(57)【要約】【課題】透明導電層と金属層との間の密着力が十分に確保された積層体を製造する方法を提供する。【解決手段】透明導電層上に金属層を備えた積層体において、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて積層体の厚み方向において所定の間隔で積層体の組成分析を実施した場合の、透明導電層と金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−からなる第１の二次イオンのカウント数に対するＩｎＯＨ−からなる第２の二次イオンのカウント数の比が０．０３０以下とする。【選択図】図５
2015114130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、
前記基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電パターンと、
前記透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、導電性を有する取出パターンと、を備え、
前記透明導電パターンは、ＩＴＯからなる透明導電層を含み、
前記取出パターンは、前記透明導電層上に設けられた金属層を含み、
前記金属層が導電性の金属元素（Ｘ）を含み、
飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において所定の間隔で前記透明導電層及び前記金属層の組成分析を実施した場合、前記透明導電層と前記金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−からなる第１の二次イオンのカウント数に対するＩｎＯＨ−からなる第２の二次イオンのカウント数の比が０．０３０以下であり、
前記透明導電層と前記金属層との界面位置は、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｉｎ２Ｏ３−からなる前記第１の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｘを含む第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、フィルムセンサ。
【請求項２】
前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕまたはＡｇである、請求項１に記載のフィルムセンサ。
【請求項３】
前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕであり、
前記第３の二次イオンがＣｕ３−である、請求項２に記載のフィルムセンサ。
【請求項４】
前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において実施される前記透明導電層及び前記金属層の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
【請求項５】
フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、
前記フィルムセンサが、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置。
【請求項６】
フィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、
基材フィルムと、
前記基材フィルムに設けられ、ＩＴＯからなる透明導電層と、
前記透明導電層上に設けられ、導電性を有する金属層と、を備え、
前記金属層が導電性の金属元素（Ｘ）を含み、
飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記積層体の厚み方向において所定の間隔で前記積層体の組成分析を実施した場合、前記透明導電層と前記金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−からなる第１の二次イオンのカウント数に対するＩｎＯＨ−からなる第２の二次イオンのカウント数の比が０．０３０以下であり、
前記透明導電層と前記金属層との界面位置が、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｉｎ２Ｏ３−からなる前記第１の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｘを含む第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、積層体。
【請求項７】
前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕまたはＡｇである、請求項６に記載の積層体。
【請求項８】
前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕであり、
前記第３の二次イオンがＣｕ３−である、請求項７に記載の積層体。
【請求項９】
前記積層体の厚み方向において実施される前記積層体の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置に関する。また本発明は、フィルムセンサを作製するために用いられる積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルセンサやディスプレイ用基板などの電子部品は一般に、光学的な特性を実現するための層や、電気的な特性を実現するための層など、複数の層から構成されている。このような電子部品を作製するための方法として、基材フィルム、透明導電層や金属層などの複数の層を含む積層体をはじめに準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている。
【０００３】
積層体を製造する方法の１つとして、はじめに基材フィルムを準備し、次に、スパッタリング法やＥＢ蒸着法などの物理蒸着成膜法を用いて、基材フィルム上に透明導電層や金属層を積層していく、という方法が知られている。例えば特許文献１において、スパッタリング法を用いてポリエステルフィルムの上にＩＴＯ層を形成し、その後、スパッタリング法を用いてＩＴＯ層の上にクロム層を形成し、これによって、タッチパネルセンサを作製するための積層体を得ることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−１６０６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フォトリソグラフィー法などを用いて積層体をパターニングした後、若しくは、パターニング後の製造工程の際、パターニングされた積層体の表面が損傷することを防ぐため、積層体の表面に保護フィルムを貼ることがある。このような保護フィルムは、通常、最終的に出荷される前に剥がされる。このとき、透明導電層と金属層との間の密着力が小さいと、保護フィルムを剥がす際に金属層が透明導電層から部分的に剥離されてしまうことがある。
