(57)【要約】【課題】Ｓｎフリーであって、架橋が迅速かつ確実に行われつつも、外観および絶縁性が良好であるシラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物、電線、およびケーブルを提供する。【解決手段】絶縁体はＳｎフリーのシラン架橋ポリオレフィン組成物であり、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物において、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜１重量部含まれており、シースはＳｎフリーのポリ塩化ビニル組成物であり、当該ポリ塩化ビニル組成物において、当該ポリ塩化ビニル組成物に含まれるポリ塩化ビニル１００重量部に対して、アルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜３重量部、極性基および非極性基を有する可塑剤が３０〜１００重量部、安定剤が２．５〜８重量部含まれていることを特徴とするケーブルを提供する。【選択図】図１
2015173036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体の外周側に絶縁体が設けられ、当該絶縁体の外周側にシースが設けられたケーブルにおいて、
前記絶縁体はＳｎフリーのシラン架橋ポリオレフィン組成物であり、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物において、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜１重量部含まれており、
前記シースはＳｎフリーのポリ塩化ビニル組成物であり、当該ポリ塩化ビニル組成物において、当該ポリ塩化ビニル組成物に含まれるポリ塩化ビニル１００重量部に対して、アルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜３重量部、極性基および非極性基を有する可塑剤が３０〜１００重量部、安定剤が２．５〜８重量部含まれていることを特徴とするケーブル。
【請求項２】
前記ポリオレフィンの密度が０．９２０ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項３】
前記ポリオレフィン１００重量部に対して、シラン化合物が１．５〜５重量部含まれており、かつ、当該シラン化合物と遊離ラジカル発生剤との重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）が２５〜１００であることを特徴とする請求項１または２に記載のケーブル。
【請求項４】
前記絶縁体および前記シースにおける前記アルキル化ナフタレンスルホン酸は、１〜２個のスルホ基で置換されており、かつ、１〜４個のアルキル基で置換されており、
当該アルキル基は直鎖型または分鎖型かつ炭素数５〜２０のアルキル基であり、
置換された全てのアルキル基における炭素数の合計が１２〜８０であり、
当該アルキル基が複数の場合、各アルキル基は互いに種類が異なることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のケーブル。
【請求項５】
導体に対して、ポリオレフィン、シラン化合物、遊離ラジカル発生剤およびアルキル化ナフタレンスルホン酸を含有するＳｎフリーの絶縁体を被覆する絶縁体被覆工程と、
前記絶縁体被覆工程後、前記絶縁体に対して、ポリ塩化ビニルおよびアルキル化ナフタレンスルホン酸を含有するＳｎフリーのシースを被覆するシース被覆工程と、
前記シース被覆工程後、前記絶縁体に対してシラン架橋を行う絶縁体架橋工程と、
を有し、
前記絶縁体被覆工程においては、ポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸を０．１〜１重量部添加することにより前記絶縁体を作製し、
前記シース被覆工程においては、極性基および非極性基を有する可塑剤をポリ塩化ビニルに対して添加するとともに、当該ポリ塩化ビニル１００重量部に対して、アルキル化ナフタレンスルホン酸を０．１〜３重量部、極性基および非極性基を有する可塑剤を３０〜１００重量部、安定剤を２．５〜８重量部添加することにより、前記シースを作製することを特徴とするケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケーブルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電線やケーブル等の被覆材料としても知られているシラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物において、シラン架橋を生じさせる反応であるシラノール縮合を行う際の触媒には、Ｓｎ化合物が用いられるケースが多い（例えば特許文献１や特許文献２）。当該触媒としてＳｎ化合物を採用すると、高い架橋度、常温での架橋スピード、および良好な押出外観を確保することが可能となるためである。
【０００３】
その一方、近年、いわゆるＰｂ（鉛）やＨｇ（水銀）、Ｃｄ（カドミウム）などの元素がＲＯＨＳ禁止物質として指定されるに至っている。上記のようなＲＯＨＳ禁止物質のみならず、種々の金属元素に対して、人体への有毒性が問題視されている。例えば、有機Ｓｎ（錫）化合物は環境ホルモンに該当するおそれがある。この点に着目し、本出願人により、シラノール縮合の触媒としては無機錫（Ｓｎ）化合物を用いながらも、助触媒としてはＳｎを含まない（以降、「Ｓｎフリー」と言う。）有機酸化合物を用いるという技術が開発されている（例えば特許文献３）。
【０００４】
そのような中、強酸基であるスルホ基を有し、Ｓｎ化合物を触媒として用いた場合よりも架橋速度が高くなるドデシルベンゼンスルホン酸（ＤＤＢＳＡ）を触媒としたシラン架橋樹脂組成物も知られている（例えば特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２４１１２９号公報
【特許文献２】特表２００４−５２６８０８号公報
【特許文献３】特開２０１２−１９７４０４号公報
