(57)【要約】【課題】本発明は、タンタルキャパシタ及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明は、タンタル粉末を含むキャパシタ本体と、上記キャパシタ本体の内部に位置する挿入領域と、上記キャパシタ本体の実装面から外部に突出する非挿入領域を有するタンタルワイヤと、上記キャパシタ本体が実装され、上記キャパシタ本体の長さ方向に相互離隔して配置された第１及び第２負極リードフレームと、上記第１負極リードフレームと第２負極リードフレームとの間に配置され、上記タンタルワイヤの非挿入領域と接続された正極リードフレームと、上記キャパシタ本体及び上記タンタルワイヤの非挿入領域を囲み、上記第１及び第２負極リードフレームの少なくとも一端部と上記正極リードフレームの少なくとも一端部が幅方向の両側面を通じて露出するように形成されるモールディング部と、を含むタンタルキャパシタを提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタル粉末を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体の内部に位置する挿入領域と、前記キャパシタ本体の実装面から外部に突出する非挿入領域を有するタンタルワイヤと、
前記キャパシタ本体が実装され、前記キャパシタ本体の長さ方向に相互離隔して配置された第１及び第２負極リードフレームと、
前記第１負極リードフレームと第２負極リードフレームとの間に配置され、前記タンタルワイヤの非挿入領域と接続された正極リードフレームと、
前記キャパシタ本体及び前記タンタルワイヤの非挿入領域を囲み、前記第１及び第２負極リードフレームの少なくとも一端部と前記正極リードフレームの少なくとも一端部が幅方向の両側面を通じて露出するように形成されるモールディング部と、を含むタンタルキャパシタ。
【請求項２】
前記キャパシタ本体と前記第１及び第２負極リードフレームとの間に配置された導電性接着層をさらに含む、請求項１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項３】
前記正極リードフレームに、前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔が形成される、請求項１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項４】
前記正極リードフレームの前記結合孔上に導電性接着層が配置される、請求項３に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項５】
前記キャパシタ本体と前記正極リードフレームは、前記モールディング部によって絶縁される、請求項１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項６】
複数のキャパシタ本体が前記モールディング部の幅方向に沿って離隔して配置される、請求項１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項７】
前記複数のキャパシタ本体が同じ容量を具現する、請求項６に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項８】
前記複数のキャパシタ本体が異なる容量を具現する、請求項６に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項９】
前記第１及び第２負極リードフレームの露出した一端部と、前記正極リードフレームの露出した一端部が前記モールディング部の幅方向の一側面から実装面の一部まで延長形成される、請求項１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項１０】
前記第１及び第２負極リードフレームの両端部と前記正極リードフレームの両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面を通じて露出し、
前記第１及び第２負極リードフレームの両端部と前記正極リードフレームの両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面から実装面の一部までそれぞれ延長形成される、請求項１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項１１】
タンタル粉末を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体の内部に位置する挿入領域と、前記キャパシタ本体の実装面から外部に突出する非挿入領域を有するタンタルワイヤと、
前記キャパシタ本体の下側において前記キャパシタ本体の幅方向に沿って配置され、前記タンタルワイヤの非挿入領域と接続される正極リードフレームと、
前記キャパシタ本体の下側において前記正極リードフレームを介して前記キャパシタ本体の長さ方向に沿って相互離隔して配置された第１及び第２負極リードフレームと、
前記キャパシタ本体及び前記タンタルワイヤの非挿入領域を囲み、前記第１及び第２負極リードフレームの端部が長さ方向の両側面を通じてそれぞれ露出し、前記正極リードフレームの両端部は幅方向の両側面を通じて露出するように形成されるモールディング部と、を含むタンタルキャパシタ。
