(57)【要約】【課題】処理ユニットから排出される排気の流量が安定するまでの時間を短縮すること。【解決手段】基板処理装置の制御装置４は、処理スケジュールの各時間において設定値変更条件が成立するか否かを判断する。処理スケジュールのいずれかの時間において設定値変更条件が成立する場合、制御装置４は、設定値変更条件が成立する時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値よりも大きな値に設定されるように、処理スケジュールの各時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールを作成する。そして、制御装置４は、処理スケジュールと並行して個別排気スケジュールを実行する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を一枚ずつ処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットから気体を排出する排気ユニットと、
前記処理ユニットおよび排気ユニットを制御するコンピュータとしての制御装置と、を備え、
前記処理ユニットは、
内部空間を有するチャンバーと、
前記チャンバー内で基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理流体を供給する処理流体供給ユニットと、
互いに離れた位置である原点位置および動作位置の間で前記チャンバー内を移動可能な可動部材と、を含み、
前記排気ユニットは、
前記チャンバーから排出された気体を排気処理設備に向けて案内する個別排気ダクトと、
前記排気処理設備に向かって前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する個別排気流量調整ユニットと、を含み、
前記制御装置は、
基板を処理するときの前記処理ユニットの動作を時系列で規定する処理スケジュールを作成する処理スケジュール作成ステップと、
前記処理スケジュール作成ステップで作成された前記処理スケジュールの各時間において、前記可動部材が前記原点位置以外の位置に位置している位置条件を含む設定値変更条件が成立するか否かを判断する設定値変更判断ステップと、
前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記可動部材が前記原点位置に位置しているときの設定値である基準値よりも大きな値に設定されるように、前記処理スケジュールの各時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールを作成する個別排気スケジュール作成ステップと、
前記処理スケジュールと並行して前記個別排気スケジュールを実行する個別排気スケジュール実行ステップと、を実行する、基板処理装置。
【請求項２】
前記設定値変更条件は、前記処理流体供給ユニットが処理流体を吐出している処理流体吐出中条件をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理流体供給ユニットは、処理流体としての薬液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出する薬液ノズルを含み、
前記設定値変更条件は、前記薬液ノズルが薬液の吐出を開始する薬液吐出開始条件をさらに含み、
前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されると共に、前記薬液吐出開始条件が成立する時間よりも前から前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理流体供給ユニットは、処理流体としての薬液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出する薬液ノズルを含み、
前記設定値変更条件は、前記薬液ノズルが薬液の吐出を終了する薬液吐出終了条件をさらに含み、
前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されると共に、前記薬液吐出開始条件が成立する時間よりも後まで前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板保持ユニットは、前記チャンバー内で基板を保持しながら回転させるスピンチャックを含み、
前記設定値変更条件は、基板が回転している基板回転条件をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板回転条件は、前記処理流体供給ユニットが処理流体を吐出しているときの基板の回転速度よりも大きい乾燥速度で、基板が回転している乾燥実行条件を含む、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記可動部材は、前記基板保持ユニットの上方の遮断板原点位置と前記遮断板原点位置と前記基板保持ユニットとの間の遮断板動作位置との間で、前記チャンバー内を移動可能な遮断板を含み、
前記設定値変更条件は、前記遮断板が前記遮断板動作位置から前記遮断板原点位置に移動する遮断板上昇条件をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記可動部材の位置ごとに割り振られた複数の点数と、前記処理流体供給ユニットからの処理流体の吐出状態ごとに割り振られた複数の点数と、を含むテーブルが記憶された記憶装置を含み、
前記制御装置は、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合に、前記処理スケジュールの各時間における点数の合計値を前記テーブルに基づいて求める合計値計算ステップをさらに実行し、
前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記合計値の大きさに応じて前記基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板保持ユニットは、前記チャンバー内で基板を保持しながら回転させるスピンチャックを含み、
前記テーブルは、基板の回転状態ごとに割り振られた複数の点数をさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理流体供給ユニットからの処理流体の吐出状態ごとに割り振られた前記複数の点数は、処理流体としてのリンス液が吐出されている状態に対して割り振られたリンス液の点数と、処理流体としての薬液が吐出されている状態に対して割り振られており、前記リンス液の点数よりも大きい薬液の点数と、を含む、請求項８または９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記テーブルは、点数の合計値を、点数の合計値の大きさに応じて、大きさがそれぞれ異なる複数の加算値がそれぞれ割り振られた複数のグループに分類する一つ以上のしきい値を含み、
前記制御装置は、前記合計値計算ステップで求められた点数の合計値が前記複数のグループのいずれに属するかを前記テーブルに基づいて求めるグループ判定ステップをさらに実行し、
前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記基準値よりも、前記合計値計算ステップで求められた点数の合計値が属する前記グループに割り振られた前記加算値だけ大きくなるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板処理装置は、複数の前記処理ユニットを含み、
前記排気ユニットは、
前記複数の前記処理ユニットにそれぞれ対応しており、前記複数の前記処理ユニットの前記チャンバーから排出された気体を前記排気処理設備に向けて案内する複数の前記個別排気ダクトと、
前記複数の前記個別排気ダクトにそれぞれ対応しており、前記排気処理設備に向かって前記複数の前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する複数の前記個別排気流量調整ユニットと、
前記複数の前記個別排気ダクトのそれぞれが接続された集合排気ダクトと、
前記排気処理設備に向かって前記集合排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する集合排気流量調整ユニットと、を含み、
前記制御装置は、
前記個別排気スケジュール作成ステップで作成された前記個別排気スケジュールの各時間において、前記複数の前記個別排気流量調整ユニットのいずれかの排気流量設定値が前記基準値よりも大きい元圧変更条件が成立するか否かを判断する元圧変更判断ステップと、
前記個別排気スケジュールのいずれかの時間において前記元圧変更条件が成立する場合、前記元圧変更条件が成立する時間における前記集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、各個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値のときの設定値である元圧基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールの各時間における前記集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する集合排気スケジュールを作成する集合排気スケジュール作成ステップと、
前記個別排気スケジュールと並行して前記集合排気スケジュールを実行する集合排気スケジュール実行ステップと、をさらに実行する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記基板処理装置は、複数の前記処理ユニットを含み、
前記排気ユニットは、
前記複数の前記処理ユニットにそれぞれ対応しており、前記複数の前記処理ユニットの前記チャンバーから排出された気体を前記排気処理設備に向けて案内する複数の前記個別排気ダクトと、
前記複数の前記個別排気ダクトにそれぞれ対応しており、前記排気処理設備に向かって前記複数の前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する複数の前記個別排気流量調整ユニットと、
前記複数の前記個別排気ダクトのそれぞれが接続された集合排気ダクトと、
前記排気処理設備に向かって前記集合排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する集合排気流量調整ユニットと、
前記排気処理設備に向かって前記集合排気ダクト内を流れる排気の流量を検出する集合流量計と、を含み、
前記制御装置は、前記集合流量計の検出値に基づいて求められた前記集合排気ダクト内の排気流量が、各個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値のときの値である流量基準値に近づくように、前記集合排気流量調整ユニットを制御する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記集合排気流量調整ユニットは、前記集合排気ダクトを開閉する集合ダンパーと、前記排気処理設備に向かって流れる気流を前記集合排気ダクト内に形成するブロワと、の少なくとも一つを含む、請求項１２または１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記可動部材は、前記個別排気ダクトに向かって前記チャンバーの内部を流れる気体の流路を前記チャンバー内に形成している、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記可動部材は、前記基板保持ユニットの上方の遮断板原点位置と前記遮断板原点位置と前記基板保持ユニットとの間の遮断板動作位置との間で前記チャンバー内を移動可能な遮断板と、前記基板保持ユニットに保持されている基板よりも下方のガード原点位置と前記基板保持ユニットに保持されている基板の周囲に位置するガード動作位置との間で前記チャンバー内を移動可能なスプラッシュガードと、の少なくとも一方を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
複数枚の基板を一枚ずつ処理する処理ユニットと、前記処理ユニット内の気体を排出する排気ユニットと、前記処理ユニットおよび排気ユニットを制御するコンピュータとしての制御装置と、を備える基板処理装置の前記制御装置によって実行される基板処理装置の制御方法において、
前記処理ユニットは、
内部空間を有するチャンバーと、
前記チャンバー内で基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理流体を供給する処理流体供給ユニットと、
互いに離れた位置である原点位置および動作位置の間で前記チャンバー内を移動可能な可動部材と、を含み、
前記排気ユニットは、
前記チャンバーから排出された気体を排気処理設備に向けて案内する個別排気ダクトと、
前記排気処理設備に向かって前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する個別排気流量調整ユニットと、を含み、
前記基板処理装置の制御方法は、
基板を処理するときの前記処理ユニットの動作を時系列で規定する処理スケジュールを作成する処理スケジュール作成ステップと、
前記処理スケジュール作成ステップで作成された前記処理スケジュールの各時間において、前記可動部材が前記原点位置以外の位置に位置している位置条件を含む設定値変更条件が成立するか否かを判断する設定値変更判断ステップと、
前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記可動部材が前記原点位置に位置しているときの設定値である基準値よりも大きな値に設定されるように、前記処理スケジュールの各時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールを作成する個別排気スケジュール作成ステップと、
前記処理スケジュールと並行して前記個別排気スケジュールを実行する個別排気スケジュール実行ステップと、を含む、基板処理装置の制御方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の基板処理装置の制御方法に係る基板処理装置の制御装置によって実行されるコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体において、
コンピュータとしての前記制御装置に前記基板処理装置の制御方法を実行させるようにステップ群が組み込まれたコンピュータプログラムを記録した記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置と、基板処理装置を制御する基板処理装置の制御方法と、基板処理装置の制御装置によって実行されるプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体とに関する。
処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１には、チャンバー本体内の圧力を計測する圧力計の圧力値を監視し、電空レギュレータを流通する流体の圧力を制御するフィードバック制御を行う制御部を備える基板処理装置が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、第１窒素濃度計および第２窒素濃度計の測定の結果に基づいて、濃度可変部における窒素ガスの溶解あるいは脱気を制御するフィードバック制御を行う制御部を備える基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２５２２７５号公報
【特許文献２】特開２００４−７９９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板の処理では排気流量などの流量を最適な値で安定させることが重要であるが、流量を高精度で安定させることは難しい。
従来の基板処理装置は、流量を安定化させるために、計測器などで装置の状態を計測し、フィードバック制御を行っている。しかし、流量に係るフィードバック制御は、流量が安定するまで時間がかかるといった問題がある。
【０００６】
