(57)【要約】【課題】端子領域上に形成された封止層を容易に取り除くことができる有機ＥＬ表示装置および、その有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  有機ＥＬ素子を保護する封止層（Ｐ１〜Ｐ３）と、基板ＳＢの端部に形成される端子領域ＴＥと、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、封止層（Ｐ１〜Ｐ３）は、無機絶縁膜と有機絶縁膜を含む複数層の絶縁膜によって構成され、端子領域ＴＥは、複数の端子配線ＷＬと、複数の端子配線ＷＬのそれぞれの間に延在して、複数層の絶縁膜によって形成される複数の絶縁膜積層体ＩＢと、複数の端子配線ＷＬと複数の絶縁膜積層体ＩＢのそれぞれの間に形成される凹部ＣＣと、を有し、凹部ＣＣの側壁は、端子配線ＷＬの側面と絶縁膜積層体ＩＢの側面によって形成されて、端子配線ＷＬの側面と絶縁膜積層体ＩＢの側面に接触して樹脂層ＰＬが充填される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。【選択図】図３Ｅ
2015173078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子を保護する封止層と、
前記基板の端部となる位置に形成される端子領域と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記封止層は、無機絶縁膜と有機絶縁膜を含む複数層の絶縁膜によって構成され、
前記端子領域は、
複数の端子配線と、
前記複数の端子配線のそれぞれの間に延在して、複数層の絶縁膜によって形成される複数の絶縁膜積層体と、
前記複数の端子配線と前記複数の絶縁膜積層体のそれぞれの間に形成される凹部と、を有し、
前記凹部の側壁は、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面によって形成されて、
前記凹部には、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面に接触して樹脂層が充填される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
基板上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子を保護する封止層と、
前記基板の端部となる位置に形成される端子領域と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記封止層は、無機絶縁膜と有機絶縁膜を含む複数層の絶縁膜によって構成され、
前記端子領域は、
複数の端子配線と、
前記複数の端子配線のそれぞれの間に延在して、複数の絶縁膜によって形成される複数の絶縁膜積層体と、
前記複数の端子配線と前記複数の絶縁膜積層体のそれぞれの間に形成される凹部と、を有し、
前記凹部は、当該凹部の側壁から底部にかけて延在するように形成される金属薄膜層をさらに有し、
前記凹部の側壁は、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面によって形成されて、前記金属薄膜層は、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面に接して形成され、
前記凹部では、前記金属薄膜層の内側に接触して樹脂層が充填される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記凹部に充填される前記樹脂層は、前記複数の有機ＥＬ素子を分離するために形成される絶縁膜と同一の材料で構成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記凹部に充填される前記樹脂層は、前記薄膜トランジスタによって形成される起伏を平坦化するための絶縁膜と同一の材料で構成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記金属薄膜層は、前記有機ＥＬ素子における陽極を構成する電極層と同一の材料によって構成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数層の絶縁膜は、前記薄膜トランジスタが形成される領域にて積層される層間絶縁膜によって構成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１又は２に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記絶縁膜積層体における複数層の絶縁膜のうちのいずれかの絶縁膜は、前記封止層における無機絶縁膜と同一の材料で構成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、
