(57)【要約】【課題】  残留電位の抑制、パターンメモリーの抑制、及び導電層のクラックの抑制を両立する電子写真感光体を提供する。【解決手段】  電子写真感光体の導電層が、第１の金属酸化物粒子、第２の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有し、第１の金属酸化物粒子は、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子または酸化スズ粒子であり、第２の金属酸化物粒子が、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルからなる群より選択される元素がドープされている酸化スズ粒子であり、元素は第１の金属酸化物粒子の酸化スズにドープされている元素と同一であり、導電層が式（１）及び（２）を満たす。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、前記支持体上に形成されている導電層、及び、前記導電層上に形成されている感光層を有する電子写真感光体であって、
前記導電層は、第１の金属酸化物粒子、第２の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有し、
前記第１の金属酸化物粒子は、
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、または
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第２の金属酸化物粒子が、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルからなる群より選択される元素がドープされている酸化スズ粒子であり、前記元素は前記第１の金属酸化物粒子の前記酸化スズにドープされている元素と同一であり、
前記導電層は下記式（１）及び（２）
２≦｛（Ｖ２／ＶＴ）／（Ｖ１／ＶＴ）｝×１００≦２５  ・・・（１）
１５≦｛（Ｖ１／ＶＴ）＋（Ｖ２／ＶＴ）｝×１００≦４５  ・・・（２）
（式（１）及び（２）中、
ＶＴは、前記導電層の全体積（ｃｍ３）を示し、
Ｖ１は、前記導電層中の前記第１の金属酸化物粒子の体積（ｃｍ３）を示し、
Ｖ２は、前記導電層中の前記第２の金属酸化物粒子の体積（ｃｍ３）を示す。）
を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記導電層は、下記式（３）
０．９≦Ｒ２／Ｒ１≦１．１  ・・・（３）
（式（３）中、
Ｒ１（ａｔｏｍ％）は、前記第１の金属酸化物粒子を被覆している酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示し、
Ｒ２（ａｔｏｍ％）は、前記第２の金属酸化物粒子中の酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示す。）
を満たす請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記第１の金属酸化物粒子は、
リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはリンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第２の金属酸化物粒子は、
リンがドープされている酸化スズ粒子である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記第１の金属酸化物粒子は、
タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはタングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第２の金属酸化物粒子は、
タングステンがドープされている酸化スズ粒子である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記第１の金属酸化物粒子は、
フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはフッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第２の金属酸化物粒子は、
フッ素がドープされている酸化スズ粒子である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記第１の金属酸化物粒子は、
ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第２の金属酸化物粒子は、
ニオブがドープされている酸化スズ粒子である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記第１の金属酸化物粒子は、
タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第２の金属酸化物粒子が、
タンタルがドープされている酸化スズ粒子である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記結着材料は、硬化性樹脂である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記第１の金属酸化物粒子は、体積平均粒径が、０．１５μｍ以上０．４０μｍ以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記第２の金属酸化物粒子は、体積平均粒径が、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プロセスカートリッジや電子写真装置に搭載される電子写真感光体として、有機光導電性材料（電荷発生物質）を用いた電子写真感光体が用いられている。電子写真感光体は、一般的には、支持体、及び支持体上に形成されている感光層を有する。
【０００３】
さらに、支持体と感光層との間には、支持体の表面の欠陥の被覆、感光層の電気的破壊に対する保護を目的として、導電性粒子（金属酸化物粒子）を含有する導電層が設けられている。しかしながら、金属酸化物粒子を含有する導電層は、温度や湿度による環境変動によって、電位変動が生じやすいという課題がある。そこで、金属酸化物粒子を改良して、電位特性を向上される技術がある。特許文献１には、導電層にタンタルがドープされている酸化スズ粒子を用いる技術が記載されている。特許文献２には、下引き層（導電層）に平均粒径の異なる２種類の金属酸化物粒子を含有させる技術が記載されている。特許文献３には、下引き層に酸化亜鉛粉体及び酸化スズ粉体を含有させる技術が記載されている。
【０００４】
近年、電子写真装置の高速化に伴い、同一の画像が短時間に大量に出力される機会が増えてきている。この場合、パターンメモリーと呼ばれる画像欠陥が発生しやすくなる。
【０００５】
パターンメモリーとは、図４の画像３０１のような縦線（記録媒体の進行方向と平行な線）３０６が含まれる画像を大量に連続して出力した後にベタ黒画像やハーフトーン画像を出力した場合に、縦線が形成されていた部分にメモリーが発生する現象である。具体的には、図４の縦線３０６が含まれる画像３０１を大量に連続出力した後、ベタ黒画像３０２を出力する場合、出力したベタ黒画像が、図４の縦線３０６の繰り返し履歴を起因とする縦線３０７が入った画像３０４となる現象である。また、図４の画像３０１を大量に連続出力した後、ハーフトーン画像３０３を出力する場合は、ベタ黒画像の場合と同様に、図４の縦線３０６の繰り返し履歴を起因とする縦線３０８が入った画像３０５となる現象である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１５１３４９号公報
【特許文献２】特開２００７−１８７７７１号公報
【特許文献３】特開平４−１９１８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らの検討の結果、特許文献１〜３に記載されている導電層を有する電子写真感光体では、上記パターンメモリーが発生してしまう場合があり、改善の余地があることがわかった。
【０００８】
また、金属酸化物粒子を含有する導電層においては、残留電位の上昇と導電層のクラックの発生は、トレードオフの関係にあり、パターンメモリーの改善に加えて、残留電位の抑制とクラックの発生の抑制も求められている。
【０００９】
本発明の目的は、残留電位の抑制、パターンメモリーの抑制、及び導電層のクラックの抑制を両立する電子写真感光体、その電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、支持体、前記支持体上に形成された導電層、及び、前記導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
前記導電層は、第１の金属酸化物粒子、第２の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有し、
前記第１の金属酸化物粒子は、
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、または
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第２の金属酸化物粒子が、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルからなる群より選択される元素がドープされている酸化スズ粒子であり、前記元素は前記第１の金属酸化物粒子の前記酸化スズにドープされている元素と同一であり、
前記導電層は下記式（１）及び（２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体に関する。
２≦｛（Ｖ２／ＶＴ）／（Ｖ１／ＶＴ）｝×１００≦２５  ・・・（１）
１５≦｛（Ｖ１／ＶＴ）＋（Ｖ２／ＶＴ）｝×１００≦４５  ・・・（２）
（式中、ＶＴは、前記導電層の全体積を示し、Ｖ１は、前記導電層中の前記第１の金属酸化物粒子の体積を示し、Ｖ２は、前記導電層中の第２の金属酸化物粒子の体積を示す。）
【００１１】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。
【００１２】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、残留電位の抑制、パターンメモリーの抑制、及び導電層のクラックの抑制を両立する電子写真感光体を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための図（上面図）である。
【図３】導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための図（断面図）である。
【図４】パターンメモリーを説明するための図（画像例）である。
【図５】１ドット桂馬（ｓｉｍｉｌａｒ  ｋｎｉｇｈｔ  ｊｕｍｐ）パターン画像を説明する図である。
