(57)【要約】      （修正有）【課題】製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１主面及び第２主面を有する絶縁基板１０と、絶縁基板の第１主面側に形成されたスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子に電気的に接続された第１電極ＰＥと、第１電極に対向する第２電極ＣＥと、第１電極と第２電極との間に配置された有機発光層ＯＲＧと、絶縁基板と第１電極との間に配置された反射板ＲＰと、絶縁基板の第２主面を覆う導電膜ＣＤと、を備えた有機ＥＬ装置。【選択図】図２
2015216072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記第１主面側に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に電気的に接続された第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
前記絶縁基板と前記第１電極との間に配置された反射板と、
前記絶縁基板の前記第２主面を覆う導電膜と、
を備えた有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記導電膜は高融点金属を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記導電膜は窒化物によって形成された、請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記絶縁基板は樹脂材料によって形成された、請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
さらに、前記導電膜を覆う絶縁カバーを備えた、請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
支持基板との間に導電膜が介在した状態でマザー基板を配置し、
前記マザー基板の上に、スイッチング素子、反射板、及び、前記スイッチング素子及び前記反射板の上に位置する有機ＥＬ素子を含む表示素子部を形成し、
前記マザー基板から前記支持基板を除去する、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電膜は前記マザー基板の一方の主面に形成され、前記表示素子部は前記マザー基板の他方の主面に形成された、請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、有機ＥＬ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置などの表示装置においては、その製造工程で発生した静電気による静電破壊を防止するために、種々の対策が施されている。静電気対策の一例として、絶縁基板の裏面つまり薄膜トランジスタなどが形成される表面とは反対側の面に透明導電膜を形成する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−１４６４９０号公報
【特許文献２】特開平０８−３３０５９４号公報
【特許文献３】特開平１０−１４９８９０号公報
【特許文献４】特開平１０−２７５７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
第１主面及び第２主面を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第１主面側に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記絶縁基板と前記第１電極との間に配置された反射板と、前記絶縁基板の前記第２主面を覆う導電膜と、を備えた有機ＥＬ装置が提供される。
【０００６】
本実施形態によれば、
支持基板との間に導電膜が介在した状態でマザー基板を配置し、前記マザー基板の上に、スイッチング素子、反射板、及び、前記スイッチング素子及び前記反射板の上に位置する有機ＥＬ素子を含む表示素子部を形成し、前記マザー基板から前記支持基板を除去する、有機ＥＬ装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態における有機ＥＬ装置１の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ装置１に適用可能なアレイ基板ＡＲの構造例を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、有機ＥＬ装置１の製造方法を説明するための図であり、支持基板１００とマザー基板１１０との間に導電膜ＣＤが介在した工程を示す図である。
【図４】図４は、有機ＥＬ装置１の製造方法を説明するための図であり、表示素子部１２１乃至１２３、及び、実装部１３１乃至１３３を形成する工程を示す図である。
【図５】図５は、有機ＥＬ装置１の製造方法を説明するための図であり、マザー基板１１０を割断する工程を示す図である。
【図６】図６は、有機ＥＬ装置１の製造方法を説明するための図であり、実装部１３１に信号供給源３００を実装する工程を示す図である。
【図７】図７は、有機ＥＬ装置１の製造方法を説明するための図であり、マザー基板１１０から支持基板１００を除去する工程を示す図である。
【図８】図８は、有機ＥＬ装置１の他の製造方法を説明するための図であり、導電膜で覆われた支持基板１００の上にマザー基板１１０を配置する工程を示す図である。
【図９】図９は、有機ＥＬ装置１の他の製造方法を説明するための図であり、導電膜で覆われたマザー基板１１０を用意する工程を示す図である。
