(57)【要約】【課題】  電子部品等の接続信頼性が高い配線基板および電子装置を提供すること。【解決手段】  絶縁基板１と、絶縁基板１の第１主面に設けられた第１導体層２Ａと、第１導体層２Ａを被覆している第１めっき層３とを備えており、第１めっき層３は、第１導体層２Ａの表面から順に被着された、ニッケル−コバルトめっき層３ａ、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂおよび金めっき層３ｃを含んでいる配線基板４である。パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂによってニッケル成分の金めっき層３ｃへの拡散が抑制され、コバルトとの合金化（固溶体化）によってパラジウムの金めっき層３ｃへの拡散が抑制されている。【選択図】  図１
2015099905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の搭載部を含む第１主面と、該第１主面と反対側の第２主面とを有する絶縁基板と、
該絶縁基板の前記搭載部に設けられており、前記電子部品が電気的に接続される第１導体層と、
該第１導体層を被覆している第１めっき層とを備えており、
該第１めっき層は、前記第１導体層の表面から順に被着された、ニッケル−コバルトめっき層、パラジウム−コバルト合金めっき層および金めっき層を含んでいることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記パラジウム−コバルト合金めっき層におけるコバルトの含有率が０．１〜５０質量％であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２主面に設けられており、外部電気回路にはんだを介して接続される第２導体層と、
該第２導体層を被覆している第２めっき層とをさらに備えており、
該第２めっき層は、前記第２導体層の表面から順に被着された、ニッケルめっき層および金めっき層を含んでいることを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２めっき層が、前記ニッケルめっき層と前記金めっき層との間に設けられたパラジウムめっき層をさらに含んでいることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁基板の前記搭載部または該搭載部の周辺に前記第１導体層から離間して設けられた第３導体層と、
該第３導体層を被覆している第３めっき層とをさらに備えており、
該第３めっき層は、前記第３導体層の表面から順に被着された、ニッケル−コバルトめっき層、パラジウム−コバルト合金めっき層および金−銀合金めっき層を含んでいることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
電子部品の搭載部を含む第１主面を有する絶縁基板と、
該絶縁基板の前記第１主面に設けられた第４導体層と、
該第４導体層を被覆している第４めっき層とを備えており、
該第４めっき層は、前記導体層の表面から順に被着された、ニッケル−コバルトめっき層、パラジウム−コバルト合金めっき層および金−銀合金めっき層を含んでいることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の配線基板と、
前記搭載部に搭載された電子部品とを備えることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品搭載用等に用いられる配線基板、およびその配線基板を用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を含む半導体素子および圧電素子等の電子部品が搭載される配線基板として、セラミック基板等の絶縁基板と、絶縁基板の表面に設けられた導体層とを含む配線基板が多用されている。導体層は、電子部品との電気的な接続用、または電子部品（発光素子）から放射された光の反射用等であり、例えばセラミック基板と同時焼成されたタングステン等のメタライズ層を含んで形成されている。通常、導体層の露出表面には、酸化の抑制およびはんだ等の接続材の濡れ性の向上、または光の反射率向上等のために、めっき層が被着されている。
【０００３】
めっき層としては、導体層の表面から順に被着されたニッケルめっき層、パラジウムめっき層および表層めっき層を含むものが知られている。表層めっき層は、金めっき層または金−銀合金めっき層等の金を含むめっき層である。導体層に電子部品がボンディングワイヤ等の接続材を介して接続される際に、例えば約180〜250℃程度の温度で熱処理が行なわれる。
【０００４】
この熱処理時の熱等によるニッケルめっき層中のニッケルの表層めっき層への拡散が、パラジウムめっき層により抑制される。なお、ニッケルが表層めっき層の表面に拡散すると、そのニッケル成分の酸化等のために、導体層（めっき層）に対するボンディングワイヤのボンディング性低下、または光の反射率の低下等の不具合が生じる可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭62−109993号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、近年、上記熱処理時に配線導体に加わる熱量が増加する傾向があり、この熱量の増加に伴いパラジウムめっき層のパラジウムが表層めっき層に拡散する可能性が高くなってきている。表層めっき層内にパラジウムが拡散した場合、パラジウムと金とで固溶体が形成され、表層めっき層の硬度の増加によるボンディングワイヤのボンディング性の低下等の、接続材の接続性の低下が生じる可能性がある。また、表層めっき層の光の反射率が低下する可能性がある。熱量の増加は、例えば接続材のいわゆる鉛フリー化による熱処理温度の上昇、または配線基板の小型化（いわゆるアレイ状の形態での接続材の接続）に伴う熱処理時間の増加等による。
【０００７】
例えば、近年、多数の小型の配線基板がアレイ状に配置された形態で、これらの配線基板のめっき層が被着された配線導体にＡｕワイヤーが連続してボンディングされる場合がある。この場合には、180〜250℃程度の温度で加熱が行なわれるが、多数の配線基板の全てにボンディングするには30分〜２時間程度の時間がかかる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの態様の配線基板は、電子部品の搭載部を含む第１主面と、該第１主面と反対側の第２主面とを有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記搭載部に設けられており、前
記電子部品が電気的に接続される第１導体層と、該第１導体層を被覆している第１めっき層とを備えており、該第１めっき層は、前記第１導体層の表面から順に被着された、ニッケル−コバルトめっき層、パラジウム−コバルト合金めっき層および金めっき層を含んでいる。
