(57)【要約】【課題】被研磨物に対して高い平坦性と高い研磨速度を有する電子材料用研磨材を提供する。【解決手段】２種以上の砥粒を含有し、少なくとも１種が砥粒（Ｂ）である電子材料用研磨材であって、砥粒（Ｂ）が粒子（Ｂ０）に有機化合物（Ａ）を被覆した砥粒であって、砥粒（Ｂ）の平均粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする電子材料用研磨材。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２類以上の砥粒を含有し、少なくとも１種が砥粒（Ｂ）である電子材料用研磨材であって、砥粒（Ｂ）が粒子（Ｂ０）に有機化合物（Ａ）を被覆した砥粒であって、砥粒（Ｂ）の平均粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする電子材料用研磨材。
【請求項２】
有機化合物（Ａ）が、下記の条件１を満たす酸基（Ｘ）を分子内に少なくとも１つ有する酸性化合物（Ｄ）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｅ）との塩（ＤＥ）である請求項１に記載の電子材料用研磨材。
条件１：酸基の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである
【請求項３】
塩（ＤＥ）の重量平均分子量が１，０００〜２００，０００である請求項２に記載の電子材料用研磨材。
【請求項４】
塩（ＤＥ）が、ポリアクリル酸塩、ポリスチレンスルホン酸塩及びナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の塩（ＤＥ２）である請求項２又は３に記載の電子材料用研磨材。
【請求項５】
窒素含有塩基性化合物（Ｅ）が、分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物及び分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格を有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の窒素含有塩基性化合物である請求項２〜４のいずれかに記載の電子材料用研磨材。
【請求項６】
有機化合物（Ａ）が水溶性高分子である請求項１〜５のいずれかに記載の電子材料用研磨材。
【請求項７】
前記粒子（Ｂ０）が、コロイダルシリカ、酸化セリウム、アルミナ及びダイヤモンドからなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子である請求項１〜６のいずれかに記載の電子材料用研磨材。
【請求項８】
更に砥粒（Ｂ）以外の砥粒（Ｃ）を含有し、砥粒（Ｃ）が、コロイダルシリカ、酸化セリウム、アルミナ及びダイヤモンドからなる群から選ばれる少なくとも１種である砥粒である請求項１〜７のいずれかに記載の電子材料用研磨材。
【請求項９】
砥粒（Ｃ）の平均粒径に対する砥粒（Ｂ）の平均粒径の比が、０．２〜０．７である請求項１〜８のいずれかに記載の電子材料用研磨材。
【請求項１０】
酸（Ｆ）を含有する請求項１〜９のいずれかに記載の電子材料用研磨材。
【請求項１１】
酸（Ｆ）の内の少なくとも１種のｐＫａと研磨材のｐＨとが下記の条件２を満たす請求項１０に記載の電子材料用研磨材。
条件２： ｙ≦ｘ≦ｙ＋４
[ｘは酸（Ｆ）の内の少なくとも１種のｐＫａ、ｙは研磨材のｐＨ]
【請求項１２】
電子材料が、ハードディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リンメッキされたハードディスク用アルミ基板である請求項１〜１１のいずれかに記載の電子材料用研磨材。
【請求項１３】
電子材料の製造工程において、請求項１〜１２のいずれかに記載の電子材料用研磨材を用いて電子材料を研磨する工程を含む電子材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子材料用研磨材、この研磨材を用いて電子材料を研磨する工程を含む電子材料の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドと磁気ディスク基板間の距離がますます小さくなってきている。そのため、磁気ディスク基板の製造での研磨工程直後の洗浄工程で、研磨に使用した研磨粒子や発生した研磨屑等のパーティクルの残留が極力ない基板が求められている。それに加えてまた、近年はスクラッチやピット、表面うねり、端面ダレ等の表面欠陥の低減が求められるようになってきている。
【０００３】
磁気ディスク製造工程は、基板用の板を面取り加工する工程であるラッピング工程と、平坦化した基板を作成する工程であるサブストレート製造工程と、磁性層をこの基板上に形成する工程であるメディア工程とを含む。
サブストレート製造工程では、基板の平坦化のために研磨パッドと、コロイダルシリカ、酸化セリウム等の研磨粒子を含む研磨材による研磨を行い、それに続く洗浄工程で基板表面の研磨粒子や発生した研磨屑等のパーティクルを除去した後、乾燥工程を経て、加工された基板は所定の容器に梱包されメディア工程に輸送されるといった煩雑なプロセスから成る。
【０００４】
近年の旺盛な需要に対応するために、前述した基板の品質のみならず、生産の効率化が一層求められており、具体的に平坦性を維持しつつ、研磨速度を高めることができる研磨材が強く求められている。一般的に、砥粒の粒径を大きくすることで研磨速度を高めることができるが、同時に平坦性が損なわれるため、粒径以外の方法で研磨速度を高める方法が求められている。
従来から、被研磨物に対する高い平坦性と研磨速度の向上を目的にイタコン酸（塩）を含む単量体の（共）重合体を含有する研磨用組成物が提案されている（例えば特許文献１）。
また、研磨後の基板表面のスクラッチ等の欠陥を低減するために、酸と複素環芳香族化合物を含む研磨液組成物が提案されている（例えば特許文献２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−６４６３２号公報
【特許文献２】特開２０１０−１８８５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１〜２に代表されるような従来の研磨材では被研磨物に対する平坦性と研磨速度が十分ではなく、一層の生産の効率化が求められている。
そこで、電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨材と比較して被研磨物に対して高い平坦性と高い研磨速度を有する電子材料用研磨材、この電子材料用研磨材を用いて電子材料を研磨する研磨方法、及び、この研磨方法で電子材料を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、２類以上の砥粒を含有し、少なくとも１種が砥粒（Ｂ）である電子材料用研磨材であって、砥粒（Ｂ）が粒子（Ｂ０）に有機化合物（Ａ）を被覆した砥粒であって、砥粒（Ｂ）の平均粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする電子材料用研磨材；この電子材料用研磨材を用いて電子材料を研磨する研磨方法；この研磨方法で電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電子材料用研磨材は、従来の研磨材と比較して、被研磨物に対して高い平坦性と高い研磨速度を有する。そのため、電子材料の生産効率を高めることができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の電子材料用研磨材は、研磨パッドや研磨テープ等で電子材料を研磨する工程で使用する研磨材であり、必須成分として砥粒（Ｂ）及び砥粒（Ｃ）を含む。ここで粒子（Ｂ０）に有機化合物（Ａ）を被覆した砥粒（Ｂ）であって、砥粒（Ｂ）の平均粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍである電子材料用研磨材であることを特徴とする。
【００１０】
本発明における電子材料とは、製造工程中に研磨パッド等を用いて研磨する工程を含む工程により製造される電子材料であれば特に限定するものではない。例えば、（１）ハードディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされたハードディスク用アルミ基板等の磁気ディスク用基板、（２）半導体素子又はシリコンウェハ等の半導体基板、（３）ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＡｌＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板、（４）ＬＥＤ用等のサファイヤ基板等が挙げられる。
【００１１】
これらのうち、生産効率向上の観点で好ましくは磁気ディスク用基板であり、具体的にハードディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされたハードディスク用アルミ基板である。
【００１２】
電子材料には、電子材料になる前の状態の被研磨物が含まれ、例えばハードディスク用ガラス基板の場合、ラッピングされる前のガラス基板や、酸化セリウム等で粗研磨される前のガラス基板や、コロイダルシリカ等で精密研磨される前のガラス基板等が含まれ、電子材料になるものは全て電子材料に含まれるものとする。
【００１３】
