(57)【要約】【課題】パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する処理を効率よく且つ適切に行う。【解決手段】レジストパターン１１が形成されたウェハ１０の表面１０ａのリンス液Ｒの除去処理において、先ず、ウェハ１０の表面１０ａにリンス液Ｒがある状態で、当該ウェハ１０の表面１０ａに対向し、且つリンス液Ｒに接するようにテンプレート２０を配置する。その後、ウェハ１０とテンプレート２０の間隔を一定に保った状態で、ウェハ１０とテンプレート２０の間からリンス液Ｒを流出させて除去する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去方法であって、
前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように液除去治具を配置し、
前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保った状態で、前記液体を除去することを特徴とする、液除去方法。
【請求項２】
前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去することを特徴とする、請求項１に記載の液除去方法。
【請求項３】
前記基板及び前記液除去治具を回転させ、前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去することを特徴とする、請求項２に記載の液除去方法。
【請求項４】
前記液除去治具には厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、
前記貫通孔から前記液体を流出させて除去することを特徴とする、請求項１に記載の液除去方法。
【請求項５】
前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、
前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させることを特徴とする、請求項４に記載の液除去方法。
【請求項６】
前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、
前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されることを特徴とする、請求項４又は５に記載の液除去方法。
【請求項７】
前記液除去治具を加熱することによって、前記液体を除去することを特徴とする、請求項１に記載の液除去方法。
【請求項８】
パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去装置であって、
前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように配置される液除去治具と、
前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保つ保持機構と、を有することを特徴とする、液除去装置。
【請求項９】
前記基板及び前記液除去治具を回転させる回転機構をさらに有することを特徴とする、請求項８に記載の液除去装置。
【請求項１０】
前記液除去治具には、前記基板と前記液除去治具の間の前記液体を流出させるために厚み方向に貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項８に記載の液除去装置。
【請求項１１】
前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、
前記液排出部は、前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させるように設けられていることを特徴とする、請求項１０に記載の液除去装置。
【請求項１２】
前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、
前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の液除去装置。
【請求項１３】
前記液除去治具を加熱する加熱機構をさらに有することを特徴とする、請求項８に記載の液除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去方法、及び当該液除去方法に用いられる液除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。そして、このレジストパターンをマスクとして、ウェハのエッチング処理が行われ、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンが形成される。
【０００３】
上述した各処理後にはウェハの表面が洗浄され、特に現像処理後の洗浄やエッチング処理後の洗浄処理では、パターンが形成されたウェハの表面が洗浄される。しかしながら、近年の半導体デバイスの高集積化に伴い、パターンの微細化と高アスペクト比化が進み、洗浄処理において、いわゆるパターン倒れの問題が大きくなってきている。パターン倒れは、洗浄処理のリンス液の除去工程において、リンス液が各パターン間から抜け出る際に、リンス液の表面張力によりパターンが引っ張られて倒れる現象である。そして、特にライン・アンド・スペース・パターンの場合、気相と液相の界面（気液界面）がパターンの長手方向（水平方向）に延伸するため、当該気液界面の長さに比例してパターンに作用するリンス液の表面張力が大きくなり、パターン倒れの問題が顕著となる。
