(57)【要約】【課題】  封止樹脂シートを用いた封止物の研削後に目的とする回路要素を歩留まり良く形成可能な半導体パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明は、一又は複数の半導体チップが封止樹脂シートに埋め込まれた封止体を形成する封止体形成工程、及び前記封止体の前記封止樹脂シートを前記半導体チップの活性面とは反対側の表面が露出するように研削して研削体を形成する研削工程を含み、前記研削体における前記封止樹脂シートの表面と前記半導体チップの露出面との最大高低差が１０μｍ以下である半導体パッケージの製造方法である。【選択図】  図１Ｂ
2015053468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一又は複数の半導体チップが封止樹脂シートに埋め込まれた封止体を形成する封止体形成工程、及び
前記封止体の前記封止樹脂シートを前記半導体チップの活性面とは反対側の表面が露出するように研削して研削体を形成する研削工程
を含み、
前記研削体における前記封止樹脂シートの表面と前記半導体チップの露出面との最大高低差が１０μｍ以下である半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
１５０℃で１時間熱硬化処理を施した後の前記封止樹脂シートの２５℃におけるショアＤ硬度が６０以上である請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
１５０℃で１時間熱硬化処理を施した後の前記封止樹脂シートの２５℃における貯蔵弾性率が３ＧＰａ以上である請求項１又は２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記封止体形成工程において、半導体ウェハにフリップチップ接続された前記半導体チップを前記封止樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記封止体形成工程において、仮固定材に固定された前記半導体チップを前記封止樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記研削工程後、前記研削体の前記半導体チップの活性面側の面に再配線を形成する再配線形成工程をさらに含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記半導体チップが複数用いられており、
前記再配線形成工程後に、前記研削体を目的の半導体チップ単位でダイシングするダイシング工程をさらに含む請求項６項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、高機能化の要求が高まっており、それに応じて電子機器を構成するパッケージについても小型化、薄型化、高密度実装が求められている。
【０００３】
半導体パッケージの作製には、代表的に、基板や仮止め材等に固定された電子部品を封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止物を電子部品単位のパッケージとなるようにダイシングするという手順が採用されている。このような過程の中で、上記要求に応えるべく、樹脂封止後に封止物を研削して薄型化を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１、２等）。フリップチップＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、フリップチップＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ファンイン型ウェハレベルパッケージ、ファンアウト型ウェハレベルパッケージ等の薄型半導体パッケージの製造工程においては、こうした研削による薄型化も重要な要素となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４２０７４８号
【特許文献２】特許第３６６６５７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、封止物の研削後、研削面とは反対側の面に対して再配線やバンプ等の回路要素を形成するプロセスを施そうとしても、所望の再配線やバンプを形成することができなかったり、再配線形成後に再配線の剥離が生じたりするという不具合が生じる場合があることが判明した。これらの不具合は、上記特許文献１及び２の技術では認識されておらず、その解決が望まれている。
【０００６】
本発明の目的は、封止樹脂シートを用いた封止物の研削後に目的とする回路要素を歩留まり良く形成可能な半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、研削面の状態が研削面とは反対側の面への回路要素形成に影響を及ぼすとの考えに基づき、鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
すなわち、本発明は、一又は複数の半導体チップが封止樹脂シートに埋め込まれた封止体を形成する封止体形成工程、及び
前記封止体の前記封止樹脂シートを前記半導体チップの活性面とは反対側の表面が露出するように研削して研削体を形成する研削工程
を含み、
前記研削体における前記封止樹脂シートの表面と前記半導体チップの露出面との最大高低差が１０μｍ以下である半導体パッケージの製造方法である。
【０００９】
本発明者らは、回路要素の形成の際に不具合が生じる原因が、回路要素を形成する面とは反対側の研削体の研削面の状態、特に表面の段差にあることを突き止めた。研削体の研削面とは反対側の面（以下、単に「裏面」ともいう。）に再配線やバンプ等の回路要素を形成する際に研削面を固定面とすると、研削面における段差の影響が裏面にまで及び、裏面においても段差が生じることになる。裏面に段差が生じた状態で回路要素を形成しようとすると、その段差の影響により再配線のウェハ等への密着性が低下して剥離しやすくなったり、バンプ形成の位置決めが困難となったりし、裏面における回路要素の形成の歩留まりが低下してしまう。当該製造方法では、研削体における封止樹脂シートの表面と半導体チップの露出面との最大高低差（以下、単に「最大高低差」ともいう。）を１０μｍ以下としているので、研削面における段差を小さくすることができ、裏面における回路要素の形成を歩留まり良く行うことができる。上記最大高低差が１０μｍを超えると、上述の回路要素形成の際の不具合が生じる場合がある。
【００１０】
１５０℃で１時間熱硬化処理を施した後の前記封止樹脂シートの２５℃におけるショアＤ硬度が６０以上であることが好ましい。また、１５０℃で１時間熱硬化処理を施した後の前記封止樹脂シートの２５℃における貯蔵弾性率が３ＧＰａ以上であることが好ましい。本発明者らの検討によると、研削体の研削面の段差の主因の１つは、封止体における封止樹脂シート（熱硬化処理後）の硬度と半導体チップの硬度との差（以下、単に「硬度差」ともいう。）であると推察される。すなわち、硬度差が大きいと段差も大きくなり、硬度差が小さいと段差も小さくなるという相関関係が成立すると考えられる。当該製造方法において、上記ショアＤ硬度又は上記貯蔵弾性率を上記範囲とすることにより、硬度差を小さくして研削体の研削面における上記最大高低差を小さくすることができ、その結果、裏面での回路要素の形成効率を向上させることができる。
【００１１】
前記封止体形成工程において、半導体ウェハにフリップチップ接続された前記半導体チップを前記封止樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成してもよく、あるいは、仮固定材に固定された前記半導体チップを前記封止樹脂シートに埋め込んで前記封止体を形成してもよい。前者は半導体チップをウェハに整列させて半導体装置を作製するチップオンウェハプロセスに好適であり、後者はファンアウト型ウェハレベルパッケージのプロセスに好適である。いずれの形態で封止体を形成しても、研削体の裏面において歩留まり良く回路要素を形成することができる。
【００１２】
前記研削工程後、前記研削体の前記半導体チップの活性面側の面に再配線を形成する再配線形成工程をさらに含んでいてもよい。
【００１３】
当該製造方法では、前記半導体チップが複数用いられており、
前記再配線形成工程後に、前記研削体を目的の半導体チップ単位でダイシングするダイシング工程をさらに含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｇ】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る封止樹脂シートを模式的に示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｅ】本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｆ】本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｇ】本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図４】研削体の研削面における最大高低差を測定する手順を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の半導体パッケージの製造方法の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。上下等の位置関係を示す用語は、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。
