(57)【要約】【課題】ウェーハの破損を防ぐとともにデバイスの取り数を十分に確保可能なウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウェーハ（１１）の裏面（１１ｂ）を研削してデバイス領域（１３）に対応した凹部（２３）を形成するとともに外周余剰領域（１５）に対応した環状凸部（２５）をウェーハの裏面側に形成する研削ステップと、研削ステップを実施した後、ウェーハの表面（１１ａ）から裏面に至りデバイス領域と外周余剰領域とを分断する分断溝（３３）を凹部と環状凸部との境界に形成する分断溝形成ステップと、を備え、分断溝はドライエッチングで形成される構成とした。【選択図】図３
2015216309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有したウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面を研削して該デバイス領域に対応した凹部を形成するとともに該外周余剰領域に対応した環状凸部をウェーハの裏面側に形成する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウェーハの表面から裏面に至り該デバイス領域と該外周余剰領域とを分断する分断溝を該凹部と該環状凸部との境界に形成する分断溝形成ステップと、を備え、
該分断溝はドライエッチングで形成されることを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該分割予定ラインに沿ってドライエッチングでウェーハの表面から裏面に至る分割溝を形成して該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割ステップを更に備え、
該分割ステップは、該分断溝形成ステップと同時に実施されることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該研削ステップを実施する前に、ウェーハの表面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、
該研削ステップを実施した後、該分断溝形成ステップと該分割ステップとを実施する前に、該凹部と該環状凸部との境界に形成される該分断溝に対応する領域と該分割予定ラインに対応する領域とが露出したマスクをウェーハの裏面に形成するマスク形成ステップと、を更に備えることを特徴とする請求項２に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを薄く加工する加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型軽量なデバイスを実現するために、シリコン等の材料でなるウェーハを薄く加工することが求められている。ウェーハは、例えば、表面の分割予定ライン（ストリート）で区画される各領域にＩＣ等のデバイスを形成した後、裏面側を研削することで薄化される。
【０００３】
ところで、ウェーハを研削によって薄化すると、剛性は大幅に低下して後工程での取り扱いが難しくなる。そのため、中央のデバイス領域に対応するウェーハの裏面側を研削しつつ外周部分の厚みを維持することで、研削後のウェーハに所定の剛性を残す加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この加工方法では、例えば、ウェーハより小径の研削ホイールを用いてウェーハの裏面側を研削し、デバイス領域に対応する凹部を形成する。ウェーハの剛性は、デバイス領域を囲む外周余剰領域の裏面側に残存する環状の補強部（環状凸部）によって保たれる。なお、環状凸部は、後に切削等の方法で除去される（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１９４６１号公報
【特許文献２】特開２０１１−６１１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したデバイス領域に対応する凹部は、底面と側面とを曲面で接続した形状に形成されることが多い。このような形状の凹部が形成されるのは、研削ホイールに装着された研削砥石の角部が研削の進行とともに摩耗して丸みを帯びるためである。すなわち、摩耗によって研削砥石の角部に形成される丸みがウェーハに転写され、凹部の底面と側面との接続部分に曲面形状（Ｒ形状）を発生させる。
【０００７】
環状の補強部は、通常、凹部の底面と側面との接続部分に切削ブレードを切り込ませることで除去される。しかしながら、上述のようなＲ形状の接続部分に切削ブレードを切り込ませると、Ｒ形状に起因する曲げ方向の力が加わって、切削ブレードは湾曲してしまう。これにより、ウェーハを破損させることがあった。
【０００８】
