(57)【要約】【課題】レビュー装置に付随する元素分析ユニットでは、１個当たりの分析時間がかかり、全欠陥を元素分析しようとすると多大な時間を必要とするという問題がある。本発明の目的は、暗視野欠陥検査装置の欠陥特徴量とレビュー装置の欠陥特徴量を組み合わせることで、欠陥の元素分析を行うことができる方法とその結果を用いて、後段処理を判断又は指示することができる方法を提供することにある。【解決手段】  方位角の異なる方向に検出器を複数持つ光学顕微鏡装置で前記欠陥を検出したときの各検出器で検出した散乱光の強度信号を、走査型電子顕微鏡で前記欠陥を撮像した画像から得られる前記欠陥の大きさを用いて光学シミュレーション結果と比較することで、前記欠陥の元素を推定することを特徴とする。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
方位角の異なる方向に検出器を複数持つ光学顕微鏡装置で前記欠陥を検出したときの各検出器で検出した散乱光の強度信号を、走査型電子顕微鏡で前記欠陥を撮像した画像から得られる前記欠陥の大きさを用いて光学シミュレーション結果と比較することで、前記欠陥の元素を推定することを特徴とする欠陥分析方法。
【請求項２】
請求項１に記載の欠陥分析方法において、
前記比較の結果、前記各検出器で検出した散乱光の強度信号が前記光学シミュレーション結果と大きく異なる場合、前記欠陥に電子線を照射して元素分析を行うことを特徴とする欠陥分析方法。
【請求項３】
請求項１に記載の欠陥分析方法において、
前記光学顕微鏡装置はレビュー装置の内部に設けられていることを特徴とする欠陥分析方法。
【請求項４】
請求項１に記載の欠陥分析方法において、
前記光学顕微鏡装置は当該欠陥観察装置とは異なる外部の欠陥検査装置であることを特徴とする欠陥分析方法。
【請求項５】
請求項１に記載の欠陥分析方法において、
予め前記光学シミュレーションを行った結果を記憶装置に記憶し、前記欠陥の大きさに基づいて抽出された結果を前記記憶装置から読み出し、前記読みだされた結果と前記各検出器で検出した散乱光の強度信号を比較することを特徴とする欠陥分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造過程のウェハまたはチップにおける異物の元素を分析する欠陥分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハの欠陥検査装置としては、暗視野方式、明視野方式、ＥＢ（電子ビーム）方式など様々なものが開発され、微細化対応への進歩を遂げている。これらの検査装置で検出した欠陥位置情報を基にレビュー装置で欠陥の鮮明な画像取得を行い、この画像を用いて、自動で欠陥カテゴリが分類されている。このように欠陥の種類を自動で分類する技術をＡＤＣ（Automatic Defect Classification）という。
【０００３】
一方、暗視野欠陥検査装置においては、レビュー装置を介さず、ＡＤＣを行うことができる。これが暗視野欠陥検査装置の特徴の一つとなっている。暗視野欠陥検査装置にはレーザー散乱を検出する検出器が異なる方位に複数備えられている。暗視野欠陥検査装置を用いたＡＤＣでは、各検出器で検出される信号の強度から、形状、大きさ等を推測し、光学シミュレーションを用いて欠陥を分類する。光学シミュレーションにはウェハの物理特性（反射率、透過率等）、欠陥の形状、大きさ、物理特性が必要となっている。暗視野欠陥検査装置では、特に、レーザー散乱で欠陥を検出するため、異物を検出する能力が高い。
【０００４】
ここで、光学式欠陥検査装置で検出した欠陥をレビュー装置で詳細に観察する場合において、検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報を用い、欠陥の高さ、屈折率、材質を取得して、三次元解析を行うことができる方法が、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２３７５６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
