(57)【要約】【課題】より操作性を向上させることを可能とする。【解決手段】シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する温度補償部、を備える、情報処理装置。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する温度補償部、
を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記温度補償部は、
前記入力装置に設けられる温度検出素子の出力値に基づいて、前記周辺温度を検出する温度検出部と、
検出された温度に基づいて、前記操作入力値に対する補正量を決定する補正量決定部と、
決定された補正量を用いて前記操作入力値を補正する操作入力値補正部と、
を有する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記温度検出素子は、温度検出用に前記キー領域とは異なる領域に設けられる前記容量素子である、温度検出用容量素子であり、
前記温度検出部は、前記温度検出用容量素子の容量値の温度依存性に基づいて、前記周辺温度を検出する、
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記温度検出用容量素子は、前記入力装置において、前記キー領域に対して操作入力を行うユーザから見て奥側の端に対応する領域に設けられる、
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記温度検出用容量素子は、前記入力装置とともに設けられる素子の発熱の影響を受けない領域に設けられる、
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記温度検出用容量素子は複数設けられ、
前記温度検出部は、複数の前記温度検出用容量素子の容量値の統計値に基づいて、前記周辺温度を検出する、
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記温度検出用容量素子は複数設けられ、
前記温度検出部は、複数の前記温度検出用容量素子の容量値のうち、他の容量値との差分が所定のしきい値よりも大きい容量値を除外し、当該他の容量値に基づいて、前記周辺温度を検出する、
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記温度検出用容量素子が設けられる領域では、前記温度検出用容量素子と前記操作部材との間の空間が、他の部材によって埋め込まれる、
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記温度検出素子は、サーミスタ素子が搭載された温度検出用ＩＣである、
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記補正量は、検出された前記周辺温度に応じて設定される温度補償エリアごとに設定され、前記周辺温度に対して段階的に変化するように設定される、
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記補正量は、補正後の前記操作入力値が、基準となる温度での操作入力値を超えないように設定される、
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記補正量は、前記キー領域に対する前記操作入力が終了した時点から所定の時間内における補正後の前記操作入力値が、所定のしきい値を超えないように設定される、
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記補正量は、隣接する前記温度補償エリア間での前記補正量の差分が所定のしきい値を超えないように設定される、
請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
複数のキー領域を有し、当該キー領域への操作入力に応じて変形可能なシート状の操作部材と、
前記キー領域の各々に対応する位置に少なくとも１つの容量素子を有し、前記操作入力に応じた前記キー領域と前記容量素子との距離の変化量を、前記容量素子の容量変化量として検出可能な電極基板と、
周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する制御部と、
を備える、入力装置。
【請求項１５】
プロセッサが、シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正すること、
を含む、情報処理方法。
【請求項１６】
コンピュータのプロセッサに、
シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する機能、
を実現させる、プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、情報処理装置、入力装置、情報処理方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等の情報処理装置に対する入力装置として、キーボードが広く用いられている。近年、より薄型のキーボードとして、タッチパネルを利用したものが普及しつつある。タッチパネルを用いたキーボードでは、当該タッチパネルの表示面にキーボードの各キーに対応するＧＵＩ部品が表示され、表示されたキーをユーザがタッチパネル上で選択することにより、選択されたキーに対応付けられた情報が情報処理装置に入力される。
【０００３】
ここで、タッチパネルとしては様々な方式のものが存在するが、操作体の当該タッチパネルへの接触を検出するセンサ素子の特性が温度依存性を有する場合がある。この場合、使用環境の温度に応じて、タッチパネルへの操作体の接触を検出する感度が変化してしまう可能性があるため、ユーザの操作性を損なう恐れがある。
【０００４】
そこで、タッチパネルにおいて、使用環境の温度に応じた補償を行う技術が開発されている。例えば、特許文献１には、静電型のタッチパネルにおいて、静電容量センサのインピーダンスの温度特性を事前に把握しておき、当該温度特性を利用して当該静電容量センサの静電容量を補正する技術が開示されている。また、例えば、特許文献２には、超音波型のタッチパネルにおいて、温度変化に応じた表面基板における弾性表面波の速度変化に対応するために、温度補償用のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）の周波数特性を用いて、当該弾性表面波の入出力用ＩＤＴの周波数特性を補正する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２０００６号公報
【特許文献２】特開２００２−１６９６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１、２に記載の技術は、一般的なタッチパネルを対象とするものであり、例えばキーボードのような用いられ方をする場合については特に想定されていない。タッチパネルがキーボードとして用いられる場合には、例えばキーに対応する領域に対する連続的で素早い打鍵等、他の場合とは異なる操作入力が行われることが想定される。従って、キーボードとして用いられる際にタッチパネルに対して求められる操作性は、他の用途の場合とは異なる可能性がある。よって、上記特許文献１、２に記載の技術を、タッチパネルを用いたキーボードに対してそのまま適用したとしても、必ずしもユーザの操作性を向上させることができるとは限らない。
【０００７】
上記事情に鑑みれば、キーボードとしての操作性を考慮しつつ、操作体の検出感度に対して使用環境の温度に応じた補償を行うことにより、より高い操作性を実現する技術が求められていた。そこで、本開示では、より操作性を向上させることが可能な、新規かつ改良された情報処理装置、入力装置、情報処理方法及びプログラムを提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示によれば、シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する温度補償部、を備える、情報処理装置が提供される。
【０００９】
また、本開示によれば、複数のキー領域を有し、当該キー領域への操作入力に応じて変形可能なシート状の操作部材と、前記キー領域の各々に対応する位置に少なくとも１つの容量素子を有し、前記操作入力に応じた前記キー領域と前記容量素子との距離の変化量を、前記容量素子の容量変化量として検出可能な電極基板と、周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する制御部と、を備える、入力装置が提供される。
【００１０】
また、本開示によれば、プロセッサが、シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正すること、を含む、情報処理方法が提供される。
【００１１】
また、本開示によれば、コンピュータのプロセッサに、シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する機能、を実現させる、プログラムが提供される。
【００１２】
本開示によれば、キー領域に対する物理的な押圧量が、当該キー領域に対する操作入力を表す操作入力値として検出され得るキーボードにおいて、周辺温度に基づいて当該操作入力値が補正される。従って、周辺温度が変化した場合であっても、補正後の操作入力値に基づくキー入力の検出が行われるため、ユーザの操作性をより向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように本開示によれば、より操作性を向上させることが可能となる。なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の一実施形態に係る入力装置の概略構成を示す上面図である。
【図２】図１に示す入力装置の概略断面図である。
【図３】本実施形態に係る入力装置におけるキー入力時の動作について説明するための説明図である。
【図４】本実施形態に係る入力装置における容量素子について説明するための説明図である。
【図５】入力装置におけるキー配置と容量素子Ｃ１との位置関係を示す概略図である。
【図６】本実施形態に係る入力装置における容量素子Ｃ１の温度特性を示すグラフ図である。
【図７】本実施形態に係る入力装置における容量素子Ｃ１の温度特性を示すグラフ図である。
【図８】本実施形態に係る入力検出システムのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図９】本実施形態に係る入力検出システムの機能構成の一例を示す機能ブロック図である。
【図１０】温度検出用に用いられるダミーノードの一構成例を示す概略断面図である。
【図１１】ダミーノードの温度特性を示すグラフ図である。
【図１２】ダミーノードの温度特性を示すグラフ図である。
【図１３】入力装置でのダミーノードの一配置例を示す概略図である。
【図１４】温度検出用ＩＣを用いて温度を検出する変形例における、入力検出システムの機能構成の一例を示す機能ブロック図である。
【図１５】荷重値とデルタ値との関係を示すグラフ図である。
【図１６】荷重負荷中の経過時間と理想的な補正倍率によって補正されたデルタ値との関係を示すグラフ図である。
【図１７】本実施形態における逆補正を考慮した補正倍率の設定方法について説明するための説明図である。
【図１８】本実施形態に係るデルタ値補正テーブルの一例を示す図である。
【図１９】本実施形態に係る情報処理方法の処理手順の一例を示すフロー図である。
【図２０】温度補償を行わなかった場合における、入力装置のデルタ値の荷重感度特性を示すグラフ図である。
【図２１】本実施形態に係る温度補償を行った場合における、入力装置のデルタ値の荷重感度特性を示すグラフ図である。
【図２２】基準条件に基づいて設定される理想的な補正倍率によって温度補償を行った場合における、入力装置のデルタ値の荷重感度特性を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】
なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．入力装置の構成
２．本開示に至る背景
３．入力検出システムの構成
３−１．ハードウェア構成
３−２．機能構成
４．温度検出処理
４−１．ダミーノードを用いた温度検出処理
４−２．温度検出用ＩＣを用いた温度検出処理
５．補正倍率決定処理
５−１．基準条件の決定
５−２．逆補正について
５−３．デルタ値補正テーブルの設定
５−４．温度補償時の処理
６．情報処理方法
７．温度補償処理の結果
８．補足
【００１７】
本開示の好適な一実施形態では、入力装置として、シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力（すなわち、指等の操作体による押圧量）を、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子の静電容量の変化量（後述するデルタ値）によって検出する、静電型のキーボードが用いられる。本明細書では、まず、（１．入力装置の構成）において、本開示の好適な一実施形態に係る入力装置の構成について説明する。次に、（２．本開示に至る背景）において、本実施形態に係る入力装置における容量素子の静電容量の温度依存性について本発明者らが検討した内容について説明するとともに、本発明者らが本開示に想到した背景について説明する。
【００１８】
次に、（３．入力検出システムの構成）において、本実施形態に係る入力装置におけるキー入力を検出するための入力検出システムの構成について説明する。ここで、本実施形態に係る入力検出システムでは、当該入力装置の使用環境における温度に基づいて、キー領域への操作入力を表す操作入力値（例えば上述した容量素子の静電容量の変化量（デルタ値））を補正する温度補償処理は行われる。温度補償処理では、当該入力装置の使用環境における温度を検出する処理（以下、温度検出処理とも呼称する）、検出された温度に基づいて検出信号であるデルタ値に対する補正量（補正倍率）を決定する処理（以下、補正倍率決定処理とも呼称する）、及び、決定された補正倍率に基づいてデルタ値を補正する処理（以下、デルタ値補正処理とも呼称する）が行われる。（４．温度検出処理）及び（５．補正倍率決定処理）では、当該温度補償処理における各処理について詳細に説明する。
【００１９】
次に、（６．情報処理方法）で、本実施形態に係る温度補償方法における処理手順について説明する。そして、最後に、（７．温度補償処理の結果）で、本実施形態に係る温度補償処理が適用された結果について、当該温度補償処理が行われなかった場合と比較しながら説明する。
【００２０】
本実施形態では、温度補償処理が行われた操作入力値を用いて、キーごとに入力状態（操作入力が有効であると判断されている状態（ＫＥＹ  ＯＮ状態）又は操作入力が有効でないと判断されている状態（ＫＥＹ  ＯＦＦ状態））が判定されることにより、キー入力の有無が判定されることとなる。これにより、使用環境の温度変化を反映したキー入力の判定が行われることとなり、ユーザの操作性をより向上させることができる。
