(57)【要約】【課題】半導体素子の亀裂や破壊を防止することができる構成を備えた圧力センサを提供する。【解決手段】半導体素子３０は接合ガラス４０を介して金属ステム２０に固定されている。接合ガラス４０は、金属ステム２０のダイヤフラム２３から半導体素子３０の他面３２までの当該接合ガラス４０の厚みが半導体素子３０の一面３１から他面３２までの厚みよりも大きいものである。さらに、接合ガラス４０は、半導体素子３０の周囲を全周囲むと共に当該全周に渡って半導体素子３０の側面３３に接合されたフィレット部４１を有している。これにより、冷熱サイクルによる熱応力が半導体素子３０の側面３３に印加しにくくなり、半導体素子３０の側面３３が亀裂や破壊の起点にならないようにすることができる。したがって、半導体素子３０の亀裂や破壊を防止することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力が印加されることで歪むダイヤフラム（２３）を有する金属ステム（２０）と、
一面（３１）と、この一面（３１）とは反対側の他面（３２）と、前記一面（３１）及び前記他面（３２）に隣接する側面（３３）と、を有する板状のものであって、前記ダイヤフラム（２３）の歪みに応じたセンサ信号を出力する半導体素子（３０）と、
前記半導体素子（３０）の他面（３２）と前記ダイヤフラム（２３）との間に配置されると共に、前記半導体素子（３０）を前記ダイヤフラム（２３）に固定する接合ガラス（４０）と、
を備え、
前記半導体素子（３０）は、前記金属ステム（２０）よりも熱膨張係数が小さいものであり、
前記接合ガラス（４０）は、前記ダイヤフラム（２３）から前記半導体素子（３０）の他面（３２）までの当該接合ガラス（４０）の厚みが前記半導体素子（３０）の一面（３１）から他面（３２）までの厚みよりも大きいものであり、さらに、前記半導体素子（３０）の周囲を全周囲むと共に当該全周に渡って前記半導体素子（３０）の側面（３３）に接合されたフィレット部（４１）を有していることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記フィレット部（４１）のうち前記半導体素子（３０）の他面（３２）から側面（３３）における接合位置までの当該フィレット部（４１）の厚みをａと定義すると共に、前記半導体素子（３０）の他面（３２）から一面（３１）までの当該半導体素子（３０）の厚みをｂと定義すると、
前記フィレット部（４１）は、０．２≦ａ／ｂ≦１の条件を満たすように前記半導体素子（３０）の側面（３３）に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記半導体素子（３０）の一面（３１）の最大の長さは、前記半導体素子（３０）の一面（３１）の面方向における前記接合ガラス（４０）の最大の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記半導体素子（３０）の一面（３１）の面方向における前記ダイヤフラム（２３）の最大の長さは、前記半導体素子（３０）の一面（３１）の最大の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項５】
圧力が印加されることで歪むダイヤフラム（２３）を有する金属ステム（２０）と、
一面（３１）と、この一面（３１）とは反対側の他面（３２）と、前記一面（３１）及び前記他面（３２）に隣接する側面（３３）と、を有する板状のものであって、前記金属ステム（２０）よりも熱膨張係数が小さいものであり、前記ダイヤフラム（２３）の歪みに応じたセンサ信号を出力する半導体素子（３０）と、
前記半導体素子（３０）の他面（３２）と前記ダイヤフラム（２３）との間に配置され、前記ダイヤフラム（２３）から前記半導体素子（３０）の他面（３２）までの厚みが前記半導体素子（３０）の一面（３１）から他面（３２）までの厚みよりも大きいものであり、前記半導体素子（３０）を前記ダイヤフラム（２３）に固定する接合ガラス（４０）と、
を備えた圧力センサの製造方法であって、
ガラス材料（４２）を用意し、前記ガラス材料（４２）をガラス軟化温度以上、ガラス分解温度以下で熱処理することにより前記接合ガラス（４０）を形成して前記半導体素子（３０）を前記金属ステム（２０）に接合し、さらに、前記ガラス材料（４２）で前記半導体素子（３０）の周囲を全周囲むと共に当該全周に渡って前記半導体素子（３０）の側面（３３）に接合されたフィレット部（４１）を形成する工程を含んでいることを特徴とする圧力センサの製造方法。
