(57)【要約】      （修正有）【課題】蒸気交差汚染を防ぐために、様々な媒体からの煙が、共通処理チャンバに混ざり合うことを防ぐことができる回収体構造を提供する。【解決手段】ウエハＷ状の物品を保持し、回転軸を中心に回転させるスピンチャック２と、ウエハ状の物品の少なくとも１つの面の上に流体を施す少なくとも１つのディスペンサ（分注装置）３とを備える。カップ状の回収体４は、スピンチャックを囲み、異なる回収体レベルＬ１、Ｌ２、Ｌ３で流体を個別に回収するための少なくとも２つの回収体レベルを有する。各回収体レベルは、それぞれの排出ガス導管３１、３２、３３に通じる排出ガス回収チャンバ１１、１２、１３を備える。少なくとも１つの排出ガス導管は、排出ガス導管を回収体の外の周囲環境に開きながら、またその逆も同様にして、その結合した排出ガス導管からの排出ガス流を相互に制限する弁機構５１、５２、５３を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ状の物品を処理する装置であって、
ウエハ状の物品を保持し、回転軸を中心に回転させるスピンチャックと、
ウエハ状の物品の少なくとも１つの面の上に流体を供給する少なくとも１つのディスペンサと、
前記スピンチャックを囲み、処理流体を回収する回収体であって、異なる回収体レベルで流体を個別に回収するための少なくとも２つの回収体レベルを有する回収体と、
を備え、
各前記少なくとも２つの回収体レベルは、それぞれの排出ガス導管に通じる排出ガス回収チャンバを備え、
前記排出ガス導管の少なくとも１つは、前記排出ガス導管を前記回収体の外の周囲環境に開きながら、また逆も同様にして、その結合された排出ガス導管からの排出ガス流を相互に制限する弁機構を備える、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記排気導管の１つは、前記排気導管の前記１つから別の前記排気導管に排出ガスを送るよう動作可能なバイパス弁を備える、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記弁機構は、前記排気導管が外側環境に対して密封されながら、その結合された排気導管からの排出ガスが通過できるチャンバ位置と、前記排気導管が前記弁機構の上流の排出ガスを閉じ込めるように密封されながら、回収体の外の周囲大気が通過できる周囲位置との間で、移動可能なフラップ弁を備える、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記回収体は、少なくとも３つの前記回収体レベルを備え、少なくとも２つの前記回収体レベルの排気導管はそれぞれ、対応する前記弁機構を備える、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記排気導管の１つは、排出ガスを前記排気導管の前記１つから２つ目の前記排気導管に送るよう動作可能な第１のバイパス弁と、排出ガスを前記排気導管の前記１つから３つ目の前記排気導管に送るよう動作可能な第２のバイパス弁とを備える、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記弁機構を動作させる制御装置をさらに備え、前記弁機構は、前記回収体に対して１つの回収体レベルから別の回収体レベルに移動する前記スピンチャックに応じて動作する、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記回収体レベルは、前記スピンチャックの回転軸に沿って垂直に重ねられる、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記回収体は３つの回収体レベルを備え、前記３つの回収体レベルのうち最も上のレベルの排気導管は、排出ガスを前記排気導管から前記３つの回収体レベルのうち最も下のレベルの排気導管に迂回させるよう動作可能な第１のバイパス弁と、排出ガスを前記排気導管から前記３つの回収体レベルのうち真ん中のレベルの排気導管に迂回させるよう動作可能な第２のバイパス弁と、前記第１および前記第２のバイパス弁の下流にある前記最も上の回収体レベルの前記排気導管に配置される前記弁機構と、を備える、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記回収体は３つの回収体レベルを備え、各対応する排気導管はそれぞれの弁機構を備える、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置であって、
