(57)【要約】【課題】従来の製造方法に比べ、パーティクル除去性や有機物除去性に優れ、かつ洗浄時の腐食を抑制する電子材料用洗浄剤組成物を提供する。【解決手段】下記式（１）で表される化合物（Ａ）と、水とを含み、前記（Ａ）の溶解度パラメーターが６〜９であり、前記（Ａ）の含有量が（Ａ）と水との合計重量に基づいて５〜８５重量％である磁気ディスク基板用洗浄剤組成物。  Ｒ１−［（ＯＡ１）ｎ―ＯＲ２］ｂ          （１）  ［式中Ｒ１は炭素数１〜１０の炭化水素からｂ個の水素原子を除いた残基、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよく、（ＯＡ１）ｎ部分はランダム結合でもブロック結合でもよく、ｂは１〜６の整数である。］【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物（Ａ）と、水とを含み、前記（Ａ）の溶解度パラメーターが６〜９であり、前記（Ａ）の含有量が（Ａ）と水との合計重量に基づいて５〜８５重量％である磁気ディスク基板用洗浄剤組成物。
Ｒ１−［（ＯＡ１）ｎ―ＯＲ２］ｂ          （１）
［式中Ｒ１は炭素数１〜１０の炭化水素からｂ個の水素原子を除いた残基、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよく、（ＯＡ１）ｎ部分はランダム結合でもブロック結合でもよく、ｂは１〜６の整数である。］
【請求項２】
下記式（２）で表される化合物（Ｂ）を含み、前記化合物（Ｂ）の溶解パラメーターが９を超えて１５以下である請求項１記載の磁気ディスク基板用洗浄剤組成物。
Ｒ３−［（ＯＡ２）ｍ―ＯＲ４］ｃ          （２）
［式中Ｒ３は炭素数１〜２１の炭化水素からｃ個の水素原子を除いた残基、Ｒ４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ２は炭素数２〜４のアルキレン基、ｍは０〜２０の整数、ｍが２以上の場合のＡ２は同一でも異なっていてもよく、（ＯＡ２）ｍ部分はランダム結合でもブロック結合でもよく、ｃは１〜６の整数である。］
【請求項３】
イオン性界面活性剤（Ｃ）を含有する請求項１又は２記載の磁気ディスク基板用洗浄剤組成物。
【請求項４】
磁気ディスク基板が、ガラス基板、アルミニウム合金基板又は、Ｎｉ−Ｐめっきされたアルミニウム合金基板である請求項１〜３いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤組成物。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤組成物を使用する磁気ディスク基板の洗浄方法であって、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる１種以上の洗浄方法を用いて行なわれる磁気ディスク基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ディスク基板用洗浄剤組成物、及びそれを用いて行なう磁気ディスク基板の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドの浮上量もますます小さくなってきている。そのため、磁気ディスク基板の製造工程で、有機物、砥粒、研磨屑など残留のない基板が求められている。
【０００３】
磁気ディスクにはアルミ基材とガラス基材のものがある。例えばアルミ磁気ディスクの製造工程は、基材であるアルミニウム合金の基板の厚みを一定にするグラインド工程（１）、グラインド後のアルミニウム合金基板表面にＮｉ−Ｐ（ニッケル−リン）めっきを行った後、研磨を行い、表面を平坦化させた基板を作成するサブストレート工程（２）、サブストレート工程後の基板に磁性層をスパッタするメディア工程（３）を含む。
このうち、グラインド工程（１）では基板の厚みを一定にし、粗さやうねりを低減するために砥石と潤滑剤を使い基板を加工した後、洗浄工程で基板に残留した研磨剤等の有機物と研磨で発生した研磨くずを除去している。
【０００４】
サブストレート工程（２）では、基板の平坦化のために砥粒を含むスラリーによる研磨を行い、その後、スラリーおよび発生した研磨屑等のパーティクルをリンスして洗い流し、さらに、リンスで取り除けなかったパーティクルを後工程の洗浄工程で洗浄して完全に除去する。
【０００５】
一方、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程（３）では、搬送時や保管時に付着した異物を除去するためにスパッタリング前に洗浄をおこなう。
【０００６】
近年の磁気ディスクのますますの高容量化に伴って、基板の清浄度がこれまで以上に求められるようになり、従来の洗浄剤よりも高性能な洗浄剤が必要になってきている。磁気ディスクの厳しい高記録密度化を達成するためには、従来よりも微細なサイズのパーティクルと残留を減らす必要が出てきている。特にアルミ基板は、近年のクラウドコンピューティングの発展に伴い、１枚あたり１ＴＢ以上の基板が求められている。そのため、パーティクルの残留を従来以上に減らす必要があるだけでなく、有機物の残存を厳しく管理する必要が出てきている。
そのため、強固に基板に付着した異物に対する洗浄性を向上させた洗浄剤が提案されている。例えば、特定の非イオン性界面活性剤、水溶性アミン化合物および水を含有する磁気ディスク基板用の洗浄剤が提案されている（特許文献１）。また、ポリアクリル酸アルカリ金属塩、ｐ−トルエンスルホン酸アルカリ金属塩、水溶性アミン、キレート剤および水を含有する磁気ディスクアルミ基板用の洗浄剤が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−０４６８０７号公報
【特許文献２】特開２００８−００７６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１の洗浄剤は基板に固着したパーティクルの除去性能はあるものの、グラインド工程で使用される潤滑剤などの有機物や搬送時や保管時に付着した有機物の除去性能が不充分なうえ、基板を腐食しピットが発生する。