そこで、本発明の目的の一つは、処理ユニットから排出される排気の流量が安定するまでの時間を短縮できる基板処理装置、基板処理装置の制御方法、および記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、複数枚の基板を一枚ずつ処理する処理ユニットと、前記処理ユニットから気体を排出する排気ユニットと、前記処理ユニットおよび排気ユニットを制御するコンピュータとしての制御装置と、を備える、基板処理装置である。
前記処理ユニットは、内部空間を有するチャンバーと、前記チャンバー内で基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理流体を供給する処理流体供給ユニットと、互いに離れた位置である原点位置および動作位置の間で前記チャンバー内を移動可能な可動部材と、を含む。
【０００８】
前記排気ユニットは、前記チャンバーから排出された気体を排気処理設備に向けて案内する個別排気ダクトと、前記排気処理設備に向かって前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する個別排気流量調整ユニットと、を含む。
前記制御装置は、基板を処理するときの前記処理ユニットの動作を時系列で規定する処理スケジュールを作成する処理スケジュール作成ステップと、前記処理スケジュール作成ステップで作成された前記処理スケジュールの各時間において、前記可動部材が前記原点位置以外の位置に位置している位置条件を含む設定値変更条件が成立するか否かを判断する設定値変更判断ステップと、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記可動部材が前記原点位置に位置しているときの設定値である基準値よりも大きな値に設定されるように、前記処理スケジュールの各時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールを作成する個別排気スケジュール作成ステップと、前記処理スケジュールと並行して前記個別排気スケジュールを実行する個別排気スケジュール実行ステップと、を実行する。
【０００９】
設定値変更条件が複数の条件（たとえば、位置条件と処理流体吐出中条件）を含む場合、「設定値変更条件が成立する」とは、「設定値変更条件に含まれる複数の条件の少なくとも一つが成立する」ことを意味する。
処理流体供給ユニットによって基板に供給される処理流体は、処理液であってもよいし、処理ガスであってもよい。処理ガスは、処理剤の蒸気（液状または固体状の処理剤から発生した気体）であってもよいし、処理剤の蒸気またはミストに加えて、キャリアガス（たとえば、不活性ガス）を含む気体であってもよい。
【００１０】
請求項１に係る構成によれば、基板を処理するときの処理ユニットの動作を時系列で規定する処理スケジュールが作成される。この処理スケジュールを参照しながら、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールが作成される。そして、処理スケジュールと並行して個別排気スケジュールが実行される。
設定値変更条件は、可動部材が原点位置以外の位置に位置している位置条件を含む。処理スケジュールのいずれかの時間において、可動部材を原点位置以外の位置に配置するように計画されている場合、すなわち、設定値変更条件が成立する場合、設定値変更条件が成立する時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、可動部材が原点位置に位置しているときの設定値（基準値）よりも大きな値に設定されるように計画される。基板処理装置が複数の可動部材を備える場合、基準値は、全ての可動部材が原点位置に位置しているときの設定値である。
【００１１】
可動部材が原点位置以外の位置に実際に位置しているとき、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、基準値よりも大きい値に設定される。したがって、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）が強くなる。言い換えると、大気圧よりも低い排気圧（負圧）の絶対値が大きくなる。そのため、処理ユニットの排気抵抗（圧力損失）が可動部材の位置に応じて増加したとしても、それに応じて排気圧が強くなるので、処理ユニットから排出される排気の流量の変動を抑えることができる。
【００１２】
さらに、個別排気スケジュールは、処理スケジュールと並行して実行される。つまり、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、処理ユニットから排出される気体の流量が実際に変化した後に変更されるのではなく、流量の変化が発生する前に調整される。したがって、フィードバック制御が行われる場合よりも排気流量が安定するまでの時間を短縮できる。
【００１３】
個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールは、処理スケジュールに基づいて作成される。同じレシピを実行する場合でも、排気流量に影響するパラメータは異なることがある。したがって、個々の処理スケジュールに基づいて個別排気スケジュールを作成することにより、いずれの基板の処理でも排気流量を最適化できる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記設定値変更条件は、前記処理流体供給ユニットが処理流体を吐出している処理流体吐出中条件をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理流体を吐出するように計画されている場合にも、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。
【００１５】
処理流体が吐出されている場合（特に、処理液が吐出されている場合）、ミストが処理ユニット内に発生し易い。ミストが基板に付着すると、基板が汚染される場合がある。また、ミストが基板の汚染原因の一つであるパーティクルに変化し、パーティクルが処理ユニット内を浮遊する場合がある。したがって、処理流体が実際に吐出されているときに、排気圧を強くすることにより、ミストを処理ユニット内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板の汚染を低減できる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記処理流体供給ユニットは、処理流体としての薬液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出する薬液ノズルを含み、前記設定値変更条件は、前記薬液ノズルが薬液の吐出を開始する薬液吐出開始条件をさらに含み、前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されると共に、前記薬液吐出開始条件が成立する時間よりも前から前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
【００１７】
この構成によれば、処理流体としての薬液を吐出するように計画されている場合にも、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。薬液が吐出されている場合、薬液のミストが処理ユニット内に発生し易い。さらに、薬液のミストは、純水などのリンス液のミストよりも基板を汚染する可能性が高い。したがって、薬液が実際に吐出されているときに、排気圧を強くすることにより、薬液のミストを処理ユニット内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板の汚染を低減できる。
【００１８】
さらに、薬液吐出開始条件が成立する時間よりも前から、すなわち、薬液の吐出が開始される前から、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。そして、薬液の吐出が継続している間も、排気圧が強くされた状態が維持されるように計画される。したがって、排気圧が強められた状態で薬液の吐出が開始されるので、薬液の吐出直後から薬液のミストを効率的に排出できる。これにより、チャンバー内における薬液のミストの残留量を低減でき、ミストやパーティクルの付着による基板の汚染を低減できる。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、前記処理流体供給ユニットは、処理流体としての薬液を前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出する薬液ノズルを含み、前記設定値変更条件は、前記薬液ノズルが薬液の吐出を終了する薬液吐出終了条件をさらに含み、前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されると共に、前記薬液吐出開始条件が成立する時間よりも後まで前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２０】
この構成によれば、薬液吐出終了条件が成立する時間よりも後、すなわち、薬液の吐出が停止された後も、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。したがって、薬液の吐出停止後にチャンバー内を浮遊する薬液のミストを確実に排出できる。これにより、チャンバー内における薬液のミストの残留量を低減でき、ミストやパーティクルの付着による基板の汚染を低減できる。
【００２１】
請求項５に記載の発明は、前記基板保持ユニットは、前記チャンバー内で基板を保持しながら回転させるスピンチャックを含み、前記設定値変更条件は、基板が回転している基板回転条件をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、スピンチャックが基板を回転させるように計画されている場合にも、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。
【００２２】
処理液が付着している基板が回転すると、基板から処理液が飛散するので、ミストが発生し易い。したがって、基板が実際に回転しているときに、排気圧を強くすることにより、ミストを処理ユニット内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板の汚染を低減できる。
請求項６に記載の発明は、前記基板回転条件は、前記処理流体供給ユニットが処理流体（たとえば、処理液）を吐出しているときの基板の回転速度よりも大きい乾燥速度で、基板が回転している乾燥実行条件を含む、請求項５に記載の基板処理装置である。
【００２３】
この構成によれば、基板が乾燥速度で回転しているときに、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）が強められる。
乾燥速度は、処理流体供給ユニットが処理流体を吐出しているときの基板の回転速度よりも大きい回転速度である。基板の回転速度が増加すると、基板に付着している処理液に働く遠心力も増加するので、基板から飛散する処理液の量が増加する。したがって、基板が乾燥速度で回転しているときは、ミストが発生し易い。そのため、基板が乾燥速度で回転しているときに、排気圧を強めることにより、ミストを処理ユニット内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、前記可動部材は、前記基板保持ユニットの上方の遮断板原点位置と前記遮断板原点位置と前記基板保持ユニットとの間の遮断板動作位置との間で、前記チャンバー内を移動可能な遮断板を含み、前記設定値変更条件は、前記遮断板が前記遮断板動作位置から前記遮断板原点位置に移動する遮断板上昇条件をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２５】
この構成によれば、遮断板を上方に移動させるように計画されている場合にも、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。
遮断板が遮断板動作位置から遮断板原点位置に上昇すると、遮断板が基板から離れ、遮断板と基板との間隔が広がる。遮断板の上昇速度が大きいと、遮断板と基板との間の気圧が低下し、チャンバー内の雰囲気が遮断板と基板との間に吸い込まれる。そのため、基板の周囲を浮遊するミストやパーティクルが基板に付着するおそれがある。
【００２６】
遮断板の上昇速度を低下させれば、負圧の発生による雰囲気の吸い込みが低減されると考えられる。しかしながら、遮断板の上昇速度が遅いと、基板の処理に要する時間が増加するので、基板処理装置のスループット（単位時間あたりの基板の処理枚数）が減少するおそれがある。
遮断板と基板との間隔が広がるときに排気圧を強くすれば、基板の周囲の雰囲気が個別排気ダクトの方に強制的に吸い寄せられるので、遮断板と基板との間への雰囲気の進入が抑制される。したがって、遮断板の上昇速度を低下させずに、基板の周囲の雰囲気が基板に接触することを抑制または防止できる。そのため、スループットを維持しながら、基板の汚染を低減できる。
【００２７】
請求項８に記載の発明は、前記制御装置は、前記可動部材の位置ごとに割り振られた複数の点数と、前記処理流体供給ユニットからの処理流体の吐出状態ごとに割り振られた複数の点数と、を含むテーブルが記憶された記憶装置を含み、前記制御装置は、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合に、前記処理スケジュールの各時間における点数の合計値を前記テーブルに基づいて求める合計値計算ステップをさらに実行し、前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記合計値の大きさに応じて前記基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２８】
この構成によれば、複数の点数を含むテーブルが制御装置の記憶装置に記憶されている。複数の点数は、処理ユニットの稼動状況ごとに割り振られている。具体的には、テーブルは、可動部材の原点位置および動作位置にそれぞれ割り振られた複数の点数と、処理流体の吐出中状態および吐出停止状態にそれぞれ割り振られた複数の点数と、を含む。
処理スケジュールのいずれかの時間において設定値変更条件が成立する場合、処理スケジュールの各時間における点数の合計値が計算される。そして、処理スケジュールの各時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、点数の合計値の大きさに応じて基準値よりも大きな値に設定されるように計画される。したがって、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）は、処理ユニットの稼動状況に応じて調整される。そのため、チャンバー内の気流を理想的な状態に近づけることができる。
【００２９】
請求項９に記載の発明は、前記基板保持ユニットは、前記チャンバー内で基板を保持しながら回転させるスピンチャックを含み、前記テーブルは、基板の回転状態ごとに割り振られた複数の点数をさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、制御装置の記憶装置に記憶されたテーブルは、可動部材の位置ごとに割り振られた複数の点数と、処理流体の吐出状態ごとに割り振られた複数の点数と、に加えて、基板の回転中状態および回転停止状態にそれぞれ割り振られた複数の点数を含む。したがって、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）は、基板の回転状態をも考慮した大きさに調整される。そのため、チャンバー内の気流を理想的な状態に近づけることができる。
【００３０】
請求項１０に記載の発明は、前記処理流体供給ユニットからの処理流体の吐出状態ごとに割り振られた前記複数の点数は、処理流体としてのリンス液が吐出されている状態に対して割り振られたリンス液の点数と、処理流体としての薬液が吐出されている状態に対して割り振られており、前記リンス液の点数よりも大きい薬液の点数と、を含む、請求項８または９に記載の基板処理装置である。
【００３１】
この構成によれば、制御装置の記憶装置に記憶されたテーブルは、リンス液の吐出中状態に対して割り振られたリンス液の点数と、薬液の吐出中状態に対して割り振られた薬液の点数と、を含んでいる。薬液の点数は、リンス液の点数よりも大きい。したがって、処理ユニットの他の稼動状況が同じであれば、薬液が吐出されているときの点数の合計値は、リンス液が吐出されているときの点数の合計値よりも大きい。