欠陥の原因を特定するために、元素分析を行うことによって、発生源の特定に有効な情報の１つが得られる。この元素分析は、通常、レビュー装置に付随する元素分析ユニットで行い、分析を行うには時間がかかり、全欠陥を元素分析することは困難である。
【０００７】
この元素分析の時間短縮は、欠陥解析、または、原因特定の早期発見となるため、重要である。
【０００８】
本発明の目的は、暗視野欠陥検査装置の欠陥特徴量とレビュー装置の欠陥特徴量を組み合わせることで、欠陥の元素分析を行うことができる方法とその結果を用いて、後段処理を判断又は指示することができる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の実施形態は、半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置及び観察を行うレビュー装置で、欠陥を分類する欠陥分類方法を備えた欠陥分類装置において、欠陥検査装置から出力される欠陥の特徴量（各検出器から出力される信号量等々）及びレビュー装置から出力される欠陥の特徴量（欠陥サイズ、欠陥形状等々）から、光学シミュレーションを実施し、そこで得られる物理特性から、元素分析を可能とすることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の実施形態は、前記装置において、前記欠陥の特徴量と、光学シミュレーションを実施して得られる特徴量をデータベース化し、そのデータベースと比較することで、元素分析を可能とすることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の実施形態は、前記欠陥分類装置と元素分析を行う欠陥解析方法であって、元素分析した結果を表示することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の実施形態は、前記欠陥分類装置と元素分析を行う欠陥解析方法であって、元素分析した結果を元に再レビューを判断又は指示することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、元素分析が高速にでき、その結果を表示したり、元素分析結果を元に再レビューやＥＤＳ分析を判断又は指示したりすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体欠陥検査システムの構成の例とデータ通信の流れを示した図
【図２】欠陥検査装置１０１の構成の一例
【図３】レビュー装置１０２の構成の一例
【図４】欠陥データ処理部１０３及び、欠陥分類装置１０４の構成の一例
【図５】欠陥の元素分析手順のフローを示した図
【図６】個別信号量データ５０１の情報の一例
【図７】結果データ５０２の情報の一例
【図８】画像データ５０３の一例
【図９】光学シミュレーションの概念図
【図１０】光学シミュレーションの実施５０５の結果
【図１１】異なる材料のシミュレーション結果の一例
【図１２】光学シミュレーション結果と検査結果との比較
【図１３】図１３にウエハマップ表示の一例
【図１４】分類した結果の一例
【図１５】実施例２における全体構成図の例
【図１６】明視野欠陥検査装置の構成の一例
【図１７】実施例２における欠陥の元素分析手順のフローの例
【図１８】光学シミュレーション結果と検査結果との比較
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
本発明の全体構成について、図１を用いて説明する。半導体製造工程は通常、クリーンルーム１０５内にある。クリーンルーム１０５内には、製品ウェハの欠陥の検出を行う欠陥検査装置１０１およびウェハ上の座標に基づいて欠陥の観察を行うレビュー装置１０２を設置する。ここで、欠陥検査装置１０１は、暗視野（ＤＦ：Dark Field）欠陥検査装置であり、被検査デバイスの表面に発生した欠陥を検出する。また、レビュー装置１０２は欠陥検査装置１０１が検出した欠陥の座標情報を基に欠陥のレビューを行う。また、欠陥データ処理装置１０３は、欠陥検査装置１０１やレビュー装置１０２によって取得された結果データを保存する。欠陥分類装置１０４は、欠陥データ処理装置１０３から検査結果の情報を読み出し、この情報を用いて欠陥をその特徴量に基づいて決まる所定のカテゴリに分類する。また、欠陥検査装置１０１、レビュー装置１０２、欠陥データ処理装置１０３及び、欠陥分類装置間でデータを通信するために、各装置は通信ネットワーク１０６に接続されている。
