(57)【要約】【課題】電極高さよりも薄い接着剤シートであっても気泡の噛み込みを抑制し、良好にラミネートができ、無機粒子などのフィラーを含む接着剤を用いた場合であっても、フィラーや樹脂が半田バンプとパッド電極との間に挟まることを抑制し、良好な接続が得られる回路部材接着用積層シート。【解決手段】基材フィルム上に軟質層および接着剤層をこの順に有し、かつ接着剤層を最外面に有する回路部材接着用積層シートであって、前記基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、前記軟質層の８０℃におけるせん断弾性率が０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下、前記接着剤層の８０℃における溶融粘度が５ｋＰａ・ｓ以上４０ｋＰａ・ｓ以下であることを特徴とする回路部材接着用積層シート。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に軟質層および接着剤層をこの順に有し、かつ接着剤層を最外面に有する回路部材接着用積層シートであって、前記基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、前記軟質層の８０℃におけるせん断弾性率が０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下、前記接着剤層の８０℃における溶融粘度が５ｋＰａ・ｓ以上４０ｋＰａ・ｓ以下であることを特徴とする回路部材接着用積層シート。
【請求項２】
前記軟質層がシリコーン系樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載の回路部材接着用積層シート。
【請求項３】
第１の電極を有する第１の回路部材の第１の電極を有する面と、請求項１または２記載の回路部材接着用積層シートの接着剤層側の面を合わせてラミネートし、前記回路部材接着用積層シートから前記接着剤層以外の層を剥離し、得られた接着剤層付の第１の回路部材の接着剤層側の面と第２の電極を有する第２の回路部材の第２の電極を有する面を合わせ、加熱加圧により前記第１の回路部材の第１の電極と前記第２の回路部材の第２の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の電極として、先端部に半田層が形成された銅ピラーを有する第１の回路部材の第１の電極を有する面と、基材フィルム上に軟質層および接着剤層をこの順に有し、かつ接着剤層を最外面に有する回路部材接着用積層シートであって、前記基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下で、厚みが２５μｍ以上２００μｍ以下であり、前記第１の電極の高さ、前記軟質層の厚み、前記接着剤層の厚みが式（１）を満たす回路部材接着用積層シートの接着剤層側の面を合わせてラミネートし、前記回路部材接着用積層シートから前記接着剤層以外の層を剥離し、得られた接着剤層付の第１の回路部材の接着剤層側の面と第２の電極を有する第２の回路部材の第２の電極を有する面を合わせ、加熱加圧により前記第１の回路部材の第１の電極と前記第２の回路部材の第２の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（Ａ−Ｂ）＋６≦Ｃ≦（Ａ−Ｂ）＋２０      （１）
Ａ：第１の電極の高さ（μｍ）
Ｂ：接着剤層の膜厚（μｍ）
Ｃ：軟質層の膜厚（μｍ）
【請求項５】
前記軟質層の８０℃におけるせん断弾性率が、０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着剤層の８０℃における溶融粘度が、５ｋＰａ・ｓ以上４０ｋＰａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ラミネートを真空ロール式ラミネーターまたは真空ダイヤフラム式ラミネーターを用いて行うことを特徴とする請求項３〜６のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パソコンや携帯端末に使用される電子部品等に関する。より詳しくは、本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等半導体チップをフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板、シリコンインターポーザー、シリコン基板などの回路基板に接着あるいは直接電気的接合したもの、半導体チップ同士を接合したもの、３次元実装などの半導体チップの積層に用いられる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化と高密度化に伴い、半導体チップを回路基板に実装する方法としてフリップチップ実装が急速に広まってきている。フリップチップ実装においては、接合部分の接続信頼性を確保するための方法として、半導体チップ上に形成されたバンプと回路基板のパッド電極の間にエポキシ樹脂系などの接着剤を介在させてボンディングを行うことが検討されている。しかしながら、無機粒子を含有するこれらの接着剤を、バンプとパッド電極の間に介在させてボンディングを行う場合、バンプとパッド電極の間に無機粒子が挟まって接続抵抗が上昇したり、導通歩留が低下する等の課題があった。
【０００３】
また、接着剤の体積がチップ間ギャップ体積より大きい場合は、はみ出しが起こり、装置を汚染したり、他の部品を搭載するための端子の面積が制限されたりする場合があった。
【０００４】
上記問題を解決するため、様々な方法が検討されている（例えば、特許文献１〜５参照）。
【０００５】
例えば特許文献１には、電極上の接着剤を押圧部材を用いて、接着剤層の表面を押圧し、接着剤層にバンプを押し込んで、接着剤層の表面から電極を露出させる方法が記載されている。しかしながら特許文献１に記載の方法は工程が煩雑になり、半導体装置を効率よく製造することができなかった。また特許文献２および特許文献５には、弾性率の低い基材フィルムを用いた方法が記載されているが、弾性率が低い基材フィルムの場合、加熱ラミネート時にフィルムが伸びてラミネート性に悪影響を及ぼす可能性があった。また特許文献３では、硬質層の両面に柔軟層を設けた接着剤シートの検討がなされているが、ラミネート工程では電極は接着剤に埋め込まれた状態であり、ウェハ研削時にバンプの露出を行わなければならないものであった。特許文献４では接着剤層の粘度が低く、ダイシング時に接着剤がブレードに付着し、ダイシング性が悪化することがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１５９７５５号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５５１９１号公報
【特許文献３】特開２０１１−１７１５８６号公報
【特許文献４】特開２００５−２８７３４号公報
【特許文献５】特開２０１３−４８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明では、電極高さよりも薄い接着剤シートであっても気泡の噛み込みを抑制し、良好にラミネートができ、良好な接続信頼性が得られる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