【特許文献４】特表平９−５０６９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＤＤＢＳＡは極性が強く、非極性であるポリオレフィン樹脂に対しては分散性が悪い。そうなると、スコーチ（早期加硫に起因した焼け）が発生しやすくなり、外観に問題が生じるおそれもある。それに加え、成型加工時に行われる加熱、そして長期にわたり製品を使用する際に、ＤＤＢＳＡにおける極性基であるスルホ基が脱離するおそれもある。そうなると、ＤＤＢＳＡをシラノール縮合の触媒として使用した場合、シラン架橋樹脂組成物を、例えば電線やケーブル等の被覆材料として使用すると、絶縁性が劣ってしまうおそれもある。
【０００７】
更に、架橋速度という点も、Ｓｎフリーな触媒を開発する上で、大きな課題となっている。Ｓｎ化合物を触媒として用いることのメリットは、架橋速度が高いということにある。通常の考え方では、Ｓｎフリーな触媒を開発したとしても、十分な架橋速度が得られる触媒を開発できるかはわからない。一方、Ｓｎ化合物の触媒ほどではないにせよ、程々の架橋速度をもたらすＳｎフリーな触媒が開発される可能性もある。しかしながら、その場合、架橋速度を高くするためには反応の際に添加される触媒を増量しなければならない。そうなると、スコーチが発生しやすくなり、外観の荒れが新たな課題として生じるおそれがある。
【０００８】
本発明の目的は、Ｓｎフリーであって、架橋が迅速かつ確実に行われつつも、外観および絶縁性が良好であるケーブルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、
導体の外周側に絶縁体が設けられ、当該絶縁体の外周側にシースが設けられたケーブルにおいて、
前記絶縁体はＳｎフリーのシラン架橋ポリオレフィン組成物であり、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物において、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜１重量部含まれており、
前記シースはＳｎフリーのポリ塩化ビニル組成物であり、当該ポリ塩化ビニル組成物において、当該ポリ塩化ビニル組成物に含まれるポリ塩化ビニル１００重量部に対して、アルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜３重量部、極性基および非極性基を有する可塑剤が３０〜１００重量部、安定剤が２．５〜８重量部含まれていることを特徴とするケーブルである。
【００１０】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載の態様であって、
前記ポリオレフィンの密度が０．９２０ｇ／ｃｍ３以下である。
【００１１】
本発明の第３の態様は、第１または第２の態様に記載の態様であって、
前記ポリオレフィン１００重量部に対して、シラン化合物が１．５〜５重量部含まれており、かつ、当該シラン化合物と遊離ラジカル発生剤との重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）が２５〜１００である。
【００１２】
本発明の第４の態様は、第１〜第３のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記絶縁体および前記シースにおける前記アルキル化ナフタレンスルホン酸は、１〜２個のスルホ基で置換されており、かつ、１〜４個のアルキル基で置換されており、
当該アルキル基は直鎖型または分鎖型かつ炭素数５〜２０のアルキル基であり、
置換された全てのアルキル基における炭素数の合計が１２〜８０であり、
当該アルキル基が複数の場合、各アルキル基は互いに種類が異なる。
【００１３】
本発明の第５の態様は、
導体に対して、ポリオレフィン、シラン化合物、遊離ラジカル発生剤およびアルキル化ナフタレンスルホン酸を含有するＳｎフリーの絶縁体を被覆する絶縁体被覆工程と、
前記絶縁体被覆工程後、前記絶縁体に対して、ポリ塩化ビニルおよびアルキル化ナフタレンスルホン酸を含有するＳｎフリーのシースを被覆するシース被覆工程と、
前記シース被覆工程後、前記絶縁体に対してシラン架橋を行う絶縁体架橋工程と、
を有し、
前記絶縁体被覆工程においては、ポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸を０．１〜１重量部添加することにより前記絶縁体を作製し、
前記シース被覆工程においては、極性基および非極性基を有する可塑剤をポリ塩化ビニルに対して添加するとともに、当該ポリ塩化ビニル１００重量部に対して、アルキル化ナフタレンスルホン酸を０．１〜３重量部、極性基および非極性基を有する可塑剤を３０〜１００重量部、安定剤を２．５〜８重量部添加することにより、前記シースを作製することを特徴とするケーブルの製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、Ｓｎフリーであって、架橋が迅速かつ確実に行われつつも、外観および絶縁性が良好であるケーブルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態におけるシラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物を被覆材料として用いたケーブルの断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
上記の課題を解決する手段について、本発明者は検討を加えた。
まず、分散性という点であるが、先ほど述べたように、ＤＤＢＳＡは極性が強く、非極性であるポリオレフィン樹脂に対しては分散性が悪い。そこで本発明者は、ポリオレフィン樹脂が非極性であることに鑑み、シラノール縮合の触媒として、ポリオレフィン樹脂に対して、極性および非極性のバランスがとれた化合物について模索した。その結果、本発明者は、シラノール縮合の触媒として、アルキル化ナフタレンスルホン酸を用いることが、上記の課題を解決するための一つの構成となるという知見を得た。
【００１７】
次に、架橋速度という点について、本発明者は検討を加えた。その結果、ケーブルの製造に特有な以下の事象を見出した。
【００１８】
