(57)【要約】【課題】斜めカットが生じ難く、セラミック基板を高精度に切断し得るセラミック部品の製造方法を提供する。【解決手段】刃先１３ｃが第１の方向Ｘに延びる切断刃１３により未焼成のセラミック基板１をセラミック基板１の厚み方向である第２の方向Ｚ方向に切断し、未焼成のセラミックチップを得る工程を備える、セラミック電子部品の製造方法。切断に際し、第１の側面１３ａ側に配置された第１のガイド２４と、第２の側面１３ｂ側に配置された第２のガイド２６とにより、第１の方向Ｘにおいて隔てられた第１及び第２の位置で切断刃１３を挟持することにより、切断方向を規制しつつ、第１の位置と第２の位置との間では、切断刃１３の第１，第２の側面１３ａ，１３ｂと第１，第２のガイド２４，２６との間に間隔Ａを設け、切断を行なう。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック部品の製造方法であって、
未焼成のセラミック基板を用意する工程と、
刃先が第１の方向に延び、第１の方向に延びる第１，第２の側面を有する切断刃により、前記セラミック基板を、前記第１の方向と直交し、かつ前記セラミック基板の厚み方向である第２の方向に切断し、未焼成のセラミックチップを得る工程と、
前記未焼成のセラミックチップを焼成する工程とを備え、
前記セラミック基板を切断する工程が、前記第１の方向において隔てられた第１及び第２の位置で、前記第１の側面側に配置された第１のガイドと、前記第２の側面側に配置された第２のガイドにより、前記切断刃を挟持することにより切断方向を規制しつつ、前記第１の位置と前記第２の位置との間では、前記切断刃の第１，第２の側面と前記第１，第２のガイドとの間に間隔を設け、前記セラミック基板を前記切断刃により切断する、セラミック部品の製造方法。
【請求項２】
前記セラミック基板を切断する工程において、前記第１，第２のガイドにより前記セラミック基板を押圧した状態で、前記セラミック基板を切断刃により切断する、請求項１に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項３】
前記セラミック基板を切断する工程において、前記第１の位置から第２の位置に至る全長部分において、前記セラミック基板を前記第１，第２のガイドにより押圧する、請求項２に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項４】
未焼成のセラミック基板が、樹脂バインダを含有しており、前記切断刃により未焼成のセラミック基板を切断する工程において、前記未焼成のセラミック基板を加熱しつつ切断する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項５】
前記未焼成のセラミック基板を加熱する温度が、前記樹脂バインダの軟化点以上の温度である、請求項４に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項６】
基板を切断するための切断装置であって、
テーブルと、
前記テーブルの上方に配置されており、かつ刃先が第１の方向に延び、第１の方向に延びる第１，第２の側面を有する切断刃と、
前記切断刃を前記第１の方向と直交する第２の方向である上下方向に移動させるように前記切断刃に連結された切断刃駆動源と、
前記切断刃の第１，第２の側面を押圧し得るように設けられた第１，第２のガイドと、
前記第１，第２のガイドの少なくとも一方を前記切断刃に向かって近接・離間させるように前記第１，第２のガイドを駆動するガイド駆動源とを備え、
前記第１，第２のガイドのそれぞれは、前記第１の方向において隔てられた第１及び第２の位置において前記切断刃に当接される第１，第２の当接部と、前記第１，第２の当接部を連結している連結部とを有し、前記第１，第２の当接部が前記切断刃に当接された際に、連結部は切断刃の第１，第２の側面との間に間隔を設けるように、第１，第２の当接部よりも前記切断刃に対して後退されている、切断装置。
【請求項７】
前記第１，第２のガイドが、基板面を押圧する基板押圧面を有し、
前記第１，第２のガイドを前記テーブルの上面に対して近接・離間させるように、前記第１，第２のガイドを移動させる押圧用駆動源をさらに備える、請求項６に記載の切断装置。
【請求項８】
前記テーブルを加熱するための加熱機構をさらに備える、請求項６または７に記載の切断装置。