本発明における研磨工程とは、材料を砥石や研磨粒子を用いて平坦に加工する工程のことを指し、例えば砥石が固定された研磨パッドを用いて粗く面取りするラッピング工程や、研磨粒子を用いて精密に平坦化する研磨工程を含む。
【００１４】
本発明における研磨パッドとは、ポリウレタン樹脂製やポリエステル樹脂製のパッドであり、表面にダイヤモンド等の砥石が固定されているパッドを含む。また、発泡タイプであってもスエードタイプであっても良く、様々な硬さのものが使用できる。これら研磨パッドは特に限定するものではなく、市販されている研磨パッドを使用することができる。研磨テープも研磨パッドと同様である。
【００１５】
有機化合物（Ａ）を粒子（Ｂ０）に被覆させる方法としては、物理的あるいは化学的に被覆させる方法などがある。物理的に被覆させる方法としては、粒子表面に吸着しやすい官能基を有する有機化合物（塩（ＤＥ））、及び／又は水溶性高分子（Ｉ）などを使用する方法、有機化合物の溶解度を変化させて、粒子（Ｂ０）表面に付着させて被覆させる方法等が挙げられる。化学的に被覆させる方法としては、反応性基を有する化合物（シランカップリング剤など）を粒子（Ｂ０）表面の反応性基とを反応させる方法が挙げられる。
【００１６】
有機化合物（Ａ）が粒子（Ｂ０）に被覆したことは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）での観察画像により確認できる。
【００１７】
有機化合物（Ａ）は、下記の条件１を満たす酸基（Ｘ）を分子内に少なくとも１つ有する酸性化合物（Ｄ）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｅ）との塩（ＤＥ）である。
条件１：酸基の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである
酸基（Ｘ）を有する酸性化合物（Ｄ）としては、酸基（Ｘ）を有する低分子酸性化合物（Ｄ１）、及び酸基（Ｘ）を有するポリマー（Ｄ２）が挙げられる。
【００１８】
酸基（Ｘ）を有する低分子酸性化合物（Ｄ１）は、酸基（Ｘ１）と炭素数が１〜３６の疎水基（Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１つ有するものである。酸基（Ｘ）を有するポリマー（Ｄ２）は、分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ２）を有するものである。
酸基（Ｘ１）、（Ｘ２）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）とは、下記反応式（１）に示す酸（ＨＸ）の酸解離反応におけるＨＸの生成熱とＸ−の生成熱との差を意味する。
ＨＸ→Ｈ＋＋Ｘ−  （１）
なお、酸基（Ｘ１）の酸解離反応における生成熱変化は、疎水基（Ｙ）を水素原子と仮定した値である。
また、酸基（Ｘ２）の酸解離反応における生成熱変化は、酸基（Ｘ２）が結合しているポリマー鎖を水素原子と仮定した値である。
例えば、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）の場合、Ｈ−ＳＯ３Ｈとして計算した値；硫酸基（−ＯＳＯ３Ｈ）の場合、Ｈ−ＯＳＯ３Ｈとして計算した値；カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＣＯＯＨとして計算した値；カルボキシメチルオキシ基（−ＯＣＨ２ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＯＣＨ２ＣＯＯＨとして計算した値；カルボキシエチルオキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨとして計算した値；（ジ）カルボキシメチルアミノ基（−ＮＲＣＨ２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ２ＣＯＯＨ）２）の場合、Ｈ−ＮＨＣＨ２ＣＯＯＨとして計算した値；（ジ）カルボキシエチルアミノ基（−ＮＲＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ）２）の場合、Ｈ−ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨとして計算した値である。なお、Ｒは水素原子又は炭素数１〜２４のアルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシルなど）を表す。
【００１９】
すなわち、生成熱変化（Ｑ１）は下記数式（２）で表される。
Ｑ１＝ΔｆＨｏＨＸ−ΔｆＨｏＸ−  （２）
［式中、ΔｆＨｏＨＸ、ΔｆＨｏＸ−は、それぞれ順に、ＨＸ、Ｘ−についての真空中における生成熱を表す。］
【００２０】
ここで、生成熱（ΔｆＨｏ）の値は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，ｐ．９２３（１９９５）に記載の半経験的分子軌道法（ＭＯＰＡＣ ＰＭ３法）を用いて計算することができる。
この生成熱の値は、たとえば、富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて真空中における生成熱（２５℃）として計算できる。すなわち、この生成熱の値は、計算したい分子構造を「Ｗｏｒｋ Ｓｐａｃｅ」上で書き、分子力場法である「ＭＭ２ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法である「ＰＭ３ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で計算することにより得られる。
【００２１】
また、酸基（Ｘ１）又は（Ｘ２）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）（ｋｃａｌ／ｍｏｌ、２５℃）は、３〜２００であり、ゼータ電位を下げるという観点等から、好ましくは１０〜１５０、次に好ましくは１５〜１００、次に好ましくは２０〜８０、特に好ましくは２０〜６５である。
【００２２】
酸基（Ｘ１）、（Ｘ２）としては、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）（Ｑ１＝３２ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、硫酸基（−ＯＳＯ３Ｈ）（Ｑ１＝４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝２１ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシメチルオキシ基（−ＯＣＨ２ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝１９ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシエチルオキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、（ジ）カルボキシメチルアミノ基（−ＮＲＣＨ２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ２ＣＯＯＨ）２）（Ｑ１＝２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、（ジ）カルボキシエチルアミノ基（−ＮＲＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ）２）（Ｑ１＝２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）などが挙げられる。なお、「（ジ）カルボキシ」とは、ジカルボキシ又はカルボキシを意味する。
これらの酸基のうち、工業的に生産しやすい観点等から、スルホン酸基、硫酸基又はカルボキシル基が好ましく、塩の加水分解の防止の観点等から、さらに好ましくはスルホン酸基又はカルボキシル基である。
【００２３】
疎水基（Ｙ）としては、脂肪族炭化水素基、芳香環含有炭化水素基等が含まれる。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３６のアルキル基、炭素数２〜３６のアルケニル基、炭素数３〜３６のシクロアルキル基等が含まれる（直鎖状又は分岐状のいずれでもよい）。
アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシルなどが挙げられる。
アルケニル基としては、ｎ−又はｉ−プロペニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニルなどが挙げられる。
【００２４】
炭素数３〜３６のシクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
【００２５】
芳香環含有炭化水素基としては、炭素数７〜３６の芳香族炭化水素等が含まれ、メチルフェニル、エチルフェニル、ｎ−又はｉ−プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ウンデシルフェニル、ドデシルフェニル、ベンジル、フェネチル、オクチルナフチル、ノニルナフチル、ドデシルナフチルなどが挙げられる。
【００２６】
