(57)【要約】【課題】耐衝撃性を向上させつつ、薄型化の実現が可能な振動子の提供。【解決手段】音叉型水晶振動片３０を含む振動基板２０を支持しているベース基板４０と、振動基板２０を覆うように配置されているリッド１０と、リッド側から見た平面視で、振動基板と重なる位置のリッドに設けられている第１磁性層５３，５４および振動基板と重なる位置のベース基板に設けられている第２磁性層５７，５８と、第１磁性層と第２磁性層との間の音叉型水晶振動片に設けられている第３磁性層としての表側磁性層５１，５２および裏側磁性層５５，５６と、を備え、第１磁性層と対向する側の表側磁性層５１，５２と、表側磁性層５１，５２と対向する側の第１磁性層とが同じ極性であり、裏側磁性層５５，５６と対向する側の第３磁性層と、第３磁性層と対向する側の裏側磁性層５５，５６とは、同じ極性である。【選択図】図１
2015088762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動素子を含む振動基板と、
前記振動基板が取り付けられているベース基板と、
前記振動基板を覆うように配置されている蓋体と、
前記蓋体側から見た平面視で、前記蓋体の前記振動素子と重なる位置に設けられている第１磁性層と、
前記平面視で、前記ベース基板の前記振動素子と重なる位置に設けられている第２磁性層と、
前記振動素子の前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられている第３磁性層と、を備え、
前記第１磁性層と対向している側の前記第３磁性層の表面と、前記第３磁性層と対向している側の前記第１磁性層の表面とが、同じ極性であり、
前記第２磁性層と対向している側の前記第３磁性層の表面と、前記第３磁性層と対向している側の前記第２磁性層の表面とが、同じ極性であることを特徴とする振動子。
【請求項２】
前記第３磁性層は、前記振動素子の互いに表裏の関係にある第１の主面と第２の主面とをつないでいる側面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の振動子。
【請求項３】
前記第３磁性層は、前記振動素子の前記第１面および前記第２面のそれぞれに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の振動子。
【請求項４】
前記第３磁性層は、前記振動素子の延出方向の端部に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項５】
前記第１磁性層および前記第２磁性層は、Ｎ極およびＳ極を有する磁石で構成され、
前記第３磁性層は、常磁性体あるいは反磁性体で構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項６】
前記第１磁性層、前記第２磁性層、および前記第３磁性層は、Ｎ極およびＳ極を有する磁石で構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項７】
前記第１磁性層、および前記第２磁性層は、前記ベース基板および前記蓋体のそれぞれに設けられている凹部に配設されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の振動子と、
前記振動子と電気的に接続された回路部と、を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項９】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子、発振器、電子機器、および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピューター、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器等において、薄型の振動子や発振器等が広く使用されている。例えば、特許文献１に開示されている圧電振動子では、薄い箱型のベース基板部分と薄板の蓋部分とを含むパッケージ内に、振動素子としての音叉型水晶振動片が振動腕を浮かせてマウント（接続）されている。また、特許文献２に開示されている水晶振動子は、音叉型水晶振動片を含む振動子基板、ベース基板、およびリッド基板（蓋体）が、それぞれ平坦な基板から構成されており、振動子基板をベース基板とリッド基板とで挟み込む構成を用いており、振動子基板と、ベース基板あるいはリッド基板とのギャップを小さく管理することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２２４１３号公報
【特許文献２】特開２０００−２２３９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている圧電振動子、および特許文献２にて開示されている水晶振動子では、いずれも外部から衝撃などが加わった場合、この衝撃により音叉型水晶振動片の振動腕が撓み、振動腕の先端とパッケージの内底面が接触し、振動腕が破損する虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る振動子は、振動素子を含む振動基板と、前記振動基板が取り付けられているベース基板と、前記振動基板を覆うように配置されている蓋体と、前記蓋体側から見た平面視で、前記蓋体の前記振動素子と重なる位置に設けられている第１磁性層と、前記平面視で、前記ベース基板の前記振動素子と重なる位置に設けられている第２磁性層と、前記振動素子の前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられている第３磁性層と、を備え、前記第１磁性層と対向している側の前記第３磁性層の表面と、前記第３磁性層と対向している側の前記第１磁性層の表面とが、同じ極性であり、前記第２磁性層と対向している側の前記第３磁性層の表面と、前記第３磁性層と対向している側の前記第２磁性層の表面とが、同じ極性であることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、蓋体に設けられている第１磁性層の極性と、振動素子に設けられている第３磁性層の第１磁性層に対向する側の極性とが同じ極性となっている。また、ベース基板に設けられている第２磁性層の極性と、振動素子に設けられている第３磁性層の第２磁性層に対向する側の極性とが同じ極性となっている。このような磁界が設けられていることにより、振動素子は、蓋体およびベース基板と反発する力が働いている。この反発する力が、例えば振動子の落下などによって外部から振動素子に衝撃が加わった場合の振動素子の撓みを低減させる力として働き、振動素子が蓋体やベース基板に接触し難くなる。これにより、衝撃が加わった場合の振動素子の破損を防止することができる。