【００３２】
前述のように、処理スケジュールの各時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、点数の合計値の大きさに応じて基準値よりも大きな値に設定されるように計画される。点数の合計値が大きければ、チャンバー内の気体を個別排気ダクト内に排出する力（排気圧）が強いので、チャンバー内の気体が確実に排出される。
薬液のミストは、純水などのリンス液のミストよりも基板を汚染する可能性が高い。したがって、薬液が実際に吐出されているときに、排気圧を強くすることにより、薬液のミストを処理ユニット内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板の汚染を低減できる。
【００３３】
請求項１１に記載の発明は、前記テーブルは、点数の合計値を、点数の合計値の大きさに応じて、大きさがそれぞれ異なる複数の加算値がそれぞれ割り振られた複数のグループに分類する一つ以上のしきい値を含み、前記制御装置は、前記合計値計算ステップで求められた点数の合計値が前記複数のグループのいずれに属するかを前記テーブルに基づいて求めるグループ判定ステップをさらに実行し、前記個別排気スケジュール作成ステップは、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記基準値よりも、前記合計値計算ステップで求められた点数の合計値が属する前記グループに割り振られた前記加算値だけ大きくなるように、前記個別排気スケジュールを作成するステップを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００３４】
この構成によれば、点数の合計値を複数のグループに分類する一つ以上のしきい値が、制御装置の記憶装置に記憶されたテーブルに含まれている。点数の合計値が複数のグループのいずれに属するかは、テーブルに基づいて求められる。
処理スケジュールの各時間における点数の合計値が異なる場合でも、グループが共通であれば、このグループに割り振られた加算値が、個別排気流量調整ユニットの基準値に加えられる。言い換えると、点数の合計値が変わったとしても、合計値が属するグループが同じであれば、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は変わらない。したがって、点数の合計値が変化するたびに排気の強さを変更する場合よりも、制御の複雑化を防止できる。
【００３５】
請求項１２に記載の発明は、前記基板処理装置は、複数の前記処理ユニットを含み、前記排気ユニットは、前記複数の前記処理ユニットにそれぞれ対応しており、前記複数の前記処理ユニットの前記チャンバーから排出された気体を前記排気処理設備に向けて案内する複数の前記個別排気ダクトと、前記複数の前記個別排気ダクトにそれぞれ対応しており、前記排気処理設備に向かって前記複数の前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する複数の前記個別排気流量調整ユニットと、前記複数の前記個別排気ダクトのそれぞれが接続された集合排気ダクトと、前記排気処理設備に向かって前記集合排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する集合排気流量調整ユニットと、を含み、前記制御装置は、前記個別排気スケジュール作成ステップで作成された前記個別排気スケジュールの各時間において、前記複数の前記個別排気流量調整ユニットのいずれかの排気流量設定値が前記基準値よりも大きい元圧変更条件が成立するか否かを判断する元圧変更判断ステップと、前記個別排気スケジュールのいずれかの時間において前記元圧変更条件が成立する場合、前記元圧変更条件が成立する時間における前記集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、各個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値のときの設定値である元圧基準値よりも大きな値に設定されるように、前記個別排気スケジュールの各時間における前記集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する集合排気スケジュールを作成する集合排気スケジュール作成ステップと、前記個別排気スケジュールと並行して前記集合排気スケジュールを実行する集合排気スケジュール実行ステップと、をさらに実行する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００３６】
この構成によれば、複数の処理ユニット内の気体が、それぞれ、複数の個別排気ダクトに排出される。各個別排気ダクト内を排気処理設備に向かって下流側に流れる排気は、集合排気ダクト内に排出される。排気処理設備に向かって集合排気ダクト内を流れる排気の流量は、集合排気流量調整ユニットによって調整される。
集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する集合排気スケジュールは、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールを参照しながら作成される。そして、個別排気スケジュールと並行して集合排気スケジュールが実行される。
【００３７】
個別排気スケジュールのいずれかの時間において、いずれかの個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値よりも大きい元圧変更条件が成立する場合、元圧変更条件が成立する時間における集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、各個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値であるときの設定値（元圧基準値）よりも大きな値に設定されるように計画される。
【００３８】
いずれかの個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値よりも大きいと、集合排気ダクト内の排気圧が低下し、この排気圧の低下の影響が他の処理ユニットに及ぶ場合がある。したがって、集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値を元圧基準値よりも大きくすることにより、他の処理ユニットから排出される排気の流量の減少を抑制または防止できる。これにより、他の処理ユニットでの圧力変動を抑制または防止できる。
【００３９】
さらに、集合排気スケジュールは、個別排気スケジュールと並行して実行される。つまり、集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、集合排気ダクト内を流れる排気の流量が実際に変化した後に変更されるのではなく、流量の変化が発生する前に調整される。したがって、フィードバック制御が行われる場合よりも排気流量が安定するまでの時間を短縮できる。
【００４０】
請求項１３に記載の発明は、前記基板処理装置は、複数の前記処理ユニットを含み、前記排気ユニットは、前記複数の前記処理ユニットにそれぞれ対応しており、前記複数の前記処理ユニットの前記チャンバーから排出された気体を前記排気処理設備に向けて案内する複数の前記個別排気ダクトと、前記複数の前記個別排気ダクトにそれぞれ対応しており、前記排気処理設備に向かって前記複数の前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する複数の前記個別排気流量調整ユニットと、前記複数の前記個別排気ダクトのそれぞれが接続された集合排気ダクトと、前記排気処理設備に向かって前記集合排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する集合排気流量調整ユニットと、前記排気処理設備に向かって前記集合排気ダクト内を流れる排気の流量を検出する集合流量計と、を含み、前記制御装置は、前記集合流量計の検出値に基づいて求められた前記集合排気ダクト内の排気流量が、各個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が前記基準値のときの値である流量基準値に近づくように、前記集合排気流量調整ユニットを制御する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００４１】
この構成によれば、集合流量計の検出値に基づいて集合排気ダクト内の排気流量が求められる。集合排気ダクトは、複数の個別排気ダクトのそれぞれに接続されている。集合排気ダクト内の排気流量が変動すると、各個別排気ダクト内を流れる排気の流量も変動する。集合排気ダクト内の排気流量が変動すると、制御装置は、集合排気ダクト内の排気流量が流量基準値に近づくように、集合排気流量調整ユニットを制御するフィードバック制御を行う。これにより、各処理ユニットから排出される排気の流量の変化を低減でき、各処理ユニットでの圧力変動を抑制または防止できる。
【００４２】
請求項１４に記載の発明は、前記集合排気流量調整ユニットは、前記集合排気ダクトを開閉する集合ダンパーと、前記排気処理設備に向かって流れる気流を前記集合排気ダクト内に形成するブロワと、の少なくとも一つを含む、請求項１２または１３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、集合ダンパーとブロワとの少なくとも一つが、集合排気流量調整ユニットに設けられている。
【００４３】
集合ダンパーが集合排気ダクトの流路面積を増加または減少させると、集合排気ダクト内を流れる排気の流量が増加または減少する。また、ブロワの送風により排気処理設備に向かって流れる気流が集合排気ダクト内に形成されると、集合排気ダクトからの気体の排出が促進されるので、集合排気ダクト内を流れる排気の流量が増加する。これにより、排気処理設備に向かって集合排気ダクト内を流れる排気の流量が調整される。
【００４４】
さらに、ブロワが送風を行うと、集合排気ダクト内の気体がブロワによって強制的に排出されるので、集合排気ダクト内の排気圧が高まる（排気圧の絶対値が大きくなる）。したがって、排気設備の吸引力が十分でない場合でも、ブロワを作動させることにより、集合排気ダクト内の排気圧を一定の圧力に保つことができる。これにより、各処理ユニットでの圧力変動を抑制または防止できる。
【００４５】
請求項１５に記載の発明は、前記可動部材は、前記個別排気ダクトに向かって前記チャンバーの内部を流れる気体の流路を前記チャンバー内に形成している、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。前記動作位置は、前記可動部材が前記原点位置に位置しているときよりも前記チャンバー内流路の圧力損失が大きい位置である。
この構成によれば、個別排気ダクトに向かってチャンバーの内部を流れる気体の流路が、可動部材によってチャンバー内に形成されている。したがって、可動部材がチャンバー内を移動すると、流路の形状が変化するので、処理ユニットの排気抵抗が変化する。そのため、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を、可動部材の位置に応じて変更することにより、処理ユニットから排出される気体の流量を安定させることができる。
【００４６】
請求項１６に記載の発明は、前記可動部材は、前記基板保持ユニットの上方の遮断板原点位置と前記遮断板原点位置と前記基板保持ユニットとの間の遮断板動作位置との間で前記チャンバー内を移動可能な遮断板と、前記基板保持ユニットに保持されている基板よりも下方のガード原点位置と前記基板保持ユニットに保持されている基板の周囲に位置するガード動作位置との間で前記チャンバー内を移動可能なスプラッシュガードと、の少なくとも一方を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。遮断板原点位置およびガード原点位置は、いずれも原点位置である。同様に、遮断板動作位置およびガード動作位置は、いずれも動作位置である。
【００４７】
請求項１７に記載の発明は、複数枚の基板を一枚ずつ処理する処理ユニットと、前記処理ユニット内の気体を排出する排気ユニットと、前記処理ユニットおよび排気ユニットを制御するコンピュータとしての制御装置と、を備える基板処理装置の前記制御装置によって実行される基板処理装置の制御方法である。
前記処理ユニットは、内部空間を有するチャンバーと、前記チャンバー内で基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理流体を供給する処理流体供給ユニットと、互いに離れた位置である原点位置および動作位置の間で前記チャンバー内を移動可能な可動部材と、を含む。
【００４８】
前記排気ユニットは、前記チャンバーから排出された気体を排気処理設備に向けて案内する個別排気ダクトと、前記排気処理設備に向かって前記個別排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する個別排気流量調整ユニットと、を含む。
前記基板処理装置の制御方法は、基板を処理するときの前記処理ユニットの動作を時系列で規定する処理スケジュールを作成する処理スケジュール作成ステップと、前記処理スケジュール作成ステップで作成された前記処理スケジュールの各時間において、前記可動部材が前記原点位置以外の位置に位置している位置条件を含む設定値変更条件が成立するか否かを判断する設定値変更判断ステップと、前記処理スケジュールのいずれかの時間において前記設定値変更条件が成立する場合、前記設定値変更条件が成立する時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が、前記可動部材が前記原点位置に位置しているときの設定値である基準値よりも大きな値に設定されるように、前記処理スケジュールの各時間における前記個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールを作成する個別排気スケジュール作成ステップと、前記処理スケジュールと並行して前記個別排気スケジュールを実行する個別排気スケジュール実行ステップと、を含む。この方法によれば、前述の効果と同様の効果を奏することができる。
【００４９】
請求項１８に記載の発明は、請求項１７に記載の基板処理装置の制御方法に係る基板処理装置の制御装置によって実行されるコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体である。前記記録媒体は、コンピュータとしての前記制御装置に前記基板処理装置の制御方法を実行させるようにステップ群が組み込まれたコンピュータプログラムを記録している。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【図２】処理ユニットを水平に見たときの処理ユニットの内部を示す模式図である。
【図３】処理ユニットおよび排出ユニットを示す模式図である。
【図４】基板処理装置の排気系統を示すブロック図である。
【図５】制御装置の物理的な構成を示すブロック図である。
【図６】制御装置の機能的な構成を示すブロック図である。
【図７】制御装置に記憶されている点数表を示す図である。
【図８】制御装置に記憶されている分類表を示す図である。
【図９】制御装置によって作成された処理スケジュールおよび個別排気スケジュールの一例を示す図である。
【図１０】制御装置によって作成された集合排気スケジュールの一例を示す図である。
【図１１】処理スケジュールの作成および実行の流れを示すフローチャートである。
【図１２】処理スケジュールで計画された各工程が実行されるときの流れを示すフローチャートである。
【図１３】個別排気スケジュールの作成および実行の流れを示すフローチャートである。
【図１４】集合排気スケジュールの作成および実行の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持する複数のロードポート２と、基板Ｗを処理する複数（たとえば１２台）の処理ユニット３と、を備えている。基板処理装置１は、さらに、ロードポート２に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う搬送ロボットとしてのインデクサロボットＩＲと、処理ユニット３に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う搬送ロボットとしてのセンターロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置や機器を制御する制御装置４と、を備えている。
