(57)【要約】【課題】給電のための制御を行うことなく、積極的に漏れ交番磁界を低減させることができる非接触給電装置及び非接触給電装置の漏れ磁界測定方法を提供する。【解決手段】システム制御部４０は、第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２が漏れ交番磁界を検知して、第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２から第１及び第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ１，ＳＮ２を入力する。システム制御部４０は、第１及び第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ１，ＳＮ２に基づいて、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２が検知した漏れ交番磁界と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の漏れ磁界低減用の高周波電流を第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２に生成させる。第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２は、その生成した漏れ磁界低減用の高周波電流にて第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２を通電させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電用の高周波電流が通電されて給電用の交番磁界を放射する１次コイルに電気機器が配置されたとき、前記１次コイルが前記交番磁界を放射して電磁誘導にて前記電気機器に設けた受電装置の２次コイルに２次電力を発生させるようにした非接触給電装置であって、
前記給電用の交番磁界の一部が外部に漏れる漏れ交番磁界を検知し漏れ検知信号として出力する１つ以上の漏れ磁界検知コイルと、
前記漏れ交番磁界を低減させる漏れ磁界低減用の交番磁界を発生する１つ以上の漏れ磁界低減コイルと、
前記漏れ検知信号に基づいて前記漏れ交番磁界を相殺して低減させるための前記漏れ磁界低減用の交番磁界を発生させる漏れ磁界低減用の高周波電流を演算し、その演算した漏れ磁界低減用の高周波電流にて前記１つ以上の漏れ磁界低減コイルを通電し、前記１つ以上の漏れ磁界低減コイルから漏れ磁界低減用の交番磁界を放射させる制御手段と
を有したことを特徴とする非接触給電装置。
【請求項２】
請求項１に記載の非接触給電装置において、
前記１次コイルは、１次元方向又は２次元方向に複数設けられ、
前記漏れ磁界検知コイルは、前記１次元方向又は２次元方向に複数設けられた１次コイルからの放射する交番磁界の漏れ交番磁界を検知し、
前記漏れ磁界低減コイルは、前記１次元方向又は２次元方向に複数設けられた１次コイルからの放射する交番磁界の漏れ交番磁界を低減させる漏れ磁界低減用の交番磁界を発生し、
前記制御手段は、前記各漏れ磁界検知コイルからの漏れ検知信号に基づいて、前記漏れ磁界低減コイルに対して、前記漏れ磁界低減用の高周波電流を演算し、その演算した漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電することを特徴とする非接触給電装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の非接触給電装置において、
前記１次コイルは、１次元方向又は２次元方向に複数設けられ、
前記漏れ磁界検知コイルは、前記複数の１次コイルの中の前記給電用の高周波電流が通電されていない１次コイルであり、
前記漏れ磁界低減コイルは、前記複数の１次コイルの中の前記給電用の高周波電流が通電されていない１次コイルであって、かつ、前記漏れ磁界検知コイルとして使用されていない１次コイルであり、
前記制御手段は、前記漏れ磁界検知コイルとして使用される前記１次コイルに対して前記漏れ検知信号を取得して前記漏れ磁界低減用の高周波電流を演算するとともに、前記漏れ磁界低減コイルとして使用される前記１次コイルに対して前記演算した漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電することを特徴とする非接触給電装置。
【請求項４】
請求項３に記載の非接触給電装置において、
前記漏れ磁界検知コイルは、前記給電用の高周波電流が通電されている１次コイルに隣接した１次コイルであり、
前記漏れ磁界低減コイルは、前記漏れ磁界検知コイルとして使用されている１次コイルに隣接した１次コイルであることを特徴とする非接触給電装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の非接触給電装置において、
前記制御手段は、
前記漏れ磁界検知コイルからの漏れ検知信号を入力し、前記漏れ検知信号から前記漏れ交番磁界の周波数と強度レベルを抽出し、漏れ磁界抽出信号として出力する漏れ磁界信号抽出回路と、
前記漏れ磁界低減コイルに通電する前記漏れ磁界低減用の高周波電流を生成する漏れ磁界低減回路と、
前記漏れ磁界信号抽出回路の漏れ磁界抽出信号に基づいて、前記漏れ交番磁界と強度レベルが同レベルで、かつ、位相が１８０度ずれている周波数の漏れ磁界低減用の交番磁界を放射させる漏れ磁界低減用の高周波電流を生成させるための制御信号を前記漏れ磁界低減回路に出力する制御部と
を有したことを特徴とする非接触給電装置。
【請求項６】
請求項５に記載の非接触給電装置において、
前記漏れ磁界信号抽出回路は、前記漏れ検知信号から予め定めた１つの前記漏れ交番磁界の周波数成分を取得するフィルタ回路を有し、前記フィルタ回路にて取得した周波数成分の漏れ交番磁界の強度レベルを抽出するようにしたことを特徴とする非接触給電装置。
【請求項７】
請求項５に記載の非接触給電装置において、
前記漏れ磁界信号抽出回路は、前記漏れ検知信号から予め定めた複数の漏れ交番磁界の周波数成分を取得するフィルタ回路を有し、前記複数のフィルタ回路にてそれぞれ取得した周波数成分の漏れ交番磁界のうち最も大きい強度レベルの漏れ交番磁界を抽出するようにしたことを特徴とする非接触給電装置。
【請求項８】
請求項５に記載の非接触給電装置において、
前記漏れ磁界信号抽出回路は、可変フィルタ回路を有し、前記可変フィルタ回路にて最も大きい強度レベルの漏れ交番磁界の周波数成分を抽出するようにしたことを特徴とする非接触給電装置。
【請求項９】
給電用の高周波電流が通電されて給電用の交番磁界を放射する１次コイルに電気機器が配置されたとき、前記１次コイルが前記交番磁界を放射して電磁誘導にて前記電気機器に設けた受電装置の２次コイルに２次電力を発生させるようにした非接触給電装置の漏れ交番磁界測定方法であって、
前記給電用の交番磁界の一部が外部に漏れる漏れ交番磁界を検知し漏れ検知信号として出力する１つ以上の漏れ磁界検知コイルを、前記１次コイルから予め定めた距離だけ離間した位置に設け、
前記漏れ検知信号を漏れ磁界信号抽出回路に出力し、前記漏れ磁界信号抽出回路にて前記漏れ検知信号から前記漏れ交番磁界の強度レベルを抽出することを特徴とする非接触給電装置の漏れ磁界測定方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の非接触給電装置の漏れ磁界測定方法において、
前記１つ以上の漏れ磁界検知コイルは、非接触給電装置側又は受電装置側に設けられ、受電装置側に設けたときには、非接触給電装置と受電装置に設けた通信手段を介して、受電装置側に設けた漏れ磁界検知コイルの漏れ検知信号を非接触給電装置側に設けた磁界信号抽出回路に出力することを特徴とする非接触給電装置の漏れ磁界測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触給電装置及び非接触給電装置の漏れ磁界測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電磁誘導方式の非接触給電装置は、給電中の１次コイルから放射される交番磁界の一部が漏れ、周囲に不要なノイズをまき散らすのを防止する対策として金属板や電磁シールドを周囲に施したものがある。
【０００３】
また、特許文献１において、給電コイルの周囲に複数の漏れ磁束検知コイルに配置する。複数の漏れ磁束検知コイルの検知結果に基づいて、給電コイルと給電を受ける携帯端末等の電気機器とのずれを把握する。そして、給電コイルと給電を受ける電気機器とのずれに応じた制御して漏れ磁束を減らした効率のよい給電を行う給電方法が提案されている。
【０００４】
また、特許文献２において、送信側コイルを２つ重ねる。そして、両送信側コイルに流す送信電流の位相を変えることで、不要な漏れ磁束を減らして受信コイルに対して効率よい給電を行う給電方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５１２１３０７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１７２４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、複数の漏れ磁束検知コイルの検知結果に応じて給電コイルに対する制御量を変更しなければならなかった。しかも、積極的に漏れ磁束を減らすものではないことから給電能力を増大させた非接触給電装置おいては交番磁界が強くなり漏れ磁束を抑えることは難しかった。
【０００７】
