(57)【要約】【課題】配向膜への配向処理において生じていた不具合を解消する。【解決手段】一実施形態の液晶表示装置は、第１基板、第２基板、液晶層を備える。上記第１基板は、スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、上記画素電極及び上記共通電極の上方に設けられた第１配向膜と、を備える。上記第２基板は、上記第１配向膜と向かい合う第２配向膜を備える。上記液晶層は、上記第１配向膜と上記第２配向膜との間に保持される。この液晶表示装置において、上記第１配向膜には、光配向法による配向処理により第１のアンカリング強度が与えられ、上記第２配向膜にはラビング法による配向処理により第２のアンカリング強度が与えられる。上記第１のアンカリング強度は、上記第２のアンカリング強度と実質的に同じ又は当該第２のアンカリング強度以上の大きさである。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延びる第１配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２配線と、前記第１配線及び前記第２配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の上方に設けられた第１配向膜と、を備えた第１基板と、
前記第１配向膜と向かい合う第２配向膜を備えた第２基板と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記第１配向膜には光配向法による配向処理により第１のアンカリング強度が与えられ、前記第２配向膜にはラビング法による配向処理により第２のアンカリング強度が与えられ、
前記第１のアンカリング強度は、前記第２のアンカリング強度と実質的に同じ又は当該第２のアンカリング強度以上の大きさである、
液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２基板は、カラーフィルタをさらに備える、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１配向膜の第１配向処理方向及び前記第２配向膜の第２配向処理方向は、前記第１方向と平行な方向であり、
前記第２基板は、
前記第１配線と重なって前記第１方向に延びるブラックマトリクスと、
前記ブラックマトリクスと重なる位置に設けられたスペーサと、
を備え、
前記第１基板及び前記第２基板は、前記スペーサを挟んで向かい合い、
前記液晶層は、前記スペーサにより前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に形成されるセルギャップに封入される、
請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板は、前記画素電極と前記共通電極との間に配置された絶縁膜をさらに備え、
前記画素電極は、前記第２配線に沿って延びるとともに前記共通電極と向い合うスリットを有し、
前記液晶分子の誘電率異方性が負である、
請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１配向膜に与えられる第１のアンカリング強度をＡ１＝ａ１×１０^（−ａ２）とする場合において、以下の式（１）（２）を満たす、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
０＜ａ２≦４・・・（１）
１≦ａ１＜１０・・・（２）
【請求項６】
前記第２配向膜に与えられる第２のアンカリング強度をＡ２＝ｂ１×１０^（−ｂ２）とする場合において、以下の式（３）（４）を満たす、
請求項５に記載の液晶表示装置。
０＜ａ２≦ｂ２≦４・・・（３）
１≦ｂ１＜１０・・・（４）
【請求項７】
第１方向に延びる第１配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２配線と、前記第１配線及び前記第２配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の上方に設けられた第１配向膜と、を備えた第１基板と、
前記第１配向膜と向かい合う第２配向膜を備えた第２基板と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１配向膜に対し、光配向法による配向処理により第１のアンカリング強度を与える工程と、
前記第２配向膜に対し、ラビング法による配向処理により第２のアンカリング強度を与える工程と、
を含み、
前記第１のアンカリング強度は、前記第２のアンカリング強度と実質的に同じ又は当該第２のアンカリング強度以上の大きさである、
製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。
【０００３】
このような横電界モードの液晶表示装置は、画素電極及び共通電極を有するとともに表面に第１配向膜が形成されたアレイ基板と、第１配向膜と対向する第２配向膜が形成された対向基板と、第１配向膜と第２配向膜の間に形成されるセルギャップに封入される液晶層とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶層の液晶分子をスイッチングする。
【０００４】
各配向膜には、例えばラビング法或いは光配向法による配向処理が施される。配向膜に対してラビング法による配向処理を施す場合、配向膜表面の凹凸により、配向膜において十分な配向能を与えられない領域が生じ得る。このような領域の近傍では、電界によりスイッチングした液晶分子が初期配向方向に戻り難くなるために、いわゆる焼き付きが生じ易い。また、ラビングの過程において上記の凹凸により配向能に差異が生じた箇所では、透過率の差が表示ムラとして視認されやすくなる。
【０００５】
また、配向膜に対して光配向法による配向処理を施す場合、その処理過程で照射される紫外線によりカラーフィルタが退色したり、基板上に有機材料で形成された部材が分解して不純物が生成されたり、生成された不純物が液晶層に溶出したりするおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３３６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様における目的は、配向膜への配向処理において生じていた不具合を解消することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層とを備える。上記第１基板は、第１方向に延びる第１配線と、上記第１方向と交差する第２方向に延びる第２配線と、上記第１配線及び上記第２配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、上記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、上記画素電極及び上記共通電極の上方に設けられた第１配向膜と、を備える。上記第２基板は、上記第１配向膜と向かい合う第２配向膜を備える。上記液晶層は、上記第１配向膜と上記第２配向膜との間に保持される。この液晶表示装置において、上記第１配向膜には、光配向法による配向処理により第１のアンカリング強度が与えられ、上記第２配向膜にはラビング法による配向処理により第２のアンカリング強度が与えられる。上記第１のアンカリング強度は、上記第２のアンカリング強度と実質的に同じ又は当該第２のアンカリング強度以上の大きさである。
【０００９】
他の一態様として、上記第２基板がカラーフィルタを備えてもよい。また、上記第２基板が、上記第１配線と重なって上記第１方向に延びるブラックマトリクスと、上記ブラックマトリクスと重なる位置に設けられたスペーサとを備え、上記第１基板及び上記第２基板が上記スペーサを挟んで向かい合い、上記液晶層が上記スペーサにより上記第１配向膜と上記第２配向膜との間に形成されるセルギャップに封入されてもよい。