前記弁機構は、その結合された排気導管における前記弁機構の動作が、前記少なくとも２つの回収体レベルの他のものにおいて、２０Ｐａ未満の気圧変動を引き起こすように動作可能である、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、
前記回収体は３つの回収体レベルを備え、各対応する排気導管はそれぞれの弁機構を備える、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置であって、
前記排出ガス導管の前記少なくとも１つはさらに、前記弁機構の上流に配置されたバイパス弁を備え、前記バイパス弁は、排出ガスを前記排気導管の前記少なくとも１つから別の前記排気導管に送るよう動作可能である、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記バイパス弁の下流の位置で前記少なくとも１つのガス導管を外側環境に開きながら、チャンバ排気路に対して前記少なくとも１つの排気導管を密封するために前記弁機構を動作させると同時に、前記バイパス弁が排出ガスを前記少なくとも１つの導管から前記別の導管に迂回させるよう動作するように、前記弁機構および前記バイパス弁は制御装置によって操作される、装置。
【請求項１４】
ウエハ状の物品を処理する方法であって、
ウエハ状の物品を保持して、スピンチャック上で回転軸を中心に回転させることと、
前記ウエハ状の物品の少なくとも１つの面の上に第１の流体を供給することと、
前記スピンチャックを囲む回収体の少なくとも２つの処理レベルで処理流体を個別に回収することと、
各前記少なくとも２つの回収体レベルは、それぞれの排出ガス導管に通じる排出ガス回収チャンバを備え、
少なくとも１つの前記排出ガス導管と結合した弁機構を操作し、その排出ガス導管を前記回収体の外の周囲環境に開きながら、またその逆も同様にして、その結合した排出ガス導管からの排出ガス流を相互に制限することと、
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
さらに、前記排気導管の１つに取り付けられたバイパス弁を操作し、排出ガスをその排気導管から別の排気導管に送ることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記弁機構は、前記排気導管が外側環境に対して密封されながら、その結合された排気導管からの排出ガスが通過できるチャンバ位置と、前記排気導管が前記弁機構の上流の排出ガスを閉じ込めるよう密封されながら、前記回収体の外の周囲大気が通過できる周囲位置との間で、フラップ弁を移動できるように動作する、方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法であって、
前記弁機構は、その結合された排気導管における前記弁機構の動作が、前記少なくとも２つの回収体レベルの他のものにおいて２０Ｐａ未満の気圧変動を引き起こすように動作する、方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法であって、
それぞれ異なる成分を有するプロセスガス類は、それぞれの排気導管を通じてそれぞれ排気される、方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の方法であって、
さらに、前記第１の流体と異なる化学成分の第２の流体をウエハ上に供給することと、
前記第１の処理流体によって生成されたガスが回収される排気導管とは異なる排気導管を通じて、第２の処理流体から生成されたガスを回収することと、を含む方法。
【請求項２０】
請求項２０に記載の方法であって、
排出ガスは、共通排気ユニットによって少なくとも２つの別体の回収体から同時に回収される、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、平面パネルディスプレイ、若しくは光ディスクなどのウエハ状の物品を処理する装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハは、エッチング、洗浄、研磨、材料堆積などの様々な表面処理工程の対象となる。このような工程に対応するため、例えば米国特許第４，９０３，７１７号および第５，５１３，６６８号に記載されるように、単一のウエハは、回転可能なキャリアと結合されたチャックによって１つ以上の処理流体ノズルに対して支持されてよい。
