(57)【要約】      （修正有）【課題】軟化した材料が、冷却用マイクロチャネルの中へと沈下又は垂下しないろう付方法を提供する。【解決手段】ろう付け方法は、基材１０１を用意するステップと、基材に１以上の溝１０３を設けるステップと、支持部材１０５を用意するステップと、支持部材を溝の上方に配置するステップと、ろう付け材料１０７を用意するステップと、ろう付け材料を支持部材の上方に適用してアセンブリ１０９を形成するステップと、アセンブリを加熱して、ろう付け材料を基材にろう付けするステップとを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の溝を有する基材を用意するステップと、
支持部材を用意するステップと、
支持部材を基材の１以上の溝の上方に配置するステップと、
ろう付け材料を用意するステップと、
ろう付け材料を支持部材の上方に適用し、ろう付け材料と支持部材とで第１のろう付けアセンブリを形成するステップと、
第１のろう付けアセンブリを加熱し、第１のろう付けアセンブリを基材にろう付けするステップと
を含む、ろう付け方法。
【請求項２】
ろう付け材料が溝に侵入して凸状境界を形成しないように、ろう付け材料を１以上の溝の上方に保つことを含む、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項３】
第２の基材を用意するステップと、
第１のろう付けアセンブリが１以上の溝を有する基材と第２の基材との間に介在するように、第２の基材を第１のろう付けアセンブリの上方に配置するステップと
をさらに含んでおり、
加熱ステップによって、第２の基材が１以上の溝を有する基材にろう付けされる、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項４】
１以上の溝の各々が、基材とろう付けアセンブリとの間に妨げのない流れの冷却用マイクロチャネルを形成する、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項５】
ろう付け材料が、ニッケル基ろう合金を含んでいる、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項６】
ろう付け材料が、基材の熱膨張係数に矛盾しない熱膨張係数を備える、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項７】
支持部材がワイヤである、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項８】
支持部材がメッシュである、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項９】
高融点合金と低融点合金と結合剤からプリフォームを用意するステップと、
プリフォームを支持部材の上方に適用し、第１のろう付けアセンブリを形成するステップと
をさらに含む、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項１０】
第１のろう付けアセンブリを加熱ステップにより、プリフォームが焼結され、第１のろう付けアセンブリが基材にろう付けされる、請求項９記載のろう付け方法。
【請求項１１】
真空ろう付けを含む、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項１２】
雰囲気ろう付けを含む、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項１３】
基材がニッケル基合金を含む、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項１４】
基材がコバルト基合金を含む、請求項１記載のろう付け方法。
【請求項１５】
プリフォームを用意するステップと、
メッシュを用意するステップと、
メッシュをプリフォームへと押し込むステップと、
プリフォームを加熱して、第２のろう付けアセンブリを形成するステップと、
基材を用意するステップと、
基材に１以上の溝を設けるステップと、
第２のろう付けアセンブリを基材の１以上の溝の上方に適用するステップと、
第２のろう付けアセンブリを基材にろう付けするステップと
を含む、ろう付け方法。
【請求項１６】
ろう付け材料が溝に侵入して凸状境界を形成しないように、ろう付け材料を１以上の溝の上方に保つことを含む、請求項１５記載のろう付け方法。
【請求項１７】
