(57)【要約】【課題】長期の使用によっても優れた透光性を有する反射防止層を形成することができる反射防止層用樹脂組成物、かかる反射防止層用樹脂組成物を用いて形成された優れた透光性を有する反射防止層、かかる反射防止層を備える信頼性に優れた透光性基板、光学素子、電子装置および光学装置を提供すること。【解決手段】本発明の反射防止層用樹脂組成物は、反射防止層１０２を形成するために用いられ、下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物と、反応開始剤とを含有することを特徴とする。なお、下記一般式（Ｉ）中、各基Ｒは、それぞれ独立して、エポキシ基、ビニル基、（メタ）アクリロイル基またはイソシアネート基であり、ｎは、それぞれ独立して、１以上の整数を表す。2015099230.tif 000016【選択図】図１
2015099230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物と、反応開始剤とを含有することを特徴とする反射防止層用樹脂組成物。
【化１】
2015099230.tif 000015
［前記一般式（Ｉ）中、各基Ｒは、それぞれ独立して、エポキシ基、ビニル基、（メタ）アクリロイル基またはイソシアネート基であり、ｎは、それぞれ独立して、１以上の整数を表す。］
【請求項２】
各前記基Ｒは、それぞれ、エポキシ基である請求項１に記載の反射防止層用樹脂組成物。
【請求項３】
各前記ｎは、それぞれ独立して、２以上の整数を表す請求項１または２に記載の反射防止層用樹脂組成物。
【請求項４】
前記反応開始剤は、光酸発生剤である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の反射防止層用樹脂組成物。
【請求項５】
当該反射防止層用樹脂組成物中における前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の含有量は、２ｗｔ％以上、１００ｗｔ％未満である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の反射防止層用樹脂組成物。
【請求項６】
当該反射防止層用樹脂組成物は、さらに、酸化防止剤を含有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の反射防止層用樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の反射防止層用樹脂組成物を用いて形成されたことを特徴とする反射防止層。
【請求項８】
当該反射防止層に入射する入射光の反射率は、３％以下である請求項７に記載の反射防止層。
【請求項９】
屈折率は、１．４以上、１．６以下である請求項７または８に記載の反射防止層。
【請求項１０】
屈折率をＮとし、厚さをＷとした時、Ｎ×Ｗは、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である請求項７ないし９のいずれか１項に記載の反射防止層。
【請求項１１】
当該反射防止層の表面に凹凸を備え、前記凹凸のピッチが３００ｎｍ以下である請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の反射防止層。
【請求項１２】
前記凹凸の高さは、０．０２μｍ以上、０．９５μｍ以下である請求項１１に記載の反射防止層。
【請求項１３】
請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の反射防止層を備えることを特徴とする透光性基板。
【請求項１４】
請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の反射防止層を備えることを特徴とする光学素子。
【請求項１５】
請求項１３に記載の透光性基板を備えることを特徴とする電子装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の光学素子を備えることを特徴とする光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射防止層用樹脂組成物、反射防止層、透光性基板、光学素子、電子装置および光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ表示装置、陰極管表示装置（ＣＲＴ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）や液晶表示装置（ＬＣＤ）のような表示装置（電子装置）が備える基板には透明性が必要とされるため、この基板（透光性基板）として、透明樹脂フィルムを用いたものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このような透光性基板には、通常、外光の反射によるコントラスト低下や像の映り込みを防止するために、光学干渉の原理を用いて反射率を低減させることを目的に、その最表面に反射防止層（反射防止部材）が配置されている（例えば、特許文献２、３参照。）。
【０００４】
かかる構成の表示装置において、例えば、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ表示装置が備える発光素子が発光する際に発熱し、これに起因して、透光性基板が備える反射防止層が加熱されるために、有機ＥＬ表示装置の長期の使用により反射防止層に黄変等による着色が生じ、反射防止層の透光性が低下するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４９１８５号公報
【特許文献２】特開２０１２−００８１５８号公報
【特許文献３】特開２０１０−１７５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、長期の使用によっても優れた透光性を有する反射防止層を形成することができる反射防止層用樹脂組成物、かかる反射防止層用樹脂組成物を用いて形成された優れた透光性を有する反射防止層、かかる反射防止層を備える信頼性に優れた透光性基板、光学素子、電子装置および光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記（１）〜（１６）に記載の本発明により達成される。
（１）  下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物と、反応開始剤とを含有することを特徴とする反射防止層用樹脂組成物。
【化１】
2015099230.tif 000003
［前記一般式（Ｉ）中、各基Ｒは、それぞれ独立して、エポキシ基、ビニル基、（メタ）アクリロイル基またはイソシアネート基であり、ｎは、それぞれ独立して、１以上の整数を表す。］
【０００８】
（２）  各前記基Ｒは、それぞれ、エポキシ基である上記（１）に記載の反射防止層用樹脂組成物。
【０００９】
（３）  各前記ｎは、それぞれ独立して、２以上の整数を表す上記（１）または（２）に記載の反射防止層用樹脂組成物。
【００１０】
（４）  前記反応開始剤は、光酸発生剤である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の反射防止層用樹脂組成物。
【００１１】
（５）  当該反射防止層用樹脂組成物中における前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の含有量は、２ｗｔ％以上、１００ｗｔ％未満である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の反射防止層用樹脂組成物。
【００１２】
（６）  当該反射防止層用樹脂組成物は、さらに、酸化防止剤を含有する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の反射防止層用樹脂組成物。
【００１３】
（７）  上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の反射防止層用樹脂組成物を用いて形成されたことを特徴とする反射防止層。
【００１４】
（８）  当該反射防止層に入射する入射光の反射率は、３％以下である上記（７）に記載の反射防止層。
【００１５】
（９）  屈折率は、１．４以上、１．６以下である上記（７）または（８）に記載の反射防止層。
【００１６】
（１０）  屈折率をＮとし、厚さをＷとした時、Ｎ×Ｗは、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である上記（７）ないし（９）のいずれかに記載の反射防止層。
【００１７】
（１１）  当該反射防止層の表面に凹凸を備え、前記凹凸のピッチが３００ｎｍ以下である上記（７）ないし（１０）のいずれかに記載の反射防止層。
【００１８】
（１２）  前記凹凸の高さは、０．０２μｍ以上、０．９５μｍ以下である上記（１１）に記載の反射防止層。