【０００６】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、透明導電層と金属層との間の密着力が十分に確保された積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電パターンと、前記透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、導電性を有する取出パターンと、を備え、前記透明導電パターンは、ＩＴＯからなる透明導電層を含み、前記取出パターンは、前記透明導電層上に設けられた金属層を含み、前記金属層が導電性の金属元素（Ｘ）を含み、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において所定の間隔で前記透明導電層及び前記金属層の組成分析を実施した場合、前記透明導電層と前記金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−からなる第１の二次イオンのカウント数に対するＩｎＯＨ−からなる第２の二次イオンのカウント数の比が０．０３０以下であり、前記透明導電層と前記金属層との界面位置は、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｉｎ２Ｏ３−からなる前記第１の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｘを含む第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、フィルムセンサフィルムセンサである。
【０００８】
本発明によるフィルムセンサにおいて、好ましくは、前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕまたはＡｇである。
【０００９】
本発明によるフィルムセンサにおいて、好ましくは、前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕであり、前記第３の二次イオンがＣｕ３−である。
【００１０】
本発明によるフィルムセンサにおいて、好ましくは、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において実施される前記透明導電層及び前記金属層の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である。
【００１１】
本発明は、フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、前記フィルムセンサが、上記記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置である。
【００１２】
本発明は、フィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、基材フィルムと、前記基材フィルムに設けられ、ＩＴＯからなる透明導電層と、前記透明導電層上に設けられ、導電性を有する金属層と、を備え、前記金属層が導電性の金属元素（Ｘ）を含み、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記積層体の厚み方向において所定の間隔で前記積層体の組成分析を実施した場合、前記透明導電層と前記金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−からなる第１の二次イオンのカウント数に対するＩｎＯＨ−からなる第２の二次イオンのカウント数の比が０．０３０以下であり、前記透明導電層と前記金属層との界面位置が、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｉｎ２Ｏ３−からなる前記第１の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｘを含む第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、積層体である。
【００１３】
本発明による積層体において、好ましくは、前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕまたはＡｇである。
【００１４】
本発明による積層体において、好ましくは、前記金属層の金属元素（Ｘ）がＣｕであり、前記第３の二次イオンがＣｕ３−である。
【００１５】
本発明による積層体において、好ましくは、前記積層体の厚み方向において実施される前記積層体の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、透明導電層上に金属層を備えた積層体において、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記積層体の厚み方向において所定の間隔で前記積層体の組成分析を実施した場合、前記透明導電層と前記金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−からなる第１の二次イオンのカウント数に対するＩｎＯＨ−からなる第２の二次イオンのカウント数の比を０．０３０以下とする。これによって、透明導電層と金属層との間の密着力が十分に確保された積層体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における積層体製造装置を示す図。
【図２】図２は、図１に示す積層体製造装置の巻出装置を示す図。
【図３】図３は、図１に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。
【図４】図４は、図１に示す積層体製造装置の巻取装置を示す図。
【図５】図５は、積層体製造装置により製造された積層体を示す断面図。
【図６】図６は、積層体製造装置に供給される中間積層体を示す断面図。
【図７】図７は、積層体の変形例を示す断面図。
【図８】図８は、図７に示す積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサを示す平面図。
【図９】図９は、図８に示すフィルムセンサの線VII−VIIに沿った断面図。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｅ）は、実施例における第１透明導電層に対する第１金属層の密着力の評価基準を説明するための図。
【図１１】図１１は、評価１の結果と、評価２で得られたカウント数の比と、の関係を示す図。
【図１２】図１２（ａ）および（ｂ）は、密着試験後のサンプル１および５をそれぞれ示す図。
【図１３】図１３は、サンプル１の各層における組成を分析した結果をそれぞれ示す図。
【図１４】図１４は、サンプル２の各層における組成を分析した結果をそれぞれ示す図。
【図１５】図１５は、サンプル３の各層における組成を分析した結果をそれぞれ示す図。
【図１６】図１６は、サンプル４の各層における組成を分析した結果をそれぞれ示す図。
【図１７】図１７は、サンプル５の各層における組成を分析した結果をそれぞれ示す図。
【図１８】図１８は、サンプル６の各層における組成を分析した結果をそれぞれ示す図。
【図１９】図１９は、サンプル７の各層における組成を分析した結果をそれぞれ示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図１乃至図９を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図５を参照して、本実施の形態において製造される積層体１０について説明する。
