(57)【要約】【課題】生産性の向上及びコストダウンを図りつつ、良好な加工品質でウェーハを個々のチップに分割できるウェーハ加工方法を提供する。【解決手段】本発明のウェーハ加工方法は、半導体基板の表面に形成されたデバイス層に複数のチップが分割予定ラインによって区画された領域に形成されているウェーハを、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する方法であって、ウェーハのデバイス層が形成される表面側から、液体ビームによって誘導されたレーザー光を分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインにおけるデバイス層を除去するとともに半導体基板に溝を形成する溝形成工程と、ウェーハの裏面を加工して、ウェーハの厚さを薄くする裏面加工工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に形成されたデバイス層に複数のチップが分割予定ラインによって区画された領域に形成されているウェーハを、前記分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する方法であって、
前記ウェーハの前記デバイス層が形成される表面側から、液体ビームによって誘導されたレーザー光を前記分割予定ラインに沿って照射することにより、前記分割予定ラインにおける前記デバイス層を除去するとともに前記半導体基板に溝を形成する溝形成工程と、
前記ウェーハの裏面を加工して、前記ウェーハの厚さを薄くする裏面加工工程と、
を含むウェーハ加工方法。
【請求項２】
前記裏面加工工程は、前記溝が前記ウェーハの裏面に露出するまで前記ウェーハの裏面を加工する請求項１に記載のウェーハ加工方法。
【請求項３】
前記裏面加工工程は、前記溝が前記ウェーハの裏面に露出する前に前記ウェーハの裏面の加工を終了し、
前記裏面加工工程が行われた前記ウェーハの表面又は裏面にダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程と、
前記ダイシングテープに張力を加えて、個々のチップ間隔を拡大するエキスパンド工程と、
をさらに含む請求項１に記載のウェーハ加工方法。
【請求項４】
前記ウェーハは、前記デバイス層にＬｏｗ−ｋ膜が含まれるウェーハである請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェーハ加工方法。
【請求項５】
前記ウェーハは、前記デバイス層にＧａＮが含まれるウェーハである請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェーハ加工方法。
【請求項６】
前記液体ビームは、アルカリ水溶液からなる請求項１〜５のいずれか１項に記載のウェーハ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や電子部品等のウェーハを個々のチップに分割するウェーハ加工方法に関し、特に、半導体基板の表面に絶縁膜（例えばＬｏｗ−ｋ膜）及び機能膜が積層された積層体からなるデバイス層が形成されたウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程等において、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、ダイシング工程で個々のチップ（ダイ、又はペレットとも言われる）に分割され、次に個々のチップはダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後はワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされた後は、樹脂モールドされて、半導体装置や電子部品等の完成品となる。
【０００３】
プロービング工程の後ウェーハは、図１３に示すように、片面に粘着層が形成された厚さ１００μｍ程度のダイシングテープ（ダイシングシートとも称される）Ｓに裏面を貼り付けられ、剛性のあるリング状のフレームＦにマウントされる。ウェーハＷはこの状態でダイシング工程内、ダイシング工程−ダイボンディング工程間、及びダイボンディング工程内を搬送される。
【０００４】
ダイシング工程では、微細なダイヤモンド砥粒で形成されたダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハＷに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられている。
【０００５】
ダイシング装置では、このダイシングブレードを３０，０００〜６０，０００ｒｐｍで高速回転させてウェーハＷに切込み、ウェーハＷを完全切断（フルカット）する。このときウェーハＷの裏面に貼られたダイシングテープＳは、表面から１０μｍ程度しか切り込まれていないので、ウェーハＷは個々のチップＴに切断されてはいるものの、個々のチップＴがバラバラにはならず、チップＴ同士の配列が崩れていないので全体としてウェーハ状態が保たれている。
