(57)【要約】【課題】フットプリントの小さい光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板を水平面に対して立てた状態で前記水平面に交差する所定方向に前記基板を移動させる基板移動部と、前記所定方向に移動する前記基板に対して所定の波長の光を照射する光照射部とを備える。【選択図】図２
2015050304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平面に対して立てた状態で前記水平面に交差する所定方向に前記基板を移動させる基板移動部と、
前記所定方向に移動する前記基板に対して所定の波長の光を照射する光照射部と
を備える光照射装置。
【請求項２】
前記光の照射を受ける前記基板の温度を調整する温度調整部
を更に備える請求項１に記載の光照射装置。
【請求項３】
前記基板移動部は、前記基板の周縁部を保持して移動可能な基板保持部を有する
請求項１又は請求項２に記載の光照射装置。
【請求項４】
前記基板保持部は、前記所定方向に対して前記基板が傾くように前記基板を保持可能である
請求項３に記載の光照射装置。
【請求項５】
前記基板を収容可能なチャンバと、
前記チャンバの所定面に設けられ、前記基板の搬入及び搬出が可能な基板搬入出口と
を更に備える請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項６】
前記基板搬入出口は、前記所定方向に複数並んで配置されている
請求項５に記載の光照射装置。
【請求項７】
前記基板移動部は、前記基板の周縁部を保持して移動可能な基板保持部を有し、
前記基板保持部は、前記基板搬入出口ごとに設けられており、
それぞれの前記基板保持部は、独立して移動可能である
請求項６に記載の光照射装置。
【請求項８】
前記光照射部は、前記所定方向に並んだ２つの前記基板搬入出口の間に配置されている
請求項７に記載の光照射装置。
【請求項９】
前記チャンバは、外部装置に接続可能な接続部を有する
請求項５から請求項８のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１０】
前記チャンバの内部に搬入された前記基板を載置する載置部
を更に備える請求項５から請求項９のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１１】
前記載置部は、前記基板を加熱する加熱部を有する
請求項１０に記載の光照射装置。
【請求項１２】
前記光照射部は、前記水平面に沿った方向に前記光を射出する光射出部を有する
請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１３】
前記基板移動部は、前記基板搬入出口を通過する際の前記基板の被処理面が前記光射出部に向けられるように設けられている
請求項１２に記載の光照射装置。
【請求項１４】
基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置と
を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、
前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続され、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置と、
前記基板搬送ラインと前記光照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置と
を更に備え、
前記光照射装置として、請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の光照射装置が用いられている
基板処理装置。
【請求項１５】
基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置と
を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、
現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置を、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続する工程を有し、
前記光照射装置として、請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の光照射装置を用いる
基板処理装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、レジスト膜をガラス基板に塗布する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後のレジスト膜を現像する工程及び現像後のレジスト膜に対して紫外線などの光を照射する工程（キュア工程）が行われる。
【０００３】
キュア工程は、基板に対して光を照射する光照射装置によって行われる（例えば、特許文献１参照）。フォトリソグラフィ法によってパターンを形成する既存の基板処理装置の中には、キュア工程を行うための光照射装置が搭載されていない場合がある。この場合、キュア工程を行うためには、既存の基板処理装置に別途光照射装置を取り付ける必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−９７５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の光照射装置は、基板を水平に移動させる構成であるため、基板が移動するためのスペースを確保する必要がある。このため、既存の基板処理装置に取り付ける場合には、フットプリントの面で問題がある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、フットプリントの小さい光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第一の態様に係る光照射装置は、基板を水平面に対して立てた状態で前記水平面に交差する所定方向に前記基板を移動させる基板移動部と、前記所定方向に移動する前記基板に対して所定の波長の光を照射する光照射部とを備える。
【０００８】
この構成によれば、基板移動部によって基板を水平面に対して立てた状態で水平面に交差する所定方向に基板を移動させた状態で、この基板に対して光照射部によって所定の波長の光を照射することができる。このため、基板を移動させるための水平方向のスペースを大幅に省略することができる。これにより、フットプリントの小さい光照射装置を提供することができる。
【０００９】
上記の光照射装置は、前記光の照射を受ける前記基板の温度を調整する温度調整部を更に備える。  
この構成によれば、光の照射を受ける基板の温度を温度調整部によって調整するため、所望の温度状態で光照射処理を行うことができる。
【００１０】
上記の光照射装置において、前記基板移動部は、前記基板の周縁部を保持して移動可能な基板保持部を有する。  
