(57)【要約】【課題】クロストークによる影響を低減するために有利な技術を提供する。【解決手段】放射線撮像装置は、放射線を電気信号に変換する変換素子、および、前記変換素子を信号線に接続するスイッチを含む画素と、前記信号線に現れる信号を読み出す読出部と、を備える。前記読出部は、前記信号線の電位をリセットするリセット部を含む。前記読出部が前記信号線に現れる信号を読み出す期間は、前記リセット部によって前記信号線の電位がリセットされる動作と、その後に、前記スイッチが導通しない状態で前記信号線に現れる信号が読み出される動作とを含む第１期間と、前記リセット部によって前記信号線の電位がリセットされる動作と、その後に、前記スイッチが導通することによって前記信号線に現れる信号が読み出される動作とを含む第２期間と、を含む。【選択図】図１
2015213221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線撮像装置であって、
放射線を電気信号に変換する変換素子、および、前記変換素子を信号線に接続するスイッチを含む画素と、
前記信号線に現れる信号を読み出す読出部と、を備え、
前記読出部は、前記信号線の電位をリセットするリセット部を含み、
前記読出部が前記信号線に現れる信号を読み出す期間は、
前記リセット部によって前記信号線の電位がリセットされる動作と、その後に、前記スイッチが導通しない状態で前記信号線に現れる信号が読み出される動作とを含む第１期間と、
前記リセット部によって前記信号線の電位がリセットされる動作と、その後に、前記スイッチが導通することによって前記信号線に現れる信号が読み出される動作とを含む第２期間と、を含む、
ことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記第２期間において前記読出部によって読み出された信号と前記第１期間において前記読出部によって読み出された信号との差分を演算する信号処理部を更に備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記第１期間において、前記スイッチが導通しない状態で前記信号線に現れる信号が前記読出部によって２回にわたって読み出される動作がなされ、
前記第２期間において、前記リセット部によって前記信号線の電位がリセットされた後であって前記スイッチが導通することによって前記信号線に現れる信号が前記読出部によって読み出される前に、前記スイッチが導通しない状態で前記信号線に現れる信号が前記読出部によって読み出される動作がなされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記第２期間において前記スイッチが導通することによって前記信号線に現れる信号と前記第２期間において前記スイッチが導通しない状態で前記信号線に現れる信号との差分と、前記第１期間において２回にわたって読み出された信号の差分と、の差分を演算する信号処理部を更に備える、
ことを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記画素は、放射線の照射をモニターするための画素であり、
前記放射線撮像装置は、前記画素の他に、放射線画像を撮像するための複数の撮像画素を備え、
前記画素は、前記複数の撮像画素の一部と同一の列に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記複数の撮像画素の信号は、前記信号線とは異なる信号線を介して読み出される、
ことを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記画素は、放射線画像を撮像するための画素であり、
前記読出部によって前記画素から読み出された信号によって動画が構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記読出部は、前記信号線を通して電気信号が与えられる第１入力端子、基準電位が与えられる第２入力端子、および、出力端子を有する差動増幅器を含み、前記リセット部は、前記第１入力端子と前記出力端子とを接続するスイッチを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
放射線を発生する放射線源と、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置および放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線等の放射線による医療画像診断や非破壊検査に用いる放射撮影装置として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチと光電変換素子等の変換素子とを組み合わせた画素が配列されたアレイを有する放射線撮像装置が実用化されている。スイッチは、変換素子と列信号線との間に配置されていて、スイッチを導通状態にすることによって、変換素子から列信号線を介して信号が読み出される。
【０００３】
特許文献１には、相関二重サンプリング部（ＣＤＳ部）を有する放射線検出装置が記載されている。このＣＤＳ部は、第１サンプルホールド回路、第２サンプルホールド回路および差動アンプを含む。第１サンプルホールド回路は、信号電荷の残留成分（ノイズ成分）をサンプルホールドし、第２サンプルホールド回路は、信号電荷（ノイズ成分＋信号成分）をサンプルホールドする。差動アンプは、第１サンプルホールド回路の出力と第２サンプルホールド回路の出力との差分を増幅する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２５５０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
変換素子から信号を読み出すための列信号線とそれが配置された列の複数の変換素子の電極との間には、寄生容量が形成される。この寄生容量によって列信号線と変換素子の電極とが容量結合し、クロストークが発生しうる。そのため、ある行の画素の変換素子から列信号線を介して信号が読み出されているときに、他の行の画素の変換素子の電極の電位が光電変換によって変化すると、クロストークによって列信号線の電位が変化しうる。これが、読み出された信号のＳＮ比を低下させる要因となりうる。
