(57)【要約】【課題】スティッキングの発生を低減することのできるＭＥＭＳ構造体の製造方法およびＭＥＭＳ構造体を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ構造体１の製造方法は、固定電極３１と、固定電極３１上に配置されている犠牲層９０と、が配置されている基板２を準備する準備工程と、犠牲層９０上に可動電極３２の一部である可動部３２３を形成し、基板２上に可動部３２３と連結している支持梁部７１、７２を形成する形成工程と、犠牲層９０を除去する除去工程と、電気的作用によって可動部３２３と支持梁部７１、７２とを切断する切断工程と、を含んでいる。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極と、前記固定電極上に配置されている犠牲層と、を有する基板を準備する工程と、
前記犠牲層上に可動部を形成し、前記可動部と連結している支持梁部を前記基板上に形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
前記可動部と前記支持梁部とを分離する工程と、を含んでいることを特徴とするＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項２】
前記形成する工程では、前記支持梁部を前記固定電極と絶縁して形成する請求項１に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項３】
前記形成する工程では、前記基板に固定され、前記可動部を支持する固定部をさらに形成し、
平面視で、前記支持梁部と前記固定部との間に前記可動部が配置されている請求項１または２に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項４】
前記形成する工程では、前記可動部を複数形成する請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項５】
前記分離する工程では、前記支持梁部の先端部であって、前記可動部と接続している接続部を切断する請求項１ないし４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項６】
前記支持梁部は、横断面積が小さい小横断面積部を有している請求項５に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項７】
前記分離する工程では、前記支持梁部に電圧を印加して前記支持梁部を溶断する請求項１ないし６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項８】
前記溶断する箇所の電気抵抗値は、前記支持梁部の他の部分よりも高くなっている請求項７に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項９】
前記分離する工程では、前記可動部と前記固定電極との間に電圧を印加し、前記可動部を前記固定電極に対して変位させることで、前記支持梁部を破断する請求項１ないし６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記固定電極と前記可動部とで静電容量型の振動素子の少なくとも一部が構成されている請求項１ないし９のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記ＭＥＭＳ構造体は、物理量を検知する物理量センサーである請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板に配置されている固定電極と、
前記基板に配置されている固定部と、前記固定電極と空隙を隔てて対向配置されている可動部と、前記固定部と前記可動部とを連結する連結部と、を有している可動電極と、
前記基板に配置され、前記可動部に連結することで前記可動部を支持している支持梁部と、を有していることを特徴とするＭＥＭＳ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ構造体の製造方法およびＭＥＭＳ構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に記載のＭＥＭＳ構造体は、固定電極と、固定電極と離間して対向配置された可動部を有する可動電極と、を有する振動素子を備えており、固定電極および可動電極の間に所定周波数の電圧を印加することで、可動部が振動するようになっている。また、特許文献１には、ＭＥＭＳ構造体の製造方法として、まず、基板上に固定電極を形成し、次に、固定電極の表面に犠牲層を形成し、次に、基板および犠牲層上に可動電極を形成し、最期に、犠牲層を除去して可動電極を固定電極からリリースする方法が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載のＭＥＭＳ構造体では、以下のような理由から、製造時において、可動電極が固定電極に張り付いてしまう「スティッキング」が顕著に生じてしまう。
【０００３】
すなわち、特許文献１では、犠牲層の除去がウェットエッチングを用いて行われるため、犠牲層を除去した後にエッチング液を洗い流す洗浄工程が必要となる。この洗浄工程は、水等の洗浄液を用いてエッチング液を除去する工程と、乾燥によって洗浄液を除去する工程とで構成されている。そして、乾燥工程において、固定電極と可動部との間に入り込んだ洗浄液が徐々に蒸発（体積が減少）していくことで、洗浄液の表面張力によって可動部が固定電極側に引き付けられ、可動部が固定電極に接触する。可動部が固定電極に接触すると、分子間力や、表面の凹凸の係合（引っ掛かり）等の各種要因によって、可動部がそのまま固定電極に張り付いてしまい、スティッキングが発生してしまう。特許文献１のＭＥＭＳ構造体では、可動部が片持ち支持され、先端側が自由端になっているため、可動部が撓み易く、このようなスティッキングが顕著に発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−５１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、スティッキングの発生を低減することのできるＭＥＭＳ構造体の製造方法およびＭＥＭＳ構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法は、固定電極と、前記固定電極上に配置されている犠牲層と、を有する基板を準備する工程と、
