(57)【要約】【課題】本発明の課題は、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体を製造する方法及びパターニングされた透明導電体を提供することである。【解決手段】透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有するパターニングされた透明導電体の造方法であって、特定の波長の光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する特定の材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層を硫化亜鉛を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程と、第１高屈折率層のエッチング速度及び第２高屈折率層のエッチング速度と透明金属層のエッチング速度と関係が特定の条件で第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を一括エッチングする工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有するパターニングされた透明導電体を製造する透明導電体の製造方法であって、
（ａ）波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層を形成する工程と、
（ｂ）前記第１高屈折率層のエッチング速度（Ｅ１）と前記透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ１／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内、かつ、前記第２高屈折率層のエッチング速度（Ｅ２）と前記透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ２／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内の条件で前記第１高屈折率層、前記透明金属層及び前記第２高屈折率層を一括エッチングする工程と、
を有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
【請求項２】
前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項３】
前記硫化亜鉛含有層が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法により製造されたパターニングされた透明導電体であって、
前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層が、波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層であり、
前記第１高屈折率層、前記透明金属層及び前記第２高屈折率層が部分的にエッチングされていることを特徴とするパターニングされた透明導電体。
【請求項５】
前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を有することを特徴とする請求項４に記載のパターニングされた透明導電体。
【請求項６】
前記硫化亜鉛含有層が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のパターニングされた透明導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電体の製造方法及びパターニングされた透明導電体に関する。より詳しくは、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体を製造する方法及びパターニングされた透明導電体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電膜が使用されている。
【０００３】
このような透明導電膜を構成する材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の酸化物半導体が知られている。
【０００４】
ここで、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。したがって、透明導電膜には、光透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜（以下、「ＩＴＯ膜」ともいう。）が多用されている。
【０００５】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗値をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗値を十分に下げられない、という問題があった。
【０００６】
そこで、Ａｇの蒸着膜を透明導電膜とすることが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇの膜からなるＡｇ層を屈折率の高い層（例えば酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｃｅｒｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）、ａ−ＧＩＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ又はＩＴＯ等からなる層）で挟み込むことも提案されている（例えば、特許文献２〜４参照。）。さらに、Ａｇ層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）層で挟み込むことも提案されている（例えば、非特許文献１及び２参照。）。
【０００７】
しかしながら、特許文献２〜５や非特許文献１〜３で開示されているような、例えば、ＩＴＯ／銀薄膜／ＩＴＯ、Ｎｂ２Ｏ５／銀薄膜／ＩＺＯ又はＺｎＳ／銀薄膜／ＺｎＳというような構成を、スパッタ法により作製した透明導電体では、下記のような問題を抱えていた。
【０００８】
すなわち、
１）酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ層が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分ではない、という問題があった。このため、高湿度環境下で当該透明導電体を使用すると、Ａｇ層が腐食するなどしていた。
２）Ａｇ層がＺｎＳ層に挟み込まれた透明導電体では、透明導電体の耐湿性については十分に高いものの、Ａｇ層の形成時、若しくはＺｎＳ層の形成時に、Ａｇが硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなる、という問題があった。さらに、ＺｎＳは結晶になりやすいため、結果透明導電体が割れやすくなる、という問題もあった。
３）形成した透明導電体のフレキシブル性が不十分である、という問題があった。このため、上述の透明導電体には、クラック等が発生しやすい。
【０００９】
上記１）〜３）までの問題点を解決するため、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２／銀薄膜／ＺｎＳ−ＳｉＯ２というような構成の透明導電体が考えられる（例えば、特許文献５参照。）。
しかしながら、このような構成であると、Ａｇに比べてＺｎＳ−ＳｉＯ２はエッチングされる速度（以下、「エッチング速度」ともいう。）が大きすぎるため、このような構成の透明導電体では、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを加工できない、という問題があった。また、Ａｇ層の形成時、若しくはＺｎＳ層の形成時に、Ａｇが硫化されて硫化銀が生じやすい、という上記２）の問題点は解決できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特表２０１１−５０８４００号公報
【特許文献２】特開２００６−１８４８４９号公報
【特許文献３】特開２００２−１５６２３号公報
【特許文献４】特開２００８−２２６５８１号公報
【特許文献５】中国特許公開第１０２６７７０１２Ａ号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｘｕａｎｊｉｅ  Ｌｉｕ，ｅｔ  ａｌ，  （２００３）．  Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ４４１，  ２００−２０６
【非特許文献２】Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ＩＲ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｈｅａｔ  ｍｉｒｒｏｒ  ｆｉｌｍｓ  ｏｆ  ＺｎＳ  −  Ａｇ  −  ＺｎＳ，  Ｂｒｕｃｅ  Ｗ．  Ｓｍｉｔｈ，  Ｍａｙ  １９８９．  Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  Ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｅｎｔｅｒ  Ｆｏｒ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｓｃｉｅｎｃｅ
【非特許文献３】Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ  Ｌｅｕ，  ｅｔ  ａｌ．，  ＳＩＤ  ２０１２  ＤＩＧＥＳＴ  ｐ．３５２−３５３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体の製造方法及びパターニングされた透明導電体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、第１高屈折率層及び第２高屈折率層のエッチング速度と透明金属層のエッチング速度との比の値が所定の範囲内となる条件下でエッチングすると、透明導電体を構成するいずれかの材料が先に削られていくことを回避できるため、透明導電体を構成するいずれの材料も極端に残ってしまうことなく、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体を製造することができることを見いだし本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
【００１４】
１．少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有するパターニングされた透明導電体を製造する透明導電体の製造方法であって、
（ａ）波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層を形成する工程と、
（ｂ）前記第１高屈折率層のエッチング速度（Ｅ１）と前記透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ１／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内、かつ、前記第２高屈折率層のエッチング速度（Ｅ２）と前記透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ２／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内の条件で前記第１高屈折率層、前記透明金属層及び前記第２高屈折率層を一括エッチングする工程と、
を有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
【００１５】
２．前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を形成する工程をさらに有することを特徴とする第１項に記載の透明導電体の製造方法。
【００１６】
３．前記硫化亜鉛含有層が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有することを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体の製造方法。
【００１７】
４．第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法により製造されたパターニングされた透明導電体であって、
前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層が、波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層であり、
