(57)【要約】【課題】アスペクト比の大きい小径のビアホール内を確実に電気めっき膜により埋め込みながら、めっき時間の短縮が図られて、コストダウンを達成する。【解決手段】絶縁層１の一面に第１銅箔２ａが、他面に第２導体層３が形成され、第１銅箔２ａ上からレーザ光により、ビアホール４が形成される。そして、銅被膜２ｂが形成され、ビアホール４内の銅被膜２ｂ上のみにめっき促進剤が付着される。次いで、銅被膜２ｂ上に、電気めっき膜２ｃが形成される。その結果、絶縁層１上には、第１銅箔２ａと、銅被膜２ｂと電気めっき膜２ｃとからなる第１導体層２が形成され、パターニングされることにより、第１配線パターン２１と第２配線パターン３１とがビア導体２ｄを介して接続される。そして、第１導体層２の厚さが１０〜２２μｍで、かつ、電気めっき膜２ｃの厚さが５〜１２μｍに形成されている。【選択図】図１
2015173160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の両面に銅箔を形成することと、
前記絶縁層の上面に形成された前記銅箔上からレーザ光を照射することにより、前記銅箔および前記絶縁層の一部をそれぞれ除去して下面の銅箔が露出するようにビアホールを形成することと、
前記ビアホール内の露出面および前記銅箔の露出面に銅被膜を形成することと、
前記銅被膜上にめっき促進剤を付着することと、
前記ビアホール内を除く前記銅被膜上の前記めっき促進剤を除去することと、
電気めっきにより、前記銅被膜上に電気めっき膜を形成することと、
を含むビアフィリングめっき方法であって、
前記電気めっき膜の形成では、前記ビアホール内を電気めっき膜により埋め込むと共に、前記ビアホールが形成されない前記絶縁層上の前記銅箔と前記銅被膜と前記電気めっき膜とを含む導体層の厚さを１０〜２２μｍとし、かつ、前記電気めっき膜の厚さを５〜１２μｍとする。
【請求項２】
下層の導体層の上に、絶縁層および銅箔を順次形成することと、
前記銅箔上からレーザ光を照射することにより、前記銅箔および前記絶縁層の一部をそれぞれ除去して前記下層の導体層が露出するようにビアホールを形成することと、
前記ビアホール内の露出面および前記銅箔の露出面に銅被膜を形成することと、
前記銅被膜上にめっき促進剤を付着することと、
前記ビアホール内を除く前記銅被膜上の前記めっき促進剤を除去することと、
電気めっきにより、前記銅被膜上に電気めっき膜を形成することと、
を含むビアフィリングめっき方法であって、
前記電気めっき膜の形成では、前記ビアホール内を電気めっき膜により埋め込むと共に、前記ビアホールが形成されない前記絶縁層上の前記銅箔と前記銅被膜と前記電気めっき膜とを含む導体層の厚さを１０〜２２μｍとし、かつ、前記電気めっき膜の厚さを５〜１２μｍとする。
【請求項３】
請求項１または２記載のビアフィリングめっき方法であって、前記ビアホールの形成では、前記銅箔の端部を、前記ビアホールの前記絶縁層の側壁よりも突出させる。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のビアフィリングめっき方法であって、前記電気めっきでは、前記電気めっきのめっき液中にめっき促進剤が含まれており、該めっき液に対する前記めっき促進剤の濃度が、前記銅被膜上にめっき促進剤を付着させるためのめっき促進剤溶液中の該めっき促進剤の濃度よりも小さいめっき液を用いる。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のビアフィリングめっき方法であって、前記めっき促進剤の除去では、銅のエッチング液を用いることによりめっき促進剤の除去を行う。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のビアフィリングめっき方法であって、前記めっき促進剤の除去では、機械的研磨により前記めっき促進剤の除去を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板の下層の配線と上層の配線とを接続するビアホール内に導体層を電気めっきにより埋め込むビアフィリングめっき方法に関する。