(57)【要約】【課題】低コストで高温耐久性に優れた接合を可能にし、接合部の酸化阻止による接合強度の確保や、半導体チップの上下電極間における沿面絶縁距離の維持を実現する半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１の接合面と、配線金属３の少なくとも接合面との間に、各接合面の金属と共晶反応を生じる金属を含むインサート材４を介在させると共に、上記接合面の酸化皮膜を破壊するための凹凸５を配線金属３の接合面に設け、半導体チップ２と配線金属３とを相対的に加圧及び加熱することにより接合界面の少なくとも一部において双方を直接接合して成る構造を有し、配線金属３の接合面の凹凸５が、少なくとも一方向に連続しており、連続方向の一方側の凹部５Ｂの断面積に対して、他方側の凹部５Ｂの断面積を大きくした形状である半導体装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの接合面と、配線金属の少なくとも接合面との間に、各接合面の金属と共晶反応を生じる金属を含むインサート材を介在させると共に、上記接合面の酸化皮膜を破壊するための凹凸を配線金属の接合面に設け、半導体チップと配線金属とを相対的に加圧及び加熱することにより接合界面の少なくとも一部において双方を直接接合して成る構造を有する半導体装置であって、
配線金属の接合面の凹凸が、少なくとも一方向に連続しており、連続方向の一方側の凹部の断面積に対して、他方側の凹部の断面積を大きくした形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップが、接合面にアルミニウム系金属を備えると共に、配線金属が、少なくとも接合面にアルミニウム系金属を備え、インサート材が、Ｚｎを主成分とする金属であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
配線金属の接合面の凹凸が、連続方向の一方側から他方側にかけて凹部の断面積を漸次増大させた形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
配線金属の接合面の凹凸が、連続方向の一方側から他方側にかけて凹部の断面積を段階的に増大させた形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップと配線金属とを接合して成る半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置、特に、大電流密度の所謂ハイパワーモジュールと称する半導体装置においては、高温環境下でも使用可能であることが要求されている。そのため、半導体装置の実装構造においては、高温に保持されたり、高温熱サイクルを受けたりした場合の高温耐久性に優れた接合部が強く望まれている。また、環境保全の観点からすると、Ｐｂ（鉛）フリーの接合技術が必須となっている。
【０００３】
このような半導体装置の実装のための接合には、現状では、Ｓｎ（錫）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（銅）系のはんだが広く使われているが、使用温度がはんだの融点（例えば２００℃程度）以下に制限される。また、例えば、電極がＣｕである接合部においては、界面にＣｕ−Ｓｎ系の脆い金属間化合物層が生成し、高温耐久性に乏しいものとなる。そのため、接合部の高温耐久性を確保するために、いろいろな試みがなされている。
【０００４】
例えば、金属ナノ粒子の活性な表面エネルギーを利用して、低温にて凝集、接合する低温接合工法が提案されている（特許文献１参照）。この接合工法を用いれば、凝集した後の接合界面はバルク金属となるため、高い、高温耐久性を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２８３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の低温接合工法では、金属ナノ粒子として、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）といった貴金属を用い、このような金属ナノ粒子の表面に有機物を修飾したような構造をとるため、非常に高コストなものとなり、実際に適用するには現実的ではない。また、粒子が凝集した構造となり、しかも有機物が接合プロセス時にガス化して、残存することから接合部にはボイドが存在するため、継手強度のバラツキの大きいものとなるという問題がある。
