(57)【要約】【課題】成膜後にパターニングを行なうことなく、形成した膜のパターン形成が可能な真空成膜用基板を提供する。【解決手段】樹脂フィルムからなる基板２１と、基板２１上にパターン形成されているレジスト層２２とを有し、ロール状に巻回されている真空成膜用基板２０を構成する。【選択図】図２
2015182223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムからなる基板と、
前記基板上にパターン形成されているレジスト層と、を有し
ロール状に巻回されている
真空成膜用基板。
【請求項２】
前記レジスト層の上面と、前記基板の裏面とが接するように巻回されている請求項１に記載の真空成膜用基板。
【請求項３】
前記基板は、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上である請求項１に記載の真空成膜用基板。
【請求項４】
前記レジスト層は、前記基板に接する底面の面積が、前記基板と反対側の上面よりも小さい形状である請求項１に記載の真空成膜用基板。
【請求項５】
前記レジスト層は、前記基板に接する面に対する側壁の角度が９０°以上１８０°未満である請求項４に記載の真空成膜用基板。
【請求項６】
前記レジスト層が、ポジレジストを用いて形成されている請求項１に記載の真空成膜用基板。
【請求項７】
樹脂フィルムからなる基板と、
前記基板上にパターン形成されているレジスト層と、
パターン形成された前記レジスト層上、及び、前記レジスト層のパターン間に設けられた２０ｎｍ以下の厚さの金属膜と、を備える
透明電極。
【請求項８】
前記金属膜が、銀、銅、金、アルミニウム、チタン、マグネシウム、カルシウムから選ばれる１種以上を含む請求項７に記載の透明電極。
【請求項９】
前記レジスト層のパターンの間に設けられた前記金属膜を電極として使用する請求項７に記載の透明電極。
【請求項１０】
前記基板と前記金属膜との間のアドミッタンス、及び、前記基板と前記レジスト層と前記金属膜との間のアドミッタンスにおいて、アドミッタンスの差が０．１以下である請求項７に記載の透明電極。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ロール状に巻回されている真空成膜用基板、及び、この基板を用いて形成された透明電極に係わる。
【背景技術】
【０００２】
従来の金属膜の製造方法としては、金属膜を形成した後、ウェット工程を用いてパターニングすることが行なわれている（例えば、特許文献１参照）。ウェット工程を用いた金属膜のパターニングでは、まず、基材上の全面に金属膜を形成する。次に、金属膜上の全面にレジスト層を形成する。そして、形成したレジスト層に、フォトリソグラフィを用いて所望のパターンを形成する。次に、レジスト層のパターンに沿って、ウェットエッチングにより金属膜を除去し、金属膜のパターンを形成する。
【０００３】
また、金属膜を形成した後、レーザを用いてパターニングする方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。レーザを用いた金属膜のパターニングでは、まず、基材上の全面に金属膜を形成する。次に、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）レーザやイットリウム・バナジウムオキサイド（ＹＶＯ４）レーザを用いて走査することにより、金属膜を除去し、金属膜のパターンを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２２７３０号公報
【特許文献２】特開２０１０−８７２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ウェット工程やレーザを用いたパターニングでは、成膜後の工程でパターニングする必要がある。この場合には、形成した膜への損傷やパーティクルによる汚染が発生する。このため、成膜後にパターニングする方法では、成膜により形成した膜の性能が低下してしまう。
このため、成膜後にパターニングを行なわずに、形成した膜をパターン形成することが求められている。
【０００６】
上述した問題の解決のため、本発明においては、成膜後にパターニングを行なうことなく、形成した膜のパターン形成が可能な真空成膜用基板、及び、透明電極を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の真空成膜用基板は、樹脂フィルムからなる基板と、基板上にパターン形成されているレジスト層とを有し、ロール状に巻回されている。
また、本発明の透明電極は、上記真空成膜用基板のレジスト層上、及び、レジスト層のパターンの間の基板上に設けられた２０ｎｍ以下の厚さの金属膜を備える。
【０００８】
