(57)【要約】【課題】マイクロ波供給口に付着した金属粒子の清掃工程により、生産性が低下する問題がある。【解決手段】被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を、導波管を介して供給するマイクロ波供給部と、被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を被加工材料に印加する負電圧印加部と、マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大されたシース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、被加工材料を支持した状態でマイクロ波供給口を介して導波管の中心導体と対向して配置され、マイクロ波供給口の面方向に垂直な方向に導電性を有する領域を備える治具と、治具に固定され、面方向に延び、治具が中心導体として配置された状態において、処理容器の内部に露出するマイクロ波供給口のマイクロ波導入面の少なくとも一部分を覆うつばと、を備える成膜装置。【選択図】図３
2015143380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する被加工材料を内部に配置可能な処理容器と、
前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、
前記被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を、導波管を介して供給するマイクロ波供給部と、
前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、
前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、  前記被加工材料を支持した状態で、前記マイクロ波供給口を介して前記導波管の中心導体と対向して配置され、前記マイクロ波供給口の面方向に垂直な方向に導電性を有する領域を備える治具と、
前記治具に固定され、前記面方向に延び、前記治具が前記中心導体と対向して配置された状態において、前記処理容器の内部に露出する前記マイクロ波供給口のマイクロ波導入面の少なくとも一部分を覆うつばと、
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記つばは、誘電体からなること
を特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記つばは前記マイクロ波導入面の全面を覆うこと
を特徴とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記治具の前記導電性を有する領域以外の領域の材質の熱膨張率は、前記つばの材質の熱膨張率と同等であること
特徴とする請求項２、または３記載の成膜装置。
【請求項５】
前記つばは、前記垂直な方向に沿って延びる孔、または面方向に切欠かれた切欠を備えることを
特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の成膜装置。
【請求項６】
前記つばは、前記垂直な方向に対して傾斜して延びる前記孔を備えることを
特徴とする請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
表面が金属材料から形成され、前記マイクロ波供給口の前記マイクロ波導入面よりも突出して配置される突出部を備え、
前記突出部は、前記治具の一端側に固定された前記つばと前記治具との段差に係合し、前記治具と電気的に接触すること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の成膜装置。
【請求項８】
導電性を有する被加工材料を内部に配置可能な処理容器と、
前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、
前記被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、
前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させ、前記処理容器の内部に開口する凹部を備えるマイクロ波供給口と、
前記被加工材料を支持した状態で前記マイクロ波供給口の前記凹部に配置可能であり、前記マイクロ波供給口の面方向に垂直な方向に導電性を有する領域を備える治具と、
前記治具に固定され、前記面方向に延び前記マイクロ波供給口の前記凹部に前記治具が配置された状態において、前記処理容器の内部に露出する前記マイクロ波供給口のマイクロ波導入面の少なくとも一部分を覆うつばと、を備えること
を特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用い、鋼材等の導電性を有する被加工材料の表面に皮膜を形成するための成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、鋼材などの導電性を有する被加工材料の表面に成膜処理する技術が特許文献１などにより知られている。この特許文献に開示された技術では、プラズマ生成装置が石英窓を通して処理容器内の被加工材料に向けマイクロ波を供給することにより、石英窓内面の周辺領域にプラズマが発生し、シース層がプラズマと被加工材料との境界に生成される。マイクロ波の供給中に、プラズマ生成装置が被加工材料へ負のバイアス電圧を印加する。この結果、被加工材料の表面に沿ってシース層が生成し、生成されたシース層は拡大する。供給されたマイクロ波は、このシース層に沿って伝搬し、プラズマが伸長する。この結果、原料ガスがプラズマによって分解され、被加工材料の表面が成膜処理される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−４７２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された技術では、原料ガスの粒子、またはプラズマに晒される領域に配置された金属材料の金属粒子が石英窓の露出面に堆積する可能性がある。これらの粒子が付着した石英窓を透過するマイクロ波の透過量が低下する。マイクロ波の透過量が低下すると、被加工材料へのマイクロ波の供給量が低下し、成膜速度、膜質、またはプラズマ状態が不安定になるなど成膜処理に悪影響を及ぼす可能性がある。
