(57)【要約】【課題】平坦性の付与を保証でき、水分による劣化を防止でき、断線防止が可能な有機ＥＬ素子用アノード電極の構成とその製造方法を提案すること。【解決手段】基材１上に、散乱膜層２、有機膜層Ａ３、無機膜層４、導電膜層５を順次積層した有機ＥＬ素子用アノード電極１０であって、前記有機膜層Ａが、屈折率が１．７５以上で、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下で、表面粗さが０．０５μｍ以下であり、さらに無機膜層４と導電膜層５との間に、屈折率が１．７５以上であり、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下で、表面粗さが０．０５μｍ以下の有機膜層Ｂ６を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、散乱膜層、有機膜層Ａ、無機膜層、導電膜層を順次積層した有機ＥＬ素子用アノード電極であって、
前記有機膜層Ａが、屈折率が１．７５以上で、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下で、表面粗さが０．０５μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬ素子用アノード電極。
【請求項２】
前記有機膜層Ａが、カルド樹脂を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子用アノード電極。
【請求項３】
前記無機膜層と前記導電膜層との間に、有機膜層Ｂを設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子用アノード電極。
【請求項４】
前記有機膜層Ｂの屈折率が１．７５以上であり、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下であり、表面粗さが０．０５μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子用アノード電極。
【請求項５】
基材上に、散乱膜層、有機膜層Ａ、無機膜層、導電膜層を順次積層する有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法であって、
前記散乱膜層を積層し、有機膜層Ａを形成する前に２００℃以上でアニールすることを特徴とする有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法。
【請求項６】
基材上に、散乱膜層、有機膜層Ａ、無機膜層、有機膜層Ｂ、導電膜層を順次積層する有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法であって、
前記散乱膜層を積層し、有機膜層Ａを形成する前に２００℃以上でアニールすることを特徴とする有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子用アノード電極に関する。特に照明用に有効な、有機ＥＬ素子のカソード電極の層構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子アノード電極は基材、導電膜層という層構成が一般的な技術として挙げられる。また、光を有効に取り出すために、基材と導電膜層の間に散乱膜層、更には散乱膜層と導電膜層の間に有機膜層を設けることも提案されている（特許文献１、特許文献２）。
【０００３】
この場合、散乱膜層と有機膜層から発生する水分を除去することによって、有機ＥＬ素子が劣化するのを防止する必要がある。
【０００４】
そこで近年は、有機膜層と導電膜層の間に無機膜層でバリアすることによって、劣化を抑えようとする技術が提案されている（特許文献３、特許文献５）。
【０００５】
また有機膜層でバリアする技術も提案されている（特許文献４）。
【０００６】
しかしながら、引用文献１〜引用文献５においては平坦性が具体的に保証されておらず、そのために水分による理想的な劣化防止や平坦性による断線防止がなされていないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第２９３１２１１号公報
【特許文献２】特開２０１３−１４０７２２号公報
【特許文献３】特開２０１１−１５０８０３号公報
【特許文献４】特開２０１２−２３８５７５号公報
