(57)【要約】【課題】  光の進行方向に対して平面視で両方向に進行方向を制御できる光偏向素子を提供する。【解決手段】  光偏向素子は、基部電極と、基部電極に形成される第１クラッド層と、第１クラッド層に積層され、平面視で基部電極の一端側から他端側まで伸延するコア層と、コア層に積層される第２クラッド層と、第２クラッド層のコア層に積層される第１面とは反対の第２面において、平面視で基部電極の矩形領域を２本の対角線で４分割して得る４つの三角形の領域のうち、平面視でコア層の一端側の辺を含む第１領域内に形成される第１電極と、第２クラッド層の第２面において第１領域に隣接する第２領域及び第３領域に形成される第２電極及び第３電極とを含み、基部電極と第１電極及び第２電極との間、又は、基部電極と第１電極及び第３電極との間のいずれかに電圧を印加することにより、一端側からコア層に入射される光を偏向して他端側から出射する。【選択図】図１
2015169741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の基部電極と、
前記基部電極の一方の面に形成される第１クラッド層と、
前記第１クラッド層に積層され、平面視で前記基部電極の一端側から他端側まで伸延するコア層と、
前記コア層に積層され、前記第１クラッド層とともに前記コア層を覆う第２クラッド層と、
前記第２クラッド層の前記コア層に積層される第１面とは反対の第２面において、平面視で前記基部電極の矩形領域を２本の対角線で４分割して得る４つの三角形の領域のうち、平面視で前記コア層の一端側の辺を含む第１領域内に形成される第１電極と、
前記第２クラッド層の前記第２面において、前記４つの三角形の領域のうち、前記第１領域に隣接する第２領域に形成される第２電極と、
前記第２クラッド層の前記第２面において、前記４つの三角形の領域のうち、前記第１領域に隣接する第３領域に形成される第３電極と
を含み、
前記基部電極と前記第１電極及び前記第２電極との間、又は、前記基部電極と前記第１電極及び前記第３電極との間のいずれかに電圧を印加することにより、前記一端側から前記コア層に入射される光を偏向して前記他端側から出射する、光偏向素子。
【請求項２】
前記第１電極は、平面視で、前記基部電極の矩形領域の前記一端側から前記他端側に伸延する中心軸上に位置する頂点を有し、前記第１領域内に形成される二等辺三角形の電極である、請求項１記載の光偏向素子。
【請求項３】
前記第２電極及び前記第３電極は、それぞれ、平面視で、前記第２領域及び前記第３領域の内部に形成される、三角形の電極である、請求項１又は２記載の光偏向素子。
【請求項４】
前記コア層は、電気光学ポリマー材料で形成される、請求項１乃至３のいずれか一項記載の光偏向素子。
【請求項５】
基板をさらに含み、
前記基部電極は、前記基板の一方の面に形成される、請求項１乃至３のいずれか一項記載の光偏向素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光偏向素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、プロジェクターをはじめとする映像機器、レーザプリンタ、高分解能な共焦点顕微鏡、バーコードリーダ等において、コヒーレント性の高い光を偏向するための光制御素子に対する要求が高まっている。従来から、ポリゴンミラーを回転させる技術、ガルバノミラーにより光の偏向を制御する技術、音響光学効果を利用した光回折技術、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)と呼ばれるマイクロマシン技術が提案されている。
【０００３】
さらに近年では、従来の電気光学（EO）結晶LiNbO３などの無機誘電体よりサイズが小さくでき、低電力で100GHzを超える超高速変調を可能とする有機電気光学ポリマー材料の開発が進んでいる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
これらの電気光学材料を用いた光偏向器は、ガルバノミラーやポリゴンミラー、ＭＥＭＳミラー等と異なり機械的可動部を持たないため、高速の光偏向が可能となり、装置としての物理的な負荷も軽くなるためその実用化が期待されている。
【０００５】
