(57)【要約】【課題】蒸発源のリフレクタや坩堝を構成する金属材料の酸化や窒化を防止し、蒸発源を長時間動作させても蒸発源の輻射赤外線に対して高い反射率を維持するリフレクタや安定した吸収率を維持する坩堝を提供する。【解決手段】蒸着材料を格納する坩堝と、この坩堝と接続され蒸着材料の蒸気が通過するノズルと、坩堝を加熱するヒーターと、坩堝及びヒーターを取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタと、ノズルの周りに配置された複数枚の前面部リフレクタとを備えた蒸発源において、側面・背面部リフレクタ及び前面部リフレクタや、坩堝、ノズルは、基材と、基材の表面に設けた被膜とを含み、被膜は、ケイ素単体、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物、或いは基材を構成する金属元素とケイ素との化合物を含む。【選択図】図３
2015074804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を格納する坩堝と、この坩堝と接続され前記蒸着材料の蒸気が通過するノズルと、前記坩堝を加熱するヒーターと、前記坩堝及び前記ヒーターを取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタと、前記ノズルの周りに配置された複数枚の前面部リフレクタとを備え、前記側面・背面部リフレクタ及び前記前面部リフレクタは、基材と、前記基材の表面に設けた被膜とを含み、前記被膜は、ケイ素単体、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物、或いは前記基材を構成する金属元素とケイ素との化合物を含むことを特徴とする蒸発源。
【請求項２】
蒸着材料を格納する坩堝と、この坩堝と接続され前記蒸着材料の蒸気が通過するノズルと、前記坩堝を加熱するヒーターと、前記坩堝及び前記ヒーターを取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタと、前記ノズルの周りに配置された複数枚の前面部リフレクタとを備え、坩堝及び／又はノズルは、基材と、前記基材の表面に設けた被膜とを含み、前記被膜は、ケイ素単体、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物、或いは前記基材を構成する金属元素とケイ素との化合物を含むことを特徴とする蒸発源。
【請求項３】
前記被膜は、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物を含む層、及びケイ素単体の層を有し、前記被膜の表面層は、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物を含む層で構成されていることを特徴とする請求項１記載の蒸発源。
【請求項４】
前記側面・背面部リフレクタ及び前記前面部リフレクタの前記基材と前記被膜との間には、前記基材より赤外線の反射率が高い金属薄膜が設けられていることを特徴とする請求項１記載の蒸発源。
【請求項５】
前記坩堝及び／又は前記ノズルの前記基材と前記被膜との間には、前記基材より赤外線の吸収率が高い薄膜が設けられていることを特徴とする請求項２記載の蒸発源。
【請求項６】
前記基材と前記ケイ素単体或いは酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物の層との間には、前記金属元素又は前記金属薄膜を構成する元素と、ケイ素との化合物を含む界面層が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の蒸発源。
【請求項７】
前記被膜の厚さは、２５ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の蒸発源。
【請求項８】
真空チャンバと、この真空チャンバの内部に設置した蒸発源とを備え、前記蒸発源は、蒸着材料を格納する坩堝と、この坩堝と接続され前記蒸着材料の蒸気が通過するノズルと、前記坩堝を加熱するヒーターと、前記坩堝及び前記ヒーターを取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタと、前記ノズルの周りに配置された複数枚の前面部リフレクタとを含み、前記側面・背面部リフレクタ及び前記前面部リフレクタは、基材と、前記基材の表面に設けた被膜とを含み、前記被膜は、ケイ素単体、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物、或いは前記基材を構成する金属元素とケイ素との化合物を含むことを特徴とする蒸着装置。
【請求項９】
真空チャンバと、この真空チャンバの内部に設置した蒸発源とを備え、前記蒸発源は、蒸着材料を格納する坩堝と、この坩堝と接続され前記蒸着材料の蒸気が通過するノズルと、前記坩堝を加熱するヒーターと、前記坩堝及び前記ヒーターを取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタと、前記ノズルの周りに配置された複数枚の前面部リフレクタとを含み、前記坩堝及び／又は前記ノズルは、基材と、前記基材の表面に設けた被膜とを含み、前記被膜は、ケイ素単体、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素又はこれらの複合化合物、或いは前記基材を構成する金属元素とケイ素との化合物を含むことを特徴とする蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸発源及びこれを用いた蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機デバイスが新たな産業分野として注目されている。例えば、表示デバイスや照明デバイスとして有機ＥＬが、有機ＥＬや電子ペーパー、ＲＦＩＤなどの駆動素子として有機トランジスタが、太陽電池として有機薄膜太陽電池などが開発されている。
