(57)【要約】【課題】  複数種の電子部品を封止した後でも電子部品の配置位置の認識が可能な電子部品パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明は、平面視形状が長方形の被着体を準備する工程Ａ、前記被着体上に複数種の電子部品を配置する工程Ｂ、及び封止樹脂シートを前記被着体に積層して前記電子部品を封止する工程Ｃを含み、前記工程Ｂにおいて、前記電子部品の平面視での配置位置が、前記長方形における対向する長辺の各中点を通る直線を対称軸として線対称であって、かつ前記長方形における対向する短辺の各中点を通る直線を対称軸として線対称である電子部品パッケージの製造方法である。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視形状が長方形の被着体を準備する工程Ａ、
前記被着体上に複数種の電子部品を配置する工程Ｂ、及び
封止樹脂シートを前記被着体に積層して前記電子部品を封止する工程Ｃ
を含み、
前記工程Ｂにおいて、前記電子部品の平面視での配置位置が、前記長方形における対向する長辺の各中点を通る直線を対称軸として線対称であって、かつ前記長方形における対向する短辺の各中点を通る直線を対称軸として線対称である電子部品パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｂにおいて、前記電子部品を複数行かつ複数列の行列状に配置する請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｂにおいて、前記電子部品を偶数行かつ偶数列の行列状に配置する請求項２に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記工程Ｂにおいて、前記複数行のうち対称位置にある少なくとも２行、又は前記複数列のうち対称位置にある少なくとも２列には、単一種の前記電子部品を配置する請求項２又は３に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品のパッケージの作製には、代表的に、基板や仮止め材等の被着体に固定された１又は複数の電子部品を封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止物を電子部品単位のパッケージとなるようにダイシングするという手順が採用されている。このような封止樹脂としてハンドリング性が良好なシート状の封止樹脂が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
被着体の平面視形状としてはウェハ形状に従った円形状が主流であり、これに対応させて封止時の被着体上での電子部品の配置や封止樹脂シートの平面視形状も円形状としている。しかしながら、このような態様での封止工程を経た後では、封止体の回転や反転に伴い電子部品の配置位置の認識が困難となることが多く、その後の封止体のダイシング工程やピックアップ工程における歩留まりの低下を招来することがある。近年、電子部品パッケージの機能展開や多品種対応のために、１つの被着体上に複数種の電子部品を配置することが試みられているものの、封止後の電子部品の配置位置の認識困難性は複数種の電子部品を用いる場合にはより高まることから、この試みを妨げている。
【０００５】
本発明の目的は、複数種の電子部品を封止した後でも電子部品の配置位置の認識が可能な電子部品パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討した結果、下記構成を採用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明は、
平面視形状が長方形の被着体を準備する工程Ａ、
前記被着体上に複数種の電子部品を配置する工程Ｂ、及び
封止樹脂シートを前記被着体に積層して前記電子部品を封止する工程Ｃ
を含み、
前記工程Ｂにおいて、前記電子部品の平面視での配置位置が、前記長方形における対向する長辺の各中点を通る直線を対称軸として線対称であって、かつ前記長方形における対向する短辺の各中点を通る直線を対称軸として線対称である電子部品パッケージの製造方法である。
【０００８】
当該製造方法では、被着体上に複数種の電子部品を被着体の長辺方向及び短辺方向のいずれにおいても線対称の位置で配置するので、仮に封止体が回転や反転したとしても、必ず長辺方向及び短辺方向での配置工程時の配置位置が維持されることになり、その結果、電子部品が複数種用いられても、それらの配置位置の認識を容易に行うことができる。
【０００９】
前記工程Ｂにおいて、前記電子部品を複数行かつ複数列の行列状に配置することが好ましい。電子部品を行列状に配置することにより対称性を高めることができ、電子部品の配置位置の認識容易性をより向上させることができる。また、平面視形状が長方形の被着体上に行列状に配置することにより配置密度を高めることができ、これにより被着体１個あたりの電子部品の搭載数を増加させて電子部品パッケージの生産効率を向上させることができる。
【００１０】
前記工程Ｂにおいて、前記電子部品を偶数行かつ偶数列の行列状に配置することが好ましい。これにより長辺方向及び短辺方向の対称軸に沿った電子部品の配置を回避することができ、配置の対称性を高めて電子部品の配置をより容易に認識可能となるとともに、封止体のダイシング位置の特定をより容易に行うことができる。
【００１１】
