(57)【要約】【課題】処理室において必要とされる雰囲気を確保することができ、従って被処理物を効率よく短時間で処理することのできる光照射装置を提供すること。【解決手段】光照射装置は、光透過性窓部材および光透過性窓部材の周縁部に配設されたシール部材によって区画されて形成された２つの空間を有しており、一方の空間によってランプ室が形成され、他方の空間によって処理室が形成されており、処理室に対して、紫外線放射ランプからの紫外線により活性種を生成する活性種源を含有する処理用ガスを供給するための処理用ガス供給手段、およびランプ室に対して、ランプ室雰囲気用ガスを供給するランプ室雰囲気用ガス供給手段が設けられており、動作中において、処理室の内圧が前記ランプ室の内圧よりも高く維持されることを特徴とする。【選択図】図１
2015119127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線放射ランプからの紫外線を透過する光透過性窓部材および当該光透過性窓部材の周縁部に配設されたシール部材によって区画されて形成された２つの空間を有しており、
前記２つの空間のうちの一方の空間によって前記紫外線放射ランプが配置されたランプ室が形成され、他方の空間によって、当該紫外線放射ランプからの紫外線が前記光透過性窓部材を介して照射される被処理物が配置される処理室が形成されており、
前記処理室に対して、前記紫外線放射ランプからの紫外線により活性種を生成する活性種源を含有する処理用ガスを供給するための処理用ガス供給手段、および前記ランプ室に対して、ランプ室雰囲気用ガスを供給するランプ室雰囲気用ガス供給手段が設けられてなる光照射装置において、
動作中において、前記処理室の内圧が前記ランプ室の内圧よりも高く維持されることを特徴とする光照射装置。
【請求項２】
前記処理室の内圧と前記ランプ室の内圧との差が３０〜１０００Ｐａであることを特徴とする請求項１に記載の光照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光照射装置に関する。更に詳しくは、本発明は、例えば半導体や液晶等の製造工程におけるレジストの光アッシング処理、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去あるいは液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理、プリント基板製造工程におけるスミアの除去（デスミア）処理に好適な光照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、例えば、半導体や液晶等の製造工程におけるレジストの光アッシング処理、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去あるいは液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理、プリント基板製造工程におけるスミアの除去処理を行う方法として、紫外線を用いたドライ洗浄方法が知られている。
【０００３】
これらの処理を行うための光照射装置の或る種のものとしては、図３に示すように、筺体７１の内部が、光透過性窓部材３１によって区画されることによって処理室Ｓとランプ室Ｒとが形成されたものがある（例えば、特許文献１参照。）。処理室Ｓには、被処理物Ｗを配置するための被処理物支持台１８が配置され、一方、ランプ室Ｒには、例えばエキシマランプなどの紫外線放射ランプ２８が配置されている。また、光透過性窓部材３１は、紫外線放射ランプ２８から放射される紫外線を透過する光透過性を有する材料、具体的には例えば石英ガラスよりなるものである。この光照射装置には、処理室Ｓに対して、例えば酸素ガスなどの活性種源を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段と、ランプ室Ｒに対して、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給するランプ室雰囲気用ガス供給手段とが設けられている。
この光照射装置は、処理用ガスの雰囲気下に配置された被処理物（ワーク）Ｗの被処理面Ｗａに対して、光透過性窓部材３１を介して紫外線放射ランプ２８からの紫外線を照射することにより、紫外線によって活性種源から生成される活性種（具体的には、オゾンガスおよび酸素ラジカル）を利用して当該被処理物Ｗの表面処理を行うものである。
図３において、処理用ガス供給手段およびランプ室雰囲気用ガス供給手段は、制御部７５により、処理室Ｓの内圧を検出する圧力センサ７７およびランプ室Ｒの内圧を検出する圧力センサ７７によって検出される内圧に基づいてガス供給条件が定められるものである。
具体的には、処理用ガス供給手段は、処理用ガス供給源８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃと、真空ポンプ８３とを備えている。処理用ガス供給源８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃは、筺体７１に形成されたガス供給用貫通孔７２Ａに、ガス流路形成部材８１Ａを介して接続されている。また、ガス流路形成部材８１Ａによって形成されるガス流路には、処理用ガス供給源８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃとガス供給用貫通孔７２Ａとの間に、バルブ８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃが設けられている。一方、真空ポンプ８３は、筺体７１に形成されたガス排出用貫通孔７２Ｂに、ガス流路形成部材８１Ｂを介して接続されている。また、ガス流路形成部材８１Ｂによって形成されるガス流路には、真空ポンプ８３とガス排出用貫通孔７２Ｂとの間に、バルブ８４Ｄが設けられている。そして、この処理用ガス供給手段においては、ガス供給条件に応じて制御部７５によってバルブ８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ，８４Ｄが調整される。
また、ランプ室雰囲気用ガス供給手段は、ランプ室雰囲気用ガス供給源８６と、真空ポンプ８７とを備えている。ランプ室雰囲気用ガス供給源８６は、筺体７１に形成されたガス供給用貫通孔７３Ａに、ガス流路形成部材８５Ａを介して接続されている。また、ガス流路形成部材８５Ａによって形成されるガス流路には、ランプ室雰囲気用ガス供給源８６とガス供給用貫通孔７３Ａとの間に、バルブ８８Ａが設けられている。一方、真空ポンプ８７は、筺体７１に形成されたガス排出用貫通孔７３Ｂに、ガス流路形成部材８５Ｂを介して接続されている。また、ガス流路形成部材８５Ｂによって形成されるガス流路には、真空ポンプ８７とガス排出用貫通孔７３Ｂとの間に、バルブ８８Ｂが設けられている。そして、このランプ室雰囲気用ガス供給手段においては、ガス供給条件に応じて制御部７５によってバルブ８８Ａ，８８Ｂが調整される。
