(57)【要約】【課題】加工対象面の高さ位置のばらつきを抑制し、糊や接着剤の残存を防ぐことができる加工方法を提供する。【解決手段】被加工物（１１）のデバイス領域（１３）に設けられた凸部（２１）を収容する凹部（３１ｃ）を表面（３１ａ）側に有した支持プレート（３１）を準備する支持プレート準備ステップと、支持プレートの凹部と被加工物の該デバイス領域とを対応させるように被加工物を支持プレート上に載置する位置決めステップと、支持プレート上に載置された被加工物の外周余剰領域（１５）にレーザービーム（４１）を照射して被加工物が支持プレートに溶着した溶着領域（４５）を形成し、被加工物を支持プレート上に固定する結合ステップと、結合ステップを実施した後、被加工物に加工を施す加工ステップと、を備える構成とした。【選択図】図４
2015097221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞した外周余剰領域とを有し、該デバイス領域に凸部を有した被加工物の加工方法であって、
被加工物の該デバイス領域に対応すると共に該凸部を収容する凹部を表面側に有した支持プレートを準備する支持プレート準備ステップと、
該支持プレートの該凹部と被加工物の該デバイス領域とを対応させるように被加工物を該支持プレート上に載置する位置決めステップと、
該支持プレート上に載置された被加工物の該外周余剰領域にレーザービームを照射して被加工物が該支持プレートに溶着した溶着領域を形成し、被加工物を該支持プレート上に固定する結合ステップと、
該結合ステップを実施した後、被加工物に加工を施す加工ステップと、を備えたことを特徴とする加工方法。
【請求項２】
前記加工ステップを実施した後、被加工物を前記溶着領域に沿って分断する分断溝を形成し、被加工物を前記支持プレートから取り外す取り外しステップをさらに備え、
該取り外しステップでは、該分断溝の内周が該溶着領域の内周位置から被加工物の中央側に位置づくよう、該分断溝が形成されることを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
前記溶着ステップでは、前記支持プレート上に載置された被加工物の裏面からレーザービームの集光点を被加工物と支持プレートとの界面に位置付けて該レーザービームを照射することで被加工物の前記外周余剰領域に前記溶着領域を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の加工方法。
【請求項４】
前記溶着領域は、前記支持プレート上に載置された被加工物の側面を含む領域であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハに代表される板状の被加工物を加工する加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面側にデバイスが設けられた半導体ウェーハに代表される被加工物の裏面側を加工する場合には、表面側のデバイスを保護するための保護テープを使用することがある（例えば、特許文献１参照）。保護テープは、基材と、基材上の糊層とで構成されており、糊層に含まれる糊の粘着力によって被加工物の表面側に貼着される。
【０００３】
また、加工時の割れ、欠け等の破損を防ぐために、被加工物を支持する支持プレートを用いることもある（例えば、特許文献２参照）。支持プレートは、被加工物の支持に必要な剛性を備えており、熱可塑性または熱硬化性の樹脂を含む接着剤によって被加工物の表面側に貼着される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１９８５４２号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、保護テープを構成する基材や糊層の厚みはある程度ばらついているので、例えば、被加工物の表面側に、糊層が設けられた保護テープの表面側を貼着すると、保護テープの裏面から被加工物の裏面までの距離は被加工物の面内において一定でなくなる。
【０００６】
同様に、支持プレートと被加工物とに介在する接着剤の厚みを均一にするのは難しいので、例えば、被加工物の表面側に、支持プレートの表面側を貼着すると、支持プレートの裏面から被加工物の裏面までの距離は被加工物の面内において一定でなくなる。
【０００７】
このように、保護テープの裏面または支持プレートの裏面から、加工対象面となる被加工物の裏面までの距離が一定でないと、加工装置の保持テーブルに保持された状態で、被加工物の裏面の高さ位置にばらつきが現れてしまう。加工対象面となる裏面の高さ位置にばらつきのある状態で被加工物を研削加工すると、被加工物の仕上げ厚みを均一にできない。
【０００８】
