(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ装置を高歩留まりにて製造する事。【解決手段】ＭＥＭＳ装置は、基板と、基板に形成された空洞部８０と、空洞部８０の上面に形成された支持部４０と、支持部４０上に形成された熱検出素子６０と、を備える。空洞部８０の少なくとも側面には第一バリア層３１が形成され、空洞部８０の上面には第二バリア層３２が形成され、第一バリア層３１は空洞部８０の上面から突出した突出部３３を有する。突出部３３の少なくとも一面には第二バリア層３２が形成されている。突出部３３にて第一バリア層３１と第二バリア層３２との密着性が向上するので、空洞部８０を形成する際にエッチング材料が漏れ出る可能性を抑制でき、ＭＥＭＳ装置の製造歩留まりが向上する。【選択図】図２
2015031560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された空洞部と、
前記空洞部の上面に形成された支持部と、
前記支持部上に形成された熱検出素子と、を備え、
前記空洞部の少なくとも側面には第一バリア層が形成され、
前記空洞部の上面には第二バリア層が形成され、
前記第一バリア層は前記空洞部の上面から突出した突出部を有し、
前記突出部の少なくとも一面には前記第二バリア層が形成されている事を特徴とするＭＥＭＳ装置。
【請求項２】
基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの少なくとも側面に、第一バリア層を形成する工程と、
前記トレンチを埋める犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の一部と前記絶縁膜の表面に形成された前記第一バリア層とを除去して、前記側面に形成された前記第一バリア層を露出させる工程と、
前記トレンチの内に残る前記犠牲層の表層部と前記トレンチの外に残る前記絶縁膜の表層部とを除去して、前記側面に形成された前記第一バリア層を突出させて突出部を形成する工程と、
前記トレンチの内に残る前記犠牲層の表面と前記突出部の少なくとも一面とに第二バリア層を形成する工程と、
前記第二バリア層上に支持部を形成する工程と、
前記支持部上に熱検出素子を形成する工程と、
前記第二バリア層の一部を除去する工程と、
前記トレンチの内に残る前記犠牲層を除去して空洞部を形成する工程と、
を含む事を特徴とするＭＥＭＳ装置の製造方法。
【請求項３】
前記突出部を形成する工程では、前記トレンチの内に残る前記犠牲層の表層部と前記トレンチの外に残る前記絶縁膜の表層部とをウェットエッチング法にて除去する事を特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳ装置の製造方法。
【請求項４】
前記突出部を形成する工程では、前記トレンチの内に残る前記犠牲層の表層部と前記トレンチの外に残る前記絶縁膜の表層部とをドライエッチング法にて除去する事を特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳ装置の製造方法。
【請求項５】
前記第一バリア層を露出させる工程では、前記トレンチの内に残る前記犠牲層の表層部と前記トレンチの外に残る前記絶縁膜の表層部とを化学機械的研磨法にて除去する事を特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ装置と、ＭＥＭＳ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光センサーとして機能するＭＥＭＳ装置として熱型光検出装置が知られている。熱型光検出装置は、物体から放射された光を熱に変換して温度の変化を熱検出素子により測定する。こうした熱型光検出装置には、光吸収にともなう温度上昇を、直接、熱起電力として検出するサーモパイル型や、電気分極の変化として検出する焦電型、電気抵抗の変化として検出するボロメーター型、等が知られている。近年、半導体製造技術（ＭＥＭＳ製造技術等）を利用して、より小型の熱型光検出装置を製造する試みがなされている。
