(57)【要約】【課題】表示機能の信頼性の向上と実装の信頼性の双方が向上した電気光学装置を提供すること。【解決手段】第１の絶縁膜４１と、第１の絶縁膜４１上に形成された配線層４３と、第１の絶縁膜４１及び配線層４３を覆うように形成された第２の絶縁膜４２と、第２の絶縁膜４２上に形成され、第２の絶縁膜４２に形成された第１のコンタクトホール３７を介して配線層４３と電気的に接続された画素電極４４と、第２の絶縁膜４２上に形成され、第２の絶縁膜４２に形成された第２のコンタクトホール３８を介して配線層４３と電気的に接続され、第１の層４７と第１の層４７の下層である第２の層４８とを有する実装端子１５と、を備え、画素電極４４と第２の層４８とは、同一の層で形成されていることを特徴とする電気光学装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された配線層と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線層を覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールを介して前記配線層と電気的に接続された画素電極と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２の絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記配線層と電気的に接続され、第１の層と前記第１の層の下層である第２の層とを有する実装端子と、を備え、
前記画素電極と前記第２の層とは、同一の層で形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の層はＡｌまたはＡｌ合金で形成され、前記第２の層はＴｉまたはＴｉ合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の層は、ＡｌＣｕ合金又はＡｌＮｄ合金で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１の層の厚さは、４００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
基板上に、第１の絶縁膜と、配線層と、第２の絶縁膜と、を順に形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の所定の領域を除去して前記配線層に達する第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上にＴｉまたはＴｉ合金からなる第２の層を形成する工程と、
前記第２の層をパターニングして、前記第１のコンタクトホールを含む島状の第１のパターン及び前記第２のコンタクトホールを含む島状の第２のパターンを形成する工程と、
前記第２の絶縁膜と前記第１のパターンと前記第２のパターンとを覆うＡｌまたはＡｌ合金からなる第１の層を形成する工程と、
前記第１の層をパターニングして、前記第２のパターンを覆う島状のパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の平板型表示装置では、一般的に画素電極を用いて、画素毎に表示光（変調等された透過光や反射光を含む）を制御することで、画像を形成している。液晶表示装置等の透過型表示装置では、画素電極の形成材料として、光透過性や耐腐食性の観点から、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ合金）や、ＩＺＯ（酸化インジウム・亜鉛合金）の透過性導電材料が用いられてきた。
一方で、電気泳動表示装置等の反射型表示装置では、一対の電極のうち、表示面の反対側に位置する一方の電極は光透過性を必要とせず、むしろ反射性を有することが好ましい。そのため例えば、特許文献１に示すように、上記一方の電極がＡｌ（アルミニウム）膜と、モリブデンにアルミニウム酸化物を含有させた材料からなる薄膜とを積層した導電膜からなる電気光学装置が提案されている。
また、電気光学装置と外部駆動回路とを電気的に接続させる方法として、信頼性向上のため、電気光学装置の実装端子と外部駆動回路の端子とをボンディングワイヤーで接続させるワイヤーボンディングを用いる方法が挙げられる。その場合、ボンディング性の向上のために、Ａｌ系の実装端子上にめっき処理を施す手法も用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２３００６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電気泳動表示装置は、電荷を帯びた泳動粒子を電界により駆動して表示することから、１０Ｖ程度の高い電圧が印加されることや、電気泳動粒子が分散された分散媒に画素電極が接する構造が採用されることが考えられる。