(57)【要約】【課題】電子素子と端子部との電気的な接続信頼性を向上させることのできる配線回路基板を提供すること。【解決手段】回路付サスペンション基板１は、ピエゾ素子２３と、ピエゾ素子２３と電気的に接続される端子部を有する先側実装部２８および後側実装部２９とを備え、ピエゾ素子２３と、先側実装部２８および後側実装部２９とが、金属イオン捕捉剤を含有する導電性接着剤を介して接着されている。【選択図】図１
2015097134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子と、
前記電子素子と電気的に接続される端子部を有する実装部とを備え、
前記電子素子と前記実装部とが、金属イオン捕捉剤を含有する接着剤を介して接着されていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記金属イオン捕捉剤を含有する接着剤が、絶縁性接着剤であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記電子素子と前記端子部とが、導電性接着剤を介して接着されていることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
前記電子素子と前記端子部とは、前記導電性接着剤を介して対向配置されており、
前記絶縁性接着剤は、前記電子素子および前記導電性接着剤を被覆するように、それらに隣接配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項５】
前記金属イオン捕捉剤は、窒素含有化合物、水酸基含有化合物、カルボキシル基含有化合物、無機陽イオン交換体、キレート剤、および、リンまたは硫黄含有化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項６】
前記窒素含有化合物は、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピリジル化合物およびトリアジン化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項７】
前記水酸基含有化合物は、キノール系化合物、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物および高級アルコールからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項８】
前記カルボキシル基含有化合物は、カルボキシル基含有芳香族化合物およびカルボキシル基含有脂肪酸化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項９】
前記無機陽イオン交換体は、アンチモン、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウムおよびアルミニウムから選ばれる元素の酸化水和物、アルミノケイ酸塩、多価金属酸性塩、ヘテロポリ酸、ハイドロタルサイトおよびハイドロキシアパタイトからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項１０】
前記キレート剤は、アミノカルボン酸系キレート剤およびホスホン酸系キレート剤からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項１１】
前記リンまたは硫黄含有化合物は、有機リン酸エステル、有機亜リン酸エステル、有機スルホン酸塩、有機硫黄化合物、ジチオリン酸亜鉛およびフィチン酸からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項１２】
前記絶縁性接着剤は、絶縁性接着組成物および前記金属イオン捕捉剤を含有し、
前記金属イオン捕捉剤の含有割合は、前記絶縁性接着組成物１００質量部にして、０．１質量部以上５０質量部以下であることを特徴とする、請求項２〜１１のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに実装される回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、回路付サスペンション基板には、種々の電子素子、具体的には、例えば、ピエゾ素子などの圧電素子を有し、磁気ヘッドの位置および角度を精細に調節するためのマイクロアクチュエータなどを搭載することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１のような圧電素子を有する回路付サスペンションでは、圧電素子の伸縮により、磁気ヘッドが固定されるスライダを可動させている。そのため、圧電素子が回路付サスペンション基板の電極と電気的に接続されている接続部において破損が生じやすい。
【０００４】
そこで、接続部を機械的に補強すべく、例えば、ステージと、ステージを動かす圧電素子と、圧電素子の接続パッドを有する伝送配線部と、電極と接続パッドとを物理的かつ電気的に相互接続する接続部と、伝送配線部に接着固定される絶縁性接着剤からなる接着固定部と、接続部を被覆する封止部とを有するヘッド・ジンバル・アセンブリが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４１４３４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１２９２２０号公報（図６（Ｂ））
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２のアセンブリでは、接続部に含有される導電材料の金属イオンが、接続部から、封止部内または接続部界面に流出または移動し（金属イオンマイグレーションの発生）、その結果、圧電素子が、接続部以外の金属部品（例えば、金属支持基板）と短絡する不具合が生じる。よって、圧電素子と、それを接続する接続パッドなどの端子部との電気的接続信頼性が不十分である。
【０００７】
本発明の目的は、電子素子と端子部との電気的な接続信頼性を向上させることができる回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、電子素子と、前記電子素子と電気的に接続される端子部を有する実装部とを備え、前記電子素子と前記実装部とが、金属イオン捕捉剤を含有する接着剤を介して接着されていることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属イオン捕捉剤を含有する接着剤が、絶縁性接着剤であることが好適である。
【００１０】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記電子素子と前記端子部とが、導電性接着剤を介して接着されていることが好適である。
【００１１】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記電子素子と前記端子部とは、前記導電性接着剤を介して対向配置されており、前記絶縁性接着剤は、前記電子素子および前記導電性接着剤を被覆するように、それらに隣接配置されていることが好適である。
