(57)【要約】【課題】本発明は、シリカナノワイヤ複合体およびその製造方法に関する。【解決手段】本発明のシリカナノワイヤ複合体は、シリカナノワイヤの表面に、自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ‐Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法または酸素（Ｏ２）-プラズマ気相蒸着成長（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍａｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）法でシラン基を導入することにより製造されることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカナノワイヤと、
前記シリカナノワイヤの表面に導入されたシラン基と、を含む、シリカナノワイヤ複合体。
【請求項２】
前記シラン基は、３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＧＰＴＭＳ）、アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＰＴＭＳ）、ビニルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、卜リクロロシランからなる群から選択されるものである、請求項１に記載のシリカナノワイヤ複合体。
【請求項３】
前記シリカナノワイヤの直径が１０ｎｍ〜２０ｎｍである、請求項１に記載のシリカナノワイヤ複合体。
【請求項４】
前記シリカナノワイヤは、ＶＬＳ（Ｖａｐｏｒ‐Ｌｉｑｕｉｄ‐Ｓｏｌｉｄ）工程により製造される、請求項１に記載のシリカナノワイヤ複合体。
【請求項５】
前記シラン基は、１〜３個のシラノール基がシリカナノワイヤの表面に結合している、請求項１に記載のシリカナノワイヤ複合体。
【請求項６】
シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）を塗布する段階と、
反応器内で８００℃〜１０５０℃の温度に加熱した後、シラン（ＳｉＨ４）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、
前記シリカナノワイヤの表面に自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法でシラン基を導入する段階と、を含む、シリカナノワイヤ複合体の製造方法。
【請求項７】
シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）を塗布する段階と、
反応器内で８００℃〜１０５０℃の温度に加熱した後、シラン（ＳｉＨ４）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、
前記シリカナノワイヤをプラズマチャンバ（Ｐｌａｓｍａ  ｃｈａｍｂｅｒ）に導入した後、ガスプラズマ法で前記シリカナノワイヤの表面にシラン基を導入する段階と、を含む、シリカナノワイヤ複合体の製造方法。
【請求項８】
前記ガスプラズマ法は、大気圧グロー放電プラズマ（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｇｌｏｗ-ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ｐｌａｓｍａ）方式である、請求項７に記載のシリカナノワイヤ複合体の製造方法。
【請求項９】
前記ガスプラズマ法に用いられる気体は、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、二酸化炭素（ＣＯ２）からなる群から選択される一つ以上のものである、請求項７に記載のシリカナノワイヤ複合体の製造方法。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたシリカナノワイヤ複合体と、
前記シリカナノワイヤ複合体と混合されたメチルエチルケトン（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ、ＭＥＫ）と、を含む、無機フィラースラリー。
【請求項１１】
請求項１０に記載の無機フィラースラリーと、
前記無機フィラースラリーと混合されるナフタレン系エポキシ、ノボラック型シアネートエステル、ビスマレイミドと、を含む、ワニス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のワニスと、
前記ワニスが塗布された銅箔と、を含む、絶縁フィルム。
【請求項１３】
請求項１１に記載のワニスと、
前記ワニスが含浸されたガラス繊維と、を含む、プリプレグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分散性向上のために表面が改質されたシリカナノワイヤ複合体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の発展に伴い、プリント回路基板の低重量化、薄板化、および小型化が進められている。このようなニーズに応えるために、プリント回路の配線がより複雑化および高密度化しつつあり、基板に対して要求される電気的安定性、熱安定性、および機械的安定性は、より重要な要素として強調されている。
【０００３】
