(57)【要約】  【課題】  接続性が高い配線基板およびそれを用いた多層配線基板を提供する。  【解決手段】  配線基板５であって、複数の絶縁層１が積層されてなる積層体４と、絶縁層１に設けられた貫通導体３と、絶縁層１の表面に設けられた、貫通導体３に電気的に接続された配線層２とを備えており、積層体４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、上下の配線層２同士が、下方に位置する絶縁層１と樹脂接着層８とを厚み方向に貫通する接合部材７を介して互いに電気的に接続されており、接合部材７は、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでおり、突出部７ｂは樹脂接着層８において本体部７ａから絶縁層１の層方向に突出しており、接合部材７と下方に位置する絶縁層１との間に密着層１２が設けられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されてなる積層体と、
前記絶縁層に設けられた貫通導体と、
前記絶縁層の表面に設けられた、前記貫通導体に電気的に接続された配線層とを備えており、
前記積層体の複数の前記絶縁層の層間のうちの少なくとも１つの層間において、上下の前記絶縁層同士が、樹脂接着層を介して互いに接着されているとともに、上下の前記配線層同士が、下方に位置する前記絶縁層と前記樹脂接着層とを厚み方向に貫通する接合部材を介して互いに電気的に接続されており、前記接合部材は、本体部と突出部とを含んでおり、前記突出部は前記樹脂接着層において前記本体部から前記絶縁層の層方向に突出しており、前記接合部材と下方に位置する前記絶縁層との間に密着層が設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線層は、前記本体部の下面と対向する面に凹凸部を有していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
セラミック基板と、
該セラミック基板の上面に積層された、請求項１または請求項２に記載の配線基板とを備えていることを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁層が積層されてなる積層体と、絶縁層に設けられた貫通導体と、絶縁層の表面に設けられた、貫通導体に電気的に接続された配線層と、を備えた配線基板およびそれを備えた多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を上面の端子に接続し、この端子と電気的に接続された下面の接続パッドとを外部電気回路に電気的に接続するために多層配線基板が用いられている。多層配線基板としては、複数の薄膜配線層と複数の樹脂絶縁層とが交互に積層されてなる積層体を有する配線基板が、セラミック基板等の基板の上面に配置されているものが知られている。このような多層配線基板は、例えば、半導体素子の電気的なチェックを行なう、いわゆる、プローブカード用の基板として用いられている。
【０００３】
また、このような多層配線基板におけるセラミック基板は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体等からなる絶縁基体の上下面および内部に、タングステン等の金属材料からなるメタライズ配線層および貫通導体等の配線導体が配置された構造となっている。そして、多層配線基板は、配線層が積層体の上面に露出して形成されており、この配線層が半導体素子と接続される端子として機能しており、また、配線導体がセラミック基板の下面に形成されており、この配線導体が外部接続用の接続パッドとして機能している。
【０００４】
多層配線基板は、例えば、絶縁層と配線層とが交互に積層されてなる積層体をそれぞれ別々に製作した後に、それぞれの積層体の絶縁層に設けられた接続用バンプ同士を互いに重ね合わせて接合することによって配線基板が形成されている。このような多層配線基板としては、例えば、特許文献１に開示されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６―６９６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、多層配線基板において、配線基板はそれぞれの積層体の接続用バンプ同士を互いに重ね合わせて接合されており、接続用バンプは絶縁層に設けられているので、接続用バンプと絶縁層との間に未接着部が生じ、接着強度が低下しやすくなる。これによって、多層配線基板は、配線基板が接合された積層体の層間において剥がれが生じやすいという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、接合部材と絶縁層との間に密着層を設けることによって、接合された積層体の層間の接続性を向上させることができる配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの態様による配線基板は、複数の絶縁層が積層されてなる積層体と、前記絶縁層に設けられた貫通導体と、前記絶縁層の表面に設けられた、前記貫通導体に電気的に接続された配線層とを備えており、前記積層体の複数の前記絶縁層の層間のうちの少なくとも１つの層間において、上下の前記絶縁層同士が、樹脂接着層を介して互いに接着されているとともに、上下の前記配線層同士が、下方に位置する前記絶縁層と前記樹脂接着
