(57)【要約】【課題】基板の主面に供給された薬液を高効率に高温化することにより、省エネルギーで基板主面に対して薬液処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。【解決手段】スカート部８１は、底板部５２の下面５２９から下方に突出するように薬液吐出ヘッド３５側から延設される部分である。レジスト除去処理において、複数の吐出口８０から吐出されたＳＰＭ液は、スカート部８１によって堰き止められ加熱処理空間ＨＬの内部に保持される。このため、水平部４４により赤外線照射を行うことで、加熱処理空間ＨＬの内部を水平部４４によって加熱されたＳＰＭ液で満たすことができ、ウエハＷの上面Ｓ１に形成されたレジスト膜を該ＳＰＭ液によって効率よく剥離することができる。【選択図】図９
2015115491.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持される前記基板の上方に配される薬液吐出ヘッドと、
を有し、
前記薬液吐出ヘッドは、
前記基板の上面に向けて開口した吐出口を有し、薬液供給源より供給された薬液を送液し前記吐出口より吐出する薬液流通配管と、
該薬液吐出ヘッドの下面よりも下方に突出するように該薬液吐出ヘッド側から延設され、前記基板保持手段に保持される前記基板の前記上面と該薬液吐出ヘッドの前記下面とに挟まれる加熱処理空間を囲むスカート部と、
前記加熱処理空間を加熱する加熱部と、
を有し、
前記薬液供給源より前記薬液流通配管に前記薬液を供給し、前記薬液流通配管の前記吐出口から前記基板の前記上面に向けて吐出された前記薬液の少なくとも一部が前記スカート部によって前記加熱処理空間の内部に保持された状態で、
前記加熱部が前記加熱処理空間の内部に保持された前記薬液を加熱することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記薬液吐出ヘッドに付設された気体吸引流路と、前記気体吸引流路と連通して前記スカート部の外周に沿って開口する外部吸引口と、を有する吸引部、
をさらに有し、
気体吸引源から気体吸引を行うことで、前記気体吸引流路を介して前記外部吸引口の周辺雰囲気を吸引することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記薬液吐出ヘッドに付設された気体吸引流路と、前記気体吸引流路と連通して前記スカート部の外周に沿って開口する外部吸引口と、前記気体吸引流路と連通して前記加熱処理空間の内部に開口する内部吸引口と、を有する吸引部、
をさらに有し、
前記気体吸引流路は、
気体吸引源への連結側から前記薬液吐出ヘッドに沿って伸びるとともに、前記薬液吐出ヘッドに対して相対的に固定された分岐箇所で複数に分岐した幹路と、
前記幹路の第１分岐として、前記外部吸引口に連通する第１枝路と、
前記幹路の第２分岐として、前記内部吸引口に連通する第２枝路と、
を有し、
気体吸引源から気体吸引を行うことで、前記気体吸引流路を介して前記外部吸引口の周辺雰囲気および前記内部吸引口の周辺雰囲気を吸引することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記内部吸引口から前記第２枝路を通って前記幹路に至る流路部分は、高さ方向に上下するトラップ構造となっていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記加熱処理空間の内部に開口する通気口と、前記通気口と前記薬液吐出ヘッドの外部空間とを連通接続する通気経路と、を有する通気部、
をさらに有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
水平面視において前記スカート部の少なくとも一部が円弧形状を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
水平面視において前記スカート部が円形であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
水平面視において前記スカート部が矩形であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記薬液吐出ヘッドを昇降させる昇降部、
をさらに有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に薬液処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）などの基板の主面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不要な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入の不要な部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
このようなレジスト除去処理の代表的なものでは、まず、ウエハの表面に酸素プラズマが照射されて、ウエハの表面上のレジストがアッシングされる。そして、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水の混合液である硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：ＳＰＭ液）などの薬液が供給されて、アッシングされたレジストが除去されることにより、ウエハの表面からのレジストの除去が達成される。
【０００４】
しかしながら、レジストのアッシングのための酸素プラズマの照射は、ウエハの表面のレジストで覆われていない部分（たとえば、レジストから露呈した酸化膜）にダメージを与えてしまう。
【０００５】
そのため、最近では、レジストのアッシングを行わずに、ウエハの表面にＳＰＭ液を供給して、このＳＰＭ液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法が注目されつつある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１９７１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、高ドーズのイオン注入が行われたウエハではレジストが炭化変質（硬化）していることがあり、この場合、ＳＰＭ液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力によってもウエハの表面からレジストを剥離し難い。
【０００８】
一方、ＳＰＭ液の液温を２００℃以上の高温にした場合、ＳＰＭ液が高いレジスト剥離性能を発揮することが知られている。このような高温のＳＰＭ液であれば、表面に硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、ウエハの表面から除去することができる。また、ＳＰＭ液の液温を２００℃以上の高温に保つことにより、レジストの剥離効率が高まるから、レジスト剥離の処理時間の短縮を図ることもできる。
【０００９】
しかしながら、ウエハの表面に供給されたＳＰＭ液はウエハ表面に沿って拡散するので、該ＳＰＭ液がウエハ表面上の被加熱箇所（加熱部による加熱対象となる箇所）に留まることはなく、該ＳＰＭ液の液温を２００℃以上の高温に保つことは困難である。
【００１０】
このような問題は、ＳＰＭ液等のレジスト剥離液を用いたレジスト除去処理だけでなく、高温の燐酸を用いた窒化膜等の選択エッチング処理等にも共通の課題である。
【００１１】
本発明の目的は、基板の主面に供給された薬液を高効率に高温化することにより、省エネルギーで基板主面に対して薬液処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様にかかる基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持される前記基板の上方に配される薬液吐出ヘッドと、を有し、前記薬液吐出ヘッドは、前記基板の上面に向けて開口した吐出口を有し、薬液供給源より供給された薬液を送液し前記吐出口より吐出する薬液流通配管と、該薬液吐出ヘッドの下面よりも下方に突出するように該薬液吐出ヘッド側から延設され、前記基板保持手段に保持される前記基板の前記上面と該薬液吐出ヘッドの前記下面とに挟まれる加熱処理空間を囲むスカート部と、前記加熱処理空間を加熱する加熱部と、を有し、前記薬液供給源より前記薬液流通配管に前記薬液を供給し、前記薬液流通配管の前記吐出口から前記基板の前記上面に向けて吐出された前記薬液の少なくとも一部が前記スカート部によって前記加熱処理空間の内部に保持された状態で、前記加熱部が前記加熱処理空間の内部に保持された前記薬液を加熱することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記薬液吐出ヘッドに付設された気体吸引流路と、前記気体吸引流路と連通して前記スカート部の外周に沿って開口する外部吸引口と、を有する吸引部、をさらに有し、気体吸引源から気体吸引を行うことで、前記気体吸引流路を介して前記外部吸引口の周辺雰囲気を吸引することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第３の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記薬液吐出ヘッドに付設された気体吸引流路と、前記気体吸引流路と連通して前記スカート部の外周に沿って開口する外部吸引口と、前記気体吸引流路と連通して前記加熱処理空間の内部に開口する内部吸引口と、を有する吸引部、をさらに有し、前記気体吸引流路は、気体吸引源への連結側から前記薬液吐出ヘッドに沿って伸びるとともに、前記薬液吐出ヘッドに対して相対的に固定された分岐箇所で複数に分岐した幹路と、前記幹路の第１分岐として、前記外部吸引口に連通する第１枝路と、前記幹路の第２分岐として、前記内部吸引口に連通する第２枝路と、を有し、気体吸引源から気体吸引を行うことで、前記気体吸引流路を介して前記外部吸引口の周辺雰囲気および前記内部吸引口の周辺雰囲気を吸引することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第４の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記内部吸引口から前記第２枝路を通って前記幹路に至る流路部分は、高さ方向に上下するトラップ構造となっていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第５の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記加熱処理空間の内部に開口する通気口と、前記通気口と前記薬液吐出ヘッドの外部空間とを連通接続する通気経路と、を有する通気部、をさらに有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第６の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１ないし第５のいずれかの態様にかかる基板処理装置であって、水平面視において前記スカート部の少なくとも一部が円弧形状を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第７の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１ないし第５のいずれかの態様にかかる基板処理装置であって、水平面視において前記スカート部が円形であることを特徴とする。
