(57)【要約】【課題】温度差を利用した発電、又は電力による熱の吸収若しくは放出を行う電薄デバイスを提供する。【解決手段】絶縁体からなる基板１と、金属（例えば、ビスマス、テルル等）又は半導体（例えば、シリコン、ゲルマニウム等）からなり、基板１の一方の面１ａに互いに離間して形成された複数の第１の薄膜２と、第１の薄膜２とは異種の金属又は半導体（薄膜の一方はｐ型半導体、他方はｎ型半導体であることが好ましい。）からなり、基板１の他方の面１ｂに互いに離間して形成された複数の第２の薄膜３と、基板１を貫通して設けられ、第１の薄膜１ａの端部と第２の薄膜１ｂの端部とを接続する複数の接続部４、５と、を備え、接続部４、５により第１の薄膜１ａと第２の薄膜１ｂとが交互に接続された直列回路が構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体からなる基板と、
金属又は半導体からなり、前記基板の一方の面に互いに離間して形成された複数の第１の薄膜と、
前記第１の薄膜とは異種の金属又は半導体からなり、前記基板の他方の面に互いに離間して形成された複数の第２の薄膜と、
前記基板を貫通して設けられ、前記第１の薄膜の端部と前記第２の薄膜の端部とを接続する複数の接続部と、
を備え、
前記接続部により前記第１の薄膜と前記第２の薄膜とが交互に接続された直列回路が構成されることを特徴とする熱電デバイス。
【請求項２】
前記基板において、その一部位は相対的に低温となる低温部、別の部位は相対的に高温となる高温部として構成され、
各前記第１の薄膜及び各前記第２の薄膜は前記低温部と前記高温部とに亘って設けられており、
前記第１の薄膜と前記第２の薄膜とは、前記基板の両面の対応する位置に配設され、
前記第１の薄膜と前記第２の薄膜は、前記接続部により前記低温部と前記高温部とにおいて交互に接続されている請求項１記載の熱電デバイス。
【請求項３】
前記基板の各面にそれぞれ２つの電極を備え、
１つの前記直列回路の一端が前記一方の面の一の電極に接続され、他端が前記他方の面の一の電極に接続され、
別の前記直列回路の一端が前記一方の面の他の電極に接続され、他端が前記他方の面の他の電極に接続されている請求項１又は２に記載の熱電デバイス。
【請求項４】
前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜の一方はｐ型半導体であり、他方はｎ型半導体である請求項１乃至３のいずれかに記載の熱電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱電デバイスに関する。更に詳しくは、基板上に形成される金属又は半導体薄膜による熱電効果を利用する素子であって、温度差を利用した発電、又は電力による熱の吸収若しくは放出を行う熱電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、異なる金属又は半導体に温度差があるときに電圧が発生する現象は、ゼーベック効果としてよく知られている。また、その逆に、異なる金属又は半導体を接合して電圧を加えると、熱の吸収又は放出が生じる現象は、ペルチェ効果としてよく知られている。
従来、基板上に金属又は半導体の薄膜を形成し、そのゼーベック効果を利用して発電を行う熱電デバイスが知られている。例えば、特許文献１には、絶縁性基板上に複数のｐ型半導体薄膜パターンとｎ型半導体薄膜パターンとが交互に配設され、隣同士の異種の半導体薄膜パターンが接合され、二次元平面上に温度差を形成して発電する熱電素子を設けてなる熱電薄膜デバイスが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１２８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載された熱電薄膜デバイスでは、絶縁性基板の一つの面にｐ型薄膜パターンとｎ型薄膜パターンとが配設されている。このような構造の場合には、熱電薄膜デバイスの面方向に温度勾配を持たせたとしてもその一つの面のみにおいて発電が行われ、絶縁性基板の薄膜が配設されない他面側に生じている温度勾配は発電に利用されないこととなる。このため、絶縁性基板を囲んで両面に温度勾配が形成されるような使用環境においては、基板の両面における温度差を十分に利用して発電を行うことが望まれている。