【０００４】
かかるパターン倒れを抑制しつつ、ウェハ表面に残ったリンス液を除去する方法としては、従来、種々の方法が提案されている。例えば特許文献１には、リンス液によるリンス洗浄後に、ウェハ表面にリンス液よりも表面張力が小さい液剤、例えば有機溶剤を供給し、リンス液を液剤に置換してから当該液剤を除去する方法が開示されている。かかる場合、液剤の除去時にパターンに作用する表面張力を小さくし、パターン倒れを抑制する。
【０００５】
また、例えば特許文献２には、リンス液によるリンス洗浄後に、ウェハ表面に疎水化ガスを噴出する方法が開示されている。かかる場合、ウェハ（パターン）の表面を疎水化して、リンス液の除去時にパターンに作用する表面張力を小さくし、パターン倒れを抑制する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１０９８９７号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５８０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１、２に記載のいずれの方法を用いた場合でも、ウェハ表面の洗浄処理に必要なリンス液等に加えて、別途、液剤や疎水化ガスが必要になる。そうすると、これら液剤や疎水化ガスを供給するための工程数が増え、洗浄処理のスループットが低下する。また、使用される液剤や疎水化ガス自体にコストがかかり、さらには液剤や疎水化ガスを供給するための供給機構を設けるにもコストがかかる。このため、洗浄処理を効率よく行うには改善の余地がある。
【０００８】
また、特許文献１、２に記載のいずれの方法を用いた場合でも、パターンに作用する表面張力を小さくするのには限界がある。そうすると、例えばパターンの微細化と高アスペクト比化がさらに進んだ場合には、パターン倒れを防止できないおそれがある。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する処理を効率よく且つ適切に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去方法であって、前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように液除去治具を配置し、前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保った状態で、前記液体を除去することを特徴としている。
【００１１】
本発明によれば、基板と液除去治具との間隔を一定に保つことで、基板の表面から液体を除去する際、基板（パターン）と液除去治具の間で液体の表面張力を発生させて、当該パターンの深さ方向に気液界面を形成する。そうすると、従来のようにパターンの長手方向（水平方向）に延伸して形成された気液界面に比べて、本発明では気液界面をパターンの深さ方向（鉛直方向）に形成するので、その気液界面の長さを短くすることができる。したがって、パターンに作用する処理液の表面張力を小さくすることができ、パターン倒れを抑制することができる。しかも、上述した本発明の原理は、例えばパターンの微細化と高アスペクト比化が進んだ場合にも適用でき、液除去処理を適切に行うことができる。
【００１２】
また、本発明では、従来のように基板の表面上の液体以外の他の液体や気体を必要とせず、当該他の液体や気体を供給するための機構も必要としない。そうすると、液除去処理のスループットを向上させることができ、また当該液除去処理にかかるコストを低廉化することも可能となる。したがって、液除去処理を効率よく行うことができる。
【００１３】
前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去してもよい。かかる場合、前記基板及び前記液除去治具を回転させ、前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去してもよい。
【００１４】
前記液除去治具には厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔から前記液体を流出させて除去してもよい。かかる場合、前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させてもよい。また、前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されていてもよい。
【００１５】
前記液除去治具を加熱することによって、前記液体を除去してもよい。
【００１６】
別な観点による本発明は、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去装置であって、前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように配置される液除去治具と、前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保つ保持機構と、を有することを特徴としている。
