(57)【要約】      （修正有）【課題】溶融金属の流動性を十分に確保し、被処理面上における溶融金属の流動を均一なものにすることにより、被処理面全体を溶融金属で覆うことができるとともに、溶融金属中の溶存気体を極力少なくすることができる金属充填装置及び金属充填方法を提供する。【解決手段】金属充填装置１は、半導体ウェハＫを、その処理面が水平方向に対して９０°傾いた状態で保持する保持台Ｈ、筒状のハウジングＣ、進退自在に設けられたピストンＰなどを備えており、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫ、ハウジングＣ及びピストンＰによって気密状の処理室２が形成される。また、この金属充填装置１は、処理室内を減圧する減圧機構１０、処理室２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構１５、溶融金属Ｍの脱気を行う脱気機構２０及び処理室２内に供給される溶融金属Ｍに高周波振動を付加する加振機構３０を備えている。【選択図】図１
2015051440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物の、該表面に開口するように形成された微小空間内に、該被処理物表面上に供給した溶融金属を充填する金属充填装置であって、
前記被処理物を保持する保持部、及び該保持部に保持される被処理物の前記表面と対向して形成された処理室を具備した処理部本体と、
一端が前記処理室の内壁面に開口した通気路を備え、該通気路を介して前記処理室内を減圧する減圧機構と、
一端が前記処理室の内壁面に開口した通液路、及び該通液路の他端に接続され、溶融状態の金属が貯留された貯留タンクを具備し、前記通液路を介して前記処理室内に溶融金属を供給する溶融金属供給機構と、
前記溶融金属に高周波振動を付加する少なくとも１つの加振機構と、
前記処理室内に供給された溶融金属を加圧する加圧機構とを備えており、
前記溶融金属供給機構は、前記加振機構によって高周波振動が付加された溶融金属を処理室内に供給するように構成されていることを特徴とする金属充填装置。
【請求項２】
前記加振機構は、溶融金属に対して、該溶融金属が貯留タンクから処理室へと流れる方向と同方向の高周波振動を直接付加するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の金属充填装置。
【請求項３】
前記加振機構は、前記通液路における一端側と他端側との間に配設されており、前記通液路内を流通して前記処理室内に供給される溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の金属充填装置。
【請求項４】
前記加振機構は、
内部に、外部と連通するように形成された加振室を有する加振部と、
先端部が前記加振室内に位置するように配設されたホーンと、
前記ホーンを振動させる振動子とからなり、
前記加振部は、前記貯留タンクと処理室とが前記加振室を介して連通するように、前記通液路における、一端側と他端側との間に配設されており、
前記加振室内を流通する溶融金属に対し、ホーンを介して高周波振動を直接付加するように構成されていることを特徴とする請求項３記載の金属充填装置。
【請求項５】
前記加振機構は、前記貯留タンク内の溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の金属充填装置。
【請求項６】
第１加振機構及び第２加振機構を備えており、
前記第１加振機構は、前記通液路における一端側と他端側との間に配設されており、前記通液路内を流通して前記処理室内に供給される溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成され、
前記第２加振機構は、前記貯留タンク内の溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の金属充填装置。
【請求項７】
前記第１加振機構は、
内部に、外部と連通するように形成された加振室を有する加振部と、
先端部が前記加振室内に位置するように配設されたホーンと、
前記ホーンを振動させる振動子とからなり、
前記加振部は、前記貯留タンクと処理室とが前記加振室を介して連通するように、前記通液路における、一端側と他端側との間に配設されており、
前記加振室内を流通する溶融金属に対し、ホーンを介して高周波振動を直接付加するように構成されていることを特徴とする請求項６記載の金属充填装置。
【請求項８】
前記加振室内を流通する溶融金属に付加される高周波振動の方向は、前記加振室から前記処理室に向かう方向と一致することを特徴とする請求項４又は７記載の金属充填装置。
【請求項９】
前記加振室内の溶融金属を回収する回収機構を備えたことを特徴とする請求項４、７又は８記載の金属充填装置。
【請求項１０】
前記保持部は、前記被処理物の表面が水平方向に対して傾斜するように前記被処理物を保持するように構成され、
前記通気路は、前記被処理物の被処理面における最上端よりも上方、且つ前記通液路の開口部よりも上方の高さ位置に開口していることを特徴とする請求項１乃至９記載のいずれかの金属充填装置。
【請求項１１】
前記水平方向に対する被処理面の傾斜角度は、３０°〜１５０°であることを特徴とする請求項１０記載の金属充填装置。
【請求項１２】
保持部に保持される被処理物の表面と対向して形成された処理室を具備した処理部本体と、
前記処理室内を減圧する減圧機構と、
貯留タンク内に貯留された溶融金属を、通液路を介して前記処理室内に供給する溶融金属供給機構と、
前記溶融金属に高周波振動を付加する加振機構と、
前記処理室内に供給された溶融金属を加圧する加圧機構とを備えた金属充填装置を用いて、
前記被処理物の、前記表面に開口するように形成された微小空間内に、該被処理物表面上に供給した溶融金属を充填する金属充填方法であって、
前記処理室内を減圧する減圧工程と、
前記貯留タンク内の溶融金属を、前記通液路を介して処理室内に供給する溶融金属供給工程と、
前記処理室内に供給された溶融金属を加圧する加圧工程とを行い、
前記溶融金属供給工程では、前記加振機構によって高周波振動が付加された溶融金属を、前記通液路を介して処理室内に供給することを特徴とする金属充填方法。
【請求項１３】