【００１９】
（１３）  上記（７）ないし（１２）のいずれかに記載の反射防止層を備えることを特徴とする透光性基板。
【００２０】
（１４）  上記（７）ないし（１２）のいずれかに記載の反射防止層を備えることを特徴とする光学素子。
【００２１】
（１５）  上記（１３）に記載の透光性基板を備えることを特徴とする電子装置。
（１６）  上記（１４）に記載の光学素子を備えることを特徴とする光学装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物と、反応開始剤とを含有する反射防止層用樹脂組成物を用いて、長期の使用によっても優れた透光性を有する反射防止層を形成することができる。したがって、かかる反射防止層を備える透光性基板、光学素子、電子装置および光学装置を優れた信頼性を有するものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の電子装置が適用された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置が備える透光性基板を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図３】本発明の光学素子が適用されたマイクロレンズアレーの実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の光学素子が適用されたマイクロプリズムアレーの実施形態を示す縦断面図である。
【図５】本発明の光学素子を備える発光ダイオードの実施形態を示す縦断面図である。
【図６】本発明の光学素子を備える撮像装置の実施形態を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の反射防止層用樹脂組成物、反射防止層、透光性基板、光学素子、電子装置および光学装置について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
まず、本発明の電子装置が適用された有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）について説明する。
【００２６】
＜有機ＥＬ表示装置＞
図１は、本発明の電子装置が適用された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２７】
図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、透光性基板（樹脂フィルム）Ａと、画素毎に対応してそれぞれ設けられた発光素子Ｃと、各発光素子Ｃをそれぞれ駆動するための複数の薄膜トランジスタＢとを有している。
【００２８】
なお、本実施形態において、有機ＥＬ表示装置１は、発光素子Ｃが光を発光すると、その光を透光性基板Ａ側から取り出す（透過させる）ボトムエミッション構造のディスプレイパネルである。
【００２９】
透光性基板Ａは、平板状をなす基材１０１と、この基材１０１の下面（薄膜トランジスタＢおよび発光素子Ｃが形成されるのと反対側の面）に設けられた反射防止層１０２とを有している。
【００３０】
この透光性基板（樹脂フィルム）Ａ上には、有機ＥＬ表示装置１が備える複数の発光素子Ｃに対応して薄膜トランジスタＢが設けられ、これらの薄膜トランジスタＢを覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層３０１が形成されている。
【００３１】
各薄膜トランジスタＢは、透光性基板Ａ上に形成されたゲート電極２００と、ゲート電極２００を覆うように設けられたゲート絶縁層２０１と、ゲート絶縁層２０１上に設けられたソース電極２０２およびドレイン電極２０４と、ソース電極２０２とドレイン電極２０４との間のチャネル領域に形成され、例えば、酸化物半導体材料からなる半導体層２０３とを有している。
【００３２】
また、平坦化層３０１上には、各薄膜トランジスタＢに対応して、発光素子（有機ＥＬ素子）Ｃが設けられている。
【００３３】
これら発光素子Ｃは、本実施形態では、それぞれ、陽極３０２および陰極３０６と、これらの間に陽極３０２側から積層された、正孔輸送層３０３と、発光層３０４と、電子輸送層３０５とをこの順に備える。
【００３４】
また、各発光素子Ｃの各陽極３０２は、各薄膜トランジスタＢのドレイン電極２０４に導電部３００により電気的に接続されている。
【００３５】
かかる構成の発光素子Ｃを複数備える有機ＥＬ表示装置１において、各発光素子Ｃの発光輝度を、薄膜トランジスタＢを用いて制御することにより、すなわち各発光素子Ｃへ印加する電圧を制御することにより、有機ＥＬ表示装置１のフルカラー表示が可能となる。また、各発光素子Ｃを同時に発光させることで単色表示も可能である。
【００３６】
さらに、これらの発光素子Ｃ上には、本実施形態では、これらを覆うように封止基板４００が形成されている。これにより、発光素子Ｃの気密性が確保され、酸素や水分の浸入を防止することができる。
【００３７】
かかる構成の有機ＥＬ表示装置１において、上記の通り発光素子Ｃで発光した光が透光性基板Ａを透過することで有機ＥＬ表示装置１の外側に取り出され、さらに、発光素子Ｃが発光する際に発熱することから、有機ＥＬ表示装置１を優れた信頼性を有するものとするためには、透光性基板Ａが備える反射防止層１０２は、長期の使用によっても黄変等が生じることなく優れた透光性を有することが求められる。
【００３８】
このように、反射防止層１０２を、長期の使用によっても優れた透光性を有するものとするために、本発明では、下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物と、反応開始剤とを含有する反射防止層用樹脂組成物（本発明の反射防止層用樹脂組成物）を用いて形成されたものとする。
【００３９】
＜反射防止層用樹脂組成物＞
以下、この反射防止層用樹脂組成物（以下、単に「樹脂組成物」と言うこともある。）に含まれる各構成材料について詳述する。
【００４０】
（下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物）
下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、樹脂組成物の主材料を構成し、反射防止層１０２を、下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を、反応開始剤で重合させることで得られる反応物を主材料として構成するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
【００４１】
【化２】
2015099230.tif 000004
［前記一般式（Ｉ）中、各基Ｒは、それぞれ独立して、エポキシ基、ビニル基、（メタ）アクリロイル基またはイソシアネート基であり、ｎは、それぞれ独立して、１以上の整数を表す。］
【００４２】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、主骨格としてトリアジン骨格を有することから、反射防止層１０２は、優れた耐熱性を発揮するものとなるとともに、有機ＥＬ表示装置１の長期の使用によっても、発光素子Ｃの発熱により、反射防止層１０２が黄変等により着色することなく、優れた透光性を維持するものとなる。
【００４３】
また、各基Ｒは、樹脂組成物から得られる反応物（硬化物）中において、前記一般式（Ｉ）で表される化合物が重合反応する際の官能基として機能するが、かかる基Ｒを３つ有していることから、前記一般式（Ｉ）で表される化合物が重合反応することにより形成されるネットワークを緻密なものとすることができる。そのため、有機ＥＬ表示装置１の長期の使用によっても、反射防止層１０２の透光性が低下するのを確実に抑制または防止することができる。
【００４４】
かかる構成の前記一般式（Ｉ）で表される化合物において、各基Ｒは、それぞれ独立して、エポキシ基、ビニル基、（メタ）アクリロイル基またはイソシアネート基を表すが、３つの基Ｒは、ともにエポキシ基であることが好ましい。すなわち、前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、下記一般式（Ｉａ）で表されるトリアジン骨格型エポキシ樹脂前駆体であることが好ましい。これにより、前記一般式（Ｉａ）で表される化合物が重合反応することにより形成されるネットワークをより緻密なものとすることができる。
【００４５】
【化３】
2015099230.tif 000005
［前記一般式（Ｉａ）中、ｎは、それぞれ独立して、１以上の整数を表す。］
【００４６】
また、前記一般式（Ｉ）で表される化合物において、各ｎは、それぞれ独立して、１以上の整数を表すが、２以上の整数を表すことが好ましく、２以上、５以下の整数を表すことがより好ましい。これにより、前記一般式（Ｉ）で表される化合物が有する窒素原子と、官能基Ｒとの離間距離が適切な大きさに設定されて、反応開始剤を介した、官能基Ｒ同士の反応をより確実に進行させることができる。
