(57)【要約】【課題】アルミニウム系材料を含む基体を平滑に研磨できるＣＭＰ用研磨液を提供する。【解決手段】アルミニウム系材料を含む基体を研磨するためのＣＭＰ用研磨液であって、砥粒と、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物と、液状媒体と、を含む、ＣＭＰ用研磨液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム系材料を含む基体を研磨するためのＣＭＰ用研磨液であって、
砥粒と、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物と、液状媒体と、を含む、ＣＭＰ用研磨液。
【請求項２】
前記ＣＭＰ用研磨液のｐＨが７．５〜１１．５である、請求項１に記載のＣＭＰ用研磨液。
【請求項３】
酸化剤を更に含む、請求項１又は２に記載のＣＭＰ用研磨液。
【請求項４】
前記ベンゾトリアゾール化合物の含有量が、ＣＭＰ用研磨液１００ｇに対して０．０００１〜０．０１ｍｏｌである、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
【請求項５】
前記砥粒の円形度が０．９５以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
【請求項６】
前記砥粒の真球度が０．３０以上０．９５以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
【請求項７】
表面粗さ（Ｒａ）が１０．０ｎｍ以上である基体を、表面粗さ（Ｒａ）が６．０ｎｍ未満となるように研磨するために用いられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液を得るための貯蔵液であって、
液状媒体で希釈することにより前記ＣＭＰ用研磨液が得られる、貯蔵液。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液を用いて、アルミニウム系材料を含む基体を研磨する工程を備える、研磨方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の貯蔵液を液状媒体で希釈することにより得られるＣＭＰ用研磨液を用いて、アルミニウム系材料を含む基体を研磨する工程を備える、研磨方法。
【請求項１１】
前記基体の研磨前における表面粗さ（Ｒａ）が１０．０ｎｍ以上であり、前記基体の研磨後における表面粗さ（Ｒａ）が６．０ｎｍ未満である、請求項９又は１０に記載の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）に使用するためのＣＭＰ用研磨液、当該研磨液を得るための貯蔵液、及び、これらを使用した研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
鉄道車両、航空機部品、自動車部品、電子機器筐体等の材質としては、耐食性又は強度等に優れるという理由から、鉄と他の金属（クロム、ニッケル等）との合金であるステンレス鋼が用いられることが多い。しかしながら、ステンレス鋼の密度は７．６４〜８．０６ｇ／ｃｍ３程度であり、ステンレス鋼では、近年の材料の軽量化への要求に対応するには限界がある。
【０００３】
そのため、密度が２．６４〜２．８２ｇ／ｃｍ３程度（ステンレス鋼の約１／３）であるアルミニウム系材料が代替材質として注目されている。アルミニウム系材料としては、純アルミニウム（１０００系）、Ａｌ−Ｃｕ（２０００系）、Ａｌ−Ｍｎ（３０００系）、Ａｌ−Ｓｉ（４０００系）、Ａｌ−Ｍｇ（５０００系）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ（６０００系）、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ（７０００系）等が知られている。
【０００４】
前記アルミニウム系材料のうち、純アルミニウム（１０００系）の強度はやや低めであるが、アルミニウム合金は、ステンレス鋼と同様に耐食性又は強度に優れることに加え、加工性等にも優れる。また、ステンレス鋼を用いた材料のほとんどが、クロムに由来するやや黒味がかった銀色を呈しているのに対し、アルミニウム合金を用いた材料は、白銀色とすることが可能であり、見た目にも明るく美しくできる。
【０００５】
前記のような美しい白銀色を得るために、アルミニウム系材料の表面を充分に平滑化することが求められる場合がある。アルミニウム系材料の研磨方法としては、機械的研磨と化学的研磨が挙げられる。
【０００６】
機械的研磨によって仕上げたアルミニウム系材料の表面形態としては、アルミニウムの特徴の一つである金属光沢が消失しているもの（例えば、方向性のない模様があるもの、方向性のある筋模様があるもの）が多い。また、比較的平滑化が可能なバフ研磨を用いた場合であっても、充分に平滑な表面が得られるとはいえない。機械的研磨の中には、ある程度の金属光沢が得られる方法があるが、機械的研磨で得られる光沢には限界がある。このように、アルミニウム系材料の研磨において充分に平滑な表面が求められる場合、従来の機械的研磨ではその要求を満たすことが難しい。
【０００７】
一方、平滑なアルミニウム系材料の表面を得る場合には、化学的研磨が用いられることがある。化学的研磨のみによる平滑化処理は工程に時間がかかるため、前記機械的研磨による処理を施した表面に、再度、化学的研磨による処理を施すことがある。
【０００８】
化学的研磨方法としては、リン酸と硝酸を主成分とした研磨液又は溶剤を１１０℃以下に加熱し、そこへアルミニウムを浸漬する方法が知られている（例えば、下記特許文献１参照）。また、高価なリン酸を節約するため、リン酸の一部の代替として硫酸を用いることが知られている（例えば、下記特許文献２参照）。これらの研磨は、単に、アルミニウム系材料の表面を溶解させ、化学的な作用のみで表面の凸部を除去して平滑化するものであり、ＣＭＰとは異なる。
【０００９】
ここで、ＣＭＰとは、機械的作用と化学的作用の両方を利用した研磨のことである。具体的には、化学的な作用でアルミニウム系材料を軟化又は溶解させながら、同時に、アルミニウム系材料と砥粒との摩擦による機械的な作用でアルミニウム系材料の表面の凸部を除去して平滑化する場合がある。
【００１０】
被研磨面の光沢を向上させるために酢酸を用いる方法も知られており、例えばリン酸５０〜８０質量％、硝酸５〜２０質量％、酢酸３〜２０質量％を含有する液体を用いる手法が知られている（例えば、下記特許文献１参照）。被研磨面の光沢を向上させるために用いる物質としては、酢酸の他に、シュウ酸、クエン酸等の有機物質も知られている（例えば、下記非特許文献１参照）。
【００１１】
このように、従来、充分に平滑なアルミニウム系材料の表面を得るためには、機械的研磨と化学的研磨の２ステップで研磨することが必要とされることからコストの増大が避けられないという問題があり、また、高濃度の酸を高温で用いることが必要となるため、プロセス管理が難しいという問題がある。
