(57)【要約】【課題】機能素子における形状不良などの不具合を抑制することが可能な、機能素子の製造方法の提供。【解決手段】機能素子の製造方法は、基板１０上にシード層２０を形成するシード層形成工程と、シード層２０上に開口部４１を有するマスク層４０を形成するマスク層形成工程と、マスク層４０の露出面の少なくとも一部に、マスク層４０を酸化処理した酸化膜５０を、マスク層４０の表面粗さＲａ〜１００ｎｍの範囲の膜厚で形成する酸化膜形成工程と、酸化膜５０を形成後、シード層２０をエッチングするシード層エッチング工程と、シード層２０をエッチング後、基板１０をエッチングする基板エッチング工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に開口部を有するマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の露出面の少なくとも一部に、前記マスク層を酸化処理した酸化膜を、前記マスク層の表面粗さＲａ〜１００ｎｍの範囲の膜厚で形成する工程と、
前記酸化膜を形成後、前記シード層をエッチングする工程と、
前記シード層をエッチング後、前記基板をエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする機能素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の機能素子の製造方法において、
前記酸化膜を、大気中における加熱処理により形成することを特徴とする機能素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の機能素子の製造方法において、
前記酸化膜を、酸素プラズマ処理により形成することを特徴とする機能素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の機能素子の製造方法において、
前記シード層は、複数の金属を積層した積層構造であって、前記シード層の最上層は、金層であることを特徴とする機能素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の機能素子の製造方法において、
前記マスク層は、ニッケルを含むことを特徴とする機能素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の機能素子の製造方法において、
前記基板のエッチングを、ドライエッチングで行うことを特徴とする機能素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の機能素子の製造方法において、
前記基板は振動板であり、前記機能素子は、振動素子であることを特徴とする機能素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エッチングを用いた、機能素子などを含む物の製造方法の一例として、炭化シリコン、酸化シリコンなどの少なくとも１つを含む被エッチング層上に開口部を有し、被エッチング層側からニッケルクロム膜、金膜及びニッケル膜の順で形成されたマスク層を形成する工程と、マスク層をマスクにして被エッチング層をエッチングする工程と、を有する半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記、半導体装置の製造方法は、被エッチング層のマスク層に対するエッチング速度の比であるエッチング選択比が高く、且つマスク層の被エッチング層からの剥離を抑制することが可能であるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２３４９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記製造方法は、被エッチング層のエッチングの前工程として、マスク層の被エッチング層に接するニッケルクロム膜及びニッケルクロム膜上の金膜（これらをシード層ともいう）を、金膜上に形成されたニッケル膜の開口部の形状に合わせて除去する工程が必要となる。
上記製造方法は、この工程をエッチングにより行うことから、ニッケルクロム膜及び金膜（シード層）だけではなく、マスク層の主要部であるニッケル膜がエッチングにより削られる虞がある。
