(57)【要約】【課題】優れた導電性を有する領域を形成することのできるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体を提供する。【解決手段】一実施形態において、側面及び底面を有し、第１のドナー濃度に制御された第１の領域と、前記第１の領域の前記側面及び底面を包囲し、前記第１のドナー濃度より低い第２のドナー濃度に制御された第２の領域と、を含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶、及び平面視の形状と深さが制御された、第１のドナー濃度を有する第１の領域と、前記第１の領域と接する界面が制御された、前記第１のドナー濃度より低い第２のドナー濃度を有する第２の領域と、を含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体を提供する。【選択図】図１Ｄ
2015179850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面及び底面を有し、第１のドナー濃度に制御された第１の領域と、
前記第１の領域の前記側面及び底面を包囲し、前記第１のドナー濃度より低い第２のドナー濃度に制御された第２の領域と、
を含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶。
【請求項２】
前記第１の領域は、前記第１のドナー濃度としてのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）が、５×１０１７／ｃｍ３以上である請求項１に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶。
【請求項３】
前記第２の領域は、前記第２のドナー濃度としてのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）が、４×１０１７／ｃｍ３以下である請求項１に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶。
【請求項４】
平面視の形状と深さが制御された、第１のドナー濃度を有する第１の領域と、
前記第１の領域と接する界面が制御された、前記第１のドナー濃度より低い第２のドナー濃度を有する第２の領域と、
を含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【請求項５】
前記第１の領域は、前記第１のドナー濃度としてのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）が、５×１０１７／ｃｍ３以上である請求項４に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【請求項６】
前記第２の領域は、前記第２のドナー濃度としての前記差（Ｎｄ−Ｎａ）が、４×１０１７／ｃｍ３以下である請求項４に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【請求項７】
前記第１の領域は、ボックス型の領域であり、
前記第２の領域は、前記ボックス型の領域の側面と底面とに接する凹部状の界面を有する領域である、請求項５あるいは６に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【請求項８】
前記単結晶体は、立方体であり、
前記第1の領域は、前記立方体の全表面に所定の深さで形成された領域であり、
前記第２の領域は、前記立方体の残余の領域である、請求項４に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体、特に優れた導電性を有する領域を形成することができるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＧａ２Ｏ３単結晶の形成方法として、Ｇａ２Ｏ３単結晶を成長させながらＳｉやＳｎ等のＩＶ族元素を添加して、Ｇａ２Ｏ３単結晶に導電性を付与する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来の他のＧａ２Ｏ３単結晶の形成方法として、サファイア基板上にＳｎ等の不純物を添加しながらβ−Ｇａ２Ｏ３結晶をヘテロエピタキシャル成長させ、導電性を有するβ−Ｇａ２Ｏ３結晶膜を形成する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、ＳｉＣ結晶にイオン注入により不純物イオンを導入する方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２３５９６１号公報
【特許文献２】特許第４０８３３９６号公報
【特許文献３】特許第４５８１２７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、Ｇａ２Ｏ３単結晶等の酸化物単結晶に導電性を付与するための不純物の導入に、イオン注入法を用いることは難しい。これは、酸化物にはイオン注入によるダメージが発生しやすく、イオン注入後のアニール処理でもダメージを十分に回復させることが難しいことによる。酸化物単結晶においては、イオン注入の際に酸素が欠損することにより、結晶のダメージが大きくなるものと考えられる。
【０００７】
しかしながら、イオン注入法には、母結晶の形成後に不純物濃度を制御することが可能であることや、比較的容易に不純物を局所的に導入することが可能であること等の利点がある。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、優れた導電性を有する領域を形成することのできるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、［１］〜［８］のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体を提供する。
【００１０】
［１］側面及び底面を有し、第１のドナー濃度に制御された第１の領域と、前記第１の領域の前記側面及び底面を包囲し、前記第１のドナー濃度より低い第２のドナー濃度に制御された第２の領域と、を含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶。
【００１１】
［２］前記第１の領域は、前記第１のドナー濃度としてのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）が、５×１０１７／ｃｍ３以上である［１］に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶。
【００１２】
［３］前記第２の領域は、前記第２のドナー濃度としてのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）が、４×１０１７／ｃｍ３以下である［１］に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶。
【００１３】
［４］平面視の形状と深さが制御された、第１のドナー濃度を有する第１の領域と、前記第１の領域と接する界面が制御された、前記第１のドナー濃度より低い第２のドナー濃度を有する第２の領域と、を含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【００１４】
［５］前記第１の領域は、前記第１のドナー濃度としてのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）が、５×１０１７／ｃｍ３以上である［４］に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【００１５】
［６］前記第２の領域は、前記第２のドナー濃度としての前記差（Ｎｄ−Ｎａ）が、４×１０１７／ｃｍ３以下である［４］に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【００１６】
［７］前記第１の領域は、ボックス型の領域であり、前記第２の領域は、前記ボックス型の領域の側面と底面とに接する凹部状の界面を有する領域である、［５］あるいは［６］に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【００１７】
［８］前記単結晶体は、立方体であり、前記第1の領域は、前記立方体の全表面に所定の深さで形成された領域であり、前記第２の領域は、前記立方体の残余の領域である、［４］に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、優れた導電性を有する領域を形成することのできる、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図。
【図１Ｂ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図。
【図１Ｃ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図。
【図１Ｄ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図。
【図２】イオン注入後の窒素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の導電性との関係を表すグラフ。
【図３】イオン注入後の酸素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の導電性との関係を表すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
〔実施の形態〕