【請求項９】
前記基板押圧面が、前記第１の位置と前記第２の位置との間の全長にわたっている、請求項６に記載の切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、未焼成のセラミック基板からセラミックチップを切断する工程を有するセラミック部品の製造方法及び該切断に用いられる切断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサなどのセラミック部品の製造に際しては、未焼成のセラミック基板をまず用意する。この未焼成のセラミック基板を、個々のセラミック部品単位のセラミックチップに切断する。しかる後、セラミックチップを焼成する。下記の特許文献１には、上記セラミック基板を切断するための装置及び方法が開示されている。特許文献１では、切断刃の両側に第１，第２のガイドが配置されている。この第１，第２のガイドを切断刃に密着させて、切断方向を規制する。その状態で切断が行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１０２２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、温度によっては、第１，第２のガイドが熱膨張し、変形することがあった。特に、セラミック基板を加熱しながら切断を行なう場合、第１，第２のガイドが熱膨張で変形しがちであった。第１，第２のガイドが変形すると、第１，第２のガイドで挟持されている切断刃の直線性が悪化することとなる。そのため、得られたセラミックチップの形状の精度が低下することがあった。従って、最終的に得られたセラミック電子部品において、外観不良が生じたり、電気的特性の劣化が生じたりすることがあった。
【０００５】
なお、切断刃の直線性とは、刃先を下にして切断刃を平面視した場合の切断刃の形状の直線性をいうものとする。
【０００６】
他方、ガイドの変形による切断刃の直線性の悪化を防止するには、ガイドを切断刃から隙間を隔てて配置する方法が考えられる。しかしながら、その場合には、切断方向を確実にガイドにより規制することができなくなる。すなわち、切断方向が、セラミック基板の厚み方向に対して斜め方向になるおそれがあった。この斜め方向の切断を、以下斜めカットと称する。
【０００７】
本発明の目的は、斜めカットが生じ難く、かつ切断刃の直線性が悪化し難い、セラミック部品の製造方法及び切断装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るセラミック部品の製造方法は、未焼成のセラミック基板を用意する工程と、刃先が第１の方向に延び、第１の方向に延びる第１，第２の側面を有する切断刃により、前記セラミック基板を、前記第１の方向と直交し、かつ前記セラミック基板の厚み方向である第２の方向に切断し、未焼成のセラミックチップを得る工程と、前記未焼成のセラミックチップを焼成する工程とを備える。本発明では、前記セラミック基板を切断する工程が、前記第１の方向において隔てられた第１及び第２の位置で、前記第１の側面側に配置された第１のガイドと、前記第２の側面側に配置された第２のガイドにより、前記切断刃を挟持することにより切断方向を規制しつつ、前記第１の位置と前記第２の位置との間では、前記切断刃の第１，第２の側面と前記第１，第２のガイドとの間に間隔を設けて、前記セラミック基板を前記切断刃により切断する。
【０００９】
本発明に係るセラミック部品の製造方法のある特定の局面では、前記セラミック基板を切断する工程において、前記第１，第２のガイドにより前記セラミック基板を押圧した状態で、前記セラミック基板を切断刃により切断する。
【００１０】
本発明に係るセラミック部品の製造方法の他の特定の局面では、前記セラミック基板を切断する工程において、前記第１の位置から第２の位置に至る全長部分において、前記セラミック基板を前記第１，第２のガイドにより押圧する。
【００１１】
本発明に係るセラミック部品の製造方法のさらに他の特定の局面では、未焼成のセラミック基板が、樹脂バインダを含有しており、前記切断刃により未焼成のセラミック基板を切断する工程において、前記未焼成のセラミック基板を加熱しつつ切断する。
【００１２】
