(57)【要約】【課題】            複数の基板に熱硬化性樹脂を塗布してから、個々の基板毎に半導体チップを順次加熱圧着して実装する場合であっても、加熱圧着後の実装形態が、個々の基板間で差を生じない半導体チップ実装方法および半導体チップ実装装置を提供すること。【解決手段】        半導体チップおよび基板の少なくとも一方の電極が、弾性または塑性変形可能なバンプ電極で、基板に予め熱硬化性樹脂を塗布し、塗布後の前記熱硬化性樹脂を、前記熱硬化性樹脂のガラス転移点以下の所定の温度に予備加熱してから、半導体チップを基板にフリップチップ接合する半導体チップ実装方法であって、前記予備加熱を開始してから半導体チップをフリップ接合する迄の予備加熱時間を測定し、フリップチップ接合時の加圧力を、前記予備加熱時間の関数として設定することを特徴とする半導体チップ実装方法および半導体チップ実装装置を提供する。【選択図】          図１４
2015192104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップおよび基板の少なくとも一方の電極が、弾性または塑性変形可能なバンプ電極で、基板に予め熱硬化性樹脂を塗布し、塗布後の前記熱硬化性樹脂を、前記熱硬化性樹脂のガラス転移点以下の所定の温度に予備加熱してから、半導体チップを基板にフリップチップ接合する半導体チップ実装方法であって、
前記予備加熱を開始してから半導体チップをフリップ接合する迄の予備加熱時間を測定し、フリップチップ接合時の加圧力を、前記予備加熱時間の関数として設定することを特徴とする半導体チップ実装方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体チップ実装方法であって、
複数の基板に前記熱硬化性樹脂を塗布した後に、
個々の基板に半導体チップをフリップチップ接合するのに際して、
個々の基板毎に前記予備加熱時間を測定し、
フリップチップ接合時の加圧力を、前記予備加熱時間の関数として設定することを特徴とする半導体チップ実装方法。
【請求項３】
半導体チップおよび基板の少なくとも一方の電極が弾性または組成変形可能なバンプ電極である、半導体チップと基板を、熱硬化性樹脂を介して、フリップチップ接合する半導体チップ実装装置であって、
基板に熱硬化性樹脂を塗布する塗布部と、熱硬化性樹脂を所定の温度に加熱保持する予備加熱部と、半導体チップを基板にフリップチップ接合する実装部と、制御系によって構成され、
予備加熱開始以後の予備加熱時間を測定する機能と、半導体チップをフリップチップ接合する際の加圧力を前記予備加熱時間の関数として設定する機能を有していることを特徴とする半導体チップ実装装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体チップ実装装置であって、
前記塗布部は複数の基板に熱硬化性樹脂を塗布する機能を有し、
前記予備加熱部は、前記塗布部で熱硬化性樹脂を塗布した基板を一括して所定の温度に加熱保持する機能を有し、
前記実装部は、複数の基板に対し、個々の基板の予備加熱時間に応じた加圧力で半導体チップをフリップチップ接合する機能を有することを特徴とする半導体チップ実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを熱硬化性樹脂を介して基板にフリップチップ接合する、半導体チップ実装方法及び半導体チップ実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップまたは基板の少なくとも一方にバンプを形成し、半導体チップ側または基板側に熱硬化性樹脂等からなる封止剤を塗布するとともに、半導体チップをフェイスダウンの形で基板に近づけ、バンプを相対する電極パッドまたはバンプに当接させた後、バンプ電極を加熱溶融させて接合する半導体チップの実装方法はよく知られている（例えば特許文献１）。
【０００３】
この実装方法の一例を図２０を用いて説明する。図２０は、半導体チップ２にはピラーバンプ４が形成され、基板３にはハンダバンプ５が形成されている例を示す。
