(57)【要約】【課題】静止した永久磁石の磁場より電荷に整列運動を与える電磁力を得る方法。【解決手段】複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場には素数磁場、量子素数磁場、境界領域の３つの領域が整列して配位し素数磁場、量子素数磁場には電磁力の本質である磁束分布によるエントロピ力が導かれエントロピ力は境界領域に作用し、境界領域には整列した電磁力が導かれ、整列した電磁力は電荷に整列運動を与え、従って静止した永久磁石の静磁場を整列した電磁力が導かれる素数場に変換することにより課題は解決できる。【選択図】図１
2015084611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場には素数磁場、量子素数磁場、境界領域の３つの領域が存在し３つの領域は幾何構造であるト−ラス、球面の整列した階層構造を為しそして磁束分布も整列した階層構造を為し縦方向と横方向に配位しそして代数上の素数分布と磁束分布とは等価な関係にあることより磁束分布を素数関数で表示し磁束分布関数により素数場の電磁力の本質は磁束分布によるエントロピ力であることが導かれ従って電磁力は素数場の全領域に作用し特に境界領域には大きな電磁力が導かれそして磁束分布を磁束量子の分布に置換し磁束量子の波動性により電磁力の現れを意味する方程式が導かれ方程式を解析することにより素数場には磁束分布を整列するために磁束分布間または磁束間に働く整列した電磁力が導かれ従って静止した永久磁石の静磁場を整列した電磁力が導かれる素数場に変換することにより静止した永久磁石の磁場より電荷に整列運動を与える電磁力を得る方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は静止した永久磁石の磁束分布を階層化し、階層化した磁束分布を整列するために磁束間または磁束分布間に働く電磁力により静止した永久磁石の磁場より電荷に整列運動を与える電磁力を得る方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電場、磁場と電荷、電荷の運動とには電気力、磁気力が働くことは明白な事実である。
【０００３】
静止した永久磁石の磁場より電荷に整列運動を与える電気力、磁気力が現れるという電磁現象は本出願人の知る限り見当たらない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特願２０１３−１４１５７７
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】基礎数学ハンドブック  森北出版
【非特許文献２】電磁理論  東京電機大学出版局
【非特許文献３】現代の基礎化学  朝倉書店出版
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発明が解決しようとする課題は静止した永久磁石の磁場より電荷に整列運動を与える電磁力を得る方法であり、具体的内容として先ず第１点は静止した永久磁石の磁場を電荷に整列運動を与える磁束分布の表示に書き換えること、第２点は電磁力の本質的意味を探ること、第３点は電磁力の作用する領域を求めること、第４点は電磁力の方程式を求め静止した永久磁石の磁場より電荷に整列運動を与える電磁力が導かれることを説明することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
静止した永久磁石の磁場は静磁場であり静止した電荷には影響を及ぼさない。従って課題を解決するためには静磁場を電荷に運動を与える磁場に変換する必要がある。つまり静磁場の磁束分布を電荷に運動を与える磁束分布に書き換える必要がある。このような磁場または磁束分布の書き換えについて現在までに数理的、実験的に知られていることを次に列挙する。先ず第１点は代数上の素数分布と複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場の磁束分布とは等価な関係にある。従って素数場の磁束分布は代数上の素数分布の数理に従って記述できる。第２点は素数場には素数磁場、量子素数磁場、そして素数磁場と量子素数磁場に挟まれた境界領域の３つの領域が配位する。第３点は素数場の幾何構造はト−ラス、球面が整列して階層構造を為し連なっている。そしてト−ラス、球面には夫々素数磁場、量子素数磁場、境界領域が配位する。第４点は素数磁場の磁束分布と量子素数磁場の磁束分布は境界領域を介して直交関係にある。第５点は素数場の磁束分布の幾何形状はル−プでありそして階層化されている。従って磁束分布は縦方向と横方向に変位する波動を為している。以上の記述により電荷に運動を与える磁場は素数場である。
