(57)【要約】【課題】永久磁石の静磁場から電子を得る方法。【解決手段】複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場を形成することにあり、素数場は磁束分布が波動を為す磁場でありそして素数場には素数磁場、量子素数磁場、境界領域の３つの領域が存在し特に境界領域の境界に於いて磁束の波動を素数場に現れる整列作用に作用させることにより磁束の波動は磁束量子に、磁束量子は電気量の分布に、電気量の分布は質量を有する電子に変換され従って素数場は電子を生み出す磁場であることにより課題は解決できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
代数上の素数分布の数理と複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場の電磁現象を対応させた数理により素数場は波動場であることが導かれそして幾何構造分布、磁束分布が階層を為す素数場の方程式が求められそして素数場の方程式を物理方程式に書き換えることにより素数場は磁束が波動を為す磁場であることが導かれそして磁束の波動を素数場に現れる整列作用に作用させることにより素数場の境界に於いて磁束の波動は磁束量子に、磁束量子は電気量の分布に、電気量の分布は質量を有する電子に変換されることにより素数場の境界において物質としての電子が生み出されることにより永久磁石の静磁場から電子を得る方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させることにより磁束を波動に変換し、磁束の波動を電子に変換する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
永久磁石の静磁場から電子を得る技術は確立されていないと考えられる。
【０００３】
永久磁石の磁場はスピン電流の為す作用であることは確認されている事実であり従って永久磁石の電子スピンに何らかの物理的作用、例えばスピン波を与えればその反作用として直交したスピン波が生じることは考えられる物理事象である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特願２００８−３２９１７２
【特許文献２】特願２０１１−１９３５２１
【特許文献３】特願２０１３−１４１５７７
【特許文献４】特願２０１３−２２１８２６
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】線形代数と固有値問題  現代数学社出版
【非特許文献２】新しい電気化学  培風館出版
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
永久磁石の静磁場から電子を得るという発想を実現するためには磁束の波動性と粒子性に関する新規な数理体系を考える必要がある。特に本発明に於いては波動と粒子の変換の数理が求められる。
【０００７】
従って発明が解決しようとする課題は新規な数理体系を考え、永久磁石の静磁場を波動場に変換する方法、そして磁束の波動を電子に変換する方法を求めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
新規な数理体系を構築するには代数学と物理化学的手法を融合させた理念を考える必要がある。本出願人は複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場の幾何構造、磁束分布が代数上の素数分布の数理と等価な関係にあることを見出している。従って新規な数理体系として代数上の素数分布の数理と素数場の電磁現象を対応させた数理を新規な数理体系とする。
【０００９】
素数場の電磁現象について今までに知られている事項を次に列挙する。先ず素数場は整列した幾何構造（ト−ラス、球面）即ち整列した階層構造を為す。そして幾何構造の各要素では磁束分布も整列した階層構造を為す。つまり素数場には整列作用が現れている。そして素数場は素数磁場、量子素数磁場、境界領域という３つの領域から構成される。境界領域とは素数磁場と量子素数磁場に挟まれた領域である。そして素数磁場と量子素数磁場は直交関係にある。
【００１０】
