(57)【要約】【課題】十分な機械的強度を有する電極層を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板上に配置された第１電極層１３及び第２電極層１４と、第１電極層１３上に配置される第２絶縁層Ｌ２と、第２絶縁層Ｌ２上に配置され、第１電極層１３と電気的に接続する反射電極層１５と、を備え、第２電極層１４の少なくとも一部分は外部に露出しており、第２電極層１４の厚さは、反射電極層１５よりも厚い。【選択図】図２
2015114433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された、第１電極層及び第２電極層と、
前記第１電極層及び前記第２電極層上に配置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、前記第１電極層と電気的に接続する反射電極層と、
前記反射電極層及び前記第２電極層上の前記第１絶縁層の部分の上に配置された第２絶縁層と、を有する積層体を形成し、
前記反射電極層上の前記第２絶縁層を残しつつ、前記第２電極層上の前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層をエッチングして、前記第２電極層の少なくとも一部分を露出し、
前記第２電極層の少なくとも一部を露出した後、前記反射電極層上の前記第２絶縁層をエッチングして、前記反射電極層を露出させる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に配置された、第１電極層及び第２電極層と、
前記第１電極層及び前記第２電極層上に配置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、前記第１電極層と電気的に接続する反射電極層と、
前記反射電極層及び前記第２電極層上の前記第１絶縁層の部分の上に配置された第２絶縁層と、を有する積層体を形成し、
前記反射電極層上の前記第２絶縁層を残しつつ、前記第２電極層上の前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層の途中の深さまでの部分をエッチングし、
前記途中の深さまでの前記部分をエッチングした後、前記第２電極層上の前記第１絶縁層の残りの部分をエッチングして、前記第２電極層の少なくとも一部分を露出すると共に、前記反射電極層上の前記第２絶縁層をエッチングして前記反射電極層を露出させる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２電極層上の前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層の途中の深さまでの部分をエッチングする工程では、前記第２電極層上の前記第１絶縁層の残りの部分の厚さを、前記反射電極層上の前記第２絶縁層の厚さ以下になるようにエッチングする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２電極層の少なくとも一部分を露出すると共に、前記反射電極層上の前記第２絶縁層をエッチングして前記反射電極層を露出させる工程では、前記第２絶縁層のエッチング速度は、前記第１絶縁層のエッチング速度以下である請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に配置された第１電極層及び第２電極層と、
前記第１電極層上に配置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、前記第１電極層と電気的に接続する反射電極層と、
を備え、
前記第２電極層の少なくとも一部分は外部に露出しており、前記第２電極層の厚さは、前記反射電極層よりも厚い半導体装置。
【請求項６】
前記第１電極層及び前記第２電極層の下に配置される第３絶縁層を備え、
前記第１電極層の下の前記第３絶縁層の厚さと、前記第２電極層の下の前記第３絶縁層の厚さとは異なっている請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１電極層の下の前記第３絶縁層の厚さよりも、前記第２電極層の下の前記第３絶縁層の厚さは薄い請求項６に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ヘッドマウントディスプレイ又は投写型ディスプレイとして、シリコンチップ・ベースド液晶といわれる反射型液晶表示装置が開発されている。
【０００３】
反射型液晶表示装置は、光源からの光を液晶パネルに照射して、液晶パネルからの反射光を投写して画像を表示する表示装置である。
