(57)【要約】【課題】耐光性を向上できる液晶装置、及びそのような液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置の一つの態様は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層と、第１基板の液晶層側に設けられた配向層と、を備える液晶装置であって、配向層は、第１基板の液晶層側の面に形成されたポリシロキサン系垂直配向膜と、ポリシロキサン系垂直配向膜の液晶層側の面に形成された斜方蒸着膜と、少なくとも斜方蒸着膜の液晶層側の面に形成されたシランカップリング膜と、を備えることを特徴とする。【選択図】図２
2015099299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた配向層と、を備える液晶装置であって、
前記配向層は、
前記第１基板の前記液晶層側の面に形成されたポリシロキサン系垂直配向膜と、
前記ポリシロキサン系垂直配向膜の前記液晶層側の面に形成された斜方蒸着膜と、
少なくとも前記斜方蒸着膜の前記液晶層側の面に形成されたシランカップリング膜と、
を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記シランカップリング膜の形成材料は、炭素数が６以上の有機基を含む、請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた配向層と、を備える液晶装置の製造方法であって、
前記配向層を形成する工程は、
前記第１基板の前記液晶層側の面にポリシロキサン系垂直配向膜を形成する工程と、
前記ポリシロキサン系垂直配向膜の前記液晶層側の面に、斜方蒸着膜を形成する工程と、
前記ポリシロキサン系垂直配向膜と前記斜方蒸着膜との表面にシランカップリング膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無機材料を用いる配向層が提案されている（例えば、特許文献１）。このような配向層として、側鎖にアルキル基を有する無機配向膜上に、斜方蒸着膜が形成された配向層が提案されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００７／１０２５１３号
【特許文献２】特開２００４−１２６４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のような配向層では、光の照射に対して、斜方蒸着膜の表面に存在する光活性基が液晶と反応し、液晶装置の表示性能が低下してしまう場合があった。
また、無機配向膜上に斜方蒸着膜を形成する際に、無機配向膜表面の側鎖のアルキル基が切断される場合があり、アルキル基が切断された箇所は光活性基となるため、上記と同様にして液晶装置の表示性能が低下してしまう場合があった。
【０００５】
本発明の一つの態様は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、耐光性を向上できる液晶装置、及びそのような液晶装置の製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置の一つの態様は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた配向層と、を備える液晶装置であって、前記配向層は、前記第１基板の前記液晶層側の面に形成されたポリシロキサン系垂直配向膜と、前記ポリシロキサン系垂直配向膜の前記液晶層側の面に形成された斜方蒸着膜と、少なくとも前記斜方蒸着膜の前記液晶層側の面に形成されたシランカップリング膜と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶装置の一つの態様によれば、斜方蒸着膜をシランカップリング膜で保護できるため、光の照射に対して斜方蒸着膜の表面が液晶と反応することを抑制できる。したがって、本発明の液晶装置の一つの態様によれば、耐光性を向上できる液晶装置が得られる。
【０００８】
前記シランカップリング膜の形成材料は、炭素数が６以上の有機基を含む構成としてもよい。
