(57)【要約】      （修正有）【課題】環状凸部を破損することなく容易に除去できるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウェーハ１１の表面に第一テープＴ１を貼着するとともに該第一テープを介してウェーハを第一環状フレームＦ１に装着する第一テープ貼着ステップと、該第一テープ貼着ステップを実施した後、該第一テープを介してウェーハをチャックテーブル３８で保持し、環状凸部２０とデバイス領域との境界にレーザビームを照射してウェーハを該第一テープとともに分断し、該デバイス領域と該環状凸部とに分離する分離ステップと、該分離ステップを実施した後、該第一テープを介して該第一環状フレームに装着された該環状凸部を該第一環状フレームと共にウェーハの該デバイス領域から除去する除去ステップと、を備える。【選択図】図８
2015213955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、該デバイス領域に対応する裏面が所定の厚みへと研削された円形凹部と該円形凹部を囲繞する該外周余剰領域に対応した環状凸部とが形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に第一テープを貼着するとともに該第一テープを介してウェーハを第一環状フレームに装着する第一テープ貼着ステップと、
該第一テープ貼着ステップを実施した後、該第一テープを介してウェーハをチャックテーブルで保持し、該環状凸部と該デバイス領域との境界にレーザビームを照射してウェーハを該第一テープとともに分断し、該デバイス領域と該環状凸部とに分離する分離ステップと、
該分離ステップを実施した後、該第一テープを介して該第一環状フレームに装着された該環状凸部を該第一環状フレームと共にウェーハの該デバイス領域から除去する除去ステップと、
を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該除去ステップを実施した後、該デバイス領域のみからなるウェーハの裏面に第二テープを貼着するとともに該第二テープを介してウェーハを第二環状フレームに装着する第二テープ貼着ステップと、
該第二テープ貼着ステップを実施する前又は後に、該第一テープをウェーハの表面から除去する第一テープ除去ステップと、
該第二テープ貼着ステップと該第一テープ除去ステップとを実施した後、ウェーハを個々のデバイスへと分割する分割ステップと、
を更に備えた請求項１記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該分離ステップを実施する前に、ウェーハの裏面に水溶性保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、
少なくとも該保護膜被覆ステップと該分離ステップとを実施した後、ウェーハの裏面に洗浄水を供給して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
を更に備えた請求項１又は２記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面に円形凹部及び円形凹部を囲繞する環状凸部が形成されたウェーハから環状凸部を除去するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）の表面に格子状に配列されたストリートとよばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウェーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウェーハが個々の半導体チップ（デバイス）に分割される。
【０００３】
分割されるウェーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削して所定の厚みに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウェーハの厚さをより薄く、例えば５０μｍ程度にすることが要求されている。
【０００４】
このように薄く形成されたウェーハは紙のように腰がなくなり取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウェーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウェーハの裏面に補強用の環状凸部を形成する研削方法が、例えば特開２００７−１９４６１号公報で提案されている。
【０００５】
このように裏面の外周に環状凸部が形成されたウェーハをストリート（分割予定ライン）に沿って分割する方法として、環状凸部を除去した後、ウェーハの表面側から切削ブレードで切削する方法が提案されている（特開２００７−１９３７９号公報参照）。
【０００６】
特開２００７−１７３７９号公報では、環状凸部を除去する方法として、研削によって環状凸部を除去する方法と、切削ブレードで円形凹部と環状凸部との界面を円形に切削した後、環状凸部を除去する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１９４６１号公報
