(57)【要約】【課題】  水晶振動素子の周波数調整に要する時間を短縮し得る、水晶振動素子の周波数調整方法を提供する。【解決手段】  本発明の周波数調整方法は、マスク作製工程及びドライエッチング工程を含む。マスク作製工程では、水晶ウェハ１０内で発振周波数の低くなる周波数低下領域１１を予め調べ、周波数低下領域１１に対応する開口部２１を有するマスク２０を作製しておく。ドライエッチング工程では、水晶ウェハ１０に対してマスク２０を用いてドライエッチングを施すことにより、周波数低下領域１１の水晶ウェハ１０の一部を削り取る。【選択図】  図２
2015213204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一枚の水晶ウェハから複数個の水晶振動素子を製造する際に前記水晶振動素子の発振周波数を調整する、水晶振動素子の周波数調整方法において、
前記水晶ウェハ内で前記発振周波数の低くなる周波数低下領域を予め調べ、この周波数低下領域に対応する開口部を有するマスクを作製しておくマスク作製工程と、
前記水晶ウェハに対して前記マスクを用いてドライエッチングを施すことにより、前記周波数低下領域の前記水晶ウェハの一部を削り取るドライエッチング工程と、
を含むことを特徴とする水晶振動素子の周波数調整方法。
【請求項２】
前記マスク作製工程では、電極膜が形成された前記水晶ウェハに対して前記周波数低下領域を調べておき、
前記ドライエッチング工程では、前記水晶ウェハの一部として前記電極膜の一部を削り取る、
請求項１記載の水晶振動素子の周波数調整方法。
【請求項３】
前記マスク作製工程では、前記水晶ウェハ内で前記発振周波数の低くなる程度に応じた複数の周波数低下領域を予め調べ、これらの複数の周波数低下領域にそれぞれ対応する開口部を有する複数のマスクを作製しておき、
前記ドライエッチング工程では、前記水晶ウェハに対して前記複数のマスクを順次用いてドライエッチングを施すことにより、前記複数の周波数低下領域の前記水晶ウェハの一部を削り取る、
請求項１又は２記載の水晶振動素子の周波数調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚みすべり振動素子などの水晶振動素子を製造する技術に関し、詳しくは水晶ウェハの段階で行う水晶振動素子の周波数調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動素子には、水晶のカット角度によって、様々なモードの発振が存在する。ここでは、水晶振動素子の一例として、ＡＴカット板からなる厚みすべり振動素子について記載する。この水晶振動素子は、水晶片の表裏面に電極が形成され、分極方向が板面に平行であり、電圧が板厚方向に印加される。
【０００３】
水晶振動素子の発振周波数は、主に水晶片の厚み及び電極膜の厚みによって決まる。つまり、発振周波数は、水晶片の厚みに反比例するので、その厚みが厚いほど低くなり、水晶片への付着物の質量が大きいほど低下するので、電極膜が厚いほど低くなる。
【０００４】
図８は、一般的な水晶振動素子の製造方法を示す工程図である。以下、この図面に基づき説明する。
【０００５】
一般的な水晶振動素子の製造方法は、次の工程を含む。水晶ウェハを研磨することにより、水晶ウェハ間及び水晶ウェハ内の厚みを均一化する水晶ウェハ研磨工程２０１。研磨した水晶ウェハを、ウェットエッチングによって、フレームに多数の水晶片が連結された形状に加工するウェットエッチング工程２０２。各水晶片の両面に電極を形成することにより、水晶振動素子を得る電極形成工程２０３。各水晶振動素子をフレームから切り離して、一個ずつパッケージに実装するパッケージ実装工程２０４。パッケージ実装後に、各水晶振動素子の発振周波数を一個ずつ調整する周波数調整工程２０５。
【０００６】