【０００９】
本発明の他の態様の配線基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けられた導体層と、該導体層を被覆しているめっき層とを備えており、該めっき層は、前記導体層の表面から順に被着された、ニッケルめっき層、パラジウム−コバルト合金めっき層および金−銀合金めっき層を含んでいる。
【００１０】
本発明の一つの態様の電子装置は、上記構成の配線基板と、前記搭載部に搭載された電子部品とを有している。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一つの態様の配線基板によれば、ニッケル−コバルトめっき層と金めっき層との間にパラジウム−コバルト合金めっき層が介在していることから、ニッケル−コバルトめっき層中のニッケルの金めっき層への拡散が、パラジウム−コバルト合金めっき層によって効果的に抑制される。そのため、金めっき層の表面へのニッケルの拡散が抑制されている。また、上記電子部品の接続時の加熱温度程度ではコバルトは金に固溶しない。また、パラジウム−コバルト合金めっき層は固溶体として存在していると推定され、コバルトの効果により、パラジウムは、パラジウム単体で存在している場合に比べて金には固溶しにくい。そのため、パラジウム−コバルト合金めっき層のパラジウム成分が金めっき層に拡散することは抑制されている。したがって、第１めっき層が被着された第１導体層におけるボンディングワイヤ等の接続性が高い配線基板を提供することができる。
【００１２】
本発明の他の態様の配線基板によれば、ニッケル−コバルトめっき層と金−銀合金めっき層との間にパラジウム−コバルト合金めっき層が介在していることから、ニッケル−コバルトめっき層中のニッケルの金−銀合金めっき層への拡散が、パラジウム−コバルト合金めっき層によって効果的に抑制される。そのため、金−銀合金めっき層の表面へのニッケルの拡散が抑制されている。また、上記電子部品の接続時の加熱温度程度ではコバルトは金および銀のいずれとも固溶しない。また、パラジウム−コバルト合金めっき層は固溶体として存在していると推定され、コバルトの効果により、パラジウムは、パラジウム単体で存在している場合に比べて金および銀には固溶しにくい。そのため、パラジウム−コバルト合金めっき層のパラジウム成分が金−銀合金めっき層に拡散することは抑制されている。したがって、めっき層が被着された導体層における接続性、および光の反射率が高い配線基板を提供することができる。
【００１３】
本発明の一つの態様の電子装置によれば、上記いずれかの構成の配線基板と、その配線基板に接続搭載された電子部品とを含むことから、ニッケル成分等が金めっき層または金−銀合金めっき層の表面に拡散することが抑制されている。そのため、電子部品の配線基板に対する接続信頼性および光の反射率等が高い電子装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態の配線基板および電子装置を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の要部（Ａ）を拡大して示す断面図である。
【図２】（ａ）は図１に示す配線基板および電子装置における他の要部（Ｂ）の一例を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の変形例を示す断面図である。
【図３】（ａ）は図１（ａ）の変形例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の要部（Ａ）を拡大して示す断面図であり、（ｃ）は（ａ）の他の要部（Ｃ）を拡大して示す断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の第２の実施形態の配線基板および電子装置を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の要部である第４導体部分を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図１を参照して本発明の実施形態における配線基板および電子装置について説明する。なお、以下の説明における光の反射率とは可視光の反射率であり、単に反射率という場合がある。また、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に配線基板または電子装置が使用される際の上下を規定するものではない。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は本発明の実施形態の配線基板および電子装置を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の要部（破線で囲んだＡ部分）を拡大して示す断面図である。
【００１７】
実施形態の配線基板４は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられた第１導体層２Ａとしての配線導体と、第１導体層（配線導体）２Ａの露出した表面に被着されているめっき層３とを有している。めっき層３は、第１導体層（配線導体）２Ａの表面から順次被着されたニッケルめっき層３ａ、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂおよび金めっき層３ｃを含んでいる。また、配線基板４に電子部品５が搭載されて電子装置７が形成されている。
【００１８】
絶縁基板１は、例えば、四角板状（直方体状）であり、第１主面（図１の例では上面）の中央部に電子部品を搭載するための搭載部１ａを有している。絶縁基板１は、例えば複数の絶縁層（図示せず）が積層されて形成されている。各絶縁層は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム焼結体、ムライト質焼結体またはガラス−セラミック焼結体等の絶縁材料からなり、例えば同様のセラミック材料からなる各絶縁層が同時焼成されて絶縁基板１が作製されている。なお、絶縁基板１は、上面に凹部（図示せず）を有し、この凹部内に電子部品の搭載部が設けられたものであってもよい。
【００１９】
このような絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合して作製したスラリーを、ドクターブレード法等のシート成形法によりシート状にすることにより複数枚のセラミックグリーンシートを成形し、これらを積層した後に、その積層体を高温で焼成することにより製作される。
【００２０】
絶縁基板１の上面に設けられた第１導体層（配線導体）２Ａは、例えば搭載部１ａに搭載される電子部品を外部電気回路に接続するための導電路を形成している。この場合、第１導体層（配線導体）２Ａは、搭載部１ａから絶縁基板１の内部または側面等を通って絶縁基板１の第１主面と反対側の第２主面（図１の例では下面）にかけて形成された接続導体（符号なし）を介して絶縁基板１の下面に電気的に導出されている。また、絶縁基板１の下面には、第２導体層２Ｂとして外部パッド等が設けられている。接続導体等を介して第１導体層（配線導体）２Ａと第２導体層（外部パッド）２Ｂとが互いに電気的に接続されている。なお、接続導体のうち絶縁基板１の内部を通る部分の一部は図示していない。