前記第１高屈折率層、前記透明金属層及び前記第２高屈折率層が部分的にエッチングされていることを特徴とするパターニングされた透明導電体。
【００１８】
５．前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を有することを特徴とする第４項に記載のパターニングされた透明導電体。
【００１９】
６．前記硫化亜鉛含有層が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有することを特徴とする第４項又は第５項に記載のパターニングされた透明導電体。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の上記手段により、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体の製造方法及びパターニングされた透明導電体を提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
【００２１】
図１及び図２は、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有する透明導電体をエッチングによりパターニングする場合の一例を示す模式図である。なお、図１（ａ）及び図２（ａ）はエッチング前の透明導電体、図１（ｂ）及び図２（ｂ）はエッチング後の透明導電体を示す。
通常、エッチングは垂直方向（層が積層される方向）のエッチングに加えて、サイドエッチングも進行する。なお、ここでいうサイドエッチングとは、透明基板に対して水平方向に進むエッチングのことである。上方の層が完全に溶けないとそれより下方の層に対するエッチングは進まないと考えられるが、現実には上方の層がエッチングされている段階で液が下方へ染み込み、下方の層のエッチングも開始される。
このため、第１高屈折率層、第２高屈折率層及び透明金属層のエッチング速度がそれぞれ大きく異なる場合、上述のサイドエッチングが過度に進行し、例えば、図１（ｂ）の透明金属層３のように、他の層に比べ、極端に残ってしまう層ができてしまう。この結果、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体を製造することが難しくなると推察される。
しかしながら、第１高屈折率層のエッチング速度（Ｅ１）と前記透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ１／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内、かつ、前記第２高屈折率層のエッチング速度（Ｅ２）と前記透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ２／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内の条件でエッチングすると、第１高屈折率層、透明金属層及び、第２高屈折率層の三つの層は、同じような速度でエッチングされる（溶ける）。そのため、いずれかの材料が極端に残ってしまうことがなく、図２（ｂ）に示すような、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを刻むことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】透明導電体をエッチングした場合の一例を示す模式図
【図２】透明導電体をエッチングした場合の他の例を示す模式図
【図３】透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図
【図４】透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図
【図５】エッチングを用いて透明導電体にパターニングする一例を示す工程フロー図
【図６】透明導電体の一例におけるアドミッタンス軌跡を示すグラフ
【図７】実施例に係る透明導電体の評価方法を説明する一例の模式図
【図８】実施例に係る透明導電体の評価方法を説明する他の例の模式図
【図９】ＺｎＳに対するＳｉＯ２の含有比率とエッチング速度との関係を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有するパターニングされた透明導電体を製造する透明導電体の製造方法であって、（ａ）波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程と、（ｂ）第１高屈折率層のエッチング速度（Ｅ１）及び第２高屈折率層のエッチング速度（Ｅ２）と透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ１／Ｅ３及びＥ２／Ｅ３）が所定の範囲内となる条件で第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を一括エッチングする工程と、を有することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項６までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００２４】
本発明においては、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を形成する工程をさらに有することが、透明金属層の硫化を防止でき、ひいては、光透過率を向上できるため好ましい。
【００２５】
また、本発明においては、硫化亜鉛含有層が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有することが好ましい。
これにより、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体を製造することができる。
【００２６】
さらに、本発明のパターニングされた透明導電体としては、第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層であり、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層が部分的にエッチングされていることを特徴とすることが好ましい。これにより、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有するパターニングされた透明導電体を提供できる。
【００２７】
さらに、本発明のパターニングされた透明導電体としては、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を有することが好ましい。これにより、透明金属層の硫化を防止でき、ひいては、光透過率を向上できるため好ましい。
【００２８】
また、本発明のパターニングされた透明導電体としては、硫化亜鉛含有層が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有することが好ましい。これにより、さらに各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有するパターニングされた透明導電体を提供できるため好ましい。
【００２９】
以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
なお、本発明でいう屈折率とは、２５℃の環境下で測定した屈折率の値を用いる。また、屈折率は、市販のエリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【００３０】
［透明導電体の概要］
本発明に係るパターニングされた透明導電体（以下、単に「透明導電体」ともいう。）の層構成の例を図３に示す。本発明に係る透明導電体１０には、透明基板１／第１高屈折率層２／透明金属層３／第２高屈折率層４が含まれる。そして、本発明に係る透明導電体１０では、当該第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４のいずれか一方、若しくは両方が、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む硫化亜鉛含有層である。そして、当該硫化亜鉛含有層２及び４と透明金属層３との間には、硫化防止層５（５ａ及び５ｂ）が含まれる。
【００３１】
ここで、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４のいずれか一方が硫化亜鉛含有層である場合には、硫化亜鉛含有層である第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４（以下、「硫化亜鉛含有層２又は４」ともいう。）と透明金属層３との間に、硫化防止層５が含まれる。一方、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４の両方が硫化亜鉛含有層である場合、いずれか一方の硫化亜鉛含有層２又は４と透明金属層３との間に、硫化防止層５が含まれればよいが、透明導電体１０の光透過性を十分に高めるとの観点から、各硫化亜鉛含有層２及び４と透明金属層３との間に、それぞれ硫化防止層５が含まれることが好ましい。つまり、第１高屈折率層２と透明金属層３との間及び透明金属層３と第２高屈折率層４との間に、それぞれ硫化防止層５が含まれることが好ましい。
【００３２】
透明金属層と硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む層とが隣接して形成されると、金属硫化物が生成されやすく、透明導電体の光透過性が低減しやすいという問題があった。金属硫化物は、以下のように生成されると推察される。
【００３３】
硫化亜鉛含有層（第１高屈折率層２）上にスパッタ法等の気相成膜法で透明金属層を形成する場合、硫化亜鉛含有層中の未反応の硫黄成分が、透明金属層の材料（金属材料）によって形成雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と透明金属層由来の金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。また、硫化亜鉛含有層と透明金属層とを連続的に形成する場合、硫化亜鉛含有層の形成雰囲気に含まれる硫黄成分が透明金属層雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と透明金属層由来の金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。
【００３４】
一方、透明金属層上に硫化亜鉛含有層（第２高屈折率層４）を形成する場合、透明金属層中の金属が、硫化亜鉛含有層の材料によって、形成雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された金属と硫黄成分とが反応し、金属硫化物が透明金属層表面に堆積する。さらに、透明金属層の表面と、形成雰囲気中の硫黄成分とが接触することでも、透明金属層表面に金属硫化物が生成する。
【００３５】
これに対し、本発明実施形態に係る透明導電体１０では、例えば図３に示されるように、第１高屈折率層２上に、第１硫化防止層５ａが積層される。このような構成では、第１高屈折率層２が第１硫化防止層５ａで保護されるため、透明金属層３の形成時に第１高屈折率層２中の硫黄成分が弾き出されることを抑制できる。また、第１高屈折率層２から透明金属層３を連続的に形成（成膜）したとしても、第１高屈折率層２の形成雰囲気に含まれる硫黄成分が、第１硫化防止層５ａの構成成分と反応する、又は第１硫化防止層５ａの構成成分に吸着される。したがって、透明金属層３の形成雰囲気に硫黄が含まれることを抑制でき、金属硫化物の生成を回避できる。
【００３６】
また本発明実施形態に係る透明導電体１０では、例えば図３に示されるように、透明金属層３上に第２硫化防止層５ｂが積層される。このような構成では、透明金属層３が第２硫化防止層５ｂで保護されるため、第２高屈折率層４の形成時に透明金属層３中の金属が弾き出されることを抑制できる。また、第２高屈折率層４の形成雰囲気中の硫黄成分が、透明金属層３の表面と接触することを防止できる。したがって、透明金属層３の表面に金属硫化物が生成することを回避できる。
【００３７】
本発明実施形態に係る透明導電体１０では、図３に示されるように、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層が部分的にエッチングされ、所望の形状にパターニングされている。本発明実施形態に係る透明導電体において、透明金属層３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域ａ」とも称する。）である。一方、透明金属層３が含まれない領域ｂが絶縁領域ｂである。