【０００６】
なお、相関二重サンプリング（ＣＤＳ）は、ＫＴＣノイズをキャンセルするための技術であり、１回目のサンプリングにおけるノイズ成分と２回目のサンプリングにおけるノイズ成分とが同じであることを前提とするものである。つまり、一般的なＣＤＳでは、列信号線または変換素子の電位のリセット動作を行った後に、１回目のサンプリングを行い、次いで、再度のリセット動作を行うことなく、２回目のサンプリングを行う。１回目のサンプリングと２回目のサンプリングとの間でリセット動作を行うと、１回目のサンプリングでサンプリングされたノイズ成分（ＫＴＣノイズ）と２回目のサンプリングでサンプリングされたノイズ成分（ＫＴＣノイズ）とが異なることになる。よって、この場合は、ノイズ成分をキャンセルすることができない。
【０００７】
本発明は、クロストークによる影響を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの側面は、放射線撮像装置に係り、該放射線撮像装置は、放射線を電気信号に変換する変換素子、および、前記変換素子を信号線に接続するスイッチを含む画素と、前記信号線に現れる信号を読み出す読出部と、を備え、前記読出部は、前記信号線の電位をリセットするリセット部を含み、前記読出部が前記信号線に現れる信号を読み出す期間は、前記リセット部によって前記信号線の電位がリセットされる動作と、その後に、前記スイッチが導通しない状態で前記信号線に現れる信号が読み出される動作とを含む第１期間と、前記リセット部によって前記信号線の電位がリセットされる動作と、その後に、前記スイッチが導通することによって前記信号線に現れる信号が読み出される動作とを含む第２期間と、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、クロストークによる影響を低減するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態の放射線撮像装置の構成を示す図。
【図２】放射線撮像装置を含む放射線撮像システムの構成例を示す図。
【図３】本発明の第１実施形態の放射線撮像装置の変形例の構成を示す図。
【図４】本発明の第１実施形態の放射線撮像装置の動作を示す図。
【図５】本発明の第１実施形態の放射線撮像装置における撮像画素および検知画素の構成を示す平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図（ａ）および図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図（ｂ）。
【図７】本発明の第１実施形態の放射線撮像装置の構成を示す図。
【図８】比較例を示す図。
【図９】本発明の第１実施形態の放射線撮像装置の動作を示す図。
【図１０】本発明の第２実施形態の放射線撮像装置の構成を示す図。
【図１１】本発明の第２実施形態の放射線撮像装置の動作を示す図。
【図１２】本発明の第３実施形態の放射線撮像装置の構成を示す図。
【図１３】本発明の第３実施形態の放射線撮像装置の構成を示す図。
【図１４】本発明の第４実施形態の放射線撮像装置の構成を示す図。
【図１５】放射線検知システムの構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１２】
図１には、本発明の第１実施形態の放射線撮像装置２００の構成が示されている。放射線撮像装置２００は、複数の行および複数の列を構成するように撮像領域ＩＲに配列された複数の画素を有する。該複数の画素は、放射線画像の取得のための複数の撮像画素１０１と、放射線の照射をモニターするための検知画素１２１とを含む。撮像画素１０１は、放射線を電気信号に変換する第１変換素子１０２と、列信号線１０６と第１変換素子１０２との間に配置された第１スイッチ１０３とを含む。検知画素１２１は、放射線を電気信号に変換する第２変換素子１２２と、検知信号線１２５と第２変換素子１２２との間に配置された第２スイッチ１２３とを含む。検知画素１０１は、複数の撮像画素１０１の一部と同一の列に配置されうる。
【００１３】
第１変換素子１０２および第２変換素子１２２は、放射線を光に変換するシンチレータおよび光を電気信号に変換する光電変換素子とで構成されうる。シンチレータは、一般的には、撮像領域ＩＲを覆うようにシート状に形成され、複数の画素によって共有されうる。あるいは、第１変換素子１０２および第２変換素子１２２は、放射線を直接に光に変換する変換素子で構成されうる。
【００１４】
第１スイッチ１０３および第２スイッチ１２３は、例えば、非晶質シリコンまたは多結晶シリコン（好ましくは多結晶シリコン）などの半導体で活性領域が構成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含みうる。
【００１５】
放射線撮像装置２００は、複数の列信号線１０６および複数の駆動線１０４を有する。各列信号線１０６は、撮像領域ＩＲにおける複数の列のうちの１つに対応する。各駆動線１０４は、撮像領域ＩＲにおける複数の行のうちの１つに対応する。各駆動線１０４は、行選択部２２１によって駆動される。
【００１６】
第１変換素子１０２の第１電極は、第１スイッチ１０３の第１主電極に接続され、第１変換素子１０２の第２電極は、バイアス線１０８に接続される。ここで、１つのバイアス線１０８は、列方向に延びていて、列方向に配列された複数の変換素子１０２の第２電極に共通に接続される。バイアス線１０８は、電源回路２２６からバイアス電圧Ｖｓを受ける。１つの列を構成する複数の撮像画素１０１の第１スイッチ１０３の第２主電極は、１つの列信号線１０６に接続される。１つの行を構成する複数の撮像画素１０１の第１スイッチ１０３の制御電極は、１つの駆動線１０４に接続される。
【００１７】
