(57)【要約】【課題】剥離層の変形を防止しながら、封止層の変形を抑制することのできる封止半導体素子および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置１の製造方法は、ＬＥＤ２が実装された基板３を準備する準備工程、剥離層５と、剥離層５の下に積層され、熱硬化性樹脂からなる完全硬化前の封止層６と、剥離層５の上に積層され、剥離層５および封止層６を補強する補強層７とを備える封止シート４の封止層６によって、常温で、ＬＥＤ２を埋設して封止する封止工程、封止工程の後に、封止層６を加熱して硬化させる加熱工程、および、加熱工程の後に、補強層７を剥離する剥離工程を備える。【選択図】図１
2015050359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が配置された支持シートを準備する準備工程、
剥離層と、前記剥離層の下に積層され、熱硬化性樹脂からなる完全硬化前の封止層と、前記剥離層の上に積層され、前記剥離層および前記封止層を補強する補強層とを備える封止シートの前記封止層によって、常温で、前記半導体素子を埋設して封止する封止工程、
前記封止工程の後に、前記封止層を加熱して硬化させる加熱工程、および、
前記加熱工程の後に、前記補強層を剥離する剥離工程
を備えることを特徴とする、封止半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程において、封止シートを常圧で加熱することを特徴とする、請求項１に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記補強層の厚みの、前記剥離層および前記封止層の合計厚みに対する比が、０．０７以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記補強層が、弱粘着糊付きＰＥＴフィルムからなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記剥離工程では、前記剥離層および前記補強層の両方を、前記封止層から同時に剥離することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記支持シートは、前記半導体素子が実装された基板であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法により前記封止半導体素子を製造する工程、および、
前記封止半導体素子を基板に実装することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止半導体素子および半導体装置の製造方法、詳しくは、封止層によって半導体素子を封止する封止半導体素子および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光ダイオードなどの半導体素子を樹脂シートで封止することが知られている。
【０００３】
例えば、発光ダイオードを実装する基板の上に、基材シートと、基材シートの下に積層されるシリコーン樹脂層とを有する封止用シートを設置し、次いで、シリコーン樹脂層によって発光ダイオードを埋設して封止する。その後、封止用シートを加熱して、シリコーン樹脂層（封止層）を硬化させ、続いて、基材シートを封止層から剥離して、光半導体装置を製造する方法が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−０９５８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の方法では、加熱中に、封止層が変形する不具合がある。また、加熱中に、基材シートも変形することから、かかる基材シートの変形に伴って、封止層がさらに変形するという不具合がある。
【０００６】
本発明の目的は、剥離層の変形を防止しながら、封止層の変形を抑制することのできる封止半導体素子および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するため、本発明の封止半導体素子の製造方法は、半導体素子が配置された支持シートを準備する準備工程、剥離層と、前記剥離層の下に積層され、熱硬化性樹脂からなる完全硬化前の封止層と、前記剥離層の上に積層され、前記剥離層および前記封止層を補強する補強層とを備える封止シートの前記封止層によって、常温で、前記半導体素子を埋設して封止する封止工程、前記封止工程の後に、前記封止層を加熱して硬化させる加熱工程、および、前記加熱工程の後に、前記補強層を剥離する剥離工程を備えることを特徴としている。
【０００８】
この方法によれば、剥離工程の前の加熱工程において、剥離層の上に積層される補強層が、剥離層および封止層を補強することができる。そのため、加熱工程において、補強層が剥離層および封止層の変形を抑制することができる。
【０００９】
その結果、本発明の封止半導体素子の製造方法によれば、信頼性に優れる半導体装置を製造することができる。
【００１０】
また、本発明の封止半導体素子の製造方法では、前記加熱工程において、封止シートを常圧で加熱することが好適である。
【００１１】
この方法によれば、プレス装置などにより封止層を加圧する方法と異なり、かかるプレス装置などの特別な装置が不要であり、常圧において、簡易な加熱装置によって、封止シートを加熱することができる。そのため、封止半導体素子を簡便な方法でかつ低コストで製造することができる。
【００１２】
また、本発明の封止半導体素子の製造方法では、前記補強層の厚みの、前記剥離層および前記封止層の合計厚みに対する比が、０．０７以上であることが好適である。
【００１３】
この方法によれば、補強層の厚みの、剥離層および封止層の合計厚みに対する比が、上記下限以上であるので、剥離層および封止層をより確実に補強することができる。そのため、加熱工程における剥離層および封止層の変形をより一層抑制することができる。
【００１４】
また、本発明の封止半導体素子の製造方法では、前記補強層が、弱粘着糊付きＰＥＴフィルムからなることが好適である。
【００１５】
この方法によれば、補強層が弱粘着糊付きＰＥＴフィルムからなるので、剥離層および封止層をより確実に補強することができる。そのため、加熱工程における剥離層および封止層の変形をより一層抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の封止半導体素子の製造方法では、前記剥離工程では、前記剥離層および前記補強層の両方を、前記封止層から同時に剥離することが好適である。
【００１７】
この方法によれば、剥離層および補強層を順次剥離する方法に比べて、剥離工程を少ない工数で実施することができる。そのため、封止半導体素子を簡便な方法でかつ低コストで製造することができる。
【００１８】
また、本発明の封止半導体素子の製造方法では、前記支持シートは、前記半導体素子が実装された基板であることが好適である。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記した封止半導体素子の製造方法により前記封止半導体素子を製造する工程、および、前記封止半導体素子を基板に実装することを特徴としている。
【００２０】
この方法によれば、上記した封止半導体素子の製造方法により封止半導体素子を製造するので、信頼性に優れる半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、加熱工程における剥離層および封止層の変形を抑制することができ、その結果、信頼性に優れる封止半導体素子および半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態の製造工程図であり、図１Ａは、準備工程、図１Ｂは、封止工程、図１Ｃは、加熱工程を示す。
