(57)【要約】  【課題】  低背化することが可能な弾性波素子を提供する。  【解決手段】  本発明の弾性波素子は、上面２Ａ側に凹部２ａを有する圧電基板２と、凹部２ａの底面２ａＡに形成された励振電極３と、圧電基板２上に配置された、励振電極３と電気的に接続された電極パッド４と、凹部２ａの開口した領域を覆い、上面２Ａの上に配置されるとともに、電極パッド４を露出させる貫通孔５ａを有するカバー体５と、貫通孔５ａ内に配置された、電極パッド４と電気的に接続された貫通導体６とを有する。  本発明の弾性波素子は、上面20Ａ側に凹部20ａを有する圧電基板20と、凹部20ａの底面20ａＡに形成された励振電極３と、圧電基板20上に配置された、励振電極３と電気的に接続された電極パッド４と、凹部20ａの開口した領域を覆い、上面20Ａの上に配置されたカバー体50と、を有し、圧電基板20は、厚み方向に貫通し、電極パッド４と電気的に接続した貫通導体60を有している。【選択図】  図４
2015050615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面側に凹部を有する圧電基板と、
前記凹部の底面に形成された励振電極と、
前記圧電基板上に配置された、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、
前記凹部の開口した領域を覆い、前記上面の上に配置されるとともに、前記電極パッドを露出させる貫通孔を有するカバー体と、
前記貫通孔内に配置された、前記電極パッドと電気的に接続された貫通導体とを有する弾性波素子。
【請求項２】
上面側に凹部を有する圧電基板と、
前記凹部の底面に形成された励振電極と、
前記圧電基板上に配置された、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、
前記凹部の開口した領域を覆い、前記上面の上に配置されたカバー体と、を有し、
前記圧電基板は、厚み方向に貫通し、前記電極パッドと電気的に接続した貫通導体を有している弾性波素子。
【請求項３】
前記電極パッドは、前記凹部内に位置している請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記電極パッドは、前記圧電基板の上面に位置している請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記貫通導体は、前記電極パッド上に形成された第１貫通導体と、該第１貫通導体上に設けられ、前記第１貫通導体と異なる材料からなる第２貫通導体とを有している請求項１〜４のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記凹部の底面に配置されるとともに、前記カバー体と接する柱状体を有する請求項１〜５のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記圧電基板は、複数の凹部を有しており、
該複数の凹部のうち隣接する２つの前記凹部の間に隔壁を有する請求項１〜６のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項８】
前記複数の凹部のうち少なくとも２以上の前記凹部に前記励振電極が配置されており、異なる前記凹部に配置された前記励振電極の通過周波数帯域は互いに異なっている請求項７に記載の弾性波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、励振電極が圧電基板上に形成されている弾性波素子（Surface Acoustic Wave：以下、単にＳＡＷ素子という）が知られている。このＳＡＷ素子は、励振電極と圧電
基板との関係で電気信号と弾性表面波とを相互に変換することができる特性を利用して、特定の周波数を得るフィルタとして用いられている。
【０００３】
携帯電話等の移動体端末に用いられるデュプレクサにおいて、従来では、主に誘電体フィルタが用いられてきていたが、近年では、高性能で小型軽量化が可能なＳＡＷ素子が用いられるようになってきた。移動体端末には、コンデンサ等が実装された回路基板にＳＡＷ素子を実装したＳＡＷモジュールとして搭載される。移動体端末において、ＳＡＷモジュールは、アンテナ部から送受信された電気信号をデュプレクサで受信信号と発信信号にフィルタリングする役割を有している。
【０００４】
近年、移動体端末の小型化が進むにつれて、デュプレクサの低背化が必要となっている。そのため、デュプレクサの低背化にはＳＡＷ素子の低背化が必須となっている。ＳＡＷ素子を低背化する構造として、例えばウェハーレベルパッケージ（Wafer Level Package
：以下、単にＷＬＰという）構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2010−56671号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＳＡＷ素子は、弾性表面波が振動する振動空間を圧電基板上に設ける必要があることから、ＷＬＰ構造以上に低背化することが難しかった。
【０００７】
