(57)【要約】【課題】更なる薄型化が可能なサイドビュー型発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】底面を光出射面とし、１つの側面を実装基板に実装するための実装面とするサイドビュー型の発光装置であって、底面側から、第１の半導体層と、活性層と、第２の半導体層と、を順に積層した積層半導体層と、前記１つの側面から露出し、かつ前記第１の半導体層と電気的に接続した第１の接続電極と、一方の端部が、前記第２の半導体層の上面と電気的に接続されている金属ワイヤと、前記１つの側面から露出し、かつ前記金属ワイヤの他方の端部と電気的に接続されている第２の接続電極と、前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層と、前記第１の接続電極と、前記第２の接続電極と、前記金属ワイヤ、それぞれの少なくとも一部分を覆い、前記発光装置の上面および側面を形成する樹脂層と、を含む。【選択図】図１
2015053334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面を光出射面とし、１つの側面を実装基板に実装するための実装面とするサイドビュー型の発光装置であって、
底面側から、第１の半導体層と、活性層と、第２の半導体層と、を順に積層した積層半導体層と、
前記１つの側面から露出し、かつ前記第１の半導体層と電気的に接続した第１の接続電極と、
一方の端部が、前記第２の半導体層の上面と電気的に接続されている金属ワイヤと、
前記１つの側面から露出し、かつ前記金属ワイヤの他方の端部と電気的に接続されている第２の接続電極と、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層と、前記第１の接続電極と、前記第２の接続電極と、前記金属ワイヤ、それぞれの少なくとも一部分を覆い、前記発光装置の上面および側面を形成する樹脂層と、
を含む発光装置。
【請求項２】
前記第１の接続電極および前記第２の接続電極が、前記実装面の横方向の異なる端部に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の接続電極が、前記第１の半導体層の上面の一部を覆うことにより該第１の半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記底面に蛍光体を含む蛍光体層が配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の接続電極が前記実装面と異なる、発光装置の第２の側面から露出し、前記第２の接続電極が前記実装面および前記第２の側面と異なる、発光装置の第３の側面から露出していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
基板上に整列しかつ互いに繋がった複数の発光装置が配置された発光装置集合体を形成した後個片化を行うことで請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置を製造する方法であって、
前記発光装置集合体の隣り合う２つの発光装置の一方の前記第１の接続電極と、前記隣り合う２つの発光装置の他方の前記第２の接続電極とが一体で形成されることを特徴とする製造方法。
【請求項７】
前記一体で形成される前記第１の接続電極と前記第２の接続電極を、メッキ法により形成することを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置、とりわけ、発光装置を実装するための実装基板の上面に略平行な方向に光を発することができるサイドビュー型の発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の発光素子を用いた発光装置は、小型化が容易で、高い発光効率を得ることができる。
発光素子を用いた発光装置の１つとして、実装基板の上面と略平行な方向に光を発することが可能なサイドビュー型の発光装置が知られている。例えば特許文献１に示されるように、従来のサイドビュー型の発光装置は、実装した状態において、側面側開口部となるキャビティを有する樹脂パッケージと、キャビティの底部（奧部）および樹脂パッケージの側面（とりわけ実装面となる側面）に露出部を有する２つリードとを用いる。この２つのリードの一方の上に発光素子（半導体チップ）を配置し、一方のリードと発光素子のｐ側電極およびｎ側電極の一方との間および他方のリードと発光素子のｐ側電極およびｎ側電極の他方との間を、それぞれ金属ワイヤで電気的に接続している。
【０００３】
このような構成を有する発光装置を実装基板に実装すると、実装面に露出した２つのリードがはんだ等により実装基板上の配線層と電気的に接続される。
これにより、発光素子に電力を供給することが可能となり、キャビティ内の発光素子から出た光が直接またはキャビティの壁面で反射して樹脂パッケージの側面の開口から実装基板の上面に略平行な方向に出て行くことで、実装基板の上面に略平行な方向に十分な量の光を発することができる。
【０００４】
このため、サイドビュー型の発光装置は、例えば、携帯電話（スマートフォンを含む）、ノート型パソコンおよびタブレット等に用いる中小型液晶ディスプレイの導光板の端面に対向するようにそのキャビティを配置することにより、小型で十分な光量を供給できるバックライト用光源として機能する。すなわち、サイドビュー型の発光装置を用いることにより、少ない消費電力で高い輝度を有し、かつ小型・軽量な液晶ディスプレイを得ることができる。
このように、低い消費電力で十分な輝度を確保し、かつ装置の小型化および／または軽量化を実現できることから、サイドビュー型の発光装置は液晶ディスプレイ以外にも各種メーター（またはインジケーター）、読み取りセンサおよび照明等の多くの用途で用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１９８８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ディスプレイをはじめとする、サイドビュー型の発光装置を用いる各種の装置に対する小型、軽量化の要求は、益々強くなっている。
とりわけ、発光装置の厚さ方向（実装面に垂直な方向）の寸法を小さくする（薄型化）ことは、例えば、ディスプレイにおいては、ディスプレイの薄型化に直接結びつくことから、強く求められている。また、上述した各種メーター、読み取りセンサおよび照明等のディスプレイ以外の用途においても例えば導光板を薄くできる等により装置全体の薄型化に結びつくことから、サイドビュー型発光装置の薄型化が強く求められています。
【０００７】
