(57)【要約】【課題】  メタルボンディングで端子と回路とを接続して製造されるパワー半導体装置において、端子と回路との接続のための位置決めを容易ならしめて組立工数の低減を可能にすると共に、メタルボンディング後に目視などの検査を可能にすること。【解決手段】  中央に電流通電部を有するパワー半導体装置であって、前記ケースふたに端子挿入部を有し、上部から見た場合、端子接続部がケースふたに隠れていない半導体装置を用いる。【選択図】  図１
2015119121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子とケースふたと回路を有するパワー半導体装置であって、
前記ケースふたに1つ以上の端子挿入口を有し、端子の回路との接続部が、上から見た場合、ケースふたに隠れることなく、概観できる
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースに１つ以上の端子挿入口を有し、ケースふた中央部に穴を有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースふたに端子を固定する突起部を有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースふたの挿入部に端子を固定するための部品を有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースふたに端子を固定するための挿入部があって、その挿入部が固定する部分と樹脂埋めをする部分の大きさが違うケースふたを有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項６】
ベースと、
前記ベースの一方の面に基板下はんだを介して搭載される基板と、
前記基板の前記ベースとは反対側の面にチップ下はんだを介して搭載されるチップと、
ワイヤを介して前記チップと電気的に接続されると共に前記基板の前記チップが搭載される面と同じ面に形成される回路と、
端子接続部を介して前記回路と電気的に接続される端子と
を備えたパワー半導体装置であって、
前記端子を収容しつつ、前記パワー半導体装置が前記端子を介して前記パワー半導体装置外部の装置と電気的に接続できるよう、前記端子の先端の一部を露出させるよう構成されたケースふたを更に備え、
前記端子は、前記回路と前記端子とをメタルボンディング接続するために超音波を与える部分であり、かつ、前記パワー半導体装置の外部から目視可能に構成された端子接続部を有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースふたは、前記端子を挿入するための、前記端子と同じ形状の凹凸部のある隙間部を有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載のパワー半導体装置において、
前記隙間部は、前記端子を前記隙間部に挿入したときの前記端子と前記隙間部のへりとの間隔が０．５ｍｍ以下である
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項９】
請求項６に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースふたは、前記端子を挿入するための、前記端子と異なる形状の凹凸部のある隙間部を有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項１０】
請求項６に記載のパワー半導体装置において、
前記端子接続部は、前記パワー半導体装置を上から見た場合に、前記ケースふたより外側に位置している
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項１１】
請求項６に記載のパワー半導体装置において、
前記端子接続部は、前記パワー半導体装置を上から見た場合に、前記ケースふたより内側に位置し、前記ケースふたは中央に穴を有する