また、上記特許文献２の洗浄剤は有機物除去性とアルミ合金腐食抑制には優れているが、パーティクル除去性が不充分である。
そこで、従来の洗浄剤と比べてパーティクル除去性や有機物除去性に優れ、かつ洗浄時の腐食を抑制する電子材料用洗浄剤組成物、および電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、洗浄工程で汚れを基板から剥離するだけでなく、パーティクルの分散性を維持したまま、洗浄工程後のリンス工程においても溶解した成分の析出を防止でき、かつ引火点がなく安全性に優れる電子材料用磁気ディスク基板用洗浄剤、および電子材料の製造方法を見出し、本発明に至った。
下記式（１）で表される化合物（Ａ）と水とを含み、（Ａ）の溶解度パラメーターが６〜９であり、前記（Ａ）の含有量が（Ａ）と水との合計重量に基づいて５〜８５重量％である磁気ディスク基板用洗浄剤組成物である。
Ｒ１−［（ＯＡ１）ｎ―ＯＲ２］ｂ          （１）
［式中Ｒ１は炭素数１〜１０の炭化水素からｂ個の水素原子を除いた残基、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよく、（ＯＡ１）ｎ部分はランダム結合でもブロック結合でもよく、ｂは１〜６の整数である。］
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電子材料用磁気ディスク基板用洗浄剤および電子材料の製造方法は、磁気ディスク基板（ガラス、アルミニウム合金又はニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）合金をめっきされたアルミニウム合金基板）の製造工程において基板にダメージを与えることなく、効率的な洗浄ができるといった特徴を有する。そのため、磁気ディスクの高記録密度化で要求される清浄度が高い磁気ディスク基板を提供することができる。  
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明において磁気ディスク基板とは、特に限定するものではなく、磁気ディスク用ガラス基板、アルミニウム合金又は表面がＮｉ−Ｐめっきされた磁気ディスク用アルミ基板等が挙げられる。
【００１２】
本発明の洗浄剤は下記式（１）で表される化合物（Ａ）と、水と含み、前記の溶解度パラメーターが６〜９である。
Ｒ１−［（ＯＡ１）ｎ―ＯＲ２］ｂ          （１）
【００１３】
式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜１０の炭化水素からｂ個の水素原子を除いた残基、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ１は炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは０〜２０の整数、ｎが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよく、（ＯＡ１）ｎ部分はランダム結合でもブロック結合でもよく、ｂは１〜６の整数である。
【００１４】
（Ａ）の溶解度パラメーターは６〜９である。この範囲から外れると、基板に対する洗浄性が劣ったりと安全性が劣ったりする場合がある。（Ａ）の溶解パラメーターは好ましくは６．０〜８．５、特に好ましくは６．５〜８．５である。
【００１５】
本発明において溶解パラメーター（ＳＰ）とは凝集エネルギー密度［ＣｏｈｅｓｉｖｅＥｎｅｎｇｙ Ｄｅｎｓｉｔｙ（以下ＣＥＤと略記）］の平方根を示す。またこのＣＥＤは下記の通り物理化学的に１ｃｍ3の物質を蒸発せしめるのに必要なエネルギー量を示す。
（ＳＰ）2＝ＣＥＤ＝ΔＥ／Ｖ＝（ΔＨ−ＲＴ）／Ｖ
ΔＥ ： 蒸発エネルギー（Ｃａｌ／モル）
Ｖ ： モル容量（Ｃｍ3／ モル）
ΔＨ ： 蒸発潜熱（Ｃａｌ／モル）
Ｒ ： ガス恒数（１．９８７／モル・°Ｋ）
Ｔ ： 絶対温度（°Ｋ）
【００１６】
ＳＰは分子の極性の程度を示し、すなわちＳＰの値が溶液の熱力学的性性質を支配し、この値から溶解度等を定常的に予測したり、説明したりすることができる。ＳＰの計算方法はロバート・エフ・フェーダース等「 ポリマーエンジニアリングアンドサイエンス」 １９７４年２月発行、第１４巻、Ｎｏ２あるいは「 溶液と溶解度」 篠田耕三郎著、丸善（株）、発行Ｐ９２〜１０６に記載されている。
【００１７】
本発明の洗浄剤は洗浄液として使用される場合の有効成分濃度において（Ａ）の含有量が（Ａ）と水との合計重量に基づいて５〜８５重量％である。（Ａ）の含有量が（Ａ）と水との合計重量に基づいてその範囲にあると、付着した有機物の除去性に対して優れた効果を発揮しやすくなるうえ、引火点を持たず取り扱い安全性の観点に優れている。なお、同様の効果の観点から、（Ａ）の含有量は好ましくは２０〜８０重量％、特に好ましくは３０〜８０重量％、最も好ましくは４０〜８０重量％である。
【００１８】
本発明の（Ａ）としては、溶解パラメーターが６〜９であって、グリコール系溶剤が挙げられる。
【００１９】
グリコール系溶剤としてはエチレンオキサイド系グリコールエーテル（Ａ−１）、プロピレンオキサイド系グリコールエーテル（Ａ−２）が挙げられる。
【００２０】
エチレンオキサイド系グリコールエーテル（Ａ−１）としては、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルアセテート、エチレングリコール−２−ブチルエーテル、エチレングリコールモノペンチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール−２−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノアリルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノアセテート、トリエチレングリコール−２−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノペンチルエーテル、トリエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル及びトリエチレングリコールモノアリルエーテルからなる群から選ばれる１種以上の活性水素基を、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基及びイソブチル基からなる群から選ばれる１種以上に置換したエーテル化物等が挙げられる。