前記工程Ｂにおいて、前記複数行のうち対称位置にある少なくとも２行、又は前記複数列のうち対称位置にある少なくとも２列には、単一種の前記電子部品を配置することが好ましい。これにより電子部品の配置位置をブロックごとに認識することができ、配置位置の認識容易性をさらに高めることができる。また、ブロックごとの処理が可能となるので、封止体のダイシング後のピックアップないし分別搬送の効率も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る封止樹脂シートを模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図８】被着体上への電子部品の配置の一形態を模式的に示す平面図である。
【図９】被着体上への電子部品の配置の一形態を模式的に示す平面図である。
【図１０】被着体上への電子部品の配置の一形態を模式的に示す平面図である。
【図１１】比較例１においてチップ配置位置を誤認識した態様を模式的に示す一部透視平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の電子部品パッケージの製造方法の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。
【００１４】
《第１実施形態》
第１実施形態では、電子部品としてＩＣ（集積回路）やトランジスタ等の半導体チップを用い、被着体として仮固定材を用いて、半導体チップを仮固定材上に配置して仮固定した状態で樹脂封止を行う。
【００１５】
［工程Ａ：仮固定材準備工程］
仮固定材準備工程では、支持体１ｂ上に熱膨張性粘着剤層１ａが積層された仮固定材１を被着体として準備する（図１参照）。仮固定材１の平面視形状は長方形である（図２参照）。なお、熱膨張性粘着剤層に代えて、放射線硬化型粘着剤層を用いることもできる。
【００１６】
（熱膨張性粘着剤層）
熱膨張性粘着剤層１ａは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分（特にベースポリマー）としては、粘着剤組成物に用いられる公知の樹脂が挙げられ、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、脂肪族オレフィン系樹脂、水添スチレン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂等を挙げることができる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。
【００１７】
また、熱膨張性粘着剤には、粘着力を調整するため、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。
【００１８】
（発泡剤）
熱膨張性粘着剤層１ａにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。
【００１９】
熱膨張性微小球には、例えば、松本油脂製薬株式会社製の商品名「マツモトマイクロスフェアー」のシリーズ（例えば、商品名「マツモトマイクロスフェアーＦ３０」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ３０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＳＤ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＶＳＤ」など）の他、エクスパンセル社製の商品名「０５１ＤＵ」、同「０５３ＤＵ」、同「５５１ＤＵ」、同「５５１−２０ＤＵ」、同「５５１−８０ＤＵ」などの市販品を使用することができる。
【００２０】
なお、発泡剤として熱膨張性微小球を用いた場合、該熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱膨張性粘着剤層の厚みなどに応じて適宜選択することができる。熱膨張性微小球の平均粒子径としては、例えば、１００μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ〜５０μｍ、特に１μｍ〜３０μｍ）の範囲から選択することができる。
【００２１】
発泡剤（熱膨張性微小球など）の配合量は、熱膨張性粘着剤層の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱膨張性粘着剤層を形成するベースポリマー１００重量部に対して、例えば１重量部〜１５０重量部（好ましくは１０重量部〜１３０重量部、さらに好ましくは２５重量部〜１００重量部）である。
【００２２】
本実施形態では、発泡剤の発泡開始温度（熱膨張開始温度）（Ｔ０）は８０℃〜２１０℃が好ましく、９０℃〜２００℃がより好ましい。発泡剤の発泡開始温度が低すぎると、不用意に発泡剤が発泡してしまう場合がある。一方、発泡剤の発泡開始温度が高すぎると、仮固定材の支持体や封止樹脂に過度の耐熱性が必要となり、取り扱い性、生産性やコスト面で好ましくない。発泡剤の発泡開始温度（Ｔ０）は、熱膨張性粘着剤層の発泡開始温度（Ｔ０）に相当する。
【００２３】
熱膨張性粘着剤層の厚さは、特に制限されず、接着力の低減性などにより適宜に選択することができ、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ）程度である。
【００２４】
なお、熱膨張性粘着剤層は単層、複層の何れであってもよい。
【００２５】
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層には、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
【００２６】
（支持体）
支持体１ｂは、仮固定材１の強度母体となる薄板状部材である。支持体１ｂの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、ＳＵＳプレートが好ましい。
【００２７】
支持体１ｂの厚さは目的とする強度や取り扱い性を考慮して適宜選択することができ、好ましくは１００〜５０００μｍであり、より好ましくは３００〜２０００μｍである。
