(57)【要約】【課題】本発明は、高さが大きなバンプを有する半導体ウェハに対して十分に追従させた状態で半導体ウェハの裏面を研磨した後に、剥離する際に半導体ウェハにダメージを与えることなく、容易に剥離可能な半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供する。【解決手段】本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２と、前記基材フィルム２上に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層３とを有し、前記粘着剤層は、ベースポリマーがアクリル系ポリマーであり、エネルギー線照射前の粘着力をＡ（Ｎ／２５ｍｍ）とし、エネルギー線を１００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV100（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、６＜Ａ＜１３（Ｎ／２５ｍｍ）、ＡUV100／Ａ≧０．７０であり、かつ、エネルギー線を２００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV200（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ＡUV200／Ａ≧０．３０であって、かつＡUV200≦５（Ｎ／２５ｍｍ）である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層とを有し、前記粘着剤層は、ベースポリマーがアクリル系ポリマーであり、エネルギー線照射前の粘着力をＡ（Ｎ／２５ｍｍ）とし、エネルギー線を１００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV100（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、６＜Ａ＜１３（Ｎ／２５ｍｍ）、ＡUV100／Ａ≧０．７０であり、かつ、エネルギー線を２００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV200（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ＡUV200／Ａ≧０．３０であって、かつＡUV200≦５（Ｎ／２５ｍｍ）であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項２】
前記アクリル系ポリマー１００質量部に対して、光硬化性のニ重結合を分子中に２個持つオリゴマーを５０〜２００質量部、反応性開始剤を０．５〜３．０質量部含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。さらに詳しくは、その表面に凹凸を有する半導体ウェハのバックグラインディング工程へ適用できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの加工工程において、半導体ウェハ表面にパターンを形成した後、半導体ウェハ裏面を所定厚さまで研削・研磨するいわゆるバックグラインド工程が行なわれる。その際、半導体ウェハ表面を保護する目的で、半導体ウェハ表面に半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼り合わせ、その状態で半導体ウェハの裏面が研磨される。半導体ウェハ表面保護用粘着テープとしては、エチレン酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡと記載）などのポリオレフィン基材フィルム上に、アクリルポリマーを主成分とした粘着剤層が設けられたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
近年、携帯電話やパソコンなどの小型化、高機能化に伴い、従来のチップ接続方法であるワイヤーボンディングに比べ、省スペースで実装可能なフリップチップ実装が開発されている。フリップチップ実装は、チップ表面と基板を電気的に接続する際、半導体ウェハ表面に形成されたボール状や円柱状のバンプによって接続する。このようなバンプは、高さ（厚さ）が１００μｍ、場合によっては２００μｍを超えるようなものも存在する。
【０００４】
従来の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いて上記のようなウェハの裏面研削を行った場合、ウェハ表面に存在するバンプのため半導体ウェハ表面保護用粘着テープはウェハ表面に十分に密着できない。半導体ウェハ表面保護用粘着テープとウェハとの隙間から研削時に噴射される切削水とシリコンの研削屑が浸入すると、ウェハ表面を汚染するシーページと呼ばれる現象が発生する。また、研削圧力が不均一になるため、ディンプルと呼ばれる凹凸の半導体ウェハ研磨面への転写や、研削後の半導体ウェハの厚さ精度（ＴＴＶ：total thickness variation）悪化、半導体ウェハ割れ等が発生するという問題があった。
【０００５】
上記問題を解決する手段としては、例えば粘着剤層の厚さをバンプの高さ以上に厚くする、もしくは粘着剤層や基材フィルムを柔らかくすることによりバンプ等の凹凸を吸収することで半導体ウェハ表面保護用粘着テープのバンプ追従性を向上させウェハ表面に完全密着させる方法が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−８０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記のような手法では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する際の半導体ウェハ表面への粘着剤の付着（糊残り）を引き起こしやすい。特に、粘着剤層が放射線硬化型である場合は、粘着剤層の硬化により粘着剤が収縮（硬化収縮）を起こし、バンプへの噛みこみが非常に大きくなる。その結果、半導体ウェハの裏面研磨後に半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する際に大きな力が必要となるため、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが破断されたり、半導体ウェハからバンプがもぎとられたり、半導体ウェハ自体が破損したりするといった問題が指摘されていた。
【０００８】
