(57)【要約】【課題】電磁シールド特性の広帯域化、電磁波進行方向に対する共振構造装荷誘電体の小型化を図る。【解決手段】導電性の扉枠２と、扉枠に配置された導電性の扉１と、扉１が閉じられた際に対向する当該扉１と扉枠２の各対向面のうち一方または両方に全周にわたって設けられ、特定周波数で共振する共振構造装荷誘電体３とを備え、共振構造装荷誘電体３は、共振構造装荷誘電体３が設けられた扉１または／および扉枠２に電気的に接続された導体面３１と、表面に設けられ、幅方向に複数配置された導体パターン３２ａ〜３２ｈと、内部に設けられ、幅方向に複数配置された導体パターン３３ａ〜３３ｈと、導体パターン３２ａ〜３２ｈ，３３ａ〜３３ｈと導体面３１とを電気的に接続する貫通スルーホール列３４ａ〜３４ｄとを備えた。【選択図】図１
2015119094.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の扉枠と、
前記扉枠に配置された導電性の扉と、
前記扉が閉じられた際に対向する当該扉と前記扉枠の各対向面のうち一方または両方に全周にわたって設けられ、特定周波数で共振する共振構造装荷誘電体とを備え、
前記共振構造装荷誘電体は、
前記共振構造装荷誘電体が設けられた前記扉または／および前記扉枠に電気的に接続された導体面と、
表面に設けられ、幅方向に複数配置された第１の導体パターンと、
内部に設けられ、幅方向に複数配置された第２の導体パターンと、
前記第１，２の導体パターンと前記導体面とを電気的に接続する接続構造とを備えた
ことを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項２】
前記各第１の導体パターンは幅が異なり、
前記各第２の導体パターンは幅が異なり、
前記接続構造は、前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとを電気的に接続する位置と、前記第２の導体パターンと前記導体面とを電気的に接続する位置とが異なる
ことを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
【請求項３】
前記第２の導体パターンは２層以上積層された
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の電磁シールド扉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シールドルームの出入り口等において、電磁波の漏洩と浸入を防止するために用いられる電磁シールド扉に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電磁シールド扉の構成例を図１３〜１６に示す。なお図１４は、図１３の破線Ａ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。
電磁シールド扉は、図１３，１４に示すように、扉１０１、扉枠１０２、共振構造装荷誘電体１０３、ヒンジ１０４及び開閉レバー１０５から構成されている。扉１０１と扉枠１０２は導電性であり、ヒンジ１０４を介して接続され、開閉レバー１０５の操作により開閉可能な構造を有している。共振構造装荷誘電体１０３は、共振構造を有し、扉１０１と扉枠１０２との対向面において扉１０１の壁面に配置されている。
【０００３】
次に、図１５，１６を用いて共振構造装荷誘電体１０３の共振構造について説明する。なお図１５は、図１４における共振構造装荷誘電体１０３の破線部Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅで囲まれた部分の拡大図を示し、図１６は図１５の上面図を示している。
図１５，１６に示すように、共振構造装荷誘電体１０３には、扉１０１と電気的に接続された導体面１０３１が設けられている。なお、導体面１０３１のＹＺ平面の大きさは共振構造装荷誘電体１０３と同じ大きさである。
【０００４】
また、共振構造装荷誘電体１０３には、扉１０１への貼付面とは反対側の表面に、導体パターン１０３２ａ〜１０３２ｈが設けられている。この導体パターン１０３２ａ〜１０３２ｈは、幅方向（Ｙ方向）寸法が一定で扉１の周方向に沿って配置された帯状の金属導体である。導体パターン１０３２ａ〜１０３２ｈのＹ方向寸法は、それぞれＬａ〜Ｌｈである。
【０００５】
