(57)【要約】【課題】画素分離膜の、画素分離膜に隣接する層から剥離による不良発生を防止することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置された基板１０と、有機絶縁膜１３と下部電極３２とを有する下地層１５と、前記下地層上に突出するように設けられた画素分離膜１４と、前記下地層上および前記画素分離膜上を覆う、少なくとも発光層を含む有機層３３と、を備え、前記下地層上と前記画素分離膜の間、もしくは、前記画素分離膜と前記有機層の間の少なくとも一部に、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる第１の接着膜６０が形成されている、ことを特徴とする。【選択図】図３
2015216328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された基板と、
前記基板上に形成された有機絶縁膜と前記有機絶縁膜上に前記画素毎に形成された下部電極とを有する下地層と、
前記下部電極の外端を覆い、前記下地層上に突出するように設けられた、前記画素を区画する画素分離膜と、
前記下地層上および前記画素分離膜上を覆う、少なくとも発光層を含む有機層と、
を備え、
前記下地層上と前記画素分離膜の間、もしくは、前記画素分離膜と前記有機層の間の少なくとも一部に、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる第１の接着膜が形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記第１の接着膜が前記下部電極の上面を覆っている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記第１の接着膜が前記下部電極の上面と前記画素分離膜の下面との間に形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記有機層を覆う上部電極と、
前記上部電極を覆う第２の接着膜と、
前記第２の接着膜を覆う封止膜と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記第１の接着膜が、前記画素分離膜の下面と前記有機絶縁膜の上面の間に形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
第３の接着膜が、前記第１の接着膜の少なくとも一部と前記画素分離膜の上面を覆うように形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記第１の接着膜と前記第３の接着膜が、前記下部電極の発光領域を避けて形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されている。
【０００３】
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば特許文献１において、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板上に、画素を区画する画素分離膜（第２絶縁膜）と、各画素に形成された第１電極（下部電極）と、下部電極と画素分離膜上を覆う有機膜と、有機膜上を覆う第２電極（上部電極）と、上部電極上に配置された対向基板と、を有する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２１６３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、湾曲可能な基板を有するフレキシブルな有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されているが、特許文献１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置に湾曲可能な基板を適用すると、基板が湾曲した際に画素分離膜の周囲に応力が加わりやすい。
【０００６】
このため、基板の湾曲により、画素分離膜に接する有機膜や下部電極が画素分離膜から剥離するおそれがある。このため、フレキシブルな有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、有機膜や下部電極の剥離による不良発生の問題があった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、画素分離膜の、画素分離膜に隣接する層から剥離による不良発生を防止可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０００９】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された基板と、前記基板上に形成された有機絶縁膜と前記有機絶縁膜上に前記画素毎に形成された下部電極とを有する下地層と、前記下部電極の外端を覆い、前記下地層上に突出するように設けられた、前記画素を区画する画素分離膜と、前記下地層上および前記画素分離膜上を覆う、少なくとも発光層を含む有機層と、を備え、前記下地層上と前記画素分離膜の間、もしくは、前記画素分離膜と前記有機層の間の少なくとも一部に、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる第１の接着膜が形成されている、ことを特徴とする。
【００１０】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記第１の接着膜が前記下部電極の上面を覆っていていてもよい。
【００１１】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（２）において、前記第１の接着膜が前記下部電極の上面と前記画素分離膜の下面との間に形成されていてもよい。
【００１２】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記有機層を覆う上部電極と、前記上部電極を覆う第２の接着膜と、前記第２の接着膜を覆う封止膜と、を有してもよい。
【００１３】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（２）乃至（４）のいずれか一項において、前記第１の接着膜が、前記画素分離膜の下面と前記有機絶縁膜の上面の間に形成されていてもよい。
【００１４】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（２）乃至（５）のいずれかにおいて、第３の接着膜が、前記第１の接着膜の少なくとも一部と前記画素分離膜の上面を覆うように形成されていてもよい。
【００１５】