【特許文献５】特表２０１２−５０９２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明はこのような従来技術の問題点を解決しようとするものであり、平坦性の付与を保証でき、水分による劣化を防止でき、断線防止が可能な有機ＥＬ素子用アノード電極の構成とその製造方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、基材上に、散乱膜層、有機膜層Ａ、無機膜層、導電膜層を順次積層した有機ＥＬ素子用アノード電極であって、
前記有機膜層Ａが、屈折率が１．７５以上で、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下で、表面粗さが０．０５μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬ素子用アノード電極である。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、前記有機膜層Ａが、カルド樹脂を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子用アノード電極である。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、前記無機膜層と前記導電膜層との間に、有機膜層Ｂを設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子用アノード電極である。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、前記有機膜層Ｂの屈折率が１．７５以上であり、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下であり、表面粗さが０．０５μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子用アノード電極である。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、基材上に、散乱膜層、有機膜層Ａ、無機膜層、導電膜層を順次積層する有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法であって、
前記散乱膜層を積層し、有機膜層Ａを形成する前に２００℃以上でアニールすることを特徴とする有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法である。
【００１４】
また、請求項６に記載の発明は、基材上に、散乱膜層、有機膜層Ａ、無機膜層、有機膜層Ｂ、導電膜層を順次積層する有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法であって、
前記散乱膜層を積層し、有機膜層Ａを形成する前に２００℃以上でアニールすることを特徴とする有機ＥＬ素子用アノード電極の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、平坦性を与える有機膜の規定がなされ、平坦性が保証されることによっり、劣化や断線を防止できる。そのため耐久性のある実用に耐えうるアノード電極を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の、有機膜層Ａ３を規定した有機ＥＬ素子用アノード電極１０の構成を示した断面概念図である。
【図２】本発明の、有機膜層Ｂ６を新たに設けた有機ＥＬ素子用アノード電極１０の構成を示した断面概念図である。
【図３】従来の有機ＥＬ素子用アノード電極の構成を示した断面概念図である。層構成の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下本発明を実施するための形態を、図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を模式的に示した断面図である。基材1上に、散乱層膜２、有機膜層Ａ３、無機膜層４、導電膜層５の積層体から構成されており、有機膜層Ａ３は、屈折率が１．７５以上で、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下で、表面粗さが０．０５μｍ以下に規定されている。
【００１８】
図２は、本発明の図１の無機膜層４と導電膜層５との間に、有機膜層Ｂ６が挿入された構成となっており、有機膜層Ｂ６もまた、屈折率が１．７５以上で、かつ水分量が３０ｐｐｍ以下で、表面粗さが０．０５μｍ以下に規定されている。
