(57)【要約】【課題】インプリント材を基板上の目標領域内に正確に供給するために有利な技術を提供する。【解決手段】パターンが形成されたモールドを用いて、基板上のインプリント材を成形するインプリント装置は、前記基板上に前記インプリント材が供給されるように前記インプリント材を吐出する吐出部と、前記吐出部から吐出された前記インプリント材の動きが調整されるように、前記吐出部と前記基板との間の空間における気体の流れを制御する気体制御部と、前記吐出部から吐出された前記インプリント材が前記基板上の目標領域内に供給されるように前記気体制御部を制御する制御部とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたモールドを用いて、基板上のインプリント材を成形するインプリント装置であって、
前記基板上に前記インプリント材を吐出する吐出部と、
前記吐出部から吐出された前記インプリント材の動きが調整されるように、前記吐出部と前記基板との間の空間における気体の流れを制御する気体制御部と、
前記吐出部から吐出された前記インプリント材が前記基板上の目標領域内に供給されるように前記気体制御部を制御する制御部と、
を含む、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板の面と平行な方向に前記基板を移動させながら前記吐出部に前記インプリント材を吐出させる、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板を移動させている状態で前記インプリント材が供給される前記基板上の位置が、前記基板が静止している状態で前記インプリント材が供給される前記基板上の位置に近づくように前記気体制御部を制御する、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記気体制御部は、前記基板に向けて気体を噴射することにより前記空間における気体の流れを制御する、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記気体制御部は、前記空間から遠ざかる方向に向けて気体を噴射する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記気体制御部は、前記吐出部を取り囲むように配置され、気体をそれぞれ噴射する複数の噴射口を有し、
前記制御部は、前記複数の噴射口の各々における気体の噴射を個別に制御する、ことを特徴とする請求項４又は５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記気体制御部は、前記空間に向かって流れる気体を吸引することにより前記空間における気体の流れを制御する、請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記吐出部と前記気体制御部との間に配置され、前記インプリント材が供給された前記基板上の位置を計測する計測部を含み、
前記制御部は、前記計測部の計測結果に基づいて前記気体制御部を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記基板と第２基板とを保持して移動可能な基板ステージを含み、
前記制御部は、前記吐出部によって前記インプリント材が供給された前記第２基板上の位置に基づいて、前記吐出部に前記インプリント材を前記基板上に供給させているときの前記気体制御部を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記基板を保持して移動可能な第１基板ステージと、第２基板を保持して移動可能な第２基板ステージとを更に含み、
前記制御部は、前記吐出部によって前記インプリント材が供給された前記第２基板上の位置に基づいて、前記吐出部に前記インプリント材を前記基板上に供給させているときの前記気体制御部を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上のインプリント材をモールドにより成形するインプリント装置が、磁気記憶媒体や半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを剥離（離型）することにより、基板上にパターンを形成することができる。
【０００３】
インプリント装置では、基板上の目標領域内にインプリント材を正確に供給することが求められている。特許文献１には、インプリント材を基板に向けて吐出する吐出部の位置を計測し、その計測結果に基づいて、インプリント材が基板上の目標領域内に供給されるように基板の位置決めを制御する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１５１０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インプリント装置では、吐出部がインプリント材を吐出している間において、吐出部と基板との間の空間に気体の流れが生じていることがある。この場合、特許文献１に記載されているように吐出部の位置の計測結果に基づいて基板の位置決めを制御しても、基板にインプリント材が供給される位置がこの気体の流れの影響を受けうる。
【０００６】