複数の列信号線１０６は、読出部１３０に接続される。ここで、読出部１３０は、複数の検知部１３２と、マルチプレクサ１３４と、アナログデジタル変換器（以下、ＡＤ変換器）１３６とを含みうる。複数の列信号線１０６のそれぞれは、読出部１３０の複数の検知部１３２のうち対応する検知部１３２に接続される。ここで、１つの列信号線１０６は、１つの検知部１３２に対応する。検知部１３２は、例えば、差動増幅器を含む。マルチプレクサ１３４は、複数の検知部１３２を所定の順番で選択し、選択した検知部１３２からの信号をＡＤ変換器１３６に供給する。ＡＤ変換器１３６は、供給された信号をデジタル信号に変換して出力する。
【００１８】
第２変換素子１２２の第１電極は、第２スイッチ１２３の第１主電極に接続され、第２変換素子１２２の第２電極は、バイアス線１０８に接続される。第２スイッチ１２３の第２主電極は、検知信号線１２５に接続される。第２スイッチ１２３の制御電極は、駆動線１２４に電気的に接続される。放射線撮像装置２００は、複数の検知信号線１２５を有しうる。１つの検知信号線１２５には、１または複数の検知画素１２１が接続されうる。駆動線１２４は、駆動部２４１によって駆動される。１つの駆動線１２４には、１または複数の検知画素１２１が接続されうる。
【００１９】
検知信号線１２５は、読出部１４０に接続される。ここで、読出部１４０は、複数の検知部１４２と、マルチプレクサ１４４と、ＡＤ変換器１４６とを含みうる。複数の検知信号線１２５のそれぞれは、読出部１４０の複数の検知部１４２のうち対応する検知部１４２に接続されうる。ここで、１つの検知信号線１２５は、１つの検知部１４２に対応する。検知部１４２は、例えば、差動増幅器を含む。マルチプレクサ１４４は、複数の検知部１４２を所定の順番で選択し、選択した検知部１４２からの信号をＡＤ変換器１４６に供給する。ＡＤ変換器１４６は、供給された信号をデジタル信号に変換して出力する。
【００２０】
読出部１４０（ＡＤ変換器１４６）の出力は、信号処理部２２４に供給され、信号処理部２２４によって処理される。信号処理部２２４は、読出部１４０（ＡＤ変換器１４６）の出力に基づいて、放射線撮像装置２００に対する放射線の照射を示す情報を出力する。具体的には、信号処理部２２４は、例えば、放射線撮像装置２００に対する放射線の照射を検知したり、放射線の照射量および／または積算照射量を演算したりする。制御部２２５は、信号処理部２２４からの情報に基づいて、行選択部２２１、駆動部２４１および読出部１３０を制御する。制御部２２５は、信号処理部２２４からの情報に基づいて、例えば、露出（撮像画素１０１による照射された放射線に対応する電荷の蓄積）の開始および終了を制御する。
【００２１】
図２には、放射線撮像装置２００を含む放射線撮像システムの構成が例示されている。放射線撮像システムは、放射線撮像装置２００の他、コントローラ１００２、インターフェース１００３、放射線源インターフェース１００４、放射線源１００５を備えている。
【００２２】
コントローラ１００２には、線量Ａ、照射時間Ｂ（ｍｓ）、管電流Ｃ（ｍＡ）、管電圧Ｄ（ｋＶ）、放射線をモニターすべき領域である放射線検知領域（ＲＯＩ）などが入力されうる。放射線源１００５に付属された爆射スイッチが操作されると、放射線源１００５から放射線が放射される。放射線撮像装置２００の制御部２２５は、例えば、放射線検知領域（ＲＯＩ）に配置された検知画素１２１から読み出された信号の積分値が線量Ａ’に到達したら、インターフェース１００３を介して放射線源インターフェース１００４に曝射停止信号を送る。これに応答して、放射線源インターフェース１００４は、放射線源１００５に放射線の放射を停止させる。ここで、線量Ａ’は、線量Ａ、放射線照射強度、各ユニット間の通信ディレイ、処理ディレイ等に基づいて、制御部２２５によって決定されうる。放射線の照射時間が照射時間Ｂに達した場合は、放射線源１００５は、爆射停止信号の有無にかかわらず、放射線の照射を停止する。
【００２３】
第１実施形態では、検知画素１２１が存在する箇所の画像情報を読み出すことができないが、検知画素１２１の周囲の撮像画素１０１の出力を用いて補間処理を行うことで、検知画素１２１が存在する箇所の画像情報を得ることができる。
【００２４】
図１に示された構成例では、撮像画素１０１からの信号と検知画素１２１からの信号とが別個の読出部１３０、１４０によって読み出されるが、図３に例示されるように、共通の読出部１４０によって読み出されてもよい。
【００２５】
図４には、本発明の第１実施形態の放射線撮像装置２００の動作が例示されている。以下の説明において、撮像画素１０１を駆動する駆動線１０４に印加される信号をＶｇ１〜Ｖｇｎとし、検知画素１２１を駆動する駆動線１２４に印加される信号をＶｄ１〜Ｖｄｎとする。第１スイッチ１０３、第２スイッチ１２３は、ゲートに供給される信号がハイレベルであるときに導通状態となり、ゲートに供給される信号がローレベルであるときに非導通状態となる。
【００２６】
期間Ｔ１は、放射線の照射の開始を待つ期間である。具体的には、放射線撮像装置２００の電源が投入され、放射線画像の撮像が可能な状態となってから放射線源１００５の曝射スイッチが操作され、放射線の照射が検知されるまでが期間Ｔ１である。
【００２７】
期間Ｔ１では、Ｖｄ１〜Ｖｄｎがハイレベルに固定され、検知画素１２１の第２スイッチ１２３が導通状態に固定される。検知画素１２１から読出部１４０によって読み出された信号は、信号処理部２２４で処理され、放射線の照射の開始が検知される。放射線の照射の開始が検知されると、期間Ｔ２に移行する。期間Ｔ１では、変換素子１０２において発生するダーク電流を除去するために、それぞれの第１変換素子１０２を定期的に定電位にリセットすることが望ましい。この例では、各駆動線１０４の電圧Ｖｇ１〜Ｖｇｎが順次にハイレベルにされ、変換素子１０２は、定電圧に固定された列信号線１０６に電気的に接続される。これによって、ダーク電流による電荷が変換素子１０２に長時間にわたって蓄積されることが防止される。期間Ｔ１の長さは、撮影手法・条件等により大きく異なるが、例えば、数ｓｅｃ〜数ｍｉｎでありうる。
【００２８】
期間Ｔ２は、放射線が照射されている期間である。一例として、期間Ｔ２は、放射線の照射の開始が検知されてから放射線の曝射量が最適線量となるまでの期間である。期間Ｔ２は、放射線の照射量をモニターする期間であるとも言える。期間Ｔ２では、Ｖｄ１〜Ｖｄｎが断続的にハイレベルにされ、検知画素１２１の第２スイッチ１２３が断続的に導通状態にされる。
【００２９】
