(57)【要約】【課題】隣同士の画素間での電流リークの防止を目的とする。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素電極１８と、それぞれの画素電極１８の端部に載るように、隣同士の画素電極１８の間の領域に設けられた絶縁層２２と、複数の画素電極１８及び絶縁層２２を連続的に覆う共通層３２を含むように設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜３０と、有機エレクトロルミネッセンス膜３０の上に設けられた共通電極３８と、を有する。絶縁層２２は、複数の凹部２４及び複数の凸部２６からなる凹凸形状の上面を有する。共通層３２は、凹凸形状の各凸部２６に載る上段部３４と各凹部２４に載る下段部３６を有する。上段部３４と下段部３６は、相互に上下にずれて位置し、厚み方向の少なくとも一部同士が不連続になることで、共通層３２の厚みを部分的に薄くして電気抵抗を高くしている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた複数の画素電極と、
それぞれの前記画素電極の端部に載るように、隣同士の前記画素電極の間の領域に設けられた絶縁層と、
前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように前記基板に設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜と、
前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に設けられた共通電極と、
を有し、
前記絶縁層は、複数の凹部及び複数の凸部からなる凹凸形状の上面を有し、
前記共通層は、前記凹凸形状の各凸部に載る上段部と各凹部に載る下段部を有し、
前記上段部と前記下段部は、相互に上下にずれて位置し、厚み方向の少なくとも一部同士が不連続になることで、前記共通層の厚みを部分的に薄くして電気抵抗を高くしていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上段部と前記下段部は、厚み方向の一部同士が連続していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上段部と前記下段部は、分離されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の凹部の底面は、１つの平面に沿って配列され、
前記複数の凸部の上面は、他の１つの平面に沿って配列されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の凹部の底面は、１つの凸曲面に沿って配列され、
前記複数の凸部の上面は、他の１つの凸曲面に沿って配列されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の画素電極は、縦方向及び横方向に配列され、
それぞれの前記画素電極の平面形状は、長軸と短軸を有して一方向に長くなっており、
前記縦方向に隣同士の前記画素電極は、前記短軸に沿った短辺同士が隣り合い、
前記横方向に隣同士の前記画素電極は、前記長軸に沿った長辺同士が隣り合い、
前記絶縁層の前記複数の凹部及び前記複数の凸部は、隣り合う前記短辺の間の領域を避けて、隣り合う前記長辺の間の領域に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
複数の画素電極が設けられた基板を用意する工程と、
それぞれの前記画素電極の端部に載るように、隣同士の前記画素電極の間の領域に、絶縁層を形成する工程と、
前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように、前記基板に有機エレクトロルミネッセンス膜を形成する工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に共通電極を形成する工程と、
を含み、
前記絶縁層は、複数の凹部及び複数の凸部からなる凹凸形状の上面を有するように形成し、
前記共通層は、前記凹凸形状の各凸部に載る上段部と各凹部に載る下段部を有するように形成し、
前記上段部と前記下段部は、相互に上下にずれて位置し、厚み方向の少なくとも一部同士が不連続になることで、前記共通層の厚みを部分的に薄くして電気抵抗を高くしていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記凹凸形状の前記上面を有する前記絶縁層を形成する工程は、
絶縁材料を設ける工程と、
ナノインプリントによって前記絶縁材料に前記凹凸形状を付ける工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記凹凸形状の前記上面を有する前記絶縁層を形成する工程で、
前記絶縁材料を前記複数の画素電極を覆うように設け、