【００１９】
本発明の第８の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１ないし第５のいずれかの態様にかかる基板処理装置であって、水平面視において前記スカート部が矩形であることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第９の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１ないし第５のいずれかの態様にかかる基板処理装置であって、前記薬液吐出ヘッドを昇降させる昇降部、をさらに有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の第１の態様にかかる基板処理装置では、薬液流通配管の吐出口から基板の上面に向けて吐出された薬液の少なくとも一部がスカート部によって加熱処理空間の内部に保持された状態で、加熱部が加熱処理空間の内部に保持された薬液を加熱する。このため、加熱処理空間の内部を加熱部によって加熱された薬液で満たすことができ、基板の上面に対して高温薬液を用いた処理を良好に施すことができる。
【００２２】
本発明の第２の態様にかかる基板処理装置では、気体吸引源から気体吸引を行うことで、気体吸引流路を介して外部吸引口の周辺雰囲気を吸引する。このため、加熱処理空間の外部へ流れ出た薬液等によって形成される雰囲気（例えば、ヒューム）を吸引部によって外部吸引口から吸引することができる。その結果、上記雰囲気によって基板処理装置の各部および処理対象たる基板が汚染されることを有効に防止できる。
【００２３】
本発明の第３の態様にかかる基板処理装置では、気体吸引源から気体吸引を行うことで、気体吸引流路を介して外部吸引口の周辺雰囲気および内部吸引口の周辺雰囲気を吸引する。このため、加熱処理空間の外部へ流れ出た薬液等によって形成される雰囲気（例えば、ヒューム）を吸引部によって外部吸引口から吸引することができる。また、加熱処理空間の内部において薬液等によって形成される雰囲気（例えば、ヒューム）を内部吸引口から吸引することができる。その結果、上記雰囲気によって基板処理装置の各部および処理対象たる基板が汚染されることを有効に防止できる。
【００２４】
本発明の第４の態様にかかる基板処理装置では、内部吸引口から第２枝路を通って幹路に至る流路部分が高さ方向に上下するトラップ構造となっている。このため、加熱処理空間の内部を流動する液体（薬液など）が、幹路や第１枝路に流入し難い。
【００２５】
本発明の第５の態様にかかる基板処理装置では、加熱処理空間の内部に開口する通気口と、前記通気口と前記薬液吐出ヘッドの外部空間とを連通接続する通気経路と、を有する通気部、をさらに有する。このため、加熱処理空間の内部において薬液等により形成される雰囲気（例えば、ヒューム）を通気口から通気経路を介して外部に排気することができる。これにより、加熱処理空間の内部が上記雰囲気で満たされることを有効に防止でき、加熱処理空間の内部を高温化された薬液で満たしつつ基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】第１実施形態に係る薬液吐出ヘッドの概略的な斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る薬液吐出ヘッドの横断面図である。
【図４】図３に示すＡ−Ａ断面から視た薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図５】第１実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】第１実施形態に係る基板処理装置の処理例を示すフロー図である。
【図７】図６に示すレジスト除去処理の際の薬液吐出ヘッドの動作を示す図である。
【図８】図６に示すレジスト除去処理の際の薬液吐出ヘッドの動作を示す図である。
【図９】図６に示すレジスト除去処理の様子を示す薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る薬液吐出ヘッドの概略的な斜視図である。
【図１１】図１０に示すＢ−Ｂ断面から視た薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図１２】図１１に示すＣ−Ｃ断面から視た薬液吐出ヘッドの横断面図である。
【図１３】図１１に示すＤ−Ｄ断面から視た薬液吐出ヘッドの横断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る底板部の縦断面図である。
【図１５】第３実施形態に係る薬液吐出ヘッドの概略的な斜視図である。
【図１６】第３実施形態に係る薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図１７】図１６に示すＥ−Ｅ断面から視た薬液吐出ヘッドの横断面図である。
【図１８】変形例にかかる薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図１９】変形例にかかる薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図２０】変形例に係る薬液吐出ヘッドの概略的な斜視図である。
【図２１】変形例にかかる薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図２２】変形例にかかる薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【図２３】変形例にかかる薬液吐出ヘッドの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２８】
＜１  第１実施形態＞
＜１．１  基板処理装置１の構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す図である。基板処理装置１は、一方側の主面にイオン注入処理やドライエッチング処理を施された基板（以下、ウエハＷ）に対して、該ウエハＷの一方側主面から不要になったレジストを除去する枚葉式の装置である。
【００２９】
基板処理装置１は、隔壁（図示しない）により区画された処理室２内に、ウエハＷを回転可能に水平姿勢で保持するウエハ回転機構（基板保持手段）３と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの上側主面（上面Ｓ１）に対向配置される薬液吐出ヘッド３５と、を備える。薬液吐出ヘッド３５は、レジスト剥離液（薬液）の一例としてのＳＰＭ液をウエハＷの上面Ｓ１に供給する構成と、ウエハＷの上面Ｓ１上に吐出されたＳＰＭ液を加熱する構成とを備える（詳細は、図２〜図４を参照しつつ後述する）。
【００３０】
＜ウエハ回転機構３＞
ウエハ回転機構３は、モータ６と、このモータ６の駆動軸と一体化されたスピン軸７と、スピン軸７の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられた複数の挟持部材９とを備えている。
【００３１】
複数の挟持部材９は、スピンベース８内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される部材である。このため、該リンク機構を駆動することで、ウエハＷを水平な姿勢で挟持する状態とウエハＷの狭持を解除する状態とが切り替えられる。
【００３２】
複数の挟持部材９によりウエハＷを水平姿勢に挟持した状態でモータ６が駆動されると、その駆動力によってスピンベース８およびスピンベース８に挟持されるウエハＷが回転軸線（鉛直軸線）Ｃまわりに回転される。なお、ウエハ回転機構３においてウエハＷを保持する態様としては、上述した挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの下面を真空吸着することで該ウエハＷを保持する真空吸着式のものであっても構わない。
【００３３】
＜揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７＞
ウエハ回転機構３の側方には、鉛直方向に延びる支持軸３３が配置されている。支持軸３３の上端部には水平方向に延びるアーム３４が結合されており、アーム３４の先端には赤外線ランプ３８を収容保持する薬液吐出ヘッド３５が取り付けられている。また、支持軸３３には、支持軸３３を中心軸線（鉛直軸線）まわりに回動させるための揺動駆動機構３６と、支持軸３３を中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構（昇降部）３７とが結合されている。このため、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７は、薬液吐出ヘッド３５を移動させる移動手段として機能する。
【００３４】
揺動駆動機構３６から支持軸３３に駆動力が入力されることにより、支持軸３３は中心軸線周りに所定の角度範囲内で回動され、アーム３４は支持軸３３を支点として揺動される。アーム３４の揺動により、アーム３４の先端部に取り付けられた薬液吐出ヘッド３５は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの直上に位置する処理ポジション（図７で示す第１の位置と図８で示す第２の位置との区間）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００３５】