【００１９】
＜基材１＞
基材１は、透明なＧｌａｓｓ材料で構成される。基材１における全光線透過率は９０％以上が望ましい。屈折率は１．５０が望ましい。基材１の材料の具体例としては、アルカリガラス、無アルカリガラスがあるが、無アルカリガラスが望ましく、基材１の厚さは特に限定されていないが、例えば０．３３ｍｍ〜１．１ｍｍが好ましく、０．４ｍｍ〜０．７ｍｍがより好ましい。基材１の厚さが上記範囲の上限値以上、下限値以下の場合、工程で搬送不良が発生する。
【００２０】
＜散乱膜層２＞
散乱膜層２は屈折率＝１．７５以上の有機材料と金属ナノ粒子で構成される。ここでいう屈折率は、分光光度計（Ｕ−４１００）により測定したときの値が１．７５以上のものをいう。
【００２１】
散乱膜層２は水分量＝３０ｐｐｍ以下の有機材料と金属ナノ粒子とフィラーで構成される。ここでいう水分量は、カールフィッシャー測定器（ＡＱ−２１００）により測定したときの値が３０ｐｐｍ以下のものをいう。
【００２２】
有機材料の具体例としては、光硬化性樹脂であるアクリル樹脂等が挙げられ、金属ナノ粒子の具体例としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛等が挙げられる。特に金属ナノ粒子の材料として高い屈折率を有する材料を用いると、散乱膜層２に高い屈折率を付与させることができるので好ましい。
【００２３】
高屈折率を有するナノ粒子材料としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム等が挙げられる。中でも酸化チタンが好ましい。
【００２４】
ナノ粒子の粒子径は特に限定されないが、１０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。粒子径を上記範囲とすることで、よい光を反射させやすく良好な屈折率が得られる。フィラーの具体例としては、シリコンが挙げられる。フィラーの粒子径は特に限定されないが、５００ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましい。粒子径を前記範囲とすることで、より良好な光散乱性が得られる。ナノ粒子とフィラーの混合比は１６０：７が好ましい。
【００２５】
散乱膜層の２厚さは特に限定されないが、例えば０．００１〜１０μｍが好ましく、１．３〜２．０μｍがより好ましい。散乱膜層２の厚さを上記範囲とすることで、良好な屈折率と水分量が得られる。
【００２６】
＜有機膜層Ａ３＞
本特許において有機膜層Ａ３が重要であり、有機膜層Ａ３は屈折率＝１．７５以上の有機材料と金属ナノ粒子で構成されるのが望ましい。ここでいう屈折率は、分光光度計（Ｕ−４１００）により測定したときの値が１．７５以上のものをいう。特に有機膜層Ａ３に、カルド樹脂を使用したほうがより屈折率が高くなり、発光効率が高まるので、効果的である。カルド構造はフルオレンを有するために高屈折な上、比較的低水性でもあり、さらに構造によっては硬化性もあるためである。
【００２７】
カルド樹脂だけでもよいが、カルド樹脂は比較的硬いので、柔軟性付与のためにエポキシ樹脂やアクリル樹脂とブレンドして使用することが好ましい。良好な配合比はカルド樹脂：エポキシ樹脂の重量比率が９：１〜６：４、カルド樹脂：アクリル樹脂の重量比が９：１〜６：４である、エポキシ樹脂とアクリル樹脂を併用する場合もカルド樹脂：エポキシ樹脂＋アクリル樹脂の重量比は９：１〜６：４が好ましい。
【００２８】
エポキシ樹脂とアクリル樹脂を併用する場合は、エポキシリッチが望ましい。特にエポキシ樹脂：アクリル樹脂の重量比率は、９：１〜６：４が望ましい。さらに金属ナノ粒子を加えることで高屈折な樹脂が得られる。
【００２９】
金属ナノ粒子の具体例としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛等が挙げられる。特に金属ナノ粒子の材料として高い屈折率を有する材料を用いると、有機膜層Ａに高い屈折率を付与させることができるので好ましい。高屈折率を有するナノ粒子材料としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム等が挙げられる。中でも酸化チタンが好ましい。
【００３０】
