(57)【要約】【課題】能動的高抵抗半導体領域（ＡＩＬ）を利用しながらも、フォワードリカバリー段階での電圧（オン電圧）の低減、リバースリカバリー段階での蓄積時間の低減に伴うソフトリカバリーを実現することができると共に、耐圧も向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】第１導電型の半導体基板１２と、半導体基板１２の一方の表面１２ａに形成された第１電極１４と、半導体基板１２の他方の表面１２ｂに形成された第２電極１６と、半導体基板１２内に、該半導体基板１２の厚み方向に形成された第１導電型のチャネル領域１８と、半導体基板１２内に、チャネル領域１８を挟んで、半導体基板１２の厚み方向と直交する方向に配列されたＡＩＬ２０と、該ＡＩＬ２０内に形成された第１導電型のキャリア供給領域２２とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面に形成された第１電極と、
前記半導体基板の他方の表面に形成された第２電極と、
前記半導体基板内に、該半導体基板の厚み方向に形成された第１導電型のチャネル領域と、
前記半導体基板内に、前記チャネル領域を挟んで、前記半導体基板の厚み方向と直交する方向に配列された能動的高抵抗半導体領域と、
前記能動的高抵抗半導体領域内に形成された第１導電型のキャリア供給領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記一方の表面と前記第１電極とがショットキー接合であり、
前記半導体基板の前記他方の表面と前記第２電極とがショットキー接合であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記チャネル領域の不純物濃度をＮａ、前記キャリア供給領域の不純物濃度をＮｂとしたとき、
Ｎｂ＞Ｎａ
であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記キャリア供給領域は、ドット状に形成されているとを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記能動的高抵抗半導体領域は、
前記半導体基板の一方の表面に沿って連続形成された共通領域と、
前記共通領域から前記半導体基板の他方の表面に向かって、且つ、前記チャネル領域を挟んで延びる複数のくし歯領域とを有し、
前記キャリア供給領域は、各前記くし歯領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記くし歯領域に、複数のキャリア供給領域が形成され、
前記複数のキャリア供給領域は、前記半導体基板の厚み方向に配列されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記複数のキャリア供給領域のうち、少なくとも前記第２電極に最も近いキャリア供給領域の不純物濃度が最も高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７記載の半導体装置において、
前記複数のキャリア供給領域は、前記第２電極に向かって段階的に不純物濃度が高くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記他方の表面側に第１導電型の高濃度領域が形成され、
前記高濃度領域の前記第１電極側の端部と、前記能動的高抵抗半導体領域の前記第２電極側の端部とが所定距離だけ離間し、
前記所定距離は、０（μｍ）より大きく前記チャネル領域の幅以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記複数のキャリア供給領域のうち、前記第２電極に最も近いキャリア供給領域の端部と、前記高濃度領域の前記第１電極側の端部との距離は、前記キャリア供給領域の前記半導体基板の厚み方向と直交する方向における端部から前記チャネル領域までの距離とほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、高抵抗で、且つ、キャリア寿命短縮化を図れる能動的高抵抗半導体領域（アクティブ・イントリンシック・レイヤー：ＡＩＬ）を有し、例えば整流回路等に用いられるダイオード等に用いて好適な半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ｐ型、ｎ型不純物を高不純物密度で略同じ場所に形成することによって、ライフタイムを低下させ、同時にｐ型、ｎ型不純物の補償効果によって、実質的に高抵抗で、且つ、キャリア寿命短縮化を図れる能動的高抵抗半導体領域（ＡＩＬ）を備えた半導体装置及びその製造方法が提案されている。