【請求項１２】
前記キャパシタ本体と前記第１及び第２負極リードフレームとの間に配置された導電性接着層をさらに含む、請求項１１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項１３】
前記正極リードフレームに、前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔が形成される、請求項１１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項１４】
前記正極リードフレームの前記結合孔上に導電性接着層が配置される、請求項１３に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項１５】
前記キャパシタ本体と前記正極リードフレームは、前記モールディング部によって絶縁される、請求項１１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項１６】
前記第１及び第２負極リードフレームの露出した端部が前記モールディング部の長さ方向の両側面から実装面の一部までそれぞれ延長形成され、
前記正極リードフレームの露出した両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面から実装面の一部までそれぞれ延長形成される、請求項１１に記載のタンタルキャパシタ。
【請求項１７】
正極リードフレームを配置し、前記正極リードフレームを介してその両側に第１及び第２負極リードフレームを配置する段階と、
タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤを有するキャパシタ本体を用意する段階と、
前記タンタルワイヤを前記正極リードフレームに接続させた状態で、前記キャパシタ本体を前記第１及び第２負極リードフレーム上に同時に実装する段階と、
前記キャパシタ本体を絶縁性素材でモールディングするが、前記第１及び第２負極リードフレームの少なくとも一端部と前記正極リードフレームの少なくとも一端部が前記キャパシタ本体の幅方向の両側面を通じて引き出されるようにモールディング部を形成する段階と、
前記第１及び第２負極リードフレームの露出した端部と、前記正極リードフレームの露出した端部を前記モールディング部の同じ側面から実装面の一部まで延長されるように曲げる段階と、を含むタンタルキャパシタの製造方法。
【請求項１８】
前記キャパシタ本体を前記第１及び第２負極リードフレーム上に実装する前に、前記第１及び第２負極リードフレーム上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層を形成する段階を行う、請求項１７に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
【請求項１９】
前記正極リードフレームに前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔を形成し、前記タンタルワイヤを前記結合孔に嵌合した後、導電性接着剤で固定させる、請求項１７に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
【請求項２０】
正極リードフレームを配置し、前記正極リードフレームを介してその両側に前記正極リードフレームと交差する方向に第１及び第２負極リードフレームを配置する段階と、
タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤを有するキャパシタ本体を用意する段階と、
前記タンタルワイヤを前記正極リードフレームに接続させた状態で、前記キャパシタ本体を前記第１及び第２負極リードフレーム上に同時に実装する段階と、
前記キャパシタ本体を絶縁性素材でモールディングしてモールディング部を形成するが、前記第１及び第２負極リードフレームの一端部が前記モールディング部の長さ方向の両側面をそれぞれ引き出されるようにし、前記正極リードフレームの両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面を通じてそれぞれ引き出されるようにする段階と、
前記第１及び第２負極リードフレームの露出した一端部が前記モールディング部の長さ方向の両側面からそれぞれ実装面の一部まで延長されるように曲げ、前記正極リードフレームの露出した両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面からそれぞれ実装面の一部まで延長されるように曲げる段階と、を含むタンタルキャパシタの製造方法。
【請求項２１】
前記キャパシタ本体を前記第１及び第２負極リードフレーム上に実装する前に、前記第１及び第２負極リードフレーム上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層を形成する段階を行う、請求項２０に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
【請求項２２】