【００２８】
（仮固定材の形成方法）
仮固定材１は、支持体１ｂ上に熱膨張性粘着剤層１ａを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、発泡剤（熱膨張性微小球など）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤（熱膨張性微小球など）、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持体１ｂ上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持体１ｂ上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。
【００２９】
［工程Ｂ：半導体チップ配置工程］
半導体チップ配置工程では、上記仮固定材１上に２種の半導体チップ２ａ、２ｂを配置する（図２参照）。このとき、半導体チップ２ａ、２ｂの平面視での配置位置は、仮固定材１を平面視した際の長方形における対向する長辺１Ｌ、１Ｌの中点ｍ１、ｍ１を通る直線を対称軸Ａｙとして線対称であって、かつ長方形における対向する短辺１Ｓ、１Ｓの中点ｍ２、ｍ２を通る直線を対称軸Ａｘとして線対称である。このように長辺方向での対称軸Ａｘ及び短辺方向での対象軸Ａｙのいずれに対しても線対称の位置に配置することにより、半導体チップ２ａ、２ｂの配置位置の対称性を高めることができる。その結果、仮に半導体チップ２ａ、２ｂの封止樹脂シート１１による封止後に封止体（図３参照）が回転ないし反転したとしても、配置位置の対称性は維持されることから、半導体チップの位置認識を容易に行うことができる。なお、本発明において線対称は、電子部品の配置位置だけでなく、電子部品の種類も併せて考慮した上で判断される。従って、電子部品の配置位置が線対称であっても、線対称の位置にある電子部品が互いに異なる種類である場合には、この配置は線対称にはならない。
【００３０】
半導体チップ２ａ、２ｂの配置位置は、上記の特定の線対称性が得られる限り特に限定されないものの、複数行かつ複数列の行列状に配置することが好ましく、特に、偶数行かつ偶数列の行列状に配置することが好ましい。これにより高度の配置対称性が得られ、半導体チップの配置位置をより容易に認識することができる。また、平面視形状が長方形の被着体（仮固定材１）上に行列状に配置することにより配置密度を高めることができるので、電子部品パッケージの生産効率を向上させることができる。さらに、偶数行かつ偶数列での配置の場合には、対称軸Ａｘ、Ａｙ上での半導体チップ２ａ、２ｂの配置を回避することができる（図２参照）。これにより、配置の対称性を高めて電子部品の配置をより容易に認識可能となるとともに、封止体のダイシング位置の特定をより容易に行うことができる。
【００３１】
本実施形態では、図２に示すように、仮固定材１上に半導体チップ２ａ、２ｂを４行×８列の行列状に配置しており、偶数行かつ偶数列での配置となっている。説明の便宜上、図２中の仮固定材１の平面視での長方形の左上角に位置する半導体チップを基準とすると、この基準チップから長辺方向に第１行ｒ１が配置され、以降第４行ｒ４までの４行が配置されている。同時に、基準チップから短辺方向に第１列ｃ１が配置され、以降第８列ｃ８までの８列が配置されている。これにより、半導体チップ２ａ、２ｂの配置位置が線対称性を有することになる。
【００３２】
さらに、第１列ｃ１及び第２列ｃ２には半導体チップ２ａが配置され、第３列ｃ３から第６列ｃ６までは半導体チップ２ｂが配置され、第７列ｃ７及び第８列ｃ８には半導体チップ２ａが配置されている。これにより、対称軸Ａｘを挟んだ第１行ｒ１及び第２行ｒ２と第３行ｒ３及び第４行ｒ４との関係、並びに対称軸Ａｙを挟んだ第１列ｃ１から第４列ｃ４と第５列ｃ５から第８列ｃ８との関係において、半導体チップの種類の線対称性が得られることになる。
【００３３】
このようにして、半導体チップの配置位置及び種類のいずれにおいても線対称性が達成されることになり、複数種の半導体チップを被着体上に配置する場合であっても認識容易性を向上させることができる。
【００３４】
本工程Ｂでは、複数行のうち対称位置にある少なくとも２行、又は複数列のうち対称位置にある少なくとも２列には、単一種の電子部品を配置することが好ましい。これにより電子部品の配置位置をブロックごとに認識することができ、配置位置の認識容易性をさらに高めることができる。また、ブロックごとの処理が可能となるので、封止体のダイシング後のピックアップないし分別搬送の効率も向上させることができる。
【００３５】
本実施形態では、上述のように、第１列ｃ１及び第２列ｃ２には半導体チップ２ａのみが配置され、第３列ｃ３から第６列ｃ６までは半導体チップ２ｂのみが配置され、第７列ｃ７及び第８列ｃ８には半導体チップ２ａのみが配置されている。従って、８列ある半導体チップの列のうち、対称位置にある第１列ｃ１及び第２列ｃ２と第７列ｃ７及び第８列ｃ８との合計４列に、単一種である半導体チップ２ａが配置されている。同様に、対称位置にある第３列ｃ３及び第４列ｃ４と第５列ｃ５及び第６列ｃ６との合計４列には、単一種である半導体チップ２ｂが配置されていることになる。これにより、第１列ｃ１から第２列ｃ２までの集合を１つのブロック、第３列ｃ３から第６列ｃ６までの集合を１つのブロック、及び第７列ｃ７から第８列ｃ８までの集合を１つのブロックとして認識することができ、さらなる認識容易性の向上及び後工程の効率化を図ることができる。
【００３６】
［工程Ｃ１：封止工程］