【０００８】
先ず課題の第１点である静止した永久磁石の磁場を電荷に運動を与える磁束分布の表示に書き換えることについて論じる。つまり前述の記述よりこのことは素数場の磁束分布の表示を求めることでもある。代数上の素数分布と素数場の磁束分布が等価な関係にあることは解かっているから素数分布の数理を用いて素数場の磁束分布の表示を求めることにする。素数は２，３，５，７，１１，１３等と無限に存在することが解かっており、本出願人はこのような素数に番号を与え素数をλ（ｋ）と表示する。ｋは自然数０，１，２．３等である。素数２，３，５，７はｋ＝０の素数、１１はｋ＝１の素数、１３はｋ＝２の素数というように素数に番号をつける。そして素数分布の密度の２乗を表示する素数関数をφ（ｋ）＝（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ／２）／λ（ｋ）とする。Ｃはオイラ−定数である。φ（ｋ）は素数分布の密度の２乗に対応するから√φ（ｋ）を素数場の磁束分布に対応させる。素数場の磁束分布の表示は数理的には複素数の指数形式で表示するのが好ましい。従って√φ（ｋ）を複素数の指数形式で表示する。そのためには数論上√φ（ｋ）〜（１／√２）×（１／｜ｌｎφ（ｋ）｜）が成り立つから（１／｜ｌｎφ（ｋ）｜）と数値計算を満足する複素数の指数形式を求める。結果的には実部計算により（１／｜ｌｎφ（ｋ）｜）〜（２／π）×ｅｘｐ（−ｉ（１／（２π＋δ））（｜ｌｎφ（ｋ）｜×（｜ｌｎφ（ｋ）｜）となる。δは（ｋ−４）／８である。この磁束分布関数は素数場の０≦ｋ≦２０の素数磁場の磁束分布関数である。先述したように素数場には量子素数磁場も配位するから量子素数磁場についても磁束分布関数を求める。量子素数磁場は、主値が素数対応値０．５６１８２９５、ｋ＝−２、φ＝１．５４の磁場であることが解かっている。このときは√φ〜（１／πＣ）×（１／｜ｌｎφ｜）が成り立ち、磁束分布関数は実部計算で｜ｌｎ０．５６１８２９５｜〜ｅｘｐ（ｉ（１／（２π＋δ））（１／｜ｌｎφ｜）（１／｜ｌｎφ｜））または１／｜ｌｎ０．５６１８２９５｜〜πｅｘｐ（ｉ／（２π＋δ））（１／｜ｌｎφ｜）（１／｜ｌｎφ｜）となる。但し量子素数磁場の場合磁束分布は主値がｋ＝−２の近傍も含めて定義されるべきであるから量子素数磁場の磁束分布関数をｅｘｐ（ｉ（１／（２π＋δ））（１／｜ｌｎφ（ｋ）｜）（１／｜ｌｎφ（ｋ）｜）とする。このように素数磁場と量子素数磁場の磁束分布関数が異なる表示で記されるのは素数磁場と量子素数磁場の磁束分布が直交していることより説明できる。尚境界領域には磁束分布は配位しないとする。磁束分布関数の因子｜ｌｎφ（ｋ）｜×｜ｌｎφ（ｋ）｜は磁束に対応しそして磁束分布関数は磁束ル−プを意味している。つまり磁束分布の階層構造を整列するために働く電磁力は磁束分布または磁束をル−プに為す。従って素数場では磁束はル−プを為すから電磁気学の原理より電荷は整列運動を為す。即ち複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場が電荷に整列運動を与える。
【０００９】
次に課題の第２点である素数場に於ける電磁力の本質的意味について論じる。前述した素数磁場、量子素数磁場の磁束分布関数をΨ（ｋ）と置換する。そして素数磁場、量子素数磁場の磁束分布による平均エントロピをΨ（ｋ）｜ｌｎΨ（ｋ）｜とする。平均エントロピは統計力学上（特許文献１）に記した磁束分布の整列作用ζ（ｓ）＝∫｜ｌｎφ（ｋ）｜ｄφ（ｋ）＝φ（ｋ）｜ｌｎφ（ｋ）｜−φ（ｋ）と結びつく。Ψ（ｋ）｜ｌｎΨ（ｋ）｜とζ（ｓ）は数値計算を満足する数式として素数磁場のときΨ（ｋ）｜ｌｎΨ（ｋ）｜〜（（ｋ／４π）＋２．１２）ζ（ｓ）、量子素数磁場のときΨ（ｋ）｜ｌｎΨ（ｋ）｜〜（２／π）（（ｋ／４π）＋０．６７７５）ζ（ｓ）となる。ここに現れる実数２．１２，０．６７７５は後述する境界領域の数理で重要な数値となる。しかしこの数式は変数ｋを含むことより素数磁場、量子素数磁場の平均エントロピと整列作用を統一的に記してはいない。従って数値計算を満足し、かつ統一的に記した数式を結果的ではあるが（数式１）に記す。