(57)【要約】【課題】消弧回路の温度変動を抑えることにより負荷電流の遮断時間の変動を低減する。【解決手段】温度検出回路１１は、消弧回路７ａの近傍に実装されたサーミスタ１２により消弧回路７ａの温度を検出する。消弧制御回路１４は、コンパレータ１７を用いて検出温度に対応する温度検出電圧Ｖｔとしきい値温度に対応する基準電圧Ｖｒとを比較する。消弧回路７ａの検出温度がしきい値温度未満のときには、切替回路８のＭＯＳトランジスタ８ａをオンすることにより消弧回路７ａを選択して負荷２に接続し、消弧回路７ａの検出温度がしきい値温度以上のときには切替回路８のＭＯＳトランジスタ８ｂをオンすることにより消弧回路７ｂを選択して負荷２に接続する。【選択図】図１
2015130553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導性負荷（２）への通電経路に設けられたスイッチ回路（５）と、
前記スイッチ回路をオンオフ駆動する負荷制御回路（６）と、
前記スイッチ回路をオフ駆動したときに発生する前記誘導性負荷の逆起電力が印加されると通電してその逆起電力を低減させる同一構成の第１から第ｎ（ｎ：２以上の整数）の消弧回路（７ａ、７ｂ、７ｃ）と、
前記各消弧回路の一端と前記誘導性負荷の一端との間に設けられ、前記消弧回路のうちの１つを選択して前記誘導性負荷に接続する切替回路（８）と、
少なくとも前記第１の消弧回路の温度を検出する温度検出回路（１１、１１ａ〜１１ｃ）と、
前記第１の消弧回路の検出温度がしきい値温度未満のときには前記切替回路により前記第１の消弧回路を選択して前記誘導性負荷に接続し、前記第１の消弧回路の検出温度が前記しきい値温度以上のときには前記切替回路により前記第１の消弧回路以外の消弧回路を選択して前記誘導性負荷に接続する消弧制御回路（１４、３２、４２）とを備えていることを特徴とする誘導性負荷駆動装置。
【請求項２】
前記温度検出回路は、温度を検出する前記消弧回路の近傍に実装された温度検出素子（１２）を備え、定電圧を抵抗と前記温度検出素子との直列回路により分圧して温度検出電圧を出力し、
前記消弧制御回路（１４）は、前記第１の消弧回路の検出温度に対応した温度検出電圧と前記しきい値温度に対応した基準電圧とを比較するコンパレータ（１７）を備えていることを特徴とする請求項１記載の誘導性負荷駆動装置。
【請求項３】
前記温度検出回路は、温度を検出する前記消弧回路の近傍に実装された温度検出素子（１２）を備え、定電圧を抵抗と前記温度検出素子との直列回路により分圧して温度検出電圧を出力し、
前記消弧制御回路（３２）は、前記第１の消弧回路の検出温度に対応した温度検出電圧をＡ／Ｄ変換して入力し、その入力値から得た検出温度と前記しきい値温度とを比較するマイクロコンピュータ（６）を備えていることを特徴とする請求項１記載の誘導性負荷駆動装置。
【請求項４】
前記温度検出回路（１１ａ〜１１ｃ）は、前記第１から第ｎの消弧回路の温度を検出し、
前記消弧制御回路（４２）は、前記第１の消弧回路の検出温度が前記しきい値温度以上のときには、前記切替回路により前記第２から第ｎの消弧回路のうち検出温度が最も低い消弧回路を選択して前記誘導性負荷に接続することを特徴とする請求項１記載の誘導性負荷駆動装置。
【請求項５】
誘導性負荷（２）への通電経路に設けられたスイッチ回路（５）と、
前記スイッチ回路をオンオフ駆動する負荷制御回路（６）と、
前記スイッチ回路をオフ駆動したときに発生する前記誘導性負荷の逆起電力が印加されると通電してその逆起電力を低減させる同一構成の第１から第ｎ（ｎ：２以上の整数）の消弧回路（７ａ、７ｂ、７ｃ）と、
前記各消弧回路の一端と前記誘導性負荷の一端との間に設けられ、前記消弧回路のうちの１つを選択して前記誘導性負荷に接続する切替回路（８）と、
前記第１から第ｎの消弧回路の温度を検出する温度検出回路（１１ａ〜１１ｃ）と、
前記切替回路により前記第１から第ｎの消弧回路のうち検出温度が最も低い消弧回路を選択して前記誘導性負荷に接続する消弧制御回路（４２）とを備えていることを特徴とする誘導性負荷駆動装置。
【請求項６】
前記温度検出回路は、前記第１から第ｎの消弧回路の各近傍にそれぞれ実装された温度検出素子（１２）を備え、定電圧を抵抗と前記温度検出素子との直列回路により分圧して温度検出電圧を出力し、
前記消弧制御回路（４２）は、前記温度検出電圧をＡ／Ｄ変換して入力し、その入力値から得た検出温度を互いに比較して検出温度が最も低い消弧回路を特定するマイクロコンピュータ（６）を備えていることを特徴とする請求項５記載の誘導性負荷駆動装置。
