(57)【要約】【課題】１つの実施形態は、例えば、処理条件の切り替え時間を短縮できる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】１つの実施形態によれば、基板処理部と、電源と、制御部とを有する基板処理装置が提供される。基板処理部は、第１及び第２の処理条件で基板へ順次処理を施す。第１及び第２の処理条件のそれぞれは、基板を処理するための複数種類の処理パラメータを含む。電源は、基板を処理するためにパワーを供給可能である。パワーは、第１及び第２の処理条件に含まれる処理パラメータの１つである。制御部は、電源から供給されるパワーが第１の処理条件に対応した第１のレベルに維持されている期間において、準備動作を開始する。準備動作は、他の処理パラメータを第１の処理条件に対応したレベルから第２の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。他の処理パラメータは、パワーと異なる処理パラメータである。【選択図】図１
2015099824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための複数種類の処理パラメータをそれぞれ含む第１及び第２の処理条件で前記基板へ順次処理を施す基板処理部と、
前記基板を処理するために、前記第１及び第２の処理条件に含まれる前記処理パラメータの１つであるパワーを供給可能な電源と、
前記電源から供給されるパワーが第１の処理条件に対応した第１のレベルに維持されている期間において、前記パワーと異なる他の処理パラメータを前記第１の処理条件に対応したレベルから前記第２の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備動作を開始する制御部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記電源から供給されるパワーが前記第１のレベルから第２のレベルに切り替わるタイミングより前にホストから切替信号を受信し、
前記準備動作は、受信された切替信号を前記制御部が認識可能な信号形式に変換するための変換動作を含み、
前記制御部は、前記電源から供給されるパワーが前記第１のレベルから前記第２のレベルに切り替わるタイミングより前に前記変換動作を開始する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記電源から供給されるパワーが前記第１のレベルから第２のレベルに切り替わるタイミング以降に前記制御部が前記準備動作を終えて前記基板処理部が前記他の処理パラメータの切り替えを開始するように、前記制御部が前記準備動作を開始するタイミングを調整する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記電源から供給されるパワーが前記第１のレベルから前記第２のレベルに切り替わるタイミングより前にホストから切替信号を受信し、
前記準備動作は、受信された切替信号を前記制御部が認識可能な信号形式に変換するための変換動作を含み、
前記制御部は、前記電源から供給されるパワーが前記第１のレベルから前記第２のレベルに切り替わるタイミング以降に前記制御部が前記準備動作を終えて前記基板処理部が前記他の処理パラメータの切り替えを開始するように、前記切替信号を受信するタイミングから前記変換動作を開始するタイミングまでの時間を調整する
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記第１の処理条件での処理から前記第２の処理条件での処理に切り替わる際における、前記準備動作を行うのに要するディレイ時間であって前記変換動作を開始してから前記他の処理パラメータの切り替えが開始されるまでのディレイ時間に関するディレイ情報を記憶する記憶部と、
前記ディレイ情報に応じて、前記ホストから切替信号を受信するタイミングに対して前記変換動作を開始するタイミングを遅延させるための補正時間を調整する補正部と、
を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記補正部は、前記補正時間と前記ディレイ時間との合計が、前記制御部が切替信号を受信するタイミングから前記電源の切り替わるタイミングまでの時間以上になるように、前記補正時間を調整する
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ディレイ情報は、複数の前記他の処理パラメータのそれぞれのディレイ時間に関する情報を含み、
前記補正部は、前記補正時間と前記ディレイ時間との合計が、前記制御部が切替信号を受信するタイミングから前記パワーの切り替わるタイミングまでの時間以上になり、且つ、前記複数の他の処理パラメータについて切り替えの開始が同期するように、前記複数の他の処理パラメータのそれぞれについて前記補正時間を調整する
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板処理部は、
前記基板を保持するステージが配された処理室と、
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
を有し、
前記電源は、前記プラズマ発生部にパワーを供給する高周波電源である
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記他の処理パラメータは、前記処理室に導入される処理ガスの流量、前記処理室の圧力、及び前記ステージの温度のうちの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板処理装置は、断続的なプラズマ放電を行い、第１の処理期間において、前記電源から供給されるパワーが前記第１の処理条件に対応した第１のレベルに維持されてプラズマ放電が行われ、前記第１の処理期間に続くスタビリティ期間において、前記電源から供給されるパワーが第２のレベルに維持されてプラズマ放電が休止され、前記スタビリティ期間に続く第２の処理期間において、前記電源から供給されるパワーが前記第２の処理条件に対応した第３のレベルに維持されてプラズマ放電が行われ、
前記制御部は、前記第１の処理期間中に前記準備動作を開始し、前記スタビリティ期間の開始タイミング以降に前記基板処理部が前記他の処理パラメータの切り替えを行うように制御する
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板処理装置は、連続的なプラズマ放電を行い、第１の処理期間において、前記電源から供給されるパワーが前記第１の処理条件に対応した第１のレベルに維持されてプラズマ放電が行われ、前記第１の処理期間に続く第２の処理期間において、前記電源から供給されるパワーが前記第２の処理条件に対応した第２のレベルに維持されてプラズマ放電が行われ、
前記制御部は、前記第１の処理期間中に前記準備動作を開始し、前記第２の処理期間の開始タイミング以降に前記基板処理部が前記他の処理パラメータの切り替えを行うように制御する
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板を処理するための複数種類の処理パラメータをそれぞれ含む第１及び第２の処理条件で前記基板へ順次処理を施す基板処理部と前記基板を処理するために前記第１及び第２の処理条件に含まれる前記処理パラメータの１つであるパワーを供給可能な電源とを有する基板処理装置における制御方法であって、
前記電源から供給されるパワーが第１の処理条件に対応した第１のレベルに維持されている期間において、前記パワーと異なる他の処理パラメータを前記第１の処理条件に対応したレベルから前記第２の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備動作を開始することと、
前記電源から供給されるパワーが前記第１のレベルから第２のレベルに切り替わるタイミング以降に、前記準備動作を終えて前記基板処理部に前記他の処理パラメータの切り替えを開始させることと、
を備えたことを特徴とする制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置及び制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の製造方法では、ＱＴＡＴ（Ｑｕｉｃｋ  Ｔｕｒｎａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）化のために多層膜を一括処理するケースが増えている。特に、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）加工のようにプラズマを用いたエッチング加工では、多層膜を連続的に一括加工するケースが増えている。多層膜の一括加工では、各層ごとに適切なガス流量、圧力、温度、パワーといった処理条件を順次に切り替える。このとき、多層膜のトータルの加工時間を短縮するために、各処理条件の切り替え時間を短縮することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−６０１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１つの実施形態は、例えば、処理条件の切り替え時間を短縮できる基板処理装置及び制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態によれば、基板処理部と電源と制御部とを有する基板処理装置が提供される。基板処理部は、第１及び第２の処理条件で基板へ順次処理を施す。第１及び第２の処理条件のそれぞれは、基板を処理するための複数種類の処理パラメータを含む。電源は、基板を処理するためにパワーを供給可能である。パワーは、第１及び第２の処理条件に含まれる処理パラメータの１つである。制御部は、電源から供給されるパワーが第１の処理条件に対応した第１のレベルに維持されている期間において、準備動作を開始する。準備動作は、他の処理パラメータを第１の処理条件に対応したレベルから第２の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。他の処理パラメータは、パワーと異なる処理パラメータである。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す図。
【図２】第１の実施形態における一括加工の手順を示す図。
【図３】第１の実施形態におけるディレイ時間の補正を示す図。
【図４】第１の実施形態におけるディレイ時間の補正を示す図。
【図５】第１の実施形態にかかる基板処理装置の動作を示すフローチャート。
【図６】第１の実施形態の変形例におけるディレイ時間の補正を示す図。
【図７】第２の実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す図。
【図８】第２の実施形態におけるディレイ時間の取得方法を示す図。
【図９】第２の実施形態におけるディレイ情報のデータ構造を示す図。
【図１０】第２の実施形態にかかる基板処理装置の動作を示すフローチャート。
【図１１】第３の実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す図。
【図１２】第３の実施形態におけるディレイ情報のデータ構造を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる基板処理装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
第１の実施の形態にかかる基板処理装置１について図１を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１の概略構成を示す図である。
【０００９】
基板処理装置１は、基板処理部４０、電源２０または８０、及び制御部３０を備える。基板処理部４０は、処理室９０、電極１０、プラズマ発生部８５、ガス流量調節部５０、圧力調節部６０、及び温度調節部７０を有する。
【００１０】
処理室９０は、その内部でプラズマが発生されるための室であり、処理容器２により形成されている。処理容器２は、ガス流量調節部５０から処理室９０へ処理ガスが供給可能なように構成されているとともに、処理室９０から圧力調節部６０へ処理済の処理ガスが排気可能なように構成されている。
【００１１】
電極１０は、絶縁材（図示せず）を介して処理容器２から絶縁されるように、処理室９０内の底面側に配されている。電極１０には、シリコンウエーハ等の被処理基板ＷＦが載置される。電極１０は、ステージ１１及び電極部１２を有する。ステージ１１は、例えば静電チャック（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｃｈｕｃｋ）機構を有し、静電チャック機構を用いて被処理基板ＷＦを保持している。ステージ１１は、制御部３０による制御のもと、温度調節部７０により温度が調節される。これにより、温度調節部７０は、ステージ１１を介して被処理基板ＷＦの温度を調節する。電極部１２は、電源２０からパワーが供給され、ステージ１１を介してパワーを被処理基板ＷＦまで供給する。ステージ１１及び電極部１２は、それぞれ、例えばステンレス、アルミ等の金属で形成されている。
