(57)【要約】【課題】リフトオフ法を用いて容易に金属ナノワイヤパターンが作製できる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法は、基材１９に所定のパターンのレジストＲ１を形成するパターニング工程Ｐ１と、所定のパターンが形成された基材１９上に金属ナノワイヤが分散されたインクを塗布して金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を形成する膜形成工程Ｐ２と、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２上に水分がある状態で押圧してレジストＲ１のエッジ部１ｅの金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を切断する押圧工程Ｐ３と、レジストＲ１を剥離する剥離工程Ｐ４と、を有することを特徴としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に所定のパターンのレジストを形成するパターニング工程と、
前記所定のパターンが形成された前記基材上に金属ナノワイヤが分散されたインクを塗布して金属ナノワイヤ膜を形成する膜形成工程と、
前記金属ナノワイヤ膜上に水分がある状態で押圧して前記レジストのエッジ部の前記金属ナノワイヤ膜を切断する押圧工程と、
前記レジストを剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする金属ナノワイヤパターンの製造方法。
【請求項２】
前記押圧工程における押圧の圧力が、１００ｋＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の金属ナノワイヤパターンの製造方法。
【請求項３】
前記レジストの断面形状が、オーバーハング形状または逆テーパー形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属ナノワイヤパターンの製造方法。
【請求項４】
前記金属ナノワイヤが、銀ナノワイヤであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の金属ナノワイヤパターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法に関し、特に、金属ナノワイヤパターンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子部品の分野では、リフトオフ法を用いたパターン形成方法が良く知られている。この一般的なリフトオフ法によるパターン形成方法は、先ず、基材にレジストを塗布した後、露光、現像して、レジストパターンの形成を行う。次に、レジストパターンが形成された基材上に、スパッタ法や蒸着法を用いて、所望の金属膜の成膜を行う。最後に、基材をレジスト除去液に浸漬させるか、或いはレジスト除去液を基材表面に当てることにより、レジスト皮膜上に成膜された不要な金属膜をレジスト皮膜と一緒にリフトオフする。このリフトオフ法により、基材上に所望の金属パターンを残存させることができる。このリフトオフ法は、エッチング等で金属膜をパターニングできない場合に有効な方法である。
【０００３】
しかしながら、従来の一般的なリフトオフ法によるパターン形成方法では、リフトオフしたいレジスト皮膜上の金属膜と、所望の金属パターンを形成したい基材上の金属膜とが、連続的に成膜されているので、リフトオフする際に、除去液が均一にレジスト皮膜に反応しないことがあった。このため、金属パターンのエッジ付近に凹凸形状のバリが発生する問題や、最悪の場合、金属膜の切断ができなく金属パターン自体が形成できないという問題があった。
【０００４】
そこで、特許文献１では、図７に示すように、導電性パターン８０６のエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法８００が提案されている。図７は、従来例１のフトオフ法を用いたパターン形成方法８００を説明するための工程断面図である。
【０００５】
図７に示す従来例１のパターン形成方法８００は、先ず、図７（ａ）に示すように、形成しようとする導電性パターン８０６（図７（ｄ）を参照）のエッジ部が位置するウエハ基板８０１の表面内に、導電性パターン８０６の輪郭に沿った形状の溝８０２を形成する。次に、図７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて、形成しようとする導電性パターン８０６の部分が開口部８０３ａとなっているレジスト８０３をウエハ基板８０１上に形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、開口部８０３ａを有するレジスト８０３が形成されたウエハ基板８０１上全面に対して、スパッタ法や蒸着法により、導電性膜８０５を形成する。最後に、レジスト剥離液に浸漬することにより、レジスト８０３がレジスト８０３上に形成された導電性膜８０５とともに除去され、図７（ｄ）に示すように、ウエハ基板８０１上に配線となる導電性パターン８０６を形成する。
【０００６】
しかしながら、従来例１では、形成しようとする導電性パターン８０６の輪郭に沿った形状の溝８０２を全てのパターンに対して形成しなければならず非常に手間がかかるものであった。また、基板の材質によっては、必要な寸法の溝の形成が困難であった。
