(57)【要約】      （修正有）【課題】ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、その製造方法、および電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】支持体、支持体上に設けた下引き層、下引き層上に設けた感光層を有する電子写真感光体において、下引き層が、（ｉ）下記の特定な式（１）で示されるイソシアネート化合物2015143820.tif 000107（ii）ポリビニルアセタールまたはアクリルポリオールのいずれかの樹脂、（iii）官能基を有する特定構造の電子輸送化合物を含む組成物の硬化物を含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に設けた下引き層、該下引き層上に設けた感光層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、
（ｉ）下記式（１）で示されるイソシアネート化合物、
（ｉｉ）ポリビニルアセタール、およびアクリルポリオールからなる群より選択される少なくとも１つの樹脂、および
（ｉｉｉ）下記式（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物
を含む組成物の硬化物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2015143820.tif 000072
（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に単結合、または炭素数１〜６のアルキレン基を示し、Ｘは下記式（２）〜（７）のいずれかで示される２価の基を示す。）
【化２】
2015143820.tif 000073
【化３】
2015143820.tif 000074
【化４】
2015143820.tif 000075
【化５】
2015143820.tif 000076
【化６】
2015143820.tif 000077
【化７】
2015143820.tif 000078
（式（２）〜（７）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ４２、Ｒ４３はそれぞれ独立に水素原子、またはメチル基を示し、Ｒ４１は単結合、またはメチレン基を示す。）
【化８】
2015143820.tif 000079
【化９】
2015143820.tif 000080
【化１０】
2015143820.tif 000081
【化１１】
2015143820.tif 000082
【化１２】
2015143820.tif 000083
【化１３】
2015143820.tif 000084
【化１４】
2015143820.tif 000085
【化１５】
2015143820.tif 000086
（式（Ａ１）〜（Ａ８）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６、Ｒ２０１〜Ｒ２１０、Ｒ３０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０１〜Ｒ４０８、Ｒ５０１〜Ｒ５１０、Ｒ６０１〜Ｒ６０６、Ｒ７０１〜Ｒ７０８、およびＲ８０１〜Ｒ８１０は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを硫黄原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つをＮＲ１０に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ１０は、水素原子またはアルキル基である。ただし、Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つ、Ｒ２０１〜Ｒ２１０の少なくとも１つ、Ｒ３０１〜Ｒ３０８の少なくとも１つ、Ｒ４０１〜Ｒ４０８の少なくとも１つ、Ｒ５０１〜Ｒ５１０の少なくとも１つ、Ｒ６０１〜Ｒ６０６の少なくとも１つ、Ｒ７０１〜Ｒ７０８の少なくとも１つ、およびＲ８０１〜Ｒ８１０の少なくとも１つは、下記式（Ａ）で示される１価の基である。
該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、またはハロゲン原子である。該置換のアリール基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。
Ｚ２０１、Ｚ３０１、Ｚ４０１およびＺ５０１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ２０１が酸素原子である場合はＲ２０９およびＲ２１０は存在せず、Ｚ２０１が窒素原子である場合はＲ２１０は存在しない。Ｚ３０１が酸素原子である場合はＲ３０７およびＲ３０８は存在せず、Ｚ３０１が窒素原子である場合はＲ３０８は存在しない。Ｚ４０１が酸素原子である場合はＲ４０７およびＲ４０８は存在せず、Ｚ４０１が窒素原子である場合はＲ４０８は存在しない。Ｚ５０１が酸素原子である場合はＲ５０９およびＲ５１０は存在せず、Ｚ５０１が窒素原子である場合はＲ５１０は存在しない。）
【化１６】
2015143820.tif 000087
（式（Ａ）中、α、β、およびγの少なくとも１つは重合性官能基を有する基であり、該重合性官能基は、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
αは、主鎖の炭素数が１〜６のアルキレン基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが酸素原子に置き換わって導かれる基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが硫黄原子に置き換わって導かれる基、または主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ１９に置き換わって導かれる基を示し、Ｒ１９は、水素原子またはアルキル基を示す。
該置換のアルキレン基の置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基である。これらの基は、該重合性官能基を有していても良い。
βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらの基は、該重合性官能基を有していても良い。
γは、水素原子、主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基を示し、これらの基は、該重合性官能基を有していても良い。）
【請求項２】
前記下引き層が下記式（８）
０．４  ≦（ｉｉｉ）／（ｉ）＋（ｉｉ）≦  １．０  （８）
（式（８）中（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）は、組成物の全質量に対する（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）の化合物それぞれの含有量を示す。）
を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記式（１）中のＲ１、Ｒ２がそれぞれ独立に単結合、メチレン基、エチレン基、プロピレン基を示すことを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記（ｉｉ）において、ポリビニルアセタールが、下記式（９）で示される構造単位、下記式（１０）で示される構造単位、および下記式（１１）で示される構造単位を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【化１７】
2015143820.tif 000088
（式（９）中、Ｒ９１は炭素数１〜５のアルキル基を示す。）
【化１８】
2015143820.tif 000089
【化１９】
2015143820.tif 000090
【請求項５】
前記（ｉｉ）において、アクリルポリオールが、
水酸基を有する不飽和モノマーを含むモノマー成分を重合して得られ、かつ、
アクリル単位またはメタクリル単位を有するアクリル樹脂である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項８】
支持体、該支持体上に設けた下引き層、該下引き層上に設けた感光層を有する電子写真感光体を製造する方法であって、該製造方法が、
（ｉ）下記式（１）で示されるイソシアネート化合物、
（ｉｉ）ポリビニルアセタール、およびアクリルポリオールからなる群より選択される少なくとも１つの樹脂、および
（ｉｉｉ）下記式（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物
を含む組成物を含有する下引き層用塗布液を調製する工程、および
該下引き層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥および硬化させて該下引き層を形成する工程を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【化２０】
2015143820.tif 000091
（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に単結合、または炭素数１〜６のアルキレン基を示し、Ｘは下記式（２）〜（７）のいずれかで示される２価の基を示す。）
【化２１】
2015143820.tif 000092
【化２２】