この構成によれば、基板保持部により、基板の周縁部が保持されるため、基板の中央部を保持しなくてもよい構成となる。これにより、基板の中央部を保護することができる。
【００１１】
上記の光照射装置において、前記基板保持部は、前記所定方向に対して前記基板が傾くように前記基板を保持可能である。  
この構成によれば、基板保持部により、基板が所定方向に対して傾くように保持されるため、基板を安定して保持することができる。
【００１２】
上記の光照射装置は、前記基板を収容可能なチャンバと、前記チャンバの所定面に設けられ、前記基板の搬入及び搬出が可能な基板搬入出口とを更に備える。  
この構成によれば、基板を収容可能なチャンバの所定面には、基板の搬入及び搬出が可能な基板搬入出口が設けられるため、基板の搬入及び搬出をチャンバの一の面（所定面）において行うことができる。これにより、搬入スペースと搬出スペースとを節約することができるため、フットプリントを小さくすることができる。
【００１３】
上記の光照射装置において、前記基板搬入出口は、前記所定方向に複数並んで配置されている。  
この構成によれば、基板搬入出口が所定方向に複数並んで配置されているため、複数箇所で基板の搬入及び搬出を行うことができる。これにより、光照射処理の効率化を図ることができる。
【００１４】
上記の光照射装置において、前記基板移動部は、前記基板の周縁部を保持して移動可能な基板保持部を有し、前記基板保持部は、前記基板搬入出口ごとに設けられており、それぞれの前記基板保持部は、独立して移動可能である。  
この構成によれば、基板移動部が基板の周縁部を保持して移動可能な基板保持部を有し、基板保持部が基板搬入出口ごとに設けられており、それぞれの基板保持部が独立して移動可能であるため、基板保持部ごとに基板を保持して光照射処理を行わせることができる。これにより、光照射処理の効率化を図ることができる。
【００１５】
上記の光照射装置において、前記光照射部は、前記所定方向に並んだ２つの前記基板搬入出口の間に配置されている。  
この構成によれば、光照射部が所定方向に並んだ２つの基板搬入出口の間に配置されているため、一の基板搬入出口から搬入された基板については、光照射部の一方の側から他方の側へ移動させることができ、他の基板搬入出口から搬入された基板については、光照射部の他方の側から一方の側へ移動させることができる。これにより、光照射処理の効率化を図ることができる。
【００１６】
上記の光照射装置において、前記チャンバは、外部装置に接続可能な接続部を有する。
この構成によれば、チャンバを外部装置に接続させることができるため、既存の外部装置に容易にチャンバを接続させることができる。
【００１７】
上記の光照射装置は、前記チャンバの内部に搬入された前記基板を載置する載置部を更に備える。  
この構成によれば、チャンバの内部に搬入された基板を載置する載置部が設けられるため、基板を効率的に搬送することができる。
【００１８】
上記の光照射装置において、前記載置部は、前記基板を加熱する加熱部を有する。  
この構成によれば、載置部に加熱部が設けられているため、基板を載置している間に当該基板を加熱することができる。
【００１９】
上記の光照射装置において、前記光照射部は、前記水平面に沿った方向に前記光を射出する光射出部を有する。  
この構成によれば、光射出部により、水平面に沿った方向に光を射出することができるため、基板を水平面に対して交差する所定方向に移動させつつ、基板に光を効率的に照射することができる。
【００２０】
上記の光照射装置において、前記基板移動部は、前記基板搬入出口を通過する際の前記基板の被処理面が前記光射出部に向けられるように設けられている。  
この構成によれば、基板移動部により、基板搬入出口を通過する際の基板の被処理面が光射出部に向けられるように基板が搬送されるため、基板の被処理面に対して効率的に光を照射することができる。
【００２１】
本発明の第二の態様に係る基板処理装置は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置とを備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続され、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置と、前記基板搬送ラインと前記光照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを更に備え、前記光照射装置として、本発明の第一の態様に係る光照射装置が用いられている。
【００２２】
この構成によれば、フットプリントの小さい光照射装置が用いられているため、装置全体の大型化を抑制することが可能な基板処理装置を提供することができる。
【００２３】
本発明の第三の態様に係る基板処理装置の製造方法は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置とを備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置を、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続する工程を有し、前記光照射装置として、本発明の第一の態様に係る光照射装置を用いる。
【００２４】
この構成によれば、現像装置よりも下流側に配置される関連装置の一部に基板搬送ラインの側方から光照射装置を接続することにより、光照射装置を容易に取り付けることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、フットプリントの小さい光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図。
【図２】光処理ユニットＬＰを＋Ｙ方向に見たときの構成を示す図。
【図３】光処理ユニットＬＰを−Ｘ方向に見たときの構成を示す図。
【図４】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図５】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図６】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図７】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図８】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図９】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図１０】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図１１】第二実施形態に係る光処理ユニットＬＰ２の構成を示す図。
【図１２】第三実施形態に係る光処理ユニットＬＰ３の構成を示す図。
【図１３】光処理ユニットＬＰ３の動作を示す図。
【図１４】光処理ユニットＬＰ３の動作を示す図。
【図１５】光処理ユニットＬＰ３の動作を示す図。
