(57)【要約】【課題】周波数調整用の膜を加工するときの異物の再付着を防止したデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】振動素子を有するデバイスの製造方法において、前記振動素子に第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記振動素子に第２膜を形成する第２膜形成工程と、前記振動素子の第１膜を削る第１膜加工工程と、前記振動素子から前記第２膜を除去する第２膜除去工程と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動素子を有するデバイスの製造方法であって、
前記振動素子に第１膜を形成する第１膜形成工程と、
前記振動素子に第２膜を形成する第２膜形成工程と、
前記第１膜を削る第１膜加工工程と、
前記第２膜を除去する第２膜除去工程と、を含んでいることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第２膜は前記第１膜の表面上に備えられていることを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第２膜は前記第１膜より比重が小さいことを特徴とする請求項１または２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第２膜は有機分子膜であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１膜加工工程はエネルギー線を用いて前記第１膜を削ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動素子を備えたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、デバイスの一例としての振動型ジャイロセンサーなどに、音叉型の水晶振動素子が利用されている。音叉型の水晶振動素子は、水晶ウェハーをエッチングして所定形状の水晶振動素子を形成する外形形成工程、水晶振動素子を励振させるための励振電極を蒸着やスパッタリング等によって形成する電極形成工程、発振周波数を調整するための重りを形成する重り形成工程、レーザー光でトリミングすることによってその重りの一部分を除去して周波数を調整する周波数調整工程を含む製造方法によって形成されることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような水晶振動素子の製造方法において、水晶振動素子の先端部近傍に周波数調整用の重りを形成し、目的の駆動周波数、および検出周波数となるように重りの一部をレーザー光を利用してトリミングする水晶振動素子の製造方法が知られている。この製造工程によって、駆動アームおよび検出アームの固有共振周波数を抑制して高性能な水晶振動素子が提供される（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００―２２３９９８号公報
【特許文献２】特開２００６―１０５６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載された従来技術では、レーザー光を利用したトリミングによる周波数調整時にレーザー光を照射した部分の重りが溶融して飛散し、振動素子、あるいは振動素子に形成された励振電極上に異物として付着する場合があった。この付着した飛散物は、純水洗浄や有機溶剤による洗浄でも除去することができない場合があった。このような異物が存在する場合、振動や衝撃などで、振動素子や励振電極上に付着した異物の付着状態（重さなど）が変化したり、付着していた異物がデバイス内で移動したりすることによって、電気的ショートや周波数変動、オフセットドリフト、振動特性の変化などを引き起こし、信頼性を低下させるという問題が起きる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係るデバイスの製造方法は、振動素子を有するデバイスの製造方法であって、前記振動素子に第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記振動素子に第２膜を形成する第２膜形成工程と、前記第１膜を削る第１膜加工工程と、前記第２膜を除去する第２膜除去工程と、を含んでいることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、デバイスの製造方法は、振動素子に形成された第１膜を削る第１膜加工工程と、第２膜を除去する第２膜除去工程とを含んでいるため、第１膜を削ることによって発生する異物のうち、第２膜上の異物は除去することができる。