この構成によれば、より液晶の配向性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の液晶装置の製造方法の一つの態様は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた配向層と、を備える液晶装置の製造方法であって、前記配向層を形成する工程は、前記第１基板の前記液晶層側の面にポリシロキサン系垂直配向膜を形成する工程と、前記ポリシロキサン系垂直配向膜の前記液晶層側の面に、斜方蒸着膜を形成する工程と、前記ポリシロキサン系垂直配向膜と前記斜方蒸着膜との表面にシランカップリング膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の液晶装置の製造方法の一つの態様によれば、上述したのと同様に、耐光性を向上できる液晶装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態の液晶装置を示す断面模式図である。
【図２】本実施形態の配向層を示す断面模式図である。
【図３】本実施形態の配向層の形成工程を示すフローチャートである。
【図４】本実施形態の配向層の形成工程の手順を示す断面模式図である。
【図５】無機配向膜の表面の変化を示す模式図である。
【図６】液晶装置のＶ−Ｔ特性の変化の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る液晶装置及び液晶装置の製造方法について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００１３】
（液晶装置）
図１は、本実施形態の液晶装置１０を示す断面模式図である。図２は、本実施形態の配向層４０を示す断面模式図である。
本実施形態の液晶装置１０は、図１に示すように、素子基板１１と、対向基板１２と、液晶層５０とを備える。液晶装置１０は、本実施形態においては、例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶装置である。
【００１４】
素子基板１１は、電極基板（第１基板）１３と、配向層４０とを備える。
電極基板１３は、支持基板２０と、複数の画素電極３０とを備える。
支持基板２０は、例えば、ガラス板である。支持基板２０には、図示しない複数のスイッチング素子が設けられている。複数のスイッチング素子は、例えば、薄膜のトランジスターにより構成され、個々の画素電極３０に対応して設けられている。
【００１５】
画素電極３０は、支持基板２０の液晶層５０側の面に、画素ごとに設けられている。画素電極３０は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の光透過率の高い導電材料を用いて形成された透明電極である。画素電極３０の液晶層５０側の面には、配向層４０が設けられている。
【００１６】
対向基板１２は、電極基板（第２基板）１４と、配向層４１とを備える。
電極基板１４は、素子基板１１の電極基板１３と互いに対向して設けられている。電極基板１４は、支持基板２１と、レンズ層７０と、遮光層６０と、共通電極３１とを備える。
支持基板２１は、例えば、ガラス基板である。支持基板２１の液晶層５０側には、レンズ層７０が設けられている。
【００１７】
レンズ層７０は、複数のマイクロレンズ（図示せず）で構成される層である。各マイクロレンズは、液晶装置１０の各画素に対応するように配置されている。
各マイクロレンズは、支持基板２１側が凸状となっている凸レンズである。マイクロレンズは、支持基板２１よりも屈折率が大きく、かつ、支持基板２１よりも高い光透過率を有する材料によって形成されている。マイクロレンズの形成材料としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を選択できる。レンズ層７０の液晶層５０側には、遮光層６０が設けられている。
【００１８】
遮光層６０は、例えば、遮光性を有する金属等から形成されている。遮光層６０は、例えば、格子状等にパターニングされ、各画素領域に対応して開口する領域が設けられている。上述したマイクロレンズは、遮光層６０の開口領域に対応して設けられている。遮光層６０の液晶層５０側には、共通電極３１が形成されている。
【００１９】
共通電極３１は、画素電極３０と同様にして、例えば、ＩＴＯ等で形成された透明電極である。共通電極３１の液晶層５０側の面には、配向層４１が設けられている。すなわち、素子基板１１と対向基板１２とは、それぞれの液晶層５０側に設けられた配向層４０と配向層４１とが、液晶層５０を挟んで対向するようにして設けられている。
【００２０】
液晶層５０は、図１に示すように、液晶５１によって構成されている。液晶５１は、本実施形態においては、負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶である。液晶５１は、例えば、１種または数種類のネガ型ネマティック液晶を混合した液晶である。液晶５１は、液晶層５０に電圧が印加されていない場合においては、配向層４０及び配向層４１によって、所定の方向に配向された状態となっている。すなわち、液晶５１は、図１に示すように、プレチルト角φが所定の値となるように配向される。プレチルト角φは、素子基板１１の面の法線方向に対する、液晶５１の長軸方向の傾き角度である。
