(57)【要約】      （修正有）【課題】回転型装置において均一にプラズマを供給可能とする基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体を提供する。【解決手段】原料ガス供給領域２０６ａ（第１処理領域）、反応ガス供給領域２０６ｂ（第２処理領域）を有し、原料ガス供給領域内、反応ガス供給領域内で基板２００（ウエハ）を処理する処理室２０１と、処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の基板を載置する基板載置台２１７（サセプタ）と、反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室２９０にプラズマを生成するプラズマ生成部と、プラズマ生成室の外周に巻かれ、プラズマ生成室の側壁２９１と隣接する部分の曲率が一定であるコイル２９３と、プラズマ生成室の天井２９２から、プラズマ生成室を介して反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系２３３と、原料ガス供給領域に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガス供給領域、反応ガス供給領域を有し、前記原料ガス供給領域内、前記反応ガス供給領域内で基板を処理する処理室と、
前記処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の前記基板を載置する基板載置台と、
前記反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室の外周に巻かれ、前記プラズマ生成室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルと、
前記プラズマ生成室の天井から、前記プラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記原料ガス供給領域に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記コイルに波形調整回路が接続され、前記波形調整回路と前記コイルを合わせた電気的長さが、投入される電力の波長の整数倍の長さである請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記プラズマ生成室は、重力方向において前記コイルの上端と前記プラズマ生成室の天井の間に板状のガス分散板を有する請求項１または請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ生成室と前記反応ガス供給領域の間に設けられる連通孔の径は、前記基板載置面に載置される基板の径よりも大きく構成され、前記回転部によって前記基板載置台が回転する際、前記基板が前記連通孔の下方を通過するよう構成される請求項１乃至請求項３のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板載置台の回転によって前記複数の基板を順次前記原料ガス供給領域および前記反応ガス供給領域を通過させ、前記基板が前記原料ガス供給領域を通過するときに、前記基板上に原料ガスを供給して第１層を形成し、前記基板が前記反応ガス供給領域を通過するときに、前記反応ガスプラズマ生成部によって生成された反応ガスのプラズマを前記第１層と反応させることにより第２層を形成する処理を実行するように、前記回転部、前記プラズマ生成部、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系をそれぞれ制御するよう構成される制御部を有する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
更に、後処理ガスを後処理ガス供給領域に供給する後処理ガス供給系と、有し、
前記基板載置台の回転によって前記複数の基板を順次前記原料ガス供給領域、前記反応ガス供給領域および前記後処理ガス供給領域を通過させ、前記基板が前記原料ガス供給領域を通過するときに、前記基板上に原料ガスを供給して第１層を形成し、前記基板が前記反応ガス供給領域を通過するときに、前記プラズマ生成部によって生成されたプラズマを前記第１層と反応させることにより第２層を形成し、前記基板が前記後処理ガス供給領域を通過するときに、前記後処理ガスにより前記第２層を改質する処理を実行するように、前記回転部、前記プラズマ生成部、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系、前記後処理ガス供給系をそれぞれ制御するよう構成される制御部を有する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記反応ガス供給系は、ＮＨ３ガス、ＮＨ３＋Ｈ２の混合ガス、ＮＨ３＋Ｎ２の混合ガス、ＮＨ３＋Ｈ２＋Ｎ２の混合ガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記後処理ガス供給系は、Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２＋Ｎ２の混合ガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される請求項６記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記原料ガス供給系は、ＤＣＳガス、ＭＣＳガス、ＨＣＤＳガス、ＳＴＣガス、ＴＣＳガス、ＴＦＳガス、ＨＦＤＳガス、ＴＳガス、ＤＳガス、ＭＳガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記原料ガス供給系は、は、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびタングステン（Ｗ）からなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記反応ガス供給系は、は、Ｎ２Ｈ２ガス、Ｎ２Ｈ４ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１２】
処理室内に回転自在に設けられ回転方向に沿って複数の基板を載置する基板載置台に基板を載置する工程と、
原料ガスが供給される原料ガス供給領域、反応ガスが供給される反応ガス供給領域が構成される処理室に対して、原料ガス供給系から前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給すると共に、反応ガス供給系から前記反応ガス供給領域の天井に設けたプラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に前記反応ガスを供給する工程と、
前記プラズマ生成室の外周に巻かれ、前記処理室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルに電力を供給して前記反応ガスをプラズマ状態にする工程と、
前記基板載置台を回転させて、前記原料ガスと前記プラズマ状態の反応ガスの順に前記基板に供給し、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
複数の基板が同一円周状に配置される基板載置面を有する基板載置台と、前記基板載置台を前記基板載置面と平行な方向に回転させる回転部と、前記回転方向に原料ガスが供給される原料ガス供給領域、反応ガスが供給される反応ガス供給領域が構成される処理室と、前記反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルと、前記プラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有する基板処理装置において、
前記基板載置面に基板を載置する手順と、
前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給すると共に、前記反応ガス供給領域に前記反応ガスを供給する手順と、
前記コイルに電力を供給して前記反応ガスをプラズマ状態にする手順と、
前記基板載置台を回転させて、前記原料ガスと前記プラズマ状態の反応ガスの順に前記基板に供給し、前記基板を処理する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置に用いられる薄膜の形成方法の一つとして、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や交互供給法が知られている。
【０００３】
ＣＶＤ法とは、原料ガスおよび反応ガスの気相中または基板表面での反応を利用して、原料ガスの分子に含まれる元素を構成要素とする薄膜を基板に堆積する方法である。また、交互供給法とは、原料ガスと反応ガスを交互に供給する方法である。交互供給法は、ＣＶＤ法と比較して、より低温で、より薄い膜を形成することが可能である。
【０００４】
ところで、交互供給法を実現する装置形態として、例えば積層した基板を処理室内で処理する縦型装置（特許文献１参照）や、一枚ごとに基板を処理する枚葉装置（特許文献２参照）、複数の基板を周方向に配置し、その基板を回転させて原料ガスと反応ガスを順番に供給する回転型装置（特許文献３参照）が知られている。
【０００５】
縦型装置の場合、一度の処理枚数が多いためスループットが高いという利点がある一方、基板の面内均一性を確保することが難しいことがある。枚葉装置の場合、高品質な膜を形成可能であるが、一枚ずつ処理するためにスループットを確保することが難しいことがある。回転型装置の場合、縦型装置よりも高品質な膜を形成することができる場合があり、且つ枚葉装置よりもスループットが高い、という利点がある。
【０００６】
ところで、薄膜形成工程では、基板に形成される配線等の存在から、高温で処理できない場合がある。これに対応するために、プラズマでガスを活性化させ、低温で処理することが考えられる。
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１５１２９４
【特許文献２】特開２０１０−２０６２１８
【特許文献３】特開２０１３−０８４８９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、上記回転型装置では、回転型装置では基板載置台の中央と外周とで回転速度が異なるため、基板面内に均一にプラズマを供給することが難しい場合がある。言い換えれば、基板載置台の回転方向に対して垂直な方向で生成されるプラズマ密度が異なるため、基板上に均一にプラズマを供給することが難しい場合がある。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、回転型装置において基板に対して均一にプラズマを供給可能な構成を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、
原料ガス供給領域、反応ガス供給領域を有し、前記原料ガス供給領域内、前記反応ガス供給領域内で基板を処理する処理室と、
前記処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の前記基板を載置する基板載置台と、
前記反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室の外周に巻かれ、前記プラズマ生成室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルと、
前記プラズマ生成室の天井から、前記プラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記原料ガス供給領域に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
を有する構成が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、回転型装置において基板に対して均一にプラズマを供給可能な構成が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の横断面概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の縦断面概略図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置が備えるプロセスチャンバの横断面概略図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置が備えるプロセスチャンバの縦断面概略図であり、図３に示すプロセスチャンバのＡ−Ａ’線断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置が備えるプロセスチャンバの上面概略図である。
