(57)【要約】【課題】耐強酸性を有し、且つ容易に剥がすことが可能なマスキング剤を提供する。【解決手段】ガラス基板１１の一面側には透明電極１２が、他面側には反射防止膜１３がそれぞれ形成されている。ガラス基板１１は、エッチングによって透明電極１２にパターンを形成する際に、強酸の溶液Ｍが満たされた溶液槽１４に全体が浸漬される。透明電極１２及び反射防止膜１３を含めてガラス基板１１の全体が強酸の溶液Ｍに浸漬されると、反射防止膜１３が強酸で侵される。本発明では、メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を添加して形成されたマスキング剤を反射防止膜１３の表面に塗布し、反射防止膜１３の表面にマスキング膜１５を形成して耐強酸性を持たせる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を添加して形成されたことを特徴とするマスキング剤。
【請求項２】
前記塩化ビニル系樹脂は、５〜３０重量％添加されていることを特徴とする請求項１に記載のマスキング剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子等の製造過程での使用に好適なマスキング剤に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液体レンズ等の光学素子はガラス基板を有し、例えば、このガラス基板の一側面には透明電極（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）が形成されている。また、ガラス基板の他側面には反射防止膜（ＡＲ：Anti-Reflection）が形成されている。
【０００３】
このような光学素子の製造過程において、一側面に透明電極が他側面に反射防止膜がそれぞれ形成されたガラス基板は、エッチング処理を行って透明電極にパターン形成する際に、全体が強酸の溶液に浸漬される。
【０００４】
しかし、透明電極や反射防止膜と共にガラス基板全体を強酸の溶液に浸漬すると、反射防止膜が強酸で侵されてしまうという問題が生じる。
【０００５】
そこで、反射防止膜の表面にマスキング剤を塗布して、反射防止膜の表面にマスキング膜を形成することが考えられているが、このマスキング膜は、エッチング処理後に剥がさなければならない。
【０００６】
ところで、ある処理を行った後に、表面の保護膜を容易に剥がせるようにした積層構造体が提案されている（特許文献１参照）。この特許文献１の積層構造体においては、基材の上に凹凸構造の微細構造層が、さらに微細構造層の上に一部が前記凹凸構造に入り込んだ保護層がそれぞれ積層され、前記凹凸構造のピッチや保護膜の物理的特性等を規定することで、保護膜が微細構造層から容易に剥がれるようにしている。
【０００７】
また、スラリー又はクーラントの循環経路に永久磁石を配置するとともに、その永久磁石の表面を剥離可能な樹脂で被覆して、スラリー又はクーラント中の磁性異物を永久磁石で吸引して前記樹脂の表面に吸着させることにより、前記磁性異物を除去することが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−１００７号公報
【特許文献２】特開２０１１−４５９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１及び特許文献２では、保護膜や樹脂を容易に剥がすことは可能であるが、それら保護膜や樹脂が耐強酸性を有しているのか否か不明である。
【００１０】
光学素子等の製造過程においては、強酸を用いたエッチング処理が施されるため、ガラス基板表面の反射防止膜等を保護するマスキング剤には耐強酸性が求められている。
【００１１】
本発明の課題は、上記の事情に鑑みて為されたもので、耐強酸性を有し、且つ容易に剥がすことが可能なマスキング剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明に係るマスキング剤は、メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を添加して形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るマスキング剤は、メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を添加して形成されているので、耐強酸性を有し、且つ容易に剥がすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ガラス基板、ガラス基板の一面側に形成された透明電極、及びガラス基板の他面側に形成された反射防止膜をそれぞれ示す縦断面図である。
【図２】透明電極と反射防止膜を含むガラス基板に対して、反射防止膜の表面にマスキング膜を形成してから、当該ガラス基板を強酸の溶液に浸漬した様子を示す図である。
【図３】本発明のマスキング剤による効果を検証するための実験における、サンプリング箇所を示した図である。