そのため、画素電極や実装端子は高い電圧が印加されたり、電解質を含む分散媒などの材料に接したりしても画素電極や実装端子が腐食するなどの不具合が生じないような耐久性が必要である。また、駆動回数増加や駆動（書き換え）速度向上などにより、より高い耐久性が求められており、Ａｌ系膜の単層の構成では、耐久性の面で不安があるという課題があった。また、耐久性を向上させようとしてめっき処理を施すことは、工数及び製造コストが上昇するという課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された配線層と、前記第１の絶縁膜及び前記配線層を覆うように形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールを介して前記配線層と電気的に接続された画素電極と、前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２の絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記配線層と電気的に接続され、第１の層と前記第１の層の下層である第２の層とを有する実装端子と、を備え、前記画素電極と前記第２の層とは、同一の層で形成されていることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、画素電極の構成と実装端子の構成を異ならせることができる。したがって、このような構成であれば、表示機能の信頼性の向上と実装の信頼性の双方を向上できる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる電気光学装置であって、前記第１の層はＡｌまたはＡｌ合金で形成され、前記第２の層はＴｉまたはＴｉ合金で形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このような構成であれば、画素電極をＴｉまたはＴｉ合金で形成することにより信頼性を向上できる。また、実装端子の上層である第１の層をＡｌまたはＡｌ合金で形成することにより、ワイヤーボンディング性を向上できる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる電気光学装置であって、前記第１の層は、ＡｌＣｕ合金又はＡｌＮｄ合金で形成されていることを特徴とする。
【００１１】
このような構成であれば、ワイヤーボンディング性をより一層向上できる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる電気光学装置であって、前記第１の層の厚さは、４００ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１３】
このような構成の電気光学装置であれば、第１の層のＡｌ層またはＡｌ合金層の厚さを４００ｎｍ以上とすることで、ワイヤーボンディング性をより一層向上できる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、基板上に、第１の絶縁膜と、配線層と、第２の絶縁膜と、を順に形成する工程と、前記第２の絶縁膜の所定の領域を除去して前記配線層に達する第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記第２の絶縁膜上にＴｉまたはＴｉ合金からなる第２の層を形成する工程と、前記第２の層をパターニングして、前記第１のコンタクトホールを含む島状の第１のパターン及び前記第２のコンタクトホールを含む島状の第２のパターンを形成する工程と、
前記第２の絶縁膜と前記第１のパターンと前記第２のパターンとを覆うＡｌまたはＡｌ合金からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層をパターニングして、前記第２のパターンを覆う島状のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
このような製造方法であれば、ＴｉまたはＴｉ合金の単層からなる第１のパターンと、ＴｉまたはＴｉ合金からなる層とＡｌまたはＡｌ合金からなる層との積層構造を有する第２のパターンと、を、製造コストの上昇を抑制しつつ形成できる。したがって、例えば画素電極と実装端子とを備える電気光学装置において、上記双方の要素を異なる材料で形成でき、表示性と耐久性が両立した電気光学装置を低コストで得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態の電気泳動表示装置の構成を示す概略斜視図。
【図２】本実施形態の電気泳動表示装置における画素等の構造を示す概略断面図。
【図３】実装端子及び凹部を平面視した図。
【図４】実装端子の端部の拡大断面図。
【図５】実装端子にボンディングワイヤーが実装される状況を示す図。
【図６】本実施形態の実装端子の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
（第１の実施形態）
＜電気光学装置＞