そこで、本発明は、高さが大きなバンプを有する半導体ウェハに対して十分に追従させた状態で半導体ウェハの裏面を研磨した後に、剥離する際に半導体ウェハにダメージを与えることなく、容易に剥離可能な半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層とを有し、前記粘着剤層は、ベースポリマーがアクリル系ポリマーであり、エネルギー線照射前の粘着力をＡ（Ｎ／２５ｍｍ）とし、エネルギー線を１００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV100（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、６＜Ａ＜１３（Ｎ／２５ｍｍ）、ＡUV100／Ａ≧０．７０であり、かつ、エネルギー線を２００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV200（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ＡUV200／Ａ≧０．３０であって、かつＡUV200≦５（Ｎ／２５ｍｍ）であることを特徴とする。
【００１０】
前記アクリル系ポリマー１００質量部に対して、光硬化性のニ重結合を分子中に２個持つオリゴマーを５０〜２００質量部、反応性開始剤を０．５〜３．０質量部含有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高さが大きなバンプを有する半導体ウェハに対しても十分に追従させて良好に半導体ウェハの裏面を研磨することができ、半導体ウェハ裏面の研削加工後に、半導体ウェハを破損することなく、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを容易に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープの使用例を模式的に説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
本発明の実施形態に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムの片側に、少なくとも1種類のエネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有している。
【００１５】
図１は、本発明の半導体表面保護用粘着テープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図である。図１に示すように、半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２を有しており、基材フィルム２上には粘着剤層３が形成されている。また、半導体表面保護用粘着テープ１は、粘着剤層３上に、粘着剤層３を保護するための剥離フィルム４をさらに備えている。半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２、粘着剤層３および剥離フィルム４の積層体をロール状に巻いても良い。
【００１６】
以下、本実施形態の半導体ウェハ表面保護用粘着テープの各構成要素について詳細に説明する。
【００１７】
（基材フィルム２）
【００１８】
本実施の形態の半導体ウェハ表面保護粘着テープ１の基材フィルム２に用いる樹脂は特に制限するものではなく、従来公知のものを用いることができ、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレンアクリル酸共重合体やエチレンメタクリル酸共重合体とそれらの金属架橋体（アイオノマー）等のポリオレフィン類や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレブタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル類、またアクリル樹脂を架橋させフィルム状にしたものを使用することができる。各々の樹脂は、単独で単層基材として使用してもよく、樹脂を組み合わせてブレンドしたり、異なる樹脂の複層構成としてもよい。また、半導体ウェハ表面保護粘着テープ１を認識・識別するための着色用顔料などを配合するなど、物性に影響が出ない範囲で添加物を加えてもよい。
【００１９】
基材フィルム２の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜３００μｍ、更には１００〜２５０μｍが好ましい。
【００２０】
基材フィルム２の粘着剤層３が設けられる側の表面には、粘着剤層３との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。
【００２１】
上記基材フィルム２の製造方法は特に限定されない。押出・インフレーション・キャストなど従来の方法を用いることができる。また、独立に製膜したフィルムと他のフィルムを接着剤等で貼り合わせて基材フィルムとすることもできる。
【００２２】
（粘着剤層３）
粘着剤層３を構成する粘着剤組成物は、特に制限するものではなく、従来のものを用いることができるが、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分とする単独重合体や、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体を挙げることができる。アクリル酸エステルを構成成分として含む重合体を構成する単量体成分としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プルピル、イソプルピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、ヘプチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、及びドデシルなどの炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキルアクリレート又はアルキルメタクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
上記以外のアクリル樹脂中の構成成分としては、以下の単量体を含むことができる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロイルモルフオリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これらモノマー成分は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
また、アクリル樹脂としては、構成成分として、以下の多官能性単量体を含むことができる。その例としては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これら多官能性単量体は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどを挙げることができる。また上記のアクリル酸エステルをたとえばメタクリル酸エステルに代えたものなどのアクリル系ポリマーと硬化剤を用いてなるものを使用することができる。
【００２６】