ところが、絶縁性基板の他面にも上記１つの面と同様に薄膜パターンを配設し、両面を発電に利用しようとする場合、一方の面にｐ型薄膜パターンとｎ型薄膜パターンとを形成する工程、及び他方の面にｐ型薄膜パターンとｎ型薄膜パターンとを形成する工程が必要となり、工程が煩雑になるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述のような従来技術に鑑みてなされたものであり、基板上に形成される金属又は半導体薄膜による熱電効果を利用する素子であって、簡易な工程により製造することができ、効率的に温度差を利用した発電、又は電力による熱の吸収若しくは放出を行うことができる電熱デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記問題点を解決するために、本第１発明の熱電デバイスは、
絶縁体からなる基板と、
金属又は半導体からなり、前記基板の一方の面に互いに離間して形成された複数の第１の薄膜と、
前記第１の薄膜とは異種の金属又は半導体からなり、前記基板の他方の面に互いに離間して形成された複数の第２の薄膜と、
前記基板を貫通して設けられ、前記第１の薄膜の端部と前記第２の薄膜の端部とを接続する複数の接続部と、
を備え、
前記接続部により前記第１の薄膜と前記第２の薄膜とが交互に接続された直列回路が構成されることを要旨とする。
本第２発明は、前記第１発明において、
前記基板において、その一部位は相対的に低温となる低温部、別の部位は相対的に高温となる高温部として構成され、
各前記第１の薄膜及び各前記第２の薄膜は前記低温部と前記高温部とに亘って設けられており、
前記第１の薄膜と前記第２の薄膜とは、前記基板の両面の対応する位置に配設され、
前記第１の薄膜と前記第２の薄膜は、前記接続部により前記低温部と前記高温部とにおいて交互に接続されていることを要旨とする。
本第３発明は、前記第１又は第２発明において、
前記基板の各面にそれぞれ２つの電極を備え、
１つの前記直列回路の一端が前記一方の面の一の電極に接続され、他端が前記他方の面の一の電極に接続され、
別の前記直列回路の一端が前記一方の面の他の電極に接続され、他端が前記他方の面の他の電極に接続されていることを要旨とする。
本第４発明は、前記第１乃至第３発明において、
前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜の一方はｐ型半導体であり、他方はｎ型半導体であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００７】
本第１発明の熱電デバイスでは、絶縁体からなる基板と、基板の一方の面に互いに離間して形成された複数の第１の薄膜と、基板の他方の面に互いに離間して形成された複数の第２の薄膜とを備える。第１の薄膜と第２の薄膜とは、異種の金属又は半導体からなっている。また、第１の薄膜の端部と第２の薄膜の端部とを接続する複数の接続部を備える。そして、この接続部により第１の薄膜と第２の薄膜とが交互に接続された直列回路が構成されている。このような構成とされているため、金属又は半導体からなる第１の薄膜と、この第１の薄膜とは異種の金属又は半導体からなる第２の薄膜とが接続された接続点間の温度差によって直列回路の両端に電圧が生じ、発電を行うことができる。また、直列回路の両端間に電圧を加えることにより、接続点から熱を吸収又は放出させることができる。
また、基板の両面に薄膜パターンを形成し、基板を貫通して設けられた接続部によって両面の薄膜パターンを接続しているため、基板の両面を有効に利用して発電等を行うことができる。また、基板の両面が利用されるため、同じ能力の発電素子等を小型化することができる。
更に、一方の基板面には１種の金属又は半導体の薄膜を形成すればよいので、同一面に異種の薄膜を形成する場合と比べて少ない製造工程によって製造することができる。
【０００８】
本第２発明では、基板において、その一部位は相対的に低温となる低温部、別の部位は相対的に高温となる高温部として構成され、各第１の薄膜及び各第２の薄膜は低温部と高温部とに亘って設けられている。そして、第１の薄膜パターンと第２の薄膜パターンとは、基板の両面の対応する位置に配設され、各々の薄膜は、接続部により低温部と高温部とにおいて交互に接続されている。このため、低温部側となる部位における接続点と、高温部側となる部位における接続点との間に電圧を発生させることができ、直列回路によってその電圧を加算することができる。一方、直列回路の両端に電圧を加えた場合には、基板の一部位にある接続点と別の部位にある接続点との間に分圧された電圧が加わり、基板の一部位が低温、別の部位が高温となって、冷却又は発熱を行うことができる。
【０００９】