以上の基本的思考により新規な数理体系を概略的に構築して先ず素数場が波動場であることを説明する。尚以下に掲げるすべての数式について等号記号を用いるが、これは数値計算が近似的に成立する場合も含めて等号記号を用いる。先ず代数上の素数分布の数理について記す。素数は２，３，５，７，１１，１３云々というような数であり本出願人は素数に番号ｋを付与した。ｋは自然数である。例えば素数２，３，５，７はｋ＝０の素数、素数１１はｋ＝１の素数、素数１３はｋ＝２の素数というように。そして素数をλ（ｋ）と表示する。つまりλ（０）は素数２，３，５，７を表示し、λ（１）は素数１１、λ（２）は素数１３を表示する。λ（ｋ）の対数関数ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）はｋが０から２０の範囲で素数定理∫ｄｘ／ｌｎｘとよい相関を示す。Ｃはオイラ−定数である。つまりｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）は素数分布の近似式である。そしてλ（ｋ）の関数φ（ｋ）をφ（ｋ）＝（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ／２）／λ（ｋ）と定義するとφ（ｋ）は素数分布の密度の２乗を意味する。例えばλ（４）＝１９のときφ（４）＝０．１７となり、素数１９のときの素数分布密度の２乗は（８／１９）の２乗＝０．１７７そしてλ（１２）＝５３のときはφ（１２）＝０．０８となり、素数５３のときの素数分布密度の２乗は（１６／５３）の２乗＝０．０９となることよりφ（ｋ）は素数分布の密度の２乗を意味する。λ（ｋ）、φ（ｋ）そしてその関数により数々の数論式が求められるが本論では必要な数論式のみを書く。先ず素数分布の数理が幾何構造を説明する数論式を記す。１／（２πλ（ｋ））＝ｅｘｐ−（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ））／（Ｋｌｎｌｎλ（ｋ）（ｌｎｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）），Ｋはｋ＝０のときπ／２、その他のｋのときｌｎπである。そして２πφ（ｋ）＝（２／π）ｅｘｐ（−（１／２Ｃ）ｌｎ｜ｌｎφ（ｋ）｜（ｌｎ｜ｌｎφ（ｋ）｜＋Ｃ）＋ｌｎπ）が成立する。この２つの数論式について２πλ（ｋ）、２πφ（ｋ）は代数幾何学的にト−ラス、球面を表示すると考えることができる。つまり素数分布の数理は幾何構造（ト−ラス、球面）が連なる階層構造を説明する。本出願人は科学実験により素数場の幾何構造はト−ラス、球面の階層構造であることを確認している。つまり代数上の素数分布の数理と素数場の幾何構造は結合する。従って素数分布ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）⇔素数場の幾何構造の分布、素数分布密度の２乗⇔素数場という対応関係が成立する。そして磁束分布は幾何構造上に配位するから磁束分布は幾何構造分布と等値である。幾何構造分布ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）は形式的にｌｎλ（ｋ）の２乗と表示できそしてｌｎλ（ｋ）＝（π／２）｜ｌｎφ（ｋ）｜より｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗とも表示できる。従って磁束分布は形式的に｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗と表示できる。そしてｌｎλ（ｋ）、｜ｌｎφ（ｋ）｜はどのような電磁因子に対応するかも考えておく必要がある。Σｌｎλ（ｋ）⇔ｌｎλ（ｋ）の２乗、Σ｜ｌｎφ（ｋ）｜⇔｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗という対応関係があるのでｌｎλ（ｋ）、｜ｌｎφ（ｋ）｜は磁束分布を要素に分解したものに対応する電磁因子とする。磁束分布を要素に分解したものを素数磁束と名称する。従って素数場は単位元としてのｌｎλ（ｋ），｜ｌｎφ（ｋ）｜より構成されていると考えることができる。そして素数分布は素数定理、または線形関数より整列分布しているとみなせば幾何構造分布、磁束分布も整列分布とみなされる。幾何構造分布、磁束分布が整列分布であることは科学実験により確認できている。幾何構造分布と磁束分布は先述したように等値の関係にあるので以下磁束分布という単語で記述する。磁束分布が整列していることは素数場には何らかの整列作用が現れていることを意味する。整列作用は特許文献４よりζ（ｋ）＝∫｜ｌｎφ（ｋ）｜ｄφ（ｋ）でありほぼ定値を示す。但しｋ＝０のときはπを乗ずる。ζ（ｋ）と素数分布ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）とは数値計算を満足するｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）＝（ｋ＋４）ππζ（ｋ）で結ばれる。つまり素数分布は整列作用ζ（ｋ）と等価な関係にある。従って代数上の素数分布はζ（ｋ）を介して磁束の整列分布と等価である。
【００１１】