したがって、異物の残留量を少なくすることが出来る。これにより信頼性を向上させたデバイスを提供することが可能である。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載のデバイスの製造方法において、前記第２膜は前記第１膜の表面上に備えられていることが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、第１膜を削る第１膜加工工程において、第１膜、または第２膜から発生する異物は第２膜に付着する。第２膜は除去されるので、第２膜とともに振動素子上から異物を除去することができる。従って、例えば、振動素子や励振電極上に付着していた異物脱離による振動素子のアンバランス状態や電極ショートなどの発生、異物がデバイス内の別の部分に移動したりして起きる前記同様の現象による信頼性の低下を抑えて、信頼性を向上させたデバイスを提供できる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載のデバイスの製造方法において、前記第２膜は前記第１膜より比重が小さいことが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、振動素子に第２膜を設けたことによって、振動素子に大きな負荷が加わり、第２膜を設けていない状態と比較して振動特性が著しく変化してしまうこと（アンバランス状態）を避けることが出来る。さらに、本適用例によれば、振動素子に第２膜を設けている状態と、第２膜を設けていないときの振動素子の固有共振周波数やCI値を小さく抑えられるため、第２膜を設けていない時と同等の高い精度で周波数を調整することが可能となる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載のデバイスの製造方法において、前記第２膜は有機分子膜であることが好ましい。
本適用例によれば、第２膜除去工程において、振動素子から第２膜を削除する際に剥離しやすいため、短時間で除去することが可能である。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載のデバイスの製造方法において、前記第１膜加工工程はエネルギー線を用いて前記第１膜を削ることを特徴とする。
本適用例によれば、第１膜をエネルギー線で削ることによって、加工面積を小さく抑えることが可能である。また、効率よく短時間での加工が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態１に係るデバイスの概略を示す斜視図。
【図２】デバイスの駆動振動モードを示す平面図。
【図３】デバイスの検出振動モードを示す平面図。
【図４】デバイスの製造方法を説明するフローチャート。
【図５】デバイス１００に設けられた保護膜３を説明する平面図。
【図６】レーザー光を利用したトリミングを説明する概略構成図。
【図７】実施形態２に係るデバイスの概略を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異なる場合がある。
【００１７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明に係る振動素子、およびその振動素子を適用したデバイスの第１実施形態について図１を参照して説明する。
なお、以下では、図１に示す、互いに直交する三軸を、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸とし、ｚ軸は、デバイスの厚さ方向と一致する。また、ｘ軸に平行な方向を「ｘ軸方向（第２方向）」と言い、ｙ軸に平行な方向を「ｙ軸方向（第１方向）」と言い、ｚ軸に平行な方向を「ｚ軸方向」と言う。
【００１８】
［デバイスの構成］
デバイス１００の概略構成について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係るデバイスの概略を示す斜視図である。
