(57)【要約】【課題】従来技術に比べて、酸素析出物の形成に関して特に利点を有する半導体ウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなる半導体ウエハは、前面側と、裏面側と、半導体ウエハの中心と縁部との間に平均的に８μｍ以上１８μｍ以下の深さで、前面側と裏面側との間に延在する無欠陥ゾーンと、無欠陥ゾーンに隣接し、前面側から３０μｍの距離において２×１０９ｃｍ−３以上のＢＭＤ密度を有する領域とを備える。半導体ウエハを製造する方法は、単結晶シリコンからなる基板ウエハを提供するステップと、基板ウエハにＲＴＡ処理を行うステップとを含む。このＲＴＡ処理は、アルゴンからなる雰囲気において基板ウエハに対して行われた第１熱処理と、アルゴンおよびアンモニアからなる雰囲気において基板ウエハに対して行われた第２熱処理とに分割される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコンからなる半導体ウエハであって、
前面側と、
裏面側と、
前記半導体ウエハの中心と縁部との間に平均的に８μｍ以上１８μｍ以下の深さで、前記前面側から前記裏面側に向かって延在する無欠陥ゾーンと、
無欠陥ゾーンに隣接し、前記前面側から３０μｍの距離において２×１０９ｃｍ−３以上のＢＭＤ密度を有する領域とを備える、半導体ウエハ。
【請求項２】
前記無欠陥ゾーンに隣接する前記領域において、ＢＭＤのピーク密度は、４×１０９ｃｍ−３以上である、請求項１に記載の半導体ウエハ。
【請求項３】
単結晶シリコンからなる半導体ウエハを製造する方法であって、
単結晶シリコンからなる基板ウエハを提供するステップを含み、前記基板ウエハは、４．５×１０１７原子／ｃｍ３以上６．０×１０１７原子／ｃｍ３以下の濃度の格子間酸素を含有し、
前記基板ウエハにＲＴＡ処理を行うステップを含み、前記ＲＴＡ処理は、１１６０℃以上１１９０℃以下の温度範囲に含まれる第１温度で５秒以上３０秒以下の期間内に、前記基板ウエハに対して行われた第１熱処理と、前記温度範囲に含まれる第２温度で１５秒以上３５秒以下の期間内に、前記基板ウエハに対して行われた第２熱処理とに分割され、前記第１熱処理において、少なくとも前記基板ウエハの前面側は、アルゴンからなる雰囲気に曝され、前記第２熱処理において、少なくとも前記基板ウエハの前面側は、アルゴンおよびアンモニアからなる雰囲気に曝される、方法。
【請求項４】
前記基板ウエハは、前記第１熱処理の前に、５０℃／秒以上９５℃／秒以上の昇温速度で前記第１温度に加熱され、第２熱処理の後に、２５℃／秒以上５０℃／秒以下の降温速度で前記第２温度から冷却される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アルゴンおよびアンモニアからなる前記雰囲気は、１０：２０以上１０：１以下のアルゴン：アンモニア比を有する、請求項３または請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２熱処理は、前記第１熱処理の後から１秒以下の期間内に行われ、
前記第１熱処理と前記第２熱処理との間に前記基板ウエハの温度は、１１６０℃以上１１９０℃以下の温度範囲に維持される、請求項３から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、前記ＲＴＡ処理の前に、両面研磨を行うステップをさらに含み、