【００２１】
第１導体層（配線導体）２Ａに電子部品５がボンディングワイヤ６Ａまたは金バンプ（図示せず）等の接続材を介して電気的および機械的に接続されている。また、第２導体層（外部パッド）２Ｂは、はんだバンプ６Ｂまたはリード端子（図示せず）等の外部接続材を介して外部電気回路（図示せず）に電気的および機械的に接続される。
【００２２】
ボンディングワイヤ６Ａは、例えば金またはアルミニウムからなる、直径が約10〜30μｍの線材である。ボンディングワイヤ６Ａの第１導体層（配線導体）２Ａに対する接続は
、ボールボンド法またはウエッジボンド法等のボンディング法によって行なわれる。
【００２３】
外部接続材としてのはんだバンプ６ｂを形成している材料としては、例えばスズ−銀系、スズ−銀−ビスマス系、スズ−銀−銅系またはスズ−鉛系等のはんだ等が挙げられる。環境への影響を考慮すれば、鉛を含まないはんだ（いわゆる鉛フリーはんだ）が好ましい。
【００２４】
第１導体層（配線導体）２Ａに被着された第１めっき層３は、第１導体層（配線導体）２Ａの酸化等の劣化を抑制するとともに、ボンディングワイヤ６Ａのボンディング性等の、接続材の接続性を高めるためのものである。
【００２５】
ニッケル−コバルトめっき層３ａは、第１めっき層３全体の第１導体層（配線導体）２Ａに対する被着の強度を確保するための下地となる部分である。金めっき層３ｃは、ボンディングワイヤ６Ａ等の接続性を高くするとともに、ニッケル−コバルトめっき層３ａを含む第１めっき層３全体および第１導体層（配線導体）２Ａを保護して酸化を抑制するための部分である。パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂは、ニッケル−コバルトめっき層３ａのニッケルが金めっき層３ｃに拡散することを抑制するための部分である。
【００２６】
配線基板４に対する電子部品５の搭載、具体的には第１導体層（配線導体）２Ａに対するボンディングワイヤ６Ａを介した電子部品５の電気的な接続は、例えば次のようにして行なわれる。まず、配線基板４を準備するとともに、搭載部１ａに電子部品５をろう材またはガラス等の接合材（図示せず）により接合する。その後、画像認識装置等によって位置合わせしながら、第１導体層（配線導体）２Ａと電子部品５の電極とに順次ボンディングワイヤ６Ａを上記ボンディング法によって接合する。この間、配線基板４をボンディングに適した温度（例えば180〜250℃程度）に加熱しておく。これにより、ボンディングワイヤ６Ａを介した電子部品５の第１導体層（配線導体）２Ａに対する接続が行なわれ、電子部品５が配線基板４に搭載される。
【００２７】
実施形態の配線基板４においては、ニッケル−コバルトめっき層３ａと金めっき層３ｃとの間にパラジウム−コバルト合金めっき層３ｂが介在していることから、ニッケル−コバルトめっき層３ａ中のニッケルの金めっき層３ｃへの拡散が、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂによって効果的に抑制される。そのため、金めっき層３ｃの表面へのニッケルの拡散が抑制された配線基板４を提供できる。これは、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂにコバルトが含まれているため、同じ鉄族金属であるニッケルのパラジウム−コバルト合金めっき層３ｂへの拡散が抑制され、その結果、ニッケルの金めっき層３ｃへの拡散が抑制されることによると推定される。
【００２８】
なお、上記電子部品の接続時の加熱温度程度ではコバルトは金に固溶しない。そのため、パラジウム−コバルト合金めっき層のコバルト成分が金めっき層に拡散することは抑制されている。
【００２９】
また、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂのパラジウムについても、金めっき層３ｃへの拡散が抑制されている。これは、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂがパラジウムとコバルトとの固溶体として存在していると推定され、パラジウムの金めっき層３ｃへの拡散が抑制されていることによる。また、パラジウムが金めっき層３ｃに多少拡散したとしても、その拡散量が抑制されていることから、金めっき層３ｃにおいて接続性低下等の不具合を起こす可能性は極めて小さい。
【００３０】
したがって、熱による接続材６の接続性等への影響が従来技術よりも小さい、いわゆる耐熱性に優れた配線基板４を提供することができる。
【００３１】
ニッケル−コバルトめっき層３ａの厚みは、約１〜20μｍ程度の範囲に設定すればよい。この場合、めっき層３全体の絶縁基板１に対する接合強度をより確実に高く確保することができる。また、ニッケルめっき層３ａの内部応力によるめっき層３の絶縁基板１からの剥がれ等の不具合がより効果的に抑制される。
【００３２】
ニッケル−コバルトめっき層３ａにおけるコバルトは、ニッケル成分のパラジウム−コバルト合金めっき層３ｂへの拡散を抑制する。ニッケル−コバルトめっき層３ａにおけるコバルトの含有率は、例えば１〜20質量％程度に設定されていればよい。これにより、ニッケル成分の拡散が抑制され、また下地めっき層としてのニッケル−コバルトめっき層３ａの第１導体層（配線導体）２Ａに対する密着性等の特性が高く確保され得る。ニッケル−コバルトめっき層３ａにおいて、ニッケルとコバルトとは合金化していてもよく、合金化していなくてもよい。
【００３３】
パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂの厚みは、約0.01〜２μｍ程度の範囲に設定すればよい。この場合、ニッケルめっき層３ａのニッケルが金めっき層３ｃに拡散することがより効果的に抑制される。また、配線基板４としての生産性および経済性等の点についても良好である。
【００３４】
金めっき層３ｃの厚みは、約0.1〜0.5μｍ程度の範囲に設定すればよい。この場合、第１導体層（配線導体）２Ａに対する接続材６の濡れ性等の特性がより効果的に向上する。また、配線基板４としての生産性および経済性等の点についても良好である。
【００３５】
ニッケル−コバルトめっき層３ａは、例えば硫酸ニッケルおよび硫酸コバルトを主成分とする電解めっき液を用いて第１導体層（配線導体）２Ａの露出表面に被着させることができる。一例を挙げれば、硫酸ニッケル六水和物を250ｇ／ｌ、硫酸コバルト七水和物を1〜20g/l、塩化ニッケル六水和物を40ｇ／ｌ、ホウ酸を40ｇ／ｌをベースとするいわゆる
