(57)【要約】【課題】スクラブ洗浄工程で、パーティクル、有機物の除去性に優れるハードディスク基板用洗浄剤、およびハードディスク基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】アニオン性界面活性剤（Ａ）及び／又はキレート剤（Ｂ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤であって、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づくアルカリ金属カチオンの含有率が１００ｐｐｍ以下であり、洗浄剤を５重量％に希釈した液の２５℃におけるｐＨが７．０〜１２．５であるスクラブ洗浄工程において使用される磁気ディスク基板用洗浄剤。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アニオン性界面活性剤（Ａ）及び／又はキレート剤（Ｂ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤であって、前記洗浄剤の重量に基づくアルカリ金属カチオンの含有率が１００ｐｐｍ以下であり、前記洗浄剤を５重量％に希釈した液の２５℃におけるｐＨが７．０〜１２．５であるスクラブ洗浄工程において使用される磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
アニオン性界面活性剤（Ａ）及びキレート剤（Ｂ）を含有し、（Ｂ）の重量に対する（Ａ）の重量比［（Ａ）／（Ｂ）］が０．００１〜１０である請求項１に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項３】
該アニオン性界面活性剤（Ａ）が、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、脂肪酸（塩）基及びリン酸エステル（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有するアニオン性界面活性剤である請求項１又は２に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項４】
該キレート剤（Ｂ）が、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（塩）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、クエン酸（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）、及びヒドロキシエチル−イミノ二酢酸（塩）からなる群から選ばれる１種以上である請求項１又は２に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項５】
該アニオン性界面活性剤（Ａ）及び／又は該キレート剤（Ｂ）が、窒素含有塩基性化合物（Ｃ）からなる塩基との塩である請求項１〜４のいずれかに記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項６】
該窒素含有塩基性化合物（Ｃ）が、ジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、２−アミノエチル−エタノールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５からなる群から選ばれる１種以上である請求項５に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の磁気ディスク基板用洗浄剤をスクラブ洗浄工程において使用する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関する。
さらに詳しくは、電子材料の製造において、その表面の研磨の後の砥粒、研磨屑、有機物の除去に好適な磁気ディスク基板用洗浄剤、該磁気ディスク基板用洗浄剤をスクラブ洗浄工程において使用する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドの浮上量もますます小さくなってきている。そのため、磁気ディスク基板の製造工程で、砥粒や研磨屑、有機物等の残留のない基板が求められている。
【０００３】
磁気ディスク製造工程には、平坦化した基板を作成する工程であるサブストレート工程（１）と、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程（２）を含む。サブストレート工程（１）には、基板を粗く平坦化するグラインド工程を含む。
このうち、グラインド工程を含むサブストレート工程（１）では、基板の平坦化のために砥粒を含むスラリーによる研磨もしくは脂肪酸等を含むクーラントによる研削を行い、その後、スラリーおよび発生した研磨屑等のパーティクルをリンスして洗い流し、さらに、リンスで取り除けなかったパーティクルを後工程でスクラブ洗浄等の洗浄を行って完全に除去する。
【０００４】
一方、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程（２）では、搬送時や保管時に付着した異物を除去するためにスパッタリング前にスクラブ洗浄等の洗浄をおこなう。
【０００５】
近年の磁気ディスクのますますの高容量化に伴って、基板の清浄度がこれまで以上に求められるようになってきているため、従来よりも微細なサイズのパーティクルや有機物の残留を減らす高性能な洗浄剤が必要になってきている。
そのため、強固に基板に付着したパーティクル等の異物に対する洗浄性を向上させた洗浄剤が提案されている。例えば、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸とポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を含む洗浄剤が提案されている（特許文献１）。また、アルカリ金属の水酸化物、ヒドロキシカルボン酸と界面活性剤を含み、それぞれの濃度が一定範囲内にある洗浄剤が提案されている（特許文献２）。しかしながら、これらの洗浄剤は、基板に固着したパーティクルの除去性能が十分にあるとはいえず、清浄度は不十分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−０４６８０７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０９３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