【００２１】
（１．入力装置の構成）
まず、図１−図３を参照して、本開示の好適な一実施形態に係る入力装置の構成について説明する。図１は、本開示の一実施形態に係る入力装置の概略構成を示す上面図である。図２は、図１に示す入力装置の概略断面図である。図３は、本実施形態に係る入力装置におけるキー入力時の動作について説明するための説明図である。
【００２２】
図１及び図２を参照すると、本実施形態に係る入力装置１は、シールド層４０と、第２の支持体６０と、電極基板２０と、第１の支持体３０と、操作部材１０と、がこの順に積層されて構成される。入力装置１は、例えばＰＣ等の情報処理装置（以下、接続装置とも呼称する。）のキーボードとして用いられる。なお、以下では、操作体の一例として、キーボードに対する操作入力として最も一般的に行われ得る、指でキーが選択される場合について説明するが、ユーザの身体の他の部位やスタイラス等の道具を用いてキーを選択することも当然可能である。
【００２３】
また、以下の説明では、入力装置１の面内における互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向と定義する。また、入力装置１の積層方向（厚み方向）をＺ軸方向と定義する。また、Ｚ軸の正方向（操作部材１０が配設される方向）を上方向又は表面方向とも呼称し、Ｚ軸の負方向を下方向又は裏面方向とも呼称する。図２及び図３は、入力装置１におけるＸ−Ｚ平面での断面図に対応している。
【００２４】
（操作部材）
操作部材１０は、入力装置１の表面（上面）に配設されるシート状の部材である。操作部材１０の表面には、キーボードにおける各キーに対応する複数のキー領域１０ａが形成される。操作部材１０は、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性を有する金属材料によって構成され、例えばグランド電位に接続される。ただし、操作部材１０の材料はかかる例に限定されず、導電性を有する材料であれば他の材料が用いられてもよい。
【００２５】
操作部材１０の厚みは、例えば数１０μｍ〜数１００μｍであり、操作部材１０は、図３に示すように、キー領域１０ａに対する入力操作（すなわち、指によるキー領域１０ａに対する押圧）によって電極基板２０側へ部分的に変形可能に構成される。ただし、操作部材１０の厚みはかかる例に限定されず、ユーザによるキー領域１０ａの押圧感（打鍵感）やキー入力の検出精度等を考慮して適宜設定されてよい。
【００２６】
各キー領域１０ａは、ユーザによって押圧される（打鍵される）キーに対応し、キーの種類に応じた形状及び大きさを有する。各キー領域１０ａには、適宜のキー表示が施されていてもよく、当該キー表示は、キーの種類を表示するものであってもよいし、個々のキーの位置（輪郭）を表示するものであってもよいし、これら両方を表示するものであってもよい。キー表示には、適宜の印刷手法、例えば、スクリーン印刷やフレキソ印刷、グラビア印刷等が適用可能である。なお、以下の説明では、キー領域１０ａに対して各種の操作入力が行われることを表現する際に、キー領域１０ａのことを、単に、キーと記載する場合がある。例えば、入力装置１において「キーを押圧する」とは、「キー領域１０ａを押圧する」ことを意味していてよい。
【００２７】
ここで、操作部材１０は、上述した導電性を有する材料によって構成される導電層の上に、フレキシブル性を有する絶縁性のプラスチック材料（例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＩ（ポリイミド）等）からなるプラスチックシートが更に積層されて構成されてもよい。その場合、当該プラスチックシートの表面に、各キーに対応するキー表示が印刷されることとなる。導電層の上にプラスチックシートが積層されて用いられる場合には、導電層及びプラスチックシートは、樹脂シートの表面に予め導電層膜が貼り付けられた複合シート等で構成されてもよいし、プラスチックシートの表面に導電層膜が蒸着やスパッタリングによって形成されて構成されてもよい。あるいは、プラスチックシートの表面に導電ペースト等の塗膜が印刷されることにより構成されてもよい。
【００２８】
（シールド層）
シールド層４０は、入力装置１の裏面に配設されるシート状の部材である。このように、入力装置１は、シールド層４０と操作部材１０とで、電極基板２０、第１の支持体３０及び第２の支持体６０が挟持されて構成される。シールド層４０は、操作部材１０と同様に、例えば銅、アルミニウム等の導電性を有する金属材料によって構成され、例えばグランド電位に接続される。ただし、シールド層４０の材料はかかる例に限定されず、導電性を有する材料であれば他の材料が用いられてもよい。シールド層４０は、入力装置１の外部から入射する電磁ノイズを遮蔽する機能を有する。なお、シールド層４０の厚みは特に限定されず、例えば数１０μｍ〜数１００μｍである。また、操作部材１０と同様に、シールド層４０も、その裏面に、例えば絶縁性のプラスチックシートが更に積層されて構成されてもよい。
【００２９】
（第１及び第２の支持体）
第１の支持体３０は、操作部材１０と電極基板２０との間に配置される。第１の支持体３０は、基材３２の上に、複数の構造体３１が形成されて構成される。
【００３０】
基材３２は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ等からなる絶縁性のプラスチックシートで構成され、電極基板２０の上に積層される。基材３２の厚みは特に限定されず、例えば数μｍ〜数１００μｍである。
【００３１】
複数の構造体３１は、それぞれ同一の高さ（例えば数μｍ〜数１００μｍ）を有し、操作部材１０の各キー領域１０ａを区画するように、基材３２上に形成される。構造体３１によって、基材３２と操作部材１０とが接続される。構造体３１が形成されない領域（すなわち、キー領域１０ａに対応する領域）には、空間３３が形成される。このような構成を有することにより、キー領域１０ａに対する操作入力がなされると、少なくとも押圧されたキー領域１０ａに対応する部分において、操作部材１０と電極基板２０との距離が変化することとなる（図３参照。）。
【００３２】
各構造体３１は、各キー領域１０ａにおける操作性（クリック感、ストローク感）や検出精度の向上の観点から剛性の比較的高い材料で構成されるが、弾性材料で構成されてもよい。各構造体３１は、例えば、紫外線硬化樹脂等の電気絶縁性の樹脂材料で構成され、基材３２の表面に転写法等の適宜の手法を用いて形成される。
【００３３】
第２の支持体６０は、シールド層４０と電極基板２０との間に配置される。第２の支持体６０は、複数の構造体６１によって構成される。複数の構造体６１は、それぞれ同一の高さ（例えば数μｍ〜数１００μｍ）を有し、例えば第１の支持体３０の構造体３１と半ピッチだけずれた位置（例えば各キー領域１０ａの略中央部）に形成され得る。構造体６１によって、シールド層４０と電極基板２０とが接続される。構造体６１が形成されない領域には空間６２が形成される。このように、本実施形態に係る入力装置１は、その表面及び裏面の双方に、指によって押圧された際に変形が生じ得る空間３３、６２が形成され得る。なお、構造体６１の材料及び形状は、第１の支持体３０の構造体３１と同様であってよい。
【００３４】
（電極基板）
電極基板２０は、第２の配線基板２２の上に、接着層５０を介して第１の配線基板２１が積層された積層構造を有する。第１の配線基板２１の表面には、Ｙ軸方向に延伸する電極線２１０（Ｐｕｌｓｅ電極）が形成される。また、第２の配線基板２２の表面には、Ｘ軸方向に延伸する電極線２２０（Ｓｅｎｓｅ電極）が形成される。
【００３５】
第１の配線基板２１及び第２の配線基板２２は、絶縁性材料からなるプラスチックシートによって構成される。例えば、第１の配線基板２１及び第２の配線基板２２は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＭＭＡ等の材料からなるプラスチックシート、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等で構成される。第１の配線基板２１及び第２の配線基板２２の厚みは特に限定されず、例えば、それぞれ数１０μｍ〜数１００μｍである。
【００３６】
電極線２１０及び電極線２２０は、例えばＡｌやＣｕ等のエッチング、又は銀（Ａｇ）等の金属ペーストの印刷等によって、第１の配線基板２１及び第２の配線基板２２上にそれぞれ形成される。
【００３７】
接着層５０は、絶縁性材料からなる接着基板５１の両面に、同じく絶縁性材料からなる接着剤層５２、５３がそれぞれで積層されて構成される。接着基板５１は、例えばＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＭＭＡ等の材料からなるプラスチックシート、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等で構成され得る。また、接着剤層５２、５３は、いわゆるＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｌｅａｒ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ：光学的透明接着剤）として用いられる各種の材料によって構成され得る。
【００３８】
第１の配線基板２１及び第２の配線基板２２は、接着層５０を介して、電極線２１０と電極線２２０とが互いに対向するように積層される。電極線２１０と電極線２２０とは、絶縁体からなる層（すなわち、第１の配線基板２１及び接着層５０）を挟んで対向することとなるため、電極線２１０と電極線２２０との交差領域（以下、ノードとも呼称する。）に容量素子が形成されることとなる。電極線２１０と電極線２２０とは、その延伸方向が略直交しているため、例えば、一の電極線２１０と複数の電極線２２０とにより、複数のノードが形成されることとなる。
【００３９】
図４に、電極線２１０と電極線２２０とが重なり合うことにより、容量素子が構成される様子を概略的に示す。図４は、本実施形態に係る入力装置１における容量素子について説明するための説明図である。図４では、ある１つのキー領域１０ａにおける、電極基板２０の表面に対応する平面での断面図を概略的に示している。
【００４０】
図４に示すように、Ｘ軸方向に延伸する電極線２２０と、Ｘ軸方向に延伸する電極線２１０と、が重なり合う部位に、容量素子Ｃ１が形成される。本実施形態では、キー領域１０ａ内に、少なくとも１つの容量素子Ｃ１が形成されるように、電極線２１０及び電極線２２０が形成される。
【００４１】
ここで、図３を参照して、本実施形態に係る入力装置１におけるキー入力の検出の原理について説明する。図３に示すように、あるキーに対する操作入力があった場合には、当該キーに対応するキー領域１０ａが指によってＺ軸方向に押圧される。キー領域１０ａが押圧されると、操作部材１０（の導電層）と電極基板２０の容量素子Ｃ１との距離が変化するため、容量素子Ｃ１における静電容量が変化する。この容量素子Ｃ１における容量変化量（以下、デルタ（Ｄｅｌｔａ）値とも呼称する。）は、キー領域１０ａに対する操作入力に応じた、キー領域１０ａと容量素子Ｃ１との距離の変化量を表すものであると言える。
【００４２】
本実施形態では、ノードごとに検出されたデルタ値に基づいて、当該ノードに対応するキーの入力が検出される。例えば、デルタ値や当該デルタ値から算出される値（例えばデルタ値の時間微分を表す微分デルタ値や、デルタ値を正規化した正規化デルタ値等）を、所定のしきい値と比較することにより、当該ノードに対応するキーの入力が検出され得る。これらのデルタ値、微分デルタ値及び／又は正規化デルタ値等の値や、これらの統計値は、キーに対する操作入力を表す値であると言えるため、以下では、これらの値を総称して操作入力値とも呼称する。なお、デルタ値に基づくキー入力の検出の詳細については、下記（３．入力検出システムの構成）で詳しく説明する。
【００４３】
このように、本実施形態では、容量素子Ｃ１の容量変化量に基づいて、キーの入力が検出されるため、操作入力がない状態での容量素子Ｃ１の静電容量（以下、初期静電容量又はＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値とも呼称する。）は、所定の値になるように調整されている。従って、電極線２１０及び電極線２２０の形状（より詳細には容量素子Ｃ１の電極となり得る部位（電極部）の形状）や、電極線２１０と電極線２２０との間に位置する絶縁体の厚み及び材質等は、容量素子Ｃ１のＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値が所定の値になるように適宜設定され得る。
【００４４】
なお、以下の説明では、デルタ値としきい値との比較等の説明を分かりやすくするために、デルタ値を正の値として定義している。上述したように、デルタ値は、容量素子Ｃ１における容量変化量であるため、操作入力がある状態（図３に示す状態）での容量素子Ｃ１の静電容量から、操作入力がない状態（図２に示す状態）での容量素子Ｃ１の静電容量（すなわち、Ｂａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値）を差し引いた値として算出され得る。一方、図３に示す状態では、キー領域１０ａと容量素子Ｃ１との距離が短くなることにより、容量素子Ｃ１の静電容量は、図２に示す状態よりも小さくなっている。このように、単純に静電容量の差分を取るだけではデルタ値は負の値となり得るが、本実施形態では、適宜符号を変更することにより、デルタ値を正の値として扱っている。なお、デルタ値を負の値として扱う場合であっても、しきい値等のデルタ値と比較される値の符号を反転することにより、以下に説明するキー入力の検出処理と同様の処理が当然実行可能である。
【００４５】
ここで、図４に示す例では、１つのキー領域１０ａに６つの容量素子Ｃ１が設けられている（すなわち、ノードが６つ存在している）が、本実施形態はかかる例に限定されない。１つのキー領域１０ａに設けられるノードの数は任意であってよい。上述したように、本実施形態では、容量素子Ｃ１の容量変化量に基づいてキーの入力が検出される。従って、１つのキー領域１０ａに複数の容量素子Ｃ１を配置し、例えばそれらの容量素子Ｃ１の容量変化量の平均値や合計値等の統計値を用いることにより、キー入力の検出精度を向上させることができる。本実施形態では、１つのキー領域１０ａに設けられるノードの数は、キーの種類やキーの配置等を考慮して適宜設定されてよい。例えば、入力される頻度がより高いキーや、配置位置の観点から検出精度が低くなる可能性があるキー（例えば面内で比較的端に位置するキー）等には、より多くのノードを設けることにより、キー入力の検出精度をより向上させることができる。
【００４６】
また、図４に示す例では、簡単のため、電極線２１０及び電極線２２０が略直線形状であり、容量素子Ｃ１を構成する電極に対応する部分の形状が略四角形である場合について図示しているが、本実施形態はかかる例に限定されない。例えば、電極線２１０及び電極線２２０は、容量素子Ｃ１が設けられる部位に、円環状、菱形状等の所定の形状を有する所定の面積の電極部を有してもよく、当該電極部がＸ軸方向又はＹ軸方向に連なった形状であってもよい。電極線２１０及び電極線２２０の形状を適宜設定し、電極部の形状を調整することにより、例えば、デルタ値の検出精度を向上させることが可能となる。
