(57)【要約】【課題】フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、表面２ａを有するＧａＮ自立基板２と、表面２ａ上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４とを備える。また、電極５を備える。電極５は、開口部の内部に、ＧａＮエピタキシャル層３に接触するように形成されたショットキー電極と、ショットキー電極に接続するとともに、絶縁層４に重なるように形成された、フィールドプレート電極とによって構成されている。ＧａＮ自立基板２の転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する窒化ガリウム基板と、
前記主表面上に形成されたエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表面上に形成され、開口部が形成されている絶縁層と、
前記開口部の内部に、前記エピタキシャル層に接触するように形成されたショットキー電極と、
前記ショットキー電極に接続するとともに、前記絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、
前記窒化ガリウム基板の転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である、ショットキーバリアダイオード。
【請求項２】
前記窒化ガリウム基板の前記主表面の反対側の裏面上に形成されたオーミック電極をさらに備え、
前記ショットキー電極および前記オーミック電極の、一方から他方へと電流が流れる、縦型構造を有する、請求項１に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記開口部に面する端面が、前記エピタキシャル層の表面に対し０．１°以上６０°以下の角度で傾斜するように形成されており、
前記フィールドプレート電極は、前記端面に接着するように、前記絶縁層に重ねられている、請求項１または２に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項４】
表面を有する窒化ガリウム層と、
前記窒化ガリウム層の表面上に形成され、開口部が形成されている絶縁層と、
前記開口部の内部に、前記窒化ガリウム層に接触するように形成されたショットキー電極と、
前記ショットキー電極に接続するとともに、前記絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、
前記窒化ガリウム層において前記ショットキー電極と接触する領域の転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である、ショットキーバリアダイオード。
【請求項５】
前記窒化ガリウム層の前記表面の反対側の裏面に形成されたオーミック電極をさらに備え、
前記ショットキー電極および前記オーミック電極の、一方から他方へと電流が流れる、縦型構造を有する、請求項４に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記開口部に面する端面が、前記窒化ガリウム層の前記表面に対し０．１°以上６０°以下の角度で傾斜するように形成されており、
前記フィールドプレート電極は、前記端面に接着するように、前記絶縁層に重ねられている、請求項４または５のいずれかに記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項７】
前記ショットキー電極の材質は、金、プラチナ、ニッケル、パラジウム、コバルト、銅、銀、タングステン、およびチタンからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項８】
前記絶縁層の厚みは、１０ｎｍ以上５μｍ以下である、請求項１〜７のいずれかに記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項９】
前記フィールドプレート電極の、前記絶縁層と重なる長さは、１μｍ以上１ｍｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１つに記載のショットキーバリアダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ショットキーバリアダイオードに関し、特に、逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて約３倍のバンドギャップ、約１０倍の高い絶縁破壊電界強度、さらに大きな飽和電子速度などの様々な優れた特性を有している。ＧａＮは、従来のＳｉパワーデバイスでは困難な高耐圧化と、低損失化、すなわち低オン抵抗化との両立が期待できるため、パワーデバイス（電力用半導体素子）への応用が期待されている。
