(57)【要約】【課題】カバー部材に付着した処理液又はその処理液から生じた結晶を除去することで、パーティクルの発生を防止するようにする。【解決手段】基板を保持する基板保持部３と、基板保持部３に保持された基板Ｗに対して処理液を供給する処理液供給部７と、基板保持部３に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材５と、を備え、カバー部材５には、カバー部材５を加熱するためのヒーター７０１が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材と、を備え、
前記カバー部材には、前記カバー部材を加熱するためのヒーターが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板保持部に保持された前記基板に対する液処理を行っているときに、前記カバー部材の表面に付着した前記処理液又は前記処理液から生じた結晶を前記ヒーターの加熱処理により除去することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ヒーターの加熱処理は、前記処理液又は前記処理液から生じた結晶を除去するとともに、前記基板の周縁部の温度を上昇させることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持部に保持された前記基板に対する液処理を行っていないときに、前記カバー部材の表面に付着した前記処理液又は前記処理液から生じた結晶を前記ヒーターの加熱処理により除去することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記加熱処理を行う際は、前記基板保持部に保持された前記基板に対する液処理を行っているときと同じ位置に前記カバー部材を配置することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
所定枚数の基板に対する液処理が終了するごとに、前記加熱処理を行うことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
所定時間基板に対する液処理を実行するごとに、前記加熱処理を行うことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ヒーターは、前記カバー部材に内蔵されており、前記リング形状に沿って形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ヒーターは、前記カバー部材の内周面を加熱することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材と、を備える基板処理装置の付着物除去方法であって、
前記カバー部材に設けられたヒーターが、前記カバー部材を加熱することを特徴とする付着物除去方法。
【請求項１１】
基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材と、を備える基板処理装置の付着物除去方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記カバー部材に設けられたヒーターが、前記カバー部材を加熱するステップを含むことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の周縁部に処理液を供給して、当該周縁部を処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）を回転させながら、当該ウエハの周縁部に薬液等の処理液を供給することにより当該周縁部の不要膜または汚染物質を除去する基板処理がある。この様な基板処理を行う際にウエハの上面を覆うカバー部材を備える基板処理装置が知られている（特許文献１参照）。このカバー部材は、ウエハの周縁部の近傍を流れる気体を整流するとともに気体の流速を増大させ、ウエハから飛散した処理液がウエハの上面に再度付着することを防止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１２８０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の基板処理装置では、ウエハから飛散した処理液やミスト化した処理液がカバー部材の表面に付着することがある。これらの処理液は反応を起こして結晶化し、その一部は剥がれてウエハの表面に落下してしまいパーティクルの原因になる。
【０００５】