そこで、本発明は、インプリント材を基板上の目標領域内に正確に供給するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、パターンが形成されたモールドを用いて、基板上のインプリント材を成形するインプリント装置であって、前記基板上に前記インプリント材が供給されるように前記インプリント材を吐出する吐出部と、前記吐出部から吐出された前記インプリント材の動きが調整されるように、前記吐出部と前記基板との間の空間における気体の流れを制御する気体制御部と、前記吐出部から吐出された前記インプリント材が前記基板上の目標領域内に供給されるように前記気体制御部を制御する制御部と、を含む、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、インプリント材を基板上の目標領域内に正確に供給するために有利な技術を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示す概略図である。
【図２】吐出部によって基板上にインプリント材を供給する工程を示す図である。
【図３】第１実施形態のインプリント装置におけるインプリント処理について説明するための図である。
【図４】気体制御部が基板に向けて気体を噴射することによって、吐出部と基板との間の空間における気体の流れを制御する例について説明するための図である。
【図５】気体制御部における複数の噴射口の配置を示す図である。
【図６】気体制御部から噴射される気体の流速を決定する方法を示すフローチャートである。
【図７】計測部の構成および配置を示す図である。
【図８】第２実施形態のインプリント装置を示す概略図である。
【図９】第３実施形態のインプリント装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について説明する。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、基板１６上のインプリント材１５をモールド１により成形して基板１６上にパターンを形成するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置１００は、パターン２０が形成されたモールド１を基板上のインプリント材１５（樹脂）に接触させた状態でインプリント材を硬化させる。そして、インプリント装置１００は、モールド１と基板１６との間隔を広げ、硬化したインプリント材１５からモールド１を剥離（離型）することによって基板上にパターンを形成することができる。インプリント材１５を硬化する方法には熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、第１実施形態では、光硬化法を採用したインプリント装置１００について説明する。光硬化法とは、インプリント材１５として未硬化の紫外線硬化樹脂を基板上に供給し、モールド１とインプリント材１５とを接触させた状態でインプリント材１５に紫外線を照射することにより当該インプリント材１５を硬化させる方法である。紫外線の照射によりインプリント材１５が硬化した後、インプリント材１５からモールド１を剥離することによって基板上にパターンを形成することができる。
【００１３】
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００を示す概略図である。インプリント装置１００は、モールド１を保持するインプリントヘッド１２と、基板１６を保持する基板ステージ２１と、基板上のインプリント材１５に紫外線を照射する照射部２２と、インプリント材１５を吐出する吐出部２と、制御部１０とを含みうる。制御部１０は、例えばＣＰＵやメモリなどを有し、インプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）。
【００１４】
モールド１は、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域）には、基板に転写する凹凸のパターン２０が形成されている。また、基板１６には、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが用いられうる。基板１６の上面（被処理面）には、後述する吐出部２によってインプリント材１５（樹脂）が供給される。
【００１５】
インプリントヘッド１２は、例えば真空吸着力や静電力などによりモールド１を保持し、モールド１のパターン領域と基板上のインプリント材１５とを接触させたり剥離させたりするようにモールド１をＺ方向に駆動する。インプリントヘッド１２は、Ｚ方向にモールド１を駆動する機能だけでなく、ＸＹ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）におけるモールド１の位置を調整する調整機能や、モールド１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１と基板１６との間の距離を変える動作がインプリントヘッド１２によって行われるが、それに限られるものではなく、基板ステージ２１によって行われてもよいし、双方で相対的に行われてもよい。
【００１６】