2015143820.tif 000093
【化２３】
2015143820.tif 000094
【化２４】
2015143820.tif 000095
【化２５】
2015143820.tif 000096
【化２６】
2015143820.tif 000097
（式（２）〜（７）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ４２、Ｒ４３はそれぞれ独立に水素原子、またはメチル基を示し、Ｒ４１は単結合、またはメチレン基を示す。）
【化２７】
2015143820.tif 000098
【化２８】
2015143820.tif 000099
【化２９】
2015143820.tif 000100
【化３０】
2015143820.tif 000101
【化３１】
2015143820.tif 000102
【化３２】
2015143820.tif 000103
【化３３】
2015143820.tif 000104
【化３４】
2015143820.tif 000105
（式（Ａ１）〜（Ａ８）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６、Ｒ２０１〜Ｒ２１０、Ｒ３０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０１〜Ｒ４０８、Ｒ５０１〜Ｒ５１０、Ｒ６０１〜Ｒ６０６、Ｒ７０１〜Ｒ７０８、およびＲ８０１〜Ｒ８１０は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを硫黄原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つをＮＲ１０に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ１０は、水素原子またはアルキル基である。ただし、Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つ、Ｒ２０１〜Ｒ２１０の少なくとも１つ、Ｒ３０１〜Ｒ３０８の少なくとも１つ、Ｒ４０１〜Ｒ４０８の少なくとも１つ、Ｒ５０１〜Ｒ５１０の少なくとも１つ、Ｒ６０１〜Ｒ６０６の少なくとも１つ、Ｒ７０１〜Ｒ７０８の少なくとも１つ、およびＲ８０１〜Ｒ８１０の少なくとも１つは、下記式（Ａ）で示される１価の基である。
該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、またはハロゲン原子である。該置換のアリール基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。
Ｚ２０１、Ｚ３０１、Ｚ４０１およびＺ５０１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ２０１が酸素原子である場合はＲ２０９およびＲ２１０は存在せず、Ｚ２０１が窒素原子である場合はＲ２１０は存在しない。Ｚ３０１が酸素原子である場合はＲ３０７およびＲ３０８は存在せず、Ｚ３０１が窒素原子である場合はＲ３０８は存在しない。Ｚ４０１が酸素原子である場合はＲ４０７およびＲ４０８は存在せず、Ｚ４０１が窒素原子である場合はＲ４０８は存在しない。Ｚ５０１が酸素原子である場合はＲ５０９およびＲ５１０は存在せず、Ｚ５０１が窒素原子である場合はＲ５１０は存在しない。）
【化３５】
2015143820.tif 000106
（式（Ａ）中、α、β、およびγの少なくとも１つは重合性官能基を有する基であり、該重合性官能基は、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
αは、主鎖の炭素数が１〜６のアルキレン基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが酸素原子に置き換わって導かれる基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが硫黄原子に置き換わって導かれる基、または主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ１９に置き換わって導かれる基を示し、Ｒ１９は、水素原子またはアルキル基を示す。
該置換のアルキレン基の置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基である。これらの基は、該重合性官能基を有していても良い。
βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらの基は、該重合性官能基を有していても良い。
γは、水素原子、主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基を示し、これらの基は、該重合性官能基を有していても良い。）
【請求項９】
前記下引き層が下記式（８）
０．４  ≦（ｉｉｉ）／（ｉ）＋（ｉｉ）≦  １．０  （８）
（式（８）中（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）は、組成物の全質量に対する（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）の化合物それぞれの含有量を示す。）
を満たすことを特徴とする請求項８に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
前記式（１）中のＲ１、Ｒ２がそれぞれ独立に単結合、メチレン基、エチレン基、プロピレン基を示すことを特徴とする請求項８または９に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体およびその製造方法、ならびに、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、一般的に、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する。そして、支持体から感光層側への電荷注入を抑制し、黒ポチなどの画像欠陥の発生を抑えることを目的として、支持体と感光層との間には下引き層が設けられることが多い。
【０００３】
近年、電子写真感光体の電荷発生物質には、より高い感度を有する電荷発生物質が用いられている。
【０００４】
しかしながら、電荷発生物質が高感度化するのに伴い、電荷の発生量が多くなり電荷が感光層中に滞留しやすく、ゴーストが発生しやすいという問題があった。具体的には、出力画像中、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、いわゆるポジゴーストという現象が発生し易い。
【０００５】
上記課題を解決するために、特許文献１、２および３には、下引き層中に電子輸送物質を含有させる技術が開示されている。また、特許文献２では、下引き層中に電子輸送物質を含有させる場合に、下引き層の上層（感光層）の形成時に、電子輸送物質が感光層用塗布液中の溶剤に溶出しないように、下引き層を硬化させる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１２２４４０号公報
【特許文献２】特開２００７−１４８２９４号公報
【特許文献３】特開２００７−１７９０３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、電子写真画像の品質に対する要求は高まる一方であり、上述のポジゴーストに対する許容度が格段に厳しくなってきている。
【０００８】
しかし、本発明者らの検討の結果、上記特許文献１、２および３に開示された技術は、ポジゴーストの抑制効果について、さらなる改良の余地があるものであった。
【０００９】
本発明の目的は、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、および、その製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一つの観点は、支持体、該支持体上に設けた下引き層、該下引き層上に設けた感光層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、
（ｉ）下記式（１）で示されるイソシアネート化合物、
（ｉｉ）ポリビニルアセタール、およびアクリルポリオールからなる群より選択される少なくとも１つの樹脂、および
（ｉｉｉ）下記式（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物
を含む組成物の硬化物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【化１】
2015143820.tif 000002
（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に単結合、または炭素数１〜６のアルキレン基を示し、Ｘは下記式（２）〜（７）のいずれかで示される２価の基を示す。）
【化２】
2015143820.tif 000003
【化３】
2015143820.tif 000004
【化４】
2015143820.tif 000005
【化５】
2015143820.tif 000006
【化６】
2015143820.tif 000007
【化７】
2015143820.tif 000008
（式（２）〜（７）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ４２、Ｒ４３はそれぞれ独立に水素原子、またはメチル基を示し、Ｒ４１は単結合、またはメチレン基を示す。）
