(57)【要約】【課題】光取り出し効率や取り扱い性を向上できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、凹凸が設けられた第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層とを有する積層体と、前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、前記第１の面上に設けられた蛍光体層と、前記第１の面と前記蛍光体層との間で前記第１の面の前記凹凸に沿って設けられ、上面に凹凸が設けられた密着層と、を備えている。【選択図】図２１
2015216408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸が設けられた第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層とを有する積層体と、
前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、
前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、
前記第１の面上に設けられた蛍光体層と、
前記第１の面と前記蛍光体層との間で前記第１の面の前記凹凸に沿って設けられ、上面に凹凸が設けられた密着層と、
を備えた半導体発光装置。
【請求項２】
前記密着層は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ガラス膜、シリコン酸窒化膜、炭化シリコン膜、および炭素含有シリコン酸化膜の少なくとも１つを含む請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記積層体の周囲に設けられた遮光性の樹脂をさらに備え、
前記樹脂の上にも前記密着層を介して前記蛍光体層が設けられている請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記積層体上の前記密着層の前記上面には、前記樹脂上の前記密着層の上面よりも大きな凹凸が設けられている請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記蛍光体層上に設けられた、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、またはアクリル樹脂膜である透明膜をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
凹凸が設けられた第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層とを有し、窒化ガリウムを含む積層体と、
前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、
前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、
前記第１の面上に設けられ、前記窒化ガリウムの屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有し、蛍光体を含まない透明積層膜と、
前記第１の面と前記透明積層膜との間で前記第１の面の前記凹凸に沿って設けられ、上面に凹凸が設けられた密着層と、
を備え、
前記透明積層膜は、
前記密着層に接して設けられた有機膜と、
前記有機膜上に設けられ、前記有機膜よりも屈折率が低い１層以上の透明膜であって、前記有機膜側に設けられた膜ほど屈折率が高い透明膜と、
を有する半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１の面に凹凸が設けられ、前記凹凸を被覆する前記有機膜の上面は平坦である請求項６記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記透明積層膜上に設けられた、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、またはアクリル樹脂膜である第２透明膜をさらに備えた請求項６または７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１の開口と、前記ｎ側電極に通じる第２の開口とを有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の開口を通じて前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側配線部と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第２の開口を通じて前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側配線部と、
をさらに備えた請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第１の絶縁膜は、前記積層体の前記第１の面から続く側面を覆っている請求項９記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部との間に設けられた第２の絶縁膜をさらに備えた請求項９または１０に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記第２の絶縁膜は、前記ｐ側配線部の周囲及び前記ｎ側配線部の周囲を覆っている請求項１１記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記ｐ側配線部は、
前記第１の開口内及び前記第１の絶縁膜上に設けられたｐ側配線層と、
前記ｐ側配線層上に設けられ、前記ｐ側配線層よりも厚いｐ側金属ピラーと、
を有し、
前記ｎ側配線部は、
前記第２の開口内及び前記第１の絶縁膜上に設けられたｎ側配線層と、
前記ｎ側配線層上に設けられ、前記ｎ側配線層よりも厚いｎ側金属ピラーと、
を有する請求項９〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光取り出し面上には電極が設けられず、光取り出し面の反対側にｐ側電極及びｎ側電極が設けられた構造の半導体発光装置において、光取り出し面上の構造には、光取り出し効率や取り扱い性を損ねない構造が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０１４８１９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、光取り出し効率や取り扱い性を向上できる半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、半導体発光装置は、凹凸が設けられた第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層とを有する積層体と、前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、前記第１の面上に設けられた蛍光体層と、前記第１の面と前記蛍光体層との間で前記第１の面の前記凹凸に沿って設けられ、上面に凹凸が設けられた密着層と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図２】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図３】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図４】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図５】