(57)【要約】【課題】突出部を有する基板上にＵＢＭ層に代わる高い信頼性を有する硬化膜を、低コストで形成する方法を提供する。【解決手段】突出部を有する基板上に、熱硬化性樹脂組成物を円コート法を用いて塗布し、塗布膜を形成する工程、及び前記塗布膜を加熱して硬化膜とする工程を含む硬化膜製造方法。【選択図】図１
2015213863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突出部を有する基板上に、樹脂組成物を円コート法を用いて塗布し、塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を加熱して硬化膜とする工程を含む硬化膜製造方法。
【請求項２】
前記突出部の高さ／幅の値が０．１〜２.０であり、突出部の高さが１００μｍ以上である請求項１に記載の硬化膜製造方法。
【請求項３】
前記突出部が、導電性ボール又はバンプである請求項１又は２に記載の硬化膜製造方法。
【請求項４】
前記樹脂組成物が、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール又はポリベンゾオキサゾール前駆体を含む請求項１〜３のいずれかに記載の硬化膜製造方法。
【請求項５】
前記硬化膜が突出部を有する基板の形状を追従した被覆膜である請求項１〜４のいずれかに記載の硬化膜製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の硬化膜製造方法で形成した硬化膜を有する電子部品。
【請求項７】
基板上に、複数の突出部があり、前記複数の突出部の間に、膜厚８４μｍ以上の硬化樹脂膜がある電子部品。
【請求項８】
前記突出部の高さが１００μｍ以上である請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記硬化樹脂膜がバブルを含まない請求項７又は８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記突出部が、導電性ボール又はバンプであり、前記電子部品が、アンダーバンプメタル層を用いないパッケージ構造である請求項７〜９のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硬化膜製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミド及びポリベンゾオキサゾールは、優れた機械的特性、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性等の特性を併せ持つことから、半導体用層間絶縁膜、バッファーコート、フレキシブルプリント配線回路用基板、液晶配向膜等の様々な電子デバイスや光導波路用の膜として幅広く利用されている。
【０００３】
近年では半導体デバイスの高性能化のために、半導体素子の高集積化、大型化、及び封止樹脂パッケージの薄型化、小型化が進んでいる。
いわゆるフリップチップ構造のダイにおいては、ダイの回路面が、複数の導電性ボール又はバンプを備えている。この複数の導電性ボール又はバンプは、基板上に位置する複数の対応する導体パッドと金属結合を作るように設計されている。
【０００４】
ダイと基板をはんだボールで接続する場合、通常は、その信頼性を向上させるためにアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）層が形成される。これにより、接続信頼性が向上するだけでなく、はんだボール積載時に発生する金属間化合物による材料のマイグレーションを抑制することができる。しかし、ＵＢＭ層の形成プロセスは複雑で、デバイスの信頼性は確保できるものの、低コスト化を妨げる要因となっている。（特許文献１及び２）
このため、最近では、ＵＢＭ層を用いないパッケージ構造が提案されている。（非特許文献１〜３参照）。ＵＢＭ層を用いないパッケージ構造においては、銅の再配線上に直接はんだバンプを搭載しており、バンプにかかる応力を緩和して信頼性を確保するため、最外層の樹脂組成物がバンプを補強する構造となっている。
【０００５】
上記ＵＢＭ層を用いないパッケージ構造の作製においては、熱硬化性樹脂として感光性樹脂組成物を用いる製造方法（感光プロセス）と、非感光性樹脂組成物を用いる製造方法（非感光プロセス）の２つが提案されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２１６５８４号公報
【特許文献２】特開２０１３−９３６３０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】“Enhanced  Polymer  Passivation  Layer  for  Wafer  Level  Chip  Scale  Package”、[2011]
【非特許文献２】“ADVANCES  IN  WLCSP  TECHNOLOGIES  FOR  GROWING  MARKET  NEEDS”、Abstracts  of  6th  Annual  International  Wafer  Level  Packaging  Conference、[2009-10-27/10-30]