また、共振構造装荷誘電体１０３には、内部に、貫通スルーホール列１０３３ａ〜１０３３ｄが設けられている。この貫通スルーホール列１０３３ａ〜１０３３ｄは、扉１の周方向であるＺ軸方向に沿って列上に配置された金属導体である。ここで、貫通スルーホール列１０３３ａは、導体パターン１０３２ａ，１０３２ｂと導体面１０３１とを電気的に接続している。同様に、貫通スルーホール列１０３３ｂは、導体パターン１０３２ｃ，１０３２ｄと導体面１０３１とを電気的に接続している。また、貫通スルーホール列１０３３ｃは、導体パターン１０３２ｅ，１０３２ｆと導体面１０３１とを電気的に接続している。また、貫通スルーホール列１０３３ｄは、導体パターン１０３２ｇ，１０３２ｈと導体面１０３１とを電気的に接続している。
【０００６】
次に、従来の電磁シールド扉の動作について説明する。なお、導体パターン１０３２ｂ〜１０３２ｇのＹ方向寸法Ｌｂ〜Ｌｇは、Ｌｂ＝Ｌｃ，Ｌｄ＝Ｌｅ，Ｌｆ＝Ｌｇの関係があるとする。
導体パターン１０３２ｂ，１０３２ｃのＹ方向寸法Ｌｂ，Ｌｃは、周波数ｆａにおいて、共振構造装荷誘電体３内部で四分の一波長となっている。また、導体パターン１０３２ｂ，１０３２ｃのＹ方向の片端は開放端であり、もう片端は貫通スルーホール列１０３３ａ，１０３３ｂに接続されている。これにより、導体パターン１０３２ｂ，１０３２ｃは、周波数ｆａにおいて共振する片端短絡の共振器として動作する。
同様に、導体パターン１０３２ｄ，１０３２ｅは周波数ｆｂにおいて共振する片端短絡の共振器として動作し、導体パターン１０３２ｆ，１０３２ｇは周波数ｆｃにおいて共振する片端短絡の共振器として動作する。
【０００７】
ここで、周波数ｆａの電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合を考える。この場合、導体パターン１０３２ｂ，１０３２ｃと、貫通スルーホール列１０３３ａ，１０３３ｂと、導体面１０３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３内部が共振して、周波数ｆａの電磁波と電磁界結合する。これにより、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する周波数ｆａの電磁波は減衰する。
同様に、周波数ｆｂの電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合、導体パターン１０３２ｄ，１０３２ｅと、貫通スルーホール列１０３３ｂ，１０３３ｃと、導体面１０３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３内部が共振して、周波数ｆｂの電磁波と電磁界結合する。これにより、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する周波数ｆｂの電磁波は減衰する。
同様に、周波数ｆｃの電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合、導体パターン１０３２ｆ，１０３２ｇと、貫通スルーホール列１０３３ｃ，１０３３ｄと、導体面１０３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３内部が共振して、周波数ｆｃの電磁波と電磁界結合する。これにより、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する周波数ｆｃの電磁波は減衰する。
その結果、周波数ｆａ〜ｆｃにおいて、扉１と扉枠２の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、それらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−２１６７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、従来の電磁シールド扉では、特定の周波数で共振する複数の共振構造を具備する共振構造装荷誘電体１０３を、導電性の扉１０１と導電性の扉枠１０２の少なくとも一方に貼付している。この共振構造は、導体面１０３１と、共振構造装荷誘電体１０３の表面に配置された導体パターン１０３２ａ〜１０３２ｈと、導体パターン１０３２ａ〜１０３２ｈと導体面１０３１とを接続する貫通スルーホール１０３３ａ〜１０３３ｄとで構成される。これにより、扉１０１を閉めた状態において、扉１０１と扉枠１０２とが接触することなく、共振構造が共振する周波数において電磁シールド特性を実現することができる。
