(57)【要約】【課題】配線層の微細化に容易に対応することができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１０は、配線層７２を被覆する絶縁層８２と、絶縁層８２の上面８２Ａに開口し、配線層７２の表面を露出する貫通孔ＶＨ９と、貫通孔ＶＨ９を充填するビアＶ９と、ビアＶ９と接続されるとともに、絶縁層８２上に積層されたプレーン層７４と、を有する。また、配線基板１０は、プレーン層７４の上面に開口し、絶縁層８２の上面８２Ａを露出する貫通孔７４Ｘと、貫通孔７４Ｘを充填するとともに、プレーン層７４を被覆する絶縁層８３と、絶縁層８３上に積層された信号配線７６と、を有する。そして、貫通孔ＶＨ９は、信号配線７６と平面視で重なる位置に形成され、貫通孔７４Ｘは、信号配線７６と平面視で重ならない位置に形成されている。【選択図】図１
2015041630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層を被覆する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面に開口し、前記第１配線層の表面を露出する第１貫通孔と、
前記第１貫通孔を充填するビアと、
前記ビアと接続されるとともに、前記第１絶縁層上に積層されたプレーン層と、
前記プレーン層の表面に開口し、前記第１絶縁層の表面を露出する第２貫通孔と、
前記第２貫通孔を充填するとともに、前記プレーン層を被覆する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に積層された信号配線と、を有し、
前記第１貫通孔は、前記信号配線と平面視で重なる位置に形成され、
前記第２貫通孔は、前記信号配線と平面視で重ならない位置に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記プレーン層は、前記第２絶縁層上にべた状に形成された導電層であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記信号配線は、ライン／スペース＝１０μｍ／１０μｍ以下の配線であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層上に積層され、前記第２貫通孔内に形成された第２配線層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記プレーン層と前記ビアとは一体に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記プレーン層は、前記ビアの端面と接続され、
前記第２絶縁層と前記第１絶縁層とは異なる材料からなり、前記第２絶縁層は感光性を有する樹脂材からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項７】
第１配線層を被覆するように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の表面に、前記第１配線層の表面を露出する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を充填するビアを形成する工程と、
前記第１絶縁層の表面を露出する第２貫通孔を有し、前記ビアと接続されるプレーン層を前記第１絶縁層上に積層する工程と、
前記第２貫通孔を充填するとともに、前記プレーン層を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１貫通孔と平面視で重なる位置であって、前記第２貫通孔と平面視で重ならない位置の前記第２絶縁層上に信号配線を積層する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品が搭載される配線基板として、配線パターンを高密度化するため、ビルドアップ法によりコア基板の上下両面に複数の配線層及び絶縁層を積層した配線基板が知られている。
【０００３】
この種の配線基板では、配線形成時の平坦性の確保や特性インピーダンスの整合等を目的として、配線層の直下にプレーン層（例えば、電源プレーンやグランドプレーン）が平面的に形成されている。また、上記配線基板では、プレーン層とそのプレーン層直下の絶縁層との間の密着力を向上させるために、プレーン層に多数の貫通孔が形成されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１０１２３７号公報
【特許文献２】特開２０１２−０９９５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記貫通孔を配線層の直下に形成した場合には、プレーン層による平坦性が損なわれるため、プレーン層の直上に微細配線を高精度に形成することが困難になるという問題がある。その一方で、上記貫通孔の形成を省略すると、プレーン層とそのプレーン層直下の絶縁層との密着性が低下するため、プレーン層が剥離しやすくなるといった問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、第１配線層を被覆する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面に開口し、前記第１配線層の表面を露出する第１貫通孔と、前記第１貫通孔を充填するビアと、前記ビアと接続されるとともに、前記第１絶縁層上に積層されたプレーン層と、前記プレーン層の表面に開口し、前記第１絶縁層の表面を露出する第２貫通孔と、前記第２貫通孔を充填するとともに、前記プレーン層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に積層された信号配線と、を有し、前記第１貫通孔は、前記信号配線と平面視で重なる位置に形成され、前記第２貫通孔は、前記信号配線と平面視で重ならない位置に形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、プレーン層の剥離を抑制しつつも、微細配線を高精度に形成することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】（ａ）は、信号配線と貫通孔の平面配置を示す概略平面図、（ｂ）は、信号配線と貫通孔との配置を示す拡大断面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】変形例の配線基板を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