【００２１】
配向層４０及び配向層４１は、液晶層５０内に含まれる液晶５１を配向させる性質を有する層である。本実施形態においては、配向層４０と配向層４１との構成は、同様の構成であるため、以下の説明においては、代表して配向層４０についてのみ説明する場合がある。
【００２２】
配向層４０は、図２に示すように、無機配向膜（ポリシロキサン系垂直配向膜）４２と、無機配向膜４２の液晶層５０側（図示上側）の表面４２ａに形成された複数のカラム構造物４３ａからなる斜方蒸着膜４３と、無機配向膜４２と斜方蒸着膜４３との表面に形成されたシランカップリング膜４４とを備える。
【００２３】
無機配向膜４２は、本実施形態においては、側鎖に有機基を含有するポリシロキサン系垂直配向膜である。無機配向膜４２の形成材料は、本実施形態においては、例えば、アルコキシシランを重縮合して得られる珪素化合物等である。
【００２４】
斜方蒸着膜４３は、斜方蒸着法によって形成された膜である。複数のカラム構造物４３ａは、蒸着源から飛来する粒子が無機配向膜４２の表面４２ａに蒸着されることで形成される。
複数のカラム構造物４３ａは、無機配向膜４２の表面４２ａから液晶層５０側（図示上側）に向かって、表面４２ａの法線に対して角度θで傾いた姿勢で突出している。角度θは、所望する液晶５１の配向角度、すなわち、液晶５１のプレチルト角φ（図１参照）に応じて決定できる。カラム構造物４３ａは、例えば、ＳｉＯ２等の無機材料によって構成されている。
【００２５】
シランカップリング膜４４は、シランカップリング剤を用いて形成された単分子膜である。シランカップリング膜４４は、無機配向膜４２及び斜方蒸着膜４３の表面に付着したシランカップリング剤が、加水分解反応及び重縮合反応により、例えば、無機配向膜４２及び斜方蒸着膜４３の表面に存在する水酸基とシロキサン結合して形成される。シランカップリング膜４４は、斜方蒸着膜４３、すなわち、カラム構造物４３ａの表面と、無機配向膜４２の表面４２ａにおけるカラム構造物４３ａが形成されていない箇所、すなわち、カラム構造物４３ａによって形成された凹凸形状における凹部の底面とを覆っている。
【００２６】
シランカップリング膜４４を形成するシランカップリング剤としては、無機配向膜４２及び斜方蒸着膜４３を保護できる範囲内において、特に限定されない。シランカップリング膜４４を形成するシランカップリング剤としては、例えば、炭素数が６以上のアルキル基を有する材料を用いることができる。これにより、無機配向膜４２を効果的に回復させることができる。シランカップリング膜４４を形成するシランカップリング剤としては、例えば、オクタノイルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリクロロシラン、トリクロロテトラデシルシラン、オクチルトリエトキシシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン等を用いることができる。
【００２７】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態の液晶装置１０の製造方法について説明する。本実施形態の液晶装置１０の製造方法は、配向層４０を形成する工程以外の工程については、公知の液晶装置の製造方法における製造工程と同様の製造工程を採用できるため、以下の説明においては、配向層４０の形成工程についてのみ説明する。
【００２８】
図３は、本実施形態の液晶装置１０の製造方法における、配向層４０の形成工程について示すフローチャートである。図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本実施形態の配向層４０の形成工程の手順について示す断面模式図である。
【００２９】
本実施形態の配向層４０の形成工程は、図３に示すように、無機配向膜形成工程Ｓ１と、斜方蒸着膜形成工程Ｓ２と、シランカップリング膜形成工程Ｓ３とを有する。
無機配向膜形成工程Ｓ１は、無機配向膜４２を形成する工程である。無機配向膜形成工程Ｓ１は、塗布工程Ｓ１ａと、硬化工程Ｓ１ｂとを有する。
【００３０】
塗布工程Ｓ１ａは、図４（Ａ）に示すように、電極基板１３の上面１３ａ側（液晶層５０の側）に、未硬化の無機配向膜形成材料８０を塗布する工程である。
無機配向膜形成材料８０の塗布方法は、特に限定されず、例えば、スピンコート法、インクジェット法、ディップコート法、スプレー法等の液相成膜法を選択できる。