【０００３】
米国特許第４，９０３，７１７号には、液体回収体の内部からガスを回収する複数の液体回収レベルおよび共通排気管を有する周囲液体回収体に対して、スピンチャックが上下してよいことが開示されている。
【０００４】
米国特許第７，８３７，８０３号には、改良された液体および気体回収体において、各レベルで設けられた弁によって、各レベルの排気が個別に制御されてよいことが開示されている。しかし、ウエハ状の物品上で実施される特定の工程によっては、その特許の弁は化学侵食性煙と接触するであろう。そのような状況下で、そのような弁を正常動作できる状態に維持することは難しいかもしれない。
【０００５】
従って、蒸気交差汚染を防ぐために、様々な媒体（例えば、酸、塩基、有機物）からの煙が、共通処理チャンバに混ざり合うことをより良く防ぐことができる回収体構造が必要である。そのような交差汚染は、精巧な処理装置の上に結晶性固体が堆積することになるだけでなく、様々な安全上の問題も引き起こしうる。
【発明の概要】
【０００６】
そのため、一態様における本発明は、ウエハ状の物品を保持し、回転軸を中心に回転させるスピンチャックと、ウエハ状の物品の少なくとも１つの面の上に流体を供給する少なくとも１つのディスペンサとを備える、ウエハ状の物品を処理する装置に関連する。回収体は、処理流体を回収するスピンチャックを囲み、異なる回収体レベルで流体を個別に回収するための少なくとも２つの回収体レベルを有する。各少なくとも２つの回収体レベルは、それぞれの排出ガス導管に通じる排出ガス回収チャンバを備える。少なくとも１つの排出ガス導管は、排出ガス導管を回収体の外の周囲環境に開きながら、またその逆も同様にして、その結合された排出ガス導管からの排出ガス流を相互に制限する弁機構を備える。本明細書で用いられる「流体」は液体を含意するものであるが、そのような液体は気泡（例えば、泡の性質上２相混合物として）を含んでよく、２つ以上の混和性または非混和性の液体混合物、浮遊固体を含む液体、またはそれらの任意の混合物であってよい。
【０００７】
本発明による装置の好ましい実施形態では、排気導管の１つは、排出ガスを排気導管から別の排気導管に送るよう動作可能なバイパス弁を備える。
【０００８】
本発明による装置の好ましい実施形態では、弁機構は、排気導管が外側環境に対して密封されながら、その結合された排気導管からの排出ガスが通過できるチャンバ位置と、排気導管が弁機構の上流の排出ガスを閉じ込めるように密封されながら、回収体の外の周囲大気が通過できる周囲位置との間で移動可能なフラップ弁を備える。
【０００９】
本発明による装置の好ましい実施形態では、回収体は少なくとも３つの回収体レベルを備え、少なくとも２つの回収体レベルの排気導管はそれぞれ、対応する弁機構を備える。
【００１０】
本発明による装置の好ましい実施形態では、排気導管の１つは、排出ガスを排気導管の１つから２つ目の排気導管に送るよう動作可能な第１のバイパス弁と、排出ガスを排気導管の１つから３つ目の排気導管に送るよう動作可能な第２のバイパス弁とを備える。
【００１１】
本発明による装置の好ましい実施形態では、制御装置は弁機構を動作させるために備えられ、弁機構は、回収体に対して１つの回収体レベルから別の回収体レベルに移動するスピンチャックに応じて動作する。
【００１２】
本発明による装置の好ましい実施形態では、回収体レベルはスピンチャックの回転軸に沿って垂直に重ねられる。
【００１３】
本発明による装置の好ましい実施形態では、回収体は３つの回収体レベルを備え、３つの回収体レベルのうち最も上のレベルの排気導管は、排出ガスを排気導管から３つの回収体レベルのうち最も下のレベルの排気導管に迂回させるよう動作可能な第１のバイパス弁と、排出ガスを排気導管から３つの回収体レベルのうち真ん中のレベルの排気導管に迂回させるよう動作可能な第２のバイパス弁と、第１および第２のバイパス弁の下流にある最も上の回収体レベルの排気導管に配置される弁機構とを備える。
【００１４】
本発明による装置の好ましい実施形態では、回収体は３つの回収体レベルを備え、各対応する排気導管はそれぞれの弁機構を備える。
【００１５】
