(57)【要約】【課題】製造歩留まりを向上させる。【解決手段】有機絶縁膜６はドレイン電極５２を部分的に露出する開口部６１を有する。開口部６１はドレイン電極５２上から延びる側壁を有する。画素電極７２は、有機絶縁膜６の開口部６１でドレイン電極５２に接触する接触部分７２ａと、接触部分７２ａから直接有機絶縁膜６の側壁上に延びる配線部分７２ｂと、配線部分７２ｂにつながり有機絶縁膜６上に設けられた本体部分７２ｃとを有する。層間絶縁膜８は画素電極７２を覆っている。層間絶縁膜８は、ソース電極５１を覆っており、かつソース電極側面５１Ｓおよびドレイン電極側面５２Ｓの間において半導体膜３１を直接覆っている。共通電極９１は、層間絶縁膜８を介して画素電極７２に対向するフリンジが設けられている。【選択図】図６
2015099287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に設けられたゲート電極と、
前記絶縁性基板上において前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に部分的に設けられ、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向する半導体膜と、
前記絶縁性基板上に設けられた信号線と、
前記半導体膜上に部分的に設けられ、前記信号線とつながるソース電極と、
前記半導体膜上に前記ソース電極から離れて設けられたドレイン電極とを備え、前記ソース電極および前記ドレイン電極のそれぞれはソース電極側面およびドレイン電極側面を有し、前記ソース電極側面および前記ドレイン電極側面は前記半導体膜上で対向方向において間隔を空けて互いに対向し、さらに
前記絶縁性基板上において前記信号線を覆う有機絶縁膜を備え、前記有機絶縁膜は前記ドレイン電極を部分的に露出する開口部を有し、前記開口部は前記ドレイン電極上から延びる側壁を有し、さらに
前記有機絶縁膜の前記開口部で前記ドレイン電極に接触する接触部分と、前記接触部分から直接前記有機絶縁膜の前記側壁上に延びる配線部分と、前記配線部分につながり前記有機絶縁膜上に設けられた本体部分とを有し、透明導電体から作られた画素電極と、
前記画素電極を覆う層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜は、前記ソース電極を覆いかつ前記ソース電極側面および前記ドレイン電極側面の間において前記半導体膜を直接覆い、さらに
前記層間絶縁膜上に配置され、前記層間絶縁膜を介して前記画素電極に対向するフリンジが設けられた共通電極と
を備える、液晶表示パネル。
【請求項２】
前記有機絶縁膜の前記開口部は前記絶縁性基板に向かってテーパ形状を有する、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記有機絶縁膜は感光性を有する樹脂から作られている、請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記画素電極は前記有機絶縁膜の前記開口部内での前記対向方向における端部として画素電極端部を有し、前記画素電極端部は前記ドレイン電極上において前記ドレイン電極側面よりも内側に位置する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記ソース電極上に設けられ前記画素電極と同じ材料から作られたダミー電極をさらに備え、前記ダミー電極は、前記有機絶縁膜の前記開口部内で前記画素電極端部に対向するダミー電極端部を有し、前記ダミー電極端部は前記ソース電極側面よりも内側に位置する、請求項４に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記層間絶縁膜はスピンオングラス膜である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
絶縁性基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記絶縁性基板上において前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に部分的に設けられ前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向する半導体膜と、前記絶縁性基板上に設けられた信号線と、前記信号線とつながり前記半導体膜上に設けられた電極膜とを形成する工程と、
前記絶縁性基板上において前記信号線を覆い、前記電極膜を部分的に露出する開口部を有する有機絶縁膜を形成する工程とを備え、前記開口部は前記電極膜上から延びる側壁を有し、さらに
前記有機絶縁膜を覆い、前記有機絶縁膜の前記開口部で前記電極膜に接触する透明導電膜を成膜する工程と、
前記透明導電膜上に、開口パターンと、第１の厚さを有する第１のフォトレジストパターンと、前記第１の厚さよりも大きい厚さを有する第２のフォトレジストパターンと、を含むフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜の前記第１および第２のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記透明導電膜をパターニングすることによって、前記有機絶縁膜の前記開口部で前記電極膜に接触する接触部分と、前記接触部分から直接前記有機絶縁膜の前記側壁上に延びる配線部分と、前記配線部分につながり前記有機絶縁膜上に設けられた本体部分とを有し、透明導電体から作られた画素電極を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜の前記第１および第２のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記電極膜をパターニングする工程とを備え、前記電極膜をパターニングする工程は、前記電極膜から、前記信号線とつながるソース電極と、前記ソース電極から離れて設けられ前記画素電極の前記接触部分と接触するドレイン電極とを形成する工程を含み、前記ソース電極および前記ドレイン電極のそれぞれはソース電極側面およびドレイン電極側面を有し、前記ソース電極側面および前記ドレイン電極側面は前記半導体膜上で対向方向において間隔を空けて互いに対向し、さらに
前記第１のフォトレジストパターンを除去しかつ平面レイアウトにおいて前記第２のフォトレジストパターンの少なくとも一部を残存させることによって、前記フォトレジスト膜を狭小化する工程と、
前記フォトレジスト膜を狭小化する工程の後に、前記フォトレジスト膜を用いて前記画素電極をパターニングする工程と、
前記画素電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程を備え、前記層間絶縁膜は、前記ソース電極を覆いかつ前記ソース電極側面および前記ドレイン電極側面の間において前記半導体膜を直接覆い、さらに
前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜を介して前記画素電極に対向するフリンジが設けられた共通電極を形成する工程と