【請求項６】
前記フィレット部（４１）を形成する工程では、前記ガラス材料（４２）として低融点ガラスによって形成されたものを用い、前記ガラス材料（４２）を５００℃以下で熱処理することを特徴とする請求項５に記載の圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属ステムのダイヤフラムに半導体素子が固定された圧力センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、圧力の印加によって歪むダイヤフラムを有するステムと、ダイヤフラムの上に固定された半導体素子と、を備えた圧力センサの構成が、例えば特許文献１に提案されている。半導体素子は、ダイヤフラムの歪みに応じたセンサ信号を出力するように構成されたセンサチップである。また、半導体素子はダイヤフラムの上に形成された金属膜を介してステムに固定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−６４５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、圧力センサが冷熱サイクルを受ける環境で使用される場合、半導体素子の側面部がステムの膨張収縮に基づく熱応力を受けてしまう。半導体素子がステムから受ける熱応力は、ステムの熱膨張係数と半導体素子の熱膨張係数との差が大きくなるほど顕著になる。このため、半導体素子の側面部が起点となって半導体素子に亀裂や破壊が生じてしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は上記点に鑑み、半導体素子の亀裂や破壊を防止することができる構成を備えた圧力センサを提供することを第１の目的とする。また、当該圧力センサの製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、圧力が印加されることで歪むダイヤフラム（２３）を有する金属ステム（２０）を備えている。また、一面（３１）と、この一面（３１）とは反対側の他面（３２）と、一面（３１）及び他面（３２）に隣接する側面（３３）と、を有する板状のものであって、ダイヤフラム（２３）の歪みに応じたセンサ信号を出力する半導体素子（３０）を備えている。さらに、半導体素子（３０）の他面（３２）とダイヤフラム（２３）との間に配置されると共に、半導体素子（３０）をダイヤフラム（２３）に固定する接合ガラス（４０）を備えている。
【０００７】
そして、半導体素子（３０）は、金属ステム（２０）よりも熱膨張係数が小さいものである。また、接合ガラス（４０）は、ダイヤフラム（２３）から半導体素子（３０）の他面（３２）までの当該接合ガラス（４０）の厚みが半導体素子（３０）の一面（３１）から他面（３２）までの厚みよりも大きいものであり、さらに、半導体素子（３０）の周囲を全周囲むと共に当該全周に渡って半導体素子（３０）の側面（３３）に接合されたフィレット部（４１）を有していることを特徴とする。
【０００８】
これによると、半導体素子（３０）の側面（３３）が半導体素子（３０）の周囲に全周に渡ってフィレット部（４１）に覆われているので、冷熱サイクルによる熱応力が半導体素子（３０）の側面（３３）に印加しにくくなる。したがって、圧力センサが冷熱サイクルに晒されたとしても半導体素子（３０）の側面（３３）が亀裂や破壊の起点にならないようにすることができる。したがって、半導体素子（３０）の亀裂や破壊を防止することができる。
【０００９】
請求項５に記載の発明では、ガラス材料（４２）を用意し、ガラス材料（４２）をガラス軟化温度以上、ガラス分解温度以下で熱処理することにより接合ガラス（４０）を形成して半導体素子（３０）を金属ステム（２０）に接合し、さらに、ガラス材料（４２）で半導体素子（３０）の周囲を全周囲むと共に当該全周に渡って半導体素子（３０）の側面（３３）に接合されたフィレット部（４１）を形成することを特徴とする。
【００１０】