【図６】電子写真感光体の層構成の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体上に形成されている導電層、及び、導電層上に形成されている感光層を少なくとも有する電子写真感光体である。
【００１６】
感光層は、電荷発生物質及び電荷輸送物質を単一の層に含有させた単層型感光層と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光層がある。本発明では、積層型感光層が好ましい。また、必要に応じて、導電層と感光層との間に下引き層を設けてもよい。
【００１７】
図６に、本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す。図６（ａ）においては、支持体１０１上に、導電層１０２、感光層１０３をこの順に有する。また、図６（ｂ）においては、支持体１０１上に、導電層１０２、電荷発生層１０４、電荷輸送層１０５をこの順に有する。
【００１８】
〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属または合金で形成されている金属製支持体を用いることが可能である。アルミニウムやアルミニウム合金を用いる場合は、押し出し工程及び引き抜き工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管や、押し出し工程及びしごき工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管を用いること可能である。
【００１９】
〔導電層〕
導電層には、第１の金属酸化物粒子、第２の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有する。
第１の金属酸化物粒子は、
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、または
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子である。
【００２０】
すなわち、具体的には、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子、タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子、フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子である。
【００２１】
第２の金属酸化物粒子が、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルからなる群より選択される元素がドープされている酸化スズ粒子であり、元素は第１の金属酸化物粒子の酸化スズにドープされている元素と同一である。すなわち、具体的には、リンがドープされている酸化スズ粒子、タングステンがドープされている酸化スズ粒子、フッ素がドープされている酸化スズ粒子、ニオブがドープされている酸化スズ粒子、タンタルがドープされている酸化スズ粒子である。
【００２２】
なお、酸化亜鉛粒子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粒子であり、酸化スズ粒子は、酸化スズ（ＳｎＯ２）の粒子である。
【００２３】
以下、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子を「Ｐドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子」とも表記する。また、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子を「Ｐドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子」とも表記する。また、リンがドープされている酸化スズ粒子を「Ｐドープ酸化スズ粒子」とも表記する。
【００２４】
タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子を「Ｗドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子」とも表記する。また、タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子を「Ｗドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子」とも表記する。また、タングステンがドープされている酸化スズ粒子を「Ｗドープ酸化スズ粒子」とも表記する。
【００２５】
フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子を「Ｆドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子」とも表記する。また、フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子を「Ｆドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子」とも表記する。また、フッ素がドープされている酸化スズ粒子を「Ｆドープ酸化スズ粒子」とも表記する。
【００２６】
ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子を「Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子」とも表記する。また、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子を「Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子」とも表記する。また、ニオブがドープされている酸化スズ粒子を「Ｎｂドープ酸化スズ粒子」とも表記する。
【００２７】
タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子を「Ｔａドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子」とも表記する。また、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子を「Ｔａドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子」とも表記する。また、タンタルがドープされている酸化スズ粒子を「Ｔａドープ酸化スズ粒子」とも表記する。
【００２８】
さらに、導電層は、下記式（１）及び（２）を満たす。
２≦｛（Ｖ２／ＶＴ）／（Ｖ１／ＶＴ）｝×１００≦２５  ・・・（１）
１５≦｛（Ｖ１／ＶＴ）＋（Ｖ２／ＶＴ）｝×１００≦４５  ・・・（２）
式（１）及び（２）中、ＶＴは、導電層の全体積を示す。Ｖ１は、導電層中の第１の金属酸化物粒子の体積（ｃｍ３）を示す。Ｖ２は、導電層中の第２の金属酸化物粒子の体積（ｃｍ３）を示す。
【００２９】
本発明者らは、鋭意検討した結果、パターンメモリーは、導電層中に良好な導電パスが広範囲に形成されること、言い換えると、導電層中を電荷が均一に移動することで抑制されることを見出した。これは、導電層中の局所的な電荷の滞留または蓄積が起こりにくくなるからであると推測している。導電層に第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子を含有することで、良好な導電パスを形成し、パターンメモリーが抑制されていると推測している。そして、導電層中に第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子をある一定の割合で存在させることで、第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子の両方を通る導電パスを形成することが可能である。すなわち、上記式（１）を満たすことである。｛（Ｖ２／ＶＴ）／（Ｖ１／ＶＴ）｝×１００の値が２未満であると、第２の金属酸化物粒子の体積量が第１の金属酸化物粒子に対して低くなり過ぎる。そのため、導電層中には、第１の金属酸化物粒子が多量に占めるため、良好な導電パスが形成されず、パターンメモリーの抑制が十分に得られない。一方、｛（Ｖ２／ＶＴ）／（Ｖ１／ＶＴ）｝×１００の値が２５を超えると、第２の金属酸化物粒子の体積量が第１の金属酸化物粒子に対して高くなり過ぎる。そのため、導電層中には、第２の金属酸化物粒子が多量に占めるため、良好な導電パスが形成されず、パターンメモリーの抑制が十分に得られない。
【００３０】
さらに、導電層中の第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子の含有量の和が一定範囲にすることで、第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子を通る良好な導電パスを形成することが可能になると推測している。すなわち、上記式（２）を満たすことである。｛（Ｖ１＋Ｖ２）／ＶＴ｝×１００の値が１５未満であると、導電層中の第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子の合計した体積量が低くなり、電荷の滞留が起こりやすくなり、残留電位の上昇が大きくなりやすい。一方、｛（Ｖ１＋Ｖ２）／ＶＴ｝×１００の値が４５を超えると、結着材料の体積量が相対的に少なくなることにより、導電層にクラックが発生しやすい。
【００３１】
以上より、上記式（１）及び（２）を満たすことにより、残留電位の抑制、パターンメモリーの抑制、及び導電層のクラックの抑制を両立することが可能である。
【００３２】
本発明の導電層は、下記式（４）
５≦｛（Ｖ２／ＶＴ）／（Ｖ１／ＶＴ）｝×１００≦２０  ・・・（４）
を満たすことが好ましい。式（４）を満たすと、第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子の割合が、より良好な導電パスを形成できる割合になるため、パターンメモリーの発生を抑制する効果がより顕著になる。
【００３３】
また、導電層は、下記式（５）
２０≦｛（Ｖ１／ＶＴ）＋（Ｖ２／ＶＴ）｝×１００≦４０  ・・・（５）
を満たすことが好ましい。式（５）を満たすと、導電層中の第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子の合計した体積量が適度となり、残留電位の抑制やクラックの抑制が良好となる。
【００３４】
また、第１の金属酸化物粒子の酸化スズにドープされている元素と第２の金属酸化物粒子の酸化スズにドープされている元素が異なると、パターンメモリーの発生を抑制する効果が低下しやすい。酸化スズにドープされている元素が異なることで、第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子の電気的物性、表面性という物性に差が発生し、導電層中で電荷が均一に移動しにくくなるからであると推測している。
【００３５】
また、導電層は、下記式（３）