前記正極リードフレームに前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔を形成し、前記タンタルワイヤを前記結合孔に嵌合した後、導電性接着剤で固定させる、請求項２０に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タンタルキャパシタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タンタル（ｔａｎｔａｌｕｍ：Ｔａ）素材は、融点が高く、延性及び耐腐食性などに優れるという機械的または物理的特徴により、電気、電子、機械及び化学工業をはじめ、宇宙及び軍事分野など産業全般にわたって広範囲に用いられる金属である。
【０００３】
このようなタンタル素材は、安定した陽極酸化皮膜を形成させることができるという特性により、小型キャパシタの素材として広く用いられており、最近では、電子及び情報通信などのＩＴ産業の急激な発展により、毎年、その使用量が急増している。
【０００４】
最近、マイクロプロセッサは、高機能及び多機能化によりトランジスタの集約度が高くなり、消費電流は増加する傾向にあり、電源電圧は消費電力の節減により低電圧化している。また、駆動周波数は、処理速度の向上により高周波数化が進んでいる。
【０００５】
このことから、マイクロプロセッサの電源には、ｄｉ／ｄｔの大きい過渡電流が流れ、過渡電流とデカップリングキャパシタのＥＳＬ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ；等価直列インダクタンス）によって、電源電圧の変動を誘発するようになった。
【０００６】
また、電源電圧の低電圧化によって信号波の振幅も小さくなるため、上記マイクロプロセッサの場合、上記電源電圧の変動が信号波の閾値電圧を超えると、誤動作を起こす恐れがある。
【０００７】
通常、上記電源電圧の変動は、キャパシタのＥＳＬを下げることで低下させることができ、上記タンタル素材を用いた小型キャパシタにおいても、上記低ＥＳＬに対する研究が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１０−００６５５９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ＥＳＬが改善されたタンタルキャパシタ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態は、タンタル粉末を含むキャパシタ本体のタンタルワイヤが実装面に露出した構造であって、上記タンタルワイヤが接続される正極リードフレームを介して２つの負極リードフレームを配置し、それぞれのリードフレームは、上記キャパシタ本体の同じ側面を通じて引き出されるタンタルキャパシタを提供する。
【００１１】
本発明の他の実施形態は、タンタル粉末を含むキャパシタ本体のタンタルワイヤが実装面に露出した構造であって、上記タンタルワイヤが接続される正極リードフレームを介して、２つの負極リードフレームが上記正極リードフレームと交差する方向に離隔して配置され、上記正極リードフレームの両端部は、モールディング部の幅方向の両側面を通じてそれぞれ引き出され、上記２つの負極リードフレームの一端部は、対向するモールディング部の長さ方向の両側面を通じて引き出されるタンタルキャパシタを提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一実施形態によると、正極リードフレームから負極リードフレームに連結される電流ループ（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｏｐ）の長さを最小化することにより、タンタルキャパシタの電気抵抗特性であるＥＳＬを低減させることができる。
【００１３】
本発明の多様、且つ有益な長所及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタを概略的に示した斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【図３ｄ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの正極端子部と負極端子部を形成する他の方法を示した斜視図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの正極端子部と負極端子部を形成する他の方法を示した斜視図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの正極端子部と負極端子部を形成する他の方法を示した斜視図である。
【図５】本発明の他の実施形態によるタンタルキャパシタのキャパシタ本体、タンタルワイヤ、正極リードフレーム、及び第１及び第２負極リードフレームを示した分解斜視図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタを概略的に示した斜視図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図８ａ】本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【図８ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【図８ｃ】本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【図８ｄ】本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１６】