【００１６】
＜第１実施形態＞
［半導体パッケージの製造方法］
封止樹脂シートを用いる本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法について図１Ａ〜図１Ｇを参照しつつ説明する。図１Ａ〜図１Ｇはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。第１実施形態では、半導体ウェハ上に搭載された半導体チップを封止樹脂シートにより樹脂封止して半導体パッケージを作製する。第１実施形態に係る半導体パッケージの製造方法は、チップ・オン・ウェハ（ＣＯＷ）プロセスに好適である。
【００１７】
（チップ搭載ウェハ準備工程）
チップ搭載ウェハ準備工程では、複数の半導体チップ１３がフリップチップ接続された半導体ウェハ１２Ａを準備する（図１Ａ参照）。半導体チップ１３は、所定の回路が形成された半導体ウェハを公知の方法でダイシングして個片化することにより形成することができる。半導体チップ１３の半導体ウェハ１２Ａへの搭載には、フリップチップボンダーなどの公知の装置を用いることができる。本実施形態では、半導体チップ１３の突起電極１３ａが形成された活性面Ａ１が半導体ウェハ１２Ａと対向するフリップチップ接続を採用している。半導体チップ１３に形成されたバンプ等の突起電極１３ａと、半導体ウェハ１２Ａに設けられた貫通電極１２ａとを介して、半導体チップ１３と半導体ウェハ１２Ａとが電気的に接続されている。貫通電極１２ａは、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）形式の電極を好適に用いることができる。
【００１８】
また、半導体チップ１３と半導体ウェハ１２Ａとの間には両者の熱膨張率の差を緩和して特に接続部位におけるクラック等の発生を防止するためのアンダーフィル材１４が充填されている。アンダーフィル材１４としては公知のものを用いればよい。アンダーフィル材１４の配置は、半導体チップ１３の半導体ウェハ１２Ａへの搭載後、両者間に液状のアンダーフィル材１４を注入させることにより行ってもよく、シート状のアンダーフィル材１４付きの半導体チップ１３又は半導体ウェハ１２Ａを用意した上で、半導体チップ１３と半導体ウェハ１２Ａとを接続することにより行ってもよい。
【００１９】
（封止工程）
封止工程では、半導体チップ１３を埋め込むように半導体ウェハ１２Ａへ封止樹脂シート１１を積層し、半導体チップ１３を上記封止樹脂シートで樹脂封止する（図１Ｂ参照）。この封止樹脂シート１１は、半導体チップ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。
【００２０】
封止樹脂シート１１の積層方法としては特に限定されず、封止樹脂シートを形成するための樹脂組成物の溶融混練物を押出成形し、押出成形物を半導体ウェハ１２Ａ上に載置してプレスすることにより封止樹脂シート１１の形成と積層とを一括にて行う方法や、封止樹脂シート１１を形成するための樹脂組成物を離型処理シート上に塗布し、塗布膜を乾燥させて封止樹脂シート１１を形成した上で、この封止樹脂シート１１を半導体ウェハ１２Ａ上に転写する方法などが挙げられる。
【００２１】
本実施形態では、上記封止樹脂シート１１を採用することにより、半導体チップ１３の被覆に半導体ウェハ１２Ａ上に貼り付けるだけで半導体チップ１３を埋め込むことができ、半導体パッケージの生産効率を向上させることができる。この場合、熱プレスやラミネータなど公知の方法により封止樹脂シート１１を半導体ウェハ１２Ａ上に積層することができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１２０℃、好ましくは、５０〜１００℃であり、圧力が、例えば、５０〜２５００ｋＰａ、好ましくは、１００〜２０００ｋＰａであり、時間が、例えば、０．３〜１０分間、好ましくは、０．５〜５分間である。また、封止樹脂シート１１の半導体チップ１３及び半導体ウェハ１２Ａへの密着性および追従性の向上を考慮すると、好ましくは、減圧条件下（例えば１０〜２０００Ｐａ）において、プレスすることが好ましい。
【００２２】
（封止体形成工程）
封止体形成工程では、上記封止樹脂シートを熱硬化処理して半導体チップ１３が封止樹脂シート１１に埋め込まれた封止体１５を形成する（図１Ｂ参照）。封止樹脂シートの熱硬化処理の条件は、加熱温度として好ましくは１００℃から２００℃、より好ましくは１２０℃から１８０℃、加熱時間として好ましくは１０分から１８０分、より好ましくは３０分から１２０分の間、必要に応じて加圧しても良い。加圧の際は、好ましくは０．１ＭＰａから１０ＭＰａ、より好ましくは０．５ＭＰａから５ＭＰａを採用することができる。
【００２３】
（研削工程）
研削工程では、封止体１５の封止樹脂シート１１を半導体チップ１３の活性面Ａとは反対側の表面が露出するように研削して研削体１６Ａを形成する（図１Ｃ参照）。研削の際、図１Ｃに示すように封止樹脂シート１１とともに半導体チップ１３も研削してもよく、封止樹脂シート１１のみを研削してもよい。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。ダイアモンドバイト等の研削バイトを回転させながら、そこに封止体１５を送りつつ封止体表面を研削して研削体１６Ａを形成する手順を好適に採用することができる。
【００２４】
研削体１６Ａにおける封止樹脂シートの表面１１Ｓと半導体チップの露出面１３Ｓとの最大高低差は１０μｍ以下であり、好ましくは７μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下である。研削面Ｇ１における最大高低差を上記範囲とすることにより、半導体ウェハ１２Ａを研削した研削体１６Ｂ（図１Ｅ参照）の研削面Ｇ１における段差の裏面Ｂ１への影響を小さくすることができ、歩留まり良く再配線１９を形成することができる。なお、上記最低高低差の下限は小さいほど好ましく、０μｍが好ましいが、物理的限界から０．１μｍ以上であってもよい。
【００２５】
（裏面研削工程）
裏面研削工程では、研削体１６Ａの研削面Ｇ１とは反対側の面（すなわち、裏面Ｂ１）を研削する（図１Ｄ参照）。これにより、半導体ウェハ１２Ａの露出面を研削することになり、薄型化した半導体ウェハ１２Ｂを得ることができる。研削後の半導体ウェハ１２Ｂの厚さは目的とするパッケージの仕様により変更すればよく、例えば２５〜２００μｍが好ましく、５０〜１００μｍがより好ましい。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。研削面Ｇ１の最大高低差が小さくなっているので、研削体１６Ａの固定に裏面研削用テープを別途用意しなくても平滑な裏面研削を行うことができ、生産効率の向上及びコストカットを図ることができる。もちろん、裏面研削用テープを用いて研削体１６Ａを固定してもよく、この場合は裏面研削の際の研削面Ｇ１の汚染を防止することができる。裏面研削用テープは公知のものを用いることができる。
【００２６】
（再配線形成工程）
本実施形態ではさらに、研削体１６Ｂの半導体チップ１３の活性面Ａ１側の面Ｂ１に再配線１９を形成する再配線形成工程を含むことが好ましい（図１Ｅ参照）。再配線形成工程では、裏面研削による薄型化した半導体ウェハ１２Ｂの形成後、半導体ウェハ１２Ｂの貫通電極１２ａと接続する再配線１９を研削体１６Ｂ上に形成する。
【００２７】
再配線の形成方法としては、例えば、露出している半導体ウェハ１２Ｂ上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線１９を形成することができる。
【００２８】
かかる後に、再配線１９及び研削体１６Ｂ上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。
【００２９】
（バンプ形成工程）
次いで、形成した再配線１９上にバンプ１７を形成するバンピング加工を行ってもよい（図１Ｆ参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプの材質は特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。
【００３０】
（チップ裏面保護工程）
バンプ１７を形成した後、半導体チップ１３の露出面１３Ｓを保護するために、研削体１６Ａの研削面Ｇ１（図１Ｃ参照）を再度樹脂封止してもよい。封止方法としては特に限定されず、公知の液状やフィルム状の封止樹脂を研削面Ｇ１に塗布ないし貼り合わせ、乾燥、硬化させればよい。なお、本工程は、研削工程後であってダイシング工程前であればいずれの段階で行ってもよい。
【００３１】
（ダイシング工程）
続いて、封止樹脂シート１１、半導体ウェハ１２Ｂ、及び半導体チップ１３などの要素からなるバンプ形成を経た研削体１６Ｃのダイシングを行ってもよい（図１Ｇ参照）。これにより、目的とする半導体チップ１３単位での半導体パッケージ１８を得ることができる。図１Ｇでは、１つの半導体チップに対応させてダイシングしているが、２つ以上の半導体チップを一単位としてダイシングを行ってもよい。ダイシングは、通常、従来公知のダイシングシートにより上記研削体１６を固定した上で行う。切断箇所の位置合わせは直接照明又は間接照明を用いた画像認識により行ってもよい。
【００３２】
本工程では、例えば、ダイシングシートまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
【００３３】