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図６】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図７】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図８】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図９】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１０】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１１】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１２】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１３】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１４】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。
【図１５】第１実施形態の半導体発光装置の変形例の模式断面図。
【図１６】第１実施形態の半導体発光装置の他の変形例の模式図。
【図１７】図１６に示す半導体発光装置が実装基板に実装された状態の模式断面図。
【図１８】第２実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図１９】（ａ）は第１実施形態の半導体発光装置の変形例の模式断面図であり、（ｂ）は第２実施形態の半導体発光装置の変形例の模式断面図。
【図２０】第１実施形態の半導体発光装置のさらに他の変形例の模式図。
【図２１】第３実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図２２】第３実施形態の半導体発光装置の変形例の模式断面図。
【図２３】第３実施形態の半導体発光装置の他の変形例の模式断面図。
【図２４】第３実施形態の半導体発光装置のさらに他の変形例の模式断面図。
【図２５】第３実施形態の半導体発光装置のさらに他の変形例の模式断面図。
【図２６】第３実施形態の半導体発光装置のさらに他の変形例の模式断面図。
【図２７】第３実施形態の半導体発光装置のさらに他の変形例の模式断面図。
【図２８】密着層の密着強度を比較したグラフ。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体発光装置１の模式断面図である。
【０００９】
半導体発光装置１は、発光層１３を含む半導体層１５を有する。また、半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側の第２の面を有する。第２の面側に電極及び配線部が設けられ、電極及び配線部の設けられていない第１の面１５ａから主として光が外部に出射される。
【００１０】
半導体層１５は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２を有する。第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２は、例えば窒化ガリウムを含む。第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層などを含む。第２の半導体層１２は、ｐ型ＧａＮ層、発光層（活性層）１３などを含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を用いることができる。
【００１１】
半導体層１５の第２の面は凹凸形状に加工され、凸部は発光層１３を含む。その凸部の表面である第２の半導体層１２の表面には、ｐ側電極１６が設けられている。すなわち、ｐ側電極１６は、発光層１３を有する領域における第２の面に設けられている。
【００１２】
半導体層１５の第２の面において凸部の横には、発光層１３を含まない領域が設けられ、その領域の第１の半導体層１１の表面に、ｎ側電極１７が設けられている。すなわち、ｎ側電極１７は、発光層１３を含まない領域における第２の面に設けられている。
【００１３】
図４（ｂ）に示すように、半導体層１５の第２の面において、発光層１３を含む第２の半導体層１２の面積は、発光層１３を含まない第１の半導体層１１の面積よりも広い。
【００１４】
また、図５（ｂ）に示すように、半導体層１５において、発光層１３を含む領域に設けられたｐ側電極１６の方が、発光層１３を含まない領域に設けられたｎ側電極１７よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。なお、図５（ｂ）に示すｐ側電極１６及びｎ側電極１７のレイアウトは一例であって、これに限らない。
【００１５】
半導体層１５の第２の面側には、第１の絶縁膜（以下、単に絶縁膜と言う）１８が設けられている。絶縁膜１８は、半導体層１５、ｐ側電極１６及びｎ側電極１７を覆っている。また、絶縁膜１８は、発光層１３及び第２の半導体層１２の側面を覆って保護している。
【００１６】
なお、絶縁膜１８と半導体層１５との間に別の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）が設けられることもある。絶縁膜１８は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁膜１８としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機膜を用いてもよい。
【００１７】
絶縁膜１８は、半導体層１５の第１の面１５ａ上には設けられていない。絶縁膜１８は、半導体層１５における第１の面１５ａから続く側面１５ｃを覆って保護している。
【００１８】
絶縁膜１８における、半導体層１５の第２の面とは反対側の面上に、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２とが互いに離間して設けられている。
【００１９】
ｐ側配線層２１は、ｐ側電極１６に達して絶縁膜１８に形成された複数の第１の開口１８ａ内にも設けられ、ｐ側電極１６と電気的に接続されている。ｎ側配線層２２は、ｎ側電極１７に達して絶縁膜１８に形成された第２の開口１８ｂ内にも設けられ、ｎ側電極１７と電気的に接続されている。
【００２０】
ｐ側配線層２１においてｐ側電極１６に対する反対側の面には、ｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｐ側配線層２１、ｐ側金属ピラー２３、および後述するシード層として使われる金属膜１９は、本実施形態におけるｐ側配線部を構成する。
【００２１】
ｎ側配線層２２においてｎ側電極１７に対する反対側の面には、ｎ側金属ピラー２４が設けられている。ｎ側配線層２２、ｎ側金属ピラー２４、および後述するシード層として使われる金属膜１９は、本実施形態におけるｎ側配線部を構成する。
【００２２】
絶縁膜１８には、第２の絶縁膜として例えば樹脂層２５が積層されている。樹脂層２５は、ｐ側配線部の周囲及びｎ側配線部の周囲を覆っている。また、樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に充填されている。
【００２３】
ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面は、樹脂層２５で覆われている。ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｎ側外部端子２４ａとして機能する。
【００２４】
ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、実装基板に形成されたパッドに、はんだ、その他の金属、導電性材料等の接合材を介して接合される。
【００２５】
樹脂層２５における同じ面（図１における下面）で露出するｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の距離は、絶縁膜１８上でのｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の距離よりも大きい。ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとは、実装基板への実装時にはんだ等によって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。
【００２６】
ｐ側配線層２１は、プロセス上の限界まで、ｎ側配線層２２に近づけることができ、ｐ側配線層２１の面積を広くできる。この結果、ｐ側配線層２１とｐ側電極１６との接触面積の拡大を図れ、電流分布及び放熱性を向上できる。
【００２７】
ｐ側配線層２１が複数の第１の開口１８ａを通じてｐ側電極１６と接する面積は、ｎ側配線層２２が第２の開口１８ｂを通じてｎ側電極１７と接する面積よりも大きい。よって、発光層１３への電流分布が向上し、且つ発光層１３の熱の放熱性が向上できる。
【００２８】
絶縁膜１８上に広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも大きい。
【００２９】
実施形態によれば、ｎ側電極１７よりも広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭い領域に設けられたｎ側電極１７が、より面積の大きなｎ側配線層２２として実装面側に引き出されている。
【００３０】
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７、金属膜１９およびｎ側配線層２２を介して、ｎ側外部端子２４ａを有するｎ側金属ピラー２４と電気的に接続されている。発光層１３を含む第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６、金属膜１９およびｐ側配線層２１を介して、ｐ側外部端子２３ａを有するｐ側金属ピラー２３と電気的に接続されている。
【００３１】
ｐ側金属ピラー２３はｐ側配線層２１よりも厚く、ｎ側金属ピラー２４はｎ側配線層２２よりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。なお、ここでの「厚さ」は、図１において上下方向の厚さを表す。
【００３２】
また、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４のそれぞれの厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６、ｎ側電極１７および絶縁膜１８を含む積層体の厚さよりも厚い。なお、各金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は１以上であることに限らず、その比は１よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー２３、２４は、その平面サイズよりも厚さが小さくてもよい。
【００３３】
実施形態によれば、半導体層１５を形成するために使用した後述する基板１０が除去されても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５によって、半導体層１５を安定して支持し、半導体発光装置１の機械的強度を高めることができる。
【００３４】
ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。
【００３５】
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を補強する。樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。
【００３６】
また、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを介して、半導体発光装置１を実装基板に実装した状態において、はんだ等を介して半導体層１５に加わる応力を、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４が吸収することで緩和することができる。
【００３７】
ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を含むｐ側配線部は、複数の第１の開口１８ａ内に設けられ相互に分断された複数のビア２１ａを介して、ｐ側電極１６に接続されている。このため、ｐ側配線部による高い応力緩和効果が得られる。
【００３８】
あるいは、図１５（ｂ）に示すように、１つの大きな第１の開口１８ａ内に設けられ、ビア２１ａよりも平面サイズの大きなポスト２１ｃを介して、ｐ側配線層２１をｐ側電極１６に接続させてもよく、この場合、いずれも金属であるｐ側電極１６、ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を通じた、発光層１３の放熱性の向上を図れる。
【００３９】
後述するように、半導体層１５を形成するときに使った基板１０は第１の面１５ａ上から除去される。このため、半導体発光装置１を低背化できる。
【００４０】
半導体層１５の第１の面１５ａには、微小な凹凸が形成されている。第１の面１５ａに対して、例えばアルカリ系溶液を使ったウェットエッチング（フロスト処理）を行い、凹凸が形成される。発光層１３の発光光の主たる取り出し面である第１の面１５ａに凹凸を設けることで、様々な角度で第１の面１５ａに入射する光を全反射させることなく第１の面１５ａの外側に取り出すことが可能となる。
【００４１】
第１の面１５ａ上には、蛍光体層３０が設けられている。蛍光体層３０は、透明樹脂３１と、透明樹脂３１中に分散された複数の粒子状または粉末状の蛍光体３２とを有する。
【００４２】
透明樹脂３１は、発光層１３の発光光及び蛍光体３２の発光光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェニル樹脂などを用いることができる。
【００４３】
蛍光体３２は、発光層１３の発光光（励起光）を吸収し波長変換光を発光可能である。このため、半導体発光装置１は、発光層１３の発光光と、蛍光体３２の波長変換光との混合光を出射可能である。
【００４４】
例えば、蛍光体３２が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、ＧａＮ系材料である発光層１３の青色光と、蛍光体３２における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層３０は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であってもよい。
【００４５】
蛍光体層３０の上面上には、透明膜３５が設けられている。透明膜３５は、発光層１３の発光光及び蛍光体３２の発光光に対する透過性を有する。例えば、透明膜３５は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、アクリル樹脂膜である。
【００４６】
透明膜３５は、蛍光体層３０の透明樹脂３１よりも粘着性（タック性）が低い。したがって、後述するように、透明膜３５に貼り付けられた図１４（ａ）に示すカバーテープ８５を透明膜３５から一定の速度で剥離するのに要する力は、蛍光体層３０の透明樹脂３１に貼り付けられたカバーテープ８５を透明樹脂３１から一定の速度で剥離するのに要する力よりも小さい。
