(57)【要約】【課題】制御電圧入力端に印加される制御電圧に応じて、精度高く出力周波数を制御することができる発振器を提供すること。【解決手段】直流電圧である周波数調整用の前記制御電圧がその間に供給される制御電圧入力端及びグランド端と、前記入力端及びグランド端の間に接続され、前記制御電圧に基づいて出力周波数が調整される発振回路と、前記発振回路と前記グランド端とを接続する第１のグランド用線路と、前記発振回路の発振部である圧電振動子の温度を一定化するためのヒーター回路と、前記第１のグランド用線路とは独立して設けられる第２のグランド用線路と、を備えるように発振器を構成する。前記第２のグランド用線路の一端は前記ヒーター回路に接続され、他端は前記第１のグランド用線路におけるグランド端の近傍の接続点、あるいは前記グランド端に接続されるように構成される。【選択図】図３
2015119212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電圧である周波数調整用の制御電圧がその間に供給される制御電圧入力端及びグランド端と、
前記入力端及びグランド端の間に接続され、前記制御電圧に基づいて出力周波数が調整される発振回路と、
前記発振回路と前記グランド端とを接続する第１のグランド用線路と、
前記発振回路の発振部である圧電振動子の温度を一定化するためのヒーター回路と、
前記第１のグランド用線路とは独立して設けられ、その一端が前記ヒーター回路に接続され、その他端が前記第１のグランド用線路におけるグランド端の近傍の接続点、あるいは前記グランド端に接続される第２のグランド用線路と、
を備えたことを特徴とする発振器。
【請求項２】
前記第２のグランド用線路の両端は、前記第１のグランド用線路におけるグランド端の近傍の接続点と前記ヒーター回路とを各々接続し、
前記接続点から前記グランド端までの線路長さが１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の発振器。
【請求項３】
前記第１のグランド用線路及び前記第２のグランド用線路は、互いに別体の第１の基板及び第２の基板に跨って設けられることを特徴とする請求項１または２記載の発振器。
【請求項４】
前記第１の基板は、前記第２の基板上に積層されて設けられ、前記接続点及びグランド端は、第２の基板に設けられることを特徴とする請求項３記載の発振器。
【請求項５】
前記第１の基板は、前記第１のグランド用線路及び前記第２のグランド用線路を構成する支持部材により、前記第２の基板から浮くように設けられることを特徴とする請求項４記載の発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
直流電圧である周波数調整用の制御電圧が供給される発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発振器は、外部からアナログの直流制御電圧が印加される制御端子を備え、当該制御電圧によって発振出力周波数が制御されるＥＦＣ（Electronic Frequency Control:周波数制御）機能を備える発振回路を有するように構成されることが知られている。
【０００３】
図１２には、恒温槽付き水晶発振器（ＯＣＸＯ：Oven Controlled Crystal Oscillator）１０のブロック図を示している。図中３は前記ＥＦＣが行われるように構成された発振回路である。この発振回路３には、発振部を構成する圧電振動子として、水晶振動子が含まれる。図中１１はヒーター回路である。発振回路３及びヒーター回路１１は、後述の基板２１上に設けられる。前記水晶振動子の周囲温度が変化すると、ヒーター回路１１に供給される電流が変化し、前記水晶振動子の周囲温度が一定化されるように制御される。図中１２は前記制御端子である。この制御端子１２に印加される前記制御電圧Ｖｃが、前記発振回路３を構成するアナログ・デジタルコンバータ（ＡＤＣ）１３により、デジタル値に変換されて、後段の回路に入力され、発振周波数が制御される。図中１４は、制御端子１２とＡＤＣ１３とを接続するための導電路であり、基板２１のパターンにより構成される。
