(57)【要約】【課題】ＥＬ素子で発生した電流がドライバ回路に流れ込むことを低減し、ドライバ回路の発熱を抑制する。【解決手段】発光表示部２０は、複数のＥＬ素子を含み、ドライバ回路３０は、複数のＥＬ素子のうちの一部のＥＬ素子を選択する選択信号をコモン電圧遮断回路７０に供給し、コモン電圧遮断回路７０は、ドライバ回路３０からの選択信号に基づいて、当該選択信号によって選択されるＥＬ素子である選択ＥＬ素子に発光駆動させるための電圧を印加するとともに、当該選択ＥＬ素子からの電流をグランドに流す。【選択図】図３
2015143735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＥＬ素子を備える発光表示部と、
前記複数のＥＬ素子のうちの一部のＥＬ素子を選択する選択信号を出力するドライバ回路と、
前記発光表示部から前記ドライバ回路に電流が流れ込むことを防止する電流流入防止回路と、を有し、
前記電流流入防止回路は、前記ドライバ回路から出力された前記選択信号に基づいて、当該選択信号によって選択されるＥＬ素子である選択ＥＬ素子に当該選択ＥＬ素子を発光駆動させるための電圧を印加するとともに、前記発光駆動させるための電圧を印加した前記選択ＥＬ素子からの電流をグランドに流す、
ことを特徴とする表示装置。 
【請求項２】
前記選択ＥＬ素子の一方の電極にはＨｉｇｈ信号が供給されており、
前記ドライバ回路は、前記選択信号としてＬｏｗ信号を前記電流流入防止回路に供給し、
前記電流流入防止回路は、前記Ｌｏｗ信号に基づいて、前記選択ＥＬ素子の他方の電極をグランドに接続して、前記発光駆動させるための電圧を前記選択ＥＬ素子に印加するとともに、前記選択ＥＬ素子からの電流をグランドに流すスイッチを備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光表示部を駆動するため複数の走査線を有し、
前記電流流入防止回路は、前記複数の走査線の数と同数設けられ、
前記発光表示部は、前記複数の走査線を介して、前記電流流入防止回路に接続される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来よりＥＬパネル等のＥＬ素子を含む表示装置を駆動する方法として、アクティブ駆動方式、パッシブ駆動方式が知られている。アクティブ駆動方式では、マトリクス状に配置された各ＥＬ素子にそれぞれスイッチング素子を配置し、各ＥＬ素子を個別に駆動する。パッシブ駆動方式では、特許文献１に記載されているように、同一行に配置されたＥＬ素子が同一のカラム電極に、同一列に配置されたＥＬ素子が同一のロー電極に接続され、選択したＥＬ素子を駆動するため、選択したＥＬ素子が位置する行列のカラム電極とロー電極に電圧を印加する。パッシブ駆動方式とアクティブ駆動方式とを比較すると、パッシブ駆動方式のＥＬパネルは、製造コストが安価である、製造が容易であるといった利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１７０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＥＬ素子で発生する電流がドライバ回路に流れ込むと、ドライバ回路が発熱し、ひいてはドライバ回路の動作に悪影響が出てしまう。よって、ドライバ回路の発熱を抑制するためには、ドライバ回路へ流れ込む電流を低減する必要がある。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ＥＬ素子で発生した電流がドライバ回路に流れ込むことを低減し、ドライバ回路の発熱を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、
複数のＥＬ素子を備える発光表示部と、
前記複数のＥＬ素子のうちの一部のＥＬ素子を選択する選択信号を出力するドライバ回路と、
前記発光表示部から前記ドライバ回路に電流が流れ込むことを防止する電流流入防止回路と、を有し、