【０００３】
従来、ＧａＮ基板を用いたショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、ｐｎ接合ダイオード、ＭＩＳ（metal-insulator-semiconductor）トランジスタなどの半導体素子が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。従来、パワーデバイスに用いられるＧａＮ材料としては、サファイアやＳｉＣ（シリコンカーバイド）などの異種基板上に形成されたＧａＮエピタキシャル層が、一般的に用いられてきた。これに対し、ＧａＮ基板上に形成したＧａＮエピタキシャル層は、異種基板上に形成したＧａＮエピタキシャル層に対し、不純物濃度が低く、転位密度が低い。そのため、ＧａＮ基板上にＧａＮエピタキシャル成長を行なうことで、高耐圧・低オン抵抗のパワーデバイスを実現できることが開示されている（たとえば、非特許文献１参照）。
【０００４】
また、パワーデバイスの電極端部への電界集中を抑制し高耐圧化を図るための構造として、フィールドプレート（ＦＰ）構造が開示されている（たとえば、非特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１００８０１号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】田辺達也他「ＧａＮ基板上ＧａＮエピタキシャル成長とパワーデバイスへの応用」、ＳＥＩテクニカルレビュー第１７０号、２００７年１月、ｐ３４〜ｐ３９
【非特許文献２】高田賢治他「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ  パワーデバイス」、東芝レビュー５９巻７号、２００４年７月、ｐ３５〜ｐ３８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者は、ＧａＮ基板を用いたショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の高耐圧化について検討を進めた。その結果、本発明者は、たとえばＳｉ基板やサファイア基板などの異種基板上に形成したＧａＮエピタキシャル層を用いて作製したＳＢＤにフィールドプレート（ＦＰ）構造を適用しても、低リーク電流が得られない、という問題があることを初めて明らかにした。つまり、従来パワーデバイス用ＧａＮ材料として一般的に用いられてきた、異種基板上に形成したＧａＮエピタキシャル層を用いて、ＳＢＤを作製した場合、ＳＢＤにＦＰ構造を適用しても、ＦＰ構造によるショットキー電極端の電界集中緩和に基づく、逆方向リーク電流の減少・逆方向耐電圧の上昇という効果は十分に得られなかった。
【０００８】
それゆえに、本発明の主たる目的は、フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、異種基板上に形成したＧａＮエピタキシャル層を用いて作製したＳＢＤにＦＰ構造を適用しても電界緩和効果が十分に得られない理由について検討した。その結果、Ｓｉ基板やサファイア基板などの異種基板とＧａＮとの結晶構造の違いのために、形成されるＧａＮエピタキシャル層中の転位密度が１×１０8ｃｍ-2を超える高い転位密度であると推定し、本発明を以下のような構成とした。
【００１０】
本発明に係る一の局面におけるショットキーバリアダイオードは、主表面を有する窒化ガリウム基板を備える。また、主表面上に形成されたエピタキシャル層を備える。また、エピタキシャル層の表面上に形成され、開口部が形成されている絶縁層を備える。また、開口部の内部に、エピタキシャル層に接触するように形成されたショットキー電極を備える。また、ショットキー電極に接続するとともに、絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極を備える。そして、窒化ガリウム基板の転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である。
【００１１】
この構成によれば、１×１０8ｃｍ-2以下という低転位密度を有する窒化ガリウム基板を用いることで、エピタキシャル層中の転位が減少する。このため、フィールドプレート構造を有するショットキーバリアダイオードにおいて、逆方向リーク電流が減少しているという条件下で、フィールドプレート構造による電界緩和が起こる。その結果、逆方向リーク電流がさらに減少し、逆方向耐電圧を上昇させることができる。窒化ガリウム基板の転位密度は低いほど好ましい。たとえば、窒化ガリウム基板の転位密度は、１×１０6ｃｍ-2以下であればより好ましい。なお、現状では、窒化ガリウム基板の転位密度の下限値は１×１０3ｃｍ-2程度である。
【００１２】
