(57)【要約】【課題】ＧａＮなどの窒化物半導体のような硬く割れやすい材料からなる反りのあるウェーハを割ることなく研削又は研磨によって、ＴＴＶの良好なウェーハに低コストで加工できるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】反りのあるウェーハをプレートに接着剤を用いて貼り付けて保持し、該保持したウェーハを研削又は研磨するウェーハの加工方法において、前記ウェーハを前記プレートに接着剤を用いて貼り付ける際に、前記ウェーハの反りの方向に応じて前記ウェーハの外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにして前記ウェーハの反りを矯正しながら、前記ウェーハの裏面を前記プレートに貼り付け、その後、前記ウェーハの表面を研削又は研磨することを特徴とするウェーハの加工方法。【選択図】  図２Ａ
2015213120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反りのあるウェーハをプレートに接着剤を用いて貼り付けて保持し、該保持したウェーハを研削又は研磨するウェーハの加工方法であって、
前記ウェーハを前記プレートに接着剤を用いて貼り付ける際に、前記ウェーハの反りの方向に応じて前記ウェーハの外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにして前記ウェーハの反りを矯正しながら、前記ウェーハの裏面を前記プレートに貼り付け、
その後、前記ウェーハの表面を研削又は研磨することを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
前記ウェーハの表面を加工した後にさらに、
前記ウェーハの反りの方向に応じて前記ウェーハの外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにして前記ウェーハの反りを矯正しながら、前記ウェーハの表面を前記プレートに接着剤を用いて貼り付け、
その後、前記ウェーハの裏面を研削又は研磨することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
前記ウェーハを前記プレートに前記接着剤を用いて貼り付ける際に、
前記プレートに対して前記ウェーハの外周部が浮き上がるように反っている場合、リング状の押圧部材を前記ウェーハの外周部にのみに接触させて前記ウェーハを押圧することで、前記ウェーハの外周部のみに荷重がかかるようにすることを特徴とする請求項１または請求項２記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
前記ウェーハを前記プレートに前記接着剤を用いて貼り付ける際に、
前記プレートに対して前記ウェーハの中央部が浮き上がるように反っている場合、前記ウェーハ径より小径の円形の押圧部材を前記ウェーハの中央部にのみに接触させて前記ウェーハを押圧することで、前記ウェーハの中央部のみに荷重がかかるようにすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウェーハの加工方法。
【請求項５】
前記ウェーハを前記プレートに前記接着剤を用いて貼り付ける際に、
前記ウェーハにかける前記荷重をウェーハ厚さをｔ（μｍ）としたとき、t×１／１００（ｇ／ｃｍ2）以上となるようにすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。
【請求項６】
前記ウェーハが窒化物半導体からなるものであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ、特に窒化物半導体ウェーハの加工方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、窒化物半導体、例えばＧａＮ自立基板の製造方法として、サファイアやＧａＡｓ等の異種基板からＧａＮ層のみを剥離する方法が開示されている。また、このような方法によって得られたＧａＮ基板を種基板として、厚膜成長を行うことでＧａＮ単結晶インゴットを製造し、これをスライスして所望の厚さのウェーハを得る技術がある。異種基板より剥離されたあるいはインゴットから切りだされたＧａＮウェーハは平面研削、ラップ、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、以下、ＣＭＰ、又は研磨と略す）により両面とも鏡面に仕上げられる。この加工を行うにあたり、まずウェーハはセラミックなどのプレート上にワックス等の接着剤を用いて貼り付けられる。しかる後、ウェーハはダイヤモンド砥石やラップ液、研磨剤を用いて、所望の厚さ、研磨面が得られるように加工される。こうして得られたＧａＮウェーハはレーザ、ＬＥＤなどの発光素子、電子デバイス用等の基板として使用される。