なお、ダイシング工程に続いて研削体のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングシートを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングシートを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、隣り合う半導体パッケージ１８同士が接触して破損するのを防ぐことができる。
【００３４】
（基板実装工程）
必要に応じて、上記で得られた半導体パッケージ１８を別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。半導体パッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
【００３５】
［封止樹脂シート］
本実施形態に係る封止樹脂シートについて図２を参照しつつ説明する。図２は、本発明の一実施形態に係る封止樹脂シートを模式的に示す断面図である。封止樹脂シート１１は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の支持体１１ａ上に積層された状態で提供される。なお、支持体１１ａには封止樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。
【００３６】
また、１５０℃で１時間熱硬化処理を施した後の封止樹脂シート１１の２５℃におけるショアＤ硬度が６０以上であることが好ましく、７０以上であることがより好ましい。上記ショアＤ硬度の上限は９２以下であることが好ましい。さらに、１５０℃で１時間熱硬化処理を施した後の封止樹脂シート１１の２５℃における貯蔵弾性率が３ＧＰａ以上であることが好ましく、１０ＧＰａ以上であることがより好ましい。上記貯蔵弾性率の上限は３０ＧＰａ以下であることが好ましい。熱硬化処理後の封止樹脂シート１１のショアＤ硬度や貯蔵弾性率を上記範囲とすることにより、硬度差を小さくすることができ、これにより上記最大高低差を小さくすることができる。
【００３７】
（封止樹脂シートを形成する樹脂組成物）
封止樹脂シートを形成する樹脂組成物は、上述のような特性を好適に有し、半導体チップ等の電子部品の樹脂封止に利用可能なものであれば、特に限定されないが、例えば以下のＡ成分からＥ成分を含有するエポキシ樹脂組成物が好ましいものとして挙げられる。なお、Ｃ成分は必要に応じて添加しても添加しなくてもよい。
Ａ成分：エポキシ樹脂
Ｂ成分：フェノール樹脂
Ｃ成分：エラストマー
Ｄ成分：無機充填剤
Ｅ成分：硬化促進剤
【００３８】
（Ａ成分）
エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
【００３９】
エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、中でも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
【００４０】
また、低応力性の観点から、アセタール基やポリオキシアルキレン基等の柔軟性骨格を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく、アセタール基を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、液体状で取り扱いが良好であることから、特に好適に用いることができる。
【００４１】
エポキシ樹脂（Ａ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体に対して１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましい。
【００４２】
（Ｂ成分）
フェノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹脂（Ａ成分）との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂、等が用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４３】
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂（Ａ成分）との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、中でも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。
【００４４】
エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂（Ｂ成分）中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００４５】
封止樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２．５重量％以上が好ましく、３．０重量％以上がより好ましい。２．５重量％以上であると、半導体チップ１３、半導体ウェハ１２Ａなどに対する接着力が良好に得られる。封止樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、吸湿性を低減できる。
【００４６】
（Ｃ成分）
エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられるエラストマー（Ｃ成分）は、封止樹脂シートによる電子部品の封止に必要な可撓性をエポキシ樹脂組成物に付与するものであり、このような作用を奏するものであれば特にその構造を限定するものではない。例えば、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリル系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴム等のゴム質重合体を用いることができる。中でも、エポキシ樹脂（Ａ成分）へ分散させやすく、またエポキシ樹脂（Ａ成分）との反応性も高いために、得られる封止樹脂シートの耐熱性や強度を向上させることができるという観点から、アクリル系共重合体を用いることが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて用いてもよい。
【００４７】
なお、アクリル系共重合体は、例えば、所定の混合比にしたアクリルモノマー混合物を、定法によってラジカル重合することにより合成することができる。ラジカル重合の方法としては、有機溶剤を溶媒に行う溶液重合法や、水中に原料モノマーを分散させながら重合を行う懸濁重合法が用いられる。その際に用いる重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル、その他のアゾ系又はジアゾ系重合開始剤、ベンゾイルパーオキサイド及びメチルエチルケトンパーオキサイド等の過酸化物系重合開始剤等が用いられる。なお、懸濁重合の場合は、例えばポリアクリルアミド、ポリビニルアルコールのような分散剤を加えることが望ましい。
【００４８】
エラストマー（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の１５〜３０重量％である。エラストマー（Ｃ成分）の含有量が１５重量％未満では、封止樹脂シート１１の柔軟性及び可撓性を得るのが困難となり、さらには封止樹脂シートの反りを抑えた樹脂封止も困難となる。逆に上記含有量が３０重量％を超えると、封止樹脂シート１１の溶融粘度が高くなって半導体チップ１３の埋まり込み性が低下するとともに、封止樹脂シート１１の硬化体の強度及び耐熱性が低下する傾向がみられる。
【００４９】
また、エラストマー（Ｃ成分）のエポキシ樹脂（Ａ成分）に対する重量比率（Ｃ成分の重量／Ａ成分の重量）は、３〜４．７の範囲に設定することが好ましい。上記重量比率が３未満の場合は、封止樹脂シート１１の流動性をコントロールすることが困難となり、４．７を超えると封止樹脂シート１１の半導体チップ１３への接着性が劣る傾向がみられるためである。
【００５０】
（Ｄ成分）
無機質充填剤（Ｄ成分）は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカ等）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５１】
中でも、エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱線膨張係数が低減することにより内部応力を低減し、その結果、電子部品の封止後の封止樹脂シート１１の反りを抑制できるという点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることがより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることが好ましく、１〜２０μｍの範囲のものを用いることがより好ましい。
【００５２】
なお、平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００５３】
無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、好ましくはエポキシ樹脂組成物全体の７０〜９５重量％であり、より好ましくは７５〜９２重量％であり、さらに好ましくは８０〜９０重量％である。無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量が５０重量％未満では、エポキシ樹脂組成物の硬化体の線膨張係数が大きくなるために、封止樹脂シート１１の反りが大きくなる傾向がみられる。一方、上記含有量が９０重量％を超えると、封止樹脂シート１１の柔軟性や流動性が悪くなるために、半導体チップとの接着性が低下する傾向がみられる。
