(57)【要約】【課題】柔軟性を有する素子基板を容易に製造する方法及びその方法によって製造した表示装置を提供する。【解決手段】本発明による素子基板の製造方法は、工程基板上に前記工程基板の疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃｉｔｙ）とは異なる疎水性を有する表面改質層を形成する段階と、前記表面改質層を挟むようにして前記工程基板をキャリヤー基板上に配置する段階と、前記工程基板の前記表面改質層を形成した面とは反対の面に素子を形成する段階と、前記工程基板を前記キャリヤー基板から分離する段階とを有する。【選択図】      図２Ｄ
2015096951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工程基板上に前記工程基板の疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃｉｔｙ）とは異なる疎水性を有する表面改質層を形成する段階と、
前記表面改質層を挟むようにして前記工程基板をキャリヤー基板上に配置する段階と、
前記工程基板の前記表面改質層を形成した面とは反対の面に素子を形成する段階と、
前記工程基板を前記キャリヤー基板から分離する段階とを有することを特徴とする素子基板の製造方法。
【請求項２】
前記表面改質層は、前記工程基板より大きい疎水性を有することを特徴とする請求項１に記載の素子基板の製造方法。
【請求項３】
前記表面改質層は、シラン系化合物を含むことを特徴とする請求項２に記載の素子基板の製造方法。
【請求項４】
前記表面改質層を形成する段階は、前記工程基板上に自己組織化単分子膜（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）よりなるシラン系化合物層を形成する段階と、
前記工程基板を洗浄する段階とを含むことを特徴とする請求項３に記載の素子基板の製造方法。
【請求項５】
前記表面改質層は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項２に記載の素子基板の製造方法。
【請求項６】
前記表面改質層は、前記工程基板上に提供され、シラン化合物からなるシラン系化合物層と、
前記工程基板と前記シラン系化合物層との間に提供され、金属酸化物からなる金属酸化物層とを含むことを特徴とする請求項２に記載の素子基板の製造方法。
【請求項７】
前記シラン系化合物は、ＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）であることを特徴とする請求項３又は６に記載の素子基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属酸化物は、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＧＺＯ（ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の素子基板の製造方法。
【請求項９】
前記表面改質層は、平面上から見た時、前記工程基板の少なくとも一部上に提供され、
前記工程基板は、前記表面改質層が形成された第１領域と、前記表面改質層が提供されなかった第２領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２領域は、前記工程基板の周縁に沿って提供されることを特徴とする請求項９に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１領域は、前記工程基板の周縁の一部に提供されることを特徴とする請求項９に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１領域は、前記工程基板の中心を通過し、前記工程基板の側辺と平行な方向に延長されることを特徴とする請求項９に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１３】
前記表面改質層は、平面上から見た時、その一部が除去されていることを特徴とする請求項２に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１４】
前記表面改質層の前記一部は、エッチング又はグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程によって除去されることを特徴とする請求項１３に記載の素子基板の製造方法。
【請求項１５】
互いに反対面となる第１面と第２面とを有する第１基板と、
前記第１面に提供される画素と、
前記第２面に提供され、前記第１基板の疎水性とは異なる疎水性を有する第１表面改質層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記第１基板に対向する第３面と前記第３面とは反対面になる第４面とを有する第２基板と、
前記第４面に提供され、前記第２基板の疎水性とは異なる疎水性を有する第２表面改質層とをさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２表面改質層は、金属酸化物からなる金属酸化物層を含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記金属酸化物は、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＧＺＯ（ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第２表面改質層は、接地されることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記画素は、前記第１基板上に提供される第１電極と、
前記第１基板上に前記第１電極と絶縁するように提供され、前記第１電極とで電界を形成する第２電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に提供される液晶層とを含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第２表面改質層は、シラン系化合物層をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記シラン系化合物は、ＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）であることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は素子基板の製造方法及び表示装置に関し、特に、柔軟性を有する素子基板を容易に製造する方法及びその方法を利用して製造した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）、ＦＥＤ（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、ＯＬＥＤ（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）のような平板表示パネルを利用する表示装置はテレビジョン、モバイルフォン等に主に適用されている。
【０００３】
一般的に上記した表示装置は柔軟性を有しないガラス基板を利用して製造されるので可撓性が無いので、用途が限定されている。
従って、多彩な用途に使用することができる、曲げやすい表示装置を製造するための様々な試行が増加している。
一例として、既存の柔軟性（Ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有しないガラス基板の代わりにプラスチック等のように柔軟性を有する材料を使用して紙のように曲げられる表示装置が開発されている。
【０００４】
しかしながら、柔軟性を有する材料で基板を作成するとき、基板を支持するキャリヤー基板と接着して工程を進めていくが、キャリヤー基板と基板を分離するとき、分離しにくい状況が発生するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許公開第２０１１／００２６２３６号明細書
【特許文献２】米国特許公開第２０１１／００４５２３９号明細書
【特許文献３】米国特許公開第２０１１／００４８６１１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記従来の可撓性基板製造における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、柔軟性を有する素子基板を容易に製造する方法及びその方法によって製造した表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による素子基板の製造方法は、工程基板上に前記工程基板の疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃｉｔｙ）とは異なる疎水性を有する表面改質層を形成する段階と、前記表面改質層を挟むようにして前記工程基板をキャリヤー基板上に配置する段階と、前記工程基板の前記表面改質層を形成した面とは反対の面に素子を形成する段階と、前記工程基板を前記キャリヤー基板から分離する段階とを有することを特徴とする。
【０００８】
前記表面改質層は、前記工程基板より大きい疎水性を有することが好ましい。
前記表面改質層は、シラン系化合物を含むことが好ましい。
シラン系化合物は、ＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）を含むことが好ましい。
