(57)【要約】【課題】第１に、ユニフォーミティが向上する等、処理精度が向上し、回路幅のバラツキ発生が防止されると共に、第２に、しかもこれがコスト面に優れて実現される、基板材の表面処理装置を提案する。【解決手段】この表面処理装置１は、スプレーノズル５の配設位置設定等を、各種組み合わせてなる。まずスプレーノズル５は、前後に位置する相互間が前後に列をなすことなく、左右ずれ間隔Ｋだけ順次左右にずれた位置関係の設置と、スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔の設定と、上下間隔の設定に基づくスプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎの設定との、組み合わせに基づき、スプレーノズル５から噴射する処理液にて、基板材Ａを均一処理する。そして、左右ずれ間隔Ｋが５〜２５ｍｍ、上下間隔が３０〜１５０ｍｍ、特に５０〜１００ｍｍ、左右ピッチ間隔Ｎが３０〜１２０ｍｍに設定される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の製造工程で使用され、コンベアにて搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する、基板材の表面処理装置であって、
該スプレーノズルは、前後，左右に多数配設されており、もって搬送される該基板材に対向位置すると共に、
該スプレーノズルは、前後に位置する相互間が前後に列をなすことなく順次左右にずれた位置関係よりなる設定と、該スプレーノズルと該基板材間の上下間隔の設定と、上下間隔の設定に基づく該スプレーノズル間の左右ピッチ間隔の設定との、組み合わせに基づき、
該スプレーノズルから噴射する該処理液にて該基板材を均一処理すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項２】
請求項１において、該表面処理装置は、電子回路基板の製造工程中、現像工程，エッチング工程，ハーフエッチング工程，ソフトエッチング工程，クイックエッチング工程，又は剥離工程で使用され、
もって該表面処理装置は、現像装置，エッチング装置，又は剥離装置として使用され、該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，又は剥離液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項３】
請求項２において、該スプレーノズルについて、上述した前後に位置する相互間の左右ずれ間隔は、５ｍｍ以上〜２５ｍｍ以下に設定されること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項４】
請求項３において、該スプレーノズルと該基板材との間の上記上下間隔は、３０ｍｍ以上〜１５０ｍｍ以下に設定されること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項５】
請求項４において、該スプレーノズル間の上記左右ピッチ間隔は、３０ｍｍ以上〜１２０ｍｍ以下に設定されること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項６】
請求項５において、該スプレーノズルは、フラットタイプよりなると共に、上記現像工程又はエッチング工程では、水平面において左右の幅方向に向けて設けられていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項７】
請求項５において、該スプレーノズルは、フラットタイプよりなると共に、上記ハーフエッチング工程，ソフトエッチング工程，クイックエッチング工程，又は剥離工程では、水平面において左右の幅方向に対し前後の搬送方向に向け４°以上〜１０°以下傾斜したノズル角度で、設けられていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、該処理液を供給するシャワー管は、前後の搬送方向に所定左右ピッチ間隔で複数本列設されるか、又は、左右の幅方向に沿って所定前後ピッチ間隔で複数本列設され、
該スプレーノズルは、該シャワー管に所定ピッチ間隔で複数個ずつ設けられていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板材の表面処理装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程で使用される、基板材の表面処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
電子機器に用いられる回路基板は、小型軽量化，極薄化，フレキシブル化等の進展がめざましく、形成される電子回路も、微細化，高密度化が著しい。
そして、このような電子回路基板の製造工程では、表面処理装置が用いられており、基板材が、処理液の噴射により表面処理され、もって電子回路が形成され回路基板が製造されている。
【０００３】
《従来技術》
このようなプリント配線基板，その他の電子回路基板の代表的な製造工程については、次のとおり。
まず、銅張り積層板よりなる基板材の外表面に、→液状やドライフィルム状の感光性レジストが、塗布又は張り付けられる。
→それから、回路のネガフィルムを当てて露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現像により溶解除去し、→もって露出した回路形状部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥離により溶解除去する。
→このようなプロセスを辿ることにより、基板材の外表面に残った銅箔にて電子回路が形成され、電子回路基板が製造されている。
【０００４】
そして、上述した現像工程，エッチング工程（回路形成工程），剥離工程、更には、準備工程のハーフエッチング工程（銅箔表面形状加工工程）やソフトエッチング工程（表面粗化工程）では、それぞれ、現像装置，エッチング装置，剥離装置等の表面処理装置において、コンベアにて水平搬送される基板材に対し、スプレーノズルから現像液，エッチング液，剥離液等の処理液が、噴射される。もって基板材について、現像，エッチング，剥離等の表面処理が、順次実施される。