疎水基（Ｙ）のうち、脂肪族炭化水素基又は芳香環含有炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、ドデシルフェニル、オクチルナフチル、ノニルナフチル、ドデシルナフチル、特に好ましくはオクチル、ノニル、ドデシル、オクチルフェニル、ドデシルフェニル、オクチルナフチルである。
【００２７】
疎水基（Ｙ）の炭素数は、１〜３６であり、さらに好ましくは４〜２４、特に好ましくは８〜２４である。これらの疎水基は、水素原子の一部又は全部が他の原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など）又は官能基（水酸基、アミノ基、メルカプト基、パーフルオロアルキル基、カルボキシル基、又は、エーテル結合、アミド結合、若しくは、エステル結合を含む有機基など）で置換されていてもよく、またこの官能基には１個以上のオキシアルキレン基を含んでもよい。
【００２８】
（Ｄ１）としては、以下の化合物等が挙げられる。
スルホン酸基を有する化合物（Ｄ１−１）
アルキルスルホン酸（オクチルスルホン酸、デシルスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ミリスチルスルホン酸、セチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸など）、ベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸（トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、エイコシルベンゼンスルホン酸など）、ナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸（ポリオキシエチレンオクチルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸など）、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸等が挙げられる。
【００２９】
硫酸基を有する化合物（Ｄ１−２）
アルキル硫酸エステル（オクチル硫酸エステル、デシル硫酸エステル、ドデシル硫酸エステル、ミリスチル硫酸エステル、セチル硫酸エステル、ステアリル硫酸エステルなど）、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルなど）、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸エステルなど）、アシルアミドアルキル硫酸エステル等が挙げられる。
【００３０】
これらのうち、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸、アルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル、アシルアミドアルキル硫酸エステルが好ましく、さらに好ましくはアルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸である。
【００３１】
（Ｄ１）のＨＬＢ値は、５〜３０が好ましく、さらに好ましくは７〜１７、より好ましくは９〜１６、特に好ましくは１０〜１５、最も好ましくは１０．５〜１４．５である。
なお、本発明において、ＨＬＢ値は、小田法により、下記数式（３）を用いて算出される値である（藤本武彦著、界面活性剤入門（三洋化成工業株式会社）、ｐ２１２（２００７））。
【００３２】
ＨＬＢ＝１０×（無機性／有機性）  （３）
なお、式中の有機性、無機性とは、分子を構成する原子及び官能基ごとに定められた数値の合計値であり、上記文献中に記載された値を用いることができる。
【００３３】
スルホン酸基を有するポリマー（Ｄ２−１）
スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ｄ２−１−１）、分子内にスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ｄ２−１−２）などが挙げられる。
【００３４】
硫酸基を有するポリマー（Ｄ２−２）
硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ｄ２−２−１）などが挙げられる。
【００３５】
カルボキシル基を有するポリマー（Ｄ２−３）
カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ｄ２−３−１）などが挙げられる。
【００３６】
ポリマー（Ｄ２）の内で、カルボキシル基を有するポリマー（Ｄ２−３）、スルホン酸基を有するポリマー（Ｄ２−１）が好ましく、さらに好ましくは（Ｄ２−３−１）、（Ｄ２−１−１）又は（Ｄ２−１−２）である。
本発明に用いるポリマー（Ｄ２）は、単独で用いても良いが、２種以上の混合物として用いることもできる。
【００３７】
（Ｄ２）を構成するモノマーとしては、以下のものが挙げられる。
スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）
炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸（ビニルスルホン酸、（メタ）アリルスルホン酸など）、炭素数６〜２４の芳香族不飽和スルホン酸（スチレンスルホン酸、ノニルスチレンスルホン酸など）、スルホン酸基含有（メタ）アクリレート｛２−（メタ）アクリロイルオキシエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、４−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、ｐ−（メタ）アクリロイルオキシメチルベンゼンスルホン酸など｝、スルホン酸基含有（メタ）アクリルアミド｛２−（メタ）アクリロイルアミノエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、など｝などが挙げられる。
これらの内、重合性及び水中における耐加水分解性の観点等から、炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸、炭素数６〜２４の芳香族不飽和スルホン酸又はスルホン酸基含有（メタ）アクリルアミドが好ましく、さらに好ましくはビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸又は２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸である。
【００３８】
硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）
水酸基含有モノマーの硫酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルの硫酸エステルが好ましく、さらに好ましくは２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート又は２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートの硫酸エステルである。
【００３９】
カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）
不飽和モノカルボン酸｛（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、アリル酢酸、（イソ）クロトン酸、シンナミック酸及びアクリル酸２−カルボキシエチルなど｝、不飽和ジカルボン酸又は不飽和ジカルボン酸の無水物｛（無水）マレイン酸、フマル酸、（無水）イタコン酸、（無水）シトラコン酸、メサコン酸など｝が挙げられる。
これらの内、重合性及び水中における耐加水分解性の観点等から、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸又は不飽和ジカルボン酸の無水物が好ましく、さらに好ましくは（メタ）アクリル酸、（無水）マレイン酸、フマル酸又は（無水）イタコン酸である。
【００４０】
不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ｄ２−１−１）〜（Ｄ２−３−１）には、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）、硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）以外のラジカル重合性不飽和モノマーを共重合させることができる。
【００４１】
モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−３）は、それぞれ、単独で用いてもよいし、２種以上の混合物として用いてもよい。共重合体の場合は、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれの構造であってもよい。
【００４２】
ポリマー（Ｄ２−１−１）の具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、又は、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体などが挙げられる。
【００４３】
ポリマー（Ｄ２−２−１）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体などが挙げられる。