この結果、上記製造方法は、被エッチング層のエッチング形状を決定付けるマスク層の形状（例えば、開口部の形状など）が、本来の形状から変化してしまうことから、エッチング後の被エッチング層に、形状不良などの不具合が生じる虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる機能素子の製造方法は、基板上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に開口部を有するマスク層を形成する工程と、前記マスク層の露出面の少なくとも一部に、前記マスク層を酸化処理した酸化膜を、前記マスク層の表面粗さＲａ〜１００ｎｍの範囲の膜厚で形成する工程と、前記酸化膜を形成後、前記シード層をエッチングする工程と、前記シード層をエッチング後、前記基板をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、機能素子の製造方法は、基板上にシード層を形成し、シード層上に開口部を有するマスク層を形成し、マスク層の露出面の少なくとも一部に、マスク層を酸化処理した酸化膜を、マスク層の表面粗さＲａ〜１００ｎｍ（０．１μｍ）の範囲の膜厚で形成し、酸化膜を形成後、シード層をエッチングし、シード層をエッチング後、基板（被エッチング層に相当）をエッチングする。
これにより、機能素子の製造方法は、酸化膜の物性によってマスク層が保護され、マスク層のエッチング耐性が向上していることから、シード層のエッチングに起因したマスク層の形状変化を抑制することができる。
この結果、機能素子の製造方法は、形状変化が抑制されたマスク層を用いて基板をエッチングすることから、基板から形成される機能素子における形状不良などの不具合を抑制することができる。
【０００８】
なお、酸化膜は、マスク層の表面粗さＲａ未満の膜厚では、ピンホールなどの成膜不良が発生する虞があり、１００ｎｍを超える膜厚では、成膜の際の膜厚ばらつきが大きくなり、開口部などのマスク形状精度が悪化することから、エッチング後の基板の形状不良率を悪化させる虞がある。
このことから、本機能素子の製造方法では、酸化膜の膜厚をマスク層の表面粗さＲａ〜１００ｎｍの範囲とした。
【０００９】
［適用例２］上記適用例にかかる機能素子の製造方法において、前記酸化膜を、大気中における加熱処理により形成することが好ましい。
【００１０】
これによれば、機能素子の製造方法は、酸化膜を大気中における加熱処理によって形成することから、例えば、マスク層の結晶粒径が増大し結晶粒界が狭まるなどして、マスク層のエッチング耐性を向上させることができる。
また、機能素子の製造方法は、例えば、加熱後の徐冷による焼きなまし効果により、マスク層の内部応力を緩和することができる。
また、機能素子の製造方法は、酸化処理が大気中で可能なことから、例えば、酸化処理を真空中で行う他の方法より酸化処理に要する設備を簡素化できる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例にかかる機能素子の製造方法において、前記酸化膜を、酸素プラズマ処理により形成することが好ましい。
【００１２】
これによれば、機能素子の製造方法は、酸化膜を酸素プラズマ処理によって形成することから、マスク層上の異物が酸素プラズマ処理の清浄作用で除去された清浄な面に、酸化膜を形成することができる。
この結果、機能素子の製造方法は、清浄な面に形成された酸化膜によってマスク層を確実に保護することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例にかかる機能素子の製造方法において、前記シード層は、複数の金属を積層した積層構造であって、前記シード層の最上層は、金層であることが好ましい。
【００１４】
これによれば、機能素子の製造方法は、シード層が複数の金属を積層した積層構造であって、シード層の最上層が金層であることから、マスク層に酸化膜を形成する工程において、金の物性によってシード層が酸化され難くなる。
この結果、機能素子の製造方法は、シード層が酸化されることによりエッチング耐性が向上した場合と比較して、シード層のエッチングを容易に行うことができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例にかかる機能素子の製造方法において、前記マスク層は、ニッケルを含むことが好ましい。
【００１６】
これによれば、機能素子の製造方法は、マスク層がニッケルを含むことから、ニッケルの物性によってマスク層のエッチング耐性（特にドライエッチング耐性）を向上させることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例にかかる機能素子の製造方法において、前記基板のエッチングを、ドライエッチングで行うことが好ましい。