処理液を噴射するスプレーノズルは、水平搬送される基板材に対し真上や真下に対向位置すると共に、前後，左右に所定ピッチ間隔で多数配設されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
このような表面処理装置としては、例えば、次の特許文献１，特許文献２に示されたものが、挙げられる。
【特許文献１】特開２００２−６８４３５号公報
【特許文献２】特開２００６−２２２１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、このような従来の基板材の表面処理装置については、次の課題が指摘されていた。
《第１の問題点》
第１に、基板材の処理精度に、問題が指摘されていた。すなわち、従来の表面処理装置によると、形成される回路について、回路幅にバラツキが生じ易かった。特にエッチングに関し、ユニフォーミティつまりエッチング深さ（回路深さ）の均一性に問題があり、ユニフォーミティが悪く回路幅にバラツキが生じていた。
例えば、図６の（２）図，（３）図に示したように、基板材Ａに形成される回路Ｂについて、エッチング処理が遅延・不足し，回路深さＣが浅くなり，回路幅（ボトム幅）Ｌが過大となる箇所が発生すると共に、逆に、エッチング処理が過剰で，回路深さＣが深くなり，回路幅Ｌが狭く細く過小となる箇所が発生する、という指摘があった。
従来の表面処理装置に関し、このようなユニフォーミティの悪化、回路幅Ｌのバラツキは、回路Ｂの微細化，高密度化が進む基板にとって、大きな問題となっていた。回路Ｂの通電容量，抵抗値等が、規格値に対し変動してしまい、不良原因となっていた。
【０００７】
《第１の問題点の原因について》
このような第１の問題点の原因としては、次の（イ），（ロ）が考えられる。
（イ）として、基板処理装置において、処理対象となる基板材Ａのワークサイズは、縦横６００ｍｍ×５００ｍｍや５００ｍｍ×４００ｍｍが、代表的である。つまり、製造コストに鑑み、実際の基板の数倍の大きさの基板材Ａが用いられており、大きな基板材Ａから複数枚の小さな基板が得られるようになっている。
このように、基板材Ａのワークサイズが大きいことも、例えばその中央部と周辺部間でのユニフォーミティの悪化、回路幅Ｌのバラツキの原因となっていた。
（ロ）として、より大きなバラツキ原因としては、表面処理装置ではスプレーノズルが、前後，左右に多数配設されているが、従来技術では、搬送方向の前後に位置するスプレーノズルが、それぞれ前後の搬送方向に列をなして、配設されていた。つまりスプレーノズルは、左右の幅方向に間隔を存しつつ、前後の搬送方向に向け複数列をなして、配設されていた。
そこで形成される回路Ｂが、このようなスプレーノズル列の直下や真上に位置する箇所（前後の搬送方向に平行ライン状，縞状の軌跡で形成される）は、常に強いスプレー圧，噴射インパクトを受け、エッチング処理が過剰となり、回路幅Ｌが過小となる。
これに対し、スプレーノズル列の真下や真上から外れて位置する箇所（前後の搬送方向に平行ライン状，縞状の軌跡で形成される）については、スプレー圧，噴射インパクトが弱く、液溜りも発生する等、エッチング処理が不足し、回路幅Ｌが過大となる。
このようにスプレーノズルの配置が、基板材Ａのユニフォーミティの悪化、回路幅Ｌのバラツキの大きな原因となっていた。
【０００８】
《第２の問題点》
第２に、コスト面にも、次の（イ），（ロ）の問題が指摘されていた。
（イ）として、基板は前述したように、回路Ｂの微細化，高密度化が著しいが、上述したバラツキ問題発生に鑑み、微細回路（のエッチング）が、比較的シンプルであり製造コスト面に優れたテンティング法では、製造困難とされていた。
もって、微細回路の基板は従来、複雑高度なＳＡＰ法（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ−ｐｒｏｃｅｓｓ）や、ＭＳＡＰ法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ−Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ−ｐｒｏｃｅｓｓ）で製造されており、製造コストが嵩むという問題が指摘されていた。
例えば、銅箔肉厚が１８μｍの基板材Ａでは、回路幅Ｌや回路間スペースＳが４０μｍ〜５０μｍが、テンティング法適用の限界とされていた。なお、図６の（２）図，（３）図中Ｄは、回路Ｂの頂面幅（トップ幅）を示す。
（ロ）として、ユニフォーミティの悪化、回路幅Ｌのバラツキ発生、エッチング等の処理不足発生について、その一因とされる液溜りや滞留対策については、従来より各種の技術開発が行われていた（例えば、特許第４０１５６６７号公報中や、特許第４１１７１３５号公報を参照）。
しかしながら、これらの技術は、スプレーノズルのシャワー管について、例えば首振りオシレーション機構、水平揺動機構、斜め配置機構や、液溜りバキューム機構等々の専用機構を採用するので、その分、イニシャルコストが嵩むという問題が指摘されていた。又、液溜まりや滞留対策としては有効であるが、前述したバラツキ等への対策としては不十分である、極薄基板材の場合はバキューム機構に張り付いてしまう、等の指摘もあった。
【０００９】
《本発明について》
本発明の基板材の表面処理装置は、このような実情に鑑み、上記従来技術の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第１に、ユニフォーミティが向上する等、処理精度が向上し回路幅のバラツキ発生が防止されると共に、第２に、しかもこれがコスト面に優れて実現される、基板材の表面処理装置を提案することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
《各請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、特許請求の範囲に記載したように、次のとおりである。
請求項１については、次のとおり。
請求項１の基板材の表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用される。そして、コンベアにて搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する。該スプレーノズルは、前後，左右に多数配設されており、もって搬送される該基板材に対向位置する。
