(57)【要約】【課題】耐応力緩和特性が確実かつ十分に優れているとともに強度、曲げ加工性に優れた電子・電気機器用銅合金を提供する。【解決手段】Ｚｎを２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下、Ｓｎを０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉを０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満、Ｐを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、原子比で３．０＜Ｎｉ／Ｐ＜１００．０、０．１０＜Ｓｎ／Ｎｉ＜２．９０を満たし、ＮｉとＰとを含有するＮｉ−Ｐ系析出物を有し、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＮｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在し、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１以上５０μｍ以下の範囲内である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｚｎを２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下、Ｓｎを０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉを０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満、Ｐを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、
Ｎｉの含有量とＰの含有量との比Ｎｉ／Ｐが、原子比で、
３．０＜Ｎｉ／Ｐ＜１００．０
を満たし、
かつ、Ｓｎの含有量とＮｉの含有量との比Ｓｎ／Ｎｉが、原子比で、
０．１０＜Ｓｎ／Ｎｉ＜２．９０
を満たし、
さらに、ＮｉとＰとを含有するＮｉ−Ｐ系析出物を有しており、
粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内の前記Ｎｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内の前記Ｎｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在するとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１以上５０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする電子・電気機器用銅合金。
【請求項２】
Ｚｎを２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下、Ｓｎを０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉを０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満、Ｐを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下含有するとともに、
０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満のＦｅ及び０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満のＣｏのいずれか一方又は両方を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、
Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏの合計含有量（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）とＰの含有量との比（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐが、原子比で、
３．０＜（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ＜１００．０
を満たし、
かつ、Ｓｎの含有量とＮｉ、ＦｅおよびＣｏの合計含有量（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）との比Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）が、原子比で、
０．１０＜Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）＜２．９０
を満たすとともに、
ＦｅとＣｏの合計含有量とＮｉの含有量との比（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉが、原子比で、
０．００２≦（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ＜１．５００
を満たし、
さらに、ＦｅとＣｏとＮｉからなる群から選択される少なくとも一種の元素とＰとを含有する〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を有しており、
粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内の前記〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内の前記〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在するとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１以上５０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする電子・電気機器用銅合金。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子・電気機器用銅合金の圧延材からなり、厚みが０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内にあることを特徴とする電子・電気機器用銅合金薄板。
【請求項４】
表面にＳｎめっきが施されていることを特徴とする請求項３に記載の電子・電気機器用銅合金薄板。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の電子・電気機器用銅合金からなることを特徴とする電子・電気機器用導電部品。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の電子・電気機器用銅合金からなることを特徴とする端子。
【請求項７】
請求項３または請求項４に記載の電子・電気機器用銅合金薄板からなることを特徴とする電子・電気機器用導電部品。
【請求項８】
請求項３または請求項４に記載の電子・電気機器用銅合金薄板からなることを特徴とする端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のコネクタや、その他の端子、あるいは電磁リレーの可動導電片や、リードフレームなどの電子・電気機器用導電部品として使用されるＣｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系の電子・電気機器用銅合金と、それを用いた電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用導電部品及び端子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上述の電子・電気用導電部品として、強度、加工性、コストのバランスなどの観点から、Ｃｕ−Ｚｎ合金が従来から広く使用されている。
また、コネクタなどの端子の場合、相手側の導電部材との接触の信頼性を高めるため、Ｃｕ−Ｚｎ合金からなる基材（素板）の表面に錫（Ｓｎ）めっきを施して使用することがある。Ｃｕ−Ｚｎ合金を基材としてその表面にＳｎめっきを施したコネクタなどの導電部品においては、Ｓｎめっき材のリサイクル性を向上させるとともに、強度を向上させるため、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金を使用する場合がある。
【０００３】
ここで、例えばコネクタ等の電子・電気機器用導電部品は、一般に、厚みが０．０５〜１．０ｍｍ程度の薄板（圧延板）に打ち抜き加工を施すことによって所定の形状とし、その少なくとも一部に曲げ加工を施すことによって製造される。この場合、曲げ部分付近で相手側導電部材と接触させて相手側導電部材との電気的接続を得るとともに、曲げ部分のバネ性により相手側導電部材との接触状態を維持させるように使用される。
【０００４】
このような電子・電気機器用導電部品に用いられる電子・電気機器用銅合金においては、導電性、圧延性や打ち抜き加工性が優れていることが望まれる。さらに、前述のように、曲げ加工を施してその曲げ部分のバネ性により、曲げ部分付近で相手側導電部材との接触状態を維持するように使用されるコネクタなどの場合は、曲げ加工性、耐応力緩和特性が優れていることが要求される。
【０００５】
そこで、例えば特許文献１〜４には、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金の耐応力緩和特性を向上させるための方法が提案されている。