【００１７】
次に、図１における各装置のデータ通信の流れについて説明する。
【００１８】
欠陥検査装置１０１で行った検査の結果データは、直接、欠陥検査装置１０１から、レビュー装置１０２へ転送しないで、欠陥データ処理装置１０３に保存する。レビューする場合、レビュー装置１０２から、欠陥データ処理装置１０３の結果データを参照して、レビューを開始する。レビューが終了した後、その結果データは、画像データと関連付けされて、当該画像データとともに欠陥データ処理装置１０３に保存される。欠陥分類装置１０４は、欠陥データ処理装置１０３に保存された結果データと画像データとを欠陥データ処理装置１０３から読み出し、これらのデータを用いて欠陥を分類し、分類結果を欠陥データ処理装置１０３に保存する。本実施例では、さらに、欠陥検査装置１０１からレビューするための結果データの他に、欠陥検査装置の各検出器で検出された信号量を表す個別信号量データが、欠陥検査装置１０１から出力される。
【００１９】
ここで、各装置について説明する。図２に欠陥検査装置１０１の構成の一例を示す。欠陥検査装置の１つである暗視野（ＤＦ：Dark Field）欠陥検査装置は、ステージ２０２、レーザー発振器２０３、検出器２０４等を備える。検出器は図２の通り、異なる傾斜角または方位角で複数備えられている。レーザー発振器２０３から、ウェハ２０１に向かってレーザーを照射し、その散乱光を検出器２０４で受ける。この検出器２０４は、断面図のように高さ方向、平面図のようにウェハ２０１の外周（方位方向）に配置された構成になっている。ステージ２０２が移動又は回転することで、ウェハ２０１全面を検査する。本実施例の欠陥検査装置は、この複数の検出器２０４で各欠陥について検出された信号量を個別信号量データとして出力する機能を有する。
【００２０】
図３にレビュー装置１０２の構成の一例を示す。レビュー装置１０２は、電子線を出力する電子光学鏡筒３０１と、ウェハ２０１を移動させるステージ３０２、２次電子を検出する二次電子検出器３０４、反射電子を検出する反射電子検出器３０５で構成されるＳＥＭ部と、光学顕微鏡部３０６、レーザー発振器３０７で構成される光学顕微鏡ユニットとを有する。電子光学鏡筒３０１には電子線を発生する電子源、電子線を収束する光学レンズ、電子線を偏向して試料上を走査する偏向器等が含まれる。さらに元素分析が可能なエネルギー分散型Ｘ線分析器３０３（ＥＤＳ）を有する構成になっている。光学顕微鏡ユニットでの観察とＳＥＭ部での観察とは、ステージ３０２が大きく移動することで切り替える。
【００２１】
図４に欠陥データ処理部１０３及び、欠陥分類装置１０４の構成の一例を示す。欠陥データ処理部１０３及び、欠陥分類装置１０４は、サーバーＰＣ、汎用ＰＣなどのコンピュータ４０１である。欠陥データ処理部１０３及び、欠陥分類装置１０４は、それぞれネットワークインターフェース部４０２、主記憶装置部４０３、ユーザーインターフェース部４０４を有する。
【００２２】
図５は、欠陥の元素分析手順のフローを示した図である。欠陥検査装置１０１から出力される個別信号量データ５０１と結果データ５０２とが欠陥データ処理装置１０３に保存される。レビュー装置１０２は、欠陥データ処理装置１０３に保存された結果データ５０２に基づいてレビューを行い、分類結果を欠陥データ処理装置１０３に出力し結果データ５０２に上書き保存される。また、レビューの結果である画像データ５０３も欠陥データ処理装置１０３に保存される。
【００２３】