そこで、本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、低背化することが可能な弾性波素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の弾性波素子は、上面側に凹部を有する圧電基板と、前記凹部の底面に形成された励振電極と、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、前記凹部の開口した領域を覆い、前記上面の上に配置されるとともに、前記電極パッドを露出させる貫通孔を有するカバー体と、前記貫通孔内に配置された、前記電極パッドと電気的に接続された貫通導体とを有する。
【０００９】
また、本発明の弾性波素子は、上面側に凹部を有する圧電基板と、前記凹部の底面に形成された励振電極と、前記圧電基板上に配置された、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、前記凹部の開口した領域を覆い、前記上面の上に配置されたカバー体と、を有し、前記圧電基板は、厚み方向に貫通し、前記電極パッドと電気的に接続した貫通導体を有している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、低背化することができることが可能な弾性波素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ素子の外観平面図である。
【図２】図１のＳＡＷ素子において、カバー体を取り外したときの平面図である。
【図３】図２のＳＡＷ素子の一部を拡大した平面図である。
【図４】図１のＳＡＷ素子をＩ−Ｉ線で切断したときの断面に相当する。
【図５】図１のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面に相当する。
【図６】図５のＳＡＷ素子の一部を拡大した拡大断面図である。
【図７】図１のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図８】図１のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図９】図１のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１０】図１のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ素子の断面図であり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときに相当する。
【図１２】図11のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１３】図11のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１４】図11のＳＡＷ素子の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１３】
＜第１の実施形態に係るＳＡＷ素子等の構成＞
本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ素子について以下説明する。本実施形態に係るＳＡＷ素子１は、図１〜10に示すように、圧電基板２、励振電極３、電極パッド４、カバー体５および貫通導体６を有している。
【００１４】
ＳＡＷ素子１は、それぞれの構成をウェハーレベルで形成することができる。ＳＡＷ素子１は、移動体端末において、アンテナ部と信号演算回路（例えば、ＩＣ）がやり取りする電気信号をフィルタリングする機能を有する。
【００１５】
ＳＡＷ素子１は、電極パッド４を複数有しており、そのうちのいずれかの電極パッド４を介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極３等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ素子１は、フィルタリングした信号を、複数の電極パッド４のうち入力信号が入った電極パッド４以外の電極パッド４を介して出力する。
【００１６】
圧電基板２は、タンタル酸リチウム単結晶、二オブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶など圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。圧電基板２は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な上面２Ａおよび第２主面
２Ｂを有している。圧電基板２は、大きさが適宜に設定すればよい。圧電基板２は、厚さが、例えば、0.2ｍｍ以上0.5ｍｍ以下に設定することができる。圧電基板２は、一辺の長さが、例えば、0.6ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定することができる。
【００１７】
圧電基板２には、図４に示すように、上面２Ａ側に凹部２ａを有している。凹部２ａは、上面２Ａの外周よりも内側に位置している。凹部２ａの深さは、上面２Ａに対して、例えば１μｍ以上10μｍ以下の深さとなるように設定することができる。なお、凹部２ａの深さ、凹部２ａの幅は、励振電極３の厚み等によって適宜設定すればよい。凹部２ａの深さを調整することによって、後述する振動空間Ｓｐの大きさを決めることができる。凹部２ａの平面方向の幅は、例えば100μｍ以上500μｍ以下となるように設定することができる。
【００１８】
凹部２ａは、塩素系ガスまたはフッ素系ガスを用いたドライエッチング、酸を用いたウエットエッチング、または短波長（例えば、波長500ｎｍ以下）によるレーザ加工等によ
り形成することができる。