前記電流流入防止回路は、前記ドライバ回路から出力された前記選択信号に基づいて、当該選択信号によって選択されるＥＬ素子である選択ＥＬ素子に当該選択ＥＬ素子を発光駆動させるための電圧を印加するとともに、前記発光駆動させるための電圧を印加した前記選択ＥＬ素子からの電流をグランドに流す、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ＥＬ素子で発生した電流がドライバ回路に流れ込むことを低減し、ドライバ回路の発熱を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成図であり、有機ＥＬパネルの平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルの要部拡大図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るコモン電圧遮断回路の構成を示す図である。
【図４】発光表示部を順次駆動するときに発光表示部に供給する駆動電圧を示すパルス波形である。
【図５】発光表示部を順次駆動する場合のコモン電圧遮断回路に含まれるスイッチング素子の変化を示す図である。
【図６】変形例に係る有機ＥＬパネルの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る表示装置を図面を参照して説明する。
【００１０】
表示装置１は、図１に示す有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル１００と、コモン電圧遮断回路７０と、図示しない制御回路と、を備える。
【００１１】
表示装置１は、後述するように、ＥＬ素子で発生する電流がドライバＩＣ（Integrated Circuit）に流れ込むことを抑制する手段を備える。
【００１２】
ＥＬ素子で電流が発生する原因の一つは次のようなものである。ＥＬ素子は、その構造が陰極と陽極が有機発光層を挟んだコンデンサ構造であるため、駆動のため電極間に電流が流されることで充放電を繰り返す。この充放電により電流が発生する。さらに、有機ＥＬパネル等が有するＥＬ素子の個数が増加するほど、充放電により発生する電流も大きくなる。
【００１３】
有機ＥＬパネル１００は、パッシブマトリクス方式で駆動されるものであり、支持基板１０と、発光表示部２０と、ドライバＩＣ３０と、を有する。
【００１４】
支持基板１０は、長方形形状の透明ガラス材からなる電気絶縁性の基板である。支持基板１０の一方の面上には発光表示部２０とドライバＩＣ３０とが設けられている。ドライバＩＣ３０は、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式により、支持基板１０に実装されている。
【００１５】
支持基板１０上には、後述する発光表示部２０の各陽極ラインと接続される陽極配線１６と、後述する発光表示部２０の各陰極ラインと接続される陰極配線１７と、ドライバＩＣ３０を外部回路と電気的に接続するための入力配線１８と、が形成されている。
【００１６】
また、支持基板１０上には発光表示部２０を気密的に覆う封止部材（図示せず）が配設される。封止部材は、ガラス材料等から形成され、接着材等で支持基板１０に固定される。
【００１７】
また、支持基板１０のドライバＩＣ３０が実装される面と反対側の面上には、円偏光板１４と図示しない放熱部材とが設けられている。円偏光板１４は、直線偏光板と複屈折板を積層してなる板状の光透過性部材であり、外光の反射を抑制するものである。円偏光板１４は、粘着層を介して支持基板１０の出射面側に貼り付けられる。放熱部材は、銅、アルミニウム、グラファイト等の、支持基板１０の材料よりも熱伝導率の良い材料から形成され、ドライバＩＣ３０からの発熱をパネル面方向に拡散するためのものである。放熱部材は、支持基板１０の発光領域以外を覆うように広く配置される。
【００１８】
有機ＥＬパネル１００は、発光表示部２０で発生した光が支持基板１０を透過して出射されるボトムエミッション型の有機ＥＬパネルである。
【００１９】