さらに詳しくは、ビアホール内のめっきを促進しながら、表面へのめっき膜の形成を極力抑制し、めっき時間を短縮することができるビアフィリングめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線板は、例えばビルドアップ法により形成されている。ビルドアップ法は、絶縁層が積層される工程と、各層の一面に形成される配線層が下層の配線層とビアホール内に形成されるビア導体により接続される工程、とを繰り返すことにより、多層に形成される方法である。このビア導体は、例えば特許文献１に示されるように、ビアホール内のみにめっき促進剤が付着された状態で、電気めっきが施されることにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９１９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ビアホール外の絶縁層の表面側に形成される配線層もある程度の厚さを有していないと、配線層の断線が生じたり、配線抵抗が増大したりするという問題が発生する。そのため、ビアホール内が完全に電気めっき膜により埋め込まれながら、絶縁層の表面側に形成される配線層となる導体層の厚さも所望の厚さになるようにめっき促進剤の付着が制御される必要があるが、その制御は非常に難しいという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、アスペクト比の大きい小径のビアホール内を確実に電気めっきにより埋め込みながら、めっき時間の短縮が図られて、コストダウンを達成することができる多層配線板のビアフィリングめっき方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のビアフィリングめっき方法は、絶縁層の両面に銅箔を形成することと、前記絶縁層の上面に形成された前記銅箔上からレーザ光を照射することにより、前記銅箔および前記絶縁層の一部をそれぞれ除去して下面の銅箔が露出するようにビアホールを形成することと、前記ビアホール内の露出面および前記銅箔の露出面に銅被膜を形成することと、
前記銅被膜上にめっき促進剤を付着することと、前記ビアホール内を除く前記銅被膜上の前記めっき促進剤を除去することと、電気めっきにより、前記銅被膜上に電気めっき膜を形成することと、を含むビアフィリングめっき方法であって、前記電気めっき膜の形成では、前記ビアホール内を電気めっき膜により埋め込むと共に、前記ビアホールが形成されない前記絶縁層上の前記銅箔と前記銅被膜と前記電気めっき膜とを含む導体層の厚さを１０〜２２μｍとし、かつ、前記電気めっき膜の厚さを５〜１２μｍとする。
【０００７】
本発明のビアフィリングめっき方法の他の形態は、下層の導体層の上に、絶縁層および銅箔を順次形成することと、前記銅箔上からレーザ光を照射することにより、前記銅箔および前記絶縁層の一部をそれぞれ除去して前記下層の導体層が露出するようにビアホールを形成することと、前記ビアホール内の露出面および前記銅箔の露出面に銅被膜を形成することと、前記銅被膜上にめっき促進剤を付着することと、前記ビアホール内を除く前記銅被膜上の前記めっき促進剤を除去することと、電気めっきにより、前記銅被膜上に電気めっき膜を形成することと、を含むビアフィリングめっき方法であって、前記電気めっき膜の形成では、前記ビアホール内を電気めっき膜により埋め込むと共に、前記ビアホールが形成されない前記絶縁層上の前記銅箔と前記銅被膜と前記電気めっき膜とを含む導体層の厚さを１０〜２２μｍとし、かつ、前記電気めっき膜の厚さを５〜１２μｍとする。
【発明の効果】
【０００８】
