(57)【要約】【課題】二流体噴流を用いて基板の表面を高効率で洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。【解決手段】基板洗浄装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持部４１と、基板Ｗの表面に二流体噴流を供給する二流体ノズル４２と、基板Ｗに接触して該基板Ｗを振動させる少なくとも１つの振動子６１とを備える。基板Ｗは振動子６１によって振動させられながら、二流体噴流が基板Ｗの表面に供給され、これによって、基板Ｗは振動子６１による振動と二流体噴流の衝撃とによって洗浄される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記基板の表面に二流体噴流を供給する二流体ノズルと、
前記基板に接触して該基板を振動させる少なくとも１つの振動子とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記振動子は、前記基板とともに回転しながら前記基板を振動させることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記振動子は、圧電素子と、該圧電素子に取り付けられ、前記基板に接触する接触部材とを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記振動子は、前記基板をその表面と垂直な方向に振動させることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記振動子は、前記基板をその表面と平行な方向に振動させることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの振動子は、前記基板をその表面と垂直な方向に振動させる少なくとも１つの第１の振動子と、前記基板をその表面と平行な方向に振動させる少なくとも１つの第２の振動子から構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの振動子は、複数の振動子であり、
前記複数の振動子のうちの少なくとも２つは、互いに異なる周波数および／または振幅で前記基板を振動させることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項８】
前記基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
前記洗浄液を振動させる超音波振動子とをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
基板を研磨する研磨ユニットと、
前記研磨ユニットで研磨された基板を洗浄する請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板洗浄装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気体と液体からなる二流体噴流をウェーハなどの基板に供給して基板を洗浄する基板洗浄装置に関し、特に研磨された基板の表面に二流体噴流を供給して該基板を洗浄する基板洗浄装置に関するものである。本発明の基板洗浄装置は、直径３００ｍｍのウェーハのみならず、直径４５０ｍｍのウェーハの洗浄にも適用でき、さらにはフラットパネル製造工程やＣＭＯＳやＣＣＤなどのイメージセンサー製造工程、ＭＲＡＭの磁性膜製造工程などにも適用することが可能である。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体デバイスの微細化に伴い、基板上に物性の異なる様々な材料膜を形成して、当該材料膜を加工することが行われている。特に、絶縁膜に形成した配線溝を金属で埋めるダマシン配線形成工程では、金属膜形成後に基板研磨装置によって余分な金属を研磨し、除去する。研磨後の基板表面には、金属膜、バリア膜、絶縁膜などの様々な膜が存在する。基板表面上に露出したこれらの膜には、研磨にて使用されたスラリや研磨屑など残渣物が存在している。このような残渣物を除去するために、研磨された基板は基板洗浄装置に搬送され、基板表面が洗浄される。
【０００３】
基板表面が充分に洗浄されないと、残渣物に起因して電流リークが発生したり、密着性不良が発生するなど、信頼性の点で問題が発生する。そのため、半導体デバイスの製造において、基板の洗浄は、製品の歩留まりを向上させるために重要な工程となっている。
【０００４】
基板を洗浄するための装置として、気体と液体との混合流体からなる二流体噴流を基板の表面に供給する二流体洗浄装置が知られている。この二流体洗浄装置は、図１５に示すように、二流体ノズル２００を基板Ｗの表面と平行に移動させながら二流体ノズル２００から二流体噴流を基板Ｗの表面に供給し、基板表面上に存在する砥粒や研磨屑などのパーティクルを除去する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１２１９７号公報
