(57)【要約】【課題】透過する光の波長が変動し難い光フィルターを提供する。【解決手段】互いに対向配置された固定基板１５及び可動基板１６と、固定基板１５の可動基板１６側に設けられた第１反射膜１８と、可動基板１６の固定基板１５側に設けられ第１反射膜１８と対向する第２反射膜１９と、第１反射膜１８に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第１保護膜２６と、第２反射膜１９に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第２保護膜２７と、第１保護膜２６と接続する第１端子２９と、第２保護膜２７と接続する第２端子３２と、を備え、第１端子２９と第２端子３２とは電気的に開閉される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１反射膜と、
前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、
前記第１反射膜の前記第２反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第１導電膜と、
前記第２反射膜の前記第１反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第２導電膜と、
前記第１導電膜と接続する第１端子と、
前記第２導電膜と接続する第２端子と、を備え、
前記第１端子と前記第２端子とは電気的に開閉されることを特徴とする光フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の光フィルターであって、
前記第１反射膜及び前記第２反射膜は銀を含む膜であり、前記第１導電膜と前記第２導電膜とのうち少なくとも一方はＩｎ−Ｇａ−Ｏを主成分とする膜であることを特徴とする光フィルター。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光フィルターであって、
前記第１反射膜と前記第２反射膜とのうち少なくとも一方は側面が露出することを特徴とする光フィルター。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光フィルターであって、
前記第１端子と前記第２端子とを用いて前記第１導電膜と前記第２導電膜との間の静電容量が検出されることを特徴とする光フィルター。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光フィルターであって、
前記第１反射膜及び前記第２反射膜は光が照射される有効範囲と、前記有効範囲を囲む場所に光が照射されない予備範囲と、を備えることを特徴とする光フィルター。
【請求項６】
第１反射膜と、
前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、
前記第１反射膜の前記第２反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第１導電膜と、
前記第２反射膜の前記第１反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第２導電膜と、
前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に開閉する電気開閉部と、を備えることを特徴とする光学モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の光学モジュールであって、
前記第１導電膜と前記第２導電膜との間の静電容量を検出する容量検出部を備えることを特徴とする光学モジュール。
【請求項８】
第１反射膜と、
前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、
前記第１反射膜の前記第２反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第１導電膜と、
前記第２反射膜の前記第１反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第２導電膜と、
前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に開閉する電気開閉部と、を有する光学モジュールと、
前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
基板に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜に重ねて光透過性及び導電性を有する導電膜を形成する工程と、
前記導電膜にレジストをパターン形成した後に、前記反射膜及び前記導電膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする光フィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光フィルター、光学モジュール、電子機器および光フィルターの製造方法の製造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、入射光の中から特定の波長の光を選択して射出させる光フィルターが活用されている。そして、特定の波長の光を射出する光フィルターが特許文献１に開示されている。それによると、光フィルターは一対の基板を対向配置し、これら基板の対向する面のそれぞれに反射膜を設けている。光フィルターはこれらの反射膜の周囲にそれぞれ電極を設けるとともに反射膜の周囲にダイヤフラム部を設けた構造となっている。
【０００３】
この光フィルターは、対向する一対の反射膜間のギャップに応じた波長の光を選択的に取り出すことができる。反射膜間のギャップは、一方の基板に設けられた固定電極と他方の基板に設けられた可動電極に電圧を印加することで、静電駆動によりギャップを所望の値に制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２７２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光フィルターは水分を含む空気中でも活用される。水分子は空気中を移動するときに分子同士が衝突を繰り返して帯電する。帯電した水分子が反射膜に付着するとき、反射膜が帯電する。そして、対向する反射膜の間で電圧差が生じて反射膜間に静電気力が作用する。これにより対向する反射膜の間隔が変動する。反射膜の間隔は光フィルターを透過する光の波長に影響を及ぼすので反射膜の間隔が変動すると光フィルターを透過する光の波長が変動する。そこで、光フィルターを透過する光の波長が変動し難い光フィルターと当該光フィルターを生産性良く製造する方法とが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる光フィルターであって、第１反射膜と、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、前記第１反射膜の前記第２反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第１導電膜と、前記第２反射膜の前記第１反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第２導電膜と、前記第１導電膜と接続する第１端子と、前記第２導電膜と接続する第２端子と、を備え、前記第１端子と前記第２端子とは電気的に開閉されることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、光フィルターは第１反射膜及び第２反射膜を備え、第１反射膜と第２反射膜とは対向配置されている。第１反射膜及び第２反射膜は入射光の一部を反射し一部を透過する。第１反射膜と第２反射膜との間で光の多重反射が生じ、位相の合う光は入射光が進行する方向に透過して進行する。第１反射膜には第１導電膜が重ねて設けられ、第２反射膜には第２導電膜が重ねて設けられている。各反射膜は導電膜により経時変化が生じ難くなっている。
【０００９】
第１導電膜及び第２導電膜は導電性を有している。そして、第１導電膜には第１端子が接続し、第２導電膜には第２端子が接続している。そして、第１端子と第２端子とは電気的に開閉される。第１導電膜と第２導電膜とに水分が付着し帯電することがある。このとき、第１導電膜と第２導電膜との間に電位差が生じるときには第１導電膜と第２導電膜との間に静電気力が作用する。静電気力により、第１反射膜と第２反射膜との距離が変化する。このとき、第１導電膜と第２導電膜とが短絡されることにより第１導電膜と第２導電膜との電位差がなくなる。従って、第１導電膜と第２導電膜との間に静電気力が作用しなくなる為、第１反射膜と第２反射膜との距離を精度良く維持することができる。その結果、光フィルターを透過する光の波長が変動することを抑制することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第１反射膜及び前記第２反射膜は銀を含む膜であり、前記第１導電膜と前記第２導電膜とのうち少なくとも一方はＩｎ−Ｇａ−Ｏを主成分とする膜であることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、第１反射膜及び第２反射膜は銀を含有する膜であり、反射率の高い膜である。そして、第１導電膜と第２導電膜はＩｎ−Ｇａ−Ｏを主成分とする膜である。Ｉｎ−Ｇａ−Ｏは銀と反応し難いので第１反射膜及び第２反射膜の劣化を抑制することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第１反射膜と前記第２反射膜とのうち少なくとも一方は側面が露出することを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、第１反射膜と第２反射膜とは側面が露出している。つまり、第１反射膜の側面は第１導電膜に覆われず、第２反射膜の側面は第２導電膜に覆われていない。第１反射膜及び第１導電膜の形状は第１反射膜の材料のベタ膜と第１導電膜の材料のベタ膜とを積層してパターニングして形成される。従って、第１反射膜をパターニングした後に第１導電膜をパターニングするときに比べて工程を少なくすることができる。第２反射膜と第２導電膜との形態は第１反射膜と第１導電膜との形態と同様である。従って、第２反射膜をパターニングした後に第２導電膜をパターニングするときに比べて工程を少なくすることができる。