本発明に係る他の局面におけるショットキーバリアダイオードは、表面を有する窒化ガリウム層を備える。また、窒化ガリウム層の表面上に形成され、開口部が形成されている絶縁層を備える。また、開口部の内部に、窒化ガリウム層に接触するように形成されたショットキー電極を備える。また、ショットキー電極に接続するとともに、絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極とを備える。そして、窒化ガリウム層においてショットキー電極と接触する領域の転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である。
【００１３】
この構成によれば、窒化ガリウム層においてショットキー電極と接触する領域が１×１０8ｃｍ-2以下という低転位密度を有する窒化ガリウム層を用いている。このため、フィールドプレート構造を有するショットキーバリアダイオードにおいて、逆方向リーク電流が減少しているという条件下で、フィールドプレート構造による電界緩和が起こる。その結果、逆方向リーク電流がさらに減少し、逆方向耐電圧を上昇させることができる。窒化ガリウム層においてショットキー電極と接触する領域の転位密度は低いほど好ましい。
【００１４】
ここでフィールドプレート構造とは、絶縁層と、絶縁層上に形成されたフィールドプレート電極と、によって構成される構造である。フィールドプレート電極はショットキー電極と電気的に接続されており、ショットキー電極とフィールドプレート電極とは同電位である。フィールドプレート構造によって、デバイス破壊の原因となる動作時のショットキー電極端部での電界集中を緩和し、ショットキーバリアダイオードの高耐圧化、高出力化を可能としている。絶縁層の材質は、たとえばＳｉＮxとすることができる。
【００１５】
上記一の局面におけるショットキーバリアダイオードにおいて好ましくは、主表面の反対側の裏面上に形成されたオーミック電極をさらに備え、ショットキー電極およびオーミック電極の一方から他方へと電流が流れる、縦型構造を有する。
【００１６】
上記他の局面におけるショットキーバリアダイオードにおいて好ましくは、窒化ガリウム層の表面の反対側の裏面に形成されたオーミック電極をさらに備え、ショットキー電極およびオーミック電極の一方から他方へと電流が流れる、縦型構造を有する。
【００１７】
一般にパワーデバイスでは、横型構造に比べて縦型構造はより大きな電流を流すことができるので、縦型構造はパワーデバイスにより適した構造である。サファイアは絶縁性のため、サファイア基板を用いたパワーデバイスは縦型構造とすることができない。本発明の構成によれば、窒化ガリウム基板および窒化ガリウム層が導電性であるため、オーミック電極を裏面側に形成した縦型構造が可能となる。
【００１８】
また上記一の局面におけるショットキーバリアダイオードにおいて好ましくは、絶縁層は、開口部に面する端面が、エピタキシャル層の表面に対し０．１°以上６０°以下の角度で傾斜するように形成されている。フィールドプレート電極は、絶縁層の端面に接着するように、絶縁層に重ねられている。
【００１９】
上記他の局面におけるショットキーバリアダイオードにおいて好ましくは、絶縁層は、開口部に面する端面が、窒化ガリウム層の表面に対し０．１°以上６０°以下の角度で傾斜するように形成されている。フィールドプレート電極は、絶縁層の端面に接着するように、絶縁層に重ねられている。
【００２０】
この構成によれば、絶縁層の端面がエピタキシャル層または窒化ガリウム層の表面に対し傾斜しているために、フィールドプレート構造による電界緩和の効果を増大させることができるので、ショットキーバリアダイオードの逆方向耐電圧を一層向上させることができる。
【００２１】
傾斜の角度が小さくなるほどフィールドプレート構造による電界緩和の効果が大きくなり、耐圧を向上させることができる。しかし、傾斜の角度が０．１°未満であれば、角度の再現性が得にくくなるため製造上問題となる場合があり、また、電流が流れないフィールドプレート電極が、ショットキー電極に対して相対的に大きくなるため、余計に原料が必要となり製造上不利となる。一方傾斜の角度が６０°超であれば、電界緩和の効果が小さくなる。なお、傾斜の角度は、１°以上３０°以下であればより好ましい。絶縁層の端面の傾斜は、ウェットエッチングやドライエッチングなどによって形成することができる。
【００２２】
また上記一の局面および他の局面におけるショットキーバリアダイオードにおいて好ましくは、ショットキー電極の材質は、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、およびチタン（Ｔｉ）からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を含む。この場合は、ショットキー電極の材質として金などを用いることにより、低リーク電流ショットキー電極を実現できるので、フィールドプレート構造による電界緩和が起こる。その結果逆方向リーク電流が減少し、逆方向耐電圧が上昇する。
