(57)【要約】【課題】データ線の間隔が等間隔ではない場合に表示の均一性を確保する。【解決手段】第１のデータ線３４Gと、第１のデータ線３４Gに隣り合う第２のデータ線３４Rと、第１のデータ線３４Gに隣り合う第３のデータ線３４Bと、第２のデータ線３４Rに隣り合う第４のデータ線３４Bと、各データ線３４にデータ信号Ｖdを供給するデータ線駆動回路２４と、を備え、データ線駆動回路２４は、第１のデータ線３４Gにデータ信号Ｖdを供給する第１のサンプリングトランジスターＴｓと、第２のデータ線３４Rにデータ信号Ｖdを供給する第２のサンプリングトランジスターＴｓを備え、第２のデータ線３４Rと第３のデータ線３４Bとの間隔は第１のデータ線３４Gと第４のデータ線３４Bとの間隔よりも大きく、第２のサンプリングトランジスターＴｓの駆動能力は第１のサンプリングトランジスターＴｓの駆動能力よりも高い、ことを特徴とする表示パネル１０。【選択図】図７
2015004911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のデータ線と、
前記第１のデータ線に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第２のデータ線と、
前記第１のデータ線に前記第２のデータ線とは反対側に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第３のデータ線と、
前記第２のデータ線に前記第１のデータ線とは反対側に隣り合うように、前記第２のデータ線に沿って延在する第４のデータ線と、
前記第１のデータ線に対応して設けられた第１の画素と、
前記第２のデータ線に対応して設けられた第２の画素と、
前記第１のデータ線を介して、前記第１の画素に第１のデータ信号を供給する第１のサンプリングトランジスターと、
前記第２のデータ線を介して、前記第２の画素に第２のデータ信号を供給する第２のサンプリングトランジスターと、
を備え、
前記第２のデータ線と前記第３のデータ線との間隔は、
前記第１のデータ線と前記第４のデータ線との間隔よりも大きく、
前記第２のサンプリングトランジスターの駆動能力は、
前記第１のサンプリングトランジスターの駆動能力よりも高い、
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項２】
前記第２のサンプリングトランジスターのチャネル幅をチャネル長で除算した値は、
前記第１のサンプリングトランジスターのチャネル幅をチャネル長で除算した値よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学パネル。
【請求項３】
前記第１のサンプリングトランジスター及び前記第２のサンプリングトランジスターの各々は、
ソース領域と、
ドレイン領域と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間に設けられたチャネル領域と、
前記ソース領域及び前記チャネル領域の間に設けられた第１のＬＤＤ領域と、
前記ドレイン領域及び前記チャネル領域の間に設けられた第２のＬＤＤ領域と、
を備え、
前記ソース領域からドレイン領域に向かうチャネル長方向において、
前記第１のサンプリングトランジスターが備える第１のＬＤＤ領域の長さと第２のＬＤＤ領域の長さの合計長は、前記第２のサンプリングトランジスターが備える第１のＬＤＤ領域の長さと第２のＬＤＤ領域の長さの合計長よりも長い、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学パネル。
【請求項４】
前記電気光学パネルは、
少なくとも第１色及び第２色を表示可能であり、
前記第１の画素は、
前記第１のデータ線及び前記第３のデータ線の間に設けられ、前記第１色を表示可能であり、
前記第２の画素は、
前記第２のデータ線及び前記第１のデータ線の間に設けられ、前記第２色を表示可能であり、
前記第１色の光は、
前記第２色の光に比べて、分光感度が高い、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうち何れか１項に記載の電気光学パネル。
【請求項５】
第１色、第２色、及び、第３色を表示可能な電気光学パネルであって、
第１のデータ線と、
前記第１のデータ線に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第２のデータ線と、
前記第１のデータ線に前記第２のデータ線とは反対側に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第３のデータ線と、
前記第１のデータ線に対応して設けられ前記第１色を表示可能な第１の画素と、
前記第２のデータ線に対応して設けられ前記第２色を表示可能な第２の画素と、
前記第３のデータ線に対応して設けられ前記第３色を表示可能な第３の画素と、
前記第１のデータ線を介して、前記第１の画素に第１のデータ信号を供給する第１のサンプリングトランジスターと、
前記第２のデータ線を介して、前記第２の画素に第２のデータ信号を供給する第２のサンプリングトランジスターと、
前記第３のデータ線を介して、前記第３の画素に第３のデータ信号を供給する第３のサンプリングトランジスターと、
を備え、
前記第１の画素は、
前記第１のデータ線及び前記第３のデータ線の間に設けられ、
前記第１のデータ線と前記第３のデータ線との間隔は、
前記第１のデータ線と前記第２のデータ線との間隔よりも大きく、
前記第２のサンプリングトランジスターの駆動能力は、
前記第１のサンプリングトランジスターの駆動能力よりも高く、且つ、前記第３のサンプリングトランジスターの駆動能力よりも高い、
ことを特徴とする電気光学パネル。
【請求項６】
前記第１のデータ線の配線抵抗は、
前記第２のデータ線の配線抵抗よりも高い、
ことを特徴とする請求項１乃至５のうち何れか１項に記載の電気光学パネル。
【請求項７】
請求項１乃至６のうち何れか１項に記載の電気光学パネルを具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学パネル及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶素子や発光素子等の電気光学素子を備えた表示パネル等の電気光学パネルが各種提案されている。この電気光学パネルは、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素と、複数の画素の各々が表示すべき階調を規定するデータ信号を、データ線を介して各画素に供給するデータ線駆動回路と、を備える構成が一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−００８９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、データ線と画素回路を構成する各種配線との間、及び、互いに隣り合う２列のデータ線の間等には、容量が寄生する。そのため、一のデータ線に対応して設けられる画素を、他のデータ線に対応して設けられる画素に比べて大きくする場合等、複数のデータ線が等間隔にはならない場合には、複数のデータ線のそれぞれに寄生する容量の容量値が、データ線毎にばらつくことになる。データ線毎に寄生容量の容量値がばらつく場合、寄生容量の容量値が大きいデータ線に対応して設けられる画素に比べて、寄生容量の容量値が小さいデータ線に対応して設けられる画素に対するデータ信号の書込が不十分となるため、電気光学パネルの表示が不均一になるという問題があった。
【０００５】
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、データ線の間隔が等間隔とならないときであっても、表示の均一性を確保した高品位の表示を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学パネルは、第１のデータ線と、前記第１のデータ線に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第２のデータ線と、前記第１のデータ線に前記第２のデータ線とは反対側に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第３のデータ線と、前記第２のデータ線に前記第１のデータ線とは反対側に隣り合うように、前記第２のデータ線に沿って延在する第４のデータ線と、前記第１のデータ線に対応して設けられた第１の画素と、前記第２のデータ線に対応して設けられた第２の画素と、前記第１のデータ線を介して、前記第１の画素に第１のデータ信号を供給する第１のサンプリングトランジスターと、前記第２のデータ線を介して、前記第２の画素に第２のデータ信号を供給する第２のサンプリングトランジスターと、を備え、前記第２のデータ線と前記第３のデータ線との間隔は、前記第１のデータ線と前記第４のデータ線との間隔よりも大きく、前記第２のサンプリングトランジスターの駆動能力は、前記第１のサンプリングトランジスターの駆動能力よりも高い、ことを特徴とする。