また、特許文献２では、２つの送信側コイルに流す送信電流の位相を調整することから、給電性自体が劣化し、給電能力を増大させるのに問題があった。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、給電のための制御を行うことなく、積極的に漏れ交番磁界を低減させることができる非接触給電装置及び非接触給電装置の漏れ磁界測定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための非接触給電装置は、給電用の高周波電流が通電されて給電用の交番磁界を放射する１次コイルに電気機器が配置されたとき、前記１次コイルが前記交番磁界を放射して電磁誘導にて前記電気機器に設けた受電装置の２次コイルに２次電力を発生させるようにした非接触給電装置であって、前記給電用の交番磁界の一部が外部に漏れる漏れ交番磁界を検知し漏れ検知信号として出力する１つ以上の漏れ磁界検知コイルと、前記漏れ交番磁界を低減させる漏れ磁界低減用の交番磁界を発生する１つ以上の漏れ磁界低減コイルと、前記漏れ検知信号に基づいて前記漏れ交番磁界を相殺して低減させるための前記漏れ磁界低減用の交番磁界を発生させる漏れ磁界低減用の高周波電流を演算し、その演算した漏れ磁界低減用の高周波電流にて前記１つ以上の漏れ磁界低減コイルを通電し、前記１つ以上の漏れ磁界低減コイルから漏れ磁界低減用の交番磁界を放射させる制御手段とを有したことを特徴とする。
【０００９】
また、上記構成において、前記１次コイルは、１次元方向又は２次元方向に複数設けられ、前記漏れ磁界検知コイルは、前記１次元方向又は２次元方向に複数設けられた１次コイルからの放射する交番磁界の漏れ交番磁界を検知し、前記漏れ磁界低減コイルは、前記１次元方向又は２次元方向に複数設けられた１次コイルからの放射する交番磁界の漏れ交番磁界を低減させる漏れ磁界低減用の交番磁界を発生し、前記制御手段は、前記各漏れ磁界検知コイルからの漏れ検知信号に基づいて、前記漏れ磁界低減コイルに対して、前記漏れ磁界低減用の高周波電流を演算し、その演算した漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電することが好ましい。
【００１０】
また、上記構成において、前記１次コイルは、１次元方向又は２次元方向に複数設けられ、前記漏れ磁界検知コイルは、前記複数の１次コイルの中の前記給電用の高周波電流が通電されていない１次コイルであり、前記漏れ磁界低減コイルは、前記複数の１次コイルの中の前記給電用の高周波電流が通電されていない１次コイルであって、かつ、前記漏れ磁界検知コイルとして使用されていない１次コイルであり、前記制御手段は、前記漏れ磁界検知コイルとして使用される前記１次コイルに対して前記漏れ検知信号を取得して前記漏れ磁界低減用の高周波電流を演算するとともに、前記漏れ磁界低減コイルとして使用される前記１次コイルに対して前記演算した漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電することが好ましい。
【００１１】
また、上記構成において、前記漏れ磁界検知コイルは、前記給電用の高周波電流が通電されている１次コイルに隣接した１次コイルであり、前記漏れ磁界低減コイルは、前記漏れ磁界検知コイルとして使用されている１次コイルに隣接した１次コイルであることが好ましい。
【００１２】
また、上記構成において、前記制御手段は、前記漏れ磁界検知コイルからの漏れ検知信号を入力し、前記漏れ検知信号から前記漏れ交番磁界の周波数と強度レベルを抽出し、漏れ磁界抽出信号として出力する漏れ磁界信号抽出回路と、前記漏れ磁界低減コイルに通電する前記漏れ磁界低減用の高周波電流を生成する漏れ磁界低減回路と、前記漏れ磁界信号抽出回路の漏れ磁界抽出信号に基づいて、前記漏れ交番磁界と強度レベルが同レベルで、かつ、位相が１８０度ずれている周波数の漏れ磁界低減用の交番磁界を放射させる漏れ磁界低減用の高周波電流を生成させるための制御信号を前記漏れ磁界低減回路に出力する制御部と有したことが好ましい。
【００１３】
また、上記構成において、前記漏れ磁界信号抽出回路は、前記漏れ検知信号から予め定めた１つの前記漏れ交番磁界の周波数成分を取得するフィルタ回路を有し、前記フィルタ回路にて取得した周波数成分の漏れ交番磁界の強度レベルを抽出するようにしたことが好ましい。
【００１４】
また、上記構成において、前記漏れ磁界信号抽出回路は、前記漏れ検知信号から予め定めた複数の漏れ交番磁界の周波数成分を取得するフィルタ回路を有し、前記複数のフィルタ回路にてそれぞれ取得した周波数成分の漏れ交番磁界のうち最も大きい強度レベルの漏れ交番磁界を抽出するようにしたことが好ましい。
【００１５】
また、上記構成において、前記漏れ磁界信号抽出回路は、可変フィルタ回路を有し、前記可変フィルタ回路にて最も大きい強度レベルの漏れ交番磁界の周波数成分を抽出するようにしたことが好ましい。
【００１６】
上記課題を解決するための非接触給電装置の漏れ交番磁界測定方法は、給電用の高周波電流が通電されて給電用の交番磁界を放射する１次コイルに電気機器が配置されたとき、前記１次コイルが前記交番磁界を放射して電磁誘導にて前記電気機器に設けた受電装置の２次コイルに２次電力を発生させるようにした非接触給電装置の漏れ交番磁界測定方法であって、前記給電用の交番磁界の一部が外部に漏れる漏れ交番磁界を検知し漏れ検知信号として出力する１つ以上の漏れ磁界検知コイルを、前記１次コイルから予め定めた距離だけ離間した位置に設け、前記漏れ検知信号を漏れ磁界信号抽出回路に出力し、前記漏れ磁界信号抽出回路にて前記漏れ検知信号から前記漏れ交番磁界の強度レベルを抽出することを特徴とする。
【００１７】
また、上記構成において、前記１つ以上の漏れ磁界検知コイルは、非接触給電装置側又は受電装置側に設けられ、受電装置側に設けたときには、非接触給電装置と受電装置に設けた通信手段を介して、受電装置側に設けた漏れ磁界検知コイルの漏れ検知信号を非接触給電装置側に設けた磁界信号抽出回路に出力することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、給電のための制御を行うことなく、積極的に漏れ交番磁界を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態を説明するための非接触給電装置と電気機器を示す全体斜視図。
【図２】同じく、給電エリアに設けた１次コイル、第１及び第２漏れ磁界検知コイル、第１及び第２漏れ磁界低減コイルの配置状態を示す説明図。
【図３】同じく、非接触給電装置と電気機器の電気ブロック回路図。
【図４】同じく、給電ユニット回路を説明するための電気ブロック回路図。
【図５】同じく、インバータ回路を説明するための電気回路図。
【図６】第２実施形態を説明するための非接触給電装置の電気ブロック回路図。
【図７】同じく、第１及び第２選択スイッチ回路の電気回路図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、非接触給電装置の第１実施形態を図面に従って説明する。
図１は、非接触給電装置（以下、給電装置という）１とその給電装置１から非接触給電を受ける電気機器（以下、機器という）Ｅの全体斜視図を示す。
【００２１】
給電装置１は、一方向に長い筐体２を有し、その上面が平面であって機器Ｅを載置する載置面３を形成している。載置面３は、長手方向に複数（図１では６個）の四角形状の給電エリアＡＲが区画形成されている。
【００２２】
また、載置面３には、長手方向に列設された６個の給電エリアＡＲの一側（一方）に第１漏れ磁界検知エリアＡＲｘ１が区画形成されているとともに、他側（他方）に第２漏れ磁界検知エリアＡＲｘ２が区画形成されている。さらに、載置面３には、第１漏れ磁界検知エリアＡＲｘ１の外側に第１漏れ磁界低減エリアＡＲｙ１が区画形成されているとともに、第２漏れ磁界検知エリアＡＲｘ２の外側に第２漏れ磁界低減エリアＡＲｙ２が区画形成されている。
【００２３】
（１次コイルＬ１）
図２に示すように、筐体２内であって、各給電エリアＡＲに対応する位置には、その給電エリアＡＲの平面形状にあわせて四角形状に巻回された１次コイルＬ１が配置されている。各給電エリアＡＲの１次コイルＬ１は、給電エリアＡＲ毎に筐体２内に設けられたそれぞれの給電ユニット回路１０（図３参照）と接続されている。そして、各給電エリアＡＲの１次コイルＬ１は、対応する給電ユニット回路１０にて給電用周波数の高周波電流が通電されて交番磁界を放射する。
【００２４】
各１次コイルＬ１は、単独でまたは他の１次コイルＬ１とともに給電用周波数の高周波電流が通電されて、載置面３（給電エリアＡＲ）に載置された機器Ｅに内設された２次コイルＬ２に対して非接触給電をする。つまり、筐体２の載置面３に機器Ｅが載置されると、機器Ｅに内設した２次コイルＬ２は、１次コイルＬ１が給電用周波数の高周波電流に基づいて放射する給電用周波数の交番磁界によって電磁誘導に基づく誘導起電力（２次電力）を発生する。
【００２５】
また、各１次コイルＬ１は、機器Ｅが給電エリアＡＲに載置されたかどうかを検知するための機器検知用周波数の高周波電流が通電される。
（第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２）
図２に示すように、筐体２内であって、第１漏れ磁界検知エリアＡＲｘ１に対応する位置には、同第１漏れ磁界検知エリアＡＲｘ１の外形形状にあわせて四角形状に巻回された第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が配置されている。第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１は、給電中の１次コイルＬ１が放射する交番磁界の一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界（漏れ磁束）と鎖交して、電磁誘導にて発生する誘導起電力を第１漏れ検知信号ＳＧ１として出力する。
【００２６】
同様に、第２漏れ磁界検知エリアＡＲｘ２に対応する位置には、同第２漏れ磁界検知エリアＡＲｘ２の外形形状にあわせて四角形状に巻回された第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が配置されている。第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２は、給電中の１次コイルＬ１が放射する交番磁界の一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界（漏れ磁束）と鎖交して、電磁誘導にて発生する誘導起電力を第２漏れ検知信号ＳＧ２として出力する。
【００２７】
（第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２）