【図６】本発明の実施形態に係る基板処理装置のプラズマ生成原理を説明する説明図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置が備えるコイルを説明する説明図である。
【図８】本発明の第１実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る成膜工程を示すフロー図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置における基板とプラズマとの関係を説明する説明図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る反応ガスを説明する説明図である。
【図１３】本発明の比較例を説明する説明図である。
【図１４】本発明の第１実施形態と比較例との対比を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜本発明の第１実施形態＞
以下に、本発明の第１実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（１）基板処理装置の構成
まず、図１および図２を用い、本実施形態に係る基板処理装置１０について説明する。
【００１５】
なお、本発明が適用される基板処理装置１０では、基板としてのウエハ２００を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ：以下、ポッドという。）１００が使用されている。本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置１０の搬送装置は、真空側と大気側とに分かれている。
【００１６】
また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。図１に示されているＸ１の方向を右、Ｘ２の方向を左、Ｙ１の方向を前、Ｙ２の方向を後ろとする。
【００１７】
（真空側の構成）
図１および図２に示されているように、基板処理装置１０は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得る第１搬送室１０３を備えている。第１搬送室１０３の筐体１０１は平面視で例えば五角形であり、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。なお、以下で言う「平面視」とは、基板処理装置１０の鉛直上側から鉛直下側をみたときのことをいう。
【００１８】
第１搬送室１０３内には、負圧下で２枚のウエハ２００を同時に移載出来る第１ウエハ移載機１１２が設けられている。第１ウエハ移載機１１２は、第１ウエハ移載機エレベータ１１５によって、第１搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１９】
筐体１０１の５枚の側壁のうち前側に位置する側壁には、予備室（ロードロック室）１２２，１２３がそれぞれゲートバルブ１２６，１２７を介して連結されている。予備室１２２，１２３は、ウエハ２００を搬入する機能とウエハ２００を搬出する機能とを併用可能に構成され、それぞれ負圧に耐え得る構造で構成されている。
【００２０】
さらに、予備室１２２，１２３内には基板支持台１４０により２枚のウエハ２００を積み重ねるように置くことが可能である。予備室１２２，１２３には、ウエハ２００の間に配置される隔壁板（中間プレート）１４１が設置される。
【００２１】
第１搬送室１０３の筐体１０１の５枚の側壁のうち後ろ側（背面側）に位置する４枚の側壁には、基板に所望の処理を行う第１プロセスチャンバ２０２ａと、第２プロセスチャンバ２０２ｂ、第３プロセスチャンバ２０２ｃ、第４プロセスチャンバ２０２ｄがゲートバルブ１５０、１５１、１５２、１５３を介してそれぞれ隣接して連結されている。これらのプロセスチャンバ（第１プロセスチャンバ２０２ａ等）については、詳細を後述する。
【００２２】
（大気側の構成）
予備室１２２，１２３の前側には、大気圧下の状態でウエハ２００を搬送することができる第２搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第２搬送室１２１には、ウエハ２００を移載する第２ウエハ移載機１２４が設けられている。第２ウエハ移載機１２４は第２搬送室１２１内に設置された第２ウエハ移載機エレベータ１３１によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００２３】
第２搬送室１２１の左側にはノッチ合わせ装置１０６が設けられている。なお、ノッチ合わせ装置１０６は、オリエンテーションフラット合わせ装置であってもよい。また、第２搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設けられている。
【００２４】
第２搬送室１２１の筐体１２５の前側には、ウエハ２００を第２搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８と、が設けられている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側には、ロードポート（ＩＯステージ）１０５が設けられている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共に基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２と、クロージャ１４２を駆動する駆動機構１３６とを備えている。ロードポート１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対するウエハ２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＯＨＴなど）によって、ロードポート１０５に対して、供給および排出されるようになっている。
【００２５】
（２）プロセスチャンバの構成
続いて、本実施形態(第１実施形態)に係る処理炉としてのプロセスチャンバの構成について、主に図３〜図５を用いて説明する。ここで、図４に示す、Ａ−Ａ’線は、Ａから反応容器２０３の中心を通ってＡ’に向かう線である。
【００２６】
ここで、本実施形態では、例えば、第１プロセスチャンバ２０２ａ、第２プロセスチャンバ２０２ｂ、第３プロセスチャンバ２０２ｃ、第４プロセスチャンバ２０２ｄは、例えば、それぞれ同様に構成されている。以下では、第１プロセスチャンバ２０２ａ、第２プロセスチャンバ２０２ｂ、第３プロセスチャンバ２０２ｃ、第４プロセスチャンバ２０２ｄを、総称して「プロセスチャンバ２０２」とする。
【００２７】
（処理室）
図３および図４に示されているように、処理炉としてのプロセスチャンバ２０２は、円筒状の気密容器である反応容器２０３を備えている。反応容器２０３内には、ウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。
【００２８】
処理室２０１は、複数の領域に分割されており、例えば、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂおよび第２パージ領域２０７ｂを有する。後述するように、第１処理領域２０６ａ内には原料ガスが供給され、第２処理領域２０６ｂ内には反応ガスのプラズマが供給され、また第１パージ領域２０７ａおよび第２パージ領域２０７ｂには不活性ガスが供給される。これにより、それぞれの領域内に供給されるガスに応じて、ウエハ２００に対して所定の処理が施される。
【００２９】
また、例えば反応容器２０３内の上側には、中心部から放射状に延びる４枚の仕切板２０５が設けられている。４枚の仕切板２０５は、後述するサセプタ２１７の回転によってウエハ２００が通過可能な状態で、処理室２０１を第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂおよび第２パージ領域２０７ｂに仕切るよう構成される。具体的には、処理室２０１は、複数の仕切板２０５の下にウエハ２００が通過可能な隙間を有しており、複数の仕切板２０５は、処理室２０１内の天井部からサセプタ２１７の直上までの空間を遮るように設けられる。仕切板２０５の下端は、仕切板２０５がウエハ２００に干渉しない程度にサセプタ２１７に近付けて配置される。これにより、仕切板２０５とサセプタ２１７との間を通過するガスは少なくなり、処理室２０１内のそれぞれの領域の間でガスが混合することが抑制される。
【００３０】
また、仕切板２０５の水平方向の端部と反応容器２０３の側壁との間には、ガスが通過できるように所定の幅の隙間が設けられている。この隙間を介し、第１パージ領域２０７ａ内及び第２パージ領域２０７ｂ内から、第１処理領域２０６ａ内及び第２処理領域２０６ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させるようにする。これにより、第１パージ領域２０７ａ内及び第２パージ領域２０７ｂ内への第１ガス及び第２ガス等の処理ガスの侵入を抑制することができ、第１パージ領域２０７ａ内及び第２パージ領域２０７ｂ内での処理ガスの反応を抑制することができる。
【００３１】
ここで、所定のウエハ２００が、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂ、第２パージ領域２０７ｂを通過する時間、すなわち、各領域でのウエハ２００の処理時間は、後述するサセプタ２１７の回転速度が一定であるとき、各領域の広さ（容積）に依存する。また、各領域でのウエハ２００の処理時間は、後述するサセプタ２１７の回転速度が一定であるとき、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂ、第２パージ領域２０７ｂのそれぞれの平面視での面積に依存する。言い換えれば、各領域でのウエハ２００の処理時間は、隣接する仕切板２０５の角度に依存する。
【００３２】
（サセプタ）
仕切板２０５の下側、すなわち反応容器２０３内の底側中央には、例えば反応容器２０３の中心に回転軸を有し、回転自在に構成される基板載置台としてのサセプタ２１７が設けられている。サセプタ２１７は、ウエハ２００の金属汚染を低減することができるように、例えば、カーボンやＳｉＣ等の材料で形成されている。なお、サセプタ２１７は、反応容器２０３とは電気的に絶縁されている。
【００３３】
サセプタ２１７は、反応容器２０３内に、複数枚（５枚）のウエハ２００を同一面上に、且つ回転方向に沿って同一円周上に並べて支持するよう構成される。ここでいう「同一面」とは、完全な同一面に限られるものではなく、サセプタ２１７を上面から見たときに、複数枚のウエハ２００が互いに重ならないように並べられていればよい。
【００３４】
サセプタ２１７表面におけるウエハ２００の支持位置には、ウエハ載置部２１７ｂが設けられている。処理するウエハ２００の枚数と同数のウエハ載置部２１７ｂがサセプタ２１７の中心から同心円上の位置に互いに等間隔（例えば７２°の間隔）で配置されている。尚、本実施形態では、各領域が同じ広さ（容積）で仕切板２０５の角度が決定されているが、例示にすぎず仕切板２０５の角度は任意に決定できるのはいうまでもない。
【００３５】
それぞれのウエハ載置部２１７ｂは、例えばサセプタ２１７の上面から見て円形状であり、側面から見て凹形状である。ウエハ載置部２１７ｂの直径はウエハ２００の直径よりもわずかに大きくなるように構成することが好ましい。このウエハ載置部２１７ｂ内にウエハ２００を載置することにより、ウエハ２００の位置決めを容易に行うことができ、また、サセプタ２１７の回転に伴う遠心力によりウエハ２００がサセプタ２１７から飛び出してしまう等のウエハ２００の位置ズレが発生することを抑制できる。