【００１９】
励振電極３は、凹部２ａの底面２ａＡに形成されている。励振電極３は、図３に示すように、上面２Ａ上に層状（平板状）に形成されている。励振電極３は、いわゆるＩＤＴであり、２つの櫛歯状電極７から構成されている。各櫛歯状電極７は、圧電基板２における弾性表面波の伝搬方向に延びるバスバー７ａと、バスバー７ａから上記伝搬方向に直交する方向に延びる複数の電極指７ｂとを有している。２つの櫛歯状電極７同士は、それぞれの電極指７ｂが互いに噛み合うように設けられている。なお、図３に例示する励振電極３は、必須ではないが、反射器７ｃを有している場合である。
【００２０】
図３は、模式図であり、数本の電極指９ｂを有する櫛歯状電極７を示している。実際には、これよりも多数の電極指７ｂを有する櫛歯状電極７が設けられていてよい。また、複数の励振電極３が、直接接続または並列接続などにより接続されたラダー型ＳＡＷフィルタを構成していてもよい。また、複数の励振電極３が、複数の励振電極３が一方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタを構成していてもよい。
【００２１】
電極パッド４は、図２等に示すように、圧電基板２上に配置されている。電極パッド４は、凹部２ａの底面２ａＡに配置されてもよいし、上面２Ａに配置されてもよい。本実施形態では、電極パッド４が上面２Ａ上に形成されている場合である。電極パッド４の平面視形状は適宜設定すればよい。本実施形態では、電極パッド４は円形状である。電極パッド４の数および配置位置は、励振電極３によって構成されるフィルタの構成に応じて適宜設定すればよい。
【００２２】
電極パッド４は、図３に示すように、励振電極３と配線８によって電気的に接続されている。配線８は、上面２Ａ上に層状に形成され、励振電極３のバスバー７ａと電極パッド４を電気的に接続している。なお、配線８は上面２Ａに形成されている必要はなく、例えば絶縁体を介して立体交差させる部分があってもよい。
【００２３】
電極パッド４は、貫通導体６との密着性または電気特性を向上させるために、金属材料を積層させた接続電極４’を配置してもよい。具体的に、接続電極４’は、クロム、ニッケルおよび金を順次積層させたものを用いることができる。クロムは10ｎｍ、ニッケルは１μｍ、金は100ｎｍにそれぞれ設定することができる。接続電極４’は、リフトオフ法
により形成することができる。
【００２４】
励振電極３、電極パッド４および配線８（上面２Ａに形成された部分）は、同じ製造プロセスで形成することができる。そのため、励振電極３、電極パッド４および配線８は、
例えば同じ導電材料によって構成されている。導電材料としては、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金を用いることができる。また、励振電極３、電極パッド４および配線８は、例えば、同じ膜厚に設定される。これらの厚さとしては、例えば100ｎｍ以上500ｎｍ以下に設定することができる。
【００２５】
励振電極３、配線８および電極パッド４は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法により形成した金属膜を、微小投影露光機（
ステッパー）またはＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いたフォトリソグラフィ法により形成することができる。
【００２６】
励振電極３、配線８の一部および電極パッド４には、保護膜が形成されていてもよい。保護膜は、絶縁性材料によって構成されており、例えば、酸化ケイ素（SiO2）、窒化ケイ素（Si3N4）またはシリコン（Si）等を用いることができる。保護膜の厚みは、５ｎｍ以
上50ｎｍ以下に設定することができる。保護膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形成法により形成した膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、得ることができる。このような保護膜を形成することにより、励振電極３および配線８を保護し、酸化されにくくすることができる。
【００２７】
保護膜は、圧電基板２の上面２Ａにわたって形成されていてもよい。圧電基板２の上面２Ａにも保護膜が形成されている場合には、カバー体５を保護膜と接するように配置してもよい。これにより、カバー体５と保護膜の熱膨張係数の差を、カバー体５と圧電基板２の熱膨張係数の差よりも小さくすることができるため、熱膨張係数の差に起因して剥がれにくくすることができる。その結果、カバー体５の密着性を向上させることができる。
【００２８】
カバー体５は、凹部２ａの開口した領域を覆うように上面２Ａの上に配置されている。そのため、カバー体５として、凹部２ａよりも大きくなるように設定される。カバー体５としては、感光性材料からなるフィルム状の部材を用いることができる。カバー体５としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂をフィルム状に成型したものを用いることができる。凹部２ａの開口を覆うことによって、閉鎖された振動空間Ｓｐが形成される。
【００２９】
カバー体５は、電極パッド４を露出させる貫通孔５ａを有している。貫通孔５ａは、外周が、電極パッド４の外周よりも小さくなるように配置されている。貫通孔５ａは、電極パッド４に対して、垂直となっていてもよいし、傾斜していてもよい。貫通孔５ａが傾斜していた場合、後述する貫通導体６との密着性を向上させることができる。カバー体５の厚みは、例えば数μｍ以上50μｍ以下となるように設定されている。