前記凹凸形状を付ける工程の後に、それぞれの前記画素電極の少なくとも中央部の上から、前記絶縁材料を部分的に除去することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記絶縁材料の部分的な除去は、フォトリソグラフィ及びドライエッチングの少なくとも一方によって行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記凹凸形状を付ける工程で、前記ナノインプリントによって、それぞれの前記画素電極の少なくとも前記中央部の上方で、前記絶縁材料を窪ませて厚みを薄くすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記絶縁材料の部分的な除去は、ドライエッチングによって行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機膜を陽極と陰極で挟み込んだ構造を有している。通常、複数の有機膜が積層されており、その一層は発光層である。複数の画素に一色（例えば白色）の発光を得るためには、発光層にするための有機膜を全体的に連続するように設ける。あるいは、複数の画素に複数色の発光を得るためには、発光層にするための有機膜は画素ごとに分離されるが、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層又は電子輸送層などにするための有機膜は連続的に設ける。いずれの場合であっても、少なくとも１層の有機膜が隣同士の画素にわたって連続的に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２１２１７７号公報
【特許文献２】特開２００６−１４０１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高画質の表示装置では、画素の微細化によって、隣同士の画素が接近するようになってきた。そのため、連続する有機膜を伝わって、いずれかの画素の電極から隣の画素に電流がリークすることがあった。電流リークにより、隣の画素が発光してしまうという問題があった。
【０００５】
特許文献１及び２には、隔壁（又は絶縁膜）の表面を粗くすることが開示されているが、その上に形成される有機膜についての説明がないので、電流リークの問題は解決されない。
【０００６】
本発明は、隣同士の画素間での電流リークの防止を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板に設けられた複数の画素電極と、それぞれの前記画素電極の端部に載るように、隣同士の前記画素電極の間の領域に設けられた絶縁層と、前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように前記基板に設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に設けられた共通電極と、を有し、前記絶縁層は、複数の凹部及び複数の凸部からなる凹凸形状の上面を有し、前記共通層は、前記凹凸形状の各凸部に載る上段部と各凹部に載る下段部を有し、前記上段部と前記下段部は、相互に上下にずれて位置し、厚み方向の少なくとも一部同士が不連続になることで、前記共通層の厚みを部分的に薄くして電気抵抗を高くしていることを特徴とする。本発明によれば、隣同士の前記画素電極の間の領域の上方で、共通層の厚みが部分的に薄くなることで、電気抵抗が高くなっている。これにより、共通層を通って隣同士の画素間で電流がリークすることを防止できる。
【０００８】
（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記上段部と前記下段部は、厚み方向の一部同士が連続していることを特徴としてもよい。
【０００９】
（３）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記上段部と前記下段部は、分離されていることを特徴としてもよい。
【００１０】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の凹部の底面は、１つの平面に沿って配列され、前記複数の凸部の上面は、他の１つの平面に沿って配列されていることを特徴としてもよい。
【００１１】
（５）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の凹部の底面は、１つの凸曲面に沿って配列され、前記複数の凸部の上面は、他の１つの凸曲面に沿って配列されていることを特徴としてもよい。
【００１２】
（６）（１）から（５）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の画素電極は、縦方向及び横方向に配列され、それぞれの前記画素電極の平面形状は、長軸と短軸を有して一方向に長くなっており、前記縦方向に隣同士の前記画素電極は、前記短軸に沿った短辺同士が隣り合い、前記横方向に隣同士の前記画素電極は、前記長軸に沿った長辺同士が隣り合い、前記絶縁層の前記複数の凹部及び前記複数の凸部は、隣り合う前記短辺の間の領域を避けて、隣り合う前記長辺の間の領域に形成されていることを特徴としてもよい。
【００１３】