【０００４】
液晶パネルを駆動する半導体装置をシリコンチップにより形成し、液晶パネルを半導体装置上に搭載したユニットは、例えば、ＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）ユニットと呼ばれる。
【０００５】
図１は、従来例のＬＣＯＳユニットを示す図である。ＬＣＯＳユニット１３０は、液晶パネル１２０と、液晶パネル１２０を駆動するシリコンチップにより形成される半導体装置１１０を有する。
【０００６】
半導体装置１１０は、シリコン基板１１１上に形成され、トランジスタＴ等の回路素子を含む素子層１１２を有する。また、半導体装置１１０は、素子層１１２からの信号により電位が制御される反射電極層１１５と、素子層１１２に電力を供給し且つ外部との間の信号の入出力に使用されるボンディングパッド１１４を備える。
【０００７】
反射電極層１１５は、２次元のマトリックス状に配置される。液晶パネル１２０の液晶の配向状態は、反射電極層１１５の電位により制御されて、所望の画像が表示される。
【０００８】
図１に示す例では、反射電極層１１５及びボンディングパッド１１４は、半導体装置１１０の最上層に配置されており、同一工程において、同じ導電層がエッチングされて一緒に形成されるので、同じ厚さを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−２４２４８５号公報
【特許文献２】特開２００７−１９３２００号公報
【特許文献３】特開２００６−５８６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、反射型液晶表示装置の表示能力を向上するために、解像度及び輝度の向上が求められており、一画素の微細化が図られている。
【００１１】
そこで、一画素に対応する反射電極層の寸法を微細化することが検討されている。反射電極層の面積を小さくすることにより、一画素の寸法が小さくなるので、解像度を向上できる。
【００１２】
本明細書では、画素の微細化の際に発生し得る種々の問題点を解決し得る半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【００１３】
また、本明細書では、画素の微細化の際に発生し得る種々の問題点を解決し得る半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本明細書に開示する半導体装置の製造方法の一形態によれば、基板上に配置された、第１電極層及び第２電極層と、上記第１電極層及び上記第２電極層上に配置される第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に配置され、上記第１電極層と電気的に接続する反射電極層と、上記反射電極層及び上記第２電極層上の上記第１絶縁層の部分の上に配置された第２絶縁層と、を有する積層体を形成し、上記反射電極層上の上記第２絶縁層を残しつつ、上記第２電極層上の上記第２絶縁層及び上記第１絶縁層をエッチングして、上記第２電極層の少なくとも一部分を露出し、上記第２電極層の少なくとも一部を露出した後、上記反射電極層上の上記第２絶縁層をエッチングして、上記反射電極層を露出させる。
【００１５】
また、本明細書に開示する半導体装置の製造方法の他の一形態によれば、基板上に配置された、第１電極層及び第２電極層と、上記第１電極層及び上記第２電極層上に配置される第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に配置され、上記第１電極層と電気的に接続する反射電極層と、上記反射電極層及び上記第２電極層上の上記第１絶縁層の部分の上に配置された第２絶縁層と、を有する積層体を形成し、上記反射電極層上の上記第２絶縁層を残しつつ、上記第２電極層上の上記第２絶縁層及び上記第１絶縁層の途中の深さまでの部分をエッチングし、上記途中の深さまでの上記部分をエッチングした後、上記第２電極層上の上記第１絶縁層の残りの部分をエッチングして、上記第２電極層の少なくとも一部分を露出すると共に、上記反射電極層上の上記第２絶縁層をエッチングして上記反射電極層を露出させる。
【００１６】
更に、本明細書に開示する半導体装置の一形態によれば、基板上に配置された第１電極層及び第２電極層と、上記第１電極層上に配置される第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に配置され、上記第１電極層と電気的に接続する反射電極層と、を備え、上記第２電極層の少なくとも一部分は外部に露出しており、上記第２電極層の厚さは、上記反射電極層よりも厚い。
【発明の効果】
【００１７】