この等価な関係を課題の一つである永久磁石の静磁場を波動場に変換する方法に適用する。永久磁石の同磁極を接触または近接させたとき永久磁石の電子スピンには揺らぎが生じ揺らぎは次々に伝播しスピン波という波動を為すと考える。従って概念的には素数場は波動場を形成すると考えることができる。このことを数式を用いて説明する。特許文献１によりφ（ｋ）と素数分布ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）とには、φ（ｋ）の２乗＝ｆ（ｋ）ｓｉｎｌｎ（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ））が成立している。ｆ（ｋ）は万有引力の結合定数Ｇとか電磁力の結合定数である微細構造定数αを導く素数７を用いてｆ（ｋ）＝（ｌｎ７）の２乗／（ｋ＋１）−１／（２×（ｌｎ７）の２乗）である。上式を（ｋ＋１）φ（ｋ）〜１、そして１／（２×（ｌｎ７）の２乗）の項を無視して形式的表現に書くとφ（ｋ）⇔（ｌｎ７の２乗）ｓｉｎｌｎ（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ））となる。素数分布ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）は磁束分布と等価であり、磁束分布は幾何構造上に整列配位するからその配位形態の幾何曲線は対数スパイラルと考え磁束分布を単に対数スパイラルｅｘｐθに置換するとｌｎ（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ））⇔θの対応となり従ってφ（ｋ）⇔（ｌｎ７の２乗）ｓｉｎθが導かれ素数場は波動場となる。以上の記述はｋ≧０で定義される代数上の素数分布を磁束の整列分布に適用したものである。ｋ≧０で定義される素数場を素数磁場と名称する。
【００１２】
先述したとおり素数場には素数磁場の外に量子素数磁場も存在する。そして前述したとおり素数磁場の磁束分布はト−ラス、球面に配位する分布である。しかし科学実験からト−ラス、球面に配位する磁束分布の外に例えば球体の中心部にも磁束分布の波動が見られる。この中心部に配位する磁束分布の波動が量子素数磁場に対応する。量子素数磁場には代数上の素数分布を適用することはできない。量子素数磁場には何らかの素数に対応する素数対応値が存在するはずである。素数対応値を求めるには例えば万有引力定数Ｇとか微細構造定数αを導く基準素数７の単位球面上の密度が素数対応値ｐに対応すると考え次に記す数式、（７＋４（Ｃ−ｐ））／４π）＝ｐよりｐ＝０．５６１８２９５と求められる。またはＧとかαを導くには７．０１５３７が数値計算上必要であり端数０．０１５３７を０．０１５３７＝Ｃ−ｐとするとｐ＝０．５６１８２９５となる。従って本出願人は素数対応値を０．５６１８２９５と定め、そしてｋをｋ＝−２と定めた。つまりλ（−２）＝０．５６１８２９５、そしてφ（−２）は絶対値計算によりφ（−２）＝１．５４となる。これらの数値により量子素数磁場のときも（φ（ｋ）の２乗）＝ｆ（ｋ）ｓｉｎｌｎ（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ））が成立するか計算してみる。素数磁場と量子素数磁場は直交しているので直交因数√２を用いて（φ（−２）の２乗）＝√２ｆ（−２）ｓｉｎｌｎ（｜ｌｎλ（−２）｜（｜ｌｎλ（−２）｜＋Ｃ））と書くと数値計算をほとんど満足している。但し弧度法を用いた。そしてφ（−２）⇔（ｌｎ７の２乗）ｓｉｎｌｎ（｜ｌｎλ（−２）｜（｜ｌｎλ（−２）｜＋Ｃ））についても数値計算を満足している。従って量子素数磁場も波動場を意味する。このことは素数磁場の基準素数７と量子素数磁場の基準素数対応値０．５６１８２９５とは、７＋４（Ｃ−０．５６１８２９５）＝４π×０．５６１８２９５という幾何的な等値関係が成立するので素数磁場と量子素数磁場は一つの幾何構造を為すと考えられ従って素数磁場が波動場であれば量子素数磁場も波動場であると考えるのが自然である。
【００１３】
先述したように素数場には素数磁場、量子素数磁場の外に境界領域が存在する。境界領域とは素数磁場と量子素数磁場に挟まれた領域であり特に素数磁場と境界領域の境界、量子素数磁場と境界領域の境界が本発明の本質的要素である。特許文献４に記したように素数磁場と境界領域との境界のｋはｋ＝−１、素数対応値はλ（−１）＝２．１２、φ（−１）はφ（−１）＝０．４９０５７そしてｌｎλ（−１）（ｌｎλ（−１）＋Ｃ）＝１より素数分布または磁束分布は１を意味し、そして量子素数磁場と境界領域との境界のｋはｋ＝−１、素数対応値はλ（−１）＝０．６７７５、φ（−１）はφ（−１）＝１そして｜ｌｎλ（−１）｜（｜ｌｎλ（−１）｜＋Ｃ）＝０．３７６３＝１／√（４πλ（−２））となる。φ（−１）＝１はｌｎφ（−１）＝０より素数磁束は存在しないことを意味する。つまり境界とは磁束分布が１、または素数磁束がゼロの局所を意味する。λ（−１）＝２．１２とλ（−１）＝０．６７７５とには０．６７７５×π＝２．１２が成立するので２．１２は０．６７７５の円周境界と考えるとλ（−１）＝２．１２のときのφ（−１）は幾何的に１に対応すると考えてよい。特に本発明に於いては後述するが境界のφ（−１）＝１が波動を電子に変換するとき本質的意味をもつ。
