(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、ＯＬＥＤのカソード電極の実質的な低抵抗化を図るために、表示領域内のバンクの位置にてコンタクトホールを設け給電配線に接続すると、バンク面積が増加し開口率が低下する。【解決手段】基準電源線９６はガラス基板１２０の上に形成されＯＬＥＤ６４の駆動の基準電位を供給される。ＯＬＥＤ６４は、基準電源線９６が形成されたガラス基板１２０の上に形成され、下から順に下部電極１３０、有機材料層１３２、及び複数の画素に共通のカソード電極である上部電極１３４が積層された構造を有する。複数の画素のうちの一部の画素は、Ｗサブピクセルに対応する開口領域に、有機材料層１３２を貫通して上部電極１３４と基準電源線９６とを電気的に接続するカソードコンタクト１２６を形成される。【選択図】図３
2015069830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁で囲まれた開口領域に形成された有機発光素子を少なくとも１つ含み共通の形を有する複数の画素が二次元配列された有機ＥＬ表示装置であって、
基板の上に形成され前記有機発光素子の駆動の基準電位を供給される給電配線を有し、
前記有機発光素子は、前記給電配線が形成された前記基板の上に形成され、下から順に下部電極、有機材料層、及び前記複数の画素に共通の上部電極が積層された構造を有し、
前記複数の画素のうちの一部の画素は、前記有機材料層を貫通して前記上部電極と前記給電配線とを電気的に接続する垂直配線を前記開口領域内に形成された変則画素であること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記画素は、赤色、緑色、青色及び白色で発光する４つの前記開口領域を含み、
前記変則画素は、白色発光の前記開口領域の全部又は一部に、前記有機発光素子の構造に代えて前記垂直配線を形成されること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記画素は赤色、緑色及び青色で発光する３つの前記開口領域からなり、
前記変則画素は、青色発光の前記開口領域の全部又は一部に、前記有機発光素子の構造に代えて前記垂直配線を形成されること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記上部電極は透明導電膜からなること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）表示装置に関し、特に有機発光素子の電極のうち表示領域に配列された複数画素に共通に形成される電極における電位の均一化に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置はＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせた構造を有する。図７は従来の有機ＥＬ表示装置２のＴＦＴ基板４の表示領域の模式的な部分断面図であり、表示領域の水平方向に沿った垂直断面を示している。ＴＦＴ基板４は例えば、ガラス基板６上に回路層８、絶縁膜１０、バンク１２、有機発光ダイオード（Organic Light-Emitting Diode：ＯＬＥＤ）１４及び封止膜１６などを積層される。
【０００３】
表示領域には複数の画素が二次元配列される。カラー表示を行う有機ＥＬ表示装置では、各画素は互いに異なる色で発光する複数のサブピクセルからなる。例えば、画素は赤色（Ｒ）で発光するＲサブピクセル、緑色（Ｇ）で発光するＧサブピクセル、青色（Ｂ）で発光するＢサブピクセルで構成することができ、またこれらに白色（Ｗ）で発光するＷサブピクセルを加えた４サブピクセルで１画素を構成することも行われる。
【０００４】
ＯＬＥＤ１４はサブピクセルごとにバンク１２（隔壁）で囲まれた開口領域に形成され、下部電極２０、有機層２２（有機材料層）及び上部電極２４を含んで構成される。下部電極２０及び上部電極２４はそれぞれＯＬＥＤのアノード電極（陽極）、カソード電極（陰極）を構成し、これらの間に印加される電気信号により有機層２２での発光が制御される。上部電極２４は基本的に表示領域全体の画素に共通に形成され、表示領域の縁にて給電線に接続され駆動部から共通電圧を印加される。一方、下部電極２０は画素ごとに形成され、回路層８に形成される各画素の画素回路及び駆動電源線を介して駆動部から映像信号に応じた電流を供給される。
【０００５】
バンク１２はＯＬＥＤ、特に有機層２２をサブピクセルごとに区切って形成するための隔壁としての機能を有する。またバンク１２は絶縁層で形成され、開口領域ごとに形成される下部電極２０間の短絡を防止する。
【０００６】