【００５４】
（Ｅ成分）
硬化促進剤（Ｅ成分）は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されるものではないが、硬化性と保存性の観点から、トリフェニルホスフィンやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物や、イミダゾール系化合物が好適に用いられる。これら硬化促進剤は、単独で用いても良いし、他の硬化促進剤と併用しても構わない。
【００５５】
硬化促進剤（Ｅ成分）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部であることが好ましい。
【００５６】
（その他の成分）
また、エポキシ樹脂組成物には、Ａ成分からＥ成分に加えて、難燃剤成分を加えてもよい。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物等の各種金属水酸化物を用いることができる。
【００５７】
金属水酸化物の平均粒径としては、エポキシ樹脂組成物を加熱した際に適当な流動性を確保するという観点から、平均粒径が１〜１０μｍであることが好ましく、さらに好ましくは２〜５μｍである。金属水酸化物の平均粒径が１μｍ未満では、エポキシ樹脂組成物中に均一に分散させることが困難となるとともに、エポキシ樹脂組成物の加熱時における流動性が十分に得られない傾向がある。また、平均粒径が１０μｍを超えると、金属水酸化物（Ｅ成分）の添加量あたりの表面積が小さくなるため、難燃効果が低下する傾向がみられる。
【００５８】
また、難燃剤成分としては上記金属水酸化物のほか、ホスファゼン化合物を用いることができる。ホスファゼン化合物としては、例えばＳＰＲ−１００、ＳＡ−１００、ＳＰ−１００（以上、大塚化学株式会社）、ＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。
【００５９】
少量でも難燃効果を発揮するという観点から、式（１）又は式（２）で表されるホスファゼン化合物が好ましく、これらホスファンゼン化合物に含まれるリン元素の含有率は、１２重量％以上であることが好ましい。
【化１】
2015053468.tif 000003
（式（１）中、ｎは３〜２５の整数であり、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する１価の有機基である。）
【化２】
2015053468.tif 000004
（式（２）中、ｎ及びｍは、それぞれ独立して３〜２５の整数である。Ｒ３及びＲ５は同一又は異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する１価の有機基である。Ｒ４は、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する２価の有機基である。）
【００６０】
また、安定性及びボイドの生成抑制という観点から、式（３）で表される環状ホスファゼンオリゴマーを用いることが好ましい。
【化３】
2015053468.tif 000005
（式（３）中、ｎは３〜２５の整数であり、Ｒ６及びＲ７は同一又は異なって、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基又はグリシジル基である。）
【００６１】
上記式（３）で表される環状ホスファゼンオリゴマーは、例えばＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。
【００６２】
ホスファゼン化合物の含有量は、エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ樹脂（Ａ成分）、フェノール樹脂（Ｂ成分）、エラストマー（Ｄ成分）、硬化促進剤（Ｅ成分）及びホスファゼン化合物（その他の成分）を含む有機成分全体の１０〜３０重量％であることが好ましい。すなわち、ホスファゼン化合物の含有量が、有機成分全体の１０重量％未満では、封止樹脂シート１１の難燃性が低下するとともに、被着体（半導体チップを搭載した半導体ウェハ）等に対する凹凸追従性が低下し、ボイドが発生する傾向がみられる。上記含有量が有機成分全体の３０重量％を超えると、封止樹脂シート１１の表面にタックが生じやすくなり、被着体に対する位置合わせをしにくくなる等作業性が低下する傾向がみられる。
【００６３】
また、上記金属水酸化物及びホスファゼン化合物を併用し、シート封止に必要な可撓性を確保しつつ、難燃性に優れた封止樹脂シート１１を得ることもできる。両者を併用することにより、金属水酸化物のみを用いた場合の十分な難燃性と、ホスファゼン化合物のみを用いた場合は、十分な可撓性を得ることができる。
【００６４】
上記難燃剤のうち、樹脂封止の成型時における封止樹脂シートの変形性、被着体の凹凸への追従性、半導体チップや半導体ウェハへの密着性の点から有機系難燃剤を用いるのが望ましく、特にホスファゼン系難燃剤が好適に用いられる。
【００６５】
なお、エポキシ樹脂組成物は、上記の各成分以外に必要に応じて、カーボンブラックをはじめとする顔料等、他の添加剤を適宜配合することができる。
【００６６】
（封止樹脂シートの作製方法）
封止樹脂シートの作製方法を以下に説明する。まず、上述の各成分を混合することによりエポキシ樹脂組成物を調製する。混合方法は、各成分が均一に分散混合される方法であれば特に限定するものではない。その後、例えば、各成分を有機溶剤等に溶解又は分散したワニスを塗工してシート状に形成する。あるいは、各配合成分を直接ニーダー等で混練することにより混練物を調製し、このようにして得られた混練物を押し出してシート状に形成してもよい。
【００６７】
ワニスを用いる具体的な作製手順としては、上記Ａ〜Ｅ成分及び必要に応じて他の添加剤を常法に準じて適宜混合し、有機溶剤に均一に溶解あるいは分散させ、ワニスを調製する。ついで、上記ワニスをポリエステル等の支持体上に塗布し乾燥させることにより封止樹脂シート１１を得ることができる。そして必要により、封止樹脂シートの表面を保護するためにポリエステルフィルム等の剥離シートを貼り合わせてもよい。剥離シートは封止時に剥離する。
【００６８】
上記有機溶剤としては、特に限定されるものではなく従来公知の各種有機溶剤、例えばメチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等を用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて用いてもよい。また通常、ワニスの固形分濃度が３０〜６０重量％の範囲となるように有機溶剤を用いることが好ましい。
【００６９】
有機溶剤乾燥後のシートの厚みは、特に制限されるものではないが、厚みの均一性と残存溶剤量の観点から、通常、５〜１００μｍに設定することが好ましく、より好ましくは２０〜７０μｍである。
【００７０】
一方、混練を用いる場合には、上記Ａ〜Ｅ成分及び必要に応じて他の添加剤の各成分をミキサーなど公知の方法を用いて混合し、その後、溶融混練することにより混練物を調製する。溶融混練する方法としては、特に限定されないが、例えば、ミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機により、溶融混練する方法などが挙げられる。混練条件としては、温度が、上記した各成分の軟化点以上であれば特に制限されず、例えば３０〜１５０℃、エポキシ樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃であり、時間が、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。これによって、混練物を調製することができる。
【００７１】
得られる混練物を押出成形により成形することにより、封止樹脂シート１１を得ることができる。具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、封止樹脂シート１１を形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上記した各成分の軟化点以上であれば、特に制限されないが、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは、５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、封止樹脂シート１１を形成することができる。
【００７２】
このようにして得られた封止樹脂シートは、必要により所望の厚みとなるように積層して使用してもよい。すなわち、封止樹脂シートは、単層構造にて使用してもよいし、２層以上の多層構造に積層してなる積層体として使用してもよい。
【００７３】
＜第２実施形態＞
以下、本発明の一実施形態である第２実施形態について説明する。図３Ａ〜図３Ｇはそれぞれ、本発明の別の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。第１実施形態では、半導体ウェハにフリップチップ接続された半導体チップを封止樹脂シートにて樹脂封止しているが、第２実施形態では、半導体チップを半導体ウェハではなく仮固定材に仮固定した状態で樹脂封止を行う。この第２実施形態は、いわゆるＦａｎ−ｏｕｔ（ファンアウト）型ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）と呼称される半導体パッケージの製造に好適である。