【００４７】
図５に、入力装置１におけるキー配置と容量素子Ｃ１との位置関係を示す。図５は、入力装置１におけるキー配置と容量素子Ｃ１との位置関係を示す概略図である。図５では、入力装置１の上面図の一部に、容量素子Ｃ１を重ね合わせて図示している。
【００４８】
図５に示す例では、容量素子Ｃ１は、図４に例示したような単純な形状ではなく、放射状に広がった配線形状からなる電極部を有している。また、例えば図中で破線で囲ったキー領域１０ａには、４つの容量素子Ｃ１が設けられている。つまり、破線で囲ったキー領域１０ａは４つのノードを有しており、当該キー領域からは、各ノードに対応した４つのデルタ値が検出されることとなる。
【００４９】
以上、本実施形態に係る入力装置１の概略構成について説明した。以上説明したように、入力装置１は、シールド層４０と、第２の支持体６０と、電極基板２０と、第１の支持体３０と、操作部材１０と、が積層されて構成される。また、電極基板２０内に形成される２層の配線層によって構成される容量素子Ｃ１の容量変化量を用いて、キー入力の検出が行われ得る。このように、入力装置１は、比較的簡易な構成によってキー入力を検出することができる。よって、入力装置１をより薄型化、軽量化することが可能となる。
【００５０】
ここで、静電型のタッチパネルを用いた既存のキーボードでは、一般的に、容量素子がタッチパネルの面内に均一に分布して配置されている。従って、必ずしもキーの配置と容量素子の配置とが対応していない。一方、入力装置１は、電極線２１０及び電極線２２０の形状を適宜設定することが可能であり、容量素子の数や配置を、キー配置に応じて調整することができる。このように、入力装置１では、キー入力の検出精度を高めるために最適なキー構造及び信号処理を、キーごとに設定することが可能となる。また、上述した、容量素子がタッチパネルの面内に均一に分布して配置されるタッチパネルを用いた既存のキーボードに比べて、必要な数だけ容量素子を形成すればよく、電極の本数を削減することができるため、入力キーを検出する際の信号処理における負荷を低減することができ、当該信号処理を行うプロセッサ（後述するコントローラＩＣ１１０やメインＭＣＵ１２０）として、より安価なものを用いることが可能となる。
【００５１】
なお、本実施形態に係る入力装置１としては、例えば、本願出願人による先行出願である国際公開第２０１３／１３２７３６号を参照することができる。
【００５２】
（２．本開示に至る背景）
ここで、本実施形態に係る入力装置１における容量素子Ｃ１の静電容量の温度依存性について本発明者らが検討した結果について説明するとともに、本発明者らが本開示に想到した背景について説明する。本発明者らは、以上説明した入力装置１における容量素子Ｃ１について、その温度特性を調べる実験を行った。
【００５３】
当該実験の結果を図６及び図７に示す。図６及び図７は、本実施形態に係る入力装置１における容量素子Ｃ１の温度特性を示すグラフ図である。図６では横軸に入力装置１の使用環境の温度を取り、縦軸に入力装置１におけるあるキー領域１０ａに対応するノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値を取り、両者の関係をプロットしている。図６では、一例として、「Ｋ」、「Ｓ」、「Ｘ」、「Ｙ」及び「Ｎ」のキーについての結果を図示している。なお、図６及び後述するグラフ図において、縦軸又は横軸の単位として用いている「ＣＮＴ」は、デルタ値やＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値等の容量素子Ｃ１の静電容量に関する値を、後述する図８に示すコントローラＩＣ１１０におけるカウント値（ＣＮＴ）に換算したものに対応している。例えば、本実施形態では、下記数式（１）に従って、容量素子Ｃ１の静電容量（例えばＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値）をカウント値に換算している。
【００５４】
【数１】
2015194948.tif 000003
【００５５】
ここで、αはコントローラＩＣ１１０の性能や電源電圧等によって定まる係数であり、βは容量素子Ｃ１の静電容量が０（ｐＦ）であるときの仮想的なカウント値として設定される定数である。なお、上記数式（１）は、容量素子Ｃ１の静電容量をプロセッサ内で扱われる値に換算する際の一例であり、容量素子Ｃ１の静電容量は、プロセッサの性能等に応じて適宜変換されて扱われてよい。
【００５６】
図７では横軸に時間を取り、縦軸に入力装置１におけるあるキー領域１０ａに対応するノードにおいて検出されたデルタ値を取り、両者の関係をプロットしている。図７では、一例として、「Ｊ」のキーについての結果を図示している。また、図７では、指によるキー領域１０ａへの操作入力を想定し、所定の第１の時刻において指を模した冶具を用いて所定の荷重（例えば５０（ｇＦ））でキー領域１０ａの押圧を開始した後、所定の第２の時刻で当該冶具をキー領域１０ａから離す操作を行い、その間の、押圧したキー領域１０ａに対応するノードのデルタ値の時間変化を図示している。第１の時刻は、各グラフにおいてデルタ値が急峻に増加している時刻に対応し、第２の時刻は、各グラフにおいてデルタ値が急峻に減少している時刻に対応している。なお、図７及び後述するグラフ図においては、デルタ値を、所定の基準値を用いて正規化した任意単位（ａ．ｕ．：ａｒｂｉｔｒａｒｙ  ｕｎｉｔ）として図示している場合がある。
【００５７】
なお、図６及び図７、並びに、後述する図１５、図１６、図２０、図２１及び図２２に示すグラフ図においては、入力装置１内の所定のキー（例えば「Ｊ」のキー）に含まれる複数のノードにおけるデルタ値及びＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値のうち、当該キー内の所定の位置に配設されているある１つのノードにおけるデルタ値及びＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値を、当該キーでのデルタ値及びＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の代表値としてプロットしている。
【００５８】
図６を参照すると、入力装置１においては、温度が低くなるにつれて容量素子Ｃ１のＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値が低下することが分かる。図６に示す例では、例えば常温である２５度から−５度まで温度が低下した場合には、Ｂａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値は約１０（％）低下している。Ｂａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値が低下することにより、キー領域１０ａを押圧した際の容量素子Ｃ１の静電容量とＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分として定義されるデルタ値も小さくなることが想定される。
【００５９】
一方、図７を参照すると、入力装置１においては、温度が低くなるにつれて、同一の荷重でキー領域１０ａを押圧した場合であっても、検出されるデルタ値が低下することが分かる。図７に示す例では、例えば常温である２５度から−５度まで温度が低下した場合には、デルタ値は約３３（％）低下している。また、図７に示すように、温度が高い場合（例えば２５度や４５度の場合）には、キーを押圧した直後（第１の時刻）にデルタ値が急峻に増加し、キーを押圧している最中（第１の時刻から第２の時刻の間）におけるデルタ値はほぼ一定であるのに対して、温度が低い場合（例えば５度や−５度の場合）には、キーを押圧している最中（第１の時刻から第２の時刻の間）に、デルタ値が徐々に増加する様子が観察された。
【００６０】
以上、図６及び図７に示す結果から、入力装置１においては、例えばデルタ値と所定のしきい値とを比較することによりキーの入力状態が判定される場合であれば、使用環境の温度の変化に応じて、キー入力の検出され易さが変化し得ることが分かった。例えば、常温（２５度）で使用されることを想定して調整されたしきい値を用いてキーの入力状態が判定された場合には、温度が低い場合にはキーの入力が検出され難くなり、温度が高い場合にはキーの入力が検出され易くなる。従って、入力装置１では、使用環境の温度によって、ユーザの打鍵感（操作感）が変化する可能性がある。
【００６１】
本発明者らは、入力装置１においてデルタ値が温度依存性を有する原因について考察した。まず、図６に示すような容量素子Ｃ１のＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の変化は、容量素子Ｃ１において電極線２１０と電極線２２０との間に配設される絶縁膜層（図２に示す第１の配線基板２１や接着基板５１）の誘電特性が、温度に応じて変化することによって生じ得ると考えられる。以下では、このような、容量素子Ｃ１の電気的なパラメータの温度特性に起因するデルタ値の温度特性のことを、便宜的に、電気的要因によるデルタ値の温度特性とも呼称する。
【００６２】
一方、図３に示すように、本実施形態に係る入力装置１では、指によるキー領域１０ａの押圧量が、容量素子Ｃ１の静電容量変化として検出され得る。従って、温度に応じて入力装置１を構成する各部材の弾性特性が変化することでも、デルタ値の温度特性は影響を受けると考えられる。本発明者らによる解析の結果、例えば接着層５０に用いられている接着剤層５２、５３には、温度が低くなるほどその硬度が高くなる（すなわち、弾性率が低くなる）傾向があることが分かった。以下では、このような、容量素子Ｃ１の構造的なパラメータの温度特性に起因するデルタ値の温度特性のことを、便宜的に、構造的要因によるデルタ値の温度特性とも呼称する。図７に示す結果は、電気的要因によるデルタ値の温度特性と、構造的要因によるデルタ値の温度特性とが、ともに現れているものであると言える。
【００６３】
このように、入力装置１におけるデルタ値の温度特性は、電気的要因と構造的要因とが交じり合った複雑なものとなり得る。ここで、上述した特許文献１に記載の技術は、静電型のタッチパネルにおいて、静電容量センサのインピーダンスの温度特性を事前に把握しておき、当該温度特性を利用して当該静電容量センサの静電容量を補正するものである。しかしながら、特許文献１に記載の技術では、高温時における、静電容量センサの電極間に設けられるエラストマー（誘電膜）の熱膨張による静電容量の変化を補正することしか想定されていない。上述したような構造的要因による静電容量の温度特性は、キー領域１０ａに対する押圧量が検出されるという、本実施形態に係る入力装置１の構成を有するからこそ生じ得るものであるため、例えば特許文献１に記載の技術を、そのまま入力装置１を用いた入力検出システムに適用したとしても、高精度なキー入力の検出は実現できない可能性がある。
【００６４】
また、本実施形態に係る入力装置１のように、タッチパネルがキーボードして用いられる場合には、単純に温度特性に応じてデルタ値の補正を行うだけでは十分ではなく、キーボードとしてのユーザの操作性まで考慮してデルタ値の補正を行うことが求められる。例えば、補正を行った結果、キー入力の検出の感度が高くなり過ぎてしまった場合には、指のキー領域１０ａに対する僅かな接触も検出されてしまい、かえって操作性が低下する恐れがある。特許文献１に記載の技術では、このような、ユーザによる操作性まで考慮した温度補償については記載されていなかった。
【００６５】
以上説明したように、入力装置１においては、ユーザによる操作性まで考慮して、デルタ値の温度補償を行うことが求められていた。本発明者らは、以上の観点から入力装置１における温度補償について鋭意検討した結果、以下に説明する実施形態に想到した。以下では、本実施形態に係る入力検出システムについて、特に、当該入力検出システムにおいて実行される温度補償処理について詳しく説明する。なお、以下の説明では、一例として、入力装置１のノードから検出されたデルタ値に対して温度補償を行う場合について説明する。ただし、本実施形態はかかる例に限定されず、デルタ値を含むあらゆる操作入力値に対して温度補償が行われてよい。例えば、デルタ値を他の操作入力値（例えば微分デルタ値や正規化デルタ値等）に換算した後に、当該他の操作入力値に対して温度に応じた補正が行われてもよい。温度補償は、キーの入力状態を判定する処理が行われるまでに、当該入力状態を判定する際に用いられる操作入力値に対して行われていればよいため、判定に用いられる操作入力値が取得される（算出される）までのどの段階で温度補償が行われても、同様の効果を得ることができる。以下の説明において温度補償の対象としている「デルタ値」は、他の操作入力値に適宜読み替えることが可能である。
【００６６】
（３．入力検出システムの構成）
本実施形態に係る入力検出システムの構成について説明する。本実施形態に係る入力検出システムでは、入力装置１の各ノードで検出されたデルタ値に対して、使用環境の温度に応じた温度補償処理が施される。そして、当該デルタ値が検出されたノードに対応するキーが特定され、温度補償が行われたデルタ値に基づいて、特定されたキーに対する入力状態の判定処理が行われる。キーに対する入力状態の判定結果に基づいて、入力装置１が接続される接続装置に、当該キーに対応付けられた情報の入力が行われることとなる。
【００６７】
（３−１．ハードウェア構成）
まず、図８を参照して、本実施形態に係る入力検出システムのハードウェア構成について説明する。図８は、本実施形態に係る入力検出システムのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【００６８】
図８を参照すると、本実施形態に係る入力検出システム２は、入力装置１と、コントローラＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１１０と、メインＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１２０と、インターフェースＩＣ１３０と、コネクタ１４０と、で構成される。なお、入力装置１の構成については、上記（１．入力装置の構成）で説明しているため、ここでは詳細な説明は省略する。
【００６９】
コントローラＩＣ１１０は、入力装置１におけるノードごとの静電容量値を検出する機能を有するプロセッサである。操作入力が行われていないノードからはＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値が検出される。一方、操作入力が行われているノードからは、当該操作入力に応じた静電容量値が検出される。コントローラＩＣ１１０は、操作入力が行われているノードにおいて検出された静電容量値と、当該ノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値とに基づいて、ノードごとのデルタ値を検出することができる。なお、コントローラＩＣ１１０によって行われる処理は、後述する図９に示す静電容量検出部１１１によって行われる処理に対応している。
