(57)【要約】【課題】部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、硫化防止の特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造することを可能とするウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法を提供する。【解決手段】（ｉ）支持基板の粘着シート面に複数の光半導体素子の電極面を粘着シート側に対向するようにして搭載する工程と、（ｉｉ）支持基板の光半導体素子が搭載された粘着シート面上に熱硬化性樹脂組成物を供給し、熱硬化性樹脂組成物を成型し硬化させることで成型体を得る工程と、（ｉｉｉ）成型体から支持基板及び粘着シートを剥離する工程を有し、熱硬化性樹脂組成物として、硬化後の硬度がショアＤで５０以上のものを用いるウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光半導体素子が熱硬化性樹脂に保持されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法であって、
（ｉ）片面に粘着シートが設けられた支持基板の粘着シート面に複数の光半導体素子の電極面を粘着シート側に対向するようにして搭載する工程と、
（ｉｉ）前記支持基板の光半導体素子が搭載された粘着シート面上に熱硬化性樹脂組成物を供給し、該熱硬化性樹脂組成物を成型し硬化させることで成型体を得る工程と、
（ｉｉｉ）前記成型体から支持基板及び粘着シートを剥離する工程、
を有し、前記熱硬化性樹脂組成物として、硬化後の硬度がショアＤで５０以上のものを用いることを特徴とするウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂組成物として、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される１種以上の樹脂を含むものを用いること特徴とする請求項１に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂組成物として、前記光半導体素子からの波長変換を目的とした蛍光体粒子を含むものを用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂組成物として、シリコーン、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニアから選択される１種以上の充填材を含むものを用い、該充填材の添加量を前記熱硬化性樹脂組成物中の樹脂成分１００体積部に対して０体積部を超え９０体積部以下とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｉ）において、デバイス外周部であるダイシングラインに該当する部位に、光反射性熱硬化性樹脂を含み硬度がショアＤで５０以上の光反射部材を設置することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｉ）において、前記粘着シート面に前記光半導体素子を搭載する前、前記光半導体素子を搭載した後、又は前記光半導体素子を搭載すると同時に、前記光反射部材を前記粘着シート面に設置することを特徴とする請求項５に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項７】
前記光反射部材として、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される１種以上の光反射性熱硬化性樹脂を含むものを用いることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項８】
前記光反射部材として、無機充填材及び拡散材のいずれか又は両方を含むものを用い、前記無機充填材はシリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムから選択される１種以上であり、前記拡散材はチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素から選択される１種以上であることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項９】
前記熱硬化性樹脂組成物の成型は、前記熱硬化性樹脂組成物と接する面に剥離フィルムを備えた圧縮成型機を用いて圧縮成型によって行うことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法。
【請求項１０】
光半導体デバイスの製造方法であって、
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法で得られたウェハーレベル光半導体デバイス用部材の各光半導体素子の電極面に、前記光半導体素子を実装基板とつなぐための回路、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成した後、ダイシングして個片化することを特徴とする光半導体デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記光半導体デバイスの製造方法は、
（ｉｖ）前記ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の光半導体素子が露出した面に対してエッチングによる粗面化を行った後、シード層を形成する工程と、
（ｖ）前記シード層が形成された面上にメッキレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて露光した後現像を行って、各光半導体素子の電極面に開口を形成する工程と、
（ｖｉ）前記開口が形成された面に対し、電解メッキ法又は無電解メッキ法を用いて前記光半導体素子を実装基板とつなぐための回路、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成した後、メッキレジスト膜を剥離し、続いてメッキレジスト膜の剥離後に表面に現れた前記シード層の不要な部分をエッチングにより除去する工程と、
（ｖｉｉ）ダイシングして個片化する工程、
を有することを特徴とする請求項１０に記載の光半導体デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１に記載の光半導体デバイスの製造方法によって製造されたものであることを特徴とする光半導体デバイス。
【請求項１３】
前記実装基板と接続するための回路、及び半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを有するとともに、さらに２つ以上の光半導体素子が電気的に接続されたものであることを特徴とする請求項１２に記載の光半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤに代表される光半導体装置の小型化及び低コスト化に寄与する、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、該製造方法によって製造された部材を用いた光半導体デバイスの製造方法、及び該製造方法によって製造された光半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ等の光半導体素子は電力消費量が少ないという優れた特性を有するため、近年では屋外照明用途や自動車用途への光半導体素子の適用が増えてきている。一方で、一層高輝度化した光半導体素子からの発熱量の増加により、駆動時の光半導体素子の表面温度は１５０度に到達する試算がされている。このような状況の中で、光半導体装置の特性向上、長寿命化を行うために、特に光半導体装置の構成部材の耐熱性、耐光性の選定及び放熱性の確保が重要である。
【０００３】
従来から、放熱性、耐候性の高い光半導体装置用の実装基板として、セラミックと金属を積層させた基板が放熱特性に優れるという観点で一般的に用いられているが（例えば、特許文献１、特許文献２参照）、セラミックの加工・成型性が良くないことから加工コスト、材料コストの面で高価なものとなっている。また、セラミック基板は焼成加工により製造するため、精密な寸法精度を実現することが難しく、この理由から薄型化、低コスト化を進めることが困難である。
【０００４】
セラミック基板にかわる光半導体装置用基板として、熱伝導性の良い金属を加工してなるリードフレーム基板の上に光反射用の熱硬化性樹脂組成物層をトランスファー成型により形成した光半導体装置用基板が提案されている（例えば、特許文献３〜５参照）。しかしながら、この方法ではトランスファー成型によってカップ形状（凹形状）を有する樹脂層（リフレクター）を形成するため、該樹脂層の耐熱性、耐光性、及びリードフレームを構成する金属材料の腐食等の課題を有しており、高耐熱、高耐光、高信頼性の面で不十分である。また、光半導体デバイスを製造する工程として、光半導体素子を実装、ワイヤーボンド、封止樹脂による封止、及び加熱硬化に代表されるように、多くの工程を有する。
【０００５】
一方で、上記凹形状を有するリフレクターを形成せず、光半導体素子を載置するための第１のリードと、光半導体素子と電気的に接続される第２のリードとの隙間に樹脂組成物を充填、硬化させてなる略平面形状の構造を有する表面実装型の光半導体装置用基板が提案されている（例えば、特許文献６参照）。このようなリフレクター構造を有さない、略平面形状の構造を有する表面実装型の光半導体装置用基板はフラットフレームと呼ばれることがある。フラットフレームに対して光半導体素子を実装し、ワイヤーボンディングなどを用いて電気的に接続したのち、トランスファーモールドなどでレンズなどを成型し、ダイシング工程でマトリックス状に配置された平面実装基板をデバイス毎に分割する手法も知られているが、この方法では工程が複雑であり、製品精度、製造コスト、生産性等、工業的な課題が多い。
【０００６】
一方で、ＬＥＤ等の光半導体デバイスが屋外照明用途や自動車用途で用いられるようになってから、外気にさらされるため、大気中の硫黄酸化物、いわゆるＳＯｘによって、光反射性を高めるために設けられた銀メッキ、銀電極等が硫化することで黒く変色することが問題となっている。高反射率を有する銀メッキ、銀電極等が黒く変色することは、光反射率が著しく低下することを意味し、光半導体デバイスからの光取り出し効率の低下に直結する。従って、銀メッキ、銀電極の保護、即ち光半導体デバイス全体として耐硫化性の確保がますます重要となってきている。
【０００７】
