(57)【要約】【課題】反射膜上の透光膜の膜厚を効率よく測定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法、および膜厚測定装置を提供すること。【解決手段】膜厚測定装置３００では、データ取得部３６０において、反射膜４２０上の透光膜４３０に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って波長毎の複数の反射率データを取得した後、平均値算出部３７０において波長毎の複数の反射率データの平均値を求める。次に、データ選択部３８０において、複数の反射率データから、平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを波長毎に選択し、膜厚算出部３９０では、選択された複数のデータの平均値に基づいて透光膜４３０の膜厚を算出する。【選択図】図１
2015031559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得工程と、
前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出工程と、
前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択工程と、
選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記データ取得工程では、前記第１波長の光に対する複数の反射率データと、前記第１波長と異なる第２波長の光に対する複数の反射率データと、を取得し、
前記平均値算出工程では、前記複数の反射率データの平均値を波長毎に算出し、
前記データ選択工程では、波長毎に、前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択し、
前記膜厚算出工程では、選択された前記複数のデータの平均値を波長毎に求め、当該波長毎の複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記反射膜は、金属膜であり、
当該金属膜上に前記透光膜が積層されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記反射膜は、画素電極であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記透光膜の膜厚が当該透光膜の表面粗さの１０倍以上であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記選択範囲は、前記反射膜の前記透光膜と接する面の表面粗さによって異なる範囲に設定され、
前記選択範囲は、前記表面粗さが大のときより小のときに広く設定されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記透光膜の表面を研磨する研磨工程を有し、
当該研磨工程では、前記膜厚の算出結果に基づいて前記透光膜の表面に対する研磨量を設定することを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項９】
反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得工程と、
前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出工程と、
前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択工程と、
選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得工程と、
前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出工程と、
前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択工程と、
選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得部と、
前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出部と、
前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択部と、
選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出部と、
前記選択範囲を規定する選択条件を設定する選択条件設定部と、
を有することを特徴とする膜厚測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法、および膜厚測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置用基板や半導体装置では、アルミニウム膜等の反射膜に透光膜が積層された構造になっていることがある。このような積層構造において、透光膜の膜厚を光学的に測定する場合、反射膜の表面や透光膜の表面での散乱によって、反射光を正確に測定できないという問題点がある。
【０００３】
そこで、散乱のない理論的に完全な参照試料、およびキャブレーション試料の反射率を測定しておき、かかる測定結果から求められた反射スペクトルの曲線に対して、対象試料で得られた反射率を当て嵌めて、対象試料における透光膜の膜厚を算出することが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５４５２０９１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、参照試料およびキャブレーション試料が必要となるため、管理等に多大な手間がかかるという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、反射膜上の透光膜の膜厚を効率よく測定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法、および膜厚測定装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得工程と、前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出工程と、前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択工程と、選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、平均値算出工程において複数の反射率データの平均値を求めた後、データ選択工程において、複数の反射率データから、平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択し、膜厚算出工程では、選択された複数のデータの平均値に基づいて透光膜の膜厚を算出する。このため、散乱等に起因する異常データを排除した状態で透光膜の膜厚を測定することができる。従って、散乱のない理論的に完全な参照試料やキャブレーション試料の準備や、これらの試料の反射率データの測定等を行う必要がない等、反射膜上の透光膜の膜厚を効率よく測定することができる。