本発明に係るセラミック部品の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記未焼成のセラミック基板を加熱する温度が、前記樹脂バインダの軟化点以上の温度である。
【００１３】
本発明に係る切断装置は、基板を切断するための切断装置である。本発明に係る切断装置は、テーブルと、前記テーブルの上方に配置されており、かつ刃先が第１の方向に延び、第１の方向に延びる第１，第２の側面を有する切断刃と、前記切断刃を第１の方向と直交する第２の方向である上下方向に移動させるように前記切断刃に連結された切断刃駆動源と、前記切断刃の第１，第２の側面を押圧し得るように設けられた第１，第２のガイドと、前記第１，第２のガイドの少なくとも一方を前記切断刃に向かって近接・離間させるように前記第１，第２のガイドを駆動するガイド駆動源とを備える。本発明に係る切断装置では、前記第１，第２のガイドのそれぞれは、前記第１の方向において隔てられた第１及び第２の位置において前記切断刃に当接される第１，第２の当接部と、前記第１，第２の当接部を連結している連結部とを有し、前記第１，第２の当接部が前記切断刃に当接された際に、連結部は切断刃の第１，第２の側面との間に間隔を設けるように、第１，第２の当接部よりも前記切断刃に対して後退されている。
【００１４】
本発明に係る切断装置のある特定の局面では、前記第１，第２のガイドが、基板面を押圧する基板押圧面を有し、前記第１，第２のガイドを前記テーブルの上面に対して近接・離間させるように、前記第１，第２のガイドを移動させる押圧用駆動源がさらに備えられている。
【００１５】
本発明に係る切断装置の他の特定の局面では、前記テーブルを加熱するための加熱機構がさらに備えられている。
【００１６】
本発明に係る切断装置の別の特定の局面では、前記基板押圧面が、前記第１の位置と前記第２の位置との間の全長にわたっている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るセラミック部品の製造方法及び切断装置によれば、未焼成のセラミック基板を切断するにあたり、切断刃の直線性の悪化を確実に抑制でき、しかも斜めカットが生じ難い。従って、所望の形状のセラミックチップを確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミック部品の製造工程を説明するための部分切欠き正面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態のセラミック部品の製造方法において、第１，第２のガイドを切断刃に当接させた状態を示す部分切欠き正面断面図である。
【図３】本発明の一実施形態のセラミック部品の製造方法において、第１，第２のガイドをセラミック基板に押圧した状態を示す部分切欠き正面断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る切断装置の要部を示す側面図である。
【図５】本発明の一実施形態の切断装置において用いられている切断刃と、第１，第２のガイドとを示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態の切断装置において、切断刃が第１，第２のガイドに挟持されている状態を示す平面断面図である。
【図７】セラミック基板に生じた先行亀裂を説明するための略図的断面図である。
【図８】実験例において生じた切断ラインと、理想切断ラインとの関係を示す、模式的平面図である。
【図９】実験例の評価において求めた斜めカット量と、理想切断面との関係を示す、模式的正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態に係るセラミック部品の製造工程を説明するための部分切欠き正面断面図である。図１に示す製造工程では、未焼成のセラミック基板１を切断し、個々のセラミック電子部品単位の未焼成のセラミックチップを得る。本実施形態では、セラミック基板１は、積層セラミックコンデンサを得るためのマザーのセラミック基板である。セラミック基板１内には、内部電極２と、内部電極３とが厚み方向において交互に配置されている。セラミック基板１を厚み方向に切断し、セラミックチップを得る。
【００２１】
本実施形態では、上記切断を行なうために、切断装置１１が用いられている。切断装置１１は、テーブル１２を有する。テーブル１２上にセラミック基板１が載置されている。
【００２２】