【化８】
2015143820.tif 000009
【化９】
2015143820.tif 000010
【化１０】
2015143820.tif 000011
【化１１】
2015143820.tif 000012
【化１２】
2015143820.tif 000013
【化１３】
2015143820.tif 000014
【化１４】
2015143820.tif 000015
【化１５】
2015143820.tif 000016
（式（Ａ１）〜（Ａ８）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６、Ｒ２０１〜Ｒ２１０、Ｒ３０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０１〜Ｒ４０８、Ｒ５０１〜Ｒ５１０、Ｒ６０１〜Ｒ６０６、Ｒ７０１〜Ｒ７０８、およびＲ８０１〜Ｒ８１０は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを硫黄原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つをＮＲ１０に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ１０は、水素原子またはアルキル基である。ただし、Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つ、Ｒ２０１〜Ｒ２１０の少なくとも１つ、Ｒ３０１〜Ｒ３０８の少なくとも１つ、Ｒ４０１〜Ｒ４０８の少なくとも１つ、Ｒ５０１〜Ｒ５１０の少なくとも１つ、Ｒ６０１〜Ｒ６０６の少なくとも１つ、Ｒ７０１〜Ｒ７０８の少なくとも１つ、およびＲ８０１〜Ｒ８１０の少なくとも１つは、下記式（Ａ）で示される１価の基である。
該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、またはハロゲン原子である。該置換のアリール基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。
Ｚ２０１、Ｚ３０１、Ｚ４０１およびＺ５０１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ２０１が酸素原子である場合は、Ｒ２０９およびＲ２１０は存在せず、Ｚ２０１が窒素原子である場合は、Ｒ２１０は存在しない。Ｚ３０１が酸素原子である場合は、Ｒ３０７およびＲ３０８は存在せず、Ｚ３０１が窒素原子である場合は、Ｒ３０８は存在しない。Ｚ４０１が酸素原子である場合は、Ｒ４０７およびＲ４０８は存在せず、Ｚ４０１が窒素原子である場合は、Ｒ４０８は存在しない。Ｚ５０１が酸素原子である場合は、Ｒ５０９およびＲ５１０は存在せず、Ｚ５０１が窒素原子である場合は、Ｒ５１０は存在しない。）
【化１６】
2015143820.tif 000017
（式（Ａ）中、α、β、およびγの少なくとも１つは重合性官能基を有する基であり、該重合性官能基は、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
αは、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが酸素原子に置き換わって導かれる基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが硫黄原子に置き換わって導かれる基、または主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ１９に置き換わって導かれる基を示す。Ｒ１９は、水素原子またはアルキル基である。
該置換のアルキレン基の置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基である。これらの基は、重合性官能基を有していても良い。
βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらの基は、重合性官能基を有していても良い。
γは、水素原子、主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基を示し、これらの基は、重合性官能基を有していても良い。）
【００１１】
また、本発明のさらなる観点は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００１２】
また、本発明のさらなる観点は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。
【００１３】
また、本発明のさらなる観点は、支持体、該支持体上に設けた下引き層、該下引き層上に設けた感光層を有する電子写真感光体を製造する方法であって、該製造方法が、
（ｉ）上記式（１）で示されるイソシアネート化合物
（ｉｉ）ポリビニルアセタール、およびアクリルポリオールからなる群より選択される少なくとも１つの樹脂、および
（ｉｉｉ）上記式（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物
を含む組成物を含有する下引き層用塗布液を調製する工程、および
該下引き層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥および硬化させて該下引き層を形成する工程を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、および、その製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】電子写真感光体の層構成の例を示す図である。
【図２】電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の構成例を示す概略図である。
【図３】本発明におけるゴースト評価用画像を示す図である。
【図４】本発明における１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明に係る下引き層を有する電子写真感光体がポジゴーストの抑制を高いレベルで達成するという優れた効果を発揮する理由について、本発明者らは、以下のように推測している。
【００１７】
本発明においては、式（１）で示されるイソシアネート化合物のイソシアネート基と、ポリビニルアセタール、またはアクリルポリオールのいずれかの樹脂の−ＯＨ基と、式（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物の重合性官能基とが結合する。これによって、重合物（硬化物）が形成される。下引き層が、この重合物を含有することで、電子を輸送することができ、溶剤に溶けにくい下引き層を形成することができる。以下、式（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物を「電子輸送物質」とも称する。
【００１８】
しかしながら、このように複数の構成材料（イソシアネート化合物、電子輸送物質、樹脂）の組成物を重合させて得られた硬化物を含有する下引き層においては、同一の構造を有する構成材料同士が凝集し、組成にムラのある下引き層が形成され易い。これにより、下引き層中、または下引き層と感光層との界面において、電子が滞留しやすくなり、ゴーストが発生しやすい。そこで、構成材料同士が凝集し難く、かつ感光層を塗布した際に溶出しないように、構成材料を選択する必要がある。
【００１９】
本発明のイソシアネート化合物は、イソシアネート基同士の間にフェニレン基、シクロヘキシレン基、もしくナフタレン基を有するという特徴を持つ。この特徴により、イソシアネート基同士が隣接せずに、適度に嵩高く大きな体積を有するという特徴を有する。これにより、イソシアネート化合物のイソシアネート基が樹脂と重合した際に、膜凝集（偏在）を抑えるという作用が働くものと考えられる。さらに、偏在が抑制された樹脂の分子鎖に結合しているイソシアネート化合物に、電子輸送物質が結合しているため、電子輸送物質も偏在することなく下引き層内に均一に存在することになる。これにより、イソシアネート化合物、電子輸送物質、樹脂に由来する構造が均一に存在する重合物が得られ、電子の滞留が大幅に減少し、より高いレベルのゴースト抑制効果が得られると考えられる。
【００２０】
本発明において使用するイソシアネート化合物以外に、ヘキサメチレンジイソシアネートのような鎖状構造のイソシアネート化合物、長い側鎖を有するイソシアネート化合物、−ＮＣＯ基同士が隣り合う位置にあるようなイソシアネート化合物がある。また、イソシアネート化合物に電子輸送能を有する部位が直接結合している化合物がある。これらのイソシアネート化合物を重合させて得られる重合物では、重合物中に、その化合物に由来する構造の凝集が起こりやすく、高いレベルのポジゴースト抑制効果が十分に得られない場合がある。
【００２１】
ゴーストに対して十分な抑制効果を得るために、本発明において使用する電子輸送物質の構造を選択することによって、電子輸送材料を膜中に均一に存在させ、硬化の際の立体障害を抑制し得るものと考えられる。その結果、高いレベルのゴースト抑制効果が得られていると考えられる。例えば、アリザリン等の水酸基がアントラキノンに直接配位したアントラキノン誘導体では、アントラキノン構造が硬化の際に立体障害をおこしてしまい、均一で十分な硬化が得られず、ゴースト抑制効果が得られない場合があると考えられる。
【００２２】
本発明の電子写真感光体は、上述のとおり、支持体、該支持体上に設けた下引き層、および、該下引き層上に設けた感光層を有する電子写真感光体である。
【００２３】