前記表面改質層を形成する段階は、前記工程基板上に自己組織化単分子膜（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）よりなるシラン系化合物層を形成する段階と、前記工程基板を洗浄する段階とを含むことが好ましい。
前記表面改質層は、金属酸化物を含むことが好ましい。
前記金属酸化物は、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＧＺＯ（ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記表面改質層は、前記工程基板上に提供され、シラン化合物からなるシラン系化合物層と、前記工程基板と前記シラン系化合物層との間に提供され、金属酸化物からなる金属酸化物層とを含むことが好ましい。
前記表面改質層は、平面上から見た時、前記工程基板の少なくとも一部上に提供され、前記工程基板は、前記表面改質層が形成された第１領域と、前記表面改質層が提供されなかった第２領域とを含むことが好ましい。
前記第２領域は、前記工程基板の周縁に沿って提供されることが好ましい。
前記第１領域は、前記工程基板の周縁の一部に提供されることが好ましい。
前記第１領域は、前記工程基板の中心を通過し、前記工程基板の側辺と平行な方向に延長されることが好ましい。
前記表面改質層は、平面上から見た時、その一部が除去されていることが好ましい。
前記表面改質層の前記一部は、エッチング又はグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程によって除去されることが好ましい。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、互いに反対面となる第１面と第２面とを有する第１基板と、前記第１面に提供される画素と、前記第２面に提供され、前記第１基板の疎水性とは異なる疎水性を有する第１表面改質層とを有することを特徴とする。
【００１０】
前記第１基板に対向する第３面と前記第３面とは反対面になる第４面とを有する第２基板と、前記第４面に提供され、前記第２基板の疎水性とは異なる疎水性を有する第２表面改質層とをさらに有することが好ましい。
前記第２表面改質層は、金属酸化物からなる金属酸化物層を含むことが好ましい。
前記金属酸化物は、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＧＺＯ（ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記第２表面改質層は、接地されることが好ましい。
前記画素は、前記第１基板上に提供される第１電極と、前記第１基板上に前記第１電極と絶縁するように提供され、前記第１電極とで電界を形成する第２電極と、前記第１基板と前記第２基板との間に提供される液晶層とを含むことが好ましい。
前記第２表面改質層は、シラン系化合物層をさらに含むことが好ましい。
前記シラン系化合物は、ＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る素子基板の製造方法及びその方法を利用して製造した表示装置によれば、工程基板に表面改質層を形成し、キャリヤー基板とは表面改質層を介して接着させるので、キャリヤー基板との接着力が弱化され、工程基板をキャリヤー基板から容易に分離することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２Ａ】本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を順次的に説明するための断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を順次的に説明するための断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を順次的に説明するための断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を順次的に説明するための断面図である。
【図３】従来の素子基板の製造方法と本発明の一実施形態による素子基板の製造方法とにおいて、表面改質層の有無にしたがう工程基板上に滴下した水滴との接触角を示すグラフである。
【図４】従来の素子基板の製造方法と本発明の一実施形態による素子基板の製造方法とにおいて、熱処理工程を実施した場合の工程基板とキャリヤー基板との間の接着力を示すグラフである。
【図５】接着力測定装置を概略的に示す斜視図である。
【図６】本発明の他の実施形態による素子基板の製造方法において、表面改質層の種類を異ならせた場合を示す断面図である。
【図７】従来の素子基板の製造方法と本発明の他の実施形態による素子基板の製造方法とにおいて、熱処理工程を実施した場合の工程基板とキャリヤー基板との間の接着力を示すグラフである。
【図８】本発明のその他の実施形態による素子基板の製造方法において、表面改質層の種類を異ならせた場合を示す断面図である。
【図９】従来の素子基板の製造方法と本発明のその他の実施形態による素子基板の製造方法とにおいて、熱処理工程を実施した場合の工程基板とキャリヤー基板との間の接着力を示すグラフである。
【図１０Ａ】本発明の一実施形態による表面改質層を工程基板の一部に形成したものを示す平面図である。
【図１０Ｂ】本発明の一実施形態による表面改質層を工程基板の一部に形成したものを示す平面図である。
【図１０Ｃ】本発明の一実施形態による表面改質層を工程基板の一部に形成したものを示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による表示装置の概略的な断面図である。
【図１２Ａ】図１１に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１２Ｂ】図１１に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１２Ｃ】図１１に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１２Ｄ】図１１に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１２Ｅ】図１１に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態による表示装置を示す概略的な断面図である。
【図１４Ａ】図１３に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１４Ｂ】図１３に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１４Ｃ】図１３に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１４Ｄ】図１３に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【図１４Ｅ】図１３に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明に係る素子基板の製造方法及びその方法を利用して製造した表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１４】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、特定実施形態を図面に例示し、本文で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に対して限定しようとすることでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解しなければならない。
【００１５】
各図面を説明しながら、類似する構成要素については同様の符号を使用した。添付した図面において、構造物の寸法は本発明を明確に説明するために実際より拡大して示すこともある。
第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用するが、構成要素は用語によって限定されない。用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用する。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しなくて第１構成要素は第２構成要素と称され得り、類似に第２構成要素も第１構成要素と称され得る。単数の表現は文脈の上に明確に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
本出願で、“包含”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組合したことが存在することを指定しようとすることであるが、１つ又はその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組み合わしたことの存在又は付加可能性を予め排除しないこととして理解しなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分“上に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに上に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。反対に層、膜、領域、板等の部分が他の部分“下に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに下に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
