極に近い第１の発光層３１３−１の正孔輸送性材
料の濃度が、陰極に近い第２の発光層３１３−２の正孔輸送性材料の濃度よりも高い。つ
まり、発光素子４及び５は、実施の形態１で示した発光素子の構成を有する。一方、比較
発光素子５は、第１の発光層３１３−１、第２の発光層３１３−２共に、同じ組成となっ
ており、５０ｎｍの発光層１層の発光素子と見ることもできる構成となっている。
【０１６３】
この後、実施例１と同様に電子輸送層３１４、電子注入層３１５及び陰極として機能す
る第２の電極３０２を形成し、発光素子を作製した。
【０１６４】
≪発光素子４、５及び比較発光素子５の動作特性≫
以上により得られた発光素子４、５及び比較発光素子５を、実施例１と同様に窒素雰囲
気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行
った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃
に保たれた雰囲気）で行った。
【０１６５】
発光素子４、５及び比較発光素子５の電流密度−輝度特性を図１９に、電圧−輝度特性
を図２０に、それぞれ示す。また、各発光素子の輝度−電流効率特性を図２１に、電圧−
電流特性を図２２に示す。また、輝度−外部量子効率特性を図２３に、輝度−パワー効率
特性を図２４に示す。発光スペクトルは、いずれの素子もほぼ同様であり、Ｉｒ（ｔｐｐ
ｒ）２（ａｃａｃ）に由来する赤色発光であった。
【０１６６】
図１９乃至図２２から、発光素子４、５は比較発光素子５と比較して電流効率、駆動電
圧共に改善していることがわかる。また、図２４から、発光素子４、５は比較発光素子５
と比較してパワー効率も大きく改善していることがわかる。さらに、図２３から、発光素
子４、５は比較発光素子５と比較しては高輝度側での効率低下が少なく、Ｔ−Ｔ消滅が抑
制できていることがわかる。
【０１６７】
実用輝度１０００ｃｄ／ｃｍ２付近における各発光素子の主要な初期特性値を下表に示
す。
【０１６８】
【表４】
2015028941.tif 000021
【０１６９】
表４より、まず、比較発光素子５と比較して発光素子４及び５は約１．０Ｖも低電圧化
していることがわかる。同時に、電流効率や量子効率も向上している。このように実施の
形態１で示した構成の発光素子は、低電圧化と発光効率の向上が同時に達成され、これら
の相乗効果から消費電力低減の効果が大きく、指標としてのパワー効率も約３０％の伸び
を示した。
【０１７０】
続いて、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子
を駆動したところ、図２５のような輝度劣化曲線が得られた。図２５において、横軸は時
間、縦軸は初期輝度を１００とした場合の相対輝度（％）である。図２５からもわかるよ
うに、発光素子４及び５は比較発光素子５とほぼ遜色ない長寿命を維持していることがわ
かった。
【０１７１】
以上のことから、実施の形態１で示した発光素子を作製することにより、高い発光効率
、素子寿命、及び低駆動電圧の３つを実現させることができた。したがって、実施の形態
１で示した発光素子を作製することにより、発光効率が高く、素子寿命の長い上に駆動電
圧の低い発光素子が得られる。
【実施例３】
【０１７２】
本実施例では、実施例１とは異なる構成を有する発光素子について、比較例を交えなが
ら例示する。具体的には、第１の発光層３１３−１及び第２の発光層３１３−２に含まれ
る発光材料が実施例１で示した発光素子とは異なる発光素子について、図６を参照しなが
ら説明する。なお、当該発光材料以外の構成及び材料は、実施例１で示した発光素子と同
様であるため、本実施例では重複する構成及び材料の説明は割愛する。
【０１７３】
≪発光素子６及び比較発光素子６の作製≫
陽極として機能する第１の電極３０１から正孔輸送層３１２までは、発光素子１乃至３
及び比較発光素子１と同様に作製した。
【０１７４】
続いて、正孔輸送層３１２と接する第１の発光層３１３−１を２０ｎｍの膜厚となるよ
うに形成した。第１の発光層３１３−１は、ホスト材料としてＢＡｌｑを、正孔輸送性材
料としてＮＰＢを、発光材料として実施の形態１において構造式（Ｄ１１）として示した
ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）を適用し、これらを共蒸着すること
によって形成した。ここで、第１の発光層３１３−１における各々の物質の質量比が、発
光素子６はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）＝１：０．２５：０．０６
、比較発光素子６はＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）＝１：０．１：０
．０６となるようにそれぞれ形成した。
【０１７５】
次に、第１の発光層３１３−１と接する第２の発光層３１３−２を、２０ｎｍの膜厚と
なるように形成した。第２の発光層３１３−２は第１の発光層と同様にホスト材料として
ＢＡｌｑを、正孔輸送性材料としてＮＰＢを、発光材料としてＩｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐ
ｍ）を適用し、これらを共蒸着することによって形成した。第２の発光層３１３−２にお
ける各々の物質の質量比は、発光素子６及び比較発光素子６共にＢＡｌｑ：ＮＰＢ：Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）＝１：０．１：０．０６となるように形成した。
【０１７６】
このように、発光素子６は、陽極に近い第１の発光層３１３−１の正孔輸送性材料の濃