【００１０】
上記第１配向膜の第１配向処理方向及び上記第２配向膜の第２配向処理方向は、例えば上記第１方向と平行な方向である。上記画素電極は、上記第１配向処理方向及び上記第２配向処理方向と交わる方向に延びるとともに上記共通電極と向い合うスリットを有してもよい。上記液晶層は、例えば誘電率異方性が負の液晶材料にて構成することができる。上記第１のアンカリング強度及び上記第２のアンカリング強度は、例えば１０^（−４）J/m2以上とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、一実施形態に係る液晶表示装置が備える液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、一実施形態に係る液晶表示装置の概略的な断面図である。
【図３】図３は、一実施形態においてアレイ基板に形成された１つの画素を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、一実施形態においてアレイ基板に形成された３つの画素を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、アレイ基板側の配向膜をラビングする様子を示す模式図である。
【図６】図６は、第１変形例における画素を概略的に示す平面図である。
【図７】図７は、第２変形例に係る液晶表示装置の概略的な断面図である。
【図８】図８は、第２変形例における画素を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
一実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表す場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、同一又は類似の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略することがある。
【００１３】
図１は、本実施形態の液晶表示装置が備える液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。この液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備える。
液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板ＡＲ（第１基板）と、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板ＣＴ（第２基板）と、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備える。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備える。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個（ｍ，ｎは正の整数）のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成される。
【００１４】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、Ｘ方向（第１方向）に沿ってそれぞれ延出した複数のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、Ｘ方向に直交するＹ方向（第２方向）に沿ってそれぞれ延出した複数のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、これら隣り合うゲート配線Ｇと隣り合うソース配線Ｓとで包囲される複数の画素領域（画素）ＰＸ、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに電気的に接続された画素電極ＰＥ、画素電極ＰＥと向かい合う共通電極ＣＥなどを備える。なお、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００１５】
共通電極ＣＥは、たがいに隣り合う複数の画素ＰＸに亘って共通に形成される。本実施形態においては、共通電極ＣＥがＸ方向に隣り合う画素に亘って共通に形成されるものとなっているが、Ｙ方向に隣り合う画素に亘って共通に形成されるものや、Ｘ方向に隣り合い且つＹ方向に隣り合う複数の画素に亘って共通に形成されるもの、さらには、全画素に亘って共通に形成されるものであっても構わない。
画素電極ＰＥは、各画素ＰＸにおいて島状に形成される。保持容量ＣＳは、後述するように、絶縁膜を介して対向する画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される。
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続される。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続される。共通電極ＣＥは、コモン電圧が供給される給電部ＶＳと電気的に接続される。ゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ＡＲに形成され、駆動ＩＣチップ２と接続される。図示した例では、液晶表示パネルＬＰＮを駆動するのに必要な信号源としての駆動ＩＣチップ２は、液晶表示パネルＬＰＮのアクティブエリアＡＣＴの外側において、アレイ基板ＡＲに実装される。
【００１６】
図示した例の液晶表示パネルＬＰＮは、ＩＰＳモード或いはその一態様であるＦＦＳモードに適用可能な構成である。この種の液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの間に形成される横電界を主に利用して液晶層ＬＱを構成する液晶分子をスイッチングする。以下、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮにＦＦＳモードを適用する場合を例示する。
【００１７】
図２は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略的な断面図である。同図においては、説明の簡略化のために、各要素の配置位置や縮尺等を適宜調整して表している。アレイ基板ＡＲは、ガラス基板などの光透過性を有する第１基板１０を用いて形成される。このアレイ基板ＡＲは、第１基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、スイッチング素子ＳＷ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第１配向膜ＡＬ１などを備える。
【００１８】
本実施形態のスイッチング素子ＳＷは、ボトムゲート型かつダブルゲート型の薄膜トランジスタである。なお、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。また、スイッチング素子は、シングルゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、例えばゲート電極ＧＥ、第１絶縁膜１１、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ，ドレイン電極ＤＥを含む。ゲート電極ＧＥは、例えばゲート配線Ｇの一部であり、第１基板１０の上に配置される。ゲート電極ＧＥは、第１絶縁膜１１によって覆われている。第１絶縁膜１１は、ゲート電極ＧＥを覆うと共に第１基板１０の上面も覆った状態で配置される。半導体層ＳＣは、その一部をゲート電極ＧＥに向かい合わせて第１絶縁膜１１の上に配置される。半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンやアモルファスシリコン、酸化物半導体などによって形成される。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われる。第２絶縁膜１２は、シリコン酸化物やシリコン窒化物により形成され、第１絶縁膜１１の上にも配置される。
