(57)【要約】【課題】基材上に抵抗値が低く且つ厚い導電パターンを形成するときに、体積の収縮に伴う導電パターンの断線が抑制される導電パターンの形成方法、及び該形成方法で形成された導電性配線の提供。【解決手段】導電体を形成するためのインク組成物を基材２上に印刷し、固化させて、基材２上に第一パターン１１を形成し、導電体を形成するためのインク組成物をさらに第一パターン１１上に印刷し、固化させて、第一パターン１１上に第二パターン１２を形成して、第一パターン１１及び第二パターン１２が積層されてなる導電パターン１を形成するに際し、第二パターン１２を第一パターン１１よりも厚くし、第一パターン１１及び第二パターン１２の形成に用いるインク組成物を、第二パターン１２の形成条件で気化して前記インク組成物から除かれる揮発性成分の配合量の割合が、配合成分の総量に対して２０質量％以上であるものとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体を形成するためのインク組成物を基材上に印刷し、固化させることにより、前記基材上に第一パターンを形成し、
導電体を形成するためのインク組成物をさらに前記第一パターン上に印刷し、固化させることにより、前記第一パターン上に第二パターンを形成して、前記第一パターン及び第二パターンが積層されてなる導電パターンを形成する導電パターンの形成方法において、
前記第二パターンは前記第一パターンよりも厚く、
前記第一パターン及び第二パターンの形成に用いるインク組成物は、前記第二パターンの形成条件で気化して前記インク組成物から除かれる揮発性成分の配合量の割合が、配合成分の総量に対して２０質量％以上であることを特徴とする導電パターンの形成方法。
【請求項２】
前記第二パターン形成時に、インク組成物の固化を、相対湿度４０％以上の雰囲気下での加熱処理により行うことを特徴とする請求項１に記載の導電パターンの形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の導電パターンの形成方法で形成されたことを特徴とする導電性配線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電パターンの形成方法、及び該形成方法で形成された導電性配線に関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷法を利用して、基材上に導電パターンを形成する方法が種々検討されており、この方法を導電性配線の形成に応用することで、環境負荷が小さく、フレキシブルでオンデマンドな電子機器を開発することが期待されている。通常、この場合に用いるインク組成物は、金属又は金属を形成する材料が配合されてなるものであり、加熱処理することで金属を形成する。
【０００３】
一方、抵抗値が低い導電性配線を形成するためには、例えば、配線を厚くすることが有効である。また、例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦＩＤ用アンテナ等での配線では、チップ駆動で必要な電流量を賄うために、配線を厚くすることが求められている。このような観点からも、基材上に厚い導電性配線を形成することが重要となる。
【０００４】
これに対して、印刷法へ適用できる、導電体を形成可能なインク組成物としては、例えば、銀粒子等の導電性粒子とバインダーを必須成分とする導電ペースト（特許文献１参照）、銀ナノ粒子を含む銀インク組成物（特許文献２参照）、β−ケトカルボン酸銀が配合されてなる銀インク組成物（特許文献３参照）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１７６３９号公報
【特許文献２】特表２０１０−５００４７５号公報
【特許文献３】特開２０１２−０４６７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１で開示されているインク組成物は、バインダーを含むため、導電性配線を厚くしたとしても、抵抗値を低くできないという問題点があった。
また、特許文献２及び３で開示されているインク組成物は、バインダーが不要であるが、その代わりに溶媒成分を比較的多量に含むものであり、基材上に厚塗りした場合には、金属を形成するための加熱処理時に、溶媒の除去に伴って体積が収縮して、結果として形成される導電性配線には断線が生じるという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基材上に抵抗値が低く且つ厚い導電パターンを形成するときに、体積の収縮に伴う導電パターンの断線が抑制される導電パターンの形成方法、及び該形成方法で形成された導電性配線を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、導電体を形成するためのインク組成物を基材上に印刷し、固化させることにより、前記基材上に第一パターンを形成し、導電体を形成するためのインク組成物をさらに前記第一パターン上に印刷し、固化させることにより、前記第一パターン上に第二パターンを形成して、前記第一パターン及び第二パターンが積層されてなる導電パターンを形成する導電パターンの形成方法において、前記第二パターンは前記第一パターンよりも厚く、前記第一パターン及び第二パターンの形成に用いるインク組成物は、前記第二パターンの形成条件で気化して前記インク組成物から除かれる揮発性成分の配合量の割合が、配合成分の総量に対して２０質量％以上であることを特徴とする導電パターンの形成方法を提供する。
本発明の導電パターンの形成方法は、前記第二パターン形成時に、インク組成物の固化を、相対湿度４０％以上の雰囲気下での加熱処理により行うことが好ましい。
また、本発明は、前記導電パターンの形成方法で形成されたことを特徴とする導電性配線を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基材上に抵抗値が低く且つ厚い導電パターンを形成するときに、体積の収縮に伴う導電パターンの断線が抑制される導電パターンの形成方法、及び該形成方法で形成された導電性配線が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る導電パターンを、基材と共に模式的に例示する断面図である。
【図２】本発明に係る導電パターンの形成方法を模式的に説明するための断面図である。
【図３】導電パターンの撮像データであり、（ａ）は実施例１における導電パターンの、（ｂ）は比較例１における導電パターンの、それぞれの撮像データである。
【図４】実施例１における導電パターンの断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による撮像データである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明に係る導電パターンの形成方法は、導電体を形成するためのインク組成物を基材上に印刷し、固化させることにより、前記基材上に第一パターンを形成し、導電体を形成するためのインク組成物をさらに前記第一パターン上に印刷し、固化させることにより、前記第一パターン上に第二パターンを形成して、前記第一パターン及び第二パターンが積層されてなる導電パターンを形成する導電パターンの形成方法において、前記第二パターンは前記第一パターンよりも厚く、前記第一パターン及び第二パターンの形成に用いるインク組成物は、前記第二パターンの形成条件で気化して前記インク組成物から除かれる揮発性成分の配合量の割合が、配合成分の総量に対して２０質量％以上であることを特徴とする。
かかる製造方法によれば、導電パターンの形成に用いるインク組成物として、揮発性成分の配合量の割合が高いものを用いて、厚い導電パターンを形成しても、揮発性成分の除去に伴う体積の収縮に起因する断線の発生が、導電パターンにおいて顕著に抑制される。また、インク組成物としてバインダーが配合されていないものを用いることで、抵抗値が低い導電パターンを形成できる。
【００１２】
＜＜導電パターン＞＞
図１は、本発明に係る方法で形成された導電パターンを、基材と共に模式的に例示する断面図である。
ここに示す導電パターン１は、基材２上に受容層３を介して設けられたものであり、受容層３側から第一パターン１１及び第二パターン１２がこの順に積層されて構成されている。すなわち、ここに示す導電パターン付き基材１’は、基材２上に受容層３及び導電パターン１がこの順に積層されたものである。
【００１３】
＜基材＞
基材２は、目的に応じて任意の形状を選択でき、例えば、フィルム状又はシート状であることが好ましく、厚さが０．５〜５０００μｍであることが好ましく、０．５〜２５００μｍであることがより好ましい。基材２の厚さが前記下限値以上であることで、受容層３の構造をより安定して保持でき、基材２の厚さが前記上限値以下であることで、受容層３や導電パターン１形成時の取り扱い性がより良好となる。
【００１４】
基材２の材質は特に限定されず、目的に応じて選択すればよいが、後述するインク組成物の加熱処理による導電パターン１形成時に変質しない耐熱性を有するものが好ましい。
基材２の材質として具体的には、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリシクロオレフィン、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ−ＰＰＥ）、ポリアリレート、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂等の合成樹脂が例示できる。
また、基材２の材質としては、上記以外にも、ガラス、シリコン等のセラミックスや、紙が例示できる。
また、基材２は、ガラスエポキシ樹脂、ポリマーアロイ等の、二種以上の材質を併用したものでもよい。
【００１５】
基材２は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材２が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材２が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材２の厚さとなるようにするとよい。
【００１６】
＜受容層＞
受容層３は、導電パターン１（第一パターン１１）と基材２との密着性を向上させるものである。すなわち、受容層３及び導電パターン１（第一パターン１１）、並びに受容層３及び基材２は、それぞれ密着性が高く、受容層３を介して設けられた導電パターン１は、基材２からの剥離が抑制される。
なお、導電パターン付き基材１’において、受容層３は設けられていなくてもよい。
【００１７】
受容層３は、各種樹脂（ベース樹脂）の硬化により形成されたものが好ましく、この場合、樹脂の種類は基材２の種類に応じて、適宜選択すればよく、光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれでもよい。
受容層３で好ましいものとしては、ウレタン（メタ）アクリレートを用いて形成されたものが例示でき、より好ましいものとしては、ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートを用いて形成されたものが例示できる。このような受容層３は、導電パターン付き基材１’を高温高湿条件下に置いた場合の、基材２（受容層３）からの導電パターン１（第一パターン１１）の剥離を抑制する効果が高い。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を含む概念とする。
【００１８】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、ベース樹脂（プレポリマー）であり、特に限定されないが、重量平均分子量が２０００〜２００００であるものが好ましく、２３００〜１７０００であるものがより好ましい。重量平均分子量がこのような範囲であることで、高温高湿条件下に置いた場合の導電パターン１の剥離抑制効果がより高くなる。なお、本明細書において、樹脂や、ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレート等のベース樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によりポリスチレン換算基準で求められたものである。
【００１９】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、その硬化物である塗膜の、ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−４に準拠した鉛筆硬度が、２Ｂ以下となるものが好ましく、６Ｂ以下となるものがより好ましい。