【０００９】
本発明において、前記データ取得工程では、前記第１波長の光に対する複数の反射率データと、前記第１波長と異なる第２波長の光に対する複数の反射率データと、を取得し、前記平均値算出工程では、前記複数の反射率データの平均値を波長毎に算出し、前記データ選択工程では、波長毎に、前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択し、前記膜厚算出工程では、選択された前記複数のデータの平均値を波長毎に求め、当該波長毎の複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する構成を採用することができる。
【００１０】
本発明は、前記反射膜が金属膜であり、当該金属膜上に前記透光膜が積層されている場合に適用すると効果的である。金属膜では表面の荒れに起因する散乱が発生しやすいが、本発明によれば、異常データを排除することにより、散乱の影響を排除することができるので、反射膜上の透光膜の膜厚を効率よく測定することができる。
【００１１】
本発明において、前記金属膜は、例えば、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜である。金属膜のうち、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜の場合は特に、表面の荒れに起因する散乱が発生しやすいが、本発明によれば、異常データを排除することにより、散乱の影響を排除することができるので、反射膜上の透光膜の膜厚を効率よく測定することができる。
【００１２】
本発明において、前記反射膜は、例えば、画素電極である。
【００１３】
本発明において、前記透光膜の膜厚が当該透光膜の表面粗さの１０倍以上であることが好ましい。かかる構成によれば、透光膜の表面粗さの影響を軽減することができる。
【００１４】
本発明において、前記選択範囲は、前記反射膜の前記透光膜と接する面の表面粗さによって異なる範囲に設定され、前記選択範囲は、前記表面粗さが大のときより小のときに広く設定されることが好ましい。かかる構成によれば、反射膜の透光膜と接する面の表面粗さが小のときには、選択範囲を広くするので、異常データの排除を必要最小限に抑えることがきる。
【００１５】
本発明において、前記透光膜の表面を研磨する研磨工程を有し、当該研磨工程では、前記膜厚の算出結果に基づいて前記透光膜の表面に対する研磨量を設定することが好ましい。かかる構成によれば、適正な研磨を行うことができる。
【００１６】
本発明は、電気光学装置の製造方法として構成することができる。この場合、本発明に係る電気光学装置は、反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得工程と、前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出工程と、前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択工程と、選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明は、半導体装置の製造方法として構成することができる。この場合、本発明に係る半導体装置の製造方法は、反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得工程と、前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出工程と、前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択工程と、選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る膜厚測定装置は、反射膜上の透光膜に光を照射したときの反射率の測定を繰り返し行って、少なくとも第１波長の光に対する複数の反射率データを取得するデータ取得部と、前記複数の反射率データの平均値を求める平均値算出部と、前記複数の反射率データから、前記平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択部と、選択された前記複数のデータの平均値を求め、当該複数のデータの平均値に基づいて前記透光膜の膜厚を算出する膜厚算出部と、前記選択範囲を規定する選択条件を設定する選択条件設定部と、を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る膜厚測定装置では、平均値算出部において複数の反射率データの平均値を求めた後、データ選択部において、複数の反射率データから、平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択し、膜厚算出部では、選択された複数のデータの平均値に基づいて透光膜の膜厚を算出する。このため、散乱等に起因する異常データを排除した状態で透光膜の膜厚を測定することができる。従って、散乱のない理論的に完全な参照試料やキャブレーション試料の準備や、これらの試料の反射率データの測定等を行う必要がない等、反射膜上の透光膜の膜厚を効率よく測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明を適用した膜厚測定装置の構成を示す説明図である。
【図２】本発明を適用した膜厚測定装置を用いた膜厚測定方法の説明図である。
【図３】本発明を適用した膜厚測定装置で得た１９０〜７９０ｎｍの反射スペクトルの説明図である。
【図４】本発明を適用した膜厚測定装置で得た１９０〜２５０ｎｍの反射スペクトルの説明図である。