０．９≦Ｒ２／Ｒ１≦１．１  ・・・（３）
を満たすことが好ましい。Ｒ１（ａｔｏｍ％）は、第１の金属酸化物粒子を被覆している酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示す。Ｒ２（ａｔｏｍ％）は、第２の金属酸化物粒子中の酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示す。
【００３６】
式（３）を満足すると、リン、タングステン、フッ素、ニオブまたはタンタルの存在比率は、第１の金属酸化物粒子と第２の金属酸化物粒子との間で近くなる。これにより、より良好な導電パスが形成され、パターンメモリーの発生を抑制する効果がより顕著になる。
【００３７】
上記Ｒ１、Ｒ２の測定は、電子写真感光体の導電層をＦＩＢ法で取り出し、ＳＴＥＭ−ＥＤＸにて行うことができる。また、上記Ｖ１、Ｖ２の測定は、電子写真感光体の導電層をＦＩＢ法で取り出し、ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗで行うことが可能である。
【００３８】
まず、上記Ｒ１、Ｒ２の測定について述べる。
ＳＴＥＭ−ＥＤＸ分析のための試料加工は次のように行う。
試料加工は、銅（Ｃｕ）製の支持台を用い、ＦＩＢ−μサンプリング法で行う。装置は、（株）日立ハイテクノロジーズ製のＦＢ−２０００Ａ  μ−Ｓａｍｐｌｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ（商品名）を用いる。試料の横及び縦の長さは測定範囲が確保できる長さとし、試料の厚みは１５０ｎｍとなるようにサンプリングを行う。
【００３９】
ＳＴＥＭ−ＥＤＸ分析は次のように行う。
日本電子（株）製の電解放出型電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）（商品名：ＪＥＭ２１００Ｆ）と、ＥＤＸ部として日本電子（株）製のＪＥＤ−２３００Ｔ（商品名）（分解能１３３ｅＶ以下）（Ｅｎｅｒｇｙ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて分析を行う。
【００４０】
分析条件を以下に記載する。
システム：Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｓｔａｔｉｏｎ
画像取得：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｇｒａｐｈ
測定条件：加速電圧：２００ｋＶ、ビーム径（直径）：１．０ｎｍ、計測時間：５０秒（点分析時）及び４０分（面分析時）
測定範囲は、横３．６μｍ×縦３．４μｍ×厚み１５０ｎｍとする。
【００４１】
元素の特定は、ＳＴＥＭ−ＥＤＸで行うことが可能であるので、Ｒ１（ａｔｏｍ％）、及びＲ２（ａｔｏｍ％）を、原子比率から求めることが可能である。Ｒ１及びＲ２は、サンプリングを同様にして１０回行って、サンプルを１０個を測定し、合計１０点の平均値を、Ｒ１及びＲ２の値とする。
【００４２】
第１の金属酸化物粒子は、リン、タングステン、フッ素、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで構成されている被覆層と、酸化亜鉛または酸化スズで構成されている芯材粒子とを有する複合粒子である。
【００４３】
第１の金属酸化物粒子における被覆している酸化スズ（ＳｎＯ２）の割合（被覆率）は、第１の金属酸化物粒子に対して１０〜６０質量％であることが好ましい。酸化スズの被覆率を制御するためには、第１の金属酸化物粒子を製造するときに、酸化スズを生成するのに必要なスズ原材料を配合することが好ましい。例えば、スズ原材料である塩化スズ（ＳｎＣｌ４）を用いる場合、塩化スズ（ＳｎＣｌ４）から生成される酸化スズの被覆率を考慮して塩化スズの添加量を決める。なお、本発明では、第１の金属酸化物粒子の酸化スズの被覆率は、酸化スズにドープされているリン、タングステン、フッ素、ニオブまたはタンタルの質量を考慮に入れないこととする。
【００４４】
また、第１の金属酸化物粒子や第２の金属酸化物粒子における酸化スズにドープされるリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの量（ドープ率）は、酸化スズに対して０．１〜１０質量％であることが好ましい。この場合、酸化スズの質量は、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルを含まない酸化スズの質量とする。
【００４５】
なお、金属酸化物粒子の表面にリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルがドープされている酸化スズを被覆する方法は、特開２００４−３４９１６７号公報に開示されている。また、酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子の製造方法は、特開２０１０−３０８８６号公報に開示されている。
【００４６】
また、第２の金属酸化物粒子の製造方法は、特許３３６５８２１号公報や特開平０２−１９７０１４号公報や特開平９−２７８４４５号公報や特開平１０−５３４１７号公報に開示されている。
【００４７】
第１の金属酸化物粒子中の芯材粒子である酸化亜鉛粒子または酸化スズ粒子の形状は、粒状、球状、針状、繊維状、柱状、棒状、紡錘状、板状のものを用いることが可能である。これらの中でも、黒ポチなどの画像欠陥が生じにくいという観点から、球状のものが好ましい。
【００４８】
第１の金属酸化物粒子の芯材粒子は、酸化亜鉛粒子、または酸化スズ粒子である。上述の芯材粒子を用いることにより、導電層用塗布液における第２の金属酸化物粒子の分散性の向上が図られ、それによりパターンメモリーを抑制する効果に優れる。
【００４９】
第１の金属酸化物粒子の芯材粒子である酸化亜鉛粒子または酸化スズ粒子の粒径としては、第１の金属酸化物粒子の平均粒径を後述の好ましい範囲に調整する観点から、０．０５μｍ以上０．４０μｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
第１の金属酸化物粒子の粉体抵抗率としては、１．０×１０１Ω・ｃｍ以上１．０×１０６Ω・ｃｍ以下が好ましく、１．０×１０２Ω・ｃｍ以上１．０×１０５Ω・ｃｍ以下がより好ましい。
【００５１】
第２の金属酸化物粒子の粉体抵抗率としては、１．０×１００Ω・ｃｍ以上１．０×１０５Ω・ｃｍ以下が好ましく、１．０×１０１Ω・ｃｍ以上１．０×１０４Ω・ｃｍ以下がより好ましい。
【００５２】
第１の金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、第１の金属酸化物粒子の芯材粒子である酸化亜鉛粒子または酸化スズ粒子の粉体抵抗率よりも低いことが好ましい。
【００５３】
第１の金属酸化物粒子及び第２の金属酸化物粒子の金属酸化物粒子の粉体抵抗率の測定方法は以下のとおりである。
【００５４】
第１の金属酸化物粒子及び第２の金属酸化物粒子や、第１の金属酸化物粒子の芯材粒子の粉体抵抗率は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。測定装置として、三菱化学（株）製の抵抗率計（商品名：ロレスタＧＰ（１．０×１０７Ω・ｃｍを超える場合はハイレスタＵＰ））を用いる。測定対象の金属酸化物粒子は、５００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で固めて、ペレット状の測定用サンプルにする。印加電圧は１００Ｖとする。酸化亜鉛粒子、または酸化スズ粒子のような芯材粒子に関しては、酸化スズの被覆層を形成する前に測定を行う。
【００５５】
導電層は、溶剤、結着材料ならびに第１の金属酸化物粒子及び第２の金属酸化物粒子を含有する導電層用塗布液を支持体上に塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥及び／または硬化させることによって形成することが可能である。
【００５６】
導電層用塗布液は、第１の金属酸化物粒子及び第２の金属酸化物粒子を結着材料とともに溶剤に分散させることによって調製することが可能である。分散方法としては、例えば、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いる方法が挙げられる。
【００５７】
導電層に用いられる結着材料としては、例えば、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアセタール、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステルが挙げられる。これらは１種または２種以上用いることができる。また、これらの樹脂の中でも、他層へのマイグレーション（溶け込み）の抑制、支持体への密着性の観点から、硬化性樹脂が好ましく、熱硬化性樹脂がより好ましい。また、熱硬化性樹脂の中でも、熱硬化性のフェノール樹脂、熱硬化性のポリウレタンが好ましい。導電層の結着材料として硬化性樹脂を用いる場合、導電層用塗布液に含有させる結着材料は、該硬化性樹脂のモノマー及び／またはオリゴマーとなる。
【００５８】
導電層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールの如きアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノンの如きケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルの如きエーテル、酢酸メチル、酢酸エチルの如きエステル、トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素が挙げられる。
【００５９】
また、導電層の表面で反射した光が干渉して出力画像に干渉縞が発生することを抑制するため、導電層には、表面粗し付与材を含有させてもよい。表面粗し付与材としては、体積平均粒径が１μｍ以上５μｍ以下の樹脂粒子が好ましい。樹脂粒子としては、例えば、硬化性ゴム、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂のような硬化性樹脂の粒子が挙げられる。これらの中でも、凝集しにくいシリコーン樹脂の粒子が好ましい。樹脂粒子の密度（０．５〜２ｇ／ｃｍ３）は、第１の金属酸化物粒子及び第２の金属酸化物粒子の密度（４〜８ｇ／ｃｍ３）に比べて小さいため、導電層形成時に効率的に導電層の表面を粗面化することが可能である。本発明の効果を十分に得る点から、表面粗し付与材の含有量は、導電層中の結着材料に対して１〜８０質量％であることが好ましい。
【００６０】
第１の金属酸化物粒子、第２の金属酸化物粒子、結着材料（ただし、結着材料が液体の場合には硬化物にして測定を行う）、シリコーン粒子等の密度（ｇ／ｃｍ３）は、乾式自動密度計を用いて、以下のようにして求める。（株）島津製作所製の乾式自動密度計（商品名：Ａｃｃｕｐｙｃ１３３０）を用い、温度２３℃において、容積１０ｃｍ３の容器を用い、測定対象の前処理としてヘリウムガスパージを最高圧１９．５ｐｓｉｇで１０回行う。この後、容器内圧力が平衡に達したか否かの圧力平衡判定値として、試料室内の圧力の振れが０．００５０ｐｓｉｇ／ｍｉｎを目安とし、この値以下であれば平衡状態とみなして測定を開始し、密度［ｇ／ｃｍ３］を自動測定する。