その結果、生産性良く光フィルターを製造することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第１端子と前記第２端子とを用いて前記第１導電膜と前記第２導電膜との間の静電容量が検出されることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、第１端子は第１導電膜と接続され、第２端子は第２導電膜と接続されている。そして、第１端子と第２端子とを用いて第１導電膜と第２導電膜との間の静電容量が検出される。静電容量と第１導電膜と第２導電膜との間の距離は負の相関関係にある。従って、静電容量を検出することにより第１導電膜と第２導電膜との間の距離を検出することができる。第１導電膜と第２導電膜との間の距離から第１導電膜と第２導電膜との膜厚を減算することにより第１反射膜と第２反射膜との間の距離が算出される。その結果、第１反射膜と第２反射膜との間の距離を検出することができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第１反射膜及び前記第２反射膜は光が照射される有効範囲と、前記有効範囲を囲む場所に光が照射されない予備範囲と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、第１反射膜及び第２反射膜は有効範囲と予備範囲とを備えている。有効範囲は光が照射される範囲であり、予備範囲は光が照射されない範囲である。予備範囲は有効範囲を囲んで配置されている。第１反射膜及び第２反射膜の側面は露出しており反射率が低下する可能性がある。このときにも、反射率が低下するのは予備範囲であり、有効範囲は側面から離れているので反射率が低下し難くなっている。従って、光フィルターは反射率の長期信頼性を高くすることができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例にかかる光学モジュールであって、第１反射膜と、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、前記第１反射膜の前記第２反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第１導電膜と、前記第２反射膜の前記第１反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第２導電膜と、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に開閉する電気開閉部と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、第１基板と第２基板とが互いに対向配置されている。第１基板の第２基板側には第１反射膜が設けられ、第２基板の第１基板側には第２反射膜が設けられている。これにより、第１反射膜と第２反射膜とは対向配置されている。第１反射膜及び第２反射膜は入射光の一部を反射し一部を透過する。第１反射膜と第２反射膜との間で光の多重反射が生じ、位相の合う光は入射光が進行する方向に透過して進行する。第１反射膜には第１導電膜が重ねて設けられ、第２反射膜には第２導電膜が重ねて設けられている。各反射膜は導電膜により経時変化が生じ難くなっている。
【００２０】
第１導電膜及び第２導電膜は導電性を有している。そして、電気開閉部が第１導電膜と第２導電膜とを電気的に開閉する。第１導電膜と第２導電膜とに水分が付着し帯電することがある。このとき、第１導電膜と第２導電膜との間に電位差が生じるときには第１導電膜と第２導電膜との間に静電気力が作用する。静電気力により、第１反射膜と第２反射膜との距離が短くなる。このとき、第１導電膜と第２導電膜とが短絡されることにより第１導電膜と第２導電膜との電位差がなくなる。従って、第１導電膜と第２導電膜との間に静電気力が作用しなくなる為、第１反射膜と第２反射膜との距離を精度良く維持することができる。その結果、光フィルターを透過する光の波長が変動することを抑制することができる。
【００２１】
［適用例７］
上記適用例にかかる光学モジュールにおいて、前記第１導電膜と前記第２導電膜との間の静電容量を検出する容量検出部を備えることを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、容量検出部が第１導電膜と第２導電膜との間の静電容量を検出する。静電容量と第１導電膜と第２導電膜との間の距離は負の相関関係にある。従って、静電容量を検出することにより第１導電膜と第２導電膜との間の距離を検出することができる。第１導電膜と第２導電膜との間の距離から第１導電膜と第２導電膜との膜厚を減算することにより第１反射膜と第２反射膜との間の距離が算出される。その結果、第１反射膜と第２反射膜との間の距離を検出することができる。
【００２３】
［適用例８］
本適用例にかかる電子機器であって、第１反射膜と、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、前記第１反射膜の前記第２反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第１導電膜と、前記第２反射膜の前記第１反射膜と対向する面に重ねて設けられ光透過性及び導電性を有する第２導電膜と、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に開閉する電気開閉部と、を有する光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００２４】
本適用例によれば、電子機器は光学モジュールと光学モジュールを制御する制御部を備えている。光学モジュールは第１反射膜と第２反射膜との間の間隔を精度良く制御できる為、特定の波長の光を精度良く分離できるモジュールである。従って、制御部は光学モジュールに指示した波長の光を精度良く分離させて活用することができる。
【００２５】
［適用例９］
本適用例にかかる光フィルターの製造方法であって、基板に反射膜を形成する工程と、前記反射膜に重ねて光透過性及び導電性を有する導電膜を形成する工程と、前記導電膜にレジストをパターン形成した後に、前記反射膜及び前記導電膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
【００２６】
本適用例によれば、反射膜及び導電膜の形状は反射膜と導電膜とを積層した後にパターニングして形成される。従って、反射膜をパターニングした後に導電膜をパターニングするときに比べて工程を少なくすることができる。その結果、生産性良く光フィルターを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１の実施形態にかかわる分光測定装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】（ａ）は、波長可変干渉フィルターの構成を示す模式平面図、（ｂ）及び（ｃ）は、波長可変干渉フィルターの構成を示す模式側断面図。
【図３】（ａ）は、固定基板の構造を示す模式平面図、（ｂ）は可動基板の構造を示す模式平面図。
【図４】スイッチ部の構造を説明するための回路図。
【図５】波長可変干渉フィルターの製造方法について説明するための模式図。
【図６】波長可変干渉フィルターの製造方法について説明するための模式図。
【図７】第２の実施形態にかかわる光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。
【図８】測色装置の構成を示すブロック図。
【図９】ガス検出装置の構成を示す模式正面図。
【図１０】ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。
【図１１】食物分析装置の構成を示すブロック図。
【図１２】分光カメラの構成を示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本実施形態では、特徴的な波長可変干渉フィルターと、この波長可変干渉フィルターを用いた各種装置の例について、図１〜図１２に従って説明する。以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかわる分光測定装置について図１〜図６に従って説明する。図１は、分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。電子機器としての分光測定装置１は電子機器の一例であり、測定対象物２で反射した測定対象光における各波長の光強度を分析して分光スペクトルを測定する装置である。尚、分光測定装置１は測定対象物２で反射した測定対象光を測定する。例えば液晶パネル等の発光体である場合には測定対象物２から発光された光を測定してもよい。
【００２９】
図１に示すように、分光測定装置１は光学モジュール３と光学モジュール３から出力された信号を処理する制御部４とを備えている。光学モジュール３は光フィルターとしての波長可変干渉フィルター５と、ディテクター６と、Ｉ−Ｖ変換器７と、アンプ８と、Ａ／Ｄ変換器９と、間隔制御部１０とを備える。光学モジュール３は、測定対象物２で反射された測定対象光を図示しない入射光学系を通して波長可変干渉フィルター５に導き、波長可変干渉フィルター５を透過した光をディテクター６で受光する。そして、ディテクター６から出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器７、アンプ８、及びＡ／Ｄ変換器９を介して制御部４に出力される。
【００３０】
ディテクター６は波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光（検出）し、受光量に基づいた検出信号をＩ−Ｖ変換器７に出力する。Ｉ−Ｖ変換器７は、ディテクター６から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ８に出力する。アンプ８は、Ｉ−Ｖ変換器７から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。Ａ／Ｄ変換器９は、アンプ８から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部４に出力する。
【００３１】