層とを厚み方向に貫通する接合部材を介して互いに電気的に接続されており、前記接合部材は、本体部と突出部とを含んでおり、前記突出部は前記樹脂接着層において前記本体部から前記絶縁層の層方向に突出しており、前記接合部材と下方に位置する前記絶縁層との間に密着層が設けられていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の他の態様による多層配線基板は、セラミック基板と、該セラミック基板の上面に積層された、本発明に係る配線基板とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板によれば、接合部材と絶縁層との間に密着層を設けることによって、互いに接合された積層体の層間の接続性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示された配線基板のＡ部を拡大して示す断面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示された配線基板の密着層を説明するための断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板の他の例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示された配線基板のＢ部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板の他の例を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板の製造方法を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係る配線基板および多層配線基板について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、配線基板および多層配線基板は、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、適宜、上面（表面）もしくは下面の語を用いるものとする。
【００１３】
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００１４】
＜実施の形態１＞
本発明の第１の実施の形態（実施の形態１という）に係る配線基板５および多層配線基板１１について、図１を参照しながら以下に説明する。
【００１５】
実施の形態１に係る配線基板５は、図１に示すように、複数の絶縁層１が積層されてなる積層体４と、絶縁層１に設けられた貫通導体３と、絶縁層１の表面に設けられた、貫通導体３に電気的に接続された配線層２とを備えている。また、多層配線基板１１は、セラミック基板６と、セラミック基板６に積層された配線基板５とを備えている。
【００１６】
配線基板５は、積層体４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、上下の配線層２同士が、下方に位置する絶縁層１と樹脂接着層８とを厚み方向に貫通する接合部材７を介して互いに電気的に接続されている。また、接合部材７は、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでおり、突出部７ｂは樹脂接着層８において本体部７ａから絶縁層１の層方向に突出しており、接合部材７と下方に位置する絶縁層１との間に密着層１２が設けられている。
【００１７】
また、多層配線基板１１は、積層体４を有する配線基板５とセラミック基板６とを含んでおり、配線基板５がセラミック基板６上に接合層１０を介して積層されている。
【００１８】
配線基板５は、複数の絶縁層１が積層されており、それぞれの絶縁層１の表面に配線層２が設けられており、絶縁層１と配線層２とが交互に積層されている。そして、配線層２は複数の絶縁層１の層間にそれぞれ位置している。このように、積層体４は、複数の絶縁層１が積層されており、薄膜多層部を形成している。貫通導体３は、絶縁層１を上下方向に貫通して設けられており、上下の配線層２同士は、貫通導体３を介して互いに電気的に接続されている。また、図１において、積層体４は、第１〜第４の絶縁層１ａ〜１ｄからなる４層の絶縁層１を積層して構成されている。なお、上下の絶縁層１同士は、絶縁層間接着層４ａを介して互いに接着されている。
【００１９】
また、セラミック基板６は、多層配線基板１１の全体の剛性を確保する機能を有している。配線基板５は、配線層２が半導体素子等の電極に対応するような微細な配線を有しており、この配線基板５を剛性の高いセラミック基板６上に設けることによって、プローブカード等に使用可能な多層配線基板１１を形成することができる。
【００２０】
また、積層体４において、絶縁層１を厚み方向に貫通する貫通導体３および配線層２は、配線基板５に搭載される半導体素子等の電極をプリント回路基板等の外部の電気回路（図示せず）に電気的に接続するための導電路となる部分である。例えば、積層体４の上面の中央部に半導体素子を搭載するとともに、はんだまたはプローブ等を介して半導体素子の電極を積層体４の最上面に露出する貫通導体３に電気的に接続すれば、半導体素子の電極が配線層２および貫通導体３を介して積層体４の最下面の配線層２と導通される。そして、この積層体４の最下面の配線層２を、例えば、セラミック基板６に予め形成しておいた配線導体９を介して外部の電気回路に電気的に接続すれば、半導体素子の電極と外部の電気回路とが電気的に接続される。
【００２１】
図１に示すように、セラミック基板６は、平面視において積層体４と同様の形状および寸法で形成されている。つまり、多層配線基板１１は、例えば、全体が四角板状または円板状等であり、上面が半導体素子等の電子部品を実装または載置するための部位として使用される。なお、半導体素子は多層配線基板１１に電気的および機械的に接続して半導体装置とするために上面に実装される。また、半導体素子は電気的なチェックを行なうために一時的に上面に載置される。半導体素子は、例えば、ＩＣまたはＬＳＩ等の半導体集積回路素子、あるいは、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等が挙げられる。
【００２２】
ここで、配線基板５について以下に説明する。
【００２３】
配線基板５は、複数の絶縁層１が積層されてなる積層体４を含んでおり、積層体４において、絶縁層１は、配線層２を形成するための基材として機能するとともに、配線層２同士の電気的な絶縁性を確保するための絶縁材として機能している。絶縁層１は、樹脂材料からなり、例えば、長方形状または正方形状等の四角形状、あるいは、円形状または楕円形状等の形状で、厚みが、例えば、１２０（μｍ）〜１８５（μｍ）の層状に形成されている。
【００２４】
