(57)【要約】【課題】基板の一面側にコイルが配置された半導体装置において、コイルを覆う絶縁膜と基板との間に発生する応力によって基板が反ることを抑制する。【解決手段】基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、絶縁膜３０がコイル２０を取り巻くように配置され、基板１０におけるコイル形成領域のうちのコイル２０の内側および外側に位置する領域が絶縁膜３０から露出するようにする。これによれば、基板１０の一面１０ａのうちの絶縁膜３０から露出する部分にて絶縁膜３０と基板１０との間に発生する応力を緩和でき、基板１０が反ることを抑制できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記基板の一面側に形成され、前記基板の一面に対する法線方向を軸として巻き回されたコイル（２０）と、
前記コイルを覆う絶縁膜（３０）と、を有する半導体装置であって、
前記基板の一面は、前記コイルが形成されるコイル形成領域を少なくとも１つ有しており、
前記基板の一面に対する法線方向から視たとき、前記絶縁膜は前記コイルを取り巻くように配置され、前記基板におけるコイル形成領域のうちの前記コイルの内側および外側に位置する領域は前記絶縁膜から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板の一面に対する法線方向から視たとき、前記基板におけるコイル形成領域のうちの前記コイルの内側および外側に位置する領域には、磁性体層（１００）が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記磁性体層は、磁性体膜（１００ａ）と絶縁膜（１００ｂ）とが前記基板の一面に対する法線方向に交互に積層されて構成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記磁性体層は、前記コイルのうちの前記基板側と反対側にも前記絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記基板の一面には、保護膜（１１０）が形成され、
前記保護膜は、前記基板の一面に対する法線方向から視たとき、前記基板におけるコイル形成領域のうちの前記コイルの内側に位置する領域に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板は、前記一面側にダイヤフラム（１５）が形成されていると共に前記ダイヤフラムに印加される圧力に応じたセンサ信号を出力するセンシング部（１６）が形成されており、
前記コイルおよび前記絶縁膜は、前記基板の一面に対する法線方向から視たとき、前記ダイヤフラムを囲むように形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記コイルを前記基板の一面と平行な方向に沿って複数に分割したときの１つの層を構成する配線層（４０〜９０）を形成する工程と、
前記絶縁膜を前記基板の一面と平行な方向に沿って複数に分割したときの１つの層を構成する層間絶縁膜（３１〜３７）を形成する工程と、を含み、
前記配線層を形成する工程と前記層間絶縁膜を形成する工程とを交互に繰り返し行うことにより、複数の前記配線層によって前記コイルを構成すると共に、複数の前記層間絶縁膜によって前記絶縁膜を構成し、
前記層間絶縁膜を形成する工程では、前記コイルを形成した際、前記基板の一面に対する法線方向から視たとき、前記コイルのみを取り巻くように前記層間絶縁膜を選択的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記層間絶縁膜を形成する工程では、所定領域が開口したマスクを用いて絶縁性ペーストをパターン印刷する工程と、前記絶縁性ペーストを焼成する工程と、を行い、
前記配線層を形成する工程では、所定領域が開口したマスクを用いて導電性ペーストをパターン印刷する工程と、前記導電性ペーストを焼成する工程と、を行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一面側にコイルが配置された半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置として、例えば、特許文献１に次のようなものが提案されている。
【０００３】
すなわち、この半導体装置では、基板の一面側に、当該一面に対する法線方向に複数の配線部と絶縁膜とが交互に積層されている。そして、各層の配線層が各層の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して適宜接続されることにより、基板の一面に対する法線方向を軸として巻き回されたコイルが構成されている。
【０００４】
なお、この半導体装置では、基板の面方向にこのようなコイルが複数配置されている。すなわち、この半導体装置は、基板は複数のコイル形成領域を有し、各コイル形成領域上にそれぞれコイルが配置された構成とされているともいえる。
【０００５】
そして、絶縁膜のうちの各コイルの間に位置する部分には、基板側と反対側の部分から凹部が形成されている。なお、この凹部は基板の一面には達しておらず、絶縁膜のうちの基板側の部分は分離されていない。
【０００６】