図２に示すように、筐体２内であって、第１漏れ磁界低減エリアＡＲｙ１に対応する位置には、同第１漏れ磁界低減エリアＡＲｙ１の外形形状にあわせて四角形状に巻回された第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１が配置されている。同様に、第２漏れ磁界低減エリアＡＲｙ２に対応する位置には、同第２漏れ磁界低減エリアＡＲｙ２の外形形状にあわせて四角形状に巻回された第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２が配置されている。
【００２８】
第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１は、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１のノイズ検知結果に基づく漏れ磁界低減用の高周波電流が通電される。そして、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１は、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１側の外部に放射される漏れ交番磁界（漏れ磁束）を低減させるための交番磁界を放射する。
【００２９】
第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２は、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２のノイズ検知結果に基づく漏れ磁界低減用の高周波電流が通電される。そして、第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２は、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２側の外部に放射される交番磁界（漏れ磁束）を低減させるための交番磁界を放射する。
【００３０】
次に、給電装置１と機器Ｅの電気的構成を図３に従って説明する。
（機器Ｅ）
まず、機器Ｅについて説明する。図３において、機器Ｅは、給電装置１から２次電力を受電する受電装置としての受電回路５と負荷Ｚを有している。
【００３１】
図３に示すように、受電回路５は、整流回路６を有している。
整流回路６は、２次コイルＬ２と２次側共振コンデンサＣ２の直列回路よりなる機器Ｅ側の２次回路に接続されている。２次コイルＬ２は、１次コイルＬ１が放射する給電用周波数の交番磁界に基づいて２次電力を発生し、その２次電力を整流回路６に出力する。
【００３２】
整流回路６は、電磁誘導にて２次コイルＬ２に発生した２次電力を直流電圧に変換する。そして、整流回路６は、変換した直流電圧を機器Ｅの負荷Ｚに供給する。
（給電装置１）
次に、給電装置１について説明する。図３に示すように、給電装置１は、６個の１次コイルＬ１毎に設けられた給電ユニット回路１０を有している。また、給電装置１は、第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２に対応して設けられた第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２を有している。また、給電装置１は、第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２に対応して設けられた第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２を有している。さらに、給電装置１は、給電ユニット回路１０、第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２、並びに、第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２を統括制御するシステム制御部４０を有している。
【００３３】
（給電ユニット回路１０）
各給電ユニット回路１０は、システム制御部４０との間でデータの授受を行い、システム制御部４０にて制御されている。各給電ユニット回路１０は、その回路構成が同じであるため説明の便宜上、１つの給電ユニット回路１０について説明する。
【００３４】
図４に示すように、給電ユニット回路１０は、ドライブ回路１１、インバータ回路１２、電流検出回路１３、機器検知回路１４を有している。
（ドライブ回路１１）
ドライブ回路１１は、システム制御部４０から１次コイルＬ１に流す給電用の高周波電流の周波数（給電用周波数）と機器検知用の高周波電流の周波数（機器検知用周波数）を生成するための制御信号ＣＴを入力する。ドライブ回路１１は、制御信号ＣＴを入力してインバータ回路１２に出力する駆動信号ＰＳａ，ＰＳｂを生成する。駆動信号ＰＳａ，ＰＳｂは、制御信号ＣＴに基づいて、１次コイルＬ１に流す給電用又は機器検知用の高周波電流の周波数を設定する駆動信号である。
【００３５】
（インバータ回路１２）
図５に示すように、インバータ回路１２は、公知のハーフブリッジ回路である。インバータ回路１２は、第１コンデンサＣａと第２コンデンサＣｂを直列に接続した分圧回路と、この分圧回路に対して、第１パワートランジスタＱａと第２パワートランジスタＱｂを直列に接続した直列回路からなる駆動回路が並列に接続されている。第１及び第２パワートランジスタＱａ，Ｑｂは、本実施形態では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴにて構成されている。
【００３６】
そして、第１コンデンサＣａと第２コンデンサＣｂの接続点Ｎ１と、第１パワートランジスタＱａと第２パワートランジスタＱｂの接続点Ｎ２との間には、給電装置１側の１次回路を構成する１次コイルＬ１と１次側共振コンデンサＣ１の直列回路が接続される。
【００３７】
第１パワートランジスタＱａと第２パワートランジスタＱｂの各ゲート端子には、ドライブ回路１１から駆動信号ＰＳａ，ＰＳｂが入力される。第１及び第２パワートランジスタＱａ，Ｑｂは、そのゲート端子にそれぞれ入力される駆動信号ＰＳａ，ＰＳｂに基づいて交互にオンオフされる。
【００３８】
これによって、インバータ回路１２は、制御信号ＣＴに基づく駆動信号ＰＳａ，ＰＳｂによって、給電用周波数の高周波電流と機器検知用周波数の高周波電流のいずれかが生成される。そして、１次コイルＬ１は、この高周波電流の通電により、交番磁界を発生する。
【００３９】
ここで、給電用周波数は、給電エリアＡＲに機器Ｅが載置された時、機器Ｅ側のインダクタンス成分及びキャパシタンス成分で決まる共振周波数としている。一方、機器検知用周波数は、給電エリアＡＲに機器Ｅが載置されていない時、給電装置１側の１次回路のインダクタンス成分及びキャパシタンス成分で決まる共振周波数に基づいた周波数としている。なお、これら給電用周波数及び機器検知用周波数は、予め試験、実験、計算等で求められている。
【００４０】
（電流検出回路１３）
図４に示すように、電流検出回路１３は、１次回路を構成する１次コイルＬ１と１次側共振コンデンサＣ１の間に設けられ、１次コイルＬ１に流れるその時々の１次電流を検出し、電流検出信号して出力する。
【００４１】
（機器検知回路１４）
図４に示すように、機器検知回路１４は、電流検出回路１３と接続されている。機器検知回路１４は、１次コイルＬ１が機器検知用周波数の高周波電流で通電されている間、電流検出回路１３が検出した電流検出信号を入力する。そして、機器検知回路１４は、入力した電流検出信号に相対した出力電圧に変換して、当該１次コイルＬ１（給電エリアＡＲ）に機器Ｅが載置されたかどうか判定する。
【００４２】
機器検知回路１４は、包絡線検波回路を含み、電流検出回路１３の電流検出信号を同包絡線検波回路にて検波する。つまり、機器検知回路１４（包絡線検波回路）は、電流検出信号から該電流検出信号の外側を包んだ包絡線波形信号（出力電圧）を生成する。
【００４３】
機器検知回路１４は、出力電圧が予め定めた基準値以下になった時、当該１次コイルＬ１（給電エリアＡＲ）に機器Ｅが載置されたと判定し、その判定信号ＳＪをシステム制御部４０に出力するようになっている。また、機器検知回路１４は、出力電圧が予め定めた基準値を超えた値の時には、当該１次コイルＬ１（給電エリアＡＲ）に機器Ｅが載置されていないと判定し、その判定信号ＳＪをシステム制御部４０に出力するようになっている。
【００４４】
（第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２）
図３に示すように、給電装置１は、第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２に対応して第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２が設けられている。
【００４５】
（第１漏れ磁界信号抽出回路２１）
第１漏れ磁界信号抽出回路２１は、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１に接続されている。第１漏れ磁界信号抽出回路２１は、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した第１漏れ検知信号ＳＧ１を入力する。第１漏れ磁界信号抽出回路２１は、フィルタ回路を有している。このフィルタ回路は、漏れ交番磁界の周波数が給電用の交番磁界の一部が漏れた磁界であるので、給電用の交番磁界の給電用周波数と同じと想定し、第１漏れ検知信号ＳＧ１から給電用周波数の漏れ交番磁界の信号波形を取得するフィルタ回路である。
【００４６】
そして、第１漏れ磁界信号抽出回路２１は、そのフィルタ回路を介して取得した第１漏れ検知信号ＳＧ１中の給電用周波数の信号波形から漏れ交番磁界（漏れ磁束）の強度レベルを抽出し第１漏れ磁界抽出信号ＳＮ１としてシステム制御部４０に出力する。
【００４７】
（第２漏れ磁界信号抽出回路２２）