【０００６】
近年、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスの高集積化、小型化に伴い、シリコン等の半導体基板の表面に、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）と回路を形成する機能膜が積層された積層体からなるデバイス層が形成されたウェーハが実用化されている。
【０００７】
しかし、このようなデバイス層のあるウェーハのダイシングは、膜剥がれやバリ等が発生しやすく、ダイシング工程における大きな問題となっている。特に、デバイス層にＬｏｗ−ｋ膜が含まれる場合、Ｌｏｗ−ｋ膜は非常に脆いことから、ダイシングブレードによる切断が行われると、Ｌｏｗ−ｋ膜に剥離が生じやすい問題がある。すなわち、ダイシングブレードによって切断すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が破壊され、この破壊された領域がデバイス形成領域（チップ形成領域）に広がると、チップは不良品となり、製造される半導体装置の歩留りを低下させてしまう要因となる。
【０００８】
上記問題を解消するために、ダイシングブレードによる切断に先立って、ストリートと称される分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成してデバイス層を分断した後に、ダイシングブレードによって切断を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
特許文献１に記載された方法は、図１４に示すように、最初に、表面に絶縁膜及び機能膜が積層された積層体（デバイス層）が形成されたウェーハの表面に保護膜を形成する保護膜形成工程が行われる（ステップＳ１００）。次に、ウェーハの表面に、保護膜を通してレーザー光を照射するレーザー光照射工程が行われる（ステップＳ１０２）。このレーザー光照射工程では、ストリートに沿ってレーザー光を往復移動させることにより、ウェーハのストリートを形成する積層体には、ストリートに沿ってダイシングブレード（切削ブレード）の幅より広い幅のレーザー加工溝が形成される。
【００１０】
レーザー光照射工程が実施された後、ウェーハの表面に被覆された保護膜を除去する保護膜除去工程が行われる（ステップＳ１０４）。次に、ウェーハのストリートに形成されたレーザー加工溝に沿ってダイシングブレードでウェーハを切削するダイシング工程（切削工程）が行われる（ステップＳ１０６）。これにより、ウェーハは、ストリートに形成されたレーザー加工溝に沿って裏面に達する切削溝が形成される。この結果、ウェーハはストリートに形成されたレーザー加工溝に沿って切断され、個々のチップに分割される。このダイシング工程においてはダイシングブレードによって半導体基板（シリコン基板等）だけが切断されることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１４０３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、ダイシング装置のほかにレーザー加工装置（レーザースクライバ）が必要である。また、レーザー照射工程では、ダイシングブレードの幅より広いレーザー加工溝を形成するために、レーザー光の照射を１つのストリートに沿って往復移動して行わなければならない。このため、生産性が悪く、コストアップを招く問題がある。
【００１３】
また、特許文献１に記載された方法では、加工時の熱ダメージやコンタミネーションを防ぐため、レーザー光照射工程が実施される前にウェーハの表面に保護膜を形成する必要があり、保護膜にかかるコストも問題となっている。
【００１４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、生産性の向上及びコストダウンを図りつつ、良好な加工品質でウェーハを個々のチップに分割できるウェーハ加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の第１態様に係るウェーハ加工方法は、半導体基板の表面に形成されたデバイス層に複数のチップが分割予定ラインによって区画された領域に形成されているウェーハを、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する方法であって、ウェーハのデバイス層が形成される表面側から、液体ビームによって誘導されたレーザー光を分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインにおけるデバイス層を除去するとともに半導体基板に溝を形成する溝形成工程と、ウェーハの裏面を加工して、ウェーハの厚さを薄くする裏面加工工程と、を含む。
【００１６】
