(57)【要約】【課題】  酸化物薄膜トランジスタを用いた周辺回路を有し且つ光配向が適用される液晶表示パネルにおいて、周辺回路の良好な動作を維持する。【解決手段】  画素電極を配置した画素部ＰＡの周辺に当該画素電極の制御を行なう酸化物薄膜トランジスタを配置した透明基板１（ＳＵＢ１）と、前記画素部に設けられる液晶を配向させる配向膜８（ＡＦ）と、を有し、紫外線の照射により前記配向膜を光配向処理する液晶表示パネルにおいて、紫外線を吸収する紫外線吸収層を、前記酸化物薄膜トランジスタを覆って設けた。より具体的には、紫外線吸収層として例えば配向膜８を用い、画素部ＰＡの配向膜８を光配向処理する紫外線を、画素電極の制御を行なう周辺回路部ＳＬでは、紫外線吸収層として設けた配向膜８で吸収し、酸化物薄膜トランジスタの閾値電圧シフトを抑制する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を配置した画素部の周辺に当該画素電極の制御を行なう酸化物薄膜トランジスタを配置した透明基板と、前記画素部に設けられる液晶を配向させる配向膜と、を有し、
紫外線の照射により前記配向膜を光配向処理する液晶表示パネルにおいて、
紫外線を吸収する紫外線吸収層を、前記酸化物薄膜トランジスタを覆って設けたことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記紫外線吸収層は、前記画素部に設けられる透明電極層と同じ積層工程で形成される透明電極層で形成されることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、
前記紫外線吸収層は、酸化物系の透明電極材で形成されることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、
前記紫外線吸収層は、前記画素電極を構成する酸化物薄膜トランジスタの透明電極とは独立して前記画素部に設けられる透明電極層と、同じ積層工程で形成されることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記紫外線吸収層は、前記画素部に設けられる配向膜と同じ積層工程で形成される配向膜材で形成されることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、
前記画素部の配向膜は、当該酸化物薄膜トランジスタ上に保護層を介して設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、
前記画素部の配向膜は、当該酸化物薄膜トランジスタ上に有機平坦化層を介して設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項８】
請求項７記載の液晶表示パネルにおいて、
前記画素部の配向膜は、当該酸化物薄膜トランジスタ上に有機平坦化層及び層間容量膜を介して設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項９】
請求項１に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記紫外線吸収層は、透明電極層と配向膜との積層により形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに関し、特に、液晶表示パネルの画素部の周辺に、画素電極を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として、半導体層に酸化物半導体を用いる酸化物薄膜トランジスタを配置した液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、マルチメディアプレーヤなどの種々な携帯型情報機器の表示装置として、或いは、テレビやパソコンの表示装置として、液晶表示パネルを用いた液晶表示装置が用いられている。
このような液晶表示パネルの分野では、酸化物薄膜トランジスタ（酸化物ＴＦＴ）を用いた液晶表示パネルが、高精細化を実現するものとして注目されている。
酸化物ＴＦＴは、ａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコンＴＦＴ）に比べて、概略同等なプロセスで、移動度が高く高性能な薄膜トランジスタであるが、閾値電圧の制御やＴＦＴ特性の経時劣化の抑制は重要である。
【０００３】
また、液晶表示パネルに用いる配向膜を配向処理、すなわち配向制御能を付与する方法として光配向という手法がある。この光配向手法を用いることで、例えば、光漏れが低減し、表示画像のコントラストを向上させることができる。
しかしながら、酸化物ＴＦＴを用いた液晶表示パネルにおいて、光配向を適用しようとした場合、紫外線が酸化物ＴＦＴに照射されると、半導体層中に欠陥を発生させて閾値電圧をシフトさせ、また、この欠陥によってＴＦＴ特性の経時劣化を加速させるといった問題が生じる。
【０００４】
このような閾値電圧のシフトやＴＦＴ特性の経時劣化は、画素電極に適用された酸化物ＴＦＴよりも、画素電極を制御する周辺回路に適用された酸化物ＴＦＴにおいて特に問題となる場合がある。周辺回路では、僅かな閾値電圧のシフトやＴＦＴ特性の経時劣化によって、正常な回路動作、即ち正常な画像表示に支障をきたす場合がある。
【０００５】
例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｏからなる酸化物ＴＦＴ（例えば、ＩＧＺＯのバンドギャップは３〜３．２ｅＶ程度）は、紫外線を吸収する。例えば、光配向に水銀ランプを用いた場合、２５４ｎｍ、３１３ｎｍ、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍ等の紫外線がＩＧＺＯ層に照射され、これによって半導体層中に欠陥準位を形成する。この欠陥準位がドナー型の準位であった場合には、閾値電圧をディプリートさせてしまう。また、このような欠陥準位の増加によって、ＴＦＴ特性の経時劣化が加速するという問題が生じる。
例えば、ゲート走査回路やセレクタ回路等の周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴにおいては、閾値電圧が負方向にシフト（ディプリート）すると、オフ動作が行えず、正常に回路が動作しないという問題が生じる。
【０００６】
特許文献１には、対向基板に紫外線吸収層を形成することにより、光配向処理が行われた配向膜を有するＴＦＴ基板と対向基板を接着する樹脂を紫外線を用いて硬化させる工程において、紫外線吸収層に配向膜を劣化させる紫外線を吸収させて、紫外線によって配向膜がダメージを受けることを防止する発明が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１８１４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、酸化物ＴＦＴを用いた周辺回路を有し且つ光配向が適用される液晶表示パネルにおいて、周辺回路の良好な動作を維持することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の液晶表示パネルは、以下のような技術的特徴を有している。
（１）画素電極を配置した画素部の周辺に当該画素電極の制御を行なう酸化物薄膜トランジスタを配置した透明基板と、前記画素部に設けられる液晶を配向させる配向膜と、を有し、紫外線の照射により前記配向膜を光配向処理する液晶表示パネルにおいて、紫外線を吸収する紫外線吸収層を、前記酸化物薄膜トランジスタを覆って設けたことを特徴とする。
