(57)【要約】【課題】炭化珪素基板の表面荒れを抑制し、かつ炭化珪素基板と電極との間の接触抵抗を低減可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対してイオン注入を行うことにより炭化珪素基板１０に不純物領域１４が形成される。不純物領域１４が形成された第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。化学的エッチングを行う工程の後に、第１の主面１０ａにおいて不純物領域１４と接する電極１６が形成される。化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度が、化学的エッチングを行う工程前の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度よりも大きくなるように第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを有する炭化珪素基板を準備する工程と、
前記炭化珪素基板の前記第１の主面に対してイオン注入を行うことにより前記炭化珪素基板に不純物領域を形成する工程と、
前記不純物領域が形成された前記第１の主面に対して化学的エッチングを行う工程と、
前記化学的エッチングを行う工程の後に、前記第１の主面において前記不純物領域と接する電極を形成する工程とを備え、
前記化学的エッチングを行う工程では、前記化学的エッチングを行う工程後の前記第１の主面における前記不純物領域の不純物濃度が、前記化学的エッチングを行う工程前の前記第１の主面における前記不純物領域の不純物濃度よりも大きくなるように前記第１の主面に対して化学的エッチングが行われる、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記化学的エッチングを行う工程では、前記化学的エッチングを行う工程後の前記第１の主面における前記不純物領域の不純物濃度が、前記化学的エッチングを行う工程前における前記第１の主面の法線方向に沿った前記不純物領域の不純物濃度の最大値の９０％以上となるまで前記第１の主面に対して化学的エッチングが行われる、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記化学的エッチングを行う工程では、前記化学的エッチングを行う工程後の前記第１の主面における前記不純物領域の不純物濃度が、前記化学的エッチングを行う工程前における前記第１の主面の法線方向に沿った前記不純物領域の不純物濃度の最大値となるまで前記第１の主面に対して化学的エッチングが行われる、請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記不純物領域を形成する工程後、かつ前記化学的エッチングを行う工程前に前記第１の主面が露出した状態で前記不純物領域を含む前記炭化珪素基板に対して活性化アニールを行う工程をさらに備えた、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記化学的エッチングを行う工程後であって、前記電極を形成する工程前に、前記第１の主面に接するゲート酸化膜を形成する工程をさらに備えた、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記化学的エッチングは、化学的機械研磨である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記化学的エッチングは、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングである、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記化学的エッチングを行う工程は、前記炭化珪素基板の前記第１の主面に対して水酸化カリウムを用いたウェットエッチングを行う工程と、前記水酸化カリウムを用いたウェットエッチングを行う工程の後に、前記炭化珪素基板の前記第１の主面に対して化学的機械研磨を行う工程とを含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関し、特定的には、炭化珪素基板に不純物領域を形成する工程を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高耐圧化、低損失化、高温環境下での使用などを可能とするため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素の採用が進められつつある。炭化珪素は、従来から半導体装置を構成する材料として広く使用されている珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体である。そのため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素を採用することにより、半導体装置の高耐圧化、オン抵抗の低減などを達成することができる。また、炭化珪素を材料として採用した半導体装置は、珪素を材料として採用した半導体装置に比べて、高温環境下で使用された場合の特性の低下が小さいという利点も有している。
【０００３】
たとえば、特開平８−８２１０号公報（特許文献１）には、炭化珪素基板に対してオーミック接触する電極を備えた炭化珪素半導体素子の製造方法が記載されている。当該炭化珪素半導体素子の製造方法によれば、炭化珪素基板の表面に対してイオン注入が行われた後に、当該表面からイオン注入するイオン種の濃度がピーク値にある深さまで当該表面層が熱酸化される。当該熱酸化によって形成された酸化層が除去された後、露出した表面に金属電極が形成される。これにより、低い接触抵抗を有する電極を炭化珪素基板の表面に形成することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−８２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特開平８−８２１０号公報に記載の方法によれば、炭化珪素基板の表面を熱酸化するために、炭化珪素基板がたとえば１０００℃程度以上の温度で熱処理される。当該熱処理により、炭化珪素基板の表面の珪素が昇華して当該表面に炭素が残存することで炭化珪素基板の表面が荒れる場合があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、その目的は、炭化珪素基板の表面荒れを抑制し、かつ炭化珪素基板と電極との間の接触抵抗を低減可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は以下の工程を備えている。第１の主面と、第１の主面と反対側の第２の主面とを有する炭化珪素基板が準備される。炭化珪素基板の第１の主面に対してイオン注入を行うことにより炭化珪素基板に不純物領域が形成される。不純物領域が形成された第１の主面に対して化学的エッチングが行われる。化学的エッチングを行う工程の後に、第１の主面において不純物領域と接する電極が形成される。化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面における不純物領域の不純物濃度が、化学的エッチングを行う工程前の第１の主面における不純物領域の不純物濃度よりも大きくなるように第１の主面に対して化学的エッチングが行われる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、炭化珪素基板の表面荒れを抑制し、かつ炭化珪素基板と電極との間の接触抵抗を低減可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の構造を概略的に説明するための断面模式図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を概略的に説明するためのフロー図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１の工程を概略的に説明するための断面模式図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２の工程を概略的に説明するための断面模式図である。