特許文献１には、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金にＮｉを含有させてＮｉ−Ｐ系化合物を生成させることによって耐応力緩和特性を向上させることができるとされ、またＦｅの添加も耐応力緩和特性の向上に有効であることが示されている。
特許文献２においては、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金に、Ｎｉ、ＦｅをＰとともに添加して化合物を生成させることにより、強度、弾性、耐熱性を向上させ得ることが記載されており、上記の強度、弾性、耐熱性の向上は、耐応力緩和特性の向上を意味していると考えられる。
【０００６】
また、特許文献３においては、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金にＮｉを添加するとともに、Ｎｉ／Ｓｎ比を特定の範囲内に調整することにより耐応力緩和特性を向上させることができると記載され、またＦｅの微量添加も耐応力緩和特性の向上に有効である旨、記載されている。
さらに、リードフレーム材を対象とした特許文献４においては、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金に、Ｎｉ、ＦｅをＰとともに添加し、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐの原子比を０．２〜３の範囲内に調整して、Ｆｅ―Ｐ系化合物、Ｎｉ―Ｐ系化合物、Ｆｅ―Ｎｉ―Ｐ系化合物を生成させることにより、耐応力緩和特性の向上が可能となる旨、記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−３３０８７号公報
【特許文献２】特開２００６−２８３０６０号公報
【特許文献３】特許第３９５３３５７号公報
【特許文献４】特許第３７１７３２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、最近では、電子・電気機器のさらなる小型化及び軽量化が図られており、電子・電気機器用導電部品に用いられる電子・電気機器用銅合金においては、さらなる強度、曲げ加工性、耐応力緩和特性の向上が求められている。
しかしながら、特許文献１、２においては、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐの個別の含有量が考慮されているだけであり、このような個別の含有量の調整だけでは、必ずしも耐応力緩和特性を確実かつ十分に向上させることができなかった。
また、特許文献３においては、Ｎｉ／Ｓｎ比を調整することが開示されているが、Ｐ化合物と耐応力緩和特性との関係については全く考慮されておらず、十分かつ確実な耐応力緩和特性の向上を図ることができなかった。
さらに、特許文献４においては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐの合計量と、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐの原子比とを調整しただけであり、耐応力緩和特性の十分な向上を図ることができなかった。
【０００９】
以上のように、従来から提案されている方法では、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金の耐応力緩和特性を十分に向上させることができなかった。このため、上述した構造のコネクタ等においては、経時的に、もしくは高温環境で、残留応力が緩和されて相手側導電部材との接触圧が維持されず、接触不良などの不都合が早期に生じやすいという問題があった。このような問題を回避するために、従来は材料の肉厚を大きくせざるを得ず、材料コストの上昇、重量の増大を招いていた。そこで、耐応力緩和特性のより一層の確実かつ十分な改善が強く望まれている。
【００１０】
本発明は、以上のような事情を背景としてなされたものであって、耐応力緩和特性が確実かつ十分に優れているとともに強度、曲げ加工性に優れた電子・電気機器用銅合金、それを用いた電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用導電部品及び端子を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、鋭意実験・研究を重ねたところ、Ｃｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金に、Ｎｉを適量添加するとともに、Ｐを適量添加し、Ｎｉの含有量とＰの含有量との比Ｎｉ／Ｐと、Ｓｎの含有量とＮｉの含有量との比Ｓｎ／Ｎｉとを、それぞれ原子比で適切な範囲内に調整することにより、ＮｉとＰとを含有するＮｉ−Ｐ系析出物を適切に析出させ、同時に粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在するとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であることによって、耐応力緩和特性を確実かつ十分に向上させると同時に、強度、曲げ加工性に優れた銅合金が得られることを見い出した。
【００１２】
さらに、上記のＮｉ、Ｐと同時に適量のＦｅ及びＣｏを添加し、Ｎｉ，ＦｅおよびＣｏの合計含有量とＰの含有量との比（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐと、Ｓｎの含有量とＮｉ，ＦｅおよびＣｏの合計含有量との比Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）と、ＦｅとＣｏの合計含有量とＮｉの含有量との比（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉとを、それぞれ原子比で適切な範囲内に調整することにより、ＦｅとＣｏとＮｉからなる群から選択される少なくとも一種の元素とＰとを含有する〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を適切に析出させ、同時に粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍの範囲内の〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内の〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在するとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であることによって、耐応力緩和特性及び強度をより一層向上させることができることを見い出した。
本発明は、これらの知見に基づいてなされたものである。
【００１３】
本発明に係る電子・電気機器用銅合金は、Ｚｎを２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下、Ｓｎを０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉを０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満、Ｐを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、Ｎｉの含有量とＰの含有量との比Ｎｉ／Ｐが、原子比で、３．０＜Ｎｉ／Ｐ＜１００．０を満たし、かつ、Ｓｎの含有量とＮｉの含有量との比Ｓｎ／Ｎｉが、原子比で、０．１０＜Ｓｎ／Ｎｉ＜２．９０を満たし、さらに、ＮｉとＰとを含有するＮｉ−Ｐ系析出物を有しており、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内の前記Ｎｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在するとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であることを特徴としている。
【００１４】
前述の構成の電子・電気機器用銅合金によれば、ＮｉをＰとともに添加し、Ｓｎ、Ｎｉ、およびＰの相互間の添加比率を規制し、母相（α相主体）から析出したＮｉとＰとを含有するＮｉ−Ｐ系析出物を有しており、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物を１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物を１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在させるとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径を０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内としているので、耐応力緩和特性が確実かつ十分に優れ、しかも強度（耐力）も高い。
なお、ここでＮｉ−Ｐ系析出物とは、Ｎｉ―Ｐの２元系析出物であり、さらにこれらに他の元素、例えば主成分のＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、不純物のＯ、Ｓ、Ｃ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｔｉなどを含有した多元系析出物を含むことがある。また、このＮｉ−Ｐ系析出物は、リン化物、もしくはリンを固溶した合金の形態で存在する。
【００１５】
