(57)【要約】【課題】本発明は、接続信頼性を維持したまま導電パターンの隣接する導電体間の間隔を小さくできるプリント配線板を提供することを課題とする。【解決手段】本発明に係るプリント配線板は、フッ素樹脂を主成分とするベースフィルムと、このベースフィルムの表面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、上記ベースフィルムが、表面の少なくとも上記導電パターンが存在する領域に改質層を有し、上記改質層が、シロキサン結合及び親水性有機官能基を含み、上記ベースフィルムの表面側のうち導電パターンの周囲の領域で上記改質層が存在しない。上記改質層の表面の純水との接触角としては、９０°以下が好ましい。上記ベースフィルムの改質層非存在領域表面の純水との接触角としては、９０°超が好ましい。上記改質層の平均厚さとしては、４００ｎｍ以下が好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素樹脂を主成分とするベースフィルムと、このベースフィルムの表面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、
上記ベースフィルムが、表面の少なくとも上記導電パターンが存在する領域に改質層を有し、
上記改質層が、シロキサン結合及び親水性有機官能基を含み、
上記ベースフィルムの表面側のうち導電パターンの周囲の領域で上記改質層が存在しないプリント配線板。
【請求項２】
上記改質層の表面の純水との接触角が９０°以下である請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
上記ベースフィルムの改質層非存在領域表面の純水との接触角が９０°超である請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
上記改質層の平均厚さが４００ｎｍ以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】
上記親水性有機官能基が、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基又はメルカプト基である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項６】
上記導電パターンが、導電性ペーストを硬化したものである請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項７】
上記改質層非存在領域が、上記導電パターンのランド部周囲領域である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項８】
上記導電パターンのランド部間の最小間隔が０．２ｍｍ以下である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子回路は、プリント配線板に電子部品を実装することにより構成される。そのような電子回路を備える携帯電話、携帯情報端末等に対しては、より一層の小型化及び高機能化が求められている。このため、プリント配線板に面積効率よく電子部品を実装することにより、プリント配線板を小型化することが望まれる。
【０００３】
プリント配線板上に面積効率よく電子部品を実装する技術として、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）が知られている。ＢＧＡは、電子部品の底面に、縦横に整列して複数の平面電極を配置し、それぞれの平面電極に半田を半球状に盛り付けたものであり、平面電極に対応するランド部を設けたプリント配線板上に電子部品を載置し、半田をリフローすることにより、各平面電極を対応するランド部に電気的及び機械的に接続する技術である（特開平１１−１０３１３７号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１０３１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＢＧＡにおいて、プリント配線板状に形成した導電パターン中の導電体間の間隔（隙間）、中でもランド部同士の間隔又はランド部と配線部との間隔が小さいと、リフローした半田によりそれらの間が接続されて短絡を生じるおそれがある。このため、プリント配線板の導電パターンの形状が制約され、ランド部から所望の方向に配線部を引き出すことや、平面電極及びランド部の配列ピッチを小さくすることが困難となる。
【０００６】
一方で、電子部品の平面電極及びプリント配線板のランド部を小さくすると、平面電極とランド部との間の電気的接続が確実に行えなくなるおそれがある。また、導電パターンのランド部と配線部との間隔を大きくするために配線部の幅を小さくすると、配線部が断線するおそれがある。特に、導電パターンが折り曲げられ得るフレキシブルプリント配線板では、このような配線部の断線の可能性が高まる。
【０００７】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、接続信頼性を維持したまま導電パターンの隣接する導電体間の間隔を小さくできるプリント配線板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するためになされた発明は、フッ素樹脂を主成分とするベースフィルムと、このベースフィルムの表面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、上記ベースフィルムが、表面の少なくとも上記導電パターンが存在する領域に改質層を有し、上記改質層が、シロキサン結合及び親水性有機官能基を含み、上記ベースフィルムの表面側のうち導電パターンの周囲の領域で上記改質層が存在しないプリント配線板である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のプリント配線板は、改質層が存在しない部分の濡れ性が小さいため、半田等をはじくことによって、半田等のはみ出しを抑制し、半田等のはみ出しによる短絡や電子部品の実装位置のずれを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態のプリント配線板のランド部の周辺領域を部分的に示す模式的平面図である。
【図２】図２は、図１のプリント配線板の模式的Ａ−Ａ線断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を示す模式図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図１のプリント配線板の図３Ａの次の製造工程を示す模式図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図１のプリント配線板の図３Ｂの次の製造工程を示す模式図である。
