(57)【要約】【課題】シールド層と封止樹脂層との密着性を高める。【解決手段】配線基板に半導体チップを搭載する工程と、半導体チップを封止するように、無機充填材を含有する封止樹脂層を形成する工程と、ドライエッチングにより前記無機充填材の一部が露出するまで前記封止樹脂層の一部を除去する工程と、少なくとも前記封止樹脂層を覆うようにシールド層を形成する工程と、を具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップを封止するように、無機充填材を含有する封止樹脂層を形成する工程と、
ドライエッチングにより前記無機充填材の一部が露出するまで前記封止樹脂層の一部を除去する工程と、
少なくとも前記封止樹脂層を覆うようにシールド層を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ドライエッチングは、逆スパッタリングであり、
前記シールド層を形成する工程は、スパッタリングにより行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
配線基板に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップを封止するように、無機充填材を含有する封止樹脂層を形成する工程と、
逆スパッタリングにより前記封止樹脂層の一部を表面から２．５ｎｍ以上７．５ｎｍ未満の深さまで除去する工程と、
スパッタリングにより少なくとも前記封止樹脂層を覆うようにシールド層を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記封止樹脂層の一部を除去する工程において、前記封止樹脂層の表面全体が灰化する前まで前記逆スパッタリングを行う請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の面および第２の面を有する配線基板と、
前記第１の面上に設けられた半導体チップと、
前記第２の面上に設けられた外部接続端子と、
前記半導体チップを封止するように前記第１の面上に設けられ、表面に露出する無機充填材を含有する封止樹脂層と、
少なくとも前記封止樹脂層を覆うように設けられ、前記露出した無機充填材に接するシールド層と、を具備する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態の発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器等に用いられる半導体装置では、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）等の電磁波障害を抑制するために、封止樹脂層の表面をシールド層で覆う構造が用いられている。上記構造で十分なシールド効果を得るためには、シールド層をグランド配線に電気的に接続し、グランド配線を介して外部に電磁波ノイズを逃がすことが好ましい。
【０００３】
半導体装置においては、シールド層と封止樹脂層との密着性が高い方が信頼性上好ましい。また、シールド層とグランド配線との間の電気抵抗率は、シールド効果の観点から低い方が好ましい。シールド層と封止樹脂層との間に密着性を高めるため、例えばステンレス鋼（例えばＳＵＳ３０４等）のバッファ層（下地層）を設ける構造が検討されている。しかしながら、ステンレス鋼の電気抵抗率は７２×１０−８Ωｍ程度と例えば銅や銀を用いたシールド層の電気抵抗率よりも高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開２０１２／０１５６８７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態の発明が解決しようとする課題は、シールド層と封止樹脂層との密着性を高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体装置の製造方法は、配線基板に半導体チップを搭載する工程と、半導体チップを封止するように、無機充填材を含有する封止樹脂層を形成する工程と、ドライエッチングにより無機充填材の一部が露出するまで封止樹脂層の一部を除去する工程と、少なくとも封止樹脂層を覆うようにシールド層を形成する工程と、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】半導体装置の製造方法例を示すフローチャートである。