周波数調整工程２０５では、一個ずつ水晶振動素子の発振周波数を測定し、目標周波数との差に応じて、例えばレーザ光やイオンビームなどによって電極膜の一部を削ったり、蒸着などによって電極膜を部分的に付加したりする。
【０００７】
また、フレームから切り離す前に発振周波数を調整する方法や、粗調整と微調整の二回に分けて発振周波数を調整する方法もあるが、いずれの方法も一個ずつ水晶振動素子の発振周波数を測定して調整することに変わりはない（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−２５０２２６号公報（図９等）
【特許文献２】特開２００６−１０１３１７号公報（段落０００５等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の周波数調整方法では、水晶振動素子の一個ずつ、発振周波数を測定して、例えばレーザ光などによって電極膜の一部を削るため、全ての水晶振動素子の周波数調整が完了するまでにかなりの時間を要していた。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、水晶振動素子の周波数調整に要する時間を短縮し得る、水晶振動素子の周波数調整方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る水晶振動素子の周波数調整方法は、
一枚の水晶ウェハから複数個の水晶振動素子を製造する際に前記水晶振動素子の発振周波数を調整する、水晶振動素子の周波数調整方法において、
前記水晶ウェハ内で前記発振周波数の低くなる周波数低下領域を予め調べ、この周波数低下領域に対応する開口部を有するマスクを作製しておくマスク作製工程と、
前記水晶ウェハに対して前記マスクを用いてドライエッチングを施すことにより、前記周波数低下領域の前記水晶ウェハの一部を削り取るドライエッチング工程と、
を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、水晶ウェハ内の周波数低下領域に対してドライエッチングによって水晶ウェハの一部を一括して削り取るようにしたので、後の一個ずつ水晶振動素子の周波数を調整する工程での周波数調整量を低減できる。つまり、各水晶振動素子に対してそれぞれ個別に周波数を調整する工程（微調整）に先立って、全ての水晶振動素子に対して一括して周波数を調整（粗調整）するため、水晶振動素子の周波数調整に要する時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１の周波数調整方法を用いた水晶振動素子の製造方法を示す工程図である。
【図２】実施形態１の周波数調整方法におけるマスク作製工程を示し、図２［Ａ］は水晶ウェハを示す平面図、図２［Ｂ］は図２［Ａ］におけるIIｂ−IIｂ線断面図、図２［Ｃ］はマスクを示す平面図である。
【図３】実施形態１の周波数調整方法におけるドライエッチング工程を示し、図３［Ａ］はドライエッチング装置を示す概略図、図３［Ｂ］は水晶ウェハにマスクを重ねた状態を示す平面図、図３［Ｃ］は図３［Ｂ］におけるIIIｃ−IIIｃ線断面図である。
【図４】実施形態１の周波数調整方法による効果を示すグラフである。
【図５】実施形態２の周波数調整方法におけるマスク作製工程を示し、図５［Ａ］は水晶ウェハを示す平面図、図５［Ｂ］は図５［Ａ］におけるＶｂ−Ｖｂ線断面図、図５［Ｃ］はマスクを示す平面図である。
【図６】実施形態３の周波数調整方法を用いた水晶振動素子の製造方法を示す工程図である。
【図７】実施形態３の周波数調整方法におけるマスク作製工程を示し、図７［Ａ］は水晶ウェハを示す平面図、図７［Ｂ］は図７［Ａ］におけるVIIｂ−VIIｂ線断面図、図７［Ｃ］はマスクを示す平面図である。
【図８】一般的な水晶振動素子の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００１５】