ろう付け材料を用意するステップと、
ろう付け材料に１以上の溝を形成するステップと、
１以上の溝内に支持部材を固定し、第３のろう付けアセンブリを形成するステップと、
基材を用意するステップと、
第３のろう付けアセンブリを基材の上方へと適用するステップと、
第３のろう付けアセンブリを基材にろう付けし、ろう付け物品を形成するステップと、
１以上の溝の各々が、ろう付け物品において冷却用マイクロチャネルを形成するステップと
を含む、ろう付け方法。
【請求項１８】
支持部材がセラミックである、請求項１７記載のろう付け方法。
【請求項１９】
支持部材がマイクロチューブである、請求項１７記載のろう付け方法。
【請求項２０】
マイクロチューブが、ろう付け物品においてマイクロチャネルを形成する、請求項１９記載のろう付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ろう付け方法に関する。より具体的には、本発明は、冷却用マイクロチャネルを形成するためのろう付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タービンシステムは、効率を高め、コストを下げるために、絶えず改良されている。タービンシステムの効率を高めるための１つの方法として、タービンシステムの動作温度を高くすることが挙げられる。温度を高くするために、タービンシステムを、連続使用においてそのような温度に耐えることができる材料で構成しなければならない。
【０００３】
部品の材料及びコーティングの改良に加えて、タービン部品の熱性能を、冷却用マイクロチャネルの使用によって向上させることができる。冷却用マイクロチャネルを、ガスタービンの高温領域に使用される金属及び合金へと取り入れることができる。しかしながら、冷却用マイクロチャネルを覆う外カバーの形成が、チャネルへの直接的な溶射はチャネルをコーティング材料で埋める結果となりかねないため、困難となりうる。チャネルがコーティング材料で埋められることがないようにするための１つの方法として、コーティングに先立ってチャネルに犠牲材料を充てん、次いで部品のコーティングを行い、その後に犠牲材料を除去することが挙げられる。犠牲材料の充てん及び除去は、どちらも困難かつ高価となりうる。
【０００４】
充てん及び除去の代案として、薄いカバー層を、冷却用マイクロチャネルを覆って基材にろう付けすることができる。しかしながら、基材の表面への材料のろう付けの際に、材料を充分にろう付けするために必要なろう付け温度が、ろう付けカバー材料を軟化させてしまう可能性もある。軟化した材料が、冷却用マイクロチャネルの中へと沈下又は垂下し、固化時に冷却用マイクロチャネルを塞ぐ可能性がある。このように、ろう付けは、きわめて狭い温度範囲を必要とし、そのような温度範囲を外れると、部品が損傷し、或いは使用できなくなる可能性がある。
【０００５】
上述の欠点のうちの１つ以上を抱えることがないろう付け方法が、技術的に望ましいと考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第７８５７５８９号明細書
【発明の概要】
【０００７】
一実施形態では、ろう付け方法が、１以上の溝を有する基材を用意することを含む。次に、支持部材が用意され、基材の１以上の溝の上方に配置される。ろう付け材料が用意され、支持部材の上方に適用され、この支持部材とろう付け材料とが第１のろう付けアセンブリを形成する。次に、第１のろう付けアセンブリが加熱され、第１のろう付けアセンブリが基材にろう付けされる。
【０００８】
別の典型的な実施形態では、ろう付け方法が、プリフォームを用意するステップと、メッシュを用意するステップと、メッシュをプリフォームへと押し込むステップと、プリフォームを加熱して、第２のろう付けアセンブリを形成するステップと、基材を用意するステップと、基材に１以上の溝を設けるステップと、第２のろう付けアセンブリを基材の１以上の溝の上方に適用するステップと、第２のろう付けアセンブリを基材にろう付けするステップとを含む。
【０００９】
別の典型的な実施形態では、ろう付け方法が、ろう付け材料を用意するステップと、ろう付け材料に１以上の溝を形成するステップと、１以上の溝内に支持部材を固定し、第３のろう付けアセンブリを形成するステップと、基材を用意するステップと、第３のろう付けアセンブリを基材の上方へと適用するステップと、第３のろう付けアセンブリを基材にろう付けして、ろう付け物品を形成するステップとを含む。第３のろう付けアセンブリの１以上の溝が、ろう付け物品において１以上の冷却用マイクロチャネルを形成する。
