(57)【要約】【課題】コンデンサ内蔵基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るコンデンサ内蔵基板は、第１回路を含むセラミック層と、上記セラミック層の一面に形成される収容溝と、上記収容溝に挿入されるコンデンサ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）と、上記コンデンサが上記収容溝に内蔵されるように、上記セラミック層上に積層され、上記第１回路と電気的に接続する第２回路を含むポリマ層と、上記ポリマ層を貫通して上記コンデンサと接続するビア電極を含むことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１回路を含むセラミック層と、
前記セラミック層の一面に形成される収容溝と、
前記収容溝に挿入されるコンデンサ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）と、
前記コンデンサが前記収容溝に内蔵されるように、前記セラミック層上に積層され、前記第１回路と電気的に接続される第２回路を含むポリマ層と、
前記ポリマ層を貫通して前記コンデンサと接続するビア電極と、
を含むコンデンサ内蔵基板。
【請求項２】
前記コンデンサが固定されるように、前記収容溝の内部に充填される樹脂材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項３】
前記樹脂材が前記コンデンサをカバーし、前記ビア電極が、前記樹脂材を貫通することを特徴とする請求項２に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項４】
前記収容溝の深さが、前記コンデンサの厚みよりも小さく形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項５】
前記ポリマ層が、複数のレイヤを含み、
前記ビア電極が、前記複数のレイヤを前記ポリマ層に対して垂直に貫通することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項６】
前記ビア電極と接続するように、前記ポリマ層に形成されるパッド電極をさらに含む請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項７】
前記ポリマ層の厚みが、前記セラミック層の厚みよりも小さく形成されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか1項に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項８】
前記収容溝が、前記セラミック層の内側に配置されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか1項に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項９】
前記ポリマ層が、ポリイミドを含むことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項１０】
第１回路を含むセラミック層の一面に収容溝を形成するステップと、
前記収容溝内にコンデンサを挿入するステップと、
前記コンデンサを前記収容溝に内蔵するために、前記第１回路と電気的に接続される第２回路を含むポリマ層を前記セラミック層上に積層するステップと、
前記ポリマ層を貫通して前記コンデンサと電気的に接続するビア電極を形成するステップと、
を含むコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１１】
前記セラミック層に収容溝を形成するステップの前に、
セラミックシートを積層してセラミック層を形成するステップと、
前記セラミック層を焼成するステップと、をさらに含む請求項１０に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１２】
前記収容溝内にコンデンサを挿入するステップの前または後に、前記収容溝の内部に樹脂材を充填するステップをさらに含む請求項１０または請求項１１に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１３】
前記収容溝を形成するステップにおいて、
前記収容溝の深さが、前記コンデンサの厚みよりも大きく形成され、
前記ビア電極を形成するステップにおいて、
前記ビア電極が、前記コンデンサをカバーする前記樹脂材を貫通することを特徴とする請求項１２に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ポリマ層を前記セラミック層上に積層するステップにおいて、
前記ポリマ層の厚みが前記セラミック層の厚みよりも小さく形成されることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ポリマ層が、複数のレイヤを含み、