また、振動素子に衝撃が加わった場合の振動素子の撓みを低減することができることから、振動素子と蓋体あるいはベース基板とのギャップを小さくすることが可能となり振動子の薄型化を実現することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の振動子において、前記第３磁性層は、前記振動素子の互いに表裏の関係にある第１の主面と第２の主面とをつないでいる側面に設けられていることが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、振動素子の厚みを増すことなく第３磁性層を設けることが可能であり、振動子の薄型化を図ることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の振動子において、前記第３磁性層は、前記振動素子の前記台の主面および前記第２の主面のそれぞれに設けられていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第３磁性層の面積を大きくすることが可能であり、磁力（反発力）を大きくすることができる。これにより、振動素子の撓み量をより小さくすることが可能となり、振動子の薄型化を図ることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の振動子において、前記第３磁性層は、前記振動素子の延出方向の端部に設けられていることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、振動素子の内で撓み量が大きくなる端部に第３磁性層が設けられていることで、反発力をより効果的に用いることができる。これにより、振動素子の撓み量をより小さくすることが可能となり、振動子の薄型化を図ることができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載の振動子において、前記第１磁性層および前記第２磁性層は、Ｎ極およびＳ極を有する磁石で構成され、前記第３磁性層は、常磁性体あるいは反磁性体で構成されていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、常磁性体あるいは反磁性体は対向する極性と同じ極性となり、それぞれの磁性層が近づくほど磁力が強くなることから、振動素子が撓むほど反発力を大きくすることが可能となる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載の振動子において、前記第１磁性層、前記第２磁性層、および前記第３磁性層は、Ｎ極およびＳ極を有する磁石で構成されていることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、振動素子と蓋体およびベース基板とが反発する力を常に有していることが可能となる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例に記載の振動子において、前記第１磁性層、および前記第２磁性層は、前記ベース基板および前記蓋体のそれぞれに設けられている凹部に配設されていることが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、第１磁性層および第２磁性層が、ベース基板および蓋体のそれぞれに設けられた凹部に配設されることから、蓋体およびベース基板の厚みを増すことなく第１磁性層および第２磁性層を設けることが可能であり、振動子の薄型化を図ることができる。
【００２０】
［適用例８］本適用例に係る発振器は、上記適用例のいずれか一例に記載の振動子と、前記振動子と電気的に接続された回路部と、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、耐衝撃性が優れ、且つ薄型化が可能な振動子と回路部とを備えていることから、耐衝撃性が優れた小型薄型の発振器を提供することができる。
【００２２】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の振動子を備えていることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、耐衝撃性が優れ、且つ薄型化が可能な振動子を用いていることから、信頼性向上と小型化を実現した電子機器を提供することができる。
【００２４】
［適用例１０］本適用例に係る移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の振動子を備えていることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、耐衝撃性が優れ、且つ薄型化が可能な振動子を用いていることから、信頼性向上と小型化を実現した移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】振動子の第１実施形態に係る振動子の概略構成を示し、（ａ）は振動子が分割された状態を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図２】第１実施形態に係る振動子に用いられている振動基板およびベース基板を示し、（ａ）は、振動基板の平面図（内面図）であり、（ｂ）はベース基板の平面図（上面図）。
【図３】振動子の第２実施形態に係る振動子の概略構成を示し、（ａ）は振動子が分割された状態を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図４】第２実施形態に係る振動子に用いられている振動基板およびベース基板を示し、（ａ）は、振動基板の平面図（内面図）であり、（ｂ）はベース基板の平面図（上面図）。
【図５】それぞれの磁性層の極性を例示する図であり、（ａ）は第１実施形態の構成を示す図２（ａ）のＰ視図、（ｂ）は第２実施形態の構成を示す図４（ａ）のＰ視図。
【図６】振動子の変形例の概略構成を示し、図６（ａ）は平面図、（ｂ）は正断面図。
【図７】電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【図８】電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図９】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図１０】移動体の一例としての自動車の構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳しく説明する。しかしながら、実施形態および図面は、本発明の最良の実施形態を示すことだけで、本発明を限定するものではない。本発明はその技術的範囲内において下記の実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００２８】
（第１実施形態）