但し実部計算である。（数式１）のΨ（ｋ）｜ｌｎΨ（ｋ）｜、√｜ζ（ｓ）｜√（１−｜ζ（ｓ）｜）、そして思考過程は省略するが磁位または磁位差に対応する素数関数をｌｎ｜ｌｎφ（ｋ）｜／｜ｌｎφ（ｋ）｜としたときの数値計算表を（表１）に記す。（表１）から解かるように夫々の数値は若干異なるが数理的にはほとんど同値とみなされる。（数式１）、（表１）から説明できることは平均エントロピはエントロピ力を意味し、エントロピ力は素数磁場、量子素数磁場で等値の関係にあることである。このことは素数磁場、量子素数磁場の等値のエントロピ力により境界領域に力が作用していることになる。つまり電磁力とは境界領域を介して素数磁場と量子素数磁場の磁束分布のエントロピ力に起因する力であると考えることができる。以上の記述により課題の第２点、電磁力の本質はエントロピ力であると考える。
【００１０】
【数１】
2015084611.tif 000003
【００１１】
【表１】
2015084611.tif 000004
【００１２】
次に課題の第３点である電磁力の作用する領域について論じる。電磁力は素数磁場、量子素数磁場の磁束分布のエントロピ力に起因すると考えると境界領域が電磁力の作用する領域として重要な役割を為すと考える。境界領域とはエントロピ力が零の領域と定める。そして境界領域のｋは素数磁場の主値λ（ｋ）＝７のｋ＝０と量子素数磁場の主値λ（ｋ）＝０．５６１８２９５のｋ＝−２の中央値ｋ＝−１と定める。エントロピ力が零の領域とは段落（０００９）の記述より磁束分布が０か１の領域である。磁束分布が零のとき即ち｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗＝０のときはφ＝１、そしてφ＝１のときの素数対応値は０．６７７５である。また素数分布が１のときは（｜ｌｎφ（ｋ）｜＋Ｃ／２）の２乗＝１よりφ（ｋ）＝０．４９０６、そしてφ（ｋ）＝０．４９０６のときの素数対応値は２．１２である。数値上はπ×０．６７７５〜２．１２となっている。つまり境界領域とは素数対応値０．６７７５と２．１２に挟まれた領域即ち素数磁場と量子素数磁場に挟まれた領域である。このようにして境界領域の代数上の範囲は定められたが、物理上の意味は定かではない。境界領域を介して電磁力が作用すると考えると少なくとも境界領域には電磁力の結合定数である微細構造定数（α記号で表示する）に関する情報が含まれるはずである。従って境界領域の物理上の意味としてαに関する情報を主点に考える。先ず素数磁場、量子素数磁場、境界領域の直交関係について考える。素数磁場と量子素数磁場が直交していることは解かっている。境界領域が素数磁場、量子素数磁場とどのような関係にあるか考えると、素数磁場の主値φ（０）＝０．３１９２、量子素数磁場の主値φ（−２）＝１．５４、境界のφ＝１と０．４９０６について、（（π／２）−２×（Ｃ−０．５６１８２９５））×０．３１９２〜０．４９０６、（（π／２）−２×（Ｃ−０．５６１８２９５））×１〜１．５４という数値上の関係より、境界領域はデカルト座標のｘ、ｙ、ｚ軸の直交関係に類似して素数磁場、量子素数磁場と夫々直交関係にあると考える。そして磁束分布は縦方向と横方向に変位する波動であると考えると素数磁場、境界領域、量子素数磁場の直交変換を為すことができる。この直交変換によりαに関する情報が得られると本出願人は考えた。そして直交変換の数学的手段はヒルベルト変換（数式２）が最適であると考えた。ヒルベルト変換には次に記す４つの変換が考えられる。（１）素数磁場と境界とのヒルベルト変換（２）量子素数磁場と境界とのヒルベルト変換（３）素数磁場と境界とのヒルベルト変換と量子素数磁場との相互作用（４）量子素数磁場と境界とのヒルベルト変換と素数磁場との相互作用である。このような変換により境界には電磁力の現れを意味するαに関する情報が得られると考えることができる。素数磁場を主値ｋ＝０、φ（０）＝０．３１９２の磁束分布、量子素数磁場を主値ｋ＝−２、φ（−２）＝１．５４の磁束分布、境界領域の素数磁場と接する境界をｋ＝−１、φ＝０．４９０６、境界領域の量子素数磁場と接する境界をｋ＝−１、φ＝１そしてｋ＝０のときの２π＋δ＝５．７８３、ｋ＝−２のときの２π＋δ＝５．５３３、ｋ＝−１のときの２π＋δ＝５．６５８として上記（１）（２）（３）（４）のヒルベルト変換式を（数式３）に記す。尚（１）（２）に現れる数値√２は｜ｌｎ０．