また、昇降駆動機構３７から支持軸３３に駆動力が入力されることにより、支持軸３３は上下動される。支持軸３３の上下動により、アーム３４の先端部に取り付けられた薬液吐出ヘッド３５は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上面Ｓ１に近接する近接位置（後述する第１の位置および第２の位置の双方を含む。図１に二点鎖線で示す位置）と、近接位置よりも上方に退避する退避位置（図１に実線で示す位置）との間で、昇降される。
【００３６】
この実施形態において、近接位置は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上面Ｓ１と薬液吐出ヘッド３５の下面（底板部５２の下面５２９（図２参照））との間隔がたとえば約３ｍｍになる位置に設定されている。
【００３７】
＜ＤＩＷノズル２４、ＳＣ１ノズル２５＞
また、基板処理装置１は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上面Ｓ１にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）を供給するためのＤＩＷノズル２４と、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上面Ｓ１に対して洗浄用の薬液としてのＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）を供給するためのＳＣ１ノズル２５とを備えている。
【００３８】
ＤＩＷノズル２４は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、ウエハ回転機構３の上方でその吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。ＤＩＷノズル２４には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管２６が接続されている。ＤＩＷ供給管２６の経路途中には、ＤＩＷノズル２４からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ２７が介挿されている。
【００３９】
ＳＣ１ノズル２５は、たとえば、連続流の状態でＳＣ１を吐出するストレートノズルである。ＳＣ１ノズル２５は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる液アーム２８の先端に取り付けられている。液アーム２８は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。液アーム２８には、液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させるための液アーム揺動機構２９が結合されている。液アーム２８の揺動により、ＳＣ１ノズル２５は、ウエハＷの直上位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００４０】
ＳＣ１ノズル２５には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるＳＣ１供給管３０が接続されている。ＳＣ１供給管３０の経路途中には、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１の供給／供給停止を切り換えるためのＳＣ１バルブ３１が介装されている。
【００４１】
＜薬液吐出ヘッド３５の概略構成＞
図２は、薬液吐出ヘッド３５の概略的な斜視図である。図３は、薬液吐出ヘッド３５の横断面図である。図４は、図３におけるＡ−Ａ断面から視た薬液吐出ヘッド３５の縦断面図である。なお、図２では、薬液吐出ヘッド３５が備える各構成のうち、特に、薬液流通配管４および２本の赤外線ランプ３８に係る構成を概略的に図示している。
【００４２】
図２ないし図４に示すように、薬液吐出ヘッド３５は、水平面視において略円弧形状にて構成され、ＳＰＭ液を送液する薬液流通配管４と、薬液流通配管４の両側方に配される合計２本の赤外線ランプ３８とを備えている。
【００４３】
また、薬液吐出ヘッド３５は、上部に開口を有し、赤外線ランプ３８を収容する有底容器状のランプハウジング４０と、ランプハウジング４０の側方を囲むように形成される外壁部７５と、ランプハウジング４０および外壁部７５の上方を閉塞するための蓋４１とを備えている。薬液流通配管４およびランプハウジング４０は、例えば、透明材料である石英を用いて一体に形成されている。
【００４４】
＜薬液流通配管４＞
薬液流通配管４は、その上流側端部が供給管１５に接続されアーム３４の内部と薬液吐出ヘッド３５の内部とを通じてＳＰＭ液を送液する第１管路４０１と、薬液吐出ヘッド３５の内部において第１管路４０１から分岐される第２管路４０２，第３管路４０３と、薬液吐出ヘッド３５の内部において一方側端部が第２管路４０２に接続され他方側端部が第３管路４０３に接続された第４管路４０４と、を上流側からこの順番で備える。また、薬液流通配管４は、第４管路４０４（被加熱管路区間）に連通する複数の吐出口８０を有する。
【００４５】
第４管路４０４は水平面内で伸びる管路であり、同じく水平に配されるランプハウジング４０の底板部５２と近接配置される。また、第４管路４０４には、上記複数の吐出口８０が設けられている。複数の吐出口８０は、それぞれ、水平方向に伸びる第４管路４０４の管壁を下方に貫通するとともにランプハウジング４０の底板部５２を貫通して設けられ、底板部５２の下面５２９から下方に向けて開口している。このため、薬液吐出ヘッド３５が処理ポジションに位置するときには、該複数の吐出口８０がウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１に向けて開口する。
【００４６】
以上のような構成となっているため、供給管１５から薬液流通配管４に供給されたＳＰＭ液は、第１管路４０１、第２管路４０２か第３管路４０３かのいずれか一方、および第４管路４０４の順で送液された後、第４管路４０４に設けられた複数の吐出口８０からウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１に向けて吐出される。
【００４７】
＜赤外線ランプ３８＞
赤外線ランプ３８は、フィラメントを石英配管内に配設して構成されているランプである。薬液吐出ヘッド３５は、２本の赤外線ランプ３８を収容保持する。２本の赤外線ランプ３８の上端部（合計４箇所）には、電圧を印加するためのアンプ５４が接続されている。赤外線ランプ３８としては、たとえば、ハロゲンランプやカーボンヒータに代表される短・中・長波長の赤外線ヒータを採用することができる。
【００４８】
２本の赤外線ランプ３８は、双方とも、鉛直方向に伸びる２つの鉛直部４３と、水平方向に伸び２つの鉛直部４３の下端を結ぶ部分である水平部４４とを有し、側面視においてＵ字形状のランプである。このため、アンプ５４から２つの赤外線ランプ３８に電圧が印加されると２つの赤外線ランプ３８の水平部４４が赤外線を照射する。後述するレジスト除去処理では、薬液吐出ヘッド３５がウエハＷの上方に位置する状態で水平部４４により赤外線が照射され、ウエハＷの上面Ｓ１及びウエハＷの上面Ｓ１上のＳＰＭ液が加熱される。２本の赤外線ランプ３８においては、少なくとも水平部４４が発光部（加熱部）として機能すれば足り、鉛直部４３が発光部（加熱部）として機能するか否かはいずれでもよい。以下では、水平部４４のみが加熱する構成（すなわち、水平部４４にのみフィラメントが配設される構成）について説明する。
【００４９】
また、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４（加熱部）は、薬液流通配管４の第４管路４０４（被加熱管路区間）に沿って、該第４管路４０４の両側方に配される。そのため、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４の側面から照射された赤外線により、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４の間に配される薬液流通配管４の第４管路４０４が加熱される。
【００５０】
２つの赤外線ランプ３８の水平部４４からの赤外線照射により、薬液流通配管４の第４管路４０４の管壁はたとえば３００℃程度に熱せられる。この状態で供給管１５から薬液流通配管４にＳＰＭ液を供給すると、薬液流通配管４内部を流通するＳＰＭ液は、第４管路４０４の管壁から加熱されるとともに、赤外線を照射する２つの赤外線ランプ３８の水平部４４から加熱される。その結果、高温化されたＳＰＭ液が第４管路４０４に設けられた複数の吐出口８０から吐出される。
【００５１】
このように、本実施形態では、水平面内で伸びる第４管路４０４（被加熱管路区間）の水平方向両側に赤外線ランプ３８の水平部４４（加熱部）が設けられており、第４管路４０４（被加熱管路区間）の水平方向一方側にのみ赤外線ランプ３８の水平部４４（加熱部）が設けられる構成に比べ、第４管路４０４（被加熱管路区間）の内部を流れるＳＰＭ液が空間的により均一に加熱される。
【００５２】
また、本実施形態では、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４（加熱部）が薬液流通配管４の第４管路４０４（被加熱管路区間）に沿って並行配置されている。このため、本実施形態の構成は、並行配置以外の配置関係で赤外線ランプ３８の水平部４４と薬液流通配管４の第４管路４０４とが配置される構成（例えば、互いに交差するように配置される構成など）に比べて、赤外線ランプ３８の水平部４４によって薬液流通配管４の第４管路４０４の内部を流れるＳＰＭ液をより均一に加熱することができる。
【００５３】
また、薬液流通配管４の第４管路４０４（被加熱管路区間）の外周のうち少なくとも赤外線ランプ３８の水平部４４（赤外線照射手段）に対向する部分が黒色被膜で覆われている場合、薬液流通配管４の第４管路４０４において赤外線ランプ３８の水平部４４から照射される赤外線を吸収しやすくなり、第４管路４０４を効率よく加熱することができる。このような黒色被膜は、例えば、アルミナ、シリカ等を主成分として形成することができる。
【００５４】