この半導体装置は、例えばダイオード、トランジスタ、サイリスタ、絶縁ゲート型デバイス等に適用することができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８５９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、例えばＰＩＮダイオードにおいては、Ｐ型領域と真性半導体領域との間に、空乏層の形成に伴う内蔵電位（ビルトイン電位）が生じる。ビルトイン電位は、キャリアの拡散を抑制する方向に働くことから、ダイオードのオフ状態からオン状態に移行する際のアノード−カソード間電流に対する導電損失が高くなり、オン電圧も高くなるという問題がある。
【０００５】
上述の特許文献１によるＡＩＬの考えを適用した場合、オン状態からオフ状態への移行段階におけるキャリア寿命の短縮化を図ることができることは予想されるが、オン電圧の低減や耐圧の向上を含めた総合的な機能改善までは予想できない。
【０００６】
本発明は、上述した特許文献１に記載された半導体装置の考え方を発展させて、能動的高抵抗半導体領域（ＡＩＬ）を利用しながらも、フォワードリカバリー段階での電圧（オン電圧）の低減、リバースリカバリー段階での蓄積時間の低減に伴うソフトリカバリーを実現することができると共に、耐圧も向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［１］  本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面に形成された第１電極と、前記半導体基板の他方の表面に形成された第２電極と、前記半導体基板内に、該半導体基板の厚み方向に形成された第１導電型のチャネル領域と、前記半導体基板内に、前記チャネル領域を挟んで、前記半導体基板の厚み方向と直交する方向に配列された能動的高抵抗半導体領域と、前記能動的高抵抗半導体領域内に形成された第１導電型のキャリア供給領域とを有することを特徴とする。
【０００８】
これにより、フォワードリカバリー段階での電圧（オン電圧）の低減、リバースリカバリー段階での蓄積時間の低減に伴うソフトリカバリーを実現することができると共に、耐圧も向上させることができる。
【０００９】
［２］  本発明において、前記半導体基板の前記一方の表面と前記第１電極とがショットキー接合であり、前記半導体基板の前記他方の表面と前記第２電極とがショットキー接合であってもよい。これにより、キャリアの移動度を向上させることができる。
【００１０】
［３］  本発明において、前記チャネル領域の不純物濃度をＮａ、前記キャリア供給領域の不純物濃度をＮｂとしたとき、Ｎｂ＞Ｎａであることが好ましい。これにより、オフ状態からオン状態に移行する際に、チャネル領域に導入された電子に加えて、キャリア供給領域からの電子を効率よく供給することができる。その結果、チャネル領域の低抵抗化を図ることができ、キャリアの移動度を高めることができる。これはフォワードリカバリー段階でのオン電圧の低減につながる。
【００１１】
［４］  本発明において、前記キャリア供給領域は、ドット状に形成されていることが好ましい。これにより、逆電圧印加時において、空乏層は、キャリア供給領域間を第２電極に向かって延びることになる。すなわち、空乏層が延びる範囲を半導体基板の一方の表面から他方の表面までの範囲に広げることができ、第１電極及び第２電極間にかかる逆方向の電界を低減することができる。その結果、逆電圧印加時における耐圧を向上させることができる。
【００１２】
