(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易な工程で形成でき、基板の面積を有効活用できる圧電デバイスと圧電デバイス搭載基板、及び、圧電デバイス搭載基板を用いたハイブリッドＩＣと電子機器を提供する。【解決手段】本発明の圧電デバイス１００は、容器１２０と、容器１２０の底面である容器底面１２２から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部１３０ａ〜ｄと、突出部１３０ａ〜ｄの底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子とを有し、容器底面の下方であって、突出部底面を含む平面の容器底面の側に電子部品の少なくともの一部が配置可能な空間を有する。【選択図】図１
2015099873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記実装端子を前記基板に接合させて前記基板に搭載された圧電デバイスと、
少なくとも一部が前記容器と前記基板との間に配置されて前記基板に搭載された電子部品と、を有することを特徴とする圧電デバイス搭載基板。
【請求項２】
前記容器底面が矩形の前記圧電デバイスが搭載された請求項１に記載の圧電デバイス搭載基板。
【請求項３】
前記突出部は前記容器底面の４角部に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項２に記載の圧電デバイス搭載基板。
【請求項４】
前記突出部は前記容器底面の２辺に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項２に記載の圧電デバイス搭載基板。
【請求項５】
前記突出部は前記容器底面の４辺に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項２に記載の圧電デバイス搭載基板。
【請求項６】
前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の圧電デバイス搭載基板。
【請求項７】
前記電子部品は温度センサー部品である請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の圧電デバイス搭載基板を有する電子機器。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の圧電デバイス搭載基板を有するハイブリッドＩＣ。
【請求項９】
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の圧電デバイス搭載基板を有する電子機器。
【請求項１０】
容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記容器底面の下方であって、前記突出部底面を含む平面の前記容器底面の側に電子部品の少なくともの一部が配置可能な空間を有することを特徴とする圧電デバイス。
【請求項１１】
前記容器底面は、電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出した請求項１０に記載の圧電デバイス。
【請求項１２】
前記容器底面は矩形である請求項１０又は請求項１１に記載の圧電デバイス。
【請求項１３】
前記突出部は前記容器底面の４角部に形成された請求項１２に記載の圧電デバイス。
【請求項１４】
前記突出部は前記容器底面の２辺に形成された請求項１２に記載の圧電デバイス。
【請求項１５】
前記突出部は前記容器底面の４辺に形成された請求項１２に記載の圧電デバイス。
【請求項１６】
前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成された請求項１０ないし請求項１５のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイス、圧電デバイス搭載基板、ハイブリッドＩＣ及び電子機器に関する。特に、実装面積の小型化に対応できる圧電デバイス、圧電デバイス搭載基板、ハイブリッドＩＣ及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やパーソナルコンピュータなどの様々な電子機器には、主に周波数の選択や制御のために圧電デバイスが広く使われている。圧電デバイスは機能によって圧電振動子、圧電発振器、ＳＡＷデバイスや光学デバイス等に分類できる。そして、圧電素子に水晶を用いた水晶振動子や水晶発振器等が広く知られており、一般的に使われている。
【０００３】
ここで、水晶振動子として、例えば、特許文献１では次のようなものが開示されている。まず、凹部を有するベースがある。凹部には水晶振動片が収容され、凹部を覆うようにリッドがベースに接合されて、水晶振動片が密閉される。ベースの裏面の４角部には金属材料からなる端子部材が接合される。端子部材は、ベース側の接続部と、接続部におけるベース側と反対側に位置する電極部とを備える。平面視（ベースの底面に垂直な方向から見た場合）では、接続部の面積は、電極部の面積より小さくなる。したがって、接続部と電極部とは段差を形成する。この段差は、ベースの短辺方向で対向する一対の端子部材の互いに対向する側に設けられる。そして、ベースの短辺方向で互いに対向する段差に電子部品が搭載される。
【０００４】
また、電子機器にはハイブリッドＩＣが使われることがある。ハイブリッドＩＣは、基板にＩＣ、コンデンサ又は圧電デバイス等の電子部品を搭載したものである。ハイブリッドＩＣは、小型の電子部品を一つのパッケージとして扱うことができ取扱いが容易になったり、小型化を可能にできたりするなどのメリットがある。このようなハイブリッドＩＣの例が、特許文献２等に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−５８９４４号公報