【００４７】
（反応開始剤）
反応開始剤としては、樹脂組成物中に含まれることで前記一般式（Ｉ）で表される化合物同士の重合反応を開始させ得るものであれば、特に限定されず、例えば、酸発生剤（カチオン系反応開始剤）、塩基発生剤（アニオン系反応開始剤）、酸無水物、脂肪族アミン等の架橋剤、ラジカル系反応開始剤等が挙げられ、これらの反応開始剤の１種または２種以上の混合物が用いられる。
【００４８】
カチオン系反応開始剤としては、加熱によりカチオン重合を開始させる物質を放出するもの、例えばオニウム塩系カチオン反応開始剤、またはアルミニウムキレート系カチオン反応開始剤や、活性エネルギー線によってカチオン重合を開始させる物質を放出させるもの、例えばオニウム塩系カチオン系反応開始剤、またこれらの混合物等が挙げられる。
【００４９】
光カチオン系反応開始剤（光酸発生剤）としては、多官能カチオン重合性化合物および単官能カチオン重合性化合物を光カチオン重合により反応させ得るものであればよく、例えば、ルイス酸のジアゾニウム塩、ルイス酸のヨードニウム塩、ルイス酸のスルホニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。光カチオン系反応開始剤の具体例としては、四フッ化ホウ素のフェニルジアゾニウム塩、六フッ化リンのジフェニルヨードニウム塩、六フッ化アンチモンのジフェニルヨードニウム塩、六フッ化ヒ素のトリ−４−メチルフェニルスルホニウム塩、四フッ化アンチモンのトリ−４−メチルフェニルスルホニウム塩、またこれらの混合物等が挙げられる。
【００５０】
また、反射防止層用樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂の種類によっては、イルガキュアシリーズ（チバ・ジャパン株式会社製）のような光ラジカル反応開始剤等も用いられる。
【００５１】
一方、熱カチオン系反応開始剤としては、例えば芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、アンモニウム塩、アルミニウムキレート、三フッ化ホウ素アミン錯体、またこれらの混合物等が挙げられる。また、上記光カチオン系反応開始剤と熱カチオン系反応開始剤を混合しても良い。
【００５２】
このようなカチオン系反応開始剤の含有量は、特に限定されないが、カチオン系反応開始剤を除く反射防止層用樹脂組成物１００質量部に対して０．１〜５質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜３質量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると反射防止層用樹脂組成物の硬化性が低下する場合があり、前記上限値を超えると反射防止層１０２が脆くなる場合がある。
【００５３】
光硬化させる場合は、反射防止層用樹脂組成物の硬化反応を促進させるため、必要に応じて、増感剤、酸増殖剤等も併せて用いることができる。
【００５４】
アニオン系反応開始剤（アニオン系触媒）としては、例えばアミン系反応開始剤が挙げられる。硬化性樹脂としてエポキシ樹脂が含まれる場合、このエポキシ樹脂中のエポキシ基と共有結合を形成することが可能な１級アミンまたは２級アミンを分子中に２個以上含むものであれば、特に分子量や構造は限定されるものではない。そのようなアミン系反応開始剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、１，４−ビス（２−アミノ−２−メチルプロピル）ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−Ｐ−アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類等が挙げられる。これらの反応開始剤は、単独で用いても、２種以上の反応開始剤を配合して用いても良い。また、アミン系反応開始剤と併用／または単独でイミダゾール化合物を使用することも挙げられる。イミダゾール化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジン、又そのイソシアネート付加物等が挙げられ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【００５５】
また、酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水ドデシニルコハク酸、無水ジクロルコハク酸、無水メチルナジック酸、無水ピロメリット酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、アルキルスチレン− 無水マレイン酸共重合体、テトラブロム無水フタル酸、ポリアゼライン酸無水物、無水クロレンディク酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。また、酸無水物系反応開始剤と併用してイミダゾール化合物を使用することも挙げられる。イミダゾール化合物としては、例えば前記記載したものが挙げられる。
【００５６】
さらに、樹脂組成物中には、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物と、反応開始剤との他に、他の樹脂が含まれていてもよく、この樹脂としては、硬化性樹脂（熱および／または光架橋性樹脂）が好ましく用いられる。
【００５７】
このような、硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、イソシアネート樹脂、アクリレート樹脂、オレフィン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ジアリルカーボネート樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、シルセスキオキサン化合物等が挙げられ、中でも、エポキシ樹脂であることが好ましい。これにより、前記一般式（Ｉ）で表される化合物による重合反応を、このエポキシ樹脂を介して行うことができ、得られる反応物を、有機ＥＬ表示装置１の長期の使用によっても、優れた透光性を有するものとすることができるとともに、優れた耐熱性を有するものとすることができる。
【００５８】
（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、またはこれらの水添化物、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート骨格を有するエポキシ樹脂、カルド骨格を有するエポキシ樹脂、ポリシロキサン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式多官能エポキシ樹脂、水添ビフェニル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ骨格を有する脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのエポキシ樹脂の１種または２種以上の混合物を用いることができる。
【００５９】
なお、硬化前の反射防止層用樹脂組成物（樹脂組成物）中には、エポキシ樹脂の前駆体（樹脂前駆体）が含まれていてもよい。
【００６０】
かかるグリシジル型エポキシ樹脂または樹脂前駆体の具体例としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ等のノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ等のビスフェノール型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンのような芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ、ビフェニル型エポキシ、スチルベン型エポキシ、トリフェノールメタン型エポキシ、トリフェノールプロパン型エポキシ、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ、トリアジン核含有エポキシ、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ、ナフトール型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ等のアラルキル型エポキシ等のエポキシ樹脂、フルオレン骨格を有するグリシジル型エポキシ樹脂、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオキサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル等単官能エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００６１】