【０００３】
ところで、ＧａＮウェーハは厚膜成長やスライス、その後の鏡面加工において反りを生じる。このような反りを生じたウェーハを平坦に加工し、その厚さのバラツキ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ、以下、ＴＴＶと略す）をある所定の範囲内に歩留まりよく収めるためには、ウェーハをプレートに平坦に貼り付けることが要求される。このウェーハの貼り付けにあたっては、ウェーハ接着装置が用いられる。
【０００４】
この種のウェーハ接着装置の一つは、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１に開示されているウェーハ接着装置は加圧シリンダーを用いてウェーハをプレートに貼り付ける。この装置のウェーハ加圧部分は凸形状の弾性体が取り付けられており、プレートとウェーハの間の接着層に侵入および残留するエアーを効率的に外周部へと排除するものである。
【０００５】
特許文献２には、窒化物半導体基板に加工歪層を導入することで反りを制御する方法および以下の点が開示されている。Ｇａ面側が凹であればこの面を研削し、加工変質層を導入することによって、Ｇａ面を延ばして凸に変形させる。この凸に変形したＧａ面のみをドライエッチングによって加工変質層の一部を除去し凸面を縮めることによって、基板を平坦に近づける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−８２４９３
【特許文献２】特開２００５−１３６１６７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１はＳｉやＧａＡｓと言ったＧａＮに比べれば展性、延性にすぐれたウェーハへの適用を考えている。ＧａＮなどの展性、延性に乏しいウェーハは反り矯正のためにウェーハ接着装置などで無理に押し付けると割れる恐れがある。また、特許文献１は、対象がＳｉやＧａＡｓであるため、そもそもＧａＮのような硬く割れやすい材料に対しては適用するのは難しい。更に、プレートに対してウェーハ外周部が浮き上がるように反っている場合には、反りの矯正が不十分になることが考えられる。
【０００８】
特許文献２のような反りの矯正方法ではプロセスが増えてコスト高となる。また、反りを十分に抑制できるわけではないので、良好なＴＴＶのウェーハを製造するのは難しい。ウェーハのＴＴＶが大きいとフォトリソグラフィなどの後工程に悪影響を与えることが考えられる。
【０００９】
本発明は上記のような問題に鑑みてなされたもので、例えばＧａＮなどの窒化物半導体のような硬く割れやすい材料からなる反りのあるウェーハを割ることなく研削又は研磨によって、ＴＴＶの良好なウェーハに低コストで加工できるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は反りのあるウェーハをプレートに接着剤を用いて貼り付けて保持し、該保持したウェーハを研削又は研磨するウェーハの加工方法であって、前記ウェーハを前記プレートに接着剤を用いて貼り付ける際に、前記ウェーハの反りの方向に応じて前記ウェーハの外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにして前記ウェーハの反りを矯正しながら、前記ウェーハの裏面を前記プレートに貼り付け、その後、前記ウェーハの表面を研削又は研磨することを特徴とするウェーハの加工方法を提供する。
このようなウェーハの加工方法であれば、ウェーハを割ることなく歩留まり良く加工でき、反りのあるウェーハをＴＴＶが小さく、所望の範囲に納まるウェーハに低コストで加工できる。
【００１１】
また、前記ウェーハの表面を加工した後にさらに、前記ウェーハの反りの方向に応じて前記ウェーハの外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにして前記ウェーハの反りを矯正しながら、前記ウェーハの表面を前記プレートに接着剤を用いて貼り付け、その後、前記ウェーハの裏面を研削又は研磨することができる。
