(57)【要約】【課題】有機膜パターン形成用マスクの活用率を高め、有機膜材料の使用量を増加させることができる有機膜パターン形成用マスク、これを用いた有機膜パターン形成方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクは、第１基板、及び前記第１基板の上に形成された反射膜を含むフォトマスクと、前記フォトマスクと離隔して上部に位置しており、第２基板、及び前記第２基板の上に形成された吸収膜を含むドナー基板とを含み、前記フォトマスクは、前記フォトマスクに入射した光を反射させる反射部、前記光を集光させ前記ドナー基板に伝達させる集光部を含んでもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板、及び前記第１基板の上に形成された反射膜を含むフォトマスクと、
前記フォトマスクと離隔して上部に位置しており、第２基板、及び前記第２基板の上に形成された吸収膜を含むドナー基板と、
を含み、
前記フォトマスクは、前記フォトマスクに入射した光を反射させる反射部、前記光を集光させ前記ドナー基板に伝達させる集光部を含み、
前記反射部と前記集光部は、交互に配置されており、
前記第１基板の表面中の前記集光部には複数の集光パターンが形成されていることを特徴とする有機膜パターン形成用マスク。
【請求項２】
前記集光パターンは、陰刻形状であることを特徴とする請求項１に記載の有機膜パターン形成用マスク。
【請求項３】
前記陰刻形状は、凹の半円形状の断面、凸の半円形状の断面、及び凹の三角形状の断面を含む群から選択された一つの形状を有することを特徴とする請求項２に記載の有機膜パターン形成用マスク。
【請求項４】
前記集光パターンは、陽刻形状であることを特徴とする請求項１に記載の有機膜パターン形成用マスク。
【請求項５】
反射膜を含むフォトマスクと、前記フォトマスクと離隔して上部に位置しており、吸収膜を含むドナー基板と、を含む有機膜パターン形成用マスクの前記吸収膜の上に有機膜を塗布する段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクと第１対象基板を互いに整列させる段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第１対象基板に第１有機膜パターンを形成する段階と、
を含む有機膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記フォトマスクは、前記フォトマスクに入射した光を反射させる反射部、前記光を集光させ前記ドナー基板に伝達させる集光部を含み、
前記反射部と前記集光部は、交互に配置されており、
前記有機膜の中の前記集光部に対応する位置に形成された転写有機膜は、前記第１対象基板に転写されて前記第１有機膜パターンを形成することを特徴とする請求項５に記載の有機膜パターン形成方法。
【請求項７】
前記フォトマスクを移動させて前記フォトマスクの集光部と前記ドナー基板の有機膜のうちの未転写の未転写有機膜とを重畳させる段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクと第２対象基板を互いに整列させる段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第２対象基板に第２有機膜パターンを形成する段階と、
をさらに含み、
前記未転写有機膜は、前記第２対象基板に転写されて前記第２有機膜パターンを形成することを特徴とする請求項６に記載の有機膜パターン形成方法。
【請求項８】
第１対象基板の上に第１スイッチングトランジスタ及び第１駆動トランジスタを形成する段階と、
前記第１駆動トランジスタに接続される第１画素電極を形成する段階と、
前記第１画素電極の上に第１有機発光層を形成する段階と、
前記第１有機発光層の上に第１共通電極を形成する段階と、を含み、
前記第１有機発光層を形成する段階は、
反射膜を含むフォトマスクと、前記フォトマスクと離隔して上部に位置しており、吸収膜を含むドナー基板と、を含む有機膜パターン形成用マスクの吸収膜の上に有機膜を塗布する段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクと前記第１画素電極が形成された第１対象基板を互いに整列させる段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第１対象基板の第１画素電極の上に前記第１有機発光層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記フォトマスクは、前記フォトマスクに入射した光を反射させる反射部、前記光を集光させ前記ドナー基板に伝達させる集光部を含み、
前記反射部と前記集光部は、交互に配置されており、