前記ビア電極を形成するステップでは、
前記ビア電極が前記複数のレイヤを前記ポリマ層に対して垂直に貫通することを特徴とする請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ビア電極を形成するステップが、
前記コンデンサの外部電極が露出するように、前記ポリマ層にビアホールを形成するステップと、
前記ビアホール内に導電体を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１７】
前記導電体を形成するステップが、
前記ビアホールの内部をカバーするように、前記ポリマ層上にシード層を形成するステップと、
前記シード層上にレジストを形成するステップと、
前記シード層が露出するように、前記レジストに開口部を形成するステップと、
前記開口部内にメッキ層を形成するステップと、
前記シード層及び前記レジストを除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項１６に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１８】
前記ビア電極を形成するステップの後に、
前記ビア電極と接続するように、前記ポリマ層にパッド電極を形成するステップをさらに含む請求項１０から請求項１７のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ内蔵基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック基板は、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）またはＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）により製造可能である。ＬＴＣＣは、セラミック積層体が１０００℃以下の温度で焼成され、ＨＴＣＣは、セラミック積層体が１２００℃以上の温度で焼成される。
【０００３】
セラミック基板は、プローブカード（probe card）のＳＴＦ（Space Transformer）  基板として使用されることができる。プローブカードは、半導体ウェハ（wafer）の検査工程で使用されるものである。検査工程は、ウェハの不良を検査し、不良が発生したウェハの一部分を除去する工程である。プローブカードは、上記検査工程の際に、検査装備とウェハとの間のインターフェース機能を果たす。
【０００４】
本発明の背景技術は、大韓民国公開特許公報第10-2012-0095657号（2012.08.29、プローブカード用ＳＴＦ基板）に開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、セラミック層の収容溝とポリマ層によりコンデンサ(capacitor)が内蔵されるコンデンサ内蔵基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によれば、第１回路を含むセラミック層と、上記セラミック層の一面に形成される収容溝と、上記収容溝に挿入されるコンデンサと、上記コンデンサが上記収容溝に内蔵されるように、上記セラミック層上に積層され、上記第１回路と電気的に接続する第２回路を含むポリマ層と、上記ポリマ層を貫通して上記コンデンサと接続するビア電極と、を含むコンデンサ内蔵基板が提供される。
【０００７】
上記コンデンサが固定されるように、上記収容溝の内部に充填される樹脂材をさらに含むことができる。
【０００８】
上記樹脂材は、上記コンデンサの上面をカバーし、上記ビア電極は、上記樹脂材を貫通することができる。
【０００９】
上記収容溝の深さは、上記コンデンサの厚みよりも小さく形成されることができる。
【００１０】
上記ポリマ層は、複数のレイヤを含み、上記ビア電極は、複数の上記レイヤを上記ポリマ層に対して垂直に貫通することができる。
【００１１】
上記ビア電極と接続するように、上記ポリマ層の上面に形成されるパッド電極をさらに含むことができる。
【００１２】
上記ポリマ層の厚みが、上記セラミック層の厚みよりも小さく形成されることを特徴とするコンデンサ内蔵基板である。
【００１３】
上記収容溝は、上記セラミック層の内側に配置されることができる。
【００１４】
上記ポリマ層は、ポリイミドを含むことができる。
【００１５】
本発明の他の側面によれば、第１回路を含むセラミック層の一面に収容溝を形成するステップと、上記収容溝内にコンデンサを挿入するステップと、上記コンデンサを上記収容溝に内蔵するために、上記第１回路と電気的に接続する第２回路を含むポリマ層を上記セラミック層上に積層するステップと、上記ポリマ層を貫通して上記コンデンサと電気的に接続するビア電極を形成するステップと、を含むコンデンサ内蔵基板の製造方法が提供される。
【００１６】
上記セラミック層に収容溝を形成するステップの前に、セラミックシートを積層してセラミック層を形成するステップと、上記セラミック層を焼成するステップとをさらに含むことができる。