図１に示すデバイス１００は、ｚ軸まわりの角速度を検出する「面外検出型」のセンサーであって、水晶振動素子としてのジャイロ素子１、周波数調整用重り２などを含んで構成されている。
ジャイロ素子１は、基部４１、駆動腕４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）、検出腕５（５ａ、５ｂ）、および連結腕６（６ａ、６ｂ）などを含んで構成されている。
【００１９】
ジャイロ素子１は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料で構成することができる。これらの中でも、水晶で構成することが好ましい。これにより、優れた特性（温度安定性、周波数安定性）を発揮することのできるデバイス１００が得られる。
【００２０】
このようなジャイロ素子１は、ｘ軸方向とｙ軸方向にそれぞれ平行な端面をもつ矩形状の基部４１が形成されている。基部４１のｙ軸に平行な二つの端面の中央から、ｘ軸方向に延出される支持梁としての二つの連結腕６ａ、６ｂが形成されている。
【００２１】
さらに、基部４１のｘ軸に平行な二つの端面の中央から、ｙ軸方向に延出される検出部として、プラスｙ軸方向に検出腕５ａとマイナスｙ軸方向に検出腕５ｂとが形成されている。
連結腕６ａ，６ｂのそれぞれの先端には、連結腕６に直交しｙ軸方向に延出する一対の駆動腕４が形成されている。連結腕６ａの先端には、プラスｙ軸方向に駆動腕４ａと、マイナスｙ軸方向に駆動腕４ｂが延出されている。さらに、連結腕６ｂの先端には、プラスｙ軸方向に駆動腕４ｄとマイナスｙ軸方向に駆動腕４ｃが延出されている。
駆動腕４は、所定の共振周波数の駆動振動が発生するように幅や長さなどの寸法が設定されている。また、検出腕５、及び連結腕６は、所定の共振周波数の検出振動が発生するように幅や長さなどの寸法が設定されている。
【００２２】
駆動腕４の先端部には、周波数調整用重り２が形成されている。周波数調整用重り２は、例えば金、銀などの金属を真空蒸着法などを用いて形成することができる。本実施形態において、周波数調整用重り２が第１膜に相当する。
さらに、駆動腕４には、励振させるための励振電極（不図示）が設けられており、後述する製造工程において、ジャイロ素子１、および励振電極の表面に、一時的に保護膜３が形成されることになる。保護膜３は、例えばレジストなどからなる薄膜を均一に塗布して形成することができる。本実施形態において、保護膜３が第２膜に相当する。
【００２３】
［デバイスの動作原理］
次に、デバイス１００の動作原理について、図２、図３を参照して説明する。図２は、デバイス１００の駆動振動モードを示す平面図であり、図３は、デバイスの検出振動モードを示す平面図である。
図２は角速度が０rad/sの状態におけるデバイス１００の状態を示す。図２に示すようにジャイロ素子１に形成された励振電極（図示せず）に電力が共有されることによって、駆動腕４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）が、屈曲振動をする（駆動振動モード）。これを駆動振動と呼び、この時の周波数を駆動周波数と呼ぶ。
さらに、角速度が０rad/sの状態において、駆動腕４が振動しているときの検出腕５が振動する周波数を検出周波数と呼び、駆動周波数と検出周波数の差を離調周波数と呼ぶ。
離調周波数は、離調周波数が小さいほど角速度に対する検出感度が高いデバイス１００が得られるので、デバイス１００の性能の優劣を左右する重要なパラメーターである。
なお、離調周波数が小さくなると検出腕５の振動幅（振動漏れ成分）の大きさが大きくなる。
【００２４】
次に、図２の状態から図３に示すように、デバイス１００はｚ軸周りに回転するとジャイロ素子１の駆動振動によってコリオリ力の作用が働き、検出腕５（５ａ、５ｂ）が振動する（検出振動モード）。これを検出振動と呼ぶ。
【００２５】
デバイス１００は、図２に示す角速度が０rad/sの状態では、励振電極間に電界が生じると、各駆動腕４が矢印Ａに示す方向に屈曲振動を行う。このとき、駆動腕４ａ、４ｄと、駆動腕４ｂ、４ｃとは、中心点Ｇ（重心Ｇ）を通るｙｚ平面に関して面対称の振動を行っているため、音叉振動となり基部４１と、連結腕６ａ、６ｂと、検出腕５ａ、５ｂは、殆んど振動しない。
【００２６】