【００１６】
図１は本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を説明するためのフローチャートであり、図２Ａ〜図２Ｄは本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を順次的に説明するための断面図である。
以下、図１及び図２Ａ〜図２Ｄを参照して、本発明の一実施形態による素子基板の製造方法を説明する。
【００１７】
図１を参照すると、本発明の一実施形態による素子基板は、工程基板ＰＳ上に表面改質層ＳＭＬ（ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｏｄｉｆｉｙｎｇ  ｌａｙｅｒ）を形成（ステップＳ１１０）し、表面改質層ＳＭＬを挟むようにして工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳ上に配置（ステップＳ１２０）し、工程基板ＰＳ上に素子を形成（ステップＳ１３０）した後、工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳから分離（ステップＳ１４０）することによって製造される。
【００１８】
図１及び図２Ａを参照すると、素子を形成する工程基板ＰＳが提供され、工程基板ＰＳ上に表面改質層ＳＭＬが形成される。
工程基板ＰＳは、素子を形成するための一面とその一面に反対になる他面を有する板状で提供される。
平面上から見た時、工程基板ＰＳは多様な形状を有してもよい。例えば、形状は丸い形状、長方形形状、平行四辺形形状、四角形形状、円や楕円等の周縁が曲線になされた形状、その他の不規則な形状などであってもよい。工程基板ＰＳはまた任意の大きさを有してもよい。
【００１９】
工程基板ＰＳは、ガラス、水晶、有機／無機高分子物質、繊維強化プラスチック等を包含することができる。
工程基板ＰＳは、硬質の基板で形成することができるが、少なくとも一部の領域で可撓性を有する柔軟性のある（軟質の）基板で提供されてもよい。
例えば、工程基板ＰＳは、全ての領域で可撓性を有してもよい。また、工程基板ＰＳは一部の領域で可撓性を有し、残りの領域で可撓性を有しなくともよい。
【００２０】
この場合、工程基板ＰＳは、可撓性を有する軟質の領域と可撓性を有しない硬質の領域とを有してもよい。
軟質の領域と硬質の領域とにおいて、“可撓性を有する”又は“可撓性を有しない”と、“軟質”又は“硬質”という用語は工程基板ＰＳの性質を相対的に表現した用語として、“可撓性を有しない”及び“硬質”という表現は可撓性を全然有しない硬い場合のみならず、可撓性を有するが、軟質の領域より小さい可撓性を有する場合を含む。
【００２１】
本発明の一実施形態において、高分子物質はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、ポリエステル（ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルエステル（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｓｔｅｒ）、ポリエーテルアミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒａｍｉｄｅ）、酢酸セルロース（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ａｃｅｔａｔｅ）、脂肪性ポリウレタン（ａｌｉｐｈａｔｉｃ  ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅｓ）、ポリアクリロニトリル（ｐｏｌｙａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ポリテトラフルオロエチレン（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｌｅｎｅｓ）、フッ化ポリビニリデン（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ  ｆｌｕｏｒｉｄｅｓ）、ポリ（メチル（Ｘ−メタクリラート；ｍｅｔｈｙｌ（ｘ−ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅｓ）））、脂肪族又は環状ポリオレレフィン（ａｌｉｐｈａｔｉｃ  ｏｒ  ｃｙｃｌｉｃ  ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ））、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、テフロン（登録商標）のようなふっ素系重合体（ｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリ（エーテルエーテルケトン）（ｐｏｌｙ（ｅｈｔｅｒｅｔｈｅｒ  ｋｅｔｏｎｅ））、ポリ（エーテルケトン）（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ  ｋｅｔｏｎｅ））、ポリ（エチレンテトラフルオロエチレン）ふっ素重合体（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｍｅｒ））、ポリ（メタクリル酸メチル（ｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））、アクリラート／メタクリレート共重合体（ａｃｒｙｌａｔｅ／ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ）等を包含することができる。
【００２２】
表面改質層ＳＭＬは、工程基板ＰＳの一面上に提供される。
表面改質層ＳＭＬは、工程基板ＰＳの表面エネルギーと互に異なる表面エネルギーを有する物質からなされる。表面改質層ＳＭＬは例えば、工程基板ＰＳよりさらに大きい疎水性を有する物質からなる。
表面改質層ＳＭＬは、シラン系化合物を含むシラン系化合物層であってもよい。シラン系化合物層は、自己組織化単分子膜（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）形態で提供される。
【００２３】
シラン系化合物層は、工程基板ＰＳを前処理した後、工程基板ＰＳ上に自己組織化単分子膜を形成し、工程基板ＰＳを洗浄することによって形成することができる。
前処理段階は、工程基板ＰＳの表面を改質する前に工程基板ＰＳの一部を酸化させることによって、以後の改質反応での反応性を高くするために実施される。
【００２４】
本発明の一実施形態における前処理段階は、工程基板ＰＳの表面を紫外線処理するか、或いは酸素Ｏ２、及び／又はオゾンＯ３プラズマ処理することを含む。
プラズマ処理は、工程基板ＰＳを減圧されたチャンバー内に入れ、プラズマ注入器を利用してチャンバー内に所定の時間の間、例えば、３０秒〜１分間、Ｏ２又はＯ３を注入することによって行われる。
【００２５】
紫外線、酸素、及び／又はオゾンによって処理された工程基板ＰＳの表面には反応性が高い−ＯＨ基が形成される。
−ＯＨ基は、後続する自己組織化単分子膜（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）の形成を容易にし、自己組織化単分子膜と工程基板ＰＳとの間の接着力を高くする。
紫外線の強度及び照射時間は工程基板ＰＳの材質によって変更され得る。
前処理段階は工程基板ＰＳの物性によって省略してもよく、工程基板ＰＳの表面が後述するシラン系化合物が十分に反応することができる反応基を有している場合には省略可能である。
【００２６】
自己組織化単分子膜は、工程基板ＰＳの表面との相互作用可能である作用基を有する化合物を工程基板ＰＳに提供することによって形成することができる。
作用基は工程基板ＰＳの表面と共有結合、水素結合、化学的な吸着等の結合が可能であるものである。化合物は作用基によって化合物が工程基板ＰＳの表面に２次元的に自己整列される。
自己組織化単分子膜を形成するシラン系化合物は下記の化学式１のような構造式を有する。
【００２７】
【化１】
2015096951.tif 000003
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は独立的に−Ｈ、−ＣＨ３、−Ｃｌ、−ＯＣＨ３、−ＯＣＨ２ＣＨ３、−ＯＣＯＣＨ３、又は−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３であり、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４の全てが−Ｈ又は−ＣＨ３であるか、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４が、−Ｈ及び−ＣＨ３からなる場合は除外する。
【００２８】
本発明の一実施形態において、シラン系化合物はポリメチルジシロキサン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ；ＰＭＤＳ）を含む。
ポリメチルジシロキサンは適切な分子量を有するものから選択される。
液相又は気相のシラン系化合物を利用して自己組織化単分子膜を形成することができる。
【００２９】
液相で自己組織化単分子膜を形成する段階は、シラン系化合物を含む溶液を準備し、シラン系化合物含有溶液を工程基板ＰＳ上に塗布することによって実施することができる。  シラン系化合物含有溶液は触媒として水を含む。
【００３０】
気相で自己組織化単分子膜を形成する段階は、工程基板ＰＳをシラン系化合物と共に低圧（例えば、約５００Ｐａ以下）の真空チャンバーに入れることによって実施することができる。