図１は、実施形態１の周波数調整方法を用いた水晶振動素子の製造方法を示す工程図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００１６】
水晶振動素子の製造方法は次の工程を含む。水晶ウェハを研磨することにより、水晶ウェハ間及び水晶ウェハ内の厚みを均一化する水晶ウェハ研磨工程２０１。研磨した水晶ウェハを、ウェットエッチングによって、フレームに多数の水晶片が連結された形状に加工するウェットエッチング工程２０２。各水晶片の両面に電極を形成することにより、水晶振動素子を得る電極形成工程２０３。マスク作製工程１０１及びドライエッチング工程１０２（後述）。各水晶振動素子をフレームから切り離して、一個ずつパッケージに実装するパッケージ実装工程２０４。パッケージ実装後に、各水晶振動素子の発振周波数を一個ずつ調整する周波数調整工程２０５。本実施形態１の周波数調整方法１００は、マスク作製工程１０１及びドライエッチング工程１０２を含む。
【００１７】
次に、マスク作製工程１０１について説明する。図２は実施形態１の周波数調整方法におけるマスク作製工程を示し、図２［Ａ］は水晶ウェハを示す平面図、図２［Ｂ］はマスクを示す平面図、図２［Ｃ］は水晶ウェハの一部を拡大して示す断面図である。以下、図１及び図２に基づき説明する。
【００１８】
マスク作製工程１０１では、水晶ウェハ１０内で発振周波数の低くなる周波数低下領域１１を予め調べ、周波数低下領域１１に対応する開口部２１を有するマスク２０を作製しておく。水晶ウェハ１０には電極膜１２が形成されている。
【００１９】
水晶ウェハ１０は、ＡＴカット板からなり、平面が円形状である。水晶ウェハ１０の周縁の−Ｘ面には、オリエンテーションフラット１３が形成されている。水晶ウェハの直径は例えば２５．４〜５０．８ｍｍ（１〜２インチ）、水晶ウェハ１０の厚みは例えば５０μｍである。
【００２０】
また、水晶ウェハ１０には、複数の水晶振動素子１４及び複数の水晶振動素子１４を連結するフレーム１５が形成されている。各水晶振動素子１４には、それぞれ電極膜１２が形成されている。マスク２０の材質は例えばガラスである。
【００２１】
本実施形態１では、オリエンテーションフラット１３に平行で水晶ウェハ１０の中央を通る帯状に、周波数低下領域１１が生ずる。そのため、周波数低下領域１１に対応する開口部２１も、マスク２０の中央を通る帯状になっている。
【００２２】
ここで、水晶ウェハ１０に電極膜１２が形成されるまでの工程について説明する。
【００２３】
水晶ウェハ研磨工程２０１では、水晶インゴットから切り出された水晶ウェハ１０を、例えば遊星歯車機構からなる両面研磨装置を用いて所定の厚みになるまで研磨する。ただし、どのような研磨装置にも研磨の偏りいわゆる「癖」があるため、水晶ウェハ１０の厚みには規則性のあるばらつきが生じる。例えば、水晶ウェハ１０の周縁側が薄く、水晶ウェハ１０の中央へ行くほど厚くなるような、水晶ウェハ１０の厚みの不均一である。このような水晶ウェハ１０の厚みのばらつきは、水晶ウェハ１０内における水晶振動素子１４の周波数分布に繋がる。つまり、水晶ウェハ１０の厚みが厚い領域に形成された水晶振動素子１４は発振周波数が低くなり、逆に水晶ウェハ１０の厚みが薄い領域に形成された水晶振動素子１４は発振周波数が高くなる。
【００２４】
ウェットエッチング工程２０２では、耐食膜のパターンが形成された水晶ウェハ１０をフッ酸などのエッチング液中に浸漬することにより、水晶ウェハ１０にウェットエッチングを施す。耐食膜は、例えばクロムの上に金が形成された二層膜である。これにより、水晶ウェハ１０のうち耐食膜に覆われていない部分が除去され、水晶ウェハ１０はフレーム１５に多数の水晶片が連結された形状に加工される。なお、図面では簡略化しているが、水晶振動素子１４となる水晶片は、例えば１ｍｍ×０．８ｍｍ程度の大きさであり、折り取り用の接続部以外ではフレーム１５から離れており、振動面の厚みが１０〜１５μｍ程度に薄くなっている。
【００２５】
