(57)【要約】【課題】電荷の転送特性を低下させることなく混色を低減するために有利な技術を提供する。【解決手段】固体撮像装置の各画素は、第１導電型の電荷蓄積部を有する光電変換部と、前記電荷蓄積部の電荷をフローティングディフュージョンに転送するチャネルを形成するためのゲート電極とを含む。前記固体撮像装置は、隣接する画素を相互に分離するように前記第１導電型と反対の第２導電型の半導体領域で構成された分離部を含む。前記固体撮像装置の製造方法は、基板に対して不純物を注入することによって前記分離部を形成する注入工程を含む。前記注入工程は、前記チャネルが形成されるべき領域の上に位置する部分を含むマスクが前記基板の上に存在する状態で、前記チャネルの幅方向に平行で前記基板の表面の法線に対して傾斜した方向に沿って前記基板に不純物を注入する斜め注入工程を含む。【選択図】図４
2015173180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する固体撮像装置の製造方法であって、
各画素は、第１導電型の電荷蓄積部を有する光電変換部と、前記電荷蓄積部の電荷をフローティングディフュージョンに転送するチャネルを形成するためのゲート電極とを含み、前記固体撮像装置は、隣接する画素を相互に分離するように前記第１導電型と反対の第２導電型の半導体領域で構成された分離部を含み、
前記製造方法は、基板に対して不純物を注入することによって前記分離部を形成する注入工程を含み、
前記注入工程は、前記チャネルが形成されるべき領域の上に位置する部分を含むマスクが前記基板の上に存在する状態で、前記チャネルの幅方向に平行で前記基板の表面の法線に対して傾斜した方向に沿って前記基板に不純物を注入する斜め注入工程を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記斜め注入工程は、前記基板に不純物を注入する第１工程と、前記基板に不純物を注入する第２工程とを含み、前記基板に対する不純物の注入方向を前記基板の前記表面に投射した方向は、前記第１工程と前記第２工程とで互いに反対である、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程は、互いに注入エネルギーが異なる複数回の注入工程を含み、前記第２工程は、互いに注入エネルギーが異なる複数回の注入工程を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記注入工程は、前記基板に不純物を注入する第３工程を更に含み、不純物の注入のチルト角は、前記第１工程および前記第２工程よりも前記第３工程の方が小さい、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記注入工程は、前記ゲート電極を形成した後に実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記マスクは、フォトレジストで構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記マスクは、フォトレジストで構成され、
前記マスクは、前記フォトレジストの開口に前記ゲート電極が露出しないように形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記注入工程は、前記ゲート電極を形成する前に実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記注入工程において、各画素を取り囲むように前記分離部が形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記斜め注入工程における不純物の注入のチルト角は、１０度以上かつ５０度以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
複数の画素を有する固体撮像装置であって、
各画素は、第１導電型の電荷蓄積部を有する光電変換部と、前記電荷蓄積部の電荷をフローティングディフュージョンに転送するチャネルを形成するためのゲート電極とを含み、
前記固体撮像装置は、隣接する画素を相互に分離するように前記第１導電型とは反対の第２導電型の半導体領域で構成された分離部を含み、
前記チャネルの幅方向に平行で前記チャネルを通る断面の所定深さにおける前記分離部の不純物濃度分布は、前記ゲート電極の下方の領域における不純物濃度が前記領域の周辺の領域における不純物濃度と異なるものである、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
前記ゲート電極の下方の領域における不純物濃度が前記領域の周辺の領域における不純物濃度より低い、
ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記ゲート電極の下方の領域における不純物濃度が前記領域の周辺の領域における不純物濃度より高い、
ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのカメラに搭載される固体撮像装置における混色を低減する技術が特許文献１に記載されている。具体的には、特許文献１には、転送トランジスタのゲート電極の下に電荷蓄積領域の導電型とは反対の導電型の半導体領域を配置した構成が記載されている（例えば、同文献の図５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１９３５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
転送トランジスタのゲート電極の下に画素間の分離のための半導体領域を形成する方法としては、該半導体領域を形成した後に該ゲート電極を形成する方法が考えられる。この方法では、一般的には、画素間の分離のための半導体領域を形成すべき領域に開口を有するフォトレジストマスクを形成し、該開口を通して基板に不純物が注入されるであろう。この場合、転送トランジスタのゲート電極を形成すべき領域が露出した状態で基板に対して不純物が注入されるであろう。
【０００５】
本発明者等は、このような方法で画素間の分離のための半導体領域が形成された固体撮像装置を評価したところ、転送トランジスタのゲート電極の直下の部分、即ち、電荷の転送用のチャネルが形成される領域に意図しない不純物が導入されていることを発見した。本発明者等は、このような現象は、画素間を分離するための半導体領域を形成するための注入工程において、フォトレジストマスクの側面で反跳した不純物がエネルギーを失い、基板の意図した深さまで到達できないことによって引き起こされるとの結論に至った。電荷を転送するためのチャネルが形成される領域に意図しない不純物が導入されると、電荷の転送特性が影響を受ける。
【０００６】
本発明は、電荷の転送特性を低下させることなく混色を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの側面は、複数の画素を有する固体撮像装置の製造方法に係り、各画素は、第１導電型の電荷蓄積部を有する光電変換部と、前記電荷蓄積部の電荷をフローティングディフュージョンに転送するチャネルを形成するためのゲート電極とを含み、前記固体撮像装置は、隣接する画素を相互に分離するように前記第１導電型と反対の第２導電型の半導体領域で構成された分離部を含み、前記製造方法は、基板に対して不純物を注入することによって前記分離部を形成する注入工程を含み、前記注入工程は、前記チャネルが形成されるべき領域の上に位置する部分を含むマスクが前記基板の上に存在する状態で、前記チャネルの幅方向に平行で前記基板の表面の法線に対して傾斜した方向に沿って前記基板に不純物を注入する斜め注入工程を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電荷の転送特性を低下させることなく混色を低減するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の１つの実施形態の固体撮像装置（ａ）および画素の構成（ｂ）を示す図。
【図２】画素アレイの一部分のレイアウト（ａ）、Ａ−Ａ’線の断面（ｂ）、Ｂ−Ｂ’線の断面を示す図。
【図３】第１実施形態の製造方法を示す図。
【図４】第１実施形態の製造方法を示す図。
【図５】第１実施形態における不純物の注入工程で使用されるマスクを例示する図。
【図６】第２実施形態の製造方法を示す図。
【図７】第２実施形態の製造方法を示す図。
【図８】第２実施形態における不純物の注入工程で使用されるマスクを例示する図。
【図９】分離部の不純物濃度分布を例示する図。
【図１０】分離部の不純物濃度分布を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら本発明の固体撮像装置およびその製造方法を例示的な実施形態を通して説明する。
【００１１】
図１（ａ）には、本発明の１つの実施形態の固体撮像装置５０の概略構成が示されている。固体撮像装置５０は、画素アレイ５１、行選択回路５２、読出回路５３、信号保持部５４、列選択回路５５、出力部５６を備えている。画素アレイ５１は、複数の行および複数の列が構成されるように配列された複数の画素を有する。行選択回路５２は、画素アレイ５１における行を選択する。読出回路５３は、画素アレイ５１における複数の列にそれぞれ対応する複数の列アンプを含む。各列アンプは、画素アレイ５１の対応する列信号線に出力された信号を読み出す。信号保持部５４は、読出回路５３によって読み出された複数の列の信号を保持する。列選択回路５５は、信号保持部５４に保持された複数の列の信号を所定の順に選択する。出力部５６は、列選択回路５５によって選択された列の信号を増幅して出力する。
