(57)【要約】【課題】  低温低湿環境下で繰り返し画像形成した場合の帯電スジが抑制された電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】  電子写真感光体の下引き層が、結着樹脂、及び、アルミニウムがドープされている酸化スズで被覆された芯材粒子で構成されている導電性粒子を含有することを特徴とする。【選択図】  図１
2015143832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された下引き層、及び該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、
結着樹脂、及び
アルミニウムがドープされている酸化スズで被覆された芯材粒子で構成されている導電性粒子
を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記芯材粒子が、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子または硫酸バリウム粒子である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記導電性粒子に対する酸化スズの質量比率が１０質量％以上６０質量％以下である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
アルミニウムがドープされている酸化スズで被覆された導電性粒子と硬化性樹脂の質量比が、１／１以上４／１以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記下引き層が、さらに、アルミニウムがドープされている酸化スズ粒子を含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記アルミニウムがドープされている酸化スズ粒子と前記導電性粒子との体積比が、１／１０００以上２５０／１０００以下である請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記結着樹脂がポリウレタン樹脂、又はフェノール樹脂である請求項１から６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記下引き層と前記感光層の間に、反応性官能基を有する電子輸送物質を含む組成物の重合物を含有する中間層を有する請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記重合物が、前記電子輸送物質、架橋剤、および反応性官能基を有する樹脂を含む組成物の重合物である請求項８に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記下引き層の全体積量に対する前記導電性粒子の体積量が、前記中間層の組成物の全体積量に対する前記電子輸送物質の体積量に対して、０．２倍以上２倍以下である請求項８または９に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、ならびに電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置に用いられる電子写真感光体としては、支持体上に下引き層および感光層をこの順に形成してなる電子写真感光体が用いられている。
【０００３】
導電性の向上を目的として、下引き層に金属酸化物粒子を含有させる技術がある。特許文献１には、下引き層にリンまたはタングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を用いる技術が記載されている。特許文献２には、下引き層にアルミニウムがドープされている酸化亜鉛粒子を用いる技術が記載されている。特許文献３および４には、下引き層に酸素欠損型の酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を用いる技術が記載されている。特許文献４には、下引き層に酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子を用いる技術が開示されている。これら従来の金属酸化物粒子を含有する下引き層を用いた電子写真感光体は、現在、求められている画像品質を満たしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８３７１号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８３７０号公報
【特許文献３】特開平０６−２０８２３８号公報
【特許文献４】特開平０７−２９５２７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子写真装置の高速化（プロセススピードの高速化）に伴い、電子写真感光体を繰り返し使用した場合における性能のさらなる向上が求められている。
【０００６】
本発明者らの検討の結果、上記文献に記載された金属酸化物粒子を含有する下引き層を有する電子写真感光体では、電子写真装置のプロセススピードが速くなるに従って、以下のような課題が発生することがわかった。すなわち、低温低湿環境下で繰り返し画像形成を行うと、出力画像に帯電スジが発生しやすい場合があり、改善の余地があることがわかった。帯電スジとは、電子写真感光体の表面を帯電した際の電子写真感光体の表面電位の均一性の低下（帯電ムラ）に起因する、電子写真感光体の帯電長手方向に直行するスジ状の画像不良のことであり、ハーフトーン画像を出力するときは、特に発生しやすい。
【０００７】
本発明の目的は、低温低湿環境下で繰り返し画像形成した場合の帯電スジが抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、及び該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、
結着樹脂、及び、
アルミニウムがドープされている酸化スズで被覆された芯材粒子で構成されている導電性粒子
を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【０００９】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００１０】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、低温低湿環境下で繰り返し画像形成した場合の帯電スジが抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】電子写真感光体の層構成の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する。感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質を単一の層に含有させた単層型感光層と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光層とが挙げられる。好ましくは、積層型感光層である。
【００１４】
図２に、本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す。図２（ａ）において、１０１は支持体であり、１０２は下引き層であり、１０３は感光層である。また、図２（ｂ）において、１０１は支持体であり、１０２は下引き層であり、１０４は中間層であり、１０５は感光層である。
【００１５】
本発明は、電子写真感光体の下引き層が、結着樹脂とアルミニウムがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ２）で被覆された芯材粒子で構成されている導電性粒子とを含有することを特徴とする。この導電性粒子は、アルミニウムがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ２）で被覆された芯材粒子で構成されている複合粒子である。アルミニウムがドープされている酸化スズで被覆されている導電性粒子（複合粒子）を、以下「アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子」とも称する。
【００１６】
本発明の電子写真感光体を用いることにより、特にプロセススピードが高速化する際に、低温低湿環境下で繰り返し画像形成した場合の帯電スジが抑制される理由を本発明者らは、次のように考えている。
【００１７】
電子写真感光体の回転方向に対して、帯電領域（帯電手段によって電子写真感光体の表面が帯電される領域）の手前側を帯電領域上流と呼び、反対側を帯電領域下流と呼ぶ。まず、帯電領域上流で電子写真感光体の表面に電荷の付与が行われた後、帯電領域下流では電荷の付与量が少なくなる。その結果、電子写真感光体の表面において、十分に帯電された部分と十分に帯電されなかった部分が混在する場合が発生しやすい。それにより、電子写真感光体の表面に電位差が発生し（帯電ムラ）、これが電子写真感光体の表面の周方向に直交する方向のスジ状の画像不良（帯電スジ）が出力画像に発生する。
【００１８】
この帯電スジの１つとして、誘電分極が考えられる。誘電分極とは、電界中に置かれた誘電体に電荷の偏りが生じる現象である。この誘電分極の１つが、その誘電体を構成する分子中の双極子モーメントが向きを変えることによって起こる配向分極である。
【００１９】
配向分極と電子写真感光体の表面電位との関係を、電子写真感光体の表面が帯電される際の電子写真感光体にかかる電界がどのように変化するかと関連させながら、以下に説明する。
【００２０】
帯電領域上流における電子写真感光体の表面への電荷の付与により、電界（以下「外部電界」という。）が生じる。この外部電界により、電子写真感光体の内部の双極子モーメントは、除々に分極（配向分極）していく。分極した双極子モーメントのベクトル和は、分極によって電子写真感光体の内部で発生した電界（以下「内部電界」という。）となる。時間の経過に従い、分極は進行し、内部電界は大きくなる。この内部電界のベクトルの向きは、外部電界に対して逆向きである。
【００２１】
電子写真感光体の表面の電荷量が一定である場合、その電荷により形成される外部電界は一定である。それに対して、内部電界は配向分極が進むにつれて、外部電界に対して逆向きに大きくなる。電子写真感光体全体にかかる電界強度の総和は、外部電界と内部電界を足し合わせたものであり、電界強度の総和は分極の進行とともに除々に減少すると考えられる。
【００２２】
配向分極が進行する過程で、電位差と電界は比例関係にあると考えられ、配向分極の進行に従って減少する電界強度の総和は、電子写真感光体の表面電位の低下を引き起こす。
【００２３】