【特許文献２】特開２００２−１９０６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１の水晶振動子は、段差がある金属材料の端子部材の形成や、この段差への電子部品の搭載などの工程が必要になり、生産量を増やすことが困難だったり、生産に費用がかかったりするおそれがある。また、特許文献２等に記載のハイブリッドＩＣでは、所定の面積の基板に搭載できる電子部品の数を増やすことが困難である。
【０００７】
以上のような事情に鑑みて、本発明は、簡易な工程で形成でき、基板の面積を有効活用できる圧電デバイスと圧電デバイス搭載基板、及び、圧電デバイス搭載基板を用いたハイブリッドＩＣと電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１観点の圧電デバイス搭載基板は、
基板と、
容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記実装端子を前記基板に接合させて前記基板に搭載された圧電デバイスと、
少なくとも一部が前記容器と前記基板との間に配置されて前記基板に搭載された電子部品と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２観点の圧電デバイス搭載基板は、第１観点の圧電デバイス搭載基板において、前記容器底面が矩形の前記圧電デバイスが搭載される。
【００１０】
本発明の第３観点の圧電デバイス搭載基板は、第２観点の圧電デバイス搭載基板において、前記突出部は前記容器底面の４角部に形成された前記圧電デバイスが搭載される。
【００１１】
本発明の第４観点の圧電デバイス搭載基板は、第２観点の圧電デバイス搭載基板において、前記突出部は前記容器底面の２辺に形成された前記圧電デバイスが搭載される。
【００１２】
本発明の第５観点の圧電デバイス搭載基板は、第２観点の圧電デバイス搭載基板において、前記突出部は前記容器底面の４辺に形成された前記圧電デバイスが搭載される。
【００１３】
本発明の第６観点の圧電デバイス搭載基板は、第１観点ないし第５観点のいずれか１つの圧電デバイス搭載基板において、前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成された前記圧電デバイスが搭載される。
【００１４】
本発明の第７観点の圧電デバイス搭載基板は、第１観点ないし第６観点のいずれか１つの圧電デバイス搭載基板において、前記電子部品は温度センサー部品である。
【００１５】
本発明のハイブリッドＩＣは、第１観点ないし第７観点のいずれか１つの圧電デバイス搭載基板を有する。
【００１６】
本発明の電子機器は、第１観点ないし第７観点のいずれか１つの圧電デバイス搭載基板を有する。
【００１７】
本発明の第１観点の圧電デバイスは、容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記容器底面の下方であって、前記突出部底面を含む平面の前記容器底面の側に電子部品の少なくともの一部が配置可能な空間を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第２観点の圧電デバイスは、第１観点の圧電デバイスにおいて、前記容器底面は、電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出する。
【００１９】
本発明の第３観点の圧電デバイスは、第２観点の圧電デバイスにおいて、前記容器底面は矩形である。
【００２０】
本発明の第４観点の圧電デバイスは、第３観点の圧電デバイスにおいて、前記突出部は前記容器底面の４角部に形成される。
【００２１】
本発明の第５観点の圧電デバイスは、第３観点の圧電デバイスにおいて、前記突出部は前記容器底面の２辺に形成される。
【００２２】
本発明の第６観点の圧電デバイスは、第３観点の圧電デバイスにおいて、前記突出部は前記容器底面の４辺に形成される。
【００２３】
本発明の第７観点の圧電デバイスは、第１観点ないし第６観点のいずれか１つの圧電デバイスにおいて、前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の圧電デバイス、圧電デバイス搭載基板、ハイブリッドＩＣ及び電子機器によれば、生産性を悪化させることなく、圧電デバイスが搭載される基板の面積を有効活用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】圧電デバイス１００の斜視図である。
【図２】（ａ）は圧電デバイス１００の断面図である。（ｂ）は圧電デバイス１００の底面図である。
【図３】壁部シート１２４Ｓの平面図である。
【図４】底面部シート１２２Ｓの平面図である。
【図５】突出部シート１３０Ｓの平面図である。
【図６】（ａ）は圧電デバイス搭載基板２００の断面図である。（ｂ）は圧電デバイス搭載基板２００の平面図である。
【図７】ハイブリッドＩＣ３００の側面図である。
【図８】（ａ）は圧電デバイス４００の斜視図である。（ｂ）は圧電デバイス４００の底面図である。
【図９】（ａ）は圧電デバイス５００の斜視図である。（ｂ）は圧電デバイス５００の底面図である。
【図１０】圧電デバイス搭載基板７００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜圧電デバイス＞
〔圧電デバイスの構成〕
本発明の実施形態である圧電デバイス１００について、はじめに図１及び図２を用いて説明する。図１は圧電デバイス１００の斜視図である。図２（ａ）は圧電デバイス１００の、図１のＡ−Ａ線についての断面図である。図２（ｂ）は圧電デバイス１００の底面図である。
【００２７】