【００２０】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、第２絶縁膜１２の上に形成される。ソース電極ＳＥは、例えばソース配線Ｓの一部であり、第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１を通して半導体層ＳＣにコンタクトする。ドレイン電極ＤＥは、第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ２を通して半導体層ＳＣにコンタクトする。
【００２１】
スイッチング素子ＳＷは、第３絶縁膜１３によって覆われる。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置される。第３絶縁膜１３は、例えば、透明な樹脂材料によって形成されており、これによって第３絶縁膜１３の上面は平坦な状態となる。
共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥとドレイン電極ＤＥとがコンタクトする領域を除くアクティブエリアのほぼ全域に亘って第３絶縁膜１３の上に形成される。つまり、共通電極ＣＥは、隣り合う複数の画素ＰＸに亘って形成されるとともに、ソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇと重なる領域を覆う。共通電極ＣＥは、透明な導電材料、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）によって形成される。通電時において、第１基板１０側に配置されたソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇなどに発生する電界は、共通電極ＣＥによってシールドされ、液晶層ＬＱに殆ど到達しない。
【００２２】
共通電極ＣＥは、第４絶縁膜１４によって覆われる。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置される。第４絶縁膜１４は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に位置する層間絶縁膜として機能する。第４絶縁膜１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）からなり、第３絶縁膜１３と比較して薄い膜厚に形成される。
【００２３】
第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４には、ドレイン電極ＤＥまで貫通したコンタクトホールＣＨ３が形成される。なお、共通電極ＣＥは、コンタクトホールＣＨ３を囲うように開口している。
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に形成され、共通電極ＣＥと向かい合う。画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４を介して向かい合う共通電極ＣＥとの間で液晶層ＬＱの液晶分子の駆動に必要な画素容量（保持容量）ＣＳを形成する。また、画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４を介して共通電極ＣＥと向かい合うスリットＰＳＬを有する。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３を介してドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。このような画素電極ＰＥは、透明な導電材料、例えばＩＴＯによって形成される。
【００２４】
画素電極ＰＥは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われる。第１配向膜ＡＬ１は、第４絶縁膜１４も覆う。第１配向膜ＡＬ１は、例えばポリイミドなどの水平配向性を示す材料によって形成され、アレイ基板ＡＲの最上層に配置されて液晶層ＬＱと接する。
【００２５】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板などの光透過性を有する第２基板２０を用いて形成される。対向基板ＣＴは、第２基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、ブラックマトリクス２１、カラーフィルタ２２、オーバーコート層２３、柱状スペーサ３０、第２配向膜ＡＬ２などを備える。
【００２６】
ブラックマトリクス２１は、両基板を重ね合わせたときにアレイ基板ＡＲに設けられたゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、さらにはスイッチング素子ＳＷなどの配線部と重なる位置に設けられる。ブラックマトリクス２１は、画素領域において開口部ＡＰを規定する。
カラーフィルタ２２は、開口部ＡＰに形成され、ブラックマトリクス２１の上にも延在する。カラーフィルタ２２は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成される。異なる色のカラーフィルタ２２間の境界は、ブラックマトリクス２１と重なる位置にある。
【００２７】
オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２２を覆う。図２においては簡略化しているが、カラーフィルタ２２のアレイ基板ＡＲ側の面には、カラーフィルタ２２同士の境界部分などに起因した凹凸が生じる。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２２の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層２３は、例えば透明な樹脂材料によって形成される。
【００２８】
オーバーコート層２３の上には、ブラックマトリクス２１と重なる位置に、例えば樹脂材料からなる柱状スペーサ３０が形成される。すなわち本実施形態において、柱状スペーサ３０は、対向基板ＣＴに形成される。なお、他の実施形態として、柱状スペーサ３０がアレイ基板ＡＲに形成されてもよい。
【００２９】
オーバーコート層２３及び柱状スペーサ３０の表面は、第２配向膜ＡＬ２によって覆われる。第２配向膜ＡＬ２は、例えばポリイミドなどの水平配向性を示す材料によって形成される。
アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２とを向かい合わせた状態で重ね合わされる。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、柱状スペーサ３０の先端がアレイ基板ＡＲ側の第１配向膜ＡＬ１に当接することによって所定のセルギャップ（セルギャップ長）に規定された間隙が形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴのいずれかの周縁部にはシール材が少なくとも表示領域を包囲して設けられており、これらアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、規定されたセルギャップを保持した状態でシール材によって貼り合わせられる。液晶層ＬＱは、これら基板間に設けられた間隙に封入された液晶材料によって構成される。本実施形態においては、この液晶材料は、誘電率異方性を負（ネガ型）とする液晶分子を主材料とするものである。
【００３０】