【０００４】
また、このような光照射装置においては、筺体７１に、光透過性窓部材３１を支持するための支持部が設けられている。そして、この支持部上にシール部材を介して光透過性窓部材３１を配設することにより、光透過性窓部材３１の気密構造（以下、「窓部材気密構造」ともいう。）が形成されている。シール部材としては、耐紫外線性、および必要に応じて耐オゾン性が高いものが用いられる。
窓部材気密構造の具体例としては、例えばシール部材としてフッ素樹脂製またはシリコン樹脂製のＯリングを用いた構成のものが挙げられる。シール部材としてＯリングを用いる場合には、例えば図４に示すように、筺体の内周面に、当該内周の全周にわたって内方に突出する、アルミニウムやステンレス鋼などの金属よりなる支持部９２を設け、この支持部９２にシール部材９１を配設するための凹部９３を形成する。そして、この凹部９３に配置されたシール部材９１上に光透過性窓部材３１を配置して押さえ部材９４によって押圧することにより、窓部材気密構造を形成する。
【０００５】
しかしながら、このような構成の光照射装置においては、特に紫外線放射ランプ２８からの光に樹脂やゴムを特に劣化させる波長３００ｎｍ以下の紫外線が含まれる場合に、紫外線放射ランプ２８からの紫外線が照射されることによってシール部材９１に劣化が生じ、支持部９２と光透過性窓部材３１との間に十分な気密性が得られなくなることがある。更に、波長２２０ｎｍ以下の短波長の紫外線が含まれる場合には、処理用ガスに含まれる活性種源からオゾンガスが発生するために、シール部材９１にオゾンガスによる劣化が生じ、支持部９２と光透過性窓部材３１との間に十分な気密性が得られなくなることがある。
また、シール部材として、ポリテトラフルオロエチレン製パッキンまたはフッ素樹脂製ソフトシートよりなる弾性部材と、純アルミニウム製遮光部材とを組み合わせたもの（以下、「組合せ部材」ともいう。）を用いた構成のものもある。この組合せ部材は、弾性部材が主として弾性材として機能し、遮光部材は主として弾性部材に紫外線放射ランプからの光が照射されることを抑制する遮光機能を有するものである。
【０００６】
また、光照射装置においては、光透過性窓部材３１の支持部９２を構成する金属の熱膨張率が、光透過性窓部材３１を構成する石英ガラスの熱膨張率よりも大きいことに起因して、被処理物Ｗに対して効率的に所期の処理を行うことができなくなるおそれがある、という問題もある。
具体的に説明すると、窓部材気密構造は、支持部９２と光透過性窓部材３１との膨張率差を考慮して設計がなされている。すなわち、支持部９２と光透過性窓部材３１との間に僅かな間隙９５が形成されている箇所がある。そのため、紫外線放射ランプ２８からの光が照射されることなどによって支持部９２および光透過性窓部材３１が加熱されることにより、支持部９２と光透過性窓部材３１との間に熱膨張率差によって相対的に位置ずれが生じて十分な気密性が得られなくなるおそれがある。すなわち、処理室Ｓおよびランプ室Ｒの気密性を維持することができなくなるおそれがある。特に、シール部材９１として組合せ部材を用いた場合には、組合せ部材が支持部９２および光透過性窓部材３１との密閉性が低いものであるため、支持部９２と光透過性窓部材３１との間に十分な気密性が得られなくなるおそれが大きくなる。
【０００７】
このようにして支持部９２と光透過性窓部材３１との間に十分な気密性が得られなくなることにより、それに起因して処理室Ｓにランプ室Ｒからランプ室雰囲気用ガスが流入する。そして、処理室Ｓにランプ室雰囲気用ガスが流入することによれば、処理室Ｓにおける活性種源の濃度（具体的には、例えば酸素ガス濃度）が小さくなる。しかも、処理室Ｓにおいては、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対して、高い均一性をもって高い効率で処理を行うために、処理用ガス供給手段からの処理用ガスの供給が比較的小さなガス流速、すなわち少ないガス流量でなされていることから、ランプ室雰囲気用ガスの流入によって活性種源の濃度が大きく変化してしまう。そのため、処理に供される活性種の量が少なくなることから、被処理物Ｗの処理により多くの時間を要することとなる。
このような問題は、例えば縦寸法および横寸法の少なくとも一方が４００ｍｍを超える大面積の光透過性窓部材を備えた光照射装置において顕著となる。その理由は、支持部と光透過性窓部材との間において熱膨張率差によって生じる相対的な位置ずれが大きくなるためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１４４９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、処理室において必要とされる雰囲気を確保することができ、従って被処理物を効率よく短時間で処理することのできる光照射装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の光照射装置は、紫外線放射ランプからの紫外線を透過する光透過性窓部材および当該光透過性窓部材の周縁部に配設されたシール部材によって区画されて形成された２つの空間を有しており、
前記２つの空間のうちの一方の空間によって前記紫外線放射ランプが配置されたランプ室が形成され、他方の空間によって、当該紫外線放射ランプからの紫外線が前記光透過性窓部材を介して照射される被処理物が配置される処理室が形成されており、
前記処理室に対して、前記紫外線放射ランプからの紫外線により活性種を生成する活性種源を含有する処理用ガスを供給するための処理用ガス供給手段、および前記ランプ室に対して、ランプ室雰囲気用ガスを供給するランプ室雰囲気用ガス供給手段が設けられてなる光照射装置において、
動作中において、前記処理室の内圧が前記ランプ室の内圧よりも高く維持されることを特徴とする。
【００１１】