【図２】図２は、図１に引き続き、本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態の製造工程図であり、図２Ｄおよび図２Ｅは、剥離工程を示す。
【図３】図３は、本発明の封止半導体素子の製造方法の第２実施形態の製造工程図であり、図３Ａは、準備工程、図３Ｂは、圧接工程、図３Ｃは、大気解放工程、図３Ｄは、加熱工程、図３Ｅは、剥離工程を示す。
【図４】図４は、本発明の封止半導体素子の製造方法の第３実施形態の製造工程図であり、図４Ａは、準備工程、図４Ｂは、封止工程、図４Ｃは、加熱工程を示す。
【図５】図５は、図４に引き続き、本発明の封止半導体素子の製造方法の第３実施形態の製造工程図であり、図５Ｄおよび図５Ｅは、第１剥離工程、図５Ｆは、第２剥離工程、図５Ｇは、実装工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜第１実施形態＞
図１において、紙面上側を上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側を下側（第１方向他方側）とする。具体的には、図１に記載された方向を基準とする。図２の方向は、図１の方向に準じる。
【００２４】
本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態であるＬＥＤ装置１の製造方法は、準備工程（図１Ａ参照）、封止工程（図１Ｂ参照）、加熱工程（図１Ｃ参照）および剥離工程（図２Ｄおよび図２Ｅ参照）を備える。以下、各工程を詳述する。
【００２５】
［準備工程］
準備工程では、半導体素子としてのＬＥＤ２が実装された支持シートとしての基板３を準備する。かかる基板３を準備するには、まず、ＬＥＤ２を基板３の上に実装する。具体的には、ＬＥＤ２を基板３の上面に実装する。あるいは、予めＬＥＤ２が実装された基板３を準備することもできる。
【００２６】
図１Ａに示すように、基板３は、面方向（厚み方向に直交する方向）に延びる平面視略矩形の平板形状に形成されている。基板３は、例えば、アルミニウムなどの金属材料、例えば、アルミナなどのセラミック材料、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料など、ＬＥＤ装置１の基板として一般に用いられる材料から形成されている。基板３の上面には、ＬＥＤ２の端子（図示せず）と電気的に接続するための電極（図示せず）と、それに連続する配線とを備える導体パターン（図示せず）が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。基板３の１辺の長さは、例えば、１ｍｍ以上であり、また、例えば、１，０００ｍｍ以下である。基板３の厚みは、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．９ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。
【００２７】
ＬＥＤ２は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、上面または下面に端子（図示せず）を備えている。ＬＥＤ２の１辺の長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。ＬＥＤ２の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【００２８】
ＬＥＤ２を基板３に実装する方法として、例えば、フリップチップ実装が採用される。また、ＬＥＤ２の端子を基板３の電極とワイヤボンディング接続することもできる。
【００２９】
また、複数のＬＥＤ２を、基板３に実装する。ＬＥＤ２は、面方向に互いに間隔を隔てて基板３の上面に実装される。ＬＥＤ２は、面方向、具体的には、前後左右方向（前後方向をＸ方向とし、左右方向をＹ方向としてときの、Ｘ−Ｙ方向）において、等間隔で整列配置されている。ＬＥＤ２の面方向における間隔は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、１ｍｍ以上であり、また、例えば、５０ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。
【００３０】
［封止工程］
封止工程では、図１Ａに示すように、まず、封止シート４を用意し、その後、図１Ｂに示すように、封止シート４によって、ＬＥＤ２を封止する。
【００３１】
封止シート４は、図１Ａに示すように、剥離層５と、剥離層５の下に積層される封止層６と、剥離層５の上に積層される補強層７とを備える。
【００３２】
剥離層５は、封止シート４において、封止層６の上面を保護するとともに、封止層６を支持する層であり、使用後（具体的には、後述する加熱工程の後）には、封止層６から剥離される層である。剥離層５は、封止シート４において、次に説明する封止層６および補強層７の間に介在されている。剥離層５としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴフィルムなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、剥離層５の表面（上面および下面）には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。剥離層５は、ポリマーフィルムである場合の線膨張係数が、例えば、７０×１０−６Ｋ−１以上、好ましくは、８０×１０−６Ｋ−１以上であり、また、例えば、１４０×１０−６Ｋ−１以下、好ましくは、１２０×１０−６Ｋ−１以下である。線膨張係数は、ＴＭＡ（熱機械分析）によって算出される。剥離層５の厚みは、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、３８μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００３３】
封止層６は、封止シート４において、最下部に設けられており、具体的には、剥離層５の下面全面に形成されている。封止層６は、封止樹脂を含有する封止樹脂組成物からシート状に形成されている。
【００３４】
封止樹脂としては、加熱により硬化する熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００３５】
熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００３６】
熱硬化性樹脂としては、例えば、２段階熱硬化性樹脂組成物、１段階熱硬化性樹脂組成物などが挙げられ、好ましくは、２段階熱硬化性樹脂組成物が挙げられる。
【００３７】
また、２段階熱硬化性樹脂組成物は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（最終硬化）する。一方、１段階熱硬化性樹脂組成物は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する。また、Ｂステージは、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。
【００３８】