【００７０】
ここで、ノードは、Ｘ軸方向に延伸する複数の電極線２２０と、Ｙ軸方向に延伸する複数の電極線２１０と、の交差領域に対応しているため、Ｘ及びＹのアドレスによって表現され得る。コントローラＩＣ１１０は、各ノードでのデルタ値を、当該ノードのアドレスと対応付けて検出することができる。コントローラＩＣ１１０は、各ノードで検出されたデルタ値についての情報を、当該ノードのアドレスについての情報（アドレス情報）と対応付けて、後段のメインＭＣＵ１２０に送信する。ここで、後述するように、本実施形態では、入力装置１に温度検出用のダミーノードが設けられてもよく、当該ダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて温度が検出されてもよい。ダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて温度が検出される場合には、コントローラＩＣ１１０は、当該ダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値についての情報を、後段のメインＭＣＵ１２０に送信する。なお、コントローラＩＣ１１０において実行される各処理は、コントローラＩＣ１１０（すなわちプロセッサ）が所定のプログラムに従って動作することにより実行され得る。
【００７１】
メインＭＣＵ１２０は、各ノードで検出されたデルタ値に温度補償を施し、温度補償後のデルタ値に基づいて、キーの入力を判定する処理を行う。ここで、メインＭＣＵ１２０が行う処理には、検出されたデルタ値を使用環境の温度に応じて補正する処理（以下、温度補償処理とも呼称する。）、デルタ値が検出されたキーを特定する処理（以下、キー特定処理とも呼称する。）、温度補償後のデルタ値に基づいてキーの入力状態を判定する処理（以下、入力状態判定処理とも呼称する。）、及び、判定された入力状態に基づいて各キーの入力状態を設定する処理（以下、入力状態設定処理とも呼称する。）が含まれる。なお、メインＭＣＵ１２０によって行われるこれらの処理は、後述する図９に示す、温度補償部１１２、キー特定部１１３、入力状態判定部１１４及び入力状態設定部１１５によって行われる処理にそれぞれ対応している。温度補償処理、キー特定処理、入力状態判定処理及び入力状態設定処理の詳細については、下記（３−２．機能構成）で図９を参照して詳しく説明する。なお、メインＭＣＵ１２０において実行される各処理は、メインＭＣＵ１２０に搭載されるプロセッサが所定のプログラムに従って動作することにより実行され得る。
【００７２】
メインＭＣＵ１２０は、温度補償処理、キー特定処理、入力状態判定処理及び入力状態設定処理を、入力装置１に含まれる各ノードに対して順次行うことにより、温度補償が行われた状態で各キーの入力状態を判定することができる。ここで、キーの入力状態としては、ＫＥＹ  ＯＮ状態（以下、単にＯＮ状態とも呼称する。）とＫＥＹ  ＯＦＦ状態（以下、単にＯＦＦ状態とも呼称する。）とが存在し得る。ＫＥＹ  ＯＮ状態とは、キーに対する操作入力が有効であると判断されている状態のことを意味する。一方、ＫＥＹ  ＯＦＦ状態とは、キーに対する操作入力が無効であると判断されている状態のことを意味する。
【００７３】
メインＭＣＵ１２０は、ＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定されたキーに対応付けられているキーの内容を示す情報を、後段のインターフェースＩＣ１３０に送信する。このように、ＫＥＹ  ＯＮ状態とは、キーに対応付けられている情報が送出され得る状態であるとも言える。ただし、メインＭＣＵ１２０は、全てのキーについての入力状態判定処理の結果を後段のインターフェースＩＣ１３０に送信してもよく、インターフェースＩＣ１３０以降のいずれかの構成によって、ＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定されたキーに対応付けられている情報のみが抽出されてもよい。
【００７４】
インターフェースＩＣ１３０は、入力装置１と、入力装置１が接続される接続装置との間のインターフェースとなるプロセッサである。例えば、インターフェースＩＣ１３０には、コネクタ１４０が接続されており、当該コネクタ１４０によって入力装置１と接続装置とが接続される。インターフェースＩＣ１３０は、コネクタ１４０の種類に応じて、当該コネクタ１４０の種類に適した方式に信号を変換し、接続装置に、ＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定されたキーに対応付けられている情報を送信する。例えば、当該接続装置の表示部に、当該キーに対応する文字や記号等が表示されることとなる。インターフェースＩＣ１３０が行う具体的な処理は、コネクタ１４０の種類に応じて適宜設定され得る。コネクタ１４０は、例えばＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）形式のコネクタであってよい。
【００７５】
以上、図８を参照して、本実施形態に係る入力検出システム２のハードウェア構成について説明した。次に、図８に示す入力検出システム２に対応する機能構成について説明する。
【００７６】
（３−２．機能構成）
図９を参照して、本実施形態に係る入力検出システム２の機能構成について説明する。図９は、本実施形態に係る入力検出システム２の機能構成の一例を示す機能ブロック図である。なお、図９に示す機能構成は、図８に示す入力検出システム２のハードウェア構成に対応するものである。ここで、本実施形態では、インターフェースＩＣ１３０及びコネクタ１４０としては、キーボードを情報処理装置に接続する際に一般的に用いられている、各種の公知のものが用いられてよい。従って、図９では、図８に示す構成の中でも、コントローラＩＣ１１０及びメインＭＣＵ１２０によって実行される機能について主に図示している。
【００７７】
図９を参照すると、本実施形態に係る入力検出システム２は、その機能として、静電容量検出部１１１と、温度補償部１１２と、キー特定部１１３と、入力状態判定部１１４と、入力状態設定部１１５と、を備える。なお、図９では、便宜的に、これらの各機能が、制御部１５０（本開示の情報処理装置に対応する。）において実行され得るように図示しているが、実際には、制御部１５０は、コントローラＩＣ１１０及びメインＭＣＵ１２０に対応するプロセッサによって構成され得る。つまり、図９において制御部１５０が有する各機能は、コントローラＩＣ１１０及びメインＭＣＵ１２０に対応するプロセッサが、所定のプログラムに従って駆動することにより実現され得る。例えば、静電容量検出部１１１に対応する機能がコントローラＩＣ１１０によって実行され、その他の機能（温度補償部１１２、キー特定部１１３、入力状態判定部１１４及び入力状態設定部１１５）はメインＭＣＵ１２０に搭載されるプロセッサによって実行され得る。ただし、本実施形態はかかる例に限定されず、図９に示す各機能は、コントローラＩＣ１１０及びメインＭＣＵ１２０のいずれのプロセッサによって実行されてもよいし、図示しない他の処理回路において実行されてもよい。
【００７８】
静電容量検出部１１１は、入力装置１の各ノードにおける静電容量を検出する。例えば、静電容量検出部１１１は、各ノードでの静電容量を、所定のサンプリングレートで順次検出する。操作入力が行われていないノードからはＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値が検出され、操作入力が行われているノードからは、当該操作入力でのキー領域１０ａの押圧量に応じた静電容量値が検出されることとなる。静電容量検出部１１１は、操作入力が行われているノードにおいて検出された静電容量値と、当該ノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値とに基づいて、ノードごとのデルタ値を検出することができる。静電容量検出部１１１は、各ノードでのデルタ値を、当該ノードのアドレスと対応付けて検出する。静電容量検出部１１１は、検出したデルタ値についての情報を、後述する温度補償部１１２のデルタ値補正部１２３に提供する。また、静電容量検出部１１１は、検出したデルタ値に対応するノードのアドレス情報をキー特定部１１３に提供する。また、入力装置１に設けられるダミーノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて温度が検出される場合には、静電容量検出部１１１は、当該ダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値についての情報を、後述する温度補償部１１２の温度検出部１２１に提供する。
【００７９】
キー特定部１１３は、ノードのアドレス情報に基づいて、デルタ値が検出されたノードに対応するキーを特定する。キー特定部１１３によって実行される処理は、上述したキー特定処理に対応している。例えば、本実施形態に係る入力検出システム２には、各種の情報を記憶可能な記憶装置（図示せず。）が設けられてもよく、当該記憶装置に、入力装置１におけるノードのアドレスとキー配置との位置関係が記憶されていてよい。キー特定部１１３は、当該記憶装置を参照することにより、ノードのアドレスとキー配置との位置関係に基づいて、デルタ値が検出されたノードに対応するキーを特定することができる。なお、当該記憶装置は、メインＭＣＵ１２０に搭載されるメモリ等であってもよいし、メインＭＣＵ１２０とは別途の構成として設けられてもよい。また、当該記憶装置の種類は限定されず、例えば、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等の磁気記憶部デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等であってよい。キー特定部１１３は、特定したキーについての情報を入力状態判定部１１４及び後述する温度補償部１１２の補正量決定部１２２に提供する。
【００８０】
温度補償部１１２は、入力装置１の使用環境の温度（周辺温度）に基づいて、検出されたデルタ値を補正する。温度補償部１１２によって実行される処理は、上述した温度補償処理に対応している。具体的には、温度補償部１１２の機能は、温度検出部１２１と、補正量決定部１２２と、デルタ値補正部１２３と、に大別される。
【００８１】
温度検出部１２１は、入力装置１に設けられる温度検出素子の出力値に基づいて、入力装置１の周辺温度を検出する。ここで、温度検出素子としては、温度検出用に設けられるダミーノードや、サーミスタ素子が搭載された温度検出用ＩＣ等が利用され得る。例えば、温度検出部１２１は、静電容量検出部１１１から提供されたダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて、入力装置１の周辺温度を検出することができる。
【００８２】
補正量決定部１２２は、検出された温度に基づいて、デルタ値に対する補正量を決定する。ここで、補正量は、例えば類似する荷重感度特性を有するノードからなるグループごとに異なる値が設定され得る。補正量決定部１２２は、キー特定部１１３から提供された、特定されたキーについての情報に基づいて、当該キーに対応するノードに応じた補正量を決定することができる。なお、以下の説明では、補正量の一例として、補正量決定部１２２が、デルタ値に対する補正倍率（すなわち、検出された現在のデルタ値に対する補正後に得たいと考えているデルタ値の比率）を決定する場合について説明する。ただし、本実施形態はかかる例に限定されず、例えば、検出された現在のデルタ値と補正後に得たいと考えているデルタ値との差分等、他の値が補正量として用いられてもよい。また、デルタ値以外の他の操作入力値を補正の対象とする場合には、補正量決定部１２２は、当該他の操作入力値に応じた補正量を決定してもよい。
【００８３】
デルタ値補正部１２３（本開示での操作入力値補正部に対応する。）は、決定された補正倍率を用いて、静電容量検出部１１１によって検出されたデルタ値を補正する。例えば、デルタ値補正部１２３は、補正量決定部１２２によって決定された補正倍率を、静電容量検出部１１１によって検出されたデルタ値に乗じることにより、デルタ値を補正することができる。デルタ値補正部１２３によって補正されたデルタ値は、温度依存性が考慮された、すなわち、温度補償が行われたデルタ値となる。デルタ値補正部１２３は、補正後のデルタ値を入力状態判定部１１４に提供する。なお、デルタ値以外の他の操作入力値を補正の対象とする場合には、例えば、静電容量検出部１１１によって検出されたデルタ値が他の操作入力値に変換された後に、補正量決定部１２２によって決定された当該他の操作入力値に応じた補正量を用いて、当該他の操作入力値を補正してもよい。
【００８４】
なお、温度補償部１１２における各機能（温度検出部１２１、補正量決定部１２２及びデルタ値補正部１２３）の詳細については、下記（４．温度検出処理）及び（５．補正倍率決定処理）で改めて詳しく説明する。
【００８５】
入力状態判定部１１４は、各ノードで検出され、温度補償が施されたデルタ値に基づいて、当該ノードに対応するキーの入力状態を判定する。入力状態の判定では、温度補償が施されたデルタ値に基づいて、各キーの入力状態がＫＥＹ  ＯＮ状態であるかどうかが判断され得る。入力状態判定部１１４によって実行される処理は、上述した入力状態判定処理に対応している。
【００８６】
入力状態判定処理では、各ノードにおける操作入力値に基づいてキーの入力状態が判定され得る。操作入力値としては、例えば、デルタ値、デルタ値の微分値である微分デルタ値、及び／又は、デルタ値を正規化した値である正規化デルタ値等が用いられ得る。また、１つのキーに対して複数のノードが設けられている場合には、デルタ値、微分デルタ値及び／又は正規化デルタ値等の値の合計値や平均値等の統計値に基づいて、入力状態判定処理が行われてもよい。ここで、微分デルタ値は、検出されたデルタ値そのもの（すなわち生データ又は適宜増幅等されたもの）を微分したものであってもよいし、正規化デルタ値を微分したものであってもよい。本明細書において、「微分デルタ値」とは、デルタ値の微分値又は正規化デルタ値の微分値を意味していてよい。
【００８７】
具体的には、入力状態判定処理では、操作入力値が予め設定された条件（入力状態判定条件）を満たすかどうかが判断される。操作入力値が入力状態判定条件を満たした場合には、当該操作入力値が検出された（算出された）ノードに対応するキーの入力状態がＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定される。一方、操作入力値が入力状態判定条件を満たしていない場合には、当該操作入力値が検出された（算出された）ノードに対応するキーの入力状態がＫＥＹ  ＯＦＦ状態であると判定される。なお、入力状態判定条件は、キーごとに設定され得る。入力状態判定部１１４は、キー特定部１１３によって特定されたキーについての情報に基づいて、特定されたキーに対して設定されている入力状態判定条件を用いて入力状態判定処理を行うことができる。例えば、上述した記憶装置に、各キーに対して設定された入力状態判定条件が記憶されており、入力状態判定部１１４は、当該記憶装置を参照することにより、キーごとに設定された入力状態判定条件についての情報を取得し、入力状態判定処理を実行することができる。