【００１２】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属イオン捕捉剤は、窒素含有化合物、水酸基含有化合物、カルボキシル基含有化合物、無機陽イオン交換体、キレート剤、および、リンまたは硫黄含有化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００１３】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記窒素含有化合物は、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピリジル化合物およびトリアジン化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００１４】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記水酸基含有化合物は、キノール系化合物、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物および高級アルコールからなる群から選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００１５】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記カルボキシル基含有化合物は、カルボキシル基含有芳香族化合物およびカルボキシル基含有脂肪酸化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００１６】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記無機陽イオン交換体は、アンチモン、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウムおよびアルミニウムから選ばれる元素の酸化水和物、アルミノケイ酸塩、多価金属酸性塩、ヘテロポリ酸、ハイドロタルサイトおよびハイドロキシアパタイトからなる群から選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００１７】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記キレート剤は、アミノカルボン酸系キレート剤およびホスホン酸系キレート剤からなる群から選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００１８】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記リンまたは硫黄含有化合物は、有機リン酸エステル、有機亜リン酸エステル、有機スルホン酸塩、有機硫黄化合物、ジチオリン酸亜鉛およびフィチン酸からなる群から選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００１９】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記絶縁性接着剤は、絶縁性接着組成物および前記金属イオン捕捉剤を含有し、前記金属イオン捕捉剤の含有割合は、前記絶縁性接着組成物１００質量部にして、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好適である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、電子素子と、電子素子と電気的に接続される端子部を有する実装部とを備え、電子素子と実装部とが、金属イオン捕捉剤を含有する接着剤を介して接着されている。そのため、電子素子と端子部とを電気的に接続する接続部に含有される金属イオンを、金属イオン捕捉剤が捕捉することができる。よって、金属イオンの実装部外部への移動または流出を抑制することができる。その結果、電子素子と端子部との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の拡大平面図を示す。
【図３】図３は、図２に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図４】図４は、回路付サスペンション基板の一実施形態を製造する方法を説明する工程図であって、  図４Ａは、回路付サスペンション基板を用意する工程、  図４Ｂは、導電性接着剤層を配置する工程、  図４Ｃは、ピエゾ素子を実装する工程、  図４Ｄは、絶縁性接着剤層を配置する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１において、紙面上側を左側（第１方向一方側）、紙面下側を右側（第１方向他方側）とし、紙面左側を先側（第２方向一方側）、紙面右側を後側（第２方向他方側）とし、紙面手前を上側（第３方向一方側、厚み方向一方側）、紙面奥側を下側（第３方向他方側、厚み方向他方側）とする。図２〜４の図面についても、図１の方向を基準とする。
【００２３】
図１および図２において、後述するベース絶縁層７およびカバー絶縁層８は、後述する導体層６およびスライダ２６の相対配置を明瞭に示すため、省略している。
【００２４】
この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド２７（図３）を搭載するスライダ２６（図２の仮想線および図３の実線）および電子素子としてのピエゾ素子２３（圧電素子）が実装されている。
【００２５】
回路付サスペンション基板１では、金属支持基板５に導体層６が支持されている。
【００２６】
金属支持基板５は、長手方向に延びる平面視略矩形平帯状に形成されており、本体部３と、本体部３の先側（長手方向一側、以下同じ）に形成されるジンバル部４とを一体的に備えている。
【００２７】
本体部３は、平面視略矩形状に形成されている。
【００２８】
ジンバル部４は、本体部３の先端から先側に延びるように形成されている。また、ジンバル部４には、厚み方向を貫通する平面視略矩形状の基板開口部１１が形成されている。
【００２９】
ジンバル部４は、基板開口部１１の幅方向（先後方向に直交する左右方向）外側に仕切られるアウトリガー部３４と、アウトリガー部３４に連結されるタング部１２とを備えている。
【００３０】
アウトリガー部３４は、本体部３の幅方向両端部から先側に向かって直線状に延びるように形成されている。
【００３１】
タング部１２は、図２に示すように、アウトリガー部３４の幅方向内側に設けられ、アウトリガー部３４の先端部から幅方向内側斜め後方に向かって延びる第１連結部３５を介して、アウトリガー部３４に連結されている。タング部１２は、平面視略Ｈ字状に形成されており、幅方向に長く延びる平面視略矩形状の基部１５と、基部１５の先側に間隔を隔てて配置され、幅方向に長く延びる平面視略矩形状のステージ１７と、基部１５およびステージ１７の幅方向中央を接続し、先後方向に長い平面視略矩形状の中央部１６とを一体的に備えている。
【００３２】
ステージ１７の幅方向中央および先後方向中央は、図２の破線および図３に示すように、公知の接着剤からなるステージ接着剤層３７が配置されている。また、ステージ１７は、第２連結部２０によって、アウトリガー部３４に接続されている。
【００３３】