しかしながら、従来の共振構造装荷誘電体１０３は、複数の共振構造を電磁波進行方向に並べて構成されているため、電磁シールド特性の広帯域化、電磁波進行方向に対する共振構造装荷誘電体１０３の小型化を図ることは困難であるという課題があった。
【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、電磁シールド特性の広帯域化、電磁波進行方向に対する共振構造装荷誘電体の小型化を図ることができる電磁シールド扉を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係る電磁シールド扉は、導電性の扉枠と、扉枠に配置された導電性の扉と、扉が閉じられた際に対向する当該扉と扉枠の各対向面のうち一方または両方に全周にわたって設けられ、特定周波数で共振する共振構造装荷誘電体とを備え、共振構造装荷誘電体は、共振構造装荷誘電体が設けられた扉または／および扉枠に電気的に接続された導体面と、表面に設けられ、幅方向に複数配置された第１の導体パターンと、内部に設けられ、幅方向に複数配置された第２の導体パターンと、第１，２の導体パターンと導体面とを電気的に接続する接続構造とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、上記のように構成したので、電磁シールド特性の広帯域化、電磁波進行方向に対する共振構造装荷誘電体の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の実施の形態１に係る電磁シールド扉の構成を示す図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ’断面図である。
【図３】図２に示す破線部Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅで囲まれた部分の拡大図である。
【図４】図３の上面図である。
【図５】この発明の実施の形態１における導体パターンと貫通スルーホール列と導体面で囲まれた共振構造装荷誘電体の一部を示した断面図である。
【図６】図５に示す構造の透過係数を電磁界解析した計算結果である。
【図７】この発明の実施の形態１における扉と扉枠の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波の透過係数を示す図である。
【図８】図１に示すＡ−Ａ’断面図である。
【図９】図８に示す破線部Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅで囲まれた部分の拡大図である。
【図１０】この発明の実施の形態２における導体パターンとスルーホール列と導体面で囲まれた共振構造装荷誘電体の一部を示した断面図である。
【図１１】図１０に示す構造の透過係数を電磁界解析した計算結果である。
【図１２】この発明の実施の形態２における扉と扉枠の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波の透過係数を示す図である。
【図１３】従来の電磁シールド扉の構成を示す図である。
【図１４】図１３に示すＡ−Ａ’断面図である。
【図１５】図１４に示す破線部Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅで囲まれた部分の拡大図である。
【図１６】図１５の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
図１〜４を用いてこの発明の実施の形態１に係る電磁シールド扉について説明する。なお図２は、図１の破線Ａ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。
電磁シールド扉は、図１，２に示すように、扉１、扉枠２、共振構造装荷誘電体３、ヒンジ４及び開閉レバー５から構成されている。
【００１５】
扉１は、導電性素材で構成され、扉枠２に配置された板部材である。
扉枠２は、導電性素材で構成され、扉１が閉じられた際に扉１を収める枠である。この扉枠２の内寸は扉１の外寸に対して大きく、扉１が閉じられた際に扉枠２の内周面が扉１の外周面と対向するように構成されている。
【００１６】
共振構造装荷誘電体３は、扉１が閉じられた際に対向する当該扉１の外周面上に全周にわたって設けられ、特定周波数で共振する基板である。この共振構造装荷誘電体３は、扉１を閉めた状態において、共振構造が共振する特定周波数において電磁シールド特性を実現するためのものである。