図１、および図２を参照しながら、本発明の振動子の第１実施形態に係る振動子について説明する。図１は、本発明の振動子の第１実施形態に係る振動子の概略を示す図であり、図１（ａ）は、分割した状態の振動子を、リッド部側からみた斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２は、第１実施形態に係る振動子に用いられている振動基板およびベース基板を示し、図２（ａ）は、振動基板の平面図（内面図）であり、図２（ｂ）はベース基板の平面図（上面図）である。
【００２９】
図１（ａ）、および図１（ｂ）に示されるように、振動子１は、最上部のリッド１０（蓋体）、振動基板２０およびベース基板４０から構成される。リッド１０およびベース基板４０は水晶材料から形成される。振動基板２０は、エッチングにより形成された音叉型水晶振動片３０、およびその音叉型水晶振動片３０の周囲を囲むように形成された外枠部２９を有している。本実施形態で音叉型水晶振動片３０を有する振動基板２０は、水晶により形成されたが、水晶以外にもタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の様々な圧電単結晶材料を用いることができる。
【００３０】
振動子１は、振動素子としての音叉型水晶振動片３０を備えた振動基板２０を中心に、その振動基板２０の上にリッド１０が接合され、振動基板２０の下にベース基板４０が接合される。外枠部２９、リッド１０およびベース基板４０がパッケージ８０を形成する。つまり、リッド１０は振動基板２０の上に、ベース基板４０は振動基板２０の下にシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）される。この接合は、シロキサン結合以外にも、リッド１０と、振動基板２０と、ベース基板４０との形成材料に応じて、陽極接合または樹脂接合により接合することができる。
【００３１】
振動基板２０は、その中央部に音叉型水晶振動片３０を有しており、音叉型水晶振動片３０と外枠部２９との間には空間部２２が形成されている。音叉型水晶振動片３０の外形を規定する空間部２２はウエットエッチングにより形成されている。音叉型水晶振動片３０は支持腕２６を介して外枠部２９と接続されている。本実施例で音叉型水晶振動片３０は、外枠部２９と同じ厚さで形成されている。音叉型水晶振動片３０は、外枠部２９より少し薄くなるように形成されてもよい。
【００３２】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、音叉型水晶振動片３０は、基部２３と基部２３から伸びる一対の振動腕２１と支持腕２６とを有している。基部２３と振動腕２１と支持腕２６とは、水晶エッチングにより音叉型水晶振動片３０の外形を規定する空間部２２を形成することで形成される。
【００３３】
振動基板２０は、外枠部２９と基部２３と支持腕２６とに第１引出電極３１および第２引出電極３２を備える。第１引出電極３１は、第１Ａ引出電極３１Ａと第１Ｂ引出電極３１Ｂとを含み、第２引出電極３２は、第２Ａ引出電極３２Ａと第２Ｂ引出電極３２Ｂとを含む。振動基板２０は、外枠部２９に第１接続端子３５および第２接続端子３６を備えている。第１Ａ引出電極３１Ａ、第１Ｂ引出電極３１Ｂ、第２Ａ引出電極３２Ａ、第２Ｂ引出電極３２Ｂ、第１接続端子３５および第２接続端子３６は、振動基板２０の表裏の両面に形成される。
【００３４】
リッド１０は、振動基板２０側にリッド側凹部１７を備える。さらに、リッド１０には、後述する振動腕２１が配置される位置に対向し、リッド側凹部１７に設けられた第１磁性層５３，５４を備える。第１磁性層５３，５４は、Ｎ極、Ｓ極を有する磁石で構成される。第１磁性層５３，５４は、後述する振動腕２１に設けられた第３磁性層としての表側磁性層５１，５２と、それぞれの対向する側の極性が同じになるように備えられる。本例では、第１磁性層５３，５４の表面側、換言すれば振動腕２１の表側磁性層５１，５２と対向する側の極性が、Ｎ極（図５（ａ）参照）となるように設けられる。このように第１磁性層５３，５４がリッド側凹部１７に設けられていることにより、リッド１０の厚みを増すことなく第１磁性層５３，５４を設けることが可能であり、振動子１の薄型化を図ることができる。
【００３５】
ベース基板４０は、振動基板２０側にベース基板側凹部４７を備える。ベース基板４０には、それを貫通する第１スルーホール４１および第２スルーホール４３、並びに段差部４９が形成されている。段差部４９には、第１スルーホール４１および第２スルーホール４３と接続する第１接続電極４２および第２接続電極４４が形成されている。ベース基板４０は、底面にメタライジングされた第１外部電極４５および第２外部電極４６を備えている。さらに、ベース基板４０には、後述する振動腕２１が配置される位置に対向し、ベース基板側凹部４７に設けられた第２磁性層５７，５８を備える。第２磁性層５７，５８は、Ｎ極、Ｓ極を有する磁石で構成される。第２磁性層５７，５８は、後述する振動腕２１に設けられた第３磁性層としての裏側磁性層５５，５６と、それぞれの対向する側の極性が同じになるように備えられる。本例では、第２磁性層５７，５８の表面側、換言すれば振動腕２１の裏側磁性層５５，５６と対向する側の極性が、Ｎ極（図５（ａ）参照）となるように設けられる。このように第２磁性層５７，５８がベース基板側凹部４７に設けられていることにより、ベース基板４０の厚みを増すことなく第２磁性層５７，５８を設けることが可能であり、振動子１の薄型化を図ることができる。
【００３６】
第１スルーホール４１および第２スルーホール４３は、その内面にスルーホール配線１５（金属膜）が形成されている。第１接続電極４２は、第１スルーホール４１のスルーホール配線１５を通じてベース基板４０に設けた第１外部電極４５に電気的に接続する。第２接続電極４４は、第２スルーホール４３のスルーホール配線１５を通じてベース基板４０に設けた第２外部電極４６に電気的に接続する。
【００３７】
振動子１において、第１Ｂ引出電極３１Ｂは、第１接続端子３５を介して第１接続電極４２と接続する。第１接続電極４２は、第１スルーホール４１のスルーホール配線１５と接続し、スルーホール配線１５はベース基板４０の第１外部電極４５と接続する。第２Ｂ引出電極３２Ｂは、第２接続端子３６を介して第２接続電極４４と接続する。第２接続電極４４は第２スルーホール４３のスルーホール配線１５と接続し、スルーホール配線１５はベース基板４０の第２外部電極４６と接続する。
【００３８】
図１に示されるように、第１接続電極４２と接続する第１接続端子３５は、第１接続電極４２の形成位置と対応するように、外枠部２９の短手辺（Ｘ方向）に形成されている。第１Ｂ引出電極３１Ｂは、長手辺（Ｙ方向）に形成されている。第２接続電極４４と接続する第２接続端子３６は、第２接続電極４４の形成位置と対応するように、外枠部２９の短手辺（Ｘ方向）に形成されている。第２Ｂ引出電極３２Ｂは、長手辺（Ｙ方向）に形成されている。
【００３９】