【０００４】
ＯＣＸＯ１０の製造コストを下げる目的及びＯＣＸＯ１０の大型化を防ぐ目的から、ＯＣＸＯ１０を外部装置に接続するために設けられる端子の数は限られる。図中１５は当該端子のうちの一つであり、ＯＣＸＯ１０の外部のグランドに接続される接地端子である。図中１７はグランド用線路であり、１８はＯＣＸＯ１０の内部グランドである。上記の理由から、ヒーター回路１１及び発振回路３に対して、これらの回路をＯＣＸＯ１０の外部に接地するための端子１５は共通に設けられている。つまり、発振回路３と接地端子１５とがグランド用線路１７により互いに接続され、ヒーター回路１１も前記グランド用線路１７を介して、前記接地端子１５に接続されている。
【０００５】
図１３は、ＯＣＸＯ１０の側面図であり、図中２２は基板２１を覆うケースである。図１３は、前記基板２１の上面概略図である。図中２３は、基板２１の内部に設けられたグランドパターンであり、上記のグランド用線路１７及び内部グランド１８を構成する。図中２４は、ヒーター回路１１及びＡＤＣ１３に各々設けられるピンであり、前記グランドパターン２３に接続される。図１４では、ヒーター回路１１及びＡＤＣ１３以外の回路部品の図示の図示と、グランドパターン２３及び導電路１４以外のパターンの図示とについて省略している。
【０００６】
ところで近年、発振器としては±数ｐｐｍオーダーで発振周波数を可変できるように要求されることがある。また、発振器を上記のようなＯＣＸＯとして構成した場合、周波数温度特性として数ｐｐｂ以下の誤差で周波数を出力できる性能を有することが求められる場合がある。しかし、前記グランドパターン２３の直流抵抗分により、当該グランドパターン２３の電圧レベルに微小な変動が生じる。それによって見かけ上の発振回路３へ入力される制御電圧Ｖｃが変動してしまう。つまり、グランドパターン２３の電圧降下によって、発振回路３へ供給される制御電圧が変動し、結果として発振器の周波数温度特性の劣化が生じてしまう。
【０００７】
この電圧降下について、さらに詳しく説明する。前記グランドパターン２３の直流抵抗分Ｒｇに、発振回路３及びヒーター回路１１からグランドリターン電流Ｉｇが流れることで、内部グランド１８の電圧レベルがＩｇ×Ｒｇ＝Ｖｇ分上がったことになるので、発振回路３に入力される制御電圧Ｖｃが見かけ上、Ｖｇ分低下してしまう。
【０００８】
前記電流Ｉｇはヒーター回路１１へ供給される電流により変化する。水晶振動子の周囲温度が低いときには、ヒーター回路１１に供給される電流が大きくなり、前記電流Ｉｇも大きくなる。そうなると、前記Ｖｇも大きくなる。即ち、水晶振動子の周囲温度により、発振回路３に入力される前記制御電圧Ｖｃが変動する。そのために発振器の発振周波数が、所望の発振周波数からずれてしまう。
【０００９】
さらに具体的な一例を説明すると、前記制御電圧Ｖｃの可変範囲が０〜３．３Ｖ（中心が１．６５Ｖ）であり、ＯＣＸＯ１０の出力周波数の変化が±５ｐｐｍである場合、前記制御電圧Ｖｃが３３０μＶ変化すると、出力周波数が１ｐｐｂ変化する。このＯＣＸＯ１０において、仮に前記直流抵抗分Ｒｇが１０ｍΩで、前記電流Ｉｇが、ヒーター回路１１の動作により１５０ｍＡから５００ｍＡまで変化する場合、前記Ｖｇは１．５ｍＶから５ｍＶまで変化する。このようにＶｇが５ｍＶ−１．５ｍＶ＝３.５ｍＶ変化することによって、前記制御端子１２に印加される制御電圧Ｖｃが一定であっても、出力周波数が約１０．６ｐｐｂ変動してしまう。
【００１０】