この駆動振動を行っている図２の状態から図３に示すようにデバイス１００にｚ軸まわりに角速度ω（ω≠０rad/s）が加わると、駆動腕４および連結腕６ａ、６ａに矢印Ｂ方向のコリオリの力が働き、上述した音叉振動の相対性が崩れるのでこの矢印Ｂ方向の振動に呼応して、矢印Ｃ方向の検出振動が励起される。そして、この振動により発生した検出腕５ａ、５ｂの歪み、すなわち検出腕５から発生された電荷を検出して角速度ωが求められる。
【００２７】
［デバイスの製造方法］
次に、デバイス１００の製造方法の概要を、図４、図５を参照して説明する。さらに加えて駆動周波数調整工程と検出周波数調整工程（以下、総じて周波数調整工程と呼ぶ）についてはその詳細を図６を参照して説明する。図４は、デバイスの製造方法を説明するフローチャートであり、図５は、デバイス１００に設けられた保護膜３を説明する平面図である。
【００２８】
図４に示すように、外形形成工程（ステップＳＴ００１）において、水晶ウェハーからフォトリソグラフィー加工技術を用いて、ジャイロ素子１の外形を形成する。以下に、その詳細について説明する。
まず、水晶ウェハーに対して耐食膜となるＡｕ／Ｃｒ膜をスパッタ等によって成膜する。次に、外形用フォトマスクを用いて、ジャイロ素子１の外形パターンに沿ってＡｕ／Ｃｒ膜をフォトリソグラフィーによりパターニングする。
次に、水晶ウェハーの両面にジャイロ素子１の外形形状に応じたレジスト膜を形成する。続いて、水晶を溶解するフッ化アンモニウムを主成分とするエッチング液を用いてジャイロ素子１の外形を所定形状に加工する。その後、レジスト、およびＡｕ／Ｃｒ膜を剥離する。
【００２９】
次に、電極形成工程（ステップＳＴ００２）において、ジャイロ素子１に励振電極を設けて、デバイス１００を形成する。以下に、その詳細について説明する。
まず、励振電極用のＡｕ／Ｃｒ膜をスパッタ等によってジャイロ素子１に成膜し、次に、励振電極用フォトマスクを用いて、励振電極のパターンに合わせてＡｕ／Ｃｒ膜をフォトリソグラフィーによりパターニングする。（電極形成工程：ＳＴ００２）。
【００３０】
次に、重り形成工程（ステップＳＴ００３）において、ステップＳＴ００２で形成されたジャイロ素子１の駆動腕４の先端部近傍と検出腕５の先端部近傍に、例えばＡｕ等の金属材料で、周波数調整用重り２を形成し、離調周波数を調整する前の状態のデバイス１００を構成する。重り形成工程が第１膜形成工程に相当する。
【００３１】
次に、保護膜形成工程（ステップＳＴ００４）において、ステップＳＴ００３で形成されたジャイロ素子１００に、図５に示すように保護膜３としてレジスト膜を形成する。保護膜形成工程が第２膜形成工程に相当する。
【００３２】
次に、駆動周波数調整工程（離調周波数の粗調整工程）（ステップＳＴ００５）において、デバイス１００を励振させて駆動周波数を測定しながら、後述するレーザー装置よりレーザー光５０を照射することによってジャイロ素子１の駆動腕４の先端部近傍に設けられている周波数調整用重り２の一部分を溶解しながら除去する、いわゆるレーザー光を利用したトリミングすることによって周波数調整用重り２の質量を調整して駆動周波数と離調周波数を調整する。なお、レーザー光は、エネルギー線の一例として例示している。この駆動周波数調整工程、および後述する検出周波数調整工程（離調周波数の微調整工程）が第１膜加工工程に相当する。
【００３３】
次に、実装搭載工程（ステップＳＴ００６）において、複数のデバイス１００が連結した状態であれば、デバイス１００を個片化し、個片化されたデバイス１００をセラミックパッケージに搭載して導電性接着剤等で固着する。
【００３４】
次に、検出周波数調整工程（ステップＳＴ００７）において、角速度が０rad/sの状態にて検出腕４を励振させて、このときの検出腕５が出力する検出信号の検出周波数と、信号レベル（振動漏れ成分：角速度が０rad/sの状態での振動成分の信号）を測定しながら、振動漏れ成分の信号の大きさが小さくなるようにレーザー装置より検出腕５に設けられている周波数調整用重り２の一部分にレーザー光を照射して溶解し、かつ飛散させて周波数調整用重り２の質量を減らすように調整する。
【００３５】
［周波数調整工程］
ここで一旦、図６を参照しながら周波数調整工程について説明する。周波数調整工程の目的は、振動漏れ成分の信号を小さくすることであり、そのために本工程において、振動腕４、検出腕５に形成されている周波数調整用重り２の質量を調整する所謂トリミングを行い、駆動周波数調整工程ＳＴ００５以前の状態のデバイス１００よりも駆動腕４ａから４ｄの固有共振周波数を近づける。
【００３６】
