(57)【要約】      （修正有）【課題】任意の波長を有する入射光に対して偏光透過率を最大化し得る光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】光入射部２と、光入射部２からの入射光Ｌ１を受光する受光面１１が入射光Ｌ１の進行方向と入射角度φをもって交差するように配置された偏光素子３とを備える光学装置１を製造する。光学装置１の製造方法は、入射光Ｌ１の波長λ及び配列周期Ｐを利用して、偏光素子３に発生する表面プラズモンの励起条件を得る励起条件取得工程と、励起条件を利用して、入射光Ｌ１の進行方向と偏光素子３の受光面１１とがなす入射角度φを得る角度取得工程と、受光面１１に対して入射光Ｌ１が入射角度φで入射するように、光入射部２と偏光素子３とを配置する配置工程と、を有する。【選択図】図１
2015166861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入射部と、前記光入射部からの入射光を受光する受光面が前記入射光の進行方向と所定角度をもって交差するように配置された偏光素子とを備える光学装置の製造方法において、
前記偏光素子は、前記入射光に対して透明な基板と、前記基板上において所定の配列周期に基づいて形成された凸部と、前記凸部の上面に形成された第１の金属ワイヤ部と、前記凸部の間から露出した前記基板の表面に形成された第２の金属ワイヤ部と、を備え、
前記入射光の波長及び前記配列周期を利用して、前記偏光素子に発生する表面プラズモンの励起条件を得る励起条件取得工程と、
前記励起条件を利用して、前記入射光の進行方向と前記偏光素子の前記受光面とがなす前記所定角度を得る角度取得工程と、
前記受光面に対して前記入射光が前記所定角度で入射するように、前記光入射部と前記偏光素子とを配置する配置工程と、を有する、光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記励起条件取得工程は、
前記入射光の波長を利用して、入射光エネルギーを得る工程と、
前記配列周期を利用して、表面プラズモンの分散曲線を得る工程と、
前記入射光エネルギーと前記分散曲線とを利用して、前記分散曲線と前記入射光エネルギーとが一致する励起波数を表面プラズモンの励起条件として得る工程と、を有する、請求項１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記角度取得工程は、
前記入射光の波長を利用して得られる前記入射光の波数と、前記励起波数とを利用して、前記入射光の波数の前記受光面に沿った成分が前記励起波数と等しくなる前記所定角度を算出する工程を有する、請求項２に記載の光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記凸部の上面及び前記凸部間から露出する前記基板の表面に、金、銀、銅、アルミニウム、白金、パラジウム、イリジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、鉄、チタン及びクロムの何れか１つの材料を用いて、前記第１の金属ワイヤ部及び前記第２の金属ワイヤ部を形成する前記偏光素子の準備工程を更に有する、請求項１〜３の何れか一項に記載の光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記入射光の波長は、１００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下である、請求項１〜４の何れか一項に記載の光学装置の製造方法。
【請求項６】
光軸上に配置された光入射部と、
前記光入射部からの入射光に対して透明な基板、前記基板上において所定の配列周期に基づいて形成された凸部、前記凸部の上面に形成された第１の金属ワイヤ部、及び前記凸部の間から露出した前記基板の表面に形成された第２の金属ワイヤ部を有し、前記光軸上に配置された偏光部と、
前記光軸上に配置され、前記偏光部からの偏光を出射する光出射部と、
を備え、
前記光入射部及び前記偏光部は、前記偏光部の受光面に対して前記入射光が所定角度で入射するように配置され、
前記所定角度は、前記入射光の波長及び前記配列周期に基づいて得られる前記偏光部に発生する表面プラズモンの励起条件を満たす、光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光素子を有する光学装置及び光学装置の製造方法であり、より詳細には、偏光素子として二層型ワイヤーグリッド偏光子を有する光学装置及び光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽、白熱電球及び蛍光灯などの光源から放射される光は、振動面が不規則であり、時間平均をとると一様にあらゆる方向に振動している。このような光は自然光或いは非偏光と呼ばれる。偏光子は、これら自然光などから直線偏光成分を取り出す場合に利用される。偏光子を透過した光は、偏光子の透過軸方向に振動する直線偏光である。
【０００３】
また、半導体デバイスや液晶表示デバイスの回路パターンを露光するための露光装置が広く用いられている。この技術分野では、露光装置の解像性能を高めるために、光源の短波長化や投影光学系の大口径化が望まれている。大口径の紫外線露光装置では、光源のＴＥ偏光成分が像コントラストを低下させるため、ＴＭ偏光が多く含まれるような直線偏光に変換して照射する必要がある。そこで、これら入射光の偏光状態を制御するために偏光子が用いられている。
【０００４】
偏光子には、一般的にはプリズム型偏光子とフィルタ型偏光子がある。そして、フィルタ型偏光子には、薄型テレビ等で使用されている吸収型偏光子とワイヤーグリッド偏光子がある。
【０００５】