【００１２】
電源８０は、被処理基板ＷＦを処理するためのパワーを供給する電源であり、プラズマ発生部８５に高周波パワーを供給する。電源８０は、高周波電源８１及びマッチングボックス８２を有する。
【００１３】
プラズマ発生部８５は、電源８０から供給されたパワーを用いて、処理室９０内における電極１０から隔てられた空間９１にプラズマＰＬを発生させる。具体的には、プラズマ発生部８５は、アンテナコイル８６及び誘電体壁８７を有する。高周波電源（ＲＦ電源）８１は、高周波パワーを発生させてアンテナコイル８６へ供給する。制御部３０による制御のもと、マッチングボックス８２により高周波電源８１とアンテナコイル８６との間でインピーダンス整合がとれると、電磁波は処理容器２の上壁を兼ねた誘電体壁８７を透過して処理室９０内の空間９１に導入される。処理室９０内の空間９１では、処理ガスの電離によりプラズマＰＬが生成され、処理ガスからラジカルとともにイオン（例えば、Ｆ＋、ＣＦ３＋など）が生成される。
【００１４】
電源２０は、処理室９０内の底面側に配された電極１０にバイアス電圧を発生させる。具体的には、電源２０は、高周波電源（ＲＦ電源）２１、マッチングボックス２２、及びブロッキングコンデンサ２３を有する。高周波電源２１は高周波パワーを発生させ、制御部３０による制御のもと、マッチングボックス２２によりインピーダンス整合がとれるとブロッキングコンデンサ２３を介して電極１０にバイアス電圧が印加される。バイアス電圧が印加されると、プラズマＰＬとの間に電位差が生じ、プラズマＰＬ領域で発生したイオン（例えば、Ｆ＋、ＣＦ３＋など）が被処理基板ＷＦに引き込まれ、異方性のエッチング加工が行われる。
【００１５】
なお、基板処理装置１は、電源２０及び８０のいずれか一方が省略され該当部分がグランド電位に接続された構成であってもよい。
【００１６】
ガス流量調節部５０は、各処理ガスの処理室９０への供給量（処理室９０へ供給する各処理ガスの流量）を調節する。具体的には、ガス流量調節部５０は、複数の個別ガス供給管５４ａ〜５４ｃ、複数の開閉弁５１ａ〜５１ｃ、複数の流量制御器（ＭＦＣ：Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）５３ａ〜５３ｃ、複数の開閉弁５２ａ〜５２ｃ、及び混合されたガスを供給するガス供給管５５を有する。複数の個別ガス供給管５４ａ、５４ｂ、５４ｃには、それぞれ、ガスボンベ（図示せず）から処理ガスＡ、処理ガスＢ、処理ガスＣが供給される。複数の開閉弁５１ａ〜５１ｃは、それぞれ、制御部３０により制御される。これにより、開閉弁５１ａは、所定のタイミングで開状態になることにより、処理ガスＡを流量制御器５３ａへ供給する。開閉弁５１ｂは、所定のタイミングで開状態になることにより、処理ガスＢを流量制御器５３ｂへ供給する。開閉弁５１ｃは、所定のタイミングで開状態になることにより、処理ガスＣを流量制御器５３ｃへ供給する。複数の流量制御器５３ａ〜５３ｃは、それぞれ、制御部３０により制御され、供給された処理ガスＡ、処理ガスＢ、処理ガスＣの流量を所定のタイミングで制御し、混合されたガスを供給するガス供給管５５経由で処理室９０へ供給する。
【００１７】
圧力調節部６０は、自動圧力調節（ＡＰＣ：Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）機能を有し、処理ガスの排気量を調節することで処理室９０の圧力を制御する。具体的には、圧力調節部６０は、圧力センサ６１、排気管６３、圧力コントローラ６２、排気管６４、及び真空ポンプ６５を有する。圧力センサ６１は、処理室９０内の圧力を検知し、その圧力の値の情報を圧力コントローラ６２へ供給する。圧力コントローラ６２は、排気管６３を介して処理室９０に接続されているとともに、排気管６４を介して真空ポンプ６５に接続されている。圧力コントローラ６２は、開度を調整可能な調整弁６６を有し、制御部３０による制御のもと、圧力センサ６１から供給された圧力の値に応じて、処理室９０内の圧力が目標値になるように、調整弁６６の開度を調節する。これにより、制御部３０は、処理ガスの排気量で処理室９０の圧力を制御する。
【００１８】
温度調節部７０は、ステージ１１を介して被処理基板ＷＦの温度を調節する。具体的には、温度調節部７０は、ステージ１１内に配された温度センサ７１及び温度調整器（ヒータまたは冷却器）７３を有する。温度センサ７１は、ステージ１１の温度を検知する。温度センサ７１は、検知した温度情報を制御部３０へ供給する。制御部３０は、ステージ１１の温度が目標温度になるように、温度調整器７３を制御する。これにより、制御部３０は、ステージ１１を介して被処理基板ＷＦの温度を制御する。
【００１９】
制御部３０は、装置ホスト１８０と通信可能に接続され、装置ホスト１８０から指示（例えば、切替信号）を受信する。制御部３０は、受信した指示（例えば、切替信号）に応じて、基板処理装置１における各部を全体的に制御する。具体的には、制御部３０は、電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４を有する。電源制御部３１は、電源制御ＣＰＵ３１ａを有する。電源制御ＣＰＵ３１ａは、被処理基板ＷＦを処理するためのパワーが目標値になるように、電源２０または８０を制御する。ガス流量制御部３２は、ガス流量制御ＣＰＵ３２ａを有する。ガス流量制御ＣＰＵ３２ａは、処理ガスの種類ごとに、処理室９０への処理ガスの供給量が目標値になるように、ガス流量調節部５０を制御する。圧力制御部３３は、圧力制御ＣＰＵ３３ａを有する。圧力制御ＣＰＵ３３ａは、処理室９０の圧力が目標値になるように、圧力調節部６０を制御する。温度制御部３４は、温度制御ＣＰＵ３４ａを有する。温度制御ＣＰＵ３４ａは、ステージ１１の温度が目標値になるように、温度調節部７０を制御する。
【００２０】
装置ホスト１８０は、制御部３０における電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４を統合的に制御する。装置ホスト１８０は、ＣＰＵ１８１及び記憶部１８２を有する。記憶部１８２は、レシピ情報を記憶している。レシピ情報は、複数の処理条件を順次に切り替えながら連続処理を行なう際の、処理条件の順番および各処理条件の内容（ガス流量、圧力、温度、パワーなど）の情報を含む。ＣＰＵ１８１は、記憶部１８２に記憶されたレシピ情報の各処理条件及び電源レベルに従い、制御部３０における電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４に対して、目標値を含む指示を送信する。これにより、多層膜の一括処理が行われる。
【００２１】
例えば、多層膜の一括加工では、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、各層ごとに適切なガス流量、圧力、温度、パワーといった処理条件を順次に切り替える。図２（ａ）、（ｂ）は、一括加工の手順を示す図である。例えば、図２（ｂ）に示す工程２，４，６，８，１０において、それぞれ、図２（ａ）に示すＬａｙｅｒ１，Ｌａｙｅｒ２，Ｌａｙｅｒ３，Ｌａｙｅｒ４，Ｌａｙｅｒ５をエッチング加工する。
【００２２】
すなわち、図１に示す基板処理部４０（処理室９０、電極１０、プラズマ発生部８５、ガス流量調節部５０、圧力調節部６０、及び温度調節部７０）は、制御部３０により制御に従い、複数の処理条件（図２（ｂ）参照）での処理を順次に被処理基板ＷＦへ施すことができる。各処理条件は、複数種類の処理パラメータを含む。各処理条件に含まれる複数種類の処理パラメータは、電極１０から供給されるパワーの他に、例えば、処理室９０に導入される処理ガスの流量、処理室９０の圧力、及びステージ１１の温度のうちの少なくとも１つを含む（図３（ａ）参照）。
【００２３】
このとき、図２（ｂ）に示す各層の加工を行う処理期間の前に、プラズマ放電を休止させ処理条件を安定化させるためのスタビリティ期間を設ける。例えば、図３（ａ）に示すように、Ｌａｙｅｒ１の加工を行う処理期間Ｔｍ２とＬａｙｅｒ２の加工を行う処理期間Ｔｍ４との間にスタビリティ期間Ｔｓｔ３を設ける。多層膜の一括加工では、加工すべき層数が増加するほど、多層膜のトータルの加工時間におけるスタビリティ期間の合計長さが長時間化するので、多層膜のトータルの加工時間が顕著に増加する傾向にある。多層膜のトータルの加工時間が増加すると、製造すべき半導体装置の生産性が低下するため、生産性を改善するために多くの装置が必要となり、コストを増大させる可能性がある。
【００２４】
このスタビリティ期間について検討したところ、前ステップの加工の処理期間が終了し、次の処理条件に切り替えるように、装置ホスト１８０が指示を出した場合、制御部３０における電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４は、図３（ａ）に示すように動作することが分かった。
【００２５】
電源制御部３１は、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）に同期して、電源２０または８０のパワーをレベルＰＷ２からレベルＰＷ３（≒０）に切り替える。レベルＰＷ２は、Ｌａｙｅｒ１の処理条件に対応したパワーのレベルである。レベルＰＷ３は、Ｌａｙｅｒ２の処理条件を安定化させるためのスタビリティ期間Ｔｓｔ３に対応したプラズマが生成しないパワーのレベルである。そして、電源制御部３１は、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）に同期して、電源２０または８０のパワーをレベルＰＷ３からレベルＰＷ４に切り替える。レベルＰＷ４は、Ｌａｙｅｒ２の処理条件に対応したパワーのレベルである。すなわち、電源制御部３１は、切替信号に同期して、次の処理条件に迅速に切り替えることができる。
【００２６】
なお、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）及びステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）は、それぞれ、装置ホスト１８０から制御部３０へ送信される。図３（ａ）に示す各切替信号のタイミングは、装置ホスト１８０から制御部３０へ向けて送信されるタイミングを示している。装置ホスト１８０及び制御部３０の間の通信線の伝送遅延を無視できるとすると、図３（ａ）に示す各切替信号のタイミングは、制御部３０で受信されるタイミングとみなすこともできる。図３（ａ）に示すように、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）のタイミングは、スタビリティ期間Ｔｓｔ３の始点として決められるタイミングであり、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）のタイミングは、スタビリティ期間Ｔｓｔ３の終点として決められるタイミングである。スタビリティ期間Ｔｓｔ３の長さは、装置ホスト１８０から切り替えの指示（切替信号ＳＷ２３）を送信してから各処理条件（ガス流量、圧力、温度）が安定化するまでの時間のうち最も長い時間を考慮して決められる。図３（ａ）に示す場合、温度が安定化するまでの時間が最も長いので、温度が安定化するまでの時間以上になるようにスタビリティ期間Ｔｓｔ３の長さが決められている。
【００２７】
それに対して、ガス流量制御部３２は、処理ガスの流量について、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）のタイミングｔ２３からディレイ時間Ｔｍｆｃ経過した後に、流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えを開始する。流量Ｆ２は、Ｌａｙｅｒ１の処理条件に対応した処理ガスの流量である。流量Ｆ４は、Ｌａｙｅｒ２の処理条件に対応した処理ガスの流量である。ディレイ時間Ｔｍｆｃは、例えば、ガス流量制御部３２が装置ホスト１８０と信号をやり取りすること、ガス流量制御部３２が複数の流量制御器５３ａ〜５３ｃへの制御信号をシリアル的に順次に供給すること、などに起因して発生する。そして、ガス流量制御部３２は、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）のタイミングまでに処理ガスの流量を流量Ｆ４で安定化させ、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）以降に処理ガスの流量を流量Ｆ４に維持する。
【００２８】