また、前述した電気光学ポリマー材料を用いた光偏向素子としては、素子の表面を削ってプリズムを形成したものや、非線形光学材料を用いた光デバイスが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
特許文献１記載の光デバイスは、基板上に形成された電気光学薄膜をコア層とする光導波路層と、前記光導路層の上部に形成された屈折率制御電極と、前記光導波路層の基板面側に形成された全面電極、これらの電極間に電圧を印加して電気光学材料中に電界を発生させるための駆動電源、および光ビームの入出力手段とを含む。
【０００７】
ここで、屈折率制御電極として、たとえば三角形状の電極を形成し、下部基板電極との間に電圧を印加した場合、電極下方の三角柱部分の屈折率が電気光学効果に基づいて変化し、この三角柱部分がプリズムとして働くため、電気光学材料を実際に加工することなく、入射光を偏向することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】情報通信研究機構研究報告Vol. 59 No. 1 (2013)
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−０８４３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１記載の光デバイスは、光の進行方向に対して平面視で片側だけにしか進行方向を制御することができないため、光偏向素子として用いるには制約があり、使い勝手がよくない。
【００１１】
そこで、光の進行方向に対して平面視で両方向に進行方向を制御でき、使い勝手の良好な光偏向素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の実施の形態の光偏向素子は、矩形状の基部電極と、前記基部電極の一方の面に形成される第１クラッド層と、前記第１クラッド層に積層され、平面視で前記基部電極の一端側から他端側まで伸延するコア層と、前記コア層に積層され、前記第１クラッド層とともに前記コア層を覆う第２クラッド層と、前記第２クラッド層の前記コア層に積層される第１面とは反対の第２面において、平面視で前記基部電極の矩形領域を２本の対角線で４分割して得る４つの三角形の領域のうち、平面視で前記コア層の一端側の辺を含む第１領域内に形成される第１電極と、前記第２クラッド層の前記第２面において、前記４つの三角形の領域のうち、前記第１領域に隣接する第２領域に形成される第２電極と、前記第２クラッド層の前記第２面において、前記４つの三角形の領域のうち、前記第１領域に隣接する第３領域に形成される第３電極とを含み、前記基部電極と前記第１電極及び前記第２電極との間、又は、前記基部電極と前記第１電極及び前記第３電極との間のいずれかに電圧を印加することにより、前記一端側から前記コア層に入射される光を偏向して前記他端側から出射する。
【発明の効果】
【００１３】
光の進行方向に対して平面視で両方向に進行方向を制御でき、使い勝手の良好な光偏向素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態の光偏向素子１００を示す図である。
【図２】図１に示す光偏向素子１００の電極の形状を示す図である。
【図３】光偏向素子１００における偏向の原理を説明する図である。
【図４】実施の形態の光偏向素子１００における偏向動作のシミュレーション結果を示す図である。
【図５】実施の形態の光偏向素子１００における、偏向角度の理論値とシミュレーション値との比較結果を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の光偏向素子を適用した実施の形態について説明する。
【００１６】
＜実施の形態＞
図１は、実施の形態の光偏向素子１００を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。図２は、図１に示す光偏向素子１００の電極の形状を示す図である。なお、図１及び図２では、共通の直交座標系であるＸＹＺ座標系を用いて説明する。
【００１７】
図１に示すように、光偏向素子１００は、基板１０、基部電極２０、クラッド層３０、コア層４０、クラッド層５０、電極６０（６１、６２、６３）を含む。図２（Ａ）には、クラッド層５０の上（ＸＹ平面上）における電極６０（６１、６２、６３）の形状及び位置関係を示し、図２（Ｂ）には、基板１０の上（ＸＹ平面上）における基部電極２０の形状を示す。図２（Ｂ）は、説明の便宜上、クラッド層３０、コア層４０、クラッド層５０、電極６０を取り除いた状態で、ＸＹ平面における基板１０と基部電極２０の位置関係のみを示す図である。