図２０（ａ）において基板３は基板保持ステージ９に吸着保持されており、基板３上の所定の位置にディスペンサ８によって所定量の熱硬化性樹脂６が塗布される（図２０（ｂ））。その後、ボンディングヘッド１１に保持された半導体チップ２と基板３を、半導体チップ２に設けられたアライメントマークと基板３に設けられたアライメントマークとを上下２視野の画像認識手段１２で認識し、ボンディングヘッド１１もしくは基板保持ステージ９をＸＹ方向（水平方向）およびθ方向（回転方向）に精密位置合わせをし（図２０（ｃ））、半導体チップ２を基板３の所定位置に加熱圧着している（図２０（ｄ）、（ｅ））。加熱圧着により、基板３のハンダバンプ５は溶融し、溶融したハンダバンプ５に半導体チップ２のピラーバンプ４が押し込まれて金属接合が形成されるとともに、熱硬化性樹脂６が加熱硬化され、接合と樹脂封止が同時に行える。
【０００４】
ここで、ボンディングヘッド１１が半導体チップ２を加熱圧着する際に必要な加圧力は、半導体チップ２のピラーバンプ４を基板３のハンダバンプ５に押し込む力に加えて、加熱硬化が進む熱硬化性樹脂６からの抗力に打ち勝って、半導体チップ２を押し込む力も必要になる。
【０００５】
ところで、半導体チップ２を熱硬化性樹脂６を介して基板３の所定の位置で加熱圧着する際に、熱硬化性樹脂６の粘度が高すぎると、（図２０（ｄ）から図２０（ｅ）にかけて）熱硬化性樹脂６は半導体チップ２と基板３の隙間を塗れ広がらずに空隙が残ることになる。そのため、熱硬化性樹脂６の粘度を事前に下げておく必要がある。このため、基板３に塗布されてから半導体チップ２を基板３に加熱圧着するまでの間で、熱硬化性樹脂６の予備加熱がステージヒータ１０の加熱により行われる。この予備加熱は熱硬化性樹脂６の硬化温度以下で行われるが、粘度が適正な値に低下するまでの一定時間の加熱を行う必要がある。
【０００６】
このため、基板３への熱硬化性樹脂６の塗布から半導体チップ２の加熱圧着までの一連の作業を１台の実装装置で行おうとすると、予備加熱のための時間を確保する理由から、生産効率が低下する。そこで、基板３への熱硬化性樹脂６の塗布および予備加熱を別装置で行った基板を実装装置に装着することが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２０３８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、生産性向上のため実装装置の基板保持ステージに複数の基板を配置し、各々の基板に半導体チップを順次実装していく方式や、複数の単位基板の集合体からなる基板を配置して各単位基板に半導体チップを順次実装していく方式が実用化されている。
【０００９】
前述のような基板に熱硬化性樹脂を塗布してから半導体チップを実装する方法を、このように複数箇所で順次行おうとした場合、箇所毎に予備加熱時間が異なることは避けられなくなる。すなわち、複数箇所に熱硬化性樹脂を塗布して予備加熱する場合、常温で全箇所に塗布をしてから一括で予備加熱するのが一般的であり、このような場合だと半導体チップを実装する順に従い、後で実装する箇所ほど熱硬化性樹脂の予備加熱時間は長くなる。
【００１０】
熱硬化性樹脂の予備加熱温度は一般的に７０℃前後で、ガラス転移温度よりも低いため、予備加熱時間が若干長くなっても影響がないと考えられるが、実際には、加熱圧着後の実装状態に大きな差が生じる。その例を図２１に示す。図２１（ａ）は基板３上の熱硬化性樹脂６に適正な時間の予備加熱を行った直後に半導体チップ２を加熱圧着した後の状態を示すが、図２１（ｂ）、図２１（ｃ）と予備加熱時間が長くなるほど、基板３のハンダバンプ５の潰れが大きくなり、半導体チップ２と基板３の間隔も狭くなっている。半導体チップ２と基板３の間隔が狭くなることにより、半導体チップ２周辺への熱硬化性樹脂６のはみ出しも生じる。
【００１１】
このような熱硬化性樹脂６の予備加熱時間と半導体チップ２を加熱圧着した後の実装状態との関係について、明確な理由は判っていないが、一般的に、予備加熱によって熱硬化性樹脂に含まれる硬化剤が気化して減少していることが影響していると考えられている。すなわち、熱硬化性樹脂に含まれる硬化剤が減るほど、半導体チップの加熱圧着を行う際の、熱硬化性樹脂の熱硬化が遅くなり、それだけ半導体チップに対する熱硬化性樹脂からの抗力が弱まる。このため、半導体チップを加熱圧着する際の加圧力が同じであるならば、予備加熱時間が長いほど、基板のハンダバンプが受ける力が大きくなるということである。
【００１２】
このような現象を防ぐために、複数の実装箇所全てで、熱硬化性樹脂の予備加熱開始から半導体チップの加熱圧着までの時間を一定にするという手法も考えられる。例えば、一定の予備加熱温度に維持された予備加熱ステージを用意して、半導体チップの実装間隔と同じ間隔で個々の箇所に熱硬化性樹脂を塗布する方法であるが、加熱状態の基板上にディスペンサ等の塗布部が常時配置される状態であり好ましくない。また、全箇所に塗布した後に、部分加熱可能な専用ステージで個々の箇所に予備加熱を行うことも考えられるが、個々の箇所毎の断熱等で装置が極めて高価なものとなる。