【００４７】
また、透明膜３５は、蛍光体層３０よりも薄い。このため、透明膜３５中での横方向の光拡散を抑えて、光取り出し面に対して垂直な方向への光の指向性を強めることができる。
【００４８】
また、透明膜３５の厚さを、透明膜３５中での光の波長の１／４以下にすると、蛍光体層３０と透明膜３５との界面、および透明膜３５と空気層との界面での光反射を抑え、高い光取り出し効率が得られる。
【００４９】
次に、図２（ａ）〜図１３（ｂ）を参照して、実施形態の半導体発光装置１の製造方法について説明する。図２（ａ）〜図１３（ｂ）は、ウェーハ状態における一部の領域を表す。
【００５０】
図２（ａ）は、基板１０の主面（図２（ａ）における下面）に、第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２を形成した積層体を示す。図２（ｂ）は、図２（ａ）における下面図に対応する。
【００５１】
基板１０の主面上に第１の半導体層１１が形成され、その上に発光層１３を含む第２の半導体層１２が形成される。窒化ガリウムを含む第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２は、例えばサファイア基板上にＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法で結晶成長させることができる。あるいは、基板１０としてはシリコン基板を用いることもできる。
【００５２】
第１の半導体層１１における基板１０に接する面が、半導体層１５の第１の面１５ａであり、第２の半導体層１２の表面が半導体層１５の第２の面１５ｂである。
【００５３】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で、図３（ａ）及びその下面図である図３（ｂ）に示すように、半導体層１５を貫通して基板１０に達する溝８０を形成する。溝８０は、ウェーハ状態の基板１０上で例えば格子状に形成され、半導体層１５を基板１０上で複数のチップに分離する。
【００５４】
なお、半導体層１５を複数に分離する工程は、後述する第２の半導体層１２の選択的除去後、あるいは電極の形成後に行ってもよい。
【００５５】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ法で、図４（ａ）及びその下面図である図４（ｂ）に示すように、第２の半導体層１２の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３を含まない。
【００５６】
次に、図５（ａ）及びその下面図である図５（ｂ）に示すように、半導体層１５の第２の面にｐ側電極１６とｎ側電極１７を形成する。ｐ側電極１６は、第２の半導体層１２の表面に形成される。ｎ側電極１７は、第１の半導体層１１の露出面に形成される。
【００５７】
ｐ側電極１６及びｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。
【００５８】
ｐ側電極１６は、発光層１３の発光光に対して反射性を有する、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、ｐ側電極１６の硫化、酸化防止のため、金属保護膜（バリアメタル）を含む構成であってもよい。
【００５９】
また、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間や、発光層１３の端面（側面）にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition）法で形成してもよい。また、各電極と半導体層とのオーミックコンタクトをとるための活性化アニールなどは必要に応じて実施される。
【００６０】
次に、基板１０の主面上の露出している部分すべてを図６（ａ）に示す絶縁膜１８で覆った後、例えばウェットエッチングにより絶縁膜１８をパターニングし、絶縁膜１８に選択的に第１の開口１８ａと第２の開口１８ｂを形成する。第１の開口１８ａは複数形成され、各々の第１の開口１８ａはｐ側電極１６に達する。第２の開口１８ｂはｎ側電極１７に達する。
【００６１】
絶縁膜１８としては、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。この場合、レジストを使わずに、絶縁膜１８に対して直接露光及び現像が可能である。
【００６２】
あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を絶縁膜１８として使用してもよい。絶縁膜１８が無機膜の場合、絶縁膜１８上に形成したレジストをパターニングした後のエッチングによって第１の開口１８ａ及び第２の開口１８ｂが形成される。
【００６３】
次に、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内壁（側壁及び底部）、および第２の開口１８ｂの内壁（側壁及び底部）に、図６（ｂ）に示すように、金属膜１９を形成する。金属膜１９は、後述するメッキのシードメタルとして使われる。
【００６４】
金属膜１９は、例えばスパッタ法で形成される。金属膜１９は、例えば、絶縁膜１８側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）との積層膜を含む。あるいは、チタン膜の代わりにアルミニウム膜を使ってもかまわない。
【００６５】
次に、図６（ｃ）に示すように、金属膜１９上に選択的にレジスト９１を形成し、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。
【００６６】
これにより、図７（ａ）及びその下面図である図７（ｂ）に示すように、金属膜１９上に、選択的にｐ側配線層２１とｎ側配線層２２が形成される。ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２はメッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。
【００６７】
ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａ内にも形成され、金属膜１９を介してｐ側電極１６と電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、第２の開口１８ｂ内にも形成され、金属膜１９を介してｎ側電極１７と電気的に接続される。
【００６８】
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２のメッキに使ったレジスト９１は、溶剤もしくは酸素プラズマを使って、除去される。
【００６９】
次に、図８（ａ）及びその下面図である図８（ｂ）に示すように、金属ピラー形成用のレジスト９２を形成する。レジスト９２は、前述のレジスト９１よりも厚い。なお、前の工程でレジスト９１は除去せずに残し、そのレジスト９１にレジスト９２を重ねて形成してもよい。レジスト９２には、第１の開口９２ａと第２の開口９２ｂが形成されている。
【００７０】
そして、レジスト９２をマスクに用いて、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。これにより、図９（ａ）及びその下面図である図９（ｂ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４が形成される。
【００７１】
ｐ側金属ピラー２３は、レジスト９２に形成された第１の開口９２ａ内であって、ｐ側配線層２１の表面上に形成される。ｎ側金属ピラー２４は、レジスト９２に形成された第２の開口９２ｂ内であって、ｎ側配線層２２の表面上に形成される。ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４は、メッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。