【００２０】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、２０〜６０℃において、粘度が４０Ｐａ・ｓ以下であるものが好ましく、１０Ｐａ・ｓ以下であるものがより好ましい。前記粘度がこのような範囲であることで、溶媒と混合して後述する受容層用組成物を調製する際に、撹拌し易く、取り扱い性がより良好となる。
なお、本明細書において「粘度」とは、特に断りのない限り、超音波振動式粘度計を用いて測定したものを意味する。
【００２１】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、その硬化物である塗膜のガラス転移点（Ｔｇ）が、−１８〜３５℃となるものが好ましく、−１５〜３０℃となるものがより好ましい。
【００２２】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、その硬化物である塗膜のヤング率が、１〜３００Ｎ／ｍｍ２となるものが好ましく、３〜２５０Ｎ／ｍｍ２となるものがより好ましい。
【００２３】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、その硬化物である塗膜の硬化収縮率が、２〜７％となるものが好ましく、３〜６％となるものがより好ましい。
【００２４】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、その硬化物である塗膜の機械強度が、２〜５０Ｎ／ｍｍ２となるものが好ましく、３〜４５Ｎ／ｍｍ２となるものがより好ましい。
【００２５】
前記ポリカーボネート骨格含有ウレタン（メタ）アクリレートは、ポリカーボネート骨格を有するウレタンアクリレート（以下、「ポリカーボネート骨格含有ウレタンアクリレート」と記載することがある）であることが好ましい。
【００２６】
受容層３は、各種樹脂（ベース樹脂）の硬化により形成されたものである場合、その硬化物の含有量が９０質量％以上であることが好ましく、９５質量％以上であることがより好ましい。前記硬化物の含有量が前記下限値以上であることで、受容層３を設けたことによる効果がより高くなる。
【００２７】
基材２の一方の主面（受容層３が形成されている表面）２ａを上方から見下ろすように、導電パターン付き基材１’を平面視したときの、受容層３の形状は、目的に応じて任意に設定でき、後述する導電パターン１の形状を考慮して設定すればよい。例えば、基材２の表面全面に受容層３が設けられていてもよいし、基材２の表面のうち、一部のみに受容層３が設けられていてもよく、この場合、受容層３はパターニングされていてもよい。
【００２８】
受容層３の厚さは、０．００１〜２０μｍであることが好ましく、０．００２〜５μｍであることがより好ましい。受容層３の厚さが前記下限値以上であることで、導電パターン１の密着性がより向上し、受容層３の厚さが前記上限値以下であることで、受容層３の構造をより安定して保持できる。
【００２９】
＜導電パターン＞
導電パターン１は、第一パターン１１及び第二パターン１２がこの順に積層されてなり、第二パターン１２は、第一パターン１１の表面１１ａの全面に設けられていてもよいし、第一パターン１１の表面１１ａの一部のみに設けられていてもよい。
【００３０】
第二パターン１２は第一パターン１１よりも厚くなっている。すなわち、第一パターン１１の厚さＨ１１と、第二パターン１２の厚さＨ１２とは、Ｈ１２＞Ｈ１１の関係を満たす。この条件を満たせば、第一パターン１１の厚さＨ１１と、第二パターン１２の厚さＨ１２とは、特に限定されない。ただし、例えば、以下に示すように、導電パターン１の厚さ（Ｈ１１＋Ｈ１２）は、厚いことが好ましい。
【００３１】
第一パターン１１の厚さＨ１１は、１６μｍ以下であることが好ましく、１３μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが特に好ましい。Ｈ１１が前記上限値以下であることで、導電パターン１の断線抑制効果がより高くなる。
また、第一パターン１１の厚さＨ１１は、０．５μｍ以上であることが好ましく、１．０μｍ以上であることがより好ましく、１．５μｍ以上であることが特に好ましい。Ｈ１１が前記下限値以上であることで、導電パターン１を容易に厚くできる。
第二パターン１２の厚さＨ１２は、１００μｍ以下であることが好ましく、８５μｍ以下であることがより好ましく、７５μｍ以下であることが特に好ましい。Ｈ１２が前記上限値以下であることで、導電パターン１の断線抑制効果がより高くなる。
また、第二パターン１２の厚さＨ１２は、３０μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましく、４５μｍ以上であることが特に好ましい。Ｈ１２が前記下限値以上であることで、導電パターン１を容易に厚くできる。
【００３２】
なお、上述の導電パターン１の厚さ（Ｈ１１＋Ｈ１２）は、好ましいものの一例であり、導電パターン１の厚さはこれらに限定されない。
例えば、第一パターン１１の厚さＨ１１は、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下であってもよい。
また、第一パターン１１の厚さＨ１１は、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、特に好ましくは０．７μｍ以上であってもよい。
第二パターン１２の厚さＨ１２は、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下であってもよい。
また、第二パターン１２の厚さＨ１２は、好ましくは０．９μｍ以上、より好ましくは１．２μｍ以上、特に好ましくは１．５μｍ以上であってもよい。
【００３３】
基材２の一方の主面２ａを上方から見下ろすように、導電パターン付き基材１’を平面視したときの、導電パターン１の形状は、目的に応じて任意に設定でき、受容層３の表面３ａの全面に導電パターン１が設けられていてもよいし、受容層３の表面３ａのうち、一部のみに導電パターン１が設けられていてもよい。
導電パターン１は、例えば、導電性配線として有用である。
【００３４】
第一パターン１１及び第二パターン１２の材質は、これらパターンを後述する方法で形成でき、導電性を有するものである限り、特に限定されないが、通常は金属であるか、又は金属を主成分とするものが好ましい。ここで、「金属を主成分とする」とは、金属の比率が、見かけ上金属だけからなるとみなし得る程度に十分に高いことを意味し、第一パターン１１及び第二パターン１２中の金属の比率は、好ましくは９９質量％以上である。第一パターン１１及び第二パターン１２中の金属の比率の上限値は、例えば、９９．９質量％、９９．８質量％、９９．７質量％、９９．６質量％、９９．５質量％、９９．４質量％、９９．３質量％、９９．２質量％及び９９．１質量％のいずれかとすることができる。
また、第一パターン１１及び第二パターン１２は、材質が互いに同一でも異なっていてもよく、例えば、金属種等の導電性成分が互いに同一でも異なっていてもよいが、導電性成分が互いに同一であることが好ましく、材質（構成成分とその比率）が互いに同一であることがより好ましい。
そして、前記金属は銀又は銅であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
【００３５】
導電パターン１は、その厚さ（Ｈ１１＋Ｈ１２）が厚くても、後述する方法で形成することで、断線が抑制される。
導電パターン１は導電性に優れ、例えば、金属の形成材料として、後述するβ−ケトカルボン酸銀等を用いて形成した場合には、体積抵抗率を好ましくは３０μΩ・ｃｍ以下、より好ましくは２５μΩ・ｃｍ以下、さらに好ましくは２０μΩ・ｃｍ以下、特に好ましくは１７μΩ・ｃｍ以下とすることが可能である。
【００３６】
導電パターン付き基材１’は、図１に示すものに限定されず、他の構成が追加されたり、一部構成が適宜変更されたものでもよい。例えば、基材２上に受容層３及び導電パターン１以外のその他の層を備えたものでもよく、前記その他の層としては、受容層３及び導電パターン１を被覆するオーバーコート層（図示略）が例示できる。
また、ここでは、導電パターン付き基材１’として基材２の一方の主面２ａ上に受容層３を介して導電パターン１を備えたものを示しているが、導電パターン付き基材１’は、基材２の他方の主面２ｂ上にも同様に（基材２の両方の主面上に）受容層３を介して導電パターン１を備えたものでもよい。
【００３７】
＜＜導電パターンの形成方法＞＞
図１に示す導電パターン１の形成方法について、以下、説明する。図２は、本発明に係る導電パターンの形成方法を模式的に説明するための断面図である。
本発明に係る形成方法では、図２（ｂ）に示すように、基材２上に第一パターン１１を形成する（以下、本工程を「第一パターン形成工程」と略記することがある）。ここでは、第一パターン１１として、基材２上に受容層３を介して設けられているものを例示しており、この場合には、基材２上に受容層３を形成し（以下、本工程を「受容層形成工程」と略記することがある）、この受容層３上に第一パターン１１を形成する。
【００３８】
＜受容層形成工程＞
本工程では、図２（ａ）に示すように、基材２の表面（一方の主面）２ａ上に受容層３を形成する。
受容層３は、例えば、その主たる構成成分となる前記硬化物（硬化樹脂）を形成するための樹脂（ベース樹脂）、重合開始剤及び溶媒が配合されてなる組成物（以下、「受容層用組成物」と略記することがある）を調製し、これを基材２上に付着させ、光照射又は加熱等の手段により前記樹脂を硬化させることにより形成できる。このとき、必要に応じて乾燥処理、加熱処理等のその他の処理を行ってもよく、加熱処理は乾燥処理を兼ねるものであってもよい。
【００３９】
前記重合開始剤は、特に限定されず、用いる樹脂の種類に応じて適宜選択すればよい。
【００４０】
前記溶媒は、重合反応を阻害しないものであればよく、シクロヘキサノン、１，２−ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等、公知のものから適宜選択すればよい。
【００４１】
前記樹脂、重合開始剤及び溶媒は、それぞれ一種を単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよく、二種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００４２】
受容層用組成物において、配合成分の総量に対する前記樹脂の配合量の割合は、３０〜７０質量％であることが好ましく、４０〜６０質量％であることがより好ましい。
受容層用組成物において、配合成分の総量に対する前記重合開始剤の配合量の割合は、１〜１０質量％であることが好ましく、１〜４質量％であることがより好ましい。
受容層用組成物において、配合成分の総量に対する前記溶媒の配合量の割合は、１５〜６５質量％であることが好ましく、２５〜６０質量％であることがより好ましい。
【００４３】
受容層用組成物は、前記樹脂、重合開始剤及び溶媒以外に、さらにこれらに該当しないその他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
受容層用組成物における前記その他の成分は、一種を単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよく、二種以上を併用する場合で、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
受容層用組成物において、配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
【００４４】
受容層用組成物は、前記樹脂、重合開始剤、溶媒、及び必要に応じて前記その他の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま受容層用組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを受容層用組成物としてもよい。
【００４５】
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
【００４６】
受容層用組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。
【００４７】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、４０〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、５分〜１２時間であることが好ましく、１〜６時間であることがより好ましく、２〜４時間であることがさらに好ましい。
【００４８】
受容層用組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材２上に付着させることができる。
前記印刷法としては、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法、スプレー印刷法等が例示できる。