真空チャンバーはシラン系化合物が気化できる温度と圧力とに維持される。ここで、真空チャンバー内の空気を外へ排出した後、シラン系化合物が工程基板ＰＳ上に自己組織化されるように触媒として水蒸気を投入する。水蒸気はチャンバー内の圧力が約５００Ｐａを維持する量が投入される。
【００３１】
触媒として水を使用する液相又は気相シラン化工程のメカニズムは次に示す化学式２の通りである。
下記の化学式２では説明を簡単にするために、Ｚ１が水素原子であり、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ４が全て−Ｃｌである場合を一例として示した。ブロックに示された部分は工程基板ＰＳに該当する。
【化２】
2015096951.tif 000004
【００３２】
触媒として水を使用しない液相又は気相シラン化工程のメカニズムは次の化学式３の通りである。
下記の化学式３では説明を簡単にするためにＺ１が水素原子であり、Ｚ２及びＺ４が−ＣＨ３であり、及びＺ３が−ＯＣＨ３である場合を一例として示した。ブロックに示された部分は工程基板ＰＳに該当する。
【化３】
2015096951.tif 000005
【００３３】
工程基板ＰＳ上に化合物が自己整列した後、工程基板ＰＳを洗浄する。工程基板ＰＳは脱イオン水又は純水等の洗浄液で洗浄する。
洗浄によって、過量に提供された作用基を有する化合物、工程基板ＰＳ表面の作用基と反応しなかった化合物、その他の不純物等を除去する。
また、洗浄工程を通じて化合物が不均一に整列したか、積層した部分を除去することができる。これによって、化合物が工程基板ＰＳの全体に均一に単一膜を形成することができる。
上記したように、自己組織化単分子膜は液相又は気相蒸着によって形成されることができるが、これに限定されることではない。
【００３４】
次に、図１及び図２Ｂを参照すると、工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳ上に配置する。
詳細には工程基板ＰＳがキャリヤー基板ＣＳの上面に配置される。キャリヤー基板ＣＳの上には工程基板ＰＳを固定するためのクリップ等の固定部（図示せず）が提供されてもよく、固定部によって工程基板ＰＳがキャリヤー基板ＣＳ上に固定される。
【００３５】
キャリヤー基板ＣＳは、工程基板ＰＳを支持する。
キャリヤー基板ＣＳは、工程基板ＰＳと同一の面積を有するか、或いはさらに大きい面積を有してもよい。又はキャリヤー基板ＣＳは工程基板ＰＳよりさらに小さい面積を有してもよい。
キャリヤー基板ＣＳの面積は、工程基板ＰＳを安定的に固定及び支持できる大きさであれば十分であり、その面積が特別に限定されることではない。
【００３６】
キャリヤー基板ＣＳは、ガラス、水晶、有機／無機高分子物質、繊維強化プラスチック等を含み得る。
本発明の一実施形態において、キャリヤー基板ＣＳはガラスからなる。
キャリヤー基板ＣＳは、可撓性を有しない硬質の基板として提供される。
しかし、本発明の他の実施形態ではキャリヤー基板ＣＳが必ずしも硬質の基板として提供されなくてもよく、工程の条件にしたがって少なくとも一部が可撓性を有する軟質の基板で形成されてもよい。
【００３７】
工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとにおいて、キャリヤー基板ＣＳ上に工程基板ＰＳを配置する／配置されたという用語を使用したが、この用語は単に工程基板ＰＳの表面とキャリヤー基板ＣＳの表面とが接触していることを意味する。
ここで、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとは互いに化学的に結合されない。また、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの間には空気層の以外に接着層や粘着層のような別の層が介在されない。
これによって、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとは外部力によって工程基板ＰＳ及びキャリヤー基板ＣＳの損傷無しで容易に分離することができる。
【００３８】
工程基板ＰＳは、表面改質層ＳＭＬが形成された面がキャリヤー基板ＣＳと対向するように提供する。
これによって、正確には表面改質層ＳＭＬがキャリヤー基板ＣＳと接触する。
工程基板ＰＳは、固定部によってキャリヤー基板ＣＳ上に互いに表面が接触した状態で維持される。
ここで、表面改質層ＳＭＬとキャリヤー基板ＣＳとの間にはファンデルワールス力及び／又は静電気力が作用して、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの間に引力が作用する。しかし、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの間の表面エネルギー差が大きく、特に、工程基板ＰＳの表面改質層ＳＭＬが疎水性を有するので、引力の大きさが大きくない。
【００３９】
図１及び図２Ｃを参照すると、工程基板ＰＳ上に素子ＤＶが形成される。
素子ＤＶは形成しようとする装置によってメモリ素子や画素等の多様な種類が提供される。
素子ＤＶが形成される間に、工程基板ＰＳはキャリヤー基板ＣＳ上に置かれているまま搬送及び搬出される。
【００４０】
本発明の一実施形態において、素子ＤＶは表示装置に使用される画素を含む。
画素ＤＶは配線部、配線部と接続された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタによってスイッチングされる電極、及び電極によって制御される画像表示層を含む。
配線部は、複数のゲートラインと、ゲートラインと交差する複数のデータラインとを含む。
【００４１】
薄膜トランジスタは、パッシブマトリックス又はアクティブマトリックス駆動が可能になるように複数で提供される。
薄膜トランジスタがアクティブマトリックスに提供される場合、薄膜トランジスタは複数で提供され、各々がゲートラインの中の該当ゲートラインに、データラインの中の該当データラインに接続される。
電極は、複数で提供され、その電極の各々は各薄膜トランジスタに接続される。
【００４２】
図示しなかったが、各薄膜トランジスタは、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、及びドレイン電極を含む。
ゲート電極はゲートラインの中の対応するゲートラインから分岐される。アクティブ層はゲート電極から絶縁されて形成され、アクティブ層の上にはアクティブ層が露出するようにソース電極及びドレイン電極が互いに離隔して形成される。ソース電極はデータラインの中の対応するデータラインから分岐される。
【００４３】
画像表示層は、画像を表示する方式にしたがって液晶層、電気泳動層、エレクトロ・ウェッティング層、又は有機発光層、等を包含してもよい。
画像表示層は電極に印加された電圧に対応して駆動される。
画素ＤＶに対しては後述する。
【００４４】
図１及び図２Ｄを参照すると、工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳから分離する。
本発明の一実施形態において、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとを分離する方法は特別に限定されない。
例えば、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの間の界面に楔やナイフ（状のもの）の端を挿入した後、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの中の少なくともいずれか１つに、２つの基板の外部面と垂直になる方向に力を加えることによって、２つの基板を分離することができる。
【００４５】
又は、分離部材を工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの各々の外部面に付着させた後、分離部材に２つの基板の外部面と垂直になる外側方向に力を加えることによって、２つの基板を分離することもできる。
工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの分離段階において、本発明の一実施形態による工程基板ＰＳは、表面改質層ＳＭＬを有するので、キャリヤー基板ＣＳとの接着力が弱化されている。
したがって、小さい力によっても工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳから分離することができ、工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳから分離する時、工程基板ＰＳへの損傷もまた減少する。
【００４６】
図３は、従来の素子基板の製造方法と本発明の一実施形態による素子基板の製造方法とにおいて、表面改質層の有無にしたがう工程基板上に滴下した水滴との接触角を示したグラフである。
図３の比較例での接触角は、従来の素子基板の製造方法においての接触角を示した図であって、工程基板上に表面改質層を形成しない状態で、工程基板上に水滴を滴下した時、水滴の表面と工程基板の表面との角度を意味する。
図３の第１実施形態での接触角は、本発明の一実施形態による素子基板の製造方法においての接触角を示した図であって、工程基板上にシラン系化合物層に表面改質層を形成した状態で、工程基板上に水滴を滴下した時、水滴の表面と工程基板の表面との角度を意味する。
比較例と第１実施形態とにおいて、工程基板とキャリヤー基板とは両方ともガラスから製造され、表面改質層を除外した他の条件は全て同様に維持した。
