(57)【要約】      （修正有）【課題】成膜装置の真空槽を大気開放して防着部材を交換する頻度を減らし、生産性が低下することを抑える方法の提供。【解決手段】成膜装置１０００において、真空槽としてのチャンバー１１１の中に断面が三角形に形成され回転可能に設けられた防着部材としての防着板１２０を備える。断面が多角形に形成された防着部材の多角形のうちの一面に膜が堆積しても、防着部材を回転させて一面とは異なる未成膜面の二面が真空槽の内側に向くように配置することにより、防着部材の側方の三面のそれぞれに膜を付着させることができるので、防着部材を交換する頻度を、略１／３に減らすことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、
前記真空槽の中に、断面が多角形に形成され回転可能に設けられた防着部材と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記防着部材は、断面が三角形であることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の成膜装置であって、
前記防着部材は、前記真空槽の内壁に沿って配置されていることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、基板に成膜する際に用いられる成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記成膜装置は、蒸着法やスパッタ法などを用いて、基板に膜を形成する際に用いられ、真空環境の真空槽を備えている。真空槽の内壁には、成膜した際に発生した処理膜が付着し除々に堆積する。そして、堆積した処理膜にクラックが生じ、処理膜が異物となって剥がれ、真空槽の中に配置された被処理基板（製品）に付着する。
【０００３】
そこで、定期的に成膜装置を停止して真空槽の真空環境を大気開放し、真空槽の内壁に付着した異物を除去している。また、特許文献１には、真空槽の内壁に異物が付着することを抑えるために、内壁の内側に沿って防着板を設けることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２９７７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、防着板を設けることにより、真空槽の内壁に付着する処理膜を低減できるものの、防着板に処理膜が堆積するので、定期的に新たな防着板と交換する作業が必要になる。交換するには、真空槽を大気開放しなければならず、成膜処理の生産性が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る成膜装置は、真空槽と、前記真空槽の中に、断面が多角形に形成され回転可能に設けられた防着部材と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、断面が多角形に形成された防着部材が真空槽の中に回転可能に配置されているので、多角形のうちの一面に膜が堆積しても、防着部材を回転させて一面とは異なる未成膜面の二面を真空槽の内側に向くように配置することにより、今まで堆積された膜に、新たな膜が堆積することを防ぐことができる。よって、膜にクラックが入り異物として剥がれることを抑えることができる。更に、真空槽を大気開放して防着部材を交換する頻度を減らすことが可能となり、生産性が低下することを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る成膜装置において、前記防着部材は、断面が三角形であることが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、防着部材の断面が三角形なので、防着部材を回転させたとしても、隣接する防着部材と防着部材とが干渉することを防ぐことができる。また、防着部材の側方の平面が三面あるので、三面それぞれに膜を付着させることが可能となり、防着部材を交換する頻度を、略１／３に減らすことができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る成膜装置において、前記防着部材は、前記真空槽の内壁に沿って配置されていることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、真空槽の内壁に沿って防着部材が配置されているので、処理された処理膜が真空槽の内壁に直接付着することを抑えることができる。よって、防着部材に処理膜を付着させることが可能となり、真空槽の内壁に膜が堆積した場合のように清掃することなく、成膜処理を続けることができる。その結果、生産性が低下することを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】成膜装置の構造を示す模式断面図。
【図２】成膜装置の構造を示す模式平面図。
【図３】図２に示す成膜装置のＡ部の動作を示す模式図。
【図４】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図５】図４に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図６】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図７】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１５】
＜成膜装置の構造＞
図１は、成膜装置の構造を示す模式断面図である。図２は、成膜装置の構造を示す模式平面図である。図３は、図２に示す成膜装置のＡ部の動作を示す模式図である。以下、成膜装置の構造を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００１６】
図１に示すように、成膜装置１０００は、基板に成膜する装置であれば特に限定されず、例えば、蒸着法（例えば、ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition或いはＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）によって成膜する蒸着装置であり、真空槽としてのチャンバー１１１を備えている。チャンバー１１１は、アルミニウムやステンレス鋼などの金属材料あるいは鉄鋼材料で構成されている。
【００１７】
チャンバー１１１の中には、蒸着材料が入れられた蒸着源１１２と、蒸着材料を昇華させるための電子銃１１３と、蒸着処理を開始又は停止するシャッター１１４と、蒸着膜が成膜される被処理基板Ｗと、が備えられている。蒸着材料は、特に限定されないが、例えば、液晶装置に配線として用いられるアルミニウムや、配向膜として用いられるシリコン酸化膜などが挙げられる。
【００１８】
電子銃１１３は、例えば、フィラメントを備え、フィラメントから電子ビームを発生させることができる。なお、電子銃１１３に限らず、蒸着材料を蒸発又は昇華させるものであればよく、抵抗加熱やレーザーなど、他の加熱手段を用いるようにしてもよい。
【００１９】
被処理基板Ｗは、例えば、後述する液晶装置を構成する石英基板である。被処理基板Ｗは、図示しない保持手段によって所望の角度に保持されている。
【００２０】
また、チャンバー１１１は、密閉可能に構成されており、配管１１５を介して、チャンバー１１１の側壁部分の一部と真空ポンプ１１６とが接続されている。チャンバー１１１内の気体を外部に排出することによって、チャンバー１１１内を真空環境下に維持することができる。真空ポンプ１１６は、ロータリーポンプやターボ分子ポンプなどである。
【００２１】
また、本実施形態の成膜装置１０００は、図２に示すように、チャンバー１１１の内壁に沿うように、防着部材としての防着板１２０が複数並べられて配置されている。具体的には、チャンバー１１１内の側壁、及び上方に、防着板１２０が配置されている。防着板１２０は、図２に示すように、蒸着源１１２などを囲むように、言い換えれば、チャンバー１１１の内壁に沿うように配置されている。
【００２２】
