(57)【要約】【課題】陰極の電子注入性を確保しつつ、発光層からの光に対する陰極の反射率および透過率を優れたものとすることができる発光素子を提供すること、また、高効率な発光素子を備える発光装置および電子機器を提供すること。【解決手段】発光素子１は、陰極８と、陽極３と、陰極８と陽極３との間に設けられた発光層５と、を有し、陰極８は、Ａｇに主にＡｌを添加したＡｇ系合金で構成されている電子注入電極層８ａと、電子注入電極層８ａに対して陽極３とは反対側に設けられた半反射層８ｂと、を含んで構成されている。【選択図】図１
2015173042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられた発光層と、を有し、
前記陰極は、Ａｇに主にＡｌを添加したＡｇ系合金で構成されている電子注入電極層と、前記電子注入電極層に対して前記陽極とは反対側に設けられた半反射層と、を含んで構成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記電子注入電極層の厚さが０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下である請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記電子注入電極層中におけるＡｇの含有量は、８０原子％以上９９．９原子％以下である請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記半反射層は、ＡｇまたはＡｇ系合金で構成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記半反射層を構成する前記Ａｇ系金属は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒから選択される１種または２種を組み合わせた添加金属がＡｇに添加されている請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記半反射層中におけるＡｇの含有量は、前記電子注入電極層中におけるＡｇの含有量よりも多い請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記半反射層の厚さは、前記電子注入電極層の厚さよりも厚い請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光素子を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
いわゆるトップエミッション型の発光素子では、一般に、特許文献１、２に開示されているように、陰極を半透過性を有するものとし、陰極側から光を出射させる。
【０００４】
特許文献１に係る発光素子は、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝９：１）の薄膜で陰極を構成することにより、陰極を電子注入性および半透過性を有するものとしている。また、特許文献２に係る発光素子は、発光素子側から第１金属層、第２金属層の順に積層された陰極を有し、第１金属層が、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｒｕ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ａｃ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ｐｕ、Ａｍ、Ｃｍ、Ｂｋ、Ｃｆ、Ｅｓ、Ｆｍ、Ｍｄ及びＮｏからなる群から選択された金属およびＡｇの合金からなり、第２金属層は、Ａｇ、Ａｌ、ＣｕまたはＣｒからなる。
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に係る発光素子では、発光層で発生した光が陰極で吸収されやすく、発光層で発生した光に対する陰極の反射率および透過率は低いものとなってしまう。そのため、発光素子から出射する光の輝度を十分に高めることができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−７７６８１号公報
【特許文献２】特開２０１０−２７８００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、陰極の電子注入性を確保しつつ、発光層からの光に対する陰極の反射率および透過率を優れたものとすることができる発光素子を提供すること、また、高効率な発光素子を備える発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられた発光層と、を有し、
前記陰極は、Ａｇに主にＡｌを添加したＡｇ系合金で構成されている電子注入電極層と、前記電子注入電極層に対して前記陽極とは反対側に設けられた半反射層と、を含んで構成されていることを特徴とする。
【０００９】
このような発光素子によれば、電子注入電極層がＡｇＡｌ系合金で構成されているため、陰極の電子注入性を確保しつつ、電子注入電極層での光の吸収を小さくすることができる。また、電子注入電極層に対して陽極とは反対側に半反射層が設けられており、半反射層には電子注入性が要求されないため、発光層からの光に対する半反射層の反射率および透過率を高めて、発光層からの光に対する陰極全体の反射率および透過率を高めることができる。このようなことから、陰極の電子注入性を確保しつつ、発光層からの光に対する陰極の反射率および透過率を優れたものとすることができる。
【００１０】
本発明の発光素子では、前記電子注入電極層の厚さが０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
これにより、陰極の電子注入性を確保しつつ、電子注入電極層での光の吸収を効果的に小さくすることができる。
【００１２】