そして該スプレーノズルは、前後に位置する相互間が前後に列をなすことなく順次左右にずれた位置関係よりなる設定と、該スプレーノズルと該基板材間の上下間隔の設定と、上下間隔の設定に基づく該スプレーノズル間の左右ピッチ間隔の設定との、組み合わせに基づき、該スプレーノズルから噴射する該処理液にて該基板材を均一処理すること、を特徴とする。
【００１１】
請求項２については、次のとおり。
請求項２の基板材の表面処理装置では、請求項１において、該表面処理装置は、電子回路基板の製造工程中、現像工程，エッチング工程，ハーフエッチング工程，ソフトエッチング工程，クイックエッチング工程，又は剥離工程で使用される。
もって該表面処理装置は、現像装置，エッチング装置，又は剥離装置として使用され、該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，又は剥離液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。
請求項３の基板材の表面処理装置では、請求項２において、該スプレーノズルについて、上述した前後に位置する相互間の左右ずれ間隔は、５ｍｍ以上〜２５ｍｍ以下に設定されること、を特徴とする。
請求項４については、次のとおり。
請求項４の基板材の表面処理装置では、請求項３において、該スプレーノズルと該基板材との間の上記上下間隔は、３０ｍｍ以上〜１５０ｍｍ以下に設定されること、を特徴とする。
【００１２】
請求項５については、次のとおり。
請求項５の基板材の表面処理装置では、請求項４において、該スプレーノズル間の上記左右ピッチ間隔は、３０ｍｍ以上〜１２０ｍｍ以下に設定されること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。
請求項６の基板材の表面処理装置では、請求項５において、該スプレーノズルは、フラットタイプよりなると共に、上記現像工程又はエッチング工程では、水平面において左右の幅方向に向けて設けられていること、を特徴とする。
請求項７については、次のとおり。
請求項７の基板材の表面処理装置では、請求項５において、該スプレーノズルは、フラットタイプよりなると共に、上記ハーフエッチング工程，ソフトエッチング工程，クイックエッチング工程，又は剥離工程では、水平面において左右の幅方向に対し前後の搬送方向に向け４°以上〜１０°以下傾斜したノズル角度で、設けられていること、を特徴とする。
請求項８については、次のとおり。
請求項８の基板材の表面処理装置では、請求項６又は７において、該処理液を供給するシャワー管は、前後の搬送方向に沿って所定左右ピッチ間隔で複数本列設されるか、又は、左右の幅方向に沿って所定前後ピッチ間隔で複数本列設されている。
そして該スプレーノズルは、該シャワー管に所定ピッチ間隔で複数個ずつ設けられていること、を特徴とする。
【００１３】
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）この表面処理装置は、電子回路基板の製造工程、例えばエッチング工程で使用される。
（２）もって、スプレーノズルから処理液を噴射して、基板材を表面処理する。
（３）そしてスプレーノズルについて、その配設位置設定等の構成を、各種組み合わせて採用したことを、特徴とする。
（４）すなわちスプレーノズルは、まず、前後に位置する相互間が前後に列をなすことなく、左右横に順次ずれた位置関係に設定されている。この左右ずれ間隔は、５ｍｍ〜２５ｍｍに設定される。
（５）これに加えスプレーノズルは、基板材との間の高さつまり上下間隔が、３０ｍｍ〜１５０ｍｍ望ましくは５０ｍｍ〜１００ｍｍに設定される。
（６）そして更にスプレーノズルは、相互間の左右ピッチ間隔が、３０ｍｍ〜１２０ｍｍに設定される。
（７）なおスプレーノズルは、代表的にはフラットタイプよりなると共に、左右の幅方向に向け０°や０°前後傾斜したノズル角度、又は４°〜１０°傾斜したノズル角度で設けられている。
【００１４】
（８）この表面処理装置は、スプレーノズルについて、このような配設位置設定等の構成を組み合わせて採用したことにより、基板材の処理精度が向上し、均一処理が実現される。
（９）すなわち基板材について、処理液の噴射インパクトの強弱箇所発生が回避され、全体的，平均的，均一的に表面処理されるようになり、形成される回路幅の大小バラツキが解消される。特にエッチング工程において、エッチング深さの均一性つまりユニフォーミティが、向上する。
（１０）そしてこれらは、スプレーノズルの配設位置設定等を組み合わせたことにより、簡単な構成により容易に実現される。
（１１）又、形成される回路幅のバラツキ解消、ユニフォーミティの改善に伴い、微細回路をテンティング法で製造可能となる。
（１２）なお、回路幅のバラツキ解消、ユニフォーミティの改善が実現されるが、当然ながらその過程で液溜りや滞留の発生が抑えられる。もって、液溜り対策用の専用機構の採用も、不要化される。
（１３）さてそこで、本発明の基板材の表面処理装置は、次の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１５】
《第１の効果》
第１に、ユニフォーミティが向上する等、処理精度が向上し、回路幅のバラツキ発生が防止される。
本発明の基板材の表面処理装置では、スプレーノズルの配設位置設定等の組み合わせにより、基板材が均一処理されるようになる。基板材は、前述したこの種従来技術のように、回路幅が過大となる箇所や、回路幅が狭く細く過小となる箇所が抑制され、回路幅のバラツキが軽減される。特にエッチングに関しては、ユニフォーミティが向上して、回路幅のバラツキが軽減される。
そして、本発明のこのような効果発揮の意義は、回路の微細化，高密度化が進む基板にとって、大なるものがある。例えば、この種従来技術のように、回路の通電容量，抵抗値等が規格値に対して変動するようなことも回避され、基板不良の軽減が期待される。
【００１６】
《第２の効果》
第２に、第１の効果は、コスト面に優れて実現される。