【図１６】光処理ユニットＬＰ３の動作を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
［第一実施形態］  
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２８】
図１は本実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図である。  
基板処理装置ＳＰＡは、例えばＸ方向に一列に配置されたローダ・アンローダＬＵ、塗布現像処理部ＣＤ、インターフェース部ＩＦ及び制御部ＣＯＮＴを備えている。基板処理装置ＳＰＡは、塗布現像処理部ＣＤがローダ・アンローダＬＵとインターフェース部ＩＦによって挟まれて配置された構成になっている。制御部ＣＯＮＴは、基板処理装置ＳＰＡの各部を統括的に処理する。
【００２９】
（ローダ・アンローダ）  
ローダ・アンローダＬＵは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣの搬入及び搬出を行う部分である。ローダ・アンローダＬＵは、カセット待機部１０及び搬送機構１１を有している。
【００３０】
カセット待機部１０は、例えば基板処理装置ＳＰＡの−Ｘ側の端部に配置されており、複数のカセットＣを収容する。カセット待機部１０に収容されたカセットＣは、例えばＹ方向に配列されるようになっている。カセット待機部１０は、−Ｘ側に不図示の開口部が形成されており、当該開口部を介して基板処理装置ＳＰＡの外部との間でカセットＣの受け渡しが行われるようになっている。
【００３１】
搬送機構１１は、カセット待機部１０の＋Ｘ側に配置されており、カセットＣと塗布現像処理部ＣＤとの間で基板Ｇの搬送を行う。搬送機構１１は、例えばＹ方向に沿って２つ配置されており、当該２つの搬送機構１１は例えば同一の構成となっている。−Ｙ側に配置される搬送機構１１ａは、ローダ・アンローダＬＵから塗布現像処理部ＣＤへ基板Ｇを搬送する。＋Ｙ側に配置される搬送機構１１ｂは、塗布現像処理部ＣＤからローダ・アンローダＬＵへ基板Ｇを搬送する。
【００３２】
搬送機構１１は搬送アーム１２（１２ａ、１２ｂ）を有している。搬送アーム１２は、ガラス基板を保持する保持部を有し、例えば一方向に伸縮可能に設けられている。搬送アーム１２は、θＺ方向に回転可能に形成されている。搬送アーム１２は、例えばθＺ方向に回転することで、カセット待機部１０と塗布現像処理部ＣＤとのそれぞれの方向に向かせることが可能になっている。搬送アーム１２は、搬送アーム１２を伸縮させることで、カセット待機部１０及び塗布現像処理部ＣＤのそれぞれにアクセス可能になっている。
【００３３】
（塗布現像処理部）  
塗布現像処理部ＣＤは、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施す部分である。塗布現像処理部ＣＤは、スクラバユニットＳＲ、脱水ベークユニットＤＨ、塗布ユニットＣＴ、プリベークユニットＰＲ、インターフェース部ＩＦ、現像ユニットＤＶ、光照射ユニットＬＰ及びポストベークユニットＰＢを有している。
【００３４】
塗布現像処理部ＣＤは、Ｙ方向に分割された構成になっており、−Ｙ側の部分では、ローダ・アンローダＬＵからの基板Ｇがインターフェース部ＩＦへ向けて＋Ｘ方向に搬送されるようになっている。＋Ｙ側の部分では、インターフェース部ＩＦからの基板Ｇがローダ・アンローダＬＵへ向けて−Ｘ方向に搬送されるようになっている。
【００３５】
スクラバユニットＳＲは、ローダ・アンローダＬＵの下流に接続されており、基板Ｇの洗浄を行うユニットである。スクラバユニットＳＲは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３を有している。ドライ洗浄装置４１の−Ｘ側及びエアナイフ装置４３の＋Ｘ側には、それぞれコンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２が設けられている。
コンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２には、基板Ｇを搬送する不図示のベルト機構が設けられている。
【００３６】
ドライ洗浄装置４１は、例えば基板Ｇにエキシマレーザなどの紫外線を照射することにより、基板Ｇ上の有機物を除去する。ウェット洗浄装置４２は、例えば不図示のスクラビングブラシを有している。ウェット洗浄装置４２は、洗浄液及び当該スクラビングブラシを用いて基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置４３は、例えば不図示のエアナイフ噴射機構を有している。エアナイフ装置４３は、エアナイフ噴射機構を用いて基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上の不純物を除去する。
【００３７】
脱水ベークユニットＤＨは、スクラバユニットＳＲの下流に接続されており、基板Ｇ上を脱水するユニットである。脱水ベークユニットＤＨは、加熱装置４４、ＨＭＤＳ装置４６及び冷却装置４５を有している。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６は、Ｚ方向に重ねられた状態で配置されている。Ｚ方向視で加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６に重なる位置にコンベア機構ＣＶ３が設けられており、Ｚ方向視で冷却装置４５に重なる位置にコンベア機構ＣＶ４が設けられている。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６と、冷却装置４５との間には、基板Ｇを搬送する搬送機構ＴＲ１が設けられている。搬送機構ＴＲ１については、例えばローダ・アンローダＬＵに設けられた搬送機構１１と同一の構成とすることができる。
【００３８】
加熱装置４４は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内にヒータを有する構成になっている。加熱装置４４は、Ｚ方向に例えば複数段配置されている。加熱装置４４は、基板Ｇを所定の温度で加熱する。ＨＭＤＳ装置４６は、ＨＭＤＳガスを基板Ｇに作用させて疎水化処理を施し、塗布ユニットＣＴにおいて基板Ｇに塗布するレジスト膜と基板Ｇとの密着性を向上させる装置である。冷却装置４５は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内に温調機構を有し、基板Ｇを所定の温度に冷却する。
【００３９】
塗布ユニットＣＴは、脱水ベークユニットＤＨの下流に接続されており、基板Ｇ上の所定の領域にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＣＴは、塗布装置４７、減圧乾燥装置４８、周縁部除去装置４９を有している。塗布装置４７は、基板Ｇ上にレジスト膜を塗布する装置である。塗布装置４７としては、例えば回転式塗布装置、ノンスピン式塗布装置、スリットノズル塗布装置などが用いられる。これら各種の塗布装置を交換可能な構成であっても構わない。減圧乾燥装置４８は、レジスト膜を塗布した後の基板Ｇの表面を乾燥させる。周縁部除去装置４９は、基板Ｇの周縁部に塗布されたレジスト膜を除去し、レジスト膜の形状を整える装置である。