本発明の発光素子では、前記電子注入電極層中におけるＡｇの含有量は、８０原子％以上９９．９原子％以下であることが好ましい。
【００１３】
これにより、陰極の電子注入性を確保しつつ、電子注入電極層での光の吸収を効果的に小さくすることができる。
【００１４】
本発明の発光素子では、前記半反射層は、ＡｇまたはＡｇ系合金で構成されていることが好ましい。
【００１５】
これにより、発光層からの光に対する半反射層の反射率および透過率を効果的に高めることができる。
【００１６】
本発明の発光素子では、前記半反射層を構成する前記Ａｇ系金属は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒから選択される１種または２種を組み合わせた添加金属がＡｇに添加されていることが好ましい。
【００１７】
これにより、半反射層がＡｇ系合金で構成されている場合においても、発光層からの光に対する半反射層の反射率および透過率を効果的に高めることができる。
【００１８】
本発明の発光素子では、前記半反射層中におけるＡｇの含有量は、前記電子注入電極層中におけるＡｇの含有量よりも多いことが好ましい。
【００１９】
これにより、電子注入電極層の電子注入性と、発光層からの光に対する半反射層の反射率および透過率とのバランスを優れたものとすることができる。
【００２０】
本発明の発光素子では、前記半反射層の厚さは、前記電子注入電極層の厚さよりも厚いことが好ましい。
【００２１】
これにより、電子注入電極層での光の吸収を小さくしつつ、発光層からの光に対する半反射層の反射率および透過率を高めることができる。
【００２２】
本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、高効率な発光素子を備える発光装置を提供することができる。
【００２３】
本発明の電子機器は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、高効率な発光素子を備える電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態に係る発光素子を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の電子機器の一例である認証装置の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施形態に係る発光素子を模式的に示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００２７】
図１に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１は、反射膜１１と陽極３と正孔注入層４と発光層５と電子輸送層６と電子注入層７と陰極８とがこの順に積層されてなるものである。すなわち、発光素子１では、陽極３と陰極８との間に、陽極３側から陰極８側へ正孔注入層４と発光層５と電子輸送層６と電子注入層７とがこの順で積層された積層体１４が介挿され、陽極３に対して積層体１４とは反対側に反射膜１１が設けられている。
【００２８】
そして、発光素子１は、その全体が基板１０上に設けられるとともに、図示しない封止部材で封止されている。
【００２９】
このような発光素子１にあっては、陽極３および陰極８に駆動電圧が印加されることにより、発光層５に対し、それぞれ、陰極８側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、発光層５では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。これにより、発光素子１は、発光する。この発光素子１は、基板１０とは反対側から光を取り出す構成（トップエミッション構造）である。
【００３０】
特に、この発光素子１は、陰極８が、Ａｇに主にＡｌを添加したＡｇ系合金で構成されている電子注入電極層８ａと、電子注入電極層８ａに対して陽極３とは反対側に設けられた半反射層８ｂと、を含んで構成されている。これにより、発光層５からの光を基板１０とは反対側へ効率的に取り出すことができる。
【００３１】
基板１０は、発光素子１を支持するものである。本実施形態の発光素子１は、トップエミッション構造であるため、基板１０は、透明基板および不透明基板のいずれであってもよい。
【００３２】
基板１０の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料、アルミナのようなセラミックス材料、金属材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、基板１０の構成材料として２種以上の材料を組み合わせて用いる場合、混合して用いてもよいし、積層して用いてもよい。また、基板１０の表面（特に陽極３側の面）は、絶縁性を有することが好ましい。
【００３３】
このような基板１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００３４】
以下、発光素子１を構成する各部を順次説明する。
（反射膜）
反射膜１１は、発光層５からの光を反射する機能を有する。
【００３５】
この反射膜１１の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金等の金属材料を用いることができる。
【００３６】