【００１９】
積層体
図５は、積層体１０を示す断面図である。図５に示すように、積層体１０は、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａと、第１低屈折率層１５ａの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層１６ａと、第１透明導電層１６ａの一方の側の面上に設けられた第１金属層１７ａと、を含んでいる。以下、基材フィルム１２、第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１透明導電層１６ａおよび第１金属層１７ａについてそれぞれ説明する。なお第１金属層１７ａとは、第１透明導電層１６ａに隣接して設けられ、金属材料から構成される層の総称である。第１金属層１７ａは、後述する第１遮光導電層を含んでいる。
【００２０】
（基材フィルム）
基材フィルム１２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム１２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。
【００２１】
（ハードコート層）
第１ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図５に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。
【００２２】
（高屈折率層および低屈折率層）
第１高屈折率層１４ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される層であり、一方、第１低屈折率層１５ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。このような第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａを基材フィルム１２と第１透明導電層１６ａとの間に設けることにより、積層体１０における光の透過率や反射率を調整することができる。
【００２３】
第１低屈折率層１５ａを構成する材料としては、例えば酸化珪素やフッ化マグネシウムが用いられる。第１高屈折率層１４ａを構成する材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムが用いられる。第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａの厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。
【００２４】
なお本実施の形態においては、上述の第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａが積層体１０に含まれている例について説明するが、しかしながら、第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層１３ａ，１３ｂも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａや第１ハードコート層１３ａの一方の側の面に直接的に接するよう第１透明導電層１６ａが設けられることもある。
【００２５】
（透明導電層）
第１透明導電層１６ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、具体的にはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。ここでＩＴＯとは、８９〜９９重量％のインジウムと、１〜１１重量％の錫と、０．５重量％以下のその他の添加元素または不可避の不純物と、を含む金属酸化物を意味している。第１透明導電層１６ａの厚みは、例えば１８〜５０ｎｍの範囲内となっている。
【００２６】
（金属層）
第１金属層１７ａは、タッチパネルセンサなどの電子部品において、信号を外部に取り出すための取出パターンや電極を形成するために用いられる、金属材料から構成される層である。例えば第１金属層１７ａは、第１透明導電層１６ａ上に配置される第１遮光導電層を含んでいる。第１遮光導電層は、例えば銅、銀またはこれらの合金から構成され得る。第１遮光導電層を構成するための合金としては、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ系の銀合金、いわゆるＡＰＣ合金を挙げることができる。
【００２７】
ところで一般に、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ３）からなる透明導電層は、金属材料からなる層との間で密着性が低いことが知られている。この点に関して、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、各層の成膜条件や、積層体になるまでの中間製品の保管条件によって密着力が大きく異なることを見出した。原因について調べるべく、積層体１０の厚み方向において組成分析をした結果、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面におけるＩＴＯ中の酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）の検出強度に対する水酸化インジウム（ＩｎＯＨ）の検出強度の比が一定値以下になると、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの間の密着性が高くなることを見出した。
【００２８】
具体的には、ＩＯＮ  ＴＯＦ社製の飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用い、積層体１０の厚み方向において所定の間隔で、積層体１０の第１金属層１７ａから第１透明導電層１６ａに亘って組成分析を実施する。この時、まず、第１金属層１７ａないし第１透明導電層１６ａに一次イオンを照射することによって積層体１０から二次イオンを得る。そして、得られた二次イオンの質量電荷比に基づいて、二次イオンの組成式を各々規定する。このようにして組成式が規定された二次イオンの中から、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ３）に含まれる酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）から検出されると考えられるＩｎ２Ｏ３−を、第１の二次イオンとして特定する。同様に、第１透明導電層１６ａ及び第１金属層１７の界面近傍に形成される水酸化インジウム（ＩｎＯＨ）から検出されると考えられるＩｎＯＨ−を、第２の二次イオンとして特定する。また、第１の金属層１７ａに含まれる金属元素Ｘを含む任意の二次イオンであって第１の金属層１７ａから検出されると考えられる任意の二次イオンを、第３の二次イオンとして特定する。
【００２９】