テーブル１２の上方には、切断刃１３が配置されている。切断刃１３は、金属からなる。切断刃１３は、第１，第２の側面１３ａ，１３ｂと刃先１３ｃとを有する。後述するように、切断刃１３が上下方向に移動されて、セラミック基板１が切断される。
【００２３】
切断刃１３は、上端側において、チャック１４に固定されている。なお、以下、切断刃１３の刃先１３ｃが延びる方向、すなわち図１の紙面−紙背方向を第１の方向Ｘとする。そして、図１の上下方向、すなわち第１の方向Ｘと直交しており、セラミック基板１の厚み方向を第２の方向Ｚとする。そして、第１の方向Ｘ及び第２の方向Ｚと直交する方向を第３の方向Ｙとする。
【００２４】
チャック１４は、保持部材１５，１６に固定されている。保持部材１６は、エアシリンダ１７のシリンダロッド１７ａに連結されている。エアシリンダ１７のシリンダロッド１７ａは、Ｙ方向において往復移動され得る。それに伴って、チャック１４及び切断刃１３もＹ方向において往復駆動され得る。
【００２５】
エアシリンダ１７は、保持部材１８に固定されている。保持部材１８は、プレート１９の下面に固定されている。プレート１９は、略図的に示す駆動源２７に連結されている。駆動源２７は、プレート１９を上下方向に、すなわちＺ方向において往復移動させる。
【００２６】
プレート１９の下面には、第１，第２のエアシリンダ２０，２１が固定されている。エアシリンダ２０はシリンダロッド２０ａを有する。シリンダロッド２０ａは、第２の方向Ｚにおいて往復移動され得る。シリンダロッド２０ａの先端にガイド駆動源としてのエアシリンダ２２が固定されている。エアシリンダ２２のシリンダロッド２２ａは、Ｙ方向において往復移動され得る。シリンダロッド２２ａの先端にガイド保持部材２３が固定されている。このガイド保持部材２３に、第１のガイド２４が固定されている。
【００２７】
他方、エアシリンダ２１はシリンダロッド２１ａを有する。シリンダロッド２１ａは、シリンダロッド２０ａと同期してＺ方向に往復移動され得るように構成されている。シリンダロッド２１ａの先端に、ガイド保持部材２５が固定されている。ガイド保持部材２５に、第２のガイド２６が固定されている。第１のガイド２４は、切断刃１３の第１の側面１３ａ側に配置されている。第２のガイド２６は、切断刃１３の第２の側面１３ｂ側に配置されている。
【００２８】
本実施形態の切断装置１１の特徴は、上記第１，第２のガイド２４，２６を有することにある。図４は、ガイド２４、ガイド保持部材２３及びエアシリンダ２２が設けられている部分を略図的に示す側面図である。図４から明らかなように、ガイド２４を保持しているガイド保持部材２３には、Ｘ方向に沿って複数のエアシリンダ２２が連結されている。また、各エアシリンダ２２に図１に示したシリンダロッド２２ａが連結されている。従って、図１に示したエアシリンダ２０も、Ｘ方向に沿って複数配置されている。また、図１に示したエアシリンダ２１についても、Ｘ方向において複数配置されている。
【００２９】
図５は、上記切断刃１３と、第１，第２のガイド２４，２６の構造を説明するための斜視図である。切断刃１３の刃先１３ｃが延びる方向は前述した第１の方向Ｘである。他方、第１の側面１３ａ側に第１のガイド２４が、第２の側面１３ｂ側に第２のガイド２６が配置される。
【００３０】
第１のガイド２４は、第１，第２の当接部２４ａ，２４ｂを有する。第１の当接部２４ａと、第２の当接部２４ｂとは、第１の方向Ｘにおいて隔てられている。すなわち、Ｘ方向に隔てられた第１の位置に第１の当接部２４ａが、第２の位置に第２の当接部２４ｂが位置している。第１，第２の当接部２４ａ，２４ｂは、第１の側面１３ａに当接される部分である。第１のガイド２４は、第１の当接部２４ａと、第２の当接部２４ｂとを結んでいる連結部２４ｃを有する。連結部２４ｃは、板状の形状を有する。連結部２４ｃは、第１，第２の当接部２４ａ，２４ｂよりも、第１の側面１３ａに対して後退されている。言い換えれば、連結部２４ｃの厚みすなわちＹ方向に沿う寸法は、当接部２４ａ，２４ｂの厚みよりも薄くされている。連結部２４ｃよりも、第１，第２の当接部２４ａ，２４ｂが切断刃１３の第１の側面１３ａ側に突出されている。
【００３１】
特に限定されないが、本実施形態では、第１，第２の当接部２４ａ，２４ｂの第１の側面１３ａに当接される表面層２４ａ１，２４ｂ１が、他の部分と異なる材料で構成されている。より具体的には、表面層２４ａ１，２４ｂ１は、第１のガイド２４の残りの部分よりも硬度が高い材料からなる。それによって、表面層２４ａ１，２４ｂ１の磨耗を抑制することができる。