前記犠牲層上に可動部を形成し、前記可動部と連結している支持梁部を前記基板上に形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
前記可動部と前記支持梁部とを分離する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【０００８】
これにより、可動部が固定電極に張り付いてしまう「スティッキング」と呼ばれる現象を抑制することができる。
【０００９】
［適用例２］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記形成する工程では、前記支持梁部を前記固定電極と絶縁して形成することが好ましい。
【００１０】
これにより、例えば、固定電極と接続されている回路へのダメージを防止することができる。
【００１１】
［適用例３］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記形成する工程では、前記基板に固定され、前記可動部を支持する固定部をさらに形成し、
平面視で、前記支持梁部と前記固定部との間に前記可動部が配置されていることが好ましい。
【００１２】
これにより、可動部の撓みをより効果的に抑制することができる。そのため、より効果的にスティッキングを抑制することができる。
【００１３】
［適用例４］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記形成する工程では、前記可動部を複数形成することが好ましい。
これにより、振動特性の良い可動電極となる。
【００１４】
［適用例５］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記分離する工程では、前記支持梁部の先端部であって、前記可動部と接続している接続部を切断することが好ましい。
【００１５】
これにより、切断後に、支持梁部の一部が可動部に残存し、可動部の質量が大きく増加してしまうことを抑制することができる。そのため、振動特性（周波数特性）の変化を抑制することができる。
【００１６】
［適用例６］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記支持梁部は、横断面積が小さい小横断面積部を有していることが好ましい。
これにより、小横断面積部で支持梁部を切断することができる。
【００１７】
［適用例７］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記分離する工程では、前記支持梁部に電圧を印加して前記支持梁部を溶断することが好ましい。
これにより、簡単に、支持梁部を切断することができる。
【００１８】
［適用例８］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記溶断する箇所の電気抵抗値は、前記支持梁部の他の部分よりも高くなっていることが好ましい。
【００１９】
これにより、溶断する箇所を特に加熱することができるため、より確実に、所定の箇所で溶断することができる。
【００２０】
［適用例９］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記分離する工程では、前記可動部と前記固定電極との間に電圧を印加し、前記可動部を前記固定電極に対して変位させることで、前記支持梁部を破断することが好ましい。
これにより、簡単に、支持梁部を切断することができる。
【００２１】
［適用例１０］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記固定電極と前記可動部とで静電容量型の振動素子の少なくとも一部が構成されていることが好ましい。
【００２２】
これにより、振動素子の構成が簡単となる。また、半導体プロセスで製造し易いＭＥＭＳ構造体となる。
【００２３】
［適用例１１］
本適用例のＭＥＭＳ構造体の製造方法では、前記ＭＥＭＳ構造体は、物理量を検知する物理量センサーであることが好ましい。
これにより、物理量を検知することのできるＭＥＭＳ構造体が得られる。
【００２４】
［適用例１２］
本適用例のＭＥＭＳ構造体は、基板と、
前記基板に配置されている固定電極と、
前記基板に配置されている固定部と、前記固定電極と空隙を隔てて対向配置されている可動部と、前記固定部と前記可動部とを連結する連結部と、を有している可動電極と、
前記基板に配置され、前記可動部に連結することで前記可動部を支持している支持梁部と、を有していることを特徴とする。
【００２５】
これにより、可動部が固定電極に張り付いてしまう「スティッキング」と呼ばれる現象を抑制することのできるＭＥＭＳ構造体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＭＥＭＳ構造体を示す断面図である。
【図２】図１に示すＭＥＭＳ構造体が有する振動素子および支持梁部を示す斜視図である。
【図３】図２に示す支持梁部を切断した状態を示す斜視図である。
【図４】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が有する振動素子を示す平面図である。
【図１８】図１７中のＡ−Ａ線断面図である。