【００２３】
また上記一の局面および他の局面におけるショットキーバリアダイオードにおいて好ましくは、絶縁層の厚みは、１０ｎｍ以上５μｍ以下である。絶縁層の厚みが１０ｎｍ未満であれば、絶縁層の耐圧が低く、絶縁層が先に破壊されてフィールドプレート構造の効果は得られない。また、絶縁層の厚みが５μｍ超であれば、フィールドプレート構造による電界緩和自体が得られない。絶縁層の厚みは、たとえば耐圧１ｋＶ設計においては、０．２μｍ以上２μｍ以下であればより好ましい。
【００２４】
また上記一の局面および他の局面におけるショットキーバリアダイオードにおいて好ましくは、フィールドプレート電極の、絶縁層と重なる長さは、１μｍ以上１ｍｍ以下である。上記長さが１μｍ未満であれば、制御が困難となり、安定してフィールドプレート構造の効果が得られない。また、上記長さが１ｍｍ超であれば、フィールドプレート構造による電界緩和自体が得られない。上記長さは、たとえば耐圧１ｋＶ設計においては空乏層幅は２μｍ以上２０μｍ以下に拡がるので、５μｍ以上４０μｍ以下であればより好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のショットキーバリアダイオードでは、フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、その結果逆方向リーク電流が減少し、逆方向耐電圧が上昇する効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態１ショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図２】図１に示すショットキーバリアダイオードの斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１におけるショットキーバリアダイオードの製造方法の各工程を示す流れ図である。
【図４】本発明の実施の形態２におけるショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２におけるショットキーバリアダイオードの製造方法の各工程を示す流れ図である。
【図６】ＦＰ構造を有さないＳＢＤの断面図である。
【図７】サファイア基板を用いたＳＢＤの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるショットキーバリアダイオードの断面図である。図２は、図１に示すショットキーバリアダイオードの斜視図である。図１および図２に示すように、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）１は、窒化ガリウム基板としてのＧａＮ自立基板２と、エピタキシャル層としてのＧａＮエピタキシャル層３とを備える。ＧａＮエピタキシャル層３は、主表面としてのＧａＮ自立基板２の表面２ａ上に形成されている。ＳＢＤ１はまた、絶縁層４を備える。絶縁層４は、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成されている。
【００２９】
ＳＢＤ１はさらに、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａに接触するとともに絶縁層４に重なるように形成されている電極５と、ＧａＮ自立基板２の裏面２ｂ側に形成されている電極６とを備える。絶縁層４には開口部が形成されており、電極５は絶縁層４の開口部の内部に形成されている。電極５は、たとえば平面形状が円形となるように、形成されている。
【００３０】
電極５は、絶縁層４の開口部の内部においてＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａに接触する部分であるショットキー電極と、絶縁層４に重なる部分であるフィールドプレート（ＦＰ）電極とを含む。フィールドプレート電極と、絶縁層４とは、フィールドプレート構造を形成する。また、上記ショットキー電極は、ＧａＮエピタキシャル層３とショットキー接合を形成する。一方電極６は、ＧａＮ自立基板２とオーミック接合を形成する、オーミック電極である。
【００３１】
ＧａＮ自立基板２中の転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である。また、電極５の材質（すなわち、ショットキー電極の材質）は、金、プラチナ、ニッケル、パラジウム、コバルト、銅、銀、タングステン、およびチタンからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を含む。１×１０8ｃｍ-2以下という低転位密度を有するＧａＮ自立基板２を用いることで、ＧａＮエピタキシャル層３中の転位密度もＧａＮ自立基板２と同等の１×１０8ｃｍ-2以下となる。このため、ＦＰ構造を有するＳＢＤ１において、逆方向リーク電流が減少しているという条件下で、かつ、低リーク電流を実現できる金などのショットキー電極を用いるという条件下で、ＦＰ構造による電界緩和が顕著に起こる。その結果、逆方向リーク電流がさらに減少し、逆方向耐電圧を上昇させることができる。なお、転位密度は、たとえば溶融ＫＯＨ中のエッチングによりできるピットの個数を数えて、単位面積で割るという方法によって測定することができる。