【００１７】
ヒンジ４は、扉枠２が扉１を保持するための機構である。
開閉レバー５は、扉１を開閉するために操作される機構である。
【００１８】
次に、図３，４を用いて、共振構造装荷誘電体３の共振構造について説明する。なお図３は、図２における共振構造装荷誘電体のＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅで示す破線部を拡大した図であり、図４は図３の上面図である。
図３，４に示すように、共振構造装荷誘電体３には、扉１と電気的に接続された導体面３１が設けられている。なお、導体面３１のＹＺ平面の大きさは共振構造装荷誘電体３と同じ大きさである。
【００１９】
また、共振構造装荷誘電体３には、扉１への貼付面とは反対側の表面に導体パターン（第１の導体パターン）３２ａ〜３２ｈが設けられ、内部に導体パターン（第２の導体パターン）３３ａ〜３３ｈが設けられている。この導体パターン３２ａ〜３２ｈ，３３ａ〜３３ｈは、幅方向（Ｙ方向）寸法が一定で扉１の周方向に沿って複数配置された帯状の金属導体である。導体パターン３２ａ〜３２ｈのＹ方向寸法は、それぞれＬａ〜Ｌｈである。同様に、導体パターン３３ａ〜３３ｈのＹ方向寸法も、それぞれＬａ〜Ｌｈである。なお実施の形態１では、Ｙ方向寸法には、Ｌｂ＝Ｌｃ，Ｌｄ＝Ｌｅ，Ｌｆ＝Ｌｇの関係があるものとする。
【００２０】
また、導体パターン３２ｂと導体パターン３２ｃの間のＹ方向スリット幅はＳａ、導体パターン３２ｄと導体パターン３２ｅの間のＹ方向スリット幅はＳｂ、導体パターン３２ｆと導体パターン３２ｇの間のＹ方向スリット幅はＳｃとなっている。同様に、導体パターン３３ｂと導体パターン３３ｃの間のＹ方向スリット幅はＳａ、導体パターン３３ｄと導体パターン３３ｅの間のＹ方向スリット幅はＳｂ、導体パターン３３ｆと導体パターン３３ｇの間のＹ方向スリット幅はＳｃとなっている。
【００２１】
また、共振構造装荷誘電体３には、内部に、貫通スルーホール列（接続構造）３４ａ〜３４ｄが設けられている。この貫通スルーホール列３４ａ〜３４ｄは、扉１の周方向であるＺ軸方向に沿って列上に配置された金属導体である。ここで、貫通スルーホール列３４ａは、導体パターン３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂと導体面３１とを電気的に接続している。同様に、貫通スルーホール列３４ｂは、導体パターン３２ｃ，３２ｄ，３３ｃ，３３ｄと導体面３１とを電気的に接続している。また、貫通スルーホール列３４ｃは、導体パターン３２ｅ，３２ｆ，３３ｅ，３３ｆと導体面３１とを電気的に接続している。また、貫通スルーホール列３４ｄは、導体パターン３２ｇ，３２ｈ，３３ｇ，３３ｈと導体面３１とを電気的に接続している。
【００２２】
次に、実施の形態１に係る電磁シールド扉の動作について説明する。
まず、図５の貫通スルーホール列３４ａ，３４ｂと、導体パターン３２ｂ，３２ｃ，３３ｂ，３３ｃと、導体面３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３について、電磁界解析を実施し、透過係数を計算した結果を図６に示す。
図６に示すように、透過係数が極小となる周波数は、ｆａ’＝１．３ＧＨｚ，ｆａ’’＝２．０ＧＨｚの２つとなる。一方、従来技術の貫通スルーホール列１０３３ａ，１０３３ｂと、導体パターン１０３２ｂ，１０３２ｃと、導体面１０３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体１０３では、透過係数が極小となる周波数はｆａの１つである。よって、本実施の形態１に係る電磁シールド扉のほうが、透過係数を極小にできる周波数を増やすことができ、透過係数を減衰させる周波数帯域を広帯域化可能であることがわかる。
【００２３】
同様に、貫通スルーホール列３４ｂ，３４ｃと、導体パターン３２ｄ，３２ｅ，３３ｄ，３３ｅと、導体面３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３について、電磁界解析を実施し、透過係数を計算すると、透過係数が極小となる周波数はｆｂ’，ｆｂ’’の２つとなる。