つまり、プリント回路基板に用いられるプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）および銅張積層板（ＣＣＬ：Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）の厚さをより薄く作製しながらも、従来基板に対して要求されている電気的特性、熱的特性、および機械的特性を維持する必要がある。
【０００４】
しかし、基板の低重量化、薄板化、および小型化につれて基板内の熱膨張率の差による歪み（Ｗａｒｐａｇｅ）不良が増加しており、これを解決するために、チップ実装過程で熱処理（ｒｅｆｌｏｗ）中に発生する歪み（ｗａｒｐａｇｅ）を最小化しなければならない。そのため、基板の低熱膨張率（Ｌｏｗ  ＣＴＥ）、高ガラス転移温度（Ｈｉｇｈ  Ｔｇ）、および高モジュラス（Ｈｉｇｈ  Ｍｏｄｕｌｕｓ）の特性が非常に重要となった。
【０００５】
そのため、低熱膨張率を実現するためには低熱膨張率（Ｌｏｗ  ＣＴＥ）を有する無機フィラーの含有量を増加させなければならず、その含有量は、プリント回路基板の作製の際に、所定レベル以上増加させることができないという限界がある。また、高モジュラス（Ｈｉｇｈ  Ｍｏｄｕｌｕｓ）の特性を有することにおいて、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）をベースにする既存の樹脂（Ｒｅｓｉｎ）の組成は、その特性に限界がある。
【０００６】
したがって、近年、低熱膨張率とともに高モジュラスを有するシリカナノワイヤをフィラーとして使用するための試みがあった。しかし、シリカナノワイヤフィラーを使用した場合、ナノ物質の特性上、広い表面積による集成現象（ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ）が起こりナノワイヤ同士が絡み合うため、絶縁層内の分散において問題が生じる。そのため、シリカナノワイヤをフィラーとして使用する際の利点である低熱膨張率（Ｌｏｗ  ＣＴＥ）、高ガラス転移温度（Ｈｉｇｈ  Ｔｇ）、および高モジュラス（Ｈｉｇｈ  Ｍｏｄｕｌｕｓ）の特性が容易に発現されないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０２９７３８８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記従来技術における問題を解決するために考案されたものであって、本発明の目的は、シリカナノワイヤの表面にシラン基を導入してエポキシとの接合力を高める方法により、前記シリカナノワイヤの集成現象を防止し、絶縁層内でシリカナノワイヤが容易に分散するようにして、シリカナノワイヤをフィラーとして使用する際の利点である低熱膨張率（Ｌｏｗ  ＣＴＥ）、高ガラス転移温度（Ｈｉｇｈ  Ｔｇ）、および高モジュラス（Ｈｉｇｈ  Ｍｏｄｕｌｕｓ）の特性が基板において容易に実現されるようにしたシリカナノワイヤ複合体を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ‐Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法でシリカナノワイヤの表面にシラン基を形成する方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明のさらに他の目的は、プラズマ気相蒸着成長（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）法でシリカナノワイヤの表面にシラン基を形成する方法を提供することにある。
【００１１】
また、本発明のさらに他の目的は、無機フィラーとして使用する際に分散性が改善するように表面が改質されたシリカナノワイヤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記本発明の目的は、シリカナノワイヤと、前記シリカナノワイヤの表面に導入されたシラン基と、を含むシリカナノワイヤ複合体が提供されることによって達成される。
【００１３】
ここで、前記シラン基は、３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＧＰＴＭＳ）、アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＰＴＭＳ）、ビニルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、卜リクロロシランからなる群から選択されるものであることができ、前記シリカナノワイヤの直径が１０ｎｍ〜２０ｎｍであることができ、前記シリカナノワイヤは、ＶＬＳ（Ｖａｐｏｒ‐Ｌｉｑｕｉｄ‐Ｓｏｌｉｄ）工程により製造されることができ、前記シラン基は、１〜３個のシラノール基がシリカナノワイヤの表面に結合していることができる。
【００１４】
本発明の他の目的は、シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）を塗布する段階と、反応器内で８００℃〜１０５０℃の温度に加熱した後、シラン（ＳｉＨ４）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、前記シリカナノワイヤの表面に自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法でシラン基を導入する段階と、を含むシリカナノワイヤ複合体の製造方法が提供されることによって達成される。
【００１５】