【０００７】
一方、特許文献２では、図８に示すように、歩留まりが向上した、リフトオフ法を用いたパターン化薄膜形成方法９００が提案されている。図８は、従来例２のリフトオフ法を用いたパターン化薄膜形成方法９００の工程を説明するための断面図である。
【０００８】
図８に示す従来例２のパターン化薄膜形成方法９００は、先ず、図８（ａ）に示すように、基板等の下地９０１の上にマスク９１０を形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法によって、下地９０１及びマスク９１０の上の全面に被パターニング膜９２１を形成する。次に、下地９０１、マスク９１０及び被パターニング膜９２１を含む積層体を加熱または冷却して、図８（ｃ）に示すように、被パターニング膜９２１のうちの下地９０１の上に形成された部分とマスク９１０に付着した部分との境界位置に亀裂Ｋ２２を生じさせる。最後に、積層体を溶剤に浸漬することによってマスク９１０を剥離（リフトオフ）する。これにより、下地９０１の上に形成された被パターニング膜９２１によって、図８（ｄ）に示すような所望の形状のパターン化薄膜９２３が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−３５２８２号公報
【特許文献２】特開２００３−９８６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、細い繊維状の金属ナノワイヤが含有された金属ナノワイヤ膜で金属ナノワイヤパターンを作製する際に、このリフトオフ法を用いることが考えられる。しかしながら、従来例１のような大がかりな方法を用いれば細い繊維状の金属ナノワイヤの切断を容易に行えるが、従来例２のような簡易な方法では、金属ナノワイヤの切断が行えない、或いは金属ナノワイヤパターンのエッジ付近に凹凸形状のバリが発生するという課題があった。
【００１１】
本発明は、上述した課題を解決するもので、リフトオフ法を用いて容易に金属ナノワイヤパターンが作製できる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この課題を解決するために、本発明の金属ナノワイヤパターンの製造方法は、基材に所定のパターンのレジストを形成するパターニング工程と、前記所定のパターンが形成された前記基材上に金属ナノワイヤが分散されたインクを塗布して金属ナノワイヤ膜を形成する膜形成工程と、前記金属ナノワイヤ膜上に水分がある状態で押圧して前記レジストのエッジ部の前記金属ナノワイヤ膜を切断する押圧工程と、前記レジストを剥離する剥離工程と、を有することを特徴としている。
【００１３】
これによれば、本発明の金属ナノワイヤパターンの製造方法は、金属ナノワイヤ膜上に水分がある状態で押圧する押圧工程を有しているので、金属ナノワイヤ膜中のバインダに水分が含浸し、レジストのエッジ部におけるバインダの凝集力が低下したところに、押圧が加えられるようになる。このため、金属ナノワイヤが切断されやすくなり、金属ナノワイヤ膜がレジストのエッジ部に沿ってシャープに切断されるようになる。このことにより、簡易な工程で、金属ナノワイヤパターンを製作することができる。
【００１４】
また、本発明の金属ナノワイヤパターンの製造方法は、前記押圧工程における押圧の圧力が１００ｋＰａ以下であることを特徴としている。
【００１５】
これによれば、押圧工程において、大がかりな製造装置を用いる必要がない。更に、加圧によるレジストパターンの歪み等が低減され、レジストのエッジ部における金属ナノワイヤ膜の切断をよりシャープに行うことができる。
【００１６】
また、本発明の金属ナノワイヤパターンの製造方法は、前記レジストの断面形状がオーバーハング形状または逆テーパー形状であることを特徴としている。
【００１７】
これによれば、レジストのエッジ部における金属ナノワイヤ膜の切断を容易に行うことができる。
【００１８】
また、本発明の金属ナノワイヤパターンの製造方法は、前記金属ナノワイヤが銀ナノワイヤであることを特徴としている。
【００１９】
これによれば、容易に入手が可能で、高い導電性を有する不可視性に優れた透明導電性電極を得ることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の金属ナノワイヤパターンの製造方法は、金属ナノワイヤ膜上に水分がある状態で押圧する押圧工程を有しているので、金属ナノワイヤ膜中のバインダに水分が含浸し、レジストのエッジ部におけるバインダの凝集力が低下したところに、押圧が加えられるようになる。このため、金属ナノワイヤが切断されやすくなり、金属ナノワイヤ膜がレジストのエッジ部に沿ってシャープに切断されるようになる。このことにより、簡易な工程で、金属ナノワイヤパターンを製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンの製造方法を説明する断面構成図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンの製造方法を説明する構成図であって、図２（ａ）は、図１（ａ）に示すＰ部分の拡大図であり、図２（ｂ）は、図１（ｂ）に示すＱ部分の拡大図であり、図２（ｃ）は、図１（ｃ）に示すＲ部分の拡大図であり、図２（ｄ）は、図１（ｄ）に示すＳ部分の拡大図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンの製造方法を説明する構成図であって、押圧工程における押圧操作を示した側面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンの製造方法の実施例を説明する電子顕微鏡写真である。
