(57)【要約】【課題】粘接着剤層の切断時に、粘接着剤層に直接接している基材層に亀裂が生じ難いダイシング−ダイボンディングテープを提供する。【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、先ダイシング法により粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、粘接着剤層３と、粘接着剤層３の一方の表面側に配置された基材層４と、基材層４の粘接着剤層３側とは反対の表面側に配置されたダイシング層５とを備え、ダイシング層５が、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、一端と前記一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における前記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、前記第１の方向と直交する第２の方向における基材層４の破断伸度が１００％以上である。【選択図】図１
2015076421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先ダイシング法により個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに貼り付けられた後に、粘接着剤層を引き延ばすことにより切断することで、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、
粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の表面側に配置された基材層と、
前記基材層の前記粘接着剤層側とは反対の表面側に配置されたダイシング層とを備え、
前記ダイシング層が、前記粘接着剤層及び前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、
一端と前記一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における前記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、前記第１の方向と直交する第２の方向における前記基材層の破断伸度が１００％以上である、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記基材層の材料が、ポリオレフィン樹脂である、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
離型層を備え、
前記粘接着剤層の前記基材層側とは反対側の表面が、前記離型層に貼り付けられており、
前記ダイシング層の前記粘接着剤層及び前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域の表面が、前記離型層に貼り付けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項５】
離型層を備え、
前記離型層が長尺状であり、
長尺状の前記離型層の長さ方向に並んで、前記離型層の表面上に、前記粘接着剤層と前記基材層と前記ダイシング層との積層体が複数配置されており、
前記第１の方向が、前記離型層の長さ方向に沿う方向である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項６】
前記ダイシング層が、基材と、前記基材の一方の表面側に配置された粘着部とを有し、
前記基材層の前記粘接着剤層側とは反対の表面側に、前記ダイシング層が前記粘着部側から配置されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び前記保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記ダイシング層をダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記粘接着剤層を引き延ばして、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断する工程と、
切断の後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層の剥離を行い、前記半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項８】
半導体ウェーハの第１の表面に、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの前記第１の表面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの前記第１の表面とは反対の第２の表面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程をさらに備える、請求項７に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関する。また、本発明は、上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す方法として、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法が用いられている。先ダイシング法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
先ダイシング法では、先ず、半導体素子が一方の表面に形成された円形の半導体ウェーハを用意する。この半導体ウェーハの上記半導体素子が形成された表面側に、ダイシングラインに沿って、完成時の半導体チップの厚さよりも深い溝を形成する。次に、溝が形成された半導体ウェーハの半導体素子が形成された表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの保護シート側とは反対の表面を、完成時の半導体チップの厚さになるまで、研削及び研磨する。このようにして、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分離する。それによって、薄い複数の半導体チップが得られる。
【０００４】
また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に容易に実装するために、半導体チップの裏面にダイボンディング層が貼り付けられることが多い。このダイボンディング層付き半導体チップを得るために、ダイボンディング層とダイシング層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。
【０００５】
ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２，３には、接着シートと基材（ダイシングテープ）とが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイシング−ダイボンディングテープにおける接着シートは、ダイボンディング層であり、半導体チップの裏面に、接着シートが分割された接着剤層が積層され、接着剤層付き半導体チップを得るために用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−４０５０２号公報
【特許文献２】特開２００５−２６０２０４号公報