一般に、ケーブルのシースとしてはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）組成物が適用される。このＰＶＣ組成物は、通常、ＰＶＣレジン（ＰＶＣ樹脂、以降、単に「ＰＶＣ」とも言う）に対して可塑剤が添加されることにより作製される。本発明者が検討を加える際に、可塑剤として、極性基と非極性基を有する化合物を用いた。そして、絶縁体としては、アルキル化ナフタレンスルホン酸をシラノール縮合の触媒としたシラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物を用いた。そして、可塑剤が添加されたＰＶＣ組成物を上記絶縁体に被覆することによりシースを形成する工程を、本発明者は行った。
【００１９】
この工程において、本発明者は、絶縁体に適用されるシラン架橋ポリオレフィン組成物の外層に被覆する際、絶縁体の外層であるシース内に含まれる可塑剤が、シラン架橋ポリオレフィン組成物へと幾許か移行することを見出した。
【００２０】
本発明者は、この現象を利用し、絶縁体を構成するシラン架橋ポリオレフィン組成物における架橋速度を向上させる手法を想到した。それは以下の手法である。
【００２１】
まず、シラン架橋ポリオレフィン組成物の作製に用いる架橋触媒をアルキル化ナフタレンスルホン酸とする。アルキル化ナフタレンスルホン酸は、非Ｓｎ化合物である。それに加え、アルキル化ナフタレンスルホン酸は、強酸による加水分解性を有している。そのため、Ｓｎ化合物の触媒よりも架橋速度が高い。しかも、先ほども述べたように、アルキル化ナフタレンスルホン酸は極性基と非極性基とを有するため、シラン架橋ポリオレフィン組成物の原料となるポリオレフィン樹脂に対して、極性および非極性のバランスがとれている。そのため、アルキル化ナフタレンスルホン酸はオレフィン樹脂に対して良好な分散性を有する。
【００２２】
その上で、シースに用いるＰＶＣ組成物の原料となるＰＶＣに対しても、アルキル化ナフタレンスルホン酸を添加する。これにより、シース内のアルキル化ナフタレンスルホン酸は、同じくシース内の可塑剤に対して親和性を発揮する。先ほど述べたように、シース内の可塑剤は、その内層である絶縁体へと移行する。可塑剤と同様、シース内のアルキル化ナフタレンスルホン酸も極性基および非極性基を有している。その結果、アルキル化ナフタレンスルホン酸も可塑剤と共に絶縁体の内部へと移行する。移行した後のアルキル化ナフタレンスルホン酸は、絶縁体の内部においてシラノール触媒として働くことになる。
本発明は、以上の知見に基づき創出されたものである。
【００２３】
まず、本実施形態におけるケーブルの製造方法について説明する。その途中で、ケーブルの各構成の特徴について説明し、最後に作製されたケーブルについて説明する。
なお、本実施形態において特記の無い事項は、公知の技術を採用しても構わない。例えば、本出願人により公開された特許文献１や特許文献３に記載の内容を適宜援用しても構わない。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２４】
（概要）
図１に示すように、本実施形態におけるケーブル１０は、長尺な導体１の外周側に絶縁体２が設けられ、当該絶縁体２の外周側にシース３が設けられたものである。導体１としては公知のものを用いればよく、例えば、銅、アルミニウム等あるいはそれらの合金を用いることができる。導体は、錫または錫合金等の種々の金属でめっきされたものでもよい。導体の構成は、単線でも撚線でもよい。
【００２５】
（絶縁体被覆工程）
本工程においては、長尺な導体１に対して、ポリオレフィン、シラン化合物、遊離ラジカル発生剤およびアルキル化ナフタレンスルホン酸を含有するＳｎフリーの絶縁体２を被覆する。
【００２６】
本工程において使用するポリオレフィンは、水分透過性に優れる密度０．９２０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。密度０．９２０ｇ／ｃｍ３以下ならば、ポリオレフィンにおける高分子鎖が密過ぎないため、常温常湿（２３℃かつ５０％）下であっても十分な架橋速度を維持できる。なお、ポリオレフィンの種類は特に限定されず、１種であっても構わないし、２種以上をブレンドしたものであっても構わない。
【００２７】
このポリオレフィンとして用いられる化合物には、特に制限は無い。一例を挙げるとポリエチレンが挙げられる。このポリエチレンとしては、例えば特許文献１に記載されているように、エチレンとα−オレフィンを共重合させて製造されるものが挙げられる。なお、α−オレフィンとしては、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテンなどが使用され、単独もしくは２つ以上を組み合わせたものを製造しても構わない。本実施形態においては、これらのポリエチレンを単独もしくは２種以上ブレンドして用いることもできる。メルトインデックス（ＭＩ）は特に限定されるものではない。
【００２８】
なお、本明細書における数値（例えば密度や重量部の数）は、本実施形態であるケーブル１０の絶縁体２およびシース３を作製する際に用いる原料における数値でもあるし、ケーブル１０を構成する絶縁体２およびシース３における数値でもある。以降、それを踏まえて説明する。
【００２９】
シラン化合物は、組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対して１．５〜５重量部添加することが好ましい。ポリオレフィン１００重量部に対してシラン化合物が１．５重量部以上であれば十分な架橋度が得られ、ひいては十分な架橋速度を維持できる。一方、ポリオレフィン１００重量部に対してシラン化合物が５重量部以下であれば、グラフト共重合時にシラン化合物同士の反応を抑えることができる。その結果、シラン化合物同士の反応により異物が生じるのを抑制することが可能となる。ひいては、当該異物が反応器内にこびりつくことを抑制でき、成型物の外観不良の発生も抑制できる。
【００３０】
なお、シラン化合物はポリマーと反応可能な基とシラノール縮合により架橋を形成するアルコキシ基の双方を有する必要がある。具体的には、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリスシラン等のビニルシラン化合物が好ましい。
【００３１】