これによると、接合ガラス（４０）を形成する際に、半導体素子（３０）の側面（３３）を半導体素子（３０）の周囲に全周に渡ってフィレット部（４１）で覆うことができる。このため、冷熱サイクルによる熱応力が半導体素子（３０）の側面（３３）に印加しにくい構造を得ることができる。したがって、冷熱サイクルにおいて半導体素子（３０）の亀裂や破壊を防止することができる構造を得ることができる。
【００１１】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る圧力センサの全体構造を示した断面図である。
【図２】図１のＡ矢視図である。
【図３】図２のIII−III断面図である。
【図４】圧力センサの製造工程におけるワークの断面図である。
【図５】半導体素子の厚みとフィレット部の厚みとの関係を示した図である。
【図６】半導体素子の厚みに対してフィレット部の厚みを変化させたときの冷熱サイクルにおける半導体素子及び接合ガラスの亀裂・破壊の有無を示した図である。
【図７】ａ／ｂが１の場合のフィレット部の断面を示した図である。
【図８】他の実施形態において、フィレット部の断面形状の一例を示した図である。
【図９】他の実施形態において、フィレット部の断面形状の一例を示した図である。
【図１０】他の実施形態において、フィレット部の断面形状の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る圧力センサは、例えば自動車のコモンレ−ル等の燃料噴射系における燃料パイプに取り付けられ、この燃料パイプ内の圧力媒体としての気体または気液混合気の高圧力を検出するものである。例えば、圧力センサは、２００ＭＰａ〜３００ＭＰａの高圧を検出するように構成されている。
【００１４】
図１に示されるように、圧力センサ１は、ハウジング１０、金属ステム２０、半導体素子３０、接合ガラス４０、及びコネクタケース５０を備えて構成されている。
【００１５】
ハウジング１０は、ステンレス等の金属材料が切削等により加工された中空形状のケースであり、その一端側の外周面には、被測定体である燃料パイプにネジ結合可能な雄ネジ部１１が形成されている。ハウジング１０の一端側には、ハウジング１０の他端側に形成された開口部１２に連通する貫通孔１３が形成されている。ハウジング１０の開口部１２は周壁１４に囲まれることで構成されている。
【００１６】
金属ステム２０は、圧力媒体が導入される圧力導入孔２１が設けられた中空筒形状の金属製の部材である。金属ステム２０は、例えばＳＵＳ４３０やＳＵＳ６３０を材料として形成されたものや、ＳＵＳ系でありクロム含有量が多い材料で形成されたものが採用される。金属ステム２０の熱膨張係数は例えば１１ｐｐｍ〜１４ｐｐｍである。
【００１７】
金属ステム２０は、圧力導入孔２１の一方を閉じるように中空筒形状の一端部２２に設けられていると共に圧力導入孔２１に導入された圧力媒体の圧力によって歪むダイヤフラム２３を有している。すなわち、ダイヤフラム２３は圧力の印加によって変形可能な薄肉状の受圧手段である。
【００１８】
また、金属ステム２０は、一端部２２側に圧力導入孔２１が設けられた筒部分よりも外周径が大きい段部２４を有している。コネクタケース５０側から金属ステム２０側を見たときの段部２４の平面形状は例えば円形になっている。そして、金属ステム２０の段部２４がハウジング１０の開口部１２の底面に環状に接触すると共に圧力導入孔２１が形成された筒部分がハウジング１０の貫通孔１３に取り付けられている。ハウジング１０に対する金属ステム２０の取り付けは、例えばネジ止め等によって行われる。これにより、圧力媒体が圧力導入孔２１を介してダイヤフラム２３に導入されることとなる。
【００１９】
半導体素子３０は、接合ガラス４０を介してダイヤフラム２３に接合され、ダイヤフラム２３の歪みに応じたセンサ信号を出力する圧力検出手段である。半導体素子３０は例えばシリコン基板等の半導体基板から形成された板状のものである。半導体素子３０は、金属ステム２０よりも熱膨張係数が小さいものである。半導体素子３０と金属ステム２０との熱膨張係数の差は例えば１３ｐｐｍである。
【００２０】
半導体素子３０は、一面３１と、この一面３１とは反対側の他面３２と、一面３１及び他面３２に隣接する側面３３と、を有している。本実施形態では、半導体素子３０の一面３１及び他面３２は四角形状になっている。
【００２１】
