(57)【要約】【課題】余剰なロウ材が枠部の側壁に流れることを抑制すること。【解決手段】電子部品搭載用パッケージ１は、ベース部２と、ベース部２の主面２ａ上に、電子部品１１を囲んで設けられる誘電体からなる枠部３と、枠部３の上面３ａに設けられる枠状の金属層４と、金属層４上に設けられ、枠部３に囲まれた領域を塞ぐ誘電体からなる蓋部５と、蓋部５において、枠部３に対向して設けられた枠状の金属層８と、を備える。金属層４と金属層８とは、ロウ材９を介して互いに接合している。金属層８の面積は、金属層４の面積よりも大きい。【選択図】図４
2015192097.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と、
前記ベース部の主面上に、電子部品を囲んで設けられる誘電体からなる枠部と、
前記枠部の上面に設けられる枠状の第１金属層と、
前記第１金属層上に設けられ、前記枠部に囲まれた領域を塞ぐ誘電体からなる蓋部と、
前記蓋部において、前記枠部に対向して設けられた枠状の第２金属層と、
を備え、
前記第１金属層と前記第２金属層とは、ロウ材を介して互いに接合しており、
前記第２金属層の面積は、前記第１金属層の面積よりも大きい、電子部品搭載用パッケージ。
【請求項２】
前記電子部品と電気的に接続し、前記枠部の側壁を貫通して設けられた配線を更に備え、
前記配線と重なり合う領域における前記第２金属層の幅は、当該領域における前記第１金属層の幅以下である請求項１に記載の電子部品搭載用パッケージ。
【請求項３】
前記第２金属層は、前記第１金属層に対向する枠状領域と、前記枠状領域の少なくとも一つの隅部から前記枠状領域の内側に延在する延在領域と、を有する、請求項１又は２に記載の電子部品搭載用パッケージ。
【請求項４】
前記ベース部の厚さ方向から見て、前記延在領域は、前記電子部品と重ならない、請求項３に記載の電子部品搭載用パッケージ。
【請求項５】
前記延在領域は、前記少なくとも一つの隅部の内側の角を中心とした扇形状を有する、請求項３又は４に記載の電子部品搭載用パッケージ。
【請求項６】
前記第２金属層は、前記蓋部の側面の少なくとも一部に延在して設けられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品搭載用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品搭載用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品に気密封止するために、電子部品を収容するパッケージ（電子部品搭載用パッケージ）が用いられる。この電子部品搭載用パッケージでは、電子部品を収容する枠部と、枠部によって囲まれた領域を塞ぐ蓋部とが、金属を含むロウ材を介して接合される。枠部と蓋部とを接合するためのロウ材が多すぎる場合、余剰なロウ材は枠部の側壁を伝って流れる。このロウ材が局所的に流れると、短絡が発生するおそれがある。
【０００３】
例えば特許文献１には、余剰なロウ材が局所的に流れることを抑制するために、枠部の上面だけでなく、枠部の側壁における内側又は外側の少なくとも一方の面上に金属層を設けることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１３１７０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、枠部の側壁における外側に余剰なロウ材が流れ、この余剰なロウ材が局所的に流れる場合、あるいは流れる分量が大きい場合、パッケージの外形規定から逸脱する（外観不良と認定される）おそれがある。
【０００６】
本発明は、余剰なロウ材がパッケージの外側に流れることを抑制できる電子部品搭載用パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る電子部品搭載用パッケージは、ベース部と、ベース部の主面上に、電子部品を囲んで設けられる誘電体からなる枠部と、枠部の上面に設けられる枠状の第１金属層と、第１金属層上に設けられ、枠部に囲まれた領域を塞ぐ誘電体からなる蓋部と、蓋部において、枠部に対向して設けられた枠状の第２金属層と、を備え、第１金属層と第２金属層とは、ロウ材を介して互いに接合しており、第２金属層の面積は、第１金属層の面積よりも大きい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、余剰なロウ材がパッケージの外側に流れることを抑制できる電子部品搭載用パッケージを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの斜視図を示す。