本発明の基板材の表面処理装置は、スプレーノズルの配設位置設定等の組み合わせにより、上述した第１の効果が、簡単な構成により容易にコスト面に優れて実現される。
又、この表面処理装置によると、ユニフォーミティ改善，回路幅バラツキ防止に伴い、微細回路（のエッチング）が、製造コスト面に優れたテンティング法で製造可能となる。複雑高度で製造コストが嵩むＳＡＰ法やＭＳＡＰ法の必要性が低下する。もってこの面からも、コスト面に優れている。
更に、ユニフォーミティ改善，回路幅バラツキ防止に伴い、この表面処理装置にあっては、前述したこの種従来技術のように、イニシャルコストが嵩む液溜り対策用や滞留対策用の専用機構の採用も不要化される。もって、この面からもコスト面に優れている。
このように、この種従来技術に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る基板材の表面処理装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、表面処理装置の要部の平面図である。
【図２】同発明を実施するための形態の説明に供し、表面処理装置の一例を示す。そして、（１）図は側面図、（２）図は平面図である。
【図３】同発明を実施するための形態の説明に供し、表面処理装置の他の例を示す。そして、（１）図は側面図、（２）図は平面図である。
【図４】同発明を実施するための形態の説明に供し、（１）図は、図３の例の要部の側面図、（２）図は、同要部の平面図である。
【図５】同発明を実施するための形態の説明に供する。そして（１）図は、図３の例の要部を拡大した平面図である。（２）図は、実施例の測定ポイントを示し、平面説明図である。
【図６】基板材（電子回路基板）の説明に供する。そして（１）図は、その一例の平面説明図である。（２）図は、形成される回路の一例を示し、正断面説明図であり、（３）図は、形成される回路の他の例を示し、正断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
《電子回路基板Ｅ等について》
本発明に係る基板材Ａの表面処理装置は、電子回路基板Ｅの製造工程で使用される。そこでまず、前提となる電子回路基板Ｅ等について、図６を参照しつつ一般的に説明しておく。
電気回路基板Ｅは、ＡＶ機器，パソコン，モバイル端末，携帯電話，デジカメ，その他各種の電子機器，ＩＴ関連機器において、その基幹をなす電気的接続用に用いられており、半導体部品間を接続する回路パターンを、絶縁層の外表面や内部に形成してなる。
そして電子回路基板Ｅは、片面基板と両面基板とに分けられる他、多層基板（含、ビルドアップ法のもの）、その他各種のものがある。又、硬質のリジット基板とフィルム状のフレキシブル基板とにも、分けられる。
又、このような電子回路基板Ｅの一環として、ＩＣ，ＬＳＩ素子，受動部品，駆動部品，コンデンサー等々の半導体部品が、回路Ｂと一体的に組み込まれたモジュール基板（半導体一体型パッケージ基板）や、ガラスベースに回路Ｂと共に半導体部品が埋め込まれたガラス基板、つまり液晶ＬＣＤ用のガラス基板、更にはＣＳＰ，ＰＢＧＡ，タッチパネル等も出現している。本明細書において電子回路基板（本明細書中では、単に基板と記載することもある）Ｅとは、従来よりのプリント配線基板の外、このようなものも広く包含する。
【００１９】
そして電子回路基板Ｅは、小型軽量化，極薄化，フレキシブル化等の進展がめざましく、形成される電子回路（本明細書中では、単に回路と記載することもある）Ｂも、微細化，高密度化が著しい。その製造工程で使用される基板材Ａは、縦横サイズが６００ｍｍ×５００ｍｍ，５００ｍｍ×４００ｍｍ，５００ｍｍ×３３０ｍｍサイズで、肉厚０．０６ｍｍ〜１．６ｍｍ程度のものが、代表的である。
このような電子回路基板Ｅの製造方法としては、サブトラクティブ法（ウェットプロセス法）が代表的であるが（前述した背景技術の従来技術欄を参照）、セミアディティブ法（ＳＡＰ法）、その他各種の製造方法が知られており、勿論、本発明はこのような各種製造方法の工程に、適用される。
電子回路基板Ｅ等については、以上のとおり。
【００２０】
《表面処理装置１について》
次に、図２，図３を参照して、表面処理装置１について一般的に説明しておく。
表面処理装置１は、このような電子回路基板Ｅの製造工程で使用される。そして、その処理室２内で、基板材Ａをコンベア３にて前後の搬送方向Ｆに水平搬送しつつ、スプレーノズル５から処理液Ｇを噴射して、基板材Ａを表面処理する。
図示例のコンベア３は、上下対をなし前後左右に多数配設されたホイール４群よりなる。図示例のホイール４径は３０ｍｍ、ホイール４間ピッチは２５ｍｍであり、ホイール４は、搬送方向Ｆに一部オーバーラップして配設されている。
スプレーノズル５は、前後の搬送方向Ｆおよび左右の幅方向Ｈに多数配設されており、もって搬送される基板材Ａに上下から対峙すべく対向位置して、処理液Ｇを噴射する。図示例では、搬送される基板材Ａの上下にわたり列設されており、基板材Ａの表裏両面を表面処理する。
【００２１】
そして表面処理装置１は、電子回路基板Ｅの製造工程中、現像工程，エッチング工程，ハーフエッチング工程，ソフトエッチング工程，クイックエッチング工程，又は剥離工程等で、使用される。
ハーフエッチング工程は、基板材Ａの準備工程として、銅箔肉厚を薄くスライスすべく銅箔表面形状を加工する。ソフトエッチング工程は、基板材Ａの前処理工程として、銅箔表面を予め粗化処理する。クイックエッチング工程は、セミアディティブ法（ＳＡＰ法）の後処理として実施される。
そして表面処理装置１は、現像装置，エッチング装置，ハーフエッチング装置，ソフトエッチング装置，クイックエッチング装置，又は剥離装置等として使用される。スプレーノズル５は、現像液，エッチング液，ハーフエッチング液，ソフトエッチング液，クイックエッチング液，又は剥離液等を、処理液Ｇとして噴射する。
【００２２】
処理液Ｇは、スプレーノズル５から噴射されて、→基板材Ａを表面処理した後、→処理室２下部の液槽６に流下，回収，貯留される。→そして事後、再びポンプ７，フィルター（図示せず），配管８，シャワー管９等を経由して、→スプレーノズル５へと循環，再使用される。なお、図２の（１）図，図３の（１）図，図４中、Ｊは上下方向を示す。