【非特許文献３】“TECHNOLOGY  SOLUTIONS  FOR  A  DYNAMIC  AND  DIVERSE  WLCSP  MARKET”、Abstracts  of  7th  Annual  International  Wafer  Level  Packaging  Conference、2010-11-14、Santa  Clara、USA.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、突出部を有する基板上にＵＢＭ層に代わる高い信頼性を有する硬化膜を、低コストで形成する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者はＵＢＭ層に代わる樹脂層の製造方法について鋭意研究した。感光プロセスによりＵＢＭ層に代わる樹脂層を形成したとしても、用いる感光性樹脂が高価であるため、製造コストが高くなり採算がとれない。一方、非感光プロセスを用いた場合、樹脂組成物を極端に厚く塗布する必要がある。
樹脂組成物の塗布方法としては、従来、種々の電子デバイスの製造においては、スピンコート法による成膜が行われている。スピンコート法は、シリコンウエハ等の半導体基板、透明電極や回路パターン形成後の基板、フラットディスプレイ基板などの基板上に膜形成用の樹脂組成物の溶液を塗布し、基板を高速で回転することで遠心力を利用して塗布膜を形成する成膜方法であり、生産性が高く低コストで成膜でき、均一性の高い膜を形成することができる等の利点から、広く用いられている。しかしながら、スピンコート法で、突出部を有する基板上に硬化膜を形成しようとすると、突出部を被覆するだけの厚膜の塗布膜を形成することは困難であった。また、突出部を被覆するように厚膜の塗布膜を形成できたとしても、塗布膜中にバブルが生じ、信頼性のある硬化膜が得られなかった。
本発明者らは、円コート法を用いることにより、基板が突出部を有する場合であっても、厚膜でバブルのない塗布膜が形成できることを見い出し、本発明を完成させた。
【００１０】
本発明によれば、以下の硬化膜製造方法等が提供される。
１．突出部を有する基板上に、樹脂組成物を円コート法を用いて塗布し、塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を加熱して硬化膜とする工程を含む硬化膜製造方法。
２．前記突出部の高さ／幅の値が０．１〜２.０であり、突出部の高さが１００μｍ以上である１に記載の硬化膜製造方法。
３．前記突出部が、導電性ボール又はバンプである１又は２に記載の硬化膜製造方法。
４．前記樹脂組成物が、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール又はポリベンゾオキサゾール前駆体を含む１〜３のいずれかに記載の硬化膜製造方法。
５．前記硬化膜が突出部を有する基板の形状を追従した被覆膜である１〜４のいずれかに記載の硬化膜製造方法。
６．１〜５のいずれかに記載の硬化膜製造方法で形成した硬化膜を有する電子部品。
７．基板上に、複数の突出部があり、前記複数の突出部の間に、膜厚８４μｍ以上の硬化樹脂膜がある電子部品。
８．前記突出部の高さが１００μｍ以上である７に記載の電子部品。
９．前記硬化樹脂膜がバブルを含まない７又は８に記載の電子部品。
１０．前記突出部が、導電性ボール又はバンプであり、前記電子部品が、アンダーバンプメタル層を用いないパッケージ構造である７〜９のいずれかに記載の電子部品。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、突出部を有する基板上にＵＢＭ層に代わる高い信頼性を有する硬化膜を、低コストで形成する方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】突出部を有する基板上に硬化膜を形成する場合における、感光性樹脂組成物を用いる製造方法（感光プロセス）と、非感光性樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を用いる製造方法（非感光プロセス）の一実施形態を示す図である。
【図２】本発明の電子部品の一実施形態に係る再配線構造を有する半導体装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の硬化膜の製造方法は、突出部を有する基板（以下、段差基板という場合がある）上に、樹脂組成物を円コート法を用いて塗布し、塗布膜を形成する工程、及び前記塗布膜を加熱して硬化膜とする工程を含む。
【００１４】
図１は、突出部を有する基板上に硬化膜を形成する場合における、感光性樹脂組成物を用いる硬化膜の製造方法と、非感光性樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を用いる硬化膜の製造方法の一実施形態を示す図である。