【００８８】
例えば、入力状態判定部１１４は、操作入力値を所定のしきい値と比較することにより入力状態を判定する。具体的には、入力状態判定部１１４は、操作入力値が当該しきい値よりも大きい場合に、当該ノードに対応するキーの入力状態が、ＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定する。また、入力状態判定部１１４は、操作入力値が当該しきい値以下である場合に、当該ノードに対応するキーの入力状態が、ＫＥＹ  ＯＦＦ状態であると判定する。
【００８９】
なお、ＫＥＹ  ＯＮ状態を判定するためのしきい値と、ＫＥＹ  ＯＦＦ状態を判定するためのしきい値とは、同一の値であってもよいし、互いに異なる値であってもよい。ＫＥＹ  ＯＮ状態を判定するためのしきい値及びＫＥＹ  ＯＦＦ状態を判定するためのしきい値として、互いに異なる値を用いる場合には、いわゆるチャタリングを防止することができ、操作性を向上させることができる。
【００９０】
また、入力状態判定部１１４は、キーごとに入力状態を判定するが、例えば１つのキーに複数のノードが対応付けられている場合には、当該キーに含まれるいずれか１つのノードにおける操作入力値が入力状態判定条件を満たすことにより入力状態が判定されてもよいし（すなわち、「ＯＲ」による判定）、当該キーに含まれる全てのノードにおける操作入力値が条件を満たすことにより入力状態が判定されてもよい（すなわち、「ＡＮＤ」による判定）。入力状態判定条件は、キーごとに任意に設定可能である。例えば、あるキーでは、上述した「ＯＲ」による判定によって入力状態が判定されてもよいし、他のキーでは、上述した「ＡＮＤ」による判定によって入力状態が判定されてもよい。また、操作入力値と比較されるしきい値も、キーごとに異なる値であってもよい。各キーにおける入力状態判定条件は、例えばキーが使用される頻度や、キーの配置位置に基づく検出精度等を考慮して、適宜設定されてよい。
【００９１】
ここで、本明細書では、操作入力値としきい値との大小関係を説明するために、「以下」や「よりも大きい」等の表現を用いているが、これらの表現はあくまで例示であって、操作入力値としきい値とを比較する際の境界条件を限定するものではない。本実施形態では、操作入力値が当該しきい値と等しい場合に、その大小関係をどのように判断するかは任意に設定可能であってよい。本明細書における「以下」との表現は「よりも小さい」との表現と互いに読み替えることが可能であるし、「よりも大きい」との表現は「以上」との表現と互いに読み替えることが可能である。
【００９２】
なお、入力状態判定部１１４において行われる入力状態判定処理は、上述した例に限定されず、入力状態判定部１１４においては、一般的にタッチパネル式のキーボードの技術分野において用いられている、各種の公知の入力状態判定処理が行われてよい。
【００９３】
入力状態判定部１１４は、キーごとの入力状態の判定結果についての情報を入力状態設定部１１５に提供する。
【００９４】
入力状態設定部１１５は、入力状態判定部１１４による入力状態の判定結果に基づいて、各キーの入力状態を設定する。入力状態設定部１１５は、入力状態の判定結果に応じて、各キーの入力状態を、ＫＥＹ  ＯＮ状態又はＫＥＹ  ＯＦＦ状態に設定する。また、入力状態設定部１１５は、ＫＥＹ  ＯＮ状態を設定したキーに対応付けられているキーの内容を示す情報を、インターフェースＩＣ１４０を介して、接続装置に送信する。接続装置では、送信されたキーについての情報が入力値として受け入れられる。なお、入力状態設定部１１５は、全てのキーについての入力状態判定処理の結果を後段のインターフェースＩＣ１３０に送信してもよく、インターフェースＩＣ１３０以降のいずれかの構成（例えば接続装置）によって、ＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定されたキーに対応付けられている情報のみが抽出されてもよい。
【００９５】
以上、図９を参照して、本実施形態に係る入力検出システムの機能構成について説明した。なお、以上説明したような本実施形態に係る入力検出システム２の各機能を実現するためのコンピュータプログラムを作製し、パーソナルコンピュータ等に実装することが可能である。また、このようなコンピュータプログラムが格納された、コンピュータで読み取り可能な記録媒体も提供することができる。記録媒体は、例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、フラッシュメモリなどである。また、上記のコンピュータプログラムは、記録媒体を用いずに、例えばネットワークを介して配信してもよい。
【００９６】
（４．温度検出処理）
以下、（４．温度検出処理）及び（５．補正倍率決定処理）では、図９に示す温度補償部１１２が有する各機能について詳しく説明する。まずは、上述した温度検出部１２１の機能について説明する。
【００９７】
（４−１．ダミーノードを用いた温度検出処理）
図６を参照して説明したように、入力装置１の各ノードにおけるＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値は温度依存性を有する。従って、当該温度依存性を利用すれば、逆に、各ノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値を検出することにより、周辺温度を測定することが可能となる。
【００９８】
ただし、キー領域１０ａに配設されたノード（すなわち、実際に打鍵が行われる領域に配設されるノード）を用いて温度を検出しようとすると、例えば操作入力時のユーザの指との接触によりキー領域１０ａ及びノードの温度が上昇してしまい、正確な周辺温度が検出されない可能性がある。実際に、本発明者らによる検討の結果、ノードの配設位置に対応する操作部材１０上の領域に所定の時間手を載せた場合、当該ノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値から検出される温度と、実際の周辺温度との間には、有意な差が生じることが分かった。そこで、本実施形態では、温度検出用にキー領域１０ａとは異なる領域に設けられるダミーノード（すなわち、温度検出用容量素子）を、入力装置１内でユーザの手が触れにくいと考えられる領域に配設し、当該ダミーノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて温度を検出する。
【００９９】
まず、図１０を参照して、ダミーノードの構成について説明する。図１０は、温度検出用に用いられるダミーノードの一構成例を示す概略断面図である。なお、図１０は、上述した図２と同様に入力装置１のＸ−Ｚ平面での断面の様子を示しており、ダミーノードに対応する領域の断面の様子を概略的に示している。
【０１００】
図１０を参照すると、ダミーノード領域１０ｄは、図２に示すキー領域１０ａに対して、第１の支持体３０によって形成されていた空間３３と、第２の支持体６０によって形成されていた空間６２と、が他の層によって埋め込まれた構造を有する。このように、ダミーノード領域１０ｄでは、本来打鍵時に押圧され変形し得る領域（すなわち空間３３、６２）が存在しないため、例えば何らかの原因によってダミーノード領域１０ｄが変形することによるノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の変化が生じ難くなり、温度検出時のロバスト性を高めることができる。ダミーノード領域１０ｄ内に存在する容量素子Ｃ１の各々がダミーノードとして機能し、当該容量素子Ｃ１のＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて、温度が検出されることとなる。なお、図１０に示すダミーノード領域１０ｄを構成する各層は、図２に示すキー領域１０ａを構成する各層と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。
【０１０１】
ここで、ダミーノード間での温度特性のばらつきが大きい場合には、ダミーノードを用いた温度検出において十分な精度が得られない可能性がある。本発明者らは、複数のダミーノードについて、そのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の温度依存性を測定し、ばらつきを調べる実験を行った。ダミーノードの温度特性について調べた結果を図１１及び図１２に示す。図１１及び図１２は、ダミーノードの温度特性を示すグラフ図である。図１１では、横軸に周辺温度を取り、縦軸にダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値を取り、両者の関係をプロットしている。図１２では、横軸に同じく周辺温度を取り、縦軸に、ダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の、常温（２５（度））でのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分値を取り、両者の関係をプロットしている。
【０１０２】
図１１を参照すると、同じ温度で比較した場合、Ｂａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値は、ダミーノード間でばらつきを有していることが分かる。しかしながら、図１２に示すように、基準となる温度を設定し（図１２に示す例では２５（度））、当該基準温度に対するＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分を見てみると、Ｂａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の温度依存性は、各ダミーノードにおいてほぼ同様の特性を有することが分かった。図１１及び図１２では、図面が煩雑になることを防ぐために、５つのダミーノードについての結果だけを図示しているが、より多くのダミーノードについて同様にＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の温度依存性を測定した結果、実験に用いた入力装置１では、ダミーノードによって約６（度）（±３（度））の分解能で温度を検出可能であることが分かった。参考までに、一般的に市販されている温度検出用ＩＣ（サーミスタ素子によって温度を検出するもの）としては、その仕様が、例えばＢグレードのもので分解能が±３．０（度）、Ｃグレードのもので分解能が±４．０（度）のものが存在し得る。このように、実験に用いた入力装置１のダミーノードは、市販の温度検出用ＩＣと同等の性能を有する温度センサとして機能し得ることが分かった。
【０１０３】
ここで、上述したように、ダミーノードは、できるだけユーザの手が触れない部位に配設されることが望ましい。図１３を参照して、本実施形態における、入力装置１でのダミーノードの一配置例について説明する。図１３は、入力装置１でのダミーノードの一配置例を示す概略図である。
【０１０４】
図１３に示すように、本実施形態に係る入力装置１は、筐体１７０に組み込まれて使用され得る。筐体１７０内には、入力装置１のほかに、入力装置１によるキーの入力を検出するためのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等のプロセッサ１７２（図８に示すコントローラＩＣ１１０や、メインＭＣＵ１２０のプロセッサに対応）及びプロセッサ１７２に対して電力を供給するバッテリ１７１等の構成部材が格納され得る。
【０１０５】
図１３では、入力装置１においてダミーノード領域１０ｄが好適に設けられる位置の一例を図示している。例えば、ダミーノード領域１０ｄは、入力装置１上において、通常使用時にユーザが手を載せないと考えられる、向かって奥側の端に対応する領域等に好適に配設され得る。また、ダミーノード領域１０ｄは、例えばバッテリ１７１やプロセッサ１７２のような発熱の可能性のある素子から十分離れた領域（すなわち、他の素子の発熱の影響を受けない領域）に配設されることが好ましい。
【０１０６】
また、図１３に示すように、入力装置１内に複数のダミーノード領域１０ｄが配置される場合には、複数のダミーノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値を用いて温度を検出することにより、温度検出時のロバスト性をより高めることができる。例えば、複数のダミーノードで各々検出されたＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の平均値に基づいて温度が検出されてもよい。
【０１０７】
また、例えば、複数のダミーノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の中から異常と思われるものを除外し、残りのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の統計値に基づいて温度が検出されてもよい。具体的には、例えばダミーノードが３つ存在する場合であれば、これら３つのダミーノードのうちの２つのダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値を計算する処理を、全てのダミーノードの組み合わせについて実行する。算出された全ての差分値が所定のしきい値以下であれば、３つのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値はいずれも妥当であると考えられるため、これら３つのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の統計値に基づいて温度を検出する。一方、３つのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値のうちの１つ（Ｓｉｇ１とする）と、他の２つのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分値が所定のしきい値よりも大きい場合には、例えばＳｉｇ１が検出されたダミーノードが手等によって温められている可能性があり、Ｓｉｇ１は異常値であると考えられるため、Ｓｉｇ１を除外した他の２つのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の統計値に基づいて温度を検出する。更に、全ての差分値が所定のしきい値よりも大きい場合には、どのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値が異常値であるか判断できないため、例えば温度検出処理を中断し、所定の時間が経過した後に温度検出処理を再開することが好ましい。この場合には、例えば前回の温度検出処理において検出された温度がそのまま用いられてよい。
【０１０８】