第２連結部２０は、各アウトリガー部３４の先端と、ステージ１７の幅方向両端を湾曲状に連結する湾曲部２１と、各アウトリガー部３４の先端と、ステージ１７の先端とを連結するＥ字部２２とを備えている。
【００３４】
各湾曲部２１は、各アウトリガー部３４の先端から幅方向内側斜め先側に向かって湾曲状に延び、ステージ１７の幅方向各端部に至っている。
【００３５】
Ｅ字部２２は、平面視略Ｅ字状をなし、具体的には、両アウトリガー部３４の先端から先側に向かって延び、その後、幅方向内側に屈曲し、幅方向内側に延びて合一となった後、後側に屈曲して、ステージ１７の先端に至っている。
【００３６】
中央部１６は、幅方向に湾曲可能な幅狭に形成されている。
【００３７】
導体層６は、図１に示すように、外部側端子１０と、ヘッド側端子１８と、端子部としてのピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５（図２）と、配線９と、グランド配線１３を備えている。
【００３８】
外部側端子１０は、本体部３の後端部に設けられ、先後方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。
【００３９】
ヘッド側端子１８は、図２に示すように、ステージ１７の先端部に設けられ、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（４つ）配置されている。
【００４０】
ピエゾ先側端子２４は、中央部１６の幅方向両外側に互いに間隔を隔てて複数（２つ）配置されている。ピエゾ先側端子２４は、ステージ１７の幅方向外側部の後端縁から僅かな間隔を隔てて後方に配置され、平面視略矩形状に形成されている。すなわち、ピエゾ先側端子２４は、ステージ１７の後端部の配線９（後述）が、ステージ１７の後端縁から後側に向かって突出し、幅方向に膨出するように形成されている。
【００４１】
図３に示すように、具体的には、ベース絶縁層７は、後述するように、ステージ１７の後端縁から後方に突出しており、ピエゾ先側端子２４は、配線９から連続してベース絶縁層７よりも後方に突出するように形成されている。そして、配線９と配線９から突出するピエゾ先側端子２４との間には、ピエゾ先側端子２４が配線９に対して下側に位置する段差が形成されている。ピエゾ先側端子２４は、下面が導電性接着剤層３０（後述）に接触し、先側側面がベース絶縁層７に接触し、先側上面がカバー絶縁層８に接触し、後側側面および後側上面が外部に露出するように、形成されている。
【００４２】
ピエゾ先側端子２４の下面は、隣接配置されるベース絶縁層７（後述）の下面よりもわずかに上側に位置するように、形成されている。
【００４３】
ピエゾ先側端子２４の下面および露出面（後側側面および後側上側面）には、複数（２層）のめっき層（図示せず）が積層されている。具体的には、ピエゾ先側端子２４を被覆するように、ニッケルめっき層が積層され、そのニッケルめっき層全面を被覆するように金めっき層が積層されている。
【００４４】
ピエゾ後側端子２５は、図２に示すように、ピエゾ先側端子２４に対応して形成されており、各ピエゾ先側端子２４の後側に間隔を隔ててそれぞれ形成されている。ピエゾ後側端子２５は、基部１５の幅方向外側部の先端縁から僅かな間隔を隔てて先方に配置され、平面視略矩形状に形成されている。すなわち、ピエゾ後側端子２５は、導体層６が、基部１５の先端縁から先側に向かって突出し、幅方向に膨出するように形成されている。
【００４５】
図３に示すように、具体的には、ベース絶縁層７は、後述するように、基部１５の先端縁から先方に突出しており、ピエゾ後側端子２５は、グランド配線１３（後述）から連続してベース絶縁層７よりも先方に突出するように形成されている。そして、配線９と配線９から突出するピエゾ後側端子２５との間には、ピエゾ後側端子２５が配線９に対して下側に位置する段差が形成されている。ピエゾ後側端子２５は、下面が導電性接着剤層３０（後述）に接触し、後側側面がベース絶縁層７に接触し、後側上面がカバー絶縁層８に接触し、先側側面および先側上面が外部に露出するように、形成されている。
【００４６】
ピエゾ後側端子２５の下面は、隣接配置されるベース絶縁層７の下面よりもわずかに上側に位置するように、形成されている。
【００４７】
ピエゾ後側端子２５の下面および露出面（先側側面および先側上側面）には、複数（２層）のめっき層（図示せず）が積層されている。具体的には、ピエゾ後側端子２５を被覆するように、ニッケルめっき層が積層され、そのニッケルめっき層全面を被覆するように金めっき層が積層されている。
【００４８】
なお、ピエゾ後側端子２５は、配線９と独立して設けられるとともに、グランド配線１３を介して接地されている。
【００４９】
配線９は、図１および図２に示すように、外部側端子１０と、ヘッド側端子１８およびピエゾ先側端子２４とに連続し、それらを電気的に接続している。
【００５０】
配線９は、図１に示すように、本体部３において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）形成されている。
【００５１】
具体的には、配線９は、本体部３の後端部において、外部側端子１０から先側に向かって延び、本体部３の先後方向途中において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲した後、幅方向両端部において先側に屈曲し、本体部３の先端部に向けて、幅方向外端縁に沿って延び、図２に示すように、ジンバル部４において、基板開口部１１および第１連結部３５を通過し、続いて、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の間を通過した後、中央部１６の先後方向途中に集束状に至り、先側に屈曲し、続いて、中央部１６に沿って先側に延び、その後、ステージ１７の後端部において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲した後、ステージ１７の周端縁に沿って延び、その後、折り返されて、ヘッド側端子１８およびピエゾ先側端子２４に至るように形成されている。
【００５２】
なお、配線９において、第１連結部３５と中央部１６との間に架設される部分は、幅方向に沿う直線状に形成されている。
【００５３】
グランド配線１３は、基部１５に設けられ、一端が接地され、他端がピエゾ後側端子２５に電気的に接続されている。
【００５４】
また、図３に示すように、ピエゾ素子２３の先端部が実装される、実装部としての先側実装部２８は、ピエゾ先側端子２４と対応して、中央部１６の幅方向両外側に互いに間隔を隔てて複数（２つ）形成されている。具体的には、先側実装部２８は、ステージ１７の幅方向外側の後端部と、ステージ１７の後端部から連続して後方に延びるベース絶縁層７と、ピエゾ先側端子２４とを備えている。
【００５５】
ピエゾ素子２３の後端部が実装される、実装部としての後側実装部２９は、ピエゾ後側端子２５と対応して、中央部１６の幅方向両外側に互いに間隔を隔てて複数（２つ）形成されている。具体的には、後側実装部２９は、基部１５の幅方向外側の後端部と、基部１５の先端部から連続して先方に延びるベース絶縁層７と、ピエゾ後側端子２５とを備えている。
【００５６】