【００１３】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、複数の基板に熱硬化性樹脂を塗布してから、個々の基板毎に半導体チップを順次加熱圧着して実装する場合であっても、加熱圧着後の実装形態が、個々の基板間で差を生じない半導体チップ実装方法および半導体チップ実装装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、半導体チップおよび基板の少なくとも一方の電極が、弾性または塑性変形可能なバンプ電極で、基板に予め熱硬化性樹脂を塗布し、塗布後の前記熱硬化性樹脂を、前記熱硬化性樹脂のガラス転移点以下の所定の温度に予備加熱してから、半導体チップを基板にフリップチップ接合する半導体チップ実装方法であって、前記予備加熱を開始してから半導体チップをフリップチップ接合する迄の予備加熱時間を測定し、フリップチップ接合時の加圧力を、前記予備加熱時間の関数として設定することを特徴とする半導体チップ実装方法である。
【００１５】
請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体チップ実装方法であって、複数の基板に前記熱硬化性樹脂を塗布した後に、個々の基板に半導体チップをフリップチップ接合するのに際して、個々の基板毎に前記予備加熱時間を測定し、フリップチップ接合時の加圧力を、前記予備加熱時間の関数として設定することを特徴とする半導体チップ実装方法である。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、半導体チップおよび基板の少なくとも一方の電極が弾性または組成変形可能なバンプ電極である、半導体チップと基板を、熱硬化性樹脂を介して、フリップチップ接合する半導体チップ実装装置であって、基板に熱硬化性樹脂を塗布する塗布部と、熱硬化性樹脂を所定の温度に加熱保持する予備加熱部と、半導体チップを基板にフリップチップ接合する実装部と、制御系によって構成され、予備加熱開始以後の予備加熱時間を測定する機能と、半導体チップをフリップチップ接合する際の加圧力を前記予備加熱時間の関数として設定する機能を有していることを特徴とする半導体チップ実装装置である。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の半導体チップ実装装置であって、前記塗布部は複数の基板に熱硬化性樹脂を塗布する機能を有し、前記予備加熱部は、前記塗布部で熱硬化性樹脂を塗布した基板を一括して所定の温度に加熱保持する機能を有し、前記実装部は、複数の基板に対し、個々の基板の予備加熱時間に応じた加圧力で半導体チップをフリップチップ接合する機能を有することを特徴とする半導体チップ実装装置である。
【発明の効果】
【００１８】
複数の基板に熱硬化性樹脂を塗布してから、個々の基板毎に半導体チップを加熱圧着して実装する場合であっても、加熱圧着後の接合形態が、個々の基板間で差を生じないため、実装品質および歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明における一実施形態の実装装置の構成を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態に用いられる基板および基板ホルダを説明する図である。
【図３】本発明の一実施形態における基板を装着した基板ホルダを説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態における塗布部を説明する図である。
【図５】本発明の一実施形態における熱硬化性樹脂が塗布された基板および基板ホルダを説明する図である。
【図６】本発明の一実施形態における予備加熱部を説明する図である。
【図７】本発明の一実施形態における実装部を説明する図である。
【図８】本発明の一実施形態における実装部の動作を説明する図である。
【図９】本発明の一実施形態における実装部の動作を説明する図である。
【図１０】本発明の一実施形態における実装部の動作を説明する図である。
【図１１】本発明の一実施形態における熱硬化性樹脂の抗力測定を説明する図である。
【図１２】本発明の一実施形態における熱硬化性樹脂の抗力測定結果を示す図である。
【図１３】本発明の一実施形態における熱硬化性樹脂の抗力測定結果およびその近似曲線を示す図である。