このような構成にされることにより、ビアホール内への電気めっき膜の形成が効率的に行われる。それと共に、配線層とする導体層の厚さが短時間で確保される。その結果、導体層の信頼性の向上、およびコストダウンが達成される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態のビアフィリングめっき方法を示す工程図。
【図２】図１の（ｃ）工程のさらに詳細な工程を示す図。
【図３】図１の方法で電気めっき膜を途中まで形成した状態のビアホールの断面写真を、めっき促進剤を全く付着させないで電気めっきをした状態の断面写真と比較した図。
【図４】図１で形成された配線層の両面にさらに配線層が形成される場合の製造工程を示す図。
【図５】図４で形成される４層構造の多層配線板を示す図。
【図６】図５に示される３層構造の多層配線板の両面にさらに配線層が形成され、６層構造に形成された多層配線板を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
つぎに、本実施形態のビアフィリングめっき方法が、両面に銅箔が形成される１層の絶縁層からなるコア基板にビア導体と配線層とが形成される例で示される図１を参照しながら説明される。
【００１１】
本実施形態のビアフィリングめっき方法は、図１に示されるように、まず、絶縁層１の両面に第１導体層２および第２導体層３の一部となる第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａが形成される。次に、絶縁層１のビアホール４が形成される場所に、第１銅箔２ａ上からレーザ光を照射することにより、第１銅箔２ａおよび絶縁層１の一部をそれぞれ除去して下面の第２銅箔３ａを露出させることによりビアホール４が形成される。そして、ビアホール４内の露出面、第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａの上面に無電解めっきにより銅被膜２ｂ、３ｂが形成される。次いで、銅被膜２ｂ、３ｂ上にめっき促進剤５（図２（ａ）参照）が付着される。このめっき促進剤５の、ビアホール４内以外の部分は除去される（図２（ｂ）参照）。次いで、図１（ｄ）に示されるように、電気めっきにより、電気めっき膜２ｃ、３ｃがビアホール４内、第１銅箔２ａ上および第２銅箔３ａ上の銅被膜２ｂ、３ｂ上に形成される。その結果、ビアホール４内には電気めっき膜２ｃが埋め込まれ、銅被膜２ｂと共にビア導体２ｄとなり、絶縁層１の両面上には、第１銅箔２ａと、銅被膜２ｂと電気めっき膜２ｃとからなる第１導体層２、および第２銅箔３ａと、銅被膜３ｂと、第２めっき膜３ｃとからなる第２導体層３が形成される。そして、図１（ｅ）に示されるように、パターニングされることにより、第１配線パターン２１と第２配線パターン３１とがビア導体２ｄを介して接続される構成になっている。
【００１２】
本発明では、ビアホール４内が電気めっき膜２ｄにより完全に埋め込まれると共に、絶縁層１の両面上の第１銅箔２ａを含む第１導体層２および第２銅箔３ａを含む第２導体層３の厚さが１０〜２２μｍで、かつ、第１および第２の電気めっき膜２ｃ、３ｃの厚さが５〜１２μｍに形成されている。図１〜３を参照しながら、さらに詳細に説明をする。
【００１３】
まず、図１（ａ）に示されるように、絶縁層１の両面に第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａが貼り付けられる。絶縁層１は、例えば、４０〜７５μｍ程度の厚さの、ガラス繊維入りの樹脂からなる絶縁層、または樹脂単独のものを用いることもできる。樹脂としては、例えばエポキシ、またはポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）が用いられ得る。絶縁層１の一面側および他面側に設けられる第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａは、５〜１０μｍ程度の厚さのものが用いられる。この第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａは、１０μｍを超える厚さの銅箔が絶縁層１の表面に一旦積層され、エッチング等の公知の手段で５〜１０μｍまで薄くされても良い。両面の第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａは、この表面に銅被膜２ｂ、３ｂおよび電気めっき膜２ｃ、３ｃが形成されるため、その分薄く形成されている。すなわち、この一面側の第１導体層２は、めっきにより全てを形成され得るが、めっきでは時間がかかり、コストアップになるため、その一部が第１銅箔２ａで形成されている。
