(57)【要約】【課題】構造欠陥がなく、内部電極が誘電体セラミック層を被覆している割合である内部電極のカバレッジの低下の少ない、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層を介して積層された複数の内部電極とを有するセラミック積層体を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層１１は、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含み、内部電極１２は、（ａ）Ｎｉを主成分とし、（ｂ）内部電極に埋没するような態様で内部電極中に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物２０ａを２％以上の割合で含有し、（ｃ）内部電極を一方主面側から他方主面側に貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物２０ｂを、５％以下の割合で含有するか、または含有しない構成とする。  また、内部電極の平均厚みを０．４μｍ以下とする。【選択図】図３
2015053502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層を介して積層された複数の内部電極とを備えるセラミック積層体と、前記内部電極と導通するように前記セラミック積層体に配設された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層は、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含み、
前記内部電極は、
（ａ）Ｎｉを主成分とし、
（ｂ）内部電極に埋没するような態様で内部電極中に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物を２％以上の割合で含有し、
（ｃ）内部電極を一方主面側から他方主面側に貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物を、５％以下の割合で含有するか、または含有しないこと
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記内部電極の平均厚みが０．４μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層を介して積層された複数の内部電極とを有するセラミック積層体（コンデンサ本体）を具備する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型・軽量化にともない、小型で、大容量を取得することが可能な積層セラミックコンデンサが広く用いられている。この積層セラミックコンデンサは、例えば、複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の複数の界面に配設された複数の内部電極とを有するセラミック積層体（コンデンサ本体）に、上記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有するものが広く知られている。
【０００３】
そして、このような積層セラミックコンデンサとして、チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、（１−ｘ）ＢａＺｒＯ3＋ｘＳｒＺｒＯ3で表される成分を、ＢａＺｒＯ3およびＳｒＺｒＯ3換算で５〜１５モル、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で３〜５モル、希土類元素の酸化物をＲ2Ｏ3換算で４〜６モル、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる少なくとも１つの元素の酸化物を、ＭｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｃｏ3Ｏ4およびＦｅ2Ｏ3換算で０．５〜１．５モル、Ｓｉを含む化合物をＳｉ換算で２．５〜４モル、含有し、ｘが０．４〜０．９である誘電体磁器組成物を用いた誘電体中に、ニッケルからなる内部電極を配設した積層セラミックコンデンサ（積層型磁器コンデンサ）が提案されている。
【０００４】
そして、上記の誘電体磁器組成物は、誘電体セラミック層を薄層化した場合であっても、高い電界強度下における比誘電率が高く、しかも良好な温度特性および信頼性を有していることから、それを用いた積層セラミックコンデンサにおいても、高温負荷寿命の良好な積層セラミックコンデンサが得られるとされている。
【０００５】
しかし、近年、積層セラミックコンデンサの小型化、大容量化を目的とした誘電体セラミック層や内部電極の薄層化、多層化が進み、クラックやデラミネーションの発生などの構造欠陥や内部電極のカバレッジの低下などが問題が顕在化し、さらに信頼性の高い積層セラミックコンデンサが求められるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２０７６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するものであり、構造欠陥がなく、内部電極が誘電体セラミック層を被覆している割合である内部電極のカバレッジの低下の少ない、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の積層セラミックコンデンサは、