電極形成工程２０３では、例えばスパッタ装置や蒸着装置などの成膜装置を用いて、水晶ウェハ１０の両面に金などの電極膜１２を形成する。ただし、どのような成膜装置にも成膜の偏りいわゆる「癖」があるため、電極膜１２の厚みには規則性のあるばらつきが生じる。例えば、水晶ウェハ１０の周縁側が薄く、水晶ウェハ１０の中央へ行くほど厚くなるような、電極膜１２の厚みの不均一である。このような電極膜１２の厚みのばらつきは、水晶ウェハ１０内における水晶振動素子１４の周波数分布に繋がる。つまり、電極膜１２の厚みが厚い領域に形成された水晶振動素子１４は発振周波数が低くなり、逆に電極膜１２の厚みが薄い領域に形成された水晶振動素子１４は発振周波数が高くなる。なお、図面では簡略化しているが、電極膜１２はフォトリソグラフィ及びエッチングによって励振電極、パッド電極及び配線などの所定のパターンに加工される。
【００２６】
このように、水晶ウェハ１０内で周波数低下領域１１が生ずる位置は、例えば研磨装置や成膜装置の「癖」を統計的に調べることによって明らかになる。つまり、同じ装置及び同じ条件で水晶振動素子１４を製造するならば、どの水晶ウェハ１０にも同じ位置に周波数低下領域１１が生ずる、その位置が明らかになれば、周波数低下領域１１に対応する位置に開口部２１を形成することにより、マスク２０が得られる。このマスク２０は、例えばガラス板にフォトリソグラフィ及びフッ酸によるウェットエッチングを施すことによって作製でき、寿命に至るまで何回でも使用できる。
【００２７】
次に、ドライエッチング工程１０２について説明する。図３は、実施形態１の周波数調整方法におけるドライエッチング工程を示し、図３［Ａ］はドライエッチング装置を示す概略図、図３［Ｂ］は水晶ウェハにマスクを重ねた状態を示す平面図、図３［Ｃ］は図３［Ｂ］におけるIIIｃ−IIIｃ線断面図である。以下、図１乃至図３に基づき説明する。
【００２８】
ドライエッチング工程１０２では、水晶ウェハ１０に対してマスク２０を用いてドライエッチングを施すことにより、周波数低下領域１１の水晶ウェハ１０の一部を削り取る。このとき、水晶ウェハ１０の一部として電極膜１２の一部を削り取る。
【００２９】
図３［Ａ］に一例として示すドライエッチング装置３０は、真空チャンバ３１、高周波電源３２、上部電極３３、下部電極３４などからなる一般的な平行平板型のプラズマエッチング装置であり、スパッタエッチング装置とも呼ばれるものである。ドライエッチング装置３０は、次のように動作する。まず、真空チャンバ３１内の下部電極３４上に、水晶ウェハ１０を載置し、その上にマスク２０を載置する。つまり、図３［Ｂ］［Ｃ］に示すように水晶ウェハ１０にマスク２０を重ねた状態で、これらを下部電極３４上に固定する。続いて、真空チャンバ３１内を排気して所定の真空度になったら、真空チャンバ３１内へアルゴンガス３５を導入し、高周波電源３２から高周波電力を上部電極３３と下部電極３４との間に供給する。すると、上部電極３３と下部電極３４との間の空間に、アルゴンガス３５のプラズマ３６が生じる。その結果、イオン化したアルゴンガス３５が、下部電極３４に引き寄せられて、マスク２０の開口部２１を通って水晶ウェハ１０にぶつかり、電極膜１２を構成する金属粒子を弾き飛ばす。
【００３０】
これによって電極膜１２がエッチングされる。このとき、周波数低下領域１１の発振周波数と目標周波数との差が大きいほど、そのエッチング量も多くする。エッチング量は、例えばエッチング時間で調整する。エッチング時間が長いほど、エッチング量も多くなるからである。
【００３１】
なお、ドライエッチング工程１０２では、片面の電極膜１２だけをエッチングしているが、例えば水晶ウェハ１０を裏返すことにより両面の電極膜１２をエッチングするようにしてもよい。その場合は、片面の電極膜１２だけの電気抵抗が増大することによるクリスタルインピーダンス値の増加を抑制できる。
【００３２】