【００１７】
前記液除去装置は、前記基板及び前記液除去治具を回転させる回転機構をさらに有していていもよい。
【００１８】
前記液除去治具には、前記基板と前記液除去治具の間の前記液体を流出させるために厚み方向に貫通する貫通孔が形成されていてもよい。かかる場合、前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、前記液排出部は、前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させるように設けられていてもよい。また、前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されていてもよい。
【００１９】
前記液除去装置は、前記液除去治具を加熱する加熱機構をさらに有していてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する処理を効率よく且つ適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ウェハの構成の概略を示す平面図である。
【図２】ウェハの構成の概略を示す縦断面図である。
【図３】洗浄処理後のウェハの様子を示す説明図である。
【図４】ウェハに対向してテンプレートを配置する様子を示す説明図である。
【図５】保持機構を用いてウェハとテンプレートの間隔を一定に保つ様子を示す説明図である。
【図６】リンス液を除去する様子を示す説明図である。
【図７】従来におけるリンス液の排出時に、レジストパターン間に形成される気液界面を示す説明図である。
【図８】本実施の形態におけるリンス液の排出時に、レジストパターン間に形成される気液界面を示す説明図である。
【図９】他の実施の形態にかかる保持機構の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】他の実施の形態においてリンス液を除去する様子を示す説明図である。
【図１２】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す平面図である。
【図１３】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１４】他の実施の形態においてリンス液を除去する様子を示す説明図である。
【図１５】他の実施の形態にかかるスピンチャックの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】他の実施の形態においてリンス液を除去する様子を示す説明図である。
【図１７】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１８】他の実施の形態においてリンス液を除去する様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態では、レジストパターンが形成された基板としてのウェハの表面をリンス液で洗浄した後、当該ウェハの表面のリンス液を除去する処理について、この液除去処理で用いられるウェハ及び液除去装置の構成と共に説明する。なお、以下の説明で用いる図面において、各構成要素の寸法は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の寸法に対応していない。
【００２３】
先ず、本実施の形態の液除去処理で用いられるウェハの構成について説明する。図１及び図２に示すように、ウェハ１０の表面１０ａにはレジストパターン１１が形成されている。レジストパターン１１は、フォトリソグラフィー処理を行い、すなわちウェハ１０上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理を順次行って形成される。レジストパターン１１は、ライン・アンド・スペース・パターンであって、本明細書では便宜上、凸に突起したライン部分をレジストパターン１１と称する。なお、ウェハ１０の表面１０ａには被処理膜（図示せず）が形成されており、当該被処理膜上にレジストパターン１１が形成される。
【００２４】
レジストパターン１１は、半導体デバイスの後工程で製造される半導体チップ１２（以下、「チップ１２」という場合がある。）毎に纏まって形成されている。チップ１２はウェハ面内均一に複数形成され、複数のチップ１２、１２間にはスクライブライン１３が格子状に形成されている。なお、スクライブライン１３とは、ウェハ１０が切断され複数のチップ１２に分割される際のラインのことである。本実施の形態で行われる洗浄処理は前工程であり、ウェハ１０の表面１０ａには、実際にはチップ１２とスクライブライン１３は形成されていないが、説明を容易にするため、図１及び図２中に点線で描図している。また、ウェハ１０の表面１０ａにおいてチップ１２が形成される領域は、本発明における半導体チップ領域に対応している。
【００２５】
次に、液除去装置の構成について説明する。液除去装置は、液除去治具としてのテンプレートと、ウェハとテンプレートの間隔を一定に保つ保持機構とを有している。テンプレートは、例えば略円盤形状を有し、ウェハ１０の平面視における形状と同一の形状を有している。テンプレートには例えば炭化珪素（ＳｉＣ）などが用いられる。保持機構は、ウェハ１０の外周部とテンプレートの外周部の複数箇所を保持して、ウェハとテンプレートの間隔を一定に保つ。