また、図１に示すように、複数の絶縁層１は、平面視においてそれぞれの外形寸法および形状が同様であり、配線基板５の外側面に凹凸が生じないように積層されている。このように、積層体４は、複数の絶縁層１が積層されてなり、複数の絶縁層１によって薄膜多層部を構成している。積層された複数の絶縁層１は、積層体４において絶縁性の基体部分
（符号なし）となるものであり、配線基板５は、例えば、上面に半導体素子等の電子部品（図示せず）が搭載され、下面がセラミック基板６等の剛性の高い基板上に取着される。
【００２５】
絶縁層１は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂または液晶ポリマー等の絶縁性の樹脂材料からなるものである。
【００２６】
絶縁層１は、表面に配線層２が形成されており、配線層２は、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルトまたはチタン等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料からなる。また、配線層２は、厚みが、例えば、３（μｍ）〜２５（μｍ）である。
【００２７】
配線層２は、上記の金属材料をスパッタリング法、蒸着法またはめっき法等の方法を用いて絶縁層１の上面等の表面に被着させ、必要に応じてマスキングまたはエッチング等のトリミング加工を行なうことによって、所定の配線パターンで絶縁層１の表面に形成することができる。
【００２８】
貫通導体３は、例えば、絶縁層１の一部に貫通孔（符号なし）を設けることによって形成される。貫通孔は、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工法、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）法または溶剤によるエッチング法等の孔あけ加工法を用いて厚み方向に貫通して形成する。そして、貫通導体３は、この貫通孔内に貫通導体３となる導体材料を、スパッタリング法、蒸着法、めっき法または導体ペーストの充填等の方法を用いて充填することによって形成することができる。
【００２９】
貫通導体３は、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルト、チタンまたはタングステン等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料からなる。
【００３０】
また、貫通導体３は、絶縁層１内に設けられており、絶縁層１の層間に設けられた上下の配線層２に電気的に接続されている。また、貫通導体３は、例えば、平面視において直径が、例えば、２０（μｍ）〜６０（μｍ）の円形状であり、絶縁層１の内部に円柱状に設けられている。また、貫通導体３は、平面視での形状が円形状に限らず、楕円形状または四角形状であってもよい。
【００３１】
配線層２および貫通導体３を絶縁層１に設けるとともに、この絶縁層１を積層体４に必要な層数積層することによって、配線基板５は、複数の絶縁層１が積層されてなる積層体４となる。また、上下に位置する絶縁層１は、図１に示すように、絶縁層間接着層４ａを介して互いに接着されている。また、絶縁層間接着層４ａは、例えば、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはフッ素樹脂等の材料からなる。
【００３２】
図１に示すように、配線基板４は、積層体４が最上層の絶縁層１に凹みを有しており、この最上層の絶縁層１の凹み部の貫通導体３の表面には、腐食防止またはプローブ等との接続性のために、めっき層１３が設けられている。具体的には、めっき層１３は、ニッケルめっき層および金めっき層であり、ニッケルめっき層は、１（μｍ）〜１０（μｍ）程度の厚みを有しており、また、金めっき層は、０．１（μｍ）〜３（μｍ）程度の厚みを有している。そして、めっき層１３は、ニッケルめっき層および金めっき層を貫通導体３の表面に順次形成される。
【００３３】
また、配線基板５は、最上層の絶縁層１の表面（上面）に配線導体層を設けてもよい。その場合には、配線基板５は、絶縁層１の配線導体層の表面（上面）に、上述したように
、ニッケルめっき層および金めっき層を順次形成してもよい。なお、配線導体層は、上述の最上層の絶縁層１の凹み部の貫通導体３と同様な機能を有しており、プローブ等が電気的に接続される。
【００３４】
積層体４は、図１においては、第１〜第４の絶縁層１ａ〜１ｄからなる４層の絶縁層１を含んで構成されており、樹脂接着層８を間に挟んで、下方側に第１の絶縁層１ａが配置され、上方側に第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄが積層されて配置されている。
【００３５】
また、樹脂接着層８は、積層体４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間に設けられており、図１では、積層体４の第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間に設けられている。このように、配線基板５は、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの間に樹脂接着層８が設けられており、層間に配置された樹脂接着層８を介して第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとが互いに接着されている。
【００３６】
そして、樹脂接着層８を間に挟んで、上方に位置する第２の絶縁層１ｂの配線層２と下方に位置する第１の絶縁層１ａの配線層２とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続されている。接合部材７は、下方に位置する第１の絶縁層１ａと樹脂接着層８とを厚み方向に貫通しており、第１の絶縁層１ａと樹脂接着層８とにわたって設けられている。
【００３７】