【００５２】
図１に示すように、収容器保持ユニットとしてのロードポート２は、処理ユニット３から水平方向に離れた位置に配置されている。複数のロードポート２は、複数のキャリアＣが水平な配列方向Ｄ１に配列されるように、複数のキャリアＣを保持している。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗが水平な姿勢で間隔を空けて上下に積層されるように当該複数枚の基板Ｗを収容可能な収容器である。
【００５３】
図１に示すように、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。２つのハンドＨは、異なる高さに配置されている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。インデクサロボットＩＲは、水平方向および鉛直方向の少なくとも一方にハンドＨを移動させる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。インデクサロボットＩＲは、受渡位置（図１に示す位置）を通る経路に沿って配列方向Ｄ１に移動する。受渡位置は、平面視で、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲが配列方向Ｄ１に直交する方向に対向する位置である。
【００５４】
インデクサロボットＩＲは、水平方向および鉛直方向の少なくとも一方にハンドＨを移動させることにより、センターロボットＣＲまたは任意のキャリアＣにハンドＨを対向させる。インデクサロボットＩＲは、キャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作と、キャリアＣから基板Ｗを搬出する搬出動作とを行う。また、インデクサロボットＩＲは、センターロボットＣＲと協働して、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの一方から他方に基板Ｗを移動させる受渡動作を受渡位置で行う。
【００５５】
図１に示すように、センターロボットＣＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。２つのハンドＨは、異なる高さに配置されている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。センターロボットＣＲは、水平方向および鉛直方向の少なくとも一方にハンドＨを移動させる。さらに、センターロボットＣＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。センターロボットＣＲは、平面視において複数の処理ユニット３に取り囲まれている。複数の処理ユニット３は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された４つの塔を形成している。各塔は、上下に積層された３台の処理ユニット３によって構成されている。
【００５６】
センターロボットＣＲは、水平方向および鉛直方向の少なくとも一方にハンドＨを移動させることにより、任意の処理ユニット３およびインデクサロボットＩＲにハンドＨを対向させる。そして、センターロボットＣＲは、処理ユニット３に基板Ｗを搬入する搬入動作と、処理ユニット３から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。また、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと協働して、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの一方から他方に基板Ｗを移動させる受渡動作を行う。
【００５７】
複数枚の基板Ｗを処理するとき、制御装置４は、インデクサロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、および処理ユニット３等を制御することにより、以下の一連の動作を基板処理装置１に繰り返させる。
具体的には、制御装置４は、ロードポート２に保持されているキャリアＣ内の未処理の基板ＷをインデクサロボットＩＲに搬出させる。その後、制御装置４は、未処理の基板ＷをインデクサロボットＩＲからセンターロボットＣＲに移動させる。続いて、制御装置４は、センターロボットＣＲに未処理の基板Ｗをいずれかの処理ユニット３に搬入させる。その後、制御装置４は、処理ユニット３に未処理の基板Ｗを処理させる。
【００５８】
制御装置４は、処理ユニット３内の処理済みの基板ＷをセンターロボットＣＲに搬出させる。その後、制御装置４は、処理済みの基板ＷをセンターロボットＣＲからインデクサロボットＩＲに移動させる。続いて、制御装置４は、インデクサロボットＩＲに処理済みの基板ＷをいずれかのキャリアＣに搬入させる。このようにして、ロードポート２に保持されているキャリアＣ内の未処理の基板Ｗが処理ユニット３で処理され、処理ユニット３で処理された基板Ｗが、ロードポート２に保持されているキャリアＣ内に収容される。
【００５９】
図２に示すように、各処理ユニット３は、処理液を用いて複数枚の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式のユニットである。各処理ユニット３は、内部空間を有する箱形のチャンバー５と、チャンバー５内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック８と、を備えている。各処理ユニット３は、さらに、スピンチャック８に保持されている基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数のノズル（第１薬液ノズル１２、第２薬液ノズル１３、リンス液ノズル１４）と、水平な姿勢でスピンチャック８の上方に配置された円板状の遮断板３０と、スピンチャック８を取り囲む筒状の処理液捕獲部材１５と、を備えている。遮断板３０および処理液捕獲部材１５は、いずれも、排気口としての排出口２７に向かってチャンバー５の内部を流れる気体の流路をチャンバー５内に形成する可動部材の一例である。
【００６０】
図２に示すように、チャンバー５は、スピンチャック８等を収容する箱形の隔壁６と、隔壁６の上部から隔壁６内にクリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ７（ファン・フィルタ・ユニット７）と、を備えている。ＦＦＵ７は、隔壁６の上方に配置されている。ＦＦＵ７は、隔壁６の天井からチャンバー５内に一定の流量で下向きにクリーンエアーを送る。これにより、チャンバー５内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ７によって形成される。基板Ｗは、チャンバー５内にダウンフローが形成されている状態で処理される。
【００６１】
図２に示すように、スピンチャック８は、基板Ｗの周端面に押し付けられる複数のチャックピン９と、複数のチャックピン９と共に回転軸線Ａまわりに回転可能な円板状のスピンベース１０と、チャックピン９およびスピンベース１０を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１１とを含む。スピンチャック８は、複数のチャックピン９を備えるメカニカルチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着ベースとしてのスピンベース１０の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００６２】
図２に示すように、複数のノズルは、基板Ｗに向けて第１薬液を吐出する第１薬液ノズル１２と、基板Ｗに向けて第２薬液を吐出する第２薬液ノズル１３と、基板Ｗに向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル１４とを含む。
図２に示すように、処理ユニット３は、第１薬液ノズル１２に接続された第１薬液配管３７と、第１薬液配管３７に介装された第１薬液バルブ３８とを含む。同様に、処理ユニット３は、第２薬液ノズル１３に接続された第２薬液配管４０と、第２薬液配管４０に介装された第２薬液バルブ４１と、を含む。処理ユニット３は、さらに、リンス液ノズル１４に接続されたリンス液配管４３と、リンス液配管４３に介装されたリンス液バルブ４４とを含む。
【００６３】
第１薬液バルブ３８が開かれると、第１薬液供給源からの第１薬液が、第１薬液ノズル１２から吐出される。同様に、第２薬液バルブ４１が開かれると、第２薬液供給源からの第２薬液が、第２薬液ノズル１３から吐出される。リンス液バルブ４４が開かれると、リンス液供給源からのリンス液が、リンス液ノズル１４から吐出される。
第１薬液の一例は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液である。
【００６４】
同様に、第２薬液の一例は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液である。第１薬液および第２薬液は、互いに異なる種類の薬液であってもよいし、同種の薬液であってもよい。
【００６５】
リンス液の例は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）である。リンス液は、純水に限らず、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
図２に示すように、処理ユニット３は、処理位置（図２に示す第１薬液ノズル１２の位置）と退避位置との間で第１薬液ノズル１２を移動させる第１薬液ノズル移動ユニット３９と、処理位置と退避位置（図２に示す第２薬液ノズル１３の位置）との間で第２薬液ノズル１３を移動させる第２薬液ノズル移動ユニット４２と、処理位置と退避位置との間でリンス液ノズル１４を移動させるリンス液ノズル移動ユニット４５と、を含む。処理位置は、ノズルから吐出された処理液が基板Ｗの上面に着液する位置であり、退避位置は、ノズルが基板Ｗの上方から退避した位置である。
【００６６】
図２に示すように、遮断板３０は、外径が基板Ｗの外径よりも大きい円板状である。遮断板３０は、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びる支軸３２によって水平な姿勢で支持されている。支軸３２は、遮断板３０の上方で水平に延びる支持アーム３３に支持されている。遮断板３０は、支軸３２の下方に配置されている。遮断板３０の中心軸線は、回転軸線Ａ１上に配置されている。遮断板３０の下面（対向面）は、基板Ｗの上面に対向している。遮断板３０は、ガスバルブ３５が介装されたガス配管３６に接続されている。ガスバルブ３５が開かれると、ガス配管３６から遮断板３０に供給された気体（たとえば、窒素ガス）が、遮断板３０の下面中央部で開口する中心開口３１から下方に吐出される。
【００６７】
図３に示すように、処理ユニット３は、支持アーム３３を鉛直方向に昇降させることにより、支持アーム３３と共に、遮断板３０および支軸３２を昇降させる遮断板昇降ユニット３４を含む。遮断板昇降ユニット３４は、遮断板３０の下面がスピンチャック８に保持されている基板Ｗの上面に近接する近接位置（図３に示す位置）と、近接位置の上方に設けられた退避位置（図２に示す位置）との間で、遮断板３０を昇降させる。退避位置は、各ノズル１２〜１４が基板Ｗと遮断板３０との間に進入できるように遮断板３０が基板Ｗから離れた原点位置である。近接位置は、各ノズル１２〜１４が基板Ｗと遮断板３０との間に進入できないように遮断板３０が基板Ｗに近づいた動作位置である。遮断板昇降ユニット３４は、近接位置から退避位置までの任意の位置（高さ）に遮断板３０を位置させることができる。
【００６８】
図３に示すように、処理液捕獲部材１５は、基板Ｗから外方に飛散する処理液を受け止める筒状のスプラッシュガード１６と、スプラッシュガード１６によって案内される処理液を受け止める筒状のカップ２２と、スプラッシュガード１６を昇降させるガード昇降ユニット２９と、を備えている。
図３に示すように、スプラッシュガード１６は、カップ２２の上方に配置されている。スプラッシュガード１６は、スピンチャック８を取り囲んでいる。スプラッシュガード１６の内周面は、直径がスピンベース１０の外径よりも大きいガード開口１７を形成する上端を含む。スプラッシュガード１６は、内向き（回転軸線Ａ１に向かう方向）に開いたＶ字状の断面を有する環状の上捕獲部１８と、上捕獲部１８の下端からカップ２２に向かって延びる筒状の上案内部１９と、を備えている。スプラッシュガード１６は、さらに、斜め下に内向きに開いた弓形の断面を有する環状の下捕獲部２０と、カップ２２の一部（後述するカップ２２の内壁２４）を収容する環状の収容部２１と、を備えている。
【００６９】
図３に示すように、カップ２２は、スピンチャック８を取り囲む底壁２３と、底壁２３から上方に延びる筒状の内壁２４と、内壁２４の周囲で底壁２３から上方に延びる筒状の外壁２５と、を備えている。内壁２４は、スピンチャック８を取り囲んでおり、外壁２５は、内壁２４を取り囲んでいる。カップ２２は、底壁２３の上面と内壁２４の内周面とによって、スピンチャック８を取り囲む環状の排液溝２６を形成している。カップ２２は、さらに、底壁２３の上面と内壁２４の外周面と外壁２５の内周面とによって、排液溝２６を取り囲む環状の回収溝２８を形成している。排液溝２６および回収溝２８は、いずれも上向きに開いている。スプラッシュガード１６の上案内部１９は、排液溝２６の上方に配置されている。スプラッシュガード１６の収容部２１は、内壁２４の上方に配置されている。スプラッシュガード１６の下捕獲部２０は、回収溝２８の上方に配置されている。
【００７０】
図３に示すように、ガード昇降ユニット２９は、下位置（図３で実線で示す位置）、中間位置（図３で二点鎖線で示す位置）、および上位置（図２に示す位置）を含む複数の位置にスプラッシュガード１６を移動させる。下位置は、スピンチャック８による基板Ｗの保持位置よりも下方にスプラッシュガード１６が配置される受渡位置である。中間位置は、上捕獲部１８がスピンチャック８に保持されている基板Ｗの周端面に水平に対向する排液位置である。上位置は、下捕獲部２０がスピンチャック８に保持されている基板Ｗの周端面に水平に対向する回収位置である。下位置は、原点位置であり、中間位置および上位置は、動作位置である。中間位置は、下位置よりも上方の位置であり、上位置は、中間位置よりも上方の位置である。したがって、ガード開口１７の高さは、スプラッシュガード１６が下位置に位置しているときが最も低く、スプラッシュガード１６が上位置に位置しているときが最も高い。
【００７１】
センターロボットＣＲがスピンチャック８上に基板Ｗを置いたりスピンチャック８から基板Ｗを取ったりするとき、制御装置４は、ガード昇降ユニット２９によってスプラッシュガード１６を下位置に位置させる。基板Ｗから外方に飛散した処理液をスプラッシュガード１６の上捕獲部１８で受け止めるとき、制御装置４は、ガード昇降ユニット２９によってスプラッシュガード１６を排液位置としての中間位置に位置させる。また、基板Ｗから外方に飛散した処理液をスプラッシュガード１６の下捕獲部２０で受け止めるとき、制御装置４は、ガード昇降ユニット２９によってスプラッシュガード１６を回収位置としての上位置に位置させる。
【００７２】
スプラッシュガード１６が中間位置に位置しているとき、基板Ｗから排出された処理液は、スプラッシュガード１６の上捕獲部１８によって受け止められ、スプラッシュガード１６の上案内部１９を伝ってカップ２２の排液溝２６内に流下する。また、スプラッシュガード１６が上位置に位置しているとき、基板Ｗから排出された処理液は、スプラッシュガード１６の下捕獲部２０によって受け止められ、スプラッシュガード１６の下捕獲部２０からカップ２２の回収溝２８内に流下する。これにより、スプラッシュガード１６によって受け止められた処理液が、カップ２２の排液溝２６または回収溝２８に案内される。
【００７３】
図３に示すように、基板処理装置１は、複数の処理ユニット３から気体および液体を排出する排出する排出ユニット４６を備えている。排出ユニット４６は、排気ユニットの一例である。