前記有機膜の中の前記集光部に対応する位置に形成された転写有機膜は、前記第１対象基板に転写されて前記第１有機発光層を形成することを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
第２対象基板の上に第２スイッチングトランジスタ及び第２駆動トランジスタを形成する段階と、
前記第２駆動トランジスタに接続される第２画素電極を形成する段階と、
前記第２画素電極の上に第２有機発光層を形成する段階と、
前記第２有機発光層の上に第２共通電極を形成する段階と、をさらに含み、
前記第２有機発光層を形成する段階は、
前記フォトマスクを移動させて前記フォトマスクの集光部と前記ドナー基板の有機膜のうちの未転写の未転写有機膜とを重畳させる段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクと前記第２画素電極が形成された第２対象基板を互いに整列させる段階と、
前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第２対象基板の第２画素電極の上に前記第２有機発光層を形成する段階と、
をさらに含み、
前記未転写有機膜は前記第２対象基板に転写されて前記第２有機発光層を形成することを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機膜パターン形成用マスク、これを用いた有機膜パターン形成方法及び有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、二つの電極と、その間に位置する有機発光層とを含み、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）とが有機発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００３】
このような有機発光表示装置の製造工程は、基板の上に複数の膜パターンを形成する過程を含む。膜パターンは、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、フォトリソグラフィなど多様な方法で形成できる。
【０００４】
特に、膜が有機物質を含む有機膜である場合には、有機物質が酸素、水などに非常に敏感であるので、無機膜パターンを形成する一般的なフォトリソグラフィなどの方法が使用できない。有機膜パターンは、インクジェット、スピン、ノズルなどを活用したプリンティング工程、蒸着及びパターニング工程、シャドーマスクを用いた蒸着工程、熱またはレーザなどを用いた転写工程などを通じて形成できる。
【０００５】
このように有機膜パターンを形成する様々な方法のうちの転写工程は、大型基板に低費用で簡単に膜パターンを形成することができる方法であって、多く活用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、有機膜パターン形成用マスクの活用率を高め、有機膜材料の使用量を増加させることができる有機膜パターン形成用マスク、これを用いた有機膜パターン形成方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクは、第１基板、及び前記第１基板の上に形成された反射膜を含むフォトマスクと、前記フォトマスクと離隔して上部に位置しており、第２基板、及び前記第２基板の上に形成された吸収膜を含むドナー基板と、を含み、前記フォトマスクは、前記フォトマスクに入射した光を反射させる反射部、前記光を集光させ前記ドナー基板に伝達させる集光部を含んでもよい。
【０００８】
前記反射部と前記集光部は、交互に配置されていてもよい。
【０００９】
前記第１基板の表面中の前記集光部には複数の集光パターンが形成されていてもよく、前記集光パターンは陰刻形状であり、前記陰刻形状は、凹の半円形状の断面を有するか、凸の半円形状の断面を有するか、凹の三角形状の断面を有してもよい。
【００１０】
前記集光パターンは陽刻形状であり、前記陽刻形状は凸の半円形状の断面を有してもよい。
【００１１】
前記反射膜は、前記反射部に形成されていてもよい。
【００１２】
また、本発明の一実施形態による有機膜パターン形成方法は、反射膜を含むフォトマスクと、前記フォトマスクと離隔して上部に位置しており、吸収膜を含むドナー基板と、を含む有機膜パターン形成用マスクの前記吸収膜の上に有機膜を塗布する段階と、前記有機膜パターン形成用マスクと第１対象基板を互いに整列させる段階と、前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第１対象基板に第１有機膜パターンを形成する段階と、を含んでもよい。
【００１３】
前記フォトマスクは、前記フォトマスクに入射した光を反射させる反射部、前記光を集光させ前記ドナー基板に伝達させる集光部を含んでもよい。
【００１４】
前記反射部と前記集光部は、交互に配置されていてもよい。