これによれば、凹部によって絶縁膜と基板との熱膨張係数の違いに起因する熱応力を緩和でき、基板が反ることを抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平７−２６３８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このような半導体装置では、凹部にて熱応力を緩和することができるものの、凹部が基板の一面に達していないため、基板の一面はコイルを覆う絶縁膜で覆われている。このため、この絶縁膜と基板との熱膨張係数の違いに起因する熱応力によって基板が反ってしまうことがあるという問題がある。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、基板の一面側にコイルが配置された半導体装置において、コイルを覆う絶縁膜と基板との間に発生する応力によって基板が反ることを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、基板の一面側に形成され、基板の一面に対する法線方向を軸として巻き回されたコイル（２０）と、コイルを覆う絶縁膜（３０）と、を有する半導体装置であって、基板の一面は、コイルが形成されるコイル形成領域を少なくとも１つ有しており、基板の一面に対する法線方向から視たとき、絶縁膜はコイルを取り巻くように配置され、基板におけるコイル形成領域のうちのコイルの内側および外側に位置する領域は絶縁膜から露出していることを特徴としている。
【００１１】
これによれば、基板の一面のうちの絶縁膜から露出する部分により、コイルを覆う絶縁膜と基板との間に発生する応力を緩和でき、基板が反ることを抑制できる。
【００１２】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法に関する発明であり、コイルを基板の一面と平行な方向に沿って複数に分割したときの１つの層を構成する配線層（４０〜９０）を形成する工程と、絶縁膜を基板の一面と平行な方向に沿って複数に分割したときの１つの層を構成する層間絶縁膜（３１〜３７）を形成する工程と、を含み、配線層を形成する工程と層間絶縁膜を形成する工程とを交互に繰り返し行うことにより、複数の配線層によってコイルを構成すると共に、複数の層間絶縁膜によって絶縁膜を構成し、層間絶縁膜を形成する工程では、コイルを形成した際、基板の一面に対する法線方向から視たとき、コイルのみを取り巻くように層間絶縁膜を選択的に形成することを特徴としている。
【００１３】
これによれば、基板の一面の全面に絶縁膜を形成した後に絶縁膜を部分的に除去することによって半導体装置を製造する場合と比較して、製造工程中に基板と層間絶縁膜（絶縁膜）との間に発生する応力によって基板が反ることを抑制できる。
【００１４】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を回路基板の一面に対する法線方向から視たときの平面図である。
【図３Ａ】回路基板の一面に対する法線方向から視たときの第１配線層を示す平面図である。
【図３Ｂ】回路基板の一面に対する法線方向から視たときの第２配線層を示す平面図である。
【図３Ｃ】回路基板の一面に対する法線方向から視たときの第３配線層を示す平面図である。
【図４Ａ】回路基板の一面に対する法線方向から視たときの第４配線層を示す平面図である。
【図４Ｂ】回路基板の一面に対する法線方向から視たときの第５配線層を示す平面図である。
【図４Ｃ】回路基板の一面に対する法線方向から視たときの第６配線層を示す平面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態における半導体装置の断面図である。
【図８】図７に示す半導体装置を回路基板の一面に対する法線方向から視たときの平面図である。
【図９】本発明の第２実施形態の変形例における半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態における半導体装置の断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態における半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態における半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１７】
（第１実施形態）
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図１に示されるように、半導体装置は、回路基板１０の一面１０ａ上にコイル２０が配置されていると共に、このコイル２０が絶縁膜３０に覆われた構成とされている。
【００１８】
なお、本実施形態では、回路基板１０上に１つのコイル２０が配置された例を説明する。すなわち、本実施形態では、回路基板１０の一面１０ａの全面が本発明における１つのコイル形成領域とされている。また、本実施形態では、回路基板１０が本発明の基板に相当している。
【００１９】
回路基板１０は、矩形板状とされ、各種の回路素子が形成されていると共に、各種の回路素子とアルミニウム配線等を介して電気的に接続された４個のパッド１１ａ〜１１ｄが形成されている基板１２を有している。そして、基板１２の一面１２ａには、各パッド１１ａ〜１１ｄを露出させるコンタクトホール１３ａが形成された絶縁膜１３が配置されている。つまり、本実施形態では、回路基板１０の一面１０ａは絶縁膜１３にて構成されている。
【００２０】