より詳しく具体的には、ジエチレングリコールモノメチルエーテルの活性水素基をメチル基に置換したジエチレングリコールモノメチルエーテルのメチルエーテル化物、及びジエチレングリコールモノメチルエーテルの活性水素基をイソブチル基に置換したジエチレングリコールメチルエーテルのイソブチルエーテル化物等が挙げられる。
【００２１】
プロピレンオキサイド系グリコールエーテル（Ａ−２）としては、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールモノエチルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルアセテート等が挙げられる。
【００２２】
本発明は（Ａ）を水に安定的に分散させる、もしくは可溶化させるために下記式（２）で表される化合物及びピロリドン化合物群から選ばれる1種以上の化合物（Ｂ）を含んでいてもよく、前記化合物（Ｂ）の溶解パラメーターは９を超えて１５以下である。
Ｒ３−［（ＯＡ２）ｍ―ＯＲ４］ｃ          （２）
【００２３】
式（２）中、Ｒ３は炭素数１〜２１の炭化水素からｃ個の水素原子を除いた残基、Ｒ４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基、Ａ２は炭素数２〜４のアルキレン基、ｍは０〜２０の整数、ｍが２以上の場合のＡ２は同一でも異なっていてもよく、（ＯＡ２）ｍ部分はランダム結合でもブロック結合でもよく、ｃは１〜６の整数である。
【００２４】
化合物（Ｂ）としては、溶解パラメーターが９を超えて１５以下であって、アルコール及びジオール（Ｂ−１）、グリコール系溶剤（Ｂ−２）、非イオン性界面活性剤（Ｂ−３）、ピロリドン化合物（Ｂ−４）が挙げられる。
【００２５】
本発明の洗浄剤に用いるアルコール及びジオール（Ｂ−１）としては１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、２−メチル−２−ブタノール等が挙げられる。
【００２６】
本発明の洗浄剤に用いるグリコール系溶剤（Ｂ−２）としてはエチレンオキサイド系グリコールエーテル（Ｂ−２ａ）とプロピレンオキサイド系グリコールエーテル（Ｂ−２ｂ）が挙げられる。
【００２７】
（Ｂ−２ａ）のエチレンオキサイド系グリコールエーテルとしてはエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール−２−ブチルエーテル、エチレングリコールモノペンチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール−２−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノアリルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール−２−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノペンチルエーテル、トリエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテル等が挙げられる。
【００２８】
（Ｂ−２ｂ）のエチレンオキサイド系グリコールエーテルとしてはプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等が挙げられる。
【００２９】
本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤（Ｂ−３）としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｂ−３ａ）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｂ−３ｂ）等が挙げられる。
【００３０】
（Ｂ−３ａ）としては、（Ｂ−２）を除く、高級アルコールアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪酸エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、及びポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル、ソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物、ソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。
【００３１】
（Ｂ−３ｂ）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル等が挙げられる。
【００３２】
本発明の洗浄剤に用いるピロリドン化合物（Ｂ−４）としては１−アセチル−２−ピロリドン、１−ｔ−ブトキシカルボニル−３−ピロリドン、１−シクロヘキシル−２−ピロリドン、１−（２−ヒドロキシプロピル）−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、ｎ−オクチル−２−ピロリドン、４，４−ペンタメチレン−２−ピロリドン、１−フェニル−２−ピロリドン５−メチル−２−ピロリドン、１−メチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−アセチル−２−ピロリドン、１−シクロヘキシル−２−ピロリドン等が挙げられる。