【０００３】
特に、有機ＥＬは、表示デバイスや照明デバイスの大型化とともに、製造基板サイズの大型化の要求があり、基板サイズは現状の第４．５世代製造ライン（ガラス基板寸法：７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）から、基板寸法で２．９倍以上となる第５．５〜第６世代製造ライン（ガラス基板寸法は１３００ｍｍ×１５００ｍｍ〜１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）へ拡大し、さらには第８世代製造ライン（ガラス基板寸法：２２００ｍｍ×２５００ｍｍ）にも及ぶ見込みである。また、有機薄膜太陽電池も、ロールトゥロール（Ｒ２Ｒ）による生産が始まりつつある。これらの有機デバイスの製造には、主に有機材料および金属材料の蒸着装置が用いられており、蒸着装置の大型化が進んでいる。
【０００４】
蒸着装置の大型化に伴い、そこで用いられる蒸発源の大型化も進んでいる。例えば有機材料の蒸着には、大型のリニア蒸発源や面蒸発源が用いられるようになってきている。また、マグネシウム、銀、アルミニウムなどの電極材料用の金属蒸発源も、大型のリニア蒸発源や大型の坩堝を備えた複数のポイント蒸発源が用いられるようになってきている。
【０００５】
このような蒸発源の大型化に伴う新たな課題としては、蒸発源からの熱輻射の増大が挙げられる。熱輻射が増大すると、例えば有機蒸着の際に有機材料のパターニングに用いるメタルマスクが熱輻射により熱膨張し、パターニング位置精度が低下する問題が発生する。また、電極形成時の金属蒸着では、有機蒸着に比べ蒸着温度が高いため、高温度の熱輻射によって基板上の有機膜自体に熱劣化が生じるなどの問題が発生する。また、蒸発源の消費電力が大きくなり過ぎ、電源などの装置コスト増大や、電気代などのランニングコスト増大を招く。
【０００６】
そのため、蒸発源の坩堝などの加熱部は、蒸発材料が通過するノズル部を除き、熱輻射の赤外線を反射するリフレクタによって蒸発源内に閉じ込めるように設計される。赤外線を反射するリフレクタとしては、２５０〜４００℃程度と比較的低温の有機蒸着用ではステンレス鋼板（以下、「ステンレス板」ともいう。）など、４００〜１０００℃程度の高温の金属蒸着用では高融点金属のモリブデン板などの金属板がよく用いられる。
【０００７】
特許文献１には、蒸発源が発生する赤外線を反射する赤外線リフレクターとして、被加熱体側からＡｕ膜又はＰｔ膜、誘電体膜、基材の順に形成された多層構造を少なくとも含むものが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２２７００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に記載の赤外線リフレクターの場合、不活性なＡｕ（金）膜等を使用するため、リフレクターの基材との接着性が一般に非常に低いこと、基材へ拡散しやすいことなども課題である。そのため、特許文献１に記載のようにＡｕの薄膜を誘電体膜で挟んだ多層膜にするなど複雑なコーティング技術を必要とする。
【００１０】
本発明の目的は、蒸発源のリフレクタを構成する金属材料の酸化や窒化を防止し、蒸発源を長時間動作させても蒸発源の輻射赤外線に対して高い反射率を維持するリフレクタを提供し、長期間安定して蒸着できる蒸発源および蒸着装置を実現することにある。
【００１１】
本発明のもうひとつの目的は、蒸発源の坩堝やノズルなどの加熱部の酸化や窒化の進行を防止し、蒸発源を長時間動作させても一定の輻射率を維持する坩堝を提供して長期間安定して蒸着できる蒸発源および蒸着装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、蒸着材料を格納する坩堝と、この坩堝と接続され蒸着材料の蒸気が通過するノズルと、坩堝を加熱するヒーターと、坩堝及びヒーターを取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタと、ノズルの周りに配置された複数枚の前面部リフレクタとを備えた蒸発源において、側面・背面部リフレクタ及び前面部リフレクタは、基材と、基材の表面に設けた被膜とを含み、被膜は、ケイ素単体、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素、又は基材を構成する金属元素とケイ素との化合物を含むことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、蒸着材料を格納する坩堝と、この坩堝と接続され蒸着材料の蒸気が通過するノズルと、坩堝を加熱するヒーターと、坩堝及びヒーターを取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタと、ノズルの周りに配置された複数枚の前面部リフレクタとを備えた蒸発源において、坩堝及びノズルは、基材と、基材の表面に設けた被膜とを含み、被膜は、ケイ素単体、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素、又は基材を構成する金属元素とケイ素との化合物を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、長期間安定して蒸着できる蒸発源および蒸着装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】代表的なリニア蒸発源の構造を示す模式断面図である。
【図２Ａ】従来のステンレス鋼の基材の使用前及び長期使用後における分光拡散反射率の波長依存性を示すグラフである。
【図２Ｂ】従来のモリブデンの基材の使用前及び長期使用後における分光拡散反射率の波長依存性を示すグラフである。
【図３】基材の両面に被膜を設けたリフレクタの構造を示す断面図である。
【図４】基材の片面に被膜を設けたリフレクタの構造を示す断面図である。
【図５】ステンレス鋼板の基材にシリコンからなる被膜をスパッタリングしたリフレクタの分光正反射率の波長依存性（測定結果）と、３００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを示すグラフである。