図１５に示されるように、ワイヤーグリッド偏光子１００は、金属といった導体線１０１ａを周期的に形成した構造を有している。そして、ワイヤーグリッド偏光子１００は、光源１０１から出射された光ＬＴに含まれたＴＥ偏光ＬＴＥを反射し、ＴＭ偏光ＬＴＭを透過する性質を有している。ＴＥ偏光ＬＴＥは、電界成分が導体線１０１ａに平行な方向の偏波（図１５の符号ＬＴＥ参照）であり、導体内の電子が光ＬＴの電界成分により平行方向に運動するため反射される。一方、ＴＭ偏光ＬＴＭは、電界成分が導体線１０１ａに垂直な方向の偏波（図１５の符号ＬＴＭ参照）であり、導体内の電子が光ＬＴの電界成分によって垂直方向に運動しないため反射せずに透過される。このようなワイヤーグリッド偏光子には、一層型と二層型がある。
【０００６】
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示されるように、一層型ワイヤーグリッド偏光子１０２は、基板１０２ａ上に所定間隔を設けて配置された金属ワイヤ１０２ｂを有している。一層型ワイヤーグリッド偏光子１０２にＴＥ偏光ＬＴＥが入射されると（図１６（ａ）参照）、ＴＥ偏光ＬＴＥは、金属ワイヤ１０２ｂで反射されると共に金属ワイヤ１０２ｂが配置されていないスリット１０２ｃから透過される。また、一層型ワイヤーグリッド偏光子１０２にＴＭ偏光ＬＴＭが入射されると（図１６（ｂ）参照）、ＴＭ偏光ＬＴＭは金属ワイヤ１０２ｂで反射されることなく透過する。
【０００７】
一方、図１６（ｃ）及び図１６（ｄ）に示されるように、二層型ワイヤーグリッド偏光子１０３は、基板１０３ａ上の凸部１０３ｂに形成された金属ワイヤ１０３ｃと、凸部１０３ｂの間から露出した基板１０３ａの表面に形成された金属ワイヤ１０３ｄとを有している。二層型ワイヤーグリッド偏光子１０３にＴＥ偏光ＬＴＥが入射されると（図１６（ｃ）参照）、ＴＥ偏光ＬＴＥは金属ワイヤ１０３ｃ及び金属ワイヤ１０３ｄで反射される。また、二層型ワイヤーグリッド偏光子１０３にＴＭ偏光ＬＴＭが入射されると（図１６（ｄ）参照）、ＴＭ偏光ＬＴＭは二層間距離が電気的にショートしない間隔であれば、一層型ワイヤーグリッド偏光子１０２と同様に透過する。従って、二層型ワイヤーグリッド偏光子１０３は、二層間の距離、すなわち金属ワイヤ１０３ｃと、金属ワイヤ１０３ｄとの間の距離ＨＴを調整することにより消光比を高めることができる。また、二層型ワイヤーグリッド偏光子１０３は、一層型ワイヤーグリッド偏光子１０２に比べて、レジスト剥離の工程が不要であり容易に作製できる。
【０００８】
また、特許文献１には、二層型ワイヤーグリッド偏光子に関する技術が記載されている。この二層型ワイヤーグリッド偏光子は、紫外線を用いた露光装置用の偏光子として利用される。また、二層型ワイヤーグリッド偏光子は、入射紫外光線に対して透明な基板上に形成された偏光層を有している。偏光層は、該偏光層のプラズマ周波数に対応する波長よりも大きく、かつ、波長３００ｎｍ以下の入射紫外光に対して偏光特性を有している。更に、偏光層は、異方性のある縞状構造であり、該縞状構造は基板に平行であり、該縞状構造の横断方向は、縞の間隔が前記入射紫外光の波長の平均で半分以下、かつ、１０ｎｍ以上である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第５１９３４５４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
二層型ワイヤーグリッド偏光子は、上述した利点を有するために高性能な偏光子として注目され、広波長帯域用偏光子としての研究やシミュレーション解析が行われている。しかし、二層型ワイヤーグリッド偏光子の動作原理は、十分に解明されているとは言い難い。そこで、発明者らは、二層型ワイヤーグリッド偏光子の構造と偏光特性の関係との関係について研究を行っていたところ、特定条件下において偏光透過率が異常に大きくなる現象を見出した。
【００１１】
そこで、本発明は、任意の波長を有する入射光に対して偏光透過率を最大化し得る光学装置の製造方法、及び当該光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一形態は、光入射部と、光入射部からの入射光を受光する受光面が入射光の進行方向と所定角度をもって交差するように配置された偏光素子とを備える光学装置の製造方法である。偏光素子は、入射光に対して透明な基板と、基板上において所定の配列周期に基づいて形成された凸部と、凸部の上面に形成された第１の金属ワイヤ部と、凸部の間から露出した基板の表面に形成された第２の金属ワイヤ部と、を備えている。光学装置の製造方法は、入射光の波長及び配列周期を利用して、偏光素子に発生する表面プラズモンの励起条件を得る励起条件取得工程と、励起条件を利用して、入射光の進行方向と偏光素子の受光面とがなす所定角度を得る角度取得工程と、受光面に対して入射光が所定角度で入射するように、光入射部と偏光素子とを配置する配置工程と、を有する。
【００１３】
この光学装置の製造方法によれば、光入射部から導入された光が偏光素子に照射されるため偏光を得ることができる。より詳細には、偏光素子は、凸部の上面に形成された第１の金属ワイヤ部と、凸部の間に形成された第２の金属ワイヤ部を有している。この構造によれば、ＴＥ偏光はそれぞれの金属ワイヤ部において反射され、ＴＭ偏光の光は凸部と第１の金属ワイヤ部と第２の金属ワイヤ部とにより構成される回折格子を透過する。
そして、励起条件取得工程及び角度取得工程において、偏光素子に入射光が照射されたとき、入射光により表面プラズモンが励起されるための所定角度が得られる。そして、配置工程において、受光面に対して入射光が所定角度で入射するように光入射部と偏光素子とが配置される。
ここで、発明者らの知見によれば、表面プラズモンの励起条件を満たす入射角度をもって、偏光素子に対して入射光が入射されると、表面プラズモンに起因する光が発生して、偏光素子から出射される。そうすると、偏光素子を透過するＴＭ偏光が見かけ上著しく増加して、ＴＭ偏光の偏光透過率が高まる。従って、任意の波長を有する入射光に対して偏光透過率を最大化することが可能な光学装置を製造することができる。
