(57)【要約】      （修正有）【課題】アンダーデンス錫プラズマが実質的に等方なＥＵＶ線の放射を提供する。【解決手段】ＥＵＶリソグラフィー用錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムに関し、システムは、錫液の供給源から錫蒸気柱を生成する。錫柱は、１０１９原子／ｃｍ３未満の錫原子密度を有し、音速または音速に近い速度で移動する。また、システムは、錫蒸気凝縮器を有する。錫蒸気凝縮器は、錫蒸気柱を受けて、錫蒸気を凝縮し、再生錫液を生成するように配設されている。パルスレーザーは、錫蒸気柱の一部を照射する。各パルスは、１０１９電子／ｃｍ３未満の電子密度を有するアンダーデンス錫プラズマを発生させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
錫液の供給源から、１０１９原子／ｃｍ３未満の錫原子密度を有する錫蒸気柱を生成するように構成される錫蒸気チャンバーと、
前記錫蒸気柱を受けて、錫蒸気を凝縮し、再生錫液を生成するように配設される錫蒸気凝縮器と、
前記再生錫液を回収して、前記錫液の供給源に搬送する錫液回収システムと、
前記錫蒸気柱を少なくとも１本のレーザー光線で照射して、１０１９電子／ｃｍ３未満の電子密度を有するアンダーデンス錫プラズマを発生させるように配設される少なくとも１つのレーザーと
を備え、
前記アンダーデンス錫プラズマは、実質的に等方的にＥＵＶ線を放射する
ＥＵＶリソグラフィー用錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システム。
【請求項２】
放射されるＥＵＶ線の第１部分を受けて焦光点に向かわせるように配設される斜入射集光（ＧＩＣ）ミラーをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＥＵＶ線の第２部分を受けて前記アンダーデンスプラズマに戻らせてＧＩＣ集光器に向かわせるように配設される球状垂直入射集光（ＮＩＣ）ミラーをさらに備え、
前記ＧＩＣ集光器は、前記ＥＵＶを前記焦光点に再焦点合わせするように構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記錫蒸気柱と前記ＮＩＣミラーとの間に動作可能に配設される第１堆積物軽減装置（ＤＭＤ）と、
前記錫蒸気柱と前記ＧＩＣ集光器との間に動作可能に配設される第２ＤＭＤと
をさらに備える、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
内部を有する格納容器をさらに備え、
前記第１および第２のＤＭＤは、前記格納容器の反対側に配設されると共にそこに密接され、
前記錫蒸気柱は、前記格納容器内部において前記錫蒸気発生器から前記錫蒸気凝縮器に移動する、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
少なくとも１本のレーザー光線を格納容器内部に導き、通過させる少なくとも１本のレーザー光線路をさらに備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
窓を含み、少なくとも１本のレーザー光線が前記窓を通過するように前記少なくとも１本のレーザー光線路に対して動作可能に配設される窓システムをさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記窓システムは、前記レーザー光線路を前記格納容器内部から遮断する遮断弁を含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＧＩＣミラーと前記焦光点との間に配設され、前記ＧＩＣミラーからの前記ＥＵＶ線の一部を前記焦光点にさらに向かわせる放射強化集光装置（ＲＣＥＤ）をさらに備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ＲＣＥＤは、前記ＥＵＶ線の少なくとも一部を下流側の照明装置に向かわせるように構成される後部を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記焦光点における前記ＥＵＶ線は、少なくとも１００Ｗの出力を有する、請求項５に記載のシステム。
【請求項１２】
前記焦光点における前記ＥＵＶ線は、少なくとも５００Ｗの出力を有する、請求項５に記載のシステム。
【請求項１３】
前記焦光点における前記ＥＵＶ線は、少なくとも１０００Ｗの出力を有する、請求項５に記載のシステム。
【請求項１４】
前記錫蒸気柱は、実質的に２ｍｍの直径を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記錫蒸気発生器は、
錫液および錫蒸気を含む内部および音速ノズルを有するチャンバーと、
前記チャンバー内に存在する錫液を加熱して錫蒸気を発生させ、前記錫蒸気を音速で音速ノズルから放出させて前記錫蒸気柱を生成するように配設される熱源と
を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記音速ノズルは、
約２０ｍｍの第１直径を有する入口端と、
約２ｍｍの直径を有する出口端と
を有し、
前記入口端から前記出口端までの長さが約４０ｍｍである、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのレーザーは、前記錫蒸気柱に２以上の方向から対称に入射するレーザー光線をそれぞれ発生させる２つ以上のレーザーから構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記錫蒸気柱は、実質的に１ｍｍから３ｍｍの直径を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
レーザーパルスをそれぞれ含む複数のレーザー光線をさらに備え、
前記レーザーパルスは、前記錫蒸気柱に入射すると同時に前記アンダーデンス錫プラズマを発生させる、請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
１０１９原子／ｃｍ３未満の錫原子密度を有する錫蒸気柱を生成することと、
前記錫蒸気柱の一部をパルスレーザー光線で１以上の方向から照射して、１０１９電子／ｃｍ３未満であって実質的に等方的にＥＵＶ線を放出するアンダーデンス錫プラズマを発生させることと
を備え、
前記錫蒸気柱中の錫蒸気は、音速または音速に近い速度で移動する
ＥＵＶ線の生成方法。
【請求項２１】
錫貯留容器中の錫液を錫蒸気に変化させることと、
前記錫蒸気を音速ノズルに通して前記錫蒸気柱を生成するここと
をさらに備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記音速ノズルは、
１５ｍｍから２５ｍｍの範囲内の第１直径を有する入口端開口と、
１ｍｍから３ｍｍの範囲内の直径を有する出口端オリフィスと
を有し、
前記入口端から前記出口端までの全長は約３５から４５ｍｍである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記錫蒸気柱からの錫蒸気を凝縮することと、
凝縮された錫蒸気を錫貯留容器に戻すことと
をさらに備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
斜入射集光（ＧＩＣ）ミラーを用いて前記ＥＵＶ線の第１部分を受けると共にそのＥＵＶ線の一部を焦光点に向かわせることをさらに備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記ＧＩＣミラーと前記焦光点との間に配設される放射強化集光装置（ＲＣＥＤ）を使用して、さらに前記ＧＩＣミラーからの前記ＥＵＶ線を前記焦光点に向かわせることをさらに備える、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ＲＣＥＤは、前記ＥＵＶ線の少なくとも一部を下流側の照明装置に最適に向かわせるように構成される後部を含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
垂直入射集光（ＮＩＣ）ミラーを使用して、前記ＥＵＶ線の第２部分を集光して前記アンダーデンス錫プラズマに戻らせて前記ＧＩＣミラーに向かわせることと、
前記ＧＩＣミラーを使用して、前記ＥＵＶ線の第２部分を前記焦光点に再焦点合わせすることと
をさらに備える、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記ＲＣＥＤは、前記ＥＵＶ線の少なくとも一部を下流側の照明装置に最適に向かわせるように構成される後部を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記錫蒸気柱と前記ＮＩＣミラーとの間の第１堆積物軽減装置（ＤＭＤ）を使用して、前記錫プラズマからの堆積物が前記ＮＩＣミラーに堆積することを軽減または防止することと、
前記錫蒸気柱と前記ＧＩＣ集光器との間の第２ＤＭＤを使用して、前記錫プラズマからの堆積物が前記ＧＩＣミラーに堆積することを軽減または防止することと
をさらに備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記焦光点における前記ＥＵＶ線は、少なくとも５００ワットの出力を有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項３１】
前記焦光点における前記ＥＵＶ線は、少なくとも１０００ワットの出力を有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項３２】