上部電極２４及び下部電極２０は例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材を用いて形成される。特に、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、消費電力低減の観点から上部電極２４の光の透過率は高いことが望ましい。ここで、透明電導電材を薄くすれば上部電極２４の透過率は上がるが、その反面、上部電極２４の導電率が低下し、ＯＬＥＤに流れる電流に起因する電圧降下が大きくなる。具体的には上部電極２４において給電線に近い位置と遠い位置とでの電位差が大きくなる。その結果、給電線から遠い位置ほどＯＬＥＤの電流密度が低下して輝度が低下するシェーディング（輝度傾斜）が生じる。すなわち、発光輝度が表示領域内で一様でなくなり表示むらを生じるという問題がある。この問題は表示パネルが大面積化するほど顕著となる。
【０００７】
そこで、抵抗値の低い材料を用いて導通を補助する給電配線を形成し、バンク１２に形成したコンタクトホールを介して上部電極２４と給電配線とを接続することで、上部電極２４の実質的な低抵抗化を図ることが提案されている（特許文献１）。
【０００８】
図８、図９は上部電極２４と給電配線３０とを接続するコンタクトホール３２をバンク１２に形成した有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部分の平面図である。ここでは各画素３４がＲＧＢＷの４つのサブピクセル３６からなる例を示している。図８は水平方向に隣接する画素３４の間のバンク１２にコンタクトホール３２を配置する場合を示しており、図９は垂直方向に隣接する画素３４の間のバンク１２にコンタクトホール３２を配置する場合を示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−１９９８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図８、図９に示すようにコンタクトホール３２を配置するバンク１２は、コンタクトホール３２を配置しない場合のバンクより大きな幅を要する部分を生じる。すなわち、上部電極２４と給電配線３０とを接続するコンタクトホール３２をバンク１２に形成する構成では、バンク１２の幅はバンク１２の本来の機能から必要とされる以上のサイズとなりバンク１２の微細化が制限されるので、有機ＥＬ表示装置の高精細化に不利であるという問題があった。
【００１１】
また、図８、図９に示すように、コンタクトホール３２は上部電極２４の導電率によっては必ずしも画素ごとに設けなくてもよい。しかし、画像表示装置では表示品質確保のため画素の配列ピッチを表示領域内にて一様にするので、電気特性上、コンタクトホール３２を配置する必要がない位置のバンク１２の幅、面積がコンタクトホール３２を設ける位置のバンク１２と同様に大きく形成され、無駄な非発光領域が大きくなる。
【００１２】
具体的には、図８、図９に示すマトリクス状の画素配列にて水平方向の画素ピッチをｘ、垂直方向の画素ピッチをｙとすると、図８に示す構成では、バンク１２にコンタクトホール３２を配置しない場合よりもｘが大きくなり、図９に示す構成では、バンク１２にコンタクトホール３２を配置しない場合よりもｙが大きくなる。画素ピッチの増加は高精細化に不利であることを意味し、また当該増加はバンク１２の幅の増加によるものであり、非発光領域の増加を意味する。
【００１３】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、画素の開口率を高く維持しつつ、シェーディングを抑制し高品位の画質が得られる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（１）本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、隔壁で囲まれた開口領域に形成された有機発光素子を少なくとも１つ含み共通の形を有する複数の画素を二次元配列され、基板の上に形成され前記有機発光素子の駆動の基準電位を供給される給電配線を有し、前記有機発光素子は、前記給電配線が形成された前記基板の上に形成され、下から順に下部電極、有機材料層、及び前記複数の画素に共通の上部電極が積層された構造を有し、前記複数の画素のうちの一部の画素は、前記有機材料層を貫通して前記上部電極と前記給電配線とを電気的に接続する垂直配線を前記開口領域内に形成された変則画素であるものである。
【００１５】
（２）上記（１）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記画素は、赤色、緑色、青色及び白色で発光する４つの前記開口領域を含み、前記変則画素は、白色発光の前記開口領域の全部又は一部に、前記有機発光素子の構造に代えて前記垂直配線を形成される構成とすることができる。
【００１６】