本発明は、上述した問題点を解決するためのものであり、カバー部材に付着した処理液又はその処理液から生じた結晶を除去することで、パーティクルの発生を防止するようにする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材と、を備え、前記カバー部材にはヒーターが設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、カバー部材に付着した処理液又はその処理液から生じた結晶を除去することで、パーティクルの発生を防止できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の縦断側面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置のカバー部材、その昇降機構、および処理流体供給部を示す平面図である。
【図３】図１の右側のウエハの外周縁付近の領域を拡大して詳細に示す断面図である。
【図４】ノズルについて説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る標準的な液処理の動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】第１の実施形態における、加熱処理を伴う液処理の動作を説明するためのフローチャートである。
【図７】第２の実施形態における、加熱処理を伴う液処理の動作を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明による基板処理装置の一実施形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
本実施形態では、半導体装置が形成される円形の基板であるウエハＷの表面に薬液を供給し、当該ウエハＷの周縁部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置について説明する。
【００１１】
図１及び図２に示すように、基板処理装置１は、ウエハＷを水平姿勢で鉛直軸周りに回転可能に保持するウエハ保持部３と、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷの周囲を囲みウエハＷから飛散した処理液を受けるカップ体２と、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷの上面の周縁部を覆うリング状のカバー部材５と、カバー部材５を昇降させる昇降機構（移動機構）６と、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷに処理流体を供給する処理流体供給部７と、を備えている。
【００１２】
上述した基板処理装置１の構成部材である、カップ体２、ウエハ保持部３、カバー部材５などは１つのハウジング１１内に収容されている。ハウジング１１の天井部付近には外部から清浄空気を取り込む清浄空気導入ユニット１４が設けられている。また、ハウジング１１の床面近傍にはハウジング１１内の雰囲気を排気する排気口１５が設けられている。これにより、ハウジング１１内にハウジング１１の上部から下部に向けて流れる清浄空気のダウンフローが形成される。ハウジング１１の一つの側壁には、シャッター１２により開閉される搬入出口１３が設けられている。ハウジング１１の外部に設けられた図示しないウエハ搬送機構の搬送アームが、ウエハＷを保持した状態で、搬入出口１３を通過することができる。ウエハ保持部３は、円板形状のバキュームチャックとして構成されており、その上面がウエハ吸着面となっている。ウエハ保持部３は、不図示の回転駆動機構により、所望の速度で回転させることができる。
【００１３】
図３に示すように、カップ体２は、ウエハ保持部３の外周を取り囲むように設けられた、有底円環形状の部材である。カップ体２は、ウエハＷに供給された後にウエハＷの外方に飛散する薬液を受け止めて回収し、外部に排出する役割を有する。
【００１４】
ウエハ保持部３により保持されたウエハＷの下面と、このウエハＷの下面に対向するカップ体２の内周側部分２１の上面２１１との間には、小さな（例えば２〜３ｍｍ程度の高さの）隙間が形成される。ウエハＷに対向する上面２１１には、２つのガス吐出口２１２、２１３が開口している。これら２つのガス吐出口２１２、２１３は、同心の大径の円周および小径の円周に沿ってそれぞれ連続的に延びており、半径方向外向きに、かつ、斜め上方向に、ウエハＷの下面に向けてＮ２ガス（加熱された窒素ガス）を吐出する。
【００１５】
カップ体２の内周側部分２１内に形成された１つまたは複数の（図では１つのみ示す）ガス導入ライン２１４から円環状のガス拡散空間２１５にＮ２ガスが供給され、Ｎ２ガスはガス拡散空間２１５内を円周方向に拡がりながら流れ、ガス吐出口２１２、２１３から吐出される。ガス拡散空間２１５に隣接してヒーター２１６が設けられており、Ｎ２ガスはガス拡散空間２１５内を流れているときに加熱され、その後、ガス吐出口２１２、２１３から吐出される。半径方向外側にあるガス吐出口２１３から吐出されるＮ２ガスは、ウエハＷの被処理部位であるウエハＷの周縁部を加熱することにより、薬液による反応を促進し、また、ウエハＷの表面（上面）に向けて吐出された後に飛散する処理液のミストがウエハの裏面（下面）に周り込むことを防止する。半径方向内側にあるガス吐出口２１２から吐出されるＮ２ガスは、ガス吐出口２１２が無い場合にウエハＷの周縁部のみが温められること並びにウエハＷ中心側においてウエハＷの下面近傍に負圧が生じることに起因して生じ得るウエハＷの歪みを防止する。