この回路付サスペンション基板１は、金属支持基板５、金属支持基板５の上に形成されるベース絶縁層７、ベース絶縁層７の上に形成される導体層６、および、ベース絶縁層７の上に、導体層６を被覆するように形成されるカバー絶縁層８を備えている。
【００５７】
金属支持基板５は、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する形状に形成されている。金属支持基板５は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。金属支持基板５の厚みは、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【００５８】
ベース絶縁層７は、図１および図２が参照されるように、本体部３およびジンバル部４にわたって形成されており、図３に示すように、導体層６が形成される部分に対応して形成されている。
【００５９】
具体的には、ベース絶縁層７は、本体部３において、金属支持基板５の上に形成される一方、ジンバル部４の基板開口部１１内と、第１連結部３５および中央部１６の上にも、配線９に沿って形成されている。
【００６０】
さらに、ステージ１７の後側において、ベース絶縁層７は、ステージ１７の後端縁から後方に突出している。詳しくは、ピエゾ先側端子２４の先端縁とステージ１７の後端縁との間には、幅方向にピエゾ先側端子２４の幅方向長さよりも僅かに幅方向に長いベース絶縁層７が形成されている。
【００６１】
また、基部１５の先側において、ベース絶縁層７は、基部１５から先端縁から先方に突出している。詳しくは、ピエゾ後側端子２５の後端縁と基部１５の先端縁との間には、幅方向にピエゾ後側端子２５の幅方向長さよりも僅かに幅方向に長いベース絶縁層７が形成されている。
【００６２】
また、ベース絶縁層７は、図２に示すように、第２連結部２０を形成するパターンとしても形成されている。
【００６３】
ベース絶縁層７は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
【００６４】
ベース絶縁層７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、３３μｍ以下である。
【００６５】
導体層６は、上記したように、外部側端子１０（図１）、ヘッド側端子１８、ピエゾ先側端子２４、ピエゾ後側端子２５、および、配線９を備えるパターンとして形成されている。
【００６６】
導体層６は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの導体材料から形成されている。導体層６の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【００６７】
配線９の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。また、外部側端子１０、ヘッド側端子１８、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の幅および長さ（長手方向長さ）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００６８】
カバー絶縁層８は、図１が参照されるように、本体部３およびジンバル部４にわたって形成され、図３に示すように、平面視において導体層６を含むパターンに形成されている。
【００６９】
具体的には、カバー絶縁層８は、配線９の上面、ピエゾ先側端子２４の先側上面およびピエゾ後側端子２５の後側上面を被覆し、ピエゾ先側端子２４の後側上面、ピエゾ後側端子２５の先端上面、外部側端子１０（図１参照）およびヘッド側端子１８の上面を露出するパターンに形成されている。
【００７０】
カバー絶縁層８は、ベース絶縁層７を形成する絶縁材料と同様の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層８の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００７１】
この回路付サスペンション基板１では、スライダ２６およびピエゾ素子２３が実装されている。
【００７２】
スライダ２６は、図２の仮想線および図３に示すように、平面視略矩形箱形状に形成されており、スライダ２６の先端部が、ステージ１にステージ接着剤層３７を介して接着され、固定されている。
【００７３】
ステージ接着剤層３７の厚みは、例えば、ベース絶縁層７、導体層６およびカバー絶縁層８の総厚みと実質的に同一である。
【００７４】
これにより、スライダ２６の先端部は、ステージ１７に固定されている。
【００７５】
スライダ２６の先端縁は、図２に示すように、ヘッド側端子１８に沿って配置されており、具体的には、ヘッド側端子１８の後側に微小間隔を隔てて配置されている。これにより、図３に示すように、スライダ２６の先端部に搭載される磁気ヘッド２７が、ヘッド側端子１８と仮想線で示すはんだボール１９などによって電気的に接続されている。
【００７６】
スライダ２６の後端縁は、図２に示すように、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の間と、中央部１６の先後方向途中とを、幅方向に横切るように配置されている。
【００７７】
ピエゾ素子２３は、中央部１６の幅方向両外側に互いに間隔を隔てて複数（２つ）配置されている。具体的には、ピエゾ素子２３は、先後方向に伸縮可能であって、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。ピエゾ素子２３の先端部および後端部の上面には、それぞれ端子３８および３９が形成されている。
【００７８】
ピエゾ素子２３は、先後方向に伸縮可能となるように、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を架設するように実装されている。具体的には、ピエゾ素子２３は、ピエゾ素子２３の先端縁が、先後方向において、ピエゾ先側端子２４の先端縁と一致するように、かつ、ピエゾ素子２３の後端縁が、先後方向において、ピエゾ後側端子２５の後端縁と一致するように、配置されている。
【００７９】
そして、ピエゾ素子２３の先端部の端子３８および後端部の端子３９は、導電性接着剤（ひいては、導電性接着剤層３０）を介して、対向配置されるピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５にそれぞれ電気的に接続されている。これによって、ピエゾ素子２３は、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の下面に、導電性接着剤層３０を介して固定されている。
【００８０】
導電性接着剤層３０は、導電性接着剤から形成されており、ピエゾ先側端子２４の下面と先端部の端子３８の上面との間に配置されるとともに、ピエゾ後側端子２５の下面と後端部の端子３９の上面との間に配置されている。
【００８１】
導電性接着剤層３０は、厚み方向に投影したときに、各端子（ピエゾ先側端子２４またはピエゾ後側端子２５）およびピエゾ素子２３からはみ出さないように、形成されている。
【００８２】
導電性接着剤層３０の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【００８３】