また、脂環式エポキシ樹脂または樹脂前駆体の具体例としては、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’、４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、１，２：８，９−ジエポキシリモネン、ジシクロペンタジエンジオキサイド、シクロオクテンジオキサイド、アセタールジエポキシサイド、ビニルシクロヘキサンジオキシド、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、エキソーエキソビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２，２−ビス（４−（２，３−エポキシプロピル）シクロヘキシル）プロパン、２，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシシクロヘキシル−ｐ−ジオキサン）、２，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ノルボルネン、リノール酸二量体のジグリシジルエーテル、リモネンジオキシド、２，２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、ｏ−（２，３−エポキシ）シクロペンチルフェニル−２，３−エポキシプロピルエーテル、１，２−ビス［５−（１，２−エポキシ）−４，７−ヘキサヒドロメタノインダンキシル］エタン、シクロヘキサンジオールジグリシジルエーテルおよびジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ε−カプロラクトンオリゴマーの両端にそれぞれ３，４−エポキシシクロヘキシルメタノールと３，４−エポキシシクロヘキシルカルボン酸がエステル結合したもの、エポキシ化されたヘキサヒドロベンジルアルコール等が挙げられる。
【００６２】
なお、２官能脂環式エポキシ樹脂前駆体としては、下記化学式（１）、（２）または（３）で示される脂環式エポキシ構造前駆体が挙げられる。
【００６３】
【化４】
2015099230.tif 000006
［上記式（１）中、−Ｘ−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、または−Ｃ（ＣＨ３）２−を表す。］
【００６４】
【化５】
2015099230.tif 000007
【００６５】
【化６】
2015099230.tif 000008
【００６６】
一方、分子内に１個のエポキシシクロヘキサン環を有する脂環式エポキシ樹脂前駆体としては、下記化学式（４）、（５）で示される脂環式エポキシ樹脂が挙げられる。
【００６７】
【化７】
2015099230.tif 000009
【００６８】
【化８】
2015099230.tif 000010
【００６９】
これらのエポキシ樹脂の中でも、前記化学式（１）または（２）で示される脂環式エポキシ構造前駆体であることが好ましい。これにより、反応開始剤、特にカチオン系反応開始剤による反応がさらに促進され、また前記化学式（１）または（２）で示される脂環式エポキシ構造前駆体が前記一般式（Ｉ）で表される化合物（特に、前記一般式（Ｉａ）で表される化合物）が重合反応することにより形成されるネットワーク内に取り込まれるようにして、樹脂組成物から反射防止層１０２が得られることから、この反射防止層１０２は、有機ＥＬ表示装置１の長期の使用によっても、優れた透光性を発揮するとともに、より優れた耐熱性、耐光性を発揮するものとなる。
【００７０】
また、反射防止層用樹脂組成物には、脂環式エポキシ樹脂とともにシルセスキオキサン系化合物を使用しても良い。このようなオキセタニル基を有するシルセスキオキサン系化合物としては、例えば、ＯＸ−ＳＱ、ＯＸ−ＳＱ−Ｈ、ＯＸ−ＳＱ−Ｆ（いずれも東亞合成株式会社製）等が挙げられる。
【００７１】
さらに、反射防止層用樹脂組成物（樹脂組成物）中には、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤等の添加剤が含まれていることが好ましい。これにより、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を確実に重合反応させることができ、反射防止層１０２を透光性および耐熱性により優れたものとすることができる。
【００７２】
（酸化防止剤）
酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等が用いられるが、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましく用いられる。これにより、特にエポキシ系において酸化防止の効果が顕著に発揮される。
【００７３】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、例えば、ＢＨＴ、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、ペンタエリトリトール＝テトラキス［３−（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオナート］等が挙げられる。
【００７４】
反射防止層用樹脂組成物中の酸化防止剤の含有量は、０．０１質量％以上５質量％以下であるのが好ましく、０．１質量％以上３質量％以下程度であるのがより好ましい。酸化防止剤の含有量を前記範囲内にすることにより、光学異方性の低い反射防止層１０２とすることができ、かつ、信頼性試験においても光学異方性の悪化の程度の小さい反射防止層１０２とすることができる。
【００７５】
また、酸化防止剤の重量平均分子量は、２００〜２０００であるのが好ましく、５００〜１５００であるのがより好ましく、１０００〜１４００であるのがさらに好ましい。酸化防止剤の重量平均分子量が上記範囲内であれば、酸化防止剤の揮発が抑制されるとともに、反射防止層用樹脂組成物に対する相溶性が確保される。このような酸化防止剤は、湿熱処理のような信頼性試験を経ても、反射防止層１０２中に残存して、光学異方性の悪化を抑制し得る反射防止層１０２を実現することができる。
【００７６】
また、ヒンダードフェノール系酸化防止剤以外のフェノール系酸化防止剤としては、例えば、水酸基を挟むように位置する置換基の一方がメチル基等に置換されているセミヒンダード型のフェノール系酸化防止剤や、水酸基を挟む２つの置換基の双方がメチル基等に置換されているレスヒンダード型のフェノール系酸化防止剤が挙げられる。これらは、ヒンダードフェノール系酸化防止剤より少ない添加量で、反射防止層用樹脂組成物中に添加される。
【００７７】
リン系酸化防止剤としては、例えば、トリデシルホスファイト、ジフェニルデシルホスファイト等が挙げられる。
【００７８】
なお、ヒンダードフェノール系酸化防止剤とリン系酸化防止剤とを併用することにより、それらの相乗効果が発揮される。これにより、樹脂材料の酸化防止、および反射防止層１０２の光学異方性の悪化の抑制がより顕著になる。これは、ヒンダードフェノール系酸化防止剤とリン系酸化防止剤とで、樹脂材料の酸化防止のメカニズムが異なるため、両者が独立して働き、さらには相乗的な効果が生じているからであると考えられる。
【００７９】
このようなヒンダードフェノール系酸化防止剤以外の酸化防止剤（特にリン系酸化防止剤）の添加量は、ヒンダードフェノール系酸化防止剤１００質量部に対して、好ましくは３０〜３００質量部程度とされ、より好ましくは５０〜２００質量部程度とされる。これにより、ヒンダードフェノール系酸化防止剤とそれ以外の酸化防止剤とが、それぞれの効果を埋没させる（相殺する）ことなく発揮し、相乗効果をもたらすことができる。
【００８０】
なお、樹脂材料中には、その特性を損なわない範囲で必要に応じて、熱可塑性樹脂等を含んでいてもよい。
【００８１】
上述したような前記一般式（Ｉ）で表される化合物の反射防止層用樹脂組成物中における含有量は、好ましくは２ｗｔ％以上、１００ｗｔ％未満、より好ましくは５ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以下、さらに好ましくは１０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下である。前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量をかかる範囲内に設定することにより、有機ＥＬ表示装置１の長期の使用によっても、発光素子Ｃの発熱により、形成される反射防止層１０２が優れた透光性を維持するものとなるとともに、樹脂組成物の低粘度化を実現することができるため、反射防止層１０２を形成する際の作業性を向上させることができる。
【００８２】
（フィラー）
さらに、樹脂組成物中には、上述した樹脂系の材料の他に、さらに、フィラーが含まれていてもよい。このようにフィラーが含まれる構成とすることで、反射防止層１０２の屈折率を調整することができ、反射防止層１０２の反射防止効果を最適化することができる。
