(57)【要約】【課題】組付時に半導体モジュールと冷却器との間において空気が残ることなく放熱グリスを充填することができる半導体装置および半導体装置の組付方法を提供する。【解決手段】半導体モジュール３０，３１，３２を冷却するためのヒートシンク２０と、半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において充填された放熱グリス４０，４１，４２と、半導体モジュール３０，３１，３２をヒートシンク２０に押圧する板ばね６０を備える。通気性を有するシール部材５０，５１，５２が、半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において放熱グリス４０，４１，４２の充填部を囲っている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールと、
前記半導体モジュールを冷却するための冷却器と、
前記半導体モジュールと前記冷却器との間において充填された放熱グリスと、
前記半導体モジュールと前記冷却器との間において前記放熱グリスの充填部を囲う通気性を有するシール部材と、
前記半導体モジュールを前記放熱グリスおよびシール部材を介して前記冷却器に押圧する押圧手段と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記シール部材は、前記放熱グリスのフィラー径より小さい通気孔を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体モジュールと、
前記半導体モジュールを冷却するための冷却器と、
前記半導体モジュールを前記冷却器に押圧するための押圧手段と、
を備える半導体装置の組付方法であって、
前記半導体モジュールに対し、放熱グリスを塗布するとともに当該放熱グリスの塗布部を囲うように通気性を有するシール部材を配置する第１工程と、
前記第１工程後において前記放熱グリスおよびシール部材が前記半導体モジュールと前記冷却器との間に位置する状態で前記半導体モジュールを前記冷却器に押圧するように押圧手段を配置する第２工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の組付方法。
【請求項４】
前記シール部材は、前記放熱グリスのフィラー径より小さい通気孔を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の組付方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールと冷却器を備えた半導体装置および半導体装置の組付方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示の半導体モジュール実装構造においては、半導体モジュールの放熱板と熱吸収部材との間に熱伝導性のグリスが充填されるとともに半導体モジュールの樹脂封止部および熱吸収部材のうちで一方または双方にはグリスの流出および外部からの異物混入を阻止する阻止部を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−４３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、グリスの周りを阻止部で囲う構成にすると、組付時においてグリスが広がったときにグリスと阻止部との間に空気が閉じ込められることが懸念され、放熱性の劣化を招き、熱的信頼性を損ねるおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、組付時に半導体モジュールと冷却器との間において空気が残ることなく放熱グリスを充填することができる半導体装置および半導体装置の組付方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明では、半導体モジュールと、前記半導体モジュールを冷却するための冷却器と、前記半導体モジュールと前記冷却器との間において充填された放熱グリスと、前記半導体モジュールと前記冷却器との間において前記放熱グリスの充填部を囲う通気性を有するシール部材と、前記半導体モジュールを前記放熱グリスおよびシール部材を介して前記冷却器に押圧する押圧手段と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、半導体モジュールと冷却器との間において放熱グリスの充填部を通気性を有するシール部材が囲っている。また、押圧手段により半導体モジュールが放熱グリスおよびシール部材を介して冷却器に押圧される。組付時に半導体モジュールと冷却器との間において放熱グリスが広がったときに放熱グリスとシール部材との間に閉じ込められた空気をシール部材を通して抜くことができる。よって、組付時に半導体モジュールと冷却器との間において空気が残ることなく放熱グリスを充填することができる。