接触角は洗浄の前と洗浄の後に各々測定した。
【００４７】
図３を参照すると、洗浄の有無に関わらず、表面改質層を有する第１実施形態の接触角が表面改質層を有しない比較例の接触角に比べて大きい値を有する。
これは表面改質層が形成された工程基板の疎水性が表面改質層を形成していない工程基板より大きいことを意味する。
従って、疎水性が大きくなるほど、キャリヤー基板との間の接着力が弱化されるので、本発明の一実施形態による工程基板に表面改質層を形成した場合、工程基板をキャリヤー基板から容易に分離することができる。
【００４８】
図４は、従来の素子基板の製造方法と本発明の一実施形態による素子基板の製造方法とにおいて、熱処理工程を実施した場合の工程基板とキャリヤー基板との間の接着力を示すグラフである。
ここで、比較例と第１実施形態とは図３で説明した比較例及び第１実施形態と同一である。熱処理工程は２００℃以上で実施した。
【００４９】
接着力は、図５に概略的に図示した接着力測定装置を利用して測定した。
図５を参照すると、接着力を測定しようする対象基板、即ちキャリヤー基板ＣＳ上に置かれる工程基板ＰＳを準備し、キャリヤー基板ＣＳ上に置かれた工程基板ＰＳをチャックＣＨＫ上に載せた後に、キャリヤー基板ＣＳをリフトＬＦＴを利用してキャリヤー基板ＣＳの上面と垂直になる方向、即ち、上部方向に力を加えた。
【００５０】
キャリヤー基板ＣＳが工程基板ＰＳから分離されるまでリフトＬＦＴによってキャリヤー基板ＣＳに力を加え、その力が接着力として表示される。ここで、図５では工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳと接触させ、チャックＣＨＫの上面に工程基板ＰＳが接するように図示したが、これに限定されない。即ち、工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳと接触させた後、チャックＣＨＫの上面にキャリヤー基板ＣＳが接するように配置し、この時、リフトＬＦＴが力を加える方向は、また変更することができる。
【００５１】
図４を参照すると、従来の素子基板の製造方法によって表面改質層無しで素子基板の接着力は熱処理工程（アニール工程）が実施されなかった時、０．８８Ｎであったが、熱処理工程が実施された時の接着力はグラフに図示した領域を外れた大きい値を現れた。
特に、工程基板とキャリヤー基板とを分離するためにキャリヤー基板に力を加えた時、工程基板とキャリヤー基板との間が分離することではなく、工程基板とキャリヤー基板とが分離されなく、共に破損する場合も発生した。
従来の素子基板の製造方法によって工程基板上に表面改質層を形成しない場合、表面改質層を形成した場合に比べて熱処理工程によって工程基板とキャリヤー基板とが化学的に結合する部分があることを意味する。
【００５２】
再び図４を参照すると、本発明の一実施形態の製造方法によって表面改質層を有する素子基板を製造した場合、熱処理工程が実施されなかった時の接着力は０．５３Ｎで、熱処理以後にも１．４６Ｎであった。
本発明の一実施形態にしたがって工程基板が表面改質層を有する場合、熱処理の前よりは接着力が強くなったが、それにも関わらず相変わらず低い接着力を有する。
これによって、本発明の一実施形態によれば、工程基板とキャリヤー基板との間の容易な分離が可能である。
【００５３】
図６は本発明の他の実施形態による素子基板の製造方法において、表面改質層の種類を異ならせた場合を示す断面図であって、本発明の一実施形態による素子基板の製造方法においての図２Ｂに対応する。
以下、本発明の他の実施形態では説明を簡単にするため、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略された部分は本発明の一実施形態にしたがう。本実施形態においての表面改質層ＳＭＬ’は上述した実施形態の表面改質層ＳＭＬと異なる材料から形成される。
【００５４】
図６を参照すると、表面改質層ＳＭＬ’は、工程基板ＰＳの表面エネルギーとは異なる表面エネルギーを有する物質として、工程基板ＰＳ上に金属酸化物を含む金属酸化物層が提供され得る。
金属酸化物は、工程基板ＰＳよりさらに大きい疎水性を有する。
金属酸化物層はＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＧＺＯ（ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも１つを含むことができる。
【００５５】
金属酸化物層は、工程基板ＰＳ上に蒸着するが、これに限定されることなく、例えば、液体の形態で塗布した後、加熱を通じて溶媒を除去する方式等で形成してもよい。
工程基板ＰＳは、キャリヤー基板ＣＳ上に配置される。
この時、工程基板ＰＳは、表面改質層ＳＭＬ’が形成された面がキャリヤー基板ＣＳと対向するように提供する。これによって、正確には表面改質層ＳＭＬ’、即ち、金属酸化物層がキャリヤー基板ＣＳと接触する。
【００５６】
工程基板ＰＳは、キャリヤー基板ＣＳに提供された固定部によってキャリヤー基板ＣＳ上に固定される。ここで、金属酸化物層とキャリヤー基板ＣＳとの間にはファンデルワールス力及び／又は静電気力が作用して工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの間に引力が作用する。しかし、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの間の表面エネルギー差が大きく、金属酸化物層が疎水性を有するので、引力の大きさは大きくない。
【００５７】
図７は、従来の素子基板の製造方法と本発明の他の実施形態による素子基板の製造方法において、熱処理工程を実施した場合の工程基板とキャリヤー基板との間の接着力を示すグラフである。
接着力は図５に図示した接着力測定装置を利用して測定した。
図７の比較例は、従来の素子基板の製造方法に素子基板を製造したものであって、工程基板上に表面改質層として金属酸化物層を形成しない状態で、熱処理工程を実施する前と熱処理工程を実施した後の接着力を示すものである。
【００５８】
図７の第２及び第３実施例は、各々本発明の他の実施形態による素子基板の製造方法により素子基板を製造したものであって、工程基板上に表面改質層として金属酸化物層を形成した状態で熱処理工程を実施する前と熱処理工程を実施した後の接着力を示すものである。
第２実施例では金属酸化物としてＩＴＯを使用し、第３実施例では金属酸化物としてＩＺＯを使用した。比較例、第２実施例、及び第３実施例において、工程基板とキャリヤー基板とは両方ともガラスから製造され、金属酸化物層を除外した他の条件は全て同様に維持した。
【００５９】
図７を参照すると、比較例の表面改質層無しで素子基板の接着力は熱処理工程が実施されなかった時０．８８Ｎであったが、熱処理工程が実施された時の接着力はグラフに図示した領域を外れた大きい値を現れた。
工程基板とキャリヤー基板とを分離するためにキャリヤー基板に力を加えた時、工程基板とキャリヤー基板との間で分離することなく、工程基板とキャリヤー基板とが分離しなく、共に破損する場合も発生した。
【００６０】
これに比べて、第２及び第３実施例の金属酸化物層を有する素子基板は、熱処理工程が実施されなかった時、従来の素子基板よりさらに高い接着力を表示したにも拘らず、熱処理工程が実施された後の接着力は従来の素子基板より著しく小さい接着力が現れた。
これを詳細に説明すれば、金属酸化物としてＩＴＯを使用して表面改質層を形成した第２実施例の場合、熱処理の以前の接着力が２．５１Ｎであったが、熱処理後の接着力は３．４５Ｎであった。これは分離が行われなかったか、或いはグラフに図示した力以上の接着力を示す従来技術のものと比べて接着力が著しく小さくなったことを意味する。
これに加えて、金属酸化物としてＩＺＯを使用して表面改質層を形成した第３実施例の場合、熱処理以前の接着力が２．４５Ｎであったが、熱処理後の接着力は２．６４Ｎであって、分離が行われなかった従来技術のものと比べて著しく低い接着力を有するのみでなく、金属酸化物としてＩＴＯを使用した第２実施例よりもさらに低い接着力が現れた。
【００６１】
工程基板に素子等を形成する時、熱処理工程が実施される場合が多いという点を鑑みれば、熱処理以後の接着力の大きさが工程基板とキャリヤー基板との分離に非常に重要な要因になることを分かる。
しかし、本実施形態によれば、表面改質層に金属酸化物を利用して素子基板を形成することによって、工程基板とキャリヤー基板との間の分離を容易に実施することができる。
【００６２】
図８は、本発明のその他の実施形態による素子基板の製造方法において、表面改質層の種類を異ならせた場合を示す断面図であって、本発明の一実施形態による素子基板の製造方法においての図２Ｂに対応する。
【００６３】
図８を参照すると、表面改質層は、工程基板ＰＳの表面エネルギーと異なる表面エネルギーを有する２種以上の物質で工程基板ＰＳ上に提供することができる。
本実施形態において、表面改質層は、互に異なる２種の材料からなされた第１層ＳＭＬと第２層ＳＭＬ’とを有する。
第１層ＳＭＬと第２層ＳＭＬ’は工程基板ＰＳの表面エネルギーと異なる表面エネルギーを有し、工程基板ＰＳより疎水性が大きい物質の中から選択される。本実施形態において、第１層ＳＭＬはシラン系化合物からなるシラン系化合物層であり、第２層ＳＭＬ’は金属酸化物からなる金属酸化物層である。
【００６４】
シラン系化合物は、自己組織化単分子膜の形態に提供される。
シラン系化合物は、ポリメチルジシロキサンを含む。
金属酸化物層はＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＧＺＯ（ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の内の少なくとも１つを含む。