【図５】本発明に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置の具体的構成を示す説明図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置の画素の一構成例を示す説明図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置および第１基板の製造方法において、第１基板の製造に用いられる大型基板の説明図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置および第１基板の製造方法において、データ線上に層間絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明を適用した電気光学装置および第１基板の製造方法において、画素電極上に絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置の画素の別の構成例を示す説明図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を備えた投射型表示装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２２】
［膜厚測定装置の構成］
図１は、本発明を適用した膜厚測定装置の構成を示す説明図である。
【００２３】
図１に示す膜厚測定装置３００は、試料４００において、基板４１０に形成されている反射膜４２０の上層に積層された透光膜４３０の膜厚を測定する装置である。試料４００は、後述する電気光学装置用基板等である。
【００２４】
膜厚測定装置３００は、試料４００が載置されるステージ３３０と、ステージ３３０に載置された試料４００の透光膜４３０に対して斜め方向から検査光Ｌ１を照射する光源部３１０と、光源部３１０を駆動する光源駆動部３１５と、試料４００から斜め方向に反射してきた反射光Ｌ２を受光する光検出装置３２０とを有している。光源部３１０は、検査光Ｌ１として白色光を出射し、光源部３１０から出射された検査光Ｌ１は、透光膜４３０を透過した後、反射膜４２０で反射し、再び透光膜４３０を透過して斜め方向に出射される。光検出装置３２０は、試料４００からの反射光Ｌ２を分光し、受光強度に対応する信号を波長毎に出力する。
【００２５】
膜厚測定装置３００は、ステージ３３０を駆動するステージ駆動部３３５を有しており、ステージ駆動部３３５は、ステージ３３０を駆動することにより、試料４００を光源部３１０および光検出装置３２０に対して相対移動させる。従って、本形態では、所定のタイミングで試料４００を移動させることにより、試料４００に対する検査光Ｌ１の照射位置を移動させ、かかるタイミングに合わせて、光検出装置３２０は、試料４００からの反射光Ｌ２を受光した際の受光強度に対応する信号を出力する。本形態では、かかる反射光Ｌ２の測定を複数回繰り返す。
【００２６】
膜厚測定装置３００は、光検出装置３２０から出力された信号に基づいて、透光膜４３０の膜厚を算出するデータ処理部３５０を有している。本形態の膜厚測定装置３００において、データ処理部３５０は、光検出装置３２０からの出力信号に基づいて、試料４００の波長毎の複数の反射率データを取得するデータ取得部３６０を有している。また、データ処理部３５０は、複数の反射率データの平均値を波長毎に求める平均値算出部３７０と、波長毎に、複数の反射率データから、平均値算出部３７０で求めた平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択するデータ選択部３８０とを有している。また、データ処理部３５０は、選択された複数のデータの平均値を波長毎に求める膜厚算出部３９０を有しており、膜厚算出部３９０は、かかる波長毎の複数のデータの平均値に基づいて透光膜４３０の膜厚を算出する。本形態において、膜厚算出部３９０は、選択された複数のデータの平均値を波長毎に求める再計算部３９１と、再計算部３９１で得られた波長毎の複数のデータの平均値を解析し、かかる平均値の解析結果に基づいて透光膜４３０の膜厚を算出するデータ解析部３９２とを有している。
【００２７】
また、本形態の膜厚測定装置３００は、データ選択部３８０において複数の反射率データから選択範囲内の複数のデータを選択する際の選択範囲を規定する選択条件を設定する選択条件設定部３４０を有している。本形態において、選択条件設定部３４０は、選択条件を入力するキーボードやタッチパネルを備えた選択条件入力部３４１と、選択条件入力部３４１から入力された選択範囲を記憶しておく選択条件記憶部３４２とを有している。
【００２８】
（膜厚測定方法）
図２を参照しながら、本発明を適用した膜厚測定装置３００を用いた膜厚測定方法を説明する。図２は、本発明を適用した膜厚測定装置３００での膜厚測定方法を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、膜厚測定方法のフローチャート、および反射率データの説明図である。図３は、本発明を適用した膜厚測定装置３００で得た１９０〜７９０ｎｍの反射スペクトルの説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、反射スペクトル（反射率データ）の１０回の測定結果（選択前）を重ねて表した説明図、および反射スペクトルを１０回測定した際の各波長における１×σ／平均値を示す説明図である。図４は、本発明を適用した膜厚測定装置３００で得た１９０〜２５０ｎｍの反射スペクトルの説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、反射スペクトル（反射率データ）の１０回の測定結果（選択前の反射率データ）を重ねて表した説明図、および反射率データから選択したデータに対応する反射スペクトルの説明図である。
【００２９】
図１および図２（ａ）において、本形態の膜厚測定装置３００を用いて膜厚測定を行うには、まず、選択条件設定工程ＳＴ９において、複数の反射率データから選択範囲内の複数のデータを選択する際の選択範囲を規定する選択条件を設定する。より具体的には、選択条件入力処理ＳＴ９１において選択条件入力部３４１を操作し、選択条件を入力する。その結果、選択条件記憶処理ＳＴ９２においては、入力された選択条件が選択条件記憶部３４２に記憶される。本形態では、例えば、選択条件を各波長における平均値±１×σ（σ＝標準偏差）と設定する。すなわち、選択範囲を下限値（平均値−１×σ）から上限値（平均値＋１×σ）までと設定する。
【００３０】
次に、基板４１０に形成されている反射膜４２０の上層に透光膜４３０が積層された試料４００をステージ３３０に載置する。
【００３１】
次に、データ取得工程ＳＴ１において、光源部３１０が検査光Ｌ１（白色光）を試料４００の透光膜４３０に向けて出射すると、光検出装置３２０は、試料４００からの反射光Ｌ２を分光し、受光強度に対応する信号を波長毎に出力する。そして、１回の測定が終了すると、ステージ駆動部３３５は、ステージ３３０を駆動することにより、試料４００を移動させる。次に、光源部３１０が検査光Ｌ１（白色光）を試料４００の透光膜４３０に向けて出射し、光検出装置３２０は、再び、試料４００からの反射光Ｌ２を分光し、受光強度に対応する信号を波長毎に出力する。かかる測定を例えば１０回行う。
【００３２】