を備える、液晶表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記フォトレジスト膜を形成する工程は、多階調フォトマスクを用いて前記フォトレジスト膜を露光する工程を含む、請求項７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記フォトレジスト膜を露光する工程は、第１の透過率を有する第１のマスクパターンと、前記第１の透過率よりも高い第２の透過率を有する第２のマスクパターンと、前記第２の透過率よりも高い第３の透過率を有する第３のマスクパターンとを有する前記多階調マスクを準備する工程を含み、
前記フォトレジスト膜を露光する工程において、前記第２のマスクパターンは、前記フォトレジスト膜のうち前記有機絶縁膜の前記開口部の外側に位置する部分のみに対して投影される、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記フォトレジスト膜を狭小化する工程は、平面レイアウトにおいて前記第２のフォトレジストパターンを狭小化する工程を含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記フォトレジスト膜を形成する工程は、前記透明導電膜のうち前記有機絶縁膜上の部分に前記第１および第２のフォトレジストパターンの各々を形成する工程を含む、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルおよび液晶表示パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルの表示方式としてＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードが広く用いられている。このモードは、パネルにほぼ垂直な電界を発生させることで液晶分子を駆動する縦電界方式である。一方で近年、パネルにほぼ水平な電界を発生させることで液晶分子を水平方向で駆動する横電界方式も用いられている。横電界方式は、広視野角、高精細および高輝度化といった長所を有していることから、スマートフォンおよびタブレッドなどを代表とする中小型パネルでは主流になりつつある。横電界方式の代表的なものとして、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードがある。
【０００３】
横電界を発生させるために画素電極および対向電極（共通電極）の間に電圧が印加されると、両電極のうち基板に近いほうのもの（下部電極）と、信号線との間に寄生容量が発生する。寄生容量が大きいと表示品位の低下につながりやすい。寄生容量を小さくするためには、下部電極と信号線との間の絶縁膜は、大きな厚さと小さな比誘電率とを有することが望ましい。この点で、絶縁膜は有機絶縁膜であることが好ましい。有機絶縁膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの段差を覆うことで平坦性を得ることができるという利点も有する。また有機絶縁膜として感光性を有するものが用いられる場合、フォトリソグラフィ法によって開口部（コンタクトホール）を直接形成することができる。
【０００４】
特開２００７−２２６１７５号公報（特許文献１）にＦＦＳを用いた液晶装置が開示されている。その一例によれば液晶装置は、ＳｉＯ2からなる絶縁膜、すなわち無機絶縁膜、が有するコンタクトホール内に入り込んだ中継電極を有する。この中継電極によりＴＦＴと画素電極とが電気的に接続されている。この技術によれば、中継電極が用いられるために構造および製造方法が複雑となる。そこで中継電極を用いずに画素電極とドレイン電極とを直接接続することが望まれる。
【０００５】
米国特許出願公開第２０１３/００６３６７３号明細書（特許文献２）によれば、ＴＦＴ上に設けられる絶縁膜として、感光性を有する有機絶縁膜を用いることが開示されている。有機絶縁膜には、ＴＦＴを露出する開口部が設けられている。この開口部を介して画素電極がＴＦＴに電気的に接続されている。具体的には画素電極はオーミックコンタクト層および活性層の側面とドレイン電極とに直接接している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２２６１７５号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１３/００６３６７３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２によれば、画素電極のうち電界発生上有効な部分、すなわち共通電極と対向する部分は、有機絶縁膜の開口部上と、ゲート絶縁膜上と、活性層の側面上と、オーミックコンタクト層の側壁とを経て、ＴＦＴのドレイン電極とつながっている。このように画素電極が複雑な経路を経ることから、製造工程のばらつきなどに起因して画素電極が途中で途切れてしまうことがあり、特に層の境界において途切れやすい。これに起因して液晶表示パネルの製造歩留まりが低下し得る。
【０００８】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、製造歩留まりを向上させることができる、液晶表示パネルおよび液晶表示パネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の液晶表示パネルは、絶縁性基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、信号線と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機絶縁膜と、画素電極と、共通電極とを有する。ゲート電極は絶縁性基板上に設けられている。ゲート絶縁膜は絶縁性基板上においてゲート電極を覆っている。半導体膜は、ゲート絶縁膜上に部分的に設けられており、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向している。信号線は絶縁性基板上に設けられている。ソース電極は、半導体膜上に部分的に設けられており、信号線とつながっている。ドレイン電極は半導体膜上にソース電極から離れて設けられている。ソース電極およびドレイン電極のそれぞれはソース電極側面およびドレイン電極側面を有する。ソース電極側面およびドレイン電極側面は半導体膜上で対向方向において間隔を空けて互いに対向している。有機絶縁膜は絶縁性基板上において信号線を覆っている。有機絶縁膜はドレイン電極を部分的に露出する開口部を有する。開口部はドレイン電極上から延びる側壁を有する。画素電極は、有機絶縁膜の開口部でドレイン電極に接触する接触部分と、接触部分から直接有機絶縁膜の側壁上に延びる配線部分と、配線部分につながり有機絶縁膜上に設けられた本体部分とを有する。画素電極は透明導電体から作られている。層間絶縁膜は画素電極を覆っている。層間絶縁膜は、ソース電極を覆っており、かつソース電極側面およびドレイン電極側面の間において半導体膜を直接覆っている。共通電極は、層間絶縁膜上に配置されており、層間絶縁膜を介して画素電極に対向するフリンジが設けられている。
【００１０】
本発明の液晶表示パネルの製造方法は、以下の工程を有する。
【００１１】
絶縁性基板上にゲート電極が形成される。
【００１２】