（３）上記（１）に記載する有機ＥＬ表示装置において、前記画素は赤色、緑色及び青色で発光する３つの前記開口領域からなり、前記変則画素は、青色発光の前記開口領域の全部又は一部に、前記有機発光素子の構造に代えて前記垂直配線を形成される構成とすることができる。
【００１７】
（４）上記（１）から（３）に記載する構成は、前記上部電極が透明導電膜からなる有機ＥＬ表示装置に好適である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、表示領域内にて上部電極を給電配線に接続することでシェーディングを抑制できる。上部電極と給電配線との接続は一部の画素の開口領域で行われるので、バンクの幅を大きくする必要がなく、表示領域全体としてみて画素の開口率を高く維持することができ、また解像度の向上を図れる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素アレイ部の模式的な部分平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素アレイ部の模式的な部分断面図である。
【図４】カソードコンタクトの形成方法を説明する概略のプロセスフロー図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変則画素の模式的な平面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素アレイ部の模式的な部分平面図である。
【図７】従来の有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板の表示領域の模式的な部分断面図である。
【図８】ＯＬＥＤの上部電極と給電配線とを接続するコンタクトホールを水平方向に隣接する画素間のバンクに形成する従来の有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部分の平面図である。
【図９】ＯＬＥＤの上部電極と給電配線とを接続するコンタクトホールを垂直方向に隣接する画素間のバンクに形成する従来の有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部分の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００２１】
［第１の実施形態］
有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリックス型表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に表示パネルとして搭載される。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６０の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置６０は、画像を表示する表示領域である画素アレイ部６２と、当該画素アレイ部を駆動する駆動部とを備える。
【００２２】
画素アレイ部６２には画素（又はサブピクセル）に対応してＯＬＥＤ６４及び画素回路６６がマトリクス状に配置される。画素回路６６は複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）６８，７０やキャパシタ７２で構成される。ＯＬＥＤ６４のアノード電極は駆動ＴＦＴ７０に接続される。また、全ＯＬＥＤ６４のカソード電極は後述するように共通の電極で構成される。
【００２３】
一方、駆動部は走査線駆動回路８０、映像線駆動回路８２、駆動電源回路８４、基準電源回路８６及び制御装置８８を含み、画素回路６６を駆動しＯＬＥＤ６４の発光を制御する。
【００２４】
走査線駆動回路８０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線９０に接続されている。走査線駆動回路８０は制御装置８８から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線９０を順番に選択し、選択した走査信号線９０に、点灯ＴＦＴ６８をオンする電圧を印加する。
【００２５】
映像線駆動回路８２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線９２に接続されている。映像線駆動回路８２は制御装置８８から映像信号を入力され、走査線駆動回路８０による走査信号線９０の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線９２に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ６８を介してキャパシタ７２に書き込まれる。駆動ＴＦＴ７０は書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６４に供給し、これにより、選択された走査信号線９０に対応する画素のＯＬＥＤ６４が発光する。