【図１０】図１０は、有機ＥＬ装置１の他の製造方法を説明するための図であり、表示素子部１２１乃至１２３、及び、実装部１３１乃至１３３を形成する工程を示す図である。
【図１１】図１１は、有機ＥＬ装置１の他の製造方法を説明するための図であり、マザー基板１１０を研磨する工程を示す図である。
【図１２】図１２は、本実施形態における有機ＥＬ装置１の他の構成例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
本実施形態では、有機ＥＬ装置の一例として、有機ＥＬ表示装置について説明する。但し、本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置に限らず、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも適用可能である。
【００１０】
図１は、本実施形態における有機ＥＬ装置１の構成を概略的に示す図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部の構成を模式的に示している。
【００１１】
すなわち、有機ＥＬ装置１は、略矩形平板状の表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬに接続された駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３などを備えている。
【００１２】
表示パネルＰＮＬは、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板ＣＴと、を備えている。これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、充填材が充填されていても良いし、真空状態あるいは不活性ガス雰囲気の空間が形成されていても良い。アレイ基板ＡＲは、後述する有機ＥＬ素子などを備えている。また、アレイ基板ＡＲは、その背面ＡＲＡつまり対向基板ＣＴと対向する面とは反対側の面に、導電膜ＣＤを備えている。対向基板ＣＴは、有機ＥＬ素子を封止する封止基板であっても良いし、有機ＥＬ装置１を組み込んだ電子機器のカバーガラスであっても良い。また、表示パネルＰＮＬは、カバーガラスの表面への物体の接近あるいは接触を検出するタッチパネルを備えていても良い。
【００１３】
このような表示パネルＰＮＬは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、例えば四角形状に形成され、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。各画素ＰＸは、後述するように、赤色画素、緑色画素、及び、青色画素の３種類のサブピクセルによって構成されても良いし、上記の３種類のサブピクセルに加えて、白色画素などを加えた４種類以上のサブピクセルによって構成されても良い。各サブピクセルは、有機ＥＬ素子を備えている。
【００１４】
駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３は、アクティブエリアＡＣＴの外側でアレイ基板ＡＲに実装され、画素ＰＸの駆動に必要な信号を供給する信号供給源として機能する。
【００１５】
図２は、図１に示した有機ＥＬ装置１に適用可能なアレイ基板ＡＲの構造例を概略的に示す断面図である。
【００１６】
アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１絶縁基板１０は、ガラス基板であっても良いし、樹脂基板であっても良い。樹脂基板は、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォンなどの樹脂材料によって形成される。このような第１絶縁基板１０は、第１主面（内面）１０Ａ及び第２主面（外面）１０Ｂを有している。
【００１７】
アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の第１主面１０Ａ側に、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、バンク１５、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３、反射板ＲＰ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３、封止膜２０などを備えている。また、アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂ側に、導電膜ＣＤを備えている。
【００１８】
第１絶縁基板１０の第１主面１０Ａは、第１絶縁膜１１によって覆われている。このような第１絶縁膜１１は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機系材料によって形成され、単層体もしくは積層体によって形成されている。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上に形成されている。スイッチング素子ＳＷ１は青色画素ＰＸＢに配置され、スイッチング素子ＳＷ２は緑色画素ＰＸＧに配置され、スイッチング素子ＳＷ３は赤色画素ＰＸＲに配置されている。これらのスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、例えば、それぞれ半導体層ＳＣを備えた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、いずれも同一構造であるが、ここでは、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより具体的に説明する。