本第３発明では、基板の各面にそれぞれ２つの電極を備え、１つの直列回路の一端が一方の面の一の電極に接続され、他端が他方の面の一の電極に接続されている。また、別の直列回路の一端が一方の面の他の電極に接続され、他端が他方の面の他の電極に接続されている。このような構成によって、異種の金属又は半導体からなる第１の薄膜と第２の薄膜とが交互に接続された２つの直列回路が構成され、それぞれの直列回路の両端に設けられた電極から電圧を取り出すことができる。一方、それぞれの直列回路の両端に電圧を加えた場合には、各直列回路によって基板の一部位が低温、別の部位が高温となって熱の吸収又は放出を行うことができる。いずれの場合も、使用条件に応じて、２つの直列回路を並列接続して使用することも、直列接続して使用することも可能となる。
【００１０】
本第４発明では、第１の薄膜及び第２の薄膜の一方はｐ型半導体であり、他方はｎ型半導体である。これによって、金属に比べて大きな熱電効果を得ることが容易となり、優れた性能の熱電デバイスとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本実施形態の熱電デバイスを一面側からみた平面図であり、（ｂ）は、熱電デバイスの他面側を、前記一面側からみた平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（ａ）は、電極６ａから電極６ｄまで各々の薄膜を接続部により接続してなる１つの直列回路の模式図であり、（ｂ）は、電極６ｂから電極６ｃまで各々の薄膜を接続部により接続してなる別の直列回路の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図を参照しながら、本発明を詳しく説明する。
ここで示される事項は例示的なもの及び本発明の実施形態を例示的に説明するためのものであり、本発明の原理と概念的な特徴とを最も有効に且つ難なく理解できる説明であると思われるものを提供する目的で述べたものである。この点で、本発明の根本的な理解のために必要である程度以上に本発明の構造的な詳細を示すことを意図してはおらず、図面と合わせた説明によって本発明の幾つかの形態が実際にどのように具現化されるかを当業者に明らかにするものである。
【００１３】
本実施形態に係る熱電デバイスの構成例を、図１（平面図）及び図２（断面図）に表す。この熱電デバイス１００は、絶縁体からなる基板１と、金属又は半導体からなり、基板１の一方の面１ａに互いに離間して形成された複数の第１の薄膜２と、第１の薄膜２とは異種の金属又は半導体からなり、基板１の他方の面１ｂに互いに離間して形成された複数の第２の薄膜３と、を備える。また、それぞれの第１の薄膜２の端部と第２の薄膜３の端部とは、基板を貫通して設けられた複数の接続部４、５により電気的に接続されている。接続部４は、例えば、基板１の一方側（高温部）に配設された貫通体であり、接続部５は、例えば基板１の他方側（低温部）に配設された貫通体である。接続部４、５の材料は、金属等の導体とすることができる。また、接続部４、５の材料は、第１の薄膜２又は第２の薄膜３と同一の材料としてもよい。基板１を貫通する接続部４、５の構造や形成方法は、特に問わない。
図２には、基板１の一方の面上に第１の薄膜２、他方の面上に第２の薄膜３がそれぞれ形成されているのみであるが、例えば基板１と薄膜２、３との密着性向上や、薄膜２、３の保護等のため、他の材料による薄膜を更に積層して構成することができる。
【００１４】
より具体的には、複数の第１の薄膜２は、複数に離間して形成された薄膜パターン２ａ、２ｂ、２ｃ等（以下、まとめて「第１の薄膜パターン２」ともいう。）から構成することができる。また、複数の第２の薄膜３は、複数に離間して形成された薄膜パターン３ａ、３ｂ、３ｃ等（以下、まとめて「第２の薄膜パターン３」ともいう。）から構成することができる。また、基板１の高温部に配設された複数の接続部４をそれぞれ４ａ、４ｂ、４ｃ等とし、低温部に配設された複数の接続部５をそれぞれ５ａ、５ｂ、５ｃ等とする。図１において、基板１の一方の面１ａに形成された薄膜パターン２ａは、接続部４ｂにより基板１の他方の面１ｂに形成された薄膜パターン３ｂと接続されている。また、薄膜パターン３ｂは、接続部５ａにより薄膜パターン２ｃと接続されている。
【００１５】
上記のように、第１の薄膜２（薄膜パターン２）と第２の薄膜３（薄膜パターン３）とは、接続部４（４ａ、４ｂ、４ｃ等）及び５（５ａ、５ｂ、５ｃ等）により交互に接続される。これによって、第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３とが交互に接続された直列回路が構成される。また、熱電デバイス１００と外部とを接続するために、基板１には電極６を備えることができる。電極６の数や位置、及び形成される直列回路の数は、特に限定されない。
