(57)【要約】【課題】高精度の蒸着を必要とせず、またカラーフィルタを使用することなく、高精細化が可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、発光するとＲ色、Ｇ色及びＢ色の波長領域の光をそれぞれ放つＲ発光層（１４４）、Ｇ発光層（１４５）及びＢ発光層（１４６）のうち、Ｒ発光層、Ｇ発光層及びＢ発光層を有し、Ｒ色の光を発光するＲ副画素と、Ｇ発光層及びＢ発光層を有し、Ｇ色の光を発光するＧ副画素と、Ｂ発光層を有し、Ｂ色の光を発光するＢ副画素と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光するとＲ（赤）色、Ｇ（緑）色及びＢ（青）色の波長領域の光をそれぞれ放つＲ発光層、Ｇ発光層及びＢ発光層のうち、前記Ｒ発光層、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層を有し、Ｒ色の光を発光するＲ副画素と、
前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層を有し、Ｇ色の光を発光するＧ副画素と、
前記Ｂ発光層を有し、Ｂ色の光を発光するＢ副画素と、を備える有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記Ｇ副画素及び前記Ｂ副画素は、それぞれ熱処理により無効化された前記Ｒ発光層であるＲ発光無効化層を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記Ｒ発光層のガラス転移温度は、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層のガラス転移温度よりも低い、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記Ｒ発光層のホスト材料又はドーパント材料のガラス転移温度は、Ｇ発光層及びＢ発光層それぞれのホスト材料及びドーパント材料のガラス転移温度よりも低い、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記Ｒ発光層のホスト材料は、ＴＰＤ光受容体、Ｓｐｉｒｏ−ＴＢＤ及びＴＣＢＰＡのうち、少なくとも１つを含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層の少なくともいずれか一つのホスト材料は、ＴＳＢＦ、２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ及びＢＳＢＦのうち、少なくとも１つを含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
発光するとＲ（赤）色、Ｇ（緑）色及びＢ（青）色の波長領域の光をそれぞれ放つＲ発光層、Ｇ発光層及びＢ発光層のうち、前記Ｒ発光層を表示領域の全域に成膜するＲ発光層成膜工程と、
前記Ｇ発光層を、Ｒ色の光を出射するＲ副画素及びＧ色の光を出射するＧ副画素の領域に成膜するＧ発光層成膜工程と、
前記Ｂ発光層を表示領域の全域に成膜するＢ発光層成膜工程と、
成膜された前記Ｒ発光層のうち、Ｂ色の光を出射するＢ副画素及び前記Ｇ副画素の領域に形成された前記Ｒ発光層を熱して無効化する熱処理工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記熱処理工程は、Ｒ発光層のガラス転移温度よりも高く、Ｇ発光層及びＢ発光層のガラス転移温度よりも低い温度により行われる、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記熱処理工程は、レーザーアニールにより行われる、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記Ｒ副画素を遮蔽するマスクを配置するマスク配置工程を更に備え、
前記熱処理工程は、ハロゲンランプヒーターを表示領域の全面に照射することにより行われる、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７又は８に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記Ｒ発光層、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層の成膜された後、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）膜を成膜するＡＴＯ成膜工程を更に備え、
