(57)【要約】【課題】新規な構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】  当該半導体装置は、複数のチップ領域が形成された半導体ウエハ上において、前記複数のチップ領域のうちでウエハ外周縁からウエハ内部に向かう方向に隣接する第１チップ領域と、第２チップ領域と、第３チップ領域を有し、前記方向において前記第２チップ領域より前記ウエハ内部側に隣接して第１の幅を有する間隙を空けて配置された前記第３チップ領域と、前記方向において前記第２チップ領域より前記ウエハ外周縁側に隣接して前記第１の幅よりも広い第２の幅を有する間隙を空けて配置された前記第１チップ領域と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ領域が形成された半導体ウエハ上において、
前記複数のチップ領域のうちでウエハ外周縁からウエハ内部に向かう方向に隣接する第１チップ領域と、第２チップ領域と、第３チップ領域を有し、
前記方向において前記第２チップ領域より前記ウエハ内部側に隣接して第１の幅を有する間隙を空けて配置された前記第３チップ領域と、
前記方向において前記第２チップ領域より前記ウエハ外周縁側に隣接して前記第１の幅よりも広い第２の幅を有する間隙を空けて配置された前記第１チップ領域と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記間隙に形成される目印を有し、
前記目印は、前記第２の幅を有する間隙に形成され、前記第１の幅を有する間隙には形成されていないことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の幅は、前記複数並んだチップ領域の前記方向に平行なチップ辺の幅と前記第１の幅の和と等しいことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の幅を有する間隙は、前記ウエハ外周縁近傍に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の幅を有する間隙は、前記ウエハ外周縁に接することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の幅を有する間隙は、前記半導体ウエハ上に複数配置されていることを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ上に形成された多数の半導体チップについて、一次試験（ＰＴ:Ｐｒｉｍａｒｙ Ｔｅｓｔ）や実装（組立）などの工程において、チップごとの管理が行われる（例えば特許文献１参照）。チップごとの管理を行うために、基準チップが特定され、基準チップに基づいて、その他のチップが特定される。
【０００３】
半導体ウエハが大口径化し、かつ、チップサイズが縮小化するにつれ、ウエハ上のチップ数が数万個〜数十万個となり（例えば、直径３００ｍｍの半導体ウエハ上に形成された１ｍｍ角のチップ個数は約６５０００個となり)、ウエハ上での基準チップの特定が難しくなってきている。
【０００４】
なお、特許文献２に開示される技術では、露光用マスク（レチクル）の外周スクライブ領域に、半導体チップ形成用のマスクパターンが設計通りに形成されているかどうかを検査するための検査マークが形成される。検査マークは、露光用マスクを介した半導体ウエハの露光時に、フォトレジスト膜に転写されることになる。そのため、検査マークが転写された領域にその後の露光で光が照射されて、検査マークが消去されるように、露光工程が実施される。検査マークは、半導体ウエハの全面上で消去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７７２３２号公報
【特許文献２】特開２００８−１０２３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一目的は、新規な構造を有する半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、複数のチップ領域が形成された半導体ウエハ上において、前記複数のチップ領域のうちでウエハ外周縁からウエハ内部に向かう方向に隣接する第１チップ領域と、第２チップ領域と、第３チップ領域を有し、前記方向において前記第２チップ領域より前記ウエハ内部側に隣接して第１の幅を有する間隙を空けて配置された前記第３チップ領域と、前記方向において前記第２チップ領域より前記ウエハ外周縁側に隣接して前記第１の幅よりも広い第２の幅を有する間隙を空けて配置された前記第１チップ領域と、を有する半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
新規な構造を有する半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１Ａは、第１実施例によるウエハマップ図であり、図１Ｂは、第１実施例によるショット領域あるいは露光用マスクを示す概略平面図である。
【図２】図２は、第１実施例による目印形成工程を示す概略平面図である。
【図３】図３は、第２実施例によるショット領域あるいは露光用マスクを示す概略平面図である。
【図４】図４は、第２実施例による目印形成工程を示す概略平面図である。
【図５】図５は、実施例による目印形成工程から試験工程までの流れを概略的に示すフローチャートである。