前記両面研磨を行うステップにおいて、前記基板ウエハの前記前面側および前記裏面側は、同時に研磨され、各々の面から１０〜３０μｍの材料を除去する、請求項３から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記方法は、前記基板ウエハの前記前面側に自然酸化物層の厚さよりも厚い酸化物層を化学的に形成するために、前記ＲＴＡ処理の前に、酸化剤を用いて前記基板ウエハを処理するステップをさらに含む、請求項３から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記方法は、前記ＲＴＡ処理の後に、０．５体積％以上１．５体積％以下のフッ化水素を含有するエッチング液を用いて、前記基板ウエハをエッチングすることによって、前記基板ウエハの前記前面側から酸窒化シリコン層を除去するステップをさらに含む、請求項３から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法は、前記酸窒化シリコン層を除去する前に、前記基板ウエハの縁部を研磨するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法は、前記シリコン酸窒化層を除去した後、前記基板ウエハの前記前面側に対してヘイズフリー研磨を行うステップをさらに含み、研磨により除去された材料が０．５μｍ以下である、請求項９または１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶シリコンからなり、前面側と、裏面側と、半導体ウエハの前面側から裏面側に向かう方向に延在する無欠陥ゾーンと、無欠陥ゾーンに隣接し、特定のＢＭＤ密度を有する領域とを備える半導体ウエハに関する。ＢＭＤ（バルク微小欠陥）とは、酸素が単結晶環境において析出したいわゆる酸素析出物である。本発明はまた、半導体ウエハを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無欠陥ゾーンは、前面側を含む半導体ウエハの領域であり、欠陥を有しないため、電子構造の構築環境として好適である。無欠陥ゾーンに隣接しかつＢＭＤを有する領域は、酸素析出物が無欠陥ゾーンから不純物を防ぐゲッター中心として機能するため、注目されている。
【０００３】
通常、無欠陥ゾーンは、高温で基板ウエハを熱処理することにより製造される。熱処理としては、ＲＴＡ処理、すなわち、急速熱アニールと呼ばれる熱処理は、特に好適である。そのように呼ばれた理由は、ＲＴＡ処理中に、基板ウエハが速い昇温速度で目標温度に加熱され、比較的短い時間後、速い降温速度で冷却されるためである。ＲＴＡ処理によって無欠陥ゾーンを生成するために必要とされた時間は、比較的短い。
【０００４】
ＲＴＡ処理が窒化雰囲気中で行われると、無欠陥ゾーンの近傍において酸素析出物の生成が促進される。その原因は、窒化処理中、空孔が注入され、酸素析出物の核形成が励起されるためである。雰囲気としては、アルゴンとアンモニアとの混合物は、特に好適である。これによって、ＲＴＡ処理の目標温度を結晶ずれの発生頻度が大幅に低減される範囲に低くすることができる。このような方法は、たとえば、米国出願２００４／００５３５１６Ａ１に記載されている。
【０００５】
必要な基板ウエハの適切な供給源は、シリコンからなる単結晶、特にＣＺ法により引上げられたシリコン単結晶である。ＣＺ法方法において、シリコンが石英からなる坩堝中で溶融され、最後に、得られた溶融液に種結晶を入れると、単結晶が成長し、大きくなる。坩堝の材料は、溶融液に部分的に溶けるため、基板ウエハ中の酸素析出物を形成するために必要とされる酸素を提供する。
【０００６】
特に単結晶を製造する際の比率Ｖ／Ｇに依存して生成される特異的欠陥は、無欠陥ゾーンの形成を難しくするかまたは無欠陥ゾーンの形成を妨げる。単結晶を製造する際に、溶融液と成長する単結晶との間の位相角における引上げ速度Ｖと軸方向温度勾配Ｇとの比率Ｖ／Ｇが下限閾値と上限閾値との間にある場合、特異的欠陥は形成されない。欠陥の形成は、点欠陥の特定の過飽和によって引き起こされる。このような点欠陥の特定の過飽和は、上記条件の下で達成できない。Ｖ／Ｇ比率が下限閾値よりもある程度大きい場合、格子間シリコン原子が支配的になる。Ｖ／Ｇ比率が上限閾値よりもある程度小さい場合、空孔が点欠陥として支配的になる。全体的には、有害な点欠陥の過飽和が優勢にならない領域は、ＰｉゾーンとＰｖゾーンとＯＳＦゾーンとの３つのゾーンに分けることができる。Ｐｉゾーンは、格子間シリコン原子に支配され、Ｐｖゾーンは、空孔に支配され、ＯＳＦゾーンは、空孔に支配される。ＯＳＦゾーンにおいて、酸素による酸化の後、欠陥の積層の形成が可能である。