【００２０】
図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１は、トップゲート型であり、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成された半導体層ＳＣを備えている。なお、半導体層ＳＣは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）や酸化物半導体などによって形成されても良い。また、スイッチング素子ＳＷ１は、ボトムゲート型であっても良い。但し、スイッチング素子として適用されるトップゲート型の薄膜トランジスタは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタと比較して、寄生容量が低減できるメリットを有しており、好適である。
【００２１】
半導体層ＳＣは、チャネル領域ＳＣＣと、チャネル領域ＳＣＣより多くの不純物を含む第１不純物領域ＳＣ１及び第２不純物領域ＳＣ２と、を有している。チャネル領域ＳＣＣは、第１不純物領域ＳＣ１と第２不純物領域ＳＣ２との間に位置している。また、チャネル領域ＳＣＣは、第１不純物領域ＳＣ１及び第２不純物領域ＳＣ２よりも高抵抗の領域に相当する。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に形成され、第２絶縁膜１２によって覆われている。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１２は、シリコン酸化物などの無機系材料によって形成されている。
【００２２】
スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、チャネル領域ＳＣＣの直上に位置している。このようなゲート電極ＷＧは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属材料或いはこれらの金属材料を含む合金等によって形成され、一例では、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）によって形成されている。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１３は、シリコン窒化物やシリコン酸化物などの無機系材料によって形成されている。
【００２３】
スイッチング素子ＳＷ１の第１電極ＷＥ１及び第２電極ＷＥ２は、第３絶縁膜１３の上に形成されている。第１電極ＷＥ１は半導体層ＳＣの第１不純物領域ＳＣ１に電気的に接続され、第２電極ＷＥ２は半導体層ＳＣの第２不純物領域ＳＣ２に電気的に接続されている。このような第１電極ＷＥ１及び第２電極ＷＥ２は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属材料或いはこれらの金属材料を含む合金等によって形成され、一例では、アルミニウム及びチタンの積層体によって形成されている。第１電極ＷＥ１及び第２電極ＷＥ２は、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えばアクリル樹脂などの樹脂材料によって形成されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、青色画素ＰＸＢに配置され、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、緑色画素ＰＸＧに配置され、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、赤色画素ＰＸＲに配置され、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。これらの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、封止膜２０の側に向かって発光するトップエミッションタイプの自発光素子であり、例えばそれぞれ異なる色に発光する。
【００２５】
バンク１５は、第４絶縁膜１４の上に形成され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を区画している。バンク１５については、詳述していないが、例えば、第４絶縁膜１４の上において格子状またはストライプ状に形成されている。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極（第１電極）ＰＥ１と、画素電極ＰＥ１と対向する共通電極（第２電極）ＣＥと、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に配置された有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）と、を備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、画素電極ＰＥ２と、画素電極ＰＥ２と対向する共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥ２と共通電極ＣＥとの間に配置された有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）と、を備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、画素電極ＰＥ３と、画素電極ＰＥ３と対向する共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥ３と共通電極ＣＥとの間に配置された有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）と、を備えている。
