(57)【要約】【課題】ビームリードの温度が変化するときに、ビームリードの接合部分に入力される応力が低減するビームリード、半導体装置、および、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るビームリード１１は、基板３の上に配設される半導体チップ７に接続され、可撓性を有するメッシュまたは編組から構成される。ビームリード１１は、可撓性を有するため、従来の金属よりも剛性が低い。このため、ビームリード１１の温度が変化して形状変化しても、ビームリード１１と半導体チップ７との接合部分に入力される応力が低減する。以上より、ビームリード１１と、半導体チップ７と、の接合部分が損傷することが効果的に抑制される。【選択図】図２
2015216290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３）の上に配設される電気的素子（７）に接続されるビームリード（１１）であって、
可撓性を有するメッシュまたは編組からなる第１構成部材（１１Ａ）および第２構成部材（１１Ｂ）と、
これらの第１構成部材および第２構成部材の間に挟持され、金属箔からなる第３構成部材（１１３）と、を備え、
これらの第１構成部材、第２構成部材および第３構成部材は、互いに接合されて一体に形成されることを特徴とするビームリード。
【請求項２】
絶縁材料で構成される基板（３）と、該基板の上に配設される電気的素子（７）と、電気的素子に接続されると共に可撓性を有するメッシュまたは編組から構成されたビームリード（１１）と、を備え、前記ビームリードの接合部（１５）は、前記電気的素子にはんだ（Ｓ）で接合される半導体装置（１）であって、
前記ビームリードの接合部は、該接合部の少なくとも一部を押し潰した後で、はんだで電気的素子に接合されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記ビームリードは、前記電気的素子に接合される接合部（１５）と、該接合部に繋がる連結部（１９，２１，２３）と、を備え、
前記連結部における接合部との境界部（２７）と、前記接合部と、を押し潰した後で、はんだで接合部を電気的素子に接合してなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ビームリードは、
可撓性を有するメッシュまたは編組からなる第１構成部材（１１Ａ）および第２構成部材（１１Ｂ）と、
これら第１構成部材および第２構成部材との間に挟持される金属箔からなる第３構成部材（１１３）と、から構成され、
これらの第１構成部材、第２構成部材および第３構成部材を互いに接合して一体に形成したことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
絶縁材料で構成される基板（３）と、該基板の上に配設される電気的素子（７）と、電気的素子に接続されると共に可撓性を有するメッシュまたは編組から構成されたビームリード（１１）と、を備え、前記ビームリードの接合部（１５）は、前記電気的素子にシンタ接合によって接合されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記ビームリードまたは電気的素子にシンタペースト（３１）を塗布する工程と、
ビームリードを電気的素子上のシンタペーストに当接する工程と、
この当接部を加熱することにより、シンタペースト中の金属粒子（３３）でビームリードを電気的素子に接合させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビームリード、半導体装置、および、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ハイブリッド車や電気自動車等の車両に搭載される半導体装置の開発が進められている（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載された半導体装置においては、絶縁基板上に設けられた半導体チップと基板上回路層とを、ビームリードを介して接続している。
【０００４】
前記ビームリードは、銅やアルミニウム等からなる長尺状の金属板を折り曲げて成形される。具体的には、ビームリードにおける長手方向の両端にチップ側接合部および回路側接合部を設け、これらのチップ側接合部および回路側接合部同士を立ち上がり部および渡り部を介して一体に結合している。前記チップ側接合部を半導体チップ（電気的素子）にはんだを介して接合すると共に、前記回路側接合部を基板上回路層にはんだを介して接合している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−５０３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示されたビームリードは、金属板を折り曲げて成形されているため、剛性が高い。従って、ビームリードが温度変化によって伸縮（変形）すると、チップ側接合部や回路側接合部におけるはんだ部分に応力がかかり、該はんだ部分が損傷するおそれがあった。