【００１０】
本発明の他の特徴及び利点が、好ましい実施形態についての以下のさらに詳細な説明を、本発明の原理をあくまでも例として示している添付の図面と併せて検討することによって、明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態によるろう付け方法のフロー図である。
【図２】本発明の実施形態によるろう付け方法の工程図である。
【図３】本発明の実施形態によるろう付け方法の工程図である。
【図４】本発明の実施形態によるろう付け方法のフロー図である。
【図５】本発明の実施形態によるろう付け方法の工程図である。
【図６】本発明の実施形態によるろう付け方法のフロー図である。
【図７】本発明の実施形態によるろう付け方法の工程図である。
【図８】本発明の実施形態によるろう付け方法の工程図である。
【図９】基材の溝内に凸状の境界を形成しているろう付け材料を示している先行技術のろう付け方法の工程図である。
【００１２】
可能な限り、同じ参照番号が、図面の全体を通して、同じ部分を表すために使用される。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
典型的なろう付け方法が提示される。本発明の実施形態は、本明細書に開示の特徴のうちの１つ以上を使用しないプロセス及び物品と比べて、冷却用マイクロチャネルの形成の効率を高め、冷却用マイクロチャネルの形成のコストを下げ、ろう付け時の冷却用マイクロチャネルへのろう付け材料の侵入を減らし、ろう付け温度を高くすることを可能にし、ろう付け時のスクラップ発生率を下げ、ろう付け材料に冷却用マイクロチャネルを形成することを可能にし、或いはこれらの組合せをもたらす。
【００１４】
図１及び図２を参照すると、一実施形態において、ろう付け方法１００は、１以上の溝１０３を有する基材１０１を用意することと、支持部材１０５を用意することと、支持部材１０５を基材１０１の溝１０３の上方に配置すること（ステップ１１０）と、ろう付け材料１０７を用意することと、ろう付け材料１０７を支持部材１０５の上方に適用し、支持部材１０５とろう付け材料１０７とを含む第１のろう付けアセンブリ１０９を形成すること（ステップ１２０）と、第１のろう付けアセンブリ１０９を加熱して、第１のろう付けアセンブリ１０９を基材１０１にろう付けすること（ステップ１３０）とを含む。別の実施形態では、ろう付け材料１０７を、最大３０ミル、最大２５ミル、最大２０ミル、又はこれらの組合せの厚さにて形成することができる。ろう付けは、第１のろう付けアセンブリ１０９のろう付け材料１０７を基材１０１へと固定してろう付け物品を形成することができる任意の適切なろう付け方法によって実行される。基材１０１の１以上の溝１０３の各々が、ろう付け物品において冷却用マイクロチャネル１０４を形成する。適切なろう付け方法として、これらに限られるわけではないが、真空ろう付け、雰囲気ろう付け（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｂｒａｚｉｎｇ）、非酸化雰囲気でのろう付け、又はこれらの組合せが挙げられる。ろう付け材料１０７は、これに限られるわけではないがニッケル基ろう合金など、任意の適切な材料を含む。
【００１５】
図３を参照すると、一実施形態において、第１のろう付けアセンブリ１０９は、溝１０３を有する基材１０１と、同じ材料を含んでいる第２の基材１０２との間に介在してもよい。この実施形態では、第１のろう付けアセンブリ１０９が、溝１０３へのろう付け材料１０７の沈下、落ち込み、又は垂下を防止するだけでなく、第１のろう付けアセンブリ１０９が、溝１０３を有する基材１０１を第２の基材１０２へと接合する。図９を参照すると、沈下、落ち込み、又は垂下は、本明細書において使用されるとき、ろう付け材料１０７が溝１０３に進入し、溝１０３内に凸状の境界を形成することを指す。
【００１６】