【００２６】
制御装置８８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算処理回路、及びＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などのメモリ素子からなる記憶部を備えている。制御装置８８は映像信号を入力される。例えば、有機ＥＬ表示装置６０がコンピュータや携帯端末の表示部を構成する場合には、映像信号は本体のコンピュータ等から有機ＥＬ表示装置６０に入力される。また、有機ＥＬ表示装置６０がテレビジョン受信機を構成する場合には、映像信号は不図示のアンテナやチューナで受信される。制御装置８８はＣＰＵがメモリに格納されたプログラムを読み出して実行することにより各種の処理を実行する。具体的には、制御装置８８は当該映像信号に対して色調整などの各種の画像信号処理を行って映像線駆動回路８２へ出力する。また、制御装置８８は入力された映像信号に基づいて、走査線駆動回路８０や映像線駆動回路８２が同期を取るためのタイミング信号を生成し、それら回路に向けて出力する。
【００２７】
駆動電源回路８４は画素列ごとに設けられた駆動電源線９４に接続され、駆動電源線９４及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ７０を介してＯＬＥＤ６４に電流を供給する。
【００２８】
基準電源回路８６は、ＯＬＥＤ６４のカソード電極を構成する共通電極（図示せず）と、基準電源線９６とに基準電位を与える。基準電位は例えば、接地電位とすることができる。
【００２９】
基準電源線９６（給電配線）は画素アレイ部６２を横切って配置され、画素アレイ部６２内の一部のＯＬＥＤ６４のカソード電極に接続される。基準電源回路８６からＯＬＥＤ６４のカソード電極までの配線抵抗を小さくするために、基準電源線９６は画素アレイ部６２の短辺に沿った方向に延在するのが好適である。本実施形態では画素アレイ部６２が縦長の矩形であるとし、これに対応して基準電源線９６は水平方向に配置している。図１では、上述のように基準電源線９６を一部のＯＬＥＤ６４にしか接続しない構成の例示として、画素アレイ部６２にて１本の基準電源線９６を配し、１つのＯＬＥＤ６４に接続される構成を示している。なお、基準電源線９６は両端を基準電源回路８６に接続することができるが、図１では図示の都合上、一方端だけが基準電源回路８６に接続されているように示している。
【００３０】
この基準電源線９６を用いたＯＬＥＤ６４のカソード電極への基準電位の供給についてさらに詳述する。図２は有機ＥＬ表示装置６０の画素アレイ部６２の模式的な部分平面図である。各画素１００はベイヤー配列されたＲＧＢＷの４つのサブピクセルからなる。具体的には、水平方向、垂直方向にそれぞれ２つ並んだ４つの開口領域１０２が当該４つのサブピクセル１０４に対応し、４つの開口領域が形成する矩形の１つの対角線上にＲサブピクセル１０４ｒとＢサブピクセル１０４ｂとが配置され、もう１つの対角線上にＧサブピクセル１０４ｇとＷサブピクセル１０４ｗとが配置される。なお、本実施形態では各開口領域１０２は同一の形状・大きさに設計されている。
【００３１】
開口領域１０２にはそれぞれ１つのＯＬＥＤ６４が形成される。ここで、サブピクセル１０４ごとに異なる４種類の発光色は、異なる色で発光する４種類のＯＬＥＤ６４を形成するか、例えば、白色発光のＯＬＥＤ６４とカラーフィルタとを組み合わせることで得られる。
【００３２】
開口領域１０２を囲んでバンク１０６が形成される。すなわち、バンク１０６は水平方向に隣接する開口領域１０２間を区切り、また垂直方向に隣接する開口領域１０２間を区切る。バンク１０６の幅は、ＯＬＥＤ６４を分離して形成するための隔壁としてのバンクの機能を果たすのに足りるだけの大きさに設定することができ、従来技術で述べたようなコンタクトホールを形成できる大きさにする必要はない。バンク１０６のうち水平方向に並ぶ開口領域１０２間を区切る部分の幅ｗＢＨ、及び垂直方向に並ぶ開口領域１０２間を区切る部分の幅ｗＢＶはそれぞれ任意の開口領域１０２間で同一とすることができ、またｗＢＨとｗＢＶとは基本的には同じ値に設定することができる。
【００３３】
さて、上述した画素１００が画素アレイ部６２における基本的な画素であり、画素アレイ部６２を構成する画素の少なくとも過半数は基本画素１００からなる。一方、画素アレイ部６２の一部の画素は基本画素１００に変更を加えた構造を有した変則画素１００ａとされる。変則画素１００ａは、ＯＬＥＤ６４を構成する有機材料層を貫通して上部電極であるカソード電極と基準電源線９６とを電気的に接続する垂直配線（カソードコンタクト）を変則画素１００ａ内の開口領域に形成される。本実施形態の変則画素１００ａは基本画素１００におけるＷサブピクセル１０４ｗに対応する開口領域１０２ａに、有機発光素子の構造に代えてカソードコンタクトを形成される。これ以外の点では変則画素１００ａは基本画素１００と同じ構成である。よって、水平方向の画素ピッチｘ’及び垂直方向の画素ピッチｙ’は画素アレイ部６２にて均一である。