【０００３】
特許文献１に記載される熱型光検出装置では、空洞部上にメンブレン（支持部）が形成され、メンブレン上に焦電型の熱検出素子が設けられている。この空洞部は熱検出素子と基板との熱分離の為に設けられている。この空洞部を形成するには、基板上に絶縁膜を形成し、まずこの絶縁膜にトレンチを形成する。次いで、トレンチと絶縁膜との表面に、第一バリア層を形成する。次に、トレンチを埋める犠牲層を形成する。その後に、犠牲層の一部と絶縁膜の表面に形成された第一バリア層とを化学機械的研磨法にて除去して、側面に形成された第一バリア層を表面に露出させる。次に、第二バリア層を形成する。次に、第二バリア層上にメンブレンを形成し、更にメンブレン上に熱検出素子を形成する。この後に第二バリア層の一部を除去して、除去された部分からエッチング材料をトレンチの内に導入し、トレンチ内に残る犠牲層を除去して空洞部としていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１３３５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＭＥＭＳ装置では、空洞部の側面に形成されている第一バリア層と空洞部の上面に形成されている第二バリア層とが接合する部位の幅は、第一バリア層の厚みとなり、極めて狭かった。その為に、トレンチ内に残る犠牲層を除去する際に第一バリア層と第二バリア層とが乖離し、エッチング材料がトレンチ外に漏れる不具合が発生する事があった。即ち、従来のＭＥＭＳ装置では、その製造歩留まりが低いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
（適用例１）  本適用例に係わるＭＥＭＳ装置は、基板と、基板に形成された空洞部と、空洞部の上面に形成された支持部と、支持部上に形成された熱検出素子と、を備え、空洞部の少なくとも側面には第一バリア層が形成され、空洞部の上面には第二バリア層が形成され、第一バリア層は空洞部の上面から突出した突出部を有し、突出部の少なくとも一面には第二バリア層が形成されている事を特徴とする。
この構成によれば、突出部にて第一バリア層と第二バリア層との密着性が向上するので、空洞部を形成する際にエッチング材料が漏れ出る可能性を抑制できる。即ち、ＭＥＭＳ装置の製造歩留まりを向上させる事ができる。
【０００８】
（適用例２）  本適用例に係わるＭＥＭＳ装置の製造方法は、基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜にトレンチを形成する工程と、トレンチの少なくとも側面に、第一バリア層を形成する工程と、トレンチを埋める犠牲層を形成する工程と、犠牲層の一部と絶縁膜の表面に形成された第一バリア層とを除去して、側面に形成された第一バリア層を露出させる工程と、トレンチの内に残る犠牲層の表層部とトレンチの外に残る絶縁膜の表層部とを除去して、側面に形成された第一バリア層を突出させて突出部を形成する工程と、トレンチの内に残る犠牲層の表面と突出部の少なくとも一面とに第二バリア層を形成する工程と、第二バリア層上に支持部を形成する工程と、支持部上に熱検出素子を形成する工程と、第二バリア層の一部を除去する工程と、トレンチの内に残る犠牲層を除去して空洞部を形成する工程と、を含む事を特徴とする。
この構成によれば、突出部にて第一バリア層と第二バリア層との密着性が向上するので、空洞部を形成する際にエッチング材料が漏れ出る可能性を抑制できる。即ち、ＭＥＭＳ装置の製造歩留まりを向上させる事ができる。
【０００９】
（適用例３）  上記適用例２に係わるＭＥＭＳ装置の製造方法において、突出部を形成する工程では、トレンチの内に残る犠牲層の表層部とトレンチの外に残る絶縁膜の表層部とをウェットエッチング法にて除去する事が好ましい。
この方法によれば、突出部を容易に形成する事ができる。
【００１０】
（適用例４）  上記適用例２に係わるＭＥＭＳ装置の製造方法において、突出部を形成する工程では、トレンチの内に残る犠牲層の表層部とトレンチの外に残る絶縁膜の表層部とをドライエッチング法にて除去する事が好ましい。