【００３２】
またＳＢＤ１は、ショットキー電極およびオーミック電極の一方から他方へと電流が流れる、縦型構造を有する。一般にパワーデバイスでは、横型構造に比べて縦型構造はより大きな電流を流すことができるので、縦型構造はパワーデバイスにより適した構造である。ＳＢＤ１ではＧａＮ自立基板２、ＧａＮエピタキシャル層３が導電性であるため、オーミック電極を裏面側に形成した縦型構造が可能となる。
【００３３】
絶縁層４は、シリコン窒化膜（ＳｉＮx）によって形成することができる。また絶縁層４中の水素濃度は、３．８×１０22ｃｍ-3未満、より好ましくは２．０×１０22ｃｍ-3未満とすることができる。このように、膜中水素濃度の低いＳｉＮxを、ＦＰ構造を形成する絶縁膜として適用することができる。この場合、水素濃度の高い絶縁層を用いる場合と比べて、ＦＰ構造によるショットキー電極端への電界集中の緩和に基づく逆方向耐電圧上昇の効果が抑制されることはない。つまり、ＳＢＤ１では大きな電界緩和効果が得られ、逆方向耐電圧を上昇させることができる。
【００３４】
図１に、絶縁層４の厚みを膜厚ｔとして示す。絶縁層４の膜厚ｔは、１０ｎｍ以上５μｍ以下であることが望ましい。絶縁層４の膜厚ｔが１０ｎｍ未満であれば、絶縁層４の耐圧が低く、絶縁層４が先に破壊されてＦＰ構造の効果は得られない。また、絶縁層４の厚みが５μｍ超であれば、ＦＰ構造による電界緩和自体が得られない。
【００３５】
また、図１に示す寸法Ｌは、フィールドプレート長を示す。フィールドプレート長とは、フィールドプレート電極が絶縁層４と重なる長さである。本実施の形態の場合、ＦＰ長とは、図１に示すような、ＳＢＤ１の、平面形状が円形の電極５の中心を通る断面において、ＦＰ電極が絶縁層４と重なっている長さである。つまり、絶縁層４の開口部の平面形状が円形状であって、電極５の一部であるショットキー電極の平面形状が円形である場合、ＦＰ長とは、ショットキー電極の半径方向における、ＦＰ電極が絶縁層４と重なる長さである。
【００３６】
換言すると、フィールドプレート長とは、ショットキー電極の平面形状に対する重心と、当該平面形状の外周部上のある一点と、を結ぶような直線の方向において、フィールドプレート電極が絶縁層と重なっている長さをいう。このようなＦＰ長は、１μｍ以上１ｍｍ以下であることが望ましい。ＦＰ長が１μｍ未満であれば、制御が困難となり、安定してＦＰ構造の効果が得られない。また、ＦＰ長が１ｍｍ超であれば、ＦＰ構造による電界緩和自体が得られない。
【００３７】
さらに、図１に示すように、絶縁層４は、電極５がＧａＮエピタキシャル層３に接触する部分である開口部に面する、端面４ａを含む。端面４ａは、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａに対し、角度θを形成するように傾斜している。電極５において絶縁層４に重なる部分であるＦＰ電極は、端面４ａに接着するように、絶縁層４に重ねられている。
【００３８】
端面４ａが表面３ａに対し傾斜しているために、ＦＰ構造による電界緩和の効果を増大させることができる。その結果、ＳＢＤ１の逆方向耐電圧を一層向上させることができる。このような絶縁層４の端面４ａの傾斜は、ウェットエッチングやドライエッチングなどによって形成することができる。端面４ａは、角度θが０．１°以上６０°以下の範囲であるように形成される。傾斜の角度が０．１°未満であれば、角度の再現性が得にくくなり、また余計に原料が必要となり、製造上問題となる場合があるためである。一方、傾斜の角度が６０°超であれば、電界緩和の効果が小さくなるためである。
【００３９】
次に、ＳＢＤ１の製造方法について説明する。図３は、本発明の実施の形態１におけるショットキーバリアダイオードの製造方法の各工程を示す流れ図である。図１〜図３を参照して、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法について説明する。
【００４０】
まず、図３に示す工程（Ｓ１０）において、半導体層を形成する。具体的には、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy、ハイドライド気相成長法）で作製された、ｎ導電型の、（０００１）面ＧａＮ自立基板２を準備する。ＧａＮ自立基板２のキャリア濃度はたとえば３×１０18ｃｍ-3であり、厚みはたとえば４００μｍであり、平均転位密度はたとえば１×１０6ｃｍ-2である。次に工程（Ｓ２０）において、エピタキシャル層を形成する。具体的には、ＧａＮ自立基板２上に、キャリア密度がたとえば５×１０15ｃｍ-3であり厚みがたとえば７μｍであるｎ導電型エピタキシャル層を、ＯＭＶＰＥ（Organo-Metallic Vapor Phase Epitaxy、有機金属気相成長）法により成長して、ＧａＮエピタキシャル層３を作製する。ＧａＮエピタキシャル層３の平均転位密度はたとえばＧａＮ自立基板２と同様の１×１０6ｃｍ-2である。