また、本発明に係る電子・電気機器用銅合金は、Ｚｎを２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下、Ｓｎを０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉを０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満、Ｐを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下含有するとともに、０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満のＦｅ及び０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満のＣｏのいずれか一方又は両方を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏの合計含有量（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）とＰの含有量との比（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐが、原子比で、３．０＜（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ＜１００．０を満たし、かつ、Ｓｎの含有量とＮｉ、ＦｅおよびＣｏの合計含有量（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）との比Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）が、原子比で、０．１０＜Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）＜２．９０を満たすとともに、ＦｅとＣｏの合計含有量とＮｉの含有量との比（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉが、原子比で、０．００２≦（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ＜１．５００を満たし、さらに、ＦｅとＣｏとＮｉからなる群から選択される少なくとも一種の元素とＰとを含有する〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を有しており、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内の前記〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内の〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在するとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１以上５０μｍ以下の範囲内であることを特徴としている。
【００１６】
前述の構成の電子・電気機器用銅合金によれば、ＮｉをＰとともに添加し、さらに適量のＦｅ及びＣｏを添加し、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、ＣｏおよびＰの相互間の添加比率を規制し、母相（α相主体）から析出したＦｅとＣｏとＮｉからなる群から選択される少なくとも一種の元素とＰとを含有する〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を有しており、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内の〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内の〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在させるとともに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径を０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内としているので、耐応力緩和特性が確実かつ十分に優れ、しかも強度（耐力）も高い。
なお、ここで〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物とは、Ｎｉ―Ｐ、Ｆｅ―ＰもしくはＣｏ―Ｐの２元系析出物、Ｎｉ―Ｆｅ―Ｐ、Ｎｉ―Ｃｏ―ＰもしくはＦｅ−Ｃｏ―Ｐの３元系析出物、あるいはＮｉ−Ｆｅ―Ｃｏ―Ｐの４元系析出物であり、さらにこれらに他の元素、例えば主成分のＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、不純物のＯ、Ｓ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｔｉなどを含有した多元系析出物を含むことがある。また、この〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物は、リン化物、もしくはリンを固溶した合金の形態で存在する。
【００１７】
本発明の電子・電気機器用銅合金薄板は、上述の電子・電気機器用銅合金の圧延材からなり、厚みが０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内にあることを特徴とする。
このような厚みの圧延板薄板（条材）は、コネクタ、その他の端子、電磁リレーの可動導電片、リードフレームなどに好適に使用することができる。
【００１８】
ここで、本発明の電子・電気機器用銅合金薄板においては、表面にＳｎめっきが施されていてもよい。
この場合、Ｓｎめっきの下地の基材は０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下のＳｎを含有するＣｕ−Ｚｎ―Ｓｎ系合金で構成されているため、使用済みのコネクタなどの部品をＳｎめっきＣｕ−Ｚｎ系合金のスクラップとして回収して良好なリサイクル性を確保することができる。
【００１９】
本発明の電子・電気機器用導電部品は、上述の電子・電気機器用銅合金からなることを特徴とする。
さらに、本発明の電子・電気機器用導電部品は、上述の電子・電気機器用銅合金薄板からなることを特徴とする。
なお、本発明における電子・電気機器用導電部品とは、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等を含むものである。
【００２０】
本発明の端子は、上述の電子・電気機器用銅合金からなることを特徴とする。
さらに、本発明の端子は、上述の電子・電気機器用銅合金薄板からなることを特徴とする。
なお、本発明における端子は、コネクタ等を含むものである。
【００２１】
これらの構成の電子・電気機器用導電部品及び端子によれば、特に耐応力緩和特性に優れているので、経時的にもしくは高温環境で、残留応力が緩和されにくく、信頼性に優れている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、耐応力緩和特性が確実かつ十分に優れているとともに、強度、曲げ加工性に優れた電子・電気機器用銅合金、それを用いた電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用導電部品及び端子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の電子・電気機器用銅合金の製造方法の工程例を示すフローチャートである。
【図２】実施例において析出物の観察例を示すＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察写真（倍率１５０，０００倍）、及び、この観察写真を２値化処理した画像である。
【図３】実施例において析出物の観察例を示すＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察写真（倍率１５，０００倍）、及び、この観察写真を２値化処理した画像である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明の一実施形態である電子・電気機器用銅合金について説明する。
本実施形態である電子・電気機器用銅合金は、Ｚｎを２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下、Ｓｎを０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉを０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満、Ｐを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有する。
【００２５】
そして、各合金元素の相互間の含有量比率として、Ｎｉの含有量とＰの含有量との比Ｎｉ／Ｐが、原子比で、次の（１）式
３．０＜Ｎｉ／Ｐ＜１００．０                  ・・・（１）を満たし、さらにＳｎの含有量とＮｉの含有量との比Ｓｎ／Ｎｉが、原子比で、次の（２）式
０．１０＜Ｓｎ／Ｎｉ＜２．９０                ・・・（２）を満たすように定められている。
【００２６】
さらに、本実施形態である電子・電気機器用銅合金は、上記のＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｐのほかに、さらに０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満のＦｅ及び０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満のＣｏのいずれか一方又は両方を含有してもよい。
【００２７】
この場合、各合金元素の相互間の含有量比率として、Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏの合計含有量（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）とＰの含有量との比（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐが、原子比で、次の（１´）式