洗浄剤を使用して基板表面を溶解させることによりパーティクルを剥離する際、キレート剤の添加により基板の溶解量を上げることが可能である。しかし、溶解したイオンがリンス時に析出し微細なパーティクルとなって基板に再付着する問題がある。また一方で、キレート剤の添加量を増やすことによりイオンの析出は防止することができるが、液の電気伝導度が上がるため、パーティクルや基板表面の電荷が遮蔽され、静電反発の効果が減少して、基板や研磨粒子から発生したパーティクルやイオンの析出によって発生したパーティクルが基板に再付着してしまう問題がある。アルカリ金属（塩）は同様に液の電気伝導度を上昇させる。
従って、本発明は、従来の洗浄剤に比べ、基板からの溶出成分由来の析出を抑制し、微細なパーティクルや有機物の除去性に優れ、清浄度が高い磁気ディスク基板用洗浄剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に至った。
すなわち、本発明は、アニオン性界面活性剤（Ａ）及び／又はキレート剤（Ｂ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤であって、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づくアルカリ金属カチオンの含有率が１００ｐｐｍ以下であり、洗浄剤を５重量％に希釈した液の２５℃におけるｐＨが７．０〜１２．５であるスクラブ洗浄工程において使用される磁気ディスク基板用洗浄剤；該磁気ディスク基板用洗浄剤をスクラブ洗浄工程において使用する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法；である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤は、磁気ディスク基板の製造工程において問題となる基板から発生する微細なパーティクルおよび有機物に対する洗浄性に優れる。  
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明において磁気ディスク基板とは、特に限定するものではなく、磁気ディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板等、およびＮｉ−Ｐメッキされる前の磁気ディスク用アルミ基板が挙げられる。
【００１１】
本発明においてスクラブ洗浄とは、洗浄ブラシを磁気ディスク基板に接触させて、その接触部分に洗浄液または水を供給しながら洗浄ブラシを回転させることにより、摩擦洗浄する方法である。
洗浄ブラシにはポリビニルアルコールを主成分とするスポンジなどが用いられ、形状はロール状とパッド状などがある。
【００１２】
本発明におけるアニオン性界面活性剤（Ａ）は、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、脂肪酸（塩）基及びリン酸エステル（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有するアニオン性界面活性剤である。具体的には、スルホン酸系界面活性剤（Ａ１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ａ２）、脂肪酸系界面活性剤（Ａ３）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ａ４）、及びこれらの酸（塩）基を含む高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）等が挙げられる。
【００１３】
本明細書における「（塩）」とは、塩を形成しているものを含んでいてもよいことを意
味する。本発明における塩の具体例としては、アンモニウム塩、アルカリ金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩等）、アルカリ土類金属塩（カルシウム塩、マグネシウム塩及びバリウム塩等）、及び窒素含有塩基性化合物（Ｃ）からなる塩基との塩等が挙げられる。塩は、単独でも２種以上を併用したものであってもよい。本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づくアルカリ金属カチオンの含有率が１００ｐｐｍ以下であり、アルカリ金属塩を使用する場合は、アルカリ金属カチオンの含有率を１００ｐｐｍ以下にする。
窒素含有塩基性化合物（Ｃ）としては、例えば、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記する）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝、アンモニウム及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）が挙げられる。
【００１４】
アニオン性界面活性剤（Ａ）が塩を形成している場合の塩として、基板への金属汚染防止の観点から好ましいのは、窒素含有塩基性化合物（Ｃ）からなる塩基との塩であり、更に好ましいのは、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アンモニウム及び第４級アンモニウムであり、特に好ましいのは１級アミン、２級アミン、アミジン及びアンモニウム、最も好ましくは、ジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、２−アミノエチル−エタノールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５である。
【００１５】
アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤（Ａ１）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。具体例としては、炭素数８のアルコールのスルホコハク酸ジエステル（塩）、ドデシルベンゼンスルホン酸（塩）等が挙げられる。