【００１２】
一方、アルミニウム系材料をＣＭＰにより研磨することも検討されている。アルミニウム系材料を研磨するためのＣＭＰ用研磨液はいくつか知られているが（例えば、下記特許文献３参照）、その種類は豊富とはいえない。
【００１３】
特許文献３には、砥粒としてアルミナ粒子を含むＣＭＰ用研磨液が記載されている。しかしながら、アルミニウム系材料は軟質であるために、アルミナ粒子を含有するＣＭＰ用研磨液を用いてＣＭＰを行うと、表面粗さが増大しやすい。この表面粗さの増大は、歩留まりを著しく低下させる。これに対し、砥粒として、より軟質なコロイダルシリカは、表面粗さを低減することに有効であることが知られている（例えば、下記特許文献４、５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開昭５９−１１３１９９号公報
【特許文献２】特開２００２−２８５３６０号公報
【特許文献３】特表２０１１−５１７５０７号公報
【特許文献４】特開昭５２−８１６９２号公報
【特許文献５】特表２００８−５４４８６８号公報
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】小久保定次郎著「アルミニウムの表面処理」（第８版）、内田老鶴圃新社、昭和５５年７月２０日、ｐ３５〜３９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、表面粗さの低減は、未だ充分であるとはいえない。
【００１７】
本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、アルミニウム系材料を含む基体を平滑に研磨できるＣＭＰ用研磨液、当該研磨液を得るための貯蔵液、及び、これらを使用した研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者は、ＣＭＰ用研磨液が、砥粒と、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物とを含むことにより研磨後の平滑性が向上する（すなわち、表面粗さが低減する）ことを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１９】
すなわち、本発明に係るＣＭＰ用研磨液は、アルミニウム系材料を含む基体を研磨するためのＣＭＰ用研磨液であって、砥粒と、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物と、液状媒体と、を含む。
【００２０】
本発明に係るＣＭＰ用研磨液によれば、アルミニウム系材料を含む基体を平滑に研磨できる。また、本発明に係るＣＭＰ用研磨液によれば、アルミニウム合金の表面のうち、アルミニウムからなる部分と、アルミニウムに加えて異種元素を含む部分とを同等に平坦に研磨できるため、アルミニウム合金を含む基体を平滑に研磨できる。
【００２１】
また、本発明者は、できるだけ短時間に表面粗さを低減するためには、研磨速度が高い方がよいことを見いだした。研磨速度が高いことにより、全体の作業時間が短くなる（スループットが向上する）という効果もある。しかしながら、本発明者は、どのような砥粒を用いたとしても、良好な表面粗さを有しながら研磨速度を高くすること、すなわち、表面粗さと研磨速度とを両立することが難しいというトレードオフの問題があることを見いだした。本発明者は、例えば、研磨速度と表面粗さを両立する観点から、研磨速度を大きくするために砥粒の粒径を大きくすると、表面粗さが悪化してしまう傾向があり、逆に、砥粒の粒径を小さくすると、表面粗さが向上するものの研磨速度が低下してしまう傾向があることを見いだした。
【００２２】
これに対し、本発明に係るＣＭＰ用研磨液によれば、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨できる。また、本発明に係るＣＭＰ用研磨液によれば、アルミニウム合金を含む基体を高速且つ平滑に研磨できる。更に、本発明によれば、アルミニウム合金等のアルミニウム系材料を含む基体を高速に研磨でき、平滑な表面を有する基体を簡便且つ効率的に得ることができる。
【００２３】
また、本発明者は、特定のｐＨを有するＣＭＰ用研磨液が、砥粒と、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物とを含むことにより、研磨後の平滑性が更に向上することを見いだした。前記の観点から、本発明に係るＣＭＰ用研磨液のｐＨは、７．５〜１１．５であることが好ましい。
【００２４】
さらに、本発明者は、ＣＭＰ用研磨液が、砥粒と、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物と、酸化剤とを含むことにより、研磨後の平滑性が更に向上すると共に、研磨速度が著しく大きくなることを見いだした。前記の観点から、本発明に係るＣＭＰ用研磨液は、酸化剤を更に含むことが好ましい。
【００２５】
ベンゾトリアゾール化合物の含有量は、ＣＭＰ用研磨液１００ｇに対して０．０００１〜０．０１ｍｏｌであることが好ましい。これにより、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる。
【００２６】
砥粒の円形度は、０．９５以下が好ましい。これにより、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる。
【００２７】
砥粒の真球度は、０．３０以上０．９５以下が好ましい。これにより、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる。
【００２８】
本発明に係るＣＭＰ用研磨液は、表面粗さ（Ｒａ）が１０．０ｎｍ以上である基体を、表面粗さ（Ｒａ）が６．０ｎｍ未満となるように研磨するために用いられてもよい。
【００２９】
本発明に係る貯蔵液は、前記ＣＭＰ用研磨液を得るための貯蔵液であって、液状媒体で希釈することにより前記ＣＭＰ用研磨液が得られる。このような貯蔵液によれば、ＣＭＰ用研磨液の貯蔵、運搬、保管等に係るコストを低減できる。
【００３０】
本発明に係る研磨方法の一態様は、前記ＣＭＰ用研磨液を用いて、アルミニウム系材料を含む基体を研磨する工程を備える。このような研磨方法によれば、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨できると共に、アルミニウム系材料を含む基体を簡便且つ効率的に研磨できる。
【００３１】
本発明に係る研磨方法の他の一態様は、前記貯蔵液を液状媒体で希釈することにより得られるＣＭＰ用研磨液を用いて、アルミニウム系材料を含む基体を研磨する工程を備える。このような研磨方法によれば、ＣＭＰ用研磨液の貯蔵、運搬、保管等に係るコストを抑制できるため総合的な製造コストを低減できると共に、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨できる。
【００３２】
本発明に係る研磨方法において、基体の研磨前における表面粗さ（Ｒａ）が１０．０ｎｍ以上であり、基体の研磨後における表面粗さ（Ｒａ）が６．０ｎｍ未満であってもよい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、アルミニウム系材料を含む基体を平滑に研磨できるＣＭＰ用研磨液、当該研磨液を得るための貯蔵液、及び、これらを使用した研磨方法を提供できる。また、本発明によれば、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨できるＣＭＰ用研磨液、当該研磨液を得るための貯蔵液、及び、これらを使用した研磨方法を提供できる。
【００３４】
従来のアルミニウム用研磨液は、純アルミニウムのみを研磨対象としたものであり、アルミニウム合金を研磨するためのものではなく、アルミニウム合金の研磨に適したＣＭＰ用研磨液は知られていない。これに対し、本発明によれば、アルミニウム合金を含む基体を高速且つ平滑に研磨できる。また、本発明によれば、アルミニウム合金等のアルミニウム系材料を含む基体を高速に研磨でき、平滑な表面を有する基体を簡便且つ効率的に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】円形度の測定方法を説明するための図面である。
【図２】一次粒径及び真球度の測定方法を説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態について説明する。但し、本発明は下記実施形態に何ら限定されるものではない。
【００３７】
［ＣＭＰ用研磨液］
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液（アルミニウム用研磨液）は、アルミニウム系材料を含む基体を研磨するための研磨液である。本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、砥粒と、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物と、液状媒体と、を含むことを特徴とする。
【００３８】
（砥粒）
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、砥粒を含む。砥粒としては、フュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ（酸化珪素）；フュームドアルミナ、コロイダルアルミナ等のアルミナ（酸化アルミニウム）；焼成セリア、コロイダルセリア等のセリア（酸化セリウム）；ジルコニア（酸化ジルコニウム）などが挙げられる。中でも、アルミニウム系材料に対する高い研磨速度と、表面の平滑化の両立を図りやすい観点から、シリカが好ましく、コロイダルシリカがより好ましい。また、ＣＭＰ用研磨液は、一種又は二種以上の砥粒を含むことができる。二種以上の砥粒を用いる場合は、シリカを必須成分とすることが好ましく、コロイダルシリカを必須成分とすることがより好ましい。
【００３９】
｛円形度｝
砥粒の円形度は、０．９５以下であることが好ましい。円形度が０．９５以下であることにより、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなり、充分に平滑な被研磨面を短時間で効率よく得やすくなる。同様の観点から、前記円形度は０．９０以下がより好ましく、０．８７以下が更に好ましい。また、前記円形度は、研磨速度が更に優れる観点から、０．８５以下が好ましく、０．８３以下がより好ましく、０．８０以下が更に好ましい。砥粒の円形度の下限は、例えば０．１０である。
【００４０】
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液では、少なくとも一種の砥粒の円形度が０．９５以下であることが好ましい。本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液では、円形度が０．９５以下である砥粒のみが用いられてもよく、円形度が０．９５以下である砥粒と、円形度が０．９５を超える砥粒とが併用されていてもよい。円形度が０．９５以下である砥粒の含有量は、砥粒の全質量を基準として、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上が更に好ましく、９０質量％以上が特に好ましく、９５質量％以上が極めて好ましく、９８質量％以上が非常に好ましい。
【００４１】
砥粒の円形度は、粒子形状（すなわち、粒子表面の凹凸状態）を反映する指標である。円形度が１．００に近いほど、粒子投影図が、凹凸のない真円に近いことを意味する。円形度が０．９５を超える場合は、砥粒が真球に近い状態となる。
【００４２】
砥粒の円形度は、例えば、下記の手順により求めることができる。
・複数の粒子が含まれる写真投影図（粒子投影図）を走査型電子顕微鏡により写真撮影して得る。
・写真投影図における任意の８０個の粒子を選択する。
・写真投影図における粒子の周囲長Ｌに対する、写真投影図における粒子の面積に等しい面積を有する真円の周囲長（外周）Ｌ’の比（Ｌ’／Ｌ）を各粒子について求める（例えば、図１（ａ）に示す測定粒子１の周囲長Ｌに対する、測定粒子１の面積Ｓに等しい面積を有する真円１ａ（図１（ｂ））の周囲長Ｌ’の比（Ｌ’／Ｌ）を求める）。
・８０個の粒子の比Ｌ’／Ｌの平均を「円形度」として算出する。
【００４３】
砥粒の円形度が０．９５以下であることにより、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる理由は定かではないが、本発明者は以下のように考えている。すなわち、砥粒の円形度が０．９５以下であると、粒子表面に凹凸が存在するようになり、表面が滑らかな真球状の粒子と比較して、表面積が大きくなって、砥粒とアルミニウム系材料との接触面積が大きくなり、大きな摩擦が生じやすくなるため研磨速度が大きくなると推察される。一方で、アルミニウム系材料と砥粒との接触面積が大きくなると、真球状の砥粒と比較して、被研磨面の深さ方向ではなく、水平方向の研磨の進行が速くなると推察される。これにより、被研磨面の凹凸のうち、凸部の研磨速度が選択的に速くなるため、平滑性が向上すると推察される。
【００４４】
｛真球度｝
砥粒の真球度は、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる観点から、０．３０以上が好ましく、０．３５以上がより好ましく、０．４０以上が更に好ましく、０．４５以上が特に好ましく、０．５０以上が極めて好ましい。砥粒の真球度は、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる観点から、０．９５以下が好ましい。前記真球度は、研磨速度が更に優れる観点から、０．９０以下が好ましく、０．８５以下がより好ましく、０．８０以下が更に好ましい。真球度が０．３０未満の場合は、砥粒が細長い形状となる。真球度が０．９５を超える場合は、砥粒が真球に近い状態となる。なお、本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液では、円形度が０．９５以下である少なくとも一種の砥粒が、前記真球度を有することが好ましい。