【０００８】
請求項２に記載のように、請求項１に記載の半導体装置において、前記シール部材は、前記放熱グリスのフィラー径より小さい通気孔を有するとよい。
請求項３に記載の発明は、半導体モジュールと、前記半導体モジュールを冷却するための冷却器と、前記半導体モジュールを前記冷却器に押圧するための押圧手段と、を備える半導体装置の組付方法であって、前記半導体モジュールに対し、放熱グリスを塗布するとともに当該放熱グリスの塗布部を囲うように通気性を有するシール部材を配置する第１工程と、前記第１工程後において前記放熱グリスおよびシール部材が前記半導体モジュールと前記冷却器との間に位置する状態で前記半導体モジュールを前記冷却器に押圧するように押圧手段を配置する第２工程と、を有することを要旨とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明によれば、第１工程では、半導体モジュールに対し、放熱グリスが塗布されるとともに放熱グリスの塗布部を囲うように通気性を有するシール部材が配置される。第２工程では、第１工程後において放熱グリスおよびシール部材が半導体モジュールと冷却器との間に位置する状態で半導体モジュールを冷却器に押圧するように押圧手段が配置される。この第２工程において、半導体モジュールと冷却器との間において放熱グリスが広がったときに放熱グリスとシール部材との間に閉じ込められた空気をシール部材を通して抜くことができる。よって、組付時に半導体モジュールと冷却器との間において空気が残ることなく放熱グリスを充填することができる。
【００１０】
請求項４に記載のように、請求項３に記載の半導体装置の組付方法において、前記シール部材は、前記放熱グリスのフィラー径より小さい通気孔を有するとよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、組付時に半導体モジュールと冷却器との間において空気が残ることなく放熱グリスを充填することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は実施形態における半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の左側面図、（ｃ）は半導体装置の正面図。
【図２】（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＢ部での拡大図。
【図３】半導体装置の分解斜視図。
【図４】（ａ）は半導体モジュール、放熱グリス、シール部材を示す正面図、（ｂ）は半導体モジュール、放熱グリス、シール部材を示す下面図。
【図５】（ａ），（ｂ），（ｃ）は半導体装置の組付工程を説明するための概略縦断面図。
【図６】放熱グリスを模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
なお、図面において、水平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、上下方向をＺ方向で規定している。
【００１４】
図１，２，３に示すように、半導体装置（インバータ）１０は、アルミ製のヒートシンク２０と、３つの半導体モジュール３０，３１，３２と、半導体モジュール３０，３１，３２毎の放熱グリス４０，４１，４２と、半導体モジュール３０，３１，３２毎のシール部材５０，５１，５２と、板ばね６０と、ばね押えブラケット７０を備えている。冷却器としてのヒートシンク２０の上に半導体モジュール３０，３１，３２、押圧手段としての板ばね６０、ばね押えブラケット７０が配置される。
【００１５】
図１に示すように、アルミ製のヒートシンク２０は、四角板状の本体部２１を備え、本体部２１の下面から板状のフィン部２２が複数枚並べた状態で突設されている。ヒートシンク２０の上面は、平面視において長方形状をなし、その長辺が水平方向でのＸ方向に延びるとともに短辺が水平方向でのＹ方向に延びている。ヒートシンク２０は、上下方向（Ｚ方向）において薄く形成されている。ヒートシンク２０は、半導体モジュール３０，３１，３２を冷却するためのものである。
【００１６】
図３に示すように、ヒートシンク２０の本体部２１の上面には、ばね押えブラケット７０をヒートシンク２０に固定するための着座部２３ａ〜２３ｆが突設されている。つまり、半導体モジュール３０，３１，３２の並設方向であるＸ方向における一端側の半導体モジュール３０の載置部よりも外側に着座部２３ａが形成されているとともに他端側の半導体モジュール３２の載置部よりも外側に着座部２３ｂが形成されている。さらに、本体部２１の上面において半導体モジュール３０の載置部と半導体モジュール３１の載置部との間に着座部２３ｃ，２３ｄがＹ方向に離間して形成されている。また、本体部２１の上面において半導体モジュール３１の載置部と半導体モジュール３２の載置部との間に着座部２３ｅ，２３ｆがＹ方向に離間して形成されている。