基材フィルム上に軟質層および接着剤層をこの順に有し、かつ接着剤層を最外面に有する回路部材接着用積層シートであって、前記基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、前記軟質層の８０℃におけるせん断弾性率が０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下、前記接着剤層の８０℃における溶融粘度が５ｋＰａ・ｓ以上４０ｋＰａ・ｓ以下であることを特徴とする回路部材接着用積層シート。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電極高さよりも薄い接着剤シートであっても気泡の噛み込みを抑制し、良好にラミネートができ、無機粒子などのフィラーを含む接着剤を用いた場合であっても、フィラーや樹脂が半田バンプとパッド電極との間に挟まることを抑制し、良好な接続が得られる回路部材接着用積層シートを提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】接着剤シートの断面図である。
【図２】第１の回路部材の断面図である。
【図３】接着剤シートラミネート後の断面を示す図である。
【図４】接着剤付の第１の回路部材のダイシングを示す図である。
【図５】個片チップの断面図である。
【図６】第１の回路部材と第２の回路部材の実装の断面図である。
【図７】実装後の接合断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、基材フィルム上に軟質層および接着剤層をこの順に有し、かつ接着剤層を最外面に有する回路部材接着用積層シートであって、前記基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、前記軟質層の８０℃におけるせん断弾性率が０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下、前記接着剤層の８０℃における溶融粘度が５ｋＰａ・ｓ以上４０ｋＰａ・ｓ以下であることを特徴とする回路部材接着用積層シートである。
【００１２】
本発明に用いられる回路部材接着用積層シートの基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率は、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下である。より好ましくは、２ＧＰａ以上７ＧＰａ以下である。引っ張り弾性率が１ＧＰａ未満である場合、加熱ラミネート時に、基材フィルムが延びたり、しわになったりし、ラミネート性に悪影響を及ぼすことがある。また、引っ張り弾性率が１０ＧＰａを超えると、製造時の取り扱いが困難である。引っ張り弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）（アイティー計測制御（株）製、ＤＶＡ−２００）を用いて測定することができる。
【００１３】
本発明に用いられる基材フィルムの膜厚は２５μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。基材フィルムは、軟質層の支持体としての役割があり、膜厚が２５μｍ以上であると、軟質層の支持体としての効果がより発揮され、均一にラミネートができる。また、経済的な理由により１００μｍ以下が好ましい。
【００１４】
本発明に用いられる基材フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレンなどが挙げられる。なかでも、硬度、加工性、価格等の点からポリエチレンテレフタレートが好ましい。
【００１５】
本発明に用いられる軟質層の８０℃におけるせん断弾性率は、０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下である。この範囲であれば軟質層がバンプに追従し、バンプ上の樹脂やフィラーをより効率的に押し出すことができる。せん断弾性率が０．１ＭＰａ未満であると、軟質層が変形し過ぎるため、圧力がかからず、電極上に樹脂やフィラーが残ってしまう可能性があり、２ＭＰａを越えると、ラミネート時にボイドが発生したり、電極を潰して変形させる可能性がある。軟質層のせん断弾性率は、動的粘弾性測定装置（レオメーター）（株）アントンパール製、ＭＣＲ−３０２）を用いて、測定することができる。せん断弾性率は、せん断力による変形のしにくさであり、基材フィルムの影響は小さいと考えられる。
【００１６】
本発明に用いられる軟質層の膜厚は、５μｍ以上１２０μｍ以下が好ましく、電極を有する回路部材の電極を有する面にラミネートして用いる場合は、電極高さ−接着材層膜厚で表される電極の露出高さ以上であることが好ましい。軟質層の膜厚が電極の露出高さ以上であると、ラミネート時のボイドを抑制し、電極の潰れや変形を抑制できる。
【００１７】
本発明に用いられる軟質層としては、例えばゴム状弾性を示すエラストマーなどが使用でき、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン系樹脂は、熱安定性に優れるためラミネート時の加熱によっても弾性率などの特性変化が少なく、広い温度範囲でラミネート性が良好であり、好適に用いられる。
【００１８】
本発明に用いられる接着剤層の８０℃における溶融粘度は、５ｋＰａ・ｓ以上４０ｋＰａ・ｓ以下である。より好ましくは、５ｋＰａ・ｓ以上２００００Ｐａ・ｓ以下の範囲である。さらには、８０℃以上で最低溶融粘度となる接着剤がより好ましい。接着剤の粘度は低い方が、ラミネート時のボイドの発生を抑えられるが、ダイシング時にブレードに接着剤が付着したり、接着剤が伸びたりし、ダイシング性を悪化させる可能性がある。また、ボンディング時のチップピックアップの際に接着剤層表面にピックアップツールの痕がつく可能性がある。
【００１９】
８０℃における溶融粘度が５ｋＰａ・ｓ以上であれば、ダイシング性が良く、ボンディング時のチップピックアップの際に接着剤層表面にピックアップツール痕がつくことを抑えられる。また、４０ｋＰａ・ｓ以下であれば、ラミネートに適しており、ボイドの発生を抑えられる。接着剤層の溶融粘度、硬化開始温度に合わせて、ラミネート温度は適宜調整できるが、最低溶融粘度は、８０℃以上であることが好ましい。より好ましくは、最低溶融粘度温度が、８０℃以上１８０℃以下であり、最低溶融粘度が１５０００Ｐａ・ｓ以下が好ましい。
【００２０】
なお溶融粘度の測定は、例えば動的粘弾性測定装置を使用し、寸法が直径１５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍである試料に対し、昇温速度１０℃／分、測定周波数１Ｈｚ、測定温度範囲２５℃から１８０℃で測定することができる。
【００２１】
また接着剤層の厚みは０．５〜１００μｍであることが好ましく、電極を有する回路部材の電極を有する面にラミネートして用いる場合は、電極の高さより膜厚が小さいことが好ましい。また絶縁性樹脂組成物は感光性を有していてもよい。
【００２２】
本発明の接着剤層に用いられる接着剤は絶縁性樹脂組成物であり、絶縁性樹脂のみからなるものであってもよいし、絶縁性樹脂に他の成分が含まれているものであってもよい。また、複数の種類の絶縁性樹脂を混合してもよい。絶縁性樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂などを用いることができるが、これらに限られない。エポキシ樹脂が用いられる場合は、硬化剤、硬化促進剤などをさらに含有していてもよい。硬化剤、硬化促進剤としては公知のものを用いることができる。
【００２３】
本発明で用いられる絶縁性樹脂組成物として、上記のとおりエポキシ樹脂を含有する樹脂組成物、ポリイミド樹脂を含有する樹脂組成物、エポキシ樹脂とポリイミド樹脂を含有する樹脂組成物、およびこれらにフィラー、硬化剤、硬化促進剤、架橋剤、界面活性剤、分散剤などを含む組成物などが挙げられるが、例えば特開２００４−３１９８２３号公報、特開２００８−９４８７０号公報などに開示されている樹脂組成物などを用いることができる。熱安定性の点で、前記絶縁性樹脂組成物はポリイミド樹脂を含有することが好ましい。