【０００７】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、ビームリードが温度変化したときに、ビームリードと電気的素子との接合部分に入力される応力を低減させることができるビームリード、半導体装置、および、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明に係る第１の態様は、基板の上に配設される電気的素子に接続されるビームリードであって、可撓性を有するメッシュまたは編組からなる第１構成部材および第２構成部材と、これらの第１構成部材および第２構成部材の間に挟持され、金属箔からなる第３構成部材と、を備えたビームリードである。これらの第１構成部材、第２構成部材および第３構成部材は、互いに接合されて一体に形成される。
【０００９】
さらに、本発明に係る第２の態様は、絶縁材料で構成される基板と、該基板の上に配設される電気的素子と、電気的素子に接続されると共に可撓性を有するメッシュまたは編組から構成されたビームリードと、を備える半導体装置である。前記ビームリードの接合部は、前記電気的素子にはんだで接合される。前記ビームリードの接合部は、該接合部の少なくとも一部を押し潰した後で、はんだで電気的素子に接合されてなる。
【００１０】
また、本発明に係る第３の態様は、前記ビームリードは、前記電気的素子に接合される接合部と、該接合部に繋がる連結部と、を備える半導体装置である。前記連結部における接合部との境界部と、前記接合部と、を押し潰した後で、はんだで接合部を電気的素子に接合してなる。
【００１１】
また、本発明に係る第４の態様においては、前記ビームリードは、可撓性を有するメッシュまたは編組からなる第１構成部材および第２構成部材と、これら第１構成部材および第２構成部材との間に挟持される金属箔からなる第３構成部材と、から構成される。これらの第１構成部材、第２構成部材および第３構成部材を互いに接合して一体に形成している。
【００１２】
また、本発明に係る第５の態様においては、絶縁材料で構成される基板と、該基板の上に配設される電気的素子と、該電気的素子に接続されると共に可撓性を有するメッシュまたは編組から構成されたビームリードと、を備えた半導体装置である。前記ビームリードの接合部は、前記電気的素子にシンタ接合によって接合されてなる。
【００１３】
そして、本発明に係る第６の態様においては、前記ビームリードまたは電気的素子にシンタペーストを塗布する工程と、ビームリードを電気的素子上のシンタペーストに当接する工程と、この当接部を加熱することにより、シンタペースト中の金属粒子でビームリードを電気的素子に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、以下の効果を奏することができる。
【００１５】
第１の態様では、ビームリードが、可撓性を有するメッシュまたは編組から構成されるため、従来の金属よりも柔軟かつ低剛性に形成されている。このため、ビームリードの温度が変化しても、ビームリードと電気的素子との接合部分に入力される応力が低減する。よって、ビームリードと電気的素子との接合部分が損傷することが効果的に抑制される。
【００１６】
また、ビームリードに高周波電流を流す場合、表皮効果によって、ビームリードを構成するそれぞれの線状体における表面部分を高周波電流が集中的に流れる。従って、複数の線状体が絡み合って構成されるビームリード全体では、ビームリードの断面の全体に分散して高周波電流が流れるため、ノイズが効率的に低減される。なお、これに対して、従来の金属板からなるビームリードでは、電流密度が金属板の表面部分で高くなり高周波電流が流れにくくなるため、ノイズの発生量が大きくなる。
【００１７】
さらに、第１および第４の態様においては、第３構成部材は金属箔からなるため、可撓性を有するメッシュまたは編組のみから構成されるビームリードに比べて、強度が向上するという効果を有する。なお、この強度は、ビームリードに要求される必要最小限度の強度（例えば、加工が歩留まり良くできる強度や、ビームリードの使用中に変形しない強度など）である。
【００１８】
第２の態様では、ビームリードの接合部は、該接合部の少なくとも一部を押し潰した後で、はんだで電気的素子に接合されてなる。
【００１９】