【００４４】
ポリマー（Ｄ２−３−１）の具体例としては、ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体などが挙げられる。
【００４５】
不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ｄ２−１−１）〜（Ｄ２−３−１）の合成方法としては、公知のラジカル重合法が利用できる。例えば、モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−３）と必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマーからなるモノマーと、ラジカル開始剤（過硫酸塩、アゾビスアミジノプロパン塩、アゾビスイソブチルニトリルなど）を、モノマーに対して０．１〜３０重量％用い、水又はアルコール系溶剤などの溶媒中で３０〜１５０℃の温度にて重合する。必要であれば、メルカプタンなどの連鎖移動剤を用いてもよい。
【００４６】
ポリマー（Ｄ２−１−２）を合成する際に用いるスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）としては、アリールスルホン酸（ベンゼンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸（トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、モノブチルビフェニルスルホン酸など）、多環芳香族スルホン酸（ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、ヒドロキシナフタレンスルホン酸、ヒドロキシアントラセンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸｛アルキル（炭素数１〜２４）ナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸、イソプロピルナフタレンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、ラウリルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、メチルアントラセンスルホン酸、ラウリルアントラセンスルホン酸、エイコシルアントラセンスルホン酸など｝、フェノールスルホン酸（フェノールスルホン酸、モノブチルフェニルフェノールモノスルホン酸、ジブチルフェニルフェノールジスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）フェノールスルホン酸（クレゾールスルホン酸、ノニルフェノールスルホン酸、エイコシルフェノールスルホン酸など）、芳香族アミノスルホン酸（アニリンスルホン酸など）、リグニンスルホン酸（リグニンスルホン酸塩、変性リグニンスルホン酸など）、トリアジン環を有するスルホン酸基含有化合物（メラミンスルホン酸など）などが挙げられる。アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸、多環芳香族スルホン酸、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸が好ましく、さらに好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸である。
【００４７】
ポリマー（Ｄ２−１−２）には、スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）以外に、必要によりその他の芳香族化合物（ａＯ）や尿素等を構成成分とすることができる。
その他の芳香族化合物（ａＯ）としては、ベンゼン、アルキルベンゼン（アルキル基の炭素数１〜２０）、ナフタレン、アルキルナフタレン（アルキル基の炭素数１〜２０）、フェノール、クレゾール、ヒドロキシナフタレン、アニリンなどが挙げられる。
【００４８】
ポリマー（Ｄ２−１−２）の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ナフタレンスルホン酸−メチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。
【００４９】
ポリマー（Ｄ２−１−２）の合成方法としては、公知の方法が利用できる。例えば、上記スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）と、必要によりその他の芳香族化合物（ａＯ）や尿素、触媒として用いる酸（硫酸など）又はアルカリ（水酸化ナトリウムなど）を反応容器に仕込み、７０〜９０℃の撹拌下で所定量のホルムアルデヒド水溶液（例えば３７重量％水溶液）を１〜４時間かけて滴下し、滴下後、還流下で３〜３０時間撹拌して冷却する方法が挙げられる。
また化合物（ａＹ−１）としては、予め一部又は全部のスルホン酸基を化合物（Ｅ）で中和したものを用いて、ポリマー（Ｄ２−１−２）を合成すると同時に直接塩（ＤＥ２）を得てもよい。
（ａＯ）を用いる場合、（ａＹ−１）と（ａＯ）とのモル比｛（ａＹ−１）／（ａＯ）｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。
【００５０】
尿素を用いる場合、（ａＹ−１）と尿素とのモル比｛（ａＹ−１）／尿素｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。また、（ａＹ−１）又は（ａＯ）は２種以上の混合物として用いてもよい。
【００５１】
ポリマー（Ｄ２）の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記。）は、好ましくは１，０００〜２００，０００である。上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記。）によって、ポリエチレンオキサイドを標準物質として４０℃で測定される値である。たとえば、装置本体：東ソー（株）製ＨＬＣ−８１２０、カラム：東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌ Ｇ５０００ ＰＷＸＬ、Ｇ３０００ ＰＷ ＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．２Ｍ無水硫酸ナトリウム、１０％アセトニトリル緩衝液、溶離液流量：０．８ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：１．０重量％の溶離液溶液、注入量：１００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＥ−３０、ＳＥ−１５、ＳＥ−８、ＳＥ−５の条件により測定することができる。
【００５２】
次に、塩（ＤＥ１）及び（ＤＥ２）を構成する化合物（Ｅ）について説明する。
本発明では、化合物（Ｅ）として、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるものを用いる。
本発明において、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）とは、下記反応式（４）に示す化合物（Ｅ）のプロトン付加反応におけるＥの生成熱とＨ＋Ｅの生成熱との差を意味する。
Ｅ＋Ｈ＋→Ｈ＋Ｅ  （４）
【００５３】
すなわち、Ｑ２は下記数式（５）で表される。
Ｑ２＝ΔｆＨｏＨ＋E−ΔｆＨｏE  （５）
［式中、ΔｆＨｏＨ＋E、ΔｆＨｏEは、それぞれ順に、Ｈ＋Ｅ、Ｅについての真空中における生成熱を表す。］
【００５４】
生成熱（ΔｆＨｏ）の値は、上述したように、半経験的分子軌道法（ＭＯＰＡＣ ＰＭ３法）を用いて計算することができる。
なお、Ｈ＋Ｅの生成熱を計算する際のＨ＋を付加させる位置は、化合物（Ｅ）に含まれる窒素原子上である。また窒素原子が複数個存在する場合、各窒素原子ごとに生成熱を計算し、Ｅの生成熱とＨ＋Ｅの生成熱の差が最小になる時の値を生成熱変化（Ｑ２）とする。
【００５５】
化合物（Ｅ）のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）（ｋｃａｌ／ｍｏｌ、２５℃）は、１０〜１５２であり、ゼータ電位を下げるという観点等から、好ましくは３０〜１４８、さらに好ましくは４０〜１４５、特に好ましくは５０〜１４３、最も好ましくは１００〜１４１である。
【００５６】
化合物（Ｅ）は、上記のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌの範囲にあれば制限なく、例えば、分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物（Ｅ−１）、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物（Ｅ−２）及び分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格有する化合物（Ｅ−３）などが含まれる。
【００５７】
化合物（Ｅ）の分子体積（ｎｍ３）は、０．０２５〜０．７が好ましく、さらに好ましくは０．０５０〜０．５、特に好ましくは０．１２〜０．３６である。