前記パルスレーザー光線は、レーザー光線をそれぞれ発生させる２つ以上のレーザーに由来し、
前記２つ以上の光線は、２以上の方向から前記錫蒸気柱に入射する、請求項２０に記載の方法。
【請求項３３】
前記錫蒸気柱は、少なくとも１つの格納容器の内部を移動する、請求項２０に記載の方法。
【請求項３４】
前記少なくとも１本のパルスレーザー光線は、レーザー光線路を通って前記少なくとも１つの格納容器に向かって移動する、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記少なくとも１本のパルスレーザー光線は、前記レーザー光線路に対して動作可能に配設される窓システムの窓を通って移動し、
前記窓システムは、前記少なくとも１つの格納容器の内部から前記レーザー光線路を密閉するように構成される、請求項３４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権主張
本願は、米国特許法第１１９条ｅ項の下、２０１３年５月３日に出願された米国仮特許出願第６１／８１９，４３５号に基づく優先権を主張するものである。
【０００２】
同仮特許出願は、参照により組み込まれる。２０１１年３月１１日に出願されて米国特許第８，５８７，７６８号として発行された「ＥＵＶ線集光強化ＥＵＶ集光システム」との名称の米国特許出願第１３／０６５，００８号、２０１０年６月２８日に出願されて米国特許第８，６８６，３８１号として発行された「ＧＩＣミラー付光源集光モジュールおよび錫蒸気ＬＰＰ標的システム」との名称の米国特許出願第１２／８０３，４６１号、２０１３年２月７日に出願された「ＧＩＣミラーおよびＬＰＰ源を使用したＥＵＶリソグラフィー用光源集光モジュール」との名称の米国特許出願第１３／７６１，１８９号、および２０１３年４月２日に発行された「レーザー生成プラズマ源用斜入射集光器」との名称の米国特許第８，４１１，８１５号を含む、ここに言及される刊行物または特許文献の全開示は、参照により組み込まれる。
【０００３】
本開示は、極紫外線（ＥＵＶ)源に関し、特にＥＵＶリソグラフィー用の錫蒸気ＥＵＶレーザー生成プラズマ（ＬＰＰ）源システムに関する。
【背景技術】
【０００４】
現在のＥＵＶリソグラフィー技術は、不適切な光源出力に悩まされている。
商業的に実現可能なＥＵＶリソグラフィーでは、焦光点（ＩＦ）で１ｋＷ（１０００Ｗ）のＥＵＶ出力が必要とされる。残念なことに、今日まで約５０Ｗしか達成されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第８，５８７，７６８号明細書
【特許文献２】米国特許第８，６８６，３８１号明細書
【特許文献３】米国特許第８，４１１，８１５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
現在のＥＵＶ源システムは、錫滴標的および多層被覆垂直入射集光器（ＮＩＣ）と併せてパルスＩＲレーザードライバーを使用している。残念なことに、この光源システムを高ＥＵＶ出力（例えば、ＩＦで１ｋＷ）にするのは、極めて難しい。特に、ＩＦで１ｋＷのＥＵＶを得るためには、錫標的で１００ｋＷを上回るドライブレーザー出力を必要とすると共に、錫滴標的に当てるために同期されたパルスレーザー（約１００ｋＨｚで動作）を必要とする。これは、非常に厳しい要求である。さらに、現在の構想でのレーザー標的相互作用物理は、ＬＰＰから高レベルの反射ＩＲレーザー出力を生成する。この結果、レーザー出力からＥＵＶ出力への変換効率が低下する。また、これは、下流側の光学部品およびウェハに損傷を与えるリスクをもたらす。高出力では、ＬＰＰからの堆積物により、ＮＩＣが、かなり早期に損傷する深刻なリスクにさらされる。これらの全ての問題は、ＩＦでのＥＵＶ出力の増大に伴って少なくとも直線的に増大する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一局面は、ＥＵＶリソグラフィー用の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムである。システムは、錫蒸気発生器を有する。錫蒸気発生器は、錫液の供給源から錫蒸気柱または錫蒸気噴流を生成するように構成されている。錫柱は、１０１９原子／ｃｍ３未満の密度を有する。また、システムは、錫蒸気凝縮器を有する。錫蒸気凝縮器は、錫蒸気柱を受けて、錫蒸気を凝縮し、再生錫液を生成するように配設されている。錫液回収システムは、再生錫液を回収して、錫液の供給源に搬送する。少なくとも１つのパルスレーザーは、錫蒸気柱をレーザーパルスで照射して、１０１９電子／ｃｍ３未満の電子密度を有するアンダーデンス（不足密度，低密度）錫プラズマを発生させるように配設されている。アンダーデンス錫プラズマは、実質的に等方的にＥＵＶ線を放射する。例えば、５０ｋＨｚから１５０ｋＨｚの間の率で錫プラズマに時系列を生じさせるために、レーザーパルスのトレインまたはシリーズが使用される。多重レーザー光線が使用される場合、錫蒸気柱の被照射部分までの異なる光線のレーザーパルスの到達時間は、同期される。
【０００８】
本開示の一局面は、ＥＵＶリソグラフィー用錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムである。ＥＵＶリソグラフィー用錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムは、錫液の供給源から、１０１９原子／ｃｍ３未満の錫原子密度を有する錫蒸気柱を生成するように構成される錫蒸気チャンバーと、錫蒸気柱を受けて錫蒸気を凝縮し、再生錫液を生成するように配設される錫蒸気凝縮器と、再生錫液を回収して、錫液の供給源に搬送する錫液回収システムと、錫蒸気柱を少なくとも１本のレーザー光線で照射して１０１９電子／ｃｍ３未満の電子密度を有するアンダーデンス錫プラズマを発生させるように配設される少なくとも１本のレーザーとを含む。アンダーデンス錫プラズマは、実質的に等方的にＥＵＶ線を放射する。
【０００９】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、斜入射集光（ＧＩＣ）ミラーをさらに備える。斜入射集光（ＧＩＣ）ミラーは、放出されたＥＵＶ線の第１部分を受けて焦光点に向かわせるように配設されている。
【００１０】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、球状垂直入射集光（ＮＩＣ）ミラーをさらに備える。球状垂直入射集光（ＮＩＣ）ミラーは、ＥＵＶ線の第２部分を受けてアンダーデンスプラズマに戻らせてＧＩＣ集光器に向かわせるように配設されている。ＧＩＣ集光器は、ＥＵＶを焦光点に再焦点合わせするように構成されている。
【００１１】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、錫蒸気柱とＮＩＣミラーとの間に動作可能に設置される第１堆積物軽減装置（ＤＭＤ）と、錫蒸気柱とＧＩＣ集光器との間に動作可能に設置される第２ＤＭＤとをさらに備える。
【００１２】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、内部を有する格納容器をさらに備える。第１および第２のＤＭＤは、格納容器の反対側に配設され、そこに密接されている。錫蒸気柱は、格納容器内部において錫蒸気発生器から錫蒸気凝縮器に移動する。
【００１３】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、少なくとも１本のレーザー光線路をさらに備える。少なくとも１本のレーザー光線路は、少なくとも１本のレーザー光線を格納容器内部に導き、通過させる。
【００１４】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、窓システムをさらに含む。窓システムは、窓を含む。また、窓システムは、少なくとも１本のレーザー光線が窓を通過するように少なくとも１本のレーザー光線路に対して動作可能に配設されている。
【００１５】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、窓システムは、遮断弁を含む。遮断弁は、レーザー光線路を格納容器内部から遮断する。
【００１６】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、放射強化集光装置（ＲＣＥＤ）をさらに備える。放射強化集光装置（ＲＣＥＤ）は、ＧＩＣミラーと焦光点との間に配設され、ＧＩＣミラーからのＥＵＶ線の一部を焦光点にさらに向かわせる。
【００１７】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、ＲＣＥＤは、後部を含む。後部は、ＥＵＶ線の少なくとも一部を下流側の照明装置に向かわせるように構成されている。
【００１８】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、焦光点におけるＥＵＶ線は、少なくとも１００Ｗの出力を有する。
【００１９】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、焦光点におけるＥＵＶ線は、少なくとも５００Ｗの出力を有する。
【００２０】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、焦光点におけるＥＵＶ線は、少なくとも１０００Ｗの出力を有する。