［５］  本発明において、前記能動的高抵抗半導体領域は、前記半導体基板の一方の表面に沿って連続形成された共通領域と、前記共通領域から前記半導体基板の他方の表面に向かって、且つ、前記チャネル領域を挟んで延びる複数のくし歯領域とを有し、前記キャリア供給領域は、各前記くし歯領域に形成されていることが好ましい。
【００１３】
これにより、キャリア供給領域間のチャネル領域にポテンシャル上の谷を形成することができ、各キャリア供給領域からキャリアがチャネル領域に流れ込む。その結果、チャネル領域の低抵抗化が実現され、チャネル領域を移動するキャリアの移動度が上がる。しかも、キャリアの量も多くなることから、フォワードリカバリー段階での電圧（順方向電圧、オン電圧とも称する）を低減することができる。
【００１４】
［６］  この場合、前記くし歯領域に、複数のキャリア供給領域が形成され、前記複数のキャリア供給領域は、前記半導体基板の厚み方向に配列されていることが好ましい。これにより、逆電圧印加時の耐圧を向上させることができる。
【００１５】
［７］  さらに、前記複数のキャリア供給領域のうち、少なくとも前記第２電極に最も近いキャリア供給領域の不純物濃度が最も高いことが好ましい。半導体基板自体の低抵抗化を抑制することができるため、さらに耐圧を向上させることができる。
【００１６】
［８］  また、前記複数のキャリア供給領域は、前記第２電極に向かって段階的に不純物濃度が高くなっていてもよい。この場合も、半導体基板自体の低抵抗化を抑制することができるため、さらに耐圧を向上させることができる。
【００１７】
［９］  また、前記半導体基板の前記他方の表面側に第１導電型の高濃度領域が形成され、前記高濃度領域の前記第１電極側の端部と、前記能動的高抵抗半導体領域の前記第２電極側の端部とが所定距離だけ離間し、前記所定距離は、０（μｍ）より大きく前記チャネル領域の幅以下であることが好ましい。これにより、高濃度領域からキャリアがチャネル領域に流れ込むと共に、高濃度領域からのキャリアが高濃度領域の第１電極側の端部と能動的高抵抗半導体領域の第２電極側の端部との間の領域に流れ込み、チャネル領域側に流れ込むことになる。その結果、チャネル領域へのキャリアの供給をさらに多くすることができる。
【００１８】
［１０］  この場合、前記複数のキャリア供給領域のうち、前記第２電極に最も近いキャリア供給領域の端部と、前記高濃度領域の前記第１電極側の端部との距離は、前記キャリア供給領域の前記半導体基板の厚み方向と直交する方向における端部から前記チャネル領域までの距離とほぼ同じであることが好ましい。これにより、高濃度領域の第１電極側の端部から能動的高抵抗半導体領域の第２電極側の端部にかけて、チャネル領域につながるポテンシャル上の谷が形成される。その結果、チャネル領域へのキャリアの供給が効率よく行われることとなる。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明に係る半導体装置によれば、能動的高抵抗半導体領域（ＡＩＬ）を利用しながらも、フォワードリカバリー段階での電圧（オン電圧）の低減、リバースリカバリー段階での蓄積時間の低減に伴うソフトリカバリーを実現することができると共に、耐圧も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の要部を一部省略して示す断面図である。
【図２】図２ＡはＡＩＬのくし歯領域とキャリア供給領域の形成状態の一例を上面から見て示す断面図であり、図２Ｂは他の例を示す断面図である。
【図３】従来のＰＩＮダイオード及び本実施の形態に係る半導体装置のオフ状態からオン状態に移行する際のアノード−カソード間電流に対する導電損失の変化を示すグラフである。
【図４】図４Ａはフォワードリカバリー段階において高濃度領域の第１電極側の端部からＡＩＬの第２電極側の端部にかけて、正電位方向に落ち込むポテンシャル上の谷が形成される状態を示す説明図であり、図４Ｂは同じくキャリア供給領域間、すなわち、チャネル領域にも正電位方向に落ち込むポテンシャル上の谷が形成される状態を示す説明図である。
【図５】ＰＩＮダイオード及び本実施の形態に係る半導体装置のフォワードリカバリー段階、導通段階、リバースリカバリー段階でのアノード−カソード間の電流波形及び電圧波形の変化を示すグラフである。