次に、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置を、以下のように規定する。すなわち、上述の組成分析において、第１透明導電層１６ａ及び第１金属層１７ａの厚み方向の測定位置を横軸とし、検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、第１の二次イオン（Ｉｎ２Ｏ３−）のカウント数を結ぶ線と、第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置を、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置として規定する。ここで、「第１の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置」とは、第１の二次イオンのカウント数を結ぶ線と第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線とが交差する位置と、上述の組成分析におけるいずれかの測定位置と、が一致する場合には、当該交差する位置を意味し、当該交差する位置と、いずれかの測定位置と、が一致しない場合には、当該交差する位置に最も違い測定位置を意味するものとする。
【００３０】
そして、このようにして規定された第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面における第１の二次イオン（Ｉｎ２Ｏ３−）のカウント数に対する第２の二次イオン（ＩｎＯＨ−）のカウント数の比が、０．０３０以下であれば、第１透明導電層１６ａに対する第１金属層１７ａの密着性は実用上十分な程度に高くなる。
【００３１】
このような点を考慮し、本実施の形態の積層体１０は、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて積層体１０の厚み方向において所定の間隔で積層体１０の組成分析を実施した場合に、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面における第１の二次イオン（Ｉｎ２Ｏ３−）のカウント数に対する第２の二次イオン（ＩｎＯＨ−）のカウント数の比が０．０３０以下となる積層体である。
【００３２】
ここで、ＩＴＯからなる第１透明導電層１６ａから検出される二次イオンとしては、上述のＩｎ２Ｏ３−の他にも、ＩｎＯＨ−などが存在する。また、水酸化インジウムから検出される二次イオンとしては、上述のＩｎＯＨ−の他にも、Ｉｎ（ＯＨ）３−などが存在する。さらに、第１金属層１７ａから検出される二次イオンも、様々であり、例えば第１金属層１７ａが銅からなる場合、第１金属層１７ａから検出される二次イオンとしては、Ｃｕ３−や、Ｃｕ２−などが存在する。従って、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの間の密着性の指標を導く際に利用される第１透明導電層１６ａ、水酸化インジウム及び第１金属層１７ａ由来の二次イオンの組み合わせとしては、様々な組み合わせが採用可能である。
【００３３】
好ましくは、ＩＴＯからなる第１透明導電層１６ａから検出される二次イオンのうち最も多くカウントされる二次イオンと、第１金属層１７ａから検出される二次イオンのうち最も多くカウントされる二次イオンとが、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面を規定する上で採用される。これにより、より高い精度で第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面を規定することができる。その上で、ＩＴＯからなる第１透明導電層１６ａから検出される二次イオンのうち最も多くカウントされる二次イオンと、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面近傍に形成される水酸化インジウムから検出される二次イオンのうち最も多くカウントされる二次イオンとが、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの間の密着性の指標を導く上で採用される。これにより、より高い精度を有する指標を導くことができる。
【００３４】
なお、本発明者が研究を重ねた限りにおいては、ＩＴＯからなる第１の透明導電層１６ａから検出される二次イオンのうち、最も多くカウントされるものは、Ｉｎ２Ｏ３−であった。また、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面近傍に形成される水酸化インジウムから検出される二次イオンのうち、最も多くカウントされるものは、ＩｎＯＨ−であった。また、第１金属層１７ａから検出される二次イオンのうち、最も多くカウントされるものは、第１金属層１７ａが銅からなる場合（ＸがＣｕの場合）はＣｕ３−、第１金属層１７ａが銀を主成分とするＡＰＣ合金からなる場合（ＸがＡｇの場合）はＡｇ３−であった。
【００３５】
なお、積層体１０の組成分析を実施した場合に第１金属層１７ａと第１透明導電層１６ａとの界面におけるＩｎ２Ｏ３−のカウント数に対するＩｎＯＨ−のカウント数の比が高くなってしまう原因としては、第１透明導電層１６ａ上に第１金属層１７ａを形成する前に、第１透明導電層１６ａの表面が大気に曝されるなどして第１透明導電層１６ａ上に水分が付着してしまい、第１金属層１７ａと第１透明導電層１６ａとの界面近傍に形成される水酸化インジウムの量が多くなってしまうことが考えられる。したがって、第１金属層１７ａと第１透明導電層１６ａとの界面近傍における水酸化インジウムの形成を抑制する方法としては、例えば、第１金属層１７ａを形成する前に、第１透明導電層１６ａ上に付着した水分をプラズマ処理などによって除去する方法や、あるいは、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとを、真空環境下において連続的に形成する方法が考えられる。
【００３６】
次に、図１乃至図４を参照して、第１透明導電層１６ａ上に第１金属層１７ａを形成して積層体１０を得るための積層体製造装置１について説明する。はじめに図１を参照して、積層体製造装置１全体について説明する。なおここでは、図６に示す後述する中間積層体１１に対して成膜処理を実施することによって積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。中間積層体１１は、図５に示す積層体１０を製造する工程の途中で得られる中間生成物である。図６に示すように、中間積層体１１の段階で、基材フィルム１２には、ハードコート層１３ａ，１３ｂ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａおよび第１透明導電層１６ａが設けられている。
【００３７】
積層体製造装置
図１に示すように、積層体製造装置１は、中間積層体１１を巻き出す巻出装置２０と、中間積層体１１上に金属層１７ａを設ける成膜装置３０と、金属層１７ａが設けられた中間積層体１１を巻き取る巻取装置５０と、を備えている。以下、各装置２０，３０，５０について、図２乃至図４を参照してそれぞれ説明する。
【００３８】
（巻出装置）
図２は、巻出装置２０を示す図である。図２に示すように、巻出装置２０は、回転自在に設けられ、中間積層体１１が巻き付けられたシャフト２１と、中間積層体１１に沿って設けられ、中間積層体１１を加熱する加熱機構２９と、を備えている。