ここで分子体積とは、分子の等電子密度面でできる空間の体積を指し、分子力場法であるＭＭ２（Ａｌｌｉｎｇｅｒ，Ｎ．Ｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９９，８１２７（１９７７））及び半経験的分子軌道法であるＰＭ３（Ｓｔｅｗａｒｔ，Ｊ．Ｊ．Ｐ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０，２２１（１９８９））を用いて計算した最適化構造から得ることができる。たとえば、上記の富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて、同様に構造最適化した後、「Ｐｒｏｊｅｃｔ Ｌｅａｄｅｒ」上で半経験的分子軌道法である「ＰＭ３ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」により、計算することができる。なお、計算の結果、分子体積の値が複数個得られた場合については、最大値を用いる。
【００５８】
化合物（Ｅ−１）の具体例としては、グアニジン｛グアニジン（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０６２ｎｍ３）、メチルグアニジン（Ｑ２＝１４４ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０８４ｎｍ３）、テトラメチルグアニジン（Ｑ２＝１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１４７ｎｍ３）、エチルグアニジン（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１０４ｎｍ３）、フェニルグアニジン（Ｑ２＝１４１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１３９ｎｍ３）など｝、単環式グアニジン［２−アミノ−イミダゾール｛２−アミノ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０８０ｎｍ３）、２−ジメチルアミノ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１３８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ３）など｝］、多環式グアニジン｛１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＴＢＤと略記）（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１５９ｎｍ３）、１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＭＴＢＤと略記）（Ｑ２＝１３９ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１８０ｎｍ３）など｝などが挙げられる。
【００５９】
化合物（Ｅ−２）の具体例としては、イミダゾール｛１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０６７ｎｍ３）、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４４ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ３）、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ３）、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ３）、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ３）、２−エチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１９ｎｍ３）など｝、下記一般式（６）で表される２環式アミジンなどが挙げられる。
【００６０】
【化１】
2015053101.tif 000002
【００６１】
［式中、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立した水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数６〜３０のアリール基、又は、炭素数７〜３０のアリールアルキル基を表し、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はアリールアルキル基中の水素原子の一部又は全部が水酸基、アミノ基、（ジ）アルキル（炭素数１〜２４）アミノ基、（ジ）ヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）アミノ基、メルカプト基又はハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。またＲ７及びＲ８は、互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｍ及びｎは互いに独立して１〜１２の整数を表す。］
【００６２】
炭素数１〜２４のアルキル基又は炭素数２〜２４のアルケニル基としては、疎水基（Ｙ）で例示したアルキル基又はアルケニル基の内、炭素数１〜２４のものが挙げられる。
炭素数２〜３０のアルキニル基としては、直鎖状及び分岐状のいずれでもよく、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−又は２−ドデシニル、１−又は２−トリデシニル、１−又は２−テトラデシニル、１−又は２−ヘキサデシニル、１−又は２−ステアリニル、１−又は２−ノナデシニル、１−又は２−エイコシニル、１−又は２−テトラコシニルなどが挙げられる。
【００６３】
炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル又はメチルナフチルなどが挙げられる。
炭素数７〜３０のアリールアルキル基としては、ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル、７−フェニルヘプチル、８−フェニルオクチル、１０−フェニルデシル、１２−フェニルドデシル、ナフチルメチル、ナフチルエチルなどが挙げられる。
【００６４】
２つのＲ７又は２つのＲ８が互いに結合して炭素数４〜１２の環を形成する場合、２つのＲ７又は２つのＲ８は、２価の有機基（炭素数４〜１２のアルキレン基等）を形成する。
炭素数４〜１２のアルキレン基としては、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、デシレン、ドデシレンなどが挙げられ、これらのアルキレン基はエーテル結合等で結合されていてもよい。
【００６５】
一般式（６）で表される化合物の具体例としては、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（以下ＤＢＵと略記。なお、ＤＢＵはサンアプロ社の登録商標である。）（Ｑ２＝１３７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１８５ｎｍ３）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（以下ＤＢＮと略記）（Ｑ２＝１４１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１４６ｎｍ３）、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］デセン−７（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１６６ｎｍ３）、１，４−ジアザビシクロ［３．３．０］オクテン−４（Ｑ２＝１４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１２６ｎｍ３）などが挙げられる。
【００６６】
化合物（Ｅ−３）としては、下記一般式（７）で表されるホスファゼン化合物等が挙げられる。
【００６７】
【化２】
2015053101.tif 000003
【００６８】
［式中Ｒ９、Ｒ１０は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基及び炭素数７〜２４のアリールアルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０中の水素原子は水酸基、アミノ基、メルカプト基またはハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また、複数のＲ１０は同一であってもよいし異なっていてもよく、隣接するＲ１０は互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｋは１〜４の整数を表す。］
【００６９】
一般式（７）中の炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基及び炭素数７〜２４のアリールアルキル基としては、前記のＲ７、Ｒ８と同様のものが挙げられる。
隣接するＲ１０が環を形成する場合、２つのＲ１０は前記のＲ７、Ｒ８と同様に２価の有機基を形成する。
【００７０】