図１は本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線の断面図であり、図３ａ〜図３ｄは本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【００１７】
図１〜図３ａを参照すると、本実施形態によるタンタルキャパシタは、キャパシタ本体１０と、タンタルワイヤ１１と、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２と、正極リードフレーム２１と、モールディング部５０と、を含む。
【００１８】
キャパシタ本体１０はタンタル材質を用いて形成され、負極として作用する。
【００１９】
キャパシタ本体１０は、多孔質のバルブ金属体からなり、上記多孔質のバルブ金属体の表面に誘電体層、固体電場質層及び負電極層を順次形成して作製することができる。
【００２０】
例えば、キャパシタ本体１０は、タンタル粉末とバインダーを一定比率で混合して攪拌し、このように混合した粉末を圧縮して直方体に成形した後、高温及び高振動下で焼結させて作製することができる。
【００２１】
より具体的には、タンタルキャパシタ（Ｔａｎｔａｌｕｍ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、タンタル粉末（Ｔａｎｔａｌｕｍ  Ｐｏｗｄｅｒ）を焼結して固めたときに生じる隙間を利用する構造であって、キャパシタ本体１０は、タンタルの表面に正極酸化法を用いて、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を形成し、この酸化タンタルを誘電体としてその上に電解質である二酸化マンガン層（ＭｎＯ２）または導電性高分子層を形成し、上記二酸化マンガン層または導電性高分子層上にカーボン層及び金属層を形成して作製することができる。
【００２２】
このとき、キャパシタ本体１０は、必要に応じて、表面にカーボン及び銀（Ａｇ）が塗布されてもよい。
【００２３】
上記カーボンは、キャパシタ本体１０の表面の接触抵抗を低減させるためのもので、上記銀（Ａｇ）は、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の接続時の電気連結性を向上させるためのものである。
【００２４】
以下、本実施形態では、説明の便宜のために、キャパシタ本体１０の実装面を下面１、下面１と厚さ方向に対向する面を上面２、キャパシタ本体１０の長さ方向両端の両側面を第１及び第２側面３、４、第１及び第２側面３、４と垂直に交差し、対向するキャパシタ本体１０の幅方向両端の面を第３及び第４側面５、６と定義する。
【００２５】
タンタルワイヤ１１は正極として作用する。
【００２６】
タンタルワイヤ１１は、キャパシタ本体１０の内部に位置する挿入領域１１ｂと、キャパシタ本体１０の下面から下側に突出する非挿入領域１１ａと、を含む。
【００２７】
また、タンタルワイヤ１１は、上記タンタル粉末とバインダーを混合した粉末を圧縮する前に、上記タンタル粉末とバインダーの混合物に挿入して装着することができる。
【００２８】
即ち、キャパシタ本体１０は、バインダーを混合したタンタル粉末にタンタルワイヤ１１を挿入装着して、所望するサイズのタンタル素子を成形した後、上記タンタル素子を約１０００〜２０００℃の高真空（１０−５ｔｏｒｒ以下）雰囲気で、３０分程度焼結させて作製することができる。
【００２９】
第１及び第２負極リードフレーム３１、３２は、キャパシタ本体１０の長さ方向に沿って離隔して配置され、グラウンド端子として機能することができる。
【００３０】
また、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２は、キャパシタ本体１０が同時に実装される中央の第１及び第２実装部３１ｃ、３２ｃと、モールディング部５０の第３及び第４側面５、６を通じて引き出される第１負極端子部３１ａ、３１ｂ及び第２負極端子部３２ａ、３２ｂを含む。
【００３１】
このとき、第１及び第２負極端子部３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂは、モールディング部５０の第３及び第４側面５、６から下面１の一部まで延長形成されてもよい。
【００３２】
また、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の第１及び第２実装部３１ｃ、３２ｃとキャパシタ本体１０との間には、導電性接着層４０が配置されれもよい。
【００３３】
導電性接着層４０は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂及び金属粉末を含む導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして形成することができ、本発明はこれに限定されない。
【００３４】
また、上記金属粉末は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
【００３５】
正極リードフレーム２１は、第１負極リードフレーム３１と第２負極リードフレーム３２との間にキャパシタ本体１０の幅方向に沿って長く配置される。