【００３８】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１０の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体１０が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図４に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等でありうる。
【００３９】
また、本発明に係る透明導電体１０には、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３、第２高屈折率層４及び硫化防止層５以外の層が含まれてもよい。例えば透明金属層３の形成時に成長核になり得る下地層が、透明金属層３と第１高屈折率層２との間に、透明金属層３に隣接して含まれてもよい。ただし、本発明に係る透明導電体１０に含まれる層は、透明基板１を除いて、いずれも無機材料からなる層である。例えば第２高屈折率層４上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板１から第２高屈折率層４までの積層体が、本発明に係る透明導電体１０である。
【００４０】
（本発明の透明導電体の製造方法）
本発明の透明電極の製造方法は、少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有するパターニングされた透明導電体を製造する透明導電体の製造方法であって、（ａ）波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程と、（ｂ）第１高屈折率層のエッチング速度（Ｅ１）と透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ１／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内、かつ、第２高屈折率層のエッチング速度（Ｅ２）と透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ２／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内の条件で第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を一括エッチングする工程と、を有することを特徴とする。
【００４１】
以下において、本発明実施形態の透明導電体の製造方法の典型的例について説明をする。
本発明実施形態の透明導電体の製造方法は、主に下記に示す工程を含む態様の製造方法であることが好ましい。なお、各工程に用いられる各構成要素については、後に詳述する。
【００４２】
本発明実施形態の透明導電体の製造方法によって製造される透明導電体は、透明基板上に、第１高屈折率層／第１硫化防止層／透明金属層／第２硫化防止層／第２高屈折率層を順に積層する積層体とする。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定される。ただし、下地層の平均厚さはスパッタ装置のメーカー公称値の形成速度から算出される。
【００４３】
（第１高屈折率層を形成する工程）
当該工程では、透明基板上に、第１高屈折率層を形成する。
本工程では、スパッタ法を採用することができ、この場合、例えば、アネルバ社製ＳＰＷ−０６０スパッタ装置等のスパッタ装置を用い、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料をスパッタする。なお、スパッタガスは、特に限定されず、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）及び酸素（Ｏ２）などでよい。
また、第１高屈折率層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する場合、本工程は、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程である。
【００４４】
なお、本工程における第１高屈折率層の形成方法は、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法（「堆積法」、「蒸着法」又は「合成法」ともいう。）でよい。また、第１高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層（膜）であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。
【００４５】
（第１硫化防止層を形成する工程）
当該工程では、第１高屈折率層上に、第１硫化防止層を形成する。
本工程は、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を形成する工程である。
本工程では、スパッタ法を採用することができ、この場合、例えば、アネルバ社製ＳＰＷ−０６０スパッタ装置等のスパッタ装置を用い、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種をスパッタする。なお、スパッタガスは、特に限定されず、例えば、アルゴン、クリプトン及び酸素などでよい。
【００４６】
なお、本工程における第１硫化防止層の形成方法は、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を採用することができる。
【００４７】
（透明金属層を形成する工程）
当該工程では、第１硫化防止層上に、透明金属層を形成する。
本工程における透明金属層の形成方法は、特に限定されず、スパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を採用できる。
【００４８】
（第２硫化防止層を形成する工程）
当該工程では、透明金属層上に、第２硫化防止層を形成する。
本工程は、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する硫化防止層を形成する工程である。
【００４９】
本工程における第２硫化防止層の形成方法については、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を採用することができる。
【００５０】
（第２高屈折率層を形成する工程）
当該工程では、第２硫化防止層上に、第２高屈折率層を形成する。
この第２高屈折率層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する場合、本工程は、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程である。
【００５１】
本工程における第２高屈折率層の形成方法は、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でよい。なお、第２高屈折率層４の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第２高屈折率層４は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層（膜）であることが好ましい。第２高屈折率層４の透湿性が低くなるとの観点から、第２高屈折率層４はスパッタ法で形成された層であることが特に好ましい。
【００５２】
（パターニングする工程）
当該工程では、透明基板上に形成された層（少なくとも、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を含む）を、所望の形状にパターニングする。これにより、本発明に係るパターニングされた透明導電体を製造することができる。なお、パターニング方法としては、エッチングを行うものであれば、特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィー法を採用することができる。
以下に、パターニングする工程の一例として、フォトリソグラフィー法を採用する場合について説明する。
【００５３】
本発明に採用できるフォトリソグラフィー法とは、例えば、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明基板上に形成された層を、所望のパターンに加工できる方法である。
【００５４】
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所期のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、後述のエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の中間層の溶解及び銀薄膜電極の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所期のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所期の目的に応じて容易に選定することができる。
【００５５】
次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法について説明する。
【００５６】
図５は、本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図である。
【００５７】
第１ステップとして、図５の（ａ）で示すように、透明基板２上に、第１高屈折率層２、第１硫化防止層５ａ、透明金属層３、第２硫化防止層５ｂ、第２高屈折率層４をこの順で積層した透明導電体１０を作製する。
【００５８】
次いで、図５の（ｂ）でレジスト膜を形成する前に、透明導電体１０に超音波洗浄処理を施すことが好ましい。超音波洗浄としては、例えば、花王社製の洗剤クリンスルーＫＳ−３０３０を用いて超音波洗浄と純水による水洗いを数回行った後、スピンコーターで水を飛ばし、オーブンで乾燥させる。
【００５９】
次いで、図５の（ｂ）で示すレジスト膜の形成工程で、透明導電体１０上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜６を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物あるいはポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。レジストとしては、例えば、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢ等を用いることができる。
塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、透明導電体１０上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０〜１５０℃の範囲内で３０秒〜３０分間行うことができる。
【００６０】
次いで、図５の（ｃ）に示す露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスク７を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機８を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜６ａに照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。
【００６１】
次いで、図５の（ｄ）に示す現像工程で、露光済みの透明導電体１０を、現像液に浸漬して、光照射した領域の除去するレジスト膜６ａを溶解する。現像液としては、例えば、レジストとしてポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ」シリーズ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等を用いることができる。
【００６２】
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を一種あるいは二種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０〜１５０℃の範囲内で乾燥ベークを行ってもよい。
【００６３】
（一括エッチング工程）