この配向分極の進行の程度を示す指標として、誘電損失ｔａｎδが用いられる。誘電損失とは、交流電場での配向分極の進行に基づくエネルギーの熱損失であり、配向分極の時間依存性の指標となるものである。ある周波数における誘電損失ｔａｎδが大きいということは、その周波数に対応する時間における配向分極の進行が大きいことを意味する。配向分極の進行による電子写真感光体の表面電位の低下には、帯電領域上流における電子写真感光体の表面への電荷の付与の開始から帯電領域下流における電子写真感光体の表面への電荷の付与までの時間（通常は１．０×１０−３秒程度である。）にどれだけ分極が進むかが影響する。この時間に配向分極が完了していない場合は、帯電領域下流における電子写真感光体の表面への電荷の付与前までに配向分極が進行してしまうため、電子写真感光体の表面電位が低下すると考えられる。
【００２４】
特開２０１２−１８３７１号公報では、この誘電損失を小さくするように制御し、帯電スジ（帯電横スジ）を良化させる技術が記載されている。誘電損失を小さくすることで、配向分極の進行を早くし、帯電領域下流での表面電位の低下を抑制するという作用を奏している。つまり、電子写真装置において帯電領域上流で帯電をし、配向分極を素早く終え、帯電領域下流での電位の低下をさせないようにすることで、帯電スジを抑制する効果を奏するものである。
【００２５】
ここで、本発明者らの検討の結果、プロセススピードがより高速化している場合は、帯電スジの発生を抑制する余地があることが明らかとなった。プロセススピードがより高速化する場合は、帯電領域上流の時間が短くなる。それにより、電子写真感光体は、時間が短くなった帯電領域上流で誘電分極を終え、帯電領域下流における表面電位の減衰をさせないことが求められる。また、繰り返し使用による帯電部材の放電劣化に起因して、そもそも帯電領域上流での放電が完了しきれない場合もある。この場合、帯電領域下流で表面電位の低下により、放電がおこり、帯電スジが発生しやすくなるという課題があることを本発明者らは見出した。
【００２６】
一方、本発明は、下引き層にアルミニウムがドープされている酸化スズで被覆された芯材粒子で構成されている導電性粒子を用いることで、従来の電子写真感光体の誘電分極を小さくすることとは異なり、電子写真感光体の誘電分極を大きくなる。そのため、上記、従来の帯電スジが良化する作用と、本発明の帯電スジが良化する作用は異なっていると考えられる。本発明の導電性粒子を有する下引き層は、敢えて誘電分極を大きくし、帯電領域上流終了から帯電領域下流で、従来と比較して、充分に大きな電位の減衰を起こしていると考えられる。そして、電子写真感光体が充分な電位の減衰が生じていることで、帯電領域下流で大きな放電を発生させ、全体的に均一な放電を発生させることが可能となる。これにより、帯電領域下流で電子写真感光体が均一に帯電し、帯電スジの発生を抑制することができていると考えられる。また、本発明の導電性粒子を用いることで、帯電領域下流以降、電位の減衰がほとんど起きないという特徴を有しており、併せて帯電スジの発生を抑制することができていると考えられる。
【００２７】
ドープ種をリン、タングステン、アンチモンにした場合は、ドープ量を増やすと、粉体抵抗が下がっていく傾向がある。アルミニウムをドープ種とした場合、ドープ量を増やすほど粉体抵抗が上昇することが明らかとなった。このアルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子を下引き層に用いても、同様な傾向がみられ、下引き層の誘電分極が大きくなっていることを示唆するものであった。その結果、帯電領域上流終了から帯電領域下流で、電位の減衰が大きくなり、上述の作用により帯電横スジが良化していると考えている。
【００２８】
〔下引き層〕
下引き層には、結着樹脂、および、アルミニウムがドープされている酸化スズで被覆されている芯材粒子で構成された導電性粒子を含有する。
【００２９】
下引き層の体積抵抗率は、５．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であることがより好ましい。下引き層がこの体積抵抗率を満たすと、画像形成時に電荷の滞留が抑制され、残留電位が抑制される。一方、下引き層の体積抵抗率は、５．０×１０１０Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１．０×１０１２Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。下引き層がこの体積抵抗率を満たすと、下引き層中を流れる電荷の量が適度になり、高温高湿環境下で繰り返し画像形成を行ったときのポチやかぶりが抑制される。
【００３０】
芯材粒子としては、有機樹脂粒子、無機粒子、金属酸化物粒子が挙げられる。芯材粒子を有しているアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子は、アルミニウムがドープされている酸化スズ粒子と比較して、高電界を印加したときの黒ポチの抑制効果に優れる。アルミニウムをドープした酸化スズを被覆する観点から、芯材粒子としては無機粒子、金属酸化物粒子を用いることが好ましい。ただし、芯材粒子は、複合粒子を構成する観点から、金属酸化物粒子としてアルミニウムをドープした酸化スズを用いないことが好ましい。
【００３１】
帯電スジ抑制の観点から、好ましい芯材粒子は、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子、硫酸バリウム粒子である。
【００３２】
アルミニウムがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ２）の製造方法は、特表２０１１−５０６７００号公報、特許４１０５８６１号公報、特許４３０１５８９号公報に記載されている。
【００３３】
下引き層の体積抵抗率を上記範囲に調整する観点から、アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の粉体抵抗率（粉体比抵抗）が、１．０×１０４Ω・ｃｍ以上１．０×１０１０Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、１．０×１０４Ω・ｃｍ以上１．０×１０９Ω・ｃｍ以下である。上述の範囲の粉体抵抗率であるアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子を下引き層用塗布液に用いて下引き層を形成することで、下引き層の体積抵抗率を上記範囲に制御することが可能である。また、上述の粉体抵抗率の範囲内であると、帯電スジの抑制効果がより良好となる。
【００３４】
アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子に対する酸化スズの質量比率（被覆率）は、１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。より好ましくは、１５質量％以上５５質量％以下である。
【００３５】
酸化スズの被覆率を制御するためには、酸化スズを生成するのに必要なスズ原材料を、導電性粒子を製造するときに配合する必要がある。例えば、スズ原材料である塩化スズ（ＳｎＣｌ４）から生成される酸化スズ（ＳｎＯ２）を考慮し、酸化スズの被覆率を制御する必要がある。なお、酸化スズの被覆率は、酸化スズにドープされているアルミニウムの質量を考慮に入れず、導電性粒子の全質量に対する酸化スズの質量比率として求める。酸化スズの被覆率の上記の範囲内であると、導電性粒子の粉体抵抗率を制御しやすくなり、酸化スズによる芯材粒子の被覆が均一になりやすい。
【００３６】
また、酸化スズにドープされるアルミニウムの質量比率は、酸化スズの質量（アルミニウムを含まない質量）に対して０．１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。より好ましくは、０．３質量％以上５質量％以下である。この酸化スズにドープされるアルミニウムの質量比率が上記範囲内であると、導電性粒子の分極が大きく、高速プロセススピードにおける帯電スジの抑制効果が良好となる。また、残留電位の蓄積を抑制することが可能となる。
【００３７】
導電性粒子の粉体抵抗率は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。本発明においては、測定装置として、三菱化学（株）製の抵抗測定装置（商品名：ロレスタＧＰ）を用いる。測定対象の複合粒子は、５００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で固めて、ペレット状の測定用サンプルとする。印加電圧は１００Ｖとする。
【００３８】
下引き層は、導電性粒子を結着樹脂とともに溶剤に分散させることによって得られる下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成することができる。分散方法としては、例えば、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。
【００３９】
下引き層に用いられる結着樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアセタール、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステルなどが挙げられる。これらは１種または２種以上用いることができる。
【００４０】
また、これらの中でも、他層（例えば、感光層）へのマイグレーション（溶け込み）の抑制、複合粒子の分散性・分散安定性どの観点から、硬化性樹脂が好ましい。また、硬化性樹脂の中でも、複合粒子と分散した際に適度に大きい誘電緩和を起こすことから、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂が好ましい。
【００４１】
下引き層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−メトキシー２プロパノールなどのアルコールや、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノンなどのケトンや、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテルや、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステルや、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素が挙げられる。
【００４２】
本発明において、クラックの抑制の観点から、アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子（Ｐ）と結着樹脂（Ｂ）との質量比（Ｐ／Ｂ）は、１／１以上４／１以下であることが好ましい。また、この範囲内であると、上記の下引き層の体積抵抗率の制御がしやすくなる。