【００４０】
プリベークユニットＰＲは、塗布ユニットＣＴの下流に接続されており、基板Ｇにプリベーク処理を行うユニットである。プリベークユニットＰＲは、加熱装置５０及び冷却装置５１を有している。加熱装置５０と冷却装置５１とは、搬送機構ＴＲ２を挟むようにＹ方向に沿って配置されている。
【００４１】
現像ユニットＤＶは、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１の−Ｘ側に接続されており、露光後の基板Ｇの現像処理を行う。現像ユニットＤＶは、現像装置５５、リンス装置５６及びエアナイフ装置５７を有している。現像装置５５は、基板Ｇに現像液を供給して現像処理を行う。リンス装置５６は、現像後の基板Ｇにリンス液を供給し、基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置５７は、基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上を乾燥させる。
現像装置５５の＋Ｘ側にはコンベア機構ＣＶ９が設けられており、エアナイフ装置５７の−Ｘ側には搬送機構ＴＲ４が設けられている。
【００４２】
光処理ユニットＬＰは、搬送機構ＴＲ４の＋Ｙ側に接続されており、現像後の基板Ｇに例えば所定の波長の光を照射する。搬送機構ＴＲ４は、エアナイフ装置５７からの基板Ｇを光処理ユニットＬＰに搬送し、光処理ユニットＬＰからの基板ＧをポストベークユニットＰＢへと搬送する。搬送機構ＴＲ４は、基板Ｇを保持しつつＺ方向に昇降可能なロボットアームを有している。
【００４３】
ポストベークユニットＰＢは、搬送機構ＴＲ４の下流側に接続されており、光処理後の基板Ｇをベークする。ポストベークユニットＰＢは、加熱装置５９及び冷却装置６０を有している。加熱装置５９は、現像後の基板Ｇにポストベークを行う。冷却装置６０は、ポストベーク後の基板Ｇを冷却する。
【００４４】
インターフェース部ＩＦは、露光装置ＥＸに接続される部分である。インターフェース部ＩＦは、バッファ装置５２、搬送機構ＴＲ３、コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８及び周辺露光装置ＥＥを有している。バッファ装置５２は、プリベークユニットＰＲの搬送機構ＴＲ２の＋Ｘ側に配置されている。バッファ装置５２の＋Ｘ側には、搬送機構ＴＲ３が設けられている。
【００４５】
バッファ装置５２は、基板Ｇを一時的に待機させておく装置である。バッファ装置５２には、基板Ｇを収容する不図示のチャンバや、当該チャンバ内の温度を調整する温調装置、チャンバ内に収容された基板ＧのθＺ方向の位置を調整する回転制御装置などが設けられている。バッファ装置５２のチャンバ内では、基板Ｇの温度を所定の温度に保持できるようになっている。コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８は、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１をＸ方向に挟むように配置されている。
【００４６】
（光照射装置）  
図２は、光処理ユニットＬＰを＋Ｙ方向に見たときの構成を示す図である。図３は、光処理ユニットＬＰを−Ｘ方向に見たときの構成を示す図である。なお、図２及び図３においては、図を判別しやすくするため、それぞれ一部の構成を省略して示している。
【００４７】
図２及び図３に示すように、光処理ユニットＬＰは、チャンバ８０、光照射部８１、基板受部８２、基板保持部８３、姿勢調整部８４、ワイヤー部８５、ガイド８６、移動部８７及び加熱部８８を有している。チャンバ８０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバ８０は、搬送機構ＴＲ４の＋Ｙ側に接続されている。
【００４８】
チャンバ８０の−Ｙ側の面（所定面）８０ｆには、第一搬入出口（基板搬入出口）８０ａ及び第二搬入出口（基板搬入出口）８０ｂが設けられている。第一搬入出口８０ａ及び第二搬入出口８０ｂは、チャンバ８０に対して基板Ｇの搬入及び搬出を行う。第一搬入出口８０ａ及び第二搬入出口８０ｂは、Ｚ方向に並んで配置されている。第一搬入出口８０ａは、＋Ｚ側に配置されており、第二搬入出口８０ｂは、−Ｚ側に配置されている。また、チャンバ８０の面８０ｆには、搬送機構ＴＲ４側に接続するための接続部８０ｃが設けられている。接続部８０ｃは、チャンバ８０を搬送機構ＴＲ４側に物理的に接続すると共に、チャンバ８０の電気的な配線等を接続させることで、チャンバ８０と搬送機構ＴＲ４側とを電気的にも接続している。
【００４９】
光照射部８１は、チャンバ８０の＋Ｘ側の面に取り付けられている。光照射部８１は、３００ｎｍ以上の波長の光を射出する光射出部８１ａを有している。光射出部８１ａは、−Ｘ方向に平行に光Ｌを射出する光源を有している。このような光源としては、例えばメタルハライドランプなどが挙げられる。光射出部８１ａは、光源から射出される光のうち波長が３００ｎｍよりも低い成分をカットするフィルタ８１ｂが設けられている。光射出部８１ａは、このフィルタを介して光を射出するため、光射出部８１ａから射出される光Ｌの波長は３００ｎｍ以上となる。このように光Ｌの波長を３００ｎｍ以上とすることにより、光Ｌの照射によって基板Ｇの温度が上がり過ぎるのを防ぐことができる。光照射部８１は、＋Ｘ側の端部がチャンバ８０の外部に突出するように配置されている。
【００５０】
基板受部８２は、チャンバ８０の内部に設けられている。基板受部８２は、チャンバ８０の内部に搬入される基板Ｇを支持する。基板受部８２は、第一受部８２ａ及び第二受部８２ｂを有している。第一受部８２ａは、第一搬入出口８０ａの−Ｚ側に配置されており、第一搬入出口８０ａから搬入される基板Ｇを支持する。第二受部８２ｂは、第二搬入出口８０ｂの−Ｚ側に配置されており、第二搬入出口８０ｂから搬入される基板Ｇを支持する。このように基板受部８２は、基板搬入出口ごとにそれぞれ設けられている。
【００５１】
第一受部８２ａ及び第二受部８２ｂは、例えば矩形の板状に形成されており、内部には基板の温度を調整する温度調整部８２ｃ、８２ｄが設けられている。温度調整部８２ｃ、８２ｄとしては、例えば基板Ｇを加熱する加熱機構などが挙げられる。このような加熱機構としては、具体的には電熱線などを用いることができる。温度調整部８２ｃ、８２ｄは、光Ｌの照射を受ける際の基板Ｇの温度が適温となるように基板Ｇの温度を予め調整する。例えば、温度調整部８２ｃ、８２ｄは、基板Ｇの温度を１００℃程度に維持する。
【００５２】
基板保持部８３は、基板受部８２によって支持される基板Ｇを保持する。基板保持部８３は、第一保持部８３ａ及び第二保持部８３ｂを有している。第一保持部８３ａは、第一受部８２ａによって支持される基板Ｇの周縁部を保持する。第二保持部８３ｂは、第二受部８２ｂによって支持される基板Ｇの周縁部を保持する。基板保持部８３は、基板Ｇの基板面の中央部を空けるように当該基板Ｇの周縁部を保持する。