上述した本明細書に開示する半導体装置の製造方法の一形態によれば、微細化した画素を有する半導体装置を製造する際に発生し得る種々の問題点を解決することができる。
【００１８】
また、本明細書に開示する半導体装置の一形態によれば、画素の微細化の際に発生し得る種々の問題点を解決した半導体装置が得られる。
【００１９】
本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。
【００２０】
前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来例のＬＣＯＳユニットを示す図である。
【図２】本明細書に開示する半導体装置の一実施形態を示す図である。
【図３】（Ａ）は、図２に示す半導体装置が、反射型液晶表示装置に組み込まれた状態を示す図であり、（Ｂ）は、ＬＣＯＳユニットの平面図である。
【図４】図３（Ｂ）のＸ−Ｘ線拡大断面を模式的に示した図である。
【図５】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その１）ある。
【図６】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その２）ある。
【図７】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その３）ある。
【図８】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その４）ある。
【図９】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その５）ある。
【図１０】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その６）ある。
【図１１】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その７）ある。
【図１２】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その８）ある。
【図１３】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その９）ある。
【図１４】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程を説明する図（その１０）ある。
【図１５】他の半導体装置の製造方法の工程を説明する図（その１）である。
【図１６】他の半導体装置の製造方法の工程を説明する図（その２）である。
【図１７】他の半導体装置の製造方法の工程を説明する図（その３）である。
【図１８】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第２実施形態の工程を説明する図（その１）ある。
【図１９】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第２実施形態の工程を説明する図（その２）ある。
【図２０】本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第２実施形態の工程を説明する図（その３）ある。
【図２１】本明細書に開示する半導体装置の他の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１に示す従来例のＬＣＯＳユニットでは、例えば、反射電極層の面積を小さくすることにより、反射電極層同士の間隔が狭まり、マトリックス状に配置された反射電極層のトータルの面積を増加して、輝度を向上できる。
【００２３】
微細化技術を用いて、反射電極層の面積を小さくすると、反射電極層の厚さも薄くなる。
【００２４】
図１に示すボンディングパッド１１４は、反射電極層１１５と同じ厚さを有するので、反射電極層１１５の微細化により、ボンディングパッド１１４の厚さも薄くなる。
【００２５】
ここで、ボンディングパッド１１４は、ワイヤボンディング等のボンディング技術を用いて、外部の回路と接続される電極である。そのため、ボンディングパッド１１４は、ワイヤボンディング等の工程において、機械的な外力を受けるので、この外力により破損しない程度の機械的強度を有することが求められる。
【００２６】
しかし、反射型液晶表示装置の表示能力を向上するように、反射電極層を微細化した場合には、ボンディングパッドの厚さが薄くなるので、ボンディングパッドが十分な機械的強度を保持できなくなるおそれがある。
【００２７】
そこで、本明細書では、微細化した画素を有する半導体装置を製造する際に発生し得る種々の問題点を解決する半導体装置及びその製造方法を提案する。