本発明の光照射装置は、処理室の内圧と前記ランプ室の内圧との差が３０〜１０００Ｐａであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光照射装置によれば、装置動作中に、処理室の内圧がランプ室の内圧よりも高く維持されていることから、処理室およびランプ室の気密性を維持することができなくなった場合であっても、処理室からランプ室に処理用ガスが流入するだけで、処理室にはランプ室からランプ室雰囲気用ガスが流入することがない。そのため、処理室においては、処理用ガス供給手段から供給される処理用ガスのみによって雰囲気が形成されることから、ランプ室雰囲気用ガスの流入に起因して活性種源の濃度が小さくなることを防止することができる。従って、処理室において必要とされる雰囲気を確保することができることから、被処理物を効率よく短時間で処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の光照射装置の構成の一例を示す説明用断面図である。
【図２】本発明の光照射装置の構成の他の例を示す説明用断面図である。
【図３】従来の光照射装置の構成の一例を示す説明用断面図である。
【図４】従来の光照射装置における光透過性窓部材の気密構造の一例を示す説明用断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の光照射装置の構成の一例を示す説明用断面図である。
この光照射装置１０は、上方に開口部を有し、内部に被処理物（ワーク）Ｗを配置するための空間が形成された、直方体状の金属製の処理室用筺体１１を備えている。そして、処理室用筺体１１上には、略直方体状の外観形状を有する光源ユニット２０が、処理室用筺体１１の開口部を閉塞するように、矩形環状の処理室用シール部材１９によって気密に設けられている。このようにして、処理室用筺体１１の内部には、密閉された処理室Ｓが形成されている。すなわち、処理室Ｓは、処理室用筺体１１、処理室用シール部材１９および光源ユニット２０によって形成されて密閉されている。
この図の例において、被処理物Ｗは矩形平板状のものであり、この被処理物の被処理面Ｗａは、矩形状であって５００ｍｍ×５００ｍｍの縦横寸法を有している。
また、処理室用筺体１１には、４つの側壁部の上端によって構成される矩形環状の上端面１３ａに、当該処理室用筺体１１の開口縁を取り囲むようにして矩形環状の凹部１４が形成されている。そして、凹部１４には、例えばＯリングおよびゴムシートなどのソフトガスケットよりなる処理室用シール部材１９が配置されており、この処理室用シール部材１９は光源ユニット２０に圧接された状態とされている。また、処理室用シール部材１９としては、処理用ガス、ランプ室雰囲気用ガス、紫外線により生成される活性種および被処理物Ｗの被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガスに対する耐性の高いものが用いられている。
【００１６】
光源ユニット２０は、下方に開口部を有する略直方体状の金属製のランプ室用筺体２１を備えている。このランプ室用筺体２１において、開口部は、矩形枠状の下壁部２５の中央に形成されている。
また、ランプ室用筺体２１内には、複数の棒状の紫外線放射ランプ２８が配設されている。これらの複数の紫外線放射ランプ２８は、中心軸が同一水平面内において互いに平行に伸びるよう一定の間隔（図１においては等間隔）で並列している。
そして、ランプ室用筺体２１の開口部には、支持機構によって光透過性窓部材３１が気密に設けられている。このようにして、ランプ室用筺体２１の内部に密閉されたランプ室Ｒが形成されている。また、ランプ室Ｒと処理室Ｓとは、光透過性窓部材３１およびランプ室用シール部材２９によって区画されており、よって複数の紫外線放射ランプ２８が光透過性窓部材３１を介して処理室Ｓと対向した状態とされている。
【００１７】
支持機構は、ランプ室用筺体２１の下壁部２５と押さえ部材２６とによって、矩形環状のランプ室用シール部材２９を介して光透過性窓部材３１の周縁部を挟持するものである。すなわち、光透過性窓部材３１は、周縁部に配設されたランプ室用シール部材２９を介して支持機構によって挟持されることにより気密に支持されている。このようにして、光透過性窓部材３１の気密構造が形成されている。
支持機構を構成する下壁部２５の下面には、ランプ室用筺体２１の開口縁を取り囲むようにして矩形環状の凹部２５Ａが形成されており、この凹部２５Ａにランプ室用シール部材２９が配置されている。
また、押さえ部材２６は、中央にランプ室用筺体２１の開口部と同様の大きさの開口を有する矩形枠状の押圧部２６Ａと、この押圧部２６Ａの外周縁に設けられた矩形筒状の支持部２６Ｂとを有する金属製のものである。そして、この押さえ部材２６は、ランプ室用シール部材２９を介して光透過性窓部材３１を押圧するように配設されており、よってランプ室用シール部材２９は光透過性窓部材３１の周縁部における上面に圧接された状態とされている。
この図の例において、ランプ室用シール部材２９は、下壁部２５によって遮光されており、よって紫外線放射ランプ２８からの直接光が照射されることがない。
【００１８】
光透過性窓部材３１を構成する材料としては、紫外線放射ランプ２８から放射される紫外線に対する透過性を有し、処理用ガス、ランプ室雰囲気用ガス、紫外線により生成される活性種および被処理物Ｗの被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガスに対する耐性を有するものが用いられる。
光透過性窓部材３１を構成する材料の具体例としては、例えば石英ガラスが挙げられる。
また、光透過性窓部材３１の厚みは、３〜１０ｍｍであることが好ましい。
光透過性窓部材３１の厚みが３ｍｍより薄い場合には、ランプ室Ｒの内圧と処理室Ｓの内圧との差によって大きく撓み、その歪みによって破損するおそれがある。一方、光透過性窓部材３１の厚みが１０ｍｍを超える場合には、紫外線の透過率が低下する。
この図の例において、光透過性窓部材３１は、矩形平板状であって５８０ｍｍ×５８０ｍｍの縦横寸法を有し、厚みが５ｍｍのものである。
【００１９】
ランプ室用シール部材２９としては、例えばＯリングおよびゴムシートなどのソフトガスケットが用いられる。
このランプ室用シール部材２９を構成する材料としては、処理用ガス、ランプ室雰囲気用ガス、紫外線により生成される活性種および被処理物Ｗの被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガスに対する耐性が高く、必要に応じて紫外線放射ランプ２８から放射される紫外線に対する耐性が高いものが用いられる。
ランプ室用シール部材２９を構成する材質の具体例としては、例えばフッ素ゴムが挙げられる。
この図の例において、ランプ室用シール部材２９としては、フッ素ゴムよりなる、外径４ｍｍのＯリングが用いられている。
【００２０】