ことを特徴とするパワー半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関するものであり、特に絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：以下、「ＩＧＢＴ」と表記する）等のパワー半導体素子を有するパワー半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、パワー半導体の組立てに関する技術として、パワー回路に接続されるボンディングワイヤ等の配線部が外部振動によって断線するのを防止することを目的とし、パワー回路を覆う充填剤が樹脂プレートにより押えられる構造とすることで外部振動を受けたときの変位を防止するものや、制御回路と中継端子との半田接合部の破損を防止することを目的とし、制御回路基板が制御端子ブロックと樹脂プレートとの間に挟まれるように固定される構造とすることでそれらのねじ接合時における制御回路基板の変形を防止するものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来、パワー半導体の組立てに関する技術として、外装樹脂ケース、ケース蓋、金属ベース板を組み合わせたパッケージに、絶縁基板にマウントした複数個の半導体素子、外部接続用の主回路端子および補助端子、内部接続用端子などを組み込んで構成した半導体装置において、各端子および異極端子間を連結するタイバーを導体金属板に展開して打ち抜き、かつ個々の端子にリード曲げ加工を施して立体的に構築した端子組立体を、外装樹脂ケースの内方に配置して該ケースと一体にモールド成形すると共に、金属ベース板と絶縁基板との半田付け、絶縁基板の導体パターンと内部端子との半田付け、および金属ベース板と外装樹脂ケースとの接着を同時に行って半導体装置を組立て構成するものがあった（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、従来、パワー半導体の端子接続に関する技術として、パワーチップが絶縁層を介して金属基板上に搭載され、蓋状ケースに設けた外部接続端子がパワーチップと接続され、金属基板上に取り付けられた外囲ケースと蓋状ケースとによりパワーチップを収納するパッケージケースを構成し、パワーチップがゲル状樹脂で封止されているパワーモジュール装置であって、外部接続端子部を除きパッケージケースの上部内面はフラットに形成され、蓋状ケースに設けた注入孔よりパッケージ内上部に空間を形成して注入されたゲル状樹脂の硬化物でパワーチップが封止されているものがあった（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１７８８２号公報
【特許文献２】特開平７−３２１２８５号公報
【特許文献３】特開平９−１９１０６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
パワー半導体装置は、大出力のモータや発電機等の電気機器の制御や電力変換のために用いられる半導体装置である。近年は、電車、電気自動車、ハイブリッド車や風力の電力制御装置としてパワー半導体装置の需要が拡大しており、高速化・高密度化による最高温度の上昇の要求も高まっている。
【０００７】
家電製品に使用されている弱電系の半導体は、２００６年７月１日に施行されたＲｏＨＳ指令に基づき、鉛フリー化されている。パワー半導体を用いる輸送機器、医療関係は安全性の観点からＲｏＨＳ指令の対象でなかったが、近年の環境意識の高まりにより、鉛フリー化の要求が高くなっている。
【０００８】
従来、パワー半導体において、外部電流の出入り口の役割を果たす端子は回路と接続するが、その端子接続材は、実績のある鉛入りはんだを用いていた。回路上に予め設置した鉛入りはんだ、およびその近傍を、鉛入りはんだの融点以上の温度にしてはんだを溶かし、その溶けた鉛入りはんだの上に端子接続部を搭載した後、冷却し、固めることで接続していた。
【０００９】
空調用や電車用など大電流・高耐圧のパワー半導体装置は端子の外部電流出入り口がモジュール中央部にある。鉛入りはんだに端子接続部を搭載するために、樹脂ケースに端子をインサートして固定して位置決めをする、ケース中央に端子を挿入する挿入口を設けて位置決めをする、などを実施している。樹脂ケースに端子をインサートする場合はコストが高くなるという課題がある。
【００１０】
電力変換機や電車のインバータに搭載されるパワー半導体装置は、大電流に耐えられる高信頼性が要求される。そのパワー半導体は稼動時に高温にさらされるため、電気的接続を行う接続部の信頼性を確保することが重要である。従来、その端子と回路との接続には実績がある鉛はんだを接続材に用いていた。しかし鉛フリー化を図るために、端子と回路とをメタルボンディングで接続する。メタルボンディングは端子接続部の上面に超音波振動を与え、その振動により接続面を溶かし、接続する技術である。このメタルボンディング時には接続部に負荷がかかるため、端子の固定が必要である。また、このメタルボンディングで発生する残材除去、かつメタルボンディング後の接続面確認作業が必要である。