【図６】ＰＩＮダイオード及び本実施の形態に係る半導体装置のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る半導体装置をダイオードに適用した実施の形態例を図１〜図６を参照しながら説明する。
【００２２】
本実施の形態に係る半導体装置１０は、図１に示すように、第１導電型の半導体基板１２と、半導体基板１２の一方の表面１２ａにショットキー接合によって形成された第１電極１４と、半導体基板１２の他方の表面１２ｂにショットキー接合によって形成された第２電極１６とを有する。ここで、第１導電型がｎ型であれば、第１電極１４はアノード電極、第２電極１６はカソード電極となる。
【００２３】
また、この半導体装置１０は、半導体基板１２内に、該半導体基板１２の厚み方向（ｚ方向）に形成された第１導電型のチャネル領域１８と、半導体基板１２内に、チャネル領域１８を挟んで、半導体基板１２の厚み方向と直交する方向（ｘ方向）に配列された、高抵抗で、且つ、キャリア寿命短縮化を図ることができる真性半導体領域の能動的高抵抗半導体領域（アクティブ・イントリンシック・レイヤー：以下、ＡＩＬ２０と記す）と、ＡＩＬ２０内に形成された第１導電型のキャリア供給領域２２とを有する。なお、キャリアは多数キャリア（この例では、電子）を指す。
【００２４】
ＡＩＬ２０は、半導体基板１２の一方の表面１２ａに沿って連続形成された共通領域２０ａと、該共通領域２０ａから半導体基板１２の他方の表面１２ｂに向かって、且つ、チャネル領域１８を挟んで延びる複数のくし歯領域２０ｂとを有する。
【００２５】
キャリア供給領域２２は、各くし歯領域２０ｂ内に形成されている。具体的には、各くし歯領域２０ｂ内に、それぞれ複数のキャリア供給領域２２が形成され、複数のキャリア供給領域２２は、半導体基板１２の厚み方向（ｚ方向）に配列されている。この場合、チャネル領域１８の不純物濃度をＮａ、キャリア供給領域２２の不純物濃度をＮｂとしたとき、Ｎｂ＞Ｎａである。また、各キャリア供給領域２２は、それぞれ同じ不純物濃度でもよいが、複数のキャリア供給領域２２のうち、少なくとも第２電極１６に最も近いキャリア供給領域２２の不純物濃度が最も高いことが好ましい。各キャリア供給領域２２に、３つ以上のキャリア供給領域２２を有する場合は、第２電極１６に向かって段階的に不純物濃度が高くなるようにしてもよい。
【００２６】
もちろん、図２Ａに示すように、くし歯領域２０ｂがｚ方向のほか（図１参照）、ｚ方向及びｘ方向と直交するｙ方向に延在して形成されている場合は、ｙ方向にも複数のキャリア供給領域２２が形成されていてもよい。この場合、チャネル領域１８は、ｚ方向のほか、ｙ方向にも延在した形態となる。
【００２７】
その他、図２Ｂに示すように、くし歯領域２０ｂがｙ方向に対しても分離されている場合は、チャネル領域１８は、ｚ方向及びｙ方向のほか、ｘ方向にも延在した形態となり、上から見た場合のチャネル領域１８の面積が大きくなる。
【００２８】
キャリア供給領域２２は、ドット状に形成されている。ドット状としては、例えば断面が円形状、トラック形状、楕円状等である。特に、トラック形状や楕円状である場合は、長軸の先端がチャネル領域１８に対向するようにしてもよいし、短軸の先端がチャネル領域１８に対向するようにしてもよい。
【００２９】
図１の例において、キャリア供給領域２２のｘ方向の配列ピッチＰｘは、チャネル領域１８の幅Ｗｘ（ｘ方向の長さ）よりも長い必要があり、例えば０．２〜１μｍ程度である。図２Ｂの例でも同様である。特に、図２Ｂの例では、キャリア供給領域２２のｙ方向の配列ピッチＰｙは、チャネル領域１８の幅Ｗｙ（ｙ方向の長さ）よりも長い必要があり、この場合も、例えば０．２〜１μｍ程度である。
【００３０】
また、図１に示すように、ｘ方向に並ぶキャリア供給領域２２間の距離Ｌｘ（間隔）は、チャネル領域１８の幅Ｗｘよりも長い必要がある。ｚ方向に並ぶキャリア供給領域２２の配列ピッチＰｚは、例えば１〜１０μｍが挙げられ、ｚ方向に並ぶキャリア供給領域２２間の距離Ｌｚ（間隔）は、例えば０．５〜４．０μｍや０．５〜１．５μｍが挙げられ、キャリア供給領域２２のｚ方向の長さＤｚは１．５〜６．０μｍや１．５〜２．５μｍが挙げられる。
