(57)【要約】【課題】  均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成する。【解決手段】  塗布装置１は、吐出用スリット２４１Ａｓを有し、吐出用スリット２４１Ａｓの吐出口２４１Ａｏから溶液Ｌ１を吐出して塗布対象物４に塗布する吐出部２４と、吐出部２４における吐出口２４１Ａｏの両端部の近傍に吐出部２４から突出するように設けられた、吐出口２４１Ａｏの延伸方向に直交するとともに塗布対象物４の塗布面に平行な第１方向に湾曲可能なガイド部材２５とを備えている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出用スリットを有し、該吐出用スリットの吐出口から溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部と、
該吐出部における前記吐出口の両端部の近傍に前記吐出部から突出するように設けられた、前記吐出口の延伸方向に直交するとともに前記塗布対象物の塗布面に平行な第１方向に湾曲可能なガイド部材と
を備えている塗布装置。
【請求項２】
前記ガイド部材はフィルム状の金属から成る、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記ガイド部材は接地されている、請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記両端部よりも内側における前記吐出口の近傍に前記吐出部から突出するように設けられた前記第１方向に湾曲可能な補助ガイド部材をさらに備える、請求項１乃至３のいずれかに記載の塗布装置。
【請求項５】
前記補助ガイド部材はフィルム状の金属から成る、請求項４に記載の塗布装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかに記載の塗布装置の前記吐出部を前記塗布面に対して一定間隔をあけて配置するとともに前記ガイド部材を前記第１方向に湾曲させるように前記塗布面に押し当てた状態で、前記吐出部または前記塗布対象物を前記第１方向に沿って移動させながら前記吐出口から前記溶液を吐出して前記塗布面上に前記溶液を膜状に塗布する塗布方法。
【請求項７】
請求項４または５に記載の塗布装置の前記吐出部を前記塗布面に対して一定間隔をあけて配置するとともに前記ガイド部材および前記補助ガイド部材を前記第１方向に湾曲させるように前記塗布面に押し当てた状態で、前記吐出部または前記塗布対象物を前記第１方向に沿って移動させながら前記吐出口から前記溶液を吐出して前記塗布面上に前記溶液を膜状に塗布する塗布方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の塗布方法を用いて電極層上に原料溶液の塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を加熱して第１の半導体層にする工程と、
前記第１の半導体層上に該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を形成する工程と
を具備する光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶液を塗布対象物の塗布面に膜状に塗布するための塗布装置およびこれを用いた塗布方法ならびに光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体から成る光吸収層を具備した太陽電池パネルがある。この太陽電池パネルでは、例えば、ガラス製の基板上に、Ｍｏから成る下部電極層が配され、この下部電極層の上に化合物半導体から成る光吸収層が配されている。さらに、その光吸収層の上には、硫化亜鉛、硫化カドミウム等から成るバッファ層と、酸化亜鉛等から成る透明の上部電極層とがこの順に積層されている。
【０００３】
そして、例えば、基板上に形成された下部電極層の上から複数の金属元素を含む溶液が塗布されることで塗布膜が形成された後に、この塗布膜に乾燥および熱処理が施されることで光吸収層が形成され得る（例えば、特許文献１および特許文献２）。
【０００４】
このような溶液の塗布に関しては、均一な膜厚の塗布が指向されている。例えば、特許文献３では、溶液を吐出するためのスリット状の吐出口の両端部に厚みが０．７ｍｍ以下のサイドプレートを設けた塗布装置を用いている。これによって、塗布される溶液の塗布幅の変動が抑制され、その結果、膜厚変動が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５３３１４号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４１７６号公報