また、図１において、本実施形態１の周波数調整方法１００は、電極形成工程２０３とパッケージ実装工程２０４との間に挿入されているが、水晶ウェハ研磨工程２０１とウェットエッチング工程２０２との間、又は、ウェットエッチング工程２０２と電極形成工程２０３との間に挿入してもよい。その場合、ドライエッチング工程１０２では、電極膜１２ではなく、水晶をエッチングすることになる。更に、本実施形態１の周波数調整方法１００を、電極形成工程２０３における成膜とパターニングとの間に挿入してもよい。
【００３３】
次に、本実施形態１の周波数調整方法の作用及び効果について説明する。
【００３４】
（１）水晶ウェハ１０内の周波数低下領域１１に対してドライエッチングによって水晶ウェハ１０の一部を一括して削り取るようにしたので、後の一個ずつ水晶振動素子１４の周波数を調整する周波数調整工程２０５での周波数調整量を低減できる。つまり、各水晶振動素子１４に対してそれぞれ個別に周波数を調整する周波数調整工程２０５（微調整）に先立って、全ての水晶振動素子１４に対して一括して周波数を調整（粗調整）するため、水晶振動素子１４の周波数調整に要する時間を短縮でき、場合によっては周波数調整工程２０５を省略できる。近年は、水晶振動素子１４の小型化と水晶ウェハ１０の大判化が進展していることにより、一枚の水晶ウェハ１０に形成される水晶振動素子１４の個数が増大しているので、本実施形態１の効果がますます顕著になる。
【００３５】
（２）周波数調整工程２０５におけるレーザ光、イオンビーム等又は蒸着等によって、水晶振動素子１４の特性が劣化することが知られている（例えば特許文献２参照）。つまり、レーザ光、イオンビーム等又は蒸着等によって電極膜１２の表面に凹凸が形成されるため、電極膜１２全体としての厚み及び質量の分布が不均一になる。その結果、例えば、主振動のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値が変化して、スプリアス（ＳＰ）比が悪化する。本実施形態１によれば、周波数調整工程２０５での周波数調整量を低減できるので、水晶振動素子１４の劣化も抑制できる。なお、ドライエッチング工程１０２では、一個の水晶振動素子１４の電極膜１２全体が均等に削られるので、電極膜１２の表面に凹凸が形成されることはない。
【００３６】
（３）マスク作製工程１０１では電極膜１２が形成された水晶ウェハ１０に対して周波数低下領域１１を調べておき、ドライエッチング工程１０２では水晶ウェハ１０の一部として電極膜１２の一部を削り取るようにした場合は、水晶ウェハ１０の厚みのばらつきに電極膜１２の厚みのばらつきが加わったことによる発振周波数のばらつきを調整できるので、より精度よく発振周波数のばらつきを調整できる。また、水晶にドライエッチングを施すことによる水晶の損傷も回避できる。
【００３７】
（４）図４のグラフは、本実施形態１の周波数調整方法による効果の一例を、発振周波数の累積度数によって示している。図４において横軸は発振周波数［ＭＨｚ］であり、縦軸はパーセント［％］である。一枚の水晶ウェハ１０から得られた全ての水晶振動素子１４について、本実施形態１の周波数調整方法を用いて調整する前（調整前）の発振周波数を○、本実施形態１の周波数調整方法を用いて調整した後（調整後）の発振周波数を□でプロットしている。図４から明らかなように、調整前に発振周波数が高かった水晶振動素子１４は調整後も変わらない一方、調整前に発振周波数が低かった水晶振動素子１４は、調整後に発振周波数が高くなっている。その結果、発振周波数の最大値と最小値との差は、調整前に１０８００ｐｐｍであったのが、調整後に６６００ｐｐｍまで減少している。このように、本実施形態１の効果が実験的に確かめられた。
【００３８】
次に、実施形態２の周波数調整方法について説明する。図５は、実施形態２の周波数調整方法におけるマスク作製工程を示し、図５［Ａ］は水晶ウェハを示す平面図、図５［Ｂ］は図５［Ａ］におけるＶｂ−Ｖｂ線断面図、図５［Ｃ］はマスクを示す平面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００３９】