【図５】図４のＸa方向に沿ったソース領域における不純物濃度を概略的に示す図である。
【図６】図４のＸb方向に沿ったコンタクト領域における不純物濃度を概略的に示す図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３の工程を概略的に説明するための断面模式図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４の工程を概略的に説明するための断面模式図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第５の工程を概略的に説明するための断面模式図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第６の工程を概略的に説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本願発明の実施形態の説明］
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
【００１１】
（１）実施の形態に係る炭化珪素半導体装置１の製造方法は以下の工程を備えている。第１の主面１０ａと、第１の主面１０ａと反対側の第２の主面１０ｂとを有する炭化珪素基板１０が準備される。炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対してイオン注入を行うことにより炭化珪素基板１０に不純物領域１４が形成される。不純物領域１４が形成された第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。化学的エッチングを行う工程の後に、第１の主面１０ａにおいて不純物領域１４と接する電極１６が形成される。化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度が、化学的エッチングを行う工程前の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度よりも大きくなるように第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。
【００１２】
上記実施の形態に係る炭化珪素半導体装置１の製造方法によれば、第１の主面１０ａに対して化学的エッチングを行うことにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度を、化学的エッチングを行う前の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度よりも大きくすることができる。それゆえ、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａを熱酸化する場合よりも、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを抑制しながら、不純物領域１４と電極１６との間の接触抵抗を低減することができる。
【００１３】
（２）上記（１）に係る炭化珪素半導体装置１の製造方法において好ましくは、化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度が、化学的エッチングを行う工程前における第１の主面１０ａの法線方向に沿った不純物領域１４の不純物濃度の最大値の９０％以上となるまで第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。これにより、不純物領域１４と電極１６との間の接触抵抗を効果的に低減することができる。
【００１４】
（３）上記（２）に係る炭化珪素半導体装置１の製造方法において好ましくは、化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおける不純物領域１４の不純物濃度が、化学的エッチングを行う工程前における第１の主面１０ａの法線方向に沿った不純物領域１４の不純物濃度の最大値となるまで第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。これにより、不純物領域１４と電極１６との間の接触抵抗をより効果的に低減することができる。また炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａを熱酸化して熱酸化膜を形成する場合において、熱酸化可能な炭化珪素層の厚みに制限がある。そのため、不純物領域１４において不純物の濃度が最大値を示す領域が、第１の主面１０ａから深く離れた位置（たとえば０．５μｍ以上程度離れた位置）に存在する場合、不純物の濃度が最大値を示す領域を、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させることが困難であった。上記実施の形態に係る方法によれば、化学的エッチングの条件を制御することにより、不純物領域１４において不純物の濃度が最大値を示す領域が、第１の主面１０ａから深く離れた位置に存在する場合であっても、不純物の濃度が最大値を示す領域を炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させることができる。
【００１５】
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置１の製造方法において好ましくは、不純物領域１４を形成する工程後、かつ化学的エッチングを行う工程前に第１の主面１０ａが露出した状態で不純物領域１４を含む炭化珪素基板１０に対して活性化アニールを行う工程をさらに備える。活性化アニールを行う際における炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを防止するために、たとえば炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに保護膜を形成した状態で活性化アニールを行うことも考えられる。しかしながら、上記実施の形態によれば、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが露出した状態で炭化珪素基板１０に対して活性化アニールを行った後に、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。そのため、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに保護膜を形成することなく、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを抑制することができる。結果として、炭化珪素半導体装置１の製造工程を簡略化することができる。