【図２】半導体装置の製造方法例を説明するための断面図である。
【図３】半導体装置の構造例を示す斜視図である。
【図４】半導体装置の構造例を示す断面図である。
【図５】半導体装置の構造例を示す断面図である。
【図６】半導体装置の構造例を示す断面図である。
【図７】半導体装置の密着性試験の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態の半導体装置について、図面を参照して説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態における半導体装置の製造方法例を示すフローチャートである。図１に示す半導体装置の製造方法例は、基板準備工程（Ｓ１）と、素子搭載工程（Ｓ２）と、樹脂封止工程（Ｓ３）と、分離工程（Ｓ４）と、マーキング工程（Ｓ５）と、エッチング工程（Ｓ６）と、シールド層形成工程（Ｓ７）と、を具備する。なお、本実施形態における半導体装置の製造方法例の工程内容および工程順は、必ずしも図１に示す工程に限定されない。
【００１０】
基板準備工程（Ｓ１）は、配線基板を準備する工程である。ここでは一例として複数の配線基板がマトリクス状に連設された構造の集合基板を作製する。
【００１１】
素子搭載工程（Ｓ２）は、配線基板に半導体チップを搭載する工程である。なお、素子搭載工程（Ｓ２）において、配線基板に設けられた信号配線およびグランド配線等の配線と半導体チップとをボンディングワイヤを介して接続するボンディングを行ってもよい。
【００１２】
樹脂封止工程（Ｓ３）は、半導体チップを封止するように封止樹脂層を形成する工程である。例えば、トランスファモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等のモールド法を用いて封止樹脂層を形成することができる。封止樹脂層は、無機充填材（例えばＳｉＯ２）を含有し、例えば該無機充填材を有機樹脂等と混合して形成される。無機充填材は、例えば粒状であり、封止樹脂層の粘度や硬度等を調整する機能を有する。封止樹脂層中の無機充填材の含有量は、例えば８０％〜９０％である。
【００１３】
分離工程（Ｓ４）は、半導体装置毎に基板のダイシングを行い、個々の半導体装置に分離する工程である。ダイシングには、例えばダイヤモンドブレード等のブレードを用いることができる。
【００１４】
マーキング工程（Ｓ５）は、例えばＹＡＧレーザ等を備えたレーザマーキング装置により、配線基板上の封止樹脂層の上面に、製品名、製品番号、製造年週、製造工場等の製品情報を刻印する工程である。なお、マーキング工程（Ｓ５）の後に熱処理を行ってもよい。
【００１５】
エッチング工程（Ｓ６）は、ドライエッチング等により、封止樹脂層の一部を除去する工程である。例えば、逆スパッタリングにより封止樹脂層の一部を除去することができる。逆スパッタリングとは、不活性ガス等の雰囲気下で電圧を印加してプラズマを発生させ、被処理基板に不活性ガスのイオンを衝突させて基板表面の酸化物等の物質をイオンとしてはじき飛ばす処理のことをいう。不活性ガスとしては、例えばアルゴンガス等が用いられる。
【００１６】
シールド層形成工程（Ｓ７）は、マーキングした半導体装置において、少なくとも封止樹脂層を覆うようにシールド層を形成する工程である。
【００１７】
このように、本実施形態における半導体装置の製造方法例は、配線基板に半導体チップを搭載する工程と、半導体チップを封止するように、無機充填材を含有する封止樹脂層を形成する工程と、エッチングにより封止樹脂層の一部を除去する工程と、少なくとも封止樹脂層を覆うようにシールド層を形成する工程と、を少なくとも具備する。
【００１８】
さらに、エッチング工程（Ｓ６）およびシールド層形成工程（Ｓ７）について、図２を参照して説明する。図２は、本実施形態における半導体装置の製造方法例を説明するための断面図である。
【００１９】
基板準備工程（Ｓ１）からマーキング工程（Ｓ５）までを経て形成された半導体装置の一例は、図２（Ａ）に半導体装置１として示すように、第１の面および第２の面を有する配線基板２と、電極パッドを有し、配線基板２の第１の面上に設けられた半導体チップ３と、半導体チップ３を封止するように配線基板２の第１の面上に設けられた封止樹脂層５と、ボンディングワイヤ８と、を具備する。なお、配線基板２の第１の面は、図２（Ａ）における配線基板２の上面に相当し、第２の面は、図２（Ａ）における配線基板２の下面に相当しており、配線基板２の第１の面および第２の面は、互いに対向している。