複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層を介して積層された複数の内部電極とを備えるセラミック積層体と、前記内部電極と導通するように前記セラミック積層体に配設された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層は、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含み、
前記内部電極は、
（ａ）Ｎｉを主成分とし、
（ｂ）内部電極に埋没するような態様で内部電極中に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物を２％以上の割合で含有し、
（ｃ）内部電極を一方主面側から他方主面側に貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物を、５％以下の割合で含有するか、または含有しないこと
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【０００９】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記内部電極の平均厚みが０．４μｍ以下であることが好ましい。
【００１０】
内部電極の平均厚みを０．４μｍ以下にすることにより、構造欠陥を抑制し、内部電極のカバレッジの低下を防止する効果をより顕著なものとすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の積層セラミックコンデンサは、上述のように、Ｎｉを主成分とする内部電極が、（ａ）内部電極に埋没するような態様で内部電極中に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物を２％以上の割合で含有し、（ｂ）内部電極を、一方主面側から他方主面側に貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物を、５％以下の割合で含有するか、または含有しない構成としているので、Ｎｉを主成分とする内部電極の線膨張係数を誘電体セラミック層の線膨張係数に近づけて、誘電体セラミック層と内部電極との線膨張係数の差に起因する、クラックやデラミネーションなどの構造欠陥の発生や、内部電極のカバレッジの低下などのない、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することが可能になる。
【００１２】
なお、内部電極を貫通する柱状の偏析物は、内部電極のカバレッジを低下させることから、含有量は少ない方がよく、含まれていなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の積層セラミックコンデンサの内部電極に、埋没するような態様で内部電極中に点在する偏析物と、内部電極を貫通する柱状の偏析物とが存在している状態を模式的に示す図である。
【図４】内部電極に含まれるＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物の存在割合を調べる方法および内部電極の平均厚みを調べる方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１５】
［実施形態１］
（１）チタン酸バリウム粉の作製
誘電体セラミック原料を得るため、純度９９重量％以上のＢａＣＯ3、ＴｉＯ2の各粉末をＢａ：Ｔｉ＝１：１の割合で調合した。
次に、この調合粉末をボールミルで湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して調整粉末を得た。得られた調整粉末を１０００℃で仮焼し、平均粒径１５０ｎｍの主成分粉末としてのチタン酸バリウム粉末を得た。
【００１６】
他方、副成分として、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＭｎＯ2、Ｄｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2の各粉末（副成分粉末）を準備した。
次に、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＭｎＯ2、Ｄｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2の各粉末を、Ｔｉ１００モル部に対する  Ｍｇ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｎ、Ｄｙ、Ｓｉの含有量が所定量（Ｍｇ１．３モル部、Ａｌ０．５モル部、Ｖ０．１モル部、Ｍｎ０．１モル部、Ｄｙ１．０モル部、Ｓｉ１．５モル部）となるように秤量し、上記主成分粉末に添加することにより、混合粉末を得た。