【００１１】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、大電流にも耐えられ、かつ厳しい温度環境下においても接続部の信頼性を維持し、従来のパワー半導体装置と共通の接続位置と端子出入り口が確保でき、かつ接続部の位置決めが簡単で、かつ接続後の検査や異物除去が可能で、かつ組立が複雑ではないことを目的としたパワー半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のパワー半導体装置は、端子とケースふたと回路とを有するパワー半導体装置であって、前記ケースふたに１つ以上の端子挿入口を有し、前記端子の前記回路との接続部が、上から見た場合、前記ケースふたに隠れることなく、概観できることを特徴とする。
【００１３】
より具体的には、本発明のパワー半導体装置は、ベースと、前記ベースの一方の面に基板下はんだを介して搭載される基板と、前記基板の前記ベースとは反対側の面にチップ下はんだを介して搭載されるチップと、ワイヤを介して前記チップと電気的に接続されると共に前記基板の前記チップが搭載される面と同じ面に形成される回路と、端子接続部を介して前記回路と電気的に接続される端子とを備えたパワー半導体装置であって、前記端子を収容しつつ、前記パワー半導体装置が前記端子を介して前記パワー半導体装置外部の装置と電気的に接続できるよう、前記端子の先端の一部を露出させるよう構成されたケースふたを更に備え、前記端子は、前記回路と前記端子とをメタルボンディング接続するために超音波を与える部分であり、かつ、前記パワー半導体装置の外部から目視可能に構成された端子接続部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、メタルボンディングで端子と回路とを接続して製造されるパワー半導体装置において、端子と回路との接続のための位置決めを容易ならしめて組立工数の低減を可能にすると共に、メタルボンディング後に目視などの検査を可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例１に係るパワー半導体装置の上面模式図である。
【図２】本発明の実施例１に係るパワー半導体装置の断面模式図である。
【図３】本発明の実施例２に係るパワー半導体装置の上面模式図である。
【図４】本発明の実施例２に係るパワー半導体装置の断面模式図である。
【図５】本発明の実施例３に係るパワー半導体装置の断面模式図である。
【図６】本発明の実施例４に係るケースふたの３次元モデルを示す図である。
【図７】本発明の実施例５に係るパワー半導体装置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施に好適な実施例を説明する。
【実施例１】
【００１７】
本発明の実施例１について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】
図１は本実施例に係るパワー半導体装置の上面模式図である。図２は当該パワー半導体装置の断面模式図である。
【００１９】
図１、図２において、パワー半導体装置は、ベース５と、当該ベース５の一方の面に基板下はんだ９を介して搭載される基板８と、当該基板８のベース５とは反対側の面にチップ下はんだ７を介して搭載されるチップ３と、ワイヤ６を介してチップ３と電気的に接続されると共に基板８のチップ３が搭載される面と同じ面に形成される回路４と、端子接続部１ａを介して回路４と電気的に接続される端子１と、当該端子１を収容しつつ、パワー半導体装置が端子１を介してパワー半導体装置外部の装置と電気的に接続できるよう、端子１の先端の一部を露出させるよう構成されたケースふた２とを備えて構成される。
【００２０】
端子１は、パワー半導体装置の外部と当該パワー半導体装置の内部に設けられた回路４との間の電流のやり取りを行うための電流出入り口として機能するものであって、２本で１対を成しており、一方が電流取入れ口であり、他方が電流取り出し口である。端子１の一方である電流取入れ口の端子で取り入れられた入力電流は、回路４およびワイヤ６を通じてチップ３に流れ、当該チップ３にて周波数応答制御が行われる。周波数応答制御を通して得られた出力電流は、ワイヤ６および回路４を通じて端子１の他方である電流取出し口の端子を通ってパワー半導体装置の外部へ出て行く。端子１にはバスバーが取り付けられるため、端子１の上部（パワー半導体装置のベース５側を下方とした場合の上方すなわち図２における上方の、ケースふた２より上方に突出している部分であって、図１においてケースふた２の領域内で露出している部分）の穴（図１において「○」で示した部分）はバスバーを止めるためのボルト穴である。尚、図１ではワイヤ６の図示は省略している。
【００２１】