封止工程では、封止樹脂シート１１を仮固定材１上へ積層して複数種の半導体チップ２ａ、２ｂを樹脂封止する（図３参照。ただし、図２から半導体チップを省略している部分がある。以下同じ。）。本実施形態の封止工程（工程Ｃ）では、封止樹脂シート１１の積層までを封止工程（工程Ｃ１）とし、積層した封止樹脂シート１１を熱硬化させる工程を封止体形成工程（工程Ｃ２）としている。封止樹脂シート１１の熱硬化は、プロセス設計に応じて行えばよい。この封止樹脂シート１１は、半導体チップ２ａ、２ｂ及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。
【００３７】
封止樹脂シート１１の積層方法としては特に限定されず、封止樹脂シートを形成するための樹脂組成物の溶融混練物を押出成形し、押出成形物を仮固定材１上に載置してプレスすることにより封止樹脂シート１１の形成と積層とを一括にて行う方法や、封止樹脂シート１１を形成するための樹脂組成物を離型処理シート上に塗布し、塗布膜を乾燥させて封止樹脂シート１１を形成した上で、この封止樹脂シート１１を仮固定材１上に転写する方法などが挙げられる。
【００３８】
本実施形態では、熱プレスやラミネータなど公知の方法により封止樹脂シート１１を仮固定材１上に積層することができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１２０℃、好ましくは、５０〜１００℃であり、圧力が、例えば、５０〜２５００ｋＰａ、好ましくは、１００〜２０００ｋＰａであり、時間が、例えば、０．３〜１０分間、好ましくは、０．５〜５分間である。また、封止樹脂シート１１の半導体チップ２ａ、２ｂへの密着性および追従性の向上を考慮すると、好ましくは、減圧条件下（例えば１０〜２０００Ｐａ）において、プレスすることが好ましい。
【００３９】
［工程Ｃ２：封止体形成工程］
封止体形成工程では、上記封止樹脂シート１１に熱硬化処理を施して封止体１５を形成する（図３参照）。封止樹脂シートの熱硬化処理の条件は、加熱温度として好ましくは１００℃から２００℃、より好ましくは１２０℃から１８０℃、加熱時間として好ましくは１０分から１８０分、より好ましくは３０分から１２０分の間、必要に応じて加圧しても良い。加圧の際は、好ましくは０．１ＭＰａから１０ＭＰａ、より好ましくは０．５ＭＰａから５ＭＰａを採用することができる。
【００４０】
［工程Ｄ：熱膨張性粘着剤層剥離工程］
熱膨張性粘着剤層剥離工程では、仮固定材１を加熱して熱膨張性粘着剤層１ａを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層１ａと封止体１５との間で剥離を行う（図４参照）。熱膨張性粘着剤層１ａ加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層１ａと封止体１５との界面での剥離を容易に行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、上述の熱膨張性粘着剤層中の発泡剤（熱膨張性微小球など）の発泡開始温度（熱膨張開始温度）以上であればよい。一般的な加熱処理条件としては、温度１００℃〜２５０℃で、１秒間〜９０秒間（ホットプレートなど）または５分間〜１５分間（熱風乾燥機など）である。
【００４１】
本工程では、半導体チップ２ａ、２ｂが露出した状態で、再配線形成工程に先だってプラズマ処理などにより研削体３６の表面をクリーニングしてもよい。
【００４２】
［工程Ｅ：再配線形成工程］
本実施形態ではさらに再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記放射線硬化型粘着剤層１ａの剥離後、上記露出した半導体チップ２ａ、２ｂと接続する再配線１９を封止体１５上に形成する（図５参照）。
【００４３】
再配線の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ２ａ、２ｂ上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線１９を形成することができる。
【００４４】
かかる後に、再配線１９及び封止体１５上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。
【００４５】
［工程Ｆ：バンプ形成工程］
次いで、形成した再配線１９上にバンプ１７を形成するバンピング加工を行ってもよい（図６参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプの材質は特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。これにより、他の部材との電気的接続のための配線要素を形成した積層体１６を作製することができる。
【００４６】
［工程Ｇ：ダイシング工程］
最後に、積層体１６のダイシングを行ってもよい（図７参照）。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した電子部品単位での電子部品パッケージ１８を得ることができる。ダイシングは、通常、従来公知のダイシングシートにより上記封止体１５を固定した上で行う。切断箇所の位置合わせは直接照明又は間接照明を用いた画像認識により行ってもよい。積層体１６における半導体チップ２ａ、２ｂは、平面視で長辺方向及び短辺方向ともに線対称の位置で配置されているので、ダイシングの際に積層体１６が回転等しても半導体チップ２ａ、２ｂの配置位置を容易に認識することができる。
【００４７】
本工程では、例えば、ダイシングシートまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
【００４８】
なお、ダイシング工程に続いて積層体のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングシートを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングシートを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、隣り合う電子パッケージ１８同士が接触して破損するのを防ぐことができる。