【図１４】本発明の一実施形態におけ加圧力を予熱時間の関数として示す図である。
【図１５】本発明の実施例１で得た実測データである。
【図１６】本発明の実施例１の実測データから得た近似曲線を示す図である。
【図１７】本発明の実施例１における予備加熱時間毎の適正加圧力を示すデータである。
【図１８】本発明の実施例１における予備加熱時間と適正加圧力の相関を示す図である。
【図１９】本発明の実施例１の結果を説明する際に用いる図である。
【図２０】熱硬化性樹脂を介した半導体チップの実装に関わる工程を説明する図である。
【図２１】従来の課題を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明の一実施形態について、図面を用いて説明する。
【００２１】
図１は、複数の基板への熱硬化性樹脂の塗布から半導体チップ２の加熱圧着までの一連の作業を行う実装装置１の構成を示しており、塗布部１００、予備加熱部２００、実装部３００、および制御系４００から成っている。また、図２は、これらの装置で処理される基板３及び複数の基板を保持する基板ホルダ７の一例を示し、基板ホルダ７が基板３を装着した状態は図３に示すとおりである。図２および図３において、基板３は半導体チップ２との接続用にハンダバンプ５を有している。また、基板ホルダ７の空隙７Ｈでは基板３が収まりかつ固定されるようになっており、基板３は基板ホルダ７と底面が一致するように装着される。
【００２２】
塗布部１００は、図４に一例を示すように、基板ホルダ７に保持された個々の基板３に熱硬化性樹脂６を塗布する機能を有し、基板３を吸着保持する基板保持ステージ１０９とディスペンサ１０８を基本構成としており、図示していない移動機構により基板保持ステージ１０９とディスペンサ１０８の相対位置は移動可能であり、個々の基板３の所定位置に所定量の熱硬化性樹脂６を順次塗布するよう制御系４００によってコントロールされる。なお、個々の基板３に対するディスペンサ１０８の位置合わせは、個々の基板毎に図示しない画像認識装置にて認識して行っても良いが、基板ホルダ７のアライメントマーク７Ａ、７Ｂとの相対位置を目安としても良い。
【００２３】
塗布部１００によって基板ホルダ７に保持された全ての基板３に熱硬化性樹脂６が塗布された後の状態は図５のようになる。この状態の基板３を装着した基板ホルダ７は、予備加熱部２００へ移動する。
【００２４】
予備加熱部２００は、図６に一例を示すとおり、基板３を吸着保持する基板保持ステージ２０９と、基板保持ステージ２０９を加熱するためのステージヒータ２１０によって構成され、基板保持ステージ２０９による基板３の吸着有無やステージヒータ２１０の温度管理等は制御系４００によって行われる。予備加熱部２００では、基板ホルダ７に装着された基板３を基板保持ステージ２０９で吸着する前の段階で、基板保持ステージ２０９が一定温度に予熱されており、基板３が基板保持ステージ２０９に吸着された段階で、制御系４００が予備加熱開始からの時間を測定するとともに、基板保持ステージ２０９の温度が一定となるようにステージヒータ２１０をコントロールする。
【００２５】
必要最短の予備加熱を行った後、基板３を装着した基板ホルダ７は実装部３００に移動する。なお、基板３を装着した基板ホルダ７の移動に際して、人手で行ってもよいが、予備加熱後は素早く移動できるような専用の搬送ツールを用いることが望ましい。
【００２６】
基板３を装着した基板ホルダ７を実装部３００に配置した状態を図７に示す。図７において、実装部３００は、予備加熱部２００と同様に基板３を吸着保持する基板保持ステージ３０９と、基板保持ステージ３０９を加熱するためのステージヒータ３１０を備えており、予備加熱部２００と同条件での予備加熱を継続する。一方、ボンディングヘッド３１１は、フリップチップ接合を行うため、半導体チップ２のピラーバンプ４が基板３のハンダバンプ５と対向する状態で吸着保持する。なお、ボンディングヘッド３１１は昇降可能であり、加熱圧着を行うために、図示しない加圧機構に連結するとともに、半導体チップ２を加熱するためのヒータを有している。
【００２７】
個々の基板３に半導体チップ２を順次実装するため及び、半導体チップ２と基板３の精密位置合わせのために、ステージはＸ方向、Ｙ方向およびθ方向に移動可能になっている。ボンディングヘッド３１１も移動可能であって良いが、加圧動作を行うため剛性が必要であるため、移動範囲は限定的であることが望ましい。また、実装部３００は認識手段である２視野カメラ３１２を有し、２視野カメラ３１２はボンディングヘッド３１１と基板保持ステージ３０９の間に挿入できるように進退可能に構成されている。