【特許文献２】特開２００７−１９３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、デバイス領域から環状凸部を除去する際、環状凸部が破損しやすいこと、環状凸部が破損してデバイス領域を傷つけること、環状凸部を除去するための特別な装置が必要になること等の問題があり、環状凸部を除去するのに困難を有する。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、環状凸部を破損することなく容易に除去できるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によると、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、該デバイス領域に対応する裏面が所定の厚みへと研削された円形凹部と該円形凹部を囲繞する該外周余剰領域に対応した環状凸部とが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に第一テープを貼着するとともに該第一テープを介してウェーハを第一環状フレームに装着する第一テープ貼着ステップと、該第一テープ貼着ステップを実施した後、該第一テープを介してウェーハをチャックテーブルで保持し、該環状凸部と該デバイス領域との境界にレーザビームを照射してウェーハを該第一テープとともに分断し、該デバイス領域と該環状凸部とに分離する分離ステップと、該分離ステップを実施した後、該第一テープを介して該第一環状フレームに装着された該環状凸部を該第一環状フレームと共にウェーハの該デバイス領域から除去する除去ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１１】
好ましくは、ウェーハの加工方法は、該除去ステップを実施した後、該デバイス領域のみからなるウェーハの裏面に第二テープを貼着するとともに該第二テープを介してウェーハを第二環状フレームに装着する第二テープ貼着ステップと、該第二テープ貼着ステップを実施する前又は後に、該第一テープをウェーハの表面から除去する第一テープ除去ステップと、該第二テープ貼着ステップと該第一テープ除去ステップとを実施した後、ウェーハを個々のデバイスへと分割する分割ステップと、を更に備えている。
【００１２】
好ましくは、ウェーハの加工方法は、該分離ステップを実施する前に、ウェーハの裏面に水溶性保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、少なくとも該保護膜被覆ステップと該分離ステップとを実施した後、ウェーハの裏面に洗浄水を供給して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を更に備えている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の加工方法によると、レーザビームの照射による分離ステップを実施した後、第一テープに貼着された環状凸部を第一環状フレームと共にウェーハのデバイス領域から除去するので、環状凸部を破損することなく容易にデバイス領域から除去することができる。
【００１４】
分離ステップをレーザビームの照射により実施するので、円形凹部の底部であるウェーハの裏面に金属膜が被覆されていても腐食が発生することがない。また、レーザビームを使用して分離ステップを行うため、カーフを切削ブレードで切る時よりも狭くできるので、有効デバイスの領域を最大限にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】半導体ウェーハの表面側斜視図である。
【図２】表面に保護テープが貼着された状態のウェーハの裏面側斜視図である。
【図３】研削ステップを示す斜視図である。
【図４】研削ステップ終了後のウェーハの断面図である。
【図５】第一テープ貼着ステップを示す斜視図である。
【図６】レーザ加工装置の斜視図である。
【図７】保護膜被覆ステップを示す断面図である。
【図８】分離ステップを示す斜視図である。
【図９】分離ステップを示す拡大断面図である。
【図１０】除去ステップを示す斜視図である。
【図１１】洗浄ステップを示す断面図である。
【図１２】第二テープ貼着ステップを示す斜視図である。
【図１３】第一テープ除去ステップを示す斜視図である。
【図１４】分割ステップを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。半導体ウェーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウェーハからなっており、表面１１ａに複数のストリート（分割予定ライン）１３が格子状に形成されているとともに、複数のストリート１３によって区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００１７】
このように構成された半導体ウェーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａに備えている。また、半導体ウェーハ１１の外周には、シリコンウェーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００１８】
ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削するに当たり、ウェーハ１１の表面１１ａには保護テープ２３が貼着される。従って、ウェーハ１１の表面１１ａは保護テープ２３によって保護され、図２に示すように裏面１１ｂが露出する形態となる。
【００１９】
本発明の加工方法の加工対象となるウェーハ１１は、デバイス領域１７に対応するウェーハ１１の裏面１１ｂが所定の厚みへと研削されて円形凹部が形成され、円形凹部を囲繞する外周余剰領域１９に対応した環状凸部が形成されたウェーハであり、図３及び図４を参照してウェーハの研削方法について説明する。
【００２０】