【００１７】
ヒートシンク２０の上部には、３個の半導体モジュール３０，３１，３２が、ヒートシンク２０の長さ方向（Ｘ方向）に並べて配置される。
半導体モジュール３０には、Ｕ相における上アーム構成用パワートランジスタと下アーム構成用パワートランジスタが内蔵されている。半導体モジュール３１には、Ｖ相における上アーム構成用パワートランジスタと下アーム構成用パワートランジスタが内蔵されている。半導体モジュール３２には、Ｗ相における上アーム構成用パワートランジスタと下アーム構成用パワートランジスタが内蔵されている。パワートランジスタは、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等である。各半導体モジュール３０，３１，３２において上アーム構成用パワートランジスタと下アーム構成用パワートランジスタとは直列に接続（結線）され、直列回路の一端（正極入力）と他端（負極入力）と両パワートランジスタ間（出力）が外部に接続されることになる。このように、本実施形態では半導体モジュール３０，３１，３２は３相交流を生成するインバータ回路を形成している。
【００１８】
半導体モジュール３０，３１，３２はトランスファモールドタイプのパワーモジュールであって、発熱する素子が樹脂モールドされている。半導体モジュール３０，３１，３２は、裏面（下面）に銅製の放熱用金属板３７（図２参照）を有する。各半導体モジュール３０，３１，３２は、板状の正極端子３４と、板状の負極端子３５と、板状の出力端子３６を備えている。また、各半導体モジュール３０，３１，３２は、図示しない制御信号用ピンを備えている。
【００１９】
図３に示すように、各半導体モジュール３０，３１，３２の上部には、板ばね６０が配置される。板ばね６０は、ばね鋼板よりなり、全体形状として平面視においてＸ方向に延びている。板ばね６０は、半導体モジュール３０，３１，３２毎の本体部６３ａ，６３ｂ，６３ｃを有する。つまり、３つの本体部６３ａ，６３ｂ，６３ｃは、平面視においてＸ方向に並べて配置されている。各本体部６３ａ，６３ｂ，６３ｃは、水平な中央部６１から両側部６２が延び、両側部６２は斜め下方に曲げて構成されている。両側部６２は中央部６１からＹ方向に延びており、板ばね６０は、中央部６１から互いに離間する方向に延び半導体モジュールに接する部位としての両側部６２を有する。
【００２０】
各本体部６３ａ，６３ｂ，６３ｃには、水平な連結部６４，６５，６６，６７が並設されている。各本体部６３ａ，６３ｂ，６３ｃは、板ばね６０を半導体モジュール３０，３１，３２の上部に配置した際に、各半導体モジュール３０，３１，３２の中央部付近に押圧力を付与するように所定の間隔をあけて設けられている。
【００２１】
板ばね６０の上部には、ばね押えブラケット７０が配置される。ばね押えブラケット７０は、アルミ等の金属製板材よりなる。ばね押えブラケット７０は、平面視においてＸ方向に延びる長方形の板状をなす。
【００２２】
図１に示すように、ばね押えブラケット７０の下面において締結用ボス７１ａ〜７１ｆが一体形成されている。詳しくは、長方形の板状をなすばね押えブラケット７０は長辺がＸ方向に延び、半導体モジュール３０，３１，３２がＸ方向に並べられるが、一端側の半導体モジュール３０に対応する部位よりも外側に締結用ボス７１ａが突設されているとともに他端側の半導体モジュール３２に対応する部位よりも外側に締結用ボス７１ｂが突設されている。さらに、ばね押えブラケット７０の下面において半導体モジュール３０に対応する部位と半導体モジュール３１に対応する部位との間に締結用ボス７１ｃ，７１ｄがＹ方向に離間して突設されている。また、ばね押えブラケット７０の下面において半導体モジュール３１に対応する部位と半導体モジュール３２に対応する部位との間に締結用ボス７１ｅ，７１ｆがＹ方向に離間して突設されている。各締結用ボス７１ａ〜７１ｆは円筒状をなし、各締結用ボス７１ａ〜７１ｆの先端はヒートシンク２０に接触する。
【００２３】
図２（ｂ）に示すように、ばね押えブラケット７０の締結用ボス（円筒状突起）７１ａ〜７１ｆを貫通するねじ８０がヒートシンク２０（着座面２３ａ〜２３ｆ）に螺入され、これによりばね押えブラケット７０がヒートシンク２０に固定されている。
【００２４】
半導体モジュール３０，３１，３２の上部に載置される板ばね６０は、ばね押えブラケット７０がヒートシンク２０に締結固定されることにより、上方から押し付けられ、変形させられる。これにより、各半導体モジュール３０，３１，３２は、板ばね６０における下方への付勢力によって下方に押し付けられることで、固定される。
【００２５】
