(57)【要約】      （修正有）【課題】型に付着した異物の影響を抑えて、基板上のショット領域に型のパターンを形成するインプリント装置を提供する。【解決手段】型５を用いて基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、前記基板１をインプリント装置に搬入する搬入工程と、前記基板１がインプリント装置に搬入された後、前記インプリント装置内の前記基板１とは異なる部材に供給されたインプリント材と前記型５を接触させて前記インプリント材を硬化して前記パターンを形成することによって前記型５のパターンに付着した異物の一部又は全部を除去する異物除去工程と、前記異物除去を行った前記型５を用いて、インプリント装置に搬入された前記基板１上にパターンを形成する工程と、を有する。【選択図】図４
2015119044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板をインプリント装置に搬入する搬入工程と、
前記基板がインプリント装置に搬入された後、前記インプリント装置内の前記基板とは異なる部材に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記インプリント材を硬化して前記パターンを形成することによって前記型のパターンに付着した異物の一部又は全部を除去する異物除去工程と、
前記異物除去を行った前記型を用いて、インプリント装置に搬入された前記基板上にパターンを形成する工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記異物除去工程は、前記部材としてダミープレート上に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記型のパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
型を用いて基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板を前記基板保持部が保持した後、前記基板とは異なる部材に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記インプリント材を硬化して前記パターンを形成した後に前記部材から前記型を離し、前記部材から離した前記型を用いて前記基板にパターンを形成することを特徴とするインプリント装置。
【請求項４】
前記基板保持部は、前記基板と、前記部材としてのダミープレートとを保持し、
前記制御部は、前記基板保持部に保持されたダミープレート上に供給されたインプリント材と前記型を接触させ前記インプリント材を硬化して前記パターンを形成することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記基板保持部は、前記インプリント装置に前記基板が搬入される際に前記基板保持部が保持する前記基板の位置と前記型を保持する型保持部の位置との間の位置で、前記ダミープレートを保持することを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記部材としてダミープレートを保持するダミープレート保持部を有し、
前記制御部は、ダミープレート保持部に保持されたダミープレート上に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記インプリント材を硬化して前記パターンを形成することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記ダミープレート保持部は、前記インプリント装置に前記基板が搬入される際に前記基板保持部が保持する前記基板の位置と前記型を保持する型保持部の位置との間の位置に配置されていることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記基板保持部を移動させる基板ステージ、を有し、
前記ダミープレート保持部は前記基板ステージとは独立して移動することを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
型を用いて基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板とは異なる部材としてのダミープレートを保持するダミープレート保持部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記ダミープレート上に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記インプリント材を硬化して前記パターンを形成することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１０】
請求項３乃至９のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いて、基板上のインプリント材にパターンを形成する工程と、