【図２】図２は、蓋部が取り除かれた電子部品搭載用パッケージの斜視図を示す。
【図３】図３の（ａ）は、蓋部の底面図を示す。図３の（ｂ）は、図３の（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線矢視部分断面図を示す。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの断面模式図を示す。
【図５】図５は、第１の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの分解斜視図を示す。
【図６】図６の（ａ）は、比較例に係る電子部品搭載用パッケージの斜視図を示す。図６の（ｂ）は、図６の（ａ）のＶＩｂ−ＶＩｂ線矢視部分断面図を示す。
【図７】図７は、第２の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。
【図８】図８は、第２の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの一部を透過した平面図を示す。
【図９】図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線矢視部分断面図を示す。
【図１０】図１０の（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。
【図１１】図１１の（ａ），（ｂ）は、第３の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。
【図１２】図１２は、図１１の（ａ）において領域３１Ａを示した図である。
【図１３】図１３は、第３の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの一部を透過した平面図を示す。
【図１４】図１４の（ａ）は、第４の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。図１４の（ｂ），（ｃ）は、第４の実施形態に係る蓋部の側面図を示す。
【図１５】図１５の（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態に係る蓋部の製造方法の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、ベース部と、ベース部の主面上に、電子部品を囲んで設けられる誘電体からなる枠部と、枠部の上面に設けられる枠状の第１金属層と、第１金属層上に設けられ、枠部に囲まれた領域を塞ぐ誘電体からなる蓋部と、蓋部において、枠部に対向して設けられた枠状の第２金属層とを備え、第１金属層と第２金属層とは、ロウ材を介して互いに接合しており、第２金属層の面積は、第１金属層の面積よりも大きい、電子部品搭載用パッケージである。
【００１１】
この電子部品搭載用パッケージによれば、第２金属層の面積は、第１金属層の面積よりも大きい。これにより、ロウ材を介して枠部と蓋部とを接合する際に、当該接合に寄与しない余剰なロウ材は、蓋部に設けられる第２金属層上を伝って流れる。したがって、余剰なロウ材が枠部の側壁（パッケージの外側）に流れることが抑制される。また、第２金属層は、枠部に対向して、蓋部の周縁を包囲した枠状のパターンを有している。すなわち、蓋部には第２金属層が設けられない誘電体材料だけの領域を備えている。このため、第２金属層が反射板として作用して電子部品の高周波特性を劣化させることを抑制できる。なお、枠部あるいは蓋部を構成する材料は、セラミックスが典型的である。
【００１２】