その間、データ取得部３６０は、光検出装置３２０からの出力信号に基づいて、試料４００の波長毎の複数の反射率データを取得し、記憶しておく。より具体的には、データ取得部３６０は、図２（ｂ）に示すように、第１回目の各波長λ1、λ2、λ3・・毎の反射率データＤ11、Ｄ21、Ｄ31・・、第２回目の各波長λ1、λ2、λ3・・毎の反射率データＤ12、Ｄ22、Ｄ32・・、第３回目の各波長λ1、λ2、λ3・・毎の反射率データＤ13、Ｄ23、Ｄ33・・等、波長毎の１０回分の反射率データを取得し、記憶しておく。このようにして得られた波長毎の１０回分の反射率データは、例えば、図３（ａ）および図４（ａ）に示す反射率スペクトル（選択前）に対応する。ここで、波長λ1は「本発明の第１波長」に相当し、波長λ2は「本発明の第２波長」に相当する。
【００３３】
次に、平均値算出工程ＳＴ２において、平均値算出部３７０は、１０回測定を行ったときの波長λ1の反射率データＤ11、Ｄ12、Ｄ13・・の平均値Ａ1、１０回測定を行ったときの波長λ2の反射率データＤ21、Ｄ22、Ｄ23・・の平均値Ａ2等、波長毎の反射率データの平均値を求める。また、本形態では、１０回測定を行ったときの波長λ1の反射率データＤ11、Ｄ12、Ｄ13・・の標準偏差σ1、１０回測定を行ったときの波長λ2の反射率データＤ21、Ｄ22、Ｄ23・・の標準偏差σ2等、波長毎の標準偏差σも求める。このようにして得た値には、反射膜４２０の表面や透光膜４３０の表面での散乱の影響を受けており、その影響は低波長側で大きい傾向にある。このため、各波長におけるばらつき（１×σ／平均値）は、図３（ｂ）に示す結果となる。
【００３４】
そこで、次のデータ選択工程ＳＴ３において、データ選択部３８０は、波長毎の複数の反射率データＤ11、Ｄ12、Ｄ13・・、Ｄ21、Ｄ22、Ｄ23・・から、平均値Ａ1、Ａ2・・を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択する。
【００３５】
本形態では、選択条件設定工程ＳＴ９において、選択条件設定部３４０において、選択条件が各波長における平均値±１×σに設定されている。従って、データ選択部３８０は、１０回測定を行ったときの波長λ1の反射率データＤ11、Ｄ12、Ｄ13・・のうち、平均値Ａ1±１×σ1で規定される選択範囲内の複数のデータを選択する。例えば、図２（ｂ）には、選択範囲外の反射率データに黒三角が付されており、波長λ1の反射率データＤ11、Ｄ12、Ｄ13・・のうち、反射率データＤ11、Ｄ13を排除し、反射率データＤ12、Ｄ14・・を選択する。
【００３６】
同様に、データ選択部３８０は、１０回測定を行ったときの波長λ2の反射率データＤ21、Ｄ22、Ｄ23・・のうち、平均値Ａ2±１×σ2で規定される選択範囲内の複数のデータを選択する。例えば、波長λ2の反射率データＤ21、Ｄ22、Ｄ23・・のうち、反射率データＤ21を排除し、反射率データＤ22、Ｄ23、Ｄ24・・を選択する。他の波長λ3、λ4・・の反射率データＤ31、Ｄ32、Ｄ33・・、Ｄ41、Ｄ42、Ｄ43・・に対しても同様な選択を行う。
【００３７】
次に、膜厚算出工程ＳＴ４において、膜厚算出部３９０の再計算部３９１は、再計算処理ＳＴ４１として、波長λ1において選択された複数の反射率データＤ11、Ｄ12、Ｄ13・・の平均値Ｂ1、波長λ2において選択された複数の反射率データＤ22、Ｄ23、Ｄ24・・の平均値Ｂ2等、選択された複数の反射率データの波長毎の平均値に求める。このようにして得た平均値Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3・・は、図４（ｂ）に対応し、低波長側等でのばらつきが圧縮されている。
【００３８】
次に、膜厚算出部３９０のデータ解析部３９２は、データ解析処理ＳＴ４２として、波長毎の選択後の平均値Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3・・で規定される反射スペクトルの曲線の波形から透光膜４３０の膜厚を算出する。本形態では、エリプソメトリーを利用して透光膜４３０の膜厚を測定する。このため、光源部３１０は直線偏光を出射し、光検出装置３２０では、反射率データとしてｐ偏光およびｓ偏光を各々検出し、データ解析部３９２は、波長毎の選択後の平均値Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3・・で規定される反射スペクトルの曲線の波形から、ｐ偏光とｓ偏光の複素振幅の比を解析することにより、透光膜４３０の膜厚を算出する。
【００３９】
このような膜厚測定方法では、試料４００の種類等に応じて、選択条件設定工程ＳＴ９および選択条件設定部３４０において、最適な条件が設定される。
【００４０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の膜厚測定装置３００および膜厚測定方法では、平均値算出工程ＳＴ２（平均値算出部３７０）において複数の反射率データの平均値を求めた後、データ選択工程ＳＴ３（データ選択部３８０）において、複数の反射率データから、平均値を基準に設定した選択範囲内の複数のデータを選択し、膜厚算出工程ＳＴ４（膜厚算出部３９０）では、選択された複数のデータの平均値に基づいて透光膜４３０の膜厚を算出する。このため、散乱等に起因する異常データを排除した状態で透光膜４３０の膜厚を測定することができる。また、本形態では、エリプソメトリーを利用して透光膜４３０の膜厚を測定する。従って、散乱のない理論的に完全な参照試料やキャブレーション試料の準備や、これらの試料の反射率データの測定等を行う必要がない等、反射膜４２０上の透光膜４３０の膜厚を効率よく測定することができる。
【００４１】
また、本形態によれば、反射膜４２０がアルミニウム等の金属膜であっても、反射膜４２０上の透光膜４３０の膜厚を効率よく測定することができる。すなわち、反射膜４２０がアルミニウム等の金属膜である場合、表面の荒れに起因する散乱が発生しやすいが、本形態によれば、異常データを排除することにより、散乱の影響を排除することができるので、反射膜４２０上の透光膜４３０の膜厚を効率よく測定することができる。
【００４２】
また、本形態では、試料４００の種類等に応じて、選択条件設定工程ＳＴ９および選択条件設定部３４０において、最適な条件が設定される。例えば、反射膜４２０の透光膜４３０と接する面の表面粗さが小のときには、表面粗さが大のときより、選択範囲を広く設定することができる。かかる構成によれば、反射膜４２０の透光膜４３０と接する面の表面粗さが小のときには、選択範囲を広くするので、異常データの排除を必要最小限に抑えることがきる。
【００４３】
なお、透光膜４３０の表面粗さが膜厚の測定結果に影響を及ぼさないように、透光膜４３０の膜厚が透光膜４３０の表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）の１０倍以上であることが好ましい。かかる構成によれば、透光膜４３０の表面粗さの影響を軽減することができる。