このような中で、金属を加工してなるリードフレーム基板を用いた上述の発明は、基板表面の光反射率向上のため、通常リードフレーム表面に銀メッキが施されており、銀メッキの硫化防止をいかに付与するかが課題として残り、依然として有効な解決策を模索しており、開発期間、開発コストの増大につながっている。
【０００８】
また、特許文献７には、パッケージの小型化にあたり部材の種類を減らし製造しやすくした半導体発光装置及びその製造方法として、ＬＥＤ装置において、サファイア基板と突起電極を有するＬＥＤ素子を備え、サファイア基板の上面に蛍光体シートが配置され、蛍光体シートとサファイア基板とが接着層で接着され、ＬＥＤ素子の側部は白色反射部材で覆われており、ＬＥＤ素子の突起電極がマザー基板に対する接続電極となっている構造が提案されている。しかしながら、依然として構成部材点数が多く、工程が煩雑であり、製造コスト、生産性等、工業的な課題が多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−０７１５５４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８１５５０号公報
【特許文献３】特許第４６０８２９４号公報
【特許文献４】特開２００７−２３５０８５号公報
【特許文献５】特開２０１１−００９５１９号公報
【特許文献６】特開２０１１−２２２８７０号公報
【特許文献７】特開２０１２−２２７４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造することを可能とするウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、該製造方法で製造されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材を用いた光半導体デバイスの製造方法、及び該製造方法で製造された光半導体デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明では、複数の光半導体素子が熱硬化性樹脂に保持されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法であって、
（ｉ）片面に粘着シートが設けられた支持基板の粘着シート面に複数の光半導体素子の電極面を粘着シート側に対向するようにして搭載する工程と、
（ｉｉ）前記支持基板の光半導体素子が搭載された粘着シート面上に熱硬化性樹脂組成物を供給し、該熱硬化性樹脂組成物を成型し硬化させることで成型体を得る工程と、
（ｉｉｉ）前記成型体から支持基板及び粘着シートを剥離する工程、
を有し、前記熱硬化性樹脂組成物として、硬化後の硬度がショアＤで５０以上のものを用いるウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法を提供する。
【００１２】
このようなウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法であれば、部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造することを可能とするウェハーレベル光半導体デバイス用部材を製造することができる。
【００１３】
またこのとき、前記熱硬化性樹脂組成物として、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される１種以上の樹脂を含むものを用いることが好ましい。
【００１４】
このような樹脂を含むものであれば、光半導体素子の封止樹脂として好適である。
【００１５】
またこのとき、前記熱硬化性樹脂組成物として、前記光半導体素子からの波長変換を目的とした蛍光体粒子を含むものを用いることが好ましい。
【００１６】
このように、蛍光体粒子を含むことで、光半導体素子から発せられた光を効率的に目的の波長の光に波長変換することが可能となる。
【００１７】
またこのとき、前記熱硬化性樹脂組成物として、シリコーン、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニアから選択される１種以上の充填材を含むものを用い、該充填材の添加量を前記熱硬化性樹脂組成物中の樹脂成分１００体積部に対して０体積部を超え９０体積部以下とすることが好ましい。
【００１８】
このような充填材を含むことで、硬化後の硬度、耐熱性、耐候性、耐光性に優れ、また熱伝導性、成型性、難燃性も良好な熱硬化性樹脂組成物となる。
【００１９】
またこのとき、前記工程（ｉ）において、デバイス外周部であるダイシングラインに該当する部位に、光反射性熱硬化性樹脂を含み硬度がショアＤで５０以上の光反射部材を設置することが好ましい。
【００２０】
このような光反射部材を有する事で、デバイス側面から漏れる光を効率よく反射し、光半導体デバイスの光取出し性を高めることが可能となる。
【００２１】
またこのとき、前記工程（ｉ）において、前記粘着シート面に前記光半導体素子を搭載する前、前記光半導体素子を搭載した後、又は前記光半導体素子を搭載すると同時に、前記光反射部材を前記粘着シート面に設置してもよい。
【００２２】
またこのとき、前記光反射部材として、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される１種以上の光反射性熱硬化性樹脂を含むものを用いることが好ましい。
【００２３】
このような樹脂を含むものであれば、本発明に用いる光反射部材として好適である。
【００２４】
またこのとき、前記光反射部材として、無機充填材及び拡散材のいずれか又は両方を含むものを用い、前記無機充填材はシリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムから選択される１種以上であり、前記拡散材はチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素から選択される１種以上であることが好ましい。
【００２５】
このような充填材や拡散材を含むことで、硬度、耐熱性、耐候性、耐光性に優れ、また熱伝導性、成型性、難燃性も良好な光反射部材となる。
【００２６】
またこのとき、前記熱硬化性樹脂組成物の成型は、前記熱硬化性樹脂組成物と接する面に剥離フィルムを備えた圧縮成型機を用いて圧縮成型によって行うことが好ましい。
【００２７】
このように、圧縮成型であれば、容易かつ確実に熱硬化性樹脂組成物の成型を行うことができる。
【００２８】
また、本発明では、光半導体デバイスの製造方法であって、
上記のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法で得られたウェハーレベル光半導体デバイス用部材の各光半導体素子の電極面に、前記光半導体素子を実装基板とつなぐための回路、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成した後、ダイシングして個片化する光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【００２９】
前記光半導体デバイスの製造方法は、より具体的には、
（ｉｖ）前記ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の光半導体素子が露出した面に対してエッチングによる粗面化を行った後、シード層を形成する工程と、
（ｖ）前記シード層が形成された面上にメッキレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて露光した後現像を行って、各光半導体素子の電極面に開口を形成する工程と、
（ｖｉ）前記開口が形成された面に対し、電解メッキ法又は無電解メッキ法を用いて前記光半導体素子を実装基板とつなぐための回路、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成した後、メッキレジスト膜を剥離し、続いてメッキレジスト膜の剥離後に表面に現れた前記シード層の不要な部分をエッチングにより除去する工程と、
（ｖｉｉ）ダイシングして個片化する工程、
を有することが好ましい。
【００３０】
このような光半導体デバイスの製造方法であれば、部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造することができる。
【００３１】
さらに、本発明では、上記の光半導体デバイスの製造方法によって製造された光半導体デバイスを提供する。
【００３２】
このような光半導体デバイスであれば、部材の種類が少なく、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製品特性の管理が容易な光半導体デバイスとなる。
【００３３】
またこのとき、前記実装基板と接続するための回路、及び半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを有するとともに、さらに２つ以上の光半導体素子が電気的に接続されたものとすることもできる。
【発明の効果】
【００３４】
以上のように、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、及びこれによって製造されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材を用いた本発明の光半導体デバイスの製造方法であれば、光半導体装置の薄型化、小型化にあたり部材の種類を大幅に減らすことが可能で、銀メッキがなされた部材を用いなくてもよいため硫化防止の特別な保護を必要とすることなく、更に耐熱性、耐光性が高く、従って高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられる信頼性の高い光半導体デバイスを低コストで容易に製造することができる。更に、光半導体素子の出力や波長を事前に選別した状態で一括に製造することが可能であり、製造後の製品特性の管理が容易となる。即ち、基板上に複数の発光素子を搭載した半導体発光装置において、発光面内における発光色のむら（色温度差）を低減することが可能となる。また、基板を発光素子毎に分割して製造される発光装置においては、発光装置間の発光色のばらつきを防止することが可能となり、歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の光半導体デバイスの製造方法の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