【００３６】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させる昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７の各ウエハ載置部２１７ｂの位置には、貫通孔２１７ａが複数設けられている。上述の反応容器２０３の底面には、反応容器２０３内へのウエハ２００の搬入・搬出時に、ウエハ２００を突き上げて、ウエハ２００の裏面を支持するウエハ突き上げピン２６６が複数設けられている。貫通孔２１７ａ及びウエハ突き上げピン２６６は、ウエハ突き上げピン２６６が上昇させられた時、又は昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に、ウエハ突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００３７】
昇降機構２６８には、複数のウエハ２００が、順次、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂおよび第２パージ領域２０７ｂを通過するようにサセプタ２１７を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７の回転軸（不図示）は、サセプタ２１７に接続されており、サセプタ２１７を回転させることにより、５つのウエハ載置部２１７ｂが一括して回転されるように構成されている。
【００３８】
また、回転機構２６７には、後述するコントローラ３００がカップリング部２６７ａを介して接続されている。カップリング部２６７ａは、例えば回転側と固定側との間を金属ブラシ等により電気的に接続するスリップリング機構として構成されている。これにより、サセプタ２１７の回転が妨げられないようになっている。
【００３９】
（加熱部）
サセプタ２１７の内部には、加熱部としてのヒータ２１８が一体的に埋め込まれており、ウエハ２００を加熱できるように構成されている。ヒータ２１８は、ウエハ２００の表面を所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）まで加熱可能に構成されている。なお、ヒータ２１８は、サセプタ２１７に載置されたそれぞれのウエハ２００を個別に加熱するように構成されていてもよい。
【００４０】
サセプタ２１７には温度センサ２４９が設けられている。ヒータ２１８および温度センサ２４９には、電力供給線２２２を介して、電力調整器２２４、ヒータ電源２２５、及び温度調整器２２３が電気的に接続されている。ヒータ２１８、温度センサ２４９、電力供給線２２２、電力調整器２２４、ヒータ電源２２５、及び温度調整器２２３はそれぞれ加熱部を構成する。
【００４１】
（原料ガス供給系）
反応容器２０３の天井部の中央部には、第１ガス導入部２８１が設けられている。第１ガス導入部２８１の上端には、第１ガス供給管２３１ａの下流端が接続されている。第１ガス導入部２８１の第１処理領域２０６ａ側の側壁には、第１処理領域２０６ａに開口する第１ガス噴出口２５１が設けられている。
【００４２】
第１ガス供給管２３１ａには、上流方向から順に、原料ガス供給源２３１ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３１ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３１ｄが設けられている。
【００４３】
第１ガス供給管２３１ａから、ＭＦＣ２３１ｃ、バルブ２３１ｄ、第１ガス導入部２８１および第１ガス噴出口２５１を介して、原料ガスが第１処理領域２０６ａ内に供給される。
【００４４】
また、第１ガス供給管２３１ａのバルブ２３１ｄよりも下流側には、不活性ガス供給管２３４ａの下流端が接続されている。不活性ガス供給管２３４ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３４ｂ、ＭＦＣ２３４ｃ、及びバルブ２３４ｄが設けられている。不活性ガス供給管２３４ａからは、ＭＦＣ２３４ｃ、バルブ２３４ｄ、第１ガス供給管２３１ａ、第１ガス導入部２８１及び第１ガス噴出口２５１を介して、不活性ガスが第１処理領域２０６ａ内に供給される。第１処理領域２０６ａ内に供給される不活性ガスは、原料ガスのキャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。
【００４５】
ここでいう「原料ガス」とは、処理ガスの一つであり、薄膜形成の際の原料になるガスである。例えば、原料ガスは、薄膜を構成する元素として、例えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびタングステン（Ｗ）の少なくともいずれか一つを含むガスである。
【００４６】
本実施形態では、シリコン（Ｓｉ）およびハロゲン元素を含むハロシラン原料ガスが使用される。ここで、ハロシラン原料ガスとは、気体状態のハロシラン原料、例えば、常温常圧下で液体状態であるハロシラン原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるハロシラン原料等のことである。ハロシラン原料とは、ハロゲン基を有するシラン原料のことである。ハロゲン元素は、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）からなる群より選択される少なくとも１つを含む。
【００４７】
ハロシラン原料ガスとしては、例えば、ＳｉおよびＣｌを含む原料ガス、すなわち、クロロシラン原料ガスを用いることができる。クロロシラン原料ガスとしては、例えば、ジクロロシラン（Ｓｉ２Ｈ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガスを用いることができる。
【００４８】
具体的には、本実施形態では、原料ガスは、例えば、ＤＣＳガスである。原料ガスの原料が常温で気体である場合、ＭＦＣ２３１ｃは気体用のマスフローコントローラである。なお、原料ガスの原料が常温で液体である場合、ＭＦＣ２３１ｃは液体用のマスフローコントローラであり、ＭＦＣ２３１ｃおよびバルブ２３１ｄの間には気化器が設けられる。もしくは、バブリング方式の場合、ＭＦＣ２３１ｃはキャリアガス用のマスフローコントローラであり、原料ガス供給源２３１ｂの上流に接続される。
【００４９】
主に、第１ガス供給管２３１ａ、ＭＦＣ２３１ｃ、バルブ２３１ｄ、第１ガス導入部２８１及び第１ガス噴出口２５１により、原料ガス供給系（第１ガス供給系、もしくは原料ガス供給部と呼んでもよい。）が構成される。なお、原料ガス供給源２３１ｂを原料ガス供給系に含めて考えてもよい。
【００５０】
また、不活性ガス供給管２３４ａ、ＭＦＣ２３４ｃ、バルブ２３４ｄを原料ガス供給系に含めて考えても良い。
【００５１】
（不活性ガス供給系）
反応容器２０３の天井部の中央部には、不活性ガス導入部２８２が設けられている。不活性ガス導入部２８２の第１パージ領域２０７ａ側および第２パージ領域２０７ｂ側における側壁には、それぞれ第１パージ領域２０７ａに開口する第１不活性ガス噴出口２５６、第２パージ領域２０７ｂに開口する第２不活性ガス噴出口２５７が設けられている。
【００５２】
不活性ガス導入部２８２の上端には、第二ガス供給管２３２ａの下流端が接続されている。第２ガス供給管２３２ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３２ｂ、ＭＦＣ２３２ｃ、及びバルブ２３２ｄが設けられている。第２ガス供給管２３２ａからは、ＭＦＣ２３２ｃ、バルブ２３２ｄ、不活性ガス導入部２８２、第１不活性ガス噴出口２５６及び第２不活性ガス噴出口２５７を介して、不活性ガスが第１パージ領域２０７ａ内及び第２パージ領域２０７ｂ内にそれぞれ供給される。第１パージ領域２０７ａ内及び第２パージ領域２０７ｂ内に供給される不活性ガスは、パージガスとして作用する。
【００５３】
主に、第１ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２３２ｃ、バルブ２３２ｄ、不活性ガス導入部２８２、不活性ガス噴出口２５６、不活性ガス噴出口２５７により、不活性ガス供給系が構成される。なお、不活性ガス供給源２３２ｂを不活性ガス供給系（不活性ガス供給部とも呼ぶ）に含めて考えてもよい。
【００５４】
ここで「不活性ガス」は、例えば、窒素（Ｎ２）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスの少なくともいずれか一つである。ここでは、不活性ガスは、例えばＮ２ガスである。
【００５５】
（反応ガス供給系）
反応容器２０３の天井部であって、第２処理領域２０６ｂの上方には、連通口２０３ａが設けられている。連通口２０３ａには後述するプラズマ生成室２９０が接続される。プラズマ生成室２９０の天井２９２に反応ガス導入孔２９２ａが設けられ、反応ガス導入孔２９２ａには反応ガス供給系（反応ガス供給部とも呼ぶ）２３３が接続されている。
【００５６】
反応ガス導入孔２９２ａには、第３ガス供給管２３３ａの下流端が接続されている。第３ガス供給管２３３ａには、上流方向から順に、反応ガス供給源２３３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３３ｄが設けられている。
【００５７】
反応ガス供給源２３３ｂから、上述のＳｉ元素とは異なる元素（第２〜第４元素）を含むリアクタントとして、例えば、反応ガスとしての窒素（Ｎ）含有ガスが、ＭＦＣ２３３ｃ、バルブ２３３ｄ、プラズマ生成室２９０、連通口２０３ａを介して、反応ガスが第２処理領域２０６ｂ内に供給される。Ｎ含有ガスとしては、例えば、窒化水素系ガスを用いることができる。窒化水素系ガスは、ＮおよびＨの２元素のみで構成される物質ともいえ、後述する基板処理工程において、窒化ガス、すなわち、Ｎソースとして作用する。窒化水素系ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。
【００５８】
また、第３ガス供給管２３３ａのバルブ２３３ｄよりも下流側には、不活性ガス供給管２３５ａの下流端が接続されている。不活性ガス供給管２３５ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３５ｂ、ＭＦＣ２３５ｃ、及びバルブ２３５ｄが設けられている。不活性ガス供給管２３５ａからは、ＭＦＣ２３５ｃ、バルブ２３５ｄ、第３ガス供給管２３３ａ、プラズマ生成室２９０、連通口２０３ａを介して、不活性ガスが第３処理領域２０６ｃ内に供給される。第３処理領域２０６ｃ内に供給される不活性ガスは、第１処理領域２０６ａ内に供給される不活性ガスと同様に、キャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。
【００５９】
ここでいう「反応ガス」とは、処理ガスの一つであり、後述するようにプラズマ状態となって、ウエハ２００上に原料ガスによって形成された第１層と反応するガスである。反応ガスは、例えば、ＮＨ３ガス、窒素（Ｎ２）ガス、水素（Ｈ２）ガス、および酸素（Ｏ２）ガスの少なくともいずれか一つ、または、これらの組合せである。なお、反応ガスは、原料ガスより粘着度（粘度）の低い材料が用いられる。本実施形態では、反応ガスは、ＮＨ３ガスである。
【００６０】
主に、第３ガス供給管２３３ａ、ＭＦＣ２３３ｃ、バルブ２３３ｄ、反応ガス導入孔２９２ａにより反応ガス供給部（第２ガス供給部）が構成される。なお、反応ガス供給源２３３ｂを反応ガス供給系に含めて考えてもよい。
【００６１】
また、不活性ガス供給管２３５ａ、ＭＦＣ２３５ｃ、バルブ２３５ｄを反応ガス供給系に含めて考えても良い。
【００６２】
（排気系）
図４に示されているように、反応容器２０３の底部には、反応容器２０３内を排気する排気口２４０が設けられている。例えば排気口２４０は複数設けられ、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂおよび第２パージ領域２０７ｂのそれぞれの底部に設けられている。
【００６３】
各々の排気口２４０には、排気管２４１の上流端が接続されている。例えば、各々の排気口２４０に接続された排気管２４１は、下流側で一つに合流されている。排気管２４１の合流部分よりも下流側には、圧力センサ２４８、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３、および開閉弁としてのバルブ２４５を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。ＡＰＣバルブ２４３は、弁を開閉して処理室２０１内の真空排気や真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して処理室２０１内の圧力を調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管２４１、ＡＰＣバルブ２４３及びバルブ２４５により排気系が構成される。なお、排気系（排気部とも呼ぶ。）には、圧力センサ２４８および真空ポンプ２４６を含めても良い。