【０００５】
この悪影響を低減するため、石英窓に堆積した粒子を清掃することが考えられるが、この清掃工程により、生産性が低下する問題がある。
【０００６】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、生産性の向上を図ることができる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の成膜装置は、導電性を有する被加工材料を内部に配置可能な処理容器と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を、導波管を介して供給するマイクロ波供給部と、前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、前記被加工材料を支持した状態で前記マイクロ波供給口を介して前記導波管の中心導体と対向して配置され、前記マイクロ波供給口の面方向に垂直な方向に導電性を有する領域を備える治具と、前記治具に固定され、前記面方向に延び、前記治具が前記中心導体として配置された状態において、前記処理容器の内部に露出する前記マイクロ波供給口のマイクロ波導入面の少なくとも一部分を覆うつばと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項１記載の成膜装置によれば、被加工材料の処理表面に沿ってマイクロ波が供給される。負のバイアス電圧により拡大されたシース層にマイクロ波が伝搬される。この結果、高密度プラズマが、被加工材料の処理表面、およびつばの被加工材料側の領域に生成する。ガスに金属が含まれる場合、または高密度プラズマに晒される領域に配置された金属材料からスパッタされた金属粒子は、つばにより少なくとも一部が覆われるマイクロ波供給口のマイクロ波導入面に堆積することなく、被加工材料側のつばに堆積する。よって、これら金属粒子がマイクロ波供給口の導入面に堆積する量を低減する。このつばは、被加工材料への成膜が終了した後に、被加工材料、および治具と共に取り外されるので、マイクロ波供給口を清掃することによる生産性の低下を低減できる。
【０００９】
請求項２記載の本発明は、請求項１記載の成膜装置であって、前記つばは、誘電体からなることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の成膜装置によれば、つばが誘電体からなることにより、マイクロ波がつばを透過して被加工材料に向けて供給される。この結果、つばが金属材料から形成されるよりも、被加工材料へのマイクロ波が供給されやすくなる。従って、生産性の低下を低減しつつ、成膜速度の低下、膜質の低下、またはプラズマ状態が不安定になるなど成膜処理に悪影響を及ぼす可能性を低減できる。
【００１１】
請求項３記載の本発明は、請求項２記載の成膜装置であって、つばは、マイクロ波導入面の全面を覆うことを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の成膜装置によれば、つばがマイクロ波導入面の全面を覆うので、金属粒子は、つばにより全面が覆われるマイクロ波供給口のマイクロ波導入面に堆積することなく、被加工材料側のつばに堆積する。よって、これら金属粒子がマイクロ波供給口の導入面に堆積する量を低減する。このつばは、被加工材料への成膜が終了した後に、被加工材料、および治具と共に取り外されるので、マイクロ波供給口を清掃することによる生産性の低下をより低減できる。
【００１３】
請求項４記載の本発明は、請求項２、または３記載の成膜装置であって、前記治具の前記導電性を有する領域以外の領域の材質の熱膨張率は、前記つばの材質の熱膨張率と同等であること特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の成膜装置によれば、成膜時に熱が発生した場合に、つばの材質の熱膨張率と治具の導電性を有する領域以外の材質の熱膨張率との差で、治具とつばとのいずれかが割れる可能性を低減できる。
【００１５】
請求項５記載の本発明は、請求項１〜４のいずれか記載の成膜装置であって、前記つばは、前記垂直な方向に沿って延びる孔、または面方向に切欠かれた切欠を備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の成膜装置によれば、つばに金属粒子が付着させ、孔、または切欠からマイクロ波を被加工材料に供給することが可能である。従って、生産性の低下を低減しつつ、成膜速度の低下、膜質の低下、またはプラズマ状態が不安定になるなど成膜処理に悪影響を及ぼす可能性を低減できる。
【００１７】
請求項６記載の本発明は、請求項５記載の成膜装置であって、前記つばは、前記垂直な方向に対して傾斜して延びる前記孔を備えることを特徴とする。
【００１８】
請求項６記載の成膜装置によれば、金属粒子が傾斜して延びる孔を介してマイクロ波供給口に堆積する可能性をさらに低減できる。従って、マイクロ波供給口に金属粒子が堆積する可能性を低減できるので、孔からマイクロ波を被加工材料により安定して供給することが可能である。従って、生産性の低下を低減しつつ、成膜速度の低下、膜質の低下、またはプラズマ状態が不安定になるなど成膜処理に悪影響を及ぼす可能性を低減できる。
【００１９】
請求項７記載の本発明は、請求項１〜６のいずれか記載の成膜装置であって、表面が金属材料から形成され、前記マイクロ波供給口の前記マイクロ波導入面よりも突出して配置される突出部を備え、前記突出部は、前記治具の一端側に固定された前記つばと前記治具との段差に係合し、前記治具と電気的に接触することを特徴とする。
【００２０】
請求項７記載の成膜装置によれば、突出部がマイクロ波供給口の面よりも突出しており、つばと治具との段差に係合するので、治具、およびつばがマイクロ波供給口に対して位置決めされやすい。よって、つばとマイクロ波供給口との位置ずれにより、プラズマにより発生した金属粒子がマイクロ波供給口に堆積する可能性を低減できる。