図１に、本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す。図１の（ａ）、（ｂ）中、１０１は支持体であり、１０２は下引き層であり、１０３は感光層であり、１０４は保護層である。
【００２４】
感光層としては、下引き層側から電荷発生物質を含有する電荷発生層および電荷輸送物質を含有する電荷輸送層をこの順に積層してなる積層型の感光層が好ましい。また、電荷輸送層に含有させる電荷輸送物質としては、正孔輸送物質が好ましい。
【００２５】
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼、銅、ニッケル、亜鉛などの金属製、合金製の支持体などが挙げられる。また、アルミニウム製の支持体やアルミニウム合金製の支持体を用いる場合は、ＥＤ管、ＥＩ管などを用いることができる。
【００２６】
また、金属製支持体、樹脂製支持体上に、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム−酸化スズ合金などの導電性材料の薄膜を形成したものも支持体として用いることができる。
【００２７】
また、支持体の表面には、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制などを目的として、切削処理、粗面化処理、アルマイト処理、電解複合研磨処理、湿式ホーニング処理、乾式ホーニング処理などを施してもよい。電解複合研磨とは、電解作用を有する電極と電解質溶液による電解および研磨作用を有する砥石による研磨である。
【００２８】
支持体と下引き層との間には、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制や、支持体の傷の隠蔽（被覆）などを目的として、導電層を設けてもよい。
【００２９】
導電層は、カーボンブラック、金属粒子、金属酸化物粒子などの導電性粒子、結着樹脂、および、溶剤を分散処理することによって得られる導電層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
【００３０】
分散処理方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミル、アトライター、液衝突型高速分散機などを用いた方法が挙げられる。
【００３１】
導電層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂が挙げられる。また、これらの結着樹脂は、１種のみを使用してもよく、混合物または共重合体として２種以上を併用してもよい。
【００３２】
導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。また、これらの溶剤は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
導電層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【００３４】
支持体または導電層と、感光層（電荷発生層、電荷輸送層）との間には、上述した下引き層が設けられる。
【００３５】
下引き層は、
（ｉ）下記式（１）で示されるイソシアネート化合物
（ｉｉ）ポリビニルアセタール、およびアクリルポリオールからなる群より選択される少なくとも１つの樹脂、および
（ｉｉｉ）下記式（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物
を含む組成物の硬化物を含有することを特徴とする。
【化１７】
2015143820.tif 000018
式（１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に単結合、または炭素数１〜６のアルキレン基を示し、Ｘは下記式（２）〜（７）のいずれかで示される２価の基を示す。
【化１８】
2015143820.tif 000019
【化１９】
2015143820.tif 000020
【化２０】
2015143820.tif 000021
【化２１】
2015143820.tif 000022
【化２２】
2015143820.tif 000023
【化２３】
2015143820.tif 000024
式（２）〜（７）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ４２、Ｒ４３はそれぞれ独立に水素原子、またはメチル基を示し、Ｒ４１は単結合、またはメチレン基を示す。
【化２４】
2015143820.tif 000025
【化２５】
2015143820.tif 000026
【化２６】
2015143820.tif 000027
【化２７】
2015143820.tif 000028
【化２８】
2015143820.tif 000029
【化２９】
2015143820.tif 000030
【化３０】
2015143820.tif 000031
【化３１】
2015143820.tif 000032
式（Ａ１）〜（Ａ８）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６、Ｒ２０１〜Ｒ２１０、Ｒ３０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０１〜Ｒ４０８、Ｒ５０１〜Ｒ５１０、Ｒ６０１〜Ｒ６０６、Ｒ７０１〜Ｒ７０８、およびＲ８０１〜Ｒ８１０は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つを硫黄原子に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つをＮＲ１０に置き換えて導かれる基、置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ１０は、水素原子またはアルキル基である。ただし、Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つ、Ｒ２０１〜Ｒ２１０の少なくとも１つ、Ｒ３０１〜Ｒ３０８の少なくとも１つ、Ｒ４０１〜Ｒ４０８の少なくとも１つ、Ｒ５０１〜Ｒ５１０の少なくとも１つ、Ｒ６０１〜Ｒ６０６の少なくとも１つ、Ｒ７０１〜Ｒ７０８の少なくとも１つ、およびＲ８０１〜Ｒ８１０の少なくとも１つは、下記式（Ａ）で示される１価の基である。
該置換アルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、またはハロゲン原子である。該置換アリール基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。Ｚ２０１、Ｚ３０１、Ｚ４０１およびＺ５０１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ２０１が酸素原子である場合はＲ２０９およびＲ２１０は存在せず、Ｚ２０１が窒素原子である場合はＲ２１０は存在しない。Ｚ３０１が酸素原子である場合はＲ３０７およびＲ３０８は存在せず、Ｚ３０１が窒素原子である場合はＲ３０８は存在しない。Ｚ４０１が酸素原子である場合はＲ４０７およびＲ４０８は存在せず、Ｚ４０１が窒素原子である場合はＲ４０８は存在しない。Ｚ５０１が酸素原子である場合はＲ５０９およびＲ５１０は存在せず、Ｚ５０１が窒素原子である場合はＲ５１０は存在しない。
【化３２】
2015143820.tif 000033
式（Ａ）中、α、β、およびγの少なくとも１つは重合性官能基を有する基であり、該重合性官能基は、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
αは、主鎖の炭素数が１〜６のアルキレン基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが酸素原子に置き換わって導かれる基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つが硫黄原子に置き換わって導かれる基、または主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ１９に置き換わって導かれる基を示す。Ｒ１９は、水素原子またはアルキル基である。
該置換アルキレン基の置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基である。これらの基は、上記の重合性官能基を有していても良い。
βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらの基は、上記の重合性官能基を有していても良い。
γは、水素原子、主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基を示し、これらの基は、上記の重合性官能基を有していても良い。
【００３６】
下引き層の形成方法は、まず、イソシアネート化合物と、ポリビニルアセタール、およびアクリルポリオールからなる群より選択される少なくとも１つの樹脂と、（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物とを含有する下引き層用塗布液の塗膜を形成する。次に、下引き層用塗布液の塗膜を加熱乾燥し、硬化させることによって下引き層を形成する。塗膜形成後これらの化合物が化学反応により重合（硬化）するが、その際に加熱をすることで化学反応が促進され、重合が促進される。
【００３７】
下引き層用塗布液に用いられる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
【００３８】