一般式（７）で示される化合物の具体例としては、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２（Ｑ２＝１２２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２１７ｎｍ３）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２（Ｑ２＝１２８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２３７ｎｍ３）、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２（Ｑ２＝１２５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２６０ｎｍ３）、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２（Ｑ２＝１０７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２９８ｎｍ３）、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２（Ｑ２＝１２９ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２９４ｎｍ３）、ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２（Ｑ２＝１２３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２７０ｎｍ３）、４−Ｍｅ−Ｃ６Ｈ４［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２（Ｑ２＝１２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３１１ｎｍ３）、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２９３ｎｍ３）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３１４ｎｍ３）、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３３９ｎｍ３）、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３７３ｎｍ３）、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３７０ｎｍ３）、４−Ｍｅ−Ｃ６Ｈ４［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３９０ｎｍ３）などが挙げられる。なお、Ｍｅはメチル、Ｅｔはエチル、Ｐｈはフェニル、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル、（ｄｍａ）はジメチルアミノ、（ｐｙｒｒ）は１−ピロリジニリルを表す。
【００７１】
化合物（Ｅ）として好ましいものは、（Ｅ−１）の内、グアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、（Ｅ−２）の内、ＤＢＵ、ＤＢＮ、（Ｅ−３）の内、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］２Ｎ（ＣＨ３）２、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）２］Ｎ（ＣＨ３）２、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）２］（ｐｙｒｒ）であり、さらに好ましくはＤＢＵ又はＤＢＮである。
化合物（Ｅ）は、単独で用いてもよく、２種以上の混合物として用いてもよい。
【００７２】
本発明において、（Ｄ１）と（Ｅ）との塩（ＤＥ１）、（Ｄ２）と（Ｅ）との塩（ＤＥ２）は、酸基（Ｘ１）又は（Ｘ２）の一部又は全部が（Ｅ）で中和されていればよい。
【００７３】
塩（ＤＥ１）の具体例としては、アルキルベンゼンスルホン酸塩（トルエンスルホン酸グアニジン塩、トルエンスルホン酸ＤＢＵ塩、トルエンスルホン酸ＤＢＮ塩、キシレンスルホン酸グアニジン塩、キシレンスルホン酸ＤＢＵ塩、キシレンスルホン酸ＤＢＮ塩、ドデシルベンゼンスルホン酸グアニジン塩、ドデシルベンゼンスルホン酸ＤＢＵ塩、ドデシルベンゼンスルホン酸ＤＢＮ塩など）、ナフタレンスルホン酸塩（ナフタレンスルホン酸グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸ＤＢＮ塩など）、アルキルナフタレンスルホン酸塩（メチルナフタレンスルホン酸グアニジン塩、メチルナフタレンスルホン酸ＤＢＵ塩、メチルナフタレンスルホン酸ＤＢＮ塩、ドデシルナフタレンスルホン酸グアニジン塩、ドデシルナフタレンスルホン酸ＤＢＵ塩、ドデシルナフタレンスルホン酸ＤＢＮ塩など）等が挙げられる。
【００７４】
塩（ＤＥ２）の具体例としては、ポリアクリル酸塩（ポリアクリル酸ＤＢＵ塩、ポリアクリル酸ＤＢＮ塩など）、ポリスチレンスルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸グアニジン塩、ポリスチレンスルホン酸ＤＢＵ塩、ポリスチレンスルホン酸ＤＢＮ塩など）、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩など）、アルキルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩など）、ナフタレンスルホン酸−アルキルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩など）等が挙げられる。（ＤＥ１）及び（ＤＥ２）は、単独又は２種以上の混合物であってもよい。
これらの塩（ＤＥ２）のうち、好ましくは、ポリアクリル酸塩、ポリスチレンスルホン酸塩及びナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩である。
【００７５】
塩（ＤＥ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００〜２００，０００、更に好ましくは３，０００〜１００，０００である。なお、塩（ＤＥ２）のＭｗは、ポリマー（Ｄ２）と同様にＧＰＣにより得られる値である。
【００７６】
塩（ＤＥ１）又は（ＤＥ２）は、（Ｄ１）又は（Ｄ２）と（Ｅ）との中和反応により得ることができる。例えば、温調、撹拌が可能な反応容器に（Ｄ１）及び／又は（Ｄ２）の水溶液を仕込み、撹拌しながら室温（約２５℃）で（Ｅ）（必要により水溶液）を投入して均一混合することができる。また、例えば、予め水を仕込んだ反応容器に、撹拌しながら（Ｄ１）及び／又は（Ｄ２）、並びに、（Ｅ）を同時又は別々に投入して均一混合することにより得ることができる。中和反応時の濃度は、目的により適宜選択することができる。
【００７７】
有機化合物（Ａ）は、水溶性高分子であってもよい。
【００７８】
有機化合物（Ａ）は、前記の塩（ＤＥ）以外の非イオン性の水溶性高分子を含んでいても良い。非イオン性の水溶性高分子としては、グァーガム、ジェランガム等に代表される天然多糖類系高分子；ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等のセルロース系高分子；ポリビニルピロリドン、ポリ（Ｎ−アルキルピロリドン）等のピロリドン系高分子；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合体等のポリアルキレングリコール系高分子；ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル等のポリビニル系高分子等が挙げられる。
【００７９】
前記のシランカップリング剤としては、市販のシランカップリング剤を使用することができ、例えば、信越化学（株）製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、ＫＢＭ−６０３（Ｎ−２（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、ＫＢＥ−６０３（Ｎ−２（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、ＫＢＭ−６０２（Ｎ−２（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン）等や、東レ・ダウコーニング（株）製のＺ−６６１０（３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、Ｚ−６０１１（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、Ｚ−６０９４（３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン）、Ｚ−６８８３（３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン）、Ｚ−６０４０（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、Ｚ−６０４２（３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン）等がある。
【００８０】
本発明の電子材料用研磨材は、更に砥粒（Ｂ）以外の砥粒（Ｃ）を含有することが好ましい。