インプリント材に形成されたパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、型と基板上のインプリント材を接触させ、接触させた状態でインプリント材を硬化させることで、インプリント材にパターンを形成するインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等を製造するための技術として、インプリント技術が知られている。インプリント技術は、パターンが形成された型を用いて、基板上に供給されたインプリント材にパターンを形成する技術である。
【０００３】
インプリント技術においては、型に形成されたパターンに異物が付着している状態で型とインプリント材とを接触させると、基板上にパターンを正確に形成することができない。
【０００４】
そのため、型に付着した異物を除去してから基板上にパターンを形成する必要がある。特許文献１には、基板であるウエハ上にパターンを形成する前に、インプリント装置内にダミーのウエハを搬入するインプリント装置が記載されている。インプリント装置内に搬入されたダミーのウエハにインプリントを行い型に付着した異物を除去したのち、ダミーのウエハをインプリント装置から搬出するインプリント装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６６８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のように、ダミーウエハを用いて型に付着した異物を除去したとしても、インプリント装置からダミーウエハを搬出して、インプリント装置へダミーではないウエハ（実素子ウエハ）を搬入する間に、異物が型に付着することが考えられる。そのため、最初にパターンを形成するショット領域では、異物の影響によりパターンを正確に形成できない恐れがある。
【０００７】
そこで本発明は、型に付着した異物の影響を軽減してウエハ等の基板に型のパターンを形成するインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のインプリント方法は、型を用いて基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、前記基板をインプリント装置に搬入する搬入工程と、前記基板がインプリント装置に搬入された後、前記インプリント装置内の前記基板とは異なる部材に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記インプリント材を硬化して前記パターンを形成することによって前記型のパターンに付着した異物の一部又は全部を除去する異物除去工程と、前記異物除去を行った前記型を用いて、インプリント装置に搬入された前記基板上にパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
型に付着した異物の影響を軽減してウエハ等の基板に型のパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示した図である。
【図２】第１実施形態のインプリントサイクルのフローを示した図である。
【図３】第１実施形態のダミープレートを示した図である。
【図４】第１実施形態のダミープレートの配置を示した図である。
【図５】第２実施形態のインプリント装置を示した図である。
【図６】第２実施形態の異物除去工程を説明する図である。
【図７】第２実施形態のダミープレートを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
（第１実施形態）
（インプリント装置）
図１を参照しながら第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰの構成について説明する。ここでは、光の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化型のインプリント方法について説明する。具体的には、光として紫外光を用い、インプリント材として紫外線硬化樹脂（樹脂、レジスト）を用いるインプリント方法である。
【００１３】
図１は第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰを示した図である。ここでは、図１に示すように型５を基板１に押し付ける方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直で基板１の面内方向に互いに直交するようにＸ軸とＹ軸を決めた。インプリント装置ＩＭＰはシリコンウエハより成る基板１を保持する基板チャック２（基板保持部）、基板チャック２を保持して移動する基板ステージ３、基板ステージ３を保持して位置決めするベースフレーム４を備える。基板チャック２として、例えば真空チャックを用いることができる。基板ステージ３はベースフレーム４上をＸ軸及びＹ軸方向に移動する。
【００１４】
さらにインプリント装置ＩＭＰは、型５を保持してＺ軸に駆動する型保持部５ａ、紫外光を照射する光源６、基板１上にインプリント材を供給する供給部７（ディスペンサ）、インプリント材を保管するタンク８、アライメントスコープ１１を備える。アライメントスコープ１１（検出部）は、型５に形成されたマークと型５を挟んで基板１に形成されたマークとを検出する検出部として機能する。検出部として、型５を挟まずに基板１に形成されたマークを検出するオフアクシススコープ１３を備えていても良い。型保持部５ａ、光源６、供給部７、タンク８、アライメントスコープ１１、オフアクシススコープ１３は、定盤１２に支持されている。