凹部の底面において、Ｒ形状を避けた平坦な領域に切削ブレードを切り込ませれば、切削ブレードの湾曲に起因するウェーハの破損等を防ぐことができる。しかしながら、この場合、デバイス領域が狭くなってデバイスの取り数を十分に確保できなくなる。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハの破損を防ぐとともにデバイスの取り数を十分に確保可能なウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有したウェーハの加工方法であって、ウェーハの裏面を研削して該デバイス領域に対応した凹部を形成するとともに該外周余剰領域に対応した環状凸部をウェーハの裏面側に形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウェーハの表面から裏面に至り該デバイス領域と該外周余剰領域とを分断する分断溝を該凹部と該環状凸部との境界に形成する分断溝形成ステップと、を備え、該分断溝はドライエッチングで形成されることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１１】
本発明において、該分割予定ラインに沿ってドライエッチングでウェーハの表面から裏面に至る分割溝を形成して該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割ステップを更に備え、該分割ステップは、該分断溝形成ステップと同時に実施されることが好ましい。
【００１２】
また、本発明において、該研削ステップを実施する前に、ウェーハの表面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、該研削ステップを実施した後、該分断溝形成ステップと該分割ステップとを実施する前に、該凹部と該環状凸部との境界に形成される該分断溝に対応する領域と該分割予定ラインに対応する領域とが露出したマスクをウェーハの裏面に形成するマスク形成ステップと、を更に備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のウェーハの加工方法では、ウェーハの裏面側を研削して凹部と環状凸部とを形成する研削ステップの後に、凹部と環状凸部との境界にドライエッチングで分断溝を形成する分断溝形成ステップを実施するので、切削ブレードを切り込ませることなく分断溝を形成して環状凸部を除去できる。
【００１４】
よって、切削ブレードの湾曲に起因するウェーハの破損等を防ぐことができる。また、凹部と環状凸部との境界を避けて分断溝を形成する必要がないので、デバイスの取り数を十分に確保できる。このように、本発明によれば、ウェーハの破損を防ぐとともにデバイスの取り数を十分に確保可能なウェーハの加工方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、表面保護部材配設ステップを模式的に示す斜視図であり、図１（Ｃ）は、表面保護部材配設ステップを模式的に示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、研削ステップを模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、研削ステップを実施した後のウェーハ等を模式的に示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、マスク形成ステップを模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、分断溝形成ステップ及び分割ステップを模式的に示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、転写ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、マスク形成ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｃ）は、分断溝形成ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｄ）は、環状凸部除去ステップを模式的に示す断面図である。
【図５】分割ステップを模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の第１実施形態では、デバイス領域と外周余剰領域とを分断する分断溝をウェーハに形成する分断溝形成ステップと、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割ステップとを同時に実施するウェーハの加工方法について説明し、第２実施形態では、分断溝形成ステップと分割ステップとを異なるタイミングで実施するウェーハの加工方法について説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
本実施形態では、分断溝形成ステップと分割ステップとを同時に実施するウェーハの加工方法について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、表面保護部材配設ステップ（図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）参照）、研削ステップ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、マスク形成ステップ（図３（Ａ）参照）、分断溝形成ステップ（図３（Ｂ）参照）、及び分割ステップ（図３（Ｂ）参照）を含む。
【００１８】