【０００７】
なお、高温はんだとしてはこの他に、Ａｕ系の組成を有するものとして、Ａｕ−Ｇｅ（ゲルマニウム）系はんだや、Ａｕ−Ｓｎ系はんだがあるが、これらも、貴金属であるＡｕを用いているため、非常に高コストなものとなり、上記同様、現実的ではない。
【０００８】
本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、低コストで高温耐久性に優れた接合を可能にすると共に、その接合の際に、接合部の酸化を阻止して充分な接合強度を確保しつつ、半導体チップの上下にある電極間の沿面絶縁距離を適切に維持することができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係わる半導体装置は、半導体チップの接合面と、配線金属の少なくとも接合面との間に、各接合面の金属と共晶反応を生じる金属を含むインサート材を介在させると共に、上記接合面の酸化皮膜を破壊するための凹凸を配線金属の接合面に設け、半導体チップと配線金属とを相対的に加圧及び加熱することにより接合界面の少なくとも一部において双方を直接接合して成る構造を有している。そして、半導体装置は、配線金属の接合面の凹凸が、少なくとも一方向に連続しており、その連続方向の一方側の凹部の断面積に対して、他方側の凹部の断面積を大きくした形状であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置は、インサート材を介して半導体チップ及び配線金属を相対的に加圧しながら加熱することで、配線金属の接合面に設けた凹凸により接合面の酸化皮膜を破壊すると共に、接合面とインサート材との間に共晶反応を生じさせ、低温、低加圧で酸化皮膜を除去して、半導体チップと配線金属とを強固に接合する。ここで、半導体チップや配線金属の接合面には、アルミニウム系金属を採用することができると共に、インサート材には、アルミニウム系金属と共晶反応を生じるものとして、Ｚｕ（亜鉛）を主成分とする金属を採用することができる。
【００１１】
また、半導体装置は、その製造過程において、半導体チップと配線金属との接合界面に生じた共晶反応溶融物を上記酸化皮膜と共に排出物として半導体チップの外側へ排出する。これにより、半導体装置は、半導体チップと配線金属とが、双方の接合界面において直接接合され、この直接接合部の周囲において、共晶反応溶融物及び酸化皮膜から成る排出物が存在している。よって、インサート材は、上記の接合界面に生じた共晶反応溶融物及び酸化皮膜を排出物として半導体チップの外側へ排出し得る大きさ（体積）であり、このような大きさにすることで接合部が大気に接触しないようにする。
【００１２】
このとき、半導体装置は、配線金属の接合面の凹凸が、少なくとも一方向に連続しており、その連続方向の一方側の凹部の断面積に対して、他方側の凹部の断面積を大きくした形状になっているので、その他方側に上記排出物の流れが促進される。これにより、半導体チップの外側に上記排出物が厚くはみ出さないようにし、半導体チップの上下にある電極間の沿面絶縁距離が上記排出物によって短くなるのを防止する。
【００１３】
このようにして、半導体装置は、貴金属やＰｂを用いることなく、低コストで高温耐久性に優れた接合を可能にすると共に、その接合の際に、接合部の酸化を阻止して充分な接合強度を確保しつつ、半導体チップの上下にある電極間の沿面絶縁距離を適切に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係わる半導体装置の第１実施形態を説明する平面図（Ａ）、図１Ａ中のＡ−Ａ線に基づく半導体装置の接合前の断面図（Ｂ）、及び図１Ａ中のＣ−Ｃ線に基づく要部の断面図（Ｃ）である。
【図２】図１Ａ中のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に基づく凹凸の断面図である。