【図５】本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンの製造方法の実施例を説明する電子顕微鏡写真である。
【図６】本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンの製造方法における変形例１を説明する構成図である。
【図７】従来例１のフトオフ法を用いたパターン形成方法を説明するための工程断面図である。
【図８】従来例２のリフトオフ法を用いたパターン化薄膜形成方法の工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法を説明する断面構成図であり、図１（ａ）は、パターニング工程Ｐ１後を示す図であり、図１（ｂ）は、膜形成工程Ｐ２後を示す図であり、図１（ｃ）は、押圧工程Ｐ３中を示す図であり、図１（ｄ）は、押圧工程Ｐ３後を示す図であり、図１（ｅ）は、剥離工程Ｐ４後を示す図である。図２は、本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法を説明する構成図であって、図２（ａ）は、図１（ａ）に示すＰ部分の拡大図であり、図２（ｂ）は、図１（ｂ）に示すＱ部分の拡大図であり、図２（ｃ）は、図１（ｃ）に示すＲ部分の拡大図であり、図２（ｄ）は、図１（ｄ）に示すＳ部分の拡大図である。図３は、本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法を説明する構成図であって、押圧工程Ｐ３における押圧操作を示した側面図である。
【００２４】
本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法は、図１に示すように、基材１９に所定のパターンのレジストＲ１を形成するパターニング工程Ｐ１と、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を形成する膜形成工程Ｐ２と、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を切断する押圧工程Ｐ３と、レジストＲ１を剥離する剥離工程Ｐ４と、を有して構成されている。
【００２５】
先ず、金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、Polyethylene terephthalate）などの透明樹脂フィルムからなる基材１９を準備し、図１（ａ）に示すように、基材１９上に所定のパターンのレジストＲ１を形成するパターニング工程Ｐ１を行う。なお、金属ナノワイヤパターンの透明導電性と柔軟性を利用するためには基材１９は透明樹脂フィルムを用いることが好ましいが、硬質の透明材料や有色の材質を基材１９として用いることもできる。
【００２６】
このパターニング工程Ｐ１は、ポジ型で感光性のレジストインクを用い、先ず、コータ等を利用してレジストインクを基材１９の全面に塗布し、レジストインクを乾燥してレジスト皮膜を形成する。その後、フォトマスクを用いて、レジスト皮膜を露光、現像して、所定のパターンのレジストＲ１を形成する。この際に、オーバー露光を行い、レジストＲ１の断面形状は、図２（ａ）に示すような逆テーパー形状であることが好適である。
【００２７】
また、ここで用いるフォトマスクの光透過領域は、ポジ型で感光性のレジストインクを用いているので、所望の金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴ（図１（ｄ）を参照）が形成される部分と一致したパターンである。なお、レジストインクとして、ネガ型を用いても良いが、その際には、フォトマスクの光透過領域は、ポジ型とは反転されたパターンである必要がある。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を形成する膜形成工程Ｐ２を行う。この膜形成工程Ｐ２は、先ず、金属ナノワイヤＮＷ（図４（ｂ）を参照）が分散されたインクを準備し、コータ等を利用して、このインクを所定のパターン（レジストパターン）が形成された基材１９上の全面に塗布する。このインクは、金属ナノワイヤＮＷ、水溶性のバインダ及び水溶液から構成されている。そして、乾燥を行い溶媒である水溶液を蒸発させて、バインダに金属ナノワイヤＮＷが分散された金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を形成する。この金属ナノワイヤ膜ＮＷ２は、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、基材１９及びレジストパターン上に全面に形成される。なお、本発明の第１実施形態では、金属ナノワイヤＮＷとして、銀ナノワイヤを用いている。銀ナノワイヤは容易に入手が可能であり、また銀ナノワイヤを用いて形成した銀ナノワイヤ膜は高い導電性を有し不可視性に優れる。
【００２９】