図３に示すように、排出ユニット４６は、カップ２２の回収溝２８から排出される処理液を案内する回収配管４７と、排液溝２６内で開口する排出口２７を通じてカップ２２の排液溝２６から排出される流体（気体および液体の少なくとも一方）を案内する排出配管４８と、排出配管４８によって処理液捕獲部材１５から排出された、気体および液体の混合流体から液体を分離する気液分離ボックス４９（ミストセパレータ）と、気液分離ボックス４９内の液体を排出する排液配管５０と、を備えている。
【００７４】
図３に示すように、排出ユニット４６は、気液分離ボックス４９内の気体を排出する個別排気ダクト５１と、個別排気ダクト５１内を流れる排気の流量を検出する個別流量計５２と、個別排気ダクト５１内を流れる排気の流量を調整する個別ダンパー５３と、個別ダンパー５３を制御することにより個別ダンパー５３の開度を調整する個別制御装置５８と、を備えている。個別ダンパー５３は、個別排気流量調整ユニットの一例である。個別ダンパー５３の開度の設定値は、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値の一例である。
【００７５】
個別制御装置５８は、個別流量計５２の検出値に基づいて個別排気ダクト５１内を流れる排気の流量を演算する。個別流量計５２は、たとえば、個別排気ダクト５１内の排気圧（気圧）を検出する圧力計である。この場合、制御装置４は、個別排気ダクト５１内の排気圧に応じて変化する個別流量計５２の検出値に基づいて個別排気ダクト５１内を流れる排気の流量を演算する。また、制御装置４は、個別ダンパー５３の開度の設定値（目標値）を個別制御装置５８に送る。個別制御装置５８は、制御装置４から送られた設定値と個別ダンパー５３の実際の開度との差が減少するように、個別ダンパー５３の開度を増加または減少させる。
【００７６】
図３に示すように、個別ダンパー５３は、排気を案内する排気流路を形成するダンパー本体５４と、ダンパー本体５４によって形成された排気流路を開閉する弁体５５と、弁体５５を移動させることにより個別ダンパー５３の開度（排気流路の流路面積）を変更するアクチュエータ５６と、弁体５５の位置を検出する位置センサー５７と、を備えている。個別ダンパー５３のダンパー本体５４は、個別排気ダクト５１に介装されている。
【００７７】
図４に示すように、個別制御装置５８は、位置センサー５７の検出値に基づいて個別ダンパー５３の開度を演算する開度演算部５９と、個別ダンパー５３のアクチュエータ５６を駆動するダンパー駆動部６０と、個別ダンパー５３の実際の開度と開度の設定値との差を減少させる指令をダンパー駆動部６０に与える開度制御部６１と、を含む。
個別ダンパー５３の開度の設定値は、制御装置４から個別制御装置５８の開度制御部６１に送られる。開度制御部６１は、開度演算部５９によって演算された個別ダンパー５３の実際の開度と設定値とを比較し、個別ダンパー５３の実際の開度と設定値との差を減少させる指令をダンパー駆動部６０に送る。ダンパー駆動部６０は、開度制御部６１からの指令に応じて、個別ダンパー５３の開度が増加または減少するように、アクチュエータ５６を駆動する。これにより、個別ダンパー５３の実際の開度が設定値に近づけられる。
【００７８】
個別ダンパー５３の開度が増加または減少すると、個別ダンパー５３の流路面積および排気抵抗（圧力損失）が変化する。したがって、個別ダンパー５３の開度が増加または減少すると、個別排気ダクト５１内の排気圧および排気流量が変化する。そのため、制御装置４は、開度の設定値を個別制御装置５８に送ることにより、個別排気ダクト５１内の実際の排気圧および排気流量を目標とする排気圧および排気流量に近づけることができる。
【００７９】
図４に示すように、排出ユニット４６は、複数の処理ユニット３にそれぞれ対応する複数の個別排気ダクト５１を備えている。したがって、個別排気ダクト５１は、処理ユニット３ごとに設けられている。同様に、個別ダンパー５３、個別流量計５２、個別制御装置５８は、処理ユニット３ごとに設けられている。排出ユニット４６は、各個別排気ダクト５１に接続された集合排気ダクト６２を備えている。集合排気ダクト６２は、一定の排気圧で気体を吸引する排気処理設備に接続されている。排気処理設備は、基板処理装置１が設置される工場に設置されている。
【００８０】
図４に示すように、排出ユニット４６は、各個別排気ダクト５１と集合排気ダクト６２との接続位置よりも下流側で集合排気ダクト６２内を流れる排気の流量を調整する集合ダンパー６３と、集合ダンパー６３を制御することにより集合排気ダクト６２から排出される排気の流量を調整する集合制御装置６４と、集合排気ダクト６２内を流れる排気の流量を検出する集合流量計６５と、を備えている。集合ダンパー６３は、集合排気流量調整ユニットの一例である。集合ダンパー６３の開度の設定値は、集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値の一例である。
【００８１】
集合流量計６５は、たとえば、集合排気ダクト６２内の２つの位置の排気圧（圧力）を検出する差圧流量計である。この場合、図４に示すように、集合流量計６５は、各個別排気ダクト５１と集合排気ダクト６２との接続位置と集合ダンパー６３との間で排気圧（個別排気ダクト５１内の気圧）を検出する第１集合流量計６５ａと、集合ダンパー６３よりも下流側で排気圧を検出する第２集合流量計６５ｂと、を含む。集合流量計６５は、差圧流量計に限らず、熱式質量流量計、渦流量計、超音波流量計などの他の形式の流量計であってもよい。
【００８２】
制御装置４は、第１集合流量計６５ａの検出値と第２集合流量計６５ｂの検出値とに基づいて、個別排気ダクト５１内における集合ダンパー６３の上流位置および下流位置間の圧力差（差圧）を演算する。また、制御装置４は、集合ダンパー６３の開度の設定値（目標値）を集合制御装置６４に送る。集合制御装置６４は、制御装置４から送られた設定値と集合ダンパー６３の実際の開度との差が減少するように、集合ダンパー６３の開度を増加または減少させる。
【００８３】
図示はしないが、集合ダンパー６３は、個別ダンパー５３と同様の構成を備えている。具体的には、集合ダンパー６３は、排気を案内する排気流路を形成するダンパー本体５４と、ダンパー本体５４によって形成された排気流路を開閉する弁体５５と、弁体５５を移動させることにより集合ダンパー６３の開度（排気流路の流路面積）を変更するアクチュエータ５６と、弁体５５の位置を検出する位置センサー５７と、を備えている（図３参照）。集合ダンパー６３のダンパー本体５４は、集合排気ダクト６２に介装されている。
【００８４】
図４に示すように、集合制御装置６４は、位置センサー５７の検出値に基づいて集合ダンパー６３の開度を演算する開度演算部５９と、集合ダンパー６３のアクチュエータ５６を駆動するダンパー駆動部６０と、集合ダンパー６３の実際の開度と開度の設定値との差を減少させる指令をダンパー駆動部６０に与える開度制御部６１と、を含む。
個別ダンパー５３の開度の設定値は、制御装置４から集合制御装置６４の開度制御部６１に送られる。開度制御部６１は、開度演算部５９によって演算された集合ダンパー６３の実際の開度と設定値とを比較し、集合ダンパー６３の実際の開度と設定値との差を減少させる指令をダンパー駆動部６０に送る。ダンパー駆動部６０は、開度制御部６１からの指令に応じて、集合ダンパー６３の開度が増加または減少するように、アクチュエータ５６を駆動する。これにより、集合ダンパー６３の実際の開度が設定値に近づけられる。
【００８５】
集合ダンパー６３の開度が増加または減少すると、集合ダンパー６３の流路面積および排気抵抗（圧力損失）が変化する。したがって、集合ダンパー６３の開度が増加または減少すると、集合排気ダクト６２内の排気圧および排気流量が変化する。そのため、制御装置４は、開度の設定値を集合制御装置６４に送ることにより、集合排気ダクト６２内の実際の排気圧および排気流量を目標とする排気圧および排気流量に近づけることができる。
【００８６】
図５に示すように、制御装置４は、コンピュータ本体６７と、コンピュータ本体６７に接続された周辺装置６８とを含む。コンピュータ本体６７は、各種の命令を実行するＣＰＵ６９（central processing unit：中央処理装置）と、情報を記憶する主記憶装置７０とを含む。周辺装置６８は、プログラム等の情報を記憶する補助記憶装置７１と、リムーバブルメディアＭから情報を読み取る読取装置７２と、ホストコンピュータＨＣ等の外部装置と通信する通信装置７３と、を含む。
【００８７】
図５に示すように、コンピュータ本体６７は、補助記憶装置７１、読取装置７２、および通信装置７３のそれぞれに接続されている。コンピュータ本体６７は、さらに、インデクサロボットＩＲや処理ユニット３等の各装置に接続されている。コンピュータ本体６７は、補助記憶装置７１等のそれぞれと情報のやり取りを行う。ＣＰＵ６９は、補助記憶装置７１に記憶されているプログラムＰや、読取装置７２によってリムーバブルメディアＭから読み取られたプログラムＰを実行する。補助記憶装置７１内のプログラムは、制御装置４に予めインストールされたものであってもよいし、読取装置７２を通じてリムーバブルメディアＭから補助記憶装置７１に送られたものであってもよいし、通信装置７３を通じて外部装置から補助記憶装置７１に送られたものであってもよい。
【００８８】
補助記憶装置７１は、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。補助記憶装置７１は、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。補助記憶装置７１は、磁気記憶装置以外の不揮発性メモリーであってもよい。図５に示すように、レシピ７４、設定値変更条件７５、元圧変更条件７６、およびテーブル７７は、補助記憶装置７１に格納されている。テーブル７７は、点数表７８および分類表７９を含む。
【００８９】
リムーバブルメディアＭは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。リムーバブルメディアＭは、たとえば、コンパクトディスクなどの光ディスクまたはメモリーカードなどの半導体メモリーである。リムーバブルメディアＭは、光ディスクおよび半導体メモリー以外の不揮発性メモリーであってもよい。リムーバブルメディアＭは、プログラムＰが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。
【００９０】
図５に示すように、ホストコンピュータＨＣは、制御装置４と通信を行う。ホストコンピュータＨＣは、処理すべき基板Ｗを収容したキャリアＣ（出発位置）と、処理ユニット３で処理された基板Ｗを収容すべきキャリアＣ（目的位置）とを、基板Ｗごとに制御装置４に指定する。ホストコンピュータＨＣは、さらに、基板Ｗに対して行われる一連の工程を示すレシピ７４の識別情報を基板Ｗごとに制御装置４に指定する。
【００９１】
図５に示すように、制御装置４は、複数種類のレシピ７４を補助記憶装置７１に記憶している。レシピ７４は、レシピ識別情報、基板処理条件、および基板処理手順を含む。コンピュータ本体６７は、ホストコンピュータＨＣによって指定されたレシピ７４を補助記憶装置７１から読み込む。そして、コンピュータ本体６７は、指定されたレシピ７４に従って当該基板Ｗを処理ユニット３で処理する処理スケジュールを作成する。その後、コンピュータ本体６７は、インデクサロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、および処理ユニット３等の基板処理装置１の制御対象（リソース）に処理スケジュールを実行させる。
【００９２】
図６に示すように、制御装置４は、処理スケジュール作成部８０と、処理スケジュール実行部８１と、を含む。処理スケジュール作成部８０および処理スケジュール実行部８１は、制御装置４にインストールされたプログラムをＣＰＵ６９が実行することにより実現される機能ブロックである。
図１１に示すように、処理スケジュール作成部８０は、基板Ｗを処理するときの処理ユニット３の動作を時系列で規定する処理スケジュールを作成する（ステップＳ１１）。処理スケジュール実行部８１は、処理スケジュールに従って基板処理装置１のリソースを制御することにより、基板処理装置１のリソースに処理スケジュールを実行させる（ステップＳ１２）
図９は、処理スケジュール作成部８０によって作成された処理スケジュールの一例を示している。図９に示す処理スケジュールは以下のように実行される。以下では、図２、図９および図１２を参照する。
【００９３】
基板Ｗが処理ユニット３で処理されるときには、チャンバー５内に基板Ｗを搬入する搬入工程（ステップＳ２１）が行われる。
具体的には、制御装置４は、遮断板３０が退避位置に位置しており、スプラッシュガード１６が下位置に位置している状態で、基板Ｗを保持しているセンターロボットＣＲのハンドＨをチャンバー５内に進入させる。そして、制御装置４は、センターロボットＣＲを制御することにより、基板Ｗを複数のチャックピン９上に載置させる。その後、制御装置４は、センターロボットＣＲのハンドＨをチャンバー５内から退避させると共に、各チャックピン９を開位置から閉位置に移動させる。これにより、基板Ｗがスピンチャック８に保持される。その後、制御装置４は、スピンモータ１１を制御することにより、基板Ｗの回転を開始させる。これにより、基板Ｗが液処理速度で回転軸線Ａ１まわりに回転する。
【００９４】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第１リンス液供給工程（ステップＳ２２）が行われる。
具体的には、制御装置４は、リンス液ノズル移動ユニット４５を制御することにより、リンス液ノズル１４を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置４は、リンス液バルブ４４を開いて、スプラッシュガード１６が下位置に位置している状態で、基板Ｗの上面中央部に向けて純水をリンス液ノズル１４に吐出させる。これにより、基板Ｗの上面全域が純水の液膜で覆われる。リンス液バルブ４４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置４は、リンス液バルブ４４を閉じて、リンス液ノズル１４からの純水の吐出を停止させる。その後、制御装置４は、リンス液ノズル移動ユニット４５を制御することにより、リンス液ノズル１４を基板Ｗの上方から退避させる。
【００９５】
次に、第１薬液を基板Ｗに供給する第１薬液供給工程（ステップＳ２３）が行われる。
具体的には、制御装置４は、第１薬液ノズル移動ユニット３９を制御することにより、第１薬液ノズル１２を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置４は、さらに、ガード昇降ユニット２９を制御することにより、スプラッシュガード１６を下位置から中間位置に移動させる。この状態で、制御装置４は、第１薬液バルブ３８を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けて第１薬液を第１薬液ノズル１２に吐出させる。これにより、基板Ｗ上の純水が第１薬液に置換され、基板Ｗの上面全域が第１薬液の液膜で覆われる。第１薬液バルブ３８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置４は、第１薬液バルブ３８を閉じて、第１薬液ノズル１２からの第１薬液の吐出を停止させる。その後、制御装置４は、第１薬液ノズル移動ユニット３９を制御することにより、第１薬液ノズル１２を基板Ｗの上方から退避させる。
【００９６】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第２リンス液供給工程（ステップＳ２４）が行われる。
具体的には、制御装置４は、リンス液ノズル移動ユニット４５を制御することにより、リンス液ノズル１４を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置４は、リンス液バルブ４４を開いて、スプラッシュガード１６が中間位置に位置している状態で、基板Ｗの上面中央部に向けて純水をリンス液ノズル１４に吐出させる。これにより、基板Ｗ上の第１薬液が純水で洗い流され、基板Ｗの上面全域が純水の液膜で覆われる。リンス液バルブ４４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置４は、リンス液バルブ４４を閉じて、リンス液ノズル１４からの純水の吐出を停止させる。その後、制御装置４は、リンス液ノズル移動ユニット４５を制御することにより、リンス液ノズル１４を基板Ｗの上方から退避させる。