図１において、感光性樹脂組成物を用いた製造方法では、（１−１）樹脂組成物を再配線層２０を備える基板１０上に塗布、乾燥し、樹脂膜３０を形成する工程と、塗布、乾燥工程により得られた樹脂膜３０を所定のパターンに露光する工程と、（１−２）露光後の樹脂膜を、現像液を用いて現像する工程と、現像工程により得られたパターン樹脂膜を加熱処理する工程と、（１−３）導電性バンプ４０を搭載する工程と、を含む。なお、導電性バンプ４０は、導電性ボールでもよい。
しかし、当該製造方法では、感光プロセスを経て製造するため、感光材料が高価であったり、複数のマスクプロセス毎にマスクが必要であったりと、低コスト化が困難である。
【００１５】
一方、図１において、非感光性樹脂組成物を用いた製造方法では、（２−１）樹脂組成物を再配線層２０及び導電性バンプ４０からなる突出部を備える基板１０上に塗布、乾燥し、樹脂膜３０を形成する工程と、（２−２）塗布、乾燥工程により得られた樹脂膜３０を加熱処理する工程と、（２−３）導電性バンプ４０を露出させる工程を含む。当該製造方法では、感光プロセスを使用せずに製造するため、低コスト化を促進することができる。
【００１６】
スピンコート法を用いて突出部を有する基板上に厚膜の塗布膜を形成する場合、膜厚の厚い塗布膜の形成が困難である他、塗布する樹脂量を増やして塗布膜の厚みを厚くするほどに、塗布膜中にバブルが生じる問題がある。また、バブルを発生させないようにスピンコート時の回転速度を大きく低下させた場合には、大面積に均一に成膜することができない問題がある。
本発明の硬化膜の製造方法では、円コート法を用いることにより、基板が突出部を有する場合であっても、厚膜でバブルのない塗布膜が形成できる。
【００１７】
本発明の硬化膜の製造方法で使用する基板は、シリコンウエハ等の半導体基板、ガラス基板、透明電極付きのディスプレイ用基板などが挙げられる。
【００１８】
基板が有する突出部の形状は、特に制限はなく、円柱、角柱、直方体、ボール状等が挙げられる。突出部の材質も特に制限はないが、基板の材料と同一であっても、異なってもよく、半導体用途においては、導電性の材料であることが好ましい。なお、半導体用途における突出部としては、具体的には導電性ボール又は導電性バンプが挙げられる。  
突出部の高さ／幅（又は直径）の値は特に制限はないが、突出部が導電性ボール又は導電性バンプである場合、０．１〜２．０が好ましく、０．２〜１．５がより好ましく、０．５〜１．０がさらに好ましい。また、この際、高さは１００μｍ以上であることが好ましく、１００μｍ〜３００μｍであることがより好ましい。
前記導電性ボールとしては、例えば、はんだボールが挙げられる。はんだボールの直径は１００μｍ以上５００μｍ未満が好ましく、１００μｍ以上３００μｍ未満がより好ましい。
【００１９】
基板上の突出部は、２以上の突出部が規則性を持って配列していてもよいし、２以上の突出部が不規則に配列していてもよい。
基板上の突出部が規則性を持って配列している場合、互いに隣接する突出部の間隔（段差間隔）は、１００〜１０００μｍが好ましく、４００〜７００μｍがより好ましい。
ここで段差間隔とは、互いに隣接する２つの突出部間の距離であって、例えば突出部が導電性ボールである場合、隣接するボールの中心間の距離が段差間隔（ピッチ）となる。本発明の硬化膜の製造方法では、段差間隔が長い場合であっても厚膜の硬化膜を形成することができる。
【００２０】
本発明の硬化膜の製造方法で使用する樹脂組成物が含む樹脂としては、特に制限はないが、電気絶縁性が高い熱硬化性樹脂が好ましい。
熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミド、ポリアミドイミド、ノボラック樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びフェノール樹脂を挙げることができる。これらの中でも、絶縁性と機械特性の両立の観点から、熱硬化性樹脂は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、又はポリベンゾオキサゾール前駆体が好ましい。
これらの熱硬化性樹脂は単独で、又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２１】
本発明の硬化膜の製造方法で使用する樹脂組成物の粘度としては、円コート法で塗布できる粘度であれば特に制限はないが、１〜５００００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、厚膜形成性の観点から、５００〜３００００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。
【００２２】
樹脂組成物に用いる溶剤としては、熱硬化性樹脂を溶解できるものであれば特に制限はないが、硬化温度以下で揮発する溶剤が好ましい。
上記溶剤としては、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、及び乳酸ブチルを挙げることができる。これらの溶剤は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２３】
樹脂組成物は、必要に応じて、感光剤、架橋剤、カップリング剤、溶解促進剤、溶解阻害剤、界面活性剤又はレベリング剤を含んでもよい。