度が、陰極に近い第２の発光層３１３−２の正孔輸送性材料の濃度よりも高い。つまり、
発光素子６は、実施の形態１で示した発光素子の構成を有する。一方、比較発光素子６は
、第１の発光層３１３−１、第２の発光層３１３−２共に、同じ組成となっており、４０
ｎｍの発光層１層の発光素子と見ることもできる構成となっている。
【０１７７】
この後、実施例１と同様に電子輸送層３１４、電子注入層３１５及び陰極として機能す
る第２の電極３０２を形成し、発光素子を作製した。
【０１７８】
≪発光素子６及び比較発光素子６の動作特性≫
以上により得られた発光素子６及び比較発光素子６を、実施例１と同様に窒素雰囲気の
グローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った
後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保
たれた雰囲気）で行った。
【０１７９】
発光素子６及び比較発光素子６の電流密度−輝度特性を図３０に、電圧−輝度特性を図
３１に、それぞれ示す。また、各発光素子の輝度−電流効率特性を図３２に、電圧−電流
特性を図３３に示す。さらに、輝度−外部量子効率特性を図３４に、輝度−パワー効率特
性を図３５に示す。なお、発光スペクトルは、いずれの素子もほぼ同様であり、Ｉｒ（ｔ
ｐｐｒ）２（ｄｐｍ）に由来する赤色発光であった。また、いずれの素子もＣＩＥ色度座
標は（ｘ、ｙ）＝（０．６７、０．３３）であり、ＮＴＳＣの赤色であった。
【０１８０】
図３０乃至図３３から、発光素子６は比較発光素子６と比較して電流効率、駆動電圧共
に改善していることがわかる。また、図３５から、発光素子６は比較発光素子６と比較し
てパワー効率も大きく改善していることがわかる。さらに、図３４から、発光素子６は比
較発光素子６と比較して高輝度側での効率低下が少なく、Ｔ−Ｔ消滅が抑制できているこ
とがわかる。
【０１８１】
実用輝度１０００ｃｄ／ｃｍ２付近における各発光素子の主要な初期特性値を下表に示
す。
【０１８２】
【表５】
2015028941.tif 000022
【０１８３】
表５より、まず、比較発光素子６と比較して発光素子６は低電圧化していることがわか
る。同時に、電流効率や量子効率も向上している。このように実施の形態１で示した構成
の発光素子は、低電圧化と発光効率の向上が同時に達成され、これらの相乗効果から消費
電力低減の効果が大きく、指標としてのパワー効率も約３０％の伸びを示した。
【０１８４】
続いて、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子
を駆動したところ、図３６のような輝度劣化曲線が得られた。図３６において、横軸は時
間、縦軸は初期輝度を１００とした場合の相対輝度（％）である。図３６からもわかるよ
うに、発光素子６は比較発光素子６とほぼ遜色ない長寿命を維持していることがわかった
。
【０１８５】
以上のことから、実施の形態１で示した発光素子を作製することにより、高い発光効率
、素子寿命、及び低駆動電圧の３つを実現させることができた。したがって、実施の形態
１で示した発光素子を作製することにより、発光効率が高く、素子寿命の長い上に駆動電
圧の低い発光素子が得られる。
【実施例４】
【０１８６】
本実施例では、実施例１とは異なる構成を有する発光素子について、比較例を交えなが
ら例示する。具体的には、発光素子に含まれる各種の材料が実施例１で示した発光素子と
は異なる発光素子について、図６を参照しながら説明する。なお、当該発光素子の一部の
構成及び材料は、実施例１で示した発光素子と同様であるため、本実施例では重複する説
明は割愛する。また、本実施例で用いる物質の分子構造を下記（ｖ）及び（ｖｉ）に示す
。
【０１８７】
【化１６】
2015028941.tif 000023
【０１８８】
≪発光素子７、８及び比較発光素子７の作製≫
陽極として機能する第１の電極３０１は、発光素子１乃至３及び比較発光素子１と同様
に作製した。
【０１８９】
次に、第１の電極３０１が形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に
設けられたホルダーに固定した。
【０１９０】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、構造式（ｖ）で表されるＰＣＢＡ１ＢＰと、
酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＰＣＢＡ１ＢＰ：酸化モリブデン（ＶＩ）＝４：２（質量
比）となるように共蒸着することにより、正孔注入層３１１を形成した。本実施例におけ
る、正孔注入層３１１の膜厚は５０ｎｍとした。次に、ＰＣＢＡ１ＢＰを１０ｎｍ蒸着す
ることにより、正孔輸送層３１２を形成した。
【０１９１】
続いて、正孔輸送層３１２と接する第１の発光層３１３−１を２０ｎｍの膜厚となるよ
うに形成した。第１の発光層３１３−１はホスト材料として構造式（ｖｉ）で表されるＣ
Ｏ１１ＩＩを、正孔輸送性材料としてＰＣＢＡ１ＢＰを、発光材料として実施の形態１に
おいて構造式（Ｄ２４）として示したビス｛２−（４−フルオロフェニル）−３，５−ジ
メチルピラジナト｝（ピコリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍＦｐｐｒ
）２（ｐｉｃ）］）を適用し、これらを共蒸着することによって形成した。ここで、第１
の発光層３１３−１における各々の物質の質量比が、発光素子７はＣＯ１１ＩＩ：ＰＣＢ
Ａ１ＢＰ：Ｉｒ（ｄｍＦｐｐｒ）２（ｐｉｃ）＝１：０．５：０．１、発光素子８はＣＯ