【請求項７】
前記第１から第ｎの消弧回路は、それぞれ抵抗（９）とダイオード（１０）の直列回路により構成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の誘導性負荷駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導性負荷の逆起電力を低減させる消弧回路を備えた誘導性負荷駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インジェクタ駆動装置は、インジェクタの電磁ソレノイドへの通電経路にスイッチング素子を備え、噴射信号に従ってスイッチング素子をオンオフ駆動する。電磁ソレノイドは誘導性の負荷であるため、スイッチング素子をオフ駆動すると電磁ソレノイドの端子間に逆起電力（フライバック電圧）が発生する。そこで、インジェクタ駆動装置は、逆起電力が印加されると通電して逆起電力を低減させる消弧回路を備えている。特許文献１には、スイッチング素子のベース・コレクタ間にツェナーダイオードを備え、フライバックエネルギーを同スイッチング素子で吸収する構成が記載されている。
【０００３】
これとは別の形態として、抵抗とダイオードの直列回路から構成され、電磁ソレノイドと並列に接続される消弧回路が用いられている。この形態の消弧回路は、スイッチング素子がオンからオフに切り替えられると、電磁ソレノイドに流れる電流を還流させながら蓄積エネルギーＬＩ２／２を消費し、電磁ソレノイドに流れる電流を急峻に低減させることでインジェクタを閉弁させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１２１２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インジェクタ駆動装置がスイッチング素子をオンオフ駆動するごとに消弧回路はＬＩ２／２のエネルギーを消費するので、消弧回路を構成する抵抗とダイオードの温度が自己発熱により上昇する。その結果、抵抗の抵抗値およびダイオードの順方向電圧Ｖｆが変化する。
【０００６】
抵抗値および順方向電圧Ｖｆが変化すると、スイッチング素子をオフ駆動した時に発生する逆起電力の電圧値が変化し、電磁ソレノイドに流れる電流の低減率、換言すればオフ駆動の開始から電流が閉弁開始レベルに低下するまでの時間（遮断時間）が変化する。その結果、同一波形の噴射信号を入力しても、自己発熱によって燃料の噴射時間が変化するという問題が生じる。また、自己発熱によって消弧回路の抵抗値およびダイオードの素子劣化が進行するといったことも懸念される。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、逆起電力の消弧回路の温度変動を抑えることにより負荷電流の遮断時間の変動を低減する誘導性負荷駆動装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載した誘導性負荷駆動装置は、誘導性負荷への通電経路に設けられたスイッチ回路と、スイッチ回路をオンオフ駆動する負荷制御回路と、スイッチ回路をオフ駆動したときに発生する誘導性負荷の逆起電力が印加されると通電してその逆起電力を低減させる同一構成を有する第１から第ｎ（ｎ：２以上の整数）の消弧回路とを備えている。さらに、誘導性負荷駆動装置は、各消弧回路の一端と誘導性負荷の一端との間に設けられ、消弧回路のうちの１つを選択して誘導性負荷に接続する切替回路と、少なくとも第１の消弧回路の温度を検出する温度検出回路と、切替回路を制御する消弧制御回路とを備えている。
【０００９】
消弧制御回路は、第１の消弧回路の検出温度がしきい値温度未満のときには切替回路により第１の消弧回路を選択して誘導性負荷に接続し、第１の消弧回路の検出温度がしきい値温度以上のときには切替回路により第１の消弧回路以外の消弧回路を選択して誘導性負荷に接続する。
【００１０】
この構成によれば、第１の消弧回路の検出温度がしきい値温度未満の間、他の消弧回路は誘導性負荷から切り離されて発熱が停止するので、当該他の消弧回路の温度は低下する。発熱により第１の消弧回路の検出温度がしきい値温度以上になると、第１の消弧回路は誘導性負荷から切り離され、代わりに他の消弧回路が選択されて誘導性負荷に接続される。このときに接続される他の消弧回路の温度は、上述した理由により低下している。第１の消弧回路は発熱が停止するので温度が低下し、その検出温度がしきい値温度未満にまで低下すると、上記他の消弧回路に替わり再び第１の消弧回路が選択されて誘導性負荷に接続される。