前記熱処理工程は、ハロゲンランプヒーターを表示領域の全面に照射することにより行われる、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro-Luminescent）表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ表示装置」という。）が実用化されている。この有機ＥＬ表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置においてカラー表示を行う有機ＥＬ表示装置は、発光素子が画素毎にＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色をそれぞれ発光するもの、発光素子が白色を発光し、各画素のカラーフィルタがＲＧＢ３色のそれぞれの波長領域を透過させるもの、及びこれらを組み合わせるもの等が知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ表示装置の発光層の成膜には蒸着が用いられることが一般的であるが、ＲＧＢの３色をそれぞれ発光させる有機ＥＬ表示装置では、ＲＧＢの３色の発光層をそれぞれ発光させる画素にマスクを利用してパターニングする必要がある。しかしながら蒸着におけるマスクを用いたパターニングの精度は、フォトリソグラフィによる成膜の精度よりも低く、また、異物の混入やマスクの接触による傷の発生等も起こり得るため、特に高精細の有機ＥＬパネルを製造することは難しい。
【０００５】
一方、すべての画素の発光層を白色とし、カラーフィルタにより３色の光を出射する有機ＥＬ表示装置では、マスクを使用した蒸着工程が不要であるため、高精細化が可能であるが、カラーフィルタによる発光効率の低下、及び発光効率の低下による寿命の低下や、カラーフィルタと発光層とに距離が生じることから隣接する画素から光が出射される混色の恐れがある。
【０００６】
本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、高精度の蒸着を必要とせず、またカラーフィルタを使用することなく、高精細化が可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、発光するとＲ（赤）色、Ｇ（緑）色及びＢ（青）色の波長領域の光をそれぞれ放つＲ発光層、Ｇ発光層及びＢ発光層のうち、前記Ｒ発光層、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層を有し、Ｒ色の光を発光するＲ副画素と、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層を有し、Ｇ色の光を発光するＧ副画素と、前記Ｂ発光層を有し、Ｂ色の光を発光するＢ副画素と、を備える有機ＥＬ表示装置である。
【０００８】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記Ｇ副画素及び前記Ｂ副画素は、それぞれ熱処理により無効化された前記Ｒ発光層であるＲ発光無効化層を有していてもよい。
【０００９】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記Ｒ発光層のガラス転移温度は、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層のガラス転移温度よりも低いこととしてもよい。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記Ｒ発光層のホスト材料又はドーパント材料のガラス転移温度は、Ｇ発光層及びＢ発光層それぞれのホスト材料及びドーパント材料のガラス転移温度よりも低いこととしてもよい。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記Ｒ発光層のホスト材料は、ＴＰＤ光受容体、Ｓｐｉｒｏ−ＴＢＤ及びＴＣＢＰＡのうち、少なくとも１つを含んでいてもよい。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層の少なくともいずれか一つのホスト材料は、ＴＳＢＦ、２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ及びＢＳＢＦのうち、少なくとも１つを含んでいてもよい。
【００１３】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、発光するとＲ（赤）色、Ｇ（緑）色及びＢ（青）色の波長領域の光をそれぞれ放つＲ発光層、Ｇ発光層及びＢ発光層のうち、前記Ｒ発光層を表示領域の全域に成膜するＲ発光層成膜工程と、前記Ｇ発光層を、Ｒ色の光を出射するＲ副画素及びＧ色の光を出射するＧ副画素の領域に成膜するＧ発光層成膜工程と、前記Ｂ発光層を表示領域の全域に成膜するＢ発光層成膜工程と、成膜された前記Ｒ発光層のうち、Ｂ色の光を出射するＢ副画素及び前記Ｇ副画素の領域に形成された前記Ｒ発光層を熱して無効化する熱処理工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、前記熱処理工程は、Ｒ発光層のガラス転移温度よりも高く、Ｇ発光層及びＢ発光層のガラス転移温度よりも低い温度により行われることとしてもよい。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記熱処理工程は、レーザーアニールにより行われる、こととしてもよい。