本実施形態の電気光学装置は、画素電極及び実装端子に特徴があり、電気光学装置としてアクティブ駆動型の電気泳動表示装置を例に挙げ、図１及び図２を参照して説明する。図１は、電気泳動表示装置の構成を示す概略斜視図、図２は電気泳動表示装置における画素電極等の構造を示す概略断面図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の電気光学装置としての電気泳動表示装置１００は、対向して配置された素子基板１１及び対向基板１２を有している。そして、上記の一対の基板間には表示層としての電気泳動層２０（図２参照）が配置されている。なお、本実施形態では、上記の一対の基板は双方とも方形であるが、この形状に限定されるものではない。
【００２０】
電気泳動層２０は、上記一対の基板間において、マトリックス状に区画された複数の領域を有しており、複数の領域のそれぞれが画素Ｐとしての機能を有している。すなわち、マトリックス状に配列された複数の画素Ｐにより表示領域Ｅが構成されている。
なお、本実施形態では、表示領域Ｅにおいて、マトリックス状に配置された画素Ｐの行方向をＸ方向とし、画素Ｐの列方向をＹ方向とし、素子基板１１から対向基板１２に向い、Ｘ方向及びＹ方向と直交する方向をＺ方向として説明する。また、Ｚ方向において、対向基板１２側から見ることを平面視と言う。
また、画素Ｐの配置パターンは上記のマトリックス状に限定されるものではなく、たとえばデルタ状の配置パターンを採用することも可能である。
【００２１】
ここで、素子基板１１は４辺の内の１辺側で対向基板１２よりも大きく、素子基板１１と対向基板１２とを所定の位置で対向させて配置したときに、対向基板１２からはみ出る素子基板１１の部分が端子部１１ａとなっている。そして、端子部１１ａには複数の実装端子１５が配置されている。電気泳動表示装置１００の実装端子１５のそれぞれと外部回路（図示省略）とは、ボンディングワイヤー１３によって電気的に接続されている。
電気泳動表示装置１００は、外部から照射される光を用いて表示が認識される受光型装置である。そして電気泳動表示装置１００は、素子基板１１側に画素Ｐをスイッチング制御するためのトランジスターやトランジスターに繋がる配線等を有しており、実装端子１５は、かかる配線等に接続されている。したがって、電気泳動表示装置１００は実装端子１５を介して伝達される外部回路からの信号や電源によって駆動される。
【００２２】
図２は、電気泳動表示装置１００の構造を示す、図１のＹ方向に沿った概略断面図である。なお、図２では、ボンディングワイヤー１３の図示を省略している。図２に示すように、電気泳動表示装置１００は、素子基板１１と対向基板１２との間に配置された電気泳動層２０と、素子基板１１上に形成された薄膜トランジスター（以下「ＴＦＴ」と称する。）３０等で構成されている。
【００２３】
素子基板１１は、ガラス、プラスチック等の絶縁性の基板が用いられている。上述したように電気泳動表示装置１００は反射型の表示装置であるため、素子基板１１は光透過性を要しない。したがって、セラミック等の不透明な基板を用いることもできる。
対向基板１２は、表示面側に配置され透光性を要するため、ガラスやプラスチック等の透明な基板が用いられている。
【００２４】
素子基板１１上にはＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は島状にパターニングされた半導体層３３と該半導体層３３を含めて素子基板１１の略全面を覆うように形成されたゲート絶縁膜４０と、ゲート電極３６等で構成されている。
半導体層３３は例えば多結晶シリコンからなり、図示は省略しているが、注入された不純物の濃度の差により、チャネル領域とソース・ドレイン領域とに区画されている。ゲート電極３６に重なる領域がチャネル領域であり、その両側の領域がソース・ドレイン領域である。ＴＦＴ３０は第１の層間絶縁膜４１で覆われている。第１の層間絶縁膜４１は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。
【００２５】
第１の層間絶縁膜４１におけるソース・ドレイン領域と重なる領域には、コンタクトホール３４が形成されている。コンタクトホール３４はフォトリソグラフィー法により第１の層間絶縁膜４１を局所的にエッチングすることで形成されている。
そして第１の層間絶縁膜４１上には、該コンタクトホール３４を介してソース・ドレイン領域と接続される配線層４３が形成されている。本実施形態では、第１の層間絶縁膜４１と後述する第２の層間絶縁膜４２との間に形成される導電材料からなる層を、全て配線層４３と称している。なお、図左側の実装端子１５側のコンタクトホール３４は図示を省略している。
配線層４３は具体的にはソース線あるいは中継電極等である。配線層４３はＡｌ合金等からなり、同一の材料層をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることで一括して形成されている。