本態様によれば、溝形成工程においてウェーハの表面側から液体ビームによって誘導されたレーザー光を分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインにおけるデバイス層を除去するとともに半導体基板に溝を形成するので、ウェーハの表面に保護膜を形成しなくても、加工時の熱ダメージやコンタミネーションを防ぐことができ、歩留りの向上を実現して信頼性を向上させることができる。また、ダイシングブレードによるダイシングやレーザーダイシング等のダイシング工程が不要となる。したがって、生産性の向上及びコストダウンを図りつつ、良好な加工品質でウェーハを個々のチップに分割できる。
【００１７】
本発明の第２態様に係るウェーハ加工方法は、第１態様において、裏面加工工程は、溝がウェーハの裏面に露出するまでウェーハの裏面を加工する。
【００１８】
本態様によれば、裏面加工工程によってウェーハは個々のチップに分割される。したがって、裏面加工工程が行われた後にエキスパンド工程を行う必要がなく、更なる生産性の向上を図ることができる。
【００１９】
本発明の第３態様に係るウェーハ加工方法は、第１態様において、裏面加工工程は、溝がウェーハの裏面に露出する前にウェーハの裏面の加工を終了し、裏面加工工程が行われたウェーハの表面又は裏面にダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程と、ダイシングテープに張力を加えて、個々のチップ間隔を拡大するエキスパンド工程と、をさらに含む。
【００２０】
本態様によれば、裏面加工時にウェーハに形成された溝はウェーハの裏面に露出しないので、裏面加工時に使用する薬液等がウェーハの表面（デバイス面）に溝を介して回り込む危険性を排除できる。
【００２１】
本発明の第４態様に係るウェーハ加工方法は、第１態様〜第３態様のいずれかにおいて、ウェーハは、デバイス層にＬｏｗ−ｋ膜が含まれるウェーハである。
【００２２】
本発明の第５態様に係るウェーハ加工方法は、第１態様〜第３態様のいずれかにおいて、ウェーハは、デバイス層にＧａＮ（窒化ガリウム）が含まれるウェーハである。
【００２３】
第４態様及び第５態様は、本発明の効果がより顕著となる観点から好ましい態様の１つである。すなわち、半導体基板の表面に形成されるデバイス層にＬｏｗ−ｋ膜やＧａＮ（窒化ガリウム）が含まれる場合でも、膜剥がれやバリ等が発生することなく、ウェーハを個々のチップに分割することができるので、歩留りの向上を実現して信頼性を向上させることができる。
【００２４】
本発明の第６態様に係るウェーハ加工方法は、第１態様〜第５態様のいずれかにおいて、液体ビームは、アルカリ水溶液からなる。
【００２５】
本態様によれば、高アスペクト比の溝を形成することができ、加工レートが向上する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、生産性の向上及びコストダウンを図りつつ、良好な加工品質でウェーハを個々のチップに分割できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係るウェーハ加工方法の流れを示すフローチャート
【図２】レーザー加工装置の構成を示す概略図
【図３】ウェーハの一例を示す断面図
【図４】レーザー加工部の構成を示す構成図
【図５】ウェーハに水誘導レーザー光が照射される様子を示す概略図
【図６】水誘導レーザー光が照射された後のウェーハの状態を示す概略図
【図７】ウェーハの表面に保護テープが貼付られた状態を示す概略図
【図８】ウェーハの裏面加工が行われる様子を示す概略図
【図９】本発明の他の実施形態に係るウェーハ加工方法の流れを示すフローチャート
【図１０】裏面加工工程が行われる様子を示す概略図
【図１１】ウェーハの裏面にダイシングテープを貼付した状態でエキスパンド工程が行われる様子を示す概略図
【図１２】ウェーハの表面にダイシングテープを貼付した状態でエキスパンド工程が行われる様子を示す概略図
【図１３】フレームにマウントされたウェーハを表わす斜視図
【図１４】従来のウェーハ加工方法の流れを示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係るウェーハ加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００３０】
＜水誘導レーザー光照射工程＞
まず、ウェーハＷの表面に水誘導レーザー光を照射する水誘導レーザー光照射工程（本発明の「溝形成工程」に相当）が行われる（ステップＳ１０）。この水誘導レーザー光照射工程は、図２に示すレーザー加工装置２０を用いて実施される。
【００３１】
図２に示すレーザー加工装置２０は、主として、ウェーハＷを移動させるウェーハ移動部２２と、ウェーハＷの表面を観察する観察光学部２４と、ウェーハＷをレーザー加工するレーザー加工部２６と、レーザー加工装置２０の各部を制御する制御部２８とから構成されている。