この混合粉末をボールミルで湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して、誘電体セラミック原料を得た。  
【００１７】
（２）誘電体セラミック層用のセラミックグリーンシートの作製
次に、誘電体セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤および有機溶剤としてのエタノールを加え、これらをボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。そして、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。
【００１８】
（３）導電性ペーストの作製
導電成分である平均粒径０．２μｍのＮｉ粉末を用意した。また、上述の主成分粉末としてのチタン酸バリウム粉末と同じで、平均粒径が０．０２μｍの、導電性ペーストに添加するための添加用（共材用）チタン酸バリウム粉末を用意した。
【００１９】
また、上述の添加用（共材用）チタン酸バリウム粉末中のＴｉ１００モル部に対して、Ｄｙが１．０モル部、Ｍｇが１．３モル部となるように、添加用（共材用）Ｄｙ2Ｏ3粉末、添加用（共材用）ＭｇＯ粉末を準備した。
また、エチルセルロースをテルピネオールに溶解させた有機ビヒクルを準備した。
【００２０】
そして、上述のようにして準備した粉末（Ｎｉ粉末、添加用（共材用）チタン酸バリウム粉末、添加用（共材用）ＭｇＯ粉末、添加用（共材用）Ｄｙ2Ｏ3粉末）を有機ビヒクル中に３本ロールミルを使って分散させ、内部電極形成用の導電性ペーストを作製した。
【００２１】
なお、共材用の粉末（添加用（共材用）チタン酸バリウム、添加用（共材用）ＭｇＯ粉末、添加用（共材用）Ｄｙ2Ｏ3粉末）の配合量は、Ｎｉ粉末中のＮｉ１００重量部に対して、共材用の粉末が表１に示す割合（ｗｔ％）となるように配合した。
【００２２】
（４）積層セラミックコンデンサの作製
（４−１）セラミックグリーンシートへの導電性ペーストの印刷
上述のようにして作製した導電性ペーストを、セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜（内部電極パターン）を形成した。
【００２３】
（４−２）積層
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを、導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように３００層積層し、その積層方向両側に導電性ペースト膜が形成されていない外層用のセラミックグリーンシートを積層して、焼成後にコンデンサ本体となる未焼成の積層体を得た。
【００２４】
（４−３）焼成
得られた積層体をＮ2雰囲気中において３５０℃の温度で３時間加熱し、バインダを燃焼させた後、昇温速度１００℃／ｍｉｎ、最高温度１２００℃で１０分キープ、酸素分圧１０-4ＭＰａのＨ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガスからなる還元性雰囲気の条件で焼成した。また、降温速度は表１に示す速度とした。これにより、焼結済みのコンデンサ本体（セラミック積層体）を得た。
【００２５】
（４−４）外部電極の形成
次に、上記コンデンサ本体の両端面に、ガラスフリットを含有するＣｕペーストを塗布し、Ｎ2雰囲気中において、８００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
これにより、図１および図２に示すような構造を有する表１の試料番号１〜１０の積層セラミックコンデンサ（試料）５０を得た。
【００２６】
このようにして得た積層セラミックコンデンサの外形寸法は、図２のＬ方向の寸法を長さとし、Ｗ方向の寸法を幅、Ｔ方向の寸法を厚さとした場合に、長さＬ＝１．０ｍｍ、幅Ｗ＝０．５ｍｍ、厚さＴ＝０．５ｍｍであった。
【００２７】
（４−５）積層セラミックコンデンサの構成
この積層セラミックコンデンサ５０は、図１および図２に示すように、積層されている複数の誘電体セラミック層１１と、誘電体セラミック層１１間の複数の界面に配設されている複数の内部電極１２とを有するセラミック積層体（コンデンサ本体）１０と、セラミック積層体１０の両端面に、交互に逆側の端面に引き出された内部電極１２と導通するように配設された一対の外部電極１３ａ，１３ｂとを備えた構造を有している。なお、外部電極１３ａ，１３ｂには、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を備えた構成とすることも可能である。
【００２８】
そして、本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０においては、内部電極１２が、図３に模式的に示すように、内部電極１２に全体が埋没するような態様で内部電極１２中に点在する偏析物２０ａと、内部電極１２を、一方主面側から他方主面側に（厚み方向に）貫通する柱状の偏析物２０ｂとを含んでいる。内部電極１２中に点在する偏析物２０ａは内部電極１２で周囲を取り囲まれている。内部電極１２を貫通する柱状の偏析物２０ｂは内部電極１２の厚み方向上下に配置されている２つの誘電体セラミック層１１に接触している。
【００２９】