当該工程では、第１高屈折率層のエッチング速度（Ｅ１）と透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ１／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内、かつ、第２高屈折率層のエッチング速度（Ｅ２）と透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ２／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内の条件で第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を一括エッチングする。具体的には、図５の（ｅ）に示すように、エッチング液９を用いたエッチング処理を行う。なお、一括エッチングとは、同一種類のエッチング液を用いて、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を一回の処理でまとめてエッチングすることをいう。
【００６４】
本発明に適用可能なエッチング液は、第１高屈折率層のエッチング速度（Ｅ１）及び第２高屈折率層のエッチング速度（Ｅ２）と透明金属層のエッチング速度（Ｅ３）との比の値（Ｅ１／Ｅ３及びＥ２／Ｅ３）が０．００２〜３５０の範囲内となる条件を満たすものであれば特に限定されないが、１〜２０の範囲内であれば好ましく、更に好ましくは３〜７の範囲内である。
具体的には、無機酸あるいは有機酸を含有する液が好ましく、シュウ酸、塩酸、酢酸、リン酸を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。また、エッチング液としては市販品を用いることもでき、例えば、林純薬工業社製のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００、Ｃｌｅａｎ  ｅｔｃｈ  １００及びＣｌｅａｎ  ｅｔｃｈ  １０２並びに関東化学製開発品  混酸  ＳＥＡ−５及び混酸  ＳＥＡ−１等を用いることができる。
【００６５】
（エッチング速度の測定）
本発明に係るエッチング速度は、例えば、下記のようにして測定される。
ガラス上に、エッチング速度を計測したい層を構成する材料で、例えば、厚さ３０〜４００ｎｍ、径３０ｃｍの大きさの膜を形成する。次に、当該膜の半分をマスクした状態で、残りの半分はそのままの状態でエッチング液に浸漬する。一定時間後の膜厚の減少を測定し、単位時間あたりの膜厚の減少を、本発明に係るエッチング速度とする。なお、エッチング液の温度は２５〜４５℃の範囲内で実施されることが好ましく、さらに好ましくは２５〜３５℃の範囲内である。
なお、膜厚測定には、例えば、オリンパス製ＵＳＰＭ−ＲＵIII反射率測定器を使用でき、膜の反射率から膜厚を算出することができる。
【００６６】
具体的なエッチング処理としては、例えば、有機酸等を含むエッチング液に、レジスト膜６を有する透明導電体１０を浸漬し、レジスト膜６で保護されていない絶縁領域ｂの電極ユニットＥＵを溶解し、レジスト膜６で保護している導通領域ａの電極ユニットＥＵを所定の電極パターンとして形成する。エッチング時間は、適用する酸の種類により異なるが、早くても３秒以上、遅くとも１０分以内で調整することが好ましく、３０〜１２０秒の範囲内で調整することが更に好ましい。
【００６７】
最後に、図５の（ｆ）に示すように、レジスト膜剥離液として、例えば、アセトン、水酸化ナトリウム液、市販品としては、ナガセケムテックス社製のＮ−３００等を用いて、エッチングした透明導電体を浸漬して、レジスト膜６を除去して、電極パターンを有する透明導電体を作製することができる。
【００６８】
次に、本発明の透明導電体の製造方法に用いられる各構成要素について詳述する。
【００６９】
［透明基板］
本発明に係る透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ、例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）及びスチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには二種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００７０】
透明性の観点から、透明基板１はガラスフィルム若しくはセルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）又はスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。
【００７１】
透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましい。具体的には、波長４００〜８００ｎｍの範囲内の光の平均透過率（以下、単に「透過率」ともいう。）が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１０の光透過性（透明性）が高まりやすい。また、透明基板１の波長４００〜８００ｎｍの範囲内の光の平均吸収率（以下、単に「吸収率」ともいう。）は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００７２】
上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率（以下、単に「反射率」ともいう。）を測定し算出できる。本発明実施形態では、具体的には、平均吸収率（％）は、（１００−（平均透過率＋平均反射率））として計算される。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。
【００７３】
透明基板１の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、測定温度２５℃において、１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。
【００７４】
透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。
【００７５】
透明基板１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板１の厚さが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２を形成する際に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１０のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体１０を用いた機器の厚さを薄くできる。また、透明導電体１０を用いた機器を軽量化することもできる。
【００７６】
また、透明基板１の表面粗さＲａが粗い場合、その上に積層される各層についても表面粗さが転写される。すなわち、透明基板１の表面が粗いと平滑な透明金属層等を形成できない。
【００７７】
この表面粗さＲａとは、Ｒａ＝算術平均粗さ（以下、「表面粗さ」ともいう。）を意味し、ＪＩＳ  Ｂ６０１（２００１）に規定される表面粗さに準ずる値である。本発明に係る透明金属層は、表面粗さがＲａでおおむね３ｎｍ以下であると、良質な透明金属層（平滑な透明金属層）が確保できることから好ましい。本発明において、Ｒａの測定には、市販の原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＦＭ）を用いることができ、例えば、以下の手法で測定可能である。
【００７８】
ＡＦＭとして、日立ハイテクサイエンス社製ＳＰＩ３８００Ｎプローブステーション及びＳＰＡ４００多機能型ユニットを使用し、約１ｃｍ角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位で捉える。ピエゾスキャナーは、ＸＹ２０μｍ、Ｚ２μｍが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、日立ハイテクサイエンス社製シリコンカンチレバーＳＩ−ＤＦ２０で、共振周波数１２０〜１５０ｋＨｚ、バネ定数１２〜２０Ｎ／ｍのものを用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｏｄｅ）で測定する。測定領域８０×８０μｍを、走査周波数１Ｈｚで測定する。
【００７９】
［第１高屈折率層］
本発明に係る第１高屈折率層２は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１０の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層２は、透明導電体１０の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００８０】
第１高屈折率層２には、波長５７０ｎｍの光に対して、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有される。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層２によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層２の屈折率は、第１高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。
【００８１】
第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。金属酸化物の例にはＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｄｏｐｅｄ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ａ−ＧＩＯ等が含まれる。第１高屈折率層２には、当該金属酸化物が一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
また、第１高屈折率層２に含有される誘電性材料又は酸化物半導体材料は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）でもありうる。なお、第１高屈折率層２に硫化亜鉛（ＺｎＳ）が含有される場合、当該第１高屈折率層２は、本発明に係る硫化亜鉛含有層２である。なお、硫化亜鉛含有層の詳細については後述する。
【００８２】
第１高屈折率層２の厚さは、１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第１高屈折率層２の厚さが１５ｎｍ以上であると、第１高屈折率層２によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１高屈折率層２の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層２の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００８３】
［第２高屈折率層］
本発明に係る第２高屈折率層４は、透明導電体１０の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１０の導通領域ａに形成される。第２高屈折率層４は、透明導電体１０の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００８４】
第２高屈折率層４には前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層４によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第２高屈折率層４の屈折率は、第２高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。
【００８５】
第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。当該金属酸化物は、第１高屈折率層に含まれる金属酸化物と同様でありうる。第２高屈折率層４には、当該金属酸化物が一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
【００８６】
また、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、ＺｎＳであってもよい。なお、第２高屈折率層２に硫化亜鉛が含有される場合、当該第２高屈折率層は、本発明に係る硫化亜鉛含有層である。なお、硫化亜鉛含有層の詳細については後述する。
【００８７】
第２高屈折率層４の厚さは１５ｎｍ以上であり、通常１５０ｎｍ以下である。第２高屈折率層４の厚さは、より好ましくは１５〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは２０〜８０ｎｍである。第２高屈折率層４の厚さが１５ｎｍ以上であると、第２高屈折率層４によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第２高屈折率層４の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第２高屈折率層４の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００８８】