このような事情から、上記したように数ｐｐｂ以下の誤差で、周波数を出力できる周波数温度特性を持つＯＣＸＯを構成することが難しかった。特許文献１には、基板に搭載される実装部品を、当該基板に個別に形成されたグランドパターン上に設けるクロック変換器について記載されているが、上記の問題を解決出来るものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４-１１９５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、制御電圧入力端に印加される制御電圧に応じて、精度高く出力周波数を制御することができる発振器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の発振器は、直流電圧である周波数調整用の制御電圧がその間に供給される制御電圧入力端及びグランド端と、
前記入力端及びグランド端の間に接続され、前記制御電圧に基づいて出力周波数が調整される発振回路と、
前記発振回路と前記グランド端とを接続する第１のグランド用線路と、
前記発振回路の発振部である圧電振動子の温度を一定化するためのヒーター回路と、
前記第１のグランド用線路とは独立して設けられ、その一端が前記ヒーター回路に接続され、その他端が前記第１のグランド用線路におけるグランド端の近傍の接続点かあるいは前記グランド端に接続される第２のグランド用線路と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の発振器においては、制御電圧が入力される発振回路とグランド端とを接続する第１のグランド用線路と、前記第１のグランド用線路とは独立して設けられる第２のグランド用線路と、を備える。前記第２のグランド用線路の一端はヒーター回路に接続され、他端は前記第１のグランド用線路におけるグランド端の近傍の接続点、あるいは当該グランド端に接続される。このような構成によって、前記ヒーター回路からグランド端に流れる電流により、前記制御電圧が変動することが抑えられる。その結果として、発振器の出力周波数を精度高く制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の水晶発振器の側面図である。
【図２】前記水晶発振器の実施形態であるＯＣＸＯのブロック図である。
【図３】前記ＯＣＸＯを構成するメイン基板の概略上面図である。
【図４】前記メイン基板の概略下面図である。
【図５】前記ＯＣＸＯを構成するベース基板の概略上面図である。
【図６】前記ベース基板の概略下面図である。
【図７】前記ベース基板の縦断側面図である。
【図８】各回路の関係を示す模式図である。
【図９】前記ＯＣＸＯを構成する発振回路のブロック図である。
【図１０】ベース基板の他の例を示す上面図である。
【図１１】ベース基板の他の例を示す縦断斜視図である。
【図１２】従来のＯＣＸＯのブロック図である。
【図１３】前記ＯＣＸＯの側面図である。
【図１４】前記ＯＣＸＯを構成する基板の概略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は本発明の実施の形態に係るＯＣＸＯ４０の側面図であり、図２はＯＣＸＯ４０のブロック図である。このＯＣＸＯ４０の各部において、背景技術の項目で説明したＯＣＸＯ１０の各部と同様に構成された部分に関しては、ＯＣＸＯ１０の各部に付した符号と同じ符号を付して、説明を省略する。このＯＣＸＯ４０は、第１の基板であるメイン基板４１と、第２の基板であるベース基板４２とを備えている。そして支持部材である導電性のピン４３により、メイン基板４１は、ベース基板４２から浮いた状態で支持されている。このような構成によってＯＣＸＯ４０の大型化を防いでいる。
【００１７】
前記メイン基板４１は、図１２〜図１４で説明したＯＣＸＯ１０の基板２１に相当するものであり、その表面にヒーター回路１１、発振回路３を構成するＡＤＣ１３が設けられている。そして、これらヒーター回路１１、発振回路３を覆うようにケース２２が設けられている。前記ケース２２及びメイン基板４１は、ヒーター回路１１の発熱により、その内部の温度が一定に制御される恒温槽を形成する。