第２漏れ磁界信号抽出回路２２は、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２に接続されている。第２漏れ磁界信号抽出回路２２は、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知した第２漏れ検知信号ＳＧ２を入力する。第２漏れ磁界信号抽出回路２２は、フィルタ回路を有している。このフィルタ回路は、漏れ交番磁界の周波数が給電用の交番磁界の一部が漏れた磁界であるので、給電用の交番磁界の給電用周波数と同じと想定し、第１漏れ検知信号ＳＧ１から給電用周波数の漏れ交番磁界の信号波形を取得するフィルタ回路である。
【００４８】
そして、第２漏れ磁界信号抽出回路２２は、そのフィルタ回路を介して取得した第２漏れ検知信号ＳＧ２中の給電用周波数の信号波形から漏れ交番磁界（漏れ磁束）の強度レベルを抽出し第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ２としてシステム制御部４０に出力する。
【００４９】
（第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２）
図３に示すように、給電装置１は、第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２に対応して第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２が設けられている。
【００５０】
（第１漏れ磁界低減回路３１）
第１漏れ磁界低減回路３１は、システム制御部４０との間でデータの授受を行い、システム制御部４０にて制御されている。
【００５１】
第１漏れ磁界低減回路３１は、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１と接続されている。第１漏れ磁界低減回路３１は、システム制御部４０からの第１制御信号ＣＴ１に基づいて、漏れ磁界低減用の高周波電流を生成する。この漏れ磁界低減用の高周波電流は、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と強度レベルが同じで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界を第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１から放射させるための高周波電流である。
【００５２】
第１漏れ磁界低減回路３１は、給電ユニット回路１０のドライブ回路１１及びインバータ回路１２と同様な回路を有している。そして、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界を放射するための高周波電流は、第１漏れ磁界低減回路３１中のインバータ回路に出力される駆動信号ＰＳａ，ＰＳｂ（図５参照）の出力タイミングを制御することによって生成される。また、漏れ交番磁界と強度レベルが同じ交番磁界を放射するための高周波電流は、第１漏れ磁界低減回路３１中のインバータ回路に印加される直流電圧Ｖｄｄ（図５参照）を制御することによって生成される。
【００５３】
そして、第１漏れ磁界低減回路３１は、その生成した漏れ磁界低減用の高周波電流にて第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１を通電する。従って、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１は、漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電されることによって、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）を低減もしくは消失させる。
【００５４】
（第２漏れ磁界低減回路３２）
第２漏れ磁界低減回路３２は、システム制御部４０との間でデータの授受を行い、システム制御部４０にて制御されている。
【００５５】
第２漏れ磁界低減回路３２は、第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２と接続されている。第２漏れ磁界低減回路３２は、システム制御部４０からの第２制御信号ＣＴ２に基づいて、漏れ磁界低減用の高周波電流を生成する。この漏れ磁界低減用の高周波電流は、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と強度レベルが同じで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界を第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２から放射させるための高周波電流である。
【００５６】
ちなみに、第２漏れ磁界低減回路３２も第１漏れ磁界低減回路３１と同じように、給電ユニット回路１０のドライブ回路１１及びインバータ回路１２と同様な回路を有している。そして、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界を放射するための高周波電流は、第２漏れ磁界低減回路３２中のインバータ回路に出力される駆動信号ＰＳａ，ＰＳｂ（図５参照）の出力タイミングを制御することによって生成される。また、漏れ交番磁界と強度レベルが同じ交番磁界を放射するための高周波電流は、第２漏れ磁界低減回路３２中のインバータ回路に印加される直流電圧Ｖｄｄ（図５参照）を制御することによって生成される。
【００５７】
そして、第２漏れ磁界低減回路３２は、その生成した漏れ磁界低減用の高周波電流にて第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２を通電する。従って、第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２は、漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電されることによって、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）を低減もしくは消失させる。
【００５８】
（システム制御部４０）
図３及び図４に示すように、給電装置１は、システム制御部４０を有している。システム制御部４０は、マイクロコンピュータよりなり、マイクロコンピュータの制御プログラムに従って、６個の給電ユニット回路１０、第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２、第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２を統括制御する。
【００５９】
システム制御部４０は、給電エリアＡＲに機器Ｅが載置されていない状態で給電ユニット回路１０に対して機器検知用周波数の高周波電流を生成するための制御信号ＣＴを出力する。そして、機器検知用周波数の高周波電流にて１次コイルＬ１が通電された状態で、システム制御部４０は、機器検知回路１４からの判定信号ＳＪを入力する。
【００６０】
システム制御部４０は、機器Ｅが載置されている判定信号ＳＪを入力した場合、当該給電ユニット回路１０に対して給電用周波数の高周波電流を生成するための制御信号ＣＴを出力する。給電ユニット回路１０は、給電用周波数の高周波電流を生成し、その生成した給電用周波数の高周波電流にて１次コイルＬ１を通電する。これによって、給電用周波数の高周波電流にて通電される１次コイルＬ１は、給電用周波数の交番磁界を放射し、給電エリアＡＲに載置された機器Ｅの２次コイルＬ２に対して非接触給電を行う。
【００６１】
反対に、システム制御部４０は、機器Ｅが載置されていない判定信号ＳＪを入力した場合、当該給電ユニット回路１０に対して機器検知用周波数の高周波電流を生成するための制御信号ＣＴを出力する。つまり、システム制御部４０は、当該給電ユニット回路１０に対して機器検知を継続させるための制御信号ＣＴを出力する。
【００６２】
また、システム制御部４０は、第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２からの第１及び第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ１，ＳＮ２に基づいて第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２をそれぞれ制御する。
【００６３】
システム制御部４０は、機器Ｅに対して給電を行っている時、第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２からの第１及び第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ１，ＳＮ２をそれぞれ入力する。システム制御部４０は、第１及び第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ１，ＳＮ２に基づいて第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２が検知した給電用周波数の漏れ交番磁界（漏れ磁束）の強度レベルをそれぞれ特定する。
【００６４】
詳述すると、システム制御部４０は、第１漏れ磁界抽出信号ＳＮ１に基づいて、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の漏れ磁界低減用の高周波電流を演算する。システム制御部４０は、その演算した漏れ磁界低減用の高周波電流を生成するための第１制御信号ＣＴ１を第１漏れ磁界低減回路３１に出力する。これによって、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１は、この漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電される。
【００６５】