３．０＜（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ＜１００．０    ・・・（１´）を満たし、さらにＳｎの含有量とＮｉ、ＦｅおよびＣｏの合計含有量（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）との比Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）が、原子比で、次の（２´）式
０．１０＜Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）＜２．９０  ・・・（２´）を満たし、さらにＦｅおよびＣｏの合計含有量とＮｉの含有量との比（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉが、原子比で、次の（３´）式
０．００２≦（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ＜１．５００    ・・・（３´）を満たすように定められている。
【００２８】
ここで、上述のように成分組成を規定した理由について以下に説明する。
【００２９】
（Ｚｎ：２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下）
Ｚｎは、本実施形態で対象としている銅合金において基本的な合金元素であり、強度およびばね性の向上に有効な元素である。また、ＺｎはＣｕより安価であるため、銅合金の材料コストの低減にも効果がある。Ｚｎが２．０ｍａｓｓ％以下では、材料コストの低減効果が十分に得られない。一方、Ｚｎが３６．５ｍａｓｓ％を超えれば、耐食性が低下するとともに、冷間圧延性も低下してしまう。
したがって、Ｚｎの含有量は２．０ｍａｓｓ％超えて３６．５ｍａｓｓ％以下の範囲内とした。なお、Ｚｎの含有量は、上記の範囲内でも５．０ｍａｓｓ％以上３３．０ｍａｓｓ％以下の範囲内が好ましく、７．０ｍａｓｓ％以上２７．０ｍａｓｓ％以下の範囲内がさらに好ましい。
【００３０】
（Ｓｎ：０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下）
Ｓｎの添加は強度向上に効果があり、Ｓｎめっき付きＣｕ−Ｚｎ合金材のリサイクル性の向上に有利となる。さらに、ＳｎがＮｉと共存すれば、耐応力緩和特性の向上にも寄与することが本発明者等の研究により判明している。Ｓｎが０．１０ｍａｓｓ％未満ではこれらの効果が十分に得られず、一方、Ｓｎが０．９０ｍａｓｓ％を超えれば、熱間加工性および冷間圧延性が低下し、熱間圧延や冷間圧延で割れが発生してしまうおそれがあり、導電率も低下してしまう。
したがって、Ｓｎの含有量は０．１０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下の範囲内とした。なお、Ｓｎの含有量は、上記の範囲内でも特に０．２０ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下の範囲内が好ましい。
【００３１】
（Ｎｉ：０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満）
Ｎｉは、Ｐとともに添加することにより、Ｎｉ−Ｐ系析出物を母相（α相主体）から析出させることができ、また、Ｆｅ及びＣｏの一方又は両方とＰとともに添加することにより、〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を母相（α相主体）から析出させることができる。これらＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物によって再結晶の際に結晶粒界をピン止めする効果により、平均結晶粒径を小さくすることができ、強度、曲げ加工性、耐応力腐食割れ性を向上させることができる。さらに、これらの析出物の存在により、耐応力緩和特性を大幅に向上させることができる。加えて、ＮｉをＳｎ、（Ｆｅ，Ｃｏ）、Ｐと共存させることで、固溶強化によっても向上させることができる。ここで、Ｎｉの添加量が０．１５ｍａｓｓ％未満では、耐応力緩和特性を十分に向上させることができない。一方、Ｎｉの添加量が１．００ｍａｓｓ％以上となれば、固溶Ｎｉが多くなって導電率が低下し、また高価なＮｉ原材料の使用量の増大によりコスト上昇を招く。
したがって、Ｎｉの含有量は０．１５ｍａｓｓ％以上１．００ｍａｓｓ％未満の範囲内とした。なお、Ｎｉの含有量は、上記の範囲内でも特に０．２０ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％未満の範囲内、さらには０．５０ｍａｓｓ％を超えて０．８０ｍａｓｓ％未満の範囲内とすることが好ましい。より好ましくは０．５５ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％未満の範囲内である。
【００３２】
（Ｐ：０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下）
Ｐは、Ｎｉとの結合性が高く、Ｎｉとともに適量のＰを含有させれば、Ｎｉ−Ｐ系析出物を析出させることができ、また、Ｆｅ及びＣｏの一方又は両方とＰとともに添加することにより、〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を母相（α相主体）から析出させることができる。これらＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の存在によって耐応力緩和特性を向上させることができる。ここで、Ｐ量が０．００５ｍａｓｓ％未満では、十分にＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を析出させることが困難となり、十分に耐応力緩和特性を向上させることができなくなる。一方、Ｐ量が０．１０ｍａｓｓ％を超えれば、Ｐ固溶量が多くなって、導電率が低下するとともに圧延性が低下して冷間圧延割れが生じやすくなってしまう。
したがって、Ｐの含有量は、０．００５ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％以下の範囲内とした。Ｐの含有量は、上記の範囲内でも特に０．０１０ｍａｓｓ％以上０．０８０ｍａｓｓ％以下の範囲内が好ましい。
なお、Ｐは、銅合金の溶解原料から不可避的に混入することが多い元素であることから、Ｐの含有量を上述のように規制するためには、溶解原料を適切に選定することが望ましい。
【００３３】
（Ｆｅ：０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満）
Ｆｅは、必ずしも必須の添加元素ではないが、少量のＦｅをＮｉ、Ｐとともに添加すれば、〔Ｎｉ，Ｆｅ〕−Ｐ系析出物を母相（α相主体）から析出させることができ、さらに少量のＣｏを添加することにより、〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を母相（α相主体）から析出させることができる。これら〔Ｎｉ，Ｆｅ〕−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物によって再結晶の際に結晶粒界をピン止めする効果により、平均結晶粒径を小さくすることができ、強度、曲げ加工性、耐応力腐食割れ性を向上させることができる。さらに、これらの析出物の存在により、耐応力緩和特性を大幅に向上させることができる。ここで、Ｆｅの添加量が０．００１ｍａｓｓ％未満では、Ｆｅ添加による耐応力緩和特性のより一層の向上効果が得られない。一方、Ｆｅの添加量が０．１００ｍａｓｓ％以上となれば、固溶Ｆｅが多くなって導電率が低下し、また冷間圧延性も低下してしまう。
そこで、本実施形態では、Ｆｅを添加する場合には、Ｆｅの含有量を０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満の範囲内とした。なお、Ｆｅの含有量は、上記の範囲内でも特に０．００２ｍａｓｓ％以上０．０８０ｍａｓｓ％以下の範囲内とすることが好ましい。なお、Ｆｅを積極的に添加しない場合でも、不純物として０．００１ｍａｓｓ％未満のＦｅが含有されることがある。
【００３４】
（Ｃｏ：０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満）
Ｃｏは、必ずしも必須の添加元素ではないが、少量のＣｏをＮｉ、Ｐとともに添加すれば、〔Ｎｉ，Ｃｏ〕−Ｐ系析出物を母相（α相主体）から析出させることができ、さらに少量のＦｅを添加することにより、〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物を母相（α相主体）から析出させることができる。これら〔Ｎｉ，Ｃｏ〕−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物によって耐応力緩和特性をより一層向上させることができる。ここで、Ｃｏ添加量が０．００１ｍａｓｓ％未満では、Ｃｏ添加による耐応力緩和特性のより一層の向上効果が得られず、一方、Ｃｏ添加量が０．１００ｍａｓｓ％以上となれば、固溶Ｃｏが多くなって導電率が低下し、また高価なＣｏ原材料の使用量の増大によりコスト上昇を招く。
そこで、本実施形態では、Ｃｏを添加する場合には、Ｃｏの含有量を０．００１ｍａｓｓ％以上０．１００ｍａｓｓ％未満の範囲内とした。Ｃｏの含有量は、上記の範囲内でも特に０．００２ｍａｓｓ％以上０．０８０ｍａｓｓ％以下の範囲内とすることが好ましい。なお、Ｃｏを積極的に添加しない場合でも、不純物として０．００１ｍａｓｓ％未満のＣｏが含有されることがある。