第１Ａ引出電極３１Ａと第１Ｂ引出電極３１Ｂとの間には、下地層のみからなる下地層領域５０が形成されている。また、第２Ａ引出電極３２Ａと第２Ｂ引出電極３２Ｂとの間にも、下地層のみからなる下地層領域５０が形成されている。下地層領域５０は、以下に説明する共晶金属ボール７０が溶融する際の金属の拡散または吸収を中断させる。これにより振動子１は安定した周波数を維持する。
【００４０】
振動子１は、シロキサン結合技術によりパッケージ８０を形成後、第１スルーホール４１および第２スルーホール４３に共晶金属ボール７０を配置し、真空リフロー炉で一定時間加熱されることで共晶金属ボール７０が溶かされ封止が行われる。封止に用いる共晶金属ボール７０は例えば金・ゲルマニウム合金が使われる。共晶合金である金・ゲルマニウム合金は、その溶解温度が３５６℃である。
【００４１】
図２（ａ）に示されるように、音叉型水晶振動片３０は、第１主面および第２主面に第１励振電極３３および第２励振電極３４が形成されている。第１励振電極３３は、基部２３および支持腕２６に形成された第１Ａ引出電極３１Ａに接続されている。第２励振電極３４は、基部２３および支持腕２６に形成された第２Ａ引出電極３２Ａに接続されている。
【００４２】
一対の振動腕２１は基部２３の一端からＹ方向に延びており、振動腕２１の表裏両面には溝部２７が形成されている。例えば、一本の振動腕２１の表面には１箇所の溝部２７が形成されており、振動腕２１の裏面側にも同様に１箇所の溝部２７が形成されている。つまり、一対の振動腕２１には４箇所の溝部２７が形成されている。溝部２７の断面は略Ｈ型に形成され、溝部２７は音叉型水晶振動片３０のＣＩ値を低下させる効果がある。なお音叉型水晶振動片３０は一本の振動腕２１に表裏に２箇所の溝部２７を形成しているが、複数箇所の溝部２７を形成してもＣＩ値を低下させる効果がある。
【００４３】
音叉型水晶振動片３０の一方の主面側の振動腕２１の延出方向の先端部には、先端側から第３磁性層としての表側磁性層５１，５２および錘部２８が形成されている。また、音叉型水晶振動片３０の一方の主面と表裏関係にある他方の主面側の振動腕２１の延出方向の先端部には、第３磁性層としての裏側磁性層５５，５６が形成されている。このように、振動腕２１の延出方向の先端部に表側磁性層５１，５２あるいは裏側磁性層５５，５６が設けられていることにより、音叉型水晶振動片３０の内で撓み量が大きな端部に磁力が加わり、反発力をより効果的に用いることができる。また、音叉型水晶振動片３０の振動腕２１の表裏面に表側磁性層５１，５２と裏側磁性層５５，５６が設けられていることにより、第３磁性層の面積を大きくすることが可能であり、磁力（反発力）を大きくすることができる。これらにより、音叉型水晶振動片３０の撓み量をより小さくすることが可能となり、振動子１の薄型化を図ることができる。第１引出電極３１および第２引出電極３２並びに第１励振電極３３および第２励振電極３４並びに錘部２８は、同時にフォトリソグラフィ工程で作成される。第１励振電極３３および第２励振電極３４に電圧が加えられると音叉型水晶振動片３０は所定の周波数で振動する。錘部２８は音叉型水晶振動片３０の振動腕２１が振動し易くなるための錘であり、また安定した振動をするために形成されている。
【００４４】
第３磁性層としての表側磁性層５１，５２は、磁石、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）で構成することができる。磁石を用いる場合は、図５（ａ）に示すように、前述のリッド側凹部１７に設けられた第１磁性層５３，５４の振動腕２１に対向する側の極性と、磁石の第１磁性層５３，５４と対向する側の極性と、が同じ極性となるように磁石が配置される。また、第３磁性層としての裏側磁性層５５，５６は、表側磁性層５１，５２と同様に、磁石、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）で構成される。磁石を用いる場合は、図５（ａ）に示すように、前述のベース基板側凹部４７に設けられた第２磁性層５７，５８の振動腕２１に対向する側の極性と、磁石の第２磁性層５７，５８と対向する側の極性と、が同じ極性となるように磁石が配置される。このように、表側磁性層５１，５２、裏側磁性層５５，５６、第１磁性層５３，５４、および第２磁性層５７，５８に磁石を用いることにより、音叉型水晶振動片３０と、リッド１０およびベース基板４０とが反発する力を常に有していることが可能となる。
【００４５】
なお、第３磁性層としての表側磁性層５１，５２、または裏側磁性層５５，５６に、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）を用いる場合は、第１磁性層５３，５４および第２磁性層５７，５８が、Ｎ極、Ｓ極を有する磁石で構成される。この場合は、常磁性体、あるいは反磁性体の持つ、強磁性体（第１磁性層５３，５４、あるいは第２磁性層５７，５８）と逆向きに磁化される性質により、対向する側の第１磁性層５３，５４と表側磁性層５１，５２との極性、および対向する側の第２磁性層５７，５８と裏側磁性層５５，５６との極性、が同じ極性となる。このような構成では、それぞれの磁性層の距離が近づくほど磁力が強くなることから、音叉型水晶振動片３０が撓むほど反発力を大きくすることが可能となり、より撓み量を減少させることができる。
【００４６】
第１Ａ引出電極３１Ａ、第２Ａ引出電極３２Ａ、第１励振電極３３および第２励振電極３４は、２層の金属層からなる。下地層は１５ｎｍ（ナノメートル）〜７０ｎｍのクロム（Ｃｒ）層であり、その下地層の上に１００ｎｍ〜２００ｎｍの金（Ａｕ）層が形成されている。クロム（Ｃｒ）層の代わりに、ニッケル（Ｎｉ）層またはチタン（Ｔｉ）層を使用してもよく、また金（Ａｕ）層の代わりに、銀（Ａｇ）層を使用してもよい。
【００４７】
第１Ｂ引出電極３１Ｂ、第２Ｂ引出電極３２Ｂ、第１接続端子３５、第２接続端子３６、第１接続電極４２および第２接続電極４４は、２層の金属層からなる。下地層は１５ｎｍ〜７０ｎｍのクロム（Ｃｒ）層であり、その下地層の上に、１００ｎｍ〜２００ｎｍの封止材と同一成分からなる金・ゲルマニウム合金層が形成された構成である。
【００４８】
リッド１０、振動基板２０およびベース基板４０は、シロキサン結合するため接合面を鏡面状態にして酸素含有雰囲気中で短波長の紫外線を照射し、清浄な状態にしておく。この時のシロキサン結合温度は、１００℃から２５０℃である。シロキサン結合は、電極の厚み（３００ｎｍから４００ｎｍ）でさえ接合不良の原因となる。このため、外枠部２９の裏面に形成した第１接続端子３５および第２接続端子３６と対向する面はその配線電極の厚み程度の段差部４９を形成する必要がある。
【００４９】
また、第１Ａ引出電極３１Ａと第１Ｂ引出電極３１Ｂとの間には下地層領域５０が形成されている。同様に第２Ａ引出電極３２Ａと第２Ｂ引出電極３２Ｂとの間には下地層領域５０が形成されている。これらの下地層領域５０は、１５ｎｍ〜７０ｎｍのクロム（Ｃｒ）層であり、この下地層領域５０には、金（Ａｕ）層または金・ゲルマニウム合金層などは形成されない。
【００５０】