【特許文献２】特開平１１−５８２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような二流体洗浄装置は、ブラシやスポンジなどの洗浄具を基板Ｗに接触させないので、基板Ｗの逆汚染が起こらないという利点がある。しかしながら、二流体噴流のみを用いた洗浄では、基板Ｗの表面に付着しているパーティクルを十分に除去することが難しい。特に、二流体噴流は、基板表面上に形成された凹部（例えば、パターン段差やスクラッチ）内に存在する微小なパーティクルを除去することができなかった。
【０００７】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、二流体噴流を用いて基板の表面を高効率で洗浄することができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような基板洗浄装置を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板の表面に二流体噴流を供給する二流体ノズルと、前記基板に接触して該基板を振動させる少なくとも１つの振動子とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置である。
【０００９】
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、前記基板とともに回転しながら前記基板を振動させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、圧電素子と、該圧電素子に取り付けられ、前記基板に接触する接触部材とを備えることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、前記基板をその表面と垂直な方向に振動させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、前記基板をその表面と平行な方向に振動させることを特徴とする。
【００１０】
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも１つの振動子は、前記基板をその表面と垂直な方向に振動させる少なくとも１つの第１の振動子と、前記基板をその表面と平行な方向に振動させる少なくとも１つの第２の振動子から構成されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも１つの振動子は、複数の振動子であり、前記複数の振動子のうちの少なくとも２つは、互いに異なる周波数および／または振幅で前記基板を振動させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、前記洗浄液を振動させる超音波振動子とをさらに備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の態様は、基板を研磨する研磨ユニットと、前記研磨ユニットで研磨された基板を洗浄する上記基板洗浄装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【発明の効果】
【００１２】
振動を基板に加えることによりパーティクルが基板から離れやすくなる。この状態で、二流体噴流が基板に供給され、パーティクルを基板から除去する。このように、基板の振動と二流体噴流の衝撃との組み合わせにより、基板の洗浄効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】第２洗浄ユニットに使用されている本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を示す斜視図である。
【図３】基板洗浄装置のチャックを示す断面図である。
【図４】振動子の拡大図である。
【図５】基板保持部の平面図である。
【図６】振動子がウェーハに振動を与えている状態を示す模式図である。
【図７】振動子がウェーハに振動を与えつつ二流体噴流をウェーハの表面に供給している状態を示す模式図である。
【図８】さらに他の実施形態を示す図である。
【図９】さらに他の実施形態を示す図である。
【図１０】さらに他の実施形態を示す図である。
【図１１】洗浄液ノズルの平面図である。
【図１２】洗浄液ノズルの斜視図である。
【図１３】洗浄液ノズルの拡大断面図である。
【図１４】洗浄液ノズルの他の例の平面図である。
【図１５】従来の二流体洗浄装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング１０と、多数のウェーハ等の基板を収容する基板カセットが載置されるロードポート１２を備えている。ロードポート１２は、ハウジング１０に隣接して配置されている。ロードポート１２には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard  Manufacturing  Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００１５】
ハウジング１０の内部には、複数（この実施形態では４つ）の研磨ユニット１４ａ〜１４ｄと、研磨後の基板を洗浄する第１洗浄ユニット１６及び第２洗浄ユニット１８と、洗浄後の基板を乾燥させる乾燥ユニット２０が収容されている。研磨ユニット１４ａ〜１４ｄは、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、洗浄ユニット１６，１８及び乾燥ユニット２０も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