基板ステージ２１は、例えば真空吸着力や静電力などにより基板を保持する基板チャック２１ａと、基板チャック２１ａを機械的に保持して移動可能に構成された基板駆動部２１ｂとを含み、基板１６のＸＹ方向における位置合わせを行う。基板ステージ２１は、ＸＹ方向に基板１６を移動させる機能だけでなく、Ｚ方向に基板１６を移動させる機能や、θ方向における基板１６の位置を調整する調整機能などを有していてもよい。
【００１７】
照射部２２は、インプリント処理の際に、基板上に供給されたインプリント材１５に光（紫外線）を照射し、当該インプリント材１５を硬化する。照射部２２は、例えば、インプリント材１５を硬化させる光（紫外線）を射出する光源と、当該光源から射出された光をインプリント処理において適切な光に調整するための光学素子とを含みうる。ここで、第１実施形態では光硬化法が採用されているため、紫外線を射出する光源が照射部２２に含まれているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、照射部２２の代わりにインプリント材としての熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源を用いる。
【００１８】
吐出部２は、基板上にインプリント材１５が供給されるようにインプリント材１５を基板１６に向けて吐出する。上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００では光硬化法が採用されているため、吐出部２は、紫外線の照射によって硬化する性質を有する樹脂をインプリント材１５として基板上に供給する。ここで、吐出部２が基板上にインプリント材１５を供給する手順について説明する。第１実施形態の吐出部２は、例えば、基板１６の面と平行な一方向に沿って配列し、インプリント材１５の液滴をそれぞれ吐出する複数のノズル２ａを含みうる。そして、吐出部２は、基板１６の面と平行な方向（ＸＹ方向）に基板１６が移動している状態で、複数のノズル２ａからインプリント材１５の液滴を連続的に吐出する。これにより、基板上の所定の領域（例えば、インプリント処理を行う対象のショット領域）にインプリント材１５の液滴を二次元的に配列することができる。このように吐出部２によって基板上にインプリント材１５を供給する工程は、制御部１０によって制御される。
【００１９】
例えば、制御部１０は、図２（Ａ）に示すように、基板１６を矢印１３ａの方向に移動させながら、吐出部２に複数のノズル２ａからインプリント材１５の液滴を連続的に吐出させる。これにより、図２（Ｂ）に示すように、基板上の領域９ａにインプリント材１５の液滴を二次元的に配列することができる。このようにインプリント材１５が供給された基板上の領域９ａには、モールド１とインプリント材１５とを接触させた状態で当該インプリント材１５に光を照射することにより、モールド１のパターン２０が転写されうる。
【００２０】
領域９ａへのパターンの転写が終了した後、制御部１０は、図２（Ｃ）に示すような基板１６と吐出部２との相対位置になるように基板１６を移動させる。そして、制御部１０は、図２（Ｃ）に示すように、基板１６を矢印１３ｃの方向に移動させながら、吐出部２に複数のノズル２ａからインプリント材１５の液滴を連続的に吐出させる。これにより、図２（Ｄ）に示すように、基板上の領域９ｂにインプリント材１５の液滴を二次元的に配列することができる。このようにインプリント材１５が供給された基板上の領域９ｂには、モールド１とインプリント材１５とを接触させた状態で当該インプリント材１５に光を照射することにより、モールド１のパターン２０が転写されうる。
【００２１】
次に、第１実施形態のインプリント装置１００におけるインプリント処理について、図３を参照しながら説明する。まず、制御部１０は、基板ステージ２１を制御して基板１６を移動させ、モールド１のパターン２０を転写すべき基板上の転写領域を吐出部２の下に配置させる。転写領域が吐出部２の下に配置されると、制御部１０は、図３（Ａ）に示すように、基板ステージ２１（基板１６）を移動させながら、吐出部２に複数のノズル２ａからインプリント材１５の液滴を連続的に吐出させる。そして、制御部１０は、転写領域にインプリント材１５が供給された後、基板ステージ２１を制御して基板１６を移動させ、図３（Ｂ）に示すように、モールド１のパターン領域の下に基板上の転写領域を配置させる。
【００２２】
モールド１のパターン領域の下に転写領域が配置されると、制御部１０は、パターン領域と転写領域との位置合わせを行う。そして、制御部１０は、インプリントヘッド１２を制御してモールド１を−Ｚ方向に移動させ、図３（Ｃ）に示すように、モールド１のパターン領域と基板上のインプリント材１５とを接触させる。制御部１０は、モールド１のパターン領域と基板上のインプリント材１５とを接触させた状態で所定の時間を経過させる。これにより、基板上のインプリント材１５をモールド１のパターン２０の隅々まで充填することができる。所定の時間が経過した後、制御部１０は、基板上のインプリント材１５にモールド１を介して光を照射するように照射部２２を制御する。そして、制御部１０は、インプリントヘッド１２を制御してモールドを＋Ｚ方向に移動させ、モールド１を基板上のインプリント材１５から剥離させる。これにより、図３（Ｄ）に示すように、モールド１のパターン２０を基板上のインプリント材１５に転写することができる。