【００４３】
下引き層の膜厚は、１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【００４４】
本発明において、下引き層を含む電子写真感光体の各層の膜厚の測定装置は、（株）フィッシャーインストルメンツ社製のＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ｍｍｓを用いる。
【００４５】
アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の個数平均粒径は、０．０３μｍ以上０．６０μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以上０．４０μｍ以下であることがより好ましい。上記の範囲内であると、さらにクラックが抑制され、感光層への局所的な電荷注入が抑制されることによる黒ポチが低減される。
【００４６】
本発明において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の個数平均粒径Ｄ［μｍ］は、走査型電子顕微鏡を用いて、以下のようにして求めた。（株）日立製作所製の走査型電子顕微鏡（商品名：Ｓ−４８００）を用いて測定対象の粒子を観察し、観察して得られた画像から、アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子１００個の個々の粒径を測定する。そして、それらの算術平均を算出して個数平均粒径Ｄ［μｍ］とする。個々の粒径は、一次粒子の最長辺をａとし、最短辺をｂとしたときの（ａ＋ｂ）／２とした。
【００４７】
下引き層には、さらに、アルミニウムがドープされている酸化スズ粒子（アルミニウムドープ酸化スズ粒子）が含有することが好ましい。これにより、パターンメモリーや明部電位の上昇がより抑制される効果がみられる。下引き層におけるアルミニウムドープ酸化スズ粒子とアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子との体積比（アルミニウムドープ酸化スズ粒子／アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子）は、１／１０００以上２５０／１０００以下であることが好ましい。より好ましくは、１／１０００以上１５０／１０００以下である。これは、下引き層中におけるアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子で形成される導電パスが分断される場所を、複合粒子ではないアルミニウムドープ酸化スズ粒子が隙間に入り込むことで、導電パスを形成しやすくなっていると考えている。
【００４８】
アルミニウムドープ酸化スズ粒子とアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子との体積比は、電子写真感光体の下引き層をＦＩＢ法で取り出し、ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗで行うことができる。
【００４９】
ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗのコントラストの違いから、アルミニウムドープ酸化スズ粒子およびアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子を特定する。それにより、アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の体積およびアルミニウムドープ酸化スズ粒子の体積の比率を求めることができる。Ｓｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗの条件としては本発明では以下のようにした。
分析用試料加工：ＦＩＢ法
加工および観察装置：ＳＩＩ／Ｚｅｉｓｓ製ＮＶｉｓｉｏｎ４０
スライス間隔：１０ｎｍ
観察条件：
加速電圧：１．０ｋＶ
試料傾斜：５４°
ＷＤ：５ｍｍ
検出器：ＢＳＥ検出器
アパーチャー：６０μｍ、ｈｉｇｈ  ｃｕｒｒｅｎｔ
ＡＢＣ：ＯＮ
画像解像度：１．２５ｎｍ／ｐｉｘｅｌ
【００５０】
解析領域は縦２μｍ×横２μｍで行い、断面ごとの情報を積算し、縦２μｍ×横２μｍ×厚み２μｍ（ＶＴ＝８μｍ３）当たりのアルミニウムドープ酸化スズ粒子の体積Ｖ１、アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の体積Ｖ２を求める。また、測定環境は、温度：２３℃、圧力：１×１０−４Ｐａである。なお、加工および観察装置としてはＦＥＩ製のＳｔｒａｔａ４００Ｓ（試料傾斜：５２°）を用いることもできる。サンプリングを同様にして１０回行い、サンプルを１０個得て測定を行う。合計１０点の８μｍ３当たりのアルミニウムドープ酸化スズ粒子の体積Ｖ１の平均値をＶＴ（８μｍ３）で除した値を、測定対象の電子写真感光体の下引き層におけるアルミニウムドープ酸化スズ粒子の体積（Ｖ１／ＶＴ）とした。また、合計１０点の８μｍ３当たりのアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の体積Ｖ２の平均値をＶＴ（８μｍ３）で除した値を、測定対象の電子写真感光体の下引き層におけるアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の体積（Ｖ２／ＶＴ）の値とした。
【００５１】
なお、断面ごとの情報から、粒子の面積を画像解析して得た。画像解析は以下の画像処理ソフトを用いて行った。
画像処理ソフト：Ｍｅｄｉａ  Ｃｙｂｅｒｎｅｔｉｃｓ製
Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ  Ｐｌｕｓ  干渉縞の抑制の観点から、下引き層に表面粗し付与材を含有させてもよい。表面粗し付与材としては、平均粒径が１μｍ以上５μｍ以下（好ましくは３μｍ以下）の樹脂粒子が好ましい。樹脂粒子としては、例えば、硬化性ゴム、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂などの硬化性樹脂の粒子が挙げられる。これらの中でも、シリコーン樹脂、アクリルメラミン樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂の粒子が好ましい。表面粗し付与材の含有量は、下引き層中の結着樹脂に対して１〜８０質量％であることが好ましく、１〜４０質量％であることがより好ましい。
【００５２】
また、下引き層用塗布液には、下引き層の表面性を高めるためのレベリング剤を含有させてもよい。また、下引き層には、下引き層の隠蔽性を向上させるための顔料粒子を含有させてもよい。
〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属または合金で形成されている金属製支持体を用いることができる。アルミニウムやアルミニウム合金を用いる場合は、押し出し工程および引き抜き工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管や、押し出し工程およびしごき工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管を用いることができる。
【００５３】
下引き層と感光層との間には、下引き層から感光層への電荷注入を阻止するために、電気的バリア性を付与すること目的として、中間層を設けてもよい。
【００５４】
中間層は、樹脂（結着樹脂）を含有する中間層用塗布液を下引き層上に塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。
【００５５】
中間層に用いられる樹脂（結着樹脂）としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリアクリル酸類、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリグルタミン酸、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリグルタミン酸エステルなどが挙げられる。
中間層の膜厚は、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。
【００５６】
また、感光層から支持体への電荷の流れを向上させるため、中間層には、反応性官能基（重合性官能基）を有する電子輸送物質を含む組成物の重合物を含有させてもよい。これにより、中間層上に感光層を形成するときに、感光層用塗布液中の溶剤に対して、中間層の材料が溶出する抑制することが可能となる。
【００５７】
電子輸送物質としては、例えば、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物などが挙げられる。
【００５８】
反応性官能基としては、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、またはメトキシ基などが挙げられる。
【００５９】
中間層において、組成物中の反応性官能基を有する電子輸送物質の含有量は、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましい。
【００６０】
以下に、反応性官能基を有する電子輸送物質の具体例を示す。
【００６１】
【化１】
2015143832.tif 000003
【００６２】
【化２】
2015143832.tif 000004
【００６３】
【化３】
2015143832.tif 000005
【００６４】