ここで、各データについて説明する。図６に個別信号量データ５０１の情報の一例を示す。個別信号量データ５０１には、Lot ID、Processなどの情報が記載されているヘッダー部分と欠陥ID、欠陥座標、各検出器の信号量の情報が記載されている結果部分を有している。図７に結果データ５０２の情報の一例を示す。結果データ５０２には、個別信号量データ５０１と同様に、Lot ID、Processなどの情報が記載されているヘッダー部分と、欠陥IDに対して欠陥座標、サイズ、分類結果等の結果が記載されている結果部分とを有している。結果データ５０２が欠陥検査装置１０１から出力された場合、分類結果は記載されず、レビュー装置１０２でレビューを行った後に、レビューの結果である分類結果が上書きされる。図８に画像データ５０３の一例を示す。画像データには、レビュー装置１０２で撮像した画像ファイルと欠陥ＩＤやＳＥＭで計測したサイズなどの情報が入力されたテキストファイルがまとまったデータ群が含まれている。
【００２４】
次に欠陥分類装置１０４における内部フローを説明する。ここで出てくる光学シミュレーションとは、欠陥の形状（大きさ、高さを含む）、材料の反射率、透過率といった物理定数、欠陥検査装置１０１のレーザー発振器２０３から照射されるレーザーの波長等のパラメーターから、欠陥にレーザーが当たった際の散乱の状態を推定するものである。図９にシミュレーションの概念図を示す。ウェハ２０１の上にある欠陥９０１に対して、レーザー発振器２０３からレーザーが照射され、光が欠陥９０１に当たって散乱する状態をシュミレーションする。この時に必要となる欠陥の形状の情報を、図５の光学シュミレーションデータの抽出処理（ステップ５０４）で、欠陥データ処理装置に記憶されている情報から取得する。
【００２５】
次に、光学シミュレーションの実施処理（ステップ５０５）の結果を図１０に示す。本来、半球状である散乱光の強度分布を平面で示しており、図１０の場合の結果は、外周部１００１の散乱強度が強く、天井部１００２の散乱強度が弱い。これを、検出器２０４の位置に合わせ、個別信号データにすることで、図５の個別信号データ５０１と比較できるデータとなる。元素分析を行う場合は、レーザーの波長や検出器の位置等の欠陥検査装置１０１固有のデータを固定値とし、光学シュミレーションデータの抽出処理（ステップ５０４）で欠陥の形状やサイズを取得し、材料の物理定数をパラメーターとして、１つの欠陥に対して、異なる複数の材料でのシミュレーションを行いその結果を出力する。
【００２６】
図１１に異なる材料のシミュレーション結果の一例を示す。図１１は、傾斜角または方位角が異なって配置された検出器Ａ〜Ｆに対して、球状の異物から受ける散乱強度を示したグラフである。それぞれ、球状異物の材質は、Ａｌ、Ｓｉ、ＰＳＬ（Polystyrene latex）を示している。ＰＳＬは、異物検査の標準粒子として使用されている材質である。左側のグラフ１１０１は球状異物サイズ小、右側のグラフ１１０２は球状異物サイズ大の例を示している。異物サイズなどの物理特性を変化させると、それぞれの散乱強度が変化し、散乱強度分布は個別の特徴をもつ。このシミュレーション結果と個別信号量データ５０１を光学シミュレーションした結果を比較判定する（ステップ５０６）。
【００２７】
図１２に、ステップ５０６で光学シミュレーション結果と個別信号量データを比較した結果を示す。図１２では図１１に、個別信号量データで表される検査結果１２０２を重ねて表示している。光学シミュレーション結果と比較判定処理（ステップ５０６）では、欠陥検査装置の個別信号量データ５０１（図１２の検査結果１２０２）と光学シミュレーションの実施５０５の結果（図１２の１２０１）を比較し、より類似している方の元素と判定する。図１２の場合は、Ｓｉと類似しているため、分析結果は、Ｓｉとなる。ここでは例示のため、候補となる比較対象の元素は３種類のみしめしているが、実際にはこれに限られない。ただし、半導体ウェハの製造工程では使われる物質が決まっているため、異物や欠陥の原因となる元素は数種類に限られる。したがって、それらの候補に対してシミュレーションをすることが容易にできる。
【００２８】