一方、システム制御部４０は、第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ２に基づいて、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の漏れ磁界低減用の高周波電流を演算する。システム制御部４０は、その演算した漏れ磁界低減用の高周波電流を生成するための第２制御信号ＣＴ２を第２漏れ磁界低減回路３２に出力する。これによって、第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２は、この漏れ磁界低減用の高周波電流にて通電される。
【００６６】
次に、上記のように構成した給電装置１の作用を説明する。
今、給電装置１に電源が投入されると、システム制御部４０は、機器Ｅが載置されているかどうかの機器検知を行う。
【００６７】
つまり、システム制御部４０は、各給電ユニット回路１０を制御し、６個全ての１次コイルＬ１を、順番に機器検知用周波数の高周波電流にて通電させる。そして、システム制御部４０は、順番に各１次コイルＬ１に機器Ｅが載置されているかどうか各給電ユニット回路１０の機器検知回路１４からの判定信号ＳＪを入力する。
【００６８】
ここで、例えば、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１から数えて５番目の１次コイルＬ１（給電エリアＡＲ）に機器Ｅ（２次コイルＬ２）が載置されていると判断されると、システム制御部４０は、該１次コイルＬ１に給電用周波数の高周波電流にて通電させる。これによって、５番目の１次コイルＬ１が給電用周波数の高周波電流にて通電されることによって、機器Ｅへの給電が開始される。
【００６９】
給電が開始されると、システム制御部４０は、第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２からの第１及び第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ１，ＳＮ２を待つ。
この時、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が漏れ交番磁界（漏れ磁束）を検知すると、第１漏れ磁界信号抽出回路２１からの第１漏れ磁界抽出信号ＳＮ１がシステム制御部４０に出力される。システム制御部４０は、第１漏れ磁界抽出信号ＳＮ１に基づいて、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の漏れ磁界低減用の高周波電流を演算する。そして、システム制御部４０は、第１漏れ磁界低減回路３１にてその演算した漏れ磁界低減用の高周波電流を生成させ、その漏れ磁界低減用の高周波電流にて第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１を通電させる。
【００７０】
これによって、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１から第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界が放射される。その結果、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知する漏れ交番磁界（漏れ磁束）は、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１から放射される交番磁界にて相殺されて低減もしくは消失する。
【００７１】
同様に、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が漏れ交番磁界（漏れ磁束）を検知すると、第２漏れ磁界信号抽出回路２２からの第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ２がシステム制御部４０に出力される。システム制御部４０は、第２漏れ磁界抽出信号ＳＮ２に基づいて、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の漏れ磁界低減用の高周波電流を演算する。そして、システム制御部４０、は第２漏れ磁界低減回路３２にてその演算した漏れ磁界低減用の高周波電流を生成させ、その漏れ磁界低減用の高周波電流にて第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２を通電させる。
【００７２】
これによって、第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２から第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界が放射される。その結果、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知する漏れ交番磁界（漏れ磁束）は、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ２から放射される交番磁界にて相殺されて低減もしくは消失する。
【００７３】
このように、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１から放射される交番磁界は、隣接した第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界に基づいて生成した。一方、第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２から放射される交番磁界は、隣接した第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）に基づいて生成した。
【００７４】
しかも、それぞれ最も近い位置の漏れ交番磁界を検知しその隣接位置でその漏れ交番磁界を相殺する交番磁界を放射したので、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界（漏れ磁束）を確実に低減させることができる。
【００７５】
詳述すると、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界と、第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知し漏れ交番磁界は、共に同じ給電用周波数ある。これに対し、強度レベルは、給電中の給電エリアＡＲまでの距離、及び、機器Ｅの載置状態によって互い異なる。
【００７６】
従って、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２から放射される漏れ交番磁界は、共に同じ給電用周波数あってその位相が１８０度ずれた交番磁界である。しかし、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２から放射される交番磁界は、それぞれ異なる強度レベルである。そのため、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２から放射される交番磁界に強度（大きさ）は、第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知した漏れ交番磁界の強度とそれぞれ一致させている。このことから、各位置での給電エリアＡＲから一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界（漏れ磁束）を精度よく確実に低減させることができる。
【００７７】
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界を第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２で検知した。そして、第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２で検知した検知結果に基づいて、第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２から漏れ交番磁界を相殺する交番磁界を放射するようにした。従って、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界を確実に低減させることができる。
【００７８】
また、例えば、第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１によって第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１が検知した漏れ交番磁界が十分に相殺しきれずに低減されない場合、その相殺できなかった漏れ磁界を第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２が検知できる。従って、第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２から放射される交番磁界にて相殺しきれなかった漏れ磁界を相殺させることができ、精度の高い漏れ磁界の低減を行うことができる。
【００７９】
（２）上記実施形態によれば、複数並設した１次コイルＬ１の一方に第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１と第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１を設け、他方に第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２と第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２を設けた。そして、一方の第１漏れ磁界検知コイルＬＡ１及び第１漏れ磁界低減コイルＬＢ１と、他方の第２漏れ磁界検知コイルＬＡ２及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ２とは、それぞれ独立して漏れ交番磁界を検知し、相殺する交番磁界を放射させるようにした。従って、給電中に外部に放射される漏れ交番磁界を精度よく確実に低減させることができる。
【００８０】
（３）上記実施形態によれば、給電中の１次コイルＬ１の通電制御は、漏れ交番磁界の低減制御によって左右されず、独立して駆動制御されている。その結果、給電能力を低下させることなく、漏れ交番磁界を低減させることができる。