そしてスプレーノズル５は、シャワー管９に、所定ピッチ間隔で複数個ずつ設けられている。スプレーノズル５に処理液Ｇを供給するこのシャワー管９は、図２に示した例や、図３，図４，図５の（１）図等に示した例のように、配設される。
図２に示した例では、前後の搬送方向Ｆに、複数本のシャワー管９が平行列設されており、相互間には所定左右ピッチ間隔が存している。図３等に示した例では、搬送方向Ｆに直角の左右の幅方向Ｈに沿って、複数本のシャワー管９が平行列設されており、相互間には所定前後間隔が存している。
なお、表面処理装置１の処理室２内での処理は、一般的には図示例のように雰囲気中で行われるが、これによらず、液中で行うようにすることも可能である。
表面処理装置１については、以上のとおり。
【００２３】
《本発明の概要》
以下、本発明に係る基板材Ａの表面処理装置１について、図１〜図６を参照して説明する。
まず、その概要については次のとおり。この表面処理装置１は、スプレーノズル５の配設位置設定の組み合わせに、特徴が存する。
すなわちスプレーノズル５は、前後に位置する相互間が、前後に列をなすことなく、左右ずれ間隔Ｋだけ順次左右にずれた位置関係の設置と、スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔Ｍの設定と、上下間隔Ｍの設定に基づくスプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎの設定との、組み合わせに基づき、スプレーノズル５から噴射する処理液Ｇにて、基板材Ａを均一処理する。
本発明の概要は、このようになっている。以下、このような本発明の基板材Ａの表面処理装置１について、更に詳述する。
【００２４】
《前後スプレーノズル５間の左右ずれ間隔Ｋについて》
まずスプレーノズル５は、図１に示したように、前後，左右に多数配設される。そして、前後の搬送方向Ｆについて観察した場合において、前後に位置するスプレーノズル５相互間が、前後の搬送方向Ｆに対向位置して列をなすことないように、左右の横幅方向Ｈに若干ずれて位置している。
つまり、前後のスプレーノズル５間が、搬送方向Ｆに各１列にそれぞれラップして重ならないように、左右ずれ間隔Ｋが存するように、位置決め設定されている。
なお、前後に対向位置するスプレーノズル５間が、左右にずれていればよく、搬送方向Ｆについて例えば５列〜１０列以上毎に、同じ左右位置にあるスプレーノズル５が存在してもよい。
【００２５】
そして、このようなスプレーノズル５の左右ずれ間隔Ｋの設定は、シャワー管９の配置により、実現されている。
まず、図２に示した例については、次のとおり。図２の例では、シャワー管９が前後の搬送方向Ｆに列設されているが、このシャワー管９は、図２の（２）図に示したように、正確に搬送方向Ｆに向けられておらず、左右の幅方向Ｈに向け若干傾斜配置せしめられている。
図２の例では、このようにして、前後のスプレーノズル５相互間の左右ずれ間隔Ｋの設定が、実現されている。
これに対し、図３，図４，図５の（１）図等に示した例については、次のとおり。この例では、シャワー管９が、左右の幅方向Ｈに沿って列設されているが、このシャワー管９は、図３の（２）図，図４の（２）図に示したように、所定ピッチ間隔で設けられたスプレーノズル５の位置が、左右に順次ずれるように配設せしめられている。
すなわち図３等の例では、シャワー管９に設けられたスプレーノズル５の位置が、前後で観察した場合において左右にずれるように、各シャワー管９が、スプレーノズル５の左右位置をずらして配設されている。図３等の例では、このようにして、前後のスプレーノズル５相互間の左右ずれ間隔Ｋの設定が実現されている。
【００２６】
左右ずれ間隔Ｋ設定の機能については、次のとおり。スプレーノズル５から噴射される処理液Ｇは、その真下又は真上に位置する基板材Ａの箇所については、強いスプレー圧，噴射インパクトで表面処理する。エッチング工程では、基板材Ａについて、スプレーノズル５の真上又は真下に位置する箇所は、噴射されたエッチング液にて強いスプレー圧，噴射インパクトを受け、エッチングが促進される。
これに対し基板材Ａについて、スプレーノズル５の真上又は真下から外れて位置する箇所については、噴射インパクトが弱く、そのままでは、エッチング不足，処理不足となる可能性がある。
そこで本発明では、前後に位置するスプレーノズル５相互間が、左右ずれ間隔Ｋを存して順次位置せしめられている。
これにより基板材Ａについて、強いスプレー圧，噴射インパクトを受ける箇所が軌跡上重ならず、分散されるようになる。強い噴射インパクトを受けてエッチングされる等、表面処理される箇所が、少しずつずれて行き、結局、基板材Ａが全体的，平均的，均一的にエッチングされる等、表面処理されるようになる。前後のスプレーノズル５間の左右ずれ間隔Ｋの設定は、このような機能を発揮する。
【００２７】
さて、前後に位置するスプレーノズル５相互間の左右ずれ間隔Ｋは、５ｍｍ以上〜２５ｍｍ以下に設定される。
左右ずれ間隔Ｋが５ｍｍ未満の場合は、ずれが過小であり、上述したずらし機能が発揮困難となる。すなわち、前述した従来技術と同様に、つまりスプレーノズル５が前後の搬送方向Ｆに列をなす場合に準じ、基板材Ａについて、強弱インパクト箇所が発生し、前後の搬送方向Ｆに平行ライン状，縞状に、エッチング不足箇所等の表面処理不足箇所が形成されるようになる。
左右ずれ間隔Ｋが２５ｍｍを越える場合も、ずらし機能が発揮困難となる。すなわち基板材Ａについて、左右ずれ間隔Ｋ設定ではカバーできない強弱インパクト箇所が隙間的に発生し、平行ライン状，縞状にエッチング不足箇所等の表面処理不足箇所が形成されるようになる。
なお、図１，図２の（２）図，図３の（２）図，図４の（２）中において、左右ずれ間隔Ｋの図示表現は、概略的となっている。つまり、その寸法線の取り方等の図示記載は、模式的，誇張的，説明的なものとなっている。
前後スプレーノズル５間の左右ずれ間隔Ｋについては、以上のとおり。
【００２８】
《スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔Ｍについて》
本発明では、スプレーノズル５について、上述した前後相互間の左右ずれ間隔Ｋの設定と共に、スプレーノズル５と基板材Ａ間の高さ間隔つまり上下間隔Ｍが、３０ｍｍ以上〜１５０ｍｍ以下に設定される。