圧電デバイス１００は、図１に示される通り、直方体状の容器１２０と容器１２０の底面から隆起した突出部１３０ａ〜ｄを備える。以降の説明では、図１に示される通り、容器１２０の底面に垂直な方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に垂直な方向であり、容器１２０の長辺の伸びる方向をＹ方向とする。そして、Ｙ方向及びＺ方向に垂直な方向をＸ方向とする。なお、容器１２０の底面を基準として、突出部１３０ａ〜ｄの伸びる方向を−（マイナス）とし、この反対方向を＋（プラス）とする。
【００２８】
容器１２０は、例えばセラミックからなり、平板状の底面部１２２と、底面部１２２に積層された壁部１２４とを備える。底面部１２２はＺ方向から見たときに矩形であり、図２（ａ）から分かる通り、壁部１２４は、底面部１２２の＋Ｚ側の面の外周部に形成される。底面部１２２と壁部１２４とに囲まれる領域が容器１２０の凹部になる。当該凹部には、図２（ａ）に示される通り、水晶振動片１６０が収容される。
【００２９】
そして、容器１２０の開口端面となる、壁部１２４の＋Ｚ側の面に、リッド１１０が接合される。リッド１１０は容器１２０の凹部を覆うように配置されるため、水晶振動片１６０が密閉封入されることになる。リッド１１０は例えばコバールからなる。なお、コバールはＦｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）及びＣｏ（コバルト）の合金である。そしてリッド１１０の表面は例えばＮｉの金属膜で覆われている。そして、壁部１２４の＋Ｚ側の全面に形成された図示しない金属膜と、リッド１１０とが例えば銀ロウ等のロウ材で接合される。
【００３０】
容器１２０の凹部に収容される水晶振動片１６０は、Ｚ方向から見たときに矩形である。水晶振動片１６０には、図２（ａ）に示される通り、＋Ｚ側と−Ｚ側の主面であって、中央部分に、一対の励振電極１６２が形成される。＋Ｚ側の励振電極１６２からは−Ｙ方向に引出電極１６４が伸びて、励振電極１６２の−Ｙ側の端部で折り返されて、励振電極１６２の−Ｚ側の面に伸びる。−Ｚ側の励振電極１６２からは＋Ｙ方向に引出電極１６４が伸びて、励振電極１６２の＋Ｙ側の端部で折り返されて、励振電極１６２の＋Ｚ側の面に伸びる。
【００３１】
水晶振動片１６０は、水晶振動片１６０の−Ｚ側の主面における＋Ｙ側及び−Ｙ側の端部の引出電極１６４に少なくとも一部が接する一対の導電性接着剤１６６で、底面部１２２に固着される。それぞれの導電性接着剤１６６は、少なくとも一部が底面部１２２の＋Ｚ側の面に形成された接続電極１６８に接する。したがって、一対の励振電極１６２は、それぞれが異なる接続電極１６８に導通することになる。
【００３２】
水晶振動片１６０が収容された容器１２０の底面、すなわち、底面部１２２の−Ｚ側の面からは４つの突出部１３０ａ〜ｄが隆起するように形成される。突出部１３０ａ〜ｄは絶縁性の材料からなり、例えばセラミックが用いられる。そして、突出部１３０ａ〜ｄは、図１、図２（ａ）、（ｂ）に示される通り、容器１２０の底面の４角部に形成される。突出部１３０ａ〜ｄには、−Ｚ側から見たときに底面部１２２の角部に対応する部分に切欠き１４０ａ〜ｄが形成される。切欠き１４０ａ〜ｄは、図１及び図２（ｂ）に示される通り、Ｚ方向に伸びており、例えば壁部１２４まで伸びる。
【００３３】
それぞれの突出部１３０ａ〜ｄの底面、すなわち、突出部１３０ａ〜ｄの−Ｚ側の面には、例えば全面に実装端子１５０ａ〜ｄが形成される。実装端子１５０ａ〜ｄは、切欠き１４０ａ〜ｄに形成された側面電極１５２ａ〜ｄに導通する。側面電極１５２ａ〜ｄの２つ、例えば−Ｚ側から見て底面部１２２の対角線上にある側面電極１５２ｂ、ｄは、それぞれ異なる接続電極１６８に導通する。したがって、この場合、励振電極１６２は切欠き１４０ｂ、ｄと導通する。そして、励振電極１６２と導通しない実装端子１５０ａ、ｃはダミー端子となる。
【００３４】
突出部１３０ａ〜ｄの高さ、すなわち、突出部１３０ａ〜ｄのＺ方向の大きさは、後述する温度センサー部品２２０ａの高さ以上の高さになる。そして、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａの少なくともの一部が配置可能な空間を持つ。また、図２（ａ）（ｂ）から分かる通り、容器１２０の底面には電子部品が搭載されておらず容器１２０の底面が露出する。
【００３５】
〔圧電デバイスの製造方法〕
次に圧電デバイス１００の製造方法を、図３ないし図６を参照して説明する。図３は壁部シート１２４Ｓの平面図であり、図４は底面部シート１２２Ｓの平面図であり、図５は突出部シート１３０Ｓの平面図である。
【００３６】
まず、図３に示される壁部シート１２４Ｓを用意する。壁部シート１２４Ｓは例えばセラミックグリーンシートで構成されたものである。壁部シート１２４Ｓには、壁部１２４に相当する仮想的な領域が複数設けられる。この仮想的な領域は、図３に示される、Ｘ方向に伸びる仮想領域Ｖ１０及びＹ方向に伸びる仮想領域Ｖ１１で囲まれた領域である。なお、図３では壁部１２４に相当する仮想的な領域は９個設けられているが、壁部シート１２４Ｓの大きさや壁部１２４の大きさによって適宜変更される。この点は、後述の底面部シート１２２Ｓ及び突出部シート１３０Ｓでも同様である。
【００３７】
壁部シート１２４Ｓには、壁部１２４となる仮想的な領域の中央部分に、Ｚ方向から見たときに矩形となる貫通孔ＨＬ１０が形成される。貫通孔ＨＬ１０が、容器１２０における凹部となり、貫通孔ＨＬ１０及び仮想領域Ｖ１０、Ｖ１１で囲まれた領域が壁部１２４になる。
【００３８】
さらに、壁部シート１２４Ｓには、壁部１２４となる仮想的な領域の角部に、Ｚ方向から見たときに円形となる貫通孔ＨＬ１１が形成される。それぞれの貫通孔ＨＬ１１は、図３に示される通り、互いに隣接する、壁部１２４となる仮想的な領域にかかるように形成される。そして、貫通孔ＨＬ１１は、図１及び図２（ｂ）に示される切欠き１４０ａ〜ｄになる。