【特許文献３】特開２００６−０８０１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る際には、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付ける。次に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させる。次に、改質された接着シートと基材とを引き延ばして、該接着シートを分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ個々の半導体チップを離間して、半導体チップの裏面側に、切断された接着剤層を形成する。その後、接着剤層付き半導体チップを基材から剥離して、取り出す。取り出された接着剤層付き半導体チップは、接着剤層側から基板上に実装される。
【０００８】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、基材と接着シートとを引き延ばしたときに、接着シートに直接接している基材に、亀裂が生じることがある。この結果、基材ごと接着剤層付き半導体チップがピックアップされることがある。基材ごとピックアップされた接着剤層付き半導体チップは、ダイボンディング不良の原因となる。
【０００９】
本発明の目的は、粘接着剤層の切断時に、粘接着剤層に直接接している基材層に亀裂が生じ難く、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供することである。また、本発明の目的は、上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、先ダイシング法により個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに貼り付けられた後に、粘接着剤層を引き延ばすことにより切断することで、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、粘接着剤層と、前記粘接着剤層の一方の表面側に配置された基材層と、前記基材層の前記粘接着剤層側とは反対の表面側に配置されたダイシング層とを備え、前記ダイシング層が、前記粘接着剤層及び前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、一端と前記一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における前記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、前記第１の方向と直交する第２の方向における前記基材層の破断伸度が１００％以上である、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【００１１】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である。
【００１２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記基材層の材料が、ポリオレフィン樹脂である。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング−ダイボンディングテープは、離型層をさらに備え、前記粘接着剤層の前記基材層側とは反対側の表面が、前記離型層に貼り付けられており、前記ダイシング層の前記粘接着剤層及び前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域の表面が、前記離型層に貼り付けられている。
【００１４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記離型層が長尺状であり、長尺状の前記離型層の長さ方向に並んで、前記離型層の表面上に、前記粘接着剤層と前記基材層と前記ダイシング層との積層体が複数配置されており、前記第１の方向が、前記離型層の長さ方向に沿う方向である。
【００１５】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング層が、基材と、前記基材の一方の表面側に配置された粘着部とを有し、前記基材層の前記粘接着剤層側とは反対の表面側に、前記ダイシング層が前記粘着部側から配置されている。
【００１６】
本発明の広い局面によれば、上述したダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び前記保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、前記ダイシング層をダイシングリングに貼り付ける工程と、前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、前記粘接着剤層を引き延ばして、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断する工程と、切断の後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層の剥離を行い、前記半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法が提供される。
【００１７】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、前記粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、半導体ウェーハの第１の表面に、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された前記半導体ウェーハの前記第１の表面に保護シートを貼り付ける工程と、前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの前記第１の表面とは反対の第２の表面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程をさらに備える。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と基材層とダイシング層とがこの順で積層されており、一端と該一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、上記第１の方向と直交する第２の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層と上記ダイシング層とを引き延ばして、粘接着剤層を切断するときに、粘接着剤層に直接接している基材層に亀裂を生じ難くすることができる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図５】図５（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図５（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２１】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、先ダイシング法により個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに貼り付けられた後に、粘接着剤層を引き延ばすことにより切断することで、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられる。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と、該粘接着剤層の一方の表面側に配置された基材層と、該基材層の上記粘接着剤層側とは反対の表面側に配置されたダイシング層とを備える。上記ダイシング層は、上記粘接着剤層及び上記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、一端と上記一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上であり、かつ、上記第１の方向と直交する第２の方向における上記基材層の破断伸度が１００％以上である。すなわち、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、互いに直交する２つの方向において、上記基材層の破断伸度が高く設定されている。