【０００７】
この発明に係る電気光学パネルにおいて、第２のデータ線及び第１のデータ線の間隔と、第２のデータ線及び第４のデータ線の間隔との和は、第１のデータ線及び第２のデータ線の間隔と、第１のデータ線及び第３のデータ線の間隔との和に比べて小さい。このため、第２のデータ線に寄生する容量の容量値は、第１のデータ線に寄生する容量の容量値に比べて大きくなる。
この発明では、第２のデータに対応して設けられる第２のサンプリングトランジスターの駆動能力が、第１のデータに対応して設けられる第１のサンプリングトランジスターの駆動能力に比べて高い。そのため、第２のデータ線に対応して設けられる第２の画素が、第１のデータ線に対応して設けられる第１の画素に比べて、データ信号の書込が不十分となることを防止することができ、表示の均一性を確保することが可能となる。
【０００８】
また、上述した電気光学パネルにおいて、前記第２のサンプリングトランジスターのチャネル幅をチャネル長で除算した値は、前記第１のサンプリングトランジスターのチャネル幅をチャネル長で除算した値よりも大きい、ことを特徴とすることが好ましい。
この態様によれば、第２のサンプリングトランジスターの駆動能力を、第１のサンプリングトランジスターの駆動能力に比べて高くすることができる。そのため、第２のデータ線に対応して設けられる第２の画素が、第１のデータ線に対応して設けられる第１の画素に比べて、データ信号の書込が不十分になることを防止することができ、表示の均一性を確保することが可能となる。
【０００９】
また、上述した電気光学パネルにおいて、前記第１のサンプリングトランジスター及び前記第２のサンプリングトランジスターの各々は、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間に設けられたチャネル領域と、前記ソース領域及び前記チャネル領域の間に設けられた第１のＬＤＤ領域と、前記ドレイン領域及び前記チャネル領域の間に設けられた第２のＬＤＤ領域と、を備え、前記ソース領域からドレイン領域に向かうチャネル長方向において、前記第１のサンプリングトランジスターが備える第１のＬＤＤ領域の長さと第２のＬＤＤ領域の長さの合計長は、前記第２のサンプリングトランジスターが備える第１のＬＤＤ領域の長さと第２のＬＤＤ領域の長さの合計長よりも長い、ことを特徴とすることが好ましい。
この態様によれば、第２のサンプリングトランジスターの駆動能力を、第１のサンプリングトランジスターの駆動能力に比べて高くすることができる。
【００１０】
また、上述した電気光学パネルは、少なくとも第１色及び第２色を表示可能であり、前記第１の画素は、前記第１のデータ線及び前記第３のデータ線の間に設けられ、前記第１色を表示可能であり、前記第２の画素は、前記第２のデータ線及び前記第１のデータ線の間に設けられ、前記第２色を表示可能であり、前記第１色の光は、前記第２色の光に比べて、分光感度が高い、ことを特徴とすることが好ましい。
この態様によれば、第１のデータ線及び第３のデータ線の間隔を、第１のデータ線及び第２のデータ線の間隔に比べて大きくすることができるため、第１の画素を、第２の画素に比べて大きくすることができる。そのため、この態様に係る電気光学パネルでは、第１の画素の大きさが第２の画素の大きさ以下である場合と比較して、分光感度の高い第１の光をより多く出射することが可能となり、画面全体の明るさを向上させることができる。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学パネルは、第１色、第２色、及び、第３色を表示可能な電気光学パネルであって、第１のデータ線と、前記第１のデータ線に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第２のデータ線と、前記第１のデータ線に前記第２のデータ線とは反対側に隣り合うように、前記第１のデータ線に沿って延在する第３のデータ線と、前記第１のデータ線に対応して設けられ前記第１色を表示可能な第１の画素と、前記第２のデータ線に対応して設けられ前記第２色を表示可能な第２の画素と、前記第３のデータ線に対応して設けられ前記第３色を表示可能な第３の画素と、前記第１のデータ線を介して、前記第１の画素に第１のデータ信号を供給する第１のサンプリングトランジスターと、前記第２のデータ線を介して、前記第２の画素に第２のデータ信号を供給する第２のサンプリングトランジスターと、前記第３のデータ線を介して、前記第３の画素に第３のデータ信号を供給する第３のサンプリングトランジスターと、を備え、前記第１の画素は、前記第１のデータ線及び前記第３のデータ線の間に設けられ、前記第１のデータ線と前記第３のデータ線との間隔は、前記第１のデータ線と前記第２のデータ線との間隔よりも大きく、前記第２のサンプリングトランジスターの駆動能力は、前記第１のサンプリングトランジスターの駆動能力よりも高く、且つ、前記第３のサンプリングトランジスターの駆動能力よりも高い、ことを特徴とする。
【００１２】
また、上述した電気光学パネルにおいて、前記第１のデータ線の配線抵抗は、前記第２のデータ線の配線抵抗よりも高い、ことを特徴とすることが好ましい。
【００１３】
なお、本発明は、電気光学パネルのほか、当該電気光学パネルを有する電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図２】同電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図３】同電気光学装置における画素回路を示す図である。
【図４】同電気光学装置における画素回路の構成を示す平面図である。
【図５】同電気光学装置における画素回路の構成を示す部分断面図である。
【図６】同電気光学装置におけるデータ線駆動回路の構成を示すブロック図である。
【図７】同電気光学装置における画素及びサンプリングトランジスターの構成を示す平面図である。
【図８】同電気光学装置におけるサンプリングトランジスターの構成を示す部分断面図である。
【図９】同電気光学装置におけるサンプリングトランジスターの構成を示す平面図である。
【図１０】同電気光学装置におけるサンプリングトランジスターの構成を示す部分断面図である。
【図１１】変形例１に係る電気光学装置におけるサンプリングトランジスターの構成を示す平面図である。
【図１２】変形例１に係る電気光学装置におけるサンプリングトランジスターの構成を示す平面図である。
【図１３】変形例２に係る電気光学装置におけるデータ線駆動回路の構成を示すブロック図である。
【図１４】変形例３に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図１５】変形例４に係る画素の配列を説明するための説明図である。
【図１６】変形例４に係る画素の配列を説明するための説明図である。
【図１７】電子機器（ＨＭＤ）の斜視図である。
【図１８】ＨＭＤの光学構成を示す図である。
【図１９】電子機器（パーソナルコンピュータ）の斜視図である。
【図２０】電子機器（携帯電話機）の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。ただし、各図において、各部の寸法及び縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１６】
＜Ａ．実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す斜視図である。
図１に示すように、電気光学装置１は、表示パネル１０（「電気光学パネル」の一例）と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路５０とを備える。
表示パネル１０は、複数の画素と、当該画素（画素に対応して設けられる画素回路）を駆動する駆動回路とを備える。表示パネル１０は、例えば、表示部で開口する枠状のケース２０１に収納されるとともに、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板２０２の一端が接続される。ＦＰＣ基板２０２には、半導体チップの制御回路５０が、ＣＯＦ（Chip On Film）技術によって実装されるとともに、複数の端子２０３が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