また、樹脂接着層８は、絶縁層１同士を接着するための接着性を有しており、例えば、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはフッ素樹脂等の樹脂材料からなり、厚みが、例えば、５（μｍ）〜２０（μｍ）である。
【００３８】
接合部材７は、図１に示すように、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでおり、下方に位置する第１の絶縁層１ａと樹脂接着層８とを厚み方向に貫通して設けられている。突出部７ｂは、樹脂接着層８において本体部７ａから第１の絶縁層１ａまたは第２の絶縁層１ｂの層方向に突出している。なお、「層方向」とは、図１乃至図４において、ＸＹ面に平行な方向のことをいう。接合部材７は、本体部７ａが下方の第１の絶縁層１ａの配線層２に接合しており、また、突出部７ｂが上方の第２の絶縁層１ｂの配線層２に接合している。
【００３９】
また、接合部材７は、平面視において、例えば、突出部７ｂが第１の絶縁層１ａの表面（上面）に円形状に設けられており、直径が、例えば、２０（μｍ）〜６０（μｍ）である。また、接合部材７は、本体部７ａが絶縁層１の内部に円柱状に設けられており、平面視において、例えば、直径が、例えば、２０（μｍ）〜６０（μｍ）である。また、本体部７ａおよび突出部７ｂは、平面視において、形状が円形状に限らず、楕円形状または四角形状等の形状であってもよい。
【００４０】
また、突出部７ｂは、図１に示すように、樹脂接着層８において、本体部７ａから、例えば、１０（μｍ）〜２０（μｍ）の長さで第１の絶縁層１ａの層方向に突出している。接合部材７は、錫を主成分とする金属材料であり、例えば、錫−金合金、錫―銀合金または錫―銅合金等のはんだ材料からなる。
【００４１】
配線層２及び貫通導体３に銅を主成分とする金属材料を用いる場合には、接合部材７に錫を主成分とする金属材料を用いることによって接続性を向上させることができる。例えば、配線層２と貫通導体３との接続部において、貫通導体３と絶縁層１との熱膨張率差に起因する熱応力が厚み方向に発生する。また、この貫通導体３が上下に連続する複数の絶縁層１にわたって平面視で互いに重なる位置に形成されている、すなわち、厚み方向において複数の絶縁層１にわたって貫通導体３が平面視で重なって形成されている場合には、
厚み方向の熱応力が大きくなり、配線層２と貫通導体３との接続部にクラック等が生じやすくなる。そこで、貫通導体３が平面視で互いに重なっている少なくとも１箇所に、銅を主成分とする金属材料よりも弾性率が低い錫を主成分とする金属材料からなる接合部材７に設けることによって、配線基板５は、厚み方向に作用する熱応力が効果的に緩和されて、熱応力によって生じる接続部のクラック等の発生を抑制することができる。
【００４２】
突出部７ｂは、層方向の端部が下方（第１の絶縁層１ａ側）に向かって拡がるような曲面状の形状になっている。すなわち、図１に示すように、突出部７ｂは、縦断面視において層方向の両端部が下方に向かって拡がるように、側面が曲線状を有する形状になっている。また、接合部材７は、図４に示すように、突出部７ｂが凸面状すなわち縦断面視で凸状に設けられ、突出部７ｂが第２の絶縁層１ｂの配線層２に接合されることによって、突出部７ｂの凸面状の一部（第２の絶縁層１ｂ側）が平坦部になる。これによって、突出部７ｂは、上部の配線層２との接合部が平坦部を有するとともに、端部が下方（第１の絶縁層１ａ）に向かって拡がるような傘状の形状を有することになる。すなわち、突出部７ｂは凸面状の上部の一部が平坦部となる。
【００４３】
このように、突出部７ｂは、側面が曲面状すなわち縦断面視において曲線状を有しており、樹脂接着層８が突出部７ｂと第２の絶縁層１ｂの配線層２との間に入り込んで接着されることになるので、配線基板５は、接合部材７と樹脂接着層８との接着面積が増加して上下に位置する絶縁層１間の層間の接続性を向上させることができる。
【００４４】
また、突出部７ｂは、第２の絶縁層１ｂの配線層２に接合するとともに、樹脂接着層８において本体部７ａから第１の絶縁層１ａまたは第２の絶縁層１ｂの層方向に突出するような形状を有していればよく、例えば、縦断面視において四角形状等の形状であってもよい。
【００４５】
配線基板５は、図１に示すように、密着層１２が接合部材７と下方に位置する第１の絶縁層１ａとの間に設けられている。具体的には、密着層１２は、突出部７ａの下面と第１の絶縁層１ａの上面との間、および本体部７ａの外周面と第１の絶縁層１ａとの間にそれぞれ設けられている。また、密着層１２は、第１の絶縁層１ａの内部で接合部材７の本体部７ａの外周面を囲むように設けられている。
【００４６】
密着層１２は、図１（ｃ）に示すように、第１の密着層１２ａと第２の密着層１２ｂとを含む２層構造を有しており、第１の密着層１２ａが第１の絶縁層１ａに設けられており、第２の密着層１２ｂが第１の密着層１２ａ上に設けられている。
【００４７】
第１の密着層１２ａは、金属材料からなり、第１の絶縁層１ａの絶縁材料が有している極性基との間で化学結合を生じさせるものである。第１の密着層１２ａは、例えば、クロム、ニッケル、チタンまたはアルミニウム等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料からなり、厚みが、例えば、０．０１（μｍ）〜１（μｍ）である。
【００４８】
また、第２の密着層１２ｂは、金属材料からなり、接合部材７の材料の主成分である錫との合金を形成しやすいものである。第２の密着層１２ｂは、例えば、金、銀または銅等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料からなり、厚みが、例えば、０．０１（μｍ）〜１（μｍ）である。
【００４９】
このように、密着層１２は第１の絶縁層１ａに設けられており、接合部材７は密着層１２を介して第１の絶縁層１ａに設けられている。
【００５０】
また、密着層１２は、本体部７ａの下面と第１の絶縁層１ａの配線層２との間に設けら
れていてもよい。
【００５１】