【０００７】
単結晶から、上述したゾーンのうち１つのみのゾーンからなる基板ウエハを製造することは、複雑であり、あんまり経済的とはいえない。１つのみのゾーンからなる基板ウエハを製造するために、Ｖ／Ｇ比率を非常に狭い範囲内で変動するように制限しなければならない。しかしながら、通常、Ｖ／Ｇ比率が相の境界に沿って一定ではないため、制限範囲を容易に超えてしまう。したがって、下限と上限閾値との間の領域を最も大きな可能範囲まで利用することがより経済的である。一般に、このような条件で引上げられた単結晶から、ＰｉゾーンおよびＰｖゾーンを含む基板ウエハが得られる。
【０００８】
本発明者らは、アルゴンとアンモニアとの混合物の下で、上記の特性を有する基板ウエハをＲＴＡ処理した結果、基板ウエハの中心と縁部との間に存在する無欠陥ゾーンの深度には大差が存在することを確認した。このような不均一な半径方向の差は、特に電子部品を形成するために更なる処理において半導体ウエハに裏面側研削を行う応用において、好ましくない。無欠陥ゾーンが半導体ウエハの内部に必要以上に深く延在すると、裏面側研削の際に、酸素析出物を形成する領域が完全に削られる可能性がある。よって、半導体ウエハは、必要なゲッター中心を欠如する。本発明者らはさらに、酸素析出物の密度が半導体ウエハの中心面に向かう方向に沿って適度に増加することを確認した。半導体ウエハの中心面とは、半導体ウエハの前面側と裏面側との間の仮想的な平面である。したがって、裏面側研削の際に、酸素析出物を有する領域が維持されても、この領域における酸素析出物の密度が十分なゲッター効果を発揮するのに低すぎることが発生する可能性がある。
【０００９】
米国出願２００５／００５４１２４Ａ１は、２段階のＲＴＡ処理を含み、中心から縁部までに比較的一定である深度の無欠陥ゾーンを有する半導体ウエハを製造可能な方法を記載している。半導体ウエハはさらに、無欠陥ゾーンに隣接し、半導体ウエハの中心面に向かう方向に沿ってほぼ一定な酸素析出物の密度を有する領域を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国出願２００４／００５３５１６Ａ１
【特許文献２】米国出願２００５／００５４１２４Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、従来技術に比べて、酸素析出物の形成に関して特に利点を有する半導体ウエハおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の目的は、単結晶シリコンからなり、前面側と、裏面側と、半導体ウエハの中心と縁部との間に平均的に８μｍ以上１８μｍ以下の深さで、前面側から裏面側に向かって延在する無欠陥ゾーンと、無欠陥ゾーンに隣接し、前面側から３０μｍの距離において２×１０９ｃｍ−３以上のＢＭＤ密度を有する領域とを備える半導体ウエハにより、達成される。
【００１３】
この半導体ウエハの特徴は、無欠陥ゾーンが半導体ウエハの中心と縁部との間に均一な深度を有することである。さらに、無欠陥ゾーンに隣接する領域において、酸素析出物の密度またはその核の密度は、半導体ウエハの中心面に向かう方向に沿って急激に上昇し、無欠陥ゾーンに対する境界の付近にピーク密度に達する。ＢＭＤのピーク密度は、好ましくは４×１０９ｃｍ−３以上であり、特に好ましくは７×１０９ｃｍ−３以上である。半導体ウエハを３０μｍの残留厚さに裏面側研削する工程中、ＢＭＤのピーク濃度は２×１０９ｃｍ−３以上である。したがって、半導体ウエハは、無欠陥ゾーンに隣接しかつＢＭＤの密度が深度方向に急激に上昇する領域を有する。この領域は、無欠陥ゾーンのすぐ近傍において、ゲッター能力を有する中心が多く利用できるため、いわゆる近接ゲッターを構成する。