【図６】図６は、実施例による目印と、半導体チップとが形成された半導体ウエハの概略平面図である。
【図７】図７は、第３実施例による目印形成方法を示す概略平面図である。
【図８】図８Ａは、比較例によるウエハマップ図であり、図８Ｂは、比較例による未露光ショット領域の例を示す概略平面図である。
【図９】図９は、目印と基準チップとの関係の例を示す概略平面図である。
【図１０】図１０は、試験手順の例を示す半導体ウエハの概略平面図である。
【図１１】図１１は、比較例における課題を示す半導体ウエハの概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
まず、比較例による半導体装置の製造方法について説明する。
【００１１】
図８Ａは、比較例によるウエハマップ図である。フォトレジスト膜の形成された半導体ウエハ１０１に、露光用マスクを介して露光が行われる。１回ごとの露光で投影されるショット領域１０２が、半導体ウエハ１０１上で走査されて、フォトレジスト膜の全面へのパターン転写が行われる。ショット領域１０２の縁を太線で示す。
【００１２】
露光用マスクは、例えば３×４のブロックレチクルであり、ショット領域１０２内に、３列４行に１２個のチップ領域１０３が配置されている。ショット領域１０２の外周部、及び隣接するチップ領域１０３の間に、スクライブ領域１０４が配置されている。
【００１３】
比較例では、すべてのショット領域１０２について、隣接するショット領域１０２同士が、外周部のスクライブ領域を重ね合わせるようにして、走査が行われる。
【００１４】
半導体ウエハに形成された複数のチップは、試験工程や組立（切断）工程において、チップごとに管理される。このため、基準となる基準チップが特定され、基準チップとの相対位置関係に基づいて、その他のチップが特定される。半導体ウエハに、基準チップを特定するための目印が形成される。目印との相対位置関係に基づいて、基準チップを特定することができる。
【００１５】
比較例による目印は、特定層（例えばアルミニウム配線層）をパターニングするためのレジストマスクを形成する露光工程において、特定のショット領域を未露光とすることにより形成される。
【００１６】
図８Ｂは、比較例による未露光ショット領域の例を示す半導体ウエハの概略平面図である。この例では、左上縁部のショット領域１０２Ａ、右下縁部のショット領域１０２Ｂ、及び、右上縁部のショット領域１０２Ｃが未露光とされている。未露光のショット領域１０２Ａ、１０２Ｂ、及び１０２Ｃを、右上がりのハッチングで示す。なお、未露光ショット領域内でクロスハッチングを施したチップ領域については、後に図１１を参照して説明する。
【００１７】
例えば、フォトレジスト膜がポジタイプであり、アルミニウム配線層を利用して目印を形成する場合について考える。通常の露光が行われたショット領域１０２では、アルミニウム膜が配線形状にパターニングされる。一方、未露光のショット領域１０２Ａ、１０２Ｂ、及び１０２Ｃでは、アルミニウム膜が配線形状にはパターニングされず全面に残る。未露光のショット領域１０２Ａ、１０２Ｂ、及び１０２Ｃは、通常のショット領域１０２とは異なったアルミニウム膜のパターンが形成されるので、目印として機能する。
【００１８】
図９は、目印と基準チップとの関係の例を示す半導体ウエハの概略平面図である。未露光のショット領域１０２Ａ、１０２Ｂ、及び１０２Ｃに、それぞれ、目印１０５Ａ、１０５Ｂ、及び１０５Ｃが形成されている。
【００１９】
未露光ショット領域１０２Ａ、１０２Ｂ、及び１０２Ｃは、それぞれ、半導体ウエハ１０１の縁と交差する位置に配置されており、各目印は扇形状に形成されている。例えば、扇形状目印の中心の角を、目印の位置と定めることができる。
【００２０】
図９に示す例では、目印１０５Ａから行方向右側に２チップ、列方向上側に２チップずれた位置のチップＣＨ１００が、基準チップとして画定されている。他の目印１０５Ｂ及び１０５Ｃのそれぞれに基づいても、基準チップＣＨ１００を画定することができる。
【００２１】
図１０は、試験手順の例を示す半導体ウエハの概略平面図である。なお、図８Ａ等で説明した例とは異なるブロックレチクルを用いた例となっている。
【００２２】
ウエハ１０１の縁の少し内側に、無効チップを定める境界１０６が画定されている。境界１０６よりも外側に形成されたチップ、あるいは境界１０６に掛かるチップは、無効チップとして試験対象から外される。無効チップをハッチングで示す。境界１０６の内側に含まれるチップが、有効チップとして試験対象となる。
【００２３】
図１０に示す例では、最も上の行の左端のチップＣＨ１０１が、試験工程の基準チップ（スタートチップ）として定められている。チップＣＨ１０１の配置された行のチップについて、チップＣＨ１０１から順に右方向へ、１チップ毎に試験が行なわれる。
【００２４】
チップＣＨ１０１の配置された行について右端のチップＣＨ１０２まで試験が終了したら、その直下の行のチップに対し、右端のチップＣＨ１０３から順に左方向へ、１チップ毎に試験が行なわれる。
【００２５】
チップＣＨ１０３の配置された行について左端のチップＣＨ１０４まで試験が終了したら、さらにその直下の行のチップに対し、左端のチップＣＨ１０５から順に右方向へ、１チップ毎に試験が行なわれる。このような手順の繰り返しにより、全ての有効チップに対して試験が行なわれ、各チップの良不良が判別される。
【００２６】