複数の端子電極と、前記複数の端子配線のそれぞれの間に介在する複数の絶縁膜積層体とを備えた端子領域と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタを形成するために成膜された複数層の絶縁膜を加工して、絶縁膜積層体を複数箇所に形成する絶縁膜積層体形成工程と、
前記薄膜トランジスタにおけるソース電極およびドレイン電極と共に、端子電極を複数箇所に形成する端子電極形成工程と、
前記絶縁膜積層体と前記端子電極の間に形成される凹部において、前記絶縁膜積層体の側面と前記端子電極の側面と接するように樹脂層を充填する樹脂層充填工程と、
前記有機ＥＬ素子を保護する封止層を、前記凹部において前記樹脂層が充填された前記端子領域と前記複数の有機ＥＬ素子とを覆うように積層する封止層積層工程と、
前記端子領域を覆う前記封止層をエッチングして、前記端子電極を露出させるエッチング工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、
複数の端子電極と、前記複数の端子配線のそれぞれの間に介在する複数の絶縁膜積層体とを備えた端子領域と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタを形成するために成膜された複数層の絶縁層を加工して、絶縁膜積層体を複数箇所に形成する絶縁膜積層体形成工程と、
前記薄膜トランジスタにおけるソース電極およびドレイン電極と共に、端子電極を複数箇所に形成する端子電極形成工程と、
前記有機ＥＬ素子におけるアノード電極を形成すると共に、前記絶縁膜積層体と前記端子電極の間に形成される凹部の側壁から底部にかけて延在する金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程と、
前記凹部に形成された前記金属薄膜層の内側に接触して、前記凹部に樹脂層を充填する樹脂層充填工程と、
前記有機ＥＬ素子を保護する封止層を、前記凹部に前記樹脂層が充填された前記端子領域と前記複数の有機ＥＬ素子とを覆うように積層する封止層積層工程と、
前記端子領域を覆う前記封止層をエッチングするエッチング工程と、を有し、
前記金属薄膜形成工程では、前記端子電極の上面および側面と、前記絶縁膜積層体の側面と接するようにして前記金属薄膜層が形成され、
前記エッチング工程では、前記端子電極の上面に形成された前記金属薄膜層が露出されるように前記封止層がエッチングされる、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置と有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置（Organic Electro-Luminescence display、以下、有機ＥＬ表示装置）では、薄膜トランジスタが形成された基板上の複数画素のそれぞれに有機ＥＬ素子が形成されて、各有機ＥＬ素子は封止膜によって保護される。
【０００３】
また、有機ＥＬ表示装置の端部には、画像を表示するための信号等の入力に用いられる端子領域が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５２８２５０号公報
【特許文献２】特開２００７−７３３５３号公報
【特許文献３】特開２０１１−４８０２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、図６Ａおよび図６Ｂは、有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程を説明するための図であり、フレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）を接続していない状態の端子領域の一部断面図を示すものとなっている。図６で示される有機ＥＬ表示装置の端子領域では、複数の端子配線ＷＬが並列に配置されて、各端子配線ＷＬの間に複数層の絶縁膜によって構成される絶縁膜積層体ＩＢが配置されている。
【０００６】
また図６で示される有機ＥＬ表示装置の場合には、絶縁膜積層体ＩＢが薄膜トランジスタを形成する際に積層される層間絶縁膜によって構成され、絶縁膜積層体ＩＢを構成する絶縁層ＩＳ１、ＩＳ３は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）となっており、絶縁層ＩＳ２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）となっている。そして、各絶縁膜積層体ＩＢと各端子配線ＷＬの間には、下側（基板ＳＢ側）に窪んで形成される凹部ＣＣが形成される。
【０００７】