また、反射膜１１は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる誘電体多層膜（光学多層薄膜）で構成することもできる。高屈折率層を構成する材料としては、例えば、Ｔｉ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、酸化ニオブ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｈＯ２などが挙げられるが、特に、Ｔｉ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、酸化ニオブなどが好適に用いられる。低屈折率層を構成する材料としては、例えば、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２などが挙げられるが、特に、ＳｉＯ２が好適に用いられる。反射膜１１を構成する高屈折率層および低屈折率層の層数、厚さは、必要とする光学特性に応じて設定される。一般に、誘電体多層膜により反射膜を構成する場合、その光学特性を得るために必要な層数は１２層以上である。
【００３７】
なお、本実施形態では、発光素子１がトップエミッション型であるため、反射膜１１に光透過性は要求されない。
【００３８】
また、反射膜１１の厚さは、前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００３９】
なお、この反射膜１１は、省略することができる。この場合、前述した陽極３または基板１０が反射性を有するように構成することで、反射膜１１と同様の効果を発揮させることができる。
【００４０】
（陽極）
陽極３は、正孔注入層４に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００４１】
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
特に、陽極３は、ＩＴＯで構成されているのが好ましい。ＩＴＯは、透明性を有するとともに、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料である。これにより、陽極３から正孔注入層４へ効率的に正孔を注入することができる。
【００４３】
また、陽極３の正孔注入層４側の面（図１にて上面）は、プラズマ処理が施されているのが好ましい。これにより、陽極３と正孔注入層４との接合面の化学的および機械的な安定性を高めることができる。その結果、陽極３から正孔注入層４への正孔注入性を向上させることができる。
【００４４】
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４５】
（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有する（すなわち正孔注入性を有する）ものである。これにより、発光素子１の発光効率を高めることができる。ここで、正孔注入層４は、陽極３から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能をも有する（すなわち正孔輸送性を有する）ものである。したがって、正孔注入層４は、前述したように正孔輸送性を有することから、正孔輸送層であるということもできる。なお、正孔注入層４と発光層５との間に、正孔注入層４とは異なる材料（例えばベンジジン誘導体等のアミン系化合物）で構成された正孔輸送層を別途設けてもよい。
【００４６】
この正孔注入層４は、正孔注入性を有する材料（正孔注入性材料）を含んでいる。
この正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、特に限定されず、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ, Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミン等のアミン系材料が挙げられる。
【００４７】
中でも、正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料を用いるのが好ましく、ジアミノベンゼン誘導体、ベンジジン誘導体（ベンジジン骨格を有する材料）、分子内に「ジアミノベンゼン」ユニットと「ベンジジン」ユニットとの両方を有するトリアミン系化合物、テトラアミン系化合物を用いるのがより好ましい。
【００４８】
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４９】
（発光層）
発光層５は、前述した陽極３と陰極８との間に通電することにより、発光するものである。
【００５０】
この発光層５の構成材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５１】
具体的には、赤色に発光する蛍光材料としては、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。
【００５２】
また、赤色に発光する燐光材料としては、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００５３】
また、緑色に発光する蛍光材料としては、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。
【００５４】
また、緑色に発光する燐光材料としては、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウム等が挙げられる。
【００５５】
また、青色に発光する蛍光材料としては、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。
【００５６】
また、青色に発光する燐光材料としては、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。
【００５７】
また、赤外光を発する発光材料としては、例えば、分子内に電子供与体であるアミンと電子受容体であるニトリル基とを官能基として共存させたもの（例えば、特開２０００−０９１０７３号公報、特開２００１−１１０５７０号公報参照）、下記一般式ＩＲＤ１で表される化合物（具体的には、例えば、下記式ＩＲＤ１−１〜下記式ＩＲＤ１−１２で表される化合物）等のチアジアゾール系化合物、下記一般式ＩＲＤ３で表される化合物（具体的には、例えば、下記式ＩＲＤ３−１〜下記式ＩＲＤ３−５で表される化合物）等のピロメテン系ホウ素錯体等が挙げられる。