【図１９】図１７中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２０】本発明の第３実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が有する振動素子を示す平面図である。
【図２１】図２０中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図２２】本発明の第４実施形態に係るＭＥＭＳ構造体を示す断面図である。
【図２３】本発明のＭＥＭＳ構造体を備えるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図２４】本発明のＭＥＭＳ構造体を備える携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図２５】本発明のＭＥＭＳ構造体を備えるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図２６】本発明のＭＥＭＳ構造体を備える移動体を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法およびＭＥＭＳ構造体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るＭＥＭＳ構造体を示す断面図である。図２は、図１に示すＭＥＭＳ構造体が有する振動素子および支持梁部を示す斜視図である。図３は、図２に示す支持梁部を切断した状態を示す斜視図である。図４ないし図１６は、それぞれ、図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体の製造方法を説明するための断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２９】
１．ＭＥＭＳ構造体
図１に示すＭＥＭＳ構造体１は、所定周波数の信号を発振することのできる発振器として用いられる。このようなＭＥＭＳ構造体１は、図１に示すように、基板２と、振動素子３と、支持梁部７１、７２と、素子周囲構造体４と、空洞部５と、半導体回路（回路）６と、を有している。
【００３０】
基板２は、シリコン基板である半導体基板２１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成された第１絶縁膜２２と、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で構成された第２絶縁膜２３と、をこの順に積層することで構成されている。ただし、第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３の材料としては、製造時に半導体基板２１を保護することと、半導体基板２１、振動素子３を絶縁することができれば、特に限定されない。また、基板２の平面視形状としては、特に限定されず、例えば、略正方形または略長方形等の矩形や、円形とすることができ、本実施形態では、略正方形となっている。
【００３１】
また、半導体基板２１上およびその上方には半導体回路６が作り込まれている。この半導体回路６には、例えば、振動素子３を励振させるための発振回路が含まれており、その他にも、位相同期回路（ＰＬＬ回路）や、発振回路からの出力周波数を整数倍にする逓倍回路や、信号を所定の出力形式（ＣＭＯＳ、ＬＶ−ＰＥＣＬ、ＬＶＤＳ等）に変換して出力する出力回路等を含んでいてもよい。このような半導体回路６には、必要に応じて形成されたＭＯＳトランジスタ６１等の能動素子、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路要素が含まれている。このように、基板２に半導体回路６を作り込むことで、例えば、半導体回路６を別体として設ける場合と比較して、ＭＥＭＳ構造体１の小型化を図ることができる。なお、図１では、説明の便宜上、ＭＯＳトランジスタ６１のみを図示している。このトランジスタ６１は、ゲート電極６１１と、ゲート絶縁膜６１２と、ソース電極６１３と、ドレイン電極６１４と、を有している。
【００３２】
また、振動素子３は、静電容量型（静電駆動型）の振動素子であり、図１および図２に示すように、基板２の上面に設けられている固定電極３１および可動電極３２を有している。また、可動電極３２は、基板２の上面に設けられている固定部３２１と、固定電極３１と空隙を隔てて対向配置されている可動部３２３と、可動部３２３を片持ち支持するように、可動部３２３と固定部３２１とを連結している連結部３２２と、を有している。これら固定電極３１および可動電極３２は、それぞれ、ポリシリコンを主材料（主成分）として含んでおり、ポリシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。このような振動素子３は、半導体回路６と電気的に接続されており、半導体回路６から固定電極３１および可動電極３２間に、所定周波数の交番電圧を印加することで可動部３２３が振動するようになっている。振動素子３をこのような構成とすることで、後述するように、振動素子３を半導体プロセスで形成することができ、ＭＥＭＳ構造体１の製造が容易となる。
【００３３】
また、図１および図２に示すように、基板２の上面には、２本の支持梁部７１、７２が設けられている。これら支持梁部７１、７２は、可動部３２３の自由端部（先端部）と対向するように位置している。また、支持梁部７１、７２は、基板２上に配置され、半導体回路６に電気的に接続されている固定部７１１、７２１と、固定部７１１、７２１から上方に立ち上り、途中で可動部３２３に向けて略直角に屈曲している立ち上り部７１２、７２２と、を有している。そして、この立ち上り部７１２、７２２の先端が、それぞれ、可動部３２３の自由端部（先端部）に接続されている。そのため、可動部３２３は、基端部にて連結部３２２に支持され、先端部にて支持梁部７１、７２に支持された状態、すなわち、連結部３２２および支持梁部７１、７２で両持ち支持された状態となっている。このように、可動部３２３を両持ち支持しておくことで、後述するように、ＭＥＭＳ構造体１の製造時に、可動部３２３が固定電極３１に張り付いてしまうこと（所謂「スティッキング」）を防止することができる。また、可動部３２３を両持ち支持しておくことで、可動部３２３の変形が抑制され、耐衝撃性が向上する。そのため、例えば、各種電化製品に組み込む前の流通過程において、搬送中の振動等によってＭＥＭＳ構造体１が破損してしまうことを効果的に抑制することができる。