【００１６】
カップ体２の外周側部分２４には、排液路２４４と排気路２４５が接続されている。カップ体２の内周側部分２１の外周部（ウエハＷの周縁の下方の位置）から半径方向外側に向けて環状の案内板２５が延びている。また、カップ体２の外周側部分２４の外周部には、外周壁２６が設けられている。外周壁２６は、その内周面により、ウエハＷから外方に飛散する流体（液滴、ガスおよびこれらの混合物など）を受け止め、下方に向けて案内する。外周壁２６は、水平面に対して２５〜３０度の角度を成して半径方向外側に向かうほど低くなるように傾斜する内側の流体受け面２６１と、流体受け面２６１の上端部から下方に延びる返し部２６２を有している。案内板２５の上面２５２と流体受け面２６１との間に、ガス（空気、Ｎ２ガス等）とウエハＷから飛散した液滴とが流れる排気流路２７が形成される。なお、返し部２６２の内周面によりカップ体２の上部開口が画定されるが、この上部開口の開口径はウエハＷの直径よりもやや大きい。案内板２５よりも下方に流入したガスおよび液滴の混合流体はそれぞれ分離され、液滴は排液路２４４から排出され、ガスは排気路２４５から排出される。
【００１７】
カバー部材５は、処理が実行されるときに、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷの上面周縁部と対向するように配置されるリング形状の部材である。カバー部材５は、ウエハＷの上面周縁部の近傍を流れてカップ体２内に引き込まれる気体を整流するとともに気体の流速を増大させ、ウエハＷから飛散した処理液がウエハＷの上面に再度付着することを防止する。
【００１８】
図３に示すように、カバー部材５は、内周面５１と、ウエハＷに対向する水平な下面５２とを有している。内周面５１は、鉛直方向に延びる上側面部分５１１と、ウエハＷに近づくに従って半径方向外側に向かうように傾斜する下側面部分５１２とを有している。水平な下面５２とウエハＷの上面との間に、鉛直方向の隙間Ｇが形成されている。カバー部材５の外周縁５２１はウエハＷの外周端Ｗｅよりも半径方向外側に位置している。なお、洗浄の対象となる周縁部は、例えば、外周端Ｗｅからの半径方向内側の約３ｍｍの領域であり、水平な下面５２に覆われる範囲である。
【００１９】
ウエハ保持部３にウエハＷが保持され、かつ、カバー部材５が処理位置に位置したときの状態が平面図である図２に示されている。図２において、カバー部材５に覆われて隠れているウエハＷの外周端（エッジ）Ｗｅが一点鎖線で示されている。また、カバー部材５の内周縁は符号５ｅで示されている。
【００２０】
図１及び図２に示すように、カバー部材５を昇降させる昇降機構６は、カバー部材５を支持する支持体５８に取り付けられた複数（本例では４つ）のスライダー６１と、各スライダー６１を貫通して鉛直方向に延びるガイド支柱６２とを有している。各スライダー６１には、シリンダモータ（不図示）が連結されており、シリンダモータを駆動することにより、スライダー６１がガイド支柱６２に沿って上下動し、これによりカバー部材５を昇降させることができる。カップ体２はカップ昇降機構（不図示）の一部を成すリフタ６５に支持されており、リフタ６５を図１に示す状態から下降させると、カップ体２が下降し、ウエハ搬送機構の搬送アーム（不図示）とウエハ保持部３との間でのウエハＷの受け渡しが可能となる。
【００２１】
次に、図１、図２及び図４を参照して、処理流体供給部７について説明する。特に図２に明瞭に示すように、処理流体供給部７は、処理流体供給部７Ａと処理流体供給部７Ｂから構成される。なお、図１には、処理流体供給部７Ａのみ図示し、処理流体供給部７Ｂは省略している。処理流体供給部７Ａは、アンモニア、過酸化水素および純水の混合溶液であるＳＣ−１液を吐出する薬液ノズル７１と、リンス液（本例ではＤＩＷ（純水））を吐出するリンスノズル７２と、を有し処理液供給部として機能する。また、処理流体供給部７Ａは、乾燥用ガス（本例ではＮ２ガス）を吐出するガスノズル７３を有し、気体供給部としても機能する。処理流体供給部７Ｂは、ＨＦ液を吐出する薬液ノズル７４と、リンス液を吐出するリンスノズル７５と、を有し処理液供給部として機能し、また、乾燥用ガスを吐出するガスノズル７６とを有し、気体供給部として機能する。
【００２２】
図２及び図４（ａ）に示すように、処理流体供給部７Ａのノズル７１〜７３は、カバー部材５の内周面に形成された凹所５６に収容されている。各ノズル（７１〜７３）は、図４（ｂ）において矢印Ａで示すように、斜め下方に向けて、かつ、矢印Ａで示す吐出方向がウエハの回転方向Ｒｗの成分を持つように処理流体を吐出する。各ノズル（７１〜７３）には、不図示の処理流体供給機構から上記の処理流体が供給される。処理流体供給部７Ｂも処理流体供給部７Ａと同様の構成を有する。