接合部を押し潰すことによって、ビームリードの接合部の編組を構成する線状体同士の隙間の大きさが大幅に減少するため、線状体同士の隙間にはんだが吸い上げられる（浸透する）ことが抑制される。従って、ビームリードの接合部と電気的素子との間に適正な厚さのはんだ層が形成されるため、接合部と電気的素子とを効率的に接合することができる。
【００２０】
これに対して、はんだ付けの前工程で接合部を押し潰さない場合は、接合部において線状体同士の隙間が大きい状態になっている。従って、毛細管現象によって線状体同士の隙間にはんだがどんどん浸透してしまい、接合部と電気的素子との間に形成されるはんだ層の厚さを適正に確保することが困難になる。従って、接合部と電気的素子とを効率的に接合することが困難になる。
【００２１】
第３の態様では、連結部における接合部との境界部と、前記接合部と、を押し潰した後で、はんだで接合部を電気的素子に接合する。このように、接合部に加えて境界部も押し潰すため、毛細管現象によって連結部にまではんだが吸い上げられることを効果的に抑制することができる。
【００２２】
第５および第６の態様では、ビームリードは、可撓性を有するメッシュまたは編組から構成されており、ビームリードと電気的素子との当接部を加熱し、シンタペースト中の金属粒子でビームリードを電気的素子に接合させる。
【００２３】
これにより、シンタ接合時において、ビームリードの接合部を電気的素子に押し付けなくても、ビームリードの接合部が電気的素子に対して横方向にずれにくくなる。即ち、前述のように、ビームリードは、可撓性を有するメッシュまたは編組から構成されるので剛性が低くなる。よって、ビームリードがシンタ接合時の熱によって形状変化するときに、接合部が横方向に変形する応力が小さくなるため、接合部が横方向にずれにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は図１におけるビームリードを示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線による断面図である。
【図３】本発明例を示し、（ａ）は図２のビームリードにおける押し潰す範囲を示した斜視図、（ｂ）は接合部をはんだ付けするビームリードを示す斜視図である。
【図４】図３との比較例を示し、（ａ）はビームリードにおける接合部をはんだ付けする前に接合部および連結部を押し潰さない状態を示す斜視図、（ｂ）は接合部および連結部を押し潰さないで接合部をはんだ付けしたビームリードを示す斜視図である。
【図５】第２の実施形態に係るビームリードを半導体チップに接合する手順を示し、（ａ）は半導体チップを示す側面図、（ｂ）は半導体チップの上にシンタペーストを塗布し、そのシンタペーストの上にビームリードの接合部を載置した状態を示す側面図、（ｃ）はビームリードの接合部を加熱することにより、シンタペースト中の金属粒子でビームリードの接合部と半導体チップとを接合する状態を示す側面図である。
【図６】第３の実施形態に係るビームリードの分解斜視図である。
【図７】図６のビームリードを示しており、（ａ）はビームリードの斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線による断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の一例としての実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の図において、構成を判りやすく説明するために、便宜上、ビームリードの長手方向のうち半導体チップが実装された側を前側ＦＲ、その反対側を後側ＲＲ、前側に向かって右側をＲＨ、左側をＬＨとする。
【００２６】
[第１の実施形態]
図１〜図３を参照して、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置およびビームリードについて説明する。
【００２７】
図１に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置１は、絶縁材料で構成される基板３と、該基板３上に配設される複数（図１では２つ）の第１および第２の基板上回路層５，９と、第１の基板上回路層５の上に接合される半導体チップ７（電気的素子）と、該半導体チップ７および第２の基板上回路層９の上面同士７ａ，９ａを接続する板状のビームリード１１と、を備えている。なお、図１では、半導体チップ７、第１の基板上回路層５、第２の基板上回路層９、および、ビームリード１１を１つずつしか記載していないが、これらを複数設けてもよい。前記半導体チップ７は、はんだＳを介して第１の基板上回路層５の上面に接合されている。また、「電気的素子」として、第１の実施形態では、半導体チップ７を例示するが、電気的素子は、これらに限定されない。
【００２８】