【００１４】
このような半導体ウエハは、分割されたＲＴＡ処理を含む方法によって製造される。
本発明の目的は、単結晶シリコンからなる半導体ウエハを製造する方法によって達成される。この製造方法は、単結晶シリコンからなる基板ウエハを提供するステップを含み、基板ウエハは、４．５×１０１７原子／ｃｍ３以上６．０×１０１７原子／ｃｍ３以下の濃度の格子間酸素を含有し、基板ウエハにＲＴＡ処理を行うステップを含み、ＲＴＡ処理は、１１６０℃以上１１９０℃以下の温度範囲に含まれる第１温度で５秒以上３０秒以下の期間内に、基板ウエハに対する第１熱処理と、前述した温度範囲に含まれる第２温度で１５秒以上３５秒以下の期間内に、基板ウエハに対する第２熱処理とに分割され、第１熱処理において、少なくとも基板ウエハの前面側は、アルゴンからなる雰囲気に曝され、第２熱処理において、少なくとも基板ウエハの前面側は、アルゴンおよびアンモニアからなる雰囲気に曝される。
【００１５】
形成された基板ウエハは、格子間シリコン原子が支配的になるが、転位ループの形成をもたらす過飽和までならない１つ以上のゾーンを含む。このゾーンは、好ましくは、Ｐｉゾーンである。転位ループを形成する欠陥は、Ａ欠陥、Ｌピット欠陥または転位クラスターとも呼ばれる。さらに、形成された基板ウエハは、好ましくは、空孔が支配的になるが、空孔凝集体の形成をもたらす過飽和までならない１つ以上のゾーンを含む。空孔凝集体の形成に基づく欠陥は、通常、ＣＯＰ欠陥、ＧＯＩ欠陥またはボイド欠陥と呼ばれている。欠陥によって支配され、上述の性質を有するゾーンは、ＰｖゾーンまたはＯＳＦゾーンである。
【００１６】
特に好ましくは、基板ウエハは、少なくとも１つのＰｉゾーン、少なくとも１つのＰｖゾーンまたは少なくとも１つのＰｉゾーン、少なくとも１つのＰｖゾーンおよび少なくとも１つのＯＳＦゾーンを含む。また、半導体ウエハは、空孔が支配的であり、ＧＯＩ欠陥が存在するがその密度が１ｃｍ−２以下であるゾーンを有してもよい。
【００１７】
基板ウエハは、新ＡＳＴＭに従い、較正係数を用いて得られた４．５×１０１７原子／ｃｍ３以上６．０×１０１７原子／ｃｍ３以下の濃度の格子間酸素を含有する。得ようとするゲッター効果を発揮するのに十分な数および大きさの酸素析出物を生成するために、酸素の濃度を４．５×１０１７原子／ｃｍ３以上にしなければならない。ＯＳＦゾーンにＯＳＦ欠陥の形成を防止するために、酸素の濃度を６．０×１０１７原子／ｃｍ３以下にしなければならない。
【００１８】
単結晶中の格子間酸素の濃度は、好ましくは、坩堝に保持された溶融液に印加された水平磁場またはＣＵＳＰ磁場を用いて、設定される。
【００１９】
基板ウエハは、好ましくは、ＲＴＡ処理の前に、１回研磨される。研磨は、好ましくは両面研磨として実施される。両面研磨において、基板ウエハの前面側および裏面側は、同時に研磨され、各々の面から１０〜３０μｍの材料を除去する。無欠陥ゾーンの厚さがこのような研磨によって大幅に減らされるため、原則的に、ＲＴＡ処理の後には、このような研磨を行うことは、推奨しない。
【００２０】
基板ウエハの前面側に自然酸化物層の厚さよりも厚い酸化物層を化学的に形成するために、基板ウエハは、好ましくは、ＲＴＡ処理の前に、酸化剤を用いて処理される。化学的に形成された酸化物層の厚さは、好ましくは３〜８ｎｍである。酸化剤は、好ましくはオゾンである。化学的に形成された酸化物層は、ＲＴＡ処理中に前面側が汚染されないように、および前面側の粗さがＲＴＡ処理によって望ましくないレベルまで増加しないように、前面側を保護する。
【００２１】