２段階熱硬化性樹脂組成物の未硬化体（１段階目の硬化前）としては、例えば、２段階硬化性シリコーン樹脂組成物の未硬化体が挙げられ、好ましくは、縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００３９】
縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物は、加熱によって、縮合反応および付加反応することができる熱硬化性シリコーン樹脂組成物であって、より具体的には、加熱によって、縮合反応して、Ｂステージ（半硬化）となることができ、次いで、さらなる加熱によって、付加反応（具体的には、例えば、ヒドロシリル化反応）して、Ｃステージ（最終硬化）となることができる熱硬化性シリコーン樹脂組成物である。
【００４０】
このような縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物としては、例えば、シラノール両末端ポリシロキサン、アルケニル基含有トリアルコキシシラン、オルガノハイドロジェンシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第１の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物、エポキシ基含有ケイ素化合物、オルガノハイドロジェンシロキサン、縮合触媒および付加触媒を含有する第２の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物、例えば、両末端シラノール型シリコーンオイル、アルケニル基含有ジアルコキシアルキルシラン、オルガノハイドロジェンシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第３の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物、例えば、１分子中に少なくとも２個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒および硬化遅延剤を含有する第４の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのヒドロシリル基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒およびヒドロシリル化抑制剤を含有する第５の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのシラノール基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化抑制剤、および、ヒドロシリル化触媒を含有する第６の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物、例えば、ケイ素化合物、および、ホウ素化合物またはアルミニウム化合物を含有する第７の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物、例えば、ポリアルミノシロキサンおよびシランカップリング剤を含有する第８の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
【００４１】
これら縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００４２】
縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物として、好ましくは、第４の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００４３】
第４の縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物は、特開２０１１−２１９５９７号公報などに記載され、例えば、ジメチルビニルシリル末端ポリジメチルシロキサン、トリメチルシリル末端ジメチルシロキサン−メチルヒドロシロキサン共重合体、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体および水酸化テトラメチルアンモニウムなどを含有する。
【００４４】
一方、１段階硬化性シリコーン樹脂組成物とは、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で最終硬化する熱硬化性シリコーン樹脂組成物である。
【００４５】
１段階硬化性シリコーン樹脂組成物としては、例えば、付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
【００４６】
付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物は、例えば、主剤となるエチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンと、架橋剤となるオルガノハイドロジェンシロキサンとを含有する。
【００４７】
エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンとしては、例えば、アルケニル基含有ポリジメチルシロキサン、アルケニル基含有ポリメチルフェニルシロキサン、アルケニル基含有ポリジフェニルシロキサンなどが挙げられる。
【００４８】
付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物では、通常、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンと、オルガノハイドロジェンシロキサンとが、別々のパッケージで提供される。具体的には、主剤（エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサン）を含有するＡ液と、架橋剤（オルガノハイドロジェンシロキサン）を含有するＢ液との２液として提供される。なお、両者の付加反応に必要な公知の触媒は、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンに添加されている。
【００４９】
このような付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物は、主剤（Ａ液）と架橋剤（Ｂ液）とを混合して混合液を調製し、混合液から上記した封止層６の形状に成形する工程において、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンとオルガノハイドロジェンシロキサンとが付加反応して、付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物が硬化して、シリコーンエラストマー（硬化体）を形成する。
【００５０】
このような封止樹脂の配合割合は、封止樹脂組成物１００質量部に対して、例えば、２０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、９９．９質量部以下、好ましくは、９９．５質量部以下である。
【００５１】
また、封止樹脂組成物には、必要により、蛍光体、充填剤を含有させることができる。
【００５２】
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体などが挙げられる。そのような蛍光体としては、例えば、複合金属酸化物や金属硫化物などに、例えば、セリウム（Ｃｅ）やユウロピウム（Ｅｕ）などの金属原子がドープされた蛍光体が挙げられる。