【００２８】
実装部３００の構成要素は、塗布部１００および予備加熱部２００の場合と同様に制御系４００により制御されており、基板３を装着した基板ホルダ７が実装部３００に移動しても、予備加熱時間は予備加熱部２００での起点から連続して測定されている。
【００２９】
以下、図７の実装部３００によって、複数個の半導体チップ２を実装する動作について図８から図１０を用いて説明する。なお、図７から図１０は、基板保持ステージ３０９に、図５に示す基板ホルダ７および基板３が保持された状態で、図５における基板ホルダ７のＡ−Ａ断面から見た様子を示している。
【００３０】
まず、図８では２視野カメラ３１２がボンディングヘッド３１１と基板保持ステージ３０９の間に挿入され、半導体チップ２の下面および基板３の上面に記されたアライメントマークを同時に読み取り、ボンディングヘッド３１１または基板保持ステージ３０９のいずれかまたは両方を移動させて精密位置合わせを行う。
【００３１】
精密位置合わせ後に、図９のようにボンディングヘッド３１１が下降して半導体チップ２を加圧するとともに加熱することで、半導体チップ２のピラーバンプ４が基板３に塗布された熱硬化性樹脂６に潜り込みハンダバンプ５に押し込む形で接合するとともに、熱硬化性樹脂６が加熱硬化される。ここで、ボンディングヘッド３１１が下降する際の加圧力は、予備加熱開始から各基板３での半導体チップ２の加熱圧着を開始するまでの予備加熱時間の関数として設定するが、加圧力を求める関数の導出方法に関しては後述する。
【００３２】
この一連の実装作業が終了後、ボンディングヘッド３１１は上昇し、図示していない半導体チップ吸着反転ツールにより、新たな半導体チップ２がボンディングヘッド３１１に搬送されるとともに、基板保持ステージ３０９が移動して、次に半導体チップ２を実装すべき基板３がボンディングヘッド３１１の下に配置される（図１０）。この後は、先の説明と同様、２視野カメラ３１２を用いた精密位置合わせから加熱圧着に至る、一連の作業が行われる。
【００３３】
また、基板ホルダ７に保持されたの全ての基板３への半導体チップ２の実装作業が完了した後は、基板保持ステージ３０９による吸着保持は解かれ、図示していない搬送ツールにより、保持した基板３全てで実装が完了した基板ホルダ７は搬出されるとともに、熱硬化性樹脂６の予備加熱を行った基板３を保持した、新たな基板ホルダ７が搬入され、基板保持ステージ３０９により吸着保持される。
【００３４】
次に、接合時の加圧力を求める関数の導出方法について説明する。まず、関数を導出するための基礎となるデータを取得する方法を、例を用いて説明する。図１１（ａ）は、適量の熱硬化性樹脂６を塗布した平坦な基板３０を、基板保持ステージ３０９に吸着保持した状態でボンディングヘッド３１１で吸着保持した、半導体チップ２と対向配置し、半導体チップ２のピラーバンプ４の先端を熱硬化性樹脂６の表面に接触した状態である。この状態から半導体チップ２への加圧力を徐々に増し、熱硬化性樹脂６内にピラーバンプ４が入り込む（図１１（ｂ））のに必要な加圧力の最小値、すなわち硬化中の熱硬化性樹脂６から生じる抗力Ｐｒを求める、しかも、この抗力Ｐｒと予備加熱時間との関係をデータとして取得する。このデータの一例を図１２に示す。図１２において横軸（時間軸）は予備加熱時間として必要最短な時間を起点としているが、必要最短時間を超えると熱硬化性樹脂６の抗力Ｐｒが低下していく傾向が出ている。
【００３５】
このデータより、予備加熱時間と熱硬化性樹脂６の抗力Ｐｒの関係を示す近似式を求める。
図１３では、予備加熱時間として必要最短な時間を起点とし、それ以後の超過時間をΔＴとしており、熱硬化性樹脂６の抗力ＰｒはΔＴを変数とした近似式（図１３で点線で示した近似曲線）として求める事が出来る。
【００３６】
また、予備加熱時間として必要最短な時（ΔＴ＝０）の抗力Ｐｒ（０）に対するΔＴ後の抗力Ｐｒ（ΔＴ）の減少分をΔＰｒ（ΔＴ）として、ΔＴを変数として近似式が求まる。そこで、このΔＰｒ（ΔＴ）を用いて、実装時の適正な加圧力を算出する。すなわち、予熱時間が必要最短（ΔＴ＝０）での適正加圧力がＰ（０）とすれば、それ以後の超過時間ΔＴに適した加圧力を、図１４に示すように、Ｐ（ΔＴ）＝Ｐ（０）−ΔＰｒ（ΔＴ）として求めることが出来る。
【実施例１】
【００３７】