ここで有機ＥＬ表示装置の製造工程では、有機ＥＬ素子を水分等から保護する封止層Ｐ２が基板ＳＢの全面に形成される場合がある。図６Ａは、端子領域で封止層が形成されていない状態を示す図であり、図６Ｂは、図６Ａの状態から封止層が積層された状態を示す図となっている。図６Ｂにおける封止層では、無機絶縁膜となる第１封止層Ｐ１および第３封止層Ｐ３の間に有機絶縁膜となる第２封止層Ｐ２が積層されて、第２封止層Ｐ２が凹部ＣＣにおいて局所的に形成される。
【０００８】
図６Ｂのように、有機絶縁膜が凹部ＣＣに局所的に形成される場合には、端子領域から封止層を取り除く製造上の処理負担が大きくなる。具体的には、無機絶縁膜と有機絶縁膜を別々に取り除く場合には、厚く形成された有機絶縁膜（第２封止層Ｐ２）のエッチングに過大な時間がかかり、無機絶縁膜と有機絶縁膜の双方を同時に取り除くエッチングガスを適用する場合には、その成分の比率や選択や制御が難しいものとなる。
【０００９】
本発明は、上記のような課題に鑑みて、端子領域上に形成された封止層を容易に取り除くことができる有機ＥＬ表示装置および、その有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記課題に鑑みて、基板上に形成される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、前記複数の有機ＥＬ素子を保護する封止層と、前記基板の端部となる位置に形成される端子領域と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記封止層は、無機絶縁膜と有機絶縁膜を含む複数層の絶縁膜によって構成され、前記端子領域は、複数の端子配線と、前記複数の端子配線のそれぞれの間に延在して、複数層の絶縁膜によって形成される複数の絶縁膜積層体と、前記複数の端子配線と前記複数の絶縁膜積層体のそれぞれの間に形成される凹部と、を有し、前記凹部の側壁は、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面によって形成されて、前記凹部には、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面に接触して樹脂層が充填される、ことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記課題に鑑みて、基板上に形成される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、前記複数の有機ＥＬ素子を保護する封止層と、前記基板の端部となる位置に形成される端子領域と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記封止層は、無機絶縁膜と有機絶縁膜を含む複数層の絶縁膜によって構成され、前記端子領域は、複数の端子配線と、前記複数の端子配線のそれぞれの間に延在して、複数の絶縁膜によって形成される複数の絶縁膜積層体と、前記複数の端子配線と前記複数の絶縁膜積層体のそれぞれの間に形成される凹部と、を有し、前記凹部は、当該凹部の側壁から底部にかけて延在するように形成される金属薄膜層をさらに有し、前記凹部の側壁は、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面によって形成されて、前記金属薄膜層は、前記端子配線の側面と前記絶縁膜積層体の側面に接して形成され、前記凹部では、前記金属薄膜層の内側に接触して樹脂層が充填される、ことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記凹部に充填される樹脂層は、前記複数の有機ＥＬ素子を分離するために形成される絶縁膜と同一の材料で構成される、ことを特徴としてもよい。
【００１３】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記凹部に充填される前記樹脂層は、前記薄膜トランジスタによって形成される起伏を平坦化するための絶縁膜と同一の材料で構成される、ことを特徴としてもよい。
【００１４】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記金属薄膜層は、前記有機ＥＬ素子における陽極を構成する電極層と同一の材料によって構成される、ことを特徴としてもよい。
【００１５】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記複数層の絶縁膜は、前記複数の薄膜トランジスタが形成される領域にて積層される層間絶縁膜によって構成される、ことを特徴としてもよい。
【００１６】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記絶縁膜積層体における複数層の絶縁膜のうちのいずれかの絶縁膜は、前記封止層における無機絶縁膜と同一の材料で構成される、ことを特徴としてもよい。