ナノ粒子の粒子径は特に限定されないが、１０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。粒子径を上記範囲とすることで、良好な屈折率が得られ、このような配合比率にすることによって、有機膜層の屈折率は１．７５以上得られる。有機膜層の屈折率を１．７５以上にすることが本特許において必須である。より好ましくは１．７５５以上、最も好ましくは１．７６以上である。屈折率が１．７５未満であれば、発光効率が悪化するので本特許の範囲外である。
【００３１】
さらにこれらの有機膜層Ａ３にある有機膜の水分量を３０ｐｐｍ以下にすることが本特許において必須である。有機膜層Ａ３は水分量＝３０ｐｐｍ以下の有機材料と金属ナノ粒子で構成される。ここでいう水分量は、カールフィッシャー測定器（ＡＱ−２１００）により測定したときの値３０ｐｐｍ以下のものをいう。
【００３２】
水分量が３０ｐｐｍを超えると水分の発生が多くなり、水分が導電膜層５に吸着し、有機ＥＬ素子が劣化する問題が発生する。より好ましくは２０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
【００３３】
さらに有機膜層Ａ３の平坦性として、Ｒａ＝０．０５μｍ以下にすることが本発明において必須である。Ｒａが０．０５μｍを超えると無機膜層４が成膜できない原因となるので、本特許の範囲外である。
【００３４】
カルド樹脂の代わりにスチレン樹脂などを使用しても良い。ただしスチレン樹脂の場合は、カルド樹脂に比べて、屈折率が低いので、より屈折を高くするために金属ナノ粒子をより多く含有したほうが望ましい。
【００３５】
有機膜層Ａ３の厚さは特に限定されないが、例えば０．００１〜１０μｍが好ましく、１．３〜２．０μｍがより好ましい。有機膜層Ａ３の厚さを上記範囲とすることで、良好な屈折率と水分量が得られる。
【００３６】
本発明者等は、これらの条件を満たすことで、劣化や断線のない有機ＥＬ素子アノード電極を見出したのである。
【００３７】
＜無機膜層４＞
無機膜層４は無色透明かつ屈折率＝１．７５以上の無機材料で構成される。ここでいう屈折率は、分光光度計（Ｕ−４１００）により測定したときの値が１．７５以上のものをいう。
【００３８】
無機膜層４は水分量＝１０ｐｐｍ以下の無機材料で構成される。ここでいう水分量は、カールフィッシャー測定器（ＡＱ−２１００）により測定したときの値が１０ｐｐｍ以下のものをいう。
【００３９】
無機膜層４の材料の具体例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＺｎＯ等が好ましい。特に水分量が少ない材料が好ましいため、ＳｉＯ２がより好ましい。無機膜層４の厚さは３００〜１０００Åが好ましい。無機膜層４の厚さを上記範囲とすることで、良好な屈折率と水分量が得られる。
【００４０】
＜導電膜層５＞
導電膜層５は無色透明かつ屈折率＝１．８０以上、シート抵抗値５〜１０Ω／□の無機材料で構成される。ここでいう屈折率は、分光光度計（Ｕ−４１００）によりにより、測定したときの値が１．８０以上のものをいう。ここでいうシート抵抗値は、シート抵抗値計（ＭＦＴ−６００）により測定したときの値が５〜１０Ω／□のものをいう。
【００４１】
導電膜層５は水分量＝１０ｐｐｍ以下の無機材料で構成される。ここでいう水分量は、カールフィッシャー法により測定したときの値が１０ｐｐｍ以下のものをいい、導電膜層５の材料の具体例としては、ＩＴＯ、ＡＴＯ等が好ましい。特に導電性を有する無機材料が好ましいため、ＩＴＯがより好ましく、導電膜層５の厚さは２０００〜３０００Åが好ましく、導電膜層５の厚さを上記範囲とすることで、良好な屈折率と水分量が得られる。
【００４２】
＜有機膜層Ｂ６＞
有機膜層Ｂ６はなくてもよいがあったほうが断線し難くなるので、望ましい。有機膜層Ｂ６は無色透明な有機材料で構成される。特にカルド樹脂を使用することが重要である。カルド樹脂はフルオレン構造を有するために高屈折な上、比較的低吸湿性でもあり、さらに構造によっては硬化性もある。
【００４３】
カルド樹脂だけでもよいが、カルド樹脂は比較的硬いので、柔軟性付与のためにエポキシ樹脂やアクリル樹脂とブレンドして使用することが好ましい。良好な配合比はカルド樹脂：エポキシ樹脂の重量比率が９：１〜６：４、カルド樹脂：アクリル樹脂の重量比が９：１〜６：４である、エポキシ樹脂とアクリル樹脂を併用する場合もカルド樹脂：エポキシ樹脂に加えるアクリル樹脂の重量比は９：１〜６：４が好ましい。このような配合比率にすることによって、有機膜層の屈折率は１．８０以上得られる。有機膜層の屈折率を１．８０以上にすることが本特許の１つのポイントである。屈折率が１．８０未満であれば、発光効率が悪化してしまう。