【図６】金属基板上のＳｉ薄膜の光学干渉による分光反射率をシミュレーションにより求めた結果と、２５０℃及び４００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを比較して示すグラフである。
【図７】ステンレス鋼製の基材上にシリコン膜を形成することにより作製したリフレクタを空気雰囲気で焼成した場合における短波長側の分光正反射率の変化（測定結果）と３００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを示すグラフである。
【図８】ステンレス鋼製の基材上にシリコン膜を形成することにより作製したリフレクタを空気雰囲気で焼成した場合における分光拡散反射率の変化（測定結果）と、２５０℃及び４００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを比較して示すグラフである。
【図９】モリブデン製の基材上にシリコンからなる被膜をスパッタリングすることにより作製したリフレクタの分光正反射率を測定した結果と、１０００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを示すグラフである。
【図１０】金属基板上のＳｉ薄膜の光学干渉による分光反射率をシミュレーションにより求めた結果と、１０００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを比較して示すグラフである。
【図１１】モリブデン製の基材上にシリコン膜を形成することにより作製したリフレクタを１０００℃の窒素雰囲気で焼成した場合における焼成前後の分光正反射率の測定結果と、１０００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを示すグラフである。
【図１２】モリブデン製の基材上にシリコン膜を形成することにより作製したリフレクタを窒素雰囲気で焼成した場合における分光拡散反射率の変化と、１０００℃の熱輻射の放射輝度（黒体輻射で近似）とを示すグラフである。
【図１３】高温度の状態を経た被膜の詳細な構造を示す断面図である。
【図１４】本発明の有機リニア蒸発源及び金属蒸発源を備えた有機ＥＬ製造用のクラスタ型の蒸着装置の例を示す上面図である。
【図１５】有機クラスタを構成する有機蒸着室の一例を示す模式図である。
【図１６】有機リニア蒸発源の構造を示す断面図である。
【図１７】金属クラスタを構成する金属蒸着チャンバの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の特徴は、以下のとおりである。
【００１７】
１．蒸発源の輻射赤外線を反射するリフレクタや、輻射赤外線を吸収する坩堝とノズルを構成する金属基材上に、基材の酸化および窒化を防止し、かつ、輻射赤外線波長域の透過率が高い表面コーティングを施す。
【００１８】
２．上記表面コーティングにより形成した膜（被膜）は、酸素または窒素の拡散速度が、リフレクタの基材中の酸素および窒素の拡散速度より小さいものを用いる。
【００１９】
３．上記表面コーティング膜は、酸化物または窒化物の生成自由エネルギーが、リフレクタの基材の酸化物または窒化物の生成自由エネルギーより大きいものを用いる。
【００２０】
４．上記表面コーティング膜の酸化膜や窒化膜の蒸発源の輻射赤外線に対する透過率がリフレクタの基材の酸化膜や窒化膜の透過率より高いものを用いる。
【００２１】
５．上記の表面コーティング膜の材料として主にシリコンを用いる。
【００２２】
６．上記の表面コーティング膜は、表面層がシリコンの酸化物若しくは窒化物又はそれらの複合化合物であり、リフレクタの基材との界面層が基材を構成する材料のシリサイドになっていてもよい。ここで、複合化合物とは、シリコン（ケイ素）、酸素、窒素等が化学結合して形成された物質をいう。
【００２３】
７．上記表面コーティング膜（表面層及び界面層があってもよい。）の膜厚は２５ｎｍ以上２００ｎｍ以下（２５〜２００ｎｍ）である。
【００２４】
８．上記の表面コーティング膜とリフレクタの基材との間に、リフレクタの基材より輻射赤外線の反射率が高い金属膜を挿入する。
【００２５】
９．上記の表面コーティング膜と坩堝、ノズルの基材との間に、基材より輻射赤外線の輻射率（＝吸収率）が高い膜を挿入する。
【００２６】
以下、図面等を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の説明は本発明の内容の具体例を示すものであり、本発明がこれらの説明に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。また、本発明を説明するための全図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００２７】
図１は、代表的なリニア蒸発源の断面構造を示したものである。
【００２８】
本図において、リニア蒸発源は、蒸着材料（溶融液６）を格納する坩堝１、坩堝１と接続され蒸着材料（蒸気）が通過するノズル２、坩堝１を加熱するヒーター３、坩堝１及びヒーター３を取り囲む複数枚の側面・背面部リフレクタ４、ノズル２の周りに配置され、成膜の対象となる基板（図示せず）への熱輻射を抑制する複数枚の前面部リフレクタ５などで構成されている。条件によっては、側面・背面部リフレクタ４の周りを水冷するためのジャケット（図示せず）を設ける場合もある。側面・背面部リフレクタ４及び前面部リフレクタ５は、金属板からなる基材を有する。なお、本説明では、側面・背面部リフレクタ４は一体のものを用いているが、側面部リフレクタと背面部リフレクタが分離され、組み合わされている場合もある。
【００２９】