第１のろう付けアセンブリ１０９の加熱（ステップ１３０）の際に、ろう付け温度によってろう付け材料１０７が軟化し、通常であれば支持のない自身の重量のもとで溝１０３へと沈下し、落ち込み、或いは垂れ下がる。しかしながら、溝１０３の上方に支持部材１０５が配置される（ステップ１１０）ことで、ろう付け材料１０７が溝１０３の上方に保たれ、ろう付け材料１０７の沈下、落ち込み、又は垂下が最小化され、軽減され、或いは排除される。さらに、支持部材１０５は、ろう付け材料１０７の溝１０３への沈下又は垂下を軽減又は回避することによって、ろう付け材料１０７へとより多くの熱を利用する用途からのスクラップの形成を少なくし、或いは皆無にする。支持部材１０５は、第１のろう付けアセンブリ１０９の加熱（ステップ１３０）の際にろう付け材料１０７を溝１０３の上方に維持することができる任意の適切な物品であってよい。支持部材１０５に適した物品として、これらに限られるわけではないが、棒、ワイヤ、メッシュ２０１（図２）、中実シート、孔空きシート、又はこれらの組合せが挙げられる。支持部材１０５は、好ましくは、ろう付けに耐えるために充分に高い溶融温度を有するべきである。しかしながら、支持部材１０５は、ろう付け物品へと取り込まれてもよく、或いはタービンの耐用期間の間にろう付け物品内で分解してもよい。
【００１７】
軟化したろう付け材料１０７の落ち込み、沈下、又は垂下を軽減又は回避するために溝１０３の上方に支持部材１０５を配置（ステップ１１０）することで、ろう付け材料１０７の溝１０３への進入を生じさせることなくろう付け温度を達成することができる。一実施形態では、支持部材１０５を、第１のろう付けアセンブリ１０９の加熱（ステップ１３０）の際にろう付け温度を高くすることによって、ろう付け材料１０７へと同化させることができる。一実施形態では、支持部材１０５が、ろう付け材料１０７の温度よりも高い溶融及び軟化温度を有し、ろう付け物品へと取り入れられる。第１のろう付けアセンブリ１０９の加熱（ステップ１３０）に耐えることができる支持部材１０５として、ろう付け温度において軟化しない任意の適切な組成物が挙げられる。適切な組成物として、これらに限られるわけではないが、セラミック、金属合金、又はこれらの組合せなど、基材１０１と同様又は実質的に同様の組成物が挙げられる。分解しうる支持部材として、鋼など、高温のタービンの動作において酸化しうる材料が挙げられる。
【００１８】
冷却用マイクロチャネル１０４は、基材１０１と第１のろう付けアセンブリ１０９との間に形成される。冷却用マイクロチャネル１０４は、流体の流れを許す開いた内部空間を備える。冷却用マイクロチャネル１０４の開いた内部空間への軟化したろう付け材料１０７の沈下又は垂下の軽減又は回避は、妨げられることのない冷却用流体の流れを可能にする。一実施形態では、冷却用マイクロチャネル１０４が、これらに限られるわけではないが、約５ミル〜約２００ミル、約１０ミル〜約１５０ミル、約１０ミル〜約１００ミル、或いはこれらの任意の組合せ、部分的組合せ、範囲、又は部分的範囲の幅及び／又は深さを備える（ここで、１ミルは０．００１インチに等しい）。別の実施形態では、冷却用マイクロチャネル１０４の幅及び／又は深さが、チャネル間で異なり、或いは冷却用マイクロチャネル１０４そのものに沿って変化する。さらなる実施形態では、冷却用マイクロチャネル１０４が、これらに限られるわけではないが、円、半円、正方形、矩形、長円形、三角形、任意の他の多角形、又はこれらの組合せなど、任意の適切な断面形状を備える。
【００１９】
基材１０１は、これらに限られるわけではないが、バケット、ノズル、シュラウド、高温ガスの経路部品、又は燃焼室など、冷却用マイクロチャネル１０４を利用する任意の部品を含む。一実施形態では、第１のろう付けアセンブリ１０９が、加熱（ステップ１３０）に先立って、冷却用マイクロチャネル１０４を通って流れる流体が漏れることがないよう、基材１０１の形状に一致するように形作られる。基材は、これらに限られるわけではないが、ニッケル基合金、コバルト基合金、高強度鋼合金、又はこれらの組合せなど、任意の適切なろう付け可能な組成物を含む。ガスタービンにおいては、冷却用マイクロチャネル１０４を有する基材１０１が、約１６００°Ｆ〜約２４００°Ｆ、約１７００°Ｆ〜約２３００°Ｆ、約１８００°Ｆ〜約２２００°Ｆ、或いはこれらの任意の組合せ、部分的組合せ、範囲、又は部分的範囲の動作温度に曝される。基材と同様又は実質的に同様な熱膨張係数を有するろう付け材料１０７を用意することで、動作時の膨張の相違に起因する応力を軽減することができる。
【００２０】
図４及び図５を参照すると、一実施形態では、メッシュ２０１が、焼結作業前の「未焼結」プリフォーム２０３へと押し込まれ（ステップ２１０）、次いで加熱が行われ、第２のろう付けアセンブリ２０９が形成される（ステップ２２０）。別の実施形態では、メッシュ２０１が、プリフォーム２０３の２つ以上の層の間に押し込まれ（ステップ２１０）、次いで加熱が行われ、第２のろう付けアセンブリ２０９が形成される（ステップ２２０）。
【００２１】