絶縁性基板上においてゲート電極を覆うゲート絶縁膜が形成される。
【００１３】
ゲート絶縁膜上に部分的に設けられゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向する半導体膜と、絶縁性基板上に設けられた信号線と、信号線とつながり半導体膜上に設けられた電極膜とが形成される。
【００１４】
絶縁性基板上において信号線を覆い、電極膜を部分的に露出する開口部を有する有機絶縁膜が形成される。開口部は電極膜上から延びる側壁を有する。
【００１５】
有機絶縁膜を覆い、有機絶縁膜の開口部で電極膜に接触する透明導電膜が成膜される。
【００１６】
透明導電膜上に、開口パターンと、第１の厚さを有する第１のフォトレジストパターンと、第１の厚さよりも大きい厚さを有する第２のフォトレジストパターンと、を含むフォトレジスト膜が形成される。
【００１７】
フォトレジスト膜の第１および第２のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて透明導電膜をパターニングすることによって、透明導電体から作られた画素電極が形成される。画素電極は、有機絶縁膜の開口部で電極膜に接触する接触部分と、接触部分から直接有機絶縁膜の側壁上に延びる配線部分と、配線部分につながり有機絶縁膜上に設けられた本体部分とを有する。
【００１８】
フォトレジスト膜の第１および第２のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて電極膜がパターニングされる。電極膜をパターニングする工程は、電極膜から、信号線とつながるソース電極と、ソース電極から離れて設けられ画素電極の接触部分と接触するドレイン電極とを形成する工程を含む。ソース電極およびドレイン電極のそれぞれはソース電極側面およびドレイン電極側面を有し、ソース電極側面およびドレイン電極側面は半導体膜上で対向方向において間隔を空けて互いに対向する。
【００１９】
第１のフォトレジストパターンを除去しかつ平面レイアウトにおいて第２のフォトレジストパターンの少なくとも一部を残存させることによって、フォトレジスト膜が狭小化される。
【００２０】
フォトレジスト膜が狭小化された後に、フォトレジスト膜を用いて画素電極がパターニングされる。
【００２１】
画素電極を覆う層間絶縁膜が形成される。層間絶縁膜は、ソース電極を覆いかつソース電極側面およびドレイン電極側面の間において半導体膜を直接覆う。
【００２２】
層間絶縁膜上に、層間絶縁膜を介して画素電極に対向するフリンジが設けられた共通電極が形成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、画素電極は、有機絶縁膜の開口部でドレイン電極に接触する接触部分と、接触部分から直接有機絶縁膜の側壁上に延びる配線部分と、配線部分につながり有機絶縁膜上に設けられた本体部分とを有する。この構成により、製造工程のばらつきなどに起因して画素電極が途中で途切れることが抑制される。これにより製造歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの構成を示す断面図である。
【図２】図１の液晶表示パネルが有するアレイ基板の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】図２のアレイ基板の一の画素の近傍の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図４】図３の共通電極および層間絶縁膜の図示を省略した概略部分平面図である。
【図５】図４の画素電極および有機絶縁膜の図示を省略した概略部分平面図である。
【図６】図３〜５の各々にける、線ＶＩＡ−ＶＩＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＶＩＢ−ＶＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の実施の形態１における液晶パネルが有するアレイ基板の製造方法の第１工程を概略的に示す部分平面図である。
【図８】図７の、線ＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図９】本発明の実施の形態１における液晶パネルが有するアレイ基板の製造方法の第２工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１０】図９の、線ＸＡ−ＸＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＸＢ−ＸＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１１】本発明の実施の形態１における液晶パネルが有するアレイ基板の製造方法の第３工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１２】図１２の、線ＸＩＩＡ−ＸＩＩＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＸＩＩＢ−ＸＩＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１３】本発明の実施の形態１における液晶パネルが有するアレイ基板の製造方法の第４工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１４】図１３の、線ＸＩＶＡ−ＸＩＶＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＸＩＶＢ−ＸＩＶＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１５】本発明の実施の形態１における液晶パネルが有するアレイ基板の製造方法の第５工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１６】図１５の、線ＸＶＡ−ＸＶＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＸＶＢ−ＸＶＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１７】本発明の実施の形態１における液晶パネルが有するアレイ基板の製造方法の第６工程を概略的に示す部分平面図である。
【図１８】図１７の、線ＸＶＩＩＩＡ−ＸＶＩＩＩＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＸＶＩＩＩＢ−ＸＶＩＩＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１９】図１３のフォトリソグラフィのためのフォトマスクの構成を概略的に示す部分平面図である。
【図２０】比較例における、ソース電極とダミー電極との間の位置関係と、ドレイン電極と画素電極との間の位置関係とを概略的に示す部分断面図（Ａ）と、実施の形態１における、ソース電極とダミー電極との間の位置関係と、ドレイン電極と画素電極との間の位置関係とを概略的に示す部分断面図（Ｂ）とである。
【図２１】有機絶縁膜の開口部のテーパ角を説明する部分断面図である。