また、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４の直下には薬液吐出ヘッド３５の下面を構成する底板部５２が配される。このため、アンプ５４から２つの赤外線ランプ３８に電圧が印加されると２つの赤外線ランプ３８の水平部４４が赤外線を照射し、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４の直下に配される底板部５２も加熱される。
【００５５】
＜蓋４１、支持部材４２＞
蓋４１は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などのフッ素樹脂材料を用いて形成されている。この実施形態では、蓋４１はアーム３４と別体として形成されているが、蓋４１をアーム３４と一体的に形成するようにしてもよい。また、蓋４１の材料として、ＰＴＦＥ等の樹脂材料以外にも、セラミックスや石英などの材料を採用することもできる。
【００５６】
蓋４１の下面４９には、溝部５１が形成されている。溝部５１は水平平坦面からなる上底面５０を有し、上底面５０に支持部材４２の上面４２０が接触固定されている。
【００５７】
支持部材４２は厚肉の板状をなしており、ボルト５６等によって、蓋４１にその下方から、水平姿勢で取付け固定されている。支持部材４２は、耐熱性を有する材料（たとえばセラミックスや石英）を用いて形成されている。支持部材４２には、赤外線ランプ３８の鉛直部４３を挿通させ保持する目的で、その上面４２０および下面４２１を上下方向（鉛直方向）に貫通する挿通孔が設けられている。
【００５８】
支持部材４２の各挿通孔の途中位置にはＯリング４８が設けられている。２本の赤外線ランプ３８の鉛直部４３はそれぞれ、各挿通孔のＯリング４８に圧接されることよって外嵌固定されている。
【００５９】
＜底板部５２、スカート部８１＞
ランプハウジング４０の底板部５２は、水平面視においての略円弧形状をなしている。底板部５２は薬液吐出ヘッド３５の下面を構成する部分であり、底板部５２の上面５２８および下面５２９はそれぞれ水平平坦面をなしている。
【００６０】
ランプハウジング４０内において、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４と底板部５２の上面５２８とは互いに水平に配される。
【００６１】
また、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４と上面５２８とは、両者の上下方向の間隔がたとえば約２ｍｍとなるよう近接して配される。これにより加熱部として機能する水平部４４と加熱対象であるウエハＷの上面Ｓ１とが近接されるため、水平部４４によってウエハＷの上面Ｓ１をより効率的に加熱することができる。
【００６２】
また、薬液吐出ヘッド３５が処理ポジションに配されるとき、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷと底板部５２とが対向する。このため、水平部４４によって、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１を加熱することができる。特に、本実施形態では、水平部４４およびウエハ回転機構３に保持されるウエハＷがいずれも水平姿勢であるので、水平部４４によってウエハＷの上面Ｓ１をより均一に加熱することができる。
【００６３】
スカート部８１は、底板部５２の下面５２９から下方に突出するように薬液吐出ヘッド３５側から延設される部分である。スカート部８１は水平面視において下面５２９の外周に沿って設けられている。このため、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１と底板部５２の下面５２９（薬液吐出ヘッド３５の下面）とに挟まれる加熱処理空間ＨＬの側方はスカート部８１によって囲まれる。
【００６４】
ここで、「加熱処理空間ＨＬの側方がスカート部８１によって囲まれる」とは、後述するレジスト除去処理において加熱処理空間ＨＬの内側から外側に流動するＳＰＭ液に対する流体障壁としてスカート部８１が機能することを意味する。したがって、スカート部８１の下端がウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１と接触すること（すなわち、底板部５２の下面５２９とウエハＷの上面Ｓ１とスカート部８１とによって加熱処理空間ＨＬが密閉されること）は必須の構成ではなく、スカート部８１の下端とウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１とに多少の隙間があっても構わない。
【００６５】
このように、加熱処理空間ＨＬがスカート部８１によって該スカート部８１より外側の空間と仕切られている。後述するレジスト除去処理において、複数の吐出口８０から吐出されたＳＰＭ液は、スカート部８１によって堰き止められ加熱処理空間ＨＬの内部に保持される。このため、水平部４４により赤外線照射を行うことで、加熱処理空間ＨＬの内部を水平部４４によって加熱されたＳＰＭ液で満たすことができ、ウエハＷの上面Ｓ１に形成されたレジスト膜を該ＳＰＭ液によって効率よく剥離することができる。
【００６６】
底板部５２とスカート部８１とは一体形成されており、これらは耐熱性を有する材料（例えば、石英）で構成される。
【００６７】
＜吸引部１００＞
外壁部７５は、ランプハウジング４０の側方を所定の間隔をあけて囲むように、水平面視において略円弧形状に形成される。ランプハウジング４０と外壁部７５とに挟まれる空間の上方は蓋４１によって閉塞されている。ランプハウジング４０と外壁部７５とに挟まれる空間の下方は、スカート部８１の外周にそって開口している。以下では、ランプハウジング４０と外壁部７５とに挟まれる上記空間を「吸引経路１０１」とよび、吸引経路１０１と連通してスカート部８１の外周にそって形成される上記開口を「外部吸引口１０２」とよぶ。
【００６８】
また、蓋４１の内部を貫通する吸引経路１０５が形成される。吸引経路１０５の一方端部は薬液吐出ヘッド３５に付設された吸引経路１０１の上端に接続され、吸引経路１０５の他方端部は薬液吐出ヘッド３５の外部に設けられた吸引源１０７（気体吸引源）に接続される。
【００６９】
このような構成となっているので、吸引源１０７から気体吸引を行うことで、外部吸引口１０２の周辺雰囲気を吸引経路１０１，１０５を介して吸引することができる。以下では、吸引経路１０１，１０５、外部吸引口１０２、および吸引源１０７を有し、外部吸引口１０２の周辺雰囲気を吸引する構成を総称して、「吸引部１００」と呼ぶ。
【００７０】
＜給気部６０、排気部６５＞
蓋４１内には、ランプハウジング４０の内部に不活性ガスを供給するための給気経路６１が形成されている。給気経路６１の一端は、蓋４１の下面でランプハウジング４０内に開口する給気口６２に接続されている。給気経路６１の他端は、薬液吐出ヘッド３５の外部に設けられた不活性ガス給気源６４に接続されている。
【００７１】
このような構成となっているので、不活性ガス給気源６４から不活性ガスの供給を行うことで、給気経路６１を通して、給気口６２からランプハウジング４０内に不活性ガスを供給することができる。以下では、給気経路６１、給気口６２、および不活性ガス給気源６４を有し、ランプハウジング４０内に不活性ガスを供給する構成を総称して、「給気部６０」と呼ぶ。
【００７２】
また、蓋４１内には、ランプハウジング４０の内部の雰囲気を排気するための排気経路６６が形成されている。排気経路６６の一端は、蓋４１の下面でランプハウジング４０内に開口する排気口６７に接続されている。排気経路６６の他端は、薬液吐出ヘッド３５の外部に設けられた排気源６９に接続されている。
【００７３】
このような構成となっているので、排気源６９から排気を行うことで、排気経路６６を通して、排気口６７からランプハウジング４０内の雰囲気を排気することができる。以下では、排気経路６６、排気口６７、および排気源６９を有し、ランプハウジング４０内の雰囲気を排気する構成を総称して、「排気部６５」と呼ぶ。
【００７４】
給気部６０によりランプハウジング４０内に不活性ガスを供給しつつ、排気部６５によりランプハウジング４０内の雰囲気を排気することにより、ランプハウジング４０内の雰囲気を換気することができる。例えば、赤外線ランプ３８の加熱によってランプハウジング４０内の雰囲気が高温化した後に上記換気を行う場合、上記換気によりランプハウジング４０の内部雰囲気を常温の不活性ガスで置換し、赤外線ランプ３８およびランプハウジング４０を冷却することができる。
【００７５】
不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスやアルゴンガスなどが用いられる。また、不活性ガスではなく、エアを用いてランプハウジング４０の内部雰囲気の上記置換をしてもよい。
【００７６】
＜供給部１３の構成＞
図１に示すように、薬液流通配管４にＳＰＭ液を供給するための供給部１３は、硫酸と過酸化水素水とを混合させるための混合部１４と、混合部１４と薬液流通配管４との間に接続された供給管１５とを備えている。
【００７７】
混合部１４には、硫酸供給管１６および過酸化水素水供給管１７が接続されている。硫酸供給管１６には、硫酸供給源１６Ａから、所定温度（たとえば約８０℃）に温度調節された硫酸（Ｈ２ＳＯ４）が供給される。一方、過酸化水素水供給管１７には、過酸化水素水供給源１７Ａから、温度調節されていない室温（約２５℃）程度の過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される。硫酸供給管１６の途中部には、硫酸バルブ１８および流量調節バルブ１９が介装されている。また、過酸化水素水供給管１７の途中部には、過酸化水素水バルブ２０および流量調節バルブ２１が介装されている。
【００７８】
供給管１５の途中部には、攪拌流通管２２および剥離液バルブ２３が混合部１４側からこの順に介装されている。攪拌流通管２２は、たとえば、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成を有している。
【００７９】
剥離液バルブ２３が開かれた状態で、硫酸バルブ１８および過酸化水素水バルブ２０が開かれると、硫酸供給管１６からの硫酸および過酸化水素水供給管１７からの過酸化水素水が混合部１４に流入し、それらが混合部１４から供給管１５へと流出する。硫酸および過酸化水素水は、供給管１５を流通する途中、攪拌流通管２２を通過することにより十分に攪拌される。攪拌流通管２２を通過する際の攪拌によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）を含むＳＰＭ液が生成される。そして、ＳＰＭ液は、硫酸と過酸化水素水との反応熱により、混合部１４に供給される硫酸の液温以上の高温に昇温する。その高温のＳＰＭ液が供給管１５を通して薬液流通配管４に供給される。