検知画素１２１から読出部１４０によって読み出された信号は、信号処理部２２４で処理され、線量が検知される。期間Ｔ２では、各駆動線１０４に印加される信号Ｖｇ１〜Ｖｇｎがローレベルにされる。これにより、撮像画素１０１の第１変換素子１０２では、発生した電荷が蓄積される。期間Ｔ２の長さは、撮影手法・条件等により大きく異なるが、例えば、１ｍｓｅｃ〜数百ｍｓｅｃ程度でありうる。
【００３０】
制御部２２５は、放射線検知領域（ＲＯＩ）に配置された検知画素１２１から読み出された信号の積分値が線量Ａ’に到達したら放射線撮像装置２００の動作を期間Ｔ３に移行させる。また、このとき、制御部２２５は、インターフェース１００３を介して放射線源インターフェース１００４に曝射停止信号を送る。
【００３１】
期間Ｔ３は、放射線の照射が終了した後に、放射線により撮像画素１０１に蓄積された信号を読み出す期間である。期間Ｔ３では、Ｖｄ１〜Ｖｄｎがローレベルにされる。期間Ｔ３では、検知信号線１２５がフローティングになることを防ぐために、検知信号線１２５を固定電位に接続することが好ましいい。
【００３２】
期間Ｔ３では、複数の行を走査するために、Ｖｇ１〜Ｖｇｎが順次にハイレベルにされる。撮像画素１０１に蓄積された信号は、読出部１４０によって読み出される。この例では、各撮像画素１０１における蓄積時間が一定となるように、期間Ｔ１において最後にハイレベルが印加された行に応じて、最初にハイレベルが印加される行が決定される。図４では、期間Ｔ１において最後にハイレベルが印加された行がＶｇ１に対応する行であるので、期間Ｔ３では、Ｖｇ２に対応する行から順にハイレベルが印加される。
【００３３】
第１実施形態では、検知画素１２１の変換素子である第２変換素子１２２が接続された検知信号線１２５は、撮像画素１０１から信号を読み出すための列信号線１０６とは別個に設けられた信号線であるので、撮像画素１０１が接続されていない。したがって、検知信号線１２５の寄生容量を小さくすることができ、これにより、放射線の照射を高い応答性でモニターすることができる。
【００３４】
また、第１実施形態では、検知画素１２１のスイッチである第２スイッチ１２３を設けることによって、検知信号線１２５の本数を少なくしながら検知画素１２１ごとに放射線の照射を検知することができる。ここで、検知画素１２１ごと、あるいは、少なくとも１つの検知画素１２１を含む放射線検知領域（ＲＯＩ）ごとに放射線を検知することができる構成は、より適切な線量制御および露出制御の実現に寄与する。
【００３５】
図５は、本発明の第１実施形態の放射線撮像装置２００における撮像画素１０１および検知画素１２１の構成を示す平面図である。ここで、平面図は、放射線撮像装置２００の撮像領域ＩＲに平行な面への正投影と等価である。図６（ａ）は、図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図、図６（ｂ）は、図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００３６】
図５および図６（ａ）に例示されるように、検知画素１２１は、第２変換素子１２２と、第２スイッチ１２３とを含む。第２変換素子１２２は、この例では、不図示のシンチレータによって放射線から変換された光を電荷に変換し蓄積する。ただし、第２変換素子１２２は、放射線を直接に電荷に変換するように構成されてもよい。第２スイッチ１２３は、第２変換素子１２２に蓄積された電荷に応じた電気信号を出力するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含む。第２変換素子１２２は、例えば、ＰＩＮ型のフォトダイオード１５４でありうる。第２変換素子１２２は、第２スイッチ１２３を介して、検知信号線１２５と接続される。第２変換素子１２２は、ガラス基板等の絶縁性の支持基板１００の上に配置された第２スイッチ１２３の上に層間絶縁層１２９を挟んで配置されうる。第２変換素子１２２は、例えば、第１電極１５１、ＰＩＮフォトダイオード１５４、第２電極１５７で構成されうる。
【００３７】
第２変換素子１２２の上には、保護膜１５８、第２層間絶縁層１５９、バイアス線１０８、保護膜１６０が順に配置されている。保護膜１６０の上には、不図示の平坦化膜およびシンチレータが配置されている。第２電極１５７は、コンタクトホールを介してバイアス線１０８に接続されている。第２電極１５７には、光透過性を有するＩＴＯが用いられ、不図示のシンチレータで放射線から変換された光が透過可能な構成となっている。
【００３８】
図５および図６（ｂ）に例示されるように、撮像画素１０１は、第１変換素子１０２と、第１スイッチ１０３とを含む。第１変換素子１０２は、第２変換素子１２２と同様に、不図示のシンチレータによって放射線から変換された光を電荷に変換し蓄積する。ただし、第１変換素子１０２は、放射線を直接に電荷に変換するように構成されてもよい。第１スイッチ１０３は、第１変換素子１０２に蓄積された電荷に応じた電気信号を出力するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含む。第１変換素子１０２は、例えば、ＰＩＮ型のフォトダイオード１５４でありうる。第１変換素子１０２は、第１スイッチ１０３を介して、列信号線１０６と接続される。第１変換素子１０２は、ガラス基板等の絶縁性の支持基板１００の上に配置された第１スイッチ１０３の上に層間絶縁層１２９を挟んで配置されうる。第１変換素子１０２は、例えば、第１電極１５１、ＰＩＮフォトダイオード１５４、第２電極１５７で構成されうる。第１変換素子１０２、第２変換素子１２２は、例えば、ＭＩＳ型のセンサによって構成されてもよい。
【００３９】
図７〜図９を参照して読出部１４０の構成および動作の具体例を提供する。図７には、読出部１４０の構成例が示されている。図８には、比較例が示されている。図９には、読出部１４０の動作例が示されている。
【００４０】