導電性接着剤は、導電材料を含有する接着剤であればよく、例えば、金ペースト、銀ペースト、銅ペースト、ニッケルペースト、錫ペースト、パラジウムペースト、はんだなどが挙げられる。好ましくは、体積抵抗の観点から、銀ペーストが挙げられる。
【００８４】
導電性接着剤としては、加熱型であってもよく、常温乾燥型であってもよい。
【００８５】
導電性接着剤が加熱型導電性接着剤である場合、その加熱温度は、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。加熱温度が上記加熱温度以下の熱伝導性接着剤を使用することにより、ピエゾ素子２３に対する静電容量の低下を抑制することができる。
【００８６】
このような導電性接着剤としては、例えば、化研テック社製のＴＫペーストシリーズ、日立化成社製の「ＣＰ−３００」、トーヨーケム社製の「ＲＡ  ＦＳ  ０３９」などが挙げられる。
【００８７】
先側実装部２８および後側実装部２９には、絶縁性接着剤層３１が形成されている。具体的には、絶縁性接着剤層３１は、ピエゾ素子２３の先端部および後端部のそれぞれに、ピエゾ素子２３および導電性接着剤層３０を被覆するように隣接配置されている。
【００８８】
ピエゾ素子２３の先端部における絶縁性接着剤層３１は、ステージ１７の後端部とピエゾ素子２３の先端部との間に介在され、それらを接着しており、詳しくは、ステージ１７の後側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層３０の先側側面、および、ピエゾ素子２３の先側側面の一部の間に介在され、それらを接着するように配置されている。また、ステージ１７の後側側面と下面との間の角部３２を被覆するように配置されている。また、絶縁性接着剤層３１の幅方向長さは、ベース絶縁層７と略同一であり、具体的には、ピエゾ先側端子２４の幅方向長さよりも僅かに幅方向に長くなるように形成されている。
【００８９】
ピエゾ素子２３の後側における絶縁性接着剤層３１は、基部１５の先端部とピエゾ素子２３の後端部との間に介在され、それらを接着しており、詳しくは、基部１５の先側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層３０の後側側面、および、ピエゾ素子２３の後側側面の一部の間に介在され、それらを接着するように配置されている。また、基部１５の先側側面と下面との間の角部３３を被覆するように配置されている。
【００９０】
絶縁性接着剤層３１は、絶縁性接着剤から形成されている。
【００９１】
絶縁性接着剤は、絶縁性接着組成物および金属イオン捕捉剤を含有する。
【００９２】
絶縁性接着組成物としては、絶縁性を備え、接着剤または封止材として使用されているものであればよく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂を含有している。好ましくは、熱硬化性樹脂を含有している。
【００９３】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、熱硬化性ポリエステル、熱硬化性ポリイミド、熱硬化性ポリウレタンなどが挙げられる。好ましくは、エポキシ樹脂挙げられる。
【００９４】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂（例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ダイマー酸変性ビスフェノール型エポキシ樹脂など）、ノボラック型エポキシ樹脂（例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂など）、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂（例えば、ビスアリールフルオレン型エポキシ樹脂など）、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂（例えば、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂など）などの芳香族系エポキシ樹脂、例えば、トリエポキシプロピルイソシアヌレート（トリグリシジルイソシアヌレート）、ヒダントインエポキシ樹脂などの含窒素環エポキシ樹脂、例えば、脂肪族系エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂（例えば、ジシクロ環型エポキシ樹脂など）、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００９５】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン、アクリル樹脂、ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド（ナイロン（登録商標））、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリルスルホン、熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ポリウレタン、ポリアミノビスマレイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリメチルペンテン、フッ化樹脂、液晶ポリマー、アイオノマー、ポリアリレートオレフィン−ビニルアルコール共重合体、アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体などが挙げられる。
【００９６】
絶縁性接着組成物には、必要に応じて、溶媒、シランカップリング剤などの添加剤を含有することができる。
【００９７】
このような絶縁性接着組成物としては、市販品を使用することができ、具体的には、日立化成社製のＣＥＬ−Ｃシリーズ、ナミックス社製の「ＡＨ８４５５−３４５Ｂ」、スリーボンド社製の「ＴｈｒｅｅＢｏｎｄ２２７４Ｂ」などが挙げられる。
【００９８】
金属イオン捕捉剤としては、捕捉する金属イオン（すなわち、導電性接着剤に含まれる導電材料）の種類に応じて適宜決定することができ、例えば、窒素含有化合物、水酸基含有化合物、カルボキシル基含有化合物、無機陽イオン交換体、キレート剤、リンまたは硫黄含有化合物などが挙げられる。好ましくは、窒素含有化合物が挙げられる。
【００９９】
窒素含有化合物としては、例えば、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピリジル化合物、トリアジン化合物などの窒素含有複素環式化合物などが挙げられる。好ましくは、トリアゾール化合物が挙げられる。
トリゾール化合物としては、例えば、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−｛Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
【０１００】
テトラゾール化合物としては、例えば、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５-フェニル−１Ｈ−テトラゾールなどが挙げられる。
【０１０１】