このように、実施の形態１の配線基板５は、積層体４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、上下の絶縁層１（第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂ）同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、上下の配線層２（第１の絶縁層１ａの配線層２と第２の絶縁層１ｂの配線層２）同士が、下方に位置する第１の絶縁層１ａと樹脂接着層８とを厚み方向に貫通する接合部材７を介して互いに電気的に接続されている。そして、接合部材７は、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでおり、突出部７ｂは樹脂接着層８において本体部７ａから絶縁層１の層方向に突出しており、接合部材７と下方に位置する第１の絶縁層１ａとの間に密着層１２が設けられている。
【００５２】
したがって、第１の絶縁層１ａと接合部材７との間に密着層１２を設けることによって、第１の密着層１２ａが第１の絶縁層１ａが有している極性基の間で化学結合を生じて互いに接着するとともに、第２の密着層１２ｂが接合部材７の主成分である錫との間で合金層を形成して互いに接着することになる。このように、密着層１２を介して第１の絶縁層１ａと接合部材７とが接着することによって、第１の絶縁層１ａと接合部材７との間の接続性を向上させることができる。
【００５３】
例えば、第１の絶縁層１ａにポリイミド樹脂を用い、第１の密着層１２ａにチタンを用いた場合には、ポリイミド樹脂にカルボキシル基が含まれており、カルボキシル基とチタンとの間で化学結合が生じて、第１の絶縁層１ａと第１の密着層１２ａとが接着することになる。また、第２の密着層１２ｂに銅を用い、接合部材７に錫-金を用いた場合には、
第２の密着層１２ｂと接合部材７との間に錫−銅の合金が形成されて、第２の密着層１２ｂと接合部材７とが接着することになる。このようにして、第１の絶縁層１ａと接合部材７とが密着層１２を介して接着されることになる。
【００５４】
すなわち、接合部材７は、密着層１２を設けることによって、本体部７ａと第１の絶縁層１ａとの間の剥がれ、または、突出部７ｂと第１の絶縁層１ａとの間の剥がれを抑制することができるので、接続性を向上させることができる。また、接合部材７は、突出部７ｂを有しており、絶縁層１の層方向（ＸＹ面）において、密着層１２を介して第１の絶縁層１ａと接着する接着面積が増加するので、第１の絶縁層１ａとの接着性をさらに向上させることができる。
【００５５】
このように、実施の形態１の配線基板５が、積層体４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、接合部材７を介して上方の第２の絶縁層１ｂの配線層２と下方の第１の絶縁層１ａの配線層２とが電気的に接続されている場合には、配線基板５としての生産性を高める上において効果的であり、さらに、接合部材７が樹脂接着層８において突出部７ｂを有しており、接合部材７と第１の絶縁層１ａとの間に密着層１２が設けられているので、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間の接続性を向上させることができる。
【００５６】
すなわち、図１では、配線基板５は、第１の絶縁層１ａ（第１のブロックという）と、第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層構造体（第２のブロックという）とをそれぞれ別々に製作して、積層体４は、第１のブロックと第２のブロックとを樹脂接着層８を介して接着することによって生産することができるため、配線基板５は生産性を高めることが容易となる。また、第１のブロックは接合部材７を含んでおり、第２のブロックは樹脂接着層８を含んでいる。
【００５７】
言い換えれば、配線基板５は、例えば、セラミック基板６の上面に絶縁層１等を順次積
層させて積層体４を製作するのではなく、これらの絶縁層１等からなる積層体４を複数のブロック（実施の形態１においては、第１のブロックおよび第２のブロックの２つのブロック）に分けて並行して製作することができるので、生産性を高めることができる。また、配線基板５は、第１のブロックと第２のブロックとの間の電気的接続が突出部７ｂを有する接合部材７を用いて接続されているので、２つのブロック間の層間において絶縁層１の層間の接続性を向上させることができる。
【００５８】
本発明は上述の実施の形態１の配線基板５または多層配線基板１１に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、他の実施の形態について説明する。なお、他の実施の形態に係る配線基板および多層配線基板のうち、実施の形態１に係る配線基板５および多層配線基板１１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００５９】
＜実施の形態２＞
本発明の第２の実施の形態（実施の形態２という）に係る配線基板５Ａおよび多層配線基板１１Ａについて、図２を参照しながら以下に説明する。
【００６０】
実施の形態２の配線基板５Ａにおいて、図２に示すように、第１の絶縁層１ａの配線層２Ａは、本体部７ａの下面と対向する面に凹凸部を有している。すなわち、第１の絶縁層１ａの配線層２Ａは、突出部７の本体部７ａの下面に対応する領域に凹凸部２ｂを有している。また、凹凸部２ｂの最大高さ（Ｒｍａｘ）は、例えば、０．５（μｍ）〜５（μｍ）である。図２において、配線層２Ａは、全面に凹凸部２ｂを有しているが、これに限らず、本体部７ａの下面に対向する領域のみに凹凸部２ｂを有していてもよい。また、積層体４は、他の配線層２（配線層２Ａ以外の配線層２）が貫通導体３の下面と対向する面に凹凸部を有していてもよい。なお、凹凸部２ｂの最大高さ（Ｒｍａｘ）は、凹凸の山頂から谷底までの高さのことをいう。
【００６１】
このように、配線層２は、本体部７ａの下面に対向する面に凹凸部２ｂを有しており、接合部材７は、本体部７ａの下面と配線層２Ａとの接着面積が増加するので、配線層２との接着強度を向上させることができる。これによって、配線基板５Ａは、第１の絶縁層１ａの配線層２Ａと接合部材７との間の剥がれ等の発生が抑制され、接合部材７と配線層２Ａとの接続信頼性を向上させることができる。
