(57)【要約】      （修正有）【課題】ＢＧＡによる高密度実装による高集積化により生じ易いパッケージの反りの発生を抑制可能な半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び、それを用いた半導体装置の提供。【解決手段】化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物、硬化剤及び無機質充填剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。2015120885.tif 000008（Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、Ｈ、低級アルキル基又はフェニル基；Ｒ３〜Ｒ５は同一又は異なって、Ｈ又はグリシジル基）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物、硬化剤および無機質充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2015120885.tif 000007
（式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。）
【請求項２】
化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
ボールグリッドアレイ用封止材料であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グリコールウリル化合物を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物および、これを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やノートパソコンなど電気・電子製品の小型化、軽量化に伴い、高性能半導体パッケージとして、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と呼ばれる金属ワイヤーにより、半導体素子と基板とを接続する手法が広く普及している。ＢＧＡは高密度実装が可能で、電子部品の小型化、高集積化に大きく貢献するものの、片面のみが樹脂封止された非対称な構造であるため、成形後にパッケージの反りが発生しやすい。パッケージの反りは、後工程の実装工程などで問題となるため、反りの発生を抑える必要がある。
【０００３】
パッケージの反りの主な原因は、封止材料である樹脂組成物の硬化物（樹脂硬化物）と基板との膨張・収縮挙動の違いによるものである。通常、樹脂硬化物は基板と比べて収縮量が大きくなる傾向がある。樹脂硬化物の収縮量を小さくするために、樹脂硬化物の線膨張係数を小さくする、ガラス転移温度（Ｔｇ）を高めるなどの対策が必要となる。一般的には、シリカなどの無機質充填剤を、樹脂組成物中に高い比率で充填して、線膨張係数を小さくさせることにより、高温時の変形やクラックなどを抑制できることが知られている。
【０００４】
また、特許文献１には、パッケージの反りの発生を抑制する封止材料として、グリシジル基を分子内に４つ有する化合物、硬化剤および無機質充填剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１９１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、パッケージの反りの発生を抑制可能な硬化物が得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物および、それを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、エポキシ化合物としてグリコールウリル化合物を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物とすることにより、所期の目的を達成することを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
即ち、第１の発明は、化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物、硬化剤および無機質充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【０００８】
【化１】
2015120885.tif 000002
（式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。）
【０００９】
第２の発明は、化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする第１の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
第３の発明は、ボールグリッドアレイ用封止材料であることを特徴とする第１の発明または第２の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
第４の発明は、第１の発明または第２の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止したことを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によれば、パッケージの反りの発生を抑制可能な硬化物が得られる。また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止した半導体装置は、反りの発生が抑制されて高い信頼性を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物（以下、単に「樹脂組成物」と云うことがある）は、グリコールウリル化合物、硬化剤および無機質充填剤を含有する。
【００１２】
本発明の実施において使用するグリコールウリル化合物は、前記の化学式（Ｉ）で示されるエポキシ化合物であり、例えば、
１−グリシジルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル、
１−グリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１−グリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１−グリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリルなどが挙げられる。これらのグリコールウリル化合物は、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１３】
本発明の実施において使用する硬化剤としては、エポキシ化合物またはエポキシ樹脂を硬化させるものであれば、特に限定されるものではないが、フェノール樹脂が好ましい。前記のフェノール樹脂としては、フェノールノボラック型樹脂、クレゾールノボラック型樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂などが挙げられる。これらのフェノール樹脂は、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１４】
硬化剤の含有量は、樹脂組成物中のエポキシ樹脂成分を硬化させるのに十分な量に設定することが好ましい。硬化剤としてフェノール樹脂を用いる場合、フェノール樹脂の含有量は、樹脂組成物中のエポキシ基の数量に対するフェノール樹脂中の水酸基の数量の割合（等量比）に換算して、０．１〜５．０であることが好ましい。
【００１５】
本発明の実施において使用する無機質充填剤としては、シリカ粉末（溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末など）、石英ガラス粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、タルク、窒化ケイ素粉末などが挙げられる。これらの中でも、得られる硬化物の線膨張係数を小さくできることからシリカ粉末が好ましく、その中でも、高充填性、高流動性という点から溶融シリカ粉末がより好ましい。これらの無機質充填剤は、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１６】