【００１８】
基板１０は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）層を形成したシリコン（Ｓｉ）ウェハ基板を用いることができる。基板１０は、一つの面に基部電極２０を形成し易い基板であることが好ましいが、シリコン基板に限られず、例えば、樹脂等の絶縁体製の基板であってもよい。
【００１９】
また、ここでは、基板１０が平面視（ＸＹ面視）で基部電極２０、クラッド層３０、及びクラッド層５０と同一の矩形形状を有し、１つの基板１０の上に、１つの光路が形成される形態について説明する。
【００２０】
しかしながら、基板１０は、平面視で基部電極２０、クラッド層３０、及びクラッド層５０よりも大きくてもよい。また、一つの基板１０の上に、複数組の基部電極２０、クラッド層３０、コア層４０、及びクラッド層５０が形成されることにより、複数の光路が形成されてもよい。
【００２１】
基部電極２０は、基板１０のＺ軸正方向側の面（酸化シリコンの表面）の全体に形成される（図２（Ｂ）参照）全面電極である。基部電極２０は、後述する電極６０（６１、６２、６３）に電圧を印加してコア層４０の屈折率を制御する際に、基準電位点となる電極である。
【００２２】
基部電極２０は、平面視で矩形状であり、図１及び図２には、一例として長方形の基部電極２０を示す。基部電極２０のＸ軸方向の幅はＷ１であり、Ｙ軸方向の長さはＬである（図１（Ａ）参照）。
【００２３】
基部電極２０は、例えば、基板１０の表面に、クロム（Ｃｒ）層と金（Ａｕ）層を蒸着等で順次形成することによって形成される。クロム層の厚さは、一例として２０ｎｍであり、金層の厚さは、一例として２００ｎｍである。
【００２４】
ここでは、基部電極２０がクロム層と金層との２層構造である形態について説明するが、基部電極２０は、後述する電極６０（６１、６２、６３）との間で、クラッド層３０、コア層４０、及びクラッド層５０に電界Ｅ（図１（Ｂ）参照）を印加できる電極であればよい。このため、基部電極２０は、クロム層又は金層による単層の金属電極であってもよく、クロム層と金層以外の金属層によって構成される金属電極であってもよい。
【００２５】
クラッド層３０は、基部電極２０のＺ軸正方向側の面に形成される。クラッド層３０は、平面視で矩形状であり、平面視のサイズは基部電極２０と等しい。このため、クラッド層３０のＸ軸方向の幅はＷ１であり、Ｙ軸方向の長さはＬである。また、クラッド層３０の厚さは、一例として０．５μｍである。
【００２６】
クラッド層３０は、コア層４０よりも屈折率の低い材料で形成されていればよく、周知のクラッド層用の材料を用いることができる。クラッド層３０は、例えば、スピンコート法でクラッド層用の薄膜を作製することにより、基部電極２０のＺ軸正方向側の面に形成される。
【００２７】
コア層４０は、クラッド層３０のＺ軸正方向側の面のうち、クラッド層３０の長方形の長手方向の中心軸Ｃを含む幅Ｗ２の領域において、Ｙ軸方向におけるクラッド層３０の一端（Ｙ軸負方向側の端部）から他端（Ｙ軸正方向側の端部）まで形成される。このため、コア層４０のＹ軸方向の長さはＬであり、幅Ｗ２は、基部電極２０及びクラッド層３０の幅Ｗ１の約１／３である。また、コア層４０の厚さは、一例として１μｍである。
【００２８】
コア層４０は、電気光学ポリマー材料で構成される。電気光学ポリマー材料としては、例えば、屈折率n = 1.7、電気光学定数r = 150 pm/Vのトリシアノフラン（TCF）を用いることができる。なお、コア層４０の材料は、クラッド層３０及び５０よりも屈折率の高いコア材料であれば、他の材料を用いてもよい。
【００２９】
コア層４０は、クラッド層３０及び５０により、Ｚ軸正方向側、Ｚ軸負方向側、Ｘ軸正方向側、及びＸ軸負方向側の４側面が覆われる。なお、コア層４０は、基部電極２０と同一のＸ軸方向の幅Ｗ１を有するように形成されていてもよい。この場合は、クラッド層３０及び５０のＸ軸方向の幅をＷ１よりも広くすればよい。後述するシミュレーションでは、コア層４０の幅Ｗ２を、基部電極２０の幅Ｗ１とを等しくする。
【００３０】