【００１６】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記Ｒ副画素を遮蔽するマスクを配置するマスク配置工程を更に備え、前記熱処理工程は、ハロゲンランプヒーターを表示領域の全面に照射することにより行われる、こととしてもよい。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記Ｒ発光層、前記Ｇ発光層及び前記Ｂ発光層の成膜された後、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）膜を成膜するＡＴＯ成膜工程を更に備え、前記熱処理工程は、ハロゲンランプヒーターを表示領域の全面に照射することにより行われる、こととしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。
【図２】図１のII−II線における断面を概略的に示す図である。
【図３】図２の有機ＥＬ素子の詳細な層構成について示す断面図である。
【図４】図３の発光有機層の層構成を説明するための図である。
【図５】Ｒ副画素の層構成を概略的に示す図である。
【図６】Ｇ副画素の層構成を概略的に示す図である。
【図７】Ｂ副画素の層構成を概略的に示す図である。
【図８】本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法について概略的に示すフローチャートである。
【図９】本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法について概略的に示すフローチャートである。
【図１０】本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法について概略的に示すフローチャートである。
【図１１】レーザー照射によりアニール処理を行う場合の照射の様子を模式的に示す図である。
【図１２】レーザー照射前後での色度変化を示す表である。
【図１３】遮蔽マスクを用いてハロゲンランプヒーターによりアニール処理を行う場合の照射の様子を模式的に示す図である。
【図１４】ランプ照射前後での色度変化を示す表である。
【図１５】超微粒子膜を用いてハロゲンランプヒーターによりアニール処理を行う場合の照射の様子を模式的に示す図である。
【図１６】ランプ照射前後での色度変化を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】
図１には、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００が概略的に示されている。この図に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１２０及び対向基板１５０の２枚の基板を有し、これらの基板の間には透明樹脂の充填剤２２１（図２参照）が封止されている。有機ＥＬ表示装置１００には、マトリクス状に配置された画素２１０からなる表示領域２０５が形成され、画素２１０はＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色に対応する光が出射される３つの副画素２１２から構成されている。
【００２１】
また、ＴＦＴ基板１２０には、副画素２１２のそれぞれに配置された画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタのデータ信号線に対して画素の階調値に対応する電圧を印加する駆動回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）１８２が載置され、外部から画像信号等を入力するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１８１が取付けられている。また、本実施形態においては、図の矢印に示されるように、ＴＦＴ基板１２０の発光層が形成された側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置としているが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００２２】
図２は、図１のII−II線における断面を概略的に示す図である。この断面図に示されるように、ＴＦＴ基板１２０には、ＴＦＴ回路が形成されたＴＦＴ回路層１２１と、ＴＦＴ回路層１２１上に形成された複数の有機ＥＬ素子１３０と、有機ＥＬ素子１３０を覆って水分を遮断する封止膜１２５と、を有している。有機ＥＬ素子１３０は、副画素２１２の数だけ形成されるが、図では分かりやすく記載するため、省略して記載している。ＴＦＴ基板１２０と対向基板１５０との間の充填剤２２１は、シール剤２２２により封止されている。