前記溶融金属供給工程では、処理室内の溶融金属に高周波振動が伝播されるように、溶融金属が貯留タンクから処理室へと流れる方向と同方向の高周波振動を直接付加した溶融金属を、前記通液路を介して処理室内に供給することを特徴とする請求項１２記載の金属充填方法。
【請求項１４】
前記溶融金属供給工程では、前記処理室の下方から溶融金属が満たされるように、該処理室内に溶融金属を供給することを特徴とする請求項１２又は１３記載の金属充填方法。
【請求項１５】
前記溶融金属供給工程において、時間の経過とともに、溶融金属に付加する高周波振動の出力を大きくしていくことを特徴とする請求項１２乃至１４記載のいずれかの金属充填方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理物表面上に形成された微小空間内に溶融金属を充填する金属充填装置及び金属充填方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコン貫通電極（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａ）技術において、半導体ウェハ（被処理物）上に形成されたビアや貫通孔（以下、「微小空間」という）に金属を充填する技術が求められている。このシリコン貫通電極技術によれば、貫通電極を用いたチップ積層技術の開発が可能となることから、三次元実装による高機能・高速動作の半導体システムの実現が期待されている。
【０００３】
そして、上記のように、被処理物上の微小空間内に金属を充填する装置としては、例えば、特開２０１０−２８３０３４号公報に開示された装置（以下、「従来装置」という）が提案されている。
【０００４】
この従来装置は、第１及び第２支持体や、溶融金属供給部、圧力制御部、加圧手段などを備えており、第１支持体と第２支持体とによって処理室が形成されるようになっている。また、溶融金属供給部は、第２支持体に設けられた金属供給路を通じて処理室内に溶融金属を供給するように構成されており、圧力制御部は、第２支持体に設けられた圧力伝達路を介して処理室内の減圧及び処理室内へのガスの供給とガスによる加圧を行うように構成されている。更に、加圧手段は、第２支持体にプレス圧を与えて、第２支持体を第１支持体に向けて移動させ、処理室に圧力を与えるように構成されている。
【０００５】
この従来装置によれば、まず、微小空間が形成された対象物を第１支持体の上面上に設置し、第２支持体を、対象物を覆うように第１支持体と組み合わせ、対象物の周りに処理室を形成する。ついで、圧力制御部によって処理室を減圧した後、対象物の被処理面上に金属薄膜が生じるように、溶融金属供給部によって処理室内に溶融金属を供給する。これにより、溶融金属が微小空間内に差圧充填される。しかる後、充填された溶融金属を硬化させる。この際、圧力制御部及び加圧手段によって溶融金属が硬化するまで、当該溶融金属に圧力を加えるようにしている。そして、最後に対象物上の残渣金属薄膜を除去することで、微小空間内に金属が充填された対象物が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２８３０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記従来装置において、被処理物に対する溶融金属の濡れ性（親和性）が悪い、言い換えれば、被処理面に対する溶融金属の表面張力が大きく、被処理面に対する溶融金属の接触角が大きくなる場合には、処理室内に供給された溶融金属が偏った形状や球状に変形するため、被処理面上における溶融金属の流動が不均一なものとなる。これにより、処理室内の気体成分の巻き込みや溶融金属薄膜の膜切れなどが生じ、結果的に、微小空間内に溶融金属が均一に充填されなくなるという問題が発生する。
【０００８】
また、微小空間内への金属の充填に用いられる溶融金属は、極微量の残留酸素と反応して酸化物が形成するため、真空状態で使用するようにしても、溶融金属中における酸化物の形成を防止することは極めて困難である。そして、溶融金属中に酸化物が形成されることにより、当該溶融金属の流動性が低下し、上記と同様に、溶融金属の流動が不均一なものとなって、気体成分の巻き込みや溶融金属薄膜の膜切れなどに起因した充填不良が発生するという問題が生じる。
【０００９】
また、溶融金属中に溶存気体（微小気相）が存在している場合、溶融金属を処理室内に供給することによって溶存気体も同時に供給されてしまい、当該溶存気体が処理室内において溶融金属薄膜の膜切れなどを引き起こすという問題もある。
【００１０】
本発明は以上の実情に鑑みなされたものであって、溶融金属の流動性を十分に確保し、被処理面上における溶融金属の流動を均一なものにすることにより、被処理面全体を溶融金属で覆うことができ、更に、溶融金属中の溶存気体を極力少なくすることができる金属充填装置及び金属充填方法の提供を、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するための本発明は、
被処理物の、該表面に開口するように形成された微小空間内に、該被処理物表面上に供給した溶融金属を充填する金属充填装置であって、
前記被処理物を保持する保持部、及び該保持部に保持される被処理物の前記表面と対向して形成された処理室を具備した処理部本体と、
一端が前記処理室の内壁面に開口した通気路を備え、該通気路を介して前記処理室内を減圧する減圧機構と、
一端が前記処理室の内壁面に開口した通液路、及び該通液路の他端に接続され、溶融状態の金属が貯留された貯留タンクを具備し、前記通液路を介して前記処理室内に溶融金属を供給する溶融金属供給機構と、
前記溶融金属に高周波振動を付加する少なくとも１つの加振機構と、
前記処理室内に供給された溶融金属を加圧する加圧機構とを備えており、
前記溶融金属供給機構は、前記加振機構によって高周波振動が付加された溶融金属を処理室内に供給するように構成されている金属充填装置に係る。
【００１２】
また、本発明は、
保持部に保持される被処理物の表面と対向して形成された処理室を具備した処理部本体と、
前記処理室内を減圧する減圧機構と、
貯留タンク内に貯留された溶融金属を、通液路を介して前記処理室内に供給する溶融金属供給機構と、
前記溶融金属に高周波振動を付加する加振機構と、
前記処理室内に供給された溶融金属を加圧する加圧機構とを備えた金属充填装置を用いて、