ここで、図９に示したように、目印をウエハ上の複数箇所に設けた理由について説明する。目印が少なくとも１箇所に形成されていれば、基準チップを特定することができる。ただし、半導体ウエハ上に形成された多数のチップは、一度に全部が切り出されるのではなく、複数回に分けて部分的に切り出される場合がある。
【００２７】
例えば、１回目の切り出しで、左上の目印１０５Ａを含む左上象限部分のチップが切り出される。すると、半導体ウエハに残されたチップについては、目印１０５Ａに基づいて各チップを特定することはできなくなる。個々のチップを特定できないと、試験で得られた良不良の判別ができなくなる。しかし、右下象限部分の目印１０５Ｂ、あるいは右上象限部分の目印１０５Ｃが形成されていれば、これらのいずれかに基づいて各チップを特定することができる。このような場合には、目印を複数箇所に形成することが好ましい。
【００２８】
複数個の目印を形成する場合、例えば、ある象限に１つ目の目印を配置し、その象限と対角方向の象限に２つ目の目印を配置し、その他の象限に３つ目の目印を配置することができる。
【００２９】
次に、比較例による目印形成方法に起因する課題について説明する。
【００３０】
図１１は、比較例における課題を示す半導体ウエハの概略平面図である。未露光ショット領域１０２Ａ内、１０２Ｂ内、及び１０２Ｃ内で、クロスハッチングで示されたチップ領域は、もし、未露光ショット領域１０２Ａ、１０２Ｂ、及び１０２Ｃに対し通常の露光が行われて、通常のチップ製造工程が実施された場合、有効チップが形成されたはずの領域である。このように、比較例の目印形成方法は、有効チップの減耗を伴う。
【００３１】
未露光ショット領域１０２Ａ、１０２Ｂ、及び１０２Ｃに隣接し、左上がりのハッチングで示されたチップ領域は、有効チップが形成される領域ではあるが、不良が生じやすい領域である。
【００３２】
比較例の目印形成方法は、ショット領域程度の広い目印形成領域について、形成パターンを通常のパターンから変えてしまう。これに起因して、目印形成領域に隣接するチップ領域は、通常のチップ領域同士が隣接する領域に比べて、周囲の環境の均一性が大きく低下する。例えば、半導体ウエハ上に形成されるパターンの面積占有率差に起因して、配線の線幅の不良や、コンタクトの開口不良等が発生しやすくなる。このように、比較例の目印形成方法は、未露光ショット領域近傍の有効チップに不良が生じやすい。
【００３３】
次に、本発明の第１実施例による半導体装置の製造方法について説明する。
【００３４】
図１Ａは、第１実施例によるウエハマップ図である。以下に説明するように、半導体ウエハ１上において、それぞれ楕円で囲んだ左上縁部の領域Ｒ１、右下縁部の領域Ｒ２、及び右上縁部の領域Ｒ３に、実施例による目印が形成される。
【００３５】
図１Ｂは、第１実施例によるショット領域２、あるいは、露光用マスク（レチクル）のショット領域対応部分を示す概略平面図である。
【００３６】
ショット領域２は矩形状である。ショット領域２は、ショット領域２の外周部に配置された外周スクライブ領域３と、外周スクライブ領域３の内側に配置された内側領域４とを含む。なお、ここで、矩形には正方形を含むとする。
【００３７】
内側領域４内に、この例では３列４行で１２個分のチップ領域５が配置されている。各チップ領域５に、半導体チップを形成するためのマスクパターンが形成されている。チップ領域５同士の間に、スクライブ領域６が配置されている。スクライブ領域６は、図示の煩雑さを避けるため図１Ｂ等において、線状に細く示しているが、外周スクライブ領域３と等しい幅である。
【００３８】
第１実施例は、半導体ウエハ１上に形成されるフォトレジスト膜をポジタイプとする。例えば、アルミニウム配線層形成工程を利用して目印が形成される。アルミニウム配線層形成時の露光用マスクは、アルミニウム膜を残す部分に配線形状で遮光パターンが形成され、アルミニウム膜を除去する部分が透光パターンとなっている。
【００３９】
第１実施例の露光用マスクは、外周スクライブ領域３及びスクライブ領域６が、透光領域として形成されている。外周スクライブ領域３は、相互に対向する辺３ａ及び３ｂと、これらの辺と交差し、相互に対向する辺３ｃ及び３ｄとを有する。
【００４０】
辺３ａ上に、遮光パターンとして目印パターン７が形成されている。辺３ｂ上で、目印パターン７と対向する位置（目印パターン７を、辺３ｃまたは辺３ｄと平行に仮想的に移動した位置）に、カバーパターン８が配置されている。第１実施例のカバーパターン８は、目印パターン７を内包する大きさの透光領域部分である。カバーパターン８となる透光領域部分の縁を、破線で示している。
【００４１】
なお、図示の煩雑さを避けるために、図１Ａ等は単純化されている。１枚の半導体ウエハに形成されるチップ個数等について、より実際的な例を説明する。半導体ウエハの直径は例えば３００ｍｍであり、各チップの大きさは例えば１ｍｍ角程度であり、１枚の半導体ウエハに例えば６５０００個程度の有効チップが形成される。無効チップの境界は、例えば、半導体ウエハの縁より３ｍｍ〜５ｍｍ程度内側に設定される。外周スクライブ領域の幅、及び、チップ領域間のスクライブ領域の幅は、それぞれ、例えば１００μｍ程度である。
【００４２】
以下に説明するように、図１Ａに示す最も上側の行のショット領域２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、及び２Ｄへの露光を利用して、領域Ｒ１及びＲ３に目印が形成される。なお、領域Ｒ２の目印も、同様な方法により形成することができる。