式（Ａ１）〜（Ａ１７）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６、Ｒ２０１〜Ｒ２１０、Ｒ３０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０１〜Ｒ４０８、Ｒ５０１〜Ｒ５１０、Ｒ６０１〜Ｒ６０６、Ｒ７０１〜Ｒ７０８、Ｒ８０１〜Ｒ８１０、Ｒ９０１〜Ｒ９０８は、Ｒ１００１〜Ｒ１０１０、Ｒ１１０１〜Ｒ１１１０、Ｒ１２０１〜Ｒ１２０５、Ｒ１３０１〜Ｒ１３０７、Ｒ１４０１〜Ｒ１４０７、Ｒ１５０１〜Ｒ１５０３、Ｒ１６０１〜Ｒ１６０５、Ｒ１７０１〜Ｒ１７０４は、それぞれ独立に、下記式（１）もしくは（２）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環を示す。該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、カルボニル基である。該置換のアリール基または該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基、カルボニル基である。Ｚ２０１、Ｚ３０１、Ｚ４０１、Ｚ５０１およびＺ１６０１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ２０１が酸素原子である場合はＲ２０９およびＲ２１０は存在せず、Ｚ２０１が窒素原子である場合はＲ２１０は存在しない。Ｚ３０１が酸素原子である場合はＲ３０７およびＲ３０８は存在せず、Ｚ３０１が窒素原子である場合はＲ３０８は存在しない。Ｚ４０１が酸素原子である場合はＲ４０７およびＲ４０８は存在せず、Ｚ４０１が窒素原子である場合はＲ４０８は存在しない。Ｚ５０１が酸素原子である場合はＲ５０９およびＲ５１０は存在せず、Ｚ５０１が窒素原子である場合はＲ５１０は存在しない。Ｚ１６０１が酸素原子である場合はＲ１６０４およびＲ１６０５は存在せず、Ｚ１６０１が窒素原子である場合はＲ１６０５は存在しない。Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つ、Ｒ２０１〜Ｒ２１０の少なくとも１つ、Ｒ３０１〜Ｒ３０８の少なくとも１つ、Ｒ４０１〜Ｒ４０８の少なくとも１つ、Ｒ５０１〜Ｒ５１０の少なくとも１つ、Ｒ６０１〜Ｒ６０６の少なくとも１つ、Ｒ７０１〜Ｒ７０８の少なくとも１つ、Ｒ８０１〜Ｒ８１０の少なくとも１つ、Ｒ９０１〜Ｒ９０８の少なくとも１つ、Ｒ１００１〜Ｒ１０１０の少なくとも１つ、Ｒ１１０１〜Ｒ１１１０の少なくとも１つ、Ｒ１２０１〜Ｒ１２０５の少なくとも１つ、Ｒ１３０１〜Ｒ１３０７の少なくとも１つ、Ｒ１４０１〜Ｒ１４０７の少なくとも１つ、Ｒ１５０１〜Ｒ１５０３の少なくとも１つ、Ｒ１６０１〜Ｒ１６０５の少なくとも１つ、Ｒ１７０１〜Ｒ１７０４の少なくとも１つは、下記式（１）または（２）で示される基である。
【００６５】
【化４】
2015143832.tif 000006
【００６６】
式（１）、（２）中、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つは反応性官能基を有する基であり、該反応性官能基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。
【００６７】
Ａはカルボキシル基、炭素数が１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、反応性官能基を有する。アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、ＯまたはＮＲ１（Ｒ１は、水素原子または、アルキル基である。）で置き換わっていても良い。
【００６８】
Ｂは、主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基を示す。これらの基は、反応性官能基を有しても良い。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、ＯまたはＮＲ２（Ｒ２は、水素原子または、アルキル基である。）で置き換わっていても良い。
【００６９】
ｌは、０または１である。
【００７０】
Ｃは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これら基は、反応性官能基を有しても良い。
【００７１】
Ｄは、水素原子、炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、反応性官能基を有しても良い。
【００７２】
以下に反応性官能基を有する電子輸送物質の具体例を示す。表１に、上記式（Ａ１）で示される化合物の具体例を示す。
【００７３】
【表１】
2015143832.tif 000007
【００７４】
表２に、上記式（Ａ２）で示される化合物の具体例を示す。
【００７５】
【表２】
2015143832.tif 000008
【００７６】
表３に、上記式（Ａ３）で示される化合物の具体例を示す。
【００７７】
【表３】
2015143832.tif 000009
【００７８】
表４に、上記式（Ａ４）で示される化合物の具体例を示す。
【００７９】
【表４】
2015143832.tif 000010
【００８０】
表５に、上記式（Ａ５）で示される化合物の具体例を示す。
【００８１】
【表５】
2015143832.tif 000011
【００８２】
表６に、上記式（Ａ６）で示される化合物の具体例を示す。
【００８３】
【表６】
2015143832.tif 000012
【００８４】
表７に、上記式（Ａ７）で示される化合物の具体例を示す。
【００８５】
【表７】
2015143832.tif 000013
【００８６】
表８に、上記式（Ａ８）で示される化合物の具体例を示す。
【００８７】
【表８】
2015143832.tif 000014
【００８８】
表９に、上記式（Ａ９）で示される化合物の具体例を示す。
【００８９】
【表９】
2015143832.tif 000015
【００９０】
表１０に、上記式（Ａ１０）で示される化合物の具体例を示す。
【００９１】
【表１０】
2015143832.tif 000016
【００９２】
表１１に、上記式（Ａ１１）で示される化合物の具体例を示す。
【００９３】
【表１１】
2015143832.tif 000017
【００９４】
表１２に、上記式（Ａ１２）で示される化合物の具体例を示す。
【００９５】
【表１２】
2015143832.tif 000018
【００９６】
表１３に、上記式（Ａ１３）で示される化合物の具体例を示す。
【００９７】
【表１３】
2015143832.tif 000019
【００９８】
表１４に、上記式（Ａ１４）で示される化合物の具体例を示す。
【００９９】
【表１４】
2015143832.tif 000020
【０１００】
表１５に、上記式（Ａ１５）で示される化合物の具体例を示す。
【０１０１】
【表１５】
2015143832.tif 000021
【０１０２】
表１６に、上記式（Ａ１６）で示される化合物の具体例を示す。
【０１０３】
【表１６】
2015143832.tif 000022
【０１０４】
表１７に、上記式（Ａ１７）で示される化合物の具体例を示す。
【０１０５】
【表１７】
2015143832.tif 000023
【０１０６】
（Ａ２）〜（Ａ６）、（Ａ９）、（Ａ１２）〜（Ａ１５）、（Ａ１７）のいずれか構造を有する誘導体（電子輸送物質の誘導体）は、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。（Ａ１）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することが可能である。（Ａ７）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）またはシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なフェノール誘導体を原料として合成することが可能である。（Ａ８）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なペリレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することが可能である。（Ａ１０）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能な化合物を適当な酸化剤（例えば、過マンガン酸カリウム等）を用いて、有機溶媒（例えば、クロロホルム等）中で酸化することにより、合成可能である。（Ａ１１）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体とヒドラジンとの反応で合成可能である。式（Ａ１６）の構造を有する誘導体は、通常のカルボン酸イミドを合成する際に用いられている公知の方法に準じて合成可能である。
【０１０７】
（Ａ１）〜（Ａ１７）のいずれかで示される化合物には、架橋剤と重合することが可能な反応性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ１）〜（Ａ１７）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、以下２つの方法がある。１つ目の方法は、（Ａ１）〜（Ａ１７）の構造を有する誘導体に直接、反応性官能基を導入する方法である。２つ目の方法は、反応性官能基または、反応性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法である。２つ目の方法としては、例えば、（Ａ１）〜（Ａ１７）の構造を有する誘導体のハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法がある。また、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法る方法がある。その他には、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【０１０８】
（架橋剤）
次に、架橋剤について説明する。
【０１０９】
架橋剤としては、反応性官能基を有する電子輸送物質、および後述の反応性官能基を有する熱可塑性樹脂と重合または架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三，金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊（１９８１年）等に記載されている化合物等を用いることができる。
【０１１０】
本発明において架橋剤は、好ましくは、イソシアネート化合物である。イソシアネート化合物は、分子量が２００〜１３００の範囲であるイソシアネート化合物を用いることが好ましい。さらに、イソシアネート基またはブロックイソシアネート基を２個以上有していることが好ましい。より好ましくは、３〜６個である。例えば、トリイソシアネートベンゼン、トリイソシアネートメチルベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネートの他、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネート等のジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンやペンタエリストールとのアダクト変性体等が挙げられる。これらの中でもイソシアヌレート変性体とアダクト変性体がより好ましい。
【０１１１】
ブロックイソシアネート基は、−ＮＨＣＯＸ１（Ｘ１は保護基）という構造を有する基である。Ｘ１は、イソシアネート基に導入可能な保護基であれば何れでも良いが、下記式（Ｈ１）〜（Ｈ７）で示される基がより好ましい。
【０１１２】
【化５】
2015143832.tif 000024
【０１１３】