【００３６】
また、正極リードフレーム２１は、一部がモールディング部５０の第３及び第４側面５、６を通じてそれぞれ露出する第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂと、モールディング部５０内でタンタルワイヤ１１の非挿入領域１１ａと接続されるワイヤ接続部２１ｃと、を含む。
【００３７】
このとき、第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂは、モールディング部５０の第３及び第４側面５、６から下面１の一部まで延長形成されてもよい。
【００３８】
また、ワイヤ接続部２１ｃには、タンタルワイヤ１１の非挿入領域１１ａが貫通して嵌合されるように結合孔２２が形成されてもよい。
【００３９】
このとき、結合孔２２には、タンタルワイヤ１１の非挿入領域１１ａが接合されるように導電性接着層４０がさらに形成されてもよい。
【００４０】
導電性接着層４０は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂及び金属粉末を含む導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして形成してもよいが、本発明はこれに限定されない。
【００４１】
また、上記金属粉末は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
【００４２】
モールディング部５０は、キャパシタ本体１０を囲むようにＥＭＣ（エポキシモールディングコンパウンド；ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの樹脂をトランスファーモールディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｌｄｉｎｇ）して形成することができる。
【００４３】
この時、モールディング部５０は、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の第１及び第２負極端子部３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂと正極リードフレーム２１の第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂの一部が、第３及び第４側面５、６を通じて露出するように形成される。
【００４４】
このようなモールディング部５０は、タンタルワイヤ１１及びキャパシタ本体１０を外部から保護する役割を担うだけでなく、キャパシタ本体１０と正極リードフレーム２１を互いに絶縁させる役割も担う。
【００４５】
本実施形態では、正極リードフレームと負極リードフレームがタンタルキャパシタの同じ側面を通じて引き出されており、２つの負極リードフレームの間に正極リードフレームが近接して配置されるため、正極リードフレームから負極リードフレームに形成される電流ループ（ＣＬ、ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｏｐ）の長さが最小化され、タンタルキャパシタの高周波特性を支配するＥＳＬを低減させることができる効果がある。さらに、負極リードフレームの間に正極リードフレームが近接して配置されるため、負極リードフレームと正極リードフレームの間に相互インダクタンス（ｍｕｔｕａｌ  ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が作用し高周波電流の相殺効果によりＥＳＬを低減させることができる。
【００４６】
また、本実施形態のタンタルキャパシタは、１つのキャパシタ素子と１つの正極リードフレームからなるため、従来のタンタルキャパシタの製造工法への適用が容易で、小型化にも有利である。
【００４７】
以下、本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を説明する。
【００４８】
図３ａ及び図３ｂを参照すると、まず、幅方向に長く形成された第１及び第２ワイヤ接続部２１ａ、２１ｂを有する正極リードフレーム２１を介して、その両側に第１及び第２負極リードフレーム３１、３２を配置する。
【００４９】
次いで、タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤ１１を有するキャパシタ本体１０を用意する。
【００５０】
その後、タンタルワイヤ１１を正極リードフレーム２１のワイヤ接続部２１ｃに接続させる。
【００５１】
このとき、ワイヤ接続部２１ｃに結合孔２２を形成し、タンタルワイヤ１１を結合孔２２に嵌合した後、導電性接着剤を利用して固定させることができる。
【００５２】
そして、キャパシタ本体１０を第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の第１及び第２実装部３１ｃ、３２ｃ上に同時に実装する。
【００５３】
このとき、キャパシタ本体１０を第１及び第２負極リードフレーム３１、３２上に実装する前に、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の第１及び第２実装部３１ｃ、３２ｃ上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層４０を形成してもよい。