【００４３】
図２は、第１実施例による目印形成工程を示す概略平面図である。ショット領域２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、及び２Ｄへの露光が、それぞれ、露光ＥＸＡ、ＥＸＢ、ＥＸＣ、及びＥＸＤである。図１Ａ、図１Ｂ及び図２を参照して、説明を進める。
【００４４】
ショット領域を左方から右方に走査する場合、つまり、ショット領域２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄの順に露光を行う場合を例として説明する。走査方向を、矢印ＡＲ１で示す。走査方向は、外周スクライブ領域の辺３ｃまたは３ｄと平行である。外周スクライブ領域の、走査方向と交差する辺３ａ及び３ｂ上に、それぞれ、目印パターン７及びカバーパターン８が形成されている。
【００４５】
まず、ショット領域２Ａへの露光ＥＸＡを行う。ショット領域２Ａは、半導体ウエハ１の左上縁部に配置され、半導体ウエハ１の縁と交差している。ショット領域２Ａのうち、半導体ウエハ１上に配置された右下部分で、フォトレジスト膜が露光される。
【００４６】
ショット領域２Ａへの露光ＥＸＡに引き続き、ショット領域２Ｂへの露光ＥＸＢを行う。ショット領域２Ｂは、ショット領域２Ａの外周スクライブ領域の辺３ａと、ショット領域２Ｂの外周スクライブ領域３ｂとが接する位置に配置されている。
【００４７】
ショット領域２Ｂへの露光ＥＸＢに引き続き、ショット領域２Ｃへの露光ＥＸＣを行う。ショット領域２Ｃは、ショット領域２Ｂの外周スクライブ領域の辺３ａと、ショット領域２Ｃの外周スクライブ領域３ｂとがちょうど重なる位置に配置されている。
【００４８】
ショット領域２Ｃへの露光ＥＸＣに引き続き、ショット領域２Ｄへの露光ＥＸＤを行う。ショット領域２Ｄは、ショット領域２Ｃの外周スクライブ領域の辺３ａと、ショット領域２Ｄの外周スクライブ領域３ｂとが接する位置に配置されている。
【００４９】
ショット領域２Ｄは、半導体ウエハ１の右上縁部に配置され、半導体ウエハ１の縁と交差している。ショット領域２Ｄのうち、半導体ウエハ１上に配置された左下部分で、フォトレジスト膜が露光される。
【００５０】
露光ＥＸＡで転写された目印パターン７Ａは、露光ＥＸＢにより転写されるカバーパターン８Ｂで覆われない。従って、目印パターン７Ａが、最終的にフォトレジスト膜に転写される。このようにして、左上縁部領域Ｒ１に、目印パターン７Ａが転写される。
【００５１】
一方、露光ＥＸＢで転写された目印パターン７Ｂは、露光ＥＸＣにより転写されるカバーパターン８Ｃで覆われる。これにより、目印パターン７Ｂの転写が無効化される。カバーパターン８Ｃは、単に、透光領域である外周スクライブ領域３の一部分であるので、カバーパターン８Ｃの転写では、何もパターンが形成されない。このようにして、目印パターン７Ｂは、最終的にはフォトレジスト膜に転写されない。
【００５２】
露光ＥＸＣで転写された目印パターン７Ｃは、露光ＥＸＤにより転写されるカバーパターン８Ｄで覆われない。従って、目印パターン７Ｃが、最終的にフォトレジスト膜に転写される。このようにして、右上縁部領域Ｒ３に、目印パターン７Ｃが転写される。
【００５３】
以上説明したように、目印パターン７を形成しない領域では、連続して露光される（隣接する）ショット領域を、目印パターンとカバーパターンとが重なるように配置することにより、目印パターン７を最終的には転写しないことができる。
【００５４】
一方、目印パターン７を形成する領域では、連続して露光される（隣接する）ショット領域を、ショット領域同士が重ならず、目印パターンとカバーパターンとが重ならないように配置することにより、目印パターン７を最終的に転写することができる。目印パターン７は、外周スクライブ領域３上に形成される。
【００５５】
目印パターン７を形成しない場合は、連続して露光されるショット領域同士が、外周スクライブ領域同士がちょうど重なるように配置される。つまり、隣接するチップ領域同士の間隙が、スクライブ領域１本分の幅となるように、露光が行われる。
【００５６】
第１実施例において、目印パターン７を形成する場合は、連続して露光されるショット領域同士が、互いに接するように配置される。つまり、目印パターン７を形成しない場合に対し、スクライブ領域１本分の幅のオフセットが設けられており、目印パターン７が配置される隣接チップ領域同士の間隙は、スクライブ領域２本分の幅となる。
【００５７】
なお、図１Ａでは、図示をわかりやすくするために、ショット領域２Ａとショット領域２Ｂとの間、及び、ショット領域２Ｃとショット領域２Ｄとの間に、隙間を挟んで表示している。図２に示したように、第１実施例の目印形成方法では、ショット領域２Ａとショット領域２Ｂとが接し、ショット領域２Ｃとショット領域２Ｄとが接している。
【００５８】
次に、第１実施例の変形例による目印形成方法について説明する。本変形例は、第１実施例で図２に示した目印形成方法において、走査方向を反転したものである。つまり、ショット領域を右方から左方に走査する場合、つまり、ショット領域２Ｄ、２Ｃ、２Ｂ、２Ａの順に露光を行う場合である。本変形例の走査方向を、矢印ＡＲ２で示す。ショット領域２Ａ〜２Ｄの配置は、第１実施例と同様である。
【００５９】
まず、ショット領域２Ｄへの露光ＥＸＤを行い、次に、ショット領域２Ｃへの露光ＥＸＣを行い、次に、ショット領域２Ｂへの露光ＥＸＢを行い、次に、ショット領域２Ａへの露光ＥＸＡを行う。