すなわち、上述した左右ずれ間隔Ｋの設定により、均一エッチング等の表面処理が実現されるようになる。強弱噴射インパクト箇所そしてエッチング等の表面処理不足箇所が、前後の搬送方向Ｆに平行ライン状，縞状に形成されることは回避されるようになる。実験上も、これらは裏付けられた。
しかしながら実験の結果、若干ではあるが、左右の幅方向Ｈに平行ライン状，縞状に形成された。前後の搬送方向Ｆに間隔を置きつつ、エッチング不足箇所等の表面処理不足箇所が、若干ではあるが残留形成された。
【００２９】
そして、このような不足箇所は、図２の（１）図，図３の（１）図，図４の（１）図等に示したように、スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔Ｍを、３０ｍｍ以上〜１５０ｍｍ以下に設定することにより、解消されるようになる。もって基板材Ａについて、全体的，平均的，均一的なエッチング処理等の表面処理が、確実に実現されるようになる。
特に、上下間隔Ｍを５０ｍｍ以上〜１００ｍｍ以下に設定すると、実験上最良の結果が得られ、より高いユニフォーミティを得ることができた。スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔Ｍ設定は、このように機能する。
ところで、パターンエッチングに際してのエッチングファクター向上等の理由により、スプレーノズル５による基板材Ａへの処理液Ｇ噴射のインパクト強化ニーズが強い。そこで、スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔Ｍも、上記したように、短く，近く設定される。
なお、上下間隔Ｍが３０ｍｍ未満の場合は、スプレーノズル５と基板材Ａ間が接近し過ぎ、前述した左右ずれ間隔Ｋのずらし機能が、発揮困難となる。すなわち基板材Ａについて、スプレーノズル５の真上又は真下に位置する箇所のスプレー圧，噴射インパクトが強く、真上又は真下から外れて位置する箇所のスプレー圧，噴射インパクトが弱くなり、エッチング不足，処理不足が発生するようになる。
これに対し、上下間隔Ｍが１５０ｍｍを越える場合は、スプレーノズル５と基板材Ａ間が遠くなり過ぎ、全体的にエッチング不足，処理不足となる。すなわち基板材Ａについて、全体的に噴射インパクトが弱く、エッチングレート等の処理レートが低下する。
スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔Ｍについては、上述のとおり。
【００３０】
《スプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎについて》
基板材Ａの全体的，平均的，均一的エッチング，表面処理のためには、更に、スプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎへの配慮も、ポイントとなる。
すなわちスプレーノズル５について、前述した前後相互間の左右ずれ間隔Ｋの設定、および、スプレーノズル５と基板材Ａ間の上下間隔Ｍの設定に加え、これらのサポート面から、これらと組み合わせて、スプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎにも、配慮しておくとよい。
そして、図１，図２の（２）図，図３の（２）図，図４の（２）図，図５の（１）図等に示したように、スプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎは、原則として、３０ｍｍ以上〜１２０ｍｍ以下に設定される。特に、上記上下間隔Ｍが５０ｍｍ以上〜１００ｍｍ以下に設定された場合は、３０ｍｍ以上〜１２０ｍｍ以下に設定される。特に、３０ｍｍ以上〜６０ｍｍ以下に設定すると、実験上最良の結果が得られた。
すなわち、例えばパターンエッチングに際してのエッチングファクター向上等の理由により、スプレーノズル５による基板材Ａ処理液Ｇ噴射のインパクト強化のニーズが強いので、スプレーノズル５として、噴角の狭いものが選択，使用される傾向が顕著である。つまり、左右の幅方向Ｈに向け噴角４０°以上〜９０°以下のものが選択使用されることが多く、もって、基板材Ａへの処理液Ｇ噴射範囲が狭くなるので、スプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎも、上記したように、比較的狭く設定される。
左右ピッチ間隔Ｎが３０ｍｍ未満の場合は、スプレーノズル５間が左右で接近し過ぎ、前述した左右ずれ間隔Ｋのずらし機能が、発揮困難となる。
これに対し、左右ピッチ間隔Ｎが１２０ｍｍを越える場合は、スプレーノズル５間が左右に離れ過ぎ、この場合も、左右ずれ間隔Ｋのずらし機能が、発揮困難となる。基板材Ａについて、スプレー圧，噴射インパクトの強弱箇所が、発生するようになる。
因に、図３等に示した例の表面処理装置１の設計に際し、まず、前記左右ずれ間隔Ｋの値を決定し、次に、その整数倍の値に左右ピッチ間隔Ｎの値を決定するようにすると、結果的に、必要なシャワー管９の本数が整数値で得られるようになる。
スプレーノズル５間の左右ピッチ間隔Ｎについては、以上のとおり。
【００３１】
《スプレーノズル５のノズル角度θ等について》
この表面処理装置１において、上述した各種設定のスプレーノズル５としては、図４の（２）図，図５の（１）図に示したように、スプレーパターンが楕円形のフラットタイプ（ファンタイプ）のものが、代表的に使用される。
そしてスプレーノズル５は、水平面において左右の幅方向Ｈに正確に向けられる０°や、０°前後のノズル角度θを含め、前後の搬送方向Ｆに向け１０°以下傾斜したノズル角度θで設けられている。
これらについて詳述する。まず、回路形成工程である現像工程やエッチング工程においては、ノズル角度θが０°や０°前後以外の場合、左右の幅方向Ｈと平行に形成される（Ｙ方向）回路幅と、前後の搬送方向Ｆと平行に形成される（Ｘ方向）回路幅の太さに差が発生し、好ましくない。
よって、現像工程やエッチング工程では、ノズル角度θは、代表的には０°、更には０°前後つまり±１°や２°の幅に設定される。
すなわち、ノズル角度θが０°が代表的であるが、前後の搬送方向Ｆに向け０°から〜０°プラス１°以下、又は、０°から〜０°マイナス１°迄傾斜したノズル角度θでも良い。更に、０°から〜プラス２°以下、又は、０°から〜マイナス２°迄傾斜したノズル角度θでも可である。