【００５３】
姿勢調整部８４は、ワイヤー部８５及び基板保持部８３を介して基板Ｇの姿勢及び位置を調整する。姿勢調整部８４は、第一調整部８４ａ及び第二調整部８４ｂを有している。第一調整部８４ａは、ワイヤー８５ａによって第一保持部８３ａに接続されている。第一調整部８４ａは、ワイヤー８５ａを駆動して第一保持部８３ａの姿勢を調整することにより、当該第一保持部８３ａに保持される基板Ｇの姿勢を調整する。
【００５４】
具体的には、第一調整部８４ａは、基板Ｇの位置が第一受部８２上であり基板Ｇの基板面が水平面（ＸＹ平面）に平行である状態と、基板Ｇの位置が第一移動部８７ａ（後述）上であり基板Ｇの基板面が水平面に対して立った状態と、の間で基板Ｇの姿勢及び位置を調整する。ワイヤー８５ａの一部は、第一保持部８３ａの−Ｘ側端辺と＋Ｘ端辺とにそれぞれ接続されている。また、ワイヤー８５ａは、図示を省略しているが、第一保持部８３ａの姿勢を調整可能となるようにチャンバ８０内の各部に引き渡されている。
【００５５】
また、第二調整部８４ｂは、ワイヤー８５ｂによって第二保持部８３ｂに接続されている。第二調整部８４ｂは、ワイヤー８５ｂを駆動して第二保持部８３ｂの姿勢を調整することにより、当該第二保持部８３ｂに保持される基板Ｇの姿勢を調整する。具体的には、第二調整部８４ｂは、基板Ｇの位置が第二受部８２ｂ上であり基板Ｇの基板面が水平面（ＸＹ平面）に平行である状態と、基板Ｇの位置が第二移動部８７ｂ（後述）上であり基板Ｇの基板面が水平面に対して立った状態と、の間で基板Ｇの姿勢及び位置を調整する。ワイヤー８５ｂの一部は、第二保持部８３ｂの−Ｘ側端辺と＋Ｘ端辺とにそれぞれ接続されている。また、ワイヤー８５ｂは、図示を省略しているが、第二保持部８３ｂの姿勢を調整可能となるようにチャンバ８０内の各部に引き渡されている。
【００５６】
ガイド８６は、移動部８７を案内する。ガイド８６は、Ｚ方向に平行に延びている。移動部８７は、第一移動部８７ａ及び第二移動部８７ｂを有している。第一移動部８７ａは、第一保持部８３ａごと基板Ｇを支持可能である。第一移動部８７ａは、ガイド８６に沿ってＺ方向に移動可能である。第一移動部８７ａをＺ方向に移動させる不図示の駆動部が別途設けられている。第二移動部８７ｂは、第二保持部８３ｂごと基板Ｇを支持可能である。第二移動部８７ｂは、ガイド８６に沿ってＺ方向に移動可能である。第二移動部８７ｂをＺ方向に移動させる不図示の駆動部が別途設けられている。
【００５７】
加熱部８８は、光照射部８１に対向するように配置されている。加熱部８８は、矩形の板状に形成されており、内部に電熱線などの加熱機構が配置されている。加熱部８８は、Ｘ方向において光照射部８１との間で基板Ｇを挟む位置に配置されている。加熱部８８は、光照射部８１によって光の照射を受ける基板Ｇを−Ｘ側から加熱する。
【００５８】
（基板処理装置の製造方法）  
上記基板処理装置ＳＰＡは、既存のラインを有する装置のうち現像ユニットＤＰの下流側に、チャンバ８０を含む光処理ユニットＬＰを接続させることにより、容易に製造することができる。この場合、チャンバ８０の接続部８０ｃを搬送機構ＴＲ４側に接続することで、光処理ユニットＬＰと搬送機構ＴＲ４側との間を物理的に、かつ、電気的に接続することが可能となる。
【００５９】
（基板処理方法、光照射方法）  
以上のように構成された基板処理装置ＳＰＡを用いる基板処理方法を説明する。  
まず、基板Ｇが収容されたカセットＣをローダ・アンローダＬＵのカセット待機部１０にロードする。カセットＣ内の基板Ｇは、搬送機構１１を介してスクラバユニットＳＲへ搬送される。
【００６０】
スクラバユニットＳＲに搬送された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ１を介してドライ洗浄装置４１へ搬送される。この基板Ｇは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３と順に処理される。エアナイフ装置４３から搬出された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ２を介して脱水ベークユニットＤＨへと搬送される。
【００６１】
脱水ベークユニットＤＨでは、まず加熱装置４４によって基板Ｇの加熱処理が行われる。加熱後の基板Ｇは、例えばＺ方向に搬送され、ＨＭＤＳ装置４６においてＨＭＤＳガスによる処理が行われる。ＨＭＤＳ処理後の基板Ｇは、搬送機構ＴＲ１によって冷却装置４５に搬送され、冷却処理が行われる。冷却処理後の基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ４によって塗布ユニットＣＴに搬送される。
【００６２】
その後、基板Ｇは塗布ユニットＣＴにおいてレジスト膜の塗布処理が行われる。塗布処理後の基板ＧはプリベークユニットＰＲに搬送され、加熱装置５０においてプリベーク処理が行われ、冷却装置５１において冷却処理が行われる。プリベークユニットＰＲでの処理を完了させた基板Ｇは、搬送機構ＴＲ２によってインターフェース部ＩＦに搬送される。
【００６３】
インターフェース部ＩＦでは、例えばバッファ装置５２において温度調整が行われた後、周辺露光装置ＥＥにおいて周辺露光が行われる。周辺露光の後、基板Ｇは、搬送機構ＴＲ３によって露光装置ＥＸに搬送され、露光処理が行われる。露光処理後の基板Ｇは、加熱処理及び冷却処理が行われた後、現像ユニットＤＶに搬送される。
【００６４】
現像ユニットＤＶにおいて、基板Ｇには現像処理、リンス処理及び乾燥処理が順に行われる。乾燥処理の後、搬送機構ＴＲ４のロボットアームによって基板Ｇは光処理ユニットＬＰへと搬送される。以下、光処理ユニットＬＰにおいて、基板Ｇが複数搬入される場合、複数の基板を搬入された順にＧ１、Ｇ２、Ｇ３、…と表記する。
【００６５】
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇを保持するロボットアームを＋Ｚ方向に移動させ、図４（ａ）に示すように、基板Ｇ１を＋Ｚ側の第一搬入出口８０ａからチャンバ８０の内部に搬入させる。光処理ユニットＬＰでは、チャンバ８０に搬入された基板Ｇ１が第一受部８２ａに載置される。制御部ＣＯＮＴは、第一受部８２ａの内部の温度調整部８２ｃを作動させる。これにより、第一受部８２ａに支持された基板Ｇ１は、温度調整部８２ｃによって所望の温度に調整される。
【００６６】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図４（ｂ）に示すように、第一受部８２ａによって支持される基板Ｇ１の四辺に対してそれぞれ第一保持部８３ａの各部を近接させる。これにより、当該第一保持部８３ａに基板Ｇ１の周縁部が保持される。
【００６７】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図５（ａ）に示すように、第一調整部８４ａにワイヤー８５ａを駆動させることにより、基板Ｇ１を保持する第一保持部８３ａの姿勢を調整する。この調整により、基板Ｇ１の位置が第一受部８２ａから第一移動部８７ａ上に移動すると共に、基板Ｇ１の基板面が水平面（ＸＹ平面）に平行である状態から水平面に対して立った状態となる。このとき、基板Ｇ１の基板面は、垂直方向に対して５°〜１０°程度傾いた状態で配置される。これにより、第一移動部８７ａを＋Ｚ方向に移動させる場合に、姿勢を安定化させることができる。なお、基板Ｇ１の基板面が水平面に対して垂直になるように当該基板Ｇ１を配置してもよい。