【００８０】
この実施形態では、硫酸供給源１６Ａの硫酸タンクに硫酸が溜められており、この硫酸タンク内の硫酸は温度調節器（図示しない）により所定温度（たとえば約８０℃）に温度調節されている。この硫酸タンク内に溜められた硫酸が硫酸供給管１６に供給される。混合部１４において、約８０℃の硫酸と、室温の過酸化水素水とが混合されることにより、約１４０℃のＳＰＭ液が生成される。
【００８１】
＜制御部５５＞
図５は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置１は、さらに、基板処理装置１の各部を制御する制御部５５を備えている。制御部５５は、例えば、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、記憶装置等が、バスラインを介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。
【００８２】
制御部５５には、モータ６、アンプ５４、揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７、液アーム揺動機構２９、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０、剥離液バルブ２３、ＤＩＷバルブ２７、ＳＣ１バルブ３１、流量調節バルブ１９，２１等が制御対象として接続されている。
【００８３】
＜１．２  基板処理装置１の動作＞
図６は、基板処理装置１におけるレジスト除去処理の動作例を示すフロー図である。
【００８４】
図７および図８は、後述するレジスト除去処理における薬液吐出ヘッド３５の移動範囲を示す上面図である。
【００８５】
以下、レジスト除去処理の動作例について説明する。
【００８６】
まず、図示しない搬送ロボットが制御されて、処理室２（図１）内にイオン注入処理後のウエハＷが搬入される（ステップＳＴ１）。以下では、一例として、ウエハＷの処理面に形成されたレジスト膜がアッシングするための処理を受けておらず、ウエハＷの処理面に形成されたレジスト膜が疎水性である場合について説明する。
【００８７】
ウエハＷは、その処理面が上面Ｓ１となるようにウエハ回転機構３に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、薬液吐出ヘッド３５およびＳＣ１ノズル２５は、それぞれホームポジションに配置されている。
【００８８】
ウエハ回転機構３にウエハＷが保持されると、制御部５５はモータ６を制御してウエハＷの回転を開始させる。ウエハＷの回転速度は所定の回転速度（３０〜３００ｒｐｍの範囲で、たとえば６０ｒｐｍ）まで上げられ、その後、該回転速度に維持される（ステップＳＴ２）。
【００８９】
そして、回転するウエハＷの上面Ｓ１に向けて高温のＳＰＭ液を供給することによって、ウエハＷの上面Ｓ１に形成されたレジスト膜を除去する（レジスト除去処理：ステップＳＴ３）。
【００９０】
レジスト除去処理においては、制御部５５が、揺動駆動機構３６を制御して薬液吐出ヘッド３５を処理ポジションに移動し、昇降駆動機構３７を制御してアーム３４を昇降する。これにより、薬液吐出ヘッド３５が近接位置（図１に二点鎖線で示す位置）とされ、薬液吐出ヘッド３５の底板部５２の下面５２９とウエハＷの上面Ｓ１との間が微小間隔に保たれる。例えば、底板部５２の下面５２９とウエハＷの上面Ｓ１との間が３ｍｍ、スカート部８１の下端とウエハＷの上面Ｓ１との間が１ｍｍとなるように調整される。
【００９１】
そして、制御部５５が揺動駆動機構３６を制御してアーム３４を支持軸３３まわりに回動させる。具体的には、アーム３４の先端に保持される薬液吐出ヘッド３５が、第１の位置（図７）と第２の位置（図８）との間で往復移動される。ここで、「第１の位置」とは、薬液吐出ヘッド３５に一列に設けられた複数の吐出口８０のうち中心の吐出口８０がウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの回転中心の直上に配される位置（図７）である。また、「第２の位置」とは、薬液吐出ヘッド３５の水平部４４の一部がウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの端縁の一部の直上に配される位置（図８）である。
【００９２】
制御部５５は、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０および剥離液バルブ２３を開く制御をして、薬液流通配管４にＳＰＭ液を供給する。
【００９３】
制御部５５は、アンプ５４を制御して、２つの赤外線ランプ３８から赤外線を照射させる。
【００９４】
この赤外線照射により、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４の間に配される薬液流通配管４の第４管路４０４が加熱される。そして、薬液流通配管４（特に第４管路４０４）を流通する過程で加熱され高温化したＳＰＭ液が吐出口８０から吐出され、回転するウエハＷの上面Ｓ１に供給される。
【００９５】
また、上記赤外線照射により、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４の下方の加熱処理空間ＨＬが加熱される。
【００９６】
図９は、このレジスト除去処理の際における、薬液吐出ヘッド３５およびウエハＷの様子を示す側面図である。
【００９７】
複数の吐出口８０から加熱処理空間ＨＬに向けて吐出されたＳＰＭ液は、ウエハＷの上面Ｓ１に着液する。また、ウエハＷは回転しているため、ウエハＷの上面Ｓ１に着液したＳＰＭ液は回転の遠心力によってウエハＷの上面Ｓ１に沿って拡散する。
【００９８】
本実施形態では、第４管路４０４に設けられた複数の吐出口８０の水平方向両側に赤外線ランプ３８の水平部４４（加熱部）が配されるため、吐出口８０より吐出されたあと回転の遠心力によりウエハＷの上面Ｓ１に沿って拡散するＳＰＭ液を水平部４４によって効率よく加熱することができる。
【００９９】
また、レジスト除去処理においては、既述の通り、薬液吐出ヘッド３５の底板部５２の下面５２９とウエハＷの上面Ｓ１との間が微小間隔に保たれており、かつ、その側方がスカート部８１によって囲まれている。このため、スカート部８１は、ウエハＷの上面Ｓ１に沿って拡散する上記ＳＰＭ液の流体障壁として機能する。その結果、複数の吐出口８０から吐出されたＳＰＭ液の少なくとも一部がスカート部８１によって加熱処理空間ＨＬ内に保持された状態（堰き止められた状態）となる。
【０１００】
この状態で、２つの赤外線ランプ３８の水平部４４が、加熱処理空間ＨＬの内部に保持されたＳＰＭ液を加熱する。加熱処理空間ＨＬがスカート部８１によって該スカート部８１より外側の空間と仕切られているため、加熱処理空間ＨＬ内に保持され加熱されるＳＰＭ液は外気に触れにくく放熱し難い。
【０１０１】
こうして、ウエハＷの上面Ｓ１が高温化したＳＰＭ液で覆われる状態が続くと、ウエハＷの上面Ｓ１に形成されたレジスト膜とＳＰＭ液との反応が進み、ウエハＷの上面Ｓ１からのレジストの剥離が進行する。
【０１０２】
この結果、硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、ウエハＷの上面Ｓ１から除去することができる。レジストのアッシングが不要であるから、アッシングによるウエハＷの上面Ｓ１のダメージの問題を回避することができる。
【０１０３】
そして、剥離したレジストは、ＳＰＭ液とともにウエハＷの回転の遠心力によって拡散し、スカート部８１の下端とウエハＷの上面Ｓ１との間から加熱処理空間ＨＬの外部へ流れ出る。
【０１０４】
また、既述の通り、スカート部８１の外周に沿って外部吸引口１０２が形成されている。このため、加熱処理空間ＨＬの外部へ流れ出たレジストおよびＳＰＭ液によって形成される雰囲気（例えば、レジストおよびＳＰＭ液を基に発生するヒューム）を吸引部１００によって外部吸引口１０２から吸引することができる。したがって、上記雰囲気によって基板処理装置１の各部および処理対象たるウエハＷが汚染されることを有効に防止できる。
【０１０５】
また、赤外線ランプ３８の周囲がランプハウジング４０によって覆われており、さらに、ランプハウジング４０の上部開口が蓋４１によって閉塞されている。このため、レジスト除去処理の際、加熱処理空間ＨＬの外部へ流れ出たレジストおよびＳＰＭ液によって形成される雰囲気がランプハウジング４０内に進入して、赤外線ランプ３８に悪影響が生じることを抑制することができる。また、赤外線ランプ３８の石英管の管壁にＳＰＭ液の液滴が付着するのを抑制することができるので、赤外線ランプ３８から照射される赤外線の光量を長期にわたって安定的に保つことができる。
【０１０６】
また、レジスト除去処理（ステップＳＴ３）においては、上記した通り、薬液吐出ヘッド３５を第１の位置（図７）と第２の位置（図８）との間で往復移動されている。
【０１０７】
この薬液吐出ヘッド３５の往復移動とウエハＷの回転とにより、ウエハＷの上方の全範囲が薬液吐出ヘッド３５により走査される。薬液吐出ヘッド３５の下方に形成される加熱処理空間ＨＬにてウエハＷの上面Ｓ１でのレジスト剥離が進行するので、ウエハＷの上方の全範囲が薬液吐出ヘッド３５により走査されることで、ウエハＷの上面Ｓ１の全範囲においてレジストが剥離される。
【０１０８】
一般に、ウエハＷの周縁部では、ウエハＷの中央側に比べて、ウエハＷの回転に起因した空気置換が行われ易い。このため、空気置換による放熱の影響でウエハＷの周縁部の方が中央側よりも温度が低くなり、ウエハＷの周縁部においてＳＰＭ液によるレジスト剥離が進行しにくくなるという課題がある。
【０１０９】
本実施形態では、スカート部８１が水平面視において円弧状に形成されており、該スカート部８１の一部の形状とウエハＷの周縁部の一部の形状と対応する。このため、薬液吐出ヘッド３５を第２の位置（図８）に移動することで、ウエハＷの周縁部において加熱処理空間ＨＬを形成することができ、上記課題を解決することができる。
【０１１０】