一実施形態では、加熱（ステップ２２０）前に、「未焼結」状態のプリフォーム２０３はフェルト状材料を形成している。プリフォーム２０３は、少なくとも高融点合金、低融点合金及び結合剤を含む。別の実施形態では、高融点合金及び低融点合金の粉体が結合剤で一体に保持された形態である。プリフォーム２０３の加熱（ステップ２２０）により、プリフォーム２０３が焼結され、結合剤が気化又は燃焼し、高融点合金、低融点合金、及びメッシュ２０１が互いに固定される。加熱（ステップ２２０）は、プリフォーム２０３のろう付け温度よりも低いが、高融点合金粉末及び低融点合金粉末を低融点合金の最小限の溶融で合体させるために充分に高い任意の適切な温度で実行される。さらに、別の実施形態では、プリフォーム２０３の加熱（ステップ２２０）が、高融点合金とメッシュ２０１との結合をもたらす低融点合金の初期の溶融をもたらす。適切な温度として、これらに限られるわけではないが、約１７００°Ｆ〜約２２００°Ｆ、約１８００°Ｆ〜約２０００°Ｆ、約１８５０°Ｆ〜約１９５０°Ｆ、或いはこれらの任意の組合せ、部分的組合せ、範囲、又は部分的範囲が挙げられる。高融点合金は、基材１０１と同様又は実質的に同様であってよい。低融点合金は、例えば約２０００°Ｆなど、高融点材料又は基材よりも下で溶融する材料を含む。
【００２２】
一実施形態では、低融点合金は、約８．０％〜約８．７％のＣｒ、約９％〜約１０％のＣｏ、約５．２５％〜約５．７５％のＡｌ、約０．９％以下（例えば、約０．６％〜約０．９％）のＴｉ、約９．３％〜約９．７％のＷ、約０．６％以下（例えば、約０．４％〜約０．６％）のＭｏ、約２．８％〜約３．３％のＴａ、約１．３％〜約１．７％のＨｆ、約０．１％以下（例えば、約０．０７％〜約０．１％）のＣ、約０．０２％以下（例えば、約０．００５％〜約０．０２％）のＺｒ、約０．０２％以下（例えば、約０．０１％〜約０．０２％）のＢ、約０．２％以下のＦｅ、約０．１２％以下のＳｉ、約０．１％以下のＭｎ、約０．１％以下のＣｕ、約０．０１％以下のＰ、約０．００４％以下のＳ、約０．１％以下のＮｂ、残部のニッケルという公称重量％によって特徴付けられる組成を有する。別の実施形態では、低融点合金は、約１９．０％のクロム、約０．０３％のホウ素、約１０％のケイ素、約０．１％の炭素、残部のニッケルという公称の重量％によって特徴付けられる組成を有する。
【００２３】
一実施形態では、高融点合金は、約１２％のコバルト、約６．８％のクロム、約４．９％のタングステン、約１．５％のモリブデン、約６．１％のアルミニウム、約６．３％のタンタル、約０．１２％の炭素、約２．８％のレニウム、約１．２％のハフニウム、残部のニッケルという公称の重量％で特徴付けられる組成を有する。
【００２４】
第２のろう付けアセンブリ２０９が、基材１０１の溝１０３の上方に適用され（ステップ２３０）、基材１０１にろう付けされる（ステップ２４０）。メッシュ２０１が、第２のろう付けアセンブリ２０９の剛性を高め、ろう付け（ステップ２４０）の際の溝１０３への垂れ下がり、沈下、及び／又は垂下を軽減又は防止する。溝１０３の上方への第２のろう付けアセンブリ２０９のろう付け（ステップ２４０）が、基材１０１内の冷却用マイクロチャネル１０４の上方にカバーを形成する。メッシュ２０１は、第２のろう付けアセンブリ２０９の中に残って、ろう付け物品の一部を形成し、或いはろう付けの最中又は後のタービンの動作の最中に吸収される（ステップ２４０）。一実施形態では、第２のろう付けアセンブリ２０９が、ろう付け（ステップ２４０）の前に、冷却用マイクロチャネル１０４を通って流れる流体が漏れることがないよう、基材１０１の形状に一致するように形作られる。
【００２５】
図６及び図７を参照すると、一実施形態では、溝１０３のうちの少なくとも１つが、ろう付け材料１０７に形成され、（ステップ３１０）、支持部材３０１が、ろう付け材料１０７の溝１０３内に固定され、第３のろう付けアセンブリ３０９が形成される（ステップ３２０）。一実施形態では、支持部材３０１が、基材１０１と同じ材料を含み、ろう付け材料１０７のろう付け温度を上回る溶融温度を有する。支持部材３０１は、溝１０３へのろう付け材料１０７の落ち込み、沈下、及び／又は垂下を軽減又は防止するための溝１０３内の任意の適切な位置に固定される（ステップ３２０）。適切な位置として、これらに限られるわけではないが、溝１０３の横部分３０３、溝１０３の上部３０５、又はこれらの組合せが挙げられる。
【００２６】