ワット浴をベースとした電解ニッケルめっき液を用いる。このめっき液を用い、60℃の温度で電流密度0.5〜１Ａ／ｄｍ２で５〜100分通電することで所定のニッケルめっき層３ａが得られる。
【００３６】
パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂの被着方法については後述する。
【００３７】
金めっき層３ｃは、例えばシアン化金カリウムを主成分とする電解めっき液を用いパラジウム−コバルト合金めっき層３ｂの露出表面に被着させることができる。一例を挙げれば、シアン化金カリウム12ｇ／ｌ、クエン酸カリウム120ｇ／ｌ、エチレンジアミン四酢
酸２ｇ／ｌ、硫酸タリウムをタリウムとして２ｐｐｍ、それぞれ含有する電解金めっき液を用いる。このめっき液について、60℃の温度で電流密度0.2Ａ／ｄｍ２で１〜５分通電
することで所定の金めっき層３ｃが得られる。
【００３８】
上記の各めっき工程を順に行なうことにより、めっき層３を第１導体層（配線導体）２Ａの露出表面に被着させることができる。なお、各めっき層（３ａ〜３ｃ）の被着の際に、めっき時間および電流密度のいずれか一方または両方を適宜調整することにより、各めっき層（３ａ〜３ｃ）の厚みを上記のような範囲に調整することができる。
【００３９】
前述したように、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂは、ニッケルめっき層３ａのニッケルが金めっき層３ｃに拡散することを抑制するためのものである。これに対して、例えば上記のようにパラジウム−コバルト合金めっき層３ｂの厚みが0.01〜２μｍのときに、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂにおけるコバルトの含有率は、0.1〜50質量
％の範囲であることが好ましい。また、２〜30質量％の範囲であることがより一層好まし
い。
【００４０】
パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂにおけるコバルトの含有率が0.1質量％以上で
あれば、上記のような、近年の電子部品等の接続時に加わる比較的大きな熱量（例えば200℃で２時間程度の温度×時間）においても、ニッケルの拡散を抑制する効果を十分に得
ることができる。
【００４１】
また、このコバルトの含有率が２質量％以上であれば、上記のような効果をさらに高めることができ、パラジウムの金への拡散をさらに効果的に抑制することができる。
【００４２】
また、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂにおけるコバルトの含有率が50質量％以下であれば、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂ内でクラック等の機械的な破壊が発生する可能性がより低く抑えられる。また、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂの耐食性がより良好に確保される。
【００４３】
また、このコバルトの含有率が30質量％以下であれば、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂ自体の耐食性をより確実に高く確保することができる。
【００４４】
パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂにおいて、パラジウムとコバルトとは互いに固溶し合っているため、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂ内におけるコバルトの存在割合は層内の全域においてほぼ同じである。このようにコバルトがほぼ均一に含有されていることにより、パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂの全域において偏りなくニッケルの拡散抑制の効果を得ることができる。
【００４５】
なお、前述したように、ニッケルめっき層とパラジウムめっき層と金めっき層とが順次形成されためっき層（図１では図示せず）においてパラジウムめっき層がニッケルの拡散を抑制する効果を有することは知られていたが、例えば電子部品５の第１導体層（配線導体）２Ａへの接続時の加熱といった、実装温度の高温化または長時間化に伴う熱量の増加によるパラジウムの金への拡散を効果的に抑制すること（耐熱性の向上）の必要性については十分に認識されていなかった。また、パラジウム−コバルトめっき層自体については従来から知られていたが、ニッケルめっき層と金めっき層との間に介在するパラジウムめっき層にコバルトが含有されることにより、上記のような耐熱性の向上が可能になることについては認識されていなかった。今回、上記のような課題を新たに認識することによって、上記めっき層３を有する新たな構成の配線基板４に関する技術の完成が可能になった。
【００４６】
パラジウム−コバルト合金めっき層３ｂは、例えば以下のようにして形成することができる。
【００４７】
めっき液としては、例えば、塩化テトラアンミンパラジウムをパラジウムとして５ｇ／ｌ、塩化コバルトをコバルトとして0.03〜12ｇ／ｌ、塩化アンモニウム100ｇ／ｌ、クエ
ン酸三アンモニウム50ｇ／Ｌそれぞれ含有するものが挙げられる。このめっき液にアンモニア水を適量添加し、25℃でのｐＨを７に調整して実際のめっきを行なう。めっき条件としては、めっき液を55℃に昇温し、陽極にＴｉＰｔ電極を用い、電流密度0.1〜0.4Ａ／ｄｍ２で行なう。
【００４８】
以上により、例えばコバルトの含有率が0.1〜50質量％であるパラジウム−コバルト合
金めっき層３ｂを、ニッケル−コバルトめっき層３ａの露出表面に被着させて形成することができる。
【００４９】
以上のような配線基板４に電子部品５が搭載されて電子装置７が形成されている。配線基板４に対する電子部品５の搭載は前述したように接続材６を用いて行なわれる。配線基板４に搭載された電子部品５は、必要に応じて、封止用の樹脂または蓋体等の封止材（図示せず）によって封止される。
【００５０】
前述したように、電子装置７は、絶縁基板１の下面に設けられた第１導体層（配線導体）２Ａがはんだ等の接続材を介して外部電気回路に接続される。この接続時にも、電子部品４の搭載時と同様に、第１導体層（配線導体）２Ａおよび第１めっき層３を含む配線基板４に熱が加わる。この時の熱に対しても、ニッケルめっき層３ａのニッケルが金めっき層３ｃに拡散することを抑制する効果が十分に得られる。
【００５１】
図２（ａ）は、図１に示す配線基板４および電子装置７における第２導体層２Ｂである外部パッド部分の一例を拡大して示す断面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）の変形例を示す断面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５２】