しかし、従来の構成では、上述のように、樹脂パッケージに設けたキャビティの底面に位置するリードの露出部に発光素子を配置することから、樹脂パッケージにある程度の肉厚、より具体的には、樹脂パッケージの表面とキャビティ表面との間の距離が必要となる。また、発光素子とキャビティの壁面（すなわち、樹脂パッケージの内面）との間も、発光素子のキャビティ内への挿入等のためにある程度のギャップ（間隔）を確保する必要がある。
このため、従来のサイドビュー型発光装置ではその薄型化に限界があった。
【０００８】
そこで、本発明は更なる薄型化が可能なサイドビュー型発光装置を提供することを目的とする。本発明はまた薄型化が可能なサイドビュー型発光装置の効率的な生産方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、底面を光出射面とし、１つの側面を実装基板に実装するための実装面とするサイドビュー型の発光装置であって、底面側から、第１の半導体層と、活性層と、第２の半導体層と、を順に積層した積層半導体層と、前記１つの側面から露出し、かつ前記第１の半導体層と電気的に接続した第１の接続電極と、一方の端部が、前記第２の半導体層の上面と電気的に接続されている金属ワイヤと、前記１つの側面から露出し、かつ前記金属ワイヤの他方の端部と電気的に接続されている第２の接続電極と、前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層と、前記第１の接続電極と、前記第２の接続電極と、前記金属ワイヤ、それぞれの少なくとも一部分を覆い、前記発光装置の上面および側面を形成する樹脂層と、を含む発光装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る発光装置は、薄型化が可能な構成を有している。また、本発明に係る発光装置は薄型化が可能な構成を有する発光装置を効率的に製造できる方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る発光装置１００を示す概略平面図である。
【図２】図２（ａ）は図１のＩＩａ−ＩＩａ断面を示す概略断面図であり、図２（ｂ）は図１のＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図２（ｃ）は図１のＩＩｃ−ＩＩｃ断面を示す概略断面図であり、図２（ｄ）は図１のＩＩｄ−ＩＩｄ断面を示す概略断面図である。
【図３】図３（ａ）は図１のＩＩＩａ−ＩＩＩａ断面を示す概略断面図であり、図３（ｂ）は図１のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す概略断面図であり、図３（ｃ）は図１のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【図４】図４は、基板２に複数の発光装置１００が繋がって形成された発光装置集合体２００の上面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｄ）は、図１のＩＩａ−ＩＩａ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図６】図６（ｅ）〜図６（ｈ）は、図１のＩＩａ−ＩＩａ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図７】図７（ｉ）〜図７（ｋ）は、図１のＩＩａ−ＩＩａ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｄ）は、図１のＩＩｄ−ＩＩｄ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図９】図９（ｅ）〜図９（ｈ）は、図１のＩＩｄ−ＩＩｄ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図１０】図１０（ｉ）〜図１０（ｋ）は、図１のＩＩｄ−ＩＩｄ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、図１のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図１２】図１２（ｅ）〜図１２（ｈ）は、図１のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【図１３】図１３（ｉ）〜図１３（ｋ）は、図１のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
【００１３】
本発明者らは鋭意検討した結果、底面を光出射面とし、１つの側面を実装基板に実装するための実装面とするサイドビュー型の発光装置において（すなわち、実装基板上に配置して使用する際は当該実装面が実装基板の上面と略平行になるように実装され、光出射面である底面が例えば実装基板の上面と略垂直な方向に配置されることで、出射面を出た多くの光が実装基板の上面に略平行な方向に進むことが可能となる発光装置）、以下の構成を有することで薄型化が可能となることを見出した。
【００１４】
本実施形態に係る発光装置は、実装面から露出した２つの接続電極である、第１の接続電極と第２の接続電極を有する。そして、底面（出射面）側から順に配置され、それらの間で発光する２つの半導体層であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層の一方である第１の半導体層と、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層の他方である第２の半導体層への電力（電流）の供給を第１の接続電極と第２の接続電極を用いて行う。
第１の接続電極は、第１の半導体と直接接する、または第１の半導体と電気的に接続されている第１の半導体層電極と電気的に接続されることにより、第１の半導体層と電気的に接続している。
第２の接続電極は、金属ワイヤであって、その一方の端部が、前記第２半導体層の上面と電気的に接続されている電極と電気的に接続されることにより、第２の半導体層と電気的に接続されている。
本実施形態に係る発光装置は、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の接続電極と、第２の接続電極と、金属ワイヤ、それぞれの少なくとも一部分を覆い、発光装置の上面および側面を形成する樹脂層を有している。
【００１５】
他の実施形態に係る発光装置としては、金属ワイヤ１８を複数備えているものがある。第１の金属ワイヤ１８は、一方の端部が反射膜１６の上面にワイヤボンディングされボンディング５８ｅを形成し、他方の端部がｐ側接続電極１４ｂの上面にワイヤボンディングされボンディング部５８ｂを形成している。また、別の金属ワイヤ（第２の金属ワイヤ）は、少なくとも一方の端部がｎ側接続電極１４ａの上面にワイヤボンディングされボンディング部５８ａを形成している。
【００１６】
このような、構成を有する本実施形態の発光装置は、従来のサイドビュー型発光装置と異なり、その上に半導体チップを載置するリードを必要としない。