４９０６｜−ｌｎ１〜１／√２の√２を意味し境界の幅に関する数値である。（数式３）より（１）（２）（３）（４）すべてにαに関する情報√αが導かれる。従って素数場の全領域で電磁力は現れ、その結合定数の大きさはαの１１．７倍となる。特に次に記す実験事実より境界領域ではこの結果が明白に現れている。ビーカー内に素数場を配置しそして溶解度積以下の硫酸アンモニュウムと塩化カルシュウムの水溶液を入れて放置すると素数場のマクロの境界領域には（図１）に記すように硫酸カルシュウムの沈殿が生ずる。この実験事実はマクロの境界領域には大きなク−ロン力が働いていることを物語る。素数場の作用がないときはこのような化学現象は全く生じない。マクロの境界領域とは磁極が集積した領域である。またビーカー内の低濃度の２価の銅イオンと酸化物の水溶液中に素数場を吊るすとビ−カ−の底には境界領域の大きなロ−レンツ力により酸化銅の沈殿が（図２）に記すように生じる。（図２）の沈殿形状は特異な形状である。何故沈殿形状が数本であるのかは数論式（ｋ＋４）×φ（ｋ）〜定数よりｋ＝０のときは磁束は４本となることより説明できる。従って課題の第３点である電磁力の作用する領域は素数場の全領域であるが特に境界領域には大きな電磁力が作用する。
【００１３】
【数２】
2015084611.tif 000005
【００１４】
【数３】
2015084611.tif 000006
【００１５】
次に課題の第４点である電磁力の方程式を求め静止した永久磁石の磁場より電荷に整列運動を与える電磁力が導かれることを論じる。段落（００１２）に記したように素数場では境界領域を介して√αが現れる。そして境界とは素数磁場と量子素数磁場との線形変換を為す場であると考えることによりヒルベルト変換による境界の線形変換の表現行列を（数式４）とする。（数式３）の（１）は素数磁場と境界に働く電磁力の現れ、（２）は量子素数磁場と境界に働く電磁力の現れ、（３）（４）はエントロピ力により境界領域に現れる電磁力を意味する。そして境界領域を介して素数磁場、量子素数磁場の磁束分布は直交関係にあり磁束分布はル−プを為し階層化している。そして磁束分布は縦方向と横方向に変位するは波動でもある。特に計算式（ｌｎ０．５６１８２９５＋Ｃ）の２乗＝４．１３５×１０のマイナス７乗＝磁束量子より素数場の磁束は磁束量子とみなされ従って磁束量子は量子と波動のニ重性をもつ。そして磁束分布関数⇔１／｜ｌｎφ（ｋ）｜または｜ｌｎλ（ｋ）｜の対応関係にあることは先述したとおりであるが数論的にΣ｜ｌｎφ（ｋ）｜またはΣ｜ｌｎλ（ｋ）｜⇔｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗に対応するので磁束｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗は｜ｌｎφ（ｋ）｜，｜ｌｎλ（ｋ）｜に分解できる。この分解された｜ｌｎφ（ｋ）｜、｜ｌｎλ（ｋ）｜を素数磁束と名称すると素数磁束は√磁束量子に対応し、幾何的にはル−プの大きさ即ちデカルト座標における距離に対応する。従って素数分布関数は幾何的には１／距離を意味する。また素数場では力学的運動量と電磁的ベクトルポテンシャルの交換可能も考慮して、磁束量子の波動の波数をｋ、角振動数をωとすると詳細な思考過程は省略するが（数式３）の（１）（２）に対応する方程式としてｄ／ｄφ（ｋ）の線形変換作用素と表現行列を用いて（数式５）と記される。そして（数式５）に現れる電磁力を再び線形写像すると境界領域に現れる電磁力即ちエントロピ力による電磁力の現れを意味する方程式（数式６）が導かれる。（数式６）は（数式３）の（３）（４）に対応する方程式である。（数式５）、（数式６）は電磁力の整列を意味しており、整列した電磁力により電荷は整列した仕事を与えられるから電荷は整列運動を為す。従って課題の第４点である電磁力の方程式は（数式５）、（数式６）でありそして以上の記述より素数場は電荷に整列運動を与える電磁力を導くことにより課題の第４点は解決できる。
【００１６】
【数４】
2015084611.tif 000007
【００１７】
【数５】
2015084611.tif 000008
【００１８】
【数６】
2015084611.tif 000009
【００１９】