１１ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｄｍＦｐｐｒ）２（ｐｉｃ）＝１：０．２５：０．１
、比較発光素子７はＣＯ１１ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｄｍＦｐｐｒ）２（ｐｉｃ）
＝１：０．１：０．１となるようにそれぞれ形成した。
【０１９２】
次に、第１の発光層３１３−１と接する第２の発光層３１３−２を、２０ｎｍの膜厚と
なるように形成した。第２の発光層３１３−２は第１の発光層３１３−１と同様にホスト
材料としてＣＯ１１ＩＩを、正孔輸送性材料としてＰＣＢＡ１ＢＰを、発光材料としてＩ
ｒ（ｄｍＦｐｐｒ）２（ｐｉｃ）を適用し、これらを共蒸着することによって形成した。
第２の発光層３１３−２における各々の物質の質量比は、発光素子７、８及び比較発光素
子７共にＣＯ１１ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｄｍＦｐｐｒ）２（ｐｉｃ）＝１：０．
１：０．１となるように形成した。
【０１９３】
このように、発光素子７、８は２層の発光層のうち、陽極に近い第１の発光層３１３−
１の正孔輸送性材料の濃度が、陰極に近い第２の発光層３１３−２の正孔輸送性材料の濃
度よりも高い。つまり、発光素子７、８は、実施の形態１で示した発光素子の構成を有す
る。一方、比較発光素子７は、第１の発光層３１３−１、第２の発光層３１３−２共に、
同じ組成となっており、４０ｎｍの発光層１層の発光素子と見ることもできる構成となっ
ている。
【０１９４】
この後、実施例１と同様に電子輸送層３１４、電子注入層３１５及び陰極として機能す
る第２の電極３０２を形成し、発光素子を作製した。
【０１９５】
なお、比較発光素子７の発光層における上記３成分の質量比は、４０ｎｍの発光層を単
層で作製した場合に発光効率及び寿命の観点から最適と考えられる質量比を選択している
。
【０１９６】
≪発光素子７、８及び比較発光素子７の動作特性≫
以上により得られた発光素子７、８及び比較発光素子７を、実施例１と同様に窒素雰囲
気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行
った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃
に保たれた雰囲気）で行った。
【０１９７】
発光素子７、８及び比較発光素子７の電流密度−輝度特性を図３７に、電圧−輝度特性
を図３８に、それぞれ示す。また、各発光素子の輝度−電流効率特性を図３９に、電圧−
電流特性を図４０に示す。さらに、輝度−外部量子効率特性を図４１に、輝度−パワー効
率特性を図４２に示す。なお、発光スペクトルは、いずれの素子もほぼ同様であり、Ｉｒ
（ｄｍＦｐｐｒ）２（ｐｉｃ）に由来する緑色発光であった。また、比較発光素子７のＣ
ＩＥ色度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．４１、０．５７）であったのに対し、発光素子７、
８では、（ｘ、ｙ）＝（０．４０、０．５８）であり、本発明の一態様を適用することに
より、色度が若干改善された。
【０１９８】
図３７乃至図４０から、発光素子７、８は比較発光素子７と比較して電流効率、駆動電
圧共に改善していることがわかる。また、図４２から、発光素子７、８は比較発光素子７
と比較してパワー効率も大きく改善していることがわかる。さらに、図４１から、発光素
子７、８は比較発光素子７と比較して高輝度側での効率低下が少なく、Ｔ−Ｔ消滅が抑制
できていることがわかる。実用輝度１０００ｃｄ／ｃｍ２付近における各発光素子の主要
な初期特性値を下表に示す。
【０１９９】
【表６】
2015028941.tif 000024
【０２００】
表６より、まず、比較発光素子７と比較して発光素子７、８は低電圧化していることが
わかる。同時に、電流効率や量子効率も向上している。このように実施の形態１で示した
構成の発光素子は、低電圧化と発光効率の向上が同時に達成され、これらの相乗効果から
消費電力低減の効果が大きく、指標としてのパワー効率も約３０％の伸びを示した。
【０２０１】
続いて、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子
を駆動したところ、図４３のような輝度劣化曲線が得られた。図４３において、横軸は時
間、縦軸は初期輝度を１００とした場合の相対輝度（％）である。図４３からもわかるよ
うに、発光素子７、８は比較発光素子７とほぼ遜色ない長寿命を維持していることがわか
った。
【０２０２】
以上のことから、実施の形態１で示した発光素子を作製することにより、高い発光効率
、素子寿命、及び低駆動電圧の３つを実現させることができた。したがって、実施の形態
１で示した発光素子を作製することにより、発光効率が高く、素子寿命の長い上に駆動電
圧の低い発光素子が得られる。
【０２０３】
＜参考例２＞
参考例２では実施の形態１において、構造式（Ｄ２９）及び（Ｄ３０）として示した有
機金属錯体の合成方法を説明する。
【０２０４】
≪合成例１≫
本合成例では、実施の形態１において構造式（Ｄ２９）として示した有機金属錯体、（
アセチルアセトナト）ビス［２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナ
ト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）の合成
例を具体的に例示する。
【０２０５】