側面・背面部リフレクタ４及び前面部リフレクタ５の金属板は、一般に赤外線の反射率を高めるために金属光沢を持つ鏡面状に仕上げられている。これにより、蒸発源内に赤外線を効率よく閉じ込め、蒸発源から基板への熱輻射を低減するとともに、坩堝１の加熱効率を高め、ヒーター３の消費電力を低減することが可能である。一方、坩堝１やノズル２は、ヒーターの発する赤外線や、リフレクタで反射される赤外線を効率よく吸収するために、表面を黒化処理して輻射率（＝吸収率）を高くするのが好ましい。
【００３０】
しかしながら、側面・背面部リフレクタ４や前面部リフレクタ５の金属板は、蒸発源の使用時間が長くなるとともに徐々に表面が変色（黒化）し、赤外線の反射率が低下してくる。これは、蒸発源が高温で用いられているため、チャンバ中にわずかに残留する酸素と反応して酸化膜を形成したり、蒸発材料の交換の際に蒸発源の冷却を速めるため、蒸発源がまだ高温の状態でチャンバ中に窒素を導入することで表面に窒化膜が形成されたりするためである。一方、坩堝１やノズル２は、金属基材そのままか、表面を予め酸化や窒化により黒化処理が施されている場合が多いが、金属基材そのままの場合はもとより、予め酸化や窒化されていても蒸発源が高温で用いられているため、酸化膜や窒化膜がさらに厚く形成されたりして輻射率が変動していく。また、モリブデン等、揮発性の高い酸化物を形成する金属の場合は、逆に真空中の高温で使用されると酸化膜が飛散し、輻射率の低い（＝反射率の高い）金属表面が露出して坩堝１やノズル２の熱効率が悪くなる場合がある。
【００３１】
なお、本明細書においては、側面・背面部リフレクタ４及び前面部リフレクタ５をまとめて「リフレクタ」と呼ぶ。
【００３２】
図２Ａは、有機蒸発源のリフレクタや坩堝、ノズルに用いるステンレスの使用前及び長期使用後の分光反射率並びに蒸発源加熱温度（３００℃）における熱輻射（黒体輻射で近似）の分光放射輝度を示したものである。
【００３３】
本図に示すように、３００℃の放射輝度（一点鎖線）は、波長５μｍ付近で極大となる。使用前のステンレスは、波長３μｍ以上で反射率が６５％以上である（実線）。一方、使用後のステンレスの反射率は、波長１０μｍ以下で特に低下し、波長５μｍでは約４０％となっている（破線）。ステンレスは、長期使用により表面酸化膜が形成されるためと考える。
【００３４】
図２Ｂは、金属蒸発源のリフレクタや坩堝で用いるモリブデンの使用前及び長期使用後の分光反射率並びに蒸発源加熱温度（１０００℃）における熱輻射（黒体輻射で近似）の分光放射輝度を示したものである。
【００３５】
本図に示すように、１０００℃の放射輝度（一点鎖線）は、波長３μｍ付近で極大となる。使用前のモリブデンは、波長３μｍ以上で反射率が８０％以上である（実線）。一方、使用後のモリブデンの反射率は、波長１０μｍ以下で特に低下し、波長５μｍでは約５０％となっている（破線）。モリブデンは、繰り返しの窒素リークなどにより表面窒化膜が形成されるためと考える。
【００３６】
図２Ａ及び２Ｂから、反射率が低下する波長域と、蒸発源の使用温度における熱輻射放射輝度が強い波長域とが一致するため、ステンレスやモリブデンを用いたリフレクタは、表面の酸化又は窒化により、赤外線反射性能が大幅に低下してしまうことがわかる。一方、ステンレスやモリブデンを用いた坩堝、ノズルは、酸化又は窒化により赤外線吸収量が増加してしまい、温度変動要因になり得ることがわかる。
【００３７】
図２Ａ及び２Ｂに示す、測定した全波長域（１．６〜２５μｍ）での全反射率（測定波長域の反射量積分値を輻射量積分値で割った値）を計算すると、３００℃で使用したステンレスの熱輻射の全反射率は、使用前が８０．８％であるのに対し長期使用後は５９．４％に低下する。また、１０００℃で使用したモリブデンの熱輻射の全反射率は、使用前に８７．３％であるのに対し、長期使用後は４７．３％に低下する。そのため、同じヒーターの出力では蒸発源のリフレクタでの熱損失が増加する。一方、坩堝やノズルの熱吸収は増加する。損失が上回る場合は蒸発源温度が下がるため、蒸着レートが徐々に低下してしまう。また、レート一定でヒーター出力をフィードバック制御する場合には、ヒーター３の消費電力が徐々に増大していく。吸収が上回る場合は蒸発源温度が上がるため、蒸着レートが徐々に増加してしまう。
【００３８】
なお、４００℃で使用したステンレスによる熱輻射の全反射率は、使用前が７５．９％であるのに対し、長期使用後は５４．８％に低下する。
【００３９】
前面部リフレクタ５の反射率の低下は、成膜する基板への熱輻射の増大をもたらす。すなわち、輻射率は、キルヒホフの法則により、（輻射率）＝１−（反射率）の関係があるため、反射率の低下した前面部リフレクタ５は、すなわち輻射率の増加した前面部リフレクタ５となる。蒸発源の蒸発材料が通過するノズル部の周りは、熱輻射を閉じ込めるための前面部リフレクタ５によって囲まれているが、その前面部リフレクタ５の輻射率が増加するため、対向する基板への熱輻射が増加してしまう。そのため、徐々に基板上に接するメタルマスクの温度が上昇し、熱膨張による位置精度低下が起きたり、基板上の有機膜が劣化したりする問題が発生してくる。
【００４０】
＜蒸発源のリフレクタの実施形態＞
図１に示す側面・背面部リフレクタ４や前面部リフレクタ５の基材１０には、金属板を用いる。基材１０の材料としては様々なものが利用可能であるが、有機蒸発源など比較的低温（２５０〜４００℃程度）の加熱で用いるものはステンレス板など、金属蒸発源など比較的高温（４００〜１０００℃程度）に加熱して用いるものにはモリブデン板などの高融点金属板などを用いる。板厚は様々に設定できるが、概ね０．１〜０．３ｍｍ程度の金属板を用いることが多い。これらの金属板は金属光沢を持つように鏡面加工され、できるだけ反射率の高い状態にしておくことが好ましい。
【００４１】
図３は、本発明のリフレクタの断面構造を示したものである。
【００４２】
本図においては、リフレクタは、基材１０の両面に被膜１１（表面コーティング膜）を有する。被膜１１は、シリコン（ケイ素単体）を用いたスパッタリング法などによって成膜する。
【００４３】
図４は、本発明のリフレクタの他の例を示したものである。
【００４４】
本図においては、リフレクタは、基材１０の片面に被膜１１を有する。
【００４５】