半導体基板には、複数のゲージ抵抗がホイートストンブリッジ回路を構成するように形成されている。これにより、半導体基板に圧力が印加されるとピエゾ抵抗効果により各ゲージ抵抗の抵抗値が変化する。したがって、ホイートストンブリッジ回路は各ゲージ抵抗の抵抗値の変化に基づいて圧力に応じたセンサ信号を出力する。なお、半導体基板には当該センサ信号に増幅処理等を行う図示しない増幅回路も形成されている。
【００２２】
金属ステム２０の段部２４の上には、半導体素子３０からのセンサ信号に応じた出力信号を生成する回路基板６０が配置されている。半導体素子３０は回路基板６０に対してボンディングワイヤ７０を介して電気的に接続されている。回路基板６０は、信号変換機能等を有するＩＣチップ等を有しており、半導体素子３０のセンサ信号がＩＣチップ等に入力されて出力信号に変換されるようになっている。
【００２３】
接合ガラス４０は、金属ステム２０の一端部２２のうちダイヤフラム２３において圧力導入孔２１とは反対側に設けられている。接合ガラス４０は半導体素子３０を金属ステム２０に取り付けるための接合手段である。
【００２４】
また、接合ガラス４０は、金属ステム２０のダイヤフラム２３から半導体素子３０の他面３２までの当該接合ガラス４０の厚みが半導体素子３０の一面３１から他面３２までの厚みよりも大きいものである。例えば、半導体素子３０の厚みは１００μｍであり、接合ガラス４０のうちダイヤフラム２３と半導体素子３０とに挟まれた部分の厚みは２５０μｍである。
【００２５】
上述のように金属ステム２０と半導体素子３０は熱膨張係数の差が大きいので、半導体素子３０及び接合ガラス４０には金属ステム２０の収縮に伴う熱応力が掛かる。したがって、接合ガラス４０の焼成過程における昇降温や、圧力センサ１の使用環境での冷熱サイクルから受ける熱応力に対する接合強度を得るため、接合ガラス４０は半導体素子３０よりも厚く形成されている。
【００２６】
コネクタケース５０は、出力信号を外部に出力するためのコネクタをなすものである。コネクタケース５０は、例えば樹脂材料で形成されており、ピン状のターミナル５１がインサート成形等により一体成形されている。ターミナル５１の両端部はコネクタケース５０から露出するように樹脂にインサート成形されている。
【００２７】
また、コネクタケース５０は、一端部５２がＯリング８０を介してハウジング１０の他端側に嵌め込まれた状態で、ハウジング１０の周壁１４の端部がコネクタケース５０を押さえるようかしめ固定されている。そして、ターミナル５１の一端側がターミナル９０を介して回路基板６０の端子と電気的に接続される。これにより、コネクタケース５０はハウジング１０と一体化してパッケージを構成し、当該パッケージ内部の半導体素子３０、回路基板６０、電気的接続部等を湿気・機械的外力より保護するようになっている。一方、ターミナル５１の他端側は、コネクタケース５０の他端側に設けられた開口部５３内に露出している。以上が、本実施形態に係る圧力センサ１の全体構成である。
【００２８】
次に、上記の圧力センサ１の構成において、金属ステム２０、半導体素子３０、接合ガラス４０の具体的な構成について説明する。図２に示されるように、半導体素子３０の一面３１の面方向におけるダイヤフラム２３の最大の長さは、半導体素子３０の一面３１の最大の長さよりも小さくなっている。
【００２９】
本実施形態では、ダイヤフラム２３の平面形状は円形であり、半導体素子３０の一面３１は正方形である。したがって、ダイヤフラム２３の直径の長さが半導体素子３０の一面３１の対角線の長さよりも小さくなっている。これにより、半導体素子３０の厚み方向において、半導体素子３０にゲージ抵抗が形成された領域とダイヤフラム２３とをオーバーラップさせることができる。
【００３０】
また、接合ガラス４０は、半導体素子３０の周囲を全周囲むと共に当該全周に渡って半導体素子３０の側面３３に接合されたフィレット部４１を有している。言い換えると、半導体素子３０の全外周部が所定の高さを持ったフィレット部４１で覆われている。フィレット部４１は、接合ガラス４０の一部であり、半導体素子３０の周囲に位置する部分である。
【００３１】