【００１６】
ロードポート１２、研磨ユニット１４ａ、及び乾燥ユニット２０に囲まれた領域には、第１基板搬送ロボット２２が配置され、また研磨ユニット１４ａ〜１４ｄと平行に、基板搬送ユニット２４が配置されている。第１基板搬送ロボット２２は、研磨前の基板をロードポート１２から受け取って基板搬送ユニット２４に渡すとともに、乾燥後の基板を乾燥ユニット２０から受け取ってロードポート１２に戻す。基板搬送ユニット２４は、第１基板搬送ロボット２２から受け取った基板を搬送して、各研磨ユニット１４ａ〜１４ｄとの間で基板の受け渡しを行う。各研磨ユニットは、研磨面に研磨液（スラリー）を供給しながら、ウェーハなどの基板を研磨面に摺接させることで、基板の表面を研磨する。
【００１７】
第１洗浄ユニット１６と第２洗浄ユニット１８の間に位置して、これらの洗浄ユニット１６，１８および基板搬送ユニット２４の間で基板を搬送する第２基板搬送ロボット２６が配置され、第２洗浄ユニット１８と乾燥ユニット２０との間に位置して、これらの各ユニット１８，２０の間で基板を搬送する第３基板搬送ロボット２８が配置されている。更に、ハウジング１０の内部に位置して、基板処理装置の各ユニットの動きを制御する動作制御部３０が配置されている。
【００１８】
第１洗浄ユニット１６として、薬液の存在下で、基板の表裏両面にロールスポンジを擦り付けて基板を洗浄する基板洗浄装置が使用されている。第２洗浄ユニット１８として、本発明の実施形態に係る二流体タイプの基板洗浄装置が使用されている。また、乾燥ユニット２０として、基板を保持し、移動するノズルからＩＰＡ蒸気を噴出して基板を乾燥させ、更に高速で回転させることによって基板を乾燥させるスピン乾燥装置が使用されている。
【００１９】
基板は、研磨ユニット１４ａ〜１４ｄの少なくとも１つにより研磨される。研磨された基板は、第１洗浄ユニット１６と第２洗浄ユニット１８により洗浄され、さらに洗浄された基板は乾燥ユニット２０により乾燥される。
【００２０】
図２は、第２洗浄ユニット１８に使用されている本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を示す斜視図である。図２に示すように、この基板洗浄装置は、基板の一例であるウェーハＷを保持して回転させる基板保持部４１と、ウェーハＷの上面に二流体噴流を供給する二流体ノズル４２と、この二流体ノズル４２を保持するノズルアーム４４とを備えている。
【００２１】
二流体ノズル４２には、気体供給ライン５５と、液体供給ライン５７とが接続されている。気体および液体は、気体供給ライン５５および液体供給ライン５７を通じて二流体ノズル４２に供給され、二流体ノズル４２内で混合されて二流体を形成する。この二流体は二流体ノズル４２からウェーハＷの表面に噴射される。
【００２２】
基板保持部４１は、ウェーハＷの周縁部を保持する複数の（図２では６つの）チャック４５と、チャック４５に連結されたモータ４８とを備えている。チャック４５はウェーハＷを保持し、この状態でウェーハＷはその中心軸線まわりにモータ４８によって回転される。
【００２３】
二流体ノズル４２はウェーハＷの上方に配置されている。ノズルアーム４４の一端に二流体ノズル４２が取り付けられ、ノズルアーム４４の他端には旋回軸５０が連結されている。二流体ノズル４２は、ノズルアーム４４および旋回軸５０を介してノズル移動機構５１に連結されている。より具体的には、旋回軸５０には、ノズルアーム４４を旋回させるノズル移動機構５１が連結されている。ノズル移動機構５１は、旋回軸５０を所定の角度だけ回転させることにより、ノズルアーム４４をウェーハＷと平行な平面内で旋回させるようになっている。ノズルアーム４４の旋回により、これに支持された二流体ノズル４２がウェーハＷの半径方向に移動する。
【００２４】
図３は、チャック４５の拡大断面図である。図３に示すように、チャック４５には、ウェーハＷの周縁部に接触しつつ、ウェーハＷを振動させる振動子６１が設けられている。振動子６１は、ウェーハＷの表面と平行な接触面６２を有しており、この接触面６２は、チャック４５に支持されたウェーハＷの周縁部の下面に接触する。すべてのチャック４５には振動子６１が設けられており、これら複数の振動子６１は、ウェーハＷの周縁部に沿って等間隔に配列されている。モータ４８によりチャック４５が回転されると、振動子６１もチャック４５とともに回転される。したがって、振動子６１はウェーハＷとともに回転しながら、ウェーハＷを振動させる。
【００２５】
図４は、振動子６１の拡大図である。図４に示すように、振動子６１は、圧電素子（ピエゾ素子）６６と、圧電素子６６に取り付けられた接触部材６７とを備えている。振動子６１は、その接触部材６７がウェーハＷの周縁部の下面に接触するようにチャック４５に配置される。したがって、接触部材６７の表面は、ウェーハＷの周縁部の下面に接触する接触面６２を構成する。
【００２６】