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項８記載の成膜装置は、導電性を有する被加工材料を内部に配置可能な処理容器と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させ、前記処理容器の内部に開口する凹部を備えるマイクロ波供給口と、前記被加工材料を支持した状態で前記マイクロ波供給口の前記凹部に配置可能であり、前記マイクロ波供給口の面方向に垂直な方向に導電性を有する領域を備える治具と、前記治具に固定され、前記面方向に延び前記マイクロ波供給口の前記凹部に前記治具が配置された状態において、前記処理容器の内部に露出する前記マイクロ波供給口のマイクロ波導入面の少なくとも一部分を覆うつばと、を備えることを特徴とする。
【００２２】
請求項８記載の成膜装置によれば、被加工材料の処理表面に沿ってマイクロ波が供給される。負のバイアス電圧により拡大されたシース層にマイクロ波が伝搬される。この結果、高密度プラズマが、被加工材料の処理表面、およびつばの被加工材料側の領域に生成する。ガスに金属が含まれる場合、または高密度プラズマに晒される領域に配置された金属材料からスパッタされた金属粒子は、つばにより覆われるマイクロ波供給口のマイクロ波導入面に堆積することなく、被加工材料側のつばに堆積する。よって、これら金属粒子がマイクロ波供給口の導入面に堆積する量を低減する。このつばは、被加工材料への成膜が終了した後に、被加工材料、および治具と共に取り外されるので、マイクロ波供給口を清掃することによる生産性の低下を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す説明図である。
【図２】マイクロ波供給口に保持治具が挿入された状態のＺ方向のマイクロ波供給口、側面導体、および保持治具の断面を説明する斜視図である。
【図３】マイクロ波供給口に保持治具が挿入される前のＺ方向のマイクロ波供給口、側面導体、および保持治具の断面を説明する斜視図である。
【図４】マイクロ波供給口に保持治具が挿入された状態のＺ方向のマイクロ波供給口、側面導体、および保持治具の断面図である。
【図５】変形例に係るマイクロ波供給口に保持治具が挿入される前のＺ方向のマイクロ波供給口、側面導体、および保持治具の断面図である。
【図６】変形例に係るマイクロ波供給口に保持治具が挿入された状態のＺ方向のマイクロ波供給口、側面導体、および保持治具の断面図である。
【図７】変形例に係る円柱部材のＺ方向の断面図である。
【図８】変形例に係るつばの斜視図である。
【図９】変形例に係るつばの斜視図である。
【図１０】変形例に係るつばの斜視図である。
【図１１】変形例に係るつばの斜視図である。
【図１２】変形例に係る、マイクロ波供給口に保持治具が配置された状態のＺ方向のマイクロ波供給口、側面導体、および保持治具の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る成膜装置について具体化した一実施形態に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２５】
図１に示すように、成膜装置１は、処理容器２、真空ポンプ３、ガス供給部５、及び制御部６等から構成されている。処理容器２は、ステンレス等の金属製であって、気密構造の処理容器である。真空ポンプ３は、圧力調整バルブ７を介して処理容器２の内部を真空排気可能なポンプである。処理容器１の内部には、成膜対象である導電性を有する被加工材料８が、保持治具９により保持されている。
【００２６】
被加工材料８の材質は、処理表面１０が導電性を有していれば、特に限定されるものではないが、本実施形態では低温焼戻し鋼である。ここで低温焼戻し鋼とは、ＪＩＳ  Ｇ４０５１（機械構造用炭素鋼鋼材）、Ｇ４４０１（炭素工具鋼鋼材）、Ｇ４４−４（合金工具用鋼材）、又はマルエージング鋼材などの材料である。被加工材料は、低温焼戻し鋼以外にも、セラミック、または樹脂に導電性の材料がコーティングされているものでもよい。
【００２７】
ガス供給部５は、処理容器２の内部に成膜用の原料ガスと不活性ガスとを供給する。具体的には、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはＸｅなどの不活性ガスとＣＨ４、ＣＨ２、Ｃ２Ｈ２、又はＴＭＳ（テトラメチルシラン）等の原料ガスとが供給される。本実施形態では、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、及びＴＭＳの原料ガスにより被加工材料８がＤＬＣ成膜処理されるとして説明する。原料ガス、および不活性ガスが本発明のガスの一例である。
【００２８】
ガス供給部５から供給される原料ガス、および不活性ガスの流量、および圧力が制御部６を介して制御されてもよいし、作業者により制御されてもよい。原料ガスは、アルキン、アルケン、アルカン、芳香族化合物などのＣＨ結合を有する化合物、または炭素が含まれる化合物が含まれるガスであればよい。Ｈ２が原料ガスに含まれてもよい。
【００２９】
処理容器２の内部に保持された被加工材料８に対してＤＬＣ成膜処理を行うためのプラズマが発生される。このプラズマは、マイクロ波パルス制御部１１、マイクロ波発振器１２、マイクロ波電源１３、負電圧電源１５、及び負電圧パルス発生部１６により発生される。本実施形態では、特開２００４−４７２０７号公報に開示された方法（以下、「ＭＶＰ法（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｓｈｅａｔｈ−Ｖｏｌｔａｇｅ  ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ  Ｐｌａｓｍａ法）」という。）により表面波励起プラズマが発生されるとして説明する。以降の記載では、ＭＶＰ法を説明する。
【００３０】
マイクロ波パルス制御部１１は制御部６の指示に従い、パルス信号を発振し、この発振したパルス信号をマイクロ波発振器１２へ供給する。マイクロ波発振器１２は、マイクロ波パルス制御部１１からのパルス信号に従って、マイクロ波パルスを発生する。マイクロ波電源１３は、制御部６の指示に従い、指示された出力で２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振するマイクロ波発振器１２へ電力を供給する。つまり、マイクロ波発振器１２は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波をマイクロ波パルス制御部１１からのパルス信号に従って、パルス状のマイクロ波パルスで後述するアイソレータ１７に供給する。