また、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の接続電極と、第２の接続電極と、金属ワイヤ、それぞれの少なくとも一部分を覆い、発光装置の上面および側面を形成する樹脂層を用いている。このため、キャビティを形成した樹脂パッケージを用い、そのキャビティの底部に発光素子（半導体チップ）を挿入する従来のサイドビュー型発光装置のような、半導体チップ（例えば、第１の半導体層および第２の半導体層）と樹脂層の間に挿入のためのギャップを設ける必要がない。
【００１７】
これらのために、本発明の発光装置は小型化、とりわけ発光装置の厚さ方向（実装面に垂直な方向）の寸法を小さくする薄型化が可能となる。
【００１８】
また、本実施形態に係る発光装置の製造方法では、整列した複数の発光装置が繋がっている発光装置集合体を形成し、これら複数の発光装置のそれぞれを個片化することで所望の発光装置を得ている。
そして、発光装置集合体を形成する過程、より具体的には個々の発光装置のための第１の接続電極と第２の接続電極とを形成する際に、隣り合う２つの発光装置の間で、一方の発光装置の第１の接続電極と他方の発光装置の第２の接続電極とを一体で形成する。
これにより、より効率的に発光装置を製造することが可能となる。
以下に、図を参照して本実施形態に係る発光装置の詳細を説明する。
【００１９】
１．発光装置１００
図１は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００を示す概略平面図である。
図２（ａ）は、図１のＩＩａ−ＩＩａ断面を示す概略断面図である。また、図２（ｂ）は、図１のＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す概略断面図である。図２（ｃ）は、図１のＩＩｃ−ＩＩｃ断面を示す概略断面図である。図２（ｄ）は、図１のＩＩｄ−ＩＩｄ断面を示す概略断面図である。
図３（ａ）は、図１のＩＩＩａ−ＩＩＩａ断面を示す概略断面図である。また、図３（ｂ）は、図１のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す概略断面図である。図３（ｃ）は、図１のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面を示す概略断面図である。
【００２０】
なお、図１では、金属ワイヤ１８等の半導体１００の構成要素の配置を明確に示すために樹脂層２０の記載を省略している。
また、本明細書では、図２（ａ）〜図２（ｄ）のように、図を示す数字が同じで、括弧内に示されたアルファベットが異なる図を総称して、「図２」のように図の番号のみで呼ぶ場合がある。
詳細を後述するように、本発明の実施形態では、基板２等の上に半導体層４、６および樹脂層２０等を形成した後、基板２を取り除いてよく、また基板２を取り除いた後に基板２のあった場所に蛍光体層２２を形成してよい。
図１では、後述する製造方法の説明の際に用いる図４に示す発光装置集合体２００との対比を容易にするため、基板２を残して記載しているが、図２および図３では、基板２は除去され、蛍光体層２２が設けられている。
以下の発光装置１００では、蛍光体層２２が設けられた構成を主として説明することから、図１の基板２は随時蛍光体２２と読み替えて説明する場合があることに留意されたい。
【００２１】
発光装置１００は、蛍光体層２２（または基板２）上に配置されたｎ型半導体層（第１の半導体層）４と、ｎ型半導体層４の上に配置されたｐ型半導体層（第２の半導体層）６と、ｐ型半導体層６の上面と接触し、当該上面のほぼ全面を覆って配置されている全面電極８と、全面電極８上の一部分に全面電極８と接触して配置されたｐ側電極１２ｅとを有している。
全面電極８を介してｐ型半導体層６全体に亘り比較的均一に電流を流せるように、ｐ側電極１２ｅを複数個配置することが好ましい（図１に示す実施形態では全面電極８の上に８個のｐ側電極が配置されている）。
【００２２】
好ましくは、図１に示すように蛍光体層２２（または基板２）の上面の外周部（外周部の一部または外周部全体）には、ｎ型半導体層４が形成されていないことが望ましい。後述する樹脂層２０、ｎ側接続電極１４ａおよびｐ側接続電極１４ｂを蛍光体層２２（または基板２）の上面の外周部に配置することが可能だからである。
【００２３】
また、ｎ型半導体層４と、ｐ型半導体層６と全面電極８とを覆うように絶縁材より成る保護膜１０が設けられている。
図１〜３に示す実施形態では、保護膜１０は、ｎ型半導体層４、ｐ型半導体層６および全面電極８それぞれの側面と上面の両方の少なくとも一部分に接触している。また、全面電極８の上面については、ｐ側電極１２ｅが設けられていない部分に保護膜１０が形成されている（図２（ｂ）、図３（ｂ））。
【００２４】
ｐ側電極１２ｅの上には、ｐ側電極１２ｅと接触し、かつ全面電極８の上面を略覆うように反射膜１６が設けられている（図２（ａ）、（ｂ）および図３）。反射膜１６はその下方（図１〜３の−Ｚ方向）から来た光を反射するとともに、導電性を有しており、例えばアルミニウム等の金属から形成されてよい。また、この反射膜１６の反射特性をより向上させるために、反射膜１６の少なくとも一部にＤＢＲを用いることができる。反射膜１６は、電極としての機能も有することができる。
なお、後述する樹脂層２０も例えば、色が白色の樹脂から形成する等により高い反射率を得ることができる。このため、反射膜１６がある方がより高い反射率が得られるため好ましいものの、反射膜１６は、コスト等の理由により適宜省略してもよい。
【００２５】
ｎ型半導体層４と接触したｎ側電極１２ａが配置されている。図１〜３に示す実施形態では、ｎ側電極１２ａは、ｎ型半導体層４の上面のうち下部（図１〜３の−Ｙ方向）でかつｐ型半導体層６が形成されていない部分および側面（図１〜３においてＺ−Ｘ面に平行な２つの側面のうち、図１の下方（−Ｙ方向）にある側面）と接触している。
この場合、ｎ側電極１２ａは、好ましくは、図３（ｃ）に示すようにｎ型半導体層４上をｎ型半導体の長さ（図２のＸ方向長さ）の１／４程度の長さで延在している。ｎ側電極をこのような構造とすることで、光束を高くすることができる。
一方、ｎ側電極１２ａは、ｎ型半導体層４の外周を被覆する構造とすることもできる。このような構造であれば、Ｖｆやリニアリティを向上させることができる。
また、ｎ側電極１２ａとｎ型半導体層４との電気的接続はこれらの形態に限定されるものではなく、蛍光体層２２とｎ側電極１２ａの間にはｎ型半導体層４が全面もしくは一部設けられている任意の形態で電気的に接続されてよい。これにより、半導体層の成長用基板であるサファイア基板を容易に剥離することができる。図１〜３に示す実施形態では、ｎ側電極１２ａは、蛍光体層２２と接触している部分と、ｎ型半導体層４の側面と接触している部分と、ｎ側半導体層４の上面と接触している部分を有しているが、これに代えて、蛍光体層２２と接触している部分と、ｎ型半導体層４の側面と接触している部分のみを有してもよい。