【００３９】
巻出装置２０においては、シャフト２１から巻き出された中間積層体１１を加熱機構２９によって加熱することにより、中間積層体１１に付着している水分や油分などの不純物を蒸発または昇華させ、これによって不純物を中間積層体１１から取り除くことができる。すなわち、いわゆる脱ガス処理を実施することができる。脱ガス処理の際の加熱温度は、中間積層体１１を構成する材料の特性が大きく変化しないような温度である限り特に限定されないが、例えば５０〜１７０℃の範囲内となっている。脱ガス処理を実施するための加熱機構２９の具体的な構成は特に限定されないが、例えば図２に示すように、搬送されている中間積層体１１に沿って中間積層体１１の両側に設けられた一対のヒーター２９ａによって加熱機構２９が構成されている。
【００４０】
図２に示すように、巻出装置２０は、中間積層体１１の第１透明導電層１６ａの表面に対してイオンボンバードメント処理などの表面処理を施す表面処理装置２３をさらに備えていてもよい。イオンボンバードメント処理とは、第１透明導電層１６ａの表面にガスイオンを照射することによって、第１透明導電層１６ａの表面に付着している不純物を除去する処理のことである。表面処理装置２３は、図２に示すように、電圧が印加されることによりプラズマ放電を生成する電極２４と、電極２４の周囲に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段２５と、を有している。このような表面処理装置２３を用いることにより、中間積層体１１の周囲にプラズマ雰囲気２７を形成することができ、これによって、第１透明導電層１６ａの表面に不活性ガスなどのイオンを照射する表面処理を実施することができる。電極２４を構成する材料としては、例えばチタンが用いられる。不活性ガスとしては、アルゴンガスや窒素ガスなどが用いられる。
【００４１】
表面処理装置２３は、図２に示すように、電極２４の周囲に酸素ガスを供給する酸素供給手段２６をさらに有していてもよい。この場合、第１透明導電層１６ａの表面には、不活性ガスのイオンに加えて、酸素ガスのイオンが照射される。図示はしないが、表面処理装置２３は、電極２４の周囲にその他のガス、例えば水素ガスなどを供給するためのガス供給手段をさらに有していてもよい。
【００４２】
図２に示すように、巻出装置２０は、巻出装置２０内の気体を外部に排出する排気手段２２をさらに備えている。これによって、基材フィルム１２から発生した気体を迅速に外部に排出することができ、このことにより、加熱手段２９による脱ガス処理を効率良く実施することができる。また、表面処理装置２３による表面処理を真空環境下で実施することができる。また図２に示すように、成膜装置３０の内部雰囲気を巻出装置２０の内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ（ロードロックバルブ）２８が設けられていてもよい。これによって、中間積層体１１の巻回体を巻出装置２０内に搬入するために巻出装置２０を大気に対して開放する際に、成膜装置３０内の真空度を維持することができる。
【００４３】
（成膜装置）
次に、巻出装置２０の下流側に設けられた成膜装置３０について説明する。成膜装置３０による成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリングやイオンプレーティングなど様々な物理的気相成長法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図３を参照して説明する。
【００４４】
図３に示すように、成膜装置３０は、成膜処理が実施される成膜室３６と、中間積層体１１が巻き付けられて搬送される成膜用搬送ドラム３８と、搬送される中間積層体１１を案内するガイドローラー３９と、成膜室３６の内部の気体を外部に排出する成膜用真空排気機構３７と、搬送されている中間積層体１１に対向するよう設けられ、中間積層体１１上に設けられる膜の原料となるターゲットと、を備えている。図３に示す例においては、ターゲットとして、第１金属層１７ａの原料となる銅や銀を主成分とするＡＰＣ合金などの金属からなる第１ターゲット３１ａ，第２ターゲット３２ａおよび第３ターゲット３３ａが設けられている。また、図３に示す例においては、銅や銀などの金属を含む第１金属層１７ａの成膜のために３つのターゲット３１ａ，３２ａ，３３ａが用いられるが、これに限られることはなく、形成される層の種類や厚みに応じて適宜ターゲットの個数が設定される。
【００４５】
成膜装置３０においては、はじめに成膜用真空排気機構３７によって成膜室３６の内部の気体を外部に排出し、これによって、成膜室３６内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって成膜室３６内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、電源によってターゲットに放電電力を印加する。これによって、各ターゲットの材料からなる膜を中間積層体１１上に設けることができる。
【００４６】
図３に示すように、成膜装置３０の成膜室３６は、隔壁３６ａによって、第１ターゲット３１ａを含む第１領域３１と、第２ターゲット３２ａを含む第２領域３２と、第３ターゲット３３ａを含む第３領域３３と、その他の第４領域３４と、に区画されていてもよい。また図３に示すように、成膜用真空排気機構３７は、各領域３１〜３４にそれぞれ接続され、各領域３１〜３４の内部の気体を外部に排出する排気手段３１ｂ〜３４ｂを含んでいてもよい。これによって、ターゲットごとにターゲットの周囲の雰囲気（真空度など）を調整することができ、このことにより、ターゲットごとに最適化された条件の下でスパッタリングを実施することができる。
【００４７】
なお図３に示す成膜用搬送ドラム３８は、その表面が所定の成膜温度に調整されたものであってもよい。これによって、最適な温度条件下で中間積層体１１上に金属層１７を形成することができる。成膜用搬送ドラム３８の表面を所定の成膜温度に調整するための具体的な構成が特に限られることはなく、例えば図示はしないが、成膜用搬送ドラム３８の内部に設けられ、オイルなどの所定の温度媒体を循環させる媒体循環路と、温度媒体を成膜温度に調整する媒体調整手段とが用いられる。成膜温度は、中間積層体１１の基材フィルム１２の耐熱性や、中間積層体１１上に設けられる金属層１７の特性に応じて適宜設定される。
【００４８】
（巻取装置）
次に図４を参照して、巻取装置５０について説明する。巻取装置５０は、第１金属層１７ａが形成された中間積層体１１からなる積層体１０を巻き取るシャフト５１と、シャフト５１に向けて搬送される積層体１０を案内するガイドローラー５９と、を備えている。また図４に示すように、巻取装置５０の内部を真空状態に保つための排気手段５２が設けられていてもよい。
【００４９】
