(57)【要約】【課題】配列領域の隅部に配置される補強用端子の数を増やすことによる配列領域の大型化を抑制し得る電子装置を提供する。【解決手段】配列領域内に配列されるランドは、当該配列領域の隅部に配置される複数の補強用ランドとこの補強用ランドと異なり所定の機能をそれぞれ有する複数の機能ランドとに区分けされ、複数の補強用ランドは、例えば半導体チップ２１に電気的に接続されないことで半導体チップ２１に関する処理信号に影響を与えない未接続ランドとして構成される。そして、複数の未接続ランドは、他の未接続ランドとの距離Ｂ１が機能ランド同士間の距離Ａよりも短くなるように配置される。【選択図】図３
2015115567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再配線基板（２２）の一側面（２２ａ）上に半導体チップ（２１）が実装され、前記再配線基板の他側面（２２ｂ）のうち外縁が矩形状の配列領域（２４）内に複数の端子（２５）が行列状に配列された電子部品（２０）と、
前記電子部品の端子に対応して複数の端子（１４）が実装面（１２ａ）の配列領域（１３）内に行列状に配列された配線基板（１２）と、を備え、
前記再配線基板の前記他側面を搭載面として前記電子部品を前記実装面上に配置して、対応する端子同士を接合部（３１〜３４）を介して接続してなる電子装置（１０）であって、
前記配列領域内に配列される端子は、当該配列領域の隅部に配置される複数の補強用端子とこの補強用端子と異なり所定の機能をそれぞれ有する複数の機能端子とに区分けされ、
前記複数の補強用端子は、前記半導体チップに関する処理信号に影響を与えない端子として構成され、
前記複数の補強用端子の少なくとも一部は、他の補強用端子との距離（Ｂ１〜Ｂ３）が前記機能端子同士間の距離（Ａ）よりも短くなるように配置されることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記複数の補強用端子の少なくとも一部は、前記半導体チップに電気的に接続されない未接続端子として構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記複数の補強用端子の少なくとも一部は、電源ラインの一部として構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記複数の補強用端子の少なくとも一部は、ＧＮＤラインの一部として構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項５】
前記複数の補強用端子のうち一部が電源ラインの一部として構成されるとともに他の一部がＧＮＤラインの一部として構成され、
前記電源ラインの一部として構成される補強用端子と前記ＧＮＤラインの一部として構成される補強用端子との距離は、前記機能端子同士間の距離未満に設定される短絡が生じない距離（Ｂ１）以上となるように設定されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項６】
前記複数の補強用端子のうちさらに他の一部が前記半導体チップに電気的に接続されない未接続端子として構成され、
前記未接続端子は、前記電源ラインの一部として構成される補強用端子に対して前記短絡が生じない距離未満に配置された他の未接続端子との距離が前記短絡が生じない距離以上となり、かつ、前記ＧＮＤラインの一部として構成される補強用端子に対して前記短絡が生じない距離未満に配置された他の未接続端子との距離が前記短絡が生じない距離以上となるように配置されることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、再配線基板の一側面上に半導体チップが実装され、他側面に複数のはんだバンプ等の接合部が配列された電子部品を、配線基板に実装してなる電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速化、多ピン化、小型化などの観点から、ＱＦＰ（Quad Flat Package）などのリードを用いたパッケージに代えて、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Scale Package）など、はんだバンプ等の接合部を用いた電気的接続を行う表面実装型の電子部品（半導体パッケージ）が用いられるようになってきている。このような電子部品は、再配線基板（インターポーザ）の一側面上に半導体チップが実装され、他側面に複数の接合部が行列状に配列された構造を有しており、接合部が配線基板の対応する端子（ランド）に接合されて、配線基板とともに電子装置を構成している。