【００３１】
さらに、半導体基板１２の他方の表面１２ｂ側に第１導電型の高濃度領域２４が形成され、ＡＩＬ２０の第２電極１６側の端部と、高濃度領域２４のＡＩＬ２０側の端部とが所定距離Ｌａだけ離間している。この場合、所定距離Ｌａは、０（μｍ）より大きくチャネル領域１８の幅Ｗｘ以下であることが好ましい。
【００３２】
また、ｚ方向に並ぶ複数のキャリア供給領域２２のうち、第２電極１６に最も近いキャリア供給領域２２の端部と、ＡＩＬ２０におけるくし歯領域２０ｂの第２電極１６側の端部との距離Ｌｂは、キャリア供給領域２２のｘ方向における端部からチャネル領域１８までの距離Ｌｃと略同じである。略同じとは、距離Ｌｂが０．９×Ｌｃ以上、１．１×Ｌｃ以下であることを示す。
【００３３】
ここで、半導体装置の作用について図１、図３〜６を参照しながら説明する。
【００３４】
先ず、半導体装置１０の半導体基板１２内に形成される不純物拡散領域は、ＡＩＬ２０を除き、全て第１導電型の半導体領域となっており、ユニポーラ型の半導体装置である。そのため、図３に示すように、従来のＰＮダイオードやＰＩＮダイオードで生じていたビルトイン電位はほとんど発生しない。図３は、従来のＰＩＮダイオード及び本実施の形態に係る半導体装置１０のオフ状態からオン状態に移行する際のアノード−カソード間電流Ｉａｃに対する導電損失の変化を示す。従来のＰＩＮダイオードの特性（破線Ａで示す）では、ビルトイン電位Ｖｂｉに伴う損失Ｌｓが生じていたが、本実施の形態に係る半導体装置１０では、実線Ｂに示すように、損失Ｌｓに相当する損失はほとんど生じていない。そのため、導電損失も従来のＰＩＮダイオードと比して全体的に低いものとなっている。
【００３５】
次に、第１電極１４（アノード電極）に正電位、第２電極１６（カソード電極）に負電位を印加して、オフ状態からオン状態に移行させると、図４Ａに示すように、ｚ方向に、高濃度領域２４の第１電極１４側の端部２４ａからＡＩＬ２０の第２電極１６側の端部２０ｃにかけて、正電位方向に落ち込むポテンシャル上の谷２６が形成される。また、図４Ｂに示すように、ｘ方向に並ぶキャリア供給領域２２間、すなわち、チャネル領域１８にも正電位方向に落ち込むポテンシャル上の谷２６が形成される。従って、高濃度領域２４からキャリアである電子２８がチャネル領域１８に流れ込むと共に、高濃度領域２４からの電子２８が高濃度領域２４の第１電極１４側の端部２４ａとＡＩＬ２０の第２電極１６側の端部２０ｃとの間の領域に流れ込み、チャネル領域１８側に流れ込む。さらに、各キャリア供給領域２２からも電子２８がチャネル領域１８に流れ込む。
【００３６】
つまり、第２電極１６及び高濃度領域２４を介して供給された電子２８に加えて、各キャリア供給領域２２からの電子２８がチャネル領域１８に流れ込むため、谷２６のポテンシャルが負電位方向に上がり、第１電極１４に向かって下り傾斜のポテンシャルが形成される。すなわち、チャネル領域１８の低抵抗化が実現される。そのため、チャネル領域１８上を移動する電子２８の移動度が上がる。これにより、図１に示すように、電子２８は、チャネル領域１８とＡＩＬ２０との境界３０に沿って高速に移動することになる。しかも、電子２８の量も多くなることから、図５及び図６に示すように、フォワードリカバリー段階での電圧（順方向電圧、オン電圧とも称する）を低減することができる。
【００３７】
ここで、図５は、ＰＩＮダイオード及び本実施の形態に係る半導体装置１０のフォワードリカバリー段階、導通段階、リバースリカバリー段階でのアノード−カソード間の電流波形及び電圧波形の変化を示す。図６は、ＰＩＮダイオード及び本実施の形態に係る半導体装置１０のＩ−Ｖ特性を示す。従来のＰＩＮダイオードの特性（破線で示す）では、０．６〜０．７Ｖ程度のオン電圧が生じていたが、本実施の形態に係る半導体装置１０では、実線で示すように、オン電圧を低減できていることがわかる。
【００３８】