【００１１】
このように第１の消弧回路の温度がしきい値温度以上のときに他の消弧回路が代用されるので、誘導性負荷に接続される消弧回路（選択消弧回路）の温度変動は、従来構成に比べて小さくなる。その結果、選択消弧回路の特性（電圧、抵抗など）の変化が小さくなり、オフ駆動時における負荷電流の低減率の変動、ひいてはオフ駆動の開始から電流が所定レベルに低下するまでの時間（遮断時間）の変動が低減する。
【００１２】
請求項２記載の手段によれば、温度検出回路は、温度を検出する消弧回路の近傍に実装された温度検出素子を備え、定電圧を抵抗と温度検出素子との直列回路により分圧して温度検出電圧を出力する。消弧制御回路は、第１の消弧回路の検出温度に対応した温度検出電圧としきい値温度に対応した基準電圧とを比較するコンパレータを備えている。この構成によれば、第１の消弧回路の検出温度としきい値温度との比較をハードウェア構成で実現できる。
【００１３】
請求項３記載の手段によれば、温度検出回路は、温度を検出する消弧回路の近傍に実装された温度検出素子を備え、定電圧を抵抗と温度検出素子との直列回路により分圧して温度検出電圧を出力する。消弧制御回路は、第１の消弧回路の検出温度に対応した温度検出電圧をＡ／Ｄ変換して入力し、その入力値から得た検出温度としきい値温度とを比較するマイクロコンピュータを備えている。この構成によれば、第１の消弧回路の検出温度としきい値温度との比較をソフトウェア構成で実現できる。
【００１４】
請求項４記載の手段によれば、温度検出回路は、第１から第ｎの消弧回路の温度を検出する。消弧制御回路は、第１の消弧回路の検出温度がしきい値温度以上のときには、切替回路により第２から第ｎの消弧回路のうち検出温度が最も低い消弧回路を選択して誘導性負荷に接続する。この構成によれば、第１の消弧回路から他の消弧回路に切り替えられている間、当該他の消弧回路の温度がより低くなるので、誘導性負荷に接続される選択消弧回路の温度変動を一層抑えられる。
【００１５】
請求項５に記載した誘導性負荷駆動装置は、請求項１に記載した誘導性負荷駆動装置と同様のスイッチ回路、負荷制御回路、第１から第ｎの消弧回路および切替回路を備えている。さらに、第１から第ｎの消弧回路の温度を検出する温度検出回路と、切替回路により第１から第ｎの消弧回路のうち検出温度が最も低い消弧回路を選択して誘導性負荷に接続する消弧制御回路を備えている。
【００１６】
この構成によれば、誘導性負荷に接続される選択消弧回路の温度変動は、従来構成に比べて小さくなる。その結果、選択消弧回路の特性（電圧、抵抗など）の変化が小さくなり、オフ駆動時における負荷電流の低減率の変動、ひいてはオフ駆動の開始から電流が所定レベルに低下するまでの時間（遮断時間）の変動が低減する。
【００１７】
請求項６記載の手段によれば、温度検出回路は、第１から第ｎの消弧回路の各近傍にそれぞれ実装された温度検出素子を備え、定電圧を抵抗と温度検出素子との直列回路により分圧して温度検出電圧を出力する。消弧制御回路は、温度検出電圧をＡ／Ｄ変換して入力し、その入力値から得た検出温度を互いに比較して検出温度が最も低い消弧回路を特定するマイクロコンピュータを備えている。この構成によれば、検出温度が最も低い消弧回路の選択処理をソフトウェア構成で実現できる。
【００１８】
請求項７記載の手段によれば、第１から第ｎの消弧回路は、それぞれ抵抗とダイオードの直列回路により構成されている。抵抗がエネルギーを消費するので、負荷電流の低減率が大きくなり遮断時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態を示す負荷駆動装置の構成図
【図２】全体動作を示す波形図
【図３】逆起電力と負荷電流の波形図
【図４】第２の実施形態を示す負荷駆動装置の構成図
【図５】全体動作を示す波形図
【図６】消弧制御処理のフローチャート
【図７】第３の実施形態を示す負荷駆動装置の構成図
【図８】全体動作を示す波形図
【図９】消弧制御処理のフローチャート
【図１０】第４の実施形態を示す消弧制御処理のフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００２０】