（硫化亜鉛含有層）
第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４（以下、特に区別の必要のないときは、まとめて「高屈折率層」ともいう。）に含有される誘電性材料又は酸化物半導体材料は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）でもありうる。なお、高屈折率層に硫化亜鉛（ＺｎＳ）が含有される場合、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４は、本発明に係る硫化亜鉛含有層２及び硫化亜鉛含有層４（以下、特に区別の必要のないときは、まとめて「硫化亜鉛含有層」ともいう。）である。
第１高屈折率層２にＺｎＳを含ませ、硫化亜鉛含有層２とすると、透明基板１側から水分が透過し難くなり、透明金属層３の腐食が抑制される。
また、第２高屈折率層４にＺｎＳを含ませ、硫化亜鉛含有層４とすると、第２高屈折率層４側から水分が透過することを抑制でき、透明金属層３の腐食を防止できる。
なお、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４は同一の材料で形成することが好ましく、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４はともに硫化亜鉛含有層であることが好ましい。
【００８９】
硫化亜鉛含有層には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとともに他の材料が含まれてもよい。
硫化亜鉛含有層にＺｎＳとともに含まれる材料は、上記誘電性材料又は酸化物半導体材料でありうる金属酸化物や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等であり、特に好ましくはＳｉＯ２である。ＺｎＳとともにＳｉＯ２が含まれると、硫化亜鉛含有層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。
【００９０】
また、特に、硫化亜鉛含有層は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有することが好ましく、特に、ＳｉＯ２を含有することが好ましい。なお、これは、一般に使用されるエッチング液が酸性溶液であるケースが多いことによると推察される。このため、硫化亜鉛含有層に含有されるＺｎＳは、耐酸性が低いためエッチング速度が高いと推察される。そこで、酸性溶液によるエッチングの速度が比較的低い（耐酸性が高い）材料となるＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＨｆＯ２等の硫化亜鉛含有材料を硫化亜鉛含有層に含有させると、透明導電体を構成する層の間でエッチング速度の差が大きくなりすぎることを回避できると推察される。これにより、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体を製造することができる。
【００９１】
硫化亜鉛含有層にＺｎＳとともに他の材料が含まれる場合、他の材料の量は、硫化亜鉛含有層を構成する材料の総モル数に対して、０．１〜９５質量％であることが好ましく、さらに、エッチング速度をより適切にできるため、５〜５０質量％であることがより好ましい。
特に好ましくは１０〜３０質量％であり、ＺｎＳに対する他の材料の含有量が３０％以下であるとエッチン速度が急激に上昇するおそれを回避でき、１０％以上であるとエッチン速度が急激に減少するおそれを回避できる。
【００９２】
［透明金属層］
透明金属層３は、透明導電体１０において電気を導通させるための層である。
【００９３】
透明金属層３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等であってもよい。透明金属層３には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。導電性が高いとの観点から、透明金属層は銀又は銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀と組み合わされる金属は、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【００９４】
透明金属層３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１０の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【００９５】
透明金属層３の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ形成する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ形成する。
【００９６】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率（１００−（透過率＋反射率））を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【００９７】
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００９８】
透明金属層３の厚さは３〜２０ｎｍであり、好ましくは５〜９ｎｍであり、さらに好ましくは５〜８ｎｍである。本発明の透明導電体１０では、透明金属層３の厚さが１０ｎｍ以下であれば、透明金属層３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層３の厚さが１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４によって、透明導電体１０の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層３の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００９９】
透明金属層３は、いずれの形成方法によっても形成できるが、透明金属層の平均透過率を変えるためには、スパッタ法で形成された膜若しくは後述する下地層上に形成された膜であることが好ましい。
【０１００】
スパッタ法では、形成時に材料が被形成体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすいため、透明金属層３の光透過性が高まりやすい。また、透明金属層３がスパッタ法により形成された膜であると、透明金属層３が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法及び対向スパッタ法等でありうる。透明金属層３は、特に対向スパッタ法で形成されることが好ましい。透明金属層３が、対向スパッタ法で形成されると、透明金属層３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属層３の表面電気抵抗値がより低くなり、光透過率を向上できる。
【０１０１】
一方、透明金属層３を下地層上に形成する場合、透明金属層３を形成する際に下地層が成長核となるため、透明金属層３を平滑な層として形成きる。その結果、透明金属層３が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この場合、透明金属層３の形成方法は、上述のように特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でありうる。
【０１０２】
また、透明金属層３が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１０３】
［硫化防止層］
本発明実施形態では、硫化防止層５として、上述の第１硫化防止層５ａ又は第２硫化防止層５ｂを有するものとして、以下、硫化防止層５について説明する。
【０１０４】
（第１硫化防止層５ａ）
前述の第１高屈折率層２が硫化亜鉛含有層である場合、図３に示されるように、透明金属層３と第１高屈折率層２（硫化亜鉛含有層２）との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する第１硫化防止層５ａが設けられることが好ましい。第１硫化防止層５ａは、透明導電体１０の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１０５】
当該第１硫化防止層５ａには、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる化合物が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよいが、好ましくは金属酸化物、さらにはＺｎ含有の金属酸化物が含まれていることが好ましい。ただし、第１高屈折率層２と、第１硫化防止層５ａと、透明金属層３とが連続的に形成される場合には、上記金属酸化物が硫黄と反応可能、若しくは硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。上記金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
【０１０６】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３及びＷＯ３等が含まれる。
金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３及びＹＦ３等が含まれる。
金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４及びＡｌＮ等が含まれる。
【０１０７】
第１硫化防止層５ａの厚さは、透明金属層３を形成する際の衝撃から、第１高屈折率層２の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、第１高屈折率層に含まれ得るＺｎＳは、透明金属層３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層５ａの厚さが非常に薄く、第１高屈折率層２の一部が第１硫化防止層５ａから僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属層が成長し、透明金属層３が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第１硫化防止層５ａの厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１０８】
（第２硫化防止層５ｂ）
第２高屈折率層が硫化亜鉛含有層である場合、図３に示されるように、透明金属層３と第２高屈折率層４（硫化亜鉛含有層４）との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも一種を含有する第２硫化防止層５ｂが設けられることが好ましい。第２硫化防止層５ｂは、透明導電体１０の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１０９】
当該第２硫化防止層５ｂには、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる化合物が一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよいが、好ましくは金属酸化物、さらにはＺｎ含有の金属酸化物が含まれていることが好ましい。なお、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物は、前述の第１高屈折率層２に含まれる金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物と同様であってもよい。
【０１１０】
第２硫化防止層５ｂの厚さは、第２高屈折率層４の形成時の衝撃から、透明金属層３の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、透明金属層３に含まれる金属と、第２高屈折率層４に含まれ得るＺｎＳは、親和性が高い。そのため、第２硫化防止層５ｂの厚さが非常に薄く、透明金属層３の一部が第２硫化防止層５ｂから僅かに露出していると、透明金属層３や第２硫化防止層５ｂと第２高屈折率層４との密着性が高まりやすい。したがって、第２硫化防止層５ｂの具体的な厚さは０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第２硫化防止層５ｂの厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１１１】