無機配向膜形成材料８０は、本実施形態においては、ポリシロキサン系垂直配向材料である。無機配向膜形成材料８０は、例えば、アルコキシシランを重縮合して得られる珪素化合物等である。
この工程により、未硬化の無機配向膜形成材料８０からなる膜が形成される。
【００３１】
硬化工程Ｓ１ｂは、図４（Ｂ）に示すように、未硬化の無機配向膜形成材料８０を硬化させる工程である。
未硬化の無機配向膜形成材料８０を硬化させる方法としては、例えば、未硬化の無機配向膜形成材料８０が熱硬化性の材料である場合には、無機配向膜形成材料８０を焼成することによって硬化させる方法を選択できる。
この工程により、未硬化の無機配向膜形成材料８０からなる膜が硬化される。
【００３２】
以上の塗布工程Ｓ１ａと硬化工程Ｓ１ｂとにより、無機配向膜形成工程Ｓ１は終了し、無機配向膜４２が形成される。
【００３３】
斜方蒸着膜形成工程は、図４（Ｃ）に示すように、無機配向膜４２の液晶層５０側の表面４２ａに、斜方蒸着膜４３を形成する工程である。
斜方蒸着法を用いて、無機配向膜４２の表面４２ａに、複数のカラム構造物４３ａを形成する。斜方蒸着法においては、無機配向膜４２の表面４２ａに対して斜めに蒸着源を配置し、蒸着源の粒子を無機配向膜４２の表面４２ａに蒸着させる。このときの蒸着源の配置角度に応じて、カラム構造物４３ａの無機配向膜４２に対する角度θ（図２参照）が決定される。カラム構造物４３ａは、角度θが、例えば、１０°以上、４０°以下となるように、形成される。蒸着源としては、例えば、ＳｉＯ２の粉末や、その成形体等が用いられる。
この工程により、カラム構造物４３ａが無機配向膜４２の表面４２ａに形成され、斜方蒸着膜４３が形成される。
【００３４】
次に、シランカップリング膜形成工程Ｓ３は、図４（Ｄ）に示すように、シランカップリング膜４４を形成する工程である。
本実施形態においては、シランカップリング膜４４の形成方法として、気相成膜法を用いる。斜方蒸着膜４３の上から、シランカップリング剤を付着させ、斜方蒸着膜４３及び無機配向膜４２の表面を覆う。
この工程により、シランカップリング膜４４が形成される。
【００３５】
以上の、無機配向膜形成工程Ｓ１からシランカップリング膜形成工程Ｓ３までの工程により、配向層４０の形成工程は終了し、配向層４０が形成される。
【００３６】
本実施形態によれば、斜方蒸着膜４３の表面に、シランカップリング膜４４が形成されているため、斜方蒸着膜４３におけるカラム構造物４３ａの表面に液晶５１が接触することが抑制される。これにより、本実施形態によれば、光の照射によって、液晶５１と斜方蒸着膜４３におけるカラム構造物４３ａの表面とが反応することを抑制でき、結果として、液晶表示装置の表示性能の劣化を低減できる。
【００３７】
また、本実施形態によれば、無機配向膜４２の表面４２ａにおけるカラム構造物４３ａが形成されていない箇所にも、シランカップリング膜４４が形成されている。そのため、斜方蒸着膜４３を形成する際に、無機配向膜４２表面４２ａの有機基が損傷したような場合であっても、液晶装置の表示性能の劣化を低減できる。以下、詳細に説明する。
【００３８】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、無機配向膜４２の表面４２ａの変化について模式的に示した模式図である。
図５（Ａ）は、電極基板１３上に無機配向膜４２が形成された直後を示す図である。図５（Ａ）に示すように、無機配向膜４２の表面４２ａには、側鎖の有機基４５が垂直に配列されている。側鎖の有機基４５は、図においては、アルキル基Ｒである。無機配向膜４２は、この側鎖の有機基４５によって、液晶５１を垂直配向させる機能を有する。
【００３９】
図５（Ｂ）は、無機配向膜４２上に斜方蒸着膜４３が形成された後を示す図である。図５（Ｂ）に示すように、カラム構造物４３ａを構成する蒸着源の粒子が斜方蒸着された際に、側鎖の有機基４５の一部が切断され、光活性基４６（図においては、水酸基ＯＨ）が無機配向膜４２の表面４２ａに表れている状態となる。この状態においては、液晶５１と光活性基４６とが光の照射によって反応し、液晶装置の表示性能が劣化してしまう場合がある。
【００４０】
図５（Ｃ）は、無機配向膜４２上にシランカップリング膜４４が形成された後を示す図である。シランカップリング膜４４が形成されることによって、光活性基４６に、シランカップリング剤４４ａがキャッピングされる。例えば、図では、水酸基ＯＨの水素原子Ｈが取れて、シランカップリング剤４４ａが結びついている。これにより、光の照射によって液晶５１と無機配向膜４２の表面とが、反応することを抑制でき、結果として、液晶表示装置の表示性能の劣化を低減できる。