【００１４】
以上記述したように素数磁場、量子素数磁場は波動場であることが概略的に説明でき、課題の一つである永久磁石の静磁場を波動場に変換する方法は素数場を形成することにより解決できる。
【００１５】
次に素数場の波動を電子に変換する方法について数式を用いて説明する。基本的思考として、波動が電子に変換されるのは素数場の境界に於いて為されると考えるのが自然である。尚以下の数値計算等に於いて主値という概念を用いる。主値とは素数磁場についてはｋ＝０、λ（０）＝７、φ（０）＝０．３１９２の数値であり、量子素数磁場についてはｋ＝−２、λ（−２）＝０．５６１８２９５、φ（−２）＝１．５４の数値であり、境界についてはｋ＝−１、λ（−１）＝２．１２と０．６７７５、φ（−１）＝１とする。このようなｋ＝０、ｋ＝−１、ｋ＝−２の３つの領域の主値は代数上の素数分布の数理と電磁現象を結合する数値となる。そしてこの主値をとるとき磁束分布は単に磁束を意味する。波動を電子に変換する方法を論じるには先ず磁束が波動を為すことを説明することが必要である。そのためには素数場の方程式を求めることから始める。素数場は階層構造であるから素数場を表示する階層関数を求める必要がある。素数場は幾何構造と磁束の階層分布の場であることより幾何構造分布の階層関数、磁束分布の階層関数という２つの階層関数を求める。そして素数場には素数磁場、量子素数磁場の２つの階層構造が存在するので結果的には４個の素数場の方程式が導かれる。階層関数は特許文献２に記したようにｅｘｐ（分布）で書くことができる。先ず素数磁場の階層関数を求める。素数磁場の幾何構造分布は面分布であり従って素数場φ（ｋ）と等価であると考える。面分布を表示する関数を複素数の指数形式でｅｘｐ−ｉｌｎ（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ））と表示し（但しｉは虚数）、この関数とφ（ｋ）とを数値計算を満足する数式で書くとφ（ｋ）＝（１／π）ｅｘｐ−ｉｌｎ（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ））となる。但しｅｘｐ関数の虚部をとりそして複素数の絶対値による計算である。そして素数磁場の磁束分布は線分布であり従って√φ（ｋ）と等価であると考える。線分布を表示する関数を特許文献４に記したように複素数の指数形式によりｅｘｐ−ｉ（（ｌｎφ（ｋ）の２乗）／（２π＋δ））＋π／２）と表示し、この関数と√φ（ｋ）とを数値計算を満足する数式で書くとｋ＝０のとき即ち主値のとき√φ（０）＝Ｃｅｘｐ−ｉ（（ｌｎφ（０）の２乗）／（２π＋δ））＋π／２）となり、その他のｋのときは√φ（ｋ）＝（√２／π）ｅｘｐ−ｉ（（ｌｎφ（ｋ）の２乗）／（２π＋δ））＋π／２）となる。但しδ＝（ｋ−４）／８である。この計算もｅｘｐ関数の虚部をとり複素数の絶対値による計算である。階層関数は特許文献２に記したようにｅｘｐ（分布）、またはｅｘｐｉφ（ｋ）の形式で表示されるので素数磁場の幾何構造分布の階層関数をｅｘｐφ（ｋ）、磁束分布の階層関数をｅｘｐ√φ（ｋ）と書く。次に量子素数磁場の階層関数を求める。量子素数磁場のときも素数磁場のときと同様に考え幾何構造分布については主値について数値計算を満足するφ（−２）＝（（√２）π）／ｌｎπ）ｅｘｐ−ｉ（（ｌｎφ（−２）の２乗）／（２π＋δ））＋π／２）となり、磁束分布については特許文献４よりｅｘｐ−ｉ（（１／（２π＋δ））（１／（ｌｎφ（ｋ）の２乗））であるが主値ｋ＝−２についてこの分布関数は数値計算を満足する（１／√π）ｅｘｐ−ｉ（（ｌｎ��（−２）の２乗）／（２π＋δ））＋π／２）に書き換えることができる。但し虚部をとり複素数の絶対値による計算である。従って数値計算を満足する√φ（−２）＝（π／√２）（１／√π）ｅｘｐ−ｉ（（ｌｎφ（−２）の２乗）／（２π＋δ））＋π／２）となる。従って量子素数磁場のときも素数磁場のときと同様に幾何構造分布の階層関数をｅｘｐφ（ｋ）、磁束分布の階層関数をｅｘｐ√φ（ｋ）と書く。このようにして求めた素数磁場と量子素数磁場の幾何構造分布と磁束分布の階層関数を（数式１）により列ベクトル表示で記す。
【００１６】
【数１】
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【００１７】