【００２６】
配線層４３等が形成された素子基板１１上には、例えばアクリル樹脂からなる第２の層間絶縁膜４２が形成されている。そして、第２の層間絶縁膜４２上には、画素電極４４と実装端子１５が形成されている。画素電極４４は島状にパターニングされた導電材料層であり、上記の画素Ｐ（図１参照）毎に形成されている。なお画素電極４４及び実装端子１５の形成材料等については後述する。
画素電極４４は、第２の層間絶縁膜４２に形成された第１のコンタクトホール３７を介して配線層４３と接続されている。より詳細には、画素電極４４は、第１のコンタクトホ−ル３７、配線層４３、及びコンタクトホール３４を介してＴＦＴ３０と接続されている。したがって、画素電極４４はＴＦＴ３０により個別に制御することが可能である。
【００２７】
実装端子１５も島状にパターニングされた導電性材料層である。上述したように、素子基板１１は１辺側で対向基板１２よりも大きく、かかる側が後述するシール材３９からはみ出している。実装端子１５はかかるはみ出した領域である端子部１１ａ（図１参照）に形成されている。
【００２８】
そして実装端子１５の一部は、図示するように第２の層間絶縁膜４２をエッチングして形成された凹部５０内に形成されている。かかる凹部５０内に形成された部分は、ボンディングワイヤー１３（図１参照）がボンディングされる部分（領域）である。
実装端子１５は、第２の層間絶縁膜４２に形成された第２のコンタクトホール３８を介して配線層４３と接続されている。第１のコンタクトホール３７、第２のコンタクトホール３８及び凹部５０は、上述のコンタクトホール３４と同様に、第２の層間絶縁膜４２をフォトリソグラフィー法により局所的にエッチングすることで形成されている。ここで、第２の層間絶縁膜４２の形成材料に感光性のアクリル樹脂材料を用いれば、フォトリソグラフィー法により感光性のアクリル樹脂材料層を露光・現像して、第１のコンタクトホール３７、第２のコンタクトホール３８、凹部５０を有する第２の層間絶縁膜４２を形成できる。言い換えれば、第２の層間絶縁膜４２を局所的にエッチングする工程におけるレジスト層の形成工程を省くことができる。
【００２９】
また、第２の層間絶縁膜４２上には（正確には第２の層間絶縁膜４２と対向基板１２との間には）、シール材３９が形成されている。シール材３９は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなり、対向基板１２の外縁に沿って配置されている。すなわち、シール材３９は平面視で表示領域Ｅを囲むように環状に配置されている。したがって、素子基板１１と対向基板１２とは、シール材３９を介して対向して配置されている。そして、素子基板１１と対向基板１２との一対の基板とシール材３９とで構成される空間内が電気泳動層２０となっている。
【００３０】
電気泳動層２０は、より具体的には、一対の基板の双方に形成された電極間に配置されている。すなわち、素子基板１１に形成された画素電極４４と対向基板１２に形成された対向電極４５との間に配置されている。対向電極４５は対向基板１２と同様に光透過性を要するので、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明性導電材料で形成されている。そして画素電極４４とは異なり、表示領域Ｅの略全域に、区画されずに形成されている。したがって、対向電極４５は、表示領域Ｅに配置された全ての画素Ｐに対する共通電極として機能している。なお、本実施形態では対向電極４５はシール材３９の内側に形成されているが、対向電極４５とシール材３９とが対向基板１２の外縁において重なる態様も可能である。
上述したように、画素電極４４は画素Ｐ毎に形成され、ＴＦＴ３０により個別に制御可能である。したがって、電気泳動表示装置１００において、各々の画素Ｐ毎に画素電極４４と対向電極４５との間に任意に電圧を印加できる。
【００３１】
電気泳動層２０は、マイクロカプセル２４と、接着層４６と、で構成されている。接着層４６は両面が接着性を有するシート状の基材であり、一方の面にマイクロカプセル２４が単層かつできるだけ隙間が生じないように敷き詰められている。そして他方の面が、画素電極４４が形成された素子基板１１上に貼り付けられている。そしてかかる接着層４６は電解質を含んでいる。
【００３２】
マイクロカプセル２４は直径が略３０μｍ〜７５μｍであり、図示するように画素電極４４と対向電極４５との間に、Ｚ方向で１層（単層）、Ｘ方向及びＹ方向では互いに接するように配置されている。したがって、マイクロカプセル２４の直径は画素電極４４と対向電極４５との間の寸法と略同一である。そして各々の画素電極４４上には、略同一の数のマイクロカプセル２４が配置されている。
【００３３】