本発明による装置の好ましい実施形態では、弁機構は、その結合された排気導管における弁機構の動作が、少なくとも２つの回収体レベルの他のものにおいて２０Ｐａ未満の気圧変動を引き起こすように動作可能である。
【００１６】
本発明による装置の好ましい実施形態では、回収体は３つの回収体レベルを備え、各対応する排気導管はそれぞれの弁機構を備える。
【００１７】
本発明による装置の好ましい実施形態では、排出ガス導管の少なくとも１つはさらに、弁機構の上流に配置されたバイパス弁を備え、バイパス弁は、排出ガスをその排気導管から別の排気導管に送るよう動作可能である。
【００１８】
本発明による装置の好ましい実施形態では、バイパス弁の下流の位置で少なくとも１つのガス導管を外側環境に開きながら、チャンバ排気路に対して少なくとも１つの排気導管を密封するために弁機構を動作させると同時に、バイパス弁が排出ガスを少なくとも１つの導管から別の導管に迂回させるよう動作するように、弁機構およびバイパス弁は制御装置によって操作される。
【００１９】
別の態様では、本発明は、ウエハ状の物品を保持してスピンチャック上で回転軸を中心に回転させる工程と、ウエハ状の物品の少なくとも１つの面の上に第１の流体を供給する工程とを含む、ウエハ状の物品を処理する方法に関する。処理流体は、スピンチャックを囲む回収体の少なくとも２つの処理レベルで個別に回収される。各少なくとも２つの回収体レベルは、それぞれの排出ガス導管に通じる排出ガス回収チャンバを備える。少なくとも１つの排出ガス導管と結合した弁機構は、その排出ガス導管を回収体の外の周囲環境に開きながら、またその逆も同様にして、その結合した排出ガス導管からの排出ガス流を相互に制限するように動作する。
【００２０】
本発明による方法の好ましい実施形態では、排気導管の１つに取り付けられたバイパス弁は、排出ガスをその排気導管から別の排気導管に送るために動作する。
【００２１】
本発明による方法の好ましい実施形態では、弁機構は、排気導管が外側環境に対して密封されながら、その結合された排気導管からの排出ガスが通過できるチャンバ位置と、排気導管が弁機構の上流の排出ガスを閉じ込めるよう密封されながら、回収体の外の周囲大気が通過できる周囲位置との間で、フラップ弁を移動できるよう動作する。
【００２２】
本発明による方法の好ましい実施形態では、弁機構は、その結合された排気導管における弁機構の動作が、少なくとも２つの回収体レベルの他のものにおいて２０Ｐａ未満の気圧変動を引き起こすように動作する。
【００２３】
本発明による方法の好ましい実施形態では、それぞれ異なる成分を有するプロセスガス類は、それぞれの排気導管を通じてそれぞれ排気される。
【００２４】
本発明による方法の好ましい実施形態では、第１の流体と異なる化学成分の第２の流体がウエハ上に施され、第１の処理流体によって生成されたガスが回収される排気導管とは異なる排気導管を通じて第２の処理流体から生成されたガスを回収する。
【００２５】
本発明による方法の好ましい実施形態では、排出ガスは、共通排気ユニットによって少なくとも２つの別体の回収体から同時に回収される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
本発明の他の目的、特徴および利点は、添付図面を参照して以下の好ましい実施形態の詳細を読むことでより明らかになるだろう。
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施形態による装置の概略側面図。
【００２８】
【図２】図１に示すフラップ弁５２の１つの好ましい構造形態。
【００２９】
【図３】第１のウエハプロセスの弁状態の組み合わせ。
【００３０】
【図４】第２のウエハプロセスの弁状態の組み合わせ。
【００３１】
【図５】第３のウエハプロセスの弁状態の組み合わせ。
【００３２】
【図６】第４のウエハプロセスの弁状態の組み合わせ。
【００３３】
【図７】第５のウエハプロセスの弁状態の組み合わせ。
【００３４】
【図８】第６のウエハプロセスの弁状態の組み合わせ。
【００３５】
【図９】図３、４および８の弁状態の詳細。
【００３６】
【図１０】図５の弁状態の詳細。
【００３７】
【図１１】図６の弁状態の詳細。
【００３８】
【図１２】図７の弁状態の詳細。
【００３９】
【図１３】図６および１１の弁状態の変化。
【００４０】
【図１４】図７および１２の弁状態の変化。
【００４１】