【００３４】
なお、支持梁部７１、７２が可動部３２３に接続された状態では、振動素子３を機能させることができず、振動素子３を機能させるには、図３に示すように、支持梁部７１、７２を可動部３２３から切断する必要がある。また、支持梁部７１、７２を切断するにあたっても、支持梁部７１、７２の一部が可動部３２３に残渣として残ってしまわないように、支持梁部７１、７２のより先端側で切断するのが好ましい。これは、仮に、支持梁部７１、７２の一部が残渣として可動部３２３に残ってしまうと、その分、可動部３２３の質量が増加し、振動素子３の共振周波数が変化してしまうためである。
【００３５】
支持梁部７１、７２の切断を先端部（所定位置）にて行うことができるように、立ち上り部７１２、７２２の先端部（すなわち可動部３２３との接続部）が、それよりも基端側（固定部７１１、７２１側）の部分よりも幅が狭く、横断面積の小さい小横断面積部７１３、７２３となっている。小横断面積部７１３、７２３は、基端側の部分よりも横断面積が小さい分、電気抵抗が高く、また、機械的に脆弱である。そのため、例えば、可動電極３２と支持梁部７１、７２との間に電圧を印加して、過電流を流すことで、小横断面積部７１３、７２３を局所的に加熱することができ、小横断面積部７１３、７２３において支持梁部７１、７２を切断（溶断）することができる。また、例えば、固定電極３１と可動電極３２との間に電圧を印加し、可動部３２３を振動（変位）させることで、小横断面積部７１３、７２３に機械的なストレスを与え、小横断面積部７１３、７２３にて支持梁部７１、７２を切断（破断）することができる。このように、支持梁部７１、７２の先端部を小横断面積部７１３、７２３とすることで、可動部３２３の質量変化が低減され、所望の周波数特性を有する振動素子３を得やすくなる。なお、上述のように、小横断面積部７１３、７２３にて切断した場合でも、可動部３２３の質量変化が生じる場合があり、この質量変化によって生じる周波数変化は、例えば、半導体回路６中のＰＬＬ回路等で補正することができる。
【００３６】
また、素子周囲構造体４は、振動素子３を収容する空洞部５を画成するように形成されている。この素子周囲構造体４は、図１に示すように、層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に形成された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に形成された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に形成された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に形成された表面保護膜４５と、封止層４６と、を有している。また、配線層４４は、空洞部５の内外を連通する複数の細孔４４２を備えた被覆層４４１を有しており、被覆層４４１上に配置されている封止層４６が細孔４４２を封止することで、空洞部５が真空状態（減圧状態）に維持されている。また、配線層４２、４４は、空洞部５を囲むように形成されている配線層４２ａ、４４ａと、半導体回路６の配線を構成する配線層４２ｂ、４４ｂと、を含んでいる。そのため、半導体回路６は、配線層４２ｂ、４４ｂによってＭＥＭＳ構造体１の上面に引き出され、配線層４４ｂの一部が外部接続端子４４ｂ’となっている。
【００３７】
層間絶縁膜４１、４３としては、特に限定されないが、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層４２、４４としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層４６としては、特に限定されないが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜４５としては、特に限定されないが、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜等、ＭＥＭＳ構造体１を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものを用いることができる。
【００３８】
２．ＭＥＭＳ構造体１の製造方法
次に、ＭＥＭＳ構造体１の製造方法について説明する。
【００３９】
図４ないし図１６は、それぞれ、図１ないし図３に示すＭＥＭＳ構造体１の製造方法を説明するための断面図である。以下、ＭＥＭＳ構造体１の製造方法について、これらの図に基づいて説明する。
【００４０】
ＭＥＭＳ構造体１の製造方法は、固定電極３１と、固定電極３１上に配置されている犠牲層９０と、が配置されている基板を準備する準備工程と、犠牲層９０上に可動電極３２の一部である可動部３２３を形成し、基板２に可動部３２３と連結している支持梁部７１、７２を形成する形成工程と、犠牲層９０を除去する除去工程と、電気的作用によって可動部３２３と支持梁部７１、７２とを切断する切断工程と、を含んでいる。以下、これら各工程について順に詳述する。
【００４１】
［準備工程］
まず、図４に示すように、シリコン基板からなる半導体基板２１を用意する。次に、図５に示すように、半導体基板２１の上面（表面）を熱酸化することで、第１絶縁膜（シリコン酸化膜）２２を選択的に形成し、後に振動素子３を形成するためのＭＥＭＳ領域Ｓ１と、後に半導体回路６を形成するための半導体領域Ｓ２と、を形成する。次に、図６に示すように、ＭＥＭＳ領域Ｓ１において、第１絶縁膜２２上に、第２絶縁膜（シリコン窒化膜）２３をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。以上により、基板２が得られる。