マイクロカプセル２４は、複数の電気泳動粒子と分散媒２３とが封入された球状体である。電気泳動粒子は、黒色電気泳動粒子（以下、「黒色粒子」と称する。）２１と、白色電気泳動粒子（以下、「白色粒子」と称する。）２２と、を含んでいる。そして、マイクロカプセル２４の外殻部（壁膜）は、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルなどのアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴムなどの透光性を持つ高分子樹脂などを用いて形成されている。
【００３４】
分散媒２３としては、水、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど）、エステル類（酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど）、脂肪族炭化水素（ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど）、脂環式炭化水素（シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類（キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど））、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなど）、カルボン酸塩などを例示できる。また、例えばシリコーンオイルなどの油類であってもよい。これらの物質は単独または混合物として用いることができる。
【００３５】
黒色粒子２１は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラックなどの黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）である。白色粒子２２は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）である。これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
そして、黒色粒子２１と白色粒子２２は互いに反対の電位を有するように帯電されて用いられる。黒色粒子２１が正に帯電されて用いられる場合、白色粒子２２は負に帯電されて用いられる。そして、かかる電位の違いを利用し、画素Ｐ毎に画素電極４４と対向電極４５との間に電圧を印加することで表示領域Ｅに画像を形成できる。
【００３６】
図２では、画素Ｐが黒色表示となっている場合を示している。黒色表示を行う場合、画素電極４４と対向電極４５との間に直流の駆動電圧を印加して、対向電極４５を相対的に低電位、画素電極４４を相対的に高電位に保持する。これにより、正に帯電した黒色粒子２１が対向電極４５に引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子２２が画素電極４４に引き寄せられる。その結果、対向電極４５（対向基板）側から画素Ｐを見ると、黒色が認識される。
【００３７】
また、白色表示を行う場合、対向電極４５が相対的に高電位、画素電極４４が相対的に低電位となるように画素電極４４と対向電極４５との間に直流の駆動電圧を印加すればいい。これにより、負に帯電した白色粒子２２が対向電極４５に引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子２１が画素電極４４に引き寄せられる。その結果、対向電極４５側から画素Ｐを見ると、白色が認識される。
なお、黒色粒子２１及び白色粒子２２に代えて、例えば赤色、緑色、青色などの顔料を用いた粒子を用いてもよい。かかる構成であれば、カラー表示を行うこともできる。
【００３８】
＜画素電極及び実装端子＞
このように、電気泳動表示装置１００では、画素電極４４に電圧を印加することにより画像表示を行っている。そして画素電極４４（及び対向電極４５）は、電気泳動層２０、具体的には接着層４６及びマイクロカプセル２４と接触している。ここで接着層４６は、上述したように電解質を含んでいる。したがって、画素電極４４は、電解質に耐える材料、すなわち耐腐食性を有する材料で形成されていることが好ましい。
また、画素電極４４は、対向電極４５と異なり光透過性を要せず、表示性能の向上のためには反射性（光反射性）を必要としている。したがって、反射性の高い金属材料で形成されていることが好ましい。
【００３９】
また、実装端子１５は、反射性は必要としない一方で、ボンディング性すなわちボンディングワイヤー１３が良好に接続される性質を必要とする。そして、画素電極４４と実装端子１５の双方は第２の層間絶縁膜４２上に形成されていることから、できるだけ共通の工程で形成されることが好ましい。そこで本実施形態の電気泳動表示装置１００では、実装端子１５を第１の層４７とその下層である第２の層４８との積層構造とし、該第２の層を画素電極４４の形成層と同一の層とすることで、製造コストの増加を抑制しつつ、上述の条件を満たしている。
【００４０】
図３は、実装端子１５及び凹部５０を平面視（Ｚ方向から見ること）した図である。