【００１０】
図１に示すように、配線基板１０は、厚さ方向の中間部にコア基板２０を有している。コア基板２０としては、例えば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ基板を用いることができる。補強材としてはガラスクロスに限らず、例えばガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）織布やＬＣＰ不織布を用いることができる。また、熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えばポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの樹脂材を用いることができる。コア基板２０の厚さは、例えば８０〜８００μｍ程度とすることができる。
【００１１】
コア基板２０には、所要の箇所（図１では３箇所）に貫通孔２０Ｘが設けられている。貫通孔２０Ｘは、コア基板２０の上面２０Ａから下面２０Ｂまでを貫通するように形成されている。この貫通孔２０Ｘ内には、コア基板２０を厚さ方向に貫通する貫通電極２１が形成されている。貫通電極２１は、貫通孔２０Ｘ内に充填されている。この貫通電極２１は、図示は省略するが、例えば平面視略円形状に形成されている。その貫通電極２１の直径は、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。また、貫通電極２１の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。
【００１２】
コア基板２０の上面２０Ａには配線層２２が形成され、コア基板２０の下面２０Ｂには配線層２３が形成されている。これら配線層２２，２３は上記貫通電極２１を介して相互に電気的に接続されている。なお、配線層２２，２３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。配線層２２，２３の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１３】
コア基板２０の下面２０Ｂには、上記配線層２３を被覆する絶縁層３１と、絶縁層３１の下面に積層された配線層４１と、配線層４１を被覆する絶縁層３２と、絶縁層３２の下面に積層された配線層４２とが順に積層されている。また、絶縁層３２の下面には、配線層４２を被覆する絶縁層３３と、絶縁層３３の下面に積層された配線層４３と、配線層４３の一部を被覆するように絶縁層３３の下面に積層されたソルダレジスト層３４とが順に積層されている。
【００１４】
絶縁層３１には、所要の箇所に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ１が形成されている。この貫通孔ＶＨ１内には、配線層２３と配線層４１とを電気的に接続するビアＶ１が形成されている。このビアＶ１は、貫通孔ＶＨ１を充填するように形成されている。また、絶縁層３２には、所要の箇所に、当該絶縁層３２を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ２が形成されている。この貫通孔ＶＨ２内には、配線層４１と配線層４２とを電気的に接続するビアＶ２が形成されている。このビアＶ２は、貫通孔ＶＨ２を充填するように形成されている。絶縁層３３には、所要の箇所に、当該絶縁層３３を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ３が形成されている。この貫通孔ＶＨ３内には、配線層４２と配線層４３とを電気的に接続するビアＶ３が形成されている。このビアＶ３は、貫通孔ＶＨ３を充填するように形成されている。これら貫通孔ＶＨ１，ＶＨ２，ＶＨ３及びビアＶ１，Ｖ２，Ｖ３は、図１において上側（コア基板２０側）から下側（配線層４３側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ３は、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも小径となる円錐台形状に形成され、ビアＶ１〜Ｖ３は、上面が下面よりも小径となる円錐台形状に形成されている。
【００１５】
ここで、配線層４１，４２，４３の厚さは例えば１５〜２０μｍ程度とすることができる。また、配線層２３の下面から絶縁層３１の下面までの厚さ、配線層４１の下面から絶縁層３２の下面までの厚さ、及び配線層４２の下面から絶縁層３３の下面までの厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。なお、配線層４１，４２，４３及びビアＶ１，Ｖ２，Ｖ３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。絶縁層３１，３２，３３の材料としては、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、絶縁層３１，３２，３３の材料としては、例えば熱硬化性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。
【００１６】
ソルダレジスト層３４には、最下層の配線層４３の一部を外部接続用パッドＰ１として露出させるための開口部３４Ｘが形成されている。この外部接続用パッドＰ１には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続されるようになっている。なお、必要に応じて、上記開口部３４Ｘから露出する配線層４３上にＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に上記外部接続端子を接続するようにしてもよい。また、上記開口部３４Ｘから露出する配線層４３上に金属層を形成し、その金属層に上記外部接続端子を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、上記Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、上記Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、上記Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。なお、上記開口部３４Ｘから露出する配線層４３（あるいは、配線層４３上にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００１７】