【００７２】
レジスト９２は、図１０（ａ）に示すように、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去される。この後、金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２をマスクにして、金属膜１９の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との金属膜１９を介した電気的接続が分断される。
【００７３】
次に、図１１（ａ）に示すように、絶縁膜１８に対して樹脂層２５を積層する。樹脂層２５は、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を覆う。
【００７４】
樹脂層２５は、絶縁性を有する。また、樹脂層２５に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層１３の発光光に対して遮光性を与えてもよい。
【００７５】
次に、図１１（ｂ）に示すように、基板１０を除去する。基板１０がサファイア基板の場合、例えばレーザーリフトオフ法によって基板１０を除去することができる。具体的には、基板１０の裏面側から第１の半導体層１１に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板１０に対して透過性を有し、第１の半導体層１１に対しては吸収領域となる波長を有する。
【００７６】
レーザ光が基板１０と第１の半導体層１１との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１１はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。第１の半導体層１１はガリウム（Ｇａ）と窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板１０と第１の半導体層１１との間に微小な隙間が形成され、基板１０と第１の半導体層１１とが分離する。
【００７７】
レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１０を除去する。
【００７８】
基板１０がシリコン基板の場合には、エッチングによって基板１０を除去することができる。
【００７９】
基板１０の主面上に形成された前述した積層体は、半導体層１５よりも厚いｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５によって補強されているため、基板１０がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。
【００８０】
また、樹脂層２５も、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を構成する金属も、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そのような柔軟な支持体に半導体層１５は支持されている。そのため、基板１０上に半導体層１５をエピタキシャル成長させる際に生じた大きな内部応力が、基板１０の剥離時に一気に開放されても、半導体層１５が破壊されるのを回避できる。
【００８１】
基板１０が除去された半導体層１５の第１の面１５ａは洗浄される。例えば、希フッ酸等で、第１の面１５ａに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。
【００８２】
その後、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、図１２（ａ）に示すように、第１の面１５ａに凹凸が形成される。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第１の面１５ａに凹凸を形成してもよい。第１の面１５ａに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。
【００８３】
次に、図１２（ｂ）に示すように、第１の面１５ａ上に蛍光体層３０を形成する。蛍光体層３０は、隣り合う半導体層１５間の絶縁膜１８上にも形成される。
【００８４】
蛍光体３２が分散された液状の透明樹脂３１を、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって第１の面１５ａ上に供給した後、熱硬化させる。
【００８５】
さらに、蛍光体層３０の上面上には、透明膜３５が形成される。透明膜３５が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの無機膜の場合、例えばＣＶＤ法で透明膜３５を形成することができる。透明膜３５が樹脂材料である場合、液状樹脂を蛍光体層３０上に供給した後、硬化させることで、透明膜３５を形成することができる。あるいは、フィルム状の透明膜３５を蛍光体層３０上に接着させてもよい。
【００８６】
次に、樹脂層２５の表面（図１２（ｂ）における下面）を研削し、図１３（ａ）及びその下面図である図１３（ｂ）に示すように、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを露出させる。
【００８７】
その後、前述した溝８０の位置で、透明膜３５、蛍光体層３０、絶縁膜１８および樹脂層２５を切断し、複数の半導体発光装置１に個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。
【００８８】
ダイシング時、基板１０はすでに除去されている。さらに、溝８０には、半導体層１５は存在しないため、ダイシング時に半導体層１５が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後の追加工程なしで、半導体層１５の端部（側面）が絶縁膜１８で覆われて保護された構造が得られる。
【００８９】
なお、個片化された半導体発光装置１は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。
【００９０】
ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。
【００９１】
半導体発光装置１は、図１４（ａ）に示すように、透明膜３５がカバーテープ８５に貼り付けられた状態で、樹脂層２５側から切断される。
【００９２】
そして、個片化された半導体発光装置１は、カバーテープ８５から剥離されて、図１４（ｂ）に示すように、樹脂層２５、金属ピラー２３及び２４を下方に向けた状態で、ケース１００の凹部１０１内に収納される。
【００９３】
実施形態によれば、半導体発光装置１は、蛍光体層３０の透明樹脂３１よりも粘着性が低い透明膜３５を介してカバーテープ８５に貼り付けられる。このため、蛍光体層３０を損傷させることなく、カバーテープ８５から半導体発光装置１を容易に剥離させることができる。すなわち、実施形態によれば、個片化後の半導体発光装置１の取り扱い性を向上できる。
【００９４】
なお、透明膜３５は、図１５（ａ）に示すように、半導体発光装置の側面（蛍光体層３０の側面、絶縁膜１８の側面および樹脂層２５の側面）に設けられていてもよい。
【００９５】
蛍光体層３０上に透明膜３５を形成せずにダイシングし、個片化された個々の半導体発光装置の上面及び側面に対して、例えばスプレーコート法で透明膜３５を形成することで、図１５（ａ）の構造を得ることができる。
【００９６】