レジスト層がパターン形成されているため、パターニングされたレジスト層上と、このレジスト層のパターンの間とに、それぞれ独立した金属膜を形成することができる。このため、金属膜を形成した後に、この金属膜をエッチングすることなく金属膜のパターンが形成される。これにより、金属膜をエッチングすることなく、透明電極のパターン形成が可能となる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、金属膜の形成後にパターニングを行なわずに、金属膜のパターン形成が可能な真空成膜用基板、及び、透明電極を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】真空成膜用基板が用いられるロール・ツー・ロール方式の成膜装置の概略を示す図である。
【図２】ロール状に巻回された真空成膜用基板の概略構成を示す図である。
【図３】真空成膜用基板を用いて作製され、ロール状に巻回された透明電極の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．真空成膜用基板の実施の形態（第１実施形態）
２．透明電極の実施の形態（第２実施形態）
【００１２】
〈１．真空成膜用基板の実施の形態（第１実施形態）〉
以下本発明の真空成膜用基板の具体的な実施の形態について説明する。
図１に、真空成膜用基板が用いられるロール・ツー・ロール方式の成膜装置の概略を示す。
【００１３】
［装置］
図１に示す、真空成膜用基板が用いられるロール・ツー・ロール方式の真空成膜装置の概要について説明する。図１に示す真空成膜装置１０は、基板送り出し用ロール１１、ＡＴＶバルブ１２、真空成膜部１３、アキューム（張力調整部）１４、及び、巻き取り用ロール１５を備える。
そして、基板送り出し用ロール１１に、ロール状に巻回された真空成膜用基板２０が取り付けられている。また、真空成膜部１３で成膜された真空成膜用基板２０が巻き取り用ロール１５に巻回されている。
真空成膜装置１０は、真空成膜用基板２０のロールを基板送り出し用ロール１１から、真空成膜部１３、及び、巻き取り用ロール１５までが隣り合う一連の装置として配置されている、連続式の装置である。
【００１４】
この真空成膜装置１０では、真空成膜用基板２０上に真空成膜された部材が作製される。真空成膜用基板２０は、図２に示すように、基板２１と、パターン形成されたレジスト層２２とを有し、ロール状に巻回されている。
【００１５】
真空成膜部１３としては、蒸着装置やスパッタリング装置等の公知の成膜装置を用いることができる。例えば、ＥＢ蒸着装置、抵抗加熱蒸着装置、ＤＣスパッタリング装置、ＲＦスパッタリング装置等を用いることができる。例えば、真空成膜部１３で金属膜を形成するための成膜材料を供給する供給部１６、この真空成膜部１３を減圧する排気部（図示省略）、及び、膜厚測定装置（図示省略）等から構成される。
【００１６】
供給部１６は、真空成膜部１３内を搬送される真空成膜用基板２０の主面側に配置され、真空成膜用基板２０の主面に向かって成膜材料を供給する。この供給部１６は、真空成膜部１３内に固定され、移動方向に対して、真空成膜用基板２０の主面上で直交する方向、つまり真空成膜用基板２０の幅方向にわたって設けられている。供給部１６は、例えば、蒸着成膜用の加熱ボート内に収納された成膜材料や、スパッタリング装置のターゲット等から構成される。
【００１７】
真空成膜装置１０において、厚さ２０ｎｍ以下の薄い膜を形成するためには、真空成膜部１３で成膜材料が真空成膜用基板２０に堆積する厚さを制御することが重要となる。一般的に、このような真空成膜部１３には、成膜中の膜厚を測定するための膜厚測定装置として、例えば水晶振動子が用いられている。
本例のように非常に薄い膜を形成する場合には、膜の厚さの制御とともに、膜の面内での厚さの均一性が問題となる。このため、真空成膜部１３を、膜の厚さの制御を精密に行うことが可能な構成とする必要がある。
【００１８】
厚さの制御を精密に行うためには、真空成膜部１３内に複数の膜厚測定装置を設置する。そして、複数の膜厚測定装置を用いて、真空成膜部１３内の複数箇所で膜厚測定を行い、この測定値を確認して面内分布を微調整することにより、形成する膜の面内での厚さの均一性を向上させることができる。
【００１９】
特に、膜厚制御を精密に行うためには、真空成膜部１３において、供給部１６よりも真空成膜用基板２０側に、少なくとも２つ以上の膜厚測定装置を設置することが好ましい。特に、膜を形成する真空成膜用基板２０付近に複数の膜厚測定装置を設置することが好ましい。真空成膜用基板２０付近に複数の膜厚測定装置を設置することで、形成面での厚さのばらつきを抑制することができる。さらに、蒸着源から膜厚測定装置までの高さが同じ、且つ、蒸着源から異なる距離となるように設置することで、真空成膜部１３での精度の高い厚さの制御が可能となる。
【００２０】