【００４２】
次に、図７に示すように、第２絶縁膜２３上に固定電極３１および固定部３２１、７１１、７２１を形成する（ただし、固定部７１１、７２１は図示しない）。具体的には、まず、第２絶縁膜２３の上面にポリシリコンの膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時に、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコンの膜をフォトリソグラフィー技法とエッチング技法を用いてパターニングすることで、固定電極３１および固定部３２１、７１１、７２１の形状とする。これにより、第２絶縁膜２３上に、固定電極３１および固定部３２１、７１１、７２１が形成される。ただし、例えば、前記パターニングを終えてから、リン、ボロン等の不純物をドープ（イオン注入）して導電性を付与してもよい。
【００４３】
次に、ＣＶＤ法により、図８に示すように、固定電極３１および固定部３２１の表面を覆うシリコン酸化膜からなる犠牲層９０を形成する。なお、犠牲層９０は、ＣＶＤ法ではなく、熱酸化法、スパッタリング法等により形成してもよい。
【００４４】
次に、図９に示すように、犠牲層９０の、連結部３２２を形成する領域を除去して貫通孔９０１を形成する。除去工程は、例えば、フォトリソグラフィー技法とエッチング技法を用いて行うことができる。
【００４５】
［形成工程］
次に、図１０に示すように、ＭＥＭＳ領域Ｓ１において、固定部３２１上に可動部３２３および連結部３２２を形成して可動電極３２を得ると共に、固定部７１１、７２１上に立ち上り部７１２、７２２を形成して支持梁部７１、７２を得る。具体的には、第２絶縁膜２３および犠牲層９０上にポリシリコンの膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時に、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコンの膜をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで、可動部３２３、連結部３２２および立ち上り部７１２、７２２の形状とする。これにより、固定部３２１上に、可動部３２３および連結部３２２が形成されて可動電極３２が得られると共に、固定部７１１、７２１上に立ち上り部７１２、７２２が形成されて支持梁部７１、７２が得られる。なお、可動電極３２および支持梁部７１、７２は、それぞれ、固定電極３１と電気的に絶縁された状態となっている。
【００４６】
次に、図１１に示すように、基板２の上面に、層間絶縁膜４１、配線層４２、層間絶縁膜４３および配線層４４を順に形成する。これにより、振動素子３等が層間絶縁膜４１、４３および配線層４２、４４で覆われた状態となる。
【００４７】
層間絶縁膜４１、４３の形成は、シリコン酸化膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、そのシリコン酸化膜をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることにより行う。また、配線層４２、４４の形成は、層間絶縁膜４１、４３上に、例えばアルミニウムよりなる層をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることにより行う。ここで、配線層４２ａ、４４ａは、平面視で振動素子３を囲むように環状をなしている。また、配線層４２ｂ、４４ｂは、半導体基板２１上およびその上方に形成された配線等に電気的に接続される。
【００４８】
このような層間絶縁膜４１、４３と配線層４２、４４との積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスにより形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわち、必要に応じてさらに多くの配線層が層間絶縁膜を介して積層される場合もある。
【００４９】
［除去工程］
図１２に示すように、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により表面保護膜４５を形成した後、エッチングにより空洞部５を形成し、これとともに振動素子３をリリースする。表面保護膜４５は、一種類以上の材料を含む複数の膜層で構成され、被覆層４４１の細孔４４２を封止してしまわないように形成する。なお、表面保護膜４５の構成材料としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するもので形成される。
【００５０】
また、空洞部５の形成や振動素子３のリリースは、被覆層４４１に形成された複数の細孔４４２を通じたエッチングにより、層間絶縁膜４１、４３および犠牲層９０の一部（配線層４２ａ、４４ａで囲まれた部分）を除去することにより行う。ここで、本工程のエッチングとして、ウェットエッチングを用いる場合、複数の細孔４４２からフッ酸、緩衝フッ酸等のエッチング液を供給し、ドライエッチングを用いる場合、複数の細孔４４２からフッ化水素酸ガス等のエッチングガスを供給する。
【００５１】
次に、空洞部５内を洗浄液Ｃによって洗浄し、エッチングガスやエッチング液を除去する。具体的には、細孔４４２から空洞部５内に洗浄液Ｃを導入し、十分に洗浄した後、空洞部５内に残存している洗浄液Ｃを乾燥により除去することで空洞部５内からエッチングガスやエッチング液を除去する。洗浄液Ｃとしては、特に限定されないが、例えば、水や各種有機溶剤（メタノール、エタノール等のアルコール類、エーテル類、トルエン、ベンゼン、アセトン等）を用いることができる。
【００５２】