液晶表示パネルＬＰＮの背面側には、バックライトＢＬが配置される。バックライトＢＬとしては、例えば光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものを用いることができる。
アレイ基板ＡＲの外面すなわち第１基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置される。また、対向基板ＣＴの外面すなわち第２基板２０の外面２０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置される。第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸とは、平面視で互いの偏光軸（吸収軸）を直交させるクロスニコルの位置関係にある。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、さらに位相差板を含んでもよい。
【００３１】
第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、基板主面（Ｘ−Ｙ平面）と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理が施されている。例えば第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向は、Ｘ方向と平行な方向である。
第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸は、例えば、第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向と平行な方位に設定され、第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸は、第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向と直交する方位に設定される。
【００３２】
図３は、アレイ基板ＡＲにおける１つの画素ＰＸの構造を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
図３に示す画素ＰＸは、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１（ｉは正の整数）及びソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１（ｊは正の整数）によってその領域が規定される。ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１は、Ｘ方向に沿って直線状に延びる。ソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１は、Ｙ方向に沿って屈曲しながら延びる。
【００３３】
スイッチング素子ＳＷを構成する半導体層ＳＣは、ゲート配線Ｇｉを２度跨ぐように屈曲した形状を有する。半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ１を介してソース配線Ｓｊと電気的に接続される。また、半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３を介して画素電極ＰＥと電気的に接続される。
【００３４】
画素電極ＰＥは、Ｘ方向に対して反時計回りに４５度以上の角度θ１だけ傾いた第１延出方向Ｄ１に沿って、ゲート配線Ｇｉの上方からゲート配線Ｇｉ+１の上方に亘って延びる複数本の枝部ＰＢＲを備えている。
角度θ１は、例えば７５〜８５度程度の垂直に近い角度である。この画素電極ＰＥは、Ｙ方向における一方の縁部から他方の縁部まで延びる４つのスリットＰＳＬを有する。これらスリットＰＳＬは、いずれも同一形状であり、その長軸がＸ方向に対して反時計回りに上記の角度θ１だけ傾いている。図示した例では、ソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１のそれぞれは、ゲート配線Ｇｉとゲート配線Ｇｉ+１との間の位置で、第１延出方向Ｄ１に沿って延びている。また、スリットＰＳＬのそれぞれも第１延出方向Ｄ１に沿って延びている。
これにより、スリットＰＳＬに沿う各枝部ＰＢＲの側縁部（又はスリットＰＳＬの側縁部）が平面視で第１延出方向Ｄ１に平行となる。画素電極ＰＥに電圧が印加されると、当該スリットＰＳＬを通じて画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が発生する。当該フリンジ電界は、平面視した場合に第１延出方向Ｄ１に対し垂直な方向となる。
【００３５】
本実施形態においてはネガ型の液晶分子を用いているので、当該フリンジ電界の向きと初期配向の向きとの間の角度は、０度以上４５度未満とされる。
また、本実施形態においては、画素電極ＰＥの各枝部ＰＢＲの長手方向端部が連結されるものとなっているが、いずれか一方が連結されずにスリットＰＳＬの間隔を保持した状態で延在している構成を採用することも可能である。
なお、画素電極ＰＥの枝部ＰＢＲは、複数本のみならず１本とする構成を採用することも可能である。この場合、当該１本の枝部の両側の空間をスリットと称するものとする。また、各枝部ＰＢＲ（スリットＰＳＬ）の中途部を屈曲させた構成や、長手方向端部を屈曲させる構成を採用することも可能である。これらを組み合わせた構成、すなわち、中途部を屈曲させると共に長手方向端部を屈曲させる構成を採用することも可能である。この場合、長手方向端部の屈曲部は、中途部の屈曲部と同じ方向であって、且つ、当該中途部の屈曲角度よりもより大きな角度で屈曲させることが好ましい。
【００３６】
例えば図３の（ａ）に示すように、第１配向膜ＡＬ１はＸ−Ｙ平面においてＸ方向と平行な第１配向軸Ｒ１に沿って配向処理が施され、第２配向膜ＡＬ２はＸ−Ｙ平面において第１配向軸Ｒ１とは逆の第２配向軸Ｒ２に沿って配向処理が施されている。
なお、本実施形態では第２配向膜ＡＬ２の配向処理は、第２配向膜ＡＬ２に対し第１配向軸Ｒ１に平行な軸上を一方側から他方側に向けてラビング処理を行うことで形成される。したがって、第２配向軸は、図３（ａ）のＲ２で示す当該第２配向膜ＡＬ２のラビング方向に一致する配向方向を有するものとなっている。
【００３７】
液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態（オフ時）において、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、図３の（ｂ）に破線で示すようにその長軸が第１配向膜ＡＬ１の第１配向軸Ｒ１及び第２配向膜ＡＬ２の第２配向軸Ｒ２を向くように配向している。このようなオフ時が初期配向状態に相当し、オフ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。
【００３８】
画素電極ＰＥに電圧を印加しないオフ時には、バックライトＢＬからのバックライト光の一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光は、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、オフ時の液晶表示パネルＬＰＮを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルＬＰＮを透過した直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１に対してクロスニコルの位置関係にある第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００３９】