【００９７】
次に、第２薬液を基板Ｗに供給する第２薬液供給工程（ステップＳ２５）が行われる。
具体的には、制御装置４は、第２薬液ノズル移動ユニット４２を制御することにより、第２薬液ノズル１３を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置４は、さらに、ガード昇降ユニット２９を制御することにより、スプラッシュガード１６を中間位置から上位置に移動させる。この状態で、制御装置４は、第２薬液バルブ４１を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けて第２薬液を第２薬液ノズル１３に吐出させる。これにより、基板Ｗ上の純水が第２薬液に置換され、基板Ｗの上面全域が第２薬液の液膜で覆われる。第２薬液バルブ４１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置４は、第２薬液バルブ４１を閉じて、第２薬液ノズル１３からの第２薬液の吐出を停止させる。その後、制御装置４は、第２薬液ノズル移動ユニット４２を制御することにより、第２薬液ノズル１３を基板Ｗの上方から退避させる。
【００９８】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する最終リンス液供給工程としての第３リンス液供給工程（ステップＳ２６）が行われる。
具体的には、制御装置４は、リンス液ノズル移動ユニット４５を制御することにより、リンス液ノズル１４を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置４は、リンス液バルブ４４を開いて、スプラッシュガード１６が上位置に位置している状態で、基板Ｗの上面中央部に向けて純水をリンス液ノズル１４に吐出させる。これにより、基板Ｗ上の第２薬液が純水で洗い流され、基板Ｗの上面全域が純水の液膜で覆われる。制御装置４は、ガード昇降ユニット２９を制御することにより、リンス液ノズル１４が純水を吐出している状態で、スプラッシュガード１６を上位置から下位置に移動させる。リンス液バルブ４４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置４は、リンス液バルブ４４を閉じて、リンス液ノズル１４からの純水の吐出を停止させる。その後、制御装置４は、リンス液ノズル移動ユニット４５を制御することにより、リンス液ノズル１４を基板Ｗの上方から退避させる。
【００９９】
次に、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（ステップＳ２７）が行われる。
具体的には、制御装置４は、遮断板昇降ユニット３４を制御することにより、遮断板３０を退避位置から近接位置に移動させる。制御装置４は、さらに、ガスバルブ３５を開いて、遮断板３０の下面中央部で開口する中心開口３１から窒素ガスを吐出させる。その後、制御装置４は、スピンモータ１１を制御することにより、第１リンス液供給工程（ステップＳ２２）から第３リンス液供給工程（ステップＳ２６）までの基板Ｗの回転速度（液処理速度）よりも大きい乾燥速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで、基板Ｗの回転を加速させる。これにより、遮断板３０が近接位置に位置しており、スプラッシュガード１６が下位置に位置している状態で、基板Ｗが乾燥速度で回転する。
【０１００】
遮断板３０が基板Ｗに近づいている状態で、遮断板３０と基板Ｗとの間の空間に窒素ガスが供給されることにより、遮断板３０と基板Ｗとの間の雰囲気が、遮断板３０と基板Ｗとの間から押し出される。これにより、遮断板３０と基板Ｗとの間の空間が窒素ガスで満たされる。また、基板Ｗが乾燥速度で回転することにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。これにより、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが窒素ガス雰囲気中で乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置４は、スピンモータ１１を制御することにより基板Ｗの回転速度を低下させると共に、ガスバルブ３５を閉じて遮断板３０からの窒素ガスの吐出を停止させる。
【０１０１】
次に、基板Ｗをチャンバー５内から搬出する搬出工程（ステップＳ２８）が行われる。
具体的には、制御装置４は、遮断板昇降ユニット３４を制御することにより、遮断板３０を近接位置から退避位置に移動させる（遮断板３０の上昇）。その後、制御装置４は、スピンモータ１１を制御することにより、スピンチャック８による基板Ｗの回転を停止させる。制御装置４は、さらに、各チャックピン９を閉位置から開位置に移動させて、スピンチャック８による基板Ｗの把持を解除させる。これにより、スピンチャック８による基板Ｗの保持が解除される。この状態で、制御装置４は、センターロボットＣＲのハンドＨをチャンバー５内に進入させる。そして、制御装置４は、センターロボットＣＲのハンドＨにスピンチャック８上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置４は、センターロボットＣＲのハンドＨをチャンバー５内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー５から搬出される。
【０１０２】
このようにして、複数の基板処理工程（処理液供給工程や乾燥工程）が、レシピ７４で指定された基板処理条件で、かつレシピ７４で指定された基板処理手順で実行される。
図６に示すように、制御装置４は、設定値変更判断部８２と、合計値計算部８３と、グループ判定部８４と、個別排気スケジュール作成部８５と、個別排気スケジュール実行部８６と、を含む。制御装置４は、さらに、設定値変更条件７５およびテーブル７７を含む。設定値変更判断部８２、合計値計算部８３、グループ判定部８４、個別排気スケジュール作成部８５、および個別排気スケジュール実行部８６は、制御装置４にインストールされたプログラムをＣＰＵ６９が実行することにより実現される機能ブロックである。
【０１０３】
図１３に示すように、設定値変更判断部８２は、処理スケジュール作成部８０によって処理スケジュールが作成された後に、後述する設定値変更条件７５が処理スケジュールのいずれかの時間において成立するか否かを判断する（ステップＳ３１）。処理スケジュールのいずれかの時間において設定値変更条件７５が成立する場合（ステップＳ３１でＹｅｓの場合）、合計値計算部８３は、処理スケジュールの各時間における点数の合計値をテーブル７７に基づいて求める（ステップＳ３２）。グループ判定部８４は、合計値計算部８３で求められた点数の合計値が複数のグループのいずれに属するかをテーブル７７に基づいて求める（ステップＳ３３）。
【０１０４】
図１３に示すように、個別排気スケジュール作成部８５は、処理スケジュールの各時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値（個別ダンパー５３の開度の設定値）を規定する個別排気スケジュールを作成する（ステップＳ３４）。個別排気スケジュール実行部８６は、個別排気スケジュールに従って個別ダンパー５３を制御することにより、処理スケジュールと並行して個別ダンパー５３に個別排気スケジュールを実行させる（ステップＳ３５）。
【０１０５】
このように、設定値変更判断部８２は、処理スケジュールの各時間において設定値変更条件７５が成立するか否かを判断する。遮断板３０および処理液捕獲部材１５は、チャンバー５内を移動可能な可動部材の一例である。設定値変更条件７５は、可動部材が原点位置以外の位置に位置している位置条件を含む。
また、第１薬液ノズル１２、第２薬液ノズル１３、およびリンス液ノズル１４のそれぞれは、処理流体を基板Ｗに供給する処理流体供給ユニットの一例である。設定値変更条件７５は、ノズル１２〜１４の少なくとも一つが処理流体を吐出している処理流体吐出中条件と、第１薬液ノズル１２および第２薬液ノズル１３の少なくとも一方が薬液の吐出を開始する薬液吐出開始条件と、第１薬液ノズル１２および第２薬液ノズル１３の少なくとも一方が薬液の吐出を終了する薬液吐出終了条件と、をさらに含む。
【０１０６】
設定値変更条件７５は、さらに、基板Ｗが回転している基板回転条件と、遮断板３０が動作位置としての近接位置から原点位置としての退避位置に移動する遮断板上昇条件と、を含む。基板回転条件は、基板Ｗが液処理速度で回転している液処理実行条件と、基板Ｗが乾燥速度で回転している乾燥実行条件と、を含む。
また、合計値計算部８３は、処理スケジュールの各時間における点数の合計値を点数表７８に基づいて求める。図７は、処理ユニット３の稼動状況ごとに割り振られた複数の点数が記述された点数表７８の一例を示している。
【０１０７】
図７に示すように、点数表７８は、可動部材の位置ごとに割り振られた複数の点数と、第１薬液ノズル１２、第２薬液ノズル１３、およびリンス液ノズル１４からの処理流体の吐出状態ごとに割り振られた複数の点数と、基板Ｗの回転状態ごとに割り振られた複数の点数と、を含む。
図７に示すように、遮断板３０の退避位置は０点に、遮断板３０の近接位置は２点に、それぞれ割り振られている。スプラッシュガード１６の下位置は０点に、スプラッシュガード１６の中間位置は１点に、スプラッシュガード１６の上位置は２点に、それぞれ割り振られている。薬液の吐出中状態は３点に、薬液の吐出停止状態は０点に、それぞれ割り振られている。リンス液の吐出中状態は１点に、リンス液の吐出停止状態は０点に、それぞれ割り振られている。基板Ｗの回転停止状態は０点に、液処理速度で基板Ｗが回転している液処理実行状態は１点に、乾燥速度で基板Ｗが回転している基板Ｗの乾燥実行状態は２点に割り振られている。
【０１０８】
また、グループ判定部８４は、合計値計算部８３で求められた点数の合計値が複数のグループのいずれに属するかを分類表７９に基づいて求める。図８は、合計値計算部８３によって求められた点数の合計値をその大きさに応じて３つのグループに分類する分類表７９の一例を示している。
図８に示すように、分類表７９は、点数の合計値をその大きさに応じて３つのグループに分類する２つのしきい値を含む。図８は、２点と５点とが合計値のしきい値に設定されている例を示している。点数の合計値が０点〜１点のグループは、弱排気グループであり、点数の合計値が２点〜４点のグループは、中排気グループであり、点数の合計値が５点以上のグループは、強排気グループである。
【０１０９】
図８に示すように、点数の合計値が０点〜１点の場合、すなわち、弱排気条件が成立する場合、個別ダンパー５３の開度の設定値は、弱設定値（基準値）に設定される。つまり、弱排気条件が成立する場合、加算値は０である。
図８に示すように、点数の合計値が２点〜４点の場合、すなわち、中排気条件が成立する場合、個別ダンパー５３の開度の設定値は、基準値よりも大きい中設定値に設定される。したがって、中排気条件が成立する場合（点数の合計値が２点〜４点の場合）、個別ダンパー５３の開度の設定値は、弱設定値（基準値）に中加算値が加算された値に設定される。
【０１１０】
図８に示すように、点数の合計値が５点以上の場合、すなわち、強排気条件が成立する場合、個別ダンパー５３の開度の設定値は、中設定値よりも大きい強設定値に設定される。したがって、強排気条件が成立する場合（点数の合計値が５点以上の場合）、個別ダンパー５３の開度の設定値は、弱設定値（基準値）に強加算値が加算された値に設定される。強加算値は、中加算値よりも大きい値である。
【０１１１】
個別ダンパー５３の開度の設定値は、点数の合計値が属するグループに応じて調整される。強排気グループは、個別ダンパー５３の開度の設定値が３つのグループのうちで最も大きいグループであり、弱排気グループは、個別ダンパー５３の開度の設定値が３つのグループのうちで最も小さいグループである。
処理スケジュールのある時間における点数の合計値が、たとえば３点の場合、図８に示すように、グループ判定部８４は、点数の合計値が中排気グループに属すると判定する。個別排気スケジュール作成部８５は、この時間における個別ダンパー５３の開度の設定値が中設定値に設定されるように、個別排気スケジュールを作成する。
【０１１２】
また、点数の合計値が３点から４点に変化している場合も、図８に示すように、グループ判定部８４は、点数の合計値が中排気グループに属すると判定する。この場合、点数の合計値が変化しているものの、点数の合計値が属するグループが変化していないので（中排気グループのままなので）、個別排気スケジュール作成部８５は、点数の合計値が４点の時間における個別ダンパー５３の開度の設定値が中設定値に設定されるように、個別排気スケジュールを作成する。
【０１１３】
図９は、処理スケジュールの一例に加えて、個別排気スケジュール作成部８５によって作成された個別排気スケジュールの一例を示している。
予定時刻Ｔ１では、遮断板３０およびスプラッシュガード１６をそれぞれ退避位置および下位置に位置させるように計画されており、可動部材が原点位置以外の位置に位置していることを要求する位置条件が成立していない。しかし、予定時刻Ｔ１では、液処理速度で基板Ｗを回転させるように計画されており、基板回転条件が成立する。したがって、予定時刻Ｔ１では設定値変更条件７５が成立している。
【０１１４】
予定時刻Ｔ０から予定時刻Ｔ１までの期間は、点数の合計値が２未満であり、点数の合計値が弱排気グループに属しているので、この期間の個別ダンパー５３の開度が弱設定値（基準値）に設定されるように計画される。
予定時刻Ｔ２では、液処理速度で基板Ｗを回転させると共に、純水を吐出させるように計画されている。したがって、予定時刻Ｔ２では、基板回転条件（液処理実行条件）と処理流体吐出中条件とが成立している。
【０１１５】
予定時刻Ｔ１から予定時刻Ｔ２までの期間は、点数の合計値が２点であり、点数の合計値が中排気グループに属しているので、この期間の個別ダンパー５３の開度が中設定値に設定されるように計画される。
予定時刻Ｔ２から予定時刻Ｔ３までの期間は、第１薬液の吐出による加算を除けば、点数の合計値が５点未満（２点）であり、本来であれば、点数の合計値が中排気グループに分類される。しかし、予定時刻Ｔ３に第１薬液の吐出が開始されるので（薬液吐出条件の成立）、予定時刻Ｔ２から予定時刻Ｔ３までの期間も第１薬液を吐出するとみなして、つまり、この期間では第１薬液の吐出が計画されていないが、図１０に太線で示すように第１薬液の吐出を計画しているとみなして、第１薬液の吐出中状態に割り振られた３点が加算される。そのため、この期間の点数の合計値が強排気グループに属するとみなされ、個別ダンパー５３の開度が強設定値に設定されるように計画される。
【０１１６】
予定時刻Ｔ３から予定時刻Ｔ４までの期間では、液処理速度で基板Ｗを回転させると共に、第１薬液を吐出させるように計画されている。したがって、この期間では、基板回転条件と処理流体吐出中条件とが成立している。さらに、この期間では、スプラッシュガード１６を中間位置に位置させるように計画されている。したがって、この期間では、スプラッシュガード１６に係る位置条件も成立している。この期間の点数の合計値は５点以上であるので、個別ダンパー５３の開度が強設定値に設定されるように計画される。
【０１１７】
予定時刻Ｔ４から予定時刻Ｔ５までの期間は、予定時刻Ｔ２から予定時刻Ｔ３までの期間と同様に、第１薬液の吐出による加算を除けば、点数の合計値が２点〜４点の範囲内（３点）であり、本来であれば、点数の合計値が中排気グループに分類される。しかし、予定時刻Ｔ４に第１薬液の吐出が停止されるので（薬液吐出終了条件の成立）、予定時刻Ｔ４から予定時刻Ｔ５までの期間も第１薬液を吐出するとみなして、第１薬液の吐出中状態に割り振られた３点が加算される。そのため、この期間の点数の合計値が強排気グループに属するとみなされ、個別ダンパー５３の開度が強設定値に設定されるように計画される。
【０１１８】
予定時刻Ｔ５から予定時刻Ｔ６までの期間と、予定時刻Ｔ７から予定時刻Ｔ８までの期間とについても、前述の第１薬液の吐出開始および吐出終了と同様に、第２薬液が吐出されるとみなして、第２薬液の吐出中状態に割り振られた３点が加算される。そのため、これらの期間の点数の合計値は強排気グループに属するとみなされ、個別ダンパー５３の開度が強設定値に設定されるように計画される。