なお、本実施形態では、各パッド１１ａ〜１１ｄは、銅、金、アルミニウム等で構成されている。また、パッド１１ａ、１１ｂは、コイル２０と接続されるものであり、パッド１１ｃ、１１ｄは、回路基板１０と外部回路とを接続するためのものである。そして、各パッド１１ａ〜１１ｄは、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、コイル２０よりも外側であって、回路基板１０の中心点に対して点対称に備えられている。
【００２１】
コイル２０は、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向を軸として、回路基板１０上に形成された複数の第１〜第６配線層４０〜９０が適宜接続されることによって巻き回された構成とされている。以下に、第１〜第６配線層４０〜９０の構成について、図１、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃを参照しつつ具体的に説明する。なお、図１における回路基板１０は図２中のI−I線に沿った断面に相当している。また、図１における第１〜第６配線層４０〜９０は、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ中のI−I線に沿った断面に相当している。
【００２２】
第１配線層４０は、図１に示されるように、第１〜第６配線層４０〜９０のうちで最も回路基板１０側に形成されている。そして、図１および図３Ａに示されるように、外方から内方に巻き回された螺旋状の第１配線部４１と、この第１配線部４１における外方の端部から回路基板１０側に突出し、当該端部とパッド１１ａとを接続する第１接続部４２とを有している。また、パッド１１ｂ上に形成されて当該パッド１１ｂと接続される第１引き出し部４３を有している。
【００２３】
第２配線層５０は、図１に示されるように、第１配線層４０上に絶縁膜３０を介して形成されている。そして、図１および図３Ｂに示されるように、内方から外方に巻き回された螺旋状の第２配線部５１と、この第２配線部５１における内方の端部から回路基板１０側に突出し、この端部と第１配線部４１における内方の端部とを接続する第２接続部５２とを有している。また、第１引き出し部４３上に積層された第２引き出し部５３を有している。
【００２４】
第３〜第５配線層６０〜８０は、第２配線層５０上に絶縁膜３０を介して順に形成されている。そして、図１および図３Ｃ、図４Ａ、図４Ｂに示されるように、基本的には第２配線層５０と同様の構成とされている。すなわち、それぞれ螺旋状の第３〜第５配線部６１〜８１と、当該第３〜第５配線部６１〜８１における一方の端部と下層の配線部における一方の端部とを接続する第３〜第５接続部６２〜８２とを有している。また、第２引き出し部５３上に順に積層された第３〜第５引き出し部６３〜８３を有している。
【００２５】
なお、本実施形態では、第１〜第５配線部４１〜８１は、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、螺旋構造の中心点と回路基板１０の中心点とが一致するパターンとされている。
【００２６】
第６配線層９０は、図１および図４Ｃに示されるように、第５配線層８０上に絶縁膜３０を介して形成されている。そして、第５配線部８１の内方における端部上から第５引き出し部８３上に向かって形成された形成された第６配線部９１を有している。また、第６配線部９１における内方の端部から回路基板１０側に突出し、この端部と第５配線部８１における外方の端部とを接続する第６接続部９２と、第５引き出し部８３上に積層され、第６配線部９１と接続される第６引き出し部９３と、を有している。
【００２７】
本実施形態では、このようにして、第１接続部４２、第１配線部４１、第２接続部５２、第２配線部５１、第３接続部６２、第３配線部６１、第４接続部７２、第４配線部７１、第５接続部８２、第５配線部８１、第６接続部９２、第６配線部９１、第６〜第１引き出し部９３〜４３が順に接続されることによってコイル２０が構成されている。このため、例えば、パッド１１ａに入力電流が印加されると、第１接続部４２、第１配線部４１、第２接続部５２、第２配線部５１、第３接続部６２、第３配線部６１、第４接続部７２、第４配線部７１、第５接続部８２、第５配線部８１、第６接続部９２、第６配線部９１の順に電流が流れた後、第６〜第１引き出し部９３〜４３を介してパッド１１ｂに電流が流れる。
【００２８】
絶縁膜３０は、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、コイル２０の周囲のみを取り巻くように配置されている。つまり、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、回路基板１０は、コイル２０の内側および外側の領域が絶縁膜３０から露出している。
【００２９】
なお、上記のように、絶縁膜３０は、各第１〜第６配線層４０〜９０（第１〜第６配線部４１〜９１）の間にも配置されている。つまり、第１〜第６配線部４１〜９１は、絶縁膜３０によって間隔が確保されている。
【００３０】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。次に、このような半導体装置の製造方法について、図５および図６を参照しつつ説明する。
【００３１】