【図４】図４は、本発明の図１とは異なる実施形態のプリント配線板のランド部の周辺領域を部分的に示す模式的断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図４のプリント配線板の製造工程を示す模式図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図４のプリント配線板の図５Ａの次の製造工程を示す模式図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図４のプリント配線板の図５Ｂの次の製造工程を示す模式図である。
【図６】図６は、本発明の図１及び図４とは異なる実施形態のプリント配線板のランド部の周辺領域を部分的に示す模式的平面図である。
【図７】図７は、図６のプリント配線板の模式的Ｂ−Ｂ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本発明の実施形態の説明］
本発明は、フッ素樹脂を主成分とするベースフィルムと、このベースフィルムの表面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、上記ベースフィルムが、表面の少なくとも上記導電パターンが存在する領域に改質層を有し、上記改質層が、シロキサン結合及び親水性有機官能基を含み、上記ベースフィルムの表面側のうち導電パターンの周囲の領域で上記改質層が存在しないプリント配線板である。
【００１２】
当該プリント配線板は、ベースフィルムの表面の少なくとも導電パターンが存在する領域に親水性有機官能基を含み、親水性を示す改質層を形成するので、ベースフィルムの表面に積層する導電パターンの剥離強度が高い。同時に、当該プリント配線板は、導電パターンの周囲の領域に改質層が存在しないことによって、濡れ性の低いフッ素樹脂を露出させているため、半田や導電性ペーストの導電パターン外へのはみ出しを抑制する。これにより、導電パターンの隣接する導電体上の半田や導電性ペーストの接触による導電パターン間の短絡が生じにくい。また、半田や導電性ペーストのはみ出しに伴う電子部品の実装位置のずれも防止できる。
【００１３】
上記改質層の表面の純水との接触角としては、９０°以下が好ましい。このように改質層の表面の純水との接触角を上記上限以下とすることにより、導電パターンの密着性を高め、導電パターンの剥離を防止できる。
【００１４】
上記ベースフィルムの改質層非存在領域表面の純水との接触角としては、９０°超が好ましい。このように改質層非存在領域の表面の純水との接触角を上記下限より大きくすることにより、導電パターンからの半田等のはみ出しによる短絡を防止できる。
【００１５】
上記改質層の平均厚さの上限としては、４００ｎｍが好ましい。このように誘電率（ε）及び損失正接（ｔａｎδ）が高くなりやすい改質層の平均厚さを上記上限以下とすることにより、導電体パターンに高周波信号が流れる際に導電体の周囲に形成される電磁波の伝送損失が大きくならないようにできる。
【００１６】
上記親水性有機官能基としては、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基又はメルカプト基が好ましい。このように親水性有機官能基を上記のものとすることによって、改質層と導電パターンとの密着性を高められる。
【００１７】
上記導電パターンが、導電性ペーストを硬化したものであるとよい。このように導電パターンを導電性ペーストで形成する場合、改質層が除去されている部分が導電性ペーストをはじくので、改質層が除去されていない部分にのみ導電性ペーストを付着させることができ、所望の導電パターンを正確かつ容易に形成できる。
【００１８】
上記改質層非存在領域が、上記導電パターンのランド部周囲領域であるとよい。このように導電パターンのランド部の周囲において改質層を除去することによって、ランド部の周囲に半田をはじく領域を形成できるので、ランド部に電子部品等を半田付けする際に半田がはみ出して導電パターンを短絡することを防止できる。
【００１９】
上記導電パターンのランド部間の最小間隔としては、０．２ｍｍ以下が好ましい。このようにランド部の間隔が上記距離以下である場合には半田のはみ出しによる短絡が生じやすいので、ランド部間に改質層非存在領域を設ける効果が大きい。
【００２０】
ここで、「主成分」とは、最も含有量の多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。「親水性有機官能基」とは、炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等の非金属元素のみからなる官能基であって、親水性を有する官能基をいう。「純水との接触角」とは、ＪＩＳ−Ｒ−３２５７（１９９９）の静滴法により測定される接触角の値である。また、「表」及び「裏」は、当該プリント配線板の厚さ方向のうち、印刷回路が形成される側を表、その反対側を裏とする方向を意味し、当該プリント配線板の使用状態における表裏を意味するものではない。さらに、本願明細書で用いられる「化学結合」は、水素結合を含む概念である。
【００２１】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明に係るプリント配線板の実施形態について図面を参照しつつ詳説する。
【００２２】
［第一実施形態］
図１及び図２の当該プリント配線板１は、フッ素樹脂を主成分とするベースフィルム２と、このベースフィルム２の表面側に積層された導電パターン３とを備える。さらに、当該プリント配線板１において、ベースフィルム２の表面側の導電パターン３が存在する領域には、導電パターン３との間に介在する改質層４が形成されている。また、当該プリント配線板１の表面側のランド部周辺以外の領域には、さらに不図示のカバーフィルム（カバーレイ）が積層されることが好ましい。
【００２３】
＜ベースフィルム＞
ベースフィルム２は、フッ素樹脂を主成分とする。ここで、フッ素樹脂とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
【００２４】
「フルオロアルキル基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、「パーフルオロアルキル基」を含む。具体的には、「フルオロアルキル基」は、アルキル基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルキル基の末端の１個の水素原子以外の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基等を含む。