基材１０には、ステンレス板、モリブデン板等の金属板を用いる。これらの基材１０の材質は例示であり、使用温度域で耐熱性のある（融点が使用温度域より十分高い）金属板（合金板を含む。）であれば、いかなる元素で構成されていてもよい。
【００４６】
被膜１１は、図３のように基材１０の両面に行うのが好ましいが、図４のように片面だけでもよい。被膜１１を片面だけ設ける場合には、被膜１１を設けた面を蒸発源の加熱部に向けて用いる。図３及び４においては、被膜１１の厚さは８０ｎｍとした場合を示しているが、これに限定されるものではなく、２５〜２００ｎｍ程度が望ましい。
【００４７】
被膜１１を厚さ２５〜２００ｎｍ程度のシリコンで形成する理由は、以下のとおりである。
【００４８】
１．シリコンは、バンドギャップが約１．１ｅＶの半導体であり、波長約１．４μｍ以上の赤外線領域での吸収が少なく（消衰係数〜０）、それより長波長の赤外線に対してほぼ透明である。すなわち、シリコンを用いれば、蒸発源が動作する温度領域（２５０℃〜１０００℃）で発生する輻射赤外線スペクトル（黒体輻射で近似、ピーク波長は約２．５〜５μｍ）に対して透過率の高い被膜１１を形成できる。
【００４９】
２．シリコンは、酸化雰囲気及び窒化雰囲気において緻密な酸化膜や窒化膜を形成し、酸化や窒化の速度が時間に対して放物線則に従って低下する。このため、酸化種や窒化種の拡散速度が非常に遅い。また、シリコンは、酸化物や窒化物の生成自由エネルギー変化がＦｅ、Ｃｒ、Ｍｏなどの金属より大きく、シリコンは酸素や窒素をゲッタリングする能力が高い。そのため、シリコンの被膜１１を用いることで、側面・背面部リフレクタ４（前面部リフレクタ５）の基材１０の酸化や窒化を防止できる。また、酸化及び窒化の速度が遅いため、被膜１１の最低必要膜厚は薄くてよく、２５ｎｍ以上あれば十分である。
【００５０】
３．シリコンの酸化膜や窒化膜は、ワイドギャップの絶縁体であり、可視光から赤外線にかけての広い波長域にわたってほぼ透明である。したがって、シリコンの被膜１１の表面が酸化され、又は窒化されても、輻射赤外線のスペクトルに対して高い透過率を持つ被膜１１を維持できる。
【００５１】
４．シリコンは、加熱されると基材１０の金属板とシリサイド反応を起こし、シリサイドの界面層を形成する。このシリサイド層がシリコン（被膜１１）と基材１０との間の密着性を高め、基材１０から剥がれにくい被膜１１を形成する。また、シリサイドの酸化及び窒化の速度は、シリコンと大差なく、基材１０への酸化種及び窒化種の拡散防止にも有効である。
【００５２】
５．被膜１１の厚さを２５〜２００ｎｍとすることで、被膜１１内における光学干渉により生じる蒸発源の熱輻射スペクトル域での反射率低下を避け、蒸発源が動作する温度領域（２５０℃〜１０００℃）で発生する輻射赤外線のスペクトルに対して透過率が高い被膜１１を形成できる。
【００５３】
図５は、鏡面加工されたステンレス鋼板（ＳＵＳ鋼）の基材にシリコン（Ｓｉ）からなる被膜をスパッタリングしたリフレクタの分光正反射率を光学干渉の起き易い短波長域の波長４００ｎｍ〜２５００ｎｍで測定した結果を示したものである。
【００５４】
本図においては、被膜の厚さが４９ｎｍ、６７ｎｍ及び１０９ｎｍの場合（図中、例えば、厚さ４９ｎｍの場合「Ｓｉ４９ｎｍ／ＳＵＳ」と記載してある。）を示している。比較のため、被膜を設けていない鏡面加工されただけのステンレス鋼板（図中、「ＳＵＳ」と記載してある。）も示している。また、３００℃における放射輝度を破線で示している。
【００５５】
鏡面加工されただけのステンレス鋼板（ＳＵＳ）の場合は、長波長になるに従って単調に反射率が増加する。これに対して、シリコンの被膜を形成したステンレス鋼板の場合は、シリコン膜内の光学干渉により、可視光から近赤外線までの領域のうち特に短波長側で反射率が振動する。シリコン膜内での光学干渉の影響により反射率が最も低下する低反射ピークの波長（反射率が極小となる波長）は、膜厚４９ｎｍの場合で波長約１２００ｎｍ（１．２μｍ）、膜厚６７ｎｍの場合は波長約１９００ｎｍ（１．９μｍ）、膜厚１０９ｎｍの場合は波長約２５００ｎｍ（２．５μｍ）となる。
【００５６】
一方、例えば３００℃の熱輻射赤外線の短波長側の裾は約１４００ｎｍ（１．４μｍ）であり、シリコンの膜厚が４９ｎｍの場合に最も反射率を高めることができる。
【００５７】
図６は、金属基板上のＳｉ薄膜の光学干渉による分光反射率をシミュレーションにより求めた結果並びに２５０℃及び４００℃の熱輻射の放射輝度を示すグラフである。図中、反射率は実線で示し、放射輝度は破線で示している。ナノメートル単位の表示は、膜厚である。Ｓｉ膜は、屈折率３．５の単層膜を仮定しており、現実のＳｉ膜とは表面酸化の有無等の影響で若干反射特性が異なっているが、概ねの傾向は同様である。
【００５８】
本図から、Ｓｉの膜厚が厚くなるに従って、反射率が極小となる波長の値が大きくなる傾向があることがわかる。そして、膜厚が２００ｎｍの場合、反射率が極小となる波長は２１００ｎｍである。一方、２５０℃及び４００℃の熱輻射の放射輝度は、波長２０００ｎｍ以下では無視できる程度に小さい。
【００５９】
よって、Ｓｉの膜厚を２００ｎｍ以下とすれば、光学干渉の影響により反射率が最も低下する低反射ピークの波長を、２５０〜４００℃の熱輻射の放射輝度の裾より短波長側にすることができる。したがって、好ましいＳｉ膜厚は２５〜２００ｎｍである。
【００６０】
図７は、膜厚４９ｎｍのシリコン膜をステンレス板の基材上に形成したリフレクタを、６００℃の空気雰囲気中で２時間加熱焼成した場合に、焼成の前後で分光正反射率を波長４００ｎｍ〜２５００ｎｍで測定し、比較したものである。
【００６１】
６００℃の焼成処理は、有機用の蒸発源の使用条件（真空中、２５０〜４００℃）より相当に過酷な酸化条件であり、加速試験として行った。
【００６２】
本図から、リフレクタの分光正反射率の変化が小さく、酸化が防止できていることが分かる。また、特に坩堝からの熱輻射スペクトルが増加する長波長側で、ステンレス鋼板（ＳＵＳ鋼）のみに近い、高い反射率を得ることができている。
【００６３】