第１層ＳＭＬ及び第２層ＳＭＬ’を構成する材料は、その順序が特別に限定されることはないが、本実施形態では工程基板ＰＳ上に金属酸化物とシラン系化合物とを順次に積層したものである。
【００６５】
次に、工程基板ＰＳをキャリヤー基板ＣＳ上に配置するが、この時、工程基板ＰＳは第１層ＳＭＬ及び第２層ＳＭＬ’が形成された面がキャリヤー基板ＣＳと対向するように提供する。正確には第１層ＳＭＬ及び第２層ＳＭＬ’の中でシラン系化合物層である第１層ＳＭＬがキャリヤー基板ＣＳと接触する。
工程基板ＰＳは、キャリヤー基板ＣＳに提供された固定部によってキャリヤー基板ＣＳ上に固定される。
【００６６】
図９は、従来の素子基板の製造方法と本発明のその他の実施形態による素子基板の製造方法とにおいて、熱処理工程を実施した場合の工程基板とキャリヤー基板との間の接着力を示すグラフである。
接着力は、図５に示した接着力測定装置を利用して測定した。
図９の比較例は、従来の素子基板の製造方法によって素子基板を製造したものであって、工程基板上に金属酸化物層を形成しない状態で、熱処理工程を実施する前と熱処理工程を実施した後との接着力を示すものである。
【００６７】
図９の第４実施例は、本発明のその他の実施形態による素子基板の製造方法によって素子基板を製造したものであって、工程基板上に金属酸化物層及びシラン系化合物層を順次に形成した状態で熱処理工程を実施する前と熱処理工程を実施した後との接着力を示したものである。第４実施例では金属酸化物としてＩＺＯを使用し、シラン系化合物としてポリメチルジシロキサンを使用した。
比較例、第４実施例において、工程基板とキャリヤー基板とは両方ともガラスから製造され、金属酸化物層及びシラン系化合物層を除外した他の条件は全て同様に維持した。
【００６８】
図９を参照すれば、従来の素子基板の製造方法によって表面改質層無しで素子基板を製造した場合、熱処理工程が実施されなかった時の接着力は０．８８Ｎであったが、熱処理工程が実施された時の接着力はグラフに示した領域を外れた大きい値を現れた。
工程基板とキャリヤー基板とを分離するためにキャリヤー基板に力を加えた時、工程基板とキャリヤー基板との間が分離されるのではなく、工程基板とキャリヤー基板とが分離されず、共に破損する場合も発生した。
これに比べて、本発明の第４実施例の金属酸化物層及びシラン系化合物層を有する素子基板を製造した場合、熱処理工程が実施されなかった時の接着力は従来の素子基板よりさらに高い接着力を現れたが、熱処理工程が実施された後の接着力は従来の素子基板より著しく小さい接着力を現れた。
【００６９】
これを詳細に説明すると、第４実施例の場合、熱処理以前の接着力が２．０８Ｎであったが、熱処理後の接着力は２．３４Ｎであって、分離が行われなかった従来の発明に比べて接着力が著しく小さくなったという点を確認することができる。
特に、第４実施例の場合、金属酸化物のみを工程基板に形成した第２実施例及び第３実施例に比べ熱処理の前と熱処理の後の全てで小さい接着力を現れた。
これは各々の接着力を比較することによって分かるように、第２及び第３実施例は熱処理の前に各々２．５１Ｎと、２．４５Ｎとの接着力を現れたが、第４実施例は２．０８Ｎの接着力を現れ、第２及び第３実施例は熱処理の後に各々３．４５Ｎ及び２．６４Ｎの接着力が現れたが、第４実施例は２．３４Ｎの接着力が現れた。
これによって、本実施形態によれば、表面改質層として金属酸化物及びシラン系化合物を利用して素子基板を形成することによって、工程基板とキャリヤー基板との間の分離を容易に実施することができる。
【００７０】
一般的に可撓性基板に使用する洗浄工程では可撓性基板が撓む（曲がる）特性によって従来の工程に使用される設備に適用し難いという問題があった。
一例として、搬送ロボットによる基板搬送の時にロボットアームによって可撓性基板を配置する場合、可撓性基板が撓んで（曲がって）しまいロボットアームの把持部の間から抜け落ちる等の困難がある。
しかし、本発明の実施形態によれば、可撓性を有する工程基板が硬い材質で形成されたキャリヤー基板に付着した状態に素子の製造工程を実施できるので、可撓性の工程基板に安定的に素子を形成することができる。その次に、工程基板をキャリヤー基板から、又はその反対に分離することによって容易に素子基板を製造することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、対象基板上に表面改質層を形成するので、キャリヤー基板の汚染が最小化になり、キャリヤー基板を別の洗浄無しで反複して使用することができるという長所がある。
【００７１】
本発明の一実施形態によれば、表面改質層は工程基板の全面上に形成することができる。しかし、これに限定されることなく、表面改質層は工程基板の一部の面上に形成されてもよい。
表面改質層を工程基板の一部に形成するためには工程基板の全面に表面改質層を形成した後、表面改質層の一部を除去することによって形成することができる。表面改質層はエッチング又はグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）によって除去することができる。
【００７２】
図１０Ａ〜図１０Ｃは、表面改質層を工程基板ＰＳの一部に形成したものを示す平面図である。
図１０Ａ〜図１０Ｃにおいて、表面改質層が形成された領域を第１領域ＲＧ１とし、表面改質層が形成されなかった領域を第２領域ＲＧ２として表示した。
【００７３】
図１０Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による工程基板ＰＳは、一対の長辺と一対の短辺を有する長方状に提供され得る。
第１領域ＲＧ１は平面上から見た時、工程基板ＰＳの内部に提供され、第２領域ＲＧ２は第１領域ＲＧ１を囲むように提供される。
即ち、第２領域ＲＧ２は工程基板ＰＳの縁に沿って配置され、第１領域ＲＧ１は第２領域ＲＧ２を除外した領域に配置される。ここで、第２領域ＲＧ２は第１領域ＲＧ１を囲むように図示したが、これに限定されない。例えば、第２領域ＲＧ２は長辺と短辺の中で１つの辺、２つの辺、又は３つの辺に対応するように配置されてもよい。
第１領域ＲＧ１は第２領域ＲＧ２よりさらに広く形成することができるが、これに限定されない。
【００７４】
工程基板ＰＳとキャリヤー基板との接合において、第１領域ＲＧ１に対応する部分は表面改質層を有しているので、上述したように接着力が著しく弱化され、その結果、工程基板ＰＳとキャリヤー基板とは接触されているが、接着力が非常に弱い。
これに比べて、第２領域ＲＧ２に対応する工程基板ＰＳ部分は工程基板ＰＳ上に素子を形成する工程が進行されれば、キャリヤー基板の接触面と接合される部分が発生し、その結果、工程基板ＰＳはキャリヤー基板に堅固に支持される。これによって、工程基板ＰＳはキャリヤー基板に支持されて素子の形成工程が安定的に実施することができる。
第２領域ＲＧ２に対応する工程基板ＰＳは、素子の形成工程が完了した後、カッティングして除去し、工程基板ＰＳをキャリヤー基板から分離することができる。
【００７５】
素子の形成工程によって第２領域ＲＧ２に対応する工程基板ＰＳがキャリヤー基板に対して接着力が非常に大きくないように形成することが可能である場合には、第２領域ＲＧ２に対応する工程基板ＰＳを除去しなく、維持する場合も可能である。
例えば、２００℃未満の温度の熱処理工程を含む表示基板の製造工程である場合、第２領域ＲＧ２に対応する部分を除去せず、維持してもよい。
ここで、工程基板ＰＳが表示基板である場合、表示基板は、複数の画素が提供されて画像を表示する表示領域と、表示領域の少なくとも一側に対応し、画像が表示されない非表示領域とを含み得る。
【００７６】
この場合、表示領域は第１領域ＲＧ１に対応し、非表示領域は第２領域ＲＧ２に対応する。第１領域ＲＧ１においての工程基板ＰＳとキャリヤー基板との間の接着力は第２領域ＲＧ２においての工程基板ＰＳとキャリヤー基板との間の接着力より小さいので、第１領域ＲＧ１で第２領域ＲＧ２より２つの基板の分離が容易であり、これによって各画素不良を減少させることができる。
しかし、第１領域ＲＧ１と第２領域ＲＧ２との表示領域と非表示領域との対応可否は特別に限定されるものではなく、本発明の他の実施形態では２つの基板の分離を容易に行う側面では異なるように対応させてもよい。
【００７７】
図１０Ｂを参照すると、第１領域ＲＧ１は平面上から見た時、工程基板ＰＳの一角に対応する領域に配置される。第１領域ＲＧ１を除外した領域は全て第２領域ＲＧ２である。
本実施形態において、第１領域ＲＧ１が工程基板ＰＳの一角に対応する領域に配置されることによって、工程基板ＰＳの角から工程基板ＰＳの残る領域を順次に分離するのが容易になる。
例えば、工程基板ＰＳとキャリヤー基板との間の界面に楔やナイフの様な物の端を挿入して工程基板ＰＳとキャリヤー基板との間に所定の空間を作った後、工程基板ＰＳとキャリヤー基板ＣＳとの中で少なくともいずれか１つを引っ張るか、或いは押し出して２つの基板を分離する場合、第１領域ＲＧ１が形成された工程基板ＰＳの角部の界面に楔やナイフの様な物の端を挿入することによって２つの基板の間を容易に分離することができる。
この場合、工程基板ＰＳとキャリヤー基板との間を開く程度であれば十分であるので、第１領域ＲＧ１が大きく形成される必要はなく、これによって第１領域ＲＧ１は第２領域ＲＧ２より狭く形成してもよい。
【００７８】
図１０Ｃを参照すると、第１領域ＲＧ１は十字状に配置することができ、第２領域ＲＧ２は第１領域ＲＧ１を除外して残った領域に配置される。
第１領域ＲＧ１の十字状はその中心が工程基板ＰＳの中心と一致するので、十字状の各枝部は工程基板ＰＳの少なくとも一辺と平行になり得る。
本実施形態において、第１領域ＲＧ１は第２領域ＲＧ２より小さい面積を有するように形成される。
