(57)【要約】【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜等が形成されたウェーハや、ストリートの幅が狭小なウェーハを切削ブレードで精度よく加工すること。【解決手段】ウェーハ（Ｗ）の加工方法は、ウェーハの表面（８４）を切削水と同温度の定温水で浸しながらウェーハの表面変位の測定し、ウェーハの表面変位のマッピングデータに基づいてウェーハの表面変位に追従するように、切削水を噴射しながら切削ブレ―ドで分割予定ライン（８３）に沿ってウェーハの表面に切削溝（８６）を形成するように構成した。【選択図】図４
2015099841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハを、該分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面変位を測定手段で測定し、ウェーハの表面変位のマッピングデータを形成する測定工程と、
該測定工程を実施した後に、切削ブレードをウェーハの表面位置を基準に所定深さ切り込みつつ該分割予定ラインに沿ってウェーハを切削して該基板に切削溝を形成する切削溝形成工程と、を備え、
該測定工程においては、該切削溝形成工程にてウェーハを切削する際に使用するチャックテーブル上にウェーハを保持し、ウェーハの露呈面全面を該切削溝形成工程における切削水と同温度の定温水で浸しながらウェーハの表面変位の測定を行い、
該切削溝形成工程においては、該マッピングデータに基づき表面位置を基準に該切削ブレードを該所定深さに切り込むように、ウェーハに対して垂直方向に切削ブレードを調整しながら切削を行うこと、を特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該測定手段は、該切削ブレードの切削送り方向の上流側に該切削ブレードに隣接して配設されており、
該分割予定ライン毎に該測定工程と該切削溝形成工程とを連続的に実施すること、を特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該切削溝形成工程を実施する前に、ウェーハの裏面側に該保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施し、
該測定工程においては、該切削溝形成工程にてウェーハを切削する際に使用するチャックテーブル上に該保護テープ側を保持し、ウェーハの表面側を露呈させて該測定手段で表面変位を測定し、
該切削溝形成工程においては、露呈したウェーハの表面から所定深さ切り込み、該表面に切削溝を形成すること、を特徴とする請求項１又は２記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
該切削溝形成工程を実施する前に、ウェーハの表面側に該保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施し、
該測定工程においては、該切削溝形成工程にてウェーハを切削する際に使用するチャックテーブル上に該保護テープ側を保持し、該測定手段で露呈したウェーハの裏面側からウェーハを透過してウェーハの表面変位を測定し、
該切削溝形成工程においては、露呈したウェーハの裏面側から切削ブレードで表面から所定厚さを残した深さで切り込み、該裏面に切削溝を形成すること、を特徴とする請求項１又は２記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの表面にデバイスが形成されたウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、半導体基板の表面に半導体デバイスを形成したデバイスウェーハが実用化されている。デバイスウェーハは、シリコンやガリウム砒素等の半導体基板の表面に、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ等の無機物系膜あるいはパリレン系ポリマー等の有機物系膜からなるＬｏｗ−ｋ膜（低誘電率絶縁膜）と、回路を形成する機能膜とを積層して形成される。Ｌｏｗ−ｋ膜は非常に脆く、切削ブレードを用いたメカニカルダイシングではＬｏｗ−ｋ膜が剥離し、デバイスを破損させてしまうおそれがあった。
【０００３】
従来、この種のデバイスウェーハを良好に分割するために、レーザーダイシングとメカニカルダイシングとを組み合わせた加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。このウェーハの加工方法では、ウェーハの表面側からレーザー光線を照射してＬｏｗ−ｋ膜と機能膜とを分断したレーザー加工溝を形成し、切削ブレードを用いてレーザー加工溝の底面から露出した基板表面を切削している。このような加工により、Ｌｏｗ−ｋ膜の膜剥がれを防止しつつ、デバイスウェーハが個々のデバイスに分割される。