【００２０】
配線基板２は、第１の面と第２の面との間に設けられた絶縁層２１と、第１の面に設けられた配線層２２と、第２の面に設けられた配線層２３と、絶縁層２１を貫通して設けられたビア２４と、配線層２２上に設けられた半田レジスト層２８と、配線層２３上に設けられた半田レジスト層２９と、を備える。
【００２１】
エッチング工程（Ｓ６）において逆スパッタリングを用いる場合、一般的に逆スパッタリングは、表面に付着している酸化物やごみ等を除去する目的で行われるが、本実施形態では、図２（Ａ）に示すように、逆スパッタリングによりイオン３１を封止樹脂層５に衝突させて、封止樹脂層５の一部をイオン３２としてはじき飛ばすことにより封止樹脂層５の一部を除去する。なお、イオン３２は、分子単位であってもよい。
【００２２】
エッチング工程（Ｓ６）では、無機充填材３０の一部が露出するまで封止樹脂層５の一部を除去することが好ましい。具体的には、封止樹脂層５の一部を表面から２．５ｎｍ以上７．５ｎｍ未満の深さまで除去することが好適である。例えば、エッチング条件を制御することにより、除去する封止樹脂層５の深さを調整することができ、逆スパッタリングの場合、逆スパッタリングの時間や不活性ガスの流量等を制御することにより除去する封止樹脂層５の深さを調整することができる。また、図２（Ａ）に示すように、封止樹脂層５の側面についても同様に無機充填材３０の一部を露出させることが好ましい。
【００２３】
樹脂封止工程（Ｓ３）により形成される封止樹脂層５の表面は、凹凸が比較的少なく滑らかである。このため、封止樹脂層５とシールド層形成工程（Ｓ７）により形成されるシールド層との密着性が悪いと考えられる。これに対し、逆スパッタリング等を行うことにより、シールド層と封止樹脂層５との密着性を高めることができる。これは、封止樹脂層５の表面積の増大や、露出させた無機充填材３０の微細な凹凸によるアンカー効果等のためであると考えられる。
【００２４】
なお、逆スパッタリングにより封止樹脂層５の表面全体が灰化してしまうとかえって密着性が悪くなるため、封止樹脂層５の表面全体が灰化する前までの範囲で逆スパッタリングを行うことが好ましい。
【００２５】
シールド層形成工程（Ｓ７）では、図２（Ｂ）に示すように、半導体装置１において、少なくとも封止樹脂層５を覆うようにシールド層７を形成する。例えば、前述のエッチング工程（Ｓ６）により逆スパッタリングを行い、その後シールド層形成工程（Ｓ７）において、スパッタリングにより銅や銀等の導電性膜を成膜してシールド層７を形成することにより、被処理基板を大気曝露することなく、連続処理を行うことができる。
【００２６】
スパッタリング以外にも例えば転写法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、ジェットディスペンス法、インクジェット法、エアロゾル法等で導電性ペーストを塗布することによりシールド層７を形成することができる。導電性ペーストは、例えば銀や銅と樹脂とを主成分として含み、電気抵抗率が低いことが好ましい。また、無電解めっき法や電解めっき法で銅やニッケル等を成膜する方法を適用して、シールド層７を形成してもよい。
【００２７】
さらに、図２（Ｃ）に示すように、必要に応じて耐食性や耐マイグレーション性に優れた保護層９を、シールド層７を覆うように設けてもよい。また、保護層９を形成する前にエッチング工程（Ｓ６）と同様に再度逆スパッタリング等のエッチングを行ってもよい。これにより、シールド層７と保護層９との密着性を高めることができる。
【００２８】
その後、配線層２３が有する電極パッドに外部接続端子を設ける。これに限定されず、例えば素子搭載工程（Ｓ２）において外部接続端子を設けてもよい。さらに、作製した半導体装置の外部接続端子を用いて抵抗値を測定することにより良品か否か等を検査する工程を設けてもよい。以上が本実施形態における半導体装置の製造方法例の説明である。
【００２９】
次に、本実施形態における半導体装置の製造方法例により製造可能な半導体装置の構造例について説明する。
【００３０】