また、加工後の被加工物から保護テープや支持プレートを除去する際に、糊や接着剤の一部が被加工物に残存してしまうこともある。特に、ＭＥＭＳ等の微細な構造体やバンプ（突起電極）等の突起物が設けられた被加工物の表面側に保護テープや支持プレートを貼着した場合には、構造体や突起物に起因する凹凸に糊や接着剤が残存し、デバイス不良の原因となる恐れもあった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工対象面の高さ位置のばらつきを抑制し、糊や接着剤の残存を防ぐことができる加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、表面にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞した外周余剰領域とを有し、該デバイス領域に凸部を有した被加工物の加工方法であって、被加工物の該デバイス領域に対応すると共に該凸部を収容する凹部を表面側に有した支持プレートを準備する支持プレート準備ステップと、該支持プレートの該凹部と被加工物の該デバイス領域とを対応させるように被加工物を該支持プレート上に載置する位置決めステップと、該支持プレート上に載置された被加工物の該外周余剰領域にレーザービームを照射して被加工物が該支持プレートに溶着した溶着領域を形成し、被加工物を該支持プレート上に固定する結合ステップと、該結合ステップを実施した後、被加工物に加工を施す加工ステップと、を備えたことを特徴とする加工方法が提供される。
【００１１】
また、本発明において、前記加工ステップを実施した後、被加工物を前記溶着領域に沿って分断する分断溝を形成し、被加工物を前記支持プレートから取り外す取り外しステップをさらに備え、該取り外しステップでは、該分断溝の内周が該溶着領域の内周位置から被加工物の中央側に位置づくよう、該分断溝が形成されることが好ましい。
【００１２】
また、本発明において、前記溶着ステップでは、前記支持プレート上に載置された被加工物の裏面からレーザービームの集光点を被加工物と支持プレートとの界面に位置付けて該レーザービームを照射することで被加工物の前記外周余剰領域に前記溶着領域を形成することが好ましい。
【００１３】
また、本発明において、前記溶着領域は、前記支持プレート上に載置された被加工物の側面を含む領域であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、支持プレート上に載置された被加工物の外周余剰領域にレーザービームを照射して被加工物と支持プレートとが溶着した溶着領域を形成するので、糊層や接着剤を用いることなく被加工物を支持プレート上に固定できる。
【００１５】
よって、糊層や接着剤の使用に伴う加工対象面の高さ位置のばらつきを抑制できる。また、被加工物への糊や接着剤の残存を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）は、本実施の形態の加工方法で加工されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、本実施の形態の加工方法においてウェーハを支持する支持プレートの構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】支持プレート準備ステップを模式的に示す斜視図である。
【図３】位置決めステップを模式的に示す斜視図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、結合ステップの第１の態様を模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｃ）は、第１の態様に係る結合ステップ実施後の被加工物等の状態を模式的に示す斜視図である。
【図５】加工ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【図６】取り外しステップの第１の態様を模式的に示す一部断面側面図である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、結合ステップの第２の態様を模式的に示す一部断面側面図であり、図７（Ｃ）は、第２の態様に係る結合ステップ実施後の被加工物等の状態を模式的に示す斜視図である。
【図８】取り外しステップの第２の態様を模式的に示す一部断面側面図である。
【図９】取り外しステップの第３の態様を模式的に示す一部断面側面図である。
【図１０】取り外しステップの第４の態様を模式的に示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態では、表面側にデバイス及びバンプ（凸部）が形成されたウェーハを被加工物とする加工方法について説明するが、本発明はこれに限定されない。例えば、表面側に任意の構造体または突起物を設けたウェーハ等を被加工物としても良い。
【００１８】