前記被処理物の、前記表面に開口するように形成された微小空間内に、該被処理物表面上に供給した溶融金属を充填する金属充填方法であって、
前記処理室内を減圧する減圧工程と、
前記貯留タンク内の溶融金属を、前記通液路を介して処理室内に供給する溶融金属供給工程と、
前記処理室内に供給された溶融金属を加圧する加圧工程とを行い、
前記溶融金属供給工程では、前記加振機構によって高周波振動が付加された溶融金属を、前記通液路を介して処理室内に供給する金属充填方法に係る。
【００１３】
この金属充填装置及び金属充填装置によれば、まず、表面（被処理面）に微小空間が形成された被処理物を保持部に保持させる。ついで、減圧機構によって通気路を介し処理室内の気体を排気して当該処理室内を減圧する。
【００１４】
次に、加振機構を作動させると略同時に、溶融金属供給機構によって、通液路を介して処理室内に、貯留タンク内に貯留された溶融状態の金属の供給を開始し、処理室内に所定量の溶融金属を供給した後、溶融金属の供給を停止し、しかる後、処理室内を密閉状態とした上で、加圧機構によって処理室内に供給された溶融金属を加圧して、微小空間内に溶融金属を充填する。尚、通気路を介した処理室内の気体の排気は、処理室内への溶融金属の供給を開始する前に停止しても良いし、処理室内への溶融金属の供給を開始した後、通気路に溶融金属が吸い込まれるのを防止するために適当なタイミングで停止するようにしても良い。
【００１５】
このように、本発明に係る金属充填装置において、貯留タンク内の溶融金属は、加振機構によって高周波振動が付加された状態で、通液路を介して処理室内に供給されるようになっている。
【００１６】
ここで、溶融金属に付加された高周波振動は、溶融金属が部分的な圧縮と減圧とを繰り返しながら伝播されるため、減圧されている部分では、溶存していた気体がキャビテーションにより膨張し、かつ圧力の低い部分に集まるので、互いにぶつかりながら大きくなる。そして、この気泡成長によって溶存気体は液面へ浮上するため、当該溶融金属中の溶存気体が排除される。したがって、この金属充填装置においては、処理室内に供給した溶融金属の溶存気体を限りなく少なくできるようになっている。
【００１７】
また、上記金属充填装置においては、上述したように、高周波振動の伝播により圧縮と減圧が交互に発生し、減圧されている部分にキャビテーションが発生する。気泡内部は溶融金属の蒸気や溶存気体であるが、気泡が成長前であって微小量である場合は、圧力の変動に伴ってキャビテーションが圧壊し、キャビテーションが圧壊することにより生じる衝撃圧力によって溶融金属中に形成される酸化物などの固体金属結晶やこれらからなる金属膜などが微細粒に粉砕される。これにより、固体金属結晶やこれらの金属膜によって引き起こされる溶融金属の流動性の低下を抑えることができる。
【００１８】
更に、処理室内に供給された溶融金属は、振動が伝播することによって、液面が振動して被処理面に対する接触角が見かけ上小さくなるとともに、被処理面と溶融金属との界面に滑り効果が生じる。したがって、溶融金属の流動性が向上して被処理面に対する流動が均一なものとなり、被処理面上を溶融金属によって均一に覆うことができる。尚、本発明に係る金属充填方法においては、処理室内の溶融金属の量が増えても当該溶融金属の液面における振動エネルギーが一定となるようにするために、時間の経過とともに溶融金属に付加する高周波振動の出力を徐々に大きくすることが好ましい。
【００１９】
尚、前記加振機構は、溶融金属に対して高周波振動を直接付加するように構成することが好ましい。このようにすれば、例えば、装置全体を振動させる、或いは、基板を振動させる場合よりも、装置構成が簡単なものとなり、また、十分な大きさの振動を与えるのに必要となるエネルギーを少なくすることができる。
【００２０】
尚、上記金属充填装置において、前記加振機構は、溶融金属に対して、該溶融金属が貯留タンクから処理室へと流れる方向と同方向の高周波振動を直接付加するように構成されていることが好ましい。このようにすれば、処理室内の溶融金属までより効率よく高周波振動を伝播させることができる。
【００２１】
また、前記加振機構は、前記通液路における一端側と他端側との間に配設されており、前記通液路内を流通して前記処理室内に供給される溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成することができる。このようにしても、相応の効果を奏する。
【００２２】
また、前記加振機構は、前記貯留タンク内の溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成するようにしても良い。このようにしても、相応の効果を得ることができる。尚、この場合には、付加された振動が減衰して処理室内の溶融金属まで振動が伝わらなくなるのを防止するために、貯留タンクと処理室との間の通液路を極力短くすることが好ましい。
【００２３】
更に、本発明に係る金属充填装置は、第１加振機構及び第２加振機構を備えており、前記第１加振機構は、前記通液路における一端側と他端側との間に配設されており、前記通液路内を流通して前記処理室内に供給される溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成され、前記第２加振機構は、前記貯留タンク内の溶融金属に高周波振動を直接付加するように構成することが好ましい。
【００２４】
尚、通液路の一端側と他端側との間に加振機構を設ける場合、当該加振機構は、内部に、外部と連通するように形成された加振室を有する加振部と、先端部が前記加振室内に位置するように配設されたホーンと、前記ホーンを振動させる振動子とからなり、前記加振部は、前記貯留タンクと処理室とが前記加振室を介して連通するように、前記通液路における、一端側と他端側との間に配設されており、前記加振室内を流通する溶融金属に対し、ホーンを介して高周波振動を直接付加するように構成することが好ましい。そして、このように構成した場合、前記加振室内を流通する溶融金属に付加する高周波振動の方向は、前記加振室から前記処理室に向かう方向と一致させることが好ましい。
【００２５】