ここで、図１３（ａ）に示すように、可動部３２３が連結部３２２および固定部３２１によって片持ち支持されている場合には、可動部３２３の先端部が撓み易く（上下に変位し易く）なっているため、乾燥によって洗浄液Ｃを除去する際に、可動部３２３が固定電極３１に張り付く「スティッキング」と呼ばれる現象が生じやすい。具体的に説明すれば、固定電極３１と可動部３２３との間に入り込んでいる洗浄液Ｃが乾燥により徐々に除去されていく（体積が減少していく）と、図１３（ｂ）に示すように、洗浄液Ｃの表面張力によって可動部３２３の先端部が下方に引きつけられ、最終的に、図１３（ｃ）に示すように、可動部３２３の自由端部が固定電極３１に接触する。このように、可動部３２３が固定電極３１に接触すると、分子間力や、表面の凹凸の係合（引っ掛かり）等の各種要因によって、可動部３２３がそのまま固定電極３１に張り付いてしまい、スティッキングが発生してしまう。
【００５３】
これに対して、図１４（ａ）に示す本実施形態のＭＥＭＳ構造体１のように、可動部３２３の先端部が支持梁部７１、７２によって支持されている、言い換えると、平面視で、固定部３２１（連結部３２２）と支持梁部７１、７２との間に可動部３２３が位置していると、可動部３２３の先端部の撓み（上下の変位）を抑制することができる。よって、固定電極３１と可動部３２３との間に入り込んでいる洗浄液Ｃが乾燥により徐々に除去されていっても、図１４（ｂ）に示すように、洗浄液Ｃの表面張力による下方への引き付けに抗することができ、図１４（ｃ）に示すように、洗浄液Ｃが除去されるまで、可動部３２３の先端部の固定電極３１への接触が防止（または抑制）される。したがって、本実施形態のＭＥＭＳ構造体１によれば、スティッキングを防止（または抑制）することができる。
【００５４】
特に、本実施形態では、可動部３２３の最も撓み易い部位（上下への変位量が大きくなる部位）である先端部を支持梁部７１、７２によって支持している。そのため、より効果的に、可動部３２３の固定電極３１への接触を防止することができる。また、本実施形態では、２本の支持梁部７１、７２が可動部３２３の先端部の幅方向両端部を支持しているため、さらに、可動部３２３の先端部が上下に撓み難くなっている。そのため、上記効果がより顕著なものとなる。なお、本実施形態のように、可動部３２３を連結部３２２と支持梁部７１、７２とで両持ち支持する場合には、可動部３２３の長さによっては、可動部３２３の長さ方向の中央部が撓み易くなる場合があるため、支持梁部７１、７２に加えて、さらに、可動部３２３の長さ方向の中央部を支持するような別の支持梁部を配置してもよい。
【００５５】
次に、空洞部５を真空状態とし、図１５に示すように、被覆層４４１上に、ＡＬ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜等からなる封止層４６をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、各細孔４４２を封止する。これより、空洞部５が封止層４６により封止され、真空状態が維持される。
【００５６】
これにより、図２に示す状態のＭＥＭＳ構造体１が得られる。なお、図４〜図１５では図示していないが、半導体回路６に含まれるＭＯＳトランジスタ６１等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路要素は、上述した適宜の工程中において作り込んでおくことができる。例えば、第１絶縁膜２２と共に回路素子間分離膜を形成したり、固定電極３１や可動電極３２とともにゲート電極６１１、配線等を形成したり、犠牲層９０、層間絶縁膜４１、４３とともにゲート絶縁膜６１２、容量誘電体層、層間絶縁膜を形成したり、配線層４２、４４とともに回路内配線を形成したりすることができる。
【００５７】
［切断工程］
次に、図１６に示すように、支持梁部７１、７２を切断することで、可動部３２３を支持梁部７１、７２から切り離す（ただし、図１６では、支持梁部７１は図示しない）。これにより、振動素子３を駆動させることのできる状態となる。ここで、支持梁部７１、７２の切断は、電気的作用によって行われる。このように電気的作用を用いることで、空洞部５に囲まれた状態であっても、すなわち、外部からレーザー等を照射することができない状態でも、簡単に、支持梁部７１、７２を切断することができる。
【００５８】
電気的作用を用いる方法として、具体的には、支持梁部７１、７２に過電流を流す方法と、可動部３２３を振動させる方法がある。
【００５９】
まず、支持梁部７１、７２に過電流を流す方法について説明する。この方法では、まず、半導体回路６によって、支持梁部７１と可動電極３２との間に電圧を印加し、支持梁部７１に過電流を流すことで支持梁部７１を溶断する。次に、半導体回路６によって、支持梁部７２と可動電極３２との間に電圧を印加し、支持梁部７２に過電流を流すことで支持梁部７２を溶断する。なお、前述したように、支持梁部７１、７２の先端部には小横断面積部７１３、７２３が形成されていることから、支持梁部７１、７２に過電流を流すと小横断面積部７１３、７２３が特に発熱し、小横断面積部７１３、７２３が溶断される。そのため、切断後に、支持梁部７１、７２の一部が残渣として可動部３２３に過度に残ってしまうことを防止することができ、可動部３２３の過度な質量変化による振動素子３の周波数特性の過度な変化を防止することができる。また、前述したように、支持梁部７１、７２および可動電極３２がそれぞれ、固定電極３１と絶縁されているため、支持梁部７１、７２と可動電極３２との間に過電流を流したときに、その電流が固定電極３１を介して半導体回路６に流れていかない。そのため、半導体回路６がダメージを受けてしまうおそれがない。
【００６０】
ここで、支持梁部７１、７２および可動電極３２に電圧を印加して支持梁部７１、７２を溶断する際には、半導体回路６によって、固定電極３１にも同程度の電圧（固定電極３１に電圧を印加しない場合と比較して、可動電極３２との電位差が小さくなるような電圧）を印加することが好ましい。これにより、固定電極３１と可動電極３２との電位差をほぼゼロにすることができるため、支持梁部７１、７２が切断された直後に、可動電極３２の可動部３２３が固定電極３１に引き付けられ、スティッキングを起こしてしまうことを防止することができる。