本実施の形態の加工方法は、支持プレート準備ステップ（図１及び図２参照）、位置決めステップ（図３参照）、結合ステップ（図４参照）、加工ステップ（図５参照）、取り外しステップ（図６参照）を含む。
【００１９】
支持プレート準備ステップでは、被加工物（ウェーハ）のデバイス領域に対応する凹部が形成された支持プレートを準備する。位置決めステップでは、支持プレートの凹部と被加工物のデバイス領域とを対応させるように被加工物を支持プレート上に載置する。
【００２０】
結合ステップでは、被加工物の外周余剰領域にレーザービームを照射して、被加工物と支持プレートとを溶着、固定する。加工ステップでは、支持プレートに固定された被加工物を加工する。取り外しステップでは、被加工物を分断して支持プレートから取り外す。以下、本実施の形態に係る加工方法の各ステップ等について詳述する。
【００２１】
図１（Ａ）は、本実施の形態の加工方法で加工される被加工物の構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、本実施の形態の加工方法において被加工物を支持する支持プレートの構成例を模式的に示す斜視図である。
【００２２】
図１（Ａ）に示すように、被加工物１１は、例えば、円盤状の半導体ウェーハであり、表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられている。ただし、被加工物１１は、半導体ウェーハに限定されず、ガラス基板やサファイア基板等でも良い。
【００２３】
デバイス領域１３は、格子状に配列されたストリート（分割予定ライン）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１９が形成されている。被加工物１１の外周（側面）１１ｃは面取り加工されており、断面形状は円弧状である。
【００２４】
各デバイス１９上には、複数のバンプ（凸部）２１が配置されている。このバンプ２１は、例えば、略球形の半田ボールであり、各デバイス１９の電極パッドと接続されている。なお、図１（Ａ）では、各デバイス１９上に４個のバンプ２１が配置された構成を例示しているが、バンプ２１の数、配置、大きさ等は任意である。
【００２５】
本実施の形態の加工方法では、まず、上述のような被加工物１１を支持する支持プレートを準備する支持プレート準備ステップを実施する。図１（Ｂ）に示すように、本実施の形態の加工方法で使用される支持プレート３１は、代表的には、被加工物１１と同径の円盤状の板状物であり、被加工物１１を支持するために必要な剛性を備えている。
【００２６】
支持プレート３１の表面３１ａ側には、被加工物１１のデバイス領域１３に対応する凹部３１ｃが形成されている。この凹部３１ｃは、被加工物１１の表面１１ａと支持プレート３１の表面３１ａとを向い合せるように重ねた状態で、バンプ２１を収容できる程度に深く形成されている。すなわち、凹部３１ｃの底と支持プレート３１の表面３１ａとの距離は、バンプ２１のサイズ（直径）より僅かに大きくなっている。
【００２７】
この支持プレート３１は、例えば、平坦な円盤状の板状物を研削することで形成される。図２は、支持プレート準備ステップを模式的に示す斜視図である。支持プレート準備ステップでは、まず、図２に示すように、支持プレート３１の裏面３１ｂ側を研削装置２の保持テーブル４に吸引させる。
【００２８】
次に、保持テーブル４と研削ホイール６とを相対回転させながら、支持プレート３１の表面３１ａ側に、研削ホイール６の研削砥石８を接触させる。ここで、研削砥石８を接触させる領域は、被加工物１１のデバイス領域１３に対応する支持プレート３１の中央領域とする。
【００２９】
この状態で研削ホイール６を徐々に下降させることにより、支持プレート３１を研削して、表面３１ａ側の中央付近に凹部３１ｃを形成できる。なお、この支持プレート準備ステップにおいて使用される研削ホイール６は、支持プレート３１より小径である。
【００３０】
支持プレート３１の材質は、特に限定されないが、被加工物１１の材質と同じであると好ましい。例えば、被加工物１１としてシリコンウェーハを用いる場合には、支持プレート３１にもシリコンウェーハを用いると良い。このように、被加工物１１と支持プレート３１との材質を共通にすることで、加工コストを大幅に増加させることなく、後の結合ステップにおいて被加工物１１と支持プレート３１とを適切に溶着できる。
【００３１】
ただし、支持プレート３１の構成はこれに限定されない。後の結合ステップにおいて被加工物１１と適切に溶着できる剛体板であれば、支持プレート３１として使用できる。例えば、ガラス基板等を上述のように研削して支持プレート３１としても良い。
【００３２】
支持プレート準備ステップの後には、支持プレート３１の凹部３１ｃと被加工物１１のデバイス領域１３とを対応させるように被加工物１１を支持プレート３１上に載置する位置決めステップを実施する。図３は、位置決めステップを模式的に示す斜視図である。