次いで、図１，２を用いて、第１の実施形態に係るビームリード１１について説明する。
【００２９】
図１および図２（ａ）に示すように、このビームリード１１は、下側に配置されて前後方向に所定間隔をおいて配置されたチップ側接合部１５（接合部）および回路層側接合部１７と、これらのチップ側接合部１５および回路層側接合部１７における端縁１５ａ，１７ａから屈曲して上側に延びる立壁部１９，２１（連結部）と、該立壁部１９，２１における上端同士を結ぶ橋渡し部２３（連結部）と、から側面視がハット状に一体形成されている。チップ側接合部１５（接合部）および回路層側接合部１７は、それぞれ半導体チップ７および第２の基板上回路層９にはんだＳを介して接合されている。
【００３０】
また、ビームリード１１の全体は、可撓性を有する編組から構成されている。具体的には、図２（ｂ）に示すように、編組とは、複数の細い線状体２５を細かく組み合わせて編んだものであり、荷重を加えると自由に変形が可能であり、可撓性を有する。即ち、小さい荷重を加えるだけで、ビームリード１１の形状を自由に変形させることが可能である。
【００３１】
次に、図３と図４を用いて、ビームリード１１のチップ側接合部１５の全面と連結部２７とを押し潰した後で、チップ側接合部１５をはんだＳで接合する場合と、押し潰さないで接合する場合とを比較する。
【００３２】
まず、図３（ａ）に示すように、ビームリード１１では、チップ側接合部１５（接合部）と立壁部１９（連結部）との間が境界部２７に形成されている。つまり、境界部２７は、立壁部１９の下端部と、チップ側接合部１５における立壁部１９側の端部    本発明例では、図３（ａ）に示すように、チップ側接合部１５（接合部）の全体と、連結部２７と、を押し潰す。なお、押し潰す範囲Ｐは、図３（ａ）に示すように、線ハッチングで示している。ここで、チップ側接合部１５および連結部２７を厚さ方向に押し潰すと、ビームリード１１を構成する線状体２５同士の隙間が大幅に減少する。なお、この押し潰し加工は、はんだ付け工程の前にビームリード単体で予め行なっておく。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、この押し潰したチップ側接合部１５を半導体チップ７（電気的素子）の上面７ａにはんだＳで接合する。
【００３４】
一方、図４に示すように、比較例では、チップ側接合部１５と連結部２７とを押し潰さないまま、チップ側接合部１５を半導体チップ７（電気的素子）の上面７ａにはんだＳで接合する。
【００３５】
以下に、図３と図４を比較する。
【００３６】
本発明例では、図３（ａ）に示すように、前記範囲Ｐを押し潰して線状体２５同士の隙間を潰した後ではんだ接合するため、図３（ｂ）に示すように、チップ側接合部１５および連結部２７にはんだＳが必要以上に吸い上げられる（浸透する）ことが抑制される。従って、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとの間に、はんだ層が適正な厚さをもって形成される。よって、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとをはんだ層を介して効率的に接合することができる。
【００３７】
比較例に係る図４では、図４（ａ）に示すように、はんだ付け工程の前にチップ側接合部１５および連結部２７を押し潰していないため、チップ側接合部１５および連結部２７において線状体２５同士の隙間が大きい。従って、図４（ｂ）に示すように、点ハッチングＳで示す範囲で、毛細管現象によって前記線状体２５同士の隙間にはんだＳがどんどん浸入してしまい、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとの間に形成されるはんだ層について適正な厚さを確保することが困難になる。従って、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとをはんだ層を介して効率的に接合することが困難になる。
【００３８】
以下に、第１の実施形態による作用効果を説明する。
【００３９】
（１）第１の実施形態に係るビームリード１１は、基板３の上に配設される半導体チップ７（電気的素子）に接続され、可撓性を有する編組から構成される。
【００４０】
ビームリード１１が、可撓性を有する編組から構成されるため、従来の金属よりも剛性が低い。このため、ビームリード１１の温度が変化しても、ビームリード１１と電気的素子７との接合部分に入力される応力が低減し、ビームリード１１と電気的素子７との接合部分が損傷することが効果的に抑制される。
【００４１】