【００２５】
「フルオロアルコキシ基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基を意味し、「パーフルオロアルコキシ基」を含む。具体的には、「フルオロアルコキシ基」は、アルコキシ基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルコキシ基の末端の１個の水素原子以外の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基等を含む。
【００２６】
「フルオロポリエーテル基」とは、繰り返し単位としてオキシアルキレン単位を有し、末端にアルキル基又は水素原子を有する１価の基であって、このアルキレンオキシド鎖又は末端のアルキル基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された１価の基を意味する。「フルオロポリエーテル基」は、繰り返し単位として複数のパーフルオロアルキレンオキシド鎖を有する「パーフルオロポリエーテル基」を含む。
【００２７】
ベースフィルム２を構成するフッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ビニリデンフルオライドの３種類のモノマーからなる熱可塑性フッ素樹脂（ＴＨＶ）、及びフロオロエラストマーが挙げられる。また、これらの化合物を含む混合物やコポリマーも、ベースフィルム２を構成する材料として使用可能である。
【００２８】
中でも、ベースフィルム２を構成するフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・ヘキサオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が好ましい。これらのフッ素樹脂を使用することによって、ベースフィルム２が、可撓性、光透過性、耐熱性、及び難燃性を有するものとなる。
【００２９】
また、ベースフィルム２は、任意成分として、例えばエンジニアリングプラスチック、難燃剤、難燃助剤、顔料、酸化防止剤、反射付与剤、隠蔽剤、滑剤、加工安定剤、可塑剤、発泡剤、補強材等を含み得る。
【００３０】
上記エンジニアリングプラスチックとしては、ベースフィルム２に求められる特性に応じて公知のものから選択して使用でき、典型的には芳香族ポリエーテルケトン樹脂を使用することができる。
【００３１】
この芳香族ポリエーテルケトンは、ベンゼン環がパラ位に結合し、剛直なケトン結合（−Ｃ（＝Ｏ）−）又はフレキシブルなエーテル結合（−Ｏ−）によってベンゼン環同士が連結された構造を有する熱可塑性樹脂である。芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えばエーテル結合、ベンゼン環、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）が挙げられる。中でも、芳香族ポリエーテルケトンとしては、ＰＥＥＫが好ましい。このような芳香族ポリエーテルケトンは、耐摩耗性、耐熱性、絶縁性、加工性等に優れる。
【００３２】
ＰＥＥＫ等の芳香族ポリエーテルケトンとしては、市販品を使用することができる。芳香族ポリエーテルケトンとしては、様々なグレードのものが市販されており、市販されている単一のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを単独で使用してもよく、複数のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを併用してもよく、また変性した芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよい。
【００３３】
ベースフィルム２におけるエンジニアリングプラスチックの合計含有量の上記フッ素樹脂に対する比の下限としては、特に限定されないが、１０質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、３５質量％がさらに好ましい。エンジニアリングプラスチックの合計含有量が上記下限未満の場合、ベースフィルム２の特性を充分に改善することができないおそれがある。一方、エンジニアリングプラスチックの合計含有量の上記フッ素樹脂に対する比の上限としては、特に限定されないが、５０質量％が好ましく、４５質量％がより好ましい。エンジニアリングプラスチックの含有量が上記上限を超える場合、フッ素樹脂の有利な特性を充分に発現させることができないおそれがある。
【００３４】
難燃剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば臭素系難燃剤、塩素系難燃剤等のハロゲン系難燃剤が挙げられる。
【００３５】
難燃助剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば三酸化アンチモン等が挙げられる。
【００３６】
顔料としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等が挙げられる。
【００３７】
酸化防止剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えばフェノール系酸化防止剤等が挙げられる。
【００３８】
反射付与剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等が挙げられる。
【００３９】
補強材としては、例えばカーボン繊維、ガラス繊維等が挙げられ、これらから形成された撚糸や布、例えばガラスクロス等を使用してもよい。
【００４０】
ベースフィルム２の平均厚さの下限としては、３μｍが好ましく、６μｍがより好ましい。ベースフィルム２の平均厚さが上記下限未満の場合、当該プリント配線板１の強度が不十分となるおそれがある。一方、ベースフィルム２の平均厚さの上限としては、１００μｍが好ましく、５５μｍがより好ましい。ベースフィルム２の平均厚さが上記上限を超える場合、ベースフィルム２ひいては当該プリント配線板１の可撓性が不十分となるおそれがある。
【００４１】
また、ベースフィルム２の改質層非存在領域の表面の純水に対する接触角としては、９０°超が好ましく、１００°超がより好ましい。ベースフィルム２の表面の純水に対する接触角が上記下限以下の場合、ベースフィルム２が半田等に対する濡れ性を示し、導電パターン３の短絡を防止できないおそれがある。一方、ベースフィルム２の表面の純水に対する接触角の上限としては特に限定されない。
【００４２】