【００２６】
次に、以上のように構成されたウェハ１０及び液除去装置を用いた液除去処理について説明する。
【００２７】
図３に示すように洗浄処理が終了したウェハ１０の表面１０ａには、当該洗浄処理で使用したリンス液Ｒが残っている。本実施の形態では、このリンス液Ｒをウェハ１０の表面１０ａから除去する。
【００２８】
先ず、図４に示すようにテンプレート２０を、その表面２０ａがウェハ１０の表面１０ａに対向するように配置する。なお、図４において、テンプレート２０は、表面２０ａが下側で裏面２０ｂが上側になるように配置される。
【００２９】
その後、図５に示すように保持機構３０を用いて、ウェハ１０の外周部とテンプレート２０の外周部の複数箇所を保持する。そして、ウェハ１０の表面１０ａとテンプレート２０の表面２０ａの間隔が一定に保たれる。また、テンプレート２０は、その表面２０ａがリンス液Ｒに接するように配置される。
【００３０】
その後、吸引機構（図示せず）によって、図６に示すようにレジストパターン１１の一方の側からリンス液Ｒを吸引する。リンス液Ｒは、ウェハ１０とテンプレート２０の間から流出して除去される。このとき、ウェハ１０（レジストパターン１１）とテンプレート２０の間には、リンス液Ｒの表面張力が作用する。そうすると、リンス液Ｒと、ウェハ１０とテンプレート２０間の空気Ａとの間に、レジストパターン１１の深さ方向（Ｚ方向）に気液界面Ｆが形成される。そして、この気液界面Ｆを維持しつつ、リンス液Ｒはレジストパターン１１、１１間をその長手方向（Ｙ方向）に沿って流れる。
【００３１】
なお、ウェハ１０とテンプレート２０間の空気Ａは、当該ウェハ１０とテンプレート２０の側方から流入させてもよい。或いはテンプレート２０に空気孔（図示せず）を形成し、当該空気孔から空気Ａをウェハ１０とテンプレート２０間に流入させてもよい。
【００３２】
このようにリンス液Ｒがウェハ１０から除去される際、気液界面Ｆの長さが短いため、レジストパターン１１に作用する表面張力が小さくなる。このため、レジストパターン１１がパターン倒れすることがない。次に、このようにレジストパターン１１のパターン倒れを抑制できる理由について説明する。
【００３３】
従来、図７に示すようにレジストパターン１１、１１間からリンス液ｒを排出する際、リンス液ｒと空気ａの間の気液界面ｆは、レジストパターン１１の長手方向（Ｙ方向）に形成される。すなわち、気液界面ｆの長さＬはレジストパターン１１の長手方向の長さとなり、例えば４ｍｍと長くなる。そうすると、この気液界面ｆの長さＬに比例し、レジストパターン１１に作用する気液界面ｆにおけるリンス液ｒの表面張力が大きくなる。しかも、リンス液ｒを排出する際には、気液界面ｆが鉛直下方に下がる。このため、レジストパターン１１のパターン倒れが生じやすかった。
【００３４】
これに対して、本実施の形態の形態によれば、図８に示すようにレジストパターン１１、１１間からリンス液Ｒを排出する際、リンス液Ｒと空気Ａの間の気液界面Ｆは、レジストパターン１１の深さ方向（Ｚ方向）に形成される。すなわち、気液界面Ｆの長さＤはレジストパターン１１の深さ方向の長さとなって、例えば４μｍと短くなり、従来の気液界面ｆの長さＬに比べて極めて短くできる。このため、この気液界面Ｆの長さＤに比例し、レジストパターン１１に作用する気液界面Ｆにおけるリンス液Ｒの表面張力も極めて小さくできる。そして、リンス液Ｒを除去する際には、気液界面Ｆをレジストパターン１１の長手方向に移動させる。このため、レジストパターン１１のパターン倒れを確実に抑制することができる。
【００３５】
以上のように本実施の形態によれば、リンス液Ｒの除去時において、レジストパターン１１の深さ方向に気液界面Ｆを形成するので、レジストパターン１１に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン１１のパターン倒れを抑制することができる。しかも、この原理は、例えばレジストパターン１１の微細化と高アスペクト比化が進んだ場合にも適用でき、リンス液の除去処理を適切に行うことができる。
【００３６】
また、本実施の形態では、従来のようにリンス液Ｒ以外の他の液体や気体を必要とせず、当該他の液体や気体を供給するための機構も必要としない。そうすると、液除去処理のスループットを向上させることができ、また当該洗浄処理にかかるコストを低廉化することも可能となる。したがって、液除去処理を効率よく行うことができる。
【００３７】
なお、保持機構３０の構成は本実施の形態に限定されず、ウェハ１０の表面１０ａとテンプレート２０の表面２０ａの間隔を一定に保つものであれば、種々の構成を取り得る。例えば図９に示すように保持機構３０は、テンプレート２０の表面２０ａの外周部に設けられた複数の突起部３１を有していていてもよい。この突起部３１がウェハ１０の表面１０ａに当接して、ウェハ１０の表面１０ａとテンプレート２０の表面２０ａの間隔が一定に保たれる。
【００３８】
以上の実施の形態では、ウェハ１０とテンプレート２０の間からリンス液Ｒを流出させて除去していたが、テンプレート２０に形成された貫通孔からリンス液Ｒを除去してもよい。
【００３９】
図１０に示すようにテンプレート２０には、厚み方向に貫通する貫通孔２１が形成されている。貫通孔２１は、表面２０ａから裏面２０ｂまで貫通する細管であり、表面２０ａと裏面２０ｂにおいて開口している。また、貫通孔２１は、テンプレート２０の面内において任意の位置に複数設けられている。