紫外線放射ランプ２８としては、紫外線を放射するものであれば、公知の種々のランプを用いることができる。
紫外線放射ランプ２８の具体例としては、波長１８５ｎｍおよび波長２５４ｎｍの紫外線を放射する低圧水銀ランプ、中心波長が１７２ｎｍの紫外線を放射するエキシマランプ、および波長２５４ｎｍおよび波長３６５ｎｍの紫外線を放射する高圧水銀ランプなどが挙げられる。
この図の例において、紫外線放射ランプ２８としては、特定方向（図１における下方向）に中心波長が１７２ｎｍの紫外線を含む光を放射する円筒型のエキシマランプが用いられている。このエキシマランプは、発光長が７００ｍｍであって外径が４０ｍｍであり、定格消費電力が５００Ｗのものである。
【００２１】
また、光源ユニット２０には、ランプ室Ｒにランプ室雰囲気用ガスを供給するランプ室雰囲気用ガス供給手段が設けられている。
ランプ室雰囲気用ガス供給手段が設けられていることにより、供給されるランプ室雰囲気用ガスによって紫外線放射ランプ２８を冷却することができる。そのため、紫外線放射ランプ２８を長時間にわたって点灯させた場合であっても、当該紫外線放射ランプ２８を適正な温度に制御することができる。
また、特に紫外線放射ランプ２８として波長２２０ｎｍ以下の紫外線（真空紫外線）を放射するものを用いる場合においては、ランプ室用雰囲気用ガスとして適宜のもの（具体的には、窒素ガスなどの不活性ガス）を用いることにより、紫外線放射ランプ２８からの真空紫外線を光源ユニット２０からの出射光として有効に利用することができる。すなわち、ランプ室用筺体２１内において、紫外線放射ランプ２８からの真空紫外線がランプ室用筺体２１内の雰囲気を構成するガスによって吸収されることを防止することができる。
【００２２】
ランプ室雰囲気用ガス供給手段は、ランプ室雰囲気用ガス供給源（図示せず）を備えており、ランプ室用筺体２１における互いに対向する側壁部２１Ａ，２１Ｃに形成されたガス供給用貫通孔２３およびガス排出用貫通孔２４を介してランプ室Ｒにランプ室雰囲気用ガスを流動させるものである。ランプ室雰囲気用ガス供給源は、ガス流路形成部材を介してガス供給用貫通孔２３に接続されており、またこのガス流路形成部材によって形成されるガス供給用ガス流路には、バルブ（図示せず）が設けられている。また、ガス排出用貫通孔２４には、ガス流路形成部材が接続されており、このガス流路形成部材によって形成される排出用ガス流路には、バルブ（図示せず）が設けられている。
このランプ室雰囲気用ガス供給手段においては、ランプ室雰囲気用ガス供給条件に応じて、供給用ガス流路に配設されたバルブが調整される。また、ランプ室Ｒおよび処理室Ｓの間において差圧計によって計測される内圧差、またはランプ室Ｒおよび処理室Ｓの各々に配設された圧力センサによって検出される内圧に基づいて、排出用ガス流路のコンダクタンスが調整される。この排出用ガス流路のコンダクタンスを調整する方法としては、例えば、排出用ガス流路に設けられたバルブを調整する方法、ガス排出用貫通孔２４の径を調整する方法、および排出用ガス流路を形成するガス流路形成部材の配管径や配管長を調整する方法などが挙げられる。
【００２３】
ランプ室雰囲気用ガス供給手段からランプ室Ｒに供給されるランプ室雰囲気用ガスとしては、紫外線放射ランプ２８の種類および被処理物Ｗを処理するために必要とされる紫外線の波長域、すなわち光源ユニット２０からの出射光に必要とされる紫外線の波長域に応じて、窒素ガスなどの不活性ガス、および空気などが用いられる。ここに、本明細書中において、「空気」とは、環境雰囲気の空気（光源装置１０の外部雰囲気中の空気）および低露点高清浄度空気（ＣＤＡ）などの処理された空気が含まれる概念である。具体的には、光源ユニット２０からの出射光において波長２２０ｎｍ以下の紫外線が必要とされる場合には、不活性ガスが用いられる。また、光源ユニット２０からの出射光において波長２２０ｎｍを超える紫外線が必要とされる場合には、不活性ガスおよび低露点高清浄度空気（ＣＤＡ）を用いることができる。
この図の例において、ランプ室雰囲気用ガスとしては、窒素ガスが用いられている。
【００２４】
ランプ室雰囲気用ガス供給手段によるランプ室雰囲気用ガス供給条件は、紫外線放射ランプ２８の種類および紫外線放射ランプ２８の本数などに応じ、処理用ガスの種類および処理用ガス供給手段による処理用ガス供給条件などを考慮して適宜に定められる。
そして、ランプ室雰囲気用ガス供給条件を適宜に定めることによれば、装置動作中において、紫外線放射ランプ２８を十分に冷却することができる。また、装置動作中にランプ室Ｒに処理室Ｓから処理用ガスが流入した場合であっても、ランプ室Ｒの雰囲気を、安全性、および紫外線放射ランプ２８からの紫外線を有効利用する観点から必要とされる雰囲気条件を満たすものとすることができる。具体的には、紫外線放射ランプ２８として波長２２０ｎｍ以下の紫外線を放射するものを用いた場合において、ランプ室Ｒの雰囲気を、酸素ガス濃度が１０００ｐｐｍ以下であってオゾンガス濃度が１ｐｐｍ以下である必要雰囲気条件を満たすものとすることができる。また、紫外線放射ランプ２８として波長２２０ｎｍを超える紫外線のみを放射するものを用いた場合において、ランプ室Ｒの雰囲気を、オゾンガス濃度が１ｐｐｍ以下である必要雰囲気条件を満たすものとすることができる。ここに、オゾンガス濃度が１ｐｐｍ以下であることが必要とされる理由は、ランプ室雰囲気用ガスによる紫外線の吸収を小さくするためである。また、その他の理由としては、紫外線放射ランプ２８のランプ構成部材（具体的には、外部電極および外部リード線など）の酸化による劣化を防止すること、およびランプ室Ｒに設置された反射板（図示せず）の劣化を防止するためである。
この図の例において、ランプ室Ｒに対しては、ランプ室雰囲気用ガス供給手段により、流量３０ＬＰＭのランプ室雰囲気用ガス供給条件でランプ室雰囲気用ガスが供給される。
【００２５】
処理室Ｓには、被処理物Ｗを配置する被処理物支持台１８が、光透過性窓部材３１を介して紫外線放射ランプ２８と対向するように配設されている。この被処理物支持台１８は、被処理物載置面１８ａが、平坦面とされ、被処理物Ｗの被処理面Ｗａよりも大きな縦横寸法を有するものである。
この被処理物載置面１８ａには、被処理面Ｗａを、紫外線および活性種（具体的には、例えばオゾンガスおよび酸素ラジカル）によって処理することのできる有効処理領域が形成されている。そして、この有効処理領域には、被処理物Ｗが光透過性窓部材３１と離間した状態で対向するように配置される。