上記開口部３４Ｘ及び外部接続用パッドＰ１の平面形状は例えば円形状であり、その直径は例えば２００〜３００μｍ程度とすることができる。配線層４３の下面からソルダレジスト層３４の下面までの厚さは、例えば２０〜４０μｍ程度とすることができる。なお、ソルダレジスト層３４の材料としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００１８】
一方、コア基板２０の上面２０Ａには、上記配線層２２を被覆する絶縁層５１と、絶縁層５１の上面に積層された配線層６１と、配線層６１を被覆する絶縁層５２と、絶縁層５２の上面に積層された配線層６２と、配線層６２を被覆する絶縁層５３とが順に積層されている。
【００１９】
絶縁層５１には、所要の箇所に、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ４が形成されている。この貫通孔ＶＨ４内には、配線層２２と配線層６１とを電気的に接続するビアＶ４が形成されている。このビアＶ４は、貫通孔ＶＨ４を充填するように形成されている。また、絶縁層５２には、所要の箇所に、当該絶縁層５２を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ５が形成されている。この貫通孔ＶＨ５内には、配線層６１と配線層６２とを電気的に接続するビアＶ５が形成されている。このビアＶ５は、貫通孔ＶＨ５を充填するように形成されている。また、絶縁層５３には、所要の箇所に、当該絶縁層５３を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ６が形成されている。この貫通孔ＶＨ６内には、配線層６２と絶縁層５３の上面５３Ａ上に形成された配線層７１とを電気的に接続するビアＶ６が形成されている。このビアＶ６は、貫通孔ＶＨ６を充填するように形成されている。これら貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６及びビアＶ４，Ｖ５，Ｖ６は、図１において下側（コア基板２０側）から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔ＶＨ４〜ＶＨ６は、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成され、ビアＶ４〜Ｖ６は、上面が下面よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。
【００２０】
ここで、配線層６１，６２の厚さは例えば１５〜２０μｍ程度とすることができる。また、配線層２２の上面から絶縁層５１の上面までの厚さ、配線層６１の上面から絶縁層５２の上面までの厚さ、及び配線層６２の上面から絶縁層５３の上面までの厚さは例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。なお、配線層６１，６２及びビアＶ４〜Ｖ６の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。絶縁層５１〜５３の材料としては、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、絶縁層５１〜５３の材料としては、例えば熱硬化性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。
【００２１】
絶縁層５３の上面５３Ａは、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、絶縁層５３の上面５３Ａは、貫通孔ＶＨ６の内面よりも表面粗度が低くなっている。絶縁層５３の上面５３Ａの粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１０〜２００ｎｍ程度となるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。
【００２２】
絶縁層５３の上面５３Ａには、配線層６１，６２よりも微細な配線層が積層された微細配線構造７０が積層されている。微細配線構造７０では、絶縁層５３上に積層された配線層７１と、配線層７１を被覆する絶縁層８１と、絶縁層８１の上面に積層された配線層７２と、配線層７２を被覆する絶縁層８２とが順に積層されている。また、微細配線構造７０では、絶縁層８２の上面８２Ａに積層された配線層７３及びプレーン層７４と、配線層７３及びプレーン層７４を被覆する絶縁層８３と、絶縁層８３の上面に積層された配線層７５及び信号配線７６とが順に積層されている。
【００２３】
配線層７１，７２，７３及び信号配線７６は、微細配線構造７０よりも下方に形成された配線層６１，６２等よりも微細に形成された配線層である。例えば、配線層６１，６２は、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝２０μｍ／２０μｍ程度の配線である。これに対し、配線層７１，７２，７３及び信号配線７６は、例えばＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ未満の微細配線である。例えば、配線層７１は、Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ程度の微細配線であり、配線層７２，７３は、Ｌ／Ｓ＝３〜４μｍ／３〜４μｍ程度の微細配線であり、信号配線７６は、Ｌ／Ｓ＝１〜２μｍ／１〜２μｍ程度の微細配線である。また、配線層７１，７２，７３，７５、プレーン層７４及び信号配線７６は、微細配線構造７０よりも下方に形成された配線層６１，６２等よりも薄い配線層である。例えば、配線層７１，７２，７３，７５、プレーン層７４及び信号配線７６の厚さは１〜５μｍ（好適には２．５〜３．０μｍ）程度とすることができる。
【００２４】
配線層７１は、ビアＶ６の上端面と接続するように、その上端面及び絶縁層５３の上面５３Ａ上に積層されている。配線層７１は、ビアＶ６の周囲に形成された絶縁層５３の上面５３Ａの一部を被覆するように形成されている。