間隔制御部１０は波長可変干渉フィルター５が透過させる光の波長を制御する部位である。間隔制御部１０は、全体制御部１０ａ、電圧制御部１０ｂ、容量検出部としての距離検出部１０ｃ及び電気開閉部としてのスイッチ部１０ｄを備えている。全体制御部１０ａは制御部４の制御指示信号に基づいて電圧制御部１０ｂ、距離検出部１０ｃ及びスイッチ部１０ｄを制御する。電圧制御部１０ｂは全体制御部１０ａの指示信号に基づいて波長可変干渉フィルター５に対して駆動電圧を印加する。距離検出部１０ｃは波長可変干渉フィルター５に内蔵された第１反射膜と第２反射膜との距離を検出する。スイッチ部１０ｄは第１反射膜と第２反射膜と接続する配線を接地するかまたは距離検出部１０ｃに接続するかを切り替える。
【００３２】
制御部４は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされた構成であり、分光測定装置１の全体動作を制御する。制御部４は波長設定部１１、光量取得部１２、分光測定部１３及び記憶部１４を備えている。制御部４の記憶部１４には、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長と波長に対応して波長可変干渉フィルター５に印加する駆動電圧との関係を示すＶ−λデータが記憶されている。
【００３３】
波長設定部１１は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の特定の波長を設定する。Ｖ−λデータに基づいて、設定した目的波長に対応する駆動電圧を波長可変干渉フィルター５に印加させる旨の指令信号を間隔制御部１０に出力する。光量取得部１２は、ディテクター６により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した特定の波長の光の光量を取得する。分光測定部１３は、光量取得部１２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。
【００３４】
次に、光学モジュール３に組み込まれる波長可変干渉フィルター５について説明する。図２（ａ）は、波長可変干渉フィルターの構成を示す模式平面図である。図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、波長可変干渉フィルターの構成を示す模式側断面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿う断面の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面の断面図である。図２に示すように波長可変干渉フィルター５は第１基板としての固定基板１５及び第２基板としての可動基板１６を備えている。固定基板１５及び可動基板１６はそれぞれ四角形の板状であり、基板厚み方向から見た平面視において可動基板１６は固定基板１５より小さい形状となっている。そして、固定基板１５上に可動基板１６が重ねて設置されている。固定基板１５及び可動基板１６は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。そして、固定基板１５の第１接合部１５ａ及び可動基板１６の第２接合部１６ａが、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された接合膜１７により接合されることで、一体的に構成されている。
【００３５】
固定基板１５において可動基板１６と対向する側の面にはリング状の凹部１５ｂが設置されている。凹部１５ｂは固定基板１５の中央に位置している。そして、凹部１５ｂの中央には円柱状の鏡台部１５ｃが設置され、鏡台部１５ｃ上に反射膜としての第１反射膜１８が設けられている。可動基板１６において固定基板１５に対向する側の面には反射膜及び第２反射膜としての第２反射膜１９が設けられている。
【００３６】
可動基板１６には円環形の溝状の凹部が設置され凹部の底の部分を接続部１６ｂと称する。可動基板１６の中央は第２接合部１６ａと同じ厚みを有する可動部１６ｃとなっている。接続部１６ｂは第２接合部１６ａと可動部１６ｃとを接続する。接続部１６ｂは厚みが薄くなっており弾性を有している。接続部１６ｂが撓むことにより可動部１６ｃは可動基板１６の厚み方向に移動可能になっている。これにより、可動部１６ｃにおいて第１反射膜１８を向く面は可動基板１６の厚み方向に移動する可動面１６ｄになっている。第１反射膜１８及び第２反射膜１９は、ギャップ２２を介して対向配置されている。
【００３７】
固定基板１５及び可動基板１６を厚み方向から見た平面視において第１反射膜１８及び第２反射膜１９が重なる領域を光干渉領域２３と称す。光干渉領域２３の中央には円形の有効範囲２４が設定され、有効範囲２４の周囲に円環状の予備範囲２５が設定されている。第１反射膜１８において第２反射膜１９を向く面には第１導電膜としての第１保護膜２６が設置され、第１保護膜２６は第１反射膜１８を覆っている。第１反射膜１８は側面が露出している。同様に、第２反射膜１９において第１反射膜１８を向く面には第２導電膜としての第２保護膜２７が設置され、第２保護膜２７は第２反射膜１９を覆っている。第２反射膜１９は側面が露出している。
【００３８】
第１反射膜１８及び第２反射膜１９は側面が露出している。このため、酸素分子や水素分子が第１反射膜１８及び第２反射膜１９に進入するとき予備範囲２５の反射率が低下する。光干渉領域２３では有効範囲２４に光が照射される。有効範囲２４では第１反射膜１８及び第２反射膜１９が露出していないので反射率が低下しない場所であり、長期に渡って品質を維持することができる。光干渉領域２３の有効範囲２４に入射した光は第１反射膜１８と第２反射膜１９との間で多重反射する。光干渉領域２３で位相の合う光は入射光が進行する方向に透過して進行する。
【００３９】
第１反射膜１８及び第２反射膜１９は金属膜により構成されている。金属膜の材料としては、Ａｇ（銀）単体、Ａｇ（銀）を主成分とする合金が光学膜の候補として有力である。尚、Ａｇを主成分とする合金としては、例えば、ＡｇＳｍＣｕ（銀サマリウム銅合金），ＡｇＣ（銀炭素合金），ＡｇＢｉＮｄ（銀ビスマスネオジム合金），ＡｇＰｄＣｕ（銀パラジウム銅合金），ＡｇＡｕ（銀金合金），ＡｇＣｕ（銀銅合金），ＡｇＣｕＡｕ（銀銅金合金）等を使用することができる。特に、ＡｇＳｍＣｕ（銀サマリウム銅合金）及びＡｇＢｉＮｄ（銀ビスマスネオジム合金）は耐熱性があり耐硫化性があるので反射率の長期信頼性が高く、波長可変干渉フィルター５を製造するのに適した材料となっている。
【００４０】
第１保護膜２６及び第２保護膜２７は導電性及び光透過性があり酸素や水分子等を通過し難い材料であれば良く特に限定されない。第１保護膜２６及び第２保護膜２７の材料は、インジウム系酸化物、スズ系酸化物、及び亜鉛系酸化物からなる群より選択される一または複数の物質からなる膜、あるいは、前記群から選択される。物質を含む膜からなる積層膜を使用することができる。具体的には、インジウム系酸化物である酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）、酸化インジウムスズ（Ｓｎドープ酸化インジウム：ＩＴＯ）、Ｃｅドープ酸化インジウム（ＩＣＯ）、スズ系酸化物である酸化スズ（ＳｎＯ2）、亜鉛系酸化物であるＡｌドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、Ｇａドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が用いられる。また、インジウム系酸化物と亜鉛系酸化物からなるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：登録商標）等が用いられる。これらを材料とした膜は透明導電膜と呼ばれ、透光性を有し電気を通す性質をもっている。
【００４１】
そして、これらの材料は、酸化や硫化等の原因となるガスの進入を阻止する効果があり、耐熱性も備え、また、光の透過性も有することから、第１反射膜１８及び第２反射膜１９に対する保護膜として機能し得る。さらに、上記の材料は、Ａｇ及びＡｇ合金との密着性がよく、光学膜としての信頼性を有する。特に、酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）は銀と反応し難いので、第１反射膜１８及び第２反射膜１９にＡｇ及びＡｇ合金を用いるときには長期信頼性のある保護膜となる。さらに、酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）は可視光領域において概ね８０％以上の高い透過率を有し、０．００１Ω・ｃｍ以下の導電性を有している。本実施形態では例えば、第１反射膜１８及び第２反射膜１９の材料にＡｇＳｍＣｕ（銀サマリウム銅合金）を用いた。そして、第１保護膜２６及び第２保護膜２７の材料に酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）を用いた。
【００４２】
第１反射膜１８及び第１保護膜２６は電気的に第１配線２８と接続され、第１配線２８は第１端子２９と接続されている。第２反射膜１９及び第２保護膜２７は電気的に第２配線３０と接続されている。第２配線３０は樹脂バンプ３１を介して第２端子３２と接続されている。第１端子２９及び第２端子３２は図示しない配線を介してスイッチ部１０ｄと接続されている。
【００４３】
波長可変干渉フィルター５には、ギャップ２２のギャップ寸法を調整するのに用いられるアクチュエーター３３が設けられている。アクチュエーター３３は第１電極３４及び第２電極３５等により構成されている。第１電極３４は固定基板１５に設置され、第２電極３５は可動基板１６に設置されている。凹部１５ｂの底は第１電極３４が設置される第１電極設置面１５ｄとなっている。可動面１６ｄには第２反射膜１９と第２電極３５とが設置されている。可動面１６ｄは平坦な面であり、第２反射膜１９と第２電極３５は同一の面に設置されている。第３端子３７及び第４端子４３は図示しない配線を介して電圧制御部１０ｂと接続されている。
【００４４】
第１電極３４は第１配線３６及び第３端子３７を介して電圧制御部１０ｂと接続されている。第２電極３５は第２配線４１、樹脂バンプ４２及び第４端子４３を介して電圧制御部１０ｂと接続されている。これにより、間隔制御部１０は第１電極３４及び第２電極３５に電圧を印加させることができる。第１電極３４及び第２電極３５に電圧を印加させるとき、第１電極３４と第２電極３５との間には静電気力が作用する。間隔制御部１０は第１電極３４と第２電極３５との間に作用する静電気力を用いてギャップ２２を変化させることができる。
【００４５】