ばね押えブラケット７０の上部には、図２に示すように、制御用回路基板９０が配置される。図１に示すように、ばね押えブラケット７０の上面には複数の柱部７２が形成され、複数の柱部７２の上に制御用回路基板９０が載置される。制御用回路基板９０を貫通するねじ１００をばね押えブラケット７０の柱部７２に螺入することにより制御用回路基板９０がばね押えブラケット７０に締結固定される。また、制御用回路基板９０は、各半導体モジュール３０，３１，３２の制御信号用ピン（図示略）と電気的に接続される。
【００２６】
半導体装置１０は、ヒートシンク２０、３個の半導体モジュール３０，３１，３２、板ばね６０、ばね押えブラケット７０、および制御用回路基板９０の順に積層するように組み付けられる。そして、板ばね６０により、各半導体モジュール３０，３１，３２がヒートシンク２０の上面に圧接された状態で固定される。また、ヒートシンク２０により、各半導体モジュール３０，３１，３２が冷却される。
【００２７】
図２，３に示すように、半導体モジュール３０の放熱用金属板３７とヒートシンク２０の上面との間において、放熱グリス４０が平面視で四角形状に充填されている。同様に、半導体モジュール３１の放熱用金属板３７とヒートシンク２０の上面との間において、放熱グリス４１が平面視で四角形状に充填されている。半導体モジュール３２の放熱用金属板３７とヒートシンク２０の上面との間において、放熱グリス４２が平面視で四角形状に充填されている。
【００２８】
放熱グリス４０，４１，４２は、熱伝導性に優れた金属粒子よりなるフィラー４５（図６参照）を有し、粘性を持たせるためのシリコーングリスにフィラー４５が分散している。フィラー４５の粒径は例えば４０〜８０μｍ程度である。ヒートシンク２０に対し半導体モジュール３０，３１，３２を組み付けた状態においては、図６に示すように、各フィラー４５が互いに接触することによりフィラー４５を通した伝熱経路が形成される。この放熱グリス４０，４１，４２においてフィラー４５の接触により形成された伝熱経路を通して半導体モジュール３０，３１，３２で発生した熱がヒートシンク２０に伝わる。
【００２９】
図２，３に示すように、シール部材５０は、四角環状をなし、弾性および通気性を有し、半導体モジュール３０とヒートシンク２０との間において放熱グリス４０の充填部を囲うように配置されている。同様に、シール部材５１は、四角環状をなし、弾性および通気性を有し、半導体モジュール３１とヒートシンク２０との間において放熱グリス４１の充填部を囲うように配置されている。シール部材５２は、四角環状をなし、弾性および通気性を有し、半導体モジュール３２とヒートシンク２０との間において放熱グリス４２の充填部を囲うように配置されている。
【００３０】
シール部材５０，５１，５２は、外形が四角形のシート材の中央部分を四角形状にくり抜いた形状をなしている。また、四角環状のシール部材５０，５１，５２は全ての部位が通気性を有している。そして、板ばね６０により、半導体モジュール３０，３１，３２が放熱グリス４０，４１，４２およびシール部材５０，５１，５２を介してヒートシンク２０へ押圧される。
【００３１】
また、シール部材５０，５１，５２は、放熱グリス４０，４１，４２のフィラー径より小さい通気孔５５（図５（ｃ）参照）を有する。詳しくは、シール部材５０，５１，５２は、樹脂を母材して連続気泡体よりなる。よって、空気は通気孔５５を通過できるが、放熱グリス４０，４１，４２のフィラー４５は通気孔５５を通過できない。また、放熱グリス４０，４１，４２の油分（シリコーングリス成分）は通気孔５５を通ることができないようになっている。
【００３２】
次に、このように構成した半導体装置１０の作用を説明する。
半導体装置の組付時において、図４に示すように、半導体モジュール３０，３１，３２の裏面において放熱用金属板３７に放熱グリス４０，４１，４２を四角形状に塗布する。さらに、半導体モジュール３０，３１，３２の裏面において放熱グリス４０，４１，４２の塗布部の周囲を囲うように環状のシール部材５０，５１，５２を貼り付ける。
【００３３】
そして、ヒートシンク２０の上に半導体モジュール３０，３１，３２を、裏面、即ち、放熱グリス４０，４１，４２の塗布面およびシール部材５０，５１，５２の貼付面が下になるようにして載置する。
【００３４】
引き続き、半導体モジュール３０，３１，３２の上に板ばね６０、ばね押えブラケット７０を配してねじ８０によりばね押えブラケット７０をヒートシンク２０に締結する。これにより、ばね荷重が発生し、板ばね６０により半導体モジュール３０，３１，３２の裏面（放熱用金属板３７側）が放熱グリス４０，４１，４２およびシール部材５０，５１，５２を介してヒートシンク２０へ押圧される。組み付け後のシール部材５０，５１，５２の厚さは、例えば０．０５ｍｍ程度である。
【００３５】
このようにして、放熱グリス４０，４１，４２およびシール部材５０，５１，５２が半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間に位置する状態で半導体モジュール３０，３１，３２をヒートシンク２０に押圧するように板ばね６０を配置する。
【００３６】