本発明において粒子（Ｂ０）、及び砥粒（Ｃ）には、電子材料研磨用の市販の砥粒が使用でき、特に限定するものではない。材質としては、コロイダルシリカ、酸化セリウム、アルミナ、酸化ジルコニウム、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化チタン、炭化ケイ素、窒化ホウ素等が挙げられ、好ましくはコロイダルシリカ、酸化セリウム、アルミナ又はダイヤモンドである。粒子（Ｂ０）、及び砥粒（Ｃ）には、それぞれ材質の異なる２種以上を併用しても良い。
【００８１】
本発明において砥粒（Ｂ）は、平均粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは１ｎｍ〜５０ｎｍである。砥粒（Ｂ）には、平均粒径の異なる２種以上を併用しても良い。
粒子（Ｂ０）の平均粒径は、好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、更に好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍである。粒子（Ｂ０）には、平均粒径の異なる２種以上を併用しても良い。
上記砥粒（Ｃ）の平均粒径は、好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。砥粒（Ｃ）には、平均粒径の異なる２種以上を併用しても良い。
砥粒（Ｃ）の平均粒径に対する砥粒（Ｂ）の平均粒径の比は、下記の数式（８）によって求めることができ、好ましくは０．２〜０．７であり、さらに好ましくは０．２〜０．５である。平均粒径の異なる２種以上を併用した場合の平均粒径は、砥粒（Ｂ）及び砥粒（Ｃ）それぞれ独立に２種以上の粒子を混合したものの平均粒径を意味する。
平均粒径の比＝（砥粒（Ｂ）の平均粒径）／（砥粒（Ｃ）の平均粒径）    （８）
【００８２】
有機化合物（Ａ）の含有量は、研磨材の合計重量に基づいて、好ましくは０．００１〜５重量％であり、更に好ましくは０．０１〜１重量％である。
粒子（Ｂ０）の含有量は、研磨材の合計重量に基づいて、好ましくは０．０１〜１０重量％であり、更に好ましくは０．０１〜１重量％である。
（Ａ）と（Ｂ０）の重量比率［（Ａ）／（Ｂ０）］は、好ましくは０．１／９９．９〜３０／７０であり、更に好ましくは１／９９〜２０／８０である。
砥粒（Ｃ）の含有量は、研磨材の合計重量に基づいて、好ましくは０．１〜２０重量％であり、更に好ましくは０．５〜２０重量％である。
砥粒（Ｂ）と砥粒（Ｃ）の重量比率［（Ｂ）／（Ｃ）］は、好ましくは０．０１〜１であり、更に好ましくは０．０１〜０．５である。
粒子（Ｂ０）、砥粒（Ｂ）、砥粒（Ｃ）の平均粒径は、数平均粒径、体積平均粒径等であってよい。測定方法としては、任意の測定方法で良く、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）での観察画像から求める方法や、滴定法、ＢＥＴ法、動的散乱法、レーザー回折法によって、それぞれの方法で測定した時の平均粒径として求めることができ、それぞれの方法で得られた個数分布、体積分布、表面積及び散乱強度分布から算出できる。
【００８３】
本発明において、（Ａ）以外の酸（Ｆ）、有機アミン（Ｈ）、界面活性剤（高級アルコールエチレンオキサイド付加物、脂肪族アミンのエチレンオキサイド付加物等の非イオン性界面活性剤、アルキル硫酸エステル等のアニオン性界面活性剤）、酸化剤（過酸化水素）、還元剤（亜硝酸カリウム等の無機還元剤等）、防腐剤、防錆剤（ベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール等）、及び水を適宜含んでもよい。
【００８４】
酸（Ｆ）としては、例えば、無機酸（Ｆ−１）及び有機酸（Ｆ−２）が挙げられる。
無機酸（Ｆ−１）としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、メタリン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸及びヘキサメタリン酸等が挙げられる。
有機酸（Ｆ−２）としては、スルホン酸基を分子内に有する有機酸（Ｆ−２１）、カルボン酸基を分子内に有する有機酸（Ｆ−２２）、ホスホン基又はリン酸基を分子内に有する有機酸（Ｆ−２３）及びその他の有機酸（Ｆ−２４）が挙げられる。なお酸（Ｆ）のｐＫａは、例えば「化学便覧（改訂５版）基礎編ＩＩ」（日本化学会編）３３２〜３４２頁（１９９３年５月発行）等の書籍に記載されている値を用いることができる。
【００８５】
スルホン酸基を分子内に有する有機酸（Ｆ−２１）としては、メタンスルホン酸、スルファミン酸、スルファニル酸、タウリン、パラトルエンスルホン酸等が挙げられる。
【００８６】
カルボン酸基を分子内に有する有機酸（Ｆ−２２）としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、α―アラニン、β―アラニン、グリシン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、α―アミノ酪酸、サルコシン、Ｎ−エチルグリシン、酒石酸、クエン酸、酒石酸モノサクシネート、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、１，２−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）、ニトリロ酢酸（ＮＴＡ）、β−アラニン二酢酸、アスパラギン酸二酢酸、メチルグリシン二酢酸、イミノジコハク酸、セリン二酢酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、ピロメリット酸、ベンゾポリカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸ジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、没食子酸、安息香酸等が挙げられる。
【００８７】
ホスホン基又はリン酸基を分子内に有する有機酸（Ｆ−２３）としては、メチルジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）等が挙げられる。
【００８８】
その他の有機酸（Ｆ−２４）としては、アスコルビン酸等が挙げられる。
酸（Ｆ）の含有量に制限はないが、研磨材の使用時におけるｐＨは４．０未満であることが研磨速度の観点で好ましい。研磨材のｐＨは、市販のｐＨメーターによって測定することができる。
【００８９】
酸（Ｆ）が塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無い。
例えば、上記に例示した酸の１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝塩；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩、アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）塩が挙げられる。
また、酸（Ｆ）は単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。研磨レート及びスクラッチの観点から好ましくは２種以上である。
【００９０】
本発明は、酸（Ｆ）の内の少なくとも１種のｐＫａと研磨材のｐＨとが下記の条件２を満たすことが好ましい。
条件２： ｙ≦ｘ≦ｙ＋４
[ｘは酸（Ｆ）の内の少なくとも１種のｐＫａ、ｙは研磨材のｐＨ]
【００９１】
酸（Ｆ）が２以上のｐＫａを有する場合、ｐＫａとは、研磨材のｐＨ以上、かつそのうちで最も小さいｐＫａのことを示す。
条件２の範囲に関して、更に好ましくは、ｙ≦ｘ≦ｙ＋３あり、特に好ましくは、ｙ≦ｘ≦ｙ＋２である。上記条件を満たすことで、酸によるｐＨ緩衝作用により研磨中のｐＨ変化が抑制され、研磨レートが促進されるとともに、砥粒の凝集を防ぐことによるスクラッチ低減に効果がある。
【００９２】
有機アミン（Ｈ）としては、アルカノールアミン、アルキルアミン等が挙げられる。アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、イソプロパノールアミン、アミノエチルエタノールアミン等が挙げられ、アルキルアミンの具体例としては、トリエチルアミン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン等が挙げられる。
【００９３】
酸（Ｆ）の含有量は、研磨材の合計重量に基づいて、好ましくは０．１〜３０重量％であり、更に好ましくは０．５〜２０重量％である。
有機アミン（Ｈ）は、研磨材の合計重量に基づいて、好ましくは０．１〜１５重量％であり、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。
電子材料用研磨材で使用される水は、清浄度の観点から電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水が好ましく、超純水、イオン交換水、逆浸透水（ＲＯ水）、蒸留水などが挙げられる。
電子材料用研磨材の調製工程には、有機化合物（Ａ）を粒子（Ｂ０）に被覆させる砥粒（Ｂ）の調製工程を含む。
砥粒（Ｂ）表面における有機化合物（Ａ）の被覆の割合は、一部であっても、全部であってもよい。
【００９４】