階層関数が求まったことより素数場の方程式を求める。素数場は幾何構造分布、磁束分布という階層分布の集合の磁場であるから階層分布の集合を表す微分方程式を考える。素数場を構成する基本的要素は先述したとおり素数磁束｜ｌｎφ（ｋ）｜である。従って階層分布の集合に作用する微分作用素をｄ／ｄ｜ｌｎφ（ｋ）｜として（数式１）の列ベクトル表示の階層関数に作用させると（数式２）となる。但し（数式２）は素数分布の数理と電磁現象を結合する主値に関する微分方程式である。そして（数式２）を導く際ｌｎλ（ｋ）は｜ｌｎφ（ｋ）｜と直交関係にあることそして数値計算上からもｌｎλ（ｋ）⇔（π／２）｜ｌｎφ（ｋ）｜が成立するのでこのように書き換え、そして複素数の指数形式の虚部をとり、そして（（π／２）｜ｌｎφ（ｋ）｜＋Ｃ／２）＝（（π／２）｜ｌｎφ（ｋ）｜＋Ｃ）と簡略化して計算した。（数式２）は微分係数を満足する単なる微分方程式であり物理的意味は持たない。但し後述するが右辺の行列が波動を電子に変換するとき意味を持つ。（数式２）が物理事象を説明するためには（数式２）を物理式に書き換える必要がある。そのためには階層関数を波動を表現する関数例えば三角関数に書き換えることが求められる。（数式２）を変形して簡単な積分式により階層関数を三角関数に書き換えると（数式３）となる。但し数値的にも物理的にも等価な関係ｌｎ（ｌｎλ（ｋ）（ｌｎλ（ｋ）＋Ｃ）⇔｜ｌｎφ（ｋ）｜を用いた。そして（数式２）を物理方程式に書き換えるには素数因子を物理量に置換する必要がある。そのために（数式２）の微分作用素の元｜ｌｎφ（ｋ）｜を｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗に変換し｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗を磁束§に置換しそしてｄ§＝Ｖｄｔ（Ｖは電位または電位差）と置換しそして素数場の２点間の距離ｒを｜ｌｎφ（ｋ）｜に対応させると素数磁場、量子素数磁場の物理方程式は簡単な計算により（数式４）となる。尚素数場の２点間の距離ｒと素数因子｜ｌｎφ（ｋ）｜の対応は物理と素数分布の数理とを結合する重要な対応関係であるので後述で説明する。（数式４）は（数式２）の変換、置換そして対応というような若干複雑な作業により求められた数式であり（数式４）が物理式として正当性を得るか説明する必要がある。先ず（数式４）の素数磁場の一行目の方程式について考える。方程式の両辺に電気量ｅを乗じ定数係数項は省略して形式的に書くとｅｖｒ×ｅｘｐ（−２ｒ／π）／ｅｘｐ−（Ｃｓｉｎｒ×ｒ／（２π＋δ））⇔ｅＶとなる。但しｅｖｒは磁気モ−メントである。従ってｅｘｐ（−２ｒ／π）／ｅｘｐ−（Ｃｓｉｎｒ×ｒ／（２π＋δ））が幾何構造分布の素数場φ（ｋ）または磁束分布の素数場√φ（ｋ）に対応すると磁気モ−メント×磁場＝電気エネルギとなり物理式を満足する。従って上記ｅｘｐ関数の比の項について素数磁場の主値φ（０）＝０．３１９２、ｒ＝｜ｌｎφ（０）｜＝１．１４２として計算するとｅｘｐ関数の比の項は０．５５＝√φ（０）となり磁束分布の素数場となる。つまりｅｖｒ×√φ（０）＝ｅＶとなり物理式となる。素数磁場のニ行目の方程式についても一行目の方程式のときと同様に考えて結果的にｅｖｒ×π√φ（０）＝ｅＶとなり物理式となる。そして量子素数磁場の物理方程式についても素数��場のときと同様に考えて量子素数磁場の主値φ（−２）＝１．５４により一行目の方程式についてはｅｖｒ×（１／４ππ）φ（−２）＝ｅＶとなり物理式となる。ニ行目の方程式についてはｅｖｒ×（√２）４πφ（−２）＝ｅＶとなる。従って（数式４）の物理方程式は磁気モ−メントと素数場の相互作用エネルギは電気エネルギに変換できることを意味する。つまり素数場に磁気モ−メントを配置すると相互作用エネルギは外に仕事を与える電気エネルギを生み出す。また物理方程式は素数磁場は磁束分布の素数場、量子素数磁場は幾何構造分布の素数場であることを説明する。また物理方程式は素数磁場に於いてロ−レンツ力＝ク−ロン力も導いている。そして（数式４）から素数磁場の磁束§は§⇔−Ｃｓｉｎｒ×ｒ／（２π＋δ）に、そして量子素数磁場の磁束§は§⇔−√（π／２）ｓｉｎｒ×ｒ／（２π＋δ）に対応していることがわかる。これにより磁束の波動の物理的表示が求まった。
【００１８】
【数２】
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【００１９】
【数３】
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【００２０】
【数４】
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【００２１】