前記塗布法としては、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が例示できる。
【００４９】
受容層形成工程においては、基材２上に付着させる受容層用組成物の量、又は受容層用組成物における前記樹脂の配合量を調節することで、受容層３の厚さを調節できる。
例えば、受容層用組成物の基材２上への付着時の厚さは、０．１〜１０００μｍであることが好ましく、０．１〜１００μｍであることがより好ましく、１〜１０μｍであることがより好ましい。
【００５０】
受容層用組成物の乾燥処理及び加熱処理は、いずれも公知の方法で行えばよく、例えば、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、処理温度も特に限定されず、目的に応じて適宜設定すればよい。例えば、乾燥処理は、加熱乾燥処理及び常温乾燥処理のいずれでもよく、加熱乾燥処理の場合であれば、例えば、好ましくは６０〜１００℃、２〜１０分の条件で行うことができる。
【００５１】
受容層形成工程においては、受容層用組成物を付着させる前に、基材２を加熱処理（アニール処理）してもよい。基材２を加熱処理しておくことで、本工程において受容層用組成物を加熱処理したときや、後述する導電パターンの形成時において、インク組成物を加熱（焼成）処理したときに、基材２の収縮が抑制され、寸法安定性が向上する。
受容層用組成物を付着させる前の、基材２の加熱処理の条件は、基材２の種類に応じて適宜調節すればよく、特に限定されないが、６０〜２００℃で１０〜６０分間加熱処理することが好ましく、例えば、後述する銀インク組成物を用いる場合には、その加熱（焼成）処理の条件と同じでもよい。
【００５２】
また、本発明においては、受容層用組成物を付着させる前に、基材２の受容層３の形成面をプラズマ処理してもよい。基材２をプラズマ処理しておくことで、後述する導電パターンの形成時において、受容層３上でインク組成物の滲みが抑制されることがある。
プラズマ処理は公知の方法で行えばよく、例えば、大気圧プラズマ処理の場合には、電圧２９０〜３００Ｗ、気流速度１．０〜５．０ｍ／分等の条件で行うことができる。
【００５３】
＜第一パターン形成工程＞
第一パターン１１は、図２（ｂ）に示すように、導電体を形成するためのインク組成物を受容層３（受容層３の表面３ａ）上に印刷し、この印刷した前記インク組成物を固化させることにより、形成する。受容層３を設けない場合には、前記インク組成物を基材２（基材２の表面２ａ）上に印刷し、固化させればよい。なお、本明細書において「インク組成物の固化」とは、特に断りのない限り、インク組成物から前記揮発性成分を低減又は除去することを意味し、その条件によっては、導電体の形成も含むものとする。
【００５４】
前記インク組成物は、導電体を形成するためのものであり、導電体の形成材料が配合されてなり、後述する第二パターン１２の形成条件（導電体を形成する条件）で気化して、このインク組成物から除かれる揮発性成分の配合量の割合が、配合成分の総量に対して２０質量％以上、好ましくは２３質量％以上のものである。このように、本工程においては、揮発性成分の配合量の割合が高いインク組成物を用いる。
また、前記インク組成物は、溶液及び分散液のいずれでもよいが、分散液である場合には、非溶解物が均一に分散されたものが好ましい。
【００５５】
前記揮発性成分は、特に限定されない。例えば、前記インク組成物として後述する銀インク組成物を用いる場合には、揮発性成分として、後述する含窒素化合物、還元剤、アルコール、アルコール以外の溶媒等が例示できる。
【００５６】
本工程で形成される第一パターン１１は、上述のように厚さが薄い。すなわち、インク組成物の印刷層の厚さが薄いため、このインク組成物を固化させても、揮発性成分の除去に伴う体積の収縮の程度が小さく、結果として形成される第一パターン１１において、断線の発生が抑制される。
【００５７】
本工程におけるインク組成物の印刷方法は、特に限定されず、受容層用組成物の場合と同様でよく、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法、スプレー印刷法等が例示できる。
【００５８】
印刷したインク組成物は固化させるが、この過程で揮発性成分の少なくとも一部が除かれて、第一パターン１１を形成する。そして、このときの固化では、導電体の形成まで行ってもよいし、導電体の形成までは行わずにインク組成物の乾燥を行うのにとどめてもよい。第一パターン１１は、後述する第二パターン１２を形成するための土台としても機能するが、印刷したインク組成物は、このような土台を形成できる程度に乾燥されていればよい。これは、後述する第二パターン１２の形成時に、インク組成物からの導電体の形成を必ず行うためであり、このときに第二パターン１２と同時に第一パターン１１でも導電体の形成を行うようにすることで、工程を簡略化できる。また、本工程でのインク組成物の固化をインク組成物の乾燥を行うのにとどめることで、本工程で形成された第一パターン１１は、例えば、インク組成物の固化のための過度な加熱処理が抑制されて、結果として断線の発生がより高度に抑制される。なお、インク組成物の固化で、導電体の形成までは行わずにインク組成物の乾燥を行うのにとどめるとは、この固化の過程でインク組成物において導電体の形成が全く生じないことを意味するものではなく、この固化の過程で導電体の形成に伴うインク組成物の性状変化が無視し得る程度の、微量の導電体の形成が生じることも包含する。
【００５９】
本工程において、インク組成物の固化は、短時間で行うという観点では、加熱処理により行うことが好ましい。
【００６０】
本工程において、インク組成物の加熱処理で、導電体の形成までは行わずにインク組成物の乾燥を行うのにとどめる場合には、この加熱処理時の温度（加熱温度）は、インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、５０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜５時間であることがより好ましい。このような加熱処理時の条件は、インク組成物として後述する銀インク組成物を用いた場合に、特に好適である。
また、本工程において、インク組成物の加熱処理で、導電体の形成まで行う場合には、この加熱処理時の温度（加熱温度）は、インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０〜２００℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜１０時間であることがより好ましい。このような加熱処理時の条件は、インク組成物として後述する銀インク組成物を用いた場合に、特に好適である。
【００６１】
インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、本工程において、加熱温度は１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【００６２】
本工程におけるインク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、常圧下及び減圧下のいずれで行ってもよい。
【００６３】
本工程においては、受容層３上に付着させるインク組成物の量、又はインク組成物における導電体の形成成分の配合量を調節することで、第一パターン１１の厚さを調節できる。
【００６４】
本発明においては、前記インク組成物として、金属又は金属の形成材料が配合されてなる金属インク組成物を用いることが好ましい。
配合される金属又は金属の形成材料は、一種のみでもよいし、二種以上でもよく、二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００６５】
配合される金属は、粒子状又は繊維状（チューブ状、ワイヤー状等）であることが好ましく、ナノ粒子又はナノワイヤーであることがより好ましい。そして、配合される金属は、銀又は銅であることが好ましい。
なお、本明細書において、「ナノ粒子」とは、粒径が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１〜１００ｎｍである粒子を意味し、「ナノワイヤー」とは、幅が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１〜１００ｎｍであるワイヤーを意味する。
【００６６】
配合される金属の形成材料は、該当する金属原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属を生じるものであればよく、金属塩、金属錯体、有機金属化合物（金属−炭素結合を有する化合物）等が例示できる。前記金属塩及び金属錯体は、有機基を有する金属化合物及び有機基を有しない金属化合物のいずれでもよい。なかでも金属の形成材料は、金属塩であることが好ましく、銀塩又は銅塩であることがより好ましい。
また、金属の形成材料は、加熱によって分解し、金属を形成するものが好ましい。
金属の形成材料を用いることで、かかる材料から金属が生じ、この金属を含む第一パターン１１が形成される。
【００６７】
本発明においては、前記インク組成物として、銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を用いることが好ましい。
以下、銀インク組成物について、より詳細に説明する。
【００６８】
［カルボン酸銀］
金属銀の形成材料としては、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀が例示できる。
本発明において、カルボン酸銀は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【００６９】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【００７０】
【化１】
2015181160.tif 000003
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基であり；
Ｙ１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【００７１】
【化２】
2015181160.tif 000004
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【００７２】
（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基である。
【００７３】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。
【００７４】
Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
【００７５】
Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。
【００７６】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【００７７】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００７８】
ＲにおけるＹ１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」及び「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」においては、それぞれ複数個のＹ１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００７９】
ＲにおけるＲ１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）であり、Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ４及びＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００８０】
Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。
【００８１】
一般式（１）において、Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘ１における炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００８２】
Ｘ１におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
Ｘ１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００８３】