【図２２】実施の形態１における画素電極の有効領域を模式的に示す平面図（Ａ）、および画素電極が上部電極として配置された場合の比較例における画素電極の有効領域を模式的に示す平面図（Ｂ）である。
【図２３】本発明の実施の形態２における液晶パネルが有するアレイ基板の構成を概略的に示す部分断面図であり、図６（Ａ）の視野に対応する図（Ａ）、および図６（Ｂ）の視野に対応する図（Ｂ）である。
【図２４】本発明の実施の形態２における液晶パネルが有するアレイ基板の製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図であり、図２３（Ａ）の視野に対応する図（Ａ）、および図２３（Ｂ）の視野に対応する図（Ｂ）である。
【図２５】本発明の実施の形態３における液晶パネルが有するアレイ基板の構成を概略的に示す部分断面図であり、図６（Ａ）の視野に対応する図（Ａ）、および図６（Ｂ）の視野に対応する図（Ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、図面が煩雑とならない様、発明の主要部以外の省略や構成の一部簡略化などを適宜行っている。
【００２６】
＜実施の形態１＞
（全体構成）
はじめに本実施の形態の液晶表示パネルの全体的な構成の概略について、図１および図２を参照して説明する。なお本実施の形態において特に特徴的な構成であるアレイ基板の構成については、図３以降を参照して後述する。
【００２７】
図１を参照して、本実施の形態の液晶表示パネル３００は、アレイ基板２０１と、配向膜３６１ａ，３６１ｂと、液晶層３６２と、対向基板３６０と、シール３６９と、偏光板３６５ａ，３６５ｂと、光学フィルム３６６と、バックライトユニット３６７とを有する。
【００２８】
配向膜３６１ａは、アレイ基板２０１の、後述する共通電極上に設けられている。液晶層３６２は配向膜３６１ａ上に設けられている。液晶層３６２の上には配向膜３６１ｂが設けられている。配向膜３６１ｂは、対向基板３６０上に設けられている。配向膜３６１ｂが設けられた対向基板３６０は、間隔を空けてアレイ基板２０１に対向している。対向基板３６０は視認側に配置されている。対向基板３６０にはカラーフィルタ３６４およびブラックマトリクス３６３が設けられている。この構成によりアレイ基板２０１と対向基板３６０との間に液晶層３６２が狭持されている。
【００２９】
さらに、アレイ基板２０１および対向基板３６０のそれぞれの外側の面には偏光板３６５ａおよび３６５ｂが設けられている。偏光板３６５ａおよび３６５ｂはクロスニコル配置をなすことが好ましい。また、液晶表示パネルの反視認側となるアレイ基板２０１の裏面側に、位相差板などの光学フィルム３６６を介してバックライトユニット３６７が配置されている。液晶表示パネルおよびこれら周辺部材は、樹脂や金属などよりなるフレーム（図示せず）内に収納されていてもよい。
【００３０】
アレイ基板２０１によって液晶層３６２の配向方向を調整することにより、液晶層３６２を通過する光の偏光状態が制御される。具体的には、バックライトユニット３６７からの光は、アレイ基板２０１側の偏光板３６５ａによって直線偏光になる。この直線偏光が液晶層３６２を通過することによって、偏光状態が変化する。この偏光状態に応じて、対向基板３６０側の偏光板３６５ｂを通過する光の強度が変化する。液晶層３６２の配向方向は、アレイ基板２０１に印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、偏光板３６５ｂを通過する光の強度を変化させることができる。これにより液晶表示がなされる。
【００３１】
図２を参照して、アレイ基板２０１は、画像を表示する表示領域１０１と、表示領域１０１を囲む額縁領域１０２とを有する。額縁領域１０２においては、表示領域１０１から延設された外部配線１０７が、外部接続用の複数の端子電極に接続されている。端子電極はプリント基板１０８およびＩＣチップ１０９側の端子と、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）またはバンプを介して接続されている。表示領域１０１においては、複数の信号線１０３と複数の走査線１０４とが互いに直交するように配置されている。複数の共通配線１０５は走査線１０４に平行して配置されている。そして隣接する信号線１０３と走査線１０４とでひとつの画素が形成されることで、複数の画素がマトリクス状（アレイ状）に配列されている。各画素には、信号線１０３に接続されたソース電極と、走査線１０４に接続されたゲート電極とを有するＴＦＴ１０６が設けられている。
【００３２】
ＴＦＴ１０６は、表示電圧の供給のオン・オフを制御するスイッチング素子としての機能を有する。具体的には、走査線１０４から信号が供給されるとＴＦＴ１０６のソース電極側からドレイン電極側へ電流が流れる。すなわち、信号線１０３から供給される信号データに基づいた電圧が、画素電極側に印加される。これら信号データがプリント基板１０８またはＩＣチップ１０９によって制御されることで、外部からの表示データに応じた電圧が各画素に供給される。
【００３３】
（アレイ基板の構成）
次に液晶表示パネル３００が有するアレイ基板２０１の一の画素の近傍の構成について詳述する。
【００３４】
図３〜図５と図６（Ａ）および（Ｂ）とを参照して、アレイ基板２０１は、絶縁性基板１００と、ゲート電極１１と、コンタクト電極１２と、ゲート絶縁膜２と、半導体膜３および３１と、信号線１０３と、ソース電極５１と、ドレイン電極５２と、有機絶縁膜６と、ダミー電極７１と、画素電極７２と、導電膜７４と、層間絶縁膜８と、コンタクト層４、４１および４２と、共通電極９１と、信号線１０３と、走査線１０４と、共通配線１０５とを有する。
【００３５】
絶縁性基板１００は透光性を有する。絶縁性基板１００は、たとえばガラス基板である。
【００３６】
ゲート電極１１、走査線１０４、コンタクト電極１２および共通配線１０５は、絶縁性基板１００上に設けられている。本実施の形態においては、これらは同じ金属から作られている。金属としては、アルミニウム（Ａｌ）もしくはそれを含む合金、または銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）もしくはクロム（Ｃｒ）を用い得る。ゲート電極１１は、ＴＦＴ１０６のそれぞれに対応して設けられている。図５に示すように、ゲート電極１１および走査線１０４は一体に形成されている。これによりゲート電極１１は走査線１０４に接続されている。同様にコンタクト電極１２および共通配線１０５は一体に形成されている。これによりコンタクト電極１２は共通配線１０５に接続されている。走査線１０４および共通配線１０５は互いに平行に延びている。
【００３７】
ゲート絶縁膜２は絶縁性基板１００上においてゲート電極１１、走査線１０４および共通配線１０５を覆っている。またゲート絶縁膜２はコンタクト電極１２を露出する開口部２２を有する。ゲート絶縁膜２の材料は、たとえば窒化珪素である。
【００３８】
半導体膜３１は、ゲート絶縁膜２上に部分的に設けられており、ゲート絶縁膜２を介してゲート電極１１に対向している。半導体膜３１は、たとえば、アモルファス、微結晶、多結晶のいずれかの層もしくはこれらの積層体であるシリコン半導体膜、または酸化物半導体膜である。信号線１０３は絶縁性基板１００上に設けられている。ゲート絶縁膜２は、平面視（図４参照）において画素電極７２から離れた位置に、共通配線１０５を露出する開口部２２を有する。