【００１６】
硫酸エステル系界面活性剤（Ａ２）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。具体例としては、炭素数１４のアルコールエチレンオキサイド３モル付加物硫酸エステル（塩）、炭素数８のアルコールエチレンオキサイド２モル付加物硫酸エステル（塩）、炭素数１２〜１３のアルコールの硫酸エステル（塩）等が挙げられる。
【００１７】
脂肪酸系界面活性剤（Ａ３）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。具体例としては、炭素数１３のアルコールエチレンオキサイド３モル付加物エーテルカルボン酸、炭素数１０の脂肪酸（塩）等が挙げられる。
【００１８】
リン酸エステル系界面活性剤（Ａ４）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐リン酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物のリン燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。具体例としては、炭素数８のアルコールのリン酸モノエステル（塩）、炭素数１２のアルコールのエチレンオキサイド２モル付加物のリン酸モノエステル（塩）等が挙げられる。
【００１９】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有し、３００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記する。）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。
【００２０】
本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌＩＩ（東ソー株式会社製）］。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。
【００２１】
（Ａ５）の具体例としては、以下の（Ａ５１）〜（Ａ５５）が挙げられる。
（Ａ５１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２２】
（Ａ５２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２３】
（Ａ５３）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２４】
（Ａ５４）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２５】
（Ａ５５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等が挙げられる。
【００２６】
（Ａ５）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
【００２７】
アニオン性界面活性剤（Ａ）のうち好ましいのは、パーティクルの再付着防止の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）である。
高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤（Ａ１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ａ２）、脂肪酸系界面活性剤（Ａ３）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ａ４）から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００２８】
キレート剤（Ｂ）としては、カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ１）、ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ２）及びその他のキレート剤（Ｂ３）が挙げられる。
カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ１）としては、水酸基を有するヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｂ１１）と水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｂ１２）がある。ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｂ１１）としては、クエン酸（塩）、乳酸（塩）、没食子酸（塩）等が挙げられる。水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｂ１２）としては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ヒドロキシエチル−イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、１，２−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）、マロン酸（塩）、コハク酸（塩）、グルタル酸（塩）、アジピン酸（塩）等が挙げられる。
【００２９】
ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ２）としては、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）、ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等が挙げられる。