【００４４】
［電気光学装置の製造方法および電気光学装置用基板の製造方法への適用］
（電気光学装置全体構成）
図５は、本発明に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図６は、本発明に係る電気光学装置の具体的構成を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は各々、電気光学装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００４５】
図５に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（電気光学装置用基板）には、画素領域１０ｂの内側でデータ線６ａと走査線３ａとが互いに交差する方向に延在しており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素スイッチング素子３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素スイッチング素子３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００４６】
第１基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００４７】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。
【００４８】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０（電気光学装置用基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７で囲まれた空間内には液晶層５０が保持されている。本形態において、第１基板１０の基板本体１０ｄは透光性基板であり、第２基板２０の基板本体２０ｄも透光性基板である。なお、第１基板１０の基板本体１０ｄとしては、単結晶シリコン基板等、不透明な基板を用いてもよい。
【００４９】
第１基板１０において、シール材１０７の外側領域では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。第２基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。
【００５０】
詳しくは後述するが、第１基板１０には、アルミニウムやアルミニウム合金等といったアルミニウム系材料や、銀や銀合金等といった銀系材料からなる反射性の画素電極９ａ（反射膜）がマトリクス状に形成されている。本形態では、画素電極９ａには、上記の金属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金等といったアルミニウム系材料が用いられている。
【００５１】
これに対して、第２基板２０には、シール材１０７より内側に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側に表示領域１０ａが設けられている。第２基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極２１（透光性電極）が形成されている。なお、第２基板２０には画素電極９ａ間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。
【００５２】
なお、画素領域１０ｂには、額縁１０８等と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が表示領域１０ａとして利用されることになる。
【００５３】
かかる反射型の電気光学装置１００においては、第２基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。第２基板２０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置される。電気光学装置１００は、図１２を参照して後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）のライトバルブとして用いられる場合、各色の光が入射することになるので、カラーフィルターは形成されない。これに対して、電気光学装置１００を、モバイルコンピューターや携帯電話機等といった電子機器において直視型のカラー表示装置として用いる場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。
【００５４】
（各画素の構成）
図７は、本発明に係る電気光学装置１００の画素の一構成例を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、反射型の電気光学装置１００に用いた第１基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図７（ａ）において、データ線６ａは一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは細い点線で示し、画素電極９ａについては二点鎖線で示してある。
【００５５】
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０には、石英基板やガラス基板等からなる基板本体１０ｄの第１面１０ｓおよび第２面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する第１面１０ｓに二酸化シリコン膜等からなる透光性の下地絶縁層１５０が形成されているとともに、下地絶縁層１５０に対して液晶層５０側には、画素電極９ａと平面視で部分的に重なる位置にＮチャネル型の画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。半導体層１ａに対して液晶層５０の側には、二酸化シリコン膜や窒化シリコン膜からなるゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の液晶層５０の側には、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。また、半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。
【００５６】