【００４１】
以上により、本実施形態によれば、シランカップリング膜４４によって、無機配向膜４２と斜方蒸着膜４３とが保護されるため、耐光性を向上できる液晶装置が得られる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、無機配向膜４２と斜方蒸着膜４３とが、それぞれ配向性を有しているため、配向性に優れた配向層が得られる。
また、斜方蒸着膜４３が形成されていることにより、液晶５１にプレチルト角φを付与することができる。
【００４３】
また、斜方蒸着膜４３の形成によって側鎖の有機基４５が切断されると、無機配向膜４２の配向性能が低下してしまう。
これに対して、本実施形態によれば、図５（Ｃ）に示すように、シランカップリング剤４４ａが、無機配向膜４２の表面４２ａに生じた光活性基４６と結びつくことによって、無機配向膜４２の表面４２ａに側鎖の有機基が再生される。すなわち、本実施形態によれば、側鎖の有機基４５が切断されることによって低下した無機配向膜４２の配向性能を回復させることができる。
【００４４】
また、本実施形態においては、シランカップリング剤４４ａとして、無機配向膜４２が有する側鎖の有機基４５と同程度の長さの有機基を有するものを用いることで、より効果的に無機配向膜４２の配向性を回復させることができる。具体的には、例えば、シランカップリング剤４４ａとして、炭素数が６以上の有機基を有する材料を選択することにより、無機配向膜４２の配向性をより効果的に回復させることができる。
【００４５】
また、無機配向膜４２は、側鎖の有機基４５を有しているため、濡れ性が低く、液体をはじきやすい。そのため、無機配向膜４２の表面４２ａに膜を形成することが困難となる場合がある。
これに対して、本実施形態によれば、シランカップリング膜４４の形成方法として、気相成膜法を用いているため、シランカップリング剤４４ａが、無機配向膜４２の表面４２ａではじかれにくく、シランカップリング膜４４を形成することが容易である。
【００４６】
また、本実施形態によれば、電極基板１３の上面１３ａに、無機配向膜４２が形成されることによって、斜方蒸着膜４３が形成される面を平坦化することができる。これにより、本実施形態によれば、斜方蒸着膜４３の膜質の均一性を向上することができ、液晶５１に与えるプレチルト角φのばらつきを低減することができる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、無機配向膜４２が形成されていることによって、画素電極３０に含まれる不純物が液晶層５０に拡散することを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、電極の不純物による液晶層の劣化を抑制できる液晶装置が得られる。
【００４８】
なお、本実施形態においては、以下の構成及び方法を採用することもできる。
【００４９】
上記説明した実施形態においては、配向層４０と配向層４１との両方が、同様に本実施形態の配向層の構造を有している構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、対向基板１２の配向層４１が、上記説明した本実施形態の配向層の構造と異なる構造であってもよい。また、本実施形態においては、対向基板１２の配向層４１のみが、本実施形態の配向層の構造を有し、素子基板１１の配向層４０が、本実施形態の配向層の構造とは異なる構造を有していてもよい。
【００５０】
また、本実施形態においては、無機配向膜４２の表面４２ａ上に、シランカップリング膜４４が形成されていない構成としてもよい。
【００５１】
また、本実施形態においては、無機配向膜形成材料８０が光硬化性を有している場合には、硬化工程Ｓ１ｂにおいて、未硬化の無機配向膜形成材料８０に紫外線等の光を照射することによって、未硬化の無機配向膜形成材料８０を硬化させてもよい。
【００５２】
また、本実施形態においては、シランカップリング膜４４の形成方法として、例えば、スピンコート法、インクジェット法、ディップコート法、スプレー法等の液相成膜法を用いてもよい。
【実施例】
【００５３】
本実施形態の液晶装置の実施例と、比較例１、比較例２及び比較例３との比較を行った。