（Ｂ２）が塩を形成している場合の塩として、基板への金属汚染防止の観点から好ましいのは、窒素含有塩基性化合物（Ｃ）からなる塩基との塩であり、更に好ましいのは、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アンモニウム及び第４級アンモニウムであり、特に好ましいのは１級アミン、２級アミン、アミジン及びアンモニウム、最も好ましいのは、ジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、２−アミノエチル−エタノールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５である。
【００３０】
その他のキレート剤（Ｂ３）としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン等が挙げられる。
【００３１】
キレート剤（Ｂ）のうちで、洗浄性向上の観点から好ましいのは、カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ１）及びホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ２）であり、更に好ましいのは、クエン酸（塩）、ＥＤＴＡ（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、ＨＩＤＡ（塩）、ＮＴＡ（塩）、ＮＴＭＰ（塩）、ＨＥＤＰ（塩）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（塩）、ピロリン酸（塩）等である。特に好ましいのは、ＨＥＤＰ（塩）、ＮＴＭＰ（塩）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（塩）、クエン酸（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、及びＨＩＤＡ（塩）である。
【００３２】
磁気ディスク基板用洗浄剤中のアニオン性界面活性剤（Ａ）の含有率は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、好ましくは０．００１〜１０重量％、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のキレート剤（Ｂ）の含有率は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、洗浄性の観点で好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。
【００３３】
また、（Ｂ）の重量に対する（Ａ）の重量比［（Ａ）／（Ｂ）］は、０．００１〜１０が好ましく、更に好ましくは０．００２〜９である。
【００３４】
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤を５重量％に希釈した液の２５℃におけるｐＨは、通常７．０〜１２．５であり、洗浄性の観点から、好ましくは１０．０〜１２．５である。
なお、本発明においてｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定される。
【００３５】
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤には、上記の（Ａ）〜（Ｃ）以外に、（Ａ）以外の界面活性剤（Ｄ）、安定化剤（Ｅ）、防錆剤（Ｆ）、防腐剤（Ｇ）を含有しても良い。
【００３６】
（Ａ）以外の界面活性剤（Ｄ）として、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤及び多価アルコール型非イオン界面活性剤等が挙げられる。アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤としては、炭素数８〜１８のアルコールアルキレンオキサイド１〜３０モル付加物、炭素数１〜１２のアルキルフェノールエチレンオキサイド１〜３０モル付加物、炭素数８〜１８の脂肪酸エチレンオキサイド１〜３０モル付加物、炭素数６〜２４の脂肪族アミンのアルキレンオキサイド１〜３０モル付加物、ポリプロピレングリコール（分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド付加物等が挙げられる。
多価アルコール型非イオン界面活性剤としては、グリセリンの脂肪酸エステル、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。具体例としては、炭素数１２のアルコールエチレンオキサイド９モル付加物、グリセリンモノオレート、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド３０モル付加物、等が挙げられる。
【００３７】
安定化剤（Ｅ）として、パラトルエンスルホン酸塩、安息香酸塩等が挙げられる。
【００３８】
防錆剤（Ｆ）として、市販の防錆剤を使用することができる。
【００３９】
防腐剤（Ｇ）として、市販の防腐剤を使用することができる。
【００４０】
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づくアルカリ金属カチオンの含有率が１００ｐｐｍ以下であり、洗浄性の観点から、好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
なお、磁気ディスク基板用洗浄剤中のアルカリ金属カチオンの含有率におけるアルカリ金属カチオンとは、アニオン性界面活性剤（Ａ）、キレート剤（Ｂ）がアルカリ金属塩を形成している場合にはそれらに由来するものや、（Ａ）以外の界面活性剤（Ｄ）、安定化剤（Ｅ）、防錆剤（Ｆ）、防腐剤（Ｇ）がアルカリ金属塩を含む場合には、それらに由来するものが含まれる。また、磁気ディスク基板用洗浄剤中にアルカリ金属化合物を含む場合には、そのアルカリ金属化合物に由来するアルカリ金属カチオンも含まれる。