同様に、貫通スルーホール列３４ｃ，３４ｄと、導体パターン３２ｆ，３２ｇ，３３ｆ，３３ｇと、導体面３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体基板について、電磁界解析を実施し、透過係数を計算すると、透過係数が極小となる周波数はｆｃ’，ｆｃ’’の２つとなる。
【００２４】
よって、電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合、図３に示した共振構造装荷誘電体３によって、透過係数がｆａ’，ｆａ’’，ｆｂ’，ｆｂ’’，ｆｃ’，ｆｃ’’の６つの周波数において極小となる。
【００２５】
ただし、それぞれの周波数では透過係数の減衰帯域に、ある程度の帯域幅をもっている。よって、共振周波数の周辺の周波数域で、電磁波を減衰することが可能である。つまり、図７において、周波数ｆａ’と周波数ｆｂ’の周波数間隔Δｆ１、周波数ｆｂ’と周波数ｆａ’’の周波数間隔Δｆ２、周波数ｆａ’’と周波数ｆｂ’’の周波数間隔Δｆ３、周波数ｆｂ’’と周波数ｆｃ’の周波数間隔Δｆ４を広くすると、透過係数を減衰させる周波数帯域を広帯域化可能である。また、周波数間隔Δｆ１〜Δｆ４を狭くすると透過係数を小さくすることが可能である。また、共振周波数の周波数間隔Δｆ１〜Δｆ４を均一にしたほうが、透過係数が周波数に対して一定となる。
【００２６】
図１５，１６に示す従来例では、共振周波数がｆａ〜ｆｃの３つだったのに対して、実施の形態１では、共振周波数がｆａ’，ｆａ’’，ｆｂ’，ｆｂ’’，ｆｃ’，ｆｃ’’の６つになり、電磁波を減衰できる周波数帯域を広くすることができる。
【００２７】
なお、Ｙ方向寸法を、Ｌｂ＝Ｌｃ＞Ｌｄ＝Ｌｅ＞Ｌｆ＝Ｌｇにすることにより、共振周波数は、ｆａ’＜ｆｂ’＜ｆｃ’及びｆａ’’＜ｆｂ’’＜ｆｃ’’となる。
【００２８】
また上記では、設計をし易くするため、Ｌｂ＝Ｌｃ＞Ｌｄ＝Ｌｅ＞Ｌｆ＝Ｌｇの場合について説明したが、これに限るものではなく、Ｌｂ≠Ｌｃ，Ｌｄ≠Ｌｅ，Ｌｆ≠Ｌｇであってもよい。
【００２９】
また上記では、共振構造装荷誘電体３を扉１と扉枠２の間隙における扉１の外周面上に配置しているが、共振構造装荷誘電体３は、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の内周面上または扉１と扉枠２の両周面上に配置しても構わない。共振構造装荷誘電体３を扉枠２の内周面上に配置する場合には、導体面３１は扉枠２と電気的に接続する。また、扉１と扉枠２の両周面上に共振構造装荷誘電体３を配置する場合、共振構造装荷誘電体３は互いが非接触になるようにする。
【００３０】
また上記では、共振構造装荷誘電体３に２層の導体パターン３２ａ〜３２ｈ，３３ａ〜３３ｈを設けた場合について示したが、さらに内部に導体パターンを追加して３層以上としても構わない。
【００３１】
以上のように、この実施の形態１によれば、共振構造装荷誘電体３に２層以上の導体パターン３２ａ〜３２ｈ，３３ａ〜３３ｈを設けるように構成したので、主にＧＨｚ帯以上の高周波帯において、電磁シールド特性の広帯域化、電磁波進行方向に対する共振構造装荷誘電体３の小型化を図ることができる。
【００３２】
実施の形態２．
図８，９を用いてこの発明の実施の形態２に係る電磁シールド扉の共振構造装荷誘電体３に配置されている共振構造について説明する。なお図９は、図８における共振構造装荷誘電体３のＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅで示す破線部を拡大した図である。また、実施の形態２に係る電磁シールド扉は、図１に示す実施の形態１に係る電磁シールド扉のうち共振構造装荷誘電体３以外の構成は同一である。
【００３３】
図８，９に示すように、共振構造装荷誘電体３には、扉１と電気的に接続された導体面３１が設けられている。なお、導体面３１のＹＺ平面の大きさは共振構造装荷誘電体３と同じ大きさである。
【００３４】
また、共振構造装荷誘電体３には、扉１への貼付面とは反対側の表面に導体パターン（第１の導体パターン）３５ａ〜３５ｈが設けられ、内部に導体パターン（第２の導体パターン）３６ａ〜３６ｈが設けられている。この導体パターン３５ａ〜３５ｈ，３６ａ〜３６ｈは、幅方向（Ｙ方向）寸法が一定で扉１の周方向に沿って複数配置された帯状の金属導体である。導体パターン３５ａ〜３５ｈのＹ方向寸法は、それぞれＬａ’〜Ｌｈ’である。一方、導体パターン３６ａのＹ方向寸法はＬｉ’であり、導体パターン３６ｂのＹ方向寸法はＬｊ’であり、導体パターン３６ｃ及び導体パターン３６ｄのＹ方向寸法の合計はＬｋ’であり、導体パターン３６ｅのＹ方向寸法はＬｌ’であり、導体パターン３６ｆのＹ方向寸法はＬｍ’であり、導体パターン３６ｇ及び導体パターン３６ｈのＹ方向寸法の合計はＬｎ’である。なお実施の形態２では、Ｙ方向寸法には、Ｌｌ’＋Ｌｍ’＞Ｌｊ’＋Ｌｋ’＞Ｌｄ’＋Ｌｅ’＞Ｌｆ’＋Ｌｇ’＞Ｌｂ’＋Ｌｃ’の関係があるものとする。