【００３３】
本発明は（Ａ）を水に安定的に分散させる、もしくは可溶化させるために１種類以上のイオン性界面活性剤（Ｃ）を含んでいてもよい。
【００３４】
イオン性界面活性剤としてはアニオン界面活性剤（Ｃ−１）、カチオン界面活性剤（Ｃ−２）、又は両性界面活性剤（Ｃ−３）を含んでいてもよい。
【００３５】
アニオン性界面活性剤（Ｃ−１）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ−１ａ）及び低分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ−１ｂ）が挙げられる。
【００３６】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ−１ａ）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有し、１，０００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。（Ｃ−１ａ）の具体例としては、以下の（Ｃ−１ａ−１）〜（Ｃ−１ａ−５）等が挙げられる。
【００３７】
（Ｃ−１ａ−１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等；
【００３８】
（Ｃ−１ａ−２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等；
【００３９】
（Ｃ−１ａ−３）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートリン酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物等；
【００４０】
（Ｃ−１ａ−４）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等；
【００４１】
（Ｃ−１ａ−４）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等。
【００４２】
（Ｃ−１ａ）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、１，０００〜８００，０００が好ましく、更に好ましくは１，２００〜４００，０００、特に好ましくは１，５００〜８０，０００、最も好ましくは２，０００〜４０，０００である。本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記）によって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。具体的には、例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）を用いて測定される。
【００４３】
低分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ−１ｂ）としては、低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−１）、低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−２）、低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−３）及び低分子型リン酸エステル系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−４）等の分子量（Ｍｗ又は構造に基づく計算値の分子量）が１，０００未満のアニオン性界面活性剤が挙げられる。
アニオン性界面活性剤のうちのスルホン酸系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−１）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸（モノ、ジ）エステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）、石油スルホネート（塩）、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）及びクメンスルホン酸（塩）等が挙げられる。（Ｃ−１ｂ−１）の具体例としては、ジオクチルスルホコハク酸（塩）、パラトルエンスルホン酸（塩）、オルトトルエンスルホン酸（塩）、メタキシレンスルホン酸（塩）及びパラキシレンスルホン酸（塩）等が挙げられる。
【００４４】
低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−２）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエチレンオキサイド１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。（Ｃ−１ｂ−２）の具体例としては、２−エチルヘキサノール硫酸エステル（塩）、オクタノール硫酸エステル（塩）、１，１０−デカンジオールジ硫酸エステル（塩）及びラウリルアルコールのエチレンオキサイド（５モル）付加物のジ硫酸エステル（塩）等が挙げられる。
【００４５】
低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−３）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。（Ａ−２ｂ−３）の具体例としては、ｎ−オクタン酸（塩）、２−エチルヘキサン酸（塩）、ｎ−ノナン酸（塩）、イソノナン酸（塩）、オレイン酸（塩）及びステアリン酸（塩）等が挙げられる。
【００４６】