また、電子部品搭載用パッケージは、電子部品と電気的に接続し、枠部の側壁を貫通して設けられた配線を更に備え、配線と重なり合う領域における第２金属層の幅は、当該領域における第１金属層の幅以下であってもよい。この場合、蓋部を接合する前後で、配線に対向する金属層（第１金属層あるいは第２金属層）の面積は変化しない。すなわち、蓋部の金属層によってロウ材を収容することができることに加えて、蓋部の接合に伴う配線の特性インピーダンスの変動が抑制される。これにより、外部接続用配線を介した第２金属層による電子部品の電気特性への影響が抑制される。
【００１３】
また、第２金属層は、第１金属層に対向する枠状領域と、枠状領域の少なくとも一つの隅部から枠状領域の内側に延在する延在領域と、を有してもよい。この場合、余剰なロウ材が第２金属層上の延在領域上を伝って流れる。したがって、余剰なロウ材が枠部の側壁に流れることが一層抑制される。
【００１４】
また、ベース部の厚さ方向から見て、延在領域は、電子部品と重なり合わなくてもよい。この場合、延在領域による電子部品の電気特性への影響が抑制される。
【００１５】
また、延在領域は、少なくとも一つの隅部の内側の角を中心とした扇形状を有してもよい。この場合、余剰なロウ材が延在領域上を均一に流れやすくなる。
【００１６】
また、第２金属層は、蓋部の側面の少なくとも一部に延在して設けられてもよい。この場合、余剰なロウ材が、蓋部の主面上に設けられた第２金属層上だけでなく、蓋部の側面に設けられた第２金属層上を伝って流れる。したがって、余剰なロウ材が枠部の側壁に流れることが一層抑制される。
【００１７】
［本願発明の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、各実施形態において重複する説明は省略する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの斜視図を示す。図２は、蓋部が取り除かれた電子部品搭載用パッケージの斜視図を示す。図３の（ａ）は、蓋部の底面図を示す。図３の（ｂ）は、図３の（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線矢視部分断面図を示す。図４は、第１の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの断面模式図を示す。図５は、第１の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの分解斜視図を示す。
【００１９】
図１〜図５に示されるように、電子部品搭載用パッケージ１は、ベース部２、枠部３、金属層（第１金属層）４、蓋部（リッド）５、及び外部接続用配線６，７を備えている。金属製のベース部２、枠部３、金属層４、及び蓋部５によって囲まれる領域に、電子部品１１が収容されている。つまり、電子部品搭載用パッケージ１によって、電子部品１１が収容されている。電子部品１１は、例えば半導体チップ、コンデンサ、増幅素子等から構成される部品である。電子部品１１は、例えば窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ（ＧａＮ  ＨＥＭＴ）を備えており、電子部品１１の出力は例えば１００Ｗ〜２００Ｗである。
【００２０】
図１，２，５に示されるように、ベース部２は、略直方体形状を有している金属製の部材であり、接地されている部材である。ベース部２に用いられる金属は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタン（Ｔｉ）等の単体であってもよい。また、ベース部２は、種々の金属を含む合金製であってもよい。以下では、ベース部２の主面２ａにおける短手方向を方向Ｄ１とし、ベース部２の主面２ａにおける長手方向を方向Ｄ２とし、ベース部２の厚さ方向を方向（厚さ方向）Ｄ３として説明する。また、ベース部２には、方向Ｄ２において互いに対向する切り欠き部２ｂ，２ｃが形成されていてもよい。
【００２１】