ピリジル化合物としては、例えば、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリンなどが挙げられる。
トリアジン化合物としては、例えば、１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【０１０２】
水酸基含有化合物としては、キノール系化合物、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物、高級アルコールなどが挙げられる。好ましくは、キノール系化合物が挙げられる。
【０１０３】
キノール系化合物としては、例えば、ヒドロキノン、ヒドロキシキノールなどが挙げられる。
【０１０４】
ヒドロキシアントラキノン化合物としては、例えば、アリザリン、アントラルフィンなどが挙げられる。
【０１０５】
ポリフェノール化合物としては、例えば、タンニン、タンニン誘導体（没食子酸、没食子酸メチル、没食子酸ドデシル、ピロガロール）などが挙げられる。
【０１０６】
高級アルコールとしては、炭素数６以上、好ましくは、炭素数６〜１８の直鎖または分岐のアルキル基を有するアルコールが挙げられる。
【０１０７】
カルボキシル基含有化合物としては、カルボキシル基含有芳香族化合物、カルボキシル基含有脂肪酸化合物が挙げられる。好ましくは、カルボキシル基含有芳香族化合物が挙げられる。
【０１０８】
カルボキシル基含有芳香族化合物としては、例えば、安息香酸、フタル酸、ピコリン酸、ピロール−２−カルボン酸などが挙げられる。好ましくは、安息香酸が挙げられる。
【０１０９】
カルボキシル基含有脂肪酸化合物としては、例えば、炭素数６〜３０のモノまたはポリカルボン酸などが挙げられる。
【０１１０】
無機陽イオン交換体としては、アンチモン、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウムおよびアルミニウムから選ばれる元素の酸化水和物、アルミノケイ酸塩、多価金属酸性塩、ヘテロポリ酸、ハイドロタルサイト、ハイドロキシアパタイトなどが挙げられる。好ましくは、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウムおよびアルミニウムから選ばれる元素の酸化水和物など挙げられる。
【０１１１】
酸化水和物は、好ましくは、アンチモン、ビスマスの酸化水和物が挙げられる。具体的には、酸化アンチモン水和物、酸化ビスマス水和物などが挙げられる。
【０１１２】
多価金属酸性塩としては、例えば、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、稀土類元素、クロム（ＩＩＩ)などのリン酸塩）などが挙げられる。
【０１１３】
ヘテロポリ酸としては、例えば、リンタングステン酸、リンモリブテン酸、ケイモリブデン酸などが挙げられる。
【０１１４】
キレート剤としては、アミノカルボン酸系キレート剤、ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。好ましくは、アミノカルボン酸系キレート剤が挙げられる。
【０１１５】
アミノカルボン酸系キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３−プロパンジアミン四酢酸、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン四酢酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、グリコールエーテルジアミン四酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸、（Ｓ，Ｓ）−エチレンジアミン二コハク酸などが挙げられる。好ましくは、ジエチレントリアミン五酢酸が挙げられる。
【０１１６】
ホスホン酸系キレート剤としては、１−ヒドロキシエチリデンビスホスホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、２−ホスホノ−１，２，４−ブタントリカルボン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸などが挙げられる。
【０１１７】
リンまたは硫黄含有化合物としては、有機リン酸エステル、有機亜リン酸エステル、有機スルホン酸塩、有機硫黄化合物、ジチオリン酸亜鉛、フィチン酸などが挙げられる。好ましは、有機亜リン酸エステルが挙げられる。
【０１１８】
有機リン酸エステルとしては、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、ジ−２−エチルヘキシルアシッドホスフェートなどが挙げられる。
【０１１９】
有機亜リン酸エステルとしては、例えば、ジエチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリイソオクチルホスファイト、ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト、ジオレイルハイドロゼンホスファイトなどが挙げられる。
【０１２０】
有機スルホン酸塩としては、例えば、アルカンスルホン酸、アルカンジスルホン酸類、アルカントリスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのアルカリ金属塩、例えば、ポリビニルスルホン酸やその共重合体などのアルカリ金属塩などが挙げられる。
【０１２１】
有機硫黄化合物としては、例えば、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールなどが挙げられる。
【０１２２】
金属イオン捕捉剤の含有割合は、絶縁性接着組成物１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部以上、好ましくは、０．１質量部以上であり、また、例えば、５０質量部以下、好ましくは、３０質量部以下、より好ましくは、２０質量部以下である。
【０１２３】
金属イオン捕捉剤の含有割合を上記下限以上とすることにより、金属イオン（例えば、銅イオン、銀イオン）を効果的に捕捉することができ、ピエゾ素子２３と端子部２４または２５との電気的な接続信頼性を向上させることができる。一方、金属イオン捕捉剤の含有割合を上記上限以下とすることにより、絶縁性接着剤の剥離を抑制しながらイオンを捕捉でき、また、耐熱性、コストを良好にすることができる。
【０１２４】
そして、絶縁性接着組成物は、絶縁性接着組成物と金属イオン捕捉剤とを配合することにより調製することができる。
【０１２５】
この回路付サスペンション基板１を得るには、図４Ａに示すように、まず、スライダ２６が実装された回路付サスペンション基板２（スライダ付サスペンション基板）を用意する。
【０１２６】
スライダ２６が実装された回路付サスペンション基板２は、例えば、特開２０１２−９９２０４号公報、特開２０１１−１２９２２０号公報などを参照して製造することができる。
【０１２７】
次いで、図４Ｂに示すように、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の下面に、導電性接着剤層３０を配置する。
【０１２８】