【００１７】
図２は、実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。上述のとおり、電気光学装置１は、表示パネル１０と、制御回路５０とを備える。
制御回路５０には、図示省略された上位回路より、デジタルの画像データＶideoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶideoとは、表示パネル１０で画像を表示するときに各画素が表示すべき階調レベルを例えば８ビットで規定するデジタルデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、及び、ドットクロック信号を含む信号である。
制御回路５０は、同期信号に基づいて、表示パネル１０の動作を制御するための信号である制御信号Ｃtrを生成し、これを表示パネル１０に対して供給する。また、制御回路５０は、画像データＶideoに基づいてアナログの画像信号Ｖidを生成し、これを表示パネル１０に対して供給する。画像信号Ｖidは、画素Ｐxが画像データＶideoの指定する階調を表示するように、当該画素Ｐxが備える液晶素子（後述する液晶素子ＣL）の透過率を規定する電位を示す信号である。
【００１８】
図２に示すように、表示パネル１０には、表示領域３０において、複数の画素Ｐxが配列されている。
具体的には、表示領域３０において、Ｍ行の走査線３２が図においてＸ方向（「第２方向」の一例）に延在して設けられ、また、Ｎ列のデータ線３４が図においてＹ方向（「第１方向」の一例）に延在し、かつ、各走査線３２と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、Ｍ行の走査線３２とＮ列のデータ線３４との交差部に対応して画素Ｐxが設けられている。つまり、本実施形態において画素Ｐxは、縦Ｍ行×横Ｎ列でマトリクス状に配列されている。ここで、Ｍ、Ｎは、いずれも自然数である。
なお、図２では図示省略するが、表示領域３０において、Ｍ行の給電線３８が、図においてＸ方向に延在し、かつ、各データ線３４と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。
【００１９】
以下では、走査線３２、給電線３８、及び、画素Ｐxの行（ロウ）を区別するために、図において上から順に第１行、第２行、…、第Ｍ行と呼ぶ場合がある。同様に、データ線３４及び画素Ｐxの列（カラム）を区別するために、図において左から順に第１列、第２列、第３列、…、第Ｎ列と呼ぶ場合がある。また、第ｎ列の画素Ｐxを、画素Ｐx[n]と表す場合がある（ｎは、１以上Ｎ以下の整数）。
【００２０】
表示領域３０に設けられる複数の画素Ｐxには、緑色Ｇ（「第１色」の一例）を表示可能な画素ＰxGと、赤色Ｒ（「第２色」の一例）を表示可能な画素ＰxRと、青色Ｂ（「第３色」の一例）を表示可能な画素ＰxBと、が含まれる。
より具体的には、ｋを、３≦ｋを満たす３の倍数の整数として、図２に示すように、第１列〜第Ｎ列のうち、第（ｋ−２）列にはＭ行の画素ＰxRが配置され、第（ｋ−１）列にはＭ行の画素ＰxGが配置され、第ｋ列にはＭ行の画素ＰxBが配置される。
なお、以下では、画素ＰxGに対応するデータ線３４を、符号「３４G」で表し、画素ＰxRに対応するデータ線３４を、符号「３４R」で表し、画素ＰxBに対応するデータ線３４を、符号「３４B」で表すことがある。
また、本実施形態では、表示領域３０全体の表示を明るくするため、電気光学装置１が表示可能な色（赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂ）のうち、最も分光感度の高い光に対応する色である緑色Ｇ（第１色）が表示される領域の面積を広くする。具体的には、画素ＰxGのＸ方向の幅を、画素ＰxR及び画素ＰxGのＸ方向の幅よりも大きくする。また、画素ＰxR及び画素ＰxGのＸ方向の幅は、略同じ幅とする。
【００２１】
図２に示すように、表示パネル１０は、駆動回路２０を備える。画素Ｐxは、画素Ｐxに対応して設けられる画素回路１１０を含む。駆動回路２０は、これら、各画素Ｐxに対応する各画素回路１１０を駆動する。
【００２２】
駆動回路２０は、走査線駆動回路２２と、データ線駆動回路２４とを備える。
走査線駆動回路２２は、第１行〜第Ｍ行の走査線３２を行単位で順次に走査（選択）する手段である。具体的には、走査線駆動回路２２は、１フレームの期間において、第１行〜第Ｍ行の走査線３２のそれぞれに対して出力する走査信号Ｇw［１］〜Ｇw［Ｍ］を、水平走査期間毎に順番に所定の選択電位に設定することで、走査線３２を行単位で順次に選択する。なお、１フレームの期間とは、電気光学装置１が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間である。
データ線駆動回路２４は、制御回路５０より供給される画像信号Ｖid及び制御信号Ｃtrに基づいて、各画素回路１１０に対応する画素Ｐxが表示すべき階調を規定するデータ信号Ｖd［１］〜Ｖd［Ｎ］を生成するとともに、水平走査期間毎に、Ｎ列のデータ線３４に対して出力する。
なお、本実施形態では、制御回路５０が出力する画像信号Ｖidはアナログの信号であるが、制御回路５０はデジタルの画像信号を出力するものであってもよい。この場合、データ線駆動回路２４において、デジタルの画像信号をＤ／Ａ変換することで、データ信号Ｖd［１］〜Ｖd［Ｎ］を生成すればよい。
【００２３】
図３に、画素Ｐxが備える画素回路１１０の等価回路図の一例を示す。なお、各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、第ｍ行第ｎ列の画素回路１１０を例にとって説明する。ここで、ｍは、１以上Ｍ以下の整数であり、ｎは、１以上Ｎ以下の整数である。
【００２４】
図３に示されるように、画素回路１１０は、基板１５０（図３では図示省略）に形成され、Ｐチャネル型のトランジスター１１２、液晶素子ＣL、及び、容量１１４を含む。
液晶素子ＣLは、画素電極１２２、共通電極１２４、並びに、画素電極１２２及び共通電極１２４の間に設けられた液晶１２６を具備する電気光学素子である。画素電極１２２と共通電極１２４との間の印加電圧に応じて液晶１２６の透過率が変化し、その結果、当該画素回路１１０に対応する画素Ｐxの表示階調が変化する。共通電極１２４は、一定の電位Ｖcomに設定されている。
容量１１４は、２つの電極を有し、一方の電極が画素電極１２２に電気的に接続され、他方の電極が一定の電圧に保たれた給電線３８に電気的に接続される。
【００２５】
この画素回路１１０には、第ｍ行の走査線３２を介して、走査線駆動回路２２から走査信号Ｇw［ｍ］が供給される。
トランジスター１１２は、ゲートが第ｍ行の走査線３２に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が第ｎ列のデータ線３４に電気的に接続されている。また、トランジスター１１２は、ソースまたはドレインの他方が、容量１１４が有する２つの電極のうち一方の電極、及び、画素電極１２２にそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、トランジスター１１２は、画素電極１２２とデータ線３４との間に電気的に接続され、画素電極１２２とデータ線３４との間の電気的な接続を制御する。
【００２６】
画素回路１１０の構造について、図４および図５を参照しつつ説明する。各画素回路１１０は同様に構成されるため、図４および図５では、１つの画素回路１１０（例えば、第ｍ行第ｎ列の画素回路１１０）を例にとって説明する。図４は、トップエミッション構造の画素回路１１０を表面側から平面視した場合の、画素回路１１０の配線構造を示す平面図である。また、図５は、図４におけるＤ−ｄ線で破断した部分断面図である。これら図４及び図５では、簡略化のために、後述する画素電極１２２よりも表面側に形成される構造体を省略している。
なお、「表面側」とは、図５において、基板１５０から見て画素回路１１０が設けられる方向である。また、表面側とは逆側、つまり、画素電極１２２から見て基板１５０が設けられる方向を「裏面側」と表現することがある。また、表面側から電気光学装置１を見ること（つまり、基板１５０に垂直な方向から電気光学装置１を見ること）を「平面視」と表現することがある。
【００２７】
図５に示すように、画素回路１１０を構成する各要素は、基板１５０上に形成されている。基板１５０は、ガラスやプラスチック等の透明な絶縁性材料からなる板状の部材である。