【００１０】
（２）（１）において、前記紫外線吸収層は、前記画素部に設けられる透明電極層と同じ積層工程で形成される透明電極層で形成されることを特徴とする。
【００１１】
（３）（２）において、前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、前記紫外線吸収層は、酸化物系の透明電極材で形成されることを特徴とする。
【００１２】
（４）（２）又は（３）において、前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、前記紫外線吸収層は、前記画素電極を構成する酸化物薄膜トランジスタの透明電極とは独立して前記画素部に設けられる透明電極層と、同じ積層工程で形成されることを特徴とする。
【００１３】
（５）（１）において、前記紫外線吸収層は、前記画素部に設けられる配向膜と同じ積層工程で形成される配向膜材で形成されることを特徴とする。
【００１４】
（６）（５）において、前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、前記画素部の配向膜は、当該酸化物薄膜トランジスタ上に保護層を介して設けられていることを特徴とする。
【００１５】
（７）（５）又は（６）において、前記画素電極は酸化物薄膜トランジスタで構成され、前記画素部の配向膜は、当該酸化物薄膜トランジスタ上に有機平坦化層を介して設けられていることを特徴とする。
【００１６】
（８）（７）において、前記画素部の配向膜は、当該酸化物薄膜トランジスタ上に有機平坦化層及び層間容量膜を介して設けられていることを特徴とする。
【００１７】
（９）（１）において、前記紫外線吸収層は、透明電極層と配向膜との積層により形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、酸化物ＴＦＴを用いた周辺回路を有し且つ光配向が適用される液晶表示パネルにおいて、周辺回路の良好な動作を維持することができる。
更には、酸化物ＴＦＴの優れた駆動能力を維持することができることで、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ−Ｓｉ  ＴＦＴ）とほぼ同等なプロセス及び製造コストで、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴでは実現が難しい高精細液晶表示パネルが実現され、しかも、光配向を用いることでコントラストの優れた画像表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施例に係る液晶表示パネルを示す図であり、（ａ）は液晶表示パネルの平面図、（ｂ）は液晶表示パネルの周辺回路部分を拡大して示す図である。
【図２】従来例に係る液晶表示パネルを示す図であり、（ａ）は液晶表示パネルの平面図、（ｂ）は液晶表示パネルの周辺回路部分を拡大して示す図である。
【図３】本発明の実施例１に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図４】従来例に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るＴＦＴ基板のサブ画素部分の構造を示す図である。
【図６】本発明の実施例１に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図７】本発明の実施例１に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図８】本発明の実施例１に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図９】本発明の実施例１に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１０】本発明の実施例１に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１１】本発明の実施例１に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１２】本発明の実施例１に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１３】本発明の実施例２に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図１４】従来例に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図１５】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１６】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１７】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１８】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図１９】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図２０】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図２１】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図２２】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図２３】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図２４】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図２５】本発明の実施例２に係る製造工程を説明する図であり、図５のＡ−Ａ矢視に対応する断面図である。
【図２６】本発明の実施例に係る液晶パネルを示す図であり、（ａ）は液晶パネルの平面図、（ｂ）は液晶パネルの周辺回路部分を拡大して示す図である。
【図２７】本発明の実施例３に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図２８】本発明の実施例４に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図２９】本発明の実施例５に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３０】本発明の実施例６に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３１】本発明の実施例７に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３２】本発明の実施例８に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３３】本発明の実施例９に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３４】本発明の実施例１０に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３５】本発明の実施例１１に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３６】本発明の実施例１２に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