【００３９】
また、図４に示される底面部シート１２２Ｓを用意する。底面部シート１２２Ｓは例えばセラミックグリーンシートで構成されたものである。底面部シート１２２Ｓには、底面部１２２に相当する仮想的な領域が複数設けられる。この仮想的な領域は、図４に示される、Ｘ方向に伸びる仮想領域Ｖ２０及びＹ方向に伸びる仮想領域Ｖ２１で囲まれた領域である。
【００４０】
底面部シート１２２Ｓには、底面部１２２となる仮想的な領域の角部に、Ｚ方向から見たときに円形となる貫通孔ＨＬ２０が形成される。それぞれの貫通孔ＨＬ２０は、図４に示される通り、互いに隣接する、底面部１２２となる仮想的な領域にかかるように形成される。そして、貫通孔ＨＬ２０は、図１及び図２（ｂ）に示される切欠き１４０ａ〜ｄになる。
【００４１】
さらに、底面部シート１２２Ｓには、スクリーン印刷などにより、例えばＷ（タングステン）を含んだ導電ペーストを印刷する。この印刷は、例えば、接続電極１６８となる領域と、貫通孔ＨＬ２０の内周と、接続電極１６８から伸びて貫通孔ＨＬ２０に到達する導電路１６９となる領域と、に行う。
【００４２】
また、図５に示される突出部シート１３０Ｓを用意する。突出部シート１３０Ｓは例えばセラミックグリーンシートで構成されたものである。突出部シート１３０Ｓには、突出部１３０ａ〜ｄに相当する仮想的な領域が複数設けられる。この仮想的な領域は、図５に示される、Ｘ方向に伸びる仮想領域Ｖ３０及びＹ方向に伸びる仮想領域Ｖ３１で囲まれた領域である。
【００４３】
突出部シート１３０Ｓには、突出部１３０ａ〜ｄとなる仮想的な領域の中央に、Ｚ方向から見たときに十字となる貫通孔ＨＬ３１が形成される。貫通孔ＨＬ３１は、突出部１３０ａ〜ｄとなる仮想的な領域のそれぞれで、＋Ｙ側及び−Ｙ側の仮想領域Ｖ３０まで伸び、さらに、＋Ｘ側及び−Ｘ側の仮想領域Ｖ３１まで伸びる。そして、貫通孔ＨＬ３１及び仮想領域Ｖ３０、Ｖ３１で囲まれた領域が突出部１３０ａ〜ｄになる。
【００４４】
また、突出部シート１３０Ｓには、突出部１３０ａ〜ｄとなる仮想的な領域の角部に、Ｚ方向から見たときに円形となる貫通孔ＨＬ３０が形成される。それぞれの貫通孔ＨＬ３０は、図５に示される通り、互いに隣接する、突出部１３０ａ〜ｄとなる仮想的な領域にかかるように形成される。そして、貫通孔ＨＬ３０は、図１及び図２（ｂ）に示される切欠き１４０ａ〜ｄになる。
【００４５】
さらに、突出部シート１３０Ｓには、スクリーン印刷などにより、例えばＷ（タングステン）を含んだ導電ペーストを印刷する。この印刷は、例えば、貫通孔ＨＬ３０の内周と、突出部１３０ａ〜ｄの−Ｚ側の面に配置される実装端子１５０ａ〜ｄとなる領域と、に行う。なお、図５では実装端子１５０ａ〜ｄは図示されない。
【００４６】
次に、このように形成された壁部シート１２４Ｓ、底面部シート１２２Ｓ及び突出部シート１３０Ｓを積層する。具体的には、突出部シート１３０Ｓの＋Ｚ側に底面部シート１２２Ｓを積層し、底面部シート１２２Ｓの＋Ｚ側に壁部シート１２４Ｓを積層する。この際に、壁部１２４、底面部１２２及び突出部１３０ａ〜ｄの各仮想的な領域が重なるようにする。そして、焼成する。次に、電解メッキ又は無電解メッキにより、スクリーン印刷等で形成したＷ等の金属表面に、例えば、Ｎｉ（ニッケル）の金属膜及びＡｕ（金）の金属膜を順次形成する。そして、仮想領域Ｖ１０、Ｖ１１、Ｖ２０、Ｖ２１、Ｖ３０、Ｖ３１で切断することで、容器１２０と容器１２０から隆起する突出部１３０ａ〜ｄとが形成される。
【００４７】
次に、予め用意した、励振電極１６２及び引出電極１６４が形成された水晶振動片１６０を、導電性接着剤１６６を用いて、底面部１２２の凹部の底面となる底面部１２２の＋Ｚ側の面に固着させる。
【００４８】
最後に、リッド１１０を、容器１２０の開口端面となる、壁部１２４の＋Ｚ側の面に、接合して、水晶振動片１６０を密閉封入する。この際、例えば、予め、当該開口端面、又は、リッド１１０の−Ｚ側の面の外周部に銀ロウ等のロウ材を形成する。次に、当該開口端面に、リッド１１０の−Ｚ側の面を対向させて重ね合せ、シーム溶接等で接合する。このようにして圧電デバイス１００が形成される。
【００４９】
＜圧電デバイス搭載基板＞
次に圧電デバイス搭載基板２００について、図６を参照して説明する。図６（ａ）は圧電デバイス搭載基板２００の断面図である。図６（ｂ）は圧電デバイス搭載基板２００の平面図である。なお、図６（ａ）の圧電デバイス１００は、図１のＡ−Ａ線での断面図であり、図６（ａ）の圧電デバイス搭載基板２００は図６（ｂ）のＢ−Ｂ線での断面図である。
【００５０】
圧電デバイス搭載基板２００は、例えばガラスエポキシの基板２１０を有し、基板２１０には温度補償型発振回路が形成される。当該温度補償型発振回路は、圧電デバイス１００と、圧電デバイス１００の温度を検知する温度センサー部品２２０ａと、温度補償型発振回路を構成するその他の回路素子とから構成される。温度補償型発振回路を用いることで、圧電デバイス１００の温度が変化しても、圧電デバイス１００の周波数温度特性に対して温度補償を行うことができ、周波数変動を小さくできる。
【００５１】
圧電デバイス１００は、図６（ａ）に示される通り、ハンダ２３２で基板２１０の＋Ｚ側の面に接合される。ハンダ２３２によって、実装端子１５０ａ〜ｄと、基板２１０に形成された配線パターン２３０とが導通する。
【００５２】
圧電デバイス１００の温度を検知する温度センサー部品２２０ａには、サーミスタ又はダイード等が用いられ、基板２１０の＋Ｚ側の面にハンダで搭載される。温度センサー部品２２０ａは、図６（ａ）に示される通り、圧電デバイス１００の容器１２０の−Ｚ側に配置される。したがって、温度センサー部品２２０ａは容器１２０と基板２１０との間に配置されることになる。
【００５３】