次に結果の表示ついて説明する。図１３にウエハマップ表示の一例を示す。ウエハイメージ１３０１上にＳｉと分類した欠陥、Ａｌと分類した欠陥、ＳｉＯ2と分類した欠陥をそれぞれ、マークや色変えて個別に表示する（ステップ５０７）。欠陥分類装置のモニタに、特定の種類の欠陥のみを表示するようにユーザが指定することが可能なＧＵＩを表示してもよい。これによって、Ｓｉの欠陥のみやＳｉ＋ＳｉＯ2の欠陥のみを表示が可能となる。図１４に、分類した結果の別の表示例を示す。図１４では分析結果の元素毎のヒストグラムで表示されている。Ｓｉの棒をクリックすると、Ｓｉと分類された画像の一覧を表示する機能や、図２と連動して、ウエハマップが表示する機能を有してもよい。
【００２９】
次に図５の再レビュー＆ＥＤＳ判定処理（ステップ５０８）について説明する。レビューを実施する場合、欠陥個数が多い場合には、７０〜１００個上限にサンプリングのレビューを実施している。例えば、図１３の場合、Ｓｉとされた欠陥には、ウェハ上の分布に偏りがあり、この部分を選択することで、未レビュー欠陥を含め、偏り領域からサンプリングを行い再レビュー及びＥＤＳを実施するように指示をする。例えば、分析結果と信頼性を高めるため、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｉＯ2から、サンプリングをし、再レビュー及びＥＤＳを実施するように指示をする。また別の例としては、例えば、図１４においてＳｉの棒グラフ部をクリックすると、Ｓｉのサンプリングをし、再レビュー及びＥＤＳを実施するように指示をする。サンプリング形態においては、ランダムサンプリング、分布やクラスタを考慮したサンプリング等を使い分けてもよい。
【実施例２】
【００３０】
本実施例では、暗視野検査装置だけでなく明視野（ＢＦ：Ｂｒｉｇｈｔ  Ｆｉｅｌｄ）検査装置も行える装置の例を説明する。図１５は、実施例２における全体構成図の例である。
【００３１】
図１の全体構成図うち、既に説明した図１に示された同一の符号を付された構成と、同一の機能を有する部分については、説明を省略する。欠陥検査装置には、大きく明視野欠陥検査装置１５０２と暗視野欠陥検査装置１５０３の２種類がある。明視野欠陥検査装置１５０２は、画像比較方式を採用しており、暗視野欠陥検査装置１５０３は、散乱光方式である。画像比較方式の場合には通常上記のように複数の方位角で設置された検出器の信号強度分布は得られないため、実施例１で述べた方法をそのまま適用することはできない。本実施例では、個別信号量データの出力を有しない欠陥検査装置に対し、簡易的に元素推定が実施できる構成を説明する。
【００３２】
ここで、図１６に明視野欠陥検査装置の構成の一例を示す。ステージ１６０２の上にあるウェハ２０１が移動し、光学顕微鏡部１６０１で、画像を取得する。画像処理ユニット１６０３にて、画像比較を行い、欠陥を判定するという構成となっている。
【００３３】
明視野欠陥検査装置１５０２では、座標情報等が入った結果データを出力する。この結果データを元にレビューを実施する。その際に、個別信号量データは出力できないため、代わりにレビュー装置１０２内にあるＤＦＯＭ１５０１（図３の光学顕微鏡部３０６、レーザー発振器３０７で構成される光学顕微鏡ユニット）に検出器を複数取り付け、暗視野欠陥検査装置と同等の個別信号量データを取得できるようにする。このユニットを使用し、レビュー装置のＤＦＯＭ１５０１で個別信号量データを取得する。この個別信号量データは欠陥データ処理装置に記憶される。これによって、欠陥データ処理装置１０３には、個別信号量データ、結果データ、画像データが揃い、実施例１で述べた方法と同様に欠陥の元素を推定できる。
【実施例３】
【００３４】
実施例１では欠陥データ処理装置からの情報に基づいてリアルタイムに光学シミュレーションを実施する例を説明したが、シミュレーションは予め行っておきその結果をデータベース化しておいてもよい。光学シミュレーションを実施するのに、時間を要するため、予め主要な欠陥に対して、光学シミュレーションを実施しデータベース化することで、分析に要する時間を短縮することができる。本実施例では予めシミュレーションした結果をデータベース化しておき元素分析のときにはデータベースの情報と個別信号量データを比較する装置の例を説明する。
【００３５】