【図３７】本発明の実施例１３に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す図であり、酸化物ＴＦＴの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の液晶パネルを、実施例に基づいて詳細に説明する。
本発明を種々な実施例に基づいて説明するが、まず、これら実施例に共通する事項について説明する。
なお、以下に説明する実施例ではボトムゲート型のトランジスタを示すが、本発明はこれに限定されるものではなく、種々な形式の酸化物ＴＦＴを用いた液晶表示パネルに適用することができる。
また、以下に説明する実施例では、紫外線吸収層として光配向膜と透明電極層を示すが、本発明では、紫外線の吸収能力を有する種々な材料により紫外線吸収層を形成することもできる。
【００２１】
図１（ａ）には本発明の一実施例に係る液晶表示パネルを平面視で示してあり、同図（ｂ）には当該液晶表示パネルの周辺回路部分を拡大して示してある。
また、本実施例の特徴を明らかにするために、図２（ａ）には従来例に係る液晶表示パネルを平面視で示してあり、同図（ｂ）には当該液晶表示パネルの周辺回路部分を拡大して示してある。
【００２２】
図１及び図２に示すように、液晶表示パネルＰＮＬは、一対の透明基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に配向膜ＡＦで挟んで液晶を封入し、一方の透明基板ＳＵＢ１には液晶を駆動するための多数の画素電極が配置され、他方の透明基板ＳＵＢ２にはカラーフィルタが配置されている。更に、透明基板ＳＵＢ１の一端部には、画素電極を駆動するドライバＤＲや、配線が形成されたフレキシブル配線基板ＦＰＣが実装されている。
配向膜ＡＦは、紫外線の照射により配向処理され、これによって、電圧が印加されない状態の液晶分子を整列させる。
【００２３】
また、液晶表示パネルＰＮＬには、多数の画素電極が配置された画素部ＰＡの周辺に、当該画素電極の制御を行なう周辺回路部ＳＬが配置されている。
周辺回路部ＳＬは酸化物薄膜トランジスタを用いて構成されており、この酸化物ＴＦＴの動作により画素部ＰＡを構成する画素電極の制御を行なう。
ここで、周辺回路部ＳＬとして、ゲート操作回路やセレクタ回路等の公知の回路が配置される。
また、本実施例では、画素電極を構成するＴＦＴも酸化物ＴＦＴとするが、本発明では、画素部ＰＡのＴＦＴはアモルファスシリコンＴＦＴ等の種々な薄膜トランジスタであってもよい。
【００２４】
上記配向膜ＡＦは、液晶を配向させることを目的として設けられるため、画素部ＰＡの全範囲に亘って設けられる。
したがって、従来の液晶表示パネルＰＮＬは、製作上の理由などにより、図２に示すように、配向膜ＡＦが画素部ＰＡから多少はみ出して設けられることがあったとしても、配向膜ＡＦが画素部ＰＡの周辺に設けられた周辺回路部ＳＬを積極的に覆うものではなかった。
【００２５】
これに対して、本実施例に係る液晶表示パネルＰＮＬは、図１に示すように、画素部ＰＡを覆う配向膜ＡＦを、周辺回路部ＳＬの全範囲をも覆って設けている。
これにより、画素部ＰＡの配向膜ＡＦの光配向処理のために照射される紫外線が周辺回路部ＳＬに照射された場合でも、紫外線は配向膜ＡＦで吸収されて周辺回路部ＳＬを構成する酸化物ＴＦＴに影響を与えることが抑制される。すなわち、周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴに対して、配向膜ＡＦが紫外線からの保護層として機能する。
なお、本実施例では、配向膜ＡＦを周辺回路部ＳＬの全範囲を覆って設けるが、本発明では、少なくとも保護対象の酸化物ＴＦＴを覆う範囲に設ければよい。
【００２６】
〔実施例１〕
図３には本発明の実施例１に係る周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを示し、図４には従来例に係る周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを示してある。なお、図３及び図４において、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
図３と図４とにおいて、周辺回路部（本例では、ゲート走査回路）ＳＬを構成する酸化物ＴＦＴは、主に、配向膜１２によって覆われているか否かが相違しており、その他の殆どの構成は共通している。
【００２７】
ガラス基板１（図１，２におけるＳＵＢ１）上にゲート電極２が形成され、ゲート電極２を覆ってゲート絶縁膜３が形成されている。ゲート絶縁膜３上には酸化物半導体層４が形成されている。
更に、酸化物半導体層４を覆い且つ酸化物半導体層４に接してソース電極層５とドレイン電極層６が形成され、これらを覆って保護層７が形成されている。
なお、ＴＦＴが形成される透明基板（ＴＦＴ基板）として、本実施例ではガラス基板を用いるが、本発明では透明なプラスチック基板など種々な透明基板を用いることができる。
【００２８】
そして、図３（ｂ）に示すように、本実施例に係る酸化物ＴＦＴにおいては、更に保護層７を覆って配向膜８（図１におけるＡＦ）が形成されている。すなわち、酸化物半導体層４は配向膜８によって覆われている。
なお、図３（ａ）及び図４（ａ）において、全面にゲート絶縁膜３、保護層７、配向膜８が設けられるが、構造を明確に示すために、これらの記載を省略してある。
【００２９】
ゲート絶縁膜３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの絶縁膜で形成する。
また、ゲート絶縁膜３は、積層した構造でもよく、上記した絶縁膜のいずれかを組み合わせた構造でもよいが、酸化物半導体層４に接する層はシリコン酸化膜とする。
ゲート絶縁膜３は、例えば膜厚１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で構成され、絶縁耐圧や容量を考慮して最適な膜厚で構成すればよい。
【００３０】
ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６は、例えば、アルミニウム、モリブデン、クロム、銅、タングステン、チタン、ジルコニウム、タンタル、銀、マンガンから選ばれた元素、またはこれらの元素を組み合わせた合金などで形成する。また、チタンの上にアルミニウムを積層する、もしくはアルミニウムの上層と下層をチタンで挟むなど積層構造としてもよい。
【００３１】
酸化物半導体層４は、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素を主成分とする元素からなるＩｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｏ系の酸化物半導体であり、ＩＧＺＯ膜と記載することもある。酸化物半導体は、これ以外にＩｎ-Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系、Ｓｎ-Ｏ系、などを用いてもよい。
酸化物半導体層４の膜厚は、例えば３０ｎｍ以上５００ｎｍの範囲で構成され、大電流を必要とするデバイスに用いる場合には厚く形成するなど、目的に応じて膜厚を調整すればよい。
【００３２】
保護層７は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの絶縁膜で形成する。保護層７は積層した構造でもよく、上記した絶縁膜のいずれかを組み合わせた構造でもよい。