このようにすれば、ウェーハの反りの方向によらずウェーハをプレートに高平坦に貼り付けることができるため、ＴＴＶの良好な高平坦なウェーハに確実に加工できる。
【００１２】
前記ウェーハを前記プレートに前記接着剤を用いて貼り付ける際に、前記プレートに対して前記ウェーハの外周部が浮き上がるように反っている場合、リング状の押圧部材を前記ウェーハの外周部にのみに接触させて前記ウェーハを押圧することで、前記ウェーハの外周部のみに荷重がかかるようにするのが好ましい。
このようにすればウェーハ外周部が浮き上がるように反っているウェーハの反りを矯正しながら、プレートに高平坦に貼り付けることができるため、ＴＴＶの良好な高平坦なウェーハに確実に加工できる。
【００１３】
また、前記ウェーハを前記プレートに前記接着剤を用いて貼り付ける際に、前記プレートに対して前記ウェーハの中央部が浮き上がるように反っている場合、前記ウェーハ径より小径の円形の押圧部材を前記ウェーハの中央部にのみに接触させて前記ウェーハを押圧することで、前記ウェーハの中央部のみに荷重がかかるようにすることが好ましい。
このようにすればウェーハ中央部が浮き上がるように反っているウェーハの反りを矯正しながら、プレートに高平坦に貼り付けることができるため、ＴＴＶの良好な高平坦なウェーハに確実に加工できる。
【００１４】
前記ウェーハを前記プレートに前記接着剤を用いて貼り付ける際に、前記ウェーハにかける前記荷重をウェーハ厚さをｔ（μｍ）としたとき、t×１／１００（ｇ／ｃｍ2）以上となるようにすることが好ましい。
このような荷重であればウェーハをプレートに貼り付ける際に、より確実にウェーハの反りの矯正ができる。
【００１５】
また、前記ウェーハを窒化物半導体とすることができる。
このように窒化物半導体のような極めて脆いウェーハを加工する場合であっても本発明によれば割れることなく、ＴＴＶの良好な高平坦なウェーハに加工できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のウェーハの加工方法では、ウェーハの反りの方向に応じてウェーハの外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにしてウェーハの反りを矯正しながら、ウェーハをプレートに貼り付け、その後、ウェーハを研削又は研磨するので、ウェーハを割ることなく研削又は研磨によって、ＴＴＶの良好なウェーハに低コストで加工できるウェーハの加工方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の加工方法で加工する対象の反りのあるウェーハの一例の概略図である。
【図２Ａ】本発明の加工方法においてウェーハをプレートに貼り付ける際にウェーハを押圧する方法の一例を示した図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すようにウェーハを押圧した後、ウェーハの反りが矯正された様子を示した図である。
【図２Ｃ】リング状の押圧部材の一例を示した図である。
【図３Ａ】本発明の加工方法においてウェーハをプレートに貼り付ける際にウェーハを押圧する方法の別の例を示した図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示すようにウェーハを押圧した後、ウェーハの反りが矯正された様子を示した図である。
【図４】一般的な研磨装置の一例を示す概略図である。
【図５】一般的な平面研削装置の一例を示す概略図である。
【図６】一般的なラップ装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明について、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
前述のようにＴＴＶが良好なウェーハを得るためには、ウェーハ製造段階で生じるウェーハの反りを矯正する必要がある。しかし、従来の方法では、反りの矯正が不十分であったり、プロセスが増えてコスト高となる。例えば、ＧａＮウェーハのような硬く割れやすいウェーハの反りを矯正しようとすると、ウェーハが割れるという問題がある。
【００１９】
そこで、本発明者らはこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、以下のことに想到した。ウェーハの反りの方向に応じてウェーハの外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにしてウェーハの反りを矯正しながら、ウェーハをプレートに貼り付ければ、ウェーハの割れを防止しつつ、ウェーハの反りを効果的に矯正できる。このようにして保持したウェーハを研削又は研磨することで、ＴＴＶの良好な高平坦なウェーハに加工することができる。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。