ベースフィルム２の改質層非存在領域の表面のぬれ張力の上限としては、５０ｍＮ／ｍが好ましく、４０ｍＮ／ｍがより好ましい。ぬれ張力が上記上限を超えると、半田等が濡れ拡りやすくなるため、導電パターン３の短絡を防止できないおそれがある。なお、「ぬれ張力」とは、ＪＩＳ−Ｋ−６７６８（１９９９）に準拠して測定される値である。
【００４３】
＜導電パターン＞
導電パターン３は、金属等の導電体で形成された層であり、電気回路のランド部５、配線部６等を構成する平面形状を有する。この平面形状は、例えばベースフィルム２に積層された導電体をエッチングすることによって形成される。このような導電パターン３を形成する材料としては、導電性を有するものであればよいが、好ましくは銅、ステンレス、アルミニウム、ニッケル等の金属、典型的には銅によって形成される。
【００４４】
導電パターン３の平均厚さの下限としては、０．０１μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。導電パターン３の平均厚さが上記下限未満の場合、連続した層の形成が比較的難しい上、導電パターン３が断裂し易くなるおそれがある。導電パターン３の平均厚さの上限としては、１００μｍが好ましく、２０μｍがより好ましい。導電パターン３の平均厚さが上記上限を超える場合、当該プリント配線板１の可撓性が不十分になるおそれがある。
【００４５】
導電パターン３におけるランド部５間の最小間隔の上限としては、０．２μｍが好ましく、０．１８μｍがより好ましい。ランド部５間の最小間隔が上記上限を超える場合、導電パターンの面積効率が低くなると共に、後述する改質層４の非存在領域を形成しない場合にも短絡が生じ難いのでコストに見合う効果が得られないおそれがある。
【００４６】
＜改質層＞
改質層４は、ベースフィルム２を構成するフッ素樹脂に、親水性有機官能基を有しシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を形成する改質剤が結合して形成される。つまり、改質層４において、親水性有機官能基がシロキサン結合を構成するＳｉ原子に結合する。この親水性有機官能基によって、ベースフィルム２の表面側に濡れ性を付与している。フッ素樹脂と改質剤との間の化学結合は、共有結合だけで構成される場合と、共有結合及び水素結合を含む場合とがある。改質層４は、改質層４を除いたベースフィルム２の他の領域とはミクロ構造や分子構造、元素の存在割合が異なると考えられる領域である。
【００４７】
また、この改質層４は、導電パターン３のランド部５の周囲領域には存在していない。これにより、導電パターン３のランド部５の周囲にベースフィルム２のフッ素樹脂が表出し、疎水性を呈する領域を形成している。なお、改質層４が存在しないとは、シロキサン結合及び親水性有機官能基が皆無であることまでは必要とせず、表面に露出する親水性有機官能基が十分に少ない状態も含まれる。
【００４８】
改質層４において、シロキサン結合を構成するＳｉ原子（以下、この原子を「シロキサン結合のＳｉ原子」という。）は、Ｎ原子、Ｃ原子、Ｏ原子、及びＳ原子のいずれか少なくとも１つの原子を介してベースフィルム２のＣ原子と共有結合する。例えば、シロキサン結合のＳｉ原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｎ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−（ｎ，ｍは１以上の整数である。）等の原子団を介してフッ素樹脂のＣ原子と結合する。
【００４９】
上記親水性有機官能基としては、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基、又はメルカプト基が好ましい。これらの中でもＮ原子又はＳ原子を含むものがより好ましい。これらの親水性有機官能基は、ベースフィルム２の表面の密着性を向上する。なお、改質層４は、これら親水性有機官能基の２種以上を含んでもよい。このように改質層４に異なる性質の親水性有機官能基を付与することによって、ベースフィルム２の表面の反応性等を多様なものとすることができる。これらの親水性有機官能基は、シロキサン結合の構成要素であるＳｉ原子に直接、あるいは１個又は複数個のＣ原子（例えばメチレン基やフェニレン基）を介して結合する。
【００５０】
上記の特徴を有する改質層４を形成するための改質剤としては、分子中に、親水性有機官能基を有するシラン系カップリング剤が好適であり、さらにＳｉ原子を含む加水分解性官能基を有するシラン系カップリング剤がより好適である。このようなシラン系カップリング剤は、ベースフィルム２を構成するフッ素樹脂と化学結合する。
【００５１】
上記Ｓｉ原子を含む加水分解性官能基とは、具体的にはＳｉ原子にアルコキシ基が結合した基である。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基等が挙げられる。
【００５２】
Ｎ原子を含む親水性有機官能基としては、例えばアミノ基、ウレイド基等を挙げることができる。
【００５３】
Ｎ原子を含む親水性有機官能基を有するシラン系カップリング剤としては、例えばアミノアルコキシシラン、ウレイドアルコキシシラン等、及びこれらの誘導体が挙げられる。
【００５４】
アミノアルコキシシランとしては、例えば３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００５５】
アミノアルコキシシランの誘導体としては、例えば３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン等のケチミン、Ｎ−ビニルベンジル−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン酢酸塩等のシラン系カップリング剤の塩などが挙げられる。
【００５６】
ウレイドアルコキシシランとしては、例えば３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−ウレイドエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００５７】
Ｓ原子を含む親水性有機官能基としては、例えばメルカプト基、スルフィド基等が挙げられる。
【００５８】
Ｓ原子を含む親水性有機官能基を有するシラン系カップリング剤としては、例えばメルカプトアルコキシシラン、スルフィドアルコキシシラン、及びこれらの誘導体が挙げられる。
【００５９】
メルカプトアルコキシシランとしては、例えば３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピル（ジメトキシ）メチルシラン等が挙げられる。
【００６０】