表面保護部材配設ステップでは、ウェーハの表面側に保護部材を配設する。研削ステップでは、ウェーハの裏面側を研削して、デバイス領域に対応する凹部と外周余剰領域に対応する環状凸部とを形成する。マスク形成ステップでは、ウェーハの裏面側に、凹部と環状凸部との境界及び分割予定ラインに対応する領域が露出したマスクを形成する。
【００１９】
分断溝形成ステップでは、ウェーハを裏面側からドライエッチングして、凹部と環状凸部との境界に分断溝を形成する。分割ステップでは、ウェーハを裏面側からドライエッチングして、分割予定ラインに対応する分割溝を形成する。なお、本実施形態では、分断溝形成ステップと分割ステップとが同時に実施される。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００２０】
図１（Ａ）は、本実施の形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハの例を模式的に示す斜視図である。図１（Ａ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン等の材料でなる円盤状の半導体ウェーハであり、表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられる。
【００２１】
デバイス領域１３は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１９が形成されている。ウェーハ１１の外周１１ｃは面取り加工されており、断面形状は略円弧状である。
【００２２】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、上述したウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を配設する表面保護部材配設ステップを実施する。図１（Ｂ）は、表面保護部材配設ステップを模式的に示す斜視図であり、図１（Ｃ）は、表面保護部材配設ステップを模式的に示す断面図である。
【００２３】
図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、保護部材２１は、ウェーハ１１と略同形の円盤状に形成されている。保護部材２１としては、例えば、樹脂基板、粘着テープ、ウェーハ１１と同様のウェーハ等を用いることができる。
【００２４】
表面保護部材配設ステップでは、ウェーハ１１の表面１１ａ側を、保護部材２１の表面２１ａ側に対面させて、ウェーハ１１と保護部材２１とを重ね合せる。この時、ウェーハ１１の表面１１ａと保護部材２１の表面２１ａとの間に、接着剤等を介在させておく。これにより、保護部材２１は、接着剤等を介してウェーハ１１の表面１１ａ側に固定される。
【００２５】
表面保護部材配設ステップを実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削し、凹部及び環状凸部を形成する研削ステップを実施する。図２（Ａ）は、研削ステップを模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、研削ステップを実施した後のウェーハ等を模式的に示す断面図である。
【００２６】
図２（Ａ）に示すように、研削ステップは研削装置２で実施される。研削装置２は、ウェーハ１１を吸引保持する保持テーブル４を備えている。保持テーブル４は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル４は、この移動機構で水平方向に移動する。
【００２７】
保持テーブル４の表面（上面）は、ウェーハ１１を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、保持テーブル４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引する吸引力が発生する。
【００２８】
保持テーブル４の上方には、研削機構６が配置されている。研削機構６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング８を備えている。スピンドルハウジング８には、モータ等の回転機構（不図示）と連結されたスピンドル１０が回転可能に支持されている。スピンドル１０は、回転機構から伝達される回転力で鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジング８とともに昇降する。
【００２９】
スピンドル１０の下端側には、ウェーハ１１より小径の研削ホイール１２が装着されている。研削ホイール１２は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成されたホイール基台１２ａを備えている。ホイール基台１２ａの円環状の下面には、全周にわたって複数の研削砥石１２ｂが固定されている。
【００３０】
研削ステップでは、まず、ウェーハ１１に固定された保護部材２１の裏面２１ｂを保持テーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル４に吸引保持される。
【００３１】