【００４０】
かかる場合、図１１に示すようにテンプレート２０を、その表面２０ａがウェハ１０の表面１０ａに対向し、且つウェハ１０上のリンス液Ｒに接するように配置する。このとき、保持機構３０によって、ウェハ１０の表面１０ａとテンプレート２０の表面２０ａの間隔が一定に保たれる。そして、吸引機構（図示せず）によって、テンプレート２０の裏面２０ｂ側からリンス液Ｒを吸引する。リンス液Ｒは、貫通孔２１から流出して除去される。
【００４１】
本実施の形態においても、リンス液Ｒと空気Ａの間に、レジストパターン１１の深さ方向（Ｚ方向）に気液界面Ｆが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン１１に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン１１のパターン倒れを抑制することができる。
【００４２】
以上のように、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒを除去する方法は、当該ウェハ１０とテンプレート２０の間からリンス液Ｒを流出させて除去する方法や、テンプレート２０の貫通孔２１からリンス液Ｒを流出させて除去する方法等がある。いずれの方法においても、上記実施の形態では吸引機構（図示せず）を用いてリンス液Ｒを流出させていたが、リンス液Ｒを流出させる方法は、種々の方法を取り得る。
【００４３】
ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒを除去するため、例えばリンス液Ｒを毛細管現象によって流出させてもよい。図１２及び図１３に示すようにテンプレート２０には、表面２０ａから裏面２０ｂまで厚み方向に貫通する貫通孔２２が複数形成されている。貫通孔２２は、例えば矩形状の平面形状を有するスリット状に構成されており、表面２０ａにおいて開口している。また、貫通孔２２は、チップ１２、１２間のスクライブライン１３に対応する位置に形成されている。なお、技術的な理解を容易にするため、図１２中には、ウェハ１０のレジストパターン１１、チップ１２、スクライブライン１３を点線で図示している。また、貫通孔２２は、各チップ１２に対応して形成されていてもよいし、或いは複数のチップ１２に対して１箇所に形成されていてもよい。
【００４４】
各貫通孔２２には、リンス液Ｒを排出するための液排出部２３が当該貫通孔２２に連通して設けられている。液排出部２３は、テンプレート２０の裏面１０ｂに設けられている。液排出部２３はリンス液Ｒを排出して収容する所定の容積を有し、液排出部２３には例えば多孔質体が用いられる。
【００４５】
以上のように貫通孔２２は細いスリット状であり、その内部のリンス液Ｒに毛細管現象を生じせしめる。また、例えばスポンジが水を吸収するように、多孔質体である液排出部２３はリンス液Ｒを吸収し、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒを汲み上げる役割を果たす。そして、貫通孔２２を通じて液排出部２３に進入したリンス液Ｒに対して、毛細管現象が働く。かかる場合、図１４に示すように、ウェハ１０とテンプレート２０の間にあるリンス液Ｒは、毛細管現象により、貫通孔２２を介して液排出部２３まで流通する。したがって、ポンプなどの外的な力を使用しなくても、リンス液Ｒを排出することが可能になる。
【００４６】
リンス液Ｒに対して毛細管現象を生じさせるための、貫通孔２２と液排出部２３の具体的な寸法については、公知のラプラスの式等を用いて算出することができ、或いはシミュレーションや実験等を行って導出することもできる。
【００４７】
なお、液排出部２３の構成は本実施の形態に限定されず、リンス液Ｒに対して毛細管現象を生じさせる構成であれば、種々の構成を取り得る。例えば液排出部２３は、貫通孔２２から複数の細溝に分岐した細溝構造を有していてもよい。このように貫通孔２２から液排出部２３に至るまでを細孔もしくは細溝で構成することにより、リンス液Ｒに対して毛細管現象が働き、リンス液Ｒを排出することができる。但し、液排出部２３として、多孔質体を用いた方が、細溝構造に比して製造が容易である。
【００４８】
かかる場合、図１４に示すようにテンプレート２０を、その表面２０ａがウェハ１０の表面１０ａに対向し、且つウェハ１０上のリンス液Ｒに接するように配置する。このとき、保持機構３０によって、ウェハ１０の表面１０ａとテンプレート２０の表面２０ａの間隔が一定に保たれる。そして、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒは、毛細管現象により、貫通孔２２を介して液排出部２３まで流通して除去される。
【００４９】
本実施の形態においても、リンス液Ｒと空気Ａの間に、レジストパターン１１の深さ方向（Ｚ方向）に気液界面Ｆが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン１１に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン１１のパターン倒れを抑制することができる。
【００５０】