【００３３】
この位置決めステップにおいては、まず、上述した被加工物１１の表面１１ａ側と支持プレート３１の表面３１ａ側とを対向させるように、支持プレート３１の上方に被加工物１１を位置付ける。この時、支持プレート３１の凹部３１ｃに被加工物１１のデバイス領域１３を重ねるようにする。
【００３４】
次に、被加工物１１と支持プレート３１とを接近させて、支持プレート３１上に被加工物１１を載置する。これにより、被加工物１１の表面１１ａと支持プレート３１の表面３１ａとが接触すると共に、被加工物１１のバンプ２１は支持プレート３１の凹部３１ｃに収容される。
【００３５】
位置決めステップの後には、被加工物１１を支持プレート３１に固定する結合ステップを実施する。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本実施の形態に係る加工方法の結合ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｃ）は、結合ステップ実施後の被加工物１１等の状態を示す斜視図である。なお、結合ステップには、図４に示す結合ステップの第１の態様に代えて、後述する結合ステップの第２の態様を適用することもできる。
【００３６】
図４（Ａ）に示すように、結合ステップにおいては、まず、被加工物１１と支持プレート３１との位置関係を保ったまま、支持プレート３１の裏面３１ｂ側をレーザー加工装置１０の保持テーブル１２に吸引させる。次に、被加工物１１の外周余剰領域１５の上方にレーザー加工ヘッド１４を位置付け、保持テーブル１２を回転させながら、被加工物１１に向けてレーザービーム４１を照射する。
【００３７】
レーザービーム４１は、例えば、ＹＡＧ、ＹＶＯ４、Ｅｒ／Ｙｂ／Ｔｍドープファイバー等をレーザー媒質として発振され、上方に露出された被加工物１１の裏面１１ｂ側に照射される。また、レーザービーム４１の集光点４３は、被加工物１１と支持プレート３１との界面（表面１１ａ及び表面３１ａ）の近傍に位置付けられる。レーザービーム４３を集光する光学系は、長焦点距離を可能とするものが好ましい。
【００３８】
レーザービーム４１の波長は特に限定されないが、被加工物１１に吸収され難い波長とすることが好ましい。例えば、被加工物１１としてシリコンウェーハを用いる場合には、赤外領域の波長（例えば、７００ｎｍより長波長）のレーザービーム４１を用いるとよい。
【００３９】
レーザービーム４１をこのような波長とすれば、被加工物１１の内部におけるレーザービーム４１の吸収を抑制して、被加工物１１と支持プレート３１との界面近傍に十分な強度のレーザービーム４１を到達させることができる。
【００４０】
図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示すように、被加工物１１と支持プレート３１との界面近傍に十分な強度のレーザービーム４１が照射されると、被加工物１１の表面１１ａ側の一部と、支持プレート３１の表面３１ａ側の一部とが溶融する。
【００４１】
その結果、被加工物１１の外周余剰領域１５において、被加工物１１と支持プレート３１とを溶着する溶着領域４５が形成され、被加工物１１は、溶着領域４５によって支持プレート３１上に固定される。
【００４２】
この結合ステップでは、保持テーブル１２を回転させながらレーザービーム４１を照射するので、溶着領域４５は、デバイス領域１３を囲む円環状に形成される。ただし、溶着領域４５の形状等はこれに限定されない。溶着領域４５は、少なくとも外周余剰領域１５において、被加工物１１と支持プレート３１とを溶着するように形成されれば良い。
【００４３】
結合ステップの後には、支持プレート３１に固定された被加工物１１を加工する加工ステップを実施する。図５は、本実施の形態に係る加工方法の加工ステップを模式的に示す一部断面側面図である。なお、本実施の形態では、加工ステップの一例として、研削ステップを示している。
【００４４】
図５に示すように、加工ステップ（研削ステップ）においては、まず、支持プレート３１の裏面３１ｂ側を研削装置１６の保持テーブル１８に吸引させる。次に、保持テーブル１８と研削ホイール２０とを相対回転させながら、被加工物１１の裏面１１ｂ側に、研削ホイール２０の研削砥石２２を接触させる。この状態で研削ホイール２０を徐々に下降させることにより、裏面１１ｂ側を研削して被加工物１１を薄く加工できる。
【００４５】
本実施の形態の加工方法では、結合ステップにおいて、糊層や接着剤を用いることなく被加工物１１を支持プレート３１上に固定しているので、被加工物１１の加工対象面となる裏面１１ｂの高さ位置のばらつきを十分に抑制できる。よって、被加工物１１の仕上げ厚みを均一にできる。
【００４６】
なお、研削ステップ以外の加工ステップを実施しても良い。例えば、研削ステップに代えて、ＴＳＶ（スルー・シリコン・ビア）を形成するＴＳＶ形成ステップや、被加工物１１の内部に改質層を形成するレーザー加工ステップ等を実施できる。研削ステップに加えて、ＴＳＶ形成ステップやレーザー加工ステップ等を実施しても良い。