まず、図５（ａ）に示されるように、各種の回路素子が形成されていると共に、各種の回路素子と電気的に接続された４個のパッド１１ａ〜１１ｄが形成されている基板１２を用意する。そして、基板１２の一面１２ａ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって絶縁膜１３を形成した後、マスク（図示せず）を用いたエッチング等によってパッド１１ａ〜１１ｄを露出させるコンタクトホール１３ａを形成することにより、回路基板１０を形成する。
【００３２】
続いて、図５（ｂ）に示されるように、回路基板１０上に、上記絶縁膜３０の一部を構成すると共に、パッド１１ａ、１１ｂを露出させるコンタクトホール３１ａが形成された第１層間絶縁膜３１を形成する。言い換えると、上記絶縁膜３０を回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って複数に分割したときの１つの層を構成する第１層間絶縁膜３１を形成する。
【００３３】
具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、チクソ性を有するポリイミドや液状ガラス等を含む絶縁性ペーストを選択的にパターン印刷する。このとき、コイル２０を形成した際、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、コイル２０の周囲のみに絶縁ペーストが配置されるようにパターン印刷する。なお、この絶縁性ペーストは、パッド１１ａ、１１ｂも露出するようにパターン印刷する。
【００３４】
そして、絶縁性ペーストをパターン印刷した後、熱焼成等を行って樹脂成分を除去することによって第１層間絶縁膜３１を構成する。
【００３５】
次に、図５（ｃ）に示されるように、パッド１１ａと接続される第１接続部４２、第１接続部４２と接続される第１配線部４１、パッド１１ｂと接続される第１引き出し部４３を有する第１配線層４０を形成する。言い換えると、上記コイル２０を回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って複数に分割したときの１つの層を構成する第１配線層４０を形成する。
【００３６】
具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図３Ａのパターンとなると共にコンタクトホール３１ａにも埋め込まれるようにパターン印刷する。
【００３７】
そして、導電性ペーストをパターン印刷した後、酸素雰囲気および還元雰囲気で熱焼成を行い、樹脂成分および酸化物を除去することによって第１配線部４１、第１接続部４２、第１引き出し部４３を有する第１配線層４０を形成する。
【００３８】
なお、導電性ペーストとしては、銅等の金属ナノ粒子、粉体、またはこれらの混合体を樹脂に含有したものが用いられる。
【００３９】
続いて、図５（ｄ）に示されるように、第１層間絶縁膜３１上に第１配線層４０を覆いつつ、第１配線部４１における外方側の端部および第１引き出し部４３を露出させるコンタクトホール３２ａが形成された第２層間絶縁膜３２を形成する。
【００４０】
なお、第２層間絶縁膜３２は、第１層間絶縁膜３１を形成する工程と同様の工程を行って形成される。すなわち、第２層間絶縁膜３２は、スクリーン印刷法によって第１層間絶縁膜３１上に絶縁性ペーストを選択的にパターン印刷した後、熱焼成等を行うことによって形成される。
【００４１】
次に、図５（ｅ）に示されるように、コンタクトホール３２ａに配置されて第１配線部４１と接続される第２接続部５２、第２接続部５２と接続される第２配線部５１、第１引き出し部４３と接続される第２引き出し部５３を有する第２配線層５０を形成する。
【００４２】
なお、第２配線層５０は、第１配線層４０を形成する工程と同様の工程を行って形成される。すなわち、スクリーン印刷法により、導電性ペーストが図３Ｂのパターンとなると共にコンタクトホール３２ａにも埋め込まれるようにパターン印刷する。そして、酸素雰囲気および還元雰囲気で熱焼成を行うことにより、第２配線部５１、第２接続部５２、第２引き出し部５３を有する第２配線層５０を形成する。
【００４３】
その後、図６（ａ）に示されるように、図５（ｄ）および図５（ｅ）と同様の工程を繰り返し行い、コンタクトホール３３ａが形成された第３層間絶縁膜３３、第３配線層６０、コンタクトホール３４ａが形成された第４層間絶縁膜３４、第４配線層７０を形成する。また、コンタクトホール３５ａが形成された第５層間絶縁膜３５、第５配線層８０、コンタクトホール３６ａが形成された第６層間絶縁膜３６を形成する。
【００４４】
次に、図６（ｂ）に示されるように、図５（ｅ）と同様の工程を行い、図６（ｂ）とは別断面に形成されたコンタクトホール３６ａに配置されて第５配線部８１と接続される第６接続部９２、第６接続部９２と接続される第６配線部９１、第５引き出し部８３と接続されると共に第６配線部９１と接続される第６引き出し部９３を形成する。これにより、第１〜第６配線層４０〜９０によってコイル２０が構成される。
【００４５】
その後、図６（ｃ）に示されるように、図５（ｄ）と同様の工程を行い、第６配線層９０を覆う第７層間絶縁膜３７を形成する。これにより、第１〜第７層間絶縁膜３１〜３７にて絶縁膜３０が構成されて上記半導体装置が製造される。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置では、絶縁膜３０はコイル２０を取り巻くように配置されている。そして、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、回路基板１０の一面１０ａのうちのコイル２０の内側および外側の領域は、絶縁膜３０から露出している。このため、回路基板１０の一面１０ａのうちの絶縁膜３０から露出する部分により、コイル２０を覆う絶縁膜３０と基板１０との間に発生する応力を緩和でき、回路基板１０が反ることを抑制できる。