第１保護膜２６は第１反射膜１８、第１配線２８、第１端子２９及びスイッチ部１０ｄを介して距離検出部１０ｃと接続されている。第２保護膜２７は第２反射膜１９、第２配線３０、樹脂バンプ３１、第２端子３２及びスイッチ部１０ｄを介して距離検出部１０ｃと接続されている。第１保護膜２６と第２保護膜２７との間隔を保護膜間隔４４とする。第１保護膜２６と第２保護膜２７とは導電膜が対向配置されたコンデンサーの形態をしている。距離検出部１０ｃは第１保護膜２６と第２保護膜２７との間の電気容量を検出する。そして、距離検出部１０ｃは第１保護膜２６と第２保護膜２７との間の電気容量と保護膜間隔４４との関連を示す関連表のデータを備えている。そして、距離検出部１０ｃは検出した電気容量と関連表のデータとを用いて保護膜間隔４４を算出する。電圧制御部１０ｂは保護膜間隔４４のデータを距離検出部１０ｃから入力して間隔制御部１０は第１電極３４と第２電極３５との間に作用する静電気力を制御する。これにより、間隔制御部１０はギャップ２２が目標とする間隔になるように制御することができる。
【００４６】
尚、以降の説明に当たり、固定基板１５または可動基板１６の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板１５及び可動基板１６の積層方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。フィルター平面視において、第１反射膜１８の中心点及び第２反射膜１９の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜の中心点をフィルター中心点４５と称する。
【００４７】
図３（ａ）は、固定基板の構造を示す模式平面図である。固定基板１５は可動基板１６に比べて厚み寸法が大きく形成されており、アクチュエーター３３による力や、固定基板１５上に形成される膜部材（例えば第１反射膜１８等）の内部応力による固定基板１５の撓みはない。固定基板１５は、例えばエッチング等により形成された凹部１５ｂを備える。
【００４８】
凹部１５ｂはフィルター平面視でフィルター中心点４５を中心とした円状に形成されている。凹部１５ｂの側面はフィルター平面視で接続部１６ｂの外周と同じ場所に設定されている。第１電極設置面１５ｄには、アクチュエーター３３を構成する第１電極３４が設けられる。第１電極３４は第１電極設置面１５ｄに直接設けてもよく、第１電極設置面１５ｄの上に他の薄膜（層）を設け、その上に設置してもよい。具体的には第１電極３４はフィルター中心点４５を中心としたＣ字円弧状に形成され、Ｘ方向側且つ−Ｙ方向側の一部にはＣ字開口部が設けられている。
【００４９】
鏡台部１５ｃには第１反射膜１８及び第１保護膜２６が重ねて設置されている。第１反射膜１８は、鏡台部１５ｃに直接設けてもよいし、鏡台部１５ｃの上に他の薄膜（層）を設け、その上に設置してもよい。第１電極３４のＣ字開口部には第１配線２８が接続され、第１配線２８は第１反射膜１８から固定基板１５の外周縁に位置する第１端子２９まで配置されている。第１配線２８と第１電極３４とは隙間をあけて配置されているので、電気的な絶縁状態になっている。第１電極３４、第１配線２８、第１配線３６、第１端子２９、第２端子３２、第３端子３７及び第４端子４３を形成する材料は、導電性を有する材料であれば良く、特に限定されない。これらの電極、配線及び端子の材料は、例えば、金属やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等が挙げられる。また、第１電極３４、第１配線２８及び第１配線３６には表面に絶縁膜が形成されていてもよい。そして、第１端子２９、第２端子３２、第３端子３７及び第４端子４３は、例えば、ＦＰＣやリード線等により、間隔制御部１０に接続されている。
【００５０】
固定基板１５の光入射面（第１反射膜１８が設けられない面）には、第１反射膜１８と対向する位置に反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができる。反射防止膜は固定基板１５の表面での可視光の反射率を低下させて透過率を増大させる。
【００５１】
図３（ｂ）は可動基板の構造を示す模式平面図であり、可動基板１６を固定基板１５側から見た図である。図３（ｂ）に示すように、フィルター平面視において可動基板１６はフィルター中心点４５を中心とした円形状の可動部１６ｃと、可動部１６ｃと同軸であり可動部１６ｃと接続して保持する接続部１６ｂと、接続部１６ｂの外側に設けられた第２接合部１６ａと、を備えている。
【００５２】
可動部１６ｃは接続部１６ｂよりも厚み寸法が大きく形成され、第２接合部１６ａの厚み寸法と同一寸法に形成されている。可動部１６ｃには、アクチュエーター３３を構成する第２電極３５、第２反射膜１９が設けられている。第２電極３５及び第２反射膜１９は、可動面１６ｄに直接設けてもよいし、可動面１６ｄの上に他の薄膜（層）を設け、その上に設置してもよい。尚、固定基板１５と同様に、可動部１６ｃの固定基板１５とは反対側を向く面には、反射防止膜が形成されていてもよい。
【００５３】
第２電極３５はフィルター中心点４５を中心とし第２反射膜１９を囲んでＣ字円弧状に形成されている。第２電極３５は可動基板１６のＸ方向側且つＹ方向側の一部にＣ字開口部が設けられている。第２電極３５のＣ字開口部には第２配線３０が接続され、第２配線３０は第２反射膜１９及び第２保護膜２７から可動基板１６の外周縁に位置する樹脂バンプ３１まで配置されている。第２配線３０と第２電極３５とは隙間をあけて配置されているので、電気的な絶縁状態になっている。第１接合部１５ａと第２接合部１６ａとを合わせたとき樹脂バンプ３１は第２端子３２の一部と重なるように樹脂バンプ３１が配置されている。
【００５４】
第２電極３５は可動基板１６のＹ方向側に第２配線４１が設けられている。第２配線４１は第２電極３５から樹脂バンプ４２まで引き出されている。第１接合部１５ａと第２接合部１６ａとを合わせたとき樹脂バンプ４２は第４端子４３の一部と重なるように樹脂バンプ４２が配置されている。第２配線３０、第２電極３５及び第２配線４１を形成する材料は導電性が在ればよく特に限定されない。例えば、第２電極３５、第２配線４１、第４端子４３及び第３端子３７を形成する材料は金属やＩＴＯ等が挙げられる。また、第２電極３５及び第２配線４１にはその表面に絶縁膜が形成されていてもよい。
【００５５】
接続部１６ｂは、可動部１６ｃの周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部１６ｃよりも厚み寸法が小さく形成されている。このような接続部１６ｂは可動部１６ｃよりも撓みやすくなっている。第１電極３４と第２電極３５との間に働く静電気力により可動部１６ｃを固定基板１５に対して変位させることが可能となっている。この際、可動部１６ｃは接続部１６ｂよりも厚み寸法が大きいので、可動部１６ｃの剛性が接続部１６ｂより大きくなっている。このため、可動部１６ｃが固定基板１５に対して変位するときにも、可動部１６ｃの形状変化を抑制することができる。尚、接続部１６ｂの形状はダイヤフラム状に限定されず、例えば、可動部１６ｃのフィルター中心点４５を中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成にしてもよい。
【００５６】
図４はスイッチ部の構造を説明するための回路図である。図４に示すように、スイッチ部１０ｄには第１スイッチ４６、第２スイッチ４７の２個のスイッチが設置されている。各スイッチは２回路２接点スイッチの形態となっている。第１スイッチ４６は第１可動切片４６ａ、第２可動切片４６ｂ、第１接点４６ｃ、第２接点４６ｄ、第３接点４６ｅ及び第４接点４６ｆを備えている。
【００５７】
第１可動切片４６ａ及び第２可動切片４６ｂは共に接地されている。第１接点４６ｃは孤立し接続されていない接点である。第２接点４６ｄは第２反射膜１９及び第２保護膜２７と接続されている。第１可動切片４６ａは第１接点４６ｃ及び第２接点４６ｄの一方と導通する。同様に、第３接点４６ｅは孤立し接続されていない接点である。第４接点４６ｆは第１反射膜１８及び第１保護膜２６と接続されている。第２可動切片４６ｂは第３接点４６ｅ及び第４接点４６ｆの一方と導通する。
【００５８】
第１可動切片４６ａと第２可動切片４６ｂとは連動し全体制御部１０ａに制御される。全体制御部１０ａが第１可動切片４６ａを第１接点４６ｃと導通させて第２可動切片４６ｂを第３接点４６ｅと導通させるとき、第１スイッチ４６は第１保護膜２６及び第２保護膜２７と切断された状態となる。一方、全体制御部１０ａが第１可動切片４６ａを第２接点４６ｄと導通させて第２可動切片４６ｂを第４接点４６ｆと導通させるとき、第１スイッチ４６は第１保護膜２６及び第２保護膜２７を接地させる状態となる。従って、全体制御部１０ａは第１保護膜２６及び第２保護膜２７を接地させるか否かを制御することができる。
【００５９】
第２スイッチ４７は第１可動切片４７ａ、第２可動切片４７ｂ、第１接点４７ｃ、第２接点４７ｄ、第３接点４７ｅ及び第４接点４７ｆを備えている。第１可動切片４７ａ及び第２可動切片４７ｂは距離検出部１０ｃと接続されている。第１接点４７ｃは第２反射膜１９及び第２保護膜２７と接続されている。第２接点４７ｄは孤立し接続されていない接点である。第１可動切片４７ａは第１接点４７ｃ及び第２接点４７ｄの一方と導通する。同様に、第３接点４７ｅは第１反射膜１８及び第１保護膜２６と接続されている。第４接点４７ｆは孤立し接続されていない接点である。第２可動切片４７ｂは第３接点４７ｅ及び第４接点４７ｆの一方と導通する。
【００６０】
第１可動切片４７ａと第２可動切片４７ｂとは連動し全体制御部１０ａに制御される。全体制御部１０ａが第１可動切片４７ａを第１接点４７ｃと導通させて第２可動切片４７ｂを第３接点４７ｅと導通させるとき、第２スイッチ４７は第１保護膜２６及び第２保護膜２７を距離検出部１０ｃと接続する状態となる。一方、全体制御部１０ａが第１可動切片４７ａを第２接点４７ｄと導通させて第２可動切片４７ｂを第４接点４７ｆと導通させるとき、第２スイッチ４７は第１保護膜２６及び第２保護膜２７と切断された状態となる。従って、全体制御部１０ａは第１保護膜２６及び第２保護膜２７を距離検出部１０ｃに接続させるか否かを制御することができる。
【００６１】
