(57)【要約】【課題】基板と、基板に固定されたリードと、リードに電気接続された半導体素子と、これら基板、リード及び半導体素子を封止する封止樹脂とを備える樹脂封止型の半導体装置において、その放熱性低下を防止できるようにする。【解決手段】リード１１，１２，２１を有するリードフレームを準備する準備工程と、基板３０を成形する成形工程と、を備え、前記成形工程において前記リード１１，２１を前記基板３０の上面３０ａ側に固定する半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図５
2015037103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードを有するリードフレームを準備する準備工程と、基板を成形する成形工程と、を備え、
前記成形工程において前記リードを前記基板の上面側に固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記準備工程において、複数の前記リードフレームを用意すると共に、少なくとも一のリードフレームの前記リードに折り曲げ加工を施して、前記基板の上面側に固定される固定部と、前記基板の上面の上方に間隔をあけて配される上方配置部と、を形成し、
前記成形工程において、前記一のリードフレームの固定部、及び、他のリードフレームのリードを前記基板に固定する際に、前記一のリードフレームの上方配置部と、前記他のリードフレームのリードとが、前記リードフレームの板厚方向に間隔をあけて重なるように配されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記成形工程において、前記リードは、その少なくとも一部が前記基板の上面に露出するように前記基板に埋設されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の製造方法によって製造される半導体装置であって、
前記基板と、前記基板に固定された前記リードと、前記リードに電気接続された半導体素子と、前記基板の下面が露出するように、前記基板、前記リード及び前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、リードフレームを用いて製造される樹脂封止型の半導体装置には、例えば特許文献１のように、複数のリードを絶縁シートの上面に配した上で、絶縁シートの下面が外部に露出するように複数のリード及び絶縁シートを封止樹脂（モールド樹脂）により封止して構成されたものがある。この半導体装置では、封止樹脂の内部において通電により発生した熱を、リードから絶縁シートを介して外部に放熱することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−０３０６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、この種の半導体装置には、高機能化が求められている。このため、例えばリードにより封止樹脂内の回路を形成すると、封止樹脂により封止されるリードの部分が細長くなる傾向にある。この場合、封止樹脂を成形する際に、絶縁シート上に配されたリードの部分が溶融した封止樹脂の流れによってばたつきやすい、という問題がある。リードのばたつきが生じると、リードと絶縁シートとの間に封止樹脂が介在するため、リードから絶縁シートへの熱伝導が低下してしまう。すなわち、半導体装置の放熱性が低下する、という問題がある。
リードのばたつきを防ぐためには、例えば、封止樹脂を成形する前に、リードを接着剤等により絶縁シート上に固定しておくことが考えられる。しかしながら、リードと絶縁シートとの間に接着剤等が介在するため、リードから絶縁シートへの熱伝導が低下する、という問題が依然として残る。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、半導体装置の放熱性低下を防止できる半導体装置の製造方法、及び、該製造方法によって製造される半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、リードを有するリードフレームを準備する準備工程と、基板を成形する成形工程と、を備え、前記成形工程において前記リードを前記基板の上面側に固定することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記製造方法によって製造される半導体装置であって、前記基板と、前記基板に固定された前記リードと、前記リードに電気接続された半導体素子と、前記基板の下面が露出するように、前記基板、前記リード及び前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、リードと基板とが、接着剤等を介在させることなく直接固定されるため、リードから基板への熱伝導の低下を防止できる。したがって、半導体装置の放熱性の低下を防ぐことが可能となる。