【００４１】
次に工程（Ｓ３０）において、絶縁層を形成する。具体的には、ＧａＮエピタキシャル層３上に、絶縁層４としてＳｉＮxを、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）により成膜する。絶縁層４の膜厚ｔは、約１μｍである。このとき原料ガスとして、ＮＨ3（アンモニア）を用いてＳｉＨ4（モノシラン）、ＮＨ3、Ｈ2（水素）からＳｉＮxを成膜する。ＮＨ3を用いずにＳｉＨ4、Ｎ2からＳｉＮxを成膜すれば、絶縁層４中の水素濃度を低くすることができるので好ましい。
【００４２】
次に工程（Ｓ４０）において、オーミック電極を形成する。具体的には、ＧａＮ自立基板２の裏面２ｂを有機洗浄および塩酸洗浄した後に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ（２０ｎｍ／１００ｎｍ／２０ｎｍ／２００ｎｍ）を、ＥＢ（Electron Beam）蒸着法を用いて裏面２ｂの全体に形成する。その後、窒素雰囲気下で約２分間６００℃に加熱し、合金化を行ない、オーミック電極としての電極６を形成する。
【００４３】
次に工程（Ｓ５０）において、絶縁層のエッチングを行なう。具体的には、フォトリソグラフィーにより、絶縁層４上にパターニングを行なう。その後、ＢＨＦ（Buffered Hydrogen Fluoride、バッファードフッ酸）により、絶縁層４のウェットエッチングを行なう。その後、有機洗浄と酸素・窒素雰囲気中のアッシャー処理とによって、レジストの除去を行なう。このようにして絶縁層４をエッチングし、絶縁層４に開口部を形成する。この時点で、開口部ではＧａＮエピタキシャル層３が露出している。開口部はたとえば、その側面が、直径の最大値が２００μｍである円錐台の円錐面形状をなすように、形成することができる。
【００４４】
次に工程（Ｓ６０）において、ショットキー電極およびＦＰ電極を形成する。具体的には、フォトリソグラフィーによりパターニングを行なう。続いて、塩酸洗浄によるＧａＮエピタキシャル層３の表面処理を、室温で３分間行なった後、電極材料としてＡｕ（４００ｎｍ）を、抵抗加熱蒸着法により形成する。その後レジストを除去する際に、レジスト上に成膜された電極材料は同時に除去され（リフトオフ）、電極５が形成される。電極５の形状は、絶縁層４に形成された開口部よりも直径の大きい形状とすることができ、たとえば平面形状が直径２２０μｍの円形となるように形成することができる。
【００４５】
これにより、絶縁層４の開口部の内部においてＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａに接触する部分であるショットキー電極と、ショットキー電極に接続するとともに絶縁層４に重なる部分であるＦＰ電極と、が形成される。つまり、電極５の直径が、絶縁層４に形成された開口部の直径よりも大きいために、絶縁層４上に電極５の一部が重なって、ＦＰ電極となるようになっている。
【００４６】
以上の製造方法によって、図１および図２に示すＳＢＤ１を製造することができる。このＳＢＤ１の製造方法では、半導体層を形成する工程（Ｓ１０）において、１×１０8ｃｍ-2以下という低転位密度を有するＧａＮ自立基板２を用いることで、低転位密度のＧａＮエピタキシャル層３ができる。また、ショットキー電極を形成する工程（Ｓ６０）において、ショットキー電極の材質（すなわち電極５の材質）を金として、ショットキー電極を形成する。その結果、逆方向リーク電流が減少し、逆方向耐電圧を上昇させることができる。
【００４７】
なお、上記のＳＢＤの製造方法においては、工程（Ｓ６０）においてショットキー電極およびＦＰ電極を同時に形成する例を説明したが、ショットキー電極を形成する工程の後にＦＰ電極を形成する工程を設けてもよい。つまり、図１および図２を参照して、絶縁層４に形成された開口部の内部に、ＧａＮエピタキシャル層３に接触するようにショットキー電極を形成し、続いて、ショットキー電極に接続するとともに絶縁層４に重なるように、ＦＰ電極を形成してもよい。この場合、ＦＰ電極は、ショットキー電極と同じ材質で形成してもよい。または、絶縁層４との接着性のよい材料など、ショットキー電極の材質と異なる材料を用いて、ＦＰ電極を形成しても構わない。
【００４８】