【００２２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、上述した構成が備えられているので、実際の粘接着剤層付き半導体チップを得る際のプロセスで想定される基材層の伸びよりも、２つの方向における基材層の伸び特性が十分に高められており、基材層に内側から外側に向かって引っ張り応力が加えられても、基材層に亀裂が生じ難い。また、基材層における亀裂の発生を抑えつつ、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００２３】
なお、基材層がオレフィン樹脂などの合成樹脂により形成されている場合には、基材層の生産時に、流れ方向に樹脂の配向が生じている。このため、基材層のある方向の破断伸度がある程度高くても、その方向と直交する方向の破断伸度は低いことが多く、直交する２つの方向における破断伸度の２つの値が同じにならないことが多い。
【００２４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２５】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
【００２６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）側に、ダイシング層５が配置されている。粘接着剤層３とダイシング層５との間に基材層４が配置されている。
【００２７】
粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の表面３ｂ（第２の表面）に離型層２が積層されている。基材層４の一方の表面４ａ（第１の表面）に粘接着剤層３が積層されている。基材層４の粘接着剤層３側とは反対側の他方の表面４ｂ（第２の表面）に、ダイシング層５が積層されている。
【００２８】
ダイシング層５は、基材５Ａと、粘着部５Ｂとを有する。粘着部５Ｂは、基材５Ａの一方の表面に積層されている。ダイシング層５は、粘着部５Ｂ側から基材層４の表面に積層されている。
【００２９】
ダイシング−ダイボンディングテープ１は、図１（ａ）に示す矢印Ｘで示す方向（流れ方向）に搬送されて、剥離及び貼付工程が行われる。
【００３０】
離型層２は、長尺状である。長尺状の離型層２の長さ方向に並んで、離型層２の表面上に、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５との積層体が複数配置されている。積層体は等間隔に配置されている。上記積層体の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。
【００３１】
粘接着剤層３及び基材層４の平面形状は、略円形である。ダイシング層５の平面形状は略円形である。粘接着剤層３の径は、基材層４の径と同じであってもよく、異なってもよい。基材層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。基材層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に張り出していることが好ましく、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも側方に貼り出している領域を有することが好ましい。また、基材層４の外周側面は、粘接着剤層により覆われていないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が積層されている部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３に、より一層確実に貼り付けることができる。
【００３２】
ダイシング層５の径は、粘接着剤層３及び基材層４の径よりも大きい。ダイシング層５の外周側面は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している。従って、ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。ダイシング層５と粘接着剤層３及び基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の表面３ａ上に基材層４を確実に配置できる。このため、基材層４からの粘接着剤層３の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４から容易に剥離できる。特に、基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。
【００３３】
ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部５ｘを有する。ダイシング層５の延長部５ｘの片面が、粘着部５Ｂにより離型層２の上面に貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層５が離型層２の上面に貼り付けられている。
【００３４】
ダイシング層５が延長部５ｘを有するのは、粘接着剤層３の他方の表面に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に位置する延長部５ｘの粘着部５Ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。
【００３５】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点５Ｃを有する。貼付起点５Ｃは、言い換えれば、剥離起点である。すなわち、ダイシング層５の貼り付けの際に、貼付起点５Ｃから剥離が行われる。貼付起点５Ｃは貼付開始部分であり、剥離開始部分である。貼付起点５Ｃは、ダイシング層５の一端に形成されている。粘接着剤層付き半導体チップを得る際には、貼付起点５Ｃからダイシング層５の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。ダイシング層５のダイシングリングに貼り付けられる部分は、粘着性を有する粘着部５Ｂである。
【００３６】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、貼付起点５Ｃである一端と、該一端とは反対側とを結ぶ第１の方向における基材層４の破断伸度が１００％以上であり、かつ、上記第１の方向と直交する第２の方向における基材層４の破断伸度が１００％以上である。
【００３７】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、上記第１の方向が、離型層２の長さ方向に沿う方向であり、ダイシング−ダイボンディングテープ１の流れ方向であることが好ましく、基材層４のＭＤ方向であることが好ましい。
【００３８】
上記離型層の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂や、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００３９】
上記離型層の表面は離型処理されていてもよい。上記離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。上記離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００４０】