また、本発明の製造方法により樹脂封止型の半導体装置を製造する際には、成形工程の後に、封止樹脂を成形する樹脂成形用金型のキャビティ内に配し、キャビティ内に封止樹脂を注入することで、リード及び基板を封止樹脂により封止すればよい。リードは成形工程において基板の上面側に固定されるため、例え封止樹脂に封止されるリードが細長くても、前述した樹脂封止の際にリードが基板上においてばたつくことを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる二つのリードフレームを重ねて配した状態を示す斜視図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる二つのリードフレームを重ねて配した状態を示す平面図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法において成形工程を説明するための要部拡大断面図である。
【図４】図３の成形工程後の状態を示す平面図である。
【図５】図３の成形工程後の状態を示す側面図である。
【図６】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法において素子搭載工程、接続工程及び封止工程を説明するための平面図である。
【図７】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法において封止工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置を示す断面図である。
【図９】本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法における成形工程を説明するための要部拡大断面図である。
【図１０】図９の成形工程後の状態を示す要部拡大断面図である。
【図１１】本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法において成形工程後の状態の変形例を示す要部拡大断面図である。
【図１２】本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法における封止工程を説明するための平面図である。
【図１３】本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法における封止工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
〔第一実施形態〕
以下、図１〜８を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法は、図８に示すように、基板３０と、基板３０の上面３０ａ側に固定されたリード１１，１２，２１と、リード１１，１２，２１に電気接続された半導体素子４０と、基板３０の下面３０ｂが露出するように、基板３０、リード１１，１２，２１及び半導体素子４０を封止する封止樹脂６０と、を備える半導体装置１を製造する方法である。
【００１０】
半導体装置１を製造する際には、はじめに、図１，２に示すリードフレーム１０，２０を準備する準備工程を行う。準備工程では、複数（図示例では２つ）のリードフレーム１０，２０を用意する。各リードフレーム１０，２０は、銅板等のように導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得られる。
【００１１】
第一リードフレーム（一のリードフレーム）１０は、第一リード１１、第二リード１２及び枠体部１３を一体に形成して構成されている。
第一リード１１は、半導体装置１において電力供給用のリードとなるものであり、幅広の帯板状に形成されると共に、幅方向に間隔をあけて複数（図示例では５本）配列されている。第二リード１２は、半導体装置１において電気信号取り出し用のリードとなるものであり、第一リード１１よりも幅寸法の小さい帯板状に形成されると共に、幅方向に間隔をあけて複数（図示例では１４本）配列されている。これら第一リード１１及び第二リード１２は、その長手方向の一端部１１Ａ，１２Ａ側が互い対向するように配されている。第一リード１１及び第二リード１２の長手方向の一端部１１Ａ，１２Ａは、封止樹脂６０（図８参照）によって封止される部分を含む。一方、第一リード１１及び第二リード１２の他端部１１Ｂ，１２Ｂは、封止樹脂６０に封止されず、封止樹脂６０から突出する部分である。
【００１２】
枠体部１３は、互いに隣り合う第一リード１１同士や、互いに隣り合う第二リード１２同士をつなぐリード連結部１３Ａと、第一、第二リード１１，１２及びリード連結部１３Ａをともに所定の剛性を持たせて支持する外枠部１３Ｂと、を備える。リード連結部１３Ａは、例えば、隣り合う第一リード１１の間や、隣り合う第二リード１２の間においてこれらの配列方向に延びる帯状に形成されている。リード連結部１３Ａは、第一リード１１や第二リード１２の長手方向の中途部に接続されている。
【００１３】