【００１７】
上記収容溝内にコンデンサを挿入するステップの後に、上記コンデンサが固定されるように、上記収容溝の内部に樹脂材を充填するステップをさらに含むことができる。
【００１８】
上記収容溝を形成するステップにおいて、上記収容溝の深さは、上記コンデンサの厚みよりも大きく形成され、上記ビア電極を形成するステップにおいて、上記ビア電極は、上記コンデンサの上面をカバーする上記樹脂材を貫通することができる。
【００１９】
上記ポリマ層を上記セラミック層上に積層するステップにおいて、上記ポリマ層の厚みは、上記セラミック層の厚みよりも小さく形成されることができる。
【００２０】
上記ポリマ層は、複数のレイヤを含み、上記ビア電極を形成するステップでの上記ビア電極は、複数の上記レイヤを上記ポリマ層に対して垂直に貫通することができる。
【００２１】
上記ビア電極を形成するステップは、上記コンデンサの外部電極が露出するように、上記ポリマ層にビアホール（hole）を形成するステップと、上記ビアホール内に導電体を形成するステップと、を含むことができる。
【００２２】
上記導電体を形成するステップは、上記ビアホールの内部をカバーするように、上記ポリマ層上にシード層を形成するステップと、上記シード層上にレジストを形成するステップと、上記シード層が露出するように上記レジストに開口部を形成するステップと、上記開口部内にメッキ層を形成するステップと、上記シード層及び上記レジストを除去するステップと、を含むことができる。
【００２３】
上記ビア電極を形成するステップの後に、上記ビア電極と接続するように、上記ポリマ層の上面にパッド電極を形成するステップをさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の実施例によれば、コンデンサを基板に容易に内蔵することができ、内蔵されたコンデンサにより、電源供給時に発生するノイズを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板を示す図面である。
【図２】本発明の他の実施例に係るコンデンサ内蔵基板を示す図面である。
【図３】本発明のまた他の実施例に係るコンデンサ内蔵基板を示す図面である。
【図４】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法を示す順序図である。
【図５】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図６】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図７】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図８】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図９】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図１０】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図１１】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図１２】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図１３】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図１４】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【図１５】本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法の一工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明に係るコンデンサ内蔵基板及びその製造方法の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明し、添付図面に基づいて説明するに当たって、同一または対応する構成要素には、同一の図面符号を付し、これに対する重複説明は省略する。
【００２７】
また、以下に使用される「第１」、「第２」などのような用語は、同一または相応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または相応する構成要素が、「第１」、「第２」の用語により限定されるものではない。
【００２８】
また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触される場合のみを意味することではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触されている場合まで包括する概念として使用される。
【００２９】
図１は、本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板を示す図面であり、図２及び図３は、本発明の多様な実施例に係るコンデンサ内蔵基板を示す図面である。