図８は、膜厚４９ｎｍのシリコン膜をステンレス板の基材上に形成したリフレクタを６００℃の空気雰囲気中で２時間加熱焼成した場合に、焼成の前後で分光拡散反射率を波長１．６μｍ〜２５μｍで比較したものである。なお、図中、２５０℃及び４００℃における放射輝度を破線で示している。
【００６４】
拡散反射率は、積分球を用いて測定したものである。ステンレス板のみのリフレクタに比べると、膜厚４９ｎｍのシリコン膜をステンレス板の基材上に形成したリフレクタは、短波長側でやや反射率が低下しているが、６００℃の空気雰囲気中で２時間加熱焼成の前後で反射率は殆ど変化していない。
【００６５】
本図に示す測定した全波長域（１．６〜２５μｍ）での全反射率を計算すると、ステンレス板のリフレクタの４００℃における熱輻射に対する全反射率は、７５．９％である。これに対し、膜厚４９ｎｍのシリコン膜をステンレス板の基材上に形成したリフレクタの焼成前の全反射率は７２．５％、６００℃の空気雰囲気中で２時間加熱焼成した後の全反射率は７１．４％であり、反射率の低下は非常に軽微である。
【００６６】
図９は、鏡面加工されたモリブデン板（Ｍｏ）の基材の上にシリコンからなる被膜をスパッタリングしたリフレクタの分光正反射率を測定した結果を示したものである。図中、反射率は実線で示し、放射輝度（１０００℃）は破線で示している。ナノメートル単位の表示は、シリコンの膜厚である。膜厚の範囲は、４９ｎｍ〜１０９ｎｍである。波長の範囲は、４００ｎｍ〜２５００ｎｍである。鏡面加工されただけのモリブデン板の分光正反射率の結果もあわせて示している。
【００６７】
本図において、鏡面加工されただけのモリブデン板は、長波長になるに従って単調に反射率が増加する特性を示す。一方、シリコンの被膜をモリブデン板の基材上にスパッタリングしたリフレクタは、シリコン膜内の光学干渉により、特に可視光から近赤外線領域の短波長側で反射率が振動する。シリコン薄膜内での光学干渉の影響により反射率が最も低下する低反射ピークの波長は、膜厚４９ｎｍの場合で波長約１３００ｎｍ（１．３μｍ）、膜厚６９ｎｍの場合は波長約１９００ｎｍ（１．９μｍ）、膜厚１０９ｎｍの場合は波長約２２００ｎｍ（２．２μｍ）となる。１０００℃に加熱された蒸発源からの熱輻射スペクトル（黒体輻射で近似）のピークは、ウィーンの変位則に従って約２２００ｎｍ（２．２μｍ）であり、熱輻射スペクトルの高波長側の裾は約９００ｎｍ（０．９μｍ）となる。よって、厚さの薄い被膜を用いた方が、効率良く熱輻射を反射することが可能である。
【００６８】
図１０は、Ｓｉ膜の金属基板上のＳｉ薄膜の光学干渉による分光反射率をシミュレーションにより求めた結果、及び１０００℃の熱輻射の放射輝度を比較した結果である。シミュレーションにおいては、Ｓｉ膜は、屈折率３．５の単層膜を仮定しており、現実のＳｉ膜とは表面酸化の有無等の影響で若干反射特性が異なっているが、概ねの傾向は同様である。
【００６９】
このシミュレーションによれば、Ｓｉ膜厚を７０ｎｍ程度以下とすれば、光学干渉の影響により反射率が最も低下する低反射ピークの波長を、１０００℃の熱輻射の放射輝度の裾より短波長側にすることができる。したがって、Ｓｉ膜の酸化及び窒化の速度を考慮すると、好ましいＳｉ膜厚は２５〜７０ｎｍである。
【００７０】
図１１は、膜厚４９ｎｍのシリコン膜をモリブデン板の基材上に形成したリフレクタ板を１０００℃の窒素雰囲気中で２時間加熱焼成した場合に、焼成の前後における分光正反射率を波長４００ｎｍ〜２５００ｎｍで比較したものである。
【００７１】
上記の焼成処理（１０００℃）は、材料交換の際の真空チャンバの窒素リークにおいて高温の蒸発源を急冷する状態を模したものであり、実際よりも高い温度における加速試験である。
【００７２】
本図から分かるように、１０００℃の窒素雰囲気中で２時間加熱焼成したリフレクタ板の分光正反射率は、焼成前に比べ短波長側の反射率が向上している。これは１０００℃の高温のためシリコンの窒化が進み、窒化シリコンが比較的多く形成されることでシリコンより屈折率が低下し（屈折率はシリコンの３．５と窒化シリコンの１．９の中間となる。）、光学干渉が抑制されるためである。また、高い反射率が得られているのは基材のモリブデンの窒化までは起こっていないためであり、窒素の拡散は十分抑制されている。
【００７３】
図１２は、鏡面加工されたモリブデン板の基材、並びに基材の上に膜厚４９ｎｍのシリコンからなる被膜をスパッタリングしたリフレクタ板及びこのリフレクタ板を１０００℃の窒素雰囲気中で２時間加熱焼成したものの分光拡散反射率を波長１．６μｍ〜２５μｍで測定し、比較したものである。
【００７４】
モリブデン板の基材に比べると、膜厚４９ｎｍのシリコン膜をモリブデン板の基材上に形成したリフレクタは、短波長側でやや反射率が低下しているが、焼成の前後で反射率はほとんど変化していない。本図に示す測定した全波長域（１．６〜２５μｍ）での全反射率を計算すると、モリブデン板の基材の１０００℃の熱輻射に対する全反射率８７．３％である。これに対し、膜厚４９ｎｍのシリコン膜をモリブデン板の基材上に形成したリフレクタの焼成前の全反射率は８３．３％、１０００℃の窒素雰囲気中で２時間加熱焼成した後の全反射率は８３．７％であり、反射率の低下は非常に軽微である。
【００７５】
以上の結果から、蒸発源で使用し、高温度の状態を経た被膜の構造は、成膜の当初の状態から変化することがわかる。
【００７６】
表１は、シリコン被膜の効果をまとめて示したものである。
【００７７】
本表において、使用後（加熱後）については、ＳＵＳ鋼を基材としたリフレクタは、空気雰囲気中６００℃で２時間加熱焼成したものであり、モリブデンを基材としたリフレクタは、窒素雰囲気中１０００℃で２時間加熱焼成したものである。
【００７８】
本表から、ＳＵＳ鋼及びモリブデンはともに、加熱により２０％以上反射率が低下することがわかる。これに対して、シリコン被膜を設けた場合、反射率は、加熱前後でほぼ同等である。
【００７９】
【表１】
2015074804.tif 000003
【００８０】
図１３は、高温度の状態を経た被膜の更に詳細な構造を示したものである。