【００５３】
具体的には、蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ２ＣａＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）３Ｏ１２：Ｃｅなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕなどのシリケート蛍光体、例えば、ＣａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕなどのアルミネート蛍光体、例えば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕなどの硫化物蛍光体、例えば、ＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉ５Ｎ８：Ｅｕなどの窒化物蛍光体、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎなどのフッ化物系蛍光体などが挙げられる。好ましくは、ガーネット型蛍光体、さらに好ましくは、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅが挙げられる。蛍光体は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００５４】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
【００５５】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００５６】
蛍光体の配合割合は、封止樹脂組成物１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【００５７】
充填剤としては、例えば、シリコーン微粒子、ガラス、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、タルク、クレー、硫酸バリウムなどが挙げられ、これら充填剤は、単独使用または２種類以上併用することができる。好ましくは、シリコーン微粒子、シリカが挙げられる。
【００５８】
充填剤の配合割合は、封止樹脂組成物１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【００５９】
なお、封止樹脂組成物には、例えば、変性剤、界面活性剤、染料、顔料、変色防止剤、紫外線吸収剤などの公知の添加物を適宜の割合で添加することができる。
【００６０】
封止層６は、熱硬化性樹脂の完全硬化前の状態として形成（調製）される。具体的には、封止層６は、２段階熱硬化性樹脂組成物からなる場合には、２段階熱硬化性樹脂組成物の１段階硬化体からなり、また、１段階熱硬化性樹脂組成物からなる場合には、１段階熱硬化性樹脂組成物の未硬化体（硬化前）からなる。
【００６１】
とりわけ好ましくは、封止層６は、２段階硬化性樹脂組成物の１段階硬化体である。つまり、とりわけ好ましくは、封止層６は、Ｂステージ状態の２段階熱硬化性樹脂組成物からなる。
【００６２】
封止層６を形成するには、例えば、上記した封止樹脂組成物（必要により蛍光体や充填剤などを含有する）を、剥離層５の上に、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの方法により適当な厚みに塗工し、必要により加熱する。これにより、シート状の封止層６を剥離層５の上に形成する。
【００６３】
この封止層６の２３℃における圧縮弾性率は、例えば、０．１５ＭＰａ以下、好ましくは、０．１２ＭＰａ以下、より好ましくは、０．１ＭＰａ以下であって、また、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．０４ＭＰａ以上である。
【００６４】
封止層６の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、封止層６の柔軟性を担保することができる。一方、封止層６の圧縮弾性率が下限以上であれば、封止層６の保形性を確保しつつ、かかる封止層６によってＬＥＤ２を埋設することができる。
【００６５】
封止層６の線膨張係数は、例えば、１５０×１０−６Ｋ−１以上、好ましくは、２００×１０−６Ｋ−１以上であり、また、例えば、４００×１０−６Ｋ−１以下、好ましくは、３００×１０−６Ｋ−１以下である。また、封止層６の線膨張係数から剥離層５の線膨張係数を差し引いた値（差）が大きいほど封止層６が変形し易い場合がある。
【００６６】
封止層６は、図１Ａが参照されるように、平面視矩形のシート状に形成されている。また、封止層６の大きさは、複数のＬＥＤ２を一括して封止可能なサイズに調節されている。封止層６の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上、より好ましくは、４００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【００６７】
剥離層５および封止層６の合計厚みＴ０は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．６ｍｍ以上であり、また、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは、１．５ｍｍ以下である。
【００６８】
補強層７は、封止シート４において、最上部に設けられており、具体的には、剥離層５の上面全面に形成されている。補強層７は、封止シート４において、封止層６および剥離層５の両方を支持（補強あるいは拘束）する支持層（補強層あるいは拘束層）である。補強層７は、使用後（具体的には、後述する加熱工程の後）には、剥離層５とともに、封止層６から剥離される層である。
【００６９】
補強層７を形成する材料としては、例えば、ＰＥＴフィルムなどが挙げられる。好ましくは、封止層６および剥離層５に対する補強性を向上させる観点から、弱粘着糊付きＰＥＴフィルムなどが挙げられる。弱粘着糊付きＰＥＴフィルムは、ＰＥＴフィルムと、その下面に設けられる弱粘着性の糊とを備える。ＰＥＴフィルムは、糊によって、剥離層５に貼着することが可能である。上記した弱粘着とは、封止層６に対する粘着力が、例えば、０．１Ｎ／８．５ｍｍ以下であるものをいう。なお、粘着力は、幅８．５ｍｍの封止層６を公知の支持板などに貼着し、その後、１８０度剥離試験したときの、粘着力として定義される。
【００７０】
補強層７の厚みＴ１の、剥離層５および封止層６の合計厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、０．０７以上、好ましくは、０．１５以上であり、また、例えば、１以下である。具体的には、補強層７の厚みＴ１は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、７０μｍ以上、より好ましくは、９０μｍ以上であり、また、例えば、２５０μｍ以下である。上記した比が上記下限以上であれば、補強層７が剥離層５および封止層６をより確実に補強することができる。
【００７１】
また、補強層７の２５℃における曲げ弾性率は、例えば、８５０００ｋｇ／ｃｍ−２以上であり、また、例えば、２０００００ｋｇ／ｃｍ−２以下である。曲げ弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ−７９０に準じて測定される。
【００７２】