【００１８】
図３、図４は、夫々メイン基板４１の表面、裏面の概略図である。図３においてＡＤＣ１３以外の発振回路３の回路部品の図示は省略している。メイン基板４１の裏面には、端子４４〜４９が設けられている。メイン基板４１は上記のＯＣＸＯ１０の基板２１と異なり、その内部にグランドパターン５１、５２を備えている。グランドパターン５１、５２は互いに独立して構成されており、即ち短絡されていない。ヒーター回路１１、ＡＤＣ１３は夫々ピン２４によりグランドパターン５１、５２に接続されている。端子４４はグランドパターン５１に、端子４５はグランドパターン５２に夫々接続されている。なお、各図において各グランドパターン５１、５２は、１枚の板状に示しているが、実際にはメイン基板４１の内部に複数に積層されたパターンにより構成されている。
【００１９】
端子４６は直流の制御電圧Ｖｃの入力端子であり、図示しないメイン基板４１内部のパターンとメイン基板４１の表面のパターン１４とによりＡＤＣ１３に接続される。端子４７には、電源電圧Ｖｃｃが印加される。端子４８はメイン基板４１に設けられる各回路（図では省略している）の接地端子である。端子４９はケース２２の接地端子であり、メイン基板４１に設けられる図示しないパターンを介してケース２２に接続され、ケース２２を接地させる役割を有する。
【００２０】
図５、図６は、ベース基板４２の表面、裏面を夫々示している。ベース基板４２の表面には、メイン基板４１の端子４４〜４９に各々対応する端子５４〜５９が設けられている。そして、端子４４〜４９と、端子５４〜５９とが前記ピン４３により互いに電気的に接続されている。ベース基板４２の表面にはグランドパターン６１、６２、６３が形成されている。グランドパターン６１は端子５４と端子５８とを接続し、グランドパターン６２は、端子５５と端子５８とを接続し、グランドパターン６３は端子５７と、端子５８とを接続するように構成されている。グランドパターン６１、６２、６３は、各端子５４、５５、５７から端子５８に至るまでは互いに独立して形成されており、端子５８がこれらのグランドパターンの接続点を構成する。便宜上、端子５８を共通端子５８と記載する。
【００２１】
ベース基板４２の裏面には、前記端子５４〜５９に重なるように端子６４〜６９が設けられている。ベース基板４２の内部を厚さ方向に形成される導電路６０により端子５４〜５９と、端子６４〜６９とは互いに接続されている。図７は、端子５８と端子６８とを接続する前記導電路６０を示している。便宜上、端子６８を外部接地端子と記載する。ベース基板４２が、外部装置に取付けられることにより、この外部接地端子６８はＯＣＸＯ４０の外部のグランドに接続される。
【００２２】
図２を参照して説明すると、外部装置の電源から制御電圧Ｖｃが、ベース基板４２の端子６６、５６、ピン４３、メイン基板４１の端子４６を介してＡＤＣ１３に供給される。ＡＤＣ１３に供給された電流は、メイン基板４１のグランドパターン５２、端子４５、ピン４３、ベース基板４２の端子５５、グランドパターン６２、共通端子５８、及び外部接地端子６８を介してＯＣＸＯ４０の外部のグランドへ流れる。即ち、ベース基板４２の端子６６、６８が、ＯＣＸＯ４０への制御電圧Ｖｃを入力するための正端子、負端子に各々相当する。
【００２３】
また、後述する経路でヒーター回路１１に供給された電流は、メイン基板４１のグランドパターン５１、端子４４、ピン４３、ベース基板４２の端子５４、グランドパターン６１、共通端子５８、及び外部接地端子６８を介して前記外部のグランドへ流れる。ケース２２を流れる電流は、端子４９、ピン４３、端子５７、グランドパターン６３、共通端子５８及び外部接地端子６８を介して前記外部のグランドへ流れる。
【００２４】