電子材料用研磨材の調製方法は、粒子（Ｂ０）の表面を有機化合物（Ａ）で被覆できれば特に限定されないが、例えば（１）有機化合物（Ａ）と粒子（Ｂ０）、必要により他の成分を配合し、有機化合物（Ａ）を粒子（Ｂ０）の表面に吸着あるいは反応などにより被覆させ、砥粒（Ｂ）を調整し、続いて水、砥粒（Ｃ）及び酸（Ｆ）等を任意の順番で配合する、（２）有機化合物（Ａ）、粒子（Ｂ０）、必要により他の成分の少なくとも１種を任意の順番で配合し、続いて砥粒（Ｃ）及び残成分を任意の順番で配合する際に、有機化合物（Ａ）を粒子（Ｂ０）の表面に被覆させ、砥粒（Ｂ）を調製することができる。
【００９５】
本発明の電子材料用研磨材は、研磨に使用した後、循環して再び研磨に使用しても良い。
【００９６】
本発明の研磨材は、有機化合物（Ａ）が被覆された粒子（Ｂ０）からなる砥粒（Ｂ）により、研磨時の砥粒―基板間の摩擦が低減され、基板の平坦性が高められるものと推定する。また、有機化合物（Ａ）は、研磨パッド及び／又は基板と水素結合等の相互作用することができる。その相互作用により、砥粒（Ｂ）は、研磨パッド及び／又は基板に保持され、砥粒（Ｃ）と併用することにより、研磨に作用する砥粒数が増加し、更に研磨速度が向上する。
【００９７】
本発明の研磨方法は、電子材料の製造工程において、本発明の電子材料用研磨材を用いて電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。
【００９８】
研磨装置は市販の研磨装置が使用でき、卓上サイズ（４Ｂ型等）であっても実生産サイズ（１６Ｂ型〜２２Ｂ型等）等を限定するものではない。また、研磨面は片面であっても両面であってもよい。
【００９９】
研磨条件は、通常の基板を研磨する条件（荷重、回転数等）が使用でき、特に限定するものではない。
【０１００】
本発明の研磨材を用いた電子材料の製造工程（一部）の一例として、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされたハードディスク用アルミ基板（Ｎｉ−Ｐ基板）の研磨工程を例にとり、以下に述べる。
（１）Ｎｉ−Ｐ基板を研磨装置のキャリアにセットし、ポリウレタン製の研磨パッドが貼られた定盤でＮｉ−Ｐ基板を挟む。
（２）本発明の研磨材を供給しながら荷重をかけ、定盤及びキャリアを回転させる。
（３）一定膜厚が研磨できたことを確認し、回転を止める。
（４）Ｎｉ−Ｐ基板を流水リンスし、キャリアから取り出し、洗浄剤で浸漬洗浄もしくはスクラブ洗浄する。
（５）再び流水リンスする。
（６）乾燥、梱包する。
【実施例】
【０１０１】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、％は重量％、部は重量部を示す。
【０１０２】
製造例１ （ポリアクリル酸ＤＢＵ塩の製造） 
温調及び撹拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部及び超純水１００部を仕込み、反応容器内を窒素で置換後、７５℃に昇温した。３０ｒｐｍで撹拌下、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけてそれぞれ同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液をＤＢＵでｐＨが７．０になるまで中和（ＤＢＵ４５０部使用）し、超純水で濃度調整することにより、ポリアクリル酸ＤＢＵ塩（ＤＥ−１）の４０％水溶液を得た。なお、（ＤＥ−１）のＭｗは１０，０００であった。
【０１０３】
製造例２ （ポリアクリル酸ＤＢＵ塩の製造） 
製造例１において、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を５部に変更すること以外は、製造例１と同様にして、ポリアクリル酸ＤＢＵ塩（ＤＥ−２）の４０％水溶液を得た。ポリアクリル酸ＤＢＵ塩（ＤＥ−２）のＭｗは２００，０００であった。
【０１０４】
製造例３ （ポリスチレンスルホン酸ＤＢＵ塩の製造）
撹拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、撹拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２,２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸をＤＢＵでｐＨが７．０になるまで中和（ＤＢＵ４５０部使用）し、超純水で濃度調整することにより、ポリスチレンスルホン酸ＤＢＵ塩（ＤＥ−３）の４０％水溶液を得た。なお、（ＤＥ−３）のＭｗは４０，０００であった。
【０１０５】
製造例４ （ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩の製造）
撹拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ１５部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物のＤＢＵ塩（ＤＥ−４）の４０％水溶液を得た。なお、（ＤＥ−４）のＭｗは、５，０００であった。
【０１０６】
実施例１〜２０
表１〜２に記載の組成にしたがい、容器に、下記の粒子（Ｂ０）と有機化合物（Ａ）を配合し、均一になるまで撹拌する。別の容器に、水７０部、下記の砥粒（Ｃ）、３５％過酸化水素水及び酸（Ｆ）を配合し、均一になるまで撹拌する。ついで、両者を配合し、均一になるまで撹拌し、水を加えて合計１００部となるように調整し、有機化合物（Ａ）に被覆された粒子（Ｂ０）からなる砥粒（Ｂ−１）〜（Ｂ−２０）及び砥粒（Ｃ）を含有する研磨材（Ｓ−１）〜（Ｓ−２０）を得た。なお、粒子（Ｂ０）、砥粒（Ｃ）、有機化合物（Ａ）、３５％過酸化水素水及び酸（Ｆ）の配合量は純分換算した値を記載した。
粒子（Ｂ０）、砥粒（Ｃ）は、下記の（Ｂ０−１）〜（Ｂ０−３）、（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）をそれぞれ使用した。
（Ｂ０−１）；水系コロイダルシリカスラリー（平均粒径１２ｎｍ、有効成分濃度３０％）
（Ｂ０−２）；水系コロイダルシリカスラリー（平均粒径７ｎｍ、有効成分濃度３０％）
（Ｂ０−３）；水系コロイダルシリカスラリー（平均粒径３０ｎｍ、有効成分濃度３０％）
（Ｃ−１）；水系コロイダルシリカスラリー（平均粒径３８ｎｍ、有効成分濃度３０％）
（Ｃ−２）；水系コロイダルシリカスラリー（平均粒径２２ｎｍ、有効成分濃度３０％）
（Ｃ−３）；水系アルミナスラリー粒子（平均粒径１００ｎｍ、有効成分濃度３０％）
【０１０７】
比較例１〜１４
表１〜２に記載の組成にしたがい、容器に、粒子（Ｂ０）、砥粒（Ｃ）、水８０部、３５％過酸化水素水及び酸（Ｆ）を配合し、均一になるまで撹拌し、水を加えて合計１００部となるように調整し、研磨材（Ｖ−１）〜（Ｖ−１０）を得た。なお、粒子（Ｂ０）、砥粒（Ｃ）、３５％過酸化水素水及び酸（Ｆ）の配合量は純分換算した値を記載した。
【０１０８】
研磨液の性能評価として、被研磨物として磁気ディスク用ニッケル−リンめっき基板またはガラス基板を用い、基板の平坦性及び研磨速度の評価試験は下記の方法で行った。なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【０１０９】
＜基板の平坦性及び研磨速度の評価＞
（１）重量を測定した２．５インチの磁気ディスク用基板及びポリウレタン樹脂製の研磨パッドを研磨装置（株式会社ナノファクター製、「ＮＦＤ−４ＢＬ」）にセットした。
（２）回転数を２０ｒｐｍ、押し付け圧を６０ｇ重／ｃｍ２に設定し、実施例１〜８、比較例１〜３の試験液を１ｍＬ／秒の速度で基板に注ぎながら６分間研磨した。
（３）上記の研磨した基板を研磨装置から取り出し、１分間流水でリンスした後、窒素ブローで乾燥させた。
（４）基板の重量変化から研磨速度を算出し、原子間力顕微鏡（ＳＩＩ製  ＮａｎｏＮａｖｉ  Ｌ−ｔｒａｃｅＩＩ、測定視野：２０マイクロ角）で、基板の表面粗さを測定した。
【０１１０】
結果を表１〜２に示す。
【０１１１】
【表１】
2015053101.tif 000004
【０１１２】
【表２】
2015053101.tif 000005
【０１１３】
実施例１〜８と比較例１〜３、実施例９と比較例４、実施例１０と比較例５をそれぞれ比較することにより、実施例に関する研磨材は、比較例に関する研磨材に比べて高い平坦性と高い研磨速度を有することが明らかである。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明の電子材料用研磨材は、被研磨物に対して高い平坦性と高い研磨速度を有し、生産効率を高める効果があるため、製造工程に研磨工程を含む電子材料用研磨材、例えば磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク用Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミ基板、半導体用シリコン基板、ＬＥＤ用サファイヤ基板製造用の研磨材として有用である。
また、本発明の研磨材を用いて研磨する工程を含む電子材料の製造方法は、被研磨物に対して高い平坦性と高い研磨速度を有し、生産効率の高い製造方法であるので、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク用Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミ基板、半導体用シリコン基板、ＬＥＤ用サファイヤ基板等の製造方法として利用できる。