【０１１９】
予定時刻Ｔ６から予定時刻Ｔ７までの期間では、予定時刻Ｔ３から予定時刻Ｔ４までの期間と同様に、基板回転条件（液処理実行条件）と処理流体吐出中条件と位置条件とが成立している。予定時刻Ｔ３から予定時刻Ｔ４までの期間では、スプラッシュガード１６を中間位置に位置させるように計画されているのに対し、予定時刻Ｔ６から予定時刻Ｔ７までの期間では、スプラッシュガード１６を上位置に位置させるように計画されている。
【０１２０】
スプラッシュガード１６の上位置は、スプラッシュガード１６の中間位置よりも大きい点数が割り振られている。したがって、予定時刻Ｔ６から予定時刻Ｔ７までの期間の点数の合計値（６点）は、予定時刻Ｔ３から予定時刻Ｔ４までの期間の点数の合計値（５点）よりも大きい。しかしながら、いずれの期間の合計値も強排気グループに属しているので、個別ダンパー５３の開度が強設定値に設定されるように計画される。
【０１２１】
予定時刻Ｔ９から予定時刻Ｔ１０までの期間では、乾燥速度で基板Ｗを回転させる計画されている。したがって、この期間では、基板回転条件（乾燥実行条件）が成立している。さらに、この期間では、遮断板３０を近接位置に位置させるように計画されている。したがって、この期間では、遮断板３０に係る位置条件も成立している。この期間の点数の合計値は２点〜４点の範囲内（４点）である。したがって、この期間の個別ダンパー５３の開度が中設定値に設定されるように計画される。
【０１２２】
予定時刻Ｔ１０から予定時刻Ｔ１１までの期間では、遮断板３０による加算を除けば、点数の合計値が０点〜１点の範囲内（１点）であり、本来であれば、点数の合計値が弱排気グループに分類される。しかし、予定時刻Ｔ１０で、遮断板３０を近接位置から退避位置に上昇させるように計画されているので、遮断板上昇条件が成立している。そのため、予定時刻Ｔ１０から予定時刻Ｔ１１までの期間も遮断板３０を近接位置に位置させるとみなして、遮断板３０の近接位置に割り振られた点数（２点）が加算される。そのため、この期間の点数の合計値が中排気グループに属するとみなされ、個別ダンパー５３の開度が中設定値に設定されるように計画される。
【０１２３】
個別排気スケジュール作成部８５は、このように処理スケジュールを参照しながら、個別排気スケジュールを作成する。個別排気スケジュール実行部８６は、個別排気スケジュールに従って個別ダンパー５３を制御することにより、個別排気スケジュールが処理スケジュールに同期するように、個別ダンパー５３に個別排気スケジュールを実行させる。
図６に示すように、制御装置４は、個別排気スケジュール作成部８５および個別排気スケジュール実行部８６等に加えて、個別流量計５２の検出値に基づいて個別ダンパー５３の開度を調整するフィードバック制御を個別排気スケジュールの実行中に行う個別フィードバック実行部８７をさらに含んでいてもよい。個別フィードバック実行部８７は、制御装置４にインストールされたプログラムをＣＰＵ６９が実行することにより実現される機能ブロックである。
【０１２４】
個別フィードバック実行部８７は、個別流量計５２の検出値に基づいてチャンバー５の内部から個別排気ダクト５１に排出される排気の流量を監視する。そして、個別フィードバック実行部８７は、個別排気ダクト５１に排出される排気の流量が、個別ダンパー５３の開度の設定値に対応付けられた排気流量に近づくように、個別排気スケジュールの実行中に個別ダンパー５３の開度を調整する。したがって、制御装置４が、個別フィードバック実行部８７をさらに備えている場合には、処理ユニット３から排出される排気の流量をより精密に制御できる。
【０１２５】
図６に示すように、制御装置４は、元圧変更判断部８８と、集合排気スケジュール作成部８９と、集合排気スケジュール実行部９０と、を含む。制御装置４は、さらに、元圧変更条件７６を含む。元圧変更判断部８８、集合排気スケジュール作成部８９、および集合排気スケジュール実行部９０は、制御装置４にインストールされたプログラムをＣＰＵ６９が実行することにより実現される機能ブロックである。
【０１２６】
図１４に示すように、元圧変更判断部８８は、個別排気スケジュールが作成された後、複数の個別排気流量調整ユニットのいずれかの排気流量設定値が基準値よりも大きい元圧変更条件７６が個別排気スケジュールのいずれかの時間において成立するか否かを判断する（ステップＳ４１）。
図１４に示すように、個別排気スケジュールのいずれかの時間において元圧変更条件７６が成立する場合（ステップＳ４１でＹｅｓの場合）、集合排気スケジュール作成部８９は、元圧変更条件７６が成立する時間における集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値（集合ダンパー６３の開度の設定値）が、全ての個別ダンパー５３の開度の設定値が基準値のときの設定値である元圧基準値よりも大きな値に設定されるように、個別排気スケジュールの各時間における集合ダンパー６３の開度の設定値を規定する集合排気スケジュールを作成する（ステップＳ４２）。
【０１２７】
図１４に示すように、集合排気スケジュール実行部９０は、集合排気スケジュールに従って集合ダンパー６３を制御することにより、個別排気スケジュールと並行して集合ダンパー６３に集合排気スケジュールを実行させる（ステップＳ４３）。
図１０は、３つの処理ユニット３（第１処理ユニット３、第２処理ユニット３、および第３処理ユニット３）にそれぞれ対応する３つの個別排気スケジュールの一例と、集合排気スケジュール作成部８９によって作成された集合排気スケジュールの一例とを示している。基板処理装置１に備えられた処理ユニット３の総数は１２台であるが、図１０に係る説明では、処理ユニット３の総数が３台であると仮定する。
【０１２８】
図１０に示すように、予定時刻Ｔ２０から予定時刻Ｔ２１までの期間は、各個別ダンパー５３の開度の設定値を弱設定値（基準値）に設定するように計画されている。したがって、この期間では元圧変更条件７６が成立しない。そのため、集合ダンパー６３の開度を元圧基準値に設定するよう計画される。
図１０に示すように、予定時刻Ｔ２１から予定時刻Ｔ２２までの期間は、いずれかの処理ユニット３（図１０では、第１処理ユニット３）に対応する個別ダンパー５３の開度の設定値を中設定値に設定するように計画されている。したがって、この期間では元圧変更条件７６が成立している。そのため、集合ダンパー６３の開度の設定値を元圧基準値よりも大きな値に変更するように計画される。図１０は、集合ダンパー６３の開度の設定値が弱設定値から中設定値に変更される例を示している。
【０１２９】
図１０に示すように、予定時刻Ｔ２２から予定時刻Ｔ２３までの期間は、各個別ダンパー５３の開度の設定値を弱設定値（基準値）に設定するように計画されている。したがって、この期間では元圧変更条件７６が成立しない。そのため、集合ダンパー６３の開度の設定値を元圧基準値に設定するよう計画される。
集合排気スケジュール作成部８９は、このように個別排気スケジュールを参照しながら、集合排気スケジュールを作成する。集合排気スケジュール実行部９０は、集合排気スケジュールに従って集合ダンパー６３を制御することにより、集合排気スケジュールが個別排気スケジュールに同期するように、集合ダンパー６３に集合排気スケジュールを実行させる。
【０１３０】
図６に示すように、制御装置４は、集合排気スケジュール作成部８９および集合排気スケジュール実行部９０等に加えて、若しくは、集合排気スケジュール作成部８９および集合排気スケジュール実行部９０等に代えて、集合流量計６５の検出値に基づいて集合ダンパー６３の開度を調整するフィードバック制御を行う集合フィードバック制御実行部９１をさらに含んでいてもよい。集合フィードバック制御実行部９１は、制御装置４にインストールされたプログラムをＣＰＵ６９が実行することにより実現される機能ブロックである。
【０１３１】
集合フィードバック制御実行部９１は、集合流量計６５の検出値に基づいて個別排気ダクト５１の内部から集合排気ダクト６２に排出される排気の流量を監視する。そして、集合フィードバック制御実行部９１は、集合排気ダクト６２に排出される排気の流量が、流量基準値（全ての個別ダンパー５３の開度の設定値が基準値のときの値）に近づくように、集合ダンパー６３の開度を調整する。したがって、制御装置４が集合フィードバック制御実行部９１を備えている場合には、集合排気ダクト６２内の排気圧が安定するので、各個別排気ダクト５１に加わる排気圧の変動を抑制または防止できる。これにより、各処理ユニット３での圧力変動を抑制または防止できる。集合フィードバック制御実行部９１によるフィードバック制御は、集合排気スケジュールと並行して実行されてもよいし、集合排気スケジュールが実行されていない期間に実行されてもよい。
【０１３２】
各処理ユニット３は、同じ排気源（排気処理設備）に接続されている。各個別ダンパー５３の開度は、通常、元圧（排気処理設備の排気圧）が一定であることを前提にして設定される。すなわち、集合排気ダクト６２内の排気圧が一定であることを前提にして、各個別ダンパー５３の開度が設定される。
いずれかの個別ダンパー５３の開度が変わり、その個別ダンパー５３に対応する処理ユニット３からの排気流量が変わると、その影響により集合排気ダクト６２内の排気圧が変化する場合がある。したがって、残りの処理ユニット３からの排気流量が変化する場合がある。つまり、排気処理設備の吸引力の強さ自体は同じであるが、各処理ユニット３に作用する排気圧が変化し得る。集合排気ダクト６２内の排気圧が変化すると、個別ダンパー５３の開度が同じであっても、各処理ユニット３から排出される排気流量が変化する。
【０１３３】
前述のように、同時期に実行される予定の全ての個別排気スケジュールを参照して集合排気スケジュールを作成し、集合排気スケジュールを実行することにより、集合排気ダクト６２内の排気圧の変動を抑えることができる。同様に、集合排気ダクト６２内の排気圧に基づいて集合ダンパー６３の開度を調整することにより、集合排気ダクト６２内の排気圧の変動を抑えることができる。これにより、各処理ユニット３から排出される排気の流量が意図せず変化することを抑制または防止できる。
【０１３４】
以上のように本実施形態では、基板Ｗを処理するときの処理ユニット３の動作を時系列で規定する処理スケジュールが作成される。この処理スケジュールを参照しながら、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値（前述の例では、個別ダンパー５３の開度の設定値）を規定する個別排気スケジュールが作成される。そして、処理スケジュールと並行して個別排気スケジュールが実行される。
【０１３５】
遮断板３０および処理液捕獲部材１５は、チャンバー５内を移動可能な可動部材の一例である。設定値変更条件７５は、可動部材が原点位置以外の位置に位置している位置条件を含む。処理スケジュールのいずれかの時間において、遮断板３０および処理液捕獲部材１５のいずれかを原点位置以外の位置に配置するように計画されている場合、すなわち、設定値変更条件７５が成立する場合、設定値変更条件７５が成立する時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、可動部材が原点位置に位置しているときの設定値（基準値）よりも大きな値に設定されるように計画される。
【０１３６】
可動部材が原点位置以外の位置に実際に位置しているとき、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、基準値よりも大きい値に設定される。したがって、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）が強くなる。言い換えると、大気圧よりも低い排気圧（負圧）の絶対値が大きくなる。そのため、処理ユニット３の排気抵抗（圧力損失）が可動部材の位置に応じて増加したとしても、それに応じて排気圧が強くなるので、処理ユニット３から排出される排気の流量の変動を抑えることができる。
【０１３７】
さらに、個別排気スケジュールは、処理スケジュールと並行して実行される。つまり、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、処理ユニット３から排出される気体の流量が実際に変化した後に変更されるのではなく、流量の変化が発生する前に調整される。したがって、フィードバック制御が行われる場合よりも排気流量が安定するまでの時間を短縮できる。
【０１３８】
個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値を規定する個別排気スケジュールは、処理スケジュールに基づいて作成される。同じレシピ７４を実行する場合でも、排気流量に影響するパラメータは異なることがある。したがって、個々の処理スケジュールに基づいて個別排気スケジュールを作成することにより、いずれの基板Ｗの処理でも排気流量を最適化できる。
【０１３９】
また本実施形態では、設定値変更条件７５が処理流体吐出中条件を含んでいる。したがって、処理流体の一例である処理液を吐出するように計画されている場合にも、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。
処理流体が吐出されている場合（特に、処理液が吐出されている場合）、ミストが処理ユニット３内に発生し易い。ミストが基板Ｗに付着すると、基板Ｗが汚染される場合がある。また、ミストが基板Ｗの汚染原因の一つであるパーティクルに変化し、パーティクルが処理ユニット３内を浮遊する場合がある。したがって、処理流体が実際に吐出されているときに、排気圧を強くすることにより、ミストを処理ユニット３内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板Ｗの汚染を低減できる。
【０１４０】
また本実施形態では、設定値変更条件７５が薬液吐出開始条件を含んでいる。したがって、処理流体としての薬液を吐出するように計画されている場合にも、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。薬液が吐出されている場合、薬液のミストが処理ユニット３内に発生し易い。さらに、薬液のミストは、純水などのリンス液のミストよりも基板Ｗを汚染する可能性が高い。したがって、薬液が実際に吐出されているときに、排気圧を強くすることにより、薬液のミストを処理ユニット３内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板Ｗの汚染を低減できる。
【０１４１】
さらに、薬液吐出開始条件が成立する時間よりも前から、すなわち、薬液の吐出が開始される前から、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。そして、薬液の吐出が継続している間も、排気圧が強くされた状態が維持されるように計画される。したがって、排気圧が強められた状態で薬液の吐出が開始されるので、薬液の吐出直後から薬液のミストを効率的に排出できる。これにより、チャンバー５内における薬液のミストの残留量を低減でき、ミストやパーティクルの付着による基板Ｗの汚染を低減できる。
【０１４２】
また本実施形態では、設定値変更条件７５が薬液吐出終了条件を含んでいる。薬液吐出終了条件が成立する時間よりも後、すなわち、薬液の吐出が停止された後も、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。したがって、薬液の吐出停止後にチャンバー５内を浮遊する薬液のミストを確実に排出できる。これにより、チャンバー５内における薬液のミストの残留量を低減でき、ミストやパーティクルの付着による基板Ｗの汚染を低減できる。
【０１４３】
また本実施形態では、設定値変更条件７５が基板回転条件を含んでいる。したがって、スピンチャック８が基板Ｗを回転させるように計画されている場合にも、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。
処理液が付着している基板Ｗが回転すると、基板Ｗから処理液が飛散するので、ミストが発生し易い。したがって、基板Ｗが実際に回転しているときに、排気圧を強くすることにより、ミストを処理ユニット３内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板Ｗの汚染を低減できる。
【０１４４】