【００２８】
以下、本明細書で開示する半導体装置の好ましい一実施形態を、図面を参照して説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【００２９】
図２は、本明細書に開示する半導体装置の一実施形態を示す図である。図３（Ａ）は、図２に示す半導体装置が、反射型液晶表示装置に組み込まれた状態を示す図であり、図３（Ｂ）は、ＬＣＯＳユニットの平面図である。図４は、図３（Ｂ）のＸ−Ｘ線拡大断面を模式的に示した図である。
【００３０】
本実施形態の半導体装置１０は、シリコンチップにより形成されており、反射型液晶表示装置の液晶パネルを駆動するために用いられる。
【００３１】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、半導体装置１０は、液晶パネル２０が搭載されて、ＬＣＯＳユニット３０を形成する。
【００３２】
反射型液晶表示装置３０ａは、赤色、緑色及び青色の発光ダイオードを有する光源４１と、偏光子４２及び検光子４３と、ＬＣＯＳユニット３０を備える。
【００３３】
半導体装置１０は、２次元のマトリクス状に配列された反射電極層１５と、反射電極層１５の電位を制御するトランジスタＴ等の回路素子が配置された素子層１２を有する。反射電極層１５は、半導体装置１０の液晶パネル２０側の表面に配置される。
【００３４】
液晶パネル２０は、一対の分子配向層２１ａ、２１ｂにより挟まれた液晶層２２と、分子配向層２１ｂ上に配置される透明電極層２３と、透明電極層２３上に配置されるガラス基板２４を有する。液晶パネル２０では、一対の分子配向層２１ａ、２１ｂと、図示しないシール材とによって液晶が液晶層２２に封入されている。
【００３５】
透明電極層２３と、各反射電極層１５との間に位置する液晶の部分には、反射電極層１５に電位を印加することにより、電場が印加されて、液晶の配向状態が制御される。
【００３６】
図３（Ａ）に示すように、光源４１から出力された光は偏光子４２を通るときに振動方向が一方向に揃えられて偏光光となる。偏光子４２を通った偏光光がＬＣＯＳユニット３０の液晶パネル２０を通って反射電極層１５に到達し、反射電極層１５で反射された光が再び液晶パネル２０を通って検光子４３に進む。例えば、液晶パネル２０がＴＮモードの液晶を有する場合、反射電極層１５と透明電極層２３との間に電圧を印加しない状態では、反射電極層１５から液晶パネル２０を通過する間に光の振動方向が所定の角度だけ捩れる。一方、反射電極層１５と透明電極層２３との間に十分に高い電圧を印加すると、反射電極層１５から液晶パネル２０を通過するまでの間に光の振動方向が殆ど変化しない。そのため、電圧が印加されない時に光を遮断するように偏光子４２及び検光子４３を配置すると、電圧を印加することにより光が透過するようになる。各反射電極層１５に印加する電位を制御することにより、所望の画像を投写して表示することができる。
【００３７】
反射電極層１５に印加する電圧は、素子層１２のトランジスタＴにより供給される。素子層１２には、ボンディングパッド１４を介して、電力及び外部との間の信号が入出力する。
【００３８】
図３（Ｂ）に示すように、ボンディングパッド１４は、半導体装置１０の周囲に配置される端子電極である。
【００３９】
また、図２に示すように、半導体装置１０のシリコン基板１１には、素子分離層Ｂにより画成された各素子領域にトランジスタＴが配置される。トランジスタＴは、チャネル領域を挟んでソース／ドレイン領域ＳＤを有する。ソース／ドレイン領域ＳＤ上には、第１プラグＰ１が配置される。第１プラグＰ１は、素子配線層Ｗと、ソース／ドレイン領域ＳＤとを電気的に接続する。
【００４０】
素子層１２は、ソース／ドレイン領域ＳＤを含むトランジスタＴと、図示しない回路素子を含む領域である。素子層１２は、トランジスタＴ等の回路素子を含み、反射電極層１５に信号を供給する駆動回路を有する。反射電極層１５の電位は、供給される信号により制御される。
【００４１】
素子層１２上には、第１絶縁層Ｌ１が配置される。第１絶縁層Ｌ１は、トランジスタＴと、第１プラグＰ１と、素子配線層Ｗとを埋め込むように、シリコン基板１１上に配置される。
【００４２】
第１絶縁層Ｌ１上には、第１電極層１３及びボンディングパッド１４が配置される。
【００４３】
第１電極層１３は、第２プラグＰ２及び素子配線層Ｗ及び第１プラグＰ１を介して、ソース／ドレイン領域ＳＤと電気的に接続する。
【００４４】
第１電極層１３上には、第３プラグＰ３が配置される。
【００４５】
ボンディングパッド１４は、第２プラグＰ２及び素子配線層Ｗ及び第１プラグＰ１を介して、素子層１２内のトランジスタ等の回路素子と電気的に接続される。