【００２５】
絶縁層８１には、当該絶縁層８１の上面の所要の箇所に開口し、当該絶縁層８１を厚さ方向に貫通して上記配線層７１の上面の一部を露出する貫通孔ＶＨ７が形成されている。貫通孔ＶＨ７は、図１において下側（配線層７１側）から上側（配線層７２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔ＶＨ７は、断面視略逆台形状に形成されるとともに、平面視略円形状に形成されている。絶縁層８１の材料としては、例えば微細配線構造７０よりも下方に形成された絶縁層５１〜５３等とは異なる絶縁性樹脂を用いることが好ましい。絶縁層８１の材料としては、例えば感光性を有する絶縁性樹脂を用いることが好ましい。このような絶縁層８１の材料としては、例えばフェノール樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００２６】
貫通孔ＶＨ７内には、配線層７１と配線層７２とを電気的に接続するビアＶ７が形成されている。このビアＶ７は、絶縁層８１を厚さ方向に貫通するように形成されている。また、ビアＶ７は、貫通孔ＶＨ７を充填するように形成されている。ビアＶ７は、貫通孔ＶＨ７と同様に、図１において下側（配線層７１側）から上側（配線層７２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、ビアＶ７は、上面が下面よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。なお、ビアＶ７の上面の直径は例えば１０〜２０μｍ程度とすることができ、ビアＶ７の下面の直径は例えば５〜１５μｍ程度とすることができる。
【００２７】
配線層７２は、ビアＶ７の上面と接続するように、絶縁層８１上に積層されている。配線層７２は、ビアＶ７と一体に形成されている。なお、配線層７１，７２及びビアＶ７の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００２８】
絶縁層８２には、当該絶縁層８２の上面８２Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層８２を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ８，ＶＨ９が形成されている。貫通孔ＶＨ８内には、配線層７２と配線層７３とを電気的に接続するビアＶ８が形成されている。このビアＶ８は、貫通孔ＶＨ８を充填するように形成されている。また、貫通孔ＶＨ９内には、配線層７２とプレーン層７４とを電気的に接続するビアＶ９が形成されている。このビアＶ９は、貫通孔ＶＨ９を充填するように形成されている。これら貫通孔ＶＨ８，ＶＨ９及びビアＶ８，Ｖ９は、図１において下側（配線層７２側）から上側（配線層７３側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔ＶＨ８，ＶＨ９は、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成され、ビアＶ８，Ｖ９は、上面が下面よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。
【００２９】
配線層７３は、ビアＶ８の上面と接続するように、絶縁層８２の上面８２Ａ上に積層されている。配線層７３は、ビアＶ８と一体に形成されている。また、プレーン層７４は、ビアＶ９の上面と接続するように、絶縁層８２の上面８２Ａ上に積層されている。プレーン層７４は、ビアＶ９と一体に形成されている。プレーン層７４の一部は、信号配線７６の直下（真下）に形成されている。このプレーン層７４は、べた状にパターニングされた導電層である。また、プレーン層７４には、当該プレーン層７４の上面の所要の箇所に開口し、当該プレーン層７４を厚さ方向に貫通する貫通孔７４Ｘが形成されている。例えば、プレーン層７４は、配線層７３と絶縁され（例えば、配線層７３と所定の間隔を空けて形成され）、且つ配線層７３を囲むように上面８２Ａ上にベタ状にパターニングされている。換言すると、プレーン層７４の所要の箇所に、当該プレーン層７４を厚さ方向に貫通する貫通孔７４Ｘが形成され、その貫通孔７４Ｘ内に配線層７３が配置されている。
【００３０】
絶縁層８３は、配線層７３及びプレーン層７４を被覆するように、絶縁層８２の上面８２Ａ上に積層されている。絶縁層８３は、貫通孔７４Ｘを充填するように形成されている。絶縁層８３には、当該絶縁層８３の上面の所要の箇所に開口し、当該絶縁層８３を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ１０が形成されている。貫通孔ＶＨ１０内には、例えば配線層７３と配線層７５又は信号配線７６とを電気的に接続するビアＶ１０が形成されている。このビアＶ１０は、貫通孔ＶＨ１０を充填するように形成されている。これら貫通孔ＶＨ１０及びビアＶ１０は、図１において下側（配線層７３側）から上側（配線層７５側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔ＶＨ１０は、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成され、ビアＶ１０は、上面が下面よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。
【００３１】
絶縁層８３上には、配線層７５と信号配線７６とが積層されている。配線層７５は、ビアＶ１０の上面と接続するように、絶縁層８３上に積層されている。配線層７５は、ビアＶ１０と一体に形成されている。この配線層７５は、例えば絶縁層８３上にベタ状にパターニングされたプレーン層（例えば、電源プレーンやＧＮＤプレーン）である。信号配線７６は、上述したように、例えばＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（好適には、Ｌ／Ｓ＝１〜２μｍ／１〜２μｍ）以下の微細配線である。
【００３２】