【００６４】
（プラズマ生成部）
反応容器２０３の第２処理領域２０６ｂにおける天井部には、基板(例えば、ウエハ２００)の径よりも大きい径を有する連通口２０３ａが設けられている。連通口２０３ａには、プラズマ生成室２９０が接続されている。プラズマ生成室２９０は側壁２９１及び天井２９２を有し、天井２９２に設けられた反応ガス導入孔２９２ａを介して反応ガス供給系に接続される。側壁２９１は筒状構造であり、外周にコイル２９３が巻かれている。側壁２９１は例えば石英で構成されており、径は基板よりも大きい。側壁２９１は連通口２０３ａと同じ径を有する。連通口２０３ａは、ウエハ２００の外周が連通口２０３ａの内側を通過する位置に配置される。
【００６５】
重力方向において、天井２９２に設けられた反応ガス導入孔２９２ａとコイル２９３の上端の間には、ガス分散構造２９４が設けられている。ガス分散構造２９４はガス分散板２９４ａと、それを天井に固定する固定構造２９４ｂを有する。ガス分散板２９４ａは孔の無い円板であり、反応ガス導入孔２９２ａから供給されるガスをコイル２９３近傍に導くよう、径方向の部材はコイル２９３の方向に延伸される。固定構造２９４ｂは複数の柱から構成され、ガス導入孔２９２ａから供給されるガスの流れを阻害しない構造としている。固定構造２９４ｂの一端はガス分散板２９４ａの一部に固定され、他端は天井２９２に固定されている。
【００６６】
前述のように、重力方向において、コイル２９３の上端はガス分散板２９４ａよりも下方に位置される。コイル２９３は遮蔽板２９５に囲まれている。遮蔽板２９５は、コイル２９３から発生する電磁波等を遮断する。
【００６７】
図６に記載のように、コイル２９３は円周を構成する部分、すなわち側壁２９１に隣接する部分の曲率が一定の形状を有する。曲率を一定とすることで、コイルに電流を流した際に発生する磁場が側壁２９１の内周に沿って均一となり、それによって生成されるプラズマ２９０ａの周方向の密度を均一にすることが可能となる。
【００６８】
コイル２９３には、電力供給部としての波形調整回路２９６、ＲＦセンサ２９７、高周波電源２９８と周波数整合器２９９がそれぞれ接続される。
【００６９】
高周波電源２９８はコイル２９３に高周波電力を供給するものである。ＲＦセンサ２９７は高周波電源２９８の出力側に設けられている。ＲＦセンサ２９７は、供給される高周波の進行波や反射波の情報をモニタするものである。周波数整合器２９９は、ＲＦセンサ２９７でモニタされた反射波の情報に基づいて、反射波が最小となるよう、高周波電源２９８を制御する。
【００７０】
コイル２９３は、所定の波長の定在波を形成するため、一定波長モードで共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、コイル２９３と隣接する波形調整回路２９６（後に詳述）を合わせた電気的長さは、高周波電源２９８から供給される電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍、２倍、…）に相当する長さに設定される。例えば、１３．５６ＭＨｚの場合1波長の長さは約２２メートル、２７．１２ＭＨｚの場合1波長の長さは、約１１メートル、５４．２４ＭＨｚの場合1波長の長さは約５．５メートルになる。
【００７１】
コイル２９３の両端は電気的に接地されるが、コイル２９３の少なくとも一端は、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に当該共振コイルの電気的長さを微調整するため、可動タップを介して接地される。コイル２９３の他端は固定グランドに接続される。さらに、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際にコイル２９３のインピーダンスを微調整するため、コイル２９３の接地された両端の間には、可動タップによって給電部が構成される。
【００７２】
すなわち、コイル２９３は、電気的に接地されたグランド部を両端に備え且つ高周波電源２９８から電力供給される給電部を各グランド部の間に備えている。しかも、少なくとも一方のグランド部は、位置調整可能な可変式グランド部とされ、そして、給電部は、位置調整可能な可変式給電部とされる。コイル２９３が可変式グランド部及び可変式給電部を備えている場合には、後述するように、処理室２０１の共振周波数及び負荷インピーダンスを調整する際、より一層簡便に調整することができる。プラズマの生成原理については後述する。
【００７３】
遮蔽板２９５は、コイル２９３の外側への電磁波の漏れを遮蔽するとともに、共振回路を構成するのに必要な容量成分をコイル２９３との間に形成するために設けられる。遮蔽板２９５は、一般的には、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの導電性材料を使用して円筒状に形成される。遮蔽板２９５は、コイル２９３の外周から、例えば５ｍｍから１５０ｍｍ程度隔てて配置される。
【００７４】
高周波電源２９８の出力側にはＲＦセンサ２９７が設置され、コイル２９３に向かう進行波、コイル２９３から反射する反射波等をモニタしている。ＲＦセンサ２９７によってモニタされた反射波電力は、周波数整合器２９９に入力される。周波数整合器２９９は、反射波が最小となるよう周波数を制御する。
【００７５】
主に、プラズマ生成室２９０、コイル２９３、波形調整回路２９６、ＲＦセンサ２９７、周波数整合器２９９により、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。尚、プラズマ生成部として高周波電源２９８を含めても良い。
【００７６】
ここで、本実施形態に係る装置のプラズマ生成原理および生成されるプラズマの性質について図７を用いて説明する。
【００７７】
コイル２９３は、所定の波長の定在波を形成するため、全波長モードで共振する様に巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、コイル２９３と周波数整合回路２９６を合わせた電気的長さは、高周波電源２９８から与えられる電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍，２倍，…）に設定される。
【００７８】
具体的には、印加する電力や発生させる磁界強度または適用する装置の外形などを勘案し、コイル２９３は、例えば、８００ｋＨｚから５０ＭＨｚ、０．５ＫＷから５ＫＷの高周波電力によって０．０１ガウスから１０ガウス程度の磁場を発生し得る様に、５０mm2から３００mm2 の有効断面積であって且つ２００mmから５００mmのコイル直径とされ、側壁２９１を形成する部屋の外周側に２から６０回程度巻回される。なお、コイル２９３を構成する素材としては、銅パイプ、銅の薄板、アルミニウムパイプ、アルミニウム薄板、ポリマーベルトに銅またはアルミニウムを蒸着した素材などが使用される。
【００７９】
また、コイル２９３の一端または両端は、当該共振コイルの電気的長さを設置の際に微調整し、共振特性を高周波電源２９８と略等しくするため、通常は可動タップを介して接地される。更に、位相及び逆位相電流がコイル２９３の電気的中点に関して対称に流れる様に、コイル２９３の一端（若しくは他端または両端）には波形調整回路２９６が挿入される。波形調整回路は、コイル２９３の端部を電気的に非接続状態とするか又は電気的に等価の状態に設定することにより開路に構成する。また、コイル２９３の端部は、チョーク直列抵抗によって非接地とし、固定基準電位に直流接続されてもよい。
【００８０】
遮蔽板２９５は、コイル２９３の外側の電界を遮蔽すると共に、共振回路を構成するのに必要な容量成分（Ｃ成分）をコイル２９３との間に形成するために設けられる。遮蔽板２９５は、一般的には、アルミニウム合金、銅または銅合金などの導電性材料を使用して円筒状に構成される。遮蔽板２９５は、コイル２９３の外周から５ｍｍから１５０ｍｍ程度隔てて配置される。そして、通常、遮蔽板２９５はコイル２９３の両端と電位が等しくなる様に接地されるが、コイル２９３の共振数を正確に設定するため、遮蔽板２９５の一端または両端は、タップ位置を調整可能とする。あるいは、共振数を正確に設定するために、コイル２９３と遮蔽板２９５の間にトリミングキャパシタンスを挿入しても良い。
【００８１】
高周波電源２９８は、発振周波数および出力を規定するための高周波発振回路およびプリアンプを含む電源制御手段（コントロール回路）と、所定の出力に増幅するための増幅器（出力回路）とを備えている。電源制御手段は、操作パネルを通じて予め設定された周波数および電力に関する出力条件に基づいて増幅器を制御し、増幅器は、上記のコイル２９３に伝送線路を介して一定の高周波電力を供給する。
【００８２】
ところで、コイル２９３によって構成されるプラズマ発生回路はＲＬＣの並列共振回路で構成される。高周波電源２９８の波長とコイル２９３の電気的長さが同じ場合、コイル２９３の共振条件は、コイル２９３の容量成分や誘導成分によって作り出されるリアクタンス成分が相殺され、純抵抗になることである。しかしながら、上記プラズマ発生回路においては、プラズマを発生させた場合、コイル２９３の電圧部とプラズマとの間の容量結合、プラズマ生成室２９０内のプラズマの変動や、プラズマの励起状態により、実際の共振周波数が僅かながら変動する。
【００８３】
そこで、本実施形態においては、プラズマ発生時のコイル２９３における共振のずれを電源側で補償するため、周波数整合器２９９は、プラズマが発生した際のコイル２９３からの反射波電力を検出して出力を補完する機能を有する。斯かる構成により、本発明の共振装置では、コイル２９３において一層正確に定在波を形成でき、容量結合の極めて少ないプラズマを発生させ得る。
【００８４】
すなわち、上記の周波数整合器２９９は、プラズマが発生した際の前記のコイル２９３からの反射波電力を検出し、反射波電力が最小となる様に前記の所定周波を増加または減少させる。具体的には、周波数整合器２９９には、予め設定された発振周波数を補正する周波数制御回路が構成され、かつ、増幅器の出力側には、伝送線路における反射波電力を検出し、その電圧信号を周波数制御回路にフィードバックする周波数整合器２９９の一部としての反射波パワーメータが介装される。
【００８５】
周波数制御回路は、反射波パワーメータからの電圧信号が入力され且つ当該電圧信号を周波数信号にデジタル変換するＡ／Ｄコンバータ、変換された反射波に相当する周波数信号の値と予め設定記憶された発振周波数の値とを加減算処理する演算処理回路、加減算処理して得られた周波数の値を電圧信号にアナログ変換するＤ／Ａコンバータ、および、Ｄ／Ａコンバータからの印加電圧に応じて発振する電圧制御発振器によって構成される。従って、周波数制御回路は、プラズマ点灯前はコイル２９３の無負荷共振周波数で発振し、プラズマ点灯後は反射電力が最小となる様に前記所定周波数を増加または減少させた周波数を発振し、結果的には、伝送線路における反射波がゼロとなる様に周波数信号を増幅器に与える。
【００８６】
本実施形態においては、プラズマ生成室２９０の内部を例えば０．０１から５０Ｔｏｒｒに減圧した後、前記の真空度を維持しつつプラズマ生成室２９０にプラズマ用ガス（本実施形態においては窒素含有ガス）を供給する。そして、高周波電源２９８からコイル２９３に例えば２７．１２ＭＨｚ、２ＫＷの高周波電力を供給すると、プラズマ生成室２９０の内部に誘導電界が生じ、その結果、供給されたガスがプラズマ生成室２９０においてプラズマ状態となる。
【００８７】
高周波電源２９８に付設された周波数整合器２９９は、発生したプラズマの容量結合や誘導結合の変動によるコイル２９３における共振点のずれを高周波電源２９８側で補償する。すなわち、周波数整合器２９９のＲＦセンサ２９７は、プラズマの容量結合や誘導結合の変動による反射波電力を検出し、反射波電力が最小となる様に、反射波電力の発生要因である共振周波数のずれに相当する分だけ前記の所定周波を増減させ、プラズマ条件下におけるコイル２９３の共振周波数の高周波を増幅器に出力させる。
【００８８】