また、本実施形態では、赤外線ランプ３８の水平部４４（加熱部）が水平面視において円弧状に形成されており、該水平部４４の一部の形状とウエハＷの周縁部の一部の形状とが対応する。このため、薬液吐出ヘッド３５を第２の位置（図８）に移動することで、空気置換による放熱の影響で温度低下し易いウエハＷ上面Ｓ１の周縁部を赤外線ランプ３８の水平部４４によって効率よく加熱し、上記課題を解決することができる。
【０１１１】
そして、所定時間が経過すると、制御部５５は、硫酸バルブ１８および過酸化水素水バルブ２０を閉じる。制御部５５は、アンプ５４を制御して赤外線ランプ３８からの赤外線の照射を停止させる。また、制御部５５は、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して薬液吐出ヘッド３５をホームポジションに戻す。
【０１１２】
そして、制御部５５は、モータ６を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の液処理回転速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲で、たとえば１０００ｒｐｍ）に上げるとともに、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳＴ４）。
【０１１３】
ウエハＷの上面Ｓ１に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面Ｓ１上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの上面Ｓ１に付着しているＳＰＭ液がＤＩＷによって洗い流される。
【０１１４】
ＤＩＷの供給が所定時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの上面Ｓ１へのＤＩＷの供給が停止される。
【０１１５】
ウエハＷの回転速度を液処理回転速度に維持しつつ、制御部５５は、ＳＣ１バルブ３１を開いて、ＳＣ１ノズル２５からＳＣ１をウエハＷの上面Ｓ１に供給する（ステップＳＴ５）。また、制御部５５は、液アーム揺動機構２９を制御して、液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させて、ＳＣ１ノズル２５を、ウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動させる。これによって、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１が導かれるウエハＷの上面Ｓ１上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハＷの上面Ｓ１の全域に、ＳＣ１がむらなく供給され、ＳＣ１の化学的能力により、ウエハＷの上面Ｓ１に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物を除去することができる。
【０１１６】
ＳＣ１の供給が所定時間にわたって続けられると、制御部５５は、ＳＣ１バルブ３１を閉じるとともに、液アーム揺動機構２９を制御して、ＳＣ１ノズル２５をホームポジションに戻す。また、ウエハＷの回転速度が液処理回転速度に維持された状態で、制御部５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳＴ６）。ウエハＷの上面Ｓ１に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面Ｓ１上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの上面Ｓ１に付着しているＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。
【０１１７】
ＤＩＷの供給が所定時間にわたって続けられると、制御部５５は、ＤＩＷバルブ２７を閉じて、ウエハＷの上面Ｓ１へのＤＩＷの供給を停止する。その後、制御部５５は、モータ６を駆動して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば１５００〜２５００ｒｐｍ）に上げる。この高速回転により、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切り除去され、ウエハＷが乾燥される（ステップＳＴ７）。
【０１１８】
スピンドライ処理（ステップＳＴ７）が所定時間にわたって行われると、制御部５５は、モータ６を駆動して、ウエハ回転機構３の回転を停止させる（ステップＳＴ８）。これにより、１枚のウエハＷに対するレジスト除去処理が終了し、図示しない搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室２から搬出される（ステップＳＴ９）。
【０１１９】
＜１．３  基板処理装置１の効果＞
（１）以上説明したように、本実施形態では、ＳＰＭ液を薬液流通配管４に供給しつつアンプ５４により赤外線ランプ３８に電圧を印加することで、赤外線ランプ３８の水平部４４（加熱部）によって、第４管路４０４（被加熱管路区間）の内部を流れるＳＰＭ液とウエハＷの上面Ｓ１に吐出されたＳＰＭ液との双方を同時に加熱することができる。
【０１２０】
このため、薬液流通配管４の内部を流れるＳＰＭ液を加熱する加熱部とウエハＷの上面Ｓ１に吐出されたＳＰＭ液を加熱する加熱部とが別個に設けられる構成に比べ、省スペースおよび省エネルギーを実現できる。
【０１２１】
（２）また、本実施形態のように第４管路４０４（被加熱管路区間）と水平部４４（加熱部）とが同一水平面内に配される構成（図４）では、水平部４４が第４管路４０４よりも上方に配される構成と比較して、水平部４４とウエハＷとの配置間隔を短くすることができ、水平部４４によるウエハＷの上面Ｓ１への加熱効率が高まる。
【０１２２】
また、ランプハウジング４０、スカート部８１、および薬液流通配管４は耐熱性を有する石英を用いて形成されている、このため、水平部４４からの赤外線照射により、ランプハウジング４０および薬液流通配管４が部分的に３００℃程度に熱せられたとしても、その破壊や溶融のおそれが少ない。
【０１２３】
＜２  第２実施形態＞
第２実施形態の基板処理装置１Ａが第１実施形態の基板処理装置１と異なるのは薬液吐出ヘッド３５Ａの構成であり、残余の構成は第１実施形態と同一である。以下では、第２実施形態の基板処理装置１Ａについて説明するが、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【０１２４】
図１０は、薬液吐出ヘッド３５Ａの概略的な構成を示す斜視図である。図１１は、図１０におけるＢ−Ｂ断面から視た薬液吐出ヘッド３５Ａの縦断面図である。図１２，図１３は、図１１におけるＣ−Ｃ断面，Ｄ−Ｄ断面から視た薬液吐出ヘッド３５Ａの横断面図である。
【０１２５】
図１０ないし図１３に示すように、薬液吐出ヘッド３５Ａは、ＳＰＭ液を送液する薬液流通配管４Ａと、薬液流通配管４Ａの一部（被加熱管路区間４０５）と並行配置される合計２本の赤外線ランプ３８Ａとを備える、略直方体のヘッドである。
【０１２６】
＜薬液流通配管４Ａ＞
薬液流通配管４Ａは、その上流側端部が供給管１５に接続されアーム３４の内部と薬液吐出ヘッド３５Ａの内部とを通じてＳＰＭ液を送液する第１管路４０１と、薬液吐出ヘッド３５Ａの内部において第１管路４０１から分岐される第２管路４０２，第３管路４０３と、第２管路４０２，第３管路４０３の下流側端部がそれぞれ接続された第４管路４０４Ａと、を上流側からこの順番で備える。
【０１２７】
第４管路４０４Ａは、水平面内に伸びる管路であり、ランプハウジング４０Ａの底板部５２Ａの内部に配される。また、第４管路４０４Ａは、水平面視において矩形環状の管路である。
【０１２８】
図１４は、第４管路４０４Ａおよび底板部５２Ａの配置関係を示す縦断面図である。
【０１２９】
第２実施形態の底板部５２Ａは、上板部材５２１と下板部材５２２とを有する。
【０１３０】
上板部材５２１は、その下面側に形成される半円形上の溝５２３を有する。下板部材５２２は、その上面側に形成される半円形上の溝５２４と、溝５２４から下側に伸びるように穿設され下板部材５２２の下面５２９Ａに開口する複数の吐出口８０と、を有する。また、上板部材５２１の溝５２３および下板部材５２２の溝５２４は、水平面視において同じ大きさの矩形環状に形成されている。
【０１３１】
このように溝５２３，５２４は縦断面形状においても横断面形状においても互いに対応するよう形成されているため、水平面視において溝５２３，５２４が重なるように上板部材５２１および下板部材５２２を上下方向に接合することで、底板部５２Ａが形成される。また、溝５２３，５２４が結合して形成される管路が第４管路４０４Ａとして機能する。
【０１３２】
以上のような構成となっているため、供給管１５から薬液流通配管４Ａに供給されたＳＰＭ液は、第１管路４０１、第２管路４０２または第３管路４０３のいずれか一方、および第４管路４０４Ａの順で送液された後、第４管路４０４Ａに設けられた複数の吐出口８０からウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１に向けて吐出される。
【０１３３】
また、第２実施形態では薬液流通配管４の第４管路４０４Ａが底板部５２Ａの内部に形成される構成であるので、第４管路４０４Ａを底板部５２Ａの外部に設ける構成に比べ、薬液吐出ヘッド３５Ａを小型化することができる。
【０１３４】
＜赤外線ランプ３８Ａ＞
薬液吐出ヘッド３５Ａは、２本の赤外線ランプ３８Ａを収容保持する。
【０１３５】
２本の赤外線ランプ３８Ａは、双方とも、鉛直方向に伸びる２つの鉛直部４３と、水平方向に伸び２つの鉛直部４３の下端を直線的に結ぶ部分である水平部４４Ａとを有し、側面視においてＵ字形状のランプである。以下では、直線状の水平部４４Ａのみが加熱する構成（すなわち、水平部４４Ａにのみフィラメントが配設される構成）について説明する。
【０１３６】
また、２つの赤外線ランプ３８Ａの水平部４４Ａの直下には、それぞれ、薬液流通配管４Ａの第４管路４０４Ａの一部（被加熱管路区間４０５）が配される。このため、アンプ５４から２つの赤外線ランプ３８Ａに電圧が印加されると、２つの赤外線ランプ３８Ａの水平部４４Ａが赤外線を照射すると、２つの赤外線ランプ３８Ａの水平部４４Ａの直下に配される２つの被加熱管路区間４０５が加熱される。
【０１３７】
単位時間当たりのＳＰＭ液の流量が同じ場合、複数の被加熱管路区間が並列的に配される構成の方が、単数或いは複数の被加熱管路区間が直列的に配される構成に比べ、被加熱管路区間を流れる処理液の総表面積が大きい。このため、第２実施形態のように複数の被加熱管路区間が並列的に配される構成では、被加熱管路区間を流れるＳＰＭ液を赤外線照射により効率的に加熱することができる。