そして、被処理物Ｗと光透過性窓部材３１との離間距離は、紫外線放射ランプ２８の種類に応じて適宜に定められる。具体的には、紫外線放射ランプ２８として、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を放射するものを用いる場合には、３ｍｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．１〜１．０ｍｍである。また、波長２２０ｎｍを超える紫外線のみを放射するものを用いる場合には、３０ｍｍ以下であることが好ましく、好ましくは１〜１０ｍｍである。
被処理物Ｗと光透過性窓部材３１との離間距離が上記の範囲内にあることにより、被処理面Ｗａに到達する紫外線を十分な大きさの強度（光量）とすることができる。また、紫外線によって活性種源から活性種を安定して生成することができる。
この図の例において、被処理物載置面１８ａは、矩形状であって５２０ｍｍ×５２０ｍｍの縦横寸法を有するものである。また、被処理物Ｗと光透過性窓部材３１との離間距離は０．７ｍｍである。
【００２６】
また、被処理物支持台１８には、被処理物Ｗを加熱する加熱手段（図示せず）が設けられていることが好ましい。
被処理物支持台１８に加熱手段が設けられていることにより、被処理面Ｗａの温度が上昇されることに伴って活性種による作用を促進させることができるので、効率よく処理を行うことができる。
また、被処理物支持台１８においては、被処理物載置面１８ａの縦横寸法が被処理面Ｗａの縦横寸法より大きいため、被処理面Ｗａを均一に加熱することができる。
加熱手段による加熱条件は、被処理物載置面１８ａの温度が、例えば８０〜２００℃となる条件である。
【００２７】
また、光照射装置１０には、処理室Ｓに処理用ガスを供給するガス供給手段が設けられている。
この処理用ガス供給手段は、処理用ガス供給源（図示せず）を備えており、処理室用筺体１１における互いに対向する側壁部１１Ａ，１１Ｃに形成されたガス供給用貫通孔１５およびガス排出用貫通孔１６を介して処理室Ｓに処理用ガスを流動させるものである。処理用ガス供給源は、ガス流路形成部材を介してガス供給用貫通孔１５に接続されており、またこのガス流路形成部材によって形成されるガス供給用ガス流路には、バルブ（図示せず）が設けられている。また、ガス排出用貫通孔１６には、ガス流路形成部材が接続されており、このガス流路形成部材によって形成されるガス排出用ガス流路には、バルブ（図示せず）が設けられている。
ガス供給用貫通孔１５は、側壁部１１Ａの処理室Ｓを臨む内面に、側壁部１１Ａの伸びる方向（図１における紙面に垂直な方向）に沿って配置された横長のガス供給用開口１５ａを有するものである。一方、ガス排出用貫通孔１６は、側壁部１１Ｃの処理室Ｓを臨む内面に、側壁部１１Ｃの伸びる方向（図１における紙面に垂直な方向）に沿って配置された横長のガス排出用開口１６ａを有するものである。そして、このガス排出用開口１６ａは、ガス供給用開口１５ａに対向配置されている。
ここに、ガス供給用開口１５ａおよびガス排出用開口１６ａは、各々、１つの横長スリットによって形成されていてもよく、また複数の穴により形成されていてもよい。
そして、処理用ガス供給手段においては、処理用ガス供給条件に応じて、供給用ガス流路に配設されたバルブが調整される。また、ランプ室Ｒ内圧との関係で処理室Ｓの内圧を調整するためには、排出用ガス流路のコンダクタンスが調整される。この排出用ガス流路のコンダクタンスを調整する方法としては、例えば、ガス排出用ガス流路に設けられたバルブを調整する方法、ガス排出用貫通孔１６の径を調整する方法、およびガス排出用ガス流路を形成するガス流路形成部材の配管径や配管長を調整する方法などが挙げられる。
この図の例において、ガス供給用開口１５ａおよびガス排出用開口１６ａは、辺部１１Ａ，１１Ｃの内面における被処理物支持台１８と対向する領域の全域わたって伸びる横長スリットよりなるものである。
【００２８】
処理用ガス供給手段から処理室Ｓに供給される処理用ガスとしては、紫外線放射ランプ２８からの紫外線により活性種を生成する活性種源を含有するものが用いられる。ここに、活性種源としては、例えば酸素ガスおよびオゾンガスが挙げられる。
処理用ガスとしては、光源ユニット２０が波長２２０ｎｍ以下の紫外線を出射する場合には、例えば酸素ガス、および酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスなどが用いられる。また、光源ユニット２０が波長２２０ｎｍを超える紫外線を出射する場合には、処理時間の短縮化を図る観点から、例えば酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスが用いられる。また、処理用ガスは、水蒸気を含むものであってもよい。
この図の例において、処理用ガスとしては酸素ガスが用いられおり、この酸素ガスには湿度が５０Ｒｈ％となるように水蒸気が含まれている。
【００２９】
処理用ガスにおいて、活性種源の濃度は、７０体積％以上であることが好ましい。
処理用ガス中の活性種源の濃度が上記の範囲とされることにより、紫外線により生成される活性種の量を多くすることができて所期の処理を確実に行うことができる。
また、処理用ガスとしてオゾンガスを含有するものを用いる場合において、処理用ガスにおけるオゾンガスの濃度は、安全性の観点から、１２体積％以下であることが好ましい。
【００３０】
処理用ガス供給手段による処理用ガス供給条件は、被処理面Ｗａの大きさなどに応じ、紫外線放射ランプ２８の種類、被処理物Ｗの種類、被処理面Ｗａに必要とされる処理の種類、処理用ガスの種類および組成などを考慮して適宜に定められる。
そして、処理用ガス供給条件を適宜に定めることによれば、被処理物に対して高い均一性をもって高い効率で処理を行うことができる。
この図の例において、処理室Ｓに対しては、処理用ガス供給手段により、流量１ＬＰＭの処理用ガス供給条件で処理用ガスが供給される。
【００３１】
そして、光照射装置１０の動作中においては、処理室Ｓの内圧（大気との差圧）がランプ室Ｒの内圧よりも高く維持されている。
装置動作中において、処理室Ｓの内圧がランプ室Ｒの内圧よりも高く維持されることにより、処理室Ｓおよびランプ室Ｒの気密性を維持することができなくなった場合であっても、処理室Ｓにランプ室Ｓからランプ室雰囲気用ガスが流入することを防止または抑制することができる。
この図の例において、処理室Ｓの内圧は１００Ｐａであり、ランプ室Ｒの内圧は６０Ｐａである。
【００３２】
また、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差は、３０〜１０００Ｐａであることが好ましく、更に好ましくは３０〜５００Ｐａであり、特に好ましくは３０〜３００Ｐａである。