【００１７】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記課題に鑑みて、薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、複数の端子電極と、前記複数の端子配線のそれぞれの間に介在する複数の絶縁膜積層体とを備えた端子領域と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを形成するために成膜された複数層の絶縁膜を加工して、絶縁膜積層体を複数箇所に形成する絶縁膜積層体形成工程と、前記薄膜トランジスタにおけるソース電極およびドレイン電極と共に、端子電極を複数箇所に形成する端子電極形成工程と、前記絶縁膜積層体と前記端子電極の間に形成される凹部において、前記絶縁膜積層体の側面と前記端子電極の側面と接するように樹脂層を充填する樹脂層充填工程と、前記有機ＥＬ素子を保護する封止層を、前記凹部において前記樹脂層が充填された前記端子領域と前記複数の有機ＥＬ素子とを覆うように積層する封止層積層工程と、前記端子領域を覆う前記封止層をエッチングして、前記端子電極を露出させるエッチング工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記課題に鑑みて、薄膜トランジスタに接続される有機発光層を備えた複数の有機ＥＬ素子と、複数の端子電極と、前記複数の端子配線のそれぞれの間に介在する複数の絶縁膜積層体とを備えた端子領域と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを形成するために成膜された複数層の絶縁層を加工して、絶縁膜積層体を複数箇所に形成する絶縁膜積層体形成工程と、前記薄膜トランジスタにおけるソース電極およびドレイン電極と共に、端子電極を複数箇所に形成する端子電極形成工程と、前記有機ＥＬ素子におけるアノード電極を形成すると共に、前記絶縁膜積層体と前記端子電極の間に形成される凹部の側壁から底部にかけて延在する金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程と、前記凹部に形成された前記金属薄膜層の内側に接触して、前記凹部に樹脂層を充填する樹脂層充填工程と、前記有機ＥＬ素子を保護する封止層を、前記凹部に前記樹脂層が充填された前記端子領域と前記複数の有機ＥＬ素子とを覆うように積層する封止層積層工程と、前記端子領域を覆う前記封止層をエッチングするエッチング工程と、を有し、前記金属薄膜形成工程では、前記端子電極の上面および側面と、前記絶縁膜積層体の側面と接するようにして前記金属薄膜層が形成され、前記エッチング工程では、前記端子電極の上面に形成された前記金属薄膜層が露出されるように前記封止層がエッチングされる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、端子領域上に形成された封止層を容易に取り除くことができる有機ＥＬ表示装置および、その有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の全体概略図である。
【図２】第１の実施形態における有機ＥＬ素子を模式的に示す断面図である。
【図３Ａ】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程の様子を示す断面図である。
【図３Ｂ】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程の様子を示す断面図である。
【図３Ｃ】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程の様子を示す断面図である。
【図３Ｄ】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程の様子を示す断面図である。
【図３Ｅ】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の端子領域の様子を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の端子領域の様子を示す断面図である。
【図６Ａ】有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程を説明するための図である。
【図６Ｂ】有機ＥＬ表示装置の端子領域の製造工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の各実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の全体を概略的に示す図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の薄膜トランジスタがマトリクス状に配列されて構成される薄膜トランジスタ基板ＳＢと、薄膜トランジスタ基板ＳＢに貼り合わされるカラーフィルタが形成された封止基板ＰＵとを含んで構成されて、封止基板ＰＵ側に映像を表示するトップエミッション型となっている。