図２（ｂ）に示されるように、段差部４９はベース基板４０の表面に形成した第１接続電極４２および第２接続電極４４はその接続電極の厚み分だけの深さで形成されている。つまり、接合面のシロキサン結合を阻害しないように、第１接続電極４２および第２接続電極４４は段差部４９に形成される。
【００５１】
ベース基板４０に設けられた段差部４９の高さは、ウエットエッチングなどによって２５０ｎｍ〜３００ｎｍに形成されている。外枠部２９に形成された第１接続端子３５および第２接続端子３６の厚さも１５０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、ベース基板４０に形成された第１接続電極４２および第２接続電極４４の厚さも１５０ｎｍ〜２００ｎｍである。すなわち、外枠部２９に形成された第１接続電極４２の厚さとベース基板４０に形成された第２接続電極４４の厚さを合計すると３００ｎｍから４００ｎｍである。
【００５２】
ベース基板４０と外枠部２９とを接合しようとすると、最初に第１接続端子３５と第１接続電極４２および第２接続端子３６と第２接続電極４４とが接触する。このときに外枠部２９の底面とベース基板４０の上面との隙間は５０ｎｍ〜１００ｎｍぐらいとなる。この状態で水晶のシロキサン結合を行うと、第１接続端子３５および第２接続端子３６の金・ゲルマニウム合金層と第１接続電極４２および第２接続電極４４の金・ゲルマニウム合金層とが互いに結合する。
【００５３】
リッド１０、振動基板２０およびベース基板４０をシロキサン結合するため接合面を鏡面状態にして清浄な状態にする別の実施例として、例えば、ウェハーなどの大面積を処理するのに適したＳＷＰ（Surface Wave Plasma）型ＲＩＥ方式のプラズマ処理装置を用いて行うことができる。このプラズマ処理装置は、誘電体とプラズマとの界面に沿って伝播する表面波を利用したものである。このプラズマ処理装置により、例えば、１３．５６ＭＨｚから２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いてプラズマを生成し処理チャンバー内に導入した反応ガスを励起する。反応ガスとしてＡｒ、Ｏ2およびＯ2とＮ2との混合ガスなどを使用する。励起された反応ガスに暴露されたウェハーは、均一に活性化される。リッド１０、振動基板２０およびベース基板４０の接合面が活性化されたウェハーを位置合わせして重ね合わせ、常温から１００°Ｃ程度の比較的低温に加熱した状態で加圧することによりシロキサン結合で強固に結合する。
【００５４】
別の実施例では、プラズマ処理に代えてイオンビームを照射することにより、リッド１０、振動基板２０およびベース基板４０の接合面を活性化することができる。このイオンビーム処理は、真空雰囲気中に保たれたリッド１０、振動基板２０およびベース基板４０の接合面にＡｒイオンビームを照射することで接合面が活性化される。イオンビーム処理によって表面活性化されたウェハーを位置合わせして重ね合わせ、２００℃程度の比較的低温に加熱した状態で加圧することによりシロキサン結合で強固に結合する。
【００５５】
振動子１は、シロキサン結合技術によりパッケージ８０を形成後、第１スルーホール４１および第２スルーホール４３に共晶金属ボール７０（図１参照）を配置し、真空中または不活性ガス雰囲気中の真空リフロー炉で一定時間加熱されることで封止が行われる。
【００５６】
以上説明した第１実施形態に係る振動子１によれば、図５（ａ）に示すように対向して設けられている、リッド１０の第１磁性層５３，５４の表側磁性層５１，５２側の極性と、音叉型水晶振動片３０の一方面（表面）側の振動腕２１の延出方向の先端部に設けられている第３磁性層としての表側磁性層５１，５２の第１磁性層５３，５４側の極性とが、共に同じＮ極となっている。また、対向して設けられている、ベース基板４０の第２磁性層５７，５８の裏側磁性層５５，５６側の極性と、音叉型水晶振動片３０の他方面（裏面）側の振動腕２１の延出方向の先端部に設けられている第３磁性層としての裏側磁性層５５，５６の第２磁性層５７，５８側の極性とが、共に同じＳ極となっている。このような磁界が設けられていることにより、振動素子としての音叉型水晶振動片３０には、蓋体としてのリッド１０およびベース基板４０と反発する力が働いている。この反発する力が、例えば振動子としての振動子１が落下するなど、外部から振動子１に衝撃が加わった場合の音叉型水晶振動片３０の撓みを低減させる力として働き、所謂ショックアブソーバー（衝撃緩衝器）の機能として作用して音叉型水晶振動片３０がリッド１０やベース基板４０に接触し難くなる。これにより、衝撃が加わった場合の音叉型水晶振動片３０の破損を防止することができる。また、音叉型水晶振動片３０に衝撃が加わった場合の音叉型水晶振動片３０の撓みを低減することができることから、音叉型水晶振動片３０とリッド１０あるいはベース基板４０とのギャップを小さくすることが可能となり振動子１の薄型化を実現することができる。
【００５７】
（第２実施形態）
次に、図３、および図４を参照しながら、本発明の振動子の第２実施形態に係る振動子について説明する。図３は、本発明の振動子の第２実施形態に係る振動子の概略を示す図であり、図３（ａ）は、分割した状態の振動子を、リッド部側からみた斜視図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図４は、第２実施形態に係る振動子に用いられている振動基板およびベース基板を示し、図４（ａ）は、振動基板の平面図（内面図）であり、図４（ｂ）はベース基板の平面図（上面図）である。なお、本第２実施形態では、前述した第１実施形態と同じ構成については同符号を付し、その説明を省略する。
【００５８】
図３（ａ）、および図３（ｂ）に示されるように、振動子１Ａは、最上部のリッド１０（蓋体）、振動基板２０Ａおよびベース基板４０から構成される。リッド１０およびベース基板４０は、前述の第１実施形態と同じ構成であるので詳細な説明を省略する。振動基板２０Ａは、エッチングにより形成された音叉型水晶振動片３０Ａ、およびその音叉型水晶振動片３０Ａの周囲を囲むように形成された外枠部２９を有している。振動基板２０Ａは、水晶により形成されたが、水晶以外にもタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の様々な圧電単結晶材料を用いることができる。
【００５９】
振動子１Ａは、振動素子としての音叉型水晶振動片３０Ａを備えた振動基板２０Ａを中心に、その振動基板２０Ａの上にリッド１０が接合され、振動基板２０Ａの下にベース基板４０が接合される。このような構成は、前述の第１実施形態と同じであるので詳細な説明は省略する。
【００６０】
振動基板２０Ａは、その中央部に音叉型水晶振動片３０Ａを有しており、音叉型水晶振動片３０Ａと外枠部２９との間には空間部２２が形成されている。音叉型水晶振動片３０Ａの外形を規定する空間部２２はウエットエッチングにより形成されている。音叉型水晶振動片３０Ａは支持腕２６を介して外枠部２９と接続されている。本実施例で音叉型水晶振動片３０Ａは、外枠部２９と同じ厚さで形成されている。音叉型水晶振動片３０Ａは、外枠部２９より少し薄くなるように形成されてもよい。