【００２３】
図１に概略的に示すように、基板処理装置１は、その全体の動作を統括制御するコントローラ（制御部）８を有している。コントローラ８は、基板処理装置１の全ての機能部品（例えば、不図示の回転駆動機構、昇降機構６、ウエハ保持部３、各種処理流体供給機構等）の動作を制御する。コントローラ８は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム（装置制御プログラムおよび処理レシピ等）とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、あるいはＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が図１において参照符号８１で示されている。プロセッサ８２は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体８１から呼び出して実行させ、これによってコントローラ８制御の下で基板処理装置１の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。
【００２４】
次に、上記基板処理装置１を用いた公知の標準的な液処理の動作、すなわち、付着物除去のための加熱処理が含まれない液処理の動作について、図５のフローチャートを用いて説明する。本動作は、上記コントローラ８の制御の下で行われる。この標準的な液処理は、２５枚のウエハＷを１セットとして実行され、本フローチャートは、１セット内の１枚のウエハＷの処理動作を示すものである。なお、本実施形態では、標準的な液処理に加えて付着物除去のための加熱処理を行っており、詳細は後述する。
【００２５】
［ウエハ搬入（ステップＳ５０１）］
まず、昇降機構６によりカバー部材５を退避位置（図１より上方の位置）に位置させるとともに、カップ昇降機構のリフタ６５によりカップ体２を下降させる。次いで、ハウジング１１のシャッター１２を開いて外部のウエハ搬送機構の搬送アーム（不図示）をハウジング１１内に進入させ、搬送アームにより保持されたウエハＷをウエハ保持体３の真上に位置させる。次いで、搬送アームをウエハ保持体３の上面より低い位置まで降下させて、ウエハＷをウエハ保持体３の上面に載置する。次いで、ウエハ保持体３によりウエハを吸着する。その後、空の搬送アームをハウジング１１内から退出させる。次いで、カップ体２を上昇させ図１に示す位置に戻すとともに、カバー部材５を図１に示す処理位置まで降下させる。以上の手順により、ウエハの搬入が完了し、図１に示す状態となる。
【００２６】
［第１薬液処理（ステップＳ５０２）］
次に、ウエハに対する第１の薬液処理が行われる。ウエハＷを回転させ、また、カップ体２のガス吐出口２１２、２１３からＮ２ガスを吐出させて、ウエハＷ、特に被処理領域であるウエハＷ周縁部を薬液処理に適した温度（例えば６０℃程度）まで加熱する。ウエハＷが十分に加熱されたら、ウエハＷを回転させたままで処理流体供給部７Ａの薬液ノズル７１から薬液（ＳＣ１）をウエハＷの上面（デバイス形成面）の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある不要な膜を除去する。
【００２７】
［第１リンス処理（ステップＳ５０３）］
所定時間薬液処理を行った後、薬液ノズル７１からの薬液の吐出を停止して、処理流体供給部７Ａのリンスノズル７２からリンス液（ＤＩＷ）をウエハＷの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハＷの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される。なお、ここで、後述のステップＳ５０６と同様の乾燥処理を行っても良い。
【００２８】
［第２薬液処理（ステップＳ５０４）］
次に、第１薬液処理では除去できない不要物を除去するための、ウエハＷに対する第２の薬液処理が行われる。第１薬液処理と同様にウエハＷを回転させるとともにウエハＷを加熱し、処理流体供給部７Ｂの薬液ノズル７４から薬液（ＨＦ）をウエハＷの上面（デバイス形成面）の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある不要な膜を除去する。
【００２９】
［第２リンス処理（ステップＳ５０５）］
所定時間薬液処理を行った後、引き続きウエハＷの回転およびガス吐出口２１２、２１３からのＮ２ガスの吐出を継続し、薬液ノズル７１からの薬液の吐出を停止して、処理流体供給部７Ｂのリンスノズル７５からリンス液（ＤＩＷ）をウエハＷの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハＷの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される。