さらに、本実施の形態では、半導体基板１２内にＡＩＬ２０を形成していることから、第１電極１４（アノード電極）に負電位、第２電極１６（カソード電極）に正電位を印加して、オン状態からオフ状態に移行させると、ＡＩＬ２０に蓄積していた電子２８が第２電極１６に向かって流れることから、図５に示すように、アノード−カソード間に逆電流Ｉｒが流れ、逆電流Ｉｒの絶対値はある時間Ｔｃにかけて上昇する。この時間Ｔｃは一般に蓄積時間Ｔｃと称される。この蓄積時間Ｔｃが経過した時点から電子２８が減少していくことに対応して逆電流Ｉｒの絶対値も徐々に減少し、ある時間Ｔｒが経過した時点で定常状態に戻ることとなる。この時間Ｔｒは一般に減衰時間Ｔｒと称される。
【００３９】
従来のＰＩＮダイオードでは、蓄積時間Ｔｃにおいて、逆電流Ｉｒの変化（傾き−ｄｉ／ｄｔ）が大きいことから、この蓄積時間Ｔｃが長いと、アノード−カソード間に発生する逆電圧Ｖｒがパルス状に急峻に増加して、ピーク値Ｖｐ（絶対値）が大きくなる。
【００４０】
一方、本実施の形態に係る半導体装置１０では、移動中の電子２８はほとんどＡＩＬ２０中の正孔と再結合するため、電子２８の寿命は短縮される。その結果、図５に示すように、蓄積時間Ｔｃが短くなる。すなわち、逆電流Ｉｒの変化（傾き−ｄｉ／ｄｔ）の大きい蓄積時間Ｔｃが短くなることから、逆電流Ｉｒのピーク値（絶対値）も低くなり、減衰時間Ｔｒでの逆電流Ｉｒの変化（傾きｄｉ／ｄｔ）も緩やかになる。その結果、アノード−カソード間に発生する逆電圧Ｖｒのピーク値Ｖｐ（絶対値）が小さくなる。すなわち、リバースリカバリー段階での蓄積時間Ｔｃの低減に伴うソフトリカバリーを実現することができる。
【００４１】
通常、半導体基板１２内に形成される不純物拡散領域が、全て第１導電型の半導体領域であって、第１電極１４及び第２電極１６が半導体基板１２とショットキー接合で形成されていると、逆方向耐電圧が低くなる。
【００４２】
しかし、本実施の形態に係る半導体装置１０では、半導体基板１２と同じ導電型のドット状のキャリア供給領域２２を間隔を空けて配列したので、逆電圧印加時において、空乏層は、キャリア供給領域２２間を第２電極１６に向かって延びることになる。すなわち、空乏層が延びる範囲を半導体基板１２の一方の表面１２ａから他方の表面１２ｂまでの範囲に広げることができ、第１電極１４及び第２電極１６間にかかる逆方向の電界を低減することができる。その結果、逆電圧印加時における耐圧を向上させることができる。
【００４３】
特に、複数のキャリア供給領域２２のうち、少なくとも第２電極１６に最も近いキャリア供給領域２２の不純物濃度を最も高くしたり、各キャリア供給領域２２に、３つ以上のキャリア供給領域２２を有する場合に、第２電極１６に向かって段階的に不純物濃度を高くした場合は、半導体基板１２自体の低抵抗化を抑制することができるため、さらに耐圧を向上させることができる。
【００４４】
このように、本実施の形態に係る半導体装置１０は、ＡＩＬ２０を利用しながらも、フォワードリカバリー段階での電圧（オン電圧）の低減、リバースリカバリー段階での蓄積時間Ｔｃの低減に伴うソフトリカバリーを実現することができると共に、耐圧も向上させることができる。
【００４５】
上述の例では、第１導電型をｎ型、第１電極１４をアノード電極、第２電極１６をカソード電極とした例を示したが、その他、第１導電型をｐ型、第１電極１４をカソード電極、第２電極１６をアノード電極としてもよい。この場合、多数キャリアは正孔となる。
【００４６】
なお、本発明に係る半導体装置は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【符号の説明】
【００４７】
１０…半導体装置                      １２…半導体基板
１２ａ…一方の表面                    １２ｂ…他方の表面
１４…第１電極                        １６…第２電極
１８…チャネル領域                    ２０…ＡＩＬ
２２…キャリア供給領域                ２４…高濃度領域
２６…谷
【図１】
2015053364.tif 000003
【図２】
2015053364.tif 000004
【図３】
2015053364.tif 000005
【図４】
2015053364.tif 000006
【図５】
2015053364.tif 000007
【図６】
2015053364.tif 000008