例えば図２（ａ）に示すように、多数の信号配線７６の各々の平面形状は、略長方形状（帯状）に形成されている。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、これら多数の信号配線７６は、互いに分離して配置されるとともに、平行に隣接して配置されている。これら信号配線７６は、その一部が平面視で貫通孔ＶＨ９及びビアＶ９と重なるように形成されている。また、信号配線７６は、平面視で貫通孔７４Ｘと重ならないように形成されている。換言すると、貫通孔ＶＨ９（プレーン層７４と一体に形成されたビアＶ９）は、平面視で信号配線７６の一部と重なる位置に形成されている。すなわち、貫通孔ＶＨ９（ビアＶ９）は、微細配線が密集する領域と平面視で重なる位置に形成されている。また、プレーン層７４に形成された貫通孔７４Ｘは、平面視で信号配線７６と重ならない位置に形成されている。すなわち、貫通孔７４Ｘは、微細配線が密集しない領域と平面視で重ならない位置、又は平坦性や電気特性を考慮する必要のない領域に形成されている。
【００３３】
上記信号配線７６には、例えば当該配線基板１０に実装される半導体チップのバンプ（図示略）が接続される。この信号配線７６は、例えば当該配線基板１０に実装される複数の半導体チップを相互に電気的に接続する配線として利用される。この場合には、例えば一方の半導体チップのバンプが信号配線７６の一端側に接続され、その信号配線７６が平面方向に引き回され、その引き回された先の他端側に他方の半導体チップのバンプが接続される。また、信号配線７６は、例えば当該配線基板１０に実装される半導体チップと配線層７５（電源プレーンやＧＮＤプレーン）とを電気的に接続する配線として利用される。また例えば、信号配線７６は、その一部がビアＶ１０を介して下層の配線層７３等に接続される。
【００３４】
ここで、図１に示した絶縁層８１〜８３は、微細配線構造７０よりも下方に形成された絶縁層５１〜５３等よりも薄く形成されている。例えば、配線層７１の上面から絶縁層８１の上面までの厚さ、配線層７２の上面から絶縁層８２の上面８２Ａまでの厚さ、及び配線層７３の上面から絶縁層８３の上面までの厚さは、例えば１〜２０μｍ（好適には、３〜５μｍ）程度とすることができる。なお、配線層７３，７５、プレーン層７４、信号配線７６及びビアＶ８〜Ｖ１０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。絶縁層８２，８３の材料としては、絶縁層８１と同様に、例えば微細配線構造７０よりも下方に形成された絶縁層５１〜５３等とは異なる絶縁性樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁層８２，８３の材料としては、例えば感光性を有する絶縁性樹脂を用いることが好ましい。このような絶縁層８２，８３の材料としては、例えばフェノール樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００３５】
次に、配線基板１０の作用について説明する。
信号配線７６（Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ以下の微細配線）の直下（真下）の領域では、プレーン層７４に貫通孔７４Ｘを形成せずに、そのプレーン層７４と下層の配線層７２とを接続するビアＶ９を形成するようにした。このビアＶ９により、ビアＶ９が形成されていない場合に比べて、ビアＶ９及びプレーン層７４と絶縁層８２との接触面積を増加させることができるため、プレーン層７４と絶縁層８２との密着性を向上させることができる。また、上記直下の領域では貫通孔７４Ｘが形成されていないため、高い平坦性を確保するができる。これにより、信号配線７６（微細配線）を高精度に形成することができ、信号配線７６の品質を向上させることができる。
【００３６】
次に、上記配線基板１０の製造方法について説明する。
まず、図３（ａ）に示す工程では、例えばコア基板２０となる銅張積層板（Copper Clad Laminate：ＣＣＬ）に貫通孔２０Ｘを形成し、電解めっきやペースト充填等の方法により貫通孔２０Ｘ内に貫通電極２１を形成する。その後、サブトラクティブ法により、コア基板２０の上面２０Ａに配線層２２を形成するとともに、コア基板２０の下面２０Ｂに配線層２３を形成する。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、コア基板２０の下面２０Ｂ及び配線層２３を被覆する絶縁層３１を形成するとともに、コア基板２０の上面２０Ａ及び配線層２２を被覆する絶縁層５１を形成する。これら絶縁層３１，５１は、例えばコア基板２０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜２００℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。上記樹脂フィルムとしては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂のフィルムを用いることができる。
【００３８】
続いて、図３（ｃ）に示す工程では、配線層２３の下面の一部が露出されるように絶縁層３１の所定箇所に貫通孔ＶＨ１を形成するとともに、配線層２２の上面の一部が露出されるように絶縁層５１の所定箇所に貫通孔ＶＨ４を形成する。これら貫通孔ＶＨ１，ＶＨ４は、例えばＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、絶縁層３１，５１が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、例えばフォトリソグラフィ法により所要の貫通孔ＶＨ１，ＶＨ４を形成するようにしてもよい。
【００３９】
次いで、貫通孔ＶＨ１，ＶＨ４をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔ＶＨ１，ＶＨ４の底部に露出する配線層２２，２３の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。
【００４０】
続いて、図４（ａ）に示す工程では、絶縁層３１の貫通孔ＶＨ１内にビアＶ１を形成するとともに、そのビアＶ１を介して配線層２３と電気的に接続される配線層４１を絶縁層３１の下面に積層する。また、絶縁層５１の貫通孔ＶＨ４内にビアＶ４を形成するとともに、そのビアＶ４を介して配線層２２と電気的に接続される配線層６１を絶縁層５１の上面に積層する。これらビアＶ１，Ｖ４及び配線層４１，６１は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。このような配線形成方法により、例えば銅や銅合金からなるめっき金属によってビアＶ１，Ｖ４及び配線層４１，６１が形成される。