配向膜８は、紫外線照射によって配向処理が可能な高分子材料を用いて形成されており、紫外線照射によって配向処理が可能であれば種々な材料を用いることができる。
【００３３】
次に、図５乃至図１２を参照して、本実施例に係る酸化物ＴＦＴの製造工程を説明する。
図５はＴＦＴ基板の画素部ＰＡにおけるサブ画素の構造を示したものであり、Ａ−Ａの断面構造の製造工程を図６乃至図１２に示してある。
ここで、本発明は周辺回路部ＳＬの構造に関するものであるが、周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを画素部ＰＡの酸化物ＴＦＴと同じ工程で形成することから、全体の工程がわかるように画素部ＰＡの製造工程を用いて説明し、周辺回路部ＳＬの構造についても説明を加える。
【００３４】
画素部ＰＡにおけるサブ画素電極ＧＴの酸化物ＴＦＴは、図５に示すような構造であり、ＴＦＴの構造に応じて、例えば接地電極やフローティング電極などとして用いられる第一の透明電極９や第二の透明電極１０も設けられる。なお、図５中のＣＨは、通電を得るためのコンタクトホールである。
酸化物ＴＦＴの製造工程は、ゲート電極２の形成工程、ゲート絶縁膜３の形成工程、酸化物半導体層４の形成工程、第一の透明電極９の形成工程、ソース電極層５及びドレイン電極層６の形成工程、保護層７の形成工程、第二の透明電極１０の形成工程、配向膜８の形成工程を含んでいる。
【００３５】
図６に示すように、ガラス基板１上にゲート電極２を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
スパッタリング法により、ガラス基板１上にモリブデン膜、タングステン膜、アルミニウム膜などの金属導電膜を成膜する。続いて、この金属導電膜上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する金属導電膜をウエットエッチングもしくはドライエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、ゲート電極２を形成する。
【００３６】
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴのゲート電極２がガラス基板１上に形成される（図３参照）。
なお、ゲート電極２をガラス基板上に形成する場合、ガラス基板からのアルカリイオン等の混入を防ぐため、ガラス基板上にシリコン窒化膜を形成し、その上にゲート電極を形成してもよい。また、ガラス基板の代わりに、ＴＦＴの熱工程に耐え得るようなフレキシブル基板を用いてもよい。
【００３７】
次いで、図７に示すように、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
ゲート電極２が形成されたガラス基板１上に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などを成膜することでゲート絶縁膜３を形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴのゲート絶縁膜３が形成される（図３参照）。
【００３８】
次いで、図８に示すように、ゲート絶縁膜３上に酸化物半導体層４を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
ゲート絶縁膜３が形成されたガラス基板１上に、スパッタリング法により、Ｉｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系、Ｓｎ-Ｏ系などの酸化物半導体を成膜する。続いて、酸化物半導体上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する酸化物半導体をウエットエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、酸化物半導体層４を形成する。
なお、酸化物半導体層４に酸素や一酸化二窒素を用いてプラズマ処理を施すことで、酸素欠陥の少ない酸化物半導体層を形成することができる。
【００３９】
また、ゲート絶縁膜３上に第一の透明電極層９を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
スパッタリング法により、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系などの酸化物層を成膜する。続いて、酸化物層上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する酸化物層をエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、第一の透明電極層９を形成する。
なお、その後、焼成工程によって酸化物半導体層４及び第一の透明電極層９を安定化させてもよい。
【００４０】
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの酸化物半導体層４が形成される（図３参照）。
ここで、上記の例では、酸化物半導体層４を先に形成したが、第一の透明電極層９を先に形成して、その後から酸化物半導体層４を形成するようにしてもよい。
【００４１】
次いで、図９に示すように、ソース電極層５及びドレイン電極層６を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
なお、図示していないが、ソース電極層５及びドレイン電極層６を形成する前に、ゲート電極２へのコンタクトホールＣＨを形成しておく。
【００４２】
チャネル保護層や酸化物半導体層４が形成されたガラス基板１上に、スパッタリング法により、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜などの金属導電膜を成膜する。続いて、金属導電膜上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する金属導電膜をウエットエッチングまたはドライエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、ソース電極層５及びドレイン電極層６を形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴのソース電極層５及びドレイン電極層６が形成される（図３参照）。
【００４３】
次いで、図１０に示すように、保護層７を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの絶縁膜をプラズマＣＶＤ法等により成膜して、保護層７を形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの保護層７が形成される（図３参照）。
なお、本発明は、保護層７を有しない酸化物ＴＦＴにも適用することができ、要は、周辺回路の酸化物ＴＦＴを配向膜８などの紫外線吸収層で覆う構成とすれば、その酸化物ＴＦＴの形式に特に限定はない。
【００４４】
次いで、図１１に示すように、第二の透明電極層１０を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
スパッタリング法により、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系などの酸化物層を成膜する。続いて、酸化物層上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する酸化物層をエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、第二の透明電極層１０を形成する。