さらに、膜厚制御を精密に行うためには、真空成膜用基板２０付近とともに、供給部１６に近い部分に膜厚測定装置を設置することが好ましい。供給部１６に近い部分にも膜厚測定装置を設置し、この測定値を確認して供給部１６を微調整することによりさらに精度の高い制御を行いながら真空成膜用基板２０上に膜を形成することができる。
【００２１】
真空成膜部１３の搬送入り口、及び出口には、真空成膜部１３内での張力を保つためのアキュームが備えられている。また、真空成膜部１３の入り口のアキュームと真空成膜部１３との間には、ＡＴＶバルブ１２を備える。真空成膜部１３の入り口側にＡＴＶバルブ１２を備えることにより、真空成膜部１３内の真空度を良好に保つことができる。
また、真空成膜部１３と、巻き取り用ロール１５との間に真空成膜装置１０の全体において真空成膜用基板２０の張力を調整するためのアキューム（張力調整部）１４を備える。
なお、真空成膜用基板２０が用いられる真空成膜装置の構成はこれに限られず、その他の複数の構成が組み合わされていてもよい。
【００２２】
本実施形態の真空成膜用基板２０は、上述のロール・ツー・ロール方式の真空成膜装置１０において、基板送り出し用ロール１１に、巻回されて取り付けられる。そして、基板送り出し用ロール１１から真空成膜部１３に真空成膜用基板２０が送り出されることにより、真空成膜部１３において真空成膜用基板２０上に金属膜等の膜が形成される。
【００２３】
［真空成膜用基板］
次に、真空成膜用基板２０の構成について説明する。真空成膜用基板２０の構成を図２に示す。図２では、ロール状に巻回された真空成膜用基板２０と、この真空成膜用基板２０において鎖線内を拡大した図を示している。
図２に示すように、真空成膜用基板２０は、基板２１と、パターン形成されたレジスト層２２とを有し、ロール状に巻回されている。以下、真空成膜用基板２０の各構成について説明する。
真空成膜用基板２０は、ロール状に巻回されていてもレジスト層２２がスペーサとなるため、レジスト層２２のパターンの間の基板面が巻回による影響を受けにくい。
【００２４】
（基板）
基板２１としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、基板２１側から光を取り出す場合には、基板２１は透明であることが好ましい。なお、透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
【００２５】
好ましく用いられる透明な基板２１としては、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基板２１は、ロール・ツー・ロール方式での製造が可能なフレキシブル性を有する樹脂フィルムである。
【００２６】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【００２７】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜等によるバリア膜が形成されていてもよい。バリア膜は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましい。更には、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００２８】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよい。例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に、バリア膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層との積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００２９】
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。例えば、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが好ましい。
【００３０】
（レジスト層）
基板２１上に形成されているレジスト層２２は、図２に示すように、所望のパターンに形成されている。このパターンとしては、真空成膜用基板２０上に真空成膜される部材、例えば、電子機器等の電極や配線等に用いられる金属膜のパターンや、タッチパネル等の透明電極に用いられる金属膜のパターン等が挙げられる。
レジスト層２２をパターン形成することにより、レジスト層２２上に形成される膜は、レジスト層２２の段差で面方向の連続性が妨げられ、レジスト層２２のパターンに沿って分離される。このため、真空成膜用基板２０上に真空成膜される部材、例えば、金属膜等が、レジスト層２２のパターンに沿って、レジスト層２２上と、レジスト層２２間の基板２１上とに分離して形成される。
【００３１】