【００６２】
また、密着層１２が本体部７ａの下面と配線層２Ａとの間に設けられている場合には、密着層１２が配線層２Ａ上に設けられるので、配線層２Ａは、密着層１２の表面（上面）が凹凸部となるような凹凸部２ｂが表面（上面）に形成されていることが好ましい。これによって、密着層１２の表面（上面）が凹凸部を有することになり、配線層２Ａと密着層１２との接着面積が増加するとともに、密着層１２と本体部７ａの下面との接着面積が増加するので、配線層２と密着層１２との間および密着層１２と接合部材８との間の接着強度を向上させることができる。
【００６３】
また、実施の形態１の配線基板５は、積層体４が、第１の絶縁層１ａ（第１のブロックという）と、第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層構造体（第２のブロックという）とで構成されており、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、接合部材７を介して上方の第２の絶縁層１ｂの配線層２と下方の第１の絶縁層１ａの配線層２とが電気的に接続され、接合部材７の突出部７ｂと第２の絶縁層１ｂの配線層２とが接合されているが、このような構成に限らない。
【００６４】
例えば、配線基板５Ｂは、図３に示すように、積層体４Ｂが、第１〜第２の絶縁層１ａ
〜１ｂからなる積層構造体（第１のブロックという）と、第３〜第５の絶縁層１ｃ〜１ｅとからなる積層構造体（第２のブロックという）とで構成されており、第２の絶縁層１ｂと第３の絶縁層１ｃとの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、接合部材７を介して上方の第３の絶縁層１ｃの配線層２と下方の第２の絶縁層１ｂの配線層２とが電気的に接続され、接合部材７の突出部７ｂと第３の絶縁層１ｃの配線層２とが接合されていてもよい。
【００６５】
また、例えば、積層体４は、第１〜第３の絶縁層１ａ〜１ｃからなる積層構造体（第１のブロック）と、第４〜第６の絶縁層１ｄ〜１ｆからなる積層構造体（第２のブロック）と、第７〜第９の絶縁層１ｇ〜１ｉからなる積層構造体（第３のブロック）とで構成されて、第３の絶縁層１ｃと第４の絶縁層１ｄとの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、接合部材７を介して上方の第４の絶縁層１ｄの配線層２と下方の第３の絶縁層１ｃの配線層２とが電気的に接続され、接合部材７の突出部７ｂと第４の絶縁層１ｄの配線層２とが接合され、さらに、第６の絶縁層１ｆと第７の絶縁層１ｇとの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、接合部材７を介して上方の第７の絶縁層１ｇの配線層２と下方の第６の絶縁層１ｆの配線層２とが電気的に接続され、接合部材７の突出部７ｂと第７の絶縁層１ｇの配線層２とが接合されていてもよい。
【００６６】
すなわち、配線基板５は、積層体４が所望の絶縁層１の積層数になるように、ブロック数が適宜設定され、積層体４において、接合部材７と樹脂接着層８との配置は、そのブロック数に応じて適宜設定される。また、ブロック内の絶縁層１の積層数も配線基板５の生産性等を考慮して適宜設定される。
【００６７】
また、積層体４を有する配線基板５を備えた多層配線基板１１は、例えば、以下のようにして作製することができる。ここでは、図１に示すように、積層体４が第１〜第４の絶縁層１ａ〜１ｄで構成されており、第１の絶縁層１ａ（第１のブロックという）と、第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層構造体（第２のブロックという）とを接合して配線基板５を形成する場合について、図４を参照しながら説明する。
【００６８】
まず、図４（ａ）に示すように、積層体４の第２のブロック（第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層構造体）の作製について説明する。なお、第２のブロックは、第４の絶縁層１ｄ、第３の絶縁層１ｃおよび第２の絶縁層１ｂを順次積層することによって形成される。
【００６９】
支持体上に接着フィルムと第４の絶縁層１ｄとなる絶縁フィルムとを積層して、例えば、プレス加工法を用いて接合する。そして、配線層２が形成される位置に、エッチング法を用いて、その配線層２のパターンに応じた凹状部を絶縁フィルムに形成する。また、凹状部の形成後に、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）法またはブラスト処理法等を用いることによって、凹状部の底部に凹凸を形成することができる。この凹凸は、配線層２の表面（上面）に凹凸部２ｂを形成する場合に用いることができる。
【００７０】
そして、例えば、蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレート法等の薄膜形成法、あるいは、めっき法等を用いて、絶縁フィルムの表面の凹状部に導体材料を充填して配線層２を形成する。また、必要に応じて、マスキングまたはエッチング等のトリミング加工を行なって、絶縁フィルムの表面に配線層２を形成することができる。
【００７１】
次に、上記の第４の絶縁層１ｄとなる絶縁フィルム上に、絶縁層間接着層４ａとなる接着フィルムと第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルムとを順次積層して、例えば、プレス加工法を用いて接合する。そして、絶縁フィルム（第４の絶縁層１ｄ）に形成された配線層
２に対応する位置に、第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルムの一部を厚み方向に貫通するように貫通孔を形成する。
【００７２】