また、ビームリード１１に高周波電流を流す場合、表皮効果によって、ビームリード１１を構成するそれぞれの線状体２５における表面部分を高周波電流が集中的に流れる。従って、複数の線状体が絡み合って構成されるビームリード全体では、ビームリード１１の断面の全体に分散して高周波電流が流れるため、ノイズが効率的に低減される。なお、これに対して、従来の金属板からなるビームリードでは、電流密度が金属板の表面部分で高くなり高周波電流が流れにくくなるため、ノイズの発生量が大きくなる。
【００４２】
（２）半導体装置１は、絶縁材料で構成される基板３と、該基板３の上に配設される半導体チップ７（電気的素子）と、半導体チップ７に接続されると共に可撓性を有する編組から構成されたビームリード１１と、を備える。前記ビームリード１１のチップ側接合部１５（接合部）は、半導体チップ７にはんだＳで接合される。前記ビームリード１１のチップ側接合部１５は、少なくとも一部を押し潰した後で、はんだＳで半導体チップ７（電気的素子）に接合されてなる。
【００４３】
この押し潰し加工によって、チップ側接合部１５の編組を構成する線状体２５同士の隙間が潰れるため、線状体２５同士の隙間に必要以上にはんだＳが吸い上げられる（浸透する）ことが抑制される。従って、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとの間に適正な厚さのはんだ層が形成されるため、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとを効率的に接合することができる。
【００４４】
これに対して、はんだ付け工程の前でチップ側接合部１５および連結部２７を押し潰さない場合は、チップ側接合部１５および連結部２７において線状体２５同士の隙間が大きい状態になっている。従って、毛細管現象によって線状体２５同士の隙間にはんだＳが必要以上にどんどん浸透してしまい、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとの間に形成されるはんだ層の適正な厚さを確保することが困難になる。従って、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとを効率的に接合することが困難になる。
【００４５】
（３）前記ビームリード１１は、半導体チップ７に接合されるチップ側接合部１５（接合部）と、チップ側接合部１５（接合部）に繋がる連結部１９，２１，２３と、を備えている。前記連結部における接合部との境界部２７と、前記接合部１５と、を押し潰した後で、はんだＳでチップ側接合部１５を半導体チップ７に接合してなる。
【００４６】
チップ側接合部１５のみならず境界部２７も押し潰しているため、連結部である立壁部１９とチップ側接合部１５の編組を構成する線状体２５同士の隙間が潰れる。ここで、連結部を押し潰さないと、図４（ｂ）のように、立壁部１９の上端まではんだＳが吸い上げられる（浸透する）おそれがある。よって、チップ側接合部１５および境界部２７も押し潰すことにより、立壁部１９まではんだＳが吸い上げられることが抑制される。即ち、図３（ｂ）に示すように、はんだＳが吸い上げられる範囲は、立壁部１９の下端部までに限定される。従って、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとの間にさらに適正な厚さのはんだ層が形成されるため、チップ側接合部１５の下面と半導体チップ７の上面７ａとをさらに効率的に接合することができる。
【００４７】
[第２の実施形態]
次いで、第２の実施形態に係る半導体装置およびビームリードについて説明する。ただし、前述した第１の実施形態と同一構成については、同一の符号を付けて説明を省略する。
【００４８】
第２の実施形態に係る半導体装置においては、チップ側接合部１５（接合部）および回路層側接合部１７は、それぞれ半導体チップ７および第２の基板上回路層９にシンタ接合によって接合されている。以下、チップ側接合部１５を例にとって具体的に接合の手順を説明する。
【００４９】
図５（ａ）（ｂ）に示すように、まず、半導体チップ７の上面７ａの上にシンタペースト３１を塗布する。そして、シンタペースト３１の上にチップ側接合部１５を載置して当接する。こののち、チップ側接合部１５の近傍を加熱すると、図５（ｃ）に示すように、シンタペースト３１の中の金属粒子３３（例えば、銀の粒子）により、チップ側接合部１５が半導体チップ７に接合される。
【００５０】
以下に、第２の実施形態による作用効果を説明する。
【００５１】
（１）第２の実施形態に係る半導体装置は、絶縁材料で構成される基板３と、該基板３の上に配設される半導体チップ７（電気的素子）と、半導体チップ７に接続されると共に可撓性を有する編組から構成されたビームリード１１と、を備える。前記ビームリード１１のチップ側接合部１５（接合部）は、半導体チップ７にシンタ接合によって接合される。