遊離ラジカル発生剤は、（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）＝２５〜１００の重量比率であることが好ましい。重量比率２５以上ならば外観荒れの発生を抑制することが可能となる。一方、重量比率１００以下ならば十分な架橋度が得られ、ひいては十分な架橋速度を維持できる。これは、シラン化合物に対して遊離ラジカル発生剤の割合が高いほど（重量比率が低いほど）、ポリマーの架橋点が多くなり、反応初期の架橋形成速度が向上する。しかしながら、遊離ラジカル発生剤が過多になると、ポリマー同士の高分子化が進み、粘度の違いから粒になり、外観荒れの要因となる。なお、遊離ラジカル発生剤としては、熱によって分解して遊離ラジカルを発生させる有機過酸化物を用いる。具体的には、ジクミルパ−オキサイド、ベンゾイルパ−オキサイド、１，１−ビス（ｔ−ブチルパ−オキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパ−オキシイソプロピルカ−ボネート、ｔ−ブチルパ−オキシベンゾエート等が望ましい。
【００３２】
シラノール縮合の際に用いられる触媒は、本実施形態における大きな特徴部分のうちの一つである。本実施形態において、当該触媒としては、アルキル化ナフタレンスルホン酸を用いる。アルキル化ナフタレンスルホン酸は、先に述べたように、ポリオレフィン樹脂に対して、極性および非極性のバランスがとれた化合物である。そのため、ポリオレフィン樹脂に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸（すなわちシラノール縮合反応における触媒）は相溶性に優れ、ひいてはポリオレフィン樹脂に対する触媒の分散性が良好となる。
【００３３】
なお、本実施形態におけるシラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物はＳｎフリーである必要がある。そのため、本実施形態においては、少なくとも、アルキル化ナフタレンスルホン酸のＳｎ塩は用いない。もちろん、他の金属塩を用いても構わないが、可能な限り、絶縁体２の中に金属を含ませない方が好ましいため、アルキル化ナフタレンスルホン酸自体を用いるのが非常に好ましい。
【００３４】
また、組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜１重量部含まれる必要がある。０．１重量部以上ならば、十分な架橋度が得られ、ひいては十分な架橋速度を維持できる。一方、１重量部以下ならば、ポリマー同士の高分子化は適度なものとなり、大きな粘度の違いは発生せず、外観荒れの要因となる粒の発生が抑制される。
【００３５】
なお、アルキル化ナフタレンスルホン酸は、以下の条件を満たすものが、極性のバランスを取るという点で好ましい。
・１〜２個のスルホ基で置換。
・１〜４個のアルキル基で置換。
・当該アルキル基は直鎖型または分鎖型かつ炭素数５〜２０のアルキル基。
・置換された全てのアルキル基における炭素数の合計が１２〜８０。
・当該アルキル基が複数の場合、各アルキル基は互いに種類が異なる。
具体的なアルキル化ナフタレンスルホン酸としては、ジドデシルナフタレンモノスルホン酸、トリドデシルナフタレンモノスルホン酸、テトラドデシルナフタレンモノスルホン酸およびこれらの組み合わせなどが挙げられる。
【００３６】
上記以外にも必要に応じて、本発明の効果を阻害しない範囲内で公知の添加物を加えることも可能である。例えば、プロセス油、加工助剤、難燃剤、難燃助剤、架橋助剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、銅害防止剤、滑剤、無機充填剤、相溶化剤、可塑剤、安定剤、カーボンブラック、着色剤等の添加物を加えることも可能である。なお、上記の添加物は、以下に述べるシース３に添加しても構わない。ただ、可塑剤および安定剤については、シース被覆工程において規定するものを使用する。
【００３７】
なお、本工程の具体的な手法としては、特許文献１や特許文献３に記載の手法を用いても構わない。一例としては、単軸押出機、二軸押出機、ニーダー、バンバリーミキサー、ロールなどで本工程を行う。なお、以下に説明する「シース被覆工程」を本工程と単軸押出機を用いて同時に行っても構わない。
【００３８】
（シース被覆工程）
本工程においては、絶縁体被覆工程後、絶縁体２に対して、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）およびアルキル化ナフタレンスルホン酸を含有するＳｎフリーのシース３を被覆する。つまり、本実施形態のケーブル１０のシース３は、ポリ塩化ビニル組成物により構成される。
【００３９】
本実施形態においては、絶縁体２のみならず、シース３においてもアルキル化ナフタレンスルホン酸を添加する。これが本実施形態の大きな特徴部分の一つである。
本実施形態のシース３においては、ＰＶＣを使用し、かつ、シラン化合物を添加していないため、シース３内においてはアルキル化ナフタレンスルホン酸は触媒としては作用しない。しかしながら、次の工程である絶縁体架橋工程を行うことにより、シース３内のアルキル化ナフタレンスルホン酸が可塑剤と共に絶縁体２内へと移行する。アルキル化ナフタレンスルホン酸が絶縁体２内に移行したときに、アルキル化ナフタレンスルホン酸はシラノール縮合における触媒として機能を発揮する。
【００４０】
シース３を形成するＰＶＣ組成物において、ＰＶＣ１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸を０．１〜３重量部添加する。０．１重量部以上ならば可塑剤と共に絶縁体２内へアルキル化ナフタレンスルホン酸が移行した場合、アルキル化ナフタレンスルホン酸はシラノール縮合における触媒として十分に機能を発揮でき、絶縁体２の架橋速度を向上させられる。３重量部以下ならば、シース３の絶縁性を良好な状態に維持することができる。
【００４１】
本工程のＰＶＣ組成物におけるＰＶＣとしては重合度が１０００〜２５００の範囲のものを用いるのが好ましい。重合度が１０００以上ならば電線被覆材としての耐熱性を十分確保することができ、一方、２５００以下ならば適度な温度での混練で済み、成型加工性が向上する。
【００４２】
本工程のＰＶＣ組成物におけるＰＶＣには、可塑剤や安定剤を更に添加するのが好ましい。以下、本実施形態における可塑剤と安定剤について述べる。
【００４３】