図２（ａ）の例は、第２導体層（外部パッド）２Ｂと外部電気回路とを接続する外部接続材としてはんだバンプ６Ｂが用いられている場合において、第２導体層（外部パッド）２Ｂを被覆する第２めっき層８が設けられた例を示している。
【００５３】
図２（ａ）の例において、第２めっき層８は、第２導体層（外部パッド）２Ｂの表面から順次被着されたニッケルめっき層８ａ、パラジウムめっき層８ｂおよび金めっき層８ｃを含んでいる。第２めっき層８は、上記のようにコバルト成分を含有していない。なお、この場合の含有していないとは、例えば蛍光Ｘ線分析法において検出されない程度のコバルト含有率であることを意味し、具体的には、例えば約500ｐｐｍ以下である。
【００５４】
第２めっき層８について、コバルト成分を含有していないこと以外は、概ね第１めっき層３と同様の層構成であり、各層は第１めっき層３の場合と同様の機能を有している。また、ニッケルめっき層８ａ等の各めっき層の厚み等の条件も、上記第１めっき層３と同様に設定されていればよい。
【００５５】
すなわち、ニッケルめっき層８ａは第２めっき層８全体の下地めっき層として第２めっき層８と絶縁基板１との密着強度を確保するための部分である。金めっき層８ｃは、第２めっき層８全体および第２導体層（外部パッド）２Ｂの酸化等を抑制し、またはんだバンプ６Ｂの濡れ性を向上させるための部分である。パラジウムめっき層８ｂは、ニッケルめっき層８ａのニッケル成分が金めっき層８ｃに拡散することを抑制するための部分である。
【００５６】
はんだバンプ６Ｂは、前述したように、例えばスズ−銀系等のはんだによって形成されている。はんだバンプ６Ｂは、例えば、上記はんだの粉末が有機溶剤等とともに混練されてなるはんだペーストを第２導体層（外部パッド）２Ｂの露出面に塗布し、これを電気炉中で加熱してはんだペーストをいったん溶融させた後、冷却固化させることによって形成することができる。加熱温度は、例えば約350〜450℃であり、外部接続材（用いるはんだバンプ６Ｂ）の種類等に応じて適宜調整される。
【００５７】
なお、第２導体層（外部パッド）２Ｂと外部電気回路の所定部位とを互いに対向させて位置合わせし、両者の間に上記のはんだペーストを介在させた状態で加熱して、第２導体層（外部パッド）２Ｂに対するはんだバンプ６Ｂの接合と、はんだバンプ６Ｂの外部電気回路への接合とを同時行なうようにしてもよい。
【００５８】
第２めっき層８がコバルト成分を含有していない場合には、はんだバンプ６Ｂを介した電子装置７（配線基板４）の外部電気回路に対する接続信頼性をさらに高くする上で有利である。
【００５９】
すなわち、仮に第２めっき層８がコバルトを含有しているとすると、そのコバルトとニッケルめっき層８ａのニッケルとはんだバンプ６Ｂのスズとによって、脆いニッケル−コバルト−スズ化合物がはんだバンプ６Ｂの内部等の接合部分に生成する。また、このニッケル−コバルト−スズ化合物は、ニッケル−スズ化合物に比べて生成速度が速い。そのため、はんだバンプ６Ｂと第２導体層２Ｂとの接続部分において、この脆いニッケル−コバルト−スズ化合物を起点としたクラック等の機械的な破壊が発生しやすい。したがって、この場合には、はんだバンプ６Ｂを介した電子装置７（配線基板４）の外部電気回路に対する接続信頼性の向上が難しい。これに対し、第２めっき層８がコバルトを含有していないため、上記のような脆い化合物の生成が抑制されるため、電子装置７（配線基板４）の外部電気回路に対する接続信頼性の向上において有利である。
【００６０】
第２めっき層８においては、ニッケルの金めっき層８ｃへの拡散を抑制する上で、パラジウムめっき層８ｂがニッケルめっき層８ａと金めっき層８ｃとの間に介在していることが好ましい。ただし、第２めっき層８においては、必ずしもニッケルめっき層８ａと金めっき層８ｃとの間にパラジウムめっき層８ｂが介在している必要はない。この場合の一例を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）の例においては、ニッケルめっき層８ａと金めっき層８ｃとのみによって第２めっき層８Ａが形成されている例を示す。この場合、ニッケルめっき層ａのニッケル成分が、電子部品５搭載時等の熱によって金めっき層８ｃの表面まで拡散する可能性が、両者間にパラジウムめっき層８ｂが介在している場合に比べれば高くなるが、このような拡散が多少生じたとしても、はんだバンプ６Ｂとなるはんだの濡れ性（半田濡れ）に対する影響は小さい。
【００６１】
したがって、第２めっき層８Ａは、第２導体層（外部パッド）２Ｂの表面から順次被着されたニッケルめっき層８ａと金めっき層８ｃとのみからなるものであってもよい。
【００６２】
第１の実施形態の配線基板について、その変形例の一つを図３に示す。図３（ａ）は図１（ａ）の変形例を示す断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の要部（Ａ）を拡大して示す断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）の他の要部（Ｃ）を拡大して示す断面図である。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００６３】
この変形例の配線基板４Ａにおいては、絶縁基板１の上面に枠体11が設けられている。枠体11は、平面視において搭載部１ａを囲んでいる。また、第３導体層２Ｃは、第１導体層２Ａとの電気的な短絡を防ぐために、第１導体層２Ａから離間して設けられている。
【００６４】
この枠体11の内側面には第３導体層２Ｃが設けられている。第３導体層２Ｃは搭載部１ａ周辺に設けられているとみなすことができる。搭載部１ａに搭載される電子部品５が発光素子である場合に、第３導体層２Ｃは、電子部品５から放射された光を反射する反射層（いわゆるリフレクタ）として機能する。
【００６５】
第３導体層２Ｃにおける光の反射率を高めるために、第３導体層２Ｃの露出表面に第３めっき層９が設けられている。第３めっき層９は、第３導体層２Ｃの表面から順に被着された、ニッケル−コバルトめっき層９ａ、パラジウム−コバルト合金めっき層９ｂおよび金−銀合金めっき層９ｃを含んでいる。
【００６６】
第３めっき層９は、最表層のめっき層が金−銀合金めっき層９ｃであること以外は第１めっき層３と同様の構成である。すなわち、第３めっき層９においても、ニッケル−コバ
ルトめっき層９ａが下地層として機能し、パラジウム−コバルト合金めっき層９ｂが、ニッケル−コバルトめっき層９ａのニッケル成分が金−銀合金めっき層９ｃ中に拡散することが抑制されている。また、金−銀合金めっき層９ｃの下のめっき層がパラジウム−コバルト合金めっき層９ｂであるため、パラジウムおよびコバルトの金−銀合金めっき層９ｃへの拡散が抑制されている。
【００６７】
第３めっき層９のニッケル−コバルトめっき層９ａおよびパラジウム−コバルト合金めっき層９ｂも、第１めっき層３のニッケル−コバルトめっき層３ａおよびパラジウム−コバルトめっき層９ｂの場合と同様の方法で形成することができる。
【００６８】