次に、保持テーブル４を移動させ、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界に対応する領域に研削砥石１２ｂの外周縁を位置付ける。この状態で、保持テーブル４と研削ホイール１２とを回転させて、スピンドル１０を下降させる。スピンドル１０の下降量は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石１２ｂの下面が押し付けられる程度とする。
【００３２】
これにより、デバイス領域１３に対応するウェーハ１１の裏面１１ｂ側の領域を研削砥石１２ｂで研削し、デバイス領域１３に対応する凹部２３を形成するとともに、外周余剰領域１５に対応する環状凸部（補強部）２５を残存させることができる。例えば、デバイス領域１３に対応する領域が仕上げ厚みまで研削されると、この研削ステップは終了する。
【００３３】
研削ステップを実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、凹部２３と環状凸部２５との境界及び分割予定ライン１７に対応する領域が露出したマスクを形成するマスク形成ステップを実施する。図３（Ａ）は、マスク形成ステップを模式的に示す断面図である。
【００３４】
本実施形態のマスク形成ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に所定パターンのマスク３１を任意の方法で形成する。例えば、形成したいマスク３１に対応する開口が形成されたマスクパターン（不図示）をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に重ね、このマスクパターンの開口に向けて、後述するドライエッチングに耐性のある樹脂等を含むレジスト材を滴下する。
【００３５】
その後、乾燥処理・加熱処理等でレジスト材を硬化させて、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側からマスクパターンを除去する。加熱温度・処理時間等の条件は、レジスト材の種類等に応じて設定される。以上により、凹部２３と環状凸部２５との境界及び分割予定ライン１７に対応する領域が露出したマスク３１を形成できる。
【００３６】
マスク形成ステップを実施した後には、凹部２３と環状凸部２５との境界に分断溝を形成する分断溝形成ステップと、分割予定ライン１７に対応する分割溝を形成する分割ステップとを同時に実施する。図３（Ｂ）は、分断溝形成ステップ及び分割ステップを模式的に示す断面図である。
【００３７】
分断溝形成ステップ及び分割ステップでは、例えば、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に所定のプラズマを作用させて、マスク３１で覆われていない領域をドライエッチング（プラズマエッチング）する。例えば、ウェーハ１１がシリコンでなる場合には、ＳＦ６やＣ４Ｆ８に代表されるフッ素系のガスを用いて発生させたプラズマを作用させると良い。
【００３８】
エッチングの処理時間は任意だが、少なくとも、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側から表面１１ａ側に至る分断溝３３を凹部２３と環状凸部２５との境界に形成し、かつ、ウェーハ１１の分割予定ライン１７に沿って裏面１１ｂ側から表面１１ａ側に至る分割溝３５を形成できる程度とする。
【００３９】
以上により、ウェーハ１１をデバイス領域１３と外周余剰領域１５とに分断し、また、分割予定ライン１７に沿って分割できる。本実施形態では、分断溝形成ステップ及び分割ステップを同時に実施するので、分断溝形成ステップ及び分割ステップを異なるタイミングで実施する場合と比べ、工程を簡略化してコストを抑制できる。ウェーハ１１の分割によって形成される複数のチップは、例えば、環状凸部２５を除去する環状凸部除去ステップを実施した後に、任意のピックアップ機構でピックアップされる。
【００４０】
このように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して凹部２３と環状凸部２５とを形成する研削ステップの後に、凹部２３と環状凸部２５との境界にドライエッチングで分断溝３３を形成する分断溝形成ステップを実施するので、切削ブレードを切り込ませることなく分断溝３３を形成して環状凸部２５を除去できる。
【００４１】
よって、切削ブレードの湾曲に起因するウェーハ１１の破損等を防ぐことができる。また、凹部２３と環状凸部２５との境界を避けて分断溝３３を形成する必要がないので、デバイス１９の取り数を十分に確保できる。すなわち、本実施形態によれば、ウェーハ１１の破損を防ぐとともにデバイス１９の取り数を十分に確保可能なウェーハの加工方法を提供できる。
【００４２】
（第２実施形態）
本実施形態では、分断溝形成ステップと分割ステップとを異なるタイミングで実施するウェーハの加工方法について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、表面保護部材配設ステップ（図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）参照）、研削ステップ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、転写ステップ（図４（Ａ）参照）、マスク形成ステップ（図４（Ｂ）参照）、分断溝形成ステップ（図４（Ｃ）参照）、環状凸部除去ステップ（図４（Ｄ）参照）、及び分割ステップ（図５参照）を含む。