換言すれば、本発明の共振装置においては、プラズマ発生時およびプラズマ生成条件の変動時のコイル２９３の共振点のずれに応じて、正確に共振する周波数の高周波を出力するため、コイル２９３で一層正確に定在波を形成できる。すなわち、図７に示す様に、コイル２９３においては、プラズマを含む当該共振器の実際の共振周波数の送電により、位相電圧と逆位相電圧が常に相殺される状態の定在波が形成され、コイルの電気的中点（電圧がゼロのノード）に最も高い位相電流が生起される。従って、上記の電気的中点において励起された誘導プラズマは、処理室壁や基板載置台との容量結合が殆どなく、プラズマ生成室２９０中には、電気的ポテンシャルの極めて低いリング状の、周方向に均一な密度を有するプラズマ２９０aを形成できる。
【００８９】
（制御部）
次に、図８を用い、本実施形態の制御部（制御手段）であるコントローラ３００について説明する。
【００９０】
図８に示されているように、制御部（制御手段）であるコントローラ３００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）３０１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）３０１ｂ、記憶装置３０１ｃ、Ｉ／Ｏポート３０１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ３０１ｂ、記憶装置３０１ｃ、Ｉ／Ｏポート３０１ｄは、内部バス３０１ｅを介して、ＣＰＵ３０１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ３００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置３０２が接続されている。
【００９１】
記憶装置３０１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置３０１ｃ内には、基板処理装置１０の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理等の基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピが、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ３００に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ３０１ｂは、ＣＰＵ３０１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００９２】
Ｉ／Ｏポート３０１ｄは、上述のＭＦＣ２３１ｃ，２３２ｃ，２３３ｃ，２３４ｃ，２３５ｃ，バルブ２３１ｄ，２３２ｄ，２３３ｄ，２３４ｄ，２３５ｄ、圧力センサ２４８、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６、ヒータ２１８、温度センサ２４９、反応ガスプラズマ生成部２７０ａの整合器２７２a並びに高周波電源２９８ａ、改質ガスプラズマ生成部２７０ｂの整合器２７２ｂ並びに高周波電源２９８ｂ、回転機構２６７、昇降機構２６８等に接続されている。なお、Ｉ／Ｏポート３０１ｄは、図示されていない電力調整器２２４、ヒータ電源２２５、及び温度調整器２２３にも接続されている。
【００９３】
ＣＰＵ３０１ａは、記憶装置３０１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置３０２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置３０１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ３０１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２３１ｃ，２３２ｃ，２３３ｃ，２３４ｃ，２３５ｃによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２３１ｄ，２３２ｄ，２３３ｄ，２３４ｄ，２３５ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４３の開閉動作及び圧力センサ２４８に基づくＡＰＣバルブ２４３による圧力調整動作、温度センサ２４９に基づくヒータ２１８の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、回転機構２６７によるサセプタ２１７の回転および回転速度調節動作、昇降機構２６８によるサセプタ２１７の昇降動作、高周波電源２９８ａによる電力供給および停止等を制御するように構成されている。
【００９４】
なお、コントローラ３００は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）３０３を用意し、係る外部記憶装置３０３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ３００を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置３０３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置３０３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置３０１ｃや外部記憶装置３０３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置３０１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置３０３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
【００９５】
（３）基板処理工程。
次に、図９および図１０を用い、第１実施形態に係る基板処理工程について説明する。
【００９６】
ここでは、原料ガスとしてＤＣＳガスを用い、反応ガスとしてＮＨ３ガスを用い、ウエハ２００上に薄膜としてシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を形成する第１実施形態における実施例について説明する。また、ＳｉＮ膜が形成されるウエハ２００には、例えば半導体装置を加工した段差部が形成されている。
【００９７】
（基板搬入・載置工程Ｓ１１０）
例えば、最大２５枚のウエハ２００が収納されたポッド１００が、工程内搬送装置によって搬送され、ロードポート１０５の上に載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。第２ウエハ移載機１２４は、ポッド１００からウエハ２００をピックアップして、ノッチ合わせ装置１０６上へ載置する。ノッチ合わせ装置１０６はウエハ２００の位置調整を行う。第２ウエハ移載機１２４は、ウエハ２００をノッチ合わせ装置１０６から大気圧の状態の予備室１２２内に搬入する。ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００９８】
プロセスチャンバ２０２ではサセプタ２１７をウエハ２００の搬送位置まで下降させることにより、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａにウエハ突き上げピン２６６を貫通させる。その結果、ウエハ突き上げピン２６６が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、所定のゲートバルブを開き、第１ウエハ移載機１１２を用いて、処理室２０１内に所定枚数（例えば５枚）のウエハ２００（処理基板）を搬入する。そして、サセプタ２１７の図示しない回転軸を中心として、各ウエハ２００が重ならないように、サセプタ２１７の回転方向に沿って載置する。これにより、ウエハ２００は、サセプタ２１７の表面から突出したウエハ突き上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。
【００９９】
処理室２０１内にウエハ２００を搬入したら、第１ウエハ移載機１１２をプロセスチャンバ２０２の外へ退避させ、所定のゲートバルブを閉じて反応容器２０３内を密閉する。その後、サセプタ２１７を上昇させることにより、サセプタ２１７に設けられた各ウエハ載置部２１７ｂ上にウエハ２００を載置する。
【０１００】
なお、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する際には、排気系により処理室２０１内を排気しつつ、不活性ガス供給系から処理室２０１内に不活性ガスとしてのＮ２ガスを供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させＡＰＣバルブ２４３を開けることにより処理室２０１内を排気した状態で、少なくとも第二ガス供給部２３２のバルブ２３２ｄを開けることにより、処理室２０１内にＮ２ガスを供給することが好ましい。これにより、処理室２０１内へのパーティクルの侵入や、ウエハ２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。なお、さらに第３ガス供給系部から不活性ガスを供給してもよい。また、真空ポンプ２４６は、少なくとも基板搬入・載置工程（Ｓ１１０）から後述する基板搬出工程（Ｓ１６０）が終了するまでの間は、常に作動させた状態とする。
【０１０１】
ウエハ２００をサセプタ２１７の上に載置する際は、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１８に電力を供給し、ウエハ２００の表面が所定の温度となるよう制御される。ウエハ２００の温度は、例えば室温以上６５０℃以下であり、好ましくは、室温以上であって４００℃以下である。この際、ヒータ２１８の温度は、温度センサ２４９により検出された温度情報に基づいてヒータ２１８への通電具合を制御することによって調整される。また、ヒータ２１８は、少なくとも基板搬入・載置工程（Ｓ１１０）から後述する基板搬出工程（Ｓ１７０）が終了するまでの間は、常に通電させた状態とする。
【０１０２】
（サセプタ回転開始工程Ｓ１２０）
まず、ウエハ２００が各ウエハ載置部２１７ｂに載置されたら、回転機構２６７によってＲ方向にサセプタ２１７の回転を開始する。この際、サセプタ２１７の回転速度はコントローラ３００によって制御される。サセプタ２１７の回転速度は例えば１回転／分以上１００回転／分以下である。具体的には、回転速度は、例えば６０回転／分である。サセプタ２１７を回転させることにより、ウエハ２００を、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂ、第２パージ領域２０７ｂの順に移動させるように、コントローラ３００は回転機構２６７の回転を開始させる。
【０１０３】
（ガス供給開始工程Ｓ１３０）
ウエハ２００を加熱して所望とする温度に達し、サセプタ２１７が所望とする回転速度に到達したら、バルブ２３１ｄを開けて第１処理領域２０６ａ内にＤＣＳガスの供給を開始する。それと併行して、バルブ２３２ｄおよびバルブ２３２ｆを開けて第２処理領域２０６ｂ内にＮＨ３ガスを供給する。
【０１０４】
このとき、ＤＣＳガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２３１ｃを調整する。なお、ＤＣＳガスの供給流量は、例えば５０ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下である。また、ＤＣＳガスとともに、第一ガス供給部２３１の不活性ガス供給部２３４からキャリアガスとしてＮ２ガスを流してもよい。
【０１０５】
また、ＮＨ３ガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２３３ｃを調整する。なお、ＮＨ３ガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ以上５０００ｓｃｃｍ以下である。また、ＮＨ３ガスとともに、第三ガス供給部の不活性ガス供給部２３５からキャリアガス、もしくは希釈ガスとしてＮ２ガスを流してもよい。
【０１０６】
なお、基板搬入・載置工程Ｓ１１０後、継続して、排気部により処理室２０１内が排気されるとともに、不活性ガス供給系から第１パージ領域２０７ａ内および第２パージ領域２０７ｂ内にパージガスとしてのＮ２ガスが供給されている。また、ＡＰＣバルブ２４３の弁開度を適正に調整することにより、処理室２０１内の圧力を、所定の圧力とする。
【０１０７】
（成膜工程Ｓ１４０）
次に、成膜工程Ｓ１４０を説明する。ここでは成膜工程Ｓ１０４の基本的な流れについて説明し、詳細は後述する。
【０１０８】