上記離型層の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、上記離型層の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。
【００４１】
上記粘接着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。上記粘接着剤層は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
【００４２】
上記粘接着剤層は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。上記粘接着剤層付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層付き半導体チップを上記粘接着剤層側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、上記粘接着剤層を硬化させることにより、上記粘接着剤層を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【００４３】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
【００４４】
上記粘接着剤層の厚みは特に限定されない。上記粘接着剤層の厚みは、一般的には５μｍ以上、１５０μｍ以下である。半導体装置の設計寸法に応じて、適正な粘接着剤層の厚みが選定される。
【００４５】
上記基材層の材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂や、アクリル樹脂等が挙げられる。ダイシングの際のエキスパンド性に優れており、基材層に亀裂がより一層生じ難くかつ環境負荷が小さいために、ポリオレフィン樹脂が好ましい。ダイシングの際のエキスパンド性に優れており、かつ環境負荷が小さいために、ポリオレフィン樹脂が好ましい。引張荷重が小さいため、ポリエチレン樹脂が特に好ましい。
【００４６】
上記基材層は、粘着性を有する粘着層であってもよく、非粘着性を有する（粘着性を有さない）非粘着層であってもよい。上記基材層の上記粘接着剤層側の表面は非粘着性を有することが好ましい。上記基材層の上記ダイシング層側の表面は非粘着性を有していてもよい。なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着性」とは、上記基材層をステンレス板に貼り付けて、上記基材層を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００４７】
上記基材層の厚みは特に限定されない。上記基材層の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下である。上記基材層の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。上記基材層の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。上記基材層の厚みは、３０μｍ以上、５０μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材層の厚みが３０μｍ以上、５０μｍ以下であると、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性がより一層良好になる。
【００４８】
上記ダイシング層は、上記基材と、上記粘着部とを有することが好ましい。上記粘着部は粘着剤層であることが好ましい。
【００４９】
上記基材層と上記ダイシング層との剥離力は、上記粘接着剤層と上記基材層との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように上記粘着部が構成されていることが好ましい。
【００５０】
上記ダイシング層における上記基材の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂や、アクリル樹脂等が挙げられる。ダイシングの際のエキスパンド性に優れており、かつ環境負荷が小さいために、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレン樹脂が特に好ましい。
【００５１】
上記粘着部は特に限定されない。上記粘着部を構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを上記粘着部からより一層容易に剥離できる。さらに、上記粘着部のコストを低減できる。
【００５２】
上記ダイシング層の厚みは特に限定されない。上記ダイシング層の厚みは、好ましくは５２μｍ以上、より好ましくは８２μｍ以上、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２１０μｍ以下である。
【００５３】
上記ダイシング層における上記基材の厚みは特に限定されない。上記ダイシング層における基材の厚みは、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下である。上記基材の合計の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体ウェーハをより一層精度よくダイシングでき、ピックアップ性をより一層高めることができる。さらに、上記離型層の剥離性及び上記ダイシング層のエクスパンド性がより一層高くなる。
【００５４】
上記粘着部の厚みは特に限定されない。上記粘着部の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。上記粘着部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材層と上記ダイシング層との剥離力を適度な範囲に制御することが容易になる。
【００５５】
図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は、基材５Ａと粘着部５Ｂとが積層された多層構造を有する。図６（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ６１のように、単層のダイシング層６２を形成してもよい。この場合には、ダイシング層６２を、粘着性を有する材料により形成することが好ましい。なお、ダイシング層６２は、ダイシング層５の貼付起点５Ｃと同様の貼付起点６２Ｃを有する。
【００５６】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００５７】
先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを用意する。
【００５８】
図２（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の表面２２ａ（第１の表面）に積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は略円形である。分割後半導体ウェーハ２３は、複数の半導体チップがマトリクス状に集合された状態である。分割後半導体ウェーハ２３は、ある方向Ｌ１（例えば縦方向）と、方向Ｌ１と直交する方向Ｌ２（例えば横方向）とに沿って、分割されている。分割後半導体ウェーハ２３は、後の切断（割裂）工程において、ダイシングラインに沿って、個々の半導体チップに分割される。
【００５９】
分割後半導体ウェーハ２３を備える積層体２１は、周知のダイシング法に従って、得ることができる。例えば、積層体２１は、図２（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００６０】