【図１５】本発明による複数の装置を備え、前記複数の装置の所定排気レベルにそれぞれ共通する複数の排気ユニットを有するプロセスモジュールの概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下に述べる実施形態では、排出ガス流は、特定の処理レベルに対応する特定の排気管がオンまたはオフされたときの影響が最小限となるように制御される。処理レベルの排気管が閉じられた場合、これによりその特定の排気管における圧力の減少が引き起こされるだろう。これ（圧力低下）を避けるため、排気管は処理レベルに対して閉じられ、同時に周囲空気に対して開かれる。その結果、同量の空気が排出されるため、任意の急激な減圧は起こらないだろう。従って、この技術はまた、仮に圧力が急激に上昇してもチャンバ内の交差汚染を防ぐ。
【００４３】
図１は、ウエハＷを保持し回転させるスピンチャック２を備える装置１を示す。スピンチャック２は、軸Ａを中心に回転するギヤモータユニット５に接続される。基板Ｗの上面に流体を供給するために分注装置３が用いられる。ウエハＷは、例えば３００ｍｍ若しくは４５０ｍｍのシリコンウエハで、関連する洗浄およびドライ工程を含む様々な工程のフロントエンド工程（ＦＥＯＬ）、中間工程（ＭＯＬ）、若しくはバックエンド工程（ＢＥＯＬ）のいずれかを経てよい。
【００４４】
カップ状の流体回収体４は、円周方向にスピンチャック２を囲む。流体回収体は、フレーム（図示せず）に取り付けられることが好ましい。リフト装置Ｈ（油圧ジャッキ、空気圧シリンダなど）は、この場合、流体回収体４を持ち上げることによって、流体回収体に対してスピンチャックの位置を変更するように設けられる。これによりスピンチャック２は、３つの回収体レベルＬ１、Ｌ２、およびＬ３のそれぞれに位置決めされうる。
【００４５】
各回収体レベルＬ１、Ｌ２、Ｌ３は、分離処理流体を回収する環状ダクト４１、４２、４３を備える。追加のスプラッシュガード（図示せず）を各回収体レベルに用いて、分離流体が鋭角でそこにぶつかり、その後環状ダクトに向かうようにすることができる。各環状ダクト４１、４２、４３は、回収された流体が排水されるそれぞれの管（図示せず）に接続される。排水された流体は、基板に施すために再利用されるか、廃液として回収されうる。
【００４６】
図１の破線は、流体を異なる回収体レベルに振り落とすために基板が設置される相対位置を示す。
【００４７】
各回収体レベルＬ１、Ｌ２、Ｌ３の上には、内側に開いた環状排気ダクト２１、２２、２３が配置される。各ダクト２１、２２、２３は、それぞれの環状ガス回収チャンバ１１、１２、１３に通じる。
【００４８】
各ガス回収チャンバ１１、１２、１３は、それぞれの排出管３１、３２、３３によって排気ユニット６０に接続される。排気ユニット６０は、排出ガスを回収体から抜いて矢印Ｅに示すように放出するためのファン等を備える。排出ユニット６０のみが示されており、本実施形態における各排出管３１、３２、３３は、それぞれの弁５１、５２、５３を備え、弁５１、５２、５３を回収体の外の周囲大気に開放しながら、その結合された回収体レベルからの排出ガスを通過させるように、またはその結合された回収体レベルからの排出を遮断するように制御されうる。
【００４９】
また、本実施形態では、回収体のレベルＬ３からの排気が、必要ならば、バイパス導管５６を通じて排気管３３から排気管３１に、またはその逆に通路変更されるように、バイパス弁５４は排出管３１および３３と連通するように配置される。同様に、本実施形態では、回収体のレベルＬ３からの排気が、必要ならば、バイパス導管５７を通じて排気管３３から排気管３２に、またはその逆に通路変更されるように、バイパス弁５５は排気管３２および３３と連通するように配置される。
【００５０】
図１では、チャック２はレベルＬ１に配置され、そこで所定の工程（例えば、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素の水性混合物を用いるＳＣ−１洗浄工程）がウエハＷ上で実施される。そのような工程の間に生成される性質的に塩基性のガスは、バイパス弁５４がレベル１の位置にあり、弁５１がチャンバ位置にあるため、排気管３１を通じてチャンバ１１から回収される。
【００５１】