図１，２，５に示されるように、枠部３は、ベース部２の主面２ａ上に、電子部品１１を囲むように設けられている。枠部３は、主面２ａを構成する各辺に沿って設けられる側壁３ｂから構成されている。枠部３は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の焼結体（以下、単にセラミックスとする）等の誘電体から構成されている。つまり、枠部３は、セラミックス製である。方向Ｄ３から見た枠部３の一辺は、例えば５ｍｍである。枠部３の方向Ｄ３における長さは、例えば０．９ｍｍ〜１．０ｍｍである。枠部３の幅ｗ１（図４参照）は、例えば０．４ｍｍ〜０．６ｍｍである。本実施形態では、幅ｗ１は例えば０．５ｍｍである。枠部３の幅とは、枠部３の側壁３ｂの厚さであってもよい。
【００２２】
図４に示されるように、金属層４は、枠部３の上面３ａに設けられている。つまり、金属層４は、方向Ｄ３から見て枠状になっている。金属層４の幅は、枠部３の幅ｗ１と同一であるが、枠部３の幅ｗ１よりも小さくてもよい。金属層４は、例えば金（Ａｕ）から形成されている。金属層４は、例えば金メッキによって枠部３の上面３ａに形成される。
【００２３】
図１に示されるように、蓋部５は、枠部３に囲まれた空間を塞ぐように金属層４上に設けられる、略直方体形状の蓋である。蓋部５は、枠部３と同一の誘電体（セラミックス）製である。方向Ｄ３から見て、蓋部５の面積は、枠部３の面積と枠部３によって囲まれた空間の面積とを合計した面積と等しくなっているが、異なっていてもよい。また、図３の（ａ），（ｂ）に示されるように、蓋部５の主面５ａ上には、枠状（四角枠状）の金属層（第２金属層）８が設けられている。金属層８は、例えば金メッキによって、蓋部５の主面５ａ上に形成されている。方向Ｄ３から見た金属層８における外側の側面８ａと、蓋部５の各側面５ｂとは、互いに揃っている。つまり、金属層８は、蓋部５の周縁を包囲した枠状のパターンを有している。
【００２４】
図４に示されるように、蓋部５が金属層４上に設けられている場合、蓋部５の主面５ａはベース部２の主面２ａと対向している。金属層８の幅ｗ２は、枠部３の幅ｗ１よりも大きくなっており、例えば０．６ｍｍ〜０．８ｍｍである。金属層８の幅ｗ２は、枠部３の幅ｗ１よりも例えば１２０％〜１６０％大きくなっている。本実施形態では、幅ｗ２は例えば０．８ｍｍである。金属層８の面積は、枠部３の上面３ａの面積（又は金属層４の面積）よりも大きくなっている。金属層８の面積は、金属層４の面積よりも例えば１５０％〜２１０％大きくなっている。金属層８と金属層４とは、互いに合金製（例えばＡｕＳｎ）のロウ材９を介して接合されている。これにより、蓋部５が枠部３に囲まれた空間を塞ぐように枠部３に接合している。枠部３と蓋部５との接合に寄与しない余剰なロウ材９ａは、蓋部５に設けられる金属層８上を伝って流れた後、金属層８上にて固まっている。ロウ材９は、例えば図５に示されるように、金属層４上に塗布されることによって、金属層８と金属層４との接合に用いられる。金属層４と、金属層８と、ロウ材９とは、電気的に浮遊している。
【００２５】
図２に示されるように、外部接続用配線６は、方向Ｄ１において互いに対向している枠部３の一対の側壁３ｂ１，３ｂ２の内、側壁３ｂ１の一部を貫通するように設けられている。同様に、外部接続用配線７は、枠部３の側壁３ｂ２の一部を貫通するように設けられている。外部接続用配線６，７は、それぞれ電子部品１１と電気的に接続されている端子（又は配線）である。外部接続用配線６，７は、電子部品１１と直接接続されていてもよいし、他の配線等を介して電気的に接続されていてもよい。外部接続用配線６，７は、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタン（Ｔｉ）等の金属又はそれらの合金等から形成されている。第１の実施形態では、外部接続用配線６を入力端子とし、外部接続用配線７を出力端子とする。
【００２６】