【００２３】
図３は、有機ＥＬ素子１３０の詳細な層構成について示す断面図である。有機ＥＬ素子１３０は、画素２１０の各副画素２１２毎に形成され、ＴＦＴ回路層１２１の電極と電気的に接続された下部電極１３１と、絶縁膜で下部電極１３１の端部を覆うことにより、副画素２１２間を分離する画素分離膜１３２と、下部電極１３１及び画素分離膜１３２上に形成され、発光層を含む複数の有機層からなる発光有機層１４０と、発光有機層１４０上において、表示領域２０５を覆うように各副画素２１２で共通に形成され、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電膜からなる上部電極１３３と、を有している。ここで上部電極１３３の材料には、ＩＺＯ以外にＭｇ−ＡｇやＡｌ等を用いることができる。
【００２４】
図４は、発光有機層１４０の層構成を説明するための図である。この図に示されるように発光有機層１４０は、下部電極１３１から正孔を取り入れる正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）１４１と、正孔注入層１４１上に形成され、正孔を輸送する正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）１４２と、正孔輸送層１４２上に形成され、Ｒ色を発光するＲ発光層１４４と、Ｇ副画素及びＢ副画素の正孔輸送層１４２上に形成され、Ｒ発光層１４４であったものが熱処理により無効化されることにより形成されるＲ発光無効化層１４３と、Ｒ副画素及びＧ副画素のＲ発光層１４４及びＲ発光無効化層１４３上に形成され、Ｇ色を発光するＧ発光層１４５と、表示領域２０５全体に形成され、Ｂ色を発光するＢ発光層１４６と、Ｂ発光層１４６上に形成され、電子を輸送する電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）１４７と、を有している。ここで、本実施形態においては、特に示していないが、電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）や、電荷発生層（ＣＧＬ：Charge Generation Layer）、キャリアブロック層を有する構成であってもよい。
【００２５】
ここで、正孔注入層１４１は、例えばＨＡＴ−ＣＮ（６）（1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene- hexacarbonitrile）、ＣｕＰｃ及びＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのいずれかを用いることができる。また、正孔輸送層１４２には、例えば、ＮＰＢ（N,N'-Di-[(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine）を用いることができる。Ｒ発光層１４４は、ホスト材料に、ＴＰＤ光受容体（N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine）、Ｓｐｉｒｏ−ＴＢＤ及びＴＣＢＰＡのうち、少なくとも１つを含んでいてもよい。また、Ｒ発光層１４４のドーパント材料としてＤＣＭ（(E)-2-(2-(4-(dimethylamino)styryl)-6-methyl-4H-pyran-4-ylidene) malononitrile）を用いることができる。
【００２６】
Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６は、ホスト材料に、ＴＳＢＦ（2,7-Bis(9,9-spirobifluoren-2-yl)-9,9-spirobifluorene）、２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ及びＢＳＢＦのうち、少なくとも１つを用いることができる。また、Ｇ発光層１４５のドーパント材料には、Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin）を用いることができ、Ｂ発光層１４６のドーパント材料には、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ（Perylene）を用いることができる。電子輸送層１４７は、Ａｌｑ３（Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum）とＬｉｑ（8-hydroxy-quinolinato-lithium）の共蒸着を用いることができる。ここでＬｉｑの代りにＬｉをもちいてもよく、電子輸送層１４７と上部電極１３３との間に電子注入層を挿入する場合には、Ｌｉ、Ｌｉｑ、ＬｉＯ２及びＬｉＦのいずれかを用いることとしてもよい。
【００２７】