防着板１２０は、図１及び図２に示すように、三角柱の形状で構成されている。具体的には、３枚の板１２０’を断面が三角形になるように貼り合わせることにより三角柱を形成している。防着板１２０は、三角柱の側面（１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ）のうち一面（例えば、１２０ａ）がチャンバー１１１の内側を向くように配置されている。更に、複数の防着板１２０を並べて配置することにより、隣接する防着板１２０と防着板１２０との間は、隙間が略無い状態となっている。
【００２３】
これにより、蒸着源１１２から蒸発した蒸着膜１１２ａを防着板１２０に付着させることが可能となる。三角柱状の防着板１２０のうち、少なくとも外側に露出する側面（１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ）には、アルミニウムなどが溶射された状態（又は、アルミ箔が貼られた状態）になっている。これにより、蒸着膜１１２ａが付着しやすい状態になっている。言い換えれば、防着板１２０に付着した蒸着膜１１２ａが剥がれにくい状態になっている。
【００２４】
また、チャンバー１１１内の上方にも、複数の防着板１２０が配置されている。これにより、蒸着源１１２から蒸発した蒸着膜１１２ａのうち、チャンバー１１１の上方に向かった蒸着膜１１２ａを防着板１２０に付着させることができる。
【００２５】
また、本実施形態の防着板１２０は、三角柱の側面（１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ）が回転可能に設けられている。言い換えれば、防着板１２０が回転することにより、蒸着膜１１２ａが付着した第１側面１２０ａから、蒸着膜１１２ａが付着していない新しい未成膜の側面（１２０ｂ，１２０ｃ）がチャンバー１１１の内側に向くように配置することができる。防着板１２０は、例えば、中心軸１１７に設けられたモーター１１８を介して回転することが可能となっている。モーター１１８は、例えば、ステッピングモーターである。
【００２６】
具体的には、図３に示す模式図を参照しながら説明する。図３（ａ）に示す工程では、まず、防着板１２０の第１側面１２０ａが蒸着源１１２側（チャンバー１１１の内側）を向くように配置する。この状態で、蒸着処理を行う。第１側面１２０ａには、蒸着膜１１２ａが堆積している。
【００２７】
図３（ｂ）に示す工程では、防着板１２０の回転を開始して、チャンバー１１１の内側を向く面を第２側面１２０ｂに変える。具体的には、例えば、防着板１２０を反時計方向に回転させる。
【００２８】
図３（ｃ）に示す工程では、防着板１２０を引き続き回転させて、防着板１２０の第２側面１２０ｂがチャンバー１１１の内側を向くようにする。
【００２９】
図３（ｄ）に示す工程では、各防着板１２０の第２側面１２０ｂがチャンバー１１１の内側を向いたところで回転動作を終了する。これにより、蒸着膜１１２ａの付着した第１側面１２０ａから、蒸着膜１１２ａの付着していない第２側面１２０ｂによって、蒸着源１１２を囲むように配置することができる。なお、隣接する防着板１２０と防着板１２０との隙間も、初期の状態と同様に殆ど無い状態で防着板１２０を配置することができる。
【００３０】
このように、防着板１２０を三角柱で構成し、複数の防着板１２０でチャンバー１１１の内壁に沿うように配置することにより、チャンバー１１１の内壁に蒸着膜１１２ａが付着することを抑えることができる。更に、各防着板１２０が回転することにより、防着板１２０を交換することなく新しい側面（１２０ｂ，１２０ｃ）でチャンバー１１１内を覆うことができる。よって、成膜装置１０００を停止してチャンバー１１１を大気開放することなく、成膜処理を続けることができる。その結果、成膜処理の生産性が低下することを抑えることができる。
【００３１】
また、本実施形態によれば、防着板１２０の形状が三角柱の形状なので、３つの側面（１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ）のそれぞれに蒸着膜１１２ａを付着させることが可能となり、大気開放なく成膜処理できる時間を、従来と比較して３倍にすることができる。言い換えれば、防着板１２０の交換頻度を、従来と比較して略１／３にすることができる。
【００３２】
なお、チャンバー１１１内の上方に配置された防着板１２０の動作も、上記した防着板１２０の動作と同様である。引き続いて、被処理基板Ｗの具体例の構成を、図面を参照しながら説明する。
【００３３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３４】
本実施形態では、一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３５】
＜液晶装置の構成＞
図４は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図５は、図４に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図６は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、被処理基板を備えた液晶装置の構成を、図４〜図６を参照しながら説明する。
【００３６】
図４及び図６に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された被処理基板Ｗとしての素子基板１０及び、被処理基板Ｗとしての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。
【００３７】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、電気光学材料の一例に係る正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（ガラスビーズ）が混入されている。ガラスビーズは、セルギャップを出すために用いられる。
【００３８】
シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。また、図４及び図５では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３９】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００４０】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図４では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００４１】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００４２】
図５に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜２８とが形成されている。
【００４３】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、無機配向膜２８を含むものである。
【００４４】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、無機配向膜３２を含むものである。
【００４５】
遮光膜１８は、図４に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４６】
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４７】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図４に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４８】
画素電極２７を覆う無機配向膜２８および対向電極３１を覆う無機配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。無機配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４９】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００５０】