Ｘ１におけるＲ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ７における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。また、Ｒ７におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘ１において隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。
【００８４】
一般式（１）において、２個のＸ１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基が例示できる。
【００８５】
Ｘ１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ１が水素原子であることが好ましい。
【００８６】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。
【００８７】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【００８８】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。還元剤については後ほど説明する。
【００８９】
本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００９０】
（カルボン酸銀（４））
カルボン酸銀（４）は、前記一般式（４）で表される。
式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。ただし、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【００９１】
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ２−）を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ２−」で表される基も含むものとする。
【００９２】
カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）３−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）５−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。
【００９３】
カルボン酸銀（４）も、β−ケトカルボン酸銀（１）と同様に、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【００９４】
本発明において、カルボン酸銀（４）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００９５】
前記カルボン酸銀は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２−エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀及びアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。
【００９６】
銀インク組成物において、前記金属銀の形成材料に由来する銀の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。このような範囲であることで、形成された導電体（金属銀）は品質により優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると２５質量％であることが好ましい。
なお、本明細書において、「金属銀の形成材料に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物の製造時に配合された前記金属銀の形成材料中の銀を意味し、配合後に引き続き金属銀の形成材料を構成している銀と、配合後に金属銀の形成材料が分解して生じた分解物中の銀及び銀自体と、の両方を含む概念とする。
【００９７】
［含窒素化合物］
前記銀インク組成物は、特に金属銀の形成材料が前記カルボン酸銀である場合、金属銀の形成材料以外に、さらに、炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される一種以上の含窒素化合物（以下、単に「含窒素化合物」と略記することがある）が配合されてなるものが好ましい。配合される含窒素化合物は、一種のみでよいし、二種以上でもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
以下、炭素数２５以下のアミン化合物を「アミン化合物」、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩を「第４級アンモニウム塩」、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩を「アミン化合物由来のアンモニウム塩」、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩を「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある。
【００９８】
（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４〜２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
【００９９】
前記第１級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。
【０１００】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン（２−アミノヘプタン）、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミンが例示できる。
【０１０１】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【０１０２】
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子が例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
【０１０３】
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
【０１０４】
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタンが例示できる。
【０１０５】
前記第２級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。
【０１０６】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミンが例示できる。
【０１０７】
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１０８】
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１０９】
前記第３級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。
【０１１０】
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
【０１１１】
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【０１１２】
本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミドが例示できる。
【０１１３】
ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。
【０１１４】
前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【０１１５】
前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【０１１６】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【０１１７】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【０１１８】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンが例示できる。
【０１１９】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに形成される導電体の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。
【０１２０】
（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が例示できるが、これらに限定されない。
【０１２１】
（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが例示できる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、塩化アンモニウム等が例示できるが、これに限定されない。
【０１２２】
本発明においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１２３】
銀インク組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．３〜１５モルであることが好ましく、０．３〜５モルであることがより好ましい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は安定性がより向上し、導電体（金属銀）の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電体を形成できる。
【０１２４】
［還元剤］
前記銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらに還元剤が配合されてなるものでもよい。還元剤を配合することで、前記銀インク組成物は、金属銀をより形成し易くなり、例えば、加熱処理なし、又は低温での加熱処理でも、十分な導電性を有する導電体（金属銀）を形成できる。
【０１２５】
前記還元剤は、シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上の還元性化合物（以下、単に「還元性化合物」と略記することがある）であることが好ましい。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
【０１２６】
（還元性化合物）
前記還元性化合物は、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２）及び前記一般式（５）で表される化合物（化合物（５））からなる群から選択される一種以上のものである。すなわち、配合される還元性化合物は、一種のみでよいし、二種以上でもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１２７】
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【０１２８】
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルコキシ基は、炭素数が１〜２０であり、Ｒ２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基が例示できる。
【０１２９】
Ｒ２１における炭素数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、該アルキル基はそれぞれ炭素数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、炭素数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【０１３０】
前記還元性化合物として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
【０１３１】