上述のように、部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造する方法の開発が求められていた。
【００３７】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法で製造されるウェハーレベル光半導体デバイス用部材を用いて光半導体デバイスを製造すれば、上記課題を達成できることを見出し、本発明を完成させた。
【００３８】
即ち、本発明は、複数の光半導体素子が熱硬化性樹脂に保持されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法であって、
（ｉ）片面に粘着シートが設けられた支持基板の粘着シート面に複数の光半導体素子の電極面を粘着シート側に対向するようにして搭載する工程と、
（ｉｉ）前記支持基板の光半導体素子が搭載された粘着シート面上に熱硬化性樹脂組成物を供給し、該熱硬化性樹脂組成物を成型し硬化させることで成型体を得る工程と、
（ｉｉｉ）前記成型体から支持基板及び粘着シートを剥離する工程、
を有し、前記熱硬化性樹脂組成物として、硬化後の硬度がショアＤで５０以上のものを用いるウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法である。
【００３９】
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
＜ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法＞
図１に本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法の一例を示す。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法では、まず工程（ｉ）として、片面に粘着シート１が設けられた支持基板２の粘着シート面に複数の光半導体素子３の電極面を粘着シート１側に対向するようにして搭載する。次に、工程（ｉｉ）として、支持基板２の光半導体素子３が搭載された粘着シート１面上に熱硬化性樹脂組成物４を供給し、剥離フィルム５を備えた圧縮成型機６を用いて熱硬化性樹脂組成物４を成型し硬化させる（熱硬化性樹脂硬化物４’）ことで成型体７を得る。次に、工程（ｉｉｉ）として、成型体７から支持基板２及び粘着シート１を剥離する。
【００４１】
以下、さらに詳細に本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法の各工程について説明する。
工程（ｉ）は、片面に粘着シートが設けられた支持基板の粘着シート面に複数の光半導体素子の電極面を粘着シート側に対向するようにして搭載する工程である。本工程で用いる部材として、次のものが挙げられる。
【００４２】
［支持基板］
支持基板は、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造にあたり、粘着シート面に複数の光半導体素子の電極面を粘着シート側に対向するようにして搭載された部材のハンドリングのしやすさを得るために必要となる。また、熱硬化性樹脂組成物の成型工程で粘着シートが貼り合わされた光半導体素子の電極面と同一平面となる樹脂面の硬化後の形状の再現をさせるために重要であり、支持基板は平面度の高い状態が得られるものであることが好ましい。このような材料としては、金属、樹脂などを精度良く加工し、平面度を確保したものやシリコンウェハー等が好ましい。特に好ましいものは線膨張係数の小さい金属を加工してなる金属板やシリコンウェハーである。外形形状は特に指定はなく、例えば、取扱いが容易な四角形又は円形であるとよい。後に続く工程の作業性を考慮すると、円形であるとなお好ましい。
【００４３】
［粘着シート］
前記支持基板に設けられる粘着シートは、片面又は両面粘着シートのどちらを用いてもよい。支持基板への貼り付けのしやすさから、両面粘着シートであることが好ましい。粘着シートは、貼り付け・熱硬化性樹脂組成物の成型・ウェハーレベル光半導体デバイス用部材からの剥離といった作業性を損なわない範囲で適宜選択する。粘着シートの粘着力は、熱硬化性樹脂組成物の成型工程で光半導体素子の搭載位置を保持することができればよく、成型工程での金型の加熱温度・成型時間に耐えられるものであればよい。更に、熱硬化性樹脂組成物の成型工程において光半導体素子／粘着シート界面へ熱硬化性樹脂組成物が侵入することよって発生する光半導体素子電極面の汚染防止が達成されるよう、適宜選択すればよい。
【００４４】
また、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造をするにあたり、剥離可能であることが必要であり、紫外光又は熱をトリガーとして低粘着力化されることで剥離されるものを用いることが好ましい。特に、熱をトリガーとして、発泡することで剥離されることが簡便でより好ましい。このような粘着シートは市販のものを用いればよく、例えば、日東電工社製  製品名  リバアルファ  Ｎｏ．３１９５Ｖ（両面粘着シート）などが好適に用いることができる。この場合、発泡面となる面を支持基板側とすればウェハーレベル光半導体デバイス用部材の取り出しが容易となり好ましい。
【００４５】
このような粘着シートを、前記支持基板に張り合わせる方法としては、貼り付け装置を用いてもよいし、ゴムローラーを用いて貼り付けてもよい。ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の熱硬化性樹脂面の平面性を高め、歩留まりを向上させるために、ロール形態で供給される粘着シートを貼り付けることが可能な、自動貼り付け装置を用いることがより好ましい。
【００４６】
［光半導体素子］
光半導体素子は、一般的なものを用いればよく、例えば、厚さが１００〜２００μｍ程度のサファイア基板の上面に発光層を備え、発光層にはｐ型半導体層とそれに接続された電極、並びにｎ型半導体層とそれに接続された電極が設けられており、該電極を通して外部と電気的に接続される構造を有するようなものであればよい。光半導体素子には、光の反射を目的とした反射層を設けていてもよく、発光層から出射する光線を目的の面に向けるように設ければよい。外形形状は特に指定はなく、入手しやすいものを選択すればよいが、一般に、四角形である。光半導体素子の発光特性は、目的とする光半導体デバイスに応じて適宜選択すればよい。
【００４７】
粘着シートが設けられた支持基板上に搭載される複数の光半導体素子は、後に光半導体素子の集合体であるウェハーレベル光半導体デバイス用部材の光半導体素子の電極面及び熱硬化性樹脂面上に対して、光半導体素子を実装基板とつなぐための回路（再配線用回路）、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成するのに好ましい位置に配置すればよく、さらに、光半導体デバイスとして動作した際の光の配光分布等を考慮して配置すればよい。
【００４８】
光半導体素子の粘着シートが設けられた支持基板への搭載方法としては、チップソーターを用いればよい。一般に、光半導体素子は、波長・出力などで分類されてブルーシートと呼ばれる粘着テープに整列された状態で供給される。該光半導体素子が整列されたブルーシートを、グリップリングなどを用いてエキスパンドした形態として、チップソーターを用いて粘着シートが設けられた支持基板へ再整列すればよい。この時、光半導体素子の電極面は粘着シートが設けられた支持基板の粘着面と対向するようにする必要があり、場合によって、光半導体素子の反転（フリップ）を実施すればよい。
搭載時の荷重、時間、温度等は、光半導体素子の大きさ、形状に応じて決定すればよく、熱硬化性樹脂組成物を用いた成型時に光半導体素子の位置ずれが起こらない条件で搭載すればよい。たとえば、室温において、□１ｍｍのチップ１個あたり１００ｇｆの荷重である。光半導体素子の電極の状況によって位置ずれが激しい場合、光半導体素子を粘着シートが設けられた支持基板へ搭載後、１００℃、１時間程度加熱することで光半導体素子の電極面と粘着シートの馴染みが増し、位置ずれを抑えることができる。
【００４９】
［光反射部材］
前記粘着シート面に複数の光半導体素子が搭載された支持基板には、光反射性熱硬化性樹脂からなる光反射部材が光半導体デバイスの外周部であるダイシングラインに該当する部位に本硬化又は仮硬化された状態で設けられていてもよい。
【００５０】
本工程で、光反射部材を光半導体デバイスの外周部であるダイシングラインに該当する部位に設けることで、デバイス側面から漏れる光を効率よく反射し、光半導体デバイスの光取出し性を高めることが可能となる。更に、後述するような硬度の光反射性熱硬化性樹脂を用いることでダイシング時の断面性状を良好にすることができるため、製品の寸法精度、発光特性の安定性が向上し、更に光半導体デバイスとしての耐久性が向上する。また、光半導体デバイスの熱衝撃による耐クラック性の向上や耐熱、耐光性の向上を図ることが可能となる。
【００５１】
光反射性熱硬化性樹脂の塗布方法は、所望の形状を形成することができればいかなる方法を選択してもよいが、ディスペンス法、ジェットディスペンス法、印刷法などを好適に用いることができる。例えば、ディスペンス装置を用いた場合、適当なノズルを選択し、２３℃の温度、０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で吐出することで容易に塗布ができる。印刷法を用いた場合、所望の形状が印刷できるように作成したマスク板を用いてステンシル印刷又はスクリーン印刷をすることで容易に塗布できる。
【００５２】
光反射性熱硬化性樹脂の厚みは所望のデバイス構造に応じて適宜選択すればよく、通常２００〜１０００μｍ、より好ましくは３００〜５００μｍである。光反射性熱硬化性樹脂の幅は適宜選択すればよく、通常２００〜１０００μｍ、より好ましくは３００〜５００μｍである。
【００５３】
前記粘着シート面に複数の光半導体素子が搭載された支持基板に光反射部材を設ける場合、粘着シートが設けられた支持基板に対して光半導体素子が搭載される前に設けてもよいし、光半導体素子が搭載された後に設けてもよい。もちろん、光半導体素子と光反射部材を同時に搭載してもよい。光半導体素子が搭載される前に設ければ、光反射性熱硬化性樹脂の硬化工程において、光半導体素子の位置ずれが発生する恐れがないため、好ましい。
【００５４】
光反射性熱硬化性樹脂として用いられる樹脂はシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される１種以上の樹脂であることが好ましい。中でも、耐熱性、耐光性が高いシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂が好ましく、より好ましくはシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂である。