そして、封止シート４を用意するには、例えば、まず、剥離層５および補強層７を、必要により、接着剤により貼り合わせ、その後、剥離層５の下面に封止層６を形成する。あるいは、まず、剥離層５の下面に封止層６を形成し、その後、剥離層５および補強層７を、必要により接着剤により、貼り合わせることもできる。なお、封止シート４において、剥離層５、封止層６および補強層７は、厚み方向に投影したときに、重なる同一形状に形成されている。
【００７３】
これにより、補強層７、剥離層５および封止層６を備える封止シート４を用意する。
【００７４】
その後、図１Ｂに示すように、封止シート４によって、ＬＥＤ２を封止する。具体的には、封止シート４の封止層６によって、ＬＥＤ２を、常温で、埋設して封止する。
【００７５】
詳しくは、図１Ａに示すように、まず、封止シート４を、封止層６が下を向くように、基板３の上側に配置し、次いで、図１Ｂに示すように、プレス機（図示せず）などにより、封止層６を基板３に圧接させる。
【００７６】
好ましくは、封止シート４および基板３を、互いに対向配置して、真空プレス機などの真空チャンバー内に投入する。次いで、真空チャンバー内を減圧する。具体的には、真空チャンバー内を真空ポンプ（減圧ポンプ）などにより排気する。その後、真空チャンバー内を減圧雰囲気にしながら、真空プレス機のプレス機などにより、封止層６を基板３に圧接させる。減圧雰囲気は、例えば、３００Ｐａ以下、好ましくは、１００Ｐａ以下、とりわけ好ましくは、５０Ｐａ以下である。その後、基板３と封止層６とを大気圧雰囲気下に解放する。
【００７７】
常温は、具体的には、２０〜２５℃である。
【００７８】
これにより、封止層６によって、ＬＥＤ２を、常温で、埋設して封止する。
【００７９】
つまり、各ＬＥＤ２の上面および側面（左面、右面、前面および後面）と、ＬＥＤ２から露出する基板３の上面とが、封止層６によって被覆される。
【００８０】
［加熱工程］
加熱工程は、図１Ｃに示すように、封止工程の後に、封止層６を加熱して硬化させる工程である。加熱工程では、封止シート４を、例えば、常圧において、加熱する。
【００８１】
常圧とは、封止シート４を流体加圧および機械加圧のいずれもしない状態であり、具体的には、常圧雰囲気（大気圧、つまり、約０．１ＭＰａ）下において、封止シート４に対して無負荷の状態である。
【００８２】
封止シート４を、常圧において、加熱するには、例えば、加熱炉（具体的には、乾燥炉など）、ホットプレートなどの常圧加熱装置が用いられる。好ましくは、加熱炉が用いられる。
【００８３】
加熱温度は、封止層６が完全硬化する温度である。封止工程後の封止層６がＢステージである場合には、加熱温度は、封止層６がＣステージ化する温度である。封止層６が縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物の付加反応が実質的に終了（完了）できる温度である。具体的には、加熱温度は、例えば、６０℃以上、好ましくは、７５℃以上、より好ましくは、１３５℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
【００８４】
また、加熱温度は、上記した範囲から、定温（一定温度）として選択される。
【００８５】
加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、２０時間以下、好ましくは、１０時間以下、より好ましくは、５時間以下である。
【００８６】
加熱工程によって、封止層６は、完全硬化する。例えば、封止工程においてＢステージであった封止層６は、加熱工程によって、Ｃステージとなる。封止層６が縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、縮合反応・付加反応硬化性シリコーン樹脂組成物の付加反応が実質的に終了（完了）する。
【００８７】
加熱工程後における硬化（完全硬化）した封止層６の２３℃における圧縮弾性率が、例えば、１．２ＭＰａを超過し、好ましく、１．４ＭＰａを超過し、また、例えば、１５ＭＰａ以下、好ましくは、１０ＭＰａ以下である。
【００８８】
このようにして、図１Ｃに示すように、基板３、複数のＬＥＤ２および封止シート４を備えるＬＥＤ装置１を製造する。
【００８９】
詳しくは、このＬＥＤ装置１は、基板３と、基板３に実装されるＬＥＤ２と、ＬＥＤ２を被覆する封止層６とから構成される。換言すれば、ＬＥＤ装置１には、剥離層５および補強層７が付着している。ＬＥＤ装置１は、基板３と、基板３に実装される封止半導体素子としての封止ＬＥＤ１５とを備える。封止ＬＥＤ１５は、ＬＥＤ２と、封止層６とを備える。
【００９０】
［剥離工程］
その後、ＬＥＤ装置１（具体的には、剥離層５および補強層７が付着したＬＥＤ装置１）を常圧加熱装置から取り出して、ＬＥＤ装置１を常温まで冷却した後、剥離層５および補強層７を封止層６から剥離する。
【００９１】
まず、図２Ｄに示すように、補強層７を剥離層５から剥離する。具体的には、補強層７の端部を把持し、面方向一端部を上方に引き上げる。続いて、補強層７の面方向中央部および面方向他端部を連続して剥離層５から剥離する。
【００９２】
その後、図２Ｅに示すように、剥離層５を封止層６の上面から剥離する。具体的には、剥離層５の端部を把持し、面方向一端部を上方に引き上げる。続いて、剥離層５の面方向中央部および面方向他端部を連続して封止層６から剥離する。
【００９３】
これによって、剥離層５および補強層７を封止層６から剥離する。
【００９４】
あるいは、図示しないが、剥離層５および補強層７を封止層６から同時に剥離することもできる。
【００９５】
これによって、基板３、ＬＥＤ２および封止層６を備える半導体装置としてのＬＥＤ装置１を得る。
【００９６】
［第１実施形態の作用効果］
この方法によれば、剥離工程（図２Ｄ参照）の前の加熱工程（図１Ｃ参照）において、剥離層５の上に積層される補強層７が、剥離層５および封止層６を補強することができる。そのため、加熱工程において、補強層７が、剥離層５および封止層６の変形を抑制することができる。
【００９７】
具体的には、封止層６の線膨張係数と剥離層５の線膨張係数との差が大きい場合には、封止層６が変形し易いところ、補強層７によって、剥離層５、ひいては、封止層６を補強できるので、封止層６の変形を抑制することができる。
【００９８】
その結果、この方法によれば、信頼性に優れる封止ＬＥＤ１５およびＬＥＤ装置１を製造することができる。
【００９９】
また、補強層７の厚みＴ１の、剥離層５および封止層６の合計厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）が、上記下限以上であれば、剥離層５および封止層６をより確実に補強することができる。そのため、加熱工程における剥離層５および封止層６の変形をより一層抑制することができる。
【０１００】
また、補強層７が弱粘着糊付きＰＥＴフィルムからなれば、剥離層５および封止層６をより確実に補強することができる。そのため、加熱工程における剥離層５および封止層６の変形をより一層抑制することができる。
【０１０１】
また、封止ＬＥＤ１５およびＬＥＤ装置１の製造方法によれば、上記した製造方法により封止ＬＥＤ１５を製造するので、信頼性に優れる封止ＬＥＤ１５およびＬＥＤ装置１を製造することができる。
【０１０２】
［変形例］
上記した第１実施形態では、加熱工程において、封止シート４を常圧において加熱している。しかしながら、封止シート４を、加圧しながら、加熱することもできる。具体的には、封止シート４を、プレス装置を用いて機械加圧する。プレス装置によって、剥離層５および封止層６の変形を抑制することもできる。