【図３】凹凸の形成方法を説明する各々斜視図（Ａ）（Ｂ）である。
【図４】図１Ａ中のＡ−Ａ線に基づく半導体装置の接合後の断面図（Ａ）、図１Ａ中のＣ−Ｃ線に基づく半導体装置の接合後の断面図（Ｂ）、及び製造後の半導体装置の断面図（Ｃ）である。
【図５】半導体装置の第２実施形態における凹凸を説明する平面図（Ａ）、図５Ａ中のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に基づく凹凸の断面図（Ｂ）である。
【図６】半導体装置の第３実施形態における凹凸を説明する平面図（Ａ）、図５Ａ中のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に基づく凹凸の断面図（Ｂ）、並びに図５Ｂ中のＤ−Ｄ線に基づく凹凸の断面図（Ｃ）である。
【図７】凹凸の形成方法のさらに他の例を示す各々斜視図（Ａ）（Ｂ）である。
【図８】凹凸の形成方法のさらに他の例を示す各々平面図（Ａ）（Ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
〈第１実施形態〉
図１に示す半導体装置１は、半導体チップ２の接合面と、配線金属３の少なくとも接合面との間に、各接合面の金属と共晶反応を生じる金属を含むインサート材４を介在させている。さらに、半導体装置１は、上記接合面の酸化皮膜を破壊するための微細な凹凸５を配線金属３の接合面に設け、半導体チップ２と配線金属３とを相対的に加圧及び加熱することにより、接合界面の少なくとも一部において半導体チップ２と配線金属３とを直接接合した構造を有している。
【００１６】
図示例の半導体チップ２は、平面視で正方形状を成し、図１（Ｂ）に示すように、基板２Ａの上下に上側電極２Ｂ及び下側電極２Ｃを夫々設けた三層構造である。この実施形態の半導体チップ２は、少なくとも下側電極２Ｃがアルミニウム系金属から成り、この下側電極２Ｃの下面が配線金属３との接合面である。
【００１７】
配線金属３は、平面視で半導体チップ１よりも充分に大きい正方形状を成すと共に、アルミニウム系合金から成るものであって、その上面に凹凸５が形成してあり、凹凸５の表面が半導体チップ２との接合面である。この凹凸５は、応力を集中させて酸化皮膜の破壊を促進させる機能さえあれば、その形状や数に制限はないが、後に詳述するように、面内方向（面に沿う方向）において、少なくとも一方向に連続しており、連続方向の一方側の凹部（５Ｂ）の断面積に対して、他方側の凹部（５Ｂ）の断面積を大きくした形状になっている。
【００１８】
上記した半導体チップ２の下側電極２Ｃや配線金属３の素材であるアルミニウム系金属としては、純アルミニウム材（工業用純アルミニウム）やＡｌを主成分として８０％以上含有する合金材を用いることができる。これらアルミニウム系金属から成る下側電極２Ｃや配線金属３の表面には、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする強固な酸化皮膜が生成している。
【００１９】
インサート材４は、Ａｌと共晶反応を生じる金属を含むものであって、具体的には、Ｚｎ（亜鉛）を主成分とする金属（純亜鉛、亜鉛合金）や、Ｚｎと共晶反応を生じる金属とＺｎとの合金、例えばＺｎとＡｌを主成分とする合金、ＺｎとＭｇ（マグネシウム）を主成分とする合金、ＺｎとＣｕ（銅）を主成分とする合金、ＺｎとＳｎ（錫）を主成分とする合金、ＺｎとＡｇ（銀）を主成分とする合金、ＺｎとＭｇとＡｌを主成分とする合金、ＺｎとＣｕ（銅）とＡｌを主成分とする合金、ＺｎとＳｎ（錫）とＡｌを主成分とする合金、ＺｎとＡｇ（銀）とＡｌを主成分とする合金の薄板や箔を用いることができる。なお、本発明において、「主成分」とは、上記金属の含有量の合計が８０％以上であることを意味するものとする。
【００２０】
また、インサート材４は、半導体チップ２と配線金属３との接合界面に生じた共晶反応溶融物及び酸化皮膜を排出物（Ｂ）として半導体チップ１の外側へ排出し得る大きさ（体積）を有する板状の部材である。図示例のインサート材４は、半導体チップ２と配線金属３との接合部を大気に接触させないように、平面視で半導体チップ１よりもやや大きい正方形状である。
【００２１】