間隔制御部１０が保護膜間隔４４を測定するとき、先ず、全体制御部１０ａが第１スイッチ４６及び第２スイッチ４７を切り替える。第１スイッチ４６では全体制御部１０ａが第１可動切片４６ａを第１接点４６ｃと接触させる。さらに、全体制御部１０ａは第２可動切片４６ｂを第３接点４６ｅと接触させる。さらに、第２スイッチ４７では全体制御部１０ａが第１可動切片４７ａを第１接点４７ｃと接触させる。さらに、全体制御部１０ａは第２可動切片４７ｂを第３接点４７ｅと接触させる。これにより、第１保護膜２６及び第２保護膜２７はそれぞれ距離検出部１０ｃと接続される。そして、距離検出部１０ｃは保護膜間隔４４を測定する。
【００６２】
間隔制御部１０が保護膜間隔４４を測定しないとき、第１スイッチ４６では全体制御部１０ａが第１可動切片４６ａを第２接点４６ｄと接触させる。さらに、全体制御部１０ａは第２可動切片４６ｂを第４接点４６ｆと接触させる。第２スイッチ４７では全体制御部１０ａは第１可動切片４７ａを第２接点４７ｄと接触させる。さらに、全体制御部１０ａは第２可動切片４７ｂを第４接点４７ｆと接触させる。これにより、第１保護膜２６及び第２保護膜２７はそれぞれ接地される。
【００６３】
第１保護膜２６と第２保護膜２７との間には水分子や酸素分子等の分子が移動し衝突している。このとき、各分子に静電気が生ずることがある。そして、静電気をもつ分子が第１保護膜２６及び第２保護膜２７に接触するとき第１保護膜２６及び第２保護膜２７が帯電する。静電気により第１保護膜２６と第２保護膜２７との間で電圧差が生じるとき、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に静電気力が生じる。これにより保護膜間隔４４が変動するので、ギャップ２２が変動する。ギャップ２２が変動することにより波長可変干渉フィルター５を通過する光の波長が変動する。そこで、全体制御部１０ａが所定の時間間隔にて第１保護膜２６及び第２保護膜２７を接地する。これにより、第１保護膜２６及び第２保護膜２７の静電気が除去される為ギャップ２２を精度良く制御することができる。
【００６４】
尚、第１スイッチ４６及び第２スイッチ４７はトランジスター等の半導体により構成されたスイッチング素子を用いても良く電磁スイッチでも良い。電流が小さいときには半導体により構成されたスイッチング素子を用いる方が製造し易く耐久性があり好ましい。本実施形態では、例えば、第１スイッチ４６及び第２スイッチ４７は半導体により構成されたスイッチング素子を用いた。
【００６５】
次に、波長可変干渉フィルター５の製造方法について説明する。図５及び図６は波長可変干渉フィルターの製造方法について説明するための模式図である。まず、図５（ａ）に示すように接続部１６ｂが形成された可動基板１６を用意する。接続部１６ｂは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。次に、図５（ｂ）に示すように、可動基板１６の第２接合部１６ａに樹脂バンプ３１の樹脂部３１ａを形成する。スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等の方法を用いて樹脂のパターンを形成して乾燥固化する。
【００６６】
次に、図５（ｃ）に示すように第２配線３０及び第２電極３５の材料からなる導体ベタ膜４８を形成する。導体ベタ膜４８の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、図５（ｄ）に示すように、導体ベタ膜４８をパターニングして第２配線３０、第２電極３５及び樹脂バンプ３１を形成する。第２配線３０、第２電極３５及び樹脂バンプ３１を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして導体ベタ膜４８をエッチングすることにより形成することができる。尚、第２配線４１及び樹脂バンプ４２も第２電極３５及び樹脂バンプ３１を形成する工程にて並行して形成される。
【００６７】
次に、図５（ｅ）に示すように可動基板１６上の第２配線３０及び第２電極３５に重ねて第２反射膜１９の材料からなる第２反射ベタ膜４９を形成する。続いて、第２反射ベタ膜４９に重ねて第２保護膜２７の材料からなる導電膜としての第２保護ベタ膜５０を形成する。さらに、第２保護ベタ膜５０に重ねて感光性の樹脂等からなるレジスト膜５１を形成する。第２反射ベタ膜４９及び第２保護ベタ膜５０の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。レジスト膜５１はスピンコート等の公知の成膜方法を用いることができる。
【００６８】
次に、図５（ｆ）に示すように、レジスト膜５１をパターニングしてマスク５２を形成する。マスク５２はレジスト膜５１を露光してエッチングすることにより形成される。続いて、図５（ｇ）に示すように、第２反射膜１９及び第２保護膜２７を形成する。第２反射膜１９及び第２保護膜２７の形状はマスク５２の形状と同じ形状であり、１つのマスク５２を用いて第２反射膜１９及び第２保護膜２７が形成される。従って、第２反射膜１９用のマスクと第２保護膜２７用のマスクを用いるときに比べて、生産性良く第２反射膜１９及び第２保護膜２７を形成することができる。
【００６９】
次に、図５（ｈ）に示すように凹部１５ｂ及び鏡台部１５ｃが形成された固定基板１５を用意する。凹部１５ｂは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。次に、図６（ａ）に示すように、第１配線２８、第１端子２９、第２端子３２及び第１電極３４の材料からなる導体ベタ膜５３を形成する。導体ベタ膜５３の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、図６（ｂ）に示すように、導体ベタ膜５３をパターニングして第１配線２８、第１端子２９、第２端子３２及び第１電極３４を形成する。第１配線２８、第１端子２９、第２端子３２及び第１電極３４を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして導体ベタ膜５３をエッチングすることにより形成することができる。尚、第１配線２８、第１端子２９、第２端子３２及び第１電極３４を形成する工程で第１配線３６、第３端子３７及び第４端子４３も並行して形成される。
【００７０】
次に、図６（ｃ）に示すように固定基板１５上の第１配線２８、第１端子２９、第２端子３２及び第１電極３４に重ねて第１反射膜１８の材料からなる第１反射ベタ膜５４を形成する。続いて、第１反射ベタ膜５４に重ねて第１保護膜２６の材料からなる導電膜としての第１保護ベタ膜５５を形成する。さらに、第１保護ベタ膜５５に重ねて感光性の樹脂等からなるレジスト膜５６を形成する。第１反射ベタ膜５４及び第１保護ベタ膜５５の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。レジスト膜５６はスピンコート等の公知の成膜方法を用いることができる。
【００７１】
次に、図６（ｄ）に示すように、レジスト膜５６をパターニングしてマスク５７を形成する。マスク５７はレジスト膜５６を露光してエッチングすることにより形成される。続いて、図６（ｅ）に示すように、第１反射膜１８及び第１保護膜２６を形成する。第１反射膜１８及び第１保護膜２６の形状はマスク５７の形状と同じ形状であり、１つのマスク５７を用いて第１反射膜１８及び第１保護膜２６が形成される。従って、第１反射膜１８用のマスクと第１保護膜２６用のマスクを用いるときに比べて、生産性良く第１反射膜１８及び第１保護膜２６を形成することができる。
【００７２】
第１保護膜２６及び第２保護膜２７の材料には酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）が用いられている。第１保護膜２６及び第２保護膜２７の材料にＩＴＯを用いるとき、ＩＴＯは結晶性の膜でありパターニングするには王水を用いなければならない。王水は配線や素子等に損傷を及ぼす可能性がある。酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）をパターニングするときに用いるエッチング液には例えばしゅう酸を用いることができる。酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）用のエッチング液は王水に比べて配線や素子等に損傷を及ぼし難い溶液である。従って、品質良く波長可変干渉フィルター５を製造することができる。
【００７３】
次に、図６（ｆ）に示すように、固定基板１５と可動基板１６とを接合する。固定基板１５及び可動基板１６にそれぞれプラズマ重合膜５８を成膜する。次に、プラズマ重合膜５８を貼り合せて固定基板１５と可動基板１６とを接合する。貼り合せられたプラズマ重合膜５８は接合膜１７となる。以上の工程により波長可変干渉フィルター５が完成する。
【００７４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１反射膜１８には第１保護膜２６が重ねて設けられ、第２反射膜１９には第２保護膜２７が重ねて設けられている。第１反射膜１８及び第２反射膜１９は第１保護膜２６または第２保護膜２７により経時変化が生じ難くすることができる。
【００７５】
（２）本実施形態によれば、第１保護膜２６及び第２保護膜２７は導電性を有している。そして、第１保護膜２６と第２保護膜２７とは第１スイッチ４６により電気的に開閉される。第１保護膜２６と第２保護膜２７とに水分が付着し帯電することがある。このとき、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に電位差が生じるときには第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に静電気力が作用する。静電気力により、第１反射膜１８と第２反射膜１９との距離が変化する。このとき、第１保護膜２６と第２保護膜２７とが電気的に短絡されることにより第１保護膜２６と第２保護膜２７との電位差がなくなる。従って、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に静電気力が作用しなくなる為、第１反射膜１８と第２反射膜１９との距離を精度良く維持することができる。その結果、波長可変干渉フィルター５を透過する光の波長が変動しないようにすることができる。
【００７６】
（３）本実施形態によれば、第１反射膜１８及び第２反射膜１９は銀を含む膜であり、反射率の高い膜である。そして、第１保護膜２６と第２保護膜２７はＩｎ−Ｇａ−Ｏを主成分とする膜である。Ｉｎ−Ｇａ−Ｏは銀と反応し難いので第１反射膜１８及び第２反射膜１９の反射率低下を抑制することができる。
【００７７】