硬化剤としては、特開２００７−１４６１０４号公報に記載の硬化剤を使用することができる。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４'−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の含有量は、所望の粘着力に応じて調整すれば良く、上記重合体１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましく、さらに好ましくは、０．１〜５質量部である。
【００２７】
上記のような粘着剤層３中に光重合性化合物及び光重合開始剤を含ませることによって、紫外線を照射することにより硬化し、粘着剤層３は粘着力を低下させることが出来る。このような光重合性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。
【００２８】
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【００２９】
光重合開始剤としては、特開２００７−１４６１０４又は特開２００４−１８６４２９号公報に記載の光重合開始剤を使用することができる。イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。
【００３０】
粘着剤層３として、重合体中に光重合性炭素−炭素二重結合を有する重合体、光重合開始剤、及び硬化剤を含む樹脂組成物を用いてなる光重合性粘着剤を用いることができる。重合体中に炭素−炭素二重結合を有する重合体としては、側鎖に炭素原子数が４〜１２、さらに好ましくは炭素原子数８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルなどの単量体や共重合性改質単量体を１種または２種以上を任意の方法で単独重合または共重合した（メタ）アクリル系重合体が好ましい。
【００３１】
その他、粘着剤層３を構成する粘着剤組成物には、必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００３２】
粘着剤層３は、粘着剤組成物を剥離フィルム４上に塗布、乾燥させて基材フィルム２に転写することで形成することができる。本発明において粘着剤層３の厚さは、２０〜１３０μｍ、好ましくは４０〜１００μｍである。１３０μｍを超えると、半導体ウェハ５（図２参照）表面への過度な密着、半導体ウェハ５表面の凹凸５１（図２参照）への埋め込みによって、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離後に、半導体ウェハ５表面への糊残りが発生する可能性が高まる。２０μｍを下回ると、半導体ウェハ５表面の凹凸５１に追従できず、シリコンの研削屑を含んだ研削水が半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１と半導体ウェハ５との隙間から入り込んで半導体ウェハ５回路面を汚染する、いわゆるシーページなどの要因となる可能性がある。
【００３３】
（剥離フィルム４）
剥離フィルム４は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、エネルギー線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、またエネルギー線硬化型粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルム４の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム４の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層３が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルム４の厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００３４】
半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１は、エネルギー線照射前の粘着力をＡ（Ｎ／２５ｍｍ）とし、エネルギー線を１００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV100（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、６＜Ａ＜１３（Ｎ／２５ｍｍ）であり、ＡUV100／Ａ≧０．７０であり、かつ、エネルギー線を２００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力をＡUV200（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ＡUV200／Ａ≧０．３０であって、かつＡUV200≦５（Ｎ／２５ｍｍ）である。
【００３５】
粘着剤層３へのエネルギー線照射によって、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の粘着力は低下するが、粘着力の低下が激しいほど粘着剤の硬化収縮も大きくなる。バンプにほぼ完全に追従した半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を半導体ウェハ５から剥離する場合、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離に必要な剥離力は、例えばＪＩＳ  Ｚ  ０２７９で規定されるような粘着力と完全には相関しないことが多い。これは、エネルギー線照射によって粘着剤が硬化する際、硬化収縮に伴う体積変化のため、粘着剤全体がバンプ（半導体ウェハ５表面の凹凸５１）をかみ込み、機械的にバンプを保持してしまうためである。
【００３６】
半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の粘着力は、照射量が多くなると低下し一定の照射量を超え全ての反応物が反応するとそれ以上の低下は起こらない。この時、照射量が小さい領域で粘着力の変化大きい場合、粘着剤の硬化収縮も大きくなりバンプへの噛み込みも激しくなる。そのため、照射量が小さい領域での粘着力変化は緩やかであるほうが良い。ＡUV100／Ａが０．７０未満であると、急激な硬化収縮により過剰な噛み込みが発生し半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離が困難となる。ＡUV200／Ａが０．３０未満であると、エネルギー線照射により粘着力自体は小さくなるものの、やはり硬化収縮が大きくなってしまい、バンプへの噛み込みも大きくなり、結局は半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離が困難となる。
【００３７】