【００２０】
まず、図１に示すような、加工対象の反りのあるウェーハ１を用意する。ウェーハ１は例えば、ＧａＮのような窒化物半導体からなるウェーハとすることができる。例えば、ＧａＮウェーハはインゴットをワイヤーソーなどでスライスしたり、サファイやＧａＡｓ等の異種基板から剥離することで得ることができる。この用意したウェーハ１の一方の面を平らに研削し基準面２を形成しておくことができる。ただし、この基準面２には加工歪層３が形成されるため、この平らになるように研削した基準面２側は凸形状となるように反ってしまう。
【００２１】
次に、図２Ａに示すようにウェーハ１の表面の加工を行うために、ウェーハ１の裏面をプレート７へ貼り付けることができる。上記のように基準面２を形成した場合に、この基準面２をプレート７に貼り付けることができる。すなわち、この場合基準面２がウェーハ１の裏面に相当する。この際に、ウェーハ１の反りの方向に応じてウェーハ１の外周部のみに、または中央部のみに荷重がかかるようにしてウェーハ１の反りを矯正しながら、ウェーハ１の裏面をプレート７に貼り付けるようにする。このようにすることで、ウェーハ１を割ることなく反りを矯正しつつ、ウェーハ１をプレート７に貼り付けることができる。
【００２２】
以下に、凸形状となっている基準面２を裏面として、プレート７に貼り付ける場合の例をより具体的に説明する。
【００２３】
図２Ａのようにしてプレート７に接着剤６を塗布して、その上にウェーハ１を載置する。このとき、図２Ａのようにプレート７に対してウェーハ１の外周部が浮き上がるようにして反っているので、ウェーハ１の外周部のみにプレート７に向かう方向の荷重がかかるようにする。これにより、効果的にウェーハ１の反りを矯正しながら、プレート７に貼り付けることができる。さらに、従来のようにウェーハの表面全体を押圧するのではなく、必要な部分のみに荷重がかかるようにするので、例えばＧａＮウェーハをプレートに貼り付ける場合でも、ウェーハの割れを防止できる。
【００２４】
ここでウェーハ１の外周部のみに荷重をかけることができる部材として、具体的には図２Ｃに示すような中心が空洞のリング状の押圧部材５を用いることができる。そして、リング状の押圧部材５でウェーハ１の外周部のみを押圧する。
【００２５】
具体的には、図２Ａのようにリング状の押圧部材５をウェーハ１に乗せて外周部のみに接触させて、その上から重り４、あるいは貼り付け機などを用いて荷重をかけことができる。この場合、プレート７の下面に位置するウェーハ１に下から荷重を掛けるようにしても良い。ここでウェーハ１を押圧する方向は特に限定されない。このようにして、図２Ｂに示すように、ウェーハが反りが矯正された状態でプレートに貼り付けられる。
【００２６】
このようなリング状の押圧部材５を用いることで、ウェーハの外周部がプレートから浮きあがっている反りを容易に矯正でき、ウェーハを高い平坦度で貼り付けることができる。しかしながら形状はこれに限定されず、ウェーハの外周部のみを押圧することができればよい。
【００２７】
上記では、図２Ａのようにプレートに対して、ウェーハの外周部が浮き上がるようにして反っているが、図３Ａのように中央部が浮き上がるように反っている場合は、図３Ａに示すように、ウェーハ１の中心部のみに荷重がかかるようにしてウェーハの反りを矯正しながらウェーハの裏面をプレートに貼り付ける。
【００２８】
ここで、ウェーハ１の中央部のみに押圧できる部材として、具体的には図３Ａに示すような円形の押圧部材５ａを用いることができる。このとき、例えば円形の押圧部材５ａの径を２０〜３０ｍｍとすることができる。このような円形の押圧部材５ａを用いることでウェーハの中央部がプレートに対して浮き上がっている反りを容易に矯正できる。押圧部材５ａの形状は円形に限定されず、ウェーハの中央部のみを押圧することができればよく、例えば多角形でもよい。
【００２９】
そして、円形の押圧部材５ａでウェーハ１の中央部のみを押圧する。具体的には、図３Ａのようにウェーハ１に乗せて中央部のみに接触させて、その上から重り４、あるいは貼り付け機などを用いて荷重をかけことができる。このようにして、図３Ｂに示すように、ウェーハが反りが矯正された状態でプレートに貼り付けられる。