【特許文献３】特開２００６−２６１３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献３の塗布装置では、塗布する溶液の粘度が低かったり、あるいは高速で塗布する場合には、溶液が吐出口から吐出された後、塗布対象物上に到達するまでの間に表面張力によって吐出口の両端部よりも内側に収縮しやすくなる傾向がある。そのため、塗布形成後の塗布膜の端部まで塗布が十分に行なわれず、膜切れが生じやすくなる。
【０００７】
そこで、均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成することが可能な塗布装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に係る塗布装置は、吐出用スリットを有し、該吐出用スリットの吐出口から溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部と、該吐出部における前記吐出口の両端部の近傍に前記吐出部から突出するように設けられた、前記吐出口の延伸方向に直交するとともに前記塗布対象物の塗布面に平行な第１方向に湾曲可能なガイド部材とを備えている。
【０００９】
本発明の第２の態様に係る塗布装置は、上記第１の態様に係る塗布装置において、前記両端部よりも内側における前記吐出口の近傍に前記吐出部から突出するように設けられた前記第１方向に湾曲可能な補助ガイド部材をさらに備えている。
【００１０】
本発明の第３の態様に係る塗布方法は、上記第１の態様に係る塗布装置の前記吐出部を前記塗布面に対して一定間隔をあけて配置するとともに前記ガイド部材を前記第１方向に湾曲させるように前記塗布面に押し当てた状態で、前記吐出部または前記塗布対象物を前記第１方向に移動させながら前記吐出口から前記溶液を吐出して前記塗布面上に前記溶液を膜状に塗布する。
【００１１】
本発明の第４の態様に係る塗布方法は、上記第２の態様に係る塗布装置の前記吐出部を前記塗布面に対して一定間隔をあけて配置するとともに前記ガイド部材および前記補助ガイド部材を前記第１方向に湾曲させるように前記塗布面に押し当てた状態で、前記吐出部または前記塗布対象物を前記第１方向に沿って移動させながら前記吐出口から前記溶液を吐出して前記塗布面上に前記溶液を膜状に塗布する。
【００１２】
本発明の第５の態様に係る光電変換装置の製造方法は、上記の第３の態様に係る塗布方法あるいは第４の態様に係る塗布方法を用いて電極層上に原料溶液の塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を加熱して第１の半導体層にする工程と、前記第１の半導体層上に該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を形成する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の上記各態様によれば、均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施形態に係る塗布装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】吐出部およびガイド部材の構成を模式的に示す正面図である。
【図３】図２の吐出部の側面を模式的に示す図である。
【図４】図２にて一点鎖線Ｉ−Ｉで示した位置における吐出部のＸＺ断面を模式的に示す図である。
【図５】図２の吐出部の下面を模式的に示す図である。
【図６】吐出部によって塗布対象物に溶液が塗布される様子を模式的に示す図である。
【図７】吐出部によって塗布対象物に溶液が塗布される様子を模式的に示す図である。
【図８】塗布装置を用いた光電変換装置の製造プロセスの流れの一例を示すフローチャートである。
【図９】光電変換装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】図９の光電変換装置の断面図である。
【図１１】吐出部およびガイド部材の変形例の構成を模式的に示す正面図である。
【図１２】図１１の吐出部の下面を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図１〜図７には、塗布装置１における各部の配置関係を明示するために、塗布対象物４の一主面に沿った吐出部２４の移動方向をＸ軸方向とし、吐出部２４の長手方向をＹ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。但し、溶液供給源２４０については、吐出部２４に対する配置関係が描かれたものではない。