【００８１】
（第２実施形態）
次に、給電装置の第２実施形態を図面に従って説明する。
本実施形態は、給電装置において専用の漏れ磁界検知コイル及び漏れ磁界低減コイルを設けない点に特徴を有する。すなわち、本実施形態は、第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２、並びに、第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２を１次コイルＬ１で代用する点に特徴を有する。
【００８２】
従って、本実施形態では、説明の便宜上、特徴部分を詳細に説明し共通部分の詳細な説明は省略する。なお、本実施形態の給電装置１は、図２に示す第１実施形態の給電装置１において、６個の１次コイルＬ１の両側に設けた第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２、並びに、第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２を省略した構成とする。
【００８３】
図６は、給電装置１の電気的構成を示す電気ブロック回路を示す。図６に示すように、各給電ユニット回路１０には、漏れ磁界信号抽出回路１６及び漏れ磁界低減回路１７がそれぞれ設けられている。
【００８４】
漏れ磁界信号抽出回路１６は、第１実施形態で説明した第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２と回路構成が同じ回路である。また、漏れ磁界低減回路１７は、第１実施形態で説明した第１及び第２漏れ磁界低減回路３１，３２と回路構成が同じ回路である。
【００８５】
１次コイルＬ１の一方の第１外部端子Ｐ１には、第１選択スイッチ回路１８が接続されている。また、１次コイルＬ１の他方の第２外部端子Ｐ２には、第２選択スイッチ回路１９が接続されている。１次コイルＬ１は、この第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９によって、給電ユニット回路１０に設けたインバータ回路１２、漏れ磁界信号抽出回路１６、漏れ磁界低減回路１７のいずれかと接続されるようになっている。
【００８６】
（第１選択スイッチ回路１８）
図７に示すように、第１選択スイッチ回路１８は、３個の第１〜第３双方向スイッチＱ１１〜Ｑ１３にて構成されている。本実施形態では、第１〜第３双方向スイッチＱ１１〜Ｑ１３は、それぞれダブルゲートを有したＧａＮ（窒化ガリウム）双方向スイッチデバイスで構成されている。
【００８７】
第１双方向スイッチＱ１１は、２つのゲート端子に共にオン信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第１外部端子Ｐ１と電流検出回路１３及び１次側共振コンデンサＣ１を介してインバータ回路１２の接続点Ｎ１との間の導通を可能にする。反対に、第１双方向スイッチＱ１１は、２つのゲート端子に共にオフ信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第１外部端子Ｐ１と電流検出回路１３及び１次側共振コンデンサＣ１を介してインバータ回路１２の接続点Ｎ１との間の導通を遮断する。
【００８８】
また、第２双方向スイッチＱ１２は、２つのゲート端子に共にオン信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第１外部端子Ｐ１と漏れ磁界信号抽出回路１６の一方の第１入力端子Ｐ３との間の導通を可能にする。反対に、第２双方向スイッチＱ１２は、２つのゲート端子に共にオフ信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第１外部端子Ｐ１と漏れ磁界信号抽出回路１６の一方の第１入力端子Ｐ３との間の導通を遮断する。
【００８９】
さらに、第３双方向スイッチＱ１３は、２つのゲート端子に共にオン信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第１外部端子Ｐ１と漏れ磁界低減回路１７の一方の第１出力端子Ｐ５との間の導通を可能にする。反対に、第３双方向スイッチＱ１３は、２つのゲート端子に共にオフ信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第１外部端子Ｐ１と漏れ磁界低減回路１７の一方の第１出力端子Ｐ５との間の導通を遮断する。
【００９０】
（第２選択スイッチ回路１９）
図７に示すように、第２選択スイッチ回路１９は、第１選択スイッチ回路１８と同様に、３個の第１〜第３双方向スイッチＱ２１〜Ｑ２３にて構成されている。同様に、第１〜第３双方向スイッチＱ２１〜Ｑ２３は、それぞれダブルゲートを有したＧａＮ（窒化ガリウム）双方向スイッチデバイスで構成されている。
【００９１】
第１双方向スイッチＱ２１は、２つのゲート端子に共にオン信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第２外部端子Ｐ２とインバータ回路１２の接続点Ｎ２との間の導通を可能にする。反対に、第１双方向スイッチＱ２１は、２つのゲート端子に共にオフ信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第２外部端子Ｐ２とインバータ回路１２の接続点Ｎ２との間の導通を遮断する。
【００９２】
また、第２双方向スイッチＱ２２は、２つのゲート端子に共にオン信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第２外部端子Ｐ２と漏れ磁界信号抽出回路１６の他方の第２入力端子Ｐ４との間の導通を可能にする。反対に、第２双方向スイッチＱ２２は、２つのゲート端子に共にオフ信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第２外部端子Ｐ２と漏れ磁界信号抽出回路１６の他方の第２入力端子Ｐ４との間の導通を遮断する。
【００９３】
さらに、第３双方向スイッチＱ２３は、２つのゲート端子に共にオン信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第２外部端子Ｐ２と漏れ磁界低減回路１７の他方の第２出力端子Ｐ６との間の導通を可能にする。反対に、第３双方向スイッチＱ２３は、２つのゲート端子に共にオフ信号の切換信号ＳＬが入力されたとき、１次コイルＬ１の第２外部端子Ｐ２と漏れ磁界低減回路１７の他方の第２出力端子Ｐ６との間の導通を遮断する。
【００９４】
第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９の第１〜第３双方向スイッチＱ１１〜Ｑ１３，Ｑ２１〜Ｑ２３は、そのゲート端子がシステム制御部４０に接続されている。そして、第１双方向スイッチＱ１１，Ｑ２１は、共にシステム制御部４０から同じ切換信号ＳＬを入力する。同様に、第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２も、共にシステム制御部４０から同じ切換信号ＳＬを入力する。同様に、第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３も、共にシステム制御部４０から同じ切換信号ＳＬを入力する。
【００９５】
詳述すると、第１双方向スイッチＱ１１，Ｑ２１が、共に導通状態に制御されているとき、第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２及び第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３は遮断状態に制御されている。つまり、１次コイルＬ１は、インバータ回路１２と接続される。
【００９６】
また、第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２が、共に導通状態に制御されているとき、第１双方向スイッチＱ１１，Ｑ２１及び第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３は遮断状態に制御されている。つまり、１次コイルＬ１は、漏れ磁界信号抽出回路１６と接続される。
【００９７】
また、第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３が、共に導通状態に制御されているとき、第１双方向スイッチＱ１１，Ｑ２１及び第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２は遮断状態に制御されている。つまり、１次コイルＬ１は、漏れ磁界低減回路１７と接続される。
【００９８】
システム制御部４０は、１次コイルＬ１に機器検知用周波数又は給電用周波数の高周波電流を通電させる時には、第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９に切換信号を出力して第１双方向スイッチＱ１１，Ｑ２１を導通状態にする。
【００９９】
ここで、システム制御部４０は、機器検知用周波数の高周波電流にて１次コイルＬ１を通電させる時には、機器検知回路１４からの判定信号ＳＪに基づいて機器Ｅが給電エリアＡＲに載置されたかどうか判定する。そして、システム制御部４０は、機器Ｅが給電エリアＡＲに載置されていると判断した場合には、当該１次コイルＬ１に給電用周波数の高周波電流を通電させて、機器Ｅの２次コイルＬ２に非接触給電を行う。
【０１００】
また、システム制御部４０は、１次コイルＬ１にて漏れ交番磁界を検知させる時には、第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９に切換信号ＳＬを出力して第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２を導通状態にする。システム制御部４０は、給電動作を開始する給電ユニット回路１０に隣接した給電動作を行わない給電エリアＡＲの給電ユニット回路１０を特定する。システム制御部４０は、特定した給電ユニット回路１０に設けた第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９の第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２を導通状態にし、１次コイルＬ１と漏れ磁界信号抽出回路１６を接続する。