【００２４】
絶縁性樹脂組成物は、絶縁信頼性や温度サイクルに対する信頼性の観点からフィラーを含むものが好ましい。ここでいうフィラーとしては、シリカ、窒化ケイ素、アルミナ、窒化アルミ、酸化チタン、窒化チタン、チタン酸バリウムなどの無機粒子や、ゴムや樹脂などの有機粒子を用いることができる。
【００２５】
本発明の回路部材接着用積層シートの製造方法について、例を挙げて説明する。ただし以下の説明における手法、素材、プロセス条件等については一例であり、これらに限られるものではない。
【００２６】
まず基材フィルムに軟質層を形成させる。その形成方法としては、ゴム状弾性を示すエラストマーなどの樹脂組成物を作製し、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷などで基材フィルムに塗布する方法が挙げられる。次に上記樹脂組成物を塗布した基材フィルムを乾燥させて、軟質層を有する基材フィルムを得ることができる。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用することができる。乾燥温度および乾燥時間は、有機溶媒を揮発させることが可能な範囲であればよく、被膜が未硬化または半硬化状態となるような範囲を適宜設定することが好ましい。具体的には、５０〜１５０℃の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。さらにキュアが必要な場合は、乾燥と同様にオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用することができる。または、基材フィルムに軟質層フィルムを、粘着剤を用いて貼り付ける方法が挙げられる。
【００２７】
または、基材フィルム上に軟質層が形成された市販フィルムを用いることが出来る。例えば、パナプロテクトＰＸ５０Ｔ０１Ｃ２５（商品名、パナック（株）製、ポリエチレンテレフタレート５０μｍ／シリコーン層２５μｍ）、ＣＰＦ５０（７５）ＳＬ（商品名、ニッパ（株）製、ポリエチレンテレフタレート５０μｍ／シリコーン層２０μｍ）、ＰＥＴ５０−Ｈ１０９（２０）（商品名、日栄加工（株）製、ポリエチレンテレフタレート５０μｍ／アクリル樹脂層２０μｍ）、ＰＥＴ５０−Ｈ１０５（２０）（商品名、日栄加工（株）製、ポリエチレンテレフタレート５０μｍ／アクリル樹脂層２０μｍ）が挙げられる。
【００２８】
次に絶縁性樹脂組成物を、軟質層を有する基材フィルムの軟質層側に塗布し、接着剤層を形成する。塗布方法としてはスプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷などの方法が挙げられる。軟質層に直接塗工出来ない場合は、離型処理されたフィルムに絶縁性樹脂組成物を塗布し、軟質層に転写する方法等が挙げられる。
【００２９】
塗布膜厚は、塗布手法や絶縁性樹脂組成物の固形分濃度および粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が０．５μｍ以上１００μｍ以下になるように塗布することが好ましい。次に、絶縁性樹脂組成物を塗布したものを乾燥する。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用することができる。乾燥温度および乾燥時間は、有機溶媒を揮発させることが可能な範囲であればよく、絶縁性樹脂組成物の被膜が未硬化または半硬化状態となるような範囲を適宜設定することが好ましい。具体的には、５０〜１５０℃の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。
【００３０】
このようにして、基材フィルム上に軟質層および接着剤層がこの順に積層された回路部材接着用積層シートを得ることができる。
【００３１】
本発明の半導体装置の製造方法について、例を挙げて説明する。本発明でいう半導体装置とは、半導体素子を基板に接続したものや、半導体素子同士または基板同士を接続したものだけでなく、半導体素子の特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路基板及びこれらを含む電子部品は全て半導体装置に含まれる。また、回路部材としては、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、ＴＳＶ（スルーシリコンビア）電極を有する半導体チップやシリコンインターポーザー、ガラスエポキシ回路基板、フィルム回路基板等の基板等が用いられる。また、貫通電極を有するシリコンチップの両面にパッドやバンプ等の接続端子を形成した回路部材を用い、本発明に記載された接続を繰り返し行うことにより、回路部材が３次元積層された半導体装置を得ることもできる。
【００３２】
本発明の第１の半導体装置の製造方法は、第１の電極を有する第１の回路部材の第１の電極を有する面と、本発明の回路部材接着用積層シートの接着剤層側の面を合わせてラミネートし、前記回路部材接着用積層シートから前記接着剤層以外の層を剥離し、得られた接着剤層付の第１の回路部材の接着剤層側の面と第２の電極を有する第２の回路部材の第２の電極を有する面を合わせ、加熱加圧により前記第１の回路部材の第１の電極と前記第２の回路部材の第２の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
【００３３】
本発明の第１の半導体装置の製造方法において用いられる第１の電極を有する第一の回路部材としては、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、ＴＳＶ（スルーシリコンビア）構造を有する半導体チップやシリコンインターポーザー、ガラスエポキシ回路基板、フィルム回路基板等の基板等が用いられる。第１の回路部材には、接続信頼性等の観点から第１の電極として半田バンプが形成されることが好ましい。ここでいう半田バンプの材質としては、人体や環境への影響の観点から、ＳｎＡｇＣｕ系、ＳｎＣｕ系、ＳｎＡｇ系、ＳｎＡｇＣｕＢｉ系、ＳｎＺｎＢｉ系、ＳｎＡｇＩｎＢｉ系などの鉛フリー半田を用いることが好ましい。
【００３４】
第１の回路部材を構成する基板の例としては、シリコンウェハ、セラミックス類、ガリウムヒ素、有機系回路基板、無機系回路基板、およびこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものが挙げられるが、これらに限定されない。有機系回路基板の例としては、ガラス布・エポキシ銅張積層板などのガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板などのコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板などの耐熱・熱可塑性基板、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板などのフレキシブル基板が挙げられる。また、無機系回路基板としては、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板などのセラミック基板、アルミニウムベース基板、鉄ベース基板などの金属系基板が例として挙げられる。回路の構成材料の例は、銀、金、銅、アルミなどの金属を含有する導体、無機系酸化物などを含有する抵抗体、ガラス系材料および／または樹脂などを含有する低誘電体、樹脂や高誘電率無機粒子などを含有する高誘電体、ガラス系材料などを含有する絶縁体などが挙げられる。