【０００３】
ところで、はんだの鉛フリー化にともなって、電子部品を配線基板上に実装する際のリフロー温度が上昇しており、電子部品と配線基板との線膨張係数差に基づく応力により、例えば電子部品に反りが生じやすくなっている。すなわち、反りによりはんだバンプが潰れて、隣接するはんだバンプ間でのショートが生じやすくなっている。このような不良は、端子が行列状に配列された配列領域の外縁、特に四隅に位置するはんだバンプで生じやすいことが知られている。一方、製品出荷後の使用環境下においても、はんだバンプと端子との接続部には、電子部品と配線基板との線膨張係数差に基づく応力が作用し、この応力は、配列領域の外縁、特に四隅に位置するはんだバンプで大きいことが知られている。特に、高温環境下に電子装置が配置されると、上記応力も大きくなる。したがって、配列領域の四隅に配置されるはんだバンプと端子との接続部にクラックが生じやすい。
【０００４】
この対策として、下記特許文献１に開示される電子装置が知られている。この電子装置はＢＧＡ型の電子部品を備えており、この電子部品は、半導体チップが再配線基板のチップ搭載面に搭載され、再配線基板の裏面側に形成されるランドと配線基板のランドとがはんだバンプを介して電気的に接続されている。そして、配列領域の四隅に位置する隅領域に、半導体チップと配線基板の配線との電気的な接続機能を提供しない機能無効バンプが３個ずつ配置されている。これにより、他のはんだバンプと比較して上記応力が作用しやすい機能無効バンプにショートやクラックが生じても、動作上問題が生じないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２５１５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年では、自動車のエンジンルーム内など、より過酷な使用環境下で電子部品を使用するケースが増えてきている。このような使用環境下においても電子装置の信頼性を確保するためには、矩形状の配列領域の隅部に配置するはんだバンプ等の接合部の数をさらに増やすことが考えられる。しかしながら、隅部の周囲に単に接合部を追加して配置する構成では、配列領域が大きくなり、その結果、電子部品が大型化してしまう。一方、所定の機能を有する機能端子を半導体チップに関する処理信号に影響を与えない補強用の端子に変更すると、有効に機能する端子の数が減ってしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、配列領域の隅部に配置される補強用端子の数を増やすことによる配列領域の大型化を抑制し得る電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明は、再配線基板（２２）の一側面（２２ａ）上に半導体チップ（２１）が実装され、前記再配線基板の他側面（２２ｂ）のうち外縁が矩形状の配列領域（２４）内に複数の端子（２５）が行列状に配列された電子部品（２０）と、前記電子部品の端子に対応して複数の端子（１４）が実装面（１２ａ）の配列領域（１３）内に行列状に配列された配線基板（１２）と、を備え、前記再配線基板の前記他側面を搭載面として前記電子部品を前記実装面上に配置して、対応する端子同士を接合部（３１〜３４）を介して接続してなる電子装置（１０）であって、前記配列領域内に配列される端子は、当該配列領域の隅部に配置される複数の補強用端子とこの補強用端子と異なり所定の機能をそれぞれ有する複数の機能端子とに区分けされ、前記複数の補強用端子は、前記半導体チップに関する処理信号に影響を与えない端子として構成され、前記複数の補強用端子の少なくとも一部は、他の補強用端子との距離（Ｂ１〜Ｂ３）が前記機能端子同士間の距離（Ａ）よりも短くなるように配置されることを特徴とする。