【００２３】
また、有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰには、表示制御の対象となる複数の画素が配列され、薄膜トランジスタ基板ＳＢの縁部には、フレキシブルプリント基板に接続をして外部からの信号を入力するための端子領域ＴＥが配置される。端子領域ＴＥでは、互いに平行となるように複数の端子配線が配置される。
【００２４】
薄膜トランジスタ基板ＳＢには、多数の走査信号線が互いに等間隔を置いて敷設されるとともに、多数の映像信号線が互いに等間隔をおいて走査信号線に対して垂直となる方向に敷設される。これら走査信号線と映像信号線とによって区画される各画素領域には、ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造のスイッチングに用いる薄膜トランジスタと、アノード電極（陽極）と、有機発光層（有機ＥＬ層）と、カソード電極（陰極）が配置される。また、アノード電極は各画素に分離して形成されて、薄膜トランジスタを介して供給される映像信号線からの信号により、アノード電極およびカソード電極間に電位差を生じさせて有機発光層の発光を制御する。
【００２５】
次に、図２は有機ＥＬ表示装置１における各有機ＥＬ素子の様子を模式的に示す断面図である。同図で示されるように、基板ＳＢ上には薄膜トランジスタＴ１が形成されて、薄膜トランジスタＴ１を形成する際には複数の絶縁層ＩＳ１〜ＩＳ３が形成される。そして、薄膜トランジスタＴ１よりも上側には、段差をなくして平坦にするべく平坦化層ＰＬ１、ＰＬ２が形成され、平坦化層ＰＬ２上には反射電極ＲＦ、アノード電極Ａｎ、バンク層ＢＮＫ、有機発光層ＯＬ、カソード電極Ｃａが形成される。また、薄膜トランジスタ基板ＳＢに対向して封止基板ＰＵが配置されて、また、薄膜トランジスタ基板ＳＢと封止基板ＰＵの間には封止層Ｐ１〜Ｐ３が積層される。
【００２６】
アノード電極Ａｎおよびカソード電極Ｃａは、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）もしくは酸化インジウム・酸化亜鉛（ＩＺＯ（商標）：Indium Zinc Oxide）等の透明な導電膜で形成され、反射電極ＲＦは、銀やアルミニウム等の反射率の高い金属によって形成される。また、アノード電極Ａｎおよび反射電極ＲＦは、有機発光層ＯＬの下側に画素毎に形成され、カソード電極Ｃａは、表示領域ＤＰ内の各有機ＥＬ素子に共通となる一層で有機発光層ＯＬの上側に形成される。
【００２７】
有機発光層ＯＬは、下側からホール輸送層、発光層、電子輸送層が積層されることによって構成されている。また有機発光層ＯＬとしては、これらのうちの複数層が機能的に複合されて２層又は単層で積層されても良いし、さらにホール注入層や電子注入層等の他の機能を有した層が積層されて構成されても良い。有機発光層ＯＬでは、下部電極Ａｎから注入されたホールと、上部電極Ｃａから注入された電子とが再結合することにより発光するようになっており、両電極間に生じた電位差により発光層の発光が制御される。
【００２８】
バンク層ＢＮＫは、基板ＳＢ状に形成されたアノード電極Ａｎや反射電極ＲＦのそれぞれの間を隔てるように形成される絶縁層であり、表示領域ＤＰ内の各画素領域や有機ＥＬ素子に対応して枠状に形成される画素分離膜となっている。本実施形態におけるバンク層ＢＮＫは有機絶縁膜によって構成されて、バンク層ＢＮＫによって隔てられた各有機発光層ＯＬは、個別に薄膜トランジスタＴ１に接続されて独立に発光が制御される。
【００２９】
次に、絶縁層ＩＳ１〜ＩＳ３は、薄膜トランジスタＴ１を形成する際に形成される層間絶縁層となっており、ソース電極やドレイン電極に対応する多層配線を構成するための絶縁層となっている。図２で示されるように、本実施形態の絶縁層ＩＳ１〜ＩＳ２は、ゲート電極および半導体層の間に積層される絶縁層となっており、絶縁層ＩＳ３は、ゲート電極と、当該ゲート電極よりもさらに上層にて引き回しされるソース配線やドレイン配線とを隔てるための絶縁層となっている。
【００３０】
また、後述するように、本実施形態の絶縁層ＩＳ１、ＩＳ３は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で構成され、絶縁層ＩＳ２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で構成されるが、このような内容に限定されず他の材料によって構成されてもよい。また、薄膜トランジスタＴ１を形成する際の層間絶縁層としては、例えば、窒化シリコンによる絶縁層ＩＳ２と二酸化シリコンによる絶縁層ＩＳ３によって構成されて、後述の絶縁膜積層体ＩＢがこれらの２層のみによって構成されてもよい。