【００３４】
図３は有機ＥＬ表示装置６０の画素アレイ部６２の模式的な部分断面図であり、図２に示す水平方向のIII−III線に沿った画素アレイ部６２の垂直断面を表している。有機ＥＬ表示装置６０はＴＦＴ基板１１０と対向基板１１２とを、間に充填層１１４を挟んで貼り合わせた構造を有する。本実施形態において画素アレイ部はトップエミッション型であり、ＴＦＴ基板１１０上に発光部となるＯＬＥＤ６４が形成され、ＯＬＥＤで生じた光を対向基板１１２から出射する。すなわち、図３においてＯＬＥＤの光は上向きに出射する。また、図３に示す有機ＥＬ表示装置６０におけるカラー化方式はカラーフィルタ方式であり、ＯＬＥＤにて白色光を生成し、当該白色光をカラーフィルタを通すことでＲＧＢ各色を得る。なお、Ｗサブピクセル１０４ｗはカラーフィルタを配置せずＯＬＥＤの白色光をそのまま取り出す。
【００３５】
ＴＦＴ基板１１０は例えば、ガラス基板１２０上に回路層１２２、絶縁膜１２４、バンク１０６、ＯＬＥＤ６４、カソードコンタクト１２６及び封止膜１２８などを積層される。
【００３６】
回路層１２２は上述した画素回路６６、走査信号線９０、映像信号線９２、駆動電源線９４、基準電源線９６などからなり、ガラス基板１２０の表面に形成される。図３には回路層１２２のうち基準電源線９６のみが表されている。回路層１２２はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置６０において、表示面である対向基板１１２側から見てＯＬＥＤ６４より後方に位置するので、不透明な材料を用いて構成することができる。特に、基準電源線９６等の各種配線は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材に比べて導電率が高い金属を用いて形成し低抵抗とすることができる。
【００３７】
ＯＬＥＤ６４は下から順に下部電極１３０、有機材料層１３２及び上部電極１３４を積層された構造を有する。有機材料層１３２は正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含んで構成される。
【００３８】
本実施形態では下部電極１３０及び上部電極１３４はそれぞれＯＬＥＤ６４のアノード電極、カソード電極を構成し、これらの間に印加される電気信号により発光層での発光が制御される。
【００３９】
下部電極１３０は画素ごとに分離して形成される。下部電極１３０はＩＴＯ、ＩＺＯなどで形成される。下部電極１３０はコンタクトホール（図示せず）を介して、回路層１２２に形成されるＴＦＴ（図１に示す駆動ＴＦＴ７０）に電気的に接続され、駆動部及び画素回路により映像信号に応じた電流を供給される。
【００４０】
なお、本実施形態では有機ＥＬ表示装置６０はトップエミッション方式であり、下部電極１３０は光反射率が高い材料で形成された反射層上に透明導電膜を積層した２層構造とすることができる。例えば、反射層はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等で形成することができ、発光層からの光を表示面、つまり対向基板１１２側へ反射させる。
【００４１】
上部電極１３４は基本的に画素アレイ部６２全体の画素に亘ってつながって形成された共通電極である。上部電極１３４はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明電極材料で形成される。
【００４２】
上部電極１３４の端部は配線を介して図１に示す基準電源回路８６に接続され、基準電源回路８６から基準電位を供給される。
【００４３】
さらに、上部電極１３４は変則画素１００ａにてＷサブピクセルに対応する位置の開口領域１０２ａに形成されるカソードコンタクト１２６により基準電源線９６に接続され、基準電源線９６を介して基準電源回路８６から基準電位を供給される。上述したように基準電源線９６は金属で低抵抗とすることができ、基準電源回路８６とカソードコンタクト１２６との間での基準電源線９６による電圧降下は上部電極１３４での電圧降下より小さい。そこで、カソードコンタクト１２６を介した基準電位の供給により画素アレイ部６２での上部電極１３４の電位の一様性が向上するように変則画素１００ａが配置され、ＯＬＥＤ６４の輝度のシェーディングを抑制する。
【００４４】
上述のようにカソードコンタクト１２６及び基準電源線９６を用いることで、上部電極１３４を薄くしてもシェーディングを抑制することが可能となる。よって、上部電極１３４を薄くして上部電極１３４の透過率を向上させることができるので、所望の表示輝度を得るためのＯＬＥＤ６４の駆動電力を低減できる。
【００４５】