【００１６】
（５）上記（１）〜（４）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置１の製造方法において好ましくは、化学的エッチングを行う工程後であって、電極１６を形成する工程前に、第１の主面１０ａに接するゲート酸化膜１５を形成する工程をさらに備える。これにより、表面荒れが抑制された第１の主面１０ａにゲート酸化膜１５が形成されるので、ゲート酸化膜１５の一部に電界が集中することを抑制することができる。結果として、炭化珪素半導体装置１の信頼性を向上することができる。
【００１７】
（６）上記（１）〜（５）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置１の製造方法において好ましくは、化学的エッチングは、化学的機械研磨である。これにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを効果的に抑制することができる。
【００１８】
（７）上記（１）〜（５）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置１の製造方法において好ましくは、化学的エッチングは、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングである。水酸化カリウムを用いたウェットエッチングは、化学的機械研磨よりも炭化珪素のエッチングレートが速い。それゆえ、短時間で、炭化珪素基板１０をエッチングして、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを抑制することができる。
【００１９】
（８）上記（１）〜（５）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置１の製造方法において好ましくは、化学的エッチングを行う工程は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して水酸化カリウムを用いたウェットエッチングを行う工程と、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングを行う工程の後に、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的機械研磨を行う工程とを含む。これにより、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングにより短時間で炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａ側をエッチングして高い不純物濃度を有する領域を炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させた後に、化学的機械研磨により炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを効果的に抑制することができる。
【００２０】
［本願発明の実施形態の詳細］
まず、本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の構成について説明する。
【００２１】
図１を参照して、本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素基板１０と、ゲート電極２７と、ゲート酸化膜１５と、層間絶縁膜２１と、ソース電極１６と、表面保護電極１９と、ドレイン電極２０と、裏面保護電極２３とを主に有している。炭化珪素基板１０は、第１の主面１０ａと、第１の主面１０ａと反対側の第２の主面１０ｂとを有し、炭化珪素単結晶基板１１と、炭化珪素単結晶基板１１上に設けられた炭化珪素エピタキシャル層５とを主に含む。
【００２２】
炭化珪素単結晶基板１１は、たとえばポリタイプ４Ｈの六方晶炭化珪素単結晶からなる。炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの最大径は、たとえば１００ｍｍより大きく、好ましくは１５０ｍｍ以上である。炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａは、たとえば｛０００１｝面または｛０００１｝面から８°以下オフした面である。具体的には、第１の主面１０ａは、たとえば（０００１）面または（０００１）面から８°以下程度オフした面であり、第２の主面１０ｂは、（０００−１）面または（０００−１）面から８°以下程度オフした面である。炭化珪素基板１０の厚みは、たとえば７００μｍ以下であり、好ましくは５００μｍ以下である。
【００２３】
炭化珪素エピタキシャル層５は、ドリフト領域１２と、ボディ領域１３と、ソース領域１４と、コンタクト領域１８とを有している。ドリフト領域１２は、窒素などのドナー不純物を含むｎ型（第１導電型）の領域である。ドリフト領域１２におけるドナー不純物の濃度は、たとえば５．０×１０15ｃｍ-3程度である。ボディ領域１３はｐ型（第２導電型）を有する領域である。ボディ領域１３に含まれるアクセプタ不純物は、たとえばＡｌ（アルミニウム）またはＢ（ホウ素）などである。ボディ領域１３に含まれるアクセプタ不純物の濃度は、たとえば１×１０17ｃｍ-3程度である。
【００２４】
ソース領域１４は、リンなどのドナー不純物を含むｎ型の領域である。ソース領域１４は、ボディ領域１３に取り囲まれるように、ボディ領域１３の内部に形成されている。ソース領域１４のドナー不純物の濃度は、ドリフト領域１２のドナー不純物の濃度よりも高い。ソース領域１４のドナー不純物の濃度はたとえば１×１０19ｃｍ-3である。ソース領域１４は、ボディ領域１３によりドリフト領域１２と隔てられている。
【００２５】
コンタクト領域１８はｐ型領域である。コンタクト領域１８は、ソース領域１４に囲まれて設けられており、ボディ領域１３に接して形成されている。コンタクト領域１８は、たとえばＡｌまたはＢなどの不純物をボディ領域１３に含まれる不純物よりも高い濃度で含んでいる。コンタクト領域１８におけるＡｌまたはＢなどの不純物濃度はたとえば１×１０20ｃｍ-3である。
【００２６】
ゲート酸化膜１５は、一方のソース領域１４の上部表面から他方のソース領域１４の上部表面にまで延在するように炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに接して形成されている。ゲート酸化膜１５は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおいてソース領域１４、ボディ領域１３およびドリフト領域１２に接している。ゲート酸化膜１５は、たとえば二酸化珪素からなっている。ゲート酸化膜１５の厚みは、たとえば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下程度である。
【００２７】
ゲート電極２７は、一方のソース領域１４上から他方のソース領域１４上にまで延在するように、ゲート酸化膜１５に接触して配置されている。ゲート電極２７は、炭化珪素基板１０との間にゲート酸化膜１５を挟むようにゲート酸化膜１５上に設けられている。ゲート電極２７は、ソース領域１４、ボディ領域１３およびドリフト領域１２の上方にゲート酸化膜１５を介して形成されている。ゲート電極２７は、たとえば不純物がドーピングされたポリシリコンまたはＡｌなどの導電体からなっている。