【００５４】
上記導電性接着剤はエポキシ系の熱硬化性樹脂及び導電性金属粉末を含んで構成されてもよく、当該導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして導電性接着層４０を形成する。
【００５５】
このとき、上記導電性金属粉末としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
【００５６】
次に、図３ｃ及び図３ｄを参照すると、キャパシタ本体１０を囲むようにＥＭＣ（エポキシモールディングコンパウンド；ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの樹脂をトランスファーモールディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｌｄｉｎｇ）してモールディング部５０を形成する。
【００５７】
このとき、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の両端部と正極リードフレーム２１の両端部がモールディング部５０の第３及び第４側面５、６を通じて露出するようにモールディング作業を行う。
【００５８】
ここで、モールドの温度は１７０℃程度にし、ＥＭＣモールディングのための上記温度及びその他の条件は、使用されるＥＭＣの成分と形状に応じて適宜調節できる。
【００５９】
また、モールディング後には、必要に応じて、密閉されたオーブンやリフロー硬化条件で、約１６０℃の温度で、３０〜６０分間硬化を行うことができる。
【００６０】
モールディング部５０を形成する作業が完了すると、モールディング過程で発生したフラッシュ（ｆｌａｓｈ）を除去するためのデフラッシュ工程をさらに行ってもよい。
【００６１】
そして、後続工程として、必要に応じて、エージング工程をさらに行ってもよい。
【００６２】
上記エージング工程は、組立工程中に発生する電気的なバラツキを低減する作用をする。
【００６３】
次いで、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の両端部をモールディング部５０の第３及び第４側面５、６から下面１の一部まで延長されるように曲げて、第１及び第２負極端子部３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂを形成し、正極リードフレーム２１のうちモールディング部５０の第３及び第４側面５、６に露出した部分をモールディング部５０の第３及び第４側面５、６から下面１の一部まで延長されるように曲げて、第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂを形成する。
【００６４】
一方、図４ａ〜４ｃに示されたように、第１及び第２負極リードフレーム３１、３２の両端部をモールディング部５０の第３及び第４側面５、６から図面上の上面１の一部まで延長されるように曲げて、第１及び第２負極端子部３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂを形成し、正極リードフレーム２１のうちモールディング部５０の第３及び第４側面５、６に露出した部分をモールディング部５０の第３及び第４側面５、６の図面上の上面１の一部まで延長されるように曲げて、第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂを形成することができる。その後、モールディング部５０を逆転させて正極リードフレーム及び負極リードフレームが形成された面１が実装面となるようにして使用する。この場合、正極リードフレーム及び負極リードフレームのうちモールディング部５０の幅方向両端の両側面５、６に形成される部分の高さを高くすることができる。
【００６５】
図５は、本発明の他の実施形態によるタンタルキャパシタのキャパシタ本体、タンタルワイヤ、正極リードフレーム、及び第１及び第２負極リードフレームを示した分解斜視図である。
【００６６】
ここで、上述した一実施形態と類似する部分については、重複を避けるために、その具体的な説明を省略し、上述した実施形態と異なる構造を有する複数のキャパシタ本体について具体的に説明する。また、キャパシタ本体の方向と各面に対する定義は、上述の図１を参照する。
【００６７】
図５を参照すると、本発明の他の実施形態のタンタルキャパシタは、複数のキャパシタ本体１０、１２がモールディング部５０の幅方向に所定の間隔離隔して配置されてもよい。
【００６８】
この場合、離隔配置された複数のキャパシタ本体に電流が分散されて流れるため、ＥＳＲ（等価直列抵抗）が低減し、より大きいリップル電流（ｒｉｐｐｌｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ、直流の電流に重なった交流分）を許容することができる。また、複数のキャパシタ本体を配置することにより、容量を形成する領域となる表面積が大きくなり、より高い静電容量を得ることができる。
【００６９】
このとき、それぞれのキャパシタ本体１０、１２は、タンタルワイヤ１１、１３をそれぞれ有し、複数のタンタルワイヤは、それぞれ挿入領域と非挿入領域を含む。
【００７０】