図７は、グランドパターン６１、６２、６３の接続点である共通端子５８と、外部接地端子６８とを示している。上記のように導電路６０によりこれらの端子５８、６８が接続されている。本発明の効果を得るために、共通端子５８は外部接地端子６８の直近に設けられる。前記導電路６０の長さＬ１は１ｍｍ以下とされる。また、外部接地端子６８から共通端子５８に至るまでの抵抗値をＲ１、外部接地端子６８からＡＤＣ１３に至るまでの抵抗値をＲ２とする（図８参照）。Ｒ１／Ｒ２の値は、０．１以下とされる。
【００２５】
図２に戻って、共通端子５８と外部接地端子６８とをこのような位置関係とする理由を説明する。ＡＤＣ１３から端子５８を介して外部接地端子６８へ流れる電流Ｉｅは、例えば１０ｍＡである。グランドパターン５２の抵抗Ｒｅが５ｍΩであるものとする。グランドパターン６１の抵抗Ｒｅｂが５ｍΩであるものとする。ピン４３の抵抗は小さく、無視できるものとすると、端子６２からヒーター回路１１までの導電路に発生する電圧Ｖｅは０．２ｍＶである。また、ヒーター回路１１から端子５８を介して外部接地端子６８へ流れる電流Ｉｇは、１５０ｍＡ〜５００ｍＡの範囲で変動する。グランドパターン５１の抵抗Ｒｇが５ｍΩであるものとする。グランドパターン６１の抵抗Ｒｇｂが５ｍΩであるものとする。ピン４３の抵抗成分は小さく、無視できるものとすると、端子５８からヒーター回路１１までの導電路において発生する電圧Ｖｇは、１．５ｍＶ〜５ｍＶの範囲で変動する。
【００２６】
図１２〜図１４で説明したＯＣＸＯ１０では、ヒーター回路１１、ＡＤＣ１３が共通のグランドパターン２３に接続されているため、ヒーター回路１１及びＡＤＣ１３から供給される電流をＯＣＸＯ１０の外部のグランドに流すために共通化されている導電路（グランドパターン２３により構成される導電路）が比較的長い。既述したように、このように共通化されている導電路をヒーター回路１１から電流が流れることによって、この導電路の電圧レベルが変動し、その結果としてＡＤＣ１３に供給される制御電圧Ｖｃも変動する。
【００２７】
しかし、このＯＣＸＯ４０では、上記のように前記共通端子５８と外部接地端子６８とが互いに近接する、つまり互いに近傍に位置するように設けられ、ヒーター回路１１とＡＤＣ１３とで外部のグランドに電流を流すために共用化されている導電路（この場合、導電路６０）の長さが短い。従って、この導電路６０の抵抗は低く抑えられ、ヒーター回路１１から外部接地端子６８へ供給される電流が変動しても、当該導電路６０における電圧の変動が小さいので、当該電圧の変動を無視することができる。つまり、ＡＤＣ１３に入力される制御電圧Ｖｃは、前記グランドパターン５２、６２に生じる電圧Ｖｅの影響のみを受け、グランドパターン５１、６１に生じる電圧Ｖｇの影響を受けない。既述したように前記電圧Ｖｅの値は例えば０．２ｍＶと小さいため、ＡＤＣ１３には、ほぼ設定値に等しい制御電圧Ｖｃを供給することができる。なお、ケース２２に接続されるグランドパターン６３の抵抗値Ｒｃは例えば５ｍΩである。このグランドパターン６３に生じる電圧も、グランドパターン６３が前記共通端子５８に接続されることから、グランドパターン５１、６１に生じる電圧Ｖｇと同様に、グランドパターン５２、６２に生じる電圧Ｖｅに影響を与えない。
【００２８】
続いて、図９を参照しながら発振回路３の構成の一例について説明する。発振回路３には、第１の水晶振動子８１、第２の水晶振動子８２と、これらの水晶振動子を発振させる第１の発振回路８１Ａ、第２の発振回路８２Ａとが含まれる。
第１の発振回路８１Ａ、８２Ａは、例えばコルピッツ型の発振回路により構成される。第１の発振回路８１Ａ及び第２の発振回路８２Ａの後段側には、周波数差検出部８３、補正値演算部８４、加算部８５、ＰＬＬ回路部８６、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）８７及び水晶電圧制御発振器（ＶＣＸＯ）８８が接続されている。
【００２９】
前記ＰＬＬ回路部８６は、第１の発振回路８１Ａからの発振出力をクロック信号とし、デジタル値である周波数設定信号に基づいて生成されるパルス信号とＶＣＸＯ８８からの帰還パルスとの位相差に相当する信号をアナログ化し、そのアナログ信号を積分してローパスフィルタ８７に出力する。ＶＣＸＯ８８の出力がＯＣＸＯ４０の発振出力である。