図６に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００５１】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００５２】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００５３】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図４参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図４参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００５４】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００５５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００５６】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５７】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図７は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図７を参照しながら説明する。なお、図７は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５８】
図７に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５９】
図７に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００６０】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００６１】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００６２】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００６３】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００６４】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００６５】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００６６】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６７】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
【００６８】
画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電膜から形成されている。
【００６９】
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８が設けられている。無機配向膜２８上には、シール材１４（図４及び図５参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００７０】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングしたシリコン酸化膜）などからなる絶縁層３３が設けられている。絶縁層３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる。
【００７１】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００７２】
以上詳述したように、本実施形態の成膜装置１０００によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７３】
（１）本実施形態の成膜装置１０００によれば、断面が三角形である三角柱に形成された防着板１２０がチャンバー１１１の中に回転可能に配置されているので、３つの側面（１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ）のうちの第１側面１２０ａに蒸着膜１１２ａが堆積しても、防着板１２０を回転させて第１側面１２０ａとは異なる新たな未成膜面の第２側面１２０ｂをチャンバー１１１内に向くように配置することにより、今まで堆積された蒸着膜１１２ａに、新たな蒸着膜１１２ａが堆積することを防ぐことができる。よって、蒸着膜１１２ａにクラックが入り異物（パーティクル）として剥がれることを抑えることができる。更に、チャンバー１１１内を大気開放して防着板１２０を交換する頻度を減らす（略１／３に減らす）ことが可能となり、生産性が低下することを抑えることができる。
【００７４】
（２）本実施形態の成膜装置１０００によれば、防着板１２０の断面が三角形なので、防着板１２０を回転させたとしても、隣接する防着板１２０と防着板１２０とが干渉することを防ぐことができる。また、防着板１２０の側面が三面あるので、防着板１２０を交換する頻度を、略１／３に減らすことができる。
【００７５】
（３）本実施形態の成膜装置１０００によれば、チャンバー１１１の内壁に沿って複数の防着板１２０が配置されているので、処理された蒸着膜１１２ａがチャンバー１１１の内壁に直接付着することを抑えることができる。よって、防着板１２０に蒸着膜１１２ａを付着させることが可能となり、防着板１２０を交換するだけで対応することができる。更に、チャンバー１１１の内壁に蒸着膜１１２ａが堆積した場合のように清掃することなく、成膜処理を続けることができる。その結果、生産性が低下することを抑えることができる。
【００７６】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００７７】
（変形例１）
上記したように、チャンバー１１１内の側壁及び上方に沿って防着板１２０を配置することに加えて、チャンバー１１１の底部に複数の防着板１２０が配置されるようにしてもよい。これによれば、蒸着膜１１２ａは比較的上方に向かうため底部に蒸着膜１１２ａが付着しにくいものの、底部に防着板１２０を配置することにより、確実に蒸着膜１１２ａを防着板１２０に付着させることができる。
【００７８】
（変形例２）
上記したように、防着板１２０は、３枚の板１２０’を三角形になるように貼り合わせて構成することに限定されず、例えば、板１２０’ではなく形そのものが三角柱のものを複数並べるようにしてもよい。この防着板１２０（防着部材）を用いた場合でも、生産性が低下することを抑えることができる。
【００７９】
（変形例３）
上記したように、成膜装置１０００として蒸着装置を例に挙げて説明したが、これに限定されず、例えば、スパッタ装置などに適用するようにしてもよい。
【００８０】
（変形例４）
上記したように、防着板１２０の断面が三角形であることに限定されず、それ以外の多角形で構成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８１】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、ＣＮＴ１〜４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…無機配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁層、６１…外部接続用端子、１００…液晶装置、１１１…真空槽としてのチャンバー、１１２…蒸着源、１１２ａ…蒸着膜、１１３…電子銃、１１４…シャッター、１１５…配管、１１６…真空ポンプ、１１７…中心軸、１１８…モーター、１２０…防着部材としての防着板、１２０ａ…第１側面、１２０ｂ…第２側面、１２０ｃ…第３側面、１０００…成膜装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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