【００３０】
図１を参照すると、本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板１００は、セラミック層１１０と、収容溝１２０と、コンデンサ１３０と、ポリマ層１４０と、ビア電極１５０と、を含み、パッド電極１６０をさらに含むことができる。
【００３１】
セラミック層１１０は、セラミックシート１１１で構成されることができ、複数のセラミックシート１１１の積層体であってもよい。セラミック層１１０は、第１回路１１２を含むことができる。セラミック層１１０の厚みは、５〜６ｍｍであることができる。また、第１回路１１２は、銀（Ａｇ）またはタングステン（Ｗ）で形成されることができる。
【００３２】
収容溝１２０は、セラミック層１１０の一面に形成されることができる。収容溝１２０は、レーザまたはドリルを用いて形成することができる。収容溝１２０は、セラミック層１１０の内側に形成可能であり、複数であってもよい。
【００３３】
コンデンサ１３０は、収容溝１２０に挿入可能である。コンデンサ１３０は、誘電体１３１層、内部電極及び外部電極１３２を含むことができる。コンデンサ１３０は、収容溝１２０の内側壁と離隔して、収容溝１２０内に挿入されることができる。
【００３４】
この場合、コンデンサ１３０が固定されるように、収容溝１２０に樹脂材１２１を充填することができる。樹脂材１２１は、ポリイミドを含むことができる。ポリイミドは、化学的に安定して、耐久性に優れるため、コンデンサ１３０を固定するには、好ましい材料である。
【００３５】
収容溝１２０の深さは、コンデンサ１３０の厚みよりも大きく形成されることができる。この場合、図１に示すように、樹脂材１２１は、コンデンサ１３０の上面をカバーすることができる。
【００３６】
ポリマ層１４０は、高分子からなる絶縁レイヤであることができ、複数の絶縁レイヤを含むことができる。ポリマ層１４０は、第２回路１４１を含むことができる。第２回路１４１は、セラミック層１１０の第１回路１１２と電気的に接続することができる。ポリマ層１４０には、微細パターンを形成することができるため、同数のセラミック層１１０に比べてより多い回路を具現することができる。
【００３７】
セラミック層１１０には、第１回路１１２と電気的に接続する第１ビア１１３を形成でき、ポリマ層１４０には、第２回路１４１と電気的に接続する第２ビア１４２を形成できる。第１ビア１１３と第２ビア１４２は、互いに電気的に接続可能である。
【００３８】
ポリマ層１４０の厚みは、セラミック層１１０の厚みより薄くて、約１２μｍであることができる。ポリマ層１４０は、ポリイミドを含むことができる。ポリイミドは、化学的に安定して、強固であって基板の耐久性を高めることができる。
【００３９】
ビア電極１５０は、ポリマ層１４０を貫通して形成され、コンデンサ１３０と接続できる。ビア電極１５０の一面は外部へ露出され、他面はコンデンサ１３０の外部電極１３２と接触されることができる。コンデンサ１３０は、充電により電荷を保有することができ、放電により電荷を流出させることができる。ビア電極１５０は、電荷を流出させる通路となる。ビア電極１５０は、銅（Ｃｕ）で形成されることができる。
【００４０】
ポリマ層１４０が複数のレイヤを含む場合、ビア電極１５０は、複数のレイヤの全てを貫通することができ、ビア電極１５０は、ポリマ層１４０に対して垂直に形成されることができる。これにより、コンデンサ１３０は、比較的短い長さのビア電極１５０を介して電荷を供給できるので、ノイズの発生を低減することができる。
【００４１】
収容溝１２０の深さがコンデンサ１３０の厚みよりも大きく形成される場合、収容溝１２０の内部に充填される樹脂材１２１がコンデンサ１３０の上面をカバーできるようになる。ここで、ビア電極１５０は、ポリマ層１４０と樹脂材１２１とを全て貫通して形成されることができる。
【００４２】
パッド電極１６０は、ビア電極１５０と接続するように、ポリマ層１４０の上面に形成できる。パッド電極１６０は、外部回路と電気的に接続するための端子機能を果たすことができる。
【００４３】
パッド電極１６０は、コンデンサ１３０の個数に応じて変わることがあり、図１に示すように、コンデンサ１３０一つ当たりに二つのパッド電極１６０を形成することができる。パッド電極１６０は、銅で形成されることができる。
【００４４】
一方、セラミック層１１０の収容溝１２０が形成された面の反対面には、第１パッド１１４を形成でき、第１パッド１１４は、第１回路１１２及び第１ビア１１３と電気的に接続することができる。また、ポリマ層１４０の上面には、第２パッド１４３を形成でき、第２パッド１４３は、第２回路１４１及び第２ビア１４２と電気的に接続することができる。
【００４５】
本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板１００は、プローブカードに使用できる。この場合、第１パッド１１４は、プローブカードのＰＣＢと電気的に接続され、第２パッド１４３は、半導体ウェハと電気的に接続されることができる。半導体ウェハの接触パッドは、微細であるため、第２パッド１４３のピッチは、第１パッド１１４のピッチより小さく形成されることができる。