先ず、図２（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。
【００６１】
図２（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【００６２】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図２（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。
【００６３】
半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。
【００６４】
積層体２１を得た後、図３（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の表面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出したダイシング層５の延長部５ｘに位置する粘着部５Ｂを、貼付起点５Ｃからダイシングリング２６に貼り付ける。
【００６５】
図５（ａ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図５（ｂ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。
【００６６】
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、ダイシング層５を貼付起点５Ｃから、離型層２の上面２ａから剥離する。剥離時に、貼付起点５Ｃ（一端）を突き出す。ダイシング層５の貼付起点５Ｃをダイシングリング２６に貼り付けて、貼付起点５Ｃ上をロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばしながら、ダイシング層５の外周部分をダイシングリング２６に貼り付けることが好ましい。
【００６７】
ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後、図３（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６をダイシング層５に貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。
【００６８】
次に、図４（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。ただし、保護シート２２を加熱する際に、粘接着剤層３を改質しないほうが好ましい。
【００６９】
次に、図４（ｂ）に示すように、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばして、粘接着剤層３をのみを切断する。このとき、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ａに沿って粘接着剤層３を切断し（ダイシング工程）、かつ分割後半導体ウェーハ２３における個々の半導体チップを離間させる。粘接着剤層３は、特定の基材層４に積層されており、かつ分割後半導体ウェーハ２３の裏面に貼り付けられているため、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ａに沿って、すなわちダイシングラインに沿って、粘接着剤層３を切断できる。粘接着剤層３の切断の後に、粘接着剤層３には切断部分３ｄが形成される。
【００７０】
なお、本明細書では、粘接着剤層３を引き延ばして切断することを、割裂するともいう。粘接着剤層３を引き延ばして切断する作業（割裂）には、ダイシングも含まれることとし、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３を引き延ばして切断する（割裂する）ために用いることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、言い換えれば、割裂−ダイボンディングテープとも言える。
【００７１】
粘接着剤層３を引き伸ばす方法としては、例えば、ダイシングリング２６を押し下げる方法、並びに粘接着剤層３の下方から突き上げて、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に、図４（ｂ）に示す力Ａを付与する方法が挙げられる。力Ａの付与により、ダイシング層５が外側に向かって引っ張られ、それに呼応して基材層４に外側に向かって引っ張られる力Ｂ１，Ｂ２が付与され、結果として粘接着剤層３が引き伸ばされる。粘接着剤層３、基材層及びダイシング層５は、基材層４の上記第１の方向と上記第２の方向との双方に引き延ばされることが好ましく、中心から外側（径方向外側）に向かって全体が引き延ばされることが好ましく、中心から外側（径方向外側）に向かって全体が均一に引き延ばされることが好ましい。
【００７２】
粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き伸ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き伸ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱（保護シート２２を剥離するための加熱を除く）及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。ただし、粘接着剤層３を改質してもよい。粘接着剤層３を改質しない場合であっても、粘接着剤層３付き半導体チップの製造効率がかなり高くなる。
【００７３】
粘接着剤層３を切断した後、粘接着剤層３が積層された状態で、半導体チップを粘接着剤層３ごと非粘着層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、基材層４が位置しているので、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の切断の後、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層４から剥離する前に、ダイシング層５を引き延ばして、個々の半導体チップ間の間隔をさらに拡張してもよい。  また、ダイシングの後に、粘接着剤層３と基材層４との間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことが好ましい。基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、ダイシングの後に、上記剥離力を変化させなくても、粘接着剤層３付き半導体チップを無理なく取り出すことができる。
【００７４】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００７５】
（実施例１）
エポキシ基含有アクリル樹脂（日油社製「Ｇ−２０５０Ｍ」）１５重量部と、エポキシ基含有アクリル樹脂（日油社製「Ｇ−０１５０Ｍ」）２０重量部と、フェノキシ系エポキシ樹脂（三菱化学社製「１００４Ｆ」）４５重量部と、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」）２０重量部と、酸無水物系硬化剤（三菱化学社製「ＹＨ−３０９」）３５重量部と、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製「２ＭＡＯＫ−ＤＳ」）５重量部と、無水超微細無定形シリカ（トクヤマ社製「ＭＴ−１０」）１０重量部と、アミノシランカップリング剤（チッソ社製「Ｓ３２０」）１重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分５０重量％となるように添加し、撹拌し、粘接着剤である硬化性組成物を得た。