【０１３８】
水平部４４Ａからの赤外線照射により、２つの被加熱管路区間４０５の管壁はたとえば３００℃程度に熱せられる。この状態で供給管１５から薬液流通配管４ＡにＳＰＭ液を供給すると、薬液流通配管４Ａ内部を流通するＳＰＭ液は、２つの被加熱管路区間４０５の管壁から加熱されるとともに、赤外線を照射する２つの水平部４４Ａから加熱される。その結果、高温化されたＳＰＭ液が第４管路４０４Ａに設けられた複数の吐出口８０から吐出される。
【０１３９】
このように、第２実施形態においても、２つの赤外線ランプ３８Ａの水平部４４Ａ（加熱部）が薬液流通配管４Ａの第４管路４０４Ａ（特に、２つの被加熱管路区間４０５）に沿って並行配置されている。このため、第１実施形態と同様、赤外線ランプ３８Ａの水平部４４Ａによって薬液流通配管４Ａの第４管路４０４（特に、２つの被加熱管路区間４０５）の内部を流れるＳＰＭ液をより均一に加熱することができる。
【０１４０】
＜底板部５２Ａ、スカート部８１Ａ＞
底板部５２Ａおよびスカート部８１Ａは、水平面視において矩形に形成される。
【０１４１】
ランプハウジング４０Ａ内において、２つの赤外線ランプ３８Ａの水平部４４Ａと底板部５２Ａの上面５２８Ａとは互いに水平に配される。このため、赤外線ランプ３８Ａの水平部４４Ａによって底板部５２Ａをより均一に加熱することができる。
【０１４２】
また、水平部４４Ａと底板部５２Ａの上面５２８Ａとは、両者の上下方向の間隔がたとえば約２ｍｍとなるよう近接して配される。特に、第２実施形態においては被加熱管路区間４０５（第４管路４０４Ａの一部）が底板部５２Ａの内部に形成されているため、水平部４４Ａと底板部５２Ａとが近接配置されれば、底板部５２Ａおよび被加熱管路区間４０５の双方を水平部４４Ａによって効率よく加熱することができる。この赤外線照射により、ランプハウジング４０Ａの底板部５２Ａはたとえば３００℃程度に熱せられる。
【０１４３】
また、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷも、水平部４４Ａおよび底板部５２Ａと同じく水平姿勢となる。このため、水平部４４Ａおよび底板部５２Ａの双方によって、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１へより均一に加熱することができる。
【０１４４】
スカート部８１Ａは、底板部５２Ａの下面５２９Ａから下方に突出するように薬液吐出ヘッド３５Ａ側から延設される部分である。スカート部８１Ａは、下面５２９Ａの外周に沿って設けられており、水平面視において矩形状である。
【０１４５】
＜３  第３実施形態＞
第３実施形態の基板処理装置１Ｂが上記した基板処理装置１と異なるのは薬液吐出ヘッド３５Ｂの構成であり、残余の構成は第１実施形態と同一である。以下では、第３実施形態の基板処理装置１Ｂについて説明するが、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【０１４６】
図１５は、薬液吐出ヘッド３５Ｂの概略的な構成を示す斜視図である。図１６は薬液吐出ヘッド３５Ｂの縦断面図である。図１７は、図１６におけるＥ−Ｅ断面から視た薬液吐出ヘッド３５Ｂの横断面図である。
【０１４７】
図１５ないし図１７に示すように、薬液吐出ヘッド３５Ｂは、水平面視において略円形状にて構成されＳＰＭ液を送液する薬液流通配管４Ｂと、薬液流通配管４Ｂと並行配置される赤外線ランプ３８Ｂとを備える、略円柱形状のヘッドである。
【０１４８】
＜薬液流通配管４Ｂ＞
薬液流通配管４Ｂは、水平面内に配される円弧状（略円環状）の円環部４０６（被加熱管路区間）と、円環部４０６の両端からそれぞれ円環部４０６の中心軸線（鉛直軸線）に沿って上方に伸びる一対の直線部４０７，４０８と、を有する。直線部４０７，４０８は薬液吐出ヘッド３５の蓋４１に設けられた挿通孔を通じて蓋４１を上下方向に貫通しており、直線部４０７，４０８の下端に接続される円環部４０６は薬液吐出ヘッド３５の内部に配される。
【０１４９】
直線部４０７，４０８の上方側の端部には供給管１５が接続されている。また、円環部４０６はその下方に配される底板部５２Ｂと近接配置されており、円環部４０６には複数の吐出口８０が形成されている。複数の吐出口８０は、それぞれ、水平方向に伸びる円環部４０６の管壁を下方に貫通するとともにランプハウジング４０Ｂの底板部５２Ｂを貫通して設けられ、底板部５２Ｂの下面５２９Ｂから下方に向けて開口している。
【０１５０】
このような構成となっているため、供給管１５から薬液流通配管４Ｂに供給されたＳＰＭ液は、直線部４０７，４０８のいずれか一方、および円環部４０６の順で送液された後、円環部４０６に設けられた複数の吐出口８０からウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１に向けて吐出される。
【０１５１】
＜赤外線ランプ３８Ｂ＞
薬液吐出ヘッド３５Ｂは、１本の赤外線ランプ３８Ｂを収容保持する。
【０１５２】
赤外線ランプ３８Ｂは、水平面内に配される円弧状（略円環状）の水平部４４Ｂと、水平部４４Ｂの両端からそれぞれ水平部４４Ｂの中心軸線（鉛直軸線）に沿って上方に伸びる一対の鉛直部４３と、を有するランプヒータである。
【０１５３】
以下では、水平部４４Ｂのみが加熱する構成（すなわち、水平部４４Ｂにのみフィラメントが配設される構成）について説明する。
【０１５４】
赤外線ランプ３８Ｂの水平部４４Ｂの側方には、薬液流通配管４の円環部４０６（被加熱管路区間）が配される。このため、アンプ５４から２つの赤外線ランプ３８Ｂに電圧が印加されると、２つの赤外線ランプ３８Ｂの水平部４４Ｂが赤外線を照射する。この赤外線照射により、２つの赤外線ランプ３８Ｂの水平部４４Ｂの側方に配される円環部４０６（被加熱管路区間）が加熱される。
【０１５５】
水平部４４Ｂからの赤外線照射により、円環部４０６の管壁はたとえば３００℃程度に熱せられる。この状態で供給管１５から薬液流通配管４ＢにＳＰＭ液を供給すると、薬液流通配管４Ｂ内部を流通するＳＰＭ液は、円環部４０６の管壁から加熱されるとともに、赤外線を照射する円環状の水平部４４Ｂから加熱される。その結果、高温化されたＳＰＭ液が円環部４０６に設けられた複数の吐出口８０から吐出される。
【０１５６】
このように、第３実施形態においても、赤外線ランプ３８Ｂの水平部４４Ｂ（加熱部）が薬液流通配管４Ｂの円環部４０６（被加熱管路区間）に沿って並行配置されている。このため、第１実施形態と同様、赤外線ランプ３８Ｂの水平部４４Ｂによって薬液流通配管４Ｂの円環部４０６（被加熱管路区間）の内部を流れるＳＰＭ液をより均一に加熱することができる。
【０１５７】
また、図１７に示すように、水平面視において、円環部４０６に設けられた複数の吐出口８０が水平部４４Ｂ（加熱部）に囲まれている。このため、レジスト除去処理において、ウエハＷの上面Ｓ１に着液し回転の遠心力によってウエハＷの上面Ｓ１に沿って拡散するＳＰＭ液を、水平部４４Ｂによって効率よく加熱することができる。
【０１５８】
＜底板部５２Ｂ、スカート部８１Ｂ＞
底板部５２Ｂおよびスカート部８１Ｂは、水平面視において略円形に形成される。
【０１５９】
ランプハウジング４０Ｂ内において、赤外線ランプ３８Ｂの水平部４４Ｂと底板部５２Ｂの上面５２８Ｂとは互いに水平に配される。
【０１６０】
また、水平部４４Ｂと底板部５２Ｂの上面５２８Ｂとは、両者の上下方向の間隔がたとえば約２ｍｍとなるよう近接して配される。これにより加熱部として機能する水平部４４Ｂと加熱対象であるウエハＷの上面Ｓ１とが近接されるため、水平部４４ＢによってウエハＷの上面Ｓ１をより効率的に加熱することができる。
【０１６１】
また、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷも、水平部４４Ｂおよび底板部５２Ｂと同じく水平姿勢となる。このため、水平部４４Ｂおよび底板部５２Ｂの双方によって、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１へより均一に加熱することができる。
【０１６２】
スカート部８１Ｂは、底板部５２Ｂの下面５２９Ｂから下方に突出するように薬液吐出ヘッド３５Ｂ側から延設される部分である。スカート部８１Ｂは、下面５２９Ｂの外周に沿って設けられており、水平面視において円形状である。
【０１６３】
＜４  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
【０１６４】
上記各実施形態では、ＳＰＭ液をレジスト剥離液として用いてレジスト除去処理を行う基板処理装置１，１Ａ，１Ｂについて説明したが、本発明の適用可能な基板処理装置はこれに限られるものではない。高温の燐酸を用いた窒化膜等の選択エッチング処理を行う基板処理装置など、基板の上面に高温の薬液を保持させることにより該上面に薬液を用いた処理をおこなう種々の基板処理装置に本発明を適用可能である。
【０１６５】
また、ステップＳＴ４の中間リンス処理およびステップＳＴ６のリンス処理においては、リンス液として、上記第１実施形態で説明したＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、還元水（水素水）、磁気水など他の種々の処理液を採用することもできる。
【０１６６】
上記各実施形態では、被加熱管路区間の区間内に複数の吐出口８０が配される構成について説明したがこれに限られるものではない。
【０１６７】
例えば、図１８に示す薬液吐出ヘッド３５Ｃのように、薬液流通配管４Ｃの第４管路４０４Ｃのうち被加熱管路区間４０５Ｃよりも下流側に１つの吐出口８０が形成される構成でもよい。この場合、被加熱管路区間４０５Ｃの全体を流動する過程で赤外線ランプ３８Ｃの水平部４４Ｃにより加熱されたＳＰＭ液が吐出口８０より吐出される。したがって、十分に高温化されたＳＰＭ液をウエハＷの上面Ｓ１に供給することができる。また、本変形例のように１つの吐出口８０が形成される構成であれば、上記各実施形態のように複数の吐出口８０が形成される構成と異なり、各吐出口８０から吐出されるＳＰＭ液の温度が不均一になるということがない。したがって、本変形例では、高温化されたＳＰＭ液を均一な温度でウエハＷの上面Ｓ１に向けて供給することができる。他方、上記各実施形態のように複数の吐出口８０が形成される構成では、ウエハＷの上面Ｓ１に拡散的に（シャワー状に）ＳＰＭ液を供給することができる。このため、上記各実施形態の構成では、本変形例の構成よりも、ウエハＷの上面Ｓ１に対してより均一にＳＰＭ液を供給することができる。