本形態において、画素スイッチング素子３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えているが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁層２は、熱酸化により形成された二酸化シリコン膜からなるが、ＣＶＤ法等により形成された二酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を用いることもできる。さらに、ゲート絶縁層２には、熱酸化により形成された二酸化シリコン膜と、ＣＶＤ法等により形成された二酸化シリコン膜や窒化シリコン膜との多層膜を用いることもできる。
【００５７】
画素スイッチング素子３０に対して液晶層５０の側には、二酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜７１、７２が形成されている。層間絶縁膜７１と層間絶縁膜７２との間には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。本形態において、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、アルミニウムやアルミニウム合金等といったアルミニウム系材料からなる層６ｓと、窒化チタン膜６ｔとの２層構造になっており、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、反射膜として構成さされている。
【００５８】
層間絶縁膜７２の液晶層５０の側には、複数の画素１００ａの各々に、アルミニウムやアルミニウム合金等といったアルミニウム系材料からなる画素電極９ａ（反射膜）が形成されており、画素電極９ａは、層間絶縁膜７２に形成されたコンタクトホール７２ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。かかる電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、コンタクトホール７２ｂの内部は、プラグ８ａと称せられる導電膜によって埋められ、画素電極９ａは、プラグ８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。層間絶縁膜７２の液晶層５０側の面とプラグ８ａの液晶層５０側の面とは、連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面に画素電極９ａが形成されている。
【００５９】
画素電極９ａの液晶層５０側には、透光性の平坦化用絶縁膜１９、および酸化シリコン膜等の斜方蒸着膜からなる配向膜１６がこの順に積層されている。
【００６０】
第２基板２０では、基板本体２０ｄにおいて第１基板１０と対向する面全体にＩＴＯ膜からなる共通電極２１が形成され、共通電極２１の液晶層５０側には、酸化シリコン膜等の斜方蒸着膜からなる配向膜２６がこの順に形成されている。
【００６１】
このように構成した第１基板１０と第２基板２０は、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、第１基板１０および第２基板２０に形成された配向膜１６および配向膜２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したもの等からなる。
【００６２】
本形態において、第２基板２０の側では、共通電極２１が第２基板２０の略全面に形成されていることから、共通電極２１の表面は平坦面である。従って、斜方蒸着によって配向膜２６を適正に形成することができる。
【００６３】
これに対して、第１基板１０の側では、画素電極９ａが各画素１００ａ毎に独立した形状に形成されている。このため、隣り合う画素電極９ａに挟まれた領域と、画素電極９ａの形成領域との間には、画素電極９ａの厚さに相当する段差が存在するが、かかる段差は、透光性の平坦化用絶縁膜１９で埋められている。また、透光性の平坦化用絶縁膜１９の液晶層５０側の面は平坦面になっている。従って、配向膜１６を平坦面に斜方蒸着により適正に形成することができる。
【００６４】
（電気光学装置１００および第１基板１０の製造方法）
以下、図８、図９および図１０を参照して、本発明を適用した電気光学装置１００および第１基板１０の製造方法を説明する。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００および第１基板１０の製造方法において、第１基板１０の製造に用いられる大型基板の説明図である。図９は、本発明を適用した電気光学装置１００および第１基板１０の製造方法において、データ線６ａ上に層間絶縁膜７２を形成する工程を示す断面図である。図１０は、本発明を適用した電気光学装置１００および第１基板１０の製造方法において、画素電極９ａ上に平坦化用絶縁膜１９を形成する工程を示す断面図である。
【００６５】
以下に説明する工程は、図８に示すように、複数の第１基板１０を得ることができる大型の基板１０ｘ（マザー基板）の状態で行われる。基板１０ｘは、例えば、シリコンウェーハと同様、円板状である。基板１０ｘにおいて、複数の第１基板１０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域１０ｙであり、それ以外の領域は、分割工程で除去される無効領域１０ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。
【００６６】
まず、図９（ａ）に示すように、大型の基板１０ｘに対して、アルミニウム系材料からなる層６ｓと、窒化チタン膜６ｔとの２層のデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。
【００６７】
次に、図９（ｂ）に示す層間絶縁膜形成工程によって、大型の基板１０ｘに対して層間絶縁膜７２（透光膜）を形成する。より具体的には、データ線６ａの表面、ドレイン電極６ｂの表面、およびデータ線６ａやドレイン電極６ｂで挟まれた領域の表面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法や、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の方法によって、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜７２を形成する。層間絶縁膜７２の膜厚は、層間絶縁膜７２の表面粗さの１０倍以上である。
【００６８】