【００４３】
表面保護部材配設ステップでは、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材２１を配設する。研削ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して、デバイス領域１３に対応する凹部２３と外周余剰領域１５に対応する環状凸部２５とを形成する。転写ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にダイシングテープを貼着するとともに、ウェーハ１１の表面１１ａ側に配設された保護部材２１を除去する。
【００４４】
マスク形成ステップでは、ウェーハ１１の表面１１ａ側に、凹部２３と環状凸部２５との境界が露出したマスクを形成する。分断溝形成ステップでは、ウェーハ１１を表面１１ａ側からドライエッチングして、凹部２３と環状凸部２５との境界に分断溝を形成する。環状凸部除去ステップでは、分断された環状凸部２５を除去する。分割ステップでは、環状凸部２５を除去した後のウェーハを表面１１ａ側から切削して、分割予定ライン１７に対応する分割溝を形成する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００４５】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材２１を配設する表面保護部材配設ステップを実施する。この表面保護部材配設ステップを実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して、デバイス領域１３に対応する凹部２３と外周余剰領域１５に対応する環状凸部２５とを形成する研削ステップを実施する。本実施形態の表面保護部材配設ステップ及び研削ステップは、実施形態１の表面保護部材配設ステップ及び研削ステップと同様に実施できるため、詳細は省略する。
【００４６】
研削ステップを実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にダイシングテープを貼着するとともに、ウェーハ１１の表面１１ａ側に配設された保護部材２１を除去する転写ステップを実施する。図４（Ａ）は、転写ステップを模式的に示す断面図である。
【００４７】
図４（Ａ）に示すように、転写ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にウェーハ１１より大径のダイシングテープ４１を貼着する。このダイシングテープ４１の外周部分には環状のフレーム４３を固定しておく。すなわち、ウェーハ１１は、ダイシングテープ４１を介して環状のフレーム４３に保持される。
【００４８】
また、ウェーハ１１の表面１１ａ側に配設された保護部材２１を除去する。これにより、ウェーハ１１ａの表面１１ａ側が露出する。なお、保護部材２１の除去は、ダイシングテープ４１を貼着する前に実施されても良いし、ダイシングテープ４１を貼着した後に実施されても良い。
【００４９】
転写ステップを実施した後には、ウェーハ１１の表面１１ａ側に、凹部２３と環状凸部２５との境界が露出したマスクを形成するマスク形成ステップを実施する。図４（Ｂ）は、マスク形成ステップを模式的に示す断面図である。図４（Ｂ）に示すように、本実施形態では、凹部２３と環状凸部２５との境界は露出するが、分割予定ライン１７に対応する領域は露出しないマスク４５を形成する。
【００５０】
ただし、凹部２３と環状凸部２５との境界及び分割予定ライン１７に対応する領域がともに露出したマスクを形成しても良い。この場合、実施形態１と同様に、分断溝形成ステップ及び分割ステップを同時に実施できる。
【００５１】
マスク形成ステップを実施した後には、凹部２３と環状凸部２５との境界に分断溝を形成する分断溝形成ステップを実施する。図４（Ｃ）は、分断溝形成ステップを模式的に示す断面図である。
【００５２】
本実施形態の分断溝形成ステップでは、例えば、ウェーハ１１の表面１１ａ側にプラズマを作用させて、マスク４５で覆われていない領域をドライエッチング（プラズマエッチング）する。これにより、ウェーハ１１をデバイス領域１３と外周余剰領域１５とに分断する分断溝４７を形成できる。
【００５３】
分断溝形成ステップを実施した後には、分断された環状凸部２５を除去する環状凸部除去ステップを実施する。図４（Ｄ）は、環状凸部除去ステップを模式的に示す断面図である。デバイス領域１３と外周余剰領域１５とは分断溝４７により分断されているので、図４（Ｄ）に示すように、環状凸部２５を容易に除去して、デバイス領域１３に対応する薄化されたウェーハ５１を得ることができる。なお、分断溝形成ステップを実施した後の任意のタイミングでマスク４５を除去しておくことが好ましい。
【００５４】
環状凸部除去ステップを実施した後には、ウェーハ５１を表面１１ａ側から切削して、分割予定ライン１７に対応する分割溝を形成する分割ステップを実施する。図５は、分割ステップを模式的に示す斜視図である。
【００５５】