また、準備工程では、各第一リード１１の長手方向の一端部１１Ａに折り曲げ加工が施される。この折り曲げ加工は、銅板から第一リードフレーム１０を得るための加工（例えばプレス加工）と同時に実施されてもよいし、この加工の後に実施されてもよい。これにより、各第一リード１１の長手方向の一端部１１Ａには、互いに第一リードフレーム１０の板厚方向にずれて位置する固定部１４及び上方配置部１５が形成される。
【００１４】
固定部１４は、リード連結部１３Ａから延出する第一リード１１の一端部１１Ａの先端部分であり、また、後述する成形工程において基板３０の上面３０ａ（図５参照）側に固定される部分である。一部の第一リード１１（図２における右から１〜４番目の第一リード１１）の固定部１４には、第一リードフレーム１０の主面に沿う方向に折れ曲がる部分や、半導体素子４０を搭載する部分（図６参照）が形成されている。また、一部の第一リード１１（特に図２における右から４番目の第一リード１１）の固定部１４は、細長い部分を有する。
上方配置部１５は、第一リード１１の固定部１４と他端部１１Ｂとの間に形成される部分であり、第一リード１１の他端部１１Ｂや第二リード１２、枠体部１３と同じ高さ位置に配されている。
【００１５】
また、本実施形態の準備工程では、一部の第一リード１１（図２における右から４番目の第一リード１１）の固定部１４に、被押付部１６を形成する。被押付部１６は、後述する封止工程においてサポートピン８２Ａ（図６，７参照）が押し付けられる部分である。また、被押付部１６は、第一リード１１の固定部１４のうち、基板３０の上面３０ａの周縁領域に固定される部分でもある。
【００１６】
第二リードフレーム（他のリードフレーム）２０は、第三リード２１及びリード支持部２３を一体に形成して構成されている。本実施形態の第二リードフレーム２０は、第三リード２１及びリード支持部２３を一つずつ備えている。第三リード２１は、リード支持部２３から延びる帯板状に形成されている。
準備工程では、第三リード２１に、第一リード１１と同様の折り曲げ加工が施され、これによって、第三リード２１には、第一リード１１と同様に、互いに第二リードフレーム２０の板厚方向にずれて位置する固定部２４及び上方配置部２５が形成される。第三リード２１の固定部２４から上方配置部２５に至る第二リードフレーム２０の板厚方向の間隔は、例えば、第一リード１１の固定部１４から上方配置部１５に至る第一リードフレーム１０の板厚方向の間隔に一致しているとよい。
【００１７】
固定部２４は、リード支持部２３から延出する第三リード２１の先端部分であり、後述する成形工程において基板３０の上面３０ａ（図５参照）側に固定される部分である。固定部２４は、細長く形成されている。また、固定部２４には、第二リードフレーム２０の主面に沿う方向に折れ曲がる部分が形成されている。
上方配置部２５は、固定部２４とリード支持部２３との間に形成される部分であり、リード支持部２３と同じ高さ位置に配されている。
【００１８】
上記準備工程後には、図３〜５に示すように基板３０を成形する成形工程を実施する。この成形工程においては、図５に示すように、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４を基板３０の上面３０ａ側に固定する。本実施形態では、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂのみが基板３０に接触するように、固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａに固定される。固定部１４，２４が。以下、本実施形態における成形工程についてさらに説明する。
【００１９】
本実施形態の成形工程では、例えば図３に示すように、第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を収容する収容部７１Ａ、及び、基板３０（図４，５参照）を成形するためのキャビティ７２Ａを有する基板成形用金型７０Ａを用いる。図３の収容部７１Ａには、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４が収容される。
固定部１４，２４を収容部７１Ａに収容した状態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂがキャビティ７２Ａ側に露出し、固定部１４，２４の他の面は収容部７１Ａの内面によって隙間なく覆われる。また、収容部７１Ａに収容された固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂは、キャビティ７２Ａの内面と同一平面をなす。この状態で、例えば射出成形により、キャビティ７２Ａに基板３０の成形材料（樹脂材料）を流し込むことで、図４，５に示す基板３０が成形される。基板３０の成形材料は、基板３０に固定される複数のリード１１，２１同士が基板３０を介して電気接続されないように、電気的な絶縁性を有することが好ましく、例えばガラスエポキシ樹脂であるとよい。
【００２０】