【００３１】
マイクロ波パルスは、マイクロ波発振器１２からアイソレータ１７、チューナー１８、導波管１９、導波管１９から図示されない同軸導波管変換器を介して突設された同軸導波管２１、及び石英などのマイクロ波を透過する誘電体等からなるマイクロ波供給口２２を経由し、保持治具９及び被加工材料８の処理表面に供給される。アイソレータ１７は、マイクロ波の反射波がマイクロ波発振器１２へ戻ることを防ぐものである。チューナー１８は、マイクロ波の反射波が最小になるようにチューナー１８前後のインピーダンスを整合するものである。同軸導波管２１が本発明の導波管の一例である。
【００３２】
図２、および図３に示すように、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕを除く外周面は、ステンレス等の金属で形成された側面導体２３で被覆されている。言い換えれば、上端面２２Ｕは、処理容器２の内部に露出する。側面導体２３は、処理容器２の内側面にネジ止め等によって固定され、図１に示す処理容器２に電気的に接続されている。上端面２２Ｕが本発明のマイクロ波導入面の一例である。
【００３３】
マイクロ波供給口２２の中央には同軸導波管２１の中心導体２１Ｃが延長されている。被加工材料８に効率よく表面波を伝搬させるには、同軸導波管２１の中心導体の延長として被加工材料８を配置することが必要となる。このため、保持治具９も同軸導波管２１の中心導体の延長上に配置され、保持治具９は、マイクロ波供給口２２内では中心導体となる。従って、保持治具９と同軸導波管の中心導体２１Ｃと側面導体２３とは、同軸導波管として機能する。
【００３４】
マイクロ波供給口２２に供給されたマイクロ波パルスによって、保持治具９が配置された上端面２２Ｕ付近にマイクロ波が伝搬してプラズマが生成される。すなわち、マイクロ波は、中心導体の延びる方向であるＺ軸方向に供給される。同軸導波管２１の中心導体２１Ｃと保持治具９との間には、真空を保持するため、石英等の誘電体がマイクロ波供給口２２として配置される。Ｚ軸方向に直交する上端面２２Ｕ以降の記載ではマイクロ波の供給方向であるＺ軸方向を上側、Ｚ軸方向と反対方向を下側と記載する場合がある。Ｚ軸方向が本発明の垂直な方向の一例である。上端面２２Ｒが延びるＲ方向が本発明の面方向の一例である。
【００３５】
図３を参照して、保持治具９の構成を説明する。保持治具９は、円柱部材９１とつば９２とを備える。円柱部材９１は、円柱形状を有し、少なくとも表面がステンレスなどの金属からなる。すなわち、保持治具９の側面９１ＣはＺ方向に導電性を有する。表面の内部９１Ｉは、ステンレスなどの金属で形成されてもよいが、石英などの誘電体から形成されるのが望ましい。円柱部材９１の上端９Ｕに、凹部９１Ｒが形成される。凹部９１Ｒに被加工材料８が固定される。円柱部材９１の側面９１Ｃにつば９２が固定される。つば９２は円柱部材９１とは、ねじ切り、接着などの周知の方法で固定される。また、つば９２と円柱部材９１とは、完全に固定されている必要はなく、円柱部材９１の側面に傾斜、または段差が形成され、この段差につば９２が当接してもよい。
【００３６】
つば９２は、石英などの誘電体から形成される。つば９２の材質は、円柱部材９１の内部９１Ｉの材質と同等の熱膨張率を有するのが望ましい。例えば、石英の熱膨張率は、５．６×１０-7Ｋ-1であり、つば９２の材質の熱膨張率が、円柱部材９１の内部９１Ｉの材質の熱膨張率と完全に同じでなくてよく、成膜時に熱が発生した場合に、つば９２の材質の熱膨張率と内部９１Ｉの材質の熱膨張率との差で、円柱部材９１とつば９２とのいずれかが割れる可能性を低減できればよい。円柱部材９１が本発明の治具である。
【００３７】
マイクロ波供給口２２に保持治具９が安定して配置されるよう、凹部２２Ｒが上端面２２Ｕに形成される。凹部２２Ｒの深さ方向は、Ｚ軸に平行である。中心導体２１Ｃは、マイクロ波供給口２２に形成された凹部２２の底面と対向する位置に配置される。
【００３８】
成膜開始前に、凹部９１Ｒに被加工材料８が挿入される。被加工材料８が挿入された保持治具９が凹部２２Ｒに図示されない搬送機構により配置される。図２に示すように、配置状態において、保持治具９は、凹部２２Ｒの底面と接触し、つば９２は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕを覆う。円柱部材９１の側面９ＣはＺ方向に導電性を有し、つば９２は誘電体から形成されるので、マイクロ波供給口２２から供給されるマイクロ波は、つば９２を透過し、表面が金属からなる円柱部材９１の側面９Ｃに沿って進行する。
【００３９】
図４に示すように、配置状態において、つば９２は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕを覆う。このつば９２は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕを覆う状態において、つば９２と上端面２２Ｕとの距離Ｌ１は、つば９２の有無により、原料ガスの粒子、またはプラズマに晒される領域に配置された側面導体２３などの金属材料の金属粒子が上端面２２Ｕに成膜中に堆積する量が変わる程度の距離である。例えば、つば９２と上端面２２Ｕとは接触していてもよいし、つば９２と上端面２２Ｕとの距離Ｌ１が、０．０２ｍｍ程度であってもよい。
【００４０】
凹部２２Ｒに保持治具９が配置された状態において、つば９２は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕの少なくとも一部を覆う。すなわち、つば９２は、Ｚ軸方向と垂直なＲ方向において、側面導体２３から離れていてもよい。例えば、Ｒ方向において、つば９２と側面導体２３との距離Ｌ２は０．０２ｍｍ離れていてもよい。従って、成膜処理中において、プラズマが上端面２２Ｕを晒す可能性が低くなり、上端面２２Ｕに円柱部材９１、側面電極２３などから発生した金属粒子が堆積する可能性を低減できる。より望ましくは、つば９２は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕの全面を覆う。また、つば９２は、側面導体２３も覆ってもよい。
【００４１】
