(57)【要約】      （修正有）【課題】共通電極のスリットの列方向における途中部分で液晶分子の配向方向が乱れることに起因する、光透過率、コントラストの低下を抑える。【解決手段】液晶表示装置の駆動方法は、基板上の行方向の複数本のゲート信号線１と、行方向と交差する列方向に形成された複数本の画像信号線２と、ゲート信号線１と画像信号線２の交差部のTFT素子３及び画素電極と、該画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに列方向における複数の画素電極に亘って形成されたスリット４ａを有する共通電極４と、を備えた液晶表示装置の駆動方法であって、スリット４ａに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧とスリット４ａに列方向で隣接するスリットに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動する。【選択図】図１
2015161852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線と、前記行方向と交差する列方向に前記ゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、前記ゲート信号線と前記画像信号線の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子及び画素電極と、前記画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに前記列方向における複数の前記画素電極に亘って形成されたスリットを有する共通電極と、を備えた液晶表示装置の駆動方法であって、前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧と前記スリットに前記列方向で隣接する前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動する液晶表示装置の駆動方法。
【請求項２】
基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線と、前記行方向と交差する列方向に前記ゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、前記ゲート信号線と前記画像信号線の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子及び画素電極と、前記画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに前記列方向における複数の前記画素電極に亘って形成されたスリットを有する共通電極と、を備えており、前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧と前記スリットに前記列方向で隣接する前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動される液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共通電極が画素電極及び薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor：ＴＦＴ）の側に設けられるＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式の液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置の基本構成の一例を図９に示す。例えば、ＴＦＴアレイ側基板は、その上の第１の方向（例えば、行方向）に形成された複数本のゲート信号線２１（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・Ｇｎ）と、第１の方向と交差する第２の方向（例えば、列方向）にゲート信号線２１（Ｇ１〜Ｇｎ）と交差させて形成された複数本の画像信号線２２（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・Ｓｍ）と、ゲート信号線２１（Ｇ１〜Ｇｎ）と画像信号線２２（Ｓ１〜Ｓｍ）の交差部に形成された、ＴＦＴ素子２３、画素電極及びその画素電極との間で液晶に印加する電界を形成するための共通電極を含む画素電極部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，・・・Ｐｎｍと、共通電極に共通電圧（Vcom）を供給する共通電圧線２４と、を有する構成である。なお、図９において、２５はゲート信号線駆動回路、２６は画像信号（データ信号、ソース信号）線駆動回路である。
【０００３】
このような液晶表示装置において、画素電極に印加される電圧が直流である場合に液晶分子が画素電極表面で正負の電荷の偏りを起こして短寿命になることの抑制、横方向のクロストークによる画質の劣化の抑制、フリッカーの抑制などの問題点を解消するために、一般に、１フレーム毎に全画面の画素電極について画像信号の極性を反転させるフレーム反転駆動が行われている。さらに、上記の各種問題点を解消する効果を高めるために、フレーム反転駆動に様々な駆動方法が組み合わされて用いられている。
【０００４】
例えば、１水平走査線（１行ライン、１Ｈライン）毎に画像信号の極性を反転させた極性分布を、１フレーム毎に極性反転させる、行ライン反転駆動方法が用いられている。また、画像信号の極性を列方向（Ｖラインともいう）毎に画像信号の極性を反転させた極性分布を、１フレーム毎に極性反転させる、列ライン反転駆動方法が用いられている。さらに、液晶表示装置の大型化、高精細化に伴い、高い表示画質を得ることができることから、画像信号の極性を画素（ドット）毎に反転させた極性分布を、１フレーム毎に極性反転させる、ドット反転駆動方法が注目され使用されている。