【００６１】
また、導電層には、導電層の表面性を高めるためのレベリング剤を含有させてもよい。また、導電層には、導電層の隠蔽性をより向上させるため、顔料粒子を含有させてもよい。
【００６２】
第１の金属酸化物粒子の体積平均粒径は、０．１０μｍ以上０．４５μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．４０μｍ以下であることがより好ましい。上記範囲内であると、感光層への局所的な電荷注入が抑制され、黒ポチの発生が抑制される。
【００６３】
第２の金属酸化物粒子の体積平均粒径は、０．０１μｍ以上０．４５μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下であることがより好ましい。
【００６４】
第１の金属酸化物粒子及び第２の金属酸化物粒子の体積平均粒径の測定は、以下の液相沈降法またはＳＥＭによる断面観察から求めることが可能である。
【００６５】
液相沈降法は、以下のようにおこなう。まず、導電層用塗布液を、その調製に用いた溶剤で透過率が０．８〜１．０の間になるように希釈する。次に、超遠心式自動粒度分布測定装置を用いて、金属酸化物粒子の体積平均粒径及び粒度分布のヒストグラムを作成する。本発明においては、超遠心式自動粒度分布測定装置として、（株）堀場製作所製の超遠心式自動粒度分布測定装置（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、回転数３０００ｒｐｍの条件で測定を行う。
【００６６】
ＳＥＭによる断面観察としては、ＦＩＢ−ＳＥＭを用いた元素マッピングおよびＦＩＢ−ＳＥＭのスライス＆ビューから得られた３次元構造解析により計測して得ることができる。
【００６７】
導電層の膜厚は、支持体の表面の欠陥を被覆するという観点から、１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましい。
【００６８】
なお、導電層を含む電子写真感光体の各層の膜厚の測定装置として、（株）フィッシャーインストルメンツ製のＦＩＳＨＥＲＳＣＯＰＥ  ｍｍｓを用いる。
【００６９】
導電層の体積抵抗率は１．０×１０８Ω・ｃｍ以上２．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。この範囲内であると、導電層中の電荷の流れが良好となり、残留電位とカブリが発生しにくくなる。
【００７０】
図２及び図３を用いて、電子写真感光体の導電層の体積抵抗率を測定する方法を説明する。図２は、導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための上面図であり、図３は、導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための断面図である。
【００７１】
導電層の体積抵抗率は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。導電層２０２の表面に銅製テープ２０３（住友スリーエム（株）製、型番Ｎｏ．１１８１）を貼り、これを導電層２０２の表面側の電極とする。また、支持体２０１を導電層２０２の裏面側の電極とする。銅製テープ２０３と支持体２０１との間に電圧を印加するための電源２０６、及び、銅製テープ２０３と支持体２０１との間を流れる電流を測定するための電流測定機器２０７をそれぞれ設置する。また、銅製テープ２０３に電圧を印加するため、銅製テープ２０３の上に銅線２０４を載せる。そして、銅線２０４が銅製テープ２０３からはみ出さないように銅線２０４の上から銅製テープ２０３と同様の銅製テープ２０５を貼り、銅線２０４を固定する。銅製テープ２０３には、銅線２０４を用いて電圧を印加する。
【００７２】
下記式（４）で表される値を導電層２０２の体積抵抗率ρ［Ω・ｃｍ］とする。
ρ＝１／（Ｉ−Ｉ０）×Ｓ／ｄ［Ω・ｃｍ］  ・・・（４）
式中、Ｉ０は、銅製テープ２０３と支持体２０１との間に電圧を印加しないときのバックグラウンド電流値（Ａ）を示す。Ｉは、直流電圧（直流成分）のみの電圧を−１Ｖ印加したときの電流値（Ａ）を示す。ｄは、導電層２０２の膜厚（ｃｍ）を示す。Ｓは、導電層２０２の表面側の電極（銅製テープ２０３）の面積（ｃｍ２）を示す。
【００７３】
この測定では、絶対値で１×１０−６Ａ以下という微小な電流量を測定するため、電流測定機器２０７としては、微小電流の測定が可能な機器を用いて行うことが好ましい。そのような機器としては、例えば、横河ヒューレットパッカード製のｐＡメーター（商品名：４１４０Ｂ）や、アジレントテクノロジー（株）製のハイレジスタンスメーター（商品名：４３３９Ｂ）が挙げられる。
【００７４】
なお、導電層の体積抵抗率は、支持体上に導電層のみを形成した構成で測定しても、電子写真感光体から導電層上の各層（感光層など）を剥離して支持体上に導電層のみを残した構成で測定しても、同様の値を示す。
【００７５】
〔下引き層〕
導電層と感光層との間には、導電層から感光層への電荷注入を阻止するために、電気的バリア性を有する下引き層を設けてもよい。
【００７６】
下引き層は、樹脂（結着樹脂）を含有する下引き層用塗布液を導電層上に塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。
【００７７】
下引き層に用いられる樹脂（結着樹脂）としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリアクリル酸類、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリグルタミン酸、カゼイン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリグルタミン酸エステルが挙げられる。これらの中でも、熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂の中でも、熱可塑性のポリアミドが好ましい。ポリアミドとしては、共重合ナイロンが好ましい。
【００７８】
下引き層の膜厚は、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。また、下引き層において電荷の流れが滞らないようにするために、下引き層には、電子輸送物質（アクセプターなどの電子受容性物質）を含有させてもよい。電子輸送物質としては、例えば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタンが挙げられる。
【００７９】
〔感光層〕
導電層または下引き層上には、感光層が設けられる。
【００８０】
感光層に用いられる電荷発生物質としては、例えば、アゾ顔料、フタロシアニン顔料、インジゴ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクワリリウム色素、ピリリウム塩、チアピリリウム塩、トリフェニルメタン色素、キナクリドン顔料、アズレニウム塩顔料、シアニン染料、キサンテン色素、キノンイミン色素、スチリル色素が挙げられる。これらの中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどの金属フタロシアニンが好ましい。
【００８１】
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層は、電荷発生物質を結着樹脂とともに溶剤に分散させることによって得られる電荷発生層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。分散方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波、ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルを用いた方法が挙げられる。
【００８２】
電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアリレート、ブチラール樹脂、ポリスチレン、ポリビニルアセタール、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン、スチレン−ブタジエン共重合体、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体が挙げられる。これらは、単独、混合または共重合体として１種または２種以上用いることができる。
【００８３】
電荷発生物質と結着樹脂との質量比（電荷発生物質：結着樹脂）は、１０：１〜１：１０の範囲が好ましく、５：１〜１：１の範囲がより好ましい。
【００８４】
電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物が挙げられる。
【００８５】
電荷発生層の膜厚は、５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。
【００８６】
また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤を必要に応じて添加することも可能である。また、電荷発生層において電荷の流れが滞らないようにするために、電荷発生層には、電子輸送物質（アクセプターの如き電子受容性物質）を含有させてもよい。電子輸送物質としては、上述の下引き層の用いられる電子輸送物質と同じものが挙げられる。
【００８７】
感光層に用いられる電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリルメタン化合物が挙げられる。
【００８８】
感光層が積層型感光層である場合、電荷輸送層は、電荷輸送物質及び結着樹脂を溶剤に溶解させることによって得られる電荷輸送層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。
【００８９】
電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリフェニレンオキシド、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アルキド樹脂が挙げられる。これらは、単独、混合物または共重合体として１種または２種以上用いることが可能である。
【００９０】
電荷輸送物質と結着樹脂との質量比（電荷輸送物質：結着樹脂）は、２：１〜１：２の範囲が好ましい。
【００９１】
電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、ケトン溶剤、エステル溶剤、エーテル溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン原子で置換された炭化水素溶剤が挙げられる。
【００９２】