上記硬化物の含有量は、ゴーストの抑制という観点から、下引き層の全質量に対して５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましい。
【００３９】
下引き層には、上記硬化物以外にも、下引き層の成膜性や電気的特性を高めるために、他の樹脂、上記イソシネート化合物以外の架橋剤、有機粒子、無機粒子、レベリング剤などを含有していてもよい。ただし、下引き層におけるそれらの含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％未満であることが好ましく、２０質量％未満であることがより好ましい。
【００４０】
上記式（Ａ１）から（Ａ８）のいずれかで示される化合物は、好ましくは、分子量が１５０以上１０００以下である。上記の分子量であると、電子輸送物質に由来する構造が下引き層内により均一に存在すると考えられる。
【００４１】
また、電子輸送物質に由来する構造の均一性という観点から、式（Ａ１）から（Ａ８）のいずれかで示される化合物の分子量と、前記イソシアネート化合物の分子量との比が、３／２０〜５０／２０であることが好ましい。より好ましくは１２／２０〜２８／２０である。
【００４２】
次に、電子輸送物質の具体例を以下に示す。表１−１、表１−２、表１−３、表１−４には、上記式（Ａ１）で示される化合物の具体例を示す。表２−１、表２−２には、上記式（Ａ−２）で示される化合物の具体例を示す。表３−１、表３−２には、上記式（Ａ−３）で示される化合物の具体例を示す。表４−１、表４−２には、上記式（Ａ−４）で示される化合物の具体例を示す。表５−１、表５−２には、上記式（Ａ−５）で示される化合物の具体例を示す。表６には、上記式（Ａ−６）で示される化合物の具体例を示す。表７−１、表７−２には、上記式（Ａ−７）で示される化合物の具体例を示す。表８−１、表８−２には、上記式（Ａ−８）で示される化合物の具体例を示す。表中、Ａａは、Ａと同様な構造式で表され、その１価の基の具体例をＡ及びＡａの欄に示す。表中、γが「−」である場合は、γは水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００４３】
【表１−１】
2015143820.tif 000034
【００４４】
【表１−２】
2015143820.tif 000035
【００４５】
【表１−３】
2015143820.tif 000036
【００４６】
【表１−４】
2015143820.tif 000037
【００４７】
【表２−１】
2015143820.tif 000038
【００４８】
【表２−２】
2015143820.tif 000039
【００４９】
【表３−１】
2015143820.tif 000040
【００５０】
【表３−２】
2015143820.tif 000041
【００５１】
【表４−１】
2015143820.tif 000042
【００５２】
【表４−２】
2015143820.tif 000043
【００５３】
【表５−１】
2015143820.tif 000044
【００５４】
【表５−２】
2015143820.tif 000045
【００５５】
【表６】
2015143820.tif 000046
【００５６】
【表７−１】
2015143820.tif 000047
【００５７】
【表７−２】
2015143820.tif 000048
【００５８】
【表８−１】
2015143820.tif 000049
【００５９】
【表８−２】
2015143820.tif 000050
【００６０】
これらの例示化合物の中で、化合物Ａ１２４、化合物Ａ１３５は、ポジゴースト抑制効果に優れる化合物である。
【００６１】
（Ａ２）〜（Ａ６）のいずれかの構造を有する誘導体（電子輸送物質の誘導体）は、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。（Ａ１）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成可能である。（Ａ７）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）またはシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なフェノール誘導体を原料として合成可能である。（Ａ８）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なペリレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することが可能である。
【００６２】
（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される化合物は、イソシアネート化合物のイソシアネート基と重合することが可能な重合性官能基（ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有する。（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかで示される構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法として２つある。１つ目は、（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかの構造を有する誘導体に直接重合性官能基を導入する方法である。２つ目は、（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかの構造を有する誘導体を合成した後、重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法である。２つ目の方法としては、具体的には、（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかの構造を有する誘導体のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法がある。また、（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかの構造を有する誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法もある。さらに、（Ａ１）〜（Ａ８）のいずれかの構造を有する誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
本発明において使用するイソシアネート化合物は上記式（１）で示されるイソシアネート化合物である。
【００６３】
本発明のイソシアネート化合物は、式（１）中のＲ１、Ｒ２がそれぞれ独立に単結合、メチレン基、エチレン基、プロピレン基を示す化合物であることが製膜性の観点から好ましい。
【００６４】
次に、上記イソシアネート化合物の具体例を挙げる。
【化３３】
2015143820.tif 000051
【化３４】
2015143820.tif 000052
【化３５】
2015143820.tif 000053
【化３６】
2015143820.tif 000054
【化３７】
2015143820.tif 000055
【化３８】
2015143820.tif 000056
【化３９】
2015143820.tif 000057
【化４０】
2015143820.tif 000058
【化４１】
2015143820.tif 000059
【化４２】
2015143820.tif 000060
【化４３】
2015143820.tif 000061
【化４４】
2015143820.tif 000062
【化４５】
2015143820.tif 000063
【化４６】
2015143820.tif 000064
【００６５】
上記イソシアネート化合物は、イソシアネート基がブロック剤でブロックされたイソシアネート化合物、いわゆるブロック化イソシアネート化合物であってもよい。
【００６６】
イソシアネート化合物のイソシアネート基をブロックするためのブロック剤としては、例えば、ホルムアルデヒドオキシム、アセトアルドオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトンオキシム、メチルイソブチルケトオキシムなどのオキシム系化合物、メルドラム酸、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジｎ−ブチル、酢酸エチル、アセチルアセトンなどの活性メチレン系化合物、ジイソプロピルアミン、ジフェニルアニリン、アニリン、カルバゾールなどのアミン系化合物、エチレンイミン、ポリエチレンイミンなどのイミン系化合物、コハク酸イミド、マレイン酸イミドなどの酸イミド系化合物、マロネート、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾールなどのトリアゾール系化合物、アセトアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、酢酸アミドなどの酸アミド系化合物、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタムなどのラクタム系化合物、尿素、チオ尿素、エチレン尿素などの尿素系化合物、重亜硫酸ソーダなどの亜硫酸塩、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタンなどのメルカプタン系化合物、フェノール、クレゾールなどのフェノール系化合物、ピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、３−メチルピラゾールなどのピラゾール系化合物、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノールなどのアルコール系化合物が挙げられる。また、これらのブロック剤は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