処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差が過小である場合には、装置動作中に処理室Ｓおよびランプ室Ｒの気密性を維持することができなくなった際に、処理室Ｓの内圧をランプ室Ｒの内圧より高い状態に保つことができなくなるおそれがある。一方、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差が過大である場合には、光透過性窓部材３１に撓りが生じ、それに起因して、被処理物Ｗと光透過性窓部材３１との間に形成される間隙の厚み（図１における上下方向の寸法）に均一性が得られず、よって高い均一性をもって処理を行うことができなくなるおそれがある。また、光透過性窓部材３１が破損するおそれもある。
この図の例において、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差は４０Ｐａである。
【００３３】
装置動作中において、処理室Ｓの内圧をランプ室Ｒの内圧よりも高く維持するための手法としては、ランプ室Ｒおよび処理室Ｓに連通するガス排出用ガス流路のコンダクタンスを調整する方法が挙げられる。具体的には、ランプ室Ｒおよび処理室Ｓの間において差圧計によって計測される内圧差、またはランプ室Ｒおよび処理室Ｓの各々に配設された圧力センサによって検出される内圧に基づいて、ランプ室Ｒの内圧と処理室Ｓの内圧との差が所期の範囲となるように、ランプ室Ｒおよび処理室Ｓにおけるガス排出条件を調整する。
【００３４】
このような構成の光照射装置１０においては、紫外線放射ランプ（具体的には、中心波長が１７２ｎｍの紫外線を含む光を放射するエキシマランプ）２８からの紫外線を、処理用ガスの雰囲気下に配置された被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対して、光透過性窓部材３１を介して照射することにより、被処理物Ｗの表面処理が行われる。
具体的に説明すると、被処理物Ｗが配置された処理室Ｓに、処理用ガス（具体的には、酸素ガス）が、ガス供給用開口１５ａを介して所期の処理用ガス供給条件で供給される。このようにして、処理室Ｓには処理用ガスが絶え間なく供給され、これにより、処理室Ｓは処理用ガス雰囲気とされる。また、ランプ室Ｒは、ランプ室雰囲気用ガス供給手段から所期のランプ室雰囲気用ガス供給条件でランプ室雰囲気用ガス（具体的には、窒素ガス）が供給されることにより、ランプ室雰囲気用ガスの雰囲気とされる。そして、光源ユニット２０を構成する複数の紫外線放射ランプ２８が一斉に点灯されることにより、当該複数の紫外線放射ランプ２８からの紫外線が光透過性窓部材３１を介して被処理面Ｗａに向かって照射される。これにより、被処理面Ｗａに到達する紫外線、および紫外線により生成される活性種（具体的には、オゾンガスおよび酸素ラジカル）によって、被処理面Ｗａの処理が行われる。また、処理室Ｓにおいては、処理用ガスが処理室Ｓを流通する過程において、被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガス（具体的には、例えば二酸化炭素ガス）が、処理用ガスに混入される。そして、この反応生成ガスが混入されたガス（以下、「排ガス」ともいう。）は、ガス排出用開口１６ａを介して処理室Ｓの外部に排出される。
【００３５】
そして、この光照射装置１０の装置動作中には、光透過性窓部材３１と支持機構を構成する部材（具体的には、下壁部２５および押さえ部材２６）との間において、熱膨張差によって相対的に位置ずれが生じること、またランプ室用シール部材２９が紫外線劣化することによって、十分な気密性が得られなくなる場合がある。そして、このような場合には、光透過性部材３１と支持機構を構成する部材との間に生じた僅かな間隙を介して、光透過性窓部材３１およびランプ室用シール部材２９によって区画されていた処理室Ｓとランプ室Ｒとが連通した状態となる。
然して、光照射装置１０においては、装置動作中には処理室Ｓの内圧がランプ室の内圧よりも高く維持されていることから、処理室Ｓからランプ室Ｒに処理用ガスが流入するだけで、処理室Ｓにはランプ室Ｒからランプ室雰囲気ガスが流入することがない。そのため、処理室Ｓにおいては、処理用ガス供給手段から供給される処理用ガスのみによって雰囲気が形成されることから、ランプ室雰囲気ガスの流入に起因して活性種源の濃度が小さくなることを防止することができる。
しかも、ランプ室Ｒにおいては、処理を行うために必要とされる範囲内でランプ室雰囲気用ガス供給条件を定めることにより、大きなガス流量でランプ室雰囲気用ガスが流動することとなるため、処理用ガスが流入した場合であっても、ランプ室雰囲気用ガスのガス流によって流入した処理用ガスを排出することができる。その結果、ランプ室Ｒの雰囲気を、安全性、および紫外線放射ランプ２８からの紫外線を有効利用する観点から必要とされる雰囲気条件を満たすものとすることができる。
従って、光照射装置１０によれば、処理室Ｓにおいて必要とされる雰囲気を確保することができることから、被処理面Ｗａを効率よく短時間で処理することができる。
【００３６】
また、光照射装置１０においては、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差を３０〜１０００Ｐａとすることにより、処理室Ｓの内圧をランプ室Ｒの内圧より高い状態に確実に保つことができる。また、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差によって光透過性窓部材３１に撓りが生じ、それ起因して所期の処理を行うことができなくなる、あるいは光透過性窓部材３１が破損する、という弊害が生じることがない。
【００３７】
この光照射装置１０は、例えば、半導体や液晶等の製造工程におけるレジストの光アッシング処理、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去あるいは液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理、プリント基板製造工程におけるスミアの除去（デスミア）処理などに好適に用いられる。
【００３８】
〔第２の実施の形態〕
図２は、本発明の光照射装置の構成の他の例を示す説明用断面図である。
この光照射装置４０は、光源ユニット５０の構成が異なること以外は、図１の光照射装置１０と同様の構成を有するものである。そして、光源ユニット５０は、ランプ室用筺体２１の内部空間が上下に区画されていること、ランプ室用筺体２１の内部に凹面反射鏡５８が配設されていること、およびランプ室雰囲気用ガス供給手段がランプ室雰囲気用ガスを循環する構成のものであること以外は、図１の光照射装置１０に係る光源ユニット２０と同様の構成を有するものである。