ここで、半導体素子３０の一面３１の最大の長さは、半導体素子３０の一面３１の面方向における接合ガラス４０の最大の長さよりも小さくなっている。本実施形態では、接合ガラス４０の平面形状は円形であり、半導体素子３０の一面３１は正方形である。したがって、半導体素子３０の一面３１の対角線の長さが接合ガラス４０の直径の長さよりも小さくなっている。これにより、半導体素子３０の側面３３だけではなく、２つの側面３３の接続部分である角部３４もフィレット部４１によって覆われている。
【００３２】
図３に示されるように、フィレット部４１は半導体素子３０の側面３３に接触している得部分が最も厚くなっており、半導体素子３０を中心に外側に向かって厚みが小さくなっている。すなわち、フィレット部４１はスロープ状に形成されている。なお、図２及び図３では、金属ステム２０のうち回路基板６０よりも内側を示している。
【００３３】
続いて、本実施形態に係る圧力センサ１の製造方法について説明する。まず、ハウジング１０、回路基板６０、ターミナル９０、Ｏリング８０、ターミナル５１がインサート成形されたコネクタケース５０を用意する。
【００３４】
また、図４に示されるワーク１００を構成する。具体的には、粒状ガラスが成形された固形状のガラス材料４２を用意する。ガラス材料４２は、低融点ガラスがタブレット状に形成されたタブレットガラスである。また、所定の半導体プロセスによって半導体素子３０を用意する。さらに、金属ステム２０を用意する。
【００３５】
そして、金属ステム２０の上に図示しない糊を配置し、糊を覆うように金属ステム２０の上にガラス材料４２を配置する。また、ガラス材料４２の上に糊を配置し、糊を覆うようにガラス材料４２の上に半導体素子３０を配置する。糊はガラス材料４２及び半導体素子３０の位置決めのために用いる。糊は薄く広がると共にガラス粒が押し固められたことによってできた隙間に入り込む。こうして、ワーク１００が完成する。
【００３６】
この後、ワーク１００を図示しない焼成治具に搭載すると共に図示しないリフロー炉に配置する。そして、所定の温度に管理されたリフロー炉をワーク１００が移動通過することでガラス材料４２をガラス軟化温度以上、ガラス分解温度以下で熱処理する。具体的には、５００℃以下（例えば４３０℃）で熱処理する。ガラス材料４２を５００℃以下で熱処理することにより、半導体基板によって形成された半導体素子３０が溶けないようにすることができる。
【００３７】
このようにガラス材料４２に熱処理を行うと、ガラス材料４２から接合ガラス４０を形成することができる。このとき、ガラス材料４２が溶けると共に半導体素子３０がガラス材料４２に沈んでいく。これにより、ガラス材料４２の一部で半導体素子３０の周囲を全周囲むと共に当該全周に渡って半導体素子３０の側面３３に接合されたフィレット部４１を形成する。すなわち、半導体素子３０を金属ステム２０に接合すると同時にフィレット部４１を形成する。言い換えると、フィレット部４１を接合ガラス４０の一部として形成する。また、接合ガラス４０を介して半導体素子３０を金属ステム２０に接合する。糊はガラス材料４２の熱処理によって焼失する。
【００３８】
なお、溶けたガラス材料４２に半導体素子３０を沈みやすくさせるために、半導体素子３０の上に錘を乗せた状態でガラス材料４２を加熱しても良い。
【００３９】
この後、金属ステム２０をハウジング１０の貫通孔１３に取り付けると共に、金属ステム２０の段部２４に回路基板６０を配置して半導体素子３０と回路基板６０とをワイヤボンディングすることで両者を電気的に接続する。この後、ハウジング１０にＯリング８０を介してコネクタケース５０をかしめ固定することで圧力センサ１が完成する。
【００４０】
上記のように製造した圧力センサ１において、発明者らは半導体素子３０の側面３３に接合するように形成されたフィレット部４１の厚みと接合ガラス４０及び半導体素子３０の亀裂・破壊との関係について調べた。
【００４１】
まず、発明者らは、図５に示されるように、フィレット部４１のうち半導体素子３０の他面３２から側面３３における接合位置までの当該フィレット部４１の厚みをａと定義した。また、半導体素子３０の他面３２から一面３１までの当該半導体素子３０の厚みをｂと定義した。そして、圧力センサ１を２５０℃と−４０℃との温度差の冷熱サイクルで２００サイクルさせると共に、ａ／ｂの値を変化させて接合ガラス４０及び半導体素子３０の亀裂・破壊の有無を調べた。なお、ａ／ｂの値毎に２０個のサンプルを製造して冷熱サイクル試験を行った。
【００４２】