エネルギー線照射前の粘着力Ａが６Ｎ／２５ｍｍ以下であると、粘着力が十分でないために半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１が十分に半導体ウェハ５表面に密着せず、半導体ウェハ５からテープの剥れや浮きが発生してしまう可能性がある。この状態で裏面研削を行うと、浮きに溜まった空気に起因するクラックやウェハ割れ、ＴＴＶの悪化が懸念される。また、エネルギー線照射前の粘着力Ａが１３Ｎ／２５ｍｍ以上であると、粘着力の十分に低下せず、硬化収縮が抑制出来たとしても、テープの剥離自体が困難となる。
【００３８】
また、エネルギー線を２００ｍＪ／ｃｍ2照射した後の粘着力ＡUV200が５Ｎ／２５ｍｍを超えると、半導体ウェハの裏面研磨後に、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を剥離する際に、半導体ウェハ５表面に糊残りが生じたり、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１が破断してしまうおそれがある。
【００３９】
なお、半導体ウェハ５の裏面研磨後に、実際に半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を剥離する際に照射するエネルギー線の照射量は、２００ｍＪ／ｃｍ2に限定されるものではなく、適宜選択可能であるが、エネルギー線照射後の粘着力は、７Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましく、さらに好ましくは５Ｎ／２５ｍｍ以下である。下限は特に定めるものではないが、エネルギー線照射後に半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１が自然に剥がれ落ちてしまわない程度の粘着力、例えば０．５Ｎ／２５ｍｍ以上あることが好ましい。
【００４０】
なお、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の粘着力は、エネルギー線を照射すると低下するため、ＡUV100／Ａ及びＡUV200／Ａは通常１以下となる。
【００４１】
本発明において使用することができるエネルギー線としては、紫外線（中心波長＝約３６５ｎｍ）および電子線等が挙げられる。エネルギー線として紫外線を使用する場合、通常、照度は２０〜５００ｍＷ／ｃｍ2、さらに照射時間は０．１〜１５０秒の範囲内に設定される。また、たとえば電子線を照射する場合にも、上記の紫外線照射の場合に準じて諸条件を設定することができる。なお、上記のようなエネルギー線照射の際に補助的に加熱することもできる。
【００４２】
ＡUV100／Ａ≧０．７０であり、かつＡUV200／Ａ≧０．３０であって、６＜Ａ＜１３（Ｎ／２５ｍｍ）、かつＡUV200≦５（Ｎ／２５ｍｍ）となるようにするためには、例えば、粘着剤中に含まれる光反応開始剤の配合量を少なくする、光硬化性の二重結合量を減らす、分子の反応性を低くするといった手法が挙げられる。例えば、ベースとなるポリマーがアクリル系ポリマーである場合、アクリル系ポリマー１００質量部に対して、光硬化性のニ重結合を分子中に２個持つオリゴマーを５０〜２００質量部、反応性開始剤を０．５〜３．０質量部配合することが好ましい。
【００４３】
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１は、貼合する半導体ウェハ５の貼合面側の表面に存在する凹凸５１の底部と頂部の高さの最大差が１０〜２５０μｍである半導体ウェハ５に使用するのが好ましく、高さの最大差が８０〜２００μｍである半導体ウェハ５に使用することが更に好ましい。
【００４４】
＜使用方法＞
次に、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の使用方法、すなわち半導体ウェハ５の加工方法について、説明する。
【００４５】
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離フィルム４を粘着剤層３から剥離し、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウェハ５の回路パターン面（表面）に、粘着剤層３が貼合面となるように、半導体ウェハ表面保護テープ１を貼合する。このとき、半導体ウェハ表面保護テープ１は、半導体ウェハ５表面の凹凸５１に十分に追従している。
【００４６】
その後、図２（Ｃ）に示すように、半導体ウェハ５の裏面すなわち回路パターンのない面側を半導体ウェハ５の厚さが所定の厚さ、例えば１０〜２００μｍになるまで、研磨機７により研磨する。このとき、半導体ウェハ表面保護テープ１は、半導体ウェハ５表面の凹凸５１に十分に追従しているため、半導体ウェハ５の裏面には研磨機７からの力が均一にかかり、半導体ウェハ５が良好に研磨される。
【００４７】
その後、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１に、エネルギー線を照射して粘着力を低下させ、半導体ウェハ５から半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。このとき、粘着剤層３が急激に硬化収縮することがないため、半導体ウェハ５の凹凸５１に噛み込むことがなく、その結果、半導体ウェハ５の表面に糊残りが生じたり、半導体ウェハ５を損傷させることなく、半導体ウェハ５から半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を剥離することができる。なお、エネルギー線を照射した後半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を剥離する前に、半導体ウェハ５の回路パターンのない研削した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルム（図示しない）を貼合してもよい。
【００４８】
＜実施例＞
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４９】
＜実施例１＞
ベースとなるアクリルポリマーとして、ブチルアクリレート８５質量部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部からなるアクリル系共重合体１００質量部に対して、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネートを１０質量部反応させ、エネルギー線硬化型共重合体（重量平均分子量：７０万）を得た。酢酸エチルによって２５質量％溶液となるように濃度を調整した上記エネルギー線硬化型共重合体１００質量部に対し、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）０．１５質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）０．７５質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