また、貫通孔は、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工法、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）法、あるいは、溶剤によるエッチング法等の孔あけ加工法を用いて形成する。さらに、エッチング法を用いて、貫通孔に対応するように、第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルムに、配線層２のパターンに応じた凹状部を形成する。
【００７３】
その後、貫通孔の内部および凹状部に金属材料（銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルト、チタンまたはタングステン）をスパッタリング法、蒸着法またはめっき法等の方法を用いて充填することよって、貫通導体３および配線層２を形成する。また、貫通導体３および配線層２は、それぞれ別々に形成してもよい。
【００７４】
そして、第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルム上に、絶縁層間接着層４ａとなる接着フィルムと第２の絶縁層１ｂとなる絶縁フィルムとを積層して、例えば、プレス加工法を用いて接合する。上記と同様な方法を用いて、第２の絶縁層１ｂとなる絶縁フィルムに貫通導体３および配線層２を形成する。このようにして形成された第２の絶縁層１ｂ〜第４の絶縁層１ｄからなる積層体を支持体から剥がして、第２のブロック（第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体）とすることができる。なお、第２ブロックは、積層体の第２の絶縁層１ｂが下側に位置するようにすることで、図１（ａ）に示すような積層体とすることができる。
【００７５】
そして、第２ブロックの第２の絶縁層１ｂ（第１の絶縁層１ａに対向する側）に樹脂接着層８を積層して、第１ブロックの接合部材７に対応する位置に開口部を形成する。開口部は、例えば、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工法、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）法、あるいは、溶剤によるエッチング法等の孔あけ加工法を用いて形成する。
【００７６】
また、積層体４の最上層の凹みに設けられた貫通導体３は、支持体から第２のブロック（第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体）を剥がした後、第４の絶縁層１ｄに形成される。凹部は、第４の絶縁層１ｄに対して、例えば、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工法、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）法、あるいは、溶剤によるエッチング法等の孔あけ加工法を用いて貫通孔を形成する。そして、貫通導体３は、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルトまたはチタン等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料を貫通孔の途中まで充填することによって形成される。また、貫通導体３の表面には、例えば、ニッケルめっき層および金めっき層が順次形成される。
【００７７】
次に、図４（ｂ）に示すように、積層体４の第１のブロック（第１の絶縁層１ａ）の作製について以下に説明する。
【００７８】
第２のブロックと同様に、支持体上に接着フィルムと第１の絶縁層１ａとなる絶縁フィルムとを積層して、例えば、プレス加工法を用いて接合する。
【００７９】
配線層２が形成される位置に、エッチング法を用いて、その配線層２のパターンに応じた凹状部を絶縁フィルムに形成する。そして、例えば、蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレート法等の薄膜形成法、あるいは、めっき法等を用いて、絶縁フィルムの表面の凹状部に配線層２を形成する。また、凹状部の形成後に、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）法またはブラスト処理法等を用いることによって、凹状部の底部に凹凸を形成することができる。この凹凸によって、配線層２Ａは、表面（上面）に凹凸部２ｂ
を形成することができる。そして、例えば、蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレート法等の薄膜形成法、あるいは、めっき法等を用いて、絶縁フィルムの表面の凹状部に導体材料を充填して配線層２を形成する。また、必要に応じて、マスキングまたはエッチング等のトリミング加工を行なって、絶縁フィルムの表面に配線層２を形成することができる。
【００８０】
そして、支持体から絶縁フィルム（第１の絶縁層１ａ）を剥がした後、配線層２が形成された側とは反対側から、絶縁フィルム（第１の絶縁層１ａ）を厚み方向に貫通するように貫通孔を形成する。貫通孔は、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工法、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）法、あるいは、溶剤によるエッチング法等の孔あけ加工法を用いて形成する。
【００８１】
次に、絶縁フィルム（第１の絶縁層１ａ）の上面および貫通孔の内周部に密着層１２を形成する。第１の密着層１２ａとなる金属材料が、突出部７ｂの下面に対向する領域および貫通孔の内周部に、例えば、蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレート法等の薄膜形成法を用いて形成される。また、マスキングまたはエッチング等のトリミング加工を用いて、絶縁フィルム（第１の絶縁層１ａ）の上面の所望の位置に第１の密着層１２ａが形成される。そして、第２の密着層１２ｂとなる金属材料が、第１の密着層１２ａ上に、例えば、蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレート法等の薄膜形成法およびマスキングまたはエッチング等のトリミング加工を用いて形成される。