このように構成した金属充填装置においては、まず、振動子を作動させることによってホーンを振動させる。そして、ホーンを振動させると略同時に、貯留タンクから処理室内への溶融金属の供給を開始し、この後、上記と同様に、微小空間内へ溶融金属を充填する。このようにしても、溶融金属に対してホーンから高周波振動を直接与えることができるため、溶融金属中の溶存気体を排除できる。また、固体金属結晶などを粉砕することができるとともに、被処理物の被処理面と溶融金属との間において滑り効果及び接触角低減効果を得ることができ、溶融金属の流動性を均一なものとし、膜切れを防止して被処理面全体を均一な溶融金属で覆うことができる。
【００２６】
尚、この金属充填装置は、前記加振室内の溶融金属を回収する回収機構を更に備えることが好ましい。このようにすれば、金属充填処理を行った後、加振室内に滞留する溶融金属を回収することができる。したがって、加振室内に滞留した溶融金属が硬化してホーンの動作を妨げる、或いは、次処理において処理室内に供給される溶融金属に滞留して劣化した溶融金属が混入するのを防止することができる。
【００２７】
また、上記金属充填装置において、前記保持部は、前記被処理面の表面が水平方向に対して傾斜するように前記被処理物を保持するように構成され、前記通気路は、前記被処理物の被処理面における最上端よりも上方、且つ前記通液路の開口部よりも上方の高さ位置に開口しているように構成されることが好ましい。
【００２８】
このようにすれば、被処理面の下端側から徐々に処理室内に溶融金属が満たされていくため、少なくとも被処理面の上端よりも上方に溶融金属の液面が達するまで溶融金属の供給を続けることにより、処理室内に残留している気体成分を溶融金属の液面より上に集めることができ、残留気体成分を被処理面から遠ざけ、被処理面全体を溶融金属で覆うことができる。
【００２９】
また、上記金属充填装置においては、水平方向に対する被処理面の傾斜角度は、３０°〜１５０°とすることが好ましい。このようにすれば、処理室内に溶融金属を供給した際に、残留気体成分をより確実に溶融金属の液面より上に集めることができる。
【００３０】
尚、本発明においては、被処理物上に形成される微小空間の大きさは、典型的にはその直径が０．１μｍ〜数十μｍのものを想定しているが、この範囲に限られるものではない。
【発明の効果】
【００３１】
以上のように、本発明に係る金属充填装置及び金属充填方法によれば、処理室内へと供給される溶融金属に振動を付加するようにしているため、溶融金属中の溶存気体を効率良く排除することができる。また、溶融金属中の固体金属結晶や金属膜を粉砕することができるとともに、被処理物の被処理面と溶融金属との間において滑り効果及び接触角低減効果を得ることができ、溶融金属の流動性を十分に確保して流動不均一に起因する膜切れを防止し、被処理面全体を均一な溶融金属で覆うことができ、充填不良を低減できる。
【００３２】
更に、溶融金属に対して直接振動を付加する構成とした場合には、装置構成を比較的簡単なものにすることができ、また、大きなエネルギーを必要とすることなく、十分な大きさの振動を溶融金属に付加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係る金属充填装置の概略構成を示した断面図である。
【図２】加振機構の構成を示した断面図である。
【図３】図２における矢示Ａ−Ａ方向から見た断面図である。
【図４】高周波振動子から伝播される振動が増幅される過程を説明するための説明図である。
【図５】一実施形態に係る金属充填装置によって溶融金属を充填する過程を説明するための説明図である。
【図６】一実施形態に係る金属充填装置によって溶融金属を充填する過程を説明するための説明図である。
【図７】一実施形態に係る金属充填装置によって溶融金属を充填する過程を説明するための説明図である。
【図８】一実施形態に係る金属充填装置によって溶融金属を充填する過程を説明するための説明図である。
【図９】一実施形態に係る金属充填装置によって溶融金属を充填する過程を説明するための説明図である。
【図１０】一実施形態に係る金属充填装置によって溶融金属を充填する過程を説明するための説明図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る金属充填装置の概略構成を示した断面図である。
【図１２】他の実施形態に係る金属充填装置における、処理室内に溶融金属を供給する過程を説明するための説明図である。
【図１３】他の実施形態に係る金属充填装置における、処理室内に溶融金属を供給する過程を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面に基づき説明する。尚、以下の説明において、「右」、「左」とは、各図の紙面に向かってそれぞれ右側、左側を指すものとする。
【００３５】
［１．金属充填装置の構成］
図１に示すように、本例の金属充填装置１は、半導体ウェハ（被処理物）Ｋの表面（被処理面）に開口するように形成された微小空間内に溶融金属Ｍを充填する金属充填装置であって、半導体ウェハＫが、その被処理面が水平方向に対して９０°傾いた状態で保持される保持台Ｈと、内部空間が形成され、右端面が保持台Ｈと対向して配設された筒状のハウジングＣと、保持台Ｈに保持される半導体ウェハＫの被処理面に対して進退自在に設けられたピストンＰと、保持台ＨをハウジングＣに接近、離反させる移動機構５と、ピストンＰを進退させる進退機構６とを備えており、前記保持台Ｈ、ハウジングＣ及びピストンＰが処理部本体として機能し、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫ、ハウジングＣ及びピストンＰによって気密状の処理室２が形成される。尚、半導体ウェハＫの被処理面とは、溶融金属を充填すべき微小空間が形成された部分を指し、被処理物の表面全体に限られるものではない。
【００３６】
また、この金属充填装置１は、処理室２内の気体を排気して、当該処理室２内を減圧する減圧機構１０と、処理室２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構１５と、溶融金属Ｍの脱気を行う脱気機構２０と、処理室２内に供給される溶融金属Ｍに振動を付加する加振機構３０と、移動機構５、進退機構６、減圧機構１０、溶融金属供給機構１５、脱気機構２０及び加振機構３０の作動を制御する制御装置５９とを備えている。
【００３７】