【００１６】
本例においては、基板１の一方の面１ａに２つの電極６ａ、６ｂが設けられ、他方の面１ｂに２つの電極６ｃ、６ｄが設けられており、２つの独立した直列回路が形成されている。図３は、この２つの直列回路を表している。図３（ａ）は、電極６ａと６ｄとの間の直列回路、同図（ｂ）は、電極６ｂと６ｃとの間の直列回路である。同図（ａ）に示される電極６ａと６ｄとの間は、電極６ａから順に、薄膜パターン２ａ、３ｂ、２ｃ、３ｄ…のように、交互に第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３とが接続されている。本例の構成に限らず、第１の薄膜パターン２及び第２の薄膜パターン３のすべてが交互に接続されて１つの直列回路が構成されてもよいし、３以上に分離された直列回路が構成されてもよい。
【００１７】
本熱電デバイス１００は、熱と電気とを関連付ける熱電効果を利用したデバイスである。熱電デバイス１００は、例えば、２種の異種金属又は異種半導体を接続（接合）し、その両端に温度差があると電圧を生じるゼーベック効果を利用した発電デバイスとして用いることができる。また、その逆に、両端間に電圧を加えると接合部で熱の吸収又は放出が生じるペルチェ効果を利用したペルチェ素子として用いることもできる。ペルチェ素子は、精密機器等の冷却などの用途に用いることができる。
【００１８】
絶縁体からなる基板１は、十分な電気絶縁性、及び熱電デバイス１００の形態を維持することができる強度を有していればよく、材料、寸法等は特に限定されない。基板１として、例えば、各種のセラミック及びガラスを用いることができる。セラミックとしては、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。これらのセラミックのうちでは、耐熱性が高く、強度が大きいアルミナが好ましい。更に、薄膜を形成するときの温度、及びデバイスとして使用するときの温度等によっては、耐熱性の高い合成樹脂製の基板を用いることもできる。このような合成樹脂としては、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。
【００１９】
基板１において、その一部位は相対的に低温となる低温部、別の部位は相対的に高温となる高温部として構成される。そして、各第１の薄膜パターン２及び各第２の薄膜パターン３は、基板１の低温部と高温部とに亘って設けられる。図１に示された例においては、基板１の下方が高温部、上方が低温部とされており、各薄膜パターン２及び各薄膜パターン３は、上下端部に亘って設けられている。また、接続部４は、各薄膜パターンの高温部側の端部に設けられており、接続部５は、各薄膜パターンの低温部側の端部に設けられている。
【００２０】
第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３とは、基板１の両面において対応する位置に配設されていることが好ましい。このような構成とすることにより、接続部４及び５による各薄膜パターン２と各薄膜パターン３との交互の接続が容易となる。
第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３とは、接続部４、５により高温部と低温部とにおいて交互に接続されるので、例えば、基板１の高温部となる部位が低温部となる部位よりも高温とされると、その両部位間の温度差によって電圧が発生し、熱電デバイス１００はゼーベック素子として機能する。
【００２１】
上述のように、基板１の一部位は低温部となり、他の部位は高温部となることで、熱電デバイス１００が構成される。このような温度差を効率よく利用するためには、基板１の熱伝導率は小さいことが好ましい。この熱伝導率は特に限定されず、例えば、１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、特に５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることが好ましい。
【００２２】
また、基板１の平面形状は特に限定されず、用途等によって適宜の形状とすることができる。例えば、図１のように長方形、又は正方形とすることができる。長方形又は正方形であれば、一辺側を低温部とし、対向する他辺側を高温部とすることで、効率のよい熱電デバイスとすることができる。