（７）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、複数の画素電極が設けられた基板を用意する工程と、それぞれの前記画素電極の端部に載るように、隣同士の前記画素電極の間の領域に、絶縁層を形成する工程と、前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように、前記基板に有機エレクトロルミネッセンス膜を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に共通電極を形成する工程と、を含み、前記絶縁層は、複数の凹部及び複数の凸部からなる凹凸形状の上面を有するように形成し、前記共通層は、前記凹凸形状の各凸部に載る上段部と各凹部に載る下段部を有するように形成し、前記上段部と前記下段部は、相互に上下にずれて位置し、厚み方向の少なくとも一部同士が不連続になることで、前記共通層の厚みを部分的に薄くして電気抵抗を高くしていることを特徴とする。本発明によれば、隣同士の前記画素電極の間の領域の上方で、共通層の厚みが部分的に薄くなることで、電気抵抗が高くなっている。これにより、共通層を通って隣同士の画素間で電流がリークすることを防止できる。
【００１４】
（８）（７）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記凹凸形状の前記上面を有する前記絶縁層を形成する工程は、絶縁材料を設ける工程と、ナノインプリントによって前記絶縁材料に前記凹凸形状を付ける工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１５】
（９）（８）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記凹凸形状の前記上面を有する前記絶縁層を形成する工程で、前記絶縁材料を前記複数の画素電極を覆うように設け、前記凹凸形状を付ける工程の後に、それぞれの前記画素電極の少なくとも中央部の上から、前記絶縁材料を部分的に除去することを特徴としてもよい。
【００１６】
（１０）（９）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記絶縁材料の部分的な除去は、フォトリソグラフィ及びドライエッチングの少なくとも一方によって行うことを特徴としてもよい。
【００１７】
（１１）（９）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記凹凸形状を付ける工程で、前記ナノインプリントによって、それぞれの前記画素電極の少なくとも前記中央部の上方で、前記絶縁材料を窪ませて厚みを薄くすることを特徴としてもよい。
【００１８】
（１２）（１１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記絶縁材料の部分的な除去は、ドライエッチングによって行うことを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の斜視図である。
【図２】図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のII−II線断面の概略図である。
【図３】複数の画素電極の配列を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】第２の実施形態の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の斜視図である。図２は、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のII−II線断面の概略図である。
【００２１】
図１に示すように、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ガラスなどからなる光透過性の第１基板１０を有する。第１基板１０は、画像表示のための画像表示領域を有する。第１基板１０には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載されている。第１基板１０には、外部との電気的接続のために、フレキシブル配線基板１４が接続されている。
【００２２】
図２に示すように、第１基板１０には回路層１６が設けられている。回路層１６は、図示しない配線、薄膜トランジスタ及び絶縁膜などを含む。第１基板１０（図２の例では回路層１６の上）には、複数の画素電極１８が設けられている。画素電極１８は陽極である。
【００２３】
図３は、複数の画素電極１８の配列を示す平面図である。複数の画素電極１８は、縦方向及び横方向に配列されている。それぞれの画素電極１８の平面形状は、長軸と短軸を有して一方向に長くなっている。縦方向に隣同士の画素電極１８は、短軸に沿った短辺同士が隣り合う。横方向に隣同士の画素電極１８は、長軸に沿った長辺同士が隣り合う。画素電極１８は、コンタクト２０で回路層１６の図示しない配線に電気的に接続している。
【００２４】
図２に示すように、それぞれの画素電極１８の端部に載るように、隣同士の画素電極１８の間の領域に絶縁層２２が設けられている。絶縁層２２は、それぞれの画素電極１８の周縁部を囲むようになっている。言い換えると、絶縁層２２は、画素電極１８の中央部を露出させる開口２２ａを有する（図３参照）。