【００３５】
また、導体パターン３５ｂと導体パターン３５ｃの間のＹ方向スリット幅はＳａ’、導体パターン３５ｄと導体パターン３５ｅの間のＹ方向スリット幅はＳｂ’、導体パターン３５ｆと導体パターン３５ｇの間のＹ方向スリット幅はＳｃ’となっている。また、導体パターン３６ｂと導体パターン３６ｃの間のＹ方向スリット幅はＳｄ’、導体パターン３６ｅと導体パターン３６ｆの間のＹ方向スリット幅はＳｅ’となっている。
【００３６】
また、共振構造装荷誘電体３には、内部に、スルーホール列（接続構造）３７ａ〜３７ｆが設けられている。このスルーホール列３７ａ〜３７ｆは、扉１の周方向であるＺ軸方向に沿って列上に配置された金属導体である。なお、スルーホール列３７ａは貫通スルーホールであり、スルーホール列３７ｂ〜３７ｆはブラインドビアホールである。ここで、スルーホール列３７ａは、導体パターン３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂと導体面３１とを電気的に接続している。また、スルーホール列３７ｂは、導体パターン３５ｃ，３５ｄ，３６ｃ，３６ｄを電気的に接続している。また、スルーホール列３７ｃは、導体パターン３６ｃ〜３６ｅと導体面３１とを電気的に接続している。また、貫通スルーホール列３７ｄは、導体パターン３５ｅ，３５ｆ，３６ｅを電気的に接続している。また、スルーホール列３７ｅは、導体パターン３６ｆ，３６ｇと導体面３１とを電気的に接続している。また、貫通スルーホール列３７ｆは、導体パターン３５ｇ，３５ｈ，３６ｇ，３６ｈを電気的に接続している。
【００３７】
次に、実施の形態２に係る電磁シールド扉の動作について説明する。
まず、図１０のスルーホール列３７ａ〜３７ｃと、導体パターン３５ｂ，３５ｃ，３６ｂ〜３６ｄと、導体面３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３について、電磁界解析を実施し、透過係数を計算した結果を図１１に示す。
図１１に示すように、透過係数が極小となる周波数は、ｆａ’＝１．３ＧＨｚ，ｆａ’’＝３．７ＧＨｚの２つとなる。一方、従来技術の貫通スルーホール列１０３３ａ，１０３３ｂと、導体パターン１０３２ｂ，１０３２ｃと、導体面１０３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体１０３では、透過係数が極小となる周波数はｆａの１つである。よって、本実施の形態２に係る電磁シールド扉のほうが、透過係数を極小にできる周波数を増やすことができ、透過係数を減衰させる周波数帯域を広帯域化可能であることがわかる。
【００３８】
また、実施の形態１に示した図５の計算結果である図６と比較すると、低域側の共振周波数ｆａ’は１．３ＧＨｚと変わらないが、透過係数が−２７ｄＢから−３５ｄＢに小さくなっている。また、高域側の共振周波数ｆａ’’は２．０ＧＨｚから３．７ＧＨｚに高域側にシフトして、透過係数が−２０ｄＢから−３０ｄＢに小さくなっている。よって、実施の形態２に係る電磁シールド扉のほうが、透過係数をより小さくでき、広帯域化が可能であると考えられる。
【００３９】
同様に、スルーホール列３７ｃ〜３７ｆと、導体パターン３５ｆ，３５ｇ，３６ｅ〜３６ｇと、導体面３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３について、電磁界解析を実施し、透過係数を計算すると、透過係数が極小となる周波数はｆｂ’，ｆｂ’’の２つとなる。
同様に、スルーホール列３７ｂ，３７ｄと、導体パターン３５ｄ，３５ｅ，３６ｄ，３６ｅと、導体面３１とで囲まれた共振構造装荷誘電体３について、電磁界解析を実施し、透過係数を計算すると、透過係数が極小となる周波数はｆｃ’の１つとなる。
【００４０】
よって、電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合、図９に示した共振構造装荷誘電体３によって、透過係数がｆａ’，ｆａ’’，ｆｂ’，ｆｂ’’，ｆｃ’の５つの周波数において極小となる。
【００４１】