成膜工程Ｓ１４０では、まずコイル２９３に電力を供給する。プラズマ生成室２９０内のプラズマ生成空間に供給されたＮＨ３ガスはプラズマ状態とされる。各ウエハ２００は、第１処理領域２０６ａにて、第１層としてのＳｉ含有層が形成される。更に、第２処理領域２０６ｂにて、Ｓｉ含有層とＮＨ３プラズマが反応し、ウエハ２００上に第２層としてのＳｉＮ膜を形成する。また、所望の膜厚となるよう、サセプタ２１７を所定回数回転させてもよい。
【０１０９】
（ガス供給停止工程Ｓ１５０）
所望の膜厚となるよう、サセプタ２１７を所定回数回転させた後、バルブ２３１ｄ，２３２ｄ，２３３ｄを閉じ、第１処理領域２０６ａへのＤＣＳガスの供給、第２処理領域２０６ｂへのＮＨ３ガスの供給、およびパージガス供給領域への不活性ガスの供給を停止する。
【０１１０】
成膜工程Ｓ１４０でバルブ２３４ｄ、バルブ２３５ｄを開けた場合はバルブ２３４ｄ、バルブ２３５ｄを閉じ、不活性ガスの供給を停止する。
【０１１１】
（サセプタ回転停止工程Ｓ１６０）
ガス供給停止Ｓ１５０の後、サセプタ２１７の回転を停止する。
【０１１２】
（基板搬出工程Ｓ１７０）
次に、サセプタ２１７を下降させ、サセプタ２１７の表面から突出させたウエハ突き上げピン２６６上にウエハ２００を支持させる。その後、所定のゲートバルブを開き、第１ウエハ移載機１１２を用いてウエハ２００を反応容器２０３の外へ搬出する。また、不活性ガス供給系による処理室２０１内への不活性ガスとしてのＮ２ガスの供給を停止する。
【０１１３】
続いて、成膜工程Ｓ１４０の詳細を、図１０を用いて説明する。尚、第１処理領域２０６ａ通過工程Ｓ２１０から第２パージ領域通過工程Ｓ２４０までは、基板載置部２１７上に載置された複数の基板の内、一枚の基板を主として説明する。
【０１１４】
図１０に示されているように、成膜工程Ｓ１４０では、サセプタ２１７の回転によって、複数のウエハ２００を、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂ、および第２パージ領域２０７ｂの順に通過させる。
【０１１５】
まず、第３ガス供給管２３３ａから反応ガス導入孔２９２ａを介してプラズマ生成室２９０にＮＨ３ガスを供給する。供給されたＮＨ３ガスは分散板２９４ａにぶつかり、側壁２９１方向に拡散する。拡散されたＮＨ３ガスは、側壁２９１に沿ってコイル２９３の近傍に供給される。
【０１１６】
供給されるＮＨ３ガスの流量が安定したら、プラズマ生成室２９０によって、第２処理領域２９０内にＮＨ３プラズマの生成を開始する。具体的には、処理室２０１内の圧力が安定したら、コイル２９３に対して高周波電源２９８によって高周波電力の印加を開始する。
【０１１７】
これにより、プラズマ生成室２９０内に磁場が形成され、プラズマ生成室２９０内のコイル２９３の電気的中点に相当する高さ位置にリング状の誘導プラズマが励起される。プラズマ状のＮＨ３ガスは解離し、窒素（Ｎ）を含む窒素活性種、イオン等の反応種を生成する。
【０１１８】
前述したように、位相電圧と逆位相電圧が常に相殺される状態の定在波が形成され、コイルの電気的中点（電圧がゼロのノード）に最も高い位相電流が生起される。従って、上記の電気的中点において励起された誘導プラズマは、処理室壁や基板載置台との容量結合が殆どなく、２９０中には、電気的ポテンシャルの極めて低いリング状のプラズマを形成できる。
【０１１９】
さらに、上述の様に、高周波電源２９８に付設された電源制御手段がプラズマの容量結合や誘導結合の変動によるコイル２９３における共振点のずれを補償し、一層正確に定在波を形成すため、容量結合が殆どなく、より確実に電気的ポテンシャルの極めて低いプラズマをプラズマ生成空間中に形成できる。
【０１２０】
電気的ポテンシャルが極めて低いプラズマが生成されることから、プラズマ生成室２９０の壁や、基板載置台上にシースの発生を防ぐことができる。したがって、プラズマ中のイオンは加速されない。
【０１２１】
（第１処理領域通過Ｓ２１０）
ウエハ２００が第１処理領域２０６ａを通過する際に、ＤＣＳガスがウエハ２００に供給される。このとき、第１処理領域２０６ａ内には反応ガスが無いため、ＤＣＳガスの分子は反応ガスと反応することなく、直接ウエハ２００の表面に接触（付着）する。これにより、ウエハ２００の表面には、第１層が形成される。
【０１２２】
ここでいう「第１層」とは、ＤＣＳガスが分解されてウエハ２００に付着したSｉ原子並びにＤＣＳガス分子の一部、および分解されることなくウエハ２００に付着したＤＣＳガスの分子のいずれか、またはこれらの結合分子を含む層である。
【０１２３】
また、「第１層」とは、例えば、Ｓｉを含む連続的な層、Ｓｉを含む不連続な層や、これらが重なってできる薄膜をも含む総称である。Ｓｉを含む連続的な層を薄膜という場合もある。なお、１原子層未満の厚さの層とは不連続に形成される原子層のことを意味しており、１原子層の厚さの層とは連続的に形成される原子層のことを意味している。ウエハ２００上に形成される第１層の厚さが数原子層を超えると、反応ガスのプラズマ照射による反応または改質の作用が第１層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能な第１層の厚さの最小値は１原子層未満である。よって、第１層の厚さは１原子層未満から数原子層程度とするのが好ましい。
【０１２４】
第１層は、例えば、処理室２０１内の圧力、 ＤＣＳガスの流量、サセプタ２１７の温度、第１処理領域２０６ａの通過にかかる時間（第１処理領域２０６ａでの処理時間）等に応じて、所定の厚さ及び所定の分布で形成される。
【０１２５】
（第１パージ領域通過Ｓ２２０）
次に、ウエハ２００は、第１処理領域２０６ａを通過した後に、第１パージ領域２０７ａに移動する。ウエハ２００が第１パージ領域２０７ａを通過するときに、第１処理領域２０６ａにおいてウエハ２００上で強固な結合を形成できなかったＤＣＳ分子またはＤＣＳ分子の一部等が、不活性ガスとしてのＮ２ガスによってウエハ２００上から除去される。
【０１２６】
（第２処理領域通過Ｓ２３０）
次に、ウエハ２００は、第１パージ領域２０７ａを通過した後に第２処理領域２０６ｂに移動する。ウエハ２００が第２処理領域２０６ｂを通過するときに、第２処理領域２０６ｂでは、第１層が反応ガスとしてのＮＨ３ガスのプラズマと反応する。
【０１２７】
プラズマ生成室２９０では前述のようにリング状のプラズマ２９０ａが形成され、ウエハ２００はその下方を通過する。通過する際、図１１に記載のように、ウエハ２００は水平方向において側壁２９１（連通口２０３ａ）内周の下方を通過する。
【０１２８】
リング状プラズマ２９０ａの密度は周方向において均一であるので、ウエハ２００の径方向における中央部２００ｃと端部２００ｅでは後述する比較例におけるプラズマと比べ、同じ密度のプラズマが供給される。言い換えると、ウエハ２００にプラズマが照射される際に、中心部分はプラズマが発生していないことにより、ウエハ２００の中心部に照射されるプラズマが調整され、ウエハ２００の中心部とウエハ２００の端部に照射されるプラズマが均等化される。結果として、プラズマを円形にすることで、ウエハ２００の面内に同じ強さのプラズマが照射される。これにより、成膜でウエハ２００上に形成されたＳｉ含有層を窒化するのに、必要な一定量以上のプラズマが照射されていると考えられる。従って、ウエハ２００上に形成されたＳｉ含有膜はＮＨ３プラズマ(反応ガスのプラズマ)によって均一に処理される。
【０１２９】
プラズマ処理では、ＮＨ３ガスの活性種のうちＮ原子は第１層中のＳｉ原子と結合し、ＮＨ３ガスの活性種のうちＨ原子は第１層中の塩素（Ｃｌ）原子（クロロ基）と反応してＨＣｌとなって第１層から脱離する。これにより、ウエハ２００の上には、少なくともＳｉおよびＮを含む第２層が形成される。
【０１３０】
ここでいう「第２層」とは、例えば、連続的又は不連続的に形成された第１層の上に、第１層中のＳｉ原子等と結合して連続的又は不連続的に並んだＮ原子、窒素分子又はＮＨ３分子を含有する層や、連続的又は不連続的に形成された第１層の中に、第１層中のＳｉ原子等と結合したＮ原子、窒素分子又はＮＨ３分子を含有する層等のことである。
【０１３１】
第２層は、例えば、反応容器２０３内の圧力、ＮＨ３ガスの流量、サセプタ２１７の温度、反応ガスプラズマ生成部２７０ａの電力供給具合等に応じて、所定の厚さ、所定の分布、第１層に対する所定のＮ原子等の侵入深さで形成される。
【０１３２】
（第２パージ領域通過Ｓ２４０）
次に、ウエハ２００は、第２処理領域２０６ｂを通過した後に、第２パージ領域２０７ｂに移動する。ウエハ２００が第２パージ領域２０７ｂを通過するときに、第３処理領域２０６ｃにおいてウエハ２００上の第３層から脱離したＨＣｌや、余剰となったＨ２ガス等が、不活性ガスとしてのＮ２ガスによってウエハ２００上から除去される。
【０１３３】
以上の第１処理領域通過Ｓ２１０、第１パージ領域通過Ｓ２２０、第２処理領域通過Ｓ２３０、および第２パージ領域通過Ｓ２４０を１サイクルとする。
【０１３４】
（判定Ｓ２５０）
この間、コントローラ３００は、上記１サイクルを所定回数（ｋ回：ｋは１以上の整数）実施したか否かを判定する。具体的には、コントローラ３００は、サセプタ２１７の回転数をカウントする。
【０１３５】
上記１サイクルをｋ回実施していないとき（Ｓ２５０でＮｏの場合）、さらにサセプタ２１７の回転を継続させて、第１処理領域通過Ｓ２１０、第１パージ領域通過Ｓ２２０、第２処理領域通過Ｓ２３０、第２パージ領域通過Ｓ２４０を有するサイクルを繰り返す。これにより、第２層を積層することにより薄膜を形成する。
【０１３６】
上記１サイクルをｋ回実施したとき（Ｓ２５０でＹｅｓの場合）、成膜工程Ｓ１４０を終了する。このように、上記１サイクルをｋ回実施することにより、第２層を積層した所定膜厚の薄膜が形成される。
【０１３７】
このように、本実施形態によれば、プラズマでガスを活性化させ、Ｓｉ含有層を形成することにより、温度が低温の場合においても、プラズマを用いないＣＶＤ法と比較して、スループットを高くすることができる。更に、本実施の形態における誘導プラズマを用いることで、基板載置台の回転方向に対して垂直な方向に対してもプラズマ密度が均一に生成されるため、基板の表面に均一にプラズマを供給することができるので、温度が低温の場合におけるスループットを維持しつつ、高品質なＳｉＮ膜を形成することができる。尚、本実施形態で形成されたＳｉＮ膜は、反応ガスとしてのＮＨ３ガスのＨ原子が取り込まれることによりＳｉ−Ｎ−Ｈ基（結合）を含むことがある。
【０１３８】
なお、本実施形態においては、反応ガスとしてＮＨ３ガスを例にして説明したが、それに限るものではない。ここでは図１２を用いて、他の反応ガスについて説明する。図１２は、各反応ガスで処理した場合のウエットエッチングレート（以下ＷＥＲ）を示した説明図である。ここでは、ウエットエッチングレートが低いほど膜密度が高く、良好な膜が形成されていると判定する。
【０１３９】
図中、実施例１としての「ＮＨ３窒化」とは反応ガスとしてＮＨ３ガス（アンモニアガス）を用いてＳｉＮ膜を形成したものである。実施例２としての「ＮＨ３＋Ｈ２窒化」とは反応ガスとしてＮＨ３ガスとＨ２（水素）ガスを混合させたガスを用いてＳｉＮ膜を形成したものである。実施例３としての「ＮＨ３＋Ｎ２窒化」とは反応ガスとしてＮＨ３ガスとＮ２（窒素）ガスを混合させたガスを用いてＳｉＮ膜を形成したものである。
【０１４０】
実施例４としての「ＮＨ３窒化＋Ｈ２後処理」とは、第２処理領域の隣に更に第３領域を追加した構造の装置で処理したものであり、第２処理領域でＮＨ３ガスを用いて窒化した後、第３領域でＨ２（水素）ガスを用いてＳｉＮ膜を改質(後処理)したものである。実施例５としての「ＮＨ３窒化＋Ｎ２後処理」とは、第２処理領域の隣に更に第３領域を追加した構造の装置で処理したものであり、第２処理領域でＮＨ３ガスを用いて窒化した後、第３領域でＮ２（窒素）ガスを用いてＳｉＮ膜を改質(後処理)したものである。
【０１４１】
ここで、図１２に示す「ＮＨ３窒化」(実施例１)は、上述した本実施形態(第１実施形態)における実施例であり、その処理条件は、基板温度２００〜６５０℃(好ましくは、２５０〜４５０℃)、サセプタ回転速度１〜１００ｒｐｍ(好ましくは、５〜６０ｒｐｍ)、例示すれば、回転速度６０ｒｐｍ、原料ガス(ＤＣＳガス) １０〜１０００Ｓｃｃｍ(好ましくは、１００〜５００Ｓｃｃｍ)、反応ガス(ＮＨ３ガス) １００〜１００００Ｓｃｃｍ(好ましくは、５０００〜１００００Ｓｃｃｍ)、高周波電力０．１〜５０００ｋＷ(好ましくは、１０００〜４０００ｋＷ)である。
【０１４２】