【００４９】
《他の実施形態》
第１実施形態では、被着体として仮固定材を用いているが、これに限定されず、半導体ウェハやプリント配線基板等を用いることができる。また、被着体として半導体ウェハやプリント配線基板等を用いる場合、これに搭載する電子部品としては第１実施形態で用いる半導体チップに限定されず、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ（表面弾性波））フィルタ、センサー、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）等の中空構造を有する電子デバイス（中空型電子デバイス）；コンデンサ；抵抗；発光素子等を用いることができる。また、中空構造を有する電子デバイスの場合、封止対象によってはアンダーフィル材等を用いて中空部分を含まないよう中実封止してもよい。
【００５０】
被着体上への電子部品の配置位置の別の態様を図８に示す。図８に示す態様では、仮固定材１上に半導体チップ２ａ、２ｂを４行×８列の行列状に配置しており、偶数行かつ偶数列での配置となっている。また、第１行ｒ１には半導体チップ２ａが配置され、第２行ｒ２から第３行ｃ３までは半導体チップ２ｂが配置され、第４行ｒ４には半導体チップ２ａが配置されている。これにより、対称軸Ａｘを挟んだ第１行ｒ１及び第２行ｒ２と第３行ｒ３及び第４行ｒ４との関係、並びに対称軸Ａｙを挟んだ第１列ｃ１から第４列ｃ４と第５列ｃ５から第８列ｃ８との関係において、半導体チップの種類の線対称性が得られることになる。
【００５１】
被着体上への電子部品の配置位置のさらに別の態様を図９に示す。図９に示す態様では、仮固定材１上に３種の半導体チップ２ａ、２ｂ、２ｃを４行×８列の行列状に配置しており、偶数行かつ偶数列での配置となっている。また、第１列ｃ１及び第２列ｃ２には半導体チップ２ａが配置され、第３列ｃ３には半導体チップ２ｂが配置され、第４列ｃ４及び第５列ｃ５までは半導体チップ２ｃが配置され、第６列ｃ６には半導体チップ２ｂが配置され、第７列ｃ７及び第８列ｃ８には半導体チップ２ａが配置されている。当該形態においても、対称軸Ａｘを挟んだ第１行ｒ１及び第２行ｒ２と第３行ｒ３及び第４行ｒ４との関係、並びに対称軸Ａｙを挟んだ第１列ｃ１から第４列ｃ４と第５列ｃ５から第８列ｃ８との関係において、半導体チップの種類の線対称性が得られることになる。
【００５２】
被着体上への電子部品の配置位置のなおさらに別の態様を図１０に示す。図１０に示す態様では、仮固定材１上に３種の半導体チップ２ａ、２ｂ、２ｃを４行×９列の行列状に配置しており、偶数行かつ奇数列での配置となっている。また、第１列ｃ１及び第２列ｃ２には半導体チップ２ａが配置され、第３列ｃ３には半導体チップ２ｂが配置され、第４列ｃ４から第６列ｃ６までは半導体チップ２ｃが配置され、第７列ｃ７には半導体チップ２ｂが配置され、第８列ｃ８及び第９列ｃ９には半導体チップ２ａが配置されている。当該形態においても、対称軸Ａｘを挟んだ第１行ｒ１及び第２行ｒ２と第３行ｒ３及び第４行ｒ４との関係、並びに対称軸Ａｙを挟んだ第１列ｃ１から第４列ｃ４と第６列ｃ６から第９列ｃ９との関係において、半導体チップの種類の線対称性が得られることになる。第５列ｃ５についても、長辺１Ｌ、１Ｌの各中点ｍ１、ｍ１を通る対称軸Ａｙに沿って配置されており、これにより封止体がどのような向きや姿勢となっても対称性は維持されるので、全体としては高度な線対称性が得られることになる。
【００５３】
［封止樹脂シート］
以下、封止樹脂シートを形成する樹脂組成物の好適な態様について説明する。樹脂組成物としては、封止樹脂シート硬化後の耐熱性や安定性を向上させる観点から、熱硬化性樹脂をさらに含むことが好ましい。具体的な成分として以下のＡ成分からＥ成分を含有するエポキシ樹脂組成物が好ましいものとして挙げられる。
Ａ成分：エポキシ樹脂
Ｂ成分：フェノール樹脂
Ｃ成分：エラストマー
Ｄ成分：無機充填剤
Ｅ成分：硬化促進剤
【００５４】
（Ａ成分）
熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
【００５５】
エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、中でも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
【００５６】
また、低応力性の観点から、アセタール基やポリオキシアルキレン基等の柔軟性骨格を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく、アセタール基を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、液体状で取り扱いが良好であることから、特に好適に用いることができる。
【００５７】
エポキシ樹脂（Ａ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体に対して１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましい。
【００５８】
（Ｂ成分）
フェノール樹脂（Ｂ成分）は、熱硬化性樹脂として用いることができるとともに、エポキシ樹脂（Ａ成分）との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂、等が用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５９】