【００２７】
画素電極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。画素電極ＰＥ２は、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続されている。画素電極ＰＥ３は、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３のそれぞれのエッジは、バンク１５によってカバーされている。このような画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。
【００２８】
反射板ＲＰは、第１絶縁基板１０と画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３との間に配置されている。図示した例では、反射板ＲＰは、第４絶縁膜１４の上に形成され、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３のそれぞれと重なっている。このような反射板ＲＰは、例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）などの高反射率の金属材料によって形成されている。なお、反射板ＲＰは、第１絶縁基板１０と画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３との間の何れの位置に配置されても良いが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３からの放射光がスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３に到達することによるスイッチング素子ＳＷ１乃至３の誤動作等を防止するためには、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３により近い位置に配置されることが望ましく、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３をカバーするように配置されることがより望ましい。
【００２９】
有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）は、青色に発光するドーパント材料を含んでいる。有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）は、緑色に発光するドーパント材料を含んでいる。有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）は、赤色に発光するドーパント材料を含んでいる。有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）は、いずれもバンク１５の上で途切れている。
【００３０】
共通電極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成され、有機発光層から露出したバンク１５の上も覆っている。このような共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。また、共通電極ＣＥは、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）などの半透過膜として形成されても良い。
【００３１】
なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３において、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の各々と有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）との間には、さらに、ホール注入層やホール輸送層などが介在していても良いし、また、有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）と共通電極ＣＥとの間には、さらに、電子注入層や電子輸送層などが介在していても良い。
【００３２】
封止膜２０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を封止している。封止膜２０は、水分や酸素などから有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を保護する。このような封止膜２０は、例えば、無機系材料によって形成された無機薄膜と、有機系材料によって形成された有機薄膜とを交互に積層した積層体によって形成されている。
【００３３】
導電膜ＣＤは、アレイ基板ＡＲの背面つまり第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂを覆っている。この導電膜ＣＤの材料としては、例えば各種の金属、金属化合物、合金、導電性有機物、或いはＩＴＯ等の透明な導電材料を用いることができる。一例として、導電膜ＣＤは、高融点金属を含む材料によって形成可能である。より具体的には、導電膜ＣＤは、高融点金属の窒化物或いは酸化物によって形成可能である。高融点金属としては、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブ、あるいはこれらの合金などが挙げられる。導電膜ＣＤが高融点金属を含む材料によって形成されることにより、高温環境下で実施される製造工程においても導電膜ＣＤの溶融や変形を防ぐことができる。なお、一般に、窒化物の方が酸化物に比べて導電性に優れる。また、酸化物は、例えば水素などのガスと反応し易いためにアレイ基板ＡＲの製造工程における各種のプロセスに影響を与え得る。これらの観点に基づいた場合、導電膜ＣＤは、高融点金属の窒化物であることが好ましい。