【０１０３】
好ましくは、封止シート４を常圧において加熱する。封止シート４を常圧において加熱しても、補強層７によって、剥離層５および封止層６の変形を抑制できる一方、プレス装置などの特別な装置が不要であり、加熱炉、ホットプレートなどの簡易な常圧加熱装置によって、封止シート４を加熱することができる。
【０１０４】
また、上記した第１実施形態では、剥離工程において、図２Ｄに示すように、まず、補強層７を剥離層５から剥離して、剥離層５を封止層６の上面に存置させ、その後、図２Ｅに示すように、剥離層５を封止層６から剥離しているが、例えば、図示しないが、上記したように、補強層７を剥離層５とともに、封止層６から剥離することもできる。
【０１０５】
好ましくは、補強層７を剥離層５とともに、封止層６から剥離する。この方法によれば、剥離工程を少ない工数で実施することができる。そのため、ＬＥＤ装置１を簡便な方法でかつ低コストで製造することができる。また、剥離工程では、補強層７を剥離層５から剥離するよりも、まず剥離層５を完全硬化状態の封止層６から剥離する方が、容易に剥離操作を実施することができる。
【０１０６】
また、上記した第１実施形態では、複数のＬＥＤ２を基板３に配置しているが、図示しないが、例えば、単数のＬＥＤ２を基板３に配置することもできる。
【０１０７】
また、上記した第１実施形態では、本発明における半導体素子としての光半導体素子であるＬＥＤ２を一例として説明しているが、例えば、図示しないが、それらを、電子素子とすることもできる。
【０１０８】
電子素子は、電気エネルギーを、光以外のエネルギー、具体的には、信号エネルギーなどに変換する半導体素子であって、具体的には、トランジスタ、ダイオードなどが挙げられる。電子素子のサイズは、用途および目的によって適宜選択される。
【０１０９】
この場合、封止層６は、封止樹脂を必須成分として含有し、充填剤を任意成分として含有する。充填剤としては、さらに、カーボンブラックなどの黒色顔料などが挙げられる。充填剤の配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、９９質量部以下、好ましくは、９５質量部以下である。
【０１１０】
また、封止層６の物性（具体的には、圧縮弾性率など）は、上記した第１実施形態のそれと同一である。
【０１１１】
上記した第１実施形態では、加熱温度を定温に設定しているが、これに限定されず、例えば、加熱温度が、温度範囲を有することもできる。
【０１１２】
つまり、加熱温度の下限は、例えば、２０℃以上、さらには、２５℃以上であり、加熱温度の上限は、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
【０１１３】
具体的には、加熱温度は、下限から上限に昇温される温度であって、その昇温速度は、例えば、１℃／分以上、好ましくは、２℃／分以上であり、また、例えば、３０℃／分以下、好ましくは、２０℃／分以下である。また、加熱温度における昇温時間は、例えば、４分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、１２０分以下、好ましくは、６０分以下である。
【０１１４】
＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１５】
図１Ａに示す第１実施形態では、基板３を平板形状に形成しているが、例えば、図３Ａに示すように、基板３に凹部１０を形成することもできる。
【０１１６】
第２実施形態は、準備工程（図３Ａ参照）、封止工程（図３Ｂおよび図３Ｃ参照）、加熱工程（図３Ｄ参照）および剥離工程（図３Ｅ参照）を備える。以下、各工程を詳述する。
【０１１７】
［準備工程］
図３Ａに示すように、凹部１０は、基板３の上面において、平面視矩形状に下方に向かって窪むように形成され、凹部１０の周辺における基板３の凹部１０以外の部分（周辺）によって四方（前後左右方向）を隙間なく取り囲まれている。
【０１１８】
凹部１０の１辺の長さは、例えば、０．８ｍｍ以上、好ましくは、１ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、１００ｍｍ以下である。
【０１１９】
凹部１０の深さＨ１（上下方向において、凹部１０の周辺の上面（以下、周辺上面２１とする。）から凹部１０の上面（以下、凹部上面１４とする。）までの長さ）は、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下、より好ましくは、２００μｍ以下、とりわけ好ましくは、１７０μｍ以下であり、また、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上である。凹部１０の深さＨ１は、基板３の厚みＨ２（凹部１０に対応する基板３の厚みＨ２）に対して、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下であり、また、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上である。
【０１２０】
そして、複数のＬＥＤ４を、凹部１０に実装する。ＬＥＤ４の厚みは、凹部１０の深さＨ１に対し、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下である。
【０１２１】
［封止工程］
封止工程は、圧接工程（図３Ｂ参照）と、大気解放工程（図３Ｃ参照）とを備える。
【０１２２】
（圧接工程）
圧接工程では、まず、封止シート４を用意する。封止層６の厚みＨ３は、図３Ａに示すように、凹部１０の深さＨ１に対して、例えば、５０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、１００％以上であり、また、例えば、９００％以下、好ましくは、７００％以下、より好ましくは、４００％以下である。
【０１２３】
圧接工程では、次いで、用意した封止シート４を、基板３の上側に間隔を隔てて対向配置させて、真空プレス機などの真空チャンバー内に投入する。
【０１２４】
次いで、真空チャンバー内を減圧する。具体的には、真空チャンバー内を真空ポンプ（減圧ポンプ）などにより排気する。
【０１２５】
そして、図３Ｂに示すように、真空チャンバー内を減圧雰囲気にしながら、真空プレス機のプレス機などにより、封止シート４の封止層６を基板３に圧接させる。
【０１２６】
圧接工程における減圧雰囲気は、例えば、３００Ｐａ以下、好ましくは、１００Ｐａ以下、とりわけ好ましくは、５０Ｐａ以下である。
【０１２７】
また、圧接工程における圧接では、封止層６が基板３側（下側）へ押し込まれる（圧接される）量（以下、押し込み量とする）を制御する。
【０１２８】
押し込み量の制御により、封止層６の下面が、周辺上面２１とは密着し、かつ、凹部上面１４とは離間するように調整する。
【０１２９】
具体的には、封止層６を、下記式により示される押し込み量がマイナスであって、押し込み量の絶対値が、凹部１０の深さＨ１よりも小さくなるように調整する。
【０１３０】
押し込み量＝（基板３の底面を基準とする凹部上面１４の高さＨ２＋圧接工程前の封止層６の厚みＨ３）−圧接工程後における基板３の底面を基準とする封止層６の上面の高さＨ４
押し込み量がプラスであると、圧接工程後の封止層６の厚み（Ｈ４−Ｈ２）が、圧接工程前の封止層６の厚みＨ３より薄くなるまで、封止層６が過度に押圧され、封止層６が凹部上面１４と密着する。これに対し、押し込み量がマイナスであると、封止層６が、凹部上面１４とは離間するように調整される。