この方法によれば、突出部を容易に形成する事ができる。
【００１１】
（適用例５）  上記適用例２に係わるＭＥＭＳ装置の製造方法において、第一バリア層を露出させる工程では、トレンチの内に残る犠牲層の表層部とトレンチの外に残る絶縁膜の表層部とを化学機械的研磨法にて除去する事が好ましい。
この方法によれば、化学機械的研磨法にて犠牲層の表層部と絶縁膜の表層部とを除去すると、平坦化されるので、次にウェットエッチング法やドライエッチング法で突出部を形成するのが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】焦電型の赤外線検出装置の構成を示す概略平面図。
【図２】焦電型の赤外線検出装置の構成を示す概略断面図。
【図３】赤外線検出装置の製造工程を示す工程図。
【図４】熱型光検出アレイセンサーの回路構成の一例を示す図。
【図５】電子機器の一例として赤外線カメラの構成を示す図。
【図６】電子機器の一例として工程監視装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。尚、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとする為、各部材の寸法の割合を適宜変更している。又、以下の実施形態ではＭＥＭＳ装置として熱型光検出装置を例に取り、熱型光検出装置でも焦電型の赤外線検出装置を一例として説明する。
【００１４】
（実施形態１）
「赤外線検出装置の構成」
図１は焦電型の赤外線検出装置の構成を示す概略平面図である。図２は焦電型の赤外線検出装置の構成を示す概略断面図である。尚、図１は、後述する第２電極５２（図２参照）に接続される配線層より上方の部材を省略した平面図である。以下、図１と図２とを参照して、焦電型の赤外線検出装置１００の構成を説明する。
【００１５】
図２に示す様に、ＭＥＭＳ装置（焦電型の赤外線検出装置１００）は、基板（シリコン基板１０）と、基板に形成された空洞部８０と、空洞部８０の上面に形成された支持部（メンブレン）４０と、支持部４０上に形成された熱検出素子（赤外線検出素子６０）と、を備えている。空洞部８０の少なくとも側面には第一バリア層３１が形成され、空洞部８０の上面には第二バリア層３２が形成されている。第一バリア層３１は空洞部８０の上面から突出した突出部３３を有し、突出部３３の少なくとも一面には第二バリア層３２が形成されている。基板はシリコン基板１０であり、空洞部８０を形成するのにスペーサー部材２０が用いられている。
【００１６】
シリコン基板１０上には、第一絶縁膜２１及び第二絶縁膜２２が順次積層されスペーサー部材２０を構成している。第一絶縁膜２１及び第二絶縁膜２２はＳｉＯ2等の絶縁材料にて形成されている。
【００１７】
このスペーサー部材２０には空洞部８０が形成されている。空洞部８０は第二絶縁膜２２に形成されており、空洞部８０の底面は、支持部４０を構成する平面とほぼ平行に配置されている。空洞部８０は底面と上面（支持部４０を構成する平面）、及び側面とで囲まれ、側面は、空洞部８０が底面から上面へと向かうに従って広がる様にテーパー状に形成されている。空洞部８０の底面と上面、及び側面には赤外線を反射するＴｉ膜等の反射膜が形成されている。尚、反射膜としては、ＡｌＯX膜の上、又はＳｉＮ膜の上にＴｉ膜を形成した積層膜であっても良い。この反射膜が第一バリア層３１と第二バリア層３２とである。
【００１８】
スペーサー部材２０の上には空洞部８０を覆う支持部４０が設けられている。支持部４０はＳｉＮ膜又はＡｌＯX膜等で形成されている。そして、支持部４０の一方の面には赤外線検出素子６０が形成され、他方の面は空洞部８０に向き合って配置されている。
【００１９】