【０００５】
また、共通電極が画素電極及び薄膜トランジスタの側に設けられるＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式の液晶表示装置が知られており、ＦＦＳ方式の液晶表示装置においては共通電極と画素電極が絶縁層を挟んで対向するように形成されている。また、共通電極に列方向に伸びるスリットが形成されており、スリットを介して画素電極と共通電極との間に横方向（行方向）の電界が生じる。図１０は、４つの画素電極部における画素電極２７の形状を示す拡大平面図であり、画素電極２７は四角形状の面状電極（ベタ電極）であり、各画素電極部に形成されている。図１０において、２１はゲート信号線、２２は画像信号線、２３はＴＦＴ素子である。また、図１１は、図１０の画素電極２７に対向する共通電極２８の形状を示す拡大平面図であり、共通電極２８は列方向に一端側から他端側へ伸びるスリット２８ａが形成されており、スリット２８ａは各画素電極部に対応して形成されている。
【０００６】
そして、スリット２８ａの側辺近傍において横方向の電界に沿って液晶分子が配向することにより、スリット２８ａの側辺近傍において大きな輝度が得られる。図１２は、ＦＦＳ方式の液晶表示装置の１例を示すものであり、図１１のＡ１−Ａ２線における断面図である。ＴＦＴアレイ側基板であるガラス基板３０の上面に絶縁層３１が積層されており、絶縁層３１上に画像信号線２２が形成され、絶縁層３１の上面及び画像信号線２２を覆ってパッシベーション膜３２が形成されている。パッシベーション膜３２上に平坦化膜３３が形成され、平坦化膜３３上に酸化インジウムスズ（Indium  Tin  Oxide：ＩＴＯ）等の透明電極から成る画素電極２７が形成され、平坦化膜３３の上面及び画素電極２７を覆って絶縁層３４が形成され、絶縁層３４上にスリット２８ａを有するＩＴＯ等の透明電極から成る共通電極２８が形成されている。カラーフィルタ側基板であるガラス基板３８の下面にはカラーフィルタ（図示せず）及びブラックマトリクス３７が形成され、ガラス基板３８の下面、カラーフィルタ及びブラックマトリクス３７を覆ってオーバーコート３６が形成されている。共通電極２８とカラーフィルタ及びブラックマトリクス３７とが対向するように、ガラス基板３０とガラス基板３８を対向配置し、それらの間に液晶３５を充填させて両基板の外周部をシールすることによって構成されている。
【０００７】
図１３は、図１２に示すＦＦＳ方式の液晶表示装置の動作原理を説明する図であり、（ａ）は共通電極２８及び液晶分子３５ａの部分拡大平面図、（ｂ）は横電界（点線矢印で示す）に沿って配向する液晶分子３５ａを示す拡大平面図、（ｃ）は（ａ）のＢ１−Ｂ２線における断面図である。これらの図に示すように、液晶分子３５ａは、スリット２８ａの側辺近傍において生じた横方向の電界に沿って配向する。その結果、スリット２８ａの側辺近傍において大きな輝度が得られる。一方、スリット２８ａの中間部及びスリット２８ａ間の共通電極２８部においては、液晶分子３５ａの配向は小さくなり、それらの部分における輝度はスリット２８ａの側辺近傍における輝度より小さくなる。
【０００８】
また、図１４に示すスリット２８ａにおける列方向の端部２８ｂでは、横方向の電界とは異なる方向の電界が発生する。その結果、液晶分子３５ａの配向方向がスリット２８ａの側辺近傍における配向方向と異なるドメインを形成する。このような液晶分子３５ａの配向の欠陥がディスクリネーションとよばれるものであり、ディスクリネーションに起因して、ノーマリブラックでは局所的な光透過率、コントラストの低下を引き起こすという問題点があった。この問題点を解消するために、共通電極に複数の画素を横断して延びる少なくとも１つのスリットが開口されている液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２５６９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１０に示すように、画素電極２７は各画素電極部に形成されているために、列方向において隣接する画素電極２７間には隙間２７ａが存在する。この隙間２７ａに起因して、以下のような問題点が発生していた。例えば、各画素電極２７に入力される画像信号の極性を反転させるドット反転駆動方法を行うと、スリット２８ａが隙間２７ａを跨っている構成であっても、隙間２７ａの部位の光透過率、コントラストが低下していた。これは、隙間２７ａの列方向で上側の画素電極２７に入力される画像信号の極性（例えば、＋とする）と、隙間２７ａの列方向で下側の画素電極２７に入力される画像信号の極性（例えば、−とする）とが異なるために、隙間２７ａの部位で電界が相殺され、隙間２７ａの部位で液晶分子が所定の方向に配向し難くなること、さらには隙間２７ａの部位で液晶分子の配向方向が乱れやすいことが原因であると考えられる。
【００１１】
特許文献１に開示された従来技術においては、画素の中に存在するスリット２８ａの端部（エッジ）２８ｂの個数を少なくすることによって、ディスクリネーションに起因する透過率、コントラストの低下を抑える点について開示されているが、上述した、スリット２８ａの列方向における途中部分で液晶分子の配向方向が乱れることに起因する、光透過率、コントラストの低下を解消する点については何等開示されていない。
【００１２】