第２硫化防止層５ｂは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層でありうる。
【０１１２】
［その他の構成層］
（下地層）
前述のように、透明導電体１０には、透明金属層３の形成時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、透明金属層３より基板１側、かつ透明金属層３に隣接して形成された層である。すなわち、第１高屈折率層２と透明金属層３との間又は第１硫化防止層５ａと透明金属層３との間に形成された層でありうる。下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１０の絶縁領域ｂに形成されていてもよい。
【０１１３】
透明導電体１０に下地層が含まれると、透明金属層３の厚さが薄くとも、透明金属層３の表面の平滑性が高まる。その理由は以下のとおりである。
【０１１４】
一般的な気相成膜法で透明金属層３の材料を、例えば第１高屈折率層２上に堆積させると、形成初期には、第１高屈折率層２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら層（膜）が成長する。そのため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、辛うじて導通する。しかし、塊同士の間にいまだ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、透明金属層の光透過性が低下する。
【０１１５】
これに対し、第１高屈折率層２上をマイグレートを抑制できる金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、透明金属層３が成長する。つまり、透明金属層３の材料がマイグレートを抑制でき、前述の島状構造を形成せずに層が成長する。その結果、厚さが薄くとも平滑な透明金属層３が得られる。
【０１１６】
ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ若しくはインジウム又はこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
【０１１７】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属層３との親和性が高まり、下地層と透明金属層３との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
【０１１８】
一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム及びクロム等でありうる。
【０１１９】
下地層の厚さは、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している層でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１０の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼすことを防止できる。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚さは、形成速度と形成時間との積から算出される。
【０１２０】
下地層の形成方法は特に限定されず、公知の方法であってもよく、例えば、スパッタ法又は蒸着法を適用できる。スパッタ法としては、例えば、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法及びバイアススパッタ法等が挙げられる。下地層を形成する際のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚さ及び形成速度に合わせて適宜選択される。スパッタ法による形成速度は、好ましくは０．０１〜１．５ｎｍ／ｓ（０．１〜１５Å／ｓ）であり、より好ましくは０．０１〜０．７ｎｍ／ｓ（０．１〜７Å／ｓ）である。
【０１２１】
一方、蒸着法の例としては、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法及びイオンビーム蒸着法等が挙げられる。蒸着時間は、所望の下地層の厚さ及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．０１〜１．５ｎｍ／ｓ（０．１〜１５Å／ｓ）であり、より好ましくは０．０１〜０．７ｎｍ／ｓ（０．１〜７Å／ｓ）である。
【０１２２】
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１２３】
なお、下地層の表面粗さがＲａでおおむね３ｎｍ以下であると、良質な透明金属層（平滑な透明金属層）を形成できるため好ましい。
【０１２４】
（低屈折率層）
前述のように、本発明の透明導電体１０には、第２高屈折率層４上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）を設けてもよい。低屈折率層は、透明導電体１０の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１０の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
【０１２５】
低屈折率層には、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料における波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【０１２６】
低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．８未満であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、特に好ましくは１．３５〜１．５である。なお、低屈折率層の屈折率は主に、低屈折率層に含まれる材料の屈折率や、低屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。
【０１２７】
低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＡｌＦ３、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＣｄＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、ＹＦ３、ＹｂＦ３、Ｇａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ及びＴｈＯ２等でありうる。誘電性材料又は酸化物半導体材料は中でも、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ又はＴｈＯ２であることが好ましく、屈折率が低いとの観点から、ＭｇＦ２及びＳｉＯ２が特に好ましい。低屈折率層には、これらの材料が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。
【０１２８】
低屈折率層の厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。低屈折率層の厚さが１０ｎｍ以上であると、透明導電体表面の光学アドミッタンスが微調整されやすい。一方、低屈折率層の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、透明導電体の厚さが薄くなる。低屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１２９】
低屈折率層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層であり得る。形成の容易性等の観点から、低屈折率層は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。
【０１３０】
また、低屈折率層がパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。低屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく；公知のエッチング法でパターニングされた層であってもよい。
【０１３１】
（第３高屈折率層）
本発明の透明導電体１０には、低屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３高屈折率層を設けてもよい。第３高屈折率層は、透明導電体１０の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１０の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
【０１３２】
第３高屈折率層には、前述の透明基板１の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第３高屈折率層の屈折率は、第３高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第３高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。
【０１３３】
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物又はＺｎＳであることが好ましい。金属酸化物の例には、前述の第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４に含まれる金属酸化物が含まれる。第３高屈折率層には、当該金属酸化物又はＺｎＳが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。また、金属酸化物やＺｎＳとともに、ＳｉＯ２等の誘電性材料が含まれてもよい。
【０１３４】
第３高屈折率層の厚さは特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第３高屈折率層の厚さが上記範囲であると、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第３高屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１３５】
第３高屈折率層の形成方法は特に制限されず、第１高屈折率層２や第２高屈折率層４と同様の方法で形成された層でありうる。
【０１３６】
≪透明導電体の光学アドミッタンスについて≫
透明導電体の透過領域ａの表面（透明導電体において透明基板とは反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の透過領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥとから定まる。ここで光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材又は環境であって；有機樹脂からなる部材、若しくは環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹＥとの関係は以下の式で表される。
【数１】
2015173050.tif 000003
上記の式に基づけば、｜Ｙｅｎｖ−ＹＥ｜が０に近い程、透明導電体（透過領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。
【０１３７】
前記媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比の値（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常、媒質の屈折率ｎｅｎｖと同一である。一方、透明導電体の透過領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥは、透過領域ａを構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば透明導電体（透過領域ａ）が１層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹＥは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。
【０１３８】