また、実施例２及び実施例３は実施例１と比較して、それぞれ反応ガスが異なる(実施例２はＮＨ３とＨ２の混合ガスであり、実施例３はＮＨ３とＮ２の混合ガス)だけで、他の処理条件は同じである。実施例２の反応ガス(ＮＨ３とＨ２の混合ガス)の流量は１００〜１００００Ｓｃｃｍ(好ましくは、５０００〜１００００Ｓｃｃｍ)であり、実施例３の反応ガス(ＮＨ３とＮ２の混合ガス)の流量は１００〜１００００Ｓｃｃｍ(好ましくは、５０００〜１００００Ｓｃｃｍ)である。
【０１４３】
また、実施例４及び実施例５は実施例１と比較して、それぞれ反応ガス(ＮＨ３)供給後の改質処理が追加されるだけで、他の処理条件は同じである。ここで、実施例４の改質ガス(Ｈ２ガス)の流量は１００〜１００００Ｓｃｃｍ(好ましくは、５０００〜１００００Ｓｃｃｍ)であり、実施例５の改質ガス(Ｎ２ガス)の流量は１００〜１００００Ｓｃｃｍ(好ましくは、５０００〜１００００Ｓｃｃｍ)である。
【０１４４】
図１２からもわかるように、実施例１としての「ＮＨ３窒化」に比べ、実施例２及び実施例３のように第２処理領域で混合ガス(ＮＨ３＋Ｈ２ガス及びＮＨ３＋Ｎ２ガス)を添加したもの、もしくは、実施例４及び実施例５のように第３処理領域を更に追加して、改質ガス(Ｈ２ガス及びＮ２ガス)を供給して改質処理するとより密度の高い良好な膜を形成できることがわかる。尚、実施例４及び実施例５のように、改質処理を追加する場合には、仕切板２０５により処理領域を６領域(第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂ、第２パージ領域２０７ｂ、第３処理領域２０６ｃ、第１パージ領域２０７ｃ)にするのが好ましい。この場合、第１処理領域２０６ａが原料ガス供給領域、第２処理領域２０６ｂが反応ガス供給領域、第３処理領域２０６ｃが後処理(改質)ガス供給領域をそれぞれ構成する。
【０１４５】
ここで、反応ガスとして、上述した実施例１から実施例５までの他、「ＮＨ３＋Ｈ２＋Ｎ２窒化」(実施例６)、「ＮＨ３＋Ｈ２窒化＋Ｈ２後処理」(実施例７)、「ＮＨ３＋Ｈ２窒化＋Ｎ２後処理」(実施例８) 「ＮＨ３＋Ｎ２窒化＋Ｈ２後処理」(実施例９)、「ＮＨ３＋Ｈ２窒化＋Ｈ２後処理」(実施例１０)等の組み合わせも有効な手段であることは言うまでもない。
【０１４６】
更に、実施例４、実施例５、実施例７乃至実施例１０において、後処理(改質処理)では、後処理(改質)ガスを活性化(例えば、プラズマ化)するようにしてもよい。この場合、本実施形態における高周波電力に限定されない。例えば、マイクロ波電力で改質ガスをプラズマ化してもよい。
【０１４７】
（比較例の説明）
続いて第１実施形態の比較例を、図１３を用いて説明する。
比較例と上記第１実施形態との主な相違点は、第２処理領域の上方に設けられたプラズマ生成部であり、他の構成は第１実施形態と同様である。以下に比較例におけるプラズマ生成部を説明する。
【０１４８】
図１３の４０１は比較例におけるプラズマ生成室４００の側壁、４０２は側壁４０１の外周に巻かれるコイル、４０３はコイル４０２を用いて形成されるプラズマである。コイル４０２には、上記第１実施形態と同様に高周波電源等が接続される。
【０１４９】
側壁４０１は上方から見て長方形で構成される。プラズマ生成部４００の下方を通過するウエハ２００のエッジ部分にもプラズマを供給するために、長辺はウエハ径よりも大きく構成されている。さらに、小型化の観点から、短辺方向は小さく構成されている。
【０１５０】
コイル４０２は側壁に合わせて長方形で構成される。従って、第１実施形態のコイル２９４と異なり、側壁４０１に隣接する部分の曲率は一定ではない。具体的には、コイル２９４の長辺から短辺に移行する部分の曲率が、長辺、短辺に比べて高い構成となっている。
【０１５１】
プラズマを生成する際は、図示しない高周波電源から電力が供給され、発生した磁場等によってプラズマが生成される。一般的に、磁場はコイル４０２の導電線と垂直方向に形成されることが知られている。比較例においては、長辺から短辺にかけての折曲り部分に磁場が集中するため、折曲り部分の磁場密度は長辺の磁場密度よりも高くなる。磁場の密度とプラズマの密度は比例することから、折曲り部分のプラズマ密度は長辺部分のプラズマ密度よりも高くなる。すなわち図１３において、プラズマ４０３ａの密度はプラズマ４０３ｂの密度よりも高くなる。
【０１５２】
このような状況でウエハ２００がＲ方向に回転してプラズマ生成部の下方を通過した場合、プラズマ４０３ａに接するウエハエッジ部２００ｅはプラズマ４０３ｂに接するウエハ中央部２００ｃに比べ、反応が促進される。従って、ウエハエッジ部２００ｅとウエハ中央部２００ｃでは、膜密度等の膜質が異なってしまう。
【０１５３】
これに対して、第１実施形態の場合、ウエハ中央部２００ｃとウエハエッジ部２００ｅそれぞれに接するプラズマ密度が等しいので、ウエハエッジと中央で膜密度等の膜質を所望の範囲にすることができる。
【０１５４】
図１４は、本実施形態(第１実施形態)と図１３に示す比較例を比較した均一性を表す特性図である。この特性図においては、色が濃いほど膜厚が厚く、薄いほど膜厚が薄い。ウエハの回転方向Ｒは書面の左から右の方向である。
【０１５５】
図１４に記載のように、比較例の場合、中央の膜厚が低く、ウエハエッジ部分の膜厚が高いことがわかる。一方、本発明の第１実施形態では、比較例に比べて基板面内の膜厚が均一であることがわかる。
【０１５６】
また、図１４に示されるように、比較例の場合、膜厚の最大値が２６.５４２ｎｍ、最小値が１４.４４４ｎｍなので、最大値−最小値＝１２.０９８ｎｍである。一方、本発明の第１実施形態では、膜厚の最大値が１９.９５８ｎｍ、最小値が１５.０８８ｎｍなので、最大値−最小値＝４.８７０ｎｍである。従って、本実施形態(第１実施形態)が比較例に比べて基板面内の膜厚が均一である(基板表面の凹凸が小さい)ことがわかる。
【０１５７】
（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【０１５８】
（ａ）本実施形態によれば、プラズマ生成室に隣接するコイルの曲率が一定であることから周方向に対して均一な密度の円環状プラズマを生成可能とし、そのためサセプタが回転したとしても、基板の中心部に照射されるプラズマを調整することができ、結果として基板の径方向に対して均一にプラズマを供給することができる。
【０１５９】
（ｂ）本実施形態によれば、原料ガスとしてＤＣＳガスを用い、反応ガスとしてＮＨ３ガスとＨ２ガスの混合ガスを用いることにより、薄膜としてＳｉＮ膜を形成すると、最も膜密度が良好な結果を得た。この場合(実施例２の場合)、ウエハ２００が第２処理領域２０６ｂを通過するとき、第２層に残留した残留物としてのＣｌ原子（クロロ基）は、Ｈ２ガスのプラズマによってＨＣｌとなって第２層から脱離する。これにより、Ｃｌ原子が減少した第２層が積層されることにより、高品質のＳｉＮ膜を形成することができる。
【０１６０】
（ｃ）本実施形態によれば、複数の仕切板２０５は、サセプタ２１７の回転によってウエハ２００が通過可能な状態で、処理室２０１を第１処理領域２０６ａ、第２処理領域２０６ｂおよび第３処理領域２０６ｃに仕切るよう構成される。処理室２０１は、複数の仕切板２０５の下にウエハ２００が通過可能な隙間を有している。これにより、仕切板２０５とサセプタ２１７との間を通過するガスは少なくなり、処理室２０１内のそれぞれの領域の間でガスが混合することが抑制される。
【０１６１】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１６２】
上述の実施形態では、仕切板２０５の水平方向の端部と反応容器２０３の側壁との間に隙間が設けられており、処理室２０１内の圧力がそれぞれの領域において等しい場合について説明したが、第１処理領域２０６ａ、第１パージ領域２０７ａ、第２処理領域２０６ｂ、第２パージ領域２０７ｂが気密に区分されていてもよい。また、それぞれの領域内の圧力が互いに異なっていてもよい。
【０１６３】
また、上述の実施形態では、一つのプロセスチャンバ２０２で５枚のウエハ２００を処理する場合について説明したが、一つのプロセスチャンバ２０２で、１枚のウエハ２００を処理してもよく、５枚を超える枚数のウエハ２００を処理してもよい。
【０１６４】
また、上述の実施形態では、予備室１２２または予備室１２３がウエハ２００を搬入する機能とウエハ２００を搬出する機能とを併用可能に構成されている場合について説明したが、予備室１２２および予備室１２３のいずれか一方を搬出用とし、他方を搬入用としてもよい。予備室１２２または予備室１２３を搬入用と搬出用を専用とすることによって、クロスコンタミネーションを低減することができ、併用とすることによって基板の搬送効率を向上させることができる。
【０１６５】
また、上述の実施形態では、１つのプロセスチャンバ２０２における基板処理のみについて説明したが、各プロセスチャンバでの処理を並行して行ってもよい。
【０１６６】
また、上述の実施形態では、４つのプロセスチャンバ２０２がそれぞれ同様に構成されている場合について説明したが、各プロセスチャンバを異なる構成とし、各プロセスチャンバにおいてそれぞれ別の処理を行っても良い。例えば、第１プロセスチャンバと第２プロセスチャンバで別の処理を行う場合、第１プロセスチャンバでウエハ２００に所定の処理を行った後、続けて第２プロセスチャンバで第１プロセスチャンバと異なる処理を行わせてもよい。また、第１プロセスチャンバで基板に所定の処理を行った後、第２プロセスチャンバで別の処理を行わせる場合、予備室を経由するようにしてもよい。
【０１６７】
また、上述の実施形態では、原料ガスとしてＤＣＳガスを用い、反応ガスとしてＮＨ３ガスを用い、ウエハ２００上に窒化膜としてＳｉＮ膜を形成する場合について説明したが、原料ガスとして、ＤＣＳガスの他、例えば、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）ガス、テトラフルオロシラン（ＳｉＦ４、略称：ＴＦＳ）ガス、ヘキサフルオロジシラン（Ｓｉ２Ｆ６、略称：ＨＦＤＳ）ガス、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８、略称：ＴＳ）ガスジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）ガス、モノシラン（ＳｉＨ４、略称：ＭＳ）ガス等の無機原料ガスや、アミノシラン、ＴＳＡガス、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス等の有機原料ガスを用いることができる。
【０１６８】
反応ガスとしてアンモニアガスの他、例えば、ジアゼン（Ｎ２Ｈ２）ガス、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。
【０１６９】
また、反応ガスとして酸素（Ｏ２）ガスを用い、酸化膜を形成してもよい。Ｏ含有ガスとしては、Ｏ２ガスの他、例えば、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、オゾン（Ｏ３）ガス、水素（Ｈ２）ガス＋Ｏ２ガス、Ｈ２ガス＋Ｏ３ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス等を用いることができる。
【０１７０】
また、ＴａＮ、ＴｉＮなどのその他の窒化膜、ＨｆＯ、ＺｒＯ、ＳｉＯなどの酸化膜、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｗなどのメタル膜をウエハ２００上に形成してもよい。なお、ＴｉＮ膜またはＴｉＯ膜を形成する場合、原料ガスとしては、例えばテトラクロロチタン（ＴｉＣｌ４）等を用いることができる。
【０１７１】
また、上述の実施形態では、不活性ガス導入部２８２を、第１パージ領域２０７ａと第２パージ領域２０７ｂとで共用とした場合について説明したが、不活性ガス導入部は個別に設けてもよい。
【０１７２】
また、上記の実施形態においては、反応容器２０３の中央から各処理領域内にそれぞれのガスを供給する場合について説明したが、各処理領域にガスを供給するノズルが設けられていてもよい。
【０１７３】
また、上述の実施形態では、昇降機構２６８を用い、サセプタ２１７を昇降させることで、ウエハ２００を処理位置や搬送位置に移動させる場合について説明したが、ウエハ突き上げピンが昇降することでウエハを処理位置や搬送位置に移動させてもよい。
【０１７４】
また、上述の実施形態では、第１処理領域２０６ａおよび第２処理領域２０６ｂの間に第１パージ領域２０７ａが設けられる場合について説明したが、パージ領域の設置場所は、任意に変更することができる。例えば第１パージ領域および第２パージ領域の少なくともいずれか一方は設けられていなくても良い。