基板ウエハのＲＴＡ処理は、第１熱処理において、基板ウエハを１１６０℃以上１１９０℃以下の温度範囲内の温度、好ましくは１１７５℃に加熱し、この温度で基板ウエハを５秒以上３０秒以下の期間に保持することを含む。第１熱処理の時間は、特に重要である。処理時間がより長くなればなるほど、無欠陥ゾーンに隣接する領域の酸素析出物のピーク濃度がより高くなり、無欠陥ゾーンに対する境界から基板ウエハの中心面に向かう方向に沿って、酸素析出物の密度の上昇がより速くなる。しかしながら、処理時間が３０秒以上にしてはならない。その理由は、処理時間が３０秒以上に長くなると、酸素析出物の密度が基板ウエハの内部において再びピーク密度になるのである。
【００２２】
基板ウエハは、好ましくは５５０℃〜６５０℃温度範囲にある開始温度から、好ましくは５０℃／秒以上９５℃／秒以上の昇温速度で加熱される。７５℃／秒の昇温速度は、特に好ましい。第１熱処理は、基板ウエハの前面側がアルゴン雰囲気である第１雰囲気に曝されるように行われる。第１熱処理は、基板ウエハの裏面側が第１雰囲気に曝されるように、行うこともできる。代替的には、基板ウエハの裏面側をアルゴン雰囲気と異なる雰囲気、たとえば窒素雰囲気に曝してもよい。
【００２３】
第１熱処理の後、基板ウエハを上述した１１６０℃以上１１９０℃以下の温度範囲内の温度で、５秒以上３０秒以下の期間に保持する第２熱処理を行う。好ましくは、第１熱処理に時の基板ウエハの温度と第２熱処理時の基板ウエハの温度とは、同一である。好ましくは、第１および第２熱処理の間に、基板ウエハの温度が上記の温度範囲を越えないように、ＲＴＡ処理を実施する。２つの熱処理の間に基板ウエハを上記の温度範囲内に保持することは、基板ウエハが比較的大きな温度変動に曝されないため、有利である。つまり、結晶ずれを形成しないようにおよび点欠陥の拡散の不利な影響を受けないように、基板ウエハを保護する。第１熱処理と第２熱処理との間の間隔は、好ましくは１秒以下である。
【００２４】
第２熱処理は、基板ウエハの前面側をアルゴンとアンモニアとの混合物からなる第２雰囲気に曝するように行われる。第２熱処理は、基板ウエハの裏面側も第２雰囲気に曝するように行ってもよい。代替的には、基板ウエハの裏面側を第２雰囲気と異なる雰囲気、たとえば窒素雰囲気に曝してもよい。
【００２５】
第２雰囲気におけるアルゴン：アンモニアの比は、好ましくは１０：１〜１０：２０である。流量は、好ましくは５〜２５ｓｌｍである。
【００２６】
第２熱処理の後、基板ウエハは、３５０℃以下の温度に急速に冷却される。降温速度は、好ましくは２５℃／秒以上５０℃／秒以下である。３５℃／秒の降温速度は、特に好ましい。
【００２７】
第２熱処理の間に、基板ウエハの前面側には、酸窒化シリコンを含む層が形成される。この酸窒化シリコン層は、好ましくは、エッチングにより除去する。使用されるエッチング液は、好ましくは、０．５体積％以上１．５体積％以下のフッ化水素を含有するエッチング液である。この時、基板ウエハの前面側に対してヘイズフリー研磨を行うことによってシリコン酸化窒化層の除去は、好都合ではない。その原因は、そのやり方により、基板ウエハの前面側の粗さが増加されかつ粒子が生成されるためである。
【００２８】
また、基板ウエハをエッチングする前に、基板ウエハの縁部を研磨することが好ましい。縁部を研磨するために、基板ウエハの前面側または裏面側をたとえば吸引装置（チャック）によって保持することができる。酸窒化シリコン層の存在は、縁部を研磨する時に生じる欠陥による損傷から、基板ウエハの表面を保護する。これらの欠陥は、ＰＩＤ（研磨誘発欠陥）と呼ばれている。
【００２９】
基板ウエハをエッチングした後、基板ウエハの前面側は、好ましくは、２回目に研磨される。この２回目の研磨は、好ましくは、ヘイズフリー研磨として行われる。この２回目の研磨において、前面側のみが研磨され、除去された材料が好ましくは０．５μｍ以下である。
【００３０】