この温度センサー部品２２０ａの配置を＋Ｚ側から見たのが図６（ｂ）である。図６（ｂ）に示される通り、＋Ｚ側から見ると、温度センサー部品２２０ａは圧電デバイス１００の中央に配置される。すなわち、温度センサー部品２２０ａと突出部１３０ａ〜ｄのそれぞれと、との距離が、ほぼ等しくなるように配置される。そして、図６（ａ）に示される通り、温度センサー部品２２０ａの＋Ｚ方向に水晶振動片１６０が位置するように配置する。
【００５４】
なお、圧電デバイス搭載基板２００には、当該温度補償型発振回路以外の回路があってもよい。例えば当該温度補償型発振回路の周波数を利用する回路や、当該温度補償型発振回路と独立して機能する回路があってもよい。
【００５５】
＜ハイブリッドＩＣ＞
次にハイブリッドＩＣ３００について、図７を参照して説明する。ハイブリッドＩＣ３００の側面図である。
【００５６】
ハイブリッドＩＣ３００には、基板２１０を有する圧電デバイス搭載基板２００が用いられる。基板２１０には、圧電デバイス１００、温度センサー部品２２０ａ、電子部品２２０ｂ又はその他の電子部品を繋ぐ導電路が形成されている。この導電路のいくつかは基板２１０に形成された図示しない貫通孔まで伸びる。当該貫通孔は、例えば基板２１０を＋Ｚ側から見たときの角部や外周部分に形成される。そして、当該貫通孔にリードフレーム３１０の一方の端部を、例えば基板２１０の−Ｚ側から挿入して、ハンダなどで基板２１０に固定する。したがって、リードフレーム３１０の少なくともいくつかは基板２１０の導電路に導通する。
【００５７】
＜効果＞
以上説明した圧電デバイス１００、圧電デバイス搭載基板２００及びハイブリッドＩＣ３００によれば、以下に列記する優れた効果が得られる。
（１）圧電デバイス１００は、容器１２０の底面から突出部１３０ａ〜ｄが隆起する。また、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａの少なくともの一部が配置可能な空間を持つ。よって、圧電デバイス１００を基板２１０に搭載した場合に、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａを配置し、温度センサー部品２２０ａを基板２１０に実装できる。したがって、圧電デバイス１００と温度センサー部品２２０ａとを重ねて当該基板に実装できるため、基板２１０の面積を有効活用できる。
【００５８】
また、圧電デバイス搭載基板２００及びハイブリッドＩＣ３００では、温度センサー部品２２０ａは容器１２０と基板２１０との間に配置されて基板２１０に搭載される。したがって、圧電デバイス１００と温度センサー部品２２０ａとを重ねて基板２１０に実装されるため、基板２１０の面積を有効活用できる。
【００５９】
（２）圧電デバイス１００は、容器１２０の底面に突出部１３０ａ〜ｄを形成するのみであり、圧電デバイス１００に温度センサー部品２２０ａを搭載していない。よって、圧電デバイス１００に温度センサー部品２２０ａを搭載する工程を経ることなく圧電デバイス１００を形成できる。すなわち、圧電デバイス１００の製造工程の複雑化を回避しつつ、上記の通り、圧電デバイス１００の面積を有効活用できる。
【００６０】
また、圧電デバイス搭載基板２００及びハイブリッドＩＣ３００では、所定箇所にハンダを塗布した基板２１０に対して、図６（ａ）に示すように、圧電デバイス１００と温度センサー部品２２０ａとを重ねて載置する。次に加熱してハンダを溶融させ、その後冷却することで、圧電デバイス１００と温度センサー部品２２０ａとを、電子部品２２０ｂ等の他の電子部品と同時に基板２１０に固着できる。したがって、圧電デバイス搭載基板２００及びハイブリッドＩＣ３００での製造工程の複雑化を回避しつつ、上記の通り、圧電デバイス１００の面積を有効活用できる。
【００６１】
（３）圧電デバイス１００の突出部１３０ａ〜ｄは絶縁性の材料であるセラミックで形成される。ここで、圧電デバイス１００を基板に実装し、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａを配置して、温度センサー部品２２０ａを当該基板に実装した場合を考える。このとき、温度センサー部品２２０ａに隣接して突出部１３０ａ〜ｄが配置されることになる。しかし、突出部１３０ａ〜ｄが絶縁性の材料からなる。したがって、温度センサー部品２２０ａと突出部１３０ａ〜ｄとの間で容量をもって圧電デバイス１００又は温度センサー部品２２０ａの特性が変化する、というおそれを低減できる。
【００６２】
また、圧電デバイス搭載基板２００及びハイブリッドＩＣ３００では、圧電デバイス１００を基板に実装し、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａを配置して、温度センサー部品２２０ａを当該基板に実装している。したがって、前述の通り、温度センサー部品２２０ａと突出部１３０ａ〜ｄとの間で容量をもって圧電デバイス１００又は温度センサー部品２２０ａの特性が変化する、というおそれを低減できる。
【００６３】
（４）圧電デバイス１００は、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａが配置可能な空間を持つ。また、圧電デバイス搭載基板２００及びハイブリッドＩＣ３００では、圧電デバイス１００を基板に実装し、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａを配置して、温度センサー部品２２０ａを当該基板に実装している。よって、温度センサー部品２２０ａが圧電デバイス１００に近接して配置できる。したがって、温度センサー部品２２０ａは正確に圧電デバイス１００の温度を測定することが可能になり、温度補償回路での正確な温度補償が可能になる。
【００６４】
（５）圧電デバイス１００の容器１２０の底面には電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出する。よって、容器１２０の底面と、圧電デバイス１００を搭載する基板２１０と、の間の容積を、容器１２０の底面に電子部品が搭載された場合と比べて大きくできる。したがって、使用できる温度センサー部品２２０ａの種類が増えるため、温度補償型発振回路の設計の自由度が増す。