基板１５０上には、トランジスター１１２の半導体層１１２ａ、１１２ｂ、及び、１１２ｃが設けられる。半導体層１１２ａは、トランジスター１１２のソース領域またはドレイン領域の一方に相当し、半導体層１１２ｂは、トランジスター１１２のソース領域またはドレイン領域の他方に相当し、半導体層１１２ｃは、トランジスター１１２のチャネル領域に相当する。
【００２８】
図５に示すように、半導体層１１２ａ、１１２ｂ、及び、１１２ｃ、並びに、基板１５０を覆うように、透明な非導電性材料からなるゲート絶縁層Ｌ０が形成される。
ゲート絶縁層Ｌ０の表面側には、導電性材料からなる第１配線層がパターニングにより形成される。この第１配線層には、行毎に設けられる走査線３２と、画素Ｐx毎に設けられるゲートノード１１２ｇと、が含まれる。ゲートノード１１２ｇは、走査線３２に電気的に接続される。このゲートノード１１２ｇのうち、平面視して半導体層１１２ｃに重なる部分が、トランジスター１１２のゲートに相当する。
【００２９】
図５に示すように、第１配線層及びゲート絶縁層Ｌ０を覆うように、透明な非導電性材料からなる第１層間絶縁層Ｌ１が形成される。
第１層間絶縁層Ｌ１の表面側には、導電性材料からなる第２配線層がパターニングにより形成される。この第２配線層には、列毎に設けられるデータ線３４と、画素Ｐx毎に設けられる中継ノードＮ１及びＮ２と、が含まれる。中継ノードＮ１は、データ線３４に電気的に接続されとともに、第１層間絶縁層Ｌ１及びゲート絶縁層Ｌ０を貫通するコンタクトホールＨa1を介して、半導体層１１２ａに電気的に接続される。中継ノードＮ２は、コンタクトホールＨa2を介して、半導体層１１２ｂに電気的に接続される。なお、図４において、コンタクトホールは、異種の配線層同士が重なる部分で「□」印に「×」印を付した部分として示している。
【００３０】
図５に示すように、第２配線層及び第１層間絶縁層Ｌ１を覆うように、透明な非導電性材料からなる第２層間絶縁層Ｌ２が形成される。
第２層間絶縁層Ｌ２の表面側には、導電性材料からなる第３配線層がパターニングにより形成される。この第３配線層には、行毎に設けられる給電線３８と、画素Ｐx毎に設けられる中継ノードＮ３と、が含まれる。中継ノードＮ３は、給電線３８に電気的に接続される。中継ノードＮ２及び中継ノードＮ３が、第２層間絶縁層Ｌ２を挟持することで、容量１１４が形成される。
【００３１】
図５に示すように、第３配線層及び第２層間絶縁層Ｌ２を覆うように、透明な非導電性材料からなる第３層間絶縁層Ｌ３が形成される。
第３層間絶縁層Ｌ３の表面側には、導電性材料からなる第４配線層がパターニングにより形成される。この第４配線層には、画素Ｐx毎に設けられる画素電極１２２が含まれる。画素電極１２２は、透明な導電性材料より形成され、コンタクトホールＨa3を介して、中継ノードＮ２に電気的に接続される。
【００３２】
図示は省略するが、画素電極１２２の表面側には液晶１２６が設けられ、更に、液晶１２６の表面側には、透明な導電性材料より形成される共通電極１２４が、複数の画素回路１１０に共通に設けられる。そして、共通電極１２４の表面側には、画素Ｐxが表示する色に対応して、赤色Ｒ、緑色Ｇ、及び、青色Ｂのいずれかのカラーフィルターが重ねられる。
また、基板１５０の裏面側には、光源が設けられる。光源から出射された光は、基板１５０、各種絶縁層（Ｌ０〜Ｌ３）、画素電極１２２、液晶１２６、及び、共通電極１２４を透過し、カラーフィルターにより着色されたうえで、図５において表面側に位置する観察者により映像として視認されることになる。すなわち、画素ＰxGは、後述する光源より出射された光をデータ信号Ｖd［ｎ］に応じて変調して緑色Ｇの光を出射し、画素ＰxRは、光源より出射される光をデータ信号Ｖd［ｎ］に応じて変調して赤色Ｒの光を出射し、画素ＰxBは、光源より出射される光をデータ信号Ｖd［ｎ］に応じて変調して青色Ｂの光を出射する。
また、以上で説明した以外にも、発光層を大気から遮断するための封止材などが設けられるが、説明は省略する。
【００３３】
なお、図４及び図５では、トランジスター１１２、容量１１４、及び、給電線３８は、平面視したときにデータ線３４または走査線３２に重ならない位置に設けられているが、データ線３４または走査線３２に重なる位置に設けても構わない。
【００３４】
次に、図６を参照しつつ、データ線駆動回路２４について説明する。
図６に示すように、データ線駆動回路２４は、シフトレジスタ２４１と、Ｎ個のサンプリングトランジスターＴｓ（以下、単に「トランジスターＴｓ」と称する）を含む。また、データ線駆動回路２４は、制御回路５０から画像信号Ｖidが供給される信号線２４２と、Ｎ列の接続配線２４３と、を備える。
【００３５】
Ｎ個のトランジスターＴｓは、Ｎ列のデータ線３４と１対１に対応し、且つ、Ｎ列の接続配線２４３と１対１に対応するように設けられている。具体的には、トランジスターＴｓ［ｎ］のソースまたはドレインの一方は、第ｎ列のデータ線３４に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方は、画像信号Ｖidが供給される信号線２４２に電気的に接続されている。また、トランジスターＴｓ［ｎ］のゲートは、第ｎ列の接続配線２４３に対して電気的に接続される。
【００３６】
シフトレジスタ２４１は、１水平走査期間を、少なくともＮ個の期間に区分し、区分した期間毎に、Ｎ個のトランジスターＴｓ［１］〜Ｔｓ［Ｎ］を１個ずつ順番に（排他的に）オンさせる手段である。具体的には、シフトレジスタ２４１は、選択信号Ｘ［１］〜Ｘ［Ｎ］のそれぞれを、Ｎ本の接続配線２４３のそれぞれに対して出力する。そして、１水平走査期間を区分したＮ個の期間のうちｎ番目の期間において、選択信号Ｘ［１］〜Ｘ［Ｎ］のうち選択信号Ｘ［ｎ］を選択電位に設定する。
選択信号Ｘ［ｎ］が選択電位に設定されると、トランジスターＴｓ［ｎ］がオンし、信号線２４２と第ｎ列のデータ線３４とが電気的に接続される。これにより、画像信号Ｖidを時分割したデータ信号Ｖd［１］〜Ｖd［Ｎ］のうち、データ信号Ｖd［ｎ］が、第ｎ列のデータ線３４に対して出力される。
このように、データ線駆動回路２４は、画像信号Ｖidを時分割したデータ信号Ｖd［１］〜Ｖd［Ｎ］のそれぞれを、第１列〜第Ｎ列のデータ線３４のそれぞれに対して出力する。
なお、以下では、データ線３４Rに対応して設けられるトランジスターＴｓを「ＴｓR」と表し、データ線３４Gに対応して設けられるトランジスターＴｓを「ＴｓG」と表し、データ線３４Bに対応して設けられるトランジスターＴｓを「ＴｓB」と表す
ことがある。
【００３７】
次に、図７及び図８を参照しつつ、画素ＰxのＸ方向の幅（つまり、隣り合う２列のデータ線３４の間隔）と、トランジスターＴｓの駆動能力（つまり、トランジスターＴｓのトランジスターサイズ）との関係について説明する。
図７は、Ｘ方向において連続する４個のトランジスターＴｓと、当該４個のトランジスターＴｓに対応して設けられる４列のデータ線３４と、当該４列のデータ線に対応して設けられる複数の画素Ｐxとを、平面視したときの平面図である。具体的には、図７では、第ｋ列〜第（ｋ＋３）列の４個のトランジスターＴｓ［ｋ］〜Ｔｓ［ｋ＋３］及び４列のデータ線３４と、第ｋ列〜第（ｋ＋３）列に配置された２行分の８個の画素Ｐxとを表している。また、図８は、図７におけるＥ−ｅ線で破断した部分断面図である。
【００３８】
図７及び図８に示すように、基板１５０上には、各トランジスターＴｓに対応して半導体層２４４、２４５、及び、２４６が設けられる。データ線３４は、コンタクトホールＨbを介して、半導体層２４４に電気的に接続され、信号線２４２は、コンタクトホールＨcを介して、半導体層２４５に電気的に接続される。また、接続配線２４３は、平面視して半導体層２４６に重なるように設けられる。すなわち、半導体層２４４は、トランジスターＴｓのソース領域またはドレイン領域の一方に相当し、半導体層２４５は、トランジスターＴｓのソース領域またはドレイン領域の他方に相当し、半導体層２４６は、トランジスターＴｓのチャネル領域に相当する。また、接続配線２４３のうち、平面視して半導体層２４６に重なる部分が、トランジスターＴｓのゲートに相当する。
【００３９】
上述のとおり、画素ＰxGのＸ方向の幅は、画素ＰxR及び画素ＰxGのＸ方向の幅よりも大きい。また、画素ＰxR及び画素ＰxGのＸ方向の幅は、略同じ幅である。
ここで、図７に示すように、データ線３４B（例えば、第（ｋ）列のデータ線３４）と、当該データ線３４Bに隣り合うデータ線３４R（例えば、第（ｋ＋１）列のデータ線３４）の間隔をＤBRで表す。また、データ線３４R（例えば、第（ｋ＋１）列のデータ線３４）と、当該データ線３４Rに隣り合うデータ線３４G（例えば、第（ｋ＋２）列のデータ線３４）との間隔をＤRGで表す。また、データ線３４G（例えば、第（ｋ＋２）列のデータ線３４）と、当該データ線３４Gに隣り合うデータ線３４B（例えば、第（ｋ＋３）列のデータ線３４）との間隔をＤGBで表す。このとき、これらの３つの間隔の間には、以下の式（１）が成立する。