アクリル樹脂からなる厚さ１５０μｍの基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を乾燥後の厚さが３０μｍとなるように塗工し、実施例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テー
プを得た。
【００５０】
＜実施例２＞
アクリル酸ブチル８４質量部、メタクリル酸メチル１０質量部、アクリル酸１質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５質量部からなる重量平均分子量が約３０万の共重合体をアクリル系粘着剤とした。この共重合体１００質量部に対して、光硬化性の二重結合を分子中に２個持つアクリレートオリゴマーを１００質量部、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）３．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）２．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を、実施例１と同様の基材フィルム上に、乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、実施例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５１】
＜実施例３＞
アクリル酸メチル８０質量部、２―エチルヘキシルアクリレート１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート７質量部、アクリル酸３質量部からなる重量平均分子量が約３０万の共重合体をアクリル系粘着剤とした。この共重合体１００質量部に対して、光硬化性の二重結合を分子中に６個持つアクリレートオリゴマーを１５質量部、４個持つオリゴマーを５０質量部、２個持つアクリレートオリゴマーを１００質量部、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）３．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）５．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を、実施例１と同様の基材フィルム上に、乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、実施例３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５２】
＜実施例４＞
アクリル酸メチル８０質量部、２―エチルヘキシルアクリレート１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート７質量部、アクリル酸３質量部からなる重量平均分子量が約３０万の共重合体をアクリル系粘着剤とした。この共重合体１００質量部に対して、光硬化性の二重結合を分子中に６個持つアクリレートオリゴマーを１５質量部、４個持つアクリレートオリゴマーＡを１０質量部、同じく４個持つアクリレートオリゴマーＢを５０質量部、２個持つアクリレートオリゴマーを５０質量部、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）３．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）２．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を、実施例１と同様の基材フィルム上に、乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、実施例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５３】
＜実施例５＞
アクリル酸メチル８０質量部、２―エチルヘキシルアクリレート１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート７質量部、アクリル酸３質量部からなる重量平均分子量が約３０万の共重合体をアクリル系粘着剤とした。この共重合体１００質量部に対して、光硬化性の二重結合を分子中に３個持つアクリレートオリゴマーを５０質量部、２個持つアクリレートオリゴマーを５０質量部、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）２．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）２．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を、実施例１と同様の基材フィルム上に、乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、実施例５に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５４】
＜実施例６＞
アクリル酸メチル８０質量部、２―エチルヘキシルアクリレート１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート７質量部、アクリル酸３質量部からなる重量平均分子量が約３０万の共重合体をアクリル系粘着剤とした。この共重合体１００質量部に対して、光硬化性の二重結合を分子中に３個持つアクリレートオリゴマーを４０質量部、２個持つアクリレートオリゴマーを７０質量部、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）４．２質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）２．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を、実施例１と同様の基材フィルム上に、乾燥後の厚さが１３０μｍ
になるように塗工し、実施例６に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５５】
＜比較例１＞
２-エチルヘキシルアクリレート７５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２４質量部、メタクリレート１質量部からなるアクリル系共重合体１００質量部に対して、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネートを１０質量部反応させ、エネルギー線硬化型共重合体（重量平均分子量：７０万）を得た。 酢酸エチルによって２５質量％溶液となるように濃度を調整した上記エネルギー線硬化型共重合体１００質量部に対し、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）０．１５質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）０．７５質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