前記保持台Ｈは、処理室２の減圧に対抗して半導体ウェハＫを変形させることなく、当該保持台Ｈに保持できる真空チャックや静電チャックなどのような被処理物保持機構を有し、ハウジングＣと対向する保持面に半導体ウェハＫを保持することができるようになっている。また、この保持台Ｈは、移動機構５によって移動するようになっており、この保持台ＨをハウジングＣに接近する方向（左方向）に移動させ、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫの表面をハウジングＣの右端面及びハウジングＣの右端面に設けられた気密シール９に当接させることにより、気密状の処理室２が形成される。
【００３８】
前記ピストンＰは、ハウジングＣの内部を進退機構６によって軸線方向に進退するようになっている。尚、ピストンＰの外周面とハウジングＣの内周面との間には、２つの気密シール７，８が介装されている。
【００３９】
前記進退機構６は、例えば、油圧シリンダ機構などであって、ピストンＰを進退させる駆動力を与える機構であり、ピストンＰを所定の押圧力でもって半導体ウェハＫに向けて進退させることができる。
【００４０】
前記減圧機構１０は、ハウジングＣの右端側の上部側壁を貫通して設けられ、ハウジングＣ側の開口部にバッファ部１２ａが形成された配管１２と、配管１２によって処理室２に接続された真空ポンプ１１と、配管１２の、真空ポンプ１１と処理室２との間に設けられた制御弁１３とからなり、真空ポンプ１１によって処理室２内の空気を排気して、処理室２内を減圧する機構である。尚、真空ポンプ１１の作動及び制御弁１３の開閉は、制御装置５９によって制御されるようになっている。
【００４１】
前記溶融金属供給機構１５は、溶融金属Ｍが貯留された貯留タンク１６と、ハウジングＣの右端側の下側側壁を貫通し、その開口部が配管１２のバッファ部１２ａと対向するように設けられ、後述する加振機構３０の加振部３１と処理室２とを接続する配管１７ａと、前記貯留タンク１６と前記加振部３１とを接続する配管１７ｂと、配管１７ｂの、貯留タンク１６と加振部３１との間に介装された制御弁１８と、貯留タンク１６と制御弁１８との間に介装された圧力制御機能付き供給ポンプ１９とからなり、所定の供給圧でもって、加振部３１に形成された加振室３２を介し、貯留タンク１６から処理室２内に溶融金属Ｍを供給する機構である。また、制御弁１８は、流量制御可能な開閉弁であり、供給ポンプ１９の作動及び制御弁１８の作動は、制御装置５９によって制御されるようになっている。
【００４２】
前記貯留タンク１６には、金属充填に用いられる溶融金属Ｍがその融点より高い温度で熱せられており、液体状態で貯留されている。尚、本例において金属充填に用いられる溶融金属Ｍは、融点約２００℃の鉛フリー半田であるが、溶融金属Ｍの種類は、半田に限定されるものではなく、微小空間を埋める目的やその機能に応じて、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎやこれらの合金など任意のものを採用することができる。
【００４３】
前記脱気機構２０は、配管２２によって貯留タンク１６と接続された真空ポンプ２１などからなり、貯留タンク１６内の空気を排気して、貯留タンク１６内の溶融金属Ｍの脱気を行う機構である。
【００４４】
前記加振機構３０は、前記配管１７ａ，１７ｂが接続された状態で、処理室２と制御弁１８との間に配設され、貯留タンク１６から処理室２へと供給される溶融金属Ｍに振動を付加する機構である。そして、図１〜図３に示すように、この加振機構３０は、内部に加振室３２が形成された加振部３１と、加振室３２内に配設されたホーン４０と、高周波振動子５１と、高周波振動子５１を振動させる駆動装置５０と、加振室３２内に滞留した溶融金属Ｍを回収する回収装置５５とから構成されている。
【００４５】
図２〜図４に示すように、前記ホーン４０は、断面形状が円形の部材であって、前記加振室３２内に配設される振動部４０ａ、高周波振動子５１が接続されるホーン本体４０ｂ、及び振動部４０ａとホーン本体４０ｂとの間に形成されたフランジ部４０ｃの３つの部位からなる。
【００４６】
前記加振部３１は、直方体形状の加振部本体３１ａと当該加振部本体３１ａにおける一つの面に固設されるカバー体３１ｂとから構成されており、前記加振部本体３１ａは、前記ホーン４０の振動部４０ａが挿入される加振室３２を有するとともに、当該加振室３２と外方と連通するように、前記カバー体３１ｂが固設される面と平行な面に、振動部４０ａの振動方向と平行な方向に沿って貫通した第１貫通穴３３と、同様に加振室３２と外方とを連通するように、前記カバー３１ｂが固設される面と直交し、且つ相互に平行な２つの面に、前記第１貫通穴３３の軸線と直交する方向に沿ってそれぞれ貫通した第２及び第３貫通穴３４，３５とが形成されている。そして、前記第１貫通穴３３には、前記配管１７ａが接続され、第２貫通穴３４には、配管１７ｂが接続されており、貯留タンク１６内に貯留された溶融金属Ｍは、配管１７ｂ、第２貫通穴３４、加振室３２、第１貫通穴３３及び配管１７ａを流通し、処理室２内へと供給されるようになっている。尚、第１貫通穴３３を、ホーン４０の振動部４０ａの先端面の面内位置から外れない位置に形成するとともに、配管１７ａを、その軸線がホーン４０の振動部４０ａの振動方向と平行な直管とし、処理室２内への振動伝播を円滑に行うことが望ましい。
【００４７】
そして、前記ホーン４０は、振動部４０ａと加振室３２の内壁面との間に隙間３２ａを空けた状態で、加振部本体３１ａにおけるカバー体３１ｂが固設される面から挿入され、カバー体３１ｂが固設されることで、フランジ部４０ｃが加振部本体３１ａとカバー体３１ｂとによって挟まれ、その移動が制限されている。尚、前記フランジ部４０ｃと加振部本体３１ａ及びカバー体３１ｂとの間には、それぞれシール部材４１，４２が介装されており、封止性が確保されるとともに、フランジ部４０ｃと加振部本体３１ａ及びカバー体３１ｂとが直接接触しないようになっている。
【００４８】
前記駆動装置５０は、例えば圧電効果などを利用して高い周波数の発振を起こすことができる高周波振動子５１に所定の電圧を印加し、当該高周波振動子５１で振動を発生させる機構である。そして、この駆動装置５０によって所定の電圧が印加されることにより、高周波振動子５１で振動を発生し、当該高周波振動子５１に接続されたホーン４０がその軸線方向に沿って振動する。
【００４９】
ここで、高周波振動子５１及びホーン４０における振動の状態について、図４を参照して説明する。尚、図４の上図は、高周波振動子５１及びホーン４０各部における振幅量を表示したものであり、下図は、高周波振動５１及びホーン４０の構成を示した図である。