【０１６８】
また、図１９に示す薬液吐出ヘッド３５Ｄのように、薬液流通配管４Ｄの第４管路４０４Ｄの被加熱管路区間４０５Ｄのうち、ＳＰＭ液が流れる上流側の第１部分１１１を避けて下流側の第２部分１１２に複数の吐出口８０が配列形成される構成であっても構わない。この場合、被加熱管路区間４０５Ｄを送液されるＳＰＭ液が、上流側の第１部分１１１にて赤外線ランプ３８Ｄの水平部４４Ｄにより十分に加熱された後、下流側の第２部分１１２に形成された複数の吐出口８０から吐出される。このため、本変形例の構成では、上流側の第１部分１１１にも吐出口８０が形成される構成（例えば、上記各実施形態の構成）に比べ、十分に高温化されたＳＰＭ液をウエハＷの上面Ｓ１に供給することができる。
【０１６９】
また、図２０に示すように、第２実施形態の薬液流通配管４Ａおよび赤外線ランプ３８Ａの構成に加え、赤外線ランプ３８Ｅを備える薬液吐出ヘッド３５Ｅを採用しても構わない。赤外線ランプ３８Ｅは、水平面視において円弧状の水平部４４Ｅを有する。このため、薬液吐出ヘッド３５Ｅを第２の位置（図８）に移動することで、空気置換による放熱の影響で温度低下し易いウエハＷの周縁部を赤外線ランプ３８Ｅの水平部４４Ｅによって効率よく加熱することができ、上記温度低下によりウエハＷの周縁部でＳＰＭ液によるレジスト剥離が進行しにくくなるという一般的課題を解決することができる。
【０１７０】
また、図２１に示すように、吸引部１００Ｆを有する薬液吐出ヘッド３５Ｆを採用しても構わない。吸引部１００Ｆは、薬液吐出ヘッド３５Ｆに付設された吸引経路１０１Ｆと、吸引経路１０１Ｆと連通してスカート部８１の外周に沿って開口する外部吸引口１０２と、吸引経路１０１Ｆと連通して加熱処理空間ＨＬの内部に開口する内部吸引口１０３とを有する。吸引経路１０１Ｆは、吸引源１０７への連結側から薬液吐出ヘッド３５に沿って上下方向に伸びるとともに薬液吐出ヘッド３５に対して相対的に固定された分岐箇所で２つに分岐した幹路１０１ａと、幹路１０１ａの第１分岐として外部吸引口１０２に連通する枝路１０１ｂと、幹路１０１ａの第２分岐として内部吸引口１０３に連通する枝路１０１ｃとを有する。また、吸引部１００Ｆは、吸引経路１０１Ｆと吸引源１０７とを接続する吸引経路１０５、および吸引源１０７を備える。以上のような構成となっているため、吸引源１０７から気体吸引を行うことで、吸引経路１０１Ｆ，１０５を介して外部吸引口１０２の周辺雰囲気および内部吸引口１０３の周辺雰囲気を吸引することができる。
【０１７１】
レジスト除去処理の際には、加熱処理空間ＨＬの内部においてレジストおよびＳＰＭ液によって形成される雰囲気（例えば、レジストおよびＳＰＭ液を基に発生するヒューム）を内部吸引口１０３から吸引することができる。また、加熱処理空間ＨＬの外部へ流れ出たレジストおよびＳＰＭ液によって形成される雰囲気（例えば、レジストおよびＳＰＭ液を基に発生するヒューム）を外部吸引口１０２から吸引することができる。したがって、上記雰囲気によって基板処理装置の各部および処理対象たるウエハＷが汚染されることを有効に防止できる。
【０１７２】
薬液吐出ヘッド３５Ｆにおいて、加熱処理空間ＨＬの内部に開口する内部吸引口１０３と幹路１０１ａとを接続する枝路１０１ｃは、ランプハウジング４０を貫通するように、水平面視において等間隔に複数個所（例えば、８箇所）形成される。特に、本変形例のように、内部吸引口１０３から枝路１０１ｃを通って幹路１０１ａに至る流路部分が高さ方向に上下するトラップ構造となっていれば（図２１）、加熱処理空間ＨＬの内部を流動する液体（ＳＰＭ液や剥離したレジスト等）が幹路１０１ａや枝路１０１ｂに流入し難いので望ましい。
【０１７３】
また、上記各実施形態では、底板部５２の下面５２９から下方に突出するようにスカート部８１が延設される場合について説明したがこれに限られるものではない。スカート部８１は底板部５２の下面５２９よりも下方に突出するように薬液吐出ヘッド３５側から延設される構成であれば足り、例えば図２２に示す薬液吐出ヘッド３５Ｇのように、外壁部７５の下端部分がスカート部８１として機能する構成であってもよい。
【０１７４】
薬液吐出ヘッド３５Ｇの吸引部１００Ｇは、吸引経路１０１Ｇと、外部吸引口１０２と、内部吸引口１０３とを有する。吸引経路１０１Ｇは、幹路１０１ａと、幹路１０１ａの第１分岐として外部吸引口１０２に連通する枝路１０１ｂと、幹路１０１ａの第２分岐として内部吸引口１０３に連通する枝路１０１ｃとを有する。また、吸引部１００Ｇは、吸引経路１０１Ｇと吸引源１０７とを接続する吸引経路１０５、および吸引源１０７を備える。以上のような構成となっているため、吸引源１０７から気体吸引を行うことで吸引経路１０１Ｇ，１０５を介して外部吸引口１０２の周辺雰囲気および内部吸引口１０３の周辺雰囲気を吸引することができる。その結果、上記雰囲気によって基板処理装置の各部および処理対象たるウエハＷが汚染されることを有効に防止できる。
【０１７５】
薬液吐出ヘッド３５Ｇにおいて、ランプハウジング４０と外壁部７５とに挟まれる空間と外壁部７５よりも外側に開放された空間とを接続する枝路１０１ｂは、外壁部７５を水平方向に貫通するように、水平面視において等間隔に複数個所（例えば、８箇所）形成される。
【０１７６】
また、図２３で示す薬液吐出ヘッド３５Ｈのように、ランプハウジング４０と外壁部７５とに挟まれる空間が中壁部７６によって上下方向に仕切られ、該中壁部７６の下端部分がスカート部８１として機能する構成であってもよい。中壁部７６は、ランプハウジング４０および外壁部７５と同様、たとえば石英によって構成することができる。
【０１７７】
薬液吐出ヘッド３５Ｈの吸引部１００Ｈは、外壁部７５と中壁部７６とに挟まれる空間である吸引経路１０１Ｈと、吸引経路１０１Ｈの下方でスカート部８１の外周にそって開口する外部吸引口１０２とを有する。また、吸引部１００Ｈは、吸引経路１０１Ｈと吸引源１０７とを接続する吸引経路１０５、および吸引源１０７を有する。以上のような構成となっているため、吸引源１０７から気体吸引を行うことで、吸引経路１０１Ｈ，１０５を介して外部吸引口１０２の周辺雰囲気を吸引することができる。
【０１７８】
薬液吐出ヘッド３５Ｈの通気部１１０は、中壁部７６とランプハウジング４０とに挟まれる空間である通気経路１０９と、通気経路１０９の下方で加熱処理空間ＨＬの内部に開口する通気口１０４と、を有する。また、通気部１１０は、その一方端部が通気経路１０９と連通接続し他方端部が薬液吐出ヘッド３５Ｈの外部空間と連通接続された通気経路１０８を有する。
【０１７９】
以上のような構成となっているため、レジスト除去処理の際に加熱処理空間ＨＬの内部においてレジストおよびＳＰＭ液によって形成される雰囲気（例えば、レジストおよびＳＰＭ液を基に発生するヒューム）を通気口１０４から通気経路１０８，１０９を介して外部に排気することができる。これにより、加熱処理空間ＨＬの内部が上記雰囲気で満たされることを有効に防止でき、加熱処理空間ＨＬの内部を高温化されたＳＰＭ液で満たしつつウエハＷの上面Ｓ１におけるレジスト剥離を進行することができる。
【０１８０】
また、例えば、上記各実施形態における薬液吐出ヘッド３５，３５Ａ〜３５Ｈに、上記各実施形態では明示しなかった構成要素（例えば、ＳＰＭ液とは異なる薬液を供給するための薬液流路）をさらに追加してもよい。
【０１８１】
また、被加熱管路区間は、第１実施形態，第３実施形態のように１つであっても構わないし、第２実施形態のように２つであっても構わないし、３つ以上であっても構わない。同様に他の各構成要素についても、その数は任意に変更可能である。
【０１８２】
また、上記各実施形態では、赤外線ランプの加熱部と同一高さ位置に被加熱管路区間が配される構成、および、加熱部の直下に被加熱管路区間が配される構成について説明したが、これに限られるものではない。加熱部の斜め下方に被加熱管路区間が配される構成や、加熱部の上方に被加熱管路区間が配される構成であっても構わない。このように、各部の配置関係は任意に変更可能である。
【０１８３】
以上、実施形態およびその変形例に係る基板処理装置について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【０１８４】
１，１Ａ，１Ｂ  基板処理装置
３  ウエハ回転機構
４，４Ａ〜４Ｄ  薬液流通配管
３５，３５Ａ〜３５Ｈ  薬液吐出ヘッド
３６  揺動駆動機構
３７  昇降駆動機構
３８，３８Ａ〜３８Ｅ  赤外線ランプ
４３  鉛直部
４４，４４Ａ〜４４Ｅ  水平部
５２，５２Ａ〜５２Ｄ  底板部
８０  吐出口
８１，８１Ａ〜８１Ｄ  スカート部
１００  吸引部
１０１，１０１Ｆ〜１０１Ｈ  吸引経路
１０２  外部吸引口
１０３  内部吸引口
１１０  通気部
１０４  通気口
１０９  通気経路
１１１  第１部分
１１２  第２部分
４０５，４０５Ｃ，４０５Ｄ  被加熱管路区間
ＨＬ  加熱処理空間
Ｓ１  上面
Ｗ  ウエハ
【図１】
2015115491.tif 000003
【図２】
2015115491.tif 000004
【図３】
2015115491.tif 000005
【図４】
2015115491.tif 000006
【図５】
2015115491.tif 000007
【図６】
2015115491.tif 000008
【図７】
2015115491.tif 000009
【図８】
2015115491.tif 000010
【図９】
2015115491.tif 000011
【図１０】
2015115491.tif 000012
【図１１】
2015115491.tif 000013
【図１２】
2015115491.tif 000014
【図１３】
2015115491.tif 000015
【図１４】
2015115491.tif 000016
【図１５】
2015115491.tif 000017
【図１６】
2015115491.tif 000018
【図１７】
2015115491.tif 000019
【図１８】
2015115491.tif 000020
【図１９】
2015115491.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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