【００２８】
ソース電極１６は、ゲート酸化膜１５から離れる向きに、ソース領域１４上からコンタクト領域１８上にまで延在するように、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに接して配置されている。ソース電極１６は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおいてソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々と接する。ソース電極１６は、たとえばＴｉＡｌＳｉなどからなる。ソース電極１６は、ソース領域１４とオーミック接合している。好ましくは、ソース電極１６は、ソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々とオーミック接合している。
【００２９】
層間絶縁膜２１は、ゲート電極２７を覆うようにゲート電極２７およびゲート酸化膜１５の各々に接して設けられている。層間絶縁膜２１は、ゲート電極２７とソース電極１６とを電気的に絶縁している。表面保護電極１９は、層間絶縁膜２１を覆い、かつソース電極１６に接するように設けられている。表面保護電極１９は、ソース電極１６を介してソース領域１４と電気的に接続されている。
【００３０】
ドレイン電極２０は、炭化珪素基板１０の第２の主面１０ｂに接して設けられている。このドレイン電極２０は、ＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）など、炭化珪素単結晶基板１１とオーミック接合可能な材料からなっている。これにより、ドレイン電極２０は炭化珪素単結晶基板１１と電気的に接続されている。裏面保護電極２３は、ドレイン電極２０の炭化珪素単結晶基板１１とは反対側の主面に接して形成されている。裏面保護電極２３は、たとえばＡｌを含む材料からなる。
【００３１】
次に、本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の動作について説明する。図１を参照して、ゲート電極２７に印加された電圧が閾値電圧未満の状態、すなわちオフ状態では、ソース電極１６とドレイン電極２０との間に電圧が印加されても、ボディ領域１３とドリフト領域１２との間に形成されるｐｎ接合が逆バイアスとなり、非導通状態となる。一方、ゲート電極２７に閾値電圧以上の電圧が印加されると、ボディ領域１３のゲート酸化膜１５と接触する付近であるチャネル領域ＣＨにおいて反転層が形成される。その結果、ソース領域１４とドリフト領域１２とが電気的に接続され、ソース電極１６とドレイン電極２０との間に電流が流れる。以上のようにして、ＭＯＳＦＥＴ１は動作する。
【００３２】
次に、本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴ１の製造方法について説明する。
【００３３】
まず、炭化珪素基板準備工程（Ｓ１０：図２）が実施される。たとえば、昇華法により形成されたポリタイプ４Ｈを有する六方晶炭化珪素単結晶からなるインゴットをスライスすることにより、炭化珪素単結晶基板１１が準備される。次に、炭化珪素単結晶基板１１上に炭化珪素エピタキシャル層５が、たとえばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される。具体的には、炭化珪素単結晶基板１１上に、水素（Ｈ2）を含むキャリアガスと、モノシラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）および窒素（Ｎ2）などを含む原料ガスとが供給され、炭化珪素単結晶基板１１がたとえば１５００℃以上１７００℃以下程度に加熱される。これにより、図３に示すように、炭化珪素エピタキシャル層５が炭化珪素単結晶基板１１上に形成される。以上により、第１の主面１０ａと、第１の主面１０ａと反対側の第２の主面１０ｂとを有する炭化珪素基板１０が準備される。炭化珪素基板１０は、第２の主面１０ｂを形成する炭化珪素単結晶基板１１と、炭化珪素単結晶基板１１上に設けられ、第１の主面１０ａを形成する炭化珪素エピタキシャル層５とを含む（図３参照）。
【００３４】
次に、イオン注入工程（Ｓ２０：図２）が実施される。具体的には、図４を参照して、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対してイオン注入が実施される。たとえばＡｌ（アルミニウム）イオンが、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して注入されることにより、炭化珪素エピタキシャル層５内に導電型がｐ型のボディ領域１３が形成される。ボディ領域１３は、アルミニウムを含む不純物領域である。次に、たとえばＰ（リン）イオンが、上記Ａｌイオンの注入深さよりも浅い深さまでボディ領域１３内に注入されることにより、導電型がｎ型のソース領域１４が形成される。ソース領域１４は、たとえばリンなどの第１の不純物を含む不純物領域である。次に、たとえばＡｌイオンが、ソース領域１４よりも深く、ボディ領域１３よりも浅い深さまで、ソース領域１４内に対してさらに注入される。これにより、ソース領域１４に囲まれ、第１の主面１０ａからボディ領域１３まで、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの法線方向に沿って延在し、かつ導電型がｐ型のコンタクト領域１８が形成される。コンタクト領域１８は、たとえばアルミニウムなどの第２の不純物を含む不純物領域である。炭化珪素エピタキシャル層５において、ボディ領域１３、ソース領域１４およびコンタクト領域１８のいずれも形成されない領域は、ドリフト領域１２となる。
【００３５】
以上により、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対してイオン注入を行うことにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａ側に、ボディ領域１３と、ソース領域１４と、コンタクト領域１８とが形成される。ソース領域１４は、たとえばリンなどの第１の不純物の濃度の最大値を示す領域が、ソース領域１４における第１の主面１０ａ側の端面と、第２の主面１０ｂ側の端面との間に位置するように形成される。同様に、コンタクト領域１８は、たとえばアルミニウムなどの第２の不純物の濃度の最大値を示す領域が、コンタクト領域１８における第１の主面１０ａ側の端面と、第２の主面１０ｂ側の端面との間に位置するように形成される。
【００３６】