接触部材６７は、ウェーハＷに供給される液体から圧電素子６６を保護するため、および圧電素子６６からウェーハＷを保護するためのものである。例えば、接触部材６７は、テフロン（登録商標）、ＰＥＥＫ樹脂（ポリエーテルエーテルケトン）、石英などからなるシート部材である。この接触部材６７は省略してもよい。この場合は、ウェーハＷの下面に接触する振動子６１の上記接触面６２は、圧電素子６６自体の表面から構成される。
【００２７】
図３から分かるように、振動子６１はウェーハＷの下面に接触しているので、ウェーハＷの表面と垂直な方向にウェーハＷを振動させる。振動子６１の振動周波数および振幅は、圧電素子６６に印加される電圧に依存して変わりうる。それぞれのチャック４５に設けられている振動子６１の振動周波数および／または振幅は、同じであってもよく、または異なっていてもよい。
【００２８】
すべての振動子６１のうちの少なくとも２つは、互いに異なる周波数および／または振幅で振動してもよい。例えば、図５に示す３つの振動子６１−１，６１−３，６１−５からなる第１のグループは、数十〜数百ｋＨｚの振動周波数で振動し、第１のグループの振動子の間にある３つの振動子６１−２，６１−４，６１−６からなる第２のグループは、１ＭＨｚの振動周波数で振動してもよい。第１のグループの振動子６１−１，６１−３，６１−５の振幅は、第２のグループの振動子６１−２，６１−４，６１−６の振幅と同じてあってもよく、または異なってもよい。
【００２９】
ウェーハＷは次のようにして洗浄される。基板保持部４１は、ウェーハＷをその中心軸線まわりに回転させ、さらに振動子６１によりウェーハＷを所定の周波数および所定の振幅で振動させる。この状態で、二流体ノズル４２は、ウェーハＷの上面に二流体噴流を供給し、さらにウェーハＷの半径方向に移動する。ウェーハＷの上面は、振動子６１による振動と二流体噴流の衝撃との複合作用によって洗浄される。
【００３０】
図６は、振動子６１がウェーハＷに振動を与えている状態を示す模式図であり、図７は、振動子６１がウェーハＷに振動を与えつつ二流体噴流をウェーハＷの表面に供給している状態を示す模式図である。図６に示すように、振動をウェーハＷに加えることによりパーティクルがウェーハＷから離れやすくなる。この状態で、ウェーハＷには二流体噴流が供給され、パーティクルをウェーハＷから除去する。このように、ウェーハＷの振動と二流体噴流の衝撃との組み合わせにより、ウェーハＷの洗浄効率を向上させることができる。
【００３１】
振動子６１は、チャック４５を介して間接的にウェーハＷを振動させるのではなく、その接触面６２がウェーハＷに接触した状態でウェーハＷを直接振動させる。したがって、チャック４５自体はほとんど振動せず、チャック４５は安定してウェーハＷを保持することができる。つまり、本実施形態の振動子６１は、チャック４５を振動させずにウェーハＷのみを振動させることができる。
【００３２】
図８は、さらに他の実施形態を示す図である。この実施形態では、振動子６１はウェーハＷの外周面（すなわち最も外側の端面）に接触し、ウェーハＷをその表面と平行な方向に振動させるように配置されている。この振動子６１は、ウェーハＷの外周面に接触する接触面６２を有している。振動子６１の構成は、図４に示す振動子６１の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態によれば、二流体噴流によるウェーハＷの洗浄中、ウェーハＷは振動子６１によってウェーハＷの表面と平行な方向に振動する。
【００３３】
図９は、さらに他の実施形態を示す図である。この実施形態では、１つのチャック４５に２つの振動子６１Ａ，６１Ｂが設けられている。第１の振動子６１Ａは、図３に示す振動子６１と同じ構成を有し、同じ位置に配置されている。すなわち、第１の振動子６１Ａは、ウェーハＷの周縁部の下面に接触し、ウェーハＷをその表面と垂直な方向に振動させる。第２の振動子６１Ｂは、図８に示す振動子６１と同じ構成を有し、同じ位置に配置されている。すなわち、第２の振動子６１Ｂは、ウェーハＷの外周面（すなわち最も外側の端面）に接触し、ウェーハＷをその表面と平行な方向に振動させる。
【００３４】
本実施形態によれば、第１の振動子６１ＡがウェーハＷをその表面と垂直な方向に振動させるとともに、第２の振動子６１ＢがウェーハＷをその表面と平行な方向に振動させる。したがって、パーティクルは、よりウェーハＷから離れやすくなる。この状態で、ウェーハＷには二流体噴流が供給され、パーティクルをウェーハＷから除去する。このように、ウェーハＷの二方向の振動と二流体噴流の衝撃との組み合わせにより、ウェーハＷの洗浄効率をさらに向上させることができる。第１の振動子６１Ａの振動周波数および／または振幅は、第２の振動子６１Ｂの振動周波数および／または振幅と同じであってもよく、または異なってもよい。
【００３５】
図１０は、さらに他の実施形態を示す図である。図１０には図示していないが、図１０に示すチャック４５には、図３に示す振動子６１および／または図８に示す振動子６１が設けられている。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図２に示す実施形態の構成および動作と同じであるので、その重複する説明を省略する。
【００３６】