低分子型リン酸エステル系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−４）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールのリン酸（モノ、ジ）エステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物のリン酸（モノ、ジ）エステル（塩）等が挙げられる。（Ａ−２ｂ−４）の具体例としては、ラウリルアルコールモノリン酸エステル（塩）、ラウリルアルコールのエチレンオキサイド（５モル）付加物のリン酸モノエステル（塩）及びオクチルアルコールジリン酸エステル（塩）等が挙げられる。
【００４７】
（Ｃ−１）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定無いが、通常、アルカリ金属（ナトリウム及びカリウム）塩、アンモニウム塩、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩、３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）又は１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、１Ｈイミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩及び第４級アンモニウム塩（テトラアルキルアンモニウム等）塩である。これらの中で、基板への金属汚染の観点から、好ましいのはアンモニウム塩、１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩及び第４級アンモニウム塩であり、最も好ましいのはＤＢＵ、ＤＢＮ、ＤＡＢＣＯ、Ｎ−メチルジエタノールアミン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール及び２−エチル−１Ｈ−イミダゾールの塩である。
【００４８】
アニオン性界面活性剤（Ｃ−２）のうち好ましいのは、パーティクルの再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ−２ａ）、低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ｃ−２ｂ−１）、低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−２）及び低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ｃ−１ｂ−３）であり、更に好ましいのは（Ｃ−１ａ）、（Ｃ−１ｂ−１）及び（Ｃ−１ｂ−２）、特に好ましいのはポリアクリル酸（塩）、ポリスチレンスルホン酸（塩）、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体の塩，メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体の塩、オクチルベンゼンスルホン酸（塩）、パラトルエンスルホン酸（塩）、メタキシレンスルホン酸（塩）及び２−エチルヘキサノール硫酸エステル（塩）である。
（Ｃ−１）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。パーティクルの分散性の観点から、２種以上を併用する方がより好ましい。
【００４９】
カチオン性界面活性剤（Ｃ−２）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ｃ−２ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩等｝、及びアミン系界面活性剤（Ｃ−２ｂ）｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩又は有機酸塩等｝等が挙げられる。
【００５０】
両性界面活性剤（Ｃ−３）としては；ベタイン型両性界面活性剤（Ｃ−３ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン、スルフォベタイン型等｝；アミノ酸型両性界面活性剤（Ｃ−３ｂ）｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型、アルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型等］、グリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等］｝；及びアミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ｃ−３ｃ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤等｝；等が挙げられる。
【００５１】
イオン界面活性剤（Ｃ）のうち、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、アニオン性界面活性剤（Ｃ−１）である。
【００５２】
本発明の洗浄剤におけるイオン性界面活性剤（Ｃ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、１．５〜１００％が好ましく、更に好ましくは２〜９０％、特に好ましくは３〜８０％である。 
【００５３】
本発明の洗浄剤には、（Ａ）〜（Ｃ）以外に、キレート剤（Ｄ）、ｐＨ調整剤（Ｅ）、分散剤（Ｆ）を含有もしてもよい。
【００５４】
キレート剤（Ｄ）としては、アミノポリカルボン酸｛例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）等｝、ヒドロキシカルボン酸（例えば、酒石酸、クエン酸、グルコン酸等）、ホスホン酸｛例えば、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）等｝および縮合リン酸（例えばトリポリリン酸等）等；およびこれらの塩が挙げられる。本発明のキレート剤は２種以上を併用して使用してもよい。
これらのうち、砥粒の洗浄性の観点でＨＥＤＰ、ＤＴＰＡが好ましい。
【００５５】