以下に説明する実施例及び比較例においては、無機配向膜をポリシロキサン系垂直配向膜とした。ポリシロキサン系垂直配向膜は、スピンコート法によって形成し、厚みを１００ｎｍとした。ポリシロキサン系垂直配向膜の形成材料は、日産化学工業（株）製「ＯＡ０４０」とした。斜方蒸着膜は、蒸着角度５５°、斜方蒸着時の圧力３．０×１０−２Ｐａで形成し、厚みを７０ｎｍ、カラム構造物の角度θを２５°とした。蒸着角度とは、電極基板の主面の法線に対する蒸着源の配置角度である。斜方蒸着膜の形成材料（蒸着源）は、ＵＳＴＲＯＮ（株）製ＳｉＯ２タブレットとした。シランカップリング膜を形成するシランカップリング剤としては、デシルトリメトキシシランを用いた。液晶は、ＶＡ配向用のネガ液晶とした。
【００５４】
実施例の液晶装置における配向層は、ポリシロキサン系垂直配向膜と、斜方蒸着膜と、シランカップリング膜とを備える。
比較例１は、電極基板上に直接、斜方蒸着膜を形成し、その上からシランカップリング膜を形成することによって配向層を形成した場合である。
比較例２は、配向層をポリシロキサン系垂直配向膜のみとした場合である。
比較例３は、配向層を斜方蒸着膜のみとした場合である。
【００５５】
まず、実施例と、比較例１〜３とのそれぞれについて、電極間に電圧を印加した際の液晶の駆動される方向を観察した。
次に、実施例と、比較例１〜３とのそれぞれに、水銀キセノンランプ（ＨＯＹＡ（株）製）によって波長が２５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下で、光強度２０ｍＷ／ｃｍ２の光を照射した。このときの液晶装置の基板の温度は、３５℃であった。それぞれの場合におけるＶ−Ｔ（Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）特性の変化について計測した。Ｖ−Ｔ特性の変化については、図６に示すような印加電圧が変化した場合における液晶層の光の透過率の変化の曲線が、光の照射前と、光の照射後とで、どの程度変化したかどうかで評価した。なお、図６は、Ｖ−Ｔ特性の変化の一例について例示したグラフである。
上記それぞれの結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2015099299.tif 000003
【００５７】
表１から、配向性については、比較例２以外の実施例、比較例については、良好な特性を示していることが確認できる。これは、実施例、比較例１及び比較例３においては、斜方蒸着膜が形成されているため、液晶にプレチルト角が付与され、液晶層を挟む電極間に電圧が印加された際に、各液晶の駆動される方向が揃えられたためである。
【００５８】
一方、比較例２では、斜方蒸着膜が形成されていないため、液晶にプレチルト角が付与されず、液晶層を挟む電極間に電圧が印加された際に、各液晶の駆動される方向にばらつきが生じた。
【００５９】
Ｖ−Ｔ特性の変化については、実施例と比較例２とが、比較例１及び比較例３に対して、Ｖ−Ｔ特性の変化が小さいことが確かめられた。Ｖ−Ｔ特性が変化とは、すなわち、液晶装置の劣化を示しており、Ｖ−Ｔ特性の変化が小さい程、液晶装置の耐光性が高いことを示している。
【００６０】
比較例１では、ポリシロキサン系垂直配向膜が設けられていないため、電極からの不純物が液晶層に拡散しやすい。これにより、比較例１では、電極から拡散した不純物によって液晶装置が劣化し、Ｖ−Ｔ特性が変化したものと考えられる。
【００６１】
比較例３では、配向層が斜方蒸着膜のみで構成されているため、斜方蒸着膜の表面が保護されていない。これにより、比較例３では、液晶と斜方蒸着膜の表面の光活性基とが反応することによって液晶装置が劣化し、Ｖ−Ｔ特性が大きく変化したものと考えられる。
【００６２】
一方、本実施例においては、ポリシロキサン系垂直配向膜上に、斜方蒸着膜が形成されているため、斜方蒸着膜の膜質の均一性が向上されている。これにより、シランカップリング膜によって十分に斜方蒸着膜の表面が保護され、液晶装置の劣化が抑制されたと考えられる。
【００６３】
なお、比較例２では、斜方蒸着膜が設けられていないため、光活性基と液晶との反応が生じず、液晶装置の劣化が抑制されたものと考えられる。
【００６４】
以上のことから、本実施例によれば、良好な配向性を得つつ、耐光性に優れた液晶装置が得られることが確かめられた。
【符号の説明】
【００６５】
１０…液晶装置、１３…電極基板（第１基板）、１４…電極基板（第２基板）、４０，４１…配向層、４２…無機配向膜（ポリシロキサン系垂直配向膜）、４２ａ…表面（ポリシロキサン系垂直配向膜の表面）、４３…斜方蒸着膜、４４…シランカップリング膜、４５…有機基、５０…液晶層、５１…液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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