【００５５】
光反射性熱硬化性樹脂の粘度は、上述のような工程によって所望の形状に成形可能な範囲であればよく、室温で液体であっても固体であってもよく、固体である場合は専用の加温混合装置を用いて溶融させることで成形可能な粘度とすることができる。狭小部への光反射性熱硬化性樹脂の充填性を高めるという観点から、好ましくは室温で液状の材料であることが好ましく、より好ましくは室温で１〜１００Ｐａ・ｓの範囲である。光反射性熱硬化性樹脂の波長４５０ｎｍにおける光反射率は８０％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上である。
【００５６】
光反射性熱硬化性樹脂は、所望の位置に設けられた後、仮硬化又は本硬化して用いる。光反射性熱硬化性樹脂の硬化条件に従えばよく、以降の工程で光反射性熱硬化性樹脂の形状が保持されていればよい。好ましくは、熱硬化性樹脂との接着性を確保可能な仮硬化である。例えば、一般的な熱硬化性シリコーン樹脂であれば１２０℃、１時間程度で仮硬化することができる。
【００５７】
光反射部材は後のダイシング工程におけるダイシングラインの部位に設けられており、ダイシングブレード等で切断される必要がある。従って、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材及びダイシング加工後の光半導体デバイスを支持するために硬化後に硬質となるものが好ましい。本発明において光反射性熱硬化性樹脂の硬さの上限は特にない一方、ダイシング加工のしやすさ、光半導体デバイスとしたときの強度の観点から、光反射性熱硬化性樹脂は硬化後の硬さはショアＤで５０以上であることが好ましい。ショアＤが５０以上であれば、ダイシング加工の際に良好な断面が得られ、光半導体デバイスとして実装するときの強度が良好となるため好ましい。
【００５８】
上述のようにウェハーレベル光半導体デバイス用部材及びダイシング加工後の光半導体デバイスを支持するために硬化後に硬質となるものが好ましく、また、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂であることが好ましい。このような目的に応じた機能を持たせるため、光反射性熱硬化性樹脂組成物に、少なくとも無機充填材及び拡散材のいずれかを添加することで硬化物にこれらを含ませることが好ましい。
【００５９】
無機充填材としては、熱伝導性、成形性、難燃性の点から、例えばシリコーン、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム等の微粒子を挙げることができ、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムが好ましい。なかでも、揮発成分が少なく、高い透明性が得られるシリカやアルミナが好適に用いられる。具体的な例として、シリコーンであれば、ポリオルガノシルセスキオキサン樹脂からなるシリコーンパウダー、又は表面の一部又は全部にポリオルガノシルセスキオキサン樹脂を有するシリコーンパウダーが挙げられる。シリカであれば、ヒュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカや、コロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカが挙げられる。アルミナであれば、一般的にα相の結晶構造のものが用いられるが、θ相、γ相、δ相などの中間相を含んでいてもよい。アルミナの安定性の観点等からはαアルミナを用いるのが好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００６０】
なお、無機充填材としては、平均粒径（Ｄ５０）が０．０１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。０．０１μｍ以上であれば微粒子の製造とシート中への分散が容易である。１００μｍ以下であれば成形後の表面形状に悪影響を与えない。
【００６１】
拡散材としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を好適に用いることができる。拡散材の粒経は、特に制限はないが、光反射性熱硬化性樹脂組成物の流動性、狭小部への充填性を考慮すると、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
光反射性熱硬化性樹脂組成物の充填材又は拡散材の含有量は、光反射性熱硬化性樹脂組成物１００体積部に対して０体積部を超え９０体積部以下を含むことが好ましい。より好ましくは０体積部を超え５０体積部以下である。９０体積以下であれば、光反射性熱硬化性樹脂組成物への分散性及び成形時の材料の流動性が低下しないため好ましい。
【００６３】
このような材料としては、市販のものを用いればよいが、例えば、液状のシリコーンゴム射出成形に用いられる材料が好適であり、例えば、信越化学工業株式会社製  製品名ＫＥＧ−２０００、ＫＣＲ−３５００、ＫＣＲ−４０００などが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【００６４】
続く工程（ｉｉ）は、上述の工程（ｉ）で得られた、支持基板の光半導体素子が搭載された粘着シート面上に熱硬化性樹脂組成物を供給し、この熱硬化性樹脂組成物を成型し硬化させることで成型体を得る工程である。
また、この工程（ｉｉ）に続いて行う工程（ｉｉｉ）は、成型体から支持基板及び粘着シートを剥離する工程である。
本工程で用いる部材として、工程（ｉ）で得られた、粘着シート面に複数の光半導体素子が搭載された支持基板に加え、次のものが挙げられる。
【００６５】
［熱硬化性樹脂組成物］
（熱硬化性樹脂）
ウェハーレベル光半導体デバイス用部材に用いられる熱硬化性樹脂組成物は、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される１種以上の樹脂を含むものであることが好ましい。中でも、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂が好ましく、より好ましくは耐熱性、耐光性の観点から、シリコーン樹脂、又は有機変性シリコーン樹脂である。このような熱硬化性樹脂は市販のものを用いればよい。
【００６６】
熱硬化性樹脂組成物は成型可能な樹脂であればよく、室温で液体であっても固体であってもよく、固体である場合は専用の加温混合装置を用いて溶融させることで成型可能な粘度とすることができる。狭小部への熱硬化性樹脂組成物の充填性を高めるという観点から、好ましくは室温で液状の材料であることが好ましく、より好ましくは室温で１〜１００Ｐａ・ｓの範囲である。熱硬化性樹脂組成物は高い光透過性を有していることが好ましく、熱硬化後の波長４５０ｎｍにおける光透過率が８０％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上である。
【００６７】
熱硬化性樹脂組成物は、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材及びダイシング加工後の光半導体デバイスを支持するために硬化後に硬質となるものが好ましい。本発明において硬さの上限は特にない一方、ダイシング加工のしやすさ、ウェハーレベル光半導体デバイスとしたときの強度の観点から、熱硬化性樹脂組成物は硬化後の硬度がショアＤで５０以上となることが必要であり、好ましくはショアＤで７０以上である。ショアＤが５０未満となると、ダイシング加工の際に良好な断面が得られにくくなるほか、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型した時に、反りやたわみを発生させ、ハンドリング性が低下し、部材破損へとつながる。さらに、光半導体デバイスとして実装するときの強度が得られない等の問題が発生する。
【００６８】
（蛍光体）
また、熱硬化性樹脂組成物には、光半導体素子からの波長変換を目的とした蛍光体を含有させてもよい。蛍光体を熱硬化性樹脂組成物へ混合、分散させることで、光半導体素子から発せられた光を効率的に目的の波長の光に波長変換することが可能となる。
【００６９】
蛍光体は、光半導体素子から放出される青色光、紫色光、紫外光を吸収して波長を変換し、光半導体素子から放出される光と異なる波長の赤、橙色、黄色、緑色、青色領域の波長の光を放出するものである。これにより、光半導体素子から放出される光の一部と、蛍光体から放出される光の一部とが混合して、白色を含む多色系の光半導体デバイスが得られる。
【００７０】
上述のような蛍光体には、緑色に発光する蛍光体、青色に発光する蛍光体、黄色に発光する蛍光体、赤色に発光する蛍光体等の種々の蛍光体がある。本発明に用いられる具体的な蛍光体としては、有機蛍光体、無機蛍光体、蛍光顔料、蛍光染料等公知の蛍光体が挙げられる。有機蛍光体としては、アリルスルホアミド・メラミンホルムアルデヒド共縮合染色物やペリレン系蛍光体等を挙げることができ、長期間使用可能な点からペリレン系蛍光体が好ましく用いられる。本発明に特に好ましく用いられる蛍光体としては、無機蛍光体が挙げられる。以下に本発明に用いられる無機蛍光体について記載する。
【００７１】
緑色に発光する蛍光体として、例えば、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｓｒ７Ａｌ１２Ｏ２５：Ｅｕ、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１以上）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕなどが挙げられる。
【００７２】
青色に発光する蛍光体として、例えば、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＣａＢａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＢａＣａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１以上）２Ｂ５Ｏ９Ｃｌ：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１以上）（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ，Ｍｎなどが挙げられる。