【００２１】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、錫蒸気柱は、実質的に２ｍｍの直径を有する。
【００２２】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、錫蒸気発生器は、錫液および錫蒸気を含む内部ならびに音速ノズルを有するチャンバーと、チャンバー内部に存在する錫液を加熱して錫蒸気を発生させ、錫蒸気を音速で音速ノズルから放出させて錫蒸気柱を生成するように配設される熱源とを備える。
【００２３】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、音速ノズルは、約２０ｍｍの第１直径を有する入口端と、約２ｍｍの直径を有する出口端とを有し、入口端から出口端までの長さが約４０ｍｍである。
【００２４】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、少なくとも１つのレーザーは、２つ以上のレーザーから構成されている。各レーザーは、錫蒸気柱に２以上の方向から対称に入射するレーザー光線を発生させる。
【００２５】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、錫蒸気柱は、実質的に１ｍｍから３ｍｍの間の直径を有する。
【００２６】
本開示の他の局面は、上述の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムであって、複数のレーザー光線をさらに備える。各レーザー光線は、レーザーパルスを含む。レーザーパルスは、錫蒸気柱に入射すると同時にアンダーデンス錫プラズマを発生させる。
【００２７】
本開示の他の局面は、ＥＵＶ線の発生方法である。ＥＵＶ線の発生方法は、１０１９原子／ｃｍ３未満の錫原子密度を有する錫蒸気柱を生成すること、および、錫蒸気柱の一部をパルスレーザー光線で１以上の方向から照射して、１０１９電子／ｃｍ３未満のアンダーデンス錫プラズマを発生させることを備える。錫蒸気柱中の錫蒸気は、音速または音速に近い速度で移動する。アンダーデンス錫プラズマは、実質的に等方的にＥＵＶ線を発生させる。
【００２８】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、錫貯留容器中の液錫を錫蒸気に変化させることと、錫蒸気を音速ノズルに通して錫蒸気柱を生成することをさらに備える。
【００２９】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、音速ノズルは、１５ｍｍから２５ｍｍの範囲内の第１直径を有する入口端開口と、１ｍｍから３ｍｍの範囲内の直径を有する出口端オリフィスとを有し、入口端から出口端までの全長が約３５から４５ｍｍである。
【００３０】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、錫蒸気柱からの錫蒸気を凝縮することと、凝縮された錫蒸気を錫貯留容器に戻すこととをさらに備える。
【００３１】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、斜入射集光（ＧＩＣ）ミラーを用いてＥＵＶ線の一部を受けると共にそのＥＵＶ線の一部を焦光点に向かわせることをさらに備える。
【００３２】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、ＧＩＣミラーと焦光点との間に配設される放射強化集光装置（ＲＣＥＤ）を使用してさらにＧＩＣミラーからのＥＵＶ線を焦光点に向かわせることをさらに備える。
【００３３】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、ＲＣＥＤは、後部を含む。後部は、ＥＵＶ線の少なくとも一部を下流側の照明装置に最適に向かわせるように構成される。
【００３４】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、垂直入射集光（ＮＩＣ）ミラーを使用して、ＥＵＶ線の第２部分を集光してアンダーデンス錫プラズマに戻らせてＧＩＣミラーに向かわせることと、ＧＩＣミラーを使用して、ＥＵＶ線の第２部分を焦光点に再焦点合わせすることとをさらに備える。
【００３５】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、ＲＣＥＤは、後部を含む。後部は、ＥＵＶ線の少なくとも一部を下流側の照明装置に最適に向かわせるように構成される。
【００３６】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、錫蒸気柱とＮＩＣミラーとの間の第１堆積物軽減装置（ＤＭＤ）を使用して錫プラズマからの堆積物がＮＩＣミラーに堆積することを軽減または防止すること、および、錫蒸気柱とＧＩＣ集光器との間の第２ＤＭＤを使用して錫プラズマからの堆積物がＧＩＣミラーに堆積することを軽減または防止することをさらに備える。
【００３７】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、焦光点におけるＥＵＶ線は、少なくとも５００ワットの出力を有する。
【００３８】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、焦光点におけるＥＵＶ線は、少なくとも１０００ワットの出力を有する。
【００３９】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、パルスレーザー光線は、２つ以上のレーザーに由来する。各レーザーは、レーザー光線を発生させる。２つ以上の光線は、２以上の方向から錫蒸気柱に入射する。
【００４０】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、錫蒸気柱は、少なくとも１つの格納容器の内部を移動する。
【００４１】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、少なくとも１本のパルスレーザー光線は、レーザー光線路を通って少なくとも１つの格納容器に向かって移動する。
【００４２】
本開示の他の局面は、上述の方法であって、少なくとも１本のパルスレーザー光線は、レーザー光線路に対して動作可能に配設される窓システムの窓を通って移動する。窓システムは、少なくとも１つの格納容器の内部からレーザー光線路を密閉するように構成されている。
【００４３】
さらなる特徴及び利点は、詳細な説明に明記されている。また、それらの一部は詳細な説明の記載内容から当業者にとって直ちに明白となるか、詳細な説明、特許請求の範囲、添付図面を含む、ここに記載された発明を実施することによって認識される。上記の背景技術等に関する記載及び下記の詳細な説明に関する記載は、単なる例示であって、特許請求の範囲に記載されている本発明の本質及び特徴を理解するための概略または枠組みを提供するものであることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
添付図面は、さらなる理解を提供するために含まれており、本明細書の一部を構成すると共に本明細書の一部に組み込まれる。図面は、１または複数の実施形態を示しており、詳細な説明と共に種々の実施形態の原理や動作を説明する役割を担う。このように、本開示は、添付図面と共に以下に示す詳細な説明からより完全に理解されることになるであろう。添付図面については、以下および付属書類に記載される。
【００４５】
【図１】本開示に係る錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムの一例の概略図である。
【図２】図１の錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムに使用される錫蒸気発生器の一例の概略図である。
【図３】錫蒸気発生器の一例のより詳細な模式図である。
【図４】図３と同様であり、錫蒸気発生器の一実施形態を示している。錫蒸気発生器は、錫蒸気柱のいずれかの側に位置する堆積物軽減装置（ＤＭＤ）を含む。また、この図は、図１のＥＵＶ集光システムの一部としてＮＩＣミラーおよびＧＩＣミラーの配置の一例を示している。
【図５】錫蒸気柱を生成させるために使用される音速ノズルの一例の断面図である。
【図６】両側錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムの一例の概略図である。
【図７】堆積物軽減装置の一例の正面図であり、ＥＵＶプラズマから放出される堆積物を回転しながら捕捉する放射羽根の一例を示している。
【図８】両側錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムの横断面図であって、堆積物軽減装置、ＲＣＥＤならびにＮＩＣおよびＧＩＣミラーの構成の付加的な詳細を示している。
【図９】両側錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムの横断面図であって、堆積物軽減装置、ＲＣＥＤならびにＮＩＣおよびＧＩＣミラーの構成の付加的な詳細を示している。
【図１０】錫蒸気発生器の一例をＮＩＣおよびＧＩＣ光学軸に沿ってみたときの拡大断面図である。錫蒸気発生器の一例は、格納容器構造を含む。格納容器構造は、錫蒸気および関連堆積物が錫蒸気発生器外に拡散して錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システムの他の部品に到達することを制限するように設計されている。