【００４１】
次に、図３（ｂ）〜図４（ａ）に示した工程と同様の工程を再度実行することにより、図４（ｂ）に示すように、コア基板２０の下面２０Ｂ側に絶縁層３２と配線層４２を積層するとともに、コア基板２０の上面２０Ａ側に絶縁層５２と配線層６２を積層する。
【００４２】
続いて、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示した工程と同様の工程を再度実行することにより、図５（ａ）に示すように、絶縁層３２の下面に、貫通孔ＶＨ３を有する絶縁層３３を積層するとともに、絶縁層５２の上面に、貫通孔ＶＨ６を有する絶縁層５３を積層する。
【００４３】
次いで、貫通孔ＶＨ３，ＶＨ６をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔ＶＨ３，ＶＨ６の底部に露出する配線層４２，６２の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。このデスミア処理により、貫通孔ＶＨ６の内面及び絶縁層５３の上面５３Ａが粗化されるとともに、貫通孔ＶＨ３の内面及び絶縁層３３の下面が粗化される。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、絶縁層３３の貫通孔ＶＨ３内にビアＶ３を形成するとともに、そのビアＶ３を介して配線層４２と電気的に接続される配線層４３を絶縁層３３の下面に積層する。これらビアＶ３及び配線層４３は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。
【００４５】
また、図５（ｂ）に示す工程では、貫通孔ＶＨ６の内面を含む絶縁層５３の表面全面を被覆するシード層（図示略）を形成し、そのシード層を給電層とする電解めっき（パネルめっき）を施す。例えば、絶縁層５３の表面全面を被覆するシード層を無電解銅めっき法により形成し、そのシード層を給電層とする電解銅めっきを施す。これにより、貫通孔ＶＨ６を充填するとともに、絶縁層５３の上面５３Ａ全面を被覆する導電層６３が形成される。
【００４６】
続いて、図６（ａ）に示す工程では、例えばＣＭＰ法により、絶縁層５３の上面５３Ａから突出する導電層６３を研磨するとともに、粗化面である絶縁層５３の上面５３Ａを研磨する。これにより、貫通孔ＶＨ６を充填するビアＶ６が形成されるとともに、絶縁層５３の上面５３Ａが平滑化される。このとき、貫通孔ＶＨ６の内面は粗面化された状態のままであるため、絶縁層５３の上面５３Ａは貫通孔ＶＨ６の内面よりも表面粗度が低くなる。ここで、本工程では、絶縁層５３の上面５３Ａが平滑化される（例えば、表面粗さＲａ値で０．２μｍ以下となる）まで、絶縁層５３の上面５３Ａ及び導電層６３が研磨される。
【００４７】
以下に説明する図６（ｂ）〜図１２（ａ）に示す工程は、絶縁層５３上に微細配線構造７０を形成する工程であるため、図６（ａ）〜図１２（ａ）では、コア基板２０の下面２０Ｂ側の構造の図示を省略している。
【００４８】
次いで、図６（ｂ）に示す工程では、絶縁層５３の上面５３Ａ及びビアＶ６の上端面を被覆するようにシード層１００を形成する。このシード層１００は、例えばスパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。例えば、本工程では、絶縁層５３の上面５３Ａが平滑面であるため、その上面５３Ａに対してスパッタ法によりシード層１００を均一に形成することができ、シード層１００の上面を平滑に形成することができる。このため、粗化面に対してスパッタ法によりシード層１００を形成する場合に比べて、シード層１００を薄く形成することができる。例えば、スパッタ法によりシード層１００を形成する場合には、まず、絶縁層５３の上面５３Ａ及びビアＶ６の上端面を被覆するように、それら上面５３Ａ及び上端面上にチタン（Ｔｉ）をスパッタリングにより堆積させてＴｉ層を形成する。その後、Ｔｉ層上に銅をスパッタリングにより堆積させてＣｕ層を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）のシード層１００を形成することができる。このとき、Ｔｉ層の厚さは例えば２０〜５０ｎｍ程度とすることができ、Ｃｕ層の厚さは例えば１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。なお、上記Ｔｉ層を窒化チタン（ＴｉＮ）からなるＴｉＮ層に変更し、ＴｉＮ層とＣｕ層からなる２層構造のシード層１００を形成するようにしてもよい。また、無電解めっき法によりシード層１００を形成する場合には、例えば無電解銅めっき法によりＣｕ層からなるシード層１００を形成することができる。
【００４９】
次いで、シード層１００上に、所定の箇所に開口パターン１０１Ｘを有するレジスト層１０１を形成する。開口パターン１０１Ｘは、配線層７１（図１参照）の形成領域に対応する部分のシード層１００を露出するように形成される。レジスト層１０１の材料としては、例えば次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層１０１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、シード層１００の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして上記開口パターン１０１Ｘを有するレジスト層１０１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層１０１を形成することができる。本工程において、レジスト層１０１が形成されるシード層１００の上面が平滑面になっているため、レジスト層１０１にパターニング欠陥が生じることを抑制することができる。すなわち、レジスト層１０１に開口パターン１０１Ｘを高精度に形成することができる。
【００５０】
次に、図７（ａ）に示す工程では、レジスト層１０１をめっきマスクとして、シード層１００の上面に、そのシード層１００をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層１０１の開口パターン１０１Ｘから露出されたシード層１００の上面に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施すことにより、そのシード層１００の上面に電解銅めっき層１０２を形成する。続いて、図７（ｂ）に示す工程では、図７（ａ）に示したレジスト層１０１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００５１】