すなわち、ガス流量制御部３２は、切替信号（図４（ａ）参照）に対してディレイ時間Ｔｍｆｃだけ遅れて、複数の処理ガスのそれぞれについて、次の処理条件への切り替えを開始する。言い換えると、ガス流量制御部３２は、装置ホスト１８０が前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）を送信してから前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）の受信動作を行った後に、ディレイ時間Ｔｍｆｃの間に次の処理条件への切り替えの準備動作を行っている。この準備動作は、パワーと異なる他の処理パラメータであるガス流量を現在の処理条件に対応したレベルから次の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。次の処理条件への切り替えの準備動作は、例えば、受信された前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）の信号形式を自身に認識可能な信号形式に変換するための変換動作と、ガス流量制御部３２から複数の流量制御器５３ａ〜５３ｃへの制御信号をシリアル的に伝送する伝送動作と、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）に応じて流量制御器５３ａ〜５３ｃ内の弁の開度を調節する機械的な駆動動作とを含む。次の処理条件への切り替えの準備動作では、変換動作の時間に比べて、伝送動作及び機械的な駆動動作の時間が長いものと考えられる。
【００２９】
なお、図３及び図４には、複数の処理ガスのうち１つの処理ガスについて処理条件を例示的に示しているが、ガス流量制御部３２は、他の処理ガスについても同様の制御を行っている。
【００３０】
圧力制御部３３は、処理室９０の圧力について、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）のタイミングｔ２３からディレイ時間Ｔａｐｃ経過した後に、圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えを開始する。圧力Ｐ２は、Ｌａｙｅｒ１の処理条件に対応した処理室９０の圧力である。圧力Ｐ４は、Ｌａｙｅｒ２の処理条件に対応した処理室９０の圧力である。ディレイ時間Ｔａｐｃは、例えば、圧力制御部３３が装置ホスト１８０と信号をやり取りすること、圧力調節部６０における調整弁６６の機械的な動作などに起因して発生する。そして、圧力制御部３３は、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）のタイミングまでに処理室９０の圧力を圧力Ｐ４で安定化させ、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）以降に処理室９０の圧力を圧力Ｐ４に維持する。
【００３１】
すなわち、圧力制御部３３は、切替信号（図４（ａ）参照）に対してディレイ時間Ｔａｐｃだけ遅れて、次の処理条件への切り替えを開始する。言い換えると、圧力制御部３３は、装置ホスト１８０が前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）を送信してから前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）の受信動作を行った後に、ディレイ時間Ｔａｐｃの間に次の処理条件への切り替えの準備動作を行っている。この準備動作は、パワーと異なる他の処理パラメータである圧力を現在の処理条件に対応したレベルから次の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。次の処理条件への切り替えの準備動作は、例えば、受信された前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）の信号形式を自身に認識可能な信号形式に変換するための変換動作と、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）に応じて調整弁６６の開度を調節する機械的な駆動動作とを含む。次の処理条件への切り替えの準備動作では、変換動作の時間に比べて、機械的な駆動動作の時間が長いものと考えられる。
【００３２】
温度制御部３４は、ステージ１１の温度について、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）のタイミングｔ２３からディレイ時間Ｔｅｓｃ経過した後に、温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えを開始する。温度Ｔ２は、Ｌａｙｅｒ１の処理条件に対応したステージ１１の温度である。温度Ｔ４は、Ｌａｙｅｒ２の処理条件に対応したステージ１１の温度である。ディレイ時間Ｔｅｓｃは、例えば、温度制御部３４が装置ホスト１８０と信号をやり取りすること、ステージ１１を加熱又は冷却させる際の熱伝導時間、などに起因して発生する。そして、温度制御部３４は、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）のタイミングまでにステージ１１の温度を温度Ｔ４で安定化させ、ステップ開始信号（切替信号ＳＷ３４）以降にステージ１１の温度を温度Ｔ４に維持する。
【００３３】
すなわち、温度制御部３４は、切替信号（図４（ａ）参照）に対してディレイ時間Ｔｅｓｃだけ遅れて、次の処理条件への切り替えを開始する。言い換えると、温度制御部３４は、装置ホスト１８０が前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）を送信してからディレイ時間Ｔｅｓｃの間に次の処理条件への切り替えの準備動作を行っている。この準備動作は、パワーと異なる他の処理パラメータである温度を現在の処理条件に対応したレベルから次の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。次の処理条件への切り替えの準備動作は、例えば、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）を受信しその信号形式を自身に認識可能な信号形式に変換するための変換動作と、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）に応じて温度調整器（ヒータまたは冷却器）７３を稼働させてステージ１１へ熱を伝達させる熱伝達動作とを含む。次の処理条件への切り替えの準備動作では、変換動作の時間に比べて、熱伝達動作の時間が長いものと考えられる。
【００３４】
このように、スタビリティ期間内の各処理条件では、実際に切り替えの行われていない時間（準備動作の時間）が存在するため、短縮させる余地があることがわかった。
【００３５】
第１の実施形態では、基板処理装置１において、前ステップの加工の終了前から次の処理条件への切り替えの準備動作を開始するように制御することで、スタビリティ期間を短縮させる方法を示している。
【００３６】
具体的には、制御部３０は、電源２０または８０が第１の処理条件に対応したレベルＰＷ２からレベルＰＷ３に切り替わるタイミングより前に、基板処理部４０による第２の処理条件への切り替えのための準備動作を開始するように制御する。例えば、制御部３０におけるガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４は、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３に切り替わるタイミングより前に、切替信号への応答（例えば、装置ホスト１８０から受信された切替信号の変換動作）を開始する。
【００３７】
すなわち、パワーのディレイ時間≒０の場合、各処理条件（ガス流量、圧力、温度、パワー）のディレイ時間Ｔｍｆｃ，Ｔａｐｃ，Ｔｅｓｃのうち最も長い時間を考慮して、装置ホスト１８０が制御部３０へ切替信号を送信するタイミングを早める。例えば図３（ａ）に示すように、ディレイ時間Ｔｍｆｃ，Ｔａｐｃ，Ｔｅｓｃのうちディレイ時間Ｔｅｓｃが最も長い場合、ディレイ時間Ｔｅｓｃ分、装置ホスト１８０が制御部３０へ送る切替信号を早める。
【００３８】
ここで、ガス流量、圧力、パワー及び温度の切替信号は、前ステップ終了信号（ＳＷ２３）がトリガーとなっているため、ディレイ時間Ｔｅｓｃ分早めた信号（ＳＷ２３’）となる。ガス流量、圧力、パワー及び温度の切替信号だけを早めると不具合が生じるため、パワーの立下り（ＰＷ２→ＰＷ３）のタイミングとガス流量、圧力、温度の立ち上がりのタイミングが同期するように、各ユニットのディレイ時間を調整する。
【００３９】
電源の場合、パワーのディレイ時間≒０であるので、電源制御部３１は、図３（ｂ）に破線で示すように、本来パワーのレベルを切り替えるべきタイミングｔ２３より前のタイミングｔ２３’でパワーのレベルをＰＷ２からＰＷ３へ切り替えてしまう。これにより、処理期間Ｔｍ２においてまだ被処理基板ＷＦの加工が完了していないにもかかわらず処理室９０内のプラズマが消失してしまうため、加工形状に不具合が生じる。このため、電源のディレイ補正ユニット（３１ｂ）により、パワーのレベルがＰＷ２からＰＷ３へ切り替わるタイミングをΔＴｐｗ（＝ΔＴｓｗ）だけ遅らせることで、処理条件における各パラメータ（例えば、ステージ温度）の立ち上がりのタイミングと同期するように調整する。すなわち、電源のディレイ補正ユニット（３１ｂ）により、次の式が成り立つような補正時間を求め、求めた補正時間で切替信号への応答を遅延させる。
（切替信号への応答を遅延させる補正時間）＋（応答開始から切り替え開始までのディレイ時間）≧（タイミングｔ２３’からタイミングｔ２３までの時間）
電源の場合、（応答開始から切り替え開始までのディレイ時間）≒０であるので、次の式が成り立つ。
（切替信号への応答を遅延させる補正時間）≧（タイミングｔ２３’からタイミングｔ２３までの時間）
【００４０】
ガス流量の場合、ＳＷ２３’のタイミングでガス流量を切り替えると、ディレイ時間Ｔｍｆｃ＜ディレイ時間Ｔｅｓｃであるので、ガス流量制御部３２は、図３（ｂ）に破線で示すように、電源および温度を切り替えるタイミングｔ２３より前のタイミングでガス流量の切り替えを開始してしまう。これにより、処理期間Ｔｍ２における処理ガスの流量が適切な流量Ｆ２からずれてしまい、被処理基板ＷＦの加工形状に不具合が生じる可能性がある。このため、ＭＦＣのディレイ補正ユニット（３２ｂ）により、ガス流量のレベルがＦ２からＦ４へ切り替わるタイミングをΔＴｍｆｃ（＝ΔＴｓｗ−Ｔｍｆｃ）だけ遅らせることで、電源および処理条件における各パラメータ（例えば、ステージ温度）の切替えタイミングと同期するように調整する。すなわち、ＭＦＣのディレイ補正ユニット（３２ｂ）により、次の式が成り立つような補正時間を求め、求めた補正時間で切替信号への応答を遅延させる。
（切替信号への応答を遅延させる補正時間）＋（応答開始から切り替え開始までのディレイ時間）≧（タイミングｔ２３’からタイミングｔ２３までの時間）
【００４１】
圧力の場合、ＳＷ２３’のタイミングで圧力を切り替えるとディレイ時間Ｔａｐｃ＜ディレイ時間Ｔｅｓｃであるので、圧力制御部３３は、図３（ｂ）に破線で示すように、電源、ガス流量、および温度を切り替える、タイミングｔ２３より前のタイミングで圧力の切り替えを開始してしまう。これにより、処理期間Ｔｍ２における処理室９０の圧力が適切な圧力Ｐ２からずれてしまい、被処理基板ＷＦの加工形状に不具合が生じる可能性がある。このため、ＡＰＣのディレイ補正ユニット（３３ｂ）により、圧力レベルがＦ２からＦ４へ切り替わるタイミングをΔＴａｐｃ（＝ΔＴｓｗ−Ｔａｐｃ）だけ遅らせることで、電源、処理条件における各パラメータ（例えば、ガス流量およびステージ温度）の切替えタイミングと同期するように調整する。すなわち、ＡＰＣのディレイ補正ユニット（３３ｂ）により、次の式が成り立つような補正時間を求め、求めた補正時間で切替信号への応答を遅延させる。
（切替信号への応答を遅延させる補正時間）＋（応答開始から切り替え開始までのディレイ時間）≧（タイミングｔ２３’からタイミングｔ２３までの時間）
なお、ステージ温度について、ＥＳＣのディレイ補正ユニット（３４ｂ）により、温度がＴ２からＴ４へ切り替わるタイミングをｔ２３より遅らせる場合は、ΔＴａｐｃ（＝ΔＴｓｗ−Ｔａｐｃ）だけ遅らせてもよいが、電源、ガス流量および圧力の切替えタイミングと同期するように調整する場合は、遅らせる必要はない。すなわち、ＥＳＣのディレイ補正ユニット（３４ｂ）により、次の式が成り立つような補正時間を求め、求めた補正時間で切替信号への応答を遅延させてもよいが、電源、ガス流量および圧力の切替えタイミングと同期させる場合には補正時間＝０としてもよい。
（切替信号への応答を遅延させる補正時間）＋（応答開始から切り替え開始までのディレイ時間）≧（タイミングｔ２３’からタイミングｔ２３までの時間）
ステージ温度の切り替えタイミングを電源、ガス流量および圧力の切替えタイミングと同期させる場合、（切替信号への応答を遅延させる補正時間）＝０でよいので、次の式が成り立つ。