カソードコンタクト１２６は絶縁膜１２４を貫通するコンタクトホール１３６に充填された導電材と、下部電極１３０ａと、有機材料層１３２を貫通する孔に充填された上部電極１３４の導電材とで構成される。
【００４６】
封止膜１２８はＯＬＥＤ６４を形成した画素アレイ部６２の全面に積層される。封止膜１２８は充填層１１４に含まれる水分などの透過を阻止し、ＯＬＥＤを保護する機能を有する。
【００４７】
対向基板１１２は例えば、ガラス基板１４０などの透明な基板にカラーフィルタ１４２などが積層された構造を有する。例えば図３に示す断面では、Ｒサブピクセル１０４ｒの位置に赤色の波長帯域を透過するカラーフィルタ１４２が配置される。なお，既に述べたように、Ｗサブピクセル１０４ｗにはカラーフィルタ１４２は配置されない。カラーフィルタ１４２の境界にはブラックマトリクス１４４が配置される。
【００４８】
図４は、カソードコンタクト１２６の形成方法を説明する概略のプロセスフロー図であり、同図は図３の変則画素１００ａの開口領域１０２ａにてカソードコンタクト１２６に関連する部分の主な製造工程における模式的な垂直断面図を示している。
【００４９】
図４（ａ）はガラス基板１２０の上に回路層１２２、絶縁膜１２４、下部電極１３０、バンク１０６及び有機材料層１３２を順次形成した状態を示している。これら各層の形成は基本的にＯＬＥＤ６４が形成される通常の開口領域１０２、又は従来技術と同様に行うことができる。開口領域１０２ａでは下部電極１３０ａの下に回路層１２２として基準電源線９６が配置され、絶縁膜１２４には基準電源線９６の上にコンタクトホール１３６が形成される。ちなみに、通常の開口領域１０２では絶縁膜１２４に、下部電極１３０を駆動ＴＦＴ７０に接続するためのコンタクトホールが形成されるが、開口領域１０２ａには当該コンタクトホールに代えてコンタクトホール１３６が形成される。なお、通常の開口領域のコンタクトホールと開口領域１０２ａのコンタクトホール１３６とは同一工程で形成することができる。コンタクトホール１３６には導電材が充填される。
【００５０】
絶縁膜１２４にコンタクトホール１３６を形成した後、絶縁膜１２４の表面に下部電極１３０を構成する導電膜を積層し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして隣接する開口領域１０２の下部電極１３０とは分離した下部電極１３０ａを形成する。ちなみに、上述のコンタクトホール１３６への導電材の充填は、下部電極１３０ａを構成する導電材料の積層工程で行うことが可能である。すなわち、下部電極１３０ａを構成する導電材を絶縁膜１２４の表面と共にコンタクトホール１３６に充填して基準電源線９６と下部電極１３０ａとの間を電気的に接続することができる。
【００５１】
下部電極１３０ａの形成後、バンク１０６が形成され、有機材料層１３２が積層される。図４（ａ）は当該工程まで完了した状態を示している。
【００５２】
次に、開口領域１０２ａの有機材料層１３２に貫通孔１５０を開ける（図４（ｂ））。貫通孔１５０は例えば、レーザービーム１５２を照射して有機材料層１３２を除去することで形成できる。貫通孔１５０を形成した後、導電膜を積層して上部電極１３４を形成する（図４（ｃ））。上部電極１３４を構成する導電膜は貫通孔１５０に充填され、貫通孔１５０の底面に露出する下部電極１３０ａに電気的に接続される。これにより、有機材料層１３２を貫通して上部電極１３４と基準電源線９６とを電気的に接続する垂直配線となるカソードコンタクト１２６が開口領域１０２ａに形成される。
【００５３】
なお、インクジェット方式で各開口領域１０２ごとに有機材料層１３２を塗り分ける場合には、変則画素１００ａの開口領域１０２ａには予め有機材料層１３２を形成しないことで、その除去工程を省略することができる。また、例えば、蒸着で有機材料層１３２を形成する場合には、ファインメタルマスクを用いて開口領域１０２ａを有機材料層１３２の非成膜領域とすることができる。
【００５４】
上述の有機ＥＬ表示装置６０は画素アレイ部６２に二次元配列される画素の一部が変則画素１００ａである。画素アレイ部６２における変則画素１００ａの位置は制御装置８８のメモリに予め格納される。制御装置８８は入力される映像信号に基づいて各画素のサブピクセル１０４の輝度値を表す信号を生成して映像線駆動回路８２へ出力する。その際、制御装置８８は、メモリに格納された変則画素１００ａの位置の情報を参照して、入力映像信号が表す画素が基本画素１００であるか変則画素１００ａであるかを判断する。そして、制御装置８８は、基本画素１００の位置に対応する映像信号をＲＧＢＷの４種類の色成分信号に変換し、一方、変則画素１００ａの位置に対応する映像信号をＲＧＢの３種類の色成分信号に変換する。当該変換では、入力映像信号が表す色・輝度が、基本画素１００ではＲＧＢＷ色の発光の合成で表現されるようにＲＧＢＷ各成分信号の強度が定められ、変則画素１００ａではＲＧＢ色の発光の合成で表現されるようにＲＧＢ各成分信号の強度が定められる。これにより、基本画素１００と変則画素１００ａとで基本的に同じ表示特性が実現される。