【００６０】
露光ＥＸＤで転写されたカバーパターン８Ｄは、露光ＥＸＣにより転写される目印パターン７Ｃと重ならず、目印パターン７Ｃが、フォトレジスト膜に転写される。
【００６１】
露光ＥＸＣで転写されたカバーパターン８Ｃに、露光ＥＸＢにより転写される目印パターン７Ｂが重なる。カバーパターン８Ｃの転写により、目印パターン７Ｂが転写される領域は既に光照射されているので、目印パターン７Ｂは転写されない。
【００６２】
露光ＥＸＢで転写されたカバーパターン８Ｂは、露光ＥＸＡにより転写される目印パターン７Ａと重ならず、目印パターン７Ａが、フォトレジスト膜に転写される。このように、第１実施例の変形例による方法でも、不要な場所には目印パターン７を形成せず、所望の場所に目印パターン７を形成することができる。
【００６３】
次に、第２実施例による半導体装置の製造方法について説明する。第２実施例では、半導体ウエハ１上に形成されるフォトレジスト膜をネガタイプとする。
【００６４】
図３は、第２実施例によるショット領域２、あるいは、露光用マスク（レチクル）のショット領域対応部分を示す概略平面図である。
【００６５】
第２実施例のショット領域は、基本的に、第１実施例のショット領域とネガポジが反転したものである。例えばアルミニウム配線層形成時の露光用マスクは、アルミニウム膜を残す部分に配線形状で透光パターンが形成され、アルミニウム膜を除去する部分が遮光パターンとなっている。
【００６６】
第２実施例では、外周スクライブ領域３及びスクライブ領域６が、遮光領域として形成されている。外周スクライブ領域の辺３ａ上に、透光パターンとして目印パターン７が形成されている。辺３ｂ上の、目印パターン７と対向する位置に、カバーパターン８が配置されている。第２実施例のカバーパターン８は、目印パターン７を内包する大きさの、例えば矩形形状の透光領域として形成されている。
【００６７】
図４は、第２実施例による目印形成工程を示す概略平面図である。ショット領域２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、及び２Ｄの配置は、第１実施例と同様である。ショット領域を左方から右方に走査する場合を例として説明する。第１実施例と同様に、ショット領域２Ａへの露光ＥＸＡ、ショット領域２Ｂへの露光ＥＸＢ、ショット領域２Ｃへの露光ＥＸＣ、及び、ショット領域２Ｄへの露光ＥＸＤが順に行われる。
【００６８】
露光ＥＸＡで転写された目印パターン７Ａは、露光ＥＸＢにより転写されるカバーパターン８Ｂで覆われない。従って、ショット領域２Ａにおいて、目印パターン７Ａが形成される。第２実施例では、カバーパターン８が、遮光領域の外周スクライブ領域３中に配置された透光パターンとして形成されている。このため、ショット領域２Ｂにおいて、例えば矩形のカバーパターン８Ｂが形成される。
【００６９】
露光ＥＸＢで転写された目印パターン７Ｂは、露光ＥＸＣにより転写されるカバーパターン８Ｃで覆われる。従って、目印パターン７Ｂの転写が無効化されるとともに、カバーパターン８Ｃが形成される。このようにして、目印パターン７Ｂは、最終的にはフォトレジスト膜に転写されない。
【００７０】
露光ＥＸＣで転写された目印パターン７Ｃは、露光ＥＸＤにより転写されるカバーパターン８Ｄで覆われない。従って、ショット領域２Ｃにおいて、目印パターン７Ｃが形成される。また、ショット領域２Ｄにおいて、カバーパターン８Ｄが形成される。
【００７１】
次に、第２実施例の変形例による目印形成方法について説明する。本変形例は、第１実施例に対する変形例と同様に、第２実施例と走査方向を反転したものである。ショット領域２Ｄへの露光ＥＸＤ、ショット領域２Ｃへの露光ＥＸＣ、ショット領域２Ｂへの露光ＥＸＢ、及び、ショット領域２Ａへの露光ＥＸＡが順に行われる。
【００７２】
露光ＥＸＤで転写されたカバーパターン８Ｄは、露光ＥＸＣにより転写される目印パターン７Ｃと重ならず、カバーパターン８Ｄが形成されるとともに、目印パターン７Ｃが形成される。
【００７３】
露光ＥＸＣで転写されたカバーパターン８Ｃに、露光ＥＸＢにより転写される目印パターン７Ｂが重なる。カバーパターン８Ｃの転写により目印パターン７Ｂは転写されず、カバーパターン８Ｃが形成される。
【００７４】
露光ＥＸＢで転写されたカバーパターン８Ｂは、露光ＥＸＡにより転写される目印パターン７Ａと重ならず、カバーパターン８Ｂが形成されるとともに、目印パターン７Ａが形成される。
【００７５】
このように、第２実施例、及び第２の実施例の変形例による方法でも、不要な場所には目印パターン７を形成せず、所望の場所に目印パターン７を形成することができる。
【００７６】
なお、第２実施例及びその変形例では、目印パターン７を形成しない領域に、例えば矩形のカバーパターン８が形成される。目印を利用する際に、カバーパターン８により形成されるマークは無視することとなる。一方、第１実施例及びその変形例では、目印パターン７を形成しない領域に、特定形状のカバーパターン８が形成されない。目印として不要な、カバーパターン８に起因するマークが残らないという観点からは、第１実施例の方が好ましいといえる。
【００７７】
図５は、その後の目印形成工程から試験工程までの流れをまとめたフローチャートである。フォトレジスト膜に目印パターンを転写した後、フォトレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとし、例えば配線用のアルミニウム膜をパターニングして、半導体ウエハに目印を形成する。