前者の内部電極１２を貫通せず、内部電極１２中に全体が埋没するような態様で点在する偏析物２０ａは、Ｎｉを主成分とする内部電極１２の線膨張係数と、誘電体セラミック層１１の線膨張係数の差を減少させ、クラックやデラミネーションなどの構造欠陥の発生を防止するとともに、内部電極が誘電体セラミック層を被覆している割合である内部電極のカバレッジの低下を抑制する機能を果たす。
【００３０】
一方、内部電極１２を貫通する柱状の偏析物２０ｂは、内部電極１２のカバレッジ（内部電極１２が誘電体セラミック層１１を被覆している割合）を低下させることから、含有量は少ない方がよく、含まれていなくてもよい偏析物である。
【００３１】
（５）内部電極に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物の存在割合
上述のようにして作製した表１の試料番号１〜１０の試料について、以下に説明する方法により、内部電極１２に点在する偏析物２０ａ、すなわち、内部電極１２を貫通せず、内部電極１２中に全体が埋没するような態様で点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物２０ａ（図３参照）の存在割合を調べた。この実施形態では、上記偏析物２０ａの存在割合を、ＴＥＭ−ＥＤＸ分析により調べた。
以下、図４を参照しつつ、内部電極に点在する偏析物の存在割合の確認方法について説明する。
【００３２】
まず、表１の各試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ３個準備し、試料の長さ方向（Ｌ方向）と厚み方向（Ｔ方向）により規定される面（ＬＴ面）が露出するような態様で、各試料の周囲を樹脂で固めた。
次に、研磨機により、試料のＬＴ側面を研磨した。このとき、試料の幅方向（Ｗ方向）の１／４程度の深さまで研磨を行い、研磨面であるＬＴ面（ＬＴ研磨端面）を露出させた。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後、イオンミリングにより研磨表面を加工した。
【００３３】
そして、図４に示すように、Ｌ方向中央の、内部電極１２が積層されている領域をＴ方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域と３つの領域に分けた。そして、それぞれの領域の中央部付近を薄片化し、厚み１００ｎｍの薄片試料を作製した。
同様にして、試料の幅方向（Ｗ方向）の１／２程度の深さ、および、３／４程度の深さにおいても薄片試料を作製した。したがって、試料数３個×３つの研磨面×３つの領域＝２７個の薄片試料を作製した。
【００３４】
各領域における観察の視野範囲は、縦方向（積層方向、Ｔ方向）では、積層方向に２層の内部電極を観察できる範囲とした。また、横方向（積層方向に垂直な方向、Ｌ方向）の視野範囲は、積層方向（Ｔ方向）の視野範囲と同じ長さとした。
【００３５】
そして、ＴＥＭ−ＥＤＸ分析の結果から、画像処理ソフトを用いて、画像中の内部電極の面積（点在する、ＢａおよびＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物２０ａが存在している領域、および、柱状のＢａおよびＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物２０ｂが存在している領域を含む）と、ＢａおよびＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む、点在する偏析物２０ａの面積を求めた。
【００３６】
それから、下記の式（１）により、内部電極１２に点在する偏析物２０ａの存在割合を求めた。
内部電極に点在する偏析物の存在割合（％）＝（点在する偏析物の面積／内部電極の面積）×１００  ……（１）
【００３７】
なお、この実施形態における内部電極に点在する偏析物の存在割合は、２７個の薄片試料の平均値である。
上述のようにして求めた、内部電極に点在する偏析物の存在割合（％）を表１に示す。
【００３８】
（６）内部電極を貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物の存在割合
内部電極を貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物の存在割合は、以下に説明する方法で、ＷＤＸ分析により行った。
以下、図４を参照しつつ、内部電極を貫通する柱状の偏析物の存在割合の確認方法について説明する。
まず、表１の各試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ３個準備し、試料の長さ方向（Ｌ方向）と厚み方向（Ｔ方向）により規定される面（ＬＴ面）が露出するような態様で、各試料の周囲を樹脂で固めた。
【００３９】
次に、研磨機により、試料のＬＴ側面を研磨した。このとき、試料の幅方向（Ｗ方向）の１／４程度の深さまで研磨を行い、研磨面であるＬＴ面（ＬＴ研磨端面）を露出させた。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後、イオンミリングにより研磨表面を加工した。
【００４０】