一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態（オン時）においては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が形成される。液晶層ＬＱを構成する複数の液晶分子ＬＭは、このフリンジ電界の影響を受け、平面視で見た場合に図３の（ｂ）に実線で示すように回転する。
なお、本実施形態では、上記の通り液晶層ＬＱが負の誘電率異方性を有しているため、当該液晶層ＬＱに対し電界を作用させると、液晶分子ＬＭは平面視でその長軸が電界の向きに垂直な方向に向かうように回転する。したがって、当該液晶分子ＬＭは、その長軸が横電界の電気力線Ｅに対して交差するような方向に配向する。また、本実施形態の如き液晶層ＬＱの駆動にＦＦＳモードを採用する場合においては、フリンジ電界の発生によって液晶分子ＬＭは平面視で回転すると共に、フリンジ電界の向きに沿ってやや立ち上がる。このため、液晶分子ＬＭの状態を平面視した図３（ｂ）では、回転後（オン状態）の液晶分子ＬＭの長軸方向の長さを回転前（オフ状態）よりも短いものとして示している。
【００４０】
このようなオン時には、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルＬＰＮに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態（あるいは、液晶層のリタデーション）に応じて変化する。このため、オン時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２の偏光軸に直交する偏光状態となり、この結果、第２偏光板ＰＬ２を透過するものとなる（白表示）。
【００４１】
このような構成の画素ＰＸは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、Ｘ方向に連続してｍ個形成され、Ｙ方向に連続してｎ個形成される。
なお、Ｙ方向に並ぶｎラインの画素列のうち、例えば奇数ラインには図３に示した形状の画素電極ＰＥが形成され、偶数ラインにはこの画素電極ＰＥの形状をＹ方向と平行な軸にて反転させた形状の画素電極ＰＥが配置される構成を採用することも可能である。
【００４２】
続いて、アレイ基板ＡＲにおける画素ＰＸと、対向基板ＣＴに設けられるブラックマトリクス２１及び柱状スペーサ３０との関係について説明する。図４は、アレイ基板ＡＲに形成されたＸ方向に連続する３つの画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
【００４３】
画素ＰＸ１は、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１とソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１とによりその領域が規定される画素領域であって、当該画素内に１つの画素電極ＰＥ１を備える。画素ＰＸ１に対向して配置されるカラーフィルタ２２は、赤色に着色されている。すなわち、画素ＰＸ１は、赤色（Ｒ）を表示するための画素である。
【００４４】
画素ＰＸ２は、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１とソース配線Ｓｊ+１，Ｓｊ+２とによりその領域が規定される画素であって、画素電極ＰＥ２を備える。画素ＰＸ２に対向して配置されるカラーフィルタ２２は、緑色に着色されている。すなわち、画素ＰＸ２は、緑色（Ｇ）を表示するための画素である。
【００４５】
画素ＰＸ３は、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１とソース配線Ｓｊ+２，Ｓｊ+３とによりその領域が規定される画素であって、画素電極ＰＥ３を備える。画素ＰＸ３に対向して配置されるカラーフィルタ２２は、青色に着色されている。すなわち、画素ＰＸ３は、青色（Ｂ）を表示するための画素である。
【００４６】
図４においては、各画素ＰＸ１〜ＰＸ３と向かい合うように対向基板ＣＴに設けられるブラックマトリクス２１及び柱状スペーサ３０を破線にて示している。ブラックマトリクス２１は、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１と重なってＸ方向に延びる第１部分２１ａを有する。さらに、ブラックマトリクス２１は、ソース配線Ｓｊ〜Ｓｊ+３と重なるようにゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１の間を延びる第２部分２１ｂを有する。また、画素電極ＰＥの枝部ＰＢＲ及びスリットＰＳＬの長手方向端部又は枝部ＰＢＲの長手方向端部もブラックマトリクス２１に覆われるものとなっている。この各第２部分２１ｂの両端部がそれぞれ各第１部分２１ａに接続されて、各画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３に対応する開口部ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成されている。
【００４７】
柱状スペーサ３０は、ブラックマトリクス２１の第１部分２１ａと重なる位置に設けられる。図４の例においてはゲート配線Ｇｉとソース配線Ｓｊ+１とが重なる部分の上方に柱状スペーサ３０が設けられているが、第１部分２１ａと重なる他の位置に柱状スペーサ３０が設けられてもよい。また、図４の例においては３つの画素ＰＸ１〜ＰＸ３に対して柱状スペーサ３０を１つのみ示しているが、各画素ＰＸ１〜ＰＸ３の近傍のゲート配線Ｇｉ或いはゲート配線Ｇｉ+１の上方により多くの柱状スペーサ３０が設けられてもよい。また、４以上の画素ＰＸに対して１つの割合で柱状スペーサ３０が設けられてもよい。
【００４８】
ここで、アレイ基板ＡＲに設けられる第１配向膜ＡＬ１、及び、対向基板ＣＴに設けられる第２配向膜ＡＬ２に対する配向処理について説明する。
液晶表示装置の製造工程には、第１配向膜ＡＬ１に対して光配向法による配向処理を施す工程が含まれる。すなわち、アレイ基板ＡＲの製造に際し、第４絶縁膜１４及び画素電極ＰＥの上に第１配向膜ＡＬ１が成膜された後、第１配向膜ＡＬ１の表面に直線偏光の紫外線が照射される。これにより、第１配向膜ＡＬ１の表面に異方性が生じ、液晶分子を第１配向処理方向に配向する配向能が第１配向膜ＡＬ１に与えられる。
【００４９】
また、液晶表示装置の製造工程には、第２配向膜ＡＬ２に対してラビング法による配向処理を施す工程が含まれる。すなわち、対向基板ＣＴの製造に際し、オーバーコート層２３及び柱状スペーサ３０の上に第２配向膜ＡＬ２が成膜された後、ラビング材が巻かれて回転するローラが第２配向膜ＡＬ２の表面上でラビング方向（第２配向軸Ｒ２）に走査される。これにより、第２配向膜ＡＬ２の表面がラビング材で一定方向に擦られて、液晶分子を第２配向軸Ｒ２に配向する配向能が第２配向膜ＡＬ２に与えられる。ラビング材としては、例えばレーヨンを用いることができる。
【００５０】
ＦＦＳモードやＩＰＳモードにおいては、平面視した場合にＸ−Ｙ平面に方向成分を有する横電界により液晶分子をスイッチングする。いわゆる焼き付きを防ぐためには、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に高いアンカリング強度を与え、横電界によりスイッチングした液晶分子をオフ時（横電界の発生停止後）において初期配向方向に確実に戻す必要がある。
【００５１】
本実施形態において言及するアンカリング強度は、いわゆる方位角アンカリング強度であって、配向膜と液晶分子との相互作用の大きさを表す。一般的に、配向膜表面に所在する液晶分子の平均配向方向を表す界面ダイレクタが、液晶に変形応力（弾性力）が働いていない状態の界面ダイレクタの向き（配向容易軸）からΔΨだけずれたときの界面自由エネルギーの増加量ΔＦは、以下の式（１）にて表すことができる。
【数１】
2015179164.tif 000003
この式（１）における係数Ａがアンカリング強度である。