【００２６】
ｐ側全面電極８は、ｎ型半導体層４と分離しておく必要がある。その理由は、発光装置１００内でのショートの発生を抑制するためである。このｐ側全面電極８は、発光装置の製造工程上、ｎ型半導体層４の露出した側面と分離しておくことが好ましい。その分離手段としては、例えば、これらのｐ側全面電極８とｎ型半導体層４とを絶縁膜を介して分離することである。
【００２７】
発光装置１００は、ｐ型半導体層６とｎ型半導体層４との間に電流を流すことでｐ型半導体層６とｎ型半導体４層との間で発光する。なお、より高い発光効率が得られるように、ｐ型半導体層６とｎ型半導体層４との間に半導体層を積層させた発光層（活性層）を設けている。
【００２８】
以上説明したように、ｐ型半導体層６は、全面電極８およびｐ側電極１２ｂを介して反射膜１６と電気的に接続されている。
一方、ｎ型半導体層４は、ｎ側電極１２ａと電気的に接続されている。
【００２９】
図１に示す実施形態では、ｎ型半導体４を成長するために用いた、例えばサファイア基板等のような基板２をそのまま残している。この場合、発光装置１００の出射面である底面（図１〜３のＹ−Ｘ面に平行な２つの面のうち、−Ｚ方向に位置する面）は基板２により構成される。
【００３０】
図２および図３に示す実施形態では、発光装置１００の底面には、基板２に代えて蛍光体層２２が配置されている。この場合、発光装置１００の光の出射面である底面は蛍光体層２２により構成される。
基板２を除去した後に蛍光体２２を形成したものである。蛍光体層２２は、ｐ型半導体層６とｎ型半導体層４との間の活性層から発光した光の一部を吸収し、より波長の長い光を発光する蛍光体を含んでいる。
蛍光体層２２を設ける場合、蛍光体層２２と接するｎ型半導体層４の下面は粗面化され凹凸を有することが好ましい。凹凸によって光が散乱され、ｎ型半導体層４と蛍光体層２２との界面において生じる全反射を軽減することができる為、発光効率（特に、光取り出し効率）が高くなるためである。
また、このように基板２を除去してから蛍光体層２２を設けることに代えて、基板２の下部（図１〜３の−Ｚ方向）に蛍光体層２２を設けてもよい。
【００３１】
次に発光装置１００が例えば実装基板に配置された配線層のような外部からｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４に電力（電流）を供給するための構成を説明する。ｎ側接続電極（第１の接続電極）１４ａおよびｐ側接続電極（第２の接続電極）１４ｂは、発光装置１００の側面の１つである実装面（図１〜３において、Ｚ−Ｘ面に平行な２つの側面のうち、−Ｙ方向に位置する側面）から露出するように配置されている。
ｎ側接続電極１４ａおよびｐ側接続電極１４ｂは、それぞれ、はんだ等を介して、例えば、実装基板の配線層等のような外部配線に接続される。
【００３２】
好ましくは、ｎ側接続電極１４ａおよびｐ側接続電極１４ｂは、それぞれ、実装面の横方向の異なる端部に位置する。
図２（ｄ）は、上述のように図１のＩＩｄ−ＩＩｄ断面を示す概略断面図であるが、この好ましい実施形態における実装面を垂直な報告から見た側面図と一致している。すなわち、ｎ側接続電極１４ａは、実装面（図１〜３において、Ｚ−Ｘ面に平行な２つの側面のうち、−Ｙ方向に位置する側面）の横方向（Ｘ方向）の左側端部（−Ｘ方向の端部）に位置し、ｐ側接続端電極１２ｂは実装面の横方向の右側端部（Ｘ方向の端部）に位置している。
発光装置１００から光の漏れを防止するためには発光装置１００の外周部に半導体層を設けないことが考えられるが、一方で電極と蛍光体層２２が直接接合する構造の場合には、基板剥離が容易ではない。  そこで、ｎ側電極１２ａ、金属膜１２ｂの下部の全面に半導体層を設けられていれば、基板の剥離は容易にはなるが、ウエハから個片化する際に半導体層に発生するクラックの進展が発生しやすい。しかしながら、ｎ側電極１２ａ、金属膜１２ｂが部分的に半導体層や蛍光体と接合しているものであれば、基板剥離を容易にすることとクラック進展の抑制とを実現できる。その理由としては、電極形成領域（ｎ側電極１２ａ、金属膜１２ｂの下部）にはクラックが発生するものの、半導体層が分断させていることで、全面電極８の下部の半導体層にまでクラックが進展せず、発光装置の特性には悪影響を及ぼさない。
【００３３】
これにより、発光装置１００を製造する際に、隣接する２つの発光装置１００の一方のｎ側接続電極１４ａと隣接する２つの発光装置の他方のｐ側接続電極１４ｂとを一体で形成でき、生産性を向上できるという利点を有する。
なおこのように一体で形成した、ｎ側接続電極１４ａとｐ側接続電極１４ｂとは、繋がった複数の発光装置１００を個片化する際に分離することができる。
【００３４】
また、この好ましい実施形態に従った配置では、図１に示すように上面側から平面視した場合に、ｎ側接続電極１４ａとｐ側接続電極１４ｂとが、発光装置１００の異なる下側コーナー部（−Ｙ方向）に位置することを意味する。すなわち、図１に示す実施形態では、ｎ側接続電極１４ａは、左下コーナー部に位置し、ｐ側接続電極１４ｂは、右下コーナー部に位置している。
【００３５】
このことは、上面視した場合に、通常、図１に示すように、周辺部には個片化の際の切りしろを確保するため、および成長用基板の剥離を容易に行うために、発光装置の外側端部まではｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４を配置しないことから、ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４を配置可能な部分とｎ側接続電極１４ａおよびｐ側接続電極１４ｂを配置する部分との干渉が少ないことを意味する。
この結果、上面視した場合に、発光装置の面積が同じであっても、より広い領域にｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４を配置することが可能となり、より多くの光を発することが可能となるという利点を有する。また、このことは換言すれば、同じ光量を確保するのにより少ない面積（上面した場合の面積）でよいことを意味することから発光装置の小型化が可能となる。
【００３６】
ｎ側接続電極１４ａは、ｎ側電極１２ａと電気的に接続されている。
図１〜３で示す実施形態では、ｎ側接続電極１４ａは、ｎ側電極１２ａに接触するように配置されている。
【００３７】
好ましくは、図２（ｃ）に示すように、ｎ側接続電極１４ａは、ｎ側電極１２ａの蛍光体層２２（または基板２）上を延在する部分とｎ型半導体層４の上面（図１〜３のＸ−Ｙ面）上に延在している部分とに接触している。さらに、ｎ側接続電極１４ａは、必要に応じて、ｎ型半導体層４の側面（図１〜３のＸ−Ｚ面および／または図１〜３のＹ−Ｚ）上に延在している部分と接触している。