研磨した試料について、図４に示すように、試料のＬＴ研磨端面のＬ方向の１／２程度の位置において、内部電極１２が積層されている領域をＴ方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。
【００４１】
各領域の中央部付近において、ＷＤＸ分析を行った。各領域における観察の視野範囲は、縦方向（積層方向、Ｔ方向）では、内部電極が積層方向に５層分観察できる範囲とした。横方向（積層方向に垂直な方向、Ｌ方向）の視野範囲は、積層方向（Ｔ方向）の視野範囲と同じ長さとした。
同様にして、試料の幅方向（Ｗ方向）の１／２程度の深さ、および、３／４程度の深さにおいてもＷＤＸ分析を行った。したがって、試料数３個×３つの研磨面×３つの領域＝２７箇所においてＷＤＸ分析を行った。
【００４２】
画像処理ソフトを用いて、画像中の内部電極の面積（点在する、ＢａおよびＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物２０ａが存在している領域、および、柱状のＢａおよびＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物２０ｂが存在している領域を含む）と、内部電極を貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物の面積を求めた。
【００４３】
そして、下記の式（２）により、内部電極１２を貫通する柱状の偏析物２０ｂの存在割合を求めた。
内部電極を貫通する柱状の偏析物の存在割合（％）＝（内部電極を貫通する柱状の偏析物の面積／内部電極の面積）×１００  ……（２）
なお、この実施形態における内部電極を貫通する柱状の偏析物の存在割合は、試料数３個×３つの研磨面×３つの領域の平均値である。
上述のようにして求めた、内部電極を貫通する柱状の偏析物の存在割合（％）を表１に示す。
【００４４】
（７）内部電極の平均厚みの測定
内部電極層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。以下に図４を参照しつつ、内部電極のの平均厚みの測定方法について説明する。
まず、表１の各試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ３個準備し、試料の長さ方向（Ｌ方向）と厚み方向（Ｔ方向）により規定される面（ＬＴ面）が露出するような態様で、各試料の周囲を樹脂で固めた。
【００４５】
次に、研磨機により、試料のＬＴ側面を研磨した。このとき、試料の幅方向（Ｗ方向）の１／２程度の深さまで研磨を行い、研磨面であるＬＴ面（ＬＴ研磨端面）を露出させた。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後、イオンミリングにより研磨表面を加工した。
【００４６】
研磨した試料について、内部電極の厚みを測定した。内部電極の厚みを測定するにあたっては、図４に示すように、試料のＬＴ研磨端面のＬ方向の１／２程度の位置において、内部電極１２とほぼ直交する直線Ｌ１を引く（想定する）。
【００４７】
次に、試料の内部電極１２が積層されている領域をＴ方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。
【００４８】
各領域の最外の内部電極を除き、各領域で、直線Ｌ１上の内部電極を無作為に５層ずつ選び、厚みを測定した。なお、内部電極層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
したがって、この実施形態１での内部電極の平均厚みは、試料数３個×３つの領域×５層＝４５箇所における内部電極の厚みの平均値である。
ただし、内部電極が欠落しているなどの理由で測定できない部分は測定対象から除いた。
上述のようにして求めた、内部電極の平均厚みを表１に示す。
【００４９】
（８）内部電極のカバレッジの測定
内部電極１２の配設されている領域のうち、内部電極が誘電体セラミック層を被覆している割合であるカバレッジを以下の方法で測定した。
【００５０】
まず、表１の各試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ５個準備し、Ｔ方向中央部付近で内部電極と誘電体セラミック層の界面に沿ってセラミック積層体（コンデンサ本体）を剥離、分割した。このようにして露出させた内部電極の中央部付近（セラミック積層体のＬ方向の１／２程度、かつ、Ｗ方向の１／２程度の位置）を倍率５００倍の顕微鏡で観察するとともに、倍率５００倍の顕微鏡写真を撮り、画像処理を行うことにより、内部電極のカバレッジ（内部電極が存在する領域の割合）を定量化し、平均値を求めた。
なお、内部電極のカバレッジが８０％を下回ると、意図する静電容量を得ることができなくなり好ましくない。
内部電極のカバレッジの測定結果を表１に示す。
【００５１】
（９）構造欠陥の発生状態の確認
構造欠陥の発生状態を調べるため、以下の方法で、デラミネーションおよびクラックの発生した試料の数を調べた。
【００５２】
まず、表１の各試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ７２個準備した。そして、準備した試料について、超音波探傷試験によりデラミネーションおよびクラックの発生の有無（発生した試料の数）を調べた。