本実施形態では、例えば図９に示す温度検出部１２１が、以上説明した処理を行うことにより、ダミーノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて温度を検出することができる。例えば、入力検出システム２に設けられる記憶装置（図９には図示せず。）に、図１２に示すようなダミーノードにおけるＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の温度依存性についての情報がテーブル等の形式で予め格納されている。また、当該記憶装置には、各ダミーノードにおける常温（例えば２５（度））時のＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値についての情報が格納されている。温度検出部１２１は、当該記憶装置を参照し、例えばダミーノードにおいて検出されたＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値と常温時のＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分を計算し、上記テーブルと照合することにより、温度を検出することができる。
【０１０９】
なお、温度検出部１２１は、ダミーノードにおいて検出されたＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値と常温時のＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分を計算するだけであってもよく、当該差分を実際の周辺温度に換算する処理までは行わなくてもよい。図１２に示す関係性から、常温とのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値と、周辺温度とは、１対１に対応する関係であるため、常温とのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値を算出した段階で、実質的には温度を検出していることになるからである。このように、常温とのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値は周辺温度を表す指標となる値であるため、本実施形態では、温度検出部１２１による温度の検出処理とは、常温とのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値を算出する処理を意味していてもよい。後述するが、後段の補正量決定部１２２では、周辺温度と、当該周辺温度に応じた補正量との関係を示すテーブルを参照して、周辺温度に応じた補正量が決定されることとなる。当該テーブルにおいても、実際の周辺温度と補正量との関係が示されていてもよいし、常温とのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値と補正量との関係が示されていてもよい。温度検出部１２１は、補正量決定部１２２によって行われる補正量の決定処理において用いられる形式で、温度を検出することができる。
【０１１０】
以上、ダミーノードを用いた温度検出処理について説明した。以上説明したように、本実施形態に係る温度検出処理では、入力装置１に温度検出用のダミーノードが設けられ、当該ダミーノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値に基づいて温度が検出される。ダミーノードとしては、例えば入力装置１における余剰なノード（冗長なノード）を利用することができるため、入力装置１の製造コストの増加を抑えることができる。また、ダミーノードの配設位置を工夫したり、複数のダミーノードでのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値を利用したりすることにより、温度検出の精度をより高めることができる。
【０１１１】
（４−２．温度検出用ＩＣを用いた温度検出処理）
以上説明した実施形態では、ダミーノードを用いて温度を検出していたが、本実施形態はかかる例に限定されない。本実施形態では、サーミスタ素子等の温度検出用の素子が搭載された温度検出用ＩＣを用いて温度が検出されてもよい。
【０１１２】
図１４を参照して、温度検出用ＩＣを用いて温度を検出する変形例における、入力検出システムの機能構成について説明する。図１４は、温度検出用ＩＣを用いて温度を検出する変形例における、入力検出システムの機能構成の一例を示す機能ブロック図である。
【０１１３】
図１４を参照すると、本変形例に係る入力検出システム３は、その機能として、静電容量検出部１１１と、温度補償部１１２ａと、キー特定部１１３と、入力状態判定部１１４と、入力状態設定部１１５と、を備える。ここで、図１４に示す入力検出システム３は、温度補償部１１２ａの温度検出部１２１ａの機能が異なること以外は、図９に示す入力検出システム２と同様の機能構成を有していてよい。従って、ここでは、入力検出システム２との相違点である、温度検出部１２１ａの機能について主に説明する。なお、図１４において、便宜的に、制御部１５０ａ（本開示の情報処理装置に対応する。）において実行され得るように図示している各機能は、入力検出システム２と同様に、例えば図８に示すコントローラＩＣ１１０及びメインＭＣＵ１２０に対応するプロセッサが所定のプログラムに従って駆動することにより実現され得る。
【０１１４】
図１４を参照すると、本変形例では、温度検出部１２１ａは、ダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値を静電容量検出部１１１から取得するのではなく、例えば入力装置１の外表面の所定の部位に取り付けられる温度検出用ＩＣ１６０の出力値を取得する。温度検出用ＩＣ１６０は、例えばサーミスタ素子を有しており、当該サーミスタ素子の電圧値が温度検出部１２１ａに提供される。例えば、入力検出システム３に設けられる記憶装置（図１４には図示せず。）に、温度検出用ＩＣ１６０におけるサーミスタ素子の電圧値と温度との関係についての情報が、例えばテーブルや所定の関係式の形式で予め格納されている。温度検出部１２１ａは、当該記憶装置を参照し、サーミスタ素子の電圧値をＡＤＣ（ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）によってデジタル値に変換した後、例えば上記テーブルや所定の関係式等に基づいて温度に変換することにより、温度を検出することができる。
【０１１５】
温度検出部１２１ａは、検出した温度についての情報を補正量決定部１２２に提供する。その他の処理は図９に示す入力検出システム２と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１１６】
以上、温度検出用ＩＣ１６０を用いて温度を検出する変形例について説明した。以上説明したように、本実施形態では、温度を検出するための温度検出素子としては、ダミーノードが用いられてもよいし、温度検出用ＩＣ１６０が用いられてもよい。いずれの場合であっても、検出された温度に基づいて、温度検出部１２１、１２１ａにおいてデルタ値に対する温度補償処理が行われ得る。なお、上記の例では、温度検出用ＩＣ１６０としてサーミスタ素子を利用するものを用いていたが、本実施形態はかかる例に限定されない。温度検出用ＩＣ１６０としては、他の方式で温度を検出するものが用いられてもよい。温度検出部１２１ａは、温度検出用ＩＣ１６０からの出力値を、当該温度検出用ＩＣ１６０の性能や仕様等に応じて適宜温度に変換することができる。
【０１１７】
（５．補正倍率決定処理）
次に、上述した図９に示す補正量決定部１２２の機能について説明する。なお、ここでは、併せてデルタ値補正部１２３の機能についても説明する。本実施形態では、後述する図１８に示すような、温度に応じたデルタ値に対する補正倍率を示すテーブル（以下、デルタ値補正テーブルとも呼称する。）が、例えば入力装置１ごとに予め設定されている。実際の打鍵時に補正量決定部１２２が行う処理は、温度検出部１２１によって検出された温度に基づいて、例えば図１８に示すデルタ値補正テーブルを用いて補正倍率を決定する処理となる。ここでは、実際の使用時（打鍵時）に補正量決定部１２２が行う処理について説明するに先立ち、図１８に例示するデルタ値補正テーブルの設定方法、すなわち、各温度に応じた補正倍率の設定方法について説明する。
【０１１８】
（５−１．基準条件の決定）
補正倍率を設定する際には、まず、補正の基準となる条件を決定する必要がある。基準条件でのデルタ値が理想的な「あるべきデルタ値」であるため、補正倍率を設定する際には、補正後のデルタ値が基準条件でのデルタ値になるように、補正倍率を設定することが目標となる。
【０１１９】
例えば、基準条件での周辺温度を常温である２５（度）とする。つまり、補正後のデルタ値が、２５（度）でのデルタ値にできるだけ近付くように補正倍率を設定することを考える。この場合、理想的には、例えば、ノードごとにＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の温度依存性を予め取得し、当該温度依存性に基づいて、ノードごとに、デルタ値が基準温度である２５（度）での値になるように、各温度に対する補正倍率が設定されることが望ましい。しかしながら、入力装置１内の全てのノードに対して補正倍率を予め設定し、ノードごとにデルタ値を補正することは、その設定作業に要する工数やプロセッサ（例えば図８に示すメインＭＣＵ１２０のプロセッサ）のリソースの観点から現実的ではない。従って、現実的には、代表となるノード（代表ノード）を選択し、代表ノードについて設定された補正倍率を用いて、他のノードに対してもデルタ値の補正が行われることとなる。そこで、補正倍率を決定するための基準となる代表ノードを決定する必要がある。
【０１２０】
また、同一のノードにおいても、当該ノードに対応するキーへの荷重の負荷状況に応じて、デルタ値の検出のされ方（例えばデルタ値の大きさや荷重の負荷中におけるデルタ値の時間変化）等は異なる。従って、ある温度で検出されたデルタ値を常温でのデルタ値に補正するための補正倍率も、キーへの荷重の負荷状況に応じて変化し得る。ここで、デルタ値に影響を与え得る荷重の負荷状況としては、例えば、荷重の値、指とキー領域１０ａとの接触面の面積（例えば指先（爪）で打つ場合と、指の腹で打つ場合等）、指とキー領域１０ａとの接触面のキー領域１０ａ内での位置及び荷重負荷中における荷重の時間変化等が考えられる。そこで、補正倍率を決定するための基準となる荷重の負荷状況を決定する必要がある。
【０１２１】
更に、ノードの特性によっては、一定の荷重を一定の時間負荷した場合であっても、当該荷重負荷中におけるデルタ値が、略一定値とならず、変動する可能性がある。従って、荷重の負荷状況と合わせて、基準条件でのデルタ値を測定する点（時間）を決定する必要がある。
【０１２２】
これら、代表ノード及び荷重の負荷状況について、本実施形態では、例えば以下のように基準条件を決定した。まず、代表ノードについては、荷重感度特性が比較的近い複数のノードによってグループを構成し、グループごとに基準となるノードを１つずつ選択し、代表ノードとした。代表ノードの温度特性から得られる補正倍率が、当該代表ノードが属するグループの補正倍率として設定されることとなる。ここで、荷重感度特性が比較的近いノードとは、例えば、同じ種類のキー（形状やノードの配置が同様であるキー）に設けられるノードであり得る。同じ種類のキーによって構成されるグループの中から代表となるキーが選択され、当該代表となるキーの中から更に選択されたノードが代表ノードであり得る。
【０１２３】
次に、荷重の負荷状況については、キー領域１０ａへの接触面の面積及び位置を略一定にするために、指を模擬した冶具を用いることとした。当該冶具は、例えば、直径約１０（ｍｍ）の円筒形の部材の周囲に厚さ約３（ｍｍ）のウレタン製シートを貼り付けたものであり得る。当該冶具の所定の部位で、キー領域１０ａ内の所定の位置を押圧することを基準とした。
【０１２４】
また、基準とする荷重値は５０（ｇＦ）とし、基準条件でのデルタ値を測定する時間は、一定の荷重を１（ｓｅｃ）間負荷した状態での後半３００（ｍｓ）間とした。これらの基準は、例えば下記の図１５及び上述した図７に示すデルタ値の特性から決定されたものである。図１５は、荷重値とデルタ値との関係を示すグラフ図である。図１５では、横軸にキー領域１０ａに対して負荷した荷重値を取り、縦軸に当該キー領域１０ａに設けられるノードにおけるデルタ値を取り、両者の関係をプロットしている。また、図１５では、温度をパラメータとして、互いに異なる温度での特性を図示している。
【０１２５】
図１５に示すように、実験に用いた入力装置１では、ユーザによる通常使用時に負荷され得る荷重である３０（ｇＦ）〜５０（ｇＦ）においてデルタ値が飽和しないように、各ノードの電気的特性及び構造的特性等が調整されている。ユーザは、荷重値の絶対値が大きいほど荷重の変化を感じ易い（すなわち、温度によるキー入力の検出感度の変化を感じ易い）と考えられるため、基準としては、ユーザによる通常使用時に負荷され得る荷重の上限値である５０（ｇＦ）を採用した。
【０１２６】
また、上述した図７に示すように、実験に用いた入力装置１では、一定の荷重値でキー領域１０ａを押圧しているにもかかわらず、温度が低い場合（例えば５度や−５度の場合）には、キーを押圧している最中（第１の時刻から第２の時刻までの間）にデルタ値が徐々に増加する様子が観察された。これは、温度が低い場合には、荷重の負荷に対するキー領域１０ａの機械的な変形の応答性が低くなることを意味している。このような低温時での応答性を考慮して、デルタ値が略一定になる、一定の荷重を１（ｓｅｃ）間負荷した状態での後半３００（ｍｓ）間で測定されるデルタ値を、基準として採用した。
【０１２７】
（５−２．逆補正について）
以上説明したように、基準条件を決定することにより、当該基準条件におけるデルタ値の温度依存性を取得し、当該温度依存性を用いて補正倍率を設定することができる。ここで、基準条件において設定された補正倍率（すなわち、理想的な補正倍率）に基づいて、実際に各ノードで検出されたデルタ値に対して補正を行うことを考える。上述したように、基準条件において設定された補正倍率は、代表ノードにおけるデルタ値の温度依存性に基づいて設定されたものであり、当該補正倍率に基づいて補正を行うことにより、各ノードのデルタ値は、理想的には、当該代表ノードにおける常温でのデルタ値に補正されることとなる。
【０１２８】
図１６に、理想的な補正倍率によって補正されたデルタ値を示す。図１６は、荷重負荷中の経過時間と理想的な補正倍率によって補正されたデルタ値との関係を示すグラフ図である。図１６は、図７に対応する図であり、図７に示す各時間でのデルタ値に対して、上述した基準条件において取得される理想的な補正倍率で補正を施したものをプロットしている。図１６に示すように、理想的な補正倍率を用いることにより、各温度でのデルタ値が、常温（２５（度））でのデルタ値と略一致するように補正されていることが分かる。
【０１２９】
しかしながら、実際には、補正後のデルタ値が、常温でのデルタ値と完全に一致することは考え難い。何故ならば、各ノードにおけるデルタ値の温度依存性や、荷重の負荷状況、周辺温度の検出等には、少なからずばらつきが存在するからである。例えば、これらのばらつきに起因して、補正後のデルタ値が、代表ノードにおける常温でのデルタ値よりも大きくなってしまう状況が起こり得る。
【０１３０】