なお、特許請求の範囲および上記手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１の発明では、配列領域内に配列される端子は、当該配列領域の隅部に配置される複数の補強用端子とこの補強用端子と異なり所定の機能をそれぞれ有する複数の機能端子とに区分けされ、複数の補強用端子は、半導体チップに関する処理信号に影響を与えない端子として構成される。そして、複数の補強用端子の少なくとも一部は、他の補強用端子との距離が機能端子同士間の距離よりも短くなるように配置される。
【００１０】
このように、補強用端子同士間の距離が機能端子同士間の距離よりも短くなるように配置されているため、補強用端子を密集して配置できるので、機能端子の数を減らすことなく補強用端子の数を増やすことによる配列領域の大型化を抑制することができる。特に、補強用端子は、半導体チップに関する処理信号に影響を与えない端子として構成されるため、補強用端子同士を密集させたことにより仮に補強用端子に接合されるはんだバンプ等の接合部間で短絡が生じたとしても、この短絡が半導体チップに関する処理に影響を及ぼすことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１の電子部品を拡大して示す拡大断面図である。
【図３】第１実施形態における再配線基板の配列領域に対するはんだバンプの配置を示す模式的な平面図である。
【図４】第１実施形態の第１変形例における再配線基板の配列領域に対するはんだバンプの配置を示す模式的な平面図である。
【図５】第１実施形態の第２変形例における再配線基板の配列領域に対するはんだバンプの配置を示す模式的な平面図である。
【図６】第１実施形態の第３変形例における再配線基板の配列領域に対するはんだバンプの配置を示す模式的な平面図である。
【図７】第１実施形態の第４変形例における再配線基板の配列領域に対するはんだバンプの配置を示す模式的な平面図である。
【図８】第２実施形態における再配線基板の配列領域に対するはんだバンプの配置を示す模式的な平面図である。
【図９】第２実施形態の第１変形例における再配線基板の配列領域に対するはんだバンプの配置を示す模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１実施形態］
以下、本発明に係る電子装置を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
本実施形態に係る電子装置１０は、温度変化が大きな使用環境にて採用される装置であって、例えば、車両に搭載されたエンジン等の車載機器を制御する電子制御装置（Electronic Control Unit）として構成されている。電子装置１０は、筐体１１内に配線基板１２や他の基板を収容して構成されている。配線基板１２の一側面（以下、実装面１２ａともいう）には電子部品２０や外部コネクタ１１ａ等が実装されている。
【００１３】
まず、電子部品２０について、図２および図３を用いて詳述する。図２は、図１の電子部品２０を拡大して示す拡大断面図である。図３は、第１実施形態における再配線基板２２の配列領域２４に対するはんだバンプ３１，３２の配置を示す模式的な平面図である。なお、図３および後述する図４〜図７では、はんだバンプの図示において、便宜上、機能バンプ３１を細円にて示し、未接続バンプ３２を太円にて示す。
【００１４】
電子部品２０は、所謂ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体（ＩＣ）パッケージであり、図２に示すように、半導体チップ２１が、再配線基板２２の一側面（以下、チップ搭載面２２ａともいう）上に実装されている。また、電子部品２０は、再配線基板２２の他側面２２ｂにて接合部として機能する複数のはんだバンプを介して配線基板１２にはんだ接合されている。
【００１５】
半導体チップ２１は、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基板、不純物の拡散などにより該半導体基板に構成された素子、及び半導体基板上に形成された配線層を有しており、これらによって論理回路、記憶回路、Ａ／Ｄ変換回路、増幅回路、或いはこれらの混合回路等が構成されている。本実施形態では、平面略矩形状の半導体チップ２１が再配線基板２２のチップ搭載面２２ａに接着固定されており、半導体チップ２１における再配線基板２２との対向面の裏面に、図示しない電極パッドが複数形成されている。