【００３５】
本発明の第１の半導体装置の製造方法において用いられる第２の電極を有する第２の回路部材としては、第１の回路部材と同様に、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、ＴＳＶ構造を有する半導体チップやシリコンインターポーザー、ガラスエポキシ回路基板、フィルム回路基板等の基板等が用いられる。第２の回路部材には、第１の電極と接合するための第２の電極が形成される。第２の電極は単層でも積層体でもよい。第２の電極の材質に特に制限は無く、アルミ、銅、ニッケル、金、半田など、半導体装置において一般的に用いうる金属を使用することができる。
【００３６】
次に、回路部材接着用積層シートを電極付き回路基板上に形成する。まず、第１の回路部材の電極を有する面に回路部材接着用積層シートの接着剤層の面を合わせてラミネートする。この際、接着層上に保護フィルムを有する場合にはこれを剥離してから行えばよい。また、ラミネートの方法としては接着剤層を第１の回路部材の電極を有する面に、熱圧着により貼り合わせることが好ましい。熱圧着は、前記ラミネートを真空ロール式ラミネーターまたは真空ダイヤフラム式ラミネーターを用いて行うことが好ましい。ラミネート温度は、貼り合わせ面の凹凸への追従性の点から４０℃以上が好ましい。また、貼り付け時の接着剤層の硬化を防ぐために、貼り付け温度は１５０℃以下とするのが好ましい。より好ましくは、接着剤層の最低溶融粘度温度以下である。その後、ラミネートした回路部材接着用積層シートから接着剤層以外の層を剥離することで接着剤層がラミネートされた第１の回路部材を得ることができる。
【００３７】
こうして得られた絶縁性樹脂組成物を有する第１の回路部材は、ダイシングを行い、個片化しても良い。
【００３８】
得られた絶縁性樹脂組成物を有する第１の回路部材を、第２の回路部材の電極形成面に加熱および加圧により圧着し、電気的に接合する。なお、第２の回路部材も第１の回路部材と同様、ダイシングを行い、個片化しても良い。この圧着工程では、フリップチップボンダーなどのボンディング装置を用いることが一般的である。圧着工程は、半田融点以下の温度で仮固定を行う仮圧着工程と、半田融点以上の温度での本圧着工程とに分けて実施してもよいし、本圧着工程のみを行ってもよい。また、仮圧着工程と本圧着工程を分けて実施する場合、仮圧着工程と本圧着工程を連続して実施してもよいし、仮圧着工程を実施した後に室温に戻し、別途本圧着工程を行ってもよい。
【００３９】
仮圧着工程での温度は８０〜１８０℃の温度範囲が好ましい。また仮圧着時の圧力は０．０１〜１０ＭＰａの範囲が好ましい。時間は０．１秒〜数分が好ましい。仮圧着は、常圧下で行ってもよいし、気泡の噛み込みなどを防ぐため真空中で実施してもよい。
【００４０】
本圧着工程では、１２０℃から４００℃の温度を加えて絶縁性樹脂組成物を硬化膜にするとともに、第１の電極または第２の電極として半田バンプを用いる場合は、これを溶融させて接合を行う。この加熱処理は温度を選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら１秒から数分実施する。一例としては、１００℃から２５０℃まで５秒間で昇温し、２５０℃で２０秒間熱処理する。あるいは室温より３００℃まで３０秒かけて直線的に昇温するなどの方法が挙げられる。この際、加熱温度は１５０℃以上、３５０℃以下の温度が好ましく、１８０℃以上、２８０℃以下であることがさらに好ましい。また本圧着時の圧力は０．０１〜１０ＭＰａの範囲が好ましい。該加熱処理は、常圧下で行ってもよいし、真空中で実施してもよい。また、空気による酸化劣化を防ぐため、窒素雰囲気下で実施してもよい。
【００４１】
本発明の第１の半導体装置の製造方法では、上記の工程ののち、追加キュアを行ってもよい。追加キュアの条件は、用いる絶縁性樹脂組成物に応じて任意に設定できるが、１５０℃以上３００℃以下の温度で、１０分から５時間程度とするのが一般的である。
【００４２】
以下、ＴＳＶ構造を有する半導体チップに本発明の第１の半導体装置の製造方法を適用する場合について具体的に述べる。
【００４３】
バックグラインドにより薄く削ったシリコンウェハの所望の箇所に、ドライエッチングにより貫通孔を形成する。次に、貫通孔の側面に、ＣＶＤ法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁膜を形成する。その後、貫通孔をＣｕめっきで埋め込み、ＴＳＶ構造を形成する。ＴＳＶ構造を形成した半導体チップに、柱状のＣｕパッド（Ｃｕピラー）を形成し、これを第２の回路部材として使用する。Ｃｕピラーの高さは１μｍ〜５０μｍとするのが一般的である。
【００４４】
第１の回路部材は、第２の回路部材と同様の回路部材を作成し、次に以下の方法により上記第２の回路部材のＣｕピラー上に半田バンプを形成して作成することができるが、これには限定されない。半田メッキ用ドライフィルムレジストを上記第２の回路部材にラミネートし、パターン加工を行ってＣｕピラー上に開口部を形成する。次に、スクリーン印刷法などによりレジスト開口部に半田ペーストを充填し、リフローを行う。最後にレジストを剥離してＴＳＶ構造を有する第１の回路部材を得る。なお、ピラーがＣｕピラーである場合について説明したが、上述した他の金属であっても同様に適用できる。
【００４５】
得られた第１の回路部材の半田バンプを有する面に、本発明の回路部材接着用積層シートの接着剤層の面を合わせてラミネートする。この際、接着層上に保護フィルムを有する場合にはこれを剥離してから行えばよい。次いでダイシングを行い、絶縁性樹脂組成物付きの個片化された第１の回路部材を得る。
【００４６】
個片化された第１の回路部材と第２の回路部材との接合は、フリップチップボンディングにより行う。まず第２の回路部材をフリップチップボンディング装置のボンディングステージに固定する。ボンディングステージは、加熱しておくのが一般的である。次に、絶縁性樹脂組成物の個片化された第１の回路部材と第２の回路部材との位置あわせを行った後、加熱および加圧を行って両者を接合し、半導体装置を得る。この際、仮圧着と本圧着とに分けて加熱および加圧を実施することもできる。
【００４７】
本発明の第２の半導体装置の製造方法は、第１の電極として、先端部に半田層が形成された銅ピラーを有する第１の回路部材の第１の電極を有する面と、基材フィルム上に軟質層および接着剤層をこの順に有し、かつ接着剤層を最外面に有する回路部材接着用積層シートであって、前記基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下で、厚みが２５μｍ以上２００μｍ以下であり、前記第１の電極の高さ、前記軟質層の厚み、前記接着剤層の厚みが式（１）を満たす回路部材接着用積層シートの接着剤層側の面を合わせてラミネートし、前記回路部材接着用積層シートから前記接着剤層以外の層を剥離し、得られた接着剤層付の第１の回路部材の接着剤層側の面と第２の電極を有する第２の回路部材の第２の電極を有する面を合わせ、加熱加圧により前記第１の回路部材の第１の電極と前記第２の回路部材の第２の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
（Ａ−Ｂ）＋６≦Ｃ≦（Ａ−Ｂ）＋２０      （１）
Ａ：第１の電極の高さ（μｍ）
Ｂ：接着剤層の膜厚（μｍ）
Ｃ：軟質層の膜厚（μｍ）
本発明の第２の半導体装置の製造方法では、第１の電極として、先端部に半田層が形成された銅ピラーを有する第１の回路部材を用いる。
【００４８】