上記の半導体装置１を製造するための製造装置は、上記半導体チップ２及び配線金属３を相対的に加圧する加圧手段１１と、上記半導体チップ２及び配線金属３を加熱する加熱手段１２を備えている。
【００２２】
加圧手段１１は、半導体チップ２の上側に配置された加圧部１１Ａや、加圧部１１Ａを昇降させる昇降駆動機構（図示せず）などで構成されている。加圧部１１Ａは、平面視で半導体チップ２に対応する大きさを有し、半導体チップ２の上面に接触してこれを加圧する。他方、加熱手段１２は、半導体装置１を載置する基盤に周知の加熱源を内蔵したものである。これにより、先の加圧手段１１は、加熱手段１２との間で半導体チップ２及び配線金属３を相対的に加圧することとなる。
【００２３】
ここで、半導体装置１の配線金属３において、その接合面の凹凸５は、断面三角形状の凸部（突条）５Ａを並列配置し、隣接する凸部５Ａ同士の間に、断面逆三角形状の凹部（溝）５Ｂを形成したものである。このとき、凸部５Ａ及び凹部５Ｂは、図１（Ａ）における上下方向に直線的に連続して、夫々が同じ幅の突条及び溝を成している。
【００２４】
また、上記の凹凸５は、図１（Ｂ）に示す連続方向の一方側の凹部５Ｂの断面積に対して、図１（Ｃ）に示す他方側の凹部５Ｂの断面積を大きくした形状になっている。この実施形態の凹凸５は、図２及び図３に示すように、並列配置した凸部５Ａのうちの一つおきの凸部５Ａについて、一方側の頂部から他方側の底部に至る範囲に傾斜面５Ｃを形成するように、連続的に切除したものとしている。
【００２５】
上記の凹凸５は、例えば、配線金属３の板状の素材に対して、図３（Ａ）に示すように、尖頭切刃工具Ｃ１を用いた切削加工により凸部５Ａ及び凹部５Ｂを形成し、その後、図３（Ｂ）に示すように、平切刃工具Ｃ２を用いた切削加工により選択した凸部５Ａを切除することで、形成することができる。この凹凸５は、例えば、インサート材４の容積や圧潰厚さなどに応じて、凹部５Ｂの容積を設定しても良い。
【００２６】
このようにして、凹凸５は、連続方向の一方側の凹部５Ｂの断面積に対して他方側の凹部５Ｂの断面積を大きくした形状になり、とくに、この実施形態では、連続方向の一方側から他方側にかけて凹部５Ｂの断面積を漸次増大させた形状になっている。なお、凹凸５は、上記の形成方法からも明らかなように、一方側から他方側にかけて凸部５Ａの断面積を小さくした形状であるとも言える。
【００２７】
上記構成を備えた半導体装置１及び製造装置は、半導体チップ２を配線金属３に接合するに際し、図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ２の接合面と、配線金属３の接合面（凹凸５）との間に、各接合面の金属と共晶反応を生じる金属を含むインサート材４を介在させる。
【００２８】
次に、半導体装置１及び製造装置は、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、加圧手段１１により半導体チップ２及び配線金属３を相対的に加圧すると共に、加熱手段１２により半導体チップ２及び配線金属３を加熱する。このとき、半導体装置１では、アルミニウム系金属から成る半導体チップ（下側電極２Ｃ）２及び配線金属３の表面に形成されている酸化皮膜を凹凸５により破壊して、アルミニウム系金属とインサート材４とを接触させ、半導体チップ２と配線金属３との接合界面に、Ａｌとインサート材４に含まれる金属との共晶反応を生じさせる。
【００２９】
すなわち、上記の半導体装置１では、凹凸５の先端に応力が集中するため、比較的低い加圧力によって、チップへのダメージを与えることなく酸化皮膜を破壊することができる。そして、この破壊部分を介してアルミニウム系金属とインサート材４とが接触し、この接触部を起点として生じた共晶反応が接合面全体に拡大することによって、接合面の酸化皮膜が低温度（共晶温度）で除去されるので、アルミニウム系金属同士のダイレクトな接合が可能となる。
【００３０】
そして、上記の半導体装置１及び製造装置は、この共晶反応溶融物を酸化皮膜と共に排出物（Ｂ）として半導体チップ２の外側に排出し、接合界面の少なくとも一部において半導体チップ２と配線金属３のアルミニウム系金属同士を直接接合する。このとき、半導体装置１は、配線金属３の接合面の凹凸５が、一方向に連続し、その連続方向の一方側から他方側にかけて凹部５Ｂの断面積を大きくした形状にしているので、図１（Ａ）に示すように、排出物Ｂの流れが凹部５Ｂの断面積の大きい他方側に促進される。