【００５２】
このようなアンカリング強度Ａは、例えばトルクバランス法により測定することができる。トルクバランス法においては、配向膜が形成された１対の基板を、これら基板の間に所定のセルギャップｄが形成されるように貼り合せ、カイラル材（以下、単にカイラルともいう）が添加された液晶とカイラルが添加されていない母体液晶とを封入したサンプルを製造する。このサンプルにおいて、カイラルが添加されていない母体液晶の平面視におけるツイスト角φ１と、カイラルを添加することで弾性力を付与されて自己ツイスト能を付与された液晶の平面視におけるツイスト角φ２とを測定する。アンカリング強度Ａは、ツイスト角φ１，φ２、液晶のツイスト弾性係数Ｋ２、カイラルが添加された液晶のらせんピッチｐ、セルギャップｄを用いた以下の式（２）により表される。
【数２】
2015179164.tif 000004
一例として、本実施形態において言及するアンカリング強度は、このようなトルクバランス法により測定されるアンカリング強度である。
【００５３】
一般的に、高いアンカリング強度とは、１０^（−４）〜１０^（−３）J/m2程度を指す。特に横電界によって液晶分子をスイッチングするＦＦＳモードやＩＰＳモードにおいては、１０^（−３）J/m2程度の高いアンカリング強度を配向膜に与えることが好ましい。この観点から、第１配向膜ＡＬ１に光配向法により与える第１のアンカリング強度、及び、第２配向膜ＡＬ２にラビング法により与える第２のアンカリング強度は、例えば１０^（−４）J/m2以上で定める。好ましくは、第１のアンカリング強度及び第２のアンカリング強度は、１０^（−３）J/m2程度に定める。
【００５４】
本実施形態においては、第１のアンカリング強度及び第２のアンカリング強度を実質的に同じ大きさ又は第１のアンカリング強度（アレイ基板ＡＲ側のアンカリング強度）の方を大とする。すなわち、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の双方に高いアンカリング強度を与える。このようにすることで、液晶層ＬＱの厚さ方向の全域に亘って高い配向規制力を与え、焼き付きの防止効果を高めることができる。
ここで、第１配向膜ＡＬ１に与えられる第１のアンカリング強度をＡ１＝ａ１×１０^（−ａ２）と定義し、第２配向膜ＡＬ２に与えられる第２のアンカリング強度をＡ２＝ｂ１×１０^（−ｂ２）と定義する。本実施形態においては、光配向法によって第１配向膜ＡＬ１に高いアンカリング強度を与えるとの観点から、上記ａ１，ａ２を以下の式（３）（４）を満たすように定める。
０＜ａ２≦４・・・（３）
１≦ａ１＜１０・・・（４）
また、本実施形態においては、光配向法によって第１配向膜ＡＬ１に与えられる第１のアンカリング強度と、ラビング法により第２配向膜ＡＬ２に与えられる第２のアンカリング強度とを実質的に同じ大きさ又は第１のアンカリング強度の方を大とし、かつ第２配向膜ＡＬ２にも高いアンカリング強度を与えるとの観点から、上記ａ２，ｂ１，ｂ２を以下の式（５）（６）を満たすように定める。
０＜ａ２≦ｂ２≦４・・・（５）
１≦ｂ１＜１０・・・（６）
【００５５】
上記の“実質的に同じ大きさ”とは、必ずしも第１のアンカリング強度及び第２のアンカリング強度の完全な一致を意味するものではない。一般的に、液晶表示パネルの配向膜に与えられるアンカリング強度は、上記のように１０^（−３）J/m2程度のオーダーである場合もあるし、１０^（−６）J/m2程度のオーダーである場合もある。このように配向膜に与えられるアンカリング強度が広いオーダーの範囲から選択されることに鑑みれば、例えば２つのアンカリング強度に１０^（−２）程度（２桁程度）の違いがあったとしても、それらは実質的に同じとみなすことができる。
一例として、第１のアンカリング強度を３×１０^（−３）J/m2とし、第２のアンカリング強度を２×１０^（−３）J/m2或いは４.５×１０^（−３）J/m2とする。このような第１のアンカリング強度及び第２のアンカリング強度は、１.５倍程度の差しか無いために、実質的に同じとみなすことができる。
【００５６】
光配向法により第１配向膜ＡＬ１に与えるアンカリング強度は、例えば第１配向膜ＡＬ１に照射する紫外線の積算光量を変更することにより調整できる。また、ラビング法により第２配向膜ＡＬ２に与えるアンカリング強度は、例えばローラの回転数、ローラによる走査速度、ローラを第２配向膜ＡＬ２に押し当てる力などを変更することにより調整できる。
【００５７】
続いて、本実施形態に係る液晶表示装置の作用について説明する。  
本実施形態においては、アレイ基板ＡＲ側の第１配向膜ＡＬ１に対して光配向法による配向処理を施すとした。これに対し、仮に第１配向膜ＡＬ１に対してラビング法による配向処理を施す場合には、十分に配向能が与えられない領域が第１配向膜ＡＬ１に生じ得るとの問題がある。
【００５８】
図５は、この問題を説明するための模式図であって、アレイ基板ＡＲ側の第１配向膜ＡＬ１をローラ１００に巻かれたラビング材１０１によりラビングする様子を示す。ローラ１００は、図中に示す回転方向Ｒ３に回転する。ローラ１００を回転させた状態で、アレイ基板ＡＲは、例えば図中に示すラビング方向Ｒ４に送られる。ラビング方向Ｒ４は、例えば図３に示す第１配向軸Ｒ１と一致する。
【００５９】
アレイ基板ＡＲにおいては、第１配向膜ＡＬ１の直下に画素電極ＰＥが配置されるため、画素電極ＰＥに起因した凹凸が第１配向膜ＡＬ１の表面に生じる。また、第１配向膜ＡＬ１の表面にはゲート配線Ｇやソース配線Ｓによる凹凸も生じている。この凹凸に起因して、第１配向膜ＡＬ１の表面には、十分な配向能が与えられない配向不良領域１１０が生じ得る。
【００６０】
第１配向軸Ｒ１がＸ方向と平行であれば、画素電極ＰＥのＸ方向における両縁部及びスリットＰＳＬの長軸に沿う両縁部は、ラビング方向Ｒ４と垂直に近い角度θ１で交わる。上記のような配向不良領域１１０は、画素電極ＰＥによって第１配向膜ＡＬ１の表面に生じる凸部の、ラビング方向Ｒ４における上流側及び下流側の縁部付近で生じ易い。このアレイ基板ＡＲを用いて製造した液晶表示装置において、例えば液晶層ＬＱに電圧を印加しない状態で黒を表示するノーマリブラックモードを実現しようとすると、配向不良領域１１０の近傍に所在する液晶分子の配向方向が揃わず（あるいは液晶分子が初期配向状態に戻らず）、かかる配向乱れに起因していわゆる光抜けを生じるおそれがある。さらに、配向不良領域１１０の近傍に所在する液晶分子に対して第１配向膜ＡＬ１から十分な配向能が与えられないので、配向不良領域１１０の近傍における焼き付きの発生が顕著となる。
【００６１】
一方、本実施形態のように第１配向膜ＡＬ１に対して光配向法により非接触で配向能を与える場合には、画素電極ＰＥ等に起因する第１配向膜ＡＬ１の表面の凹凸によらず、第１配向膜ＡＬ１の全面に対して一様に高い配向能を与えることができる。したがって、上記のような光抜けや焼き付きの発生を軽減ないしは防止できる。
【００６２】
ラビング法による配向処理を第１配向膜ＡＬ１に施す場合には、第１配向膜ＡＬ１の表面の凹凸の影響によりラビングを進行するに連れてラビング材１０１が部分的に変形することがある。この変形した部分により、第１配向膜ＡＬ１に付与する配向能に差異が生じてしまい、透過率の差が表示ムラ（あるいはラビング筋）として視認されることがある。本実施形態のように第１配向膜ＡＬ１に対して光配向法により非接触で配向能を与える場合には、このような表示ムラの発生も抑制できる。
【００６３】
また、本実施形態においては、対向基板ＣＴ側の第２配向膜ＡＬ２に対してラビング法による配向処理を施すとした。これに対し、仮に第２配向膜ＡＬ２に対して光配向法による配向処理を施す場合には、処理過程で照射される紫外線によりカラーフィルタ２２が退色するとの問題がある。また、第２配向膜ＡＬ２の直下にあるオーバーコート層２３やカラーフィルタ２２を有機材料によって構成した場合には、これらの一部が紫外線の照射により分解して不純物が生じ、液晶表示装置の信頼性を低下させ得る。