基板１の厚さも、熱電デバイス１００として機能させることができる限り、特に限定されない。しかし、本実施形態の熱電デバイス１００では、基板１の一方の面１ａに第１の薄膜２が形成され、他方の面１ｂに異種の材質からなる第２の薄膜３が形成される。そのため、温度差を効率よく利用するためには、基板１の厚さは薄いことが好ましい。例えば、基板１がセラミック製である場合、セラミックの種類及び熱電デバイス１００の平面方向の面積にもよるが、厚さは０．５〜２ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２３】
基板１の一方の面１ａ及び他方の面１ｂには、それぞれ第１の薄膜２及び第２の薄膜３が形成される。第１の薄膜２及び第２の薄膜３の材料は、金属又は半導体とすることができる。金属を用いる場合、第１の薄膜２に用いられる金属と、第２の薄膜３に用いられる金属とは、異種の金属であればよく、材料は特に限定されない。例えば、ビスマス、テルル、鉛等、又はそれらの合金であってもよい。
熱電デバイス１００がゼーベック素子である場合は、ゼーベック係数の差が大きい金属を組み合わせて用いることが好ましい。ゼーベック係数の差が大きければ、同じ温度差で生じる電圧（発電量）を大きくすることができる。また、ペルチェ素子である場合は、ペルチェ係数の差が大きい金属を組み合わせて用いることが好ましい。ペルチェ係数の差が大きければ、接続点における熱の吸収又は放出をより大きくすることができる。
【００２４】
第１の薄膜２及び第２の薄膜３を半導体とする場合、第１の薄膜２に用いられる半導体と、第２の薄膜３に用いられる半導体は、一方をｐ型半導体、他方をｎ型半導体とすることができる。半導体の材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等を用いることができる。尚、半導体では、ｐ型半導体かｎ型半導体かによってゼーベック係数等の正負の符号が異なって差が大きくなるため、薄膜には金属よりも半導体を用いることが好ましい。
【００２５】
基板１の一方の面１ａ及び他方の面１ｂに、各々の金属薄膜又は半導体薄膜を形成する方法は特に限定されない。例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。更に、金属及び半導体の種類等によっては、これらを分散、含有させた導体ペースト又は半導体ペーストをスクリーン印刷法等により基板１に塗布し、その後、加熱し、成膜することもできる。また、第１の薄膜２及び第２の薄膜３の各々の膜厚は、成膜時間、密着性、電気抵抗等の観点から決められればよい。
【００２６】
以下、本実施形態に係る第１の薄膜２及び第２の薄膜３のパターン形状、配置について、図１〜３を参照しながらより具体的に説明する。
第１の薄膜２及び第２の薄膜３のそれぞれの平面方向の形状は特に限定されないが、第１の薄膜パターン２及び第２の薄膜パターン３は、各々接続部４、５により接続される端部を除いて、中央部を略短冊状とすることが好ましい。また、第１の薄膜パターン２及び第２の薄膜パターン３は、それぞれ端部を除く中央部を略短冊状とするとともに、略平行に、且つ略等間隔に形成されることが好ましい（図１参照）。
【００２７】
また、第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３とは、略短冊状の中央部分が、基板１の一方の面１ａと他方の面１ｂにおいて、即ち基板１を挟んで、略対向するように配置されることがより好ましい。また、第１の薄膜パターン２及び第２の薄膜パターン３のそれぞれの端部は、接続部により容易に接続することができる形状とすることが好ましい。薄膜パターンの各々の端部は、例えば、接続部４ａ〜４ｈ及び５ａ〜５ｆを、図１のように配設することができる形状とすることができる。
【００２８】
図１、２の熱電デバイス１００では、基板１の一方の面１ａに形成された第１の薄膜パターン２と、他方の面１ｂに形成された第２の薄膜パターン３とが、接続部４、５により交互に接続された２本の直列回路が形成されている。そして、１つの直列回路の一端が基板１の一方の面１ａに形成された電極６ａに接続され、他端が基板１の他方の面１ｂに形成された電極６ｄに接続される［接続順を模式的に表す図３（ａ）参照］。更に、別の直列回路の一端が基板１の一方の面１ａに形成された電極６ｂに接続され、他端が基板１の他方の面１ｂに形成された電極６ｃに接続される［接続順を模式的に表す図３（ｂ）参照］。