【００３１】
つまり、半導体装置１は、凹凸５を上記の所定形状にすることで、接合時における排出物Ｂの流れに一定の方向性をもたせると共に、その流れを円滑にして（流れ易くして）、半導体チップ２の外側に排出物Ｂが厚くはみ出さないようにし、その結果として、排出物Ｂを平坦に形成する。
【００３２】
このように、上記の半導体装置１では、インサート材４を介して半導体チップ２及び配線金属３を相対的に加圧しながら加熱することにより、凹凸５による酸化皮膜の破壊と、接合面及びインサート材４の間の共晶反応を生じさせ、低温、低加圧で半導体チップ２と配線金属３とを強固に接合する。この際、半導体チップ２や配線金属３の接合面には、アルミニウム系金属を採用し、インサート材４には、Ｚｕを主成分とする金属を採用しているので、貴金属やＰｂを用いることなく、低コストで高温耐久性に優れた接合が可能になる。
【００３３】
また、上記の半導体装置１では、凹凸５の形状により、半導体チップ２の外側に排出された共晶反応溶融物及び酸化皮膜である排出物Ｂの流れを促進することで、排出物Ｂを平坦に形成し、図４（Ｃ）に示すように、半導体チップ２の上下にある電極２Ｂ，２Ｃ間の沿面絶縁距離Ｒが排出物Ｂによって短くなるのを防止する。これにより、半導体装置１は、半導体チップ２及び配線金属３の接合の際に、接合部の酸化を阻止して充分な接合強度を確保しつつ、半導体チップ２の上下にある電極２Ｂ，２Ｃ間の沿面絶縁距離Ｒを適切に維持することができる。
【００３４】
ここで、上記の如くインサート材４を用いて半導体チップ２と配線金属３とを接合する場合、インサート材４の供給が少ないと、半導体チップ２と配線金属３との間に隙間が形成されて接合中の大気遮断が不充分になり、接合部が酸化されて接合強度が低下するおそれがある。他方、インサート材４の供給が多いと、半導体チップ２の外側において、排出物Ｂが、半導体チップ２の上面に近づくように厚くはみ出した状態になる場合がある。その結果、半導体チップ２の上下の電極２Ｂ，２Ｃ間の沿面絶縁距離Ｒが小さくなる。この沿面絶縁距離Ｒの減少は、電極間の短絡を防止するうえで好ましくない。
【００３５】
これに対して、上記の半導体装置１は、インサート材４の供給が充分であるから、半導体チップ２と配線金属３との接合中の大気遮断が充分になされ、接合部の酸化を阻止して充分な接合強度が確保される。また、配線電極３の凹凸５が排出物Ｂの流れを促進し得る形状であるから、排出物Ｂが厚くはみ出して半導体チップ２の上側電極２Ｂと排出物Ｂとの距離が短くなることも無く、半導体チップ２の上下にある電極２Ｂ，２Ｃ間の沿面絶縁距離Ｒが適切に維持される。これにより、上下の電極２Ｂ，２Ｃ間の短絡を防ぐことができる。
【００３６】
また、上記実施形態における半導体装置１は、凹凸５を、連続方向の一方側から他方側にかけて凹部５Ｂの断面積を漸次増大させた形状にしているので、インサート材４の肉の流れ及び排出物Ｂの流れがより円滑なものとなる。さらに、上記実施形態では、図３に示すような切削加工で凹凸５を形成することで、凸部５Ａの稜線を鋭く形成することができ、このような凸部５Ａや傾斜面５Ｃの稜線（角）により、酸化皮膜の破壊をより容易に且つ確実に行うことができる。
【００３７】
〈第２実施形態〉
図５は、半導体装置の第２実施形態における凹凸５を説明する図であって、図示例の微細な凹凸５は、一方向に直線的に連続しており、連続方向の一方側の凹部５Ｂの断面積に対して、他方側の凹部５Ｂの断面積を大きくした形状である。
【００３８】
図示例の微細凹部５は、先の実施形態と同様に、断面三角形状の凸部５Ａ及び凹部５Ｂから成るものであって、とくに、図５（Ｂ）に示すように、一方側（Ｂａ）から他方側（Ｂｃ）にかけて凹部５Ｂの深さを漸次増大させることによって、一方側（Ｂａ）から他方側（Ｂｃ）にかけて凹部５Ｂの断面積を漸次増大させた形状になっている。
【００３９】