各実施形態において実質的に同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１から図３を参照しながら説明する。図１に示す負荷駆動装置１は、例えば車両の電子制御ユニットに搭載されており、インジェクタの電磁ソレノイドなどの誘導性負荷２（以下、負荷２と称す）を通断電してパルス状の電流を流す。負荷２は、バッテリ（図示せず）に繋がる電圧ＶＢの電源線３と負荷駆動装置１の出力端子４との間に接続されている。
【００２１】
出力端子４とグランドとの間の通電経路には、スイッチ回路として機能するＮチャネル型のＭＯＳトランジスタ５が接続されている。マイクロコンピュータ６（以下、マイコン６と称す）は、ＭＯＳトランジスタ５のゲートにＨレベル（オン駆動レベル）とＬレベル（オフ駆動レベル）とからなる駆動信号Ｇｓを出力して負荷２をオンオフ駆動する負荷制御回路である。マイコン６は、図示しない電源回路により生成される一定の制御用電源電圧Ｖccにより動作する。
【００２２】
負荷駆動装置１内の電源線３と出力端子４との間には、第１の消弧回路７ａとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ８ａとの直列回路および第２の消弧回路７ｂとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ８ｂとの直列回路が並列に接続されている。消弧回路７ａ、７ｂは、素子の定数も含めて同一構成であって、抵抗９とダイオード１０との直列回路により構成されている。負荷２の逆起電力（フライバック電圧）が印加されると還流電流が流れるように、ダイオード１０のアノードおよびＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂのドレインが出力端子４側となる極性で接続されている。ＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂは、消弧回路７ａ、７ｂのうちの何れか１つを選択して負荷２の一端（出力端子４）に接続する切替回路８を構成している。
【００２３】
温度検出回路１１は、消弧回路７ａの近傍に実装されたサーミスタ１２（温度検出素子）により消弧回路７ａの温度を検出する。後述するようにダイオード１０での発熱よりも抵抗９での発熱が大きいので、サーミスタ１２は実装基板上で抵抗９に接近して配置することが好ましい。温度検出回路１１は、電源電圧Ｖccを抵抗１３とサーミスタ１２との直列回路で分圧することにより、検出温度に応じた温度検出電圧Ｖｔを出力する。サーミスタ１２はＮＴＣタイプであり、温度が高くなると抵抗値が低下する特性を有している。
【００２４】
消弧制御回路１４は、電源電圧Ｖccを抵抗１５、１６により分圧してしきい値温度に対応した基準電圧Ｖｒを生成し、コンパレータ１７を用いて温度検出電圧Ｖｔと基準電圧Ｖｒとを比較する。コンパレータ１７の出力端子は、抵抗１８により電源電圧Ｖccにプルアップされている。
【００２５】
コンパレータ１７が出力する切替信号は、駆動回路１９を介してＭＯＳトランジスタ８ａのゲートに入力される駆動信号Ｇａになるとともに、インバータ２０と駆動回路２１を介してＭＯＳトランジスタ８ｂのゲートに入力される駆動信号Ｇｂになる。これにより、切替信号に応じてＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂの何れか一方がオンする。駆動回路１９、２１は、駆動信号Ｇａ、ＧｂがＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂをオン駆動するのに十分な電圧となるように、マイコン６から出力される昇圧駆動信号を用いて電圧ＶＢを昇圧する昇圧回路を備えている。
【００２６】
次に、図２および図３も参照しながら本実施形態の作用を説明する。図２は、マイコン６がデューティ比５０％の一定周期の駆動信号Ｇｓを出力しているときの当該駆動信号Ｇｓ、基準電圧Ｖｒ、温度検出電圧Ｖｔ、駆動信号Ｇａ、Ｇｂ、選択される消弧回路および出力電圧Ｖout（端子４の電圧）の波形を示している。説明の都合上、消弧回路７ａの温度変化率を実際よりも大きく描いている。
【００２７】
コンパレータ１７が出力する切替信号がＨレベルのときはＭＯＳトランジスタ８ａがオン、ＭＯＳトランジスタ８ｂがオフし、消弧回路７ａが選択されて負荷２に接続される。切替信号がＬレベルのときはＭＯＳトランジスタ８ａがオフ、ＭＯＳトランジスタ８ｂがオンし、消弧回路７ｂが選択されて負荷２に接続される。以下の説明では、負荷２に接続される消弧回路を選択消弧回路と称す。
【００２８】