図５に示すように、本実施形態の分割ステップは切削装置２２で実施される。切削装置２２は、ウェーハ５１を吸引保持する保持テーブル（不図示）を備えている。保持テーブルは、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、保持テーブルの下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブルは、この移動機構で水平方向に移動する。
【００５６】
保持テーブルの上方には、切削ユニットが配置されている。この切削ユニットは、円環状の切削ブレード２４を含む。切削ブレード２４は、水平に配置されたスピンドル２６の一端側に装着されている。スピンドル２６の他端側は、モータ（不図示）と連結されており、切削ブレード２４はモータの回転力で回転する。このスピンドル２６は、スピンドルハウジング２８に支持されている。
【００５７】
本実施形態の分割ステップでは、まず、ウェーハ５１に貼着されたダイシングテープ４１を保持テーブルの保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ５１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブルに吸引保持される。
【００５８】
次に、回転させた切削ブレード２４を対象の分割予定ライン１７に切り込ませ、ウェーハ５１と切削ブレード２４とを、この分割予定ライン１７と平行な方向に相対移動（加工送り）させる。これにより、ウェーハ５１を対象の分割予定ライン１７に沿って切削し、分割溝５３を形成できる。このような動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１７に沿って分割溝５３が形成されると、分割ステップは終了する。
【００５９】
本実施形態に係るウェーハの加工方法でも、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して凹部２３と環状凸部２５とを形成する研削ステップの後に、凹部２３と環状凸部２５との境界にドライエッチングで分断溝４７を形成する分断溝形成ステップを実施するので、切削ブレードを切り込ませることなく分断溝４７を形成して環状凸部２５を除去できる。
【００６０】
よって、切削ブレードの湾曲に起因するウェーハ１１の破損等を防ぐことができる。また、凹部２３と環状凸部２５との境界を避けて分断溝４７を形成する必要がないので、デバイス１９の取り数を十分に確保できる。すなわち、本実施形態によれば、ウェーハ１１の破損を防ぐとともにデバイス１９の取り数を十分に確保可能なウェーハの加工方法を提供できる。
【００６１】
本実施形態で示す構成、方法等は、他の実施形態に係る構成、方法等と適宜組み合わせることができる。
【００６２】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、外周余剰領域１５に対応する環状凸部２５を覆うマスク３１，４５を形成しているが、環状凸部２５を覆わないマスクを形成しても良い。また、マスク３１，４５の形成方法は任意である。例えば、フォトリソグラフィ等の方法でマスク３１，４５を形成することもできる。
【００６３】
また、上記第１実施形態では、分断溝形成ステップ及び分割ステップにおいてウェーハ１１を裏面１１ｂ側からドライエッチングしているが、ウェーハ１１を表面１１ａ側からドライエッチングしても良い。同様に、上記第２実施形態では、分断溝形成ステップにおいてウェーハ１１を表面１１ａ側からドライエッチングしているが、ウェーハ１１を裏面１１ｂ側からドライエッチングしても良い。
【００６４】
また、上記第２実施形態では、分割ステップにおいてウェーハ１１に切削ブレード２４を切り込ませているが、ウェーハ１１を分割する方法はこれに限定されない。例えば、レーザーアブレーション等で分割溝５３を形成しても良い。また、ウェーハ１１に吸収され難い波長のレーザービームを照射して分割予定ライン１７に沿う改質層を形成した後に、外力を付与してウェーハ１１を分割することもできる。
【００６５】
その他、上記実施形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６６】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  外周
１３  デバイス領域
１５  外周余剰領域
１７  分割予定ライン（ストリート）
１９  デバイス
２１  保護部材
２１ａ  表面
２１ｂ  裏面
２３  凹部
２５  環状凸部（補強部）
３１  マスク
３３  分断溝
３５  分割溝
４１  ダイシングテープ
４３  フレーム
４５  マスク
４７  分断溝
５１  ウェーハ
５３  分割溝
２  研削装置
４  保持テーブル
６  研削機構
８  スピンドルハウジング
１０  スピンドル
１２  研削ホイール
１２ａ  ホイール基台
１２ｂ  研削砥石
２２  切削装置
２４  切削ブレード
２６  スピンドル
２８  スピンドルハウジング
【図１】
2015216309.tif 000003
【図２】
2015216309.tif 000004
【図３】
2015216309.tif 000005
【図４】
2015216309.tif 000006
【図５】
2015216309.tif 000007