図１、および図２に示すように、被加工材料８は、被加工材料８を保持する保持治具９からマイクロ波供給口２２に対して処理容器２の内側に向かって突出するように配置されている。
【００４２】
被加工材料８の上端部には、負のバイアス電圧パルスを印加するための負電圧電極２５が、被加工材料８の上端部に電気的に接続される。
【００４３】
負電圧電源１５は、制御部６の指示に従い、負電圧パルス発生部１６に負のバイアス電圧を供給する。負電圧パルス発生部１６は、負電圧電源１５から供給された負のバイアス電圧をパルス化する。このパルス化の処理は、負電圧パルス発生部１６が制御部６の指示に従い、負のバイアス電圧パルスの大きさ、周期、及び、デューティ比を制御する処理である。このパルス状の負のバイアス電圧である負のバイアス電圧パルスが、処理容器２の内部に保持された被加工材料８に負電圧電極２５を介して印加される。
【００４４】
被加工材料８が、金属基材の場合、またはセラミック、または樹脂に導電性の材料がコーティングされた場合であっても、被加工材料８の少なくとも処理表面全域に負のバイアス電圧パルスが印加される。保持治具９の表面全域にも被加工材料８を介して負のバイアス電圧パルスが印加される。
【００４５】
発生されたマイクロ波パルス、および負のバイアス電圧パルスの少なくとも一部が同一時間に印加されるように制御されることにより表面波励起プラズマ２８が発生される。マイクロ波は２．４５ＧＨｚに限らず、０．３ＧＨｚ〜５０ＧＨｚの周波数であればよい。また、パルス状のマイクロ波パルスが供給されたが、連続するマイクロ波が供給されてもよい。負電圧電源１５、負電圧パルス発生部１６、および負電圧電極２５が本発明の負電圧印加部の一例である。
【００４６】
マイクロ波制御部１１、マイクロ波発振器１２、マイクロ波電源１３、アイソレータ１７、チューナー１８、導波管１９、及び同軸導波管２１が本発明のマイクロ波供給部の一例である。尚、成膜装置１は負電圧電源１５、および負電圧パルス発生部１６を備えたが、更に正電圧電源、および正電圧パルス発生部を備えてもよいし、負電圧パルス発生部１６の代わりに、パルス状の負のバイアス電圧でなく、連続する負のバイアス電圧を印加する負電圧発生部を備えてもよい。
【００４７】
処理容器２の側壁に設けられた石英窓２７の外側近傍の位置に、放射温度計２９が配置されている。放射温度計２９は、制御部６に電気的に接続される。放射温度計２９は、赤外線を受信し、受信された赤外線の強度を算出する。算出した赤外線の強度から被加工材料８の表面温度を算出する。放射温度計２９は、算出した被加工材料８の温度情報を制御部６に出力する。
【００４８】
制御部６は、負電圧電源１５とマイクロ波電源１３に制御信号を出力してマイクロ波パルスの印加電力と負電圧パルスの印加電圧を制御する。制御部６は、負電圧パルス発生部１６及びマイクロ波パルス制御部１１に制御信号を出力することによって、パルス状の負のバイアス電圧パルスの印加タイミング、供給電圧、及びマイクロ波発振器１２から発生されるマイクロ波パルスの供給タイミング、及び供給電力を制御する。
【００４９】
制御部６は、ガス供給部５に流量制御信号を出力して原料ガス及び不活性ガスの供給を制御する。制御部６は、処理容器２に取り付けられた真空計２６から入力される処理容器２内の圧力を表す圧力信号に基づいて、制御信号を圧力調整バルブ７に出力して、処理容器２内の圧力を制御する。
【００５０】
［表面波励起プラズマの説明］
通常、表面波励起プラズマを発生させる場合、ある程度以上の電子（イオン）密度におけるプラズマと、これに接する誘電体との界面に沿ってマイクロ波が供給される。供給されたマイクロ波は、この界面に電磁波のエネルギーが集中した状態で表面波として伝播される。その結果、界面に接するプラズマは高エネルギー密度の表面波によって励起され、さらに増幅される。これにより高密度プラズマが生成されて維持される。ただし、この誘電体を導電性材料に換えた場合、導電性材料は表面波の導波路としては機能せず、好ましい表面波の伝播及びプラズマ励起を生ずることはできない。
【００５１】
一方、プラズマに接する物体の表面近傍には、本質的に単一極性の荷電粒子層、いわゆるシース層が形成される。物体が、負のバイアス電圧を加えた導電性を有する被加工材料８の場合、シース層とは電子密度が低い層、すなわち、正極性であって、マイクロ波の周波数帯においてはほぼ比誘電率ε≒１の層である。このため、印加する負のバイアス電圧の絶対値を例えば−１００Ｖの絶対値より大きくすることによりシース層のシース厚さを厚くできる。すなわちシース層が拡大する。このシース層が、プラズマとプラズマに接する物体との界面に表面波を伝播させる誘電体として作用する。
【００５２】
従って、被加工材料８を保持する保持治具９の一端に近接して配置されたマイクロ波供給口２２からマイクロ波が供給され、かつ被加工材料８及び保持治具９に負のバイアス電圧が印加されると、マイクロ波はシース層とプラズマとの界面に沿って表面波として伝搬する。この結果、被加工材料８及び保持治具９の処理表面１０に沿って表面波に基づく高密度励起プラズマが発生する。この高密度励起プラズマが、上述した表面波励起プラズマ２８である。
【００５３】
このような被加工材料８の表面の近傍での表面波励起による高密度プラズマの電子密度は１０11〜１０12ｃｍ―3に達する。このＭＶＰ法を用いたプラズマＣＶＤによりＤＬＣ成膜処理される場合は、通常のプラズマＣＶＤによりＤＬＣ成膜処理される場合よりも１桁から２桁高い成膜速度３〜３０（ナノｍ／秒）が得られるので高速成膜が可能である。
【００５４】
このＭＶＰ法では、マイクロ波供給口２２に密着させて保持治具９を配置し、保持治具９および被加工材料８の処理表面１０に沿ってシース層が形成される。バイアス電圧により拡大されたシース層に沿って、表面波として伝搬するマイクロ波によって高密度プラズマが生成される。このプラズマの密度が高いので、被加工材料８は高速成膜される。高密度プラズマによる高速成膜が故、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに金属粒子が堆積しやすいが、本実施形態では、上端面２２Ｕをつば９２が覆うので、つば９２が、被加工材料８への成膜が終了した後に、被加工材料８、および保持治具９と共に取り外されるので、マイクロ波供給口２２を清掃することによる生産性の低下を低減できる。また、側面９１ＣがＺ方向に導電性を有する保持治具９は中心導体２１Ｃと対向して配置されるので、マイクロ波がＺ方向に効率よく伝搬する。