図５を参照して、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの法線方向に沿ったソース領域１４が含む第１の不純物の濃度分布について説明する。ソース領域１４が含む第１の不純物は、たとえばリンである。図５においてＸaは、図４に示すように、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの法線と平行な方向に沿ってソース領域１４を縦断する方向である。Ｘa方向の位置０は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの位置である。ソース領域１４の位置０における第１の不純物の濃度は不純物濃度ａ１である。炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａから第２の主面１０ｂ側に向かうにつれてソース領域１４の第１の不純物の濃度は増加し、ソース領域１４の位置ｘ２において最大の不純物濃度ａ３となる。Ｘa方向に沿った位置０から位置ｘ２までの距離は、たとえば８０μｍ以上１６０μｍ以下程度である。さらに第２の主面１０ｂ側に向かうとソース領域１４の第１の不純物の濃度は減少し、Ｘa方向の位置ｘ４において、位置０における第１の不純物の濃度と同じ不純物濃度となる。位置ｘ１および位置ｘ３の各々におけるソース領域１４の第１の不純物の濃度ａ２は、位置ｘ２における第１の不純物の濃度ａ３の９０％である。たとえば不純物濃度ａ３は、２×１０19ｃｍ-3であり、不純物濃度ａ２は、１．８×１０19ｃｍ-3である。
【００３７】
図６を参照して、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの法線方向に沿ったコンタクト領域１８が含む第２の不純物の濃度分布について説明する。コンタクト領域１８が含む第２の不純物は、たとえばアルミニウムである。図６においてＸbは、図４に示すように、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの法線と平行な方向に沿ってコンタクト領域１８を縦断する方向である。Ｘb方向の位置０は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの位置である。コンタクト領域１８の位置０における第２の不純物の濃度は不純物濃度ｂ１である。炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａから第２の主面１０ｂ側に向かうにつれてコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度は増加し、コンタクト領域１８の位置ｘ６において最大の不純物濃度ｂ３となる。Ｘb方向に沿った位置０から位置ｘ６までの距離は、たとえば８０μｍ以上１６０μｍ以下程度である。さらに第２の主面１０ｂ側に向かうとコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度は減少し、Ｘb方向の位置ｘ８において、位置０における第２の不純物の濃度と同じ濃度となる。位置ｘ５および位置ｘ７の各々におけるコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度ｂ２は、位置ｘ６における第２の不純物の濃度ｂ３の９０％である。たとえば不純物濃度ｂ３は、１×１０20ｃｍ-3であり、不純物濃度ｂ２は、０．９×１０20ｃｍ-3である。
【００３８】
次に、活性化アニール工程（Ｓ３０：図２）が実施される。具体的には、ボディ領域１３、ソース領域１４およびコンタクト領域１８を含む炭化珪素基板１０が、たとえば１６００℃以上２０００℃以下の温度で３０分間程度加熱される。炭化珪素基板１０の加熱は、第１の主面１０ａを覆う保護層を設けることなく、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが露出した状態で行われてもよい。これにより、上記イオン注入工程にて形成されたボディ領域１３、ソース領域１４およびコンタクト領域１８における不純物が活性化されて所望のキャリアが生成する。好ましくは、活性化アニール工程（Ｓ３０：図２）は、ボディ領域１３、ソース領域１４およびコンタクト領域１８を形成した後であって、かつ後述する化学的エッチング工程（Ｓ３５：図２）前に行われる。
【００３９】
次に、化学的エッチング工程（Ｓ３５：図２）が実施される。たとえば、ソース領域１４およびコンタクト領域１８が形成された炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングとしての化学的機械研磨が行われる。砥粒の材料は、たとえばダイヤモンドまたはｃＢＮなどである。砥粒の大きさは、たとえば数十ｎｍ以上数百ｎｍ以下程度である。回転数は、たとえば２０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下程度である。荷重は、たとえば５００ｇ／ｃｍ2以上６００ｇ／ｃｍ2以下程度である。図７を参照して、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われることにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａ側に形成されたドリフト領域１２、ボディ領域１３、ソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々の一部が同時に除去される。より具体的には、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の第１の不純物の濃度が、化学的エッチングを行う工程前の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の第１の不純物の濃度よりも大きくなるように炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。同様に、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおけるコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度が、化学的エッチングを行う工程前の第１の主面１０ａにおけるコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度よりも大きくなるように炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。言い換えれば、第１の主面１０ａに対して化学的エッチングを行うことにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々の不純物濃度を大きくする。同時に、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの平坦性を向上することができる。なお、ソース領域１４およびコンタクト領域１８に対する化学的エッチングは同時に行われる。
【００４０】
具体的には、図５を参照して、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが、Ｘa方向における位置０および位置ｘ４の間に位置するまで、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。同様に、図６を参照して、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが、Ｘb方向における位置ｘ０および位置ｘ８の間に位置するまで、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。
【００４１】