さらに、本実施形態の成形工程では、前述した基板成形用金型７０Ａに第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を収容する際に、一部の第一リード１１（図２，４における右から１〜３番目の第一リード１１）の上方配置部１５と、第三リード２１の固定部２４とが、リードフレーム１０，２０の板厚方向に間隔をあけて重なるように配する（図１，５参照）。その上で、前述したように基板３０を成形することで、基板３０の成形材料が第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４に密着して、これら固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａ側に固定される。
【００２１】
成形工程後の状態では、図４，５に示すように、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａ側に固定されている。本実施形態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂのみが基板３０によって覆われ、固定部１４，２４の他の面（上面１４ａ，２４ａや側面）は外部に露出している。また、本実施形態の基板３０は、平面視矩形状に形成されている。そして、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４の一部は、基板３０の上面３０ａの角部領域に配されている。さらに、本実施形態において、基板３０の上面３０ａの一部の角部領域に配される第一リード１１の固定部１４は、固定部１４に形成された被押付部１６である。
また、成形工程後の状態では、第一リード１１の上方配置部１５が、基板３０の上面３０ａの上方に間隔をあけて配されている。なお、第二リード１２、枠体部１３、第三リード２１の上方配置部２５及びリード支持部２３は、第一リード１１の上方配置部１５と同様に、基板３０の上面３０ａよりも上方に位置するが、平面視で基板３０の外側に位置する。
【００２２】
上記成形工程後には、図６に示すように、半導体素子４０と各リード１１，１２，２１とを電気接続する接続工程を行う。本実施形態の接続工程では、半導体素子４０を第一リード１１に搭載する搭載工程を実施した後に、半導体素子４０と第二リード１２、第三リード２１とをワイヤー等の接続子５０により電気接続する配線工程を実施する。
半導体素子４０としては、例えばダイオードやドランジスタ等のように通電によって発熱する半導体部品であり、平面視矩形の板状に形成されてその上面及び下面の両方に電極パッドを有して構成されるものが挙げられる。この場合、搭載工程では、半導体素子４０の下面を半田によって第一リード１１の固定部１４の上面１４ａに接合することで、半導体素子４０が第一リード１１に電気接続される。
【００２３】
上記接続工程後には、図６〜８に示すように、基板３０、リード１１，１２，２１、半導体素子４０、及び、接続子５０を封止樹脂６０により封止する封止工程を行う。本実施形態の封止工程においては、リード１１，１２，２１のうち、第一、第二リード１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、及び、第三リード２１が封止樹脂６０によって封止される。
封止工程では、封止樹脂６０を成形するためのキャビティ８１Ａを有する樹脂成形用金型８０Ａを用い、はじめに、基板３０、第一、第二リード１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、第三リード２１、半導体素子４０、及び、接続子５０をキャビティ８１Ａ内に配する。その後、キャビティ８１Ａ内に封止樹脂６０を注入することで、図８に示すように、基板３０、リード１１，１２，２１、半導体素子４０及び接続子５０が封止樹脂６０によって封止される。
【００２４】
また、封止工程では、半導体装置１において基板３０の下面３０ｂが外部に露出するように、図７に示すように、樹脂成形用金型８０Ａのキャビティ８１Ａ内に突出する複数のサポートピン８２Ａにより、基板３０の下面３０ｂをキャビティ８１Ａの内面に押し付けた状態で、キャビティ８１Ａ内に封止樹脂６０を注入する。
本実施形態の封止工程では、図６，７に示すように、サポートピン８２Ａを基板３０の上面３０ａの角部領域に配された第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４に押し付ける。また、一部のサポートピン８２Ａは、第一リード１１の固定部１４に形成された被押付部１６に押し付けられる。
【００２５】
上記封止工程後には、第一リードフレーム１０の枠体部１３及び第二リードフレーム２０のリード支持部２３（図６参照）を切り落とし、第一リードフレーム１０の複数の第一リード１１及び第二リード１２を、封止樹脂６０の外側において互いに電気的に独立させることで、図８に示す半導体装置１の製造が完了する。
【００２６】
以上のように製造される本実施形態の半導体装置１は、図６，８に示すように、基板３０と、リード１１，１２，２１と、リード１１，１２，２１に電気接続された半導体素子４０と、これら基板３０、リード１１，１２，２１及び半導体素子４０を封止する封止樹脂６０とを備える。
【００２７】