【００３０】
第１の発振回路８１Ａからの発振出力ｆ１と第２の発振回路８２Ａからの発振出力ｆ２との周波数差ΔＦに対応する値は、水晶振動子８１、８２が置かれている雰囲気の温度に対応し、温度検出値ということができる。なお、説明の便宜上ｆ１、ｆ２は、夫々第１の発振回路８１Ａ及び第２の発振回路８２Ａの発振周波数をも表しているものとする。周波数差検出部８３は、この例では、{（ｆ２−ｆ１）／ｆ１}−{（ｆ２ｒ−ｆ１ｒ）／ｆ１ｒ}の値を取り出しており、この値が温度に対して比例関係にある温度検出値に相当する。ｆ１ｒ及びｆ２ｒは、夫々基準温度例えば２５℃における第１の発振回路８１Ａの発振周波数及び第２の発振回路８２Ａの発振周波数である。
【００３１】
補正値演算部８４は、前記温度検出値と、予め作成した周波数補正値との関係と、に基づいて周波数補正値を算出する。前記周波数補正値は、第１の水晶振動子８１の温度が目標温度から変動した時に、その変動分、つまり前記クロック信号の温度変動分を補償するための値である。加算部８５には、周波数補正値と前記ＡＤＣ１３によりアナログ値からデジタル値に変換された制御電圧Ｖｃとが入力され、互いに加算されて、周波数設定信号が設定される。そして、この周波数設定信号が加算部８５からＰＬＬ回路部８６へ入力される。制御電圧Ｖｃを変更することで、加算部８５からＰＬＬ回路部８６に出力される周波数設定信号が変化する。それによってＯＣＸＯ４０の発振出力周波数が変化する。
【００３２】
より詳しくは、ＰＬＬ回路部８６は、ＤＤＳ（Direct  Digital  Synthesizer）回路部、分周器及び位相比較部を備える。前記ＤＤＳ回路部から出力される鋸波に基づいて参照クロックが形成され、ＶＣＸＯ８８の出力を分周した出力信号と前記参照用クロックとの位相を位相比較部にて比較し、比較結果がＬＰＦ８７に出力される。ＬＰＦ８７からの出力によりＶＣＸＯ８８の出力が制御される。前記ＤＤＳ回路部は、第１の発振回路８１Ａから出力される周波数信号を基準クロックとして用い、目的とする周波数の鋸波を出力するための制御電圧が入力されている。しかし前記基準クロックの周波数が温度特性をもっているため、この温度特性をキャンセルするために、前記ＤＤＳ回路部に入力される前記制御電圧は、前記加算部８５からの周波数補正値に対応する信号に加算されている。このようにＯＣＸＯ４０はＴＣＸＯとしても構成されており、ヒーター回路１１の作用と、この補正値演算部８４による周波数補正とによる二重の温度対応が行われた、高い精度で出力を安定させることができる装置として構成されている。
【００３３】
前記温度検出値と周波数補正値との関係は図示しないメモリに格納されている。例えば（ｆ２−ｆ２ｒ）／ｆ２ｒ＝ＯＳＣ２、（ｆ１−ｆ１ｒ）／ｆ１ｒ＝ＯＳＣ１とすると、水晶振動子の生産時に（ＯＳＣ２−ＯＳＣ１）と温度との関係を実測により取得し、この実測データから、温度に対する周波数変動分を相殺する補正周波数曲線を導き出し、最小二乗法により９次の多項近似式係数を導き出している。そして多項近似式係数を予め前記メモリに記憶しておき、補正値演算部８４は、これら多項近似式係数を用いて、補正値の演算処理を行っている。
【００３４】
さらに、周波数差検出部８３から前記温度検出値がヒーター制御回路８９に出力され、この温度検出値に基づいてヒーター制御回路８９は、水晶振動子８１，８２及びヒーター回路１１が置かれる恒温槽内の雰囲気が設定温度に保たれるように、前記ヒーター回路１１に電力を供給し、この供給された電力に応じてヒーター回路１１が発熱する。ヒーター回路１１に供給される電力が大きいほど、ヒーター回路１１の発熱量が大きく、ヒーター回路１１から既述のグランドパターン５１、６１に流れる電流が大きくなる。
【００３５】