【００１２】
図１（ｂ）には、画素アレイ５１を構成する１つの画素ＰＩＸの構成例が示されている。画素ＰＩＸは、光電変換部０１１および転送トランジスタ０１２を含む。光電変換部０１１は、例えば、フォトダイオードでありうる。光電変換部０１１は、光電変換によって生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域を有する。画素ＰＩＸは、その他、フローティングディフュージョン０１３、リセットトランジスタ０１４、増幅トランジスタ０１５、選択トランジスタ０１６を含みうる。フローティングディフュージョン０１３、リセットトランジスタ０１４、増幅トランジスタ０１５、選択トランジスタ０１６は、複数の光電変換部０１１（換言すると、複数の画素ＰＩＸ）で共有されてもよい。また、選択トランジスタ０１６は省略することができ、選択トランジスタ０１６が省略される場合は、フローティングディフュージョン０１３のリセット電位によって画素ＰＩＸが選択されうる。
【００１３】
図１（ｂ）に示す例では、画素ＰＩＸは、光電変換によって生じた電子および正孔のうち電子を蓄積し、その電子の量に応じた信号を画素ＰＩＸの信号として出力する。しかしながら、画素ＰＩＸは、正孔を蓄積し、その正孔の量に応じた信号を画素の信号として出力するように構成されてもよい。転送トランジスタ０１２は、光電変換部０１１の電荷蓄積部の電荷をフローティングディフュージョン０１３に転送する。転送トランジスタ０１２は、ゲート電極を含むＭＯＳトランジスタ構造を有する。該ゲート電極は、行選択回路５２によって転送信号ＴＸが活性化されると、光電変換部０１１の電荷蓄積部の電荷をフローティングディフュージョン０１３に転送するチャネルを半導体基板に形成する。
【００１４】
増幅トランジスタ０１５は、フローティングディフュージョン０１３に転送された電荷の量に応じた信号を列信号線０２０に出力する。一例において、列信号線０２０には、電流源０２１の一端が接続され、増幅トランジスタ０１５および電流源０２１によってソースフォロワ回路が構成されうる。リセットトランジスタ０１４は、行選択回路５２によってリセット信号ＲＥＳが活性化されると、フローティングディフュージョン０１３の電位をリセットする。選択トランジスタ０１６は、行選択回路５２によって選択信号ＳＥＬが活性化されると、増幅トランジスタ０１５と列信号線０２０とを接続する。
【００１５】
図２（ａ）には、画素アレイ５１の一部分のレイアウトが例示されている。なお、図２（ａ）には、半導体基板ＳＢの中およびその上の複数の層が示されている。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。なお、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）では、リセットトランジスタ０１４、増幅トランジスタ０１５、選択トランジスタ０１６は省略されている。
【００１６】
半導体基板ＳＢは、第１導電型の半導体領域１０１と、半導体領域１０１の上に配置された第２導電型の半導体領域（ウェル）１０２とを有する。ここで、第１導電型と第２導電型とは互いに反対の導電型である。第１導電型がｎ型である場合には、第２導電型はｐ型であり、逆に、第１導電型がｐ型である場合には、第２導電型はｎ型である。図１（ｂ）に記載された例に従えば、第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型である。
【００１７】
画素アレイ５１は、素子分離領域１０３を有する。素子分離領域１０３は、例えば、絶縁体（典型的にはシリコン酸化物）で構成された素子分離領域、例えば、ＳＴＩ（ｓｈａｌｌｏｗ  ｔｒｅｎｃｈ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）でありうる。あるいは、素子分離領域１０３は、第２導電型の半導体領域でありうる。
【００１８】
光電変換部０１１は、第１導電型の電荷蓄積部１０７および第２導電型の半導体領域１０２によって構成されうる。電荷蓄積部１０７は、活性領域１１０に配置されている。光電変換部０１１は、更に、電荷蓄積部１０７の上に配置された第２導電型の半導体領域（表面領域）１２０を有してもよい。フローティングディフュージョン０１３は、第２導電型の半導体領域１０２の中に配置された第１導電型の半導体領域１０５によって構成されうる。
【００１９】
転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６は、例えばポリシリコンで構成されうる。ゲート電極１０６は、半導体基板ＳＢの表面の上にゲート絶縁膜１１２を介して配置される。ゲート電極１０６は、転送信号ＴＸが活性化されると、電荷蓄積部１０７の電荷をフローティングディフュージョン０１３（半導体領域１０５）に転送するチャネルをチャネル形成領域ＲＣＨに形成する。