【００５８】
【化１】
2015173042.tif 000003
［前記一般式ＩＲＤ１において、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、またはトリアリールアミンを示す。］
【００５９】
【化２】
2015173042.tif 000004
［前記式ＩＲＤ３中、Ｘは、水素が結合している炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒは、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリル基、アルコキシ基、もしくは複素環基を示す。］
【００６０】
なお、発光層５は、上述した発光材料以外の発光材料（各種蛍光材料、各種燐光材料）が含まれていてもよい。
【００６１】
また、発光層５は、前述したような発光材料に加えて、この発光材料がゲスト材料（ドーパント）として添加（担持）されるホスト材料を含んで構成されている。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。そのため、発光素子１の発光効率を高めることができる。このようなホスト材料は、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
【００６２】
このホスト材料としては、特に限定されないが、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、アントラセン、テトラセン等のアセン系材料またはその誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６３】
このような発光材料およびホスト材料を含む発光層５中における発光材料の含有量（ドープ量）は、特に限定されないが、０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのが好ましく、０．２５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であるのがより好ましく、０．２５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下であるのがさらに好ましい。
【００６４】
また、発光層５の平均厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。これにより、発光素子１の駆動電圧を抑制しつつ、発光素子１の長寿命化を図ることができる。
【００６５】
（電子輸送層）
電子輸送層６は、陰極８から電子注入層７を介して注入された電子を発光層５に輸送する機能を有するものである。
【００６６】
電子輸送層６の構成材料（電子輸送性材料）としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールないしその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、アザインドリジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラセン系材料等のアセン系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６７】
また、電子輸送層６は、前述したような電子輸送性材料のうち２種以上を組み合わせて用いる場合、２種以上の電子輸送性材料を混合した混合材料で構成されていてもよいし、異なる電子輸送性材料で構成された複数の層を積層して構成されていてもよい。
【００６８】
また、電子輸送層６全体の厚さは、特に限定されないが、例えば、５５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、５５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６９】
（電子注入層）
電子注入層７は、陰極８からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００７０】
この電子注入層７の構成材料（電子注入性材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００７１】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層７を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層７を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００７２】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
【００７３】
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
【００７４】
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
【００７５】
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００７６】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
電子注入層７の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００７８】
なお、この電子注入層７は、陰極８および電子輸送層６の構成材料や厚さ等によっては、省略してもよい。
【００７９】
（陰極）