【００２４】
本発明の硬化膜の製造方法は、突出部を有する基板上に、樹脂組成物を円コート法を用いて塗布する。円コート法は、シリコンウエハ等の円形基板を適当な速度で回転させながら、膜形成用の樹脂組成物の溶液を円形基板の中心から端部に向かって任意の速度で塗布し、樹脂溶液にかかる重力を利用して、塗布膜を形成する製膜方法である。
円コート法を用いることにより、スピンコート法と比較して、膜厚３０μｍ以上の厚膜の塗布膜を得ることができ、厚膜形成時に円形基板の中心部と端部の膜厚について高い均一性が得られる。
【００２５】
円コート法による塗布の一実施形態を説明する。
突出部を有する基板（段差基板）を、円コータ（中外炉工業株式会社製）に設置し、基板を任意の速度（例えば１−１０００ｒｐｍ、好ましくは１−２００ｒｐｍ、さらに好ましくは１−５０ｒｐｍ）で回転させる。回転速度を調整することで、塗布膜の膜厚を調整できるので、厚膜を形成する場合、１−５０ｒｐｍで回転させることが好ましい。
次に、回転する基板に樹脂組成物を任意の速度で基板の中心から端部に向かって滴下する。滴下時間としては特に制限はないが、滴下開始から終了までの時間として、例えば０．５秒〜３０分であり、生産性の観点から０．５秒〜１０分以内であることが好ましい。滴下の速度としては特に制限はないが、一定の速度で滴下してもよいし、滴下の速度を滴下中に任意に変更してもよい。
【００２６】
樹脂組成物の滴下量は、使用する基板の大きさや用途、及び必要とする硬化膜の膜厚等に依存するが、塗布膜が段差基板の表面全体を充分に覆うことができる限りにおいて、特に制限はない。例えば、硬化後膜厚を１００μｍ以上にするには、塗布膜の膜厚は３００〜１０００μｍとすることが好ましい。
【００２７】
塗布膜を有する段差基板の加熱は、例えば塗布膜中の溶剤を揮発させる第１の加熱、及び塗布膜を硬化して硬化膜とする第２の加熱の２段階で行うことができる。
第１の加熱の加熱温度は、塗布膜中の溶剤を揮発させる温度であれば特に限定されない。第２の加熱の加熱温度（硬化温度）は、塗布膜の硬化反応を進行させるための温度であって第１の加熱の加熱温度よりも高温であり、硬化反応が充分に進行する温度であって段差基板に損傷等の不具合が発生しない温度であることが好ましい。例えば基板の突出部がはんだボールである場合、硬化温度は２５０℃以下であることが好ましく、はんだの融点を考慮すると、２２０℃以下であることがより好ましい。
【００２８】
塗布膜の加熱は、電熱式ホットプレート、ＩＲ式ホットプレート等のホットプレート装置、加熱炉、硬化炉などを使用して行うことができる。加熱にホットプレート装置を用いる場合、段差基板はその下部（塗布膜を有する面の反対側）から加熱されることになる。加熱に加熱炉又は硬化炉を用いる場合は、段差基板の全体が均一に加熱されることになる。
【００２９】
加熱により得られる硬化膜は、基板上の突出部及び基板の表側（基板の突出部を有する側の面）の全てを被覆している状態となっていれば特に限定されない。段差基板を被覆している硬化膜の形状は、段差基板の形状を追従した形状であることが好ましい。形状の追従とは、硬化膜が突出部の輪郭を覆うことであり、突出部の間の溝を埋めて突出部の形状が失われないことをいう。
段差基板を被覆している硬化膜が段差基板の形状を追従している場合、電子部品の信頼性を高める観点からは、隣接する突出部の間にある硬化膜の中央部の膜厚が、突出部の高さの１／３以上であることが好ましい。
【００３０】
硬化膜で被覆した段差基板について、突出部に対応する部分を公知の手段で露出させることにより、本発明の電子部品が得られる。
【００３１】
本発明の電子部品は、基板上にある複数の突出部の間に、膜厚８４μｍ以上の硬化樹脂膜がある。硬化膜は、通常、突出部の間を覆っている。このように厚膜の硬化膜は円コート法により初めて得ることができる。
硬化樹脂膜はバブル（例えば、直径１μｍ以上の空隙）を含まないことが好ましい。バブルの存在は目視又は顕微鏡による観察にて確認できる。
【００３２】
図２は、本発明の電子部品の一実施形態に係る再配線構造を有する半導体装置の概略断面図である。図２の半導体装置１００では、ウエハ１１０上にアルミニウム配線１２０が設けられており、ウエハ１１０及びアルミニウム配線１２０の両端部を覆うようにして絶縁層１３０が積層している。絶縁層１３０上には、絶縁層１３０及びアルミニウム配線１２０の一部を覆うようにして層間絶縁層１４０が設けられており、アルミニウム配線１２０の残りの露出部の全て及び層間絶縁層１４０を覆うようにして再配線層１５０が積層されている。再配線層１５０に接して導電性ボール１７０が設けられており、再配線層１５０及び導電性ボール１７０が形成する空隙を埋めるようにカバーコート層１６０が再配線層１５０上に積層されている。
【００３３】
図２において、ダイと基板を導電性ボールで接続する場合、接続信頼性向上のため、再配線層１５０と導電性ボール１７０の間にさらにＵＢＭ層が通常設けられる。本発明の硬化膜の製造方法では、カバーコート層１６０を厚膜に形成することができるため、ＵＢＭ層を設ける必要がない。ＵＢＭ層の形成プロセスは複雑であるので、当該ＵＢＭ層の形成を省略できる本発明の硬化膜の製造方法は極めて有用である。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００３５】