従って、本発明は上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、共通電極に形成されたスリットの列方向における途中部分で液晶分子の配向方向が乱れることに起因する、光透過率、コントラストの低下を抑えることができる液晶表示装置の駆動方法、及びその駆動方法が適用される液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線と、前記行方向と交差する列方向に前記ゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、前記ゲート信号線と前記画像信号線の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子及び画素電極と、前記画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに前記列方向における複数の前記画素電極に亘って形成されたスリットを有する共通電極と、を備えた液晶表示装置の駆動方法であって、前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧と前記スリットに前記列方向で隣接する前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動する構成である。
【００１４】
本発明の液晶表示装置は、基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線と、前記行方向と交差する列方向に前記ゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、前記ゲート信号線と前記画像信号線の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子及び画素電極と、前記画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに前記列方向における複数の前記画素電極に亘って形成されたスリットを有する共通電極と、を備えており、前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧と前記スリットに前記列方向で隣接する前記スリットに対向する複数の前記画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動される構成である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の液晶表示装置の駆動方法は、基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線と、行方向と交差する列方向にゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、ゲート信号線と画像信号線の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子及び画素電極と、画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに列方向における複数の画素電極に亘って形成されたスリットを有する共通電極と、を備えた液晶表示装置の駆動方法であって、スリットに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧と前記スリットに列方向で隣接するスリットに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動することから、スリットの列方向における途中部分（画素電極間の隙間の部分）で液晶分子の配向方向が乱れることに起因する、光透過率、コントラストの低下を抑えることができる。
【００１６】
本発明の液晶表示装置は、基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線と、行方向と交差する列方向にゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、ゲート信号線と画像信号線の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子及び画素電極と、画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに列方向における複数の画素電極に亘って形成されたスリットを有する共通電極と、を備えており、スリットに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧と前記スリットに列方向で隣接するスリットに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動されることから、スリットの列方向における途中部分（画素電極間の隙間の部分）で液晶分子の配向方向が乱れることに起因する、光透過率、コントラストの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の液晶表示装置の駆動方法について実施の形態の１例を示す図であり、４個の画素電極部を拡大して示す拡大平面図である。
【図２】図２は、本発明の液晶表示装置の駆動方法について実施の形態の他例を示す図であり、１２個の画素電極部（Ｐ１１〜Ｐ４３）を拡大して示す拡大平面図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は、本発明の液晶表示装置の駆動方法について実施の形態の他例を示す図であり、図２の液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、本発明の液晶表示装置の駆動方法について実施の形態の他例を示す図であり、液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図である。