【００２３】
インプリント装置では、基板上の目標領域内にインプリント材１５(液滴)を正確に供給することが求められている。しかしながら、インプリント装置では、吐出部２によってインプリント材１５を基板上に供給している間において、吐出部２と基板１６との間の空間に気体の流れが生じていることがある。例えば、気体の流れは、上述のように基板１６を移動させながら当該基板上にインプリント材１５を供給する場合における基板１６の移動によって生じうる。第１実施形態では基板１６の移動によって気体の流れが生じる場合について説明しているが、吐出部２と基板１６とが相対的に移動すれば気体の流れが生じる恐れがある。そのため、吐出部２が移動してインプリント材を供給する場合についても、気体の流れが生じうる。また、気体の流れは、インプリント材１５の酸素による性能劣化を防止するためにモールド１やインプリントヘッド１２の周辺に窒素やヘリウムなどの気体を供給する場合における気体の供給によっても生じうる。このように吐出部２と基板１６との間の空間に気体の流れが生じている場合、インプリント材１５を基板上の目標領域内に正確に供給することが困難になりうる。
【００２４】
そこで、第１実施形態のインプリント装置１００では、吐出部２から吐出されたインプリント材１５の液滴の動きが調整されるように吐出部２と基板１６との間の空間における気体の流れを制御する気体制御部４が、吐出部２の近傍に設けられている。そして、制御部１０は、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が基板上の目標領域内に供給されるように気体制御部４を制御する。気体制御部４は、例えば、その内部にファン７を有しており、そのファン７を駆動させることによって基板１６に向けて気体を噴射したり、吐出部２と基板１６との間の空間の気体を吸引したりすることができる。そして、気体制御部４は、気体を噴射したり吸引したりすることによって、吐出部２と基板１６との間の空間における気体の流れを制御することができる。以下では、気体制御部４が基板１６に向けて気体を噴射することによって当該空間における気体の流れを制御する例について説明する。
【００２５】
図４（Ａ）に示すように吐出部２と基板１６との間の空間に気体の流れが生じていない場合において、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が基板上の目標領域内（目標位置）に供給されるものとする。例えば、吐出部２と基板１６との相対位置が変化しないときにインプリント材の液滴が目標位置に供給される。このとき、図４（Ｂ）に示すように吐出部２と基板１６との間の空間に気体の流れが生じると、吐出部２から吐出されたインプリント材１５がその気体の流れによって流され（動き）、インプリント材１５が目標領域内に供給されなくなる。例えば、吐出部２と基板１６との相対位置が変化するときにインプリント材の液滴が目標位置からずれた位置に供給される。そこで、制御部１０は、図４（Ｃ）に示すように、基板１６に向けて気体を噴射するように気体制御部４を制御する。これにより、インプリント装置１００は、吐出部２と基板１６との間の空間における気体の流速を当該空間の外側における気体の流速より小さくすることができる。その結果、インプリント装置１００は、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が当該空間における気体の流れによって流されることを低減し、インプリント材１５を基板上の目標領域内に供給することができる。このように、インプリント材の液滴を、目標位置からのずれを小さくして基板上に供給することができる。
【００２６】
ここで、気体制御部４は、吐出部２と基板１６との間の空間から遠ざかる方向に気体を噴射するように構成されることが好ましい。また、気体制御部４は、図５に示すように吐出部２を取り囲むように配置され、かつ気体をそれぞれ噴射する複数の噴射口６を有するように構成されることが好ましい。このように構成された気体制御部４では、吐出部２と基板１６との間の空間における気体の流れに応じて、複数の噴射口６の各々における気体の噴射が制御部１０によって個別に制御されうる。
【００２７】
例えば、図５において、吐出部２と基板１６との間を−Ｙ方向から＋Ｙ方向に向かって気体が流れている場合を想定する。この場合では、制御部１０は、吐出部２の−Ｙ方向側に配置された噴射口６から噴射される気体の流速の方が、吐出部２の＋Ｙ方向側に配置された噴射口６から噴射される気体の流速より大きくなるように気体制御部４を制御しうる。一方で、図５において、吐出部２と基板１６との間を＋Ｙ方向から−Ｙ方向に向かって気体が流れている場合を想定する。この場合では、制御部１０は、吐出部２の＋Ｙ方向側に配置された噴射口６から噴射される気体の流速の方が、吐出部２の−Ｙ方向側に配置された噴射口６から噴射される気体の流速より大きくなるように気体制御部４を制御しうる。また、例えば、吐出部２と基板１６との間を＋Ｙ方向（または−Ｙ方向）に向かって流れる気体の流速がＸ方向において異なる場合では、制御部１０は、複数の噴射口６から噴射される気体の流速がＸ方向において異なるように気体制御部４を制御しうる。
【００２８】