【００４５】
砥粒の真球度は、走査型電子顕微鏡により写真撮影して得られる写真投影図における粒子について、粒子の最大径を有する長径の当該最大径に対する、当該長径に直交する短径の長さの比（短径の長さ／最大径）の平均値を意味する。砥粒の真球度は、例えば、下記の手順により求めることができる。
・複数の粒子が含まれる写真投影図（粒子投影図）を走査型電子顕微鏡により写真撮影して得る。
・写真投影図における任意の８０個の粒子を選択する。
・選択した粒子が例えば図２に示すような形状であった場合、測定粒子１に外接する長方形（外接長方形）２を、長方形２の長径の長さＤＬが最も長くなるように導く。
・長方形２の長径の長さＤＬ、及び、長径に直交する短径の長さＤＳに基づき、長さＤＬに対する長さＤＳの比（ＤＳ／ＤＬ）を各粒子について求める。
・８０個の粒子の比ＤＳ／ＤＬの平均を「真球度」として算出する。
【００４６】
砥粒の真球度が０．３０以上０．９５以下であることにより、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる理由は定かではないが、本発明者は以下のように考えている。すなわち、砥粒の真球度が０．９５以下であると、被研磨面に接触する砥粒の表面積が充分に確保されるため、被研磨面及び砥粒の摩擦が生じやすくなって研磨速度が向上すると推察される。また、砥粒の真球度が０．３０以上であると、粒子形状が棒状に近くなる真球度が０．３０未満の場合と比較して、砥粒の運動方向が制限されることが抑制されるため研磨速度が向上すると推察される。
【００４７】
｛一次粒径｝
砥粒の一次粒径は、アルミニウム系材料を含む基体を高速且つ平滑に研磨しやすくなる観点から、５．０ｎｍ以上が好ましく、１０．０ｎｍ以上がより好ましく、１５．０ｎｍ以上が更に好ましく、２０ｎｍ以上が特に好ましい。砥粒の一次粒径は、表面平滑性が更に効率よく向上する観点から、１５０．０ｎｍ以下が好ましく、１２０．０ｎｍ以下がより好ましく、１００．０ｎｍ以下が更に好ましく、８０．０ｎｍ以下が特に好ましく、６０．０ｎｍ以下が極めて好ましい。
【００４８】
砥粒の一次粒径は、走査型電子顕微鏡により写真撮影して得られる写真投影図における粒子について、粒子の最大径を有する長径の当該最大径と、当該長径に直交する短径の長さとの積の平方根（二軸平均粒径）の平均値を意味する。砥粒の一次粒径は、例えば、下記の手順により求めることができる。
・複数の粒子が含まれる写真投影図（粒子投影図）を走査型電子顕微鏡により写真撮影して得る。
・写真投影図における任意の８０個の粒子を選択する。
・選択した粒子が例えば図２に示すような形状であった場合、測定粒子１に外接する長方形（外接長方形）２を、当該長方形２の長径の長さＤＬが最も長くなるように導く。
・長方形２の長径の長さＤＬ、及び、長径に直交する短径の長さＤＳに基づき、二軸平均粒径（√（ＤＬ×ＤＳ））を各粒子について求める。
・８０個の粒子の二軸平均粒径の平均を「一次粒径」として算出する。
【００４９】
ＣＭＰ用研磨液における砥粒の含有量は、研磨液が砥粒を含まない場合の研磨速度に対して充分に有意差がある研磨速度を達成しやすい観点から、ＣＭＰ用研磨液の全質量を基準として、１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が更に好ましく、７質量％以上が特に好ましく、１０質量％以上が極めて好ましい。ＣＭＰ用研磨液における砥粒の含有量は、含有量に応じた研磨速度の向上効果が得られやすい観点から、ＣＭＰ用研磨液の全質量を基準として、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１７．５質量％以下が特に好ましい。前記の観点から、砥粒の含有量は、１〜３０質量％が好ましい。
【００５０】
（ベンゾトリアゾール化合物）
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のベンゾトリアゾール化合物を含有する。これにより、アルミニウム系材料を含む基体の表面の平滑性が向上する。ＣＭＰ用研磨液がベンゾトリアゾール化合物を含有することによりアルミニウム系材料を含む基体の表面の平滑性が向上する理由は定かではないが、本発明者は以下のように考えている。すなわち、ベンゾトリアゾール化合物がアルミニウム系材料の表面に結合し保護層が形成される。この時、凸部に結合したベンゾトリアゾール化合物は、研磨パッド（研磨布）により負荷される荷重によって除去される。一方、凹部に結合したベンゾトリアゾール化合物は除去されず、凹部は保護され続ける。これらにより、凹凸が効果的に解消されると推察される。
【００５１】
ベンゾトリアゾール誘導体としては、例えば、ベンゾトリアゾールのベンゼン環の少なくとも一つの水素原子を置換基で置換した化合物が挙げられる。置換基としては、メチル基、エチル基等のアルキル基；クロロ基、ブロモ基等のハロゲノ基；カルボキシル基；エステル基などが挙げられる。
【００５２】
アルキル基で置換した化合物としては、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−メチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−エチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−エチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。ハロゲノ基で置換した化合物としては、５−クロロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−クロロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、６−ブロモ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、７−ブロモ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。カルボキシル基で置換した化合物としては、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸等が挙げられる。