【００１４】
次に、図１（ｂ）に示されるように、ビアホール４が所定の場所に形成される。このビアホール４は、下層の配線パターン３１（図１（ｅ）参照）と、上層の配線パターン２１とが接続される部分に形成される。従って、接続される下層配線３１の位置に合せて、下層の第２銅箔３ａが露出するようにビアホール４が形成される。
【００１５】
このビアホール４は、例えばレーザ光の照射により形成される。レーザ光としては、例えばＣＯ2レーザが用いられる。このビアホール４の形成は、第１銅箔２ａの表面側からレーザ光の照射により行われる。ここで、絶縁層１は第１銅箔２ａよりも昇華しやすい。そのため、レーザ光の照射によっても、第１銅箔２ａには中々孔が開かないで、その下の絶縁層１は温度が上昇して昇華してくる。その結果、ビアホール４は、図１（ｂ）に示されるように、上面では、第１銅箔２ａの径が絶縁層１の部分のビアホール４の径より小さくなる。そのため、第１銅箔２ａの周囲は、ビアホール４の開口部の周囲を覆うように、第１銅箔２ａの端部がビアホール４上に突き出た構造になっている。この第１銅箔２ａの突出し量は、レーザ光のエネルギー密度分布等を変えることによって、調整され得る。
【００１６】
次に、図１（ｃ）に示されるように、例えば無電解めっきにより、銅被膜２ｂ、３ｂが、ビア導体４内および第１銅箔２ａ、第２銅箔３ａの表面に形成される。無電解めっきの方法は、通常の方法で行われるが、例えば無電解銅めっきを行うには、例えばパラジウムなどの触媒活性を有する膜を表面に形成して、Ｃｕ2+を含む水溶液中で、ホルムアルデヒドのような還元剤が触媒表面で酸化して放出される電子により、Ｃｕ2+が還元されて銅が析出することを利用している。
【００１７】
この銅被膜２ｂ、３ｂは、絶縁層１の表面にも電気めっきをすることができるように、導電層とするものであり、電流を流すことができる厚さであれば良く、例えば０.１〜０.５μｍ程度の厚さに形成される。従って、この銅被膜２ｂは、無電解めっきでなくてもスパッタリングや真空蒸着などの方法により形成されても良い。
【００１８】
次に、図２（ａ）に示されるように、ビアホール４内および一面および他面の銅被膜２ｂ、３ｂの表面にめっき促進剤５の付着形成がなされる。このめっき促進剤５の付着形成は、例えばブライトナーと呼ばれるめっき促進剤を重量濃度で１０4ｐｐｍ程度の割合で溶解した水溶液中に１０〜２０分程度浸漬することにより行われる。めっき促進剤５としては、例えば３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム、２−メルカプトエタンスルホン酸ナトリウム、ビス−（３−スルフォプロピル）−ジスルファイドジソディウム等の硫黄化合物が用いられる。このめっき促進剤５をビアホール４内に充分に付着させるためには、めっき促進剤溶液中に銅被膜２ｂが形成された絶縁層１（被めっき物）を浸漬した状態で、めっき促進剤溶液を撹拌するか、被めっき物を揺動することが好ましい。
【００１９】
めっき促進剤５が被めっき物の表面に付着すると、１価の銅イオンと錯体を形成して、めっき液中の２価の銅イオンよりも低いエネルギーで金属の銅に還元されるため、電気めっきの金属の析出が促進される。このめっき促進剤５は、被めっき物の表面に付着していると、めっき促進の効果を与えるが、電気めっき液の中に添加されても、めっき促進の効果が得られる。
【００２０】