好ましくは、化学的エッチング工程では、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の第１の不純物の濃度が、化学的エッチング工程前における炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの法線方向に沿ったソース領域１４の第１の不純物の濃度の最大値の９０％以上となる位置まで炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。具体的には、図５を参照して、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが、Ｘa方向における位置ｘ１および位置ｘ３の間に位置するまで、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。同様に、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおけるコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度が、化学的エッチング工程前における炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの法線方向に沿ったコンタクト領領域１８の第２の不純物の濃度の最大値の９０％以上となる位置まで炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。具体的には、図６を参照して、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが、Ｘb方向における位置ｘ５および位置ｘ７の間に位置するまで、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。
【００４２】
より好ましくは、化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の第１の不純物の濃度が、化学的エッチングを行う工程前における第１の主面１０ａの法線方向に沿ったソース領域１４の第１の不純物の濃度の最大値となる位置まで第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。具体的には、図５を参照して、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが、Ｘa方向における位置ｘ２に位置するまで、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。同様に、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおけるコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度が、化学的エッチングを行う工程前における第１の主面１０ａの法線方向に沿ったコンタクト領域１８の第２の不純物の濃度の最大値となる位置まで第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。具体的には、図６を参照して、化学的エッチング工程後の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが、Ｘb方向における位置ｘ６に位置するまで、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。
【００４３】
なお、化学的エッチングとして、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングが行われてもよい。水酸化カリウムを用いたウェットエッチングでは、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａを約５２０℃の水酸化カリウム溶液に浸漬させることにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａがエッチングされる。水酸化カリウムを用いたウェットエッチングは、化学的機械研磨よりも炭化珪素のエッチングレートが速い。具体的には、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングのエッチングレートは、約１０００００ｎｍ／時であり、化学的機械研磨のエッチングレートは、約２００ｎｍ／時である。
【００４４】
好ましくは、化学的エッチング工程では、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングと、化学的機械研磨との双方が実施される。具体的には、ソース領域１４およびコンタクト領域１８が形成された炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して水酸化カリウムを用いたウェットエッチングが行われることにより、ソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々の一部が除去される。炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して水酸化カリウムを用いたウェットエッチングが行われた後、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的機械研磨が行われることにより、ソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々の一部がさらに除去される。
【００４５】
なお、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの熱酸化の速度は、炭化珪素基板１０が含む不純物領域の極性および不純物濃度によって異なる。そのため、炭化珪素基板１０のソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々の表面を熱酸化させて酸化膜を形成する際、ソース領域１４上の酸化膜の厚みは、コンタクト領域１８上の酸化膜の厚みと異なる場合がある。この場合、ソース領域１４の第１の不純物の濃度が最大値を示す領域を炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させると、コンタクト領域１８の第２の不純物の濃度が最大値を示す領域は炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出しない。それゆえ、ソース領域１４およびコンタクト領域１８の双方の表面を熱酸化させて酸化膜を形成し、当該酸化膜を除去する方法では、ソース領域１４における第１の不純物の濃度が最大値を示す領域と、コンタクト領域１８における第２の不純物の濃度が最大値を示す領域とを、一回の工程で炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させることが困難であった。しかしながら、化学的エッチングのエッチング速度は、不純物領域の極性および不純物濃度にあまり依存しない。そのため、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出したソース領域１４およびコンタクト領域１８の双方に対して同時に化学的エッチングを行うことにより、ソース領域１４における第１の不純物の濃度が最大値を示す領域およびコンタクト領域１８における第２の不純物の濃度が最大値を示す領域の双方を一回の工程で炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させることができる。
【００４６】