（実施例１）
直径２５０μｍ及び高さ２５０μｍの円柱状の突出部が７００μｍの段差間隔で等間隔に存在する突出部を有する直径６インチの銅めっきウエハ基板を円コータに設置した。ここで、段差間隔とは、突出部の中心部から隣接する突出部の中心部までの距離をさす。
次に、基板を３０ｒｐｍで回転させた状態で、熱硬化性樹脂組成物（日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製、商品名ＰＩＸ−３４００。ポリマーとしてポリイミド前駆体、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを含有し、固形分は１８−２２質量％である）をウエハ中心部から端部に向かって、０．５ｍｍ／秒の速度で滴下し、段差基板上に塗布膜を形成した。次に塗布膜を有する基板をホットプレート上、１２０℃で１０分間加熱した。続いて、本基板を、イナートガスオーブン（光洋サーモシステム社製、ＩＮＨ−９ＣＤ−Ｓ）を用いて窒素雰囲気下、２００℃で１時間加熱し硬化膜付き段差基板を得た。
【００３６】
得られた硬化膜付き段差基板について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
（１）バブルの有無
段差基板の硬化膜表面を光学顕微鏡で観察した。直径６インチの硬化膜において、全面積のうち、５％未満でバブルが観察されたものをＡ（良好）と評価し、全面積のうち、５％以上で硬化膜中にバブルが存在したものをＢ（実用レベルではない）と評価した。ここで「バブル」とは、直径０．０１〜１０μｍの空隙と定義され、バブルが存在することで、外観不良となったり、信頼性が低下したりして問題となる。
（２）硬化後膜厚
硬化膜付き段差基板を切断し、硬化膜の膜厚を光学顕微鏡で測定した。具体的には段差間の中心部の膜厚を測定し、膜厚が段差高さの１／３以上の膜厚であったものをＡ（良好）と評価し、膜厚が段差高さの１／３未満であったものをＢ（実用レベルではない）と評価した。
【００３７】
（実施例２〜５）
銅めっきウエハ基板の段差間隔をそれぞれ５００μｍ、４００μｍ、２００μｍ、１００μｍにした基板を用いた他は、実施例１と同様にして硬化膜付き段差基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。
【００３８】
（実施例６）
熱硬化性樹脂組成物として、ポリイミド前駆体の組成物（日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製、商品名：ＰＩＸ−１４００−３Ｌ。ポリマーとしてポリイミド前駆体、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを含有し、固形分は１４−１６質量％である）を用いた他は、実施例１と同様にして硬化膜付き段差基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。
【００３９】
（実施例７及び８）
銅めっきウエハ基板の段差間隔をそれぞれ５００μｍ、４００μｍとした他は実施例６と同様にして硬化膜付き段差基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。
【００４０】
（実施例９）
熱硬化性樹脂組成物として、ポリイミドの組成物（ポリマーとして下記ポリイミド１、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを含有し、固形分は４０質量％である）を用いた他は、実施例１と同様にして硬化膜付き段差基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。
［ポリイミド１の製造］
ポリイミド１は、具体的には以下のように製造した。
撹拌機、温度計を備えた０．２リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン６０ｇを仕込み、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン４．４０ｇ（１２ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌溶解した。続いて、オキシジフタル酸二無水物４．２０ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）を１０分間で滴下した後、１０時間撹拌を続けた。次に、メタ−アミノフェノール０．３３ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を添加し、２時間撹拌した後、トルエン３０ｇを加え、１６０℃で２時間、１８０℃で１時間加熱することにより、脱水環化反応を行い、ポリイミド１を得た。ポリイミド１のＧＰＣ法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は３４，０００、分散度は２．０であった。