ポリビニルアセタールは、樹脂として一般的に購入することも可能であり、購入可能な樹脂としては、積水化学工業（株）製ＫＷ−１およびＫＷ−３、ＢＸ−１、ＢＭ−１（いずれも商品名）などが挙げられる。
なお好ましくは、下記式（９）で示される構造単位、下記式（１０）で示される構造単位、および下記式（１１）で示される構造単位を有するポリビニルアセタールである。
【化４７】
2015143820.tif 000065
式（９）中、Ｒ９１は炭素数１〜５のアルキル基を示す。
【化４８】
2015143820.tif 000066
【化４９】
2015143820.tif 000067
【００６８】
下引き層に使用されるポリアクリルポリオールは、水酸基を有する不飽和モノマーを含むモノマー成分を重合して得られる。さらに、ポリアクリルポリオールは、アクリル単位またはメタクリル単位を有するアクリル樹脂であることが好ましい。樹脂として一般的に購入することも可能であり、購入可能な樹脂としては、ＤＩＣ（株）製バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４（いずれも商品名）などが挙げられる。
【００６９】
さらに、下引き層が、下記式（８）を満たすことが、硬化性、成膜性およびゴースト抑制の点で好ましい。
０．４≦（ｉｉｉ）／（ｉ）＋（ｉｉ）≦１．０  （８）
式（８）中（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）は、組成物の全質量に対する（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）の化合物それぞれの含有量（質量比率）を示す。
【００７０】
下引き層上には、感光層（電荷発生層、電荷輸送層）が設けられる。
【００７１】
感光層が積層型の感光層である場合、電荷発生層は、電荷発生物質、結着樹脂および溶剤を分散処理することによって得られる電荷発生層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。また、電荷発生層は、電荷発生物質の蒸着膜としてもよい。
【００７２】
分散処理方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミル、アトライター、液衝突型高速分散機などを用いた方法が挙げられる。
【００７３】
電荷発生物質としては、例えば、アゾ顔料、フタロシアニン顔料、インジゴ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクワリリウム色素、チアピリリウム塩、トリフェニルメタン色素、キナクリドン顔料、アズレニウム塩顔料、シアニン染料、アントアントロン顔料、ピラントロン顔料、キサンテン色素、キノンイミン色素、スチリル色素が挙げられる。これらの中でも、感度の観点から、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの中でも、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。また、これらの電荷発生物質は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７４】
感光層が積層型の感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、尿素樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ブチラール樹脂が好ましい。また、これらの結着樹脂は、１種のみを使用してもよく、混合物または共重合体として２種以上を併用してもよい。
【００７５】
電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。また、これらの溶剤は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７６】
電荷発生層の膜厚は、０．０１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。
【００７７】
また、電荷発生層には、必要に応じて、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを含有させることもできる。
【００７８】
積層型の感光層を有する電子写真感光体において、電荷発生層上には、電荷輸送層が形成される。
【００７９】
電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させて得られる電荷輸送層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
【００８０】
電荷輸送物質としては、正孔輸送物質と電子輸送物質に大別される。正孔輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ブタジエン化合物などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物が好ましい。また、これらの電荷輸送物質は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８１】
感光層が積層型の感光層である場合、電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリアリルエーテル、ポリアリレート、ポリイミド、ウレタン樹脂、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリプロピレン、メタクリル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリアリレート、ポリカーボネートが好ましい。また、これらの結着樹脂は、１種のみを使用してもよく、混合または共重合体として２種以上を併用してもよい。
【００８２】
電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。また、これらの溶剤は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８３】
電荷輸送層に含有させる電荷輸送物質および結着樹脂の比率（電荷輸送物質／結着樹脂）は、０．３／１以上１０／１以下（質量比）であることが好ましい。
【００８４】
電荷輸送層用塗布液の塗膜の加熱温度（乾燥温度）としては、６０℃以上１５０℃以下であることが好ましく、８０℃以上１２０℃以下であることがより好ましい。また、加熱時間（乾燥時間）としては、１０分間以上６０分間以下であることが好ましい。
【００８５】
電子写真感光体が有する電荷輸送層が１層である場合、その電荷輸送層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【００８６】
電荷輸送層を積層構成とした場合、支持体側の電荷輸送層の膜厚は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、表面側の電荷輸送層の膜厚は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００８７】
また、電荷輸送層には、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを含有させることもできる。
【００８８】
また、本発明においては、感光層（電荷輸送層）上に、電子写真感光体の耐久性やクリーニング性の向上などを目的として、保護層を設けてもよい。
【００８９】
保護層は、樹脂（あるいは、そのモノマーおよび／またはオリゴマー）を溶剤に溶解させて得られる保護層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成することができる。
【００９０】
保護層に用いられる樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーが挙げられる。これらの中でも、アクリル樹脂、メタクリル樹脂が好ましい。また、これらの樹脂は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９１】
また、保護層に電荷輸送能を持たせるために、電荷輸送能（正孔輸送能）を有するモノマーを種々の重合反応、架橋反応を用いて硬化させることによって保護層（第二電荷輸送層）を形成してもよい。具体的には、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送性化合物（正孔輸送性化合物）を重合または架橋させ、硬化させることによって保護層（第二電荷輸送層）を形成することが好ましい。
【００９２】
連鎖重合性官能基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アルコキシシリル基、エポキシ基などが挙げられる。硬化させる反応としては、例えば、ラジカル重合反応、イオン重合反応などが挙げられる。また、硬化反応の際には、熱、紫外線などの光、電子線などの放射線などを用いることができる。
