(57)【要約】【課題】本発明は、タンタルキャパシターに関する。【解決手段】本発明は、タンタル粉末を含む二つのキャパシター本体をタンタルワイヤーが互いに反対方向に向かうように配置し、それぞれのタンタルワイヤーと接続する二つの陽極リードフレームと、上記陽極リードフレームを挟んで配置され、二つのキャパシター本体が同時に実装される二つの陰極リードフレームと、を含むタンタルキャパシターを提供する。【選択図】図２
2015216340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタル粉末を含み、第１及び第２タンタルワイヤーの露出した方向が互いに対向するように配置された第１及び第２キャパシター本体と、
前記第１及び第２タンタルワイヤーの露出する方向と交差する方向に沿って互いに離隔して配置され、前記第１及び第２キャパシター本体が同時に実装される第１及び第２陰極リードフレームと、
前記第１及び第２陰極リードフレームの間で前記第１及び第２タンタルワイヤーとそれぞれ接続するように配置される第１及び第２陽極リードフレームと、
前記第１及び第２陰極リードフレームと前記第１及び第２陽極リードフレームの端部が露出するように前記第１及び第２キャパシター本体を包むモールディング部と、を含む、タンタルキャパシター。
【請求項２】
前記第１及び第２タンタルワイヤーが、前記第１及び第２キャパシター本体の幅方向の一側面を介してそれぞれ露出する、請求項１に記載のタンタルキャパシター。
【請求項３】
前記第１及び第２キャパシター本体と前記第１及び第２陰極リードフレームとの間に導電性接着層が配置される、請求項１または２に記載のタンタルキャパシター。
【請求項４】
前記モールディング部内で前記第１及び第２陰極リードフレームを連結する連結端子をさらに含む、請求項１から３の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項５】
前記第１及び第２陰極リードフレームと前記第１及び第２陽極リードフレームの端部が、前記モールディング部のいずれかの側面から実装面の一部まで延長するように形成される、請求項１から４の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項６】
前記モールディング部内で前記第１及び第２陽極リードフレームは前記第１及び第２タンタルワイヤーに向かってそれぞれ折り曲げ形成され、前記第１及び第２陽極リードフレームの端部には前記第１及び第２タンタルワイヤーが嵌合するように凹溝が形成される、請求項１から５の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項７】
前記第１及び第２キャパシター本体が同じ容量を具現する、請求項１から６の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項８】
前記第１及び第２キャパシター本体は相違する容量を具現する、請求項１から６の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項９】
タンタル粉末を含み、幅方向の一側面が互いに対向するように配置された第１及び第２キャパシター本体と、
前記第１及び第２キャパシター本体の内部に位置する挿入領域と、前記第１及び第２キャパシター本体の幅方向の他側面を介して露出する非挿入領域と、をそれぞれ有する第１及び第２タンタルワイヤーと、
前記第１及び第２キャパシター本体が同時に実装され、前記第１及び第２キャパシター本体の長さ方向に沿って互いに離隔して配置された第１及び第２陰極リードフレームと、
前記第１及び第２陰極リードフレームの間に配置され、一端部が前記第１及び第２タンタルワイヤーの非挿入領域とそれぞれ接続する第１及び第２陽極リードフレームと、
前記第１及び第２キャパシター本体及び前記第１及び第２タンタルワイヤーの非挿入領域を包むが、前記第１及び第２陰極リードフレームの両端部と前記第１及び第２陽極リードフレームの他端部が前記第１及び第２キャパシター本体の幅方向に沿って露出するように形成されるモールディング部と、を含む、タンタルキャパシター。
【請求項１０】
前記第１及び第２キャパシター本体と前記第１及び第２陰極リードフレームとの間に導電性接着層が配置される、請求項９に記載のタンタルキャパシター。
【請求項１１】
前記モールディング部内で前記第１及び第２陰極リードフレームを連結する連結端子をさらに含む、請求項９または１０に記載のタンタルキャパシター。
【請求項１２】
前記第１及び第２陰極リードフレームの両端部と前記第１及び第２陽極リードフレームの他端部が前記モールディング部の長さ方向の両側面から実装面の一部まで延長するように形成される、請求項９から１１の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項１３】
前記第１及び第２陽極リードフレームは、
一部が前記モールディング部の長さ方向の両側面を介してそれぞれ露出する第１及び第２陽極端子部と、
前記モールディング部内で、前記第１及び第２陽極端子部の端部から前記第１及び第２タンタルワイヤーの非挿入領域に向かってそれぞれ折り曲げ形成される第１及び第２ワイヤー接続部と、
前記第１及び第２ワイヤー接続部の端部に前記第１及び第２タンタルワイヤーの非挿入領域がそれぞれ嵌合するように形成された第１及び第２凹溝と、を含む、請求項９から１２の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項１４】