ケースふた２は、図１に示すように、隙間部２ａを有している。当該隙間部２ａは、端子１と同じ形状の凹凸部のある隙間部であれば好適であるが、本発明はそれに限定されるものではなく、端子１と異なる形状であっても、端子１を挿入可能に形成され、かつ、凹凸部などがあることによってその端子１を固定することができる形状であればよい。隙間部２ａは、端子１を挿入し、かつ固定することができるよう、端子１を隙間部２ａに挿入したときの端子１と隙間部２ａの縁（へり）との間隔が０．５ｍｍ以下になるよう隙間厚さが調整されるのが好適である。また、隙間部２ａは、挿入された端子１を固定するために、端子１と同様の凹凸形状を有するのが好適である。この凹凸形状の隙間部２ａに端子１を挿入口からケースふた２の中央方向に向かって押し込むことにより、端子１はケースふた２に固定される。それと共に、押し込むことにより端子１が固定される位置が端子１と回路４との接続部の規定位置になっており、端子１と回路４とを電気的に接続するメタルボンディングが実施されるべき当該接続部の位置がこのとき決定する。
【００２２】
端子接続部１ａは端子１の一部であって、回路４と端子１とをメタルボンディング接続するために超音波を与える部分である。この部分にメタルボンディング装置により超音波荷重が与えられ、端子１の端子接続部１ａの表面と回路４の表面とが結合する。従来はこの接続を鉛入りはんだで実施していたが、本発明においては、この端子接続部１ａがパワー半導体装置の外部から目視可能に構成されるため、超音波を用いたメタルボンディングで実施可能である。
【００２３】
ケースふた２の隙間部２ａに端子１を押し込むことにより端子１と回路４との位置関係は決定するが、メタルボンディングの超音波振動により端子１と回路４との相対的位置がずれないように、クランプ（図示せず）などを用いて、端子１とケースふた２との複合体と、それ以外の部材とを互いに固定するのが好適である。ここで、「それ以外の部材」とは、チップ３、回路４、ベース５、ワイヤ６、チップ下はんだ７、基板８、および基板下はんだ９の一部または全部である。その各々は、はんだ接続もしくは圧着により直接的または間接的にベース５に固定されている。そのため、クランプなどの固定用部材による荷重、メタルボンディングによる荷重、またははんだ接続のための温度荷重などで各部材がベース５から分離して互いにばらばらになることはない。
【００２４】
また、メタルボンディング実施に伴い残材が発生することがあるが、パワー半導体装置にケース側面が無い、つまり、ケースふた２を装着した状態でも端子１と回路４との接続部を含む基板８上の要素が外部に晒される構造であるため、気体噴射等によって当該残材を除去することが容易であり、さらに、ケースふた２の下部やチップ３の周辺などに残材が残っていないかを目視などにより検査することが容易である。また、回路４と端子１とを超音波接続するために超音波が与えられる部分である端子接続部１ａがケースふた２より外側に位置していることにより、上からも横からもメタルボンディングが可能である。
【００２５】
チップ３は、例えばＩＧＢＴ等のパワー半導体素子や、そのパワー半導体素子と電気的に接続されることによりスイッチング動作を実現する半導体ダイオード素子などであるが、パワー半導体素子としては、ＩＧＢＴに代えて、例えばシリコン（Si）または炭化シリコン（SiC）を主成分として形成されたＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を用いることもできる。本発明はチップ３のパワー半導体素子の種類に限定されることはなく、チップ３が上記のＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ以外のパワー半導体素子とされたパワー半導体装置も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００２６】
回路４は、端子１から入力された入力電流をチップ３へ伝送し、また、チップ３から出力された出力電流を端子１へ伝送するための配線（図示せず）、および当該配線に対して電気的に接続されたコンデンサ（容量）等の単体回路部品（図示せず）を備えて構成されるが、本発明は回路４を構成する要素の種類に限定されることはなく、回路４が端子１とチップ３との間の電流の受け渡しに供する回路となっているパワー半導体装置であれば本発明の技術的範囲に含まれる。
【００２７】
ワイヤ６は、チップ３の外部端子（図示せず）と回路４とを電気的に接続する導体であるが、本発明はワイヤ６を構成する材料の種類やワイヤ６のチップ３上または回路４上の位置に限定されることはなく、ワイヤ６がチップ３と回路４との間の電流の受け渡しに供する物体となっているパワー半導体装置であれば本発明の技術的範囲に含まれる。
【００２８】