【００２０】
半導体領域１０２の中には、第２導電型の半導体領域で構成された分離部１０４が配置されている。分離部１０４は、各光電変換部０１１（電荷蓄積部１０７）を取り囲むように、換言すると、隣接する光電変換部０１１を相互に分離するように配置されている。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に例示されるように、分離部１０４は、転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６の下方に配置された部分を含む。分離部１０４は、例えば、格子状の構成を有しうる。分離部１０４を設けることによって、信号として読み出される電荷（図１（ｂ）に示す例では電子）に対するポテンシャル障壁が形成される。これによって、隣接する光電変換部０１１の間で電荷が移動することによる混色を低減することができる。
【００２１】
また、一般的に各画素は光を集光するマイクロレンズを有している。このマイクロレンズの受光面への正射影の中心は、光電変換部０１１の中心と一致している場合が多い。しかし、これらが一致せずに、図２（ａ）の図面上方向、すなわち、半導体領域１０５とは反対方向に、マイクロレンズの受光面への正射影の中心がずれる場合がある。このような場合には各画素において隣接する方向によって混色量が異なり、非対称なシェーディングが発生する場合がある。このような場合に、分離部１０４の一部を、転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６の下方に配置することで非対称なシェーディングを抑制することが可能となる。分離部１０４は、互いに注入エネルギーが異なる複数回の注入工程で形成された複数段の第２導電型の半導体領域１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃを含みうる。複数段の第２導電型の半導体領域１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃは、互いに異なる深さに配置される。
【００２２】
ここで、以下で使用される「チャネル」の「幅方向」について説明する。転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６にアクティブな電圧が印加されることによってチャネル形成領域ＲＣＨにチャネルが形成される。このチャネルの「幅方向」は、図２（ａ）では、Ａ−Ａ’線に平行な方向であり、図２（ｂ）では、「チャネルの幅方向」として図示された方向である。
【００２３】
以下、図３〜５を参照しながら固体撮像装置５０の第１実施形態の製造方法を説明する。ここで、図３、４は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応する断面図である。なお、以下では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明する。
【００２４】
ステップＳ３１０では、半導体領域１０１を有する半導体基板ＳＢに第２導電型の不純物としてボロンを注入することによって、第２導電型の半導体領域１０２を形成する。また、ステップＳ３１０では、半導体基板ＳＢに素子分離領域１０３を形成する。素子分離領域１０３は、例えば、ＳＴＩ（ｓｈａｌｌｏｗ  ｔｒｅｎｃｈ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）で構成されうる。あるいは、素子分離領域１０３は、高濃度の第２導電型の半導体領域で構成されうる。
【００２５】
ステップＳ３２０では、半導体基板ＳＢの表面の上に絶縁膜を形成する。また、ステップＳ３２０では、リソグラフィー工程によってフォトレジストマスクを形成し、このフォトレジストマスクの開口を通して半導体基板ＳＢに第１導電型の不純物として砒素を注入することによって電荷蓄積部１０７を形成する。また、ステップＳ３２０では、絶縁膜の上にポリシリコン膜を形成し、これをパターニングすることによって転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６を形成する。この際に、他のトランジスタのゲート電極も形成されうる。ゲート電極１０６の下にはゲート絶縁膜１１２が形成される。
【００２６】
ステップＳ３３０では、半導体基板ＳＢの上にマスク１０９を形成する。マスク１０９は、例えば、フォトレジストで形成される。図５には、マスク１０９の平面図が例示されている。マスク１０９は、開口１０８を有する。マスク１０９は、転送トランジスタ０１２のチャネルが形成されるべき領域であるチャネル形成領域ＲＣＨの上に位置する部分１０９１を含む。