本発明のさらに他の目的は、シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）を塗布する段階と、反応器内で８００℃〜１０５０℃の温度に加熱した後、シラン（ＳｉＨ４）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、前記シリカナノワイヤをプラズマチャンバ（Ｐｌａｓｍａ  ｃｈａｍｂｅｒ）に導入した後、ガスプラズマ法で前記シリカナノワイヤの表面にシラン基を導入する段階と、を含むシリカナノワイヤ複合体の製造方法が提供されることによって達成される。ここで、前記ガスプラズマ法は、大気圧グロー放電プラズマ（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｇｌｏｗ-ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ｐｌａｓｍａ）方式であることができ、前記ガスプラズマ法に用いられる気体は、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、二酸化炭素（ＣＯ２）からなる群から選択される一つ以上のものであることができる。
【００１６】
また、本発明のさらに他の目的は、本発明により製造されたシリカナノワイヤ複合体と、前記シリカナノワイヤ複合体と混合されたメチルエチルケトン（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ、ＭＥＫ）と、を含む無機フィラースラリーが提供されることによって達成されることができ、前記無機フィラースラリーと、前記無機フィラースラリーと混合されるナフタレン系エポキシ、ノボラック型シアネートエステル、ビスマレイミドと、を含むワニスが提供されることによって達成されることができ、前記ワニスと、前記ワニスが塗布された銅箔と、を含む絶縁フィルムが提供されることによって達成されることができ、前記ワニスと、前記ワニスが含浸されたガラス繊維と、を含むプリプレグが提供されることによって達成されることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、絶縁層内におけるシリカナノワイヤの分散性が向上することにより、シリカナノワイヤをフィラーとして添加して絶縁層を製造した際の利点である低熱膨張率（Ｌｏｗ  ＣＴＥ）、高ガラス転移温度（Ｈｉｇｈ  Ｔｇ）、および高モジュラス（Ｈｉｇｈ  Ｍｏｄｕｌｕｓ）の特性を有する基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】シリカナノワイヤの表面にシラン基が導入されているシリカナノワイヤ複合体を示す図である。
【図２】自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ‐Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法によるシリカナノワイヤの表面改質法を示すフローチャートである。
【図３】プラズマ気相蒸着成長（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）法によるシリカナノワイヤの表面改質法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、本発明に係るシリカナノワイヤ複合体およびこれを製造するための方法に関する図面を参照して詳細に説明する。後述する実施形態は、当業者に本発明の思想を十分伝達するための例として提供されるものであって、本発明は、後述する実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることができることは言うまでもない。また、図面において、装置の大きさおよび厚さなどは、便宜上、誇張されて表現されることもある。
【００２０】
図１は本発明により製造されたシリカナノワイヤの表面にシラン基が形成されたシリカナノワイヤ複合体の図である。
【００２１】
シリカナノワイヤは、通常、ＶＬＳ（Ｖａｐｏｒ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｓｏｌｉｄ）法で製造される。シリコン（Ｓｉ）基板上に金属触媒として用いられる金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）を塗布した後（図２、Ｓ１１０）、石英管型電気炉で工程を行ってもよく、まず、シリコン基板上にナノサイズの金属触媒液滴を形成するためにレーザを利用する。レーザで前記金属触媒を蒸発させた後、凝縮させて液体金属液滴を得ることができる。
【００２２】
次に、８００℃〜１０５０℃に加熱された石英管型電気炉にシラン（ＳｉＨ４）とヘリウム（Ｈｅ）混合ガスを吹き込めば（図２、Ｓ１２０）、前記金属触媒液滴上にシリカナノワイヤ成分物質であるシリカ（Ｓｉ）が継続して供給される。この際、前記供給されたシリカが前記金属触媒液滴上において過飽和状態となり、シリカナノワイヤの最初の核が生成される。
【００２３】
次に、シリカナノワイヤの核にシリカが供給されることで、核が成長してワイヤ状に成長することができる（図２、Ｓ１３０）。
【００２４】