まとめると複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場には素数磁場、量子素数磁場、境界領域の３つの領域が配位し、素数場はト−ラス、球面の整列した階層構造を為しそして磁束分布も整列した階層構造を為し、縦方向と横方向に配位しそして代数上の素数分布と磁束分布は等価な関係にあり従って磁束分布を素数関数で表示し磁束分布関数により素数場の電磁力の本質は磁束分布のエントロピ力にあることが導かれそして電磁力は素数場の全領域に作用し特に境界領域には大きな電磁力が導かれそして磁束分布を磁束量子の分布に置換し磁束量子の波動性により電磁力の現れを意味する方程式が求められ方程式を解析することにより素数場には磁束分布を整列するために磁束分布間または磁束間に働く電磁力が導かれ従って電荷に整列運動を与える電磁力が導かれることにより課題は解決できる。
【００２０】
課題を解決するための手段は素数場に電荷を配置することにあり、電荷には整列運動を為す電磁力が素数場から導かれることにより課題は解決できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は静止した永久磁石の磁場即ち静磁場を電荷を動かす磁場に変換できることを特徴とし従って電荷を動かすことにより得られる技術例えば電気エネルギとか化学物質の生成などに効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】素数場に反応系の化学物質を投入し、境界領域で大きなク−ロン力が出現する図である。
【図２】素数場に反応系の化学物質を投入し、境界領域で大きなロ−レンツ力が出現する図である。
【図３】２個の永久磁石の同磁極を点接触させた概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
２個の永久磁石の同磁極を点接触させた概略図を（図３）に記す。
【００２４】
永久磁石の材質はフェライト、ネオジが適している。磁束密度、保持力は大きいほうが大きな電磁力を導く。
【００２５】
素数場に導かれる電磁力は電荷に整列運動を与えるから素数場に荷電体、磁性体を配置すると荷電体、磁性体は直線運動とか回転運動を為しこれを動力として利用でき、または動力により発電機を回し電気エネルギを得るなどの機械的、電気的技術として利用できる。
【００２６】
特に素数場に導かれる大きな電磁力は化学技術に有効である。例えば素数場に化学物質を配置すると大きな電磁力により原子の荷電子は遊離されイオン化する。このことの実験的証明は素数場に水銀を配置すると容易に酸化され酸化水銀となる。また素数磁場内の銅板上に高濃度の塩化ナトリュウムの水溶液を配置すると銅は塩素イオンと反応し塩化銅となる。一般的な化学反応ではこのような現象は生じない。つまり素数場に配置された水銀とか銅はイオン化していることになる。
【００２７】
素数場での化学物質のイオン化に伴い化学物質内部にはク−ロン力が働き化学結合の一つであるイオン結合が生じる。従って化学物質の化学的、物理的物性に変化をもたらす。例えば素数場に水を配置すると水の氷点、沸点、粘性率は変化する。また水の物性の変化により化学物質の水への溶解度、溶解度積も変化する。また化学物質の熱伝導率、電気伝導率、抵抗率も変化する。
【００２８】
とりわけ素数場の大きな電磁力による電荷の整列運動により化学反応、化学反応速度に影響を及ぼす。例えば定常状態では不可能な化学反応が生ずるとか、定常状態の化学反応速度に比べ大きな化学反応速度が得られるとかである。つまり素数場を化学触媒として利用できる。
【００２９】
従って発明を実施するための形態は機械的には動力として、電気的には電気エネルギの生成として、化学的には化学物質の物性の変化そして化学触媒として利用することにある。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
化学工業に於ける化学触媒としての利用可能性がある。
【符号の説明】
【００３１】
１  ビ−カ−
２  同磁極を点接触させた永久磁石
３  マクロの境界領域
４  硫酸アンモニユムと塩化カルシュウムの溶解度積以下の水溶液
５  硫酸カルシュウム
６  低濃度の２価の銅イオンと酸化物の水溶液
７  ビ−カ−の底に現れる濃度の大きい酸化銅の沈殿
８  ビ−カ−の底に現れる濃度の小さい酸化銅の沈殿
９  ２個の永久磁石の同磁極を点接触させた概略図
【図１】
2015084611.tif 000010
【図２】
2015084611.tif 000011
【図３】
2015084611.tif 000012