次に、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を切断する押圧工程Ｐ３を行う。この押圧工程Ｐ３は、先ず、図１（ｃ）及び図２（ｃ）に示すように、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２上に水分の膜ＷＦを形成させる。
【００３０】
次に、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２上に水分がある状態で、図３に示すような構成を用いて、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を押圧する。具体的には、図３に示すように、フッ素樹脂系のシートＦＳを挟んで、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２が形成された基材１９の上面をプレス型ＰＫで軽く押圧する。これにより、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２中のバインダに水分が含浸し、レジストＲ１のエッジ部１ｅにおけるバインダの凝集力が低下したところに、押圧が加えられるようになる。このため、金属ナノワイヤＮＷ（図４（ｂ）を参照）が切断されやすくなり、図１（ｄ）及び図２（ｄ）に示すように、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２に亀裂Ｋ２２が発生し、更には金属ナノワイヤ膜ＮＷ２がレジストＲ１（レジストパターン）のエッジ部１ｅに沿ってシャープに切断されるようになる。なお、シートＦＳは必ずしも必要でないが、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２とプレス型ＰＫとの接着防止やプレス型ＰＫの水分からの保護等で、シートＦＳを用いる方がより好適である。
【００３１】
この際に、上述したように、本発明の第１実施形態では、レジストＲ１の断面形状が逆テーパー形状であるので、レジストＲ１の断面形状に沿って金属ナノワイヤ膜ＮＷ２が形成されておらず、レジストＲ１のエッジ部１ｅにおける金属ナノワイヤ膜ＮＷ２の切断を容易に行うことができる。
【００３２】
また、この押圧工程Ｐ３における押圧の圧力は１００ｋＰａ以下であり、極めて低圧力で押圧を行っている。これにより、大がかりな製造装置を用いる必要がない上に、加圧によるレジストパターンの歪み等が低減される。このことにより、レジストＲ１のエッジ部１ｅにおける金属ナノワイヤ膜ＮＷ２の切断をよりシャープに行うことができる。
【００３３】
最後に、レジストＲ１を剥離する剥離工程Ｐ４を行う。この剥離工程Ｐ４は、レジストＲ１を溶解する剥離液を準備し、この剥離液にレジストＲ１及び金属ナノワイヤ膜ＮＷ２が形成された基材１９を浸漬するか、基材１９の表面に剥離液を当てるかする。そして、レジストＲ１がレジストＲ１上に形成された金属ナノワイヤ膜ＮＷ２とともに除去される。その際に、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２が亀裂Ｋ２２を有して一部は切断されているので、剥離液が、容易にレジストＲ１に到達しレジストＲ１を容易に溶解することができる。
【００３４】
以上のようにして、図１（ｅ）に示すような基材１９上に配線となる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴが形成された配線板が得られる。
【００３５】
＜実施例＞
次に、本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法の実施例について説明する。図４は、本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法の実施例を説明する電子顕微鏡写真であり、図４（ａ）は、膜形成工程Ｐ２後の金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を示し、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＴ部分を拡大したものである。図５は、本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法の実施例を説明する電子顕微鏡写真であり、図５（ａ）は、押圧工程Ｐ３後の金属ナノワイヤ膜ＮＷ２を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＶ部分を拡大したものである。
【００３６】
先ず、ＰＥＴフィルムの基材を準備し、ブレードコータで、感光性のポジ型レジストインクを基材の全面に塗布し、乾燥してレジスト皮膜を形成した。その際のレジスト皮膜の厚みは約１０μｍであった。次に、所定のパターン（レジストパターン）が描かれたフォトマスクを用いて、レジスト皮膜にｉ線を照射して露光し、現像することにより、レジストパターンが残された基材を作製した（パターニング工程Ｐ１が終了）。
【００３７】