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂（Ａ成分）との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、中でも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。
【００６０】
エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂（Ｂ成分）中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００６１】
（Ｃ成分）
エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられるエラストマー（Ｃ成分）は特に限定するものではなく、例えば、各種アクリル系共重合体やゴム成分等を用いることができる。エポキシ樹脂（Ａ成分）への分散性や、得られる封止樹脂シートの耐熱性、可撓性、強度を向上させることができるという観点から、ゴム成分を含むことが好ましい。このようなゴム成分としては、ブタジエン系ゴム、スチレン系ゴム、アクリル系ゴム、シリコーン系ゴムからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて用いてもよい。
【００６２】
エラストマー（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の１．０〜３．５重量％であることが好ましく、１．０〜３．０重量％であることがより好ましい。エラストマー（Ｃ成分）の含有量が１．０重量％未満では、封止樹脂シート１１の柔軟性及び可撓性を得るのが困難となり、さらには封止樹脂シートの反りを抑えた樹脂封止も困難となる。逆に上記含有量が３．５重量％を超えると、封止樹脂シート１１の溶融粘度が高くなって電子部品の埋まり込み性が低下するとともに、封止樹脂シート１１の硬化体の強度及び耐熱性が低下する傾向がみられる。
【００６３】
（Ｄ成分）
無機質充填剤（Ｄ成分）は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカ等）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６４】
中でも、エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱線膨張係数が低減することにより内部応力を低減し、その結果、電子部品の封止後の封止樹脂シート１１の反りを抑制できるという点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることがより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が５４μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜２０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。
【００６５】
なお、平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００６６】
無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、好ましくはエポキシ樹脂組成物全体の７０〜９０体積％（シリカ粒子の場合、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、８１〜９４重量％）であり、より好ましくは７４〜８５体積％（シリカ粒子の場合、８４〜９１重量％）であり、さらに好ましくは７６〜８３体積％（シリカ粒子の場合、８５〜９０重量％）である。無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量が７０体積％未満では、エポキシ樹脂組成物の硬化体の線膨張係数が大きくなるために、封止樹脂シート１１の反りが大きくなる傾向がみられる。一方、上記含有量が９０体積％を超えると、封止樹脂シート１１の柔軟性や流動性が悪くなるために、電子部品との接着性が低下する傾向がみられる。
【００６７】
（Ｅ成分）
硬化促進剤（Ｅ成分）は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されるものではないが、硬化性と保存性の観点から、トリフェニルホスフィンやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物や、イミダゾール系化合物が好適に用いられる。これら硬化促進剤は、単独で用いても良いし、他の硬化促進剤と併用しても構わない。
【００６８】
硬化促進剤（Ｅ成分）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部であることが好ましい。
【００６９】
（その他の成分）
エポキシ樹脂組成物には、Ａ成分からＥ成分に加えて、難燃剤成分を加えてもよい。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物等の各種金属水酸化物を用いることができる。また、難燃剤成分としては上記金属水酸化物のほか、ホスファゼン化合物を用いることができる。ホスファゼン化合物としては、例えばＳＰＲ−１００、ＳＡ−１００、ＳＰ−１００（以上、大塚化学株式会社）、ＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。環状ホスファゼンオリゴマーは、例えばＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。少量でも難燃効果を発揮するという観点から、ホスファゼン化合物に含まれるリン元素の含有率は、１２重量％以上であることが好ましい。