【００８３】
フィラーに使用する材質としては、例えば、無機材料、有機材料、および、それらの混合物等が挙げられ、無機材料としては、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化チタン、シリカ、またはこれらの混合物等が挙げられる。また、有機材料としては、アクリル、スチレン、またはこれらの混合物を使用したもの等が挙げられる。フィラーの形状としては、球状、棒状、平面状のもの等が挙げられる。
【００８４】
フィラーの含有量は、樹脂組成物中に含まれる樹脂系の材料１００質量部に対して１〜９０質量部程度であるのが好ましく、３〜７０質量部程度であるのがより好ましい。
【００８５】
なお、フィラーが粒子の場合、その換算粒径は１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのが好ましい。１０ｎｍ以下では分散が困難であり、３００ｎｍ以上では、透明性が確保されないという問題がある。
【００８６】
上述したような反射防止層用樹脂組成物を用いて形成される反射防止層１０２は、本実施形態では、発光素子Ｃが形成される側の面が平坦面で構成され、発光素子Ｃが形成される側の面と反対側の面が凸部１１２を備える凹凸面で構成されている。すなわち、透光性基板Ａの最表面が凹凸面で構成されている。このように反射防止層１０２を、凹凸面を備える構成とすることで、この反射防止層１０２を外光が透過する透過率を向上させることができる。そのため、外光の反射率を低減させることができ、その結果、外光の反射に起因するコントラスト低下や像の映り込みが的確に抑制または防止されることとなる。
【００８７】
この凸部１１２を備える凹凸面は、外光の透過率を向上させるには、モスアイ構造を有していることが好ましい。
【００８８】
凹凸面がモスアイ構造をなしていることにより、反射防止層１０２の表面と、外気との間における屈折率が、反射防止層１０２の厚さ方向において、連続的に漸次変化することとなり、その結果、凸部１１２を備える凹凸面において入射する外光が反射するのが的確に抑制または防止される。
【００８９】
なお、本明細書において、モスアイ構造とは、複数の円錐状または角錐状をなす凸部（突起）１１２が高密度に乱立することで形成された微細な凹凸構造のことを言う。
【００９０】
このようなモスアイ構造において、モスアイ構造の周期、換言すれば、凸部１１２の頂点同士の距離は、入射光の波長よりも短くなっていることが好ましい。これにより、凹凸面において入射光が反射するのをより的確に抑制または防止することができる。
【００９１】
具体的には、凸部１１２の頂点同士の距離、すなわち凹凸のピッチは、３００ｎｍ以下であることが好ましく、１００以上、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、凸部１１２の頂点同士の距離を、入射光の波長よりも容易に短く設定することが可能となる。
【００９２】
また、凸部１１２の高さは、０．０２μｍ以上、０．９５μｍ以下であるのが好ましく、０．０５μｍ以上、０．９０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００９３】
さらに、反射防止層１０２は、その厚さがλ／４の関係を満足するものであることが好ましい。これにより、反射防止層１０２の基材１０１との界面における反射光と反射防止層１０２の凹凸面における反射光とを逆位相のものとすることができ、これらの反射光が互いに打ち消し合い減衰されることとなり、その結果、凸部１１２を備える凹凸面において入射する外光が反射されるのが視覚的に抑制または防止される。
【００９４】
なお、反射防止層１０２の屈折率をＮとし、厚さをＷ［ｎｍ］とした時、Ｎ×Ｗは、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１２０ｎｍ以上、１７０ｎｍ以下であることがより好ましい。Ｎ×Ｗがこの範囲に入ることで、入射光波長の１／４、すなわちλ／４に近似させることができ、反射防止層としての機能をより顕著に発揮させることができる。
【００９５】
なお、このような関係を満足することで、反射防止層１０２としての機能を発揮することから、かかる関係を満足する場合、前記の凹凸がなくても反射防止効果を得ることができる。すなわち、Ｎ×Ｗが前記範囲内である場合には、発光素子Ｃが形成される側の面と反対側の面における凸部１１２の形成を省略して、かかる面を平坦面で構成することができる。
【００９６】
また、反射防止層１０２の屈折率は、１．４以上、１．６以下であることが好ましく、１．４５以上、１．６以下であることがより好ましい。かかる範囲内の屈折率を有する反射防止層１０２に対して、上述したような構成の凸部１１２を設けることにより、透過率を向上させることが容易となる。
【００９７】
その結果、反射防止層１０２に入射する入射光の反射率を、好ましくは３％以下、より好ましくは２％以下、さらに好ましくは１％以下に設定することができる。
【００９８】
また、反射防止層１０２の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００μｍ程度であるのがより好ましい。
【００９９】
以上のような構成の反射防止層１０２は、基材１０１上に、例えば、以下のようにして製造することができる。すなわち、透光性基板Ａは、以下のようにして製造することができる。
【０１００】
＜透光性基板の製造方法＞
透光性基板Ａは、前述したように基材１０１の下面に反射防止層１０２が形成されたものであり、この反射防止層１０２は、室温において、液状とされた反射防止層用樹脂組成物を硬化させることで形成されるものである。
【０１０１】
以下、この透光性基板Ａの製造方法について順次説明する。
図２は、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置が備える透光性基板を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【０１０２】
［１］まず、基材１０１を用意する。
基材１０１の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料であれば特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合せて用いることができる。
【０１０３】
なお、基材１０１には、必要に応じて、カップリング剤を付与する表面処理を行う。カップリング剤の付与は、例えば、カップリング剤を含む液体中に基材１０１を浸漬する方法、基材１０１に前記液体を塗布する方法、基材１０１に前記液体を噴霧する方法等により行われる。
【０１０４】
［２］次に、反射防止層用樹脂組成物を含有する液状材料、すなわち樹脂ワニスを調製する。
【０１０５】
樹脂ワニスは、上述した反射防止層用樹脂組成物を、必要に応じて有機溶剤に溶解または分散させることにより調製することができる。
【０１０６】
有機溶剤としては、特に限定されず、例えば、クレゾール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド(DMAc)、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン(NMP)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、１，３−ジメチル-イミダゾリジノン(DMI)、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド(DMF)等が挙げられ、これらの単独溶剤、または、これらを混合した混合溶剤として用いることができる。
【０１０７】
［３］次に、得られた樹脂ワニスを基材１０１上に供給する。
樹脂ワニスを基材１０１に供給する方法としては、特に限定されず、例えば、ダイコート法、インクジェット法、スピンコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法のような各種液相成膜法を用いることができる。
【０１０８】
その後、必要に応じて、樹脂ワニスに脱泡処理を施す。さらには、必要に応じて、樹脂ワニスを乾燥させる。
【０１０９】
［４］次に、樹脂ワニスが供給された基材１０１を板状に成形しつつ、樹脂ワニスを硬化させる。これにより、基材１０１の下面に反射防止層１０２が形成され、透光性基板Ａを得ることができる。
【０１１０】
樹脂ワニスの硬化は、樹脂ワニスを加熱すること、および／または、樹脂ワニスにエネルギー線を照射することにより行うことができるが、エネルギーの照射により行うことが好ましい。すなわち、反射防止層用樹脂組成物中に反応開始剤として、光酸発生剤が含まれていることが好ましい。
【０１１１】