近年、半導体装置の小型化と高密度化に伴い、電極サイズが小さく、狭ピッチかつ狭ギャップになっており、電極として、先端部に半田層が形成された銅ピラーが多く用いられている。銅ピラーと半田層の間にＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒなど他の金属が介在してもよい。先端部に半田層が形成された銅ピラーを有する第１の電極の高さは、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。５μｍ未満では、電極の作製が困難であり、また、十分な半田厚さが得られず、接合不良となる。また、１００μｍより高いことは稀である。
【００４９】
本発明の第２の半導体装置の製造方法で用いられる基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下で、厚みが２５μｍ以上２００μｍ以下である。８０℃における引っ張り弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下である理由は、本発明の回路部材接着用積層シートの説明で記載したものと同様であり、また厚みが２５μｍ以上２００μｍ以下である理由は、本発明の回路部材接着用積層シートの説明で好ましい理由として記載したものと同様である。
【００５０】
また本発明の回路部材接着用積層シートの説明で記載したものと同様、基材フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレンなどが挙げられる。なかでも、硬度、加工性、価格等の点からポリエチレンテレフタレートが好ましい。
【００５１】
本発明の第２の半導体装置の製造方法で用いられる軟質層の８０℃におけるせん断弾性率が０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下が好ましく、その理由は、本発明の回路部材接着用積層シートの説明で記載したものと同様である。
【００５２】
また本発明の回路部材接着用積層シートの説明で記載したものと同様、軟質層としては、例えばゴム状弾性を示すエラストマーなどが使用でき、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン系樹脂は、熱安定性に優れるためラミネート時の加熱によっても弾性率などの特性変化が少なく、広い温度範囲でラミネート性が良好であり、好適に用いられる。
【００５３】
また本発明の第２の半導体装置の製造方法で用いられる接着剤層の８０℃における溶融粘度は、５ｋＰａ・ｓ以上４０ｋＰａ・ｓ以下が好ましく、さらには、８０℃以上で最低溶融粘度となる接着剤がより好ましい。その理由は、本発明の回路部材接着用積層シートの説明で記載したものと同様である。接着剤層の溶融粘度、硬化開始温度に合わせて、ラミネート温度は適宜調整できるが、最低溶融粘度は、８０℃以上であることが好ましい。より好ましくは、最低溶融粘度温度が、８０℃以上１８０℃以下であり、最低溶融粘度が１５０００Ｐａ・ｓ以下が好ましい。
【００５４】
また接着剤層に用いられる接着剤としても、本発明の回路部材接着用積層シートの説明で記載したものと同様のものを用いることができる。
【００５５】
また本発明の第２の半導体装置の製造方法は、第１の電極の高さ（μｍ）をＡ、接着剤層の膜厚（μｍ）をＢ、軟質層の膜厚（μｍ）をＣとして、下記式（１）を満たすことを特徴とする。
（Ａ−Ｂ）＋６≦Ｃ≦（Ａ−Ｂ）＋２０      （１）
また本発明に用いられる軟質層の膜厚Ｃは、半導体装置の製造に用いる第１の回路部材の第１の電極高さＡと接着剤層の膜厚Ｂによって決定される。
【００５６】
軟質層の膜厚Ｃが（Ａ−Ｂ）＋６（μｍ）より薄いと、ラミネート時にボイドが発生したり、電極を潰して変形させる可能性がある。また、電極に潰れる程の圧力が加わったとき、フィラーが電極にくい込む可能性があり、フィラー残りの原因となる。また、軟質層の膜厚Ｃが（Ａ−Ｂ）＋２０（μｍ）より厚いと軟質層を通して電極に圧力がかからず、電極上に樹脂やフィラーが残ってしまう可能性がある。（１）式で示される範囲であると、電極高さよりも薄い接着剤シートであっても気泡の噛み込みを抑制し、良好にラミネートができ、無機粒子などのフィラーを含む接着剤を用いた場合であっても、フィラーや樹脂が半田バンプとパッド電極との間に挟まることを抑制し、良好な接続が得られる。
【００５７】
回路部材接続用積層シートの第１の回路部材へのラミネートおよび、第１の回路部材と第２の回路部材の接続は上記本発明の第１の半導体装置の製造方法と同様の方法で行うことができる。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明の回路部材接着用積層シートについてより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５９】
以下に、各物性の測定方法を記載する。
【００６０】
（基材フィルムの引っ張り弾性率の測定）
動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）（アイティー計測制御（株）製、ＤＶＡ−２００）を用いて、長さ５０ｍｍ、幅５ｍｍである試料に対し、つかみ長３０ｍｍ、幅５ｍｍ、昇温速度５℃／分、測定周波数１Ｈｚ、ひずみ０．０５％、測定温度範囲２５℃から１５０℃で測定し、８０℃での値を読み取った。
【００６１】
なお測定サンプルは、各実施例・比較例で用いた基材フィルムを０．４ｍｍの厚みに積層し、オーブンを用いて１８０℃で１時間硬化させ、長さ５０ｍｍ、幅５ｍｍに切断したものを用いた。
【００６２】
（軟質層のせん断弾性率の測定）
動的粘弾性測定装置（レオメーター）（（株）アントンパール製、ＭＣＲ−３０２）を用いて、寸法が直径１５ｍｍである試料に対し、昇温速度１０℃／分、測定周波数１Ｈｚ、ひずみ制御０．１％、測定温度範囲２５℃から８０℃で測定し、８０℃での値を読み取った。
【００６３】
なお測定サンプルは、各実施例・比較例で用いた軟質層付基材フィルムを６枚重ね合わせ、これを直径１５ｍｍに切り取ったものを用いた。
【００６４】
せん断弾性率は、せん断力による変形のしにくさであり、基材フィルムの影響は小さいと考えた。
【００６５】
（接着剤の溶融粘度の測定）
動的粘弾性測定装置（レオメーター）（（株）アントンパール製、ＭＣＲ−３０２）を用いて、寸法が直径１５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍである試料に対し、昇温速度１０℃／分、測定周波数１Ｈｚ、ひずみ制御８％、測定温度範囲２５℃から１５０℃で測定し、８０℃での値を読み取った。
【００６６】
なお測定サンプルは、各実施例・比較例で用いた接着剤層と剥離性基材の積層体を２つ用意し、これらの接着剤層側同士を合わせて接着させ、片側の面の剥離性基材を剥離して、接着剤層（２層分）と剥離性基材の積層体を作製することを繰り返し、厚み０．８ｍｍの接着剤層を得て、これを直径１５ｍｍに切り取ったものを用いた。
【００６７】
＜固形エポキシ化合物＞
１５７Ｓ７０（商品名、三菱化学（株）製）
＜液状エポキシ化合物＞
ＥＰ８２８（商品名、三菱化学（株）製）
＜硬化促進剤＞
マイクロカプセル型硬化促進剤  ノバキュアＨＸ−３７９２（商品名、旭化成イーマテリアルズ（株）製）ノバキュアＨＸ−３７９２は、マイクロカプセル型硬化促進剤／液状ビスフェノールＡ型エポキシ化合物を重量比１／２の割合で含有する。
【００６８】
＜フィラー＞
ＳＯ−Ｅ２（商品名、アドマテックス（株）製、球形シリカ粒子、平均粒子径０．５μｍ）
ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ３（商品名、アドマテックス（株）製、球形シリカ粒子、平均粒子径０．０５μｍ）。
【００６９】