読出部１４０の検知部１４２は、増幅回路ＡＭＰと、保持容量ＨＣと、サンプリングスイッチＳＷとを含む。増幅回路ＡＭＰは、第１入力端子、第２入力端子および出力端子を有する差動増幅器ＤＡと、該第１入力端子と該出力端子との間に並列に設けられた帰還容量Ｃｆおよびリセットスイッチ（リセット部）ＲＳとを含む。該第１入力端子には、検知信号線１２５が接続され、該第２端子には基準電位ＲＥＦが供給される。サンプリングスイッチＳＷは、差動増幅器ＤＡ（増幅回路ＡＭＰ）の出力端子と保持容量ＨＣとの間に配置されている。ＶＡは、検知画素１２１の第２電極１５１の電位、ＶＢは、差動増幅器ＤＡ（増幅回路ＡＭＰ）の出力端子の電位である。図８、図９中の「駆動信号」は、駆動線１２４に印加される信号である。
【００４１】
放射線の照射中（図４における期間Ｔ２）は、撮像画素１０１の第２電極１５１の電位が変動する。これに伴って、第２電極１５１と検知信号線１２５との間の寄生容量を介したクロストークによって、検知信号線１２５の電位が変化する。したがって、図８（比較例）に例示されるように、差動増幅器ＤＡ（増幅回路ＡＭＰ）の出力端子の電位ＶＢも変動する。図８において、「クロストーク成分」は、クロストークによる検知信号線１２５の電位変化に対応するＶＢの変化を示している。また、「放射線成分」は、第２スイッチ１２３を導通することによる検知信号線１２５の電位変化（つまり、第２変換素子１２２に蓄積された電荷）に対応するＶＢの変化を示している。サンプリング信号ＳＨをハイレベルにしてサンプリングスイッチＳＷを導通させることによって保持容量ＨＣに蓄積される信号は、「クロストーク成分」および「放射線成分」を含むことになる。
【００４２】
以下、図９を参照しながらクロストークの影響を低減するための動作を説明する。まず、時刻ｔ０でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ１）から、ＶＢがクロストークによって変化し始める。
【００４３】
次に、サンプリング信号ＳＨをローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって保持容量ＨＣにサンプリングを行う（〜時刻ｔ２）。これによって、クロストーク成分に相当する信号Ｓ１が保持容量ＨＣに保持される。信号Ｓ１は、マルチプレクサ１４４およびＡＤ変換器１４６を介して出力される。
【００４４】
次に、時刻ｔ３でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ４）から、ＶＢが再びクロストークによって変化し始める。
【００４５】
次に、時刻ｔ５〜ｔ６において、駆動線１２４の電位をハイレベルにすることによって、第２スイッチ１２３を導通状態とする。このとき、第２変換素子１２２に蓄積されていた電荷の量に応じてＶＢが変化する。また、第２スイッチ１２３が導通状態となっている状態でも、放射線は当り続けているので、Ｖｂの電位は、クロストークによって変化し続ける。
【００４６】
次に、サンプリング信号ＳＨをローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって保持容量ＨＣにサンプリングを行う（〜時刻ｔ７）。これによって、クロストーク成分および放射線成分に相当する信号Ｓ２が保持容量ＨＣに保持される。信号Ｓ２は、マルチプレクサ１４４およびＡＤ変換器１４６を介して出力される。
【００４７】
時刻ｔ３〜ｔ４の期間にリセットスイッチＲＳを導通させて、検知信号線１２５の電位を基準電位ＲＥＦにリセットすることによって、信号Ｓ１におけるクロストーク成分と信号Ｓ２におけるクロストーク成分とが非常に近い値となる。したがって、信号処理部２２４が信号Ｓ２と信号Ｓ１との差分を演算することによって正味の放射線成分(放射線の照射量）を検出すること、即ちクロストーク成分を低減することができる。ここで、図９におけるＴＴ１とＴＴ２とを等しくすることによって、信号Ｓ１におけるクロストーク成分と信号Ｓ２におけるクロストーク成分との差を小さくすることができる。
【００４８】
ここで、信号Ｓ１は、検知信号線１２５の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第２スイッチ１２３を導通させない状態で検知信号線１２５に現れる信号である。信号Ｓ２は、検知信号線１２５の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第２スイッチ１２３を導通させることによって検知信号線１２５に現れる信号である。
【００４９】
読出部１４０が検知信号線１２５に現れる信号を読み出す期間Ｐは、第１期間Ｐ１と第２期間Ｐ２とを含む。第１期間Ｐ１は、リセットスイッチ（リセット部）ＲＳによって検知信号線１２５の電位がリセットされる動作（ｔ０〜ｔ１）と、その後に、第２スイッチ１２３が導通しない状態で検知信号線１２５に現れる信号が読み出される動作とを含む。第２期間Ｐ２は、リセットスイッチＲＳによって検知信号線１２５の電位がリセットされる動作（ｔ３〜ｔ４）と、その後に、第２スイッチ１０３が導通することによって検知信号線１２５に現れる信号が読み出される動作とを含む。
【００５０】
以上のようにクロストーク成分を除去することによって放射線の照射量を高い精度で検知することができる。特に、放射線の照射の開始の検知、放射線の積算照射量（線量）の検知などでは、短時間で信号を読み出す必要があることから、信号値が小さい。そのため、クロストーク成分を除去する意義は非常に大きい。
【００５１】
図９に示された例では、信号Ｓ１と信号Ｓ２とをサンプリングするために、リセットスイッチＲＳをｔ０〜ｔ１の期間とｔ３〜ｔ４の期間とで導通状態にする。ここで、リセットスイッチＲＳを非導通状態にした瞬間に確定するＫＴＣノイズは、信号Ｓ１と信号Ｓ２との差分を演算することでは除去できない。しかし、列信号線１０６とは異なる検知信号線１２５を設けることにより、検知信号線１２５の寄生容量を小さくすることができるので、ＫＴＣノイズを小さくすることができる。
【００５２】
図１０、図１１を参照して本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態は、読出部１４０の構成および動作の他の具体例を提供する。図１０には、読出部１４０の構成例が示されている。図１１には、第６実施形態の読出部１４０の動作例が示されている。第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。