【００５５】
本実施形態における具体的なマイクロ波パルス、負のバイアス電圧パルスの印加方法は、特開２００４−４７２０７号公報、特開２０１３−１５５４０９号公報などに記載されているので、説明を省略する。
【００５６】
＜成膜処理＞
処理容器２は、図示しない第１ロードロック室と第２ロードロック室とに接続される。第１ロードロック室は、処理容器２とゲートバルブで仕切られており、被加工材料８が保持治具９に固定される準備室である。第２ロードロック室は、処理容器２とゲートバルブで仕切られており、成膜処理された被加工材料８、および保持治具９が取り出される取り出し室である。処理容器２、第１ロードロック室、および第２ロードロック室の間で被加工材料８を保持した保持治具９を搬送する搬送機構が備えられる。処理容器２と第２ロードロック室が真空引きされ、処理容器２と第１ロードロック室との間のゲートバルブが閉じられた状態において、第１ロードロック室にて被加工材料８が保持治具９に固定される。そして、第１ロードロック室が真空引きされる。第１ロードロック室の圧力が所定の真空度になったら、処理容器２と第１ロードロック室との間のゲートバルブが開けられ、被加工材料８が固定された保持治具９が図示しない搬送機構により処理容器２に搬送される。搬送された被加工材料８、および保持具９は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに形成された凹部２２Ｒに配置される。次に、処理容器２と第１ロードロック室との間のゲートバルブ、および処理容器２と第２ロードロック室との間のゲートバルブが閉じられ、真空引きが開始される。処理容器２内部の圧力が所定の値になると、成膜処理が行われる。この成膜時に、第１ロードロック室にて次の被加工材料８が保持治具９に固定され、第１ロードロック室の真空引きが行われる。成膜処理が終了すると、処理容器２と第２ロードロック室のゲートバルブが開かれ、搬送機構により被加工材料８、および保持治具９が第２ロードロック室に搬送される。そして、処理容器２と第２ロードロック室の真空引きが行われ、被加工材料８が固定された保持治具９が、第１ロードロック室から処理容器２に搬送されて同様に成膜処理が行われる。
【００５７】
すなわち、保持治具９は、被加工材料８と共に処理容器２に搬入され、成膜処理が終了すると、被加工材料８と共に処理容器２から搬出される。よって、成膜中に保持治具９のつば９２の上面に金属粒子が堆積しても、搬出された後に、堆積された金属粒子を清掃すれば、処理容器２内部で、処理容器２のマイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕ、またはつば９２の上面の清掃の必要がなくなる。従って、処理容器２内部における清掃工程による生産性の低下が抑えられる。また、第２ロードロック室に搬送された成膜後の被加工材料８を保持する保持治具９のつば９２の上面の清掃中に、別の保持治具９に保持された被加工材料９が処理容器２において成膜が可能となるので、連続して複数の被加工材料８への成膜を行うことができ、生産性を向上させることが出来る。また、本実施形態では、保持治具９の側面９１ＣはＺ方向に導電性を有するので、側面９１Ｃと側面導体２３が同軸導波管の機能を果たし、被加工材料８へ効率よくマイクロ波が供給される。この導電性を有する側面９１Ｃに誘電体からなるつば９２が固定されているので、マイクロ波が反射されることなく、効率よく被加工材料８へ供給される。
【００５８】
上記実施形態では、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに凹部２２Ｒが形成され、保持治具９の円柱部材９１が凹部２２Ｒに挿入されたが、これに限られない。図５に示すように、凹部２２Ｒに金属部材３０が配置される。金属部材３０は、支持部材３１、コイルばね３２、位置決め部３３を備える。支持部材３１は、表面が導線性を有しており、マイクロ波の進行方向をＺ軸方向に向ける。支持部材３１の内部は、マイクロ波供給口２２と同じ石英などの誘電体から形成されており、熱膨張による破損の可能性が低減される。支持部材３１に上側が開放する凹部が形成される。コイルばね３２の一端が支持部材３１に形成された凹部の底面に固定され、他端は位置決め部３３に固定される。位置決め部３３はステンレスなどの金属から形成され、上面が球状に形成される。
【００５９】
位置決め部３３は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕよりも上方に突出する。図２に示す円柱部材９１の下面は平面であったが、位置決め部３３の上面と同じ球状の凹部が円柱部材９１の下面に形成されれば、被加工材料８が固定された保持治具９をマイクロ波供給口２２に対して位置決めしやすい。
【００６０】
また、上記実施形態では、円柱部材９１のＺ軸方向中央につば９２が固定されていたが、これに限られない。図５を参照して説明する。保持治具９Ａは、円柱部材９３とつば９４とを備える。円柱部材９３は、円柱形状を有し、ステンレスなどの金属からなる。すなわち、保持治具９の側面はＺ方向に導電性を有する。円柱部材９３の上端９３Ｕに、凹部９３Ｒが形成される。凹部９３Ｒに被加工材料８が固定される。円柱部材９３の下部の側面につば９４が固定される。つば９４は円柱部材９３とは、ねじ切り、接着などの周知の方法で固定される。つば９４は、石英などの誘電体から形成される。円柱部材９３とつば９４とが固定された状態において、円柱部材９３はつば９４を貫通しない。言い換えれば、円柱部材９３の下端は、リング状に形成されたつば９４の内部に位置する。よって、円柱部材９３とつば９４とが固定された状態において、円柱部材９３とつば９４とにより段差部９５が形成される。図６に示すように、段差部９５が、被加工材料８が固定された保持治具９がマイクロ波供給口２２に対して配置される際に、位置決め部３３と電気的に接触して係合するので、位置決めされやすくなる。よって、つば９４とマイクロ波供給口２２との位置ずれにより、プラズマにより発生した金属粒子がマイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに堆積する可能性を低減できる。位置決め部３３が本発明の突出部の一例である。
【００６１】