エステル基で置換した化合物としては、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸メチル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸エチル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸プロピル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸ブチル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸オクチル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸メチル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エチル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸プロピル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸ブチル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチル等のベンゾトリアゾールカルボン酸アルキルなどが挙げられる。ベンゾトリアゾール化合物としては、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。ベンゾトリアゾール化合物としては、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−クロロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾールが好ましく、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾールがより好ましい。
【００５３】
ベンゾトリアゾール化合物の含有量は、アルミニウム系材料を含む基体の表面の平滑性が向上する効果が得られやすい観点から、ＣＭＰ用研磨液１００ｇに対して０．０００１ｍｏｌ以上が好ましく、０．０００３ｍｏｌ以上がより好ましく、０．０００５ｍｏｌ以上が更に好ましく、０．０００７ｍｏｌ以上が特に好ましい。ベンゾトリアゾール化合物の含有量は、含有量に応じた効果が得られやすい観点から、ＣＭＰ用研磨液１００ｇに対して０．０１ｍｏｌ以下が好ましく、０．００８ｍｏｌ以下がより好ましく、０．００５ｍｏｌ以下が更に好ましく、０．００３ｍｏｌ以下が特に好ましい。上記の観点から、ベンゾトリアゾール化合物の含有量は、ＣＭＰ用研磨液１００ｇに対して０．０００１〜０．０１ｍｏｌが好ましい。なお、ベンゾトリアゾール化合物の前記含有量は、ＣＭＰ用研磨液の総量を１００ｇに換算したときのベンゾトリアゾール化合物の含有量である。ベンゾトリアゾールとベンゾトリアゾール誘導体とを併用する場合は、含有量の合計が上記範囲であることが好ましい。
【００５４】
（酸化剤）
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は酸化剤を含むことが好ましい。これにより、例えばＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金（６０００系合金）の一種であるＡ６０６３合金を研磨した際、凹凸が生じることを抑制できる傾向がある。この凹凸は、合金表面において、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ等の元素が周辺のアルミニウム部分（固溶相）に比べ多く含まれた部分（不純物析出相）の研磨速度が、固溶相の研磨速度に比べ遅いことによって生じると考えられる。一方、酸化剤を用いた研磨液では、凹凸の小さな研磨後表面が得られ、合金の研磨速度も向上する傾向がある。この原因は明確ではないが、合金表面における固溶相と不純物析出相の両方に酸化剤が同程度に作用するためと考えられる。
【００５５】
酸化剤としては、過酸化水素、過硫酸塩（例えば過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム及び過硫酸カリウム）、硝酸、過ヨウ素酸塩（例えば過ヨウ素酸アンモニウム、過ヨウ素酸ナトリウム及び過ヨウ素酸カリウム）、次亜塩素酸、オゾン水等が挙げられ、中でも、過酸化水素が好ましい。酸化剤は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。過酸化水素は、通常、過酸化水素水として入手できるため、ＣＭＰ用研磨液の希釈液として使用できる。
【００５６】
酸化剤の含有量は、アルミニウム系材料（例えばアルミニウム合金）の表面の凹凸を更に効果的に解消する観点、及び、アルミニウム系材料（例えばアルミニウム合金）の酸化が不充分となって研磨速度が低下することを防ぐ観点から、ＣＭＰ用研磨液の全質量を基準として、０．０１質量％以上が好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましい。酸化剤の含有量は、研磨速度が更に優れる観点から、ＣＭＰ用研磨液の全質量を基準として、０．１０質量％以上が好ましく、０．２０質量％以上がより好ましく、０．２５質量％以上が更に好ましい。酸化剤の含有量は、被研磨面に荒れ又は研磨傷が生じることを防ぐ観点から、３０．００質量％以下が好ましく、１０．００質量％以下がより好ましく、５．００質量％以下が更に好ましく、３．００質量％以下が特に好ましく、１．００質量％以下が極めて好ましい。なお、酸化剤として過酸化水素水を使用する場合、ＣＭＰ用研磨液において過酸化水素が最終的に前記範囲になるように換算して過酸化水素水を配合する。
【００５７】
（液状媒体）
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液における液状媒体は、特に制限はないが、脱イオン水、超純水等の水が好ましい。液状媒体の含有量は、他の構成成分の含有量を除いた研磨液の残部でよく、特に限定されない。
【００５８】
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、界面活性剤等を更に含有できる。
【００５９】
（ｐＨ）
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液のｐＨは、７．５〜１１．５であることが好ましい。なお、ｐＨは液温２５℃におけるｐＨと定義する。ｐＨが７．５以上であることにより、アルミニウム系材料を含む基体の表面の平滑性を更に向上させることができる傾向がある。同様の観点から、ｐＨは、８．０以上が好ましく、８．５以上がより好ましく、９．０以上が更に好ましい。ｐＨが１１．５以下であると、アルミニウム系材料の基体が腐食して表面粗さが増大することを抑制できる傾向がある。同様の観点から、ｐＨは、１１．０以下が好ましく、１０．５以下がより好ましく、１０．３以下が更に好ましい。
【００６０】