【００６５】
（６）圧電デバイス１００の容器１２０の底面には電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出する。よって、圧電デバイス１００及び温度センサー部品２２０ａを基板２１０に搭載した際に、例えば温度センサー部品２２０ａが容器１２０の底面に接触しても、電気的な短絡が生じるおそれを低減できる。
【００６６】
（７）圧電デバイス１００の容器１２０の底面は矩形である。したがって、他の形状と比べて、壁部シート１２４Ｓ、底面部シート１２２Ｓ及び突出部シート１３０Ｓから多くの容器１２０を形成できる。
【００６７】
（８）圧電デバイス１００の突出部１３０ａ〜ｄは、容器１２０の底面の４角部に形成される。よって、突出部１３０ａ〜ｄの隣接する一対の突出部の間にも温度センサー部品２２０ａの少なくともの一部が配置可能になる。したがって、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の＋Ｚ側に温度センサー部品２２０ａの少なくともの一部が配置可能な空間を大きく確保できる。このため、使用できる温度センサー部品２２０ａの種類が増えるため、温度補償型発振回路の設計の自由度が増す。
【００６８】
＜その他の実施の形態＞
本発明にかかる圧電デバイス１００、圧電デバイス搭載基板２００及びハイブリッドＩＣ３００は上記実施の形態で例示した構成に限定されるものではなく、これを適宜変更した例えば次のような形態として実施することもできる。
【００６９】
・圧電デバイス搭載基板２００はハイブリッドＩＣ３００に組み込まれて使用された。しかし、圧電デバイス搭載基板２００は携帯電話やパーソナルコンピュータ等の電子機器に直接組み込まれてもよい。
【００７０】
・ハイブリッドＩＣ３００の基板２１０にはリードフレーム３１０がなく、端子電極が形成された構成でもよい。具体的には次のような構成になる。まず、基板２１０にはリードフレーム３１０がなく、一方の主面に複数の端子電極を有する。また、基板２１０の他方の主面に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、圧電デバイス１００、温度センサー部品２２０ａ及び電子部品２２０ｂ等の電子部品を搭載する。そして、基板２１０の端子電極が、基板２１０の導電路に導通する。このようなハイブリッドＩＣは端子電極を用いて表面実装できるため望ましい。
【００７１】
・圧電デバイス１００の突出部１３０ａ〜ｄは、図１、図２（ａ）、（ｂ）に示される通り、容器１２０の底面の４角部に形成される。しかし、突出部１３０ａ〜ｄは、その他の部分、例えば容器１２０の底面の各辺の中央部分に形成されてもよい。また、突出部は必ずしも４つ必要なわけではない。例えば一対の突出部は、容器１２０の底面の一方の短辺の両端に形成され、もう一つの突出部が、他方の短辺の中央に形成されてもよい。この場合、突出部は３つ形成されることになる。すなわち、容器１２０と基板２１０との間に温度センサー部品２２０ａが配置可能な空間が確保できれば突出部の位置や数は任意である。
【００７２】
・圧電デバイス１００の突出部１３０ａ〜ｄは容器１２０の底面の４角部に形成される。しかし、突出部は容器１２０の底面の４辺に形成されてもよい。この点を、図８を参照して説明する。図８（ａ）は圧電デバイス４００の斜視図である。図８（ｂ）は圧電デバイス４００の底面図である。
【００７３】
図８（ａ）（ｂ）に示す圧電デバイス４００と圧電デバイス１００との違いは突出部である。圧電デバイス４００には、容器１２０の底面、すなわち、底面部１２２の−Ｚ側の面の４辺に突出部４３０が形成される。よって、突出部４３０は容器１２０の底面の外周領域を周回するように形成されることになる。また、突出部４３０の底面、すなわち、突出部４３０の−Ｚ側の面には４つの実装端子１５０ａ〜ｄが形成される。実装端子１５０ａ〜ｄは、図８（ｂ）に示す通り、突出部４３０の底面の４角部に形成される。
【００７４】
圧電デバイス４００は、突出部４３０に囲まれた領域に温度センサー部品２２０ａを配置できる。具体的には、図２（ａ）の圧電デバイス１００と同様に、圧電デバイス４００が基板２１０に実装される。そして、突出部４３０に囲まれた領域に温度センサー部品２２０ａが配置され、温度センサー部品２２０ａは基板２１０に実装される。
【００７５】
このように、温度センサー部品２２０ａは突出部４３０に囲まれた領域に配置できる。したがって、温度センサー部品２２０ａに加わる外部環境の影響を小さくでき、容器１２０に収容された水晶振動片１６０の温度の検出精度を高められる。また、温度センサー部品２２０ａは突出部４３０に囲まれた領域に配置される。したがって、温度センサー部品２２０ａを基板２１０に載置する際に突出部４３０を案内として用いることができ、温度センサー部品２２０ａの位置決めが容易になる。
【００７６】
なお、圧電デバイス４００では、図８（ｂ）に示す通り、突出部４３０に囲まれた領域は−Ｚ側から見て矩形である。しかし、矩形以外にも円形又は楕円形等の他の形状でもよく、温度センサー部品２２０ａが配置可能であればよい。また、圧電デバイス４００では４つの実装端子１５０ａ〜ｄが形成されたが、実装端子は２つでもよい。実装端子を２つにする場合は、一方の実装端子を、突出部４３０の底面の−Ｙ側であってＸ方向に伸びるように形成し、他方の実装端子を、突出部４３０の底面の＋Ｙ側であってＸ方向に伸びるように形成してもよい。また、一方の実装端子を、突出部４３０の底面の−Ｘ側であってＹ方向に伸びるように形成し、他方の実装端子を、突出部４３０の底面の＋Ｘ側であってＹ方向に伸びるように形成してもよい。
【００７７】