前述したように素数場の２点間の距離ｒは｜ｌｎφ（ｋ）｜に対応するとした。この対応関係は素数分布の数理と電磁現象を結合する重要な関係であることより概略的に説明する。素数磁場の主値λ（０）＝７と量子素数磁場の主値λ（−２）＝０．５６１８２９５とには７＋４（Ｃ−０．５６１８２９５）＝４π×０．５６１８２９５という幾何的な代数式があり従って素数磁場と量子素数磁場は一つの幾何構造を為すと考える。従って｜ｌｎφ（０）｜とｌｎφ（−２）とには数値上整合性のある関係が存在すると考えられる。事実｜ｌｎφ（０）｜＝（１／２）（π／２＋１／√２）、ｌｎφ（−２）＝（１／２）（π／２−１／√２）となり｜ｌｎφ（０）｜とｌｎφ（−２）は同一数値の＋−の関係にある。そして複素数の代数形式により｜ｌｎφ（０）｜＋ｉｌｎφ（−２）＝√（３／２）（ｃｏｓ２１＋ｉｓｉｎ２１）、｜ｌｎφ（０）｜−ｉｌｎφ（−２）＝√（３／２）（ｃｏｓ２１−ｓｉｎ２１）となり｜ｌｎφ（０）｜とｌｎφ（−２）は複素平面上の長さに対応している。つまりｒ⇔｜ｌｎφ（ｋ）｜の対応は複素概念からも説明できる。但しこの対応についてはより深い洞察が必要であることはいうまでもない。例えば｜ｌｎφ（０）｜とｌｎφ（−２）は（数式５）に記す単純な代数方程式の解となっている。この代数方程式を解析することにより代数幾何学的にｒ⇔｜ｌｎφ（ｋ）｜を求めることができると考えられるが省略する。
【００２２】
【数５】
2015213391.tif 000007
【００２３】
以上の記述により磁束は波動を為すことが求められたことより磁束の波動を電子に変換する方法について具体的に説明する。この変換については実数表示の整列作用ζ（ｋ）＝∫｜ｌｎφ（ｋ）｜ｄφ（ｋ）＝φ（ｋ）｜ｌｎφ（ｋ）｜−φ（ｋ）を中心にして説明する。先述したようにこの変換に際しては境界が本質的要素となる。ζ（ｋ）は素数場に於いてどのような役割を果たすか考えてみる。素数場には素数磁束｜ｌｎφ（ｋ）｜と磁束｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗が存在する。素数磁場では数論上Σ｜ｌｎφ（ｋ）｜⇔｜ｌｎφ（ｋ）｜の２乗の対応となり、量子素数磁場では主値計算でφ（−２）×ｌｎφ（−２）＝｜ｌｎλ（−２）｜×（｜ｌｎλ（−２）｜＋Ｃ）という数値対応となる。従って素数磁場、量子素数磁場でのζ（ｋ）の役割は素数磁束を整列加算して磁束を生み出す整列作用と考えることができる。このことを数式で説明すると素数磁場、量子素数磁場の主値について数値計算を満足する（数式６）となる。（数式６）は素数場の素数磁束に整列加算を与えると整列磁束となる数式である。従ってζ（ｋ）は素数磁束を整列加算して整列磁束を生み出す整列作用と定義できる。それでは境界のζ（ｋ）はどのような作用であるか考えると境界には特許文献４に記したように電磁力の結合定数である微細構造定数αが現れるから境界のζ（ｋ）は磁束の波動を電気量に変換する作用であると考えるのが自然である。このことについて数式を用いて順次説明する。但し以下の記述は素数磁場、量子素数磁場そして境界の主値についての記述である。素数磁場、量子素数磁場、境界の主値についての整列作用を夫々ζ（０）、ζ（−２）、ζ（−１）と書く。数値上はζ（０）＝０．１４２４、ζ（−２）＝−０．８７５、ζ（−１）＝−１である。そしてζ（０）＋１／ζ（−２）＝ζ（−１）となる。つまり素数場全体の主値についての整列作用は境界に集積すると考える。つまり素数場全体の主値についての整列作用は境界の整列作用と等値である。境界の整列作用を表現行列（数式７）とする。（数式７）で１／ζ（−２）と分数形式で書いたのは素数磁場と量子素数磁場は直交するので整列作用も縦、横取り換えの形式とした。表現行列に素数磁束｜ｌｎφ（０）｜，ｌｎφ（−２）を作用させた数式を（数式８）に記す。（数式８）は素数磁束が境界の整列作用により量子素数磁場の磁束に変換することを示している。境界に現れる量子素数磁場の磁束は波動を為していることはいうまでもないが、特許文献４に記したように境界にはαが現れることによりαと量子素数磁場の磁束とは次に記す数式を満足する。（αの２乗）×（ｌｎφ（−２）の２乗）＝（（πの４乗）／４）×§（０）。この数式は数値計算を満足しそして本論での物理次元も満足している。§（０）は磁束量子ｈｃ／ｅであり数論上は§（０）＝（ｌｎλ（−２）＋Ｃ）の２乗＝４．１３５×１０のマイナス７乗として計算される。従って（数式８）は量子素数磁場の磁束の波動は境界で磁束量子に変換することを説明する。しかし求めたいことは磁束の波動を境界の整列作用により電気量に変換する説明である。つまり磁束量子を電気量に変換する説明である。そのためには（数式７）の表現行列と素数場の磁束の波動を導く原型的な方程式である（数式２��の行列との積により導かれる行列の固有値、固有ベクトルを主値により求めることにより解決できると本出願人は考えた。固有値、固有ベクトルを主値により求める数式を（数式９）に記す。