【００１４】
励起条件取得工程は、入射光の波長を利用して、入射光エネルギーを得る工程と、配列周期を利用して、表面プラズモンの分散曲線を得る工程と、入射光エネルギーと分散曲線とを利用して、分散曲線と入射光エネルギーとが一致する励起波数を表面プラズモンの励起条件として得る工程と、を有することとしてもよい。これらの工程によれば、励起波数で示される表面プラズモンの励起条件を数値計算により得ることが可能になる。
【００１５】
角度取得工程は、入射光の波長を利用して得られる入射光の波数と、励起波数と、を利用して、入射光の波数の受光面に沿った成分が励起波数と等しくなる所定角度を算出する工程を有することとしてもよい。これらの工程によれば、入射光の進行方向と偏光素子の受光面とがなす所定角度を数値計算により得ることが可能になる。
【００１６】
また、光学装置の製造方法は、凸部の上面及び凸部間から露出する基板の表面に、金、銀、銅、アルミニウム、白金、パラジウム、イリジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、鉄、チタン及びクロムの何れか１つの材料を用いて、第１の金属ワイヤ部及び第２の金属ワイヤ部を形成する偏光素子の準備工程を有する。この工程によれば、表面プラズモンを好適に発生させることができる偏光素子を製造することができる。
【００１７】
また、入射光の波長は、１００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることができる。
【００１８】
また、本発明の別の形態は、光軸上に配置された光入射部と、光入射部からの入射光に対して透明な基板、基板上において所定の配列周期に基づいて形成された凸部、凸部の上面に形成された第１の金属ワイヤ部、及び凸部の間から露出した基板の表面に形成された第２の金属ワイヤ部を有し、光軸上に配置された偏光部と、光軸上に配置され、偏光部からの偏光を出射する光出射部と、を備えた光学装置である。光入射部及び偏光部は、偏光部の受光面に対して入射光が所定角度で入射するように配置されている。所定角度は、入射光の波長及び配列周期に基づいて得られる偏光部に発生する表面プラズモンの励起条件を満たす。
【００１９】
この光学装置によれば、光入射部から導入された光が偏光素子に照射されるため、偏光を得て、光出射部から外部へ出射することができる。より詳細には、偏光素子は、凸部の上面に形成された第１の金属ワイヤ部と、凸部の間に形成された第２の金属ワイヤ部を有している。この構造によれば、ＴＥ偏光はそれぞれの金属ワイヤ部において反射され、ＴＭ偏光の光は凸部と第１の金属ワイヤ部と第２の金属ワイヤ部とにより構成される回折格子を透過する。
そして、光入射部及び偏光部は、偏光部の受光面に対して入射光が所定角度で入射するように配置されている。所定角度は、入射光の波長及び配列周期に基づいて得られる偏光部に発生する表面プラズモンの励起条件を満たしている。
ここで、発明者らの知見によれば、表面プラズモンの励起条件を満たす入射角度をもって、偏光素子に対して入射光が入射されると、表面プラズモンに起因する光が発生して、偏光素子から出射される。そうすると、偏光素子を透過するＴＭ偏光が見かけ上著しく増加して、ＴＭ偏光の偏光透過率が高まる。従って、任意の波長を有する入射光に対して偏光透過率を最大化することが可能な光学装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の光学装置の製造方法によれば、任意の波長を有する入射光に対して偏光透過率を最大化し得る光学装置を製造することができる。また、本発明の光学装置によれば、任意の波長を有する入射光に対して偏光透過率を最大化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る光学装置の概略の構成を示す図である。
【図２】二層型ワイヤーグリッド偏光子を示す図である。
【図３】光学装置の製造方法の工程図である。
【図４】二層型ワイヤーグリッド偏光子を作製する各工程を示す図である。
【図５】二層型ワイヤーグリッド偏光子の分散関係を示すグラフである。
【図６】二層型ワイヤーグリッド偏光子のＳＥＭ写真である。
【図７】垂直測定光学系の構成を示す図である。
【図８】斜め入射測定光学系の構成を示す図である。
【図９】透過率の配列周期依存性を示すグラフである。
【図１０】透過率の入射角度依存性を示すグラフである。
【図１１】配列周期と表面プラズモン励起角との関係を示すグラフである。
【図１２】入射角度と光強度分布の関係をシミュレーションした結果である。
【図１３】側面における金属膜の膜厚と光強度分布の関係をシミュレーションした結果である。
【図１４】第１及び第２の金属ワイヤ部の厚さと光強度分布の関係をシミュレーションした結果である。
【図１５】偏光子とＴＭ偏光及びＴＥ偏光の関係を説明するための図である。
【図１６】ワイヤーグリッド偏光子とワイヤーグリッド偏光子の作用を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照しながら本発明を実施するための形態を詳細に説明する。図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２３】
図１に示されるように、光学装置１は、光源１０１からの入射光Ｌ１を偏光し、別の光学装置１０４へＴＭ偏光ＬＴＭを出射する。光学装置１は、光入射部２と、偏光素子（偏光部）３と、光出射部４とを備えている。これら光入射部２、偏光素子３、及び光出射部４は、所定の方向に延在する光軸Ａ上に沿って、光入射部２、偏光素子３、光出射部４の順に配置されている。
【００２４】