【００１６】
再配線基板２２は、所謂インターポーザであり、樹脂やセラミックスを主原料とする基材に、銅などの導電材料からなる配線を多層に配置して構成されている。再配線基板２２のチップ搭載面２２ａには複数のランド（図示略）が形成されており、これらランドは、半導体チップ２１の電極パッドと電気的に接続されている。本実施形態では、複数のランドが、平面略矩形状の再配線基板２２のチップ搭載面２２ａにおけるチップ搭載領域を囲む周辺領域に、平面略矩形状の半導体チップ２１の各辺に沿って配列されている。そして、ワイヤ２３を介して半導体チップ２１の電極パッドと電気的に接続されている。
【００１７】
一方、再配線基板２２の他側面２２ｂには複数のランド（端子）２５が配列される矩形状の配列領域２４が設けられており、この配列領域２４内には、複数のランド２５が四隅の外縁を除き行列状（マトリクス状）に形成されている。特に、四隅の外縁に配置されるランドは、接合されるはんだバンプが補強用バンプとして機能する補強用端子であって、信号を伝達することで機能端子として所定の機能をそれぞれ実現する他のランド（以下、機能ランドともいう）と異なり、半導体チップ２１に電気的に接続されていない未接続端子を構成するランド（以下、未接続ランドともいう）として構成されている。すなわち、再配線基板２２における配列領域２４内に配列されるランド２５は、当該配列領域２４の隅部に配置される複数の未接続ランドと所定の機能を有する複数の機能ランドとに区分けされる。
【００１８】
本実施形態では、複数の未接続ランドは、各機能ランドの外縁の配列における頂角に対応する位置よりも内側にずれて配置される１つの基準未接続ランドと、基準未接続ランドと機能ランドとの双方に対して行方向に隣接する１つの内側未接続ランドと、基準未接続ランドと機能ランドとの双方に対して列方向に隣接する１つの内側未接続ランドと、基準未接続ランドの外側であって基準未接続ランドとの距離が内側未接続ランドと基準未接続ランドとの距離に等しくなるように配置される３つの外側未接続ランドと、の６つにより構成されている。これら未接続ランドは、他の機能ランドと短絡しても半導体チップ２１に関する処理信号に影響を与えないため、他の未接続ランドとの距離（図３の符号Ｂ１参照）が各機能ランド同士間の距離（図３の符号Ａ参照）よりも短くなるように配置されている。
【００１９】
なお、本実施形態では、両内側未接続ランドは、各機能ランドの行列と同じ配列で配置されている。このため、本実施形態における電子部品２０について長期信頼性の懸念がない使用条件が想定されている場合には、設計変更にて上記内側未接続ランドを機能ランドとして利用することもできる。すなわち、使用条件を考慮して両内側未接続ランドを機能ランドとして利用するか否かを決めることで、電子部品２０の汎用性を高めることができる。
【００２０】
このように配置される各ランド２５上には、はんだバンプが形成されている。本実施形態では、はんだバンプとして、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）組成のはんだ材を用いて球状（ボール状）に形成されたはんだボールを採用しており、全てのはんだバンプを同一形状及び同一の大きさとしている。
【００２１】
このため、図３に示すように、再配線基板２２の他側面２２ｂにおける配列領域２４内には、機能ランド上に設けられる複数のはんだバンプ（以下、機能バンプ３１ともいう）が行列状（マトリクス状）に配列されることとなる。また、未接続ランド上に配置される複数のはんだバンプ（以下、未接続バンプ３２ともいう）は、半導体チップ２１に電気的に接続されていない補強用バンプとして構成され、他の未接続バンプ３２との距離（図３の符号Ｂ１参照）が各機能バンプ３１同士間の距離（図３の符号Ａ参照）よりも短くなるように配置されることとなる。なお、図３に例示する配列領域２４の範囲では、隅部に配置される６つの未接続バンプ３２を除く残りのはんだバンプが機能バンプ３１として区分けされる。