【００５３】
第２実施形態では、検知部１４２は、増幅回路ＡＭＰのほかに、第１サンプリングスイッチＳＷ１、第２サンプリングスイッチＳＷ２、第１保持容量ＨＣ１、第２保持容量ＨＣ２を有する。
【００５４】
まず、時刻ｔ０でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ１）から、ＶＢがクロストークによって変化し始める。
【００５５】
次に、第１サンプリング信号ＳＨ１をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第１保持容量ＨＣ１にサンプリングを行う（〜時刻ｔ２）。これによって、時刻ｔ２におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ１が第１保持容量ＨＣ１に保持される。
【００５６】
次に、第２サンプリング信号ＳＨ２をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第２保持容量ＨＣ２にサンプリングを行う（〜時刻ｔ３）。これによって、時刻ｔ３におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ１’が第２保持容量ＨＣ２に保持される。信号Ｓ１、Ｓ１’は、マルチプレクサ１４４およびＡＤ変換器１４６を介して出力される。信号Ｓ１’と信号Ｓ１との差分Ｓ１”は、期間ＴＴ１におけるクロストーク成分に相当する。また、この差分Ｓ１”は、リセットスイッチＲＳを非導通状態にした後における２回のサンプリングの結果の差分であるので、ＫＴＣノイズが除去されている。
【００５７】
次に、時刻ｔ４でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ５）から、ＶＢが再びクロストークによって変化し始める。
【００５８】
次に、第１サンプリング信号ＳＨ１をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第１保持容量ＨＣ１にサンプリングを行う（〜時刻ｔ６）。これによって、時刻ｔ６におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ２が第１保持容量ＨＣ１に保持される。
【００５９】
次に、ｔ７〜ｔ８の期間において、駆動線１２４の電位をハイレベルにすることによって、第２スイッチ１２３を導通状態とする。このとき、第２変換素子１２２に蓄積されていた電荷の量に応じてＶＢが変化する。また、第２スイッチ１２３が導通状態となっている状態でも、放射線は当り続けているので、Ｖｂの電位は、クロストークによって変化し続ける。
【００６０】
次に、第２サンプリング信号ＳＨ２をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第２保持容量ＨＣ２にサンプリングを行う（〜時刻ｔ９）。これによって、時刻ｔ９におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ２’が第２保持容量ＨＣ２に保持される。信号Ｓ２、Ｓ２’は、マルチプレクサ１４４およびＡＤ変換器１４６を介して出力される。信号Ｓ２’と信号Ｓ２との差分Ｓ２”は、期間ＴＴ２におけるクロストーク成分および放射線成分に相当する。また、この差分Ｓ２”は、リセットスイッチＲＳを非導通状態にした後における２回のサンプリングの結果の差分であるので、ＫＴＣノイズが除去されている。
【００６１】
時刻ｔ４〜ｔ５の期間にリセットスイッチＲＳを導通させて、検知信号線１２５の電位を基準電位ＲＥＦにリセットすることによって、差分Ｓ１”におけるクロストーク成分と差分Ｓ２”におけるクロストーク成分とが非常に近い値となる。したがって、信号処理部２２４が差分Ｓ２”と差分Ｓ１”との差分を演算することによって正味の放射線成分(放射線の照射量）を検出すること、即ちクロストーク成分を低減することができる。また、差分Ｓ１”、Ｓ２”がＫＴＣノイズを含まないので、差分Ｓ２”と差分Ｓ１”との差分もＫＴＣノイズを含まない。ここで、図１１におけるＴＴ１とＴＴ２とを等しくすることによって、差分Ｓ１”におけるクロストーク成分と差分Ｓ２”におけるクロストーク成分との差を小さくすることができる。
【００６２】
ここで、差分Ｓ１”は、検知信号線１２５の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第２スイッチ１２３を導通させない状態で検知信号線１２５に現れる信号の変化量である。差分Ｓ２”は、と、検知信号線１２５の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第２スイッチ１２３を非導通状態から導通状態に変化させたときに検知信号線１２５に現れる信号の変化量である。
【００６３】
読出部１４０が検知信号線１２５に現れる信号を読み出す期間Ｐは、第１期間Ｐ１と第２期間Ｐ２とを含む。第１期間Ｐ１は、リセットスイッチ（リセット部）ＲＳによって検知信号線１２５の電位がリセットされる動作（ｔ０〜ｔ１）と、その後に、第２スイッチ１２３が導通しない状態で検知信号線１２５に現れる信号が２回にわたって読み出される動作とを含む。第２期間Ｐ２は、リセットスイッチＲＳによって検知信号線１２５の電位がリセットされる動作（ｔ３〜ｔ４）と、その後に、第２スイッチ１２３が導通しない状態で検知信号線１２５に現れる信号が読み出される動作を含む。第２期間Ｐ２は、更に、第２スイッチ１２３が導通することによって検知信号線１２５に現れる信号が読み出される動作を含む。ＶＡは、撮像画素１０１の第２電極１５１の電位、ＶＢは、差動増幅器ＤＡ（増幅回路ＡＭＰ）の出力端子の電位である。
【００６４】
図１２には、本発明の第３実施形態の放射線撮像装置２００の構成が示されている。図１３には、本発明の第３実施形態の放射線撮像装置２００における読出部１３０の構成例が示されている。第３実施形態の放射線撮像装置２００は、検知画素１２１、および、検知画素１２１から信号を読み出す読出部１４０を備えていない。ただし、第３実施形態の放射線撮像装置２００は、検知画素１２１および読出部１４０を備えないことを特徴とするのではなく、検知画素１２１および読出部１４０を備えていてもよい。