【００７４】
［仮固定材準備工程］
仮固定材準備工程では、支持体２ｂ上に熱膨張性粘着剤層２ａが積層された仮固定材２を準備する（図３Ａ参照）。なお、熱膨張性粘着剤層に代えて、放射線硬化型粘着剤層を用いることもできる。本実施形態では、熱膨張性粘着剤層を備える仮固定材２について説明する。
【００７５】
（熱膨張性粘着剤層）
熱膨張性粘着剤層２ａは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分（特にベースポリマー）としては、アクリル系ポリマー（「アクリルポリマーＡ」と称する場合がある）を好適に用いることができる。アクリルポリマーＡとしては、（メタ）アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓｅｃ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）などが挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステルは単独で又は２種以上を併用してもよい。
【００７６】
なお、前記アクリルポリマーＡは、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の単量体成分に対応する単位を含んでいてもよい。このような単量体成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、カルボキシエチルアクリレートなどのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イコタン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチルなどのヒドロキシル基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換又は無置換）アミド系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレート系モノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン又はジエン系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（置換又は無置換）アミノ基含有モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素原子含有環を有するモノマー；Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレートなどのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコールなどのグリコ���ル系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルなどの酸素原子含有複素環を有するモノマー；フッ素系（メタ）アクリレートなどのフッ素原子を含有するアクリル酸エステル系モノマー；シリコーン系（メタ）アクリレートなどのケイ素原子を含有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。
【００７７】
前記アクリルポリマーＡは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合（例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合など）、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合（例えば、紫外線（ＵＶ）重合など）等の何れの方式で行うこともできる。
【００７８】
アクリルポリマーＡの重量平均分子量は、特に制限されないが、好ましくは３５万〜１００万、更に好ましくは４５万〜８０万程度である。
【００７９】
また、熱膨張性粘着剤には、粘着力を調整するため、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。
【００８０】
熱膨張性粘着剤層２ａは、前述のように、熱膨張性を付与するための発泡剤を含有している。そのため、仮固定材２の熱膨張性粘着剤層２ａ上に研削された半導体チップ２３を含む研削体２６が形成された状態で（図３Ｃ参照）、任意な時に仮固定材２を少なくとも部分的に加熱して、該加熱された熱膨張性粘着剤層２ａの部分に含有されている発泡剤を発泡及び／又は膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層２ａが少なくとも部分的に膨張し、この熱膨張性粘着剤層２ａの少なくとも部分的な膨張により、該膨張した部分に対応した粘着面（研削体２６との界面）が凹凸状に変形して、該熱膨張性粘着剤層２ａと研削体２６との接着面積が減少し、これにより、両者間の接着力が減少し、研削体２６を仮固定材２から剥離させることができる（図３Ｄ参照）。
【００８１】
（発泡剤）
熱膨張性粘着剤層２ａにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。
【００８２】
（熱膨張性微小球）
熱膨張性微小球としては、特に制限されず、公知の熱膨張性微小球（種々の無機系熱膨張性微小球や、有機系熱膨張性微小球など）から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、混合操作が容易である観点などより、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。
【００８３】
熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法や、界面重合法などにより製造できる。なお、熱膨張性微小球には、例えば、松本油脂製薬株式会社製の商品名「マツモトマイクロスフェアー」のシリーズ（例えば、商品名「マツモトマイクロスフェアーＦ３０」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ３０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＳＤ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＶＳＤ」など）の他、エクスパンセル社製の商品名「０５１ＤＵ」、同「０５３ＤＵ」、同「５５１ＤＵ」、同「５５１−２０ＤＵ」、同「５５１−８０ＤＵ」などの市販品を使用することができる。
【００８４】
なお、発泡剤として熱膨張性微小球を用いた場合、該熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱膨張性粘着剤層の厚みなどに応じて適宜選択することができる。熱膨張性微小球の平均粒子径としては、例えば、１００μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ〜５０μｍ、特に１μｍ〜３０μｍ）の範囲から選択することができる。なお、熱膨張性微小球の粒径の調整は、熱膨張性微小球の生成過程で行われていてもよく、生成後、分級などの手段により行われてもよい。熱膨張性微小球としては、粒径が揃えられていることが好ましい。
【００８５】
（その他の発泡剤）
本実施形態では、発泡剤としては、熱膨張性微小球以外の発泡剤も用いることもできる。このような発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤などの各種発泡剤を適宜選択して使用することができる。無機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水酸化ホウ素ナトリウム、各種アジド類などが挙げられる。
【００８６】
また、有機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、水；トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン系化合物；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３´−ジスルホニルヒドラジド、４，４´−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）などのヒドラジン系化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４´−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）などのセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ´−ジニトロソペンタメチレンテロラミン、Ｎ，Ｎ´−ジメチル−Ｎ，Ｎ´−ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ−ニトロソ系化合物などが挙げられる。
【００８７】
本実施形態では、加熱処理により、熱膨張性粘着剤層の接着力を効率よく且つ安定して低下させるため、体積膨張率が５倍以上、なかでも７倍以上、特に１０倍以上となるまで破裂しない適度な強度を有する発泡剤が好ましい。
【００８８】