光入射部２は、光源１０１からの出射された入射光Ｌ１を受光し、後段の偏光素子３に出射する。偏光素子３は、光入射部２から出射された入射光Ｌ１を偏光するものであり、入射光Ｌ１に含まれたＴＥ偏光を反射すると共にＴＭ偏光ＬＴＭを透過する。ここで、偏光素子３の性能を示すパラメータに、消光比がある。消光比は、ＴＭ偏光ＬＴＭの透過率とＴＥ偏光の透過率との比である。一般に、消光比は、ＴＭ偏光ＬＴＭの透過率を分子とし、ＴＥ偏光の透過率を分母として示される。理想的には、ＴＭ偏光ＬＴＭの透過率は１００％（すなわち全て透過）であり、ＴＥ偏光の透過率は０％（すなわち全て反射）であるため、消光比の値は無限大である。従って、消光比の値が大きいほど、偏光素子３の特性がよいことを示す。偏光素子３を透過したＴＭ偏光ＬＴＭは、後段の光出射部４に導かれる。光出射部４は、偏光素子３を透過したＴＭ偏光ＬＴＭを受光し、光学装置１の外部へ出射する。
【００２５】
偏光素子３について更に詳細に説明する。図２に示されるように、偏光素子３は、入射光Ｌ１の波長に対して透明な基板６と、基板６上において所定の配列周期Ｐに基づいて形成されたレジスト突条（凸部）７と、レジスト突条７の上面７ａに形成された第１の金属ワイヤ部８と、レジスト突条７の間から露出した基板６の表面６ａに形成された第２の金属ワイヤ部９と、を備えている。このような構造を有する偏光素子３は、二層型ワイヤーグリッド偏光子と呼ばれている。
【００２６】
基板６は、厚さ０．５〜３ｍｍといったガラス板（屈折率１．３〜１．８）であり、偏光素子３の基部をなす。この基板６は、入射光Ｌ１の波長に対して透明であればよく、ガラス板の他に、サファイア、フッ化カルシウムなどを用いることもできる。
【００２７】
基板６の表面６ａに形成された複数のレジスト突条７は、電子ビームに感光するＥＢレジストといった材料（屈折率１．４〜１．６）により形成されている。一個のレジスト突条７は、線幅ｗ１が１００ｎｍ〜５００ｎｍであり、基板６の表面６ａからの高さｈが１００ｎｍ〜６００ｎｍである。一例として、線幅ｗ１が４００ｎｍであり、高さｈが１００ｎｍである。これらレジスト突条７の形状は、ベクトル回折論等に基づいて設定されている。複数のレジスト突条７は、所定の配列周期Ｐに基づいて形成されることにより、回折格子をなす。配列周期Ｐは、互いに隣り合ったレジスト突条７までの距離である。より詳細には、レジスト突条７の側面７ｂからレジスト突条７の側面７ｃまでの距離である。この配列周期Ｐは、例えば、ベクトル回折論等に基づいて２００ｎｍ〜１０００ｎｍの間の任意の値に設定されている。
【００２８】
第１の金属ワイヤ部８は、金（屈折率０．１〜１、消衰係数１〜２０）からなり、膜厚ｔ１が１０ｎｍ〜１００ｎｍの薄膜である。また、第２の金属ワイヤ部９は、金（屈折率０．１〜１、消衰係数１〜２０）からなり、膜厚ｔ２が１０ｎｍ〜１００ｎｍの薄膜である。図２に示されたレジスト突条７の側面７ｂ，７ｃには、導電性の金属膜が形成されていないので第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９は、電気的に互いに接続されていない。なお、レジスト突条７の側面７ｂ，７ｃには、１ｎｍ〜１０ｎｍ程度の膜厚を有する金属層が形成されていてもよい。また、第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９は、銀、銅、アルミニウム、白金、パラジウム、イリジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、鉄、チタン及びクロム等の金属薄膜であってもよい。
【００２９】
図１に示されるように、偏光素子３は、回折格子が形成された側が受光面１１であると設定されている。偏光素子３は、この受光面１１が光入射部２と対面するように配置されている。そして、偏光素子３は、受光面１１と光軸Ａとがなす角度が所定の角度に設定される。この所定の入射角度（所定角度）φは、表面プラズモンの励起条件を満たす角度である。入射角度φについては、入射光Ｌ１の波長及び配列周期Ｐに基づいて得られるものであり、後に詳細に説明する。
【００３０】
なお、光学装置１は、光入射部２、偏光素子３及び光出射部４の他に、所望の機能を達成するための別の光学部品を更に備えていてもよい。
【００３１】
この光学装置１によれば、光入射部２から導入された入射光Ｌ１が偏光素子３に照射されるため、ＴＭ偏光ＬＴＭを得て、光出射部４から外部へ出射することができる。また、偏光素子３は、レジスト突条７の上面７ａに形成された第１の金属ワイヤ部８と、レジスト突条７の間に形成された第２の金属ワイヤ部９を有している。この構造によれば、ＴＥ偏光ＬＴＥは第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９において反射され、ＴＭ偏光ＬＴＭはレジスト突条７と第１の金属ワイヤ部８と第２の金属ワイヤ部９とにより構成される回折格子を透過する。
【００３２】
そして、光入射部２及び偏光素子３は、偏光素子３の受光面１１に対して入射光Ｌ１が入射角度φで入射するように配置されている。入射角度φは、入射光Ｌ１の波長及び配列周期Ｐに基づいて得られる偏光素子３に発生する表面プラズモンの励起条件を満たしている。ここで、発明者らの知見によれば、表面プラズモンの励起条件を満たす入射角度φをもって、偏光素子３に対して入射光Ｌ１が入射されると、表面プラズモンに起因する光が発生して、偏光素子３から出射される。そうすると、偏光素子３を透過するＴＭ偏光ＬＴＭが見かけ上著しく増加して、ＴＭ偏光ＬＴＭの偏光透過率が高まる。従って、任意の波長を有する入射光Ｌ１に対して偏光透過率を最大化することができる。
【００３３】
次に、図３を参照しつつ、光学装置１の製造方法について説明する。
【００３４】
＜準備工程：Ｓ１＞
はじめに、偏光素子３を作製する（図３の工程Ｓ１）。まず、図４（ａ）に示されるように、基板６となるガラス板にヘキサメチルジシラザン１２を塗布する。次に、図４（ｂ）に示されるように、ヘキサメチルジシラザン１２を塗布した面にＥＢレジスト層１３を形成する。より詳細には、ＥＢレジストの粘度を溶剤で調整し、スピンコータの回転数を制御して膜厚Ｂを調整する。ＥＢレジスト層１３は、レジスト突条７を形成するものであるため、膜厚Ｂはレジスト突条７の高さｈに相当する。その後、ＥＢレジスト層１３の表面に、帯電防止層１４を形成する。