【００３５】
以上の各元素の残部は、基本的にはＣｕおよび不可避的不純物とすればよい。ここで、不可避的不純物としては、（Ｆｅ），（Ｃｏ），Ｍｇ，Ａｌ， Ｍｎ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｏ，Ｃ，Ｂｅ，Ｎ，Ｈ，Ｈｇ, Ｂ、Ｚｒ、希土類等挙げられる。これらの不可避不純物は、総量で０．３ｍａｓｓ％以下であることが望ましい。
【００３６】
さらに、本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、各合金元素の個別の添加量範囲を上述のように調整するばかりではなく、それぞれの元素の含有量の相互の比率が、原子比で、前記（１）、（２）式、あるいは（１´）〜（３´）式を満たすように規制することが重要である。そこで、以下に（１）、（２）式、（１´）〜（３´）式の限定理由を説明する。
【００３７】
（１）式：  ３．０＜Ｎｉ／Ｐ＜１００．０
Ｎｉ／Ｐ比が３．０以下では、固溶Ｐの割合の増大に伴って耐応力緩和特性が低下し、また同時に固溶Ｐにより導電率が低下するとともに、圧延性が低下して冷間圧延割れが生じやすくなり、さらに曲げ加工性も低下する。一方、Ｎｉ／Ｐ比が１００．０以上となれば、固溶したＮｉの割合の増大により導電率が低下するとともに高価なＮｉの原材料使用量が相対的に多くなってコスト上昇を招く。そこで、Ｎｉ／Ｐ比を上記の範囲内に規制することとした。なお、Ｎｉ／Ｐ比の上限値は、上記の範囲内でも、５０．０以下、好ましくは４０．０以下、さらに好ましくは２０．０以下、さらには１５．０未満、最適には１２．０以下とすることが望ましい。
【００３８】
（２）式：  ０．１０＜Ｓｎ／Ｎｉ＜２．９０
Ｓｎ／Ｎｉ比が０．１０以下では、十分な耐応力緩和特性向上効果が発揮されず、一方、Ｓｎ／Ｎｉ比が２．９０以上の場合、相対的にＮｉ量が少なくなって、Ｎｉ−Ｐ系析出物の量が少なくなり、耐応力緩和特性が低下してしまう。そこで、Ｓｎ／Ｎｉ比を上記の範囲内に規制することとした。なお、Ｓｎ／Ｎｉ比の下限は、上記の範囲内でも、特に０．２０以上、好ましくは０．２５以上、最適には０．３０超えとすることが望ましい。また、Ｓｎ／Ｎｉ比の上限は、上記の範囲内でも、２．５０以下、好ましくは２．００以下、さらに好ましくは１．５０以下とすることが望ましい。
【００３９】
（１´）式：  ３．０＜（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ＜１００．０
Ｆｅ及びＣｏの一方又は両方を添加した場合、Ｎｉの一部がＦｅ，Ｃｏで置き換えられたものを考えればよく、（１´）式も基本的には（１）式に準じている。ここで、（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ比が３．０以下では、固溶Ｐの割合の増大に伴って耐応力緩和特性が低下し、また同時に固溶Ｐにより導電率が低下するとともに、圧延性が低下して冷間圧延割れが生じやすくなり、さらに曲げ加工性も低下する。一方、（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ比が１００．０以上となれば、固溶したＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの割合の増大により導電率が低下するとともに高価なＣｏやＮｉの原材料使用量が相対的に多くなってコスト上昇を招く。そこで、（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ比を上記の範囲内に規制することとした。なお、（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ比の上限値は、上記の範囲内でも、５０．０以下、好ましくは４０．０以下、さらに好ましくは２０．０以下、さらには１５．０未満、最適には１２．０以下とすることが望ましい。
【００４０】
（２´）式：  ０．１０＜Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）＜２．９０
Ｆｅ及びＣｏの一方又は両方を添加した場合の（２´）式も、前記（２）式に準じている。Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比が０．１０以下では、十分な耐応力緩和特性向上効果が発揮されず、一方、Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比が２．９０以上となれば、相対的に（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）量が少なくなって、〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の量が少なくなり、耐応力緩和特性が低下してしまう。そこで、Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比を上記の範囲内に規制することとした。なお、Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比の下限は、上記の範囲内でも、特に０．２０以上、好ましくは０．２５以上、最適には０．３０超えとすることが望ましい。また、Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比の上限は、上記の範囲内でも、２．５０以下、好ましくは２．００以下、さらに好ましくは１．５０以下とすることが望ましい。
【００４１】
（３´）式：  ０．００２≦（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ＜１．５００
Ｆｅ及びＣｏの一方又は両方を添加した場合には、ＮｉとＦｅ及びＣｏの含有量の合計とＮｉの含有量との比も重要となる。（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ比が１．５００以上の場合には、耐応力緩和特性が低下するとともに高価なＣｏ原材料の使用量の増大によりコスト上昇を招く。（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ比が０．００２未満の場合には、強度が低下するとともに高価なＮｉの原材料使用量が相対的に多くなってコスト上昇を招く。そこで、（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ比は、上記の範囲内に規制することとした。なお、（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｎｉ比は、上記の範囲内でも、特に０．００２以上１．２００以下の範囲内が望ましい。さらに好ましくは０．００２以上０．７００以下の範囲内が望ましい。
【００４２】
以上のように各合金元素を、個別の含有量だけではなく、各元素相互の比率として、（１）、（２）式もしくは（１´）〜（３´）式を満たすように調整した電子・電気機器用銅合金においては、Ｎｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が、母相（α相主体）から分散析出したものとなり、このような析出物の分散析出によって、耐応力緩和特性が向上するものと考えられる。
【００４３】
また、本発明の電子・電気機器用銅合金においては、その成分組成を上述のように調整するだけではなく、Ｎｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の個数が規定されている。具体的には、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在するものとされている。析出物の個数を上述のように規定した理由について以下に説明する。
【００４４】
（析出物の個数）
母相（α相主体）から析出したＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物は、単位体積あたりの数密度が高くかつ微細であれば、転位に対してピン止め効果を発揮し、強度および耐応力緩和特性を向上させる。
ここで、Ｎｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の粒子径が１００ｎｍよりも大きければ単位体積あたりの数密度が低くなり、転位に対して十分なピン止め効果が発揮できず、粒子径が１ｎｍ未満であればピン止め効果を発揮できないため強度および耐応力緩和特性の向上が図れない。
【００４５】
また、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の単位体積あたりの個数は、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の密度分布に影響を与える。すなわち粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個未満であれば、母材中において粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の密度の高い領域と低い領域が生じ、結果としてサンプル採取位置により析出物密度の低い部分では耐応力緩和特性が十分に向上しない。また粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個を超えて存在すると、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物の密度が相対的に低くなるため、その領域で、耐応力緩和特性が低くなる。
【００４６】