【００１５】
前記有機膜の中の前記集光部に対応する位置に形成された転写有機膜は、前記第１対象基板に転写されて第１有機膜パターンを形成することができる。
【００１６】
前記フォトマスクを移動させて前記フォトマスクの集光部と前記ドナー基板の有機膜のうちの未転写の未転写有機膜とを重畳させる段階と、前記有機膜パターン形成用マスクと第２対象基板を互いに整列させる段階と、前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第２対象基板に第２有機膜パターンを形成する段階と、をさらに含んでもよい。
【００１７】
前記未転写有機膜は、前記第２対象基板に転写されて第２有機膜パターンを形成することができる。
【００１８】
前記集光部には複数の集光パターンが形成されていてもよい。
【００１９】
また、本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法は、第１対象基板の上に第１スイッチングトランジスタ及び第１駆動トランジスタを形成する段階と、前記第１駆動トランジスタに接続される第１画素電極を形成する段階と、前記第１画素電極の上に第１有機発光層を形成する段階と、前記第１有機発光層の上に第１共通電極を形成する段階と、を含み、前記第１有機発光層を形成する段階は、反射膜を含むフォトマスクと、前記フォトマスクと離隔して上部に位置しており、吸収膜を含むドナー基板と、を含む有機膜パターン形成用マスクの吸収膜の上に有機膜を塗布する段階と、前記有機膜パターン形成用マスクと前記第１画素電極が形成された第１対象基板を互いに整列させる段階と、前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第１対象基板の第１画素電極の上に前記第１有機発光層を形成する段階と、を含んでもよい。
【００２０】
前記フォトマスクは、前記フォトマスクに入射した光を反射させる反射部、前記光を集光させ前記ドナー基板に伝達させる集光部を含んでもよい。
【００２１】
前記反射部と前記集光部は交互に配置されていてもよく、前記有機膜の中の前記集光部に対応する位置に形成された転写有機膜は前記第１対象基板に転写されて第１有機発光層を形成することができる。
【００２２】
第２対象基板の上に第２スイッチングトランジスタ及び第２駆動トランジスタを形成する段階と、前記第２駆動トランジスタに接続される第２画素電極を形成する段階と、前記第２画素電極の上に第２有機発光層を形成する段階と、前記第２有機発光層の上に第２共通電極を形成する段階と、をさらに含み、前記第２有機発光層を形成する段階は、前記フォトマスクを移動させて前記フォトマスクの集光部と前記ドナー基板の有機膜のうちの未転写の未転写有機膜とを重畳させる段階と、前記有機膜パターン形成用マスクと前記第２画素電極が形成された第２対象基板を互いに整列させる段階と、前記有機膜パターン形成用マスクの背面に光を照射して前記吸収膜を加熱させ前記第２対象基板の第２画素電極の上に前記第２有機発光層を形成する段階をさらに含んでもよい。
【００２３】
前記未転写有機膜は前記第２対象基板に転写されて第２有機発光層を形成することができる。
【００２４】
前記集光部には、複数の集光パターンが形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスク、これを用いた有機膜パターン形成方法及び有機発光表示装置の製造方法は、反射膜と吸収膜をそれぞれ互いに離隔したフォトマスクとドナー基板とで形成し、ドナー基板に複数の集光パターンを形成することによって、ドナー基板に一度形成された有機膜を用いて少なくとも一つ以上の対象基板に有機膜パターンを形成することができるので、有機膜パターン形成用マスクの活用率を高め、有機膜材料の使用量を増加させることができる。
【００２６】
また、反射膜と吸収膜が互いに分離されているので、反射膜と吸収膜が接触したフォトマスクで発生する剥離現象が除去されるので、別途の維持補修工程が必要なく、製造費用が節減される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機膜パターン形成方法を順に示した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機膜パターン形成方法を順に示した断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機膜パターン形成方法を順に示した断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機膜パターン形成方法を順に示した断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機膜パターン形成方法を順に示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳しく説明する。しかし、本発明は様々な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２９】