具体的には、導電性接着剤を、ピエゾ先側端子２４の下面全面およびピエゾ後側端子２５の下面全面を配置する。
【０１２９】
導電性接着剤の配置方法としては、例えば、塗布法、吐出法などが挙げられる。
【０１３０】
次いで、図４Ｃに示すように、ピエゾ素子２３を回路付サスペンション基板２に実装する。具体的には、ピエゾ素子２３の先端部の端子の３８上面および後端部の端子３９の上面のそれぞれを、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の下面に配置された導電性接着剤に接触させる。
【０１３１】
この際、導電性接着剤が加熱型導電性接着剤である場合は、熱処理工程を実施する。
【０１３２】
熱処理温度は、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下であり、また、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上である。
【０１３３】
熱処理時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、２０分以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下である。
【０１３４】
熱処理工程は、必要に応じて、多段階で（すなわち、複数の温度領域にて）実施してもよい。
【０１３５】
これにより、ピエゾ素子２３が、導電性接着剤層３０を介して回路付サスペンション基板２と電気的に接続される。そして、ピエゾ素子２３は、ピエゾ先側端子２４を介して電気が供給され、その電圧が制御されることによって、伸縮する。
【０１３６】
次いで、図４Ｄに示すように、絶縁性接着剤層３１を先側実装部２８および後側実装部２９に配置する。
【０１３７】
具体的には、絶縁性接着剤をステージ１７の後側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層３０の先側側面、および、ピエゾ素子２３の先側側面の一部と接触するように配置する。この際、絶縁性接着剤は、ステージ１７の角部３２を被覆するようにも配置する。
【０１３８】
また、絶縁性接着剤を、基部１５の先側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層３０の後側側面、および、ピエゾ素子２３の後側側面の一部と接触するように配置する。この際、絶縁性接着剤は、基部１５の角部３３を被覆するように配置する。
【０１３９】
絶縁性接着剤の配置方法としては、例えば、塗布法、吐出法などが挙げられる。
【０１４０】
絶縁性接着剤が熱硬化性樹脂を含有する場合は、配置後に、熱処理工程を実施する。
【０１４１】
熱処理温度は、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下であり、また、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上である。
【０１４２】
熱処理時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、２０分以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下である。
【０１４３】
熱処理工程は、必要に応じて、多段階で（すなわち、複数の温度領域にて）実施してもよい。
【０１４４】
これにより、ピエゾ素子２３は、絶縁性接着剤層３１を介して回路付サスペンション基板のステージ１７およびベース絶縁層７と、基部１５およびベース絶縁層７とに接着され、固定される。
【０１４５】
そして、この回路付サスペンション基板１では、ピエゾ素子２３と、ピエゾ素子２３と電気的に接続されるピエゾ先側端子２４を有する先側実装部２８とを備え、ピエゾ素子２３と先側実装部２８とが、絶縁性接着剤層３１（金属イオン捕捉剤を含有する絶縁性接着剤）を介して接着されている。
【０１４６】
そのため、ピエゾ素子２３および先側実装部２８を電気的に接続する接続部（導電性接着剤層３０）に含有される金属イオンを、金属イオン捕捉剤が捕捉することができる。よって、金属イオンの先側実装部２８の外部への移動または流出を抑制することができる。その結果、短絡を防止し、ピエゾ素子２３とピエゾ先側端子２４との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【０１４７】
さらに、この回路付サスペンション基板１では、ピエゾ素子２３と、ピエゾ素子２３と電気的に接続されるピエゾ後側端子２５を有する後側実装部２９とを備え、ピエゾ素子２３と後側実装部２９とが、絶縁性接着剤層３１（金属イオン捕捉剤を含有する絶縁性接着剤）を介して接着されている。
【０１４８】
そのため、ピエゾ素子２３および後側実装部２９を電気的に接続する接続部（導電性接着剤層３０）に含有される金属イオンを、金属イオン捕捉剤が捕捉することができる。よって、金属イオンの後側実装部２９の外部への移動または流出を抑制することができる。その結果、短絡を防止し、ピエゾ素子２３とピエゾ後側端子２５との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【０１４９】
また、この回路付サスペンション基板１では、ピエゾ素子２３と、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５とは、導電性接着剤層３０を介して対向配置されており、絶縁性接着剤層３１は、ピエゾ素子２３および導電性接着剤層３０を被覆するように、それらに隣接配置されている。
【０１５０】
そのため、導電性接着剤層３０内に含有される金属イオンが、金属支持基板５（ステージ１７または基部１５）へと移動する経路の間に、絶縁性接着剤層３１を存在させることができる。その結果、金属支持基板５（ステージ１７または基部１５）へ移動する金属イオンを確実に捕捉することにより短絡を防止し、電気的な接続信頼性をより一層向上させることができる。
【０１５１】
また、絶縁性接着剤層３１が、ピエゾ素子２３は絶縁性接着剤層３１と隣接配置されており、ピエゾ素子２３は、絶縁性接着剤層３１を介して先側実装部２８および後側実装部２９と機械的に強固に接続されている。そのため、ピエゾ素子２３の伸縮による破損を確実に抑制することができる。
【０１５２】
さらには、絶縁性接着剤層３１が導電性接着剤層３０を被覆しているため、外気による導電性接着剤層３０の腐食を低減することができる。
【０１５３】
特に、絶縁性接着剤層３１は、ステージ１７の後側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層３０の先側側面、および、ピエゾ素子２３の先側側面の一部と接着するように配置され、ステージ１７の角部３２を被覆するように配置されているため、絶縁性接着剤層３１は、ピエゾ素子２３および回路付サスペンション基板の先側実装部２８に、広範囲にかつ確実に接着している。また、絶縁性接着剤層３１は、基部１５の先側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層３０の後側側面、および、ピエゾ素子２３の後側側面の一部と接着するように配置され、基部１５の角部３３を被覆するように配置されているため、絶縁性接着剤層３１は、ピエゾ素子２３および回路付サスペンション基板の後側実装部２９に、広範囲にかつ確実に接着している。これらの結果、ピエゾ素子２３は、回路付サスペンション基板１の先側実装部２８および後側実装部２９と機械的に強固に接続され、ピエゾ素子２３の伸縮による破損を確実に抑制することができる。