【０００４】
一方で、近年のストリート幅の狭小化に伴い、ストリート（分割予定ライン）に沿って切削ブレードで切削することが困難になっている。このように、ストリート幅が狭小な場合には、ウェーハを透過する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側からウェーハ内部に照射して改質層を形成し、改質層を起点として分割する加工方法が提案されている（例えば、特許文献２）。特許文献２に記載の加工方法では、改質層が形成されたウェーハにエキスパンドテープが貼着され、このエキスパンドテープが拡張されることによってウェーハに外力が付与されて各デバイスに分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１５０５２３号公報
【特許文献２】特開２０１１−２４３８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１及び特許文献２に記載のウェーハの加工方法においては、レーザー加工装置を用いる必要があるため、装置コストが増大するという問題があった。このため、比較的安価な切削装置でこれらのウェーハを加工することも考えられている。しかしながら、Ｌｏｗ−ｋ膜等が形成されたウェーハを切削加工する場合には、切削ブレードでウェーハを切り込み過ぎるとＬｏｗ−ｋ膜が剥離するおそれがある。また、ストリートの幅が狭小なウェーハを切削加工する場合には、ブレーキングによってウェーハを分割するため、切削ブレードでウェーハに僅かな厚みを残した深さまで切り込む必要があるが、ウェーハの切り込み深さを高精度に調整することが困難であった。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、Ｌｏｗ−ｋ膜等が形成されたウェーハや、ストリートの幅が狭小なウェーハを切削ブレードで精度よく加工することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面にデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハを、分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面変位を測定手段で測定し、ウェーハの表面変位のマッピングデータを形成する測定工程と、測定工程を実施した後に、切削ブレードをウェーハの表面位置を基準に所定深さ切り込みつつ分割予定ラインに沿ってウェーハを切削して基板に切削溝を形成する切削溝形成工程と、を備え、測定工程においては、切削溝形成工程にてウェーハを切削する際に使用するチャックテーブル上にウェーハを保持し、ウェーハの露呈面全面を切削溝形成工程における切削水と同温度の定温水で浸しながらウェーハの表面変位の測定を行い、切削溝形成工程においては、マッピングデータに基づき表面位置を基準に切削ブレードを所定深さに切り込むように、ウェーハに対して垂直方向に切削ブレードを調整しながら切削を行うこと、を特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、ウェーハの表面変位に切削ブレードの切り込み深さが追従されるため、ウェーハの厚さバラツキ、チャックテーブルの表面バラツキ等を考慮した切削溝を精度よく形成することができる。このとき、測定工程では、切削溝形成工程における切削水と同温度の定温水に浸された状態でウェーハの表面変位が測定され、切削溝形成工程では、その測定結果（表面変位）に基づいて切削ブレードが制御される。このように、測定工程と切削溝形成工程における温度の違いに起因した表面バラツキの変化が考慮された状態で、ウェーハの表面変位に切削ブレードが追従される。よって、切削ブレードによる切り込みバラツキが極力抑えられ、Ｌｏｗ−ｋ膜等が形成されたウェーハや、ストリートの幅が狭小なウェーハのような高い加工精度が要求されるウェーハを高精度に加工できる。
【００１０】
また本発明の上記ウェーハの加工方法において、測定手段は、切削ブレードの切削送り方向の上流側に切削ブレードに隣接して配設されており、分割予定ライン毎に測定工程と切削溝形成工程とを連続的に実施する。
【００１１】