以下に、イソシアネート化合物の具体例を示す。
【０１１４】
【化６】
2015143832.tif 000025
【０１１５】
次に、反応性官能基（重合性官能基）を有する熱可塑性樹脂について説明する。反応性官能基を有する熱可塑性樹脂としては、下記式（Ｄ）で示される構造単位を有する熱可塑性樹脂が好ましい。
【０１１６】
【化７】
2015143832.tif 000026
【０１１７】
式（Ｄ）中、Ｒ６１は、水素原子またはアルキル基を示す。Ｙ１は、単結合、アルキレン基またはフェニレン基を示す。Ｗ１は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、またはメトキシ基を示す。
【０１１８】
下記式（Ｄ）で示される構造単位を有する熱可塑性樹脂としては、例えば、アセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、上記式（Ｄ）で示される構造単位以外に、以下に示す特徴的な構造を有してもよい。特徴的な構造を以下の（Ｅ−１）〜（Ｅ−５）に示す。（Ｅ−１）はアセタール樹脂の構造単位、（Ｅ−２）はポリオレフィン樹脂の構造単位、（Ｅ−３）はポリエステル樹脂の構造単位、（Ｅ−４）はポリエーテル樹脂の構造単位および（Ｅ−５）はポリアミド樹脂の構造単位である。
【０１１９】
【化８】
2015143832.tif 000027
【０１２０】
式（Ｅ−１）〜（Ｅ−５）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ２０６〜Ｒ２１０は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基を示す。例えば、Ｒ２０１がＣ３Ｈ７である場合はブチラールである。
【０１２１】
また、樹脂Ｄは、一般的に購入することも可能である。購入可能な樹脂としては、例えば、日本ポリウレタン工業（株）製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業（株）製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、日立化成工業（株）製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ（株）製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ベッコライトＭ−６４０２−５０、Ｍ−６２０１−４０ＩＭ、ハリマ化成（株）製ハリディップＷＨ−１１８８、日本ユピカ社製ＥＳ３６０４、ＥＳ６５３８などのポリエステルポリオール系樹脂、ＤＩＣ（株）製、バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、（株）クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのポリビニルアルコール系樹脂、積水化学工業（株）製ＢＸ−１、ＢＭ−１などのポリビニルアセタール系樹脂、ナガセケムテックス（株）製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド系樹脂、日本触媒（株）製アクアリック、鉛市（株）製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシル基含有樹脂、ＤＩＣ（株）製、ラッカマイドなどのポリアミン樹脂、東レ（株）製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオール樹脂などが挙げられる。これらの中でもポリビニルアセタール系樹脂、ポリエステルポリオール系樹脂などがより好ましい。樹脂Ｄの重量平均分子量（Ｍｗ）は５０００〜３０００００の範囲であることがより好ましい。
【０１２２】
下引き層の全体積量に対する複合粒子の体積量が、中間層の組成物の全体積量に対する電子輸送物質の体積量に対して、０．２倍以上２倍以下であることが好ましい。この範囲であると、帯電スジが良化する。これは、下引き層と中間層の分極を大きくすることができ、電子写真感光体の誘電緩和が大きくなるため帯電領域下流での電位差が大きくなり、帯電スジが良化すると推測している。これらの体積量は、温度２３度１気圧下における体積量が好ましい。
【０１２３】
〔感光層〕
下引き層または中間層上には、感光層が設けられる。感光層は、電荷発生層と電荷輸送層を有する積層型感光層であることが好ましい。
【０１２４】
電荷発生物質としては、例えば、アゾ顔料、フタロシアニン顔料や、インジゴ、チオインジゴなどのインジゴ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクワリリウム色素、ピリリウム塩およびチアピリリウム塩、トリフェニルメタン色素、キナクリドン顔料、アズレニウム塩顔料、シアニン染料、キサンテン色、キノンイミン色素や、スチリル色素が挙げられる。これらの中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどの金属フタロシアニンが好ましい。
【０１２５】
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層は、電荷発生物質を結着樹脂とともに溶剤に分散させることによって得られる電荷発生層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。分散方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波、ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルなどを用いた方法が挙げられる。
【０１２６】
電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアリレート、ブチラール樹脂、ポリスチレン、ポリビニルアセタール、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン、スチレン−ブタジエン共重合体、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体などが挙げられる。これらは、単独、混合または共重合体として１種または２種以上用いることができる。
【０１２７】
電荷発生物質と結着樹脂との質量比率（電荷発生物質：結着樹脂）は、１０：１〜１：１０の範囲が好まし。より好ましくは、５：１〜１：１であり、さらには、３：１〜１：１である。
【０１２８】
電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物などが挙げられる。
【０１２９】
電荷発生層の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。
【０１３０】
また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。また、電荷発生層において電荷の流れが滞らないようにするために、電荷発生層には、電子輸送物質（アクセプターなどの電子受容性物質）を含有させてもよい。
【０１３１】
感光層が積層型感光層である場合、電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させることによって得られる電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
【０１３２】
電荷輸送層の誘電分極は小さくし、帯電領域下流以降の暗減衰がないようにするほうが、繰り返し使用時の暗減衰量の変動が少ないため好ましい。具体的には、結着樹脂の誘電率は３以下である結着樹脂が好ましい。また、電荷輸送物質の電荷移動度が１×１０−６ｃｍ／Ｖ・ｓｅｃ以下の電荷輸送物質が好ましい。
【０１３３】
具体的な電荷輸送物質としては、例えば、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミン化合物が好ましい。
【０１３４】
具体的な結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリフェニレンオキシド、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アルキド樹脂などが挙げられる。特には、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。これらは、単独、混合物または共重合体として１種または２種以上用いることができる。
【０１３５】
電荷輸送物質と結着樹脂との質量比率（電荷輸送物質：結着樹脂）は、２：１〜１：２の範囲が好ましい。
【０１３６】
電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトンや、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステルや、ジメトキシメタン、ジメトキシエタンなどのエーテルや、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素や、クロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン原子で置換された炭化水素などが挙げられる。
【０１３７】
電荷輸送層の膜厚は、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１３８】
また、電荷輸送層には、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤を必要に応じて添加することもできる。
【０１３９】
また、感光層上には、感光層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
【０１４０】
保護層は、樹脂（結着樹脂）を含有する保護層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成することができる。
【０１４１】
保護層に用いられる結着樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、シロキサン樹脂などが挙げられる。これらは、単独、混合物または共重合体として１種または２種以上用いることができる。
【０１４２】
保護層の膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上８μｍ以下であることがより好ましい。
【０１４３】
上記各層用の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法の塗布方法を用いることができる。
【０１４４】
図１に、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。