【００１６】
＜(１)塗布装置の概略構成＞
一実施形態に係る塗布装置１は、平板状の塗布対象物４の一主面上に所定の溶液を塗布する装置である。図１で示されるように、塗布装置１は、本体部２と制御部３とを備えている。本体部２は、載物台２１と可動梁機構２２と駆動部２３とを備えている。
【００１７】
載物台２１は、塗布対象物４が載置される台であり、該塗布対象物４を保持する。載物台２１は、略直方体の形状を有する。該載物台２１の上面と下面と側面は何れも略平坦となるように加工されている。また、載物台２１の上部には、塗布対象物４が載置される載置部２１１が配されている。
【００１８】
載置部２１１の上面２１１ｓには、例えば、ストッパーＳｔ１，Ｓｔ２，Ｓｔ３が配されている。２つのストッパーＳｔ１，Ｓｔ２は、上面２１１ｓに固定されている。また、１つのストッパーＳｔ３は、上面２１１ｓに対して移動可能である。例えば、塗布対象物４が略長方形の盤面を有する場合、該塗布対象物４が載置部２１１上に載置される際には、塗布対象物４の隣り合う２つの角部が固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２によって位置決めされる。そして、該塗布対象物４が、固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２と可動のストッパーＳｔ３とによって挟持される。なお、載置部２１１に、例えば、多数の吸引口が配され、塗布対象物４が、多数の吸引口によって吸引されることで、載置部２１１上に吸着されても良い。
【００１９】
また、載置部２１１のうち、塗布対象物４が載置される領域を挟むＹ軸方向の両端部近傍には、Ｘ軸方向に延在している一対の走行溝２１２が配されている。走行溝２１２は、可動梁機構２２を支持し、該可動梁機構２２のＸ軸方向に沿った移動を案内する。
【００２０】
可動梁機構２２は、梁部２２１と２つの走行部２２２と吐出部２４とを備えている。梁部２２１は、２つの走行部２２２の間にＹ軸方向に沿って架設されている。つまり、２つの走行部２２２が梁部２２１を介して連結されている。また、梁部２２１の下部には吐出部２４が取り付けられている。
【００２１】
吐出部２４は、所定の溶液を吐出して塗布対象物４の一主面上に該所定の溶液を塗布するノズルである。該吐出部２４は、吐出部本体部２４１と２つの側方平板２４２とを備えている。そして、吐出部本体部２４１の両端に、それぞれ側方平板２４２が取り付けられている。
【００２２】
吐出部２４の両端に位置する側方平板２４２の下面には、吐出部２４から下方に突出するようにガイド部材２５が設けられている。ガイド部材２５は、吐出部２４からＹ軸方向に幅広に吐出された溶液を一定の幅を維持しながら塗布対象物４上へ送るための部材である。
【００２３】
走行部２２２は、梁部２２１を介して吐出部２４を支持している。また、走行部２２２は、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２を備えている。昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、例えば、ボールネジとサーボモーターとを有している。また、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、制御部３から入力される制御信号に応じて、梁部２２１の姿勢を保持したままで、該梁部２２１をＺ軸方向に昇降させ得る。
【００２４】
駆動部２３は、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させる部分である。該駆動部２３は、例えば、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とリニアエンコーダー２３３とを備えている。一対の移動子２３１は、可動梁機構２２の両端部に取り付けられている。一対の固定子２３２は、載物台２１の両側部においてＸ軸方向に沿って配されている。駆動部２３では、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とが、例えば、コアレスリニアモータを構成し、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させ得る。また、リニアエンコーダー２３３は、一対の移動子２３１のＸ軸方向における位置を検出し得る。リニアエンコーダー２３３によって検出された一対の移動子２３１の位置を示す情報は、制御部３に送られる。