【００５０】
図４に示すように、高周波振動子５１における振動は、ホーン本体４０ｂに設けられたブースタ構造などにより増幅されながら振動部４０ａへと伝播されるようになっており、熱に弱い高周波振動子５１と高温の溶融金属Ｍとの間に十分な距離を空けた状態で、溶融金属Ｍに所定の大きさの振動を付加することができるようになっている。また、ホーン４０のフランジ部４０ｃは、その位置が振幅の節に位置するように設けられており、当該フランジ部４０ｃには大きな振動が生じないようになっている。したがって、上述したように、シール部材４１，３２を介した状態で加振部本体３１ａ及びカバー体３１ｂによってフランジ部４０ｃを挟持することで、エネルギーの損失を極力抑え、効率良く振動を振動部４０ａへ伝播させることができる。尚、ホーン４０の長さは、高温の溶融金属Ｍから高周波振動子５１が熱影響を受けない（熱隔離が可能な）長さであれば良い。
【００５１】
前記回収機構５５は、適宜真空ポンプで内部が減圧される回収タンク５６と、一端が回収タンク５６に接続され、他端が管継手３８を介して前記加振部本体３１に形成された第３貫通穴３５に接続された配管５７と、配管５７の、加振部本体３１と回収タンク５６との間に介装された制御弁５８とからなり、前記加振室３２に滞留した溶融金属Ｍを回収する機構である。尚、真空ポンプの作動及び制御弁５８の開閉は、制御装置５９によって制御されるようになっている。
【００５２】
［２．金属充填の過程］
次に、図５〜図１０を参照して、本例の金属充填装置１によって溶融金属Ｍを微小空間内に充填する過程を説明する。
【００５３】
本例の金属充填装置１によれば、まず、移動機構５によって保持台ＨをハウジングＣから遠ざかる方向（右方向）に移動させた状態で、半導体ウェハＫを、その被処理面をハウジングＣ側に向けた状態で保持台Ｈの保持面上に保持させる（図５参照）。ついで、移動機構５によって保持台ＨをハウジングＣに近づける方向（左方向）に移動させて、半導体ウェハＫの表面にハウジングＣの右端面及びハウジングＣの右端面に設けられた気密シール９を押し当てて密着させ処理室２を形成する。
【００５４】
尚、処理室２内に供給する溶融金属Ｍの量を最小限に抑えるために、処理室２の容積が極力小さな容積となるように、進退機構６によってピストンＰを半導体ウェハＫに向けて移動させておくことが好ましい。
【００５５】
次に、真空ポンプ１１を作動させるとともに制御弁１３を開き、処理室２内及び微小空間内を減圧する（図６参照）。
【００５６】
ついで、高周波振動子５１に所定の大きさの電圧を印加して、当該高周波振動子５１に高周波数の発振を起こさせ、前記ブースタ５２を介してホーン４０をその軸線に沿った方向に振動させる。尚、振動の周波数としては２０〜４０ｋＨｚ程度、振幅としては５０〜１００μｍ程度を例示することができるが、これらの値は装置の大きさや溶融金属Ｍの粘度、密度、或いは必要となる加振量などに応じて、適宜設定することが好ましい。
【００５７】
そして、ホーン４０を振動させるのと略同時に、図７に示すように、制御弁１３を閉じて、制御弁１８を開放状態にし、供給ポンプ１９を用いて、貯留タンク１６から処理室２内への溶融金属Ｍの供給を開始する。尚、処理室２内への溶融金属Ｍの供給は、制御弁１８によって適切な供給速度に調整された状態で行われるようになっている。また、貯留タンク１６内の溶融金属Ｍは脱気された状態となっており、処理室２内に供給される溶融金属Ｍ中の気体成分が極力少なくなるようになっている。
【００５８】
更に、本例の金属充填装置１において、処理室２内へと供給される溶融金属Ｍは、前記加振室３２内において、処理室２へと流れる方向に沿ってホーン４０から振動が直接付加されるようになっており、振動が付加されることで、溶融金属Ｍ中にキャビテーションが発生し気泡成長する。これにより、溶存気体が液面へと浮上するので、溶融金属Ｍ中の溶存気体が排除される。したがって、溶融金属Ｍは、気体成分が極めて少ない状態で処理室２内へと供給される。
【００５９】
また、溶融金属Ｍ中に発生したキャビテーションが圧壊する際に衝撃圧力が生じるため、当該衝撃圧力によって溶融金属Ｍ中に形成される固体金属結晶などが微細粒に粉砕され、溶融金属Ｍの流動性の低下を抑えられる。
【００６０】
そして、加振室３２内を流通した溶融金属Ｍは、処理室２の下方から徐々に当該処理室２内を満たしていく。この際、処理室２内に供給された溶融金属Ｍに対しても、配管１７ａ内の溶融金属Ｍを介してホーン４０から処理室２方向に向けての振動が伝播するため、当該処理室２内の溶融金属Ｍが振動して、溶融金属Ｍ中にキャビテーションが発生し、上記と同様に、溶存気相分が排除されるとともに、溶融金属Ｍ中の酸化物などの固体金属結晶からなる金属膜が微細粒にまで粉砕される。したがって、金属充填装置１においては、溶融金属Ｍ中の気体成分の排除及び溶融金属Ｍの流動性の低下抑制を行いながら、処理室２内に溶融金属Ｍを満たしていくことができる。
【００６１】
更に、溶融金属Ｍに振動が伝播されることにより当該溶融金属Ｍの液面が振動するため、半導体ウェハＫの被処理面と溶融金属Ｍとの間に滑り効果が得られるとともに、被処理面と溶融金属Ｍとの間の接触角が小さくなり、被処理面に対する溶融金属Ｍの流動性が増加する。
【００６２】
このように、処理室２内に供給される溶融金属Ｍ或いは処理室２内に供給された溶融金属Ｍの溶存気体の排除及び流動性の確保を行うことで、気相や流動不均一に起因する溶融金属薄膜の膜切れが効果的に防止された状態で、処理室２内が溶融金属Ｍによって満たされる。
【００６３】
そして、処理室２内の半導体ウェハＫの被処理面が溶融金属Ｍで完全に覆われる、言い換えれば、溶融金属Ｍの液面が被処理面の上端よりも上方に位置するまで、溶融金属Ｍの供給を行った後、供給ポンプ１９の作動を停止させる（図８参照）。尚、溶融金属Ｍの供給開始から供給停止までの間において、溶融金属Ｍの液面における振動エネルギーを一定に保ち、半導体ウェハＫの被処理面と溶融金属Ｍとの間における滑り効果及び接触角低減効果を十分に得るために、時間の経過とともに高周波振動子５１に印加する電圧を徐々に大きくする、即ち、高周波振動の出力を徐々に大きくすることが好ましい。
【００６４】