【００３２】
図３は、ウェーハＷの一例を示す断面図である。図３に示すウェーハＷは、シリコン等の半導体基板１０からなり、半導体基板１０の表面１０ａにはデバイス層１２が形成されている。デバイス層１２は、Ｌｏｗ−ｋ膜と、回路を形成する機能膜とが積層された積層体により形成される。ウェーハＷは、格子状に配列された分割予定ライン１４によって複数の領域に区画され、この区画された各領域に半導体チップを構成する各種デバイスが形成されている。レーザー加工装置２０には、このようなウェーハＷが供給されるものとする。
【００３３】
ウェーハ移動部２２は、ウェーハＷを吸着保持する吸着ステージ３０と、本体ベース３４上に設けられたＸＹＺθテーブル３２とを有する。
【００３４】
吸着ステージ３０は、不図示のポンプを有するとともに、複数の吸着穴が表面に設けられている。吸着ステージ３０は、ポンプを作動させることにより、吸着穴を介してウェーハＷを吸着保持する。
【００３５】
ＸＹＺθテーブル３２は、不図示のガイドレールを備え、制御部２８に制御されて、ＸＹＺθの４方向に移動する。なお、図２に示す例では、ＸＹＺの３方向は互いに直交し、このうちＸ方向およびＹ方向は水平方向であり、Ｚ方向は鉛直方向である。またθ方向は、鉛直方向軸（Ｚ軸）を回転軸とする回転方向である。
【００３６】
観察光学部２４は、吸着ステージ３０に吸着保持されたウェーハＷに対向するように設けられ、図示しない照明装置及び図示しないＣＣＤカメラを有する。観察光学部２４は、制御部２８の指示に従って、ウェーハＷに照明光を照明装置により照射して、ウェーハＷからの反射光をＣＣＤカメラにより電気信号に変換することで、ウェーハＷの表面の撮像データを得る。この撮像データは制御部２８に送られて、ウェーハＷのアライメントに用いられる。
【００３７】
レーザー加工部２６は、制御部２８の指示に従って、ウェーハＷの表面に水誘導レーザー光を照射する。
【００３８】
図４は、レーザー加工部２６の構成を示す構成図である。同図に示すように、レーザー加工部２６は、レーザー光供給部３６、液体供給部３８、及び加工ヘッド４０を備えている。
【００３９】
レーザー光供給部３６は、レーザー光源４２を備えており、レーザー光源４２から発振されたレーザー光は、コリメートレンズ４４、ミラー４６、集光レンズ４８等の光学系を経て加工ヘッド４０の内部に集光される。
【００４０】
液体供給部３８は、液体（本例では水）を貯留するタンク５０及びポンプ５２を備えており、ポンプ５２により加圧された液体（加圧液体）が加工ヘッド４０に供給される。
【００４１】
加工ヘッド４０は、液体供給部３８から供給された液体を一時的に収容する液体チャンバー５４と、液体供給部３８から供給された液体を液体チャンバー５４に導入するための液体導入口５６と、レーザー光供給部３６から供給されたレーザー光を加工ヘッド４０の内部に導く窓部５８と、液体の噴射口を形成するノズル６０とを備えている。
【００４２】
窓部５８は、加工ヘッド４０の本体であるヘッド本体６２の上面（ウェーハＷ側とは反対側の面）に設けられており、レーザー光供給部３６から供給されたレーザー光を透過可能な光透過性材料から構成される。光透過性材料としては、例えば、ガラス、石英、サファイア、透明プラスチック（例えば、アクリル樹脂、硬質塩化ビニールなど）を用いることができる。これにより、レーザー光供給部３６から供給されたレーザー光は、窓部５８を介して加工ヘッド４０（ヘッド本体６２）の内部に形成される液体チャンバー５４内（具体的にはノズル６０の入口部）に導かれる。
【００４３】
ノズル６０は、ヘッド本体６２の下面（ウェーハＷ側の面）に設けられた微小孔からなり、液体チャンバー５４を挟んで窓部５８と対向する位置に配置される。すなわち、ノズル６０は、レーザー光供給部３６から窓部５８を介して液体チャンバー５４の内部に導かれるレーザー光の光軸上に配置されており、ノズル６０から噴射される液体の噴射方向とレーザー光の光軸は一致している。これにより、レーザー光供給部３６から窓部５８を介して液体チャンバー５４の内部に導かれるレーザー光は、ノズル６０から照射されるビーム状の液体（液体ビーム）の内部を全反射しながらウェーハＷに向かって誘導され、ウェーハＷの表面に照射される。なお、本明細書では、液体ビームの内部を全反射を繰り返しながら液体ビームの噴射方向に沿って誘導されるレーザー光を「水誘導レーザー光」と称する。
【００４４】
次に、上述の如く構成されるレーザー加工装置２０を用いて実施する水誘導レーザー光照射工程について説明する。
【００４５】
この水誘導レーザー光照射工程では、まず、レーザー加工装置２０の吸着ステージ３０上にウェーハＷの表面（デバイス層１２が形成された側の面）を上向きにして載置し、吸着ステージ３０上にウェーハＷを吸着保持する。
【００４６】
この状態でウェーハＷは、観察光学部２４の照明装置とＣＣＤカメラによって表面からアライメントされる。アライメント方法は画像処理を用いたアライメント方法で行われる。なお、画像処理を用いたアライメント方法は一般的によく知られているので、説明は省略する。