【０１４５】
図１において、円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。
【０１４６】
回転駆動される電子写真感光体１の周面は、帯電手段（帯電ローラーなど）３により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（画像露光手段、不図示）から出力される露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の周面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。帯電手段３に印加する電圧は、直流電圧のみであってもよいし、交流電圧を重畳した直流電圧であってもよい。
【０１４７】
電子写真感光体１の周面に形成された静電潜像は、現像手段５のトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の周面に形成されたトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに転写される。転写材Ｐは、電子写真感光体１の回転と同期して転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に給送されてくる。
【０１４８】
トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の周面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【０１４９】
トナー像転写後の電子写真感光体１の周面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りのトナーの除去を受ける。さらに前露光手段（不図示）からの前露光光１１により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段が接触帯電手段である場合には、前露光は必ずしも必要ではない。
【０１５０】
上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、およびクリーニング手段７などから選択される構成要素のうち、複数のものを選択し、これを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。
【０１５１】
本発明のプロセスカートリッジおよび電子写真装置の帯電手段には、ローラー形状の帯電部材（帯電ローラー）が好適に用いられる。帯電ローラーの構成としては、例えば、導電性基体および導電性基体上に形成された１層以上の被覆層からなる構成が挙げられる。また、被覆層の少なくとも１層には、導電性が付与される。より具体的な構成としては、導電性基体、導電性基体上に形成された導電性弾性層、および導電性弾性層上に形成された表面層を有する構成である。
【０１５２】
帯電ローラーの表面の十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）は、５．０μｍ以下であることが好ましい。本発明において、帯電ローラーの表面の十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）の測定は、（株）小坂研究所製の表面粗さ測定器（商品名：ＳＥ−３４００）を用いて行う。
【０１５３】
本発明の電子写真感光体は、上流放電域の時間が短い場合、つまり、電子写真感光体が装着される電子写真装置の回転速度（サイクルスピード）が早いほうが、帯電スジの効果が効果的に得られる。具体的には、０．３ｓ／回転から本願発明の帯電スジの効果が効果的に得られ、さらに０．２ｓ／回転になるとより顕著となる。
【実施例】
【０１５４】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。以下に示す「部」は「質量部」を意味する。
【０１５５】
〔アルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子の製造例〕
実施例に記載したアルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子は、以下のようにして製造可能である。実施例に合わせて、複合粒子の芯材の種類やドープ剤の種類、量、スズ酸ナトリウムの量は変更した。
【０１５６】
芯材粒子として酸化チタン粒子（平均一次粒径２００ｎｍ）２００ｇを、水に分散させた。その後、スズの含有量が４１％であるスズ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｎＯ３）２０８ｇを添加し溶解させて混合スラリーを調製した。この混合スラリーを循環させながら、２０％希硫酸水溶液（質量基準）を添加してスズの中和を行った。希硫酸水溶液は、混合スラリーのｐＨが２．５になるまで添加した。中和後、塩化アルミニウム（Ｓｎに対して８ｍｏｌ％分）を混合スラリーに添加し、混合スラリーを撹拌した。これによって、目的とする導電性粒子の前駆体を得た。この前駆体を、温水洗浄した後、脱水濾過を行い、固形物が得られた。得られた固形物を２体積％Ｈ２／Ｎ２雰囲気下で５００℃、１時間還元焼成した。これによって目的とする導電性粒子を得た。酸化スズにドープされるアルミニウムの質量比率は、１．７質量％であった。
【０１５７】
酸化スズに対するアルミニウムの酸化スズにドープされるアルミニウムの質量比率（質量％）は、例えば、スペクトリス（株）製の波長分散型蛍光Ｘ線分析装置（商品名：Ａｘｉｏｓ）を用いて測定することが可能である。測定対象としては、電子写真感光体の感光層、さらに必要に応じて中間層を剥離し、下引き層を削り取り、その削り取った下引き層を使用することでも可能である。また、下引き層と同じ材料の粉末を使用することでも可能である。
【０１５８】
ここで酸化スズにドープされるアルミニウムの質量比率は、酸化スズの質量に対するアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の質量より計算した値とする。
【０１５９】
〔実施例１〕
支持体として、直径２４ｍｍ、長さ２６１ｍｍのアルミニウムシリンダー（導電性支持体）を用いた。
【０１６０】
アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（粉体抵抗率：５．０×１０７Ω・ｃｍ、酸化スズ被覆率３５％、平均一次粒径：２００ｎｍ）２１９部、結着樹脂としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０％）１４６部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール１０６部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズ４２０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を調製した。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。その後、分散液に表面粗し付与材としてシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、平均粒径２μｍ）２３．７部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）０．０２４部、メタノール６部、および、１−メトキシ−２−プロパノール６部を添加して攪拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を上記支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を３０分間１４５℃で乾燥させることによって、膜厚が３０μｍの下引き層を形成した。
【０１６１】
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°および２８．１°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）を用意した。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶４部、および、下記式（Ａ）で示される化合物０．０４部を、シクロヘキサノン１００部にポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）２部を溶解させた液に加えた。これを、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２３±３℃の雰囲気下で１時間分散した。分散後、酢酸エチル１００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を上記下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１０分間９０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１６２】
【化９】
2015143832.tif 000028
【０１６３】
次に、下記式（Ｂ）で示されるアミン化合物５０部（電荷輸送物質）、下記式（Ｃ）で示されるアミン化合物５０部（電荷輸送物質）、および、
ポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロンＺ４００、三菱ガス化学（株）製）１００部を、
クロロベンゼン６５０部およびジメトキシメタン１５０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を１日間保存した後、電荷輸送層用塗布液を上記電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を３０分間１１０℃で乾燥させることによって、膜厚が２１μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１６４】
【化１０】
2015143832.tif 000029
【０１６５】
次に、評価について説明する。
【０１６６】
＜繰り返し使用時の明部電位変動の評価＞
評価装置としては、ヒューレットパッカード（株）製のカラーレーザービームプリンター（商品名：ＣＰ４５２５、プロセススピードは可変になるように改造した。）を用いた。この評価装置のドラムカートリッジに上述の電子写真感光体を装着して以下のように評価した。１５℃／１０％ＲＨの低温低湿環境下に上記評価装置を設置した。
【０１６７】