【００６１】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示されるように、音叉型水晶振動片３０Ａは、基部２３と基部２３から伸びる一対の振動腕２１と支持腕２６とを有している。基部２３と振動腕２１と支持腕２６とは、水晶エッチングにより音叉型水晶振動片３０Ａの外形を規定する空間部２２を形成することで形成される。
【００６２】
振動基板２０Ａの第１実施形態の振動基板２０（図１、図２参照）と異なる構成は、表側磁性層５１，５２および裏側磁性層５５，５６に変えて、一対の振動腕２１の延出方向の先端部に設けられる第３磁性層としての側面磁性層６１，６２が設けられることである。振動基板２０Ａのその他の構成は、第１実施形態の振動基板２０と同じであるので、その詳細な説明は省略する。なお、第３磁性層としての側面磁性層６１，６２の詳細については後述する。
【００６３】
リッド１０は、振動基板２０Ａ側にリッド側凹部１７を備える。さらに、リッド１０には、後述する振動腕２１が配置される位置に対向し、リッド側凹部１７に設けられた第１磁性層５３，５４を備える。このようなリッド１０の構成は、第１実施形態と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
【００６４】
ベース基板４０は、振動基板２０Ａ側にベース基板側凹部４７を備える。そのベース基板側凹部４７には、第２磁性層５７，５８を備える。このようなベース基板４０の構成は、第１実施形態と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
【００６５】
音叉型水晶振動片３０Ａの一対の振動腕２１の延出方向の先端部において一方の主面と他方の主面とを繋いでいる側面には、第３磁性層としての側面磁性層６１，６２が形成されている。第３磁性層としての側面磁性層６１，６２は、磁石、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）で構成することができる。側面磁性層６１，６２に磁石を用いる場合は、図５（ｂ）に示すように、前述のリッド側凹部１７に設けられた第１磁性層５３，５４の振動腕２１に対向する側の極性（Ｎ極）と、磁石（側面磁性層６１，６２）の第１磁性層５３，５４と対向する側の極性（Ｎ極）と、が同じ極性となるように磁石（側面磁性層６１，６２）が配置される。また、ベース基板側凹部４７に設けられた第２磁性層５７，５８の振動腕２１に対向する側の極性（Ｓ極）と、磁石（側面磁性層６１，６２）の第２磁性層５７，５８と対向する側の極性（Ｓ極）と、が同じ極性となるように磁石（側面磁性層６１，６２）が配置される。このような配置で、側面磁性層６１，６２、第１磁性層５３，５４、および第２磁性層５７，５８に磁石を用いることにより、音叉型水晶振動片３０Ａと、リッド１０およびベース基板４０とが反発する力を常に有していることが可能となる。
【００６６】
なお、第３磁性層としての側面磁性層６１，６２に、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）を用いる場合は、第１磁性層５３，５４および第２磁性層５７，５８が、Ｎ極、Ｓ極を有する磁石で構成される。この場合は、常磁性体、あるいは反磁性体の持つ、強磁性体（第１磁性層５３，５４、あるいは第２磁性層５７，５８）と逆向きに磁化される性質により、対向する側の第１磁性層５３，５４と側面磁性層６１，６２との極性、および対向する側の第２磁性層５７，５８と側面磁性層６１，６２との極性、が同じ極性となる。このような構成では、それぞれの磁性層の距離が近づくほど磁力が強くなることから、音叉型水晶振動片３０Ａが撓むほど反発力を大きくすることが可能となり、より撓み量を減少させることができる。
【００６７】
以上説明した第２実施形態に係る振動子１Ａによれば、図５（ｂ）に示すように対向して設けられている、リッド１０に設けられている第１磁性層５３，５４の、対向する側面磁性層６１，６２側の極性と、音叉型水晶振動片３０Ａの一対の振動腕２１の延出方向の先端部の側面に設けられている第３磁性層としての側面磁性層６１，６２の第１磁性層５３，５４側の極性とが、共に同じＮ極となっている。また、ベース基板４０の第２磁性層５７，５８の、対向する側面磁性層６１，６２側の極性と、側面磁性層６１，６２側の第２磁性層５７，５８側の極性とが、共に同じＳ極となっている。このような磁界が設けられていることにより、振動素子としての音叉型水晶振動片３０Ａには、蓋体としてのリッド１０およびベース基板４０と反発する力が働いている。この反発する力が、例えば振動子としての振動子１Ａが落下するなど、外部から振動子１Ａに衝撃が加わった場合の音叉型水晶振動片３０Ａの撓みを低減させる力として働き、音叉型水晶振動片３０Ａがリッド１０やベース基板４０に接触し難くなる。これにより、衝撃が加わった場合の音叉型水晶振動片３０Ａ破損を防止することができる。
【００６８】
また、側面磁性層６１，６２が、音叉型水晶振動片３０Ａの側面に設けられていることから、音叉型水晶振動片３０Ａの厚みを増すことなく第３磁性層としての側面磁性層６１，６２を設けることができ、振動子１Ａの薄型化を図ることができる。さらに、音叉型水晶振動片３０Ａに衝撃が加わった場合の音叉型水晶振動片３０Ａの撓みを低減することができることから、音叉型水晶振動片３０Ａとリッド１０あるいはベース基板４０とのギャップを小さくすることが可能となり、さらなる振動子１Ａの薄型化を実現することができる。
【００６９】
（応用例）
上述した第１実施形態の振動子１では、対向して設けられている、リッド１０の第１磁性層５３，５４の表側磁性層５１，５２側の極性と、音叉型水晶振動片３０の一方面（表面）側の振動腕２１に設けられている表側磁性層５１，５２の第１磁性層５３，５４側の極性とが、共に同じＮ極となっている。また、対向して設けられている、ベース基板４０の第２磁性層５７，５８の裏側磁性層５５，５６側の極性と、音叉型水晶振動片３０の他方面（裏面）側の振動腕２１に設けられている裏側磁性層５５，５６の第２磁性層５７，５８側の極性とが、共に同じＳ極となっている。このような磁界によって生じる振動腕２１が反発する力を、振動腕２１の振動を抑制させる力として利用することにより、音叉型水晶振動片３０の共振周波数の調整に用いることができる。
【００７０】
共振周波数の調整に用いる場合は、一例として、リッド１０を透明部材で構成し、音叉型水晶振動片３０の共振周波数を測定しながら、透明部材で構成されたリッド１０に設けられている第１磁性層５３，５４に、例えばレーザー光線を照射して加熱し、磁気力を変化させる。この磁気力の変化によって、振動腕２１の反発力を変化させ、音叉型水晶振動片３０の共振周波数を調整することができる。なお、上述した第２実施形態の構成においても同様に、磁界によって生じる振動腕２１が反発する力を、振動腕２１の振動を抑制させる力として利用することにより、音叉型水晶振動片３０Ａの共振周波数の調整に用いることができる。