そこで、本実施形態では、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下と、析出物の個数を規定している。このように、Ｎｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の個数を規定することにより、耐応力緩和特性が確実かつ十分に優れ、しかも強度（耐力）も高く、特性が均一な電子・電気機器用銅合金を得ることが可能となるのである。
なお、粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物は、１μｍ３あたり平均で３０個以上存在することが好ましく、さらに１μｍ３あたり平均で５０個以上であることが好ましく、１μｍ３あたり平均で１００個以上存在することがより好ましい。また、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物は、１μｍ３あたり平均で０．００５個以上５個以下存在することが好ましく、さらには１μｍ３あたり平均で０．０１０個以上３個以下存在することが好ましい。
【００４７】
さらに、本発明の電子・電気機器用銅合金においては、その成分組成を上述のように調整するだけではなく、合金の母相、すなわちＣｕを主体としてＺｎ及びＳｎが固溶しているα相の結晶粒の平均粒径を０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に規制することも重要である。Ｃｕを主体としてＺｎ及びＳｎが固溶しているα相の結晶粒の平均粒径を上述のように規定した理由について以下に説明する。
【００４８】
（α相の結晶粒の平均粒径）
耐応力緩和特性には、材料の結晶粒径もある程度の影響を与えることが知られており、一般には結晶粒径が小さいほど耐応力緩和特性は低下する。一方、強度と曲げ加工性は、結晶粒径が小さいほど向上する。本発明の合金の場合、成分組成と各合金元素の比率の適切な調整によって良好な耐応力緩和特性を確保できるため、結晶粒径を小さくして、強度と曲げ加工性の向上を図ることができる。ここで、製造プロセス中における再結晶および析出のための仕上げ熱処理後の段階で、α相の結晶粒の平均粒径が０．１μｍ以上５０μｍ以下であれば、耐応力緩和特性を確保しつつ、強度と曲げ加工性を向上させることができる。α相の結晶粒の平均粒径が５０μｍを越えれば、充分な強度と曲げ加工性を得ることができず、一方、α相の結晶粒の平均粒径が０．１μｍ未満では、成分組成と各合金元素の比率を適切に調整しても、耐応力緩和特性を確保することが困難となる。なお、α相の結晶粒の平均粒径は、耐応力緩和特性と、強度および曲げ加工性のバランスを向上させるためには、０．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲内が好ましく、さらに０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲内がより好ましい。
【００４９】
次に、前述のような実施形態の電子・電気機器用銅合金の製造方法の好ましい例について、図１に示すフローチャートを参照して説明する。
【００５０】
〔溶解・鋳造工程：Ｓ０１〕
まず、前述した成分組成の銅合金溶湯を溶製する。銅原料としては、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上の４ＮＣｕ（無酸素銅等）を使用することが望ましいが、スクラップを原料として用いてもよい。また、溶解には、大気雰囲気炉を用いてもよいが、添加元素の酸化を抑制するために、真空炉、不活性ガス雰囲気又は還元性雰囲気とされた雰囲気炉を用いてもよい。
次いで、成分調整された銅合金溶湯を、適宜の鋳造法、例えば金型鋳造などのバッチ式鋳造法、あるいは連続鋳造法、半連続鋳造法などによって鋳造して鋳塊を得る。
【００５１】
〔加熱工程：Ｓ０２〕
その後、必要に応じて、鋳塊の偏析を解消して鋳塊組織を均一化するために均質化熱処理を行う。または晶出物、析出物を固溶させるために溶体化熱処理を行う。この熱処理の条件は特に限定しないが、通常は６００℃以上１０００℃以下において５分以上２４時間以下加熱すればよい。熱処理温度が６００℃未満、あるいは熱処理時間が５分未満では、十分な均質化効果または溶体化効果が得られないおそれがある。一方、熱処理温度が１０００℃を超えれば、偏析部位が一部溶解してしまうおそれがあり、さらに熱処理時間が２４時間を超えることはコスト上昇を招くだけである。熱処理後の冷却条件は、適宜定めればよいが、通常は水焼入れすればよい。なお、熱処理後には、必要に応じて面削を行う。
【００５２】
〔熱間加工工程：Ｓ０３〕
次いで、粗加工の効率化と組織の均一化のために、前述の加熱工程Ｓ０２の後に、鋳塊に対して熱間加工を行ってもよい。この熱間加工の条件は特に限定されないが、通常は、開始温度６００℃以上１０００℃以下、終了温度３００℃以上８５０℃以下、加工率１０％以上９９％以下程度とすることが好ましい。なお、熱間加工開始温度までの鋳塊加熱は、前述の加熱工程Ｓ０２と兼ねてもよい。すなわち、加熱工程Ｓ０２で加熱した後に室温近くまで冷却せずに、上述の熱間加工開始温度において熱間加工を開始してもよい。熱間加工後の冷却条件は、適宜定めればよいが、通常は水焼入れすればよい。なお、熱間加工後には、必要に応じて面削を行う。熱間加工の加工方法については、特に限定されないが、最終形状が板や条の場合は熱間圧延を適用して、０．５ｍｍ以上５０ｍｍ以下程度の板厚まで圧延すればよい。また、最終形状が線や棒の場合には押出や溝圧延を、最終形状がバルク形状の場合には鍛造やプレスを適用すればよい。
【００５３】
〔粗加工工程：Ｓ０４〕
次に、加熱工程Ｓ０２で均質化処理を施した鋳塊、あるいは熱間圧延などの熱間加工工程Ｓ０３を施した熱間加工材に対して、粗加工を施す。この粗加工における温度条件は特に限定はないが、冷間又は温間加工となる−２００℃から＋２００℃の範囲内とすることが好ましい。粗加工の加工率も特に限定されないが、通常は５０％以上９９％以下程度とする。加工方法は特に限定されないが、最終形状が板、条の場合は、圧延を適用すればよい。また、最終形状が線や棒の場合には、押出や溝圧延、さらに最終形状がバルク形状の場合には、鍛造やプレスを適用することができる。なお、溶体化の徹底のために、Ｓ０２〜Ｓ０４を繰り返してもよい。
【００５４】
〔中間熱処理工程：Ｓ０５〕
冷間もしくは温間での粗加工工程Ｓ０４の後に、溶体化熱処理および再結晶処理を兼ねた中間熱処理を施す。ここで、中間熱処理においては、バッチ式の加熱炉を用いてもよいし、連続焼鈍ラインを用いてもよい。そして、バッチ式の加熱炉を用いて中間熱処理を実施する場合には、２００℃以上８００℃以下の温度で５分以上２４時間以下加熱することが好ましい。また、連続焼鈍ラインを用いて中間熱処理を実施する場合には、加熱到達温度を３５０℃以上８００℃以下とし、かつこの範囲内の温度で、保持なし、若しくは１秒以上５分以下程度保持することが好ましく、加熱到達温度を４００℃以上８００℃以下とし、かつこの範囲内の温度で、保持なし、若しくは１秒以上５分以下程度保持することがさらに好ましい。さらに６５０℃以上８００℃以下とすることが好ましい。以上のように、中間熱処理工程Ｓ０５における熱処理条件は、熱処理を実施する具体的手段によって異なることになる。
また、中間熱処理の雰囲気は、非酸化性雰囲気（窒素ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気、あるいは還元性雰囲気）とすることが好ましい。
中間熱処理後の冷却条件は、特に限定しないが、通常は１００℃／時〜２０００℃／秒間程度の冷却速度で冷却すればよい。連続焼鈍ラインを用いて中間熱処理を実施する場合には、１５０℃以下の温度になるまで、１００℃／分〜２０００℃／秒間程度の冷却速度で冷却することが好ましい。
【００５５】
〔中間加工工程：Ｓ０６〕
次に、中間熱処理工程Ｓ０５を施した中間熱処理材に対して、中間加工を施す。この中間加工工程Ｓ０６において加工率は４５％以上が好ましい。加工率を４５％以上とすることによって加工による転位密度の増加が図られ、析出核生成サイトが増加することにより、微細な析出物を母相に高密度に生成させることができる。ここで、加工方法は特に限定されないが、最終形態が板や条である場合、圧延を採用する。他には鍛造やプレス、溝圧延を採用しても良い。加工温度も特に限定されないが、冷間または温間となる−２００〜２００℃とすることが好ましい。
【００５６】
〔仕上熱処理工程：Ｓ０７〕
中間加工工程Ｓ０６の後に、再結晶処理と析出処理を兼ねた仕上熱処理を施す。この仕上熱処理を実施することで、微細なＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が高密度で析出する。
仕上熱処理の具体的手法としては、バッチ式の加熱炉を用いてもよい。あるいは連続焼鈍ラインを用いて連続的に加熱してもよい。バッチ式の加熱炉を使用する場合は、３００℃以上８００℃以下の温度で、５分以上２４時間以下加熱することが好ましく、３５０℃以上７００℃以下の温度で、５分以上２４時間以下加熱することがさらに好ましい。
また連続焼鈍ラインを用いる場合は、加熱到達温度を３５０℃以上８００℃以下とし、かつその範囲内の温度で、保持なし、もしくは１秒以上５分以下程度保持することが好ましく、加熱到達温度を４００℃以上８００℃以下とし、かつその範囲内の温度で、保持なし、もしくは１秒以上５分以下程度保持することがさらに好ましい。
また、仕上熱処理の雰囲気は、非酸化性雰囲気（窒素ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性雰囲気）とすることが好ましい。
なお、析出物の数密度を増加させるために、Ｓ０６〜Ｓ０７を繰り返してもよい。
【００５７】
〔仕上加工工程：Ｓ０８〕