（応答開始から切り替え開始までのディレイ時間）≧（タイミングｔ２３’からタイミングｔ２３までの時間）
【００４２】
このように、各処理条件（ガス流量、圧力、温度、パワー）のディレイ時間Ｔｍｆｃ，Ｔａｐｃ，Ｔｅｓｃ（パワーのディレイ時間≒０）のうち最も長い時間を考慮して切替信号のタイミングを早めているので、それ以外のユニット（図３の場合、電源、ＭＦＣ，ＡＰＣ）は、切替えタイミングが同期するように、各ディレイユニットで応答タイミングを補正する必要がある。ディレイユニットで補正する際、ディレイ時間の短いユニットほど切替信号への応答を遅延させる補正時間を長くする必要がある。
【００４３】
以下に詳細な補正方法について説明する。例えば、制御部３０は、図３（ａ）に示す動作を図３（ｂ）に示す動作のように補正して制御する。あるいは、例えば、制御部３０は、図４（ａ）に示す動作を図４（ｃ）に示す動作のように補正して制御する。図３（ａ）、図４（ａ）は、ディレイ時間について補正を行う前における電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４のそれぞれの動作を示す図である。図３（ｂ）、図４（ｃ）は、ディレイ時間について補正を行った後における電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４のそれぞれの動作を示す図である。図４（ｂ）は、ディレイ時間について補正の途中段階における電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４のそれぞれの動作を示す図である。
【００４４】
より具体的には、ガス流量制御部３２は、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３（≒０）に切り替わるタイミングｔ２３より前に、ガス流量調節部５０による流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えのための準備動作を開始するように制御する。圧力制御部３３は、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３（≒０）に切り替わるタイミングｔ２３より前に、圧力調節部６０による圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えのための準備動作を開始するように制御する。温度制御部３４は、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３（≒０）に切り替わるタイミングｔ２３より前に、温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えの準備動作を開始するように制御する。
【００４５】
また、制御部３０は、ガス流量、圧力、温度について第２の処理条件への切り替えを実際に開始するタイミング（図３（ｂ）に示す波形が立ち上がる又は立ち下がるタイミング）が、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３に切り替わるタイミング以降となるように、各ユニットのタイミングを調整する。例えば、制御部３０は、図３（ａ）に示す動作を図３（ｂ）に示す動作へ補正する。
【００４６】
より具体的には、制御部３０は、図３（ｂ）に示すように前ステップ終了信号のタイミングをｔ２３から時間ΔＴｓｗ前のタイミングｔ２３’にずらす。時間ΔＴｓｗは、各処理条件のディレイ時間のうち最大のもの（例えば、図３（ａ）の場合、ステージ１１の温度のディレイ時間Ｔｅｓｃ）と同じ時間である。
【００４７】
制御部３０は、各ユニットのタイミングを調整するためのディレイ補正ユニット３１ｂ〜３４ｂを有する。電源制御部３１は、ディレイ補正ユニット３１ｂをさらに有する。ディレイ補正ユニット３１ｂは、レベルＰＷ２からレベルＰＷ３への切り替えを行うタイミングが図３（ｂ）のｔ２３になるように、電源２０または８０を制御する。ディレイ補正ユニット３１ｂは、前ステップ終了信号ＳＷ２３’のタイミングｔ２３’に対して、レベルＰＷ２からレベルＰＷ３への切り替えを行うタイミングを補正時間ΔＴｐｗで遅らせたタイミングｔ２３になるように補正する。この補正は、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示す電源の波形の立下り部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。補正時間ΔＴｐｗは、次の数式１を満たす。
ΔＴｐｗ≒ΔＴｓｗ・・・数式１
【００４８】
なお、各ステップのディレイ時間が一定であると見なせる場合、ディレイ補正ユニット３１ｂには、予め実験的に取得された補正時間ΔＴｐｗが設定されていてもよい。例えば、ディレイ補正ユニット３１ｂは、図４に示すように切替信号ＳＷ４５’のタイミングｔ４５’に対して、レベルＰＷ４からレベルＰＷ５への切り替えを行うタイミングを補正時間ΔＴｐｗで遅らせたタイミングに補正してもよい。
【００４９】
例えば、電源制御部３１は、装置ホスト１８０から切替信号を受信したタイミングで、タイマ（図示せず）のカウント動作を開始するとともに、すぐには切替信号に応答せずに切替信号をバッファメモリ（図示せず）に保持しておく。そして、電源制御部３１は、タイマのカウント時間が補正時間ΔＴｐｗ以上となったタイミングで切替信号への応答（例えば、変換動作）を開始する。これにより、電源制御部３１は、パワーのレベルを切り替えるべき適切なタイミングｔ２３にパワーのレベルを切り替えることができる。
【００５０】
ガス流量制御部３２は、ディレイ補正ユニット３２ｂをさらに有する。ディレイ補正ユニット３２ｂは、ガス流量調節部５０が流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えが開始されるタイミングが、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３へ切り替わるタイミングｔ２３以降（例えば、タイミングｔ２３と同時）になるように、タイミングｔ２３ｍｆｃを調整する。例えば、タイミングｔ２３ｍｆｃは、ガス流量調節部５０による流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えのための準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングである。ディレイ補正ユニット３２ｂは、前ステップ終了信号ＳＷ２３’のタイミングｔ２３’に対して、流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングｔ２３ｍｆｃを補正時間ΔＴｍｆｃで遅らせたタイミングに補正する。この補正は、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すガス流量の波形の立ち上がり部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。例えば、実際の切り替わりがタイミングｔ２３と同時になるように補正する場合、補正時間ΔＴｍｆｃは、次の数式２を満たす。
ΔＴｍｆｃ≒ΔＴｓｗ−Ｔｍｆｃ・・・数式２
【００５１】
数式２において、Ｔｍｆｃは、処理ガスの流量を調節する際のディレイ時間である。
【００５２】
なお、各ステップのディレイ時間が一定であると見なせる場合、ディレイ補正ユニット３２ｂには、予め実験的に取得された補正時間ΔＴｍｆｃが設定されていてもよい。例えば、ディレイ補正ユニット３２ｂは、図４における切替信号ＳＷ４５’のタイミングｔ４５’に対して、流量Ｆ４から流量Ｆ６への切り替えを行うタイミングを補正時間ΔＴｍｆｃで遅らせたタイミングに補正してもよい。
【００５３】
例えば、ガス流量制御部３２は、装置ホスト１８０から切替信号を受信したタイミングで、タイマ（図示せず）のカウント動作を開始するとともに、すぐには切替信号に応答せずに切替信号をバッファメモリ（図示せず）に保持しておく。そして、電源制御部３１は、タイマのカウント時間が補正時間ΔＴｍｆｃ以上となったタイミングで切替信号への応答（例えば、変換動作）を開始する。これにより、ガス流量制御部３２は、流量の切り替えが許容されるタイミングｔ２３以降に（例えば、タイミングｔ２３と同時に）流量の切り替えを開始させることができる。
【００５４】
圧力制御部３３は、ディレイ補正ユニット３３ｂをさらに有する。ディレイ補正ユニット３３ｂは、圧力調節部６０が圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えが開始されるタイミングが、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３へ切り替わるタイミングｔ２３以降（例えば、タイミングｔ２３と同時）になるように、タイミングｔ２３ａｐｃを調整する。タイミングｔ２３ａｐｃは、圧力調節部６０による圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えのための準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングである。ディレイ補正ユニット３３ｂは、切替信号ＳＷ２３’のタイミングｔ２３’に対して、圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングｔ２３ａｐｃを補正時間ΔＴａｐｃで遅らせたタイミングに補正する。この補正は、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示す圧力の波形の立ち上がり部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。例えば、実際の切り替わりがタイミングｔ２３と同時になるように補正する場合、補正時間ΔＴａｐｃは、次の数式３を満たす。
ΔＴａｐｃ≒ΔＴｓｗ−Ｔａｐｃ・・・数式３
【００５５】
数式３において、Ｔａｐｃは、処理室９０の圧力を調整する際のディレイ時間である。
【００５６】
なお、各ステップのディレイ時間が一定であると見なせる場合、ディレイ補正ユニット３３ｂには、予め実験的に取得された補正時間ΔＴａｐｃが設定されていてもよい。例えば、ディレイ補正ユニット３３ｂは、図４における切替信号ＳＷ４５’のタイミングｔ４５’に対して、圧力Ｐ４から圧力Ｐ６への切り替えを行うタイミングを補正時間ΔＴａｐｃで遅らせたタイミングに補正してもよい。
【００５７】
例えば、圧力制御部３３は、装置ホスト１８０から切替信号を受信したタイミングで、タイマ（図示せず）のカウント動作を開始するとともに、すぐには切替信号に応答せずに切替信号をバッファメモリ（図示せず）に保持しておく。そして、電源制御部３１は、タイマのカウント時間が補正時間ΔＴａｐｃ以上となったタイミングで切替信号への応答（例えば、変換動作）を開始する。これにより、圧力制御部３３は、圧力の切り替えが許容されるタイミングｔ２３以降に（例えば、タイミングｔ２３と同時に）圧力の切り替えを開始させることができる。
【００５８】
温度制御部３４は、ディレイ補正ユニット３４ｂをさらに有する。ディレイ補正ユニット３４ｂは、温度調節部７０が温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えが開始されるタイミングが電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ３へ切り替わるタイミングｔ２３以降（例えば、タイミングｔ２３と同時）になるように、タイミングｔ２３ｅｓｃを調整する。タイミングｔ２３ｅｓｃは、温度調節部７０による温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えのための準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングである。ディレイ補正ユニット３４ｂは、切替信号ＳＷ２３’のタイミングｔ２３’に対して、温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングｔ２３ｅｓｃを補正時間ΔＴｅｓｃで遅らせたタイミングに補正する。この補正は、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示す温度の波形の立ち上がり部分をずらさないことに相当する。例えば、実際の切り替わりがタイミングｔ２３と同時になるように補正する場合、補正時間ΔＴｅｓｃは、次の数式４を満たす。
ΔＴｅｓｃ≒ΔＴｓｗ−Ｔｅｓｃ＝０・・・数式４
【００５９】
数式４において、Ｔｅｓｃは、ステージ１１の温度を調整する際のディレイ時間である。数式４の場合、補正時間ΔＴｅｓｃ≒０なので、温度制御部３４は、切替信号ＳＷ２３’に同期して、温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始させる。