【００６５】
第３実施形態の放射線撮像装置２００は、撮像画素１０１からの信号の読み出しの際に列信号線１０６に現れるクロストークによる影響を低減する。ここで、ある撮像画素１０１からの信号の読み出しの際に撮像領域ＩＲに放射線が照射されている場合には、前述の理由によって、列信号線１０６の電位がクロストークによって変化しうる。このような状況は、例えば、撮像画素１０１からの信号の読み出しを行う時点で放射線の照射が停止されていない場合や、動画を撮影する場合に起こりうる。
【００６６】
読出部１３０の検知部１３２は、第１実施形態において説明した読出部１４０の検知部１４２と同様の構成を有しうる。つまり、読出部１３０の検知部１３２は、増幅回路ＡＭＰと、保持容量ＨＣと、サンプリングスイッチＳＷとを含む。増幅回路ＡＭＰは、第１入力端子、第２入力端子および出力端子を有する差動増幅器ＤＡと、該第１入力端子と該出力端子との間に並列に設けられた帰還容量Ｃｆおよびリセットスイッチ（リセット部）ＲＳとを含む。該第１入力端子には、列信号線１０６が接続され、該第２端子には基準電位ＲＥＦが供給される。サンプリングスイッチＳＷは、差動増幅器ＤＡ（増幅回路ＡＭＰ）の出力端子と保持容量ＨＣとの間に配置されている。
【００６７】
以下、図９を参照しながら第３実施形態の放射線撮像装置２００の動作を説明する。第３実施形態の説明においては、図９中の「駆動信号」は、駆動線１０４に印加される信号である。まず、時刻ｔ０でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ１）から、ＶＢがクロストークによって変化し始める。
【００６８】
次に、サンプリング信号ＳＨをローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって保持容量ＨＣにサンプリングを行う（〜時刻ｔ２）。これによって、クロストーク成分に相当する信号Ｓ１が保持容量ＨＣに保持される。信号Ｓ１は、マルチプレクサ１４４およびＡＤ変換器１４６を介して出力される。
【００６９】
次に、時刻ｔ３でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ４）から、ＶＢが再びクロストークによって変化し始める。
【００７０】
次に、時刻ｔ５〜ｔ６において、駆動線１０４の電位をハイレベルにすることによって、第１スイッチ１０３を導通状態とする。このとき、第１変換素子１０２に蓄積されていた電荷の量に応じてＶＢが変化する。また、第１スイッチ１０３が導通状態となっている状態でも、放射線は当り続けているので、Ｖｂの電位は、クロストークによって変化し続ける。
【００７１】
次に、サンプリング信号ＳＨをローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって保持容量ＨＣにサンプリングを行う（〜時刻ｔ７）。これによって、クロストーク成分および放射線成分に相当する信号Ｓ２が保持容量ＨＣに保持される。信号Ｓ２は、マルチプレクサ１３４およびＡＤ変換器１３６を介して出力される。
【００７２】
時刻ｔ３〜ｔ４の期間にリセットスイッチＲＳを導通させて、列信号線１０６の電位を基準電位ＲＥＦにリセットすることによって、信号Ｓ１におけるクロストーク成分と信号Ｓ２におけるクロストーク成分とが非常に近い値となる。したがって、信号処理部２２４が信号Ｓ２と信号Ｓ１との差分を演算することによって正味の放射線成分(放射線の照射量）を検出すること、即ちクロストーク成分を低減することができる。ここで、図９におけるＴＴ１とＴＴ２とを等しくすることによって、信号Ｓ１におけるクロストーク成分と信号Ｓ２におけるクロストーク成分との差を小さくすることができる。
【００７３】
ここで、信号Ｓ１は、列信号線１０６の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第２スイッチ１２３を導通させない状態で列信号線１０６に現れる信号である。信号Ｓ２は、列信号線１０６の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第２スイッチ１２３を導通させることによって列信号線１０６に現れる信号である。
【００７４】
読出部１３０が列信号線１０６に現れる信号を読み出す期間Ｐは、第１期間Ｐ１と第２期間Ｐ２とを含む。第１期間Ｐ１は、リセットスイッチ（リセット部）ＲＳによって列信号線１０６の電位がリセットされる動作（ｔ０〜ｔ１）と、その後に、第２スイッチ１０３が導通しない状態で列信号線１０６に現れる信号が読み出される動作とを含む。第２期間Ｐ２は、リセットスイッチＲＳによって列信号線１０６の電位がリセットされる動作（ｔ３〜ｔ４）と、その後に、第２スイッチ１０３が導通することによって列信号線１０６に現れる信号が読み出される動作とを含む。
【００７５】
図１４には、本発明の第４実施形態の放射線撮像装置２００における読出部１３０の構成例が示されている。第４実施形態として言及しない事項は、第３実施形態に従いうる。第４実施形態の放射線撮像装置２００は、撮像画素１０１からの信号の読み出しの際に列信号線１０６に現れるクロストークによる影響を低減する。
【００７６】
第４実施形態における読出部１３０の検知部１３２は、第２実施形態において説明した読出部１４０の検知部１４２と同様の構成を有しうる。つまり、読出部１３０の検知部１３２は、増幅回路ＡＭＰのほかに、第１サンプリングスイッチＳＷ１、第２サンプリングスイッチＳＷ２、第１保持容量ＨＣ１、第２保持容量ＨＣ２を有する。
【００７７】
以下、図１１を参照しながら第４実施形態の放射線撮像装置２００の動作を説明する。第４実施形態の説明においては、図１１中の「駆動信号」は、駆動線１０４に印加される信号である。まず、時刻ｔ０でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ１）から、ＶＢがクロストークによって変化し始める。
【００７８】
次に、第１サンプリング信号ＳＨ１をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第１保持容量ＨＣ１にサンプリングを行う（〜時刻ｔ２）。これによって、時刻ｔ２におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ１が第１保持容量ＨＣ１に保持される。