ＣＭＰ用研磨液のｐＨは、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の酸成分；アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、イミダゾール等のアルカリ成分などによって調整できる。また、ｐＨを安定化させるため、ＣＭＰ用研磨液に緩衝液を添加してもよい。このような緩衝液としては、例えば、酢酸塩緩衝液及びフタル酸塩緩衝液が挙げられる。
【００６１】
ＣＭＰ用研磨液のｐＨは、ｐＨメーター（例えば、電気化学計器株式会社製、型番：ＰＨＬ−４０）で測定できる。ｐＨの測定値としては、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液  ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ緩衝液  ｐＨ：６．８６（２５℃）、ホウ酸塩ｐＨ緩衝液  ｐＨ：９．１８（２５℃））を用いて、３点校正した後、電極をＣＭＰ用研磨液に入れて、２分以上経過して安定した後の値を採用できる。
【００６２】
［貯蔵液］
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、貯蔵、運搬、保管等に係るコストを抑制する観点から、使用時に水等の液状媒体で希釈されて使用される貯蔵液として保管できる。本実施形態に係る貯蔵液は、ＣＭＰ用研磨液を得るための貯蔵液であり、液状媒体で希釈する（例えば、質量基準で２倍以上に希釈する）ことによりＣＭＰ用研磨液が得られる。本実施形態では、研磨の直前に液状媒体で貯蔵液を希釈してＣＭＰ用研磨液を調製してもよい。また、プラテン（研磨定盤）上に貯蔵液と液状媒体を供給し、プラテン上でＣＭＰ用研磨液を調製してもよい。
【００６３】
貯蔵液の希釈倍率（質量基準）の下限としては、倍率が高いほど貯蔵、運搬、保管等に係るコストの抑制効果が高い観点から、２倍以上が好ましく、３倍以上がより好ましい。また、希釈倍率の上限としては、特に制限はないが、１０倍以下が好ましく、７倍以下がより好ましく、５倍以下が更に好ましい。このような希釈倍率の上限値である場合、貯蔵液に含まれる砥粒又は酸化剤の含有量が高くなり過ぎることが抑制され、保管中の貯蔵液の安定性を維持しやすい傾向がある。なお、希釈倍率がｄ倍であるとき、貯蔵液中の砥粒及び酸化剤の各含有量は、ＣＭＰ用研磨液中の砥粒及び酸化剤の各含有量のｄ倍である。
【００６４】
［アルミニウム系材料を含む基体］
本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、少なくともアルミニウム系材料を含む基体のＣＭＰに適している。アルミニウム系材料としては、純アルミニウム（１０００系）；Ａｌ−Ｃｕ（２０００系）、Ａｌ−Ｍｎ（３０００系）、Ａｌ−Ｓｉ（４０００系）、Ａｌ−Ｍｇ（５０００系）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ（６０００系）、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ（７０００系）等のアルミニウム合金などが挙げられる。なお、純アルミニウムとは、意図的に異種元素を添加していないアルミニウムをいう。これらのアルミニウム系材料の名称は、日本工業規格（ＪＩＳ）又は国際アルミニウム合金名に準じるものである。
【００６５】
また、本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、純アルミニウムよりも硬い部分を有するアルミニウム合金の研磨に適している。純アルミニウムよりも硬い部分を有するアルミニウム合金の具体例としては、Ａｌ−Ｃｕ（２０００系）、Ａｌ−Ｍｎ（３０００系）、Ａｌ−Ｓｉ（４０００系）、Ａｌ−Ｍｇ（５０００系）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ（６０００系）、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ（７０００系）等が挙げられる。これらの中でも、本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液の特性を活かしやすい観点から、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ（Ａ６０６３系）又はＡｌ−Ｍｇ（Ａ５０５２）が好ましい。
【００６６】
アルミニウム系材料を含む基体としては、特に制限はないが、半導体基板等の基板、航空機部品、自動車部品等の部品、鉄道車両等の車両、電子機器、携帯型電子機器等の筐体などが挙げられる。本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液を用いた研磨によれば、前記アルミニウム系材料（例えばアルミニウム合金）を含む基体の表面を充分に平滑に研磨できる。このような研磨によって、美しい白銀色を呈する基体の表面が得られる。また、このような表面に塗装等の着色処理を行った場合も、美しい外観となる。したがって、本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、美しい外観が要求される基体（例えば筐体）の研磨に特に好適である。本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液は、例えば、研磨前における表面粗さ（Ｒａ）が１０．０ｎｍ以上である基体を、研磨後における表面粗さ（Ｒａ）が６．０ｎｍ未満となるように研磨するために用いられてもよく、表面粗さ（Ｒａ）が５．０ｎｍ未満となるように研磨するために用いられてもよく、表面粗さ（Ｒａ）が４．５ｎｍ未満となるように研磨するために用いられてもよい。基体の表面粗さ（Ｒａ）は、平滑な表面を得やすくなる観点から、研磨前において５０．０ｎｍ以下が好ましく、３０．０ｎｍ以下がより好ましく、２０．０ｎｍ以下が更に好ましい。
【００６７】
［研磨方法］
本実施形態に係る研磨方法は、ＣＭＰ用研磨液を用いて、アルミニウム系材料を含む基体を研磨する研磨工程を備えていてもよく、貯蔵液を液状媒体で希釈する（例えば質量基準で２倍以上に希釈する）ことにより得られるＣＭＰ用研磨液を用いて、アルミニウム系材料を含む基体を研磨する研磨工程を備えていてもよい。研磨工程において、基体の研磨前における表面粗さ（Ｒａ）は例えば１０．０ｎｍ以上であり、基体の研磨後における表面粗さ（Ｒａ）は例えば６．０ｎｍ未満である。すなわち、研磨工程は、例えば、ＣＭＰ用研磨液を用いて、１０．０ｎｍ以上の表面粗さ（Ｒａ）を有する基体を研磨して、６．０ｎｍ未満の表面粗さ（Ｒａ）を有する基体を得る工程であってもよく、５．０ｎｍ未満の表面粗さ（Ｒａ）を有する基体を得る工程であってもよく、４．５ｎｍ未満の表面粗さ（Ｒａ）を有する基体を得る工程であってもよい。基体の表面粗さ（Ｒａ）は、平滑な表面を得やすくなる観点から、研磨前において５０．０ｎｍ以下が好ましく、３０．０ｎｍ以下がより好ましく、２０．０ｎｍ以下が更に好ましい。
【００６８】