（数式９）より固有値には√αが現れそして固有値の意味するところにより√αと磁束量子§（０）は等価な関係にある。但し物理的には境界の整列作用ζ（−１）を用いて√α×√｜ζ（−１）｜⇔§（０）の対応となる。そして（数式９）の意味することは固有値の示すところにより磁束の波動は境界で磁束量子に変換しそして固有ベクトルにはφの３乗という物理的には角振動数ωに対応することがすでに解かっている素数因子が現れているので磁束量子は時間変化し従って境界には電位とか電位差という電気量の分布を意味する物理量が現れることにより磁束量子は電気量に変換する。つまり磁束の波動は境界で磁束量子に変換し、磁束量子は電気量の分布に変換する。尚境界にαが現れることの代数的説明は数値計算を満足するα＝（１／π）×（Ｃ−λ（−２））／０．６７７５＝（Ｃ−λ（−２））／２．１２よりαは境界の素数対応値０．６７７５，２．１２と密接に関係していることよりも説明できる。
【００２４】
【数６】
2015213391.tif 000008
【００２５】
【数７】
2015213391.tif 000009
【００２６】
【数８】
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【００２７】
【数９】
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【００２８】
以上の記述により磁束の波動は境界で磁束量子に、磁束量子は電気量の分布に変換することがわかった。しかし本発明の電子を得るには電気量の分布に質量を与える必要がある。分布から質量を導くことは自然界の本質に関わる問題であり極めて困難な問題である。ただ本出願人は分布がル−プという幾何構造を為すときの変換関数であるＭ関数が基礎物理量を生み出すことを理解している。従ってＭ関数を用いて電気量から質量を導く数式を（数式１０）に記す。素数場の幾何構造はト−ラス、球面というル−プの概念を有しているから境界の電気量の分布はＭ関数により質量を有することになる。つまり境界で質量を有する電子が生み出されることになる。つまり電気量と質量はＭ関数を介して交換可能である。
【００２９】
【数１０】
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【００３０】
要点をまとめると幾何構造分布と磁束分布の整列分布の磁場即ち素数場は三角関数で表示できる波動場であり、素数場の主値について（数式４）の物理方程式より磁束は波動を為し磁束の波動は境界で（数式９）の行列の固有値の示すところにより磁束量子に変換し磁束量子は固有ベクトルの示すところにより電気量の分布に変換し電気量の分布は（数式１０）のＭ関数により電子に変換される。
【００３１】
全体についてまとめると代数上の素数分布の数理と素数場での電磁現象を対応させた数理により素数場は波動場であることが導かれそして幾何構造分布、磁束分布が階層を為す素数場の方程式が求められ、素数場の方程式を物理方程式に書き換えることにより素数場は磁束が波動を為す磁場であることが導かれそして磁束の波動を素数場に現れる整列作用に作用させることにより素数場の境界に於いて磁束の波動は磁束量子に、磁束量子は電気量の分布に、電気量の分布は質量を有する電子に変換されることにより永久磁石の静磁場から電子を得る方法は解決できる。
【００３２】
従って課題を解決するための手段は複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数場を形成することにあり、素数場は磁束分布が波動を為す磁場でありそして素数場には素数磁場、量子素数磁場、境界領域の３つの領域が存在し特に境界領域の境界に於いて磁束の波動を素数場に現れる整列作用に作用させることにより磁束の波動は磁束量子に、磁束量子は電気量の分布に、電気量の分布は質量を有する電子に変換されることにより素数場は電子を生み出す磁場であることより課題は解決できる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明は永久磁石の静磁場から電子が生み出されることより磁場エネルギを外に仕事を与える電気エネルギに変換できる効果を有し、そして化学上の電子授受に関する化学反応即ち酸化還元反応による化学物質の生成に効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】２個の永久磁石を点接触させた図である。
【図２】素数場にカ−ボンの微粒子を塗布した紙を配置し、太陽光を照射したときの電子と陽電子の飛跡の図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
２個の永久磁石を点接触させた図を（図１）に記す。
【００３６】