【００７１】
このような音叉型水晶振動片３０，３０Ａの共振周波数の調整によれば、外部からの加熱のみによって磁気力を変化させるため、音叉型水晶振動片３０，３０Ａを収納するパッケージ内に発生するガスや溶融飛散物などが生じなくなり、振動子１，１Ａの特性劣化を低減することができる。
【００７２】
なお、上述の実施形態において、各磁性層（第１磁性層５３，５４、第２磁性層５７，５８、表側磁性層５１，５２、裏側磁性層５５，５６、側面磁性層６１，６２）に用いられている磁石は、シート磁石（マグネットシート）でもよい。
【００７３】
（振動子の変形例）
なお、上述の実施形態では、振動素子としての音叉型水晶振動片３０を備えた振動基板２０を中心に、その振動基板２０の上にリッド１０が接合され、振動基板２０の下にベース基板４０が接合される、所謂ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの構成の振動子１，１Ａで説明したが、振動子の構成はこれに限らない。以下に図６を用いて振動子の他の構成である変形例を説明する。
【００７４】
図６は、振動子の変形例の概略構成を示し、図６（ａ）は平面図、（ｂ）は正断面図である。なお、図６は変形例に係る振動子の構造を示した概略図であるが、図６（ａ）では、振動子の内部の構成を説明する便宜上、蓋部材を取り外した状態を図示している。図６に示すように、振動子３は、電極（図示せず）の形成された振動片１０２と、振動片１０２を収容するために矩形の箱状に形成されているパッケージ本体１６０と、金属板などで形成される蓋体としてのリッド１５９と、を含み構成されている。なお、振動片１０２を収容するキャビティー１７０内は、ほぼ真空の減圧空間となっている。
【００７５】
パッケージ本体１６０は、図６（ｂ）に示すように、ベース基板としての第１基板１６１と、第２基板１６２と、が積層されて形成されている。また、第１基板１６１の一面である上面の所定の位置には、図示しない複数の内部端子が設けられている。第２基板１６２は中央部が除去された環状体であり、第１基板１６１と併せて振動片１０２を収容するキャビティー１７０が形成される。パッケージ本体１６０の、第１基板１６１と第２基板１６２は、絶縁性を有する材料で構成されている。このような材料としては、特に限定されず、例えば、酸化物系セラミックス、窒化物系セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックスを用いることができる。蓋体としてのリッド１５９は、例えばコバール合金などの金属材料により形成されており、封止材１６８により接合されることで、パッケージ本体１６０を気密封止している。なお、パッケージ本体１６０とリッド１５９との接合には、例えばシーム溶接法などを用いることができる。
【００７６】
振動基板１１０は、その中央部に音叉型水晶振動片１０２と、音叉型水晶振動片１０２から延設された一対の支持腕１３０，１３２とを含む。本変形例における音叉型水晶振動片１０２は、支持腕１３０，１３２と同じ厚さで形成されている。音叉型水晶振動片１０２は、支持腕１３０，１３２より少し薄くなるように形成されてもよい。音叉型水晶振動片１０２は、基部１１２と基部１１２から伸びる一対の振動腕１２０，１２２とを有している。振動基板１１０は、支持腕１３０，１３２に設けられた支持部で接合材としての導電性接着剤１３５を介して第１基板１６１に接続されている。
【００７７】
リッド１５９には、後述する振動腕１２０，１２２が配置される位置に対向してもうけられた第１磁性層１５３，１５４を備える。第１磁性層１５３，１５４は、Ｎ極、Ｓ極を有する磁石で構成される。第１磁性層１５３，１５４は、後述する振動腕１２０，１２２に設けられた第３磁性層としての表側磁性層１５１，１５２と、それぞれの対向する側の極性が同じになるように備えられる。本例では、第１磁性層１５３，１５４の表面側、換言すれば振動腕１２０，１２２の表側磁性層１５１，１５２と対向する側の極性が、Ｎ極（図５（ａ）参照）となるように設けられる。
【００７８】
ベース基板としての第１基板１６１は、振動基板１１０側にベース基板側凹部１４７を備える。第１基板１６１には、後述する振動腕１２０，１２２が配置される位置に対向し、ベース基板側凹部１４７に設けられた第２磁性層１５７，１５８を備える。第２磁性層１５７，１５８は、Ｎ極、Ｓ極を有する磁石で構成される。第２磁性層１５７，１５８は、後述する振動腕１２０，１２２に設けられた第３磁性層としての裏側磁性層１５５，１５６と、それぞれの対向する側の極性が同じになるように備えられる。本例では、第２磁性層１５７，１５８の表面側、換言すれば振動腕１２０，１２２の裏側磁性層５５，５６と対向する側の極性が、Ｎ極（図５（ａ）参照）となるように設けられる。このように第２磁性層１５７，１５８がベース基板側凹部１４７に設けられていることにより、第１基板１６１の厚みを増すことなく第２磁性層１５７，１５８を設けることが可能であり、振動子１の薄型化を図ることができる。
【００７９】
音叉型水晶振動片１０２の一方面側の振動腕１２０，１２２の延出方向の先端部には、先端側から第３磁性層としての表側磁性層１５１，１５２が形成されている。また、音叉型水晶振動片１０２の他方面側の振動腕１２０，１２２の延出方向の先端部には、第３磁性層としての裏側磁性層１５５，１５６が形成されている。このように、振動腕１２０，１２２の延出方向の先端部に表側磁性層１５１，１５２あるいは裏側磁性層１５５，１５６が設けられていることにより、音叉型水晶振動片１０２の内で撓み量が大きな端部に磁力が加わり、反発力をより効果的に用いることができる。また、音叉型水晶振動片１０２の振動腕１２０，１２２の表裏面に表側磁性層１５１，１５２と裏側磁性層１５５，１５６が設けられていることにより、第３磁性層の面積を大きくすることが可能であり、磁力（反発力）を大きくすることができる。これらにより、音叉型水晶振動片１０２の撓み量をより小さくすることが可能となり、振動子１０３の薄型化を図ることができる。
【００８０】
第３磁性層としての表側磁性層１５１，１５２は、磁石、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）で構成することができる。磁石を用いる場合は、図５（ａ）に示すように、前述のリッド１５９に設けられた第１磁性層１５３，１５４の振動腕１２０，１２２に対向する側の極性と、磁石の第１磁性層１５３，１５４と対向する側の極性と、が同じ極性となるように磁石が配置される。また、第３磁性層としての裏側磁性層１５５，１５６は、表側磁性層１５１，１５２と同様に、磁石、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）で構成される。磁石を用いる場合は、図５（ａ）に示すように、前述のベース基板側凹部４７に設けられた第２磁性層１５７，１５８の振動腕１２０，１２２に対向する側の極性と、磁石の第２磁性層１５７，１５８と対向する側の極性と、が同じ極性となるように磁石が配置される。このように、表側磁性層１５１，１５２、裏側磁性層１５５，１５６、第１磁性層１５３，１５４、および第２磁性層１５７，１５８に磁石を用いることにより、音叉型水晶振動片１０２と、リッド１５９およびベース基板としての第１基板１６１とが反発する力を常に有していることが可能となる。