クラッド層５０は、コア層４０のＺ軸正方向側の面に形成される。クラッド層５０は、クラッド層３０と等しい平面視のサイズを有するため、クラッド層３０のＺ軸正方向側の面のうち、コア層４０が存在しない部分においては、クラッド層３０と直接的に接合される。クラッド層５０は、例えば、スピンコート法でクラッド層用の薄膜を作製することによって形成される。なお、クラッド層５０の厚さは、一例として０．５μｍである。
【００３１】
また、上述のような厚さに設定したクラッド層３０、コア層４０、及びクラッド層５０の合計の厚さｄ（図１（Ｂ）参照）は、２μｍである。
【００３２】
電極６０は、電極６１、６２、６３に分割されている。電極６１、６２、６３、コア層４０の屈折率を制御するための屈折率制御電極である。
【００３３】
電極６１、６２、６３は、例えば、クラッド層５０のＺ軸正方向側の面の一面に、金（Ａｕ）層を形成し、不要部分（電極６１、６２、６３が存在しないＹ軸方向正方向側の三角形の部分）をドライエッチングするとともに、電極６１、６２、６３をレーザ加工等によって分断することによって形成される。なお、電極６１、６２、６３の厚さは、一例として２００ｎｍである。
【００３４】
電極６１は、クラッド層５０のＺ軸正方向側の面において、平面視で基部電極２０の矩形領域を２本の対角線で４分割して得る４つの三角形の領域のうち、平面視でコア層４０の一端側（Ｘ軸負方向側）の辺４０Ａ（図１（Ａ）参照）を含む第１領域内に形成される。
【００３５】
電極６２は、クラッド層５０のＺ軸正方向側の面において、４つの三角形の領域のうち、第１領域に隣接する第２領域に形成される。第２領域は、第１領域に対して、Ｙ軸正方向側かつＸ軸負方向側に位置する領域である。
【００３６】
電極６３は、クラッド層５０のＺ軸正方向側の面において、４つの三角形の領域のうち、第１領域に隣接する第３領域に形成される。第３領域は、第１領域に対して、Ｙ軸正方向側かつＸ軸正方向側に位置する領域である。
【００３７】
ここで、電極６１、６２、６３と、コア層４０とは、中心軸Ｃに対してＹ軸に対して線対称に配置されている。
【００３８】
電極６１は、中心軸Ｃを対称軸とする平面視で二等辺三角形の電極である。また、電極６２と６３は、中心軸Ｃに対して線対称に配置される平面視で三角形の電極である。
【００３９】
そして、電極６１と６２とを合わせた領域は、幅Ｗ１、長さＬで、斜辺がＸＹ平面において負の傾きを有する直角三角形であり、電極６１と６３とを合わせた領域は、幅Ｗ１、長さＬで、斜辺がＸＹ平面において正の傾きを有する直角三角形である。
【００４０】
以上のような積層体を形成した後に、配向分極処理ならびに熱硬化処理を行うことにより、ポリイミド導波路層としてのコア層４０を含む光偏向素子１００が完成する。
【００４１】
ここで、図３は、光偏向素子１００における偏向の原理を説明する図である。図３では、コア層４０に入力された光が図２（Ａ）に示す電極６１、６２がある領域に入射して偏向する原理について説明する。図３では、電極６１と６２を合わせて１つの三角形の電極として示す。
まず、クラッド層３０、コア層４０、及びクラッド層５０の合計の厚さｄとすると、クラッド層３０、コア層４０、及びクラッド層５０に生じる電界Ｅは次式（１）で表される。
【数１】
2015169741.tif 000003
また、コア層４０として用いるトリシアノフランの屈折率をｎ２とすると、屈折率制御電極（電極６１、６２）と全面電極（基部電極２０）との間に電圧を印加してプリズム部（電極６１、６２の三角形状に対応するコア層４０の一部）に式（１）で表される電界が印加されると、プリズム内のコア層４０の屈折率ｎ１は、次式（２）で表される。
【数２】
2015169741.tif 000004
また、図３に示すように角度θ１を定義すると、角度θ１は、次式（３）で表される。
【数３】
2015169741.tif 000005
また、図３に示すようにコア層４０に光が入力される場合、光の入射方向に対して偏向する角度θｃは、次式（４）で表される。
【数４】
2015169741.tif 000006
図１で、基部電極２０に対しＶａ＝Ｖｂ、Ｖｃ＝０Ｖとすると、プリズム内のコア層４０の屈折率ｎ１になり、最終的に入射方向に対して式（４）のθｃだけ方向が変わる。このとき、加える電圧を変化させれば、出射光の偏向角度θｃを連続的に制御することができる。
【００４２】