【００６０】
なお、各ステップのディレイ時間が一定であると見なせる場合、ディレイ補正ユニット３４ｂには、予め実験的に取得された補正時間ΔＴｅｓｃが設定されていてもよい。例えば、ディレイ補正ユニット３４ｂは、図４における切替信号ＳＷ４５’のタイミングｔ４５’に対して、温度Ｔ４から温度Ｔ６への切り替えを行うタイミングを補正時間ΔＴｅｓｃで遅らせたタイミングに補正してもよい。数式４の場合、補正時間ΔＴｅｓｃ≒０なので、温度制御部３４は、切替信号ＳＷ４５’に同期して、温度Ｔ４から温度Ｔ６への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始させる。
【００６１】
例えば、温度制御部３４は、装置ホスト１８０から切替信号を受信したタイミングで、切替信号への応答（例えば、変換動作）を開始する。これにより、温度制御部３４は、温度の切り替えが許容されるタイミングｔ２３以降に（例えば、タイミングｔ２３と同時に）温度の切り替えを開始させることができる。
【００６２】
次に、基板処理装置１の具体的な補正動作について図４及び図５を用いて説明する。図５は、基板処理装置１の動作を示すフローチャートである。
【００６３】
図５に示すステップＳ１では、制御部３０が、処理期間を仮延長する。制御部３０は、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを特定し、特定されたディレイ時間の終わるタイミングに処理期間の終わるタイミングが一致するように処理期間を仮延長する。
【００６４】
例えば、図４（ａ）、（ｂ）に示す場合、ガス流量のディレイ時間Ｔｍｆｃ及び圧力のディレイ時間Ｔａｐｃに比べてステージ１１の温度のディレイ時間Ｔｅｓｃが大きい。この場合、制御部３０は、温度の切り替えにおけるディレイ時間Ｔｅｓｃが終わるタイミングに処理期間の終わるタイミングが一致するように処理期間を仮延長する。すなわち、制御部３０は、処理期間とそれに続くスタビリティ期間との合計長さを一定に保ちながら、処理期間の終わるタイミングを元のタイミングからディレイ時間Ｔｅｓｃで遅らせたタイミングへずらす。これにより、スタビリティ期間をディレイ時間Ｔｅｓｃ分短縮する。
【００６５】
例えば、制御部３０は、温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えにおけるディレイ時間Ｔｅｓｃが終わるタイミングｔ２３”に処理期間Ｔｍ２’の終わるタイミングが一致するように処理期間Ｔｍ２’を仮延長する。すなわち、制御部３０は、下記の数式５を満たしながら、処理期間Ｔｍ２’の終わるタイミングをタイミングｔ２３からディレイ時間Ｔｅｓｃで遅らせたタイミングｔ２３”へずらす。これにより、スタビリティ期間Ｔｓｔ３’をスタビリティ期間Ｔｓｔ３に比べてディレイ時間Ｔｅｓｃ分短縮する。
【００６６】
（処理期間Ｔｍ２’の長さ）＋（スタビリティ期間Ｔｓｔ３’の長さ）
＝（処理期間Ｔｍ２の長さ）＋（スタビリティ期間Ｔｓｔ３の長さ）・・・数式５
【００６７】
例えば、制御部３０は、温度Ｔ４から温度Ｔ６への切り替えにおけるディレイ時間Ｔｅｓｃが終わるタイミングｔ４５”に処理期間Ｔｍ４’の終わるタイミングが一致するように処理期間Ｔｍ４’を仮延長する。すなわち、制御部３０は、下記の数式６を満たしながら、処理期間Ｔｍ４’の終わるタイミングをタイミングｔ４５からディレイ時間Ｔｅｓｃで遅らせたタイミングｔ４５”へずらす。これにより、スタビリティ期間Ｔｓｔ５’をスタビリティ期間Ｔｓｔ５に比べてディレイ時間Ｔｅｓｃ分短縮する。
【００６８】
（処理期間Ｔｍ４’の長さ）＋（スタビリティ期間Ｔｓｔ５’の長さ）
＝（処理期間Ｔｍ４の長さ）＋（スタビリティ期間Ｔｓｔ５の長さ）・・・数式６
【００６９】
図５に示すステップＳ２では、制御部３０は、仮延長された処理期間に応じて、ディレイ補正を行う。
【００７０】
例えば、図４（ｂ）に示す場合、制御部３０は、電源の切り替わるタイミングを仮延長された処理期間の終わるタイミングに一致するように補正する。制御部３０は、ガス流量の切り替えを開始するタイミングが仮延長された処理期間の終わるタイミングに一致するように補正する。制御部３０は、圧力の切り替えを開始するタイミングが仮延長された処理期間の終わるタイミングに一致するように補正する。
【００７１】
例えば、制御部３０は、電源２０または８０についてレベルＰＷ２からレベルＰＷ３への切り替えを行うタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ２’の終わるタイミングｔ２３”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、電源２０または８０についてレベルＰＷ２からレベルＰＷ３への切り替えを行うタイミングを、タイミングｔ２３から補正時間ΔＴｐｗで遅らせたタイミングｔ２３”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示す電源の波形の立下り部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。
【００７２】
例えば、制御部３０は、処理ガスの流量について流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えを開始するタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ２’の終わるタイミングｔ２３”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、処理ガスの流量について流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えの準備動作（すなわち、ガス流量制御部３２による切替信号への応答）を開始するタイミングを、タイミングｔ２３から補正時間ΔＴｍｆｃで遅らせたタイミングｔ２３ｍｆｃ”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示すガス流量の波形の立ち上がり部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。
【００７３】
例えば、制御部３０は、処理室９０の圧力について圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えを開始するタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ２’の終わるタイミングｔ２３”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、処理室９０の圧力について圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えの準備動作（すなわち、圧力制御部３３による切替信号への応答）を開始するタイミングを、タイミングｔ２３から補正時間ΔＴａｐｃで遅らせたタイミングｔ２３ａｐｃ”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示す圧力の波形の立ち上がり部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。
【００７４】
例えば、制御部３０は、ステージ１１の温度について温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えを開始するタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ２’の終わるタイミングｔ２３”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、ステージ１１の温度について温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えの準備動作（すなわち、温度制御部３４による切替信号への応答）を開始するタイミングを、タイミングｔ２３から補正時間ΔＴｅｓｃ（≒０）で遅らせたタイミングｔ２３ｅｓｃ”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示す温度の波形の立ち上がり部分をずらさないことに相当する。
【００７５】
例えば、制御部３０は、電源２０または８０についてレベルＰＷ４からレベルＰＷ５への切り替えを行うタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ４’の終わるタイミングｔ４５”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、電源２０または８０についてレベルＰＷ４からレベルＰＷ５への切り替えを行うタイミングを、タイミングｔ４５から補正時間ΔＴｐｗで遅らせたタイミングｔ４５”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示す電源の波形の立下り部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。
【００７６】
例えば、制御部３０は、処理ガスの流量について流量Ｆ４から流量Ｆ６への切り替えを開始するタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ４’の終わるタイミングｔ４５”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、処理ガスの流量について流量Ｆ４から流量Ｆ６への切り替えの準備動作（すなわち、ガス流量制御部３２による切替信号への応答）を開始するタイミングを、タイミングｔ４５から補正時間ΔＴｍｆｃで遅らせたタイミングｔ４５ｍｆｃ”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示すガス流量の波形の立ち上がり部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。
【００７７】
例えば、制御部３０は、処理室９０の圧力について圧力Ｐ４から圧力Ｐ６への切り替えを開始するタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ４’の終わるタイミングｔ４５”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、処理室９０の圧力について圧力Ｐ４から圧力Ｐ６への切り替えの準備動作（すなわち、圧力制御部３３による切替信号への応答）を開始するタイミングを、タイミングｔ４５から補正時間ΔＴａｐｃで遅らせたタイミングｔ４５ａｐｃ”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示す圧力の波形の立ち上がり部分を破線で示すものから実線で示すものにずらすことに相当する。
【００７８】
例えば、制御部３０は、ステージ１１の温度について温度Ｔ４から温度Ｔ６への切り替えを開始するタイミングを、仮延長された処理期間Ｔｍ４’の終わるタイミングｔ４５”に一致するように補正する。すなわち、制御部３０は、ステージ１１の温度について温度Ｔ４から温度Ｔ６への切り替えの準備動作（すなわち、温度制御部３４による切替信号への応答）を開始するタイミングを、タイミングｔ４５から補正時間ΔＴｅｓｃ（≒０）で遅らせたタイミングｔ４５ｅｓｃ”に補正する。この補正は、図４（ｂ）に示す温度の波形の立ち上がり部分をずらさないことに相当する。
【００７９】
図５に示すステップＳ３では、制御部３０が、加工ステップの処理期間の長さを元の長さに復元するとともに、切替信号のタイミングを調整する。制御部３０は、電源及び処理条件の各波形において、切替信号のタイミングから処理期間の終わるタイミングまでの部分を処理期間の始まるタイミングの側へシフトさせるように、加工ステップの処理期間の長さを元の長さに復元する。このとき、制御部３０は、切替信号も同様にシフトさせる。
【００８０】
例えば、図４（ｂ）、（ｃ）に示す場合、制御部３０は、切替信号、電源、ガス流量、圧力、及び温度の各波形において、加工ステップの処理期間内にある切替信号のタイミングから加工ステップの処理期間の終わるタイミングまでの部分を処理期間の始まるタイミングの側へシフトさせ、加工ステップの処理期間の長さを元の長さに復元する。
【００８１】
例えば、制御部３０は、図４（ｂ）に示すような切替信号、電源、ガス流量、圧力、及び温度の各波形において、切替信号ＳＷ２３のタイミングｔ２３以降の部分を、全体的に、図４（ｃ）に示すように、加工ステップの処理期間の始まるタイミングｔ１２の側へシフトさせる。これにより、制御部３０は、切替信号ＳＷ２３’のタイミングをタイミングｔ２３から時間ΔＴｓｗ前のタイミングｔ２３’にずらす。時間ΔＴｓｗは、各処理条件のディレイ時間のうち最大のもの（例えば、図４（ａ）の場合、ステージ１１の温度のディレイ時間Ｔｅｓｃ）に均等な長さを有している。