【００４１】
（実施例１０）
熱硬化性樹脂組成物として、ポリベンゾオキサゾール前駆体の組成物（日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製、商品名：ＨＤ−８８２０。ポリマーとしてポリベンゾオキサゾール前駆体、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを含有し、固形分は３５−５４質量％である）を用いた他は、実施例１と同様にして硬化膜付き段差基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。
【００４２】
（比較例１）
直径２５０μｍ及び高さ２５０μｍの円柱状の突出部が７００μｍの段差間隔で等間隔に存在する突出部を有する直径６インチの銅めっきウエハ基板をスピンコータに設置した
次に、基板を停止させた状態で、熱硬化性樹脂組成物（ポリマーとしてポリイミド前駆体、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを含有し、固形分は１８−２２質量％である）を滴下した。１０００ｒｐｍで１０秒間回転させた後、１２５０ｒｐｍで３０秒間回転させることで、段差基板上に塗布膜を形成した。次に塗布膜を有する基板をホットプレート上、１２０℃で１０分間加熱した。続いて、本基板を、イナートガスオーブン（光洋サーモシステム社製、ＩＮＨ−９ＣＤ−Ｓ）を用いて窒素雰囲気下、２００℃で１時間加熱し硬化膜付き段差基板を得た。
得られた硬化膜付き段差基板について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４３】
（比較例２及び３）
銅めっきウエハ基板の段差間隔をそれぞれ５００μｍ、４００μｍにした基板を用いた他は、比較例１と同様にして硬化膜付き段差基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
2015213863.tif 000003
【００４５】
（実験例１）
直径２５０μｍ及び高さ２５０μｍの円柱状の突出部が３００μｍの段差間隔で等間隔に存在する突出部を有する直径６インチの銅めっきウエハ基板をスピンコータに設置した。
次に、基板を停止させた状態で、（日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製、商品名ＰＩＸ−３４００。ポリマーとしてポリイミド前駆体、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを含有し、固形分は１８−２２質量％である）を滴下した。７５０、１２５０、１５００、３０００ｒｐｍで３０秒間回転させて段差基板上に塗布膜を形成した。その後は比較例１と同様にして、硬化膜付き段差基板を得た。硬化膜の膜厚は６μｍ〜４０μｍであった。
得られた硬化膜付き段差基板について、バブルの有無を評価した結果を表２に示す。
バブルの有無については、段差基板の硬化膜表面を光学顕微鏡で観察した。直径６インチの硬化膜において、全面積のうち、５０％未満でバブルが観察されたものを△（良好ではない）と評価し、全面積のうち、５０％以上で硬化膜中にバブルが存在したものを×（実用レベルではない）と評価した。
【００４６】
【表２】
2015213863.tif 000004
【００４７】
（実験例２）
熱硬化性樹脂組成物の粘度、段差間隔、添加物の有無を、表３に示すように変え、スピンコータの回転速度を１２５０ｒｐｍと一定にした他は、実験例１と同様にして硬化膜付き段差基板を得た。粘度は溶媒により調整した。
表中、ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドンの３０質量％添加を、Ｓｕｒｆｃｔａｎｔは界面活性剤の０．５質量％添加を示す。
得られた硬化膜付き段差基板について、それぞれの段差間隔におけるバブルの有無を実施例１と同様に評価した。結果を表３に示す。
【００４８】
【表３】
2015213863.tif 000005
【００４９】
上記実験例１及び２から、スピンコート法では、膜厚の厚いバブルのない硬化膜が得られないことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明による硬化膜製造方法は、段差基板に対する熱硬化性樹脂組成物の塗布であっても、ボイドなく硬化膜を形成できる。また、本発明によれば、段差基板上に、厚膜を形成することが可能である。さらに、本発明の硬化膜製造方法を用いると、硬化膜中にボイドが存在しないことから、信頼性の高い電子部品（ＵＢＭ層を用いないパッケージ構造等）が得られる。
【符号の説明】
【００５１】
１０  基板
２０  再配線層
３０  樹脂膜
４０  導電性バンプ
１００  半導体装置
１１０  ウエハ
１２０  アルミニウム配線
１３０  絶縁層
１４０  層間絶縁層
１５０  再配線層
１６０  カバーコート層
１７０  導電性ボール
【図１】
2015213863.tif 000006
【図２】
2015213863.tif 000007