(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の自転公転方方法を有する化学的気相成長方法において、傾斜した多面体のサセプタの自転運動と公転運動を実現し、かつ、パージガスによって反応生成物が付着しないで、回転が持続する機構と方法の提供。【解決手段】化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置において用いられるサセプタ１の自転公転用手段であって、公転手段を備えた複数の基板９を設置可能なサセプタ１と、基板ホルダー２を備えた自転用軸受けと、前記サセプタの公転手段側に配置された固定歯車８とを備えてなり、前記基板ホルダー２が、前記固定歯車８の歯と嵌合する自転用歯車を備えてなり、前記固定歯車８が、前記自転用軸受けよりも外側に配置されてなる、サセプタ１の自転公転用手段によって達成される。【選択図】図２Ａ
2015119049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置において用いられるサセプタの自転公転用手段であって、
公転手段を備えた複数の基板を設置可能なサセプタと、
基板ホルダーを備えた自転用軸受けと、
前記サセプタの公転手段側に配置された固定歯車とを備えてなり、
前記基板ホルダーが、前記固定歯車の歯と嵌合する自転用歯車を備えてなり、
前記固定歯車が、前記自転用軸受けよりも外側に配置されてなる、サセプタの自転公転用手段。
【請求項２】
前記基板ホルダーを備えた自転用軸受けを軸受けホルダーに収納し、前記軸受けホルダーを前記サセプタに収納してなるものである、請求項１に記載のサセプタの自転公転用手段。
【請求項３】
前記自転用軸受が、気相成長した層構造またはガラス状構造のグラファイトの２枚以上のリングを重ねて形成し、前記基板ホルダーが回転すると共に擦動するものである、請求項１又は２に記載のサセプタの自転公転用手段。
【請求項４】
前記自転用歯車と前記固定歯車の一方または両方が、窒化ホウ素またはタンタルカーバイドをコーティングしたグラファイトで形成されてなるものである、請求項１〜３の何れか一項に記載のサセプタの自転公転用手段。
【請求項５】
化学的気相成長方法による結晶層を製造する方法であって、
請求項１〜４の何れか一項におけるサセプタの自転公転用手段と、基板と、結晶層を形成する原料を用意し、
基板を備えたサセプタに、原料ガスを供給し、
サセプタ自転公転用手段により、前記サセプタを自転公転させて、
前記基板に結晶層を形成させることを含んでなる、製造方法。
【請求項６】
前記サセプタの下部に、ガス隔離室を配置し、外部から継続的にパージガスを供給し、
前記基板ホルダーと、前記自転用軸受けと、前記固定歯車とに、前記パージガスを分配して供給することをさらに含んでなる、請求項５に記載の化学的気相成長方法。
【請求項７】
結晶層を製造する化学的気相成長装置であって、
原料ガスと、キャリアガスとを反応器に導入する各供給部と、
基板を備えたサセプタと、
前記サセプタを自転公転させて、前記基板に結晶層を形成させる、請求項１〜４の何れか一項におけるサセプタ自転公転用手段と、
前記原料ガスを反応させ、前記結晶層を気相成長させるための、反応温度調節機構と、及び
排気機構とを備えてなる、成長装置。
【請求項８】
前記サセプタの下部に配置されたガス隔離室と、
外部から継続的にパージガスを供給するパージガス供給器とをさらに備えてなり、
前記パージガス供給器が、前記基板ホルダーと、前記自転用軸受けと、前記固定歯車とに、前記パージガスを分配して供給するものである、請求項７に記載の化学的気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタを自転公転する機構及びそれを用いた化学的気相成長方法及び装置に関する。
【技術背景】
【０００２】
化学的気相成長方法及びその装置は、例えば、リアクタ内に設置されたサセプタの表面に基板を配置し、リアクタ内に原料ガスを供給して、基板表面において、気相成長を行うものが知られている。化学的気相成長方法としては、特に、ハイドライド気相成長法（Hydride Vapor Phase Epitaxy：ＨＶＰＥ）が技術的に確立している。
【０００３】