本実施形態のリード１１，１２，２１には、基板３０の上面３０ａ側に固定された第一、第三リード１１，２１の他に、基板３０に固定されずにその上面３０ａよりも上方に間隔をあけて位置する第二リード１２もある。第一、第二リード１１，１２の長手方向の一端部１１Ａ，１２Ａは封止樹脂６０内に埋設され、第一、第二リード１１，１２の他端部１１Ｂ，１２Ｂは封止樹脂６０から外部に突出している。
【００２８】
第一リード１１の一端部１１Ａ及び第三リード２１は、それぞれ、基板３０の上面３０ａ側に固定された固定部１４，２４と、基板３０の上面３０ａの上方に間隔をあけて配された上方配置部１５，２５と、を備える。本実施形態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂのみが基板３０の上面３０ａに接触するように、固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａに固定されている。そして、第三リード２１の固定部２４の上方には、一部の第一リード１１（図６において右から１〜３番目の第一リード１１）の上方配置部１５がリード１１，１２，２１の板厚方向に間隔をあけて配されている。また、第三リード２１の固定部２４は、複数の第一リード１１の配列方向に延びており、平面視で一部の第一リード１１と交差している。
【００２９】
半導体素子４０は、一部の第一リード１１（図６において右から１〜４番目の第一リード１１）の上面１４ａに搭載されている。また、半導体素子４０は、これを搭載した第一リード１１とは別個のリード１１，１２，２１と、ワイヤー等の接続子５０によって適宜電気接続されている。なお、半導体素子４０は、これを搭載した第一リード１１と電気接続されてもよいが、例えば電気接続されなくてもよい。
封止樹脂６０は、基板３０のうち上面３０ａ及び側面を封止している。すなわち、基板３０の下面３０ｂは外部に露出している。また、本実施形態の封止樹脂６０には、樹脂成形用金型８０Ａのサポートピン８２Ａ（図７参照）による孔６１が形成されている。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法によれば、成形工程において基板３０を成形する際に第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４を基板３０の上面３０ａに固定するため、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４と基板３０とが接着剤等を介在させることなく直接固定される。したがって、製造後の半導体装置１では、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４から基板３０への熱伝導の低下を防止できる。すなわち、半導体装置１の放熱性の低下を防ぐことが可能となる。例えば、半導体装置１において半導体素子４０が通電により発熱しても、この熱を第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４及び基板３０を介して外部に効率よく逃がすことができる。
【００３１】
また、本実施形態の製造方法によれば、成形工程において第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａ側に固定されるため、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４が細長く形成されていても、封止工程の際に、リード１１，１２，２１が基板３０上においてばたつくことを防止できる。
さらに、本実施形態の製造方法によれば、封止工程において、基板３０の下面３０ｂがサポートピン８２Ａによってキャビティ８１Ａの内面に押し付けられるため、製造後の半導体装置１において、基板３０の下面３０ｂが封止樹脂６０によって覆われることを防止できる。
【００３２】
また、本実施形態の製造方法によれば、準備工程において、第一リード１１の固定部１４に形成されてサポートピン８２Ａを押し付けるための被押付部１６の形成位置を、基板３０上の同一位置に対応づけて設定すれば、例え半導体装置１の仕様に応じて基板３０に固定される第一、第三リード１１，２１の形状や数が異なっていても、封止工程では、同一位置に設けられたサポートピン８２Ａを固定部１４に押し付けることが可能となる。したがって、リード１１，１２，２１の形状や数が異なる様々な種類の半導体装置１を同一の樹脂成形用金型８０Ａを用いて製造することが可能となり、半導体装置１の製造コスト削減を図ることができる。
さらに、本実施形態では、封止工程において、サポートピン８２Ａを基板３０ではなく第一、第三リード１１，２１の固定部１４、２４に押し付けるため、例えば基板３０の厚みが薄く、これに伴って基板３０の強度が弱くても、基板３０の保護を図ることが可能となる。
【００３３】
さらに、本実施形態の製造方法によれば、第一リードフレーム１０の第一リード１１に上方配置部１５が形成されることで、二つのリードフレーム１０，２０の第一リード１１と第三リード２１とを、基板３０上において電気的に絶縁した状態で交差させることができる。したがって、複雑な回路を有する半導体装置１を製造することが可能となる。