【００７８】
フォトレジスト膜へ目印パターンを転写するための露光は、半導体チップを形成するための露光工程の一部を利用して行われる。半導体ウエハに目印を形成するパターニングは、半導体チップを形成するためのパターニング工程の一部を利用して行われる。
【００７９】
半導体チップの完成後、目印との相対位置関係に基づいて、基準チップを特定することができる。基準チップとの相対位置関係に基づいて他のチップも特定し、試験等を行なうことができる。
【００８０】
図６は、目印７が形成され、半導体チップ５が完成した半導体ウエハ１を示す概略平面図である。なおここで、説明の便宜のため、半導体ウエハ１に形成された目印７を、転写パターンである目印パターン７と同じ参照符号で参照し、また、半導体チップ５を、チップ領域５と同じ参照符号で参照している。
【００８１】
上述のように、実施例の目印形成方法は、全てのショット領域２に対する露光を行いつつ、ショット領域同士の配置関係を工夫することにより、外周スクライブ領域に配置された目印パターン７を、目印７を形成したい領域で転写することができる。
【００８２】
クロスハッチングで示された半導体チップは、比較例の方法で減耗した有効チップに対応する。実施例の方法は、比較例のような未露光ショット領域を生じさせず、すべてのチップ領域で通常の製造工程を実施することができるので、有効チップの減耗を抑制することができる。
【００８３】
左上がりのハッチングで示された半導体チップは、比較例の方法で未露光ショット領域に隣接し不良が生じやすい有効チップに対応する。実施例の方法は、比較例のような未露光ショット領域を生じさせず、チップ領域周囲の環境の均一性を向上できるので、環境の均一性低下に起因した不良の発生を抑制することができる。
【００８４】
このように、実施例の方法は、比較例に比べて、基準チップの特定に利用できる目印を、チップ製造プロセスへの影響を低減して形成することができるので、チップ収率低減を抑制することができる。
【００８５】
次に、第３実施例による半導体装置の製造方法について説明する。第１実施例及び第２実施例では、例えば図２に示したように、目印パターンを形成する際、隣接ショット領域同士（例えばショット領域２Ａと２Ｂ、あるいは、ショット領域２Ｃと２Ｄ）を接するように配置した。
【００８６】
走査において隣接するショット領域同士で、目印パターン７とカバーパターン８とが重ならなければ、目印パターン７を転写することができるので、隣接ショット領域同士は、離れるように配置してもよい。
【００８７】
以下に説明するように、第３実施例では、目印パターン７を形成する際の隣接ショット領域同士を、チップ領域の幅だけ離して配置する。
【００８８】
図７は、第３実施例による目印形成方法を示す概略平面図である。例えば、半導体ウエハ１の右上縁部に目印を形成する場合を例として説明する。半導体ウエハ１の縁の少し内側に、無効チップを定める境界９が画定されている。無効チップをハッチングで示す。
【００８９】
右上縁部のショット領域２Ｆと、走査方向で隣接し、ショット領域２Ｆと同じ行で左側（ウエハ内側）に配置されるショット領域２Ｅとを重ならせないことにより、目印パターンが形成される。例えば、ショット領域２Ｅの外周スクライブ領域の右側辺上に目印パターンが形成される。
【００９０】
第３実施例では、ショット領域２Ｆの左側の縁が、ショット領域２Ｅの右側の縁からチップ領域１つ分の幅だけ右側にずれるように、ショット領域２Ｆが配置されている。つまり、目印パターン７を形成しない場合に対し、（スクライブ領域１本分の幅＋チップ領域１つ分の幅）のオフセットが設けられている。
【００９１】
ショット領域２Ｅの下側にショット領域２Ｇが配置され、ショット領域２Ｆの下側にショット領域２Ｈが配置されている。ショット領域２Ｇとショット領域２Ｈとは、外周スクライブ領域同士がちょうど重なるように左右に隣接して配置されている。
【００９２】
ショット領域２Ｅとショット領域２Ｇとは、外周スクライブ領域同士がちょうど重なるように上下に隣接して配置されている。ショット領域２Ｆとショット領域２Ｈとは、外周スクライブ領域同士がちょうど重なるように上下に隣接して配置されている。
【００９３】
例えば、第１実施例においては、図１Ａからわかるように、目印パターン形成のため左右方向にずれて配置されたショット領域（例えばショット領域２Ａや２Ｄ）は、そのショット領域の下側に隣接するショット領域と、上下方向に延在するスクライブ領域が整合しない。
【００９４】
第３実施例では、ショット領域２Ｆがショット領域２Ｅからチップ領域１つ分の幅だけ離れて配置されていることにより、ショット領域２Ｆの上下方向に延在するスクライブ領域と、ショット領域２Ｈの上下方向に延在するスクライブ領域とが、整合して一直線上に配置される。これにより、例えば、ダイシングが容易になる。
【００９５】
なお、第３実施例では、ショット領域２Ｆとショット領域２Ｅとの隙間に、チップ領域幅の未露光領域が生じる（未露光領域をハッチングで示す）。また、ショット領域２Ｅからショット領域２Ｆが離れるほど、ショット領域２Ｆ内に配置できる有効チップ数は減る。チップサイズが小さいほど、未露光領域は狭くでき、また有効チップ数の減少を抑制できる。従って、第３実施例で説明した、スクライブ領域を整合させるようにショット領域をずらす方法は、チップサイズが比較的小さい（例えば１ｍｍ角以下）の場合に、特に好ましい方法といえる。