【図１１】図１０の錫発生器の横断面図であって、堆積物軽減装置を示している。 堆積物軽減装置は、外側格納容器の反対側に動作可能に配設されており、錫蒸気および堆積物がＤＭＤ以外から放出されるのを防ぐために外側格納容器に密接されている。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
以降、本開示の様々な実施形態、および、添付の図面に示される複数の例について詳述する。可能な限り、同一または類似の部分の図では、同一または類似の参照番号および参照符号が用いられる。図面には決まった縮尺がなく、当業者であれば、図面は本発明の主要な部分を説明するために簡略化されていることに気づくであろう。
【００４７】
特許請求の範囲の記載は、この発明の詳細な説明に組み込まれると共にその一部を構成する。
【００４８】
図１は、本開示に係る錫蒸気ＥＵＶ ＬＬＰ源システム（「システム」）１０の一例の概略図である。システム１０は、軸Ａ１を有しており、次の主要部品、レーザーシステム２０、錫蒸気発生器１００、ＥＵＶ集光システム４０、任意の放射強化集光装置（ＲＣＥＤ）６０および焦光点開口ＩＦＡを含んでいる。焦光点開口ＩＦＡは、実質的にＥＵＶ集光システム４０の焦光点ＩＦに位置している。
【００４９】
レーザーシステム２０は、少なくとも１本のレーザー光線２２を発生するように構成されている（拡大差込図参照）。少なくとも１本のレーザー光線２２は、レーザーパルス２３のトレインによって規定されている（拡大差込図参照）。レーザーシステム２０の一例は、少なくとも１つのＣＯ２レーザーを含む。ＣＯ２レーザーは、実質的に１０．６μｍの波長のレーザー光線２２を発生させる。錫蒸気発生器１００は、幅（直径）ｄＣの錫蒸気柱１０２を生成するように構成されている。システム１０の一般的な動作では、少なくとも１本のレーザー光線２２のパルス２３が錫蒸気柱１０２に入射する。錫蒸気柱１０２に同時に到達した１本以上のレーザー光線２２からのパルス２３により、ＥＵＶ線１０４の実質的な等方性放射プラズマ１０３（すなわち、ＬＰＰ）が形成される。このように、１本以上のレーザー光線２２の一連のパルス２３は、以下に詳細に説明するように、錫蒸気柱１０２と同じ位置で時間的に一連のプラズマ１０３を発生させる。理解を容易にするために、特に断りのない限り、単一のプラズマ１０３の発生に着目して説明することもある。
【００５０】
プラズマ１０３によって生じたＥＵＶ線１０４の一部は、ＥＵＶ集光システム４０によって集光され、焦光点開口ＩＦＡまたはその近傍の焦光点ＩＦに向けられる。ＲＣＥＤ６０は、集光されたＥＵＶ線１０４をより効率的に（例えば、最適に）焦光点に向けて、集束ＥＵＶ線１０４Ｆを発生させる機能を有する。例えば、ＥＵＶ線１０４は、実質的に１３．５ｎｍの波長を有する。
【００５１】
図１のシステム１０の概略図からは明らかではないが、ＥＵＶ集光システム４０は、垂直入射集光（ＮＩＣ）ミラー４２および斜入射集光（ＧＩＣ）ミラー４４を含むことができる。垂直入射集光（ＮＩＣ）ミラー４２および斜入射集光（ＧＩＣ）ミラー４４は、錫蒸気柱１０２の反対側に位置する。また、ＥＵＶ集光システム４０は、以下により詳細に説明するように、１以上の堆積物軽減装置（ＤＭＤ）４８および緩衝ガス４６を含むことができる。また、レーザーシステム２２は、レーザー光線２２調整用のレーザー光学系２４を含むことができる（例えば、焦点合わせ、平行化、整形、空間フィルタリング、方向の向け直し等）。
【００５２】
図２は、錫蒸気発生器１００のより詳細な模式図である。錫蒸気発生器１００は、錫蒸気チャンバー（「チャンバー」）１１０を含む。チャンバー１１０は、内部１１２を有する。内部１１２には、錫蒸気１１４Ｖと共に錫液１１４Ｌが含まれている。モリブデンおよびタングステンは錫とは混ざらず、両方ともに錫の蒸発温度２８７５Ｋ以上の融点を有する。モリブデンおよびタングステンは、共に、チャンバー１１０を形成するのに良好な候補材料である。使用可能な他の材料には、タンタル、レニウムおよび黒鉛が含まれる。
【００５３】
チャンバー１１０は、音速ノズル１２０を含む。音速ノズル１２０は、音速または音速に近い速度で錫蒸気を放出して錫蒸気柱１０２を生成する。また、錫蒸気発生器１００は、熱源１３０を含む。熱源１３０は、チャンバー１１０に対して動作可能に配設される。電源１４０は、熱源１３０に電気的に接続され、熱源を駆動させる。温度（Ｔ）監視装置１５０は、熱源１３０に対して動作可能に配設され、熱源の温度を監視する。液面監視装置１６０は、チャンバー１１０に対して動作可能に配設されており、チャンバー内の錫液１１４Ｌの液面を監視する。圧力（Ｐ）監視装置１７０は、チャンバー１１０に対して動作可能に配設されており、チャンバー内の錫蒸気１１４Ｖの圧力を監視する。
【００５４】
また、錫蒸気発生器１１０は、錫凝縮器１８０を含む。錫凝縮器１８０は、錫蒸気柱１０２を途中で捕捉するように配設されている。錫凝縮器１８０は、液錫ポンプ１９０に流体接続されている。液錫ポンプ１９０は、錫供給源２００に流体接続されている。錫供給源２００は、チャンバー１１０の内部１１２に流体接続されている。例えば、錫蒸気発生器１１０は、制御装置２０７を含む。制御装置２０７は、熱源１３０、液面監視装置１６０、Ｔ監視装置１５０、Ｐ監視装置１７０および錫供給源２００と動作可能に接続されており（紹介と説明は以下の通り）、錫蒸気発生器の全般の動作を制御する。
【００５５】
制御装置２０７は、より大きなシステムの一部として装置の動作を制御するために用いられるいかなる型式の制御装置（例えば、コンピュータ、コンピュータ制御装置など）であってもよい。例えば、制御装置２０７は、ファームウェアやソフトウェアに記憶された指令を実行する。この指令は、システム１０に対して、システム１０の動作を制御させると共にここに記載の方法を実行させる。例えば、制御装置２０７は、ここに記載の機能を実現するようにプログラムされている。「制御装置」は、その技術分野において制御装置として言及されている集積回路のみに限られることなく、コンピュータ、プロセッサ、マイクロコントローラ、マイクロコンピュータ、プログラマブル論理コントローラ、特定用途の集積回路および他のプログラマブル回路を広く参照する。
【００５６】
錫蒸気発生器の一般的な動作では、熱源１３０が熱を発生させてチャンバー内部１１２の錫液１１４Ｌを加熱する。熱によって錫液１１４Ｌが沸騰し、それによって錫蒸気１１４Ｖが生成される。このように生成された錫蒸気１１４Ｖは、チャンバー内部１１２の圧力下に存在する。チャンバー内部１１２の内部圧力によって、錫蒸気１１４Ｖがチャンバー内部を出て音速ノズル１２０を高速すなわち音速か音速に近い速度（音の速度または音の速度に近い速度で）で通過し、それによって錫蒸気柱１０２が生成される。レーザー光線２２は、錫蒸気柱１０２の一部に入射する。それによってレーザー生成プラズマ（「プラズマ」）１０３が発生する。プラズマ１０３は、以下においてより詳細に説明するように、ＥＵＶ線１０４を放射する。
【００５７】
プラズマ１０２の発生で消費されなかった錫蒸気柱１０２中の錫蒸気１１４Ｖは、錫凝縮器１８０に入る。錫凝縮器１８０は、錫蒸気を凝縮して錫液１１４Ｌを生成するように構成されている。このようにして生成された錫液１１４Ｌは、回収され、（例えば、導管を介して）液錫ポンプ１９０に導かれる。液錫ポンプ１９０は、液錫を錫供給源２００に押し出す。錫供給源２００は、チャンバー内部１１２に必要量の液錫１１４Ｌを供給し続けるのに使用される。液面監視装置１６０は、チャンバー内部１１２の錫液１１４Ｌの量を監視し、この情報を制御装置２０７に供給する。より多量の錫液１１４Ｌが必要となる場合、制御装置２０７は、錫供給源２００に対してチャンバー内部１１２により多量の錫を加えさせることができる。このように、錫蒸気発生器１００は、再循環構造を有することによって未使用の錫を再生し、錫供給源２００を介してシステムに新しい錫を加えることもできる。
【００５８】
また、錫蒸気発生器１００は、熱管理ユニット２２０および追加のＴ監視装置１５０を任意に含む。熱管理ユニット２２０は、錫凝縮器１８０に対して動作可能に配設される。Ｔ監視装置１５０は、錫凝縮器の温度を監視するように配設される。熱管理ユニット２２０および追加のＴ監視装置１５０は、制御装置２０７に動作可能に接続することができる。熱管理ユニット２２０は、錫凝縮器１８０を加熱するか冷却することによってその温度を制御する機能を有する。この構成によって、錫凝縮器１８０の温度を確実に適切な温度、すなわち錫蒸気を凝縮することができない程熱過ぎず、錫液の流れを阻害する程冷た過ぎない温度に制御することができる。また、それは、制御装置２０７に供給される情報量を増加させる。このため、制御装置は、錫蒸気発生器１００の動作のために改良フィードバック制御を採用することができる。
【００５９】
錫蒸気発生器の一例
図３は、錫蒸気発生器１００の一例の断面図である。錫蒸気発生器１００の一例は、チャンバー１１０を示している。チャンバー１１０には、るつぼ１１１が含まれている。るつぼ１１１は、前述のチャンバー内部１１２を部分的に規定する。また、チャンバー１１０は、ドーム型蓋１１３を含む。ドーム型蓋１１３は、音速ノズル１２０が位置する先端または高所を有する。熱源１３０は、一例として、るつぼ１１１を囲む加熱コイルの形態で示されており、蓋１１３の内部またはその近傍に位置しており、さらなる加熱を行っている（例えば、錫蒸気１１４Ｖが蓋や音速ノズルの中で凝縮しないように加熱している。）。
【００６０】