【００３５】
次に、図４（ｃ）に示されるように、電子線露光装置を用いて電子線（ＥＢ）を照射することにより、ＥＢレジスト層１３の現像を行う。そして、図４（ｄ）に示されるように、露光された部分のＥＢレジスト層１３を除去する。これらの工程により、複数のレジスト突条７が形成される。次に、図４（ｅ）に示されるように、第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９を形成する。この工程では、スパッタ装置を用いてレジスト突条７の上面及びレジスト突条７の間から露出しているヘキサメチルジシラザン１２の上に金を堆積させる。
【００３６】
上述した工程を経て、二層型ワイヤーグリッド偏光子である偏光素子３が作製される。例えば、第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９が形成された領域Ｆは、一辺ＬＡが１．５ｍｍの正方形領域である（図４（ｆ）参照）。
【００３７】
次に、光軸Ａと偏光素子３の受光面１１とがなす入射角度φを算出する（図３の工程Ｓ２）。
【００３８】
＜励起条件取得工程：Ｓ３＞
まず、入射光Ｌ１の波長を利用して、入射光エネルギーを算出する（図３の工程Ｓ３ａ）。入射光Ｌ１の波長がλである場合には、入射光エネルギーＥＩＮは下記式（１）により算出される。
【数１】
2015166861.tif 000003
本実施形態において入射光Ｌ１の波長λが６２８ｎｍであるとすると、入射光エネルギーＥＩＮは、１．９７４である。この入射光エネルギーＥＩＮは、入射光Ｌ１の波長λにより決定される値であるため、図５（ａ）及び図５（ｂ）の二次元座標系に示した場合には、直線Ｇ５ａとなる。
【００３９】
次に、表面プラズモンの分散曲線Ｇ５ｂを算出する（図３の工程Ｓ３ｂ）。この分散曲線Ｇ５ｂは、第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９を構成する金と、媒質における表面プラズモンの分散関係を示している。ここで、媒質は、ＥＢレジスト（屈折率１．５）と空気（屈折率１．０）の平均屈折率（１．２５）を有するものと仮定する。ここで表面プラズモンの励起波数ｋｓｐは、下記式（２）により示される。
【数２】
2015166861.tif 000004
ω：入射光の振動数
ｃ：光速（＝２．９９×１０８ｍ／ｓ）
ε１：媒質の誘電率（ε１＝１．２５２＝１．５６）
ε２：第２の金属ワイヤ部９を形成する金の誘電率
そして、金の誘電率ε２は、ドルーデモデルに従うと仮定すると、下記式（３）により示される。
【数３】
2015166861.tif 000005
ωｐ：金のプラズマ周波数（＝３．６×１０１５ｒａｄ／ｓ）
媒質の誘電率ε１と、金の誘電率ε２とを式（２）に代入すると、表面プラズモンの励起波数ｋｓｐと入射光Ｌ１の角周波数数ωの関係式が得られる。入射光Ｌ１の角周波数ωは、光のエネルギーに換算することが可能である。この分散曲線Ｇ５ｂは、回折格子の要素を含まない表面プラズモンの分散曲線である。
【００４０】
続いて、回折格子の要素を含む表面プラズモンの分散曲線Ｇ５ｃ〜Ｇ５ｉを算出する（図３の工程Ｓ３ｂ）。この表面プラズモンの分散曲線Ｇ５ｃ〜Ｇ５ｉは、下記式（４）により示される。
【数４】
2015166861.tif 000006
Ｋ：回折格子の波数
ｍ：回折次数（整数）
すなわち、表面プラズモンの分散曲線Ｇ５ｃ〜Ｇ５ｉを示す式は、回折格子の要素を含まない表面プラズモンの分散曲線Ｇ５ｂを示す式（３）に回折格子の波数Ｋを加えたものである。ここで、回折格子の波数Ｋは、下記式（５）により示される。
【数５】
2015166861.tif 000007
Ｐ：レジスト突条７の配列周期
図５（ａ）において、分散曲線Ｇ５ｃはレジスト突条７の配列周期Ｐが２００ｎｍである。分散曲線Ｇ５ｄはレジスト突条７の配列周期Ｐが２５０ｎｍである。分散曲線Ｇ５ｅはレジスト突条７の配列周期Ｐが３００ｎｍである。分散曲線Ｇ５ｆはレジスト突条７の配列周期Ｐが４００ｎｍである。また、図５（ｂ）において、分散曲線Ｇ５ｇはレジスト突条７の配列周期Ｐが５００ｎｍである。分散曲線Ｇ５ｈはレジスト突条７の配列周期Ｐが７００ｎｍである。分散曲線Ｇ５ｉはレジスト突条７の配列周期Ｐが９００ｎｍである。なお、分散曲線Ｇ５ｋは、いわゆるライトラインである。ライトラインは、空気中を水平方向（すなわち入射角度９０度）に進行する光のエネルギーと波数ｋｓｐとの関係を示すものである。
【００４１】
続いて、偏光素子３に発生する表面プラズモンの励起条件を得る。より詳細には、分散曲線Ｇ５ｃ〜Ｇ５ｉ上において入射光エネルギーを示す直線Ｇ５ａと交差する点を算出し、当該交差点（励起点）の励起波数ｋＳＰを算出する（図３の工程Ｓ３ｃ）。すなわち、表面プラズモンの励起条件は、励起波数ｋＳＰによって示される。
【００４２】
例えば、入射光Ｌ１の波長λが６２８ｎｍであり、レジスト突条７の配列周期Ｐが３００ｎｍ（図５（ａ）の分散曲線Ｇ５ｅ）であるとすると、励起点Ｐ１が得られる。そして、この励起点Ｐ１は、波数ｋｓｐが１０μｍ−１であり、エネルギーが１．９７４ｅＶである。以上の工程により、表面プラズモンの励起条件が得られる。
【００４３】
＜角度取得工程：Ｓ４＞