一方、陰極８は、電子注入層７を介して電子輸送層６に電子を注入する電極である。この陰極８は、Ａｇに主にＡｌを添加したＡｇ系合金で構成されている電子注入電極層８ａと、電子注入電極層８ａに対して陽極３とは反対側に設けられた半反射層８ｂと、を含んで構成されている。
【００８０】
Ａｇは、電子注入性をほとんど有しないが、光に対する反射率および透過率が高い（言い換えると、吸収率が低い）。一方、Ａｌは、電子注入性を有するものの、Ａｇに比べて光の吸収が大きい。ＡｇＡｌ系合金では、Ａｇの含有量がＡｌよりも大きいため、言い換えると、Ａｌの含有量がＡｇよりも少ないため、光の吸収を小さくすることができる。また、ＡｇＡｌ系合金では、Ａｌが含まれているため、電子注入性を発揮することができる。また、Ａｌは、電子注入性を有しながら、Ｍｇ等の他の添加金属と比べて、光の吸収が少ない。したがって、電子注入電極層８ａがＡｇＡｌ系合金で構成されていることにより、陰極８の電子注入性を確保しつつ、電子注入電極層８ａでの光の吸収を小さくすることができる。
【００８１】
また、電子注入電極層８ａに対して陽極３とは反対側に半反射層８ｂが設けられており、半反射層８ｂには電子注入性が要求されないため、発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率および透過率を高めて、発光層５からの光に対する陰極８全体の反射率および透過率を高めることができる。
【００８２】
ここで、電子注入電極層８ａは、主に、陰極８の電子注入性を担うものである。したがって、電子注入電極層８ａは、電子注入性を発揮し得れば、光の吸収を小さくする観点から、できるだけ薄いことが好ましい。一方、半反射層８ｂは、主に、発光層５からの光に対する陰極８の反射性および透過性を担うものである。したがって、半反射層８ｂは、発光層５からの光に対する反射性および透過性のバランスを優れたものとする観点から、ある程度の厚さが必要となる。
【００８３】
このような観点から、電子注入電極層８ａの厚さは、半反射層８ｂの厚さよりも薄いことが好ましい。すなわち、半反射層８ｂの厚さは、電子注入電極層８ａの厚さよりも厚いことが好ましい。これにより、電子注入電極層８ａでの光の吸収を小さくしつつ、発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率および透過率を高めることができる。
【００８４】
具体的には、電子注入電極層８ａの厚さは、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であることがより好ましく、０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、陰極８の電子注入性を確保しつつ、電子注入電極層８ａでの光の吸収を効果的に小さくすることができる。これに対し、かかる厚さが薄すぎると、電子注入電極層８ａ中のＡｌの含有量等によっては、陰極８の電子注入性を確保することが難しい。一方、かかる厚さが厚すぎると、電子注入電極層８ａ中のＡｌの含有量等によっては、電子注入電極層８ａでの光の吸収が大きくなる傾向を示す。
【００８５】
また、半反射層８ｂの厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのが好ましい。
【００８６】
また、電子注入電極層８ａ中におけるＡｇの含有量は、８０原子％以上９９．９原子％以下であることが好ましく、８５原子％以上９９原子％以下であることがより好ましく、９０原子％以上９５原子％以下であることがさらに好ましい。これにより、陰極８の電子注入性を確保しつつ、電子注入電極層８ａでの光の吸収を効果的に小さくすることができる。これに対し、かかる含有量が少なすぎると、添加金属の含有量が多くなりすぎて、添加金属の種類や電子注入電極層８ａの厚さ等によっては、電子注入電極層８ａでの光の吸収が大きくなってしまう場合がある。一方、かかる含有量が多すぎると、Ａｌの含有量が少なくなりすぎて、電子注入層７の構成や電子注入電極層８ａの厚さ等によっては、電子注入性が不足する傾向となる。
【００８７】
同様の観点から、電子注入電極層８ａ中におけるＡｌの含有量は、０．１原子％以上２０原子％以下であることが好ましく、１原子％以上１５原子％以下であることがより好ましく、５原子％以上１０原子％以下であることがさらに好ましい。
【００８８】
一方、半反射層８ｂは、発光層５からの光の吸収が電子注入電極層８ａよりも少ない材料で構成されている。これにより、発光層５からの光に対する陰極８の反射性および透過性を優れたものとすることができる。
【００８９】
具体的には、半反射層８ｂは、ＡｇまたはＡｇ系合金で構成されていることが好ましい。これにより、発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率および透過率を効果的に高めることができる。
【００９０】
また、半反射層８ｂ中におけるＡｇの含有量は、電子注入電極層８ａ中におけるＡｇの含有量よりも多いことが好ましい。これにより、電子注入電極層８ａの電子注入性と、発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率および透過率とのバランスを優れたものとすることができる。
【００９１】
発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率を簡単に高めることができるという観点から、半反射層８ｂをＡｇで構成することが好ましいが、半反射層８ｂを構成するＡｇ系合金で構成する場合、そのＡｇ系金属は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒから選択される１種または２種を組み合わせた添加金属がＡｇに添加されていることが好ましい。これにより、半反射層８ｂがＡｇ系合金で構成されている場合においても、発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率および透過率を効果的に高めることができる。