【０１０１】
これによって、該１次コイルＬ１は、漏れ交番磁界を検知する漏れ磁界検知コイルとして使用され、漏れ検知信号ＳＧが漏れ磁界信号抽出回路１６に出力され、該給電ユニット回路１０の漏れ磁界信号抽出回路１６にて漏れ磁束検知動作が行われる。
【０１０２】
そして、システム制御部４０は、該給電ユニット回路１０の漏れ磁界信号抽出回路１６からの漏れ磁界抽出信号ＳＮを入力する。システム制御部４０は、漏れ磁界抽出信号ＳＮに基づいて磁束検知コイルとして使用された１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の漏れ磁界低減用の高周波電流を演算する。
【０１０３】
さらに、システム制御部４０は、１次コイルＬ１から漏れ磁界低減用の交番磁界を放射させる時には、第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９に切換信号ＳＬを出力して第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３を導通状態にする。
【０１０４】
システム制御部４０は、漏れ磁界検知コイルとして使用される１次コイルＬ１に隣接した給電動作及び漏れ磁束検知動作を行わない給電エリアＡＲの給電ユニット回路１０を特定する。システム制御部４０は、特定した給電ユニット回路１０に設けた第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９の第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３を導通状態にし、１次コイルＬ１と漏れ磁界低減回路１７を接続する。これによって、該１次コイルＬ１は、漏れ交番磁界を低減する漏れ磁界低減コイルとして使用される。
【０１０５】
そして、システム制御部４０は、隣接した給電ユニット回路１０の漏れ磁界信号抽出回路１６からの漏れ磁界抽出信号ＳＮに基づいて演算した漏れ磁界低減用の高周波電流を生成させるための制御信号ＣＴｘを漏れ磁界低減回路１７に出力する。そして、漏れ磁界低減回路１７は、漏れ磁界低減用の高周波電流を生成する。その生成された漏れ磁界低減用の高周波電流は、第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３を介して１次コイルＬ１に通電される。
【０１０６】
これによって、その１次コイルＬ１から隣接する１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と強度レベルが同レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界が放射される。その結果、給電中の１次コイルＬ１に隣接した１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）は、その漏れ交番磁界を検知している１次コイルＬ１に隣接している１次コイルＬ１から放射される交番磁界にて相殺されて低減もしくは消失させる。
【０１０７】
次に、上記のように構成した給電装置１の作用を説明する。
今、給電装置１に電源が投入されると、システム制御部４０は、機器Ｅが載置されているかどうかの機器検知を行う。このとき、システム制御部４０は、各給電ユニット回路１０の第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９の第１双方向スイッチＱ１１，Ｑ２１を導通状態にする。システム制御部４０は、各給電ユニット回路１０に対して、１次コイルＬ１を順番に機器検知用周波数の高周波電流にて通電させる。そして、システム制御部４０は、順番に各１次コイルＬ１に機器Ｅが載置されているかどうか各給電ユニット回路１０の機器検知回路１４からの判定信号ＳＪを待つ。
【０１０８】
ここで、例えば、４番目の１次コイルＬ１（給電エリアＡＲ）に対して機器Ｅ（２次コイルＬ２）が載置されていると判断されると、システム制御部４０は、該１次コイルＬ１に給電用周波数の高周波電流にて通電させる。これによって、４番目の１次コイルＬ１が給電用周波数の高周波電流にて通電されることによって、機器Ｅへの給電が開始される。
【０１０９】
このとき、システム制御部４０は、給電を開始する４番目の１次コイルＬ１に隣接する１次コイルＬ１が３番目と５番目の１次コイルＬ１であることを特定する。そして、システム制御部４０は、特定した３番目と５番目の１次コイルＬ１の給電ユニット回路１０に設けたそれぞれの第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９の第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２を導通状態にする。
【０１１０】
これによって、３番目と５番目の１次コイルＬ１は、それぞれ第２双方向スイッチＱ１２，Ｑ２２を介してそれぞれの漏れ磁界信号抽出回路１６に接続される。そして、４番目と５番目の１次コイルＬ１は、給電を行う４番目の１次コイルＬ１からの放射される漏れ交番磁界を検知する漏れ磁界検知コイルとして使用される。
【０１１１】
また、システム制御部４０は、漏れ磁界検知コイルとして使用される３番目と５番目の１次コイルＬ１の外側に隣接する１次コイルＬ１が２番目と６番目の１次コイルＬ１であることを特定する。そして、システム制御部４０は、特定した２番目と６番目の１次コイルＬ１の給電ユニット回路１０に設けたそれぞれの第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９の第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３を導通状態にする。
【０１１２】
これによって、２番目と６番目の１次コイルＬ１は、それぞれ第３双方向スイッチＱ１３，Ｑ２３を介してそれぞれの漏れ磁界低減回路１７に接続される。そして、２番目と６番目の１次コイルＬ１は、漏れ交番磁界を低減する漏れ磁界低減コイルとして使用される。
【０１１３】
そして、４番目の１次コイルＬ１に給電用周波数の高周波電流が通電し給電が開始されると、３番目と５番目の１次コイルＬ１が、その４番目の１次コイルＬ１からの放射される漏れ交番磁界を検知する。３番目と５番目の１次コイルＬ１が漏れ交番磁界（漏れ磁束）を検知すると、それぞれの漏れ磁界信号抽出回路１６から漏れ磁界抽出信号ＳＮをシステム制御部４０に出力する。
【０１１４】
システム制御部４０は、各漏れ磁界抽出信号ＳＮに基づいて、各１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の漏れ磁界低減用の高周波電流をそれぞれ演算する。そして、システム制御部４０は、それぞれの演算結果に基づいて、２番目と６番目の１次コイルＬ１の給電ユニット回路１０に対して、その演算した漏れ磁界低減用の高周波電流を生成させる。
【０１１５】
これによって、２番目の１次コイルＬ１から３番目の１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界が放射される。つまり、３番目の１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界（漏れ磁束）は、２番目の１次コイルＬ１から放射される交番磁界にて相殺されて低減もしくは消失する。
【０１１６】
また、６番目の１次コイルＬ１から５番目の１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界と同じ強度レベルで、かつ、位相が１８０度ずれた給電用周波数の交番磁界が放射される。つまり、５番目の１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界は、６番目の１次コイルＬ１から放射される交番磁界にて相殺されて低減もしくは消失する。
【０１１７】
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界を隣接の１次コイルＬ１で検知した。そして、隣接した１次コイルＬ１で検知した検知結果に基づいて、漏れ磁束を検知した１次コイルＬ１に隣接する１次コイルＬ１から漏れ交番磁界を相殺する交番磁界を放射するようにした。従って、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界を確実に低減させることができる。
【０１１８】
また、例えば、２番目の１次コイルＬ１によって３番目の１次コイルＬ１が検知した漏れ交番磁界が十分に相殺しきれずに低減されない場合、その相殺できなかった漏れ磁界を５番目の１次コイルＬ１が検知できる。従って、６番目の１次コイルＬ１から放射される交番磁界にて相殺しきれなかった漏れ磁界を相殺させることができ、精度の高い漏れ磁界の低減を行うことができる。
【０１１９】
（２）上記実施形態によれば、給電中の給電エリアＡＲから一部が漏れて外部に放射される漏れ交番磁界を、両側に配置された１次コイルＬ１にてそれぞれ独立して漏れ交番磁界を検知し、相殺する交番磁界を放射させるようにした。従って、給電中に外部に放射される漏れ交番磁界を精度よく確実に低減させることができる。
【０１２０】
（３）上記実施形態によれば、給電中の１次コイルＬ１の通電制御は、漏れ交番磁界の低減制御によって左右されず、独立して駆動制御されている。その結果、給電能力を低下させることなく、漏れ交番磁界を低減させることができる。
【０１２１】
（４）上記実施形態によれば、給電のための１次コイルＬ１を、漏れ磁界検知コイルや漏れ磁界低減コイルに兼用できるようにした。従って、専用の漏れ磁界検知コイルや専用の漏れ磁界低減コイルを設けることがなく、その分だけ小型化を図ることができるとともにコストの低減を図ることができる。