赤外線検出素子６０は、キャパシター５０と赤外線吸収部材７０とを含んで構成されている。キャパシター５０は第１電極５１と、第２電極５２と、焦電体５３とを有する。焦電体５３は第１電極５１と第２電極５２との間に配置され、温度に基づいて分極量が変化するキャパシター５０を構成する。そして、キャパシター５０は第１電極５１が支持部４０に搭載される事で支持されている。第１電極５１及び第２電極５２の電極材料としては例えばＰｔ、Ｉｒ等が用いられる。又、焦電体５３の焦電材料としては例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＰＺＴＮ（ＰＺＴにＮｂを添加したもの）等が用いられる。
【００２０】
キャパシター５０の表面には保護膜５４が形成され、製造工程における還元雰囲気から焦電体５３を保護している。更に、保護膜５４を覆って絶縁膜５５が形成されている。保護膜５４及び絶縁膜５５には第１電極５１に通ずるコンタクトホール５６と、第２電極５２に通ずるコンタクトホール５７とが形成されている。
【００２１】
コンタクトホール５６には第１プラグ６１が埋め込み形成される。絶縁膜５５及び支持部４０の上には、第１プラグ６１に接続される第１電極配線層５８が形成されている。同様に、コンタクトホール５７には第２プラグ６２が埋め込み形成される。絶縁膜５５及び支持部４０上には、第２プラグ６２に接続される第２電極配線層５９が形成されている。この様に、赤外線検出素子６０にはプレーナー型のキャパシター５０を備えている。
【００２２】
第１電極配線層５８と第２電極配線層５９とを覆って、ＳｉＯ2又はＳｉＮのパッシベーション膜６３が設けられている。そして、キャパシター５０の上方には、パッシベーション膜６３上に赤外線吸収部材７０が設けられている。この赤外線吸収部材７０はＳｉＯ2又はＳｉＮにて形成される。
【００２３】
この赤外線吸収部材７０を含む赤外線検出装置１００の外表面を覆って、保護膜７１が設けられている。この保護膜７１は、例えばＡｌ2Ｏ3にて形成され、赤外線の透過を阻害しない様に１０〜５０ｎｍ、例えば２０ｎｍの厚さで成膜して形成される。この保護膜７１は第三バリア層として機能している。図２に示す様に、空洞部８０の一部には開口部６５が設けられているが、開口部６５の側壁にも第三バリア層が形成されている。
【００２４】
尚、図１に示す様に、支持部４０は赤外線検出素子６０を搭載して支持する２本のアーム４５を有し、２本のアーム４５の自由端部がポスト２８に連結されている。２本のアーム４５は、赤外線検出素子６０を熱分離する為に、細幅でかつ長く延びた形状に形成される。
【００２５】
赤外線検出装置１００は、２本のポスト２８と接続される以外は非接触であり、赤外線検出装置１００の下方には空洞部８０が形成され、平面視で赤外線検出装置１００の周囲には、空洞部８０に連通する開口部６５が配置される。これにより、赤外線検出装置１００では、赤外線検出素子６０とシリコン基板１０とが熱的に分離される。
【００２６】
「赤外線検出装置の動作」
次に、図２を参照して、赤外線検出装置１００の動作について説明する。
赤外線検出装置１００の赤外線検出素子６０に入射した光（赤外線）の一部は、赤外線吸収部材７０で吸収され、赤外線吸収部材７０に熱が発生する。又、支持部４０の表面に到達した光は、支持部４０にて吸収され熱が発生する。更に、支持部４０を透過した光は空洞部８０の底面で反射し、支持部４０にて吸収され熱が発生する。これらの発生した熱はキャパシター５０に伝達され、キャパシター５０の自発分極量が熱によって変化し、自発分極による電荷を検出する事で赤外線を検出している。
【００２７】
「赤外線検出装置の製造方法」
図３は、赤外線検出装置の製造工程を示す工程図である。次に、図３を参照して、赤外線検出装置１００の製造方法について説明する。
【００２８】