さらに、図６に示されるように、本実施形態では、半導体素子３０の厚みｂを１００μｍに固定すると共に、フィレット部４１の厚みａを１００μｍから０μｍまで変化させた。その結果、ａ／ｂが０すなわちフィレット部４１が形成されていない場合は半導体素子３０が接合ガラス４０から剥離すると共に破壊が発生した。また、ａ／ｂが０．０５のとき、半導体素子３０に亀裂が発生すると共に、接合ガラス４０から半導体素子３０の一部が剥離した。さらに、ａ／ｂが０．１のとき、半導体素子３０に亀裂が発生した。
【００４３】
これに対し、ａ／ｂが１．０〜０．２までは半導体素子３０及び接合ガラス４０に亀裂及び破壊が発生しなかった。つまり、２０個のサンプル全てで亀裂及び破壊が発生しなかった。したがって、フィレット部４１は、０．２≦ａ／ｂ≦１の条件を満たすように半導体素子３０の側面３３に接合されていることにより、半導体素子３０に亀裂や破壊を生じさせないようにすることができる。なお、ａ／ｂが１の場合は、図７に示されるように、フィレット部４１が半導体素子３０の側面３３の全体を覆う形状となる。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の圧力センサ１では、半導体素子３０の全周に渡って半導体素子３０の側面３３に接合されたフィレット部４１を設けたことが特徴となっている。これにより、半導体素子３０の側面３３が半導体素子３０の周囲に全周に渡ってフィレット部４１に覆われているので、半導体素子３０の側面３３や角部３４が亀裂や破壊の起点にならないようにすることができる。したがって、半導体素子３０の亀裂や破壊を防止することができる。
【００４５】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された圧力センサ１の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、半導体素子３０の一面３１は四角形状（正方形）に限られじ、長方形でも良い。また、円形や楕円形でも良い。一面３１が円形の場合、半導体素子３０の一面３１最大の長さは円の直径に相当し、一面３１が楕円形の場合、半導体素子３０の一面３１の最大の長さは楕円の長軸に相当する。
【００４６】
ダイヤフラム２３の平面形状についても同じである。ダイヤフラム２３の平面形状が四角形の場合はダイヤフラム２３の最大の長さは対角線の長さに相当し、ダイヤフラム２３が楕円形の場合はダイヤフラム２３の最大の長さは長軸に相当する。さらに、接合ガラス４０の平面形状についても円形や楕円形に限られず、半導体素子３０の一面３１の平面形状に合わせて四角形状になっていても良い。
【００４７】
上記の実施形態では、ガラス材料４２として固形化したタブレットガラスを用いていたが、ペーストガラスを用いても良い。この場合、まず、ディスペンサー装置等でペーストガラスを金属ステム２０に塗布した後、所定の熱処理で接合ガラス４０を形成する。その後、接合ガラス４０の上に半導体素子３０を搭載してディスペンサー装置等で半導体素子３０の形状寸法に応じて半導体素子３０の外周部にペーストガラスを塗布し、熱処理することでフィレット部４１を形成することができる。
【００４８】
フィレット部４１は、上記の実施形態で示された形状に限られない。例えば、図８に示されるように、フィレット部４１が直線状のスロープではなくなだらかな段差状になっていても良い。また、図９に示されるように、フィレット部４１が半導体素子３０の側面３３の全体を覆いつつ、なだらかな段差状になっていても良い。さらに、図１０に示されるように、フィレット部４１の一部が半導体素子３０の側面３３に接合位置よりも半導体素子３０の一面３１側に位置するように盛り上がった形状でも良い。半導体素子３０に対するワイヤボンディングを考慮すると、フィレット部４１は半導体素子３０の一面３１を超えない高さであることが好ましい。
【符号の説明】
【００４９】
２０  金属ステム
２３  ダイヤフラム
３０  半導体素子
３１  一面
３２  他面
３３  側面
４０  接合ガラス
４１  フィレット部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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