【００６１】
また、過電流によって小横断面積部７１３、７２３をより確実に溶断するために、小横断面積部７１３、７２３の電気抵抗をより高めることが好ましい。これにより、過電流を流すことで、小横断面積部７１３、７２３をより加熱することができるので、小横断面積部７１３、７２３の溶断をより確実に行うことができる。小横断面積部７１３、７２３の電気抵抗を高める方法としては、特に限定されないが、例えば、前述したように、可動部３２３、連結部３２２および立ち上り部７１２、７２２の形状にパターニングしたポリシリコンの膜に、リン、ボロン等の不純物をドープする際に、小横断面積部７１３、７２３へのドープ量を、他の部分へのドープ量よりも少なくする（ドープしない場合も含む）方法が挙げられる。これにより、比較的簡単に、小横断面積部７１３、７２３の抵抗値を高めることができる。
【００６２】
次に、可動部３２３を振動させる方法について説明する。この方法では、半導体回路６によって、固定電極３１と可動電極３２との間に交流電圧（または間欠的な直流電圧）を印加し、可動電極３２の可動部３２３を振動させる。この振動によって、可動部３２３と支持梁部７１、７２との接続部である小横断面積部７１３、７２３に機械的なストレスを与え、小横断面積部７１３、７２３を破断する。例えば、上述した過電流を流す方法では、固定電極３１や可動電極３２に電気的なダメージを与えてしまうおそれがあるが、当該方法によれば、それを防止することができる点で好ましい。
以上により、図３に示す状態のＭＥＭＳ構造体１が得られる。
【００６３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明のＭＥＭＳ構造体の第２実施形態について説明する。
【００６４】
図１７は、本発明の第２実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が有する振動素子を示す平面図である。図１８は、図１７中のＡ−Ａ線断面図である。図１９は、図１７中のＢ−Ｂ線断面図である。
【００６５】
以下、本発明の第２実施形態に係るＭＥＭＳ構造体について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００６６】
第２実施形態のＭＥＭＳ構造体は、振動素子の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００６７】
図１７ないし図１９に示すように、本実施形態のＭＥＭＳ構造体１では、振動素子３の可動電極３２は、第２絶縁膜２３上に設けられ、半導体回路６に電気的に接続されている固定部３２５と、４本の支持部３２６を介して固定部３２５に吊られている（遊離して支えられている）基部３２７と、基部３２７から四方（十字状）に突出する４つ（複数）の可動部３２８Ａ、３２８Ｂ、３２８Ｃ、３２８Ｄと、を有している。一方、振動素子３の固定電極３１は、可動部３２８Ａに対向配置されている第１固定電極３１Ａと、可動部３２８Ｂに対向配置されている第２固定電極３１Ｂとを有し、これら第１、第２固定電極３１Ａ、３１Ｂは、配線によって１つにまとめられた状態で半導体回路６に電気的に接続されている。このような固定電極３１および可動電極３２は、前述した第１実施形態と同様に、導電性のポリシリコンで構成することができる。
【００６８】
このような振動素子３は、固定電極３１と可動電極３２との間に印加される交流電圧によって、４つの可動部３２８Ａ〜３２８Ｄが振動する。具体的には、可動部３２８Ａ、３２８Ｂと、可動部３２８Ｃ、３２８Ｄが逆相で振動する。すなわち、可動部３２８Ａ、３２８Ｂが上方へ撓み変形すれば、可動部３２８Ｃ、３２８Ｄが下方へ撓み変形し、反対に、可動部３２８Ａ、３２８Ｂが下方へ撓み変形すれば、可動部３２８Ｃ、３２８Ｄが上方へ撓み変形する。このような振動によれば、基部３２７の上下方向の変位が相殺されて振動が抑制されるため、振動効率の良い振動素子３となる。
【００６９】
また、第２絶縁膜２３上には、各可動部３２８Ａ〜３２８Ｄに２本の支持梁部７１、７２が設けられており、各可動部３２８Ａ〜３２８Ｄの先端部が２本の支持梁部７１、７２によって支持されている。支持梁部７１、７２の構成や効果、支持梁部７１、７２を切断しなければ振動素子３を機能させることができないこと、支持梁部７１、７２の製造方法や切断方法、については、前述した第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００７０】
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７１】
＜第３実施形態＞
次に、本発明のＭＥＭＳ構造体の第３実施形態について説明する。
【００７２】
図２０は、本発明の第３実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が有する振動素子を示す平面図である。図２１は、図２０中のＣ−Ｃ線断面図である。
【００７３】
以下、本発明の第３実施形態に係るＭＥＭＳ構造体について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７４】
第３実施形態のＭＥＭＳ構造体は、振動素子の構成が異なること以外は、前述した第２実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７５】
図２０および図２１に示すように、本実施形態のＭＥＭＳ構造体１では、支持部３２６が基部３２７と固定部３２５との間に、これらで挟まれるように配置されており、支持部３２６が基部３２７を下方から支持するようになっている。
【００７６】
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７７】