この実施形態では、ウェーハＷの下面に洗浄液を供給する洗浄液ノズル７０が、基板保持部４１に保持されたウェーハＷの下方に配置されている。この洗浄液ノズル７０は、支持軸７５の上端に固定されており、支持軸７５の下端には洗浄液供給ライン８０が接続されている。チャック４５とモータ４８とを連結する回転軸８１は中空軸から構成されており、支持軸７５は回転軸８１の内部を延びている。回転軸８１およびチャック４５はモータ４８によって回転されるが、支持軸７５および洗浄液ノズル７０は回転しない。
【００３７】
基板保持部４１に保持されたウェーハＷの周囲には、円筒状の液受けカップ８３が配置されている。この液受けカップ８３は、回転するウェーハＷに供給された液体を受け、下方に流下させるために設けられている。この液受けカップ８３は、図２に示す上述した実施形態の基板洗浄装置にも設けてもよい。
【００３８】
支持軸７５の内部には流路７６が形成されており、洗浄液供給ライン８０は支持軸７５の流路７６に洗浄液を供給する。洗浄液供給ライン８０には洗浄液供給源８６と気体混合装置８７が設けられている。気体混合装置８７は、洗浄液供給源８６から供給された洗浄液に窒素や水素などの気体を混合させる装置である。溶存気体を含む洗浄液は、洗浄液供給ライン８０および支持軸７５を通って洗浄液ノズル７０に供給される。洗浄液としては、純水を用いることができる。
【００３９】
図１１は洗浄液ノズル７０の平面図であり、図１２は洗浄液ノズル７０の斜視図であり、図１３は洗浄液ノズル７０の拡大断面図である。洗浄液ノズル７０はウェーハＷの直径方向に延びている。図１３に示すように、洗浄液ノズル７０は、複数の噴射口９１と、これら噴射口９１にそれぞれ連通する複数の流路９２とを備えている。洗浄液ノズル７０の内部には複数の超音波振動子９５が埋設されており、それぞれの流路９２を流れる洗浄液に接触して振動を与えるように配置されている。振動エネルギーが付与された洗浄液は、複数の流路９２を通ってそれぞれの噴射口９１からウェーハＷの下面に供給される。噴射口９１からウェーハＷの下面までの距離は、１０ｍｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは５ｍｍ以下である。
【００４０】
各超音波振動子９５は、各噴射口９１の下方に配置されており、ウェーハＷに供給される直前の洗浄液を振動させる。このように超音波振動子９５が洗浄液を振動させると、洗浄液に溶存している気体が気泡となって出現し、洗浄液の洗浄効果を向上させることができる。
【００４１】
ウェーハＷの洗浄は次のようにして行われる。基板保持部４１は、ウェーハＷをその中心軸線まわりに回転させ、振動子６１によりウェーハＷを所定の周波数および所定の振幅で振動させる。さらに、洗浄液を超音波振動子９５により振動させながら、洗浄液をウェーハＷの下面に供給する。この状態で、二流体ノズル４２は、ウェーハＷの上面に二流体噴流を供給し、さらにウェーハＷの半径方向に移動する。ウェーハＷの上面は、振動子６１による振動と二流体噴流の衝撃との複合作用によって洗浄され、ウェーハＷの下面は振動エネルギーを付与された洗浄液によって洗浄される。
【００４２】
ウェーハＷの下面側に配置された洗浄液ノズル７０の噴射口９１は、ウェーハＷの上面側に配置された二流体ノズル４２の移動軌跡に沿って配列されてもよい。例えば、図１４に示すように、洗浄液ノズル７０は、円弧状の二流体ノズル４２の移動軌跡に沿って円弧状に延びてもよい。
【００４３】
図１１乃至図１４に示す実施形態では、二流体ノズル４２を用いているが、二流体ノズル４２に代えてペンスポンジを用いることも可能である。
【００４４】
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
【符号の説明】
【００４５】
１０    ハウジング
１２    ロードポート
１４ａ〜１４ｄ    研磨ユニット
１６    第１洗浄ユニット
１８    第２洗浄ユニット
２０    乾燥ユニット
２２    第１基板搬送ロボット
２４    基板搬送ユニット
２６    第２基板搬送ロボット
２８    第３基板搬送ロボット
３０    動作制御部
４１    基板保持部
４２    二流体ノズル
４４    ノズルアーム
４５    チャック
４８    モータ
５０    旋回軸
５１    ノズル移動機構
５５    気体供給ライン
５７    液体供給ライン
６１，６１Ａ，６１Ｂ    振動子
６２    接触面
６６    圧電素子
６７    接触部材
７０    洗浄液ノズル
７５    支持軸
７６    流路
８０    洗浄液供給ライン
８１    回転軸
８３    液受けカップ
８６    洗浄液供給源
８７    気体混合装置
９１    噴射口
９２    流路
９５    超音波振動子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2015099852.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2015099852.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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