（４）本実施形態によれば、第１反射膜１８と第２反射膜１９とは側面が露出している。つまり、第１反射膜１８の側面は第１保護膜２６に覆われず、第２反射膜１９の側面は第２保護膜２７に覆われていない。第１反射膜１８及び第１保護膜２６の形状は第１反射ベタ膜５４と第１保護ベタ膜５５とを積層してパターニングして形成される。従って、第１反射膜１８をパターニングした後に第１保護膜２６をパターニングするときに比べて工程を少なくすることができる。第２反射膜１９と第２保護膜２７との形態は第１反射膜１８と第１保護膜２６との形態と同様である。従って、第２反射膜１９をパターニングした後に第２保護膜２７をパターニングするときに比べて工程を少なくすることができる。その結果、生産性良く波長可変干渉フィルター５を製造することができる。
【００７８】
（５）本実施形態によれば、距離検出部１０ｃにより第１保護膜２６と第２保護膜２７との間の静電容量が検出される。静電容量と保護膜間隔４４は負の相関関係にある。従って、静電容量を検出することにより保護膜間隔４４を検出することができる。保護膜間隔４４に第１保護膜２６と第２保護膜２７との膜厚を加算することによりギャップ２２が算出される。その結果、ギャップ２２を検出することができる。
【００７９】
（６）本実施形態によれば、第１反射膜１８及び第２反射膜１９は有効範囲２４と予備範囲２５を備えている。有効範囲２４は光が照射される範囲であり、予備範囲２５は光が照射されない範囲である。予備範囲２５は有効範囲２４を囲んで配置されている。第１反射膜１８及び第２反射膜１９の側面は露出しており反射率が低下する可能性がある。このときにも、反射率が低下するのは予備範囲２５であり、有効範囲２４は側面から離れているので反射率が低下し難くなっている。従って、波長可変干渉フィルター５は長期信頼性を高くすることができる。
【００８０】
（７）本実施形態によれば、第１反射ベタ膜５４に第１保護ベタ膜５５が覆われた状態でパターニングされる。従って、第１反射膜１８は製造途中から第１保護膜２６に保護されているので品質良く第１反射膜１８を製造することができる。同様に、第２反射膜１９は製造途中から第２保護膜２７に保護されているので品質良く第２反射膜１９を製造することができる。
【００８１】
（第２の実施形態）
（光学フィルターデバイス）
次に、光学フィルターデバイスの一実施形態について説明する。本実施形態の光学フィルターデバイスには第１の実施形態に記載された波長可変干渉フィルター５が搭載されている。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。図７は、光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。
【００８２】
図７に示すように、電子機器としての光学フィルターデバイス６１は、波長可変干渉フィルター５と、当該波長可変干渉フィルター５を収納する筐体６２と、を備えている。筐体６２は、ベース基板６３と、リッド６４と、ベース側ガラス基板６５と、リッド側ガラス基板６６と、を備える。
【００８３】
ベース基板６３は、例えば単層セラミック基板により構成される。このベース基板６３には波長可変干渉フィルター５の固定基板１５が設置される。ベース基板６３への固定基板１５の設置方法としては、例えば接着層等を介して配置されるものであってもよく、他の固定部材等に嵌合等されることで配置されるものであってもよい。また、ベース基板６３には、光干渉領域（第１反射膜１８及び第２反射膜１９が対向する領域）と対向する場所に、光通過孔６７が開口形成される。そして、この光通過孔６７を覆うように、ベース側ガラス基板６５が接合される。ベース側ガラス基板６５の接合方法としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合、エポキシ樹脂等による接着等を利用できる。
【００８４】
このベース基板６３のリッド６４側に位置するベース内側面６８には、波長可変干渉フィルター５の各第１端子２９、第２端子３２、第３端子３７及び第４端子４３のそれぞれに対応して内側端子部６９が設けられている。尚、各第１端子２９、第２端子３２、第３端子３７及び第４端子４３と、内側端子部６９との接続は、例えばＦＰＣ７０（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いることができ、例えばＡｇペースト、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等により接合する。尚、内部空間７１を真空状態に維持する場合にはアウトガスが少ないＡｇペーストを用いることが好ましい。また、ＦＰＣ７０による接続に限られず、例えばワイヤーボンディング等による配線接続を実施してもよい。また、ベース基板６３は、各内側端子部６９が設けられる位置に対応して、貫通孔７２が形成されており、各内側端子部６９は、貫通孔７２に充填された導電性部材を介して、ベース基板６３のベース内側面６８とは反対側のベース外側面７３に設けられた外側端子部７４に接続されている。そして、ベース基板６３の外周部には、リッド６４に接合されるベース接合部７５が設けられている。
【００８５】
リッド６４は、ベース基板６３のベース接合部７５に接合されるリッド接合部６４ａと、リッド接合部６４ａから連続し、ベース基板６３から離れる方向に立ち上がる側壁部６４ｂとを備えている。さらに、リッド６４は、側壁部６４ｂから連続し波長可変干渉フィルター５の可動基板１６側を覆う天面部６４ｃを備えている。このリッド６４は、例えばコバール等の合金または金属により形成することができる。このリッド６４はリッド接合部６４ａと、ベース基板６３のベース接合部７５とが、接合されることで、ベース基板６３に密着接合されている。この接合方法としては、例えば、レーザー溶着の他、銀ロウ等を用いた半田付け、共晶合金層を用いた封着、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス付着、ガラスフリット接合、エポキシ樹脂による接着等が挙げられる。これらの接合方法は、ベース基板６３及びリッド６４の素材や、接合環境等により、適宜選択することができる。
【００８６】
リッド６４の天面部６４ｃは、ベース基板６３に対して平行となる。この天面部６４ｃには、波長可変干渉フィルター５の光干渉領域に対向する領域に、光通過孔６４ｄが開口形成されている。そして、この光通過孔６４ｄを覆うように、リッド側ガラス基板６６が接合される。リッド側ガラス基板６６の接合方法としては、ベース側ガラス基板６５の接合と同様に、例えばガラスフリット接合や、エポキシ樹脂等による接着等を用いることができる。
【００８７】
このような光学フィルターデバイス６１では、筐体６２により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、異物や大気に含まれるガス等による波長可変干渉フィルター５の特性変化を防止でき、また、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。また、帯電粒子の侵入を防止できるため、第１端子２９、第２端子３２の帯電を防止できる。したがって、帯電によるクーロン力の発生を抑制でき、第１反射膜１８及び第２反射膜１９の平行度をより確実に維持することができる。
【００８８】
また、波長可変干渉フィルター５を光学モジュール３や電子機器に組み込む作業を行う組み立てライン等まで運搬する場合に、光学フィルターデバイス６１により保護された波長可変干渉フィルター５を安全に運搬することができる。また、光学フィルターデバイス６１は、筐体６２の外周面に露出する外側端子部７４が設けられているため、光学モジュール３や電子機器に対して組み込む際にも容易に配線を実施することが可能となる。
【００８９】
波長可変干渉フィルター５は第１反射膜１８と第２反射膜１９との間を電気的に開閉することができる。従って、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に作用する静電気力を除去できる為、第１反射膜１８と第２反射膜１９との距離を精度良く維持することができる。その結果、光学フィルターデバイス６１は透過する光の波長が変動しないようにすることができる。次に、色を測定するための測色装置に波長可変干渉フィルター５を適用した例を示す。
【００９０】
（測色装置）
図８は、測色装置の構成を示すブロック図である。図８に示すように、電子機器としての測色装置７８は、測定対象物２に光を射出する光源装置７９と、測色センサー８０（光学モジュール）と、測色装置７８の全体動作を制御する制御装置８１とを備える。そして、この測色装置７８は光源装置７９から射出される光を測定対象物２にて反射させる。反射された検査対象光を測色センサー８０が受光し、測色センサー８０から出力される検出信号に基づいて測色装置７８は検査対象光の色度すなわち測定対象物２の色を分析して測定する。
【００９１】
光源装置７９は光源８２及び複数のレンズ８３（図中には１つのみ記載）を備え、測定対象物２に対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ８３にはコリメーターレンズが含まれてもよい。この場合、光源８２から射出された基準光をコリメーターレンズが平行光にし、光源装置７９は図示しない投射レンズから測定対象物２に向かって射出する。尚、本実施形態では、光源装置７９を備える測色装置７８を例示するが、例えば測定対象物２が液晶パネル等の発光部材である場合、光源装置７９が設けられない構成としてもよい。
【００９２】
測色センサー８０は波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過する光を受光するディテクター６と、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長を制御する間隔制御部１０とを備える。また、測色センサー８０は、波長可変干渉フィルター５に対向する場所に図示しない入射光学レンズを備えている。入射光学レンズは測定対象物２で反射された反射光（検査対象光）を測色センサー８０の内部に導光する。そして、測色センサー８０では入射光学レンズから入射した検査対象光のうち所定の波長の光を波長可変干渉フィルター５が分光し、分光した光をディテクター６が受光する。
【００９３】