次に、励起条件取得工程Ｓ３で得た励起条件（励起波数ｋＳＰ）を利用して、入射光Ｌ１の進行方向と偏光素子３の受光面１１とがなす入射角度φ（図１参照）を算出する（図３の工程Ｓ４）。この角度取得工程Ｓ４では、入射光Ｌ１の波長λを利用して得られる入射光Ｌ１の波数（２π／λ）と、表面プラズモンの励起波数ｋＳＰとを利用して、入射光Ｌ１の波数の受光面１１に沿った成分が表面プラズモンの励起波数ｋＳＰと等しくなる入射角度φを算出する。これら入射光Ｌ１の波長λ、表面プラズモンの励起波数ｋＳＰ及び入射角度φの関係は、式（６）によって示される。式（６）の右辺は、表面プラズモンの励起波数ｋＳＰを示す。式（６）の左辺は、入射光Ｌ１の波数（２π／λ）の水平成分を示す。すなわち、式（６）は、入射光Ｌ１の波数（２π／λ）の水平成分が、表面プラズモンの励起波数ｋＳＰと等しいことを示している。入射光Ｌ１の波数の水平成分（式（６）の左辺）が、表面プラズモンの励起波数ｋＳＰと一致した場合に、入射光Ｌ１によって偏光素子３における表面プラズモンが励起される。励起波数ｋＳＰは、式（４）及び式（５）に示されるように、レジスト突条７の配列周期Ｐを利用して得られる回折格子の波数Ｋ、媒質の誘電率ε１、第２の金属ワイヤ部９を構成する材料の誘電率ε２、などによって決定される。一方、入射光Ｌ１の波数の水平成分（式（６）の左辺）の大きさは、入射光Ｌ１の入射角度φによって調整することが可能である。そこで、入射光Ｌ１の波数の水平成分が表面プラズモンの励起波数ｋＳＰと一致する入射角度φを算出する。なお、ここでいう一致とは、厳密な数値の一致に限定されることはない。入射角度φは、表面プラズモンの励起を生じさせることが可能な範囲であればよい。
【数６】
2015166861.tif 000008
λ：入射光の波長
φ：入射角度
ｋＳＰ：表面プラズモンの励起波数
【００４４】
なお、図５に示された二次元座標系は、縦軸が光のエネルギーを示していたが、光の角周波数ωを示すものであってもよい。
【００４５】
＜配置工程：Ｓ５＞
次に、光入射部２と偏光素子３とを配置する。より詳細には、偏光素子３の受光面１１に対して入射光Ｌ１が入射角度φで入射するように、光入射部２と偏光素子３とを配置する。この場合、固定された偏光素子３に対して光入射部２の配置角度を調整してもよい。また、固定された光入射部２に対して偏光素子３の配置角度を調整してもよい。
【００４６】
以上の工程を実施することにより、光学装置１が製造される。
【００４７】
この光学装置１の製造方法によれば、光入射部２から導入された入射光Ｌ１が偏光素子３に照射されるのでＴＭ偏光ＬＴＭを得ることができる。また、偏光素子３は、レジスト突条７の上面７ａに形成された第１の金属ワイヤ部８と、レジスト突条７の間に形成された第２の金属ワイヤ部９とを有している。この構造によれば、ＴＭ偏光ＬＴＭは、第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９において反射され、ＴＭ偏光ＬＴＭはレジスト突条７と第１の金属ワイヤ部と第２の金属ワイヤ部とにより構成される回折格子を透過する。
【００４８】
そして、励起条件取得工程Ｓ３及び角度取得工程Ｓ４において、偏光素子３に入射光Ｌ１が照射されたとき、入射光Ｌ１により表面プラズモンが励起されるための入射光Ｌ１の進行方向と偏光素子３の受光面１１とがなす入射角度φが得られる。そして、配置工程Ｓ５において、受光面１１に対して入射光Ｌ１が入射角度φで入射するように光入射部２と偏光素子３とが配置される。
【００４９】
ここで、発明者らの知見によれば、表面プラズモンの励起条件を満たす入射角度φをもって、偏光素子３に対して入射光Ｌ１が入射されると、表面プラズモンに起因する光が発生して、偏光素子３から出射される。そうすると、偏光素子３を透過するＴＭ偏光ＬＴＭが見かけ上著しく増加して、ＴＭ偏光ＬＴＭの偏光透過率が高まる。従って、任意の波長λを有する入射光Ｌ１に対して偏光透過率を最大化することが可能な光学装置１を製造することができる。
【００５０】
偏光素子３の準備工程Ｓ１によれば、表面プラズモンを好適に発生させることができる偏光素子３を製造することができる。また、励起条件取得工程Ｓ３によれば、励起波数ｋｓｐによって示される表面プラズモンの励起条件を数値計算により得ることが可能になる。また、角度取得工程Ｓ４によれば、入射光Ｌ１の進行方向と偏光素子３の受光面１１とがなす入射角度φを数値計算により得ることが可能になる。
【００５１】
本実施形態に係る光学装置の製造方法で製造された光学装置１は、露光装置、プロジェクターの他にＬＣＤ等のディスプレイにも適用することが可能である。その他、薄膜トランジスタ、カラーフィルタ、フォトニック結晶、タッチパネルへの適用可能性が期待できる。
【００５２】
＜実施例１＞
二層型ワイヤーグリッド偏光子を作製して、透過率を測定した。まず、電子線描画装置を用いて複数のレジスト突条７からなる回折格子をガラス基板上に形成した。そして、金を堆積させて二層型ワイヤーグリッド偏光子を作製した。以下に、二層型ワイヤーグリッド偏光子の設計寸法を示す。
レジスト突条７の高さｈ（レジスト膜厚）：１００ｎｍ
レジスト突条７の配列周期Ｐ：２００ｎｍ、３００ｎｍ、３１８ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、６３５ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍ
レジスト突条７の線幅ｗ１：２００ｎｍ
スリット幅ｗ２：２００ｎｍ
第１の金属ワイヤ部の膜厚ｔ１（図２参照）：４０ｎｍ
第２の金属ワイヤ部の膜厚ｔ２（図２参照）：４０ｎｍ
【００５３】
図６は、配列周期Ｐが２００ｎｍである二層型ワイヤーグリッド偏光子のＳＥＭ像である。図６に示されるように、目標通りの配列周期Ｐ（格子間間隔）、線幅ｗ１、スリット幅ｗ２及びレジスト突条７の高さｈが実現できていることが確認できた。
【００５４】
次に、図７及び図８に示される垂直測定光学系５０及び斜め入射測定光学系６０を構築し、配列周期Ｐが異なるそれぞれの二層型ワイヤーグリッド偏光子３Ａについて透過率の評価を行った。図７に示されるように、垂直測定光学系５０は、光源５１と、検光子５２と、受光器５３とを備え、所定方向に延在する光軸上に沿ってこの順に配置した。そして、光源５１と検光子５２との間に二層型ワイヤーグリッド偏光子３Ａを配置した。ここで、光源５１から出射される光は、波長λが６３５ｎｍのレーザ光である。また、図８（ａ）に示されるように、斜め入射測定光学系６０は、光源６１と、検光子６２と、受光器６３とを備え、所定方向に延在する光軸上に沿ってこの順に配置した。そして、光源６１と検光子６２との間に二層型ワイヤーグリッド偏光子３Ａを配置した。この斜め入射測定光学系６０では、二層型ワイヤーグリッド偏光子３Ａをゴニオメータといった任意の角度に設定可能な治具６４を利用して、レーザ光ＬＢの入射角度φ（図８（ｂ）参照）を調整した。