【００９３】
さらに、保護層には、必要に応じて、導電性粒子、紫外線吸収剤、耐摩耗性改良剤などを含有させることもできる。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が挙げられる。耐摩耗性改良剤としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン粒子などのフッ素原子含有樹脂粒子や、アルミナ、シリカなどが挙げられる。
【００９４】
保護層の膜厚は、０．５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００９５】
上記各層用の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
【００９６】
図２に、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の例を示す。
【００９７】
図２において、円筒状（ドラム状）の本発明の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
【００９８】
電子写真感光体１の表面（周面）は、回転過程において、帯電手段３（一次帯電手段：帯電ローラーなど）により、正または負の所定の電位に帯電される。
【００９９】
次いで、電子写真感光体１の表面には、露光手段（像露光手段）（不図示）から露光光（像露光光）４が照射される。こうして電子写真感光体１の表面には、静電潜像が形成される。
【０１００】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで、現像手段５内の現像剤（トナー）で現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面には、トナー像が形成される。次いで、電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６（転写ローラーなど）によって、転写材７に転写される。
【０１０１】
ここで、転写材７は、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に給送される。また、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性の電圧（転写バイアス）が印加される。
【０１０２】
トナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離され、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置外へプリントアウトされる。転写手段６は、一次転写部材、中間転写体および二次転写部材などからなる中間転写方式の転写手段であってもよい。
【０１０３】
トナー像が転写材７に転写された後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９（クリーニングブレードなど）によってクリーニングされ、転写残りの現像剤（転写残トナー）などの付着物が除去される。また、転写残トナーを現像手段などで回収することもできる（クリーナーレスシステム）。
【０１０４】
さらに、電子写真感光体１の表面には、前露光手段（不図示）から前露光光１０が照射され、除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図２に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【０１０５】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９などから選択される構成要素のうち、複数のものを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを、電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。例えば、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、およびクリーニング手段９からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。露光光４としては、例えば、原稿からの反射光や透過光や、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号にしたがって行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動または液晶シャッターアレイの駆動などにより照射される光などが挙げられる。
【実施例】
【０１０６】
以下、実施例により、本発明をより詳細に説明する。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。まず、本発明に係る電子輸送物質の合成例を示す。
【０１０７】
（合成例１）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部および２−メチル６−エチルアニリン４部、２−アミノ−１−ブタノール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ１０１を１．０部得た。
【０１０８】
（合成例２）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（東京化成工業（株）製）５．４部、および２−アミノ酪酸（東京化成工業（株）製）５部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ１２８を４．６部得た。
【０１０９】
（合成例３）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（東京化成工業（株）製）５．４部、および２，６ジエチルアニリン（東京化成工業（株）製）４．５部、４−アミノベンゼンチオール４部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ１１４を１．３部得た。
【０１１０】
（合成例４）
ジメチルアセトアミド２００部とナフタレンテトラカルボン酸二無水物（東京化成工業（株）製）１．８部中に、窒素雰囲気下で室温で２時間かけて５０部に溶解したアニリン（東京化成工業（株）製）２．５部とジメチルアセトアミド５０部を加えた。その後４０℃で１時間、１２０℃で１時間撹拌後、８時間還流を行った。ジメチルアセトアミドを減圧蒸留で除いた後、メタノール／水＝１／１溶液１００部を加え、結晶を析出させた上で濾別した。結晶を酢酸エチル／ＴＨＦ混合溶液に溶解後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル）で分離後、目的物を含有するフラクションを濃縮し、得られた結晶を、酢酸エチル／ＴＨＦ混合溶液で再結晶を行い、化合物Ａ１２４を１．６部得た。なお、ＴＨＦは、テトラヒドロフランを意味する。
【０１１１】
（合成例５）
ジメチルアセトアミド２００部とナフタレンテトラカルボン酸二無水物（東京化成工業（株）製）２．７部中に、窒素雰囲気下でアミン（東京化成工業（株）製）３．６部とジメチルアセトアミド５０部を加えた。その後１２０℃で３時間撹拌後、５時間還流を行った。ジメチルアセトアミドを減圧蒸留で除いた後、水１００部を加え、結晶を析出させた上で濾別した。エタノールで再結晶を行い、化合物Ａ１３５を３．１部得た。
【０１１２】
（合成例６）
４−（ヒドロキシメチル）フェニルボロン酸（アルドリッチ社製）２．８部およびフェナントレンキノン（シグマアルドリッチジャパン（株）社製）を、窒素雰囲気下で、Ｃｈｅｍ．Ｅｄｕｃａｔｏｒ  Ｎｏ．６，  ２２７−２３４  （２００１）に記載の合成方法で３，６−ジブロモ−９，１０−フェナントレンジオン７．４部を合成した。トルエン１００部およびエタノール５０部の混合溶媒に、３，６−ジブロモ−９，１０−フェナントレンジオン７．４部を加え、２０％炭酸ナトリウム水溶液１００部を滴下した後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を０．５５部添加した後、２時間還流させた。反応後、有機相をクロロホルムで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥を行った。溶媒を減圧下で除去した後、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製を行い、化合物Ａ２１６を３．２部得た。
【０１１３】
（合成例７）
３−アミノフェニルボロン酸１水和物２．８部およびフェナントロリンキノン（シグマアルドリッチジャパン（株）社製）を窒素雰囲気下で、合成例６と同様に２，７−ジブロモ−９，１０−フェナントロリンキノン７．４部を合成した。トルエン１００質量部およびエタノール５０質量部の混合溶媒に、２，７−ジブロモ−９，１０−フェナントロリンキノン７．４部を加え、２０％炭酸ナトリウム水溶液１００部を滴下した後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を０．５５部添加した後、２時間還流させた。反応後、有機相をクロロホルムで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥を行った。溶媒を減圧下で除去した後、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製を行い、化合物Ａ３１６を２．２部得た。