制御装置８１は測色装置７８の全体動作を制御する。この制御装置８１としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや携帯情報端末の他にも測色専用コンピューター等を用いることができる。そして、制御装置８１は光源制御部８４、測色センサー制御部８５及び測色処理部８６等を備えて構成されている。光源制御部８４は光源装置７９に接続され、例えば、利用者の設定入力に基づいて光源装置７９に所定の制御信号を出力して所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部８５は測色センサー８０に接続されている。例えば、利用者の設定入力に基づいて測色センサー８０にて受光させる光の波長を測色センサー制御部８５が設定し、設定した波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー制御部８５が測色センサー８０に出力する。これにより、制御信号に基づいて間隔制御部１０はアクチュエーター３３に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。測色処理部８６は、ディテクター６により検出された受光量から、測定対象物２の色度を分析する。
【００９４】
波長可変干渉フィルター５は第１反射膜１８と第２反射膜１９との間を電気的に開閉することができる。従って、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に作用する静電気力を除去できる為、第１反射膜１８と第２反射膜１９との距離を精度良く維持することができる。その結果、波長可変干渉フィルター５は透過する光の波長が変動しないようにすることができる為、測色装置７８は品質良く色調を測定することができる。
【００９５】
（ガス検出装置）
次に、電子機器の例として特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムを紹介する。このようなシステムとしては、例えば、光学モジュールを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
【００９６】
図９は、ガス検出装置の構成を示す模式正面図であり、図１０は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。図９に示すように、電子機器としてのガス検出装置８９はセンサーチップ９０と吸引口９１ａ、吸引流路９１ｂ、排出流路９１ｃ及び排出口９１ｄを備えた流路９１と本体部９２とを備えて構成されている。
【００９７】
本体部９２は、流路９１を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー９３、排出手段９４、筐体９５を備えている。さらに、本体部９２は光学部９６、フィルター９７、波長可変干渉フィルター５、受光素子９８（検出部）等を含む検出装置（光学モジュール）を備えている。さらに、本体部９２は検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部９９（処理部）、電力を供給する電力供給部１００等を備えている。尚、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６１が設けられる構成としてもよい。光学部９６は、光を射出する光源１０１、ビームスプリッター１０２、レンズ１０３、レンズ１０４及びレンズ１０５により構成されている。ビームスプリッター１０２は光源１０１から入射された光をセンサーチップ９０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子９８側に透過する。
【００９８】
図１０に示すように、ガス検出装置８９には操作パネル１０６、表示部１０７、外部とのインターフェイスのための接続部１０８及び電力供給部１００が設けられている。電力供給部１００が二次電池の場合には充電のための接続部１０９を備えてもよい。更に、ガス検出装置８９の制御部９９は、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１１２及び光源１０１を制御するための光源ドライバー回路１１３を備えている。更に、制御部９９は波長可変干渉フィルター５を制御するための間隔制御部１０、受光素子９８からの信号を受信する受光回路１１４を備えている。更に、制御部９９はセンサーチップ９０のコードを読み取り、センサーチップ９０の有無を検出するセンサーチップ検出器１１５からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１１６を備えている。更に、制御部９９は排出手段９４を制御する排出ドライバー回路１１７等を備えている。
【００９９】
次に、上記のようなガス検出装置８９の動作について、以下に説明する。本体部９２の上部のセンサー部カバー９３の内部にはセンサーチップ検出器１１５が設けられている。センサーチップ検出器１１５によりセンサーチップ９０の有無が検出される。信号処理部１１２はセンサーチップ検出器１１５からの検出信号を検出するとセンサーチップ９０が装着された状態であると判断する。そして、信号処理部１１２は表示部１０７へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
【０１００】
そして、例えば利用者により操作パネル１０６が操作され、操作パネル１０６から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１１２へ出力される。まず、信号処理部１１２は光源ドライバー回路１１３に光源駆動の指示信号を出力して光源１０１を作動させる。光源１０１が駆動されると、光源１０１から単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。光源１０１には温度センサーや光量センサーが内蔵されており、センサーの情報が信号処理部１１２へ出力される。光源１０１から入力された温度や光量に基づいて、光源１０１が安定動作していると信号処理部１１２が判断すると、信号処理部１１２は排出ドライバー回路１１７を制御して排出手段９４を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口９１ａから吸引流路９１ｂ、センサーチップ９０内、排出流路９１ｃ、排出口９１ｄへと誘導される。尚、吸引口９１ａには、除塵フィルター９１ｅが設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気等が除去される。
【０１０１】
センサーチップ９０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ９０ではレーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成される。この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は光学部９６を通ってフィルター９７に入射する。フィルター９７によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。
【０１０２】
そして、信号処理部１１２は間隔制御部１０に対して制御信号を出力する。これにより、間隔制御部１０は波長可変干渉フィルター５のアクチュエーター３３を駆動させて検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５に分光させる。分光した光が受光素子９８にて受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１１４を介して信号処理部１１２に出力される。
【０１０３】
波長可変干渉フィルター５は第１反射膜１８と第２反射膜１９との間を電気的に開閉することができる。従って、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に作用する静電気力を除去できる為、第１反射膜１８と第２反射膜１９との距離を精度良く維持することができる。その結果、波長可変干渉フィルター５は透過する光の波長が変動しないようにすることができる為、波長可変干渉フィルター５は目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。信号処理部１１２は、得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータとＲＯＭに格納されているデータとを比較する。そしてし、検出対象となるガス分子が目的のガス分子か否かを判定し物質の特定をする。また、信号処理部１１２は表示部１０７にその結果情報を表示し、接続部１０８から外部へ出力する。
【０１０４】
ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置８９を例示した。ガス検出装置８９はガス固有の吸光度を検出してガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーに光学モジュール３を用いる。そして、ガス検出装置はガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別する電子機器である。ガス検出装置８９はこのような構成にすることで波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。
【０１０５】
（食物分析装置）
また、特定物質の存在を検出するためのシステムは上記のようなガスの検出に限らない。近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の物質成分分析装置を例示できる。以下に、物質成分分析装置の一例として食物分析装置を説明する。
【０１０６】
図１１は、食物分析装置の構成を示すブロック図である。図１１に示すように、電子機器としての食物分析装置１２０は検出器１２１（光学モジュール）、制御部１２２及び表示部１２３を備えている。検出器１２１は光を射出する光源１２６、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ１２７、撮像レンズ１２７から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５を備えている。さらに、検出器１２１は分光された光を検出する撮像部１２８（検出部）を備えている。尚、波長可変干渉フィルター５の代わりに光学フィルターデバイス６１が設けられる構成としてもよい。また、制御部１２２は光源１２６の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部１２９及び波長可変干渉フィルター５を制御する間隔制御部１０を備えている。さらに、制御部１２２は撮像部１２８を制御して撮像部１２８で撮像された分光画像を取得する検出制御部１３０、信号処理部１３１及び記憶部１３２を備えている。