ここで、ＴＰＤのガラス転移温度Ｔｇ（ＴＰＤ）は、ＴＳＢＦのガラス転移温度Ｔｇ（ＴＳＢＦ）よりも低くなっており、これにより、Ｒ発光層１４４のガラス転移温度Ｔｇを、Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６のガラス転移温度Ｔｇより低くなっている。ここで、このようなガラス転移温度Ｔｇの関係とするために、Ｒ発光層１４４に用いられるホスト材料又はドーパント材料のガラス転移温度Ｔｇを、他の発光層のホスト材料及びドーパント材料のガラス転移温度Ｔｇより低くすることができる。尚、ここで言うガラス転移温度とは、各発光層（R発光層、G発光層、およびB発光層）の組成が分解する温度である。
【００２８】
図５は、Ｒ副画素の層構成を概略的に示す図である。この図に示されるように、Ｒ副画素は、Ｒ発光層１４４、Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６を積層しているが、これらの発光層のバンドギャップ幅に基づくキャリア輸送度の順位に基づくと、Ｒ発光層１４４、Ｇ発光層１４５、Ｂ発光層１４６の順に発光しやすい性質を有することとなる。つまり、Ｒ発光層１４４、Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６が積層されることにより、Ｒ発光層１４４が優先的に発光することとなり、Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６は発光しないこととなり、Ｒ色を発光するＲ副画素として機能する。
【００２９】
図６は、Ｇ副画素の層構成を概略的に示す図である。この図に示されるように、Ｇ副画素は、Ｒ発光無効化層１４３、Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６を積層している。Ｒ発光無効化層１４３は、熱処理により組成が分解されて実質的にホール輸送層として働く。したがって、上述したように、バンドギャップ幅に基づくキャリア輸送度の順位に基づくと、Ｇ発光層１４５、Ｂ発光層１４６の順に発光しやすい性質を有することとなるため、Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６が積層されることにより、Ｇ発光層１４５が優先的に発光することとなり、Ｇ色を発光するＧ副画素として機能する。
【００３０】
図７は、Ｂ副画素の層構成を概略的に示す図である。Ｂ副画素は、Ｒ発光無効化層１４３及びＢ発光層１４６を積層している。上述したように、Ｒ発光無効化層１４３は、熱処理により組成が分解されて実質的にホール輸送層として働くため、Ｂ発光層１４６が発光し、Ｂ副画素として機能する。
【００３１】
従って、上述のような層構成を有することにより、各画素はそれぞれＲ、Ｇ、Ｂの各色を発光することができる。
【００３２】
図８〜１２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について概略的に示すフローチャートである。図８に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００の製造方法では、まず、約０．５ｍｍの厚みを持ったガラス又は樹脂からなる透明基板であるＴＦＴ基板１２０に、公知の成膜工程及びフォトリソグラフィ工程によりＴＦＴ回路層１２１を形成する（Ｓ１１）。次に、ＴＦＴ回路層１２１の上層に、各副画素２１２毎に、ＴＦＴ回路層１２１の電極と電気的に接続された下部電極１３１が形成される（Ｓ１２）。例えば、Ａｒ＋Ｏ２の反応性スパッタ法を用いてＩＴＯを成膜し、成膜後ウェットエッチングによるパタニングを実施することにより下部電極１３１を形成することとしてもよい。
【００３３】
引き続き、絶縁膜で下部電極１３１の端部を覆うことにより、副画素２１２間を分離する画素分離膜１３２が形成される（Ｓ１３）。画素分離膜１３２は、例えば、ポリイミドを成膜し、パタニング露光することにより形成することとしてもよい。次に、下部電極１３１及び画素分離膜１３２上に、下部電極１３１から正孔を取り入れる正孔注入層１４１と、正孔を輸送する正孔輸送層１４２とが、順に表示領域２０５を覆うようにラフマスクを用いて蒸着形成される（Ｓ１４）。正孔注入層１４１には、ＨａｔＣＮ６の他、ＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等を用いることができる。ここで、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの場合には塗布法が用いられてもよい。膜厚は約１０ｎｍとすることができる。正孔輸送層１４２には、ＮＰＢ等を用いることができ、膜厚を約５０ｎｍとすることができる。
【００３４】