【００１８】
これによれば、機能素子の製造方法は、基板のエッチングをドライエッチングで行うことから、ドライエッチングの特性によって、エッチング後の側面が基板の上下面（表裏面）に対して略直角になるようにエッチングすることができる。
この結果、機能素子の製造方法は、基板から形成される機能素子における形状精度を向上させることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例にかかる機能素子の製造方法において、前記基板は振動板であり、前記機能素子は、振動素子であることが好ましい。
【００２０】
これによれば、機能素子の製造方法は、基板が振動板であり、機能素子が振動素子であることから、形状精度が高く振動特性に優れた振動素子を製造し、提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】機能素子の製造方法の主要な製造工程を示すフローチャート。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、前段の各製造工程を説明する模式断面図。
【図３】（ｅ）〜（ｈ）は、後段の各製造工程を説明する模式断面図。
【図４】機能素子としての振動素子の一例であるＨ型の水晶振動片を説明する模式斜視図であり、（ａ）は駆動振動状態を示し、（ｂ）は検出振動状態を示す。
【図５】図４（ａ）のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線での模式断面図であり、（ａ）はドライエッチングにより形成された断面形状を示し、（ｂ）はウエットエッチングにより形成された断面形状を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
（実施形態）
図１は、機能素子の製造方法の主要な製造工程を示すフローチャートである。図２（ａ）〜図２（ｄ）、図３（ｅ）〜図３（ｈ）は、各製造工程を説明する模式断面図である。図４は、機能素子としての振動素子の一例であるＨ型の水晶振動片を説明する模式斜視図であり、図４（ａ）は、駆動振動状態を示し、図４（ｂ）は、検出振動状態を示す。
なお、わかり易くするために、各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
【００２４】
図１に示すように、機能素子の製造方法は、基板準備工程と、シード層形成工程と、マスク層形成工程と、酸化膜形成工程と、シード層エッチング工程と、基板エッチング工程と、剥離工程と、を含んでいる。
【００２５】
［基板準備工程］
最初に、図２（ａ）に示すように、基板１０を準備する。ここでは、基板としての振動板の一例として、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたウエハー状の水晶板を用意する。ここでは、一例として厚さ１００μｍ程度に研磨された水晶板を用意した。
なお、振動板の材料としては、水晶の他にタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、またはシリコン（Ｓｉ）などの半導体が挙げられる。
また、振動板の他に基板としては、シリコンなどの半導体基板、ガラス基板などが挙げられる。
【００２６】
［シード層形成工程］
ついで、図２（ｂ）に示すように、例えば、スパッタ法、蒸着法などを用いて、基板１０の上面１１にシード層２０を形成する。なお、シード層２０とは、後述するマスク層を形成するための種となる下地層のことである。
ここでは、一例として、シード層２０の下層２１として厚さ５０ｎｍ程度のクロム層またはチタン層を形成し、その上に最上層２２として厚さ５０ｎｍ程度の金層を形成する。
これにより、シード層２０は、複数の金属（ここでは、クロムまたはチタンと、金）を積層した１００ｎｍ程度の厚さの積層構造となる。
【００２７】
［マスク層形成工程］
ついで、図２（ｃ）に示すように、シード層２０上に、例えば、スピンコート法などを用いてレジスト３０を塗布し、硬化後フォトリソグラフィー法などを用いて後述するマスク層４０の平面形状をパターニングし、マスク層４０の開口部４１となる領域（換言すれば、マスク層４０が形成されない被エッチング領域）を残して不要なレジスト３０を除去する。
ついで、シード層２０上の不要なレジスト３０が除去された領域に、例えば、セミアディティブ法などのメッキ法を用いてマスク層４０を形成する。
マスク層４０の材料としては、ニッケル、銅などが挙げられる。ここでは、ニッケルを用いて厚さ１０μｍ程度のマスク層４０を形成する。