また本発明の上記ウェーハの加工方法において、切削溝形成工程を実施する前に、ウェーハの裏面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施し、測定工程においては、切削溝形成工程にてウェーハを切削する際に使用するチャックテーブル上に保護テープ側を保持し、ウェーハの表面側を露呈させて測定手段で表面変位を測定し、切削溝形成工程においては、露呈したウェーハの表面から所定深さ切り込み、表面に切削溝を形成する。
【００１２】
また本発明の上記ウェーハの加工方法において、切削溝形成工程を実施する前に、ウェーハの表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施し、測定工程においては、切削溝形成工程にてウェーハを切削する際に使用するチャックテーブル上に保護テープ側を保持し、測定手段で露呈したウェーハの裏面側からウェーハを透過してウェーハの表面変位を測定し、切削溝形成工程においては、露呈したウェーハの裏面側から切削ブレードで表面から所定厚さを残した深さで切り込み、裏面に切削溝を形成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、切削水と同温度の定温水を供給しながらウェーハの表面変位を測定し、その測定結果を基に切削ブレードの切り込み深さを調整することで、Ｌｏｗ−ｋ膜等が形成されたウェーハや、ストリートの幅が狭小なウェーハを精度よく加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態に係る切削装置の斜視図である。
【図２】第１の実施の形態に係る測定手段の断面模式図である。
【図３】第１の実施の形態に係る保護テープ貼着工程の一例を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る測定工程の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る切削溝形成工程の一例を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係る測定工程及び切削溝形成工程の他の一例を示す図である。
【図７】第２の実施の形態に係る測定工程の一例を示す図である。
【図８】第２の実施の形態に係る切削溝形成工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について説明する。図１は、第１の実施の形態に係るウェーハの加工方法に用いられる切削装置の斜視図である。図２は、第１の実施の形態に係る測定手段の断面模式図である。なお、第１の実施の形態に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置は、図１に示す構成に限定されない。ここでは、一対の切削ブレードを備えた切削装置を例示するが、この構成に限定されない。本発明は、被加工物に切削溝を形成可能な切削装置であれば、どのような切削装置にも適用可能である。
【００１６】
図１に示すように、切削装置１は、ウェーハＷの表面変位を測定し、切削ブレード４３の切り込み深さをウェーハＷの表面変位に追従させながら切削加工するように構成されている。ウェーハＷは、略円板状の基板８１上に、Ｌｏｗ−ｋ膜（低誘電率絶縁膜）と回路を形成する機能膜とからなる積層体８２（デバイス）を積層して形成される（図２参照）。積層体８２は、格子状に配列された分割予定ライン８３（図３参照）によって複数の領域に区画されている。
【００１７】
ウェーハＷには保護テープＴが貼着されており、この保護テープＴの外周には環状の支持フレームＦが貼着されている。ウェーハＷは、保護テープＴを介して支持フレームＦに支持された状態でカセット（不図示）に収容され、カセットによって切削装置１に搬入される。なお、本実施の形態においては、シリコンウェーハ、ガリウムヒソ等の半導体基板上にＬｏｗ−ｋ膜と機能膜を積層したウェーハＷを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。切削ブレード４３の加工対象になるウェーハＷであれば、どのようなウェーハＷでもよく、例えば、Ｌｏｗ−ｋ膜と機能膜以外の膜が形成されてもよい。
【００１８】
基台２の上面中央は、Ｘ軸方向に延在するように矩形状に開口されており、この開口を覆うように移動板２１及び防水カバー２２が設けられている。移動板２１上には、Ｚ軸回りに回転可能なチャックテーブル３が設けられている。防水カバー２２及び移動板２１の下方には、チャックテーブル３をＸ軸方向に移動させるボールねじ式の移動機構（不図示）が設けられている。チャックテーブル３の上面には、ポーラスセラミック材によりウェーハＷの裏面を吸引保持する保持面３１が形成されている。チャックテーブル３の周囲には、ウェーハＷの周囲の支持フレームＦを挟持固定する４つのクランプ部３２が設けられている。