【００３４】
また、本実施形態のように、基板３０が電気的な絶縁性を有していれば、半導体装置１において、封止樹脂６０内において基板３０に固定された第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４を外部に対して電気的に絶縁することが可能となる。したがって、半導体装置１を放熱フィンや筐体等のように導電性を有する部材（導電性部材）に実装する際に、基板３０の下面３０ｂと導電性部材との間に、別個の絶縁シート等の絶縁材を介在させることなく、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４とを電気的に絶縁させることができる。すなわち、半導体装置１の実装を簡便に行うことができる。
【００３５】
〔第二実施形態〕
次に、図９，１０を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態では、第一実施形態の製造方法と比較して、成形工程のみが異なっており、その他の工程については第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
本実施形態の成形工程では、第一実施形態と同様に、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４を基板３０の上面３０ａ側に固定するが、図１０に示すように、固定部１４，２４の一部のみが基板３０の上面３０ａに露出するように、基板３０に埋設される。
【００３６】
具体的に説明すれば、本実施形態の成形工程では、図９に示す基板成形用金型７０Ｂを用いる。基板成形用金型７０Ｂは、第一実施形態の基板成形用金型７０Ａ（図３参照）と同様に、第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を収容する収容部７１Ｂ、及び、基板３０を成形するためのキャビティ７２Ｂを有する。図９の収容部７１Ｂには、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４が収容される。
固定部１４，２４を収容部７１Ｂに収容した状態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂがキャビティ７２Ｂ側に露出し、固定部１４，２４の上面１４ａ，２４ａが収容部７１Ａの内面によって隙間なく覆われる。また、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂがキャビティ７２Ｂの内面と同一平面をなす。ただし、本実施形態では、固定部１４，２４を収容部７１Ｂに収容した状態で、固定部１４，２４の側面と収容部７１Ｂの内面（内側面）との間に隙間が生じる。また、本実施形態では、キャビティ７２Ｂの内面と収容部７１Ｂの内面との角部が丸みを帯びている。
この収容状態で、キャビティ７２Ｂに基板３０の成形材料（樹脂材料）を流し込むと、成形材料の一部がキャビティ７２Ｂから固定部１４の側面と収容部７１Ｂの内面との隙間に入り込む。なお、前述したように、キャビティ７２Ｂの内面と収容部７１Ｂの内面との角部が丸みを帯びていることで、成形材料は上記隙間に入り込みやすい。
【００３７】
以上のように成形工程を実施すると、図１０に示すように、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂに加え、固定部１４，２４の側面の一部（下面１４ｂ，２４ｂ側の部分）が、基板３０によって覆われる。すなわち、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂ側の部分が基板３０に埋設される。
本実施形態の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏することに加え、成形工程において、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４を基板３０に対してより強固に固定できる、という効果も奏する。
【００３８】
なお、上記第二実施形態では、成形工程において、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂ側の部分だけが基板３０に埋設されるが、例えば図１１に示すように、固定部１４，２４の上面１４ａ，２４ａのみが露出するように、基板３０に埋設されてもよい。
【００３９】
〔第三実施形態〕
次に、図１２，１３を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
この実施形態では、第一実施形態の製造方法と比較して、準備工程及び封止工程のみが異なっており、その他の工程については第一実施形態や第二実施形態と同様であってよい。本実施形態では、第一実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