本工程における可塑剤は、極性基および非極性基を有している必要がある。この構成があるからこそ、可塑剤とともにアルキル化ナフタレンスルホン酸がシース３内から絶縁体２内に移行する。
【００４４】
なお、使用する可塑剤の種類としては以下のものが挙げられる。
「ＤＯＰ（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）、ＤＯＩＰ（イソフタル酸ジ−２−エチルヘキシル）、ＤＯＴＰ（テレフタル酸ジ−２−エチルヘキシル）、ｎ−ＤＯＰ（フタル酸ジノルマルオクチル）、ｎ−ＤＯＩＰ（イソフタル酸ジノルマルオクチル）、ｎ−ＤＯＴＰ（テレフタル酸ジノルマルオクチル）、ＤＩＮＰ（フタル酸ジイソノニル）、ＤＩＮＩＰ（イソフタル酸ジイソノニル）、ＤＩＮＴＰ（テレフタル酸ジイソノニル）、ｎ−ＤＮＰ（フタル酸ジノルマルノニル）、ｎ−ＤＮＩＰ（イソフタル酸ジノルマルノニル）、ｎ−ＤＮＴＰ（テレフタル酸ジノルマルノニル）、ＤＩＤＰ（フタル酸ジイソデシル）、ＤＩＤＩＰ（イソフタル酸ジイソデシル）、ＤＩＤＴＰ（テレフタル酸ジイソデシル）、ＤＰＨＰ（フタル酸ジ−２一プロビルヘプチル）、ＤＰＨＩＰ（イソフタル酸ジ−２−プロピルヘプチル）、ＤＰＨＴＰ（テレフタル酸ジ−２−プロピルヘプチル）、ｎ−ＤＤＰ（フタル酸ジノルマルデシル）、ｎ−ＤＤＩＰ（イソフタル酸ジノルマルデシル）、ｎ−ＤＤＴＰ（テレフタル酸ジノルマルデシル）、ＴＯＴＭ（トリメリット酸トリ−２−エチルヘキシル）、ｎ−ＴＯＴＭ（トリメリット酸トリノルマルオクチル）、ＴＩＮＴＭ（トリメリット酸トリイソノニル）、ｎ−ＴＮＴＭ（トリメリット酸トリノルマルノニル）、ＴＩＤＴＭ（トリメリット酸トリイソデシル）、ｎ−ＴＤＴＭ（トリメリット酸トリノルマルデシル）、ＤＯＡ（アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル）、ＤＩＮＡ（アジピン酸ジイソノニル）、ＤＩＤＡ（アジピン酸ジイソデシル）、ＤＯＳ（セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル）、ＤＯＺ（アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル）、アジピン酸系のポリエステル可塑剤、これら単独もしくは２種以上のブレンド。」
【００４５】
なお、可塑剤の添加量としては、ＰＶＣ１００重量部に対して添加量３０〜１００重量部の範囲である。本実施形態においては、絶縁体２にシース３を被せる際には、平滑な成型性を得るためにも押出温度を１５０℃を超えさせるのが好ましい。その際、ＰＶＣ組成物内に存在する可塑剤のうち幾許かは絶縁体２の内部に移行する。この際、可塑剤と同様に極性基と非極性基を共に有するアルキル化ナフタレンスルホン酸をＰＶＣ組成物中に添加する。すると、アルキル化ナフタレンスルホン酸は可塑剤との間には親和性が存在するため、アルキル化ナフタレンスルホン酸は可塑剤と共に絶縁体２内に移行する。その結果、絶縁体２に使用するシラン架橋ポリオレフィン組成物の架橋速度を向上させることが可能となる。可塑剤の添加量が３０重量部以上ならば可塑剤は絶縁体２内へと十分に移行し、絶縁体２の架橋速度が向上する。可塑剤の添加量が１００重量部以下ならば、シース３における絶縁性を良好なままとすることができる。
【００４６】
一方、本実施形態における安定剤としては、ＰＶＣ組成物に対して成型安定性と耐久性を与えるためのものであればよい。本実施形態においては、安定剤として、Ｃａ−Ｚｎ系の非鉛安定剤を用いるのが好ましい。安定剤の量としては、ＰＶＣ１００重量部に対して２．５〜８重量部を添加する。２．５重量部以上ならば十分に滑性を担保できる。８重量部以下ならば滑性が過多となりすぎることなく、シース３の外観を良好なものとすることができる。
【００４７】
なお、本工程の具体的な手法としては、特許文献１や特許文献３に記載の手法を用いても構わず、絶縁体被覆工程で挙げた手法を用いても構わない。
【００４８】
（絶縁体架橋工程）
本工程においては、シース被覆工程後、絶縁体２に対してシラン架橋を行う。
なお、本工程の具体的な手法としては、特許文献１や特許文献３に記載の手法を用いても構わない。例えば、常温もしくはポリオレフィンの融点以下の温度とした高湿環境下に、シース３を被覆した後のものを放置する方法などがある。
【００４９】
絶縁体架橋工程を経ることにより、先ほども述べたように、シース３内の可塑剤は、その内層である絶縁体２へと移行する。可塑剤と同様、シース３内のアルキル化ナフタレンスルホン酸も極性基および非極性基を有している。その結果、アルキル化ナフタレンスルホン酸も可塑剤と共に絶縁体２の内部へと移行する。移行した後のアルキル化ナフタレンスルホン酸は、絶縁体２の内部においてシラノール触媒として働くことになる。つまり、触媒を過剰に添加せずとも、絶縁体２の内部に対して効率的に触媒をもたらすことが可能となる。そうなると、触媒を過剰に添加する必要がなくなり、スコーチにより外観を悪化させることがなくなる一方、シラン架橋速度を向上させることが可能となる。
【００５０】
以上の工程を経て、本実施形態におけるケーブル１０が作成される。本実施形態におけるケーブル１０は、長尺な導体１の外周側に絶縁体２が設けられ、当該絶縁体２の外周側にシース３が設けられたケーブル１０である。そして、絶縁体２はＳｎフリーのシラン架橋ポリオレフィン組成物であり、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜１重量部含まれている。一方、シース３はＳｎフリーのポリ塩化ビニル組成物であり、当該ポリ塩化ビニル組成物に含まれるポリ塩化ビニル１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜３重量部含まれている。
なお、上記の各構成、組成、重量部の数についての技術的意義およびそれらがもたらす効果は、上述の通りである。また、ポリオレフィンの密度や重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）など、その他の好ましい例については、本実施形態におけるケーブル１０自体にも適用可能である。
【００５１】