【００６４】
一方、本実施形態のように第２配向膜ＡＬ２に対してラビング法により配向能を与える場合には、配向処理に際してカラーフィルタ２２やオーバーコート層２３に紫外線が照射されないので、上記のようなカラーフィルタ２２の退色や不純物の発生を防止することができる。
【００６５】
第２配向膜ＡＬ２の下地は、オーバーコート層２３によってほぼ平坦化されている。このため、第２配向膜ＡＬ２の表面には、その下地の影響による凹凸はほとんど生じない。一方で、例えば図２に示すように柱状スペーサ３０がオーバーコート層２３上に点在しているため、第２配向膜ＡＬ２の表面には局所的に凹凸が生じる。したがって、第２配向膜ＡＬ２にラビング法による配向処理を施す場合においても、柱状スペーサ３０の近傍において配向不良領域が生じ、この領域に起因した光抜けや焼き付きが発生し得る。これに対し、本実施形態においては図４を用いて説明したように、ブラックマトリクス２１と完全に重なる位置に柱状スペーサ３０を設けている。
【００６６】
特に本実施形態においては、ゲート配線Ｇの上方でＸ方向に延びるブラックマトリクス２１の第１部分２１ａと柱状スペーサ３０とが重なり、かつラビング方向（第２配向軸Ｒ２）がＸ方向と平行である。上記のように、配向不良領域は配向膜表面の凸部のラビング方向における上流側及び下流側の縁部付近で生じ易いことに鑑みれば、本実施形態のようにブラックマトリクス２１、柱状スペーサ３０、及びラビング方向（第２配向軸Ｒ２）を規定することで、柱状スペーサ３０に起因する配向不良領域とブラックマトリクス２１とを確実に重ならせることができる。したがって、柱状スペーサ３０に起因して生じる配向不良領域は、表示品質に殆ど影響を与えない。
【００６７】
なお、アレイ基板ＡＲ側においても、有機材料に紫外線が照射されることに起因して不純物が生じ得る。しかしながら、アレイ基板ＡＲは、無機材料で構成された画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び第４絶縁膜１４を第１配向膜ＡＬ１の近傍に備え、これら画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び第４絶縁膜１４が紫外線の少なくとも一部を吸収する。したがって、アレイ基板ＡＲを構成する要素に有機材料を用いた場合であっても、その要素に到達する紫外線の光量を減らすことができる。さらに、不純物が発生した場合であっても、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び第４絶縁膜１４によって、この不純物の液晶層ＬＱへの溶出をブロックすることができる。
【００６８】
本願発明者は、第１配向膜ＡＬ１に光配向法による配向処理を施し且つ第２配向膜ＡＬ２にラビング法による配向処理を施した液晶表示装置Ａ（本実施形態に係る液晶表示装置）、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の双方にラビング法による配向処理を施した液晶表示装置Ｂ、及び、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の双方に光配向法による配向処理を施した液晶表示装置Ｃをそれぞれ製造し、その性能を評価した。液晶表示装置Ａ，Ｂ，Ｃは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に対する配向処理の方法を除き、同一の構成である。
【００６９】
これら液晶表示装置Ａ，Ｂ，Ｃに４５度の環境温度下において白黒のチェッカーパターンを２時間表示させた後、グレー画面を表示させてチェッカーパターンの残像状態を観察することにより、焼き付きの発生を評価した。その結果、液晶表示装置Ａ，Ｃには焼き付きが生じていなかった。一方、液晶表示装置Ｂには、上記の配向不良領域に起因する面焼き付き及び線焼き付きの発生が認められた。
【００７０】
また、液晶表示装置Ａ，Ｂ，Ｃについてその信頼性（故障・不具合の発生頻度など）を評価したところ、液晶表示装置Ａの信頼性が最も高いことが判った。また、液晶表示装置Ａ，Ｂ，Ｃについてその透過率を評価したところ、液晶表示装置Ａ及び液晶表示装置Ｂが同等の透過率を有し、液晶表示装置Ｃのみ透過率が劣ることが判った。これは主に、液晶表示装置Ｃにおいては、第２配向膜ＡＬ２に対する光配向処理で照射される紫外線により、カラーフィルタ２２が退色したことに起因する。さらに、液晶表示装置Ａ，Ｂ，Ｃについてそのコントラストを評価したところ、いずれも同程度であることが判った。
【００７１】
以上の評価結果から、本実施形態によれば、ラビング法及び光配向法それぞれの利点を活かして、配向膜への配向処理において従来生じていた不具合を解消し、良好な表示品質及び信頼性を発揮する液晶表示装置が得られることが判る。  
これらの他にも、本実施形態にて開示した構成からは、種々の好適な作用が得られる。
【００７２】
以上説明した実施形態にて開示した構成は、適宜変形して実施することができる。以下に、いくつかの変形例を示す。
【００７３】
（第１変形例）
上記実施形態においては誘電率異方性が負の液晶材料を用いて液晶層ＬＱを構成するとしたが、誘電率異方性が正（ポジ型）の液晶分子を用いて液晶層ＬＱを構成してもよい。
【００７４】
図６は、誘電率異方性が正の液晶分子を用いて液晶層ＬＱを構成する場合に採用し得る画素ＰＸの構成例を概略的に示す模式図である。この図に示す画素ＰＸは、Ｘ方向に沿って延出するゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１及びＹ方向に沿って延出するソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１によってその領域が規定される。スイッチング素子ＳＷを構成する半導体層ＳＣは、ゲート配線Ｇｉを２度跨ぐように屈曲した形状を有する。半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ１を介してソース配線Ｓｊと電気的に接続される。また、半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３を介して画素電極ＰＥと電気的に接続される。画素電極ＰＥは、Ｘ方向に対して反時計回りに４５度以下の角度θ２だけ傾いた第２延出方向Ｄ２に沿って、ゲート配線Ｇｉの上方からゲート配線Ｇｉ+１の上方に亘って延びる複数本の枝部ＰＢＲを備えている。また、画素電極ＰＥは、Ｘ方向における一方の縁部から他方の縁部まで延びる４つのスリットＰＳＬを有する。各スリットＰＳＬは、いずれも同一形状であり、上記の第２延出方向Ｄ２に沿って延びる。角度θ２は、例えば５〜１５度程度の比較的浅い角度である。
【００７５】
例えば図６の（ａ）に示すように、第１配向膜ＡＬ１はＸ−Ｙ平面においてＸ方向と平行な第１配向軸Ｒ１に沿って光配向法による配向処理が施され、第２配向膜ＡＬ２はＸ−Ｙ平面において第１配向軸Ｒ１とは逆の第２配向軸Ｒ２に沿ってラビング法による配向処理が施されている。第１配向軸Ｒ１及び第２配向軸Ｒ２は、互いに平行かつ同じ向きであってもよい。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態（オフ時）において、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、図６の（ｂ）に破線で示すようにその長軸が第１配向軸Ｒ１及び第２配向軸Ｒ２を向くように配向している。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態（オン時）においては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に横電界（フリンジ電界）が形成される。液晶分子ＬＭは、この電界の影響を受け、平面視で見た場合に図６の（ｂ）に実線で示すようにその長軸をＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転させる。本変形例では、上記の通り液晶層ＬＱが正の誘電率異方性を有している。したがって、液晶分子ＬＭは、その長軸の向きを横電界の電気力線Ｅの方向に向かうように回転する。このような本変形例の構成であっても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【００７６】