次に、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が基板上の目標領域内に供給されるように、基板１６にインプリント材１５を供給している間において気体制御部４から噴射される気体の流速を決定する方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、気体制御部４から噴射される気体の流速を決定する方法を示すフローチャートである。ここで、気体制御部４から噴射される気体の流速は、インプリント処理が行われる基板１６を用いて決定されてもよいが、例えば、インプリント処理が行われないダミー基板２５（第２基板）を用いて決定されることが好ましい。即ち、図６に示すフローチャートの各工程は、ダミー基板２５を用いて行われることが好ましい。以下の説明おいて記される「基板１６」は、「ダミー基板２５」を含むものとする。
【００２９】
Ｓ３１では、制御部１０は、基板１６を静止させた状態において、基板上にインプリント材１５が供給されるように吐出部２にインプリント材１５を吐出させる。このように基板１６を静止させることにより、吐出部２と基板１６との間の空間において基板１６の移動に起因して生じる気体の流れを抑制し、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が当該気体の流れによって流されることを抑制することができる。また、Ｓ３１では、モールド１やインプリントヘッド１２の周辺への気体（窒素やヘリウムなど）の供給も停止させることが好ましい。このように気体の供給を停止することにより、吐出部２と基板１６との間の空間において気体の供給に起因して生じる気体の流れを抑制し、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が当該気体の流れによって流されることを抑制することができる。
【００３０】
Ｓ３２では、制御部１０は、Ｓ３１において吐出部２によって基板上に供給されたインプリント材１５の基板上の位置（以下、第１位置）を取得する。第１位置は、例えば、インプリント装置１００内に設けられた計測部１１によって計測されうる。計測部１１は、図７に示すように、吐出部２と気体制御部４との間に配置され、光学系１１ａと撮像素子１１ｂと処理部１１ｃとを含みうる。計測部１１は、基板上に供給されたインプリント材１５の画像を光学系１１ａと撮像素子１１ｂとによって取り込み、取り込んだ画像を処理部１１ｃによって処理して当該インプリント材１５の位置（例えば、インプリント材の液滴の中心座標）を求める。そして、制御部１０は、計測部１１によって計測されたインプリント材１５の中心座標（計測結果）を第１位置として取得する。ここで、基板上に供給されたインプリント材１５の液滴は、直径が１００μｍ程度の円形状に拡がるが、中心座標は、１μｍ以下の精度で求めることができる。そして、制御部１０は、計測部１１によって求められた第１位置を取得して記憶する。ここでは、第１位置を計測部１１を用いて計測する例について説明したが、それに限られるものではない。例えば、モールド１と基板１６との位置合わせを行うためにインプリント装置１００内に設けられたアライメント計測部を用いて第１位置を計測してもよいし、インプリント装置１００の外部に設けられた計測装置を用いて第１位置を計測してもよい。
【００３１】
Ｓ３３では、制御部１０は、基板１６を移動させている状態において、基板上にインプリント材１５が供給されるように吐出部２にインプリント材１５を吐出させる。Ｓ３３では、制御部１０は、基板１６を移動させながら、吐出部２における複数のノズル２ａからインプリント材１５の液滴を連続的に吐出させる。即ち、Ｓ３３では、制御部１０は、実際にインプリント処理が行われる際の条件の下で、基板１６を移動させながら吐出部２にインプリント材１５を吐出させる。これにより、吐出部２と基板１６との間の空間において基板１６の移動に起因して生じる気体の流れを発生させることができる。また、Ｓ３３では、実際にインプリント処理が行われる際の条件の下で、モールド１やインプリントヘッド１２の周辺への気体（窒素やヘリウムなど）の供給を行うことが好ましい。これにより、吐出部２と基板１６との間の空間において気体の供給に起因して生じる気体の流れを発生させることができる。このように、実際にインプリント処理が行われる際の条件の下で、基板１６の移動や気体の供給を行うことにより、実際にインプリント処理が行われる状態でインプリント材１５を基板上に供給することができる。
【００３２】
Ｓ３４では、制御部１０は、Ｓ３３において吐出部２によって基板上に供給されたインプリント材１５の基板上の位置（以下、第２位置）を取得する。第２位置は、例えば、計測部１１によって計測されてもよいし、アライメント計測部や外部の計測装置によって計測されてもよい。計測部１１を用いる場合では、計測部１１は、基板上に供給されたインプリント材１５の画像を光学系１１ａと撮像素子１１ｂとによって取り込み、取り込んだ画像を処理部１１ｃによって処理して当該インプリント材１５の中心座標を求める。そして、制御部１０は、計測部１１によって計測されたインプリント材１５の中心座標（計測結果）を第２位置として取得する。Ｓ３５では、制御部１０は、Ｓ３２で取得された第１位置とＳ３４で取得された第２位置との差を求め、当該差が許容範囲内に収まっているか否かを判断する。第１位置と第２位置との差が許容範囲内に収まっていない場合はＳ３６に進む。Ｓ３６では、制御部１０は、第１位置と第２位置との差が許容範囲内に収まるように、気体制御部４から噴射される気体の流速を変更する。そして、制御部１０は、気体制御部４から噴射される気体の流速を変更した状態においてＳ３３に戻り、基板１６を移動させながら吐出部２にインプリント材１５を吐出させる。