【００１９】
基台２の上面には、カセット（不図示）が載置されるエレベータ手段６と加工済みのウェーハＷが洗浄される洗浄手段７が設けられている。エレベータ手段６では、昇降機構（不図示）によってカセット内のウェーハＷの出し入れ位置が調整される。洗浄手段７では、ウェーハＷを保持したスピンナテーブル７１が基台２内に降下され、基台２内で洗浄水が噴射されてウェーハＷが洗浄された後、乾燥エアが吹き付けられてウェーハＷが乾燥される。基台２の上方には、カセット、チャックテーブル３、洗浄手段７の相互間でウェーハＷを搬送する１つ又は複数の搬送手段（不図示）が設けられている。
【００２０】
また、基台２の上面には、Ｘ軸方向に延在する開口を跨ぐように立設した門型の柱部２３が設けられている。門型の柱部２３には、チャックテーブル３上のウェーハＷに対して切削加工を施す切削機構４が設けられている。切削機構４には、チャックテーブル３に対して一対の切削手段４１をＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させるボールねじ式の移動機構５が設けられている。
【００２１】
移動機構５は、柱部２３の前面に対してＹ軸方向に平行な一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に設置されたモータ駆動の一対のＹ軸テーブル５２を有している。また、移動機構５は、各Ｙ軸テーブル５２の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール５３と、このガイドレール５３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル５４とを有している。各Ｚ軸テーブル５４の下部には切削手段４１が設けられている。
【００２２】
各Ｙ軸テーブル５２の背面側には、図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ５５が螺合されている。また、各Ｚ軸テーブル５４の背面側には、図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ５６が螺合されている。Ｙ軸テーブル５２用のボールネジ５５、Ｚ軸テーブル５４用のボールネジ５６の一端部には、それぞれ駆動モータ５７、５８が連結されている。これら駆動モータ５７、５８によりボールネジ５５、５６が回転駆動されることで、一対の切削手段４１がガイドレール５１、５３に沿ってＹ軸方向及びＺ軸方向に移動される。
【００２３】
一対の切削手段４１の切削ブレード４３は、スピンドルユニット４６のスピンドル軸（不図示）の先端に設けられている。一方の切削手段４１の切削ブレード４３は、他方の切削手段４１の切削ブレード（不図示）よりもブレード幅が厚く形成されている。切削機構４では、この厚みの異なる２種類の切削ブレード４３を用いて切削水を噴射しながらウェーハＷの切削が段階的に行われる。すなわち、幅広の切削ブレード４３で分割予定ライン８３に沿って浅溝（切削溝）８６が形成され（図５参照）、この浅溝８６に沿って細幅の切削ブレード４３でフルカットされる。
【００２４】
本実施の形態に係る切削装置１では、切削ブレード４３の先端形状だけを用いて浅溝８６が形成されることで、ウェーハＷの表面から積層体８２（図２参照）が除去される。このとき、切削ブレード４３によってウェーハＷを切り込み過ぎると、ウェーハＷの表面に膜剥がれが生じる。このため、幅広の切削ブレード４３でＬｏｗ−ｋ膜等を除去する際には、切削ブレード４３の下降量を精度よく調整しなければならない。ウェーハＷには、ウェーハＷの厚みバラツキ、チャックテーブル３の表面バラツキ等によって表面変位が生じるため、本実施の形態では切削加工される前に測定手段４５でウェーハＷ（分割予定ライン８３）の表面変位を測定している。
【００２５】
測定手段４５は、切削手段４１の切削送り方向（Ｘ軸方向）に隣接するようにＺ軸テーブル５４に配設されている。測定手段４５の詳細については後述するが、測定手段４５の測定結果によってウェーハＷの表面変位のマッピングデータが形成される。マッピングデータは、例えば、分割予定ライン８３（図２参照）上の座標と表面位置（高さ）とが関連付けられている。マッピングデータに基づいて、ウェーハＷに対する切削ブレード４３の切り込み深さが分割予定ライン８３の表面変位に追従される。この結果、表面変位にバラツキが生じていても、切削ブレード４３の切り込みがウェーハＷの表面８４から適切な深さに調整され、ウェーハＷの膜剥がれが効果的に防止される（図５参照）。