図３（ａ）に示す様に、まず、シリコン基板１０を用意する。次に、シリコン基板１０の上にＳｉＯ2等の第一絶縁膜２１と第二絶縁膜２２とを形成する。第一絶縁膜２１と第二絶縁膜２２との形成はスパッタリング、ＣＶＤ等の手法により成膜する。次に第二絶縁膜２２にトレンチを形成する。トレンチはトレンチ形成領域以外をフォトレジストにて覆い、トレンチ形成領域をウェットエッチングする。次に、トレンチの少なくとも側面に、第一バリア層３１を形成する工程を施す。第一バリア層３１は底面にも形成する。第一バリア層３１は、後工程におけるＳｉＯ2膜をエッチングする際のバリア膜としても機能すると共に、赤外線を反射する反射膜でもある。反射膜としてはＴｉ膜や、ＡｌＯX膜又はＳｉＮ膜の上にＴｉ膜を形成した積層膜を形成する。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に示す様に、次に、トレンチを埋める犠牲層２３を形成する工程を行う。即ち、反射膜の上からＳｉＯ2等の犠牲層２３を成膜する。この成膜では、トレンチが埋まる厚みまで行なわれる。
【００３０】
次に、犠牲層２３の一部と第二絶縁膜２２の表面に形成された第一バリア層３１とを除去して、側面に形成された第一バリア層３１を露出させる工程を進める。具体的には、犠牲層２３と第二絶縁膜２２の表面に形成された第一バリア層３１とを化学機械的研磨法（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）にて除去する。化学機械的研磨法はトレンチに埋め込んだ犠牲層２３と反射膜が平坦となる様に行なう。トレンチの内に残る犠牲層２３の表層部とトレンチの外に残る第二絶縁膜２２の表層部とが、まず、化学機械的研磨法にて除去される事で、表面が平坦化されるので、次にウェットエッチング法やドライエッチング法で突出部３３を形成するのが容易となる。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示す様に、トレンチの内に残る犠牲層２３の表層部とトレンチの外に残る第二絶縁膜２２の表層部とを除去して、トレンチの側面に形成された第一バリア層３１を突出させて突出部３３を形成する工程を進める。トレンチの内に残る犠牲層２３の表層部とトレンチの外に残る第二絶縁膜２２の表層部とは、ウェットエッチング法にて除去される事が好ましい。こうすると、突出部３３が容易に形成されるからである。ウェットエッチング法では、希釈フッ化水素酸水溶液等が用いられる。尚、トレンチの内に残る犠牲層２３の表層部とトレンチの外に残る第二絶縁膜２２の表層部とは、ドライエッチング法にて除去されても構わない。ドライエッチング法でも突出部３３を容易に形成される。
【００３２】
次に、図３（ｄ）に示す様に、トレンチの内に残る犠牲層２３の表面と突出部３３の少なくとも一面（二つの側面の一方の面）とに第二バリア層３２を形成する工程を進める。第二バリア層３２は、反射膜としても機能するＴｉ膜や、ＡｌＯX膜又はＳｉＮ膜の上にＴｉ膜を形成した積層膜である。この第二バリア層３２は、後工程にて犠牲層２３（ＳｉＯ2膜）をエッチングする際のバリア膜として機能する。第二バリア層３２は突出部３３にて、第一バリア層３１の上面と二つの側面の一方の面とを少なくとも覆う様に形成される。こうすると、突出部３３にて第一バリア層３１と第二バリア層３２との密着性が向上するので、後に犠牲層２３をエッチングして空洞部８０を形成する際に、エッチング材料が漏れ出る可能性が抑制されるので、ＭＥＭＳ装置の製造歩留まりが向上される。
【００３３】
次に、図３（ｅ）に示す様に、第二バリア層３２上に支持部を形成する工程と、支持部上に熱検出素子を形成する工程と、第二バリア層３２の一部を除去する工程と、トレンチの内に残る犠牲層２３を除去して空洞部８０を形成する工程と、を進める。即ち、第二バリア層３２の表面に支持部４０を形成し、支持部４０の上に赤外線検出素子６０及び保護膜７１を形成する。赤外線検出素子６０の形成は、支持部４０の上にキャパシター５０及び配線（図示せず）を形成した後に、キャパシター５０の上部に赤外線吸収部材７０を形成する。第二バリア層３２の一部を除去する工程では、フォトレジストにて開口部６５以外を保護して、開口部６５をエッチングにて形成する。次に、保護膜７１を形成する。保護膜７１は、Ａｌ2Ｏ3膜等により赤外線吸収部材７０を含む赤外線検出装置１００の外表面と開口部６５の側面とを覆って設ける。続いて、開口部６５を介して、犠牲層２３にエッチャントを導入し、犠牲層２３をエッチングして空洞部８０を形成する。犠牲層２３のエッチングではウェットエッチングやドライエッチングの手法を利用する事ができる。この様にして、赤外線検出装置１００が形成される。