基板８は、一方の面にチップ３が搭載されると共にその同じ面に回路４が形成され、他方の面がベース５との接続面とされる板状の物体であって、例えばエポキシ樹脂等の樹脂あるいはセラミック等を主成分として形成されるものである。本発明は基板８を構成する材料の種類に限定されることはなく、基板８が、その一方の面にチップ３を搭載することができると共にその同じ面に回路４を形成することができ、かつ、他方の面をベース５との接続面とすることができる板状の物体となっているパワー半導体装置であれば、本発明の技術的範囲に含まれる。
【００２９】
チップ下はんだ７は、チップ３と基板８との間に挟まれて設けられ、チップ３を基板８上に固定すると共にチップ３で発生した熱を基板８に放出するのに供する接続部材であり、通常、チップ３と基板８との間に挿入されたはんだシートに熱処理（リフロー）が施されることによって形成される。本発明はチップ下はんだ７を構成する材料の種類に限定されることはなく、チップ下はんだ７がチップ３を基板８上に固定すると共にチップ３で発生した熱を基板８に放出するのに供する接続部材となっているパワー半導体装置であれば、本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３０】
ベース５は、チップ３や回路４が搭載された基板８が一方の面に搭載される板状の物体であって、通常、金属を主成分として形成される。ベース５は、その一方の面に搭載される基板８、当該基板８上の回路４と接続される端子１、さらには当該端子１が挿入されてパワー半導体装置のケースとして機能するケースふた２の荷重を機械的に支持すると共に、チップ３で発生し基板８を介して伝導された熱をパワー半導体装置の外部へ放出するのに供する。しかし、本発明はベース５を構成する材料の種類に限定されることはなく、ベース５がその一方の面に基板８を搭載することができる板状の物体となっているパワー半導体装置であれば本発明の技術的範囲に含まれる。また、ベース５がチップ３で発生する熱を放熱するのに寄与する程度以上の熱伝導率を有する板状の物体となっていればなお好適であり、そのようなパワー半導体装置の構成も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３１】
基板下はんだ９は、基板８とベース５との間に挟まれて設けられ、基板８をベース５上に固定すると共に、チップ３で発生し基板８に放出された熱をベース５に放出するのに供する接続部材であり、通常、基板８とベース５との間に挿入されたはんだシートに熱処理（リフロー）が施されることによって形成される。本発明は基板下はんだ９を構成する材料の種類に限定されることはなく、基板下はんだ９が基板８をベース５上に固定すると共にチップ３で発生した熱をベース５に放出するのに供する接続部材となっているパワー半導体装置であれば、本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３２】
本実施例によれば、端子１を回路４と接続する接続部におけるメタルボンディング固定が容易にでき、固定治具を用いずとも簡単に回路４と端子１との接続位置決めが可能な製造コスト低減に寄与するパワー半導体装置を提供することができる。また、厳しい温度環境下においても部材接続信頼性を維持することが可能なパワー半導体装置を提供することができる。さらには、接続面の検査を容易ならしめ、また、送風などによる残材除去を可能ならしめる構造を有するパワー半導体装置を提供することができる。
【実施例２】
【００３３】
本発明の実施例２について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３４】
図３は本実施例に係るパワー半導体装置の上面模式図である。図４は当該パワー半導体装置の断面模式図である。
【００３５】
実施例１ではケースふた２の隙間２ａに端子１が挿入されて、ケースふた２の上から見た場合、ケースふた２の外側にメタルボンディングの端子接続部１ａがあるものについて説明したが、本発明は、パワー半導体装置を上から見た場合にメタルボンディングの端子接続部１ａがケースふた２の領域の外側に見える態様に限定されるものではなく、端子接続部１ａがケースふた２の領域の内側にある態様であっても、例えば本実施例に係る図３に示すように、ケースふた２が中央に穴を有しており、その上から見た場合にその穴の中に、メタルボンディングの端子接続部１ａが概観できる構造であればよく、そのようなパワー半導体装置の構成も本発明の技術的範囲に含まれる。尚、本実施例は、ケースふた２の形状が実施例１における形状と異なる点以外は実施例１と同様であるので、重複を避けるため説明を省略する。
【００３６】