【００２６】
ところで、ウェーハＷの表面変位のバラツキは、チャックテーブル３の上面等の温度変化によっても変化する。例えば、チャックテーブル３は、切削加工時のように切削水に浸された状態と、切削水に浸されていない状態では表面バラツキが変化する。このため、本実施の形態では、ウェーハＷの表面変位が切削加工時と同じ状態になるように、定温水供給手段４７によって切削水と同温度の定温水でウェーハＷを浸しながらウェーハＷの表面変位を測定している。
【００２７】
定温水供給手段４７は、切削ブレード４３の切削送り方向（Ｘ軸方向）上流側において、基台２中央の開口を横切るように管状に形成される。また、定温水供給手段４７の下方をチャックテーブル３が通り抜けられるように、管状の定温水供給手段４７の両端部が基台２の上方で支持されている。定温水供給手段４７内には、定温水の流路が形成されており、低温水供給源（不図示）に接続されている。また、定温水供給手段４７の外周面には、多数のノズル４７１が横一列に並んで形成され、多数のノズル４７１から定温水がウェーハＷの表面８４に向かって定温水が噴射される（図４参照）。
【００２８】
ここで、図２を参照して、測定手段４５について詳細に説明する。図２に示すように、測定手段４５は下面が開口した筒状のケース４５１を備えている。ケース４５１の内部は、ケース４５１の先端側に設けたガラス板４５２によって上下に仕切られている。ガラス板４５２よりも上側の空間には、ウェーハＷからの反射光によってウェーハＷの表面変位を測定する分光干渉計４５３が設けられている。ガラス板４５２よりも下側の空間４５４は、ケース４５１の開口を介して外部に連通されている。
【００２９】
ケース４５１の内部には、分光干渉計４５３の側方に定温水用の配管４５５が配設されている。配管４５５の先端はガラス板４５２に接続され、空間４５４に向けて開口されている。また、配管４５５には、定温水供給手段４７と同様に定温水供給源から定温水が供給される。上記したように、ウェーハＷの表面変位は、ウェーハＷを定温水で浸した状態で測定される。このため、分光干渉計４５３の下方の空間４５４にも空気が残らないように、配管４５５を通じて空間４５４に定温水が供給される。このように、ウェーハＷの表面変位は、空間４５４を定温水で満たした状態で測定される。
【００３０】
なお、本実施の形態では、測定手段４５として分光干渉計４５３を例示して説明したが、この構成に限定されない。測定手段４５は、ウェーハＷを定温水で浸しながら測定可能であれば、どのように構成されていてもよい。また、本実施の形態では、測定手段４５と定温水供給手段４７とが同一の定温水供給源から定温水が供給される構成としたが、別々の定温水供給源から定温水が供給されてもよい。また、測定手段４５及び定温水供給手段４７には、切削水供給源（不図示）から切削水が定温水として供給されてもよい。
【００３１】
以下、図３から図６を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳細に説明する。図３は保護テープ貼着工程、図４は測定工程、図５は切削溝形成工程のそれぞれ一例を示す図であり、図６は測定工程及び切削溝形成工程の他の一例を示す図である。なお、図４及び図６については、説明の便宜上、Ｙ軸方向に延びる分割予定ラインを省略して記載している。
【００３２】
図３に示すように、先ず保護テープ貼着工程が実施される。保護テープ貼着工程では、環状の支持フレームＦの内側開口部を覆うように保護テープＴが貼着され、保護テープＴの貼着面８８にウェーハＷの裏面８５が貼着される。ウェーハＷは、保護テープＴを介して支持フレームＦに支持される。なお、保護テープ貼着工程は、オペレータによる手作業で実施されてもよいし、不図示の保護テープ貼着装置によって行われてもよい。保護テープＴの貼着後のウェーハＷは切削装置１（図１参照）に搬入される。
【００３３】
図４に示すように、保護テープ貼着工程が実施された後には、測定工程が実施される。測定工程では、チャックテーブル３の保持面３１上に保護テープＴを介してウェーハＷの裏面８５が保持され、ウェーハＷの表面８４側が露呈された状態となっている。また、ウェーハＷ周囲の支持フレームＦがクランプ部３２によって保持される。チャックテーブル３の一端側の上方には定温水供給手段４７が位置付けられ、チャックテーブル３の他端側の上方には測定手段４５が位置付けられている。そして、定温水供給手段４７のノズル４７１から斜め下方に定温水が噴射され、ウェーハＷの一端から他端に向かって定温水の流れが形成される。
【００３４】