なお、その後、焼成工程によって第二の透明電極層１０を安定化させてもよい。
【００４５】
次いで、図１２に示すように、配向膜８を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
配向膜８は、紫外線照射によって配向処理が可能な材料を用いて形成され、例えばアゾベンゼンを有する高分子、桂皮酸を有する高分子、シクロブタンを有する高分子などの材料により、画素部ＰＡ及び周辺回路部ＳＬの全範囲を覆って成膜することで形成されている。すなわち、周辺回路部ＳＬにおいて、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴを覆って配向膜８が形成される。
なお、その後、配向膜８は、紫外線照射によって光配向処理がなされる。
したがって、同じ積層工程により、画素部ＰＡには光配向処理を目的として配向膜８が形成されるとともに、周辺回路部ＳＬには酸化物ＴＦＴの保護を目的として配向膜８が形成される（図３参照）。
【００４６】
次に、酸化物半導体層４の紫外線吸収による影響について説明する。
例えばＩｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｏ系の酸化物半導体層（ＩＧＺＯ層）４では、ＩＧＺＯ層のバンドギャップは３．２ｅＶ程度であり、配向膜８を水銀ランプによる紫外線光を照射して光配向処理をおこなった場合、２５４ｎｍ、３１３ｎｍ、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍ等の紫外線がＩＧＺＯ層に照射される。
このように紫外線がＩＧＺＯ層４に照射されると、酸化物半導体層中に欠陥準位が形成され、この欠陥準位がドナー型の準位であった場合には、閾値電圧をディプリートさせてしまう。また、このような欠陥準位の増加によって、ＴＦＴ特性の経時劣化が加速してしまう。
【００４７】
紫外線照射により、このような影響が酸化物半導体層４に及ぶが、画素部ＰＡにおいては、配向膜８が形成されているため、配向膜８が紫外線を効果的に吸収する。このため、紫外線が酸化物ＴＦＴの酸化物半導体層４へ影響を及ぼすことが抑制され、閾値電圧の変化は生じない。
他方、図２及び図４に示す従来例の場合、周辺回路部ＳＬにおいては、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴは配向膜で覆われていないため、画素部ＰＡを光配向するために照射される紫外線が周辺回路部ＳＬにも照射され、周辺回路の酸化物ＴＦＴの閾値電圧を変化させてしまう。
【００４８】
これに対して、本発明では、上記のように周辺回路部ＳＬにも酸化物ＴＦＴを覆うように配向膜８を設けているため、紫外線吸収層となる配向膜８が紫外線を効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧変化を抑制することができる。
なお、上記の例は、周辺回路としてゲート走査回路を示したが、本発明は、ドレイン電圧の制御に関わるセレクタ回路に適用してもよい。
したがって、液晶表示パネルを用いた液晶表示装置において、良好なゲート走査回路動作、セレクタ回路動作が実現可能となり、コントラスト、信頼性に優れた画像表示装置を実現することができる。
【００４９】
〔実施例２〕
図１３には本発明の実施例２に係る周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを示し、図１４には従来例に係る周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを示してある。なお、図１３及び図１４において、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。
本実施例は、上記の実施例１と基本的な構成は同様であり、実施例１とは、主に、保護層７、有機平坦化層１１及び層間容量膜１２を介して、周辺回路部ＳＬの紫外線吸収層となる配向膜８を設けている点が異なる。
【００５０】
本実施例（図１３）と従来例（図１４）とにおいて、周辺回路部ＳＬを構成する酸化物ＴＦＴは、主に、配向膜１２によって覆われているか否かが相違しており、その他の殆どの構成は共通している。
また、本実施例（図１３）と上記実施例１とにおいて、主に、有機平坦化層１１及び層間容量膜１２が設けられるか否かが相違しており、その他の殆どの構成は共通している。
【００５１】
ガラス基板１上にゲート電極２が形成され、ゲート電極２を覆うようにゲート絶縁膜３が形成されている。ゲート絶縁膜３上には酸化物半導体層４が形成されている。
酸化物半導体層４を覆い且つ酸化物半導体層４に接してソース電極５及びドレイン電極６がそれぞれ形成され、これらを覆うように保護層７が形成され、更に、保護層７を覆うように有機平坦化膜１１が形成されている
【００５２】
そして、有機平坦化膜１１上には層間容量膜１２が形成され、これを覆うように配向膜８が形成されている。
なお、図１３（ａ）及び図１４（ａ）において、全面にゲート絶縁膜３、保護層７、有機平坦化膜１１、層間容量膜１２、配向膜８が設けられるが、構造を明確に示すために、これらの記載を省略してある。
【００５３】
本実施例では、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、酸化物半導体層４、ソース電極５、ドレイン電極６、保護層７、配向膜８については、実施例１に記載したものと同様なものが用いられている。
有機平坦化膜１１はアクリル系の高分子材料等で形成され、膜厚は例えば５００ｎｍ以上５０００ｎｍの範囲で、容量や透過率等を考慮して最適な膜厚で構成すればよい。
層間容量膜１２はシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの絶縁膜で形成され、膜厚は例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で構成され、絶縁耐圧や容量を考慮して最適な膜厚で構成すればよい。
【００５４】
次に、図５、図１５乃至図２５を参照して、本実施例に係る酸化物ＴＦＴの製造工程を説明する。
図５は上記のようにＴＦＴ基板の画素部ＰＡにおけるサブ画素の構造を示したものであり、Ａ−Ａの断面構造の製造工程を図１５乃至図２５に示してある。
ここで、本発明は周辺回路部ＳＬの構造に関するものであるが、周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを画素部ＰＡの酸化物ＴＦＴと同じ工程で形成することから、全体の工程がわかるように画素部ＰＡの製造工程を用いて説明し、周辺回路部ＳＬの構造についても説明を加える。
【００５５】
本実施例に係る酸化物ＴＦＴの製造工程は、ゲート電極２の形成工程、ゲート絶縁膜３の形成工程、酸化物半導体層４の形成工程、ソース電極層５及びドレイン電極層６の形成工程、保護層７の形成工程、有機平坦化層１１の形成工程、第３の透明電極１３の形成工程、層間容量膜１２の形成工程、第４の透明電極１４の形成工程、配向膜８の形成工程を含んでいる。
なお、図１５乃至図２５に示す酸化物ＴＦＴは、ソース電極と画素電極が接続された構造となっているが、共通電極を画素電極とを接続するような構造でもよい。
【００５６】
図１５に示すように、ガラス基板１上にゲート電極２を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