ここで、キャパシタ全体のチップサイズを等しくするために、それぞれのキャパシタ本体の幅は、上述の一実施形態におけるキャパシタ本体の幅の１／２未満であってもよいが、本発明はこれに限定されず、上述の一実施形態のキャパシタ本体と同じ幅のキャパシタ本体を使用し、全体チップの幅が増加するように構成することもできる。
【００７１】
また、それぞれのキャパシタ本体１０、１２は、同じ容量または異なる容量を具現するように形成されてもよい。
【００７２】
また、本実施形態では、２つのキャパシタ本体を図示し説明しているが、本発明はこれに限定されず、必要に応じて、３つ以上のキャパシタ本体をモールディング部の幅方向に離隔配置して構成することもできる。
【００７３】
図面符号２２ａ及び２２ｂは、それぞれのタンタルワイヤ１１、１３の非挿入領域が貫通結合される結合孔である。
【００７４】
このとき、２つのキャパシタ本体１０、１２には、逆方向の電流が発生するため、相互インダクタンスの作用を通じてＥＳＬをさらに低減させることができる。
【００７５】
図６は本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図７は図６のＡ−Ａ’線の断面図であり、図８ａ〜図８ｄは本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
【００７６】
ここで、上述した一実施形態と類似する部分については、重複を避けるために、その具体的な説明を省略し、上述した実施形態と異なる構造について具体的に説明する。
【００７７】
図６〜図８ａを参照すると、本実施形態によるタンタルキャパシタは、キャパシタ本体１０と、タンタルワイヤ１１と、第１及び第２負極リードフレーム３３、３４と、正極リードフレーム２１と、モールディング部５０と、を含む。
【００７８】
正極リードフレーム２１は、キャパシタ本体１０の幅方向に沿って長く配置される。
【００７９】
また、正極リードフレーム２１は、一部がモールディング部５０の第３及び第４側面５、６を通じてそれぞれ露出する第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂと、モールディング部５０内でタンタルワイヤ１１の非挿入領域１１ａと接続されるワイヤ接続部２１ｃと、を含む。
【００８０】
このとき、第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂは、モールディング部５０の第３及び第４側面５、６から下面１の一部まで延長形成されてもよい。
【００８１】
また、ワイヤ接続部２１ｃには、タンタルワイヤ１１の非挿入領域１１ａが貫通して嵌合されるように結合孔２２が形成されてもよい。
【００８２】
この際、結合孔２２には、タンタルワイヤ１１の非挿入領域１１ａが接合されるように導電性接着層４０がさらに形成されてもよい。
【００８３】
第１及び第２負極リードフレーム３３、３４は、正極リードフレーム２１を介してキャパシタ本体１０の長さ方向に沿って相互離隔され、キャパシタ本体１０の長さ方向に沿って長く配置され、グランド端子として機能することができる。
【００８４】
また、第１及び第２負極リードフレーム３３、３４は、キャパシタ本体１０が同時に実装される第１及び第２実装部３３ｂ、３４ｂと、モールディング部５０の長さ方向両端の第１及び第２側面３、４を通じてそれぞれ引き出される第１及び第２負極端子部３３ａ、３４ａと、を含む。
【００８５】
このとき、第１及び第２負極端子部３３ａ、３４ａは、モールディング部５０の長さ方向両端の第１及び第２側面３、４から下面１の一部まで延長形成されてもよい。
【００８６】
また、第１及び第２負極リードフレーム３３、３４の第１及び第２実装部３３ｂ、３４ｂとキャパシタ本体１０との間には、導電性接着層４０が配置されてもよい。
【００８７】
モールディング部５０は、キャパシタ本体１０を囲むようにＥＭＣ（エポキシモールディングコンパウンド；ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの樹脂をトランスファーモールディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｌｄｉｎｇ）して形成することができる。
【００８８】
このとき、モールディング部５０は、第１及び第２負極リードフレーム３３、３４の第１及び第２負極端子部３３ａ、３４ａは長さ方向両端の第１及び第２側面３、４を通じてそれぞれ露出するようにし、正極リードフレーム２１の第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂは幅方向両端の第３及び第４側面５、６を通じて露出するように形成される。
【００８９】
このようなモールディング部５０は、タンタルワイヤ１１及びキャパシタ本体１０を外部から保護する役割を担うだけでなく、キャパシタ本体１０と正極リードフレーム２１を絶縁させる役割も担う。
【００９０】
本実施形態では、正極リードフレーム及び負極リードフレームがそれぞれ異なる側面に導出されて形成されるため、電流が分散されて流れ、電流ループ（ＣＬ、ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｏｐ）の長さが最小化されてタンタルキャパシタの高周波特性を支配するＥＳＬを低減させることができるという効果があり、また、製品の小型化にも有利である。