水晶振動子８１、８２の周囲温度が比較的低いと、当該周囲温度を設定温度まで上昇させるために、ヒーター回路１１からグランドパターン５１、６１を流れる電流が大きくなり、これらのパターン５１、６１の抵抗成分による電圧Ｖｇが大きくなる。水晶振動子８１、８２の周囲温度が比較的高いと、当該周囲温度を設定温度まで低下させるために、ヒーター回路１１からグランドパターン５１、６１を流れる電流が小さくなり、これらのパターン５１、６１の抵抗成分による電圧Ｖｇが小さくなる。しかしこのように電圧Ｖｇが変動しても、上記のように制御電圧Ｖｃの変動が抑えられるので、ＯＣＸＯ４０の発振出力周波数の変動が抑えられる。即ち、ＯＣＸＯ４０においては、温度による周波数特性の低下が抑えられる。
【００３６】
ところで、ＡＤＣ１３を備えていないＯＣＸＯにも本発明を適用することができる。例えば発振部である水晶振動子と、可変容量素子であるバリキャップダイオードと、を含むようにコルピッツ発振回路を構成し、当該発振回路に制御電圧Ｖｃが供給されるように構成される。この発振回路においては、制御電圧Ｖｃが変化することで前記バリキャップダイオードの容量値が変化し、当該発振回路の共振点が変化し、当該発振回路からの出力周波数が変化する。このような構成においても本発明を適用して前記制御電圧Ｖｃが安定化されることで、前記出力周波数が安定化される。
【００３７】
ところで、既述したようにヒーター回路１１から外部接地端子６８に向かって流れる電流の導電路と、ＡＤＣ１３から外部接地端子６８に向かって流れる電流の導電路と、において共通化されている導電路の長さが比較的短ければ、本発明の効果が得られる。つまり上記のパターンの形成例は一例であり、上記のようにパターンを形成することに限られない。図１０ではベース基板４２表面において、共通端子５８の上流側でグランドパターン６１とグランドパターン６２とが接続されている例を示している。パターン６１、６２の接続点をＰで示し、この接続点Ｐは、外部接地端子６８の近傍に設けられている。この接続点Ｐについて詳しく述べると、パターン６２に対するパターン６１の延長線の交点である。図中に接続点Ｐから導電路６０までの距離をＡ１として示している。つまり、この図１０の例では前記距離Ａ１と図７に示した導電路６０の長さＬ１との合計が１ｍｍ以下になるように構成されている。
【００３８】
また、グランドパターン６１、６２は、外部接地端子６８で互いに接続されている、つまり前記パターン６１、６２の接続点が、外部接地端子６８に一致していてもよい。図１１の断面斜視図はそのような例を示している。この図１１の例では共通端子５８が設けられておらず、グランドパターン６１の端部、グランドパターン６２の端部はベース基板４２の表面から裏面へ向かって各々独立して伸びており、外部接地端子６８に接続されている。また、上記のように複数枚の基板を積層することにも限られない。例えばメイン基板４１でグランドパターン５１、５２を接続し、この接続点とメイン基板４１の裏面の端子４５とが接続されるように構成する。そして、前記接続点が当該端子４５の近傍に設けられるような構成としてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１１    ヒーター回路
１３    ＡＤＣ
３      発振回路
４０    ＯＣＸＯ
４１    メイン基板
４２    ベース基板
４３    ピン
５１、５２、６１、６２、６３      グランドパターン
５８      共通端子
６８    外部接地端子
８１Ａ、８１Ｂ      水晶振動子
【図１】
2015119212.tif 000003
【図２】
2015119212.tif 000004
【図３】
2015119212.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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