明細書全体で、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。また、明細書全体で、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「上に」または「の上に」あるというとき、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。また、「〜上に」または「〜の上に」というのは対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準に上側に位置することを意味しない。
【００３０】
図１は本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図である。
【００３１】
図１に示したように、本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスク１は、フォトマスク１０、フォトマスク１０と第１間隔ｄ１だけ離隔して上部に位置しているドナー基板２０を含む。
【００３２】
フォトマスク１０は、第１基板１１、第１基板１１の上に形成された反射膜１２を含む。
【００３３】
第１基板１１は、光を透過できる透明性を有してもよい。第１基板１１は、例えばポリエステル、ポリアクリール、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートなどのような高分子物またはガラスを含んでもよい。
【００３４】
反射膜１２は、反射率の高い物質を含む。例えば、反射膜１２は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金のうちの少なくとも一つを含んでもよい。
【００３５】
反射膜１２は、スパッタリング、蒸着、メッキなどの方法によって積層されてもよく、フォトリソグラフィなどのパターニング方法を用いてパターニングされてもよい。
【００３６】
ドナー基板２０は、第２基板２１、第２基板２１の上に順次に形成された吸収膜２２を含む。
【００３７】
第２基板２１は、光を透過できる透明性を有してもよい。第２基板２１は、例えばポリエステル、ポリアクリール、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートなどのような高分子物またはガラスを含んでもよい。
【００３８】
吸収膜２２は、光を吸収しこれを熱エネルギーに変換させることができ、光の反射率が低くてもよい。吸収膜２２は、所定の光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ）及び光吸収性を有する物質を含んでもよい。例えば、吸収膜２２は、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属またはこれらの酸化物または硫化物またはこれらの合金、カーボンブラック、黒鉛または赤外線染料を光吸収性物質として含む高分子のうちの少なくとも一つを含んでもよい。
【００３９】
吸収膜２２は、単層または多層であってもよい。例えば、吸収膜２２は、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属またはこれらの酸化物または硫化物またはこれらの合金、カーボンブラック、黒鉛または赤外線染料を光吸収性物質として含む高分子などの単層であってもよく、金属層と金属酸化物が交互に積層された構造であってもよい。多層である場合、金属酸化物はＩＴＯ、ＴＣＯ、ＴｉＯ２などの透明な金属酸化物を含んでもよい。多層は、金属層と隣接し、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）などを含む保護膜をさらに含むこともできる。
【００４０】
フォトマスク１０は、フォトマスク１０に入射した光を反射させる反射部Ａ１、光を集光させドナー基板２０に伝達する集光部Ａ２を含む。反射部Ａ１と集光部Ａ２の幅は、数μｍ、例えば約２μｍ乃至約５μｍであってもよいが、これに限定されない。
【００４１】
反射部Ａ１と集光部Ａ２は互いに交互に配置されており、反射膜１２は反射部Ａ１に形成されている。第１基板１１の表面中の集光部Ａ２には集光パターン１１ａが形成されており、集光パターン１１ａは凹の半円形状の断面を有する陰刻形状であってもよい。このような集光パターン１１ａは、光を集光するレンズの役割を果たすので、光を集光してドナー基板２０の吸収膜２２にフォーカシングする。したがって、ドナー基板２０の吸収膜２２は、フォーカシングされた光エネルギーを熱エネルギーに変換させ、吸収膜２２の上にその後塗布される有機膜を昇華させることができる。