【００４４】
さらに金属ナノ粒子を加えることで高屈折な樹脂が得られる。金属ナノ粒子の具体例としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛等が挙げられる。特に金属ナノ粒子の材料として高い屈折率を有する材料を用いると、有機膜層Ａ３に高い屈折率を付与させることができるので好ましい。高屈折率を有するナノ粒子材料としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム等が挙げられる。中でも酸化チタンが好ましい。
【００４５】
ナノ粒子の粒子径は特に限定されないが、１０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。粒子径を上記範囲とすることで、良好な屈折率が得られる。このような配合比率にすることによって、有機膜層の屈折率は１．７５以上得られる。有機膜層の屈折率を１．７５以上にすることが本特許において必須である。より好ましくは１．７５５以上、最も好ましくは１．７６以上である。屈折率が１．７５未満であれば、発光効率が悪化する。
【００４６】
さらにこれらの有機膜層Ｂ６にある有機膜の水分量を５０ｐｐｍ以下にすることが本特許において必須である。有機膜層Ｂ６は水分量＝５０ｐｐｍ以下の有機材料と金属ナノ粒子で構成される。ここでいう水分量は、カールフィッシャー測定器（ＡＱ−２１００）により測定したときの値５０ｐｐｍ以下のものをいう。
【００４７】
水分量が５０ｐｐｍを超えると水分の発生が多くなり、水分が導電膜層５に吸着し、有機ＥＬ素子が劣化する問題が発生する。より好ましくは３０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは２０ｐｐｍ以下、最も好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
【００４８】
さらに有機膜層Ｂ６の平坦性として、Ｒａ＝０．０５μｍ以下にすることが本発明において必須であり、Ｒａが０．０５μｍを超えると導電膜層５の断線の原因となるので、本特許の範囲外である。本発明者等はこれらの条件を満たすことで劣化、断線のない有機ＥＬカソード電極１０を見出したのである。
【００４９】
＜製造方法＞
本実施形態の有機ＥＬ素子のアノード電極は、好ましくは以下の方法で製造される。厚さ
０．７ｍｍのＧｌａｓｓ：ＯＡ−１０Ｇ（日本電気硝子社製）の一面上に、有機材料からなる散乱膜層レジスト：アクリル系レジストＮＮ９０１（ＪＳＲ社製）／酸化チタン：酸化チタン（１０ｎｍ：石原産業製）分散液／シリカ：Ｓｃｉｑａｓ（１．０μｍ）分散液（堺化学工業社製）を使用。固形分比は７０％）をフォトリソグラフ法にて形成した。塗工形式はスピンコート法である。散乱膜層の膜厚を１．３μｍとなるようにした。
【００５０】
次いで、有機膜層Ａ３は、レジスト：アクリル系レジストＮＮ９０１（ＪＳＲ社製）と酸化チタン：酸化チタン分散液を使用して、固形分比率７０％となるようにフォトリソグラフ法にて形成した。塗工形式は散乱膜層２と同様スピンコート法である。有機膜層Ａ３の膜厚を１．３μｍとなるようにした。
【００５１】
有機膜層Ａ３を形成する前に、２００℃以上、特に２１０〜２５０℃の範囲、さらに好ましくは２２０〜２４０℃の範囲で２０分以上、特に３０分〜３時間、最も好ましくは４５分〜２時間の条件でアニールを行った。
【００５２】
この後、無機膜層４の成膜を行った。真空チャンバー内を１×１０−３Ｐａ以下まで排気した状態で１時間放置し、膜中の水分を十分に脱気した後、放電用およびスパッタ用ガスとしてアルゴンガスを１００ｓｃｃｍの流量で導入し、圧力を０．３Ｐａにした。さらにさらに反応ガスとして酸素を１０ｓｃｃｍの流量で導入した後、高周波（１３．５５ＭＨｚ）を放電電極に印加して放電を発生させることにより、膜上に厚さ３００ÅのＳｉＯ２を形成した。
【００５３】
この後、導電膜層５の成膜を行った。ＩＴＯ成膜前に、２３０℃１時間の条件でアニールを行った。真空チャンバー内を１×１０−２Ｐａ以下まで排気した後、放電用およびスパッタ用ガスとしてアルゴンガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入し、圧力を０．３５Ｐａにした。さらにさらに反応ガスとして酸素を２０ｓｃｃｍの流量で導入した後、高周波（１３．５０ＭＨｚ）を放電電極に印加して放電を発生させることにより、膜上に厚さ３０００ÅのＩＴＯを形成して有機ＥＬ素子カソード電極１０を得た。