図２に、有機ＥＬパネルの第１電極、第２電極等の配置を示す。発光表示部２０は、第１電極である陽極ライン２１、有機層２２、第２電極である陰極ライン２３、絶縁膜２４を含む。
【００２０】
図２に示すように、行方向に複数の陰極ライン２３、列方向に複数の陽極ライン２１が配置されている。また、陽極ライン２１と、陰極ライン２３との間に、絶縁膜２４、有機層２２が積層されている。
【００２１】
陽極ライン２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性の導電材料からなる。陽極ライン２１は、例えば、次のように形成される。蒸着法やスパッタリング法等によって支持基板１０上に導電材料を層状に形成し、その後、その層状の導電材料をフォトリソグラフィー法等によってパターニングして、互いに略平行となる複数の陽極ライン２１を形成する。
【００２２】
各陽極ライン２１の一端はそれぞれ対応する陽極配線１６に接続される。このようにして、発光表示部２０の各陽極ライン２１は、ドライバＩＣ３０に接続される。
【００２３】
有機層２２は、少なくとも有機発光層を含む。なお、本実施形態においては、有機層２２は正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層を蒸着法やスパッタリング法等の手段によって順次積層して形成したものである。
【００２４】
陰極ライン２３は、陽極ライン２１よりも導電率が高い導電材料であるアルミニウム、マグネシウム銀等から形成される。陰極ライン２３は、例えば、次のように形成される。複数のスリットを有するマスクを介してあるいは絶縁膜２４上に陽極ライン２１と交差する複数の隔壁（図示しない）を形成して導電材料を蒸着して、互いに略平行となる複数の陰極ライン２３を形成する。なお、陰極ライン２３は、陽極ライン２１と交差するように形成される。
【００２５】
各陰極ラインの一端はそれぞれ対応する陰極配線１７に接続される。このようにして、発光表示部２０の各陰極ライン２３は、ドライバＩＣ３０に接続される。
【００２６】
このようにして、陽極ライン２１、陰極ライン２３が重なる部分であって、その間に挟持された有機層２２がそれぞれＥＬ素子となる。つまり、発光表示部２０は、複数のＥＬ素子を備える。
【００２７】
絶縁膜２４は、陽極ライン２１と陰極ライン２３の短絡を防止する。絶縁膜２４は、例えばポリイミド系の電気絶縁性材料から構成された開口絶縁膜であり、陽極ライン２１と陰極ライン２３との間に位置するように形成される。
【００２８】
図１に示す陽極配線１６は、陽極ライン２１とドライバＩＣ３０とを接続する。陽極配線１６は、例えば陽極ライン２１と同じ材料であるＩＴＯ、クロム、アルミニウム等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなり、支持基板１０上に形成される。陽極配線１６は、各陽極ライン２１に対応するよう、陽極ライン２１の本数と同数設けられる。陽極配線１６の一端は、陽極ライン２１に接続され、他端は、ドライバＩＣ３０に接続される。あるいは、陽極配線１６は、陽極ライン２１と一体的に形成されてもよい。
【００２９】
陰極配線１７は、陰極ライン２３とドライバＩＣ３０とを接続する。陰極配線１７は、例えば陽極ライン２１と同じ材料であるＩＴＯ、クロム、アルミニウム等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなり、支持基板１０上に形成される第一，第二の陰極配線１７ａ，１７ｂと、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）４０上に形成される銅箔配線である第三，第四の陰極配線１７ｃ，１７ｄと、からなる。第一，第二の陰極配線１７ａ，１７ｂは、支持基板１０上では分断されている。陰極配線１７は、各陰極ライン２３に対応するよう、陰極ライン２３の本数と同数設けられる。第二の陰極配線１７ｂの一端は、陰極ライン２３に接続され、他端は異方性導電膜（ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film））を介しての第四の陰極配線１７ｄに接続される。第四の陰極配線１７ｄは、後述するコモン電圧遮断回路７０を経由して第三の陰極配線１７ｃに接続される。第三の陰極配線１７ｃは、異方性導電膜（ＡＣＦ）を介して第一の陰極配線１７ａの一端に接続される。第１の陰極配線１７ａの他端は、ドライバＩＣ３０に接続される。第二の陰極配線１７ｂは、陰極ライン２３と一体的に形成されてもよい。