近年、成長結晶層の厚みを均一化し、高品位な結晶層を形成するために、サセプタと基板とを備えた保持手段において、遊星歯車機構を用いてサセプタの自転運動と公転運動を同時に行うこと、或いは、基板ホルダーの裏面溝にガスを供給するガスホイール方法によって、基板ホルダーの自転運動と公転運動を行う方法が提案されている（特許文献１乃至特許文献３：特開平１−２１６５２１号、特開平６−２９５９００号、特開２０１１−１７１５８９号）。
【０００４】
図１（特許文献３図１のものであり、符号もそのまま引用する）を参照すると、リアクタ（１１）と、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタ（１２）と、ウエーハＷを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイ（１３）とを備えた気相成長装置（１０）において、前記トレイ（１３）が前記バレル型サセプタ（１２）とは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記バレル型サセプタ（１２）が公転用電動モータ（１４）によって回転し、前記トレイ（１３）が自転用電動モータ（１５）によって回転する、機構が提案されている。
【０００５】
そして、遊星歯車構造を採用する従来の自転公転方法にあっては、例えば、図１に示す通り、サセプタ（１２）の回転によって基板ホルダー（トレー（１３））は公転運動し、プラネタリーギア（１６）の上部に取り付けられた、かさ歯車によって、基板ホルダー（トレー（１３））は公転運動と同時に自転運動する。また、プラネタリーギア（１６）を回転させることで、公転運動と連動しないで、基板ホルダー（トレー（１３））２の自転運動を変化させることができるものとされている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１が提案する遊星歯車機構の場合にあっては、基板ホルダー（トレー（１３））の末端に、プラネタリーギア（１６）の上部に取り付けられた、かさ歯車を装着していることから、サセプタの直径を小さくすることが困難である。他方、かさ歯車の直径を小さくすると、歯にかかる負荷が大きくなり、かさ歯車が破損するという問題がある。かさ歯車を使った遊星歯車機構は、サセプタを取り付ける場合に、かさ歯車を嵌合させ難いという技術的課題が存在する。また、原料ガスがサセプタの回転機構部に侵入し、部品に堆積したり腐食させたりすることで、破損する問題があった。さらには、腐食ガスを使用して高温で超高純度の薄膜を堆積させる環境においては、金属及び機械油を使用することができず、滑らかに回転しないことがあった。
【０００７】
また、ガスホイール方法を採用する場合には、基板ホルダーはガスを使用して浮かせながら自転させるので、多面体のサセプタの傾斜面に放射状に設置した基板ホルダーにおいては、基板ホルダーが傾斜している為、ガスを使用して浮かせながら自転させることができないことがあった。
【０００８】
従って、今尚、化学的気相成長環境において、多面体のサセプタにおいて、傾斜した基板ホルダーの自転運動と公転運動を実現し、回転を持続し、かつ、サセプタを容易に取り外し可能な回転機構を実現できる機構が要求されている。
【発明の開示】
【０００９】
本発明者等は、従来の自転公転させるサセプタを用いた化学的気相成長法において、自転歯車を基板ホルダーの自転用軸受の外側に配置することを採用することにより、上記課題を解決することができるとの知見を得た。本発明は係る知見に基づいてなされたものである。
【００１０】
従って、本発明は、化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置において用いられるサセプタの自転公転用手段であって、
公転手段を備えた複数の基板を設置可能なサセプタと、
基板ホルダーを備えた自転用軸受けと、
前記サセプタの公転手段側に配置された固定歯車とを備えてなり、
前記基板ホルダーが、前記固定歯車の歯と嵌合する自転用歯車を備えてなり、
前記固定歯車が、前記自転用軸受けよりも外側に配置されてなる、サセプタの自転公転用手段を提案する。
【００１１】
本発明の別の態様によれば、本発明によるサセプタの自転公転用手段を備えた化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置を提案する。