電荷輸送層の膜厚は、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【００９３】
また、電荷輸送層には、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤を必要に応じて添加することも可能である。
【００９４】
感光層が単層型の感光層である場合、単層型の感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂及び溶剤を含有する単層型の感光層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂及び溶剤は、例えば、上記の各種のものを用いることが可能である。
【００９５】
また、感光層上には、感光層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
【００９６】
保護層は、樹脂（結着樹脂）を含有する保護層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥及び／または硬化させることによって形成することが可能である。  
【００９７】
保護層の膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上８μｍ以下であることがより好ましい。
【００９８】
上記各層用の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法を用いることが可能である。
【００９９】
図１に、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。
【０１００】
図１において、ドラム状（円筒状）の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。
【０１０１】
回転駆動される電子写真感光体１の周面は、帯電手段（一次帯電手段、帯電ローラーなど）３により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）から出力される露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の周面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。帯電手段３に印加する電圧は、直流電圧のみであってもよいし、交流電圧を重畳した直流電圧であってもよい。
【０１０２】
電子写真感光体１の周面に形成された静電潜像は、現像手段５のトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の周面に形成されたトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに転写される。転写材Ｐは、電子写真感光体１の回転と同期して転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に給送されてくる。
【０１０３】
トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の周面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【０１０４】
トナー像を転写した後の電子写真感光体１の周面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りのトナーの除去を受ける。さらに、電子写真感光体１の周面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１１により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段が帯電ローラーなどの接触帯電手段である場合には、前露光は必ずしも必要ではない。また、なお、電子写真装置がクリーナーレスシステムをとるときにはクリーニング手段は必ずしも必要ではない。
【０１０５】
上述の電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、転写手段６及びクリーニング手段７から選択される少なくとも１つの構成要素とを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に支持してもよい。そして、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化している。そして、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。
【実施例】
【０１０６】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例及び比較例中の「部」は「質量部」を意味する。表中の被覆率の単位「％」は「質量％」を意味する。ドープ率（ドープ量）の単位「％」は「質量％」を意味する。また、実施例及び表中の密度は前記方法で求めた値であり、単位は「ｇ／ｃｍ３」である。
【０１０７】
〈導電層用塗布液の調製例〉
（導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例）
第１の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子（体積平均粒径：２３０ｎｍ、粉体抵抗率：５０００Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているリンの量（ドープ率）：４．５０質量％、被覆率：４５質量％、密度：６．０６ｇ／ｃｍ３）１３３．０９部、第２の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子（体積平均粒径：２０ｎｍ、粉体抵抗率：２００Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているリンの量（ドープ率）：３．６０質量％、密度：６．７７ｇ／ｃｍ３）２．９８部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）２６６．６７部、及び、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール１２０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４６５部を用いたサンドミルに入れた。ディスク回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
【０１０８】
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、体積平均粒径：２μｍ）５．００部を添加した。さらに、分散液にレベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．３０部を添加して３０分攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−１を調製した。
【０１０９】
（導電層用塗布液ＣＰ−２〜ＣＰ−１９の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表１に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−２〜ＣＰ−１９を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−２〜ＣＰ−１９の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＰドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．０５質量％、密度：６．７４ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２５０Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＰドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：６．７２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＰドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．９５質量％、密度：６．７０ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１５０Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＰドープ酸化スズ粒子（ドープ率：５．４０質量％、密度：６．６７ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
【０１１０】
（導電層用塗布液ＣＰ−２０〜ＣＰ−２２の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量、結着材料の量及びシリコーン樹脂粒子の量を表１に記載のように変更した。さらに、分散処理操作時に非被覆の酸化亜鉛粒子（粉体抵抗率：２．０×１０８Ω・ｃｍ、体積平均粒径：２１０ｎｍ、密度：５．６１ｇ／ｃｍ３）３０．００部を加え、分散処理操作を行った。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−２０〜ＣＰ−２２を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−２１の調製の際には、分散処理条件を、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：１０時間に変更した。また、導電層用塗布液ＣＰ−２２の調製の際には、分散処理条件を、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：３０時間に変更した。
【０１１１】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１〜ＣＰ−Ｃ１２の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表２に記載のように変更（第１の金属酸化物粒子、第２の金属酸化物粒子の使用／不使用の変更を含む。以下同じ。）した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１〜ＣＰ−Ｃ３３を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２金属酸化物粒子として用いたＰドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：６．７２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
【０１１２】