ＤGB  ＞  ＤBR  ≒  ＤRG    ……（１）
よって、式（１）から、以下の式（２）を導くことができる。
ＤGB  ＋  ＤRG  ＞  ＤBR  ＋  ＤRG    ……（２）
なお、式（１）において、「ＤBR  ≒  ＤRG」としたのは製造誤差を考慮したためであり、製造誤差を考慮しない場合には「ＤBR  ＝  ＤRG」と表すことができる。以下の説明で「等しい」というときは、「厳密に等しい」場合と、「略同じ」場合の双方を含むこととする。また、「略同じ」または「略等しい」というときは、「厳密に等しい」場合と、「製造誤差の範囲で等しい」場合、すなわち、製造誤差を考慮すれば等しいと看做すことができる場合の双方を含むこととする。
【００４０】
ところで、図４及び図５に示すように、データ線３４と走査線３２との間、データ線３４と給電線３８との間、及び、データ線３４とトランジスター１１２等の画素回路１１０の各構成要素との間等には、それぞれ容量Ｃｐが寄生する。
また、容量Ｃｐ以外にも、データ線３４には、当該データ線３４に隣り合うデータ線３４との間に、容量が寄生する。具体的には、図７に示すように、データ線３４Gと、当該データ線３４Gに隣り合うデータ線３４Bとの間には、容量ＣGBが寄生し、データ線３４Bと、当該データ線３４Bに隣り合うデータ線３４Rとの間には、容量ＣBRが寄生し、データ線３４Rと、当該データ線３４Rに隣り合うデータ線３４Gとの間には、容量ＣRGが寄生する。
【００４１】
走査線３２、給電線３８、画素回路１１０等と、データ線３４との間に寄生する容量Ｃｐの容量値の合計値Ｃp_allは、データ線３４R、データ線３４G、データ線３４Bの間でのばらつきは小さく、略等しいと看做すことが可能である。
すなわち、第１列及び第Ｎ列を除き、データ線３４Rに寄生する容量ＣRの容量値は、「ＣBR＋ＣRG＋Ｃp_all」となり、データ線３４Gに寄生する容量ＣGの容量値は、「ＣGB＋ＣRG＋Ｃp_all」となり、データ線３４Bに寄生する容量ＣBの容量値は、「ＣGB＋ＣBR＋Ｃp_all」となる（なお、以下では、記載の便宜上、容量値を、容量を表す符号を流用して表すことがある）。
【００４２】
一方、間隔ＤGBは、間隔ＤBR及び間隔ＤRGに比べて大きいため、容量ＣGBの容量値、容量ＣBRの容量値、及び、容量ＣRGの容量値の間には、以下の式（３）の関係が成立する。
ＣGB  ＜  ＣBR  ≒  ＣRG    ……（３）
すなわち、第１列及び第Ｎ列を除き、容量ＣRの容量値、容量ＣGの容量値、及び、容量ＣBの容量値の間には、以下の式（４）の関係が成立する。
ＣR  ＞  ＣG  ≒  ＣB    ……（４）
【００４３】
このため、仮に、トランジスターＴｓR、トランジスターＴｓG、及び、トランジスターＴｓBが、互いに等しい（略等しい）駆動能力を有する場合、データ線３４Rに対応する画素ＰxRのみ、データ信号Ｖd［ｎ］の書込が不十分となり、表示が不均一になる。
なお、トランジスターＴｓの駆動能力とは、トランジスターＴｓが供給しうる電流の大きさを規定する能力である。つまり、データ信号Ｖd［ｎ］の示す電位が同一である場合であっても、トランジスターＴｓの駆動能力が高いときには、トランジスターＴｓの駆動能力が低いときに比べて、トランジスターＴｓから供給される電流は大きくなる。
【００４４】
本実施形態では、画素ＰxRに対する書込が不十分となり、赤色Ｒが十分に表示されないという事象の発生を防止するために、トランジスターＴｓRの駆動能力が、トランジスターＴｓGの駆動能力よりも高く、且つ、トランジスターＴｓBの駆動能力よりも高くなるように、各トランジスターＴｓを設ける。
具体的には、図７に示すように、トランジスターＴｓRのチャネル長ＬRが、トランジスターＴｓGのチャネル長ＬGよりも短く、且つ、トランジスターＴｓBのチャネル長ＬBよりも短くなるように、各トランジスターＴｓを設けることで、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓG、ＴｓB）の駆動能力よりも高くする。
なお、本実施形態では、トランジスターＴｓR、トランジスターＴｓG、及び、トランジスターＴｓBのチャネル幅が、いずれも等しい（略等しい）チャネル幅Ｗ0となるように、各トランジスターＴｓを設ける。また、本実施形態では、Ｎ個のトランジスターＴｓは、Ｙ方向の位置が互いに等しく（略等しく）なるように設けられる。
【００４５】
このように、本実施形態では、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓG、ＴｓB）の駆動能力よりも高くするため、データ線３４Rから見た、両隣のデータ線３４までの間隔の和「ＤBR＋ＤRG」が、データ線３４Gから見た、両隣のデータ線３４までの間隔の和「ＤRG＋ＤGB」よりも小さく、且つ、データ線３４Bから見た、両隣のデータ線３４までの間隔の和「ＤGB＋ＤBR」よりも小さい場合であっても、画素ＰxRに対するデータ信号Ｖd［ｎ］の書込が、他の画素Ｐx（ＰxB、ＰxG）に比べて不十分になることを防止することができ、これにより、表示が不均一となることを抑止することができる。
【００４６】
なお、トランジスターＴｓRの駆動能力は、データ信号Ｖd［ｎ］が同一の電位を示す場合において、トランジスターＴｓRが供給する電流の大きさが、他のトランジスターＴｓ（ＴｓB、ＴｓG）が供給する電流の大きさと等しく（略等しく）なるように定められることが好ましい。この場合、表示の均一性をより高いものとすることができる。
【００４７】
また、本実施形態では、平面視したときの画素ＰxGの面積（Ｘ方向の幅）が、画素ＰxBの面積や、画素ＰxRの面積に比べて大きい。緑色Ｇの光は、画素ＰxBの光及び画素ＰxRの光に比べて分光感度が高いため、表示領域３０全体の明るさを明るくすることができる。すなわち、本実施形態は、表示領域３０の全体の明るさの向上と、表示の不均一性の低下の防止と、を両立することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、トランジスターＴｓRのＸ方向の幅、つまり、トランジスターＴｓRのチャネル長ＬRを、トランジスターＴｓGのチャネル長ＬG、及び、トランジスターＴｓBのチャネル長ＬBよりも短くすることで、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓB、ＴｓG）の駆動能力よりも高くするため、例えば、トランジスターＴｓRのＹ方向の幅、つまり、トランジスターＴｓRのチャネル幅を大きくすることで、トランジスターＴｓの駆動能力を高める場合と比較して、狭額縁化が可能となる。
【００４９】
なお、本実施形態において、図７に示す第（ｋ＋２）列のデータ線３４Gは、「第１のデータ線」の一例であり、第（ｋ＋１）列のデータ線３４Rは、「第２のデータ線」の一例であり、第（ｋ＋３）列のデータ線３４Bは、「第３のデータ線」の一例であり、第ｋ列のデータ線３４Bは、「第４のデータ線」の一例である。
また、以下では、第１のデータ線に対応して設けられる画素Ｐxを、「第１の画素」と称し、第２のデータ線に対応して設けられる画素Ｐxを、「第２の画素」と称し、第３のデータ線に対応して設けられる画素Ｐxを、「第３の画素」と称する場合がある。また、以下では、第１のデータ線に対応して設けられるトランジスターＴｓを、「第１のサンプリングトランジスター」と称し、第２のデータ線に対応して設けられるトランジスターＴｓを、「第２のサンプリングトランジスター」と称し、第３のデータ線に対応して設けられるトランジスターＴｓを、「第３のサンプリングトランジスター」と称する場合がある。また、以下では、第１のサンプリングトランジスターが第１の画素に供給するデータ信号Ｖd［ｎ］を第１のデータ信号と称し、第２のサンプリングトランジスターが第２の画素に供給するデータ信号Ｖd［ｎ］を第２のデータ信号と称し、第３のサンプリングトランジスターが第３の画素に供給するデータ信号Ｖd［ｎ］を第３のデータ信号と称する場合がある。
【００５０】
すなわち、式（２）は、第２のデータ線と第３のデータ線との間隔が、第１のデータ線と第４のデータ線との間隔よりも大きいことを例示するものである。また、式（４）は、第２のデータ線に寄生する容量の容量値が、第１のデータ線に寄生する容量の容量値よりも大きいことを例示するものである。