【００９１】
また、本実施形態のタンタルキャパシタは、１つのキャパシタ素子と１つの正極リードフレームからなるため、従来のタンタルキャパシタの製造工法への適用が容易で、小型化にも有利である。
【００９２】
以下、本発明の他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を説明する。
【００９３】
図８ａ及び図８ｂを参照すると、まず、幅方向に長く形成された第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂを有する正極リードフレーム２１を介して、その両側に第１及び第２負極リードフレーム３３、３４を正極リードフレーム２１と交差する方向に対向配置する。
【００９４】
次いで、タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤ１１を有するキャパシタ本体１０を用意する。
【００９５】
それから、タンタルワイヤ１１を正極リードフレーム２１のワイヤ接続部２１ｃに接続させる。
【００９６】
このとき、ワイヤ接続部２１ｃに結合孔２２を形成し、タンタルワイヤ１１を結合孔２２に嵌合した後、導電性接着剤を利用して固定させることができる。
【００９７】
そして、キャパシタ本体１０を第１及び第２負極リードフレーム３３、３４の第１及び第２実装部３３ｂ、３４ｂ上に同時に実装する。
【００９８】
このとき、キャパシタ本体１０を第１及び第２負極リードフレーム３３、３４上に実装する前に、第１及び第２負極リードフレーム３３、３４の第１及び第２実装部３３ｂ、３４ｂ上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層４０を形成してもよい。
【００９９】
上記導電性接着剤はエポキシ系の熱硬化性樹脂及び導電性金属粉末を含んで構成されてもよく、当該導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして導電性接着層４０を形成する。
【０１００】
また、上記導電性金属粉末としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
【０１０１】
次に、図８ｃ及び図８ｄを参照すると、キャパシタ本体１０を囲むようにＥＭＣ（エポキシモールディングコンパウンド；ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの樹脂をトランスファーモールディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｌｄｉｎｇ）してモールディング部５０を形成する。
【０１０２】
このとき、第１及び第２負極リードフレーム３３、３４の両端部は、モールディング部５０の長さ方向両端の第１及び第２側面３、４を通じてそれぞれ露出するようにし、正極リードフレーム２１の両端部は、モールディング部５０の幅方向両端の第３及び第４側面５、６を通じて露出するようにモールディング作業を行う。
【０１０３】
その後、モールディング部５０を形成する作業が完了すると、モールディング過程で発生したフラッシュ（ｆｌａｓｈ）を除去するためのデフラッシュ工程をさらに行ってもよい。
【０１０４】
そして、後続工程として、必要に応じて、エージング工程をさらに行ってもよい。
【０１０５】
次いで、第１及び第２負極リードフレーム３３、３４の両端部をモールディング部５０の長さ方向両端の第１及び第２側面３、４から下面１の一部まで延長されるように曲げて、第１及び第２負極端子部３３ａ、３４ａを形成し、正極リードフレーム２１のうちモールディング部５０の幅方向両端の第３及び第４側面５、６に露出した部分をモールディング部５０の第３及び第４側面５、６から下面１の一部まで延長されるように曲げて、第１及び第２正極端子部２１ａ、２１ｂを形成する。
【０１０６】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１０７】
１０、１２  キャパシタ本体
１１、１３  タンタルワイヤ
２１  正極リードフレーム
３１、３３  第１負極リードフレーム
３２、３４  第２負極リードフレーム
４０  導電性接着層
５０  モールディング部
【図１】
2015216346.tif 000003
【図２】
2015216346.tif 000004
【図３ａ】
2015216346.tif 000005
【図３ｂ】
2015216346.tif 000006
【図３ｃ】
2015216346.tif 000007
【図３ｄ】
2015216346.tif 000008
【図４ａ】
2015216346.tif 000009
【図４ｂ】
2015216346.tif 000010
【図４ｃ】
2015216346.tif 000011
【図５】
2015216346.tif 000012
【図６】
2015216346.tif 000013
【図７】
2015216346.tif 000014
【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
2015216346.tif 000017
【図８ｄ】
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