【００３４】
このような有機ＥＬ装置１によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光が封止膜２０を介して外部に出射される。青色画素ＰＸＢにおいては有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１からは青色光が出射され、緑色画素ＰＸＧにおいては有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２からは緑色光が出射され、赤色画素ＰＸＲにおいては有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３からは赤色光が出射される。これにより、カラー表示が実現される。
【００３５】
なお、アレイ基板ＡＲは、上記の構造例に限定されるものではない。例えば、画素ＰＸがサブピクセルとしてさらに白色画素を備える場合には、白色画素は、白色に発光する有機層を有する有機ＥＬ素子を備えていても良いし、上記の３種類の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を備えた構成であっても良い。
【００３６】
また、アレイ基板ＡＲは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成され且つ白色に発光する有機発光層を適用しても良い。このようなアレイ基板ＡＲに対しては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に対向するカラーフィルタを組み合わせることでカラー表示が実現可能となる。
【００３７】
次に、上記の有機ＥＬ装置１の製造方法について、図３乃至図７を参照しながら説明する。
【００３８】
まず、図３に示すように、支持基板１００との間に導電膜ＣＤが介在した状態でマザー基板１１０を配置する。支持基板１００は、例えば、ガラス基板である。マザー基板１１０は、上記の第１絶縁基板１０に相当するものであり、ガラス基板であっても良いし、樹脂基板であっても良い。導電膜ＣＤは、例えば、マザー基板１１０の一方の主面１１０Ｂに成膜されたものであるが、支持基板１００の一方の主面１００Ａに成膜されたものであっても良いし、支持基板１００とマザー基板１１０との間に挟持されたものであっても良い。
【００３９】
続いて、図４に示すように、マザー基板１１０の他方の主面１１０Ａに表示素子部１２１乃至１２３を形成する。例えば、マザー基板１１０の上の第１領域Ａ１に表示素子部１２１を形成し、マザー基板１１０の上の第２領域Ａ２に表示素子部１２２を形成し、マザー基板１１０の上の第３領域Ａ３に表示素子部１２３を形成する。また、マザー基板１１０の上には、表示素子部１２１乃至１２３を形成する過程で、実装部１３１乃至１３３も同時に形成する。第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び、第３領域Ａ３は、互いに離間しており、マザー基板１１０を割断した後の各チップにおいてアクティブエリアに相当するものである。表示素子部１２１乃至１２３は、いずれも同一構造であり、それぞれマトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子などを備えている。また、実装部１３１乃至１３３は、いずれも同一構造であり、後に、駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３などの信号供給源が実装されるパッドなどを備えている。
【００４０】
表示素子部１２１乃至１２３は、それぞれ以下のようにして形成される。すなわち、マザー基板１１０の上に第１絶縁膜１１を形成し、第１絶縁膜１１の上にスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４などを形成する。これらのスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３を形成する過程で、同時に、各種配線も形成する。そして、第４絶縁膜１４の上に反射板ＲＰを形成し、その後に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３、バンク１５、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の有機発光層ＯＲＧ、共通電極ＣＥ、封止膜２０などを順次形成する。その後、表示素子部１２１乃至１２３に対向基板を貼り合せる場合もあるが、ここでは対向基板の説明を省略する。
【００４１】
なお、有機発光層ＯＲＧ（Ｂ）、有機発光層ＯＲＧ（Ｇ）、及び、有機発光層ＯＲＧ（Ｒ）をそれぞれ個別に形成する工程では、これらの有機発光層が高分子系材料を選択して形成される場合には、インクジェット法などの手法が適用され、また、これらの有機発光層が低分子系材料を選択して形成される場合には、蒸着法などの手法が適用される。
【００４２】
続いて、図５に示すように、マザー基板１１０を割断する。図示した例では、実装部１３１と表示素子部１２２との間、及び、実装部１３２と表示素子部１２３との間で、それぞれマザー基板１１０とともに支持基板１００を割断する。これにより、表示素子部１２１及び実装部１３１を備えたチップＣ１と、表示素子部１２２及び実装部１３２を備えたチップＣ２と、表示素子部１２３及び実装部１３３を備えたチップＣ３とに分離される。
【００４３】