本実施形態の準備工程では、第一実施形態と同様の第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を用意する。ただし、本実施形態の準備工程では、図１２に示すように、第一リード１１に被押付部１６（図２参照）が形成されない。
【００４０】
そして、本実施形態の封止工程では、図１２，１３に示すように、第一実施形態の場合と同様に、樹脂成形用金型８０Ｂのキャビティ８１Ｂ内に、基板３０、第一、第二リード１１,１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、第三リード２１、半導体素子４０及び接続子５０を配すると共に、樹脂成形用金型８０Ｂの複数のサポートピン８２Ｂにより基板３０の下面３０ｂをキャビティ８１Ｂの内面に押し付けた状態で、キャビティ８１Ｂ内に封止樹脂６０を注入する。これにより、基板３０、第一、第二リード１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、第三リード２１、半導体素子４０、及び、接続子５０が、封止樹脂６０によって封止される。
ただし、本実施形態の封止工程では、サポートピン８２Ｂを基板３０の上面３０ａに押し付けた状態で、封止樹脂６０をキャビティ８１Ｂ内に注入する。
【００４１】
本実施形態の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の製造方法によれば、封止工程において、サポートピン８２Ｂを基板３０の上面３０ａに押し付けることで、基板３０の下面３０ｂをキャビティ８１Ｂの内面に押し付けるため、例え半導体装置１の仕様に応じて基板３０に固定される第一、第三リード１１，２１の形状や数が異なっていても、サポートピン８２Ｂを基板３０の上面３０ａの同一位置に押し付けることができる。したがって、リード１１，１２，２１の形状や数が異なる様々な種類の半導体装置１を、同一の樹脂成形用金型８０Ｂを用いて製造することが可能となり、半導体装置１の製造コスト削減を図ることができる。
また、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４に被押付部１６（図２参照）を形成する必要がないため、リードフレーム１０，２０の設計を容易に行うことが可能となる。
【００４２】
以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、準備工程において第二リードフレーム２０の第三リード２１に折り曲げ加工が施されるとしたが、施されなくてもよい。また、上記実施形態では、第一リード１１と第三リード２１とがその板厚方向に間隔をあけて重なるように配されているが、例えば重ならなくてもよい。この場合、準備工程において第一リード１１に折り曲げ加工を施す必要はない。すなわち、第一、第三リード１１，２１は、例えば上方配置部１５，２５を備えなくてもよい。この場合、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４は、第二リード１２や枠体部１３、リード支持部２３と同じ高さ位置に配されればよい。
【００４３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記実施形態の半導体装置の製造に適用されることに限らず、例えば基板３０の下面３０ｂが露出しないように、基板３０、リード１１，１２，２１及び半導体素子４０を封止樹脂６０により封止した半導体装置の製造にも適用可能である。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１  半導体装置
１０  第一リードフレーム（一のリードフレーム）
１１  第一リード
１２  第二リード
１４  固定部
１５  上方配置部
１６  被押付部
２０  第二リードフレーム（他のリードフレーム）
２１  第三リード
２４  固定部
３０  基板
３０ａ  上面
３０ｂ  下面
４０  半導体素子
５０  接続子
６０  封止樹脂
７０Ａ，７０Ｂ  基板成形用金型
７１Ａ，７１Ｂ  収容部
７２Ａ，７２Ｂ  キャビティ
８０Ａ，８０Ｂ  樹脂成形用金型
８１Ａ，８１Ｂ  キャビティ
８２Ａ，８２Ｂ  サポートピン
【図１】
2015037103.tif 000003
【図２】
2015037103.tif 000004
【図３】
2015037103.tif 000005
【図４】
2015037103.tif 000006
【図５】
2015037103.tif 000007
【図６】
2015037103.tif 000008
【図７】
2015037103.tif 000009
【図８】
2015037103.tif 000010
【図９】
2015037103.tif 000011
【図１０】
2015037103.tif 000012
【図１１】
2015037103.tif 000013
【図１２】
2015037103.tif 000014
【図１３】
2015037103.tif 000015