以上に説明した、第１の実施形態の電子部品搭載用パッケージ１によって得られる効果について説明する。図６の（ａ）は、比較例に係る電子部品搭載用パッケージの斜視図を示す。図６の（ｂ）は、図６の（ａ）のＶＩｂ−ＶＩｂ線矢視部分断面図を示す。図６の（ａ），（ｂ）に示されるように、電子部品搭載用パッケージ１０１において、蓋部５の主面５ａに設けられた金属層１０８の幅ｗ３は、枠部３の幅ｗ１と略同一の大きさである。すなわち、金属層１０８の面積は、金属層４の面積と略同一である。この場合、枠部３と蓋部５との接合に寄与しない余剰なロウ材９ａが、重力に沿って枠部３の側壁３ｂを伝って流れることにより、ロウ材９が枠部３の側壁３ｂに付着してしまう。この場合、電子部品搭載用パッケージ１０１が外観不良と評価され、不良品となるおそれがある。また、この余剰なロウ材９ａが外部接続用配線６，７又はベース部２に接触し、短絡が発生するおそれがある。ロウ材９がＸ線を通さない材料を含んでいる場合、Ｘ線を用いた電子部品搭載用パッケージ１０１の内部検査を良好に行えないおそれもある。
【００２７】
上記比較例に対して第１の実施形態では、図２〜図４に示されるように、金属層８の面積は、金属層４の面積よりも大きくなっている。この場合、枠部３と蓋部５との接合に寄与しない余剰なロウ材９ａは、方向Ｄ３から見て枠部３と重なっていない金属層８上を伝って流れる。この現象は、セラミックス製の枠部３のロウ材９に対するぬれ性と、金属層８のロウ材９に対するぬれ性との違いによって発生する。つまり、ロウ材９に対する金属層８のぬれ性は、ロウ材９に対する枠部３のぬれ性よりもよいため、余剰なロウ材９ａは重力に沿って枠部３の側壁３ｂを伝って流れるよりもむしろ金属層８上を伝って流れる。したがって、第１の実施形態における電子部品搭載用パッケージ１では、枠部３と蓋部５との接合に寄与しない余剰なロウ材９ａが枠部３の側壁３ｂに流れることが抑制される。
【００２８】
また、金属層８は、枠部３に対向して、蓋部５の周縁を包囲した枠状のパターンを有しており、蓋部５には金属層８が設けられない誘電体材料だけの領域を備えている。このため、金属層８が反射板として作用して電子部品１１の高周波特性を劣化させることを抑制できる。
【００２９】
また、蓋部５の主面５ａ上の金属層８は枠状であり、金属層８の幅ｗ２は、金属層４の幅ｗ１よりも大きくてもよい。この場合、余剰なロウ材９ａが金属層８上を均一に伝って流れやすくなる。したがって、余剰なロウ材９ａが枠部３の側壁３ｂに流れることが一層抑制される。
【００３０】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。図７に示されるように、蓋部５の主面５ａには、枠状（四角枠状）の金属層（第２金属層）８Ａが設けられている。金属層８Ａにおいて、方向Ｄ１に沿って互いに対向する一対の領域８Ａ１，８Ａ２の幅ｗ４は、枠部３の幅ｗ１と略同一若しくは枠部３の幅ｗ１以下であり、例えば０．５ｍｍである。金属層８Ａにおいて、方向Ｄ２に沿って互いに対向する一対の領域８Ａ３，８Ａ４の幅ｗ５は、枠部３の幅ｗ１よりも大きくなっており、例えば０．８ｍｍである。したがって、領域８Ａ３，８Ａ４の幅ｗ５は、領域８Ａ１，８Ａ２の幅ｗ４（及び枠部３の幅ｗ１）よりも、例えば２６０％〜２７０％大きくなっている。すなわち、金属層８Ａの面積は、金属層４の面積よりも例えば１３０％〜１３５％大きくなっている。
【００３１】
図８は、第２の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの一部を透過した平面図を示す。図８に示されるように、方向Ｄ３から見て、金属層８Ａは枠部３の上面３ａを覆っているが、電子部品１１を覆っていない。方向Ｄ３から見て、金属層８Ａの領域８Ａ１は外部接続用配線６と重なっており、領域８Ａ２は外部接続用配線７と重なっている。方向Ｄ３から見て、蓋部５の主面５ａ上の金属層８Ａにおいて、外部接続用配線６と重なり合う領域８Ａ１の幅ｗ４は、枠部３の幅ｗ１以下である。同様に、方向Ｄ３から見て、金属層８Ａにおける外部接続用配線７と重なり合う領域８Ａ２の幅ｗ４は、枠部３の幅ｗ１以下である。また、方向Ｄ３から見て、蓋部５の主面５ａ上の金属層８Ａにおいて、外部接続用配線６，７と重ならない領域８Ａ３，８Ａ４の幅ｗ５は、枠部３の幅ｗ１よりも大きい。
【００３２】