このため、真空成膜用基板２０上に真空成膜される部材は、レジスト層２２のパターンが転写されて、レジスト層２２のパターンに沿った所望のパターンに形成される。レジスト層２２に形成されているパターンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３２】
また、上述のように真空成膜装置１０で形成される膜のパターンは、レジスト層２２のパターンに依存する。このため、真空成膜用基板２０上に真空成膜される部材の所望のパターンにレジスト層２２のパターンを形成する必要がある。このパターンは、パターン形成されたレジスト層２２の間の部分に真空成膜装置１０で形成される膜を使用するパターンや、レジスト層２２上に真空成膜装置１０で形成される膜を使用するパターン、それぞれの一部を組み合わせて使用するパターンとしてもよい。
【００３３】
具体的には、例えば、レジスト層２２のパターンは、真空成膜用基板２０を用いて形成する部材として、電子機器用の透明電極を形成する場合には、この電子機器等の配線や電極として用いることができるパターンや、一部を配線や電極として用いることができるパターン等に形成することができる。なお、真空成膜用基板２０に形成されるレジスト層２２のパターンには特に制限はない。
また、レジスト層２２のパターンの大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ナノサイズからミリサイズのいずれの大きさであっても構わない。
【００３４】
パターン形成されたレジスト層２２の間の部分に真空成膜装置１０で形成される膜を使用する場合には、成膜後の真空成膜用基板２０をロール状に巻回してもレジスト層２２がスペーサとなり、レジスト層２２の間の膜が巻回された上層の基板２１の裏面と接触しない。このため、レジスト層２２の間に成膜された部材は、巻回による損傷を受けない。よって、レジスト層２２のパターン間に成膜された部材を使用することが好ましい。
【００３５】
レジスト層２２の厚さは特に制限がないが、真空成膜用基板２０上に形成する部材をパターニングするためには、少なくとも真空成膜される部材、例えば成膜される金属膜よりも厚く形成されている必要がある。また、厚すぎると、レジスト層２２に微細パターンを形成した際に、パターンの倒れが発生する可能性がある。このため、レジスト層２２の厚さは１０ｎｍ以上３０μｍ以下とすることが好ましい。特に、１５ｎｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。スピンコート法を用いる場合には、１００ｎｍ以上が好ましく、５００ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。また、３μｍ以下が好ましく、１μｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００３６】
レジスト層２２は、例えば、基板２１上に、フォトレジストの塗工溶液を塗工してフォトレジストの塗工膜を形成し、この形成した塗工膜にパターン露光、現像、及び、硬化処理を行なうことにより、所望のパターンが形成される。
【００３７】
また、図２に示すように、レジスト層２２は、基板２１に接する面（底面）に対する側壁の角度（図２におけるθ）が９０°以上であることが好ましい。つまり、基板２１に接する面（底面）の面積が基板２１の反対側の面（上面）よりも小さいテーパ状に形成されていることが好ましい。
テーパ状のレジスト層２２を形成する場合には、基板２１とレジスト層２２との角度（図２におけるθ）は、９０°より大きく、１８０°未満とすることが好ましい。さらに好ましくは、１００°以上とすることが好ましく、１１０°以上とすることがさらに好ましい。また、１３５°以下とすることが好ましく、１２０°以下とすることがさらに好ましい。
【００３８】
レジスト層２２は、ポジ型フォトレジストにより形成されていることが好ましい。
ポジ型フォトレジストを用いることにより、図２に示すように、基板２１に接する面（底面）面積が基板２１の反対側の面（上面）よりも小さいテーパ状のレジスト層２２を容易に形成することができる。
通常、遮光マスクを用いて露光する場合には、露光マスクの開口部を通過した光が、フォトレジストの塗工膜で拡散しながら透過していく。このため、塗工膜の上面側（遮光マスク側）よりも、底面側（基板側）で露光される面積が大きくなる。
このため、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、露光されて現像時に除去される部分が、フォトレジストの塗工膜の上面側よりも底面側で大きくなり、図２に示すように、底面側の面積が小さく上面側の面積が大きいテーパ状のレジスト層２２を容易に形成することができる。
【００３９】