（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（６）において、前記第１の接着膜と前記第３の接着膜が、前記下部電極の発光領域を避けて形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、第１の接着膜が配される領域における画素分離膜と、画素分離膜に隣接する層との間の接着性が向上するため、接着膜が配される領域における画素分離膜の剥離による不良発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図４】図４は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図５】図５は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図６】図６は第５の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図７】図７は第６の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａを例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１９】
図１は本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａのＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。なお、本実施形態においては説明の便宜上、各構成の位置関係をＹ軸（Ｙ１方向、Ｙ２方向）、Ｚ軸（Ｚ１方向、Ｚ２方向）の座標を用いて説明する。
【００２０】
図１に示す通り、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、矩形の表示領域Ｄを有する基板（薄膜トランジスタ基板）１０と、対向基板５０と、を有している。薄膜トランジスタ基板１０の平面視形状は対向基板５０の平面視形状よりも小さく、その一部（Ｙ２方向側の部分）の上面１０ａは、対向基板５０に覆われずに露出している。上面１０ａには、フレキシブル配線基板２やドライバＩＣ（Integrated Circuit）３が接続される。
【００２１】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図２に示すように、表示領域Ｄの薄膜トランジスタ基板１０は、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置されている。
【００２２】
薄膜トランジスタ基板１０は、絶縁基板８と、薄膜トランジスタ１１及び電気配線１５が形成された回路層１２と、平坦化膜（有機絶縁膜）１３と、を有している。また、薄膜トランジスタ基板１０上には、下地層１５と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、カラーフィルタＣＦと、充填剤４５と、対向基板５０とが設けられている。
【００２３】
回路層１２は、絶縁基板８上に形成された、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するための層である。回路層１２は、薄膜トランジスタ１１、パッシベーション膜１１ｆ及び図示しない電気配線が形成されている。
【００２４】
薄膜トランジスタ１１は基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅから構成されている。薄膜トランジスタ１１上は、薄膜トランジスタ１１を保護する絶縁膜であるパッシベーション膜１１ｆによって覆われている。
【００２５】
下地層１５は、有機絶縁膜１３と後述する下部電極３２とを有している。有機絶縁膜１３は絶縁性を有する有機材料からなる層であり、回路層１２（薄膜トランジスタ１１）の上を覆うように形成されている。有機絶縁膜１３は、例えばアクリル、ポリイミド等の材料からなる。
【００２６】
有機絶縁膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、金属膜からなる図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜が設けられることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から出射した光は対向基板５０側へ向けて反射される。
【００２７】
有機絶縁膜１３上には、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が画素Ｐ毎に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は下部電極３２と、少なくとも発光層を含む有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された上部電極３４とを有することにより、下部電極３２と有機層３３と上部電極３４とが重なる領域が、発光領域Ｌとして機能する。
【００２８】
下部電極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極であり、画素Ｐ毎に形成されている。下部電極３２はコンタクトホール３２ａに接続していることにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて駆動電流を供給される。
【００２９】
下部電極３２は導電性を有する材料からなる。下部電極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料でもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、下部電極３２に接触するものであれば、下部電極３２は透光性を有していてもよい。このような構成の場合、反射膜は下部電極３２の一部となる。
【００３０】
各下部電極３２同士の間には、隣接する画素Ｐ同士の間を区分するように画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は下部電極３２の外端３２ｂを覆い、下部電極３２のうち、発光領域Ｌに対応する部分を露出させている。画素分離膜１４は下地層１５上から対向基板５０側（図中のＺ１方向側）に向けて突出し、画素Ｐ同士の境界Ｂに沿って形成されている。
【００３１】
画素分離膜１４は、隣接する下部電極３２同士の接触と、下部電極３２と上部電極３４の間の漏れ電流を防止する機能を有している。画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。画素分離膜１４の材料は、絶縁性を有するものであれば有機材料でも無機材料であってもかまわない。