【００４７】
アライメントが終了すると、ＸＹＺθテーブル３２がＸＹ方向に移動して、ウェーハＷの表面に形成された分割予定ラインに沿って、加工ヘッド４０のノズル６０からウェーハＷに向かってビーム状の液体（液体ビーム）が噴射される。このとき、レーザー光供給部３６から窓部５８を介して加工ヘッド４０（ヘッド本体６２）の内部の液体チャンバー５４内に導入されたレーザー光は、ノズル６０から噴射される液体ビームの内部で全反射を繰り返しながらウェーハＷに向かって誘導され、図５に示すように、ウェーハＷの表面の分割予定ライン１４が形成される位置に照射される。これにより、図６に示すように、膜剥がれやバリ等が発生することなく、分割予定ライン１４におけるデバイス層１２が除去されるとともに、ウェーハＷの半導体基板１０には、分割予定ライン１４に沿って所定深さの加工溝１６が形成される。
【００４８】
このように本実施形態では、水誘導レーザー光が照射されるウェーハＷの加工位置（すなわち分割予定ライン１４）には常に高圧の液体（ウォータージェット）が供給されるので、レーザー加工時に発生するデブリと称される加工屑が発生しても、このデブリが加工領域周辺に付着することもない。また、水誘導レーザー光によって溶融した物質を加工位置から取り除き汚染を避けると同時に被加工物としてのウェーハＷを冷却することができる。したがって、ウェーハＷの表面に保護膜を形成しなくても、加工時の熱ダメージやコンタミネーションを効果的に防ぐことができ、歩留りの向上を実現して信頼性を向上させることができる。
【００４９】
また、本実施形態では、液体ビームの噴射幅（ビーム径）によってレーザー光の照射範囲を容易に制御することが可能であり、例えば３０μｍ程度の幅で加工溝を形成することができる。したがって、１つの分割ラインにおいて複数回の加工が不要となり、ウェーハＷの加工送り回数が減少され、生産性のよい高品質な加工溝１６を形成することが可能となる。
【００５０】
なお、本実施形態では、水誘導レーザー光照射工程におけるレーザー加工条件として、例えば以下のように設定される。
【００５１】
光源          ：ＵＶ（紫外線）−パルスレーザー
波長          ：４００ｎｍ以下
繰り返し周波数    ：１〜１００ｋＨｚ
平均出力      ：０．５〜１０Ｗ
加工送り速度  ：１０〜１０００ｍｍ／ｓ
このように本実施形態では、レーザー光源として、ＵＶ光源が好ましく用いられる。ＵＶ光源から照射される紫外線領域の光（ＵＶ光）は金属による吸収率が高く、金属除去性能が向上する。したがって、分割予定ライン１４上にＴＥＧ（Test Element Group）等の金属膜が形成されている場合でも、水誘導レーザー光の照射により金属膜を効率的に除去することができる。
【００５２】
また、本実施形態では、加工ヘッド４０のノズル６０から噴射される液体ビームが水からなる態様を示したが、これに限らず、例えばシリコンオイル、アルカリ水溶液等からなる態様も好ましく採用することができる。特に、液体ビームがアルカリ水溶液からなる態様によれば、液体ビームが水からなる態様に比べて、高アスペクト比の加工溝１６を形成することができ、加工レートの向上を図ることが可能となる。
【００５３】
＜裏面加工工程＞
次に、ウェーハＷの表面に形成されたデバイス層１２を保護するために、片面に粘着剤を有する保護テープ（ＢＧテープ）１８をウェーハＷの表面に貼付した後（図７参照）、ウェーハＷの裏面を加工して、ウェーハＷの厚さを薄くする裏面加工工程が行われる（ステップＳ１２）。
【００５４】
この裏面加工工程では、表面に保護テープ１８が貼付されたウェーハＷは、図８に示すように、バックグライダ装置７０の回転する吸着テーブル７２に保護テープ１８側を下向きにして吸着され、裏面を回転する砥石７４で研削され（図８（ａ））、所定の厚さ（４００μｍ以下）に加工され、次いで吸着テーブル７２に保持されたまま図示しない研磨ヘッドによって研磨されて、研削加工時に形成された加工変質層が除去される（図８（ｂ））。保護テープ１８は研削加工圧に対して十分な硬度を有しているので、精度よく加工することができる。
【００５５】
このような裏面加工工程が行われた後のウェーハＷの厚さは、ステップＳ１０の水誘導レーザー光照射工程でウェーハＷに形成された加工溝１６がウェーハＷの裏面に露出（表出）するまで行われる。これにより、ウェーハＷは個々のチップに分割される。
【００５６】