【００７３】
緑色から黄色に発光する蛍光体として、少なくともセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光体、少なくともセリウムで賦括されたイットリウム・ガドリニウム・アルミニウム酸化物蛍光体、少なくともセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット酸化物蛍光体、及び、少なくともセリウムで賦活されたイットリウム・ガリウム・アルミニウム酸化物蛍光体などが挙げられる（いわゆるＹＡＧ系蛍光体）。具体的には、Ｌｎ３Ｍ５Ｏ１２：Ａ（Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａから選ばれる少なくとも１以上である。Ｍは、Ａｌ、Ｃａの少なくともいずれか一方を含む。Ａは、ランタノイド系である。）、（Ｙ１−ｘＧａｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ａ（Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる少なくとも１以上である。０＜ｘ＜０．５、０＜ｙ＜０．５である。）を使用することができる。
【００７４】
赤色に発光する蛍光体として、例えば、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕなどが挙げられる。
【００７５】
また、現在主流の青色ＬＥＤに対応し発光する蛍光体としては、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ，（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ，Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ，Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：ＣｅなどのＹＡＧ系蛍光体、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：ＣｅなどのＴＡＧ系蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ系蛍光体やＣａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ系蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕなどのシリケート系蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＡｌＮ３：Ｅｕ等のナイトライド系蛍光体、Ｃａｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕなどのオキシナイトライド系蛍光体、さらには（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ系蛍光体、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ系蛍光体、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ，Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ等の蛍光体が挙げられる。
これらの中では、ＹＡＧ系蛍光体、ＴＡＧ系蛍光体、シリケート系蛍光体が、発光効率や輝度などの点で好ましく用いられる。
【００７６】
上記以外にも、用途や目的とする発光色に応じて公知の蛍光体を用いることができる。
蛍光体の粒子サイズは、特に制限はないが、Ｄ５０が０．０５μｍ以上のものが好ましく、３μｍ以上のものがより好ましい。また、Ｄ５０が３０μｍ以下のものが好ましく、２０μｍ以下のものがより好ましい。ここでＤ５０とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布において、小粒径側からの通過分積算が５０％となるときの粒子径のことをいう。Ｄ５０が前記範囲であると、熱硬化性樹脂組成物中の蛍光体の分散性が良好で、安定な発光が得られる。
【００７７】
上記蛍光体は、１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
熱硬化性樹脂組成物に対する蛍光体の添加量は特に制限はなく、光半導体デバイスとしたときに目的の光の特性が得られるように適宜調整すればよいが、通常、樹脂成分１００体積部に対して０体積部以上５０体積部未満である。より好ましくは、０体積部以上２０体積部未満である。５０体積部以下であれば、熱硬化性樹脂組成物の流動性が損なわれることがなく、蛍光体の使用量が多くなり過ぎないため経済的である。
【００７８】
このように、蛍光体を含有させてなる熱硬化性樹脂組成物を用いることで、光半導体素子から発せられた光は熱硬化性樹脂中に分散された蛍光体粒子で目的の波長の光に波長変換することが可能となる。このため、光半導体デバイスとして目的の波長の光として取り出すことが可能となる。
【００７９】
（充填材）
熱硬化性樹脂組成物は、上述のようにウェハーレベル光半導体デバイス用部材及びダイシング加工後の光半導体デバイスを支持するために硬化後に硬質となるものが好ましく、また、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂であることが好ましい。このような目的に応じた機能を持たせるため、熱硬化性樹脂組成物に、充填材を添加することで硬化物に充填材を含ませることが好ましい。
【００８０】
充填材としては、熱伝導性、成型性、難燃性の点から、例えばシリコーン、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の微粒子を挙げることができる。なかでも、揮発成分が少なく、高い透明性が得られるシリカやアルミナが好適に用いられる。具体的な例として、シリコーンであれば、ポリオルガノシルセスキオキサン樹脂からなるシリコーンパウダー、又は表面の一部又は全部にポリオルガノシルセスキオキサン樹脂を有するシリコーンパウダーが挙げられる。シリカであれば、ヒュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカや、コロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカが挙げられる。アルミナであれば、一般的にα相の結晶構造のものが用いられるが、θ相、γ相、δ相などの中間相を含んでいてもよい。アルミナの安定性の観点等からはαアルミナを用いるのが好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００８１】
充填材の粒径は、特に制限はないが、充填効率、及び熱硬化性樹脂組成物の流動性、狭小部への充填性を考慮すると、平均粒径（Ｄ５０）が０．０１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。０．０１μｍ以上であれば微粒子の製造と熱硬化性樹脂組成物中への分散が容易である。１００μｍ以下であれば成型後の表面形状に悪影響を与えない。
【００８２】
熱硬化性樹脂組成物への充填材の添加量は、熱硬化性樹脂組成物中の樹脂成分１００体積部に対して０体積部を超え９０体積部以下とすることが好ましい。より好ましくは０体積部を超え５０体積部以下である。９０体積部以下であれば、熱硬化性樹脂組成物への分散性及び成型時の樹脂の流動性が低下しないため、好ましい。
また、その他目的に応じて、顔料、反射性物質からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
【００８３】
工程（ｉｉ）の熱硬化性樹脂組成物の成型は、いかなる成型方法を用いてもよいが、例えば熱硬化性樹脂組成物と接する面に剥離フィルム（リリースフィルム）を備えた圧縮成型機を用いて圧縮成型によって行うことが好ましい。圧縮成型によって行う場合、具体的には、例えば以下のような手順で熱硬化性樹脂組成物を成型すればよい。
はじめに、所定の成型温度に加熱した、基準面を有する下金型に工程（ｉ）で得られた粘着シート面に複数の光半導体素子が搭載された支持基板を、光半導体素子が搭載された面が上になるように載置する。場合に応じて、下金型に剥離フィルムを設けてもよい。続いて、下金型に対向する上金型に、熱硬化性樹脂の離型性を向上させ、金型汚染を防止するための剥離フィルムを設ける。次に、公知の圧縮成型の工程に従い、熱硬化性樹脂組成物を所定量塗布したのち、上金型と下金型を閉じ、金型内を減圧し、所定の成型圧力がかかるように入れ子で加圧、熱硬化性樹脂組成物の特性に応じて所定の時間加熱保持し、熱硬化性樹脂組成物を仮硬化する。熱硬化性樹脂組成物は封止領域の内容積に合わせて必要量だけ供給するものであって、ディスペンサー等により定量吐出して供給することが好ましい。次いで、剥離フィルムとともに金型から剥離し、熱処理によって樹脂材料を本硬化させて、成型体を得る。
続いて、支持基板及び粘着シートを剥離する（工程（ｉｉｉ））。粘着シートは、上述のように紫外光又は熱をトリガーとして剥離されるものを使用しているため、それぞれのトリガーに従って剥離させればよい。
【００８４】
剥離フィルム（リリースフィルム）は、上型と下型の成型面を被覆する幅寸法に形成された長尺体の剥離フィルムを用いればよい。剥離フィルムは封止時に熱硬化性樹脂組成物が成型面にじかに接しないように封止領域を被覆する目的で設けるものである。剥離フィルムは封止領域での成型面の凹凸にならって変形できるよう柔軟でかつ一定の強度を有するとともに、金型温度に耐える耐熱性、封止ゴム及び金型と容易に剥離できるフィルム材が好適に用いられる。
このようなフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）フィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）フィルム、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）フィルム、ポリビニリデンフルオライド樹脂（ＰＢＤＦ）フィルム等のフッ素樹脂フィルム；ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）フィルム等が挙げられる。
【００８５】
以上のようにして、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材を製造することができる。