図３は半導体装置の構造例を示す斜視図であり、図３（Ａ）は、上面が表面側の斜視図であり、図３（Ｂ）は、上面が裏面側の斜視図である。図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示す半導体装置１は、配線基板２と、半導体チップ３と、半導体チップ３を覆うシールド層７と、半田ボールを有する外部接続端子６と、を具備する。なお、図３（Ｂ）において外部接続端子６の大きさが均一であるが、各外部接続端子６の大きさおよび位置は、図３（Ｂ）に限定されない。また、図３では、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）の半導体装置について示しているが、これに限定されない。
【００３１】
図４は、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示す半導体装置の構造例を示す断面図である。図４に示す半導体装置１は、配線基板２の第１の面上に設けられた半導体チップ３と、半導体チップ３を封止するように配線基板２の第１の面上に設けられた封止樹脂層５と、第２の面上に設けられた外部接続端子６と、少なくとも封止樹脂層５を覆うシールド層７と、ボンディングワイヤ８と、シールド層７を覆う保護層９と、を具備する。
【００３２】
なお、配線基板２の第１の面は、図４における配線基板２の上面に相当し、第２の面は、図４における配線基板２の下面に相当しており、配線基板２の第１の面および第２の面は、互いに対向している。また、図４における半導体装置の各構成要素のうち、図２（Ａ）ないし図２（Ｃ）と同一の符号を付した構成要素については、図２（Ａ）ないし図２（Ｃ）の対応する各構成要素の説明を適宜援用することができる。
【００３３】
配線基板２は、第１の面と第２の面との間に設けられた絶縁層２１と、第１の面に設けられた配線層２２と、第２の面に設けられた配線層２３と、絶縁層２１を貫通して設けられたビア２４と、配線層２２上に設けられた半田レジスト層２８と、配線層２３上に設けられた半田レジスト層２９と、を備える。
【００３４】
絶縁層２１としては、例えばシリコン基板やガラス基板、セラミック基板、ガラスエポキシ等の樹脂基板等を用いることができる。
【００３５】
封止樹脂層５としては、ＳｉＯ２等の無機充填材を含有し、例えば無機充填材を絶縁性の有機樹脂材料等と混合したものを用いることができ、例えばエポキシ樹脂と混合したものを用いることができる。
【００３６】
配線層２２および配線層２３には、例えば信号配線、電源配線、グランド配線等が設けられる。配線層２２および配線層２３のそれぞれは、単層構造に限定されず、絶縁層を挟んで絶縁層の開口部を介して電気的に接続された複数の導電層を積層させた積層構造であってもよい。配線層２２および配線層２３には、例えば銅や銀またはこれらを含む導電性ペーストを用い、必要に応じて表面にニッケルめっきや金めっき等が施されていてもよい。
【００３７】
ビア２４は、絶縁層２１を貫通して複数設けられる。ビア２４は、例えば絶縁層２１を貫通する開口の内面に設けられた導体層と、導体層の内側に充填された穴埋め材と、を有する。導体層には、例えば銅や銀またはこれらを含む導電性ペーストを用い、必要に応じて表面にニッケルめっきや金めっき等が施されていてもよい。穴埋め材は、例えば絶縁性材料または導電性材料を用いて形成される。なお、これに限定されず、例えば貫通孔内にめっき等により金属材料（銅等）を充填することによりビア２４を形成してもよい。
【００３８】
外部接続端子６としては、例えば信号端子、電源端子、グランド端子等が設けられる。外部接続端子６は、配線層２３およびビア２４を介して配線層２２に電気的に接続される。外部接続端子６は、半田ボール４を有する。半田ボール４は、配線層２３の接続パッド上に設けられる。なお、半田ボール４の代わりにランドを設けてもよい。
【００３９】
シールド層７は、封止樹脂層５の無機充填材３０に接する。シールド層７は、半導体チップ３等から放射される不要な電磁波を遮蔽し、外部への漏洩を抑制する機能を有する。シールド層７としては、例えば電気抵抗率が低い金属層を用いることが好ましく、例えば銅、銀、ニッケル等を含む金属層を用いることが好ましい。電気抵抗率が低い金属層をシールド層７に用いることにより、半導体チップ３や配線基板２を介して放射される不要な電磁波の漏洩を抑制することができる。