図３において、符号２は研削装置の研削ユニットであり、スピンドルハウジング４中に回転可能に収容されたスピンドル６と、スピンドル６の先端に固定されたホイールマウント８と、ホイールマウント８に着脱自在に装着された研削ホイール１０とを含んでいる。研削ホイール１０は、環状のホイール基台１２と、ホイール基台１２の下端外周部に環状に貼着された複数の研削砥石１４とから構成される。
【００２１】
裏面研削ステップでは、ウェーハ１１の表面１１ａに貼着された保護テープ２３を研削装置のチャックテーブル１６で吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。そして、チャックテーブル１６を矢印Ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール１０を矢印Ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して研削砥石１４をウェーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。そして、研削ホイール１０を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
【００２２】
その結果、半導体ウェーハ１１の裏面１１ｂには、図４に示すように、デバイス領域１７に対応する領域が研削除去されて円形凹部１８が形成されるとともに、外周余剰領域１９が残存されて環状凸部２０が形成される。
【００２３】
ウェーハ１１の裏面研削終了後、本発明のウェーハの加工方法では、図５に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａに貼着されていた保護テープ２３を剥離し、ウェーハ表面１１ａに粘着テープである第一ダイシングテープＴ１を貼着するとともに、第一ダイシングテープＴ１を介してウェーハ１１を第一環状フレームＦ１に装着する第一テープ貼着ステップを実施する。即ち、外周部が第一環状フレームＦ１に貼着された第一ダイシングテープＴ１にウェーハ１１の表面１１ａを貼着する。
【００２４】
ウェーハ１１の表面１１ａに貼着された保護テープ２３を剥離せず、保護テープ２３を介してウェーハ表面１１ａに第一ダイシングテープＴ１を貼着するようにしてもよい。
【００２５】
図６を参照すると、デバイス領域１７と環状凸部２０とを分離するのに使用するレーザ加工装置２２の斜視図が示されている。レーザ加工装置２２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル２４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示モニタ２６が設けられている。
【００２６】
図５に示すように、ウェーハ１１は第１ダイシングテープＴ１を介して第１環状フレームＦ１に支持された状態となり、図６に示したウェーハカセット２８中にウェーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウェーハカセット２８は上下動可能なカセットエレベータ２９上に載置される。
【００２７】
ウェーハカセット２８の後方には、ウェーハカセット２８からレーザ加工前のウェーハ１１を搬出するとともに、加工後のウェーハをウェーハカセット２８に搬入する搬出入手段３０が配設されている。
【００２８】
ウェーハカセット２８と搬出入手段３０との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域３２が設けられており、仮置き領域３２にはウェーハ１１を一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段３４が配設されている。
【００２９】
５０は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置５０は加工後のウェーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域３２の近傍には、ウェーハ１１と一体となった第１フレームＦ１を吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段３６が配設されている。
【００３０】
仮置き領域３２に搬出されたウェーハ１１は、搬送手段３６により吸着されて保護膜被覆装置５０に搬送される。保護膜被覆装置５０は、後で詳細に説明するようにウェーハ１１の裏面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する。
【００３１】
裏面に保護膜が被覆されたウェーハ１１は、搬送手段３６により吸着されてチャックテーブル３８上に搬送され、チャックテーブル３８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）３９により第１フレームＦが固定されることでチャックテーブル３８上に保持される。
【００３２】
チャックテーブル３８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル３８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウェーハ１１のレーザ加工すべき領域を検出するアライメントユニット４０が配設されている。
【００３３】
アライメントユニット４０は、ウェーハ１１を撮像する撮像ユニット４２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべき領域を検出することができる。撮像ユニット４２によって取得された画像は、表示ユニット２６に表示される。
【００３４】