ついで、図２（ｄ）に示すように、開口部４１のレジスト３０を剥離剤などを用いて除去し、マスク層４０を完成させる。
【００２８】
［酸化膜形成工程］
ついで、図３（ｅ）に示すように、マスク層４０の露出面の少なくとも一部（ここでは全部）に、マスク層４０を酸化処理した酸化膜５０を、マスク層４０の表面粗さＲａ〜１００ｎｍ（０．１μｍ）の範囲の膜厚で形成する。
酸化膜５０の形成方法としては、特に限定されないが、大気中における加熱処理により形成する方法、酸素プラズマ処理により形成する方法などが挙げられる。
【００２９】
大気中における加熱処理により酸化膜５０を形成する方法は、例えば、加熱炉、恒温槽、乾燥機などの加熱装置に、マスク層形成工程まで済んだ基板１０を投入し、２００℃〜３００℃程度の温度範囲で１時間〜数時間程度加熱することにより酸化膜５０を形成する。なお、酸化膜５０の膜厚は、加熱温度、加熱時間などの調整により適宜設定可能である。
【００３０】
酸素プラズマ処理により酸化膜５０を形成する方法は、例えば、真空度１０-1Ｐａ程度の真空チャンバー内に、マスク層形成工程まで済んだ基板１０を投入し、酸素ガス雰囲気中で酸素プラズマ処理を１０分〜数十分程度行うことにより、酸化膜５０を形成する。なお、酸化膜５０の膜厚は、処理時間、真空度、酸素ガスの濃度、高周波出力、基板１０が載置されるステージ温度などの調整により適宜設定可能である。
これらの形成方法を用いることにより、酸化膜５０は、マスク層４０の角部を含む露出面に略均一の膜厚で形成される。
【００３１】
なお、酸化膜５０の膜厚測定には、例えば、電子顕微鏡（ＳＥＭ）や、ＸＰＳ分析法（別名ＥＳＣＡ）などを用いる。ＸＰＳ分析法とは、Ｘ線照射により、試料から放出される光電子のエネルギー分布を測定し、元素の同定とその化学結合状態の情報を取得して厚みを算出する方法である。
【００３２】
［シード層エッチング工程］
ついで、図３（ｆ）に示すように、酸化膜５０を形成後、シード層２０におけるマスク層４０の開口部４１に露出する部分をエッチングする。
シード層２０の最上層２２である金層のエッチングには、例えば、ヨウ化カリウム、王水（濃塩酸と濃硝酸とを３：１の体積比で混合した液体）などのエッチング液を用いる。
最上層２２の金層のエッチング後、シード層２０の下層２１がクロム層の場合には、例えば、硝酸セリウムなどのエッチング液を用いてエッチングし、チタン層の場合には、例えば、過酸化水素水などのエッチング液を用いてエッチングする。
【００３３】
［基板エッチング工程］
ついで、図３（ｇ）に示すように、シード層２０をエッチング後、基板１０におけるマスク層４０の開口部４１に露出する部分をエッチングする。
エッチングは、ウエットエッチングまたはドライエッチングのいずれを用いてもよいが、ここでは、一例として、ドライエッチングを用いて基板１０をエッチングする。
ドライエッチングでは、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）ガスなどの反応性ガスを用いて基板１０をエッチングする。ここでは、プラズマにより四フッ化炭素（ＣＦ4）ガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチング法を用いた。
【００３４】
このようなドライエッチングでは、エッチングがマスク層４０を覆う酸化膜５０の角部５１を境として基板１０の上面１１に対して略直角方向（略垂直方向）に進行する。
このことから、マスク層４０は、上面の先端部が開口部４１側へせり出すように傾斜して形成されている（換言すれば、断面が逆台形状に形成されている）ことが、エッチング時の基板１０の形状精度を高める上で好ましい（図示せず）。
なお、ドライエッチング用の反応性ガスとしては、上記の他に、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）などのガスが挙げられる。
【００３５】
［剥離工程］
ついで、図３（ｈ）に示すように、マスク層４０及びシード層２０を剥離する。
マスク層４０の剥離には、例えば、硝酸を用い、シード層２０の剥離には、例えば、上述したヨウ化カリウム、王水、硝酸セリウム、過酸化水素水などを用いる。
【００３６】
上述した各工程などを経ることにより、例えば、図４に示すような、機能素子としての振動素子の一例であるＨ型の水晶振動片１を得ることができる。
【００３７】