その後、図示されていないが、銅被膜２ｂ、３ｂが形成された絶縁層は水洗される。この水洗によっても、第１銅箔２ａ、第２銅箔３ａ上の銅被膜２ｂ（ビアホール４ではない平坦部）、３ｂの表面に付着しためっき促進剤５は多少除去されるが、ビアホール４内の壁面に付着しためっき促進剤５は、第１銅箔２ａの端部が、若干ビアホール４の内側まで延びて壁になっていることもあって、殆ど除去されない。
【００２１】
なお、銅被膜２ｂが無電解めっきにより形成される場合、銅被膜２ｂ、３ｂの形成工程と、めっき促進剤溶液への浸漬工程との間に、銅被膜２ｂ上に電解によるストライク銅めっき被膜が形成されることが好ましい。これにより、銅被膜２ｂ上に純粋な銅の被膜が形成されるので、無電解めっきによる銅被膜２ｂの表面の酸化等によるめっき促進剤５の付着が妨げられることが防止される。すなわち、清浄な銅被膜２ｂの表面にめっき促進剤５がムラなく均一に付着することにより、ビアホール４内に確実に電気めっきによる電気めっき膜２ｃが埋め込まれる。
【００２２】
その後、図２（ｂ）に示されるように、第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａ上の銅被膜２ｂ、３ｂ（ビアホール４ではない平坦部）の表面に付着しためっき促進剤５が除去される（剥離工程）。この剥離工程は、塩化第１鉄水溶液等の銅のエッチング液に銅被膜２ｂ、３ｂが形成された絶縁層１の全体を浸漬し、水洗することにより行われる。この銅のエッチング液に短時間浸漬する方法によれば、ビアホール４内にエッチング液が完全には入り込まないので、ビアホール４内のめっき促進剤５は殆ど除去されないで、それ以外の第１銅箔２ａ、第２銅箔３ａ上の平坦面のエッチング促進剤５のみが選択的に除去される。
【００２３】
エッチング促進剤５の剥離は、上記の方法以外にも、シアン化電解液によるシアン電解処理によっても行うことができる。または、無電解めっきをした銅被膜２ｂ、３ｂの表面に紫外線を斜めに照射する紫外線処理によってもめっき促進剤５を分解させて除去することが可能である。このような紫外線を斜めに照射することにより、ビアホール４内への紫外線の侵入を防ぐことができ、平坦面のみを選択的に除去することができる。さらに別の方法として、絶縁層１の表面で第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａが形成された面を研磨する研磨処理をすることによっても、選択的に除去することができる。この研磨の方法によれば、めっき促進剤５を除去する部分が、ほぼ平坦面であるため、ビアホール４内のめっき促進剤５を除去することなく、それ以外のめっき促進剤５を効果的に、かつ、容易に除去することができる。
【００２４】
このめっき促進剤５の剥離は、以上のような特別の剥離工程を設けなくても、例えば電気めっきの工程で、電気めっきを始める初期の段階で、電気めっきの際の印加電圧の極性を逆にして電圧を印加することによる逆電解処理で行うこともできる。この逆電解処理は、例えば、電気めっきの開始後数分してから３０秒ごとに陽極と陰極の極性を反転させて、数分間銅めっきを行う方法でも良い。この逆電解処理は、前述のめっき促進剤の除去工程を行った場合でも電気めっきの途中に逆電解処理が行われると、ビアホール４内に重点的に電気めっきを行うのに効果的である。特に、電気めっき液にもめっき促進剤を添加してめっき処理時間を短縮させる場合に効果が大きい。このような印加電圧の極性を逆にして電圧を印加することにより、銅被膜２ｂ上が剥離される処理になるが、印加電圧の向きが本来の電気めっきの場合と逆であるため、特にめっき促進剤５による電流を集中させるという作用はなく、ビアホール４内には逆電解が作用し難く、第１銅箔２ａ、第２銅箔３ａ上の表面、すなわち平坦面の表面のめっき促進剤５の剥離が顕著に行われる。その結果、ビアホール４内のめっき促進剤５は、剥離されないでそのまま残存させることができる。
【００２５】