次に、ゲート酸化膜形成工程（Ｓ４０：図２）が実施される。具体的には、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａ側に、ボディ領域１３と、ソース領域１４と、コンタクト領域１８とが形成された炭化珪素基板１０が加熱炉内に配置される。加熱炉に対して窒素ガスが導入された状態を維持しながら、炭化珪素基板１０の温度を室温から１３００℃まで加熱する。炭化珪素基板１０が１３００℃なった後、酸素ガスが加熱炉に対して導入される。酸素雰囲気中において、炭化珪素基板１０を１３００℃程度の温度で１時間程度保持することにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａ上にゲート酸化膜１５が形成される。以上のようにして、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａを覆うように二酸化珪素からなるゲート酸化膜１５が形成される（図８参照）。ゲート酸化膜１５は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおいてドリフト領域１２と、ボディ領域１３と、ソース領域１４と、コンタクト領域１８とに接して形成される。ゲート酸化膜１５の厚みは、たとえば５０ｎｍ程度である。ゲート酸化膜１５の形成は、化学的エッチング工程（Ｓ３５：図２）後であって、ソース電極形成工程（Ｓ９０：図２）前に行われる。
【００４７】
次に、ＮＯアニール工程（Ｓ５０：図２）が実施される。具体的には、窒素を含む雰囲気中においてゲート酸化膜１５が形成された炭化珪素基板１０が１３００℃程度の温度で熱処理される。窒素を含む気体とは、たとえば一酸化窒素（ＮＯ）、一酸化二窒素、二酸化窒素およびアンモニアなどである。好ましくは、ゲート酸化膜１５が形成された炭化珪素基板１０が、窒素を含む気体中において、１３００℃以上１５００℃以下の温度で、たとえば１時間程度保持される。
【００４８】
次に、Ａｒアニール工程（Ｓ６０：図２）が実施される。具体的には、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中において、ゲート酸化膜１５が形成された炭化珪素基板１０が１３００℃程度の温度で熱処理される。好ましくは、アルゴンガス中において、ゲート酸化膜１５が形成された炭化珪素基板１０が、たとえば１１００℃以上１５００℃以下の温度で１時間程度保持される。より好ましくは、ゲート酸化膜１５が形成された炭化珪素基板１０は、１３００℃以上１５００℃以下の温度に保持される。
【００４９】
次に、ゲート電極形成工程（Ｓ７０：図２）が実施される。たとえばＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ゲート酸化膜１５上に接触し、不純物を含むポリシリコンからなるゲート電極２７が形成される。ゲート電極２７は、ゲート酸化膜１５を介してドリフト領域１２、ソース領域１４およびボディ領域１３に対向して形成される。
【００５０】
次に、層間絶縁膜形成工程（Ｓ８０：図２）が実施される。たとえば二酸化珪素からなる層間絶縁膜２１が、ゲート酸化膜１５およびゲート電極２７を覆うように形成される。具体的には、たとえば６５０℃以上７５０℃以下程度の温度下において６時間程度、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）ガスが炭化珪素基板１０上に供給される。これにより、ゲート電極２７を覆うように層間絶縁膜２１が形成される。
【００５１】
次に、ソース電極形成工程（Ｓ９０：図２）が実施される。図９を参照して、ソース電極１６を形成すべき領域において層間絶縁膜２１およびゲート酸化膜１５が除去され、ソース領域１４およびコンタクト領域１８が層間絶縁膜２１およびゲート酸化膜１５から露出した領域が形成される。次に、たとえばスパッタリングにより、上記領域において、たとえばＮｉＳｉ、ＴｉＳｉ、ＴｉＡｌまたはＴｉＡｌＳｉ（チタンアルミニウムシリコン）を含むソース電極１６が形成される。ソース電極１６は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに接して形成される。
【００５２】
次に、合金化アニール工程（Ｓ１００：図２）が実施される。具体的には、ソース領域１４およびコンタクト領域１８の各々に接して設けられたソース電極１６が形成された炭化珪素基板１０に対して、たとえば９００℃以上１１００℃以下の熱処理が５分程度実施される。これにより、ソース電極１６の少なくとも一部がシリサイド化し、ソース領域１４とオーミック接合するソース電極１６が形成される。
【００５３】
次に、ソース電極１６に接し、かつ層間絶縁膜２１を覆うように表面保護電極１９が形成される（図１０参照）。表面保護電極１９は、好ましくはＡｌを含む材料からなり、たとえばＡｌＳｉＣｕである。表面保護電極１９形成後、ランプアニール工程が実施されてもよい。ランプアニール工程では、たとえば７００℃以上８００℃以下の温度下で、たとえば３０秒間程度、表面保護電極１９が設けられた炭化珪素基板１０が加熱される。
【００５４】
次に、炭化珪素基板１０の第２の主面１０ｂと接して、たとえばＮｉＳｉからなるドレイン電極２０が形成される。ドレイン電極２０は、たとえばＴｉＡｌＳｉなどであっても構わない。ドレイン電極２０の形成は、好ましくはスパッタリング法により実施されるが、蒸着により実施されても構わない。当該ドレイン電極２０が形成された後、当該ドレイン電極２０がたとえばレーザーアニールにより加熱される。これにより、当該ドレイン電極２０の少なくとも一部がシリサイド化し、炭化珪素単結晶基板１１とオーミック接合するドレイン電極２０が形成される。次に、ドレイン電極２０に接して裏面保護電極２３が形成される。裏面保護電極２３は、たとえばＡｌを含む材料からなる。以上のように、図１に示すＭＯＳＦＥＴ１が製造される。
【００５５】
なお上記実施の形態において、第１導電型はｎ型であり、かつ第２導電型はｐ型であるとして説明したが、第１導電型をｐ型とし、かつ第２導電型をｎ型としてもよい。上記においては、炭化珪素半導体装置の一例として、プレーナ型のＭＯＳＦＥＴについて説明したが、炭化珪素半導体装置は、たとえばトレンチ型のＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などであっても構わない。さらに、炭化珪素半導体装置は、横型ＭＯＳＦＥＴであってもよい。横型ＭＯＳＦＥＴの場合、不純物領域は、ドレイン領域であってもよい。
【００５６】
次に、本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴ１の作用効果について説明する。
【００５７】
本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、第１の主面１０ａに対して化学的エッチングを行うことにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の不純物濃度を、化学的エッチングを行う前の炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の不純物濃度よりも大きくすることができる。それゆえ、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａを熱酸化する場合よりも、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを抑制しながら、ソース領域１４とソース電極１６との間の接触抵抗を低減することができる。