押し出し法にて製膜したポリオレフィン樹脂からなる厚さ４１０μｍの基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗工し、比較例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５６】
＜比較例２＞
ブチルアクリレート６０質量部、メチルメタクリレート２０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２８質量部からなる共重合体１００質量部に対して、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート３４質量部を反応させて得られたポリマー１００質量部、紫外線硬化型反応開始剤３質量部、および架橋剤（イソシアネート系）１質量部を反応させて、エネルギー線硬化型粘着剤組成物を得た。
押し出し法にて製膜したポリオレフィン樹脂からなる厚さ３００μｍの基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗工し、比較例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５７】
＜比較例３＞
メチルメタクリレート６９質量部、２-エチルヘキシルアクリレート１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部、メタクリル酸６質量部からなるアクリル系共重合体１００質量部（重量平均分子量：２５万）に対して、光反応性の２重結合を持つペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートを５０質量部配合してエネルギー線硬化型共重合体を得た。 酢酸エチルによって２５質量％溶液となるように濃度を調整した上記エネルギー線硬化型共重合体１００質量部に対し、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）３．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）５．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
押し出し法にて製膜したＥＶＡ樹脂からなる厚さ１００μｍの基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、比較例３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５８】
＜比較例４＞
ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートを１００質量部とした以外は実施例２と同様にして、比較例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５９】
＜比較例５＞
メチルメタクリレート６０質量部、２-エチルヘキシルアクリレート１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部、メタクリル酸１５質量部からなるアクリル系共重合体１００質量部（重量平均分子量：２５万）に対して、光反応性の２重結合を持つペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートを１００質量部配合してエネルギー線硬化型共重合体を得た。 酢酸エチルによって４０質量％溶液となるように濃度を調整した上記エネルギー線硬化型共重合体１００質量部に対し、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）２．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）５．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
押し出し法にて製膜したＥＶＡ樹脂からなる厚さ１００μｍの基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、比較例５に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００６０】
＜比較例６＞
アクリル酸メチル８０質量部、２―エチルヘキシルアクリレート１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート７質量部、アクリル酸３質量部からなる重量平均分子量が約３０万の共重合体をアクリル系粘着剤とした。この共重合体１００質量部に対して、光硬化性の二重結合を分子中に３個持つアクリレートオリゴマーを４０質量部、２個持つアクリレートオリゴマーを４０質量部、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）２．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）２．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を、実施例１と同様の基材フィルム上に、乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、比較例６に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００６１】
＜比較例７＞
アクリル酸メチル８０質量部、２―エチルヘキシルアクリレート４質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート６質量部、アクリル酸１０質量部からなる重量平均分子量が約３０万の共重合体をアクリル系粘着剤とした。この共重合体１００質量部に対して、光硬化性の二重結合を分子中に３個持つアクリレートオリゴマーを２０質量部、２個持つアクリレートオリゴマーを８０質量部、架橋剤としてイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業株式会社製：コロネートＬ）１．１質量部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製：イルガキュア１８４）２．０質量部とを混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を、実施例１と同様の基材フィルム上に、乾燥後の厚さが１３０μｍになるように塗工し、比較例７に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００６２】