【００７９】
次に、第２サンプリング信号ＳＨ２をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第２保持容量ＨＣ２にサンプリングを行う（〜時刻ｔ３）。これによって、時刻ｔ３におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ１’が第２保持容量ＨＣ２に保持される。信号Ｓ１、Ｓ１’は、マルチプレクサ１４４およびＡＤ変換器１４６を介して出力される。信号Ｓ１’と信号Ｓ１との差分Ｓ１”は、期間ＴＴ１におけるクロストーク成分に相当する。また、この差分Ｓ１”は、リセットスイッチＲＳを非導通状態にした後における２回のサンプリングの結果の差分であるので、ＫＴＣノイズが除去されている。
【００８０】
次に、時刻ｔ４でリセット信号ΦＲがハイレベルにされ、リセットスイッチＲＳが導通状態にされる。これによって、ＶＢが参照電位ＲＥＦにリセットされる。リセット信号ΦＲがローレベルにされてリセットスイッチＲＳが非導通状態になった瞬間（時刻ｔ５）から、ＶＢが再びクロストークによって変化し始める。
【００８１】
次に、第１サンプリング信号ＳＨ１をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第１保持容量ＨＣ１にサンプリングを行う（〜時刻ｔ６）。これによって、時刻ｔ６におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ２が第１保持容量ＨＣ１に保持される。
【００８２】
次に、ｔ７〜ｔ８の期間において、駆動線１０４の電位をハイレベルにすることによって、第１スイッチ１０３を導通状態とする。このとき、第１変換素子１０２に蓄積されていた電荷の量に応じてＶＢが変化する。また、第１スイッチ１０３が導通状態となっている状態でも、放射線は当り続けているので、Ｖｂの電位は、クロストークによって変化し続ける。
【００８３】
次に、第２サンプリング信号ＳＨ２をローレベルからハイレベルにし、更にハイレベルからローレベルにすることによって第２保持容量ＨＣ２にサンプリングを行う（〜時刻ｔ９）。これによって、時刻ｔ９におけるクロストーク成分に相当する信号Ｓ２’が第２保持容量ＨＣ２に保持される。信号Ｓ２、Ｓ２’は、マルチプレクサ１３４およびＡＤ変換器１３６を介して出力される。信号Ｓ２’と信号Ｓ２との差分Ｓ２”は、期間ＴＴ２におけるクロストーク成分および放射線成分に相当する。また、この差分Ｓ２”は、リセットスイッチＲＳを非導通状態にした後における２回のサンプリングの結果の差分であるので、ＫＴＣノイズが除去されている。
【００８４】
時刻ｔ４〜ｔ５の期間にリセットスイッチＲＳを導通させて、列信号線１０６の電位を基準電位ＲＥＦにリセットすることによって、差分Ｓ１”におけるクロストーク成分と差分Ｓ２”におけるクロストーク成分とが非常に近い値となる。したがって、信号処理部２２４が差分Ｓ２”と差分Ｓ１”との差分を演算することによって正味の放射線成分(放射線の照射量）を検出すること、即ちクロストーク成分を低減することができる。また、差分Ｓ１”、Ｓ２”がＫＴＣノイズを含まないので、差分Ｓ２”と差分Ｓ１”との差分もＫＴＣノイズを含まない。ここで、図１１におけるＴＴ１とＴＴ２とを等しくすることによって、差分Ｓ１”におけるクロストーク成分と差分Ｓ２”におけるクロストーク成分との差を小さくすることができる。
【００８５】
ここで、差分Ｓ１”は、列信号線１０６の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第１スイッチ１０３を導通させない状態で列信号線１０６に現れる信号の変化量である。差分Ｓ２”は、と、列信号線１０６の電位を基準電位ＲＥＦにリセットした後に第２スイッチ１２３を非導通状態から導通状態に変化させたときに列信号線１０６に現れる信号の変化量である。
【００８６】
読出部１３０が列信号線１０６に現れる信号を読み出す期間Ｐは、第１期間Ｐ１と第２期間Ｐ２とを含む。第１期間Ｐ１は、リセットスイッチ（リセット部）ＲＳによって列信号線１０６の電位がリセットされる動作（ｔ０〜ｔ１）と、その後に、第１スイッチ１０３が導通しない状態で列信号線１０６に現れる信号が２回にわたって読み出される動作とを含む。第２期間Ｐ２は、リセットスイッチＲＳによって列信号線１０６の電位がリセットされる動作（ｔ３〜ｔ４）と、その後に、第１スイッチ１０３が導通しない状態で列信号線１０６に現れる信号が読み出される動作を含む。第２期間Ｐ２は、更に、第１スイッチ１０３が導通することによって列信号線１０６に現れる信号が読み出される動作を含む。ＶＡは、撮像画素１０１の第２電極１５１の電位、ＶＢは、差動増幅器ＤＡ（増幅回路ＡＭＰ）の出力端子の電位である。
【００８７】
以下、図１５を参照しながら放射線撮像装置２００を放射線検知システムに応用した例を説明する。放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、前述の放射線撮像装置２００に代表される放射線撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータ２１６は発光し、これを光電変換素子で光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００８８】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【符号の説明】
【００８９】
１０１：撮像画素、１２１：検知画素、２００：放射線撮像装置、１０６：列信号線、１２５：検知信号線、１０２：第１変換素子１０２、１０３：第１スイッチ、１２２：第２変換素子、１２３：第２スイッチ、ＩＲ：撮像領域
【図１】
2015213221.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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