支持部材３０１を溝１０３内に固定（ステップ３２０）した後で、第３のろう付けアセンブリ３０９が、基材１０１の上方に適用される（ステップ３３０）。第３のろう付けアセンブリ３０９は、適用（ステップ３３０）の前に、冷却用マイクロチャネル１０４を通って流れる流体が漏れることがないよう、基材１０１の形状に一致するように形作られる。一実施形態では、第３のろう付けアセンブリ３０９が適用（ステップ３３０）されるとき、第３のろう付けアセンブリ３０９の溝１０３のうちの少なくとも１つが、基材１０１の溝１０３のうちの少なくとも１つに対応するように配置される。全体として、第３のろう付けアセンブリ３０９及び基材１０１の間の対応する溝１０３が、冷却用マイクロチャネル１０４を形成する。別の実施形態では、第３のろう付けアセンブリ３０９が適用（ステップ３３０）されるとき、第３のろう付けアセンブリ３０９の溝１０３のうちの少なくとも１つが、基材１０１の１以上の溝１０３に対応しないように配置される。基材１０１又は第３のろう付けアセンブリ３０９の対応しない各々の溝１０３が、別々の冷却用マイクロチャネル１０４を形成する。別の実施形態では、基材１０１が、溝１０３を備えない。第３のろう付けアセンブリ３０９を溝１０３を持たない基材１０１へと適用（ステップ３３０）することで、基材１０１に溝１０３を形成することなく冷却用マイクロチャネル１０４を形成することができる。
【００２７】
図８を参照すると、別の実施形態では、支持部材３０１が、ろう付け材料１０７の溝１０３内に配置及び／又は固定されて第３のろう付けアセンブリ３０９を形成する単一の金属製の形態を含む。例えば、一実施形態では、支持部材３０１が、溝１０３内に配置されたマイクロチューブ３１１である。マイクロチューブ３１１は、ろう付け材料１０７よりも高い溶融温度を有し、基材１０１への第３のろう付けアセンブリ３０９のろう付け（ステップ３４０）の際に、溝１０３内に固定（ステップ３２０）される。溝１０３内に固定されたマイクロチューブ３１１が、ろう付け物品において冷却用マイクロチャネル１０４を形成する。マイクロチューブ３１１は、これらに限られるわけではないが、円形、正方形、矩形、三角形、任意の他の多角形、又はこれらの組合せなど、任意の適切な形状を備える。別の実施形態では、マイクロチューブ３１１の形状及び／又はサイズが、マイクロチューブ３１１の長さに沿って変化する。
【００２８】
支持部材３０１は、ろう付け（ステップ３４０）の際に溝１０３の形状を維持するための任意の適切な材料を含む。適切な材料として、これらに限られるわけではないが、セラミック、金属合金、又はこれらの組合せが挙げられる。例えば、一実施形態では、支持部材３０１がセラミックを含み、高い温度でのろう付け（ステップ３４０）の際に基材１０１にろう付け（ステップ３４０）されることがない。別の例では、支持部材３０１が金属合金を含み、第３のろう付けアセンブリ３０９のろう付け材料１０７及び支持部材３０１の両者が、高い温度でのろう付け（ステップ３４０）の際に基材１０１にろう付け（ステップ３４０）される。
【００２９】
本発明を、好ましい実施形態を参照して説明したが、それらの構成要素について、本発明の技術的範囲から外れることなく、種々の変更及び均等物による置き換えが可能であることを、当業者であれば理解できるであろう。さらに、多数の変更を、本発明の教示の本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況又は材料を本発明の教示に合わせるために行うことができる。したがって、本発明は、本発明を実行するために考えられる最良の態様として開示された特定の実施形態に限られず、むしろ本発明は、添付の特許請求の範囲の技術的範囲に包含されるすべての実施形態を含む。
【符号の説明】
【００３０】
１００  ろう付け方法
１０１  基材
１０２  基材
１０３  溝
１０４  冷却用マイクロチャネル
１０５  支持部材
１０７  ろう付け材料
１０９  第１のろう付けアセンブリ
２０３  プリフォーム
２０９  第２のろう付けアセンブリ
３０１  支持部材
３０３  溝１０３の横部分
３０５  溝１０３の上部
３０９  第３のろう付けアセンブリ
３１１  マイクロチューブ
【図１】
2015110246.tif 000003
【図２】
2015110246.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015110246.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
2015110246000001.pdf