図１７は、実施例３における欠陥の元素分析手順のフローの例である。図１７の欠陥の元素分析手順のフローのうち、既に説明した図５に示された同一の符号を付された構成と同一の機能を有する部分については、説明を省略する。光学シュミレーションデータのデータベース化処理（ステップ１７０１）では、今までのレビュー結果から、欠陥の形状情報を統計し、頻度が高いものを光学シュミレーションし、データベース化する。データベースは予め作成しておく。次にサイズの絞り込み処理（ステップ１７０２）では、結果データ５０２または画像データ５０３からサイズ情報を抽出し、そのサイズによって、比較対象とするデータベースを絞り込む。次に、欠陥のサイズによって絞り込まれたデータベースと個別信号量データ５０１を比較判定する（ステップ１７０３）。ステップ１７０３は図５のステップ５０６と同等の処理を行う。
【実施例４】
【００３６】
本実施例では、光学シミュレーション結果と比較した結果、個別信号量データが光学シミュレーション結果のいずれとも似ていない場合の処理の例について説明する。実施例１〜３の判定方式では、個別信号量データと近い分布の光学シミュレーション結果からいずれかのカテゴリに欠陥を分類する。しかしながら、実際には検査結果のデータが光学シミュレーションの結果と大きく異なっている場合が少なくない。こうした場合にも最も類似する光学シミュレーション結果に応じていずれかのカテゴリに欠陥を分類すると、分類精度が低下する問題が起きる。
【００３７】
そこで、検査結果のデータが光学シミュレーションの結果と大きく異なっている場合には、Ｕｎｋｎｏｗｎ（未分類欠陥）として処理をする。これによって、分類精度を向上させることができる。
【００３８】
図１８に光学シミュレーション結果と検査結果のグラフを示す。図１２と同様のグラフを使用しているため、グラフの説明は割愛する。検査結果１８０２は、光学シミュレーション結果１８０１のＳｉとＰＳＬの間に位置し、検出器ごとの散乱強度の傾向も異なる。この場合、予め決められたいずれか一つのカテゴリに分類する方法では、検査結果１８０２とより近い光学シミュレーション結果であるＳｉが欠陥の元素であると判定する。すると、Ｓｉと分類された欠陥の中に本来Ｓｉではない種類の欠陥が混ざってしまい、分類精度が悪くなる。そこで、本実施例ではこのような検査結果の場合にはＵｎｋｎｏｗｎ（未分類欠陥）と判定することとしている。具体的には、判定領域（すなわち光学シミュレーション結果との類似度）に閾値を持たせ、この閾値で決められた範囲を超えた場合にはＵｎｋｎｏｗｎ（未分類欠陥）とする。これにより、傾向が異なる場合や、シミュレーション結果と大きく異なる場合にも既存の欠陥種類のカテゴリの精度を悪化させることがなく分類可能である。Ｕｎｋｏｗｎが発生した場合は、図５の再レビュー＆ＥＤＳ判定処理（ステップ５０８）で、優先的に指示するようすると好ましい。
【００３９】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【００４０】
各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリや、ハードディスク、ＳＳＤ（Solid State Drive）等の記録装置、または、ＩＣカード、ＳＤカード、光ディスク等の記録媒体に置くことができる。
【符号の説明】
【００４１】
１０１：欠陥検査装置、１０２：レビュー装置、１０３：欠陥データ処理装置、１０４：欠陥分類装置、１０５：クリーンルーム、１０６：通信ネットワーク、
２０１：ウェハ、２０２：ステージ、２０３：レーザー発振器、２０４：検出器、
３０１：電子光学鏡筒、３０２：ステージ、３０３：エネルギー分散型Ｘ線分析器、３０４：二次電子検出器、３０５：反射電子検出器、３０６：光学顕微鏡部、３０７：レーザー発振器、
４０１：コンピュータ、４０２：ネットワークインターフェース部、４０３：主記憶装置部、４０４：ユーザーインターフェース部、
９０１：欠陥、１００１：外周部、１００２：天井部、１３０１：ウェハイメージ、
１６０１：光学顕微鏡部、１６０２：ステージ、１６０３：画像処理ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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