本実施形態において、このように形成されたシリカナノワイヤの直径が１０ｎｍ〜２０ｎｍの分布を示した。次に、本実施形態において形成されたシリカナノワイヤ１１０（図１）の表面に自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法またはプラズマ気相蒸着成長（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）法でシラン基を形成すると、表面にシラン基が形成されているシリカナノワイヤ複合体１００（図１）を形成することができる。自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法およびプラズマ気相蒸着成長（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）法については、図２および図３のフローチャートを参照して詳細に説明する。
【００２５】
図２はシリカナノワイヤを製造した後、自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法で表面にシラン基を形成する過程を示すフローチャートである。
【００２６】
まず、上述のようにシリカナノワイヤを形成する。このように形成されたシリカナノワイヤとともにシランカップリング剤を溶媒に混合する（図２、Ｓ１４０）。
【００２７】
この際、シランカップリング剤としては、３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｎａｅ、ＧＰＴＭＳ）、アミノプロピルトリメトキシシラン（Ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、ＡＰＴＭＳ）、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｓｉｌａｎｅ）、トリエトキシシラン（Ｔｒｉ‐ｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、トリメトキシシラン（Ｔｒｉ‐ｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、卜リクロロシラン（Ｔｒｉ‐ｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）などが主に用いられてもよく、本実施形態において用いられるシランカップリング剤はこれに限定されない。
【００２８】
通常、シランカップリング剤は、下記式の構造を有することができる。
【００２９】
【化１】
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【００３０】
この際、Ｒ１は、ビニル基（ＣＨ２ＣＨ−）、エポキシ基、アミノ基（−ＮＨ２）、メタクリル基、メルカプト基（ＳＨ−）などからなってもよく、これに限定されない。
【００３１】
前記式のＲ２は、メチル基（ＣＨ３−）またはエチル基（Ｃ２Ｈ５−）であってもよく、前記式におけるＲ２とともに結合されている酸素（Ｏ）とともにアルコキシ基（ａｌｋｏｘｙ  ｇｒｏｕｐ）であるメトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）またはエトキシ基（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ−）を形成することができる。
【００３２】
この際、前記式のＲ１に該当するビニル基（ＣＨ２ＣＨ−）、エポキシ基（ｅｐｏｘｙ  ｇｒｏｕｐ）、アミノ基（−ＮＨ２）、メタクリル基、メルカプト基（ＳＨ−）などは、有機化合物と結合を形成し、ＯＲ２に該当するメトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）、エトキシ基（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ−）は、無機物または無機化合物と結合を形成することができる。
【００３３】
つまり、溶媒内における分子間の引力によってシランカップリング剤のＲ２部分が無機物であるシリカナノワイヤ１１０の表面と結合して整列されるが（図１）、このような結合反応が自ら行われるため、これを自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｍｅｒｓ、ＳＡＭｓ）法と称する。
【００３４】
前記の過程を経てＲ２部分１２１（図１）がシリカナノワイヤ１１０の表面に付着され、その反対部分のＲ１部分１２２（図１）がシリカナノワイヤ１１０の外側部分に向かうシリカナノワイヤ複合体１００（図１）が製造されることができる（図２、Ｓ１６０）。次に、本発明のシリカナノワイヤ複合体をフィラーとして使用する場合、Ｒ１部分１２２（図１）は有機化合物であるレジンとの結合性に優れて、非常に優れたフィラー-レジン結合力を確保することができる。これにより、無機フィラーとして用いられるシリカナノワイヤが絶縁層内において均一に分散されるようになり、シリカナノワイヤがまた凝集する、いわゆる再集成現象（ｒｅａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ）を防止することができる。
【００３５】
図３はプラズマ気相蒸着成長（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍａｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）法によるシリカナノワイヤ複合体の製造工程を示すフローチャートである。
【００３６】
上述した方法によりシリカナノワイヤ１１０を製造した後、プラズマチャンバにシリカナノワイヤ１１０（図１）を導入する（図３、Ｓ２４０）。次に、プラズマチャンバにシランカップリング剤とともに気体を導入して、１００ワット（Ｗａｔｔ）のプラズマ処理（図３、Ｓ２５０）を施してプラズマコーティングを行うと、シラン基１２０（図１）がシリカナノワイヤ１１０（図１）の表面に形成され（図３、Ｓ２６０）、結果、シリカナノワイヤ複合体１００（図１）が製造されることができる（図３、Ｓ２７０）。