【００９６】
なお、第３実施例は、走査方向が紙面左右方向（Ｘ方向）で、目印パターンを紙面上下方向（Ｙ方向）のスクライブ領域上に形成し、Ｙ方向のスクライブ領域を整合させる場合について例示した。第３実施例の技術は、走査方向がＹ方向で、目印パターンをＸ方向のスクライブ領域上に形成し、Ｘ方向のスクライブ領域について整合させる場合へ応用することもできる。この場合は、ショット領域のＹ方向の配置を調整することにより、目印形成を行うことができる。
【００９７】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００９８】
以上説明した第１実施例〜第３実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体ウエハ上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜に、露光用マスクを介して第１の露光を行う工程と、
前記フォトレジスト膜に、前記露光用マスクを介して第２の露光を行う工程と、
前記フォトレジスト膜に、前記露光用マスクを介して第３の露光を行う工程と
を有し、
前記第１の露光で前記フォトレジスト膜に投影される第１ショット領域に対し、前記第２の露光で前記フォトレジスト膜に投影される第２ショット領域は、第１の方向に隣接し、前記第２ショット領域に対し、前記第３の露光で前記フォトレジスト膜に投影される第３ショット領域は、前記第１の方向に隣接し、  前記露光用マスクは、１回の露光で前記半導体ウエハに投影されるショット領域が矩形状であり、
前記ショット領域は、外周部に配置された外周スクライブ領域と、前記外周スクライブ領域の内側に配置されたチップ領域とを含み、
前記外周スクライブ領域は、前記第１の方向に交差し、対向する第１の辺及び第２の辺と、前記第１の方向に平行で、対向する第３の辺及び第４の辺とを有し、
前記第１の辺上に第１パターンが配置されており、前記第２の辺上で、前記第１パターンと対向する位置に第２パターンが配置されており、
前記フォトレジスト膜がポジタイプであり、前記第１パターンは遮光パターンとして形成され、前記第２パターンは前記第１パターンを内包する大きさの透光領域として形成されているか、または、
前記フォトレジスト膜がネガタイプであり、前記第１パターンは透光パターンとして形成され、前記第２パターンは前記第１パターンを内包する大きさの透光領域として形成されており、
前記第１の露光及び前記第２の露光は、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とが重ならず、前記第１ショット領域及び前記第２ショット領域の一方のショット領域の前記第１パターンと、他方のショット領域の前記第２パターンとが重ならないように行われ、
前記第２の露光及び前記第３の露光は、前記第１パターンと前記第２パターンとが重なるように行われる、半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記第１の露光に引き続き前記第２の露光が行われ、前記第２の露光に引き続き前記第３の露光が行われ、
前記第２の露光は、前記第１の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第１パターンに、前記第２の露光で転写される前記第２パターンが重ならないように行われ、
前記第３の露光は、前記第２の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第１パターンに、前記第３の露光で転写される前記第２パターンが重なるように行われる付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記第３の露光に引き続き前記第２の露光が行われ、前記第２の露光に引き続き前記第１の露光が行われ、
前記第２の露光は、前記第３の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第１パターンに、前記第２の露光で転写される前記第２パターンが重なるように行われ、
前記第１の露光は、前記第２の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第１パターンに、前記第１の露光で転写される前記第２パターンが重ならないように行われる付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記第１の露光に引き続き前記第２の露光が行われ、前記第２の露光に引き続き前記第３の露光が行われ、
前記第２の露光は、前記第１の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第２パターンに、前記第２の露光で転写される前記第１パターンが重ならないように行われ、
前記第３の露光は、前記第２の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第２パターンに、前記第３の露光で転写される前記第１パターンが重なるように行われる付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記第３の露光に引き続き前記第２の露光が行われ、前記第２の露光に引き続き前記第１の露光が行われ、