【００５２】
これにより、シンタ接合時において、ビームリード１１のチップ側接合部１５を半導体チップ７に押し付けなくても、ビームリード１１のチップ側接合部１５が半導体チップ７に対して横方向にずれにくくなる。即ち、前述のように、ビームリード１１は、可撓性を有する編組から構成されるので剛性が低くなる。よって、ビームリード１１がシンタ接合時の熱によって形状変化するときに、チップ側接合部１５が横方向に変形する応力が小さくなるため、チップ側接合部１５が横方向にずれにくくなる。
【００５３】
（２）半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップ７にシンタペースト３１を塗布する工程と、ビームリード１１を半導体チップ７の上のシンタペースト３１に当接する工程と、この当接部を加熱することにより、シンタペースト３１中の金属粒子３３でビームリード１１を半導体チップ７に接合させる工程と、を有する。
【００５４】
このように、ビームリード１１の剛性が低下するため、ビームリード１１がシンタ接合時の熱によって形状変化するときに、チップ側接合部１５が横方向に変形する応力が小さくなるため、チップ側接合部１５が横方向にずれにくくなる。
【００５５】
[第３の実施形態]
次いで、第３の実施形態に係る半導体装置およびビームリードについて説明する。ただし、前述した第１および第２の実施形態と同一構成については、同一の符号を付けて説明を省略する。
【００５６】
第３の実施形態に係るビームリードは、３層構造に構成されている。具体的には、図６，７に示すように、下側に配置される第２構成部材１１Ｂと、該第２構成部材１１Ｂの上側に配置される第３構成部材１１３と、該第３構成部材１１３の上側に配置される第１構成部材１１Ａと、から構成される。これらの第１構成部材１１Ａ、第２構成部材１１Ｂおよび第３構成部材１１３は、それぞれ側面視がハット状に形成されている。
【００５７】
前記第１構成部材１１Ａおよび第２構成部材１１Ｂは、編組から構成されている。また、厚さ方向の中央側に配置される第３構成部材１１３は、銅箔からなる。
【００５８】
そして、これらの第１構成部材、第２構成部材および第３構成部材を互いに接合して一体にすることにより、ビームリード１１１を構成する。
【００５９】
以下に、第３の実施形態による作用効果を説明する。
【００６０】
（１）第３の実施形態に係るビームリード１１１は、編組からなる第１構成部材１１Ａおよび第２構成部材１１Ｂと、これらの第１構成部材１１Ａおよび第２構成部材１１Ｂの間に挟持され、銅箔（金属箔）からなる第３構成部材１１３と、を備える。これらの第１構成部材１１Ａ、第２構成部材１１Ｂ、第３構成部材１１３は、互いに接合されて一体に形成される。
【００６１】
第３構成部材１１３は金属箔からなるため、可撓性を有する編組のみから構成されるビームリードに比べて、強度が向上するという効果を有する。なお、この強度は、ビームリードに要求される必要最小限度の強度（例えば、加工が効率よくできる強度や、ビームリードの使用中に変形しない強度など）である。
【００６２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。すなわち、本発明の技術的な範囲は、前記の実施形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載にしたがって解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６３】
例えば、前記実施形態では、ビームリード１１、第１構成部材１１Ａおよび第２構成部材１１Ｂは、編組で構成したが、可撓性を有する金属（例えば銅）のメッシュで構成してもよい。
【００６４】
また、第３の実施形態において、第３構成部材１１３を構成する金属箔として銅箔を例に取ったが、銅箔以外でもよい。
【００６５】
さらに、第２の実施形態では、半導体チップ７にシンタペースト３１を塗布したが、ビームリード１１に塗布してもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１  半導体装置
３  基板
７  半導体チップ７（電気的素子）
１１  ビームリード
１１Ａ  第１構成部材
１１Ｂ  第２構成部材
１１３  第３構成部材
１５  チップ側接合部（接合部）
１９  立壁部（連結部）
２１  立壁部（連結部）
２３  橋渡し部（連結部）
２７  境界部
３１  シンタペースト
３３  金属粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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