本発明の洗浄剤中のキレート剤（Ｄ）の使用時の含有量は、０．００１〜５重量％であり、耐エッチング性の観点で好ましくは０．０１〜０．５重量％である。
【００５６】
ｐＨ調整剤（Ｅ）としては、酸（無機酸および有機酸）もしくはアルカリ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリおよびジエタノールアミン、イソプロパノールアミン等のアミン）が挙げられる。
本発明の洗浄剤の使用時のｐＨは１．０〜１３．０であり、耐腐食抑制の観点で４．０〜１２．０が好ましく、さらに好ましくは８．０〜１２．０である。
【００５７】
分散剤（Ｆ）としては、ポリエチレングリコール（エチレンオキサイド付加モル数４１以下のものを除く）、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリリン酸等が挙げられる。
【００５８】
本発明の洗浄の対象となる電子材料としては、磁気ディスク基板（ガラス基板、アルミニウム基板及びＮｉ−Ｐめっきが施されたアルミニウム基板）が挙げられる。
【００５９】
本発明の電子材料の洗浄方法は、上記の洗浄剤を用いて磁気ディスク基板を洗浄する洗浄方法である。洗浄対象物（汚れ）としては、油分（クーラント等）、人体からの汚れ（指紋、皮脂等）、可塑剤（ジオクチルフタレート等）、有機パーティクル等の有機物及び無機パーティクル［研磨剤（例えば、酸化セリウム、アルミナ、コロイダルシリカ及びダイヤモンド等）及び研磨屑（ガラスカレット等）等］等の無機物が挙げられる。
【００６０】
本発明の洗浄方法は、有機物の除去性に極めて優れていることから、磁気ディスク基板製造工程の内、クーラントなど有機物を用いた研磨剤を用いて研磨、研削を行った後の洗浄工程で行うことが好ましく、より具体的には研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程又はテクスチャリング工程後の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
また、大気中に浮遊する汚れ（パーティクル及び有機物汚れ等）が基板表面に強固に付着することを防止する為に、上記の洗浄工程前後において当該基板を本発明の洗浄剤に浸漬してもよい。
【００６１】
本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。
【００６２】
本発明の洗浄剤を使用して洗浄する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜５０、特に好ましくは２０〜４０である。
【００６３】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。尚、実施例及び比較例用いる超純水は比抵抗値が１８ＭΩ以上のものを使用した。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、％は重量％、部は重量部を示す。
【００６５】
実施例１〜７、および比較例１〜３
表１に記載の組成となるように、各成分を配合し、２５℃、マグネチックスターラーで４０ｒｐｍ、２０分間攪拌して、本発明の洗浄剤および比較のための洗浄剤を得た。
上記洗浄剤をさらに超純水で５０倍希釈して、性能試験用のサンプル液を作成した。
【００６６】
砥粒や基板材料の材質が異なる各種性能評価試験は下記の方法で行った。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【００６７】
＜洗浄性評価−１（アルミ基板）＞
モデル汚染物質としてトリエタノールアミン（東京化成製）３．０％を分散させた水溶液にオレイン酸（和光純薬工業製）を添加し、ｐＨを７．０に調整した水溶液を作成した。２０ｍｍ×２０ｍｍに切断した市販のアルミ合金（Ａ５０５２）板（厚さ１０ｍｍ）上にモデル汚染物質０．５ｍｌ滴下し、７０℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１分間融着させることにより汚染基板を作製した。洗浄剤１００ｍｌに２５℃で１分間浸漬し、洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価点に従い、基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製、ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２、倍率４００倍）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
以下の判断基準で洗浄性試験を判定し、判定結果を表１に示した。
【００６８】
【表１】
2015181079.tif 000002
【００６９】
◎：ほぼ完全に除去できている。
〇：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
【００７０】
＜洗浄性試験―２（Ｎｉ−Ｐめっきされたアルミニウム基板）＞
アルミ合金（Ａ５０５２）板の代わりに３．５インチのＮｉ−Ｐめっきされた磁気ディスク用アルミニウム基板を用いた以外は、洗浄性試験−１と同様の操作と判断基準で評価した。
【００７１】
＜洗浄性試験―３（ガラス基板）＞
アルミ合金（Ａ５０５２）板の代わりに、２．５インチの市販の磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、洗浄性試験−１と同様の操作と判断基準で評価した。
【００７２】
＜安全性＞
組成物の引火点を測定することで、安全性を評価した。
尚、引火点は、クリーブランド開放法（ＪＩＳＫ２２６５−４）に準拠し測定し、引火点を持たず、水が沸騰する組成物を安全とした。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明の磁気ディスク基板洗浄剤組成物を使用することにより、清浄度が高い磁気ディスク基板を提供することができる。