これに対し、回路形成に直接関与しない、ハーフエッチング工程，ソフトエッチング工程，クイックエッチング工程，剥離工程等においては、ノズル角度θを設けた方が処理速度が速くなり、有効である。そこで、これらの各工程では、ノズル角度θは４°以上〜１０°以下に設定される。
但し、その際のノズル角度θが４°未満の場合は、スプレーノズル５間で、噴射される処理液Ｇの相互干渉が発生し、好ましくない。ノズル角度θが１０°を越える場合は、前後に位置するコンベア３のホイール４にも処理液Ｇが噴射されて当たるようになり、好ましくない。因に図示例において、スプレーノズル５が設けられるエリアは、搬送方向Ｆに例えば２０ｍｍだけ、コンベア３のホイール４の配設が欠如せしめられている。
又、スプレーノズル５はノズル性能としては、噴角４０°以上〜９０°以下であると共に、噴量が０．３ＭＰａで２Ｌ／分〜５Ｌ／分程度のものが使用される。なお、図４の（２）図，図５の（１）図中、１０は、ホイール４のコンベアシャフト１０である。
スプレーノズル５のノズル角度θ等については、以上のとおり。
【００３２】
《作用等》
本発明の基板材Ａの表面処理装置１は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）この表面処理装置１は、電子回路基板Ｅの製造工程で使用される。すなわち、製造工程の中核をなすエッチング工程を始め、現像工程，剥離工程、更には、ハーフエッチング工程，ソフトエッチング工程，クイックエッチング工程等において、各種のエッチング装置，現像装置，剥離装置として、使用される。
【００３３】
（２）そして表面処理装置１は、コンベア３にて搬送される基板材Ａに対し、前後左右に多数配設されたスプレーノズル５から処理液Ｇを噴射し、もって基板材Ａを表面処理する（図２，図３等を参照）。
すなわち、スプレーノズル５からエッチング液，現像液，剥離液等の処理液Ｇを噴射し、もって基板材Ａをエッチング，現像，剥離等、表面処理する。
【００３４】
（３）そして本発明の表面処理装置１は、スプレーノズル５について、その配設位置設定等の構成を各種組み合わせて採用したことを、特徴とする。
【００３５】
（４）すなわち、まずスプレーノズル５は、前後に位置する相互間が前後に列をなすことなく、左右に順次ずれた位置関係に設定されている（図１，図２の（２）図，図３の（２）図，図４の（２）図等を参照）。
すなわちスプレーノズル５は、左右ずれ間隔Ｋが５ｍｍ以上〜２５ｍｍ以下に設定され、もって、前後の搬送方向Ｆにラップし対向位置することなく、左右の幅方向Ｈに若干ずれて配設位置されている。
【００３６】
（５）これに加えスプレーノズル５は、基板材Ａとの間の上下間隔Ｍが、３０ｍｍ以上〜１５０ｍｍ以下、望ましくは５０ｍｍ以上〜１００ｍｍに設定されている（図２の（１）図，図３の（１）図，図４の（１）図等を参照）。
【００３７】
（６）そして更にスプレーノズル５は、相互間の左右ピッチ間隔Ｎが、３０ｍｍ〜１２０ｍｍに設定され（図１，図２の（２）図，図３の（２）図，図４の（２）図，図５の（１）図等を参照）。
【００３８】
（７）なおスプレーノズル５は、フラットタイプのものが代表的に使用されると共に、前後の搬送方向Ｆに０°や０°前後傾斜したノズル角度θ、又は４°以上〜１０°以下傾斜したノズル角度θで、左右の幅方向Ｈに向けられている（図４の（２）図，図５の（１）図を参照）。
【００３９】
（８）本発明の基板材Ａの表面処理装置は、上述したようにスプレーノズル５について、その配設位置設定等の構成を、各種組み合わせて採用してなる。もって、基板材Ａの処理精度が向上し、基板材Ａが均一処理されるようになる。
【００４０】
（９）すなわち基板材Ａについて、強いスプレー圧，噴射インパクトの処理液Ｇにて処理される箇所と、処理液Ｇのスプレー圧，噴射インパクトが弱く処理不足となる箇所とが、発生する事態は回避される。
勿論その過程で、噴射された処理液Ｇの基板材Ａ上での液溜りや滞留は軽減される。
そこで基板材Ａは、全体的，平均的，均一的に表面処理されるようになる。処理過剰により、形成される回路幅（ボトム幅）Ｌが狭く，細く，過小となる箇所や、処理不足により、形成される回路幅Ｌが過大となる箇所が発生することはなく、回路幅Ｌのバラツキが解消される（図６の（２）図，（３）図も参照）。
特にエッチング工程においては、エッチング深さ，回路深さＣの均一性、つまりユニフォーミティ（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）（Ｍｉｎエッチング量／Ｍａｘエッチング量  ×１００％）が向上し、凹凸のない均一エッチングが実現される。
【００４１】
（１０）そしてこれらは、簡単な構成により容易に実現される。すなわち、基板材Ａの表面処理装置１において、スプレーノズル５の配設位置設定等を組み合わせたことにより、上述したところは実現される。
すなわち、スプレーノズル５について、所定の左右ずれ間隔Ｋ，上下間隔Ｍ，左右ピッチ間隔Ｎ等を、数値設定して組み合わせるという、簡単な構成により容易にコスト面に優れつつ、処理精度向上，回路幅バラツキ防止が実現される。
【００４２】
（１１）又、この表面処理装置１を使用すると、ユニフォーミティの改善、回路幅Ｌのバラツキ解消に伴い、形成される回路Ｂの回路幅Ｌが狭い微細回路（のエッチング）が、コスト面に優れたテンティング法で製造可能となる。
銅箔肉厚が１８μｍ以下であって回路幅Ｌや回路間スペースＳが４０μｍ以下の基板材Ａも、テンティング法で製造可能となる。更に、銅箔肉厚が１２μｍであって回路幅Ｌや回路間スペースＳが２０〜３０μｍ程度の基板材Ａについても、テンティング法で製造可能な目標値となっている（図６の（２）図，（３）図も参照）。
【００４３】
（１２）更に、この表面処理装置１によると、ユニフォーミティの改善、回路幅Ｌのバラツキ防止が実現されるが、その過程では当然ながら、処理液Ｇの液溜り発生や滞留発生が抑制され、液溜り対策用や滞留対策用の専用機構の採用も不要化される。
前述したこの種従来技術のように、シャワー管９について首振りオシレーション機構，水平揺動機構，斜め配置機構や、液溜りバキューム機構等々を、取り入れる必要はなくなる。