本例の金属充填装置１では、処理室２の下方から溶融金属Ｍが供給され、当該処理室２の下方から徐々に溶融金属Ｍが満たされていくようになっているため、処理室２内に残留気体成分が存在したとしても、当該残留気体成分が溶融金属Ｍの液面よりも上に集められるようになっている。そして、バッファ部１２ａを設け、残留気体成分を当該バッファ部１２ａにトラップした上で、処理室２内の半導体ウェハＫの被処理面を溶融金属Ｍで覆うようになっており、半導体ウェハＫの被処理面に残留気体成分からなる空隙が接触するのが防止されている。また、上述したように、溶融金属Ｍの流動性を確保するようにしているため、溶融金属薄膜の膜切れが生じ難くなっている。
【００６５】
しかる後、図９に示すように、進退機構６によってピストンＰを半導体ウェハＫに向けて所定の位置まで移動させる。この際、制御弁１８の流量制御機能又は供給ポンプ１９の圧力制御機能により、溶融金属Ｍが適切に加圧された状態のまま、処理室２内の余分な溶融金属Ｍが貯留タンク１６に押し戻されるとともに、微小空間内に溶融金属Ｍが加圧充填される。
【００６６】
その後、微小空間内に充填された溶融金属Ｍの温度が融点以下となるまで冷却し、溶融金属Ｍが冷却硬化するまで待機する。そして、溶融金属Ｍが硬化した後、図１０に示すように、移動機構５によって保持台Ｈを右方向に移動させて処理室２を開放し、保持台Ｈの保持部から半導体ウェハＫを取り外す。
【００６７】
そして、以上の金属充填操作を繰り返した後、装置を停止する際には、制御弁５８を開き、適宜真空ポンプによって内部が減圧された回収タンク５６に加振室３２内に滞留した溶融金属Ｍを回収する。このようにすることで、次運転時に、加振室３２内に滞留して劣化した溶融金属Ｍが新たに供給した溶融金属Ｍに混入するのを防止することができ、また、加振室３２内に滞留した溶融金属Ｍが硬化して、ホーン４０の動作が妨げられるのを防止することができる。
【００６８】
このように、本例の金属充填装置１によれば、処理室２内へと供給される溶融金属Ｍに直接振動を与えるようにしているため、溶融金属Ｍ中の溶存気体を限りなく少なくすることができ、溶融金属Ｍとともに処理室２内に供給されてしまう気体の量を少なくすることができる。また、溶融金属Ｍに振動を与えることにより、溶融金属Ｍ中の固体金属結晶や金属膜を微細粒にまで粉砕することができるとともに、半導体ウェハＫの被処理面と溶融金属Ｍとの間において滑り効果及び接触角低減効果を得ることができるため、溶融金属Ｍの流動性を確保して当該溶融金属Ｍの流動不均一に起因する膜切れを防止することができ、膜切れによって引き起こされる充填不良の発生を抑えることができる。
【００６９】
更に、本例の金属充填装置１においては、処理室２内へと供給される溶融金属Ｍに対して、直接振動を付加するようにしている。したがって、例えば、装置全体に振動を付加する、或いは、基板に対して振動を付加する場合よりも、装置構成を簡単なものにすることができ、また、少ないエネルギーでもって十分な大きさの振動を溶融金属Ｍに付加することができ、上記振動の付加によって奏される効果を十分に得ることができる。また、装置全体を振動させる、或いは基板を振動させる場合には振動の節に当たる部分が振動しないため、当該部分においては溶融金属Ｍに振動が付加されないという問題があるのに対し、本例の金属充填装置１では、そのような問題もなく溶融金属Ｍに確実に振動を付加することができる。
【００７０】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明が採り得る具体的な態様は何らこれに限定されるものではない。
【００７１】
例えば、上例においては、通液路たる配管１７ａ及び配管１７ｂとの間に加振装置３０を配設するようにし、貯留タンク１６から処理室２内へと流れる途中で溶融金属Ｍに直接振動を付加するようにしたが、加振装置３０に代えて、貯留タンク１６内の溶融金属Ｍに直接振動を付加する加振装置を設けた構成としても良い。このようにしても、上記と同様に、相応の効果を奏する。尚、この場合、付加された振動が減衰して処理室２内の溶融金属Ｍまで振動が伝わらなくなるのを防止するために、貯留タンク１６と処理室２との間の配管を極力短くすることが好ましい。
【００７２】
また、加振装置３０（第１加振装置）に加えて、上記貯留タンク１６内の溶融金属Ｍに振動を付加する加振装置（第２加振装置）を更に設けるようにしても良い。このようにすれば、貯留タンク１６内の溶融金属Ｍ中の溶存気体を予め除去しておくことができ、処理室２内に供給される溶融金属Ｍ中の溶存気体を限りなく少なくすることができる。また、貯留タンク１６に貯留された溶融金属Ｍ内の固体金属結晶を微細粒にまで予め粉砕しておくことができ、溶融金属Ｍのより流動性を確保し易くできる。
【００７３】
尚、上例においては、好ましい実施の態様として、加振室３２内において、処理室２内へと供給される溶融金属Ｍに対し、当該溶融金属Ｍが処理室２へと流れる方向に沿った振動を付加する態様としたが、必ずしも、処理室２へと流れる方向に沿った振動でなくとも良い。具体的に言えば、配管の長さが短い等の理由により、振動が処理室２内まで伝播する場合には、処理室２へと流れる方向に沿った振動でなくとも良い。
【００７４】
更に、上例では、処理室２内の余分な溶融金属Ｍを貯留タンク１６に押し戻す構成としたが、前記制御弁５８を流量制御機能付きの制御弁とし、溶融金属Ｍが適切に加圧された状態のまま、回収タンク５６に余分な溶融金属Ｍを回収するようにしても良い。
【００７５】
また、上記金属充填装置１では、ピストンＰを半導体ウェハＫに向けて移動させることで、処理室２内の溶融金属を加圧するようにしているが、溶融金属Ｍを加圧する機構はこれに限られるものではない。例えば、余分な溶融金属Ｍの押し戻しや排出が不要な場合には、制御弁１８を閉止するとともに、ピストンＰが移動しないように固定した後、処理室２内に加圧気体を供給し、この加圧気体によって溶融金属Ｍを加圧する機構を用いることができる。
【００７６】
更に、本例においては、半導体ウェハＫがその被処理面を水平方向に対して９０°傾いた状態で保持される構成としたが、水平方向に対する被処理面の傾斜角度は必ずしも９０°に限られるものではない。即ち、処理室内に溶融金属を供給した際に、処理室の下方から徐々に溶融金属が満たされていくように、溶融金属の流動性や被処理物の表面性状、ピストンＰの表面性状などに応じて、所定の角度に適宜設定するようにすれば良い。これについて、図１１に示す他の実施形態に係る金属充填装置６０を例にとって、以下説明する。
【００７７】