次に、仕上熱処理工程Ｓ０７を施した材料に対して、最終寸法、最終形状まで仕上加工を行ってもよい。仕上加工における塑性加工方法は特に限定されないが、最終製品形態が板や条である場合には、圧延（冷間圧延）を適用すればよい。その他、最終製品形態に応じて、鍛造やプレス、溝圧延などを適用してもよい。加工率は最終板厚や最終形状に応じて適宜選択すればよいが、１％以上９５％以下、特に５％以上９０％以下の範囲内が好ましい。また、Ｚｎ量が２０ｍａｓｓ％未満の場合は３５％以上８５％以下、Ｚｎ量が２０ｍａｓｓ％以上では２０％以上８０％以下とすることがさらに好ましい。加工率が１％未満では、耐力を向上させる効果が十分に得られない。一方、加工率が９５％を超えれば、再結晶組織が失われ、加工組織となることで曲げ加工性が低下してしまう。仕上加工後は、これをそのまま製品として用いてもよいが、通常は、さらに低温焼鈍を施すことが好ましい。
【００５８】
〔低温焼鈍工程：Ｓ０９〕
仕上加工後には、必要に応じて、耐応力緩和特性の向上および低温焼鈍硬化のために、または残留ひずみの除去のために、低温焼鈍を行う。この低温焼鈍は、1５０℃以上８００℃以下の範囲内の温度で、０．１秒以上２４時間以下行うことが望ましい。なお、熱処理温度が低い場合は長時間、熱処理温度が高い場合は短時間の熱処理をすればよい。熱処理の温度が５０℃未満、または熱処理の時間が０．１秒未満では、十分な歪み取りの効果が得られなくなるおそれがあり、一方、熱処理の温度が８００℃を超える場合は再結晶のおそれがあり、さらに熱処理の時間が２４時間を超えることは、コスト上昇を招くだけである。なお、仕上加工工程Ｓ０８を行わない場合には、低温焼鈍工程Ｓ０９は省略してもよい。
【００５９】
以上のようにして、本実施形態である電子・電気機器用銅合金を得ることができる。この電子・電気機器用銅合金においては、０．２％耐力が３００ＭＰａ以上とされている。
また、加工方法として圧延を適用した場合、板厚０．０５〜１．０ｍｍ程度の電子・電気機器用銅合金薄板（条材）を得ることができる。このような薄板は、これをそのまま電子・電気機器用導電部品に使用してもよいが、板面の一方、もしくは両面に、膜厚０．１〜１０μｍ程度のＳｎめっきを施し、Ｓｎめっき付き銅合金条として、コネクタその他の端子などの電子・電気機器用導電部品に使用するのが通常である。この場合のＳｎめっきの方法は特に限定されない。また、場合によっては電解めっき後にリフロー処理を施してもよい。
【００６０】
以上のような構成とされた本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、α相主体の母相からＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が適切に存在すると同時に、さらに粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で１０個以上存在し、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物が１μｍ３あたり平均で０．００５個以上１０個以下存在し、さらに、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１以上５０μｍ以下の範囲内とされているので、耐応力緩和特性が均一で確実かつ十分に優れ、しかも強度（耐力）も高く、曲げ加工性も優れることになる。
【００６１】
さらに、本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、０．２％耐力が３００ＭＰａ以上の機械特性を有するので、例えば電磁リレーの可動導電片あるいは端子のバネ部のごとく、特に高強度が要求される導電部品に適している。より好ましくは０．２％耐力が４５０ＭＰａ以上である。
【００６２】
本実施形態である電子・電気機器用銅合金薄板は、上述の電子・電気機器用銅合金の圧延材からなることから、耐応力緩和特性に優れており、コネクタ、その他の端子、電磁リレーの可動導電片、リードフレームなどに好適に使用することができる。
また、表面にＳｎめっきを施した場合には、使用済みのコネクタなどの部品をＳｎめっきＣｕ−Ｚｎ系合金のスクラップとして回収して良好なリサイクル性を確保することができる。
さらに、本実施形態である電子・電気機器用導電部材及び端子は、上述の電子・電気機器用銅合金薄板によって構成されているので、耐応力緩和特性に優れており、経時的に、もしくは高温環境で、残留応力が緩和されにくい。
【００６３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、製造方法の一例を挙げて説明したが、これに限定されることはなく、最終的に得られた電子・電気機器用銅合金が、本発明の範囲内の組成であり、さらに粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の１μｍ３あたりの平均の個数、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の１μｍ３あたりの平均の個数、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が、本発明の範囲内に設定されていればよい。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果を示す。なお以下の実施例は、本発明の効果を説明するためのものであって、実施例に記載された構成、プロセス、条件が本発明の技術的範囲を限定するものでない。
【００６５】
まず、Ｃｕ−４０％Ｚｎ母合金および純度９９．９９ｍａｓｓ％以上の無酸素銅（ＡＳＴＭ  Ｂ１５２  Ｃ１０１００）からなる原料を準備し、これを高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ｎ２ガス雰囲気において電気炉を用いて溶解した。銅合金溶湯内に、各種添加元素を添加して、表１、２、３に示す成分組成の合金溶湯を溶製し、カーボン鋳型に注湯して鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約３０ｍｍ×幅約５０ｍｍ×長さ約２００ｍｍとした。
続いて各鋳塊について、均質化処理として、Ａｒガス雰囲気中において、表４、５、６に記載した温度で所定時間（１時間〜２４時間）保持後、水焼き入れを実施した。
【００６６】
次に、粗加工および中間熱処理を実施した。具体的には、粗加工は鋳塊の幅方向が圧延方向となるようにして圧延率５０％以上の冷間圧延を行った。その後、再結晶のための中間熱処理を表４、５、６で示した温度で１時間〜２４時間実施し、水焼入れした。その後、圧延材を切断し、酸化被膜を除去するために表面研削を実施した。
【００６７】
その後、中間加工として圧延率５０％以上の冷間圧延を実施した後、仕上熱処理をする工程を２回繰り返した、表４、５、６に示す温度で所定時間（１秒〜２４時間）実施した。１時間未満の熱処理時間の場合はソルトバス炉を用いて熱処理を行った。また、実施例１６および比較例１０５については仕上げ熱処理後に１５０℃まで１℃／時で徐冷した後、水焼入れした。次に、仕上圧延を表４、５、６に示す圧延率で実施した。
最後に、低温焼鈍を実施した。低温焼鈍は、表４、５、６に示す温度で所定時間（１秒〜２４時間）保持後、水焼入れした。１時間未満の熱処理時間の場合はソルトバス炉を用いて熱処理を行った。そして、切断および表面研磨を実施した後、厚さ０．２ｍｍ×幅約１６０ｍｍの特性評価用条材を製出した。
【００６８】
これらの特性評価用条材について導電率、機械的特性（耐力）を調べるとともに、耐応力緩和特性を調べ、さらに組織観察を行った。各評価項目についての試験方法、測定方法は次の通りであり、また、その結果を表７、８、９に示す。
【００６９】
〔結晶粒径観察〕
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、ＥＢＳＤ測定装置及びＯＩＭ解析ソフトによって、次のように結晶粒界および結晶方位差分布を測定した。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ  ＦＥＧ    ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現  ＡＭＥＴＥＫ社）  ＯＩＭ  Ｄａｔａ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現  ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ  Ｄａｔａ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｖｅｒ．５．３）によって、電子線の加速電圧２０ｋV、測定間隔０．１μｍステップで１０００μｍ２以上の測定面積で、各結晶粒の方位差の解析を行った。解析ソフトＯＩＭにより各測定点のＣＩ値を計算し、結晶粒径の解析からはＣＩ値が０．１以下のものは除外した。結晶粒界は、二次元断面観察の結果、隣り合う２つの結晶間の配向方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界として結晶粒界マップを作成し、ＪＩＳ  Ｈ  ０５０１の切断法に準拠し、結晶粒界マップに対して、縦、横の所定長さの線分を５本ずつ引き、完全に切られる結晶粒数を数え、その切断長さの平均値を平均結晶粒径とした。
【００７０】
〔析出物の観察〕
各特性評価用条材について、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：日立製作所製、Ｈ−８００、ＨＦ−２２００をおよびＥＤＸ分析装置（Ｎｏｒａｎ製、ＥＤＸ分析装置ＳＹＳＴＥＭ  ＳＩＸ）を用いて、次のように析出物観察を実施した。
圧延材の表面および裏面から耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、電解液を用いたツインジェット法にてＴＥＭ観察試料を作製した。ＴＥＭ観察試料は圧延材の表面と裏面の２箇所それぞれから厚み方向で１／４入った２箇所から作製した。