しかも、貫通孔２２と液排出部２３は、チップ１２毎に設けられているので、当該チップ１２に形成されるレジストパターン１１、１１において、リンス液Ｒを適切に除去することができる。
【００５１】
また、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒを除去するため、例えばウェハ１０を回転させることによって、ウェハ１０とテンプレート２０の間からリンス液Ｒを流出させてもよい。液除去装置は、図１５に示すようにウェハ１０の裏面１０ｂを保持し、当該ウェハ１０を回転させる回転機構としてのスピンチャック４０を有している。スピンチャック４０は、駆動部（図示せず）によって鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００５２】
テンプレート２０には、厚み方向に貫通する貫通孔２４が形成されている。貫通孔２４は、表面２０ａから裏面２０ｂまで貫通する細管であり、表面２０ａと裏面２０ｂにおいて開口している。貫通孔２４は、テンプレート２０の中心部に１箇所形成されている。この貫通孔２４は、ウェハ１０とテンプレート２０の間に空気Ａを流入させるための孔である。但し、ウェハ１０とテンプレート２０の間に空気Ａを流入させる方法は任意であって、例えばウェハ１０とテンプレート２０の側方から空気Ａを流入させる場合、貫通孔２４を省略してもよい。
【００５３】
かかる場合、図１５に示すようにテンプレート２０を、その表面２０ａがウェハ１０の表面１０ａに対向し、且つウェハ１０上のリンス液Ｒに接するように配置する。このとき、保持機構３０によって、ウェハ１０の表面１０ａとテンプレート２０の表面２０ａの間隔が一定に保たれて、固定される。
【００５４】
その後、図１６に示すようにスピンチャック４０に保持されたウェハ１０を回転させる。そうすると、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒは、当該リンス液Ｒにかかる遠心力により、レジストパターン１１の長手方向に沿って外周部に拡散し流出する。
【００５５】
本実施の形態においても、リンス液Ｒと空気Ａの間に、レジストパターン１１の深さ方向（Ｚ方向）に気液界面Ｆが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン１１に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン１１のパターン倒れを抑制することができる。
【００５６】
また、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒを除去するため、例えばテンプレート２０を加熱して、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒを気化させてもよい。液除去装置は、図１７に示すようにテンプレート２０を加熱する加熱機構としてのヒータ５０を有している。ヒータ５０は、テンプレート２０の内部に設けられている。
【００５７】
かかる場合、図１７に示すようにテンプレート２０を、その表面２０ａがウェハ１０の表面１０ａに対向し、且つウェハ１０上のリンス液Ｒに接するように配置する。このとき、保持機構３０によって、ウェハ１０の表面１０ａとテンプレート２０の表面２０ａの間隔が一定に保たれる。
【００５８】
その後、図１８に示すようにヒータ５０によってテンプレート２０を加熱し、ウェハ１０とテンプレート２０の間のリンス液Ｒを加熱して気化させる。リンス液Ｒは、その外周部において空気Ａに接している面から気化する。この際、周囲の雰囲気を減圧すれば、リンス液Ｒの気化はさらに促進される。そして、リンス液Ｒが除去される。
【００５９】
本実施の形態においても、リンス液Ｒと空気Ａの間に、レジストパターン１１の深さ方向（Ｚ方向）に気液界面Ｆが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン１１に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン１１のパターン倒れを抑制することができる。
【００６０】
以上の実施の形態では、ウェハ１０の表面１０ａをリンス液Ｒで洗浄した後、当該リンス液Ｒを除去する処理を行う場合について説明したが、本発明は種々の液体を除去する処理に適用できる。
【００６１】
また、本発明が適用される液除去処理に応じて、ウェハ１０上に形成されるパターンもレジストパターン１１に限定されず、種々のパターンを取り得る。当該パターンは、例えばエッチング処理後の被処理膜のパターンであってもよいし、或いは半導体デバイスの金属パターンであってもよい。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００６３】
１０  ウェハ
１１  レジストパターン
１２  チップ
１３  スクライブライン
２０  テンプレート
２１  貫通孔
２２  貫通孔
２３  液排出部
２４  貫通孔
３０  保持機構
３１  突起部
４０  スピンチャック
５０  ヒータ
Ａ  空気
Ｆ  気液界面
Ｒ    リンス液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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