【００４２】
このように、集光パターン１１ａを用いて集光パターン１１ａに対応する位置に形成された有機膜を昇華させて対象基板に転写させ、対象基板に有機膜パターンを形成することができる。
【００４３】
前記一実施形態による有機膜パターン形成用マスクの集光パターン１１ａは、凹の半円形状の断面を有する陰刻形状であったが、図２乃至図４に示した他の実施形態による有機膜パターン形成用マスクのように、多様な形状の集光パターン１１ａを形成してもよい。
【００４４】
図２は本発明の他の実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図であり、図３は本発明の他の実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図であり、図４は本発明の他の実施形態による有機膜パターン形成用マスクの断面図である。
【００４５】
図２に示したように、集光パターン１１ａは凸の半円形状の断面を有する陰刻形状であってもよく、図３に示したように、集光パターン１１ａは凹の三角形状の断面を有する陰刻形状であってもよい。また、図４に示したように、集光パターン１１ａは凸の半円形状の断面を有する陽刻形状であってもよい。図１乃至図４に集光パターンを示したが、必ずしもこれらに限定されるのではなく、多様に変形してもよい。
【００４６】
以下、図５乃至図９を参照して本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機膜パターン形成方法について詳しく説明する。
【００４７】
図５乃至図９は本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機膜パターン形成方法を順に示した断面図である。
【００４８】
先ず、図５に示したように、本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスク１のドナー基板２０の吸収膜２２の上に有機膜２３を塗布する。
【００４９】
その次に、図６に示したように、第１有機膜パターン５０Ａを形成する第１対象基板１１０Ａを有機膜パターン形成用マスク１と対向させて整列させる。第１対象基板１１０Ａと有機膜パターン形成用マスク１の間の第２間隔ｄ２は約数μｍ、例えば約３μｍであってもよいが、これに限定されない。
【００５０】
そして、フラッシュランプ、ハロゲンランプ、レーザなどの光源３０を有機膜パターン形成用マスク１のフォトマスク１０の背面に位置させ、光を照射する。そうすると、反射部Ａ１に位置した反射膜１２に照射された光は反射され、集光部Ａ２に位置する集光パターン１１ａに照射された光のみが集光されてドナー基板２０の吸収膜２２にフォーカシングされる。したがって、フォーカシングされた光エネルギーは熱エネルギーに変換されて吸収膜２２を加熱させるので、有機膜２３中の吸収膜２２の上またはその周囲に位置した転写有機膜２３ａも加熱される。
【００５１】
これにより、図７に示したように、有機膜２３中の転写有機膜２３ａは加熱され、及び昇華して第１対象基板１１０Ａに転写されるので、第１対象基板１１０Ａに第１有機膜パターン５０Ａが形成される。この時、ドナー基板２０には未転写の未転写有機膜２３ｂが残される。
【００５２】
その次に、図８に示したように、フォトマスク１０を水平方向Ｘに移動させてフォトマスク１０の集光部Ａ２とドナー基板２０の有機膜のうちの未転写の未転写有機膜２３ｂとを重畳させる。そして、第２有機膜パターン５０Ｂを形成させる第２対象基板１１０Ｂを有機膜パターン形成用マスク１と対向させて整列させる。そして、フラッシュランプ、ハロゲンランプ、レーザなどの光源３０を有機膜パターン形成用マスク１のフォトマスク１０の背面に位置させ、光を照射する。そうすると、反射部Ａ１に位置した反射膜１２に照射された光は反射され、集光部Ａ２に位置する集光パターン１１ａに照射された光は集光されてドナー基板２０の吸収膜２２にフォーカシングされる。したがって、フォーカシングされた光エネルギーは熱エネルギーに変換されて吸収膜２２を加熱させる。この時、加熱された吸収膜２２の上には未転写有機膜２３ｂが位置している。
【００５３】
その次に、図９に示したように、有機膜２３中の加熱された未転写有機膜２３ｂは昇華して第２対象基板１１０Ｂに転写されるので、第２対象基板１１０Ｂに第２有機膜パターン５０Ｂが形成される。
【００５４】
このように、有機膜が形成された一枚のドナー基板を用いて少なくとも一つ以上の対象基板に有機膜パターンを形成することができるので、有機膜パターン形成用マスクの活用率を高め、有機膜材料の使用量を増加させることができる。
【００５５】
以下、前述の図面と共に図１０乃至図１６を参照して本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法について詳しく説明する。