一方、排出管３２を通じて引き込まれたガスが、チャンバ１２からではなく図１の矢印Ａに示すように周囲空気となるように、弁５２は周囲位置にある。周囲空気が排気管３２を通って排気ユニット６０に入るように、バイパス弁５５はレベル２の位置にある。レベル３の排気について、弁５３はチャンバ位置にあり、管３１、３２、３３の間で排気の移動がないように、バイパス弁５４および５５は共に閉じているため、レベル３の排気は排気管３３を通って排気ユニット６０に入る。
【００５２】
図２に示すように、本実施形態の弁５２は、周囲空気が穴５８を通って排気管３２に入る実線位置（「周囲位置」）と、穴５８が閉鎖されて回収体４のＬ２レベルからの排出ガスＥ２が排気管３２に自由に入ることができる破線位置（「チャンバ位置」）との間を移動するフラップとして構成される。意義深いことに、上述の弁５２はまた、大気とチャンバガスの制御された混合物が排出管に送られるように、任意の所望の中間位置にも配置されうる。
【００５３】
弁５２は図２に示されるが、弁５１および５３も同様に構成され、同じ原理で動作することが理解されよう。
【００５４】
以下の表では、弁５１−５５の対応する位置に関する一連の処理動作が示されている。これらは図３−１４と関連付けて説明されるだろう。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
図３では、チャック２は回収体４に対して最も上の位置にあり、それはウエハＷがチャック２にロードまたはアンロードされてよいロード／アンロード位置である。この位置では、弁５１−５５の状態は図１と同じである。図９は、排気管３１、３２、３３および弁５１−５４の可能な構成をさらに詳しく示す対応図である。図９からは、図１に概略的に示されるバイパス管のような追加のバイパス管５６および５７が必要ないように、排気管３１、３２、３３がレイアウトされ、バイパス弁５４および５５が配置されうることが理解されよう。
【００５７】
図４では、ウエハＷが処理レベルＬ１に位置するように、チャック２は回収体４に対して下降している。弁５１−５５の状態は図３から変更されないため、同様に図１および９に示されるように維持される。
【００５８】
図５では、ウエハＷが処理レベルＬ２に位置するように、チャック２は回収体４に対して上昇している。本実施形態におけるレベル２の処理は、フッ化水素酸（ＤＨＦ）の希釈液でウエハをエッチングすることを含む。弁５１−５５の状態に関して、図４のレベル１の処理から図５のレベル２の処理に移る際に、弁５１はそのチャンバ位置からその周囲位置に切り替えられているのに対して、弁５２はその周囲位置からそのチャンバ位置に切り替えられていることが理解されよう。図１０は、追加のバイパス管なしの弁および排気管をより詳細に示す対応図である。
【００５９】
特に、本装置の全体的な動作を制御するマイクロプロセッサに制御される電気機械式アクチュエータは、弁５１および５２に、それらの位置を同時にそして実質的に同じ速度で変えさせる。その結果、回収体４内部の任意の圧力変動は大幅に抑制される。レベル２の処理によって生成された、本質的に酸性の傾向があるガスは、管３２を通じて排気される。
【００６０】
図６では、ウエハＷが処理レベルＬ３に位置するように、チャック２は再び回収体４に対して上昇している。本実施形態の図６におけるレベル３の処理は、大気分子汚染（ＡＭＣ）の低減を含み、そこではアルカリ特性の排出ガスを処理するよう指定された排気管３１に排気を方向付けることが望ましい。
【００６１】
弁５１−５５の状態に関して、図５のレベル２の処理から図６のレベル３の処理に移る際に、弁５１は周囲位置からチャンバ位置に切り替えられ、弁５３はチャンバ位置から周囲位置に切り替えられることが理解されよう。また、回収体４のチャンバ１３から引き抜かれた排出ガスが排気管３３から排気管３１に迂回するように、バイパス弁５４はそのレベル１の位置に切り替えられている。図１１は、追加のバイパス管なしの弁および排気管をより詳細に示す対応図である。
【００６２】
図５および１０のレベル２の処理から図６および１１のレベル３の処理に移る際に、回収体４内部の任意の圧力変動を最小限にするため、弁５１、５３、５５は再び同時にそして同期して動作する。また、図６および１１では、弁５１はそのチャンバ位置に示されているが、図１３に示すように、所定の割合の周囲大気および排出ガスがチャンバ１１から弁５１の下流の管３１に入る中間位置に弁５１を配置し、回収体４内部の圧力を均一にするのに役立ってよい。
【００６３】