アライメントユニット４０の左側には、チャックテーブル３８に保持されたウェーハ１１に対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット４４が配設されている。レーザビーム照射ユニット４４はＹ軸方向に移動可能である。
【００３５】
レーザビーム照射ユニット４４は、ケーシング４６中に収容されたＹＡＧレーザ発振器等のレーザ発振器を有するレーザビーム発生ユニットを含んでおり、レーザビーム発生ユニットから出射されたレーザビームはケーシング４６の先端に装着された集光器４８からチャックテーブル３８に保持されたウェーハ１１上に照射される。
【００３６】
レーザ加工の終了したウェーハ１１は、搬送手段５２に保持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置５０まで搬送され、洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置５０で洗浄される。
【００３７】
次に、図７を参照して、ウェーハ１１の裏面１１ｂに保護膜を被覆する保護膜被覆ステップについて説明する。この保護膜被覆ステップはオプションであり、通常はこのステップは必要ないが、ウェーハ１１の裏面１１ｂ、即ち凹部１８の底面に金属膜が形成されているウェーハ１１について実施する。
【００３８】
図７において、保護膜被覆装置５２は、スピンナーテーブル５４と、スピンナーテーブル５４を包囲して配設された洗浄水受け容器５６とを具備している。スピンナーテーブル５４は、ポーラスセラミックス等の多孔性材料から形成された吸引保持部と、吸引保持部を囲繞する枠体とから構成され、第一環状フレームＦ１をクランプする複数のクランプ５８を有している。スピンナーテーブル５４は、電動モータ５８の出力軸６０に連結されている。
【００３９】
保護膜被覆装置５２は、スピンナーテーブル５４に保持されたレーザ加工前の半導体ウェーハ１１に水溶性樹脂を供給する水溶性樹脂供給ノズル６２と、レーザ加工後のウェーハ１１に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル６６を有している。水溶性樹脂供給ノズル６２はモータ６４により待避位置と供給位置との間で回動され、洗浄水供給ノズル６６はモータ６８により待避位置と供給位置との間で回動される。
【００４０】
保護膜被覆ステップを実施するには、搬送手段３６により、図５に示す第一テープ貼着ステップ実施後のウェーハ１１を保護膜被覆装置５０まで搬送し、保護膜被覆装置５０のスピンナーテーブル５４上に載置する。
【００４１】
そして、モータ６４を駆動して水溶性樹脂供給ノズル６２を図７に示す供給位置に回動し、水溶性樹脂をウェーハ１１上に供給してから、電動モータ５８を駆動してスピンナーテーブル５４をＲ１方向に約２０００ｒｐｍで回転させて供給された水溶性樹脂をウェーハ１１の裏面に形成された円形凹部１８の全面にスピンコーティングする。
【００４２】
スピンナーテーブル５４は２０００ｒｐｍという比較的高速で回転するので、振り子式のクランプ５８は遠心力により回動して第一環状フレームＦ１をクランプして固定する。これにより、ウェーハ１１の円形凹部１８中に供給された水溶性樹脂は凹部１８の底部に万遍なくスピンコーティングされ水溶性保護膜が被覆される。
【００４３】
水溶性保護膜を形成する水溶性樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００４４】
第一テープ貼着ステップ実施後、又は第一テープ貼着ステップ及び保護膜被覆ステップ実施後、ウェーハ１１のデバイス領域１７と環状凸部２０とを分離する分離ステップを実施する。この分離ステップについて図８を参照して説明する。
【００４５】
レーザ加工装置２２のチャックテーブル３８で第一ダイシングテープＴ１を介して円形凹部１８及び環状凸部２０の形成されたウェーハ１１を吸引保持する。そして、撮像ユニット４２でウェーハ１１を撮像し、環状凸部２０とデバイス領域１７（円形凹部１８）との境界を検出するアライメントを実施し、検出した境界の座標値をアライメントユニット４０のメモリに記憶する。
【００４６】
アライメント実施後、レーザビーム照射ユニット４４の集光器４８からウェーハに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｍｍ）のレーザビームを環状凸部２０と円形凹部１８との境界に向けて照射し、チャックテーブル３８を回転させて、集光器４８から照射されたレーザビームで環状凸部２０と円形凹部１８との境界をアブレーションにより円形に除去する。
【００４７】
好ましくは、図９に示すように、チャックテーブル３８の枠体３８ｂに環状凸部２０と円形凹部１８との境界部分に対応する環状溝２７を形成し、この環状溝２７中にレーザビーム吸収部材２９を配設する。これにより、集光器４８から照射されたレーザビームでチャックテーブル３８の枠体３８ｂ部分を加工してしまうことが防止される。
【００４８】
レーザビームを環状凸部２０と円形凹部１８との境界の全周に照射することにより、ウェーハ１１のデバイス領域１７と環状凸部２０とが第一ダイシングテープＴ１と共に分離される（分離ステップ）。
【００４９】
分離ステップ実施後、図１０に示すように、第一ダイシングテープＴ１を介して第一環状フレームＦ１に装着された環状凸部２０を、第一環状フレームＦ１と共にウェーハ１１のデバイス領域１７から除去する除去ステップを実施する。
【００５０】
除去ステップ実施後、保護膜被覆ステップを実施したケースの場合には、ウェーハ１１の裏面１１ｂに洗浄水を供給して保護膜を除去する保護膜除去ステップを実施する。この保護膜除去ステップについて図１１を参照して説明する。
【００５１】