さらに、特別な剥離工程を設けないで、ビアホール４内以外のめっき促進剤５を剥離する別の方法としては、電気めっきの際に、正負が反転するパルス（高い電位が正で、低い電位が負のパルス）の電圧を印加することによって電気めっきをすることによっても行える。このようなパルス電圧が印加されると、正の電圧の際には、普通の電気めっきが行われ、パルスの負の電圧では、めっきを剥がす作用、すなわち前述の逆電解処理と同じで、平坦な表面での逆電解処理が優先して行われ、ビアホール４内での逆電解処理は殆ど行われない。その結果、平坦面では電気めっきは殆ど進まず、ビアホール４内にのみ優先的に電気めっき膜２ｃが形成される。
【００２６】
このようなパルス電圧による電気めっき法、または前述の逆電解処理によるめっき膜の剥離が適度に混合されることによって、ビアホール４内を電気めっき膜２ｃにより完全に埋め込みながら、表面がほぼ均一な面になるようにめっきされ得る。すなわち、例えばビアホール４内が完全に埋め込まれるまでは、前述のパルスめっき、または逆電解処理を挟みながらのめっきがなされ、ビアホール４内が完全に埋め込まれて表面が平坦化したら、第１導体層２および第２導体層３が所望の厚さになるまで通常の電気めっきがなされる。本発明では、前述のように、第１銅箔２ａが設けられているため、表面が平坦化した後の電気めっきは、大幅に減らされ得る。
【００２７】
次に、めっき促進剤５がビアホール４内に付着した絶縁層１の全体（被めっき物）をめっき液に浸漬し、電気めっきを行う。めっき液としては、例えば硫酸銅と硫酸の水溶液が用いられる。このめっき液には、めっき促進剤（ブライトナー）、めっき抑制剤（ウェッター）などが添加されても良い。めっき促進剤としては、前述のめっき促進剤溶液に溶解しためっき促進剤と同じ材料が使用されても良い。めっき促進剤が添加される場合でも、前述のめっき促進剤溶液のめっき促進剤の濃度よりも低い濃度にすることが好ましい。めっき液のめっき促進剤５の濃度が高いと、めっき促進剤５を除去した平坦面にも、まためっき促進剤が付着して、平坦面での電気めっき膜２ｃ、３ｃの厚さが厚くなりすぎるからである。なお、めっき促進剤５は添加されなくても良い。また、ウェッターが添加されていると、めっき促進剤５が付着していないビアホール４以外の表面にウェッターが付着し、平坦面での電気めっき膜２ｃ、３ｃの形成が抑制される。
【００２８】
この状態で、図示しないエッチング液中に浸漬する銅電極と被めっき物の銅被膜２ｂ、３ｂとの間に、銅被膜２ｂ、３ｂがカソードとなる電圧が印加されることにより図１（ｄ）および図２（ｄ）に示されるように、銅被膜２ｂ、３ｂ上に、電気めっき膜２ｃ、３ｃが形成される。この電気めっき膜２ｃにより、ビアホール４内は完全に充填され、ビア導体２ｄが形成される。
【００２９】
前述のように、ビアホール４内の銅被膜２ｂ上にめっき促進剤５が付着し、ビアホール４内以外のめっき促進剤が除去された状態で電気めっきが施されることにより、ビアホール４内では、めっき促進剤５により、前述のように、低いエネルギーでめっき液中の銅イオンを金属の銅に還元しやすくなる。そして、ビアホール４以外の第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａが残っている銅被膜２ｂ、３ｂの上側では、電気めっき膜２ｃ、３ｃの形成が抑制される。その結果、図２（ｃ）および図１（ｄ）に示されるように、ビアホール４内に電気銅めっき膜が充填され、すなわちビアフィリングされてビア導体２ｄとなり、第１銅箔２ａ上の電気めっき膜２ｃとビア導体２ｄ上の電気めっき膜２ｃとがほぼ平坦面になる。この第１銅箔２ａ、銅被膜２ｂ、および電気めっき膜２ｃはいずれも銅膜であるため、一体化されるため、図１（ｄ）および図２（ｃ）では、まとめて第１導体層２として示されている。また、第２銅箔３ａ、銅被膜３ｂおよび電気めっき膜３ｃが一体化されて第２導体層３として表されている。
【００３０】