図４は、実装端子１５の端部の拡大断面図である。以下、図２〜図４を用いて実装端子１５と画素電極４４の構成を説明する。
【００４１】
上述したように、そして図２に示すように、実装端子１５は第１の層４７とその下層である第２の層４８とで形成され、画素電極４４は第２の層４８の単層で形成されている。
本実施形態の電気泳動表示装置１００において、第２の層４８はＴｉ（チタン）で形成されている。第２の層４８の形成材料はＴｉに限定されることはなく、ＴｉＮ（窒化チタン）あるいはＴｉと他の金属との合金を用いることもできる。第２の層４８の層厚は５０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、本実施形態の電気泳動表示装置１００においては２００ｎｍに設定されている。
【００４２】
本実施形態の電気泳動表示装置１００において、第１の層４７はＡｌＣｕ（アルミニウム・銅合金）で形成されている。第１の層４７の形成材料はＡｌＣｕに限定されることはなく、ＡｌＮｄ（アルミニウム・ネオジウム合金）あるいはＡｌと他の金属との合金を用いることもできる。第１の層４７の層厚は２００ｎｍ〜７００ｎｍが好ましく、本実施形態の電気泳動表示装置１００においては４００ｎｍに設定されている。
【００４３】
図３に示すように、実装端子１５は、配線層４３に接続されている第２のコンタクトホール３８と該第２のコンタクトホール３８に間隔を置いて形成された凹部５０を平面視で含むように島状に形成されている。したがって、実装端子１５の端部（外縁部）は、全周囲において第２の層間絶縁膜４２上に位置している。
そして、図４に示すように、第１の層４７すなわちＡｌＣｕ層の層厚ｔ１は第２の層４８すなわちＴｉ層の層厚ｔ２よりも厚く、実装端子１５の端部において、第２の層４８すなわちＴｉ層は、第１の層４７すなわちＡｌＣｕ層で覆われている。
【００４４】
＜効果＞
本実施形態の電気泳動表示装置１００は、以下に記載する効果を得ている。
まず、画素電極４４の耐腐食性の向上が挙げられる。従来の電気泳動表示装置に用いられてきたＩＴＯあるいはＩＺＯ等の透過性導電材料からなる画素電極は反射性が低く、表示性能が劣ることがあるという問題がある。一方、ＡｌあるいはＡｌ合金からなる画素電極は電解質を含む物質と接触する状態で用いられた場合、耐腐食性（耐久性）に問題がある。
ここで、ＴｉあるいはＴｉ合金等は金属材料であるからＡｌに近い反射性を有し、かつＡｌ以上の耐腐食性を有する。したがって、本実施形態の電気泳動表示装置１００は、反射性と耐腐食性の双方が満足できるレベルの画素電極４４を備えており、表示性能と信頼性を高いレベルで両立できている。
【００４５】
また、本実施形態の電気泳動表示装置１００は、実装端子１５のボンディング性の向上効果も得ている。
図５は、実装端子１５にボンディングワイヤー１３が実装される状況を示す図である。図５（ａ）が本実施形態の、第１の層４７のＡｌＣｕ膜と第２の層４８のＴｉ膜の積層構造を有する実装端子１５を示す図であり、図５（ｂ）は比較例としての単層構造の実装端子１５ａを示す図である。なお、図５においては、実装端子１５（１５ａ）に関係する要素以外は第２の層間絶縁膜４２のみを図示し、他の構成要素は図示を省略して簡略化している。
【００４６】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、実装端子１５（１５ａ）にはボンディングワイヤー１３が実装される。ボンディングワイヤー１３の実装は、ボンディングワイヤー１３の先端に強い圧力をかけつつ実装端子１５（１５ａ）に密着させることで、電気的及び機械的な接続を得ている。本実施形態におけるボンディングワイヤー１３は、Ａｌ（アルミニウム）からなり、ワイヤー径は例えば５０〜１００μｍである。なお、ボンディングワイヤー１３はＡｌに限定されるものではない。
【００４７】
したがって、ボンディング時（実装時）には、実装端子１５（１５ａ）に図中の矢印で示す方向に強い圧力が印加される。ボンディングが良好に行われるためには、ボンディング時の圧力が分散されることが必要となる。ボンディング時の圧力の分散は、硬度等が異なる層同士の層間（境界面）が存在している方がスムーズに行われる。図５（ｂ）に示すように第１の層の単層からなる実装端子１５ａの場合、層間が存在しないため、ボンディング時の圧力の分散性が若干劣っている。一方、本実施形態にかかる実装端子１５は、図５（ａ）に示すように、第２の層４８に第１の層４７が積層されて形成されているため、ボンディング時の圧力が層間を伝わって分散されやすい。
【００４８】
また、本実施形態の実装端子１５では、ＡｌＣｕ膜からなる第１の層４７がＴｉ膜からなる第２の層４８に比べて厚く形成されていることもボンディング時の圧力の分散に効果を奏している。ＡｌＣｕ膜はＴｉ膜よりも硬度が低い。かかる低硬度のＡｌＣｕ膜でＴｉ膜が覆われているため、ボンディング時の圧力が吸収されやすい。そして、第２の層４８の端部が第１の層４７で完全に覆われていることもボンディング時の圧力の吸収に効果を奏している。
【００４９】