【００５６】
図１０乃至図１６は本発明の一実施形態による有機膜パターン形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【００５７】
先ず、図１０に示したように、第１対象基板１１０Ａの上に第１スイッチングトランジスタＴ１及び第１駆動トランジスタＴ２を形成し、第１スイッチングトランジスタＴ１及び第１駆動トランジスタＴ２を覆う保護膜１８０を形成する。そして、第１駆動トランジスタＴ２に接続された第１画素電極１９０Ａを形成する。そして、第１画素電極１９０Ａの端と保護膜１８０を覆う画素定義膜３５０を形成する。
【００５８】
その次に、第１画素電極１９０Ａの上に第１有機発光層２７０Ａを形成する。第１有機発光層２７０Ａを形成する段階は、前記第１有機膜パターン５０Ａを形成する段階と大部分同一である。
【００５９】
即ち、図１１に示したように、有機膜パターン形成用マスク１のドナー基板２０の吸収膜２２の上に有機膜２３を塗布する。そして、第１有機発光層２７０Ａを形成する第１対象基板１１０Ａを有機膜パターン形成用マスク１と対向させて整列させる。そして、光源３０を有機膜パターン形成用マスク１のフォトマスク１０の背面に位置させ、光を照射する。そうすると、反射部Ａ１に位置した反射膜１２に照射された光は反射され、集光部Ａ２に位置する集光パターン１１ａに照射された光のみが集光されてドナー基板２０の吸収膜２２にフォーカシングされる。したがって、フォーカシングされた光エネルギーは熱エネルギーに変換されて吸収膜２２を加熱させるので、有機膜２３中の吸収膜２２の上またはその周囲に位置した転写有機膜２３ａも加熱される。
【００６０】
これにより、図１２に示したように、有機膜２３中の転写有機膜２３ａは加熱され、及び昇華して第１対象基板１１０Ａに転写されるので、第１対象基板１１０Ａに第１有機発光層２７０Ａが形成される。
【００６１】
その次に、図１３に示したように、第１有機発光層２７０Ａの上に第１共通電極３７０Ａを形成し、第１画素電極１９０Ａ、第１有機発光層２７０Ａ及び第１共通電極３７０Ａを含む第１有機発光ダイオード７０Ａを完成する。
【００６２】
その次に、図１４に示したように、フォトマスク１０を水平方向Ｘに移動させ、フォトマスク１０の集光部Ａ２とドナー基板２０の有機膜２３のうちの未転写の未転写有機膜２３ｂとを重畳させる。そして、第２有機発光層２７０Ｂを形成する第２対象基板１１０Ｂを有機膜パターン形成用マスク１と対向させて整列させる。第２対象基板１１０Ｂには第２スイッチングトランジスタＴ３及び第２駆動トランジスタＴ４が形成され、第２スイッチングトランジスタＴ３及び第２駆動トランジスタＴ４を覆う保護膜１８０が形成されている。そして、第２駆動トランジスタＴ４に接続された第２画素電極１９０Ｂが形成されている。そして、第１画素電極１９０Ａの端と保護膜１８０を覆う画素定義膜３５０が形成されている。
【００６３】
そして、光源３０を有機膜パターン形成用マスク１のフォトマスク１０の背面に位置させ、光を照射する。そうすると、反射部Ａ１に位置した反射膜１２に照射された光は反射され、集光部Ａ２に位置する集光パターン１１ａに照射された光は集光されてドナー基板２０の吸収膜２２にフォーカシングされる。したがって、フォーカシングされた光エネルギーは熱エネルギーに変換されて吸収膜２２を加熱させるので、有機膜２３中の吸収膜２２の上またはその周囲に位置した未転写有機膜２３ｂも加熱される。
【００６４】
これにより、図１５に示したように、有機膜２３中の未転写有機膜２３ｂは昇華されて第２対象基板１１０Ｂに転写されるので、第２対象基板１１０Ｂに第２有機発光層２７０Ｂが形成される。
【００６５】
このように、有機膜が形成された一枚のドナー基板を用いて少なくとも一つ以上の対象基板に有機発光層を形成することができるので、有機膜パターン形成用マスクの活用率を高め、有機膜材料の使用量を増加させることができる。
【００６６】
そして、図１６に示したように、第２有機発光層２７０Ｂの上に第２共通電極３７０Ｂを形成し、第２画素電極１９０Ｂ、第２有機発光層２７０Ｂ及び第２共通電極３７０Ｂを含む第２有機発光ダイオード７０Ｂを完成する。
【００６７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これらが本発明の範囲に属していることは当然である。
【符号の説明】
【００６８】
１：有機膜パターン形成用マスク
１０：フォトマスク
１１：第１基板
１１ａ：集光パターン
１２：反射膜
２０：ドナー基板
２１：第２基板
２２：吸収膜
２３：有機膜
３０：光源
５０Ａ：第１有機膜パターン
５０Ｂ：第２有機膜パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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