【００２５】
絶縁層２２は、複数の凹部２４及び複数の凸部２６からなる凹凸形状の上面を有する。凹凸形状は、凸曲面上に形成されている。したがって、複数の凹部２４の底面は、１つの凸曲面に沿って配列され、複数の凸部２６の上面は、他の１つの凸曲面に沿って配列される。絶縁層２２の複数の凹部２４及び複数の凸部２６は、図３に示すように、隣り合う短辺の間の領域を避けて、隣り合う長辺の間の領域２８に形成されている。
【００２６】
第１基板１０には有機エレクトロルミネッセンス膜３０が設けられている。有機エレクトロルミネッセンス膜３０は、複数の画素電極１８及び絶縁層２２に載るようになっている。有機エレクトロルミネッセンス膜３０は、図示しないが複数層からなり、少なくとも発光層を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含む。発光層は、一色（例えば白色）の光のみを発するように構成されている。
【００２７】
有機エレクトロルミネッセンス膜３０は、複数の画素電極１８及び絶縁層２２を連続的に覆う共通層３２を含む。図２の例では、有機エレクトロルミネッセンス膜３０の全体が共通層３２である。あるいは、複数層からなる有機エレクトロルミネッセンス膜３０の少なくとも１層（少なくとも１層を除く）が共通層３２（例えば電子注入層）であり、少なくとも１層からなる残りの層は、画素電極１８ごとに切断された層であってもよい。２層以上の発光層を含むタンデム構造からなる有機エレクトロルミネッセンス膜３０では、隣同士の発光層の間に配置された電子及び正孔を供給するためのチャージジェネレーション層が共通層３２であってもよい。
【００２８】
共通層３２は、絶縁層２２の凹凸形状の各凸部２６に載る上段部３４と各凹部２４に載る下段部３６を有する。上段部３４と下段部３６は、相互に上下にずれて位置している。上段部３４と下段部３６は、厚み方向の一部同士が横方向に連続しているが、厚み方向の少なくとも一部同士が横方向に不連続になるため、段を形成している。上段部３４及び下段部３６を形成することで、共通層３２の厚みが部分的に薄くなり、共通層３２の電気抵抗が高くなっている。
【００２９】
有機エレクトロルミネッセンス膜３０の上には共通電極３８が設けられている。共通電極３８は陰極である。画素電極１８及び共通電極３８に電圧をかけることにより各々から正孔と電子を有機エレクトロルミネッセンス膜３０に注入する。注入された正孔と電子が発光層で結合して光を発する。画素電極１８の端部と共通電極３８の間には、絶縁層２２が介在しているので、両者間のショートが防止されている。
【００３０】
本実施形態によれば、隣同士の画素電極１８の間の領域の上方で、共通層３２の厚みが部分的に薄くなることで、電気抵抗が高くなっている。これにより、共通層３２を通って隣同士の画素間で電流がリークすることを防止できる。
【００３１】
共通電極３８の上には封止膜４０が設けられている。封止膜４０は、有機エレクトロルミネッセンス膜３０を、水分から遮断するように封止している。封止膜４０の上には充填層４２が設けられている。
【００３２】
第１基板１０と間隔をあけて対向するように、第２基板４４が配置されている。第２基板４４の第１基板１０側の面には、カラーフィルタ層４６が設けられている。カラーフィルタ層４６は、ブラックマトリクス４８及び着色層５０を含む。上述した有機エレクトロルミネッセンス膜３０の発光層（図示せず）が単一色（例えば白色）を発するので、本実施形態ではカラーフィルタ層４６を設けてフルカラー表示を可能にしている。有機エレクトロルミネッセンス膜３０が、異なる色（例えば、赤、緑及び青）を発する複数の発光層を含む場合、発光層が複数色の光を発するので着色層５０は不要である。第１基板１０と第２基板４４との間に充填層４２が設けられている。
【００３３】
図４〜図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【００３４】
図４に示すように、複数の画素電極１８が設けられた第１基板１０を用意し、絶縁材料５２を複数の画素電極１８を覆うように設ける。
【００３５】
図５に示すように、絶縁材料５２に凹凸形状を形成する。例えば、ナノインプリントによって絶縁材料５２に凹凸形状を付ける。詳しくは、微細な凹凸を有するナノスタンパ５４を絶縁材料５２に押しつけそのパターンを転写する。熱ナノインプリントでは、絶縁材料５２に熱可塑性樹脂を使用し、ガラス転移温度以上まで加熱することで軟化させた樹脂にナノスタンパ５４の凹凸をプレス転写する。
【００３６】
図６に示すように、それぞれの画素電極１８の少なくとも中央部の上から、絶縁材料５２を部分的に除去する。絶縁材料５２の部分的な除去は、フォトリソグラフィ及びドライエッチングの少なくとも一方によって行う。フォトリソグラフィを適用すると、図６に示すように、残った絶縁材料５２は上面が凸曲面状になる。こうして、それぞれの画素電極１８の端部に載るように、隣同士の画素電極１８の間の領域に、絶縁層２２を形成する。絶縁層２２は、複数の凹部２４及び複数の凸部２６からなる凹凸形状の上面を有する。