なお、フォトレジストの塗工膜での光の吸収を利用して、図２に示すような上面側が大きく底面側が小さいテーパ型となるように調整することが可能であれば、ポジ型フォトレジストに限らず、ネガ型フォトレジストやその他のレジストを用いることもできる。
【００４０】
なお、レジスト層２２の形状は、レジスト層２２のパターン間に形成される部材と、レジスト層２２上に形成される部材とが分離される形状であればよいため、上述のテーパ状に限らず、その他の形状とすることもできる。例えば、レジスト層２２の上面により、レジスト層２２の側壁での膜成長が阻害される形状であれば、形成される部材のレジスト層２２の側壁での成長を阻害することができる。このため、レジスト層２２の側壁の少なくとも一部がレジスト層２２の上面側から見て隠れる形状、つまり、レジスト層２２の上面の面積よりも、レジスト層２２の基板面方向の断面の面積が小さい部分を有する形状であれば、形成される部材のレジスト層２２の側壁での成長を阻害し、形成される部材をパターン形成することができる。
【００４１】
例えば、レジスト層２２を形成するため、ポジ型フォトレジスト、ネガ型フォトレジストとしては、公知の材料を用いることができる。
ポジ型フォトレジストとしては、例えば、特開平９−１７１２５４号公報、同５−１１５１４４号公報、同１０−８７７３３号公報、同９−４３８４７号公報、同１０−２６８５１２号公報、同１１−１９４５０４号公報、同１１−２２３９３６号公報、同１１−８４６５７号公報、同１１−１７４６８１号公報、同７−２８５２７５号公報、特開２０００−５６４５２号公報、国際公開第９７／３９８９４号パンフレット、同第９８／４２５０７号パンフレット等に記載のポジ型感光材料が挙げられる。
また、ネガ型フォトレジストとしては、例えば、特開平９−１７９２９２号公報、米国特許第５，３４０，６９９号明細書、特開平１０−９０８８５号公報、特開２０００−３２１７８０号公報、同２００１−１５４３７４号公報に記載のネガ型感光材料が挙げられる。
【００４２】
また、レジスト層２２は、真空成膜用基板２０を透明電極等の光透過性部材として用いる場合には、透明性を阻害しない十分に透明性の高い材料を用いることが好ましい。レジスト層２２としては、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均透過率が５０％以上あることが好ましい。より好ましくは７０％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。
【００４３】
〈２．透明電極の実施の形態（第２実施形態）〉
次に、上述の第１実施形態の真空成膜用基板上に、上述の真空成膜装置を用いて形成される、透明電極の実施形態について説明する。
【００４４】
図３に、真空成膜用基板２０上に金属膜３１が形成された透明電極３０の構成を示す。図３では、ロール状に巻回された透明電極３０と、この透明電極３０において鎖線内を拡大した図を示している。
【００４５】
図３に示す透明電極３０は、上述の図１に示す真空成膜装置１０の巻き取り用ロール１５において、ロール状に巻回されている様子を示している。つまり、図１に示す真空成膜装置１０において、基板送り出し用ロール１１から搬送された真空成膜用基板２０上に、真空成膜部１３で金属膜３１が形成され、真空成膜用基板２０上に金属膜３１が形成された透明電極３０が巻き取り用ロール１５で巻回された状態を示している。
【００４６】
真空成膜用基板２０は、上述の第１実施形態の真空成膜用基板２０と同様の構成である。つまり、真空成膜用基板２０は、基板２１上に形成されているレジスト層２２のパターンは、透明電極３０において金属膜３１に要求されているパターンとして形成されている。
【００４７】
従って、図３に示す透明電極３０では、パターン形成されたレジスト層２２の段差によって金属膜３１の面方向の連続性が妨げられ、レジスト層２２のパターンに沿って分離される。このため、パターン形成されたレジスト層２２に沿って金属膜３１が分離され、金属膜３１がパターン形成されている。
なお、金属膜３１に要求されているパターンは、透明電極３０において、パターン形成されたレジスト層２２の間の部分の金属膜３１が使用されるパターンや、レジスト層２２上の金属膜３１等のいずれでもよい。パターンの大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ナノサイズからミリサイズのいずれの大きさであっても構わない。
【００４８】
また、真空成膜用基板２０上に金属膜３１を形成し、作製した透明電極３０をロール状に巻回しても、レジスト層２２がスペーサとなるため、レジスト層２２の間の金属膜３１が巻回された上層の基板２１の裏面と接触しない。このため、レジスト層２２の間に成膜された金属膜３１は、巻回による損傷を受けにくい。よって、レジスト層２２の間に成膜された金属膜３１を使用することが好ましい。
【００４９】