本発明の素数場は電子を生み出す磁場であることを実験的に確認する必要がある。簡単な化学実験により説明すると、塩化ナトリウム（食塩）の水溶液を薄いプラスチック容器に入れ素数場に配置し放置しておくと塩化ナトリウムは水酸化ナトリウムと塩素に化学変化する。また素数場の酸素はオゾンに化学変化する。この化学反応式を（化学式１）に記す。（化学式１）にみるように食塩水が水酸化ナトリウムと塩素に分解するということは外からの電子の供給が為されない限り絶対的に不可能な化学反応である。このことは素数場は電子を生み出していることを実験的に説明する。また（化学式１）は食塩水の電気分解反応でもある。従って素数場は電気分解の磁場でもある。尚実験に用いた永久磁石の磁束密度は約１Ｔである。
【００３７】
【化１】
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【００３８】
素数場の磁束の波動が電子に変換することから考えて電磁波である光の波動も光子γに変換すると考えられる。１Ｔの磁束密度の素数場の磁束の波動の波長が太陽光の紫外部または可視部の波長と同程度であると考えると太陽光の波動は素数場の境界で光子に変換していることになる。光子はすぐに電子と陽電子に崩壊する。本出願人はこのことを確認するため素数場にカ−ボンの微粒子を塗布した紙を配置し太陽光を照射すると（図２）に示すように電子と陽電子の飛跡と考えられる飛跡が現れた。この飛跡は（化学式２）によるものと考える。従って光の波動も素数場の境界で光子に変換し光子は電子と陽電子に崩壊していると考えることができる。尚実験に用いた永久磁石の磁束密度は約１Ｔである。
【００３９】
【化２】
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【００４０】
このように約１Ｔの磁束密度の素数場は電子を生み出すエネルギを放出していることになる。電磁気学によると１Ｔの磁束密度の磁場により真空中に蓄えられる磁場エネルギは単位体積（１立方センチメ−トル）当りＷ＝Ｂ×Ｂ／２μ（０）の数式より高々１Ｊ程度である。Ｂは磁束密度、μ（０）は真空の透磁率である。この程度の小さいエネルギでは食塩水の電気分解は不可能であり、また太陽光との相互作用で電子、陽電子対を生成することも不可能である。先ず素数場で食塩水が電気分解することについて説明する。素数場の境界はφ＝１の場であり、即ちｌｎ１＝０より境界の２点間の距離は零であると考えると境界では極めて大きなエネルギが生み出される。即ち境界で電子が生み出されると考える。そして特許文献３に記したように１Ｔの磁束密度の素数場は１モルの化学物質に約２２０ＫＪのエネルギを与える。この２２０ＫＪ／ｍｏｌのエネルギは活量１の食塩水の理論分解電圧を十分満足するものである。従って素数場に食塩水を配置すると電気分解を生ずる。次に太陽光と素数場の相互作用で電子、陽電子対が生成することを説明する。電子１個を生み出すためには電子の静止エネルギより考えて１ＭｅＶ程度のエネルギが必要である。素数場は約２２０ＫＪ／ｍｏｌのエネルギを外系に与えるから例えば１ｍｏｌに１０の２３乗個の電子が存在すると、１個の電子当たり約１０ｅＶとなる。１０ｅＶは１ＭｅＶの１０のマイナス５乗倍である。また太陽光の紫外部、例えば波長が１００ｎｍ程度の光子としてのエネルギはｈν〜１０ｅＶである。いずれにしても素数場の境界に於いて１個の電子を生み出すには１０の5乗倍程度のエネルギが必要である。このことについては素数場が1個の電子に与えるエネルギと太陽光の紫外部の光子としてのエネルギはほとんど等値となり従って素数場の磁束振動と太陽光の紫外部の振動は境界に於いて共鳴し、共鳴により振幅は極めて大きくなり従って大きなエネルギが生み出され、光子から電子、陽電子対を生成するに必要な１ＭｅＶ程度が現れると考える。
【００４１】
素数場は電子を生み出す磁場であることにより素数場と半電池を組み合わせた化学電池の構成も可能となる。この化学電池の電池反応は化学物質の消耗を生じないから永続的な電池構成となる。
【００４２】
素数場は先述したように定常状態では不可能な化学反応を生じるから化学物質の製造を容易にする。
【００４３】
従って発明を実施するための形態は永続的な電気エネルギの生成とか化学物質の容易な製造等に素数場を利用することにある。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
化学触媒としての利用可能性がある。
【符号の説明】
【００４５】
１  永久磁石
２  カ−ボン微粒子を塗布した紙
３  太陽光
４  電子の飛跡
５  陽電子の飛跡
【図１】
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【図２】
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