錫凝縮器１８０の一例は、錫蒸気１１４Ｖを凝縮する曲内表面１８２を有するように示されている。曲面形状によって、凝縮した錫液１１４Ｖはその表面に（錫液の表面張力によって）付着しながら（例えば、重力によって）その表面に沿って下方に流れ、内部レッジ１８４に至る。内部レッジ１８４は、錫液を受け止めるように構成される。レッジ１８４は、導管１８２に流体接続されている。導管１８２は、液錫ポンプ１９０に流体接続されている。液錫ポンプ１９０は、錫供給源２００に流体接続されている。また、例えば、レッジ１８４は、他の導管１８２を介してチャンバー内部１１２に直接的に流体接続されている。以下、より詳細に説明するように、チャンバー内部１１２の錫蒸気１１４Ｖの圧力は、音速ノズル１２０を出て生成される錫蒸気錫蒸気柱１０２が、１０１９原子／ｃｍ３未満の密度を有するように調整されている。錫蒸気柱１０２は、最終的に錫凝縮器１８０の曲表面１８２によって捕捉されたプルーム１０５を形成するように示されている。また、熱管理システム２２０は、流路２２２を含むように例示されている。流路２２２は、冷却流体または加熱流体を流すことができ、錫凝縮器１８０の温度を制御する。また、従来から知られている他の形態の熱管理システム２２０も使用可能である。
【００６１】
また、図３は、２つの異なる方向から錫蒸気柱１０２の一部に入射してＥＵＶ放射プラズマ１０３を発生させる２本のレーザー光線２２を示している。例えば、２本のレーザー光線は、反対方向から、すなわち図の面に対して垂直な軸に沿って入射される。
【００６２】
図４は、図３と同様であるが、錫蒸気柱１０２の反対側に配設される２つの堆積物軽減装置（ＤＭＤ）４８を示している。また、その頁に対して垂直な方向に移動する１本のレーザー光線２２が例示されている。また、錫蒸気発生器１００の部品のいくつかは、便宜上省略されている。また、図４には、ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４が示されている。ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４は、錫蒸気発生器１００の反対側の軸Ａ１に沿って各ＤＭＤ４８に近傍に配置されている。
【００６３】
レーザー光線２２の各パルス２３は、錫蒸気柱１０２の一部と作用してプラズマ１０３を発生させる。プラズマ１０３は、放射されるＥＵＶ線１０４に加えて堆積物１０７も生成する。堆積物１０７は、荷電および非荷電錫粒子（すなわち、原子やイオン）を含んでいる。荷電および非荷電錫粒子は、種々の異なる速度（エネルギー）でＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４に向かって移動する。２つのＤＭＤ４８は、ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４に到達する堆積物１０７の流束を実質的に軽減するように構成されている。
【００６４】
一実施形態では、ＤＭＤ４８は、それぞれ高速回転羽または翼（図７参照）を含む。高速回転羽または翼は、堆積物がプラズマ１０３から放出されてＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４に向かう際においてその堆積物１０７を捕捉する。少なくとも幾分かの堆積物１０７の速度を遅くしてＤＭＤ４８での堆積物捕捉の確率を高めるために、例えば、緩衝ガス４６を利用することができる。ＤＭＤ羽の回転速度は、ＥＵＶ線１０４の光の速度と比べると動いていないようにみえる高速堆積粒子を捕捉することができるようにかなり高速（例えば、数千ＲＰＭ）にすることができる。
【００６５】
例えば、ＤＭＤ４８は、後部固定羽４９を含む。後部固定羽４９は、回転羽よりも軸方向に長く、堆積物捕捉部材として機能する。
【００６６】
図５は、音速ノズル１２０の一例の拡大断面図である。例えば、音速ノズル１２０は、音速ノズルの長軸ＡＮに対して点対称である。典型的な寸法が含まれているが、これは説明を限定するものではなく、各寸法の範囲は許容され得るものであって、当業者に評価されるであろうものである。例えば、入口端は、１５ｍｍから２５ｍｍの範囲内の直径の開口を有し得、出口端オリフィス１２２Ｏは、１ｍｍから３ｍｍの範囲内の直径δを有し得る。入口端から出口端までの音速ノズルの全長ＬＴは、３５ｍｍから４５ｍｍの範囲内であり得る。
【００６７】
音速ノズル１２０は、オリフィス１２２Ｏ付の前端または出口端１２２と、後端または入口端１２４を有する。音速ノズル１２０は、内壁１２５を含む。内壁１２５は、本実施の形態においてトランペット状チャネル１２６を規定している。トランペット状チャネル１２６は、入口端１２４で広く、出口端１２２で狭い。出口端１２２におけるチャネル１２６の寸法は、錫蒸気柱１２２の寸法を規定する。チャネル１２６は、出口端１２２で直径δ＝０．０８０を有するように例示されている。なお、その直径δは実質的に２ｍｍである。音速ノズル１２０のこの構成は、錫蒸気柱１０２の直径ｄＣ＝２ｍｍ（図１参照）を規定する。例えば、入口端１２２は、約２０ｍｍ（０．９７”）の直径を有する開口を規定する。例えば、チャネル１２６は、出口端１２２の近傍に、実質的に一定長さＣＬのセクション１２６Ｓを含む。そのようなセクションを有する利点は、後に詳述する。
【００６８】
両側システム
図６は、本開示の錫蒸気発生器１００に用いられるシステム１０の他の実施形態の上下図である。なお、ここで、システム１０は、光源集光モジュールまたはＳｏＣｏＭｏとも称される。図６において、錫蒸気柱１０２は可視化されているが、錫凝縮器１８０は示されていない。
【００６９】
システム１０は、ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４を使用している。ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４は、錫蒸気発生器１００の反対側に設けられている。その結果、システム１０は、「両側」システムになっている。４本のレーザー光線２２は、異なる方向から錫蒸気柱１０２の共通位置に入射するように示されている。また、わずか１本のレーザー光線２２および４本以上のレーザー光線は、他の実施形態に使用可能である。ＤＭＤ４８は、錫蒸気柱１０２とＮＩＣおよびＧＩＣミラーそれぞれとの間に存在している。堆積物１０７は各ＤＭＤ４８に入って捕捉されるように示されている。
【００７０】
図６中の拡大差込図ＩＮ１は、各レーザーパルス２３によって生成されるＥＵＶ放射プラズマ１０３と共に付随的なＥＵＶ線１０４および堆積物１０７をより明確に示している。なお、ＥＵＶ線１０４は、実質的に等方的に放射される。堆積物１０７も同様である。レーザー光線２２は、説明の便宜上、拡大差込図ＩＮ１において省略されている。
【００７１】
また、拡大差込図ＩＮ１は、ＥＵＶ線１０４のほとんどを生成するプラズマ１０３の中央領域１０３’を示している。このように、中央領域１０３’は、ＬＰＰ ＥＵＶ放射源の真の寸法を表していると考え得る。例えば、中央領域１０３’は、５００μｍ以下であり得る。これは、錫蒸気柱１０２の直径ｄＣを２ｍｍとしたときの約２５％である。
【００７２】
プラズマ１０３からのＥＵＶ線１０４の一部は、最左のＤＭＤ４８を通ってＮＩＣミラーに移動する。本例では、球体であり、ＥＵＶ線を反射させてプラズマ１０３の位置に戻す。そして、反射されたＥＵＶ線１０４は、最右のＤＭＤ４８を通ってＧＩＣミラー４４に移動する。ＥＵＶ線１０４の他部は、最右のＤＭＤ４８を直接通ってＧＩＣミラー４４に移動する。このように、システム１０の両側ＮＩＣ−ＧＩＣ構成は、全放射ＥＵＶ線１０４の実質的部分を集光する機能を有する。システム１０のこの両側構成の一例の集光効率については、後述する。実質量の放射ＥＵＶ線の捕捉能力は、ＥＵＶ線を実質的に等方に放射するプラズマ１０３を有する一つの利点である。
【００７３】
最右のＤＭＤを通過するＥＵＶ線１０４は、ＧＩＣミラー４４によって斜め方向に反射され、焦光点ＩＦに向けられる。焦光点ＩＦは、実質的に焦光点開口ＩＦＡに位置している。ＧＩＣミラー４４による焦点合わせは典型的に不完全であるため、焦光点ＩＦでの集束ＥＵＶ線１０４Ｆの濃度を増加させるために（すなわちスポット寸法を小さくするために）任意のＲＣＥＤ６０が使用され得る。例えば、ＲＣＥＤ６０は、前部６１Ｆおよび後部６１Ｒを含む。そして、後部は、下流側の照明装置（図示せず）によって使用されるように、集束されるＥＵＶ線１０４を適切な方向に向かわせるように機能する。
【００７４】
システムパラメーターおよび設計思想
錫蒸気発生器１００と同様にシステム１０にも多くのキーパラメータおよび設計思想が存在する。
【００７５】
１．アンダーデンスプラズマ
プラズマ１０３は、アンダーデンスプラズマすなわち１×１０１９電子／ｃｍ３よりも低い電子密度を有するものとして生成される。そして、さらに一例では、プラズマは、７×１０１７電子／ｃｍ３から１×１０１９電子／ｃｍ３の範囲内の電子密度を有する。これは、錫蒸気柱の錫原子密度を１×１０１９原子／ｃｍ３未満にするか、他の例では錫原子密度を７×１０１７原子／ｃｍ３から１×１０１９原子／ｃｍ３の範囲内にすることによって部分に達成される。
【００７６】
アンダーデンスプラズマ１０３は、赤外レーザー光線２２（すなわち１０．６μｍ）が実質的にプラズマに反射されるであろう臨界密度以下の電子密度を有する。
この密度は、固体錫密度の約５×１０４分の１である。
【００７７】
アンダーデンスプラズマ１０３を使用する他の利点としては、得られるＥＵＶ線が実質的に等方性を有することである。上述の通り、これによって、全ＥＵＶ線の実質的部分をＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４によって捕捉することができる。
【００７８】
２．錫蒸気発生器