次に、図１〜図４を参照して説明した膜厚測定方法および膜厚測定装置３００によって、データ線６ａやドレイン電極６ｂからなる反射膜上の層間絶縁膜７２の膜厚を測定する。その際、反射膜（データ線６ａやドレイン電極６ｂ）は、アルミニウム系材料からなる層６ｓと、窒化チタン膜６ｔとの２層構造になっており、アルミニウム系材料からなる層６ｓ上に層間絶縁膜７２を形成した場合に比して、層間絶縁膜７２の成膜の際の熱等の影響による表面の荒れが発生しにくい。このため、データ線６ａやドレイン電極６ｂからなる反射膜の表面粗さが、後述する画素電極９ａの表面粗さより小さい。従って、反射膜（データ線６ａやドレイン電極６ｂ）の表面での散乱の影響が小さいので、図１および図２を参照して説明した選択条件設定工程ＳＴ９および選択条件設定部３４０において設定される選択条件を、例えば、平均値±３×σとする。すなわち、図１０を参照して後述する工程よりも、選択範囲を広くする。
【００６９】
このような膜厚測定の際、データ線６ａやドレイン電極６ｂでは面積が狭い場合がある。このような場合、基板１０ｘ（第１基板１０）上にデータ線６ａやドレイン電極６ｂと同時形成した透光膜検査用の反射膜（図示せず）を形成し、かかる反射膜上に形成された層間絶縁膜７２に検査光Ｌ１を照射して膜厚を測定する。透光膜検査用の反射膜は、図８に示す無効領域１０ｚに形成してもよいし、第１基板１０が切り出される領域（有効領域１０ｙ）のうち、第１基板１０の動作に支障のない領域に形成してもよい。
【００７０】
次に、図９（ｃ）に示す研磨工程では、上記の膜厚測定結果に基づいて、所定の厚さ分、層間絶縁膜７２の表面を研磨する。その際、データ線６ａ上の層間絶縁膜７２やドレイン電極６ｂ上の層間絶縁膜７２と同時に、透光膜検査用の反射膜上の層間絶縁膜７２の表面も研磨する。
【００７１】
かかる研磨工程では、化学機械研磨を利用することができる。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と基板１０ｘとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、基板１０ｘを保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と基板１０ｘとの間に供給する。
【００７２】
そして、再度、図１〜図４を参照して説明した膜厚測定方法および膜厚測定装置３００によって、データ線６ａやドレイン電極６ｂからなる反射膜上の層間絶縁膜７２の膜厚を測定する。その際も、透光膜検査用の反射膜上に形成された層間絶縁膜７２に検査光Ｌ１を照射して膜厚を測定する。また、今回の膜厚測定の際も、前回の膜厚測定と同様、選択条件は、例えば、平均値±３×σのままである。
【００７３】
次に、図９（ｄ）に示す研磨工程では、上記の膜厚測定結果に基づいて、所定の厚さ分、層間絶縁膜７２の表面を研磨する。そして、再度、図１〜図４を参照して説明した膜厚測定方法および膜厚測定装置３００によって、データ線６ａやドレイン電極６ｂからなる反射膜上の層間絶縁膜７２の膜厚を測定する。その際も、透光膜検査用の反射膜上に形成された層間絶縁膜７２に検査光Ｌ１を照射して膜厚を測定する。また、今回の膜厚測定の際も、前回の膜厚測定と同様、選択条件は、例えば、平均値±３×σのままである。その結果、層間絶縁膜７２の膜厚が所定になっていれば、層間絶縁膜７２に対する研磨を終了する。
【００７４】
次に、図１０（ａ）に示すように、大型の基板１０ｘに対して、コンタクトホール７２ｂやプラグ８ａを形成した後、アルミニウム系材料からなる反射膜（図示せず）を形成する。次に、反射膜の表面を研磨して反射膜の表面を平坦化する。次に、反射膜をパターニングして画素電極９ａを形成する。
【００７５】
次に、図１０（ｂ）に示す絶縁膜形成工程によって、大型の基板１０ｘに対して平坦化用絶縁膜１９（透光膜）を形成する。より具体的には、画素電極９ａの表面、および画素電極９ａで挟まれた領域の表面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法等の方法によって、酸化シリコン膜からなる平坦化用絶縁膜１９を形成する。かかる平坦化用絶縁膜１９の膜厚は、平坦化用絶縁膜１９の表面粗さの１０倍以上である。
【００７６】
次に、図１〜図４を参照して説明した膜厚測定方法および膜厚測定装置３００によって、画素電極９ａからなる反射膜上の平坦化用絶縁膜１９の膜厚を測定する。ここで、反射膜（画素電極９ａ）は、アルミニウム系材料からなり、平坦化用絶縁膜１９の成膜の際の熱等の影響で表面に荒れが発生しやすい。このため、画素電極９ａからなる反射膜の表面粗さが、データ線６ａやドレイン電極６ｂからなる反射膜の表面粗さより大きい。従って、反射膜（画素電極９ａ）の表面での散乱の影響が大きいので、図１および図２を参照して説明した選択条件設定工程ＳＴ９および選択条件設定部３４０において設定される選択条件を、例えば、平均値±１×σとする。すなわち、図９を参照して説明した工程よりも、選択範囲を狭くする。
【００７７】
このような膜厚測定の際、画素電極９ａでは面積が狭い場合がある。このような場合、基板１０ｘ（第１基板１０）上に画素電極９ａと同時形成した透光膜検査用の反射膜（図示せず）を形成し、かかる反射膜上に形成された平坦化用絶縁膜１９に検査光Ｌ１を照射して膜厚を測定する。透光膜検査用の反射膜は、図８に示す無効領域１０ｚに形成してもよいし、第１基板１０が切り出される領域（有効領域１０ｙ）のうち、第１基板１０の動作に支障のない領域に形成してもよい。
【００７８】
次に、図１０（ｃ）に示す研磨工程では、上記の膜厚測定結果に基づいて、所定の厚さ分、平坦化用絶縁膜１９の表面を研磨する。その際、画素電極９ａの平坦化用絶縁膜１９と同時に、透光膜検査用の反射膜上の平坦化用絶縁膜１９の表面も研磨する。かかる研磨工程では、化学機械研磨を利用することができる。
【００７９】
そして、再度、図１〜図４を参照して説明した膜厚測定方法および膜厚測定装置３００によって、画素電極９ａからなる反射膜上の平坦化用絶縁膜１９の膜厚を測定する。その際も、透光膜検査用の反射膜上に形成された平坦化用絶縁膜１９に検査光Ｌ１を照射して膜厚を測定する。また、今回の膜厚測定の際も、前回の膜厚測定と同様、選択条件は、例えば、平均値±１×σのままである。
【００８０】
次に、図１０（ｄ）に示す研磨工程では、上記の膜厚測定結果に基づいて、所定の厚さ分、平坦化用絶縁膜１９の表面を研磨する。そして、再度、図１〜図４を参照して説明した膜厚測定方法および膜厚測定装置３００によって、画素電極９ａからなる反射膜上の平坦化用絶縁膜１９の膜厚を測定する。その際も、透光膜検査用の反射膜上に形成された平坦化用絶縁膜１９に検査光Ｌ１を照射して膜厚を測定する。また、今回の膜厚測定の際も、前回の膜厚測定と同様、選択条件は、例えば、平均値±１×σのままである。その結果、平坦化用絶縁膜１９の膜厚が所定になっていれば、平坦化用絶縁膜１９に対する研磨を終了する。
【００８１】
次に、配向膜１６を形成し、しかる後に基板１０ｘを単品サイズの第１基板１０に分割する。
【００８２】
［電気光学装置１００および第１基板１０の別の構成例］