上記の実施形態の半導体装置１にあっても、先の実施形態と同様に、凹凸５を上記の所定形状にすることで、接合時における排出物Ｂの流れに一定の方向性が得られると共に、その流れを円滑にして、半導体チップ２の外側に排出物Ｂが厚くはみ出さないようにし、排出物Ｂを平坦に形成する。これにより、半導体チップ２の上下にある電極２Ｂ，２Ｃ間の沿面絶縁距離（図４Ｃの符号Ｒ参照）を適切に維持することができる。
【００４０】
〈第３実施形態〉
図６は、半導体装置の第３実施形態における微細な凹凸５を説明する図であって、図示例の凹凸５は、一方向に直線的に連続しており、連続方向の一方側の凹部５Ｂの断面積に対して、他方側の凹部５Ｂの断面積を大きくした形状である。
【００４１】
図示例の微細凹部５は、先の実施形態と同様に、断面三角形状の凸部５Ａ及び凹部５Ｂから成るものであるが、とくに、図５（Ｃ）に示すように、並列配置した凸部５Ａのうちの一つおきの凸部５Ａについて、一方側から他方側に至る間の任意の位置で同凸部５Ａを切除している。これにより、凹凸５は、第１及び第２実施形態では、凹部５Ｂの断面積を漸次増大させた形状としたが、この実施形態では、連続方向の一方側から他方側にかけて凹部５Ｂの断面積を段階的に増大させた形状にしている。
【００４２】
上記の実施形態の半導体装置１にあっても、先の実施形態と同様に、凹凸５を上記の所定形状にすることで、接合時における排出物Ｂの流れに一定の方向性が得られると共に、その流れを円滑にして、半導体チップ２の外側に排出物Ｂが厚くはみ出さないようにし、排出物Ｂを平坦に形成する。
【００４３】
この際、図示例の凹凸５は、凹部５Ｂの断面積を段階的に増大させた形状にしたので、排出物Ｂの流れ量の偏りを大きくすることができる。つまり、排出物Ｂ流れの方向性がより高められ、排出物Ｂが厚くはみ出すのを防止して、半導体チップ２の上下にある電極２Ｂ，２Ｃ間の沿面絶縁距離（図４Ｃの符号Ｒ参照）を適切に維持することができる。
【００４４】
図７は、微細な凹凸の形成方法のさらに他の例を示す図である。
先の各実施形態では、凹凸５を構成する凸部５Ａ及び凹部５Ｂの幅が、連続方向に一定であるを例示したが、凹凸５は、図７に示すように、連続方向の一方側から他方側にかけて凹部５Ｂの幅が増大するように形成することで、凹部５Ｂの断面積を変化させることができる。
【００４５】
上記の凹部５Ｂは、配線金属３の素材に対して、図７（Ａ）に示すように、凹凸５の連続方向の中心線Ｃの位置から、左側（又は右側）に偏倚した方向に尖頭切刃工具Ｃ１を移動させて溝（５Ｂ）を形成し、次に、図７（Ｂ）に示すように、中心線Ｃの位置から右側（又は左側）に偏倚した方向に尖頭切刃工具Ｃ１を移動させて溝（５Ｂ）の幅を広げるように形成する。凹凸５は、上記の凹部５Ｂを複数形成して、それらの間を凸部（５Ａ）とする。
【００４６】
図８は、微細な凹凸の形成方法のさらに他の例を示す図である。
先の各実施形態では、直線的に連続する凹凸５を例示したが、この実施形態では、曲線的に連続する凹凸５を示している。
【００４７】
上記の凹部５Ｂは、配線金属３の素材に対して、図８（Ａ）に示すように、尖頭切刃工具を用いてフライスカッターの軌跡のような円弧状の溝を一つずつ形成する。このとき、形成される溝は、一方側から他方側にかけて幅が漸次増大する形状である。これにより、配線金属３の接合面には、図８（Ｂ）に示すように、一方向に連続し、その連続方向の一方側から他方側にかけて断面積が漸次増大する凹部５Ｂが複数条に形成され、それらの間が凸部５Ａになる。
【００４８】
本発明の半導体装置は、その構成が上記各実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、各構成部位の材料、形状及び数などの細部を適宜変更することが可能である。上記各実施形態では、配線金属の面内方向において、微細凹部が一方向に連続するものとしたが、同形状若しくは異形状の凹凸を複数方向に連続させて排出物の流れ方向を調整することも可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１  半導体装置
２  半導体チップ
３  配線金属
４  インサート材
５  凹凸
５Ａ  凸部
５Ｂ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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