（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２におけるショットキーバリアダイオードの断面図である。図４に示すように、本実施の形態におけるショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）１１は、基本的には実施の形態１におけるショットキーバリアダイオード１と同様の構成を備えているが、ＧａＮ自立基板２を備えていない点において異なる。
【００４９】
具体的には、ショットキーバリアダイオード１１は、支持基板１３と、ＧａＮ下地層１２と、ＧａＮエピタキシャル層３と、絶縁層４と、ショットキー電極と、フィールドプレート電極とを備えている。ＧａＮエピタキシャル層３においてショットキー電極と接触する領域３ｃの転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である。
【００５０】
支持基板１３は、導電性の基板である。この支持基板１３上にＧａＮ下地層１２が形成されている。このＧａＮ下地層１２上にＧａＮエピタキシャル層３が形成されている。なお、支持基板１３とＧａＮ下地層１２とは、オーミック接触している。また、支持基板１３が金属の場合、電極６は省略されてもよい。その他の構成については、実施の形態１と同様であるので、その説明は繰り返さない。
【００５１】
次に、ＳＢＤ１１の製造方法について説明する。図５は、本発明の実施の形態２におけるショットキーバリアダイオードの製造方法の各工程を示す流れ図である。本実施の形態におけるＳＢＤ１１の製造方法は、基本的には実施の形態１におけるＳＢＤ１の製造方法と同様の構成を備えているが、ＧａＮ自立基板を除去する工程をさらに備えている点において異なる。
【００５２】
具体的には、実施の形態１と同様に、半導体層形成工程（Ｓ１０）でＧａＮ自立基板２を準備する。次に、イオン注入工程（Ｓ７０）で、ＧａＮ自立基板２の表面２ａまたは裏面２ｂから不純物をイオン注入する。これにより、ＧａＮ自立基板２の表面２ａまたは裏面２ｂ近傍に不純物を多く含む層が形成される。次に、支持基板形成工程（Ｓ８０）で、イオン注入した面と支持基板１３とを貼り合わせる。次に、熱処理工程（Ｓ９０）で、ＧａＮ自立基板２と支持基板１３とが貼り合わされた状態で熱処理する。これにより、ＧａＮ自立基板２における不純物を多く含む領域を境界として、分割される。その結果、支持基板１３と、支持基板１３上にＧａＮ自立基板２よりも薄いＧａＮ下地層１２が形成された基板を作成することができる。この場合、高価なＧａＮ自立基板２の一部のみを使用して、残部を再利用できるので、製造コストを低減することができる。
【００５３】
次に、エピタキシャル層形成工程（Ｓ２０）では、ＧａＮ下地層１２上にＧａＮエピタキシャル層３を形成する。このＧａＮエピタキシャル層３において後述するショットキー電極と接触する領域の転位密度は、１×１０8ｃｍ-2以下である。
【００５４】
なお、本実施の形態では、ＧａＮ自立基板２を用いてＧａＮ下地層１２を形成し、さらにＧａＮ下地層１２を用いてＧａＮエピタキシャル層３を形成したが、特にこれに限定されない。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明の実施例について説明する。本発明のＳＢＤとして説明したＳＢＤ１を作製し、逆方向耐電圧を測定する実験を行なった。なお、ＳＢＤ１の具体的な製造方法およびサイズなどの特性は、図１〜図３に基づき説明した通りであり、ＦＰ長は１０μｍとし、絶縁膜４の端面４ａがＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａに対して傾斜している角度θは１１°とした。逆方向耐電圧の測定方法としては、高耐圧プローバーを用いてフッ素系不活性液体中に浸漬させた状態で電流−電圧測定するという方法を用いた。その結果、ＳＢＤ１の逆方向耐電圧は、８６５Ｖを示した。
【００５６】
また比較例１として、ＦＰ構造を有さないＳＢＤ２１を作製した。図６は、ＦＰ構造を有さないＳＢＤの断面図である。図６に示すように、ＳＢＤ２１は、２００μｍ直径の円柱形状であるショットキー電極としての電極２５を備える。ＳＢＤ１１の製造方法は、図３に示すＳＢＤ１の製造方法に対し、絶縁層を形成しないために工程（Ｓ３０）（Ｓ５０）を要しない点で異なる。ＳＢＤ１１のその他の製造工程およびサイズなどの特性は、ＳＢＤ１と同様であり、図６に示すＧａＮ自立基板２の転位密度は１×１０6ｃｍ-2であり、ＧａＮエピタキシャル層３の転位密度はＧａＮ自立基板２と同等の１×１０6ｃｍ-2である。ＦＰ構造を有さないＳＢＤ１１の逆方向耐電圧を測定した結果は、３５０Ｖであった。
【００５７】
また比較例２として、サファイア基板を用いたＳＢＤ３１を作製した。図７は、サファイア基板を用いたＳＢＤの断面図である。サファイア基板を用いた場合、サファイア基板が絶縁体のため、縦型構造のＳＢＤは作製できない。よって図７に示すように、横型構造によるＦＰ構造を有するＳＢＤ３１を作製した。ここで、電極３６はオーミック電極である。
【００５８】