【００８１】
なお、第３磁性層としての表側磁性層１５１，１５２、または裏側磁性層１５５，１５６に、常磁性体（マンガン、白金など）、あるいは反磁性体（銅、銀、金、アルミニウム、炭素など）を用いる場合は、第１磁性層１５３，１５４および第２磁性層１５７，１５８が、Ｎ極、Ｓ極を有する磁石で構成される。この場合は、常磁性体、あるいは反磁性体の持つ、強磁性体（第１磁性層１５３，５４、あるいは第２磁性層１５７，５８）と逆向きに磁化される性質により、対向する側の第１磁性層１５３，１５４と表側磁性層１５１，１５２との極性、および対向する側の第２磁性層１５７，１５８と裏側磁性層１５５，１５６との極性、が同じ極性となる。このような構成では、それぞれの磁性層の距離が近づくほど磁力が強くなることから、音叉型水晶振動片１０２が撓むほど反発力を大きくすることが可能となり、より撓み量を減少させることができる。
【００８２】
また、本変形例においても前述の第２実施形態と同様に、音叉型水晶振動片１０２の一対の振動腕１２０，１２２の延出方向の先端部において、一方の主面と他方の主面とを繋いでいる側面に、第３磁性層としての側面磁性層が形成されている構成も適用することができる。
【００８３】
以上説明した構成の変形例における振動子１０３においても、上述の実施形態と同様な効果を有している。
【００８４】
また、上述の実施形態では、音叉型水晶振動片３０，３０Ａを備えた振動子１，１Ａで説明したがこれに限らない。例えば、所謂ダブルＴ型のジャイロ素子や音叉型のジャイロ素子を用いたジャイロセンサー、あるいは厚みすべり水晶振動片を用いたタイミングデバイス（水晶振動子）などにおいても適用することができる。
【００８５】
また、上述の振動子１，１Ａは、振動子１，１Ａと、振動子１，１Ａを発振させる機能を少なくとも有し、振動子１，１Ａと電気的に接続されている回路部とが、パッケージ内に収納されている発振器にも適用可能である。なお、振動子１，１Ａと回路部とは、必ずしもパッケージ内に収納されていなくてもよく、例えば、基板上にそれぞれパッケージングされた振動子１，１Ａと回路部とが備えられている構成でもよい。このような構成によれば、耐衝撃性が優れ、且つ薄型化が可能な振動子と回路部とを備えていることから、耐衝撃性が優れた小型薄型の発振器を提供することができる。
【００８６】
［電子機器］
次いで、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとして、振動子１，１Ａ，１０３を適用した電子機器について、図７〜図９に基づき、詳細に説明する。なお、説明では、音叉型水晶振動片３０を備えた振動子１を適用した例を示している。
【００８７】
図７は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての振動子１を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、振動子１が内蔵されている。
【００８８】
図８は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての振動子１を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、振動子１が内蔵されている。
【００８９】
図９は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての振動子１を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００９０】
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９１】
撮影者が表示部１００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、振動子１が内蔵されている。
【００９２】
なお、本発明の一実施形態に係る振動子１は、図７のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図８の携帯電話機、図９のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００９３】
［移動体］
図１０は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車５０６には本発明に係る電子デバイスとしての振動子１が搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車５０６には、振動子１を内蔵してタイヤ５０９などを制御する電子制御ユニット５０８が車体５０７に搭載されている。また、振動子１は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【符号の説明】
【００９４】
１，１Ａ，１０３…振動子、１０…リッド、１５…スルーホール配線、１７…リッド側凹部、２０，２０Ａ…振動基板、２１…振動腕、２２…空間部、２３…基部、２６…支持腕、２８…錘部、２９…外枠部、３０，３０Ａ…音叉型水晶振動片、３１…第１引出電極（３１Ａ…第１Ａ引出電極、３１Ｂ…第１Ｂ引出電極）、３２…第２引出電極（３２Ａ…第２Ａ引出電極、３２…第２Ｂ引出電極、）、３３…第１励振電極、３４…第２励振電極、３５…第１接続端子、３６…第２接続端子、４０…ベース基板、４１…第１スルーホール、４３…第２スルーホール、４２…第１接続電極、４４…第２接続電極、４５…第１外部電極、４６…第２外部電極、４７…ベース基板側凹部、４９…段差部、５０…下地層領域、５１，５２…第３磁性層としての表側磁性層、５３，５４…第１磁性層、５５，５６…第３磁性層としての裏側磁性層、５７，５８…第２磁性層、６１，６２…第３磁性層としての側面磁性層、７０…共晶金属ボール、８０…パッケージ、５０６…移動体としての自動車、１１００…電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューター、１２００…電子機器としての携帯電話機、１３００…電子機器としてのデジタルスチールカメラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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