前記第１及び第２キャパシター本体が同じ容量を具現する、請求項９から１３の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項１５】
前記第１及び第２キャパシター本体は相違する容量を具現する、請求項９から１３の何れか１項に記載のタンタルキャパシター。
【請求項１６】
上側に折り曲げ形成される第１及び第２ワイヤー接続部を有する第１及び第２陽極リードフレームを所定間隔をおいて配置し、前記第１及び第２陽極リードフレームを挟んでその両側に第１及び第２陰極リードフレームを配置する段階と、
タンタル粉末を含む第１及び第２キャパシター本体を第１及び第２タンタルワイヤーの露出する方向が対向するように互いに対向して配置する段階と、
前記第１及び第２タンタルワイヤーを前記第１及び第２ワイヤー接続部にそれぞれ接続した状態で、前記第１及び第２キャパシター本体を前記第１及び第２陰極リードフレーム上に同時に実装する段階と、
前記第１及び第２キャパシター本体を絶縁性素材でモールドするが、前記第１及び第２陰極リードフレームの両端部と前記第１及び第２陽極リードフレームの第１及び第２陽極端子部の一部が前記第１及び第２タンタルワイヤーの露出する方向に沿って引き出されるようにモールディング部を形成する段階と、
前記第１及び第２陰極リードフレームの両端部と前記第１及び第２陽極端子部のうち露出した部分を、前記モールディング部の互いに対向する両側面から実装面の一部まで延長するように折り曲げる段階と、を含む、タンタルキャパシターの製造方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２キャパシター本体を前記第１及び第２陰極リードフレーム上に実装する前に、前記第１及び第２陰極リードフレーム上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層を形成する段階を行う、請求項１６に記載のタンタルキャパシターの製造方法。
【請求項１８】
前記第１及び第２ワイヤー接続部に第１及び第２凹溝をそれぞれ形成し、前記第１及び第２タンタルワイヤーを前記第１及び第２凹溝にそれぞれ嵌合した後、導電性接着剤で固定する、請求項１６または１７に記載のタンタルキャパシターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タンタルキャパシターに関する。
【背景技術】
【０００２】
タンタル（ｔａｎｔａｌｕｍ；Ｔａ）素材は、融点が高く、優れた軟性及び耐腐食性などの機械的又は物理的特徴により、電気、電子、機械及び化学工業をはじめ宇宙及び軍事分野など、産業全般にわたり広範に使用される金属である。
【０００３】
かかるタンタル素材は、安定した陽極酸化皮膜を形成できる特性により、小型キャパシターの素材として広く用いられており、近年、電子及び情報通信のようなＩＴ産業の急激な発達に伴い、その使容量が毎年急激に増加している。
【０００４】
近年、マイクロプロセッサーは、高機能及び多機能化に伴い、トランジスターの集積度が高くなり、消費電流が増加する傾向にあり、電源電圧は、消費電力の節減によって低電圧化している。また、駆動周波数は、処理速度の向上によって高周波数化が進んでいる。
【０００５】
上記の理由から、マイクロプロセッサーの電源にはｄｉ／ｄｔの大きい過渡電流が流れ、過渡電流とデカップリングキャパシターのＥＳＬ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ；等価直列インダクタンス）によって電源電圧の変動をもたらした。
【０００６】
また、電源電圧の低電圧化に伴い信号波の振幅も小さくなるため、上記マイクロプロセッサーは、上記電源電圧の変動が信号波のしきい値電圧を超える場合、誤動作を起こしうる。
【０００７】
通常、上記電源電圧の変動は、キャパシターのＥＳＬを低減することで低下させることができるため、上記タンタル素材を用いた小型キャパシターにおいても上記ＥＳＬを低減することに関する研究が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国公開特許第２００８−００６３６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ＥＳＬが改善されたタンタルキャパシターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、極性が異なる電極端子がキャパシターの同一側面に引き出される構造を有しており、二つのキャパシター本体をタンタルワイヤーの露出した方向が互いに対向するように配置し、上記タンタルワイヤーの露出方向と交差する方向に上記二つのキャパシター本体が同時に実装されるように二つの陰極リードフレームを配置し、上記二つの陰極リードフレームの間にそれぞれのタンタルワイヤーと接続する二つの陽極リードフレームを配置したタンタルキャパシターを提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一実施形態によると、陽極端子から陰極端子に連結される電流ループ（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｏｐ）の長さを最小化することで、タンタルキャパシターの電気抵抗特性であるＥＳＬを低減できる効果がある。
【００１２】