前記還元性化合物で好ましいものとしては、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）；ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３）等のギ酸エステル；プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）２ＣＨ３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）４ＣＨ３）等のアルデヒド；ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ３）２）等のホルムアミド類（式「Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（−）−」で表される基を有する化合物）；シュウ酸が例示できる。
【０１３２】
銀インク組成物において、還元剤の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０４〜３．５モルであることが好ましく、０．０６〜２．５モルであることがより好ましい。還元剤の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は、より容易に、より安定して導電体（金属銀）を形成できる。
【０１３３】
［アルコール］
前記銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらにアルコールが配合されてなるものでもよい。
【０１３４】
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。
【０１３５】
【化３】
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（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
【０１３６】
（アセチレンアルコール（２））
アセチレンアルコール（２）は、前記一般式（２）で表される。
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【０１３７】
Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１３８】
Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【０１３９】
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。
【０１４０】
アセチレンアルコール（２）を用いる場合、銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０５〜０．３モルであることがより好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。
【０１４１】
前記アルコールは、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１４２】
［その他の成分］
前記銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物、還元剤及びアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
銀インク組成物における前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されず、好ましいものとしては、アルコール以外の溶媒が例示でき、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。
銀インク組成物における前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１４３】
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物、並びに還元剤及びアルコールのいずれか一方又は両方が配合されてなるものが好ましく、前記カルボン酸銀、含窒素化合物、並びに還元剤及びアルコールのいずれか一方又は両方が配合されてなるものがより好ましい。
【０１４４】
銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【０１４５】
銀インク組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１４６】
［銀インク組成物の製造方法］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、及び前記金属銀の形成材料以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀インク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを銀インク組成物としてもよい。本発明においては、特に前記金属銀の形成材料としてβ−ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合、上記の各成分の配合時において、導電性を阻害する不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できるため、精製操作を行っていない銀インク組成物を用いても、十分な導電性を有する導電体（金属銀）が得られる。
【０１４７】
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。ただし、本発明においては、前記還元剤は滴下により配合することが好ましく、さらに滴下速度の変動を抑制することで、金属銀の表面粗さをより低減できる傾向にある。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。
【０１４８】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０分〜３６時間であることが好ましい。
【０１４９】
［二酸化炭素］
銀インク組成物は、さらに二酸化炭素が供給されてなるものでもよい。このような銀インク組成物は高粘度となり、例えば、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等の、インクを厚盛りすることが必要な印刷法への適用に好適である。
【０１５０】
二酸化炭素は、銀インク組成物製造時のいずれの時期に供給してもよい。
そして、本発明においては、例えば、前記金属銀の形成材料及び含窒素化合物が配合されてなる第一の混合物に、二酸化炭素を供給して第二の混合物とし、必要に応じて前記第二の混合物に、さらに、前記還元剤を配合して、銀インク組成物を製造することが好ましい。また、前記アルコール又はその他の成分を配合する場合、これらは、第一の混合物及び第二の混合物のいずれか一方又は両方の製造時に配合でき、目的に応じて任意に選択できる。
【０１５１】
前記第一の混合物は、配合成分が異なる点以外は、上記の銀インク組成物と同様の方法で製造できる。
【０１５２】
第一の混合物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１５３】
第一の混合物製造時の配合温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。また、配合時間は、配合成分の種類や配合時の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、０．５〜１２時間であることが好ましい。
【０１５４】
第一の混合物に供給される二酸化炭素（ＣＯ２）は、ガス状及び固形状（ドライアイス）のいずれでもよく、ガス状及び固形状の両方でもよい。二酸化炭素が供給されることにより、この二酸化炭素が第一の混合物に溶け込み、第一の混合物中の成分に作用することで、得られる第二の混合物の粘度が上昇すると推測される。
【０１５５】
二酸化炭素ガスの供給は、液体中にガスを吹き込む公知の各種方法で行えばよく、適した供給方法を適宜選択すればよい。例えば、配管の一端を第一の混合物中に浸漬し、他端を二酸化炭素ガスの供給源に接続して、この配管を通じて二酸化炭素ガスを第一の混合物に供給する方法が例示できる。この時、配管の端部から直接二酸化炭素ガスを供給してもよいが、例えば、多孔質性のものなど、ガスの流路となり得る空隙部が多数設けられ、導入されたガスを拡散させて微小な気泡として放出することが可能なガス拡散部材を配管の端部に接続し、このガス拡散部材を介して二酸化炭素ガスを供給してもよい。また、第一の混合物の製造時と同様の方法で、第一の混合物を撹拌しながら二酸化炭素ガスを供給してもよい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
【０１５６】
二酸化炭素ガスの供給量は、供給先の第一の混合物の量や、目的とする銀インク組成物又は第二の混合物の粘度に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、２０〜２５℃における粘度が５Ｐａ・ｓ以上である銀インク組成物を１００〜１０００ｇ程度得るためには、二酸化炭素ガスを１００Ｌ以上供給することが好ましく、２００Ｌ以上供給することがより好ましい。なお、ここでは銀インク組成物の２０〜２５℃における粘度について説明したが、銀インク組成物の使用時の温度は、２０〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１５７】
二酸化炭素ガスの流量は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量を考慮して適宜調節すればよいが、第一の混合物１ｇあたり０．５ｍＬ／分以上であることが好ましく、１ｍＬ／分以上であることがより好ましい。流量の上限値は特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると、混合物１ｇあたり４０ｍＬ／分であることが好ましい。
そして、二酸化炭素ガスの供給時間は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量や、流量を考慮して適宜調節すればよい。
【０１５８】
二酸化炭素ガス供給時の第一の混合物の温度は、５〜７０℃であることが好ましく、７〜６０℃であることがより好ましく、１０〜５０℃であることが特に好ましい。前記温度が前記下限値以上であることで、より効率的に二酸化炭素を供給でき、前記温度が前記上限値以下であることで、不純物が少ないより良好な品質の銀インク組成物が得られる。
【０１５９】
二酸化炭素ガスの流量及び供給時間、並びに二酸化炭素ガス供給時の前記温度は、それぞれの値を相互に考慮しながら適した範囲に調節すればよい。例えば、前記温度を低めに設定しても、二酸化炭素ガスの流量を多めに設定するか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。また、二酸化炭素ガスの流量を少なめに設定しても、前記温度を高めにするか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。すなわち、二酸化炭素ガスの流量、二酸化炭素ガス供給時の前記温度として例示した上記数値範囲の中の数値を、二酸化炭素ガスの供給時間も考慮しつつ柔軟に組み合わせることで、良好な品質の銀インク組成物が効率的に得られる。
【０１６０】
二酸化炭素ガスの供給は、第一の混合物を撹拌しながら行うことが好ましい。このようにすることで、供給した二酸化炭素ガスがより均一に第一の混合物中に拡散し、より効率的に二酸化炭素を供給できる。
この時の撹拌方法は、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物の製造時における前記混合方法の場合と同様でよい。
【０１６１】
ドライアイス（固形状二酸化炭素）の供給は、第一の混合物中にドライアイスを添加することで行えばよい。ドライアイスは、全量を一括して添加してもよいし、分割して段階的に（添加を行わない時間帯を挟んで連続的に）添加してもよい。
ドライアイスの使用量は、上記の二酸化炭素ガスの供給量を考慮して調節すればよい。
ドライアイスの添加中及び添加後は、第一の混合物を撹拌することが好ましく、例えば、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物の製造時と同様の方法で撹拌することが好ましい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
撹拌時の温度は、二酸化炭素ガス供給時と同様でよい。また、撹拌時間は、撹拌温度に応じて適宜調節すればよい。
【０１６２】