半導体発光装置の側面にも低粘着性の透明膜３５が設けられることで、図１４（ｂ）に示すように半導体発光装置がケース１００の凹部１０１内に収容された状態で、半導体発光装置の側面が凹部１０１の側壁に接しても、半導体発光装置の側面を凹部１０１の側壁に対して容易に引き離すことができ、半導体発光装置のケース１００からの取り出しを妨げない。
【００９７】
また、第１の面１５ａ上には、図１６（ａ）〜（ｃ）および図１７に示す半導体発光装置２のように、レンズ３６が設けられていてもよい。レンズ３６は凹形状に限らず、凸形状であってもよい。
【００９８】
図１６（ａ）は、第１実施形態の変形例の半導体発光装置２の模式斜視図である。図１６（ｂ）は、図１６（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図１６（ｃ）は、図１６（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００９９】
図１７は、半導体発光装置２を実装基板２００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【０１００】
図１６（ａ）及び（ｃ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３の一部の側面は、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面２５ｂで、樹脂層２５から露出している。その露出面は、外部の実装基板に実装するためのｐ側外部端子２３ｂとして機能する。
【０１０１】
第３の面２５ｂは、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面に対して略垂直な面である。樹脂層２５は、例えば矩形状の４つの側面を有し、そのうちのひとつの側面が第３の面２５ｂとなっている。
【０１０２】
その同じ第３の面２５ｂで、ｎ側金属ピラー２４の一部の側面が樹脂層２５から露出している。その露出面は、外部の実装基板に実装するためのｎ側外部端子２４ｂとして機能する。
【０１０３】
また、図１６（ａ）に示すように、ｐ側配線層２１の一部の側面２１ｂも、第３の面２５ｂで樹脂層２５から露出し、ｐ側外部端子として機能する。同様に、ｎ側配線層２２の一部の側面２２ｂも、第３の面２５ｂで樹脂層２５から露出し、ｎ側外部端子として機能する。
【０１０４】
ｐ側金属ピラー２３において、第３の面２５ｂで露出しているｐ側外部端子２３ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。また、ｎ側金属ピラー２４において、第３の面２５ｂで露出しているｎ側外部端子２４ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。
【０１０５】
また、ｐ側配線層２１において、第３の面２５ｂで露出している側面２１ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。さらに、ｎ側配線層２２において、第３の面２５ｂで露出している側面２２ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。
【０１０６】
この半導体発光装置２は、図１７に示すように、第３の面２５ｂを実装基板２００の実装面２０１に向けた姿勢で実装される。第３の面２５ｂで露出しているｐ側外部端子２３ｂ及びｎ側外部端子２４ｂは、それぞれ、実装面２０１に形成されたパッド２０２に対してはんだ２０３を介して接合されている。実装基板２００の実装面２０１には配線パターンも形成されており、パッド２０２はその配線パターンと接続されている。
【０１０７】
第３の面２５ｂは、光の主な出射面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面２５ｂを下方の実装面２０１側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面２０１の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、半導体発光装置２は、実装面２０１を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの半導体発光装置である。
【０１０８】
このようなサイドビュータイプの半導体発光装置２においても、蛍光体層３０上に低粘着性の透明膜３５を設けることで、カバーテープ８５に対する半導体発光装置２の剥離を容易に行うことができ、取り扱い性を向上できる。
【０１０９】
（第２実施形態）
図１８は、第２実施形態の半導体発光装置３の模式断面図である。
【０１１０】
第２実施形態の半導体発光装置３は、第１の面１５ａ上の構成が、第１実施形態の半導体発光装置１と異なる。半導体層１５、ｐ側電極１６、ｎ側電極１７、絶縁膜１８、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４、および樹脂層２５を含む、第１の面１５ａの反対側の構成は、第１実施形態と同じである。
【０１１１】
第２実施形態の半導体発光装置３によれば、第１の面１５ａ上に透明積層膜４０が設けられている。透明積層膜４０は、蛍光体を含まず、発光層１３の発光光に対して透過性を有する。
【０１１２】
半導体層１５は窒化ガリウムを含む。そして、透明積層膜４０は、窒化ガリウムの屈折率（約２．４）と、空気の屈折率（１．０）との間の屈折率を有する。
【０１１３】
透明積層膜４０は、第１の面１５ａに接して設けられた有機膜４１と、有機膜４１上に設けられ、有機膜４１よりも屈折率が小さい１層以上の透明膜４２とを含む。
【０１１４】
有機膜４１は、炭素を含む化合物であり、発光層１３の発光光に対して透過性を有する。有機膜４１の屈折率は、窒化ガリウムの屈折率より低く、空気の屈折率より高い。有機膜４１は、例えば、屈折率が１．５０〜１．６５のエポキシ樹脂や、屈折率が１．６０〜１．７５のメラミン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、有機膜４１は、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂とを混合したハイブリッド材料を用いることもできる。
【０１１５】
有機膜４１は第１の面１５ａの凹凸を被覆し、有機膜４１の上面は平坦である。有機膜４１は、無機膜よりも平坦性を確保しやすく、光学設計、取り扱い性、実装性を容易にする。
【０１１６】
有機膜４１上に設けられた透明膜４２も、発光層１３の発光光に対して透過性を有する。透明膜４２の屈折率は、有機膜４１の屈折率より低く、空気の屈折率より高い。透明膜４２は、例えば、屈折率が１．４５〜１．６０のシリコーン樹脂、屈折率が１．４０〜１．６０のポリカーボネート樹脂などを用いることができる。あるいは、透明膜４２は、ＣＶＤ法やスパッタ法により成膜可能なシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を用いることもできる。
【０１１７】
図１８では、透明膜４２は１層しか表されない、透明膜４２は複数設けてもよい。その場合、複数の透明膜４２は、有機膜４１側に設けられた膜ほど屈折率が高く、空気層側に設けられた膜ほど屈折率が低くなるようにする。
【０１１８】
第２実施形態によれば、窒化ガリウムを含む第１の面１５ａ上に、窒化ガリウムと空気との間の屈折率を有し、第１の面１５ａ側ほど屈折率が高く、空気層側ほど屈折率が低い複数の膜の積層膜である透明積層膜４０を設けている。これにより、第１の面１５ａを通じた光の取り出し方向で、媒質の屈折率が大きく変化するのを防いで、光の取り出し効率を向上できる。
【０１１９】