次に、正孔輸送層１４２上に、Ｒ色を発光するＲ発光層１４４がラフマスクを用いたマスク蒸着法により表示領域２０５を覆うように形成される（Ｓ１５）。Ｒ発光層１４４のホスト材料は、例えばＴＰＤ、Ｓｐｉｒｏ−ＴＢＤ及びＴＣＢＰＡ等とすることができ、ドーパント材料をＤＣＭとすることができる。ここで、膜厚は、例えばＴＰＤ＋ＤＣＭで２０ｎｍとすることができ、ドーパント濃度を３％とすることができる。引き続き、Ｇ発光層１４５が、Ｒ副画素及びＧ副画素の部分にのみ精細マスクを用いて蒸着される（Ｓ１６）。Ｇ発光層１４５は、ホスト材料をＴＳＢＦ、２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ及びＢＳＢＦ等とすることができ、ドーパント材料をＣｏｕｍａｒｉｎ６とすることができる。また、膜厚を２０ｎｍとし、ドーパント濃度を３％とすることができる。ここで精細マスクと記載したが、高精細な画面であったとしても、２副画素分を蒸着するマスクであるため、１副画素分を蒸着する場合よりも精細度を低くすることができる。
【００３５】
また、Ｂ発光層１４６は、ラフマスクを用いたマスク蒸着法により表示領域２０５を覆うように形成される（Ｓ１７）。Ｂ発光層１４６は、ホスト材料をＴＳＢＦとし、ドーパント材料をＰｅｒｙｌｅｎｅとすることができる。また、膜厚を２０ｎｍとすることができ、ドーパント濃度を５％とすることができる。引き続き、電子を輸送する電子輸送層１４７を、ラフマスクを用いたマスク蒸着法により表示領域２０５を覆うように形成する（Ｓ１８）。電子輸送層１４７は、Ａｌｑ３及びＬｉｑの共蒸着を用いて形成することができ、この場合にＬｉｑの濃度を５０ｗｔ％とすることができる。また、Ｌｉｑとの共蒸着のほか、Ｌｉとの共蒸着でもよく、電子輸送層１４７と上部電極１３３との間に電子注入層を挿入する場合には、Ｌｉ、Ｌｉｑ、ＬｉＯ２及びＬｉＦのいずれかを用いることとしてもよい。なお、ＴＰＤのガラス転移温度Ｔｇ（ＴＰＤ）と、ＴＳＢＦのガラス転移温度Ｔｇ（ＴＳＢＦ）との関係は、Ｔｇ（ＴＰＤ）＜Ｔｇ（ＴＳＢＦ）であり、Ｇ有機層及びＢ有機層のガラス転移温度より、Ｒ有機層のガラス転移温度が低くなるようになっている。ホスト材料及びドーパント材料は、これらに限られず、Ｇ有機層及びＢ有機層のガラス転移温度より、Ｒ有機層のガラス転移温度が低くなるように選択される。
【００３６】
なお、本実施形態においては用いていないが、電子注入層、電荷発生層及びキャリアブロック層等を更に成膜することとしてもよい。ここで、上述の発光有機層１４０は、マスクを用いた有機蒸着により成膜することとしたが、一部、もしくは全てをスピンコート法やインクジェット方式の塗布方法であったり、スパッタリング、ＣＶＤ法などにより成膜してもよい。なお、有機蒸着では、Ｗｏ製の蒸着ボートを用いて、１．０×１０＾（−４）Ｐａ以下となる蒸着チャンバーにて成膜を行ってもよい。
【００３７】
引き続き、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電膜からなる各副画素２１２で共通の上部電極１３３を成膜する（Ｓ１８）。ＩＺＯは約１００ｎｍの膜厚をスパッタ法により形成することととしてもよい。ＩＺＯ以外にＭｇ−ＡｇやＡｌを用いてもよい。更に上部電極１３３上にＣＶＤ法によってＳｉＮの封止膜１２５を成膜する（Ｓ１９）。ＳｉＮ成膜時には、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２を混合ガスとし、プラズマを発生させて成膜することができる。ＳｉＮ膜厚は約５００μｍとすることができ、基板温度を５０℃以下として成膜してもよい。
【００３８】
次に、ガラス又はプラスチックからなる透明基板である対向基板１５０に、シール剤２２２及び充填剤２２１を塗布する。シール剤２２２は表示領域２０５の外側を囲むように塗布し、充填剤２２１は、シール剤２２２にて覆われた表示領域２０５に充填するようにＯＤＦ（One Drop Filling）塗布により充填される。この対向基板１５０を、有機ＥＬ素子１３０が形成されたＴＦＴ基板１２０と貼り合わせる（Ｓ２０）。この後、多面取りされたＴＦＴ基板及び対向基板の有機ＥＬパネルがペネットにより切断され、１つの有機ＥＬ表示装置１００となる。
【００３９】
なお、上述したＲ発光層１４４、Ｇ発光層１４５及びＢ発光層１４６の成膜順は任意であり、変更することができる。また、ボトムエミッションの場合には、下部電極をＡｌ等にして、下部電極及び上部電極の材料を入れ替え、成膜順序を反転させることとしてもよい。引き続き、有機ＥＬ表示装置１００は、以下で説明するアニール処理をおこなう。
【００４０】
図１１は、レーザー照射によりアニール処理を行う場合の照射の様子を模式的に示す図であり、図１２は、レーザー照射前後での色度変化を示す表である。この図に示されるように、アニール処理は、Ｇ副画素及びＢ副画素に対して、Ｒ発光層１４４のガラス転移温度Ｔｇを超える８０℃に調整したＹＡＧレーザーを１分間照射することにより行われる。温度調整は、出力の調整とレーザーＤｕｔｙを調整することにより行うことができる。本形態では、ＹＡＧレーザーを用いることとしたが、これ以外のレーザーを用いてもかまわない。図１２において、色度の欄は色度座標系での座標（Ｘ，Ｙ）が示されている。レーザー照射前はＲＧＢすべての画素で色度座標（０．６０，０．４０）のＲ色に属する光を出射していたが、レーザー照射により、Ｇ副画素は色度座標（０．３２，０．５８）のＧ色に属する光を出射し、Ｂ副画素は色度座標（０．１４，０．１９）のＢ色に属する光を出射するように変化していることが分かる。したがって、選択的にアニール処理を行うことにより、選択的にＲ発光層を無効化することができ、Ｂ色及びＧ色を発光させることができる。