図１１は、本発明に係る電気光学装置１００の画素の別の構成例を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、図７に示す形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８３】
図１１に示す電気光学装置１００および第１基板１０（電気光学装置用基板）では、画素電極９ａと平坦化用絶縁膜１９との間に誘電体多層膜１８（透光膜）が形成されている。より具体的には、画素電極９ａと平坦化絶縁膜１９との間には、誘電体多層膜１８の下層を構成する第１誘電体膜１８１（透光膜）が形成されており、第１誘電体膜１８１と平坦化絶縁膜１９との間には、誘電体多層膜１８の上層を構成する第２誘電体膜１８２（透光膜）が形成されている。第１誘電体膜１８１は、厚さが６０〜８０ｎｍの二酸化シリコン膜（ＳｉＯ2／屈折率＝１．４６）であり、第２誘電体膜１８２は、厚さが５０〜７０ｎｍの窒化シリコン膜（Ｓｉ3Ｎ4／屈折率＝２．０５）であり、第２誘電体膜１８２（窒化シリコン膜）は、第１誘電体膜１８１（二酸化シリコン膜）よりも屈折率が大きい。また、第１誘電体膜１８１および第２誘電体膜１８２の各々の光学的膜厚ｎｄ（ｎ＝屈折率、ｄ＝膜厚）は、設計の際の波長λ0の１／４倍に設定されている。従って、誘電体多層膜１８は、画素電極９ａ表面での反射率を高める増反射膜として機能する。
【００８４】
このような構成の電気光学装置１００および第１基板１０を製造する際には、画素電極９ａの表面、および隣り合う画素電極９ａで挟まれた境界領域で露出している層間絶縁膜７２の表面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法等の方法によって、厚さが６０〜８０ｎｍの二酸化シリコン膜からなる第１誘電体膜１８１を形成する。次に、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等によって、厚さが５０〜７０ｎｍの窒化シリコン膜からなる第２誘電体膜１８２を形成する。
【００８５】
本形態では、第１誘電体膜１８１および第２誘電体膜１８２を形成する際、図１〜図４を参照して説明した膜厚測定方法および膜厚測定装置３００によって、画素電極９ａからなる反射膜上の第１誘電体膜１８１および第２誘電体膜１８２の膜厚を測定する。
【００８６】
具体的には、第１誘電体膜１８１を成膜した後、第１誘電体膜１８１の膜厚を測定する。また、第１誘電体膜１８１の膜厚を測定した後、膜厚の測定結果に基づいて、第１誘電体膜１８１を研磨し、第１誘電体膜１８１の膜厚を調整してもよい。また、第１誘電体膜１８１を成膜した後、第１誘電体膜１８１の膜厚を測定し、膜厚の測定結果に基づいて、第１誘電体膜１８１の成膜を再度行ってもよい。
【００８７】
また、第２誘電体膜１８２を成膜した後、第２誘電体膜１８２の膜厚を測定する。また、第２誘電体膜１８２の膜厚を測定した後、膜厚の測定結果に基づいて、第２誘電体膜１８２を研磨し、第２誘電体膜１８２の膜厚を調整してもよい。また、第２誘電体膜１８２を成膜した後、第２誘電体膜１８２の膜厚を測定し、膜厚の測定結果に基づいて、第２誘電体膜１８２の成膜を再度行ってもよい。
【００８８】
［半導体装置の製造方法］
図８〜図１０に示す第１基板１０（電気光学装置用基板）の製造方法は、例えば、半導体チップ等の半導体装置の製造方法にも適用することができる。
【００８９】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型の電気光学装置１００は、図１２に示す投射型表示装置（液晶プロジェクター／電子機器）や携帯用の電子機器に用いることができる。
【００９０】
（投射型表示装置の構成例）
図１２は、本発明に係る電気光学装置１００を備えた投射型表示装置の説明図である。
【００９１】
図１２に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００９２】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９３】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【００９４】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【００９５】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９６】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【００９７】
（他の投射型表示装置）
投射型表示装置については、光源部として、ＬＥＤ光源を用いてもよい。また、投射型表示装置については、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置１００に供給するように構成してもよい。また、電気光学装置１００にカラーフィルターを形成し、１つの電気光学装置１００によってカラー画像を投射する投射型表示装置を構成してもよい。
【００９８】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
６ａ・・データ線（反射膜）、６ｂ・・ドレイン電極（反射膜）、６ｓ・・アルミニウム系材料からなる層、６ｔ・・窒化チタン膜、９ａ・・画素電極（反射膜）、１０・・第１基板（電気光学装置用基板）、１８・・誘電体多層膜（透光膜）、１９・・平坦化用絶縁膜（透光膜）、１００・・電気光学装置、１８１・・第１誘電体膜（透光膜）、１８２・・第２誘電体膜（透光膜）、３００・・膜厚測定装置、３１０・・光源部、３２０・・光検出装置、３３０・・ステージ、３４０・・選択条件設定部、３４１・・選択条件入力部、３４２・・選択条件記憶部、３５０・・データ処理部、３６０・・データ取得部、３７０・・平均値算出部、３８０・・データ選択部、３９０・・膜厚算出部、３９１・・再計算部、３９２・・データ解析部、４００・・試料、４２０・・反射膜、４３０・・透光膜、１０００・・投射型表示装置（電子機器）、Ｌ１・・検査光、Ｌ２・・反射光、ＳＴ１・・データ取得工程、ＳＴ２・・平均値算出工程、ＳＴ３・・データ選択工程、ＳＴ４・・膜厚算出工程、ＳＴ４１・・再計算処理、ＳＴ４２・・データ解析処理、ＳＴ９・・選択条件設定工程、ＳＴ９１・・選択条件入力処理、ＳＴ９２・・選択条件記憶処理
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図３】
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【図４】
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【図１１】
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