電子写真感光体の表面電位は、評価装置から現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック社製）を固定し、表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック社製）を使用して測定した。電位測定装置は、現像用カートリッジの現像位置に電位測定プローブを配置し、電子写真感光体に対する電位測定プローブの位置は、電子写真感光体の軸方向の中央、電子写真感光体の表面からのギャップを３ｍｍとした。帯電条件としては、電子写真感光体の表面電位（暗部電位）が６００Ｖになる印加バイアスを調整した。また、露光条件としては、０．４μＪ／ｃｍ２となるように露光条件を調整した。
【０１６８】
次に、評価について説明する。なお、各電子写真感光体において初期に設定した帯電条件および露光条件のもとで評価を行った。
【０１６９】
まず、電子写真感光体を温度１５℃、湿度１０％ＲＨの環境下で４８時間保管する。次に、電子写真感光体を装着した現像用カートリッジを上記評価装置に取り付け、１００００枚の通紙による感光体の繰り返し使用を行った。１５０００枚の通紙に用いた印字率は４％とした。また、１５０００枚の通紙は、２枚出力したのち休止することを繰り返した。繰り返し使用の際のプロセススピードは電子写真感光体が０．３ｓ／回とした。
【０１７０】
１５０００枚の通紙後、黒ステーションにあるカートリッジで単色ハーフトーンの出力を行った。単色ハーフトーンの出力は、電子写真感光体が０．５ｓ／回、０．３ｓ／回、０．２ｓ／回の３つの速度で回転するプロセススピードで行った。画像の評価の基準は以下の通りである。
【０１７１】
＜帯電横スジの評価＞
Ａ：帯電スジがまったくなし
Ｂ：帯電スジが画像の端部にのみに少し観察される。
Ｄ：帯電スジが観察される。
Ｅ：帯電スジがはっきりわかる。
【０１７２】
〔実施例２〕
実施例１に用いた電荷輸送層のポリカーボネート樹脂を下記式（１６−１）で示される構造単位、および下記式（１６−２）で示される構造単位を５／５の割合で有し、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００００であるポリエステル樹脂に変更した。それ以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。
【０１７３】
【化１１】
2015143832.tif 000030
【０１７４】
〔実施例３〕
実施例１の電荷輸送層上に以下のように保護層を形成した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。
【０１７５】
下記式で示される化合物（Ｄ）３６部、
【０１７６】
【化１２】
2015143832.tif 000031
【０１７７】
ポリテトラフルオロエチレン樹脂粒子（商品名：ルブロンＬ−２、ダイキン工業（株）製）４部、および、ｎ−プロピルアルコール６０部を混合した後、これを超高圧分散機に入れ、分散処理することによって、保護層用塗布液を調製した。
【０１７８】
この保護層用塗布液を上記電荷輸送層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を５分間５０℃で乾燥させた。乾燥後、窒素雰囲気下にて、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量８０００Ｇｙの条件で１．６秒間、支持体を回転させながら電子線を塗膜に照射した。その後、窒素雰囲気下にて、塗膜が１３０℃になる条件で３分間加熱処理を行った。なお、電子線の照射から３分間の加熱処理までの酸素濃度は２０ｐｐｍであった。次に、大気中において、塗膜が１００℃になる条件で３０分加熱処理を行うことによって、膜厚が５μｍである保護層（第二電荷輸送層）を形成した。
【０１７９】
〔実施例４〕
実施例１の下引き層上に、以下のように中間層を形成した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。
【０１８０】
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）製）４．５部および共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって中間層用塗布液を調製した。この中間層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．６５μｍの中間層を形成した。
【０１８１】
〔実施例５〕
実施例１の下引き層上に、以下のように中間層を形成した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。
【０１８２】
例示化合物Ａ１０１を８部、式（１）で示される基でブロックされたイソシアネート化合物（Ｂ１）１０部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１部と、ブチラール樹脂（ＫＳ−５，積水化学株式会社製）２部を、ジメチアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、中間層用塗布液を調製した。この中間層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を３０分間１６０℃で加熱し、硬化（重合）させることによって、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。
【０１８３】
実施例５で用いたアルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタンの比重は、５．１ｇ／ｃｍ３である。下引き層で用いた他の材料の比重は、１．０ｇ／ｃｍ３である。下引き層の全体積量に対する導電性粒子の体積量は、３３体積％になる。また、実施例５で用いた中間層では、全ての材料の比重１．０ｇ／ｃｍ３である。したがって、中間層の組成物の全体積量に対する電子輸送物質の体積量は、４０体積％となる。
【０１８４】
このため、下引き層の全体積量に対する導電性粒子の体積量が、中間層の組成物の全体積量に対する電子輸送物質の体積量に対して、０．８３倍となる。
【０１８５】
〔実施例６〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の芯材粒子を酸化チタン粒子から硫酸バリウム粒子に変更した。それ以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。実施例６で用いたアルミニウムドープ酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の比重は、５．３ｇ／ｃｍ３である。
【０１８６】
〔実施例７〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の芯材粒子を酸化チタン粒子から酸化亜鉛粒子に変更した。それ以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。実施例７で用いたアルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の比重は、６．１ｇ／ｃｍ３である。
【０１８７】
〔実施例８〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の芯材粒子を酸化チタン粒子から酸化アルミニウム粒子に変更した。それ以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１８８】
〔実施例９〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の酸化スズにドープされるアルミニウムの質量比率を０．２５質量％に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。このアルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗は、１．０×１０４Ω・ｃｍであった。
【０１８９】
〔実施例１０〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の酸化スズにドープされるアルミニウムの質量比率を２質量％に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。このアルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗は、１．０×１０８Ω・ｃｍであった。
【０１９０】
〔実施例１１〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子のアルミニウムドープ量を３質量％に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。このアルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗は、１．０×１０１０Ω・ｃｍであった。
【０１９１】
〔実施例１２〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子を２１８部から４４部に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９２】
〔実施例１３〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子を２１８部から１７４部に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９３】
〔実施例１４〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子２１８部から４３６部に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９４】
〔実施例１５〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子に対する酸化スズの質量比率を３０質量％から５質量％に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９５】
〔実施例１６〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子に対する酸化スズの質量比率を３０質量％から１０質量％に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９６】
〔実施例１７〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子に対する酸化スズの質量比率を３０質量％から６０質量％に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９７】