【００４０】
シールド層７の厚さは、その電気抵抗率に基づいて設定することが好ましい。例えば、シールド層７の電気抵抗率を厚さで割ったシート抵抗値が０．５Ω以下となるように、シールド層７の厚さを設定することが好ましい。シールド層７のシート抵抗値を０．５Ω以下とすることにより、封止樹脂層５からの不要な電磁波の漏洩を再現性よく抑制することができる。
【００４１】
ボンディングワイヤ８は、配線層２２および半導体チップ３に電気的に接続される。例えば、ボンディングワイヤ８により半導体チップ３と信号配線やグランド配線とが電気的に接続される。
【００４２】
さらに、図４に示すように、配線基板２の側面の少なくとも一部を覆うようにシールド層を形成し、配線層２２が有する配線２２Ａの側面を配線基板２の側面に露出させ、配線２２Ａの側面がシールド層７に接する構造にしてもよい。このとき、配線２２Ａはグランド配線としての機能を有する。配線２２Ａをシールド層７に電気的に接続させることによりグランド配線を介して外部に不要な電磁波を逃がすことができる。これに限定されず、配線層２３が有する配線２３Ａの側面がシールド層７に接する構造にしてもよい。配線２３Ａはグランド配線としての機能を有する。
【００４３】
また、配線層２２が有する配線２２Ａにおいて、配線基板２の側面に露出する複数の露出部を設けてもよい。これにより、配線基板２の側面で露出する配線２２Ａの面積を増やすことができるため、配線２２Ａとシールド層７との接続抵抗を低くすることができ、シールド効果を高めることができる。また、本実施形態の半導体装置において、配線基板２の周縁に沿ってグランド配線を配置することにより、グランド配線がシールド層として機能し、半導体チップ３や配線基板２を介して放射される不要な電磁波の漏洩を抑制することができる。
【００４４】
保護層９としては、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ３０４等）やポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００４５】
さらに、本実施形態の半導体装置の構造は上記構造に限定されない。半導体装置の他の構造例について図５および図６を参照して説明する。なお、図５および図６に示す半導体装置において、図４に示す半導体装置と同一部分については同一符号を付し、図４に示す半導体装置の説明を適宜援用する。
【００４６】
図５に示す半導体装置１は、図４に示す半導体装置１の絶縁層２１の代わりに絶縁層２１Ａおよび絶縁層２１Ｂを備え、さらに絶縁層２１Ａと絶縁層２１Ｂとの間に設けられた導電層１５を備える。なお、半導体チップ３、封止樹脂層５、外部接続端子６、シールド層７、ボンディングワイヤ８、および保護層９等の図４と同一の符号の構成要素については、図４に示す半導体装置１の説明を適宜援用する。
【００４７】
絶縁層２１Ａおよび絶縁層２１Ｂとしては、例えば絶縁層２１に適用可能な基板を用いることができる。
【００４８】
導電層１５は、半導体チップ３の少なくとも一部に重畳することが好ましい。導電層１５は、グランド配線としての機能を有する。導電層１５は、例えばベタ膜またはメッシュ膜であることが好ましい。
【００４９】
導電層１５は、例えばフォトリソグラフィー技術を用いて同一の導電膜上にレジストを形成し、該レジストをマスクとして導電膜の一部を除去することにより形成される。導電膜としては、例えばシールド層７に適用可能な材料を用いることが好ましい。
【００５０】
また、ビア２４は、絶縁層２１Ａ、導電層１５、および絶縁層２１Ｂを貫通して設けられる。なお、信号配線等に電気的に接続されるビア２４は、導電層１５と電気的に分離される。例えば、導電層１５に予め開口を設けておくことにより信号配線等に電気的に接続されるビア２４と導電層１５とを電気的に分離させることができる。なお、配線２２Ａ、配線２３Ａは、導電層１５に電気的に接続される。配線２２Ａ、配線２３Ａ、ビア２４の構成については、図４に示す半導体装置１の説明を援用する。
【００５１】
導電層１５を設けることにより、配線基板２を介した不要な電磁波の漏洩の抑制効果を高めることができる。さらに、導電層１５の側面は、シールド層７に接することが好ましい。これにより、シールド層７との接続点数を増やすことができるため、グランド端子となる外部接続端子６とシールド層７との接続不良を抑制することができ、また接続抵抗を低くすることができるため、シールド効果を高めることができる。