発泡剤（熱膨張性微小球など）の配合量は、熱膨張性粘着剤層の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱膨張性粘着剤層を形成するベースポリマー１００重量部に対して、例えば１重量部〜１５０重量部（好ましくは１０重量部〜１３０重量部、さらに好ましくは２５重量部〜１００重量部）である。
【００８９】
本実施形態では、発泡剤としては、発泡開始温度（熱膨張開始温度）（Ｔ０）が８０℃〜２１０℃の範囲のものを好適に用いることができ、好ましくは９０℃〜２００℃（より好ましくは９５℃〜２００℃、特に好ましくは１００℃〜１７０℃）の発泡開始温度を有するものである。発泡剤の発泡開始温度が８０℃より低いと、封止体ないし研削体の製造時や使用時の熱により発泡剤が発泡してしまう場合があり、取り扱い性や生産性が低下する。一方、発泡剤の発泡開始温度が２１０℃を超える場合には、仮固定材の支持体や封止樹脂に過度の耐熱性が必要となり、取り扱い性、生産性やコスト面で好ましくない。なお、発泡剤の発泡開始温度（Ｔ０）は、熱膨張性粘着剤層の発泡開始温度（Ｔ０）に相当する。
【００９０】
なお、発泡剤を発泡させる方法（すなわち、熱膨張性粘着剤層を熱膨張させる方法）としては、公知の加熱発泡方法から適宜選択して採用することができる。
【００９１】
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱処理前の適度な接着力と加熱処理後の接着力の低下性のバランスの点から、発泡剤を含有しない形態での弾性率が２３℃〜１５０℃において５×１０４Ｐａ〜１×１０６Ｐａであることが好ましく、さらに好ましくは５×１０４Ｐａ〜８×１０５Ｐａであり、特に５×１０４Ｐａ〜５×１０５Ｐａであることが好適である。熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有しない形態での弾性率（温度：２３℃〜１５０℃）が５×１０４Ｐａ未満であると熱膨張性が劣り、剥離性が低下する場合がある。また、熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有しない形態での弾性率（温度：２３℃〜１５０℃）が１×１０６Ｐａより大きい場合、初期接着性が劣る場合がある。
【００９２】
なお、発泡剤を含有しない形態の熱膨張性粘着剤層は、粘着剤（発泡剤は含まれていない）により形成された粘着剤層に相当する。従って、熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有していない形態での弾性率は、粘着剤（発泡剤は含まれていない）を用いて測定することができる。なお、熱膨張性粘着剤層は、２３℃〜１５０℃における弾性率が５×１０４Ｐａ〜１×１０６Ｐａである粘着剤層を形成可能な粘着剤と、発泡剤とを含む熱膨張性粘着剤により形成することができる。
【００９３】
熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有しない形態での弾性率は、発泡剤が添加されていない形態の熱膨張性粘着剤層（すなわち、発泡剤が含まれていない粘着剤による粘着剤層）（サンプル）を作製し、レオメトリック社製動的粘弾性測定装置「ＡＲＥＳ」を用いて、サンプル厚さ：約１．５ｍｍで、φ７．９ｍｍパラレルプレートの治具を用い、剪断モードにて、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：５℃／分、歪み：０．１％（２３℃）、０．３％（１５０℃）にて測定し、２３℃および１５０℃で得られた剪断貯蔵弾性率Ｇ´の値とする。
【００９４】
熱膨張性粘着剤層の弾性率は、粘着剤のベースポリマーの種類、架橋剤、添加剤などを調節することによりコントロールすることができる。
【００９５】
熱膨張性粘着剤層の厚さは、特に制限されず、接着力の低減性などにより適宜に選択することができ、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ）程度である。ただし、発泡剤として熱膨張性微小球が用いられている場合、熱膨張性粘着剤層の厚さは、含まれている熱膨張性微小球の最大粒径よりも厚いことが好ましい。熱膨張性粘着剤層の厚さが薄すぎると、熱膨張性微小球の凹凸により表面平滑性が損なわれ、加熱前（未発泡状態）の接着性が低下する。また、加熱処理による熱膨張性粘着剤層の変形度が小さく、接着力が円滑に低下しにくくなる。一方、熱膨張性粘着剤層の厚さが厚すぎると、加熱処理による膨張乃至発泡後に、熱膨張性粘着剤層に凝集破壊が生じやすくなり、研削体２６に糊残りが発生する場合がある。
【００９６】
なお、熱膨張性粘着剤層は単層、複層の何れであってもよい。
【００９７】
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層には、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
【００９８】
（支持体）
支持体２ｂは、仮固定材２の強度母体となる薄板状部材である。支持体２ｂの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料、ガラスやシリコンウェハ等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、ＳＵＳプレートが好ましい。
【００９９】
支持体２ｂの厚さは目的とする強度や取り扱い性を考慮して適宜選択することができ、好ましくは１００〜５０００μｍであり、より好ましくは３００〜２０００μｍである。
【０１００】
（仮固定材の形成方法）
仮固定材２は、支持体２ｂ上に熱膨張性粘着剤層２ａを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤と、発泡剤（熱膨張性微小球など）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤（熱膨張性微小球など）、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持体２ｂ上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持体２ｂ上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。
【０１０１】
（熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法）
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱により熱膨張させることができる。加熱処理方法としては、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、熱膨張性粘着剤層中の発泡剤（熱膨張性微小球など）の発泡開始温度（熱膨張開始温度）以上であればよいが、加熱処理の条件は、発泡剤（熱膨張性微小球など）の種類等による接着面積の減少性、支持体、半導体チップを含む研削体等の耐熱性、加熱方法（熱容量、加熱手段等）などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度１００℃〜２５０℃で、１秒間〜９０秒間（ホットプレートなど）または５分間〜１５分間（熱風乾燥機など）である。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱処理時の熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。
【０１０２】
（中間層）
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層２ａと支持体２ｂとの間に、密着力の向上や加熱後の剥離性の向上等を目的とした中間層が設けられていても良い（図示せず）。中でも、中間層としてゴム状有機弾性中間層が設けられていることが好ましい。このように、ゴム状有機弾性中間層を設けることにより、半導体チップ２３を仮固定材２に接着する際に（図３Ａ参照）、熱膨張性粘着剤層２ａの表面を半導体チップ２３の表面形状に良好に追従させて、接着面積を大きくすることができるとともに、仮固定材２から研削加工後の研削体２６を加熱剥離させる際に、熱膨張性粘着剤層２ａの加熱膨張を高度に（精度よく）コントロールし、熱膨張性粘着剤層２ａを厚さ方向へ優先的に且つ均一に膨張させることができる。
【０１０３】
なお、ゴム状有機弾性中間層は、支持体２ｂの片面又は両面に介在させることができる。
【０１０４】
ゴム状有機弾性中間層は、例えば、ＡＳＴＭ  Ｄ−２２４０に基づくＤ型シュアーＤ型硬度が、５０以下、特に４０以下の天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂により形成することが好ましい。なお、ポリ塩化ビニルなどのように本質的には硬質系ポリマーであっても、可塑剤や柔軟剤等の配合剤との組み合わせによりゴム弾性が発現しうる。このような組成物も、前記ゴム状有機弾性中間層の構成材料として使用できる。
【０１０５】
ゴム状有機弾性中間層は、例えば、前記天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂などのゴム状有機弾性層形成材を含むコーティング液を基材上に塗布する方式（コーティング法）、前記ゴム状有機弾性層形成材からなるフィルム、又は予め１層以上の熱膨張性粘着剤層上に前記ゴム状有機弾性層形成材からなる層を形成した積層フィルムを基材と接着する方式（ドライラミネート法）、基材の構成材料を含む樹脂組成物と前記ゴム状有機弾性層形成材を含む樹脂組成物とを共押出しする方式（共押出し法）などの形成方法により形成することができる。