【００２２】
具体的には、各未接続バンプ３２は、基準未接続ランド上に配置される未接続ランド（以下、基準未接続バンプ３２ａともいう）と、両内側未接続ランド上に配置される内側未接続ランド（以下、内側未接続バンプ３２ｂともいう）や各外側未接続ランド上に配置される外側未接続ランド（以下、外側未接続バンプ３２ｃともいう）との距離が等しくなるように配置される。本実施形態では、例えば、はんだバンプのランド直径Ｄが０．４ｍｍに設定されていることから、機能バンプ３１同士間の距離Ａが０．８ｍｍに設定されている。また、未接続バンプ３２同士間の距離Ｂ１は、機能バンプ３１同士間の距離Ａ未満であって短絡が生じない距離以上として、例えば、０．７ｍｍに設定されている。
【００２３】
このため、未接続バンプ３２同士間の距離Ｂ１が各機能バンプ３１同士間の距離Ａに等しくなるように配置される場合と比較して、未接続バンプ３２が配置される領域、すなわち、配列領域２４を狭くすることができる。
【００２４】
半導体チップ２１およびワイヤ２３は、再配線基板２２のチップ搭載面２２ａ側に形成された封止樹脂２６によって封止されている。なお、封止樹脂２６の構成材料としては、フェノール系硬化剤やシリコーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ系の樹脂などの周知の材料を採用することができる。
【００２５】
次に、配線基板１２について、図面を用いて詳述する。
配線基板１２は、樹脂やセラミックスを主原料とする絶縁基材に、銅などの導電材料からなる配線（図示略）を配置して構成されている。本実施形態では、エポキシ樹脂を主材とする基材に銅からなる配線が多層に配置されて、多層構造の配線基板１２が構成されている。
【００２６】
そして、配線基板１２の実装面１２ａにおけるランドの配列領域１３には、上述したはんだバンプに対応して、複数のランド（端子）１４が配置されている。特に、複数のランド１４のうち上記配列領域１３の四隅の外縁を除くランドは、行列状（マトリクス状）に配置されており、対応する機能バンプ３１とともに、半導体チップ２１と配線基板１２の配線（図示略）との電気的な接続機能を提供するランドとなっている。また、複数のランド１４のうち上記配列領域１３の四隅の外縁のランドは、上述した未接続バンプ３２に対応して配置されている。
【００２７】
そして、上述のように構成される電子部品２０の各ランド２５と配線基板１２の対応するランド１４とをはんだバンプ３１，３２を介してはんだ接合することで、図２に示すように、複数のはんだ接続部が構成される。特に、各はんだ接続部のうち配列領域の四隅の外縁に位置する６つのはんだ接続部は、未接続バンプ３２および未接続ランドをそれぞれ含み、半導体チップ２１に電気的に接続されていない未接続はんだ接続部群として構成される。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態に係る電子装置１０では、配列領域（２４，１３）内に配列されるランド（２５，１４）は、当該配列領域の隅部に補強用端子として配置される複数の未接続ランドとこの未接続ランドと異なり所定の機能をそれぞれ有する複数の機能ランドとに区分けされ、複数の未接続ランドは、半導体チップ２１に電気的に接続されないことで半導体チップ２１に関する処理信号に影響を与えないランドとして構成される。そして、複数の未接続ランドは、他の未接続ランドとの距離Ｂ１が機能ランド同士間の距離Ａよりも短くなるように配置される。
【００２９】
このように、未接続ランド同士間の距離Ｂ１が機能ランド同士間の距離Ａよりも短くなるように配置されているため、未接続ランドを密集して配置できるので、機能ランドの数を減らすことなく未接続ランドの数を増やすことによる配列領域（２４，１３）の大型化を抑制することができる。特に、未接続ランドは、半導体チップ２１に電気的に接続されないランドとして構成されるため、未接続ランド同士を密集させたことにより仮に未接続ランドに接合される未接続バンプ３２間で短絡が生じたとしても、この短絡が半導体チップ２１に関する処理に影響を及ぼすことを防止することができる。
【００３０】