ただし、それぞれの周波数では透過係数の減衰帯域に、ある程度の帯域幅をもっている。よって、共振周波数の周辺の周波数域で、電磁波を減衰することが可能である。つまり、図１２において、周波数ｆｂ’と周波数ｆａ’の周波数間隔Δｆ１、周波数ｆａ’と周波数ｆｃ’の周波数間隔Δｆ２、周波数ｆｃ’と周波数ｆｂ’’の周波数間隔Δｆ３、周波数ｆｂ’’と周波数ｆａ’’の周波数間隔Δｆ４を広くすると、透過係数を減衰させる周波数帯域を広帯域化可能である。また、周波数間隔Δｆ１〜Δｆ４を狭くすると透過係数を小さくすることが可能である。また、共振周波数の周波数間隔Δｆ１〜Δｆ４を均一にしたほうが、透過係数が周波数に対して一定となる。
【００４２】
なお実施の形態２の構成では、実施の形態１の構成と比べて、共振周波数の個数が６つから５つに減少する。しかしながら、実施の形態１では共振周波数ｆｃ’と共振周波数ｆｃ’’の間隔が、図７に示すΔｆ１，Δｆ２，Δｆ３，Δｆ４に一致させにくいのに対して、実施の形態２ではΔｆ１’，Δｆ２’，Δｆ３’，Δｆ４’を等間隔に設計しやすい。また、実施の形態１の電磁界解析の計算結果である図６と、実施の形態２の電磁界解析の計算結果である図１１を比較すると、図１１のほうが透過係数が小さくなっており、電磁波を減衰させやすいことがわかる。
【００４３】
なお上記では、Ｙ方向寸法を、Ｌｌ’＋Ｌｍ’＞Ｌｊ’＋Ｌｋ’＞Ｌｄ’＋Ｌｅ’＞Ｌｆ’＋Ｌｇ’＞Ｌｂ’＋Ｌｃ’の関係があるとして説明したが、この関係を満たさなくても構わない。ただし、Ｌｌ’＋Ｌｍ’＞Ｌｆ’＋Ｌｇ’，Ｌｊ’＋Ｌｋ’＞Ｌｂ’＋Ｌｃ’を満たしたほうが、透過係数を小さくできる。
【００４４】
また上記では、共振構造装荷誘電体３を扉１と扉枠２の間隙における扉１の外周面上に配置しているが、共振構造装荷誘電体３は、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の内周面上または扉１と扉枠２の両周面上に配置しても構わない。共振構造装荷誘電体３を扉枠２の内周面上に配置する場合には、導体面３１は扉枠２を電気的に接続する。また、扉１と扉枠２の両周面上に共振構造装荷誘電体３を配置する場合、共振構造装荷誘電体３は互いが非接触になるようにする。
【００４５】
また上記では、共振構造装荷誘電体３に２層の導体パターン３５ａ〜３５ｈ，３６ａ〜３６ｈを設けた場合について示したが、さらに内部に導体パターンを追加して３層以上としても構わない。
【００４６】
以上のように、この実施の形態２によれば、各導体パターン３５ａ〜３５ｈ，３６ａ〜３６ｈの幅を変え、導体パターン３５ａ〜３５ｈと導体パターン３６ａ〜３６ｈとを電気的に接続する位置と、導体パターン３６ａ〜３６ｈと導体面３１とを電気的に接続する位置とが異なるように接続を行うスルーホール列３７ａ〜３７ｆを設けるように構成したので、実施の形態１に対して、より透過係数を小さくすることができ、電磁波を減衰させやすくすることができる。
【００４７】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１  扉、２  扉枠、３  共振構造装荷誘電体、４  ヒンジ、５  開閉レバー、３１  導体面、３２ａ〜３２ｈ，３５ａ〜３５ｈ  導体パターン（第１の導体パターン）、３３ａ〜３３ｈ，３６ａ〜３６ｈ  導体パターン（第２の導体パターン）、３４ａ〜３４ｄ  貫通スルーホール列（接続構造）、３７ａ〜３７ｆ  スルーホール列（接続構造）。
【図１】
2015119094.tif 000003
【図２】
2015119094.tif 000004
【図３】
2015119094.tif 000005
【図４】
2015119094.tif 000006
【図５】
2015119094.tif 000007
【図６】
2015119094.tif 000008
【図７】
2015119094.tif 000009
【図８】
2015119094.tif 000010
【図９】
2015119094.tif 000011
【図１０】
2015119094.tif 000012
【図１１】
2015119094.tif 000013
【図１２】
2015119094.tif 000014
【図１３】
2015119094.tif 000015
【図１４】
2015119094.tif 000016
【図１５】
2015119094.tif 000017
【図１６】
2015119094.tif 000018