本実施形態に係る研磨方法では、公知の研磨装置を広く用いることができる。例えば、研磨装置としては、基体を保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付けたプラテンとを有する一般的な研磨装置が挙げられる。プラテンには、例えば、プラテンの回転数を変更するためのモータ等が取り付けられていてもよい。
【００６９】
研磨パッドとしては、特に限定されないが、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が挙げられる。これらの研磨パッドの表面には、ＣＭＰ用研磨液が溜まるような溝が形成されていることが好ましい。基体の研磨条件に制限はないが、基体の飛び出しを防止しやすい観点から、プラテンの回転数は２００ｍｉｎ−１以下であることが好ましい。研磨後の基体表面における傷の発生を抑制しやすい観点から、研磨荷重は３４．５ｋＰａ（５ｐｓｉ）以下であることが好ましい。
【００７０】
本実施形態に係る研磨方法では、例えば、プラテンに貼り付けられた研磨パッドに、アルミニウム系材料を含む基体を押圧した状態で、ＣＭＰ用研磨液を基体と研磨パッドとの間にポンプ等により供給すると共に、基体とプラテンとを相対的に動かす。これらの操作により、基体表面に対する化学機械研磨を行う。ＣＭＰ用研磨液を研磨装置に供給する方法は、研磨の間、ＣＭＰ用研磨液を研磨パッドに連続的に供給できるものであれば、特に限定されない。ＣＭＰ用研磨液の供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常にＣＭＰ用研磨液で覆われていることが好ましい。貯蔵液と、水等の液状媒体とを基体と研磨パッドとの間に供給し、プラテン上で貯蔵液を希釈（例えば質量基準で２倍以上に希釈）しながら研磨を行ってもよい。
【００７１】
研磨終了後の基体は、水、エタノール、イソプロピルアルコール等で洗浄後、基体上に付着した液滴（例えば水滴）をスピンドライヤ等により払い落としてから乾燥させることが好ましい。
【実施例】
【００７２】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明の技術思想を逸脱しない限り、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、ｐＨの測定は、電気化学計器株式会社製、型番：ＰＨＬ−４０を用いて行った。
【００７３】
＜砥粒の一次粒径、円形度、真球度の測定＞
以下の手順で、実施例で用いたコロイダルシリカＡ〜Ｃ（砥粒）を走査型電子顕微鏡で観察し、一次粒径、円形度及び真球度を測定した。
【００７４】
まず、測定対象の砥粒を含む液体を適量容器に量り取った。次に、パターン配線付きウエハを２ｃｍ角に切って得られたチップを容器中の液体に約３０秒浸した。そして、純水の入った容器にチップを移して約３０秒間すすぎをし、チップを窒素ブロー乾燥した。その後、走査型電子顕微鏡観察用の試料台にチップを載せ、加速電圧１０ｋＶを掛け、２０万倍にて粒子を観察すると共に投影画像を撮影した。
【００７５】
得られた投影画像から任意の８０個の粒子を選択した。次に、選択した粒子が例えば図２に示すような形状であった場合、測定粒子１に外接する長方形（外接長方形）２を、長方形２の長径の長さＤＬが最も長くなるように導いた。そして、長方形２の長径の長さＤＬ、及び、長径に直交する短径の長さＤＳに基づき、二軸平均粒径（√（ＤＬ×ＤＳ））を各粒子について算出した。この作業を任意の８０個の粒子に対して実施し、得られた値を平均して一次粒径を得た。
【００７６】
また、投影画像における粒子の面積Ｓ及び周囲長Ｌを求めた。次に、投影画像における測定粒子１の面積Ｓと同一の面積を有する真円１ａ（図１）の周囲長（外周）Ｌ’を求めた後、周囲長Ｌに対する周囲長Ｌ’の比（Ｌ’／Ｌ）を算出した。この作業を任意の８０個の粒子に対して実施し、得られた値を平均して円形度を得た。
【００７７】
更に、長径の長さＤＬに対する短径の長さＤＳの比（ＤＳ／ＤＬ）を任意の８０個の粒子について取得し、その値を平均して真球度を得た。
【００７８】
投影画像における粒子の前記面積Ｓ及び前記周囲長Ｌは、画像解析ソフト（アメリカ国立衛生研究所製、ＩｍａｇｅＪ）を用いて測定した。
【００７９】
一次粒径、円形度及び真球度の測定結果は、表１に示すとおりであった。
【００８０】
＜実験１：砥粒、ベンゾトリアゾール化合物、ｐＨの影響＞
（実施例１）
脱イオン水に、５−メチルベンゾトリアゾール（以下、「５−メチルＢＴＡ」と表記する）及びコロイダルシリカＡを添加した後、３０質量％過酸化水素水を添加し、実施例１のＣＭＰ用研磨液１に対応する貯蔵液１を作製した。この貯蔵液１の調製工程では、５−メチルＢＴＡの含有量が１００ｇの貯蔵液１に対して０．００２ｍｏｌであり、コロイダルシリカＡの含有量が貯蔵液１の全質量を基準として３０質量％であり、過酸化水素の含有量が貯蔵液１の全質量を基準として０．６０質量％（３０質量％過酸化水素換算で２．００質量％）であるように、５−メチルＢＴＡ、コロイダルシリカＡ及び過酸化水素水を添加して貯蔵液１を調製した。
【００８１】
貯蔵液１を水で２倍に希釈する（貯蔵液を、貯蔵液と同質量の脱イオン水と混合する）ことによってＣＭＰ用研磨液１を調製した。すなわち、研磨液１において、５−メチルＢＴＡの含有量は１００ｇの研磨液１に対して０．００１ｍｏｌであり、コロイダルシリカＡの含有量は研磨液１の全質量を基準として１５質量％であり、過酸化水素の含有量は研磨液１の全質量を基準として０．３０質量％であった。研磨液１のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
【００８２】
（実施例２）
実施例２では、添加剤としてベンゾトリアゾール（以下、「ＢＴＡ」と表記する）を添加したこと以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液２及び研磨液２を作製した。研磨液２のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
（実施例３）
実施例３では、添加剤として５−クロロベンゾトリアゾール（以下、「５−クロロＢＴＡ」と表記する）を添加したこと以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液３及び研磨液３を作製した。研磨液３のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
（実施例４）
実施例４では、砥粒としてコロイダルシリカＢを添加したこと以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液４及び研磨液４を作製した。研磨液４のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
（実施例５）