これにより、ｎ側接続電極１４ａは、図１に示す上面視において、比較的狭い面積しか有していないにもかかわらず、より確実にｎ側電極１２ａと電気的に接続できる。
【００３８】
ｐ側接続電極１４ｂは、金属ワイヤ１８を介して、反射膜１６と電気的に接続されている。上述のように反射膜１６は、ｐ型半導体層６と電気的に接続されていることから、これによりｐ側接続電極１４ｂとｐ型半導体層６とは電気的に接続される。
図１〜３に示す実施形態では、金属ワイヤ１８は、一方の端部が反射膜１６の上面にワイヤボンディングされボンディング５８ｅを形成し、他方の端部がｐ側接続電極１４ｂの上面にワイヤボンディングされボンディング部５８ｂを形成している。
なお、発光装置１００は、図１に示すように金属ワイヤがボンディングされていないワイヤボンディング部５８ａ、５８ｃ、５８ｄを有してよい。これは、詳細を後述するように、本発明の１つの実施形態に係る発光装置の製造方法では、隣接する発光装置にワイヤボンディング部５８ａ、５８ｃ、５８ｄを形成することにより、確実に所望の形態のボンディング部５８ｂを得ることができるためである。
【００３９】
ｐ側接続電極１４ｂは、金属ワイヤ１８がボンディングしやすいように例えば、金属メッキにより形成されるメッキバンプのようなバンプであることが好ましい。
ｎ側接続電極１４ａは、金属ワイヤと接続されるわけではないことから、ワイヤボンディングがし易い形態を有する必要はない。しかし、後述の本発明に係る製造方法の説明で詳述するように、隣り合う２つの発光装置の１００の一方のｐ側接続電極１４ｂと他方のｎ側接続電極１４ａとは一体で形成された後、分割されることから、この場合、ｐ側接続電極１４ｂをメッキバンプのようなバンプとして形成すると、ｎ側接続電極１４ａもメッキバンプのようなバンプとして形成される。
上述しためっきバンプは、反射膜１６上に形成してもよい。これにより、反射効果を高めることができる。
【００４０】
なお、図１、図２（ｃ）および図２（ｄ）に示されるように、ｐ側接続電極１４ｂは、金属膜１２ｂを介して蛍光体層２２ｂの上に配置されている。この金属膜１２ｂは、詳細を後述する製造方法において、隣り合う別の発光装置１００のｎ側電極１２ａと一体で金属膜を形成後、その金属膜上に一体でｐ形接続電極１４ｂと当該別の発光装置１００のｎ側接続電極１４ａとを一体で形成し、その後、発光装置１００の個片化を行うことで得られたものである。
従って、他の製造方法を用いる等により金属膜１２ｂを形成することなく、蛍光体層２２（または基板２）の上面に接触するようにｐ側接続電極１４ｂを配置してもよい。
【００４１】
発光装置１００では、金属ワイヤは上述の金属ワイヤ１８の１つを用いるだけでよく、リードとｎ側電極とを電気的に接続するワイヤとリードとｐ側電極とを電気的に接続するワイヤとを要する従来の発光装置と比べて小型化が容易となる。
なお、金属ワイヤ１８は例えば金ワイヤ等の任意の金属からなるワイヤであってよい。
【００４２】
図１に示す発光装置１００は、長手方向の幅は２００μｍ以上、３ｍｍ以下であることが好ましく、さらには長手方向の幅は６００μｍ以上、２ｍｍ以下であることがより好ましい。また、短手方向の幅は６０μｍ以上、３ｍｍ以下であることが好ましく、さらには短手方向の幅は１５０μｍ以上、２ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００４３】
図１にある金属ワイヤ１８の太さ（直径）は、１５μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましい。また、金属ワイヤ１８の太さ（直径）は、３０μｍ以上、５０μｍ以下であることがより好ましい。金属ワイヤ１８の太さ（直径）の下限が、この範囲であれば、ワイヤの断線を防止することができる。また、金属ワイヤ１８の太さ（直径）の上限をこの範囲とすることで、ボールの大きさに対応したパッドエリアを確保することができる。
【００４４】
図２に示す発光装置１００の高さは、１５００μｍ以下とすることができる。また、窒化物半導体層や蛍光体層の膜厚を調整することにより１００μｍ程度まで薄型化したサイドビュー型発光装置を提供することができる。
【００４５】
発光装置１００は、上述のようにその下面に、ｎ型半導体層４（および／またはｐ型半導体層６）を成長させるために用いた基板（成長基板）２を有しなくてよい。詳細を後述するように、所望の半導体層を得た後、基板２を除去してよいためである。
基板２を有しなくても発光装置１００が十分な剛性を有するように、ｎ型半導体層４と、ｐ型半導体層６と、ｎ側接続電極１４ａと、ｎ側接続電極１４ｂと、金属ワイヤ１８、それぞれの少なくとも一部分を覆う樹脂層２０が形成されている。
図２および図３から判るように、樹脂層２０は、また発光装置１００の上面（図１〜３のＸ−Ｙ面に平行な面）および側面（図１〜３のＹ−Ｚ面に平行な面およびＺ−Ｘ面に平行な面）を形成（側面全体又は側面の一部を形成）している。
【００４６】
そして、樹脂層２０は、予めキャビティを設けてその中に半導体チップを収容する従来の発光装置の樹脂パッケージと異なり、半導体層（ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４）を形成後に、これら半導体層に近接して配置できる。これにより、発光装置の小型化が可能となる。特に、発光装置の厚さ（例えば、図１〜図３のＹ方向長さ）を小さくできることから、発光装置の薄型化が可能となる。
【００４７】
図１〜３に示す実施形態では、樹脂層２０は、その上部において、金属ワイヤ１８および反射膜１６に接触してこれらを覆っている。樹脂層２０は、その下部において、蛍光体層２２（または基板２）の上面の外周部分と接触している。蛍光体層２０はまた、ｎ側接続電極１４ａおよびｐ側接続電極１４ｂと接触し、これらの一部を覆っている。さらに蛍光体層２０は、保護膜１０，全面電極８および反射膜１６等を介して、ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４を覆っている。
【００４８】
なお、発光装置１００の構成を説明するにあたり、蛍光体層２２側を底面（下方向）、反射膜１６側（または樹脂層２０のうち、反射膜１６の上に位置する側）を上面（上方向）として説明しているが、これは、後述するように発光装置１００を製造するに際し、基板２を下にして、その上に、順にｎ型半導体層４、ｐ型半導体層６、全面電極８、保護膜１０、反射膜１６および樹脂層２０等が形成されるためである。
一方、発光装置１００を実装する際には、実装基板の上面とほぼ並行に実装面を配置して、実装面の配線層とｎ側接続電極１４ａおよびｐ側接続電極１４ｂとを接続することから、実装面が底面となり、実装面と反対側の面が上面となる（実装面を下面側とした場合）となる。
【００４９】
発光装置１００の各要素の詳細について説明する。
・ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４
ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４は、発光ダイオード等の任意の発光素子（半導体チップ）に用いる任意の種類のｐ型半導体であってよい。
好ましい例として、ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４が、青色ＬＥＤを形成可能なＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物半導体であることを挙げることができる。この場合、ｐ型半導体層６とｎ型半導体層４との間にこれらよりもハンドギャップエネルギーの小さいＩｎＧａＮ層等を含む発光層（活性層）を有することが好ましい。
ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４は、これに限定されるものではない。例えば、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ等を含む、発光ダイオードに用いる任意の半導体を含む層であってよい。
【００５０】
図１に示す発光装置１００は、蛍光体層２２（または成長基板２（最終の発光装置では除去されていてよい））の上にｎ型半導体層４が形成され、その上にｐ型半導体層６が形成されている。しかし、発光装置１００はこれに限定されるものではなく、蛍光体層２２（または成長基板２（最終の発光装置では除去されていてよい））の上にｐ型半導体層が形成され、その上にｎ型半導体層が形成されている発光装置（発光装置１００に対してｐ型半導体層とｎ型半導体層が入れ替わった発光装置）を含む。
【００５１】
・保護膜１０
保護膜１０は、酸化膜等、発光装置に用いられている任意の材料を用いてよい。
また、この保護膜１０は、誘電体膜を多層にしたＤＢＲ膜としてもよく、これにより、保護膜に反射効果を持たせることができる。
【００５２】
・全面電極８
全面電極８、ｐ型半導体層６内により均一に電流が流れるようにｐ型半導体層６の上面のほぼ全面を覆うように形成される。ＧａＮ等の窒化物半導体のように、電流を均一に流すことが容易でない半導体の上面に設けると効果的である。全面電極に用いる材料としてＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２などの導電性酸化物およびＡｇなどの金属薄膜を例示できる。このなかでも透明電極であるＩＴＯを用いることが好ましい。
【００５３】
・反射膜１６
反射膜１６は、導電性を有し金属ワイヤ１６とｐ側電極１２ｅとを電気的に接続する。これに加えて、ｐ型半導体層６とｎ型半導体層４との間の発光のうち、上（Ｚ方向）に進み、全面電極８、保護膜１０およびｐ側電極１２ｅを透過した光を下方（−Ｚ方向）の例えば蛍光体層２２（または基板２）に向けて反射する機能を有する。これにより発光装置１００の効率を高くすることができる。
反射膜１６は、誘電体膜や金属を用いることができる。この反射膜１６に好ましい金属材料として銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）などを例示できる。また、反射膜１６は、より反射率を高くするために誘電体膜や金属の多層膜を用いることができる。その誘電体膜の多層膜としては、酸化ニオブと酸化ケイ素との多層膜、または酸化チタンと酸化ケイ素との多層膜を用いることができる。このＤＢＲは、少なくも３ペア以上あればよく、上限は特に限定されないが、発光装置の生産性を考慮すると４０ペア程度が上限となる。
さらに好ましくは、上述したＤＢＲとＡｌとを組み合わせたもの、他にもＤＢＲとＡｇとの組み合わせたものを用いることができる。このＤＢＲとＡｇとの組み合わせは、あらゆる入射角に対して反射率が良好であるので、全体的な反射率も高くなる。ＤＢＲと金属材料とを組み合わせた反射膜１６は、多数の材料を使用することになるが、このような多層膜を採用した発光装置は、光の取り出し効率をより高くすることができる。
この反射膜１６がｎ側電極１２ａや金属膜１２ｂを兼ねてもよい。その場合、Ａｌ／Ｔｉ／ＡｕやＡＳＣ／Ｔｉ／ＡｕやＡｌ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡＳＣ／Ｎｉ／Ａｕ、他にもＡＳＣ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕとする。他にも、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／ＡｕやＴｉ／ＡＳＣ／Ｔｉ／ＡｕやＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／ＡＳＣ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／ＡＳＣ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕとする。
【００５４】
・ｎ側電極１２ａ、金属膜１２ｂ、ｐ側電極１２ｅ
ｎ側電極１２ａ、金属膜１２ｂおよびｐ側電極１２ｅは、ｎ型半導体層４またはｐ型半導層に用いる任意の電極材料であってよい。
このような電極材料として、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌなどを用いることができる。
また、ｎ側電極１２ａ、金属膜１２ｂ、ｐ側電極１２ｅは、上述した反射膜を用いることにより省略することができる。
【００５５】
・樹脂層２０
樹脂層２０は任意の種類の樹脂により構成されてよい。好ましい樹脂として、シリコーン樹脂およびエポキシ樹脂などを例示できる。
樹脂層２０は、好ましくは白色の樹脂より成る。樹脂層２０に達した光をより多く反射できるからである。
【００５６】
・Ｐ側接続電極１４ｂ、ｎ側接続電極１４ａ
Ｐ側接続電極１４ｂおよびｎ側接続電極１４ａは、金属等、導電性を有する任意の材料により構成されてよい。好ましい、Ｐ側接続電極１４ｂおよびｎ側接続電極１４ａは、銅または銅合金からなるメッキバンプである。その他にも、Ｐ側接続電極１４ｂやｎ側接続電極１４ａは、Ａｕめっきや積層めっきであってもよい。この積層めっきは、例えばＣｕの電解めっきを行った後、Ｎｉ／Ａｕの無電解めっきを行うものである。
【００５７】
・基板２
基板２は、ｎ型半導体層４（場合によってはｐ型半導体層）を形成できる任意の基板であってよい。好ましい基板２として、サファイア基板、炭化ケイ素基板および窒化ガリウム基板を挙げることができる。なお、半導体層は、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の一般式で示すことができる。また、ｎ型半導体層にはｎ型不純物が含有されており、ｐ型半導体層にはｐ型不純物が含有されている。
【００５８】
・蛍光体層２２