【００４７】
加工ステップの後には、支持プレート３１から被加工物１１を取り外す取り外しステップを実施する。図６は、本実施の形態に係る加工方法の取り外しステップを模式的に示す一部断面側面図である。なお、取り外しステップには、図６に示す取り外しステップの第１の態様に代えて、後述する取り外しステップの第２の態様、第３の態様、または第４の態様を適用することもできる。
【００４８】
取り外しステップにおいては、図６（Ａ）に示すように、まず、支持プレート３１の裏面３１ｂ側を切削装置２４の保持テーブル２６に吸引させる。そして、高速回転する切削ブレード２８を、溶着領域４５の内側に位置付けると共に被加工物１１の裏面１１ｂ側に切り込ませて、保持テーブル２６を回転させる。
【００４９】
切削ブレード２８の切り込み深さは、加工ステップ後の被加工物１１の厚み（ウェーハ部分の厚み、バンプ２１等を除いた厚み）以上とする。これにより、支持プレート３１の表面３１ａに到達する深さの分断溝４７が形成される。切削ブレード２８は、少なくとも、分断溝４７の内周が溶着領域４５の内周より被加工物１１の中央側に形成されるように位置付けられる。
【００５０】
分断溝４７を境に、被加工物１１の中央側（デバイス領域１３側）と外周側（外周余剰領域１５側）とは分断される。そのため、図６（Ｂ）に示すように、支持プレート３１から被加工物１１のデバイス領域１３側を容易に取り外すことができる。
【００５１】
本実施の形態の加工方法では、結合ステップにおいて、糊層や接着剤を用いることなく被加工物１１を支持プレート３１上に固定しているので、支持プレート３１から取り外された被加工物１１への糊や接着剤の残存を防ぐことができる。
【００５２】
以上のように、本実施の形態の加工方法では、レーザービーム４１の照射によって被加工物１１と支持プレート３１とを溶着することで、糊層や接着剤を用いることなく被加工物１１を支持プレート３１上に固定できる。よって、加工対象面となる被加工物１１の裏面１１ｂの高さ位置のばらつきを抑制できる。また、被加工物１１への糊や接着剤の残存を防ぐことができる。
【００５３】
また、例えば、高温の熱処理を含むＴＳＶ形成ステップのような加工ステップを実施する場合にも、糊層や接着剤の耐熱性が問題となることはない。さらに、被加工物１１を、切断によって支持プレート３１から取り外すので、糊層や接着剤を用いる場合のように、薄く加工された被加工物を剥離の際に破損させる恐れもない。
【００５４】
なお、上記実施の形態の結合ステップまたは取り外しステップを、他の態様に変更することもできる。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、結合ステップの第２の態様を模式的に示す一部断面側面図であり、図７（Ｃ）は、第２の態様に係る結合ステップ実施後の被加工物１１等の状態を模式的に示す斜視図である。図８、図９、及び図１０は、それぞれ、取り外しステップの第２の態様、第３の態様、及び第４の態様を模式的に示す一部断面側面図である。
【００５５】
結合ステップの第２の態様では、図７（Ａ）に示すように、支持プレート３１の裏面３１ｂ側をレーザー加工装置１０の保持テーブル１２に吸引させた後、被加工物１１の外周１１ｃの外側にレーザー加工ヘッド１４を位置付ける。そして、保持テーブル１２を回転させながら、レーザービーム４１を照射する。
【００５６】
レーザービーム４１は、例えば、ＹＡＧ、ＹＶＯ４、Ｅｒ／Ｙｂ／Ｔｍドープファイバー等をレーザー媒質として発振され、被加工物１１の側方から被加工物１１と支持プレート３１との界面に向けて照射される。レーザービーム４１の集光点４３は、被加工物１１と支持プレート３１との界面の近傍に位置付けられる。
【００５７】
図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）に示すように、被加工物１１と支持プレート３１との界面近傍に十分な強度のレーザービーム４１が照射されると、被加工物１１の表面１１ａ側の一部（特に、外周１１ｃ側）と、支持プレート３１の表面３１ａ側の一部（特に、外周１１ｃ側）とが溶融する。その結果、被加工物１１の外周余剰領域１５において、特に、外周１１ｃを含む領域に、被加工物１１と支持プレート３１とを溶着する溶着領域４９が形成され、被加工物１１は、溶着領域４９によって支持プレート３１上に固定される。
【００５８】
取り外しステップの第２の態様では、図８（Ａ）に示すように、支持プレート３１の裏面３１ｂ側を切削装置２４の保持テーブル２６に吸引させる。そして、高速回転する切削ブレード２８を、溶着領域４５の内側の縁と重なるように位置付けると共に被加工物１１の裏面１１ｂ側に切り込ませて、保持テーブル２６を回転させる。