【００３７】
前記導入される気体としては、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、二酸化炭素（ＣＯ２）などが一般的に用いられてもよく、特にこれに限定されない。
【００３８】
この際、気体によるプラズマ法は、大気圧グロー放電プラズマ方式（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｇｌｏｗ-ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ｐｌａｓｍａ）を利用してもよく、特にこれに限定されない。前記大気圧グロー放電プラズマ方式は、従来、高温を必要とするＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式の代わりにプラズマ法で反応を進めることにより比較的低い温度で反応を行うことができるため、熱に敏感な高分子などの表面処理において特に有用な方式である。本実施形態では、前記プラズマ法でイオンおよびラジカルを形成した後、ラジカル吸着を行い、表面に付着される高分子物質を再分布させて反応を行う。結果、プラズマエネルギーが、シラン基１２０（図１）がシリカナノワイヤ１１０（図１）の表面に結合することを容易にすることができる（Ｐｌａｓｍａ‐Ｅｎｈａｎｃｅｄ）。
【００３９】
このように製造されたシリカナノワイヤ複合体１００（図１）をもって電子部品製造用スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）、絶縁フィルム、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）を製造する方法について説明する。
【００４０】
製造例１：無機フィラースラリーの製造
溶融シリカ粒子（ＳｉＯ２、平均粒径０．５μｍ）と本実施形態によるシリカナノワイヤ複合体１００（図１）３６ｇをＭＥＫ（Ｍｅｔｈｙｌ  Ｅｔｈｙｌ  Ｋｅｔｏｎｅ）１６ｇと攪拌して固形分の含有量が６９．２％であるフィラースラリー（Ｆｉｌｌｅｒ  ｓｌｕｒｒｙ）５２ｇを製造する。この際、溶融シリカの配合範囲は３４．２０ｇ〜３５．６４ｇ、本実施形態によるシリカナノワイヤ複合体１００（図１）の配合範囲は０．３６ｇ〜１．８ｇであってもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
【００４１】
製造例２：ワニス（Ｖａｒｎｉｓｈ）の製造
前記製造例１で製造された無機フィラースラリーにナフタレン系エポキシ（ＨＰ-４７１０、Ｅｐｏｘｙ  Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｗｅｉｇｈｔ、ＥＥＷ２５０）、ノボラック型シアネートエステル（ＰＴ-３０）、ビスマレイミド（ＢＭＩ-２３００）をそれぞれ６ｇ、３ｇ、３ｇの割合で添加して２時間以上攪拌する。触媒として２Ｅ４ＭＺ（２-Ｅｔｈｙｌ  ４-Ｍｅｔｈｙｌ  ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）０．０２５ｇ、ＤＴＢＰ（Ｄｉ‐ｔｅｒｔ‐ｂｕｔｙｌ  ｐｅｏｘｉｄｅ）０．０３ｇ、マンガンアセチルアセトネート（ｍａｎｇａｎｅｓｅ  ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０３ｇを投入して３０分間さらに攪拌する。次に、本実施形態によるシリカナノワイヤ粉末をさらに投入して、低い攪拌速度（１００ＲＰＭ以下）で攪拌して、ワニス（Ｖａｒｎｉｓｈ）を製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
【００４２】
製造例３：絶縁フィルムの製造
製造例２で製造したワニス（Ｖａｒｎｉｓｈ）を使用してドクターブレード方式（Ｄｏｃｔｏｒ  ｂｌａｄｅ  ｍｅｔｈｏｄ）で銅箔のシャイニー面に１００μｍの厚さに塗布する。次に、オーブンで８０℃の温度で３０分、１２０℃の温度で１０分間乾燥して半硬化状態のＢ‐ｓｔａｇｅを作る。これを真空（ｖａｃｕｕｍ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）で３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で９０分間維持して完全硬化させて絶縁フィルムを製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
【００４３】
製造例４：プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）製造
製造例２で製造したワニスをガラス繊維（Ｎｉｔｔｏｂｏ社製、２１１６）に均一に含浸させる。前記ワニスが含浸されたガラス繊維を１２０℃の加熱帯（ｈｅａｔｉｎｇ  ｚｏｎｅ）に通過させて半硬化状態のＢ‐ｓｔａｇｅを作りプリプレグを製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
【符号の説明】
【００４４】
１００  シリカナノワイヤ複合体
１１０  シリカナノワイヤ
１２０  シラン基
１２１  アルコキシ基
１２２  有機官能基
１２３  シラン基の中心Ｓｉ原子
【図１】
2015089866.tif 000004
【図２】
2015089866.tif 000005
【図３】
2015089866.tif 000006