【００３０】
入力配線１８は、ドライバＩＣ３０と支持基板１０外に設けられた外部回路とを電気的に接続するための配線である。入力配線１８は、例えば陽極ライン２１と同じ材料であるＩＴＯ、クロム、アルミニウム等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。入力配線１８の一端は、ドライバＩＣ３０に接続され、他端は、ＦＰＣ４０の接続配線１９を介して図示しない制御回路等の回路に接続される。
【００３１】
なお、本実施形態においては、有機ＥＬパネル１００の第１電極である陽極ライン２１をセグメント電極（信号電極）とし、第２電極である陰極ライン２３をコモン電極（走査電極）とする。従って、陽極配線１６は、セグメント配線（信号電極配線）となり、陰極配線１７はコモン配線（走査電極配線）となる。
【００３２】
ドライバＩＣ３０は、発光表示部２０に含まれる複数のＥＬ素子を発光駆動させる駆動回路を構成する。ドライバＩＣ３０は、陽極配線１６（セグメント配線）を介して各陽極ラインと電気的に接続され、陰極配線１７及びコモン電圧遮断回路７０を介して各陰極ライン２３と電気的に接続されている。また、ドライバＩＣ３０は、入力配線１８を介して、支持基板１０の外に設けられた制御回路等に接続されている。
【００３３】
ドライバＩＣ３０は、制御回路から供される制御信号に基づいて、発光表示部２０に駆動電流を供給するドライバ回路である。具体的には、ドライバＩＣ３０は、図３に示すように、ＣＯＭドライバ３１とＳＥＧドライバ３２とを備える。ＣＯＭドライバ３１は複数（例えば１２８本）の陰極配線１７に、ＳＥＧドライバ３２は複数（例えば１２８本）の陽極配線１８に接続されている。
【００３４】
ＳＥＧドライバ３２は、陽極配線１６を介して接続された陽極ライン２１にＥＬ素子を駆動させるための電圧を印加する。ＣＯＭドライバ３１は、陰極配線１７及びコモン電圧遮断回路７０を介してＥＬ素子を選択する選択信号を発光表示部２０に供給する。従って、後述するコモン電圧遮断回路７０は、ＣＯＭドライバ３１から供給された選択信号に従って、陰極ライン２３に選択されたＥＬ素子を駆動させるための電圧を印加する。
【００３５】
従って、ＳＥＧドライバ３２から電圧が印加された陽極ライン２１と、ＣＯＭドライバ３１の選択信号に従ってコモン電圧遮断回路７０から電圧が印加された陰極ライン２３との間に駆動電流が流れる。よって、電圧が印加された陽極ライン２１、陰極ライン２３が交差する位置に配置されたＥＬ素子が発光する。
【００３６】
ＦＰＣ４０は、可撓性を有する回路基板であり、略Ｔ字状に形成され中央部に一端が第一の陰極配線１７ａと接続され、他端がコモン電圧遮断回路７０と接続される第三の陰極配線１７ｃと、入力配線１８と接続される接続配線１９と、が形成され、側方部に一端が第二の陰極配線１７ｂと接続され、他端がコモン電圧遮断回路７０と接続される第四の陰極配線１７ｄが形成されている。第三，第四の陰極配線１７ｃ,１７ｄと接続配線１９とは例えば銅箔配線からなる。なお、図１においては、ＦＰＣ１４の裏面側に形成される第三，第四の陰極配線１７ｃ，１７ｄ及び接続配線１９を点線で図示している。
【００３７】
図示しない制御回路は、支持基板１０外に設けられ、入力配線１８を介してドライバＩＣ３０に接続されている。制御回路は、ドライバＩＣ３０に発光表示部２０を駆動させるための制御信号を供給する。また、制御回路は、後述するコモン電圧遮断回路７０にコモン走査電圧を供給するための電源等を制御する。
【００３８】
次に、図３を参照しながらコモン電圧遮断回路７０について説明する。
【００３９】