このビアホール４以外の絶縁層１上の第１導体層２および第２導体層３は、それぞれ第１銅箔２ａ（第２銅箔３ａ）、銅被膜２ｂ、３ｂおよび電気めっき膜２ｃ、３ｃの全体で１０〜２２μｍの厚さに、電気めっき膜２ｃ３ｃの厚さが５〜１２μｍの厚さに形成される。第１導体層２の厚さは、あまり厚すぎると、電子部品の薄型化の要請に応えられないと共に、コストアップに繋がるだけであり、薄すぎると、断線の恐れや電気抵抗の増大に繋がるからである。また、電気めっき膜２ｃ、３ｃの厚さが５〜１２μｍ程度になるように形成される。これは、ビアホール４内が完全に埋め込まれる間に絶縁層１の上の平坦面にも電気めっき膜２ｃがいくらかは形成されるので、その形成分とビアホール４の部分との平坦性が得られるようにするのに、必要とされる分とが考慮された厚さである。このような観点から、第１銅箔２ａ、第２銅箔３ａは、それぞれ５〜１０μｍの厚さのものが用いられる。すなわち、第１銅箔２ａが用いられることにより、この第１銅箔２ａの厚さ分だけ、電気めっきの時間を短縮することができ、コストダウンに寄与する。
【００３１】
その後、図１（ｅ）に示されるように、第１導体層２および第２導体層３がパターニングされて第１配線層２１および第２配線層３１がビア導体２ｄを介して接続された配線板が形成される。
【００３２】
このめっき促進剤５による効果について検証をした。第１銅箔２ａの開口部の直径が７０μｍ、絶縁層１の厚さが６５μｍ、ビアホール４のピッチが０.３ｍｍ、ビア数が２２５の配線板が用いられ、本発明の実施例として、めっき促進剤溶液に１５分間浸漬した後、過硫酸ソーダの溶液で１μｍのエッチングをした。また、比較例として、めっき促進剤溶液への浸漬も、電気めっき前の表面エッチングも行わないサンプルに、電気銅めっきを行った。その結果が図３に示される。図３（ａ）は実施例のビアホール４内の断面写真、図３（ｂ）は比較例のビアホール４内の断面写真である。
【００３３】
図３から明らかなように、本発明によれば、ビアホール４内に確実に電気めっきによる銅膜が底面から成長しており、ビアホール４の内側面にも電気めっき膜２ｃが形成されていることがわかる。この図３（ａ）に示される写真は、ビアホール４内が完全に埋め込まれるまで電気めっきを行っていないので、ビアホール４の上部はまだ埋まっていない状態が示されている。しかし、ビアホール４内の電気めっき膜２ｃの形成に対して、第１銅箔２ａの表面への電気めっき膜２ｃの形成が大幅に少なく、ビアホール４内以外の部分の電気めっき膜２ａの形成が抑制され、ビアホール４内への電気めっき膜２ｃの形成が顕著であることを示している。
【００３４】
本実施形態の構成によれば、絶縁層１の両面に第１銅箔２ａおよび第２銅箔３ａが形成され、その第１銅箔２ａの上側からレーザ光を照射することにより、第１銅箔２ａと絶縁層１の一部が昇華して除去され、ビアホール４が形成されている。
【００３５】
そのため、まず第１に、レーザ光の照射により昇華しやすい絶縁層１のビアホール４の開口部の径が、第１銅箔２ａの開口部での径より大きくなっている。従って、ビアホール４の開口部は、その周囲において、第１銅箔２ａの端部により覆われる構造に形成されている。その結果、前述のめっき促進剤５を全面に付着した後、ビアホール４内以外のめっき促進剤５が除去される際に、エッチング液などのビアホール４内への侵入を抑制することができる。その結果、ビアホール４内に付着しためっき促進剤５が除去され難く、平坦な絶縁層１の表面側のめっき促進剤５のみが効率的に剥離されやすいという効果がある。
【００３６】
その結果、ビアホール４内の電気めっき膜２ｃの形成が促進され、ビアホール４内以外の表面の電気めっき膜２ｃの形成は抑制される。すなわち、専らビアホール４内の電気めっき膜２ｃの形成が行われ、ビアホール４以外の電気めっき膜２ｃの形成は抑制されるため、ビアホール４の部分とそれ以外の部分との平坦化が行われやすい。
【００３７】
第２に、第１銅箔２ａが絶縁層１の表面に貼り付けられているため、電気めっきをそれほど長時間に亘って行わなくても、ビアホール４の部分の表面が他の部分とほぼ平坦になるころには、必要な導体層２の厚さとなり、電気めっきの時間を短縮することができ、コストダウンにも寄与する。その結果、大幅なコストダウンが達成されると共に、電気めっきの際の表面の平坦性の制御が行われやすいという効果もある。