【００１２】
本発明によれば、前記固定歯車が、前記自転用軸受けよりも外側に配置されてなることから、モーメントが大きく、歯どうしが接触する力を最小にすることでき、かつ、サセプタの直径を小さくすることで、反応管の直径も小さくなり、原料効率を高くすることができる。また、基板は反応容器の中で、自転公転運動するので、温度分布を均一にすることができ、また、原料ガスの濃度が反応容器の中で均一でなくても、自転公転運動することで、結晶層の膜厚分布を均一にすることができる。さらに、パージガスによって、サセプタの内部に原料ガスが侵入しないで長時間の成膜ができるので、厚い膜を形成することできる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】既存の化学的気相成長方法の説明図である。
【図２】本発明による化学的気相成長方法の断面図と上面図である。
【図３】本発明によるパージガスの流れを表す説明図である。
【図４】本発明によるサセプタの断面図と上面図である。
【図５】本発明による軸受ホルダーとピンの断面図である。
【図６】本発明による基板ホルダーの断面図と上面図である。
【図７】本発明による自転用スリップリングの断面図である。
【図８】本発明による固定歯車の断面図と上面図である。
【図９】本発明によるサセプタの取付けと取外し方方法の説明図である。
【図１０】本発明によるＨＶＰＥ装置の原理図である。
【図１１】本装置において基板が自転公転しないサセプタを用いた比較例である。
【図１２】４インチ基板において、膜厚測定点、ＧａＮ層の膜厚分布を示す図である。
【００１４】
［符号の説明］
１サセプタ、２基板ホルダー、３ａ，３ｂかさ歯車、４シャフト、５自転用スリップリング、６軸受ホルダー、７ピン、８固定歯車、２Ｇ，８Ｇ歯、９基板、１０反応管、１１電気炉、１２パージガス、１３ガス隔離室、１４パージガス流路、１５金属ガリウム、１６水素ガス、１７アンモニアガス、１８塩化水素ガス、１９塩化ガリウムガス、２０排気口
【発明の詳細な説明】
【００１５】
〔サセプタの自転公転用手段〕
本発明は、化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置において用いられるサセプタの自転公転用手段を提案する。
（歯車の位置）
本発明にあっては、前記基板ホルダーが、前記固定歯車の歯と嵌合する自転用歯車を備えてなり、前記固定歯車が、前記自転用軸受けよりも外側に配置されてなることを採用する。
【００１６】
このため、固定用歯車の直径は基板ホルダーの直径と同程度に大きくすることができるので、歯にかかる力が小さくても容易に回転することができる。  
そして、歯を小さくして数を多くすることができるので、鉛直方向に対し、自転歯車と固定歯車の相互の凹凸は嵌合しやすく、サセプタの取付けが容易にできる。
本発明により、サセプタは基板の自転公転機能を有しながら容易に取り付けと取り外しができる。このため、反応容器を開放して基板の交換を行う時間を短縮することができる。
【００１７】
また、好ましい態様にあっては、多面体のサセプタに、複数の基板を数多く配置する場合、基板ホルダーは隣り合う基板ホルダーが干渉しないようにサセプタの内側に向かった円錐空間に納めることが要求される。限られた円錐空間においては、外側に自転歯車を配置したほうが、歯車の直径を大きくすることが可能となる。また、サセプタの回転によって各基板ホルダーは公転運動するが、公転運動している基板ホルダーの自転用歯車が、サセプタの下に設置した固定歯車と嵌合することで、基板ホルダーは公転運動と同時に自転運動することが容易に達成される。
【００１８】
（基板ホルダー）
本発明にあっては、公転手段を備えた複数の基板を設置可能なサセプタと、基板ホルダーを備えた自転用軸受けとを採用する。
【００１９】
本発明にあっては、前記基板ホルダーを備えた自転用軸受けを軸受けホルダーに収納し、前記軸受けホルダーを前記サセプタに収納してなる態様が好ましい。この態様によれば、サセプタの取付けと取外しを容易にすることができる。
【００２０】
そして、高温において滑らかな回転を実現するために、自転用軸受と歯車の材質に表面処理を施したグラファイトを使用することが好ましい。