【０１５４】
なお、図３の実施形態では、先側実装部２８および後側実装部２９のいずれも、ピエゾ素子２３と、絶縁性接着剤層３１（金属イオン捕捉剤を含有する絶縁性接着剤）を介して接着されているが、例えば、図示しないが、先側実装部２８または後側実装部２９のいずれか一方のみが、ピエゾ素子２３と、絶縁性接着剤層３１（金属イオン捕捉剤を含有する絶縁性接着剤）を介して接着していてもよい。
【０１５５】
また、図３の実施形態では、導電性接着剤層３０は、厚み方向に投影したときに、各端子およびピエゾ素子２３からはみ出さないように配置されているが、例えば、図示しないが、導電性接着剤層３０を、厚み方向に投影したときに、各端子およびピエゾ素子２３からはみ出すように配置することもできる。
【０１５６】
すなわち、この実施形態では、ピエゾ先側端子２４においては、導電性接着剤層３０の先端縁は、長手方向において、ピエゾ素子２３の先端縁およびピエゾ先側端子２４よりも先側に位置し、さらに、導電性接着剤層３０がベース絶縁層７の一部とピエゾ素子２３の先端側面の一部とを被覆する。ピエゾ後側端子２５においては、導電性接着剤層３０の後端縁は、長手方向において、ピエゾ素子２３の後端縁およびピエゾ後側端子２５よりも後側に位置し、さらに、導電性接着剤層３０がベース絶縁層７の一部とピエゾ素子２３の後端側面の一部とを被覆する。
【０１５７】
好ましくは、図３の実施形態のように、導電性接着剤層３０を、厚み方向に投影したときに、各端子およびピエゾ素子２３の外側にはみ出さないように配置する。そうすれば、導電性接着剤層３０と絶縁性接着剤層３１との接触部分を、導電性接着剤層３０の側面のみに限定することができ、導電性接着剤層３０から金属イオンが絶縁性接着剤層３１に排出される面積を最小限にすることができる。その結果、絶縁性接着剤層３１への金属イオンの移動量を減少させることができ、接続信頼性をより一層向上させることができる。
【０１５８】
また、図３の実施形態では、ピエゾ先側端子２４またはピエゾ後側端子２５の下面は、隣接配置されるベース絶縁層７の下面よりもわずかに上側に位置するように、形成されているが、例えば、図示しないが、ピエゾ先側端子２４またはピエゾ後側端子２５の下面は、隣接配置されるベース絶縁層７の下面と面一となるように形成することもできる。
【０１５９】
好ましくは、ピエゾ先側端子２４またはピエゾ後側端子２５の下面が、隣接配置されるベース絶縁層７の下面よりもわずかに上側に位置するように、形成することができる。
【０１６０】
これにより、ピエゾ先側端子２４またはピエゾ後側端子２５の下面と、隣接配置されるベース絶縁層７の下面との境界に段差部を形成することができる。そのため、端子（ピエゾ先側端子２４、ピエゾ後側端子２５）のみに導電性接着剤層３０を容易に形成することができ、導電性接着剤層３０を、より確実に端子およびピエゾ素子２３からはみ出さないように配置できる。さらには、導電性接着剤層３０が絶縁性接着剤層３１よりも上側に位置するため、導電性接着剤層３０と絶縁性接着剤層３１との境界面積を低減することができる。その結果、接続信頼性をより一層向上させることができる。
【実施例】
【０１６１】
以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らそれらに限定されない。また、以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
【０１６２】
図４Ａに示すスライダ２６が実装された回路付サスペンション基板２を用意した。
【０１６３】
次いで、導電性接着剤として、銀ペースト（ＴＫペースト、ＣＲ−３５２０、化研テック社製）を用意した。
【０１６４】
また、絶縁性接着組成物としてエポキシ系液状封止材（ＣＥＬ−Ｃ−５０２０、日立化成社製）１００質量部と、金属イオン捕捉剤として１，２，３−トリアゾール２質量部とを混合し、絶縁性接着剤を調製した。
【０１６５】
次いで、図４Ｂに示すように、銀ペーストをピエゾ先側端子２４の下面とピエゾ後側端子２５の下面に塗布し、ついで、ピエゾ素子２３を銀ペーストに積層させ、１３０℃で３０分加熱し、次いで、１８０℃で６０分加熱した。これにより、銀ペーストから形成される導電性接着剤層３０（厚み１０μｍ）によって、ピエゾ素子２３と回路付サスペンション基板２とを電気的に接続させた（図４Ｃ）。
【０１６６】
次いで、図４Ｄに示すように、絶縁性接着剤を、ステージ１７の後側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層３０の先側側面、および、ピエゾ素子２３の先側側面の一部に、ステージ１７の角部３２を被覆するように、塗布した。また、絶縁性接着剤を、基部１５の先側側面、ベース絶縁層７の下面、導電性接着剤層の後側側面、および、ピエゾ素子２３の後側側面の一部に、基部１５の角部３３を被覆するように、塗布した。
【０１６７】
次いで、絶縁性接着剤を１２０℃で２０分間加熱し、次いで、１５０℃で１２０分加熱することにより、絶縁性接着剤層３１を形成した。
【０１６８】
これにより、実施例１のピエゾ素子２３が実装された回路付サスペンション基板１を製造した。
【０１６９】
（実施例２〜９および比較例１）
絶縁性接着剤における金属イオン捕捉剤を表１に記載の処方に変更した以外は、実施例１と同様にして、ピエゾ素子２３が実装された回路付サスペンション基板１を製造した。
【０１７０】
（接続信頼性）
各実施例および比較例の回路付サスペンション基板１について、８５℃で、８５％ＲＨの雰囲気下で、ピエゾ素子２３に６０Ｖの直流電圧を５００時間印加した。その後、銀が絶縁接着剤またはベース絶縁層と金属支持基板との界面に移行するイオンマイグレーション現象の有無を断面ＳＥＭ観察により確認した。
【０１７１】
金属支持基板にイオンマイグレーション現象が認められなかった場合を◎と評価し、金属支持基板にイオンマイグレーション現象が認められなかったが、部分的に絶縁性接着剤に剥離が認められた場合を○と評価し、金属支持基板にイオンマイグレーション現象が認められた場合を×と評価した。この結果を表１に示す。
【０１７２】
【表１】
2015097134.tif 000003
【０１７３】
表１の略号などを以下に示す。
・キレスト３ＰＡ：商品名、ジエチレントリアミン五酢酸、キレスト株式会社製
・ＣｈｅｌｅｘＨ８：商品名、ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト、ＳＣ有機化学社製
【符号の説明】
【０１７４】
１    回路付サスペンション基板
２３  ピエゾ素子
２４  ピエゾ先側素子
２５  ピエゾ後側素子
２８  先側実装部
２９  後側実装部
３０  導電性接着剤層
３１  絶縁性接着剤層
【図１】
2015097134.tif 000004
【図２】
2015097134.tif 000005
【図３】
2015097134.tif 000006
【図４】
2015097134.tif 000007