駆動信号ＧｓがＨレベルになると、ＭＯＳトランジスタ５がオン（通電状態）となり、電源線３から負荷２、出力端子４、ＭＯＳトランジスタ５を通して流れる負荷電流がゼロから増加する。駆動信号ＧｓがＬレベルになると、ＭＯＳトランジスタ５がオフ（断電状態）となり、負荷２に逆起電力が発生する。この逆起電力により、電源線３から負荷２、出力端子４、ＭＯＳトランジスタ８ａまたは８ｂ、消弧回路７ａまたは７ｂを通して負荷電流が還流する。
【００２９】
選択消弧回路に負荷電流が還流すると主に抵抗９でエネルギーが消費されるので、還流電流が急速に減少してゼロになる。これとともに逆起電力も低減してゼロになり、出力電圧ＶoutはＶＢに戻る。負荷２のオンオフ駆動を繰り返すと、選択消弧回路の発熱により選択消弧回路の温度が上昇する。
【００３０】
図３は、消弧回路７ａの温度が変化したときの逆起電力と負荷電流の波形を示している。消弧回路７ａを構成する抵抗９の温度係数は、その種類に応じて正のものと負のものとがある。ダイオード１０は、温度が高くなると順方向電圧Ｖｆが低くなる。消弧回路７ａに印加される電圧は主に抵抗９が負担するので、ＭＯＳトランジスタ５がオフしたときに消弧回路７ａに印加される逆起電力の大きさは、主に抵抗９の抵抗値に応じて定まる。
【００３１】
図３に破線で示すように、抵抗９の抵抗値が大きくなるとその電圧降下が増えて負荷２に生じる逆起電力が高くなるので消弧回路７ａが消費する電力が増え、通電により負荷２に蓄えられたＬＩ２／２のエネルギー（フライバックエネルギー）の低減率が大きくなる。その結果、ＭＯＳトランジスタ５がオフしてから負荷電流が所定レベル（例えば閉弁を開始するレベル）に低下するまでの時間（遮断時間）が短くなる。
【００３２】
一方、抵抗９の抵抗値が小さくなると、図３に一点鎖線で示すように、負荷２に生じる逆起電力が低くなりエネルギーの低減率が小さくなるので遮断時間が長くなる。つまり、消弧回路７ａの温度変動に応じて遮断時間が変化するので、例えば電磁ソレノイドを備えたインジェクタでは消弧回路７ａの温度変動によって噴射時間が変化することになる。
【００３３】
消弧制御回路１４は、温度検出電圧Ｖｔが基準電圧Ｖｒよりも高い場合、つまり消弧回路７ａの温度がしきい値温度より低いときには、ＭＯＳトランジスタ８ａをオンして消弧回路７ａを選択消弧回路として用いる。この間、消弧回路７ｂは負荷２から切り離されて発熱が停止するので、消弧回路７ｂの温度は低下する。負荷２のオンオフ駆動により消弧回路７ａが発熱してその温度がしきい値温度以上になると（時刻ｔ１）、温度検出電圧Ｖｔが基準電圧Ｖｒ以下になる。消弧制御回路１４は、ＭＯＳトランジスタ８ａに替えてＭＯＳトランジスタ８ｂをオンして消弧回路７ｂを選択消弧回路として用いる。この切り替え時における消弧回路７ｂの温度は、しきい値温度よりも低くなっている。
【００３４】
消弧回路７ａは発熱が停止するので温度が徐々に低下する。消弧回路７ａの温度がしきい値温度より低くなると（時刻ｔ２）、温度検出電圧Ｖｔが基準電圧Ｖｒより高くなる。消弧制御回路１４は、ＭＯＳトランジスタ８ｂに替えてＭＯＳトランジスタ８ａをオン駆動し、消弧回路７ａを再び選択消弧回路として用いる。つまり、消弧制御回路１４は、消弧回路７ａを選択消弧回路として使用し、消弧回路７ａの温度がしきい値温度以上のときに限り消弧回路７ｂを選択消弧回路として用いる。
【００３５】
以上説明した本実施形態によれば、負荷２に接続される選択消弧回路の温度は、しきい値温度未満に維持されて変動幅が小さくなる。その結果、温度依存性を持つ選択消弧回路の特性（特に抵抗９の抵抗値）の変化が小さくなり、ＭＯＳトランジスタ５のオフ駆動時における負荷電流の低減率の変動、ひいては遮断時間の変動が小さくなる。従って、例えば負荷駆動装置１をインジェクタ駆動装置に適用すれば、燃料の噴射を繰り返すときの消弧回路７ａの温度上昇に起因する噴射時間の変動を抑制することができる。さらに、消弧回路７ａ、７ｂの温度がしきい値温度未満に維持されることにより、自己発熱による抵抗９およびダイオード１０の素子劣化の進行も抑えることができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について図４から図６を参照しながら説明する。図４に示す負荷駆動装置３１は、消弧回路７ａの検出温度としきい値温度との比較処理をマイコン６で行う消弧制御回路３２を備えている。マイコン６は、Ａ／Ｄコンバータを内蔵しており、温度検出回路１１から出力される温度検出電圧ＶｔをＡ／Ｄ変換して入力する。マイコン６は、出力ポートから駆動回路１９、２１に対し相補的な駆動信号Ｇａ、Ｇｂを出力する。その他の構成は、図１に示した負荷駆動装置１と同様である。