また、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としての酸素欠損型の酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としての酸素欠損型の酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＳｂドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。
【０１１３】
また、導電層用塗布液の調製に用いた第２の金属酸化物粒子としての酸素欠損型の酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。また、導電層用塗布液の調製に用いた第２の金属酸化物粒子としての酸化インジウムスズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。また、導電層用塗布液の調製に用いた第２の金属酸化物粒子としてのＳｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
【０１１４】
また、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子（ドープ率：４．５０質量％、被覆率：４５質量％、密度：６．３３ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。また、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子（ドープ率：４．５０質量％、被覆率：４５質量％、密度：６．０３ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
【０１１５】
（導電層用塗布液ＣＰ−２３〜ＣＰ−２７の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表１に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−２３〜ＣＰ−２７を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−２３〜ＣＰ−２７の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２金属酸化物粒子として用いたＰドープ酸化スズ粒子（ドープ率）：４．５０質量％、被覆率：４５質量％、密度：６．７２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
【０１１６】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１３〜ＣＰ−Ｃ１８の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量および結着材料の量を表２に記載のように変更した以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１３〜ＣＰ−Ｃ１８を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＰドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：６．７２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
【０１１７】
なお、表中、例えば、酸素欠損型の酸化スズで被覆された酸化亜鉛粒子（酸素欠損型の酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子）などは、本発明に係る第１の金属酸化物粒子には該当しないが、本発明と比較する例として、便宜上、それぞれの欄に記載した。また、酸素欠損型の酸化スズ粒子なども、本発明に係る第２の金属酸化物粒子には該当しないが、本発明と比較する例として、便宜上、それぞれの欄に記載した。
【０１１８】
【表１】
2015158598.tif 000002
【０１１９】
【表２】
2015158598.tif 000003
【０１２０】
（導電層用塗布液ＣＰ−２８〜ＣＰ−３２の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表３に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−２８〜ＣＰ−３２を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−２８〜ＣＰ−３２の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＷドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．５１ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
【０１２１】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１９〜ＣＰ−Ｃ２４の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表３に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１９〜ＣＰ−Ｃ２４を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＷドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．５１ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
【０１２２】
（導電層用塗布液ＣＰ−３３〜ＣＰ−３７の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率および密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率および密度を含む。以下同じ。）と量および結着材料の量を表３に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−３３〜ＣＰ−３７を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−３３〜ＣＰ−３７の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＷドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．５１ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
【０１２３】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２５〜ＣＰ−Ｃ３０の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表３に記載のように変更した以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２５〜ＣＰ−Ｃ３０を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。また、第２金属酸化物粒子として用いたＷドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．５１ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
【０１２４】
【表３】
2015158598.tif 000004
【０１２５】
（導電層用塗布液ＣＰ−３８〜ＣＰ−４２の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表４に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−３８〜ＣＰ−４２を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−３８〜ＣＰ−４２の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２金属酸化物粒子として用いたＦドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：６．６４ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
【０１２６】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３１〜ＣＰ−Ｃ３６の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表４に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３１〜ＣＰ−Ｃ３６を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２金属酸化物粒子として用いたＦドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：６．６４ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
【０１２７】
（導電層用塗布液ＣＰ−４３〜ＣＰ−４７の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率および密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率および密度を含む。以下同じ。）と量および結着材料の量を表４に記載のように変更した．それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−４３〜ＣＰ−４７を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−４３〜ＣＰ−４７の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＦドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５質量％、密度：６．６４ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
【０１２８】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３７〜ＣＰ−Ｃ４２の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表４に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３７〜ＣＰ−Ｃ４２を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＦドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：６．６４ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