なお、第２実施形態の半導体発光装置３においても、複数のビア２１ａに限らず、図１５（ｂ）に示すように、ビア２１ａよりも平面サイズの大きな１つのポスト２１ｃを介して、ｐ側配線層２１をｐ側電極１６に接続させてもよく、この場合、いずれも金属であるｐ側電極１６、ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を通じた、発光層１３の放熱性の向上を図れる。
【０１２０】
また、第２実施形態の半導体発光装置３においても、ｐ側金属ピラー２３の下面でなく側面を露出させてｐ側外部端子とし、ｎ側金属ピラー２４の下面でなく側面を露出させてｎ側外部端子として、サイドビュータイプの半導体発光装置にすることができる。
【０１２１】
図１９（ａ）は、第１実施形態の半導体発光装置の変形例を表す模式断面図である。
【０１２２】
図１９（ａ）に示す半導体発光装置では、ｐ側電極１６の表面及び側面に、ｐ側電極１６を覆うｐ側パッド５１が設けられている。ｐ側電極１６は、半導体層１５に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含む。ｐ側パッド５１は、ｐ側電極１６よりも発光層１３の発光光に対する反射率が高く、主成分として例えば銀（Ａｇ）を含む。また、ｐ側パッド５１は、ｐ側電極１６を酸化や腐食から保護する。
【０１２３】
また、ｎ側電極１７の表面及び側面に、ｎ側電極１７を覆うｎ側パッド５２が設けられている。ｎ側電極１７は、半導体層１５に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含む。ｎ側パッド５２は、ｎ側電極１７よりも発光層１３の発光光に対する反射率が高く、主成分として例えば銀（Ａｇ）を含む。また、ｎ側パッド５２は、ｎ側電極１７を酸化や腐食から保護する。
【０１２４】
半導体層１５の第２の面におけるｐ側電極１６の周囲およびｎ側電極１７の周囲には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜５３が設けられている。絶縁膜５３は、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間、およびｐ側パッド５１とｎ側パッド５２との間に設けられている。
【０１２５】
絶縁膜５３上、ｐ側パッド５１上およびｎ側パッド５２上には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜５４が設けられている。また、絶縁膜５４は、半導体層１５の側面１５ｃにも設けられ、側面１５ｃを覆っている。
【０１２６】
絶縁膜５４上には、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２が設けられている。ｐ側配線層２１は、絶縁膜５４に形成された第１の開口５４ａを通じてｐ側パッド５１に接続されている。ｎ側配線層２２は、絶縁膜５４に形成された第２の開口５４ｂを通じてｎ側パッド５２に接続されている。
【０１２７】
この構造においても、ｐ側配線層２１は、図に示すように複数のビア２１ａを介してｐ側パッド５１に接続されてもよいし、あるいは、ビア２１ａよりも平面サイズの大きな１つのポストを介してｐ側パッド５１に接続されてもよい。
【０１２８】
ｐ側配線層２１上には、ｐ側配線層２１よりも厚いｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｎ側配線層２２上には、ｎ側配線層２２よりも厚いｎ側金属ピラー２４が設けられている。
【０１２９】
絶縁膜５４に対して樹脂層２５が積層されている。樹脂層２５は、ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を含むｐ側配線部と、ｎ側配線層２２及びｎ側金属ピラー２４を含むｎ側配線部を覆っている。ただし、ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１に対する反対側の面（図において下面）は樹脂層２５から露出され、ｐ側外部端子２３ａとして機能する。同様に、ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２に対する反対側の面（図において下面）は樹脂層２５から露出され、ｎ側外部端子２４ａとして機能する。
【０１３０】
あるいは、ｐ側金属ピラー２３の側面と、ｎ側金属ピラー２４の側面を露出させて、サイドビュータイプの半導体発光装置とすることもできる。
【０１３１】
樹脂層２５は、基板１０上で半導体層１５を複数に分離する前述した溝８０内に、絶縁膜５４を介して充填される。したがって、半導体層１５の側面１５ｃは、無機膜である絶縁膜５４と、樹脂層２５とで覆われて保護されている。
【０１３２】
図１９（ａ）に示す第１の面１５ａより下の構造において、第１の面１５ａ上に、図１９（ｂ）に示すように、透明積層膜４０を設けてもよい。透明多層膜４０の構成および機能は、第２実施形態と同じである。
【０１３３】
また、前述した実施形態において、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を設けずに、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２を実装基板のパッドに対して接合させてもよい。
【０１３４】
また、ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とは別体であることに限らず、ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とを同じ工程で一体に設けてｐ側配線部を構成してもよい。同様に、ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とは別体であることに限らず、ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とを同じ工程で一体に設けてｎ側配線部を構成してもよい。
【０１３５】
第１実施形態の半導体発光装置１において、透明膜３５は蛍光体層３０の上面に連続膜として形成されることに限らず、図２０（ａ）に示すように、島状、あるいは部分的に形成されても、蛍光体層３０上に低粘着性の透明膜３５が存在するため、カバーテープ８５に対する半導体発光装置１の剥離を容易に行うことができ、取り扱い性を向上できる。また、半導体発光装置の側面に形成される透明膜３５についても、図２０（ｂ）に示すように、島状、あるいは部分的に形成されてもよい。
【０１３６】
（第３実施形態）
図２１（ａ）は、第３実施形態の半導体発光装置の模式断面図である。
【０１３７】
第３実施形態の半導体発光装置は、半導体層１５の第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に設けられた密着層３７を有する。密着層３７は、蛍光体を含まず、発光層１３の発光光に対して透過性を有する。
【０１３８】
密着層３７は、第１の面１５ａの凹凸に沿ってコンフォーマルに形成され、蛍光体層３０よりも薄い。密着層３７の上面にも、第１の面１５ａの凹凸を反映した凹凸が形成されている。その密着層３７の凹凸面上に蛍光体層３０が設けられている。
【０１３９】
密着層３７は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、スピンコート法で形成されたガラス膜（ＳＯＧ（spin on glass）膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）、炭化シリコン膜（ＳｉＣ膜）、炭素含有シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ膜）の少なくとも１つを含む。
【０１４０】