すなわち、本実施形態によれば、第２のデータ線と第３のデータ線との間隔が、第１のデータ線と第４のデータ線との間隔よりも大きいことにより、第２のデータ線に寄生する容量の容量値が、第１のデータ線に寄生する容量の容量値よりも大きくなる場合であっても、第２のデータ線に対応して設けられる第２のサンプリングトランジスターの駆動能力を、第１のデータ線に対応して設けられる第１のサンプリングトランジスターの駆動能力よりも高くするため、第２の画素に対するデータ信号Ｖd［ｎ］の書込が、第１の画素に対するデータ信号Ｖd［ｎ］の書込に比べて不十分となることを防止し、表示の均一性を高めることができる。
【００５１】
ところで、本実施形態では、図７に示すように、トランジスターＴｓRのチャネル長ＬRを短くすることで、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓB、ＴｓG）の駆動能力よりも高くするが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。すなわち、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓG、ＴｓB）の駆動能力よりも高くする具体的な手段としては、どのような手段によるものであってもよい。
例えば、図９に示すように、トランジスターＴｓRのチャネル幅ＷRを、トランジスターＴｓGのチャネル幅ＷG、及び、トランジスターＴｓBのチャネル幅ＷBよりも長くすることで、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓB、ＴｓG）の駆動能力より高くするものであってもよい。
この場合、図９に示すように、各トランジスターＴｓのチャネル長を等しい長さＬ0としてもよいし、図７に示すように、トランジスターＴｓR、ＴｓG、及び、ＴｓBの間で、チャネル長Ｌを異なる長さとしてもよい。
要するに、トランジスターＴｓRのチャネル幅をチャネル長で除算した値が、トランジスターＴｓGのチャネル幅をチャネル長で除算した値よりも大きく、且つ、トランジスターＴｓBのチャネル幅をチャネル長で除算した値よりも大きくなるように、各トランジスターＴｓを設けるものであればよい。
【００５２】
また、トランジスターＴｓ等の各種トランジスターは、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するものであってもよい。すなわち、図１０に示すように、各トランジスターＴｓは、半導体層２４４と半導体層２４６との間にＬＤＤ領域Ｌd1（「第１のＬＤＤ領域」の一例）を備え、且つ、半導体層２４５と半導体層２４６との間にＬＤＤ領域Ｌd2（「第２のＬＤＤ領域」の一例）を備えるものであってもよい。
この場合、トランジスターＴｓのチャネル幅及びチャネル長の少なくとも一方を調整することに加え、または、トランジスターＴｓのチャネル幅及びチャネル長の少なくとも一方を調整することに替えて、トランジスターＴｓのソース領域またはドレイン領域の一方から他方に向かう方向（「チャネル長方向」の一例）における、ＬＤＤ領域Ｌd1の長さΔＬd1と、ＬＤＤ領域Ｌd2の長さΔＬd2との和「ΔＬd1＋ΔＬd2」を調整することで、トランジスターＴｓの駆動能力を調整してもよい。
より具体的には、トランジスターＴｓRにおける長さΔＬd1及び長さΔＬd2の和が、トランジスターＴｓGにおける長さΔＬd1及び長さΔＬd2の和よりも小さく、且つ、トランジスターＴｓBにおける長さΔＬd1及び長さΔＬd2の和よりも小さくなるように各トランジスターＴｓを設けることで、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓB、ＴｓG）の駆動能力よりも高くしてもよい。
【００５３】
なお、第１列のデータ線３４は、第２列のデータ線３４のみと隣り合い、第Ｎ列のデータ線３４は、第（Ｎ−１）列のデータ線３４のみと隣り合う。よって、第１列及び第Ｎ列のデータ線３４の各々に寄生する容量の容量値は、第２列〜第（Ｎ−１）列のデータ線３４の各々に寄生する容量の容量に比べて、小さい。このため、第１列に対応するトランジスターＴｓの駆動能力、及び、第Ｎ列に対応するトランジスターＴｓの駆動能力を、第２列〜第（Ｎ−１）列のデータ線３４に対応するトランジスターＴｓの駆動能力に比べて小さくしてもよい。
【００５４】
＜Ｂ：変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を、適宜に組み合わせることもできる。
【００５５】
＜変形例１＞
上述した実施形態では、Ｎ個のトランジスターＴｓは、Ｘ方向に１行に配置され、Ｎ個のトランジスターＴｓのＸ方向の位置が互いに異なる位置となるように配置されるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、Ｎ個のトランジスターＴｓは、Ｘ方向に２行または３行以上に配置されるものであってもよい。
【００５６】
例えば、図１１に示すように、Ｎ個のトランジスターＴｓのうち、トランジスターＴｓB、ＴｓG、及び、ＴｓRのそれぞれが、互いに異なる行（つまり、Ｙ方向において互いに異なる位置）となるように配置されるものであってもよい。
この場合、図１１に示すように、Ｘ方向に連続する３列のデータ線３４に対応する３つのトランジスターＴｓ（ＴｓR、ＴｓG、及び、ＴｓB）を１組として、各組を構成する３つのトランジスターＴｓのＸ方向の位置が互いに等しくなるように、当該３つのトランジスターＴｓ（ＴｓR、ＴｓG、及び、ＴｓB）を配置するものであってもよい。また、この場合、図１１に示すように、トランジスターＴｓの駆動能力を、トランジスターＴｓのチャネル幅Ｗを調整することにより調整してもよい。
図１１に示すように、トランジスターＴｓB、ＴｓG、及び、ＴｓRのそれぞれが、Ｙ方向において互いに異なる位置（異なる行）に配置される場合、Ｎ個のトランジスターＴｓが１行に配置される場合（例えば、図７または図９に示す場合）に比べて、Ｎ個のトランジスターＴｓを配置するために必要となるＸ方向の幅を小さくすることができる。その結果、トランジスターＴｓのＸ方向の幅が制約を受けることなく、データ線３４を狭ピッチ化することが可能となる。
【００５７】
また、例えば、図１２に示すように、Ｎ個のトランジスターＴｓを、２行に配置してもよい。
図１２に示す例では、トランジスターＴｓRのチャネル長ＬRを、トランジスターＴｓGのチャネル長ＬG、及び、トランジスターＴｓBのチャネル長ＬBよりも短くすることで、トランジスターＴｓRの駆動能力を、他のトランジスターＴｓ（ＴｓB、ＴｓG）の駆動能力よりも高くしている。よって、この場合、チャネル長の長いトランジスターＴｓB及びＴｓGを異なる行に配置することで、Ｎ個のトランジスターＴｓを配置するために必要となるＸ方向の幅を小さくすることができる。その結果、トランジスターＴｓのＸ方向の幅により制約をうけることなく、データ線３４の狭ピッチ化を実現することが可能となるとともに、図１１に示す場合と比較して、狭額縁化が可能となる。
なお、図１２に示す例では、トランジスターＴｓR及びＴｓGを一の行に配置するとともに、トランジスターＴｓBを他の行に配置しているが、トランジスターＴｓR及びＴｓBを一の行に配置するとともに、トランジスターＴｓGを他の行に配置してもよい。
【００５８】
＜変形例２＞
上述した実施形態及び変形例において、データ線駆動回路２４は、１系統の画像信号Ｖidを時分割することでデータ信号Ｖd［１］〜Ｖd［Ｎ］を生成するが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、画像信号Ｖidをシリアル−パラレル展開（相展開）した複数の系統の画像信号Ｖidに基づいて、データ信号Ｖd［１］〜Ｖd［Ｎ］を生成してもよい。以下では、Ｎを６の倍数とし、画像信号Ｖidをシリアル−パラレル展開した６系統の画像信号Ｖid1〜Ｖid6が、データ線駆動回路に対して供給される場合を例示して説明する。
【００５９】
図１３に、本変形例に係るデータ線駆動回路２４ｓのブロック図を示す。図１３に示すように、データ線駆動回路２４ｓは、シフトレジスタ２４１、信号線２４２、及び、接続配線２４３を備える代わりに、シフトレジスタ２４１ｓ、６本の信号線２４２ａ〜２４２ｆ、及び、接続配線２４３ｓを備える点で、図６に示すデータ線駆動回路２４と相違する。６本の信号線２４２ａ〜２４２ｆの各々には、画像信号Ｖidをシリアル−パラレル展開した６系統の画像信号Ｖid1〜Ｖid6がそれぞれ供給される。また、シフトレジスタ２４１ｓは、１水平走査期間を、少なくとも（Ｎ÷６）個の期間に区分し、区分した期間毎に、Ｎ個のトランジスターＴｓ［１］〜Ｔｓ［Ｎ］を６個ずつ順番にオンさせる。すなわち、シフトレジスタ２４１ｓは、１水平走査期間を区分した（Ｎ÷６）個の期間のうちｓ番目の期間において、選択信号Ｘｓ［１］〜Ｘｓ［Ｎ÷６］のうち選択信号Ｘ［ｓ］を選択電位に設定する（但し、ｓは、１≦ｓ≦（Ｎ÷６）を満たす整数）。選択信号Ｘｓ［ｓ］が選択電位に設定されると、６個のトランジスターＴｓ［６ｓ−５］〜Ｔｓ［６ｓ］が一斉にオンし、６本の信号線２４２ａ〜２４２ｆのそれぞれと、第（６ｓ−５）列〜第（６ｓ）列の６本のデータ線３４とが電気的に接続される。これにより、例えば、画像信号Ｖid1〜Ｖid6に１対１に対応するデータ信号Ｖd［６ｓ−５］〜Ｖd［６ｓ］のそれぞれが、第（６ｓ−５）列〜第（６ｓ）列の６本のデータ線３４のそれぞれに対して出力される。