本実施形態によれば、特許文献４に記載のシラノール縮合の触媒であるＤＤＢＳＡより極性の弱い「アルキル化ナフタレンスルホン酸」を触媒として使用する。そのため、樹脂との相溶性を向上させることができる。それに加え、上記のように、絶縁体２に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸を触媒として含有させておくのはもちろんのこと、絶縁体２の外周側に存在するシース３に対してもアルキル化ナフタレンスルホン酸を含有させておく。この状態で絶縁体架橋工程を行うことにより、シース３内のアルキル化ナフタレンスルホン酸が絶縁体２内へと移行する。こうすることにより、絶縁体２におけるシラン架橋においては多量の触媒を必要とすることなくシラノール縮合を生じさせることが可能となる。その結果、Ｓｎフリーであって、架橋が迅速かつ確実に行われつつも、外観および絶縁性が良好であるシラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物を提供することが可能となる。
【実施例】
【００５２】
本実施例の概要について説明する。
まず、後述の表１（実施例１〜１４）および表２（比較例１〜１１）に記載の分量の組成を原料として、シラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物を作製した。具体的には、以下の工程を行った。
（工程Ａ）ポリオレフィンにシラン化合物を共重合させる工程
（工程Ｂ）触媒マスターバッチの作製工程
（工程Ｃ）シラン化合物がグラフト共重合したポリオレフィンにアルキル化ナフタレンスルホン酸を混練する工程
（工程Ｄ）混練後の化合物を導体１に被覆する工程（絶縁体被覆工程）
（工程Ｅ）ＰＶＣにアルキル化ナフタレンスルホン酸を混練する工程
（工程Ｆ）混練後の化合物を絶縁体２に被覆する工程（シース被覆工程）
（工程Ｇ）シラノール縮合によるシラン架橋工程（絶縁体架橋工程）
【００５３】
その後、各試料に対して評価試験を行った。具体的には、以下の試験を行った。
（評価試験１）外観の荒れを確認する押出外観の確認
（評価試験２）架橋が迅速かつ確実に行われているかを確認するホットセット試験
（評価試験３）絶縁性の度合いを確認するための体積抵抗率測定試験
以下、本実施例について詳細に説明する。
【００５４】
［ケーブル１０の作製］
（工程Ａ）ポリオレフィンにシラン化合物を共重合させる工程
４０ｍｍ押出機（Ｌ／Ｄ＝２４）を用い、後述の表１（実施例）および表２（比較例）に記載の組成および分量のポリオレフィンをホッパーから容器内へと投入した。それとともに、表１（実施例）および表２（比較例）に記載のシラン化合物に遊離ラジカル発生剤を溶解させた溶液を、液添ポンプで容器内に注入した。シリンダ温度を２００℃、押出機内滞留時間を１００〜１５０秒に設定してストランド押出を行った。その後、シラン化合物がグラフト共重合したポリオレフィンを、ペレタイザーにより径２〜３ｍｍのペレット状にして作製した。
【００５５】
（工程Ｂ）触媒マスターバッチの作製工程
その一方で、シラノール縮合に用いる触媒のマスターバッチ（触媒ＭＢ）を、表１（実施例）および表２（比較例）に記載の原料（組成および分量）を基に作製した。具体的には、６インチオープンロールを用いた。そして、別途用意していた共重合させていないポリオレフィン（すなわち工程Ａの前の段階のポリオレフィン）に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸（ＮＡＣＵＲＥ  ＣＤ−２１８０  Ｋｉｎｇ社製）を添加し、１６０℃で５分間混練を行った。その後、ペレタイザーを用い、３ｍｍ×３ｍｍ×０．５ｍｍの寸法の触媒ＭＢを、各実施例および比較例に応じて作製した。
【００５６】
（工程Ｃ）シラン化合物がグラフト共重合したポリオレフィンに触媒を混練する工程
次に、１３０ｍｍ押出機（Ｌ／Ｄ＝２４）を用い、上記（工程Ａ）で作製した「シラン化合物がグラフト共重合したポリオレフィン」および（工程Ｂ）で作製した「触媒ＭＢ」を、所定の組成となる割合でホッパーから同時に投入した。そして、シリンダ温度２００℃、押出機内滞留時間１００〜１５０秒に設定し、押出を行った。
【００５７】
（工程Ｄ）混練後の化合物を導体１に被覆する工程（絶縁体被覆工程）
押出を行う際に、断面積１００ＳＱの導体１に対し、被覆を行った。こうして導体１に対して絶縁体２を被覆し、電線を作製した。絶縁体２の厚さは１．５ｍｍとした。
【００５８】
（工程Ｅ）ＰＶＣにアルキル化ナフタレンスルホン酸を混練する工程
一方、シース３として用いるＰＶＣ組成物を作製するために、以下の工程を行った。
５０リットル加圧ニーダーに対し、後述の表３に記載の組成および分量のＰＶＣ（レジン）、可塑剤、安定剤、アルキル化ナフタレンスルホン酸触媒またはジラウリン酸ジブチルスズを投入した。なおＰＶＣの重合度は１３００とした。可塑剤にはＤＩＮＰを使用した。安定剤には非鉛Ｃａ−Ｚｎ系安定剤を使用した。
そして、開始温度を１３０℃、終了温度を１７０℃として混練を行った。その後、ＰＶＣ組成物をペレットにした。
なお、表３に示すように、各組成物に符号ａ〜ｋを振っている。なお、組成物ｅ〜ｋについては、本実施形態で述べたケーブル１０に関する規定のいずれかを逸脱している。
【００５９】
（工程Ｆ）混練後の化合物を絶縁体２に被覆する工程（シース被覆工程）
その後、１３０ｍｍ押出機（Ｌ／Ｄ＝２４）のホッパーに作製したペレットを投入し、シリンダ温度１８０℃、押出機内滞留時間１００〜１５０秒に設定し、（工程Ｄ）で作製した電線（絶縁体２）に対し、シース３を被覆し、ケーブル１０を作製した。シース３の厚さは１．５ｍｍとした。
【００６０】
（工程Ｇ）シラノール縮合によるシラン架橋工程（絶縁体架橋工程）
（工程Ｆ）で得たケーブル１０を、温度２３℃（±１）、湿度５０％（±５）の常温常湿条件で３６〜７２時間放置した。
上記の工程を経て得られた各試料に対し、以下の評価試験を行った。
【００６１】
［評価試験］
（評価試験１）押出外観の確認
ｉ）絶縁体２における押出外観の確認
（工程Ｄ）の終了時における絶縁体２に対し、表面の平滑さを「手触り」「粒状の突起の有無」で評価した。平滑な手触りであり、かつ、粒状の突起が無いものを「特に良好◎」、平滑な手触りであり僅かにメルトフラクチャーが生じているものものの粒状の突起が無いものを「良好○」、手触りで荒れが分かり、粒状の突起があり、外観が荒れているものを「×」とした。
ｉｉ）シース３における押出外観の確認