このような本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法であれば、部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造することを可能とするウェハーレベル光半導体デバイス用部材を製造することができる。
【００８６】
＜光半導体デバイスの製造方法＞
続いて、本発明の光半導体デバイスの製造方法について説明する。
本発明の光半導体デバイスの製造方法では、上述の本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法で得られたウェハーレベル光半導体デバイス用部材の各光半導体素子の電極面に、光半導体素子を実装基板とつなぐための回路（再配線用回路）、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成した後、ダイシングして個片化することで光半導体デバイスを製造する。
【００８７】
より具体的には、
（ｉｖ）前記ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の光半導体素子が露出した面に対してエッチングによる粗面化を行った後、シード層を形成する工程と、
（ｖ）前記シード層が形成された面上にメッキレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて露光した後現像を行って、各光半導体素子の電極面に開口を形成する工程と、
（ｖｉ）前記開口が形成された面に対し、電解メッキ法又は無電解メッキ法を用いて前記光半導体素子を実装基板とつなぐための回路、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成した後、メッキレジスト膜を剥離し、続いてメッキレジスト膜の剥離後に表面に現れた前記シード層の不要な部分をエッチングにより除去する工程と、
（ｖｉｉ）ダイシングして個片化する工程、
を有する方法で製造することができる。
【００８８】
図２に本発明の光半導体デバイスの製造方法の一例を示す。
本発明の光半導体デバイスの製造方法では、まず工程（ｉｖ）として、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の光半導体素子３が露出した面（即ち、光半導体素子３の電極面及び電極面と同一平面にある熱硬化性樹脂硬化物４’）に対してエッチングによる粗面化を行った後、シード層８を形成する。次に工程（ｖ）として、シード層８が形成された面上にメッキレジスト膜９を形成し、フォトマスクを用いて露光した後現像を行って、各光半導体素子３の電極面に開口を形成する。次に、工程（ｖｉ）として、開口が形成された面に対し、電解メッキ法又は無電解メッキ法を用いて光半導体素子を実装基板とつなぐための回路（不図示）、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッド１０を形成した後、メッキレジスト膜９を剥離し、続いてメッキレジスト膜９の剥離後に表面に現れたシード層８の不要な部分をエッチングにより除去する。次に、工程（ｖｉｉ）として、ダイシングして個片化する。
【００８９】
以下、さらに詳細に本発明の光半導体デバイスの製造方法の各工程について説明する。
工程（ｉｖ）は、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の光半導体素子が露出した面に対してエッチングによる粗面化を行った後、シード層を形成する工程である。
【００９０】
エッチングの目的として、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の光半導体素子の電極面及び電極面と同一平面にある熱硬化性樹脂の表面洗浄、粗面化が挙げられる。具体的なエッチングの方法としては、前記目的が達成されれば特に制限はないが、薬液を用いたケミカルエッチングやプラズマ処理に代表されるドライエッチングが挙げられる。より好ましくはドライエッチングである。ドライエッチングの装置としては、一般的なプラズマ洗浄装置を用いればよく、アルゴン、窒素、酸素などの汎用ガスやＣＦ４などのフッ素系ガスを用いたプラズマであると、洗浄効果、粗面化効果が高く、さらに次の工程で形成するシード層との接着性が向上し、かつ汎用的で好ましい。特に好ましくは、酸素ガスやＣＦ４である。
【００９１】
エッチングに続いて行うシード層の形成は、後の工程で電解メッキ又は無電解メッキを施すことを目的として行う。シード層を形成する装置としては、真空蒸着装置やスパッタリング装置が挙げられ、いずれの装置を用いてもよいが、より好ましくは処理後のシード層の膜厚が均一なスパッタリング装置である。処理条件としては特に制限はなく、シードの種類に応じた条件であればよい。
【００９２】
シードの種類としては、導電膜を設けるという目的が達成されれば特に制限はなく、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＺｎＯ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗなどが挙げられる。より好ましくは、熱硬化性樹脂との接着性を高めることが可能なＴｉや、後のメッキ工程で安価に進めることが可能で、かつ電気抵抗が小さいＣｕである。これらシードは、単独又は複数で積層させてもよい。
【００９３】
シード層の膜厚は、後のメッキ工程で均一な導電性が得られ、熱硬化性樹脂及びメッキ金属との接着性を得る目的が達成されれば特に制限はないが、通常１０ｎｍから１μｍの範囲である。１０ｎｍ以上であれば十分な接着性が得られ、１μｍ以下であれば経済的である。
【００９４】
次の工程（ｖ）は、シード層が形成された面上にメッキレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて露光した後現像を行って、各光半導体素子の電極面に開口を形成する工程である。目的の構造物を得られれば、工法に制限はないが、例えば、公知のサブトラクティブ法として知られる工法でパターニング処理することが簡便で好ましい。
【００９５】
メッキレジスト膜として使用される感光性樹脂材料は、種々市場で入手可能であり、後のメッキ工程での薬液に耐性があればよく、薄膜形成形、厚膜形成形、ポジ型、ネガ型、感光波長等、種々特性から自由に選択すればよい。一般に、感光性樹脂材料は、ドライフィルム、あるいは液状樹脂の形態で供給されており、生産設備の種類によって供給形態を選択することが可能である。ドライフィルムの場合は、ロールラミネーター、プレス等の手段を用いて、工程（ｉｖ）で得られたシード層が形成されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材のシード面に、感光性樹脂を貼付ければよい。一方、液状樹脂の場合は、スピンコーター、スクリーン印刷機、カーテンコーターなどの手段を用いて、工程（ｉｖ）で得られたシード層が形成されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材のシード面に樹脂を塗布、乾燥し、樹脂層を形成すればよい。従って、このときのウェハーレベル光半導体デバイス用部材のシード層の表面は感光性樹脂により覆われた状態になっている。塗布量は最終デバイスの設計に応じ適宜選択することができるが、膜厚０．１〜１００μｍとすることが好ましい。より好ましくは１〜２０μｍである。
【００９６】
このようにして用意されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材は、フォトリソグラフィーの手法により、所定部位をマスク及び露光装置を用いて露光し、感光性樹脂材料に合わせた現像液で現像し、各光半導体素子の電極面に開口を形成することにより、先に設けたシード層を露出させる。
【００９７】
露光装置は公知のものを用いればよく、露光条件は用いた感光性樹脂材料の処理条件に従えばよい。光硬化反応を効率的に行うため、必要に応じ予備加熱により溶剤等を予め揮発させておいてもよい。予備加熱は、例えば４０〜１４０℃で１分〜１時間程度行うことができる。次いで、フォトマスクを介して波長２４０〜５００ｎｍの光で露光して、硬化させる。上記フォトマスクは、例えば所望のパターンをくり貫いたものであってもよい。なお、フォトマスクの材質は上記波長２４０〜５００ｎｍの光を遮蔽するものが好ましく、例えばクロム等が好適に用いられるがこれに限定されるものではない。
【００９８】
上記波長２４０〜５００ｎｍの光としては、例えば放射線発生装置により発生された種々の波長の光、例えば、ｇ線、ｉ線等の紫外線光、遠紫外線光（２４８ｎｍ）等が挙げられる。露光量は、例えば１０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。
ここで、必要に応じ更に現像感度を高めるために、露光後に加熱処理を行ってもよい。上記露光後加熱処理は、例えば４０〜１４０℃で０．５〜１０分間とすることができる。
【００９９】
なお、開口は後述の工程（ｖｉ）で再配線用回路やボンディングパッド等を形成するために設けられるものである。開口のデザインとしては、自由に設計することが可能であり、例えば、１つの光半導体素子に対して１つの光半導体デバイスとなるように設計してもよいし、複数個の光半導体素子を直列接続して１つの光半導体デバイスとなるように設計してもよい。
【０１００】
上記露光後あるいは露光後加熱後、現像液を用いて現像する。現像液としては、メッキレジスト膜に用いた感光性樹脂材料の処理条件に応じて公知のものを用いればよく、例えば溶剤として使用されるジメチルアセトアミドやシクロヘキサノン等の有機溶剤系現像液、あるいは炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ現像液等を選択し、適切な濃度に調製して用いればよいが、これらに限定されるわけではない。
現像は、通常の方法、例えばパターン形成物を浸漬すること等により行うことができる。その後、必要に応じ洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有するメッキレジスト膜が得られる。
【０１０１】