【００３９】
ソース電極５１および信号線１０３は一体に形成されている。これによりソース電極５１は信号線１０３に接続されている。ソース電極５１は半導体膜３１上に部分的に設けられている。信号線１０３はゲート絶縁膜２上に設けられている。
【００４０】
ドレイン電極５２は半導体膜３１上にソース電極５１から離れて設けられている。ソース電極５１およびドレイン電極５２のそれぞれはソース電極側面５１Ｓおよびドレイン電極側面５２Ｓ（図２０（Ｂ）参照））を有する。ソース電極側面５１Ｓおよびドレイン電極側面５２Ｓは、半導体膜３１上で対向方向（図６（Ａ）における横方向）において間隔を空けて互いに対向している。
【００４１】
ソース電極５１、ドレイン電極５２および信号線１０３は、同様の材料構成を有する。ここでソース電極５１、ドレイン電極５２および信号線１０３の各々は、単一層から作られている必要はなく、異なる材料の積層膜であってもよい。
【００４２】
半導体膜３１とソース電極５１およびドレイン電極５２のそれぞれとの間には、コンタクト層４１および４２が設けられている。また信号線１０３およびゲート絶縁膜２の間にはコンタクト層４および半導体膜３が設けられている。コンタクト層４は、コンタクト層４１および４２と同じ材料から作られており、たとえば、導電型不純物が添加された半導体から作られている。半導体膜３は半導体膜３１と同じ材料から作られている。
【００４３】
上述したゲート絶縁膜２と、ゲート電極１１と、半導体膜３１と、コンタクト層４１および４２と、ソース電極５１と、ドレイン電極５２とは、ＴＦＴ１０６（図２）を構成している。ＴＦＴ１０６は、絶縁性基板１００と半導体膜３１との間にゲート電極１１を有する構造を有する。すなわちＴＦＴ１０６は、バックチャネルを有する逆スタガ型のものである。
【００４４】
有機絶縁膜６は絶縁性基板１００上においてＴＦＴ１０６の一部と信号線１０３とを覆っている。有機絶縁膜６は、このような被覆による表面の平坦化と、電気的絶縁の確保との機能を有する。有機絶縁膜６の厚さは、たとえば２〜４μｍ程度である。有機絶縁膜６は、所望のパターンをエッチングに依らずフォトリソグラフィによって直接得ることができる点で、感光性を有する樹脂から作られていることが好ましい。画素電極７２が信号線１０３から受ける、表示品位に悪影響を及ぼし得るノイズを抑制するためには、有機絶縁膜６の誘電率が低いことが好ましい。そのため、有機絶縁膜６の材料は、ゲート絶縁膜２の誘電率よりも低い誘電率を有するものが選択されることが好ましく、たとえば、アクリルを主体とした有機樹脂が用いられる。アクリル樹脂は、誘電率ε＝３〜４程度と窒化珪素膜の６〜７よりも低く、よって画素電極７２と信号線１０３との間の寄生容量を小さくすることで上記ノイズを抑制することが可能である。
【００４５】
有機絶縁膜６は、開口部６１および６２を有する。開口部６１はドレイン電極５２を部分的に露出している。開口部６１は、ドレイン電極５２上から延びる側壁を有する。開口部６１は、図６（Ａ）においては貫通方向（図中、縦方向）に沿って示されているが、詳しくは後述するように（図２１参照）、絶縁性基板１００に向かってテーパ形状を有することが好ましい。開口部６１の側壁は、ドレイン電極５２上にかかる辺（図４における上辺）と、ソース電極５１上にかかる辺（図４における左辺）とを有する。開口部６２は、ゲート絶縁膜２の開口部２２を露出することでコンタクト電極１２を露出している。
【００４６】
画素電極７２は、有機絶縁膜６の開口部６１でドレイン電極５２に接触する接触部分７２ａと、接触部分７２ａから直接有機絶縁膜６の側壁上に延びる配線部分７２ｂと、配線部分７２ｂにつながり有機絶縁膜６上に設けられた本体部分７２ｃとを有する。配線部分７２ｂは、画素電極７２が有機絶縁膜６の開口部６１の側壁を乗り越えている部分である。画素電極７２は透明導電体から作られており、たとえばインジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）から作られている。画素電極７２は、有機絶縁膜６の開口部６１内での上記対向方向における端部として、画素電極端部（図６（Ａ）における接触部分７２ａの左端部）を有する。この画素電極端部は、ドレイン電極５２上においてドレイン電極側面５２Ｓ（図２０（Ｂ））よりも内側に位置している。これによりドレイン電極５２と画素電極７２とが段部を形成している（図２０（Ｂ）参照）。
【００４７】
ダミー電極７１は、ソース電極５１上に設けられており、画素電極７２と同じ材料から作られている。ダミー電極７１は、有機絶縁膜６の開口部６１内で上記画素電極端部に対向するダミー電極端部（図６（Ａ）におけるダミー電極７１の右端部）を有する。ダミー電極端部は、ソース電極５１上においてソース電極側面５１Ｓ（図２０（Ｂ））よりも内側に位置している。これによりソース電極５１とダミー電極７１とが段部を形成している。
【００４８】
層間絶縁膜８は画素電極７２および有機絶縁膜６を覆っている。また層間絶縁膜８は、ソース電極５１を覆っており、かつソース電極側面５１Ｓおよびドレイン電極側面５２Ｓ（図２０（Ｂ））の間において半導体膜３１を直接覆っている。また層間絶縁膜８は、上述した、ドレイン電極５２および画素電極７２による段差と、ソース電極５１およびダミー電極７１による段差とを直接覆っている。層間絶縁膜８は、有機絶縁膜６の開口部６２を露出する開口部８２を有する。層間絶縁膜８は、たとえば窒化珪素または酸化珪素から作られている。層間絶縁膜８にはフリンジ電界を発生させるための電圧が加わる。この電圧は、たとえば６〜７Ｖ程度であり、その場合、層間絶縁膜８の厚さは２００〜４００ｎｍ程度が好ましい。層間絶縁膜８の厚さを小さくすることで消費電力を小さくことができるが、過度に小さいと、開口部６１内においてＴＦＴ１０６を水分などから遮断する保護膜としての機能が不十分となる。
【００４９】
共通電極９１は、層間絶縁膜８上に配置されている。共通電極９１には、層間絶縁膜８を介して画素電極７２に対向するスリット９２が設けられている。これにより共通電極９１には、層間絶縁膜８を介して画素電極７２に対向するフリンジが設けられている。このフリンジにより、ＦＦＳモードによる液晶駆動に必要なフリンジ電界を発生することができる。
【００５０】
導電膜７４は、有機絶縁膜６の開口部６２の側壁に沿って設けられている。導電膜７４は、画素電極７２と同じ材料から作られている。共通電極９１は、層間絶縁膜８の開口部８２と、導電膜７４によって被覆された開口部６２と、ゲート絶縁膜２の開口部２２とを介して、コンタクト電極１２に接している。これにより共通電極９１と共通配線１０５とが電気的に接続されている。
【００５１】
画素電極７２と共通電極９１との間に電圧が印加されると、画素電極７２と共通電極９１との間で電界が発生し、その一部は共通電極９１のスリット９２を通り抜けて、図６（Ａ）および（Ｂ）における上方に進む。この電界によって液晶層３６２（図１）の液晶分子が駆動される。
【００５２】