【００４６】
第１電極層１３上には、第２絶縁層Ｌ２が配置される。第２絶縁層Ｌ２は、ボンディングパッド１４の端部を覆うように、第１絶縁層Ｌ１上に配置される。また、第３プラグＰ３も第２絶縁層Ｌ２内に配置される。
【００４７】
第２絶縁層Ｌ２上には、素子層１２とは反対側から入射する光を反射する反射電極層１５が配置される。反射電極層１５は、第３プラグＰ３を介して、第１電極層１３と電気的に接続する。
【００４８】
反射電極層１５は、第３プラグＰ３及び第１電極層１３及び第２プラグＰ２及び素子配線層Ｗ及び第１プラグＰ１を介して、ソース／ドレイン領域ＳＤと電気的に接続する。トランジスタＴは、第１電極層１３を介して、反射電極層１５に電位を供給する。
【００４９】
反射電極層１５は、表面を外部に露出した状態で、第３絶縁層Ｌ３に埋め込まれている。素子層１２とは反対側から入射する光は、反射電極層１５の表面で反射する。
【００５０】
反射型液晶表示装置の解像度及び輝度を向上するために、反射電極層１５を微細化した場合、反射電極層１５の厚さは、例えば、１３０ｎｍ程度になる場合がある。
【００５１】
一方、ボンディングパッド１４は、反射電極層１５とは異なる工程で形成されるので、十分な機械的強度を有するように、ボンディングパッド１４の厚さを反射電極層１５よりも厚く形成することができる。例えば、ボンディングパッド１４の厚さは、３６０ｎｍ程度にすることができる。ボンディングパッド１４及び反射電極層１５の製造工程については、後述する。
【００５２】
ボンディングパッド１４は、一方の端部が、第２絶縁層Ｌ２及び第３絶縁層Ｌ３に覆われており、他の部分は、外部に露出している。このボンディングパッド１４の外部に露出している部分は、ワイヤボンディング等のボンディング技術を用いて、外部の回路と接続される。
【００５３】
上述した本実施形態の半導体装置１０によれば、ボンディングパッド１４は、十分な機械的強度を有する。
【００５４】
次に、上述した本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第１実施形態について、図面を参照しながら、以下に説明する。
【００５５】
まず、図５に示すように、シリコン基板１１上に、素子層１２及び第１電極層１３及びボンディングパッド１４が形成される。ボンディングパッド１４の厚さは、ボンディングパッド１４が十分な機械的強度を有するように決定され得る。第１電極層１３は、ボンディングパッド１４と一緒に形成されるので、ボンディングパッド１４と同じ厚さを有する。第１電極層１３及びボンディングパッド１４は、例えば、アルミニウム合金を用いて、厚さ３６０ｎｍに形成される。
【００５６】
次に、図６に示すように、第２絶縁層Ｌ２が、第１電極層１３及びボンディングパッド１４を覆うように、第１絶縁層Ｌ１上に形成される。第２絶縁層Ｌ２の形成方法としては、例えば、高密度プラズマＣＶＤ法を用いることができる。高密度プラズマＣＶＤ法を用いると、比較的低温で良質の絶縁膜を形成することができる。第２絶縁層Ｌ２の形成材料としては、例えば、酸化ケイ素を用いることができる。第２絶縁層Ｌ２の厚さとしては、例えば、１１００ｎｍとすることができる。
【００５７】
次に、図７に示すように、第２絶縁層Ｌ２の表面が平坦化される。反射電極層１５は、素子層とは反対側から入射する光を反射するので、反射電極層１５の表面は、平坦であることが求められる。そこで、反射電極層１５を形成する前の第２絶縁層Ｌ２の表面が、平坦化される。平坦化の方法としては例えば、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を用いることができる。なお、第２絶縁層Ｌ２の表面がすでに十分に平坦である場合には、この工程は省略しても良い。
【００５８】
次に、図８に示すように、第３プラグＰ３が形成された第２絶縁層Ｌ２上に、導電層５０が形成される。導電層５０は、例えば、アルミニウム合金を用いて、厚さ２７０ｎｍに形成される。第３プラグＰ３は、例えば、タングステンを用いて形成される。
【００５９】
導電層５０の厚さは、反射電極層１５を形成する微細化技術に応じて、適宜決定され得る。反射電極層１５の寸法を小さく形成する時には、導電層５０をパターニングするのに使用するマスクの厚さも薄くなるので、マスクの厚さに応じて、導電層５０の厚さも薄くなる。
【００６０】
次に、図９に示すように、リソグラフィー法及びエッチング技術を用いて、導電層５０がパターニングされて、所望の寸法を有する反射電極層１５が形成される。
【００６１】