【００２５】
制御部３は、本体部２における各種動作を制御する部分である。該制御部３は、プロセッサー部３１と記憶部３２とを備えている。プロセッサー部３１は、記憶部３２に記憶されているプログラムを読み込んで実行することで、各種のデータ処理を行う。記憶部３２は、プログラムおよび各種データを記憶する。なお、制御部３には、例えば、図示を省略する操作部および表示部が配されている。操作部は、オペレーターの操作を受け付ける。表示部は、各種データを可視的に出力し得る。
【００２６】
また、制御部３は、本体部２とデータの送受信が可能に接続されている。制御部３は、操作部から入力される信号およびリニアエンコーダー２３３から入力される一対の移動子２３１の位置を示す情報に基づいて、一対の移動子２３１および一対の固定子２３２の動作を制御する。つまり、制御部３によって、載物台２１上における可動梁機構２２の各種動作が制御され得る。
【００２７】
また、制御部３は、操作部から入力される信号および図示が省略されている各種センサから入力される信号に基づいて、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２の動作、吐出部２４からの所定の溶液の吐出を制御する。
【００２８】
＜(２)吐出部およびガイド部材の構成＞
図２は、吐出部２４およびガイド部材２５の一構成例を模式的に示す正面図である。図３は、吐出部２４およびガイド部材２５を＋Ｙ方向に見た場合の側面の構成を模式的に示す図である。図４は、図２にて一点鎖線Ｉ−Ｉで示した位置における吐出部２４のＸＺ断面の構成を模式的に示す図である。図５は、吐出部２４およびガイド部材２５を＋Ｚ方向に見た場合の下面の構成を模式的に示す図である。
【００２９】
吐出部２４は、吐出部本体部２４１と、１対の側方平板２４２とで構成されている。また、吐出部本体部２４１は、吐出用スリット２４１Ａｓの−Ｘ側に位置する前方の部分（吐出前方部とも言う）２４１Ａｆと、吐出用スリット２４１Ａｓの＋Ｘ側に位置する後方の部分（吐出後方部とも言う）２４１Ａｂとを有している。吐出前方部２４１Ａｆおよび吐出後方部２４１Ａｂは、それぞれＹ軸方向に延在している。このような吐出前方部２４１Ａｆおよび吐出後方部２４１Ａｂが間隔をあけて配置されることによって吐出用スリット２４１Ａｓが構成されている。
【００３０】
また、側方平板２４２は、吐出部本体部２４１のＹ軸方向の両端部に取り付けられている。このため、吐出用スリット２４１ＡｓのＹ軸方向の両端部が側方平板２４２によって規定されている。
【００３１】
そして、吐出部２４の下面には、吐出前方部２４１Ａｆと吐出後方部２４１Ａｂと側方平板２４２とで囲まれた吐出口２４１Ａｏが構成されている。吐出口２４１Ａｏは、Ｙ軸方向に延びるスリット状の開口である。吐出部２４では、溶液供給源２４０から所定の溶液が吐出用スリット２４１Ａｓに供給されると、該所定の溶液が吐出口２４１Ａｏから塗布対象物４に向けて吐出される。すなわち、塗布装置１は、いわゆるスリットコーターとして機能する。
【００３２】
そして、図７で示されるように、例えば、吐出部２４が、Ｘ軸に沿った矢印ＡＲ１で示される−Ｘ方向に移動しながら、吐出部２４から所定の溶液Ｌ１を塗布対象物４に向けて吐出することで、塗布対象物４の上に所定の溶液Ｌ１が塗布され得る。なお、図７は図４
で示した吐出部２４のＸＺ断面に相当する。
【００３３】
ここで溶液供給源２４０は、例えば、所定の溶液Ｌ１を貯蔵するタンクおよび所定の溶液Ｌ１を送出するポンプ等を有していれば良い。
【００３４】
また、所定の溶液Ｌ１は、例えば、１１族元素（Ｉ−Ｂ族元素ともいう）、１３族元素（III−Ｂ族元素ともいう）および有機カルコゲン化合物が一つの分子内に含まれた単一
源錯体（米国特許第６９９２２０２号明細書参照）と、有機溶媒とを混合させることで作製され得る。所定の溶液Ｌ１では、例えば、単一源錯体の濃度が１０ｗｔ％以上となり得る。なお、有機カルコゲン化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。また、カルコゲン元素とは、１６族元素（VI−Ｂ族元素ともいう）のうちの硫黄、セレンおよびテルルである。有機カルコゲン化合物としては、例えば、チオール、セレノール、テルロール等が採用され得る。また、有機溶媒としては、例えば、メタノール等のアルコール類、アニリンやピリジン等のアミン類等が採用され得る。