【００３０】
［乾燥処理（ステップＳ５０６）］
所定時間リンス処理を行った後、引き続きウエハＷの回転およびガス吐出口２１２、２１３からのＮ２ガスの吐出を継続し、リンスノズル７５およびリンス液用の処理液吐出口２２からのリンス液の吐出を停止して、ガスノズル７６から乾燥用ガス（Ｎ２ガス）をウエハＷの周縁部に供給し、乾燥処理を行う。
【００３１】
［ウエハ搬出（ステップＳ５０７）］
その後、カバー部材５を上昇させて退避位置に位置させるとともにカップ体２を下降させる。次いで、ハウジング１１のシャッター１２を開いて図示しない外部のウエハ搬送機構の搬送アーム（図示せず）をハウジング１１内に進入させ、空の搬送アームをウエハ保持体３に保持されたウエハＷの下方に位置させた後に上昇させ、ウエハＷの吸着を停止した状態のウエハ保持体３から搬送アームがウエハＷを受け取る。その後、ウエハを保持した搬送アームがハウジング１１内から退出する。以上により、１枚のウエハに対する一連の液処理が終了する。
【００３２】
以上説明した１枚のウエハに対する処理を２５回繰り返すことが、標準的な液処理の動作である。既に述べたように、ステップＳ５０２やＳ５０４の薬液処理時に、カバー部材５は、ウエハＷから飛散した処理液がウエハＷの上面に再度付着することを防止する。しかし、薬液ノズル７１及び薬液ノズル７４からウエハＷに供給された薬液のうち、僅かであるが、ウエハＷやカップ体２の内壁等からの跳ね返り等によって、カバー部材５の高さまで飛散する液滴がある。また、カバー部材５が形成した気流に反して、上方に舞い上がるミストも存在する。そして、これら液摘やミストの一部は、カバー部材５の表面に付着してしまう。
【００３３】
上述のような手順、すなわち、ＳＣ１での薬液処理を行った後、ＨＦでの薬液処理を行った場合、カバー部材５にはＳＣ１液の液滴やミストが付着した後、ＨＦ液の液滴やミストが付着することになる。そして、カバー部材５の表面でこの２つの薬液が混合されると互いに反応して、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）が生成される。上述した手順を繰り返し実行していくと、生成されたフッ化アンモニウムは増加していき、やがて結晶化する。
図２及び図３を用いて、生成された結晶の付着箇所の例を説明する。図２及び図３では、カバー部材５の内周面５１に結晶６０１が付着している。また、飛散した液滴やミストはカバー部材５と外周壁２６の間にも入り込むため、カバー部材５の外周縁５２１にも結晶６０２が付着する。上述したカバー部材５は、カップ体２よりも高い位置に設けられているため、洗浄液による洗浄を行うことができない。また、洗浄液での洗浄ができたとしても、その後、付着した洗浄液を乾燥させることができない。
【００３４】
そこで、本実施形態では、上記の標準的な液処理に加えてカバー部材５の加熱処理を行うことで表面に付着した薬液を除去し、結晶が生成するのを未然に防止するようにする。また、カバー部材５に結晶が付着してしまった場合でも、加熱処理することで結晶を気化させ、付着物を除去するようにする。
【００３５】
図２及び図３を用いて、付着物除去のための機構を説明する。本実施形態では、図２に示すように、カバー部材５の内部に加熱処理のためのヒーター７０１を設けている。図３では、カバー部材５の断面から見た場合のヒーターの配置が示されている。本実施形態では、断面形状がカバー部材５の下面５２から上面に至るまでの縦長円形状の電熱線を用いている。このヒーターは、１３０度まで温度を上昇させることができ、コントローラ８によりその動作を制御することができる。カバー部材５は、導熱性の高い素材で形成されているので、数秒程度が経過すれば、その表面も１３０度に近い温度まで上昇する。
【００３６】
図３において、結晶６０１として図示されているフッ化アンモニウムは、常温では固体であるが、１００度程度に加熱することにより熱分解を起こし、気化することが知られている。また、１００度以上の環境下では、ＳＣ１液とＨＦ液を混合してもフッ化アンモニウムとして結晶化することもない。また、フッ化アンモニウムへの反応が起こる前に、ＳＣ１液やＨＦ液自体が気体化する。本実施形態の加熱処理は、この様なＳＣ１液、ＨＦ液、及びフッ化アンモニウムの特性に合わせて温度等の設定がなされている。
【００３７】
次に、本実施形態における付着物除去のための加熱処理が含まれる液処理の動作について、図６のフローチャートを用いて説明する。本動作は、上記コントローラ８の制御の下で行われる。本実施形態における液処理は、２５枚のウエハＷを１セットとして実行され、本フローチャートは、１セット内の１枚のウエハＷの処理動作を示すものである。
【００３８】
まず、外部のウエハ搬送機構の搬送アームがウエハを搬入する準備ができたら、ウエハ搬入動作を開始する（Ｓ６０１）。ここでのウエハ搬入動作は、上述のステップＳ５０１のウエハ搬入動作と同様なものである。