【０１３１】
押し込み量の絶対値が、凹部１０の深さＨ１よりも大きいと、封止層６の下面が、周辺上面２１と密着せず、封止層６で凹部１０を閉塞することができない。これに対し、押し込み量の絶対値が、凹部１０の深さＨ１よりも小さいと、封止層６が、周辺上面２１と密着するように調整される。
【０１３２】
また、押し込み量（Ｈ２＋Ｈ３−Ｈ４）の絶対値は、凹部１０の深さＨ１に対して、例えば、１００％未満、好ましくは、９５％以下であり、また、例えば、０％超過、好ましくは、１０％以上である。
【０１３３】
また、圧接工程では、必要により、封止シート４を押し下げた（押し込んだ）状態で保持する。
【０１３４】
保持時間は、例えば、５秒以上、好ましくは１０秒以上であり、また、１０分以下、好ましくは、５分以下である。
【０１３５】
圧接工程によって、図３Ｂに示すように、凹部１０において基板３と封止層６とに区画される密閉された減圧空間８が形成される。
【０１３６】
圧接工程は、例えば、第１実施形態の封止工程と同様の温度で、具体的には、常温で実施される。
【０１３７】
（大気解放工程）
大気解放工程は、図３Ｃに示すように、基板３と封止シート４とを大気圧雰囲気下に解放する工程である。
【０１３８】
圧接工程の後、大気解放工程により、封止層６を、凹部１０の形状に追従するように密着させる。
【０１３９】
具体的には、真空ポンプの運転を停止させて、真空チャンバー内を大気解放する。
【０１４０】
すると、減圧空間８と大気圧との差圧により、封止層６の上面が下方に向かって押圧され、封止層６の下面は、凹部１０の形状に追従するように変形し、凹部１０の上面に密着する。
【０１４１】
大気圧解放工程は、例えば、第１実施形態の封止工程と同様の温度で、具体的には、常温で実施される。
【０１４２】
大気圧解放工程によって、封止層６が凹部１０に密着するようにＬＥＤ４を封止する。
【０１４３】
［加熱工程］
図３Ｄに示すように、第１実施形態と同様に、加熱工程を実施する。
【０１４４】
［剥離工程］
その後、図５Ｅに示すように、第１実施形態と同様に、剥離層５および補強層７を封止層６から剥離する。
【０１４５】
これにより、ＬＥＤ装置１を得る。なお、ＬＥＤ装置１では、ＬＥＤ２および封止層６を備える封止ＬＥＤ１５が基板３に実装されており、ＬＥＤ２が基板３に接続されている。
【０１４６】
［作用効果］
このＬＥＤ装置１の製造方法によれば、圧接工程において、封止層６は、凹部上面１４と離間するように圧接される。そのため、ＬＥＤ２の周囲の部材、具体的には、ＬＥＤ２が基板３にワイヤボンディング接続されている場合には、封止層６が圧接されるときのワイヤに対する応力を低減することができる。
【０１４７】
一方で、圧接工程において、封止層６は、減圧雰囲気下で周辺上面２１を閉塞するため、凹部１０には、基板３と封止層６とに区画される密閉された減圧空間８が形成される。
【０１４８】
大気圧解放工程において、大気圧が解放されると、減圧空間８と大気圧との差圧により、凹部１０に封止層６が隙間なく充填される。そのため、基板３と封止層６との間におけるボイドの発生を抑制することができる。
【０１４９】
その結果、ＬＥＤ２が基板３にワイヤボンディング接続される場合には、ワイヤ（図示せず）の変形を低減しながら、ボイドの発生を抑制することができる。
【０１５０】
＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５１】
第１実施形態では、本発明の支持シートを、ＬＥＤ２が実装される基板３として説明しているが、図４に示すように、例えば、粘着層１１および支持板１２を備える支持シート１３から構成することもできる。
【０１５２】
本発明の封止半導体素子の製造方法であって、半導体装置の製造方法の第３実施形態であるＬＥＤ装置１の製造方法は、準備工程（図４Ａ参照）、封止工程（図４Ｂ参照）、加熱工程（図４Ｃ参照）、第１剥離工程（図５Ｄおよび図５Ｅ参照）、第２剥離工程（図５Ｆ参照）および実装工程（図５Ｇ参照）を備える。以下、各工程を詳述する。
【０１５３】
［準備工程］
準備工程では、図４Ａに示すように、支持シート１３を準備する。
【０１５４】
支持板１２は、面方向に延びる板形状をなし、支持シート１３における下部に設けられており、支持シート１３と平面視略同一形状に形成されている。
【０１５５】
支持板１２は、少なくとも面方向に延伸不能であって、硬質の材料からなり、具体的には、そのような材料として、例えば、酸化ケイ素（ガラス、石英など）、アルミナなどの酸化物、例えば、ステンレス、シリコンなどの金属などが挙げられる。
【０１５６】
支持板１２の２３℃におけるヤング率は、例えば、１×１０６Ｐａ以上、好ましくは、１×１０７Ｐａ以上、より好ましくは、１×１０８Ｐａ以上であり、また、例えば、１×１０１２Ｐａ以下でもある。支持板１２のヤング率が上記した下限以上であれば、支持板１２の硬質を担保して、ＬＥＤ４をより一層確実に支持することができる。なお、支持板１２のヤング率は、例えば、ＪＩＳ  Ｈ  ７９０２：２００８の圧縮弾性率などから求められる。
【０１５７】
支持板１２の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下でもある。
【０１５８】
粘着層１１は、支持板１２の上面全面に形成されている。
【０１５９】
粘着層１１を形成する粘着材料としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤などの感圧接着剤が挙げられる。
【０１６０】
また、粘着材料としては、紫外線照射、薬液または加熱によって粘着力が低下するものの他、通常、粘着剤として用いることができるものから広範に選択することができる。
【０１６１】
粘着層１１の厚みは、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．０２ｍｍ以上であり、また、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下でもある。
【０１６２】
支持シート１３を用意するには、例えば、支持板１２と粘着層１１とを貼り合わせる。
【０１６３】
支持シート１３の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、６ｍｍ以下、好ましくは、２．５ｍｍ以下でもある。
【０１６４】
［封止工程］
封止工程では、図４Ａに示すように、まず、封止シート４を用意し、その後、図４Ｂに示すように、封止シート４によって、ＬＥＤ２を封止する。
【０１６５】
［加熱工程］
加熱工程は、図４Ｃに示すように、封止工程の後に、封止層６を加熱して硬化させる。
【０１６６】
［第１剥離工程］
第１剥離工程では、図５Ｄおよび図５Ｅに示すように、剥離層５および補強層７を封止層６から剥離する。これによって、封止ＬＥＤ１５を、支持シート１３に支持される態様で得る。
【０１６７】
［第２剥離工程］
第２剥離工程では、図５Ｆの破線で示すように、まず、各ＬＥＤ２に対応するように、封止層６を切断して、各ＬＥＤ２に対応する封止ＬＥＤ１５に個片化する。その後、図５Ｆの矢印で示すように、個片化した封止ＬＥＤ１５を支持シート１３から剥離する。具体的には、紫外線照射、薬液または加熱によって、粘着層１１の粘着力の低下させる。
【０１６８】
［実装工程］
その後、蛍光体層被覆ＬＥＤ１０を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図５Ｇに示すように、選別された封止ＬＥＤ１５を基板３に実装する。これによって、ＬＥＤ装置１を得る。