【０１２２】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、１次元方向に１次コイルＬ１を並設した給電装置１であった。これを、２次元方向に１次コイルＬ１を複数個並設した給電装置に応用してもよい。ちなみに、第１実施形態を、２次元方向に１次コイルＬ１を複数個並設した給電装置に応用した場合、１次コイルＬ１を囲むように漏れ磁界検知コイルが複数配置され、それら漏れ磁界検知コイルの外側に漏れ磁界低減コイルが配置されることになる。
【０１２３】
また、１次コイルＬ１が１つの給電装置１に応用して実施してもよい。この場合、その１つの１次コイルＬ１を囲むように複数の漏れ磁界検知コイル及び複数の漏れ磁界低減コイルを設けて実施してもよい。勿論、１つの１次コイルＬ１に対して１つの漏れ磁界検知コイル及び１つの漏れ磁界低減コイルを設けて実施してもよい。
【０１２４】
また、漏れ磁界検知コイルと漏れ磁界低減コイルを隣接して配置したが、漏れ磁界を低減できる効果を発揮できる程度に離間させて実施してもよい。
○上記第１実施形態では、１次元方向に１次コイルＬ１を並設した給電装置１は、漏れ磁界検知コイルと漏れ磁界低減コイルを両方に配置したが、これに限らない。例えば一方だけに漏れ磁界検知コイルと漏れ磁界低減コイルを配置して実施したり、一方または両方にさらに漏れ磁界検知コイルと漏れ磁界低減コイルを増加して３個以上配置して実施してもよい。
【０１２５】
○上記第１実施形態に設けた第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２（第２実施形態の漏れ磁界信号抽出回路１６も同様）は、フィルタ回路を有していた。そして、このフィルタ回路は、漏れ交番磁界の周波数が給電用周波数と想定して、その給電用周波数の周波数成分の信号波形を取得し、その取得した信号波形から漏れ交番磁界の強度レベルを特定した。
【０１２６】
しかし、これに限定されるものでなく、予め試験、実験又は計算等で漏れ磁界に周波数を求め、第１及び第２漏れ検知信号ＳＧ１，ＳＧ２の中からその求めた周波数成分の信号波形を通過させるバンドパスフィルタ回路であってもよい。
【０１２７】
また、上記第１実施形態に設けた第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２（第２実施形態の漏れ磁界信号抽出回路１６も同様）内のフィルタ回路は、第１及び第２漏れ検知信号中の給電用周波数の周波数成分を通過させた。しかし、給電用周波数の２倍波、３倍波、４倍波等の周波数成分を通すフィルタ回路を複数あわせて設けてもよい。そして、これら複数のフィルタ回路から得られた周波数成分の信号波形のうち最も大きな強度レベルの周波数を漏れ磁界低減用の周波数として実施してもよい。
【０１２８】
さらに、第１実施形態に設けた第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路２１，２２（第２実施形態の漏れ磁界信号抽出回路１６も同様）内のフィルタ回路を、可変フィルタ回路にして実施してもよい。この場合、漏れ交番磁界の周波数が把握されていない場合、最も大きな強度レベルの周波数の漏れ交番磁界を抽出することができる。
【０１２９】
○上記第１実施形態では、給電中の１次コイルＬ１に近い方に第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２を配置し、その外側に第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２を配置したが（第２実施形態も同様）、これに限定されるものではない。例えば、給電中の１次コイルＬ１に近い方に第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２を配置し、その外側に第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２を配置して実施してもよい。
【０１３０】
また、漏れ磁界検知コイル及び漏れ磁界低減コイルを１次コイルＬ１から離間した位置に配置して実施してもよい。この場合、漏れ磁界検知コイルと漏れ磁界低減コイルは、漏れ磁界を低減できる効果を発揮できる程度に離間させて実施してもよい。
【０１３１】
勿論、１次コイルＬ１から離間した位置に漏れ磁界検知コイルを配置し、漏れ磁界低減コイルは、漏れ磁界検知コイルに隣接した位置に配置したり、１次コイルＬ１に隣接した位置に配置したりして実施してもよい。反対に、１次コイルＬ１から離間した位置に漏れ磁界低減コイルを配置し、漏れ磁界検知コイルは、漏れ磁界低減コイルに隣接した位置に配置したり、１次コイルＬ１に隣接した位置に配置したりして実施してもよい。
【０１３２】
○上記第２実施形態では、一例として給電動作が４番目の１次コイルＬ１で行われるとき、その４番目の１次コイルＬ１に隣接する３番目と５番目の１次コイルＬ１を、漏れ磁界検知コイルとして使用した。これを、給電動作が行われている１次コイルＬ１から少し離れた１次コイルＬ１を漏れ磁界検知コイルとして特定し使用してもよい。
【０１３３】
同様に、上記第２実施形態では、一例として３番目と５番目の１次コイルＬ１を漏れ磁界検知コイルとして使用するとき、その隣接する２番目と６番目の１次コイルＬ１を漏れ磁界低減コイルと特定し使用した。これを、漏れ磁界検知コイルとして使用されている１次コイルＬ１から少し離れた１次コイルＬ１を漏れ磁界低減コイルとして特定し使用してもよい。
【０１３４】
○上記第１実施形態（第２実施形態も同様）では、第１及び第２漏れ磁界検知コイルＬＡ１，ＬＡ２は、第１及び第２漏れ磁界低減コイルＬＢ１，ＬＢ２において漏れ磁界低減用の交番磁界を放射させるための漏れ交番磁界を検知するものであった。
【０１３５】
これを、１次コイルＬ１に対して予め定めた距離だけ離間した位置に漏れ磁界検知コイルを設置する。そして、各１次コイルＬ１と漏れ磁界検知コイルとの決まった配置関係において、該漏れ磁界検知コイルを、それぞれ各１次コイルＬ１が放射する漏れ交番磁界の強度レベルの絶対値をそれぞれ測定するための漏れ磁界検知コイルとして使用してもよい。
【０１３６】
つまり、予め定めた距離にある漏れ磁界検知コイルは、各１次コイルＬ１に対してそれぞれ各１次コイルＬ１が放射する漏れ交番磁界を検知する。そして、漏れ磁界検知コイルが検知する各１次コイルＬ１が放射する漏れ交番磁界の漏れ検知信号ＳＧ１を漏れ磁界信号抽出回路にて強度レベルを抽出する。そして、各１次コイルＬ１と漏れ磁界検知コイルとの決まった配置関係において、それぞれ各１次コイルＬ１が放射する漏れ交番磁界の強度レベルの絶対値をそれぞれ求める。
【０１３７】
これによって、給電装置１を設計する段階で、各１次コイルＬ１が放射する漏れ交番磁界の強度レベルの絶対値を知ることで、各１次コイルＬ１の相対的な漏れ交番磁界の強度レベルの大きさが把握することができ、給電装置１の設計を容易にすることができる。
【０１３８】
なお、各１次コイルＬ１が放射する漏れ交番磁界の強度レベルの絶対値を測定するための漏れ磁界検知コイルは、機器Ｅ側に設けてもよい。この場合、給電装置１及び受電回路５に互いに情報を授受する通信回路（通信手段）を設ける。
【０１３９】
そして、機器Ｅを給電装置１（載置面３）に対して一定の距離をおいて配置する。この状態で、機器Ｅ側に設けた漏れ磁界検知コイルは、各１次コイルＬ１に対してそれぞれ各１次コイルＬ１からの漏れ交番磁界を検知し、漏れ検知信号ＳＧ１を受電回路５及び給電装置１の通信回路を介して漏れ磁界信号抽出回路に出力させる。この場合にも、各１次コイルＬ１と漏れ磁界検知コイルとの決まった配置関係において、それぞれ各１次コイルＬ１が放射する漏れ交番磁界の強度レベルの絶対値をそれぞれ求めることができる。
【０１４０】
○上記第２実施形態では、第１及び第２選択スイッチ回路１８，１９の第１〜第３双方向スイッチＱ１１〜Ｑ１３，Ｑ２１〜Ｑ２３を、ダブルゲートを有したＧａＮ（窒化ガリウム）双方向スイッチングデバイスにて構成した。これら双方向性スイッチを、ダイオードと絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の直列回路を、２つそれぞれ互いに極性の向きを変えて並列に接続して構成してもよい。また、これら双方向性スイッチを、ＮチャネルパワーＭＯＳトランジスタとＰチャネルパワーＭＯＳトランジスタを直列に接続して構成してもよい。
【０１４１】
○上記実施形態では、インバータ回路１２をハーフブリッジ回路にて高周波電流を生成したが、フルブリッジ回路等その他の高周波発振回路で実施してもよい。
【符号の説明】
【０１４２】
１…非接触給電装置（給電装置）、２…筐体、３…載置面、５…受電回路、６…整流回路、１０…給電ユニット回路、１１…ドライブ回路、１２…インバータ回路、１３…電流検出回路、１４…機器検知回路、１６…漏れ磁界信号抽出回路、１７…漏れ磁界低減回路、１８，１９…第１及び第２選択スイッチ回路、２１，２２…第１及び第２漏れ磁界信号抽出回路、３１，３２…第１及び第２漏れ磁界低減回路、４０…システム制御部（制御手段）、ＡＲ…給電エリア、ＡＲｘ１，ＡＲｘ２…第１及び第２漏れ磁界検知エリア、ＡＲｙ１，ＡＲｙ２…第１及び第２漏れ磁界低減エリア、Ｅ…電気機器（機器）、Ｚ…負荷、Ｌ１…１次コイル、Ｌ２…２次コイル、ＬＡ１，ＬＡ２…第１及び第２漏れ磁界検知コイル、ＬＢ１，ＬＢ２…第１及び第２漏れ磁界低減コイル、Ｃ１，Ｃ２…１次及び２次側共振コンデンサ、Ｃａ，Ｃｂ…第１及び第２コンデンサ、Ｑａ，Ｑｂ…第１及び第２パワートランジスタ、Ｎ１，Ｎ２…接続点、Ｑ１１〜Ｑ１３…第１〜第３双方向スイッチ、Ｑ２１〜Ｑ２３…第１〜第３双方向スイッチ、Ｐ１，Ｐ２…第１及び第２外部端子、Ｐ３，Ｐ４…第１及び第２入力端子、Ｐ５，Ｐ６…第１及び第２出力端子、ＣＴ，ＣＴｘ…制御信号、ＣＴ１，ＣＴ２…第１及び第２制御信号、ＰＳａ，ＰＳｂ…駆動信号、ＳＪ…判定信号、ＳＧ…漏れ検知信号、ＳＧ１，ＳＧ２…第１及び第２漏れ検知信号、ＳＮ…漏れ磁界抽出信号、ＳＮ１，ＳＮ２…第１及び第２漏れ磁界抽出信号、ＳＬ…切換信号。
【図１】
2015192505.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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