【００４１】
図１３は、遮蔽マスク３１１を用いてハロゲンランプヒーター３１０によりアニール処理を行う場合の照射の様子を模式的に示す図であり、図１４は、ランプ照射前後での色度変化を示す表である。この図１３に示されるように、アニール処理は、ハロゲンランプヒーター３１０の光を、遮蔽マスク３１１を介して表示領域２０５全体に照射するものである。ここで、遮蔽マスク３１１は、Ｒ副画素に光を照射しないように、石英ガラスプレートに遮蔽部を設けてあるものを使用している。これにより、ハロゲンランプヒーター３１０の光は、Ｇ副画素及びＢ副画素にのみに照射される。温度の調整は、ハロゲンランプヒーター３１０の出力、および有機ＥＬ表示装置１００及びハロゲンランプヒーター３１０間の距離間により、装置にかかる熱が８０℃となるように調整される。照射時間は１分間とした。図１４に示されるように、図１３のハロゲンランプヒーター３１０及び遮蔽マスク３１１を用いた場合であっても、図１２のレーザー照射によるアニール処理と同様の結果を得ることができる。本形態では、遮蔽マスク３１１に石英ガラスプレートを用いることとしたが、赤外光を透過する材質であればどのような材質でもよく、また遮蔽剤も赤外光を吸収、および反射する材料であれば、その材質は問わない。本形態では、ハロゲンランプヒーター３１０のランプを全面照射するため、図１２のレーザー照射のようなスキャンを行うことなく、選択的にアニール処理を行うことができる。
【００４２】
図１５は、超微粒子膜３１２を用いてハロゲンランプヒーター３１０によりアニール処理を行う場合の照射の様子を模式的に示す図であり、図１６は、ランプ照射前後での色度変化を示す表である。本形態では、有機ＥＬ表示装置１００の上部電極１３３と封止膜１２５との間に、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）による超微粒子膜３１２を設ける。ＡＴＯ超微粒子が分散した透明材料をＲ副画素上に塗布し、熱硬化により固定している。このＡＴＯ分散材料を塗布し、熱硬化する工程以外は、上述した有機ＥＬ表示装置１００の製造方法と同様である。
【００４３】
有機ＥＬ表示装置１００に対向基板１５０側からハロゲンランプヒーターにより装置が８０℃となるように光を照射する。また、ＡＴＯなどの赤外吸収材料はＩＴＯなどもその特徴を持ち、本形態では上部電極１３３と封止膜１２５間で塗布することとしたが、Ｒ副画素の上部であれば、封止膜１２５−充填剤２２１間や、充填剤２２１−対向基板１５０間であってもよい。更に、超微粒子膜３１２の形成方法は、スパッタ法やＣＶＤ法等の他の方法を用いることができる。図１６に示されるように、図１５のハロゲンランプヒーター３１０及びＡＴＯによる超微粒子膜３１２を用いた場合であっても、図１２のレーザー照射によるアニール処理と同様の結果を得ることができる。本形態では、ハロゲンランプヒーター３１０のランプを全面照射するため、図１２のレーザー照射のようなスキャンを行うことなく、選択的にアニール処理を行うことができる。
【００４４】
上述したように、本実施形態によれば、ＲＧＢの各色の発光層の蒸着において、Ｒ発光層１４４及びＢ発光層１４６を表示領域の全面に蒸着し、Ｇ発光層１４５を１副画素より大きい２副画素毎に蒸着するため、１副画素に対しての蒸着処理よりも粗い精度の蒸着処理を１回行うのみとすることができる。これにより、全体として、高精細の表示装置とすることができると共に歩留まりを改善することができる。また、高精細でカラーフィルタを使用しない有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１００  有機ＥＬ表示装置、１２０  ＴＦＴ基板、１２１  ＴＦＴ回路層、１２５  封止膜、１３０  有機ＥＬ素子、１３１  下部電極、１３２  画素分離膜、１３３  上部電極、１４０  発光有機層、１４１  正孔注入層、１４２  正孔輸送層、１４３  Ｒ発光無効化層、１４４  Ｒ発光層、１４５  Ｇ発光層、１４６  Ｂ発光層、１４７  電子輸送層、１５０  対向基板、２０５  表示領域、２１０  画素、２１２  副画素、２２１  充填剤、２２２  シール剤、３１０  ハロゲンランプヒーター、３１１  遮蔽マスク、３１２  超微粒子膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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