【００３７】
図７に示すように、複数の画素電極１８及び絶縁層２２を連続的に覆う共通層３２を含むように、第１基板１０に有機エレクトロルミネッセンス膜３０を形成する。有機エレクトロルミネッセンス膜３０は、蒸着によって形成するので、下地の表面形状に従った形状になる。詳しくは、上述した共通層３２が、絶縁層２２の凹凸形状の各凸部２６に載る上段部３４と各凹部２４に載る下段部３６を有するように形成される。上段部３４と下段部３６は、相互に上下にずれて位置する。上段部３４と下段部３６は、厚み方向の少なくとも一部同士が不連続になる。そして、有機エレクトロルミネッセンス膜３０の上に共通電極３８を形成する。
【００３８】
本実施形態によれば、隣同士の画素電極１８の間の領域の上方で、共通層３２の厚みが部分的に薄くなることで、電気抵抗が高くなっている。これにより、共通層３２を通って隣同士の画素間で電流がリークすることを防止できる。
【００３９】
図８は、本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す断面図である。本実施形態では、絶縁層１２２の凹凸形状が平面上に形成されている。つまり、複数の凹部１２４の底面は、１つの平面に沿って配列され、複数の凸部１２６の上面は、他の１つの平面に沿って配列されている。また、複数の封止膜１４０（第１封止膜１５６、第２封止膜１５８及び第３封止膜１６０）が共通電極１３８の上に設けられ、有機エレクトロルミネッセンス膜１３０を水分から遮断するように封止している。それ以外の構成は、上記実施形態で説明した内容が該当する。
【００４０】
図９〜図１０は、本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図である。
【００４１】
図９に示すように、複数の画素電極１１８を覆うように形成した絶縁材料１５２に、ナノインプリントによって凹凸形状を付ける。詳しくは、微細な凹凸を有するナノスタンパ１５４を絶縁材料１５２に押しつけそのパターンを転写する。光ナノインプリントでは、絶縁材料１５２に光硬化性樹脂を使用し、樹脂にナノスタンパ１５４の凹凸をプレス転写し、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。
【００４２】
また、ナノインプリントによって、それぞれの画素電極１１８の少なくとも中央部の上方で、絶縁材料１５２を窪ませて厚みを薄くする。詳しくは、ナノスタンパ１５４は、絶縁材料１５２を窪ませる位置に対応して突出領域を有している。相対的に窪んだ領域に、ナノスタンパ１５４は凹凸を有する。
【００４３】
そして、それぞれの画素電極１１８の少なくとも中央部の上から、絶縁材料１５２を部分的に除去する（図８参照）。なお、絶縁材料１５２の部分的な除去は、ドライエッチングによって行う。
【００４４】
図１０に示すように、有機エレクトロルミネッセンス膜１３０を形成する。有機エレクトロルミネッセンス膜１３０の上には、図８に示すように、共通電極１３８を形成し、複数の封止膜１４０（第１封止膜１５６、第２封止膜１５８及び第３封止膜１６０）を形成する。その後の工程は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４５】
図１１は、第２の実施形態の変形例を示す図である。この例でも、有機エレクトロルミネッセンス膜２３０の共通層２３２は、絶縁層２２２の凸部２２６に載る上段部２３４と凹部２２４に載る下段部２３６を有するが、上段部２３４及び下段部２３６は分離されている。つまり、上段部２３４と下段部２３６は、相互に上下にずれて位置し、厚み方向の全体が不連続になっている。共通層２３２を薄く形成すれば、このように上段部２３４及び下段部２３６は分離される。
【００４６】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１０  第１基板、１２  集積回路チップ、１４  フレキシブル配線基板、１６  回路層、１８  画素電極、２０  コンタクト、２２  絶縁層、２２ａ  開口２２ａ、２４  凹部、２６  凸部、２８  領域、３０  エレクトロルミネッセンス膜、３２  共通層、３４  上段部、３６  下段部、３８  共通電極、４０  封止膜、４２  充填層、４４  第２基板、４６  カラーフィルタ層、４８  ブラックマトリクス、５０  着色層、５２  絶縁材料、５４  ナノスタンパ、１１８  画素電極、１２２  絶縁層、１２４  凹部、１２６  凸部、１３０  エレクトロルミネッセンス膜、１３４  上段部、１３６  下段部、１３８  共通電極、１４０  封止膜、１５２  絶縁材料、１５４  ナノスタンパ、１５６  第１封止膜、１５８  第２封止膜、１６０  第３封止膜、２２２  絶縁層、２２４  凹部、２２６  凸部、２３０  有機エレクトロルミネッセンス膜、２３２  共通層、２３４  上段部、２３６  下段部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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