また、シャフト５１近傍に、図４に示すニアローラー５３が設けられていてもよい。ニアローラー５３は、シャフト５１に巻き取られている積層体１０の最外面と、ニアローラー５３のうちシャフト５１に対向する面との間の距離が、積層体１０の厚みよりもわずかに大きくなるよう構成されている。なお、シャフト５１に巻き取られている積層体１０の最外面の位置は、積層体１０の巻き数が増えるにつれて変化する。この変化に対応するよう、ニアローラー５３は移動可能に構成されている。このため、積層体１０の巻き数に依らず、シャフト５１に巻き取られている積層体１０の最外面とニアローラー５３との間の距離を常に一定に保つことができる。このようなニアローラー５３を設けることにより、シャフト５１に巻き取られる際の積層体１０にしわなどの凹凸が生じることを防ぐことができ、これによって、シャフト５１に巻き取られている積層体１０同士が密着してしまう、いわゆるブロッキングが生じることを防ぐことができる。
【００５０】
また図４に示すように、成膜装置３０の内部雰囲気を巻取装置５０の内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ５５が設けられていてもよい。これによって、積層体１０の巻回体を巻取装置５０から搬出するために巻取装置５０を大気に対して開放する際に、成膜装置３０内の真空度を維持することができる。
【００５１】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の中間積層体１１を製造する方法の一例について説明する。次に、中間積層体１１を積層体製造装置１に供給して積層体１０を製造する方法について説明する。その後、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ６０について説明する。
【００５２】
中間積層体の製造方法
はじめに基材フィルム１２を準備する。次に、アクリル樹脂を含む塗布液を、コーターを用いて基材フィルム１２の両側にコーティングする。これによって、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１ハードコート層１３ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１ハードコート層１３ａ上に第１高屈折率層１４ａが形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１高屈折率層１４ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１高屈折率層１４ａ上に第１低屈折率層１５ａが形成される。その後、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１低屈折率層１５ａ上に第１透明導電層１６ａを形成する。このようにして、図６に示す中間積層体１１を得ることができる。
【００５３】
積層体の製造方法
次に、積層体製造装置１を用いて中間積層体１１の一方の側に第１金属層１７ａを形成し、これによって図５に示す積層体１０を得る方法について説明する。
【００５４】
（準備工程）
はじめに、巻出装置２０において、中間積層体１１が巻回されたシャフト２１を準備する。次に、排気手段２２によって巻出装置２０内の気体を外部に排出する。このようにして、第１透明導電層１６ａが設けられた基材フィルム１２を含む中間積層体１１を真空環境下に置くことができる。なお本実施例において、真空環境下または真空状態とは、圧力が１００Ｐａ以下であることを意味している。
【００５５】
（脱ガス工程）
次に、シャフト２１から中間積層体１１を巻き出す。このとき、加熱機構２９によって中間積層体１１を５０〜１７０℃で加熱する。これによって、中間積層体１１に付着している水分や油分などの不純物を取り除くことができる。
【００５６】
（表面処理工程）
脱ガス工程後、表面処理装置２３を用いて、第１透明導電層１６ａの表面にガスイオンを照射する表面処理工程を実施してもよい。この場合、はじめに、電極２４に所定の電圧を印加する。また、不活性ガス供給手段２５を用いて不活性ガスを電極２４の周囲に供給する。これによって、中間積層体１１と電極２４との間にプラズマ雰囲気２７を生成することができる。プラズマ雰囲気２７には電子やガスイオンが存在している。電子やガスイオンは、中間積層体１１の第１透明導電層１６ａの表面に照射される。これによって、第１透明導電層１６ａの表面に付着している不純物を除去することができる。不純物としては、中間積層体１１が搬送される際などに第１透明導電層１６ａの表面に付着した有機物、珪素、アルカリ金属、シロキサン成分などが考えられる。また、上述の脱ガス工程において除去しきれなかった水分が、この表面処理工程において除去されることも考えられる。
【００５７】
表面処理工程の際、酸素供給手段２６を用いて酸素ガスを電極２４の周囲に供給してもよい。この場合、電子や不活性ガスのイオンに加えて、酸素ガスのイオンが第１透明導電層１６ａの表面に照射される。酸素ガスのイオンは、第１透明導電層１６ａの表面に付着している有機物などの不純物と反応して水や二酸化炭素になり、そして第１透明導電層１６ａの表面から除去される。すなわち、いわゆるアッシングによって、第１透明導電層１６ａの表面に付着している不純物をより確実に除去することができる。
【００５８】
表面処理工程において電極２４に印加される電圧は特には限られないが、例えば０．３〜３ｋＶの範囲内となっている。また、中間積層体１１に対して表面処理装置２３を用いた表面処理を実施する期間も特には限られないが、例えば０．０１〜５分間にわたって表面処理が実施される。なお、電極２４の周囲に供給されるアルゴンガスなどの不活性ガスの流量、および、酸素ガスの流量は、装置の寸法などに応じて適宜設定される。
【００５９】
（金属層形成工程）
次に、成膜装置３０によって、中間積層体１１上に第１金属層１７ａを形成する金属層形成工程を実施する。金属層形成工程においては、はじめに排気手段３１ｂ〜３４ｂによって各領域３１〜３４の内部の気体を外部に排出し、これによって、各領域３１〜３４内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって各領域３１〜３３内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、電源によってターゲット３１ａ〜３３ａに放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、ターゲット３１ａ〜３３ａを構成するＣｕやＡＰＣ合金などの金属からなる第１金属層１７ａを第１透明導電層１６ａ上に形成することができる。
【００６０】
（巻取工程）
その後、巻取装置５０において、中間積層体１１と、中間積層体１１上に形成された第１金属層１７ａと、を含む積層体１０が、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１０の巻回体が得られる。
【００６１】
なお本実施の形態において、積層体製造装置１によって製造される積層体１０の一例として、中間積層体１１の一方の側にのみ第１透明導電層１６ａや第１金属層１７ａが形成された積層体１０を示した。しかしながら、図７に示すように、積層体製造装置１が、基材フィルム１２の一方の側および他方の側の両方にそれぞれ透明導電層１６ａ，１６ｂや金属層１７ａ，１７ｂが形成された積層体１０を製造してもよい。図７に示す積層体１０を製造する方法が特に限られることはない。
【００６２】