ここで、本変形例のようにスリットＰＳＬがＸ方向に対して比較的浅い角度θで延びる構成において、第１配向膜ＡＬ１にラビング法による配向処理を施す場合を想定する。この場合、ラビング方向（第１配向軸Ｒ１）とスリットＰＳＬの長軸に沿う縁部とが浅い角度で交わる。したがって、スリットＰＳＬにより生じる第１配向膜ＡＬ１表面の凹部内においては、上記の配向不良領域が生じにくい。このことから、第１配向膜ＡＬ１を光配向法により配向処理することによって得られる効果は、上記実施形態のように誘電率異方性が負の液晶材料にて液晶層ＬＱが構成され、画素電極ＰＥのスリットＰＳＬの長軸が第１配向処理方向と垂直に近い角度で交わる場合において、特に際立つといえる。
【００７７】
（第２変形例）
上記実施形態においてはＦＦＳモードの液晶表示パネルを備える液晶表示装置を例示したが、上記実施形態における配向処理の方法及び柱状スペーサの配置に関する構成などは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルにも適用することができる。
【００７８】
図７は、ＩＰＳモードを適用した液晶表示パネルＬＰＮを備える液晶表示装置の概略的な断面図である。同図においては、説明の簡略化のために、各要素の配置位置や縮尺等を適宜調整して表している。図７に示す液晶表示装置を図２に示す液晶表示装置と比べると、第３絶縁膜１３の上に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥが配置され、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥが第１配向膜ＡＬ１にて覆われ、第４絶縁膜１４を備えない点で異なる。液晶層ＬＱは、例えば上記実施形態と同じく負の誘電率異方性を有している。また、柱状スペーサ３０は、上記実施形態と同じく、ゲート配線Ｇの上方であって基板主面（Ｘ−Ｙ平面）の法線方向から見た際にブラックマトリクス２１と完全に重なる位置に設けられる。
【００７９】
図８は、図７に示す液晶表示装置において、アレイ基板ＡＲにおける１つの画素ＰＸの構造を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。この図に示す画素ＰＸは、Ｘ方向に沿って延出するゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ+１及びＹ方向に沿って延出するソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１によってその領域が規定される。スイッチング素子ＳＷを構成する半導体層ＳＣは、ゲート配線Ｇｉを２度跨ぐように屈曲した形状を有する。半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ１を介してソース配線Ｓｊと電気的に接続される。また、半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３を介して画素電極ＰＥと電気的に接続される。
【００８０】
画素電極ＰＥは、Ｘ方向に対して反時計回りに４５度以下の角度θ３だけ傾いた第３延出方向Ｄ３に沿って延びる主画素電極ＰＥａと、この主画素電極ＰＥａに連結されるとともにソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１の間でＸ方向に延びる副画素電極ＰＥｂとを有する。角度θ３は、例えば７５〜８５度程度の垂直に近い角度である。画素電極ＰＥと同層に形成された共通電極ＣＥは、主画素電極ＰＥａを挟むように配置されて第３延出方向Ｄ３に沿って延びる２本の主共通電極ＣＥａと、これら主共通電極ＣＥａに接続されるとともにゲート配線Ｇｉ+１の上方においてＸ方向に延びる副共通電極ＣＥｂとを有する。図示した例では、ソース配線Ｓｊ，Ｓｊ+１のそれぞれは、ゲート配線Ｇｉとゲート配線Ｇｉ+１との間の位置で、第３延出方向Ｄ３に沿って延びている。
【００８１】
例えば図８の（ａ）に示すように、第１配向膜ＡＬ１はＸ−Ｙ平面においてＸ方向と平行な第１配向軸Ｒ１に沿って光配向法による配向処理が施され、第２配向膜ＡＬ２はＸ−Ｙ平面において第１配向軸Ｒ１とは逆の第２配向軸Ｒ２に沿ってラビング法による配向処理が施されている。第１配向軸Ｒ１及び第２配向軸Ｒ２は、互いに平行かつ同じ向きであってもよい。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態（オフ時）において、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、図８の（ｂ）に破線で示すようにその長軸が第１配向膜ＡＬ１の第１配向軸Ｒ１及び第２配向膜ＡＬ２の第２配向軸Ｒ２を向くように配向している。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態（オン時）においては、主に主画素電極ＰＥａと主共通電極ＣＥａとの間に横電界が形成される。液晶分子ＬＭは、この電界の影響を受け、図８の（ｂ）に実線で示すようにその長軸がＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。本変形例では、上記の通り液晶層ＬＱが負の誘電率異方性を有している。したがって、液晶分子ＬＭは、その長軸が横電界の電気力線Ｅに対して交差するような方向に配向する。このような液晶分子ＬＭのスイッチングにより、バックライトＢＬからの光の透過を制御することができる。
【００８２】
以上説明したようなＩＰＳモードの液晶表示パネルＬＰＮを備える液晶表示装置においても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
本発明の実施形態或いはその変形例として上述した各構成を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての構成も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００８３】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８４】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、Ｓ…ソース配線、Ｇ…ゲート配線、ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＧＥ…ゲート電極、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＡＬ１…第１配向膜、ＡＬ２…第２配向膜、ＯＤ１…第１光学素子、ＯＤ２…第２光学素子、ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３…コンタクトホール、１０…第１絶縁基板、１１〜１４…絶縁膜、２０…第２絶縁基板、２１…ブラックマトリクス、２２…カラーフィルタ、２３…オーバーコート層、３０…柱状スペーサ、ＰＳＬ…スリット、ＡＰ…開口部、ＢＬ…バックライト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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