【００３８】
図１に示される絶縁層１の両面に第１配線層２１と第２配線層３１が形成された配線板の両面に、さらに絶縁層と導体層とがビルドアップされ、第３の配線層２２および第４の配線層３２が形成される実施形態の製造工程が図４を参照しながら説明される。すなわち、図１（ｅ）に示される第１配線層２１、第２配線層３１が形成された配線層上に、さらに絶縁層および配線層がビルトアップされる例である。
【００３９】
まず、図４（ａ）に示されるように、図１で形成された配線板の両面に第２絶縁層１１、第３絶縁層１２と、第２銅箔２２ａ、第３銅箔３２ａが前述の図１に示される方法と同様に、加圧しながら加熱することにより、貼り付けられる。この第２絶縁層１１、第３絶縁層１２も前述の第１絶縁層と同じ材料および厚さのものを使用することもできるし、異なる材料で異なる厚さのものが用いられても良い。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に示されるように、第２絶縁層１２と第２銅箔２２ａ、および第３絶縁層１３と第３銅箔３２ａの所定の場所に、レーザ光を用いてビアホール４１、４２が形成される。レーザ光などの設備および方法は、前述の図１（ｂ）に示される方法と同じである。
【００４１】
その後図示されていないが、前述の図１（ｃ）に示されるのと同様に、銅被膜２２ｂ、３２ｂ（図４（ｃ）参照）が形成される。その後、前述の図２に示される工程と同様に、めっき促進剤が全面に付着された後に、ビアホール４１、４２の内部を除いた、第２銅箔２２ａおよび第３銅箔３２ａ上の銅被膜２２ｂ、３２ｂ上のめっき促進剤が除去される。
【００４２】
このめっき促進剤の水溶液、その付着方法、一部の除去方法などは、前述の図２に示される方法と同様にすることができる。その後、図４（ｃ）に示されるように、電気めっきにより、電気めっき膜２２ｃ、３２ｃを形成する。この際、ビアホール４１、４２内には、図示しないめっき促進剤が被着されていることにより、電気めっきにより完全に埋め込まれ、しかもビアホール４１、４２の部分とビアホール４１、４２以外の部分との高さがほぼ同じになるように電気めっきがなされる。
【００４３】
その後、第２銅箔２２ａ、銅被膜２２ｂ、および電気めっき膜２２ｃからなる導体層、および第３銅箔３２ａ、銅被膜３３ｂ、および電気めっき膜３２ｃからなる導体層がパターにングされることにより、配線パターン２２、２３が形成された、図５に示されるような４層の配線板が形成される。
【００４４】
さらに、その両面の第３配線層２２および第４配線層３２上に、それぞれ絶縁層および導体層が１層ずつ積層された実施形態が図６に示されている。この例も、図４に示された例と同様に、第４絶縁層１３、第５絶縁層１４と、図示されていない第４銅箔、第５銅箔が貼り付けられ、図示しない銅被膜、めっき促進剤の付着、電気めっき膜の形成が行われ、パターニングされることにより、第５配線層２３、第６配線層３３が形成されることにより、ビアホールが完全に電気めっきにより埋め込まれた図６に示される構造の６層構造の配線板が形成される。
【符号の説明】
【００４５】
１    絶縁層
２    第１導体層
２ａ  第１銅箔
２ｂ  銅被膜
２ｃ  電気めっき膜
２ｄ  ビア導体
３    第２導体層
４    ビアホール
５    めっき促進剤
６    めっき抑制剤
１１  第２絶縁層
１２  第３絶縁層
１３  第４絶縁層
１４  第５絶縁層
２１  第１配線層
２２  第３配線層
２３  第５配線層
３１  第２配線層
３２  第４配線層
３３  第６配線層
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図３】
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