なお共通電極９１上には配向膜３６１ａ（図１）が設けられる。配向膜３６１ａは、ポリイミドから作られており、ラビング処理がなされた薄膜である。少なくとも画素電極７２の本体部分７２ｃと共通電極９１とが対向している領域上において、配向膜３６１ａが形成される面は、なるべく平坦であることが望ましい。有機絶縁膜６はこの平坦化に寄与している。また共通電極９１の厚さをなるべく薄くすることもこの平坦化に寄与し得る。
【００５３】
（製造方法）
次にアレイ基板２０１の製造方法について説明する。なお、図２に示す、表示領域１０１と、額縁領域１０２の外部配線１０７や端子電極とは同時に形成し得るが、説明を簡略化する為に、表示領域１０１の１つの画素部について図示しつつ説明する。図７、図９、図１１、図１３、図１５および図１７は、図３と同様の視野での平面図を工程順に示している。また図８（Ａ）、図１０（Ａ）、図１２（Ａ）、図１４（Ａ）、図１６（Ａ）および図１８（Ａ）は、図６（Ａ）と同様の視野での断面図を工程順に示している。また図８（Ｂ）、図１０（Ｂ）、図１２（Ｂ）、図１４（Ｂ）、図１６（Ｂ）および図１８（Ｂ）は、図６（Ｂ）と同様の視野での断面図を工程順に示している。なお図１３、図１５および図１９は平面図であるが、図面を見やすくするためにハッチングを用いている。
【００５４】
図７、図８（Ａ）および（Ｂ）を参照して、まず絶縁性基板１００上に、たとえばスパッタ法を用いて、金属膜が成膜される。金属膜としては、アルミニウムもしくはそれを含む合金、または銅、モリブデンもしくはクロムなどを用いることができる。そして、金属膜上に、感光性樹脂であるフォトレジストをスピンコートなどによって塗布し、塗布したレジストを露光、現像する第１のフォトリソグラフィ工程（写真製版工程）が行われる。これにより所望の形状にフォトレジストがパターニングされる。その後、フォトレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことで、金属膜が所望の形状にパターニングされる。その後、フォトレジストパターンが剥離される。これにより絶縁性基板１００上に、ゲート電極１１と、走査線１０４と、コンタクト電極１２と、共通配線１０５とが形成される。
【００５５】
図９、図１０（Ａ）および（Ｂ）を参照して、まず、ゲート電極１１と、走査線１０４と、コンタクト電極１２と、共通配線１０５とを絶縁性基板１００上において覆うゲート絶縁膜２が形成される。たとえば、窒化珪素膜がプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって成膜される。
【００５６】
次に半導体膜３、コンタクト層４および電極膜５０の成膜が行われる。半導体膜３およびコンタクト層４は、たとえばプラズマＣＶＤ法により成膜される。コンタクト層４は、導電型不純物が添加された半導体から作られている。電極膜５０は、たとえばスパッタ法により成膜される。電極膜５０としては、アルミニウムもしくはそれを含む合金、または銅、モリブデンもしくはクロム用い得る。
【００５７】
そして第２のフォトリソグラフィ工程によってフォトレジストパターンが形成され、これをマスクとして用いたエッチングが行われる。これにより半導体膜３、コンタクト層４および電極膜５０は、同一の形状にパターニングされる。具体的には、半導体膜３から、ゲート絶縁膜２上に部分的に設けられゲート絶縁膜２を介してゲート電極１１に対向する半導体膜３１が形成される。また信号線１０３の下部には半導体膜３が残存する。また上記コンタクト層４から、コンタクト層４０が形成される。また信号線１０３の下部にはコンタクト層４が残存する。また（パターニング前の）成膜された電極膜５０からは、絶縁性基板１００上にゲート絶縁膜２と半導体膜３とコンタクト層４とを介して設けられた信号線１０３、および、信号線１０３とつながり半導体膜３１上にコンタクト層４０を介して設けられた電極膜５０が形成される。コンタクト層４０および電極膜５０の各々は、ソース電極５１およびドレイン電極５２（図５）を包含する１つのパターンを有する。
【００５８】
図１１、図１２（Ａ）および（Ｂ）を参照して、まず、感光性を有する有機絶縁膜６が、たとえばスピンコート法によって塗布されることで形成される。塗布法が用いられることで、有機絶縁膜６は平坦で平滑な表面を有する。有機絶縁膜６は、絶縁性基板１００上において信号線１０３を覆う。そして有機絶縁膜６を露光、現像する第３のフォトリソグラフィ工程によって、開口部６１および６２が形成される。開口部６１によって電極膜５０が部分的に露出される。開口部６１は、電極膜５０上から延びる側壁を有する。
【００５９】
その後、有機絶縁膜６は温度２３０℃程度で焼成される。これにより、開口部６１および６２には、４０〜６０°程度のテーパ角ＴＡ（図２１）が形成される。
【００６０】
図１３、図１４（Ａ）および（Ｂ）を参照して、まず、スパッタ法で透明導電膜７が成膜される。透明導電膜７は、前述した画素電極７２となる部分を含む。すなわち、透明導電膜７は、有機絶縁膜６を覆い、有機絶縁膜６の開口部６１で電極膜５０に接触する。次に透明導電膜７のパターニングが、以下のように行われる。
【００６１】
まず第４のフォトリソグラフィ工程によって、透明導電膜７上に、第１の厚さを有するフォトレジストパターンＰＲ１（第１のフォトレジストパターン）と、第１の厚さよりも大きい厚さを有するフォトレジストパターンＰＲ２（第２のフォトレジストパターン）と、開口パターンと、を含むフォトレジスト膜５００が形成される。この工程において、透明導電膜７のうち有機絶縁膜６上の部分には、フォトレジストパターンＰＲ１およびＰＲ２の各々が形成される。
【００６２】
このように高低差を有するフォトレジストパターンを形成するために多階調マスク９００（図１９）が準備される。多階調マスク９００を用いてフォトレジスト膜５００を露光することで、フォトレジスト膜５００が残存する厚さを位置によって相違させることができる。多階調マスク９００は、遮光領域Ｍ１（第１の透過率を有する第１のマスクパターン）と、半透過領域Ｍ２（第１の透過率よりも高い第２の透過率を有する第２のマスクパターン）と、透過領域Ｍ３（第２の透過率よりも高い第３の透過率を有する第３のマスクパターン）とを有する。多階調マスク９００を用いてポジ型レジストを露光することで、透過領域Ｍ３に対応する開口部と、半透過領域Ｍ２に対応するパターンと、遮光領域Ｍ１に対応する、より厚いパターンとを形成することができる。好ましくは、半透過領域Ｍ２は、フォトレジスト膜５００のうち有機絶縁膜６の開口部６１の外側に位置する部分のみに対して投影される。
【００６３】
次にフォトレジスト膜５００のフォトレジストパターンＰＲ１およびＰＲ２をエッチングマスクとして用いて透明導電膜７がパターニングされる。これにより画素電極７２が形成される。さらにフォトレジストパターンＰＲ１およびＰＲ２をエッチングマスクとして用いたエッチングにより電極膜５０およびコンタクト層４０（図１２（Ａ））がパターニングされる。これにより電極膜５０から、互いに分離されたソース電極５１とドレイン電極５２とが形成される。またコンタクト層４０から、互いに分離されたコンタクト層４１および４２が形成される。なおこのエッチングの際に半導体膜３１表面へのオーバーエッチングが若干生じてもよい。
【００６４】