次に、図１０に示すように、第３絶縁層Ｌ３が、反射電極層１５を覆うように、第２絶縁層Ｌ１上に積層されて、積層体Ｓが形成される。第３絶縁層Ｌ３は、ボンディングパッド１４上の第２絶縁層Ｌ２の部分の上にも形成される。第３絶縁層Ｌ３の形成方法としては、例えば、高密度プラズマＣＶＤ法を用いることができる。第３絶縁層Ｌ３の形成材料としては、例えば、酸化ケイ素を用いることができる。第２絶縁層Ｌ２の厚さとしては、例えば、７００ｎｍとすることができる。
【００６２】
次に、図１１に示すように、第３絶縁層Ｌ３の表面が平坦化される。平坦化の方法としては、例えば、化学機械研磨法を用いることができる。
【００６３】
次に、図１２に示すように、反射電極層１５上の第３絶縁層Ｌ３の部分の上にマスク５１が形成される。マスク５１は、ボンディングパッド１４上の第２絶縁層Ｌ２及び第３絶縁層Ｌ３をエッチングするために用いられるので、外部に露出させるボンディングパッド１４上の第３絶縁層Ｌ３の部分が露出するようにパターニングされる。
【００６４】
次に、図１３に示すように、マスク５１を用いて、ボンディングパッド１４上の第３絶縁層Ｌ３及び第２絶縁層Ｌ２をエッチングして、積層体Ｓのボンディングパッド１４が外部に露出する。エッチング法としては、例えば、ＣＦ４又はＣＨＦ３等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングを使用することができる。
【００６５】
次に、第３絶縁層Ｌ３上のマスク５１が、積層体Ｓから除去される。
【００６６】
次に、図２に示すように、反射電極層１５上の第３絶縁層Ｌ３がエッチングされて、反射電極層１５を露出して、半導体装置１０が得られる。
【００６７】
上述した本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、ボンディングパッド１４の厚さを、反射電極層１５とは別に決定できるので、十分な機械的強度を有するボンディングパッド１４を備えた半導体装置１０が得られる。
【００６８】
また、本実施形態では、ボンディングパッド１４を露出するエッチングを行った後に、反射電極層１５を露出するエッチングを行うので、反射電極層１５の表面が、エッチングにより損傷を受けることを低減できる。
【００６９】
例えば、以下に説明するような工程を用いて、反射電極層１５を露出するエッチングを行うと、反射電極層１５の表面が、エッチングにより損傷を受けるおそれが生じる。
【００７０】
まず、図１５に示すように、第３絶縁層Ｌ３の表面が平坦化された積層体Ｓが形成される。図１５は、図１１と同じ図である。図１５に示すまでの工程は、上述した第１実施形態と同様である。
【００７１】
次に、図１６に示すように、第３絶縁層Ｌ３がエッチングされて、反射電極層１５を露出する。反射電極層１５の露出後、例えばアミン系の有機溶剤を用いて洗浄処理を行い反応生成物等の除去を行う。この洗浄処理は一例であり、例えばドライエッチング等により洗浄を行ってもよい。
【００７２】
次に、図１７に示すように、反射電極層１５上の第３絶縁層Ｌ３の部分の上にマスク（図示せず）を形成した後、このマスクを用いて、ボンディングパッド１４上の第３絶縁層Ｌ３及び第２絶縁層Ｌ２をエッチングして、ボンディングパッド１４を露出させる。そして、マスクが除去される。マスク除去後、例えばアミン系の有機溶剤を用いて洗浄処理を行い反応生成物等の除去を行う。この洗浄処理は一例であり、例えばドライエッチング等により洗浄を行ってもよい。
【００７３】
このような工程を用いても、図２に示すのと同様の構造を有する半導体装置が得られる。しかし、表面が露出した反射電極層１５は、ボンディングパッド１４を露出させる時にも洗浄処理を受ける。このように、２度の洗浄処理を受けた反射電極層１５の表面は、洗浄処理により損傷を受ける場合がある。
【００７４】
一方、上述した本実施形態に開示する半導体装置の製造方法によれば、ボンディングパッド１４を露出させるエッチングでは、反射電極層１５の表面は露出されていない。したがって、反射電極層１５の表面が、ボンディングパッド１４を露出させるエッチング後の洗浄処理により損傷を受けることを抑制できる。
【００７５】
次に、本明細書に開示する半導体装置の製造方法の第２実施形態について、図面を参照しながら、以下に説明する。
【００７６】
まず、図１８に示すように、反射電極層１５上の第３絶縁層Ｌ３の部分の上にマスク５１が形成される。図１８は、図１２と同じ図である。図１８に示すまでの工程は、上述した第１実施形態と同様である。
【００７７】