スルフィドアルコキシシランとしては、例えばビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド等が挙げられる。
【００６１】
上記シラン系カップリング剤としては、変性基を導入したものであってもよい。変性基としては、フェニル基が好ましい。
【００６２】
シラン系カップリング剤としては、例示した中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、又はビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドが好ましい。
【００６３】
改質剤としては、上記シラン系カップリング剤に加えて他のカップリング剤を使用することができる。他のカップリング剤としては、ベースフィルム２のフッ素樹脂又はそのラジカルに対して反応性を有するものであればよく、例えばチタン系カップリング剤を使用することができる。
【００６４】
チタン系カップリング剤としては、例えばイソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリステアロイルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）ジイソプロピルチタネート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テトラプロピルオルソチタネート、テトライソプロピルテトラエチルオルソチタネート、テトラブチルオルソチタネート、ブチルポリチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、２−エチルヘキシルチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス（トリエタノールアミノ）チタネート、オクチレングリコールチタネート、チタニウムラクテート、アセトアセティックエスチルチタネート、ジイソプロポキシビス（アセチルアセトナト）チタン、ジ−ｎ−ブトキシビス（トリエタノールアミナト）チタン、ジヒドロキシビス（ラクタト）チタン、チタニウム−イソプロポキシオクチレングリコレート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、ブチルチタネートダイマー、チタンアセチルアセトネート、ポリ（チタンアセチルアセトネート）、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００６５】
改質層４の表面の純水に対する接触角の上限としては、９０°が好ましく、８０°がより好ましい。改質層４の純水に対する接触角が上記上限を超える場合、導電パターン３との接着強度が不十分となるおそれがある。一方、改質層４の表面の純水に対する接触角の下限は特に限定されない。純水に対する接触角は、ＥＲＭＡ社の接触角測定器「Ｇ−Ｉ−１０００」等を用いて測定できる。
【００６６】
改質層４の表面のぬれ張力の下限としては、５０ｍＮ／ｍが好ましく、６０ｍＮ／ｍがより好ましい。ぬれ張力が上記下限未満であると、密着力が不足し、導電パターン３が剥離するおそれがある。上記ぬれ張力の下限は、純粋なポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の濡れ張力よりも大きい。すなわち、ベースフィルム２の表面は、上記改質層４を形成することによって、通常のフッ素樹脂に比べて表面の密着性が高くなる。
【００６７】
また、この改質層４は、次のエッチング耐性を有することが好ましい。すなわち、塩化鉄を含み、密度が１．３１ｇ／ｃｍ３以上１．３３ｇ／ｃｍ３以下、遊離塩酸濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以上０．２ｍｏｌ／Ｌ以下、温度が４５℃以下のエッチング液に１分以上２分以下浸漬するエッチング処理に対して、改質層４が除去されないことが好ましい。ここで、改質層４が除去されないとは、ベースフィルム２の表面の親水性が失われないことを示し、例えばベースフィルム２の表面の純水に対する接触角が９０°を超えないことを示す。なお、エッチング処理により、改質層４が形成されている領域において疎水性を示す微小部分が斑状に生じる場合もあるが、この領域全体としては親水性を有する場合は、このような状態は親水性が維持されているものとする。
【００６８】
改質層４の平均厚さの下限としては、特に限定されないが、１０ｎｍが好ましく、５０ｎｍがより好ましい。改質層４の平均厚さが上記下限未満の場合、ベースフィルム２の表面を十分に改質できず、導電パターン３の剥離を防止できないおそれがある。一方、改質層４の平均厚さの上限としては、４００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましい。改質層４の平均厚さが上記上限を超える場合、改質層４の誘電率（ε）及び誘電正接（ｔａｎδ）がフッ素樹脂よりも大きいことにより、伝送損失が大きくなるおそれがある。なお、改質領域の平均厚さは、光干渉式膜厚測定機、Ｘ線光電子分光（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析装置、電子顕微鏡等を用いて測定できる。
【００６９】
上記改質層４の表面の平均表面粗さＲａの上限としては、４μｍが好ましく、１μｍがより好ましい。改質層４の表面の平均表面粗さＲａが上記上限を超える場合、導電パターン３の裏面に凹凸ができ、高周波特性信号の伝達遅延や伝達損失が大きくなるおそれがある。なお、「平均表面粗さＲａ」とは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１（２０１３）に準拠して測定される算術平均粗さを意味する。
【００７０】
導電パターン３のランド部５の周囲における改質層４を除去する領域の最小幅の下限としては、０．１３ｍｍが好ましく、０．１５ｍｍがより好ましい。改質層４を除去する幅が上記下限未満の場合、ベースフィルム２の疎水性だけでは、半田のはみ出しによる導電パターン３の短絡を十分に防止できないおそれがある。
【００７１】
［製造方法］
当該プリント配線板１は、
（１）パターニングされることで導電パターン３となる金属箔に改質剤を含む組成物を塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、
（２）改質剤含有組成物を乾燥する工程（以下、「乾燥工程」ともいう）と、
（３）ベースフィルム２の表面に上記金属箔を接着する工程（以下、「接着工程」ともいう）と、
（４）金属箔をパターニングする工程（以下、「パターニング工程」ともいう）と
（５）改質層４を導電パターンの周囲の領域で除去する工程（以下、「除去工程」ともいう）と
を備える製造方法により得ることができる。