【００３２】
本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、下地層１５上（図中のＺ１方向側）と画素分離膜１４の間、もしくは、画素分離膜１４の上面１４ａ（Ｚ１方向側の面）と有機層３３の間の少なくとも一部に第１の接着膜６０が形成されている。
【００３３】
図２に示す例においては、画素分離膜１４の上面１４ａと、下部電極３２の上面３２ｃのうち発光領域Ｌに対応する面３２ｃ１とに接するように、第１の接着膜６０が形成されている。
【００３４】
第１の接着膜６０は、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる。
【００３５】
なお、ダイヤモンドライクカーボンは、部分的ないし一様に窒素がドープされたものであってもよい。また、シリコンはアモルファスシリコンであってもよく、シリコン、ガリウムまたはゲルマニウムは、酸化物であってもよい。第１の接着膜６０は、これらの材料のうちの一種類からなる膜であってもよいし、複数種類の膜が組み合わさったものであってもよい。本実施形態においては、アモルファスカーボンからなる第１の接着膜６０が形成された例について説明する。
【００３６】
第１の接着膜６０の厚みは、画素分離膜１４の構成や、第１の接着膜６０の材料に応じて適宜調整することができるが、５ｎｍ以下であることが好ましい。第１の接着膜６０の膜厚が５ｎｍ以下であることにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの透過率の低下が抑えられる。本実施形態においては、第１の接着膜６０として、１〜５ｎｍの膜厚のアモルファスカーボン膜が形成された例について説明する。
【００３７】
露出した下部電極３２上（下部電極３２の、発光領域Ｌに対応する領域）及び画素分離膜１４上には、第１の接着膜６０を介して有機層３３が形成されている。このため、有機層３３は、第１の接着膜６０の上面（Ｚ１方向側の面）に接触している。
【００３８】
有機層３３は少なくとも発光層を含む、有機材料により形成された層である。有機層３３は、例えば、下部電極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。なお、本実施形態における発光層の発光色は白色であるが、その他の色であってもよい。
【００３９】
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものが用いられる。
【００４０】
上部電極３４は、有機層３３上を覆うように形成されている。上部電極３４は、画素Ｐ毎に独立しておらず、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、上部電極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００４１】
上部電極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。上部電極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
【００４２】
上部電極３４の上面は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防ぐために形成されている。封止膜４０の材料は、絶縁性を有する透明の材料であれば特に限定されない。
【００４３】
封止膜４０上は、例えば充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０としては例えばカラーフィルタ基板が用いられる。
【００４４】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａは、下地層１５上と画素分離膜１４の間、もしくは、画素分離膜１４と有機層３３の間の少なくとも一部に第１の接着膜６０が形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、第１の接着膜６０が配される領域においては、画素分離膜１４と下地層１５あるいは有機層３３の少なくとも一方が、第１の接着膜６０により互いに強く接着される。
【００４５】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａにおいては、第１の接着膜６０が画素分離膜１４の上面１４ａと有機層３３の間に配置されているため、有機層３３から画素分離膜１４が剥離することが抑えられる。
【００４６】
このため、薄膜トランジスタ基板１０の湾曲などにより画素分離膜１４に応力が加わっても、第１の接着膜６０が配される領域においては、画素分離膜１４の剥離が防がれる。このため、画素分離膜１４の剥離による不良発生を防止することができる。
【００４７】
また、第１の接着膜６０は、無機材料からなる膜と有機材料からなる膜との間に配されることにより、これらの接着性を高めることができる。このため、無機材料からなる画素分離膜１４であっても、画素分離膜１４と有機層３３との間に第１の接着膜６０が配されることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、画素分離膜１４と有機層３３との接着性を高めることができる。
【００４８】
このため、図２に示す例においては、画素分離膜１４が無機材料からなる場合であっても、画素分離膜１４と有機層３３との接着性の低下と、画素分離膜１４の有機層３３からの剥離による不良発生を抑えることができる。
【００４９】
このため、画素分離膜１４を無機材料から形成することにより、有機材料からなる画素分離膜と比べて、微細で薄膜トランジスタ基板１０からの高さ（Ｚ方向の高さ）の小さい画素分離膜１４を実現することができる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの薄型化と高微細化を実現することができる。
【００５０】
また、図２に示す例のように、第１の接着膜６０が無機材料からなる下部電極３２と有機材料からなる有機層３３の間に配置されることにより、有機層３３からの下部電極３２の剥離を抑えることができる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの不良発生を抑えることができる。
【００５１】
また、第１の接着膜６０は、絶縁性を有するため、隣接する画素Ｐ間における導通に影響を与えることがない。また、本実施形態における第１の接着膜６０はガスや水分の浸透を抑える機能を有するため、薄膜トランジスタ基板１０側からのガスや水分の浸透による有機層３３の劣化を防ぐことができる。
【００５２】