【００５４】
まず基材１上の前面に散乱膜層２を形成する。その形成方法はスピンコート法にて塗膜し、フォトリソグラフ法にてパターニングを実施することが好ましい
以下、本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例１】
【００５５】
ここで作製された有機膜層Ａ３の有機膜の水分量は２８．５ｐｐｍであった。また屈折率は１．７５６であった。また平坦性Ｒａは０．０３０μｍであった。
【実施例２】
【００５６】
実施例１で用いた有機膜層Ａ３の樹脂をアクリル樹脂の代わりに、カルド樹脂とアクリル樹脂の併用系で実施例１と同様に作製した。ここで作製された有機膜の水分量は９．５ｐｐｍであった。また屈折率は１．８０６であった。またＲａ＝０．０１４μｍであった。
【実施例３】
【００５７】
実施例２で使用されたカルド樹脂の代わりにスチレン樹脂を使用した以外は実施例１と同様に作製した。ここで作製された有機膜の水分量は１８．５ｐｐｍであった。また屈折率は１．７５３であった。またＲａ＝０．０４１μｍであった。
【実施例４】
【００５８】
無機膜層４と導電膜層５の間に有機膜層Ｂ６を導入した以外は実施例２と同様に行った。この場合の有機膜層Ｂ６は有機膜層Ａ３と同一組成の樹脂を使用した。ここで作製された有機膜層Ａ３の性能は実施例２と同様であり、有機膜層Ｂ６の性能は、水分量は１５．５ｐｐｍ屈折率は１．８２０であった。また平坦性Ｒａは０．０１５であった。
【００５９】
＜実施例５＞
実施例２の有機膜層Ａ３の樹脂組成を次のように変更した。
【００６０】
カルド樹脂：アクリル樹脂＝２：８
この場合の有機膜層Ａ３の水分量は２５ｐｐｍであった。この場合の屈折率は１．７６５であった。この場合のＲａは０．０２１μｍであった。
【００６１】
＜比較例１＞
実施例３の有機膜層Ａ３の樹脂組成を次のように変更した。
スチレン樹脂：アクリル樹脂＝２：８
この場合の有機膜層Ａ３の水分量は２１ｐｐｍであった。この場合の屈折率は１．７３１であった。この場合のＲａは０．０４５μｍであった。
【００６２】
＜比較例２＞
実施例３の有機膜層Ａ３の樹脂組成を次のように変更した。
スチレン樹脂：アクリル樹脂＝５：５
この場合の有機膜層Ａ３の水分量は２４．５ｐｐｍであった。この場合の屈折率は１．７６１であった。この場合のＲａは０．０６μｍであった。
【００６３】
＜評価方法＞
上記実施例および比較例で得られた有機ＥＬ素子アノード電極について、
＜アノード電極単体での導通性＞
導通性評価は導通検査機（ミヤチシステムズ製）で評価を行い、
◎（最良）：断線・ショートのいずれの発生もなかったもの
ピース換算値：導通不良発生率＜０．１％
○（良）  ：断線・ショートのいずれの発生もなかったもの
ピース換算値：０．１％≦導通不良発生率≦０．３％
×（不良）：断線・ショートのいずれかが発生があったもの
とした。
【００６４】
＜カソード電極を組み合わせたときの光発生効率＞
光発生効率については有機ＥＬ素子を蒸着装置（キヤノントッキ製）にて蒸着後、発光効率を分光放射計（トプコン製）にて測定を実施した。
○（良）  ：４８ｌｍ／Ｗ以上の場合
×（不良）：４８ｌｍ／Ｗ未満の場合
として評価した。（判定基準は、一般照明として使えるレベルとして設定した。）
＜カソード電極を組み合わせたときの劣化の有無＞
劣化無し：素子化後３日以上輝度ムラが発生しなかった場合
劣化あり：素子化後３日未満で輝度ムラが発生した場合
として評価した。
【００６５】
これらの評価結果を下記表１に示す。
【００６６】
【表１】
2015099736.tif 000003
樹脂組成として、カルド樹脂を含有したものは、アクリル樹脂、スチレン樹脂単独より
も、導通性、光発生効率、劣化の有無共に優れていることがわかった。また、屈折率が
１．７３１の比較例１は、屈折率が低い点が問題であり、その光発生効率が基準に達し得なかった。比較例２は、平坦性Ｒａが０．０６と高く、導通不良でカソード電極と組み合わせても点灯しなかった。
【符号の説明】
【００６７】
１・・・基材
２・・・散乱膜層
３・・・有機膜層Ａ
４・・・無機膜層
５・・・導電膜層
６・・・有機膜層Ｂ
１０・・・有機ＥＬ素子用アノード電極
【図１】
2015099736.tif 000004
【図２】
2015099736.tif 000005
【図３】
2015099736.tif 000006