ここで、キーの入力状態判定処理では、例えば、デルタ値が所定のしきい値と比較され、デルタ値が当該しきい値よりも大きい場合に、当該キーの入力状態がＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定される。従って、補正後のデルタ値が、代表ノードにおける常温でのデルタ値よりも大きくなった場合には、当該補正後のデルタ値に基づく入力状態の判定処理では、よりＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定されやすくなる、すなわち、キー入力の検出感度がより高くなると考えられる。
【０１３１】
しかしながら、例えば、入力装置１では、ユーザがホームポジションに手を載せたり、ユーザが入力装置１の上に手を載せた状態でキーを探ったりする操作（以下、探り操作とも呼称する。）が行われ得る。このような探り操作は、タッチパネルを他の用途に適用した場合には行われない、キーボード特有の操作であると言える。探り操作時にユーザの意図に反してキーの入力が検出されてしまうと、ユーザの操作性を著しく損ねることになる。従って、入力状態判定処理においてデルタ値と比較されるしきい値は、探り操作時のキー入力の誤検出を防止し得るように、キーの検出感度が高くなり過ぎないように設定されている。よって、上記のように、温度補償を行ったことにより入力の検出感度が高くなったキーが存在すると、探り操作時のキーの誤検出が頻発し、ユーザの操作性がかえって低下してしまう事態が生じ得る。本明細書では、基準条件でのデルタ値よりも大きい値にデルタ値が補正されてしまうことを、便宜的に、逆補正と呼称することとする。
【０１３２】
そこで、本実施形態では、基準条件において設定された補正倍率に基づいて、逆補正を生じさせないような制約条件の下で、補正倍率の再設定を行う。具体的には、通常使用時に想定され得るどのような荷重負荷状況においても、入力装置１内の全てのノードでの補正後のデルタ値が、基準条件でのデルタ値よりも大きくならないようなマージンを持たせた補正倍率を、最終的な補正倍率として設定する。
【０１３３】
図１７を参照して、本実施形態における逆補正の防止を考慮した補正倍率の設定方法について説明する。図１７は、本実施形態における逆補正を考慮した補正倍率の設定方法について説明するための説明図である。図１７では、補正倍率を縦軸に取り、理想的な補正倍率と、逆補正を考慮して設定される最終的な補正倍率との関係を模式的に図示している。
【０１３４】
図１７に示すように、まず、基準条件に基づいて設定された補正倍率（すなわち、理想的な補正倍率）が設定される。次に、様々なばらつき要素（例えば、周辺温度の検出のばらつきや、キー間のばらつき、入力装置間のばらつき等）を考慮して、逆補正を生じさせないような制約条件（図中の制約条件１）に基づいて、最終的な補正倍率が設定される。
【０１３５】
また、最終的な補正倍率を設定する際には、制約条件１以外の他の制約条件が考慮されてもよい。図１７では、一例として、キーの戻り時間についての制約条件（制約条件２）と、隣接補償エリア間の補正倍率差についての制約条件（制約条件３）と、を図示している。
【０１３６】
制約条件２として挙げているキーの戻り時間についての制約条件とは、キー領域１０ａを押圧してから、キー領域１０ａの物理的な変形が元に戻るまでの時間に関する制約条件である。上記（１．入力装置の構成）で説明したように、入力装置１では、操作部材１０のキー領域１０ａの押圧量が、容量素子Ｃ１の容量変化量として検出される。従って、例えばキー領域１０ａから指を離した後であっても、操作部材１０が変形している間（操作部材１０と電極基板２０との距離が短くなっている間）は、ゼロではない所定の大きさのデルタ値が検出され続けることとなる。
【０１３７】
一方、入力装置１が接続されるＰＣ等の接続装置に一般的に適用されている各種のＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）には、キーボードにおいて同一のキーが押され続けた場合に、当該キーに対応する情報が連続して入力される機能（いわゆる、リピートキー機能）が実装されていることが多い。当該リピートキー機能では、所定の時間、同一のキーの入力状態がＫＥＹ  ＯＮ状態である場合に、当該キーの入力が連続して行われることとなる。リピートキー機能の実行が判定される、ＫＥＹ  ＯＮ状態の継続時間は、ＯＳの種類によっても異なるが、例えば、あるＯＳにおける当該継続時間は、３３（ｍｓ）に設定されている。上述したように、入力装置１では、キー領域１０ａから指を離した後も、操作部材１０が変形している間は所定の大きさのデルタ値が検出され続ける。従って、操作部材１０が元の形状に戻るまで比較的長い時間を要する場合には、リピートキー機能が実行されてしまい、ユーザの意図に反して同一のキーが連続して入力されてしまう可能性がある。
【０１３８】
ここで、図７及び図１６に示すように、常温よりも低い温度（−５（度）、５（度））で検出されたデルタ値が常温でのデルタ値になるように補正を行う場合には、低い温度で検出されたデルタ値の値が大きくなるように補正が行われることとなるため、例えばキー領域１０ａへの押圧を止めた時刻である第２の時刻以降のデルタ値も所定の補正倍率で大きくなるように補正が行われることとなる。従って、補正倍率が大きい場合には、第２の時刻以降のデルタ値が必要以上に大きく補正されてしまい、上述したようなリピートキー機能によるキーの誤検出が生じる可能性を高めてしまう。このように、理想的な補正倍率に対する制約条件として、リピートキー機能によるキーの誤検出を生じさせないようなキーの戻り時間が考慮されることが好ましい。具体的には、制約条件２が考慮される場合には、キー領域１０ａに対する操作入力が終了した時点から所定の時間内における補正後のデルタ値が、所定のしきい値を超えないように、補正倍率が設定される。当該所定の時間とは、リピートキー機能の実行が判定されるＫＥＹ  ＯＮ状態の継続時間であり、当該所定のしきい値とは、デルタ値と比較され、ＫＥＹ  ＯＮ状態の判定基準となるしきい値である。
【０１３９】
また、制約条件３として挙げている隣接補償エリア間の補正倍率差についての制約条件とは、温度の変化によって補正倍率が大きく変化することによるユーザの操作性の低下を考慮したものである。後述する図１８に示すように、本実施形態では、検出された温度に応じて複数の温度補償エリアを設け、温度補償エリアごとに補正倍率が変更される、周辺温度に対して段階的に補正倍率が設定され得る。補正倍率をこのように設定することにより、周辺温度に対して連続的に変化するように補正倍率を設定する場合に比べて、温度補償処理を行うプロセッサ（すなわち、例えば図８に示すメインＭＣＵ１２０）に要求される処理能力を低減することができ、コストを削減することができる。
【０１４０】
しかしながら、図１８に示すように段階的に補正倍率が設定される場合には、例えば温度が変化して温度補償エリアが変更されると、補正倍率が急激に変化することとなる。従って、補正倍率の変化量によっては、わずかな周辺温度の変化でキー入力の検出感度が急激に大幅に変化することとなり、ユーザビリティに影響を与える可能性がある。従って、理想的な補正倍率に対する制約条件として、このようなキー入力の検出感度の急激な変化を防ぐために、補償エリア間の補正倍率の変化量（補正倍率差）が、所定のしきい値を超えないような条件が考慮されることが好ましい。
【０１４１】
本実施形態では、上述したような様々な制約条件を考慮した上で、最も条件が厳しい制約条件に基づいて、理想的な補正倍率から最終的な補正倍率が設定されてよい。制約条件としては、例えば、キー入力の検出感度が高くなり過ぎることによるユーザの操作感の低下を抑制し得るような条件が考慮され得る。従って、最終的な補正倍率を用いて温度補償を行うことにより、よりユーザの操作性を向上させることが可能となる。
【０１４２】
ここで、図１７に示すように、本実施形態では、各種の制約条件が考慮された結果、最終的な補正倍率は、理想的な補正倍率よりも低い値となり得る。従って、ある温度で検出されたデルタ値に対して補正を行う場合を考えると、理想的な補正倍率によって補正を行った場合のデルタ値（これは、常温でのデルタ値と略一致するデルタ値）よりも、最終的な補正倍率によって補正を行った場合のデルタ値の方が小さい値となり得る。よって、最終的な補正倍率によって補正を行った場合のデルタ値に基づいて入力状態の判定が行われた場合には、常温時よりもキー入力の検出感度が低下する可能性がある。しかしながら、上述したように、補正後のデルタ値を用いることにより、常温時よりもキー入力の検出感度が高くなった場合には、探り操作時のキー入力の誤検出という不具合が生じ得る。そこで、本実施形態では、キー入力の検出感度が若干低下したとしても、探り操作時のキー入力の誤検出が頻発する事態が防止された方が、総合的なユーザビリティは向上するであろうとの考え方に基づいて、補正後のデルタ値が常温でのデルタ値を超えないように、図１７に示すような制約条件を設定している。ただし、図１７に示す例は一例であって、ユーザの操作性を向上させるという観点から設定され得る制約条件であれば、他の考え方に基づく制約条件が設定されてもよい。理想的な補正倍率に基づいて最終的な補正倍率が設定される際には、入力装置１が適用され得る様々なシステムを考慮して、ユーザの操作性を向上させるような各種の制約条件が適宜設けられてよい。
【０１４３】
また、本実施形態では、補正後のデルタ値が常温でのデルタ値を超えないような補正倍率は、常温よりも高い温度で検出されたデルタ値に対しても適用され得る。例えば、図７及び図１６に示す例であれば、４５（度）で検出されたデルタ値に対しては、理想的な補正倍率として設定され得る１よりも小さい補正倍率を、各種の制約条件を考慮して更に小さくすることにより、最終的な補正倍率が設定されることとなる。
【０１４４】
（５−３．デルタ値補正テーブルの設定）
以上説明したように、本実施形態では、基準条件に基づいて理想的な補正倍率が設定された後に、各種の制約条件に基づいて当該理想的な補正倍率が変更され、最終的な補正倍率が設定される。本実施形態では、入力装置１の動作保証範囲として設定されている温度領域を複数の領域（以下、温度補償エリアとも呼称する。）に分割し、各温度補償エリアに対して、最終的な補正倍率を設定することにより、温度補償エリアごとのデルタ値に対する補正倍率を表すデルタ値補正テーブルが設定される。
【０１４５】
図１８に、このようにして設定された、本実施形態に係るデルタ値補正テーブルの一例を示す。図１８は、本実施形態に係るデルタ値補正テーブルの一例を示す図である。図１８では、横軸に、ノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の、２５（度）でのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分値を取り、縦軸に補正倍率を取り、両者の関係をプロットしている。
【０１４６】
図１８に示す例では、横軸の２５（度）に対するＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値を１１の温度補償エリア＜−７＞〜＜３＞に分割し、各温度補償エリアに対して補正倍率が設定されている。なお、図１８では、横軸に２５（度）に対するＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値を取っているが、本実施形態はかかる例に限定されない。横軸としては周辺温度を取ってもよい。上記（４−１．ダミーノードを用いた温度検出処理）で説明したように、常温とのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値と、周辺温度とは、例えば図１２に示すようなダミーノードの温度特性に基づいて、１対１に対応する関係であるため、デルタ値補正テーブルの横軸としてどちらの値を取ったとしても、実質的には同様のデルタ値補正テーブルが設定され得るからである。また、図１８に示すように、デルタ値補正テーブルの横軸として常温とのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の差分値を取る場合には、上記（４−１．ダミーノードを用いた温度検出処理）で説明したように、温度検出部１２１は、温度検出処理として、当該差分値を計算する処理までを行えばよく、実際の周辺温度の値自体は計算しなくてもよい。当該差分値が分かれば、図１８に示すデルタ値補正テーブルを用いて、補正倍率を決定することができるからである。
【０１４７】
なお、温度補償エリアの設定方法は図示する例に限定されず、温度補償エリアは、入力装置１の動作保証範囲として設定される温度範囲や、Ｂａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値の温度依存性等のノードの特性に応じて、適宜設定されてよい。ここで、温度補償エリアを細かく設定することにより、より厳密に各温度に対する補正倍率を設定することができ、デルタ値の補正の精度（すなわち、温度補償の精度）も向上することが期待される。しかしながら、補正倍率をあまりにも詳細に設定してしまうと、温度補償時の信号処理の負荷が大きくなり、温度補償処理を行うプロセッサ（例えば図８に示すメインＭＣＵ１２０のプロセッサ）に高い処理能力が要求され、コストが増加することが懸念される。従って、温度補償エリアは、温度補償の精度として所定の精度が確保されることを前提として、このようなメインＭＣＵ１２０の性能とコストとのトレードオフを考慮して適宜設定されてよい。なお、コストの問題が解決され、より処理能力の高いプロセッサを用いることが可能であれば、周辺温度に対して連続的に（無段階に）変化する補正倍率が設定されてもよい。温度に対して連続的に（無段階に）変化する補正倍率が設定された場合には、上述した制約条件３は考慮する必要がなくなる。
【０１４８】
（５−４．温度補償時の処理）
以上説明したデルタ値補正テーブルが、入力装置１ごとに予め設定され、例えば入力検出システム２に設けられる記憶装置に格納されている。実際に使用時のデルタ値に対して温度補償が行われる際には、温度検出部１２１によって、ダミーノードにおける、検出されたＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値と、２５（度）でのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分が計算される（これは、すなわち、現在の周辺温度を検出する処理に対応する）。そして、当該計算結果に基づいて、補正量決定部１２２によって、現在の周辺温度に対応する補正倍率が決定されることとなる。補正量決定部１２２は、上述した記憶装置を参照することにより、デルタ値補正テーブルに基づいて、現在の温度に対応する温度補償エリア、及び、当該温度補償エリアに対応する補正倍率を決定することができる。
【０１４９】
補正量決定部１２２は、決定した補正倍率についての情報を、デルタ値補正部１２３に提供する。デルタ値補正部１２３は、決定された補正倍率を用いて、打鍵されたキーに対応するノードから検出されたデルタ値を補正する。具体的には、デルタ値補正部１２３は、決定された補正倍率を、打鍵されたキーに対応するノードにおいて検出されたデルタ値に乗じることにより、当該デルタ値を補正することができる。デルタ値補正部１２３は、補正後のデルタ値を入力状態判定部１１４に提供する。入力状態判定部１１４において、補正後のデルタ値に基づいて入力判定処理が行われることにより、キー入力の検出感度が、例えば基準である２５（度）のときの感度を超えない範囲で、当該２５（度）のときの感度に近いものとなるため、感度が高くなり過ぎることによる不具合の発生を防止しつつ、使用環境の温度の変化によるユーザの操作性の低下を抑制することができる。
