(57)【要約】【課題】  ダイボンディング工程において不良を発生させる恐れを低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。【解決手段】  表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面にダイボンディング用フィルムを介してダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップを実施した後、該ダイシングテープを介してウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面から切削ブレードを該ダイシングテープに至るまで切り込ませ、該分割予定ラインに沿って切削してウエーハと該ダイボンディング用フィルムを分断する分断溝を形成する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、該分断溝に沿って熱を照射して該切削ステップで発生した該ダイボンディング用フィルムの髭状のバリを縮小溶融させる熱照射ステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面にダイボンディング用フィルムを介してダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップを実施した後、該ダイシングテープを介してウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面から切削ブレードを該ダイシングテープに至るまで切り込ませ、該分割予定ラインに沿って切削してウエーハと該ダイボンディング用フィルムを分断する分断溝を形成する切削ステップと、
該切削ステップを実施した後、該分断溝に沿って熱を照射して該切削ステップで発生した該ダイボンディング用フィルムの髭状のバリを縮小溶融させる熱照射ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンディング用フィルム付きウエーハを分割して複数のダイボンディング用フィルム付きチップを形成するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスへと分割することで半導体デバイスが形成される。
【０００３】
分割された半導体デバイスは、金属製基板（リードフレーム）やテープ基板等にダイボンディング（接着）され、これらの金属製基板やテープ基板が分割されることで個々の半導体チップが製造される。こうして製造された半導体チップは、携帯電話やパソコン等の各種電子機器に広く使用されている。
【０００４】
半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やＡｕ−Ｓｉ共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。
【０００５】
近年では、例えば特開２０００−１８２９９５号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）やＤＢＦ（Ｄｉｅ  Ｂｏｎｄ  Ｆｉｌｍ）と称されるシート状のダイボンド用フィルムを貼着しておく方法が広く採用されている。
【０００６】
即ち、ＤＡＦが接着された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで、ＤＡＦが裏面に装着された半導体チップを形成する。その後、半導体チップ裏面のＤＡＦを介して半導体チップを基板上にダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体チップの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、ＤＡＦは延性が高いため、ＤＡＦが接着された半導体ウエーハを切削ブレードで切削すると、切削されたＤＡＦに髭状のバリが発生してボンディング時の断線の原因になるという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ダイボンディング工程において不良を発生させる恐れを低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によると、表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面にダイボンディング用フィルムを介してダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップを実施した後、該ダイシングテープを介してウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面から切削ブレードを該ダイシングテープに至るまで切り込ませ、該分割予定ラインに沿って切削してウエーハと該ダイボンディング用フィルムを分断する分断溝を形成する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、該分断溝に沿って熱を照射して該切削ステップで発生した該ダイボンディング用フィルムの髭状のバリを縮小溶融させる熱照射ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のウエーハの加工方法では、ウエーハを切削した後、切削して形成した分断溝に熱を照射する熱照射ステップを実施する。分断溝に熱を照射することで、切削ステップで発生したダイボンディング用フィルムの髭状のバリは収縮し溶融するため、バリが分割されたチップの表面に達して表面に付着する恐れを低減することができ、後のボンディング工程において不良を発生させる恐れを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図２】テープ貼着ステップを示す斜視図である。
【図３】保持ステップを示す一部断面側面図である。
【図４】切削ステップを示す一部断面側面図である。
【図５】熱照射ステップを示す一部断面側面図である。
【図６】ピックアップステップを示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウエーハ（以下、単にウエーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。
【００１４】
半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが１００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ１７が形成されている。１１ｂはウエーハ１１の裏面である。
【００１５】
本発明のウエーハの加工方法では、まず図２に示すように、ウエーハ１１の裏面をＤＡＦ等のダイボンディング用フィルム１２に貼着し、ダイボンディング用フィルム１２を外周部が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴに貼着する。即ち、ウエーハ１１の裏面１１ｂをダイボンディング用フィルム１２を介してダイシングテープＴに貼着するテープ貼着ステップを実施する。
【００１６】
テープ貼着ステップを実施した後、図３に示すように、切削装置のチャックテーブル１４でダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持する保持ステップを実施する。環状フレームＦはクランプ１６によりクランプして固定する。
【００１７】
次いで、図示しない切削装置の撮像ユニットでチャックテーブル１４に保持されたウエーハ１１を撮像し、撮像画像からパターンマッチング等の画像処理により切削すべきストリート１３を検出するアライメントを実施する。
【００１８】
アライメントを実施した後、図４に示すように、スピンドル１８に装着された切削ブレード２０を矢印Ａ方向に高速回転させながら、ウエーハ１１の表面１１ａからダイシングテープＴに至るまで切り込ませ、チャックテーブル１４を加工送りすることにより、分割予定ライン１３に沿って切削してウエーハ１１とダイボンディング用フィルム１２を分断する分断溝１９を形成する切削ステップを実施する。
【００１９】
この切削ステップは、切削ブレード２０を割り出し送りしながら第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って実施後、チャックテーブル１４を９０°回転し、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って実施し、ウエーハ１１を裏面にダイボンディング用フィルム１２が貼着された個々のチップ２１に分割する。
【００２０】
ダイボンディング用フィルム１２は延性が高いため、ダイボンディング用フィルム１２が貼着されたウエーハ１１を切削ブレード２０で切削すると髭状のバリ２２が発生し、このバリ２２がチップ２１の表面に付着することがある。チップ２１の表面に付着したバリ２２をそのまま残しておくと、チップ２１ボンディング時の断線の原因になるという問題がある。
【００２１】
従って、本発明では、図５に示すように、熱照射装置のチャックテーブル１４ＡでダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、クランプ１６Ａで環状フレームＦをクランプして固定する。
【００２２】
そして、ヒーター又は熱照射ランプ２４からウエーハ１１の分断溝１９に沿って熱を照射して、切削ステップで発生したダイボンディング用フィルム１２の髭状のバリ２２を縮小溶融させ、チップ２１の表面からはバリ２２を完全に除去する（熱照射ステップ）。
【００２３】
熱照射ステップ実施後、図６に示すように、ピックアップ装置のチャックテーブル１４ＢでダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、環状フレームＦをクランプ１６Ｂでクランプして固定する。そして、ピックアップコレット２６により裏面にダイボンディング用フィルム１２が貼着されたチップ２１をピックアップし、チップ収容容器等に収容する。
【００２４】
本発明のウエーハの加工方法で製造されたチップ２１は、熱照射ステップでダイボンディング用フィルム１２の髭状のバリ２２を縮小させてチップ２１の表面から除去しているため、チップ２１のダイボンディング時に断線等の不良を発生させる恐れを低減できる。
【符号の説明】
【００２５】
１１    半導体ウエーハ
１２    ダイボンディング用フィルム
１４，１４Ａ，１４Ｂ    チャックテーブル
１９    分断溝
２０    切削ブレード
２２    バリ
２４    熱照射ランプ
２６    ピックアップコレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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