なお、光半導体素子上に形成されたメッキレジスト膜には、光半導体デバイスのデザインに合わせて回路が形成されるが、これら回路形成の際に必要となるアライメントマークは、それをあらかじめウェハーレベル光半導体デバイス用部材上に形成しておくことにより、所定の位置に非常に精度良く回路を形成することが可能となる。具体的には、アライメントマークとなる位置に、光半導体素子やそれに代わるＳｉチップなどを搭載し、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型しておけばよい。また、場合に応じて、アノードマークやダイシングストリート用のマークを設けてもよい。また、後のメッキ工程で電解メッキによる工法を選択した場合、先に設けたシード層と電解メッキ用の電極を接続する目的で、メッキレジスト膜の一部を開口することが必要である。
【０１０２】
続く工程（ｖｉ）は、開口が形成された面に対し、電解メッキ法又は無電解メッキ法を用いて光半導体素子を実装基板とつなぐための回路（再配線用回路）、あるいは半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを形成した後、メッキレジスト膜を剥離し、続いてメッキレジスト膜の剥離後に表面に現れたシード層の不要な部分をエッチングにより除去する工程である。
【０１０３】
メッキによる電極形成方法として、具体的には、上記フォトリソグラフィーの手法により形成された感光性樹脂材料膜をメッキレジスト膜として、常法により電解メッキ法又は無電解メッキ法により導体パターンを被着形成し、その後、レジストパターンを除去する方法が挙げられる。
【０１０４】
なお、電解メッキ又は無電解メッキとしては、電解Ｃｕメッキ、無電解Ｃｕメッキ、電解Ｎｉメッキ、無電解Ｎｉメッキ、電解Ｆｅ−Ｎｉメッキ、電解Ａｕメッキ等が挙げられるが、これらに限定されるわけではなく、公知のメッキ浴、メッキ条件でメッキすることができる。メッキ層の材料は、シード層の材料と同一であれば、密着性が向上するので、材料が同一であることがより好ましい。
なお、メッキ厚さはメッキレジスト膜の厚さの８０〜１００％にて形成されるのが一般的とされる。例えば、シード層が銅であり、その上に厚さ１０μｍのメッキレジスト膜パターンを形成した後、電解Ｃｕメッキにより厚さ３〜１０μｍのＣｕ電極を形成する。続いて、常法に従ってメッキレジスト膜を除去することで、シード層の上にメッキ層による回路が設けられた構造体を得ることができる。
【０１０５】
続いて、メッキレジスト膜の剥離後に表面に現れたシード層の不要な部分を剥離させるなどして除去する。シード層の剥離にはウェットエッチングを用い、種々シード金属に適したエッチング液を選択すればよく、例えば過水であれば、リン酸過水（リン酸と過酸化水素水とを含有する溶液）、硫酸過水（硫酸と過酸化水素水とを含有する溶液）、硝酸過水（硝酸と過酸化水素水とを含有する溶液）、フッ酸過水（フッ酸と過酸化水素水とを含有する溶液）、アンモニア過水（アンモニアと過酸化水素水とを含有する溶液）などが挙げられる。より具体的には、Ｃｕシード層のエッチングは、リン酸過水、硫酸過水又は硝酸過水を含有するエッチング液などを用いて行うことができ、Ｔｉシード層のエッチングはアンモニア過水やバッファードフッ酸（ＮＨ４Ｆ）を含有するエッチング液などを用いて行うことができる。
また、本工程では、光半導体素子上の電極及び発光層、光反射層などをなす層が過度に侵食されないように、エッチング時間を適宜調整する。
【０１０６】
次に、工程（ｖｉｉ）では、工程（ｖｉ）で得られた構造物を、目的に応じて、ダイシングブレード等を用いて切断し、個片化する。これにより、光半導体素子を１個以上有する光半導体デバイスを得ることができる。
切断方法としては公知の方法を採用すればよく、回転ブレードによるダイシング加工、レーザー加工、ウォータージェット加工、金型加工等の公知の方法により切断することができるが、ダイシング加工が経済的、工業的な面で好ましい。
【０１０７】
以上のようにして、光半導体デバイスを製造することができる。
このような本発明の光半導体デバイスの製造方法であれば、部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造することができる。
【０１０８】
また、本発明では、上述の本発明の光半導体デバイスの製造方法によって製造された光半導体デバイスを提供する。
【０１０９】
このような光半導体デバイスであれば、部材の種類が少なく、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製品特性の管理が容易な光半導体デバイスとなる。
【０１１０】
またこのとき、前記実装基板と接続するための回路、及び半田接続又はフリップチップ接続のためのボンディングパッドを有するとともに、さらに２つ以上の光半導体素子が電気的に接続されたものとすることもできる。この場合、個片化工程において、２つ以上の光半導体素子が含まれるように切断すればよい。
【０１１１】
また、このようにして得られた光半導体デバイスを実装基板に接続する方法として、半田リフローによる実装、ボールバンプを設けた実装基板に対するフリップチップ実装等、最終モジュールの形態や設備に応じて自由に選択できる。
【０１１２】
以上のように、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、及びこれによって製造されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材を用いた本発明の光半導体デバイスの製造方法であれば、光半導体装置の薄型化、小型化にあたり部材の種類を大幅に減らすことが可能で、銀メッキがなされた部材を用いなくとも済むため硫化防止の特別な保護を必要とすることなく、更に耐熱性、耐光性が高く、従って高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられる信頼性の高い光半導体デバイスを低コストで容易に製造することができる。更に、光半導体素子の出力や波長を事前に選別した状態で一括に製造することが可能であり、製造後の製品特性の管理が容易となる。即ち、基板上に複数の発光素子を搭載した半導体発光装置において、発光面内における発光色のむら（色温度差）を低減することが可能となる。また、基板を発光素子毎に分割して製造される発光装置においては、発光装置間の発光色のばらつきを防止することが可能となり、歩留りが向上する。
【実施例】
【０１１３】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１４】
（色座標（ｓｘ）の測定）
なお、実施例及び比較例で得られた光半導体モジュールの色座標（ｓｘ）の測定は、全光束測定システム  ＨＭ−９１００（大塚電子（株）製）を用いて、印加電流ＩＦ＝２０ｍＡの条件で測定した。また、測定結果から、平均値及びばらつき（σ）を求めた。
【０１１５】
（実施例１）
＜ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造＞
ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ａ）
支持基板として、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍ（８インチ）のシリコンウェハーに、熱剥離性両面粘着シート（日東電工社製  製品名  リバアルファ  Ｎｏ．３１９５Ｖ）の発泡面を基板側としなるようにゴムローラーを用いて貼り付け、片面に粘着シートが設けられた支持基板とした。更に熱剥離性両面粘着シートの不要部は切り取り、８インチの円形形状とした。この円形部材に、光半導体素子として、Ｂｒｉｄｇｅｌｕｘ社製  ＢＸＣＤ４５４５の電極面を粘着シートに対向するように、チップソーターを用いて複数個載置し、続いて１００℃、１時間の加熱処理を行い粘着面に固定した。
【０１１６】
次に、上述のようにして粘着シート面に複数の光半導体素子を搭載した支持基板を、予め１５０℃に加熱した圧縮成型機の下型に載置し、対向する上型は離形フィルムを備え予め１５０℃に加熱した。その後、下型側の光半導体素子が搭載された支持基板に熱硬化性シリコーン樹脂（信越工業株式会社製  製品名：ＫＥＲ２６６７）１００体積部に対して、充填材としてヒュームドシリカ（株式会社トクヤマ製  製品名：ＤＭ−３０）を３体積部、蛍光体（Ｐｈｏｓｐｈｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）を３体積部となるように配合した熱硬化性樹脂組成物を供給し、１５０℃で５分間圧縮成型を行い、続いて、１５０℃で３時間、本硬化を実施した。成型後の熱硬化性樹脂の硬度はショアＤで７７であった。
【０１１７】
更に、１８０℃に加熱したホットプレート上に支持基板側を下にして置くことで、成型体と熱剥離性両面粘着シートを支持基板から剥離し、続いて熱剥離性両面粘着シートを成型体から剥離することで、熱硬化性樹脂中に蛍光体が分散された、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ａ）を製造した。得られた構造物は厚さ８００μｍとなるものであり、蛍光体、充填材、光半導体素子を含む熱硬化性樹脂板であり、工程中の取扱い性に優れるものであった。
【０１１８】
（実施例２）
ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ｂ）
支持基板として、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍ（８インチ）のシリコンウェハーに、熱剥離性両面粘着シート（日東電工社製  製品名：リバアルファ  Ｎｏ．３１９５Ｖ）の発泡面を基板側としなるようにゴムローラーを用いて貼り付け、片面に粘着シートが設けられた支持基板とした。更に熱剥離性両面粘着シートの不要部は切り取り、８インチの円形形状とした。
この円形部材に、光反射性熱硬化性樹脂（信越化学工業社製  製品名：ＫＣＲ−３５００ＷＳ）を、ディスペンス装置を用いて幅４００μｍ、高さ３００μｍとなるように所定の部位に塗布し、１００℃、１時間で仮硬化した。続いて、光半導体素子として、Ｂｒｉｄｇｅｌｕｘ社製  ＢＸＣＤ４５４５の電極面を粘着シートに対向するように、チップソーターを用いて複数個載置し、続いて１００℃、１時間の加熱処理を行い粘着面に固定した。
【０１１９】
次に、上述のようにして粘着シート面に複数の光半導体素子を搭載した支持基板を、予め１５０℃に加熱した圧縮成型機の下型に載置し、対向する上型は離形フィルムを備え予め１５０℃に加熱した。その後、下型側に熱硬化性シリコーン樹脂（信越工業株式会社製  製品名：ＫＥＲ２３００）１００体積部に対して、充填材としてヒュームドシリカ（株式会社トクヤマ製  製品名：ＤＭ−３０）を３体積部、蛍光体（Ｐｈｏｓｐｈｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）を８体積部となるように配合した熱硬化性樹脂組成物を供給し、１５０℃で５分間圧縮成型を行い、続いて、１５０℃で３時間、本硬化を実施した。成型後の熱硬化性樹脂の硬度はショアＤで５０であり、光反射部材の硬度はショアＤで８２であった。