【００３２】
もっとも、第１のガイド２４の当接部２４ａ，２４ｂは、第１のガイド２４の他の部分と同じ材料で構成されていてもよい。
【００３３】
上記第１のガイド２４は、好ましくは金属からなる。もっとも、剛性の高いセラミックスを用いてもよい。
【００３４】
第２のガイド２６も同様に、第１，第２の当接部２６ａと、第２の当接部２６ｂと、連結部２６ｃとを有する。第１，第２の当接部２６ａ，２６ｂは、表面層２６ａ１，２６ｂ１を有する。表面層２６ａ１，２６ｂ１は、表面層２４ａ１，２４ｂ１と同様に構成されている。
【００３５】
本実施形態では、第１，第２のガイド２４，２６を切断刃１３の第１の側面１３ａ及び第２の側面１３ｂにそれぞれ当接させて切断を行なう。それによって、切断刃の直線性を確保する。図６は、第１，第２のガイド２４，２６を切断刃１３の第１，第２の側面１３ａ，１３ｂに当接させた状態を示す平面図である。図６から明らかなように、当接部２４ａ，２４ｂの表面層２４ａ１，２４ｂ１が第１の側面１３ａに当接されている。他方、当接部２６ａ，２６ｂの表面層２６ａ１，２６ｂ１が第２の側面１３ｂに当接されている。この場合、連結部２４ｃ，２６ｃは、第１の側面１３ａ及び第２の側面１３ｂに対して、それぞれ間隔Ａを空けて隔てられている。
【００３６】
従って、第１，第２のガイド２４，２６を用いた場合、切断刃１３の刃先１３ｃの延びる方向において、上記間隔Ａを隔てられた部分が存在するため、切断刃１３は、第１，第２のガイド２４，２６の熱膨張による変形の影響を受け難い。他方、第１の位置では、第１の当接部２４ａ，２６ａにより挟持されており、第２の位置では、切断刃１３は、当接部２４ｂ，２６ｂにより挟持されている。従って、切断刃１３の刃先の直線性すなわち第１の方向に沿う刃先１３ｃの直線性は確保される。
【００３７】
それによって、図１に示したセラミック基板１の切断に際し、切断刃１３により、セラミック基板１を所望の方向に確実に切断することができる。従って、所望の寸法及び形状のセラミックチップを確実に得ることができる。
【００３８】
また、上記第１，第２の当接部２４ａ，２６ａ，２４ｂ，２６ｂの下面２４ａ２，２６ａ２，２４ｂ２，２６ｂ２は、切断に際しセラミック基板１の上面を押圧する。すなわち、下面２４ａ２，２４ｂ２，２６ａ２，２６ｂ２が、基板押圧面を構成している。のみならず、連結部２４ｃ，２６ｃの下面もまた基板押圧面を構成している。従って、以下に述べる製造方法から明らかなように、第１，第２のガイド２４，２６により切断されるセラミック基板１の上面を確実に押さえ、その状態で切断刃１３による切断を行なうことができる。
【００３９】
次に、図１〜図３を参照して、具体的な製造方法の要部をより詳細に説明する。
【００４０】
図１は、切断前の初期状態を示す。
【００４１】
なお、図１並びに後述の図２及び図３では、ガイド２４，２６の第１の当接部２４ａ，２６ａが設けられている部分のＹ方向に沿う断面が示されている。従って、連結部２４ｃ，２６ｃは図１では図示されず、図１の紙面より手前側に位置していることになる。
【００４２】
図１に示すように、テーブル１２上に未焼成のセラミック基板１を載置する。次に、エアシリンダ２２を駆動し、第１のガイド２４を切断刃１３の第１の側面１３ａに向かって押圧する。同様に、エアシリンダ１７を駆動し、切断刃１３をＹ方向において、第２のガイド２６側に移動させる。それによって、図２に示すように、切断刃１３の第２の側面１３ｂが第２のガイド２６に当接される。さらに、第１のガイド２４により第１の側面１３ａが押圧される。すなわち、第１，第２のガイド２４，２６により切断刃１３が挟持される。よって、図６に示した構造が実現される。
【００４３】
次に、図２に示す状態から、プレート１９を駆動源２７により下方に移動させる。それによって、図３に示すように、第１，第２のガイド２４，２６の下面をセラミック基板１の上面に当接させる。すなわち、第１，第２のガイド２４，２６の当接部２４ａ，２６ａの下面２４ａ２，２６ａ２がセラミック基板１の上面を押圧することとなる。従って、駆動源２７は第１，第２のガイド２４，２６をテーブル１２の上面に対して近接・離間させる押圧用駆動源として機能する。他の基板押圧面部分もセラミック基板１の上面を押圧することとなる。この状態で、駆動源２７により、プレート１９を下方に移動させ、切断刃１３を下方に、すなわち第２の方向に沿って移動させ、セラミック基板１を切断する。従って、駆動源２７は、切断刃駆動源としても機能する。