次いで、図８（ａ）に示す工程では、上記電解銅めっき層１０２をエッチングマスクとして、不要なシード層１００をエッチングにより除去する。これにより、シード層１００と電解銅めっき層１０２とからなる配線層７１が絶縁層５３上に形成される。このように、下層の配線層６１，６２等よりも微細な配線層７１はセミアディティブ法によって形成される。
【００５２】
次いで、図８（ｂ）に示す工程では、絶縁層５３の上面５３Ａ上に、配線層７１の表面全面を被覆する絶縁層８１を形成する。例えば絶縁層５３の上面５３Ａに樹脂フィルムを熱圧着によりラミネートすることにより上記絶縁層８１を形成する。なお、上記樹脂フィルムとしては、例えばフェノール樹脂やポリイミド樹脂等の感光性樹脂のフィルムを用いることができる。
【００５３】
続いて図９（ａ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法により、絶縁層８１の所要箇所に、配線層７１の上面の一部を露出する貫通孔ＶＨ７を形成する。
次に、図９（ｂ）に示す工程では、貫通孔ＶＨ７を充填するビアＶ７を形成するとともに、絶縁層８１上に配線層７２を形成する。これらビアＶ７及び配線層７２は、例えばセミアディティブ法により形成することができる。
【００５４】
続いて、図１０（ａ）に示す工程では、図８（ｂ）及び図９（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層８１上に、配線層７２の上面の一部を露出する貫通孔ＶＨ８，ＶＨ９を有する絶縁層８２を形成する。
【００５５】
次いで、図１０（ｂ）に示す工程では、貫通孔ＶＨ８，ＶＨ９の内面を含む絶縁層８２の上面８２Ａ全面を被覆するようにシード層１０３を形成する。このシード層１０３は、例えばスパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。例えば、スパッタ法によりシード層１０３を形成する場合には、まず、貫通孔ＶＨ８，ＶＨ９の内面を含む絶縁層８１の上面８２Ａ全面を被覆するように、絶縁層８２の上面８２Ａ上にチタンをスパッタリングにより堆積させてＴｉ層を形成する。その後、Ｔｉ層上に銅をスパッタリングにより堆積させてＣｕ層を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）のシード層１０３を形成することができる。このとき、Ｔｉ層の厚さは例えば２０〜５０ｎｍ程度とすることができ、Ｃｕ層の厚さは例えば１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。なお、上記Ｔｉ層を窒化チタン（ＴｉＮ）からなるＴｉＮ層に変更し、ＴｉＮ層とＣｕ層からなる２層構造のシード層１０３を形成するようにしてもよい。また、無電解めっき法によりシード層１０３を形成する場合には、例えば無電解銅めっき法によりＣｕ層からなるシード層１０３を形成することができる。
【００５６】
次に、図１１（ａ）に示す工程では、シード層１０３上に、配線層７３及びプレーン層７４にそれぞれ対応する開口部１０４Ｘ，１０４Ｙを有するレジスト層１０４を形成する。
【００５７】
続いて、図１１（ｂ）に示す工程では、シード層１０３をめっき給電層に利用した電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施す。これにより、貫通孔ＶＨ８を充填する電解銅めっき層１０５が形成されるとともに、電解銅めっき層１０５上及びレジスト層１０４の開口部１０４Ｘから露出されたシード層１０３上に電解銅めっき層１０６が形成される。また、貫通孔ＶＨ９を充填する電解銅めっき層１０７が形成されるとともに、電解銅めっき層１０７上及びレジスト層１０４の開口部１０４Ｙから露出されたシード層１０３上に電解銅めっき層１０８が形成される。その後、図７（ｂ）及び図８（ａ）に示した工程と同様に、レジスト層１０４を除去した後に、電解銅めっき層１０６，１０８をマスクにして不要なシード層１０３をエッチング除去する。これにより、貫通孔ＶＨ８内に形成されたシード層１０３と電解銅めっき層１０５とからなるビアＶ８が形成されるとともに、絶縁層８２の上面８２Ａ上に形成されたシード層１０３と電解銅めっき層１０６とからなる配線層７３が形成される。また、貫通孔ＶＨ９内に形成されたシード層１０３と電解銅めっき層１０７とからなるビアＶ９が形成されるとともに、絶縁層８２の上面８２Ａ上に形成されたシード層１０３と電解銅めっき層１０８とからなるプレーン層７４が形成される。このように、ビアＶ８，Ｖ９、配線層７３及びプレーン層７４は、例えばセミアディティブ法により形成することができる。
【００５８】
次に、図１２（ａ）に示す工程では、図１０（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層８２上に、配線層７３及びプレーン層７４を被覆し、配線層７３の上面の一部を露出する貫通孔ＶＨ１０を有する絶縁層８３を形成する。続いて、図１０（ｂ）〜図１１（ｂ）に示した工程と同様に、貫通孔ＶＨ１０を充填するビアＶ１０を形成するとともに、絶縁層８３上に最上層の配線層７５及び信号配線７６を形成する。
【００５９】
次いで、図１２（ｂ）に示す工程では、最下層の配線層４３の所要の箇所に画定される外部接続用パッドＰ１を露出させるための開口部３４Ｘを有するソルダレジスト層３４を絶縁層３３の下面に積層する。このソルダレジスト層３４は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層３４の開口部３４Ｘから配線層４３の一部が外部接続用パッドＰ１として露出される。なお、必要に応じて、ソルダレジスト層３４の開口部３４Ｘから露出された配線層４３（つまり、外部接続用パッドＰ１）上に、例えばＮｉ層とＡｕ層を順に積層するようにしてもよい。これらＮｉ層やＡｕ層は、例えば無電解めっき法により形成することができる。
【００６０】