【００８２】
そして、接合部材７となる金属材料が、例えば、電界めっき法を用いて密着層１２上に形成される。接合部材７は、第１の絶縁層１ａの層方向（ＸＹ面の方向）の端部が下方（第１の絶縁層１ａ側）に向かって拡がるような曲面状を有するような形状となる。
【００８３】
このようにして、密着層１２は、突出部７ａの下面と第１の絶縁層１ａの上面との間および本体部７ａの外周面と第１の絶縁層１ａとの間に形成される。
【００８４】
第２のブロックの樹脂接着層８の開口部と第１のブロックの接合部材７とが対応するように位置合わせをして、例えば、プレス加工法を用いて接合することによって、積層体４が形成される。また、プレス加工法は、第１のブロックと第２のブロックとを加熱しながら行なわれる。
【００８５】
このようにして、接合部材７は突出部７ｂが第２の絶縁層１ｂの配線層２に接合される。そして、積層体４は、第１の絶縁層１ａの配線層２と第２の絶縁層１ｂの配線層２とは接合部材７を介して互いに電気的に接続され、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとは樹脂接着層８を介して互いに接着される。
【００８６】
積層体４は接合層１０が第１の絶縁層１ａに積層される。この接合層１０は、セラミック基板６上に配線基板５を接合するためのものである。多層配線基板１１は、接合層１０を介してセラミック基板６上に配線基板５が接合されており、このような多層配線基板１１は、生産性または実用性（いわゆる多品種対応）に優れている。
【００８７】
すなわち、配線基板５とセラミック基板６とを別々に製作して、接合層１０を介して配線基板５とセラミック基板６とを接合することによって、多層配線基板１１Ａが製作されるため、セラミック基板６の上面に配線基板５を直接積層する場合に比べて、多層配線基板１１を容易に製作することができる。また、種々のパターンを有する配線基板をまとめて準備することできるので、いわゆる多品種の多層配線基板の対応も容易となる。また、接合層１０は、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂またはフッ素樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。接合層１０は、厚みが、例
えば、１５（μｍ）〜６０（μｍ）である。
【００８８】
そして、配線基板５の貫通孔の形成に用いる方法と同様の方法を用いて、接合層１０に貫通孔を形成する。そして、金属材料からなる導体材料を貫通孔内に設けることによって接合体１０ａを形成する。接合体１０ａは、例えば、錫、銀または銅等の金属材料からなる。また、接合体１０ａは、金−錫合金、錫−銀合金または錫−銅合金等のはんだ材料を用いることができる。
【００８９】
次に、比較的剛性が高い、例えば、セラミック基板６を準備する。このセラミック基板６は、上面側に剛性が低い薄膜多層部４を有する配線基板５を設けて剛性の高い多層配線基板１１とするためのものである。セラミック基板６は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミック焼結体等からなるセラミック材料、あるいは、ガラス母材中に結晶成分を析出させた結晶化ガラス等からなるセラミック材料、また、雲母およびチタン酸アルミニウム等の微結晶焼結体等からなるセラミック材料により形成されている。このようなセラミック材料は、金属材料とほぼ同等の精密な機械加工が可能なセラミック材料（いわゆるマシナブルセラミックス）である。
【００９０】
セラミック基板６は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して作製したスラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等のシート成形技術を用いてシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製して、その後、セラミックグリーンシートを切断加工または打ち抜き加工等を用いて適当な形状および寸法とするとともに、これを約１３００（℃）〜１５００（℃）の温度で焼成することによって製作することができる。
【００９１】
また、セラミック基板６には、必要に応じて配線導体９を、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金または白金等の金属材料を用いて、メタライズ法またはめっき法等の方法を用いて被着させておく。配線導体９は、例えば、タングステンからなる場合であれば、タングステンのペーストをセラミック基板６となるセラミックグリーンシートの表面および予め形成しておいた貫通孔の内部等に塗布または充填し、セラミックグリーンシートと同時焼成することによって被着させることができる。なお、セラミック基板６の所望の積層数に応じて、複数のセラミックグリーンシートが積層される。
【００９２】
そして、セラミック基板６の表面（上面）の配線導体９と配線基板５Ａに設けられた接合層１０の接合体１０ａとが対向するように位置合わせをして、加圧しながら加熱して硬化させることよって、配線基板５とセラミック基板６とを接合して、多層配線基板１１を製作する。
【００９３】
本発明は、上述した実施の形態１および実施の形態２に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００９４】
１  絶縁層
２  配線層
２ｂ  凹凸部
３  貫通導体
４、４Ａ，４Ｂ  積層体
５、５Ａ、５Ｂ  配線基板
６  セラミック基板
７  接合部材
７ａ  本体部
７ｂ  突出部
８  樹脂接着層
９  配線導体
１０  接合層
１０ａ  接合導体
１１、１１Ａ、１１Ｂ  多層配線基板
１２  密着層
１２ａ  第１の密着層
１２ｂ  第２の密着層
１３  めっき層
【図１】
2015159242.tif 000003
【図２】
2015159242.tif 000004
【図３】
2015159242.tif 000005
【図４】
2015159242.tif 000006