・圧電デバイス１００の突出部１３０ａ〜ｄは容器１２０の底面の４角部に形成される。しかし、突出部は容器１２０の底面の２辺に形成されてもよい。この点を、図９を参照して説明する。図９（ａ）は圧電デバイス５００の斜視図である。図９（ｂ）は圧電デバイス５００の底面図である。
【００７８】
図９（ａ）（ｂ）に示す圧電デバイス５００と圧電デバイス１００との違いは突出部である。圧電デバイス５００は、容器１２０の底面、すなわち、底面部１２２の−Ｚ側の面の２辺に一対の突出部５３０ａ、ｂが形成される。当該２辺は、容器１２０の底面の一対の長辺である。そして、突出部５３０ａ、ｂの底面、すなわち、突出部５３０ａ、ｂの−Ｚ側の面には、図９（ｂ）に示す通り、実装端子１５０ａ〜ｄが形成される。実装端子１５０ａ、ｂは突出部５３０ａの底面の両端に形成され、実装端子１５０ｃ、ｄは突出部５３０ｂの底面の両端に形成される。
【００７９】
圧電デバイス５００は、一対の突出部５３０ａ、ｂに挟まれた領域に温度センサー部品２２０ａを配置できる。具体的には、図２（ａ）の圧電デバイス１００と同様に、圧電デバイス５００が基板２１０に実装される。そして、一対の突出部５３０ａ、ｂに挟まれた領域に温度センサー部品２２０ａが配置され、温度センサー部品２２０ａは基板２１０に実装される。
【００８０】
このように、温度センサー部品２２０ａは一対の突出部５３０ａ、ｂに挟まれた領域に配置できる。したがって、温度センサー部品２２０ａに加わる外部環境の影響を小さくでき、容器１２０に収容された水晶振動片１６０の温度の検出精度を高められる。また、温度センサー部品２２０ａは突出部５３０ａ、ｂに挟まれた領域に配置される。したがって、温度センサー部品２２０ａを基板２１０に載置する際に一対の突出部５３０ａ、ｂを案内として用いることができ、温度センサー部品２２０ａの位置決めが容易になる。
【００８１】
また、図９（ｂ）に示される通り、一対の突出部５３０ａ、ｂに挟まれた領域の両端（＋Ｙ側及び−Ｙ側）は解放されており、突出部でさえぎられていない。よって、突出部でさえぎられる場合と比べて、当該領域の大きさを大きくできる。したがって、例えば、当該領域に大きな温度センサー部品２２０ａを配置したり、複数の電子部品を配置したりして、当該領域を有効活用できる。
【００８２】
なお、圧電デバイス５００では一対の突出部５３０ａ、ｂを容器１２０の底面の一対の長辺に形成した。しかし、一対の突出部５３０ａ、ｂは容器１２０の底面の一対の短辺に形成されてもよい。また、一対の突出部５３０ａ、ｂは容器１２０の底面の一つの短辺と一つの長辺とに形成されてもよい。また、圧電デバイス４００では４つの実装端子１５０ａ〜ｄが形成されたが、実装端子は２つでもよい。例えば、一対の突出部５３０ａ、ｂのそれぞれの底面に１つずつ実装端子を形成してもよい。
【００８３】
・圧電デバイス１００では、突出部１３０ａ〜ｄの底面の全面に実装端子１５０ａ〜ｄが形成される。しかし、実装端子１５０ａ〜ｄは突出部１３０ａ〜ｄの底面における圧電デバイスの外側にのみ形成してもよい。この点を、図１０を参照して説明する。図１０は、圧電デバイス搭載基板７００の断面図である。
【００８４】
圧電デバイス搭載基板７００には圧電デバイス６００が搭載される。圧電デバイス６００の突出部１３０ａ〜ｄの底面には実装端子６５０ａ〜ｄが形成される。実装端子６５０ａ〜ｄは、−Ｚ側から見て容器１２０の底面の外側に形成される。そして、突出部１３０ａ〜ｄにおける、容器１２０の底面の中心側には実装端子６５０ａ〜ｄが形成されない。また、圧電デバイス６００の外側面となる突出部１３０ａ〜ｄの側面には、実装端子６５０ａ〜ｄに接続した突出部電極６５４ａ〜ｄが形成される。なお、突出部１３０ａ、ｂ、実装端子６５０ａ、ｂ及び突出部電極６５４ａ〜ｄは図１０に図示されない。
【００８５】
このように、実装端子１５０ａ〜ｄは突出部１３０ａ〜ｄの底面における圧電デバイスの外側にのみ形成される。ここで、図１０に示す通り、圧電デバイス６００をハンダ６３２で基板２１０に実装した場合を考える。このとき、＋Ｚ側から見ると、ハンダ６３２は圧電デバイス６００の外周側のみ配置され、圧電デバイス６００の中心側に流れ込むことを回避できる。したがって、圧電デバイス６００の容器１２０の−Ｚ側に配置される温度センサー部品２２０ａにまでハンダ６３２が流れ込む可能性を低減でき、短絡を防止できる。
【００８６】
また、圧電デバイス６００の外側面となる突出部１３０ａ〜ｄの側面には、実装端子６５０ａ〜ｄに接続した突出部電極６５４ａ〜ｄが形成される。よって、圧電デバイス６００をハンダ６３２で基板２１０に実装した場合、ハンダ６３２が突出部電極６５４ａ〜ｄを伝って這い上がり、ハンダのフィレットが形成される。したがって、圧電デバイス６００が強固に基板２１０に接合される。なお、突出部電極６５４ａ〜ｄが無い場合でも、ハンダ６３２が側面電極１５２ａ〜ｄを伝って這い上がり、ハンダのフィレットが形成され、一定の強度で圧電デバイス６００が基板２１０に接合される。
【００８７】
・圧電デバイス１００の容器１２０の底面には電子部品が搭載されていない。しかし、容器１２０の底面にＩＣ又はコンデンサ等の電子部品が搭載されていてもよい。この場合は、突出部１３０ａ〜ｄの高さ（Ｚ方向の長さ）を高くすることで、容器１２０の底面の下方（−Ｚ側）であって、突出部１３０ａ〜ｄの底面を含む平面の容器１２０の側に、温度センサー部品２２０ａを配置可能な空間を確保できる。なお、容器１２０の底面に搭載するＩＣに発振回路を形成した場合、圧電デバイス搭載基板２００からは、当該発振回路についてのＩＣを省略できる。
【００８８】
・圧電デバイス１００を基板２１０に搭載し、さらに温度センサー部品２２０ａを基板２１０に搭載して、温度センサー部品２２０ａを圧電デバイス１００と基板２１０との間に配置したときに、温度センサー部品２２０ａの一部のみが、圧電デバイス１００と基板２１０との間に来るように配置してもよい。すなわち、Ｚ方向から見て、圧電デバイス１００と、温度センサー部品２２０ａの一部とが重なるように、温度センサー部品２２０ａを配置してもよい。この場合でも基板２１０の面積を有効活用できる。