〔実施例１８〕
実施例５の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子に対する酸化スズの質量比率を３０質量％から６５質量％に変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９８】
〔実施例１９〕
実施例５の下引き層の膜厚を１５μｍに変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０１９９】
〔実施例２０〕
実施例５の下引き層の膜厚を４０μｍに変更した以外は、実施例５と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０２００】
〔実施例２１〕
実施例５の中間層において、例示化合物Ａ１０１を下記式で示される電子輸送物質に変更した以外は、実施例５と同様に中間層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０２０１】
【化１３】
2015143832.tif 000032
【０２０２】
下引き層の全体積量に対する導電性粒子の体積量は、３３体積％になる。また、実施例２１で用いた中間層では全ての材料の比重１．０ｇ／ｃｍ３である。したがって、中間層の組成物の全体積量に対する電子輸送物質の体積量は、４０体積％となる。
【０２０３】
このため、下引き層の全体積量に対する導電性粒子の体積量が、中間層の組成物の全体積量に対する電子輸送物質の体積量に対して、０．８３倍となる。
【０２０４】
〔実施例２２〕
実施例１の下引き層上に、以下のように中間層を形成した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。
【０２０５】
下記式で示される電子輸送物質を８．５部、ブロックされたイソシアネート化合物（商品名：ＳＢＮ−７０Ｄ、旭化成ケミカルズ（株）製）１５部、樹脂として、ポリビニルアルコールアセタール樹脂（商品名：ＫＳ−５Ｚ、積水化学工業（株）製）０．９７部、ヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）（商品名：ヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）、三津和化学薬品（株）製）０．１５部とを、１−メトキシ−２−プロパノール８８部とテトラヒドロフラン８８部の混合溶媒に溶解し、中間層用塗布液を調製した。
【０２０６】
この中間層用塗布液を実施例１の下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を２０分間１７０℃で加熱し、硬化（重合）させることによって、膜厚が０．６μｍの中間層を形成した。
【０２０７】
【化１４】
2015143832.tif 000033
【０２０８】
実施例２２で用いた中間層では、全ての材料の比重１．０ｇ／ｃｍ３である。したがって、中間層の組成物の全体積量に対する電子輸送物質の体積量は、４０体積％となる。このため、下引き層の全体積量に対する導電性粒子の体積量が、中間層の組成物の全体積量に対する電子輸送物質の体積量に対して、０．８３倍となる。
【０２０９】
〔実施例２３〕
実施例１の下引き層を下記に変更して形成した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造した。
【０２１０】
アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（粉体抵抗率：５．０×１０７Ω・ｃｍ、酸化スズ被覆率３５％、平均一次粒径：２００ｎｍ）２１９部、アルミニウムドープ酸化スズ粒子（粉体抵抗率５．０×１０７Ω・ｃｍ）１５部、結着樹脂としてのフェノール樹脂商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０％）１４６部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール１０６部を、直径１．０ｍｍのガラスビーズ４２０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を調製した。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。その後、分散液に表面粗し付与材としてシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、平均粒径２μｍ）２３．７部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）０．０２４部、メタノール６部、および、１−メトキシ−２−プロパノール６部を添加して攪拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を上記支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を３０分間１４５℃で乾燥させることによって、膜厚が３０μｍの下引き層を形成した。
【０２１１】
アルミニウムドープ酸化スズ粒子とアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子との体積比は、上述の通り、ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗを用いて求められる。その結果、アルミニウムドープ酸化スズ粒子とアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子との体積比は、５０／１０００となる。
【０２１２】
〔実施例２４〕
実施例２３において、アルミニウムドープ酸化スズ粒子を１５部から０．３部に変更した以外は、実施例２３と同様に電子写真感光体を製造した。
【０２１３】
その結果、アルミニウムドープ酸化スズ粒子とアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子との体積比は、１／１０００となる。
【０２１４】
〔実施例２５〕
実施例２３において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子を２１９部から１７０部、アルミニウムドープ酸化スズ粒子を１５部から５０部に変更した以外は、実施例２３と同様に電子写真感光体を製造した。
【０２１５】
その結果、アルミニウムドープ酸化スズ粒子とアルミニウムドープ酸化スズ被覆粒子との体積比は、２００／１０００となる。
【０２１６】
〔比較例１〕
実施例１の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子をリンドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子に変更した以外は、実施例１と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０２１７】
〔比較例２〕
実施例１の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子をタングステンドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子に変更した以外は、実施例１と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０２１８】
〔比較例３〕
実施例１の下引き層において、アルミニウムドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子をアンチモンドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子に変更した以外は、実施例１と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０２１９】
〔比較例４〕
比較例３において、下引き層と電荷発生層との間に実施例２１で用いた中間層を設けた以外は、実施例１と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０２２０】
〔比較例５〕
実施例１において、下引き層を下記に変更して下引き層を形成した以外は、実施例１と同様に下引き層を形成し、電子写真感光体を製造した。
【０２２１】
まず、ポリオレフィン樹脂を以下のように作成した。
【０２２２】
（ポリオレフィン樹脂粒子分散液の調製）
ヒーター付きの密閉できる耐圧１リットル容ガラス容器を備えた撹拌機を用いて、ポリオレフィン樹脂  ７５．０ｇ（ボンダインＨＸ−８２９０、住友化学工業（株）製）、イソプロパノール  ６０．０ｇ、トリエチルアミン（ＴＥＡ）５．１ｇ、蒸留水  １５９．９ｇをガラス容器内に仕込み、撹拌翼の回転速度を３００ｒｐｍとして撹拌した。その結果、容器底部には樹脂粒状物の沈澱は認められず、浮遊状態となっていることが確認された。そこでこの状態を保ちつつ、１０分後にヒーターの電源を入れ加熱した。そして系内温度を１４０℃乃至１４５℃に保って更に２０分間撹拌した。その後、水浴につけて、回転速度３００ｒｐｍのまま攪拌しつつ室温（約２５℃）まで冷却した後、３００メッシュのステンレス製フィルター（線径０．０３５ｍｍ、平織）で加圧濾過（空気圧０．２ＭＰａ）し、乳白色の均一なポリオレフィン樹脂水性分散体を得た。
【０２２３】
アンチモンドープ酸化スズ粒子（商品名：Ｔ−１、三菱マテリアル（株）製）１０部、イソプロパノール（ＩＰＡ）９０部をボールミルにより７２時間分散し、酸化スズ分散液を得た。この酸化スズ分散液に、ポリオレフィン樹脂固形分１部に対して酸化スズが４．２部となるように、ポリオレフィン樹脂粒子分散液を混合した。その後、溶媒比率が水／ＩＰＡが８／２、分散液中の固形分が２．５質量％になるよう溶媒を添加し、攪拌することによって下引き層用塗布液を調製した。
【０２２４】
この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、１００℃で３０分乾燥させることによって、膜厚が３０μｍの下引き層を形成した。
【０２２５】
これらの実施例１〜２５、比較例１〜５の評価結果を表１８に示す。
【０２２６】
【表１８】
2015143832.tif 000034
【符号の説明】
【０２２７】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  クリーニング手段
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
Ｐ  転写材
【図１】
2015143832.tif 000035
【図２】
2015143832.tif 000036