図１１に示すように、金属充填装置６０は、半導体ウェハＫが、その被処理面が水平方向に対して角度θだけ傾いた状態で保持される保持台Ｈ’と、内部に空間が形成、一方端面が保持台Ｈ’と対向して配設された筒状のハウジングＣ’と、保持台Ｈ’に保持される半導体ウェハＫの被処理面に対して進退自在に設けられたピストンＰと、保持台Ｈ’をハウジングＣ’に接近、離反させる移動機構（図示せず）と、ピストンＰ’を進退させる進退機構（図示せず）とを備えており、保持台Ｈ’に保持された半導体ウェハＫ、ハウジングＣ’及びピストンＰ’によって気密状の処理室６２が形成される。
【００７８】
尚、この金属充填装置６０においては、ピストンＰ’の外周面とハウジングＣ’との間に気密シール６７が介装されており、両者の間がこの気密シール６７によってシールされている。
【００７９】
また、この金属充填装置６０は、金属充填装置１と同様に、処理室６２内を減圧する減圧機構７０、処理室６２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構７５、溶融金属Ｍの脱気を行う脱気機構（図示せず）、処理室６２内に供給される溶融金属Ｍに高周波振動を付加する加振機構８０、各機構の作動を制御する制御装置（図示せず）を備えている。
【００８０】
前記減圧機構７０は、真空ポンプ７１、バッファ部７２ａが形成された配管７２及び制御弁７３からなり、金属充填装置１における減圧機構１０と略同様の構成からなるが、配管７２は、ハウジングＣ’の他方端側の側壁を貫通するように設けられている。
【００８１】
また、前記溶融金属供給機構７５も、金属充填装置１における溶融金属供給機構１５と略同様の構成からなり、貯留タンク７６、配管７７ａ，７７ｂ、制御弁７８及び供給ポンプ７９で構成されている。尚、配管７７ａは、ハウジングＣ’の一方端側の側壁を貫通して設けられており、配管７２の処理室６２側の開口部は、配管７７ａの開口部よりも上方、且つ処理室６２の最上部より更に上方に位置している。
【００８２】
前記加振機構８０も、金属充填装置１における加振機構３０と略同様の構成からなり、内部に加振室８２が形成された加振部８１と、ホーン９０と、ブースタや高周波振動子などから構成される駆動装置９２と、加振室８２内に滞留した溶融金属Ｍを回収する回収機構９５とから構成されており、前記配管７７ａ，７７ｂが加振部８１の第１及び第２貫通穴に接続されている。
【００８３】
次に、この金属充填装置６０における処理室６２内への溶融金属Ｍの供給過程について図１２及び図１３を参照して説明する。
【００８４】
この金属充填装置６０によれば、金属充填装置１と同様に、保持台Ｈ’に半導体ウェハＫを保持した状態で処理室６２を形成した後、真空ポンプ７１を作動させるとともに制御弁７３を開き、処理室６２内の気体を排気して、処理室６２内及び微小空間内を略真空状態にまで減圧する。
【００８５】
ついで、図１２に示すように、制御弁７３を閉じるとともに、制御弁７８を開放状態にし、供給ポンプ７９を作動させて、貯留タンク７６から処理室６２内への溶融金属Ｍの供給を開始する。
【００８６】
この金属充填装置６０においても、処理室２内へと供給される溶融金属Ｍは、加振室８２内でホーン９０から高周波振動が直接付加される。したがって、上記と同様に、溶融金属Ｍ中にキャビテーションが発生し、当該溶融金属Ｍ中の溶存気体が強制的に発泡せしめられ排除されるとともに、発生したキャビテーションの圧壊により生じる衝撃圧力によって、溶融金属Ｍ中に形成された金属膜が粉砕される。更に、溶融金属Ｍに振動が伝播されることにより、当該溶融金属Ｍの液面が振動し、被処理面と溶融金属Ｍとの間において、滑り効果及び接触角低減効果が得られる。
【００８７】
また、処理室６２の下方から溶融金属Ｍが供給され、処理室６２の下方から徐々に溶融金属Ｍが満たされていくため、処理室２内に残留気体成分が存在したとしても、当該残留気体成分が溶融金属Ｍの液面よりも上に集められた状態となる。
【００８８】
そして、処理室６２内の半導体ウェハＫの被処理面が溶融金属Ｍで完全に満たされるまで、溶融金属Ｍの供給を続けた後、図１３に示すように、制御弁７８を閉じ、供給ポンプ７９の作動を停止させる。
【００８９】
このように、被処理面を水平方向に対して角度θだけ傾けるようにしても、溶融金属Ｍの液面よりも上に残留気体成分を集め、溶融金属Ｍによって被処理面全体を覆うことができ、また、溶融金属Ｍに高周波振動を直接与えるようにしているため、上記と同様に、相応の効果を奏する。尚、より確実に溶融金属Ｍの液面よりも上に残留気体成分を集めるために、角度θの値は、３０°〜１５０°の範囲内の値に設定することが好ましい。
【符号の説明】
【００９０】
１      金属充填装置
２      処理室
５      移動機構
６      進退機構
１０    減圧機構
１１    真空ポンプ
１２    配管
１３    制御弁
１５    溶融金属供給機構
１６    貯留タンク
１７ａ，１７ｂ  配管
１８    制御弁
１９    供給ポンプ
２０    脱気機構
２１    真空ポンプ
２２    配管
３０    加振機構
３１    加振部
３２    加振室
３３    第１貫通穴
３４    第２貫通穴
３５    第３貫通穴
３６，３７，３８  管継手
４０    ホーン
４０ａ  振動部
４０ｂ  ホーン本体
４０ｃ  フランジ部
４１，４２  シール部材
５０    駆動装置
５１    高周波振動子
５２    ブースタ
５５    回収機構
５６    回収タンク
５７    配管
５８    制御弁
Ｈ      保持台
Ｃ      ハウジング
Ｐ      ピストン
【図１】
2015051440.tif 000003
【図２】
2015051440.tif 000004
【図３】
2015051440.tif 000005
【図４】
2015051440.tif 000006
【図５】
2015051440.tif 000007
【図６】
2015051440.tif 000008
【図７】
2015051440.tif 000009
【図８】
2015051440.tif 000010
【図９】
2015051440.tif 000011
【図１０】
2015051440.tif 000012
【図１１】
2015051440.tif 000013
【図１２】
2015051440.tif 000014
【図１３】
2015051440.tif 000015