自転用軸受が、気相成長した層構造またはガラス状構造のグラファイトの２枚以上のリングを重ねて形成し、前記基板ホルダーが回転すると共に擦動するものが好ましくは用いられる。
リングの材料であるグラファイトは、潤滑材料として機能し、摩擦が少なく、特殊な軸受として使用されるものである。特に、気相成長した層構造またはガラス状構造のグラファイト製のものは、グラファイトの密度を高く、摩耗しにくいものであり、好ましい。
【００２１】
サセプタは直径２５０ｍｍの多面体を使用することが可能であり、各軸受ホルダーをはめ込む開口部が斜面に複数（３〜５程度）箇所あり、０°超過９０°未満であり、２５°以上であり、７５°以下であり、好ましくは５０°の傾斜を有しているものが好ましい。開口部分にはピン穴と固定歯車と嵌合するための穴が開いていることが好ましい。  
そして、本発明の好ましい態様によれば、軸受ホルダーをサセプタの開口部分にはめ込む。各軸受ホルダーには、あらかじめ基板ホルダーと基板ホルダーが円滑に回転するための自転用スリップリングが嵌め込んでなる構成がより好ましい。
そして、シャフトの上にサセプタを垂直に降ろして、ピンにはめ込む。このとき、自転歯車と固定歯車が接触することとなる。
【００２２】
（サセプタ・基板）
サセプタは、母材（石英ガラス等）で形成されたものであってよい。基板は、単結晶基板であり、好ましくはＡｌまたはＧａを含む窒化物以外の、サファイア等の単結晶基板である。
【００２３】
（歯車）
本発明は、前記サセプタの公転手段側に配置された固定歯車と、前記基板ホルダーが、前記固定歯車の歯と嵌合する自転用歯車とを備えてなる。
【００２４】
固定歯車はコーティングを施したグラファイト製で、傾斜した歯を有し、好ましくは１００個程度配置してある。固定歯車の歯の一部は基板ホルダーの自転用歯車の歯と凹凸部分が重なりあって嵌合する。相互の歯は小さく、隙間が大きいことから、基板ホルダーを手でずらす程度で、歯がずれて交互に配列するように容易に嵌り込むことができる。このため、設置及びメンテナンスの点から、極めて取り扱いが容易となる。
【００２５】
サセプタは、例えば、１から２０ｒｐｍで回転させると、各基板ホルダーは１から２０ｒｐｍで公転運動し、１．７から３４ｒｐｍで自転運動することとなる。
【００２６】
本発明は、自転軸の末端にかさ歯車を取り付けて自転公転運動を行うのではなく、基板ホルダーの外周に歯車を取り付けて自転公転運動を行っている。サセプタを取り外す場合は、サセプタの回転を停止し、サセプタを鉛直上方向に持ち上げる。
【００２７】
〔化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置〕
本発明の別の態様によれば、化学的気相成長方法による結晶層を製造する方法であって、
本発明によるサセプタ自転公転用手段と、基板と、結晶層を形成する原料を用意し、
基板を備えたサセプタに、原料ガスを供給し、
サセプタ自転公転用手段により、前記サセプタを自転公転させて、
前記基板に結晶層を形成させることを含んでなる、製造方法を提案することができる。
【００２８】
本発明の好ましい態様によれば、化学的気相成長方法は、前記サセプタの下部に、ガス隔離室を配置し、外部から継続的にパージガスを供給し、
前記基板ホルダーと、前記自転用軸受けと、前記固定歯車とに、前記パージガスを分配して供給することをさらに含んでなる。
【００２９】
本発明の別の態様によれば、結晶層を製造する化学的気相成長装置であって、
原料ガスと、キャリアガスとを反応器に導入する各供給部と、
基板を備えたサセプタと、
前記サセプタを自転公転させて、前記基板に結晶層を形成させる、本発明によるサセプタ自転公転用手段と、
前記原料ガスを反応させ、前記結晶層を気相成長させるための、反応温度調節機構と、及び
排気機構とを備えてなる、成長装置を提案することができる。
【００３０】
本発明の好ましい態様によれば、化学的気相成長装置は、
前記サセプタの下部に配置されたガス隔離室と、
外部から継続的にパージガスを供給するパージガス供給器とをさらに備えてなり、
前記パージガス供給器が、前記基板ホルダーと、前記自転用軸受けと、前記固定歯車とに、前記パージガスを分配して供給することをさらに含んでなる。
【００３１】