なお、本実施形態では、各未接続ランド同士間の距離は、基準未接続ランドを基準にすべてＢ１で等しくなるように設定されているが、これに限らず、異なる長さに設定されてもよい。また、全ての未接続ランドにおいて他の未接続ランドとの距離Ｂ１が機能ランド同士間の距離Ａよりも短くなるように配置されることに限らず、配列領域が広がらないことを前提に、一部の未接続ランドにおいて他の未接続ランドとの距離が機能ランド同士間の距離Ａ以上になってもよい。
【００３１】
なお、補強用端子は、半導体チップ２１に電気的に接続されない未接続ランドとして構成されることに限らず、半導体チップ２１に関する処理信号に影響を与えないランド（端子）として構成されてもよい。このようにしても、補強用端子同士を密集させたことにより仮に補強用端子に接合される補強用バンプ間で短絡が生じた場合であっても、この短絡が半導体チップ２１に関する処理に影響を及ぼすことを防止することができる。
【００３２】
図４は、第１実施形態の第１変形例における再配線基板２２の配列領域２４に対するはんだバンプ３１，３２の配置を示す模式的な平面図である。図５は、第１実施形態の第２変形例における再配線基板２２の配列領域２４に対するはんだバンプ３１，３２の配置を示す模式的な平面図である。図６は、第１実施形態の第３変形例における再配線基板２２の配列領域２４に対するはんだバンプ３１，３２の配置を示す模式的な平面図である。図７は、第１実施形態の第４変形例における再配線基板２２の配列領域２４に対するはんだバンプ３１，３２の配置を示す模式的な平面図である。なお、以下の説明では、はんだバンプの位置の変更等に関して説明しているが、配列領域２４の各ランド２５や配列領域１３の各ランド１４の位置も同様に変更等されているものとする。
【００３３】
未接続バンプ３２は、隅部ごとに６つのはんだバンプにより構成されることに限らず、４つまたは５つのはんだバンプにより構成されてもよいし、配列領域が極力広がらないように配置される７つ以上のはんだバンプにより構成されてもよい。具体的には、例えば、第１実施形態の第１変形例として、図４に示すように、外側未接続バンプ３２ｃを５つ配置して、８つのはんだバンプにより未接続バンプ３２を構成してもよい。
【００３４】
また、第１実施形態の第２変形例として、図５に示すように、両内側未接続バンプ３２ｂと機能バンプ３１との距離が未接続バンプ３２同士間の距離Ｂ１に等しくなるように、対応する内側未接続ランドを配置してもよい。これにより、外側未接続バンプ３２ｃをさらに内側に配置しやすくなり、その結果、配列領域２４をより狭くすることができる。
【００３５】
また、本実施形態のように全ての未接続バンプ３２が半導体チップ２１等に電気的に接続されていない構成であれば、未接続バンプ３２同士が短絡しても問題はない。そこで、第１実施形態の第３変形例として、図６に示すように、各未接続バンプ３２を、他の未接続バンプ３２との距離が短絡の可能性が高くなる程度の距離Ｂ２（例えば、０．５ｍｍ）まで短くなるように配置してもよい。これにより、外側未接続バンプ３２ｃをさらに内側に配置しやすくなり、その結果、配列領域２４をより狭くすることができる。なお、２つの機能バンプ３１が同じ未接続バンプ３２に短絡することを防止するため、未接続バンプ３２と機能バンプ３１との距離は上述した距離Ｂ１に等しくする必要がある。
【００３６】
また、はんだバンプの間隔やランド直径Ｄ等は、ランド数・配置・外形形状等によって、信号引き出し性・信頼性・実装性等を満足できるようなものになる。今後、実装性（加工精度）の向上に伴い、未接続バンプ３２に関し引き出し性は考慮不要となる。そして、機能バンプ３１同士間の距離Ａや未接続バンプ３２同士間の距離Ｂ３が以下の条件式（１），（２）を満足する場合には、未接続バンプ３２を介して機能バンプ３１同士が短絡することもない。
Ａ＞Ｄ・√２                                              ・・・（１）
Ｂ３＜Ａ・√２／２                                        ・・・（２）
このような場合には、第１実施形態の第４変形例として、図７に示すように、各未接続バンプ３２をより密集させて配置することができ、配列領域２４をより狭くすることができる。