続いて、図６に示すように、分離したチップＣ１について、実装部１３１に信号供給源３００を実装する。このとき、支持基板１００が残っているため、信号供給源３００を実装する際に印加される押圧力に対して、チップＣ１の支持強度を十分に確保することができる。なお、詳述しないが、チップＣ１と同様に、チップＣ２の実装部１３２及びチップＣ３の実装部１３３にもそれぞれ信号供給源を実装する。
【００４４】
続いて、図６のチップＣ１について、図７に示すように、マザー基板１１０から支持基板１００を除去する。製造過程でマザー基板１１０が支持基板１００に対して固定されている場合には、マザー基板１１０から支持基板１００を除去する手法として、レーザーアブレーションやサーマルラピッドアニールなどの手法が適用可能であるが、これらの手法に限定されるものではない。図示した例では、支持基板１００が除去されたマザー基板１１０の一方の主面１１０Ｂは、導電膜ＣＤによって覆われている。これにより、図１及び図２に示した構造例の有機ＥＬ装置１が製造される。同様に、他のチップＣ２及びＣ３についても、それぞれマザー基板１１０から支持基板１００を除去する。
【００４５】
以上説明した有機ＥＬ装置の製造過程においては、マザー基板と各種の製造装置或いは搬送機構等との接触時、摩擦時、剥離時、或いはプラズマＣＶＤ等のプラズマ工程の実施時に静電気が生じやすい。このような静電気がマザー基板において局所的に蓄積すると、その部分の近傍に形成されたスイッチング素子や各種配線が静電破壊を起こす恐れがある。特に、近年では、有機ＥＬ装置の小型化あるいは高精細化が検討されており、スイッチング素子などの各種回路が小型化され、また、各種配線も細線化される傾向にある。このため、各種回路や各種配線は、その容量が小さいため、静電気の侵入によって静電破壊されやすい。
【００４６】
本実施形態によれば、有機ＥＬ装置１の製造過程において生じた静電気によりマザー基板１１０が帯電したとしても、マザー基板１１０に接する導電膜ＣＤが存在するため、製造過程で生じる上記の静電気が導電膜ＣＤにて分散する。したがって、静電気が局所的に蓄積することがなくなり、各種回路や各種配線の静電破壊を抑制することが可能となる。これにより、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００４７】
また、導電膜ＣＤは、マザー基板１１０を割断して切り出される第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂを覆っている。このため、製造された有機ＥＬ装置１によれば、アレイ基板ＡＲで生じた熱が導電膜ＣＤに伝導し、拡散するため、アレイ基板ＡＲの放熱性を向上することが可能となる。
【００４８】
また、第１絶縁基板１０の第１主面１０Ａ側に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１絶縁基板１０との間に反射板ＲＰを備えたトップエミッションタイプである。このため、第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂを覆う導電膜ＣＤの他に反射板を備えずに当該導電膜ＣＤを反射板として適用する構成例と比較して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤからの放射光が反射板ＲＰによって反射され、放射光のスイッチング素子への到達を抑制することが可能となる。これにより、放射光がスイッチング素子に到達することによるスイッチング素子の誤動作を抑制することが可能となる。
【００４９】
また、第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂを覆う導電膜ＣＤとして、透湿性の低い材料を選択することにより、たとえ第１絶縁基板１０を樹脂材料で形成したとしても、第１絶縁基板１０への水分の侵入を抑制することが可能となり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの水分による劣化を抑制することが可能となる。
【００５０】
なお、上記の図７を参照して説明したマザー基板１１０から支持基板１００を除去する工程では、マザー基板１１０の一方の主面１１０Ｂが導電膜ＣＤによって覆われる例について説明したが、導電膜ＣＤは、支持基板１００とともにマザー基板１１０から除去されても良い。この場合、製造された有機ＥＬ装置１には導電膜ＣＤは残らない。このような導電膜ＣＤを備えていない有機ＥＬ装置１においても、その製造過程において支持基板１００とマザー基板１１０との間に導電膜ＣＤが介在することにより、製造過程で生じる静電気が導電膜ＣＤによって分散される。このため、上記の製造方法と同様に、各種回路や各種配線の静電破壊を抑制することが可能となり、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００５１】
次に、有機ＥＬ装置１の他の製造方法について説明する。
【００５２】
図８に示した例は、図３に示した例と比較して、支持基板１００の他方の主面１００Ｂが導電膜ＣＤによって覆われ、支持基板１００の一方の主面１００Ａにマザー基板１１０を配置した点で相違している。支持基板１００は、例えば、ガラス基板であり、マザー基板１１０は、ガラス基板であっても良いし樹脂基板であっても良い。
【００５３】
そして、マザー基板１１０の上の第１領域Ａ１に表示素子部１２１を形成し、マザー基板１１０の上の第２領域Ａ２に表示素子部１２２を形成し、マザー基板１１０の上の第３領域Ａ３に表示素子部１２３を形成する。また、マザー基板１１０の上には、表示素子部１２１乃至１２３を形成する過程で、実装部１３１乃至１３３も同時に形成する。
【００５４】
その後の工程については、図５乃至図７を参照して説明した通りである。
【００５５】