本発明の好ましい態様によれば、例えば、窒化ガリウムの基板を製作する工程で使用する化学的気相成長方法（及び装置）においては、電気炉の内部に石英製の反応管を設置し、反応管の内部に多面体のサセプタを設置して１０００℃から１１５０℃で加熱する。この温度は石英の軟化温度に近いので、実用的な反応管の直径は５００ｍｍ以下である。また、使用するサファイア基板の大きさは直径２インチ（約５cm）から６インチ（約１５cm）であり、水素ガスとアンモニアガスと塩化ガリウムガスをサファイア基板に供給し、１０００℃から１１５０℃の高温で窒化ガリウムを結晶成長させる。基板ホルダーはＳｉＣをコーティングしたグラファイト製で上面に５インチ基板１枚をはめ込む溝が掘ってある。基板ホルダーの裏面の外周には平歯車が配置してある。
【００３２】
本発明にあっては、気相成長法（物理的、化学的）が用いられるが、好ましくは化学気相成長法を用いられる。化学気相成長法（ＣＶＤ）は、反応管内で加熱した目的基板物質上に、原料ガスを供給し、該基板表面又は気相中で化学反応により薄膜を形成させる方法である。本発明にあっては、化学気相成長法は、熱ＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）等が挙げられ、ハイドライド気相成長法が好ましくは用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明による基板保持手段と、それを用いた化学的気相成長方法と化学的気相成長装置の実施態様について、添付図面を用いて以下に説明する。
【００３４】
図２Ａは、本発明による化学的気相成長装置の断面と、その上面の形状を示した概略図である。サセプタ１はシャフト４と嵌合し、基板ホルダー２と自転用スリップリング５は、軸受ホルダー６に収納してサセプタ１の開口部に嵌め込んでいる。サセプタ１の下側には固定歯車８を設置し、固定歯車８の歯８Ｇと基板ホルダー２の歯２Ｇが交互に嵌合するように嵌め込んである。シャフト４の回転によってサセプタ１は回転し、基板ホルダー２は公転運動する。基板ホルダー２は外周に歯２Ｇがあるので遊星歯車機構によって自転運動する。サセプタ１と基板９の上面から下方に向かって原料ガスの水素ガスと塩化ガリウムガスとアンモニアガスが反応管１０の中を流れ、電気炉１１の加熱による熱分解反応によって基板９に窒化ガリウムの薄膜が形成され、堆積する。
【００３５】
図２Ｂは、本発明による化学的気相成長装置の駆動部分の形状を示した拡大図である。図２Ｂによれば、サセプタ１はシャフト４と嵌合し、ピン７が差し込んでいる。シャフト４の回転とともに、サセプタ１は公転運動する。基板ホルダー２はサセプタ１にはめ込んでいるので、サセプタ１と一緒に公転運動する。基板ホルダー２の裏面の外周には歯２Ｇがあり、固定歯車８の歯８Ｇと噛み合っているので、基板ホルダー２は公転運動するとともに、固定歯車８の上を転がるように自転する。この自転運動を滑らかにするため、基板ホルダー２と自転用スリップリング５は、軸受ホルダー６に収納してサセプタ１の開口部に嵌め込んでいる。自転用スリップリング５は２枚の潤滑性のあるリングを重ね合わせた軸受で基板ホルダー２の回転を保持する。軸受ホルダー６はサセプタ１と基板ホルダー２の取付けと取外しを容易に行うための緩衝部品である。
【００３６】
図３は、パージガスの経路等を示した概略図である。図３に示す通り、パージガス１２の流れを示している。パージガス１２は水素ガスを使用し、装置の下部の左側の供給管からガス隔離室１３に供給する。パージガス１２はガス隔離室１３で充満し、パージガス流路１４を通って、自転用スリップリング５と固定歯車８に供給する。パージガス１２は継続して供給するので、サセプタ１と基板ホルダー２の隙間から放出される。
【００３７】
図４は、サセプタ１の断面と上面の形状を示した概略図である。図４に示される通り、サセプタ１は、ＳｉＣをコーティングしたグラファイト製で、基板ホルダー２を設置するための開口部が傾斜面に３箇所存在する。
【００３８】
図５は、軸受ホルダー６の断面の形状を示した概略図である。軸受ホルダー６は石英製で、ピン７が入る穴が開いている。ピン７は基板ホルダー２が自転運動しているときに外れないようにするためのものである。
【００３９】