【００４６】
図２を参照すると、本発明の他の実施例に係るコンデンサ内蔵基板１００では、収容溝１２０の深さがコンデンサ１３０の厚みと同じに形成されることができる。この場合、樹脂材１２１は、コンデンサ１３０の側面と収容溝１２０の内側壁との間に介在されることができる。
【００４７】
図３を参照すると、本発明のまた他の実施例に係るコンデンサ内蔵基板１００では、収容溝１２０の深さがコンデンサ１３０の厚みより小さく形成されることができる。この場合、コンデンサ１３０の下部は収容溝１２０に収容され、上部はポリマ層１４０に収容されて、ポリマ層１４０に収容されるコンデンサ１３０の上部の厚みだけビア電極１５０の長さが短くなるので、ノイズの低減効果が発揮できるようになる。
【００４８】
上述したように、本発明の実施例に係るコンデンサ内蔵基板によると、コンデンサが容易に基板に内蔵できる。内蔵されたコンデンサの場合、コンデンサから電荷が供給される場合は、ノイズが低減されることができる。また、コンデンサはセラミック層とポリマ層との境界部分に内蔵されるので、コンデンサの入れ替えが容易になる。
【００４９】
以上では、本発明の実施例に係るコンデンサ内蔵基板について説明したが、以下では、コンデンサ内蔵基板の製造方法について説明する。
【００５０】
図４は、本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法を示す順序図であり、図５から図１５は、本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法を示す工程図である。
【００５１】
図４を参照すると、本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法は、セラミックシート１１１を積層してセラミック層１１０を形成するステップＳ１１０と、セラミック層１１０を焼成するステップＳ１２０と、セラミック層１１０の一面に収容溝１２０を形成するステップＳ１３０と、収容溝１２０にコンデンサ１３０を挿入するステップＳ１４０と、収容溝１２０に樹脂材１２１を充填するステップＳ１５０と、セラミック層１１０上にポリマ層１４０を積層するステップＳ１６０と、ビア電極１５０を形成するステップＳ１７０と、パッド電極１６０を形成するステップＳ１８０と、を含むことができる。
【００５２】
図５を参照すると、セラミックシート１１１を積層してセラミック層１１０を形成するステップＳ１１０は、複数のセラミックシート１１１を積層してセラミック層１１０を形成するステップである。セラミック層１１０は、６０〜８０個のセラミックシート１１１で形成されることができる。この場合、それぞれのセラミックシート１１１には、第１回路１１２と第１ビア１１３とを形成できる。
【００５３】
セラミック層１１０を焼成するステップＳ１２０は、セラミック層１１０を高温の環境下で焼結するステップである。ＬＴＣＣの場合は、セラミック層１１０を８５０℃〜１０００℃で焼成でき、ＨＴＣＣの場合は、セラミック層１１０を１７００℃で焼成できる。セラミック層１１０を焼成すると、強固になると共に収縮することになる。
【００５４】
図６を参照すると、セラミック層１１０の一面に収容溝１２０を形成するステップＳ１３０は、レーザまたはドリルを用いてセラミック層１１０の一面に収容溝１２０を形成するステップである。収容溝１２０は、セラミック層１１０の内側に形成され、複数形成することができる。
【００５５】
図７を参照すると、収容溝１２０にコンデンサ１３０を挿入するステップＳ１４０は、セラミック層１１０に形成された収容溝１２０内にコンデンサ１３０を挿入するステップである。図７には、収容溝１２０の深さがコンデンサ１３０の厚みよりも大きく示されているが、必要によって、収容溝１２０の深さとコンデンサ１３０の厚みを同じに形成してもよく、収容溝１２０の深さをコンデンサ１３０の厚みよりも小さく形成してもよい。
【００５６】
図８を参照すると、収容溝１２０に樹脂材１２１を充填するステップＳ１５０は、コンデンサ１３０を固定するために収容溝１２０に樹脂材１２１を充填するステップである。  収容溝１２０に樹脂材１２１を充填するステップＳ１５０は、収容溝１２０にコンデンサ１３０を挿入するステップＳ１４０の前に行われてもよく、後に行われてもよい。
【００５７】
樹脂材１２１は、コンデンサ１３０を固定する機能をすることになる。コンデンサ１３０は、収容溝１２０の内側壁と離隔して収容溝１２０に挿入可能であり、コンデンサ１３０と収容溝１２０との間の離隔した空間内に樹脂材１２１を充填することができる。
【００５８】
樹脂材１２１は、コンデンサ１３０の上面をカバーすることができる。樹脂材１２１はポリイミドを含むことができる。一方、樹脂材１２１が充填された後には、表面を平坦化するために研磨処理を施すことができる。
【００５９】