第二の混合物の粘度は、銀インク組成物又は第二の混合物の取り扱い方法など、目的に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、銀インク組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、第二の混合物の２０〜２５℃における粘度は、３Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。なお、ここでは第二の混合物の２０〜２５℃における粘度について説明したが、第二の混合物の使用時の温度は、２０〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１６３】
前記第二の混合物には、さらに、必要に応じて前記還元剤、アルコール及びその他の成分からなる群から選択される一種以上を配合して、銀インク組成物とすることができる。
このときの銀インク組成物は、配合成分が異なる点以外は、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物と同様の方法で製造できる。そして、得られた銀インク組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１６４】
前記還元剤配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間は、配合成分の種類や配合時の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、０．５〜１２時間であることが好ましい。
【０１６５】
前記その他の成分は、先に説明したように、前記第一の混合物及び第二の混合物のいずれかの製造時に配合されてもよく、両方の製造時に配合されてもよい。すなわち、第一の混合物及び第二の混合物を経て銀インク組成物を製造する過程において、二酸化炭素以外の配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合（［その他の成分（質量）］／［金属銀の形成材料、含窒素化合物、還元剤、アルコール、及びその他の成分（質量）］×１００）は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【０１６６】
二酸化炭素が供給されてなる銀インク組成物は、例えば、銀インク組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、２０〜２５℃における粘度が、１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
【０１６７】
例えば、還元剤の配合時には、得られる配合物（銀インク組成物）は比較的発熱し易い。そして、還元剤の配合時の温度が高い場合、この配合物は、後述する銀インク組成物の加熱処理時と同様の状態になるため、還元剤による前記金属銀の形成材料の分解促進作用によって、金属銀の形成材料の少なくとも一部において金属銀の形成が開始されることがあると推測される。このような金属銀を含有する銀インク組成物は、導電体形成時において、金属銀を含有しない銀インク組成物よりも温和な条件で後処理を行うことにより、導電体を形成できることがある。また、還元剤の配合量が十分に多い場合にも、同様に温和な条件で後処理を行うことにより、導電体を形成できることがある。このように、金属銀の形成材料の分解を促進する条件を採用することで、後処理として、より低温での加熱処理で、あるいは加熱処理を行わずに常温での乾燥処理のみで、導電体を形成できることがある。また、このような金属銀を含有する銀インク組成物は、金属銀を含有しない銀インク組成物と同様に取り扱うことができ、特に取り扱い性が劣ることもない。
【０１６８】
なお、本発明における第二の混合物は、上記のように二酸化炭素の供給によって、粘度が通常よりも高い。一方で、第二の混合物への還元剤の配合時には、第二の混合物又は還元剤の種類によっては、上記のように前記金属銀の形成材料の少なくとも一部において金属銀の形成が開始され、金属銀が析出することがある。ここで、第二の混合物の粘度が高い場合には、析出した金属銀の凝集が抑制され、得られた銀インク組成物中での金属銀の分散性が向上する。このような銀インク組成物を用いて、後述する方法で金属銀を形成して得られた導電体は、粘度が低い、すなわち二酸化炭素が供給されていない混合物に還元剤が配合されて得られた銀インク組成物を用いた場合の導電体よりも、導電性が高く（体積抵抗率が低く）、表面粗さも小さくなり、より好ましい特性を有するものとなる。
【０１６９】
また、本発明においては、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物及びアルコールが配合されてなる混合物に、二酸化炭素を供給して、銀インク組成物を製造することも好ましい。この場合、二酸化炭素の供給方法としては、上記と同様の方法が採用できる。
【０１７０】
［濃縮］
銀インク組成物は、さらにその製造過程のいずれかの時期において濃縮されてなるものでもよい。このような銀インク組成物は、上述の二酸化炭素が供給されてなるものと同様に高粘度となり、例えば、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等の、インクを厚盛りすることが必要な印刷法への適用に好適である。
【０１７１】
濃縮は、銀インク組成物製造時のいずれの時期に行ってもよい。例えば、すべての成分を配合した後の混合物を濃縮してもよいし、一部の成分が配合されていない段階での混合物を濃縮してもよい。
そして、本発明においては、例えば、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物及びアルコールが配合されてなる混合物を濃縮して、銀インク組成物を製造することが好ましい。前記金属銀の形成材料、含窒素化合物及びアルコール以外の成分（例えば、還元剤、前記その他の成分等）を用いる場合、これら成分は、それぞれ独立に濃縮の前後のいずれで配合されてもよい。
【０１７２】
このように、製造過程において濃縮されてなる銀インク組成物は、例えば、２０℃における粘度が、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは１２０ｍＰａ・ｓ以上であり、好ましくは５００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは４５０ｍＰａ・ｓ以下であると好適である。前記粘度がこのような範囲であることで、銀インク組成物は印刷への適用により適したものとなる。なお、ここでは銀インク組成物の２０℃における粘度について説明したが、銀インク組成物の使用時の温度は、２０℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１７３】
濃縮方法は公知の方法から適宜選択すればよく、好ましい方法としては、常圧下での加熱濃縮、常温下又は加熱条件下での減圧濃縮が例示できる。なかでも、常温下又は加熱条件下での減圧濃縮が好ましい。
【０１７４】
温度、時間、圧力等の濃縮条件は、前記混合物の配合成分や量に応じて適宜調節すればよい。例えば、濃縮時の温度は、１８℃以上であることが好ましく、２０℃以上であることがより好ましく、２３℃以上であることが特に好ましい。濃縮時の温度の下限値がこのような範囲であることで、銀インク組成物がより効率的に得られる。また、濃縮時の温度は、７０℃以下であることが好ましく、６０℃以下であることがより好ましく、５０℃以下であることが特に好ましい。濃縮時の温度の上限値がこのような範囲であることで、不純物が少ないより良好な品質の銀インク組成物が得られる。
【０１７５】
濃縮時間は、１０分以上であることが好ましく、１５分以上であることがより好ましく、２０分以上であることが特に好ましい。濃縮時間の下限値がこのような範囲であることで、より高い粘度の銀インク組成物が得られる。また、濃縮時間は、１８０分以下であることが好ましく、１２０分以下であることがより好ましく、９０分以下であることが特に好ましい。濃縮時間の上限値がこのような範囲であることで、不純物が少ないより良好な品質の銀インク組成物がより効率的に得られる。
【０１７６】
濃縮時の圧力は、５００ｈＰａ（ヘクトパスカル）以下であることが好ましく、３００ｈＰａ以下であることがより好ましく、１５０ｈＰａ以下であることがさらに好ましく、１００ｈＰａ以下であることが特に好ましい。濃縮時の圧力の上限値がこのような範囲であることで、不純物が少ないより良好な品質の銀インク組成物がより効率的に得られる。また、濃縮時の圧力の下限値は特に限定されない。
【０１７７】
濃縮時の温度、濃縮時間、濃縮時の圧力は、それぞれの値を相互に考慮しながら適した範囲に調節すればよい。例えば、濃縮時の温度を低めに設定しても、濃縮時の圧力を低めに設定するか、濃縮時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に前記混合物を濃縮できる。また、濃縮時の圧力を高めに設定しても、濃縮時の温度を高めにするか、濃縮時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に前記混合物を濃縮できる。すなわち、濃縮時の温度、濃縮時間、濃縮時の圧力として例示した上記数値範囲の中の数値を、相互の値を考慮しつつ柔軟に組み合わせることで、良好な品質の銀インク組成物が効率的に得られる。
【０１７８】
前記混合物は、撹拌しながら濃縮することが好ましい。このようにすることで、濃縮時の混合物をより均一にすることができ、例えば、一部の成分が溶解していなくてもより均一に分散させることができるので、濃縮工程をより安定して行うことができる。その結果、最終的な濃縮物（すなわち、銀インク組成物）の品質がより良好となる。
この時の撹拌方法は、上記の銀インク組成物の製造時と同様でよく、また、混合物を収容した容器が回転等の運動が可能であれば、この容器を運動させて混合物を撹拌してもよい。
【０１７９】
ここまでは、銀インク組成物について主に説明したが、本工程で用いるインク組成物は、例えば、２０〜２５℃における粘度が、０．５〜５００００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、０．５〜１００００ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、２０００〜５０００ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。ただし、インク組成物の使用時の温度は、２０〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１８０】
＜導電パターン形成工程＞
本発明に係る形成方法では、次いで、図２（ｃ）に示すように、第一パターン１１上に第二パターン１２を形成して、第一パターン１１及び第二パターン１２が積層されてなる導電パターン１を形成する（以下、本工程を「導電パターン形成工程」と略記することがある）。
【０１８１】
本工程では、導電体を形成するためのインク組成物をさらに第一パターン１１（第一パターン１１の表面１１ａ）上に印刷し、この印刷した前記インク組成物を固化させることにより、第一パターン１１上に第二パターン１２を形成して、導電パターン１を形成する。
【０１８２】
本工程で用いるインク組成物は、導電体を形成するためのものであり、導電体の形成材料が配合されてなり、第二パターン１２の形成条件（導電体を形成する条件）で気化して、このインク組成物から除かれる揮発性成分の配合量の割合が、配合成分の総量に対して２０質量％以上、好ましくは２３質量％以上のものである。このように、本工程においては、揮発性成分の配合量の割合が高いインク組成物を用いる。
また、前記インク組成物は、溶液及び分散液のいずれでもよいが、分散液である場合には、非溶解物が均一に分散されたものが好ましい。
【０１８３】
本工程で印刷した前記インク組成物は、固化させる過程で揮発性成分が除かれて導電体である第二パターン１２を形成する。また、第一パターン１１の形成時に、導電体の形成までを行わなかった場合には、本工程では第二パターン１２と同時に第一パターン１１でも導電体を形成する。すなわち、本工程で導電体を形成するのは、第二パターン１２のみでもよいし、第一パターン１１及び第二パターン１２の両方でもよい。
【０１８４】
本工程で用いるインク組成物は、第一パターン１１の形成に用いたものと同じでも、異なっていてもよいが、配合されている導電体の形成材料が第一パターン１１の形成に用いたものと同じであることが好ましく、第一パターン１１の形成に用いたインク組成物と同じであることがより好ましい。このように、第一パターン１１の形成に用いたものと類似の組成又は同一の組成のインク組成物を用いることで、導電パターン１の断線を抑制するより高い効果が得られる。
【０１８５】
前記揮発性成分は、特に限定されず、例えば、前記銀インク組成物の配合成分として例示したものの中では、前記含窒素化合物、還元剤、アルコール、アルコール以外の溶媒が例示できる。