このように、本変形例では、データ線駆動回路２４ｓは、各データ線３４に対してデータ信号Ｖd［ｎ］を供給する時間を、データ線駆動回路２４に比べて約６倍とすることができるため、各画素Ｐxに対して十分な書込を行うことができる。
【００６０】
＜変形例３＞
上述した実施形態及び変形例では、トランジスターＴｓの駆動能力を調整することにより、各データ線３４に供給される電流の大きさを均一化するものであるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、トランジスターＴｓの駆動能力を調整することに加えて、各データ線３４の有する抵抗Ｒｓの抵抗値を調整することで、各データ線３４に供給される電流の大きさを均一化するものであってもよい。
【００６１】
図１４に、本変形例に係る電気光学装置１ａのブロック図である。電気光学装置１ａは、表示パネル１０の代わりに表示パネル１０ａを備える点で、図２に示す電気光学装置１と相違する。また、表示パネル１０ａは、データ線３４Rに直列に抵抗ＲｓRが設けられ、データ線３４Gに直列に抵抗ＲｓGが設けられ、データ線３４Rに直列に抵抗ＲｓBが設けられる点を除き、表示パネル１０と同様に構成される。抵抗ＲｓR、ＲｓG、及び、ＲｓBの各々は、データ線駆動回路２４と表示領域３０の間に、データ線３４に直列に設けられる。より具体的には、抵抗ＲｓR、ＲｓG、及び、ＲｓBの各々は、データ線３４のうち、第Ｍ行の画素Ｐxの中継ノードＮ１との接続箇所から、トランジスターＴｓの半導体層２４４との接続箇所との間の部分において、当該データ線３４に直列に設けられる。
【００６２】
本変形例において、抵抗ＲｓRの抵抗値、抵抗ＲｓGの抵抗値、及び、抵抗ＲｓBの抵抗値の間に、以下の式（５）に示す関係が成立する。
ＲｓR  ＜  ＲｓG  ≒  ＲｓB    ……  式（５）
このため、トランジスターＴｓRの駆動能力を十分に高めることができない場合であっても、データ信号Ｖd［ｎ］が同一の電位を示すときに、データ線３４G、及び、データ線３４Bに、データ線３４Rに比べて大きな電流が供給されることを防止することができる。これにより、各データ線３４に対して供給される電流の大きさを均一化することができ、表示を均一化することができる。
【００６３】
＜変形例４＞
上述した実施形態及び変形例において、電気光学装置１（または１ａ）は、画素ＰxR、画素ＰxG、及び、画素ＰxBを備え、赤色Ｒ、緑色Ｇ、及び、青色Ｂを表示可能であるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、電気光学装置は、少なくとも２色以上を表示可能なものであればよい。具体的には、電気光学装置は、赤色Ｒ、緑色Ｇ、及び、青色Ｂ以外の色を表示できるものであってもよいし、赤色Ｒ、緑色Ｇ、及び、青色Ｂのうち一部または全部を表示できないものであってもよい。
また、上述した実施形態及び変形例において、画素ＰxGのＸ方向の幅は、画素ＰxR及び画素ＰxGのＸ方向の幅に比べて大きいが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、電気光学装置が表示可能な２色以上の色のうち、一部の色に対応する画素ＰxのＸ方向の幅が、他の色に対応する画素ＰxのＸ方向の幅に比べて大きいものであればよい。そして、トランジスターＴｓの駆動能力は、当該トランジスターＴｓに対応して設けられるデータ線３４と、当該データ線３４に隣り合うデータ線３４との間隔に基づいて定められるものであればよい。
【００６４】
図１５は、本変形例に係る電気光学装置の表示領域の一部についての平面図である。この図に示すように、本変形例に係る電気光学装置は、画素ＰxG、画素ＰxB、及び、画素ＰxR、白色Ｗを表示可能な画素ＰxWを備える。より具体的には、ｑを、４≦ｑを満たす４の倍数の整数とすると、第１列〜第Ｎ列のうち、第（ｑ−３）列にはＭ行の画素ＰxGが配置され、第（ｑ−２）列にはＭ行の画素ＰxBが配置され、第（ｑ−１）列にはＭ行の画素ＰxRが配置され、第ｑ列にはＭ行の画素ＰxWが配置される。なお、以下では、画素ＰxWに対応するデータ線３４を、符号「３４W」で表す。また、データ線３４Wに対応して設けられるトランジスターＴｓを、符号「ＴｓW」で表す。
【００６５】
本変形例では、画素ＰxG、画素ＰxB、及び、画素ＰxRのＸ方向の幅は、画素ＰxWのＸ方向の幅に比べて大きい。すなわち、互いに隣り合うデータ線３４G及びデータ線３４Bの間隔ＤGB、互いに隣り合うデータ線３４B及びデータ線３４Rの間隔ＤBR、互いに隣り合うデータ線３４R及びデータ線３４Wの間隔ＤRW、及び、互いに隣り合うデータ線３４W及びデータ線３４Gの間隔ＤWGは、以下の式（６）の関係を満たす。
ＤWG  ＜  ＤGB  ≒  ＤBR  ≒  ＤRW    ……（６）
よって、式（６）から、以下の式（７）及び式（８）を導くことができる。
ＤGB  ＋  ＤBR  ＞  ＤWG  ＋  ＤGB    ……（７）
ＤBR  ＋  ＤRW  ＞  ＤRW  ＋  ＤWG    ……（８）
このため、第１列及び第Ｎ列を除き、データ線３４Rに寄生する容量ＣRの容量値、データ線３４Gに寄生する容量ＣGの容量値、データ線３４Bに寄生する容量ＣBの容量値、及び、データ線３４Wに寄生する容量ＣWの容量値の間には、以下の式（９）が成立する。
ＣR  ≒  ＣB  ＞  ＣG  ≒  ＣW    ……（９）
【００６６】
そこで、本変形例では、トランジスターＴｓG及びＴｓWの駆動能力が、トランジスターＴｓB及びＴｓRの駆動能力よりも高くなるように、各トランジスターＴｓを設ける。
具体的には、トランジスターＴｓGのチャネル幅をチャネル長で除算した値、及び、トランジスターＴｓWのチャネル幅をチャネル長で除算した値が、トランジスターＴｓBのチャネル幅をチャネル長で除算した値よりも大きく、且つ、トランジスターＴｓRのチャネル幅をチャネル長で除算した値よりも大きくすることで、トランジスターＴｓG及びＴｓWの駆動能力を、トランジスターＴｓB及びＴｓRの駆動能力よりも高くしてもよいし、トランジスターＴｓGにおける長さΔＬd1及び長さΔＬd2の和、及び、トランジスターＴｓWにおける長さΔＬd1及び長さΔＬd2の和が、トランジスターＴｓBにおける長さΔＬd1及び長さΔＬd2の和よりも小さく、且つ、トランジスターＴｓRにおける長さΔＬd1及び長さΔＬd2の和よりも小さくすることで、トランジスターＴｓG及びＴｓWの駆動能力を、トランジスターＴｓB及びＴｓRの駆動能力よりも高くしてもよい。
これにより、画素ＰxG及び画素ＰxWに対するデータ信号Ｖd［ｎ］の書込が、画素ＰxB及び画素ＰxRに対するデータ信号Ｖd［ｎ］の書込に比べて不十分になることを防止することができ、表示が不均一になることを防止することが可能となる。
【００６７】
なお、本変形例においては、データ線３４Bを「第１のデータ線」とする場合、当該データ線３４Bに隣り合うデータ線３４Gが「第２のデータ線」に該当し、当該データ線３４Bに隣り合うデータ線３４Rが「第３のデータ線」に該当し、当該データ線３４Bに隣り合うデータ線３４Gに隣り合うデータ線３４Wが「第４のデータ線」に該当する。この場合、画素ＰxBが「第１の画素」に該当し、画素ＰxGが「第２の画素」に該当する。また、この場合、画素ＰxBが表示する青色Ｂが「第１色」に該当し、画素ＰxGが表示する緑色Ｇが「第２色」に該当する。
また、データ線３４Rを「第１のデータ線」とする場合、当該データ線３４Rに隣り合うデータ線３４Wが「第２のデータ線」に該当し、当該データ線３４Rに隣り合うデータ線３４Bが「第３のデータ線」に該当し、当該データ線３４Rに隣り合うデータ線３４Wに隣り合うデータ線３４Gが「第４のデータ線」に該当する。
【００６８】
＜変形例５＞
上述した実施形態及び変形例において、表示領域３０には、１列に対して、１の表示色に対応するＭ行の画素Ｐxが配置されるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、１列に対して、２以上の表示色に対応する画素Ｐxを設けるものであってもよい。