【００３１】
次に、平坦化層ＰＬ１、ＰＬ２は、薄膜トランジスタＴ１による段差を平坦化して有機ＥＬ素子を形成するための下地を形成するものとなっており、アクリルまたはポリイミド等の有機絶縁膜によって構成される。また、図２において示されるようにこれらの平坦化層には、アノード電極Ａｎと薄膜トランジスタＴ１とを接続するためのコンタクトホールが加工される。また、本実施形態では、平坦化層が２層となっているが１層にて構成されてもよいし、３層以上によって構成されてもよい。
【００３２】
封止層は、カソード電極Ｃａを上側から覆って有機ＥＬ素子を封止する絶縁層となっており、有機絶縁膜と無機絶縁膜とを含む複数層の絶縁膜によって構成される。本実施形態における封止層は、第１封止層Ｐ１および第３封止層Ｐ３が無機絶縁膜となっており、第２封止層Ｐ２が有機絶縁膜となっているが、封止層としては、有機絶縁膜と無機絶縁膜とを含む２層以上の絶縁層で構成されていればよい。
【００３３】
ここで特に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置における端子領域ＴＥの様子について説明をする。
【００３４】
図３は、本実施形態の端子領域ＴＥの形成プロセスにおける各段階を説明するための図となっているが、以下においては、まず、端子領域ＴＥの形成プロセスの終了後の構造に対応する図３Ｅを用いて、端子領域ＴＥと凹部ＣＣの構成について具体的に説明をする。
【００３５】
本実施形態の端子領域ＴＥは、図３Ｅで示されるように、複数の端子電極ＷＬのそれぞれの間にて絶縁膜積層体ＩＢが配置されて、端子電極ＷＬの上面が露出しつつ、絶縁膜積層体ＩＢと端子電極ＷＬの間に形成される凹部ＣＣにて樹脂層ＰＬが充填される。凹部ＣＣの側壁は、絶縁膜積層体ＩＢの側面と端子電極ＷＬの側面とによって構成されており、絶縁膜積層体ＩＢの側面と端子電極ＷＬの側面は、それぞれ所定の角度で傾斜したテーパー面になっている。また凹部ＣＣの底部を構成する下地層としては、本実施形態のように端子電極ＷＬの下地層を構成するポリシリコン層ＰＳが延在することによって構成されてもよいし、端子電極ＷＬから絶縁膜積層体ＩＢまで延在する下地層によって構成されてもよく、凹部ＣＣの下地層については本実施形態の態様に限定されない。
【００３６】
本実施形態では、封止層Ｐ１〜Ｐ３の形成前に有機絶縁膜を予め凹部ＣＣに樹脂層ＰＬを充填し、図６Ｂのように第２封止層Ｐ２が凹部ＣＣに局所的に形成されて製造上の負荷が大きくなってしまうことを防止するようにしている。凹部ＣＣにおける段差を樹脂層ＰＬにて低減することで、封止層Ｐ１〜Ｐ３のエッチング工程の負荷が緩和される。
【００３７】
また別の観点から樹脂層ＰＬについて説明をすると、図３Ｅで示されるように、凹部ＣＣでは、絶縁膜積層体ＩＢや端子電極ＷＬの側面、および、下地層に樹脂層ＰＬが接してこれに覆われるようになっている。このため、凹部ＣＣの側壁等による段差が吸収されることとなり、凹部ＣＣの側壁等による段差を反映しやすい第１封止層Ｐ１等の無機絶縁膜の付着が抑制されるようになっている。
【００３８】
図６Ｂのように、凹部ＣＣの側壁や底部に第１封止層Ｐ１が付着するような場合には、凹部ＣＣの段差が維持されて第２封止層Ｐ２（有機絶縁膜）が局所的に蓄積されやすくなることに加えて、さらに、第１封止層Ｐ１の材料と絶縁膜積層体ＩＢにおけるいずれかの絶縁膜とが同一となる等の場合には、第１封止層Ｐ１のエッチング時に絶縁膜積層体ＩＢにサイドエッチングを誘発させる可能性が生じる。このようなサイドエッチングは、端子領域ＴＥの信頼性を劣化させるおそれがあって端子領域ＴＥにおける製造工程上の課題となっていたが、本実施形態のように、封止層形成工程の前から凹部ＣＣに樹脂層ＰＬが充填された状態を維持することで、絶縁膜積層体ＩＢにおける絶縁膜ＩＳ２やポリシリコン層ＰＳのサイドエッチングを未然に防ぐようにしている。
【００３９】
次に、図３Ａ〜図３Ｅ、および、図４を用いて本実施形態の有機ＥＬ表示装置における端子領域ＴＥの製造工程についての説明をする。図４は、端子領域ＴＥの形成プロセスのフローチャートを示す図となっている。
【００４０】
図３および図４で説明をする端子領域ＴＥの製造工程は、表示領域ＤＰの製造工程と同時に進行するものとなっている。具体的には、Ｓ４０１における絶縁膜積層体ＩＢの形成工程は、薄膜トランジスタＴ１が形成される際に成膜される層間絶縁層（絶縁層ＩＳ１〜ＩＳ３）の形成工程に対応しており、Ｓ４０２における端子電極ＷＬの形成工程は、ソース・ドレイン配線の形成工程に対応している。また、Ｓ４０３における樹脂層ＰＬの充填工程は、薄膜トランジスタＴ１の段差を減らすための平坦化層ＰＬ１の形成工程に対応しており、Ｓ４０４における第１封止層Ｐ１〜第３封止層Ｐ３の成膜工程は、表示領域ＤＰと端子領域ＴＥとで共通する工程となっている。そして、Ｓ４０５における第１封止層Ｐ１〜第３封止層Ｐ３のエッチング工程は、表示領域ＤＰの製造工程には存在しない工程となっている。