保護膜被覆装置５２のスピンナーテーブル５４でデバイス領域１７の裏面に保護膜の被覆されたウェーハ１１を吸引保持する。そして、モータ６８を駆動して洗浄水供給ノズル６６を待避位置から図１１に示す供給位置に回動する。
【００５２】
次いで、洗浄水供給ノズル６６から洗浄水を供給しながら電動モータ５８を駆動して、スピンナーテーブル５４を約１０００ｒｐｍで回転させる。保護膜は水溶性保護膜であるため、この洗浄ステップ（保護膜除去ステップ）で、保護膜はデバイス領域１７の裏面から除去される。
【００５３】
分離ステップ及び保護膜除去ステップ実施後、図１０に示すように、第一ダイシングテープＴ１を介して第一環状フレームＦ１に装着された環状凸部２０を第一環状フレームＦ１と共にデバイス領域１７から除去する除去ステップを実施する。従って、チャックテーブル３８には第一ダイシングテープＴ１に貼着されたデバイス領域１７が残ることになる。
【００５４】
除去ステップを実施した後、図１２に示すように、デバイス領域１７のみからなるウェーハ１１の裏面１１ｂに第二ダイシングテープＴ２を貼着するとともに、第二ダイシングテープＴ２を介して第二環状フレームＦ２に装着する第二テープ貼着ステップを実施する。
【００５５】
この第二テープ貼着ステップを実施したことにより、デバイス領域１７のみからなるウェーハ１１は第二ダイシングテープＴ２を介して第二環状フレームＦ２に支持されたことになり、ウェーハ１１の表面１１ａであるデバイス領域１７が上側となる。
【００５６】
第二テープ貼着ステップを実施した後、図１３に示すように、第一ダイシングテープＴ１をウェーハ１１の表面１１ａから除去する第一テープ除去ステップを実施する。尚、この第一テープ除去ステップは、第二テープ貼着ステップを実施する前に行っても良い。
【００５７】
第二テープ貼着ステップと第一テープ除去ステップを実施した後、ウェーハを個々のデバイスへと分割する分割ステップを実施する。この分割ステップは、例えば図１４に要部が示されている切削装置により実施する。
【００５８】
７４は切削装置７０の切削ユニットであり、スピンドルハウジング７６中に収容された図示しないモータにより回転駆動されるスピンドルと、スピンドルの先端に着脱可能に装着された切削ブレード７８とを含んでいる。
【００５９】
切削ブレード７８は、ホイールカバー８０で覆われている。ホイールカバー８０に取り付けられたパイプ８２は図示しない切削水供給源に接続されている。パイプ８２から導入された切削水は、切削ブレード７８を挟むように配置された切削水供給ノズル８４から噴出され、デバイス領域１７の切削が遂行される。
【００６０】
デバイス領域１７の切削時には、切削水供給ノズル８４から切削水を噴射しながら、切削ブレード７８を矢印Ａ方向に高速（例えば３００００ｒｐｍ）で回転させて、チャックテーブル７２をＸ軸方向に加工送りすることにより、デバイス領域１７がストリート１３に沿って切削されて切削溝３１が形成される。
【００６１】
切削ユニット７４をＹ軸方向にストリート１３のピッチずつ割り出し送りしながら第１の方向に伸長するストリート１３を次々と切削する。第１の方向に伸長する全てのストリート１３の切削終了後、チャックテーブル７２を９０°回転してから、第２の方向に伸長するストリート１３に沿って同様な切削を実行し、ウェーハ１１のデバイス領域１７を個々のデバイス１５に分割する。
【００６２】
分割ステップは切削装置によるダイシングに限られるものではなく、レーザビームを利用したアブレーション加工又はレーザビームを照射してウェーハ内部に改質層を形成し、改質層の形成されたウェーハに外力を付与することにより、ウェーハ１１のデバイス領域１７を個々のデバイス１５に分割するようにしてもよい。尚、レーザビームを利用した加工時におけるレーザビームはウェーハの表面側から入射させてもよいし裏面側から入射させてもよい。
【００６３】
また、本実施形態ではウェーハの表面に表面保護テープを貼着して裏面を研削して円形凹部と環状凸部を形成したが、ウェーハの研削前にウェーハ表面に粘着テープである第一ダイシングテープを貼着するとともに、第一ダイシングテープを介してウェーハを第一環状フレームに装着する第一テープ装着ステップを実施してもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１０    研削ホイール
１１    半導体ウェーハ
１４    研削砥石
１７    デバイス領域
１８    円形凹部
１９    外周余剰領域
２０    環状凸部
２３    保護テープ
４４    レーザビーム照射ユニット
４８    集光器
５０    保護膜被覆装置
５４    スピンナーテーブル
６２    水溶性樹脂供給ノズル
６６    洗浄水供給ノズル
７４    切削ユニット
７８    切削ブレード
Ｔ１    第一ダイシングテープ
Ｔ２    第二ダイシングテープ
Ｆ１    第一環状フレーム
Ｆ２    第二環状フレーム
【図１】
2015213955.tif 000003
【図２】
2015213955.tif 000004
【図３】
2015213955.tif 000005
【図４】
2015213955.tif 000006
【図５】
2015213955.tif 000007
【図６】
2015213955.tif 000008
【図７】
2015213955.tif 000009
【図８】
2015213955.tif 000010
【図９】
2015213955.tif 000011
【図１０】
2015213955.tif 000012
【図１１】
2015213955.tif 000013
【図１２】
2015213955.tif 000014
【図１３】
2015213955.tif 000015
【図１４】
2015213955.tif 000016