金属膜３１を構成する金属は特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、アルミニウム、チタン、マグネシウム、カルシウム、クロム等を用いることができる。金属膜３１は、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００５０】
金属膜３１は、固有吸収が小さく、かつ電気伝導率が大きいとの観点から、銀又は銀（Ａｇ）を主成分として構成された層であることが好ましい。金属膜３１を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金としては、銀を５０質量％以上含む合金であることが好ましい。銀を主成分とした合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。
以上のような金属膜３１は、銀又は銀を主成分とする合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
【００５１】
金属膜３１は、厚さが３〜２０ｎｍの範囲にあることが好ましい。厚さが１５ｎｍ以下、特に１２ｎｍ以下であることにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、透明電極３０の光透過率が維持されるため好ましい。また、金属膜３１は、少なくとも厚さが３ｎｍ以上あれば、透明電極３０の導電性が確保される。
【００５２】
透明電極３０は、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均透過率が５０％以上あることが好ましい。より好ましくは７０％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。また、透明電極３０の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。上記波長の光の平均透過率が５０％以上であり、かつ平均反射率２０％以下であると、高い透明性が要求される用途にも、透明電極３０を適用できる。
【００５３】
また、透明電極３０において、金属膜３１及びレジスト層２２は、透明性を阻害しないように、十分に透明性の高い材料を用いることが好ましい。透明電極３０では、基板２１／金属膜３１間のアドミッタンス、基板２１／レジスト層２２／金属膜３１間のアドミッタンスの差を０．１以下とすることが好ましい。レジスト層２２を介して基板１１上に形成された金属膜３１と、レジスト層２２を介さずに基板２１上に形成された金属膜３１との間のアドミッタンスの差を小さくすることにより、レジスト層２２を形成したことによる視認性の悪化を抑制することができる。
【００５４】
金属膜３１は、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。
上記方法を、異方性の高い条件で適用することにより、金属膜３１がレジスト層２２の側面に周り込まずに、図３に示す構成の金属膜３１を形成することができる。
また、金属膜３１は、形成後の高温アニール処理等がなくても十分な導電性を有するが、必要に応じて形成後に高温アニール処理等を行ってもよい。
【００５５】
なお、真空成膜用基板２０や透明電極３０には、必要に応じて、レジスト層２２や金属膜３１以外にも、その他の構成が含まれていてもよい。例えば、金属膜３１の成膜性を向上させるために金属膜３１の下部に有機物や無機物、金属等の下地層が形成されていてもよい。また、透明電極３０の光学特性を向上させるための光学調整層等を設けてもよい。基板２１とレジスト層２２との間にも、他の層が設けられていてもよい。
これらの構成においても、金属膜３１と同様のパターン形成が必要な場合には、上述の金属膜３１と同様に、パターン形成されたレジスト層２２の段差により面方向の連続性が妨げられ、レジスト層２２上に形成する膜を、レジスト層２２のパターンに沿って分離することができる。
さらに、上述の透明電極３０を形成してロール状に巻き取る際に、真空成膜用基板２０の金属膜３１の形成面に保護層を設けて、透明電極３０と共にロール状に巻き取る構成としてもよい。この場合にも、レジスト層２２がスペーサとなるため、レジスト層２２のパターンの間の金属膜３１が巻回による影響を受けにくい。
【００５６】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  真空成膜装置、１１  基板送り出し用ロール、１２  ＡＴＶバルブ、１３  真空成膜部、１４  アキューム、１５  巻き取り用ロール、１６  供給部、２０  真空成膜用基板、２１  基板、２２  レジスト層、３０  透明電極、３１  金属膜
【図１】
2015182223.tif 000003
【図２】
2015182223.tif 000004
【図３】
2015182223.tif 000005