【００１５】
型５（原版、テンプレート）は、基板１に対向する面に凹凸状のパターンが形成されており、光源６からの紫外光が透過する材料（石英など）からなる。型５に形成されているパターンの箇所をここではパターン領域と呼ぶ。型保持部５ａがＺ軸に移動することで、型５に形成されたパターンを基板１上のインプリント材に接触させる。
【００１６】
光源６は紫外光発生装置である。光源６には、例えば、ｉ線、ｇ線を発生するハロゲンランプなどの光源に加えて、光源から発生した光を集光する光学素子（凹面鏡等）が含まれている。
【００１７】
供給部７は、インプリント材を微小液滴化して吐出して、基板１上に所定の量のインプリント材を供給する。供給部７はタンク８と配管９でつながっており、タンク８から供給部７にインプリント材が供給される。また、供給部７をインプリント材の吐出位置と退避位置（メンテナンス位置）との間で移動させる移動手段１０を備えていても良い。供給部７を通常の吐出動作時は吐出位置に位置決めし、メンテナンスする際は、退避位置に移動させる。退避位置では供給部７のノズル等のクリーニング及び交換を行う。
【００１８】
アライメントスコープ１１は、基板１の上に供給部７によってインプリント材を供給した後に、型５に設けられたマークと基板１に設けられたマークを検出するスコープである。インプリント装置ＩＭＰは、アライメントスコープ１１によって検出された型５のマークと基板１のマークの検出結果を用いて基板１と型５の位置合わせを行う。
【００１９】
（インプリントサイクル）
図２を参照しながら第１実施形態のインプリントサイクルについて説明する。図２は第１実施形態におけるインプリントサイクルを示すフローチャートである。第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰは、インプリントサイクルを繰り返すことによって基板１の複数のショット領域にパターンを形成する。ここでショット領域とは、基板１上の領域のことであり、型５に形成されたパターン領域を１回のインプリントで転写する領域を示している。ショット領域に転写するパターンは型５に形成されたパターン領域の全体でもその一部でも良い。また、基板１上のショット領域には、インプリント装置を含む他のリソグラフィ装置で予めパターンが形成されていても良いし、パターンが形成されていなくても良い。
【００２０】
以下、このインプリントサイクルは、インプリント装置ＩＭＰで実施されるものとする。図２に示すインプリントサイクルは、図１で示した制御部ＣＮＴに有するメモリＭＲＹに格納されているプログラムを実行することで実施される。また、制御部ＣＮＴに有するプロセッサＰＲＣはメモリＭＲＹに格納されたプログラムを処理する。このように、本発明のインプリントサイクルの動作は、制御部ＣＮＴのメモリＭＲＹに格納されたプログラムに従って実行される。
【００２１】
インプリントサイクルが開始されると、インプリント装置ＩＭＰに基板１が搬入され、インプリント装置ＩＭＰ内の搬送ハンド（不図示）に置かれる（Ｓ２１）。不図示の基板搬送ユニットが、搬送ハンドに置かれた基板１を搬送して基板チャック２に載置する。基板チャック２に基板１が載置されると、オフアクシススコープ１３は基板１上に形成された複数の位置合わせマーク（アライメントマーク）を検出し、インプリント装置ＩＭＰは検出結果から基板１上の複数のショット領域の配列（位置）を求める。
【００２２】
Ｓ２１で基板１をインプリント装置ＩＭＰに搬入し、基板搬送ユニットが基板チャック２に基板１を載置すると、その間に異物が型５に付着する恐れがある。そのため、基板１をインプリント装置ＩＭＰに搬入した後、後述の異物除去工程（Ｓ２２）を行う。
【００２３】
異物除去工程（Ｓ２２）を行った後、基板１上の１番目のショット領域にインプリント材を供給するために基板ステージ３が供給部７の下に移動する。インプリント材は、供給部７の吐出口から吐出され基板１上に供給される（Ｓ２３、供給工程）。ここでは、吐出口から未硬化樹脂を吐出しながら、基板１を移動させることでショット領域毎にインプリント材の供給とパターン形成（押印・硬化・離型）を繰り返す。Ｓ２３の供給工程は、１回の供給工程で基板上の複数のショット領域にインプリント材を供給しても良いし、基板の全面にインプリント材を一括で供給しても良い。
【００２４】
インプリント材が供給されたショット領域は、基板１を搬入した際に求めたショット領域の配列に基づいてパターンＰが形成された型Ｍの下に移動する。基板１と型５との相対的な位置合わせは、グローバルアライメント方式でもダイバイダイアライメント方式でも良い。
【００２５】
基板１と型５の位置合わせを行った後、基板１と型５を近づけて（間隔を狭めて）いき、基板１上のインプリント材と型５のパターンとを接触させる（接触工程）。基板１と型５を互いに押し付けて、型５のパターンの凹部に未硬化樹脂を充填させる（Ｓ２４、押印工程）。
【００２６】
型５のパターンの凹部にインプリント材が充填したら、型５とインプリント材を接触させた状態で紫外光を照射し、インプリント材を硬化させる（Ｓ２５、硬化工程）。