（工程Ｆ）の終了時（すなわちシラン架橋前）におけるシース３に対し、表面の平滑さを「手触り」「粒状の突起の有無」で評価した。平滑な手触りであり、かつ、粒状の突起が無いものを「良好○」、手触りで荒れが分かり、粒状の突起があり、外観が荒れているものを「×」とした。
なお、押出外観に関してはシラン架橋の有無との関連性が薄いと考えたため、本実施例のケーブル１０の作製途中のもの（すなわちシラン架橋前のもの）について試験を行った。
【００６２】
（評価試験２）ホットセット試験
本試験では、試料を加熱した後でも試料の伸びが程々に抑えられるか、すなわち「架橋が迅速かつ確実に行われているか」について確認した。各試料は同じ条件でシラン架橋がなされている。そのため、架橋速度が高ければ、所定時間内でも十分に架橋が行われ、自ずと本試験の結果は良好なものとなる。その結果、本試験によって架橋速度についても評価できる。
本試験の具体的な手法としては、以下の通りである。
【００６３】
（工程Ｇ）を経てシラン架橋が行われた後のケーブル１０からシース３および絶縁体２を剥ぎ、絶縁体２について、ＪＩＳＣ３６６０−２−１の９に示されるホットセット試験を実施した。空気温度２００℃の恒温槽内にダンベル状の試験片を吊るし、２０Ｎ／ｃｍ２の荷重を１５分加えた後の伸び（荷重時伸び）を測定した。その後、荷重を取り除いて５分経過した後、試験片を槽内から取り出した。そして、当該試験片に対し、５分間常温で放置した後の伸び（永久伸び）を測定した。本実施例においては、荷重時伸び≦１７５％かつ永久伸び≦１５％以下の規格を満たすものを合格とした。なお、以上の試験は、架橋時間を３６ｈ、４８ｈ、７２ｈとした場合各々について行った。
【００６４】
なお、本実施例においては、架橋時間を３６ｈ、４８ｈ、７２ｈとした場合のうち、３６ｈ、４８ｈの場合において不合格であっても７２ｈの場合において合格したものは、実用に足るケーブル１０として判断し、良い評価とした。
【００６５】
（評価試験３）体積抵抗率測定試験
本試験では、絶縁性の度合いを確認した。具体的な手法としては、以下の通りである。
（工程Ｆ）を経た（シラン架橋に要する時間を７２ｈとした）各ケーブル１０からシース３および絶縁体２を剥ぎ、各シース３および各絶縁体２に対し、ＪＩＳＫ６７２３−６−８に示される装置および手法に従い、５００Ｖ充電常温１分間での体積抵抗率を測定した。
ｉ）絶縁体２における体積抵抗率の判定
なお、絶縁体２における体積抵抗率の判定においては、測定結果が「体積抵抗率≧１０１６Ω・ｃｍ」である試料を「絶縁性に優れるもの（すなわち○）」とした。一方、測定結果が「体積抵抗率＜１０１６Ω・ｃｍ」である試料を「絶縁性に劣るもの（すなわち×）」とした。
ｉｉ）シース３における体積抵抗率の判定
一方、シース３における体積抵抗率の判定においては、測定結果が「体積抵抗率≧１０１２Ω・ｃｍ」である試料を「絶縁性に優れるもの（すなわち○）」とした。一方、測定結果が「体積抵抗率＜１０１２Ω・ｃｍ」である試料を「絶縁性に劣るもの（すなわち×）」とした。
【００６６】
［評価結果］
上記の評価試験を行った結果を、表１（実施例）および表２（比較例）に示す。
【表１】
2015173036.tif 000003
【表２】
2015173036.tif 000004
【００６７】
また、実施例および比較例に用いたシース３の組成の一覧を表３に示す。
【００６８】
【表３】
2015173036.tif 000005
【００６９】
表１（実施例）および表２（比較例）を見ると、以下のことが判明した。すなわち、（評価試験１〜３）において「○以上の評価」「合格」という条件を満たす試料においては、以下の条件を満たすことが示された。
『絶縁体２はＳｎフリーのシラン架橋ポリオレフィン組成物であり、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物において、当該シラン架橋ポリオレフィン組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対してアルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜１重量部含まれており、
シース３はＳｎフリーのポリ塩化ビニル組成物であり、当該ポリ塩化ビニル組成物において、当該ポリ塩化ビニル組成物に含まれるポリ塩化ビニル１００重量部に対して、アルキル化ナフタレンスルホン酸が０．１〜３重量部、極性基および非極性基を有する可塑剤が３０〜１００重量部、安定剤が２．５〜８重量部含まれている。』
【００７０】
以下、各実施例または各比較例により得られた結果について詳述する。
まず、実施例４と比較例２とを比較する。これらの試料は、絶縁体２に含まれてシラノール縮合に用いられる触媒およびシース３に含まれる当該触媒以外は、原料の組成および分量が同じである。実施例４の触媒はアルキル化ナフタレンスルホン酸であり、絶縁体２にもシース３にも含まれている。一方、比較例１の触媒は従来のＳｎ触媒である。
例えば、実施例４（すなわちＳｎフリーな例）は、比較例２（すなわちＳｎ含有例）と比較すると、ホットセット試験における結果が良好、すなわち架橋速度の向上が見られた。この理由としては、強酸の加水分解性がシラノール縮合反応を促進し、結果として強酸の加水分解性が架橋の早期進行に寄与しているものと考えられる。
【００７１】
また、実施例４と比較例１〜３とを比較する。比較例１〜３は、アルキル化ナフタレンスルホン酸がシース３にしか含まれていないＳｎ含有例、または、アルキル化ナフタレンスルホン酸が絶縁体２にもシース３にも含まれていないＳｎ含有例である。
実施例４（すなわちＳｎフリーな例）は、比較例１〜３（すなわちＳｎ含有例）と比較すると、ホットセット試験における結果が良好、すなわち架橋速度の向上が見られた。比較例１および比較例２は、十分な架橋速度が得られなかった。また、比較例３だと、シース３にはアルキル化ナフタレンスルホン酸が含まれているものの、絶縁体２には触媒としてＳｎ化合物が、ポリオレフィン１００重量部に対して１重量部を越えて使用されている。そのため、比較例３においては、架橋速度は高くなる一方で外観悪化を招いている。
【００７２】