実施例に基づき図面を参照して、本発明をさらに説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】２つの実施例（Ｂ１およびＢ２）および２つの比較例（Ｖ１およびＶ２）に基づき、無欠陥ゾーンの深度の径方向プロファイルを示す図である。図中、ＤＺ１は、熱処理された基板ウエハの中心と縁部との間の特定の径方向位置ｒにおける無欠陥ゾーンの平均深度を表す。
【図２】２つの実施例（Ｂ１およびＢ２）および２つの比較例（Ｖ１およびＶ２）に基づき、熱処理された基板ウエハの前面側からの距離Ｄの関数としてのＢＭＤの密度分布を示す図である。図中、各々の実施例および比較例の基板ウエハの中心における分布は、示されている。
【図３】２つの実施例（Ｂ１およびＢ２）および２つの比較例（Ｖ１およびＶ２）に基づき、熱処理された基板ウエハの中心からの径方向位置ｒの関数としてのＢＭＤの密度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
直径３００ｍｍの基板ウエハが単結晶シリコンから形成された。各々の基板ウエハは、５．３×１０１７原子／ｃｍ３濃度の格子間酸素原子を含有し、中心から外側に延在しており、空孔が支配的であるゾーンと、このゾーンに隣接し、基板ウエハの縁部まで延在しかつ格子間シリコンが支配的であるＰｉゾーンとを備える。２つの実施例に係る基板ウエハに対し、研磨された後、本発明に従ってＲＴＡ処理を実施した。比較例Ｖ１の場合、ＲＴＡ処理は、第１熱処理を行わず、それ以外は同一の条件下で実行された。比較例Ｖ２の場合、ＲＴＡ処理は、実施例Ｂ１およびＢ２と同様に実施されたが、第１熱処理の時間をより長くした。
【００３３】
実施例Ｂ１、実施例Ｂ２および比較例Ｖ２の基板ウエハは、７５℃／秒の昇温速度で１１７５℃の温度に加熱され、この温度でアルゴン雰囲気中においてそれぞれ１５秒（実施例Ｂ１）、３０秒（実施例Ｂ２）、および４５秒（比較例Ｖ２）の時間をかけて熱処理（第１熱処理）された。その後、同一の温度で、割合１：１であるアルゴンとアンモニアとの雰囲気中において、中間温度を変化せずに１５秒間の第２熱処理を行った。次いで、基板ウエハは、３５℃／秒の降温速度で冷却された。
【００３４】
ＢＭＤおよびその密度を検出するために、熱処理された基板ウエハに対し、析出熱処理を行った。基板に存在するＢＭＤは、この析出熱処理の間に検出可能な大きさに成長する。析出熱処理は、窒素の環境に実施される。析出熱処理において、まず、３時間をかけて、基板ウエハを７８０℃の温度に加熱し、その後、１６時間をかけて、基板ウエハを１０００℃の温度に加熱した。ＢＭＤの検出は、Raytex社からのＭＯ４４１型検出器を用いて、割れた縁部に散乱レーザ光を照射することにより行った。
【００３５】
図１から分かるように、第１熱処理を省略した場合（比較例Ｖ１）、本発明による方法を採用した場合（実施例Ｂ１およびＢ２）よりも、無欠陥ゾーンの深度の径方向プロファイルは、著しく不均一になる。
【００３６】
図２は、第１熱処理を省略した場合、ＢＭＤのピーク密度が著しく低くなることを示している。また、第１熱処理の処理時間が長くなれば（実施例Ｂ１およびＢ２）、深度方向のＢＭＤ密度が最初により速く増加する。同様に、ＢＭＤの最大密度は、第１熱処理の処理時間とともに増加する。しかしながら、第１熱処理の処理時間が４５秒になると、ＢＭＤのピーク密度が基板ウエハのより深い内部に存在する（比較例Ｖ２）ため、もはや有利ではない。
【００３７】
図３は、第１熱処理を省略した場合、ＢＭＤ密度の径方向プロファイルが著しく低くなり、第１熱処理の処理時間が長くなると、ＢＭＤ密度の径方向プロファイルがすべて高くなることを明らかに示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【外国語明細書】
2015216375000001.pdf