【００３４】
尚、本実施形態の熱型光検出装置では、焦電型キャパシターの赤外線検出装置１００を例に取って説明したが、熱型光検出器として焦電型キャパシターに限らず、温度上昇によって抵抗が変化する物質を利用するボロメーターであっても実施が可能である。
【００３５】
「熱型光検出アレイセンサー」
図４は、熱型光検出アレイセンサーの回路構成の一例を示す図である。次に、図４を参照して、熱型光検出アレイセンサー２００を説明する。
【００３６】
熱型光検出アレイセンサー２００には、複数の熱型光検出セル３００が二次元的に配置されている。複数の熱型光検出セル３００の中から一つのセルを選択する為に、走査線Ｗ１ａ，Ｗ１ｂと、データ線Ｄ１ａ，Ｄ１ｂが設けられている。
【００３７】
熱型光検出セル３００は、焦電型の赤外線検出装置１００と、素子選択トランジスターＭ１と、を有する。焦電型の赤外線検出装置１００の両極の電位関係は、ＲＤｒ１に印加する電位を切り換える事によって反転する事ができる。
【００３８】
データ線Ｄ１ａの電位は、リセットトランジスターＭ２をオンする事によって初期化する事ができる。検出信号の読み出し時には、読み出しトランジスターＭ３がオンする。焦電効果によって生じる電流は、Ｉ／Ｖ変換回路３１０によって電圧に変換され、アンプ３２０によって増幅され、Ａ／Ｄ変換器３３０によってデジタルデータに変換される。
【００３９】
こうして、複数の熱型光検出セル３００が二次元的に配置された熱型光検出アレイセンサーが実現される。
【００４０】
「電子機器」
図５は電子機器の一例として赤外線カメラの構成を示す図である。次に、図５を参照して、熱型光検出装置又は熱型光検出アレイセンサー２００を含む電子機器について説明する。
【００４１】
赤外線カメラ４００は、光学系４１０、センサーデバイス（熱型光検出装置）４２０、画像処理部４３０、処理部４４０、記憶部４５０、操作部４６０、表示部４７０を含む。
【００４２】
光学系４１０は、例えば１又は複数のレンズや、これらのレンズを駆動する駆動部等を含む。そしてセンサーデバイス４２０への物体像の結像等を行う。又必要に応じてフォーカス調整等も行う。
【００４３】
センサーデバイス４２０は、上述した本実施形態の熱型光検出装置を二次元配列させて構成され、複数の行線（ワード線、走査線）と複数の列線（データ線）とが設けられる。センサーデバイス４２０は、検出器に加えて、行選択回路（行ドライバー）と、列線を介して検出器からのデータを読み出す読み出し回路と、Ａ／Ｄ変換部等を含む事ができる。二次元配列された各検出器からのデータを順次読み出す事で、物体像の撮像処理を行う事ができる。
【００４４】
画像処理部４３０は、センサーデバイス４２０からのデジタルの画像データ（画素データ）に基づいて、画像補正処理等の各種の画像処理を行う。
【００４５】
処理部４４０は、赤外線カメラ４００の全体の制御を行い、赤外線カメラ４００内の各ブロックの制御を行う。この処理部４４０は、例えばＣＰＵ等により実現される。記憶部４５０は、各種の情報を記憶するものであり、例えば処理部４４０や画像処理部４３０のワーク領域として機能する。操作部４６０は、ユーザーが赤外線カメラ４００を操作するためのインターフェイスとなるものであり、例えば各種ボタンやＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）画面等により実現される。表示部４７０は、例えばセンサーデバイス４２０により取得された画像やＧＵＩ画面等を表示するものであり、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の各種のディスプレイにより実現される。
【００４６】
この様に、１セル分の熱型光検出装置を赤外線センサー等のセンサーとして用いる他、１セル分の熱型光検出装置を二軸方向例えば直交二軸方向に二次元配置する事でセンサーデバイス４２０を構成する事ができ、熱（光）分布画像を提供する事ができる。このセンサーデバイス４２０を用いて、サーモグラフィー、監視カメラ等の電子機器を構成する事ができる。