【００３０】
また、貼り付けるときにウェーハの外周部のみ又は中央部のみにかける荷重はウェーハの厚さによって変更するとより効果を確実にすることができる。なぜならば、ウェーハ厚さをｔ（μｍ）とすると、ｔが厚いときの方がウェーハの反りを矯正するのにより大きな力を必要とするからである。
【００３１】
発明者らは、このときｔ×１／１００（ｇ／ｃｍ2）以上の力で押圧することが好ましく、荷重をこのような値とすることでより確実にウェーハをプレートに平坦度を高く貼り付けることが可能であることを見出した。
【００３２】
次に、ウェーハ１の表面を研削又は研磨することによりウェーハ１の表面の加工を行う。ここで、ウェーハの加工は研削と研磨の両方を行っても良い。また研削と研磨のどちらか一方を行えばいいが、少なくとも本発明のウェーハの加工方法における研削とは、平面研削やラップを含み、どちらか一方、あるいは両方を実施しても良い。以下では、平面研削、ラップ、研磨の順に加工を行う場合を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、どのような順序、あるいは組み合わせで行っても良い。
【００３３】
上記のように、プレート７にウェーハ１を平坦に貼り付けた後、ウェーハ１の表面の平面研削を行う。平面研削は図５に示すように、回転自在な研削盤１７と砥石１８とを有する平面研削装置１６を用いて行うことができる。ウェーハ１はプレート７に接着剤６を用いて貼り付けられており、さらにプレート７を介して、研削盤１７上に保持されている。
【００３４】
そして、砥石１８と研削盤１７を高速回転させた状態で、ウェーハ１の表面に砥石１８を摺接させることでウェーハ１の表面を研削する。この際に、プレート７を研削盤１７に固定する方法として、例えば真空装置（不図示）により吸着固定する方法を用いることができる。
【００３５】
次に、ウェーハ１の表面にラップを行う。ラップは、図６に示すように、回転自在なラップ盤２３とラップヘッド２０とを有するラップ装置１９を用いて行う。ウェーハ１はプレート７に接着剤６を用いて貼り付けられており、さらにプレート７を介して、ラップヘッド２０に保持されている。ラップ液２２をラップ液供給装置２１からラップ盤２３とウェーハ１の間に供給し、ウェーハ１をラップ盤２３に押し当て、ラップ盤２３とラップヘッド２０を回転しながら、ウェーハ１をラップ盤２３に摺接させることによりウェーハ１の表面を機械的にラップする。例えば、ラップ液２２にアルミナあるいはシリコンカーバイド砥粒とグリセリンの混合物を用いることができる。
【００３６】
次に、ウェーハ１の表面に研磨を行う。研磨は、図４に示すように、回転自在な研磨ヘッド１５と研磨定盤１１とを有する研磨装置１２を用いて行う。ウェーハ１はプレート７に接着剤６を用いて貼り付けられており、さらにプレート７を介して研磨ヘッド１５に保持されている。また、研磨定盤１１には研磨布１０が貼り付けられている。研磨剤供給装置１３から研磨定盤１１に貼り付けた研磨布１０上に研磨剤１４を供給しながら、ウェーハ１の表面を回転する研磨布１０に対して荷重を掛けながら摺接させることにより研磨が行われる。
【００３７】
このような本発明のウェーハの加工方法であれば、ウェーハを割ることなくウェーハのＴＴＶが小さく、かつ歩留まり良く所望のＴＴＶの範囲に納まったウェーハを得ることができるので、発光素子や電子デバイス等の製造に問題のないＴＴＶのウェーハを高歩留まりで供給することが可能となる。
【００３８】
なお、研削と研磨によるウェーハの加工はどのような順序で、あるいは組み合わせで用いてよいものとする。また、研削と研磨はウェーハ１をプレート７に貼り付けた状態のまま連続で行ってよく、もしくは工程ごとに着脱して行ってもよい。
【００３９】
ウェーハ１の表面の加工を行った後、ウェーハ１の裏面の加工を行っても良い。この場合、ウェーハ１の裏面の加工を行うためにウェーハ１とプレート７の間の接着剤６を取り除き、ウェーハ１をプレート７から取り外した後、ウェーハ１の表面をプレート７に貼り付ける。このとき、ウェーハの外周部と中央部のうち、上記したウェーハの裏面をプレート７に貼り付けたときに荷重をかけた方とは逆の部分のみに荷重をかけるようにしながらウェーハをプレート７に貼り付けるのが好ましい。例えば、図２Ａに示すように裏面をプレートに貼り付ける際に、ウェーハの表面の外周部のみに荷重をかけて貼り付けた場合は、ウェーハの表面をプレートに貼り付ける際には、ウェーハの裏面の中心部のみに荷重をかけて貼り付けるのが好ましい。
【００４０】