【００３０】
カバー体５は、感光性材料からなるフィルムを用いて形成される。まず、凹部２ａの開口を塞ぐようにフィルムを上面２Ａに載置する。その後、フィルムをローラー等で加熱・加圧することにより、圧電基板２の上面２Ａにフィルムを接着させることができる。次に、フォトリソグラフィ技術による露光工程および現像工程を経て、貫通孔をフィルムに形成する。
【００３１】
そして、そのフィルムを加熱したり、光照射したりすることにより、貫通孔５ａを有するカバー体５を形成することができる。加熱温度としては、フィルムとしてエポキシ樹脂を用いた場合であれば、例えば100℃以上200℃以下に設定することができる。
【００３２】
貫通導体６は、貫通孔５ａ内に配置されており、電極パッド４と電気的に接続されている。貫通導体６は、例えば、銅、銀ペーストまたは導電性樹脂等を用いることができる。貫通導体６の一部がカバー体５から露出するように配置される。貫通導体６として銅を使
用する場合には電解メッキ法を用いて形成することができる。貫通導体６として銀ペーストまたは導電性樹脂を使用する場合には印刷法またはディスペンス法を用いて形成することができる。
【００３３】
カバー体５から露出した貫通導体６には、外部端子９が設けられる。外部端子９としては、ニッケル若しくは金等からなる金属層または半田等を用いることができる。本実施形態では、外部端子９として、半田バンプを用いている場合である。半田バンプは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだでもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。外部端子９の厚みは、例えば５μｍ以上100μｍ以下となるように設定することが
できる。
【００３４】
本実施形態のＳＡＷ素子は、圧電基板２に設けられた凹部２ａに励振電極３を配置している構成を有していることから、ＳＡＷを機能させる機能部分（励振電極３、振動空間Ｓｐなど）を圧電基板２内に設けることができ、低背化することができる。また、機能部分を圧電基板２内に設けることにより、圧電基板上に振動空間を設ける場合と比較して、気密性、封止性を向上させることができ、長期信頼性を向上させることができる。
【００３５】
（変形例１）
電極パッド４は、図５に示すように、凹部２ａ内に位置していてもよい。すなわち、電極パッド４は、凹部２ａの底面２ａＡに位置していてもよい。凹部２ａは、電極パッド４を設ける領域分だけ広く形成すればよい。このように凹部２ａ内に電極パッド４を設けることから、ＳＡＷ素子１をさらに低背化することができる。本実施形態では、外部端子９として金属層を用いている場合である。
【００３６】
また、この場合には、図６に示すように、貫通導体６として、第１貫通導体６ａと第２貫通導体６ｂを有していてもよい。第１貫通導体６ａと第２貫通導体６ｂを異なる材料で形成することができる。例えば、第１貫通導体６ａを接続電極４’と密着性の高い材料で形成し、第２貫通導体６ｂを外部端子９と密着性の高い材料で形成することができ、設計の自由度を高めることができる。
【００３７】
第１貫通導体６ａおよび第２貫通導体６ｂは、第１貫通導体６ａとなる導電性樹脂を例えば印刷法またはディスペンス法等でカバー体５の貫通孔５ａに充填することで、接続電極４’上から貫通孔５ａの一部まで延びる第１貫通導体６ａを形成することができる。その後、貫通孔５ａ内に露出した第１貫通導体６ａの一部上に第２貫通導体６ｂとなる導電性樹脂を、電解メッキ法によって充填することで、第２貫通導体６ｂを形成することができる。
【００３８】
（変形例２）
凹部２ａの底面２ａＡには、図７に示すように、カバー体５の下面と接する柱状体10を有していてもよい。柱状体10は、カバー体５と同じ樹脂で構成されていてもよいし、金、銅、アルミニウムまたは銀などの金属で構成されていてもよい。柱状体10は、凹部２ａのどこに配置してもよく、例えば凹部２ａの中心付近に配置することができる。このように柱状体10を有していることによって、カバー体５が凹部２ａ内に垂れ下がりにくくすることができる。その結果、カバー体５の垂れ下がりによる弾性表面波の阻害を起こりにくくすることができ、安定して電気特性を維持することができる。またこのように柱状体10を設けることにより、回路基板等に実装したときの耐衝撃性を向上させることができる。
【００３９】
また、柱状体10は、図８に示すように、一部がカバー体５の内部に位置していてもよい。このように柱状体10の一部をカバー体５の内部に配置することによって、カバー体５と
の接触面積を増やすことができ、カバー体５の垂れ下がりをさらに起こりにくくすることができる。図８に示すＳＡＷ素子１は、柱状体10を導体材料で形成している場合であり、この場合、柱状体10を用いる際に電極パッド４および配線８を形成することができるので、生産性を向上させることができる。
【００４０】
柱状体10は、絶縁性樹脂または感光性樹脂をフォトリソグラフィ法で任意の位置、形状に形成することができる。柱状体10を、導体材料で形成する場合は、リフトオフ法等を用いることができる。
【００４１】
（変形例３）