【００２７】
インプリント材を硬化させた後、基板１と型５の間隔を広げて、硬化したインプリント材から型５を引き離す（Ｓ２６、離型工程）。硬化したインプリント材から型５が引き離されることにより、基板１上にパターンが形成（転写）される。このＳ２６離型工程は、型保持部５ａを駆動させてインプリント材から型５を引き離しても良いし、基板ステージ３を駆動させてインプリント材から型５を引き離しても良い。また、型保持部５ａと基板ステージ３を同時または順次駆動させてインプリント材から型５を引き離しても良い。
【００２８】
Ｓ２６の離型工程の後、基板１上の全てのショット領域にパターン形成が完了したかを判断する（Ｓ２７）。全てのショット領域にパターンの形成が完了していない場合（Ｓ２７でＮＯの場合）、上述したＳ２３の供給工程を行う。Ｓ２３の供給工程では、基板ステージ３が移動して次にパターンを形成するショット領域にインプリント材を供給する。なお、予め複数のショット領域又は基板１の全面に一括してインプリント材が供給されている場合についてはＳ２３の供給工程を行わず、Ｓ２４の押印工程に進む。
【００２９】
Ｓ２７で基板１上の全てのショット領域にパターン形成が完了したかを判断した結果、すべてのショット領域にパターン形成が完了した場合（Ｓ２７でＹＥＳの場合）、インプリント装置ＩＭＰから基板１が搬出される（Ｓ２８）。Ｓ２８では不図示の基板搬送ユニットが、基板１を基板チャック２からインプリント装置ＩＭＰの外部に搬出し、インプリントサイクルを終了する。
【００３０】
このようなインプリントサイクルを行うインプリント装置ＩＭＰにおいて、基板１をインプリント装置の外部に搬出して、新たな基板をインプリント装置の内部に搬入する間に、型５に異物が付着する場合が多いことが分かった。そのため、異物を除去せずに上述のインプリントサイクルを行うと、最初のショット領域は、異物により型のパターンが基板上に正確に形成できないことが多いことが分かった。
【００３１】
（基板ステージにダミープレート）
そこで、第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰは、インプリント装置の内部に搬入された基板１上にパターンを形成する前に、インプリント装置内部に設けられた異物除去用の専用基板（ダミープレート、部材）を用いてＳ２２の異物除去工程を行う。以下、型５に付着した異物の除去するための異物除去工程（Ｓ２２）について説明する。
【００３２】
図３は第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰの基板チャック２を示した図である。図３（Ａ）は基板１を保持している基板チャック２を上面から見た図である。図３（Ｂ）は基板１を保持している基板チャック２を側面から見た図である。基板チャック２は、基板１を保持すると同時に、ダミープレート２ａを保持している。基板チャック２には、真空チャックや電磁チャックを用いることができる。基板チャック２は、ダミープレート２ａを真空吸着や電磁力により保持、固定することができる。
【００３３】
ダミープレート２ａとしては、ダミープレート上にインプリント材を供給してインプリントを行うことができれば、どのような材料でも良い。ダミープレート２ａの材料をシリコンウエハである基板１と同一の材料（例えば、単結晶シリコン）を用いることで、図２のインプリントサイクルで説明した基板１に対するインプリントの各工程と同じ動作条件でＳ２２の異物除去工程を実施することができる。また、ダミープレート２ａの厚さを基板１と同じにすることで、基板１に対するインプリントの各工程と同じ動作条件でＳ２２の異物除去工程を実施することができる。
【００３４】
また、図３（Ｃ）に示すようにダミープレート２ａを、基板ステージ３に直接設けても良い。Ｓ２２の異物除去工程を基板ステージ３に設けられた専用領域（ダミープレート２ａ）で行う。基板ステージ３に設けられたダミープレート２ａを、基板１と同じ材料を用いたり、基板１の表面の高さと合わせたりすることで、基板１に対するインプリントの各工程と同じ動作条件でＳ２２の異物除去工程を実施することができる。
【００３５】
ダミープレート２ａの型５に対向する面は、型５に形成されたパターンの領域よりも広い領域を有している。図４（Ａ）に示すダミープレート２ａには、型５に形成されたパターンの領域の大きさに対応したダミーインプリント領域１０１、１０２を有している。
【００３６】
図４（Ａ）は、インプリント装置ＩＭＰに基板１を搬入（又は搬出）する時の基板チャック２の位置（基板搭載位置）と、型５の位置（インプリント位置）と、供給部７の位置（供給位置）を示している。ダミープレート２ａは、基板搭載位置に基板チャック２が位置決めされている時の基板チャック２（基板１）の中心と型５の位置との間にあることが望ましい。あるいは基板搭載位置に基板チャック２が位置決めされている時の基板チャック２の中心と供給部の位置との間に、ダミープレート２ａがあることが望ましい。このようにダミープレート２ａを配置することで、基板１がインプリント装置ＩＭＰに搬入された後、ダミーインプリントを行う際に基板ステージ３の移動距離を短くすることができる。異物除去工程に要する時間を短くすることが可能になり、インプリント装置ＩＭＰの生産性を向上させることができる。