すなわち駆動周波数調整工程ＳＴ００５では、ジャイロ素子１の表面、あるいは励振電極上に保護膜３が配置されている状態で駆動腕４に配置された周波数調整用重り２にレーザー光５０を照射しながらレーザー光５０と駆動腕４を相対的に移動させて、周波数調整用重り２の質量を徐々に減少させていき、駆動腕４ａから４ｄの固有共振周波数を徐々に一致させる方向へ調整する。
なお、駆動腕４ａから４ｄの固有共振周波数の差が大きいほど、駆動腕４は音叉振動の相対性が崩れた状態になり、検出腕５が発する振動漏れ成分の信号の大きさが大きくなる。
さらに検出周波数調整工程ＳＴ００７においてもジャイロ素子１の表面、あるいは励振電極上に保護膜３が配置されている状態で検出腕５に配置された周波数調整用重り２にレーザー光５０を照射しながらレーザー光５０と検出腕５を相対的に移動させて、周波数調整用重り３の質量を徐々に減少させていき、検出周波数調整工程ＳＴ００７の前の状態のデバイス１００と比較して検出腕５から出力される振動漏れ成分の信号の大きさが小さくなる方向へ調整する。
周波数調整工程において、保護膜３が存在するためトリミングにより周波数調整用重り２が溶融して、飛散した異物の一部は保護膜３の上に付着する。
【００３７】
なお、周波数調整工程として、第１実施形態では、トリミングにレーザー光を用いたが、それに限らず、例えば電子ビームなどのエネルギー線を用いることができる。また、トリミング加工のその他の加工方法として、例えばプラズマイオン加工、研磨加工、サンドブラスト加工などを用いてもよい。
【００３８】
再び図４を用いてデバイスの製造法の説明をする。
保護膜除去工程（ステップＳＴ００８）において、保護膜３を除去する。保護膜除去工程が第２膜除去工程に相当する。
【００３９】
次に、封止工程（ステップＳＴ００９）において、例えばセラミック製のパッケージにカバーをのせて容器内を気密封止する。
【００４０】
このような製造方法によれば周波数調整工程後に保護膜３を除去し、その後、気密封止することによって、異物を容器の外に排出することができる。
従って、パッケージを封止した後はジャイロ素子１に加えられた振動や衝撃などで、ジャイロ素子１や励振電極上に付着した異物によってジャイロ素子１や励振電極上の付着状態（重さなど）が変化したり、付着していた異物がデバイス１００内で移動したりすることを抑えることができ、信頼性を向上させたジャイロ素子１を有するデバイス１００を提供することができる。
【００４１】
また、本実施形態によれば、保護膜除去工程において、保護膜は例えば樹脂であると容易に振動素子から剥離させ易いので例えばビーカや超音波洗浄装置（メガソニック洗浄装置なども含む）などの比較的簡単な装置、を用いて、または入手容易な剥離液を用いて短時間で除去することが可能である。
また、本実施形態によれば、ジャイロ素子１に保護膜３を薄く均一に形成することが可能であり、また保護膜３が、高分子材料（レジスト）などの有機分子材料からなる有機分子膜であればその質量も金属と比較して軽い。従ってジャイロ素子１に設ける保護膜の質量を小さく抑えることが出来る。そのため、周波数調整工程後に保護膜３を剥離してもこれに伴うジャイロ素子１上の質量変化量を小さく押さえることができるので調整されたデバイス１００の特性を大きく狂わせることはない。また、周波数調整用重り２の上面上に保護膜３が存在する場合、例えばレーザー光５０を保護膜３に照射することになるが保護膜３が容易に蒸発するので、周波数調整用重り２を溶解させるためにレーザー光の出力を過剰に高く、または長時間照射する必要はなく加工効率を高く維持することができるという効果がある。
【００４２】
また、本実施形態によれば、ジャイロ素子１に保護膜３を塗布した後、熱をかけて安定化処理を低い温度で実施することが可能である。従って、搭載されている他の部品や容器などに余計な熱を与えることを抑えられるため、部品や容器などが熱によって変形を生じることを抑え、信頼性を劣化させにくくする。
【００４３】
また、熱伝導率が小さいため、ジャイロ素子１から周波数調整用重り２を削る周波数調整工程の際に、例えば、レーザー光を照射してトリミングした場合でも照射した部分以外への熱伝達を遅らせて、周波数調整用重り２の加工したい部分を小面積で加工することが可能であり、レーザー光を照射した部分の周辺に影響することを抑えられる。
【００４４】