【００３５】
また、図２、図３および図５で示されるように、吐出部２４における吐出口２４１Ａｏの延伸方向（Ｙ軸方向）の両端部の近傍に吐出部２４から突出するようにガイド部材２５が設けられている。図２、図３、図５の例では吐出部２４を構成する側方平板２４２の下面にガイド部材２５が設けられている。ガイド部材２５は帯状の細長い形状であり、吐出口２５Ａｏの延伸方向（Ｙ軸方向）に直交するとともに塗布対象物４の塗布面に平行な第１方向（Ｘ軸方向）に湾曲可能となっている。
【００３６】
このような構成によって、図６で示されるように、吐出部２４によって塗布対象物４に溶液Ｌ１が塗布される際、ガイド部材２５が湾曲しながら塗布対象物４に接触した状態となる。そのため、吐出部２４の吐出口２４１ＡｏからＹ軸方向に幅広に吐出された溶液Ｌ１が、ガイド部材２５を伝って塗布対象物４まで送り出されることとなるため、幅広の状態を良好に維持しながら塗布対象物４に塗布されることとなる。その結果、均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成することが可能になる。なお、図６は図３で示した吐出部２４の側面に相当する。
【００３７】
ここでガイド部材２５は、Ｘ軸方向に湾曲可能な材料であればよく、例えば、ゴム等の弾性材料、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフィルム状の樹脂、あるいは、フィルム状の金属等が挙げられる。フィルム状の金属としては例えば、ＳＵＳやアルミニウム等が挙げられる。特に、耐摩耗性に優れ、耐久性を高めるという観点からはガイド部材２５はフィルム状の金属から成ることが好ましい。
【００３８】
塗布対象物４が金属等の導電部材から成る場合に、塗布対象物４に対して溶液Ｌをさらに良好に塗布するという観点からは、ガイド部材２５として金属等の導電部材が用いられるとともに、ガイド部材２５が接地されていてもよい。このような構成によって、ガイド部材２５が導電部材から成る塗布対象物４に接触した際、ガイド部材２５を介して塗布対象物４が接地されることとなるため、塗布対象物４の帯電が低減されて溶液Ｌの塗布対象物４に対する濡れ性が均一になり、且つ安定化する。その結果、より膜切れが少なくより均一な厚みの塗布膜が再現性良く得られる。つまり、塗布対象物４に対して接地線を接続する等の作業をしなくとも、容易に塗布対象物４の接地が可能となる。特に、後述する光電変換装置５１１の製造プロセスのように、絶縁体である基板５０１上に導電部材から成る下部電極層５０２が複数個設けられているものを塗布対象物４として、上記塗布装置１を用いて溶液Ｌ１を塗布する場合、複数個の下部電極層５０２のそれぞれに対して接地線を接続しなくともガイド部材２５を介してそれぞれの下部電極層５０２を接地することができる。
【００３９】
＜(３)光電変換装置の製造プロセス＞
ここで、上記構成を有する塗布装置１を用いた光電変換装置の製造プロセスの一例について説明する。なお、ここでは、図９および図１０に示すような、太陽電池等に用いられる光電変換装置の一例に基づいて説明をする。また、ここでは、塗布装置１を用いて光電変換装置の光吸収層が形成される。光吸収層は、例えば、第１導電型（ここではｐ型の導電型）を有するＩ−III−VI族化合物半導体の層であれば良い。Ｉ−III−VI族化合物半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体である。なお、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含む半導体のことを言う。
以下の記載においても、「主に含む」は「７０ｍｏｌ％以上含む」ことを意味する。
【００４０】
Ｉ−III−VI族化合物は、１１族元素と１３族元素と１６族元素とを主に含む化合物で
ある。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳとも言う）およびＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2（ＣＩＧＳＳとも言う）等が採用され得る。本一例では、光吸収層が、ＣＩＧＳを主に含む。
【００４１】
図８は、塗布装置１を用いた光電変換装置の製造プロセスの一例の流れを示すフローチャートである。
【００４２】
まず、図８のステップＳｐ１では、略矩形の盤面を有する平板状の基板５０１が準備される。基板５０１は、複数の光電変換セル５１０を支持するものである。基板５０１に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックスおよび樹脂等が採用され得る。また、基板５０１の厚さは、例えば、１ｍｍ以上で且つ３ｍｍ以下程度であれば良い。