【００７２】
＜塗工工程＞
塗工工程は、導電パターン３となる金属箔７に上述の改質剤を結合させるために行われ、図３Ａに示すように、金属箔７の裏面に改質剤含有組成物８を塗工する。
【００７３】
塗工工程における改質剤含有組成物８の塗工方法としては、特に制限はなく、例えば改質剤含有組成物８に金属箔７を浸漬する方法、改質剤含有組成物８を金属箔７に塗布する方法が挙げられ、改質剤含有組成物８に金属箔７を浸漬する方法が好ましい。
【００７４】
改質剤含有組成物８に金属箔７を浸漬する方法を採用する場合、改質剤含有組成物８の温度は、２０℃〜４０℃とされ、浸漬時間は１０秒〜３０秒とされる。
【００７５】
（改質剤含有組成物）
改質剤含有組成物８は、上記シラン系カップリング剤等の改質剤及び溶剤を含み、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含んでいてもよい。
【００７６】
改質剤含有組成物８における改質剤の含有量の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましい。上記改質剤の含有量が上記下限未満であると、ベースフィルム２と導電パターン３との密着性を十分に高めることができないおそれがある。一方、改質剤の含有量の上限としては、５質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、１．５質量％がさらに好ましい。改質剤の含有量が上記上限を超えると、改質剤が凝集しやすく、改質剤含有組成物８の調製が困難となる場合がある。
【００７７】
（溶剤）
溶剤としては、改質剤を溶解し得るものであれば特に限定されるものではなく、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、トルエン、ヘキサン、水などが挙げられる。ただし、溶剤としては、保存安定性の面から、エトキシシラン系のアミノシラン系カップリング剤にはエタノールが好ましく、メトキシシラン系のアミノシラン系カップリング剤にはメタノールが好ましい。
【００７８】
（任意成分）
任意成分としては、酸化防止剤、粘度調整剤、界面活性剤等が挙げられる。酸化防止剤としては、例えば鉄、糖、レダクトン、亜硫酸ナトリウム、アスコルビン酸（ビタミンＣ）等が挙げられる。
【００７９】
＜乾燥工程＞
乾燥工程は、自然乾燥及び強制乾燥のいずれで行ってもよいが、自然乾燥が好ましい。また、改質剤含有組成物８の乾燥後は金属箔７の加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理を行うことにより、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を形成させ、上記改質剤を金属箔７の少なくとも一面の全部又は一部に、より確実に固定させることできる。加熱処理は、例えば恒温槽にて１００℃〜１３０℃で１分〜１０分間加熱することで行うことができる。
【００８０】
＜接着工程＞
接着工程は、図３Ｂに示すように、金属箔７の裏面、すなわち改質剤付着工程において付着した改質剤含有組成物８の上にベースフィルム２を積層する工程である。ベースフィルム２と金属箔７との積層体は、プレス機によって熱圧着される。ベースフィルム２と金属箔７との間に気泡や空隙が形成されないようにするために、この熱圧着は減圧下で行うことが好ましい。この熱圧着によって、ベースフィルム２中のフッ素樹脂のＣ原子と改質剤から形成されるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合との間に他の原子を介して化学結合が形成される。また、金属箔７の酸化を抑制するため、例えば窒素雰囲気中等の低酸素条件下で熱圧着を行うことが好ましい。
【００８１】
熱圧着温度の下限としては、ベースフィルム２を構成するフッ素樹脂の融点が好ましく、上記フッ素樹脂の分解開始温度がより好ましい。さらに、熱圧着温度とフッ素樹脂の融点との差の下限としては３０℃が好ましく、５０℃がより好ましい。熱圧着温度が上記下限未満の場合、フッ素樹脂が活性化しないため改質剤との反応が不十分となるおそれがある。また、熱圧着温度をフッ素樹脂の分解開始温度以上とすることにより、フッ素樹脂の一部がよりラジカルになり易く、改質剤と他の原子を介してより結合すると考えられる。一方、上記熱圧着温度の上限としては、フッ素樹脂の分解温度が好ましい。ここで、分解開始温度とは、フッ素樹脂が熱分解し始める温度をいい、分解温度とは、フッ素樹脂が熱分解によってその質量が１０％減少する温度をいう。熱圧着温度が上記上限を超える場合、フッ素樹脂が分解してベースフィルム２が破損するおそれがある。
【００８２】
例えば、ベースフィルム２を構成するフッ素樹脂がテトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）である場合、フッ素樹脂の融点が約２７０℃であるため、熱圧着温度の下限としては、３００℃が好ましく、３２０℃がより好ましい。一方、この時の熱圧着温度の上限としては、６００℃が好ましく、５００℃がより好ましい。
【００８３】
熱圧着時の圧力としては、０．０１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下が好ましい。また、熱圧着の加圧時間は、０．０１分以上１０００分以下が好ましい。ただし、熱圧着圧力及び加圧時間はこれらに制限されるものではなく、改質剤の反応性等を考慮して設定すればよい。
【００８４】
このような熱圧着により、改質剤からＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成され、他の原子を介してその一部がフッ素樹脂に結合し、改質層４を形成する。これらの結合は、改質層４が上述のエッチング耐性を有することから、共有結合を含むものであると推察される。また、改質層４が膜状に広がった高分子から構成され、この高分子とフッ素樹との間において多数の水素結合が形成されることによって両者が強く結合している可能性があるため、上記結合には、水素結合も含まれると推察される。一方で、金属箔７の裏面近傍には上記Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合及び親水性有機官能基が存在するため、フッ素樹脂表面に金属箔７が固定される。
【００８５】
また、この接着工程では、上記加圧加熱に加えて、他の公知のラジカル生成方法、例えば、電子線照射等を併用してもよい。電子線照射としては、例えばγ線照射処理が挙げられる。電子線照射等を併用することで、フッ素樹脂のラジカルをより効果的に生成させることができるため、ベースフィルム２と金属箔７（導電パターン３）との間の接着の確実性をさらに高めることができる。また、電子線照射は、必ずしも接着工程において行う必要はなく、例えばベースフィルム２を形成するときに同時に行ってもよいし、接着工程後に行ってもよい。