この変形例において、第３めっき層９の最表層のめっき層が金−銀合金めっき層９ｃであり、銀を含むことから、金のみである場合に比べて第３導体層２Ｃ（実際には第３めっき層９）の表面に光の反射率が高い。そのため、発光効率の高い電子装置（発光装置）７を形成することが容易である。
【００６９】
また、金−銀合金めっき層９ｃについて、金成分を含むことから銀の酸化および硫化が抑制されている。そのため長期にわたって、第３導体層２Ｃ（第３めっき層９）の反射率を高く維持することができる。
【００７０】
金−銀合金めっき層９ｃは、金および銀を含む電解の合金めっき液を用いて行なわれる。例えば具体的には、日本エレクトロプレイ・エンジニヤース株式会社製めっき液ガルバノマイスターGS3000を用いた電解めっき法により可能である。このめっき液について、25℃の温度で電流密度0.25〜0.75Ａ／ｄｍ２で、厚みによるが１〜５分通電することで所定の金−銀合金めっき層９ｃが得られる。金−銀合金めっき層９ｃにおける金の含有率は、例えば約７〜45質量％に設定される。この範囲であれば、銀成分の酸化および硫化の抑制、ならびに金−銀合金めっき層９ｃの反射率において有利である。
【００７１】
（第２の実施形態）
図４（ａ）は本発明の第２の実施形態の配線基板４Ａおよび電子装置７Ａを示す断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の要部（後述する第４導体部分）を拡大して示す断面図である。第２の実施形態の配線基板４Ａおよび電子装置７Ａにおいては、以下の点が第１の実施形態の配線基板４および電子装置７と異なり、他の点では同様である。すなわち、絶縁基板の第１主面に設けられた第４導体層を被覆しているめっき層のうち最表層のめっき層が金−銀合金めっき層である。また、第４導体層は光の反射層として機能するものを含んでいる。以下の説明で、第１の実施形態と同様の点については説明を省略する。
【００７２】
第２の実施形態の配線基板４Ａは、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられた第４導体層２Ｄと、第４導体層（配線導体）２Ｄの露出した表面に被着されている第４めっき層10とを有している。第４めっき層10は、第４導体層（配線導体）２Ｄの表面から順次被着されたニッケル−コバルトめっき層10ａ、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂおよび金−銀合金めっき層10ｃを含んでいる。また、配線基板４Ａに電子部品５が搭載されて電子装置７Ａが形成されている。この場合の電子部品５は、例えば発光ダイオード等の発光素子であり、電子装置７Ａは発光装置である。
【００７３】
絶縁基板１は、第１の実施形態の場合と同様の形状であり、同様の方法で作製されている。
【００７４】
すなわち、絶縁基板１は、例えば複数の絶縁層（図示せず）が積層されて形成されている。各絶縁層は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム焼結体、ムライト質焼結体またはガラス−セラミック焼結体等の絶縁材料からなり、例えば同様のセラミッ
ク材料からなる各絶縁層（絶縁層となるセラミックグリーンシート）が同時焼成されて絶縁基板１が作製されている。
【００７５】
絶縁基板１の上面に設けられた第４導体層２Ｄは、第１の実施形態の配線基板４の導体層２と同様に、電子部品５を外部電気回路に接続するための導電路の一部を形成している。
【００７６】
すなわち、第４導体層２Ｄは、搭載部１ａから絶縁基板１の内部または側面等を通って絶縁基板１の第１主面と反対側の第２主面（図１の例では下面）にかけて形成された接続導体（符号なし）を介して絶縁基板１の下面に電気的に導出されている。また、絶縁基板１の下面には、他の導体層として外部パッド等が設けられている。接続導体等を介して第１導体層（配線導体）２Ａと他の導体層（外部パッド）とが互いに電気的に接続されている。なお、接続導体のうち絶縁基板１の内部を通る部分の一部は図示していない。
【００７７】
第４導体層２Ｄの所定部位に電子部品５がボンディングワイヤ６Ａ等の接続材を介して電気的および機械的に接続され、他の導体層（外部パッド）が、はんだバンプ６Ｂ等の外部接続材を介して外部電気回路に電気的および機械的に接続される。これにより、電子部品５と外部電気回路とが電気的に接続される。
【００７８】
また、電子部品５が発光素子である場合には、第４導体層２Ｄは光の反射層としても機能する。搭載部１ａに搭載された発光素子で放射された光の一部が第４導体層２Ｄの表面で反射する。これにより電子装置（発光装置）７Ａとしての発光の効率が向上する。第２の実施形態の電子装置においては、第４導体層２Ｄ上に電子部品５が接合されて搭載されている。この場合の第４導体層２Ｄは、接地導体層としての機能も有している。
【００７９】
第４導体層２Ｄに被着された第４めっき層10は、第４導体層２Ｄの酸化等の劣化を抑制するとともに、ボンディングワイヤ６Ａのボンディング性等の、接続材の接続性を高めるためのものである。また、第４めっき層10は、第４導体層２Ｄの光の反射率を高めるためのものでもある。
【００８０】
第１の実施形態の場合と同様に、ニッケル−コバルトめっき層10ａは、第４めっき層10全体の第４導体層２Ｄに対する被着の強度を確保するための下地となる部分である。また、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂは、ニッケル−コバルトめっき層10ａのニッケルが金−銀合金めっき層10ｃに拡散することを抑制するための部分である。
【００８１】
配線基板４Ａに対する電子部品５の搭載等は、第１の実施形態の場合と同様に行なわれる。
【００８２】
第２の実施形態の配線基板４Ａ（第４めっき層10）および電子装置７Ａにおいても、第１の実施形態の配線基板４（第１めっき層３）と同様の構成を含み、同様の効果を有している。すなわち、ニッケル−コバルトめっき層10ａと金−銀合金めっき層10ｃとの間にパラジウム−コバルト合金めっき層10ｂが介在していることから、ニッケル−コバルトめっき層10ａ中のニッケルの金−銀合金めっき層10ｃへの拡散が効果的に抑制されている。また、上記電子部品の接続時の加熱温度程度ではコバルトは金に固溶しないため、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂのコバルト成分が金−銀合金めっき層10ｃに拡散することも抑制されている。さらに、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂのパラジウムについても、金−銀合金めっき層10ｃへの拡散が抑制されている。したがって、熱による接続材６の接続性および第４導体層２Ｄ表面における光の反射率等への影響が従来技術よりも小さい、いわゆる耐熱性に優れた配線基板４Ａを提供することができる。
【００８３】