このような製造方法によって製造された有機ＥＬ装置１には導電膜ＣＤは残らない。但し、この有機ＥＬ装置１の製造過程において支持基板１００の他方の主面１００Ｂが導電膜ＣＤによって覆われているため、製造過程で生じる静電気が導電膜ＣＤによって分散される。このため、上記の製造方法と同様に、各種回路や各種配線の静電破壊を抑制することが可能となり、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００５６】
次に、有機ＥＬ装置１の他の製造方法について説明する。
【００５７】
ここで説明する製造方法は、マザー基板１１０として比較的厚い厚さを有するガラス基板を適用するものであって、後にマザー基板１１０を研磨する工程を含むものである。
【００５８】
まず、図９に示すように、一方の主面１１０Ｂが導電膜ＣＤによって覆われたマザー基板１１０を用意する。このマザー基板１１０は、ガラス基板であり、例えば１ｍｍ以下の厚さＴ１を有する。一例として、マザー基板１１０の厚さＴ１は、０．５ｍｍである。
【００５９】
続いて、図１０に示すように、マザー基板１１０の他方の主面１１０Ａに表示素子部１２１乃至１２３、及び、実装部１３１乃至１３３を形成する。表示素子部及び実装部の形成工程については、図４を参照して説明した通りである。
【００６０】
続いて、図１１に示すように、マザー基板１１０が所定の厚さとなるように、マザー基板１１０の一方の主面１１０Ｂを研磨する。一例として、マザー基板１１０は、ケミカルエッチングによって研磨される。この研磨は、例えば、フッ化水素の質量パーセント濃度が１０％以上のフッ酸水溶液をエッチング液として用いたエッチングにより行う。
【００６１】
すなわち、この研磨で用いられるフッ酸水溶液により先ず導電膜ＣＤが浸食されて、導電膜ＣＤが除去される。次いで、このフッ酸水溶液により、マザー基板１１０が厚さＴ２となるまで主面１１０Ｂの側から浸食される。このような研磨後のマザー基板１１０の厚さＴ２は、一例として、約０．１５ｍｍである。
【００６２】
その後は、図５に示した例と同様に、マザー基板１１０を割断し、複数のチップに分離される。そして、図６に示した例と同様に、各チップにおいて、実装部に信号供給源を実装する。これにより、有機ＥＬ装置１が製造される。
【００６３】
このような製造方法によって製造された有機ＥＬ装置１には導電膜ＣＤは残らない。すなわち、導電膜ＣＤは、表示素子部等が形成された後のマザー基板１１０の研磨工程で除去される。換言すると、導電膜ＣＤは、表示素子部等が形成される過程では存在している。このため、表示素子部等の製造過程で生じる静電気が導電膜ＣＤによって分散され、各種回路や各種配線の静電破壊を抑制することが可能となる。
【００６４】
静電破壊は、表示素子部等の製造過程のうち、島状に形成された電極や配線がそれぞれフローティング状態である場合に極めて発生しやすい。つまり、表示素子部等が形成された段階では、スイッチング素子がゲート配線及びソース配線と電気的に接続された状態となるため、電荷が分散しやすくなる。また、表示素子部が形成された段階では、静電気から表示素子部を保護するためのショートリングが形成される場合もあり、極めて静電破壊が起こりにくい状態となる。このため、表示素子部等が形成された後に、導電膜ＣＤが除去されたとしても、静電破壊による歩留まりの低下は抑制される。
【００６５】
次に、本実施形態における有機ＥＬ装置１の他の構成例について説明する。
【００６６】
図１２は、本実施形態における有機ＥＬ装置１の他の構成例を概略的に示す図である。
【００６７】
ここに示した有機ＥＬ装置１は、図１に示した構成例と比較して、導電膜ＣＤを覆う絶縁カバーＣＶを備えた点で相違している。
【００６８】
すなわち、絶縁カバーＣＶは、アレイ基板ＡＲの背面ＡＲＡに面した導電膜ＣＤに重なっている。図示した例では、絶縁カバーＣＶは、導電膜ＣＤの四方の端面を露出しているが、この例に限らず、導電膜ＣＤのすべての端面を覆うように配置されても良い。このような絶縁カバーＣＶは、無機系材料によって形成された無機薄膜であっても良いし、有機系材料によって形成された有機薄膜であっても良いし、これらの積層体であっても良い。
【００６９】
このような構成例によれば、上記の構成例と同様の効果が得られるのに加えて、導電膜ＣＤを備えた有機ＥＬ装置１を電子機器に組み込んだ際に、電子機器内の配線や回路と導電膜ＣＤが接触することによるショートを防止することが可能となる。特に、近年では、電子機器が薄型化される傾向にある。このため、有機ＥＬ装置１を電子機器に組み込んだ際に、有機ＥＬ装置１と電子機器内の配線や回路との間に十分な距離をおいて配置することが困難となったとしても、電子機器の薄型化を阻害することなく、導電膜ＣＤが接触することによるショートを防止することが可能となる。
【００７０】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することができる。
【００７１】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７２】
１…有機ＥＬ装置
ＡＲ…アレイ基板  ＲＰ…反射板  ＳＷ…スイッチング素子  ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極  ＯＲＧ…有機発光層  ＣＥ…共通電極
１５…バンク  ２０…封止膜
ＣＤ…導電膜
１００…支持基板  １１０…マザー基板
１２１乃至１２３…表示素子部  １３１乃至１３３…実装部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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