【００５５】
図９は、垂直入射における配列周期ＰごとのＴＭ偏光ＬＴＭの透過率（グラフＧ９ａ）と、ＴＥ偏光の透過率（グラフＧ９ｂ）とを示す。図９に示されるように、ＴＭ偏光ＬＴＭの透過率（グラフＧ９ａ参照）は、配列周期Ｐが４００ｎｍであるとき透過率のピークを示すことがわかった。また、ＴＥ偏光の透過率（グラフＧ９ｂ参照）は、ＴＭ偏光ＬＴＭの透過率に比べて２ケタ程度小さいことがわかった。
【００５６】
図１０（ａ）は、配列周期Ｐ（２００ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍ）の二層型ワイヤーグリッド偏光子に対して、入射角度を０度から７０度まで変化させたときの透過率を示す。図１０（ａ）に示されるように、配列周期Ｐごとに、透過率のピークを示す入射角度が異なることがわかった。例えば、配列周期Ｐが４００ｎｍ（グラフＧ１０ａ参照）である場合には、入射角度が０度であるときに透過率のピークが得られた。また、配列周期Ｐが２５０ｎｍ以下（グラフＧ１０ｃ参照）の場合には、表面プラズモンが励起されず、透過率の増大は確認されなかった。
【００５７】
図１０（ｂ）は、配列周期Ｐ（２００ｎｍ、３００ｎｍ、３１８ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、６３５ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍ）の二層型ワイヤーグリッド偏光子に対して、入射角度を０度から７０度まで変化させたときの透過率を示す。図１０（ｂ）に示されるように、配列周期Ｐが３１８ｎｍ（グラフＧ１０ｂ参照）である場合には、最も大きな透過率のピークが得られた。また、配列周期Ｐが２５０ｎｍ以下（グラフＧ１０ｄ参照）の場合には、表面プラズモンが励起されず、透過率の増大は確認されなかった。
【００５８】
次に、配列周期Ｐごとに透過率がピークになる入射角度φを取得した。そして、図１１に示されるように、二次元座標系にプロットした（点Ｐ１１参照）。この二次元座標系は、配列周期Ｐを横軸とし、ピークになる角度を表面プラズモン励起角として縦軸として示したものである。更に、配列周期Ｐ及び入射光Ｌ１の波長λ（６３５ｎｍ）から入射角度φを算出することにより、上述した二次元座標系にプロットした（グラフＧ１１ａ，Ｇ１１ｂ，Ｇ１１ｃ参照）。ここで、グラフＧ１１ｂは、計算条件を７５０ｎｍとした場合であり、グラフＧ１１ｃは、計算条件を５６０ｎｍとした場合である。グラフＧ１１ａによれば、配列周期Ｐが４１０ｎｍであるときには、垂直入射（入射角度φ＝０度）である場合に透過率が最大値になることがわかった。なお、配列周期Ｐが４１０ｎｍより小さい領域は、表面プラズモンの１次バンド励起によるものであり、図５（ａ）が示す内容に対応している。また、配列周期Ｐが４１０ｎｍより大きい領域は、表面プラズモンの２次バンド励起によるものであり、図５（ｂ）が示す内容に対応している。
【００５９】
また、実測値をプロットした点Ｐ１１は、計算により求めたグラフＧ１１ａと略同様の傾向を示すことがわかった。この結果から、配列周期Ｐと入射角度φとの関係は、表面プラズモン励起により説明できることが確認できた。すなわち、配列周期Ｐと入射角度φに関係性があることが明らかとなり、実測値とシミュレーション結果との比較により、これらの関係を表面プラズモン励起により説明できることが確認できた。従って、本実施形態に係る光学装置の製造方法の妥当性が確認できた。
【００６０】
＜実施例２＞
次に、光強度分布シミュレーションを実施して、実施例１で得られた現象の理論的検討を行った。実施例２では、入射角度φと透過率との関係に注目した。図１２は、入射角度φをパラメータとして変化させたときの光強度分布のシミュレーション結果である。ここで、計算モデルの各部寸法は、以下のように設定した。下記設定によれば、表面プラズモンが励起される入射角度φは、３０度である。
レジスト突条７の高さｈ（レジスト膜厚）：１００ｎｍ
レジスト突条７の配列周期Ｐ：３１６ｎｍ
レジスト突条７の線幅ｗ１：１５８ｎｍ
スリット幅ｗ２：１５８ｎｍ
第１の金属ワイヤ部の膜厚ｔ１（図２参照）：４０ｎｍ
第２の金属ワイヤ部の膜厚ｔ２（図２参照）：４０ｎｍ
レジスト突条の側面における金属膜厚：１０ｎｍ
【００６１】
図１２（ａ）は、垂直入射（入射角度φ＝０度）のときの光強度分布である。図１２（ｂ）は、入射角度φが３０度のときの光強度分布である。図１２（ｃ）は、入射角度φが６０度のときの光強度分布である。図中における濃淡が光強度の強弱を示している。詳細には、色の濃い部分は相対的に光強度が強い部分であり、色の淡い部分は相対的に光強度が弱い部分である。
【００６２】
図１２（ａ）、（ｃ）に示されるように、表面プラズモンの励起条件を満たさない入射角度φ（０度、６０度）では、基板６側に光強度の強い分布が確認できなかった。すなわち、透過される光強度は弱く、透過率が低いことがわかった。一方、図１２（ｂ）に示されるように、表面プラズモンの励起条件を満たす入射角度φ（３０度）では、基板６側において光強度の強い分布Ｓ２（色の濃い部分）が確認できた。より詳細には、第２の金属ワイヤ部９と基板６との界面で強い表面プラズモン波が発生し（図１２（ａ）のＳ１）、この領域から基板６中に光が進行していることがわかった。
【００６３】