【００８２】
また、制御部３０は、電源２０または８０のレベル（ＲＦパワーのレベル）について、レベルＰＷ２からレベルＰＷ３への切り替えを行うタイミングをタイミングｔ２３からタイミングｔ２３’にずらす。制御部３０は、処理ガスの流量について、流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えの準備動作（すなわち、ガス流量制御部３２による切替信号への応答）を開始するタイミングをタイミングｔ２３ｍｆｃ”からタイミングｔ２３ｍｆｃにずらすとともに、流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えを開始するタイミングをタイミングｔ２３”からタイミングｔ２３にずらす。制御部３０は、処理室９０の圧力について、圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えの準備動作（すなわち、圧力制御部３３による切替信号への応答）を開始するタイミングをタイミングｔ２３ａｐｃ”からタイミングｔ２３ａｐｃにずらすとともに、圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えを開始するタイミングをタイミングｔ２３”からタイミングｔ２３にずらす。制御部３０は、ステージ１１の温度について、温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えの準備動作（すなわち、温度制御部３４による切替信号への応答）を開始するタイミングをタイミングｔ２３ｅｓｃ”からタイミングｔ２３ｅｓｃにずらすとともに、温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えを開始するタイミングをタイミングｔ２３”からタイミングｔ２３にずらす。
【００８３】
例えば、制御部３０は、図４（ｂ）に示すような切替信号、電源、ガス流量、圧力、及び温度の各波形において、切替信号ＳＷ４５のタイミングｔ４５以降の部分を、全体的に、図４（ｃ）に示すように、処理期間の始まるタイミングｔ３４の側へシフトさせる。これにより、制御部３０は、切替信号ＳＷ４５’のタイミングをタイミングｔ４５から時間ΔＴｓｗ前のタイミングｔ４５’にずらす。時間ΔＴｓｗは、各処理条件のディレイ時間のうち最大のもの（例えば、図４（ａ）の場合、ステージ１１の温度のディレイ時間Ｔｅｓｃ）に均等な長さを有している。
【００８４】
また、制御部３０は、電源２０または８０のレベル（ＲＦパワー）について、レベルＰＷ４からレベルＰＷ５への切り替えを行うタイミングをタイミングｔ４５からタイミングｔ４５’にずらす。制御部３０は、処理ガスの流量について、流量Ｆ４から流量Ｆ６への切り替えの準備動作（すなわち、ガス流量制御部３２による切替信号への応答）を開始するタイミングをタイミングｔ４５ｍｆｃ”からタイミングｔ４５ｍｆｃにずらすとともに、流量Ｆ４から流量Ｆ６への切り替えを開始するタイミングをタイミングｔ４５”からタイミングｔ４５にずらす。制御部３０は、処理室９０の圧力について、圧力Ｐ４から圧力Ｐ６への切り替えの準備動作（すなわち、圧力制御部３３による切替信号への応答）を開始するタイミングをタイミングｔ４５ａｐｃ”からタイミングｔ４５ａｐｃにずらすとともに、圧力Ｐ４から圧力Ｐ６への切り替えを開始するタイミングをタイミングｔ４５”からタイミングｔ４５にずらす。制御部３０は、ステージ１１の温度について、温度Ｔ４から温度Ｔ６への切り替えの準備動作（すなわち、温度制御部３４による切替信号への応答）を開始するタイミングをタイミングｔ４５ｅｓｃ”からタイミングｔ４５ｅｓｃにずらすとともに、温度Ｔ４から温度Ｔ６への切り替えを開始するタイミングをタイミングｔ４５”からタイミングｔ４５にずらす。
【００８５】
以上のように、第１の実施形態では、基板処理装置１において、制御部３０は、電源２０または８０から供給されるパワーが第１の処理条件に対応した第１のレベルに維持されている期間において、すなわちパワーが第１のレベルから第２のレベルに切り替わるタイミングより前に、準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するように制御する。この準備動作は、パワーと異なる他の処理パラメータを第１の処理条件に対応したレベルから第２の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。これにより、第１の処理条件による基板処理と処理パラメータの第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えの準備動作とを並行して行うことができ、第１の処理条件による基板処理が完了した際に処理パラメータの第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えをすぐに開始することができる。この結果、第１の処理条件から第２の処理条件へ処理条件が切り替わるための時間（すなわち、スタビリティ期間）を短縮できる。
【００８６】
例えば、制御部３０は、第２の処理条件を安定化させるためのスタビリティ期間が始まるタイミングより前に、基板処理部４０による他の処理パラメータ（例えば、ガス流量、圧力、温度）の第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えのための準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するように制御する。これにより、第１の処理条件による基板処理と処理パラメータの第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えの準備動作とをスタビリティ期間が開始する直前に並行して行うことができ、スタビリティ期間が開始した際に処理パラメータの第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えをすぐに開始させることができる。
【００８７】
また、第１の実施形態では、基板処理装置１において、制御部３０は、電源２０または８０のパワー（処理パラメータの１つ）が切り替わるタイミング以降に基板処理部４０が他の処理パラメータ（例えば、ガス流量、圧力、温度）の切り替えを開始するように、準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングを調整する。この準備動作は、パワーと異なる他の処理パラメータを第１の処理条件に対応したレベルから第２の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。これにより、第１の処理条件による基板処理の完了に同期して第２の処理条件への切り替えを開始させることができ、第１の処理条件から第２の処理条件へ処理条件が切り替わるための時間（すなわち、スタビリティ期間）を効率的に短縮できる。
【００８８】
例えば、制御部３０は、スタビリティ期間が始まるタイミング以降に基板処理部４０が他の処理パラメータの切り替えを開始するように、準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングを調整する。これにより、スタビリティ期間の開始に同期して他の処理パラメータの第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えを開始させることができ、第１の処理条件から第２の処理条件へ処理条件が切り替わるための時間を効率的に短縮できる。
【００８９】
なお、第１の実施形態では、各層の加工を行う処理期間の前にプラズマ放電を休止させ処理条件を安定化させるためのスタビリティ期間を設けてプラズマを断続的に放電させているが、プラズマを連続放電させてもよい。例えば、図６（ａ）に示すように、スタビリティ期間Ｔｓｔ３（図３（ａ）参照）を設けずに、Ｌａｙｅｒ１の加工を行う処理期間Ｔｍ２の次に、Ｌａｙｅｒ２の加工を行う処理期間Ｔｍ４を設ける。例えば、電源制御部３１は、前ステップの終了信号（切替信号ＳＷ２３）に同期して、電源２０または８０のパワーをレベルＰＷ２からレベルＰＷ４に切り替える。レベルＰＷ２は、Ｌａｙｅｒ１の処理条件に対応したパワーのレベルである。レベルＰＷ４は、Ｌａｙｅｒ２の処理条件に対応したパワーのレベルである。このとき、切替信号ＳＷ２３のタイミングｔ２３からガス流量、圧力、及びステージ温度がいずれも安定するタイミングｔ３４までの時間が切り替え時間である。
【００９０】
この場合でも、例えば、制御部３０は、図６（ａ）に示す動作を図６（ｂ）に示す動作へ補正する。より具体的には、ガス流量制御部３２は、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ４に切り替わるタイミングｔ２３より前に、ガス流量調節部５０が処理ガスの流量について流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するように制御する。圧力制御部３３は、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ４に切り替わるタイミングｔ２３より前に、圧力調節部６０が処理室９０の圧力について圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するように制御する。温度制御部３４は、電源２０または８０がレベルＰＷ２からレベルＰＷ４に切り替わるタイミングｔ２３より前に、温度調節部７０がステージ１１の温度について温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するように制御する。
【００９１】
このように、制御部３０は、電源２０または８０が第１の処理条件に対応したレベルから第２の処理条件に対応したレベルに切り替わるタイミングより前に、準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するように制御する。この準備動作は、パワーと異なる他の処理パラメータを第１の処理条件に対応したレベルから第２の処理条件に対応したレベルに切り替えるための準備となる動作である。これにより、第１の処理条件による基板処理の完了に同期して処理パラメータの第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えを開始させることができ、第１の処理条件から第２の処理条件へ処理条件が切り替わるための時間（すなわち、切り替え時間）を効率的に短縮できる。すなわち、Ｌａｙｅｒ２の加工を行う処理期間Ｔｍ４ｉにおける各処理パラメータが不安定な期間を短縮できるので、例えばＬａｙｅｒ２の加工精度を向上できる。
【００９２】
また、例えば、ガス流量制御部３２のディレイ補正ユニット３２ｂは、電源２０または８０の切り替わるタイミングｔ２３以降（例えば、タイミングｔ２３と同時）にガス流量調節部５０が流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えを開始するように、ガス流量調節部５０による流量Ｆ２から流量Ｆ４への切り替えのための準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングｔ２３ｍｆｃを調整する。圧力制御部３３のディレイ補正ユニット３３ｂは、圧力調節部６０が圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えを開始するタイミングが電源２０または８０の切り替わるタイミングｔ２３以降（例えば、タイミングｔ２３と同時）になるように、圧力調節部６０による圧力Ｐ２から圧力Ｐ４への切り替えのための準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングｔ２３ａｐｃを調整する。温度制御部３４のディレイ補正ユニット３４ｂは、温度調節部７０が温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えを開始するタイミングが電源２０または８０の切り替わるタイミングｔ２３以降（例えば、タイミングｔ２３と同時）になるように、温度調節部７０による温度Ｔ２から温度Ｔ４への切り替えのための準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングｔ２３ｅｓｃを調整する。
【００９３】
このように、制御部３０は、電源２０または８０のパワー（処理パラメータの１つ）の切り替わるタイミング以降に基板処理部４０が他の処理パラメータ（例えば、ガス流量、圧力、温度）の第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えを開始するように、準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングを調整する。これにより、第１の処理条件による基板処理の完了に同期して他の処理パラメータの第２の処理条件に対応したレベルへの切り替えを開始させることができ、第１の処理条件から第２の処理条件へ処理条件が切り替わるための時間（すなわち、切り替え時間）を効率的に短縮できる。