【００９２】
また、半反射層８ｂをＡｇ系合金で構成する場合、半反射層８ｂ中におけるＡｇの含有量は、８０原子％以上９９．９原子％以下であることが好ましい。これにより、発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率および透過率を効果的に高めることができる。
【００９３】
以上のように構成された発光素子１によれば、電子注入電極層８ａがＡｇＡｌ系合金で構成されているため、陰極８の電子注入性を確保しつつ、電子注入電極層８ａでの光の吸収を小さくすることができる。また、電子注入電極層８ａに対して陽極３とは反対側に半反射層８ｂが設けられており、半反射層８ｂには電子注入性が要求されないため、発光層５からの光に対する半反射層８ｂの反射率および透過率を高めて、発光層５からの光に対する陰極８全体の反射率および透過率を高めることができる。このようなことから、陰極８の電子注入性を確保しつつ、発光層５からの光に対する陰極８の反射率および透過率を優れたものとすることができる。その結果、発光素子１から取り出される光量を多くし、発光素子１の発光効率を向上させることができる。また、陰極８内で光が吸収されることによる熱の発生を低減することができ、その結果、発光素子１の長寿命化を図ることもできる。
以上のような発光素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００９４】
［１］  まず、基板１０を用意し、この基板１０上に反射膜１１を形成する。
反射膜１１は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００９５】
［２］  次に、反射膜１１上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００９６】
［３］  次に、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。
【００９７】
なお、正孔注入層４は、例えば、正孔注入性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００９８】
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
【００９９】
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１００】
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
【０１０１】
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面に親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
【０１０２】
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板１０の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【０１０３】
［４］  次に、正孔注入層４上に、発光層５を形成する。
発光層５は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１０４】
［５］  次に、発光層５上に、電子輸送層６を形成する。
電子輸送層６は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。
【０１０５】
なお、電子輸送層６は、例えば、電子輸送性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、発光層５上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【０１０６】
［６］  次に、電子輸送層６上に、電子注入層７を形成する。
電子注入層７の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層７は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
【０１０７】
［７］  次に、電子注入層７上に、電子注入電極層８ａおよび半反射層８ｂをこの順で形成することにより陰極８を形成する。
【０１０８】
電子注入電極層８ａおよび半反射層８ｂは、それぞれ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子１が得られる。
【０１０９】
（発光装置）
次に、本発明の発光装置の実施形態について説明する。
【０１１０】
図２は、本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
【０１１１】
図２に示すディスプレイ装置１００は、基板２１と、複数の発光素子１Ａと、各発光素子１Ａをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ２４とを有している。ここで、ディスプレイ装置１００は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。
【０１１２】
基板２１上には、複数の駆動用トランジスタ２４が設けられ、これらの駆動用トランジスタ２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
【０１１３】
各駆動用トランジスタ２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
【０１１４】
平坦化層２２上には、各駆動用トランジスタ２４に対応して発光素子１Ａが設けられている。
【０１１５】