＜ステップ１；  ２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジン（略称：Ｈ
ｄｍｍｏｐｐｒ）の合成＞
まず、２−クロロ−３，５−ジメチルピラジン１．０３ｇ、４−メトキシフェニルボロ
ン酸１．０９ｇ、炭酸ナトリウム０．７６ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）ジクロリド（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２  ）０．０３２ｇ、水１０ｍＬ
、及びアセトニトリル１０ｍＬを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン
置換した。この反応容器にマイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を１０分間照射する
ことで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得
られた有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過し
た。この溶液の溶媒を留去し、目的のピラジン誘導体Ｈｄｍｍｏｐｐｒを得た（暗い黄色
液体、収率９９％）。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＣＥＭ社製  Ｄｉ
ｓｃｏｖｅｒ）を用いた。ステップ１の合成スキームを下記（Ａ−１）に示す。
【０２０６】
【化１７】
2015028941.tif 000025
【０２０７】
＜ステップ２；  ジ−μ−クロロ−ビス［ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５
−ジメチルピラジン｝イリジウム（ＩＩＩ）］（略称：［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２Ｃｌ
］２）の合成＞
次に、２−エトキシエタノール１５ｍＬ、水５ｍＬ、上記ステップ１で得たＨｄｍｍｏ
ｐｐｒ１．５８ｇ、及び塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａ
ｌｄｒｉｃｈ社製）０．８８ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をア
ルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を３０分間照射し、
反応させた。反応後の溶液を濃縮し、得られた残渣をエタノールにて洗浄することにより
、複核錯体［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２Ｃｌ］２  を得た（暗い黄色粉末、収率７１％）
。また、ステップ２の合成スキームを下記（Ａ−２）に示す。
【０２０８】
【化１８】
2015028941.tif 000026
【０２０９】
＜ステップ３；  （アセチルアセトナト）ビス［２−（４−メトキシフェニル）−３，５
−ジメチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａ
ｃａｃ）］の合成＞
さらに、２−エトキシエタノール１０ｍＬ、上記ステップ２で得た複核錯体［Ｉｒ（ｄ
ｍｍｏｐｐｒ）２Ｃｌ］２  ０．７５ｇ、アセチルアセトン０．１８ｍＬ、及び炭酸ナト
リウム０．６０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換し
た。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を３０分間照射し、反応させた。
反応溶液をろ過した。得られたろ取物をエタノールに溶解してろ過して不溶物を除去した
後、ろ液を濃縮し、エタノールにて再結晶することにより、実施の形態１において（Ｄ２
９）として示した有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］を得た（橙色
粉末、収率５１％）。ステップ３の合成スキームを下記（Ａ−３）に示す。
【０２１０】
【化１９】
2015028941.tif 000027
【０２１１】
なお、上記ステップ３で得られた橙色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による
分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図２６に示す。このことから、本
合成例において、上述の構造式（Ｄ２９）で表される有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐ
ｒ）２（ａｃａｃ）］が得られたことがわかった。
【０２１２】
１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：１．８０（ｓ，６Ｈ），２．６０（ｓ，６Ｈ），３．
００（ｓ，６Ｈ），３．５７（ｓ，６Ｈ），５．２２（ｓ，１Ｈ），５．７２（ｄ，２Ｈ
），６．４６（ｄｄ，２Ｈ），７．８１（ｄ，２Ｈ），８．２１（ｓ，２Ｈ）．
【０２１３】
次に、［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］の紫外可視線吸収スペクトル法（Ｕ
Ｖ）による解析を行った。ＵＶスペクトルの測定は紫外可視分光光度計（（株）日本分光
製  Ｖ５５０型）を用い、ジクロロメタン溶液（０．０７１ｍｍｏｌ／Ｌ）を用いて、室
温で測定を行った。また、［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］の発光スペクトル