錫の沸点は２８７５Ｋである。このため、熱源１３０使用して、チャンバー内部１１２で生成される錫蒸気１１４Ｖがチャンバー内部および音速ノズル１２０内で凝縮しないように、チャンバー１１０および音速ノズル１２０の壁を錫の沸点以上に維持する必要がある。図３および４に示されるように、熱源１３０は、加熱コイルを含み得る。加熱コイルは、るつぼ１１０の外周近傍であって蓋１１３の近傍に配設されている。
【００７９】
錫液１１４Ｌが沸騰されると、チャンバー内部１１０で十分な錫蒸気圧が生じ、その結果、錫蒸気１１４Ｖが、１×１０１９原子／ｃｍ３未満の必要原子密度で音速ノズル１２０から放出される。錫蒸気柱１０２は、音速に近い速度で移動する。すなわち、それは、錫原子の噴流または高速蒸気と考えることができる。錫蒸気発生器１１０のそのボイラー構造により、音速ノズル１２０からの錫蒸気１１４Ｖの安定した流れが確保され、それによって安定な錫蒸気柱１０２が規定される。
【００８０】
例えば、錫蒸気柱１０２は、広がり出す前すなわちプルーム１０５が生じる前、約１０ｃｍの高さを有する。計算に基づく例では、錫蒸気柱１０２は、開始時の直径ｄＣ、約３０ｃｍの倍に広がる。このように、ここでは、この用語として「プルーム」１０５が使われ、「プルーム」１０５は、錫蒸気柱１０２が初期直径ｄＣの２倍以上に広がることを示す。
【００８１】
錫蒸気柱は、例えば、２ｍｍの直径ｄＣを有するが、所望寸法のプラズマ１３０と一致する他の寸法であってもよい（すなわち、１ｍｍから３ｍｍ）。錫凝縮器１８０は、錫の融点、５０５Ｋ以上の温度であって錫の蒸発温度、２８７５Ｋ以下の温度に維持され得る。その結果、錫蒸気１１４Ｖは、液体１１４Ｌに凝縮され、液体のまま維持されて流動し得る。
【００８２】
絶え間ない錫蒸気柱１０２を生成する音速ノズル１２０を通る錫蒸気１１４Ｖの安定した絶え間ない流れは、１本以上のレーザー光線２２からのパルス２３を錫蒸気柱に当てることを容易にする上で利点となる。１本以上のレーザー光線２２による錫蒸気カラム１０２の標的位置許容範囲は、約０．１ｍｍと見積もられる。それは、容易に達成され得る。重力落下する錫ペレットを当てるのに必要とされる一種のパルス同期は必要とされない。また、以下の通り、錫蒸気柱１０２中の錫蒸気１１４Ｖの速度によって、レーザー光線２２中のレーザーパルス２３は、比較的高い繰り返し率を有することができる。
【００８３】
錫蒸気柱１０２の生成は、錫蒸気１１４Ｖを、圧力ｐと錫原子密度ｎとが次の関係式で関連付けられる理想気体としてモデリングすることによって分析することができる。
ｐ＝ｎ・ｋＢ・Ｔｂ      式１
ここで、ｋＢはボルツマン定数（１．３８×１０−２３ｍ２−ｋｇ／ｓ２−°Ｋ）であり、Ｔｂは錫の沸点である。錫原子密度ｎは７．５×１０１７原子／ｃｍ３であり、圧力ｐはわずか０．３バールである。
【００８４】
チャンバー１１０の外部圧力は非常に低いため（すなわち、発生源領域の減圧下）、音速ノズル１２０を通る錫蒸気１１４Ｖの流れは詰まってしまうであろうし、錫蒸気の流束は音速程度に抑えられるであろう。
モデル化理想単調錫蒸気（気体）では、音速ｖＳは次式で与えられる。
ｖＳ＝［（１．６７）ｋＢ・Ｔ／ｍ］１／２＝５７５ｍ／ｓ      式２
ここで、ｍは錫の原子質量（ｍ＝２×１０−２５ｋｇ）である。
【００８５】
レーザー光線２２と錫蒸気柱１０２の相互作用に関する２つの他の重要な実用上の検討事項が存在する。プラズマ１０３はいくつかの高エネルギーイオンを生成するため（すなわち堆積物１０７）、レーザー光線２２とプラズマ１０３の相互作用領域は、好ましくは比較的十分に音速ノズル１２０の出口端１２０から除去される（例えば、５ｃｍから１０ｃｍ）。その結果、音速ノズルが浸食されるのが避けられる。
【００８６】
また、レーザー光線２２中のレーザーパルス２３の照射によってプラズマ１０２が発生すると、一瞬にして錫蒸気柱１０２に隙間が生じる。この隙間は、次の１以上のレーザーパルスが到達するまでに補充されなければならない。レーザーパルス２３が１０μｓ（１００ｋＨｚ）に分割された場合、上式（２）で規定される流束ｖＳで補充され得る錫蒸気柱１０２の部分は、５．７５ｍｍである。これは、ＬＰＰプロセスによって錫蒸気柱１０２に形成される隙間のサイズが約６ｍｍ未満であり、錫蒸気柱中の錫蒸気の流速がレーザーパルス間に錫蒸気柱中の隙間を埋めるのに適していることを意味する。
【００８７】
音速ノズル１２０の浸食を避けると共に錫蒸気柱１０２を１本以上のレーザー光線２２で概ね確実に照射するためには、錫蒸気柱は、著しく広がることなく少なくとも数センチメートルの距離で存続し続けることが好ましい。錫蒸気柱１０２の半径方向の膨張は、拡散プロセスとしてモデル化することができる。ここで、時間ｔに対する柱半径ｒの変化量Δｒの関数は、次式によって与えられる。
Δｒ＝［２・Ｄ・ｔ］１／２      式３
ここで、Ｄは拡散係数であって、次式によって与えられる。
Ｄ＝（１／３）・λ・ｖａ      式４
ここで、λは錫原子の平均自由工程であり、ｖａは錫原子の平均速度である。
平均自由工程λは次式で表わされる。
λ＝１／［（２）１／２π・ｎ・ｄ２］      式５
ここで、ｄは原子直径であり、錫の場合、３オングストロームである。
【００８８】
錫原子密度ｎは７．５×１０１７原子／ｃｍ３であり、平均自由工程λは３．３μｍである。任意温度Ｔに対する平均速度ｖａは次式によって与えられる。
ｖａ＝［３・ｋＢ・Ｔ／ｍ］＝７７０ｍ／ｓ      式６
【００８９】
式（４）に従うと、拡散係数Ｄは８．５ｃｍ２／ｓである。錫蒸気柱１０２の半径ｒを１ｍｍから２ｍｍすなわち倍にするのに必要な時間ｔは、式（３）によって与えられ、ｔは約６００μｓである。音速ｖＳ＝５７５ｍ／ｓでは、錫蒸気柱１０２は、６００μｓの時間ｔで３０ｃｍ超の距離流れるであろう。このように、錫蒸気柱１０２が一度生成されると、十分な距離で高度な集束状態が維持される。このため、１以上のレーザー光線２２が錫蒸気柱１０２と相互作用する作用位置を、音速ノズル１２０の出口端１２２から数センチメートル離れた位置とすることができると共に、１以上のレーザー光線２２によって概ね照射されることができる。
【００９０】
以上の動作条件下において、錫蒸気発生器１００は、約１×１０２２錫原子／ｓ、または約２モル／ｓの錫原子を生成することができる。このように、音速ノズル１２０からの錫の流出および他の放射および伝導熱損失によって、約６ｋＷの熱がチャンバー内部１１２に残る。このため、熱源１３０は、この熱を補充することができるように構成されている。
【００９１】
さらに、約２モル／ｓの錫原子がチャンバー内部１１２に残存するため、錫供給システム２００は、十分な量の錫液１１４Ｌがチャンバー内部に供給されることを確証するように構成されている。液錫ポンプ１９０は、錫凝縮器１８０を含む循環路内の液錫の流れを促進する。例えば、液錫ポンプ１９０は、イリノイ州デスプレインズのＣＭＩ Ｎｏｖａｃａｓｔ社から入手可能な電磁式溶融金属ポンプを含む。
【００９２】
なお、循環システムがないことは１００％効率的である。このため、錫供給システム２００は、再生錫液１１４Ｌをチャンバー１１０に供給するだけではなく、新たな錫をチャンバーに供給するのにも使用される。例えば、錫供給システム２００は、より多量の錫液１１４Ｌまたは固体錫（例えば錫ペレット）でさえも供給することができる。
【００９３】
３．音速ノズル
図５は、上で紹介して述べたように、安定した錫蒸気柱１０２を生成させるためにチャンバー１１０と共に使用され得る音速ノズル１２０の一例を示している。任意の直径ｄＣ（例えば、１ｍｍから３ｍｍ）、直径約１０ｃｍの長さ、および１×１０１９原子／ｃｍ３の最大原子錫原子密度を有するかなり高度に集束された錫蒸気柱１０２を生成するために使用され得る多くの他の音速ノズルの設計が存在する。
【００９４】
次の分析によって、許容され得る音速ノズルの設計例が示される。なお、閉塞状態で動作する音速ノズル１２０は、オリフィス１２２Ｏで音速ｖＳに等しい流束を有する。閉塞状態は、音速ノズルでの圧力差が臨界圧力比を超えると発生する。臨界圧力比は、次式で与えられる。
ＰＵ／ＰＤ＞［２／（γ＋１）］−ｑ      式Ａ
ここで、ｑはγ／（γ−１）であり、γは比熱比であって理想単原子気体の場合は１．６７であり、ＰＵおよびＰＤはそれぞれ上流圧力および下流圧力である。
【００９５】
錫蒸気１１４Ｌが理想単原子気体のように振る舞うと仮定すると、その臨界圧力比ＰＵ／ＰＤは２．０５である。チャンバー内部１１２はほぼ大気圧（例えば、数百トール）であり、チャンバー１１０へ繋がる外部は実質的に減圧されているため（すなわち、ミリトール範囲内）、音速ノズル１２０が閉塞されるであろう条件が容易に満足される。
【００９６】
次に、音速ノズル１２０を通る錫蒸気１１４Ｖの流れは等エントロピー的であり、錫ガスの速度、特に音速ノズルの内壁１２５との摩擦は無視し得ると考えられる。錫蒸気１１４ＶはパラメータＴ０、Ｐ０およびｎ０で特徴付けられ得、それらは、その温度、圧力および密度それぞれのよどみ値であり、理想気体の法則によって次の通りに関連付けられると考えられる。
Ｐ０＝ｎ０・ｋＢ・Ｔ０      式Ｂ
【００９７】
錫液１１４Ｌはチャンバー内部１１２で常に沸騰しているため、よどみ温度Ｔ０は錫の沸点すなわちＴ０＝２８７５Ｋである。そして、チャンバー１００の錫のよどみ圧力Ｐ０およびよどみ密度ｎ０は、Ｔ０の値と共に上述される式（Ｂ）によって関連付けられている。
【００９８】
等エントロピー流れでは、よどみ値に対して、音速ノズル１２０を通る錫蒸気１１４Ｌの温度、圧力および密度を記述する単純な相似関係があることが示され得る。マッハ数Ｍが音速に正規化される流束ｖとして規定される場合すなわちＭ≡ｖ／ｖＳである場合、錫蒸気１１４Ｖの温度Ｔは、音速ノズル１２０のいずれの箇所でも、次の関係式の局所流速ｖに関連付けられ得る。