【００７６】
離型層である離型フィルム上に、得られた硬化性組成物を厚み７μｍになるように塗布し、１００℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型層上に粘接着剤層を形成した。
【００７７】
粘接着剤層の離型層側とは反対の表面に、非粘着性を有する非粘着層（基材層）としてポリエチレンフィルム（タマポリ社製「Ｋ１３０７−０１１２３）」、厚み２０μｍ）をラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、基材層の粘接着剤層側とは反対の表面にダイシング層としてＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材層の片面に厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている。）を粘着剤層側から貼り付けた。粘接着剤層よりも大きな円形にダイシング層を切り抜いた。このようにして、離型層／粘接着剤層／基材層／ダイシング層の積層構造を有する４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００７８】
（実施例２）
非粘着性を有する非粘着層（基材層）として、ポリエチレンフィルム（タマポリ社製「Ｋ１１１２−０２３４５」、厚み２０μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００７９】
（比較例１）
非粘着性を有する非粘着層（基材層）として、ポリエチレンフィルム（タマポリ社製「ＧＦ」、厚み２０μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００８０】
（比較例２）
２−エチルへキシルアクリレート９５重量部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部と、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（ＢＡＳＦ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部と、ラウリルメルカプタン０．０１重量部とを酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製「カレンズＭ０１」）３．５重量部を反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体を得た。アクリル共重合体は、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【００８１】
得られたアクリル共重合体１００重量部と、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）２重量部と、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（ＢＡＳＦ社製）１重量部とを配合し、酢酸エチルに溶解し、組成物を得た。この組成物を離型フィルム上に、厚み５０μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、フィルム状の組成物層を形成した。この組成物層上に離型フィルムを貼り付けた。その後、上記組成物層に高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、両面に離型フィルムが貼り付けられた非粘着性を有する非粘着層（基材層）を形成した。
【００８２】
上記両面に離型フィルムが貼り付けられた基材層の、両面に貼り付けられた離型フィルムを剥がし、この基材層を用いたこと以外は実施例１と同様にして、４層のダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００８３】
（破断伸度の評価）
実施例及び比較例における基材層として、縦５０ｍｍ×横１０ｍｍのサイズの基材層を用意した。引張試験器（オリエンテック社製「テンシロンＲＴＣ−１３１０」）を用いて、２３℃、標準間２５ｍｍ及び引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、得られた基材層の第１の方向と第２の方向との破断伸度を測定した。第１の方向は、貼付起点である一端と該一端とは反対側の他端とを結ぶ方向であり、ダイシング−ダイボンディングテープの流れ方向である。第２の方向は、第１の方向と直交する方向であり、ダイシング−ダイボンディングテープの流れ方向と直交する方向である。
【００８４】
（亀裂発生の評価）
先ダイシングされた分割後半導体ウェーハを有する積層体として、保護シートと、チップサイズ１０ｍｍ角に先ダイシングされた分割後半導体ウェーハ（シリコンミラーウェーハ、直径３００ｍｍ、厚み４０μｍ）との積層体を用いた。
【００８５】
得られたダイシングーダイボンディングテープの離型層を粘接着剤層及びダイシング層から剥離して、粘接着剤層と、ダイシング層の外周部分とを露出させた。先ダイシングされた分割後半導体ウェーハの裏面に、ダイシング−ダイボンディングテープを粘接着剤層側から６０℃の温度でラミネートし、露出したダイシング層の外周部分をダイシングリングに貼り付けた。
【００８６】
次に、粘接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。このとき、粘接着剤層は改質しないようにした。
【００８７】
次に、ダイボンダー（芝浦メカトロニクス社製「ＦＰＤ−７０００ＦＰ」）を用いて、２３℃及びエキスパンド量３．５ｍｍ、エキスパンド速度８ｍｍ／ｓｅｃの条件で、粘接着剤層と基材層とダイシング層とを引き延ばして、先ダイシングされた分割後半導体ウェーハの切断部分（ダイシングライン）に沿って、粘接着剤層を切断し、かつ先ダイシングされた分割後半導体ウェーハにおける個々の半導体チップを離間させた。
【００８８】
上記の方法で粘接着剤層の切断を行った後、光学顕微鏡を用いて、基材層における亀裂の状態を観察した。亀裂の観察は、任意の個片化された半導体チップ間５０箇所に対して行い、亀裂発生個所の数を計測した。
【００８９】
結果を下記の表１に示す。なお、亀裂発生箇所が無いか又は少ない場合に、粘接着剤層付き半導体チップの製造時に、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性に優れていた。
【００９０】
【表１】
2015076421.tif 000003
【符号の説明】
【００９１】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の表面
３ｂ…他方の表面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４ａ…一方の表面
４ｂ…他方の表面
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ｂ…粘着部
５ｘ…延長部
５Ｃ…貼付起点（一端）
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の表面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
６１…ダイシング−ダイボンディングテープ
６２…ダイシング層
６２Ｃ…貼付起点（一端）
【図１】
2015076421.tif 000004
【図２】
2015076421.tif 000005
【図３】
2015076421.tif 000006
【図４】
2015076421.tif 000007
【図５】
2015076421.tif 000008
【図６】
2015076421.tif 000009