【００４４】
切断に際しては、上記第１，第２の当接部２４ａ，２６ａ，２４ｂ，２６ｂにより切断刃１３の直線性が確保されている。従って、刃先１３ｃの直線性が保たれる。よって、高い直線性でセラミック基板を切断できる。
【００４５】
さらに、好ましくは、加熱下において切断を行なうことが望ましい。それによって、セラミック基板１をより一層高精度にかつ容易に切断することができる。この場合、加熱すると、ガイド２４，２６が熱膨張するおそれがある。しかしながら、本実施形態では、上記連結部２４ｃ，２６ｃが、図６に示した間隔Ａを隔てて切断刃１３の第１，第２の側面１３ａ，１３ｂから隔てられている。従って、熱膨張による変形の影響も生じ難い。よって、セラミック基板１から所望の形状のセラミックチップを高精度に切り出すことが可能となる。
【００４６】
なお、上記切断に際して加熱する必要は必ずしもないが、上記のように未焼成のセラミック基板１を切断する場合には加熱することが望ましい。
【００４７】
加熱によりセラミック基板１が柔らかくなる。切断時に、切断刃１３がセラミック基板１に進入すると、切断刃１３の分だけ体積が増加する。加熱しなかった場合には、上記体積増加にセラミック基板１が追従できないおそれがある。その結果、切断刃１３の先端部よりも先の部分において、先行亀裂が生じるおそれがある。すなわち、図７に矢印Ｂで示すような先行亀裂が、セラミック基板１に生じることとなる。その場合には、切断面が平滑でなくなり、凹凸を有することとなる。これに対して、上記のように加熱すれば、このような先行亀裂の発生を確実に抑制することができる。従って、切断面の品質を高めることができる。
【００４８】
未焼成のセラミック基板は、通常、セラミック粒子以外に樹脂バインダを含有している。従って、加熱しつつ切断することが好ましい。より好ましくは、加熱温度を、上記樹脂バインダの軟化点の温度以上、より好ましくは軟化点＋１０℃以上の温度とすることが望ましい。例えば、樹脂バインダがアクリル系樹脂の場合、その軟化点は約６０℃である。その場合には、加熱温度は６０℃以上、より好ましくは７０℃以上とすることが望ましい。それによって、切断をより一層容易にかつ高精度に行なうことができる。
【００４９】
なお、上記実施形態では、第１の当接部２４ａと第２の当接部２４ｂとが、第１のガイド２４において、第１の方向両端に設けられていた。もっとも、第１の当接部２４ａと、第２の当接部２４ｂとが、第１の方向において隔てられておればよい。従って、第１の位置及び第２の位置は、ガイド２４の端部でなくともよい。
【００５０】
また、第１の当接部２４ａと第２の当接部２４ｂが設けられていたが、３以上の当接部が第１の方向に沿って設けられていてもよい。
【００５１】
さらに、基板押圧面は、上記実施形態では、第１のガイド２４の第１の方向全長にわたり設けられていた。もっとも、基板押圧面についても、第１の方向においてガイド２４の全長にわたり設けられる必要は必ずしもない。
【００５２】
切断に際しては、切断刃１３が、第１，第２のガイド２４，２６により切断方向を規制された状態で未焼成のセラミック基板１に進入する。従って、切断刃１３が薄い場合であっても、あるいはセラミック基板１の厚みが厚い場合であっても、切断刃１３によりセラミック基板１を安定に切断することができる。
【００５３】
本実施形態のセラミック部品の製造方法では、上記のようにして未焼成のセラミックチップを得る。そして、未焼成のセラミックチップを周知の焼成方法に従って焼成することにより、セラミック焼結体を得る。このセラミック焼結体の外表面に外部電極を形成することにより、積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００５４】
もっとも、本発明のセラミック部品の製造方法は積層セラミックコンデンサに限らず、様々な積層セラミック電子部品の製造方法に適用することができる。また、積層構造を有しないセラミック部品の製造にも本発明を適用することができる。
【００５５】
次に、具体的な実験例につき説明する。
【００５６】