例えば、図１６に示すように、ｑを、４≦ｑを満たす４の倍数の整数として、第１列〜第Ｎ列のうち、第（ｑ−３）列には複数の画素ＰxBと、複数の画素ＰxRとが配置され、第（ｑ−２）列には複数の画素ＰxBと、複数の画素ＰxRとが配置され、第（ｑ−１）列には複数の画素ＰxGと、複数の画素ＰxWとが配置され、第ｑ列には複数の画素ＰxGと、複数の画素ＰxWとが配置されるものであってもよい。
【００６９】
なお、この図において、第（ｑ−３）列、例えば第１列のデータ線３４［１］と、第（ｑ−２）列、例えば第２列のデータ線３４［２］との間隔Ｄ12、第（ｑ−２）列、例えば第２列のデータ線３４［２］と、第（ｑ−１）列、例えば第３列のデータ線３４［３］との間隔Ｄ23、第（ｑ−１）列、例えば第３列のデータ線３４［３］と、第ｑ列、例えば第４列のデータ線３４［４］との間隔Ｄ34、及び、第ｑ列、例えば第４列のデータ線３４［４］と、第（ｑ＋１）列、例えば第５列のデータ線３４［５］との間隔Ｄ45は、以下の式（１０）の関係を満たす。
Ｄ12  ≒  Ｄ23  ＜  Ｄ34  ≒  Ｄ45    ……（１０）
すなわち、以下の式（１１）が成立する。
Ｄ12  ＋  Ｄ23  ＜  Ｄ23  ＋  Ｄ34  ＜  Ｄ34  ＋  Ｄ45  ……（１１）
つまり、データ線３４［２］に寄生する容量Ｃ2の容量値、データ線３４［３］に寄生する容量Ｃ3の容量値、及び、データ線３４［４］に寄生する容量Ｃ4の容量値の間には、以下の式（１２）が成立する。
Ｃ2  ＞  Ｃ3  ＞  Ｃ4    ……（１２）
【００７０】
このため、本変形例では、データ線３４［２］に対応するトランジスターＴｓの駆動能力を、データ線３４［３］に対応するトランジスターＴｓの駆動能力よりも高くするとともに、データ線３４［３］に対応するトランジスターＴｓの駆動能力を、データ線３４［４］に対応するトランジスターＴｓの駆動能力よりも高くする。
これにより、画素ＰxB、画素ＰxR、画素ＰxG、及び、画素ＰxWにおいて、データ信号Ｖd［ｎ］の書込が不十分となる画素Ｐxが発生することを防止し、表示が不均一になることを防止することが可能となる。
【００７１】
＜変形例６＞
上述した実施形態及び変形例では、各画素Ｐxが表示する表示色に対応するカラーフィルターが、各画素Ｐxに対応して備えるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、各画素Ｐxが表示する表示色に対応する色の光を出射する光源を、各画素Ｐxに対応して設けてもよい。この場合、電気光学装置は、カラーフィルターを備えないものであってもよい。
【００７２】
＜変形例７＞
上述した実施形態及び変形例において、画素Ｐxに対応する画素回路１１０は図３乃至図５に示すように、液晶素子ＣLと、トランジスター１１２とを備えるが、これは一例に過ぎず、電気光学装置が備える画素回路１１０は、どのような構成でもよい。
例えば、液晶素子ＣLの代わりに、有機発光ダイオード、無機発光ダイオード、または、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）など、電流に応じた輝度で発光する発光素子を備えるものでもよい。この場合、基板１５０は、ガラスやプラスチック等の透明な絶縁性材料から構成されるものでもよいし、半導体基板であってもよい。また、画素回路１１０は、Ｐチャネル型のトランジスターの代わりに、Ｎチャネル型のトランジスターを備えるものであってもよいし、Ｐチャネル型及びＮチャネル型の一方または双方を含む複数のトランジスターを備えるものであってもよい。また、画素回路１１０が備えるトランジスターは、薄膜トランジスターであってもよいし、基板１５０として半導体基板を採用する場合にはＭＯＳ型のトランジスターであってもよい。
【００７３】
＜変形例８＞
上述した実施形態及び変形例では、データ線駆動回路２４（または、２４ｓ）の全部が、表示パネル１０（または、１０ａ）に設けられるが、データ線駆動回路のうちの一部が表示パネルに設けられ、他の部分が表示パネルの外部に設けられるものであってもよい。例えば、データ線駆動回路のうち、トランジスターＴｓが表示パネルに設けられ、シフトレジスタ２４１（２４１ｓ）は表示パネルの外部に設けられるものであってもよい。
【００７４】
＜Ｃ：応用例＞
次に、実施形態または変形例に係る電気光学装置を適用した電子機器について説明する。
図１７は、ヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）の外観を示す図であり、図１８は、その光学的な構成を示す図である。まず、図１７に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、図１８に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１Ｌと右眼用の電気光学装置１Ｒとが設けられる。電気光学装置１Ｌの画像表示面は、図１８において左側となるように配置している。これによって電気光学装置１Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。電気光学装置１Ｒの画像表示面は、電気光学装置１Ｌとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置１Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ３００の装着者は、電気光学装置１Ｌ、１Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。また、このヘッドマウント・ディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置１Ｌに表示させ、右眼用画像を電気光学装置１Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる（３Ｄ表示）。
図１９は、実施形態または変形例に係る電気光学装置を採用した可搬型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター４００は、各種の画像を表示する電気光学装置１と、電源スイッチ４０１やキーボード４０２が設置された本体部４０３とを具備する。
図２０は、実施形態または変形例に係る電気光学装置を適用した携帯電話機の斜視図である。携帯電話機５００は、複数の操作ボタン５０１およびスクロールボタン５０２と、各種の画像を表示する電気光学装置１とを備える。スクロールボタン５０２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１７から図２０に例示した機器のほか、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants），デジタルスチルカメラ，テレビ，ビデオカメラ，カーナビゲーション装置，車載用の表示器（インパネ），電子手帳，電子ペーパー，電卓，ワードプロセッサ，ワークステーション，テレビ電話，ＰＯＳ端末，プリンター，スキャナー，複写機，ビデオプレーヤー，タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【符号の説明】
【００７５】
１……電気光学装置、１０……表示パネル、２０……駆動回路、２２……走査線駆動回路、２４……データ線駆動回路、３０……表示領域、３２……走査線、３４……データ線、５０……制御回路、１１０……画素回路、２４１……シフトレジスタ、２４２……信号線、２４３……接続配線、Ｔｓ……トランジスター、Ｐx……画素、ＣL……液晶素子。
【図１】
2015004911.tif 000003
【図２】
2015004911.tif 000004
【図３】
2015004911.tif 000005
【図４】
2015004911.tif 000006
【図５】
2015004911.tif 000007
【図６】
2015004911.tif 000008
【図７】
2015004911.tif 000009
【図８】
2015004911.tif 000010
【図９】
2015004911.tif 000011
【図１０】
2015004911.tif 000012
【図１１】
2015004911.tif 000013
【図１２】
2015004911.tif 000014
【図１３】
2015004911.tif 000015
【図１４】
2015004911.tif 000016
【図１５】
2015004911.tif 000017
【図１６】
2015004911.tif 000018
【図１７】
2015004911.tif 000019
【図１８】
2015004911.tif 000020
【図１９】
2015004911.tif 000021
【図２０】
2015004911.tif 000022