上記実施形態では、保持治具９、９Ａは、被加工材料８とともに処理容器２に搬入され、成膜が終了すると、処理容器２から搬出されたが、これに限られない。図７〜図１１を参照して保持治具９Ｂ、およびつば９７、９７Ａ〜９７Ｃを説明する。保持治具９Ｂは図７に示す円柱部材９６、および図８に示すつば９７を備える。円柱部材９６は、円柱形状を有し、ステンレスなどの金属からなる。すなわち、保持治具９Ｂの側面はＺ方向に導電性を有する。円柱部材９６の上端９６Ｕに、凹部９６Ｒが形成される。凹部９６Ｒに被加工材料８、または被加工材料８を支持する支持部材が固定される。凹部９６Ｒの下部は、最も下端を頂点とする多角錐状に形成される。
【００６２】
図８に示すように、つば９７は、石英などの誘電体から形成され、孔９７Ｈ１、および４つの孔９７Ｈ２を備える。孔９７Ｈ１に円柱部材９６が挿入され、上述の実施形態と同様、ねじ切り、接着などの周知の方法で円柱部材９６の側面に固定される。孔９７Ｈ２は、Ｚ軸方向に沿って延びる。また、孔９７Ｈ２はＺ軸方向に対して傾斜する方向に延び、Ｚ軸と直交するＲ方向において上側の開口位置と下側の開口位置が異なる。円柱部材９６に固定されたつば９７は、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに配置される。被加工材料８が処理容器２に搬入され、円柱部材９６の凹部９６Ｒに挿入される。成膜処理が終了すると、被加工材料８が処理容器２から搬出される。次に、円柱部材９６の凹部９６Ｒに、下部が多角錐状に形成されたダミーロッドが挿入される。ダミーロッドは被加工材料８とは違い、成膜されず、上端面２２Ｕ上の孔９７Ｈ２の位置を異ならせるための部材である。この搬送機構によるダミーロッドの挿入時に、挿入方向への力が、凹部９６Ｒの多角錐状の面と、ダミーロッドの多角錐状の面とが対向するように回転力に分解されるので、凹部９６Ｒの多角錐状の面と、ダミーロッドの多角錐状の面とが対向するように、つば９７が回転される。尚、搬送機構によるダミーロッドの挿入は、毎回ダミーロッドの多角錐状の面の位置が異なるように挿入される。また、多角錐状の面の対向による回転に限られず、ねじ穴などが凹部９６Ｒに形成され、ドリル状に形成されたダミーロッドにより、上端面２２Ｕ上の孔９７Ｈ２の位置が異ならされてもよい。そして、ダミーロッドは、保持治具９Ｂから取り外され、被加工材料８が処理容器２に搬入され、円柱部材９６の凹部９６Ｒに挿入されて成膜処理が行われる。この成膜処理において、つば９７が所定角度回転され、孔９７Ｈ２の下側の開口位置は、前回の被加工材料８の成膜時のマイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに対する位置と異なる。従って、前回の成膜時において、つば９７の上面９７Ｕ、および孔９７Ｈ２の下側の開口位置の上端面２２Ｕに金属粒子が堆積しても、今回の成膜時においては、孔９７Ｈ２の下側の開口位置の上端面２２Ｕは金属粒子が堆積していない。よって、孔９７Ｈ２の下側の開口位置から孔９７Ｈ２を介して、マイクロ波が被加工材料８に供給される。所定の個数の被加工材料８が成膜されたこと、または成膜処理が所定時間経過したことにより、金属粒子が堆積したつば９７から金属粒子が堆積していないつば９７への交換が行われれば、被加工材料８の成膜が終了するたびにマイクロ波供給口２２を清掃することによる生産性の低下を低減できる。孔９７Ｈ２が本発明の孔の一例である。
【００６３】
上記では、下部が多角錐状に形成されたダミーロッドが挿入されたが。下部が多角錐状に形成された支持部材が凹部９６Ｒに挿入されてもよい。例えば、被加工材料８を支持した支持部材が処理容器２に搬入され、円柱部材９６の凹部９６Ｒに挿入される。この挿入時に、上述と同様に、凹部９６Ｒの多角錐状の面と、支持部材の多角錐状の面とが対向するように、つば９７が回転される。よって、孔９７Ｈ２の下側の開口位置は、前回の被加工材料８の成膜時のマイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに対する位置と異なる。従って、今回の成膜時においては、孔９７Ｈ２の下側の開口位置の上端面２２Ｕは金属粒子が堆積していない。この所定角度回転された孔９７Ｈ２を介してマイクロ波が被加工材料８に供給され、成膜処理が行われる。
【００６４】
つば９７は、孔９７Ｈ１、および４つの孔９７Ｈ２を備えたが、これに限られない。以下、つば９７Ａ〜９７Ｃについて説明する。図９に示すように、つば９７Ａは、石英などの誘電体から形成され、孔９７ＡＨ１、および６つの切欠９７ＡＨ２を備える。孔９７ＡＨ１は、板材の中央に形成され、Ｚ軸方向に対して、交差する方向に延びる。切欠９７ＡＨ２は、板材がＲ方向において切欠かれることにより形成される。切欠９７ＡＨ２は、孔９７ＡＨ１の周方向において隣接する切欠９７ＡＨ２と間隔をおいて形成される。
【００６５】
また、図１０に示すように、つば９７Ｂは、石英などの誘電体から形成され、孔９７ＢＨ１、および４つの長孔９７ＢＨ２を備える。孔９７ＢＨ１は、板材の中央に形成され、Ｚ軸方向に対して、交差する方向に延びる。長孔９７ＢＨ２は、孔９７ＨＡ１が形成された板材において、孔９７ＢＨ１からＲ方向に延びて形成される。孔９７ＢＨ１と長孔９７ＢＨ２とは連結していても、していなくてもどちらでもよい。長孔９７ＢＨ２は、孔９７ＢＨ１の周方向において隣接する長孔ＢＨ２と間隔をおいて形成される。
【００６６】
また、図１１に示すように、つば９７Ｃは、石英などの誘電体から形成され、孔９７ＣＨ１、および６つの孔９７ＣＨ２を備える。孔９７ＣＨ１は、板材の中央に形成され、Ｚ軸方向に対して、交差する方向に延びる。孔９７ＣＨ２は、孔９７ＨＣ１が形成された板材において、孔９７ＣＨ１からＲ方向に延びて形成される。孔９７ＣＨ２は、孔９７ＣＨ１の周方向において隣接する孔ＣＨ２と間隔をおいて形成される。
【００６７】
図８〜図１１に示すつば９７、９７Ａ〜Ｃにおいては、孔９７Ｈ２、長孔９７ＢＨ２、孔９７ＣＨ２が備えられるので、金属粒子がつば９７、９７Ａ〜Ｃ、および孔９７Ｈ２、長孔９７ＢＨ２、孔９７ＣＨ２の位置に対応する上端面２２Ｕに堆積しても、孔９７Ｈ２、長孔９７ＢＨ２、孔９７ＣＨ２の側面からマイクロ波が供給されるので、生産性が低下することが低減される。
【００６８】