ここで、水晶振動片１について概略を説明する。なお、図４中のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、互いに直交する座標軸である。
図４に示すように、水晶振動片１は、略矩形状の基部２と、基部２の＋Ｙ側の端部からＹ軸に沿って＋Ｙ側に延びる一対の駆動用振動腕３ａ，３ｂと、基部２の−Ｙ側の端部からＹ軸に沿って−Ｙ側に延びる一対の検出用振動腕４ａ，４ｂと、を備え、振動ジャイロ素子として機能する。
【００３８】
図４（ａ）に示すように、水晶振動片１は、駆動用振動腕３ａ，３ｂに設けられた図示しない駆動電極に駆動信号が印加されることにより、駆動用振動腕３ａ，３ｂが、Ｘ軸に沿って互いに近づく方向（白矢印）と、互いに離れる方向（黒矢印）とに交互に屈曲振動する駆動振動を行う。
図４（ｂ）に示すように、水晶振動片１は、この駆動振動状態で、Ｙ軸回りに角速度ωが印加されると、駆動用振動腕３ａ，３ｂと検出用振動腕４ａ，４ｂとが、Ｚ軸に沿って＋Ｚ方向と−Ｚ方向とに交互に屈曲振動する検出振動を行う。
【００３９】
詳述すると、駆動用振動腕３ａ及び検出用振動腕４ｂが＋Ｚ方向に屈曲すると、駆動用振動腕３ｂ及び検出用振動腕４ａが−Ｚ方向に屈曲し（白矢印）、駆動用振動腕３ａ及び検出用振動腕４ｂが−Ｚ方向に屈曲すると、駆動用振動腕３ｂ及び検出用振動腕４ａが＋Ｚ方向に屈曲する（黒矢印）検出振動を行う。
水晶振動片１は、この検出振動に伴って検出用振動腕４ａ，４ｂに設けられた図示しない検出電極に生じる電荷を検出信号として取り出すことにより、角速度ωを導出することができる。
【００４０】
上述したように、本実施形態の機能素子の製造方法は、基板１０上にシード層２０を形成し、シード層２０上に開口部４１を有するマスク層４０を形成し、マスク層４０の露出面の少なくとも一部（ここでは全部）に、マスク層４０を酸化処理した酸化膜５０を、マスク層４０の表面粗さＲａ〜１００ｎｍの範囲の膜厚で形成する。
そして、酸化膜５０を形成後、シード層２０をエッチングし、シード層２０をエッチング後、基板１０をエッチングする。
【００４１】
これにより、機能素子の製造方法は、酸化膜５０の物性によってマスク層４０が保護され、マスク層４０のエッチング耐性が向上していることから、シード層２０のエッチングに起因したマスク層４０の形状変化を抑制することができる。
この結果、機能素子の製造方法は、形状変化が抑制されたマスク層４０を用いて基板１０をエッチングすることから、基板１０から形成される機能素子（ここでは水晶振動片１）における形状不良などの不具合を抑制することができる。
具体的には、例えば、水晶振動片１の駆動用振動腕３ａ，３ｂ及び検出用振動腕４ａ，４ｂの腕幅や腕長さなどの寸法精度を向上させ、不良率を低減することができる。
【００４２】
なお、酸化膜５０は、マスク層４０の表面粗さＲａ未満の膜厚では、ピンホールなどの成膜不良が発生する虞があり、１００ｎｍを超える膜厚では、成膜の際の膜厚ばらつきが大きくなり、開口部４１などのマスク形状精度が悪化することから、エッチング後の基板１０（水晶振動片１）の形状不良率を悪化させる虞がある。
このことから、本機能素子の製造方法では、酸化膜５０の膜厚をマスク層４０の表面粗さＲａ〜１００ｎｍの範囲とした。
【００４３】
また、機能素子の製造方法は、酸化膜５０を大気中における加熱処理によって形成することから、例えば、マスク層４０を構成するニッケルなどの結晶粒径が増大し、結晶粒界が狭まるなどして、マスク層４０のエッチング耐性（特にドライエッチング耐性）を更に向上させることができる。
具体的には、３００℃で１時間加熱処理した加熱処理品で、常温処理品と比較して、ニッケルのエッチングレートが０．１μｍ／ｍｉｎ低下することが確認されている。これは、エッチング選択比（水晶エッチング量／ニッケルエッチング量）に置き換えると、約１．０向上していることになる。
【００４４】
また、機能素子の製造方法は、例えば、常温放置などの加熱後の徐冷による焼きなまし効果により、マスク層４０の内部応力を緩和することができる。
この結果、機能素子の製造方法は、マスク層４０の歪みが減少することから、マスク層４０のエッチング耐性を更に向上させることができる。
また、機能素子の製造方法は、酸化処理が大気中で可能なことから、例えば、酸化処理を真空中で行う他の方法より酸化処理に要する設備を簡素化できる。
【００４５】
また、機能素子の製造方法は、酸化膜５０を酸素プラズマ処理によって形成することから、マスク層４０上の異物（例えば、有機物など）が、例えば、酸素イオンや酸素ラジカルと結合してマスク層４０から分離するなどの、酸素プラズマ処理の清浄作用で除去された清浄な面に、酸化膜５０を形成することができる。