【００８１】
本図に示すように、基材１０上に成膜されたシリコン膜（被膜１１）は、大気中でのメンテナンスや真空チャンバ中で加熱された際の残留酸素との反応によって酸化されたり、高温の状態で窒素リークされ、窒化されたりする。このため、被膜１１の外側には、Ｓｉの酸化物若しくは窒化物又はそれらの複合化合物の表面層１２が形成される。一方、基材１０側の界面層１３は、高温での使用により基材１０の金属とシリコンが反応して形成されたシリサイドの層である。また、表面層１２と界面層１３との間には、残存したシリコンからなる中間層１４が形成される。このように、被膜１１には、概ね３層からなる構造を自然に形成される。
【００８２】
なお、上述の例では、リフレクタの基材として金属板のステンレス板やモリブデン板を用いたものを示したが、上記の条件を満たせば他の金属板でも構わない。例えば、タンタル、タングステン、ニオブ、チタン、ニッケル、クロムやそれらの合金も使用可能である。
【００８３】
また、リフレクタの基材の金属板とシリコン膜との間に銅など、基材の金属より赤外線の反射率の高い金属薄膜を設けることにより、リフレクタの反射率を更に高めることも可能である。
【００８４】
＜蒸発源の坩堝、ノズルの実施形態＞
図１に示す坩堝１やノズル２の基材１０には、金属板を用いる。基材１０の材料としては様々なものが利用可能であるが、有機蒸発源など比較的低温（２５０〜４００℃程度）の加熱で用いるものはステンレスやチタンなど、金属蒸発源など比較的高温（４００〜１０００℃程度）に加熱して用いるものにはモリブデンなどの高融点金属などを用いる。板厚は様々に設定できるが、概ね１０〜２０ｍｍ程度の板厚の金属を用いることが多い。板材のみでなく、金属ブロックから削り出しで製作する場合もある。これらの金属はそのままでも使用可能であるが、赤外線を効率よく吸収するため、表面を黒化処理して輻射率（＝吸収率）を高くするのが好ましい。具体的には、図２Ａや図２Ｂのステンレスやモリブデンのように表面を酸化あるいは窒化して表面を黒化しておくことが有効である。
【００８５】
坩堝１やノズル２では、黒化したステンレスやモリブデンの上に、実施例１と同じく、被膜１１（表面コーティング膜）を形成する。被膜１１は、シリコン（ケイ素単体）を用いたスパッタリング法などによって成膜する。この膜は実施例１記載のように短波長域では光学干渉が生じるが、輻射赤外線の波長域ではほぼ透明であり、下地の黒化したステンレスやモリブデンの輻射率、例えば図２Ａや図２Ｂで示される輻射率をほぼ維持することができる。
【００８６】
図２Ａや図２Ｂを元に計算すると、全吸収率＝全輻射率＝１−全反射率の関係が成り立つことから、３００℃でステンレスを使用した際の坩堝やノズルの輻射率（＝吸収率）は、ステンレス金属そのままの場合の１９．２％（１００−８０．８％）から、黒化処理することで４０．６％（１００−５９．４％）に向上する。１０００℃でモリブデンを使用した際の坩堝やノズルの輻射率（＝吸収率）は、モリブデン金属そのままの場合の１２．７％（１００−８７．３％）から、黒化処理することで５２．７％（１００−４７．３％）に向上する。すなわち、吸収率が高く熱効率のよい坩堝１、ノズル２が得られ、蒸発源の消費電力を削減できる。また、この被膜は、実施例１と同様の酸化や窒化防止効果により、下地の黒化膜のさらなる酸化や窒化を防止して輻射率の変動が抑えられるため、経時変化が少なく安定した蒸発源を得ることができる。
【００８７】
また、坩堝１やノズル２の基材の金属板とシリコン膜との間に、サーメット膜（金属ナノ粒子を分散した酸化膜、窒化膜）など、基材の酸化や窒化による黒化膜より赤外線の輻射率（＝吸収率）のより高い薄膜を設けることにより、坩堝やノズルの輻射率を更に高めることも可能である。
【００８８】
また、本実施例は坩堝やノズルに黒化処理等を施した例を示したが、黒化処理等を施さない金属基材に直接被覆しても、実施例１と同様に輻射率変動を抑え、経時変化が少なく安定した蒸発源を得ることができる。
【００８９】
＜蒸着装置の実施形態＞
図１４は、本発明の有機リニア蒸発源及び金属蒸発源を備えた有機ＥＬ製造用のクラスタ型の蒸着装置の例を示したものである。
【００９０】
有機ＥＬ製造装置は、概略、各種有機層を成膜する有機クラスタ２０と金属クラスタ４０とを連結した構成である。有機クラスタ２０は、カセット２１及びロード室２２、並びにロード室２２と基板中継室２３を介して連結されたロボット室２４を中心とし、ロボット室２４の両脇にホール注入層蒸着室２５、ホール輸送層蒸着室２６、赤発光層蒸着室２７、緑発光層蒸着室２８、青発光蒸着室２９、ホールブロッキング層蒸着室３０、電子輸送層蒸着室３１及び電子注入層蒸着室３２が配置された構成としている。
【００９１】
各室は、ゲートバルブ３３で仕切られ、搬送ロボット３４によって基板の受け渡しを行う。各有機蒸着室には基板受け渡し部３５が２箇所あり、左右上下に走査可能な有機リニア蒸発源３６によって、一枚は蒸着中に、もう一枚はマスクのアライメントを行えるようにすることで、タクトを倍増できる構成となっている。
【００９２】
有機クラスタ２０においてＴＦＴ基板上に電子輸送層まで形成された基板は、基板中継室２３に送られ、金属クラスタ４０の金属蒸着室４１で金属リニア蒸発源４２や金属ポイント蒸発源４３を用いてＭｇ−Ａｇ合金などが成膜される。その後、基板中継室２３からアンロード室４４に送られ、封止工程へと搬送されていく。
【００９３】
図１５は、図１４の有機クラスタ２０を構成する有機蒸着室（「蒸着チャンバ」ともいう。）の一例を模式的に示したものである。
【００９４】
本図においては、基板５１を略垂直に立てた状態で成膜するサイドデポジッション方式の例を示している。
【００９５】
有機蒸着室５０は、概略、処理真空チャンバ５２（単に「真空チャンバ」ともいう。）、ロボットチャンバ（図示せず）との間に真空を維持するためにゲートバルブ３３、基板受け渡し部３５、基板５１を略垂直に立てるための駆動部５３、メタルマスク５４、水平方向に配置された有機リニア蒸発源３６などで構成されている。有機リニア蒸発源３６は、基板５１の水平方向の辺より長く直列に配置し、基板５１の高さ方向に走査することで基板５１の全面に成膜するスキャン方式である。有機リニア蒸発源３６は、共蒸着や積層蒸着ができるように上下に多段に組み合わせられたものを用いる場合もある（図示せず）。