【図５】図５（ａ），（ｂ）は、本発明の液晶表示装置の駆動方法について実施の形態の他例を示す図であり、液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図である。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は、比較例の液晶表示装置の駆動方法を示す図であり、液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図である。
【図７】図７は、比較例の液晶表示装置の駆動方法を示す図であり、１２個の画素電極部（Ｐ１１〜Ｐ４３）を拡大して示す拡大平面図である。
【図８】図８（ａ），（ｂ）は、比較例の液晶表示装置の駆動方法を示す図であり、図７の液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図である。
【図９】図９は、従来の液晶表示装置の基本構成のブロック回路図である。
【図１０】図１０は、図９の液晶表示装置における４個の画素電極を拡大して示す拡大平面図である。
【図１１】図１１は、図９の液晶表示装置における４個の共通電極を拡大して示す拡大平面図である。
【図１２】図１２は、従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置の１例を示すものであり、図１１のＡ１−Ａ２線における断面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示すＦＦＳ方式の液晶表示装置の動作原理を説明する図であり、（ａ）は共通電極及び液晶分子の部分拡大平面図、（ｂ）は横電界に沿って配向する液晶分子を示す拡大平面図、（ｃ）は（ａ）のＢ１−Ｂ２線における断面図である。
【図１４】図１４は、従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置におけるスリットを有する共通電極の拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置の実施の形態における構成部材のうち、本発明の液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置を説明するための主要部を示している。従って、本発明に係る液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。
【００１９】
図１〜図５は、本発明の液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置の実施の形態を示すものであり、図１は、液晶表示装置の４個の画素電極部を拡大して示す拡大平面図である。
図２は、液晶表示装置の１２個の画素電極部（Ｐ１１〜Ｐ４３）を拡大して示す拡大平面図である。図３（ａ），（ｂ）は、図２の液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図である。図４（ａ），（ｂ）は、液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図の他の例である。図５（ａ），（ｂ）は、液晶表示装置の各画素電極に入力される画素電圧の極性を示す極性図の他の例である。
【００２０】
これらの図に示すように、本発明の液晶表示装置の駆動方法は、基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線１と、行方向と交差する列方向にゲート信号線１と交差させて形成された複数本の画像信号線２と、ゲート信号線１と画像信号線２の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子３及び画素電極と、画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに列方向における複数の画素電極に亘って形成されたスリット４ａを有する共通電極４と、を備えた液晶表示装置の駆動方法であって、スリット４ａに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧と前記スリット４ａに列方向で隣接するスリット4a1（図２）に対向する複数の画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動する構成である。この構成により、スリット４ａの列方向における途中部分（画素電極間の隙間の部分）で液晶分子の配向方向が乱れることに起因する、光透過率、コントラストの低下を抑えることができる。
【００２１】
また本発明の液晶表示装置は、基板上に行方向に形成された複数本のゲート信号線１と、行方向と交差する列方向にゲート信号線１と交差させて形成された複数本の画像信号線２と、ゲート信号線１と画像信号線２の交差部に形成された薄膜トランジスタ素子３及び画素電極と、画素電極と絶縁層を挟んで対向するように位置するとともに列方向における複数の画素電極に亘って形成されたスリット４ａを有する共通電極４と、を備えており、スリット４ａに対向する複数の画素電極に印加される画素電圧と前記スリット４ａに列方向で隣接するスリット4a1（図２）に対向する複数の画素電極に印加される画素電圧とが互いに逆極性となるとともに、フレーム毎に極性反転するようにフレーム反転駆動される構成である。この構成により、上記と同様の効果が得られる。
【００２２】