【００３７】
（異物除去工程）
次に、Ｓ２２の異物除去工程について説明する。インプリント装置ＩＭＰに基板１を搬入する前に異物除去工程を行って型５に付着した異物の除去を行うと、インプリント装置ＩＭＰに基板１を搬入する際に（搬入前後に）、型５に異物が付着する恐れがある。そのため、Ｓ２２の異物除去工程は、Ｓ２１でインプリント装置ＩＭＰに基板１が搬入された後に所定のタイミングで行う。図３（Ａ）のように、基板チャック２に保持されたダミープレート２ａに対してＳ２２の異物除去工程を行う場合は、インプリント装置ＩＭＰに基板１を搬入するのと同時に、ダミープレート２ａを搬入する。または、インプリントサイクルが開始する前に予めダミープレート２ａをインプリント装置ＩＭＰ内に備えていても良い。
【００３８】
Ｓ２２の異物除去工程は、ダミープレート２ａにインプリントを行うことによって型５に付着した異物の一部又は全部を除去する工程である。Ｓ２１で基板１がインプリント装置ＩＭＰに搬入された後、ダミープレート２ａに対してインプリント（ダミーインプリント）を行う。ダミープレート２ａに対して行うインプリント動作は、基板１に対して行うインプリント動作（Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５、Ｓ２６）と同じである。ただし、型５に付着した異物を除去しやすくするために、各インプリント動作の工程に違いが生じても良い。例えば、ダミープレート２ａにインプリント材を供給する供給工程で、基板１に供給するインプリント材とは粘度の異なるインプリント材を供給したり、型５とインプリント材とを接触させる押印工程で、接触させる時間を変えたりする。また、紫外線を照射してインプリント材を硬化させる硬化工程で、紫外線の照射時間を変えたり、硬化したインプリント材から型５を引き離す離型工程に要する時間を変えたりすることができる。
【００３９】
Ｓ２２の異物除去工程は、ダミープレート２ａに対して少なくとも１回以上のインプリント動作を行う。例えば、図４（Ｂ）に示すように、ダミープレート２ａ上のダミーインプリント領域１０１、１０２に対してＳ２２の異物除去工程を行う。その後、基板１上のショット領域１０３から順にインプリント動作（Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５、Ｓ２６）を繰返して基板上にパターンを形成する。ダミープレート２ａに形成されたすべてのダミーインプリント領域が異物除去工程に使用されたダミープレート２ａは、インプリント装置ＩＭＰから搬出して、新たなダミープレートをインプリント装置ＩＭＰに搬入する。異物除去工程に使用されたダミープレート２ａは、再度利用するために、異物が付着したインプリント材をダミープレートから取り除いたり、異物が付着したインプリント材の膜を形成したりして、その上にダミーインプリントを行っても良い。このように、Ｓ２２の異物除去工程の後、インプリント装置ＩＭＰからダミープレート２ａを搬出したり、インプリント装置ＩＭＰへ基板（他の実素子基板）を搬入したりする工程を行う事無く、基板１上にパターンを形成することができる。そのため、型５に付着した異物によるパターン転写精度の低下を防ぐことができる。
【００４０】
（第２実施形態）
第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰでは、Ｓ２２の異物除去工程を、基板チャック２に保持されたダミープレート２ａや、基板ステージ３に直接設けられたダミープレート２ａを用いて行った。第２実施形態のインプリント装置ＩＭＰには、ダミープレート１４を保持し、基板ステージ３から独立してインプリント装置内を移動する、ダミープレートステージ１５（ダミープレート保持部）を有している。第２実施形態のインプリント装置ＩＭＰではＳ２２の異物除去工程を、ダミープレートステージ１５に保持されたダミープレート１４を用いて行う。
【００４１】
（ダミープレート）
図５（Ａ）は、ダミープレート１４を保持するダミープレートステージ１５を備えるインプリント装置ＩＭＰを示した図である。ダミープレート１４は、ダミープレートステージ１５に設けられた真空チャックにより真空吸着されている。ダミープレート１４は、真空吸着以外にも、ダミープレートステージ１５に設けられた電磁チャックに保持、固定されても良い。ダミープレート１４は、ダミープレート１４上にインプリント材を供給してインプリントを行うことができれば、どのような材料でも良い。ダミープレート１４の材料をシリコンウエハである基板１と同一の材料（例えば、単結晶シリコン）を用いることで、図２のインプリントサイクルで説明した基板１に対するインプリントの各工程と同じ動作条件でＳ２２の異物除去工程を実施することができる。また、ダミープレート１４の表面の高さを基板１と同じにすることで、基板１に対するインプリントの各工程と同じ動作条件でＳ２２の異物除去工程を実施することができる。
【００４２】
（ダミーインプリント）
図５（Ａ）に示したインプリント装置ＩＭＰを用いて、第２実施形態のＳ２２の異物除去工程を説明する。第２実施形態のインプリント装置ＩＭＰは、図２で説明したインプリントサイクルと同じく、Ｓ２１で基板１をインプリント装置ＩＭＰに搬入した後で、かつ、基板１上にパターンを形成する前に、Ｓ２２の異物除去工程を実施する。