【００７０】
なお、エポキシ樹脂組成物は、上記の各成分以外に必要に応じて、カーボンブラックをはじめとする顔料等、他の添加剤を適宜配合することができる。
【００７１】
（封止樹脂シートの作製方法）
封止樹脂シートの作製方法を以下に説明する。本実施形態の封止樹脂シートの製造方法は、混練物を調製する混練工程、及び前記混練物をシート状に成形して封止樹脂シートを得る成形工程を含む。
【００７２】
（混練工程）
まず、上述の各成分を混合することによりエポキシ樹脂組成物を調製する。混合方法は、各成分が均一に分散混合される方法であれば特に限定するものではない。その後、各配合成分を直接ニーダー等で混練することにより混練物を調製する。
【００７３】
具体的には、上記Ａ〜Ｅ成分及び必要に応じて他の添加剤の各成分をミキサーなど公知の方法を用いて混合し、その後、溶融混練することにより混練物を調製する。溶融混練する方法としては、特に限定されないが、例えば、ミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機により、溶融混練する方法などが挙げられる。このようなニーダーとしては、例えば、軸方向の一部においてスクリュー羽のスクリュー軸からの突出量が他の部分のスクリュー羽のスクリュー軸からの突出量よりも小さい部分を有する混練用スクリュー、又は軸方向の一部においてスクリュー羽がない混練用スクリューを備えたニーダーを好適に用いることができる。スクリュー羽の突出量が小さい部分又はスクリュー羽がない部分では低せん断力かつ低攪拌となり、これにより混練物の圧縮率が高まって噛みこんだエアを排除可能となり、得られる混練物における気孔の発生を抑制することができる。
【００７４】
混練条件としては、温度が、上記した各成分の軟化点以上であれば特に制限されず、例えば３０〜１５０℃、エポキン樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃であり、時間が、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。これによって、混練物を調製することができる。
【００７５】
（成形工程）
得られる混練物をシート状に押出成形により成形することにより、封止樹脂シート１１を得ることができる。具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、封止樹脂シート１１を形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上記した各成分の軟化点以上であれば、特に制限されないが、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは、５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、封止樹脂シート１１を形成することができる。
【００７６】
封止樹脂シート１１の厚さは特に限定されないが、１００〜２０００μｍであることが好ましい。上記範囲内であると、良好に電子部品を封止することができる。また、樹脂シートを薄型にすることで、発熱量を低減でき、硬化収縮が起こりにくくなる。この結果、パッケージ反り量を低減でき、より信頼性の高い電子部品パッケージが得られる。
【００７７】
このようにして得られた封止樹脂シートは、必要により所望の厚みとなるように積層して使用してもよい。すなわち、封止樹脂シートは、単層構造にて使用してもよいし、２層以上の多層構造に積層してなる積層体として使用してもよい。
【実施例】
【００７８】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
【００７９】
［実施例１］
（封止樹脂シートの作製）
以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により、混練回転数を６００ｒｐｍとし、１２０℃で１０分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ２００μｍのシート状物を押出成形した。この成形物を平面視形状が２００ｍｍ×２２０ｍｍの長方形となるようにカットすることにより封止樹脂シートを作製した。
【００８０】
エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃））                  ３．４部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））  ３．６部
エラストマー：（三菱レーヨン社製、メタブレンＣ−１３２Ｅ）          ２．３部
無機充填剤：球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）８７．９部
シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−８０３）                                                      ０．５部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、ＭＡ６００）                    ０．１部
難燃剤：（（株）伏見製薬所製、ＦＰ−１００）                        １．８部
硬化促進剤：イミダゾール系触媒（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）  ０．４部
【００８１】
（仮固定材の準備）