アルカリ金属化合物としては、アルカリ金属塩（フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム及びヨウ化カリウム等）、アルカリ金属水酸化物（水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等）、アルカリ金属炭酸塩（炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム等）、アルカリ金属酸化物（酸化ナトリウム及び酸化カリウム等）、アルカリ金属アルコキシド（ナトリウムメトキシド及びカリウムメトキシド等）、及びアルカリ金属硫酸化物（硫酸ナトリウム及び硫酸カリウム等）等が挙げられる。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のアルカリ金属カチオンの含有率は磁気ディスク基板用洗浄剤を、必要であれば超純水で希釈し、ＩＣＰ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）で測定し、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に対するアルカリ金属カチオンの重量の割合（含有率）を算出して、計算した値である。アルカリ金属カチオンが２種類以上の場合には、各々の含有率を合計することにより計算する。
【００４１】
本発明の洗浄剤の有効成分の濃度は、運搬効率の観点からは、通常は０．１〜１００％であり、好ましくは０．２〜９０％、更に好ましくは０．５〜７０％、特に好ましくは１．０〜５０％である。
また、本発明の洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈することが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。
【００４２】
本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミ基板及びガラス基板に好適に使用できる。
【００４３】
本発明の別の実施態様は、上記の磁気ディスク基板用洗浄剤をスクラブ洗浄工程において使用する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
【００４４】
本発明の洗浄剤を磁気ディスク基板の製造に用いる場合、サブストレート工程のグラインド工程や１段階目の研磨後や２段階目の研磨後、あるいはメディア工程で用いることができる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。
【００４６】
実施例１〜２２、および比較例１〜１１
表１、２に記載の組成となるように、各成分を配合し、２５℃、マグネチックスターラーで４０ｒｐｍ、２０分間撹拌して、本発明の洗浄剤および比較のための洗浄剤１００部を得た。
上記洗浄剤をさらに超純水で２０倍希釈して、５重量％に希釈した性能試験用のサンプル液を作成し、その２５℃におけるｐＨを表１、２に記載した。
【００４７】
パーティクルとしてコロイダルシリカスラリーと、有機物としてラウリン酸に汚染された基板を以下のように調整し、該基板を用いて洗浄性を評価した。
＜汚染（パーティクル）＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカを用いて、磁気ディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板を研磨した。
【００４８】
基板を研磨した後、超純水で表面を１分間洗い流し、窒素でブローして乾燥することにより、汚染基板を調製した。
＜汚染（有機物）＞
磁気ディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板を５％のラウリン酸を含むイソプロパノールアミン／水塩水溶液に５分間浸漬した後、超純水で表面を１分間洗い流し、窒素でブローして乾燥することにより、汚染基板を調整した。
＜洗浄性試験＞
前述した汚染基板をカップ型のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）スポンジを用いて、常温（２５℃）の洗浄剤サンプル液を基板とスポンジの接触部分に供給しながら１０秒間スクラブ洗浄を行った。
スクラブ洗浄後、基板を取り出し超純水で１分間洗い流した後、窒素ガスでブローして乾燥して評価用基板を得た。
磁気ディスク用基板表面に光を当て、１００ｎｍ以上の異物があればそれに当たった反射光を増幅して検出する表面検査装置（ビジョンサイテック社製「Ｍｉｃｒｏ−Ｍａｘ  ＶＭＸ−７１００」）で観察し、画像解析ソフト「Ｓｉｇｍａｓｃａｎ」を用いて基板上の１ｃｍ四方に付着している異物の個数を数えた。
また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
以下の判断基準で洗浄性試験を判定し、判定結果を表１、２に示した。
【００４９】
【表１】
2015063677.tif 000002
【００５０】
【表２】
2015063677.tif 000003
【００５１】
[パーティクルの洗浄性試験の判断基準]
５：付着数がブランクの１／１００未満
４：付着数がブランクの１／１００以上１／２０未満
３：付着数がブランクの１／２０以上１／５未満
２：付着数がブランクの１／５以上１／２未満
１:付着数がブランクの１/２以上
【００５２】
＜飽和溶解量／電気伝導度＞
電気伝導度の測定には、ラコムテスターハンディータイプ導電率計ＣｙｂｅｒＳｃａｎ  ＣＯＮ１１０（アズワン株式会社）を用い、サンプル液を２５℃に温調して測定を行った。
飽和溶解量の測定は、サンプル液１００ｇが入った容器に、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板１枚又は磁気ディスク用ガラス基板５枚を浸漬し、５０℃で下記時間静置した後、溶出したニッケルまたはシリケートイオンをＩＣＰ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）で測定した。
ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板：２４時間
磁気ディスク用ガラス基板：７２時間
電気伝導度に対する飽和溶解量の比率を算出し、結果を表１、表２に示す。
【００５３】
表１、２の結果から明らかなように、実施例で示された本願発明の洗浄剤は、比較例の洗浄剤と比べて電気伝導度に対する飽和溶解度が高く、パーティクルと有機物に対する洗浄性に優れることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の磁気ディスク基板洗浄剤を使用することにより、清浄度が高い磁気ディスク基板を提供することができる。