【００４１】
このため本実施形態においては、絶縁膜積層体ＩＢを構成する複数層の絶縁膜は、薄膜トランジスタＴ１における層間絶縁層と同一の材料・積層構造で構成されて、端子電極ＷＬも、薄膜トランジスタＴ１に接続されるソース・ドレイン配線と同一の材料・積層構造によって構成されることとなる。
【００４２】
以下、端子領域ＴＥの製造工程を順番に説明をする。
【００４３】
まず、図３Ａのように、フレキシブルプリント基板が接続される端子領域ＴＥにおいて複数箇所に絶縁膜積層体ＩＢが形成される（図４におけるＳ４０１）。この絶縁膜積層体ＩＢは、Ｓ４０２で形成される端子配線ＷＬの延在方向にほぼ平行となるように形成されるものとなっている。Ｓ４０１における絶縁膜積層体ＩＢの形成工程では、まず、絶縁膜積層体ＩＢを構成する複数層の絶縁層ＩＳ１〜ＩＳ３が順次積層されて、表示領域ＤＰの薄膜トランジスタＴ１についての加工とともに、絶縁膜積層体ＩＢの間に端子電極ＷＬを形成するための領域を確保するエッチング加工が行なわれる。
【００４４】
次に、図３Ｂで示されるように、各絶縁膜積層体ＩＢの谷間となる位置に端子配線ＷＬが形成される（図４におけるＳ４０２）。Ｓ４０２の端子電極ＷＬの形成工程では、まず、端子電極ＷＬを構成する各電極層Ｗ１〜Ｗ３が順次成膜されて、その後、端子電極ＷＬの形状が加工される。本実施形態における端子電極ＷＬは、電極層Ｗ１〜Ｗ３の３層によって構成されて、それぞれの材料はチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタンとなっており、下側の電極層Ｗ１から順番にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉと表記をするものとする。また、絶縁膜積層体ＩＢの間に端子電極ＷＬが形成されることで、絶縁膜積層体ＩＢと端子電極ＷＬの間に凹部ＣＣが形成される。
【００４５】
そして特に、端子電極ＷＬが形成された後、図３Ｃで示されるように、各凹部ＣＣにおいてアクリル等の材料によって構成された樹脂層ＰＬが充填される（図４におけるＳ４０３）。Ｓ４０３における樹脂層ＰＬは、平坦化層ＰＬ１が成膜される際に充填されるものとなっているが、平坦化層ＰＬ２やバンク層ＢＮＫが成膜される際に充填される有機絶縁膜であってもよい。本実施形態におけるＳ４０３の工程では、樹脂層ＰＬが凹部ＣＣに充填されて端子電極ＷＬの上面等に溢れないようにアニール等のプロセスをも考慮して塗布量が制御されたものとなっている。
【００４６】
Ｓ４０３によって樹脂層ＰＬが充填された後は、図３Ｄ及び図３Ｅで示されるように、端子領域ＴＥ上に第１封止層Ｐ１〜第３封止層Ｐ３が順番に成膜されて、さらにエッチングによって端子領域ＴＥ上の封止層Ｐ１〜Ｐ３が取り除かれる（図４におけるＳ４０４とＳ４０５）。図３Ｄと図６Ｂを比較してわかるように、凹部ＣＣに樹脂層ＰＬが予め充填されることで、凹部ＣＣによる段差が低減されて有機絶縁膜によって構成された第２封止層Ｐ２の凝集形成が解消され、第１封止層Ｐ１〜第３封止層Ｐ３のエッチングをする工程の負荷が緩和されることとなる。
【００４７】
なお本実施形態では、図３Ｄで示される第１封止層Ｐ１〜第３封止層Ｐ３の厚みとしては、窒化シリコンで構成された第１封止層Ｐ１を４００ｎｍとし、有機絶縁膜で構成された第２封止層Ｐ２を２５０ｎｍとし、窒化シリコンで構成された第３封止層Ｐ３を４００ｎｍとしている（なお、凹部ＣＣに樹脂層ＰＬが充填されない図６Ｂの場合には、凹部ＣＣに凝集した第２封止層Ｐ２の厚みが８００ｎｍ程度となっている）。しかしながら、シリコンを含有した無機絶縁膜となる第１封止層Ｐ１、第３封止層Ｐ３としては２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下としてもよいし、有機絶縁膜によって構成される第２封止層Ｐ２としては１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下としてもよい。また、第１封止層Ｐ１、第３封止層Ｐ３としては３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好適であり、第２封止層Ｐ２としては１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好適でもある。
【００４８】