本実施の形態によれば、イオン注入法を用いてドナー不純物をＧａ２Ｏ３系単結晶体に導入し、所定の条件下でアニール処理を施すことにより、優れた導電性を有する高ドナー濃度領域をＧａ２Ｏ３系単結晶体中に形成することができる。以下、その実施の形態の一例として、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法について詳細に説明する。なお、本実施の形態のＧａ２Ｏ３系単結晶体はβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体に限られず、α−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体等の他の構造を有するＧａ２Ｏ３系単結晶体であってもよい。
【００２１】
図１Ａ〜１Ｄは、イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図である。
【００２２】
まず、図１Ａに示すように、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１にマスク２を形成する。マスク２は、フォトリソグラフィ法等を用いて形成される。
【００２３】
次に、図１Ｂに示すように、イオン注入によりドナー不純物をβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１に注入し、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１の表面にドナー不純物注入領域３を形成する。このとき、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のマスク２に覆われた領域にはドナー不純物が注入されないため、ドナー不純物注入領域３はβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１の表面の一部の領域に形成される。ドナー不純物注入領域３のドナー不純物濃度は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のドナー不純物を注入していない領域のドナー不純物濃度よりも高い。
【００２４】
なお、マスク２を用いずにイオン注入を行い、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１の全表面にドナー不純物注入領域３を形成してもよい。また、イオン注入の条件を調整することにより、ドナー不純物注入領域３の深さや濃度分布を制御することができる。
【００２５】
次に、図１Ｃに示すように、マスク２を除去する。
【００２６】
その後、図１Ｄに示すように、８００℃以上のアニール処理を施すことにより、ドナー不純物注入領域３のドナー不純物を活性化させ、ドナー濃度の高い高ドナー濃度領域４を形成する。また、このアニール処理により、イオン注入により生じたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のダメージを回復することができる。具体的なアニール処理の条件は、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性雰囲気下で８００℃以上、酸素雰囲気下で８００℃以上９５０℃以下である。
【００２７】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶、又は、Ａｌ、Ｉｎ等の元素が添加されたβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶からなる。例えば、Ａｌ及びＩｎが添加されたβ−Ｇａ２Ｏ３結晶である（ＧａｘＡｌｙＩｎ（１−ｘ−ｙ））２Ｏ３（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）結晶であってもよい。Ａｌを添加した場合にはバンドギャップが広がり、Ｉｎを添加した場合にはバンドギャップが狭くなる。
【００２８】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１は、例えば、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板や、支持基板上に形成されたβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶膜である。
【００２９】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１にイオン注入法により導入されるドナー不純物として、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ等のＩＶ族元素が用いられる。
【００３０】
図２は、イオン注入後の窒素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体としてのβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の導電性との関係を表すグラフである。図２の縦軸は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の単位立方センチ当たりのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）、すなわちｎ型半導体であるβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の導電性の高さを表す。図２の横軸は、窒素雰囲気下でのアニール処理の温度を表す。アニール処理は、各々３０分間実施される。
【００３１】
この高ドナー濃度領域は、深さ２００ｎｍのボックス型の領域であり、ドナー濃度が３×１０１７／ｃｍ３のβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板に、濃度１×１０１９／ｃｍ３のＳｉ又はＳｎをイオン注入することにより形成した。また、この高ドナー濃度領域は、（０１０）面を主面とするβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の主面に垂直にドナー不純物を注入することにより形成した。
【００３２】
図２中の■及び▲は、それぞれドナー不純物としてＳｉ及びＳｎを注入する場合のＮｄ−Ｎａの値を示す。また、○は、ドナー不純物を注入しない場合のＮｄ−Ｎａの値を示す。
【００３３】
図２に示されるように、Ｓｉを注入する場合、Ｓｎを注入する場合ともに、８００℃以上のアニール処理によりＮｄ−Ｎａの値が高くなる。すなわち、イオン注入後に窒素雰囲気下で８００℃以上のアニール処理を実施することにより、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板に高い導電性を付与することができる。なお、ドナー不純物を注入しない場合は、アニール処理の温度を上げてもＮｄ−Ｎａの値が大きく増加することはない。
【００３４】
図３は、イオン注入後の酸素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体としてのβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の導電性との関係を表すグラフである。図３の縦軸は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の単位立方センチ当たりのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）、すなわちｎ型半導体であるβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の導電性の高さを表す。図３の横軸は、酸素雰囲気下でのアニール処理の温度を表す。アニール処理は、各々３０分間実施される。
【００３５】
図３中の■及び▲は、それぞれドナー不純物としてＳｉ及びＳｎを注入する場合のＮｄ−Ｎａの値を示す。
【００３６】
図３に示されるように、Ｓｉを注入する場合、８００℃以上９５０℃以下のアニール処理によりＮｄ−Ｎａの値が高くなる。また、Ｓｎを注入する場合、８００℃以上１１００℃以下のアニール処理によりＮｄ−Ｎａの値が高くなる。すなわち、イオン注入後に酸素雰囲気下で８００℃以上９５０℃以下のアニール処理を実施することにより、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板に高い導電性を付与することができる。
【００３７】
（実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、イオン注入法を用いてドナー不純物をβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶体に導入し、所定の条件下でアニール処理を施すことにより、優れた導電性を有する高ドナー濃度領域をβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶体中に形成することができる。イオン注入法を用いて高ドナー濃度領域を形成するため、β−Ｇａ２Ｏ３系結晶体の形成後に高ドナー濃度領域のドナー濃度を制御し、所望の導電性を付与することができる。また、マスク等を用いることにより、高ドナー濃度領域をβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶体中に局所的に形成することができる。
【００３８】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【００３９】
１…β−Ｇａ２Ｏ３系単単結晶体、２…マスク、３…ドナー不純物注入領域、４…高ドナー濃度領域
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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