【００８６】
＜パターニング工程＞
パターニング工程は、図３Ｃに示すように、ベースフィルム２の表面側に所定パターンの導電パターン３を形成する工程である。このパターニング工程は、例えば金属箔７にベースフィルム２を接着した後に公知のエッチング処理等により行うことができる。
【００８７】
なお、パターニング工程は、接着工程よりも前に行ってもよい。パターニング工程は、例えば、離型フィルムの表面に形成した金属箔７をパターニングした後にこの金属箔７に改質剤含有組成物８を塗工してベースフィルム２を接着することや、打ち抜いてパターン化した金属箔７を用いることで行うこともできる。
【００８８】
＜除去工程＞
除去工程は、導電パターン３の周囲の領域において、改質層４を除去する工程である。この除去工程は、例えば公知のプラズマ処理、ブラスト処理、エッチング処理等により行うことができる。除去工程をエッチングにより行う場合、エッチング液の選択により、上記パターニング工程と同一工程で行ってもよい。
【００８９】
［利点］
当該プリント配線板１は、導電パターン３の周囲の領域で改質層４を除去したので、導電パターン３の周囲の領域の濡れ性が低く、半田や導電性ペーストの印刷ずれやリフロー時のはみ出しを抑制する。特に、導電パターン３のランド部５の周囲で改質層４を除去することにより、電子部品の実装等に使用する半田や導電性ペーストが導電パターン３の周囲にはみ出して導電パターン３に短絡を生じさせること及び半田や導電性ペーストの流動により電子部品の位置がずれることを防止できる。従って、当該プリント配線板１は、ランド部５の配置ピッチや配線部６の配線間隔を小さくして、集積度の高い電気回路を構成できる。
【００９０】
［第二実施形態］
図４の当該プリント配線板１１は、フッ素樹脂を主成分とするベースフィルム２と、このベースフィルム２の表面側に積層された導電パターン１３とを備える。さらに、当該プリント配線板１１において、ベースフィルム２の表面側には、導電パターン１３との間に介在する改質層１４が形成されている。図４のプリント配線板１１のベースフィルム２は、図１及び図２のベースフィルム２と同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
【００９１】
＜導電パターン＞
導電パターン１３は、導電性ペーストを硬化したものである。導電性ペーストとしては、金属粒子等の導電性粒子をバインダーに分散したものが使用できる。
【００９２】
上記金属粒子としては、例えば銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、半田等が挙げられ、これらを単体で又は２種以上混合して使用できる。これらの中でも優れた導電性を示す銀粉末、銀コート銅粉末、半田粉末等が好ましい。銀粉末を用いた導電性ペーストとしては、例えば特開２００７−６６８２４号公報に開示される導電性ペーストを好適に使用できる。
【００９３】
導電パターン１３を形成する導電性ペーストの導電性粒子の含有率の下限としては、４０体積％が好ましく、４５体積％がより好ましい。導電性粒子の含有率が上記下限未満の場合、導電体間の電気的接続性が低下するおそれがある。一方、導電パターン１３を形成する導電性ペーストの導電性粒子の含有率の上限としては、９５体積％が好ましく、８５体積％がより好ましい。導電性ペーストの導電性粒子の含有率が上記上限を超える場合、導電性ペーストの流動性が低下し、導電パターン１３の形成が困難になるおそれがある。
【００９４】
上記バインダーとしては、例えばエポキシ、フェノール樹脂、ポリエステル、ポリウレタン、アクリル、メラミン、ポリイミド、ポリアミドイミド等が挙げられ、これらの中から１種又は２種以上を使用できる。これらの中でも導電性ペーストの耐熱性を向上できる熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシが特に好ましい。
【００９５】
導電性ペーストに用いるエポキシとしては、例えばビスフェノールＡ型、Ｆ型、Ｓ型、ＡＤ型、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型との共重合型、ナフタレン型、ノボラック型、ビフェニル型、ジシクロペンタジエン型等のエポキシや、高分子エポキシであるフェノキシが挙げられる。
【００９６】
また、上記バインダーは溶剤に溶解して使用できる。この溶剤としては、例えばエステル系、エーテル系、ケトン系、エーテルエステル系、アルコール系、炭化水素系、アミン系等の有機溶剤が挙げられ、これらの中から１種又は２種以上を使用できる。なお、導電パターン１３を導電性ペーストの印刷によって形成する場合、印刷性に優れた高沸点溶剤を用いることが好ましく、具体的にはカルビトールアセテートやブチルカルビトールアセテート等を用いることが好ましい。このような高沸点溶剤の沸点としては、２００℃以上が好ましい。
【００９７】
さらに、上記バインダーには硬化剤を添加できる。この硬化剤としては、例えばアミン系硬化剤、ポリアミノアミド系硬化剤、イソシアネート系硬化剤、酸及び酸無水物系硬化剤、塩基性活性水素化合物、第三アミノ類、イミダゾール類等が挙げられる。
【００９８】
導電性ペーストには、上述した成分に加えて、増粘剤、レベリング剤等の助剤を添加できる。また、導電性ペーストは、上記各成分を例えば三本ロールや回転攪拌脱泡機等により混合することで得られる。
【００９９】
＜改質層＞
改質層１４は、フッ素樹脂を主成分とするベースフィルム２の表面を改質して、シロキサン結合構造及びシロキサン以外の官能基を付与することにより、親水性を向上させた層である。
【０１００】
この改質層１４は、ベースフィルム２の表面に改質剤を均一に塗布可能とするための下処理を行ってから形成されている。このような下処理としては、スパッタ処理、プラズマ放電処理、コロナ放電処理、遠紫外線照射、エキシマレーザー照射、Ｎａエッチング処理等が挙げられる。
【０１０１】
［製造方法］
当該プリント配線板１１は、例えば
（１）ベースフィルム２の表面に改質層１４を形成するための下処理を行う工程（以下、「下処理工程」ともいう）と、
（２）下処理をしたベースフィルム２の表面に改質剤として改質剤を含む組成物を塗工する工程（以下、「改質工程」ともいう）と、
（３）加熱により、改質剤をベースフィルム２のフッ素樹脂に結合させる工程（以下、「加熱工程」ともいう）と、
（４）ベースフィルム２の表面側の導電パターン１３を形成すべき領域を除く領域で改質層１４を除去する工程（以下、「除去工程」ともいう）と、