【０１８６】
本工程では、前記インク組成物を第一パターン１１上の所望の箇所に付着させ、加熱（焼成）処理を行うことで、第二パターン１２を形成すればよい。
【０１８７】
本工程におけるインク組成物の印刷方法は、特に限定されず、受容層用組成物の場合と同様でよく、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法、スプレー印刷法等が例示できる。
【０１８８】
印刷したインク組成物は固化させるが、このときの固化させる条件は、第一パターン１１上に第二パターン１２を形成して、これらの積層物を導電パターンとする、すなわち、インク組成物から導電体を形成する条件であればよい。
【０１８９】
本工程において、インク組成物の固化は、第一パターン形成工程と同様に、短時間で行うという観点では、加熱処理により行うことが好ましい。
【０１９０】
本工程における前記加熱処理時の温度（加熱温度）は、導電体が良好に形成されるように、インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０〜２００℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分〜１２時間であることが好ましく、１分〜１０時間であることがより好ましい。このような加熱処理時の条件は、インク組成物として前記銀インク組成物を用いた場合に、特に好適である。そして、前記金属銀の形成材料の中でも前記カルボン酸銀、特にβ−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀の形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、このような金属銀の形成材料を用いた銀インク組成物は、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。
【０１９１】
インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、加熱温度は１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１９２】
本工程におけるインク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱等で行うことができる。また、インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。
【０１９３】
本明細書において「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。
【０１９４】
なかでも、本工程（第二パターン１２の形成時）においては、インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行うことが好ましく、相対湿度４０％以上の雰囲気下で行うことがより好ましく、相対湿度６０％以上の雰囲気下で行うことがさらに好ましく、相対湿度８０％以上の雰囲気下で行うことが特に好ましく、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、短時間で抵抗値が低い（導電性に優れた）導電パターン１を形成できる。
【０１９５】
本工程（第二パターン１２の形成時）におけるインク組成物の固化は、まず、導電体の形成までは行わずにインク組成物の乾燥を行うのにとどめ、次いで導電体の形成までを行う、二段階の処理で行ってもよい。例えば、インク組成物の乾燥を行うのにとどめる一段階目の加熱処理は、上述の第一パターン１１の形成時と同様の条件で行うことができる。また、導電体の形成までを行う二段階目の加熱処理は、本工程での第二パターン１２の形成時の条件として挙げた上述の条件で行うことができる。このように二段階で固化させることにより、第一パターン１１と第二パターン１２との親和性を向上させることができる。
【０１９６】
本工程（第二パターン１２の形成時）におけるインク組成物の固化を、上述のように二段階の処理で行う場合、以下のような条件で行ってもよい。
すなわち、第一パターン１１上に印刷したインク組成物の一段階目の加熱処理において、加熱温度は、６０〜１５５℃であることが好ましく、７０〜１５５℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、５秒〜１２時間であることが好ましく、３０秒〜２時間であることがより好ましい。
第一パターン１１上に印刷したインク組成物の二段階目の加熱処理において、加熱温度は、６０〜２００℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、５秒〜１２時間であることが好ましく、３０秒〜１０時間であることがより好ましい。
このように二段階で固化させることにより、第一パターン１１と第二パターン１２との親和性をより向上させることが可能となることがある。
【０１９７】
インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目及び二段階目の加熱処理における加熱温度は、１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１９８】
加湿条件下での加熱処理を採用する場合、インク組成物の加熱処理は、一段階目の加熱処理において、非加湿条件下で、上述のように導電体の形成ではなくインク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理において、加湿条件下で、上述のように導電体の形成を最後まで行う、二段階の方法で行うことが特に好ましい。
なお、本明細書において「非加湿」とは、上述の「加湿」を行わないこと、すなわち、湿度を人為的に増大させないことを意味し、好ましくは相対湿度を５％未満とすることである。
【０１９９】
上述の加熱処理を二段階の方法で行う場合、一段階目の非加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、５秒〜３時間であることが好ましく、３０秒〜２時間であることがより好ましく、３０秒〜１時間であることが特に好ましい。
上述の加熱処理を二段階の方法で行う場合、二段階目の加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０〜１５５℃であることが好ましく、７０〜１５５℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、１分〜２時間であることが好ましく、１分〜１時間であることがより好ましく、１分〜３０分であることが特に好ましい。
インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目の非加湿条件下での加熱処理及び二段階目の加湿条件下での加熱処理における加熱温度は、いずれも１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０２００】
本発明においては、第一パターン１１及び第二パターン１２を積層して導電パターン１を形成する過程において、第二パターン１２の形成に用いたインク組成物の固化に伴う、このインク組成物（第二パターン１２を形成するインク組成物）からの前記揮発性成分の除去量は、第一パターン１１の形成に用いたインク組成物の固化に伴う、このインク組成物（第一パターン１１を形成するインク組成物）からの前記揮発性成分の除去量よりも多くなる。
【０２０１】
本工程で形成される第二パターン１２は、上述のように厚さが厚く、導電パターン１も厚いものとすることができる。このように導電パターン１は厚い場合であっても、断線の発生が抑制される。これは、第二パターン１２が第一パターン１１上に積層されていることで、本工程でインク組成物の固化によって揮発性成分が除去されても、第一パターン１１との相互作用によって、第二パターン１２の体積の収縮が抑制されるためであると推測される。また、第二パターン１２にクラック等が発生したとしても、第一パターン１１に元々断線が生じていないため、結果として導電パターン１は断線しない。
【０２０２】
また、導電パターン１は、その厚さによらず、第一パターン１１及び第二パターン１２の積層構造を有していることにより、同程度の厚さの単層構造の導電パターンよりも、断線の発生が顕著に抑制される。
【０２０３】
導電パターン付き基材１’として、基材２上に受容層３及び導電パターン１以外のその他の層が設けられたものを製造する場合には、上記の形成方法において、所定のタイミングでその他の層を形成する工程を適宜追加すればよい。
【０２０４】
本発明に係る導電パターンは、導電性配線として有用であり、導電パターン付き基材は、各種電子機器の回路基板等の構成要素として極めて有用である。
【実施例】
【０２０５】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【０２０６】
［実施例１］
＜導電パターンの形成＞
（銀インク組成物の製造）
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して０．４倍モル量）に２−メチルアセト酢酸銀を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、シリンジポンプを用いてギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．７倍モル量）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と配合比を表１に示す。表１中、「含窒素化合物（モル比）」とは、金属銀の形成材料の配合量１モルあたりの含窒素化合物の配合量（モル数）（［含窒素化合物のモル数］／［金属銀の形成材料のモル数］）を意味する。「還元剤（モル比）」も同様に、金属銀の形成材料の配合量１モルあたりの還元剤の配合量（モル数）（［還元剤のモル数］／［金属銀の形成材料のモル数］）を意味する。これは、以降の同様の表においても同様である。
なお、得られた銀インク組成物の上記の配合成分のうち、後述する第二パターンの形成条件で気化して除かれる揮発性成分は、２−エチルヘキシルアミン及びギ酸であり、これらの総配合量の割合は、配合成分の総量（すべての配合成分の総配合量）に対して２７．３質量％である。
【０２０７】
（受容層用組成物の製造）
表２に示す配合量となるように、紫外線硬化性のポリカーボネート骨格含有ウレタンアクリレート（日本合成化学工業社製「ＵＶ−３３１０Ｂ」、重量平均分子量１３０００）に、シクロヘキサノン（和光純薬社製）、及び光重合開始剤（ＢＡＳＦジャパン社製「イルガキュア１２７」）を添加し、５０℃で２時間撹拌して、受容層用組成物を調製した。なお、表２中において質量％単位で表示している配合量は、配合成分の総量に対する各配合成分の割合を意味する。
【０２０８】
（導電パターンの形成）
バーコーター（バーＮｏ．０１０）を用いて、上記で得られた受容層用組成物をポリカーボネート／ＡＢＳ樹脂アロイからなる基材（厚さ２ｍｍ）の一方の主面（表面）上に塗布し、オーブン内で８０℃、５分間の条件で乾燥させた後、オゾンレス高圧水銀ランプを用いて、乾燥させた塗膜に対して、８００ｍＪ／ｃｍ２の光量で紫外線を照射し、前記ポリカーボネート骨格含有ウレタンアクリレートを硬化させて、基材表面の全面に受容層（厚さ３μｍ以下）を形成した。
【０２０９】
次いで、上記で得られた銀インク組成物を用いて、受容層上にディスペンサ印刷を行った。このとき、吐出圧力を７０ｋＰａ、吐出口と受容層表面との間の距離（ギャップ）を０．０５ｍｍとした。そして、印刷を行った基材をオーブン内に置いて８０℃で３０分間加熱処理することにより、揮発性成分を除去して銀インク組成物を固化させて、受容層上に第一パターンを形成した。
さらに、形成した第一パターン上に重ねるようにして、上記で得られた銀インク組成物を用いて、ディスペンサ印刷を行った。このとき、吐出圧力を１５０ｋＰａ、吐出口と受容層表面との間の距離（ギャップ）を０．２５ｍｍとした。そして、この印刷を行った基材をオーブン内に置いて８０℃で３０分間加熱処理することにより、銀インク組成物から揮発性成分を除去した。次いで、この基材をさらに８０℃、相対湿度９９％の高温高湿槽内に２分間置いて加熱処理することで、第一パターン上に第二パターンが積層された導電パターンを形成した。
【０２１０】
＜導電パターンの評価＞
（第一パターン及び第二パターンの厚さの測定）
得られた導電パターンについて、形状測定レーザマイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＫＸ−１００」）を用いて、第一パターン及び第二パターンの厚さを測定した。測定は、導電パターンの５ヶ所で行い、その平均値を算出した。結果を表３に示す。
【０２１１】
（導電パターンの断線有無の確認）