発光素子１Ａは、平坦化層２２上に、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体（有機ＥＬ発光部）１４、陰極１３、陰極カバー３４がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子１Ａの陽極３は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１Ａの陰極１３は、共通電極とされている。ここで、反射膜３２は、前述した発光素子１の反射膜１１と同様に構成され、また、陰極１３は、前述した発光素子１の陰極８と同様に構成されている。
【０１１６】
隣接する発光素子１Ａ同士の間には、隔壁３１が設けられている。また、これらの発光素子１Ａ上には、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
【０１１７】
そして、エポキシ層３５上には、これらを覆うように封止基板２０が設けられている。
以上説明したような発光装置は、照明用の光源として用いることができ、また、ディスプレイまたはその光源として用いることもできる。
【０１１８】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の実施形態を説明する。
【０１１９】
図３は、本発明の電子機器の一例である認証装置を示す図である。
図３に示す認証装置１０００は、生体Ｆ（本実施形態では指先）の生体情報を用いて個人を認証する生体認証装置である。
【０１２０】
この認証装置１０００は、光源１００Ｂと、カバーガラス１００１と、マイクロレンズアレイ１００２と、受光素子群１００３と、発光素子駆動部１００６と、受光素子駆動部１００４と、制御部１００５とを有する。
【０１２１】
光源１００Ｂは、前述した発光素子１を複数備えるものであり、撮像対象物である生体Ｆへ向けて、近赤外域の光を照射する。例えば、この光源１００Ｂの複数の発光素子１は、カバーガラス１００１の外周部に沿って配置される。ここで、発光素子１は、近赤外光を発する発光材料を用いている。
【０１２２】
カバーガラス１００１は、生体Ｆが接触または近接する部位である。
マイクロレンズアレイ１００２は、カバーガラス１００１の生体Ｆが接触または近接する側と反対側に設けられている。このマイクロレンズアレイ１００２は、複数のマイクロレンズがマトリクス状に配列して構成されている。
【０１２３】
受光素子群１００３は、マイクロレンズアレイ１００２に対してカバーガラス１００１とは反対側に設けられている。この受光素子群１００３は、マイクロレンズアレイ１００２の複数のマイクロレンズに対応してマトリクス状に設けられた複数の受光素子で構成されている。この受光素子群１００３の各受光素子としては、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ等を用いることができる。
【０１２４】
発光素子駆動部１００６は、光源１００Ｂを駆動する駆動回路である。
受光素子駆動部１００４は、受光素子群１００３を駆動する駆動回路である。
【０１２５】
制御部１００５は、例えば、ＭＰＵであり、発光素子駆動部１００６および受光素子駆動部１００４の駆動を制御する機能を有する。
【０１２６】
また、制御部１００５は、受光素子群１００３の受光結果と、予め記憶された生体認証情報との比較により、生体Ｆの認証を行う機能を有する。
【０１２７】
例えば、制御部１００５は、受光素子群１００３の受光結果に基づいて、生体Ｆに関する画像パターン（例えば静脈パターン）を生成する。そして、制御部１００５は、その画像パターンと、生体認証情報として予め記憶された画像パターンとを比較し、その比較結果に基づいて、生体Ｆの認証（例えば静脈認証）を行う。
【０１２８】
このような認証装置１０００によれば、近赤外光を用いて生体認証を行うことができる。また、高効率および長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。
このような認証装置１０００は、各種の電子機器に組み込むことができる。
【０１２９】
図４は、本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１３０】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１３１】
このパーソナルコンピュータ１１００において、本体部１１０４には、前述した認証装置１０００が設けられている。なお、前述したディスプレイ装置１００を表示ユニット１１０６の表示部として用いることもできる。
【０１３２】
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）の他にも、例えば、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、脈拍計測装置、脈波計測装置、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１３３】
以上、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
また、本発明の発光素子および発光装置は照明用の光源として用いてもよい。
【実施例】
【０１３４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
＜１＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、銀を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１００ｎｍの反射膜を形成した。
【０１３５】
＜２＞  次に、反射膜上に、スパッタ法により、平均厚さ２０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
【０１３６】