【００５８】
また本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の不純物濃度が、化学的エッチングを行う工程前における第１の主面１０ａの法線方向に沿ったソース領域１４の不純物濃度の最大値の９０％以上となるまで第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。これにより、ソース領域１４とソース電極１６との間の接触抵抗を効果的に低減することができる。
【００５９】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、化学的エッチングを行う工程では、化学的エッチングを行う工程後の第１の主面１０ａにおけるソース領域１４の不純物濃度が、化学的エッチングを行う工程前における第１の主面１０ａの法線方向に沿ったソース領域１４の不純物濃度の最大値となるまで第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。これにより、ソース領域１４とソース電極１６との間の接触抵抗をより効果的に低減することができる。また炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａを熱酸化して熱酸化膜を形成する場合において、熱酸化可能な炭化珪素層の厚みに制限がある。そのため、不純物領域１４において不純物の濃度が最大値を示す領域が、第１の主面１０ａから深く離れた位置（たとえば０．５μｍ以上程度離れた位置）に存在する場合、不純物の濃度が最大値を示す領域を、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させることが困難であった。上記実施の形態に係る方法によれば、化学的エッチングの条件を制御することにより、不純物領域１４において不純物の濃度が最大値を示す領域が、第１の主面１０ａから深く離れた位置に存在する場合であっても、不純物の濃度が最大値を示す領域を炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させることができる。
【００６０】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、ソース領域１４を形成する工程後、かつ化学的エッチングを行う工程前に第１の主面１０ａが露出した状態でソース領域１４を含む炭化珪素基板１０に対して活性化アニールを行う工程をさらに備える。活性化アニールを行う際における炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを防止するために、たとえば炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに保護膜を形成した状態で活性化アニールを行うことも考えられる。しかしながら、上記実施の形態によれば、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａが露出した状態で炭化珪素基板１０に対して活性化アニールを行った後に、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的エッチングが行われる。そのため、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに保護膜を形成することなく、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを抑制することができる。結果として、炭化珪素半導体装置１の製造工程を簡略化することができる。
【００６１】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、化学的エッチングを行う工程後であって、ソース電極１６を形成する工程前に、第１の主面１０ａに接するゲート酸化膜１５を形成する工程をさらに備える。これにより、表面荒れが抑制された第１の主面１０ａにゲート酸化膜１５が形成されるので、ゲート酸化膜１５の一部に電界が集中することを抑制することができる。結果として、炭化珪素半導体装置１の信頼性を向上することができる。
【００６２】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、化学的エッチングは、化学的機械研磨である。これにより、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを効果的に抑制することができる。
【００６３】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、化学的エッチングは、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングである。水酸化カリウムを用いたウェットエッチングは、化学的機械研磨よりも炭化珪素のエッチングレートが速い。それゆえ、短時間で、炭化珪素基板１０をエッチングして、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを抑制することができる。
【００６４】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１の製造方法によれば、化学的エッチングを行う工程は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して水酸化カリウムを用いたウェットエッチングを行う工程と、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングを行う工程の後に、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して化学的機械研磨を行う工程とを含む。これにより、水酸化カリウムを用いたウェットエッチングにより短時間で炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａ側をエッチングして高い不純物濃度を有する領域を炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに露出させた後に、化学的機械研磨により炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａの荒れを効果的に抑制することができる。
【００６５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６６】
１  炭化珪素半導体装置（ＭＯＳＦＥＴ）
５  炭化珪素エピタキシャル層
１０  炭化珪素基板
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１１  炭化珪素単結晶基板
１２  ドリフト領域
１３  ボディ領域
１４  不純物領域（ソース領域）
１５  ゲート酸化膜
１６  電極（ソース電極）
１８  コンタクト領域
１９  表面保護電極
２０  ドレイン電極
２１  層間絶縁膜
２３  裏面保護電極
２７  ゲート電極
ＣＨ  チャネル領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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