密着層３７は、半導体層１５よりも蛍光体層３０に対する密着力が高い。すなわち、密着層３７に接着された蛍光体層３０を密着層３７から剥離するのに要する力は、半導体層１５に接着された蛍光体層３０を半導体層１５から剥離するのに要する力よりも大きい。このため、半導体層１５に対する蛍光体層３０の剥離を防いで信頼性を向上できる。
【０１４１】
図２８は、密着層３７の有無、さらには密着層３７の材料による蛍光体層３０の密着強度（ＭＰａ）を比較したグラフである。密着強度は、スタッドプル法（引っ張り試験）で求めた値である。
【０１４２】
密着層無しは、密着層３７を設けずに第１の面１５ａ上に直接蛍光体層３０を設けた構造を表す。この場合、第１の面１５ａに対する蛍光体層３０の密着強度は約２．０（ＭＰａ）である。
【０１４３】
密着層３７としてＳＯＧ膜を設けた場合、蛍光体層３０の密着強度は約３．０（ＭＰａ）である。密着層３７としてＳｉＯ２膜を設けた場合、蛍光体層３０の密着強度は約３．５（ＭＰａ）である。密着層３７としてＳｉＮ膜を設けた場合、蛍光体層３０の密着強度は約４．７（ＭＰａ）である。
【０１４４】
この図２８のグラフより、密着層３７を設けた構造は、密着層３７を設けない構造よりも蛍光体層３０の密着強度を高くできる。さらに、密着層３０の材料としては、ＳＯＧ膜よりもＳｉＯ２膜の方が蛍光体層３０との密着強度は高く、ＳｉＯ２膜よりもＳｉＮ膜の方が蛍光体層３０との密着強度が高い。
【０１４５】
また、窒化ガリウムを含む第１の面１５ａ上に、窒化ガリウムの屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有する密着層３７が設けられている。このため、第１の面１５ａを通じた光の取り出し方向で、媒質の屈折率が大きく変化するのを防いで、光の取り出し効率を向上できる。
【０１４６】
図２３（ａ）は、蛍光体層３０の上面に前述した透明膜３５が設けられた図１の構造において、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に密着層３７を設けた構造を表す。
【０１４７】
密着層３７によって半導体層１５との密着性を高める対象となる第１の面１５ａ上の透明体としては、蛍光体層３０に限らず、図２３（ｂ）に示すように、前述した第２実施形態の透明積層膜４０であってもよい。
【０１４８】
すなわち、密着層３７は、第１の面１５ａと透明積層膜４０の有機膜４１との間に設けられ、半導体層１５よりも有機膜４１に対する密着力が高い。すなわち、密着層３７に接着された有機膜４１を密着層３７から剥離するのに要する力は、半導体層１５に接着された有機膜４１を半導体層１５から剥離するのに要する力よりも大きい。このため、半導体層１５に対する有機膜４１、ひいては透明積層膜４０の剥離を防いで信頼性を向上できる。
【０１４９】
また、図２３（ｂ）に示す半導体発光装置では、透明積層膜４０の透明膜４２の上面に、透明膜３５が設けられている。
【０１５０】
透明膜３５は、透明膜４２よりも粘着性（タック性）が低い。したがって、透明膜３５に貼り付けられた図１４（ａ）に示すカバーテープ８５を透明膜３５から一定速度で剥離するのに要する力は、透明膜４２に貼り付けられたカバーテープ８５を透明膜４２から一定速度で剥離するのに要する力よりも小さい。
【０１５１】
すなわち、図２３（ｂ）の半導体発光装置は、透明膜４２よりも粘着性が低い透明膜３５を介してカバーテープ８５に貼り付けられる。このため、透明積層膜４０を損傷させることなくカバーテープ８５から半導体発光装置を容易に剥離させることができ、個片化後の半導体発光装置の取り扱い性を向上できる。
【０１５２】
図２４（ａ）は、図１５（ａ）の構造において、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に密着層３７を設けた構造を表す。図２４（ｂ）は、図１５（ｂ）の構造において、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に密着層３７を設けた構造を表す。図２４（ｂ）の構造において、図２１（ｂ）に示すように、蛍光体層３０上の透明膜３５はなくてもよい。
【０１５３】
図２５は、図１７に示すサイドビュータイプの構造において、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に密着層３７を設けた構造を表す。なお、図２５の構造において、図１７に示すレンズ３６は設けていないが、密着層３７上にレンズ３６を設けてもよい。図２５の構造において、図２２（ａ）に示すように、蛍光体層３０における第１の面１５ａに対する反対側の面上の透明膜３５はなくてもよい。
【０１５４】
図２６（ａ）は、図１９（ａ）に示す構造において、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に密着層３７を設けた構造を表す。この図２６（ａ）の構造において、図２２（ｂ）に示すように、蛍光体層３０上の透明膜３５はなくてもよい。
【０１５５】
図２６（ｂ）は、図１９（ｂ）に示す構造において、透明積層膜４０の透明膜４２の上面に透明膜３５を設けた構造を表す。さらに、図２６（ｂ）の構造では、蛍光体層３０上に透明膜３５が設けられている。
【０１５６】
図２７（ａ）は、図２０（ａ）に示す構造において、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に密着層３７を設けた構造を表す。図２７（ｂ）は、図２０（ｂ）に示す構造において、第１の面１５ａと蛍光体層３０との間に密着層３７を設けた構造を表す。
【０１５７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１５８】
１〜３…半導体発光装置、１０…基板、１１…第１の半導体層、１２…第２の半導体層、１３…発光層、１５…半導体層、１５ａ…第１の面、１６…ｐ側電極、１７…ｎ側電極、１８…絶縁膜、２１…ｐ側配線層、２２…ｎ側配線層、２３…ｐ側金属ピラー、２４…ｎ側金属ピラー、２５…樹脂層、３０…蛍光体層、３１…透明樹脂、３２…蛍光体、３５…透明膜、３７…密着層、４０…透明積層膜、４１…有機膜、４２…透明膜、８５…カバーテープ、１００…ケース
【図１】
2015216408.tif 000003
【図２】
2015216408.tif 000004
【図３】
2015216408.tif 000005
【図４】
2015216408.tif 000006
【図５】
2015216408.tif 000007
【図６】
2015216408.tif 000008
【図７】
2015216408.tif 000009
【図８】
2015216408.tif 000010
【図９】
2015216408.tif 000011
【図１０】
2015216408.tif 000012
【図１１】
2015216408.tif 000013
【図１２】
2015216408.tif 000014
【図１３】
2015216408.tif 000015
【図１４】
2015216408.tif 000016
【図１５】
2015216408.tif 000017
【図１６】
2015216408.tif 000018
【図１７】
2015216408.tif 000019
【図１８】
2015216408.tif 000020
【図１９】
2015216408.tif 000021
【図２０】
2015216408.tif 000022
【図２１】
2015216408.tif 000023
【図２２】
2015216408.tif 000024
【図２３】
2015216408.tif 000025
【図２４】
2015216408.tif 000026
【図２５】
2015216408.tif 000027
【図２６】
2015216408.tif 000028
【図２７】
2015216408.tif 000029
【図２８】
2015216408.tif 000030