【００５５】
［第２の実施形態］
以下、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６０を説明する。本実施形態の構成要素のうち上記第１の実施形態と共通のものには同一の符号を付して基本的に当該構成要素についての説明を省略し、主として第１の実施形態との相違点を説明する。
【００５６】
第２の実施形態における基本画素１００は第１の実施形態と同様、ベイヤー配列されたＲＧＢＷの４つのサブピクセルからなる。第２の実施形態と第１の実施形態との相違点は変則画素の構造にある。図５は第２の実施形態の変則画素１００ｂの模式的な平面図である。変則画素１００ｂは基本画素１００のＷサブピクセル１０４ｗの開口領域に対応する領域１６０の一部分に、有機発光素子の構造に代えてカソードコンタクト１２６を形成される。具体的には、領域１６０をバンク１６２で２つの領域１６０ａ，１６０ｂに区画し、例えば領域１６０ａには基本画素１００と同様に白色発光のＯＬＥＤ６４を形成する一方、領域１６０ｂには有機材料層１３２を設けず、カソードコンタクト１２６を形成する。
【００５７】
本実施形態では制御装置８８は変則画素１００ｂの位置に対応する映像信号をＲＧＢＷの４種類の色成分信号に変換する。その際、変則画素１００ｂのＷサブピクセル１０４ｗの面積が基本画素１００より小さいことを考慮する。例えば、Ｗサブピクセル１０４ｗの面積が小さい分の輝度低下を、ＲＧＢサブピクセル１０４の発光強度を上げて補償することもできるし、Ｗサブピクセル１０４ｗのＯＬＥＤの電流密度を増加させて補償することもできる。
【００５８】
［第３の実施形態］
以下、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６０を説明する。本実施形態の構成要素のうち上記第１の実施形態と共通のものには同一の符号を付して基本的に当該構成要素についての説明を省略し、主として第１の実施形態との相違点を説明する。
【００５９】
図６は本実施形態の有機ＥＬ表示装置６０の画素アレイ部６２の模式的な部分平面図である。本実施形態は、基本画素２００がＲＧＢの３つのサブピクセルからなる点、及びカソードコンタクト１２６が変則画素２００ａにてＢサブピクセルに対応する位置の開口領域１０２ｂに形成される点で第１の実施形態と相違する。
【００６０】
本実施形態では変則画素２００ａはＲＧの２つのサブピクセルからなる。そのため、カソードコンタクト１２６を設けたことによるＢサブピクセルの欠損を信号処理で補償することはできないが、ＢはＲＧＢのうち最も視感度が低い色であるので、Ｂサブピクセルをカソードコンタクト１２６の形成領域とする構成は画質の劣化が少ない。特に、変則画素２００ａが画素アレイ部６２のうちごく少数である場合には、画質劣化は目立たない。一方、カソードコンタクト１２６を設けることにより、第１、第２の実施形態と同様、シェーディングが抑制され、またＯＬＥＤでの消費電力を低減できる効果が得られる。
【００６１】
なお、上記各実施形態では有機ＥＬ表示装置６０はトップエミッション型としたが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置６０においても基準電源線９６及びカソードコンタクト１２６を用いた上部電極１３４の実質的な低抵抗化を図る本発明を適用することができる。例えば、大面積の表示装置において、本発明の構成を適用することで、上部電極１３４を厚くして低抵抗化を図るだけよりも一層好適にシェーディングを抑制することが可能となる。
【符号の説明】
【００６２】
６０  有機ＥＬ表示装置、６２  画素アレイ部、６４  ＯＬＥＤ、６６  画素回路、６８  点灯ＴＦＴ、７０  駆動ＴＦＴ、７２  キャパシタ、８０  走査線駆動回路、８２  映像線駆動回路、８４  駆動電源回路、８６  基準電源回路、８８  制御装置、９０  走査信号線、９２  映像信号線、９４  駆動電源線、９６  基準電源線、１００，２００  基本画素、１００ａ，１００ｂ，２００ａ  変則画素、１０２  開口領域、１０４  サブピクセル、１０６  バンク、１１０  ＴＦＴ基板、１１２  対向基板、１１４  充填層、１２０，１４０  ガラス基板、１２２  回路層、１２４  絶縁膜、１２６  カソードコンタクト、１２８  封止膜、１３０  下部電極、１３２  有機材料層、１３４  上部電極、１３６  コンタクトホール、１４２  カラーフィルタ、１４４  ブラックマトリクス、１５０  貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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