図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線矢視部分断面図を示す。図９に示されるように、外部接続用配線６は、配線２１と、リード端子（又はリード配線）２２とを有する。配線２１は、誘電体からなるフィードスルー部（例えば、絶縁性のセラミックス基板）２３上に設けられており、枠部３の側壁３ｂ１を貫通するように設けられている。配線２１は、金属層４と接地電位に接続される金属製のベース部２との間に位置することにより、高周波伝送路を構成している。リード端子２２は、枠部３の側壁３ｂの外側にて配線２１に接続されている。上述のように、方向Ｄ３から見て、蓋部５の主面５ａ上の金属層８Ａにおいて、外部接続用配線６と重なり合う領域８Ａ１の幅ｗ４は、枠部３の幅ｗ１以下である。つまり、方向Ｄ３から見て、金属層８Ａは、側壁３ｂを介する箇所以外では外部接続用配線６と重なっていない。
【００３３】
以上説明したように、蓋部５の主面５ａ上に設けられている金属層８Ａの面積は、枠部３の上面３ａ上に設けられている金属層４の面積よりも大きくなっている。したがって、第２の実施形態においても第１実施形態と同等の効果を奏する。さらに、方向Ｄ３から見て、金属層８Ａにおいて、外部接続用配線６，７と重なり合う領域８Ａ１，８Ａ２の幅ｗ４は、枠部３の幅ｗ１以下である。これにより、蓋部５を接合する前後で、配線２１に対向する接地電位の導体（金属層４、金属層８Ａ）の面積は変化しない。すなわち、蓋部５の金属層８Ａによってロウ材を収容することができることに加えて、蓋部５の接合に伴う配線２１の特性インピーダンスの変動が抑制される。したがって、外部接続用配線６又は外部接続用配線７を介した金属層８Ａによる電子部品１１の電気特性への影響（例えば信号の入出力の変動、又は信号利得の変動等）が抑制される。
【００３４】
（第３の実施形態）
図１０の（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。図１１の（ａ），（ｂ）は、第３の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。図１０の（ａ），（ｂ）において、仮想線で示される領域３１，３１Ａは、方向Ｄ３から見て電子部品１１と蓋部５とが互いに重なる領域を示している。図１０の（ｂ）に示される場合（すなわち、電子部品１１のサイズが大きい場合）、方向Ｄ３から見て蓋部５の主面５ａ上に設けられた金属層８Ａの一部は、領域３１Ａと重なることがある。このように金属層８Ａと領域３１Ａとが方向Ｄ３から見て互いに重なっている場合、電子部品１１の電気特性に影響するおそれがある。
【００３５】
電子部品のサイズが大きい場合であっても、電子部品の電気特性に影響が発生することを抑制するために、例えば図１１の（ａ）に示される金属層８Ｂの形状にすることが挙げられる。金属層８Ｂは、枠状領域３２と、延在領域３３とを有する。枠状領域３２は、枠部３の上面３ａに設けられている四角枠状の金属層４に対向している。枠状領域３２の幅ｗ６は、枠部３の幅ｗ１と略同一である。延在領域３３の各々は、枠状領域３２の隅部３２ａから枠状領域３２の内側に延在している略矩形状の領域である。つまり、延在領域３３は、枠状領域３２の隅部３２ａから連続して設けられている領域である。これにより、金属層８Ｂの面積は、枠状領域３２の幅ｗ６が枠部３の幅ｗ１と同一の場合であっても、金属層４の面積よりも大きくなる。金属層８Ｂの面積は、金属層４の面積よりも例えば１２０％〜１３０％大きくなっている。
【００３６】
図１１の（ｂ）に示される金属層８Ｃの形状にすることによって、電子部品１１Ａの電気特性に影響が発生することを抑制してもよい。金属層８Ｃは、枠状領域３２と、延在領域３４とを有する。延在領域３４の各々は、枠状領域３２の隅部３２ａから枠状領域３２の内側に延在している扇形状の領域である。具体的には、延在領域３４の各々は、枠状領域３２の隅部３２ａの内側の角３２ａ１を中心とした扇形状を有している。これにより、金属層８Ｃの面積は、枠状領域３２の幅ｗ６が枠部３の幅ｗ１と同一の場合であっても、金属層４の面積よりも大きくなる。金属層８Ｃの面積は、金属層４の面積よりも例えば１３０％〜１４０％大きくなっている。
【００３７】
図１２は、図１１の（ａ）において領域３１Ａを示した図である。図１２に示されるように、方向Ｄ３から見て金属層８Ｂと領域３１Ａ（電子部品１１Ａ）とは、互いに重なっていない。つまり、方向Ｄ３から見て領域３１Ａは、枠状領域３２及び延在領域３３の両方と重なっていない。