さらに詳しく検討したところ、レジスト突条７の側面を透過した光によってレジスト突条７と基板６とび第２の金属ワイヤ部９との界面において光強度が強くなっている。そして、この光はガラスからなる基板６の内部を透過している（図１２（ｂ）のＳ２）。従って、表面プラズモン励起が発生するとき、レジスト突条７の側面を透過した光によって基板６とレジスト突条７と第２の金属ワイヤ部９との界面で、表面プラズモン励起が発生し、これが基板６中を伝搬する光と結合することにより、異常透過現象が発生しているものと予測できた。これにより、二層型ワイヤーグリッド偏光子３ＡにおけるＴＭ偏光ＬＴＭの透過率のピークシフトと配列周期３１８ｎｍにおいて最も高い透過率が得られる現象は、第２の金属ワイヤ部９とレジスト突条７との界面における表面プラズモン励起の発生と、互いに隣り合う第２の金属ワイヤ部９によって形成されたナノスリットによる異常透過現象に起因するものと予測できた。
【００６４】
また、図１２（ｂ）によれば、レジスト突条７の上面に形成された第１の金属ワイヤ部８とレジスト突条７との界面において、エバネッセント波による強い光強度の分布が発生していることがわかった。
【００６５】
＜実施例３＞
実施例２において、レジスト突条７の側面を透過した光によってレジスト突条７と基板６と第２の金属ワイヤ部９との界面において光強度が強くなっていることが予測された。そこで、実施例３では、レジスト突条７の側面に形成された金属膜７ｄ（図１３（ｂ）、図１３（ｃ）参照）と透過率との関係に注目した。
【００６６】
また、実施例１では、レジスト突条７の側面に金属膜７ｄが存在しない理想的なモデルを用いて検討を行った。しかし、第１の金属ワイヤ部８及び第２の金属ワイヤ部９を実際に堆積させたときには、レジスト突条７の側面にも金属膜７ｄが形成される。そこで、より現実的な構成を検討するため、レジスト突条７の側面に形成された金属膜７ｄの影響を光強度分布シミュレーションにより検討した。図１３は、レジスト突条７の側面に形成された金属膜の膜厚をパラメータとして変化させたときの光強度分布のシミュレーション結果である。ここで、計算モデルの各部寸法は、以下の寸法を除き、実施例２と同様に設定した。
レジスト突条７の側面に形成された金属膜の膜厚Ｃ１：０ｎｍ、１０ｎｍ、４０ｎｍ
【００６７】
図１３（ａ）は、膜厚Ｃ１が０ｎｍのときの光強度分布である。図１３（ｂ）は、膜厚Ｃ１が１０ｎｍのときの光強度分布である。図１３（ｃ）は、膜厚Ｃ１が４０ｎｍのときの光強度分布である。
【００６８】
図１３（ａ）に示されるように、膜厚Ｃ１が０ｎｍ、すなわちレジスト突条７の側面に金属膜７ｄが存在しない場合には、基板６を透過する強い光分布が発生していることが確認できた。また、膜厚Ｃ１が０ｎｍである場合のＴＭ偏光ＬＴＭ（０次光）の透過率は４１．８％であった。一方、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）に示されるように、レジスト突条７の側面に形成された金属膜７ｄの膜厚Ｃ１が厚くなると、透過する光分布が弱くなっていることが確認できた。より詳細には、膜厚Ｃ１が１０ｎｍである場合のＴＭ偏光ＬＴＭ（０次光）の透過率は１９．８％であった。また、膜厚Ｃ１が４０ｎｍである場合のＴＭ偏光ＬＴＭ（０次光）の透過率は１３．２％であった。
【００６９】
＜実施例４＞
実施例４では、第１の金属ワイヤ部８の膜厚ｔ１及び第２の金属ワイヤ部９の膜厚ｔ２に注目して、光強度分布シミュレーションを行った。図１４は、膜厚ｔ１及び膜厚ｔ２をパラメータとして変化させたときの光強度分布をシミュレーションしたものである。ここで、計算モデルの各部寸法は、以下の寸法を除き、実施例２と同様に設定した。以下のように設定した。
第１の金属ワイヤ部の膜厚Ｃ２：４０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ
第２の金属ワイヤ部の膜厚Ｃ３：４０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ
【００７０】
図１４（ａ）は、膜厚Ｃ２及び膜厚Ｃ３が４０ｎｍである場合の光強度分布である。図１４（ｂ）は、膜厚Ｃ２及び膜厚Ｃ３が１００ｎｍである場合の光強度分布である。図１４（ｃ）は、膜厚Ｃ２及び膜厚Ｃ３が２００ｎｍである場合の光強度分布である。
【００７１】
図１４（ａ）〜図１４（ｃ）に示されるように、何れの場合においても、基板６側には強い光強度の分布が発生していた。従って、表面プラズモン励起は第１の金属ワイヤ部８の膜厚Ｃ２及び膜厚Ｃ３によらず発生していることがわかった。従って、第１の金属ワイヤ部８の膜厚Ｃ２及び第２の金属ワイヤ部９の膜厚Ｃ３は、ＴＭ偏光ＬＴＭの透過率にほとんど影響しないことがわかった。
【００７２】
本発明は、前述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１…光学装置、２…光入射部、３…偏光素子、４…光出射部、６…基板、７…レジスト突条、８…第１の金属ワイヤ部、９…第２の金属ワイヤ部、１１…受光面、Ｇ５ｂ〜Ｇ５ｉ…分散曲線、Ｌ１…入射光、ＬＴＭ…ＴＭ偏光、Ｐ…配列周期、Ｓ１…準備工程、Ｓ３…励起条件取得工程、Ｓ４…角度取得工程、Ｓ５…配置工程。
【図１】
2015166861.tif 000009
【図２】
2015166861.tif 000010
【図３】
2015166861.tif 000011
【図４】
2015166861.tif 000012
【図５】
2015166861.tif 000013
【図７】
2015166861.tif 000014
【図８】
2015166861.tif 000015
【図９】
2015166861.tif 000016
【図１０】
2015166861.tif 000017
【図１１】
2015166861.tif 000018
【図１５】
2015166861.tif 000019
【図１６】
2015166861.tif 000020
【図６】
2015166861.tif 000021
【図１２】
2015166861.tif 000022
【図１３】
2015166861.tif 000023
【図１４】
2015166861.tif 000024