【００６８】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図５（ｂ）に示すように、第一保持部８３ａ及び基板Ｇ１を載置させた第一移動部８７ａを、ガイド部８６に沿って−Ｚ方向に移動させる。基板Ｇ１が光照射部８１に差し掛かった後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１から光Ｌを射出させる。これにより、光照射部８１から射出された波長３００ｎｍ以上の光Ｌが基板Ｇ１に照射される。このとき、制御部ＣＯＮＴは、加熱部８８を作動させ、光Ｌの照射を受ける基板Ｇ１を加熱する。この加熱により、基板Ｇ１の温度が１００℃程度となるようにする。このように、第一移動部８７ａにより水平面に直交する方向に移動する基板Ｇ１に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、図６（ａ）に示すように、基板Ｇ１の全体が光照射部８１を−Ｚ方向に通り過ぎるまで行われる。
【００６９】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図６（ｂ）に示すように、第一移動部８７ａを＋Ｚ方向に移動させる。基板Ｇ１が光照射部８１に差し掛かった後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１から光Ｌを再度射出させる。これにより、光照射部８１から射出された光Ｌが、＋Ｚ方向に移動する基板Ｇ１に照射される。このとき、制御部ＣＯＮＴは、上記同様に、加熱部８８を作動させ、光Ｌの照射を受ける基板Ｇ１を加熱する。この加熱により、基板Ｇ１の温度が１００℃程度となるようにする。このように、第一移動部８７ａにより水平面に直交する方向に移動する基板Ｇ１に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、基板Ｇ１の全体が光照射部８１をＺ方向に通り過ぎるまで行われる。このように、光照射部８１は、基板Ｇ１の往復移動における往路及び復路のそれぞれの場合に光Ｌを照射する。なお、この手順に限られず、例えば、基板Ｇ１の往路及び復路のうち一方については光Ｌを照射しないようにしてもよい。
【００７０】
また、制御部ＣＯＮＴは、第一移動部８７ａを＋Ｘ方向に移動させる間に、現像ユニットＤＶから搬送される他の基板Ｇ２をチャンバ８０に搬入させる。このとき、制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを第二搬入出口８０ｂまで移動させ、基板Ｇ２を第二搬入出口８０ｂからチャンバ８０の内部に搬入させる。光処理ユニットＬＰでは、チャンバ８０に搬入された基板Ｇ２が第二受部８２ｂに載置される。制御部ＣＯＮＴは、第二受部８２ｂの内部の温度調整部８２ｄを作動させる。これにより、第二受部８２ｂに支持された基板Ｇ２は、温度調整部８２ｄによって所望の温度に調整される。
【００７１】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図７（ａ）に示すように、第一移動部８７ａを＋Ｚ方向へ移動させて光Ｌの照射前の位置に戻すと共に、第一調整部８４ａを駆動させることで第一保持部８３ａを第一受部８２ａ上へ移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、第二調整部８４ｂにワイヤー８５ｂを駆動させることにより、基板Ｇ２を保持する第二保持部８３ｂの姿勢を調整する。この調整により、基板Ｇ２の位置が第二受部８２ｂから第二移動部８７ｂ上に移動すると共に、基板Ｇ２の基板面が水平面（ＸＹ平面）に平行である状態から水平面に対して立った状態となる。このとき、基板Ｇ２の基板面は、垂直方向に対して５°〜１０°程度傾いた状態で配置される。これにより、第二移動部８７ｂを＋Ｚ方向に移動させる場合に、姿勢を安定化させることができる。なお、基板Ｇ２の基板面が水平面に対して垂直になるように当該基板Ｇ２を配置してもよい。
【００７２】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図７（ｂ）に示すように、第二保持部８３ｂ及び基板Ｇ２を載置させた第二移動部８７ｂを、ガイド部８６に沿って＋Ｚ方向に移動させる。基板Ｇ２が光照射部８１に差し掛かった後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１から光Ｌを射出させる。これにより、光照射部８１から射出された光Ｌが基板Ｇ２に照射される。このとき、制御部ＣＯＮＴは、加熱部８８を作動させ、光Ｌの照射を受ける基板Ｇ２を加熱する。この加熱により、基板Ｇ２の温度が１００℃程度となるようにする。このように、第二移動部８７ｂにより水平面に直交する方向に移動する基板Ｇ２に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、図８（ａ）に示すように、基板Ｇ２の全体が光照射部８１を−Ｚ方向に通り過ぎるまで行われる。また、制御部ＣＯＮＴは、図７（ｂ）に示すように、第一保持部８３ａによる基板Ｇ１の保持を解除させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを用いて、基板Ｇ１を第一搬入出口８０ａから搬出させる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４により、チャンバ８０から搬出させた基板Ｇ１を加熱装置ＰＢへと搬送させる。
【００７３】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図８（ｂ）に示すように、第二移動部８７ｂを−Ｚ方向に移動させる。基板Ｇ２が光照射部８１に差し掛かった後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１から光Ｌを再度射出させる。これにより、光照射部８１から射出された光Ｌが、−Ｚ方向に移動する基板Ｇ２に照射される。上記同様、このとき、制御部ＣＯＮＴは、加熱部８８を作動させ、光Ｌの照射を受ける基板Ｇ２を加熱する。この加熱により、基板Ｇ２の温度が１００℃程度となるようにする。このように、第一移動部８７ａにより水平面に直交する方向に移動する基板Ｇ２に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、基板Ｇ２の全体が光照射部８１を−Ｚ方向に通り過ぎるまで行われる。
【００７４】