これにより、反射防止層１０２を形成する際に、透光性基板Ａ（基材１０１および形成される反射防止層１０２）に熱履歴がかかるのを確実に防止することができるため、透光性基板Ａが反り等により変形してしまうのを的確に防止することができる。
【０１１２】
エネルギー線の照射（光照射）により樹脂ワニスを硬化させる場合、波長２００〜４００ｎｍ程度の紫外線等を照射することにより反射防止層用樹脂組成物（樹脂ワニス）を硬化させることが好ましい。
【０１１３】
また、付与する光エネルギー量（積算光量）は、例えば、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５０００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのが好ましく、７５ｍＪ／ｃｍ２以上４０００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのがより好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２以上３０００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのがさらに好ましい。積算光量が前記範囲内であれば、ムラなく均一かつ確実に樹脂ワニスを硬化させることができる。
【０１１４】
また、本明細書中において「硬化する」とは、樹脂組成物において、硬化反応に関与し得る官能基の多くが反応していることをいい、具体的には、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物が備える官能基Ｒがエポキシ基である場合、樹脂組成物のエポキシ開環率が５０％以上であることをいう。
【０１１５】
なお、エポキシ開環率とは、樹脂硬化物におけるエポキシ基の開環割合に相当する指標である。
【０１１６】
また、エポキシ開環率の測定方法としては、まず、フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴ−ＩＲ）により、樹脂硬化物の試料の吸光度スペクトルを取得する。
【０１１７】
次いで、得られた吸光度スペクトルについて、波数９１４ｃｍ−１付近に位置するエポキシ基由来のピークの面積を、波数２９００ｃｍ−１付近に位置するメチレン基由来のピークの面積で標準化し、これを試料の「エポキシ相対強度」とする。ここでは、メチレン基由来のピーク面積に対するエポキシ基由来のピーク面積の割合を試料のエポキシ相対強度Ｘとし、求めるべき試料のエポキシ開環率をＹ（％）とする。
【０１１８】
一方、試料のエポキシ相対強度を測定する際には、あらかじめ硬化前の樹脂組成物のエポキシ相対強度を測定しておく。硬化前の樹脂組成物ではエポキシ基が開環していないと推定されるので、これを標準試料とすることができ、樹脂組成物のエポキシ相対強度は、エポキシ開環率０％に対応する強度であるとみなすことができる。なお、硬化前の樹脂組成物のエポキシ相対強度を１００とする。
【０１１９】
なお、上記のようにエネルギー線の照射（光照射）により樹脂ワニスを硬化させた場合、この光照射（１次処理）の後に、２次処理として加熱処理を施すようにしてもよい。これにより、樹脂ワニスの硬化をより確実に進行させることができる。
【０１２０】
また、２次処理における加熱条件としては、好ましくは加熱温度が１５０〜３００℃程度、加熱時間が０．１〜５時間程度とされ、より好ましくは加熱温度が２００〜２８０℃程度、加熱時間が０．２〜３時間程度とされる。
【０１２１】
なお、光照射を省略して、加熱処理単独とする場合、その際の加熱条件としては、好ましくは加熱温度が６０〜３００℃程度、加熱時間が５分〜３時間程度とされ、より好ましくは加熱温度が７０〜２８０℃程度、加熱時間が１０分〜２時間程度とされる。
【０１２２】
また、本実施形態では、樹脂ワニスが供給された基材１０１を板状に成形して透光性基板Ａを得る際に、基材１０１の下面に、凸部１１２を形成することで、かかる面を凹凸面で構成する。
【０１２３】
この凸部１１２を設ける方法としては、特に限定されないが、例えば、［Ｉ］凹凸を表面に持つ転写型と、樹脂ワニスが供給された基材１０１とを接触させ、形状転写することで凸部１１２を形成する方法、または、［II］フィラーを表面に固定させることで凸部１１２を形成する方法等が挙げられるが、［Ｉ］の方法を用いるのが好ましい。［Ｉ］の方法によれば、寸法精度に優れる凸部１１２を容易に形成することができる。
【０１２４】
以下、［Ｉ］の方法を代表して詳細に述べる。
（転写型を用いる方法）
表面凹凸を転写するための転写型は、図２（ａ）または図２（ｂ）に示す転写型５、６のように、樹脂ワニスが供給された基材１０１の表面に凸部１１２を形成するための凹凸７を有していればよく、特に材質は制限するものではないが、繰り返し使用という観点から、樹脂材料または金属材料であることが好ましい。
【０１２５】
なお、転写型５、６上に凹凸加工を施す方法としては、表面フィラー固定、マット加工（サンドブラスト）、エンボス加工等が挙げられ、適時最適な方法を使用することが出来る。また、エンボス加工等を施した型転写型の表面にエンボス形状を転写する方法も採用できる。
【０１２６】
一つの方法は、エンボス加工を施した型上で基板を作製し、基板を硬化させた後、型から外し、型の凹凸を転写する方法がある。
【０１２７】
その他の方法として、転写型基板表面に粒子を固定化して転写型を作成する方法について説明する。
【０１２８】
転写型基板表面に凹凸を設ける方法で最も簡便で単純な方法は、転写型基板表面に、粒子を固定化することである。例えば、フィラーを溶媒に分散させて、転写型基板表面に塗布、乾燥させて転写型基板表面にフィラーを固定する方法、転写型基板状に基板表面にフィラーを塗布した後、プレスして固定する方法、転写型基板表面に接着層を設けてフィラーを固定する方法などが挙げられる。
【０１２９】
また、マット加工により、転写型基板表面に凹凸を設ける方法としては、砂などの研磨剤をフィルム表面にぶつけることで物理的に凹凸を形成するサンドブラストや、酸、アルカリ、溶剤などで化学的に表面をあらすことで凹凸を形成する方法などが挙げられる。
【０１３０】
なお、転写型の形状は特に限定するものではなく、図２（ｂ）に示す平板状であっても、図２（ａ）に示すロール状のものであっても良い。
【０１３１】
図２（ａ）に示すロール状転写型５の場合は、連続的に、樹脂ワニスが供給された基材１０１をプレスし続けることが出来ることから、連続生産に好適である。
【０１３２】
具体的にロール状転写型５は、樹脂や金属をロール状に加工したものの表面を、マット加工（サンドブラスト）、エンボス加工、機械的加工により表面に凹凸７をつけることが好適である。
【０１３３】
また、樹脂をロール状に加工した転写型基板と、樹脂ワニスが供給された基材１０１とを貼り合わせ、凹凸を転写する方法の一形態としては、送り部と、張り合わせ部と、剥離部とを備えた装置による転写方法が挙げられる。送り部は、樹脂ワニスが供給された基材１０１を一方向に送る。張り合わせ部は、樹脂ワニスが供給された基材１０１に転写型基板を張り合わせる。貼り合わせには、ロール等を使用する。その後、本方法では剥離部をさらに備えることが好ましい。剥離部は、樹脂ワニスが供給された基材１０１の送り方向下流側に配置され、樹脂ワニスが供給された基材１０１から転写型基板を剥離させる。そして、剥離時には、樹脂ワニスが供給された基材１０１は、転写型基板によって、表面に凸部が付与された状態を保持している。そのため、樹脂ワニスが供給された基材１０１の表面に効果的に凸部を付与することが出来る。
【０１３４】
なお、反射防止層用樹脂組成物に硬化性樹脂が含まれる場合は、貼り合わせ部と剥離部との間に光硬化部をさらに備えても良い。これにより、貼り合わせ部で貼り合わせた転写型基板の凹凸を効率的に樹脂ワニスが供給された基材１０１に転写することが出来る。
【０１３５】
連続的に行う場合は、表面凹凸加工を施した転写型を型として金属で作製しておくと基板表面の凹凸を再現性良く作製することが可能であり、量産に適している。
また、表面凹凸加工を施した転写型上で、透光性基板Ａを作製することも可能である。
【０１３６】
また、樹脂ワニスが供給された基材１０１が、長尺状であった場合は、各々の工程を連続して実施することが可能である。この場合、工程のいくつかを連続的に行ってもよい。こうすることで透光性基板Ａの連続生産が可能となる。
【０１３７】
以上、透光性基板の製造方法を記載したが、必ずしもこれに限られるものではなく、組み合わせる材料等により適時最適な方法を用いて製造される。
【０１３８】
また、かかる構成の透光性基板Ａを用いて、有機ＥＬ表示装置１を、以下のようにして製造することができる。
【０１３９】
（有機ＥＬ表示装置１の製造方法）
［１］まず、上述した透光性基板Ａを用意する。
【０１４０】
［２］次に、透光性基板Ａ上に、形成すべき画素毎に対応するように、薄膜トランジスタＢをそれぞれ形成した後に、これら薄膜トランジスタＢを覆うように平坦化層３０１を形成する。
【０１４１】