本実施例によれば、ケースふた２全体のベース５平面方向の大きさが大きく、パワー半導体装置を上から見た場合にケースふた２全体の領域がメタルボンディングの端子接続部１ａを覆ってしまうような場合でも、実施例１と同様に、回路４と端子１との接続位置決めが容易な、製造コスト低減に寄与するパワー半導体装置を提供することができる。また、厳しい温度環境下においても部材接続信頼性を維持することが可能なパワー半導体装置を提供することができる点、さらには、接続面の検査を容易ならしめ、また、送風などによる残材除去を可能ならしめる構造を有するパワー半導体装置を提供することができる点は、実施例１と同様である。
【実施例３】
【００３７】
本発明の実施例３について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３８】
図５は本実施例に係るパワー半導体装置の断面模式図である。
【００３９】
実施例１では、端子１をケースふた２に挿入する例を示したが、それはケースふた２の隙間部２ａに挿入するものであって、ケースふた２の下面の端子はケースふた２による拘束を持たなかった。本発明はケースふた２の形状が端子によって限定されるものではなく、例えば本実施例に係る図５の断面図に示すように、ケースふた２の下面にある端子を押さえる突起物２ｂを有することも許容される。
【００４０】
端子の固有振動数は端子長さに反比例するため、拘束点を多くすることで、端子の固有振動数が上げられるため、稼動領域の周波数よりも固有振動数を大きくしておけば、免振することができる。尚、本実施例は、ケースふた２の形状が実施例１における形状と異なる点以外は実施例１と同様であるので、重複を避けるため説明を省略する。
【００４１】
本実施例によれば、実施例１と比較して端子の共振周波数を変更することができるため、共振による信頼性低下を抑制することができる。さらに、上述した実施例１の利点も実施例１と同様に得ることができる。
【実施例４】
【００４２】
本発明の実施例４について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４３】
図６は本実施例に係るケースふた２の３次元モデルを示す図である。
【００４４】
実施例１では、パワー半導体装置にケースふた２を装着した後に、ケースふた２の隙間部２ａに端子１を挿入する例を示したが、ケースふた２がメタルボンディングの荷重に耐えられるよう、図６のように、端子１をケースふた２の隙間部２ａに挿入した後、隙間部２ａに隙間部２ａと同じ形状または類似の形状の部材２ｃを挿入するのが好適である。
【００４５】
本実施例によれば、部材２ｃの隙間部２ａからはみ出す部分を大きく取ることで、部材２ｃが隙間部２ａの防塵の役割を果たすようにすることが可能である。逆に、部材２ｃを隙間部２ａよりも少し小さくすれば、部材２ｃが挿入された隙間部２ａに端子１との隙間ができるので、防塵のための樹脂埋めを容易に行うことが可能となる。さらに、上述した実施例１の利点も実施例１と同様に得ることができる。
【実施例５】
【００４６】
本発明の実施例５について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４７】
図７は本実施例に係るパワー半導体装置の断面模式図である。
【００４８】
実施例１では、ケースふた２の隙間部２ａを端子１と同じ形状とした例を示したが、図７のように、ケースふた２の外部電流の出入り口付近に少し大きめの空間２ｄを設けてもよい。
【００４９】
本実施例によれば、防塵のための樹脂埋めをより一層、容易に行うことが可能となる。さらに、上述した実施例１の利点も実施例１と同様に得ることができる。
【００５０】
以上、本発明の各実施例について説明したが、上記各実施例はあくまでも本発明を実施する上での一例にすぎず、上記各実施例に係るパワー半導体装置の構成について、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその一部を他の構成に置換したり、その一部を削除したり、他の構成を追加したりすることが可能であり、そのように置換・削除・追加して得られるパワー半導体装置の構成もまた本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５１】
１  端子
２  ケースふた
３  チップ
４  回路
５  ベース
６  ワイヤ
７  チップ下はんだ
８  基板
９  基板下はんだ
【図１】
2015119121.tif 000003
【図２】
2015119121.tif 000004
【図３】
2015119121.tif 000005
【図４】
2015119121.tif 000006
【図５】
2015119121.tif 000007
【図６】
2015119121.tif 000008
【図７】
2015119121.tif 000009