コモン電圧遮断回路７０は、ＣＯＭドライバ３１と発光表示部２０との間に設けられ、発光表示部２０からＣＯＭドライバ３１に電流が流れ込むことを防止するスイッチ回路（電流流入防止回路）である。
本実施形態では、コモン電圧遮断回路７０は、ＦＰＣ４０を介して支持基板１０に接続されている他の基板上に設けられている。
【００４０】
ここで、発光表示部２０側に接続されているコモン配線（第二，第四の陰極配線１７ｂ，１７ｄ）をパネルＣＯＭ＿１〜パネルＣＯＭ＿Ｎ（Ｎは整数、例えば、１２８）、ＣＯＭドライバ３１側に接続されているコモン配線（第一，第三の陰極配線１７ａ，１７ｃ）をＩＣ＿ＣＯＭ＿１〜ＩＣ＿ＣＯＭ＿Ｎ（Ｎは整数、例えば、１２８）とする。
【００４１】
以下、パネルＣＯＭ＿１とＩＣ＿ＣＯＭ＿１の間に設けられたコモン電圧遮断回路７０を例に説明する。なお、図示省略しているが、コモン電圧遮断回路７０は、ＩＣ＿ＣＯＭ＿ｉ（ｉは整数；ｉ＜＝Ｎ）と対応するパネルＣＯＭ＿ｉ（ｉは整数；ｉ＜＝Ｎ）の間にそれぞれ設けられており、それぞれのコモン電圧遮断回路は同様に動作する。
【００４２】
コモン電圧遮断回路７０は、４つのトランジスタ７１〜７４を含む。これら４つのトランジスタ７１〜７４はいずれも抵抗内蔵型のトランジスタ、即ちデジタルトランジスタである。
【００４３】
トランジスタ７１は、走査タイミングを制御するトランジスタである。トランジスタ７１は、ｎｐｎ型のトランジスタであり、そのベースは、ＩＣ＿ＣＯＭ＿１に接続されている。トランジスタ７１のエミッタは接地されている。
【００４４】
トランジスタ７１は、ＣＯＭドライバ３１から印加される電圧であるコモン走査電圧が示す走査タイミングに合わせて、オン・オフが切り替わる。コモン走査電圧がハイレベルのとき、トランジスタ７１はオンし、コモン走査電圧がローレベルのときトランジスタ７１はオフする。
【００４５】
トランジスタ７２は、コモン電圧遮断用のトランジスタである。トランジスタ７２は、ｐｎｐ型のトランジスタであり、そのベースは、トランジスタ７１のコレクタに接続されている。トランジスタ７２のエミッタは、支持基板１０外に設けられたコモン走査用電源７８に接続されている。トランジスタ７２のコレクタは、パネル＿ＣＯＭ＿１に接続されている。
【００４６】
トランジスタ７２は、トランジスタ７１のオン・オフに連動して、そのオン・オフが切り替わる。トランジスタ７１がオンすると、トランジスタ７２はオンする。従って、トランジスタ７２のエミッタに接続されているコモン走査用電源７８とパネル＿ＣＯＭ＿１が接続される。従って、パネル＿ＣＯＭ＿１に接続されている陰極ライン２３にコモン走査用電源７８から電圧ＶＫＨが印加される（図５（ｂ）参照）。一方、トランジスタ７１がオフすると、トランジスタ７２はオフし、パネル＿ＣＯＭ＿１に接続されている陰極ライン２３への印加電圧はローレベルとなる（図５（ａ）参照）。つまり、パネル＿ＣＯＭ＿１を介して、発光表示部２０に選択信号が入力される。
【００４７】
トランジスタ７３は、トランジスタ７１と同様に、走査タイミングを制御するトランジスタである。トランジスタ７３は、ｎｐｎ型のトランジスタであり、そのベースは、ＩＣ＿ＣＯＭ＿１に接続されている。トランジスタ７３のコレクタは抵抗７５を介して放電経路用電源７６に接続されている。また、エミッタは接地されている。
【００４８】
トランジスタ７３は、トランジスタ７１と同様に、ＣＯＭドライバ３１から印加されるコモン走査電圧によりオン・オフが切り替わる。コモン走査電圧がハイレベルのとき、トランジスタ７３はオンし、コモン走査電圧がローレベルのときトランジスタ７３はオフする。
【００４９】
トランジスタ７４は、コモン電圧放電用のトランジスタである。トランジスタ７４は、ｎｐｎ型のトランジスタであり、そのベースは、トランジスタ７３のコレクタに接続されている。トランジスタ７４のコレクタは、抵抗７７を介してパネル＿ＣＯＭ＿１に接続されている。また、エミッタは接地されている。
【００５０】
トランジスタ７４はトランジスタ７３のオン・オフに連動して、オン・オフが切り替わる。トランジスタ７３がオンすると、トランジスタ７４はオフする。一方、トランジスタ７３がオフすると、トランジスタ７４はオンする。