柱状体10として、図９に示すように、圧電基板２の一部を用いてもよい。すなわち、圧電基板２は、複数の凹部２ａを有していて、その複数の凹部２ａのうち隣接する２つの凹部２ａの間に位置する隔壁を柱状体10として用いることができる。このように圧電基板２の一部を柱状体10として用いることにより、別途、柱状体10を設ける必要が無いことから、容易に柱状体10を設けることができ、生産性を向上させることができる。
【００４２】
複数の凹部２ａのうち少なくとも２以上の凹部２ａには、励振電極３が配置されていてもよい。また、異なる凹部２ａに配置された励振電極３の通過周波数帯域は互いに異なっていてもよい。具体的には、図10に示すように、凹部２ａの一方には送信側フィルタ11を配置し、凹部２ａの他方には受信側フィルタ12を形成する。このように送信側フィルタ11と受信側フィルタ12を別の凹部２ａに配置することにより、送信信号と受信信号の干渉を低減することができ、アイソレーション特性を向上させることができる。
【００４３】
また、図10に示すＳＡＷ素子１は、必須ではないが、柱状体10の表面に配線８が形成されている場合である。この場合、カバー体５と配線８の一部が接することにより、アイソレーション特性を向上させるとともに、カバー体５の密着性を向上させることができる。
【００４４】
＜第２の実施形態に係るＳＡＷ素子等の構成＞
本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ素子について以下説明する。なお、第１の実施形態と同じ構成については、同じ符号を付与するものとする。本実施形態に係るＳＡＷ素子100は、図11〜14に示すように、圧電基板20、励振電極３、電極パッド４、カバー体50お
よび貫通導体60を有している。第１の実施形態のＳＡＷ素子１ではカバー体５に貫通導体６が設けられていたのに対して、本実施形態のＳＡＷ素子100は圧電基板20に貫通導体60
が設けられている。
【００４５】
圧電基板20は、貫通導体60が設けられている以外は、第１の実施形態の圧電基板２と同じである。圧電基板20には、貫通導体60を設けるための貫通孔20ａが設けられている。貫通孔20ａは、塩素系またはフッ素系のドライエッチング、酸によるウエットエッチング、短波長（例えば、波長500ｎｍ以下）のレーザ加工またはサンドブラスト等により形成す
ることができる。貫通孔20ａは、圧電基板20に凹部20ａを設ける際に形成してもよいし、凹部20ａに励振電極３、電極パッド４、配線８およびカバー体50を形成した後に形成してもよい。
【００４６】
その後、貫通孔20ａ内に電極パッド４と接する接続電極４’を形成する。本実施形態では、電極パッド４が圧電基板20の上面20Ａに設けられている場合である。しかる後、貫通孔20ａ内に導体材料を充填することによって、接続電極４’上に貫通導体60を形成する。導体材料として銅を用いる場合には電解メッキ法を用いることができ、銀ペーストまたは導電性樹脂を用いる場合には印刷法またはディスペンス法を用いることができる。その後、貫通導体60の露出した部分に外部端子９を形成する。図11は、外部端子９としてバンプが形成されている場合である。
【００４７】
本実施形態のＳＡＷ素子100は、圧電基板20に設けられた凹部20ａに励振電極３を形成
したことから、凹部を設けないで圧電基板上に励振電極を形成した場合と比較して、低背化することができる。
【００４８】
（変形例）
本実施形態のＳＡＷ素子100において、第１の実施形態のＳＡＷ素子の変形例１と同様
に、図12に示すように、電極パッド４を凹部20の底面20ａＡに設けてもよい。図12に示すＳＡＷ素子100では、必須の構成ではないが、貫通導体60の側面が底面20ａＡに対して傾
斜している場合である。このように貫通導体60の側面を傾斜させることによって、導電性樹脂を充填しやすくすることができる。
【００４９】
また本実施形態のＳＡＷ素子100には、図13に示すように、柱状体10を設けてもよい。
また、図14に示すように、圧電基板20には複数の凹部20ａを設けて、異なる凹部20ａに送信側フィルタ11と受信側フィルタ12をそれぞれ配置してもよい。なお、図13、図14は、外部端子９として金属層を用いた場合である。
【符号の説明】
【００５０】
１  ＳＡＷ素子（第１の実施形態）
２  圧電基板
２Ａ  上面
２ａ  凹部
２ａＡ  底面
３  励振電極
４  電極パッド
４’  接続電極
５  カバー体
５ａ  貫通孔
６  貫通導体
７  櫛歯状電極
８  配線
９  外部端子
10  柱状体
11  送信側フィルタ
12  受信側フィルタ
20  圧電基板
50  カバー体
60  貫通導体
100  ＳＡＷ素子（第２の実施形態）
【図１】
2015050615.tif 000003
【図２】
2015050615.tif 000004
【図３】
2015050615.tif 000005
【図４】
2015050615.tif 000006
【図５】
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【図６】
2015050615.tif 000008
【図７】
2015050615.tif 000009
【図８】
2015050615.tif 000010
【図９】
2015050615.tif 000011
【図１０】
2015050615.tif 000012
【図１１】
2015050615.tif 000013
【図１２】
2015050615.tif 000014
【図１３】
2015050615.tif 000015
【図１４】
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