【０１２９】
【表４】
2015158598.tif 000005
【０１３０】
（導電層用塗布液ＣＰ−４８〜ＣＰ−５２の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表５に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−４８〜ＣＰ−５２を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−４８〜ＣＰ−５２の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＮｂドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．０２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
【０１３１】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４３〜ＣＰ−Ｃ４８の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表５に記載のように変更した．それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４３〜ＣＰ−Ｃ４８を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＮｂドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．０２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
【０１３２】
（導電層用塗布液ＣＰ−５３〜ＣＰ−５７の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表５に記載のように変更した．それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−５３〜ＣＰ−５７を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−５３〜ＣＰ−５７の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＮｂドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．０２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
【０１３３】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４９〜ＣＰ−Ｃ５４の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表５に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４９〜ＣＰ−Ｃ５４を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＮｂドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．０２ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
【０１３４】
【表５】
2015158598.tif 000006
【０１３５】
（導電層用塗布液ＣＰ−５８〜ＣＰ−６２の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表６に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−５８〜ＣＰ−６２を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−５８〜ＣＰ−６２の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＴａドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．３９ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。
【０１３６】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ５５〜ＣＰ−Ｃ６０の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表６に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ５５〜ＣＰ−Ｃ６０を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。また、第２金属酸化物粒子として用いたＴａドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．３９ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。
【０１３７】
（導電層用塗布液ＣＰ−６３〜ＣＰ−６７の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量、第２の金属酸化物粒子の種類（ドープ率及び密度を含む。以下同じ。）と量及び結着材料の量を表６に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−６３〜ＣＰ−６７を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−６３〜ＣＰ−６７の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＴａドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．３９ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。
【０１３８】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６１〜ＣＰ−Ｃ６６の調製例）
第１の金属酸化物粒子の種類と量、第２の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表６に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６１〜ＣＰ−Ｃ６６を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第１の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。また、第２の金属酸化物粒子として用いたＴａドープ酸化スズ粒子（ドープ率：４．５０質量％、密度：７．３９ｇ／ｃｍ３）の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。
【０１３９】
【表６】
2015158598.tif 000007
【０１４０】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６７の調製例）
特開２００４−１５１３４９号公報に記載されている実施例１を参照し、以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６７とした。
【０１４１】
すなわち、酸素欠損型の酸化スズで被覆された硫酸バリウム粒子（被覆率：５０質量％、体積平均粒径：６００ｎｍ、密度：５．１ｇ／ｃｍ３）２０部、アンチモンがドープされている酸化スズ粒子（商品名：Ｔ−１、三菱マテリアル（株）製、体積平均粒径：２０ｎｍ、粉体抵抗率：５Ω・ｃｍ、密度：６．６ｇ／ｃｍ３）１００部、結着材料としてのレゾール型フェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）７０部、及び、２−メトキシ−１−プロパノール１００部をボールミルに入れ、２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６７を調製した。
【０１４２】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６８の調製例）
アンチモンがドープされている酸化スズ粒子を、タンタルがドープされている酸化スズ粒子（体積平均粒径：２０ｎｍ、密度＝６．１ｇ／ｃｍ３）に変更した。それ以外は、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６７の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６８を調製した。
【０１４３】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６９の調製例）
非被覆の酸化亜鉛粒子（粉体抵抗率：２．０×１０８Ω・ｃｍ、体積平均粒径：２１０ｎｍ、密度：５．６１ｇ／ｃｍ３）１６７．４２部、酸素欠損酸化スズ粒子（粉体抵抗率：２００Ω・ｃｍ、体積平均粒径：２０ｎｍ、密度：６．６０ｇ／ｃｍ３）２５．６部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）１６２．００部、及び、１−メトキシ−２−プロパノール１２０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４６５部を用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
【０１４４】
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液にシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）５．００部を添加した。さらに、分散液にシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ）０．３０部を添加して３０分攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６９を調製した。
【０１４５】
（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７０の調製例）