半導体モジュール３０，３１，３２のヒートシンク２０への組み付け時の半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間における放熱グリス４０，４１，４２の挙動について詳しく説明する。
【００３７】
図５（ａ）に示すように、半導体モジュール３０，３１，３２の下面の放熱グリス４０，４１，４２がヒートシンク２０の上面から離間している状態では、半導体モジュール３０，３１，３２の下面において放熱グリス４０，４１，４２の外周面から所定の距離Ｌ１だけ離間してシール部材５０，５１，５２が位置している。
【００３８】
図５（ａ）の状態から半導体モジュール３０，３１，３２が下動すると放熱グリス４０，４１，４２がヒートシンク２０の上面と接触する。半導体モジュール３０，３１，３２が更に下動すると、図５（ｂ）に示すように、半導体モジュール３０，３１，３２の下面において放熱グリス４０，４１，４２が外側に広がる。広がった放熱グリス４０，４１，４２はシール部材５０，５１，５２に堰き止められる。また、放熱グリス４０，４１，４２がシール部材５０，５１，５２に堰き止められるとき、シール部材５０，５１，５２との間に閉じられた空間Ｒができる。そして、更なる半導体モジュール３０，３１，３２の下動に伴い放熱グリス４０，４１，４２が外側に広がり、シール部材５０，５１，５２との間に閉じられた空間Ｒが狭くなり内部の空気が加圧される。シール部材５０，５１，５２との間に閉じられた空間Ｒが狭くなることに伴い内部の空気はシール部材５０，５１，５２の通気孔５５を通して外部に抜ける（逃がされる）。
【００３９】
その結果、図５（ｃ）に示すように、半導体モジュール３０，３１，３２がヒートシンク２０に組み付けられたときには、半導体モジュール３０，３１，３２の下面において放熱グリス４０，４１，４２とシール部材５０，５１，５２との間においては空気（空気溜まり；ボイド）が無い状態となる。
【００４０】
このように、組付時に半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において放熱グリス４０，４１，４２が広がったときにシール部材５０，５１，５２にて堰き止められるとともに放熱グリス４０，４１，４２とシール部材５０，５１，５２との間に閉じ込められた空気（ボイド）をシール部材５０，５１，５２を通して抜くことができる。よって、組付時に半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において空気（ボイド）が残ることなく放熱グリス４０，４１，４２を充填することができる。
【００４１】
半導体装置１０において半導体モジュール３０，３１，３２の駆動に伴い半導体モジュール３０，３１，３２は発熱する。この熱は裏面の放熱用金属板３７から放熱グリス４０，４１，４２を介してヒートシンク２０に逃がされる。
【００４２】
このようにして、放熱グリス４０，４１，４２での空気（ボイド）の取り込みが抑制され、半導体モジュール３０，３１，３２の下面とヒートシンク２０との間の放熱性能の低下を防止することができ、熱的信頼性向上に寄与する。
【００４３】
また、放熱グリス４０，４１，４２のフィラー４５はシール部材５０，５１，５２の通気孔５５を通ることができず放熱グリス４０，４１，４２内にフィラー４５が残ることにより熱抵抗が悪化することを防止できる。
【００４４】
また、シール部材５０，５１，５２が弾性を有するので、熱サイクルにより半導体モジュール３０，３１，３２が変形（反り等）したときにもシール部材５０，５１，５２で変形を吸収することができる。
【００４５】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）半導体装置の構成として、半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において放熱グリス４０，４１，４２の充填部を囲う通気性を有するシール部材５０，５１，５２を備える。よって、組付時に半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において放熱グリス４０，４１，４２が広がったときに放熱グリス４０，４１，４２とシール部材５０，５１，５２との間に閉じ込められた空気をシール部材５０，５１，５２を通して抜くことができる。よって、組付時に半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において空気が残ることなく放熱グリス４０，４１，４２を充填することができる。
【００４６】
（２）シール部材５０，５１，５２は、放熱グリス４０，４１，４２のフィラー径より小さい通気孔５５を有する。この場合、通気性に優れるとともに放熱グリス４０，４１，４２のフィラー４５がシール部材５０，５１，５２を通して排出されるのを防止することができる。
【００４７】