上記実施形態では、原料ガス、および不活性ガスにより成膜が行われたが、エッチングガス、またはアッシングガスが用いられてもよい。また、本発明の治具として円柱状の円柱部材９１、９３、９６が用いられたが、四角柱、または三角柱などの多角柱が用いられてもよい。また、本発明のつばとして、誘電体から形成されたつば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃが用いられたが、金属材料から形成されたつばが用いられてもよい。金属材料から形成されたつばが用いられる場合、マイクロ波が透過する孔９７Ｈ２などの孔が形成されなければならず、また、金属部材のつばは、負電圧が印加されるので、アース接続された側面電極２３との短絡を防ぐため、マイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕの全面を覆わないのが望ましい。また、つば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃは耐エッチング性を高めるため、アルミナから形成されてもよい。
【００６９】
上記実施形態において、つば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃの下面にやすりなどの研磨部が設けられるのが望ましい。つば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃがマイクロ波供給口２２に対して位置決めされる際に、上端面２２Ｕと研磨部が当接して金属部材が清掃される。
【００７０】
本実施形態によれば、被加工材料８の処理表面１０に沿ってマイクロ波が供給される。負のバイアス電圧により拡大されたシース層にマイクロ波が伝搬される。この結果、高密度プラズマが、被加工材料８の処理表面１０、およびつば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃの被加工材料８側の領域に生成する。ガスに金属粒子が含まれる場合、または高密度プラズマに晒される領域に配置された被加工材料８、保持治具９、９Ａ、９Ｂ、側面電極２３などの金属材料の金属粒子は、被加工材料８側のつば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃに堆積する。つば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃは、上端面２２Ｕの少なくとも一部を覆っているので、これら金属粒子がマイクロ波供給口２２の上端面２２Ｕに堆積する量を低減する。このつばは、被加工材料８への成膜が終了した後に、被加工材料８、および円柱部材９１、９３、９６と共に取り外されるので、上端面２２Ｕを清掃することによる生産性の低下を低減できる。
【００７１】
また、つば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃが誘電体からなることにより、マイクロ波がつば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃを透過して被加工材料８に向けて供給される。この結果、つば９２、９４、９７、９７Ａ、９７Ｂ、９７Ｃが金属材料から形成されるよりも、被加工材料８へのマイクロ波が供給されやすくなる。従って、生産性の低下を低減しつつ、成膜速度の低下、膜質の低下、またはプラズマ状態が不安定になるなど成膜処理に悪影響を及ぼす可能性を低減できる。
【００７２】
また、つば９７が誘電体から形成される場合は、金属粒子が傾斜して延びる孔９７Ｈ２を介して上端面２２Ｕに付着する可能性を低減できる。つば９７が金属材料から形成される場合は、金属粒子は、孔９７Ｈ２を形成する面に引き寄せされるので、金属粒子が傾斜して延びる孔９７Ｈ２を介して上端面２２Ｕに堆積する可能性を低減できる。従って、上端面２２Ｕに金属材料が堆積する可能性を低減できるので、孔９７Ｈ２からマイクロ波を被加工材料８により安定して供給することが可能である。従って、生産性の低下を低減しつつ、成膜速度の低下、膜質の低下、またはプラズマ状態が不安定になるなど成膜処理に悪影響を及ぼす可能性を低減できる。
【００７３】
また、図１２に示すように、マイクロ波供給口１２２は図２に示す凹部２２Ｒを備えず、Ｒ方向に平行な上端面１２２Ｕを備えてもよい。保持治具１９０は、円柱部材１９１とつば１９２とを備える。円柱部材１９１、およびつば１９２は、図２に示す円柱部材９１、およびつば９２と同じであるが、円柱部材１９１に対するつば１９２の固定位置は、円柱部材１９１に対するつば９２の固定位置よりも下側であるのが望ましい。この結果、保持治具１９０がマイクロ波供給口１２２を介して中心導体２１Ｃと対向して配置された状態で、成膜処理が行われた場合、マイクロ波供給口１２２の上端面１２２Ｕに金属粒子の堆積量が低下する。
【符号の説明】
【００７４】
１      成膜装置
２      処理容器
６      制御部
８      被加工材料
９      保持具
１０    処理表面
１１      マイクロ波パルス制御部
１２      マイクロ波発振器
１３      マイクロ波電源
１５      負電圧電源
１６      負電圧パルス発生部
１７      アイソレータ
１８      チューナー
２１      同軸導波管
２１Ｃ    中心導体
２２      マイクロ波供給口
２３      側面電極
３０      金属部材
３１      支持部材
３３      位置決め部
９１      円柱部材
９２      つば
９３      円柱部材
９４      つば
９５      段差部
９６      円柱部材
９７      つば
【図１】
2015143380.tif 000003
【図２】
2015143380.tif 000004
【図３】
2015143380.tif 000005
【図４】
2015143380.tif 000006
【図５】
2015143380.tif 000007
【図６】
2015143380.tif 000008
【図７】
2015143380.tif 000009
【図８】
2015143380.tif 000010
【図９】
2015143380.tif 000011
【図１０】
2015143380.tif 000012
【図１１】
2015143380.tif 000013
【図１２】
2015143380.tif 000014