＜軟質層付基材フィルム＞
軟質層付基材フィルム１
ＣＰＦ５０（７５）ＳＬ（商品名、ニッパ（株）製、基材フィルムがポリエチレンテレフタレート５０μｍ、軟質層がシリコーン樹脂２０μｍの２層構造フィルム）
軟質層のせん断弾性率は１．４ＭＰａ、基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００７０】
なお、本軟質層付基材フィルムの基材フィルムは一般的なポリエチレンテレフタレートフィルムであるため、基材フィルムの引っ張り弾性率は、一般的なポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名、東レ（株）製、ルミラーＳ１０、厚み５０μｍ）の測定値とした。
【００７１】
軟質層付基材フィルム２
ＰＥＴ５０Ｈ１０９（２０）（商品名、日栄加工（株）製、ポリエチレンテレフタレート５０μｍ、アクリル樹脂２０μｍの２層構造）
軟質層のせん断弾性率は１．０ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００７２】
なお、本軟質層付基材フィルムの基材フィルムは一般的なポリエチレンテレフタレートフィルムであるため、基材フィルムの引っ張り弾性率は、一般的なポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名、東レ（株）製、ルミラーＳ１０、厚み５０μｍ）の測定値とした。
【００７３】
軟質層付基材フィルム３
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム“セラピール”ＨＰ（商品名、東レフィルム加工（株）製、重剥離グレード）上に下記の組成のシリコーン樹脂層を、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布して、１５０℃×３０分間硬化し、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００７４】
シリコーン樹脂の組成は、両末端ビニル基のポリジメチルシロキサン（重量平均分子量２８，０００）を１００重量部、（ＣＨ３）３ＳｉＯ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３０−（ＳｉＨ（ＣＨ３）Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）３（分子量２０００）を４．５重量部、塩化白金酸・メチルビニルサイクリック錯体を０．０２５重量部のものを用いた。
【００７５】
軟質層のせん断弾性率は０．１ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００７６】
軟質層付基材フィルム４
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム“セラピール”ＨＰ（商品名、東レフィルム加工（株）製、重剥離グレード）上に下記の組成のシリコーン樹脂層を、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布して、１５０℃×３０分間硬化し、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００７７】
シリコーン樹脂は、両末端ビニル基のポリジメチルシロキサン（重量平均分子量９，４００）を１００重量部、（ＣＨ３）３ＳｉＯ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３０−（ＳｉＨ（ＣＨ３）Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）３（分子量２０００）を４．５重量部、塩化白金酸・メチルビニルサイクリック錯体を０．０２５重量部のものを用いた。
【００７８】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００７９】
軟質層付基材フィルム５
基材フィルムを厚み６０μｍのポリプロピレンフィルム（商品名、東レ株式会社製、Ｔ２５７０）に変更したこと以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００８０】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は１．９ＧＰａであった。
【００８１】
軟質層付基材フィルム６
軟質層の膜厚を２５μｍとした以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００８２】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００８３】
軟質層付基材フィルム７
軟質層の膜厚を１５μｍとした以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００８４】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００８５】
軟質層付基材フィルム８
軟質層の膜厚を１６μｍとした以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００８６】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００８７】
軟質層付基材フィルム９
軟質層の膜厚を３０μｍとした以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００８８】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００８９】
軟質層付基材フィルム１０
軟質層の膜厚を３３μｍとした以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００９０】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００９１】
軟質層付基材フィルム１１
軟質層の膜厚を１４μｍとした以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００９２】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００９３】
軟質層付基材フィルム１２
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム“セラピール”ＨＰ（商品名、東レフィルム加工（株）製、重剥離グレード）上に下記の組成のシリコーン樹脂層を、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布して、１５０℃×３０分間硬化し、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００９４】
シリコーン樹脂組成は、両末端ビニル基のポリジメチルシロキサン（重量平均分子量４９，５００）を１００重量部、（ＣＨ３）３ＳｉＯ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３０−（ＳｉＨ（ＣＨ３）Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）３（分子量２０００）を８．２重量部、塩化白金酸・メチルビニルサイクリック錯体を０．０２５重量部のものを用いた。
【００９５】
軟質層のせん断弾性率は０．０３ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００９６】