本発明の多様且つ有益な利点と効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態に関する説明によってより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の透明斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターの第１及び第２キャパシター本体と、第１及び第２タンタルワイヤーと、第１及び第２陽極リードフレームと、第１及び第２陰極リードフレームを示す分解斜視図である。
【図４】本発明の他の実施形態によるタンタルキャパシターの第１及び第２キャパシター本体と、第１及び第２タンタルワイヤーと、第１及び第２陽極リードフレームと、第１及び第２陰極リードフレームを示す分解斜視図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターの製造方法を示す斜視図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターの製造方法を示す斜視図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターの製造方法を示す斜視図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターの製造方法を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１５】
本発明の一態様によるタンタルキャパシターは、タンタル粉末を含み、第１及び第２タンタルワイヤーの露出した方向が互いに対向するように配置された第１及び第２キャパシター本体と、上記第１及び第２タンタルワイヤーの露出する方向と交差する方向に沿って互いに離隔して配置され、上記第１及び第２キャパシター本体が同時に実装される第１及び第２陰極リードフレームと、上記第１及び第２陰極リードフレームの間で上記第１及び第２タンタルワイヤーとそれぞれ接続するように配置される第１及び第２陽極リードフレームと、上記第１及び第２陰極リードフレームと上記第１及び第２陽極リードフレームの端部が露出するように上記第１及び第２キャパシター本体を包むモールディング部と、を含む。
【００１６】
図１は本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターを概略的に示す斜視図であり、図２は図１の透明斜視図であり、図３は本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターの第１及び第２キャパシター本体と、第１及び第２タンタルワイヤーと、第１及び第２陽極リードフレームと、第１及び第２陰極リードフレームを示す分解斜視図である。
【００１７】
図１から図３を参照すると、本実施形態によるタンタルキャパシター１００は、第１及び第２キャパシター本体１０、２０と、第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１と、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２と、第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２と、モールディング部６０と、を含む。
【００１８】
以下、本実施形態では、説明の便宜上、モールディング部６０の実装面を下面１、下面１と厚さ方向に互いに対向する面を上面２、モールディング部６０の長さ方向の両側面を第１及び第２側面３、４、第１及び第２側面３、４と垂直に交差して互いに対向するモールディング部６０の幅方向の両側面を第３及び第４側面５、６と定義する。
【００１９】
第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、タンタル材質を用いて形成され、陰極として作用する。
【００２０】
本実施形態の第１及び第２キャパシター本体１０、２０において、第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１が第１及び第２キャパシター本体１０、２０の幅方向の一側面を介してそれぞれ露出することができる。
【００２１】
この際、第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１の露出する方向が対向するように幅方向の他側面が互いに対向して配置される。
【００２２】
また、第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、多孔質の弁作用金属体からなり、上記多孔質の弁作用金属体の表面に、誘電体層、固体電解質層及び陰電極層を順次形成して作製することができる。
【００２３】
一例として、第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、タンタル粉末とバインダーを所定の割合で混合して攪拌し、このように混合した粉末を圧縮して直方体に成形した後、これを高温及び高振動下で焼結して作製してもよい。
【００２４】
より具体的には、タンタルキャパシター（Ｔａｎｔａｌｕｍ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、タンタル粉末（Ｔａｎｔａｌｕｍ  Ｐｏｗｄｅｒ）を焼結して硬化したときに生じる隙間を利用する構造であって、第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、タンタルの表面に陽極酸化法で酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を形成し、この酸化タンタルを誘電体としてその上に電解質である二酸化マンガン層（ＭｎＯ２）又は伝導性高分子層を形成し、上記二酸化マンガン層又は伝導性高分子層上にカーボン層及び金属層を形成して作製することができる。