蛍光体層２２を用いる場合、蛍光体層２２は、発光ダイオードを用いた発光装置に用いることができる任意の蛍光体を含んだ層であってよい。
例えば、ｐ型半導体層６およびｎ型半導体層４が、青色ＬＥＤを形成可能なＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物半導体である場合、好ましい蛍光体として、緑色および／または黄色を発光するＹＡＧ系蛍光体およびクロロシリケート蛍光体等のシリケート系蛍光体、赤色を発光する(Ｓｒ,Ｃａ)ＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ等のＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ等のＣＡＳＮ系蛍光体などから選択される１種以上を例示することができる。
【００５９】
このような発光装置１００の動作については説明する。
発光装置１００は、上述したように、実装基板上に実装されて用いられる。この際に、ｎ側接続電極１４ａおよびｐ側接続電極１４ｂが実装基板上の異なる配線と電気的に接続される。このため、電流が、ｐ側接続電極１４ｂ、金属ワイヤ１８、反射膜１６、ｐ側電極１２ｅおよび全面電極８を流れ、ｐ型半導体層６に入る。ｐ型半導体層６からｎ型半導体層４に流れた電流は、ｎ側電極１２ａおよびｎ側接続電極１４ｂを流れて実装基板の配線に流れる。
このように電流が供給されることにより、ｐ型半導体層６とｎ型半導体層４との間から所望の波長の光が発光される。発光の一部は直接下方（図１〜３の−Ｚ方向）に向かい、発光の別の一部は樹脂層２０または反射層１６により反射されて下方に向かい、発光装置１００を出て実装基板に略平行な方向に進む。
【００６０】
蛍光体層２２を設けた場合、蛍光体層２２に入射した光の一部を蛍光体層２２内部の蛍光体が吸収し、当該蛍光体は吸収した光よりも波長の長い光を発する。
【００６１】
（２）発光装置１００の製造方法
次に図４〜図１３を用いて、発光装置１００の製造方法を工程の順序に従って説明する。以下の説明は、発光装置１００の製造方法を例示することを目的とするものであって、発光装置１００の製造方法を限定することを目的とするものではない。
なお、図５〜図１３では１個の発光装置１００に対応する要素が記載されているが、図５〜図１３は、図４に例示するようにウエハ（基板）２上で複数の発光装置１００が同時に形成される課程の１個の発光装置のみを示したものである点に留意されたい。
【００６２】
図４は、基板２に複数の発光装置１００が繋がって形成された発光装置集合体２００の上面図である。なお、図４では図１と同様に樹脂層２０の記載を省略している。
図５（ａ）〜図５（ｄ）、図６（ｅ）〜図６（ｈ）および図７（ｉ）〜図７（ｋ）は、図１のＩＩａ−ＩＩａ断面が形成される過程を示す概略断面図であり、図８（ａ）〜図８（ｄ）、図９（ｅ）〜図９（ｈ）および図１０（ｉ）〜図１０（ｋ）は、図１のＩＩｄ−ＩＩｄ断面が形成される過程を示す概略断面図であり、図１１（ａ）〜図１１（ｄ）、図１２（ｅ）〜図１２（ｈ）および図１３（ｉ）〜図１３（ｋ）は、図１のＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ断面が形成される過程を示す概略断面図である。
なお、図５〜図１３において、例えば「図５（ａ）」の「（ａ）」のように括弧内のアルファベットが同じ図は、同じ工程を完了後の概略断面を示す。また、以下に示す「工程（ａ）」の「（ａ）」ように「工程」の後のアルファベットは図５〜図１３の図の番号の後のアルファベットが同じ図と対応した工程であることを示す。
【００６３】
・工程（ａ）
図５（ａ）、図８（ａ）および図１１（ａ）に示すように、基板２の上にｎ型半導体層４を形成し、その上にｐ型半導体層６を形成した後、ｐ型半導体層６の上面に全面電極８を形成する。
【００６４】
・工程（ｂ）
図５（ｂ）、図８（ｂ）および図１１（ｂ）に示すように、ｐ型半導体層６の外周部をエッチングにより除去し、ｎ型半導体４の上面の外周部を露出させる。
【００６５】
・工程（ｃ）
図５（ｃ）、図８（ｃ）および図１１（ｃ）に示すように、ｎ型半導体層４の外周部をエッチングにより除去し、ｎ型半導体層４の外周の外側に基板２の上面を露出させる。これにより、例えば図５（ｃ）に示すように、ｎ型半導体層４の外周部、ｐ型半導体６の外周部および全面電極８の外周部が階段状となる。
【００６６】
・工程（ｄ）
図５（ｄ）、図８（ｄ）および図１１（ｄ）に示すように、基板２、ｎ型半導体層４、ｐ型半導体層６および全面電極８のそれぞれの露出した部分に保護膜１０を形成する。
ただし、基板２の外周部、全面電極８の上面のうちｐ側電極１２ｅを形成する部分、ならびにｎ型半導体層４の上面および側面のうちｎ側電極１２ｂを形成する部分には、保護膜１０を設けない。
【００６７】
・工程（ｅ）
図６（ｅ）、図９（ｅ）および図１２（ｅ）に示すように、ｎ側電極１２ａ、金属膜１２ｂおよびｐ側接続電極１２ｅを形成する。
これらの電極および金属膜の形成は、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、スパッタリングを行った後、リフトオフにより、レジストパターンおよびその上に形成された金属薄膜を除去することで所望の位置にのみ、金属薄膜を残すことにより行ってもよい。
【００６８】
図４に示すように隣接する２つの発光装置１００の一方のｎ側電極１２ａと他方の金属膜１２ｂとを一体に形成することが好ましい。
図４は、整列して配置され、かつ互いに繋がった複数の発光装置１００から成る発光装置集合体２００を示す。図４では発光装置１００Ａ〜１００Ｆの６つの発光装置１００が示されているが、言うまでもなくこれは例示であって、発光装置集合体２００は２以上の任意の数の発光装置１００を含んでよい。
図４では、例えば、発光装置１００Ｄのｎ側電極１２ａと発光装置１００Ｃの金属膜１２ｂとを金属膜１２として一体で形成している（他の発光装置での同様に一体に形成されているが特に発光装置１００Ｃと発光装置１００Ｄを取り上げて説明する）。
【００６９】
また、個片化を行ったときにｎ側電極１２ａと金属膜１２ｂとが確実に実装面から露出するように、当該金属膜１２は発光装置１００Ｅと発光装置１００Ｆにも形成されている。
この当該金属膜１２は、個片化後、発光装置１００Ｅでは金属膜１２ｃとなり、発光装置１００Ｆでは金属膜１２ｄとなる。
【００７０】
このように一体で金属膜１２を形成することで、個別にｎ側電極１２ａと金属膜１２ｂを形成するよりも少ない面積（図１の平面視において）でｎ側電極１２ａと金属膜１２ｂとを形成できる。また、このような構造とすることで、発光面積が拡大するため、出力が向上する。他にも、生産効率も高い。
【００７１】
・工程（ｆ）
図６（ｆ）、図９（ｆ）および図１２（ｆ）に示すように、ｎ側接続電極１４ａ、ｐ側接続電極１４ａを形成する。