［２−Ａ］まず、透光性基板Ａの反射防止層１０２と反対側の面上に、薄膜トランジスタＢを形成する。
【０１４２】
［２−Ａａ］まず、透光性基板Ａ上に、導電膜を形成した後、この導電膜をパターニングすることで、ゲート電極２００を形成する。
【０１４３】
透光性基板Ａ上への導電膜の形成は、例えば、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属材料をスパッタ法等により供給することにより行うことができる。その他、前記金属材料を備える金属系化合物を溶媒または分散媒中に溶解または分散させた液状材料を用いた、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキのような湿式メッキ法およびゾル・ゲル法により行うことができる。
【０１４４】
［２−Ａｂ］次いで、ゲート電極２００を覆うように、ゲート絶縁層２０１を形成する。
【０１４５】
このゲート絶縁層２０１は、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスおよび窒素ガスなどを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法等を用いることで、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるものを形成することができる。
【０１４６】
［２−Ａｃ］次いで、ゲート絶縁層２０１上に、導電膜を形成した後、この導電膜をパターニングすることで、ソース電極２０２およびドレイン電極２０４を形成する。
【０１４７】
ゲート絶縁層２０１上への導電膜の形成は、前記工程［２−Ａａ］で説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【０１４８】
［２−Ａｄ］次いで、ソース電極２０２とドレイン電極２０４との間に位置するチャネル領域に半導体層２０３を形成する。
【０１４９】
この半導体層２０３は、例えば、前述した酸化物半導体材料に含まれる半金属元素および／または金属元素を含有する金属ターゲットを用いた酸素（および窒素）含有雰囲気下におけるスパッタ法により形成することができる。
【０１５０】
［２−Ｂ］次に、薄膜トランジスタＢを覆うように平坦化層３０１を形成するとともに、陽極３０２と、ドレイン電極２０４とを電気的に接続する導電部３００を形成する。
【０１５１】
［２−Ｂａ］まず、透光性基板Ａ、および、この透光性基板Ａ上に形成された薄膜トランジスタＢを覆うように、平坦化層３０１を形成する。
【０１５２】
［２−Ｂｂ］次いで、コンタクトホールを形成し、その後、コンタクトホール内に導電部３００を形成する。
【０１５３】
［３］次に、平坦化層３０１上に、各薄膜トランジスタＢにそれぞれ対応するように、発光素子（電子素子）Ｃを形成する。
【０１５４】
［３−Ａ］まず、平坦化層３０１上に、各導電部３００に対応するように、陽極（個別電極）３０２を形成する。
【０１５５】
［３−Ｂ］次いで、陽極３０２を覆うように、正孔輸送層３０３を形成する。
［３−Ｃ］次いで、正孔輸送層３０３を覆うように、発光層３０４を形成する。
【０１５６】
［３−Ｄ］次いで、発光層３０４を覆うように、電子輸送層３０５を形成する。
［３−Ｅ］次いで、電子輸送層３０５を覆うように、陰極３０６を形成する。
【０１５７】
なお、前記工程［３−Ａ］〜［３−Ｅ］で形成する各層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法や、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法等の液相成膜法を用いて形成することができる。なお、液相成膜法を用いる場合、各層の形成は、各層の構成材料を溶媒または分散媒中に溶解または分散させた液状材料を調製し、この液状材料を、前記液相成膜法を用いて各層を形成すべき層上に供給した後、乾燥することにより行うことができる。
【０１５８】
［４］次に、封止基板４００を用意し、この封止基板（被覆層）４００により陰極３０６を覆うこと、すなわち発光素子Ｃを覆うように封止基板４００を形成することにより、発光素子Ｃを封止基板４００で封止する。
【０１５９】
なお、このような封止基板４００による封止は、陰極３０６と封止基板４００との間に接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させることにより行うことができる。
【０１６０】
上記のような工程［１］〜［４］を経ることで、透光性基板Ａと薄膜トランジスタＢと発光素子Ｃと、封止基板４００とを備える有機ＥＬ表示装置１を得ることができる。
【０１６１】
透光性基板Ａが備える反射防止層（反射防止膜）１０２は、長期の使用によっても優れた透光性を有するものであるため、かかる透光性基板Ａを、上記のような有機ＥＬ表示装置１が備える表示面用基板として使用することができる。また、透光性基板Ａを、有機ＥＬ表示装置１が備える表示面用基板に適用することで、入射光の反射が低減された有機ＥＬ表示装置を作製することができる。
【０１６２】
なお、本実施形態では、発光素子Ｃの平面視形状（発光領域）を四角形としたが、これに限定されず、任意の形状にすることができ、例えば、三角形、六角形のような多角形、真円、楕円のような円形であってもよい。
【０１６３】
以上、本発明の反射防止層用樹脂組成物、反射防止層、透光性基板、光学素子、電子装置および光学装置を実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６４】
例えば、本発明の反射防止層用樹脂組成物、反射防止層、透光性基板、光学素子、電子装置および光学装置において、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
【０１６５】
さらに、前記実施形態では、本発明の反射防止層を有する透光性基板を備える電子装置（本発明の電子装置）を、有機ＥＬ表示装置に適用したが、これに限定されるものではない。
【０１６６】
例えば、本発明の反射防止層を有する部材としては、透光性基板の他に、光学レンズ、プリズム、フィルターのような光学素子が挙げられる。
【０１６７】
なお、光学レンズとしては、特に限定されないが、図３に示すマイクロレンズアレー５００が挙げられ、プリズムとしては、図４に示すマイクロプリズムアレー６００が挙げられる。
【０１６８】
マイクロレンズアレー５００は、図３に示すように、平板状をなす透明基板５０１と、この透明基板５０１上に、その面方向に等間隔で複数配列されたマイクロレンズ５０２とを有している。また、マイクロプリズムアレー６００は、図４に示すように、平板状をなす透明基板６０１と、この透明基板６０１上に、その面方向に等間隔で複数配列されたマイクロプリズム６０２とを有している。
【０１６９】
かかる構成のマイクロレンズアレー５００およびマイクロプリズムアレー６００において、それぞれ、マイクロレンズ５０２およびマイクロプリズム６０２の表面を本発明の反射防止層で構成することができる。
【０１７０】
また、本発明の光学素子を備える半導体装置としては、例えば、図５に示す発光ダイオード、図６に示す撮像装置（受光装置）、半導体レーザー等が挙げられる。
【０１７１】
発光ダイオード７００は、例えば、図５に示すように、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等よりなる発光素子７０１と、メタルステム７０２と、メタルポスト７０３と、発光素子７０１を封止するとともにレンズとしての機能を有するモールド部７０４とを有している。
【０１７２】
発光素子７０１が備える裏面電極はメタルステム７０２に銀ペースト等で接着され電気的に接続されており、発光素子７０１が備える表面電極は他端子であるメタルポスト７０３から伸ばされた金線７０５によりその表面でワイヤボンドされ、さらに発光素子７０１は透明なモールド部７０４でモールドされている。
【０１７３】
かかる構成の発光ダイオード７００おいて、レンズとしての機能を備えるモールド部７０４を本発明の光学素子で構成することができる。
【０１７４】
撮像装置８００は、図６に示すように、ベース基板８０１と、ベース基板８０１に対向配置された透光性基板８０２と、ベース基板８０１上に形成された受光部を含む個別回路８０３と、受光部を含む個別回路８０３の縁部に形成されたスペーサ８０４と、ベース基板８０１の下面に形成された半田バンプ８０６とを有する。
【０１７５】
ベース基板８０１は、半導体基板であり、この半導体基板には図示しない回路（後述する半導体ウエハーが備える個別回路）が設けられている。
【０１７６】
ベース基板８０１上には、受光部を含む個別回路８０３が設けられている。この受光部を含む個別回路８０３は、例えば、ベース基板８０１側から受光素子と、受光素子を封止する封止部と、マイクロレンズアレーとがこの順に積層された構成となっている。
【０１７７】