【００２５】
また、第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、必要に応じて、表面にカーボン及び銀（Ａｇ）が塗布されてもよい。
【００２６】
上記カーボンは、第１及び第２キャパシター本体１０、２０の表面の接触抵抗を減少させるためのものであり、上記銀（Ａｇ）は、第１及び第２キャパシター本体１０、２０を第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２上に実装する際に電気連結性を向上させるためのものである。
【００２７】
第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１は、陽極として作用する。
【００２８】
第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１は、第１及び第２キャパシター本体１０、２０の内部にそれぞれ位置する第１及び第２挿入領域１１ｂ、２１ｂと、第１及び第２キャパシター本体１０、２０の幅方向の一側面を介してそれぞれ露出する第１及び第２非挿入領域１１ａ、２１ａと、を含む。
【００２９】
また、第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１は、上記タンタル粉末とバインダーが混合された粉末を圧縮する前に、上記タンタル粉末とバインダーの混合物に挿入して装着することができる。
【００３０】
すなわち、第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、バインダーを混合したタンタル粉末にタンタルワイヤー１１、２１を挿入装着して所望の大きさのタンタル素子を成形した後、上記タンタル素子を約１，０００〜２，０００の高真空（１０−５ｔｏｒｒ以下）雰囲気下で約３０分程度焼結して作製することができる。
【００３１】
第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２は、第１及び第２キャパシター本体１０、２０の長さ方向に沿って互いに離隔して配置され、接地端子として機能することができる。
【００３２】
また、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２は、第１及び第２キャパシター本体１０、２０が同時に実装される中央の第１及び第２実装部４１ｃ、４２ｃと、モールディング部６０の第１及び第２側面３、４を介して引き出される第１陰極端子部４１ａ、４１ｂ及び第２陰極端子部４２ａ、４２ｂと、を含む。
【００３３】
この際、第１及び第２陰極端子部４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂは、モールディング部６０の第１及び第２側面３、４から下面１の一部まで延長するように形成されることができる。
【００３４】
また、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の実装部４１ｃ、４２ｃと第１及び第２キャパシター本体１０、２０との間には導電性接着層５０が配置されることができる。
【００３５】
導電性接着層５０は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂及び金属粉末を含む導電性接着剤を所定量ディスペンシング又はドッティングして形成されることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３６】
また、上記金属粉末は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）の少なくとも一つ以上を含んでもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３７】
一方、図４を参照すると、モールディング部６０内で第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の第１及び第２実装部４１ｃ、４２ｃを連結する連結端子４３が配置されることができる。
【００３８】
連結端子４３は、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の第１及び第２実装部４１ｃ、４２ｃを電気的に接合することにより、陰極リードフレーム全体の電気抵抗及びインダクタンスを低減し、安定したノイズ除去の効果が得られるようにする。
【００３９】
第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２は、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の間で長さ方向に互いに離隔して配置される。
【００４０】
また、第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２は、一部がモールディング部６０の第１及び第２側面３、４を介してそれぞれ露出する第１及び第２陽極端子部３１ａ、３２ａと、モールディング部６０内で第１及び第２陽極端子部３１ａ、３２ａの端部から第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１の第１及び第２非挿入領域１１ａ、２１ａに向かって折り曲げ形成されて第１及び第２非挿入領域と接続する第１及び第２ワイヤー接続部３１ｂ、３２ｂと、をそれぞれ含む。