ゲート電極２は、例えば、ガラス基板１上にスパッタリング法により、モリブデン膜、タングステン膜、アルミニウム膜などの金属導電膜を成膜する。続いて、金属導電膜上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する金属導電膜をウエットエッチングもしくはドライエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離し、ゲート電極２を形成する。
【００５７】
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴのゲート電極２がガラス基板１上に形成される（図１３参照）。
なお、ゲート電極２はガラス基板１上に形成したが、ガラス基板からのアルカリイオン等の混入を防ぐため、ガラス基板上にシリコン窒化膜を形成し、その上にゲート電極を形成してもよい。また、ガラス基板の代わりにＴＦＴの熱工程に耐えうるようなフレキシブル基板を用いてもよい。
【００５８】
次いで、図１６に示すように、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
ゲート電極２が形成されたガラス基板１上に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などを成膜することでゲート絶縁膜３を形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴのゲート絶縁膜３が形成される（図１３参照）。
【００５９】
次いで、図１７に示すように、ゲート絶縁膜３上に酸化物半導体層４を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
ゲート絶縁膜３が形成されたガラス基板１上に、スパッタリング法により、Ｉｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系、Ｓｎ-Ｏ系などの酸化物半導体を成膜する。続いて、酸化物半導体上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する酸化物半導体をウエットエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、酸化物半導体層４を形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの酸化物半導体層４が形成される（図１３参照）。
【００６０】
次いで、図１８に示すように、ソース電極層５及びドレイン電極層６を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
なお、図示していないが、ソース電極層５及びドレイン電極層６を形成する前に、ゲート電極２へのコンタクトホールＣＨを形成しておく。
【００６１】
チャネル保護層や酸化物半導体層４が形成されたガラス基板１上に、スパッタリング法により、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜などの金属導電膜を成膜する。続いて、金属導電膜上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する金属導電膜をウエットエッチングまたはドライエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、ソース電極層５及びドレイン電極層６を形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴのソース電極層５及びドレイン電極層６が形成される（図１３参照）。
【００６２】
次いで、図１９に示すように、保護層７を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの絶縁膜をプラズマＣＶＤ法等により成膜して、保護層７を形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの保護層７が形成される（図１３参照）。
【００６３】
次いで、図２０に示すように、有機平坦化層１１を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
有機平坦化層１１は、アクリル系の高分子材料等を塗布、焼成して形成する。その後、現像、露光してコンタクトホールＣＨのためのパターンを形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの有機平坦化層１１が形成される（図１３参照）。
【００６４】
次いで、図２１に示すように、第３の透明電極層１３を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
第３の透明電極層１３は、スパッタリング法により、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系などの酸化物層を成膜する。続いて、酸化物層上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、焼成工程によって第３の透明電極層１３を安定化させる。
【００６５】
次いで、図２２に示すように、層間容量膜１２を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
層間容量膜１２は、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの絶縁膜をプラズマＣＶＤ法等により成膜する。その後、層間容量膜１２上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像してパターニングすることでレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する層間容量膜１２及び保護層７をドライエッチングにより除去した後、レジストパターンを剥離して、図２３に示すようにコンタクトホールＣＨを形成する。
この形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても同様に、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの層間容量膜１２が形成される（図１３参照）。
【００６６】
次いで、図２４に示すように、第４の透明電極層１４を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
第４の透明電極層１４は、金属膜で形成されたソース電極にコンタクトするようにスパッタリング法により、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系などの酸化物層を成膜する。続いて、酸化物層上に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像しパターニングすることでレジストパターンを形成する。その後、焼成工程によって第４の透明電極層１４を安定化させる。
【００６７】
次いで、図２５に示すように、配向膜８を形成する。
この形成工程は、例えば、次のような方法で行なう。
配向膜８は、紫外線照射によって配向処理が可能な材料を用いて形成され、例えばアゾベンゼンを有する高分子、桂皮酸を有する高分子、シクロブタンを有する高分子などの材料により、画素部ＰＡ及び周辺回路部ＳＬの全範囲を覆って成膜することで形成されている。すなわち、図１に示すように、周辺回路部ＳＬにおいて、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴを覆って配向膜８が形成される。