軟質層付基材フィルム１３
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム“セラピール”ＨＰ（商品名、東レフィルム加工（株）製、重剥離グレード）上に下記の組成のシリコーン樹脂層を、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布して、１５０℃×３０分間硬化し、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【００９７】
シリコーン樹脂組成は、両末端ビニル基のポリジメチルシロキサン（重量平均分子量６，０００）を１００重量部、（ＣＨ３）３ＳｉＯ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３０−（ＳｉＨ（ＣＨ３）Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）３（分子量２０００）を８．２重量部、塩化白金酸・メチルビニルサイクリック錯体を０．０２５重量部のものを用いた。
【００９８】
軟質層のせん断弾性率は１．９ＭＰａであった。基材フィルム（ポリエチレンテレフタレート）の引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【００９９】
軟質層付基材フィルム１４
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム“セラピール”ＨＰ（商品名、東レフィルム加工（株）製、重剥離グレード）上に下記の組成のシリコーン樹脂層を、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布して、１５０℃×３０分間硬化し、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【０１００】
軟質層のシリコーン樹脂組成は、両末端ビニル基のポリジメチルシロキサン（重量平均分子量８００）を１００重量部、（ＣＨ３）３ＳｉＯ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３０−（ＳｉＨ（ＣＨ３）Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）３（分子量２０００）を８．２重量部、塩化白金酸・メチルビニルサイクリック錯体を０．０２５重量部のものを用いた。
【０１０１】
軟質層のせん断弾性率は５．５ＭＰａであった。基材フィルムの引っ張り弾性率は４．５ＧＰａであった。
【０１０２】
軟質層付基材フィルム１５
基材フィルムを厚み５０μｍのポリオレフィンフィルム（三井化学東セロ（株）製、“オピュラン”（登録商標）Ｘ−４４Ｂ）に変更したこと以外は、軟質層付基材フィルム４と同様にして、軟質層が積層された基材フィルムを得た。
【０１０３】
軟質層のせん断弾性率は０．６ＭＰａであった。基材フィルムの８０℃における引っ張り弾性率は、０．１５ＧＰａであった。
【０１０４】
＜第１の回路部材＞
８インチシリコンウェハ上に、高さ２０μｍ、直径２０μｍの銅バンプが形成され、銅バンプ上に高さ２０μｍの半田ボールが形成されている。
【０１０５】
＜第２の回路部材＞
８インチシリコンウェハ上に、高さ５μｍの銅パッドが形成されている。
【０１０６】
実施例１
（１）有機溶剤可溶性ポリイミドの合成
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以下、ＢＡＨＦとする）２４．５４ｇ（０．０６７モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（以下、ＳｉＤＡとする）４．９７ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として、アニリン１．８６ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰとする）８０ｇに溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物（以下、ＯＤＰＡとする）３１．０２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ−１付近、１３７７ｃｍ−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにして有機溶剤可溶性ポリイミドを得た。
【０１０７】
（２）接着剤層の作製
上記で得た有機溶剤可溶性ポリイミドを２５ｇ、固形エポキシ化合物１５７Ｓ７０を３０ｇ、液状エポキシ化合物ＥＰ８２８を５ｇ、硬化促進剤ＨＸ−３７９２を４０ｇ、フィラーＳＯ−Ｅ２を６７ｇ、溶剤メチルイソブチルケトン７５ｇを調合し、ボールミルを用いてフィラーおよび硬化促進剤粒子の分散処理を行い、樹脂組成物ワニスを得た。得られた樹脂組成物ワニスを、スリットダイコーター（塗工機）を用いて剥離性基材である厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムＳＲ−３（商品名、大槻工業（株）製、片面離型処理）に塗布し、９０℃で１０分間乾燥を行い、接着剤層と剥離性基材の積層体を得た。乾燥後の接着剤層の厚みは３０μｍとした。
【０１０８】
８０℃における接着剤の粘度は、５ｋＰａ・ｓであった。
【０１０９】
（３）回路部材接着用積層シートの作製
（２）で得た接着剤層面に軟質層付基材フィルム１の軟質層面をラミネートし、回路部材接着用積層シートと剥離性基材の積層体を得た。
【０１１０】
（４）ラミネート
貼り合わせ装置（タカトリ（株）製、ＶＴＭ−２００Ｍ）のステージ側に第１の回路部材（半田バンプ電極を具備する８インチシリコンウェハ、バンプの高さ４０μｍ）のバンプ電極形成面を上向きにセットした。次いで、得られた半導体製造用接着剤シートから、剥離性基材ＳＲ−３を剥離して接着剤面を露出させ、第１の回路部材面と接着剤シートの露出面が接触するようにセットし、温度８０℃、圧力０．２ＭＰａ、ロール速度１ｍｍ／ｓ、真空度１５０Ｐａでラミネートし、バンプ電極が接着剤で埋め込まれた回路部材を得た。得られた第１の回路部材から基材フィルムおよび軟質層を剥がし、第１の回路部材（８インチシリコンウェハ）全体に対して、光学顕微鏡を用いてボイドの有無、バンプ形状を観察した。バンプ間にまたがるボイドとバンプ間にまたがらないボイドの個数を数えた。また、バンプ１００個（５０個×任意の２列）を観察し、バンプ潰れの個数を数えた。結果を表２に示す。
【０１１１】
（５）ダイシング
（４）で得た半導体製造用接着剤を具備した第１の回路部材をテープフレーム、およびダイシングテープに固定した。固定は、ウェハマウンター装置（テクノビジョン（株）製、ＦＭ−１１４）を用い、バンプ電極とは反対側のウェハ基板面にダイシングテープ（リンテック（株）製、Ｄ−６５０）を貼り合わせることによって行った。
【０１１２】
次いで、以下の切削条件でダイシングを行った。
ダイシング装置：ＤＡＤ−３３５０（ＤＩＳＣＯ（株）製）
半導体チップサイズ：５×５ｍｍ
ブレード：ＮＢＣ−ＺＨ２０３０−２７ＨＣＤＥ
スピンドル回転数：３００００ｒｐｍ
切削速度：２５ｍｍ／ｓ
切削深さ：ダイシングテープの深さ１０μｍまで切り込む
カット：ワンパスフルカット
カットモード：ダウンカット
切削水量：３．７Ｌ／分
切削水および冷却水：温度２３℃、電気伝導度０．５ＭΩ・ｃｍ（超純水に炭酸ガスを注入）。
【０１１３】
こうして、接着剤付きの個片化された第１の回路部材（５ｍｍ角）を得た。ダイシング性が良好なものは◎、ダイシング時に接着剤が伸びて変形したり、接着剤層に欠けが生じるが、実装評価に影響がないものは○、ダイシング時に接着剤が伸びて大きく変形したり、接着剤層に大きな欠けが生じ、実装評価に影響があるものを×とした。結果を表２に示す。