半導体チップとしては、サイズが８．０ｍｍ×８．０ｍｍ×厚さ７０μｍで、１５００個のピラーバンプを有しているものを用いた。ピラーバンプの材質は銅で、形状は直径３０μｍで高さ３０μｍであった。一方、基板は材質が耐熱ガラスエポキシで、サイズは１２．０ｍｍ×１２．０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍで、前記半導体チップのバンプに対応する位置にハンダバンプが形成されているものを用いた。基板のハンダバンプはＳｎ−Ａｇ系で、形状は直径８０μｍで高さ３０μｍであった。また、熱硬化性樹脂としては、ガラス転移温度が１７０℃のエポキシ系樹脂を用いた。
【００３８】
以上の半導体チップ、基板、熱硬化性樹脂の組み合わせでは、従来は、予備加熱が７０℃で３分以上、接合時のボンディングヘッドの設定温度が３２５℃で加圧力を１１５Ｎという条件が設定されていた。また、実装部が１つの半導体チップを基板に実装するのに要するサイクルタイムは２０秒であり、Ｎ個の半導体チップを実装するのに要する時間は２０×Ｎ秒になる。
（実施例１）
基板にハンダバンプが形成されていないこと以外は、前述と同仕様の半導体チップ、基板、熱硬化性樹脂を用いて、予備加熱時間と、熱硬化性樹脂の抗力の関係を調べた。その結果を数値で示したのが図１５である。図１５において、予備加熱超過時間とは７０℃で３分間加熱した段階をゼロとして、その後、７０℃でどれだけ加熱したかを示すものである。図１６は図１５の結果をグラフ化したものであり、表計算ソフト等を用いることにより、その近似曲線を数式化して近似式を得るができる。
【００３９】
この近似式を図１３と図１４の関係に当てはめ、予備加熱超過時間がゼロ（７０℃で３分の予備加熱）での加圧力を１１５Ｎとして、加圧力を予備加熱超過時間の関数として求めた結果が図１７および図１８である。
【００４０】
そこで、この予備加熱時間超過時間の関数としての加圧力を接合条件として設定して、その効果確認を行った。効果確認に際しては、図１９に示すような、ハンダバンプ５の表面に対するピラーバンプ４の押し込み長ＤＰにどのような変化が生じるかで調べた。この効果確認に際しては、４５個の基板を基板ホルダに保持し、各基板に半導体チップを接合することにより予備加熱超過時間が０〜２０秒×４４（＝８８０秒；１５分弱）について調べた。その結果、押し込み長ＤＰは、予備加熱超過時間が長くなるほど増す傾向はあるが、６〜１１μｍの範囲であった。
（比較例）
加圧力を１１５Ｎで一定にする以外は実施例１と同じ条件で押し込み長ＤＰの変化を調べたところ、予備加熱超過時間が長くなると増す傾向が顕著であり、６〜２２μｍにまでになり、押し込み長が２２μｍでは、ハンダバンプ自体が潰れたようなものもあった。
【００４１】
以上の比較例１の結果との比較から、実施例１は加熱圧着後の実装形態改善に効果があることは明確である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明における実装方法および実装装置では、熱硬化性樹脂を介してチップ部品を基板に実装する用途において、熱硬化性樹脂内にボイドを発生させず、しかもバラツキの少ない実装品質の要求される分野に適用することが出来る。
【符号の説明】
【００４３】
１    実装装置
２    半導体チップ
３    基板
４    ピラーバンプ
５    ハンダバンプ
６    熱硬化性樹脂
７    基板ホルダ
１００    塗布部
１０８    ディスペンサ
２００    予備加熱部
３００    実装部
３１１    ボンディングヘッド
４００    制御系
ＤＰ    押し込み長
【図１】
2015192104.tif 000003
【図２】
2015192104.tif 000004
【図３】
2015192104.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2015192104.tif 000012
【図１１】
2015192104.tif 000013
【図１２】
2015192104.tif 000014
【図１３】
2015192104.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2015192104.tif 000017
【図１６】
2015192104.tif 000018
【図１７】
2015192104.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2015192104.tif 000021
【図２０】
2015192104.tif 000022
【図２１】
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