また、制御部ＣＯＮＴは、第二移動部８７ｂを＋Ｘ方向に移動させる間に、現像ユニットＤＶから搬送される他の基板Ｇ３をチャンバ８０に搬入させる。このとき、制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを第一搬入出口８０ａまで移動させ、基板Ｇ３を第一搬入出口８０ａからチャンバ８０の内部に搬入させる。光処理ユニットＬＰでは、チャンバ８０に搬入された基板Ｇ３が第一受部８２ａに載置される。制御部ＣＯＮＴは、第一受部８２ａの内部の温度調整部８２ｃを作動させる。これにより、第一受部８２ａに支持された基板Ｇ１は、温度調整部８２ｃによって所望の温度に調整される。このように、光照射部８１は、基板Ｇ２の往復移動における往路及び復路のそれぞれの場合に光Ｌを照射する。なお、この手順に限られず、例えば、基板Ｇ２の往路及び復路のうち一方については光Ｌを照射しないようにしてもよい。
【００７５】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図９（ａ）に示すように、第二移動部８７ｂを−Ｚ方向へ移動させて光Ｌの照射前の位置に戻すと共に、第二調整部８４ｂを駆動させることで第二保持部８３ｂを第二受部８２ｂ上へ移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一調整部８４ａにワイヤー８５ａを駆動させることにより、基板Ｇ３を保持する第一保持部８３ａの姿勢を調整する。この調整により、基板Ｇ３の位置が第一受部８２ａから第一移動部８７ａ上に移動すると共に、基板Ｇ３の基板面が水平面（ＸＹ平面）に平行である状態から水平面に対して立った状態となる。このとき、基板Ｇ３の基板面は、上記基板Ｇ１、Ｇ２の場合と同様、垂直方向に対して５°〜１０°程度傾いた状態で配置される。これにより、基板Ｇ３姿勢を安定化させることができる。なお、基板Ｇ３の基板面が水平面に対して垂直になるように当該基板Ｇ３を配置してもよい。
【００７６】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図９（ｂ）に示すように、第一保持部８３ａ及び基板Ｇ３を載置させた第一移動部８７ａを、ガイド部８６に沿って−Ｚ方向に移動させる。基板Ｇ３が光照射部８１に差し掛かった後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１から光Ｌを射出させる。これにより、光照射部８１から射出された光Ｌが基板Ｇ３に照射される。このとき、制御部ＣＯＮＴは、加熱部８８を作動させ、光Ｌの照射を受ける基板Ｇ３を加熱する。この加熱により、基板Ｇ３の温度が１００℃程度となるようにする。このように、第一移動部８７ａにより水平面に直交する方向に移動する基板Ｇ３に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、図１０に示すように、基板Ｇ３の全体が光照射部８１を−Ｚ方向に通り過ぎるまで行われる。また、制御部ＣＯＮＴは、図９（ｂ）に示すように、第二保持部８３ｂによる基板Ｇ２の保持を解除させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを用いて、基板Ｇ２を第二搬入出口８０ｂから搬出させる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４により、チャンバ８０から搬出させた基板Ｇ２を加熱装置ＰＢへと搬送させる。
【００７７】
以上の動作を繰り返し行わせることにより、現像ユニットＤＶを経た基板Ｇに対して光照射処理（キュア処理）を行うことができる。
【００７８】
次に、基板Ｇは加熱装置５９においてポストベーク処理が行われ、冷却装置６０において冷却される。冷却処理後、基板Ｇは搬送機構１１を介してカセットＣに収容される。このようにして、基板Ｇに対して塗布処理、露光処理及び現像処理の一連の処理が行われることとなる。
【００７９】
以上のように、本実施形態によれば、基板移動部８７によって基板Ｇを水平面に対して立てた状態で水平面に交差する所定方向に基板Ｇを移動させた状態で、この基板Ｇに対して光照射部８１によって所定の波長の光Ｌを照射することができる。このため、基板Ｇを移動させるための水平方向のスペースを大幅に省略することができる。これにより、フットプリントの小さい光処理ユニットＬＰを提供することができる。
【００８０】
［第二実施形態］  
次に、本発明の第二実施形態を説明する。  
図１１は、本実施形態に係る光処理ユニットＬＰ２の構成を示す図である。  
図１１に示すように、光処理ユニットＬＰ２は、チャンバ８０の＋Ｘ側の壁部に沿って加熱部８９が設けられている。加熱部８９は、光照射部８１の＋Ｚ側に配置された第一加熱部８９ａと、光照射部８１の−Ｚ側に配置された第二加熱部８９ｂとを有している。これらの加熱部８９は、基板ＧがＺ方向に移動する際に、基板Ｇの温度を調整することができる。これにより、光Ｌの照射を受ける基板Ｇの温度をより効率的に１００℃程度に調整可能となる。
【００８１】
［第三実施形態］  
次に、本発明の第三実施形態を説明する。  
図１２は、本実施形態に係る光処理ユニットＬＰ３の構成を示す図である。  
図１２に示すように、光処理ユニットＬＰ３は、チャンバ３８０と、光照射部３８１と、基板加熱部３８２と、基板保持部３８３と、姿勢調整部３８４と、ワイヤー３８５と、ガイド部３８６と、基板移動部３８７と、受部補助部３８８と、加熱部３８９とを有している。
【００８２】
チャンバ３８０は、直方体の箱状に形成されており、Ｚ方向に長手に形成されている。チャンバ３８０のうち−Ｘ側の面３８０ｆには、基板搬入出口３８０ａが設けられている。基板搬入出口３８０ａは、面３８０ｆのうちＺ方向の中央部に対して＋Ｚ側の位置に配置されている。なお、基板搬入出口３８０ａは、面３８０ｆの＋Ｚ側の端辺との間に間隔を空けて配置されている。本実施形態において、基板Ｇの搬入及び搬出は、この基板搬入出口３８０ａの１箇所において行われるようになっている。
【００８３】
基板加熱部３８２は、例えば複数の部材から構成され、全体としては矩形に形成されている。基板加熱部３８２内部には電熱線などの加熱機構が設けられている。基板加熱部３８２は、チャンバ３８０に収容される基板Ｇの温度を調整する。受部補助部３８８は、基板ＧのＸ方向両側の端辺を保持する。これにより、基板Ｇが基板加熱部３８２によって加熱された状態で、−Ｚ方向に移動（落下）することなく支持されることになる。また、受部補助部３８８は、基板ＧのＸ方向両側の端辺を保持した状態で＋Ｚ側へ移動可能である。これにより、基板Ｇを基板加熱部３８２に近づけることが可能である。
【００８４】
基板保持部３８３は、基板加熱部３８２及び受部補助部３８８によって支持された基板Ｇを保持する。基板保持部３８３は、基板Ｇの基板面の中央部を空けるように当該基板Ｇの周縁部を保持する構成である。
【００８５】
姿勢調整部３８４は、ワイヤー部３８５及び基板保持部３８３を介して基板Ｇの姿勢及び位置を調整する。姿勢調整部３８４は、ワイヤー部３８５によって基板保持部３８３に接続されている。姿勢調整部３８４は、ワイヤー部３８５を駆動して基板保持部３８３の姿勢を調整することにより、当該基板保持部３８３に保持される基板Ｇの姿勢を調整する。
【００８６】