図９を参照すると、セラミック層１１０上にポリマ層１４０を積層するステップＳ１６０は、コンデンサ１３０を収容溝１２０に内蔵するために、セラミック層１１０上にポリマ層１４０を形成するステップである。ポリマ層１４０は、第２回路１４１及び第２ビア１４２を含むことができ、第２回路１４１及び第２ビア１４２は、第１回路１１２及び第１ビア１１３と電気的に接続可能である。
【００６０】
ビア電極１５０を形成するステップＳ１７０は、ポリマ層１４０を貫通してコンデンサ１３０と電気的に接続するビア電極１５０を形成するステップである。ビア電極１５０は銅で形成されることができる。
【００６１】
収容溝１２０の深さが、コンデンサ１３０の厚みよりも大きく形成される場合は、樹脂材１２１がコンデンサ１３０の上面をカバーすることになり、ビア電極１５０は、樹脂材１２１を貫通することができる。
【００６２】
ビア電極１５０を形成するステップＳ１７０は、ビアホール１５１を形成するステップＳ１７１と、ビアホール１５１にシード層１５２を形成するステップＳ１７２と、レジスト１５３を形成するステップＳ１７３と、レジスト１５３に開口部１５４を形成するステップＳ１７４と、開口部１５４にメッキ層１５５を形成するステップＳ１７５と、シード層１５２及びレジスト１５３を除去するステップＳ１７６と、を含むことができる。
【００６３】
図１０を参照すると、ビアホール１５１を形成するステップＳ１７１は、レーザまたはドリルを用いてコンデンサ１３０の外部電極１３２が露出するように、ポリマ層１４０にホールを形成するステップである。樹脂材１２１がコンデンサ１３０の上面をカバーすると、ビアホール１５１は樹脂材１２１を貫通することができる。ビア電極１５０は、ビアホール１５１に導電体を形成することにより、形成可能である。
【００６４】
図１１を参照すると、ビアホール１５１にシード層１５２を形成するステップＳ１７２は、メッキのためのシード層１５２をビアホール１５１に形成するステップである。シード層１５２は、セラミック層１１０上にも形成されることができる。シード層１５２は、ビア電極１５０の材料と同じ材料、例えば、銅で形成されることができる。
【００６５】
レジスト１５３を形成するステップＳ１７３は、シード層１５２上にレジスト１５３を形成するステップである。レジスト１５３は、フォトレジスト１５３であることができる。
【００６６】
図１２を参照すると、レジスト１５３に開口部１５４を形成するステップＳ１７４は、露光及び現像工程によりレジスト１５３の一部を除去するステップである。開口部１５４は、ビア電極１５０の位置に対応して形成されることができる。
【００６７】
図１３を参照すると、開口部１５４にメッキ層１５５を形成するステップＳ１７５は、開口部１５４の内部をメッキするステップである。メッキ層１５５は、シード層１５２と同じ材料で形成することができる。
【００６８】
図１４を参照すると、シード層１５２及びレジスト１５３を除去するステップＳ１７６は、残ったシード層１５２及びレジスト１５３を除去してメッキ層１５５のみ残すステップである。上記メッキ層１５５は、ビア電極１５０となる。
【００６９】
図１５に示すように、ポリマ層１４０は、複数の絶縁レイヤをビルドアップする工程により形成可能である。
【００７０】
図１５を参照すると、パッド電極１６０を形成するステップＳ１８０は、ビア電極１５０と接続するように、ポリマ層１４０の上面にパッド電極１６０を形成するステップである。パッド電極１６０は、ビア電極１５０と同じく銅で形成することができる。パッド電極１６０の断面積は、ビア電極１５０の断面積よりも大きく形成されて、パッド電極１６０が外部回路と接続する端子機能を果たすことができる。
【００７１】
上述したように、本発明の一実施例に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法によれば、コンデンサを容易に基板に内蔵することができる。また、コンデンサは、セラミック層とポリマ層との境界部分に内蔵されるので、コンデンサの入れ替えが容易になる。
【００７２】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加などにより本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００７３】
１００  コンデンサ内蔵基板
１１０  セラミック層
１１１  セラミックシート
１１２  第１回路
１１３  第１ビア
１１４  第１パッド
１２０  収容溝
１２１  樹脂材
１３０  コンデンサ
１３１  誘電体
１３２  外部電極
１４０  ポリマ層
１４１  第２回路
１４２  第２ビア
１４３  第２パッド
１５０  ビア電極
１５１  ビアホール
１５２  シード層
１５３  レジスト
１５４  開口部
１５５  メッキ層
１６０  パッド電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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