【００３７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る電子装置１０について、図８を用いて説明する。図８は、第２実施形態における再配線基板２２の配列領域２４に対するはんだバンプ３１〜３４の配置を示す模式的な平面図である。
本第２実施形態では、補強用端子として、未接続ランドに加えて電源用ランドおよびＧＮＤ用ランドを採用する点が主に上記第１実施形態と異なる。このため、第１実施形態と実質的に同様の構成部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００３８】
電子部品２０の配列領域２４や配線基板１２の配列領域１３には、電源ラインを構成するための複数のランド（以下、電源用ランド群ともいう）やＧＮＤラインを構成するための複数のランド（以下、ＧＮＤ用ランド群ともいう）が形成されている。電源用ランド群やＧＮＤランド群は、それぞれ複数のランドから構成されるため、一部が損傷等しても半導体チップ２１に関する処理信号に影響を与えることもない。
【００３９】
このため、本実施形態では、上述した未接続ランドに加えて、電源用ランド群の一部のランドとＧＮＤ用ランド群の一部のランドとを、補強用端子として配列領域２４，１３の隅部にそれぞれ配置している。以降、これらを補強用ランドという。
【００４０】
具体的には、配列領域２４，１３の隅部には、５つの未接続ランドと、２つの電源用ランドと、２つのＧＮＤ用ランドとがそれぞれ配置されている。各未接続ランドのうち配列領域２４，１３の対角線上に位置する３つの未接続ランドは互いに距離Ｂ２となるように配置されている。また、両電源用ランドおよび両ＧＮＤ用ランドは上記対角線を介して対称となるように配置されており、両電源用ランド同士や両ＧＮＤ用ランド同士も距離Ｂ２となるように配置されている。
【００４１】
一方、未接続ランドと電源用ランドとは距離Ｂ１以上、未接続ランドとＧＮＤ用ランドとは距離Ｂ１以上、未接続ランドと機能ランドとは距離Ｂ１以上、電源用ランドと機能ランドとは距離Ｂ１以上、ＧＮＤ用ランドと機能ランドとは距離Ｂ１以上となるように配置されている。また、上記対角線に対して電源用ランド側の未接続ランドは、両電源用ランドとの距離がＢ２以上であって、電源ラインの短絡を防止するために電源用ランドとみなして、他の未接続ランドとの距離がＢ１以上となるように配置されている。また、上記対角線に対してＧＮＤ用ランド側の未接続ランドは、両ＧＮＤ用ランドとの距離がＢ２以上であって、ＧＮＤラインの短絡を防止するためにＧＮＤ用ランドとみなして、他の未接続ランドとの距離がＢ１以上となるように配置されている。また、電源用ランドとＧＮＤ用ランドとは距離Ｂ１以上となるように配置されている。
【００４２】
このため、図８に示すように、上記対角線上に位置する３つの未接続ランドにそれぞれ接合される未接続バンプ３２は互いに距離Ｂ２となるように密集して配置されることとなる。また、両電源用ランドにそれぞれ接合される両電源用バンプ３３と両ＧＮＤ用ランドにそれぞれ接合される両ＧＮＤ用バンプ３４とは上記対角線を介して対称となるように配置され、両電源用バンプ３３同士や両ＧＮＤ用バンプ３４同士も距離Ｂ２となるようにそれぞれ密集して配置されることとなる。
【００４３】
また、未接続バンプ３２と電源用バンプ３３とは距離Ｂ１以上、未接続バンプ３２とＧＮＤ用バンプ３４とは距離Ｂ１以上、未接続バンプ３２と機能バンプ３１とは距離Ｂ１以上、電源用バンプ３３と機能バンプ３１とは距離Ｂ１以上、ＧＮＤ用バンプ３４と機能バンプ３１とは距離Ｂ１以上となるように配置されることとなる。また、上記対角線に対して電源用バンプ３３側の未接続バンプ３２は、両電源用バンプ３３との距離がＢ２以上であって、他の未接続バンプ３２との距離がＢ１以上となるように配置されることとなる。また、上記対角線に対してＧＮＤ用バンプ３４側の未接続バンプ３２は、両ＧＮＤ用バンプ３４との距離がＢ２以上であって、他の未接続バンプ３２との距離がＢ１以上となるように配置されることとなる。また、電源用バンプ３３とＧＮＤ用バンプ３４とは距離Ｂ１以上となるように配置されることとなる。
【００４４】