【００９４】
あるいは、第１の実施形態では、基板処理部４０がプラズマ処理を行ってエッチング加工（例えば、ＲＩＥ）を行う場合について例示的に説明しているが、第１の実施形態の考え方は、基板処理部４０がプラズマ処理を行って連続的な成膜処理（例えば、プラズマＣＶＤ）を行うものであっても適用できる。あるいは、第１の実施形態の考え方は、基板処理部４０がプラズマ処理以外の処理を行って連続成膜処理（例えば、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤ、エピタキシャルＣＶＤ、アトミックレイヤーＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、分子線エピタキシー、イオンめっき、イオンビームデポジション、スパッタリングなど）を行うものであっても適用できる。
【００９５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる基板処理装置１００について説明する。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００９６】
第１の実施形態では、各ステップのディレイ時間が一定であると見なせる場合を想定し、各ディレイ補正ユニット３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ，３４ｂが一定の補正を行っているが、第２の実施形態では、各ステップのディレイ時間が異なる場合に対応できるように各ディレイ補正ユニット１３１ｂ，１３２ｂ，１３３ｂ，１３４ｂを改良する。
【００９７】
具体的には、基板処理装置１００において、制御部１３０は、図７に示すように、電源制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、及び温度制御部３４（図１参照）に代えて、電源制御部１３１、ガス流量制御部１３２、圧力制御部１３３、及び温度制御部１３４を有する。図７は、基板処理装置１００の構成を示す図である。
【００９８】
電源制御部１３１は、ディレイ補正ユニット３１ｂ（図１参照）に代えてディレイ補正ユニット１３１ｂを有し、記憶回路（記憶部）１３１ｃをさらに有する。ディレイ補正ユニット１３１ｂは、ディレイ補正回路１３１ｂ１及び演算回路１３１ｂ２を有する。記憶回路１３１ｃには、第１の処理条件から第２の処理条件に切り替わる際における電源２０または８０のディレイ時間に関するディレイ情報１３１ｃ１を記憶する。
【００９９】
ディレイ情報１３１ｃ１では、複数の工程識別子について、工程識別子とディレイ時間とが互いに対応付けられている。ディレイ情報１３１ｃ１は、例えば図９に示すように、工程識別子欄１３５１及びディレイ時間欄１３５２を含む。図９は、ディレイ情報１３１ｃ１のデータ構造を示す図である。工程識別子欄１３５１には、工程識別子（例えば、工程番号）Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，・・・が記録されている。ディレイ時間欄１３５２には、ディレイ時間ＤＴ１，ＤＴ２，ＤＴ３，・・・が記録されている。ディレイ情報１３１ｃ１を参照することにより、工程識別子Ｎ１への切り替えにおける電源２０または８０のディレイ時間がＤＴ１であることが分かり、工程識別子Ｎ２への切り替えにおける電源２０または８０のディレイ時間がＤＴ２であることが分かり、工程識別子Ｎ３への切り替えにおける電源２０または８０のディレイ時間がＤＴ３であることが分かる。
【０１００】
なお、電源２０または８０のディレイ時間が無視できる場合、ＤＴ１＝０、ＤＴ２＝０、ＤＴ３＝０に設定される。
【０１０１】
演算回路１３１ｂ２は、現在の工程識別子を認識し、記憶回路１３１ｃのディレイ情報１３１ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間（≒０）を特定する。また、演算回路１３１ｂ２は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路１３１ｂ２は、特定されたディレイ時間（≒０）と時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式１を用いて補正時間ΔＴｐｗを演算してディレイ補正回路１３１ｂ１へ供給する。ディレイ補正回路１３１ｂ１は、補正時間ΔＴｐｗを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３１ｂと同様の補正を行う。
【０１０２】
ガス流量制御部１３２は、ディレイ補正ユニット３２ｂ（図１参照）に代えてディレイ補正ユニット１３２ｂを有し、記憶回路（記憶部）１３２ｃをさらに有する。ディレイ補正ユニット１３２ｂは、ディレイ補正回路１３２ｂ１及び演算回路１３２ｂ２を有する。記憶回路１３２ｃには、第１の処理条件から第２の処理条件に切り替わる際におけるガス流量調節部５０のディレイ時間に関するディレイ情報１３２ｃ１を記憶する。
【０１０３】
ディレイ情報１３２ｃ１では、複数の工程識別子について、工程識別子とディレイ時間とが互いに対応付けられている。ディレイ情報１３２ｃ１は、例えば図９に示すようなデータ構造を有している。ディレイ情報１３２ｃ１を参照することにより、工程識別子Ｎ１への切り替えにおけるガス流量調節部５０のディレイ時間がＤＴ１であることが分かり、工程識別子Ｎ２への切り替えにおけるガス流量調節部５０のディレイ時間がＤＴ２であることが分かり、工程識別子Ｎ３への切り替えにおけるガス流量調節部５０のディレイ時間がＤＴ３であることが分かる。
【０１０４】
なお、記憶回路１３２ｃに記憶されたディレイ情報は、例えば、図８に示すように、実験的に取得することができる。例えば、工程識別子Ｎ１＝工程１への切り替えにおけるガス流量調節部５０のディレイ時間ＤＴ１＝Ｔｍｆｃ１が取得される。工程識別子Ｎ２＝工程１３への切り替えにおけるガス流量調節部５０のディレイ時間ＤＴ２＝Ｔｍｆｃ１３が取得される。工程識別子Ｎ３＝工程１９への切り替えにおけるガス流量調節部５０のディレイ時間ＤＴ３＝Ｔｍｆｃ１９が取得される。
【０１０５】
演算回路１３２ｂ２は、現在の工程識別子を認識し、記憶回路１３２ｃのディレイ情報１３２ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔｍｆｃを特定する。また、演算回路１３２ｂ２は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路１３２ｂ２は、特定されたディレイ時間Ｔｍｆｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式２と同様に補正時間ΔＴｍｆｃを演算してディレイ補正回路１３２ｂ１へ供給する。ディレイ補正回路１３２ｂ１は、補正時間ΔＴｍｆｃを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３２ｂと同様の補正を行う。
【０１０６】
圧力制御部１３３は、ディレイ補正ユニット３３ｂ（図１参照）に代えてディレイ補正ユニット１３３ｂを有し、記憶回路（記憶部）１３３ｃをさらに有する。ディレイ補正ユニット１３３ｂは、ディレイ補正回路１３３ｂ１及び演算回路１３３ｂ２を有する。記憶回路１３３ｃには、第１の処理条件から第２の処理条件に切り替わる際における圧力調節部６０のディレイ時間に関するディレイ情報１３３ｃ１を記憶する。
【０１０７】
ディレイ情報１３３ｃ１では、複数の工程識別子について、工程識別子とディレイ時間とが互いに対応付けられている。ディレイ情報１３３ｃ１は、例えば図９に示すようなデータ構造を有している。ディレイ情報１３３ｃ１を参照することにより、工程識別子Ｎ１への切り替えにおける圧力調節部６０のディレイ時間がＤＴ１であることが分かり、工程識別子Ｎ２への切り替えにおける圧力調節部６０のディレイ時間がＤＴ２であることが分かり、工程識別子Ｎ３への切り替えにおける圧力調節部６０のディレイ時間がＤＴ３であることが分かる。
【０１０８】
なお、記憶回路１３３ｃに記憶されたディレイ情報は、例えば、図８に示すように、実験的に取得することができる。例えば、工程識別子Ｎ１＝工程１への切り替えにおける圧力調節部６０のディレイ時間ＤＴ１＝Ｔａｐｃ１が取得される。工程識別子Ｎ２＝工程１３への切り替えにおける圧力調節部６０のディレイ時間ＤＴ２＝Ｔａｐｃ１３が取得される。工程識別子Ｎ３＝工程１９への切り替えにおける圧力調節部６０のディレイ時間ＤＴ３＝Ｔａｐｃ１９が取得される。
【０１０９】
演算回路１３３ｂ２は、現在の工程識別子を認識し、記憶回路１３３ｃのディレイ情報１３３ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔａｐｃを特定する。また、演算回路１３３ｂ２は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路１３３ｂ２は、特定されたディレイ時間Ｔａｐｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式３と同様に補正時間ΔＴａｐｃを演算してディレイ補正回路１３３ｂ１へ供給する。ディレイ補正回路１３３ｂ１は、補正時間ΔＴａｐｃを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３３ｂと同様の補正を行う。
【０１１０】
温度制御部１３４は、ディレイ補正ユニット３４ｂ（図１参照）に代えてディレイ補正ユニット１３４ｂを有し、記憶回路（記憶部）１３４ｃをさらに有する。ディレイ補正ユニット１３４ｂは、ディレイ補正回路１３４ｂ１及び演算回路１３４ｂ２を有する。記憶回路１３４ｃには、第１の処理条件から第２の処理条件に切り替わる際における温度調節部７０のディレイ時間に関するディレイ情報１３４ｃ１を記憶する。
【０１１１】
ディレイ情報１３４ｃ１では、複数の工程識別子について、工程識別子とディレイ時間とが互いに対応付けられている。ディレイ情報１３４ｃ１は、例えば図９に示すようなデータ構造を有している。ディレイ情報１３４ｃ１を参照することにより、工程識別子Ｎ１への切り替えにおける温度調節部７０のディレイ時間がＤＴ１であることが分かり、工程識別子Ｎ２への切り替えにおける温度調節部７０のディレイ時間がＤＴ２であることが分かり、工程識別子Ｎ３への切り替えにおける温度調節部７０のディレイ時間がＤＴ３であることが分かる。
【０１１２】
なお、記憶回路１３４ｃに記憶されたディレイ情報は、例えば、図８に示すように、実験的に取得することができる。例えば、工程識別子Ｎ１＝工程１への切り替えにおける温度調節部７０のディレイ時間ＤＴ１＝Ｔｅｓｃ１が取得される。工程識別子Ｎ２＝工程１３への切り替えにおける温度調節部７０のディレイ時間ＤＴ２＝Ｔｅｓｃ１３が取得される。工程識別子Ｎ３＝工程１９への切り替えにおける温度調節部７０のディレイ時間ＤＴ３＝Ｔｅｓｃ１９が取得される。
【０１１３】
演算回路１３４ｂ２は、現在の工程識別子を認識し、記憶回路１３４ｃのディレイ情報１３４ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔｅｓｃを特定する。また、演算回路１３４ｂ２は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路１３４ｂ２は、特定されたディレイ時間Ｔｅｓｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式４と同様に補正時間ΔＴｅｓｃを演算してディレイ補正回路１３４ｂ１へ供給する。ディレイ補正回路１３４ｂ１は、補正時間ΔＴｅｓｃを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３４ｂと同様の補正を行う。
【０１１４】
また、基板処理装置１００の具体的な補正動作が、図１０に示すように、次の点で第１の実施形態と異なる。
【０１１５】
ステップＳ１４では、制御部１３０が、現在の工程識別子を認識する。例えば、制御部１３０は、処理期間Ｔｍ２において、「工程２」を現在の工程識別子として認識する。制御部１３０は、例えば、装置ホスト１８０に問い合わせてその応答を受信することで、現在の工程識別子を認識してもよい。
【０１１６】
ステップＳ１５では、制御部１３０が、ディレイ情報を参照し、ディレイ情報に応じて、補正時間を決定する。
【０１１７】