図１に示すように、スリット４ａは、列方向における複数の画素電極に亘って形成されている。具体的には、スリット４ａは、複数の画素電極における列方向の一端側から他端側に伸びるように形成されている。これにより、画面全体における画素の中に存在するスリット４ａの端部（エッジ）の個数を少なくすることができ、ディスクリネーションに起因する透過率、コントラストの低下を抑えることができる。従って、スリット４ａは、それが列方向において縦断する画素電極の数が多いほどよい。この構成を全行ラインに拡張することもできる。｛ただし、スリット４ａが列方向において縦断する画素電極の数Ｎｃ（Ｎｃは２以上の整数）は、２乃至４８であることが好ましい。Ｎｃが４８を超えると、液晶分子に加わる電界が弱くなり、液晶分子が所定の方向に配向し難くなる傾向がある。
【００２３】
図２は、図９に示す画素電極部Ｐ１１〜Ｐｎｍのうち１２個の画素電極部Ｐ１１〜Ｐ４３について、スリット４ａが画素電極部Ｐ１１の画素電極及び画素電極部Ｐ２１の画素電極に亘って形成されており、画素電極部Ｐ１２，Ｐ２２、画素電極部Ｐ１３，Ｐ２３、画素電極部Ｐ３１，Ｐ４１、画素電極部Ｐ３２，Ｐ４２、画素電極部Ｐ３３，Ｐ４３についても同様の構成としたものである。図２の構成の液晶表示装置について、各画素電極に入力される画素電圧の極性を図３のようにする。例えば、図３（ａ）は偶数フレームにおける極性であり、図３（ｂ）は奇数フレームにおける極性である。これは、１つのスリット４ａに対向する２つの画素電極のグループに関して、２行ライン反転駆動する駆動方法である。
【００２４】
また、図２の構成の液晶表示装置について、各画素電極に入力される画素電圧の極性を図４のようにすることもできる。例えば、図４（ａ）は偶数フレームにおける極性であり、図４（ｂ）は奇数フレームにおける極性である。これは、１つのスリット４ａに対向する２つの画素電極のグループに関して、画素電極（ドット）グループ反転駆動する駆動方法である。また、行ライン及び列ラインに着目すると、２行ライン毎に極性反転する極性をフレーム毎に列ライン反転駆動する駆動方法ともいえる。
【００２５】
また、図２の構成の液晶表示装置について、各画素電極に入力される画素電圧の極性を図５のようにすることもできる。例えば、図５（ａ）は偶数フレームにおける極性であり、図５（ｂ）は奇数フレームにおける極性である。これは、１つのスリット４ａに対向する４つの画素電極のグループに関して、画素電極（ドット）グループ反転駆動する駆動方法である。これは、４行ライン毎に極性反転する極性を、フレーム毎に列ライン反転駆動する駆動方法ともいえる。
【００２６】
また、スリット４ａが画素電極部Ｐ１１の画素電極及び画素電極部Ｐ２１の画素電極に亘って形成されている場合、カラーフィルタ側基板において、画素電極部Ｐ１１の画素電極と画素電極部Ｐ２１の画素電極との間の隙間（隙間Ｇpとする）に相当する部位に、ブラックマトリクスが形成されていないこと、即ち隙間Ｇpに相当する部位がブラックマトリクスの非形成部であることが好ましい。カラーフィルタ側基板の隙間Ｇpに相当する部位にブラックマトリクスが形成されている場合、隙間Ｇpが遮光されるために、光透過率が低下しやすくなるからである。
【００２７】
ＩＴＯ等の透明電極から成る共通電極４の厚みは４０ｎｍ〜１１０ｎｍ程度である。また、共通電極４に形成されるスリット４ａの幅は２μｍ〜４μｍがよい。スリット４ａの幅が２μｍ未満である場合、スリット４ａの左側辺近傍で配向する液晶分子とスリット４ａの右側辺近傍で配向する液晶分子とが干渉しやすくなり、液晶分子の配向が乱れる傾向がある。また、液晶分子に加わる電界が弱くなるため、駆動電圧が高くなる傾向ある。スリット４ａの幅が４μｍを超える場合、スリット４ａの幅方向の中間部で配向しない液晶分子が多くなり、スリット４ａの幅方向の中間部における光透過率の低下が大きくなる傾向がある。
【００２８】
スリット４ａの長さは、それに対向する複数の画素電極の列方向の画素端（画素電極部端）より１μｍ〜３μｍ短いことが好ましい。１μｍ未満である場合、製造ばらつきによっては、上下のスリット４ａがつながり、その結果液晶分子に加わる電界が弱くなり、液晶分子が所定の方向に配向し難くなる傾向がある。３μｍを超える場合、スリット４ａの側辺近傍で配向する液晶分子が所望の数より少なくなり、画素電極部における光透過率の低下が大きくなる傾向がある。
【００２９】
スリット４ａの端部（エッジ）の形状は、スリット４ａの延長方向に凸の半円形等の曲線状であることが好ましい。この場合、スリット４ａの端部における液晶分子の配向の乱れが小さくなりやすい。その結果、スリット４ａの端部におけるディスクリネーションの発生を抑えることができる。
【００３０】
共通電極４と画素電極との間には透光性の絶縁層が形成されているが、この絶縁層は無機材料または有機材料から成る。無機材料としては、窒化珪素、酸化珪素等を用いることができる。有機材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、ポリシロキサン、ポリシラザン等を用いることができる。ポリシロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合によって骨格構造が形成されたものである。ポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。絶縁層として無機材料から成るものを用いると、画素電極の表面形状に沿うような表面を有するものとなり、厚くすることによって表面を平坦化することができる。絶縁層として有機材料から成るものを用いると、表面の平坦性を高めることができる。
【００３１】
共通電極４と画素電極との間の絶縁層の厚みは絶縁層が窒化珪素（ＳｉＮｘ）の場合には１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度が好ましい。絶縁層の厚みが１００ｎｍ未満では、画素容量が大きくなり、書き込み不足が起こりやすく、表示品位が低下する傾向にある。また、製造の歩留低下を招きやすい。絶縁層の厚みが３００ｎｍを超えると、共通電極４と画素電極との間で生じる電界が弱くなりやすい。また、画素容量が小さくなり、クロストークやフリッカーなどの表示不良が目立つようになる傾向がある。