本実施形態２におけるマスク作製工程では、水晶ウェハ４０内で発振周波数の低くなる周波数低下領域４１を予め調べ、周波数低下領域４１に対応する開口部５１を有するマスク５０を作製しておく。水晶ウェハ４０には電極膜１２が形成されている。
【００４０】
本実施形態２では、水晶ウェハ４０の周縁側に周波数低下領域４１が生ずる。そのため、周波数低下領域４１に対応する開口部５１も、マスク５０の中心を取り囲む環状になっている。
【００４１】
本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。
【００４２】
次に、実施形態３の周波数調整方法について説明する。図６は、実施形態３の周波数調整方法を用いた水晶振動素子の製造方法を示す工程図である。図７は、実施形態３の周波数調整方法におけるマスク作製工程を示し、図７［Ａ］は水晶ウェハを示す平面図、図７［Ｂ］は図７［Ａ］におけるVIIｂ−VIIｂ線断面図、図７［Ｃ］はマスクを示す平面図である。以下、これらの図面に図１乃至図３も加えて説明する。
【００４３】
図６に示すように本実施形態３の周波数調整方法１１０は、マスク作製工程１０１，１１１及びドライエッチング工程１０２，１１２を含む。
【００４４】
以下で述べる周波数低下領域１１、開口部２１及びマスク２０は図２に、周波数低下領域６１、開口部７１及びマスク７０は図７に、それぞれ記載されている。また、周波数低下領域１１における各水晶振動素子１４の発振周波数ｆａはｆ１≦ｆａ＜ｆ２であり、周波数低下領域６１（周波数低下領域１１を除く。）における各水晶振動素子１４の発振周波数ｆｂはｆ２≦ｆｂ＜ｆ３である。
【００４５】
マスク作製工程１０１，１１１では、水晶ウェハ１０内で発振周波数の低くなる程度に応じた複数の周波数低下領域１１，６１を予め調べ、これらの複数の周波数低下領域１１，６１にそれぞれ対応する開口部２１，７１を有する複数のマスク２０，７０を作製しておく。換言すると、マスク作製工程１０１では、図２に示すように、水晶ウェハ１０内で発振周波数の低くなる周波数低下領域１１を予め調べ、周波数低下領域１１に対応する開口部２１を有するマスク２０を作製しておく。マスク作製工程１１１では、図７に示すように、水晶ウェハ１０内で発振周波数の低くなる周波数低下領域６１を予め調べ、周波数低下領域６１に対応する開口部７１を有するマスク７０を作製しておく。
【００４６】
本実施形態３では、二つ周波数低下領域１１，６１を調べ、二枚のマスク２０，７０を作製する。周波数低下領域１１は、最も発振周波数が低下する領域である。周波数低下領域６１（周波数低下領域１１を除く。）は、その次に発振周波数が低下する領域である。周波数低下領域６１は、オリエンテーションフラット１３に平行で水晶ウェハ１０の中央を通る帯状の周波数低下領域１１を含み、周波数低下領域１１を挟むような幅広の帯状になっている。周波数低下領域６１に対応する開口部７１も、帯状の開口部２１を含み、開口部２１を挟むような幅広の帯状になっている。
【００４７】
ドライエッチング工程１０２，１１２では、水晶ウェハ１０に対して複数のマスク２０，７０を順次用いてドライエッチングを施すことにより、複数の周波数低下領域１１，６１の水晶ウェハ１０の一部を削り取る。このとき、水晶ウェハ１０の一部として電極膜１２の一部を削り取る。換言すると、ドライエッチング工程１０２では、水晶ウェハ１０に対してマスク２０を用いてドライエッチングを施すことにより、周波数低下領域１１の水晶ウェハ１０の一部を削り取る。ドライエッチング工程１１２では、水晶ウェハ１０に対してマスク７０を用いてドライエッチングを施すことにより、周波数低下領域６１の水晶ウェハ１０の一部を削り取る。
【００４８】