スペーサ８０４は、受光部を含む個別回路８０３が備えるマイクロレンズアレーと透光性基板８０２とを、これらの縁部において直接接着されており、ベース基板８０１および透光性基板８０２を接着するものである。そして、このスペーサ８０４は、受光部を含む個別回路８０３（マイクロレンズアレー）と透光性基板８０２との間に空隙８０５を形成している。
【０１７８】
このスペーサ８０４は、受光部を含む個別回路８０３の縁部に、この受光部を含む個別回路８０３の中心部を取り囲むように配置されているため、受光部を含む個別回路８０３のうち、スペーサ８０４に取り囲まれた部分が実質的な受光部として機能する。
【０１７９】
なお、受光部を含む個別回路８０３が備える受光素子としては、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサー等が挙げられ、この受光素子において、受光部を含む個別回路８０３で受光した光が電気信号に変換されることとなる。
【０１８０】
半田バンプ８０６は、導電性を有し、ベース基板８０１の下面及び中において、このベース基板８０１に設けられた配線と電気的に接続されている。これにより、受光部を含む個別回路８０３で光から変換された電気信号が、半田バンプ８０６に伝達される。
【０１８１】
かかる構成の撮像装置８００おいて、マイクロレンズアレーを本発明の光学素子で構成することができる。
【０１８２】
また、このような半導体装置を備える光学装置としては、例えば、撮像装置８００を備えるデジタルビデオカメラ、デジタルカメラおよび内視鏡等が挙げられる。さらに、半導体装置を備える電子装置としては、発光ダイオード７００を備える照明装置、電光掲示装置および液晶表示装置、半導体レーザーを備える半導体レーザー装置等が挙げられる。
【０１８３】
さらに、本発明の透光性基板を備える電子装置としては、有機ＥＬ表示装置の他、例えば、陰極管表示装置（ＣＲＴ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）や液晶表示装置（ＬＣＤ）等が挙げられる。なお、有機ＥＬ表示装置に適用する場合、有機ＥＬ表示装置を、透光性基板Ａに代えて、マイクロレンズアレー５００またはマイクロプリズムアレー６００を備える構成のものとすることもできる。
【実施例】
【０１８４】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。
１．反射防止層付きレンズの形成
（実施例１）
（Ａ）まず、下記一般式（Ｉａ）に示すエポキシ化合物（式中、ｎ＝３）であるＴＥＰＩＣ−ＶＬ（日産化学製）５０質量部、脂環式エポキシ樹脂前駆体として下記化学式（１ａ）に示す脂環式エポキシ樹脂前駆体（Ｅ−ＤＯＡ，ダイセル製）５０質量部に、（Ｂ）反応開始剤としてアンチモン系スルホニウム塩型光酸発生剤（ＳＰ−１７０、ＡＤＥＫＡ製）１質量部を投入し、均一になるまで混合した後に穴径１０μｍのフィルターでろ過を行い、樹脂組成物を作製した。
【０１８５】
【化９】
2015099230.tif 000011
（Ｉａ）ここで、ｎ＝３
【０１８６】
【化１０】
2015099230.tif 000012
【０１８７】
次いで、図２に示す直径６０ｍｍのレンズ（基材１０１）表面に反射防止層用樹脂組成物を厚さ１μｍになるようスピンコーターで塗布し、周期１００ｎｍ、高さ５００ｎｍの微細凹凸構造を有する型を押し当てながら裏面より照度１５０ｍＷ／ｃｍ２のメタルハライドランプにて紫外線を積算光量約９００ｍＪ／ｃｍ２照射（照射時間：６秒）し、加熱炉にて１２０℃で１０分加熱して実施例１の反射防止層付きレンズを作製した。
【０１８８】
（実施例２）
（Ａ）として、前記一般式（Ｉａ）に示すエポキシ化合物（式中、ｎ＝３）であるＴＥＰＩＣ−ＶＬ（日産化学製）３０質量部、脂環式エポキシ樹脂前駆体として下記化学式（２）に示すビシクロヘキシル−３、３’−ジオキシド（ＥＢＰ，ダイセル製）７０質量部とした以外は、実施例１と同様にして実施例２の反射防止層付きレンズを得た。
【０１８９】
【化１１】
2015099230.tif 000013
【０１９０】
（実施例３）
（Ａ）として、前記一般式（Ｉａ）に示すエポキシ化合物（式中、ｎ＝３）であるＴＥＰＩＣ−ＶＬ（日産化学製）３０質量部、エポキシ樹脂前駆体としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂ｊＥＲ８２８（三菱化学製）７０質量部とした以外は、前記実施例１と同様にして実施例３の反射防止層付きレンズを得た。
【０１９１】
（実施例４）
（Ａ）として、前記一般式（Ｉａ）に示すエポキシ化合物（式中、ｎ＝３）であるＴＥＰＩＣ−ＶＬ（日産化学製）３０質量部、アクリル樹脂としてビスフェノールＡエチレンオキサイド変性ジアクリレート７０質量部とした以外は、前記実施例１と同様にして実施例４の反射防止層付きレンズを得た。
【０１９２】
（比較例１）
エポキシ樹脂前駆体として（Ａ）脂環式エポキシ樹脂前駆体（Ｅ−ＤＯＡ，ダイセル製）１００質量部を使用した以外は、実施例２と同様にして比較例１の反射防止層付きレンズを作製した。
【０１９３】
２．評価
得られた各実施例および比較例の反射防止層付きレンズを、以下の方法で評価した。
【０１９４】
２−１．反射率の評価
各実施例および比較例の反射防止層付きレンズについて、その表面の波長５５０ｎｍの反射率を紫外可視赤外分光光度計（ＪＡＳＣＯ社製、「Ｖ−６７０」）を用いて測定した。
【０１９５】
２−２．変色の評価
各実施例および比較例の反射防止層付きレンズを、それぞれ、空気雰囲気下の加熱炉中で１６０℃／１００時間処理したのち、各実施例および比較例の反射防止層付きレンズにおける反射防止層の黄変の有無を目視にて観察した。
また、判定基準は相対的に黄変が少ない順に◎、○、△、×とした。
【０１９６】
２−３．ガラス転移温度（Ｔｇ）の評価
各実施例および比較例の反射防止層付きレンズにおける反射防止層のガラス転移温度は、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて測定した。
【０１９７】
すなわち、各実施例および比較例の反射防止層付きレンズの反射防止層について、動的粘弾性（ＳＩＩ社製、「ＥＸＳＴＡＲ６０００」）を測定し（昇温速度：５℃／分、周波数：１Ｈｚ、荷重：８００ｇ）、ｔａｎδピーク温度をガラス転移温度として読み取った。
【０１９８】
以上のようにして得られた各実施例および比較例の反射防止層付きレンズにおける評価結果を、それぞれ、下記の表１に示す。
【０１９９】
【表１】
2015099230.tif 000014
【０２００】
表１に示したように、各実施例では、反射防止層付きレンズが備える反射防止層における黄変が抑制され、さらに、優れた耐熱性を示す結果となった。また、反射防止層は、優れた反射率を備えていた。
【０２０１】
これに対して、比較例では、反射防止層は、優れた反射率を備えているものの、反射防止層において明らかな黄変が認められ、かつ各実施例と比較して耐燃性に劣る結果となった。
【符号の説明】
【０２０２】
１            有機ＥＬ表示装置
５            ロール状転写型
６            転写型
７            凹凸
１０１        基材
１０２        反射防止層
１１２        凸部
２００        ゲート電極
２０１        ゲート絶縁層
２０２        ソース電極
２０３        半導体層
２０４        ドレイン電極
３００        導電部
３０１        平坦化層
３０２        陽極
３０３        正孔輸送層
３０４        発光層
３０５        電子輸送層
３０６        陰極
４００        封止基板
５００        マイクロレンズアレー
５０１        透明基板
５０２        マイクロレンズ
６００        マイクロプリズムアレー
６０１        透明基板
６０２        マイクロプリズム
７００        発光ダイオード
７０１        発光素子
７０２        メタルステム
７０３        メタルポスト
７０４        モールド部
７０５        金線
８００        撮像装置
８０１        ベース基板
８０２        透光性基板
８０３        個別回路
８０４        スペーサ
８０５        空隙
８０６        半田バンプ
Ａ            透光性基板
Ｂ            薄膜トランジスタ
Ｃ            発光素子
【図１】
2015099230.tif 000017
【図２】
2015099230.tif 000018
【図３】
2015099230.tif 000019
【図４】
2015099230.tif 000020
【図５】
2015099230.tif 000021
【図６】
2015099230.tif 000022