【００３３】
一方で、第１位置と第２位置との差が許容範囲内に収まっている場合はＳ３７に進む。Ｓ３７では、制御部１０は、第１位置と第２位置との差が許容範囲に収まっているときに気体制御部４から噴射される気体の流速を、実際にインプリント処理を行うときに気体制御部４から噴射させる気体の流速として決定する。ここで、制御部１０は、第１位置と第２位置との差を、気体制御部４における複数のノズル２ａの各々について求めるとよい。また、制御部１０は、各ノズル２ａについて求められた当該差に基づいて、気体制御部４における複数の噴射口６の各々についての気体の流速を決定するとよい。
【００３４】
上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００は、吐出部２から吐出されたインプリント材１５の動きが調整されるように吐出部２と基板１６との間の空間における気体の流れを制御する気体制御部４を含む。そして、制御部１０は、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が基板上の目標領域内に供給されるように気体制御部４を制御する。これにより、インプリント装置１００は、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が当該空間における気体の流れによって流されることを低減し、インプリント材１５を基板上の目標領域内に供給することができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態のインプリント装置２００について、図８を参照しながら説明する。図８は、第２実施形態のインプリント装置２００を示す概略図である。第２実施形態のインプリント装置２００は、第１実施形態のインプリント装置１００と比べて基板ステージ２１の構成が異なっている。第２実施形態のインプリント装置２００では、基板ステージ２１は、インプリント処理が行われる基板１６とダミー基板２５（第２基板）とを保持して移動可能に構成されている。このようにインプリント装置２００を構成することにより、インプリント処理が行われる基板１６が基板ステージ２１によって保持された状態で、図６に示すフローチャートの各工程を行うことができる。
【００３６】
ここで、第２実施形態のインプリント装置２００では、ダミー基板２５を取り囲んで、吐出部２とダミー基板２５との間に流入する気体を制限するように構成された制限部材２６を基板ステージ２１に設けてもよい。このように基板ステージ２１に制限部材２６を設けることにより、図６におけるＳ３１において吐出部２にインプリント材１５を吐出させる際に、吐出部２とダミー基板２５との間の空間に気体が流入することを抑制することができる。これにより、吐出部２とダミー基板２５との間の空間に気体が流入することに起因して、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が当該気体の流入によって流されることを抑制することができる。
【００３７】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態のインプリント装置３００について、図９を参照しながら説明する。図９は、第３実施形態のインプリント装置３００を示す概略図である。第３実施形態のインプリント装置３００は、第１実施形態のインプリント装置１００と比べて、ダミー基板２５（第２基板）を保持して移動可能な第２基板ステージ２４を更に含む。この第２基板ステージ２４は、ダミー基板２５を用いない場合には、ダミー基板２５を退避位置にまで移動させることができるように構成されている。このようにインプリント装置３００を構成することにより、インプリント処理が行われる基板１６が基板ステージ２１によって保持された状態で、図６に示すフローチャートの各工程を行うことができる。
【００３８】
ここで、第３実施形態のインプリント装置３００では、ダミー基板２５を取り囲んで、吐出部２とダミー基板２５との間に流入する気体を制限するように構成された制限部材２７を第２基板ステージ２４に設けてもよい。このように第２基板ステージ２４に制限部材２７を設けることにより、図６におけるＳ３１において吐出部２にインプリント材１５を吐出させる際に、吐出部２とダミー基板２５との間の空間に気体が流入することを抑制することができる。これにより、吐出部２とダミー基板２５との間の空間に気体が流入することに起因して、吐出部２から吐出されたインプリント材１５が当該気体の流入によって流されることを抑制することができる。
【００３９】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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