図６は、基板ホルダー２の断面と上面の形状を示した概略図である。図６に示される通り、基板ホルダー２はＳｉＣをコーティングしたグラファイト製で、上面には基板９を１枚載せるための溝が掘ってある。裏面には歯２Ｇが６０個放射状に配置している。
【００４０】
図７は、自転用スリップリング５の断面の形状を示した概略図である。図７に示される通り、自転用スリップリング５はグラファイト製で、軸受ホルダー６と基板ホルダー２の間に設置することで、基板ホルダー２が高温においても滑らかに回転する。
【００４１】
図８は、固定歯車８の断面と上面を示した概略図である。図８に示される通り、固定歯車８は表面が平滑なコーティングを施したグラファイト製で、傾斜した歯８Ｇが１００個放射状に配置している。
【００４２】
図９は、サセプタ１の取付けと取外し方法を示した概略図である。サセプタ１はシャフト４の真上からピン７が入る位置で垂直に降ろしてシャフト４と結合する。このとき、基板ホルダー２の歯２Ｇと固定歯車８の歯８Ｇが重なって斜めに乗り上げる場合があるが、固定歯車８の歯８Ｇの歯幅は小さく隙間は大きいので、基板ホルダー２を手で動かすことで、歯２Ｇと歯８Ｇの重なりが外れ、歯２Ｇと歯８Ｇは嵌合する。取外しはシャフト４の回転を停止した後、サセプタ１を垂直に持ち上げる。
【００４３】
図１０は、窒化ガリウムの結晶層を形成するＨＶＰＥ措置（方法）の原理を示す概略図である。金属ガリウム１５は石英製の反応管１０の内部の液溜に設置している。反応管１０は電気炉１１に囲まれていて、最大１２００℃で加熱することができる。塩化水素ガス１８は金属ガリウム１５と反応して塩化ガリウムガス１９を生じて、サセプタ１に向かって流れていく。サセプタ１の直上において、塩化ガリウムガス１９は水素ガス１６とアンモニアガス１７と混合し、熱分解反応によって、基板９に窒化ガリウムが結晶成長する。副生成物として塩化アンモニウムが発生し、残留ガスと一緒に排気口２０から排出する。
【実施例】
【００４４】
本発明の内容を以下の実施例を用いて説明するが、本発明の範囲は、これら実施例に限定して解釈されるものではない。
【００４５】
［比較例１］
図１１に示される態様では、サファイア基板の上に結晶成長した窒化ガリウムの膜厚分布を示している。成長条件は、水素ガス１６が毎分２０リットル、アンモニアガス１７が毎分５リットル、塩化水素ガス１８が毎分０．５リットル、金属ガリウム１５が２００℃で、サセプタ１の温度を５００℃に設定して、１０分間、低温緩衝層を成膜した後、１１００℃に昇温して２時間の結晶成長を行った。サセプタ１の公転速度は毎分８回転で、自転はしていない。
ＧａＮの膜厚は上部が下部の約２倍となり、膜厚分布不均一となった。図１２に示す通り、４インチ基板において、膜厚測定点、ＧａＮ層の膜厚分布を示す。その結果は下記表１に示した通りであった。
【表１】
2015119049.tif 000003
【００４６】
［実施例１］
図２に示される態様のように、自転公転バレル型サセプタの導入し、自転しているサファイア基板の上に結晶成長した窒化ガリウムの膜厚分布を示している。上記の成長条件において自転速度は毎分１３．６回転に設定している。図１２に示す通り、４インチ基板において、膜厚測定点、ＧａＮ層の膜厚分布を示す。その結果は下記表２に示した通りであった。表２の結果の通り、均一な膜厚のＧａＮ基板を得ることができた。実際、膜厚均一性は約±５％以内となり、自公転サセプタの有効性が得られた。
【００４７】
【表２】
2015119049.tif 000004
【００４８】
以上、本発明の化学的気相成長方法の基板の自転公転方法は、均一な膜を再現性良く高いスループットで生産できる。
【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１】
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【図２Ａ】
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【図１１】
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【図１２】
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