一方、透明導電体（透過領域ａ）が積層体からなる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１  Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）又は式（２）にて求められる。
【０１３９】
・ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合
【数２】
2015173050.tif 000004
2015173050.tif 000005
【０１４０】
・ｘ層目が理想金属層である場合
【数３】
2015173050.tif 000006
2015173050.tif 000007
【０１４１】
そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹＥとなる。
【０１４２】
図６に、例えば、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＩＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示した。グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部；つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部；つまり当該式におけるｙである。なお、上記例の透明導電体では、第１硫化防止層は厚さが十分に薄いため、その光学アドミッタンスは無視できる。
【０１４３】
図６において、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥである。そして、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標Ｙｅｎｖ（ｎｅｎｖ，０）（図示せず）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。
【０１４４】
ここで、本発明の透明導電体では、透明金属層の高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ１＋ｉｙ１）とし、透明金属層の中間層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ２＋ｉｙ２）とした場合に、ｘ１及びｘ２のうちいずれか一方、若しくは両方が１．６以上であることが好ましい。ｘ１又はｘ２のうちいずれか一方が、１．６以上であると透明導電体の光透過性が高まりやすい。その理由を以下に説明する。
【０１４５】
透明導電体を構成する各層どうしの界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。
【数４】
2015173050.tif 000008
上記関係式に基づけば、透明金属層表面の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（ｘ１及びｘ２）が大きくなれば、透明金属層の電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。すなわち、透明導電体の光透過性が十分に高まる。
【０１４６】
したがって、上記ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方、若しくは両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、さらに好ましくは２．０以上である。ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方が１．６以上であればよいが、特にｘ１が１．６以上であることが好ましい。またｘ１及びｘ２は、７．０以下であることが好ましく、より好ましくは５．５以下である。ｘ１は、第１高屈折率層の屈折率や、第１高屈折率層の厚さ等で調整される。ｘ２は、ｘ１の値や透明金属層の屈折率、第一透明金属層の厚さ等によって調整される。例えば、第１高屈折率層の屈折率が高い場合や、第１高屈折率層の厚さがある程度厚い場合には、ｘ１及びｘ２の値が大きくなりやすい。またｘ１とｘ２との差の絶対値（｜ｘ１−ｘ２｜）は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。
【０１４７】
また、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡は、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましい。アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称であると、特定波長以外の波長（例えば４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹＥの座標が、一定になりやすく、いずれの波長においても、反射率Ｒが小さくなる。したがって、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ２が、ｙ１×ｙ２≦０を満たすことが好ましい。さらに、｜ｙ１＋ｙ２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。
【０１４８】
さらに、前述のｙ１が十分に大きいことが好ましい。前述のように、透明金属層の光学アドミッタンスは虚部の値が大きく、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。そのため、ｙ１が十分に大きければ、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が適切な範囲に収まりやすく、アドミッタンス軌跡が線対称になりやすい。ｙ１は０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、さらに好ましくは０．３〜１．０である。一方、前述のｙ２は、−０．３〜−２．０であることが好ましく、より好ましくは−０．６〜−１．５である。
【０１４９】
一方、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、透明導電体の第２高屈折率層側の表面と接する部材若しくは環境（媒質）の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｎｅｎｖ，０）との距離（（ｘＥ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙＥ）２）０．５）は、０．５未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、導通領域ａの表面の反射率Ｒａが十分に小さくなり、導通領域ａの光透過性が高まる。
【０１５０】
さらに、透明金属層３がパターニングされている場合には、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、絶縁領域ｂの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（（ｘｂ，ｙｂ）で表す）との距離、（（ｘＥ−ｘｂ）２＋（ｙＥ−ｙｂ）２）０．５）が０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥの座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンスＹｂの座標とが十分に近くなると、これらのパターンが視認され難くなる。またさらに、｜（ｘｅｎｖ−ｘｂ）２＋（Ｙｅｎｖ−ｙｂ）２−（ｘｅｎｖ−ｘＥ）２＋（Ｙｅｎｖ−ｙＥ）２｜が０．１以下であることが好ましい。当該値を満たすと、導通領域ａ及び絶縁領域ｂがいずれも視認され難くなる。
【０１５１】
≪透明導電体の物性について≫
本発明の透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
【０１５２】
一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。
【０１５３】
一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。
【０１５４】
上記平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での透過率及び反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して透過率及び反射率を測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での透過率及び反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【０１５５】
また透明導電体１０に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１５６】
また透明導電体１０に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【０１５７】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗値は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の厚さ等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１５８】
≪透明導電体の用途≫
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス及びフィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池及び各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１５９】
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、前述のように、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
【０１６０】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
【０１６１】
なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【０１６２】
例えば、広帯域反射防止する目的で、透明金属層の上下層の少なくとも一方に高屈折率材料（波長５７０ｎｍの光に対する屈折率が１．８以上）を用いてもよい。これにより、可視光（４５０〜７００ｎｍ）の範囲をほぼ均一で、かつ８０％以上の透過率に保つことができる。ただし、この場合の透明金属層の厚さは５〜２０ｎｍであることが望ましい。
透明金属層の厚さが５ｎｍ以上であると、プラズモン吸収が顕著に増大することを回避でき、人工的に初期成長核を施した上で透明金属層の形成を行い、かつ低温で透明金属層を形成しても充分な透過率を得ることが容易となる。また、透明金属層の厚さが２０ｎｍ以下であると、実用的な反射率の低減が可能であり、充分な反射防止機能を保つことが容易となる。
望ましくは波長５７０ｎｍの光に対する屈折率が１．８以上であることであるが、低屈折率、高屈折率を交互に組み合わせることで、どちらか一方の透明金属層の界面における
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【０１６３】
なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【実施例】
【０１６４】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
【０１６５】
まず、下記のようにして、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を形成できる材料について、エッチング速度を測定した。
なお、本実施例において、エッチング速度が測定されたのは、Ａｇ合金（Ａｇ中にＡｕが１．５原子％、Ｃｕが０．５原子％含まれる合金）、Ａｇ、ＺｎＳ、ＩＧＺＯ、ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＨｆＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＳ−Ｇａ２Ｏ３である。
【０１６６】
なお、以下の透明導電体〔１〕〜透明導電体〔２５〕において使用される、ＺｎＳと添加物とからなる材料である、ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＨｆＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２及びＺｎＳ−Ｇａ２Ｏ３については全て、それぞれ、ＺｎＳと添加物との含有比がモル比で８０：２０のものを使用した。