【００９６】
図１６は、図１５の有機リニア蒸発源３６の断面構造を示したものである。
【００９７】
有機リニア蒸発源３６の蒸着温度は２５０〜４００℃程度であることから、側面・背面部リフレクタ４や前面部リフレクタ５の基材１０にはステンレス板（ＳＵＳ）を用い、膜厚５０ｎｍのシリコンの被膜１１を用いた。これにより、長期の生産活動での長時間蒸着や、材料交換のための大気暴露の繰り返しによって側面・背面部リフレクタ４や前面部リフレクタ５が酸化されるのを防止し、蒸着レートの変動が少なく安定した生産をすることができる。また、有機リニア蒸発源３６内にヒーター３からの赤外線を閉じ込め、かつ、前面部リフレクタ５からの熱輻射も抑えて、有機リニア蒸発源３６から基板やメタルマスクへの熱輻射を低減する。これにより、メタルマスクの熱膨張を抑え、高い精度のパターニング蒸着を安定して行うことが可能である。
【００９８】
図１７は、図１４の金属クラスタ４０中の金属蒸着室（「蒸着チャンバ」ともいう。）を模式的に示したものである。
【００９９】
本図においては、基板５１を略垂直に立てた状態で成膜するサイドデポジッション方式の例を示している。
【０１００】
金属蒸着室４１は、概略、処理真空チャンバ５２（単に「真空チャンバ」ともいう。）、ロボットチャンバ（図示せず）との間に真空を維持するためにゲートバルブ３３、基板受け渡し部３５、基板５１を略垂直に立てるための駆動部５３、パネルごとに金属膜をパターニングするフレームマスク５７、水平方向に配置された金属リニア蒸発源５８や、複数のポイント蒸発源を水平方向に並べた金属ポイント蒸発源５９などで構成されている。
【０１０１】
金属リニア蒸発源５８は、基板５１の水平方向の辺より長く配置し、基板５１の高さ方向に走査することで基板５１の全面に成膜するスキャン方式である。金属ポイント蒸発源５９は、複数のポイント蒸発源を基板５１の水平方向の辺より長く並べて配置し、基板５１の高さ方向に走査することで基板５１の全面に成膜するスキャン方式である。これらの金属リニア蒸発源５８や金属ポイント蒸発源５９は、例えば、マグネシウムと銀の共蒸着や、その上に銀を積層蒸着することができるように上下に多段に組み合わせた構成としてもよい。
【０１０２】
金属リニア蒸発源５８の断面構造は、図１６と基本的に同様である。また、金属ポイント蒸発源５９も、断面構造は図１７に示すとおりであるが、紙面の奥行き方向は短く、複数の金属ポイント蒸発源５９が奥行き方向に並べた配置された構造となっている。
【０１０３】
金属リニア蒸発源５８は、例えば、マグネシウムを蒸着する場合に用いられ、蒸着温度が４００℃程度であることから、側面・背面部リフレクタや前面部リフレクタの基材にはステンレス板（ＳＵＳ）を用い、膜厚５０ｎｍのシリコンの被膜を用いる。一方、金属ポイント蒸発源５９は、例えば、銀の蒸着に用いられ、蒸着温度が１０００℃を超えることから、側面・背面部リフレクタや前面部リフレクタの基材にはモリブデン板（Ｍｏ）を用い、膜厚５０ｎｍのシリコンの被膜を用いる。これにより、長期の生産活動での長時間蒸着や、材料交換のための大気暴露の繰り返しによって側面・背面部リフレクタや前面部リフレクタが酸化されるのを防止し、蒸着レートの変動が少ない安定した生産をすることができる。
【０１０４】
また、蒸発源内のヒーターからの赤外線を閉じ込め、かつ前面部リフレクタからの熱輻射も抑えて蒸発源から基板５１やフレームマスク５７への熱輻射を低減する。これにより、基板５１上の有機膜の劣化を抑えて安定して行うことが可能である。
【０１０５】
また、金属リニア蒸発源５８や金属ポイント蒸発源５９は、有機リニア蒸発源に比べ高温で動作させることから、材料交換のための冷却に非常に時間を要する。本発明の側面・背面部リフレクタや前面部リフレクタを用いれば、窒化に対して耐性が十分あることから、金属リニア蒸発源５８や金属ポイント蒸発源５９がまだヒーターを切って間もない高温の状態であっても、金属蒸着チャンバ５２を窒素リークすることが可能である。窒素ガスが導入されることで、熱伝導や対流伝導による伝熱により、真空状態のまま金属リニア蒸発源５８や金属ポイント蒸発源５９を熱輻射のみで放熱するより大幅な冷却時間の短縮を可能とすることができる。そのため、材料交換の時間を短縮し、蒸着装置の生産性を向上させることが可能である。
【０１０６】
本発明の蒸発源および蒸着装置によれば、蒸発源を長時間動作させてもヒーター電力の増大や基板への熱輻射増加を防止でき、低消費電量で安定した蒸着を長期間行うことができる。また、材料交換時の蒸発源の冷却速度を高め、生産性を向上させることができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１：坩堝、２：ノズル、３：ヒーター、４：側面・背面部リフレクタ、５：前面部リフレクタ、１０：基材、１１：被膜、１２：表面層、１３：界面層、１４：中間層、２０：有機クラスタ、２１：カセット、２２：ロード室、２３：基板中継室、２４：ロボット室、２５：ホール注入層蒸着室、２６：ホール輸送層蒸着室、２７：赤発光層蒸着室、２８：緑発光層蒸着室、２９：青発光蒸着室、３０：ホールブロッキング層蒸着室、３１：電子輸送層蒸着室、３２：電子注入層蒸着室、３３：ゲートバルブ、３４：搬送ロボット、３５：基板受け渡し部、３６：有機リニア蒸発源、４０：金属クラスタ、４１：金属蒸着室、４２：金属リニア蒸発源、４３：金属ポイント蒸発源、４４：アンロード室、５０：有機蒸着室、５１：基板、５２：処理真空チャンバ、５３：駆動部、５４：メタルマスク、５７：フレームマスク、５８：金属リニア蒸発源、５９：金属ポイント蒸発源。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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