（５）ベースフィルム２の表面側に導電性ペーストを付着させる工程（以下、「付着工程」ともいう）と、
（６）加熱により上記導電性ペーストを硬化する工程（以下、「加熱工程」ともいう）と
を備える製造方法により得ることができる。
【０１０２】
＜下処理工程＞
下処理工程では、例えばＮａエッチング処理等の改質方法によって、ベースフィルム２の表面に改質剤を塗布しやすくする。
【０１０３】
Ｎａエッチング処理は、フッ素樹脂の表面をナトリウム含む溶液を塗布し、Ｎａの還元力を利用してフッ素樹脂表面のＦ原子を引き抜いて炭素ラジカルを発生させ、この炭素ラジカルが雰囲気中の酸素、水素、水等と反応してヒドロキシル基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、カルボニル基（＝ＣＯ）等の官能基を形成することによって、フッ素樹脂表面の親水性を向上させる表面処理技術である。そのままフッ素樹脂の表面に塗布すればこのようなＮａエッチング処理ができる処理液も市販されている。このような下処理を行うことにより、改質剤である改質剤含有組成物８のベースフィルム２への一様な塗布が可能となる。なお、Ｎａエッチング処理に替えて、スパッタ処理、プズマ放電処理、コロナ放電処理、遠紫外線照射、エキシマレーザー照射等を適用してもよい。
【０１０４】
＜塗工工程＞
塗工工程では、図５Ａに示すように、ベースフィルム２の下処理した表面に改質剤含有組成物８を塗工する。塗工工程における改質剤含有組成物８の塗工方法としては、特に制限はなく、例えば改質剤含有組成物８ベースフィルム２を浸漬する方法、改質剤含有組成物８をベースフィルム２の表面に塗布する方法が挙げられる。改質剤含有組成物８については、図１のプリント配線板１と同様であるため、説明を省略する。
【０１０５】
＜乾燥工程＞
乾燥工程は、例えば１００℃〜１３０℃で１分〜１０分間加熱することで行うことができる。これにより、改質剤がベースフィルム２の表面に形成されたヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基等の官能基と結合し、改質層１４が形成される。
【０１０６】
＜除去工程＞
除去工程では、図５Ｂに示すように、ベースフィルム２の表面側の導電パターン１３を形成すべき領域だけに改質層１４を残すよう、他の領域の改質層１４を除去する。この除去工程は、例えば公知のプラズマ処理、ブラスト処理、エッチング処理等により行うことができる。
【０１０７】
＜付着工程＞
付着工程は、図５Ｃに示すように、改質層１４の表面に導電性ペースト１９を積層する工程であり、例えば、スクリーン印刷等の方法によって行うことができる。改質層１４が除去されていない親水性の領域にのみ導電性ペースト１９が付着しやすく、改質層１４が除去された疎水性の改質層非存在領域には導電性ペースト１９が付着し難い。これにより、導電性ペースト１９が導電パターン１３を形成すべき領域からはみ出すことを抑制できる。
【０１０８】
＜加熱工程＞
加熱工程では、導電性ペースト１９を加熱して硬化させることによって、導電パターン１３を形成する。
【０１０９】
［利点］
当該プリント配線板１１は、ベースフィルム２の表面の改質層１４を除去した疎水性の改質層非存在領域が導電性ペースト１９をはじくので、導電性ペースト１９が導電パターン１３を形成すべき領域からはみ出すことを抑制する。このため、当該プリント配線板１１は、緻密で正確な導電パターン１３を形成できる。また、当該プリント配線板１１に半田で電子部品等を実装する際にも、疎水性の改質層非存在領域が、半田のはみ出しによる導電パターン１３の短絡を防止する。
【０１１０】
［第三実施形態］
図６及び図７の当該プリント配線板２１は、フッ素樹脂を主成分とするベースフィルム２と、このベースフィルム２の表面側に積層された導電パターン３とを備え、ベースフィルム２の表面側に、導電パターン３との間に介在する改質層２４が形成されている。図６及び図７のプリント配線板２１のベースフィルム２及び導電パターン３は、図１及び図２のベースフィルム２及び導電パターンと同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１１１】
当該プリント配線板２１では、導電パターン３の導電体間の間隔が小さい部分において、改質層２４が略一定の幅で除去されている。図示した例では、隣接する２つのランド部５の間において、改質層２４が除去されている。
【０１１２】
改質層２４は、少なくとも１のランド部５が隣接する導電体と接近している部分において除去されていればよい。具体的には、１のランド部５と隣接する導電パターン３の他の導電体（ランド部５、配線部６等）との間隔が例えば０．２ｍｍ以下である領域において、ランド部５と隣接する導電体との間を区分するよう改質層２４を除去した改質層非存在領域を形成するとよい。
【０１１３】
改質層２４の非存在領域の最小幅の下限としては、０．１３ｍｍが好ましく、０．１５ｍｍがより好ましい。改質層２４非存在領域の幅が上記下限未満の場合、半田のはみ出しによる導電パターン３の短絡を十分に防止できないおそれがある。
【０１１４】
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【０１１５】
上記実施形態では、ランド部周辺において、導電パターン以外の領域全体で改質層が存在しない例、及び導電パターンの導電体間の間隔が小さい部分においてのみ略一定幅で改質層が存在しない例を示したが、改質層が存在しない領域の形状はこれらに限らず、半田等のはみ出しを防止すべき部分の改質層を一定以上の幅で除去すればよく、その形状は任意である。
【０１１６】
一方、ランド部の周辺を除く領域では、改質層を除去せず、カバーフィルムの密着性を高めることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明は、集積度の高いプリント配線板に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１１８】
１、１１、２１  プリント配線板
２  ベースフィルム
３、１３  導電パターン
４、１４、２４  改質層
５  ランド部
６  配線部
７  金属箔
８  改質剤含有組成物
１９  導電性ペースト
【図１】
2015115422.tif 000003
【図２】
2015115422.tif 000004
【図３Ａ】
2015115422.tif 000005
【図３Ｂ】
2015115422.tif 000006
【図３Ｃ】
2015115422.tif 000007
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
2015115422.tif 000012
【図７】
2015115422.tif 000013