例えば、はじめに、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂ、高屈折率層１４ａ，１４ｂ、低屈折率層１５ａ，１５ｂおよび透明導電層１６ａ，１６ｂが形成された中間積層体１１を準備する。次に、中間積層体１１を巻出装置２０から成膜装置３０を介して巻取装置５０に搬送する間に、基材フィルム１２の一方の側に上述の準備工程、脱ガス工程、表面処理工程および金属層形成工程を施し、これによって、基材フィルム１２の一方の側に第１金属層１７ａを形成する。次に、一方の側に第１金属層１７ａが形成された中間積層体１１を、巻出装置２０に搬入する。その後、再び中間積層体１１を巻出装置２０から成膜装置３０を介して巻取装置５０に搬送する間に、中間積層体１１の他方の側に上述の準備工程、脱ガス工程、表面処理工程および金属層形成工程を施し、これによって、中間積層体１１の他方の側に第２金属層１７ｂを形成する。このようにして、図７に示す積層体１０が得られる。
【００６３】
フィルムセンサの製造方法
次に、積層体１０の用途の一例として、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。フィルムセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。フィルムセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のフィルムセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のフィルムセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１０をパターニングすることによって静電容量方式のフィルムセンサ６０を形成する例について、図８および図９を参照して説明する。図８は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図９は、図８に示すフィルムセンサ６０の線VII−VIIに沿った断面図である。なお図８および図９においては、図７に示す、基材フィルム１２の一方の側および他方の側に配置された透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂを含む積層体１０を用いることにより、フィルムセンサ６０が作製されている。
【００６４】
図８に示すように、フィルムセンサ６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン６２ａ，６２ｂを備えている。透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、基材フィルム１２の一方の側に配置され、図８の横方向に延びる第１透明導電パターン６２ａと、基材フィルム１２の他方の側に配置され、図８の縦方向に延びる第２透明導電パターン６２ｂと、からなっている。またフィルムセンサ６０は、第１透明導電パターン６２ａに接続された第１取出パターン６４ａと、第２透明導電パターン６２ｂに接続された第２取出パターン６４ｂと、をさらに備えている。また、各取出パターン６４ａ，６４ｂに接続され、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂがさらに設けられていてもよい。
【００６５】
図９に示すように、透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、積層体１０の透明導電層１６ａ、１６ｂをパターニングすることにより得られるものである。同様に、第１取出パターン６４ａは、積層体１０の金属層１７ａをパターニングすることにより得られるものである。また図９には示されていないが、第１端子部６５ａも、積層体１０の第１金属層１７ａをパターニングすることにより得られるものであり、また第２取出パターン６４ｂおよび第２端子部６５ｂは、積層体１０の第２金属層１７ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。
【００６６】
なお、このようにして製造されたフィルムセンサ６０と、フィルムセンサ６０上への接触位置を検出する制御回路と、を用いて、本実施の形態のタッチパネル装置が製造される。
【００６７】
本実施の形態によれば、上述のように、第１取出パターン６４ａを構成する第１金属層１７ａおよび第１透明導電パターン６２ａを構成する第１透明導電層１６ａ、並びに、第２取出パターン６４ｂを構成する第２金属層１７ｂおよび第２透明導電パターン６２ｂを構成する第２透明導電層１６ｂは、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂの厚み方向において所定の間隔で透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂの組成分析を実施した場合に、透明導電層１６ａと金属層１７ａとの界面、及び、透明導電層１６ｂと金属層１７ｂとの界面、におけるＩｎ２Ｏ３−のカウント数に対するＩｎＯＨ−のカウント数の比が０．０３０以下となっている。このため、第１取出パターン６４ａおよび第２取出パターン６４ｂは、第１透明導電パターン６２ａおよび第２透明導電パターン６２ｂに対して、それぞれ高い密着性を有している。このため、透明導電パターン６２ａ，６２ｂと取出パターン６４ａ，６４ｂとの間の密着力が高められたフィルムセンサ６０を提供することができる。
【実施例】
【００６８】
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００６９】
上述の積層体製造装置１を用いて、様々な作製条件下において、図５に示す上述の積層体１０のサンプル１〜７を作製した。サンプル１〜７は、全て第１金属層が銅からなるが、第１金属層の成膜条件が異なっており、各サンプルにおける第１金属層の成膜条件は、以下の通りであった。
サンプル１：アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により厚さ１００ｎｍで成膜
サンプル２：第１透明導電層の表面にアノードレイヤーソースを用いてプラズマ処理を施した後、アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により厚さ１５０ｎｍで成膜
サンプル３：アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により厚さ１５０ｎｍで成膜
サンプル４：バランスドマグネトロンスパッタリング法により厚さ１００ｎｍで成膜
サンプル５：バランスドマグネトロンスパッタリング法により厚さ１５０ｎｍで成膜
サンプル６：脱ガス工程における脱ガス処理を強化して行った後、バランスドマグネトロンスパッタリング法により厚さ１００ｎｍで成膜
サンプル７：成膜温度を１００℃に調整し、バランスドマグネトロンスパッタリング法により厚さ１００ｎｍで成膜
【００７０】
〔評価方法〕
（評価１  密着試験）
サンプル１〜７に係る積層体における第１透明導電層に対する第１金属層の密着力の評価を行った。具体的には、ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に規定されている「付着性−クロスカット法」に類似の方法を用いて、第１金属層の付着力をさらに詳細に評価した。具体的には、はじめにカッターなどの工具を用いて格子パターンを第１金属層に切り込み、次に接着テープを第１金属層に貼り付け、その後、０．３秒あたり５ｃｍの速度（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６では１．０秒あたり５ｃｍの速度）で、接着テープを第１金属層から剥がした。そして、クロスカットされている第１金属層の断片のうち格子パターンのエッジ部分から剥がされてしまった部分の、全体面積に対する比率に応じて、付着力を評価した。評価基準を以下に示す。  