【０１６７】
エッチング速度の測定は、以下のようにして行った。
ガラス上に、上述の材料からなる膜を厚さ３０〜４００ｎｍ、径３０ｃｍの大きさで形成し、当該膜の半分をマスクした状態で、残りの半分はそのままの状態でエッチング液（液温４５℃）に浸漬した。２秒又は３００秒後の膜厚の減少を測定し、単位時間あたりの膜厚の減少を、エッチング速度として算出した。
なお、膜厚測定には、オリンパス製ＵＳＰＭ−ＲＵIII反射率測定器を使用し、膜の反射率から膜厚を算出した。
【０１６８】
なお、エッチング速度の測定に使用したエッチング液は、下記液Ａ〜液Ｅである。
液Ａ‥林純薬製Ｐｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００
液Ｂ‥林純薬製Ｃｌｅａｎ  ｅｔｃｈ  １００
液Ｃ‥林純薬製Ｃｌｅａｎ  ｅｔｃｈ  １０２
液Ｄ‥関東化学製開発品混酸  ＳＥＡ−５
液Ｅ‥関東化学製開発品混酸  ＳＥＡ−１
【０１６９】
各成膜材料におけるエッチング速度の測定結果を表１に示す。
【０１７０】
【表１】
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【０１７１】
［透明導電体の作製］
本実施例では、透明導電体を構成する各層をロールｔｏロール方式で連続して積層して積層体を作製した。次いで、この積層体をパターニングすることで、以下の透明導電体〔１〕〜透明導電体〔３０〕を作製した。
なお、以下に示す屈折率は、全て温度２５℃における値である。
【０１７２】
＜透明導電体〔１〕の作製＞
シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）上（透明基板、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５２）に、下記の層を積層して透明導電体〔１〕を作製した。
【０１７３】
（第１高屈折率層の形成）
厚さ７０μｍのＣＯＰの片面に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱で上述のＺｎＳ−ＴｉＯ２からなる第１高屈折率層を４０ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。
なお、ＺｎＳとＳｉＯ２との比率（モル比）は、８０：２０であり、第１高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は２．１４であった。
【０１７４】
（第１硫化防止層の形成）
第１高屈折率層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＯからなる第１硫化防止層を１ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。
【０１７５】
（透明金属層の形成）
第１硫化防止層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱で上述のＡｇからなる透明金属層を７ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は１．２ｎｍ／ｓ（１２Å／ｓ）とした。
【０１７６】
（第２硫化防止層の形成）
透明金属層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＯからなる第２硫化防止層を１ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。
【０１７７】
（第２高屈折率層の形成）
第２硫化防止層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱で上述のＺｎＳ−ＴｉＯ２からなる第２高屈折率層を４０ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。なお、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、第１高屈折率層と同値である。
【０１７８】
（透明導電体のパターニング）
次いで、図５に記載のパターニング方法にしたがって、図３に記載の導通領域ａと、絶縁領域ｂを有するパターンを形成した。
【０１７９】
レジスト膜６を形成する前に、上記作製した透明導電体〔１〕について、超音波洗浄処理を行った。洗浄液として、花王社製の洗剤「クリンスルーＫＳ−３０３０（１０％）」を用いて、超音波洗浄処理を、２５℃で４分間行った。次いで、２５℃の純水で水洗を５回行った後、２５℃の純水にて超音波洗浄を４分間で２回行った。最後に、スピンコーターで水を飛散させたのち、オーブンで乾燥させた。
【０１８０】
次いで、洗浄した透明導電体〔１〕上に、レジストとして、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢをスピンコーティング法により、２０００ｒｐｍで３０秒間の塗布、乾燥を行い、厚さ１μｍのレジスト膜６を形成した。
【０１８１】
次いで、マスク７を介して、６０ｍＪの条件で紫外線を照射し、現像液として、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ−１」（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて現像した。
【０１８２】
次いで、上述の液Ｃ（液温４５℃）にて、一括エッチングし、ライン状の導通領域ａと絶縁領域ｂとが交互に配置されるパターンを形成した。なお、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのラインの幅は、ともに２０μｍとした。
【０１８３】
最後に、アセトンを用いて、残留しているレジスト膜６を剥離して、パターニングされた透明導電体〔１〕を作製した。
【０１８４】
＜透明導電体〔２〕〜透明導電体〔２４〕の作製＞
透明基板、透明金属層、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を表２に記載の材料を用いたほかは、透明導電体〔１〕と同様にして、パターニングされた透明導電体〔２〕〜透明導電体〔２４〕を作製した。
【０１８５】
＜透明導電体〔２５〕の作製＞
第１硫化防止層及び第２硫化防止層を形成せず、透明基板、透明金属層、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を表２に記載の材料を用いて形成したほかは、透明導電体〔１〕と同様にして、パターニングされた透明導電体〔２５〕を作製した。
【０１８６】
＜透明導電体〔２６〕〜透明導電体〔３０〕の作製＞
透明導電体〔２６〕〜透明導電体〔３０〕については、ＺｎＳとＳｉＯ２との比率（モル比）を、それじれ、９６：４、９０：１０、７０：３０、６０：４０及び３０：７０としたいほかは、透明導電体〔１６〕と同様にして、パターニングされた透明導電体〔２６〕〜透明導電体〔３０〕を作製した。
なお、透明導電体〔２６〕〜透明導電体〔３０〕における高屈折率層のエッチング速度は、それぞれ、５．３７、１２．４５、１６．２１、９．７５、０．１１であった。
【０１８７】
なお、透明基板、第１高屈折率層及び第２高屈折率層に使用した材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、下記のとおりである。
ＣＯＰ…１．５３
ガラスフィルム…１．５２
ＰＥＴ…１．６４
ＰＣ…１．５９
ＺｎＳ−ＴｉＯ２…２．３８
ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ５…２．３５
ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ５…２．２１
ＺｎＳ−ＳｎＯ２…２．１４
ＺｎＳ−ＨｆＯ２…２．２１
ＺｎＳ−ＳｉＯ２…２．１５
ＺｎＳ−Ｇａ２Ｏ３…２．１７
ＩＧＺＯ…２．０９
【０１８８】
【表２】
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【０１８９】
＜透明導電体〔１〕〜透明導電体〔３０〕の評価＞
透明導電体〔１〕〜透明導電体〔３０〕についての評価は、次のように実施した。
【０１９０】
（光透過率の測定）
上記作製した各透明導電体について、以下のように光透過率及び光の吸収率を測定した。
各透明導電体の第２高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製  屈折率＝１．５２）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の透過率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４００〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立ハイテクノロジーズ社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光透過率を測定した。
なお、表３の光透過率は空気−無アルカリガラスの界面で損失する表面反射率及び透明導電体基材−空気の界面で損失する表面反射率を差し引いた透過率（内部透過率に相当する。）の値である。
評価結果は、表３に示す。なお、評価基準は、下記のとおりである。
◎…９０％以上
○…８０％以上９０％未満
×…８０％未満
【０１９１】
（エッチング評価）
図７及び図８は、透明導電体のエッチングを評価する方法を説明する模式図であり、上述のようにして作製される透明導電体の平面図である。
まず、導通領域ａと絶縁領域ｂとの境界で、ライン長さ５０μｍの任意の３か所を観察しつつパターニングを行い、絶縁領域ｂの両辺に隣接する導通領域ａ間の最小幅が２０μｍに達した時点でパターニングを停止する。この時点で絶縁領域ｂの両辺に隣接する導通領域ａにおけるエッチングラインの最大ＰＶ幅を合計した値で評価した。複数のエッチングラインが観察される場合は、その全てのエッチングラインを含む最大幅を計測する。なお、ここでいうエッチングラインとは、透明基板に対して水平方向（図７及び図８に示す矢符ＬＲ方向）にエッチングが進み、それにより生じた連続線のことである。最大ＰＶ幅とは、この水平方向の最大ずれをいう。
評価結果は、表３に示す。なお、評価基準は、下記のとおりである。
◎…合計５μｍ未満
○…合計５μｍ以上１０μｍ未満
△…合計１０μｍ以上１５μｍ未満
×…合計１５μｍ以上
【０１９２】
【表３】
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【０１９３】
（まとめ）
表３により、本発明によれば、各種機能層の側面が積層方向に一様にエッチングされたパターンを有する透明導電体を製造できることが示された。
【０１９４】
なお、上述のように、透明導電体〔２６〕〜透明導電体〔３０〕における高屈折率層のエッチング速度は、それぞれ、５．３７、１２．４５、１６．２１、９．７５、０．１１であった。この結果から、ＺｎＳに添加されている化合物の含有比率とエッチング速度との関係は、図９に示すグラフのようになると推察される。
このことから、ＺｎＳに対するＳｎＯ２の含有量が１０〜３０質量％あたりであるとエッチング速度が小さくなりすぎず、かつ、比較的安定しているため、Ａｇのエッチング速度と合わせやすく、好ましい範囲であると考えられる。すなわち、ＺｎＳに対する他の材料の含有量が３０％以下であるとエッチン速度が急激に上昇するおそれを回避でき、１０％以上であるとエッチン速度が急激に減少するおそれを回避できると推察される。
実際、表３に示すとおり、透明導電体［２６］、透明導電体［２９］及び透明導電体［３０］に比べ、透明導電体［１６］、透明導電体［２７］及び透明導電体［２８］は、エッチング評価が良好であった。
【符号の説明】
【０１９５】
１    透明基板
２    第１高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
３    透明金属層
４    第２高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
５    硫化防止層
５ａ  第１硫化防止層
５ｂ  第２硫化防止層
６    レジスト膜
６ａ  除去するレジスト膜
７    マスク
８    露光機
９    エッチング液
１０  透明導電体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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