【００２７】
ステップＳ３４０〜Ｓ３６０では、注入工程が実施される。該注入工程では、半導体基板ＳＢに対して不純物を注入することによって分離部１０４が形成される。該注入工程は、斜めイオン注入工程を含みうる。該斜めイオン注入工程は、第１工程（Ｓ３４０）および第２工程（Ｓ３５０）を含みうる。該注入工程は、更に、不純物の注入のチルト角が第１工程および第２工程よりも小さい第３工程（Ｓ３６０）を含んでもよい。ここで、第１工程（Ｓ３４０）における不純物の注入のチルト角θ１は、例えば、１０度以上かつ５０度以下でありうる。また、（Ｓ３４０）における不純物の注入のチルト角θ２は、例えば、１０度以上かつ５０度以下でありうる。第１工程（Ｓ３４０）および第２工程（Ｓ３５０）における注入エネルギーは、１００ｋｅＶ以上２５００ｋｅＶ以下であり、ドーズは、１×１０１１以上１×１０１４（ｃｍ−２）以下でありうる。
【００２８】
斜めイオン注入工程（Ｓ３４０、Ｓ３５０）では、部分１０９１を含むマスク１０９が存在する状態で、転送トランジスタ０１２のチャネルの幅方向に平行で半導体基板ＳＢの表面ＳＳの法線ＮＬに対し傾斜した方向に沿って半導体基板ＳＢに不純物が注入される。ここで、斜めイオン注入工程において、第１工程（Ｓ３４０）と第２工程）（Ｓ３５０）とでは、半導体基板ＳＢに対する不純物の注入方向を半導体基板ＳＢの表面ＳＳに投射した方向が互いに反対である。これにより、部分１０９１あるいはゲート電極１０６の下方、即ちチャネル形成領域ＲＣＨの下方にも分離部１０４が形成される。このような分離部１０４は、隣接する光電変換部０１１間の分離性能を高め、混色を低減するために有利である。
【００２９】
第１工程（Ｓ３４０）は、互いに注入エネルギーが異なる複数回の注入工程を含むことが好ましく、同様に、第２工程（Ｓ３５０）は、互いに注入エネルギーが異なる複数回の注入工程を含むことが好ましい。これにより、複数段の第２導電型の半導体領域１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃが形成される。つまり、分離部１０４の深さ方向の寸法を大きくすることができる。
【００３０】
ここで、ゲート電極１０６が露出した状態で半導体基板ＳＢに不純物を注入すると、ゲート電極１０６にも不純物が注入され、転送性能が低下する可能性がある。そこで、マスク１０９（部分１０９１）は、転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６を覆っていることが好ましい。即ち、マスク１０９は、開口１０８にゲート電極１０６が露出しないように形成されることが好ましい。
【００３１】
マスク１０９の断面形状は、半導体基板ＳＢの表面ＳＳから遠いほど転送トランジスタ０１２のチャネルの幅方向の幅が大きくなるオーバーハング形状であってもよい。この場合、マスク１０９を不純物が突き抜けてチャネル形成領域ＲＣＨに注入される量を低減することができる。
【００３２】
第１実施形態のように、転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６を含むゲート電極の形成後に分離部１０４を形成する場合、分離部１０４は、ゲート電極の形成のための熱処理の影響を受けない。したがって、分離部１０４を形成するための不純物が熱処理によって拡散する量を低減することができる。これは、画素サイズの縮小に有利である。
【００３３】
ここで、第１実施形態とは異なり、チャネル形成領域ＲＣＨをマスク１０９で覆うことなく分離部１０４の形成のための注入工程を実施する場合について考える。この場合、マスクの側面で反跳して半導体基板ＳＢに入射する不純物は、反跳の際にエネルギーを失うため、半導体基板ＳＢの所望の深さ（分離部１０４を形成すべき深さ）まで到達することができず、半導体基板ＳＢの表面部分に留まりうる。すると、転送トランジスタ０１２のチャネル形成領域ＲＣＨに意図しない不純物が注入されることにより、これによって転送トランジスタ０１２の電荷の転送特性が影響を受けて、意図しない転送特性になりうる。
【００３４】
よって、チャネル形成領域ＲＣＨをマスク１０９で覆った状態で分離部１０４を形成することが好ましく、そのために、斜めイオン注入工程（Ｓ３４０、Ｓ３５０）が実施される。斜めイオン注入工程において、マスク１０９によって覆われていない部分については、半導体基板ＳＢの表面の近傍の領域（即ち、浅い領域）に不純物が注入され、不純物領域１１１が形成されうる。
【００３５】