【００３９】
そして、ウエハの搬入が完了して、図１の状態になると、ヒーター７０１を動作させ、加熱処理を開始する（Ｓ６０２）。この加熱処理は、カバー部材５の表面の温度が１３０度に上昇するまで続けられる。
【００４０】
次に、第１薬液処理、第１リンス処理、第２薬液処理、第２リンス処理、乾燥処理を実行する（Ｓ６０３〜Ｓ６０６）。これらの処理は、上述のステップＳ５０２〜Ｓ５０５の第１薬液処理、第１リンス処理、第２薬液処理、第２リンス処理、乾燥処理と同様なものである。なお、第１薬液処理（Ｓ６０３）及び第２薬液処理（Ｓ６０５）では、上述のように、ウエハＷ周縁部を薬液処理に適した温度（例えば６０℃程度）まで加熱している。これに加え、ヒーター７０１の加熱処理によって下面５２が高温となっているので、下面５２からの放熱によってもウエハＷの周縁部が加熱される。
【００４１】
ステップＳ６０７の乾燥処理が終了すると、ヒーター７０１の動作を停止することで加熱処理を停止する（Ｓ６０８）。その後、カバー部材５を上昇させてウエハ搬出を行い（Ｓ６０９）、１枚についての液処理が完了する。２５枚のウエハについて同様の液処理を繰り返すことによって、１セットのウエハについて液処理を完了する。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態によれば、カバー部材５のリング形状の表面に付着したＳＣ１液とＨＦ液等の処理液又はこの処理液から生じた結晶を、ヒーター７０１の加熱処理により除去するようにした。これにより、カバー部材５に付着した結晶が剥がれてウエハＷの表面に落下して、パーティクルとなることを未然に防ぐことができる。また、ウエハＷに対する液処理を行っているときに加熱処理を行うようにし、ヒーター７０１がウエハＷの周縁部の温度を上昇させる機能をもつようにした。これにより、ヒーター７０１の熱が有効利用され、より周縁部の温度を上昇させやすくなることによりエッチングレートを上げることができる。また、ヒーター７０１から十分な放熱が行われるのであれば、ガス吐出口２１２、２１３からの高温Ｎ２ガスの供給量の削減も可能となる。
【００４３】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、実際にウエハＷに対して処理液を供給している間に加熱処理を行っていた。しかし、多くのセットについて連続的に液処理を行う場合においては、長時間ヒーターを動作させておかねばならず、電力消費量が大きくなってしまう。そこで、本実施形態では、液処理中には加熱処理を行わず、１セットのウエハＷについて処理を行った後の待機時間において、加熱処理を行うようにする。
【００４４】
本実施形態における付着物除去のための加熱処理が含まれる液処理の動作について、図７のフローチャートを用いて説明する。本動作は、上記コントローラ８の制御の下で行われる。本実施形態における液処理は、２５枚のウエハを１セットとして実行され、本フローチャートは、２セット以上の処理動作を示すものである。
【００４５】
まず、図５に示した、１セットのウエハに対する標準的な液処理を実行する（Ｓ７０１）。このステップでは、図６のフローチャートに示したような加熱処理は行わない。その後、まだ液処理されていない次のセットのウエハが有るか否かが判定され（Ｓ７０２）、まだ処理されていないセットが有ればステップＳ７０３からの加熱処理の手順に移行する。
【００４６】
１セットの液処理（Ｓ７０１）は完了しウエハ搬送が完了した後であるので、カバー部材５は、退避位置まで上昇している。本実施形態では、図１に示した、ウエハＷの液処理を行っているのと同様な状態で加熱処理を行う。したがって、コントローラ８は、図１の配置になるようにカバー部材５を降下させる（Ｓ７０３）。降下の動作が終了した後、ヒーター７０１を動作させ、加熱処理を開始する（Ｓ７０４）。
【００４７】
カバー部材５の表面上には、飛散した液摘が液状のまま付着している場合や、その一部が変化したフッ化アンモニウムの結晶が付着している場合がある。加熱処理は、カバー部材５の表面からこの両者が気化して無くなる程度の期間継続される。なお、加熱処理の開始とともに清浄空気導入ユニット１４を動作させ通常の液処理時と同様のダウンフローを形成させても良い。その後、ヒーター動作を停止して加熱処理を停止する（ステップＳ７０５）。最後に、カバー部材５を退避位置まで上昇させ、次の液処理のためのセットのウエハＷの搬入に備える（Ｓ７０６）。
【００４８】