【００３８】
図１３は、第３の実施形態に係る電子部品搭載用パッケージの一部を透過した平面図を示す。図１３に示されるように方向Ｄ３から見て金属層８Ｂは枠部３の上面３ａを覆うと共に、電子部品１１Ａを覆っていない。つまり、方向Ｄ３から見て領域３１Ａは、枠状領域３２及び延在領域３３の両方と重なっていない。また、方向Ｄ３から見て、延在領域３３は、外部接続用配線６，７と重なっていない。つまり、方向Ｄ３から見て、外部接続用配線６，７のそれぞれは、金属層８Ｂの枠状領域３２と重なっているが、延在領域３３とは重なっていない。また、方向Ｄ３から見て延在領域３３は、枠部３に囲まれる空間内における外部接続用配線６，７の幅方向の両側に設けられている。
【００３９】
方向Ｄ３から見て、電子部品１１Ａは、外部接続用配線６，７を介して外部回路等に接続される。枠部３に囲まれる空間内における外部接続用配線６，７の幅方向の両側は、構造上電子部品１１Ａ等が配置されない領域になる。この領域に重なるように蓋部５の主面５ａに延在領域３３を設けることによって、延在領域３３による電子部品１１Ａの電気特性への影響を防ぐことができる。そして、延在領域３３に余剰なロウ材を流すことにより、余剰なロウ材が枠部３の側壁３ｂを伝って流れることを抑制できる。
【００４０】
以上説明したように、蓋部５の主面５ａ上に設けられている金属層８Ｂの面積は、枠部３の上面３ａ上に設けられている金属層４の面積よりも大きくなっている。具体的には、金属層８Ｂは、延在領域３３を有するため、金属層８Ｂの面積は、金属層４の面積よりも大きくなっている。したがって、第３の実施形態においても第１実施形態と同等の効果を奏する。また、延在領域３３は、方向Ｄ３から見てサイズの大きい電子部品１１Ａと重なっていない。これにより、延在領域３３による電子部品１１Ａの電気特性への影響が抑制される。また、金属層８Ｂの代わりに蓋部５の主面５ａ上に金属層８Ｃを設けた場合であっても、金属層８Ｂと同等の効果が奏される。
【００４１】
また、方向Ｄ３から見て、延在領域３３は電子部品１１Ａと電気的に接続される外部接続用配線６，７と重なっていない。これにより、外部接続用配線６又は外部接続用配線７を介した金属層８Ｂによる電子部品１１，１１Ａの電気特性への影響（例えば信号の入出力の変動、又は信号利得の変動等）が抑制される。
【００４２】
また、方向Ｄ３から見て、延在領域３４は少なくとも一つの隅部３２ａの内側の角３２ａ１を中心とした扇形状を有していてもよい。この場合、余剰なロウ材９ａが延在領域３４上を均一に流れやすくなる。
【００４３】
（第４の実施形態）
図１４の（ａ）は、第４の実施形態に係る蓋部の底面図を示す。図１４の（ｂ），（ｃ）は、第４の実施形態に係る蓋部の側面図を示す。図１４の（ａ）〜（ｃ）に示されるように、蓋部５Ａは、略直方体形状の主部４１及び突出部４２を有する。蓋部５Ａの厚さ方向から見た主部４１における主面５Ａａの各頂点５Ａａ１の周辺には、主部４１と一体になっている突出部４２が設けられている。また、主面５Ａａ上及び突出部４２の主面４２ａ上には、金属層８Ｄが設けられている。蓋部５Ａの厚さ方向から見た金属層８Ｄは、枠状領域４３と余剰領域４４とを有する。枠状領域４３の幅ｗ７は、例えば０．５ｍｍ〜０．８ｍｍである。つまり、枠状領域４３の幅ｗ７は、枠部３の幅ｗ１と同一でもよいし、大きくてもよい。余剰領域４４は、突出部４２の主面４２ａ上に設けられている領域であり、枠状領域４３から連続して設けられている領域である。また、蓋部５Ａの側面５Ａｂ，５Ａｃの一部には略矩形状の金属層４５が設けられている。金属層４５は、金属層８Ｄの枠状領域４３と連続して設けられている。つまり、金属層４５は金属層８Ｄの一部であり、蓋部５の側面５Ａｂ，５Ａｃの少なくとも一部に延在して設けられている。よって、金属層８Ｄの面積は、枠状領域４３の幅ｗ７が枠部３の幅ｗ１と同一の場合であっても、金属層４の面積よりも大きくなる。金属層８Ｄの面積は、金属層４の面積よりも例えば１．１％〜１．２％大きくなっている。なお、蓋部５Ａにおける突出部４２は、例えば切断加工又は研磨加工等によって除去されてもよい。
【００４４】