また本実施形態では、設定値変更条件７５が乾燥実行条件を含んでいる。したがって、基板Ｗが乾燥速度で回転しているときに、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）が強められる。
乾燥速度は、第１薬液ノズル１２、第２薬液ノズル１３、およびリンス液ノズル１４のいずれかが処理流体を吐出しているときの基板Ｗの回転速度よりも大きい回転速度である。基板Ｗの回転速度が増加すると、基板Ｗに付着している処理液に働く遠心力も増加するので、基板Ｗから飛散する処理液の量が増加する。したがって、基板Ｗが乾燥速度で回転しているときは、ミストが発生し易い。そのため、基板Ｗが乾燥速度で回転しているときに、排気圧を強めることにより、ミストを処理ユニット３内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。
【０１４５】
また本実施形態では、設定値変更条件７５が遮断板上昇条件を含んでいる。したがって、遮断板３０を上方に移動させるように計画されている場合にも、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）を強めるように計画される。
遮断板３０が遮断板動作位置としての近接位置から遮断板原点位置としての退避位置に上昇すると、遮断板３０が基板Ｗから離れ、遮断板３０と基板Ｗとの間隔が広がる。遮断板３０の上昇速度が大きいと、遮断板３０と基板Ｗとの間の気圧が低下し、チャンバー５内の雰囲気が遮断板３０と基板Ｗとの間に吸い込まれる。そのため、基板Ｗの周囲を浮遊するミストやパーティクルが基板Ｗに付着するおそれがある。
【０１４６】
遮断板３０の上昇速度を低下させれば、負圧の発生による雰囲気の吸い込みが低減されると考えられる。しかしながら、遮断板３０の上昇速度が遅いと、基板Ｗの処理に要する時間が増加するので、基板処理装置１のスループット（単位時間あたりの基板Ｗの処理枚数）が減少するおそれがある。
遮断板３０と基板Ｗとの間隔が広がるときに排気圧を強くすれば、基板Ｗの周囲の雰囲気が個別排気ダクト５１の方に強制的に吸い寄せられるので、遮断板３０と基板Ｗとの間への雰囲気の進入が抑制される。したがって、遮断板３０の上昇速度を低下させずに、基板Ｗの周囲の雰囲気が基板Ｗに接触することを抑制または防止できる。そのため、スループットを維持しながら、基板Ｗの汚染を低減できる。
【０１４７】
また本実施形態では、複数の点数を含むテーブル７７が制御装置４の補助記憶装置７１に記憶されている。複数の点数は、処理ユニット３の稼動状況ごとに割り振られている。具体的には、テーブル７７は、可動部材の原点位置および動作位置にそれぞれ割り振られた複数の点数と、処理流体の吐出中状態および吐出停止状態にそれぞれ割り振られた複数の点数と、を含む。
【０１４８】
処理スケジュールのいずれかの時間において設定値変更条件７５が成立する場合、処理スケジュールの各時間における点数の合計値が計算される。そして、処理スケジュールの各時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、点数の合計値の大きさに応じて基準値よりも大きな値に設定されるように計画される。したがって、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）は、処理ユニット３の稼動状況に応じて調整される。そのため、チャンバー５内の気流を理想的な状態に近づけることができる。
【０１４９】
また本実施形態では、制御装置４の補助記憶装置７１に記憶されたテーブル７７は、可動部材の位置ごとに割り振られた複数の点数と、処理流体の吐出状態ごとに割り振られた複数の点数と、に加えて、基板Ｗの回転中状態および回転停止状態にそれぞれ割り振られた複数の点数を含む。したがって、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）は、基板Ｗの回転状態をも考慮した大きさに調整される。そのため、チャンバー５内の気流を理想的な状態に近づけることができる。
【０１５０】
また本実施形態では、制御装置４の補助記憶装置７１に記憶されたテーブル７７は、リンス液の吐出中状態に対して割り振られたリンス液の点数と、薬液の吐出中状態に対して割り振られた薬液の点数と、を含んでいる。薬液の点数は、リンス液の点数よりも大きい。したがって、処理ユニット３の他の稼動状況が同じであれば、薬液が吐出されているときの点数の合計値は、リンス液が吐出されているときの点数の合計値よりも大きい。
【０１５１】
前述のように、処理スケジュールの各時間における個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、点数の合計値の大きさに応じて基準値よりも大きな値に設定されるように計画される。点数の合計値が大きければ、チャンバー５内の気体を個別排気ダクト５１内に排出する力（排気圧）が強いので、チャンバー５内の気体が確実に排出される。
薬液のミストは、純水などのリンス液のミストよりも基板Ｗを汚染する可能性が高い。したがって、薬液が実際に吐出されているときに、排気圧を強くすることにより、薬液のミストを処理ユニット３内から効率的に排出でき、ミストの拡散範囲を狭めることができる。そのため、ミストやパーティクルの付着による基板Ｗの汚染を低減できる。
【０１５２】
また本実施形態では、点数の合計値を複数のグループに分類する一つ以上のしきい値が、制御装置４の補助記憶装置７１に記憶されたテーブル７７に含まれている。点数の合計値が複数のグループのいずれに属するかは、テーブル７７の分類表７９に基づいて求められる。
処理スケジュールの各時間における点数の合計値が異なる場合でも、グループが共通であれば、このグループに割り振られた加算値が、個別排気流量調整ユニットの基準値に加えられる。言い換えると、点数の合計値が変わったとしても、合計値が属するグループが同じであれば、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値は変わらない。したがって、点数の合計値が変化するたびに排気の強さを変更する場合よりも、制御の複雑化を防止できる。
【０１５３】
また本実施形態では、複数の処理ユニット３内の気体が、それぞれ、複数の個別排気ダクト５１に排出される。各個別排気ダクト５１内を排気処理設備に向かって下流側に流れる排気は、集合排気ダクト６２内に排出される。排気処理設備に向かって集合排気ダクト６２内を流れる排気の流量は、集合排気流量調整ユニットとしての集合ダンパー６３によって調整される。
【０１５４】
集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値（集合ダンパー６３の開度の設定値）を規定する集合排気スケジュールは、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値（個別ダンパー５３の開度の設定値）を規定する個別排気スケジュールを参照しながら作成される。そして、個別排気スケジュールと並行して集合排気スケジュールが実行される。
個別排気スケジュールのいずれかの時間において、いずれかの個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値よりも大きい元圧変更条件７６が成立する場合、元圧変更条件７６が成立する時間における集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、各個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値であるときの設定値（元圧基準値）よりも大きな値に設定されるように計画される。
【０１５５】
いずれかの個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値よりも大きいと、集合排気ダクト６２内の排気圧が低下し、この排気圧の低下の影響が他の処理ユニット３に及ぶ場合がある。したがって、集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値を元圧基準値よりも大きくすることにより、他の処理ユニット３から排出される排気の流量の減少を抑制または防止できる。これにより、他の処理ユニット３での圧力変動を抑制または防止できる。
【０１５６】
さらに、集合排気スケジュールは、個別排気スケジュールと並行して実行される。つまり、集合排気流量調整ユニットの排気流量設定値は、集合排気ダクト６２内を流れる排気の流量が実際に変化した後に変更されるのではなく、流量の変化が発生する前に調整される。したがって、フィードバック制御が行われる場合よりも排気流量が安定するまでの時間を短縮できる。
【０１５７】
また本実施形態では、個別排気ダクト５１に向かってチャンバー５の内部を流れる気体の流路が、可動部材としての遮断板３０および処理液捕獲部材１５によってチャンバー５内に形成されている。したがって、遮断板３０および処理液捕獲部材１５の少なくとも一方がチャンバー５内を移動すると、流路の形状が変化するので、処理ユニット３の排気抵抗が変化する。そのため、個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値（個別ダンパー５３の開度の設定値）を、遮断板３０および処理液捕獲部材１５の位置に応じて変更することにより、処理ユニット３から排出される気体の流量を安定させることができる。
【０１５８】
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、設定値変更条件７５は、位置条件以外に、処理流体吐出中条件、薬液吐出開始条件、薬液吐出終了条件、基板回転条件、および遮断板上昇条件を含む場合について説明した。しかし、薬液吐出開始条件、薬液吐出終了条件、基板回転条件、および遮断板上昇条件の少なくとも一つが、設定値変更条件７５から除外されてもよい。
【０１５９】
また図４に示すように、前述の実施形態において、排出ユニット４６は、集合ダンパー６３に加えて、集合排気ダクト６２の下流端に向けて気体を送ることにより集合排気ダクト６２内の排気圧を強めるブロワ６６を備えていてもよい。集合ダンパー６３およびブロワ６６は、いずれも、排気処理設備に向かって集合排気ダクト６２内を流れる排気の流量を調整する集合排気流量調整ユニットの一例である。
【０１６０】
ブロワ６６は、集合ダンパー６３よりも下流側で集合排気ダクト６２に接続されている。制御装置４は、ブロワ６６を制御することにより、送風状態（オン）と送風停止状態（オフ）との間でブロワ６６を切り替える。制御装置４は、ブロワ６６のオン／オフに加えて、ブロワ６６の送風流量を変更してもよい。ブロワ６６は、集合排気ダクト６２内を下流側（排気処理設備の方）に流れる気流を形成する。したがって、ブロワ６６の送風中は、集合排気ダクト６２内の気体を集合排気ダクト６２の下流側に移動させる力が、排気処理設備とブロワ６６とによって形成され、集合排気ダクト６２内の排気圧が高められる。そのため、制御装置４は、ブロワ６６を制御することにより、集合排気ダクト６２内の排気圧および排気流量を変化させることができる。
【０１６１】
送風状態と送風停止状態との間でブロワ６６が切り替えられると、集合排気ダクト６２内を流れる排気の流量が調整される。同様に、集合ダンパー６３の開度が変更されると、集合排気ダクト６２内を流れる排気の流量が調整される。したがって、制御装置４の集合排気スケジュール作成部８９は、集合ダンパー６３の開度調整とブロワ６６の切り替えとの少なくとも一方を行うように、集合排気スケジュールを作成してもよい。同様に、制御装置４の集合フィードバック制御実行部９１は、集合流量計６５の検出値に基づいて、集合ダンパー６３およびブロワ６６の少なくとも一方を制御してもよい。
【０１６２】
ブロワ６６が送風を行うと、集合排気ダクト６２内の気体がブロワ６６によって強制的に排出されるので、集合排気ダクト６２内の排気圧が高まる（排気圧の絶対値が大きくなる）。したがって、排気設備の吸引力が十分でない場合でも、ブロワ６６を作動させることにより、集合排気ダクト６２内の排気圧を一定の圧力に保つことができる。これにより、各処理ユニット３での圧力変動を抑制または防止できる。
【０１６３】
また前述の実施形態において、排出ユニット４６は、個別ダンパー５３に加えて若しくは個別ダンパー５３に代えて、個別排気ダクト５１内の気体を集合排気ダクト６２に排出する排気ポンプ（個別ポンプ）を備えていてもよい。この場合、制御装置４の個別排気スケジュール作成部８５は、個別ダンパー５３の開度調整と排気ポンプの出力調整との少なくとも一方を行うように、個別排気スケジュールを作成してもよい。同様に、制御装置４の個別フィードバック実行部８７は、個別流量計５２の検出値に基づいて、個別ダンパー５３および排気ポンプの少なくとも一方を制御してもよい。
【０１６４】
また前述の実施形態では、基板保持ユニットとしてのスピンチャック８が、基板Ｗを保持しながら回転させる場合について説明した。しかし、基板保持ユニットは、基板Ｗと共に回転可能なスピンベース１０に代えて、基板Ｗの下面を支持する回転不能な保持ベースを備えていてもよい。
また前述の実施形態では、処理ユニット３の稼動状況ごとに割り振られた複数の点数に基づいて点数の合計値を求め、点数の合計値の大きさに応じて個別排気流量調整ユニットの排気流量設定値が基準値よりも大きな値に設定されるように、個別排気スケジュールを作成する場合について説明した。つまり、基準値に加算される加算値が、点数の合計値の大きさに応じて変更される場合について説明した。しかし、設定値変更条件７５が成立する場合には、点数の合計値を求めずに、一定の値を基準値に加算してもよい。
【０１６５】
また前述の実施形態では、点数の合計値が複数のグループ（弱排気グループ、中排気グループ、および強排気グループ）のいずれに属するかを判断し、属するグループに割り振られた加算値を基準値に加える場合について説明した。つまり、点数の合計値が異なっていても、属するグループが同じであれば、同じ大きさの加算値が基準値に加えられる場合について説明した。しかし、点数の合計値ごとに加算値が変更されてもよい。
【０１６６】
また前述の実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明した。しかし、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
また、前述の全ての実施形態のうちの２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１６７】
１        ：基板処理装置
３        ：処理ユニット
４        ：制御装置
５        ：チャンバー
８        ：スピンチャック
１２      ：第１薬液ノズル
１３      ：第２薬液ノズル
１４      ：リンス液ノズル
１５      ：処理液捕獲部材
１６      ：スプラッシュガード
２２      ：カップ
３０      ：遮断板
４６      ：排出ユニット
５１      ：個別排気ダクト
５２      ：個別流量計
５３      ：個別ダンパー
６２      ：集合排気ダクト
６３      ：集合ダンパー
６５      ：集合流量計
６６      ：ブロワ
６９      ：ＣＰＵ
７０      ：主記憶装置
７１      ：補助記憶装置
７２      ：読取装置
７３      ：通信装置
７４      ：レシピ
７５      ：設定値変更条件
７６      ：元圧変更条件
７７      ：テーブル
７８      ：点数表
７９      ：分類表
８０      ：処理スケジュール作成部
８１      ：処理スケジュール実行部
８２      ：設定値変更判断部
８３      ：合計値計算部
８４      ：グループ判定部
８５      ：個別排気スケジュール作成部
８６      ：個別排気スケジュール実行部
８７      ：個別フィードバック実行部
８８      ：元圧変更判断部
８９      ：集合排気スケジュール作成部
９０      ：集合排気スケジュール実行部
９１      ：集合フィードバック制御実行部
Ｍ        ：リムーバブルメディア
Ｐ        ：プログラム
Ｗ        ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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