なお本実施形態における絶縁膜積層体ＩＢを構成する各絶縁膜としては、絶縁層ＩＳ１が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、絶縁層ＩＳ２が３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、絶縁層ＩＳ３が３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下となるようにするのが好適である。また、端子電極ＴＥとしては、電極層Ｗ１〜Ｗ３の合計の厚みを６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下とするのが好適であり、ポリシリコン層ＰＳとしては５０ｎｍ程度にしてもよい。また、本実施形態においては、絶縁膜積層体ＩＢの上面が端子電極ＷＬの上面よりも高い位置に形成されているが、これらの上面がほぼ面一になるように形成するのが好適である。
【００４９】
なお、本実施形態では、Ｓ４０３とＳ４０４の間にて、表示領域ＤＰにおいて反射電極ＲＦやアノード電極Ａｎ、バンク層ＢＮＫ、有機発光層ＯＬ、カソード電極Ｃａ等が形成される工程が実行される。
【００５０】
なお本実施形態においては、絶縁膜積層体ＩＢの谷間となる位置にポリシリコン層ＰＳが形成されて、凹部ＣＣの底部を構成するようになっている。ポリシリコン層ＰＳは、薄膜トランジスタＴ１におけるチャネル層と同時に形成される層となっているが、端子配線ＷＬの下地や凹部ＣＣの底部において必ずしも形成されなくてもよい。
【００５１】
なお、本実施形態においてはトップゲート型の有機ＥＬ表示装置となっているが、ボトムゲート型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００５２】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における端子領域ＴＥについて説明をする。
【００５３】
図５は、第２の実施形態における端子領域ＴＥの構造を示す図であり、第１の実施形態における図３Ｅに対応する断面図となっている。同図で示されるように、第２の実施形態における端子領域ＴＥでは、アノード電極Ａｎ等の有機ＥＬ素子を構成する電極層と同一の材料によって構成される金属薄膜層Ｍ１によって端子電極ＷＬが覆われて、当該金属薄膜層Ｍ１が凹部ＣＣの側壁から底部の表面上に形成されて、端子電極ＷＬから絶縁膜積層体ＩＢの側面および上面に至るように延伸している。また、第２の実施形態における樹脂層ＰＬは、バンク層ＢＮＫと同一の材料によって構成されている。
【００５４】
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、このような点で第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と相違するものの、かかる点以外についてはほぼ同様になっており、ほぼ同様となる構成についての説明については説明を適宜省略する。
【００５５】
なお、金属薄膜層Ｍ１としては、アノード電極Ａｎと同一の材料となるＩＴＯによって構成されて、５０〜１００ｎｍ程度の厚みとすればよい。また、金属薄膜層Ｍ１をＩＴＯとする場合、ＩＴＯと樹脂層ＰＬが接していることで、樹脂層ＰＬのアニールによって樹脂層ＰＬから水素が拡散して金属薄膜層Ｍ１の導電性が向上することとなる。
【００５６】
なお、絶縁膜積層体ＩＢの側面に形成された金属薄膜層Ｍ１においては膜切れが生じていることがある。このため図６Ｂのように、凹部ＣＣ内の絶縁膜積層体ＩＢの側面に接して第１封止層Ｐ１（無機絶縁膜）が形成される場合には、第１封止層Ｐ１のエッチングの際に膜切れの発生箇所からのエッチングが進行して、絶縁膜積層体ＩＢにサイドエッチングを誘発する可能性がある。
【００５７】
なお、本発明は、絶縁膜積層体ＩＢ（層間絶縁層）や端子電極ＷＬ、封止層等としては、材料や厚み、層数に関して上記の実施形態には限定されないのはいうまでもない。
【００５８】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成でおきかえることが出来る。
【符号の説明】
【００５９】
１  有機ＥＬ表示装置、ＳＢ  基板、ＤＰ  表示領域、ＰＵ  封止基板、Ｐ１〜Ｐ３  封止層、ＰＬ１〜ＰＬ２  平坦化層、ＰＬ  樹脂層、ＩＳ１〜ＩＳ３  絶縁層（層間絶縁層）、Ｔ１  薄膜トランジスタ、ＯＬ  有機発光層、ＢＮＫ  バンク層、Ａｎ  アノード電極、Ｃａ  カソード電極、ＲＦ  反射電極、ＴＥ  端子領域、ＷＬ  端子配線、Ｗ１〜Ｗ３  電極層、ＰＳ  ポリシリコン層、Ｍ１  金属薄膜層。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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