次に、金属ナノワイヤＮＷとして銀ナノワイヤ（図４（ｂ）を参照）が分散されたインク（星光ＰＭＣ（株）製）を上記基材に滴下し、ブレードコータで、所定のパターン（レジストパターン）が形成された基材上の全面に塗布した。そして、ホットプレート上に基材を載置し、６０℃で１分間加熱し、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２の乾燥を行った（膜形成工程Ｐ２が終了）。図４（ａ）には、レジストパターン上の金属ナノワイヤ膜ＮＷ２（図中に示すＲＲの部分）と、基材上の金属ナノワイヤ膜ＮＷ２（図中に示すＫＫの部分）と、が示されており、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２が段差を有して形成されている様子が良く分かる。そして、図４（ｂ）に示すように、この段差部において、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２の金属ナノワイヤＮＷが段差をまたいで形成されている様子も良く分かる。
【００３８】
次に、上記金属ナノワイヤ膜ＮＷ２上に水を吹き付けて、薄い水分の膜を形成した。次に、フッ素樹脂系のシートＦＳを挟んでプレス機に基材を装着し、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２が形成された基材の上面をプレス型で軽く押圧した（押圧工程Ｐ３が終了）。この際の押圧の圧力は５０ｋＰａであった。これにより、図５（ｂ）に示すように、段差部において、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２の金属ナノワイヤＮＷが段差をまたいで切断されていた。
【００３９】
最後に、レジストパターンを溶解するアルカリ性の剥離液を準備し、この剥離液を上記金属ナノワイヤ膜ＮＷ２上に当てる。これにより、レジストパターン上に形成された金属ナノワイヤ膜ＮＷ２とともにレジストパターンが除去される。そして、この基材を洗浄、乾燥して、工程を終了した（剥離工程Ｐ４が終了）。
【００４０】
以上のように構成された本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法における、効果について、以下に纏めて説明する。
【００４１】
本発明の第１実施形態の金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法は、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２上に水分がある状態で押圧する押圧工程Ｐ３を有しているので、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２中のバインダに水分が含浸し、レジストＲ１のエッジ部１ｅにおけるバインダの凝集力が低下したところに、押圧が加えられるようになる。このため、金属ナノワイヤＮＷが切断されやすくなり、金属ナノワイヤ膜ＮＷ２がレジストＲ１（レジストパターン）のエッジ部１ｅに沿ってシャープに切断されるようになる。このことにより、簡易な工程で、金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴを製作することができる。
【００４２】
また、押圧の圧力が１００ｋＰａ以下の低圧であるので、押圧工程Ｐ３において、大がかりな製造装置を用いる必要がない。更に、加圧によるレジストパターンの歪み等が低減され、レジストＲ１のエッジ部１ｅにおける金属ナノワイヤ膜ＮＷ２の切断をよりシャープに行うことができる。
【００４３】
また、レジストＲ１の断面形状が逆テーパー形状であるので、レジストＲ１のエッジ部１ｅにおける金属ナノワイヤ膜ＮＷ２の切断を容易に行うことができる。
【００４４】
また、金属ナノワイヤＮＷが銀ナノワイヤであるので、容易に入手が可能で、高い導電性を有し、優れた不可視性を有する透明導電性電極を得ることができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば次のように変形して実施することができ、これらの実施形態も本発明の技術的範囲に属する。
【００４６】
＜変形例１＞
図６は、本発明の第１実施形態に係わる金属ナノワイヤパターンＮＷＰＴの製造方法における変形例１を説明する構成図である。上記第１実施形態では、レジストＲ１の断面形状が逆テーパー形状であったが、レジストＣＲ１の断面形状が、図６に示すようなオーバーハング形状であっても好適である。
【００４７】
＜変形例２＞
上記第１実施形態では、金属ナノワイヤＮＷとして、銀ナノワイヤを好適に用いたが、これに限るものではなく、例えば銅ナノワイヤ、白金ナノワイヤ及び金ナノワイヤ等でも良い。
【００４８】
＜変形例３＞
上記第１実施形態のパターニング工程Ｐ１と膜形成工程Ｐ２との間に、アルゴンガス等を用いたプラズマ処理工程を追加しても良い。これにより、基材１９と金属ナノワイヤ膜ＮＷ２との接着力を向上させることができる。
【００４９】
本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１ｅ    エッジ部
１９    基材
ＮＷ    金属ナノワイヤ
ＮＷ２  金属ナノワイヤ膜
ＮＷＰＴ  金属ナノワイヤパターン
Ｒ１、ＣＲ１  レジスト
Ｐ１    パターニング工程
Ｐ２    膜形成工程
Ｐ３    押圧工程
Ｐ４    剥離工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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