【００５１】
トランジスタ７４のコレクタがパネル＿ＣＯＭ＿１に接続されており、エミッタが接地されているため、トランジスタ７４がオンすると、パネル＿ＣＯＭ＿１からの電流がグランドに流れる。つまり、トランジスタ７４がオンすると放電路経路が導通する。
【００５２】
このようにして、コモン電圧遮断回路７０は、ＣＯＭドライバ３１から供給されるコモン走査電圧に応じて、発光表示部２０への駆動電流の供給の有無を切り替え、さらに、発光表示部２０から流れ込む電流をグランドに流す。この発光表示部２０から流れ込む電流をグランドに流す方法としては、系統接地、筐体接地等が含まれる。
【００５３】
以下、上述した構成を有するコモン電圧遮断回路７０の動作を図４、図５（ａ）〜（ｆ）を参照しながら説明する。
【００５４】
制御回路から、パネル＿ＣＯＭ＿１を選択する指示を受け付けた場合、ＣＯＭドライバ３１からＩＣ＿ＣＯＭ＿１を介して、トランジスタ７１とトランジスタ７３のそれぞれベースにローレベルの電圧が印加される。従って、図５（ａ）に示すように、トランジスタ７１とトランジスタ７３がオフする。よって、パネル＿ＣＯＭ＿１に接続されている陰極ライン２３への印加電圧はローレベルとなる。
【００５５】
このとき、トランジスタ７３がオフするため、トランジスタ７４のベースに放電経路用電源７６から電圧が印加され、トランジスタ７４がオンし、コモン電圧遮断回路７０の放電経路が導通する。よって、エミッタが接地されているトランジスタ７４を介して、パネル＿ＣＯＭ＿１から流れ込んだ電流がグランドに流れる。このように放電されるため、発光表示部２０で発生した電流がドライバＩＣ３０に流れ込むことが防止される。
【００５６】
一方、パネル＿ＣＯＭ＿１を選択しない場合、ＣＯＭドライバ３１から、ＩＣ＿ＣＯＭ＿１を介してトランジスタ７１とトランジスタ７３のそれぞれベースにハイレベルの電圧が印加される。従って、図５（ｂ）に示すように、トランジスタ７１とトランジスタ７３がオンする。よって、パネル＿ＣＯＭ＿１に接続されている陰極ライン２３にコモン走査用電源７８から電圧ＶＫＨが印加される。このとき、トランジスタ７３がオンし、トランジスタ７４はオフし、放電経路は導通しない。
【００５７】
このようにコモン電圧遮断回路７０は、ＣＯＭドライバ３１から印加されるコモン走査電圧に従い、発光表示部２０の選択されたコモン配線に駆動電圧を印加する。さらに、選択されたコモン配線から流れ込む電流をグランドに流して、その電流がＣＯＭドライバ３１に流れ込むことを防止する。
【００５８】
コモン電圧遮断回路７０が動作することで、選択されているコモン配線（陰極配線１７）から電流がドライバＩＣ３０に流れ込むことを防止できる。従って、ドライバＩＣ３０の発熱を防止することができる。
【００５９】
このように、コモン電圧遮断回路７０を、ドライバＩＣ３０側の陰極配線であるＩＣ＿ＣＯＭ＿１と発光表示部２０側の陰極配線であるパネル＿ＣＯＭ＿１の間に配置することで、ドライバＩＣ３０の発熱を防止することができる。言い換えると、従来の有機ＥＬパネルにコモン電圧遮断回路７０を追加するだけで、ドライバＩＣ３０、発光表示部２０の構成を特に変えることなく、ドライバＩＣ３０の発熱を防止することができる。よって、本実施形態に係るコモン電圧遮断回路７０は、従来のドライバＩＣ、発光表示部を備える有機ＥＬパネルに採用することができる。
【００６０】
上述したように、コモン電圧遮断回路７０は、各コモン配線（陰極配線１７）に設けられているため、制御回路が、コモン配線を順次選択した場合であっても、上述したのと同様の効果が得られる。
【００６１】
図４に、例えば、制御回路が、ＩＣ＿ＣＯＭ＿１、ＩＣ＿ＣＯＭ＿２の順にコモン配線を順次選択する場合に、ＣＯＭドライバ３１がコモン電圧遮断回路７０に供給する選択信号、コモン電圧遮断回路７０がＣＯＭドライバ３１から供給された選択信号に従って発光表示部２０に印加する電圧のタイミングチャートを示す。
【００６２】