＜第４実施形態＞
次に、本発明のＭＥＭＳ構造体の第４実施形態について説明する。
図２２は、本発明の第４実施形態に係るＭＥＭＳ構造体を示す断面図である。
【００７８】
以下、本発明の第４実施形態に係るＭＥＭＳ構造体について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７９】
第４実施形態のＭＥＭＳ構造体は、振動素子の下方にダイアフラムが設けられ、圧力（物理量）を検知する圧力センサー（物理量センサー）として用いられること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８０】
図２２に示すように、本実施形態のＭＥＭＳ構造体１’の基板２（半導体基板２１）には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２４が設けられている。このダイアフラム２４は、半導体基板２１の下面に有底の凹部２５を設けることで形成され、その下面（凹部２５の底面）が受圧面２４１となっている。そして、このダイアフラム２４上に振動素子３が設けられている。
【００８１】
このような構成のＭＥＭＳ構造体１’では、ダイアフラム２４の受圧面２４１が受ける圧力に応じてダイアフラム２４が撓み変形し、これにより、固定電極３１と可動部３２３とのギャップが変化し、ギャップ変化に応じて振動素子３の共振周波数が変化する。そのため、この共振周波数の変化を検知することで、この検知結果から受圧面２４１が受けた圧力を検知することができる。すなわち、ＭＥＭＳ構造体１’は、圧力を検知する圧力センサーとして用いることができる。
【００８２】
このようなＭＥＭＳ構造体１の製造方法は、前述した第１実施形態で説明したＭＥＭＳ構造体１の製造工程に、基板２に凹部２５を形成してダイアフラム２４を得る工程を追加するだけであるため、その説明を省略する。なお、凹部２５を形成する工程の順番としては、特に限定されないが、例えば、封止層４６を形成した後であって、支持梁部７１、７２を切断する前に行うことが好ましい。
【００８３】
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８４】
次に、支持梁部７１、７２が切断された状態のＭＥＭＳ構造体１を備えた電子機器について説明する。
【００８５】
図２３は、本発明のＭＥＭＳ構造体を備えるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には発振器としてＭＥＭＳ構造体１が内蔵されている。
【００８６】
図２４は、本発明のＭＥＭＳ構造体を備える携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には発振器としてＭＥＭＳ構造体１が内蔵されている。
【００８７】
図２５は、本発明のＭＥＭＳ構造体を備えるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００８８】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００８９】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、発振器としてＭＥＭＳ構造体１が内蔵されている。
【００９０】
なお、本発明のＭＥＭＳ構造体を備える電子機器は、図２３のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図２４の携帯電話機、図２５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００９１】
次に、支持梁部７１、７２が切断された状態のＭＥＭＳ構造体１を備えた移動体について説明する。
【００９２】
図２６は、本発明のＭＥＭＳ構造体を備える移動体を示す斜視図である。自動車（移動体）１５００には、ＭＥＭＳ構造体１が搭載されている。ＭＥＭＳ構造体１は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【００９３】
以上、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法およびＭＥＭＳ構造体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００９４】
１、１’……ＭＥＭＳ構造体
２……基板
２１……半導体基板
２２……第１絶縁膜
２３……第２絶縁膜
２４……ダイアフラム
２４１……受圧面
２５……凹部
３……振動素子
３１……固定電極
３１Ａ……第１固定電極
３１Ｂ……第２固定電極
３２……可動電極
３２１……固定部
３２２……連結部
３２３……可動部
３２５……固定部
３２６……支持部
３２７……基部
３２８Ａ、３２８Ｂ、３２８Ｃ、３２８Ｄ……可動部
４……素子周囲構造体
４１……層間絶縁膜
４２、４２ａ、４２ｂ……配線層
４３……層間絶縁膜
４４、４４ａ、４４ｂ……配線層
４４ｂ’……外部接続端子
４４１……被覆層
４４２……細孔
４５……表面保護膜
４６……封止層
５……空洞部
６……半導体回路
６１……トランジスタ
６１１……ゲート電極
６１２……ゲート絶縁膜
６１３……ソース電極
６１４……ドレイン電極
７１、７２……支持梁部
７１１、７２１……固定部
７１２、７２２……立ち上り部
７１３、７２３……小横断面積部
９０……犠牲層
９０１……貫通孔
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
Ｃ……洗浄液
Ｓ１……ＭＥＭＳ領域
Ｓ２……半導体領域
【図１】
2015213963.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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