【００４７】
もちろん、１セル分又は複数セルの熱型光検出装置をセンサーとして用いる事で物体の物理情報の解析（測定）を行う解析機器（測定機器）、火や発熱を検知するセキュリティー機器、工場等工程監視機器等の各種の電子機器を構成する事もできる。
【００４８】
「工程監視装置」
図６は熱型光検出装置又は熱型光検出アレイセンサーを含む電子機器の一例として工程監視装置の構成を示す図である。次に、図６を参照して、工程監視装置を説明する。工程監視装置は工場等の装置の温度（発熱）を監視しながら、装置に異常がある場合には人間が近づくのに対して警告等を行なう装置である。
【００４９】
図６に示す様に、工程監視装置５００は、赤外線カメラ５１０と、温度分析部５２０と、人検出部５３０と、制御部５４０と、情報通知装置５５０とを備えて構成される。赤外線カメラ５１０は、図示しないレンズ等の光学系とセンサーデバイスを含んで構成されている。
【００５０】
赤外線カメラ５１０は工程の対象領域を撮影し、撮影された領域の画像情報を温度分析部５２０に送信する。温度分析部５２０では、図示しないが赤外線カメラ５１０からの熱分布画像を読み取る画像読取処理ユニットと、画像読取処理ユニットからのデータと画像分析設定テーブルに基づいて温度分析テーブルを作成する温度分析処理ユニットとを含み、温度分析テーブルに基づいて温度データを制御部５４０へ送信する。
【００５１】
又、人検出部５３０では、赤外線カメラ５１０から情報から対象領域に人間５７０がいるかどうかを検出する。この検出は人間５７０の体温と動きから検出を行う。この人検出部５３０での情報は制御部５４０へ送られる。
【００５２】
そして制御部５４０では、温度分析部５２０から送られたデータに基づき、工程内の装置５６０に異常が無いかを判断する。装置５６０が高温になる等の異常がある場合には、情報通知装置５５０にデータを送信し、情報通知装置５５０から異常の通知を行なう。
【００５３】
又、装置５６０に異常がある場合に、人間５７０が近づいてきた検出をしたときには、制御部５４０では、情報通知装置５５０にデータを送信し、警報等のアラーム等で人間５７０に通知を行なう。
【００５４】
本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造及び手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更する事ができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…シリコン基板、２０…スペーサー部材、２１…第一絶縁膜、２２…第二絶縁膜、２３…犠牲層、２８…ポスト、３１…第一バリア層、３２…第二バリア層、３３…突出部、４０…支持部、４５…アーム、５０…キャパシター、５１…第１電極、５２…第２電極、５３…焦電体、５４…保護膜、５５…絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、５８…第１電極配線層、５９…第２電極配線層、６０…赤外線検出素子、６１…第１プラグ、６２…第２プラグ、６３…パッシベーション膜、６５…開口部、７０…赤外線吸収部材、７１…保護膜、８０…空洞部、１００…赤外線検出装置、２００…熱型光検出アレイセンサー、３００…熱型光検出セル、３１０…Ｉ／Ｖ変換回路、３２０…アンプ、３３０…Ａ／Ｄ変換器、４００…赤外線カメラ、４１０…光学系、４２０…センサーデバイス、４３０…画像処理部、４４０…処理部、４５０…記憶部、４６０…操作部、４７０…表示部、５００…工程監視装置、５１０…赤外線カメラ、５２０…温度分析部、５３０…人検出部、５４０…制御部、５５０…情報通知装置、５６０…装置、５７０…人間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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