１０点：エッジ部分における第１金属層の剥がれが無い
８点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が５％以下
６点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が５〜１５％
４点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が１５〜３５％
２点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が３５〜５０％
０点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が５０％以上
１０点〜０点として評価された積層体の例を参考として図１０（ａ）〜（ｅ）にそれぞれ示す。なお、格子パターンの間隔は１ｍｍとした。また接着テープとしては、ニチバンテープＮｏ．４０５を使用した。評価１の密着試験後のサンプル１および５の積層体を図１２（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示す。
【００７１】
（評価２  組成分析）
さらに、サンプル１〜７に係る積層体の各層における組成を分析した。具体的には、ＩＯＮ ＴＯＦ社製の飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）による積層体の表面の組成分析と、スパッタリングによる積層体の厚み方向における掘削と、を交互に繰り返すことにより、積層体の厚み方向の各位置における積層体の組成分析を行った。なお、ＴＯＦ−ＳＩＭＳは、試料の表面に一次イオンを照射し、この結果得られた二次イオンを分析することにより、試料表面の組成分析を行うものである。本実施例における一次イオンの照射条件は、以下の通りであった。  
一次イオン：Ｂｉ３＋
一次イオン電流値：０．２ｐＡ
一次イオン加速電圧：２５ｋｅＶ
一次イオン照射面積：１００×１００μｍ
なお、一次イオンの照射に先立って、帯電補正のために、積層体表面に電子照射がなされた。
【００７２】
また、積層体の掘削のためのスパッタリング条件は、以下の通りであった。  
スパッタガンガス種：Ｃｓ＋
掘削面積：５００×５００μｍ
加速電圧：１ｋｅＶ
電流値：５０ｎＡ
【００７３】
このような条件の下、積層体の厚み方向の各位置において、一次イオンの照射と、それにより発生した二次イオンの検出と、を行い、得られた二次イオンの質量電荷比ｍ／ｚと、二次イオンの組成式と、の対応関係を以下のように規定することによって、積層体の組成を分析した。
ｍ／ｚ＝２７７．７８：Ｉｎ２Ｏ３−（質量数：２７７．７８）
ｍ／ｚ＝１３１．９０：ＩｎＯＨ−（質量数：１３１．９０）
ｍ／ｚ＝１９０．７０：Ｃｕ３−（質量数：１９０．７）
サンプル１〜７に係る積層体の組成分析結果を、図１３〜図１９にそれぞれ示す。図１３〜図１９において、横軸は、積層体を掘削するために実施されたスパッタリングの回数を示している。より正確には、１回のスパッタリングと、１回のＴＯＦ−ＳＩＭＳによる組成分析と、を１つのサイクルとして、積層体の各層における組成を分析を行う為に実施されたサイクルの回数を表している。サイクルの回数は、積層体の表面からの距離に対応している。従って、図１３〜図１９においては、左から右に向かって、第１金属層および第１透明導電層の組成分析結果が順次示されている。また、積層体の厚み方向において実施された積層体の組成分析の、積層体の厚み方向における間隔は、１ｎｍ以下であり、積層体の厚み方向における組成分析の分解能は５ｎｍであった。
【００７４】
サンプル１〜７において、第１透明導電層及び第１金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、上述の組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｉｎ２Ｏ３−のカウント数を結ぶ線と、Ｃｕ３−をのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置を、第１透明導電層と第１金属層との界面の位置とし、この界面におけるＩｎ２Ｏ３−のカウント数に対するＩｎＯＨ−のカウント数の比を求めた。
【００７５】
評価１〜２の結果をまとめて表１に示す。また、各サンプル１〜７の、評価２で得られたカウント数の比と、評価１の結果との関係を図１１に示す。
【表１】
2015114130.tif 000003
【００７６】
表１から分かるように、第１透明導電層と第１金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−のカウント数に対するＩｎＯＨ−のカウント数の比が高いほど、第１透明導電層に対する第１金属層の密着性が低くなる傾向にあった。このことから、第１金属層と第１透明導電層との界面近傍におけるＩｎＯＨ−の存在が、第１透明導電層に対する第１金属層の密着力を低下させる一因になっていると考えられる。
【００７７】
そして、第１透明導電層と第１金属層との界面におけるＩｎ２Ｏ３−のカウント数に対するＩｎＯＨ−のカウント数の比が０．０３０以下の場合、第１金属層の断片が第１透明導電層から剥離されることを効果的に防ぐことができた。
【符号の説明】
【００７８】
１  積層体製造装置
１０  積層体
１１  中間積層体
１２  基材フィルム
１７ａ，１７ｂ  金属層
２０  巻出装置
２３  表面処理装置
２４  電極
２５  不活性ガス供給手段
２６  酸素供給手段
２７  プラズマ雰囲気
３０  成膜装置
５０  巻取装置
【図１】
2015114130.tif 000004
【図２】
2015114130.tif 000005
【図３】
2015114130.tif 000006
【図４】
2015114130.tif 000007
【図５】
2015114130.tif 000008
【図６】
2015114130.tif 000009
【図７】
2015114130.tif 000010
【図８】
2015114130.tif 000011
【図９】
2015114130.tif 000012
【図１３】
2015114130.tif 000013
【図１４】
2015114130.tif 000014
【図１５】
2015114130.tif 000015
【図１６】
2015114130.tif 000016
【図１７】
2015114130.tif 000017
【図１８】
2015114130.tif 000018
【図１９】
2015114130.tif 000019
【図１０】
2015114130.tif 000020
【図１１】
2015114130.tif 000021
【図１２】
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