【００４１】
この際、第１及び第２陽極端子部３１ａ、３２ａは、モールディング部６０の第１及び第２側面３、４から下面１の一部まで延長するように形成されることができる。
【００４２】
また、第１及び第２ワイヤー接続部３１ｂ、３２ｂの端部には第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１の第１及び第２非挿入領域１１ａ、２１ａがそれぞれ嵌合するように第１及び第２凹溝３１ｃ、３２ｃがそれぞれ形成されることができる。
【００４３】
この際、第１及び第２凹溝には第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１の第１及び第２非挿入領域１１ａ、２１ａが接合するように導電性接着層がさらに形成されてもよい。
【００４４】
上記導電性接着層は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂及び金属粉末を含む導電性接着剤を所定量ディスペンシング又はドッティングして形成されることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４５】
モールディング部６０は、第１及び第２キャパシター本体１０、２０と第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１の第１及び第２非挿入領域１１ａ、２１ａを包むように、ＥＭＣ（エポキシモールディングコンパウンド；ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの絶縁性樹脂をトランスファーモールディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｌｄｉｎｇ）して形成されることができる。
【００４６】
この際、モールディング部６０は、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の第１及び第２陰極端子部４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂと第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２の第１及び第２陽極端子部３１ａ、３２ａの一部が第１及び第２側面３、４を介して露出するように形成される。
【００４７】
かかるモールディング部６０は、外部から第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１及び第１及び第２キャパシター本体１０、２０を保護する機能を果たすだけでなく、第１及び第２キャパシター本体１０、２０と第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２を互いに絶縁させる役割をする。
【００４８】
本実施形態では、陽極端子と陰極端子がタンタルキャパシターの同じ側面を介して引き出されており、二つの陰極端子の間に陽極端子が近接して配置されることで、陽極端子と陰極端子との間に形成される電流ループ（ＣＬ、ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｏｐ）の長さが最小化し、タンタルキャパシターの高周波特性を支配するＥＳＬを低減できる効果がある。
【００４９】
さらに、陰極端子の間に陽極端子が近接して配置されることで、陰極端子と陽極端子との間に相互インダクタンス（ｍｕｔｕａｌ  ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が作用して、高周波電流の相殺効果によりＥＳＬをさらに低減することができる。
【００５０】
また、必要に応じて、陽極端子を接地（ＧＮＤ）配線に接続し、陽極端子をそれぞれ独立した回路に接続することで、第１及び第２キャパシター本体１０、２０は、それぞれの独立したノイズフィルターとして機能することができる。この際、タンタルキャパシターは、必要に応じて、キャパシターアレイの形態に構成して基板などに実装してもよい。
【００５１】
以下、本発明の一実施形態によるタンタルキャパシターの製造方法について説明する。
【００５２】
図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、先ず、上側に折り曲げ形成される第１及び第２ワイヤー接続部３１ｂ、３２ｂを有する第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２を所定間隔をおいて配置し、第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２を挟んでその両側に第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２を配置する。
【００５３】
次に、タンタル粉末を含み、幅方向の一側面を介して第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１が露出する第１及び第２キャパシター本体１０、２０を準備する。
【００５４】