さらに、実装端子１５は凹部５０内に形成されていることも、ボンディング時の圧力の吸収に効果を奏している。凹部５０により第１の層４７と第２の層４８の双方の膜の面積が実質的に拡大されている。したがって、平面視における面積が同じであっても、実質的により広い表面積を有する実装端子を実現でき、ボンディングワイヤー１３の良好な接続を可能にしている。
【００５０】
そして、本実施形態の実装端子は、工程数の増加を最小限に抑制して形成できる。図６は、本実施形態の実装端子１５の製造方法を示す概略断面図である。以下、工程順に説明する。なお、図６においては、画素電極４４及び実装端子１５の形成に関係する要素以外は図示を省略して簡略化している。
【００５１】
＜製造方法＞
まず、図６（ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜４１上に配線層４３を形成し、さらに該第１の層間絶縁膜４１と該配線層４３とを覆う第２の層間絶縁膜４２を形成する。
次に、図６（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁膜４２の所定の領域をフォトリソグラフィー法により局所的に除去して、凹部５０、第１のコンタクトホール３７、第２のコンタクトホール３８、を形成する。
【００５２】
次に、凹部５０等が形成された第２の層間絶縁膜４２上にＴｉ膜を形成する。膜厚は上記のように略２００ｎｍである。そしてかかるＴｉ膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、図６（ｃ）に示すように、将来的に画素電極４４が形成される領域である第１領域５１と、実装端子１５が形成される領域である第２領域５２とに、Ｔｉ膜からなる第２の層４８を形成する。画素電極４４は、第２の層４８のみで構成されている。したがって、かかる工程で画素電極４４の形成は完了する。
【００５３】
次に、図６（ｄ）に示すように、画素電極４４等が形成された第２の層間絶縁膜４２上に第１の層前駆体４７ａ（ＡｌＣｕ膜）を形成する。膜厚は上記のように略４００ｎｍである。
次に、図６（ｅ）に示すように、第１の層前駆体４７ａを、第２領域５２にのみ残るようにフォトリソグラフィー法によりパターニングして、ＡｌＣｕ膜からなる第１の層４７を形成する。ここで上述したように、第１の層４７は第２の層４８の端部を覆うように形成する。したがって、第２の層４８は正確には第２領域５２の若干内側に形成されている。
【００５４】
以上の工程で、第１の層４７と第２の層４８の積層構造を有する実装端子１５と、第２の層４８の単層からなる画素電極４４が形成される。図示するように、実装端子１５は第２のコンタクトホール３８を介して配線層４３と接続され、画素電極４４は第１のコンタクトホール３７を介して配線層４３と接続されている。
【００５５】
かかる実装端子１５及び画素電極４４の製造工程を含む電気泳動表示装置１００の製造方法によれば、実装端子１５と画素電極４４とは、第２の層４８としてのＴｉ層が共通しているため、工数の増加が抑制されている。したがって、上述の製造方法によれば、表示性能と耐久性が両立した電気泳動表示装置１００を低コストで得ることができる。
【００５６】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う画素電極及び該画素電極を備える電気泳動表示装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００５７】
（変形例１）
本発明が適用可能な電気光学装置は、電気泳動表示装置１００に限定されない。例えば、電気光学装置としてＯＬＥＤ（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）を用いることもできる。ＯＬＥＤにも実装端子があり、トップエミッション型であれば画素電極に光透過性は必要としない。したがって、上述の構成の実装端子及び画素電極を用いることで、表示性能と信頼性が両立したＯＬＥＤを実現できる。
【符号の説明】
【００５８】
１１…素子基板、１１ａ…端子部、１２…対向基板、１３…ボンディングワイヤー、１５…実装端子、１５ａ…実装端子、２０…電気泳動層、２１…黒色粒子、２２…白色粒子、２３…分散媒、２４…マイクロカプセル、３０…ＴＦＴ、３３…半導体層、３４…コンタクトホール、３６…ゲート電極、３７…第１のコンタクトホール、３８…第２のコンタクトホール、３９…シール材、４０…ゲート絶縁膜、４１…第１の層間絶縁膜、４２…第２の層間絶縁膜、４３…配線層、４４…画素電極、４５…対向電極、４６…接着層、４７…第１の層、４７ａ…第１の層前駆体、４８…第２の層、５０…凹部、５１…第１領域、５２…第２領域、１００…電気泳動表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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