図７では、ウエハＷが処理レベルＬ３に留まるように、チャック２は回収体４に対して同じ位置に留まる。しかし、図７では異なる処理が実施され、それは本実施形態では、脱イオン水中溶存二酸化炭素（ＤＩ／ＣＯ２）の使用を含む。そのような処理のためには、酸特性の排出ガスを処理するよう指定された排気管３２に排気を方向付けることが望ましい。
【００６４】
弁５１−５５の状態に関して、図６のレベル３の処理から図７のレベル３の処理に移る際に、回収体４のチャンバ１３から引き抜かれた排出ガスが次は管３３から管３２に移動するように、バイパス弁５４および５５の位置は反転されていることが理解されよう。図１２は、追加のバイパス管なしの弁および排気管をより詳細に示す対応図である。
【００６５】
図６および１１のレベル３の処理から図７および１２のレベル３の処理に移る際に、回収体４内部の任意の圧力変動を最小限にするため、弁５４および５５は再び同時にそして同期して動作する。また、図７および１２では、弁５２はそのチャンバ位置に示されているが、図１４に示すように、所定の割合の周囲大気および排出ガスがチャンバ１２から弁５２の下流の管３２に入る中間位置に弁５２を配置し、回収体４内部の圧力を均一にするのに役立ってよい。
【００６６】
図８では、ウエハＷが処理レベルＬ３に留まるように、チャック２は依然として回収体４に対して同じ位置に留まる。しかし、図８ではさらに別の異なる処理が実施され、それは本実施形態では、ウエハＷをリンスおよび乾燥するためのイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の使用を含む。そのような処理のためには、有機特性の排出ガスを処理するよう指定された排気管３３に排気を方向付けることが望ましい。
【００６７】
弁５１−５５の状態に関して、図７のレベル３の処理から図８のレベル３の処理に移る際に、弁５１−５５は、図３、４、および９に示す状態に戻ることが理解されよう。
【００６８】
上述の排気システムは、圧力変動をできるだけ小さく（＋／−２０Ｐａ）保ちながら、チャンバレベル間の切り替えを可能にする。さらに、チャンバ内で２つのレベルを排気に作動させる可能性があるため、高温濃の化学的性質（例：６０℃  １：５  ＮＨ４ＯＨ）を用いるときでも、２５ｐｐｍ未満で交差汚染を保つことができる。
【００６９】
上述の記載では、説明のしやすさのために単一の排気ユニット６０を示した。しかし、実際には、排気される化学物質の種類ごとに個別の排気管があることがより好ましい。そのような異なる種類のガスは、例えば、有機物（ＩＰＡのような有機溶剤など）、酸化性物質（オゾン、過酸化水素など）、酸性物質（ＨＦまたはＨＣＬなど）、およびアルカリ性物質（ＮＨ３など）であってよい。
【００７０】
しかし、本発明による装置および方法は、排気体積流量の大幅な変更をもたらすことなく、特定の処理レベルの排気の選択的なオン／オフを可能にする。その結果、８つまでの複数若しくはそれ以上のチャンバが、意図しない圧力低下による任意の負の相互作用なしで同時に排気されることが可能になる。
【００７１】
そのため、図１５を参照して、２−１から２−８の複数のチャック（それぞれ回収体４−１から４−８に対応）は、半導体ウエハの枚様式ウェット処理用の同じ処理モジュール内に配置されてよい。各回収体は、上述したように、その結合された排気導管３１−１、３２−１、３３−１、から３１−８、３２−８、３３−８に結合されたフラップ弁およびバイパス弁を有する排気システムを備える。
【００７２】
導管３１−１から３１−８を通じて排出されたガスは全て、同じ排気ユニット６０−１で処理されてよいが、導管３２−１から３２−８を通じて排出されたガスは全て、同じ排気ユニット６０−２で、導管３３−１から３３−８を通じて排出されたガスは全て、同じ排気ユニット６０−３で処理されてよい。このより効率的な設計は、上述したように、弁の新規な配置および動作によって可能となる。
【００７３】
本発明は、前述したいくつかの好ましい実施形態と関連して説明されてきたが、ここで開示され、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の真の範囲および精神から逸脱することなく様々な修正が可能なことは、当業者には理解されよう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【外国語明細書】
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