特開２０１３−３７２８９号公報に記載されている実施例１のスズ―亜鉛複合酸化物粉体（粉体抵抗率：２．０×１０９Ω・ｃｍ、体積平均粒径：１００ｎｍ、密度：６．１０ｇ／ｃｍ３）２４４．４０部、フェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）１６２．００部、及び、１−メトキシ−２−プロパノール１２０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４６５部を用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
【０１４６】
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液にシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）５．００部を添加した。さらに、分散液にシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ）０．３０部を添加して３０分攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７０を調製した。
【０１４７】
【表７】
2015158598.tif 000008
【０１４８】
（実施例１（電子写真感光体１の製造例））
押し出し工程及び引き抜き工程を含む製造方法にて製造された、長さ２５１．５ｍｍ、直径２４ｍｍ、肉厚１．０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（円筒状支持体）とした。
【０１４９】
温度２２℃、湿度５５％ＲＨ環境下で、導電層用塗布液ＣＰ−１を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間温度１４０℃で乾燥及び熱硬化することによって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。形成された導電層の体積抵抗率を測定したところ１．３×１０１３Ω・ｃｍであった。
【０１５０】
次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学産業（株）製）４．５部及び共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６分間温度７０℃で乾燥することによって、膜厚が０．８５μｍの下引き層を形成した。
【０１５１】
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）を用意した。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部及びシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、分散処理時間：３時間の条件で分散処理を行った。分散後、ガラスビーズを取り除いた後、酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間温度１００℃で乾燥することによって、膜厚が０．１２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１５２】
次に、下記式（ＣＴ−１）で示されるアミン化合物（電荷輸送物質）５６部、
【０１５３】
【化１】
2015158598.tif 000009
【０１５４】
下記式（ＣＴ−２）で示されるアミン化合物（電荷輸送物質）２４部、
【０１５５】
【化２】
2015158598.tif 000010
【０１５６】
ポリカーボネート（商品名：Ｚ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）９０部、下記式（Ｂ−１）で示される構造単位及び下記式（Ｂ−２）で示される構造単位を有するシロキサン変性ポリカーボネート（（Ｂ−１）：（Ｂ−２）＝９８：２（モル比））１０部、
【０１５７】
【化３】
2015158598.tif 000011
【０１５８】
ならびに、下記式（Ｂ−３）で示される構造単位及び下記式（Ｂ−４）で示される構造単位を有し、下記式（Ｂ−５）で示される末端構造を有するシロキサン変性ポリカーボネート（（Ｂ−３）：（Ｂ−４）＝９５：５（モル比））０．９部
【０１５９】
【化４】
2015158598.tif 000012
【０１６０】
を、ｏ−キシレン３００部、ジメトキシメタン２５０部及び安息香酸メチル２７部の混合溶剤に溶解することによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間温度１２０℃で乾燥することによって、膜厚が１８．５μｍの電荷輸送層を形成した。なお、式（Ｂ−５）で示される末端構造の質量比率は、上記シロキサン変性ポリカーボネートに対して１５質量％である。このようにして、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体１を製造した。
【０１６１】
電子写真感光体１について、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子中の被覆酸化スズに対するリンの存在比率及びＰドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率を、前記の方法を用い、それぞれ、原子比率から求めた。
【０１６２】
次に、前記の方法を用い、ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗのコントラストの違いから、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子及びＰドープ酸化スズ粒子を特定した。そして、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の体積平均粒径及びＰドープ酸化スズ粒子の体積平均粒径を測定した。また、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の体積及びＰドープ酸化スズ粒子の体積を測定した。以下の例も同様である。実施例１における導電層のＰドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の体積平均粒径は２３０ｎｍ、Ｐドープ酸化スズ粒子の体積平均粒径は２０ｎｍであった。
【０１６３】
（実施例２〜６７及び比較例１〜７０（電子写真感光体２〜６７及びＣ１〜Ｃ７０の製造例））
導電層用塗布液を表１２〜２２に記載のように変更した以外は、実施例１（電子写真感光体１の製造例）と同様の操作で、電子写真感光体２〜６７及びＣ１〜Ｃ７０を製造した。
【０１６４】
（評価）
クラックの評価は、支持体上に導電層を形成した段階で導電層の表面を光学顕微鏡で観察することにより、及び、製造した電子写真感光体を電子写真装置（レーザービームプリンター）に装着して画像出力して画像を観察することにより評価した。
【０１６５】
画像の観察は以下のように行った。製造した電子写真感光体を、評価装置としてのヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター（商品名：ＬａｓｅｒＪｅｔ  Ｐ２０５５ｄｎ）に装着した。これを常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下に設置し、ベタ黒、ベタ白、１ドット桂馬パターンのハーフトーンの画像をそれぞれ出力し、出力した画像を観察した。１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像とは、図５に示すパターンのハーフトーン画像である。
【０１６６】
上記画像の観察及び下記の導電層の顕微鏡観察をもとに、クラックの発生の度合いを以下のようにランク分けした。
【０１６７】
導電層の表面を光学顕微鏡で観察し、クラックの発生が確認できないものをランク３とした。また、導電層の表面を光学顕微鏡で観察するとクラックの発生が確認できるが、ベタ黒、ベタ白、１ドット桂馬パターンのハーフトーンのいずれの画像上でも、そのクラックによる画像欠陥が見られないものをランク２とした。また、導電層の表面を光学顕微鏡で観察するとクラックの発生が確認でき、かつ、ベタ黒、ベタ白、１ドット桂馬パターンのハーフトーンのいずれかの画像上で、そのクラックによるものと考えられる画像欠陥が見られるものをランク１とした。
【０１６８】
残留電位の評価とパターンメモリーの評価は、ヒューレットパッカード製のレーザービームプリンター（商品名：ＬａｓｅｒＪｅｔ  Ｐ２０５５ｄｎ）を評価装置として使用して行った。
【０１６９】
パターンメモリーの評価は以下のように行った。製造した電子写真感光体を、上記ヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンターに装着した。これを低温低湿（１５℃／７％ＲＨ）環境下に設置し、３ドット１００スペースの縦線パターンの画像を１５０００枚繰り返し連続出力する試験を行った。その後、表７０に示される４種類のハーフトーン画像上及びベタ黒の画像を出力し、これらの出力画像上の上記縦線の履歴を起因とする縦スジの見え方により、パターンメモリーの発生の度合いを、表７０のように６つにランク分けした。パターンメモリーが良好なものほど、ランクの数字が大きい。なお、４種類のハーフトーン画像とは、１ドット桂馬パターンのハーフトーン、１ドット１スペースの横線のハーフトーン、２ドット３スペースの横線のハーフトーン、及び、１ドット２スペースの横線のハーフトーンである。
【０１７０】
残留電位の評価は以下のように行った。上記１５０００枚繰り返し連続出力試験の前後にベタ白画像３枚及びベタ黒画像５枚を連続出力した後の残留電位を測定した。１５０００枚繰り返し連続出力試験の前後で残留電位の上昇が１０Ｖ以下である場合をランク４とした。また、１０Ｖを超え２０Ｖである場合をランク３とした。また、２０Ｖを超え３０Ｖである場合をランク２とした。また、３０Ｖを超えるものをランク１とした。
【０１７１】
以上の結果を表８〜２３に示す。
【０１７２】
【表８】
2015158598.tif 000013
【０１７３】
【表９】
2015158598.tif 000014
【０１７４】
【表１０】
2015158598.tif 000015
【０１７５】
【表１１】
2015158598.tif 000016
【０１７６】
【表１２】
2015158598.tif 000017
【０１７７】
【表１３】
2015158598.tif 000018
【０１７８】
【表１４】
2015158598.tif 000019
【符号の説明】
【０１７９】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段（一次帯電手段）
４  露光光（画像露光光）
５  現像手段
６  転写手段（転写ローラーなど）
７  クリーニング手段（クリーニングブレードなど）
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
１１  前露光光
Ｐ  転写材（紙など）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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