これによって、工程基板ＰＳとキャリヤー基板とは第２領域ＲＧ２に対応する領域で相対的に高い接着力を有し、接触している。
しかし、第１領域ＲＧ１によって第２領域ＲＧ２を分割し、配置されているので、工程基板ＰＳとキャリヤー基板との全体的な接着力が弱化される。これによって、工程基板ＰＳとキャリヤー基板との分離が容易である。
【００７９】
本発明の一実施形態による素子基板の製造方法は薄型基板に素子を形成するためであれば、その用途が特別に限定されることはない。例えば、素子基板の製造方法を利用して表示装置を形成することができる。
本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を説明するために、先ず本発明の一実施形態による表示装置の製造方法によって製造された表示装置を先ず説明した後に、製造方法を後述する。
【００８０】
図１１は、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法によって製造された表示装置の概略的な断面図である。
図１１を参照すると、表示装置は、第１基板ＳＵＢ１、第１基板ＳＵＢ１と対向する第２基板ＳＵＢ２、及び第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供される画素ＰＸＬを含む。
第１基板ＳＵＢ１は互いに反対になる２つの面、即ち、第１面と第２面とを有する。第１面は第２基板ＳＵＢ２と対向する。
【００８１】
画素ＰＸＬは、第１基板ＳＵＢ１上に提供される。画素ＰＸＬは少なくとも１つの電極、電極によって駆動される画像表示層を含む。
本発明の一実施形態において、表示装置が液晶表示装置である場合、電極は互いに離隔した少なくとも２つの電極、例えば第１電極と第２電極とを含み、画像表示層は液晶層ＬＣである。ここで、第１電極と第２電極とは電界を形成し、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥとして称されるものであり、本発明の一実施形態では第１電極と第２電極とが各々画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥとして表示した。また、画像表示層としては液晶層ＬＣを図示した。
第２基板ＳＵＢ２は互いに反対になる２つの面、即ち、第３面と第４面とを有する。第３面は第１基板ＳＵＢ１の第１面と対向する。
【００８２】
第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１と互いに同じ物質からなされるが、互に異なる物質で構成してもよい。
例えば、本実施形態では第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が全てガラスからなされるが、これに限定されることなく、本発明の他の実施形態として第１基板ＳＵＢ１はガラスからなされ、第２基板ＳＵＢ２はプラスチックからなされてもよい。
また、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には封止部ＳＬが提供される。
封止部ＳＬは平面上から見た時、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の縁に沿って提供され、液晶層ＬＣを封止する。
【００８３】
本実施形態では第２基板ＳＵＢ２を第１基板ＳＵＢ１と共に図示したが、第２基板ＳＵＢ２は場合によっては省略してもよい。例えば、第１基板ＳＵＢ１上に画素ＰＸＬが形成され、画素ＰＸＬ上に封止層（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）が提供され得る。
ここで、図に示さなかったが、画素ＰＸＬは、配線部と薄膜トランジスタ等をさらに含み得る。配線部はゲートライン及びデータラインを含み、ゲートラインやデータラインには薄膜トランジスタが接続される。薄膜トランジスタは画素ＰＸＬの画素電極ＰＥに接続される。
第１基板ＳＵＢ１の第２面及び第２基板ＳＵＢ２の第４面には各々第１表面改質層ＳＭＬ１及び第２表面改質層ＳＭＬ２が提供される。
【００８４】
表示装置において、ゲートラインにゲート信号が印加されれば、薄膜トランジスタがターンオンする。
したがって、データラインに印加されたデータ信号は、薄膜トランジスタを通じて画素電極ＰＥへ印加される。
薄膜トランジスタがオン状態になって画素電極ＰＥへデータ信号が印加されれば、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成される。
共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとへ印加される電圧の差によって生成された電界によって液晶分子が配向する。これにしたがって、液晶層ＬＣを透過する光量が変化して画像が表示される。
【００８５】
図１２Ａ〜図１２Ｅは、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
以下、図１２Ａ〜図１２Ｅを参照して本発明の一実施形態による表示装置を製造する方法を詳細に説明する。
ここで、説明の重複を避けるために、上述した素子基板の製造方法と異なる点を主に説明し、上述した素子基板の製造方法で記述した内容は省略する。
【００８６】
図１２Ａを参照すると、第１基板ＳＵＢ１上に第１表面改質層ＳＭＬ１を形成する。これとは別に、第２基板ＳＵＢ２上に第２表面改質層ＳＭＬ２を形成する。
第１表面改質層ＳＭＬ１及び第２表面改質層ＳＭＬ２は、各々シラン系化合物層又は金属酸化物層の単一層に形成することができ、又はシラン系化合物層と金属酸化物層との複合層で形成してもよい。
第１表面改質層ＳＭＬ１及び第２表面改質層ＳＭＬ２は、互いに同じ物質により形成されるが、互に異なる物質により形成されてもよい。
例えば、本発明の一実施形態では第１表面改質層ＳＭＬ１及び第２表面改質層ＳＭＬ２が全てシラン系化合物からなされているが、本発明の他の実施形態では第１表面改質層ＳＭＬ１はシラン系化合物からなされ、第２表面改質層ＳＭＬ２は金属酸化物からなされてもよい。
【００８７】
図１２Ｂを参照すると、第１キャリヤー基板ＣＳ１上に第１表面改質層ＳＭＬ１が形成された第１基板ＳＵＢ１を配置する。これとは別に、第２キャリヤー基板ＣＳ２上に第２表面改質層ＳＭＬ２が形成された第２基板ＳＵＢ２を配置する。
ここで、第１基板ＳＵＢ１は第１表面改質層ＳＭＬ１が第１キャリヤー基板ＣＳ１と接触するように配置し、第２基板ＳＵＢ２は第２表面改質層ＳＭＬ２が第２キャリヤー基板ＣＳ２と接触するように配置する。
【００８８】
図１２Ｃを参照すると、第１キャリヤー基板ＣＳ１上に配置された第１基板ＳＵＢ１上に画素電極ＰＥを形成する。
また、第２キャリヤー基板ＣＳ２上に配置された第２基板ＳＵＢ２上に共通電極ＣＥ等を形成する。
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとは各々第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２上に透明導電物質を蒸着し、フォトリソグラフィーを利用してパターニングすることによって形成することができる。
画素電極ＰＥと第１基板ＳＵＢ１との間のゲートライン、データライン、及び薄膜トランジスタ等は複数回のフォトリソグラフィーを利用してパターニングすることによって形成することができる。しかし、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ等の形成方法は特別に限定されるものではなく、公知された多様な方式で形成してもよい。
【００８９】
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥを始めとして、ゲートライン、データライン、及び薄膜トランジスタ等を形成する工程は、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が第１キャリヤー基板ＣＳ１及び第２キャリヤー基板ＣＳ２上に支持されたまま実施される。
これによって第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の厚さが薄いとか、或いは可撓性を有する場合でも第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は安定的に第１キャリヤー基板ＣＳ１及び第２キャリヤー基板ＣＳ２によって振動無しで平らに維持することができる。
【００９０】
図１２Ｄを参照すると、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣを介在させて表示装置を完成される。
液晶層ＬＣはＯＤＦ（ｏｎｅ  ｄｒｏｐ  ｆｉｌｌｉｎｇ）工法によって形成することができる。
ここで、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との周りには封止材が提供されて、液晶層ＬＣが外部へ漏れないように封止する。
封止材は、液晶を２つの基板との間に注入する前に第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の中のいずれか一側に提供され、液晶が第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に注入された後、硬化させることによって、液晶層ＬＣを封止することができる。
【００９１】
図１２Ｅを参照すると、表示装置から第１キャリヤー基板ＣＳ１及び第２キャリヤー基板ＣＳ２を除去する。
詳細には、第１基板ＳＵＢ１から第１キャリヤー基板ＣＳ１を分離し、第２基板ＳＵＢ２から第２キャリヤー基板ＣＳ２を分離する。