ここまでの工程によって有機絶縁膜６の開口部６１に、バックチャネルを有する逆スタガ型のＴＦＴ１０６が形成される。また有機絶縁膜６の開口部６２に透明導電膜７の開口が形成される。
【００６５】
次に、フォトレジストパターンＰＲ１を除去しかつ平面レイアウトにおいてフォトレジストパターンＰＲ２の少なくとも一部を残存させることによって、フォトレジスト膜５００が狭小化される。本実施の形態においては、平面レイアウトにおいてフォトレジストパターンＰＲ２自体も狭小化される。すなわち、フォトレジストパターンＰＲ１が除去されることに加えて、フォトレジストパターンＰＲ２が狭小化される。この狭小化はアッシング処理によって行われる。アッシングによってフォトレジストパターンＰＲ１が除去されるだけでなく、フォトレジストパターンＰＲ２が後退する。アッシング処理は、先のドライエッチングと連続で行なうことができる。
【００６６】
図１５、図１６（Ａ）および（Ｂ）を参照して、上記の狭小化により、フォトレジスト膜５００は、前述したフォトレジストパターンＰＲ２が狭小化されたフォトレジストパターンＰＲ２Ｎを有する。フォトレジストパターンＰＲ２Ｎを有するフォトレジスト膜５００を用いて画素電極７２がパターニングされる。このパターニングにより、図１６（Ａ）の右上部分に示すように、互いに隣り合う画素電極７２が分離される。またダミー電極７１と、画素電極７２の接触部分７２ａとの各々のパターンが、それらの縁が後退するように調整される（図１４（Ａ）および図１６（Ａ）参照）。このパターニングにおいて、透明導電膜７のうち導電膜７４（図１６（Ｂ））の部分も選択的に残存させられる。その後、フォトレジスト膜５００が、剥離されることで除去される。
【００６７】
図１７、図１８（Ａ）および（Ｂ）を参照して、画素電極７２を覆う層間絶縁膜８が形成される。この形成は、たとえばプラズマＣＶＤ法により行い得る。次に第５のフォトリソグラフィ工程が行われる。具体的には、層間絶縁膜８の開口部８２と、ゲート絶縁膜２の開口部２２とがエッチングによって形成される。
【００６８】
再び図６（Ａ）および（Ｂ）を参照して、層間絶縁膜８上に共通電極９１が形成される。具体的には、透明導電膜の成膜と、第６のフォトリソグラフィ工程によるパターニングとが行われる。以上によりアレイ基板２０１が得られる。
【００６９】
（比較例）
図１４（Ａ）を参照して、１回のエッチングによって、互いに分離されたソース電極５１およびドレイン電極５２と、そのそれぞれの上に位置するダミー電極７１および画素電極７２との形成が完了されると仮定する。ダミー電極７１および画素電極７２となる透明導電膜７の材料に比して、ソース電極５１およびドレイン電極５２となる電極膜５０がエッチングされやすい材料である場合、図２０（Ａ）に示すように、ソース電極側面５１Ｓおよびドレイン電極側面５２Ｓのそれぞれからダミー電極７１および画素電極７２が張り出した形状（以下、庇形状と称する）が形成されてしまう。特に電極膜５０がＡｌまたはＡｌ合金の場合、このような現象が生じやすい。このような庇形状は、層間絶縁膜８（図１８（Ａ））によって十分に被覆することが難しい。庇形状はＴＦＴ１０６のチャネル近傍に位置することから、庇形状の不十分な被覆はＴＦＴ１０６の動作不良につながりやすい。ＴＦＴ１０６に動作不良があると液晶表示パネルの表示品位が低下し得る。
【００７０】
（作用効果）
上記比較例と異なり本実施の形態によれば、前述した庇形状の形成が防止される。逆に、ソース電極側面５１Ｓおよびドレイン電極側面５２Ｓ（図２０（Ｂ））のそれぞれがダミー電極７１および画素電極７２から張り出した形状（以下、テラス形状と称する）が形成される。テラス形状は、層間絶縁膜８（図１８（Ａ））によって十分に被覆することが容易である。よって、被覆不良による歩留まり低下を抑制することができる。
【００７１】
また上記のように層間絶縁膜８の被覆性が高いことから、ＴＦＴ１０６の保護膜としての機能を維持しつつ、層間絶縁膜８の厚さをより小さくすることができる。これにより、所望のフリンジ電界の発生に必要な電圧が低くなるので、液晶表示パネル３００（図１）の消費電力を抑えることができる。
【００７２】
上記テラス形状は、透明導電膜７および電極膜５０をフォトレジストパターンＰＲ２を用いてエッチングした後に（図１４（Ａ））、狭小化されたフォトレジストパターンＰＲ２Ｎを用いた再度のエッチングによって透明導電膜７（すなわち画素電極７２）が狭小化されることで形成される。言い換えれば、この再度のエッチングによってダミー電極７１および画素電極７２のそれぞれがソース電極側面５１Ｓおよびドレイン電極側面５２Ｓの内側へと後退する。フォトレジストパターンＰＲ２の狭小化は、フォトレジストパターンＰＲ１の除去のためのアッシングと同時に行うことができるので、工程上の負担が小さい。またこの狭小化は、独立したフォトリソグラフィ工程をともなうものではないので、露光の重ね合わせ誤差に起因した位置ばらつきが生じない。よって狭小化を高い精度で行うことができる。
【００７３】
また本実施の形態によれば、画素電極７２は、有機絶縁膜６の開口部６１でドレイン電極５２に接触する接触部分７２ａと、接触部分７２ａから直接有機絶縁膜６の側壁上に延びる配線部分７２ｂと、配線部分７２ｂにつながり有機絶縁膜６上に設けられた本体部分７２ｃとを有する。この構成により、製造工程のばらつきなどに起因して画素電極７２が途中で途切れることが抑制される。これにより製造歩留まりが向上する。
【００７４】
特に有機絶縁膜６にテーパ角ＴＡ（図２１）が設けられることにより、接触部分７２ａと本体部分７２とをつなぐ配線部分７２ｂをより確実に形成することができる。有機絶縁膜６に対するテーパ角ＴＡの十分な付与は、有機絶縁膜６が有機物からなることから、加熱処理によって容易に行い得る。
【００７５】
なお仮に画素電極７２が接触部分７２ａからゲート絶縁膜２上の部分を経由して有機絶縁膜６の側壁上に延びるような構造が用いられると、画素電極７２が複雑な経路を経ることから、製造工程のばらつきなどに起因して、画素電極が途中で途切れてしまうことがあり、特に層の境界上において途切れることがある。これにより製造歩留まりが低下し得る。
【００７６】
また本実施の形態によれば、フォトレジストパターンＰＲ１（図１４（Ａ）および（Ｂ））は、有機絶縁膜６の開口部６１および６２の外側にのみ形成される。すなわち、フォトレジストパターンＰＲ１は、開口部６１および６２中に形成されない。その理由は、開口部６１および６２には有機絶縁膜６の膜厚分の段差があるので、厚さの小さいフォトレジストパターンＰＲ１の形成が困難なためである。フォトレジストパターンＰＲ１を開口部６１および６２の外側のみに形成することで、この段差に起因したパターン形状の不良を避けることができる。
【００７７】
また図１４（Ａ）および（Ｂ）に示すように、開口部６１において透明導電膜７をエッチングしさらに、半導体膜３１上に互いに離されたソース電極５１およびドレイン電極５２を形成する際、すなわちバックチャネルを形成する際に、仮に有機絶縁膜６が露出していると、この露出部分にエッチングダメージが加わる。たとえば、フォトレジスト膜５００がフォトレジストパターンＰＲ２のみを有しフォトレジストパターンＰＲ１を有していないと仮定すると、上記のようなエッチングダメージが生じる。これに対して本実施の形態においては、フォトレジストパターンＰＲ１とその下に位置する透明導電膜７とが有機絶縁膜６を、チャネル形成のためのエッチングに起因したダメージから保護する。これにより、エッチングダメージに起因した有機絶縁膜６の削れ、平滑性の低下、および形状変化を避けることができる。よって有機絶縁膜６がより平坦とされるので、その上に配置される配向膜３６１ａも平坦なものとなる。よって配向膜３６１ａに対するラビング処理の不良に起因した歩留まりの低下または表示品位の低下を抑制することができる。