第３工程（Ｓ３６０）における不純物の注入のチルト角は、第１工程および第２工程における不純物の注入のチルト角よりも小さい。第３工程（Ｓ３６０）における不純物の注入のチルト角は、例えば０度でありうる。第３工程（Ｓ３６０）においても、マスク１０９によって覆われていない部分については、半導体基板ＳＢの表面の近傍の領域（即ち、浅い領域）に不純物が注入され、不純物領域１１１が形成されうる。第３工程（Ｓ３６０）は、マスク１０９の代わりに別のマスクを形成し、該別のマスクを使って実施されてもよい。
【００３６】
分離部１０４を形成するための注入工程が第１工程、第２工程および第３工程を含む場合において、それらを実施する順序は任意である。分離部１０４を形成するための注入工程の後または途中で熱処理工程が実施されうる。
【００３７】
分離部１０４を形成するための注入工程に次いで、マスク１０９に代えて新たなマスクが形成され、該新たなマスクの開口を通して半導体基板ＳＢに第１導電型の不純物を注入することによってフローティングディフュージョン０１３が形成されうる。
【００３８】
図９、図１０には、転送トランジスタ０１２のチャネルの幅方向に平行で該チャネルを通る断面の所定深さにおける分離部１０４の不純物濃度分布が例示されている。図９に示す分離部１０４の不純物濃度分布の例では、ゲート電極１０６の下方の領域における不純物濃度が該領域の周辺の領域における不純物濃度より低い。図１０に示す分離部１０４の不純物濃度分布の例では、ゲート電極１０６の下方の領域における不純物濃度が該領域の周辺の領域における不純物濃度より高い。このように、ゲート電極１０６の下方の領域における不純物濃度は、該領域の周辺の領域における不純物濃度と異なりうる。これは、ゲート電極１０６の下方の領域における不純物濃度が第１工程における不純物注入と第２工程における不純物注入とを通して決定されるからである。
【００３９】
以下、図６−８を参照しながら固体撮像装置５０の第２実施形態の製造方法を説明する。なお、第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第２実施形態では、転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６を形成する前に分離部１０４を形成する。これは、分離部１０４を形成するための不純物がゲート電極１０６およびゲート絶縁膜１１２に注入されることを防止し、転送トランジスタ０１２の閾値が変動することを防止するために有利である。
【００４０】
ステップＳ６１０では、半導体領域１０１を有する半導体基板ＳＢに第２導電型の不純物としてボロンを注入することによって、第２導電型の半導体領域１０２を形成する。また、ステップ６１０では、半導体基板ＳＢに素子分離領域１０３を形成する。素子分離領域１０３は、例えば、ＳＴＩ（ｓｈａｌｌｏｗ  ｔｒｅｎｃｈ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）で構成されうる。あるいは、素子分離領域１０３は、高濃度の第２導電型の半導体領域で構成されうる。
【００４１】
ステップＳ６２０では、半導体基板ＳＢの上にマスク１０９を形成する。マスク１０９は、例えば、フォトレジストで形成される。図８には、マスク１０９の平面図が例示されている。マスク１０９は、開口１０８を有する。マスク１０９は、チャネル形成領域ＲＣＨの上に位置する部分１０９１を含む。
【００４２】
ステップＳ６３０〜Ｓ６５０では、注入工程が実施される。該注入工程では、半導体基板ＳＢに対して不純物を注入することによって分離部１０４が形成される。該注入工程は、斜めイオン注入工程を含みうる。該斜めイオン注入工程は、第１工程（Ｓ６３０）および第２工程（Ｓ６４０）を含む斜めイオン注入工程を含みうる。該注入工程は、更に、不純物の注入のチルト角が第１工程および第２工程よりも小さい第３工程（Ｓ６５０）を含んでもよい。ここで、第２実施形態における第１工程（Ｓ６３０）、第２工程（Ｓ６４０）、第３工程（Ｓ６５０）は、第１実施形態における第１工程（Ｓ３４０）、第２工程（Ｓ３５０）、第３工程（Ｓ３６０）とそれぞれ同一でありうる。
【００４３】
ステップＳ６６０では、半導体基板ＳＢの表面の上に絶縁膜を形成する。また、ステップＳ６６０では、リソグラフィー工程によってフォトレジストマスクを形成し、このフォトレジストマスクの開口を通して半導体基板ＳＢに第１導電型の不純物として砒素を注入することによって電荷蓄積部１０７を形成する。また、ステップＳ６６０では、絶縁膜の上にポリシリコン膜を形成し、これをパターニングすることによって転送トランジスタ０１２のゲート電極１０６を形成する。この際に、他のトランジスタのゲート電極も形成されうる。ゲート電極１０６の下にはゲート絶縁膜１１２が形成される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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