【００３７】
図５は、マイコン６がデューティ比５０％の一定周期の駆動信号Ｇｓを出力しているときの当該駆動信号Ｇｓ、温度検出電圧Ｖｔ、駆動信号Ｇａ、Ｇｂ、選択される消弧回路および出力電圧Ｖoutの波形を示している。図６は、マイコン６が実行する消弧制御処理のフローを示している。
【００３８】
マイコン６が処理を開始すると、初めにＭＯＳトランジスタ８ａをオンして消弧回路７ａを選択する（ステップＳ１）。マイコン６は、温度検出電圧ＶｔをＡ／Ｄ変換して消弧回路７ａの温度を求め（ステップＳ２）、検出温度がしきい値温度以上か否かを判断する（ステップＳ３）。検出温度がしきい値温度未満の間は、消弧回路７ａを選択した状態でステップＳ２、Ｓ３の処理を繰り返す。
【００３９】
マイコン６は、検出温度がしきい値温度以上になると、ＭＯＳトランジスタ８ａに替えてＭＯＳトランジスタ８ｂをオンして消弧回路７ｂを選択する（ステップＳ４）。消弧回路７ａは発熱が停止するので温度が徐々に低下する。マイコン６は、温度検出電圧ＶｔをＡ／Ｄ変換して消弧回路７ａの温度を求め（ステップＳ５）、検出温度がしきい値温度未満か否かを判断する（ステップＳ６）。検出温度がしきい値温度以上の間は、消弧回路７ｂを選択した状態でステップＳ５、Ｓ６の処理を繰り返す。検出温度がしきい値温度未満になると、ＭＯＳトランジスタ８ｂに替えてＭＯＳトランジスタ８ａをオンして消弧回路７ａを選択し（ステップＳ７）、ステップＳ２に移行する。消弧回路７ｂは発熱が停止するので温度が徐々に低下する。
【００４０】
本実施形態の負荷駆動装置３１によっても、負荷２に接続される選択消弧回路の温度がしきい値温度未満に維持されて温度変動幅が小さくなる。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４１】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について図７から図９を参照しながら説明する。図７に示す負荷駆動装置４１は、ＭＯＳトランジスタ５、消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃ、ＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂ、８ｃからなる切替回路８、温度検出回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃおよび消弧制御回路４２を備えている。
【００４２】
消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃと切替回路８は、負荷駆動装置１、３１と同様に接続されている。温度検出回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、上述した温度検出回路１１と同様に構成されており、それぞれ消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃ（特に抵抗９）の温度を検出して温度検出電圧Ｖt1、Ｖt2、Ｖt3を出力する。消弧制御回路４２が備えるマイコン６は、温度検出電圧Ｖt1、Ｖt2、Ｖt3をＡ／Ｄ変換して入力し、出力ポートから駆動信号Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃを出力する。駆動信号Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃは、それぞれ駆動回路１９、２１、４３を介してＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂ、８ｃのゲートに与えられる。
【００４３】
図８は、マイコン６がデューティ比５０％の一定周期の駆動信号Ｇｓを出力しているときの当該駆動信号Ｇｓ、温度検出電圧Ｖt1、Ｖt2、Ｖt3、駆動信号Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、選択される消弧回路および出力電圧Ｖoutの波形を示している。図９は、マイコン６が実行する消弧制御処理のフローを示している。
【００４４】