【００７８】
また上述したように、信号線１０３上の有機絶縁膜６が保護されることによって、信号線１０３へのダメージも避けることができる。よって信号線１０３へのダメージに起因した歩留まり低下を避けることができる。
【００７９】
また上述したように、層間絶縁膜８がＴＦＴ１０６の保護絶縁膜として機能し、また有機絶縁膜６が信号線１０３の保護膜として機能する。よってこれら保護機能のためだけの膜を形成する必要がない。よって製造方法が簡素化される。
【００８０】
また上述したようにフォトリソグラフィ工程の回数を最低６回にまで低減することができる。これにより製造コストを低減することができる。
【００８１】
また図６（Ａ）に示すように、絶縁性基板１００と共通電極９１との間に画素電極７２が配置される。このため、図２２（Ａ）に示すように、画素電極７２のうち多くの割合を、液晶駆動のための電界発生における有効領域ＥＡとして用いることができる。言い換えれば、液晶表示パネル３００（図１）の開口率を大きくすることができる。
【００８２】
仮に絶縁性基板と画素電極（図中、画素電極７２１）との間に共通電極が配置されるとすると、図２２（Ｂ）に示すように、画素電極のうち有効領域ＥＢの割合が小さくなる。この第１の理由は、画素電極７２１にはフリンジ電界発生のためのスリットを形成する必要があり、そのため外周に冗長パターン７２２が必要となるためである。また第２の理由は、画素電極７２１に信号を印加するためのコンタクトホールを形成するための領域ＣＲを確保する必要があるためである。
【００８３】
図２２（Ａ）および（Ｂ）を比較すると、前者（本実施の形態）の方が有効領域の割合が数％から１０％程度高い。つまり開口率がより大きい。これにより輝度向上およびそれに伴うコントラスト向上、および視野角向上などのような表示品位の向上が得られる。
【００８４】
なお本実施の形態においては、多階調マスク９００によってポジ型レジストが露光される場合について説明したが、ネガ型レジストが用いられる場合は多階調マスク９００の明暗が反転されればよい。
【００８５】
＜実施の形態２＞
図２３（Ａ）および（Ｂ）は本実施の形態のアレイ基板２０２の構成を概略的に示しており、そのそれぞれは実施の形態１の図６（Ａ）および（Ｂ）の視野に対応している。
【００８６】
図２３（Ａ）を参照して、本実施の形態のアレイ基板２０２においては、有機絶縁膜６の開口部６１において、ゲート絶縁膜２が開口部２１を有する。開口部２１において層間絶縁膜８が絶縁性基板１００に達している。
【００８７】
図２３（Ｂ）を参照して導電膜７４がゲート絶縁膜２の開口部２２においてコンタクト電極１２に接している。ゲート絶縁膜２の開口部２２は有機絶縁膜６の開口部６２と同じ大きさである。これによりコンタクト電極１２上でのコンタクトの接触面積が実施の形態１に比して大きくなる。よって接触抵抗を抑えることができる。
【００８８】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１のアレイ基板２０１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。アレイ基板２０２は液晶表示パネル３００（図１）においてアレイ基板２０１の代わりに用い得る。
【００８９】
図２４（Ａ）および（Ｂ）を参照して、上記アレイ基板２０２の製造において、有機絶縁膜６をマスクにしたドライエッチングが行われる。これによりゲート絶縁膜２に開口部２１および２２が形成される。このドライエッチングが有機絶縁膜６に及ぼす影響は、有機絶縁膜６の全体にわったってほぼ均一である。よって有機絶縁膜６は、ダメージは受けるものの、段差の発生などの形状変化はあまり受けない。その後、実施の形態１と同様に、画素電極７２、層間絶縁膜８および共通電極９１が形成される。
【００９０】
＜実施の形態３＞
図２５（Ａ）および（Ｂ）を参照して、本実施の形態のアレイ基板２０３は、前述した層間絶縁膜８の代わりに、塗布型のスピンオングラス膜（ＳＯＧ膜）である層間絶縁膜８ａを有する。ＳＯＧ膜はＳｉＯ組成を有するので誘電率が低い（ε＝３〜３.５）。よって、たとえばフリンジ電圧を６〜７Ｖとすると、十分なフリンジ電界を得るには膜厚を５００ｎｍ以下とする必要がある。塗布型ＳＯＧ膜は平坦性に優れているため有機絶縁膜６上において薄膜化しやすい。また有機絶縁膜６の開口部６１を局所的に厚いＳＯＧ膜で埋め込むことができるので、表示領域１０１（図２）のほとんどを平坦化することができる。これにより配向膜３６１ａ（図１）の膜厚、および配向膜３６１ａのラビング処理がより均一化される。またＴＦＴ１０６上にＳＯＧ膜があることで、寄生容量を小さくすることができる。
【００９１】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１または２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。アレイ基板２０３は液晶表示パネル３００（図１）においてアレイ基板２０１の代わりに用い得る。
【００９２】
本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１００  絶縁性基板、１０１  表示領域、１０２  額縁領域、１０３  信号線、１０４  走査線、１０５  共通配線、１０６  ＴＦＴ、１０７  外部配線、１０８  プリント基板、１０９  ＩＣチップ、１１  ゲート電極、１２  コンタクト電極、２  ゲート絶縁膜、２０１〜２０３  アレイ基板、２１，２２，６１，６２，８２  開口部、３，３１  半導体膜、３００  液晶表示パネル、３６０  対向基板、３６１ａ，３６１ｂ  配向膜、３６２  液晶層、３６３  ブラックマトリクス、３６４  カラーフィルタ、３６５ａ，３６５ｂ  偏光板、３６６  光学フィルム、３６７  バックライトユニット、３６９  シール、４，４０，４１  コンタクト層、５０  電極膜、５００  フォトレジスト膜、５１  ソース電極、５１Ｓ  ソース電極側面、５２  ドレイン電極、５２Ｓ  ドレイン電極側面、６  有機絶縁膜、７  透明導電膜、７１  ダミー電極、７２  画素電極、７２ａ  接触部分、７２ｂ  配線部分、７２ｃ  本体部分、７４  導電膜、８，８ａ  層間絶縁膜、９００  多階調マスク、９１  共通電極、９２  スリット、Ｍ１  遮光領域、Ｍ２  半透過領域、Ｍ３  透過領域、ＰＲ１  フォトレジストパターン（第１のフォトレジストパターン）、ＰＲ２，ＰＲ２Ｎ  フォトレジストパターン（第２のフォトレジストパターン）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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