を測定した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製  ＦＳ９２０
）を用い、脱気したジクロロメタン溶液（０．４２ｍｍｏｌ／Ｌ）を用いて、室温で測定
を行った。測定結果を図２７に示す。横軸は波長、縦軸はモル吸光係数および発光強度を
表す。
【０２１４】
図２７に示す通り、有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］は、５７
３ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からはオレンジ色の発光が観測さ
れた。
【０２１５】
≪合成例２≫
本合成例では、実施の形態１においての構造式（Ｄ３０）として示した有機金属錯体、
（アセチルアセトナト）ビス［２−（２−ナフチル）−３，５−ジメチルピラジナト］イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２（ａｃａｃ）］）の合成例を具体
的に例示する。
【０２１６】
＜ステップ１；  ２−（２−ナフチル）−３，５−ジメチルピラジン（略称：Ｈｄｍ２ｎ
ｐｒ）の合成＞
まず、２−クロロ−３，５−ジメチルピラジン２．２５ｇ、２−ナフチルボロン酸２．
７１ｇ、炭酸ナトリウム１．６７ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ
）ジクロリド（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２  ）０．０７２ｇ、水１５ｍＬ、及びア
セトニトリル１５ｍＬを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した
。この反応容器にマイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を１０分間照射することで加
熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有
機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過した。この
溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピラジン誘導体Ｈｄｍ２ｎｐｒを得た（薄い
橙色粉末、収率５６％）。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＣＥＭ社製  
Ｄｉｓｃｏｖｅｒ）を用いた。ステップ１の合成スキームを下記（Ｂ−１）に示す。
【０２１７】
【化２０】
2015028941.tif 000028
【０２１８】
＜ステップ２；  ジ−μ−クロロ−ビス［ビス｛２−（２−ナフチル）−３，５−ジメチ
ルピラジン｝イリジウム（ＩＩＩ）］（略称：［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２Ｃｌ］２）の合
成＞
次に、２−エトキシエタノール１５ｍＬ、水５ｍＬ、上記ステップ１で得たＨｄｍ２ｎ
ｐｒ２．０６ｇ、及び塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌ
ｄｒｉｃｈ社製）１．３１ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアル
ゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を１時間照射し、反応
させた。反応溶液より析出してきた茶色粉末をろ取し、エタノールにて洗浄することによ
り、複核錯体［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２Ｃｌ］２  を得た（収率７７％）。また、ステッ
プ２の合成スキームを下記（Ｂ−２）に示す。
【０２１９】
【化２１】
2015028941.tif 000029
【０２２０】
＜ステップ３；  （アセチルアセトナト）ビス［２−（２−ナフチル）−３，５−ジメチ
ルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２（ａｃａｃ）］
の合成＞
さらに、２−エトキシエタノール２０ｍＬ、上記ステップ２で得た複核錯体［Ｉｒ（ｄ
ｍ２ｎｐｒ）２Ｃｌ］２  １．０５ｇ、アセチルアセトン０．２３ｍＬ、炭酸ナトリウム
０．８０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。そ
の後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を３０分間照射し、反応させた。反応溶
液をろ過した。得られたろ取物をジクロロメタンに溶解してろ過して不溶物を除去した後
、ろ液を濃縮し、エタノールとジクロロメタンの混合溶媒にて再結晶することにより、本
発明の有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２（ａｃａｃ）］を橙色粉末として得た（収
率４４％）。ステップ３の合成スキームを下記（Ｂ−３）に示す。
【０２２１】
【化２２】
2015028941.tif 000030
【０２２２】
なお、上記ステップ３で得られた橙色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による
分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図２８に示す。このことから、本