これにより、ウェーハＷの表面８４（露呈面）に定温水の層が作られ、表面８４全体が定温水に浸された状態となる。この状態で測定手段４５がウェーハＷの分割予定ライン８３に沿って相対移動され、測定手段４５によって分割予定ライン８３の表面変位が測定される。このように、ウェーハＷの表面変位の測定時にもウェーハＷの表面が切削水と同温度の定温水に浸されるため、ウェーハＷの測定時と切削時の温度の違いに起因したチャックテーブル３の上面高さのバラツキ等が極力抑えられる。よって、測定手段４５によって切削加工時のウェーハＷの表面変位と近い測定結果が得られ、測定結果からウェーハＷの表面変位を示すマッピングデータが作成される。
【００３５】
図５に示すように、測定工程が実施された後には、切削溝形成工程が実施される。切削溝形成工程では、ウェーハＷの径方向外側において分割予定ライン８３に対して切削ブレード４３が位置合わせされ、ウェーハＷの表面８４からの切削ブレード４３の深さ位置が調整される。そして、切削水が噴射されながら、高速回転する切削ブレード４３に対してチャックテーブル３上のウェーハＷが切削送りされる。これにより、切削ブレード４３の先端形状だけを用いてウェーハＷの表面８４側から積層体８２が除去され、ウェーハＷの基板８１に分割予定ライン８３に沿った浅溝８６が形成される。
【００３６】
このとき、マッピングデータに基づきウェーハＷの表面位置を基準に切削ブレード４３で所定深さ切り込むように、ウェーハＷに対して垂直方向に切削ブレード４３の位置が調整される。マッピングデータは、切削加工時の切削水による温度変化を想定した測定結果から作成されている。このため、ウェーハＷの表面変位に切削ブレード４３の切り込み深さを高精度に追従させることができる。よって、切削ブレード４３の切り込みバラツキを極力抑えることができ、ウェーハＷに対して切削ブレード４３が切り込まれ過ぎることがない。よって、浅溝８６の形成時にウェーハＷの表面８４の膜剥がれを防止することができる。
【００３７】
切削溝形成工程の後には、浅溝８６よりも細幅の切削ブレード４３を用いて、浅溝８６に沿ってウェーハＷがフルカットされる。これにより、ウェーハＷが個々のデバイスチップに分割される。
【００３８】
なお、本実施の形態においては、全ての分割予定ライン８３について測定工程が実施された後に、全ての分割予定ライン８３について切削溝形成工程が実施される構成としたが、この構成に限定されない。図６に示すように、分割予定ライン８３毎に測定工程と切削溝形成工程とが連続的に実施されてもよい。この場合、切削ブレード４３の切削送り方向の上流側に隣接して測定手段４５が配設されており、先行する測定手段４５でウェーハＷの表面変位を測定させつつ、後続の切削ブレード４３でウェーハＷを切削する。先行する測定手段４５の測定直後に、測定結果に基づいて後続の切削ブレード４３で切削させて、効率よく加工することが可能になっている。
【００３９】
以上のように、第１の実施の形態に係る切削装置１によれば、ウェーハＷの表面変位に切削ブレード４３の切り込み深さを追従させるため、ウェーハＷの厚さバラツキ、チャックテーブル３の表面バラツキ等の誤差を考慮した切削溝を精度よく形成することができる。このとき、測定工程では、切削溝形成工程における切削水と同温度の定温水に浸された状態でウェーハＷの表面変位が測定され、切削溝形成工程では、その測定結果（表面変位）に基づいて切削ブレード４３が制御される。このように、測定工程と切削溝形成工程における温度の違いに起因した表面バラツキの変化が考慮された状態で、ウェーハＷの表面変位に切削ブレード４３が追従される。よって、切削ブレード４３による切り込みバラツキが極力抑えられ、Ｌｏｗ−ｋ膜等が形成されたウェーハＷを高精度に加工できる。
【００４０】
次に、図７及び図８を参照して、第２の実施の形態に係るウェーハの加工方法について説明する。図７は、第２の実施の形態に係る測定工程の一例を示す図である。図８は、第２の実施の形態に係る切削溝形成工程の一例を示す図である。第２の実施の形態においては、ウェーハの裏面側に保護テープが貼着されており、ウェーハの表面側に所定厚さを残すように、ウェーハの裏面側から深く切り込まれる点でのみ第１の実施の形態と相違している。したがって、主に相違点について詳細に説明する。なお、第２の実施の形態では、ストリート幅が狭小のウェーハを例示して説明する。
【００４１】
図７に示すように、測定工程では、保護テープＴを介してウェーハＷの表面８４がチャックテーブル３の保持面３１上に保持され、ウェーハＷの裏面８５が露呈された状態となっている。定温水供給手段４７から斜め下方に定温水が噴射され、ウェーハＷの裏面（露呈面）８５全体が定温水に浸された状態となる。この状態で、測定手段４５によってウェーハＷの裏面８５側からウェーハＷを透過してウェーハＷの表面変位が測定される。