【図４】マスキング前とマスキング剥離後とで抵抗率がどのように変化するのかを示した図である。
【図５】透明電極（ＩＴＯ）と反射防止膜（ＡＲ）の反射率が、マスキング前とマスキング剥離後でどのように変化するのかを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。
【実施例】
【００１６】
図１は、液体レンズ等の光学素子に用いられるガラス基板１１を示している。このガラス基板１１の一面側には透明電極（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）１２が、他面側には反射防止膜（ＡＲ：Anti-Reflection）１３がそれぞれ形成されている。
【００１７】
このような光学素子の製造過程において、透明電極１２及び反射防止膜１３を含めてガラス基板１１は、エッチングによって透明電極１２にパターンを形成する際に、図２に示すように、強酸の溶液Ｍが満たされた溶液槽１４に全体が浸漬される。そして、透明電極１２及び反射防止膜１３を含めてガラス基板１１の全体が強酸の溶液Ｍに浸漬されると、反射防止膜１３が強酸で侵される。
【００１８】
そこで、透明電極１２及び反射防止膜１３を含めてガラス基板１１全体を強酸の溶液Ｍに浸漬する前に、反射防止膜１３の表面にマスキング剤を刷毛塗り等で塗布し、反射防止膜１３の表面にマスキング膜１５を形成しておく。このマスキング膜１５は、エッチング処理後に剥がされる。
【００１９】
なお、マスキング膜は、反射防止膜１３の表面ばかりでなく、透明電極１２の表面（エッチング処理が不要な部分のみ）に塗布することもできる。そして同様に、エッチング処理後には当該マスキング膜は剥がされる。
【００２０】
本実施例では、マスキング剤（つまり、マスキング膜１５）が、メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を混合して形成されている。塩化ビニル系樹脂は５〜３０重量％混合されている。
【００２１】
ここで、反射防止膜１３の表面にマスキング剤が塗布されていない場合（以下、マスキング前という）と、マスキング剤を一旦塗布した後に、そのマスキング剤を剥離させた場合（以下、マスキング剥離後という）とについて、種々の実験を行った。
【００２２】
先ず、マスキング前とマスキング剥離後とで、抵抗率がどのように変化するのかについて測定を行った。なお、マスキング膜の厚さは２０〜３０μｍとした。
【００２３】
図３は、本実施例のマスキング剤による効果を検証するための実験における、サンプリング箇所を示しており、図１を矢印Ａ方向から見たときの図である。図３からわかるように、ガラス基板１１及び透明電極１２を含めて反射防止膜１３は、Ｘ方向（長手方向）に延びる長辺１３Ａと、Ｙ方向（短手方向）に延びる短辺１３Ｂとを有する矩形状を成している。そして、サンプリング箇所１，２，３は、反射防止膜１３の長辺１３Ａに有る一点１３Ｃを通り、かつ長辺１３Ａに垂直な垂線１３Ｄ上に存在している。ここで、サンプリング箇所１とサンプリング箇所２との間隔をＬ１に、サンプリング箇所２とサンプリング箇所３との間隔をＬ２とすると、Ｌ１＝Ｌ２に設定されている。
【００２４】
サンプリング箇所１，２，３における抵抗率を、マスキング前とマスキング剥離後について、一覧表で示せば、表１のようになる。なお、表１において、サンプリング箇所１，２，３は、各々Sample No.１，２，３と表示されている。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
表１の測定結果を図（グラフ）で示せば、図４のようになる。図４において、横軸はSample No.を、縦軸は抵抗率（×１０３／□）をそれぞれ示している。表１及び図４から分かるように、Sample No.１，２，３のどの場合も、抵抗率はマスキング前よりもマスキング剥離後の方がほんの僅かだけ大きくなってはいるが、大略は変化がない。
【００２７】
図５は、透明電極（ＩＴＯ）１２と反射防止膜（ＡＲ）１３の反射率が、マスキング前とマスキング剥離後でどのように変化するのかを示したグラフである。図５において、横軸はWavelength（波長(mm)）を、縦軸はReflectance（反射率(%)）をそれぞれ示している。
【００２８】
図５において、点線で示したITO-マスキング前と、破線で示したITO-マスキング剥離後とを比較すると、両者とも殆ど差が無く、透明電極１２の反射率についてはマスキング前とマスキング剥離後とで変化が無いことが分かる。
【００２９】
また、図５において、一点鎖線で示したAR-マスキング前と、実線で示したAR-マスキング剥離後とを比較すると、両者とも殆ど差が無く、反射防止膜１３の反射率についてもマスキング前とマスキング剥離後とで変化が無いことが分かる。
【００３０】
本実施例によれば、マスキング膜１５は、メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を添加して形成されているので、耐強酸性を有するとともに、容易に剥がすことが可能である。