【０１６９】
［第３実施形態の作用効果］
第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【実施例】
【０１７０】
以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
【０１７１】
実施例１
［実装工程］
複数のＬＥＤを基板（支持シート）の上に実装した（図１Ａ参照）。ＬＥＤの厚みは、３３０μｍ、各ＬＥＤ間の間隔は、１．５ｍｍであった。
【０１７２】
［封止工程］
封止シートを用意した。
【０１７３】
まず、ＰＥＴフィルムからなる厚み（Ｔ１）９０μｍの補強層と、ＰＥＴフィルムからなる剥離層（厚み５０μｍ、線膨張係数：９０×１０−６Ｋ−１）とを、接着剤（アクリル系粘着剤）を介して貼り合わせた。
【０１７４】
次いで、剥離層の下面に封止層を形成した（図１Ａ参照）。
【０１７５】
具体的には、ジメチルビニルシリル末端ポリジメチルシロキサン（ビニルシリル基当量０．０７１ｍｍｏｌ／ｇ）２０ｇ（１．４ｍｍｏｌビニルシリル基）、トリメチルシリル末端ジメチルシロキサン−メチルヒドロシロキサン共重合体（ヒドロシリル基当量４．１ｍｍｏｌ／ｇ）０．４０ｇ（１．６ｍｍｏｌヒドロシリル基）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（ヒドロシリル化触媒）のキシレン溶液（白金濃度２質量％）０．０３６ｍＬ（１．９μｍｏｌ）、および、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ、硬化遅延剤）のメタノール溶液（１０質量％）０．０６３ｍＬ（５７μｍｏｌ）を混合し、２０℃で１０分攪拌し、その混合物１００質量部に対して、シリコーン微粒子（トスパール２０００Ｂ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社社製）を３０質量部配合して、均一に攪拌混合することにより、２段階硬化性シリコーン樹脂組成物を得た。
【０１７６】
続いて、２段階硬化性シリコーン樹脂組成物を、剥離層の上面（補強層が貼り合わされた面に対する対向面、図１Ａにおける下面。）に塗工して、塗膜を調製した。
【０１７７】
次いで、塗膜を、１３５℃で１５分加熱して、厚み１，０００μｍの半硬化（Ｂステージ状態）の２段階硬化性シリコーン樹脂組成物からなる封止層（線膨張係数：２６０×１０−６Ｋ−１）を作製した。これによって、補強層と剥離層と封止層とを備える封止シートを作製した（図１Ａ参照）。なお、剥離層および封止層の合計厚み（Ｔ０）は１０５０μｍであった。
【０１７８】
［封止工程］
ＬＥＤが実装された基板と、封止シートの封止層とが、厚み方向に対向するように配置し、真空プレス機（型番ＣＶ２００、ニチゴーモートン社製）の真空チャンバー内に投入した。
【０１７９】
真空ポンプ（減圧ポンプ）（型番Ｅ２Ｍ８０、エドワーズ社製）で真空チャンバー内を排気し、真空チャンバー内を、常温で、５０Ｐａになるまで減圧した。
【０１８０】
減圧雰囲気下において、真空プレス機により、基板と封止シートとを圧接し、そのまま２０℃で、３分保持した。その後、真空ポンプを停止し、真空チャンバー内を大気解放した。
【０１８１】
このようにして、封止層によって、ＬＥＤを封止した（図１Ｂ参照）。
【０１８２】
［加熱工程］
封止層によって封止されたＬＥＤが実装された基板を、１５０℃の乾燥炉に投入した。そして、封止シートを、２時間、加熱した。これによって、封止層をＣステージ化、つまり、完全硬化させた（図１Ｃ参照）。これによって、基板、複数のＬＥＤおよび封止シートを備え、かつ、封止層および補強層に付着されたＬＥＤ装置を製造した（図１Ｃ参照）。なお、ＬＥＤ装置には、基板に実装される封止ＬＥＤが設けられた。
【０１８３】
［剥離工程］
その後、剥離層および補強層を封止層から剥離した（図２Ｄおよび図２Ｅ参照）。具体的には、まず、補強層を剥離層から剥離し（図２Ｄ参照）、続いて、剥離層を封止層から剥離した（図２Ｅ参照）。
【０１８４】
これによって、基板、複数のＬＥＤおよび封止シートからなるＬＥＤ装置を製造した。
【０１８５】
実施例２
補強層の厚みを５００μｍに変更した以外は、実施例１と同様に処理して、封止ＬＥＤおよびＬＥＤ装置を製造した。
【０１８６】
比較例１
補強層を封止シートに設けなかった以外は、実施例１と同様に処理して、ＬＥＤ装置を製造した。
【０１８７】
つまり、封止工程では、封止シートを剥離層および封止層から構成し、また、剥離工程では、剥離層のみを封止層から剥離した。
【０１８８】
（評価）
（封止層および剥離層の変形）
実施例および比較例において、加熱工程の後のＬＥＤ装置の封止層および剥離層における反り（変形）の有無を目視によって観察した。その結果を表１に示す。
【０１８９】
【表１】
2015050359.tif 000003
【符号の説明】
【０１９０】
１     ＬＥＤ装置
２     ＬＥＤ
３     基板
４     封止シート
５     剥離層
６     封止層
７     補強層
１５   封止ＬＥＤ
Ｔ０   剥離層および封止層の合計厚み
Ｔ１   補強層の厚み
【図１】
2015050359.tif 000004
【図２】
2015050359.tif 000005
【図３】
2015050359.tif 000006
【図４】
2015050359.tif 000007
【図５】
2015050359.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が配置された支持シートを準備する準備工程、
剥離層と、前記剥離層の下に積層され、熱硬化性樹脂からなる完全硬化前の封止層と、前記剥離層の上に積層され、前記剥離層および前記封止層を補強する補強層とを備える封止シートの前記封止層によって、常温で、前記半導体素子を埋設して封止する封止工程、
前記封止工程の後に、前記封止層を加熱して硬化させる加熱工程、および、
前記加熱工程の後に、前記補強層を剥離する剥離工程
を備えることを特徴とする、封止半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程において、封止シートを常圧で加熱することを特徴とする、請求項１に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記補強層の厚みの、前記剥離層および前記封止層の合計厚みに対する比が、０．０７以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記補強層が、弱粘着糊付きＰＥＴフィルムからなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記剥離工程では、前記剥離層および前記補強層の両方を、前記封止層から同時に剥離することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記支持シートは、前記半導体素子が実装された基板であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法により前記封止半導体素子を製造する工程、および、
前記封止半導体素子を基板に実装する工程を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記した封止半導体素子の製造方法により前記封止半導体素子を製造する工程、および、前記封止半導体素子を基板に実装する工程を備えることを特徴としている。