この図の例において、紫外線放射ランプ２８としては、波長２５４ｎｍおよび波長３６４ｎｍｎの紫外線を含む光を放射する円筒型の高圧水銀ランプが用いられている。この高圧水銀ランプは、発光長が６００ｍｍであって外径が２５ｍｍであり、定格消費電力が１０ｋＷのものである。
また、ランプ室雰囲気用ガスとしては、環境雰囲気の空気が用いられている。
また、処理用ガスとしては、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスが用いられており、この混合ガスにおいて、酸素ガス濃度は９０体積％であってオゾンガス濃度は１０体積％である。この処理用ガスには湿度が５０％Ｒｈとなるように水蒸気が含まれていてもよい。
【００３９】
光源ユニット５０において、ランプ室用筺体２１は、下方に開口部を有する直方体箱型形状の下空間形成部材５１と、この下空間形成部材５１上に配設された、下方に開口部を有する直方体箱型形状の上空間形成部材５４とが一体的に接合されたものである。ここに、ランプ室用筺体２１の開口部は、下空間形成部材５１における矩形枠状の下壁部２５の中央に形成されている。そして、このランプ室用筺体２１の内部には、下空間形成部材５１の上壁部５１Ａの上方側に位置する空間によって吸気室Ｉが形成され、また上壁部５１Ａの下方側に位置する空間によってランプ室Ｒが形成されている。また、下空間形成部材５１の上壁部５１Ａには、スリットよりなるガス流通口５２が複数形成されており、この一定の間隔（図２においては等間隔）で配置されたガス流通口５２によって吸気室Ｉとランプ室Ｒとが連通した状態とされている。
ランプ室Ｒには、複数の棒状の紫外線放射ランプ２８が、中心軸が同一水平面内において互いに平行に伸びるよう一定の間隔（図２においては等間隔）で並列配置され、光透過性窓部材３１を介して処理室Ｓと対向した状態とされている。また、これらの複数の紫外線放射ランプ２８には、各々、紫外線放射ランプ２８を取り囲み、当該紫外線放射ランプ２８から光透過性窓部材３１に向かう方向以外の方向に放射される光を光透過性窓部材３１に向けて反射する凹面反射鏡５８が設けられている。
この図の例において、ガス流通口５２を構成するスリットは、紫外線放射ランプ２８の管軸方向に伸びる矩形状のものである。
【００４０】
また、光源ユニット５０において、ランプ室雰囲気用ガス供給手段は、枝分かれ管６２を有する管構造のガス流路形成部材６１を備えており、このガス流路形成部材６１の一端が上空間形成部材５４の上壁部５４Ａに形成されたガス吸気口５３に接続されている。また、複数（図２においては３本）の枝分かれ管６２は、上空間形成部材５４の上壁部５４Ａおよび下空間形成部材５１の上壁部５１Ａを気密に貫通している。そして、複数の枝分かれ管６２に係るガス流路形成部材６１の他端が、各々、凹面反射鏡５８の基端部に形成されたガス排気口５９に接続されている。このようにして、ガス流路形成部材６１によって形成されるガス流路は、一端において吸気室Ｉに連通し、他端においてランプ室Ｒに連通している。また、ガス流路における分岐部６１ａからガス吸気口５３に至るまでの領域には、例えばオゾンフィルターよりなるオゾン除去手段６７、例えばラジエータよりなる冷却手段６６、および例えばブロアーよりなる送風手段６５がこの順に設けられている。また、ガス流路におけるガス排気口５９から分岐部６１ａに至るまでの領域、すなわち枝分かれ管６２内には、各々、例えばダンパーよりなる流量調整手段６８が設けられている。
このランプ室雰囲気用ガス供給手段は、ランプ室Ｒ内のランプ室雰囲気用ガスを、吸気室Ｉおよび下空間形成部材５１の上壁部５１Ａにおけるガス流通口５２を介して循環するものである。そして、ランプ室雰囲気用ガスの循環条件、すなわちランプ室Ｒに対するランプ室雰囲気用ガスの供給条件は、送風手段６５および流量調整手段６８を調整することによって適宜に定められる。また、ランプ室Ｒに供給されるランプ室雰囲気用ガスは、ガス流路における分岐部６１ａからガス吸気口５３に至るまでの領域を流動する過程において、冷却手段６６によって温度が調整されると共にオゾン除去手段６７によってオゾンガスが除去されたものである。
この図の例において、冷却手段６６としてはラジエータが用いられており、その冷却能力は１５ｋＷである。また、ランプ室雰囲気用ガスの流動方向が矢印で示されている。
【００４１】
ランプ室雰囲気用ガス供給手段によるガス供給条件は、紫外線放射ランプ２８の種類および紫外線放射ランプ２８の本数などに応じ、処理用ガスの種類および処理用ガス供給手段によるガス供給条件などを考慮して適宜に定められる。
そして、ランプ室雰囲気用ガス供給条件を適宜に定めることによれば、装置動作中において、紫外線放射ランプ２８を十分に冷却することができる。また、装置動作中にランプ室Ｒに処理室Ｓから処理用ガスが流入した場合であっても、ランプ室Ｒの雰囲気を、安全性、および紫外線放射ランプ２８からの紫外線を有効利用する観点から必要とされる雰囲気条件を満たすものとすることができる。
この図の例において、ランプ室Ｒに対しては、ランプ室雰囲気用ガス供給手段により、流量３０ｍ3 ／ｍｉｎのランプ室雰囲気用ガス供給条件でランプ室雰囲気用ガスが供給される。
【００４２】
そして、光照射装置４０の動作中においては、処理室Ｓの内圧がランプ室Ｒの内圧よりも高く維持される。
また、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差は、３０〜１０００Ｐａであることが好ましく、更に好ましくは３０〜５００Ｐａであり、特に好ましくは３０〜３００Ｐａである。
処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差を３０〜１０００Ｐａとすることにより、処理室Ｓの内圧を確実にランプ室Ｒの内圧より高い状態に保つことができる。また、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差によって光透過性窓部材３１に撓りが生じ、それ起因して高い均一性をもって処理を行うことができなくなる、あるいは光透過性窓部材３１が破損するという弊害が生じることがない。
この図の例においては、処理室Ｓの内圧は５００Ｐａであってランプ室Ｒの内圧は３００Ｐａであり、処理室Ｓの内圧とランプ室Ｒの内圧との差は２００Ｐａである。
【００４３】