具体的には、姿勢調整部３８４は、基板Ｇの位置が基板加熱部３８２及び受部補助部３８８によって支持された位置であり基板Ｇの基板面が水平面（ＸＹ平面）に平行である状態と、基板Ｇの位置が基板移動部３８７（後述）上であり基板Ｇの基板面が水平面に対して立った状態と、の間で基板Ｇの姿勢及び位置を調整する。ワイヤー部３８５の一部は、基板保持部３８３の−Ｘ側端辺と＋Ｘ端辺とにそれぞれ接続されている。また、ワイヤー部３８５は、図示を省略しているが、基板保持部３８３の姿勢を調整可能となるようにチャンバ３８０内の各部に引き渡されている。
【００８７】
ガイド３８６は、移動部３８７を案内する。ガイド３８６は、Ｚ方向に平行に延びている。移動部３８７は、基板保持部３８３ごと基板Ｇを支持可能である。基板移動部３８７は、ガイド３８６に沿ってＺ方向に移動可能である。基板移動部３８７をＺ方向に移動させる不図示の駆動部が別途設けられている。
【００８８】
加熱部３８９は、ガイド３８６に沿ってＺ方向に配置されている。加熱部３８９は、基板移動部３８７に伴って移動する基板Ｇに対向するように配置されている。加熱部３８９は、基板Ｇが基板移動部３８７による移動時においても加熱することが可能となっている。
【００８９】
次に、上記のように構成された光処理ユニットＬＰ３の動作を説明する。  
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇを保持するロボットアームを＋Ｚ方向に移動させ、図１３（ａ）に示すように、基板Ｇを基板搬入出口３８０ａからチャンバ３８０の内部に搬入させる。光処理ユニットＬＰ３では、チャンバ３８０に搬入された基板Ｇが受部補助部３８８の支持部３８８ａによって支持される。
【００９０】
その後、制御部ＣＯＮＴは、図１３（ｂ）に示すように、受部補助部３８８を＋Ｚ側へ移動させ、基板Ｇを基板加熱部３８２に近接させる。なお、基板加熱部３８２は、予め作動させておく。この動作により、基板Ｇは基板加熱部３８２によって所望の温度に調整される。
【００９１】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図１４（ａ）に示すように、受部補助部３８８によって支持される基板Ｇの四辺に対してそれぞれ基板保持部３８３の各部を近接させる。これにより、基板保持部３８３に基板Ｇの周縁部が保持される。
【００９２】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図１４（ｂ）に示すように、姿勢調整部３８４にワイヤー３８５を駆動させることにより、基板Ｇを保持する基板保持部３８３の姿勢を調整する。この調整により、基板Ｇの位置が受部補助部３８８から基板移動部３８７上に移動すると共に、基板Ｇの基板面が水平面（ＸＹ平面）に平行である状態から水平面に対して立った状態となる。このとき、基板Ｇの基板面は、垂直方向に対して５°〜１０°程度傾いた状態で配置される。これにより、基板移動部３８７を＋Ｚ方向に移動させる場合に、姿勢を安定化させることができる。また、制御部ＣＯＮＴは、加熱部３８９を作動させる。これにより、基板移動部３８７に支持される基板Ｇを加熱することができる。なお、基板Ｇの基板面が水平面に対して垂直になるように当該基板Ｇを配置してもよい。
【００９３】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図１５（ａ）に示すように、基板保持部３８３及び基板Ｇを載置させた基板移動部３８７を、ガイド部３８６に沿って−Ｚ方向に移動させる。基板Ｇが光照射部３８１に差し掛かった後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部３８１から光Ｌを射出させる。これにより、光照射部３８１から射出された光Ｌが基板Ｇに照射される。このように、基板移動部３８７により水平面に直交する方向に移動する基板Ｇに対して、加熱部３８９によって基板Ｇが加熱された状態で、所定の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、図１５（ｂ）に示すように、基板Ｇの全体が光照射部３８１を−Ｚ方向に通り過ぎるまで行われる。この間も、加熱部３８９による基板Ｇの加熱が行われる。
【００９４】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図１６（ａ）に示すように、基板移動部３８７を＋Ｚ方向に移動させる。基板Ｇが光照射部３８１に差し掛かった後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部３８１から光Ｌを射出させる。これにより、光照射部３８１から射出された光Ｌが、＋Ｚ方向に移動する基板Ｇに照射される。このように、基板移動部３８７により水平面に直交する方向に移動する基板Ｇに対して、加熱部３８９によって基板Ｇが加熱された状態で、所定の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、基板Ｇの全体が光照射部３８１をＺ方向に通り過ぎるまで行われる。
【００９５】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図１６（ｂ）に示すように、基板移動部３８７を＋Ｚ方向へ移動させて光Ｌの照射前の位置に戻すと共に、姿勢調整部３８４を駆動させることで基板保持部３８３を受部補助部３８８に支持させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、基板保持部３８３による基板Ｇの保持を解除させると共に、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを用いて、基板Ｇを基板搬入出口３８０ａから搬出させる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４により、チャンバ３８０から搬出させた基板Ｇを加熱装置ＰＢへと搬送させる。
【００９６】
このように、本実施形態によれば、基板移動部３８７によって基板Ｇを移動しつつ光照射部３８１から光Ｌを照射させる際に、加熱部３８９によって基板Ｇを加熱し続けることができる。これにより、基板Ｇの温度を当該基板Ｇの移動時において調整することができるため、基板Ｇの温度状態を好適に維持することができる。
【００９７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、光Ｌの波長が３００ｎｍ以上、基板Ｇの温度が１００℃程度として光Ｌの照射を行う場合を例に挙げて説明したが、これに対して、例えば、光Ｌを照射する際の基板Ｇの周囲の水分濃度を露点−４７度程度にすることを加えてもよい。これにより、基板Ｇに塗布されるレジストの状態を更に良好にすることができる。
【符号の説明】
【００９８】
ＳＰＡ…基板処理装置  Ｇ…基板  ＬＰ…光処理ユニット  ８０…チャンバ  ８１…光照射部  
【図１】
2015050304.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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