次に、第１及び第２キャパシター本体１０、２０を第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１の露出する方向が対向するように互いに対向して配置する。
【００５５】
次に、第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１を第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２の第１及び第２ワイヤー接続部３１ａ、３２ａにそれぞれ接続する。
【００５６】
この際、第１及び第２ワイヤー接続部３１ａ、３２ａに第１及び第２凹溝３１ｃ、３２ｃをそれぞれ形成し、第１及び第２タンタルワイヤー１１、２１を第１及び第２凹溝３１ｃ、３２ｃにそれぞれ嵌合した後、導電性接着剤で固定することができる。
【００５７】
次に、第１及び第２キャパシター本体１０、２０を第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の第１及び第２実装部４１ｃ、４２ｃ上に同時に実装する。
【００５８】
この際、第１及び第２キャパシター本体１０、２０を第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２上に実装する前に、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の第１及び第２実装部４１ｃ、４２ｃ上に導電性接着剤を塗布して、導電性接着層５０を先に形成してもよい。
【００５９】
上記導電性接着剤は、エポキシ系の熱硬化性樹脂及び導電性金属粉末を含んで構成されてもよく、かかる導電性接着剤を所定量ディスペンシング又はドッティングして導電性接着層５０を形成する。
【００６０】
この際、上記導電性金属粉末として、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）の少なくとも一つ以上を含んでもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００６１】
図５Ｃ及び図５Ｄを参照すると、次に、第１及び第２キャパシター本体１０、２０を包むように、ＥＭＣ（エポキシモールディングコンパウンド；ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの樹脂をトランスファーモールディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｌｄｉｎｇ）してモールディング部６０を形成する。
【００６２】
この際、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の両端部と、第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２において第１及び第２ワイヤー接続部３１ｂ、３２ｂの端部から折り曲げ形成される部分の一部は、モールディング部６０の第１及び第２側面３、４を介して露出するようにモールディング作業を行う。
【００６３】
この際、モールドの温度は１７０℃程度とし、ＥＭＣモールディングのための上記温度及びその他の条件は、使用されるＥＭＣの成分と形状に応じて適宜調節してもよい。
【００６４】
また、モールディングの後には、必要に応じて、密閉されたオーブンやリフロー硬化条件下で約１６０℃の温度で３０〜６０分間硬化を行ってもよい。
【００６５】
次に、モールディング部６０の形成作業が完了すると、モールディング過程で生じたフラッシュ（ｆｌａｓｈ）を除去するためのデフラッシュ工程をさらに行ってもよい。
【００６６】
また、後工程として、必要に応じて、エイジング工程をさらに行ってもよい。
【００６７】
上記エイジング工程は、組立工程中に発生した電気的散布を低減する作用をする。
【００６８】
次に、第１及び第２陰極リードフレーム４１、４２の両端部をモールディング部６０の第１及び第２側面３、４から下面１の一部まで延長するように折り曲げて第１及び第２陰極端子部４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂを形成し、第１及び第２陽極リードフレーム３１、３２のうちモールディング部６０の第１及び第２側面３、４に露出した部分を、モールディング部６０の第１及び第２側面３、４から下面１の一部まで延長するように折り曲げて第１及び第２陽極端子部３１ａ、３２ａを形成する。
【００６９】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００７０】
１０、２０  第１及び第２キャパシター本体
１１、２１  第１及び第２タンタルワイヤー
３１、３２  第１及び第２陽極リードフレーム
４１、４２  第１及び第２陰極リードフレーム
５０  導電性接着層
６０  モールディング部
１００  タンタルキャパシター
【図１】
2015216340.tif 000003
【図２】
2015216340.tif 000004
【図３】
2015216340.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
2015216340.tif 000007
【図５Ｂ】
2015216340.tif 000008
【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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