本発明の作用等については、以上の通り。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明実施例の実験データ等について、説明する。
すなわち、ユニフォーミティに関し実験した結果、本発明実施例について得られた実験データと、従来例（比較例）について得られた実験データについて、説明する。
【００４５】
《実験方法について》
まず、実験の前提となる実験方法について、述べておく。表面処理装置１の代表例であるエッチング装置に関し、エッチング深さ（回路深さＣ）の均一性評価の方法、つまりユニフォーミティ評価の方法としては、まず、次の（イ），（ロ）が考えられる。
（イ）実際にレジストを使用して現像，エッチング，剥離の各工程を実施して回路Ｂを形成し、その結果得られた回路Ｂについて、回路幅Ｌのバラツキ具合を検証する。
（ロ）エッチングのみを実施する。つまり銅箔をエッチングし、その結果得られた残銅の銅厚（回路深さＣに相当）を検証する。
（イ），（ロ）の方法を比較すると、次のとおり。（イ）の方法は、エッチング装置自体の性能，生産技術の要素，使用レジストの種類，エッチング液の種類等によって、ユニフォーミティ評価に影響が出てしまう。
これに対し（ロ）の方法は、エッチング装置に関し、銅箔に対するエッチング性能自体のみについて、ユニフォーミティ評価が可能である。そこで、（ロ）の方法により実験を行った。
【００４６】
《本発明実施例のテスト条件》
本発明実施例のテスト条件は、次の表１に示したとおり。なお表１中、液温，比重等は、エッチング液として使用した塩化第２銅ＣｕＣｌ２に関する。表１中、有効長とは、表面処理装置１の処理室２の搬送方向Ｆの長さ寸法である。
【００４７】
【表１】
2015084407.tif 000003
【００４８】
《本発明実施例のテスト結果》
本発明実施例のテスト結果は、下記表２〜表５に示したとおり。
表２，表４中、Ａ〜Ｉおよび１〜７は、図５の（２）図に示したように、基板材Ａの各測定ポイントの縦横軸を示し、両者の各交点を測定ポイントとした。
そして、基板材Ａの各測定ポイントにおいて、実験スタート時は上記表１のテスト条件中にあるように、銅厚６７．３μｍであった銅箔について、その残銅の銅厚（回路深さＣに相当）を、測定した。その結果、基板材Ａの上面（表面）については、表２の測定結果が得られ、下面（裏面）については、表４の測定結果が得られた。
もって、これに基づきユニフォーミティ（表２中や表４中の残銅のＭｉｎ銅厚／Ｍａｘ銅厚  ×１００％）を、算出した。すると、上面（表面）については、表３に示したように９４．１２％となった。下面（裏面）については、表５に示したように９４．２１％となった（なお１００％が最高評価とする）。
このように、本発明の実施例によると、極めて高いユニフォーミティが得られた。
【００４９】
【表２】
2015084407.tif 000004
【００５０】
【表３】
2015084407.tif 000005
【００５１】
【表４】
2015084407.tif 000006
【００５２】
【表５】
2015084407.tif 000007
【００５３】
《従来例（比較例）のテスト条件》
従来例（比較例）のテスト条件は、次の表６に示したとおり。表６は、基板材Ａの上面（表面）と下面（裏面）のテスト条件に関する。共に、前述した本発明実施例のテスト条件に近似した条件とした。
なお表６中、液温，比重等は、エッチング液として使用した塩化第２銅ＣｕＣｌ２に関する。表６中、有効長とは、使用した表面処理装置の処理室の搬送方向の長さ寸法である。
なお、従来例（比較例）としては、本明細書中の前述した背景技術欄に記載した表面処理装置を用いた。
【００５４】
【表６】
2015084407.tif 000008
【００５５】
《従来例（比較例）のテスト結果》
従来例（比較例）のテスト結果は、下記表７〜表１０に示したとおり。
表７，表９中、Ｓ１〜Ｓ６および１〜９は、基板材Ａの各測定ポイントの縦横軸を示し、両者の各交点を測定ポイントとした。
そして、基板材Ａの各測定ポイントにおいて、実験スタート時は上記表６のテスト条件中にあるように、銅厚６４．０μｍであった銅箔について、その残銅の銅厚（回路深さＣに相当）を、測定した。その結果、基板材Ａの上面（表面）については、表７の測定結果が得られ、下面（裏面）については、表９の測定結果が得られた。
もって、これに基づきユニフォーミティ（表７中や表９中の残銅のＭｉｎ銅厚／Ｍａｘ銅厚  ×１００％）を、算出した。すると、上面（表面）については、表８に示したように７６．９９％、下面（裏面）については、７７．６３％となった。
このように、従来例（比較例）によると、前述した本発明実施例に比し、劣ったユニフォーミティとなった。本発明実施例では、前述したように上面（表面）９４．１２％、下面（裏面）９４．２１％の高いユニフォーミティが得られており、回路Ｂのバラツキが殆ど解消されるに至った。
このように、実験データ面からも、本発明のユニフォーミティの優秀性が、裏付けられた。
【００５６】
【表７】
2015084407.tif 000009
【００５７】
【表８】
2015084407.tif 000010
【００５８】
【表９】
2015084407.tif 000011
【００５９】
【表１０】
2015084407.tif 000012
本発明の実施例の実験データ等については、以上のとおり。
【符号の説明】
【００６０】
Ａ  基板材
Ｂ  電子回路（回路）
Ｃ  回路深さ（回路高さ）
Ｄ  頂面幅（トップ幅）
Ｅ  電子回路基板（基板）
Ｆ  搬送方向
Ｇ  処理液
Ｈ  幅方向
Ｊ  上下方向
Ｋ  左右ずれ間隔
Ｌ  回路幅（ボトム幅）
Ｍ  上下間隔
Ｎ  左右ピッチ間隔
Ｓ  回路間スペース
θ  ノズル角度
１  表面処理装置
２  処理室
３  コンベア
４  ホイール    
５  スプレーノズル
６  液槽
７  ポンプ
８  配管
９  シャワー管
１０  コンベアシャフト
【図１】
2015084407.tif 000013
【図２】
2015084407.tif 000014
【図３】
2015084407.tif 000015
【図４】
2015084407.tif 000016
【図５】
2015084407.tif 000017
【図６】
2015084407.tif 000018