図１５の（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態に係る蓋部の製造方法の一例を示す。まず第１ステップとして、図１５の（ａ）に示されるように、絶縁性の基板５１上にパターニングされた金属層５２を形成する。例えばフォトリソグラフィーなどによって、基板５１が露出した略矩形状の領域５１ａ，５１ｂが形成されるように格子状にパターニングされた金属層５２を形成する。方向Ｄ３から見て、領域５１ａの各辺に隣り合って領域５１ｂが位置するように、金属層５２を形成する。方向Ｄ３から見て、領域５１ａの面積は領域５１ｂの面積よりも大きい。
【００４５】
次に第２ステップとして、図１５の（ｂ）に示されるように、領域５１ｂを除去することによって、基板５１に空間（ビア）Ｓを形成する。領域５１ｂは、例えば切削加工又はドライエッチングによって除去される。基板５１に空間Ｓが形成されることによって、領域５１ａ及び金属層５２の一部を有する複数の蓋部５Ａが、基板５１の一部及び金属層５２の他の一部から構成される接続部５３によって互いに接続されている状態になる。続いて、基板５１に空間Ｓを形成したことによって露出した蓋部５Ａの各側面に金属層を形成する。例えばレジストマスクを介した金メッキにより、金属層５２から連続して延在するように当該金属層を設ける。この金属層は、図１４（ｂ），（ｃ）に示される金属層４５に相当するものである。
【００４６】
次に第３ステップとして、図１５の（ｃ）に示されるように、接続部５３を切断することによって複数の蓋部５Ａを個別に分割する。例えばダイシングソー等を用いて、方向Ｄ１及び方向Ｄ２に沿って延在する一点鎖線Ｌに沿って接続部５３を切断する。方向Ｄ３から見た一点鎖線Ｌは、空間Ｓを通過し、領域５１ａを通過しない線である。これにより、図１４の（ａ）〜（ｃ）に示される、主部４１及び突出部４２を有し、蓋部５Ａの主面５Ａａ及び側面５Ａｂ，５Ａｃに金属層４５が設けられた蓋部５Ａを複数形成する。なお、蓋部５Ａにおける突出部４２は、例えば切断加工又は研磨加工等によって除去されてもよい。
【００４７】
以上説明したように、蓋部５Ａの表面上に設けられている金属層８Ｄの面積は、枠部３の上面３ａ上に設けられている金属層４の面積よりも大きくなっている。具体的には、金属層８Ｄは、金属層４５を有するため、金属層８Ｄの面積は、金属層４の面積よりも大きくなっている。したがって、余剰なロウ材９が、蓋部５Ａの主面５Ａａ上に設けられた枠状領域４３上だけでなく、蓋部５Ａの側面５Ａｂ，５Ａｃに設けられた金属層４５上を伝って流れる。したがって、余剰なロウ材９が枠部３の側壁３ｂに流れることが抑制される。
【００４８】
本発明による電子部品搭載用パッケージは、上述した第１〜第４の実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記第１〜第４の実施形態を適宜組み合わせてもよい。例えば、第１の実施形態に記載された金属層８を、第４の実施形態に記載された金属層８Ｄに変更してもよい。また、例えば、第４の実施形態に記載された金属層８Ｄの枠状領域４３を、第３の実施形態に記載された金属層８ｂに変更してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１，１０１…電子部品搭載用パッケージ、２…ベース部、２ａ…主面、３…枠部、３ａ…上面、３ｂ，３ｂ１，３ｂ２…側壁、４…金属層（第１金属層）、５，５Ａ…蓋部、５ａ、５Ａａ…主面、６，７…外部接続用配線、８，８Ａ〜８Ｄ，１０８…金属層（第２金属層）、８Ａ１〜８Ａ４…領域、９，９ａ…ロウ材、１１，１１Ａ…電子部品、２１…配線、２２…リード端子、３２，４３…枠状領域、３２ａ…隅部、３２ａ１…角、３３，３４…延在領域、４５…金属層、５１…基板、５２…金属層、５３…接続部、Ｄ１…方向（短手方向）、Ｄ２…方向（長手方向）、Ｄ３…方向（厚さ方向）、Ｓ…空間（ビア）、ｗ１〜ｗ７…幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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