Ｔ／Ｔ０＝［１＋Ｍ２・（γ−１）／２］−１      式Ｃ
【００９９】
同様に、音速ノズル１２０の局所圧力Ｐは、次式で与えられる。
Ｔ／Ｔ０＝［１＋Ｍ２・（γ−１）／２］−ｑ      式Ｄ
局所密度ｎは次式で与えられる。
ｎ／ｎ０＝［１＋Ｍ２・（γ−１）／２］−ｑ      式Ｅ
【０１００】
音速ノズル出口端１２２での温度Ｔ＊、圧力Ｐ＊および密度ｎ＊の臨界値は、Ｍ＝１と設定することによって求められ、その結果、以下の通りとなる。
Ｔ＊／Ｔ０＝０．７５；Ｐ＊／Ｐ０＝０．４９；ｎ＊／ｎ０＝０．６５
【０１０１】
音速ノズル出口端１２２のオリフィス１２２Ｏで放出される臨界密度ｎ＊を７．７５×１０１７原子／ｃｍ３とするためには、チャンバー内部１１２においてｎ０＝１．２×１０１８原子／ｃｍ３程度の高密度であることが要求される。式（Ｂ）より、これは、Ｐ０＝０．４５バールの圧力に相当する。また、錫蒸気１１４Ｖの温度Ｔは、音速ノズルオリフィス１２２Ｏで、臨界値Ｔ＊＝２１５６Ｋまで下げられる。この温度での音速ｖＳは、４９８ｍ／ｓである。
【０１０２】
錫蒸気１１４Ｖの流れが等エントロピー的であって音速ノズル１２０が閉塞状態で動作している場合、状態パラメータＰ、Ｔおよびｎの上記値は、いずれの（集束）音速ノズル形状でも同一である。しかしながら、実際には、ノズル壁１２５からの摩擦を全く無視することができるわけでなく、特に音速ノズルオリフィス１２２Ｏの近くでは、開口が例えば２ｍｍのオーダーであって比較的小さい。音速ノズル１２０の壁１２５に対する錫蒸気１１４Ｖの相互作用は、錫蒸気１１４Ｖを（非断熱状態で）加熱すると共にその壁で錫蒸気の流速ｖを（非等エントロピー的に）減速させる作用を及ぼす傾向があるであろう。
【０１０３】
そうは言っても、速度の影響は小さいと思われ、錫蒸気の粘性力は層流とされる傾向にあるであろう。これによって、音速ノズル１２０によって放出される錫蒸気１１４Ｖの視準が改良されるであろう。チャネル１２６の小径部分が比較的長くテーパーが緩やかである音速ノズル１２０の設計（例えば、図５に示されている通り）では、層流が好まれるであろう。これによって、放出される錫蒸気柱１０２の視準が優れたものとされる。
【０１０４】
層流条件を検討するには、次の直管用の式を用いてレイノルズ数ＲＥが見積もられる。
ＲＥ＝ρ・ｖＳ・δ／η      式Ｆ
ここで、ρは、チャネル１２６の臨界部分１２６Ｓでの錫蒸気（気体）１１４Ｖの密度であって０．２３５ｋｇ／ｍ３とされる。ｖＳは流速であって４９８ｍ／ｓとされる。δは、チャネル１２６の臨界部分の直径であって２と仮定される。パラメータηは、錫蒸気の動的粘性であって次式で表わされる。
η＝｛ｍ／（３）・（２）１／２πｄ２｝［8・ｋＢ・Ｔ／π・ｍ］１／２      式Ｇ
ここで、ｍは錫原子の質量（２×１０−２５ｋｇ）であり、ｄは錫原子の原子直径（３×１０−１０ｍ）であり、ＴはＴ＊すなわち臨界温度、２１５６Ｋである。これらの数から粘度値ηが４×１０−４ｋｇ／ｍ−ｓであると求められる。これを式（Ｆ）に代入すると、レイノルズ数ＲＥが５８５であると求められる。
【０１０５】
管内の乱流の閾値はＲＥ＝２４００である。このため、音速ノズル１２２の出口端１２２近傍のチャネル１２６中の錫蒸気１１４Ｖの流れは、層流状態である。しかしながら、式（Ｆ）における直径δの線形依存性により、チャネル１２６の直径δが大きい音速ノズル１２０の入口端１２４では、流れが乱流になる可能性があることが示唆される。上述の通り、出口端１２２近傍の音速ノズル１２０のチャネル１２６の狭小部分１２６Ｓを延ばして、錫蒸気がノズルオリフィス１２２Ｏから放出される前に錫蒸気１１４Ｖの流れを乱流から完全な層流にしておくのが好都合である。この狭小部分は、図５において長さＣＬを有するように示されている。
【０１０６】
目盛り長がノズルオリフィス１２２Ｏの直径δに設定されると（例えば、一例として２ｍｍ）、例えば、チャネル１２６の狭小部分１２６Ｓの長さは、少なくとも約１０目盛り長さであるか、約２０ｍｍである。図５のノズル１２０の例に示される設計パラメータは、これらの基準を満足する。ここで、長さＣＬは、ノズル全長ＬＴ＝１．６１４”の約半分すなわちＣＬ≒２０ｍｍである。
【０１０７】
４．錫蒸気柱に対するレーザー光線の作用
錫蒸気柱１０２の一部に対するレーザー光線２２の作用物理のシミュレーションが実施された。シミュレーションでは、レーザー波長を１０．６μｍとし、錫蒸気柱１０２のアンダーデンス原子密度がアンダーデンスプラズマ１０３の発生に関連すると仮定した。シミュレーションは、プラズマ１０３が発生する際において、１）ＥＵＶ線の保護を最大化すること、例えば変換効率を５％超とすること；２）ＩＲレーザー光線２２の反射率を１％未満にまで最小化すること；３）プラズマ１０３のＥＵＶ不透性を最小化すること、すなわちＥＵＶ線１０４の再吸収を１０％未満とすること；およびＥＵＶ原領域を小さく維持すること、例えば直径を１ｍｍ未満とすることを狙いとして行われた。
【０１０８】
シミュレーションでは、次のシステムパラメーター、初期錫原子密度ｎ、錫柱１０２の直径ｄＣ、レーザーパルス間隔τおよび錫蒸気柱１０２の一部に入射するレーザー光線２２の強度Ｉ（Ｗ／ｃｍ２）を変化させた。アンダーデンス、長目盛り長さの気体錫蒸気柱１０２に入射するレーザーの強度（Ｉ）を５×１０９から１×１０１０Ｗ／ｃｍ２にすると共にパルス間隔τを４０から５０ナノ秒（ｎｓ）としたとき、高変換率、低ＩＲ反射率、小さなＥＵＶ源寸法および低ＥＵＶ不透性が得られることがわかった。
【０１０９】
シミュレーションでは、錫蒸気柱１０２が５×１０１７原子／ｃｍ３の錫原子密度ｎ（電子密度に相当する）、２ｍｍの直径ｄＣ、および６×１０９Ｗ／ｃｍ２のレーザー光線強度Ｉ、および４０ｎｓのパルス長さτを有すると仮定された。これらのパラメータから次のＥＵＶ放射性能が得られることがわかった。１）１３．５ｎｍ波長でのＥＵＶ線１０４の変換効率が約５％であること；２）プラズマ１０３中のＥＵＶ放射領域が約５００μｍ（０．５ｍｍ）の直径を有すること（すなわち、プラズマ１０３からの放射のほとんどがそのプラズマの中心部分１０３’からのものであること）；３）ＥＵＶ不透性が約１０％、すなわち、放射点の中心からプラズマの外縁までの透過性が９０％であること；４）レーザー光線２２のＩＲ反射量が少量であること、すなわち、１％未満であること。
【０１１０】
ＥＵＶ線のＬＰＰ源は、焦光点ＩＦの開口へのＥＵＶの到達を最大化するにはほぼ理想的である。レーザー光線２２は反射等によっては失われないため、ＥＵＶ線１０４の生成は最大化される。反射されたＩＲの妨害は取り除かれる。その結果、ＥＵＶ線を無駄にする分散的な方策を採用する必要がなくなる。中心プラズマ１０３’の寸法は小さく、反射イメージ光学素子（すなわち、ＮＩＣおよびＧＩＣミラー）の利点を最大限に活かすことができる。ＥＵＶ線１０４の放射は等方的であり、全方向からの集光は、ＥＵＶ集光システム４０に用いられるＮＩＣおよびＧＩＣミラー４２および４４の立体角によってのみ制限され得る。
【０１１１】
５．ＥＵＶ集光効率の最大化
プラズマ１０３からのＥＵＶ線１０４の等方放射を最大限に活かすために、システム１０は、図６に示される両側構成を有することができる。例えば、１３．５ｎｍでの反射効率を最適するためには、ＮＩＣミラー４２が多層反射コーティングを含むと共に、ＧＩＣミラー４４がルテニウム反射コーティングを含む。ＤＭＤ４８は、ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４に到達する堆積物１０７の量を制限する機能を有する。緩衝ガス４６（例えば、アルゴン）は、堆積物１０７を構成する高速イオンのいくつかを減速させるために使用され得る。その結果、高速イオンは、回転羽（図７参照）によって捕捉され得る。
【０１１２】
一実施形態では、ＮＩＣミラー４２は、ＥＵＶプラズマ１０３の位置に焦点合わせされる球体鏡である。その結果、ＮＩＣミラーに入射するＥＵＶ線１０４は、プラズマ１０３から多層反射表面に向かって再び戻る同じ軌道を移動する。ＧＩＣミラー４４を使用することによって、ＮＩＣミラー４２からのＥＵＶ線１０４を焦光点ＩＦに再焦点合わせすることができる。光速移動により、ＮＩＣミラー４２に到達するＥＵＶ線１０４は、同じＤＭＤ４８を二度通過することによる追加的な損失なく、本質的に即時に同一の光路に沿って戻される。
【０１１３】
例えば、ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４の各集光立体角は最大化され、ＤＭＤ４８の経路も最大化される。ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４集光光学素子それぞれの集光立体角は、例えば、５．２ステラジアン（ｓｒ）である。各ＤＭＤ４８の透過率は、例えば、０．８５である。さらに、ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４２の反射率は、例えば、それぞれ０．７および０．５（二重反射）である。レーザーからＥＵＶへのエネルギー変換率は例えば５％であり、焦光点へ運ばれるＥＵＶ出力量は、錫蒸気柱１０２に入射するレーザー出力の約１．７％である。この条件下において、１ｋＷのＥＵＶ出力を焦光点ＩＦに運ぶためには、約５９ｋＷのレーザーシステム２０のドライバーレーザー出力を必要とする。レーザーが約１ジュール／パルスを運ぶ場合、６０ｋＨｚのオーダーのレーザー反復率が必要とされる。これは、比較的低めのパルス反復率であり、容易に達成され得る。