得られた導電パターンにおける断線の有無を目視観察により確認した。結果を表３に示す。また、得られた導電パターンの撮像データを図３に示す。図３中、（ａ）が本実施例の導電パターンの撮像データである。さらに、導電パターンの断面の、電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ：ＪＳＭ−７５００Ｆ、ＪＥＯＬ）による撮像データを図４に示す。図４には、加速電圧５ｋＶでの倍率が５００倍のデータに加えて、さらに２００００倍の拡大データもあわせて示している。
【０２１２】
（導電パターンの体積抵抗率の測定）
得られた導電パターンについて、線抵抗値Ｒ（Ω）、断面積Ａ（ｃｍ２）、及び線長Ｌ（ｃｍ）を測定し、式「ρ＝Ｒ×Ａ／Ｌ」により、体積抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）を算出した。なお、線抵抗値Ｒはデジタルマルチメータ（三和電気計器社製「ＰＣ５０００ａ」）を用いて測定し、断面積Ａは形状測定レーザマイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＫ−Ｘ１００」）を用いて測定した。結果を表３に示す。
【０２１３】
［実施例２］
導電パターンの形成時において、第一パターン上に印刷を行った銀インク組成物の揮発性成分除去後の基材の加熱処理を、８０℃、相対湿度９９％の高温高湿槽内に基材を２分間置いて行うのに代えて、基材の印刷面に３５０ｍｍ×５２５ｍｍの面積あたり１５．７ｋｇ／時間の条件で１２０℃の高圧水蒸気を２分間吹き付けることで行った点以外は、実施例１と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表３に示す。
【０２１４】
［実施例３］
導電パターンの形成時において、１２０℃の高圧水蒸気を吹き付ける時間を２分間に代えて５分間とした点以外は、実施例２と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表３に示す。
【０２１５】
［実施例４］
導電パターンの形成時において、第一パターン上に印刷を行った銀インク組成物の揮発性成分除去後の基材の加熱処理を、８０℃、相対湿度９９％の高温高湿槽内に基材を置いて行うのに代えて、調湿を行っていないオーブン内に基材を置いて１２０℃で３０分間加熱処理することで行った点以外は、実施例１と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表３に示す。
【０２１６】
［実施例５］
導電パターンの形成時において、調湿を行っていないオーブン内に基材を置いて３０分間加熱処理するときの温度を、１２０℃に代えて８０℃とした点以外は、実施例４と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表３に示す。
【０２１７】
［比較例１］
基材の受容層上に第一パターンを形成しなかった（すなわち、基材の受容層上に銀インク組成物を用いて第二パターンのみ形成して導電パターンを形成した）点以外は、実施例１と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表３に示す。また、得られた導電パターンの撮像データを図３に示す。図３中、（ｂ）が本比較例の導電パターンの撮像データである。
【０２１８】
【表１】
2015181160.tif 000006
【０２１９】
【表２】
2015181160.tif 000007
【０２２０】
【表３】
2015181160.tif 000008
【０２２１】
上記結果から明らかなように、実施例１〜５では、いずれも導電パターンは厚く形成したにもかかわらず、体積収縮が抑制されており、断線は発生しておらず、体積抵抗率が低かった。導電パターンに体積収縮に伴う断線がないことは、図３（ａ）（実施例１）にも示すとおりであり、これは実施例２〜５でも同様であった。また、特に実施例１〜３から明らかなように、第一パターン上に印刷を行った銀インク組成物の揮発性成分除去後の加熱処理において、加熱温度が高いほど、また加熱処理時間が長いほど、導電パターンの体積抵抗率が低い傾向が見られた。これは、加熱の度合いが高まることで、銀インク組成物における金属銀の形成反応がより高率で進行すると共に、形成された金属銀同志の融着度が高まるためであると推測される。また、実施例１〜３と実施例４〜５との比較から明らかなように、加湿条件下で加熱処理することで、短時間で体積抵抗率（抵抗値）が低い導電パターンを形成できた。なお、図４に示すように、実施例１の導電パターンの断面においては、第一パターン及び第二パターンの界面Ｚを確認できた。これは実施例２〜５でも同様であった。
これに対して、比較例１では、導電パターンを単層で厚く形成したことにより、図３（ｂ）に示すように、導電パターンは体積収縮の度合いが大きく、断線が発生し、体積抵抗率を測定できなかった。比較例１の導電パターンが実施例１の導電パターンよりも体積収縮の度合いが大きいことは、図３（ａ）及び（ｂ）の比較から明らかである。
【０２２２】
［実施例６］
＜導電パターンの形成及び評価＞
銀インク組成物製造時の配合成分の配合量を表４に示すとおりとし、第一パターン形成時の銀インク組成物の吐出圧力を７０ｋＰａに代えて８０ｋＰａとし、第二パターン形成時の銀インク組成物の吐出圧力を１５０ｋＰａに代えて２００ｋＰａとした点以外は、実施例２と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表５に示す。なお、表４中、配合成分の欄の「−」との記載は、その成分が未配合であることを意味する。
【０２２３】
［実施例７］
＜導電パターンの形成＞
（銀インク組成物の製造）
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して１．３倍モル量）及びイソブチルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して０．２倍モル量）の混合物に２−メチルアセト酢酸銀を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、シリンジポンプを用いてギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．４倍モル量）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１時間撹拌した後、２５℃を維持したまま、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」、以下、「ＤＭＨＯ」と略記することがある）（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．０５倍モル量）を添加し、反応液をさらに約２分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と配合比を表４に示す。表４中、「アルコール（モル比）」とは、金属銀の形成材料の配合量１モルあたりのアルコールの配合量（モル数）（［アルコールのモル数］／［金属銀の形成材料のモル数］）を意味する。
なお、得られた銀インク組成物の上記の配合成分のうち、第二パターンの形成条件で気化して除かれる揮発性成分は、２−エチルヘキシルアミン、イソブチルアミン、ギ酸及びＤＭＨＯであり、これらの総配合量の割合は、配合成分の総量（すべての配合成分の総配合量）に対して４８．２質量％である。
【０２２４】
（導電パターンの形成）
上記で得られた銀インク組成物を用い、第一パターン形成時の銀インク組成物の吐出圧力を７０ｋＰａに代えて８０ｋＰａとし、第二パターン形成時の銀インク組成物の吐出圧力を１５０ｋＰａに代えて２００ｋＰａとした点以外は、実施例１と同様に導電パターンを形成した。
【０２２５】
＜導電パターンの評価＞
得られた導電パターンについて、実施例１と同様に評価した。結果を表５に示す。
【０２２６】
［実施例８］
導電パターンの形成時において、第一パターン上に印刷を行った銀インク組成物の揮発性成分除去後の基材の加熱処理を、８０℃、相対湿度９９％の高温高湿槽内に基材を２分間置いて行うのに代えて、基材の印刷面に３５０ｍｍ×５２５ｍｍの面積あたり１５．７ｋｇ／時間の条件で１２０℃の高圧水蒸気を２分間吹き付けることで行った（実施例２と同じ条件で行った）点以外は、実施例７と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表５に示す。
【０２２７】
［実施例９］
＜導電パターンの形成＞
（銀インク組成物の製造）
２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して２．３倍モル量）、及びＤＭＨＯ（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して０．１０倍モル量）をフラスコ内に添加して撹拌し、さらにここへ、液温が５０℃以下となるように、２−メチルアセト酢酸銀を添加して撹拌することで、混合物を得た。そして、得られた混合物の全量を、２５℃のウオーターバスで温度調節しながら、３０ｈＰａの圧力を保ち、６０分間減圧濃縮することで、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と配合比を表４に示す。前記混合物から銀インク組成物を得る過程での質量減少率は、１０．０％であった。
【０２２８】
（導電パターンの形成）
上記で得られた銀インク組成物を用いた点、及び、導電パターンの形成時において、第一パターン上に印刷を行った銀インク組成物の加熱処理を、８０℃で３０分間行うのに代えて、１５０℃で３０分間行った点以外は、実施例７と同様に導電パターンを形成した。
【０２２９】
＜導電パターンの評価＞
得られた導電パターンについて、実施例７と同様に評価した。結果を表５に示す。
【０２３０】
［実施例１０］
導電パターンの形成時において、第一パターン上に印刷を行った銀インク組成物の揮発性成分除去後の基材の加熱処理を、８０℃、相対湿度９９％の高温高湿槽内に基材を２分間置いて行うのに代えて、基材の印刷面に３５０ｍｍ×５２５ｍｍの面積あたり１５．７ｋｇ／時間の条件で１２０℃の高圧水蒸気を５分間吹き付けることで行った（実施例３と同じ条件で行った）点以外は、実施例９と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表５に示す。
【０２３１】
［比較例２］
基材の受容層上に第一パターンを形成しなかった（すなわち、基材の受容層上に銀インク組成物を用いて第二パターンのみ形成して導電パターンを形成した）点、及び、第二パターン形成時の銀インク組成物の吐出圧力を２００ｋＰａに代えて４５０ｋＰａとした点以外は、実施例７と同様に導電パターンを形成及び評価した。結果を表５に示す。
【０２３２】
【表４】
2015181160.tif 000009
【０２３３】
【表５】
2015181160.tif 000010
【０２３４】
上記結果から明らかなように、実施例６〜１０では、いずれも導電パターンは体積収縮が抑制されており、断線は発生しておらず、体積抵抗率が低かった。これら導電パターンはいずれも、目視観察の結果、図３（ａ）に示す実施例１の場合と同様の状態であり、また、これら導電パターンの断面においてはいずれも、図４に示す実施例１の場合と同様に、第一パターン及び第二パターンの界面Ｚを確認できた。
これに対して、比較例２では、導電パターンを単層で厚く形成したことにより、図３（ｂ）に示す比較例１の場合と同様に、導電パターンは体積収縮の度合いが大きく、断線が発生し、体積抵抗率を測定できなかった。
【０２３５】
実施例６〜１０では、実施例１〜５よりも、第一パターン及び第二パターンがいずれも薄いが、導電パターンの厚さが同程度の比較例２とは異なり、体積の収縮に伴う導電パターンの断線が抑制されていた。このことから、本発明の効果は、幅広い導電パターンの厚さの範囲で発現することを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０２３６】
本発明は、各種電子機器における配線基板に利用可能である。
【符号の説明】
【０２３７】
１・・・導電パターン、１１・・・第一パターン、１１ａ・・・第一パターンの表面、１２・・・第二パターン、２・・・基材、２ａ・・・基材の一方の主面、２ｂ・・・基材の他方の主面、３・・・受容層、３ａ・・・受容層の表面、Ｈ１１・・・第一パターンの厚さ、Ｈ１２・・・第二パターンの厚さ、Ｚ・・・第一パターン及び第二パターンの界面
【図１】
2015181160.tif 000011
【図２】
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【図３】
2015181160.tif 000013
【図４】
2015181160.tif 000014