予め決められた複数セットのウエハＷについて上記処理を繰り返し、ステップＳ７０２において、まだ処理されていないセットが無い、すなわち、全セットについて液処理を実行したのであれば、一連の処理を完了する。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態によれば、ウエハＷに対する液処理を行っていないときであって、１セットの液処理の合間の待機状態において加熱処理を行うようにした。これにより、処理液の結晶化が頻繁に発生しない状況下において、電力消費量を削減しながら、良好な液処理を行うことができる。また、ヒーターの７０１の加熱処理の開始及び停止のための温度調整の手間もウエハ１枚ごとからウエハ２５枚ごとに省略できるので、基板処理のスループットの低下も抑制することができる。さらに、そもそも周縁部を過度に加熱しないほうが良くヒーターの７０１による熱影響を避けたい液処理を実行する場合においても有効である。そして、待機状態であっても、加熱処理を行う際は、ウエハに対する液処理を行っているときと同じ位置にカバー部材５を配置するようにした。これにより、ハウジング１１の全体の温度を不要に上昇させることなく、結晶が生じやすい又は生じている箇所を集中的に高温化することができる。また、液処理のときと同様のダウンフローを形成することによって、気化した処理液を排気路２４５から排出することもでき、気化した処理液のハウジング１１内への再付着を防止することができる。
【００５０】
（第２の実施形態の変形例）
以上が第２の実施形態の制御であるが、ヒーター７０１の加熱処理は、１セット毎に実行する例に限らない。例えば、装置起動時から基板処理装置１での処理枚数をカウントしておき、５００枚処理したタイミングごとに、同様の加熱処理を実行するようにしても良い。また、枚数による制御ではなく、経過時間による制御を行っても良い。例えば、基板処理装置１の装置起動時から２４時間経過したタイミング毎に、同様の加熱処理を実行するようにしても良い。なお、枚数や時間といった条件は、コントローラ８が固定値として記憶しておく例に限らず、装置の使用者が液処理の種別ごとに結晶の成長頻度等に応じて任意の値を設定し記憶させておくようにしても良い。以上の加熱処理を行う場合、コントローラ８が記憶された枚数や時間といった所定の条件を監視しておき、所定の条件を満たせば、図７のステップＳ７０３〜Ｓ７０６と同様の処理を行う。
【００５１】
上記の第２の実施形態において、加熱処理を行う際にダウンフローを形成する場合、ウエハＷが置かれていないため、液処理のときと同様の強さで排気がされない場合がある。その場合に、液処理と同様の排気状態に近づけるために、清浄空気導入ユニット１４の空気導入量を液処理時よりも増加させても良い。また、液処理時と同様の排気状態に近づけるために、ハウジング１１の外部からダミーウエハを搬入し、液処理時と同様の条件でダミーウエハを保持して回転させることにより、カバー部材５の周辺に液処理時と同様の気流を発生させるようにしても良い。なお、清浄空気導入ユニット１４と排気口１５との間で十分な排気がなされるのであれば、カバー部材５を降下させることなく上げた状態で、加熱処理を行っても良い。
【００５２】
（他の実施形態）
以上、本発明に係る実施形態について説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限ることなく、様々な態様により実現することができる。例えば、処理液としては、ＳＣ１液とＨＦ液を用いるものとしたが、他の処理液を用いる場合においても同様に、本発明を適用できる。例えば、ＳＣ１液による処理とＳＣ２液による処理を連続して行う場合、ＳＣ１液に含まれるアンモニアとＳＣ２液に含まれる塩酸が反応して、塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）の結晶が生じる。この場合においても、塩化アンモニウムは１００度程度で気化するので、上記実施形態と同様に加熱処理を行うことにより、同様の効果が得られる。
【００５３】
また、上記実施形態においては、ヒーター７０１の断面形状を縦長円形としたが、この形状に限らず、矩形等様々な形状ととることができる。また、特に洗浄液による洗浄を適用することが難しい内周面５１の位置と外周縁５２１の位置とにそれぞれ対応した小型のヒーターを複数設けても良い。また、ヒーター７０１の全体形状を円環状にしているが、特に薬液の飛散やミストが生じ易い処理流体供給部７Ａ及び７Ｂの周辺のみにヒーターを設けても良い。また、カバー部材５の凹所５６であって、ノズル７１,７３,７４,及び７６に対向する表面を加熱できるよう、ヒーターを設けても良い。なお、上記の実施形態においても、リング形状のカバー部材５を備えた基板処理装置について説明したが、いずれの実施形態の加熱処理も、リング形状に限らず、ウエハＷ上面全体を覆う天板形状のカバー部材を備える装置に関して適用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
２      カップ体
３      基板保持部
５      カバー部材
７  処理流体供給部
７０１  ヒーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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