【０１２０】
更に、１８０℃に加熱したホットプレート上に支持基板側を下にして置くことで、積層体と熱剥離性両面粘着シートを支持基板から剥離し、続いて熱剥離性両面粘着シートを積層体から剥離することで、熱硬化性樹脂中に蛍光体が分散された、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ｂ）を製造した。得られた構造物は厚さ３００μｍとなるものであり、蛍光体、充填材、光半導体素子を含む熱硬化性樹脂板であり、工程中の取扱い性に優れるものであった。
【０１２１】
＜光半導体デバイスの製造＞
（Ｉ）１つの光半導体素子に対して１つのデバイスとなるように設計した光半導体デバイス（光半導体デバイス（Ｉ−Ａ）、（Ｉ−Ｂ））
上述のようにして製造した、光半導体素子の集合体であるウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ａ）、（Ｂ）の光半導体素子が露出した面に対して、酸素：ＣＦ４＝７０：３０となる混合ガスのプラズマを６０秒間照射しプラズマエッチングによる粗面化を実施した。続いてエッチング処理面に対してスパッタリングにより、Ｔｉ（膜厚１００ｎｍ）、Ｃｕ（膜厚４００ｎｍ）の順でシード層を形成した。ターゲットは市販品の高純度Ｔｉ、及び高純度Ｃｕを用いた。
【０１２２】
続いて、シード層が形成された面上にポジ型感光性材料（信越化学工業社製  製品名：ＳＩＰＲ−７１２６）を、スピンコーティング法を用いて、膜厚１０μｍとなるようにコートし、１２０℃  １分間加熱することで成膜した。その後、遮光部を複数個有するマスクを用い、マスクアライナ装置で露光し、市販の２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液で現像を行って開口を形成し、続いて３質量％硫酸水に３０秒間浸漬し洗浄した。
【０１２３】
その後、Ｃｕメッキ液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株）製：ミクロファブＣｕ２００）に浸漬し、２５℃において２０分間定電流を流してＣｕメッキを行い、厚さ４μｍのＣｕを積層した。次に、電解メッキ後の基板表面を純水にて流水洗浄を行い、窒素ブローを行って基板表面を乾燥させた後、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセタート）に浸漬して感光性材料の剥離を行い、イソプロピルアルコールで洗浄し、窒素ブローを行って基板表面を乾燥させた。続いて、Ｃｕシード層のエッチング液としてリン酸過水を用いてエッチングを行い、さらにＴｉシード層のエッチング液としてバッファードフッ酸（ＮＨ４Ｆ）を用いてエッチングを行った。その後、基板表面を純水にて流水洗浄を行い、窒素ブローを行って基板表面を乾燥させシード層の剥離を行った。
【０１２４】
次いで、得られた構造体を、回転ブレードによるダイシング加工で切断し、純水洗浄及び乾燥することで、それぞれ１つの光半導体素子を有する光半導体デバイスを得た（パッケージとしての外形寸法２．０×２．０×０．８ｍｍ）。なお、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ａ）を使用して製造したものを光半導体デバイス（Ｉ−Ａ）、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ｂ）を使用して製造したものを光半導体デバイス（Ｉ−Ｂ）とした。この光半導体デバイスは薄型で製品寸法精度が高いものであった。
更に、得られた光半導体デバイス（Ｉ−Ａ）、（Ｉ−Ｂ）のうち任意の１０個を個々に、半田リフローでアルミ製の放熱スター基板に実装し、光半導体デバイスが実装されたモジュールとした。このモジュールのＩＦ＝２０ｍＡにおける色座標（ｓｘ）を測定したところ、光半導体デバイス（Ｉ−Ａ）を実装したモジュールはｓｘ＝０．３６７、σ＝０．００１であり、光半導体デバイス（Ｉ−Ｂ）を実装したモジュールはｓｘ＝０．３９８、σ＝０．００１であった。
【０１２５】
（ＩＩ）複数の光半導体素子に対して１つのデバイスとなるように設計した光半導体デバイス（光半導体デバイス（ＩＩ））
上述のようにして製造した、光半導体素子の集合体であるウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ａ）に対し、複数個の光半導体素子を直列接続して１つの光半導体デバイスとなるように設計されたフォトマスクを用いた以外は上述の光半導体デバイス（Ｉ−Ａ）の製造と同様の工程を経て、光半導体デバイス（ＩＩ）を得た。
更に、得られた光半導体デバイス（ＩＩ）のうち任意の５個を個々に、半田リフローでアルミ製の放熱スター基板に実装し、光半導体デバイスが実装されたモジュールとした。このモジュールのＩＦ＝２０ｍＡにおける色座標（ｓｘ）を測定したところ、ｓｘ＝０．３６２、σ＝０．００１であった。
【０１２６】
このように、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ａ）、（Ｂ）を用いて製造した光半導体デバイス（Ｉ−Ａ）、（Ｉ−Ｂ）、（ＩＩ）はハンドリング性に優れ、ダイシング特性も良好であり、色バラつき（σ値）も非常に狭く、製品特性として良好なものであった。また、使用する部材の数は少なく、銀メッキがなされた部材を使用しないため硫化防止の特別な保護を必要とせず、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられる信頼性の高い光半導体デバイスであった。
【０１２７】
（比較例１）
熱硬化性樹脂として、ＡＳＰ−１０４０（信越化学工業社製）を用いた以外は、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ａ）と同様にして、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ｃ）の製造を行った。成型後の熱硬化性樹脂の硬度はショアＤ４０であった。
更に、上述の光半導体デバイス（Ｉ−Ａ）の製造と同様の工程を経て、光半導体デバイス（ＩＩＩ）を得た。
得られた光半導体デバイス（ＩＩＩ）のうち任意の５個を個々に、半田リフローでアルミ製の放熱スター基板に実装し、光半導体デバイスが実装されたモジュールとした。このモジュールのＩＦ＝２０ｍＡにおける色座標（ｓｘ）を測定したところ、ｓｘ＝０．４０２、σ＝０．００８であった。
【０１２８】
なお、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（Ｃ）は厚さ８００μｍとなるものであり、蛍光体、充填材、光半導体素子を含む熱硬化性樹脂板であったが、ショアＤが４０であったため、工程中の取扱い性に劣り、搬送中の熱硬化性樹脂板のたわみのために、一部の光半導体素子の脱落が確認された。
更に、熱硬化性樹脂としてショアＤで５０未満のものを用いたため、ダイシング加工後の断面が荒れてしまい良好なものとして得られず、その結果色座標のばらつき（σ）が大きいものとなった。
【０１２９】
（比較例２）
光半導体素子として、Ｂｒｉｄｇｅｌｕｘ社製  ＢＸＣＤ４５４５を、リードフレームとして、ＳＭＤ５０５０パッケージ（Ｉ−ＣＨＩＵＮ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＩＮＤＵＳＴＲＹ  ＣＯ．，社製、樹脂部ＰＰＡ）にダイボンド材（信越化学工業社製  製品名ＫＥＲ−３０００−Ｍ２）を用いダイボンダーで搭載、加熱硬化することで固定し、ワイヤーボンダーを用いて金線（田中電子工業社製、製品名：ＦＡ、２５μｍ）を用いてワイヤーボンディングした。続いて、熱硬化性シリコーン樹脂（信越化学工業社製  製品名：ＫＥＲ−２３００）１００体積部に対して蛍光体（Ｐｈｏｓｐｈｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）を３体積部となるように配合した封止樹脂を適量ディスペンスし、光半導体デバイス（ＩＶ）を１６０個製造した。封止樹脂の硬化条件は１５０℃、４時間である。
更に、得られた光半導体デバイス（ＩＶ）のうち任意の１０個を個々に、半田リフローでアルミ製の放熱スター基板に実装し、光半導体デバイスが実装されたモジュールとした。このモジュールのＩＦ＝２０ｍＡにおける色座標（ｓｘ）を測定したところ、ｓｘ＝０．３８９、σ＝０．０７８であった。
【０１３０】
このようにして得られた光半導体デバイス（ＩＶ）は、色バラつき（σ値）が大きく、製品特性として非常に良好なものとは言えなかった。
さらに、このパッケージはリードフレームに銀電極を使用しているため、硫化が進行するものであった。
【０１３１】
このように、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法であれば、光半導体装置の薄型化、小型化にあたり部材の種類を大幅に減らすことが可能で、銀メッキがなされた部材を一切用いないために硫化防止の特別な保護を必要とすることなく、耐熱性、耐光性が高く、従って高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられる信頼性の高い光半導体デバイスを低コストで容易に製造することを可能とするウェハーレベル光半導体デバイス用部材を製造することができた。更に、光半導体素子の出力や波長を事前に選別した状態で一括に成形することが可能であり、製造後の製品特性の管理が容易であった。すなわち、基板上に複数の発光素子を搭載した半導体発光装置において、発光面内における発光色のむら（色座標ｓｘのばらつき）を低減することが可能であった。また、基板を発光素子毎に分割して製造される発光装置においては、発光装置間の発光色のばらつきを防止することが可能となり、歩留りが向上した。
【０１３２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１３３】
１…粘着シート、  ２…支持基板、  ３…光半導体素子、  ４…熱硬化性樹脂組成物、
４’…熱硬化性樹脂硬化物、  ５…剥離フィルム、  ６…圧縮成型機、  ７…成型体、
８…シード層、  ９…メッキレジスト膜、  １０…ボンディングパッド。
【図１】
2015216206.tif 000003
【図２】
2015216206.tif 000004