次に、実施例３，４と比較例５，６とを比較する。これらの試料は、絶縁体２に含まれるアルキル化ナフタレンスルホン酸の分量以外は、原料の組成および分量が同じである。実施例３，４におけるアルキル化ナフタレンスルホン酸の分量は、ポリオレフィン１００重量部に対して０．１〜１重量部の範囲内である。一方、比較例５，６におけるアルキル化ナフタレンスルホン酸の分量は上記範囲外である。比較例５は、アルキル化ナフタレンスルホン酸の量が本発明の規定値未満であるため、十分な架橋速度を得られなかった。一方、比較例６は、アルキル化ナフタレンスルホン酸の量が本発明の規定値を超えるため、絶縁体２の外観が大きく悪化してしまった。
以上の結果、絶縁体２に含まれるアルキル化ナフタレンスルホン酸触媒の量は０．１〜１重量部でなければ架橋速度と外観を両立しないことが示された。
【００７３】
また、実施例４と比較例４とを比較する。比較例４においては、アルキル化ナフタレンスルホン酸が絶縁体２にしか含まれていない。この点以外は、両者の原料の組成およびその分量が同じである。両者を比較すると、比較例４は、十分な架橋速度が得られていないのに対し、実施例４の架橋速度が向上している。この理由は、極性基と非極性基を有するアルキル化ナフタレンスルホン酸が、同基を有する可塑剤と親和性を発揮し、共にポリオレフィン組成物に移行し、架橋促進に起因したためと考えられる。
【００７４】
次に、実施例１，１２と比較例７とを比較する。これらの試料は、シース３に含まれるアルキル化ナフタレンスルホン酸の分量以外は、原料の組成および分量が同じである。実施例１，１２におけるアルキル化ナフタレンスルホン酸の分量は、ＰＶＣ１００重量部に対して０．１〜３重量部の範囲内である。一方、比較例７におけるアルキル化ナフタレンスルホン酸の分量は上記範囲外（過剰）である。
比較例７においては、導電性のスルホ基が過剰となってしまうため、ＰＶＣの絶縁性を低下させてしまう。その結果、絶縁体２の架橋速度の向上とシース３の絶縁性を両立するためには上記の添加量の範囲が好ましいことが示された。
【００７５】
次に、実施例４と比較例８とを比較する。これらの試料では、シース３における可塑剤の添加量以外は、原料の組成および分量が同じである。実施例４における可塑剤の添加量はＰＶＣ１００重量部に対して３０〜１００重量部の範囲内である。一方、比較例８における可塑剤の添加量は上記範囲外（過少）である。ＰＶＣ１００重量部に対して可塑剤が３０部未満の場合だと、可塑剤と共に触媒がシース３内から絶縁体２内へと移行し、絶縁体２の架橋速度が向上した。その一方、上記範囲外（過少）だと、十分に触媒の移行効果が見られなかった。シース３であるＰＶＣ組成物に触媒を添加していない比較例４と同様に、比較例８においても架橋速度は向上しなかった。
また、実施例１，１３と比較例９とを比較する。これらの試料は、可塑剤の添加量以外は、原料の組成および分量が同じである。実施例１，１３における可塑剤の添加量はＰＶＣ１００重量部に対して３０〜１００重量部の範囲内である。一方、比較例９における可塑剤の添加量は上記範囲外（過多）である。ＰＶＣ１００重量部に対して可塑剤が１００重量部を超えた場合だと、ＰＶＣ組成物の絶縁性が低下した。この理由は、可塑剤自体の絶縁性が低く、ＰＶＣ組成物の中の可塑剤の割合が高くなりすぎることが要因と考えられる。
以上の結果、絶縁体２の架橋速度向上とシース３の絶縁性を両立するためにはシース３に含まれる可塑剤添加量はＰＶＣ１００重量部に対して３０〜１００重量部が好ましいことが示された。
【００７６】
次に、実施例１，１４と比較例１０，１１とを比較する。これらの試料は、安定剤の添加量以外は、原料の組成および分量が同じである。実施例１，１４における安定剤の添加量はＰＶＣ１００重量部に対して２．５〜８重量部の範囲内である。一方、比較例１０は、安定剤の添加量が、本発明の規定値未満であるため、比較例１１は、安定剤の添加量が本発明の規定値を超えるため、夫々滑性不足もしくは滑性過多となり、シース３の押出外観が悪化することが示された。
【００７７】
次に、「絶縁体２におけるポリオレフィンの密度が０．９２０ｇ／ｃｍ３以下である」という条件について検討を加えた。
実施例４，５，１０，１１を見る限り、ポリオレフィンの密度は低いほど架橋速度は向上し、密度０．９２０ｇ／ｃｍ３以下では架橋時間３６時間でもホットセット試験を合格する高い架橋性能が得られた。よって、高い架橋性能をえるためには、より好ましくはポリオレフィン密度０．９２０ｇ／ｃｍ３以下とする方が良いことが示された。
【００７８】
次に、「絶縁体２においてポリオレフィン１００重量部に対してシラン化合物が１．５〜５重量部含まれている」という条件について検討を加えた。
実施例１，６を見る限り、絶縁体２のポリオレフィン組成物に含まれるポリオレフィン１００重量部に対してシラン化合物が１．５重量部未満の場合、架橋時間が４８時間だとホットセット試験を合格するものの、架橋時間が３６時間だと不合格となる。また、実施例３，７を見る限り、シラン化合物が６重量部以上であると、外観は若干悪化した。
以上の結果、外観と架橋速度両立する上でより好ましくは、シラン化合物の量は１．５重量部〜５重量部とする方が良いことが示された。
【００７９】
次に、「絶縁体２において、シラン化合物と遊離ラジカル発生剤との重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）が２５〜１００である」という条件について検討を加えた。
実施例１，２，８，９を見る限り、重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）が低いほど、高い架橋速度が得られた。特に、重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）が１００以下だと、架橋時間が３６時間であっても、ホットセット試験を合格するほどの高い架橋性能が得られた。その一方、重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）が２５未満だと、絶縁体２の押出外観が若干悪化した。
以上の結果、外観と架橋速度両立する上でより好ましくは、重量比率（シラン化合物／遊離ラジカル発生剤）が２５〜１００の範囲とする方が良いことが示された。
【符号の説明】
【００８０】
１        導体
２        絶縁体
３        シース
１０      ケーブル
【図１】
2015173036.tif 000006