【００５３】
その結果を表１に示す。なお、表１では、デラミネーションおよびクラックのいずれかが発生した試料数と、試験に供した試料数の関係（デラミネーションおよびクラックのいずれかの発生した試料数／試験に供した試料数）を示している。
表１において、試料番号に＊を付した試料は本発明の範囲外の試料である。
【００５４】
また、表１において、共材料は、共材用のチタン酸バリウム粉末の、内部電極を構成するＮｉ１００重量部に対する割合（ｗｔ％）を示している。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
＜評価＞
表１に示すように、内部電極中に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物を２％以上の割合で含有し、かつ、内部電極を一方主面側から他方主面側に貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物の含有量が５％以下の試料番号１〜５の試料、すなわち、本発明の要件を満たす試料の場合、内部電極のカバレッジが８０％以上と高く、かつ、デラミネーションやクラックなどの構造欠陥の発生のない積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
【００５７】
なお、本発明の要件を満たす表１の試料番号１〜５の場合、焼成工程における降温速度が１００℃／ｍｉｎと速いことから、内部電極中の共材（ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物となる物質）が降温工程で吐き出されずに、内部電極内に残りやすくなる。その結果、内部電極中に点在するＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物の含有量が２％以上となり、内部電極（Ｎｉ電極）の線膨張係数が誘電体セラミック層の線膨張係数に近づくため、構造欠陥が起こりにくくなったものと考えられる。
【００５８】
一方、内部電極中に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物の含有量が２％未満であるかまたは、内部電極を一方主面側から他方主面側に貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物の含有量が５％を超える試料番号６〜１０の試料、すなわち、本発明の要件を満たさない試料の場合、カバレッジが８０％未満にまで低下するか、構造欠陥の発生が認められるかしており、好ましくないことが確認された。
【００５９】
なお、本発明の要件を満たさない試料番号６〜１０の試料のうち、試料番号６の試料の場合、共材の配合割合が多すぎるため、内部電極中に共材が多く残り、それに伴って内部電極を貫通する柱状の偏析物の含有量も５％以上（８％）となり、内部電極のカバレッジが６０％にまで低下し、好ましくないことが確認された。
【００６０】
また、試料番号７の試料の場合、共材量が少ないため、内部電極中の偏析物が少なくなり、構造欠陥が増加することが確認された。
【００６１】
また、試料番号８の試料の場合、降温速度が遅いため、降温工程で共材が吐き出され、内部電極中に点在する偏析物の存在割合が少なくなって、構造欠陥が増加することが確認された。
【００６２】
また、試料番号９および１０の試料の場合、内部電極が厚みが薄いため、構造欠陥の発生数が増加することが確認された。この結果から、内部電極の厚みが薄くなると、点在する偏析物の影響が大きくなり、本発明の範囲を下回った場合の悪影響が大きくなることがわかる。
【００６３】
以上の結果から、本発明の要件、内部電極中に点在する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む偏析物の含有量が２％以上で、かつ、内部電極を貫通する、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物を含む柱状の偏析物の含有量が５％以下という要件を満たすことにより信頼性の高い積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
【００６４】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１０              コンデンサ本体（セラミック積層体）
１１              誘電体セラミック層
１２              内部電極
１３ａ，１３ｂ    外部電極
２０ａ            内部電極中に点在する偏析物
２０ｂ            内部電極を貫通する柱状の偏析物
５０              積層セラミックコンデンサ
Ｌ                積層セラミックコンデンサの長さ
Ｔ                積層セラミックコンデンサの高さ
Ｗ                積層セラミックコンデンサの幅
【図１】
2015053502.tif 000004
【図２】
2015053502.tif 000005
【図３】
2015053502.tif 000006
【図４】
2015053502.tif 000007