【００５９】
切削ブレード２８の切り込み深さは、加工ステップ後の被加工物１１の厚み（ウェーハ部分の厚み、バンプ２１等を除いた厚み）以上とする。これにより、支持プレート３１の表面３１ａに到達する深さの分断溝４７が形成される。分断溝４７を境に、被加工物１１の中央側と外周側とは分断され、図８（Ｂ）に示すように、支持プレート３１から被加工物１１のデバイス領域１３側を容易に取り外すことができる。
【００６０】
取り外しステップの第３の態様では、図９（Ａ）に示すように、まず、支持プレート３１に固定された被加工物１１の裏面１１ｂ側に、円環状のフレーム５１に張られたダイシングテープ５３を貼着する。
【００６１】
次に、ダイシングテープ５３を介して、被加工物１１の裏面１１ｂ側を切削装置２４の保持テーブル２６に吸引させた後に、保持テーブル２６を回転させる。そして、高速回転する切削ブレード２８を溶着領域４５の内側に位置付け、支持プレート３１の裏面３１ｂ側に切り込ませる。
【００６２】
切削ブレード２８の切り込み深さは、支持プレート３１の厚み（凹部３１ｃを考慮しない厚み、表面３１ａから裏面３１ｂまでの厚み）と加工ステップ後の被加工物１１の厚み（ウェーハ部分の厚み、バンプ２１等を除いた厚み）との和以上とする。これにより、ダイシングテープ５３に到達する深さの分断溝４７が形成される。切削ブレード２８は、少なくとも、分断溝４７の内周が溶着領域４５の内周より被加工物１１の中央側に形成されるように位置付けられる。
【００６３】
分断溝４７を境に、被加工物１１の中央側と外周側とは分断される。そのため、図９（Ｂ）に示すように、支持プレート３１から被加工物１１のデバイス領域１３側を容易に取り外すことができる。取り外しステップの第３の態様では、支持プレート３１から取り外された被加工物１１はダイシングテープ５３及びフレーム５１に支持されるので、ハンドリング時における被加工物１１の破損リスクを下げることができる。
【００６４】
取り外しステップの第４の態様では、図１０（Ａ）に示すように、まず、支持プレート３１に固定された被加工物１１の裏面１１ｂ側に、円環状のフレーム５１に張られたダイシングテープ５３を貼着する。
【００６５】
次に、ダイシングテープ５３を介して、被加工物１１の裏面１１ｂ側を切削装置２４の保持テーブル２６に吸引させた後に、保持テーブル２６を回転させる。そして、高速回転する切削ブレード２８を溶着領域４５と重なるように位置付け、支持プレート３１の裏面３１ｂ側に切り込ませる。
【００６６】
切削ブレード２８の切り込み深さは、支持プレート３１の厚み（凹部３１ｃを考慮しない厚み、表面３１ａから裏面３１ｂまでの厚み）と加工ステップ後の被加工物１１の厚み（ウェーハ部分の厚み、バンプ等を除いた厚み）との和以上とする。これにより、ダイシングテープ５３に到達する深さの分断溝４７が形成され、図１０（Ｂ）に示すように、支持プレート３１から被加工物１１のデバイス領域１３側を容易に取り外すことができる。
【００６７】
取り外しステップの第４の態様では、取り外しステップの第３の態様と同様に、支持プレート３１から取り外された被加工物１１はダイシングテープ５３及びフレーム５１に支持されるので、ハンドリング時における被加工物１１の破損リスクを下げることができる。
【００６８】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、切削ブレード２８で分断溝４７を形成することにより支持プレート３１から被加工物１１を取り外す取り外しステップを示しているが、レーザービームの照射によるアブレーション加工で分断溝４７を形成しても良い。
【００６９】
その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００７０】
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  外周（側面）
１３  デバイス領域
１５  外周余剰領域
１７  ストリート（分割予定ライン）
１９  デバイス
２１  バンプ（凸部）
３１  支持プレート
３１ａ  表面
３１ｂ  裏面
３１ｃ  凹部
４１  レーザービーム
４３  集光点
４５  溶着領域
４７  分断溝
４９  溶着領域
５１  フレーム
５３  ダイシングテープ
２  研削装置
４  保持テーブル
６  研削ホイール
８  研削砥石
１０  レーザー加工装置
１２  保持テーブル
１４  レーザー加工ヘッド
１６  研削装置
１８  保持テーブル
２０  研削ホイール
２２  研削砥石
２４  切削装置
２６  保持テーブル
２８  切削ブレード
【図１】
2015097221.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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