前記第２の露光は、前記第３の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第２パターンに、前記第２の露光で転写される前記第１パターンが重なるように行われ、
前記第１の露光は、前記第２の露光で前記フォトレジスト膜に転写された前記第２パターンに、前記第１の露光で転写される前記第１パターンが重ならないように行われる付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記第１の露光及び前記第２の露光は、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とが接する付記１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記第１の露光及び前記第２の露光は、前記第１ショット領域の前記第２ショット領域側の縁と、前記第２ショット領域の前記第１ショット領域側の縁とが、前記チップ領域の幅だけ離れている付記１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記第１ショット領域は、前記半導体ウエハの縁と交差する位置に配置される付記１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記半導体ウエハは、第１の膜を有し、前記フォトレジスト膜は、前記第１の膜上方に形成され、さらに、
前記第１の露光及び前記第２の露光により前記第１パターンが転写された前記フォトレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとし、前記第１の膜をパターニングして、目印を形成する工程と
を有する付記１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記第１の膜は、配線材料で形成されている付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記第１の露光、前記第２の露光、及び前記第３の露光は、前記半導体ウエハに複数の半導体チップを形成するために行われる露光工程に含まれ、さらに、
前記目印に基づいて、前記複数の半導体チップのうちの基準チップを特定する工程を有する付記９または１０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
さらに、前記基準チップに基づいて、他の前記半導体チップを特定し、前記複数の半導体チップに試験を行なう工程を有する付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）
半導体ウエハ上に形成され、一方向に複数並んだチップ領域と、
隣接する前記チップ領域同士の間に配置された間隙と、
前記間隙に形成された目印と
を有し、
前記複数並んだチップ領域のうちの第１チップ領域より前記半導体ウエハ内側では、前記チップ領域同士の間隙が第１の幅であり、前記第１チップ領域と、前記半導体ウエハ外側で前記第１チップ領域と隣接する第２チップ領域との間隙は、前記第１の幅より広い第２の幅であり、
前記目印は、前記第２の幅を持つ前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間隙に形成され、前記第１の幅を持つ間隙には形成されていない半導体装置。
（付記１４）
半導体ウエハを準備する工程であって、
一方向に複数並んだチップ領域を含む、複数のチップ領域と、
前記一方向に複数並んだチップ領域について、隣接する前記チップ領域同士の間に配置された間隙と、
前記間隙に形成された目印と
を有し、
前記一方向に複数並んだチップ領域のうちの第１チップ領域より前記半導体ウエハ内側では、前記チップ領域同士の間隙が第１の幅であり、前記第１チップ領域と、前記半導体ウエハ外側で前記第１チップ領域と隣接する第２チップ領域との間隙は、前記第１の幅より広い第２の幅であり、
前記目印は、前記第２の幅を持つ前記第１チップ領域と前記第２チップ領域との間隙に形成され、前記第１の幅を持つ間隙には形成されていない、半導体ウエハを準備する工程と、
前記目印に基づいて、前記複数のチップ領域のうちの基準のチップ領域を特定する工程を有する半導体装置の製造方法。
（付記１５）
さらに、前記基準のチップ領域に基づいて、他の前記チップ領域を特定し、前記複数のチップ領域について試験を行なう工程を有する付記１４に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９９】
１  半導体ウエハ
Ｒ１〜Ｒ３  目印形成領域
２、２Ａ〜２Ｈ  ショット領域
３  外周スクライブ領域
３ａ〜３ｄ  外周スクライブ領域の辺
４  （外周スクライブ領域の）内側領域
５  チップ領域
６  （チップ領域間の）スクライブ領域
７、７Ａ〜７Ｃ  目印パターン
８、８Ｂ〜８Ｄ  カバーパターン
ＡＲ１、ＡＲ２  走査方向
ＥＸＡ〜ＥＸＤ  露光
９  無効チップを定める境界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015179289.tif 000009
【図８】
2015179289.tif 000010
【図９】
2015179289.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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