この結果、機能素子の製造方法は、清浄な面に形成された酸化膜５０によってマスク層４０を確実に保護することができる。
【００４６】
また、機能素子の製造方法は、シード層２０が複数の金属を積層した積層構造であって、シード層２０の最上層２２が金層であることから、マスク層４０に酸化膜５０を形成する酸化膜形成工程において、金の物性によってシード層２０が酸化され難くなる。
この結果、機能素子の製造方法は、シード層２０が酸化されることによりエッチング耐性が向上した場合と比較して、シード層２０のエッチングを容易に行うことができる。
なお、シード層２０の最上層２２は、金層に替えてパラジウム層であっても同様の効果を奏することができる。また、シード層２０は、下層２１または最上層２２のみの単一層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。
【００４７】
また、機能素子の製造方法は、マスク層４０がニッケルを含むことから、ニッケルの物性によってマスク層４０のエッチング耐性（特にドライエッチング耐性）を向上させることができる。
この結果、機能素子の製造方法は、形状変化が更に抑制されたマスク層４０を用いて基板１０をエッチングすることから、基板１０から形成される機能素子（ここでは水晶振動片１）における形状不良などの不具合を更に抑制することができる。
【００４８】
また、機能素子の製造方法は、基板１０のエッチングをドライエッチングで行うことから、ドライエッチングの特性によって、エッチング後の側面が基板１０の上面１１に対して略直角になるようにエッチングすることができる。
この結果、機能素子の製造方法は、基板１０から形成される機能素子としての振動素子の一例である水晶振動片１における形状精度を向上させることができる。
【００４９】
この点について、詳述する。
図５は、図４（ａ）のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線での模式断面図であり、図５（ａ）は、ドライエッチングにより形成された断面形状を示し、図５（ｂ）は、ウエットエッチングにより形成された断面形状を示す。なお、説明の便宜上、駆動用振動腕及び検出用振動腕の断面形状を同一としてある（実際は異なる）。なお、前述した図３（ｈ）は、図５（ａ）に相当する模式断面図である。
図５（ａ）に示すように、ドライエッチングにより形成された水晶振動片１の駆動用振動腕３ａ，３ｂ及び検出用振動腕４ａ，４ｂの断面形状は、両側面が上面１１に対して略直角に形成された四角形形状となっている。
これにより、水晶振動片１は、駆動振動及び検出振動の際に、駆動用振動腕３ａ，３ｂ及び検出用振動腕４ａ，４ｂの、Ｘ軸及びＺ軸以外の方向に沿った振動成分である不要振動成分を抑制することができる。
【００５０】
一方、図５（ｂ）に示すように、ウエットエッチングにより形成された水晶振動片１の駆動用振動腕３ａ，３ｂ及び検出用振動腕４ａ，４ｂの断面形状は、水晶の結晶のエッチング異方性によって、＋Ｘ側の側面が、中央部が＋Ｘ側にせり出すように屈折した複雑な形状となっている。
これにより、水晶振動片１は、駆動振動及び検出振動の際に、駆動用振動腕３ａ，３ｂ及び検出用振動腕４ａ，４ｂの振動成分に不要振動成分が含まれる虞がある。
このように、水晶振動片１を振動ジャイロ素子として用いる場合には、ドライエッチングにより形成することが振動特性上好ましい。
なお、ウエットエッチング加工に起因する不要振動成分は、実使用において問題ない程度に抑制することは可能である。
【００５１】
また、機能素子の製造方法は、基板１０が振動板であり、機能素子が振動素子（ここでは水晶振動片１）であることから、形状精度が高く振動特性に優れた振動素子（水晶振動片１）を製造し、提供することができる。
なお、機能素子としては、振動素子に限定されるものではなく、半導体基板を用いた半導体素子、ガラス基板や半導体基板などを用いたＭＥＭＳ素子なども含まれる。
【符号の説明】
【００５２】
１…機能素子としての振動素子の一例である水晶振動片、２…基部、３ａ，３ｂ…駆動用振動腕、４ａ，４ｂ…検出用振動腕、１０…基板、１１…上面、２０…シード層、２１…下層、２２…最上層、３０…レジスト、４０…マスク層、４１…開口部、５０…酸化膜、５１…角部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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