【００４３】
Ｓ２２の異物除去工程では、ダミープレートステージ１５の退避位置から、ダミープレート１４にインプリント材を供給するために、ダミープレートステージ１５が供給部７の下（供給位置）に移動する。ダミープレート１４にインプリント材を供給した後、ダミープレート１４を用いてダミーインプリントを行うために、ダミープレートステージ１５が型５の下（インプリント位置）に移動する。
【００４４】
その後、第１実施形態で説明したダミーインプリントと同じように、ダミープレート１４を用いてインプリントを行う。図６はダミープレート１４を用いてダミーインプリントを行う様子を示す図である。ダミープレートステージ１５は、インプリント材が供給されたダミープレート１４を型５の下まで移動させ（図６（Ａ））、ダミープレート１４と型５とを近づけてインプリントを行う（図６（Ｂ））。図７はダミープレートステージ１５に保持されたダミープレート１４を示した図である。ダミープレート１４には複数のダミーインプリント領域２０１〜２１０が形成されている。Ｓ２２の異物除去工程におけるダミーインプリントは、少なくとも１回以上行われる。そのため、１つの基板に対してすべてのダミーインプリント領域を用いて異物除去工程を行わなくても良い。ダミープレート１４に形成されたすべてのダミーインプリント領域にダミーインプリントが行われた場合（図７（Ｂ））には、ダミープレート１４をインプリント装置から搬出し、新しいダミープレート１４を搬入する。異物除去工程に使用されたダミープレート１４は、再度利用するために、異物が付着したインプリント材をダミープレートから取り除いたり、異物が付着したインプリント材の膜を形成したりして、その上にダミーインプリントを行っても良い。
【００４５】
Ｓ２２の異物除去工程は、ダミーインプリント後、ダミープレートステージ１５が退避位置へ移動することで完了する。図５（Ａ）はダミープレートステージ１５が退避位置にある状態を示した図であり、図５（Ｂ）はダミープレートステージ１５が退避位置と供給位置とインプリント位置へ移動する様子を示した図である。
【００４６】
図５は基板ステージ３が基板搭載位置に位置決めされている様子を示している。ダミープレートステージ１５は退避位置と供給位置とインプリント位置の間で移動可能に構成されている。図５に示すようにダミープレートステージ１５は、基板ステージが基板搭載位置に位置決めされている時に、基板ステージ３に対して、インプリント位置側又は供給位置側に設けられているのが望ましい。さらに、ダミープレートステージ１５の退避位置は、インプリント位置又は供給位置に対して基板搭載位置の反対側に設けられているのが望ましい。
【００４７】
このようにダミープレートステージ１５がインプリント装置ＩＭＰに設けられていることで、Ｓ２２の異物除去工程において、ダミープレートステージ１５がインプリント位置と供給位置へ移動する距離を短くすることができる。Ｓ２２の異物除去工程（ダミーインプリント）に要する時間を短くすることができる。
【００４８】
第２実施形態のインプリント装置ＩＭＰは、基板１を保持するステージとダミープレート１４を保持するステージを別々に移動させることができる。そのため、ダミープレート１４で異物除去工程の終了と同時に、基板ステージ３を供給位置に移動させてＳ３３の供給工程を実施することができる。異物除去工程から基板１上にパターンを形成する工程の間を短くすることができるため、インプリント装置の生産性を向上させる効果がある。
【００４９】
このように、インプリント装置ＩＭＰに基板１が搬入された後、Ｓ２２の異物除去工程を行うことで、ダミーインプリントにより、型５に付着した異物を取り去り、基板１にパターンを形成する際に、異物の影響を低減することが可能になる。
【００５０】
（その他の形態）
上記、何れの実施形態も紫外線を用いてインプリント材を硬化させるインプリント装置について説明してきた。しかし、本発明のインプリント装置は紫外線に限らず他の波長域の光の照射によって樹脂を硬化させるインプリント装置でもよい。さらに、光硬化法によるインプリントに限らず、熱を用いてインプリント材を硬化させるインプリント装置に適用することも可能である。
【００５１】
上記、何れの実施形態も型保持部５ａがＺ方向に移動することで、型５と基板１又はダミープレート上に供給されたインプリント材（未硬化樹脂）とを接触させることができる。また、基板ステージ３又はダミープレートステージ１５がＺ方向に移動することで型５とインプリント材とを接触させてもよいし、型保持部５ａと基板ステージ３又はダミープレートステージ１５を同時に移動させても良い。
【００５２】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路デバイス、液晶表示デバイス、ＭＥＭＳ等）の製造方法は、上述のインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、該デバイス製造方法は、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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