実施例５では、砥粒としてコロイダルシリカＣを添加したこと以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液５及び研磨液５を作製した。研磨液５のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
【００８３】
（実施例６）
実施例６では、実施例５の貯蔵液５と同様に作製した貯蔵液６を水で２倍に希釈し、硫酸でｐＨを７．０に調整することにより研磨液６を作製した。
【００８４】
（実施例７）
実施例７では、実施例５の貯蔵液５と同様に作製した貯蔵液７を水で２倍に希釈し、水酸化カリウムでｐＨを１２．０に調整することにより研磨液７を作製した。
【００８５】
（比較例１）
比較例１では、添加剤を添加しないこと以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液１Ｘ及び研磨液１Ｘを作製した。研磨液１ＸのｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
【００８６】
以上の手順により、研磨液の全質量を基準として砥粒を１５質量％、酸化剤を０．３０質量％含む研磨液１〜７及び研磨液１Ｘを作製した。研磨液１〜７は、研磨液１００ｇに対して０．００１ｍｏｌのベンゾトリアゾール化合物を更に含むように調製した。
【００８７】
［ＣＭＰ方法及び研磨特性の評価方法］
以下の手順で、研磨装置を用いてＣＭＰ用研磨液による基体の化学機械研磨を行った。
【００８８】
プラテンに貼り付けられた研磨パッドに下記の基体を押圧した状態で、ＣＭＰ用研磨液を基体と研磨パッドとの間にポンプにより供給しながら、プラテンを回転させた。これらの操作により、基体表面のＣＭＰを行った。
【００８９】
研磨する基体としては、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金の板であるＡ６０６３を使用した。基体のサイズは横３０ｍｍ×縦３０ｍｍ×厚さ５ｍｍであった。ＣＭＰ前の板の表面には傷（初期凹凸）があった。この初期凹凸に起因して板の表面は完全に曇っており、充分に物体を映し出すことができない状態であった。
【００９０】
研磨装置として、株式会社ナノファクター製の型式ＦＡＣＴ―２００を用いた。研磨パッドとして、独立気泡を有する発泡ポリウレタン樹脂（フジボウ愛媛株式会社製）を用いた。研磨条件は以下の通りであった。
【００９１】
（研磨条件）
研磨圧力：９．０ｋＰａ（１．３ｐｓｉ）
プラテンの回転数：１５０ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）
ＣＭＰ用研磨液の流量（供給量）：３ｍＬ／ｍｉｎ
研磨時間：１０ｍｉｎ
【００９２】
（研磨速度）
各研磨液を用いたＣＭＰ前後の基体の質量を測定することにより、研磨された質量を求めた。基体の被研磨面の面積と密度の値（基体を純アルミニウムと仮定し密度２．７０ｇ／ｃｍ３の値を使用）を用いて、研磨された質量を膜厚に換算し、研磨速度を算出した。実施例１〜７及び比較例１についての評価結果を表１に示す。
【００９３】
（ＣＭＰ後の基体表面の平均表面粗さ）
表面粗さをＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１に準拠して評価した。各研磨液を用いたＣＭＰ後の各基体の平均表面粗さ（Ｒａ）を、非接触表面形状測定機を用いて測定した。非接触表面形状測定機として、走査型白色干渉法を利用したＺｙｇｏ社のＮｅｗＶｉｅｗ７２００を用い、対物レンズ×１０（１０倍）のモードで基体中央を３点測定し、得られた値の平均値をＲａとした。なお、測定範囲は０．７０ｍｍ×０．５３ｍｍ、光源は白色ＬＥＤであった。なお、ＣＭＰ前の基体の平均表面粗さ（Ｒａ）は１０．３ｎｍであった。実施例１〜７及び比較例１についての評価結果を表１に示す。
【００９４】
【表１】
2015021092.tif 000002
【００９５】
［評価結果］
表１から明らかなように、ＣＭＰ用研磨液がベンゾトリアゾール化合物を含む実施例１〜７では、ＣＭＰ用研磨液がベンゾトリアゾール化合物を含まない比較例１と比較して、研磨速度及び研磨後の基体の平均表面粗さ（Ｒａ）が良好であった。また、ＣＭＰ用研磨液のｐＨが７．５〜１１．５である場合には、平均表面粗さ（Ｒａ）が更に良好である結果が得られた。
【００９６】
＜酸化剤の影響＞
（実施例８）
実施例８では、過酸化水素の含有量が貯蔵液８の全質量を基準として０．１０質量％（３０質量％過酸化水素換算で０．３３質量％）であるように過酸化水素を添加したこと以外は実施例５と同様に実験を行い、貯蔵液８及び研磨液８を作製した。研磨液８のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
【００９７】
（実施例９）
実施例９では、過酸化水素の含有量が貯蔵液９の全質量を基準として１．５０質量％（３０質量％過酸化水素換算で５．００質量％）であるように過酸化水素を添加したこと以外は実施例５と同様に実験を行い、貯蔵液９及び研磨液９を作製した。研磨液９のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
【００９８】
（実施例１０）
実施例１０では、過酸化水素水を添加しなかったこと以外は、実施例５と同様の手順により貯蔵液１０及び研磨液１０を作製した。研磨液１０のｐＨは水酸化カリウムで１０．０に調整した。
【００９９】
以上の手順により、研磨液の全質量を基準としてコロイダルシリカＣを１５質量％含むと共に、研磨液１００ｇに対して０．００１ｍｏｌの５−メチルＢＴＡを含む研磨液８〜１０を作製した。
【０１００】
実施例８〜１０について、実施例１と同様に研磨速度及び平均表面粗さ（Ｒａ）を評価した。実施例５の結果と合わせて、評価結果を表２に示す。
【０１０１】
【表２】
2015021092.tif 000003
【０１０２】
［評価結果］
表２から明らかなように、ＣＭＰ用研磨液が酸化剤を含有することで研磨速度及び研磨後の基体の平均表面粗さ（Ｒａ）が更に良好になることが確認された。
【０１０３】
以上の結果より、酸化剤を含有するＣＭＰ用研磨液は、アルミニウム系材料に異種元素が添加されている場合（本実施例ではＭｇ（０．４５〜０．９質量％）、Ｓｉ（０．２〜０．６質量％））であっても、アルミニウム系材料を含む基体の表面を高速に研磨でき、且つ、酸化剤を含まない場合と比較して、更に平滑に研磨できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明に係るＣＭＰ用研磨液、貯蔵液及びこれらを用いた研磨方法は、半導体基板等の基板、航空機部品、自動車部品等の部品、鉄道車両等の車両、電子機器、携帯型電子機器等の筐体などのＣＭＰに好適である。
【符号の説明】
【０１０５】
１…測定粒子、１ａ…測定粒子と同面積の真円、２…外接長方形。
【図１】
2015021092.tif 000004
【図２】
2015021092.tif 000005