粒子径が２０ｎｍから５０ｎｍ程度の析出物について電子線回折を行い、これらの析出物が、Ｆｅ２Ｐ系またはＮｉ２Ｐ系の結晶構造を持つ六方晶（ｓｐａｃｅ  ｇｒｏｕｐ：Ｐ−６２ｍ（１８９））もしくはＣｏ２Ｐ系またはＦｅ２Ｐ系の斜方晶（ｓｐａｃｅ  ｇｒｏｕｐ：Ｐ−ｎｍａ（６２））であることを確認した。さらに、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）を用いて、析出物の組成を分析した結果、その析出物が、ＦｅとＣｏとＮｉからなる群から選択される少なくとも一種の元素とＰとを含有するもの、すなわち既に定義した〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の一種であることが確認された。
【００７１】
〔１μｍ３あたりの析出物個数〕
粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物及び粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ以下の析出物の１μｍ３あたりの析出物個数の決定については、以下のようにして算出した。
粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物観察においては、１５０,０００倍の視野（約０．５μｍ２）で撮影したＴＥＭ写真から析出物のみを２値化した。ＴＥＭ写真の一例とその２値化したものを図２に示した。２値化したものから画像解析ソフト「Ｗin  ＲＯＯＦ」を用いて析出物の面積から円相当径を求め、これを粒子径とした。
観察視野の体積を求めるためにコンタミネーション法を用いて、試料膜厚を測定した。コンタミネーション法では、試料の一部にコンタミネーションを付着させ、試料をθだけ傾斜させたときのコンタミネーションの長さの増加分ΔＬより以下の式を用いて、試料厚さｔを決定した。
ｔ＝ΔＬ/ｓｉｎθ
これにより決定した厚さｔと観察視野面積を乗じて、観察視野体積を算出した。析出物の個数の測定は観察視野体積が表面および裏面から採取したサンプルそれぞれで０．５μｍ３以上になるようにして行った。
【００７２】
また、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ以下の析出物観察では１５，０００倍の視野（約５０μｍ2）で撮影したＴＥＭ写真から析出物のみを２値化した。ＴＥＭ写真の一例とその２値化したものを図３に示した。２値化したものから画像解析ソフト「Ｗin  ＲＯＯＦ」を用いて析出物の面積から円相当径を求め、これを粒子径とし、上述のコンタミネーション法を用いて、試料膜厚を測定した。析出物の個数の測定は観察視野体積が表面および裏面から採取したサンプルそれぞれで５０μｍ３以上になるようにして行った。
【００７３】
〔機械的特性〕
特性評価用条材からＪＩＳ  Ｚ  ２２０１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ  Ｚ  ２２４１のオフセット法により、ヤング率Ｅ、０．２％耐力σ０．２を測定した。なお、試験片は、引張試験の引張方向が特性評価用条材の圧延方向に対して直交する方向となるように採取した。
【００７４】
〔導電率〕
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。
【００７５】
〔耐応力緩和特性〕
耐応力緩和特性試験は、日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ−Ｔ３０９：２００４の片持はりねじ式に準じた方法によって応力を負荷し、Ｚｎ量が２．０ｍａｓｓ％を超えて１５ｍａｓｓ％未満の試料（表７，８，９中の「２−１５Ｚｎ評価」の欄に記入したもの）については、１５０℃の温度で５００時間保持後、Ｚｎ量が１５．０ｍａｓｓ％以上３６．５ｍａｓｓ％以下の試料（表７，８，９中の「１５−３６．５Ｚｎ評価」の欄に記入したもの）については、１２０℃の温度で５００時間保持後の残留応力率を測定した。
試験方法としては、各特性評価用条材の圧延方向の先端部、中央部、後端部から圧延方向に対して直交する方向に試験片（幅１０ｍｍ）をそれぞれ採取し、試験片の表面最大応力が耐力の８０％となるよう、初期たわみ変位を２ｍｍと設定し、スパン長さを調整した。上記表面最大応力は次式で定められる。
表面最大応力（ＭＰａ)＝１．５Ｅｔδ0/Ｌs2
ただし、
Ｅ：ヤング率（ＭＰａ）
ｔ：試料の厚み(ｔ＝０．２０ｍｍ)
δ０：初期たわみ変位（２ｍｍ）
Ｌｓ：スパン長さ（ｍｍ）
である。
また、残留応力率はそれぞれの試験片から次式を用いて算出した。
残留応力率（％）＝（１−δt/δ0）×１００
ただし、
δｔ：１２０℃で５００ｈ保持後、もしくは１５０℃で５００ｈ保持後の永久たわみ変位（ｍｍ）−常温で２４ｈ保持後の永久たわみ変位(ｍｍ)
δ０：初期たわみ変位（ｍｍ）
である。
圧延方向に対して、先端部、中央部、後端部それぞれから採取した試験片の残留応力率の平均値が、８０％以上のものを○、８０％未満ものを×と評価した。
【００７６】
〔均一性〕
上述の耐応力緩和特性試験において、圧延方向の先端部、中央部、後端部のそれぞれから採取した試験片の残留応力率のうち最大値と最小値の値の差が５％以内のとき均一性を○とし、５％より高いときを×とした。
【００７７】
〔曲げ加工性〕
ＪＣＢＡ（日本伸銅協会技術標準）Ｔ３０７−２００７の４試験方法に準拠して曲げ加工を行った。圧延方向と試験片の長手方向が直交するように、特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの試験片を複数採取し、曲げ角度が９０度、曲げ半径が０．２０ｍｍのＷ型の治具を用い、Ｗ曲げ試験を行った。
【００７８】
上記の各組織観察結果、各評価結果について、表７，８，９中に示す。
【００７９】
【表１】
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【００８０】
【表２】
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【００８１】
【表３】
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【００８２】
【表４】
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【００８３】
【表５】
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【００８４】
【表６】
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【００８５】
【表７】
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【００８６】
【表８】
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【００８７】
【表９】
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【００８８】
比較例１０１においては、Ｓｎ量が本発明範囲を超えており、またＮｉおよびＰが添加されておらず、さらに１μｍ３当たりの１ｎｍ以上１００ｎｍの以下の[Ｎｉ,（Ｆｅ、Ｃｏ)]-Ｐ系析出物の個数が本発明の範囲外であったため、耐応力緩和特性評価が「×」評価であった。
比較例１０２においては、１μｍ３当たりの１ｎｍ以上１００ｎｍの以下の[Ｎｉ,（Ｆｅ、Ｃｏ)]-Ｐ系析出物の個数が本発明の範囲外であったため、耐応力緩和特性評価も「×」評価であった。さらに曲げ加工性も「×」評価であった。
比較例１０３においては、Ｎｉが添加されておらず、さらに１μｍ３当たりの１ｎｍ以上１００ｎｍの以下の[Ｎｉ,（Ｆｅ、Ｃｏ)]-Ｐ系析出物の個数が本発明の範囲外であったため、耐応力緩和特性評価が「×」評価であった。
【００８９】
比較例１０４においては、１μｍ３当たりの１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満のＮｉ−Ｐ系析出物および[Ｎｉ,（Ｆｅ、Ｃｏ)]-Ｐ系析出物の平均個数が本発明の範囲外であったため、耐応力緩和特性評価および均一性評価が「×」評価であった。
比較例１０５においては、１μｍ３当たりの１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満のＮｉ−Ｐ系析出物および[Ｎｉ,（Ｆｅ、Ｃｏ)]-Ｐ系析出物の平均個数が本発明の範囲外であったため、均一性評価が「×」評価であった。
【００９０】
これに対して、表７，８に示しているように、各合金元素の個別の含有量が本発明で規定する範囲内であるばかりでなく、各合金成分の相互間の比率が本発明で規定する範囲内とされ、さらに粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の１μｍ３あたりの平均の個数、粒子径が１００ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲内のＮｉ−Ｐ系析出物もしくは〔Ｎｉ，（Ｆｅ，Ｃｏ）〕−Ｐ系析出物の１μｍ３あたりの平均の個数、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が、本発明の範囲内とされた本発明例Ｎｏ．１〜３１は、いずれも耐応力緩和特性が優れており、さらに耐力、曲げ加工性、均一性にも優れており、コネクタやその他の端子に十分に適用可能であることが確認された。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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