なお、本発明においては、画素分離膜１４と画素分離膜１４に隣接する層との間の少なくとも一部に第１の接着膜６０が形成されているのであれば、第１の接着膜６０の配置される箇所は上述の箇所に限られない。以下、第１の接着膜６０の配置される箇所を変えた例について説明する。
【００５３】
図３は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂを図２と同様の視野において示す概略断面図である。以下、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの構成について説明するが、上述した有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと同様の構成については説明を省略する。
【００５４】
第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂにおいては、第１の接着膜１６０ａが下部電極３２の上面と画素分離膜１４の下面１４ｂとの間（下部電極３２の発光領域Ｌに対応する面３２ｃ１の外側の面３２ｃ２と、画素分離膜１４の下面１４ｂ２の間）に形成されている点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａと異なっている。
【００５５】
このように、下部電極３２上を覆う第１の接着膜１６０ａは、下部電極の材料が成膜された薄膜トランジスタ基板１０上に、第１の接着膜１６０ａの材料を蒸着または塗布した後に、下部電極３２とともに第１の接着膜１６０ａの材料をパターニングすることにより形成される。
【００５６】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂは、第１の接着膜１６０ａが下部電極３２の発光領域Ｌに対応する面３２ｃ１の外側（面３２ｃ２）にまで形成されていることにより、画素分離膜１４の下面１４ｂのうち、下部電極３２に接する部分である面１４ｂ２と下部電極３２の面３２ｃ２との間にも第１の接着膜１６０ａが配される。
【００５７】
このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、特に応力が加わりやすい画素分離膜１４の下面１４ｂのＸ方向の端部１４ｂ１周辺における、画素分離膜１４と下部電極３２の接着性が高まる。これにより、下部電極３２からの画素分離膜１４の剥がれを防ぐことができる。
【００５８】
また、下部電極３２の上面が第１の接着膜１６０ａで覆われることにより、下部電極３２へのガスや水分の接触が防がれる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの高信頼化と長寿命化を実現することができる。
【００５９】
また、下部電極３２と有機層３３の間に第１の接着膜１６０ａが配されることにより、第１の接着膜１６０ａはホール注入特性を有する膜として機能する。このため、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０のホール注入特性を向上させることができる。
【００６０】
次いで、第３の実施形態について説明する。図４は第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃを図２と同様の視野において示す概略断面図である。第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃにおいては、第１の接着膜１６０ａの他に、第１の接着膜１６０ｂが画素分離膜１４の下面１４ｂと、有機絶縁膜１３の上面１３ａの間に形成されている点が、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂと異なっている。
【００６１】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃは、第１の接着膜１６０ｂが画素分離膜１４の下面１４ｂと、有機絶縁膜１３の上面１３ａの間に形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、画素分離膜１４と有機絶縁膜１３との接着性を高めることができる。
【００６２】
特に、画素分離膜１４が無機材料からなるものであっても、画素分離膜１４と有機絶縁膜１３との接着性を保つことができるため、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｂの有する効果に加え、微細で、高さ（Ｚ方向の高さ）の低い画素分離膜１４を実現することができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃの薄型化と高微細化を実現することができる。
【００６３】
また、第１の接着膜１６０ｂが形成されることにより、有機絶縁膜１３から生じるガスが、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０側（Ｚ１方向側）に抜けることが防がれるため、有機層３３（発光層）の劣化を防ぐことができる。
【００６４】
次いで、第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄについて説明する。図５は第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄを図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【００６５】
第４の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄにおいては、第２の接着膜２６０が、上部電極３４上を覆うように形成され、封止膜４０が第２の接着膜２６０上を覆うように形成されている点が、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃと異なっている。
【００６６】
なお、第２の接着膜２６０は、第１の接着膜６０，１６０と同様にアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる。この場合、導電性の高い材料を選択するかイオンドープなどの処理を行うことで、第２の接着膜２６０を上部電極の補助電極層として機能させることができ、より高画質の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を実現することができる。
【００６７】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄは、このような構成を有することにより、上部電極３４と封止膜４０の接着性を高めることができる。このため、封止膜４０が上部電極３４から剥離することが防がれ、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄを実現することができる。