一方、Ｖａ＝Ｖｃ、Ｖｂ＝０とすると、その中心線に対して、今度は反対側にθｃだけ方向が変わることになる。Ｖａ＝Ｖｂ＝Ｖｃ＝０の場合は光は直進方向に進む。
【００４３】
このように、電圧の加える組み合わせと、大きさで、出射光の偏向を制御できる。
【００４４】
すなわち、電極６１、６２、６３は、電極６１と６２、又は、電極６１と６３のいずれかの組み合わせに正電圧を印加することによってコア層４０のプリズム部の屈折率を変化させる。
【００４５】
電極６１と６２に正電圧を印加すると、電極６１と６２によって規定される平面視で直角三角形の領域内に存在するコア層４０の屈折率が変化し、電極６１と６２によって規定される平面視で直角三角形に対応するプリズムが得られる。
【００４６】
また、電極６１と６３に正電圧を印加すると、電極６１と６３によって規定される平面視で直角三角形の領域内に存在するコア層４０の屈折率が変化し、電極６１と６３によって規定される平面視で直角三角形に対応するプリズムが得られる。
【００４７】
実施の形態の光偏向素子１００は、図１（Ａ）に示すように、電極６１と基部電極２０との間に出力電圧Ｖａの直流電源７１を接続し、電極６２と基部電極２０との間に出力電圧Ｖｂの直流電源７２を接続し、電極６３と基部電極２０との間に出力電圧Ｖｃの直流電源７３を接続する。
【００４８】
なお、直流電源７１、７２、７３は、それぞれ、基部電極２０に対して、電極６１、６２、６３に正電圧を印加する電源であり、出力電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃのオン／オフを独立的に切り替えることができる電源である。
【００４９】
そして、直流電源７１及び７２をオンにするとともに、直流電源７３をオフにすることによって電極６１及び６２にそれぞれ電圧Ｖａ及びＶｂを印加すると、コア層４０の一端側（Ｙ軸負方向側）から入力される光（図１（Ａ）参照）をＸ軸正方向側に偏向してコア層４０の他端側（Ｙ軸正方向側）から出力する。
【００５０】
また、直流電源７１及び７３をオンにするとともに、直流電源７２をオフにすることによって電極６１及び６３にそれぞれ電圧Ｖａ及びＶｃを印加すると、コア層４０の一端側（Ｙ軸負方向側）から入力される光（図１（Ａ）参照）をＸ軸負方向側に偏向してコア層４０の他端側（Ｙ軸正方向側）から出力する。
【００５１】
次に、図４を用いて、シミュレーション結果について説明する。
【００５２】
図４は、実施の形態の光偏向素子１００における偏向動作のシミュレーション結果を示す図である。ここでは、光の偏向角度をθで表す。θは、図１及び図２に示すＹ軸正方向に対して、時計回りの方向の角度を正の角度として表す。
【００５３】
シミュレーション条件では、基部電極２０のクロム層、金層の厚さを、それぞれ、２０ｎｍ、２００ｎｍ、クラッド層３０、５０の厚さを０．５μｍ、コア層４０の厚さを１μｍ、電極６１、６２、６３の厚さを２００ｎｍに設定した。
【００５４】
また、基部電極２０のＸ軸方向の幅Ｗ１を３μｍ、長さＬを１５μｍ、コア層４０の幅Ｗ２を基部電極２０の幅Ｗ１と同一の３μｍ、クラッド層３０、コア層４０、及びクラッド層５０の合計の厚さｄを２μｍに設定し、波長８00ｎｍのレーザ光をコア層４０の一端側から入射した。
【００５５】
図４（Ａ）に示すように、電極６１、６２、６３に印加する電圧をすべて０Ｖにして、コア層４０に一端側（Ｙ軸負方向側）から光を入力すると、偏向角度θは０deg.であった。
【００５６】
図４（Ｂ）に示すように、電極６１、６２に印加する電圧を７０Ｖにするとともに電極６３に印加する電圧を０Ｖにして、コア層４０に一端側（Ｙ軸負方向側）から光を入力すると、偏向角度θは２．２deg.であった。
【００５７】
図４（Ｃ）に示すように、電極６１、６２に印加する電圧を１４０Ｖにするとともに電極６３に印加する電圧を０Ｖにして、コア層４０に一端側（Ｙ軸負方向側）から光を入力すると、偏向角度θは５．１deg.であった。
【００５８】
このように、電極６１、６２に正電圧を印加し、電極６３に電圧を印加しない状態（０Ｖを印加する状態）では、コア層４０に一端側（Ｙ軸負方向側）から入力される光は右方向に偏向されてコア層４０の他端側（Ｙ軸正方向側）から出力されることが分かった。
【００５９】
また、電極６１、６２に印加する電圧を大きくすると、偏向角度が大きくなることが分かった。
【００６０】