（３）従来、半導体モジュールを使用する際、放熱性を確保するために放熱グリスを充填し、熱を、放熱グリスを介して冷却器へ逃がす。この場合、温度変化により半導体モジュールが変形し、放熱グリスを排出してしまう。この温度履歴の繰り返しにより熱抵抗が悪化してしまうので、粘度の高い放熱グリスを使用する必要があり、作業性、コストに影響する。
【００４８】
本実施形態では、半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において放熱グリス４０，４１，４２の周りを囲うように通気性を有するシール部材５０，５１，５２を設けて、半導体モジュール３０，３１，３２の反り等の変形による放熱グリス４０，４１，４２の排出を防止することが可能となる。これにより熱抵抗の悪化を防止でき、低粘度の放熱グリスを使用することが可能になり、作業性（塗布）を改善できるとともに、コスト低減が図られる。また、シール部材５０，５１，５２は通気性を有することから半導体モジュール３０，３１，３２の反り等の変形に伴ってシール部材５０，５１，５２に対し空気を通過させることにより気泡が混入することを抑制できる。
【００４９】
（４）半導体装置の組付方法として、第１工程と第２工程とを有する。第１工程では、半導体モジュール３０，３１，３２に対し、放熱グリス４０，４１，４２を塗布するとともに放熱グリス４０，４１，４２の塗布部を囲うように通気性を有するシール部材５０，５１，５２を配置する。第２工程では、第１工程後において放熱グリス４０，４１，４２およびシール部材５０，５１，５２が半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間に位置する状態で半導体モジュール３０，３１，３２をヒートシンク２０に押圧するように板ばね６０を配置する。第２工程において、半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において放熱グリス４０，４１，４２が広がったときに放熱グリス４０，４１，４２とシール部材５０，５１，５２との間に閉じ込められた空気をシール部材５０，５１，５２を通して抜くことができる。よって、組付時に半導体モジュール３０，３１，３２とヒートシンク２０との間において空気が残ることなく放熱グリス４０，４１，４２を充填することができる。
【００５０】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・放熱グリス４０，４１，４２の油分（シリコーングリス成分）はシール部材５０，５１，５２の通気孔５５を通ることができる構成としてもよい。この場合、ヒートシンク２０に対し半導体モジュール３０，３１，３２を組み付けた後において、放熱グリス４０，４１，４２の油分（シリコーングリス成分）がシール部材５０，５１，５２を通して抜けたとしても図６に示すようにフィラー４５同士がつながっているので熱抵抗が悪化することはない。
【００５１】
・シール部材５０，５１，５２は、通気性を有する部位は全体でなくてもよく、空気溜まりが発生しやすい角部のみに通気性を持たせてもよい。
・冷却器としてヒートシンク２０を使用しているが、放熱板（ブロック）、ケース一体型フィン等でもよいし、空冷式のヒートシンク２０に代わり水冷式の冷却器を用いてもよい。
【００５２】
・ばね押えブラケット７０はヒートシンク２０に締結固定したが、これに限るものではない。例えば、冷却器をケースに固定し、当該ケースにばね押えブラケット７０を固定してもよい。
【００５３】
・ばね押えブラケット７０の固定方法としてねじ止めしたが、カシメ等により固定してもよい。
・前述の実施形態では半導体モジュールは３個図示されているが、その数量については、半導体装置の仕様（用途）に応じて適宜変更するものとする。
【００５４】
・冷却器はアルミ以外にも例えばセラミックス製でもよい。
・フィラーがシール部材の外へ出ないことが好ましいが、放熱に支障がない程度にフィラーがシール部材より外に出てもよい。シール部材の通気孔について、放熱グリスのフィラー径より大きくても、グリスの粘性や通気孔を通過する際の抵抗によって、フィラーが実質的にシール部材より外に出なければ良い。また、押圧手段でシール部材が押し潰されることで通気孔が実質的に小さくして、フィラーがシール部材より外に出難くなるようにしても良い。
【符号の説明】
【００５５】
１０…半導体装置、２０…ヒートシンク、３０…半導体モジュール、３１…半導体モジュール、３２…半導体モジュール、４０…放熱グリス、４１…放熱グリス、４２…放熱グリス、５０…シール部材、５１…シール部材、５２…シール部材、５５…通気孔、６０…板ばね。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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