【００３２】
本発明の液晶表示装置は、例えば以下のようにして作製される。ＴＦＴ素子を含む画素電極部が多数形成されるとともに共通電極が形成されたＴＦＴアレイ側基板と、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたカラーフィルタ側基板とを互いに対向させて、それらの基板を所定の間隔でもって貼り合わせ、それらの基板間に液晶を充填、封入させることによって作製される。また、カラーフィルタ側基板は、ＴＦＴ素子及び画素電極に対向する側の主面には、それぞれの画素に対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタが形成されており、それぞれの画素を通過する光が相互に干渉することを防ぐブラックマトリクスがカラーフィルタの外周を囲むように形成されている。
【００３３】
なお、本発明の液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良を含むことはいうまでもない。例えば、共通電極にスリットを形成し、画素電極は面状電極としたが、画素電極にスリットを形成し、共通電極は面状電極とすることもできる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
図２に示す、共通電極４のスリット４ａが列方向において２つの画素電極に亘って形成されている本発明の液晶表示装置La1を以下のように構成した。１つの画素電極部の外形形状が縦１０４μｍ、横３５μｍの長方形であり、またスパッタリング法及びフォトリソグラフィー法によって形成された、外形形状が縦１０１μｍ、横３２μｍの長方形であり、厚みが５０ｎｍのＩＴＯから成る画素電極の上面に、厚み２００ｎｍの窒化珪素（ＳｉＮｘ）から成る絶縁層をＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法によって形成した。絶縁層上に、画素電極に対向するように、スリット４ａを有するとともに厚みが５０ｎｍのＩＴＯから成る共通電極４を、スパッタリング法及びフォトリソグラフィー法によって形成した。共通電極４における１つの画素電極に対向する部位には、幅３μｍ、長さ２０５μｍのスリット４ａが５本形成されている。また、共通電極４において、スリット４ａ間の部位の幅は３μｍとした。
【００３５】
上記構成の液晶表示装置La1について、図４（ａ），（ｂ）示すように、画素電極に入力される画像信号の極性が２行ライン毎に反転する極性を、フレーム毎に全画面で反転させる画素電極部（ドット）グループ反転駆動方法によって駆動した。このとき、画像信号の画素電圧を＋５Ｖ（−５Ｖ）、共通電極４に入力される共通電圧を０Ｖ（０Ｖ）とした。
【００３６】
一方、共通電極２８のスリット２８ａを各画素電極Ｐ１１〜Ｐ４３に対応して形成した以外は上記と同様にして形成した、図７に示す従来の液晶表示装置Lbを作製した。この液晶表示装置Lbについて、図８（ａ），（ｂ）に示すように、画像信号の極性が各画素電極部（ドット）毎に反転する極性を、フレーム毎に全画面で反転させるドット反転駆動方法によって駆動した。このとき、画像信号の画素電圧を＋５Ｖ（−５Ｖ）、共通電極４に入力される共通電圧を０Ｖ（０Ｖ）とした。従来の液晶表示装置Lbの全画面の光透過率を１とした場合、液晶表示装置La1の全画面の光透過率は１．０７となった。その結果、コントラストが向上し、表示品位が改善された。
【００３７】
（実施例２）
共通電極４のスリット４ａが列方向において４つの画素電極に亘って形成されている構成以外は上記実施例１と同様の構成である液晶表示装置La2を作製した。この液晶表示装置La2について、図５（ａ），（ｂ）示すように、画素電極に入力される画像信号の極性が４行ライン毎に反転する極性分布を、フレーム毎に全画面で反転させる画素電極部（ドット）グループ反転駆動方法によって駆動した。従来の液晶表示装置Lbの全画面の光透過率を１とした場合、液晶表示装置La2の全画面の光透過率は１．１１となった。その結果、コントラストが向上し、表示品位が改善された。
【００３８】
（比較例）
上記実施例１の液晶表示装置La1について、図６（ａ），（ｂ）に示すように、画素電極に入力される画像信号の極性が各画素電極毎に反転する極性を、フレーム毎に全画面で反転させるドット反転駆動方法によって駆動した。従来の液晶表示装置Lbの全画面の光透過率を１とした場合、この比較例における液晶表示装置La3の全画面の光透過率は１．０２となった。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明の液晶表示装置は各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、ヘッドアップディスプレイ、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、デジタル表示式腕時計などがある。
【符号の説明】
【００４０】
１  ゲート信号線
２  画像信号線
３  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子
４  共通電極
４ａ  スリット
２７  画素電極
Ｐ１１〜Ｐ４３  画素電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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