ニッケル−コバルトめっき層10ａの厚みについても、例えば第１の実施形態の場合と同様に約１〜20μｍ程度の範囲に設定される。ニッケル−コバルトめっき層10ａにおけるコバルトの含有率についても、例えば第１の実施形態の場合と同様に、約１〜20質量％程度に設定されていればよい。また、このニッケル−コバルトめっき層10ａにおいても、ニッケルとコバルトとは合金化していてもよく、合金化していなくてもよい。
【００８４】
パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂの厚みについても、例えば第１の実施形態の場合と同様に、約0.01〜２μｍ程度の範囲に設定される。これにより、ニッケル−コバルトめっき層10ａのニッケルが金−銀合金めっき層10ｃに拡散することがより効果的に抑制される。
【００８５】
ニッケル−コバルトめっき層10ａおよびパラジウム−コバルト合金めっき層10ｂは、例えば実施形態１（第１めっき層３のニッケル−コバルトめっき層３ａおよびパラジウム−コバルトめっき層３ｂ）の場合と同様のめっき液を用い、同様の方法で第４導体層２Ｄ上に順次被着させることができる。
【００８６】
金−銀合金めっき層10ｃについても、例えば第１の実施形態（変形例）の場合と同様に、金および銀を含む電解の合金めっき液を用いて、所定の温度条件に設定し、所定の電流密度および時間で通電することで、所定厚みの金−銀合金めっき層10ｃを形成することができる。
【００８７】
第２の実施形態の配線基板４Ａにおいても、例えば第１の実施形態の配線基板４の変形例（図３の例）と同様に、第４めっき層10の最表層のめっき層が金−銀合金めっき層10ｃであり、銀を含むことから、第４導体層２Ｄ（実際には第４めっき層10）の表面における光の反射率が高い。そのため、発光効率の高い電子装置（発光装置）７Ａを形成することが容易である。また、金−銀合金めっき層10ｃについても、金成分を含むことから銀の酸化および硫化が抑制されている。そのため長期にわたって、第４導体層２Ｄ（第４めっき層10）の反射率を高く維持することができる。
【００８８】
上記の各めっき工程を順に行なうことにより、第４めっき層10を第４導体層２Ｄの露出表面に被着させることができる。前述したように、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂは、ニッケル−コバルトめっき層10ａのニッケルが金−銀合金めっき層10ｃに拡散することを抑制するためのものである。これに対して、例えば上記のようにパラジウム−コバルト合金めっき層10ｂの厚みが0.01〜２μｍのときに、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂにおけるコバルトの含有率は、0.1〜50質量％の範囲であることが好ましい。また
、２〜30質量％の範囲であることがより一層好ましい。これにより、例えば第１の実施形態の場合と同様に、ニッケルの拡散を抑制する効果を十分に得ることができる。また、このコバルトの含有率が２質量％以上であれば、上記のような効果をさらに高めることができる。
【００８９】
また、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂにおけるコバルトの含有率についても、第１の実施形態の場合と同様である。すなわち、コバルトの含有率が50質量％以下であれば、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂ内でのクラック等の抑制および耐食性の点で有利である。また30質量％以下であれば、この耐食性の点でより有利である。
【００９０】
パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂにおいて、パラジウムとコバルトとは互いに固溶し合っているため、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂ内におけるコバルトの存在割合は層内の全域においてほぼ同じである。このようにコバルトがほぼ均一に含有されていることにより、パラジウム−コバルト合金めっき層10ｂの全域において偏りなくニッケルの拡散抑制の効果を得ることができる。
【００９１】
第２の実施形態における第４めっき層10についても、第１の実施形態における第１めっき層３の場合と同様に、従来は、ニッケルめっき層と金めっき層との間に介在するパラジウムめっき層にコバルトが含有されることにより耐熱性の向上が可能になることについては認識されていなかった。今回、上記のような課題を新たに認識することによって、上記第４めっき層10を有する新たな構成の配線基板４Ａに関する技術の完成が可能になった。
【００９２】
以上のような配線基板４Ａに電子部品５が搭載されて電子装置７Ａが形成されている。配線基板４Ａに対する電子部品５の搭載は前述したように接続材６を用いて行なわれる。配線基板４Ａに搭載された電子部品５は、必要に応じて、封止用の樹脂または蓋体等の封止材（図示せず）によって封止される。
【００９３】
前述したように、電子装置７Ａは、絶縁基板１の下面に設けられた他の導体層がはんだバンプ６Ｂ等の接続材を介して外部電気回路に接続される。この接続時にも、電子部品４の搭載時と同様に、第４導体層２Ｄおよび第４めっき層10を含む配線基板４Ａに熱が加わる。この時の熱に対しても、ニッケルめっき層10ａのニッケルが金−銀合金めっき層10ｃに拡散することを抑制する効果が十分に得られる。
【００９４】
なお、第２の実施形態の配線基板４Ａおよび電子装置７Ａにおいては、第１主面に設けられた第４導体層２Ｄが、ボンディングワイヤ６Ａ接続用の機能と、反射層としての機能とを有する。そのため、この場合の第４めっき層10は、これらの機能をともに満足させるような組成であることが好ましい。このような組成としては、例えば金−銀合金めっき層10ｃにおける金の含有率が７〜45質量％であるものが挙げられる。金の含有率が７質量％未満であると、銀の比率が大きいので、初期の反射特性は良好であるが、硫化による反射率の低下や、ボンディングワイヤ６Ａの接続性の低下が見られる傾向がある。また、金の含有率が45質量％を超えると、金の比率が大きいので、硫化していない初期の反射率が低下してしまう傾向がある。
【００９５】
なお、本発明の配線基板および電子装置は、上記の実施形態に限らず、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、ニッケル−コバルトめっき層３ａと第１導体層（配線導体）２Ａとに間にニッケルめっき層（図示せず）が介在していてもよい。この場合、ニッケルめっき層は、例えば第１めっき層３全体の絶縁基板１に対する接合強度をさらに高める下地めっき層として機能する。また、第１導体層２Ａおよび第２導体層２Ｂは、配線導体または外部パッド等の形態に限らず、広面積の接地導体層等の他の形態であってもよい。
【００９６】