そして、反射膜および陽極が形成された基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
【０１３７】
＜３＞  次に、ＩＴＯ電極上に、下記式ＨＩＬ−１で表わされる化合物（アミン系材料）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１３８】
【化３】
2015173042.tif 000005
【０１３９】
＜４＞  次に、正孔注入層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式ＩＲＤ１−２で表わされる化合物（ベンゾチアジアゾール系材料）を用い、ホスト材料として下記式Ｈ−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を０．２５ｗｔ％とした。
【０１４０】
【化４】
2015173042.tif 000006
【０１４１】
＜５＞  次に、発光層上に、下記式ＥＴＬ１−３で表される化合物（アザインドリジン系化合物）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ６０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１４２】
【化５】
2015173042.tif 000007
【０１４３】
＜６＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
【０１４４】
＜７＞  次に、電子注入層上に、ＡｇＡｌ（Ａｇ：Ａｌ＝１０：１）を真空蒸着法（共蒸着法）により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入電極層を形成した。
【０１４５】
＜８＞  次に、電子注入電極層上に、Ａｇを真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１９ｎｍの半反射層を形成した。これにより、電子注入電極層および半反射層からなる電極を形成した。
以上の工程により、発光素子を製造した。
【０１４６】
（実施例２）
電子注入電極層の厚さを５ｎｍ、半反射層の厚さを１５ｎｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１４７】
（実施例３）
電子注入電極層の厚さを０．５ｎｍ、半反射層の厚さを１９．５ｎｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１４８】
（実施例４）
電子注入電極層の形成に用いるＡｇＡｌのＡｇおよびＡｌの含有率をＡｇ：Ａｌ＝２０：１とした以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１４９】
（実施例５）
電子注入電極層の形成に用いるＡｇＡｌのＡｇおよびＡｌの含有率をＡｇ：Ａｌ＝５：１とした以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１５０】
（実施例６）
半反射層の構成材料をＡｇＮｉ（Ａｇ：Ｎｉ＝１０：１）とした以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１５１】
（比較例）
電子注入電極層の構成材料をＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）とし、電子注入電極層の厚さを２０ｎｍとするとともに半反射層の形成を省略した以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１５２】
（参考例）
電子注入電極層の厚さを２０ｎｍとするとともに半反射層の形成を省略した以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１５３】
４．評価
各実施例、比較例および参考例について、一定電流電源（株式会社東陽テクニカ製  ＫＥＩＴＨＬＥＹ２４００）を用いて、発光素子に１００ｍＡ／ｃｍ２の定電流を流し、そのときの発光パワーを光パワー測定機（株式会社エーディーシー製  光パワーメーター  ８２３０）を用いて測定した。
【０１５４】
また、発光素子に初期の輝度が２０ｍＷ／ｃｍ２となる定電流を流し、輝度が初期の輝度の８０％となる時間（ＬＴ８０）を測定した。
これらの測定結果を表１に示す。
【０１５５】
【表１】
2015173042.tif 000008
【０１５６】
表１から明らかなように、各実施例の発光素子は、比較例や参考例の発光素子に比し、発光パワーが大きく、また、寿命が長い。
【符号の説明】
【０１５７】
１‥‥発光素子
１Ａ‥‥発光素子
３‥‥陽極
４‥‥正孔注入層
５‥‥発光層
６‥‥電子輸送層
７‥‥電子注入層
８‥‥陰極
８ａ‥‥電子注入電極層
８ｂ‥‥半反射層
１０‥‥基板
１１‥‥反射膜
１３‥‥陰極
１４‥‥積層体
２０‥‥封止基板
２１‥‥基板
２２‥‥平坦化層
２４‥‥駆動用トランジスタ
２７‥‥導電部
３１‥‥隔壁
３２‥‥反射膜
３３‥‥腐食防止膜
３４‥‥陰極カバー
３５‥‥エポキシ層
１００‥‥ディスプレイ装置
１００Ｂ‥‥光源
２４１‥‥半導体層
２４２‥‥ゲート絶縁層
２４３‥‥ゲート電極
２４４‥‥ソース電極
２４５‥‥ドレイン電極
１０００‥‥認証装置
１００１‥‥カバーガラス
１００２‥‥マイクロレンズアレイ
１００３‥‥受光素子群
１００４‥‥受光素子駆動部
１００５‥‥制御部
１００６‥‥発光素子駆動部
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
Ｆ‥‥生体
【図１】
2015173042.tif 000009
【図２】
2015173042.tif 000010
【図３】
2015173042.tif 000011
【図４】
2015173042.tif 000012