【００４７】
また、本実施形態では、コイル２０の内側が空気層となる。このため、コイル２０に発生する寄生容量を小さくでき、自己共振周波数を高くできる。
【００４８】
さらに、半導体装置を製造する際には、第１〜第７層間絶縁膜３１〜３７をパターン印刷している。このため、回路基板１０の一面１０ａの全面に絶縁膜を形成した後に当該絶縁膜を部分的に除去することによって上記半導体装置を製造する場合と比較して、製造工程中に回路基板１０と第１〜第７層間絶縁膜３１〜３７との間に発生する応力によって回路基板１０が反ることを抑制できる。
【００４９】
なお、上記において、回路基板１０の一面１０ａが複数のコイル形成領域に分割されていてもよい。この場合、各コイル形成領域において、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、回路基板１０のうちのコイル２０の内側および外側の部分が絶縁膜３０から露出していれば本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して磁性体層を配置したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５１】
図７および図８に示されるように、本実施形態では、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、コイル２０（コイル２０を覆う絶縁膜３０）の内側および外側に位置する領域にニッケル、マンガン亜鉛、フェライト系等の磁性体層１００が配置されている。本実施形態では、磁性体層１００は、コイル２０を覆う絶縁膜３０との間に所定の空隙が形成されるように配置されている。
【００５２】
なお、図７における回路基板１０および磁性体層１００は図８中のVII−VII線に沿った断面に相当している。また、図７における第１〜第６配線層４０〜９０は、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ中のI−I線に沿った断面に相当している。
【００５３】
これによれば、コイル２０の内側および外側に磁性体層１００が配置されているため、コイル２０のインダクタンスを向上しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
また、本実施形態では、磁性体層１００は、コイル２０を覆う絶縁膜３０との間に所定の空隙が形成されるように配置されている。このため、コイル２０を覆う絶縁膜３０と磁性体層１００との間に応力が発生することを抑制でき、回路基板１０が反ることを抑制できる。
【００５５】
なお、ここでは、絶縁膜３０と磁性体層１００との間に空隙が形成されている例について説明したが、絶縁膜３０と磁性体層１００との間に空隙が形成されておらず、これらが密着していてもよい。このような半導体装置としても、コイル２０のインダクタンスを向上することができる。
【００５６】
（第２実施形態の変形例）
上記第２実施形態において、図９に示されるように、磁性体膜１００ａと絶縁膜１００ｂとを交互に積層した磁性体層１００としてもよい。これによれば、絶縁膜１００ｂによって磁性体層１００内に渦電流が発生することを低減でき、コイル２０の特性が悪化することを抑制できる。
【００５７】
なお、絶縁膜１００ｂは、例えば、絶縁膜３０（第１〜第７層間絶縁膜３１〜３７）と同様に、ポリイミドや液状ガラス等を含む絶縁性ペーストを焼成することによって構成される。また、図９における回路基板１０および磁性体層１００は図８中のVII−VII線に沿った断面に相当している。そして、図９における第１〜第６配線層４０〜９０は、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ中のI−I線に沿った断面に相当している。
【００５８】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して、コイル２０のうちの回路基板１０側と反対側にも磁性体層１００を配置したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５９】
図１０に示されるように、本実施形態では、磁性体層１００は、絶縁膜３０を介してコイル２０のうちの回路基板１０側と反対側にも配置されている。具体的には、第５、第６配線部８１、９１上にも絶縁膜３０を介して磁性体層１００が配置されている。
【００６０】
なお、この半導体装置は、上記図５および図６の工程を行った後、ディスペンサ等を用いて磁性体層１００を形成することによって製造される。また、図１０における回路基板１０は図２中のI−I線に沿った断面に相当している。そして、図１０における第１〜第６配線層４０〜９０は、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ中のI−I線に沿った断面に相当している。
【００６１】
これによれば、コイル２０のうちの回路基板１０側と反対側（上部）にも磁性体層１００が配置されている。このため、さらにコイル２０のインダクタンスを向上しつつ、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。また、コイル２０から発生する磁束が外部に漏れたり、外部からの磁束がコイル２０の内部に入り込むことを抑制することもできる。