なお、電極６２と６３の対称性から、電極６１、６３に正電圧を印加し、電極６２に電圧を印加しない状態（０Ｖを印加する状態）では、コア層４０に一端側（Ｙ軸負方向側）から入力される光は左方向に偏向されてコア層４０の他端側（Ｙ軸正方向側）から出力されることと考えられる。
【００６１】
次に、図５を用いて、偏向角度の理論値とシミュレーション値とを比較する。
【００６２】
図５は、実施の形態の光偏向素子１００における、偏向角度の理論値とシミュレーション値との比較結果を示す特性図である。ここで、偏向角度が負の値のものは、図１及び図２におけるＹ軸正方向に対して反時計回りに偏向される場合の角度を表す。なお、理論値は、図３で説明した屈折率ｎ１、ｎ２、角度θ１を用いて求めた。電極６１、６２、６３を介してコア層４０に電界を印加しているときのコア層４０の屈折率は、電界の強度に応じて変化するため、図５に示すような理論値の特性が得られた。
図５に示すように、電極６１、６２、６３に印加する電圧値を設定して理論値とシミュレーション値との比較を行った結果、シミュレーション値は理論値と略一致した。
【００６３】
そして、電極６１及び６２に正電圧を印加するとともに、電極６３を０Ｖに保持すると、偏向角度は正の値を取り、正電圧の増大に伴って略線形的に偏向角度が増大した。
【００６４】
また、電極６１及び６３に正電圧を印加するとともに、電極６２を０Ｖに保持すると、偏向角度は負の値を取り、正電圧の増大に伴って略線形的に偏向角度が（絶対値で）増大した。
【００６５】
以上より、実施の形態によれば、光線の進行方向に対し、光線方向を、進行方向を中心として両方向に連続的に制御することができ、使い勝手の非常に良好な光偏向素子１００を提供することができる。
【００６６】
実施の形態の光偏向素子１００では、電気光学ポリマー材料などの電気光学固体によって形成されるコア層４０の対向する面に形成した少なくとも４つの電極（２０、６１、６２、６３）に制御電圧を印加して、電気光学効果により電気光学固体の結晶内の屈折率分布の傾斜を生成することによって、制御電圧により形成される電界に概ね垂直に入射する入射光を偏向させることができる。
【００６７】
なお、以上では、電源７１、７２、７３から電極６１、６２、６３に正電圧を印加する形態について説明したが、負電圧を印加してもよい。また、電極２０と電極６１、６２、６３との位置を入れ替えてもよい。
【００６８】
また、以上では、１つのコア層４０を含む光偏向素子１００について説明したが、複数のコア層４０を並列に配列するとともに、各コア層に対応した基部電極２０と電極６１、６２、６３とを設けることにより、複数のチャンネルで光を伝送する場合において、偏向角度を制御することができる。また、この場合には、基板１０及び／又は基部電極２０は共通の１つの電極にすることができ、複数のコア層４０に対して、共通の１つのクラッド層３０及び５０を用いてもよい。
【００６９】
実施の形態の光偏向素子１００は、ポリゴンミラー、ガルバノミラー、音響光学効果を利用した光回折技術、ＭＥＭＳミラー等の代わりに、プロジェクターをはじめとする映像機器、レーザプリンタ、高分解能な共焦点顕微鏡、バーコードリーダ等に用いることができる。また、特に、立体映像表示装置に好適である。IP(Integral Photography)立体と呼ばれる立体方式をはじめとする眼鏡のいらない空間像再生型の立体映像表示装置では、光線を緻密かつ多方向に射出して空間像を再現する必要がある。この場合１つの表示画素を１つの方向に割り当てることになるが、自然に見える空間像を再生するには、求められる光線の数が多すぎて、それを実現するのが難しい。実施の形態の光偏向素子１００を用いることにより、１つの表示画素から高速に時分割で多方向に光線を射出することが可能となり、立体映像表示装置を製造するための負荷を軽減することができる。
以上、本発明の例示的な実施の形態の光偏向素子について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１００  光偏向素子
１０  基板
２０  基部電極
３０  クラッド層
４０  コア層
５０  クラッド層
６０、６１、６２、６３  電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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