【０１５０】
以上、本実施形態に係る補正倍率決定処理について、特に事前に設定され得るデルタ値補正テーブルの設定方法について詳細に説明した。以上説明したように、本実施形態では、補正倍率が設定される際に、基準条件に基づいて理想的な補正倍率が設定された後に、各種の制約条件に基づいて当該理想的な補正倍率が変更され、最終的な補正倍率が設定される。当該制約条件としては、例えば、逆補正を生じさせないような制約条件、キーの戻り時間についての制約条件、及び／又は、隣接補償エリア間の補正倍率差についての制約条件等が考慮される。これらの制約条件を考慮した上で補正倍率が設定されることにより、よりユーザにとって利便性の高いキー入力の検出感度が実現されるような補正倍率が設定され得る。従って、このように設定された補正倍率を用いて打鍵時に検出されたデルタ値を補正し、補正後のデルタ値を用いて当該ノードに対応するキーの入力状態の判定が行われることにより、使用環境の温度が変化した場合であっても、入力装置１におけるユーザの操作性が損なわれないような温度補償が実現され得る。
【０１５１】
（６．情報処理方法（温度補償方法））
次に、図１９を参照して、本実施形態に係る入力検出システム２において行われる情報処理方法の処理手順について説明する。図１９は、本実施形態に係る情報処理方法の処理手順の一例を示すフロー図である。図１９に示す各処理は、図９に示す入力検出システム２の各機能によって実行され得る。なお、図１９に示すフロー図は、入力検出システム２において行われる一連の情報処理方法の中でも、本実施形態における特徴的な構成である、温度補償部１１２によって実行され得る温度補償方法の処理手順について主に図示している。
【０１５２】
図１９を参照すると、本実施形態に係る温度補償方法では、まず、現在のダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値が検出される（ステップＳ１０１）。ステップＳ１０１に示す処理は、例えば、上述した図９に示す静電容量検出部１１１によって実行され得る。
【０１５３】
次に、検出されたダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値と、常温（２５（度））でのダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分が計算され、当該差分に基づいて、温度補償エリアが決定される（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３における、ダミーノードにおける、検出されたＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値と、常温でのダミーノードのＢａｓｅ  Ｓｉｇｎａｌ値との差分を計算する処理は、例えば、上述した図９に示す温度検出部１２１によって実行され得る。また、ステップＳ１０３における、温度補償エリアを決定する処理は、例えば、上述した図９に示す補正量決定部１２２によって実行され得る。温度補償エリアは、例えば図１８に示すデルタ値補正テーブルにおける温度補償エリア＜−７＞〜＜３＞のことであり、温度補償エリアが決定されることにより、自ずと補正倍率も決定されることとなる。
【０１５４】
次に、ユーザの打鍵に応じたデルタ値が検出される（ステップＳ１０５）。ステップＳ１０５に示す処理は、例えば、上述した図９に示す静電容量検出部１１１によって実行され得る。ステップＳ１０５において検出されたデルタ値が、温度補償を施す対象となるデルタ値である。
【０１５５】
次に、ステップＳ１０３において決定された温度補償エリアに応じた補正倍率で、ステップＳ１０５において検出されたデルタ値が補正される（ステップＳ１０７）。ステップＳ１０７に示す処理は、例えば、上述した図９に示すデルタ値補正部１２３によって実行され得る。
【０１５６】
次に、ステップＳ１０７において補正された補正後のデルタ値に基づいて、当該デルタ値が検出されたノードに対応するキーの入力状態が判定される（ステップＳ１０９）。ステップＳ１０９に示す処理は、例えば、上述した図９に示す入力状態判定部１１４によって実行され得る。なお、図示は省略するが、ステップＳ１０５に示す処理からステップＳ１０９に示す処理までのいずれかの段階で、デルタ値が検出されたノードに対応するキーを特定する処理（当該処理は、例えば、上述した図９に示すキー特定部１１３によって実行され得る。）が行われており、ステップＳ１０９では、キーごとに設定されている入力状態判定条件に基づいて、キーの入力状態が判定される。キーの入力状態がＫＥＹ  ＯＮ状態であると判定されたキーに対応付けられた情報が、入力装置１が接続される接続装置に入力されることとなる。なお、ステップＳ１０９において行われる入力状態判定処理としては、一般的にタッチパネル式のキーボードの技術分野において用いられている、各種の公知の処理が行われてよい。
【０１５７】
以上、図１９を参照して、本実施形態に係る入力検出システム２において行われる情報処理方法の処理手順について説明した。
【０１５８】
（７．温度補償処理の結果）
図２０−図２２を参照して、以上説明した本実施形態に係る温度補償処理を、入力装置１に対して適用した結果について説明する。図２０は、温度補償を行わなかった場合における、入力装置１のデルタ値の荷重感度特性を示すグラフ図である。図２１は、本実施形態に係る温度補償を行った場合における、入力装置１のデルタ値の荷重感度特性を示すグラフ図である。図２２は、基準条件に基づいて設定される理想的な補正倍率によって温度補償を行った場合における、入力装置１のデルタ値の荷重感度特性を示すグラフ図である。
【０１５９】
図２０−図２２のいずれにおいても、２つのグラフ図を図示している。図中（ａ）は、上述した図７及び図１６に対応する図であり、横軸に時間を取り、縦軸に入力装置１におけるあるキー領域１０ａに対応するノードにおいて検出されたデルタ値を取り、両者の関係をプロットしたものである。図中（ａ）のグラフ図では、所定の第１の時刻において指を模した冶具を用いて所定の荷重（例えば５０（ｇＦ））でキー領域１０ａの押圧を開始した後、所定の第２の時刻で当該冶具をキー領域１０ａから離す操作を行い、その間の、押圧したキー領域１０ａに対応するノードのデルタ値の時間変化を図示している。なお、図２０（ａ）は、図７を再掲したものであり、図２１（ａ）は、図１６を再掲したものである。
【０１６０】
また、図中（ｂ）は、上述した図１５に対応する図であり、横軸にキー領域１０ａに対して負荷した荷重値を取り、縦軸に当該キー領域１０ａに設けられるノードにおけるデルタ値を取り、両者の関係をプロットしたものである。なお、図２０（ｂ）は、図１５を再掲したものである。
【０１６１】
まず、図２０を参照すると、温度補償を行わない場合には、例えば周辺温度が４５（度）である場合には、約３５（ｇＦ）小さい荷重値でキー領域１０ａを押圧しただけで、常温時と同等のデルタ値が検出されることとなる（すなわち、キーの入力が検出され易くなる）。また、例えば周辺温度が−５（度）又は５（度）である場合には、１００（ｇＦ）以上大きい荷重値でキー領域１０ａを押圧しないと、常温時と同等のデルタ値は検出されないこととなる（すなわち、キーの入力が検出され難くなる）。このように、温度補償を行わない場合には、温度が高い場合にはキー入力の検出感度が高くなり、温度が低い場合にはキー入力の検出感度が低くなるため、周辺温度の変化に応じて打鍵感が大きく変化してしまい、ユーザの操作性が損なわれる可能性がある。
【０１６２】
次に、図２２を参照すると、理想的な補正倍率を用いて温度補償を行った場合には、周辺温度がどれだけ変化した場合であっても、基準条件として設定されている５０（ｇＦ）でキー領域１０ａを押圧することにより、常温時と同等のデルタ値が検出されることとなる。しかしながら、理想的な補正倍率を用いて温度補償を行った場合には、各種のばらつき要因により、必ずしもすべてのノードが基準条件として設定されている代表ノードと同様の荷重感度特性を有するように補正されるとは限らない。例えば、あるノードにおける補正後のデルタ値が、代表ノードのデルタ値よりも大きくなってしまった場合には、当該ノードに対応するキー入力の検出感度は、代表ノードに対応するキー入力の検出感度よりも高くなってしまうことが考えられる。キー入力の検出感度が高くなり過ぎてしまった場合には、例えばホームポジションに手を置く操作や、入力装置１上でキーを探る操作といった、キーの入力を意図していない操作によって、キーの入力が誤検出されてしまう恐れがあり、ユーザの操作の自由度が制限されてしまう恐れがある。
【０１６３】
そこで、本実施形態では、このような逆補正を生じさせないような制約条件に基づいて補正倍率が設定され、温度補償が行われる。図２１には、逆補正を生じさせないような制約条件に基づいて設定された補正倍率を用いて温度補償を行った場合における、デルタ値の荷重感度特性を図示している。図２１を参照すると、本実施形態に係る温度補償を行った場合には、いずれの周辺温度の場合であっても、約７５（ｇＦ）大きい荷重値でキー領域１０ａを押圧することにより、常温時において５０（ｇＦ）で検出され得るデルタ値と同等のデルタ値が検出されることとなる。理想的な補正倍率を用いて温度補償を行った場合と比べて、常温時と同等のデルタ値を得るために必要な荷重値は大きくなるが、今回の実験から得られた結果（約７５（ｇＦ））は、入力装置１の製品としての仕様を満たすものであり、ユーザの操作性を損なうようなキー入力の検出感度の大幅な低下は生じないと考えられる。一方で、上述したようなキー入力の誤検出はより抑制されることとなるため、総合的なユーザの操作性としてはむしろ向上することとなる。
【０１６４】
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１６５】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【０１６６】
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する温度補償部、を備える、情報処理装置。
（２）前記温度補償部は、前記入力装置に設けられる温度検出素子の出力値に基づいて、前記周辺温度を検出する温度検出部と、検出された温度に基づいて、前記操作入力値に対する補正量を決定する補正量決定部と、決定された補正量を用いて前記操作入力値を補正する操作入力値補正部と、を有する、前記（１）に記載の情報処理装置。
（３）前記温度検出素子は、温度検出用に前記キー領域とは異なる領域に設けられる前記容量素子である、温度検出用容量素子であり、前記温度検出部は、前記温度検出用容量素子の容量値の温度依存性に基づいて、前記周辺温度を検出する、前記（２）に記載の情報処理装置。
（４）前記温度検出用容量素子は、前記入力装置において、前記キー領域に対して操作入力を行うユーザから見て奥側の端に対応する領域に設けられる、前記（３）に記載の情報処理装置。
（５）前記温度検出用容量素子は、前記入力装置とともに設けられる素子の発熱の影響を受けない領域に設けられる、前記（３）又は（４）に記載の情報処理装置。
（６）前記温度検出用容量素子は複数設けられ、前記温度検出部は、複数の前記温度検出用容量素子の容量値の統計値に基づいて、前記周辺温度を検出する、前記（３）〜（５）のいずれか１項に記載の情報処理装置。
（７）前記温度検出用容量素子は複数設けられ、前記温度検出部は、複数の前記温度検出用容量素子の容量値のうち、他の容量値との差分が所定のしきい値よりも大きい容量値を除外し、当該他の容量値に基づいて、前記周辺温度を検出する、前記（３）〜（５）のいずれか１項に記載の情報処理装置。
（８）前記温度検出用容量素子が設けられる領域では、前記温度検出用容量素子と前記操作部材との間の空間が、他の部材によって埋め込まれる、前記（３）〜（７）のいずれか１項に記載の情報処理装置。
（９）前記温度検出素子は、サーミスタ素子が搭載された温度検出用ＩＣである、前記（２）に記載の情報処理装置。
（１０）前記補正量は、検出された前記周辺温度に応じて設定される温度補償エリアごとに設定され、前記周辺温度に対して段階的に変化するように設定される、前記（２）〜（９）のいずれか１項に記載の情報処理装置。
（１１）前記補正量は、補正後の前記操作入力値が、基準となる温度での操作入力値を超えないように設定される、前記（２）〜（１０）のいずれか１項に記載の情報処理装置。
（１２）前記補正量は、前記キー領域に対する前記操作入力が終了した時点から所定の時間内における補正後の前記操作入力値が、所定のしきい値を超えないように設定される、前記（２）〜（１０）のいずれか１項に記載の情報処理装置。
（１３）前記補正量は、隣接する前記温度補償エリア間での前記補正量の差分が所定のしきい値を超えないように設定される、前記（１０）に記載の情報処理装置。
（１４）複数のキー領域を有し、当該キー領域への操作入力に応じて変形可能なシート状の操作部材と、前記キー領域の各々に対応する位置に少なくとも１つの容量素子を有し、前記操作入力に応じた前記キー領域と前記容量素子との距離の変化量を、前記容量素子の容量変化量として検出可能な電極基板と、周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する制御部と、を備える、入力装置。
（１５）プロセッサが、シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正すること、を含む、情報処理方法。
（１６）コンピュータのプロセッサに、シート状の操作部材上に設けられる複数のキー領域の各々に対する操作入力が、当該キー領域と、当該キー領域の各々に対応して設けられる容量素子と、の距離の変化に応じた前記容量素子の容量変化量として検出される入力装置の周辺温度に基づいて、前記キー領域に対する操作入力を表す操作入力値を補正する機能、を実現させる、プログラム。
【符号の説明】
【０１６７】
１    入力装置
１０    操作部材
１０ａ    キー領域
１０ｄ    ダミー領域
２０    電極基板
３０    第１の支持体
４０    シールド層
５０    接着層
６０    第１の支持体
１１０    コントローラＩＣ
１１１    静電容量検出部
１１２、１１２ａ    温度補償部
１１３    キー特定部
１１４    入力状態判定部
１１５    入力状態設定部
１２０    メインＭＣＵ
１２１、１２１ａ    温度検出部
１２２    補正量決定部
１２３    デルタ値補正部
１３０    インターフェースＩＣ
１４０    コネクタ
１５０、１５０ａ    制御部
１６０    温度検出用ＩＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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