これらの接続電極１４ａ、１４ｂは、例えば、メッキ法により形成できる。
【００７２】
図４に示すように隣接する２つの発光装置１００の一方のｎ側接続電極１４ａと他方のｐ側接続電極１４ｂとを一体に形成することが好ましい。
図４では、例えば、発光装置１００Ｄのｎ側接続電極１４ａと発光装置１００Ｃのｐ側接続電極１４ｂと金属部１４として一体で形成している。
【００７３】
また、個片化を行ったときにｎ側接続電極１４ａとｐ側接続電極金１４ｂとが確実に実装面から露出するように、当該金属部１４は発光装置１００Ｅと発光装置１００Ｆにも形成されている。
この当該金属部１４は、個片化後、発光装置１００Ｅでは金属部１４ｃとなり、発光装置１００Ｆでは金属部１４ｄとなる。
【００７４】
このように一体で金属部１４を形成することで、個別にｎ側接続電極１４ａとｐ側接続電極１４ｂを形成するよりも少ない面積（図１の平面視において）でｎ側接続電極１４ａとｐ側接続電極１４ｂとを形成できる。このような構造とすることで、発光面積が拡大するため、出力が向上する。また生産効率も高くなる。
さらに、このように一体で形成した金属部１４を例えば個片化の際に切断してｎ側接続電極１４ａとｐ側接続電極１４ｂに分割することで、ｎ側接続電極１４ａとｐ側接続電極１４ｂとは、それぞれ、実装面と隣接する別の側面から露出することになる（ｎ側接続電極１４ａは図１〜３のＹ−Ｚ面に平行な２つの側面うち−Ｘ方向側の側面（第２の側面）から露出し、ｐ側接続電極１４ｂは図１〜３のＹ−Ｚ面に平行な２つの側面うちＸ方向側の側面（第３の側面）から露出する。）。
そして、発光装置１００を実装基板に実装する際に、ｎ側接続電極１４ａの第２の側面からの露出部とｐ側接続電極１４ｂの第３の側面からの露出部にもはんだ付け等を行うことにより、発光装置１００を実装基板の配線と、より確実に電気的に接続できる。
【００７５】
・工程（ｇ）
図６（ｇ）、図９（ｇ）および図１２（ｇ）に示すように、保護膜１０の上面およびｐ側電極の上面に反射膜１６を形成する。
反射膜１６は例えば、スパッタリング等により形成できる。
【００７６】
・工程（ｈ）
図６（ｈ）、図９（ｈ）および図１２（ｈ）に示すように、金属ワイヤ１８によりｐ側接続電極１４ｂと反射膜１６とを接続する。好ましくは、金属ワイヤ１８の一端をｐ側接続電極１４ｂの上面にワイヤボンディング（ワイヤボンディング部５８ｂを形成）し、金属ワイヤ１８の他端を反射膜１６の上面にワイヤボンディング（ワイヤボンディング部５８ｅを形成）して接続する。
なお、ワイヤボンディング５８ｂを図１および図９（ｈ）に示すように端部（図１および図９（ｈ）のＸ方向の端部および−Ｙ方向の端部）まで、より確実に形成するようにワイヤボンディング部５８を隣接する他の発光装置１００に至るまで形成し、個片化により個々の発光装置を得る際にワイヤボンディング部５８ｂを得てよい。
すなわち、図４に示した発光装置１００Ｃを例に説明すると、発光装置１００Ｃのワイヤボンディング部５８ｂを形成するために、発光装置１００Ｃに加えて、隣接する３つの発光装置１００Ｄ、発光装置１００Ｅおよび発光装置１００Ｆに亘って１つのワイヤボンディング部５８を形成する。その後の個片化工程において、発光装置１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆが個片化されると、発光装置１００Ｃにワイヤボンディング部５８ｂが形成される。一方、発光装置１００Ｄには、ボンディング部５８ａが形成され、発光装置１００Ｅにはボンディング部５８ｃが形成され、発光装置１００Ｆにはボンディング部５８ｄが形成される。
図４に示す実施形態では、ボンディング部５８ａ、５８ｃ、５８ｄには金属ワイヤはボンディングされない。しかし、このようなボンディング部５８ａ、５８ｃ、５８ｄを形成することで、隣接する他の発光装置に所望の形態のワイヤボンディング５８ｂを得ることができる。
【００７７】
・工程（ｉ）
図７（ｉ）、図１０（ｉ）および図１３（ｉ）に示すように、樹脂層２０を形成する。
樹脂層２０は、金型内に、その上に上記の工程（ａ）〜（ｈ）を経て複数の発光装置１００のための部材が配置されている基板２（図４に示す状態）を配置して圧縮成形を行うことで形成することができる。
この状態で詳細を後述する個片化を行うと、底面が基板２である発光装置１００を得ることができる。
また、個片化の前に以下の工程（ｊ）、または工程（ｊ）および工程（ｋ）を行ってもよい。
【００７８】
・工程（ｊ）
図７（ｊ）、図１０（ｊ）および図１３（ｊ）に示すように、基板２を除去する。
基板２は完全に除去されてよい。基板２の除去は、例えば、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）法により行うことができる。
この状態で個片化を行って発光装置１００を得てもよい。
【００７９】
・工程（ｋ）
図７（ｋ）、図１０（ｋ）および図１３（ｋ）に示すように、蛍光体層２２を設ける。
好ましくは、基板２を除去後、蛍光体層２２を形成する前にｎ型半導体層４の下面を粗面化することが好ましい。粗面化は例えばウエットエッチングにより実施することができる。
蛍光体を含む樹脂を用いて圧縮成形を行うことにより、ｎ型半導体層４の下面に蛍光体層２３を形成することができる。
【００８０】
このようにして、発光装置集合体２００を形成後ダイスにより個片化（得られた複数の発光装置を１個ずつ分離すること）を行うことで発光装置１００を得ることができる。
【符号の説明】
【００８１】
２  基板
４  ｎ型半導体層
６  ｐ型半導体層
８  全面電極
１０  保護膜
１２、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ  金属膜
１２ａ  ｎ側電極
１２ｅ  ｐ側電極
１４、１４ｃ、１４ｄ  金属部
１４ａ  ｎ側接続電極
１４ｂ  ｐ側接続電極
１６  反射膜
１８  金属ワイヤ
２０  樹脂層
２２  蛍光体層
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ  発光装置
２００  発光装置集合体
【図１】
2015053334.tif 000003
【図２】
2015053334.tif 000004
【図３】
2015053334.tif 000005
【図４】
2015053334.tif 000006
【図５】
2015053334.tif 000007
【図６】
2015053334.tif 000008
【図７】
2015053334.tif 000009
【図８】
2015053334.tif 000010
【図９】
2015053334.tif 000011
【図１０】
2015053334.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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