以上の製造工程により、図１に示した配線基板１０を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）信号配線７６の直下の領域では、プレーン層７４に貫通孔７４Ｘを形成せずに、そのプレーン層７４と下層の配線層７２とを接続するビアＶ９を形成するようにした。このビアＶ９により、ビアＶ９及びプレーン層７４と絶縁層８２との接触面積を増加させることができるため、ビアＶ９が形成されていない場合やプレーン層７４に貫通孔７４Ｘが形成されていない場合に比べて、プレーン層７４と絶縁層８２との密着性を向上させることができる。したがって、プレーン層７４の剥離を好適に抑制することができる。また、上記直下の領域では貫通孔７４Ｘが形成されていないため、高い平坦性を確保するができる。これにより、信号配線７６（微細配線）を高精度に形成することができ、信号配線７６の品質を向上させることができる。以上説明したように、本実施形態の配線基板１０では、プレーン層７４の剥離を抑制しつつも、微細配線を高精度に形成することができる。
【００６１】
（２）ところで、信号配線７６の直下の領域においてプレーン層７４に貫通孔７４Ｘを形成した場合には、特性インピーダンスが不連続となり電気特性が悪化するという問題があった。これに対し、本実施形態の配線基板１０では、信号配線７６の直下の領域には貫通孔７４Ｘが形成されていない。このため、平面方向に連続して形成されたプレーン層７４を得ることができる。これにより、特性インピーダンスが不連続となることを抑制することができ、電気特性を向上させることができる。
【００６２】
（３）信号配線７６と平面視で重ならない領域（例えば、平坦性や電気特性を考慮する必要のない領域）では、プレーン層７４に貫通孔７４Ｘを形成するようにした。これにより、貫通孔７４Ｘを通じて絶縁層８２，８３が接続されるため、プレーン層７４と絶縁層８２，８３との密着性を向上させることができる。また、例えば絶縁層８２中に含有され、加熱試験等で水蒸気化した水分を、貫通孔７４Ｘ及び上層の配線層７５間を通じて外部に放出させることができるため、上記水分に起因してプレーン層７４が剥離することを好適に抑制することができる。
【００６３】
（４）プレーン層７４とビアＶ９とを一体に形成するようにした。これにより、プレーン層７４とビアＶ９とが別に形成される場合に比べて、ビアＶ９を含むプレーン層７４の剥離を好適に抑制することができる。
【００６４】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態における微細配線構造７０における配線層７１〜７３，７５、プレーン層７４、信号配線７６及び絶縁層８１〜８３の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
【００６５】
例えば図１３に示すように、絶縁層５３上にプレーン層７４を形成し、そのプレーン層７４を被覆する絶縁層８３を絶縁層５３上に積層し、絶縁層８３上に信号配線７６を形成するようにしてもよい。この場合であっても、プレーン層７４と下層の配線層６２とを接続するためのビアＶ９（貫通孔ＶＨ９）は、信号配線７６と平面視で重なる位置に形成される。また、プレーン層７４が有する貫通孔７４Ｘは、信号配線７６と平面視で重ならない位置に形成される。これにより、上記実施形態の（１）〜（３）の効果と同様の効果を奏することができる。なお、この場合には、ビアＶ９とプレーン層７４とは別に形成される。すなわち、プレーン層７４は、ビアＶ９の端面Ｖ９Ａ（ここでは、上端面）に接続されるように形成される。この場合のプレーン層７４及びビアＶ９は、図５（ｂ）〜図８（ａ）に示した工程と同様の製造工程により形成することができる。すなわち、この場合のプレーン層７４及びビアＶ９は、上記実施形態の配線層７１及びビアＶ６と同様に形成することができる。
【００６６】
・上記実施形態における貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ１０及びビアＶ１〜Ｖ１０の断面形状は特に限定されない。例えば、貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ１０及びビアＶ１〜Ｖ１０を断面視略矩形状（ストレート形状）に形成するようにしてもよい。
【００６７】
・上記実施形態における最上層の配線層７５及び信号配線７６上に金属層を形成するようにしてもよい。金属層の例としては、配線層７５の上面から、Ｎｉ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層、Ａｇ層としては、例えば無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。
【００６８】
・あるいは、配線層７５及び信号配線７６上にＯＳＰ膜を形成するようにしてもよい。
・上記実施形態における配線基板１０における配線層４１，４２，４３，６１，６２及び絶縁層３１，３２，３３，５１，５２，５３の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
【００６９】
・上記実施形態では、コア基板２０を有するコア付きビルドアップ基板上に微細配線構造７０を形成するようにしたが、微細配線構造７０の下層の構造は特に限定されない。例えば、コア基板を含まないコアレス基板上に微細配線構造７０を形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１０  配線基板
５３  絶縁層（第１絶縁層）
６２  配線層（第１配線層）
７２  配線層（第１配線層）
７３  配線層（第２配線層）
７４  プレーン層
７４Ｘ  貫通孔（第２貫通孔）
７６  信号配線
８２  絶縁層（第１絶縁層）
８３  絶縁層（第２絶縁層）
Ｖ９  ビア
ＶＨ９  第１貫通孔
【図１】
2015041630.tif 000003
【図２】
2015041630.tif 000004
【図３】
2015041630.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015041630.tif 000009
【図８】
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【図９】
2015041630.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2015041630.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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