【００４２】
第２の実施の形態に係る測定手段４５は、ウェーハＷを透過する超音波やレーザー光によってウェーハＷの表面変位を測定する超音波変位計やレーザー変位計等で構成されている。ウェーハＷの裏面８５が切削水と同温度の定温水に浸された状態でウェーハＷの表面変位が測定されるため、ウェーハＷの測定時と切削時の温度の違いに起因したチャックテーブル３の上面高さのバラツキ等が極力抑えられる。よって、測定手段４５によって切削加工時のウェーハＷの表面変位と近い測定結果が得られ、測定結果からウェーハＷの表面変位を示すマッピングデータが作成される。
【００４３】
図８に示すように、第２の実施の形態においては、ストリート幅が狭小のウェーハＷ用の切削ブレード４４が使用される。切削溝形成工程では、ウェーハＷの径方向外側において分割予定ライン８３に対して切削ブレード４４が位置合わせされ、ウェーハＷの表面８４からの切削ブレード４４の高さ位置が調整される。そして、切削水が噴射されながら、高速回転する切削ブレード４４に対してチャックテーブル３上のウェーハＷが切削送りされる。これにより、ウェーハＷの表面８４から所定厚さを残した深さで切削ブレード４４によって切り込まれ、ウェーハＷの裏面８５に分割予定ライン８３に沿った深溝（切削溝）８７が形成される。
【００４４】
このとき、マッピングデータに基づきウェーハＷの表面位置を基準に切削ブレード４４でウェーハＷの表面８４側に所定の厚さを残すように、ウェーハＷに対して垂直方向に切削ブレード４４の位置が調整される。マッピングデータは、切削加工時の切削水による温度変化を想定した測定結果から作成されているため、ウェーハＷの表面変位に切削ブレード４４の切り込み深さを高精度に追従させることができる。よって、切削ブレード４４の切り込みバラツキを極力抑えることができ、ウェーハＷの表面８４側の切り残し量を略一定にすることができる。よって、深溝８７の形成時にウェーハＷの表面８４側に、後段のブレーキング加工に適した厚さを残すことができる。
【００４５】
切削溝形成工程の後には、ウェーハＷは不図示のブレーキング装置に搬入され、ウェーハＷが分割予定ライン８３に沿ってブレーキング加工されることで、個々のデバイスチップに分割される。
【００４６】
以上のように、第２の実施の形態に係るウェーハＷの加工方法おいても、切削ブレード４４による切り込みバラツキが極力抑えられる。よって、ストリート幅が狭小のウェーハＷをブレーキングによって分割する際に、ウェーハＷに僅かな厚さを残した深さまで切削ブレード４４で高精度に切り込むことができる。
【００４７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４８】
例えば、上記した実施の形態においては、マッピングデータは、分割予定ライン８３上の座標と表面位置（高さ）とが関連付けられることで形成される構成としたが、この構成に限定されない。マッピングデータは、ウェーハＷの表面８４の全面における座標と表面位置（高さ）とが関連付けられることで形成されてもよい。
【００４９】
また、上記した実施の形態において、定温水供給手段４７は、ウェーハＷに向けて一定方向に定温水を噴射する構成としたが、この構成に限定されない。定温水供給手段４７は、チャックテーブル３の移動に合わせて、ノズル４７１の向きが動的に変更するように構成されてもよい。
【００５０】
また、上記した実施の形態において、定温水供給手段４７は、外周面に多数のノズル４７１が横一列に並んで形成される構成されたが、この構成に限定されない。定温水供給手段４７は、ウェーハＷを定温水で浸すことができればよく、例えば、外周面にスリットが形成される構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上説明したように、本発明は、表面変位に合わせてウェーハを精度よく加工することができるという効果を有し、特に、Ｌｏｗ−ｋ膜等が形成されたウェーハや、ストリートの幅が狭小なウェーハの加工方法に有用である。
【符号の説明】
【００５２】
１  切削装置
３  チャックテーブル
４１  切削手段
４３、４４  切削ブレード
４５  測定手段
４５３  分光干渉計
４７  定温水供給手段
８３  分割予定ライン
８４  ウェーハの表面
８５  ウェーハの裏面
８６  浅溝（切削溝）
８７  深溝（切削溝）
Ｔ  保護テープ
Ｗ  ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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