まず、ＣＯＭドライバ３１からＩＣ＿ＣＯＭ＿１にローレベルの信号が入力されると、コモン電圧遮断回路７０から、パネル＿ＣＯＭ＿１を介して選択信号としてローレベルの信号が入力される。従って、パネル＿ＣＯＭ＿１に接続されている陰極ライン２３が選択される。併行して、トランジスタ７４のオンにより、放電路が導通する。このとき、図５（ｃ）、（ｅ）に示すように、他のＩＣ＿ＣＯＭ＿２〜ＩＣ＿ＣＯＭ＿１２８にはＣＯＭドライバ３１から非選択信号（ハイレベル）が入力されるため、コモン電圧遮断回路７０から、パネル＿ＣＯＭ＿１〜パネル＿ＣＯＭ＿１２８を介して非選択信号（電圧ＶＫＨ）が入力される。このとき、ＩＣ＿ＣＯＭ＿２〜ＩＣ＿ＣＯＭ＿１２８に接続されているコモン電圧遮断回路７０の放電路は導通しない。次に、ＩＣ＿ＣＯＭ＿２にローレベルの信号が入力されると、パネル＿ＣＯＭ＿２に選択信号としてローレベルの信号が入力される。図５（ｄ）に示すように、トランジスタ７４のオンにより、放電路が導通する。このとき、図５（ｂ）、（ｆ）に示すように他のＩＣ＿ＣＯＭ＿１、ＩＣ＿ＣＯＭ＿３〜ＩＣ＿ＣＯＭ＿１２８には、非選択信号（電圧ＶＫＨ）が入力される。このとき、ＩＣ＿ＣＯＭ＿１、ＩＣ＿ＣＯＭ＿３〜ＩＣ＿ＣＯＭ＿１２８に接続されているコモン電圧遮断回路７０の放電路は導通しない。このように、ＩＣ＿ＣＯＭ＿１２８まで順にローレベルの信号が入力され、パネル＿ＣＯＭ＿１２８まで順に選択信号としてローレベルの信号が入力される。
【００６３】
このように、コモン走査線に対応する個数のコモン電圧遮断回路７０を配置することで、ドライバＩＣ３０の発熱を防止することができる。
【００６４】
なお、本発明は、以上の実施形態及び図面によって限定されるものではない。本発明の要旨を変更しない範囲で、適宜変更（構成要素の削除も含む）を加えることが可能である。以下に変形の一例を示す。
【００６５】
上述の実施形態では、表示装置１が備える表示パネルが有機ＥＬパネル１００である例について説明したが、例えば、無機ＥＬパネル等であってもよい。
【００６６】
また、上述した実施形態では、ドライバＩＣ３０をＣＯＧ方式で支持基板１０に実装する例を説明したが、ドライバＩＣの実装方式は、例えば、ＩＣをＣＯＦ（Chip On Film）方式、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式であってもよい。
【００６７】
また、上述の実施形態では、コモン電圧遮断回路７０を構成するスイッチング素子がバイポーラトランジスタである例を説明したが、スイッチング素子はこれに限らず、例えばＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を使用してもよい。
【００６８】
図１では、セグメント配線とコモン配線をコモン電圧遮断回路７０が設けられた基板に接続するため１つのＦＰＣ４０を使用する例を示した。しかし、例えば、図６に示すように、分岐型のＦＰＣを使用してもよい。図６の例では、第一の陰極配線１７ａ及び入力配線１８のため第三の接続配線１７ｃ及び接続配線１９が形成されたＦＰＣ４０ａを使用し、第二の陰極配線１７ｂのため第四の陰極配線１７ｄが形成されたＦＰＣ４０ｂ、４０ｃを使用している。
【符号の説明】
【００６９】
１  表示装置
１００  有機ＥＬパネル
１０  支持基板
１４  円偏光板
１６  陽極配線
１７  陰極配線
１８  入力配線
１９  接続配線
２０  発光表示部
２１  陽極ライン
２２  有機層
２３  陰極ライン
２４  絶縁膜
３０  ドライバＩＣ
３１  ＣＯＭドライバ
３２  ＳＥＧドライバ
４０  ＦＰＣ
７０  コモン電圧遮断回路
７１、７２、７３、７４  トランジスタ
７５、７７  抵抗
７６  放電経路用電源
７８  コモン走査用電源
【図１】
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【図２】
2015143735.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2015143735.tif 000008