厚さ４０μｍのＰＥＴフィルム上に熱発泡粘着フィルム（日東電工社製、製品名：リバアルファ（品番：Ｎｏ．３１９５Ｖ）、厚さ：１５８μｍ）を貼り合わせ、ここから平面視形状が２００ｍｍ×２２０ｍｍの長方形となるように切り出すことにより仮固定材を作製した。
【００８２】
（チップ配置位置の認識容易性の評価）
作製した仮固定材上に下記の仕様の半導体チップ１及び２を図２に示すように４行×８列の行列状に配置した。半導体チップ１を第１列ｃ１、第２列ｃ２、第７列ｃ７及び第８列ｃ８に配置し、半導体チップ２を第３列ｃ３から第６列ｃ６までに配置した。
【００８３】
＜半導体チップ１＞
半導体チップサイズ：７．３ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
バンプ材質：Ｃｕ  ３０μｍ、Ｓｎ−Ａｇ  １５μｍ厚み
バンプ数：５４４バンプ
バンプピッチ：５０μｍ
厚さ：１００μｍ
【００８４】
＜半導体チップ２＞
半導体チップサイズ：７．３ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
バンプ材質：Ｃｕ  ３０μｍ、Ｓｎ−Ａｇ  １５μｍ厚み
バンプ数：２７２バンプ
バンプピッチ：６０μｍ
厚さ：１００μｍ
【００８５】
半導体チップを配置した仮固定材上に、以下に示す加熱加圧条件下にて封止樹脂シートを真空プレスにより貼り付け、その後１５０℃で１時間加熱することにより封止樹脂シートを硬化させて封止体を作製した。
【００８６】
＜貼り付け条件＞
温度：９０℃
加圧力：４ＭＰａ
真空度：１．６ｋＰａ
プレス時間：３分
【００８７】
最後に封止体を半導体チップのブロックごとに切り分けるように下記の条件にてダイシングした。すなわち、封止体をダイシングテープ（商品名「Ｖ−８−Ｔ」、日東電工株式会社製）の粘着剤層上に貼り合わせた。次に、ダイシングラインを第２列ｃ２と第３列ｃ３との間、及び第６列ｃ６と第７列ｃ７との間に設け、このダイシングラインに沿ってダイシングした。ただし、配置工程時の配置を把握したままダイシング工程に移行しないように、ダイシング前に封止体を数回回転させてから仮固定材上に貼り合わせた。ダイシング後、第１列ｃ１及び第２列ｃ２の半導体チップ１のブロックと、第３列ｃ３から第６列ｃ６までの半導体チップ２のブロックと、第７列ｃ７及び第８列ｃ８の半導体チップ１のブロックの合計３つのブロックが得られるか否かを確認した（Ｎ＝５０）。目的の３つのブロックを１セットとしたブロックセット回収数及びその回収率を表１に示す。
【００８８】
＜ダイシング条件＞
ダイシング方法：ステップカット
ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ  ＤＦＤ６３６１（商品名、株式会社ディスコ製）
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：Ｚ１；ディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ２０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ１０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＢＢ」
ダイシングブレード回転数：Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ、Ｚ２；４５，０００ｒｐｍ
ダイシングテープ切り込み深さ：２０μｍ
【００８９】
［比較例１］
実施例１において、仮固定材上に半導体チップ１を第１列ｃ１から第３列ｃ３までと、第７列ｃ７及び第８列ｃ８に配置し、半導体チップ２を第４列ｃ４から第６列ｃ６までに配置し、ダイシングラインを第３列ｃ３と第４列ｃ４との間、及び第６列ｃ６と第７列ｃ７との間に設け、これらのダイシングラインによって区画される３つのブロックが得られるか否かを確認したこと以外は、実施例１と同様に配置位置の認識容易性の評価までを行った（Ｎ＝５０）。目的の３つのブロックを１セットとしたブロックセット回収数及びその回収率を表１に示す。
【００９０】
【表１】
2015097232.tif 000003
【００９１】
実施例１では、目的の３つのブロックを１セットとしたブロックセットが１００％の割合で得られ、複数種の半導体チップを用いても所望の電子部品パッケージを作製可能であった。一方、比較例１では、目的の３つのブロックを１セットとしたブロックセットが５６％という低い割合で得られ、複数種の半導体チップの配置位置の認識が困難であることが分かった。これは、半導体チップの配置位置が非対称であるために、封止体の回転とともにチップの配置位を誤認識し、認識すべきダイシングラインを図１１に示す破線のように誤って確定したことに起因すると考えられる。
【符号の説明】
【００９２】
１    被着体
１Ｌ    （被着体の）長辺
１Ｓ    （被着体の）短辺
２ａ、２ｂ、２ｃ    電子部品（半導体チップ）
１１    封止樹脂シート
ｍ１    （被着体の長辺の）中点
ｍ２    （被着体の短辺の）中点
Ａｘ    （短辺の中点を通る）対称軸
Ａｙ    （長辺の中点を通る）対称軸
【図１】
2015097232.tif 000004
【図２】
2015097232.tif 000005
【図３】
2015097232.tif 000006
【図４】
2015097232.tif 000007
【図５】
2015097232.tif 000008
【図６】
2015097232.tif 000009
【図７】
2015097232.tif 000010
【図８】
2015097232.tif 000011
【図９】
2015097232.tif 000012
【図１０】
2015097232.tif 000013
【図１１】
2015097232.tif 000014