合成例１において、上述の構造式（Ｄ３０）で表される有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐ
ｒ）２（ａｃａｃ）］が得られたことがわかった。
【０２２３】
１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：１．８１（ｓ，６Ｈ），２．７１（ｓ，６Ｈ），３．
２４（ｓ，６Ｈ），５．２７（ｓ，１Ｈ），６．５２（ｓ，２Ｈ），７．１１−７．２３
（ｍ，６Ｈ），７．６８（ｄ，２Ｈ），８．４０（ｄ，４Ｈ）．
【０２２４】
次に、［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２（ａｃａｃ）］の紫外可視線吸収スペクトル法（ＵＶ
）による解析を行った。ＵＶスペクトルの測定は紫外可視分光光度計（（株）日本分光製
Ｖ５５０型）を用い、ジクロロメタン溶液（０．１３ｍｍｏｌ／Ｌ）を用いて、室温で
測定を行った。また、［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２（ａｃａｃ）］の発光スペクトルを測定
した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製  ＦＳ９２０）を用
い、脱気したジクロロメタン溶液（０．４７ｍｍｏｌ／Ｌ）を用いて、室温で測定を行っ
た。測定結果を図２９に示す。横軸は波長、縦軸はモル吸光係数および発光強度を表す。
【０２２５】
図２９に示す通り、［Ｉｒ（ｄｍ２ｎｐｒ）２（ａｃａｃ）］は、６１６ｎｍに発光ピ
ークを有しており、ジクロロメタン溶液からは赤橙色の発光が観測された。
【０２２６】
＜参考例３＞
参考例３では実施例４において、構造式（ｖｉ）として示したＣＯ１１ＩＩの合成方法
を説明する。
【０２２７】
≪合成例３≫
本合成例では実施の形態１において、構造式（ｖｉ）として示した３−フェニル−９−
［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−
カルバゾール（略称：ＣＯ１１ＩＩ）の合成例を具体的に例示する。
【０２２８】
３−フェニル−９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールの合成スキームを（Ｃ−１）に示す。
【０２２９】
【化２３】
2015028941.tif 000031
【０２３０】
２−（４−ヨードフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール２．３ｇ
（６．６ｍｍｏｌ）、３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール１．６ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、
ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド１．４ｇ（１５ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコ
に入れ、当該フラスコ内を窒素置換した。この混合物へトルエン３０ｍＬ、トリ（ｔｅｒ
ｔ−ブチル）ホスフィンの１０％ヘキサン溶液０．２ｍＬを加えて、当該フラスコ内をア
スピレータにより減圧することで、この混合物を脱気したのち、フラスコ内を窒素置換し
た。この混合物にビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．０５８ｇ（０．
１０ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で１５時間攪拌した。撹拌後、この混合物に
トルエンを加え、この懸濁液を飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄した。
洗浄後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。乾燥後、この混合物を吸引ろ過し
てろ液を得た。得られたろ液をセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０
−１６８５５）を通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た化合物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーはまず
トルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン：酢酸エチル＝４：１の混合溶媒を展開
溶媒として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体にアセト
ンを加え、超音波を照射して洗浄した。この混合物を吸引ろ過して固体を回収した。回収
した固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、粉末状白色固体を収
量２．０ｇ、収率６４％で得た。
【０２３１】
得られた白色固体１．１ｇの昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇
華精製は３．０Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を５ｍＬ／ｍｉｎとして２４０℃で１６時
間行った。収量０．９８ｇで収率は８９％であった。
【０２３２】
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が、３−フェニル−９−［４−（５−フ
ェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（
略称：ＣＯ１１ＩＩ）であることを確認した。
【０２３３】
得られた化合物の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．３０−７．７６（ｍ，１３Ｈ）、
７．７９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、８．１４−８．２４（ｍ，３Ｈ）、８．３５（
ｓｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ）、８．３９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）
【符号の説明】
【０２３４】
３０１    第１の電極
３０２    第２の電極
３１１    正孔注入層
３１２    正孔輸送層
３１３    発光層
３１３−１    第１の発光層
３１３−２    第２の発光層
３１４    電子輸送層
３１５    電子注入層
３２１    正孔輸送性材料
３２２    ホスト材料
３２３    発光材料
４０１    筐体
４０２    液晶層
４０３    バックライト
４０４    筐体
４０５    ドライバＩＣ
４０６    端子
４１１    筐体
４１２    光源
５１１    本体
５１２    筐体
５１３    表示部
５１４    キーボード
５２１    表示部
５２２    本体
５２３    アンテナ
５２４    音声出力部
５２５    音声入力部
５２６    操作スイッチ
５３１    表示部
５３２    筐体
５３３    スピーカー
５４１    本体
５４２    表示部
５４３    外部メモリ挿入部
５４４    スピーカー部
５４５    操作キー
６０１    駆動回路部（ソース側駆動回路）
６０２    画素部
６０３    駆動回路部（ゲート側駆動回路）
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    空間
６０８    引き回し配線
６０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０    素子基板
６１１    スイッチング用ＴＦＴ
６１２    電流制御用ＴＦＴ
６１３    第１の電極
６１４    絶縁物
６１６    発光層を含む層
６１７    第２の電極
６１８    発光素子
６２３    Ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４    Ｐチャネル型ＴＦＴ
９５１    基板
９５２    電極
９５３    絶縁層
９５４    隔壁層
９５５    発光層を含む層
９５６    電極
【図１】
2015028941.tif 000032
【図２】
2015028941.tif 000033
【図３】
2015028941.tif 000034
【図４】
2015028941.tif 000035
【図５】
2015028941.tif 000036
【図６】
2015028941.tif 000037
【図７】
2015028941.tif 000038
【図８】
2015028941.tif 000039
【図９】
2015028941.tif 000040
【図１０】
2015028941.tif 000041
【図１１】
2015028941.tif 000042
【図１２】
2015028941.tif 000043
【図１３】
2015028941.tif 000044
【図１４】
2015028941.tif 000045
【図１５】
2015028941.tif 000046
【図１６】
2015028941.tif 000047
【図１７】
2015028941.tif 000048
【図１８】
2015028941.tif 000049
【図１９】
2015028941.tif 000050
【図２０】
2015028941.tif 000051
【図２１】
2015028941.tif 000052
【図２２】
2015028941.tif 000053
【図２３】
2015028941.tif 000054
【図２４】
2015028941.tif 000055
【図２５】
2015028941.tif 000056
【図２６】
2015028941.tif 000057
【図２７】
2015028941.tif 000058
【図２８】
2015028941.tif 000059
【図２９】
2015028941.tif 000060
【図３０】
2015028941.tif 000061
【図３１】
2015028941.tif 000062
【図３２】
2015028941.tif 000063
【図３３】
2015028941.tif 000064
【図３４】
2015028941.tif 000065
【図３５】
2015028941.tif 000066
【図３６】
2015028941.tif 000067
【図３７】
2015028941.tif 000068
【図３８】
2015028941.tif 000069
【図３９】
2015028941.tif 000070
【図４０】
2015028941.tif 000071
【図４１】
2015028941.tif 000072
【図４２】
2015028941.tif 000073
【図４３】
2015028941.tif 000074