このように各はんだバンプを配置する構成でも、未接続ランドや電源用ランド、ＧＮＤ用ランドからなる補強用ランドをそれぞれ密集して配置できるので、機能ランドの数を減らすことなく補強用ランドの数を増やすことによる配列領域（２４，１３）の大型化を抑制することができる。また、電源用ランドとＧＮＤ用ランドとを距離Ｂ１以上となるように配置しているので、これら両ランド間のはんだバンプ３３，３４を介した短絡を抑制することができる。特に、未接続ランド同士を密集させたことによる未接続バンプ３２の短絡や電源用ランド同士を密集させたことによる電源用バンプ３３の短絡、ＧＮＤ用ランド同士を密集させたことによるＧＮＤ用バンプ３４の短絡が仮に生じたとしても、この短絡が半導体チップ２１に関する処理に影響を及ぼすことを防止することができる。
【００４５】
図９は、第２実施形態の第１変形例における再配線基板２２の配列領域２４に対するはんだバンプ３１〜３４の配置を示す模式的な平面図である。なお、以下の説明では、はんだバンプの位置の変更等に関して説明しているが、配列領域２４の各ランド２５や配列領域１３の各ランド１４の位置も同様に変更等されているものとする。
【００４６】
配列領域の隅部において、未接続バンプ３２、電源用バンプ３３およびＧＮＤ用バンプ３４は、図８に例示するように配置されることに限らず、例えば、図９に示す第２実施形態の第１変形例のように、９つの未接続バンプ３２と上記対角線を介して対称となるように配置される１つの電源用バンプ３３および１つのＧＮＤ用バンプ３４とを採用してもよい。
【００４７】
この場合、各未接続バンプ３２は、互いに距離Ｂ２となるように密集して配置されている。また、未接続バンプ３２と電源用バンプ３３とは距離Ｂ１以上、未接続バンプ３２とＧＮＤ用バンプ３４とは距離Ｂ１以上、未接続バンプ３２と機能バンプ３１とは距離Ｂ１以上、電源用バンプ３３と機能バンプ３１とは距離Ｂ１以上、ＧＮＤ用バンプ３４と機能バンプ３１とは距離Ｂ１以上となるように配置されている。
【００４８】
このようしても、上記第２実施形態と同様に、未接続ランドや電源用ランド、ＧＮＤ用ランドからなる補強用ランドをそれぞれ密集して配置できるので、機能ランドの数を減らすことなく補強用ランドの数を増やすことによる配列領域（２４，１３）の大型化を抑制することができる。
【００４９】
なお、本発明は上記各実施形態および変形例に限定されるものではなく、例えば、以下のように具体化してもよい。
（１）本発明に係る電子装置１０は、上述したように、車両用の電子制御装置として構成されることに限らず、例えば、携帯電話などの携帯情報端末機器やメモリモジュール、ＣＰＵモジュールなど、他の機能を有する電子装置に用いることができる。
【００５０】
（２）再配線基板２２の他側面２２ｂに設けられる配列領域２４や配線基板１２の実装面１２ａに設けられる配列領域１３は矩形状に形成されることに限らず、多角形状に形成されてもよい。この場合、配列領域の隅部に上述した補強用端子や補強用バンプを配置することで上記効果を奏する。
【００５１】
（３）上記第１実施形態およびその第１，第２変形例において、配列領域２４，１３の隅部に配置されるランドは、全て未接続ランドに限らず、全て電源用ランドであってもよいし、全てＧＮＤ用ランドであってもよい。
【００５２】
（４）各ランド（端子）間は、略ボール状に形成されるはんだバンプにより電気的に接合されることに限らず、異なる形状のはんだ等を含めた接合部により電気的に接合されてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０…電子装置
１２…配線基板
１３…配列領域
１４…ランド（端子）
２１…半導体チップ
２２…再配線基板
２４…配列領域
２５…ランド（端子）
３１…機能バンプ
３２…未接続バンプ  ３３…電源用バンプ  ３４…ＧＮＤ用バンプ
【図１】
2015115567.tif 000003
【図２】
2015115567.tif 000004
【図３】
2015115567.tif 000005
【図４】
2015115567.tif 000006
【図５】
2015115567.tif 000007
【図６】
2015115567.tif 000008
【図７】
2015115567.tif 000009
【図８】
2015115567.tif 000010
【図９】
2015115567.tif 000011