【００２９】
また、前述のように、第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３とが、基板１の両面の対応する位置に設けられていれば、各々の直列回路の両端部も略同位置となる。この場合、１つの直列回路の一端が接合された電極６ａと、別の直列回路の他端が接続された電極６ｃも、基板１の両面の対応する略同位置に形成することができる。更に、別の直列回路の一端が接合された電極６ｂと、１つの直列回路の他端が接続された電極６ｄも、基板１の両面の対応する略同位置に形成することができる［図１（ａ）、（ｂ）参照］。
【００３０】
上述のような構成の熱電デバイス１００では、図１のように、一辺側を高温部とし、他辺側を低温部とすることで、基板１の一方の面１ａの電極６ａと、電極６ａとは極性の異なる他方の面１ｂの電極６ｄと、から電力を取り出すことができる。また、電極６ａと電極６ｄとの間に電圧を与えることで、基板の一部位と他の部位との間に温度差を生じさせることができる。更に、電極６ｂと電極６ｃとの間も、上記同様の作用を有する。
【００３１】
上記２つの直列回路は、並列に接続して使用することができる。すなわち、電極６ａと電極６ｂとを接続して一方の電極とし、電極６ｃと電極６ｄとを接続して他方の電極とする。また、上記２つの直列回路は、直列に接続して使用することができる。例えば、電極６ｂと電極６ｄとを接続し、電極６ａを一方の電極、電極６ｃを他方の電極とする。いずれの場合も、上記一方の電極と他方の電極との間で、１つの直列回路の２倍の電力を取り出すことができる。
【００３２】
図１に示した熱電デバイス１００を発電デバイスとして用いる場合の効果を試算する。基板１の一方の面１ａに設けられた第１の薄膜２は、分離された８つの薄膜パターン２ａ〜２ｈから構成されている。その１つの薄膜パターンは、縦２０ｍｍ、横１０ｍｍの短冊形状（中央部）とその両端部から接続部が延出された形状とされている。また、基板１の他方の面１ｂには、上記第１の薄膜２に対応した寸法・形状の８つの薄膜パターン３ａ〜３ｈから構成される第２の薄膜３が形成されている。第１の薄膜２の材料はＳｂ（アンチモン）をドープしたＢｉ２Ｔｅ３、第２の薄膜３の材料はＳｅ（セレン）をドープしたＢｉ２Ｔｅ３であり、いずれも薄膜の厚さは１μｍとする。各薄膜の電気伝導率は約４００Ｓｃｍ−１であり、ゼーベック係数の差は１５０μＶＫ−１である。
【００３３】
上記基板１の高温部を８０℃、低温部を５０℃、即ち温度差を３０Ｋとすると、１対の第１の薄膜パターン２と第２薄膜パターン３との間では４．５ｍＶの電圧が発生する。１つの直列回路は８対の第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３とから構成されているため、直列回路の両端の電圧は８×４．５ｍＶ＝３６ｍＶとなる。一方、電気伝導率と薄膜の断面積から、１対の第１の薄膜パターン２と第２の薄膜パターン３の抵抗値は５０Ωとなり、１つの直列回路では４００Ωとなる。上記電圧と抵抗値とから、常法によって１つの直列回路に生じる電力は３．２４μＷと算出される。そして、熱電デバイス１００は２つの直列回路から構成されているため、全体で取り出せる電力は３．２４×２＝６．４８μＷと算出される。
【００３４】
尚、前述の記載は単に説明を目的とするものでしかなく、本発明を限定するものと解釈されるものではない。本発明を典型的な実施態様を挙げて説明したが、本発明の記述及び図示において使用された文言は、限定的な文言ではなく、説明的および例示的なものであると理解される。ここで詳述したように、その態様において本発明の範囲又は精神から逸脱することなく、添付の特許請求の範囲内で変更が可能である。ここでは、本発明の詳述に特定の構造、材料及び実施態様を参照したが、本発明をここにおける開示事項に限定することを意図するものではなく、寧ろ、本発明は添付の特許請求の範囲内における、機能的に同等の構造、方法、使用の全てに及ぶものとする。
【符号の説明】
【００３５】
１００；熱電デバイス、１；基板、１ａ；基板の一方の面、１ｂ；基板の他方の面、２（２ａ〜２ｈ）；第１の薄膜（パターン）、３（３ａ〜３ｈ）；第２の薄膜（パターン）、４（４ａ〜４ｈ）；基板の一部位側の接続部、５（５ａ〜５ｈ）；基板の他の部位側の接続部、６（６ａ〜６ｄ）；電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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