【０１７５】
また、上述の実施形態では、反応容器２０３の天井部の中央部に設けられたガス導入部２８０からだけでなく、各プラズマ生成部が有する複数のガス噴出口からも、各処理領域内に処理ガスを供給するよう構成されている場合について説明したが、反応容器の天井部の中央部に設けられたガス導入部、および各プラズマ生成部が有する複数のガス噴出口の少なくともいずれか一方から、各処理領域内に処理ガスが供給されればよい。
【０１７６】
また、上述の実施形態では、処理領域の数が４領域で、且つ、領域の広さが同じ(仕切板２０５間の角度が等しい)場合について説明したが、それぞれ処理条件に応じて、任意に領域の広さを設定することができる。
【０１７７】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１７８】
（付記１）
本発明の一態様によれば、
原料ガス供給領域、反応ガス供給領域を有し、前記原料ガス供給領域内、前記反応ガス供給領域内で基板を処理する処理室と、
前記処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の前記基板を載置する基板載置台と、
前記反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室の外周に巻かれ、前記プラズマ生成室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルと、
前記プラズマ生成室の天井から、前記プラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記原料ガス供給領域に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１７９】
（付記２）
付記１記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記コイルには波形調整回路が接続され、前記波形調整回路と前記コイルを合わせた電気的長さが、投入される電力の波長の整数倍の長さである。
【０１８０】
（付記３）
付記１または付記２記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記プラズマ生成室は、重力方向において前記コイルの上端と前記プラズマ生成室の天井の間に板状のガス分散板を有する。
【０１８１】
（付記４）
付記１乃至付記３のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記プラズマ生成室と前記反応ガス供給領域の間に設けられる連通孔の径は、前記基板載置面に載置される基板の径よりも大きく構成され、前記回転部によって前記基板載置台が回転する際、前記基板が前記連通孔の下方を通過するよう構成される。
【０１８２】
（付記５）
付記１記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記コイルに高周波電力を供給する電力供給部と、前記基板載置台を回転させる回転部（回転機構）と、
前記基板載置台の回転によって前記複数の基板を順次前記原料ガス供給領域および前記反応ガス供給領域を通過させるように前記回転部を制御し、前記基板が前記原料ガス供給領域を通過するときに、前記基板上に原料ガスを供給して第１層を形成し、前記基板が前記反応ガス供給領域を通過するときに、前記反応ガスプラズマ生成部によって生成された反応ガスのプラズマを前記第１層と反応させることにより第２層を形成するように、前記電力供給部、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系をそれぞれ制御するよう構成される制御部を備える。
【０１８３】
（付記６）
付記１記載の基板処理装置であって、好ましくは、
更に、前記コイルに高周波電力を供給する電力供給部と、前記基板載置台を回転させる回転部（回転機構）と、後処理ガスを後処理ガス供給領域に供給する後処理ガス供給系と、有し、
前記基板載置台の回転によって前記複数の基板を順次前記原料ガス供給領域、前記反応ガス供給領域および前記後処理ガス供給領域を通過させるように前記回転部を制御し、前記基板が前記原料ガス供給領域を通過するときに、前記基板上に原料ガスを供給して第１層を形成し、前記基板が前記反応ガス供給領域を通過するときに、前記プラズマ生成室において生成されたプラズマを前記第１層と反応させることにより第２層を形成し、前記基板が前記後処理ガス供給領域を通過するときに、前記後処理ガスにより前記第２層を改質するように、前記電力供給部、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系、前記後処理ガス供給系をそれぞれ制御するよう構成される制御部を備える。
【０１８４】
（付記７）
付記１、付記５及び付記６記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記反応ガス供給系は、ＮＨ３ガス、ＮＨ３＋Ｈ２の混合ガス、ＮＨ３＋Ｎ２の混合ガス、ＮＨ３＋Ｈ２＋Ｎ２の混合ガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される。
【０１８５】
（付記８）
付記６記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記後処理ガス供給系は、Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２＋Ｎ２の混合ガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される。
【０１８６】
（付記９）
付記１、付記５及び付記６記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記原料ガス供給系は、ＤＣＳガス、ＭＣＳガス、ＨＣＤＳガス、ＳＴＣガス、ＴＣＳガス、ＴＦＳガス、ＨＦＤＳガス、ＴＳガス、ＤＳガス、ＭＳガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される。
【０１８７】
（付記１０）
付記１、付記５及び付記６記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記原料ガス供給系は、は、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびタングステン（Ｗ）からなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される。
【０１８８】
（付記１１）
付記１、付記５及び付記６記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記反応ガス供給系は、は、Ｎ２Ｈ２ガス、Ｎ２Ｈ４ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガスからなる群より選択される少なくとも一つを供給するよう構成される。
【０１８９】
（付記１２）
本発明の他の態様によれば、
処理室内に回転自在に設けられ回転方向に沿って複数の基板を載置する基板載置台に基板を載置する工程と、
原料ガスが供給される原料ガス供給領域、反応ガスが供給される反応ガス供給領域が構成される処理室に対して、原料ガス供給系から前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給すると共に、反応ガス供給系から前記反応ガス供給領域の天井に設けたプラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に前記反応ガスを供給する工程と、
前記プラズマ生成室の外周に巻かれ、前記処理室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルに電力を供給して前記反応ガスをプラズマ状態にする工程と、
前記基板載置台を回転させて、前記原料ガスと前記プラズマ状態の反応ガスの順に前記基板に供給し、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１９０】
（付記１３）
本発明の更に他の態様によれば、
複数の基板が同一円周状に配置される基板載置面を有する基板載置台と、前記基板載置台を前記基板載置面と平行な方向に回転させる回転部と、原料ガスが供給される原料ガス供給領域、反応ガスが供給される反応ガス供給領域が構成される処理室と、前記処理室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルと、前記反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、前記原料ガス供給領域の天井に接続され、前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有する基板処理装置を提供(準備)する工程と、
前記基板載置面に基板を載置する工程と、
前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給すると共に、前記反応ガス供給領域に前記反応ガスを供給する工程と、
前記処理室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルに電力を供給して前記反応ガスをプラズマ状態にする工程と、
前記基板載置台を回転させて、前記原料ガスと前記プラズマ状態の反応ガスの順に前記基板に供給し、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１９１】
（付記１４）
本発明の更に他の態様によれば、
複数の基板が同一円周状に配置される基板載置面を有する基板載置台と、前記基板載置台を前記基板載置面と平行な方向に回転させる回転部と、前記回転方向に原料ガスが供給される原料ガス供給領域、反応ガスが供給される反応ガス供給領域が構成される処理室と、前記反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室と、前記処理プラズマ生成室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルと、前記プラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に前記反応ガスを供給する反応ガス供給系と、前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有する基板処理装置において、
前記基板載置面に基板を載置する手順と、
前記原料ガス供給領域に前記原料ガスを供給すると共に、前記反応ガス供給領域に前記反応ガスを供給する手順と、
前記コイルに電力を供給して前記反応ガスをプラズマ状態にする手順と、
前記基板載置台を回転させて、前記原料ガスと前記プラズマ状態の反応ガスの順に前記基板に供給し、前記基板を処理する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または、プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１９２】
１０      基板処理装置
２００    ウエハ（基板）
２０６ａ  第１処理領域
２０６ｂ  第２処理領域
２０３    反応容器
２１７    サセプタ（基板載置台）
２６７    回転機構
２９０    反応ガスプラズマ生成部
３００    コントローラ（制御部）
【図１】
2015181149.tif 000003
【図２】
2015181149.tif 000004
【図３】
2015181149.tif 000005
【図４】
2015181149.tif 000006
【図５】
2015181149.tif 000007
【図６】
2015181149.tif 000008
【図７】
2015181149.tif 000009
【図８】
2015181149.tif 000010
【図９】
2015181149.tif 000011
【図１０】
2015181149.tif 000012
【図１１】
2015181149.tif 000013
【図１２】
2015181149.tif 000014
【図１３】
2015181149.tif 000015
【図１４】
2015181149.tif 000016