次に、図１９に示すように、マスク５１を用いて、ボンディングパッド１４上の全ての第３絶縁層Ｌ３及び第２絶縁層Ｌ２の途中の深さまでの部分がエッチングされる。ここで、ボンディングパッド１４上の第２絶縁層Ｌ２の残りの部分の厚さは、反射電極層１５上の第３絶縁層Ｌ３の厚さ以下であることが好ましい。これは、次工程において、反射電極層１５上の第３絶縁層Ｌ３及びボンディングパッド１４上の第２絶縁層Ｌ２の残りの部分がエッチングされる時に、ボンディングパッド１４が露出するのと同時か、又は露出した後に、反射電極層１５を露出させるためである。このようにして、反射電極層１５の表面がエッチングにより損傷することを防止できる。
【００７８】
エッチング法としては、例えば、ＣＦ４又はＣＨＦ３等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
【００７９】
次に、図２０に示すように、第３絶縁層Ｌ３上のマスク５１が、積層体Ｓから除去される。
【００８０】
次に、図２に示すように、ボンディングパッド１４上の第２絶縁層Ｌ２の残りの部分がエッチングされて、ボンディングパッド１４を露出すると共に、反射電極層１５上の第３絶縁層Ｌ３をエッチングされて反射電極層１５が露出する。ここで、第３絶縁層Ｌ３のエッチング速度は、第２絶縁層Ｌ２のエッチング速度以下であることが好ましい。このようにして、ボンディングパッド１４が露出するのと同時か、又は露出した後に、反射電極層１５を露出させることにより、反射電極層１５の表面に行う洗浄処理の回数を減らすことができる。したがって、洗浄処理による反射電極層１５の損傷を抑制できる。
【００８１】
エッチング法としては、例えば、ＣＦ４又はＣＨＦ３等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
【００８２】
上述した本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、ボンディングパッド１４の表面に行う洗浄処理の回数を減らすことができるため、ボンディングパッド１４の表面が洗浄処理により損傷することを抑制できる。また、上述した第１実施形態の半導体装置の製造方法と同様の効果が奏される。
【００８３】
本発明では、上述した実施形態の半導体装置及び半導体装置の製造方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態が有する構成要件は、他の実施形態にも適宜適用することができる。
【００８４】
例えば、上述した半導体装置の実施形態では、第１電極層１３の下の第１絶縁層Ｌ１の厚さと、ボンディングパッド１４の下の第１絶縁層Ｌ１の厚さとは同じであったが、これらの厚さは異なっていても良い。
【００８５】
図２１は、本明細書に開示する半導体装置の他の実施形態を示す図である。
【００８６】
図２１に示す半導体装置１０では、第１電極層１３の下の第１絶縁層Ｌ１の厚さは、ボンディングパッド１４の下の第１絶縁層Ｌ１の厚さよりも厚い。ボンディングパッド１４は、素子配線層Ｗと同じ位置に配置される。
【００８７】
ボンディングパッド１４は、素子配線層Ｗと同じ工程で形成されるので、素子配線層Ｗと同じ厚さを有する。ボンディングパッド１４の厚さは、ボンディングパッド１４が十分な機械的強度を有するように決定され得る。ボンディングパッド１４の厚さは、例えば、７００ｎｍとすることができる。
【００８８】
また、第１電極層１３の下の第１絶縁層Ｌ１の厚さを、ボンディングパッド１４の下の第１絶縁層Ｌ１の厚さよりも薄くしても良い。
【００８９】
ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。
【符号の説明】
【００９０】
１０    半導体装置
１１    シリコン基板
１２    素子層
Ｂ    素子分離層
Ｔ    トランジスタ（スイッチング素子）
ＳＤ    ソース／ドレイン領域
Ｌ１    第１絶縁層（請求項の第３絶縁層に対応）
Ｐ１    第１プラグ
Ｐ２    第２プラグ
Ｗ    素子配線層
１３    第１電極層
１４    ボンディングパッド（第２電極層）
Ｌ２    第２絶縁層（請求項の第１絶縁層に対応）
Ｐ３    第３プラグ
１５    反射電極層
Ｌ３    第３絶縁層（請求項の第２絶縁層に対応）
２０    液晶パネル
２１ａ、２１ｂ    分子配向層
２２    液晶層
２３    透明電極層
２４    ガラス基板
３０ａ    反射型液晶表示装置
３０    ＬＣＯＳユニット
４１    光源
４２    偏光子
４３    検光子
５０    導電層
５１    マスク
【図１】
2015114433.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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