【０１１４】
第２の回路部材も同様にダイシングを行い、５ｍｍ角の第２の回路部材を得た。
【０１１５】
（６）実装
個片化された第１の回路部材を、第２の回路部材へのフリップチップボンディングは、フリップチップボンディング装置（東レエンジニアリング（株）製、ＦＣ−３０００ｓ）を用いて行った。まず第２の回路部材を８０℃に加熱されたボンディングステージに固定し、接着剤付きの個片化された第１の回路部材と第２の回路部材との位置あわせを行った後、温度１００℃、圧力５５Ｎ／チップ、１０秒間仮圧着したのち、温度２６０℃、圧力５５Ｎ／チップで１０秒間本圧着を行った。
【０１１６】
ボンディングを終了した回路部材の断面を観察し、バンプ１００個（５０個×任意の２列）のうち、フィラーを噛み混んだバンプ数を数えた。
【０１１７】
また、デイジーチェーンパターンの導通をデジタルマルチメータ（三和電気計器（株）、ＣＤ７７１）を用いて確認し、導通していたものを○、導通していなかったものを×とした。
【０１１８】
実施例２
接着剤層の組成をフィラーＳＯ−Ｅ２を１５０ｇ、溶剤メチルイソブチルケトン１００ｇに変更した以外は、実施例１と同様に行った。
【０１１９】
８０℃における接着剤の粘度は、１０ｋＰａ・ｓであった。
【０１２０】
実施例３
接着剤層の組成をフィラーＳＯ−Ｅ２のかわりにＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ３に変更したこと以外は、実施例１と同様に行った。
【０１２１】
８０℃における接着剤の粘度は、３５ｋＰａ・ｓであった。
【０１２２】
実施例４
軟質層付基材フィルムを軟質層付基材フィルム２に変更した以外は、実施例１と同様に行った。
【０１２３】
実施例５
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム３に変更した以外は、実施例１と同様に行った。
【０１２４】
実施例６
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム４に変更した以外は、実施例１と同様に行った。
【０１２５】
実施例７
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム５に変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１２６】
実施例８
接着剤層の膜厚を２７μｍに変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１２７】
実施例９
接着剤層の膜厚を３５μｍに変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１２８】
実施例１０
接着剤層の膜厚を３８μｍに変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１２９】
実施例１１
接着剤層の膜厚を４０μｍに変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１３０】
実施例１２
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム６に変更し、接着剤層の膜厚を３５μｍに変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１３１】
実施例１３
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム７に変更し、接着剤層の膜厚を３５μｍに変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１３２】
実施例１４
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム８に変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１３３】
実施例１５  
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム９に変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１３４】
実施例１６
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム１０に変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１３５】
実施例１７
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム１１に変更した以外は、実施例６と同様に行った。
【０１３６】
実施例１８
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム１２に変更した以外は、実施例１と同様に行った。
【０１３７】
実施例１９
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム１３に変更した以外は、実施例１と同様に行った。
【０１３８】
実施例２０
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム１４に変更した以外は、実施例１と同様に行った。
【０１３９】
実施例２１
接着剤層の組成を下記に変更したこと以外は、実施例１と同様に行った。
【０１４０】
実施例１（１）で得た有機溶剤可溶性ポリイミドを２０ｇ、固形エポキシ化合物１５７Ｓ７０を３２ｇ、液状エポキシ化合物ＥＰ８２８を８ｇ、硬化促進剤ＨＸ−３７９２を４０ｇ、フィラーＳＯ−Ｅ２を１００ｇ、溶剤メチルイソブチルケトン８０ｇを調合し、ボールミルを用いてフィラーおよび硬化促進剤粒子の分散処理を行い、樹脂組成物ワニスを得た。
【０１４１】
８０℃における接着剤の粘度は、３ｋＰａ・ｓであった。
【０１４２】
実施例２２
接着剤層組成をフィラーＳＯ−Ｅ２のかわりにＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ３に変更したこと以外は、実施例２と同様に行った。
【０１４３】
８０℃における接着剤の粘度は、５０ｋＰａ・ｓであった。
【０１４４】
比較例１
軟質層付き基材フィルムを軟質層付基材フィルム１５に変更したこと以外は、実施例６と同様に行った。
【０１４５】
各実施例および比較例の層構成等を表１に、結果を表２に示す。
【０１４６】
【表１】
2015084352.tif 000003
【０１４７】
【表２】
2015084352.tif 000004
【符号の説明】
【０１４８】
１  基材フィルム
２  軟質層
３  接着剤層
１０  回路部材接着用積層シート
２０  第１の回路部材
２１  銅バンプ
２２  半田
２３  シリコンウェハ
３０  ダイシングテープ
４０  第２の回路部材
４１  銅パッド
４２  シリコンウェハ
【図１】
2015084352.tif 000005
【図２】
2015084352.tif 000006
【図３】
2015084352.tif 000007
【図４】
2015084352.tif 000008
【図５】
2015084352.tif 000009
【図６】
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【図７】
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