【００６８】
また、第２の接着膜２６０が上部電極３４上を覆うように形成されることにより、第２の接着膜２６０は、封止膜として機能する。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０への外部からからの水分やガスの浸透が防がれ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｄの信頼性向上と長寿命化を実現することができる。
【００６９】
次いで、第５の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｅについて説明する。図６は第５の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｅを図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【００７０】
第５の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｅにおいては、第３の接着膜３６０が、第１の接着膜１６０ａの少なくとも一部と画素分離膜１４の上面１４ａを覆うように形成されている点が、第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃと異なっている。
【００７１】
なお、第３の接着膜３６０は、第１の接着膜６０，１６０と同様にアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる。
【００７２】
本実施形態においては、第３の接着膜３６０のうち、第１の接着膜１６０ａ上を覆う部分を第３の接着膜３６０ａとし、画素分離膜１４の上面１４ａを覆う部分を第３の接着膜３６０ｂとする。本実施形態における第３の接着膜３６０は、第１の接着膜１６０ａのうち発光領域Ｌに対応する領域を覆っている。
【００７３】
第３の接着膜３６０ａは、このように第１の接着膜１６０ａ上を覆うことにより、発光領域Ｌにおける第１の接着膜１６０ａと一体化した状態で、下部電極３２と有機層３３との間に配置される。
【００７４】
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｅは、接着膜１６０を下部電極３２上と有機絶縁膜１３の上面１３ａに成膜した後、画素分離膜１４と第３の接着膜３６０を順次成膜することにより形成される。
【００７５】
このように、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｅは、画素分離膜１４の下面１４ｂを覆う第１の接着膜１６０ａと画素分離膜１４の上面１４ａを覆う第３の接着膜３６０ｂが形成されることにより、画素分離膜１４の端部１４ｂ１が上下方向（Ｚ方向）において第１の接着膜１６０ａと第３の接着膜３６０ｂにより挟まれた構成となる。
【００７６】
このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、特に応力が加わりやすい端部１４ｂ１周辺における、画素分離膜１４と下部電極３２の接着性、および、画素分離膜１４と有機層３３の接着性が高まる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｃが有する効果に加え、下部電極３２からの画素分離膜１４の剥がれや、有機層３３からの画素分離膜１４の剥がれを防ぐことができる。
【００７７】
なお、画素分離膜１４の端部１４ｂ１は、第１の接着膜１６０ａと第３の接着膜３６０ｂにより上下方向において挟まれることが好ましいが、端部１４ｂ１が挟まれる構成は、図６に示す例に限られない。図７は第６の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｆを図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【００７８】
第６の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｆにおいては、第１の接着膜１６０ａと第３の接着膜３６０ａが、下部電極３２の上面３２ｃ１のうち発光領域Ｌを避けて形成されている点が、第５の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｅと異なっている。
【００７９】
図７に示すように、端部１４ｂ１が第１の接着膜１６０ａと第３の接着膜３６０ｂにより挟まれているのであれば、下部電極３２の発光領域Ｌに対応する部分は第１の接着膜１６０ａおよび第３の接着膜３６０ａに覆われていなくてもよい。
【００８０】
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｆは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｅのように第３の接着膜３６０を成膜した後に発光領域Ｌにおける第３の接着膜３６０ａと第１の接着膜１６０ａをエッチングすることにより形成される。
【００８１】
実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ｆは、このような構成を有することにより、発光領域Ｌにおける視認性を低下させることなく、下部電極３２からの画素分離膜１４の剥がれや、有機層３３からの画素分離膜１４の剥がれを防ぐことができる。
【００８２】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００８３】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバＩＣ、１０  基板、１０ａ  上面、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  有機絶縁膜、１３ａ  上面、１４  画素分離膜、１４ｂ  下面、１４ｂ１  端部、１５  下地層、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  下部電極、３２ａ  コンタクトホール、３２ｂ  外端、３２ｃ  上面、３２ｃ１  面、３３  有機層、３４  上部電極、４０  封止膜、５０  対向基板、６０，１６０  第１の接着膜、２６０  第２の接着膜、３６０  第３の接着膜、Ｂ  境界、Ｄ  表示領域、Ｅ  非表示領域、Ｌ  発光領域、Ｐ  画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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