【０１１４】
６．その場ミラー清掃
例えば、錫蒸気発生器１００は、ＮＩＣおよびＧＩＣミラー４２および４４のその場ミラー清掃を行うように構成され得る。これは、取り除かれ得る揮発性物質を生成する堆積錫と組み合わせることができる水素または水素化物ガスの使用を含み得る。その場清掃では、ＤＭＤ４８および他の格納構造に到達して高感度表面に堆積する少量の漂遊錫を除去する必要がある。
【０１１５】
７．ＤＭＤ構造の例
図７は、放射状に配列された回転羽４９を含むＤＭＤ４８の例の正面図である。実際には、図示される数よりも多くの回転羽、例えば１５０から２００羽が使用され得る。ＤＭＤ４８の一例では、羽４９は、約０．１ｍｍの厚みを有すると共に、軸方向に２５ｃｍの長さ（深さ）を有する（すなわち、図７の頁の奥に向かう方向）。堆積物１０７を形成する最速の粒子の速度を２．５×１０５ｃｍ／秒まで減速することができた場合、堆積物のほとんどを捕捉するためには、２５ｃｍ長の羽４９で、羽の回転速度を約３０００ｒｐｍにする必要がある。
【０１１６】
付着が問題である場合は上述の通り、薄く軸方向により長い固定羽４９が下流側に追加され得る。なお、この固定羽４９は、ＥＵＶをほとんど吸光しないようにするため小さな断面積を有する。例えば、ＤＭＤ４８は、ＥＵＶ線１０４の約１５％以上を阻止しないように（すなわち、少なくとも０．８５の前記透過率を有するように）構成される。
【０１１７】
上述の通り、堆積物１０７を生成するより高エネルギーな原子やイオンを減速させるために、アルゴンのような緩衝ガス４６が使用され得る。約１０ｍｍのプラズマ膨張を完全に熱化させるために、約１バールのアルゴンが使用され得ることが知られている。このため、約２０ｍｍでの０．１バールは、約２０％の効率となるであろう。この圧力では１０７ｃｍ／秒（または約６ｋｅＶ）で移動する最速のイオンを減速させることは実質的にできないが、５×１０５ｃｍ／秒（約１５ｅＶ）で移動する遅い原子は、２つ以上の因子の約１つによって遅らせることができる。
【０１１８】
例えば、ＤＭＤ４８に入る錫原子の平均速度は、約３６６ｍ／ｓであると計算された。これは、回転羽４９によって錫原子を簡単に捕捉するには十分に遅い。一例として、ＤＭＤ４８が１０４ＲＰＭで回転していると考えてみると、１ｍｍ離れた５ｃｍ幅の羽根を有することになる。５ｃｍの半径のＤＭＤ４８を通過するためには、錫原子の速度は２６００ｍ／ｓである必要がある。このような高速度は、マックスウェル−ボルツマン分布の後端よりもはるかに遠く、かなり小さい確率（１０−１１）となるであろう。
【０１１９】
図８および９は、システム１０の一例の断面図であって、堆積物軽減装置ならびにＮＩＣおよびＧＩＣミラーの構成の付加的な詳細を示している。図９はいくつかの羽根４９を示す拡大図であり、羽根４９は、ＥＵＶ線１０４の大半を通過させるように最適に配設されている。また、示された例では、２本のレーザー光線２２が反対方向から錫蒸気柱１０２に入射している。各レーザー光線は、システム軸Ａ１に対して垂直に入射している。両側ＲＣＥＤ６０の一例は、前部６１Ｆおよび後部６１Ｒを有しており、焦光点開口ＩＦＡで示されている。
【０１２０】
例えば、ＤＭＤ４８およびチャンバー１１０は密接されるかシールされる。その結果、錫蒸気１１４Ｖまたは堆積物１０７が漏れない。この構成では、チャンバー内部１１２へ通じると共に集光光学素子表面に到達する錫蒸気１１４Ｖおよび堆積物１０７の通路は、ＤＭＤ４８のうちの一つのみである。
【０１２１】
８．格納容器構造
図１０は、錫発生器１００の一例の断面図である。錫発生器１００は、錫蒸気および他の堆積物１０７を実質的に格納するように構成されている。錫発生器１００は、内側および外側格納容器２０２および２１０を含むように示されており、本例では、同中心配置の球体として示されている。例えば、外側格納容器は、約２５ｃｍの直径を有し得る。
【０１２２】
また、錫発生器１００は、少なくとも１本のレーザー光線路２２０を含む。レーザー光線路２２０は、少なくとも１本のレーザー光線２２用のチャネルを付与するために使用される。２つのこのようなレーザー光線路２２０は、２本のレーザー光線２２が反対方向から錫蒸気柱１０２に入射することができるように示されている。内側格納容器２０２は、レーザー光線路２２０を支持するために使用されており、例えば、同機能を発現する他のタイプの支持構造体によって置換され得る。支持構造体として内側格納容器２０２を採用する利点は、錫蒸気１１４Ｖおよび堆積物１０７を追加的に格納することもできることである。
【０１２３】
各ＤＭＤ４８が図１０の手前側および奥側にあるため、図１０にはＤＭＤ４８が図示されていない。図１１は、錫発生器１００の横断面図であって、ＤＭＤ４８を示している。ＤＭＤ４８は、外側格納容器２１０の反対側に動作可能に配設されており、錫蒸気１１Ｖおよび堆積物１０７がＤＭＤの通路外から放出されるのを防ぐために外側格納容器に密接されている。また、図１１は、内側格納容器２０２の反対側に形成される開口２０３を示している。この開口２０３によって、ＥＵＶ線１０４および堆積物１０７が内側格納容器内部２０６から排出され得る。排出されたＥＵＶ線および堆積物１０７は、環状内部分１１６Ａを通過した後、ＮＩＣミラー４２およびＧＩＣミラー４４に至る途中のＤＭＤ４８を通過する。
【０１２４】
一実施形態では、複数のレーザー光線路２２０は、対応するレーザー光線２２を透過させる窓２２３を含む窓システム２２２をそれぞれ含む。窓システム２２２は、錫蒸気１１４Ｖおよび堆積物１０７がレーザー光線路２２０を通過してシステム１０の他の部品に到達するのを防止する役目を果たしている。例えば、各窓システム２２２は、遮断またはインターロック弁２２４を含む。この弁２２４によって、窓２３を取り外して窓２３を清掃したり、常圧に戻すことなく窓２３を取り換えたりすることができる。焦点合わせやレーザー光線２２の調整に使用される任意部品２２５は、錫で覆われたり、堆積物１０７によって汚染されたりすることを避けるため、いずれも窓２２３の外部（すなわち、錫発生器１００の反対側）に配置され得る。
【０１２５】
内側格納容器２０２は、外表面２０４および内部２０６を有する。外側格納容器２１０は、内表面２１２および内部２１６を有する。レーザー光線路２２０は、外側格納容器２１０を通って内側格納容器２０２の内部２１５まで延びている。内側格納容器２０２の外表面２０４および外側格納容器２１０の内表面２１２は、内部２１６の環状部分２１６Ａを規定している。内側格納容器２０２は、環状内側部分２１６Ａに開口する上側開口２０８と、ノズル１２０に通じる下側開口２０９とを含む。上側および下側開口２０８および２０９は、錫蒸気柱１０２が両開口を通過するように位置合わせされている。外側格納容器２１０の内表面２１２は、錫蒸気柱１０４を受けてその蒸気を凝縮し、錫液１１４Ｌを生成するように構成されている。錫液１１４Ｌは、内表面に沿って回収領域２３０に流れ落ちる。回収領域２３０は、ノズル１２０の近傍や下、すなわち外側格納容器２１０の低位部分に位置され得る。回収領域２３０は、錫供給源２００に流体接続されている。
【０１２６】
錫発生器１００の格納容器構成は、錫蒸気１１４Ｖおよび堆積物１０７がＤＭＤ４８を通過しない経路を移動することがないように設計される。
【０１２７】
当業者には明白であるが、添付の特許請求の範囲に記載される本開示の精神および範囲を逸脱することなく、ここに記述される本開示の好ましい実施形態に対して様々な修正を加えることができる。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲およびその均等範囲内において本開示の修正および変更を包含する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【外国語明細書】
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1.Abstract
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2. Representative Drawing
Fig. 2
Fig.1
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Fig.2
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Fig.3
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Fig.4
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Fig.5
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Fig.6
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Fig.7
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Fig.8
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Fig.9
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Fig.10
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Fig.11
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