【００５２】
図６に示す半導体装置１は、図４に示す半導体装置１の一部のビア２４が配線基板２の周縁に配置され、かつ厚さ方向（ビアの貫通方向）に切断された形状を有する構造である。このとき、配線２２Ａおよび配線２３Ａはグランド配線としての機能を有する。ビア２４の切断面は、配線基板２の側面で露出し、シールド層７に接する。なお、図６に示す半導体装置１では、ビア２４の形状を厚さ方向の途中まで切断された形状としているが、これに限定されず、ビア２４の形状を、厚さ方向（ビア２４の貫通方向）の最後まで切断された形状にしてもよい。また、ビア２４の切断面は、必ずしも中心を通らなくてもよく、切断面にビア２４の一部が含まれていればよい。
【００５３】
ビア２４の切断面をシールド層７に接する構造にすることにより、ビア２４とシールド層７との接触面積、換言するとグランド配線とシールド層７との接触面積を増やすことができるため、接続抵抗を低減することができ、シールド効果を高めることができる。なお、図６に示す半導体装置１の絶縁層２１の代わりに図５に示す半導体装置１の絶縁層２１Ａおよび絶縁層２１Ｂを設け、かつ導電層１５を設けてもよい。
【００５４】
以上のように、本実施形態の半導体装置は、シールド層７により半導体チップ３や配線基板２を介して放射される不要な電磁波の漏洩を抑制することができる。よって、本実施形態の半導体装置は、例えばスマートフォン等の携帯型情報通信端末や、タブレット型の情報通信端末等への適用が好適である。
【実施例】
【００５５】
本実施例では、実際に作製した半導体装置およびその密着性試験結果について説明する。
【００５６】
本実施例では、実施形態に示す工程において、エッチング工程（Ｓ６）での逆スパッタリングの時間をサンプル毎に変えて複数の半導体装置のサンプルを作製し、作製した半導体装置のサンプルの密着性試験を行った。このとき、封止樹脂層に含まれる無機充填材のエッチングレートが１５オングストローム（１．５ｎｍ）／分になるように、逆スパッタリングの条件を設定した。また、密着性試験としては、ＪＩＳ  Ｈ８５０４等で規格された試験である、テープによる引き剥がし試験を行った。結果を図７に示す。
【００５７】
図７において、横軸は逆スパッタリングの時間（秒）を表し、縦軸は各サンプルにおける密着性試験によって剥離したサンプルの割合（剥離率（％））を示し、丸印はスパッタリング後一定時間経過後に密着性試験を行ったサンプルを示し、菱形印はさらにプレッシャークッカー試験後１００時間経過後に密着性試験を行ったサンプルを示す。
【００５８】
図７に示すように、逆スパッタリングの時間が１００秒未満のとき（エッチング深さ２．５ｎｍ未満のとき）は、剥離率が高い。これは逆スパッタリングにより封止樹脂層の一部が十分に除去されていないためである。また、逆スパッタリングの時間が３００秒以上（エッチング深さ７．５ｎｍ以上）のときも同様に、剥離率が高い。これは逆スパッタリングにより封止樹脂層の表面全体が灰化したためである。これに対し、逆スパッタリングの時間が１００秒以上３００秒未満（エッチング深さ２．５ｎｍ以上７．５ｎｍ未満）のときは、剥離率が低い。このことから、逆スパッタリングにより除去する封止樹脂層の深さや逆スパッタリングの時間を調整することにより、シールド層と封止樹脂層との密着性を高めることができることがわかる。
【００５９】
なお、実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６０】
１…半導体装置、２…配線基板、３…半導体チップ、４…半田ボール、５…封止樹脂層、６…外部接続端子、７…シールド層、８…ボンディングワイヤ、９…保護層、１５…導電層、２１…絶縁層、２１Ａ…絶縁層、２１Ｂ…絶縁層、２２…配線層、２２Ａ…配線、２３…配線層、２３Ａ…配線、２４…ビア、２８…半田レジスト層、２９…半田レジスト層、３０…無機充填材、３１…イオン、３２…イオン
【図１】
2015115559.tif 000003
【図２】
2015115559.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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