なお、その後、配向膜８は、紫外線照射によって光配向処理がなされる。
したがって、同じ積層工程により、画素部ＰＡには光配向処理を目的として配向膜８が形成されるとともに、周辺回路部ＳＬには酸化物ＴＦＴの保護を目的として配向膜８が形成される（図１３参照）。
【００６８】
次に、酸化物半導体層４の紫外線吸収による影響について説明する。
本実施例では、上記実施例１と同様に、周辺回路部ＳＬにも酸化物ＴＦＴを覆うように配向膜８を設けているため、紫外線吸収層となる配向膜８が紫外線を効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧変化を抑制することができる。
したがって、液晶表示パネルを用いた液晶表示装置において、良好なゲート走査回路動作、セレクタ回路動作が実現可能となり、コントラスト、信頼性に優れた画像表示装置を実現することができる。
【００６９】
なお、上記の実施例は、周辺回路としてゲート走査回路を示したが、本発明は、ドレイン電圧の制御に関わるセレクタ回路に適用してもよい。
また、上記の実施例は、配向膜８を有機平坦化層１１及び層間容量膜１２を介して設けたが、ＴＦＴの構造に応じて、層間容量膜１２（更には、保護層７）を廃して、配向膜８を有機平坦化層１１を介して設けるようにしてもよい。
【００７０】
〔実施例３〕
図２６（ａ）には本発明の実施例３に係る液晶表示パネルを平面視で示してあり、同図（ｂ）には当該液晶表示パネルの周辺回路部分を拡大して示してある。
本実施例では、紫外線吸収層として透明電極層１５を用いており、図示すように、周辺回路であるゲート走査回路を完全に覆うように第５の透明電極１５が形成されている。
【００７１】
従来構造では、ゲート走査回路が内蔵される周辺部には、ゲート走査回路を覆うようには透明電極は形成されていない。すなわち、本来、透明電極は液晶層を電界で制御するために用いるため、画素部ＰＡにのみあればよく、周辺回路ＳＬを完全に覆うようには形成されていない。
これに対して、本実施例では、透明電極１５を画素電極や共通電極とは独立して設けており、この透明電極１５を接地もしくはフローティング電極として、電源に接続はせず電圧印加は行わないようにしている。
【００７２】
図２７は、本実施例３に係るゲート走査回路の酸化物ＴＦＴを示す断面図である。
本実施例は、上記の実施例１と基本的な構成は同様であり、実施例１とは、主に、配向膜８に代えて第５の透明電極層１５を設けている点が異なる。
ガラス基板１上にゲート電極２が形成され、ゲート電極２を覆うようにゲート絶縁膜３が形成されている。ゲート絶縁膜３上には酸化物半導体層４が形成されている。更に、酸化物半導体層４を覆い、且つ、酸化物半導体層４に接してソース電極５及びドレイン電極６がそれぞれ形成され、これらを覆うように保護層７が形成されている。そして、保護層７上には第５の透明電極１５が形成されている。
【００７３】
本実施例に係る酸化物ＴＦＴの製造工程は実施例１に示した工程（図６乃至図１２参照）の順番と同様であるが、画素領域ＰＡにおける第２の透明電極１０を形成する工程（図１１参照）で、周辺回路部ＳＬにおいてゲート走査回路を覆う第５の透明電極１５を第２の透明電極１０と同時に形成するのが好ましい。すなわち、第２の透明電極１０と第５の透明電極１５とは同層に形成されることが好ましい。これによって、これら透明電極１０，１５を形成するためのスパッタ工程やホト・エッチング工程が共用化されて、製造のための工程を低減することができる。
【００７４】
本実施例では、第５の透明電極１５は、Ｉｎ-Ｓｎ-Ｏ系、Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ系、Ｚｎ-Ｏ系などの酸化物層で形成されている。例えば、透明電極材であるＩＴＯのバンドギャップは３．５〜４．０ｅＶ程度であり、ＩＴＯの透明電極１５で紫外線を吸収することができる。これにより、光配向処理においてＩＧＺＯ等の酸化物半導体層４に照射される紫外線を吸収し、閾値電圧のシフト抑えることができる。なお、ＩＺＯ系の透明電極１５もバンドギャップは〜３．５ｅＶ程度であり、第５の透明電極１５により紫外線を吸収することができる。
【００７５】
このように酸化物系の透明電極１５を周辺回路部ＳＬを覆って形成することで、画素部ＰＡの光配向処理のために照射される紫外線を吸収して、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの閾値電圧のシフト抑えることができる。
なお、本実施例では、酸化物系の透明電極１５を用いたが、本発明では、透明電極として用いられるもので、紫外線を吸収する材料であれば、周辺回路部ＳＬを覆う透明電極１５として用いて上記と同様な効果が得られる。
【００７６】
〔実施例４〕
図２８は、実施例４に係る周辺回路（ゲート走査回路）の酸化物ＴＦＴを示す断面図である。
本実施例は、上記の実施例３と基本的な構成は同様であり、実施例３とは、主に、周辺回路部ＳＬの紫外線吸収層として第５の電極層１５及び配向膜８を設けている点が異なる。
すなわち、本実施例では、周辺回路部ＳＬを覆って、第５の透明電極層１５を形成し、更に、この透明電極層１５上に配向膜８を形成している。
このように、第５の透明電極１層５及び配向膜８の積層を周辺回路部ＳＬを覆って形成することによって、ＩＧＺＯ等の酸化物半導体層４に照射される紫外線をより効率的に吸収して、閾値電圧のシフト抑えることができる。
【００７７】
〔実施例５〕
図２９は、実施例５に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す断面図である。
本実施例は、上記の実施例２と基本的な構成は同様であり、実施例２とは、主に、周辺回路部ＳＬの紫外線吸収層として第６の電極層１６を設け、更に層間容量膜１２を設けている点が異なる。
すなわち、本実施例では、ガラス基板１上にゲート電極２が形成され、ゲート電極２を覆うようにゲート絶縁膜３が形成されている。ゲート絶縁膜３上には酸化物半導体層４が形成されており、酸化物半導体層４を覆い且つ酸化物半導体層４に接してソース電極５及びドレイン電極６がそれぞれ形成され、これらを覆うように保護層７が形成され、更に保護層７を覆うように有機平坦化膜１１が形成されている。有機平坦化膜１１上には第６の透明電極層１６が形成され、これを覆うように層間容量膜１２が形成されている。
【００７８】
第６の透明電極層１６は上記第５の透明電極層１５と同様な材料により形成されており、第６の透明電極層１６によって、酸化物半導体層４に照射される紫外線を効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧のシフト抑えることができる。
なお、本実施例に係る製造工程は実施例２に示す工程の順番と同様であるが、第３の透明電極層１３を形成する工程（図２１参照）で、同時に第６の透明電極層１６を周辺回路部ＳＬを覆って形成する（すなわち、第３の透明電極１３と第６の透明電極１６を同層に形成する）のが好ましい。これにより、これら透明電極層１３，１６を形成するスパッタ工程やホト・エッチング工程を共通化することができる。
【００７９】
〔実施例６〕
図３０は、実施例６に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す断面図である。
本実施例は、上記の実施例５と基本的な構成は同様であり、実施例５とは、主に、第６の透明電極層１６を廃して、層間容量膜１２及び第７の透明電極層１７を設けている点が異なる。
すなわち、本実施例では、有機平坦化膜１１上に層間容量膜１２を形成し、この層間容量膜１２上に第７の透明電極層１７を形成している。