マイコン６が処理を開始すると、初めにＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂ、８ｃのうち何れか１つをオンして消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃのうち１つを選択する（ステップＴ１）。このとき、検出温度が最も低い消弧回路を選択することが好ましい。図８に示す波形例では消弧回路７ａが選択されている。マイコン６は、温度検出電圧Ｖt1、Ｖt2、Ｖt3をＡ／Ｄ変換して消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃの温度を求め（ステップＴ２）、これらの検出温度を互いに比較して検出温度が最も低い消弧回路を特定する（ステップＴ３）。
【００４５】
続いて、この特定した消弧回路が現在の選択消弧回路と同じであるか否かを判断する（ステップＴ４）。特定した消弧回路が現在の選択消弧回路と異なる場合には、特定した消弧回路のみが負荷２に接続されるように駆動信号Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃを出力し、ＭＯＳトランジスタ８ａ、８ｂ、８ｃを切り替えてステップＴ２に移行する（ステップＴ５；図８に示す時刻ｔ１、ｔ２、ｔ３）。特定した消弧回路が現在の選択消弧回路と同じ場合には、ステップＴ５をスキップしてステップＴ２に移行する。
【００４６】
本実施形態の負荷駆動装置４１によれば、温度が最も低い消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃが選択消弧回路として用いられるので、負荷２に接続される選択消弧回路の温度変動が一層小さくなる。その他、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４７】
（第４の実施形態）
第４の実施形態について図１０を参照しながら説明する。本実施形態の負荷駆動装置は、図７に示した負荷駆動装置４１と同じハードウェア構成を備えている。負荷駆動装置を構成するマイコン６が実行する消弧制御処理は、第２の実施形態で説明した消弧制御処理に変形を加えたものである。
【００４８】
マイコン６は、第２の実施形態と同様にステップＳ１からＳ３の処理（図６参照）を実行する。マイコン６は、消弧回路７ａの検出温度がしきい値温度以上になると、温度検出電圧Ｖt2、Ｖt3をＡ／Ｄ変換して消弧回路７ｂ、７ｃの温度を求める（ステップＳ１１）。マイコン６は、消弧回路７ｂ、７ｃのうち検出温度が最も低い消弧回路を特定し、ＭＯＳトランジスタ８ａをオフ、ＭＯＳトランジスタ８ｂまたは８ｃをオンして当該特定した消弧回路を選択する（ステップＳ１２）。その後、第２の実施形態と同様にステップＳ５からＳ７の処理（図６参照）を実行する。
【００４９】
本実施形態によれば、消弧回路７ａから他の消弧回路７ｂまたは７ｃに切り替えられている間、当該他の消弧回路の温度がより低くなるので、負荷２に接続される選択消弧回路の温度変動が一層小さくなる。その他、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５０】
（その他の実施形態）
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形、拡張を行うことができる。
【００５１】
各実施形態では２または３の消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃを備えた構成について説明したが、消弧回路の数をさらに増やしてもよい。
消弧回路７ａ、７ｂ、７ｃは、フライバックエネルギーを消費する構成であれば抵抗９とダイオード１０の直列回路に限られない。
【００５２】
各実施形態における検出温度の比較処理にヒステリシス制御を行ってもよい。これにより、切替回路８の切り替え頻度を低減することができる。
【符号の説明】
【００５３】
図面中、１、３１、４１は誘導性負荷駆動装置、２は誘導性負荷、５はＭＯＳトランジスタ（スイッチ回路）、６はマイクロコンピュータ（負荷制御回路）、７ａ、７ｂ、７ｃは消弧回路、８は切替回路、９は抵抗、１０はダイオード、１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃは温度検出回路、１２はサーミスタ（温度検出素子）、１４、３２、４２は消弧制御回路、１７はコンパレータである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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