【０１０７】
食物分析装置１２０を駆動させると光源制御部１２９により光源１２６が制御されて光源１２６から測定対象物２に光が照射される。そして、測定対象物２で反射された光は撮像レンズ１２７を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は間隔制御部１０の制御により駆動される。これにより、波長可変干渉フィルター５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えば、ＣＣＤカメラ等により構成される撮像部１２８に撮像される。また、撮像された光は分光画像として記憶部１３２に蓄積される。また、信号処理部１３１は間隔制御部１０を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
【０１０８】
そして、信号処理部１３１は記憶部１３２に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部１３２にはスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されている。記憶部１３２に記憶された食物に関する情報を基に信号処理部１３１は求めたスペクトルのデータを分析する。そして、信号処理部１３１は測定対象物２に含まれる食物成分と各食物成分含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から信号処理部１３１は食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、信号処理部１３１は検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができる。更には、信号処理部１３１は食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部１３１は上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部１２３に表示させる処理をする。
【０１０９】
波長可変干渉フィルター５は第１反射膜１８と第２反射膜１９との間を電気的に開閉することができる。従って、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に作用する静電気力を除去できる為、第１反射膜１８と第２反射膜１９との距離を精度良く維持することができる。その結果、波長可変干渉フィルター５は透過する光の波長が変動しないようにすることができる為、食物分析装置１２０は精度良く測定対象物２の波長を測定することができる。
【０１１０】
また、食物分析装置１２０の他にも略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば、血液等の体液成分を測定する装置に食物分析装置１２０を用いることができる。他にも、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置に食物分析装置１２０を用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
【０１１１】
更には、光学モジュール３を用いた電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュール３に設けられた波長可変干渉フィルター５により特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
【０１１２】
（分光カメラ）
また、電子機器としては光学モジュール３により光を分光させて分光画像を撮像する分光カメラや分光分析機等に光学モジュール３を適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルター５を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。図１２は、分光カメラの構成を示す概略斜視図である。図１２に示すように、電子機器としての分光カメラ１３５はカメラ本体１３６、撮像レンズユニット１３７及び撮像部１３８を備えている。カメラ本体１３６は利用者により把持され操作される部分である。
【０１１３】
撮像レンズユニット１３７はカメラ本体１３６に接続され、入射した画像光を撮像部１３８に導光する。また、この撮像レンズユニット１３７は対物レンズ１３９、結像レンズ１４０及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。撮像部１３８は受光素子により構成され、撮像レンズユニット１３７により導光された画像光を撮像する。分光カメラ１３５では波長可変干渉フィルター５が撮像対象となる波長の光を透過させて、撮像部１３８が所望の波長の光の分光画像を撮像する。波長可変干渉フィルター５は第１反射膜１８と第２反射膜１９との間を電気的に開閉することができる。従って、第１保護膜２６と第２保護膜２７との間に作用する静電気力を除去できる為、第１反射膜１８と第２反射膜１９との距離を精度良く維持することができる。その結果、波長可変干渉フィルター５は透過する光の波長が変動しないようにすることができる為、分光カメラ１３５は精度よく目的波長の分光画像を撮像することができる。
【０１１４】
更には、光学モジュール３をバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルター５で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、光学モジュール３を生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた血管、指紋、網膜及び虹彩等の認証装置にも適用できる。更には、光学モジュール３を濃度検出装置に用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルター５により物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
【０１１５】
上記に示すように、光学モジュール３は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、光学モジュール３は上述のように、１つの光学モジュール３で複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュール３や電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
【０１１６】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、第１保護膜２６及び第２保護膜２７の材料に酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）を用いた。第１保護膜２６に酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）を用いて、第２保護膜２７の材料には他の材料を用いても良い。第２保護膜２７に酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）を用いて、第１保護膜２６の材料には他の材料を用いても良い。第１反射膜１８及び第２反射膜１９の材質に合わせて設定しても良い。
【０１１７】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、第１反射膜１８及び第２反射膜１９の両方の側面が露出する形態となっていた。第１反射膜１８の側面を露出させて、第２反射膜１９の側面は第２保護膜２７に覆われた形態にしても良い。第２反射膜１９の側面を露出させて、第１反射膜１８の側面は第１保護膜２６に覆われた形態にしても良い。製造工程に合わせて設定しても良い。
【０１１８】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、第２配線３０と第２端子３２とは樹脂バンプ３１により連結された。第２配線３０と第２端子３２との接続は他の方法で接続しても良い。第２配線３０に接続する電極と第２端子３２に接続する電極とを面接触させても良い。第２配線４１と第４端子４３とは樹脂バンプ４２により連結された。樹脂バンプ３１と同様に、第２配線４１と第４端子４３との接続は他の方法で接続しても良い。第２配線４１に接続する電極と第４端子４３に接続する電極とを面接触させても良い。
【０１１９】
面接触させる電極の材料は電気抵抗の低い材料とする方が好ましい。面接触される部分の接触抵抗を低減でき、余計な抵抗成分の介入がなく、確実な導通を取ることができるからである。この電気抵抗の低い材料としては、例えば、Ａｕなどの金属膜やＡｕ／Ｃｒなどの金属積層体、または、ＩＴＯなどの金属酸化物の表面にＡｕなどの金属材料もしくはＡｕ／Ｃｒなどの金属積層体を積層した構成を選択できる。なお、ＩＴＯなどの金属酸化物からなる電極に対し、面接触のなされる領域周辺のみ局所的に金属膜又は金属積層膜が積層されている構成としてもよい。
【符号の説明】
【０１２０】
１…電子機器としての分光測定装置、５…光フィルターとしての波長可変干渉フィルター、１０ｃ…容量検出部としての距離検出部、１０ｄ…電気開閉部としてのスイッチ部、１５…第１基板としての固定基板、１６…第２基板としての可動基板、１８…第１反射膜、１９…第２反射膜、２４…有効範囲、２５…予備範囲、２６…第１導電膜としての第１保護膜、２７…第２導電膜としての第２保護膜、２９…第１端子、３２…第２端子、４９…反射膜としての第２反射ベタ膜、５０…導電膜としての第２保護ベタ膜、５４…反射膜としての第１反射ベタ膜、５５…導電膜としての第１保護ベタ膜、６１…電子機器としての光学フィルターデバイス、７８…電子機器としての測色装置、８９…電子機器としてのガス検出装置、１２０…電子機器としての食物分析装置、１３５…電子機器としての分光カメラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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