マスク７０の開口部７１はマスク２０の開口部２１を含む形状になっているので、周波数低下領域１１はドライエッチング工程１０２，１１２にて二回エッチングされ、周波数低下領域６１（周波数低下領域１１を除く。）はドライエッチング工程１１２にて一回エッチングされる。つまり、周波数低下領域１１は、最も発振周波数が低下する領域であるので、エッチング量が最も多い。周波数低下領域６１（周波数低下領域１１を除く。）はその次に発振周波数が低下する領域であるので、エッチング量もその次に多い。
【００４９】
なお、本実施形態３では、先にマスク２０を用いてドライエッチングをし、続いてマスク７０を用いてドライエッチングをしているが、これとは逆に、先にマスク７０を用いてドライエッチングをし、続いてマスク２０を用いてドライエッチングをしてもよい。
【００５０】
次に、本実施形態３の周波数調整方法の作用及び効果について説明する。
【００５１】
水晶ウェハ１０内の最も発振周波数が低くなる周波数低下領域１１に対して二回のドライエッチングによって水晶ウェハ１０の一部を削り取り、かつ水晶ウェハ１０内の次に発振周波数が低くなる周波数低下領域６１（周波数低下領域１１を除く。）に対して一回のドライエッチングによって水晶ウェハ１０の一部を削り取るようにしたので、後の周波数調整工程２０５での周波数調整量を更に低減できる。つまり、各水晶振動素子１４に対してそれぞれ個別に周波数を調整する周波数調整工程２０５（微調整）に先立って、全ての水晶振動素子１４に対して二段階で周波数を調整（粗調整）するため、水晶振動素子１４の周波数調整に要する時間を更に短縮でき、場合によっては周波数調整工程２０５を省略できる。近年は、水晶振動素子１４の小型化と水晶ウェハ１０の大判化が進展していることにより、一枚の水晶ウェハ１０に形成される水晶振動素子１４の個数が増大しているので、本実施形態３の効果が更にますます顕著になる。
【００５２】
本実施形態３のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。なお、本実施形態３では、二つ周波数低下領域１１，６１を調べ、二枚のマスク２０，７０を作製し、二回のドライエッチングをしているが、三つ以上の周波数低下領域を調べ、三枚以上のマスクを作製し、三回以上のドライエッチングをしてもよい。
【００５３】
以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。例えば、上記各実施形態では厚みすべり振動素子の製造工程を採り上げたが、本発明は音叉型屈曲振動素子や輪郭すべり振動素子などの他の水晶振動素子の製造工程にも適用可能である。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１０  水晶ウェハ
１１  周波数低下領域
１２  電極膜
１３  オリエンテーションフラット
１４  水晶振動素子
１５  フレーム
２０  マスク
２１  開口部
３０  ドライエッチング装置
３１  真空チャンバ
３２  高周波電源
３３  上部電極
３４  下部電極
３５  アルゴンガス
３６  プラズマ
１００  周波数調整方法
１０１  マスク作製工程
１０２  ドライエッチング工程
２０１  水晶ウェハ研磨工程
２０２  ウェットエッチング工程
２０３  電極形成工程
２０４  パッケージ実装工程
２０５  周波数調整工程
４０  水晶ウェハ
４１  周波数低下領域
５０  マスク
５１  開口部
６１  周波数低下領域
７０  マスク
７１  開口部
１１０  周波数調整方法
１１１  マスク作製工程
１１２  ドライエッチング工程
【図１】
2015213204.tif 000003
【図２】
2015213204.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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