装置動作中において、処理室Ｓの内圧をランプ室Ｒの内圧よりも高く維持するための手法としては、処理室Ｓに連通するガス排出用ガス流路のコンダクタンス、およびガス流路形成部材６１のガス排気口５９側のコンダクタンスを調整する方法が挙げられる。具体的には、ランプ室Ｒおよび処理室Ｓの間において差圧計によって計測される内圧差、またはランプ室Ｒおよび処理室Ｓの各々に配設された圧力センサによって検出される内圧に基づいて、ランプ室Ｒの内圧と処理室Ｓの内圧との差が所期の範囲となるように、ランプ室Ｒおよび処理室Ｓにおけるガス排出条件を調整する。
ここに、ガス流路形成部材６１のガス排気口５９側のコンダクタンスを調整する方法としては、流量調整手段６８を調整する方法などが挙げられる。
【００４４】
このような構成の光照射装置４０においては、紫外線放射ランプ（具体的には、波長２５４ｎｍおよび波長３６５ｎｍｎの紫外線を放射する高圧水銀ランプ）２８からの紫外線を、処理用ガスの雰囲気下に配置された被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対して、光透過性窓部材３１を介して照射することにより、被処理物Ｗの表面処理が行われる。
具体的に説明すると、被処理物Ｗが配置された処理室Ｓに、処理用ガス（酸素ガスとオゾンガスとの混合ガス）が、ガス供給用開口１５ａを介して所期の処理用ガス供給条件で供給される。このようにして、処理室Ｓには処理用ガスが絶え間なく供給され、これにより、処理室Ｓは処理用ガス雰囲気とされる。また、ランプ室Ｒにおいては、ランプ室雰囲気用ガス供給手段によってランプ室雰囲気用ガス（具体的には、環境雰囲気の空気）が循環されることにより、所期のランプ室雰囲気用ガス供給条件でランプ室雰囲気用ガスが供給される。そして、光源ユニット５０を構成する複数の紫外線放射ランプ２８が一斉に点灯されることにより、当該複数の紫外線放射ランプ２８からの紫外線が光透過性窓部材３１を介して被処理面Ｗａに向かって照射される。これにより、被処理面Ｗａに到達する紫外線、および紫外線により生成される活性種（具体的には、酸素ラジカル）によって、被処理面Ｗａの処理が行われる。また、処理室Ｓにおいては、処理用ガスが処理室Ｓを流通する過程において、被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガス（具体的には、例えば二酸化炭素ガス）が、処理用ガスに混入される。そして、この反応生成ガスが混入された排ガスは、ガス排出用開口１６ａを介して処理室Ｓの外部に排出される。
この図の例において、被処理物Ｗと光透過性窓部材３１との離間距離は２ｍｍである。
【００４５】
而して、光照射装置４０によれば、図１の光照射装置１０と同様の効果を得ることができる。すなわち、光照射装置４０によれば、処理室Ｓにおいて必要とされる雰囲気を確保することができることから、被処理面Ｗａを効率よく短時間で処理することができる。
この光照射装置４０は、図１の光照射装置１０と同様に、例えば、半導体や液晶等の製造工程におけるレジストの光アッシング処理、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去あるいは液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理、プリント基板製造工程におけるスミアの除去（デスミア）処理などに好適に用いられる。
【００４６】
本発明の光照射装置は、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第２の実施の形態に係る光照射装置は、ランプ室雰囲気用ガス供給手段が、ランプ室内のランプ室雰囲気用ガスを循環させるものではなく、ランプ室雰囲気用ガス供給源を備えたものであると共に、ランプ室用筺体が、ガス供給用貫通孔とガス排出用貫通孔が設けられたものあってもよい。具体的には、ランプ室雰囲気用ガス供給手段およびランプ室用筺体が、例えば第１に実施の形態に係る光照射装置１０におけるランプ室雰囲気用ガス供給手段およびランプ室用筺体と同様の構成を有するものであってもよい。この場合においては、ランプ室雰囲気用ガスとして、低露点高清浄空気または不活性ガスを用いてもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１０    光照射装置
１１    処理室用筺体
１１Ａ，１１Ｃ    側壁部
１３ａ    上端面
１４    凹部
１５    ガス供給用貫通孔
１５ａ    ガス供給用開口
１６    ガス排出用貫通孔
１６ａ    ガス排出用開口
１８    被処理物支持台
１８ａ    被処理物載置面
１９    処理室用シール部材
２０    光源ユニット
２１    ランプ室用筺体
２１Ａ，２１Ｃ    側壁部
２３    ガス供給用貫通孔
２４    ガス排出用貫通孔
２５    下壁部
２５Ａ    凹部
２６    押さえ部材
２６Ａ    押圧部
２６Ｂ    支持部
２８    紫外線放射ランプ
２９    ランプ室用シール部材
３１    光透過性窓部材
４０    光照射装置
５０    光源ユニット
５１    下空間形成部材
５１Ａ    上壁部
５２    ガス流通口
５３    ガス吸気口
５４    上空間形成部材
５４Ａ    上壁部
５８    凹面反射鏡
５９    ガス排気口
６１    ガス流路形成部材
６１ａ    分岐部
６２    枝分かれ管
６５    送風手段
６６    冷却手段
６７    オゾン除去手段
６８    流量調節手段
７１    筺体
７２Ａ    ガス供給用貫通孔
７２Ｂ    ガス排出用貫通孔
７３Ａ    ガス供給用貫通孔
７３Ｂ    ガス排出用貫通孔
７５    制御部
７６，７７    圧力センサ
８１Ａ，８１Ｂ    ガス流路形成部材
８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ    処理用ガス供給源
８３    真空ポンプ
８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ，８４Ｄ    バルブ
８５Ａ，８５Ｂ    ガス流路形成部材
８６    ランプ室雰囲気用ガス供給源
８７    真空ポンプ
８８Ａ，８８Ｂ    バルブ
９１    シール部材
９２    支持部
９３    凹部
９４    押さえ部材
９５    間隙
【図１】
2015119127.tif 000003
【図２】
2015119127.tif 000004
【図３】
2015119127.tif 000005
【図４】
2015119127.tif 000006