無機質充填剤の含有量は、樹脂組成物全体の重量に対して、５〜９５重量％であることが好ましい。
【００１７】
本発明の実施において使用するグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂、即ち、グリコールウリル化合物以外のエポキシ化合物（エポキシ樹脂）としては、ビスフェノール型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型、ビフェニル型、ジシクロペンタジエン型、トリスヒドロキシフェニルメタン型などのエポキシ樹脂が挙げられる。特に、汎用性の高い二官能エポキシ樹脂またはノボラック型エポキシ樹脂や、耐熱性向上を目的とする多官能型エポキシ樹脂などが好ましい。これらは、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１８】
本発明の実施においては、ガラス転移温度を高めるために、前記のグリコールウリル化合物を単独で使用することが好ましいが、グリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を併用する場合には、グリコールウリル化合物を樹脂組成物全体の重量に対して、０．１重量％以上含有させることが好ましい。
【００１９】
本発明の樹脂組成物は、必要に応じて硬化促進剤、離型剤、シランカップリング剤、低応力化剤、難燃剤、カーボンブラック、顔料などの添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲において適宜含有することができる。
【００２０】
前記の硬化促進剤としては、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートやトリフェニルホスフィンなどの有機リン系化合物、フェニルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５などのジアザビシクロアルケン系化合物などが挙げられる。これらは、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００２１】
硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物全体の重量に対して、０．０１〜１０重量％であることが好ましい。
【００２２】
前記の離型剤としては、カルナバワックス、ポリエチレン系ワックス、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウムなどが挙げられる。これらは、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００２３】
前記の低応力化剤としては、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体などのブタジエン系ゴムや、シリコーン化合物などが挙げられる。
【００２４】
前記の難燃剤としては、酸化アンチモン、有機リン化合物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどが挙げられる。
【００２５】
さらに、本発明の樹脂組成物は、耐湿信頼性向上を目的として、水酸化ビスマス、ハイドロタルサイト類などのイオントラップ剤を含有してもよい。
【００２６】
本発明の樹脂組成物は、前述の原料をミキシングロール機などの混練機を用いて加熱状態で溶融混錬した後、これを室温下で冷却固化させ、公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠することにより調製される。
【００２７】
本発明の樹脂組成物を用いた半導体素子の封止は、通常のトランスファー成形などの公知のモールド方法により行うことができる。このようにして得られる半導体装置としては、ＢＧＡのような片面封止型半導体装置やフリップチップ型半導体装置、ＩＣ、ＬＳＩ、パワーデバイスと称するトランジスタ、ダイオードなどが挙げられる。
【００２８】
本発明の半導体装置は、グリコールウリル化合物を含有した樹脂組成物を半導体素子の封止に用いることにより、硬化物のガラス転移温度が高くなり、パッケージの反りの発生を抑制することができる。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明を実施例および比較例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、実施例および比較例において使用したエポキシ化合物またはエポキシ樹脂と、硬化剤は、以下のとおりである。
【００３０】
（１）エポキシ化合物またはエポキシ樹脂
・１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル（四国化成工業社製「ＴＧ−Ｇ」、以下、「エポキシ樹脂Ａ」と云う）
・下記の化学式（ＩＩ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂（以下、「エポキシ樹脂Ｂ」と云う）
【００３１】
【化２】
2015120885.tif 000003
【００３２】
・下記の化学式（ＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂（以下、「エポキシ樹脂Ｃ」と云う）
【００３３】
【化３】
2015120885.tif 000004
（式中、ｎは３または４の整数を表す。）
【００３４】
（２）硬化剤
・下記の化学式（ＩＶ）で示されるフェノール樹脂
【００３５】
【化４】
2015120885.tif 000005
（式中、ｎは３または４の整数を表す。）
【００３６】
＜樹脂組成物の調製＞
前記のエポキシ樹脂Ａ〜Ｃを表１に示す割合で使用し、硬化剤１８０重量部、硬化促進剤として、トリフェニルホスフィン３重量部、離型剤として、酸化ポリエチレンワックス７重量部、シランカップリング剤として、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン５重量部、無機質充填剤として、球状溶融シリカ粉末（平均粒径１３．２μｍ）２０００重量部、カーボンブラック（三菱化学社製  ＃３０３０Ｂ）１５重量部、難燃剤としてＳｂ２Ｏ３３．３重量部使用した樹脂組成物を、８０〜１７０℃に加熱したロール混練機を用いて溶融混練した。続いて、冷却した後、粉砕し、さらにタブレット状に打錠することにより実施例１〜３、比較例１〜２の樹脂組成物を調整した。
【００３７】
［ガラス転移温度（Ｔｇ）］
前記の樹脂組成物について、粘弾性測定装置（レオメトリック社製 固体粘弾性測定装置「ＲＳＡII」、二重カレンチレバー法；周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／分）を用いて、ガラス転移温度を測定した。得られた結果を表１に示した。
【００３８】
［反り量］
シリコンチップ（サイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚さ０．３２５ｍｍ）をガラスエポキシ基板上に等間隔となるように、銀（Ａｇ）ペーストを使用して実装し、プレス機（ＴＯＷＡ社製）にて前記の樹脂組成物を用いて封止した。プレス機の金型温度は１７５℃とし、封止条件は、トランスファースピード１．５ｍｍ／秒、クランプ圧１９６０Ｎ、トランスファー圧４９Ｎ、キュア時間９０秒とした。なお、ガラスエポキシ基板を封止した樹脂層の厚みは４５０μｍである。続いて、パッケージを１７５℃で５時間加熱し、加熱後のパッケージについて、温度可変レーザー３次元装置（ティーテック社製）を用いて観察し、パッケージの反り量を測定した。得られた結果を表１に示した。
【００３９】
【表１】
2015120885.tif 000006
【００４０】
これらの試験結果より、本発明のグリコールウリル化合物を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物は、いずれもガラス転移温度が高く、反りの抑制効果に優れていることが認められる。