次に、プレート７に貼り付けたウェーハ１の裏面の研削又は研磨を前述したのと同様にして行う。このようにして、ウェーハの表面および裏面に研削、ラップ、研磨の順で加工を行えば、きわめてＴＴＶの小さい、両面が鏡面加工されたウェーハを短時間で得ることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
厚さ１２００μｍのＧａＮウェーハをプレートに貼り付け、一方の面を平面研削によって６００μｍまで薄くし、基準面を形成した。このときのウェーハの反りは基準面側に凸であった。続いて図２Ａに示すように、基準面（裏面）をプレートに貼り付けた。ウェーハ外周部が浮き上がるように反ったウェーハをプレートに貼り付けるので、ウェーハの上にリング状の押圧部材を載せ、その上に重りを乗せて、ウェーハの外周部のみを押圧した。このときの荷重は８０ｇ／ｃｍ２とした。ウェーハをプレートに貼り付けた後、表面を平面研削、ラップ、ＣＭＰにより鏡面とした。この加工後のウェーハ厚さは５２０μｍであった。全部で５枚のウェーハについて同様の加工を行った。加工後のウェーハの形状は基準面（裏面）側に２５μｍ（５枚のウェーハの平均）の凸形状と、比較例に比べて良好であった。
【００４２】
次に先程、鏡面加工した表面をプレートに貼り付けて基準面（裏面）の加工を行った。直径２５ｍｍの円形の押圧部材で中央部分のみに集中して荷重がかかるようにした。このときの荷重は１００ｇ/ｃｍ２とした。裏面も平面研削、ラップ、ＣＭＰの順で加工を行い鏡面とし、ウェーハの厚さを５００μｍにした。全部で５枚のウェーハについて同様の加工を行った。加工後の５枚のウェーハのＴＴＶ(１３点測定)は表１に示すように３〜９μｍと良好であった。
【００４３】
（比較例）
ウェーハのプレートへの貼り付けをウェーハの全面に対して押すようにして行った以外、実施例と同様にしてウェーハの両面の加工を行った。貼り付け治具としてＳｉインゴットに樹脂を貼り付けたものを準備し、この治具をウェーハの上から手で押さえつけてプレートに貼り付けた。この手法でウェーハをプレート貼り付けを行ったところ、ウェーハが割れてしまった。そこで、ウェーハが割れない程度の力でウェーハの上から手で押さえつけるようにしてウェーハの裏面をプレートへの貼り付けた。その後、平面研削、ラップ、ＣＭＰによりウェーハの表面の加工を行い鏡面とした。全部で５枚のウェーハについて同様の加工を行った。加工後のウェーハの形状は基準面（裏面）側に３５μｍ（５枚のウェーハの平均）の凸形状と、実施例に比べて悪かった。
【００４４】
次に先程加工したウェーハの表面をプレートに貼り付けて裏面の加工を行った。ウェーハのプレートへの貼り付けは、先程と同様にしてＳｉインゴットに樹脂を貼り付けたものを用いてウェーハが割れない程度の力でウェーハの上から手で押さえつけるようにした。その後、ウェーハの裏面を平面研削、ラップ、ＣＭＰにより加工を行い鏡面とした。全部で５枚のウェーハについて同様の加工を行った。加工後の５枚のウェーハのＴＴＶは表１に示すように、９〜２５μｍと実施例に比べて悪かった。これは、ウェーハのプレートへの貼り付けをウェーハの全面に対して押すような方法では、ウェーハの反りの矯正が不十分な場合が発生するからであると考えられる。
【００４５】
【表１】
2015213120.tif 000003
【００４６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４７】
１…ウェーハ、  ２…基準面、  ３…加工歪層、  ４…重り、
５…リング状の押圧部材、５ａ…円形の押圧部材、  ６…接着剤、  ７…プレート、
１０…研磨布、  １１…研磨定盤、  １２…研磨装置、  １３…研磨剤供給装置、
１４…研磨剤、  １５…研磨ヘッド、  １６…平面研削装置、  １７…研削盤、
１８…砥石、  １９…ラップ装置、  ２０…ラップヘッド、
２１…ラップ液供給装置、  ２２…ラップ液、  ２３…ラップ盤。
【図１】
2015213120.tif 000004
【図２Ａ】
2015213120.tif 000005
【図２Ｂ】
2015213120.tif 000006
【図２Ｃ】
2015213120.tif 000007
【図３Ａ】
2015213120.tif 000008
【図３Ｂ】
2015213120.tif 000009
【図４】
2015213120.tif 000010
【図５】
2015213120.tif 000011
【図６】
2015213120.tif 000012