【００８０】
第７の透明電極１７は上記第５の透明電極層１５と同様な材料により形成されており、第７の透明電極層１７によって、酸化物半導体層４に照射される紫外線を効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧のシフト抑えることができる。
なお、本実施例に係る製造工程は実施例２に示す工程の順番と同様であるが、第４の透明電極層１４を形成する工程（図２４参照）で、同時に第７の透明電極層１７を周辺回路部ＳＬを覆って形成する（すなわち、第４の透明電極層１４と第７の透明電極層１７を同層に形成する）のが好ましい。これにより、これら透明電極層１４，１７を形成するスパッタ工程やホト・エッチング工程を共通化することができる。
【００８１】
〔実施例７〕
図３１は、実施例７に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴを示す断面図である。
本実施例は、上記の実施例５及び６と基本的な構成は同様であり、これら実施例とは、主に、第６の透明電極１６、層間容量膜１２及び第７の透明電極１７を設けている点が異なる。
すなわち、本実施例では、有機平坦化膜１１上に第６の透明電極層１６を形成し、この第６の透明電極層１６上に層間容量膜１２を形成し、この層間容量膜１２上に第７の透明電極層１７を形成している。
【００８２】
本実施例では、第６の透明電極層１６及び第７の透明電極層１７によって、酸化物半導体層４に照射される紫外線をより効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧のシフト抑えることができる。
なお、本実施例に係る製造工程は実施例２に示す工程の順番と同様であるが、第３の透明電極層１３を形成する工程（図２１参照）で、同時に第６の透明電極層１６を形成し、第４の透明電極層１４を形成する工程（図２４参照）で、同時に第７の透明電極層１７を形成するのが好ましい。これにより、これら透明電極層１３，１６及び１４，１７を形成するスパッタ工程やホト・エッチング工程を共通化することができる。
【００８３】
〔実施例８乃至１０〕
図３２乃至３４は、実施例８乃至１０に係る周辺回路の酸化物ＴＦＴをそれぞれ示す断面図である。
これら実施例は、図２９乃至３１にそれぞれ示した実施例５乃至７に、更に配向膜８を形成したものである。
すなわち、図３２に示す実施例８では層間容量膜１２上に配向膜８を形成してあり、また、図３３に示す実施例９では第７の透明電極層１７上に配向膜８を形成してあり、また、図３４に示す実施例１０では第７の透明電極層１７上に配向膜８を形成してある。
これら実施例では、第６の透明電極層１６や第７の透明電極層１７に加えて、配向膜８を形成することにより、酸化物半導体層４に照射される紫外線をより効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧のシフト抑えることができる。
【００８４】
〔実施例１１及び１２〕
図３５には本発明の実施例１１に係る周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを示し、図３６には本発明の実施例１２に係る周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴを示してある。なお、図３５及び図３６において、（ａ）は酸化物ＴＦＴの平面図、（ｂ）は酸化物ＴＦＴの断面図である。また、図３５（ａ）及び図３６（ａ）において、全面にゲート絶縁膜３、保護層７、配向膜８等が設けられるが、構造を明確に示すために、これらの記載を省略してある。
これら実施例１１，１２は、エッチングストッパ層２０を有する構造であり、基本的な構造は、実施例１１は実施例４に類似し、実施例１２は実施例８に類似している。
【００８５】
実施例１１では、酸化物半導体層４を覆うようにエッチングストッパ層３０が形成されており、エッチングストッパ層３０にはソース電極５及びドレイン電極６と酸化物半導体層４のコンタクトのためのコンタクトホール３１が形成されている。また、第５の透明電極層１５と配向膜８との間に、層間容量膜１１が形成されている。
本実施例では、第５の透明電極層１５及び配向膜８によって、酸化物半導体層４に照射される紫外線を効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧のシフト抑えることができる。
なお、図示はしていないが、配向層８に加えて、或いは、配向層８に代えて、紫外線吸収能力を有する透明電極層を設けてもよい。
【００８６】
実施例１２では、酸化物半導体層４を覆うようにエッチングストッパ層３０が形成されており、エッチングストッパ層３０にはソース電極５及びドレイン電極６と酸化物半導体層４のコンタクトのためのコンタクトホール３１が形成されている。
本実施例では、第６の透明電極層１６及び配向膜８によって、酸化物半導体層４に照射される紫外線を効率的に吸収して、酸化物ＴＦＴの閾値電圧のシフト抑えることができる。
なお、図示はしていないが、配向層８に加えて、或いは、配向層８に代えて、紫外線吸収能力を有する透明電極層を設けてもよい。
【００８７】
〔実施例１３〕
図３７には本発明の実施例１３に係る酸化物ＴＦＴの構造を示してある。
なお、上記実施例２と同様に、図３７は図５中のＡ−Ａの断面に対応する画素部ＰＡにおける酸化物ＴＦＴ構造を示したものであるが、本発明に係る周辺回路部ＳＬの酸化物ＴＦＴも同様な構造となる。
本実施例は、実施例２（図２５参照）とは、主に、第３の透明電極層１３と第４の透明電極層１４との形成順を入れ替えた構造となっている。
【００８８】
すなわち、本実施例では、第４の透明電極層１４が有機平坦化層１１上に形成されてソース電極６と接続され、第３の透明電極層１３が層間容量膜１２上に形成されて共通電極として用いられる。
本実施例では、上記実施例のような形成工程により、周辺回路部ＳＬにおいても、配向膜８、第３の透明電極層１３、第４の透明電極層１４の内の少なくとも１つが酸化物ＴＦＴを覆って形成される。
したがって、酸化物半導体層４に照射される紫外線を効率的に吸収して、周辺回路を構成する酸化物ＴＦＴの閾値電圧シフト抑えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明は、周辺回路に酸化物ＴＦＴを用いた液晶表示パネルに広く利用することができ、この液晶表示パネルは、例えば、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、マルチメディアプレーヤなどの携帯型情報機器の表示装置として利用することができる。
【符号の説明】
【００９０】
１、ＳＵＢ１  ガラス基板（透明基板）
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜
４  酸化物半導体層
５  ソース電極層
６  ドレイン電極層
７  保護層
８、ＡＦ  配向膜
９  第１の透明電極層
１０  第２の透明電極層
１１  有機平坦化層
１２  層間容量膜
１３  第３の透明電極層
１４  第４の透明電極層
１５  第５の透明電極層
１６  第６の透明電極層
１７  第７の透明電極層
３０  エッチングストッパ層
ＰＡ  画素部
ＳＬ  周辺回路部
ＰＮＬ  液晶表示パネル
ＬＮ１  端子に繋がる配線
ＬＮ２  画素に繋がる配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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