以上のように、本実施形態によれば、水誘導レーザー光照射工程において半導体基板１０の表面にデバイス層１２が形成されたウェーハＷの表面側から水誘導レーザー光を分割予定ライン１４に沿って照射することにより、膜剥がれやバリ等が発生することなく、分割予定ライン１４におけるデバイス層１２を除去できるとともに、半導体基板１０に所定深さの加工溝１６を形成することができる。このため、ウェーハＷの表面に保護膜を形成しなくても、加工時の熱ダメージやコンタミネーションを防ぐことができ、歩留りの向上を実現して信頼性を向上させることができる。また、ダイシングブレードによるダイシングやレーザーダイシング（ステルスダイシングとも称される）等のダイシング工程が不要となるので、生産性の向上を図ることが可能となる。したがって、生産性の向上及びコストダウンを図りつつ、良好な加工品質でウェーハＷを個々のチップに分割できる。
【００５７】
さらに本実施形態では、水誘導レーザー光照射工程が行われた後に、ウェーハＷの裏面を加工して、ウェーハＷの厚さを薄くする裏面加工工程が行われるので、チッピングや割れかけが生じることがなく、端面形状が良好な極薄のチップを製造することができる。
【００５８】
なお、本実施形態では、ウェーハＷとして、デバイス層１２にＬｏｗ−ｋ膜を含むウェーハを加工する場合について説明したが、これに限らず、例えば、デバイス層１２にＧａＮ（窒化ガリウム）を含むウェーハを加工する場合についても同様の効果を得ることができる。
【００５９】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図９は、本発明の他の実施形態に係るウェーハ加工方法の流れを示す説明図である。図１０は、裏面加工工程が行われる様子を示す概略図である。図１１は、エキスパンド工程が行われる様子を示す概略図である。図９〜図１１において、これまで示した図と共通又は類似する要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６０】
図９に示すウェーハ加工方法では、裏面加工工程において、図１０に示すように、ウェーハＷに形成された加工溝１６がウェーハＷの裏面に露出する直前で裏面加工を終了する（ステップＳ１２）。
【００６１】
上記の裏面加工工程が行われた後、片面に粘着剤を有するダイシングテープＳをウェーハＷの裏面に貼付した後、ウェーハＷの表面に貼付されている保護テープ１８を剥離するダイシングテープ転写工程が行われる（ステップＳ１４）。これにより、図１１（ａ）に示すように、ウェーハＷの裏面にダイシングテープＳが貼付された状態となる。
【００６２】
次に、図１１（ｂ）に示すように、ウェーハＷの裏面に貼り付けられたダイシングテープＳに張力を加えて引き伸ばすことにより、ウェーハＷの各チップ間の間隔を拡大するエキスパンド工程が行われる（ステップＳ１６）。これにより、ウェーハＷを個々のチップＴに分割することができる。
【００６３】
このウェーハ加工方法によれば、裏面加工工程においてウェーハＷに形成される加工溝１６はウェーハＷの裏面に露出しないので、裏面加工時に使用する薬液がウェーハＷの表面（デバイス面）へ回り込む危険性を排除できる。
【００６４】
なお、ダイシングテープ転写工程において、転写回数は増えるが、図１２（ａ）に示すように、ウェーハＷの表面にダイシングテープＳを貼付するようにしてもよい。その後、エキスパンド工程において、図１２（ｂ）に示すように、ダイシングテープＳに張力を加えて引き伸ばすことにより、ウェーハＷを個々のチップＴに分割することができる。この態様によれば、ウェーハＷにはダイシングテープＳ側に加工溝１６が形成されるので、ウェーハＷの表面にダイシングテープＳが貼付された状態でエキスパンド工程を行う場合に比べて、より小さな張力でウェーハＷを個々のチップＴに分割することが可能となる。
【００６５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００６６】
１０…半導体基板、１２…デバイス層、１４…分割予定ライン、１６…加工溝、…保護テープ、２０…レーザー加工装置、２２…ウェーハ移動部、２４…観察光学部、２６…レーザー加工部、２８…制御部、３０…吸着ステージ、３２…ＸＹＺθテーブル、３６…レーザー光供給部、３８…液体供給部、４０…加工ヘッド、４２…レーザー光源、５０…タンク、５２…ポンプ、５４…液体チャンバー、５６…液体導入口、５８…窓部、６０…ノズル、Ｆ…フレーム、Ｓ…ダイシングシート、Ｔ…チップ、Ｗ…ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015115538.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015115538.tif 000009
【図８】
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【図９】
2015115538.tif 000011
【図１０】
2015115538.tif 000012
【図１１】
2015115538.tif 000013
【図１２】
2015115538.tif 000014
【図１３】
2015115538.tif 000015
【図１４】
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