【００４３】
ステップＳｐ２では、洗浄された基板５０１の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法等が用いられて、導電層としての下部電極層５０２が形成される。下部電極層５０２に含まれる主な材料としては、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＡｕ等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層５０２の厚さは、例えば、０．２μｍ以上で且つ１μｍ以下程度であれば良い。下部電極層５０２はレーザースクライビング等で所望のパターン形状（溝Ｐ１を有する形状）に加工される。
【００４４】
このステップＳｐ１〜Ｓｐ２の処理により、基板５０１と、該基板５０１上に設けられている下部電極層５０２とを有する塗布対象物４が形成され得る。
【００４５】
ステップＳｐ３では、塗布装置１を用いた所定の溶液Ｌ１の塗布工程が行われる。具体的には、吐出部２４を塗布対象物４の塗布面に対して一定間隔をあけて配置するとともにガイド部材２５を＋Ｘ方向に湾曲させるように上記塗布面に押し当てる。そしてこのガイド部材２５を塗布面に押し当てた状態で、吐出部２４を−Ｘ方向に移動させながら吐出口２４１Ａｏから溶液Ｌ１を吐出して塗布面上に溶液Ｌ１を膜状に塗布する。なお、この塗布膜の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。なお、本実施形態では、図９および図１０に示す光電変換装置１１のＸ軸方向に沿って吐出部２４を移動させながら溶液Ｌ１を吐出する例を示しているが、これに限定されず、Ｙ軸方向に沿って吐出部２４を移動させながら溶液Ｌ１を吐出してもよい。
【００４６】
また、この塗布工程において、下部電極層２の上面における塗布膜を形成したくない部位にガイド部材２５を当接させることによって、この部位における溶液Ｌの被着をより有効に低減してもよい。光電変換装置５１１には、光電変換装置５１１で発生した電力を外部に取り出すためのテープ状の配線導体（いわゆるタブ配線）が電気的に接続される取り出し電極が形成される。この取り出し電極として下部電極層５０２の一部が用いられる場合に、この取り出し電極上に被着した塗布膜を除去する必要があるが、上記のようにガイ
ド部材２５を当接させて溶液Ｌの被着を低減させることによって、塗布膜を除去するための工程が不要となり、工程が簡略化可能となる。
【００４７】
ステップＳｐ４では、ステップＳｐ３で形成された略均一な所定の溶液Ｌ１の塗布膜が乾燥される。このステップＳｐ４では、例えば、塗布対象物４の上に形成された塗布膜に不活性気体中もしくは還元雰囲気で熱処理が施される。熱処理の温度は、５０℃以上で且つ４００℃以下であれば良い。このとき、塗布膜が乾燥されるとともに塗布膜中の有機物が熱分解されてもよい。
【００４８】
ステップＳｐ５では、ステップＳｐ４で乾燥された所定の溶液Ｌ１の略均一な塗布膜が焼成されることで、塗布対象物４の上に略均一な第１の半導体層５０３が形成される。この第１の半導体層５０３が、光電変換装置５１１の光吸収層に相当する。このステップＳｐ５では、塗布対象物４の上に形成された塗布膜に対する加熱処理が行われる。該加熱処理は、例えば、カルコゲン元素としてのＳｅの気体と非酸化性気体とを含む雰囲気中で行われれば良い。非酸化性気体は、例えば、窒素等の不活性の気体および水素等の還元性の気体の少なくとも一方の気体であれば良い。この第１の半導体層５０３は、例えば０．５〜３μｍの厚みを有している。なお、このような第１の半導体層５０３は、例えば、ステップＳｐ３およびステップＳｐ４が複数回繰り返されることにより、所望の厚みを有する塗布膜の積層体が形成された後に、ステップＳｐ５による加熱処理が行われることで形成されてもよい。
【００４９】
ステップＳｐ６では、光電変換装置５１１の製造プロセスにおけるその後の工程が行われる。ここで、その後の工程の一例について説明する。
【００５０】
まず、ステップＳｐ５で形成された第１の半導体層５０３の上に、第２の半導体層５０４が形成される。第２の半導体層５０４は、第１の半導体層５０３の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。この第２の半導体層５０４は、化学浴槽堆積法(ＣＢＤ法)によって形成され得る。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に第１の半導体層５０３が浸漬されることで、ＣｄＳを主に含む第２の半導体層５０４が形成される。これにより、第１の半導体層５０３と第２の半導体層５０４とが積層されている光電変換層が形成され得る。