なお、コバルトを含有していないニッケルめっき層８ａと金めっき層８ｃとを少なくとも含んでいる第２めっき層８、８Ａは、必ずしも必要なものではない。例えば前述したように第２導体層（外部パッド）２Ｂにリード端子等が接合されて、このリード端子等を介して第２導体層（外部パッド）２Ｂが外部電気回路に接続されるような場合には、第２導体層（外部パッド）２Ｂの表面には、リード端子のろう付け等に必要なめっき層（ニッケルめっき層等）（図示せず）のみが被着されていてもよい。
【００９７】
また、第１の実施形態の変形例における第３導体層２Ｃおよび第３めっき層は、絶縁基板１の第１主面上に設けられたものであっても構わない。この場合には、例えば、絶縁基板１の第１主面に枠体11が設けられず、第１主面上に反射層としての第３導体層２Ｃが直接に設けられた形態（言い換えれば、リフレクタを含まない平板状の発光素子搭載用基板）になる。また、第１主面に設けられた第１導体層２Ａと第３導体層２Ｃとで、それぞれのめっき層の最表層が互いに異なる。第１めっき層３の最表層は金めっき層３ｃであり、第３めっき層９の最表層は金−銀めっき層９ｃである。そのため、例えば樹脂材等による
マスキングを併用して、これらの互いに異なるめっき層を順次被着させる。
【００９８】
また、第２の実施形態の配線基板４Ａにおいて、絶縁基板１の第１主面に枠体（図示せず）が設けられていてもよい。この場合には、第１主面のうち枠体の内側で露出している部分および枠体の内側面に第４導体層２Ｄが設けられる。また、この第４導体層２Ｄの露出表面が第４めっき層10によって被覆される。つまり、マスキング等が不要である。そのため、耐熱性および信頼性が高い反射層（第４導体層10）を含む配線基板４Ａについて、信頼性が高く、生産性も高い。
【実施例】
【００９９】
表１に示すパラジウム−コバルト合金めっき層（ＰｄＣｏ）を含むめっき層を有する実施例の配線基板の配線基板を作製した。比較例１の配線基板（比１）として、表１に示す、第１導体層としての配線導体の表面から順次被着されたニッケルめっき層および金めっき層（Ｎｉ／Ａｕめっき）を含む配線基板を作製した。また、比較例２の配線基板（比２）としてパラジウム−コバルト合金めっき層の代わりにパラジウムめっき層（Ｐｄ）を含むめっき層（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき）が形成されてなる配線基板を作製した。
【０１００】
耐熱性の検査は、多数の小型の配線基板がアレイ状に配列された形態で、200℃で加熱
されながらＡｕワイヤーボンディングされることを想定し、200℃で２時間、大気雰囲気
のオーブン中で処理したのち、オージェ電子分光分析で金めっき層最表面のＮｉ、Ｐｄ量をatomic％で確認することにより行なった。金めっき層表面におけるＮｉまたはＰｄ量が５atomic％を超えるとＮＧとした。また同時に、Ａｕワーヤーボンディングを20本行い、Ａｕワイヤープル試験を実施した。Ａｕワイヤー切れおよびネック切れ（Ａｕワイヤー自体の破壊）はＯＫとし、Ａｕワイヤー剥がれ（Ａｕワイヤーと配線導体（めっき層）との接続の破壊）はＮＧとした。また、各試料について、その外観および断面の金属顕微鏡による観察を行なった。
【０１０１】
以上の各試験および観察の結果を判定として表１に示している。所定の効果（金めっき層表面へのニッケルの拡散の抑制等）を有することが確認された試料については○または△とし、このような効果が確認されなかった試料については×とした。なお、△とした試料は、所定の効果を得ることはできるものの、その効果が比較的小さかったもの、または所期の目的以外の要素において若干の特性低下が見られたものである。
【０１０２】
【表１】
2015099905.tif 000003
【０１０３】
なお、めっき層の組成以外の部分は、実施例の配線基板および比較例の配線基板ともに、下記のように同じ形態とした。すなわち、絶縁基板は酸化アルミニウム質焼結体からなる四角平板状のものを用いた。絶縁基板の外形寸法は、20×20×１ｍｍであった。
【０１０４】
この絶縁基板の上面に、タングステンからなる直径が約１ｍｍの円形状の配線導体を10×10の配列個数で縦横の並びに配列して形成した。配線導体は、絶縁基板との同時焼成によって形成した。
【０１０５】
めっき層は、厚みが約２〜６μｍのニッケルめっき層と、厚みが約0.1μｍのパラジウ
ム−コバルト合金めっき層と、厚みが約0.1μｍの金めっき層とを配線導体の表面に順次
被着させて形成した。
【０１０６】
以上の実施例および比較例、それぞれの配線基板について、上記の方法で耐熱性を試験した。その結果、実施例の配線基板においては金めっき層表面へのニッケルまたはパラジウムの拡散が若干見られたものがあったものの、いずれの例においてもその量は５atomic％以下であった。これに対し、比較例１の配線基板においては、金めっき層表面に１２atomic％程度のニッケルの拡散が見られた。また比較例２の配線基板においては、金めっき層表面に２atomic％程度のＮｉと、６atomic％程度のパラジウムの拡散が見られた。
【０１０７】
また、実施例の配線基板において、パラジウム−コバルト合金めっき層の厚みが0.01μｍと比較的薄い例（No.12）において、Ａｕワイヤー剥がれの発生がみられた。ただし、
この剥がれの発生率は、通常の信頼性において許容される範囲であった。
【０１０８】
また、パラジウム−コバルト合金めっき層におけるコバルト量が50質量％を超える例（試料No.11）およびパラジウム−コバルト合金めっき層の厚みが２μｍを超える例（試料No.19）においては、ＮｉおよびＰｄの拡散は見られなかったものの、断面の観察において、パラジウム−コバルト合金めっき層内にわずかにクラックの発生が見られた。
【０１０９】
以上のように、パラジウム−コバルト合金めっき層によるニッケル拡散の抑制の効果、およびそれ自体の成分であるパラジウムの金めっき層への拡散の抑制の効果を確認することができた。
【符号の説明】
【０１１０】
１・・・絶縁基板
１ａ・・・搭載部
２Ａ・・・第１導体層（配線導体）
２Ｂ・・・第２導体層（外部パッド）
２Ｃ・・・第３導体層
２Ｄ・・・第４導体層
３・・・第１めっき層
３ａ・・・ニッケル−コバルトめっき層
３ｂ・・・パラジウム−コバルト合金めっき層
３ｃ・・・金めっき層
４・・・配線基板
５・・・電子部品
６Ａ・・・ボンディングワイヤ
６Ｂ・・・はんだバンプ
７・・・電子装置
８・・・第２めっき層
８Ａ・・・第２めっき層（変形例）
８ａ・・・ニッケルめっき層
８ｂ・・・パラジウムめっき層
８ｃ・・・金めっき層
９・・・第３めっき層
９ａ・・・ニッケルめっき層
９ｂ・・・パラジウムめっき層
９ｃ・・・金−銀合金めっき層
10・・・第４めっき層
10ａ・・・ニッケルめっき層
10ｂ・・・パラジウムめっき層
10ｃ・・・金−銀合金めっき層
11・・・枠体
【図１】
2015099905.tif 000004
【図２】
2015099905.tif 000005
【図３】
2015099905.tif 000006
【図４】
2015099905.tif 000007