【０１１４】
（合成例８）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ペリレンテトラカルボン酸二無水物（東京化成工業（株）製）７．４部、および２，６−ジエチルアニリン（東京化成工業（株）製）４部、２−アミノフェニルエタノール４部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、化合物Ａ８０３を５．０部得た。
【０１１５】
次に、以下のように電子写真感光体を製造し、評価した。
【０１１６】
〔実施例１〕
長さ２６０．５ｍｍおよび直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。
【０１１７】
次に、酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子（粉体抵抗率：１２０Ω・ｃｍ；酸化スズの被覆率：４０％）５０部、フェノール樹脂（プライオーフェンＪ−３２５（商品名）；大日本インキ化学工業（株）製；樹脂固形分：６０％）４０部、メトキシプロパノール４０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、３時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４５℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が１６μｍの導電層を形成した。
【０１１８】
この導電層用塗布液における酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子の平均粒径を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、テトラヒドロフランを分散媒とし、回転数５０００ｒｐｍにて遠心沈降法で測定した。その結果、平均粒径は０．３３μｍであった。
【０１１９】
次に、例示化合物Ａ１０１を８部、イソシアネート化合物（２−１）１０部、触媒としてジオクチルスズジウラレート０．１質量部と、ポリビニルアセタール（商品名：ＢＭ−１；積水化学工業（株）製）２部を、ジメチアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱し、硬化（重合）させることによって、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。
【０１２０】
次に、Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１；積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２４０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間９５℃で乾燥させることによって、膜厚が０．３μｍの電荷発生層を形成した。
【０１２１】
次に、下記式（Ｂ）で示されるアミン化合物５０部（正孔輸送物質）、
【化５０】
2015143820.tif 000068
下記式（Ｃ）で示されるアミン化合物５０部（正孔輸送物質）、
【化５１】
2015143820.tif 000069
および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ４００；三菱ガス化学（株）製）１００部を、キシレン３５０部／ジメトキシメタン２５０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
【０１２２】
このようにして、支持体上に導電層、下引き層、電荷発生層および電荷輸送層を有する電子写真感光体を製造した。
【０１２３】
製造した電子写真感光体を、温度１５℃、湿度１０％ＲＨの環境下にて、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）の改造機に装着して、表面電位の測定および出力画像の評価を行った。詳細は以下のとおりである。
【０１２４】
表面電位評価の測定は、ます、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８；トレック・ジャパン（株）製）を装着した。次に、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４；トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。ドラムの表面電位は、初期暗部電位（Ｖｄ）が−５００Ｖ、初期明部電位（Ｖｌ）が−１００Ｖになるよう、画像露光の光量を設定した。
【０１２５】
続いて、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、製造した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。まず、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。次に、Ａ４サイズの普通紙で、１０，０００枚のフルカラー画像（各色印字率１％の文字画像）の出力を行い、その後、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。
【０１２６】
ゴースト評価用画像は、図３に示すように、画像の先頭部に「白画像」中に四角の「ベタ画像」を出した後、図４に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」を作成したものである。なお、図３中、「ゴースト」部は、「ベタ画像」に起因するゴーストが出現し得る部分である。
【０１２７】
ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像の画像濃度と、ゴースト部の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８；Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均を算出し、初期画像出力時のマクベス濃度差（初期）を評価した。次に、１０，０００枚の出力後のマクベス濃度差と初期画像出力時のマクベス濃度差の差（変化分）を算出して、マクベス濃度差の変動分を求めた。マクベス濃度差が小さいほど、ポジゴーストが抑制されたことを意味する。そして１０，０００枚の出力後のマクベス濃度差と初期画像出力時のマクベス濃度差との差が小さい程、ポジゴーストの変動変化が小さいことを意味する。結果を表９に示す。マクベス濃度差が０．０５未満であるものは、本発明のゴースト抑制効果が得られるものと判断した。
【０１２８】
〔実施例２〜５６〕
実施例１において、（ｉ）イソシアネート化合物、（ｉｉ）樹脂、（ｉｉｉ）電子輸送物質の種類と含有量を表９に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表９に示す。
【０１２９】
【表９】
2015143820.tif 000070
【０１３０】
〔比較例１〕
実施例１において、ポリビニルアセタール（商品名：ＢＭ−１；積水化学工業（株）製）２部をポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）９部（商品名：マルカリンカー；丸善石油化学社製）２部に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。そして、同様にゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。
【０１３１】
〔比較例２〕
実施例１において、イソシアネート化合物（２−１）１０部をヘキサメチレンジイソシアネート１０部に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。
【０１３２】
〔比較例３〕
実施例１において、化合物Ａ１０１  ８部をアリザリン８部に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。
【０１３３】
〔比較例４〕
実施例１において、ポリビニルアセタール（商品名：ＢＭ−１；積水化学工業（株）製）２部をアクリルポリオール樹脂（商品名：バーノックＷＥ−３００；ＤＩＣ（株）製）２部に変更しえ、化合物Ａ１０１  ８部をアリザリン８部に変更した。それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。
【０１３４】
〔比較例５〕
実施例１において、イソシアネート化合物（２−１）１０部をヘキサメチレンジイソシアネート１０部に変更し、化合物Ａ１０１  ８部をアリザリン８部に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。
【０１３５】
【表１０】
2015143820.tif 000071
【符号の説明】
【０１３６】
１０１  支持体
１０２  下引き層
１０３  感光層
１０４  保護層
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  露光光（像露光光）
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  案内手段
【図１】
2015143820.tif 000108
【図２】
2015143820.tif 000109
【図３】
2015143820.tif 000110
【図４】
2015143820.tif 000111