【００８９】
・圧電デバイス１００を基板２１０に搭載し、さらに温度センサー部品２２０ａを基板２１０に搭載して、温度センサー部品２２０ａを圧電デバイス１００と基板２１０との間に配置したときに、圧電デバイス１００と基板２１０との間には温度センサー部品２２０ａ以外の１つ以上の電子部品を配置して、当該電子部品を基板２１０に搭載してもよい。すなわち、Ｚ方向から見て、圧電デバイス１００と、温度センサー部品２２０ａ及び１つ以上の電子部品とが重なるように、温度センサー部品２２０ａ及び１つ以上の電子部品を配置してもよい。この場合でも基板２１０の面積を有効活用できる。
【００９０】
・圧電デバイス１００と基板２１０との間には温度センサー部品２２０ａを配置した。しかし、圧電デバイス１００と基板２１０との間には、温度センサー部品２２０ａ以外の電子部品、例えばＩＣ又はコンデンサ等の電子部品を配置して基板２１０に搭載してもよい。この場合でも、Ｚ方向から見て圧電デバイス１００と当該電子部品とが重なるように配置できる。したがって、基板２１０の面積を有効活用できる。
【００９１】
・圧電デバイス１００では、切欠き１４０ａ〜ｄに形成された側面電極１５２ａ〜ｄの少なくとも２つによって、励振電極１６２と、実装端子１５０ａ〜ｄの少なくとも２つとが導通される。しかし、例えば突出部１３０ａ〜ｄに貫通孔を形成し、当該貫通孔内に電極を形成して励振電極１６２と、実装端子１５０ａ〜ｄの少なくとも２つが導通されてもよい。この場合は切欠き１４０ａ〜ｄがなくてよい。
【００９２】
・圧電デバイス１００に収容される水晶振動片１６０の一対の引出電極１６４は、一対の励振電極１６２から、同じ方向、例えば−Ｙ方向に伸びるように形成されてもよい。この場合、水晶振動片１６０の−Ｙ側の端部で、一方の引出電極１６４は＋Ｘ側、他方の引出電極１６４は−Ｘ側に来るようにして、一対の引出電極１６４が短絡しないようにする。そして、水晶振動片１６０の−Ｙ側の端部に一対の導電性接着剤１６６を塗布して、水晶振動片１６０を底面部１２２に接合する。
【００９３】
・圧電デバイス１００の容器１２０及び突出部１３０ａ〜ｄは、セラミック以外の材料、例えばガラスや水晶を用いてもよい。圧電デバイス１００のリッド１１０も同様に金属以外の例えばガラスや水晶を用いてもよい。
【００９４】
・圧電デバイス１００は、容器１２０及びリッド１１０にガラス又は水晶を用いて次の構成にしてもよい。まず、水晶振動片と当該水晶振動片の外周を囲む枠部と、がある。当該水晶振動片と枠部とは連結部で連結されている。これらの水晶振動片、枠部及び連結部は水晶で一体に形成される。枠部の両方の主面には、ガラス又は水晶等で形成された一対の板状部材が接合される。枠部及び一対の板状部材で囲まれた領域に水晶振動片が密閉される。この枠部及び一対の板状部材が、リッド１１０及び容器１２０に相当する。そして、一方の板状部材における、枠部に接合した面の反対面に、突出部１３０ａ〜ｄが形成される。
【００９５】
・水晶振動片１６０は矩形以外の形状、例えば音叉型の形状であってもよい。また圧電デバイス１００には、水晶振動片１６０の代わりに、水晶以外の圧電材料、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム又は圧電セラミックを用いてもよい。また、圧電デバイス１００に発振回路を搭載して、圧電デバイス１００を圧電発振器として用いてもよい。また、必要に応じて圧電デバイス１００の実装端子の数を増やしてもよい。また、圧電デバイス１００はＺ方向から見たときに矩形以外の形状、例えば円形又は楕円形等の形状でもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１００、５００、６００  ...  圧電デバイス
１１０  ...  リッド
１２０  ...  容器
１２２  ...  底面部
１２２Ｓ  ...  底面部シート
１２４  ...  壁部
１２４Ｓ  ...  壁部シート
１３０ａ〜ｄ  ...  突出部
１３０Ｓ  ...  突出部シート
１４０ａ〜ｄ  ...  切欠き
１５０ａ〜ｄ  ...  実装端子
１５２ａ〜ｄ  ...  側面電極
１６０  ...  水晶振動片
１６２  ...  励振電極
１６４  ...  引出電極
１６６  ...  導電性接着剤
１６８  ...  接続電極
１６９  ...  導電路
２００，７００  ...  圧電デバイス搭載基板
２１０  ...  基板
２２０ａ  ...  温度センサー部品
２２０ｂ  ...  電子部品
２３０  ...  配線パターン
２３２  ...  ハンダ
３００  ...  ハイブリッドＩＣ
３１０  ...  リードフレーム
４００  ...  圧電デバイス
４３０  ...  突出部
５３０ａ、ｂ  ...  突出部
６３２  ...  ハンダ
６５０ａ  ...  実装端子
ＨＬ１０、ＨＬ１１、ＨＬ２０、ＨＬ３０、ＨＬ３１  ...  貫通孔
Ｖ１０、Ｖ１１、Ｖ２０、Ｖ２１、Ｖ３０、Ｖ３１  ...  仮想領域
【図１】
2015099873.tif 000003
【図２】
2015099873.tif 000004
【図３】
2015099873.tif 000005
【図４】
2015099873.tif 000006
【図５】
2015099873.tif 000007
【図６】
2015099873.tif 000008
【図７】
2015099873.tif 000009
【図８】
2015099873.tif 000010
【図９】
2015099873.tif 000011
【図１０】
2015099873.tif 000012