［特性評価試験］
実施例、比較例に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。その結果を表１，２に示す。
【００６３】
（粘着力）
各実施例、比較例に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、それらをＪＩＳ  Ｒ  ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で研磨したＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ３０４鋼板上に貼着した後、２ｋｇのゴムローラを３往復かけて圧着し、１時間放置したものをサンプルとした。各サンプルについて、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠し、剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で粘着力Ａを測定した。測定温度は２３℃、測定湿度は５０％であった。３点の平均値を表１，２に示す。
また、上記と同様にして作製したサンプルに、基材フィルム側からエネルギー量が１００ｍＪ／ｃｍ2または２００ｍＪ／ｃｍ2になるようにエネルギー線をそれぞれ照射し、照射後１時間放置して、同じくＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠してエネルギー線照射後の粘着力Ａ100 ，Ａ200をそれぞれ測定した。その際の照度は２５〜５０ｍＷ／ｃｍ2とすることが好ましく、以下の例では３０ｍＷ／ｃｍ2とした。３点の平均値を表１，２に示す。
【００６４】
（シーページの評価）
貼り付け機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名）を用いて、半導体ウェハに実施例及び比較例に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合した。半導体ウェハとしては、厚さが７２５μｍの８インチウェハの上に、高さが１２０μｍであるボールバンプを形成したものを用いた。その後、インライン機構を持つグラインダー（株式会社ディスコ製のＤＧＰ８７６０（商品名））を使用して、厚さ１００μｍ厚みまで研磨を行った。また、半導体ウェハの強度向上のため、ドライポリッシュにて最終仕上げを行った。
【００６５】
上記方法で研削した半導体ウェハについて、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ側から観察した。半導体ウェハ表面保護用粘着テープと半導体ウェハとの間に切削水が浸入しているものを不良品として×、浸入していないものを良品として○で評価した。
【００６６】
（ディンプルの評価）
上記方法で研削した半導体ウェハについて、半導体ウェハの研削面を目視にて観察し、ディンプルが確認されたものを不良品として×、確認されなかったものを良品として○で評価した。
【００６７】
（ＴＴＶの評価）
上記方法で研削した半導体ウェハについて、それぞれ任意点にて、ＴＴＶ測定装置Ｓｅｍｄｅｘ３００（ＩＳＩＳ  ｓｅｎｔｒｏｎｉｃｓ社製、商品名）により厚さを測定した。厚さのばらつきが１０μｍを越えるものを不良品として×、１０μｍ以下のものを良品として○で評価した。
【００６８】
（ウェハ割れの評価）
上記方法で研削した半導体ウェハについて、目視にて観察を行い、割れやクラックが確認されたものを不良品として×、確認されなかったものを良品として○で評価した。
【００６９】
（剥離性の評価）
各実施例、比較例の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを半導体ウェハに貼合し、半導体ウェハを研削した後、エネルギー線を照射して剥離した際、剥離力の最大値が１０Ｎを超えるものを不良品として×、７Ｎを超えて１０Ｎ以下のものを許容品として△、７Ｎ以下のものを良品として○とした。剥離力は、粘着力と同様の装置を用いて、半導体ウェハから半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで剥離したときの最大値とした。
【００７０】
（バンプ脱落の評価）
上記剥離性の評価の際、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの剥離とともにバンプがウェハから脱落したものを不良品として×、脱落しなかったものを良品として○で評価した。
【００７１】
（糊残りの評価）
各実施例、比較例にかかる半導体ウェハ表面保護用粘着テープを半導体ウェハから剥離した後、半導体ウェハ表面を目視にて観察した。半導体ウェハ表面に糊残りが確認されたものを不良品として×、確認されなかったものを良品として○で評価した。
【００７２】
【表１】
2015179825.tif 000003
【００７３】
【表２】
2015179825.tif 000004
【００７４】
表１に示すように、実施例１〜６は、６＜Ａ＜１３（Ｎ／２５ｍｍ）、ＡUV100／Ａ≧０．７１であり、ＡUV200／Ａ≧０．３３であって、かつＡUV200≦４．６（Ｎ／２５ｍｍ）であるため、高さが大きなバンプを有する半導体ウェハに対しても十分に追従させて良好に半導体ウェハの裏面を研磨することができ、半導体ウェハ裏面の研削加工後に、半導体ウェハを破損することなく、糊残りもなく剥離することができた。
【００７５】
これに対して、比較例１，４，５は、ＡUV100／Ａが０．７０未満であり、ＡUV200／Ａも３．０未満であるため、エネルギー線照射により硬化収縮が大きくなってしまい、バンプへの噛み込みも大きくなり、バンプの脱落が発生した。比較例４では、バンプの脱落だけでなく、糊残りも発生した。比較例２は、ＡUV100／Ａが０．７０未満であり、ＡUV200／Ａも３．０未満であるため、やはりバンプへの噛み込みが大きく、粘着剤層が基材フィルムから剥がれてしまったため、バンプの脱落は発生しなかったが、糊残りが発生する結果となった。比較例３，７は、ＡUV100／Ａが０．７０未満であるため、バンプへの噛み込みが大きく、バンプの脱落が発生した。比較例７では、バンプの脱落だけでなく、糊残り及び剥離不良も発生した。比較例６は、ＡUV200／Ａが３．０未満であるため、エネルギー線照射により硬化収縮が大きくなってしまい、バンプへの噛み込みも大きくなり、バンプの脱落が発生した。
【符号の説明】
【００７６】
１：半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
４：剥離フィルム
５：半導体ウェハ
７：研磨機
５１：凹凸
【図１】
2015179825.tif 000005
【図２】
2015179825.tif 000006