図７に示すＳＢＤ３１の具体的な製造方法は以下の通りである。まず、サファイア基板３２上に、キャリア密度が５×１０15ｃｍ-3であり厚みが７μｍであるｎ導電型エピタキシャル層を、ＯＭＶＰＥ法により成長して、ＧａＮエピタキシャル層３を作製する。図７に示すＧａＮエピタキシャル層３の平均転位密度は、１×１０9ｃｍ-2である。続いて、ＧａＮエピタキシャル層３上に、ＦＰ構造を形成する絶縁層３４としてＳｉＮxを、プラズマＣＶＤにより成膜する。絶縁層３４の膜厚は、約１μｍである。
【００５９】
続いて、オーミック電極を形成する。具体的には、フォトリソグラフィーによりパターニングを行なった後、有機洗浄および塩酸洗浄した後に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ（２０ｎｍ／１００ｎｍ／２０ｎｍ／２００ｎｍ）を、ＥＢ蒸着法を用いて形成する。その後レジストを除去する際に、レジスト上に成膜された電極材料が同時に除去される、リフトオフが行なわれる。その後、窒素雰囲気下で約２分間６００℃に加熱し、合金化を行ない、オーミック電極としての電極３６を形成する。
【００６０】
続いて、フォトリソグラフィーにより、絶縁層３４上にパターニングを行なった後、ＢＨＦにより絶縁層３４のウェットエッチングを行なう。その後、有機洗浄および酸素・窒素雰囲気中のアッシャー処理によってレジストの除去を行なう。このようにして絶縁層３４をエッチングし、絶縁層３４に開口部を形成する。開口部は、その側面が、直径の最大値が２００μｍである円錐台の円錐面形状をなすように、形成される。
【００６１】
次に、ＧａＮエピタキシャル層３上に、ショットキー電極を形成する。具体的には、フォトリソグラフィーによりパターニングを行なった後、塩酸洗浄によるＧａＮエピタキシャル層３の表面処理を、室温で３分間行なう。その後電極材料としてＡｕ（４００ｎｍ）を、抵抗加熱蒸着法により形成する。その後レジストを除去する際に、レジスト上に成膜された電極材料は同時に除去され（リフトオフ）、電極５が形成される。電極５の形状は、絶縁層３４に形成された開口部よりも直径の大きい、平面形状が直径２２０μｍの円形となるように形成する。
【００６２】
これにより、絶縁層３４の開口部の内部においてＧａＮエピタキシャル層３の表面に接触する部分であるショットキー電極と、ショットキー電極に接続するとともに絶縁層３４に重なる部分であるＦＰ電極と、が形成される。電極５の直径が、絶縁層３４に形成された開口部の直径よりも大きいために、絶縁層３４上に電極５の一部が重なって、ＦＰ電極となる。このようにして、図７に示すＳＢＤ３１が作製された。ＳＢＤ３１のＦＰ長は、１０μｍとした。サファイア基板を用いたＳＢＤ３１の逆方向耐電圧は、１３０Ｖであった。
【００６３】
さらに比較例３として、サファイア基板を用い、ＦＰ構造を有さないＳＢＤを作製した。図７に示す電極５および絶縁層３４に替えて、図６に示す電極１５の形状を有する、ショットキー電極を備える構成である。サファイア基板を用い、ＦＰ構造を有さないＳＢＤの逆方向耐電圧は、１００Ｖであった。
【００６４】
以上のように、本発明のＦＰ構造を有するＳＢＤ１は、比較例１のＦＰ構造を有さないＳＢＤ２１に対し、約２．５倍の逆方向耐電圧を有していた。これより、本発明のＳＢＤ１では、ＦＰ構造により大きな電界緩和効果が得られ、逆方向耐電圧を上昇させることができることが示された。
【００６５】
また、本発明のＳＢＤ１は、ＧａＮ自立基板２中の転位密度が低いためにＧａＮエピタキシャル層３中の転位密度も低くなり、その結果、転位密度の高いサファイア基板を用いた比較例２のＳＢＤ３１に対し、逆方向耐電圧が約６．７倍となり大幅に向上していた。また、転位密度が高く、ＦＰ構造を有しない比較例３のＳＢＤに対し、本発明のＳＢＤ１の逆方向耐電圧が約８．７倍となり大幅に向上していた。一方、比較例２と比較例３とを対照して、ＦＰ構造を有する比較例２のＳＢＤ２１は、ＦＰ構造を有さない比較例３のＳＢＤに対して、逆方向耐電圧はほとんど上昇していない。つまり、サファイア基板上に成膜された転位密度の高いＧａＮエピタキシャル層３を用いた場合には、ＦＰ構造による電界緩和効果が十分に得られないために、ＦＰ構造を有しても逆方向耐電圧が上昇しないことが明らかとなった。
【００６６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６７】
１，１１  ショットキーバリアダイオード、２  ＧａＮ自立基板、２ａ  表面、２ｂ  裏面、３  ＧａＮエピタキシャル層、３ａ  表面、３ｃ  領域、４  絶縁層、４ａ  端面、５，６，２５，３６  電極、１２  ＧａＮ下地層、１３  支持基板、３２  サファイア基板、３４  絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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