本実施形態によれば、レジストにより保護膜３を形成したが、高分子材料であれば他のものでも良い。高分子材料は電気的絶縁性が大きいことから、電気的配線を有している周波数調整用重り２の表面に保護膜３を形成した場合であっても、電気的にショートして不具合を発生させるおそれが低い。高分子材料として、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂などが挙げられる。
【００４５】
本実施形態によれば、駆動周波数調整工程、および後述する検出周波数調整工程（第１膜加工工程）はレーザー光を用いて周波数調整用重り２（第１膜）を削ったが、エネルギー線として、例えば、電子ビームなどを用いても良い。
【００４６】
以上述べたように、本実施形態に係るデバイス１００によれば、以下の効果を得ることができる。
レーザー光を利用したトリミングによる周波数調整時にレーザー光を照射した部分の周波数調整用重り２と保護膜３が融解して、異物が周波数調整用重り２の表面に付着しても、保護膜３とともに異物をジャイロ素子１から除去することができる。そのため、ジャイロ素子１に振動や衝撃が加わった場合でも、ジャイロ素子１や励振電極上に付着した異物によってジャイロ素子１や励振電極上の付着状態（重さなど）が変化したり、付着していた異物がデバイス１００内で移動したりして、信頼性を低下させるという問題を回避することが可能である。
【００４７】
なお、本実施形態では、本発明に係る振動素子の一例として、いわゆる「ダブルＴ型」ジャイロ素子１を用いて説明したがこれに限らない。本発明に係る振動素子は、基部の一端および反対側の他端から、即ち基部の両側へ延出された振動腕を有する構成であればよく、例えば、いわゆる「Ｈ型」ジャイロ素子や、基部から互いに反対方向に延出している音叉振動腕を有する音叉素子などがあげられる。
【００４８】
＜第２実施形態＞
次に、図７を用いて、本発明の第２実施形に係るデバイスについて説明する。図７は、第２実施形態に係るデバイスの概略を示す斜視図である。なお、第１実施形態と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００４９】
図７に示すように、本実施形態のデバイス２００は、周波数調整用重り２の表面上に保護膜３が設けられている。このように周波数調整用重り２の上面上に保護膜３が存在する場合、例えばレーザー光５０を保護膜３に照射し、保護膜３と共に周波数調整用重り２の一部を除去して、周波数を調整する。このとき飛散した異物は残された保護膜３の上に付着する。付着した異物は周波数調整工程が終了した後の保護膜除去工程（第２膜除去工程）にて保護膜３と共にデバイス１００の上から排除される。
【００５０】
以上述べたように、本実施形態に係るデバイス２００によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
なお、ジャイロ素子１に保護膜３を薄く均一に形成することが可能であり、また保護膜３が高分子材料などの有機分子材料からなる有機分子膜であれば、保護膜３は容易に蒸発する。したがって、周波数調整用重り２を溶解させるためにレーザー光の出力を過剰に高く、または長時間照射する必要はなく加工効率を高く維持することができるという効果がある。
【００５１】
また、本発明に係る振動素子は、基板上に形成された圧電薄膜を振動源とする圧電薄膜駆動型の振動素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）型の振動素子、静電駆動型の振動素子などにも適用することが可能である。
【００５２】
図７では、周波数調整用重り２の表面のみに保護膜３がある構造を説明したが、保護膜３（第２膜）は、基部４１、駆動腕４、検出腕５、さらにはデバイス２００を覆うほどの広い面積で形成してもよい。
【００５３】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１…ジャイロ素子，２…周波数調整用重り，３…保護膜，４…駆動腕，５…検出腕、４１…基部，１００、２００…デバイス，５ａ、５ｂ…検出腕，６ａ、６ｂ…連結腕，４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ…駆動腕。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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