【０１０６】
なお、ゴム状有機弾性中間層は、天然ゴムや合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂を主成分とする粘着性物質で形成されていてもよく、また、かかる成分を主体とする発泡フィルム等で形成されていてもよい。発泡は、慣用の方法、例えば、機械的な攪拌による方法、反応生成ガスを利用する方法、発泡剤を使用する方法、可溶性物質を除去する方法、スプレーによる方法、シンタクチックフォームを形成する方法、焼結法などにより行うことができる。
【０１０７】
ゴム状有機弾性中間層等の中間層の厚さは、例えば、５μｍ〜３００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ程度である。なお、中間層が、例えば、ゴム状有機弾性中間層である場合、ゴム状有機弾性中間層の厚さが薄すぎると、加熱発泡後の３次元的構造変化を形成することができず、剥離性が悪化する場合がある。
【０１０８】
ゴム状有機弾性中間層等の中間層は単層であってもよく、２以上の層で構成されていてもよい。
【０１０９】
なお、中間層には、仮固定材の作用効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
【０１１０】
（半導体チップ配置工程）
半導体チップ配置工程では、上記仮固定材２上に複数の半導体チップ２３をその活性面Ａ２が仮固定材２に対向するように配置する（図３Ａ参照）。半導体チップ２３の配置には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
【０１１１】
半導体チップ２３の配置のレイアウトや配置数は、仮固定材２の形状やサイズ、目的とするパッケージの生産数などに応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて配置することができる。
【０１１２】
（封止工程）
封止工程では、複数の半導体チップ２３を覆うように封止樹脂シート２１を仮固定材２上へ積層して樹脂封止する（図３Ｂ参照）。封止樹脂シート２１の仮固定材２上への積層方法は、第１実施形態と同様の条件を採用することができる。
【０１１３】
（封止体形成工程）
封止体形成工程では、上記封止樹脂シート２１に熱硬化処理を施して封止体２５を形成する（図３Ｂ参照）。封止樹脂シート２１の熱硬化処理の条件は、第１実施形態と同様の条件を採用することができる。
【０１１４】
（研削工程）
研削工程では、封止体２５の封止樹脂シート２１を半導体チップ２３の活性面Ａ２とは反対側の表面２３Ｓが露出するように研削して研削体２６を形成する（図３Ｃ参照）。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。
【０１１５】
研削体２６における封止樹脂シートの表面２１Ｓと半導体チップの露出面２３Ｓとの最大高低差は１０μｍ以下であり、好ましくは７μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下である。研削面Ｇ２（図３Ｅ参照）における最大高低差を上記範囲とすることにより、研削体２６の研削面Ｇ２における段差の裏面Ｂ２への影響を小さくすることができ、歩留まり良く再配線２９を形成することができる。
【０１１６】
（熱膨張性粘着剤層剥離工程）
熱膨張性粘着剤層剥離工程では、仮固定材２を加熱して熱膨張性粘着剤層２ａを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層２ａと研削体２６との間で剥離を行う（図３Ｄ参照）。あるいは、支持体２ｂと熱膨張性粘着剤層２ａとの界面で剥離を行い、その後、熱膨張性粘着剤層２ａと研削体２６との界面で熱膨張による剥離を行うという手順も好適に採用することができる。いずれも場合であっても、熱膨張性粘着剤層２ａ加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層２ａと研削体２６との界面での剥離を容易に行うことができる。熱膨張の条件としては、上述の「熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法」の欄の条件を好適に採用することができる。
【０１１７】
本工程では、半導体チップ２３が露出した状態で、再配線形成工程に先だってプラズマ処理などにより研削体２６の表面をクリーニングしてもよい。
【０１１８】
（再配線形成工程）
本実施形態ではさらに、研削体２６の半導体チップ２３の活性面Ａ２側の面Ｂ２に再配線２９を形成する再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記熱膨張性粘着剤層２ａの剥離後、上記露出した半導体チップ２３と接続する再配線２９を研削体２６上に形成する（図３Ｅ参照）。
【０１１９】
再配線の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ２３上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線２９を形成することができる。
【０１２０】
かかる後に、再配線２９及び研削体２６上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。
【０１２１】
（バンプ形成工程）
次いで、形成した再配線２９上にバンプ２７を形成するバンピング加工を行ってもよい（図３Ｆ参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプ２７の材質は、第１実施形態と同様の材質を好適に用いることができる。
【０１２２】
（チップ裏面保護工程）
バンプ２７を形成した後、半導体チップ２３の露出面２３Ｓを保護するために、研削体２６Ａの研削面Ｇ２（図３Ｃ参照）を再度樹脂封止してもよい。封止方法としては特に限定されず、公知の液状やフィルム状の封止樹脂を研削面Ｇ２に塗布ないし貼り合わせ、乾燥、硬化させればよい。なお、本工程は、研削工程後であってダイシング工程前であればいずれの段階で行ってもよい。
【０１２３】
（ダイシング工程）
最後に、半導体チップ２３、封止樹脂シート２１及び再配線２９などの要素からなる積層体のダイシングを行う（図３Ｇ参照）。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体パッケージ２８を半導体チップ単位で得ることができる。ダイシング方法は、第１実施形態と同様の方法を採用することができる。
【実施例】
【０１２４】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
【０１２５】
［実施例１］
（封止樹脂シートの作製）
以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ５００μｍの封止樹脂シートＡを作製した。
【０１２６】
エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃））                ２８６部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
３０３部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ）                                                                ６部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ）                                                          ３６９５部
シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）                                                      ５部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０）                          ５部
【０１２７】
［実施例２］
（封止樹脂シートの作製）
以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ５００μｍの封止樹脂シートＢを作製した。
【０１２８】
エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃））                １６９部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
１７９部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ）                                                                ６部
エラストマー：スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体（（株）カネカ製、ＳＩＢＳＴＡＲ  ０７２Ｔ）                                      １５２部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ）                                                          １１００部
シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）                                                      ５部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０）                          ５部
難燃剤：ホスファゼン化合物（（株）伏見製薬所製、ＦＰ−１００）      ８９部
【０１２９】
［比較例１］
（封止樹脂シートの作製）
以下の成分をメチルエチルケトンに溶解ないし分散し、固形分４０重量％のワニスを作製した。
【０１３０】
液状エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、ＥＸＡ−４８５０−１５０）
８０部
固形エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ−５０１−ＨＹ）        ２０部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
６０部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ）                                                                ３部
アクリル共重合体（＊）                                            ３３０部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ）                                                            ４００部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０）                          ７部
【０１３１】
なお、上記（＊）のアクリル共重合体は、ＢＡ（ブチルアクリレート）：ＡＮ（アクリロニトリル）：ＧＭＡ（グリシジルメタクリレート）＝８５：８：７重量％からなる共重合体であり、重量平均分子量は８０万である。上記アクリル共重合体は次のように合成した。ブチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートを８５：８：７の仕込み重量比率にて、２，２’−アゾビスイソブチロニトリルを重合開始剤に用い、メチルエチルケトン中で窒素気流下、７０℃で５時間と８０℃で１時間のラジカル重合を行うことにより、目的とするアクリル共重合体を得た。
【０１３２】
離型処理を施したＰＥＴフィルム上に、溶剤乾燥後の塗膜の厚さが５０μｍになるように上記ワニスを塗工し、次いで乾燥条件を１２０℃、３分として上記塗膜を乾燥させて厚さ５０μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを、ラミネータを用いて厚み５００μｍまで積層し封止樹脂シートＣを作製した。
【０１３３】
（封止樹脂シートの貯蔵弾性率の測定）
貯蔵弾性率の測定は、固体粘弾性測定装置（レオメトリックサイエンティック社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩＩ）を用いて行った。具体的には、各封止樹脂シートを１５０℃で１時間加熱して熱硬化させ、この硬化物からサンプルサイズを長さ４００ｍｍ×幅２ｍｍ×厚さ８０μｍとして測定試料を得た後、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−５０〜３００℃の温度域での貯蔵弾性率及び損失弾性率を、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、歪み０．０５％の条件下で測定し、２５℃での貯蔵弾性率（Ｅ’）を読み取ることにより得た。
【０１３４】
（封止樹脂シートのショアＤ硬度の測定）
各封止樹脂シートを２ｍｍ厚となるようにラミネータを用いて積層し、この積層体を１５０℃で１時間加熱して熱硬化させた後、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１５に準拠し、硬度計（（株）ミツトヨ製、プラスチック用硬度計）を用いて、２５℃での測定値を読み取ることで得た。
【０１３５】
（半導体パッケージの作製）
以下の仕様の半導体チップがシリコンインターポーザーにフリップチップ実装され、チップ−インターポーザー間がビスフェノールＡ型エポキシ系熱硬化性アンダーフィル材で封止されたチップ実装インターポーザーを準備した。
【０１３６】
＜半導体チップ＞
半導体チップサイズ：７．３ｍｍ□（厚さ４００μｍ）
バンプ材質：Ｃｕ  ３０μｍ、Ｓｎ−Ａｇ  １５μｍ厚み
バンプ数：５４４バンプ
バンプピッチ：５０μｍ
チップ数：１６個（４個×４個）
【０１３７】
＜シリコンインターポーザー＞
直径：８インチ
厚さ：７３０μｍ
電極：スルーシリコンビア（径：３０μｍ）
【０１３８】
得られたチップ実装インターポーザー上に、以下に示す加熱加圧条件下、封止樹脂シートＡ〜Ｃのそれぞれを真空プレスにより貼付けた。
【０１３９】
＜貼り付け条件＞
温度：９０℃
加圧力：０．５ＭＰａ
真空度：２０００Ｐａ
プレス時間：３分
【０１４０】
大気圧に開放した後、熱風乾燥機中、１５０℃、１時間の条件で封止樹脂シートを熱硬化させ、封止体を得た。次に、切削装置（（株）ＤＩＳＣＯ製、サーフェスプレーナー「ＤＦＳ８９１０」）を用いた研削により、研削バイトの周速度１０００ｍ／ｍｉｎ、送りピッチ１００μｍ、切り込み深さ１０μｍの条件で、半導体チップの厚さが１００μｍとなるまで封止体を半導体チップ共々薄化することで、研削体を作製した。
【０１４１】
得られた研削体のシリコンインターポーザーの露出面（封止樹脂シートを貼り合わせた面とは反対側の面）を研削装置（ＤＩＳＣＯ社製、「ＤＧＰ８７６１」）によりシリコンインターポーザーの厚さが１００μｍとなるまで研削した。
【０１４２】
シリコンインターポーザーの研削面にポリアミック酸（３，４’，３，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、パラフェニレンジアミンを反応して得たもの）を塗布し、熱硬化させて、厚さ１０μｍのポリイミド層を形成した。スルーシリコンビアに対応する位置に、レーザー加工によって開口を形成し、該ビアを露出させた。開口を含むポリイミド層表面に、めっきによって金膜、ニッケル膜を順次形成した。さらに、クロム、銅の順にスパッタリングを施して、種膜（クロム層の厚さ２０ｎｍ、銅層の厚さ１００ｎｍ）を形成し、電解銅めっきにより所定の配線パターンを有する再配線層を形成することにより半導体パッケージを作製した。
【０１４３】
（研削面の最大高低差の測定）
実施例及び比較例の半導体パッケージを用い、触針式表面形状測定器（「Ｄｅｋｔａｋ  ８」、アルバック株式会社製）を用いて半導体パッケージの研削面における封止樹脂シートの表面と半導体チップの露出面との最大高低差を測定した。具体的には、図４に示すように、マトリックス状に配置されている半導体チップ１３の各行及び各列を含むように表面を行ごと及び列ごとに１回スキャニングすることにより研削面の表面形状を求め、この表面形状に基づき最大高低差を算出した。また再配線形成面にて、配線の破断があるかどうかを顕微鏡（倍率：５００倍）にて確認し、破断のない場合を「○」、破断のある場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【０１４４】
【表１】
2015053468.tif 000006
【０１４５】
表１からも明らかなように、実施例１及び２では、研削後の最大高低差が１０μｍ以下であることから、半導体パッケージの回路面要素としての再配線の形成を歩留りよく行うことができるのに対し、比較例１の半導体パッケージでは、最大高低差が１０μｍを超えていることから、再配線の形成性に劣る結果となった。
【符号の説明】
【０１４６】
１１、２１    封止樹脂シート
１１Ｓ、２１Ｓ    （研削後の）封止樹脂シートの表面
１２Ａ    （研削前の）半導体ウェハ
１２Ｂ    （研削後の）半導体ウェハ
１３、２３    半導体チップ
１３Ｓ、２３Ｓ    （研削後の）半導体チップの露出面
１５、２５    封止体
１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、２６    研削体
１８、２８    半導体パッケージ
１９、２９    再配線
【図１Ａ】
2015053468.tif 000007
【図１Ｂ】
2015053468.tif 000008
【図１Ｃ】
2015053468.tif 000009
【図１Ｄ】
2015053468.tif 000010
【図１Ｅ】
2015053468.tif 000011
【図１Ｆ】
2015053468.tif 000012
【図１Ｇ】
2015053468.tif 000013
【図２】
2015053468.tif 000014
【図３Ａ】
2015053468.tif 000015
【図３Ｂ】
2015053468.tif 000016
【図３Ｃ】
2015053468.tif 000017
【図３Ｄ】
2015053468.tif 000018
【図３Ｅ】
2015053468.tif 000019
【図３Ｆ】
2015053468.tif 000020
【図３Ｇ】
2015053468.tif 000021
【図４】
2015053468.tif 000022