【００６２】
なお、図１０では、第５、第６配線部８１、９１上に絶縁膜３０を介して磁性体層１００が配置されているものを図示しているが、第１〜第６引き出し部４３〜９３が覆われるように磁性体層１００が配置されていてもよい。つまり、コイル２０の全体が完全に磁性体層１００に覆われる構成としてもよい。
【００６３】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、回路基板１０の一面１０ａ上に保護膜を配置したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６４】
図１１に示されるように、本実施形態では、回路基板１０の一面１０ａ上に１０〜５０μｍ程度の保護膜１１０が配置されている。具体的には、保護膜１１０は、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、少なくともコイル２０の内側に位置する領域に形成されている。
【００６５】
なお、この保護膜１１０は、例えば、ＣＶＤ法等によって成膜された後、加熱処理等を行って緻密化された酸化膜等で構成される。また、図１１における回路基板１０は図２中のI−I線に沿った断面に相当している。そして、図１１における第１〜第６配線層４０〜９０は、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ中のI−I線に沿った断面に相当している。
【００６６】
これによれば、コイル２０にて発生する磁束が回路基板１０を貫通することを抑制でき、回路基板１０に渦電流が発生することを抑制できる。このため、回路基板１０が誤作動することを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、回路基板１０の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６８】
図１２に示されるように、本実施形態では、回路基板１０には、一面１０ａと反対側の他面に凹部１４が形成されることにより、一面１０ａ側に薄肉部となるダイヤフラム１５が形成されている。そして、ダイヤフラム１５には、当該ダイヤフラムに印加される圧力に応じて抵抗値が変化する図示しないゲージ抵抗等が形成されている。すなわち、回路基板１０には、ダイヤフラム１５に印加された圧力に応じたセンサ信号を出力するセンシング部１６が形成されている。
【００６９】
そして、コイル２０および絶縁膜３０は、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、ダイヤフラム１５を囲むように形成されている。言い換えると、ダイヤフラム１５がコイル２０および絶縁膜３０から露出するように、コイル２０および絶縁膜３０が形成されている。
【００７０】
なお、図１２における回路基板１０は図２中のI−I線に沿った断面に相当している。また、図１２における第１〜第６配線層４０〜９０は、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ中のI−I線に沿った断面に相当している。
【００７１】
このように、圧力を検出するセンシング部１６が形成された回路基板１０にコイル２０を配置した半導体装置に本発明を適用することもできる。また、本実施形態では、コイル２０および絶縁膜３０は、回路基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、ダイヤフラム１５を囲むように形成されている。このため、コイル２０および絶縁膜３０がダイヤフラム１５上に形成されている場合と比較して、ダイヤフラム１５にコイル２０および絶縁膜３０からの応力が印加されることを抑制できる。したがって、圧力の検出精度が低下することを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７２】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００７３】
例えば、上記各実施形態において、第１〜第６配線層４０〜９０をメッキ処理によって形成してもよい。
【００７４】
また、上記第４実施形態において、保護膜１１０を磁性体で構成してもよい。
【００７５】
さらに、上記各実施形態を適宜組み合わせることもできる。例えば、上記第２実施形態の変形例と上記第３実施形態を組み合わせ、磁性体層１００を磁性体膜１００ａと絶縁膜１００ｂとを交互に積層したものとしてもよい。また、上記第２、第３実施形態に上記第４実施形態を組み合わせ、磁性体層１００および保護膜１１０を有する半導体装置とすることもできる。
【符号の説明】
【００７６】
１０    基板（回路基板）
１０ａ  一面
２０    コイル
３０    絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
2015115498.tif 000008
【図４Ｂ】
2015115498.tif 000009
【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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