第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を第１キャリヤー基板ＣＳ１及び第２キャリヤー基板ＣＳ２から分離する方法は各々上述した方法を利用することができる。
【００９２】
本発明の一実施形態において、第１基板ＳＵＢ１と第１キャリヤー基板ＣＳ１との分離工程及び第２基板ＳＵＢ２と第２キャリヤー基板ＣＳ２との分離工程は、第１表面改質層ＳＭＬ１と第２表面改質層ＳＭＬ２によって容易に実施することができる。
第１表面改質層ＳＭＬ１と第２表面改質層ＳＭＬ２は、表示装置の表面を疎水性を有するように形成し、これによって、第１キャリヤー基板ＣＳ１及び第２キャリヤー基板ＣＳ２との接着力を弱化させるためである。
【００９３】
本発明の一実施形態に素子基板の製造方法において、表面改質層が所定構造の表示装置に適用する場合には表面改質層としてのみでなく、他の用途としても使用することが可能である。
図１３は、本発明の他の実施形態による表示装置を示す概略的な断面図であって、第２表面改質層ＳＭＬ２が表面改質層として使用されるのと同時に静電気防止膜として使用される場合の表示装置を示した。
図１４Ａ〜図１４Ｅは、図１３の表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
【００９４】
図１３を参照すると、表示装置は、第１基板ＳＵＢ１、第１基板ＳＵＢ１上に提供された共通電極ＣＥ、共通電極ＣＥと絶縁された画素電極ＰＥ、第２基板ＳＵＢ、及び第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供された液晶層ＬＣを含む。
共通電極ＣＥと画素電極ＰＥは共に第１基板ＳＵＢ１上に形成される。共通電極ＣＥと画素電極ＰＥは絶縁膜ＩＬを介して配置されるので、第１基板ＳＵＢ１上に共通電極ＣＥが形成され、共通電極ＣＥ上に絶縁膜ＩＬが形成され、絶縁膜ＩＬ上に画素電極ＰＥが形成される。
しかし、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの位置はこれに限定されることなく、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥの位置は変更可能であり、例えば、第１基板ＳＵＢ１上に画素電極ＰＥが形成され、画素電極ＰＥ上に絶縁膜ＩＬが形成され、絶縁膜ＩＬ上に共通電極ＣＥが形成されてもよい。又は画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとは同一層の上に提供されてもよい。
【００９５】
また、図１３では画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとは平面上から見た時、重なるように示したが、これに限定されることなく、第１基板ＳＵＢ１の上部面と平行な方向に画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとは交互に配置されてもよい。
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には封止部が提供され、封止部は平面上から見た時、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の周縁に沿って提供され、液晶層ＬＣを封止する。
図に示していないが、第１基板ＳＵＢ１と画素電極ＰＥとの間には配線部と薄膜トランジスタ等が提供される。
配線部はゲートライン及びデータラインを含み、薄膜トランジスタはゲートラインやデータラインに接続される。画素電極ＰＥは薄膜トランジスタに接続される。
【００９６】
第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の外部面には各々第１表面改質層ＳＭＬ１及び第２表面改質層ＳＭＬ２が提供される。
第２表面改質層ＳＭＬ２は金属酸化物層を含むように形成することもできる。
金属酸化物層は、金属のドーピング量にしたがって導電性を有することができるので、第２基板ＳＵＢ２の外部面に提供されて静電気を外部へ排出するように接地される。
本実施形態の表示装置において、第２基板ＳＵＢ２には導電性物質からなる電極を形成しなかったので、静電気が蓄積された場合、静電気の放電が発生することがあるが、本実施形態のように第２表面改質層ＳＭＬ２が導電性を有する物質から形成した場合、静電気の放電を防止することができる。
【００９７】
図１４Ａ〜図１４Ｅは、図１３に示した表示装置の製造方法を順次に説明するための断面図である。
以下、説明の重複を避けるために、図１２Ａ〜図１２Ｅの表示装置を製造する方法と異なる点を説明する。
【００９８】
図１４Ａを参照すると、第１基板ＳＵＢ１上に第１表面改質層ＳＭＬ１が形成される。これと別に、第２基板ＳＵＢ２上に第２表面改質層ＳＭＬ２が形成される。
第１表面改質層ＳＭＬ１は、シラン系化合物層又は金属酸化物層の単一層で形成してもよく、シラン化系合物層と金属酸化物層との複合層で形成してもよい。
第２表面改質層ＳＭＬ２は、金属酸化物層の単一層又はシラン化系合物層と金属酸化物層の複合層で形成する。
金属酸化物層は、導電性を有するように充分な量の金属がドーピングされる。
【００９９】
図１４Ｂを参照すると、第１キャリヤー基板ＣＳ１上に第１表面改質層ＳＭＬ１が形成された第１基板ＳＵＢ１を配置する。これと別に、第２キャリヤー基板ＣＳ２上に第２表面改質層ＳＭＬ２が形成された第２基板ＳＵＢ２を配置する。
【０１００】
図１４Ｃを参照すると、第１キャリヤー基板ＣＳ１上に配置された第１基板ＳＵＢ１上に共通電極ＣＥ、絶縁膜ＩＬ、及び画素電極ＰＥを形成する。
共通電極ＣＥ、絶縁膜ＩＬ、及び画素電極ＰＥは各々フォトリソグラフィーを利用して形成することができる。
画素電極ＰＥと第１基板ＳＵＢ１との間のゲートライン、データライン、及び薄膜トランジスタ等は複数回のフォトリソグラフィーを利用してパターニングすることによって形成することができる。しかし、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ等の形成方法は特別に限定されることなく、公知された多様な方式で形成してもよい。
【０１０１】
図１４Ｄを参照すると、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣを介在させて表示装置を完成させる。
【０１０２】
図１４Ｅを参照すると、表示装置から第１キャリヤー基板ＣＳ１及び第２キャリヤー基板ＣＳ２を除去する。
詳細には、第１基板ＳＵＢ１から第１キャリヤー基板ＣＳ１を分離し、第２基板ＳＵＢ２から第２キャリヤー基板ＣＳ２を分離する。
第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を第１キャリヤー基板ＣＳ１及び第２キャリヤー基板ＣＳ２から分離する方法は、各々上述した方法を利用することができる。
【０１０３】
本発明の一実施形態において、第１基板ＳＵＢ１と第１キャリヤー基板ＣＳ１との分離工程及び第２基板ＳＵＢ２と第２キャリヤー基板ＣＳ２との分離工程は、第１表面改質層ＳＭＬ１と第２表面改質層ＳＭＬ２によって容易に実施することができる。
これに加えて、第２表面改質層ＳＭＬ２を導電性物質が含まれるように形成して接地することによって静電気放電による表示装置の損傷を防止する。
【０１０４】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１０５】
ＣＥ    共通電極
ＣＳ    キャリヤー基板
ＣＳ１、ＣＳ２    （第１、第２）キャリヤー基板
ＤＶ    素子
ＩＬ    絶縁膜
ＬＣ    液晶層
ＰＥ    画素電極
ＰＳ    工程基板
ＰＸＬ    画素
ＳＬ    封止部
ＳＭＬ、ＳＭＬ’    表面改質層
ＳＭＬ１、ＳＭＬ２    （第１、第２）表面改質層
ＳＵＢ１    第１基板
ＳＵＢ２    第２基板
【図１】
2015096951.tif 000006
【図２Ａ】
2015096951.tif 000007
【図２Ｂ】
2015096951.tif 000008
【図２Ｃ】
2015096951.tif 000009
【図２Ｄ】
2015096951.tif 000010
【図３】
2015096951.tif 000011
【図４】
2015096951.tif 000012
【図５】
2015096951.tif 000013
【図６】
2015096951.tif 000014
【図７】
2015096951.tif 000015
【図８】
2015096951.tif 000016
【図９】
2015096951.tif 000017
【図１０Ａ】
2015096951.tif 000018
【図１０Ｂ】
2015096951.tif 000019
【図１０Ｃ】
2015096951.tif 000020
【図１１】
2015096951.tif 000021
【図１２Ａ】
2015096951.tif 000022
【図１２Ｂ】
2015096951.tif 000023
【図１２Ｃ】
2015096951.tif 000024
【図１２Ｄ】
2015096951.tif 000025
【図１２Ｅ】
2015096951.tif 000026
【図１３】
2015096951.tif 000027
【図１４Ａ】
2015096951.tif 000028
【図１４Ｂ】
2015096951.tif 000029
【図１４Ｃ】
2015096951.tif 000030
【図１４Ｄ】
2015096951.tif 000031
【図１４Ｅ】
2015096951.tif 000032