【００５１】
さらに、この第２の半導体層５０４の上に上部電極層５０５が形成されてもよい。上部電極層５０５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成される。上部電極層５０５は、例えば、スズがドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）やアルミニウムがドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）等が用いられ得る。
【００５２】
次に、上部電極層５０５の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層５０２の上面に至る領域に、一方向に直線状に延在する接続導体用溝部Ｐ２が形成される。接続導体用溝部Ｐ２は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。
【００５３】
次に、上記上部電極層５０５の上に帯状の集電電極５０７が形成されるとともに上記接続導体用溝部Ｐ２の内部に接続導体５０６が形成される。接続導体５０６および集電電極５０７は、例えば、銀等の金属粉が樹脂製のバインダー等に分散させられた金属ペーストが上部電極層５０５上および接続導体用溝部Ｐ２内に充填され、加熱によって固化されることで形成され得る。
【００５４】
そして、集電電極５０７および接続導体５０６が形成された後、上部電極層５０５の上
面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層５０２の上面に至る領域に、メカニカルスクライビング等によって一方向に直線状に延在するセル分割用溝部Ｐ３が形成される。これにより、基板５０１上に複数の光電変換セル５１０が配されている光電変換装置５１１が得られる。
【００５５】
なお、この光電変換装置５１１では、例えば、隣接する光電変換セル５１０のうち一方の光電変換セル５１０の上部電極層５０５が、接続導体５０６によって隣の光電変換セル５１０から延伸されている下部電極層５０２に電気的に接続されている。つまり、光電変換装置５１１では、基板５０１上に配されている複数の光電変換セル５１０が電気的に直列に接続されている。
【００５６】
＜(４)吐出部およびガイド部材の変形例の構成＞
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【００５７】
例えば、塗布装置１では、図１１および図１２に示されるように、吐出部２４にガイド部材２５が設けられていることに加え、さらに、吐出口２４１Ａｏの延伸方向（Ｙ軸方向）の両端部よりも内側における吐出口２４１Ａｏの近傍に、吐出部２４から突出するように設けられたＸ軸方向に湾曲可能な補助ガイド部材２６が１つ以上設けられていてもよい。この場合、塗布装置１を用いて塗布する際、ガイド部材２５および補助ガイド部材２６を＋Ｘ方向に湾曲させるように塗布対象物４の塗布面に押し当てた状態で、吐出部２４をＸ軸方向に沿って移動させながら溶液Ｌ１を吐出するので、溶液Ｌ１の膜切れがされに抑制される。なお、補助ガイド部材２６はガイド部材２５と同じ材質のものが用いられても良い。
【００５８】
また、上記図１〜図７の吐出部２４およびガイド部材２５を有する塗布装置１および図１１〜図１２の吐出部２４、ガイド部材２５および補助ガイド部材２６を有する塗布装置１では、固定された塗布対象物４に対して吐出部２４がＸ軸方向に移動可能な構成の例が示されているが、吐出部２４が固定され塗布対象物４を載置する載置部２１１がＸ軸方向に移動可能な構成であってもよく、あるいは、吐出部２４および載置部２１１の両方がＸ軸方向に移動可能な構成であってもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１：塗布装置
４：塗布対象物
２４：吐出部
２４１Ａｓ：吐出用スリット
２４１Ａｏ：吐出口
２５：ガイド部材
２６：補助ガイド部材
Ｌ１：溶液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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