【００３１】
本実施例においては、塩化ビニル系樹脂を添加することで剥離性を出している。なお、メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体が耐強酸性を有するかどうかの実験を行った。その結果、耐強酸性を有していることが確認できた。
メタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体は中性の樹脂で、エッチングされる物質（金属）よりは溶けにくいが、完全に溶けないというわけではない。エッチングの間だけマスキング剤が強酸性溶液に耐えればよい。
【００３２】
また、本実施例によれば、マスキング剤を刷毛塗りなど容易な方法で反射防止膜１３の表面にコーティングすることができるとともに、マスキング膜１５の膜厚を調整したい場合はバーコーターなどを使用することも可能である。また、マスキング剤の濃度の変更も容易である。さらに、反射防止膜１３の表面に塗布したマスキング膜１５は常温での乾燥が可能であり、オーブンなどによる乾燥は不要である。
【００３３】
なお、マスキング剤のガラスへの密着性を確認したところ、マスキング膜は剥離無くガラスに密着していた。また、メンディングテープによる弱い粘着テープによって、マスキング膜をガラス上に残渣なく容易に剥離することができた。
【００３４】
ここで、塩化ビニル系樹脂の添加量を５〜３０重量％に規定した根拠について説明する。塩化ビニル系樹脂を０，５，１０，２０，２５，３０，４０，５０重量％添加して、マスキング膜の保護性と剥離性について実験を行った。また、その実験結果を考慮して強酸溶液によるエッチング処理からマスキング膜剥離までの作業性について判断した。それらの結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】
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【００３６】
表２から分かるように、塩化ビニル系樹脂の添加量が０重量％のときは、マスキング膜の剥離性が悪いので作業性は高くなかった。塩化ビニル系樹脂の添加量が４０，５０重量％のときは、エッチング処理中にマスキング膜が剥離してしまうためマスキング剤の保護性は悪く、よって、作業性も悪かった。
【００３７】
塩化ビニル系樹脂の添加量が５，１０，２０，２５，３０重量％のときは、マスキング膜の保護性及び剥離性が比較的良かったため作業性は高いと判断できた。特に、塩化ビニル系樹脂の添加量が２５重量％のときは、マスキング膜の剥離性が最も良く、作業性も最も良いと判断された。
【００３８】
以上、本発明の実施例を図面により詳述してきたが、上記実施例は本発明の例示にしか過ぎないものであり、本発明は上記実施例の構成にのみ限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、本発明に含まれることは勿論である。
【００３９】
例えば、本発明に係るマスキング剤はスマートフォンの表面ガラスの加工にも適用することができる。スマートフォンの表面ガラスには、イヤフォンやマイクのための小穴が設けられており、この小穴を形成するためにサンドブラストが用いられる。しかし、表面ガラスには反射防止膜がコーティングされており、サンドブラストが小穴周辺の反射防止膜に飛散すると、反射防止膜に傷が付いてしまうことがある。
【００４０】
そこで、あらかじめ反射防止膜の表面にマスキング膜を形成しておき、小穴周辺の反射防止膜をマスキング膜で保護するようする。サンドブラスト処理が終了したらマスキング膜を剥がす。この場合、本実施例におけるメタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を添加したマスキング剤を使用する。このようにすれば、小穴を形成した後にマスキング膜を容易に剥がすことができる。
【００４１】
また、上記小穴をＣＮＣ（Computer Numerical Control）でドリル加工で形成する場合もある。この場合も、反射防止膜の表面に傷が付きやすいが、反射防止膜の表面にマスキング膜を形成しておけば、反射防止膜表面に傷が付くのを回避することができる。この際も、本実施例におけるメタクリル酸メチルとアクリル酸ブチルの共重合体に塩化ビニル系樹脂を添加したマスキング剤を使用する。このようにすれば、小穴を形成した後にマスキング膜を容易に剥がすことができる。
【符号の説明】
【００４２】
１，２，３  サンプリング箇所
１１  ガラス基板
１２  透明電極（ＩＴＯ）
１３  反射防止膜（ＡＲ）
１４  溶液槽
１５  マスキング膜
Ｍ  強酸の溶液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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