高誘電率系誘電体セラミックスと、樹脂バインダとを含むセラミック層と、Ｎｉからなる内部電極とが交互に積層されている未焼成のセラミック基板１を用意した。この未焼成のセラミック基板１の厚みは０．４ｍｍとした。また、上記樹脂バインダとしてはアクリル樹脂系バインダが含有されており、軟化点は約６０℃である。
【００５７】
上記未焼成のセラミック基板１を、上記実施形態の切断装置１１を用いて切断した。切断刃１３の材料は超硬合金とした。切断刃１３の刃先の第１の方向に沿う寸法である長さは未焼成のセラミック基板１の長さの＋２０ｍｍとした。また切断刃１３の厚みは０．１ｍｍとした。
【００５８】
以下の比較例１，２及び実施例１の条件に従って、切断を行なった。
【００５９】
（比較例１）
第１，第２のガイドとして、矩形板状の金属からなるガイドを用い、第１，第２のガイドを第１の方向の全長にわたり切断刃の側面に当接させた。すなわち間隔を隔てずに第１，第２のガイドを切断刃に当接させた。
【００６０】
（比較例２）
比較例１と同じ第１，第２のガイドを用い、ただし切断刃の側面とガイドとの隙間を０．１ｍｍとした。この隙間は、上記第１の方向全長にわたり設けられていることになる。
【００６１】
（実施例１）
第１のガイド２４及び第２のガイド２６を用い、連結部２４ｃ，２６ｃにおける間隔Ａを０．１ｍｍとした。第１，第２の当接部２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂを切断刃の側面に当接させた。第１，第２の当接部２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂの第１の方向に沿う寸法は１０ｍｍとした。第１の当接部２４ａ，２６ａと第２の当接部２４ｂ，２６ｂとの間の間隔は未焼成のセラミック基板１の長さよりも大きくした。
【００６２】
また、実施例１及び比較例１，２のいずれにおいても、ガイドの下面をセラミック基板１に当接させ、９０℃の温度に加熱して切断を行なった。この切断結果について直線性ズレ量及び斜めカット量を測定することにより評価した。
【００６３】
（直線性ズレ量）
セラミック基板に切断刃が進入することにより形成された切断ラインの直線性を評価した。図８に模式的平面図で示すように、実際の切断ラインＣの上端を結んだ理想の切断ラインＤに対し、実際の切断ラインＣが最も離れている部分までの距離を直線性ズレ量とした。この直線性ズレ量を測長機により測定した。
【００６４】
（斜めカット量）
得られたセラミックチップにおける切断面が、図９に略図的正面図で示すように、理想切断面Ｅから実際の切断面Ｆのずれ量を斜めカット量とした。
【００６５】
結果を下記の表１に示す。
【００６６】
【表１】
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【００６７】
なお、表１の結果は、各例についてｎ＝２５の平均値である。
【００６８】
表１から明らかなように、比較例１では、直線性ズレ量が２１μｍと大きかった。これは、ガイドと切断刃との間に隙間がないため、ガイドの熱変形の影響を受けたものと考えられる。
【００６９】
比較例２では、直線性ズレ量が良好であるが、斜めカット量が１８μｍと大きかった。これは、ガイドと切断刃との間において、第１の方向全長にわたり隙間が設けられていたためと考えられる。
【００７０】
これに対して、実施例１では、直線性ズレ量及び斜めカット量のいずれもが小さく、所望の形状のセラミックチップの得られていることがわかる。
【符号の説明】
【００７１】
１…セラミック基板
２，３…内部電極
１１…切断装置
１２…テーブル
１３…切断刃
１３ａ，１３ｂ…第１，第２の側面
１３ｃ…刃先
１４…チャック
１５，１６，１８…保持部材
１７，２０，２１，２２…エアシリンダ
１７ａ，２０ａ，２１ａ，２２ａ…シリンダロッド
１９…プレート
２３，２５…ガイド保持部材
２４，２６…第１，第２のガイド
２４ａ，２６ａ…第１の当接部
２４ｂ，２６ｂ…第２の当接部
２４ａ１，２４ｂ１，２６ａ１，２６ｂ１…表面層
２４ａ２，２４ｂ２，２６ａ２，２６ｂ２…下面
２４ｃ，２６ｃ…連結部
２７…駆動源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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