例えば、制御部１３０は、電源２０または８０のレベル（ＲＦパワーのレベル）について、記憶回路１３１ｃのディレイ情報１３２ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間（≒０）を特定する。また、制御部１３０は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。制御部１３０は、特定されたディレイ時間（≒０）と時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式１を用いて補正時間ΔＴｐｗを演算する。これにより、制御部１３０は、補正時間ΔＴｐｗを決定する。
【０１１８】
また、例えば、制御部１３０は、処理ガスの流量について、記憶回路１３２ｃのディレイ情報１３２ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔｍｆｃを特定する。また、制御部１３０は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。制御部１３０は、特定されたディレイ時間Ｔｍｆｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式２と同様に補正時間ΔＴｍｆｃを演算する。これにより、制御部１３０は、補正時間ΔＴｍｆｃを決定する。
【０１１９】
また、例えば、制御部１３０は、処理室９０の圧力について、記憶回路１３３ｃのディレイ情報１３３ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔａｐｃを特定する。また、制御部１３０は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。制御部１３０は、特定されたディレイ時間Ｔａｐｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式３と同様に補正時間ΔＴａｐｃを演算する。これにより、制御部１３０は、補正時間ΔＴａｐｃを決定する。
【０１２０】
また、例えば、制御部１３０は、ステージ１１の温度について、記憶回路１３４ｃのディレイ情報１３４ｃ１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔｅｓｃを特定する。また、制御部１３０は、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃのディレイ情報を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。制御部１３０は、特定されたディレイ時間Ｔｅｓｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式４と同様に補正時間ΔＴｅｓｃを演算する。これにより、制御部１３０は、補正時間ΔＴｅｓｃを決定する。
【０１２１】
ステップＳ１６では、制御部１３０が、ディレイ時間を補正すべき全ての工程間についてステップＳ１４〜ステップＳ３の処理を行ったか否かを判断する。制御部１３０は、全ての工程間について処理を行っていない場合（ステップＳ１６でＮｏ）、処理をステップＳ１４へ戻し、全ての工程間について処理を行った場合（ステップＳ１６でＹｅｓ）、処理を終了する。
【０１２２】
以上のように、第２の実施形態では、基板処理装置１００の制御部１３０において、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃが、第１の処理条件から第２の処理条件に切り替わる際における基板処理部４０のディレイ時間に関するディレイ情報を記憶する。各ディレイ補正ユニット１３１ｂ，１３２ｂ，１３３ｂ，１３４ｂは、各記憶回路１３１ｃ，１３２ｃ，１３３ｃ，１３４ｃに記憶されたディレイ情報に応じて、電源２０または８０の切り替わるタイミングより前になるように切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングを調整する。これにより、次の処理条件への切り替えのディレイ時間を考慮しながら、切り替えの準備動作を開始するタイミングを調整できるので、異なる工程間の切り替えについてディレイ時間が一定でない場合に、処理条件が切り替わるための時間（すなわち、スタビリティ期間）を短縮できる。
【０１２３】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態にかかる図１１に示すような基板処理装置２００について説明する。以下では、第２の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１２４】
第２の実施形態では、工程間の切り替えについて補正時間の演算を制御部１３０側で行っているが、第３の実施形態では、補正時間の演算を装置ホスト２８０側で行う。
【０１２５】
具体的には、基板処理装置２００において、制御部２３０は、図１１に示すように、電源制御部１３１、ガス流量制御部１３２、圧力制御部１３３、及び温度制御部１３４（図７参照）に代えて、電源制御部２３１、ガス流量制御部２３２、圧力制御部２３３、及び温度制御部２３４を有する。第２の実施形態では、図７に示したようにディレイ補正ユニット２８３及び記憶回路２８４は、電源制御部１３１、ガス流量制御部１３２、圧力制御部１３３、及び温度制御部１３４にそれぞれ設けられていたが、第３の実施形態では図１１に示すように装置ホスト２８０内に設けられている。それに応じて、電源制御部２３１、ガス流量制御部２３２、圧力制御部２３３、及び温度制御部２３４は、それぞれ、ディレイ補正ユニット及び記憶回路が省略された構成になっている。
【０１２６】
ディレイ補正ユニット２８３及び記憶回路２８４の動作は基本的に第２の実施形態と同様であるが、記憶回路２８４に記憶されたディレイ情報２８４１のデータ構造が図１２に示すように第２の実施形態と異なる。
【０１２７】
ディレイ情報２８４１では、複数の工程識別子及び複数の条件識別子について、工程識別子と条件識別子とディレイ時間とが互いに対応付けられている。ディレイ情報２８４１は、例えば図１２に示すように、工程識別子欄２８５１、条件識別子欄２８５３、及びディレイ時間欄２８５２を含む。図１２は、ディレイ情報２８４１のデータ構造を示す図である。工程識別子欄２８５１には、工程識別子（例えば、工程番号）Ｎ１，Ｎ２，・・・が記録されている。条件識別子欄２８５３には、条件識別子ＣＤ１，ＣＤ２，ＣＤ３，ＣＤ４，・・・が記録されている。ディレイ時間欄２８５２には、ディレイ時間ＤＴ１１，ＤＴ１２，ＤＴ１３，ＤＴ１４，ＤＴ２１，ＤＴ２２，ＤＴ２３，ＤＴ２４，・・・が記録されている。ディレイ情報２８４１を参照することにより、工程識別子Ｎ１への切り替えにおける条件識別子ＣＤ１（ガス流量）のディレイ時間がＤＴ１１であることが分かり、工程識別子Ｎ１への切り替えにおける条件識別子ＣＤ２（圧力）のディレイ時間がＤＴ１２であることが分かり、工程識別子Ｎ１への切り替えにおける条件識別子ＣＤ３（ＥＳＣ温度）のディレイ時間がＤＴ１３であることが分かり、工程識別子Ｎ１への切り替えにおける条件識別子ＣＤ４（電源）のディレイ時間がＤＴ１４であることが分かる。ディレイ情報２８４１を参照することにより、工程識別子Ｎ２への切り替えにおける条件識別子ＣＤ１（ガス流量）のディレイ時間がＤＴ２１であることが分かり、工程識別子Ｎ２への切り替えにおける条件識別子ＣＤ２（圧力）のディレイ時間がＤＴ２２であることが分かり、工程識別子Ｎ２への切り替えにおける条件識別子ＣＤ３（ＥＳＣ温度）のディレイ時間がＤＴ２３であることが分かり、工程識別子Ｎ２への切り替えにおける条件識別子ＣＤ４（電源）のディレイ時間がＤＴ２４であることが分かる。
【０１２８】
ディレイ補正ユニット２８３は、ディレイ補正回路２８３１及び演算回路２８３２を有する。
【０１２９】
演算回路２８３２は、現在の工程識別子を認識し、電源のレベル（ＲＦパワーのレベル）について、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間（≒０）を特定する。また、演算回路２８３２は、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路２８３２は、特定されたディレイ時間（≒０）と時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式１を用いて補正時間ΔＴｐｗを演算してディレイ補正回路２８３１へ供給する。ディレイ補正回路２８３１は、補正時間ΔＴｐｗを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３１ｂと同様の補正を行い、補正結果を電源制御部２３１へ送信する。これにより、電源制御部２３１は、補正結果を受信し、受信された補正結果に従い、電源２０または８０を第１の実施形態と同様に制御する。
【０１３０】
また、演算回路２８３２は、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔｍｆｃを特定する。また、演算回路２８３２は、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路２８３２は、特定されたディレイ時間Ｔｍｆｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式２と同様に補正時間ΔＴｍｆｃを演算してディレイ補正回路２８３１へ供給する。ディレイ補正回路２８３１は、補正時間ΔＴｍｆｃを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３２ｂと同様の補正を行い、補正結果をガス流量制御部２３２へ送信する。これにより、ガス流量制御部２３２は、補正結果を受信し、受信された補正結果に従い、ガス流量調節部５０を第１の実施形態と同様に制御する。
【０１３１】
また、演算回路２８３２は、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔａｐｃを特定する。また、演算回路２８３２は、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路２８３２は、特定されたディレイ時間Ｔａｐｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式３と同様に補正時間ΔＴａｐｃを演算してディレイ補正回路２８３１へ供給する。ディレイ補正回路２８３１は、補正時間ΔＴａｐｃを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３３ｂと同様の補正を行い、補正結果を圧力制御部２３３へ送信する。これにより、圧力制御部２３３は、補正結果を受信し、受信された補正結果に従い、圧力調節部６０を第１の実施形態と同様に制御する。
【０１３２】
また、演算回路２８３２は、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、現在の工程識別子に対応するディレイ時間Ｔｅｓｃを特定する。また、演算回路２８３２は、記憶回路２８４のディレイ情報２８４１を参照して、各処理条件のディレイ時間のうち最大のものを、切替信号のタイミングをずらずための時間ΔＴｓｗとして特定する。演算回路２８３２は、特定されたディレイ時間Ｔｅｓｃと時間ΔＴｓｗとに基づいて、例えば、数式４と同様に補正時間ΔＴｅｓｃを演算してディレイ補正回路２８３１へ供給する。ディレイ補正回路２８３１は、補正時間ΔＴｅｓｃを用いて、第１の実施形態のディレイ補正ユニット３４ｂと同様の補正を行い、補正結果を温度制御部２３４へ送信する。これにより、温度制御部２３４は、補正結果を受信し、受信された補正結果に従い、温度調節部７０を第１の実施形態と同様に制御する。
【０１３３】
以上のように、第３の実施形態では、装置ホスト２８０において、記憶回路２８４が、第１の処理条件から第２の処理条件に切り替わる際における基板処理部４０のディレイ時間に関するディレイ情報を記憶する。ディレイ補正ユニット２８３は、記憶回路２８４に記憶されたディレイ情報に応じて、電源２０または８０のパワーの切り替わるタイミングより前になるように切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングを調整した補正結果を制御部２３０へ送信する。これにより、制御部２３０は、次の処理条件への切り替えのディレイ時間を考慮しながら、切り替えの準備動作（すなわち、切替信号への応答）を開始するタイミングを制御できるので、異なる工程間の切り替えについてディレイ時間が一定でない場合に、処理条件が切り替わるための時間（すなわち、スタビリティ期間）を短縮できる。
【０１３４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３５】
１，１００，２００  基板処理装置、２０，８０  電源、４０  基板処理部、３０，１３０，２３０  制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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