(57)【要約】【課題】シリコンの単結晶部材に形成した加工層から剥離させることで比較的大きくて薄いシリコンの単結晶基板を形成するにあたり、加工時間の短縮化を図ることができる内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】シリコンの単結晶部材内部にレーザ光を集光することでレーザ光の走査方向Ｓおよびオフセット方向Ｆにそれぞれ規則的に配列された変質部２１ｃを形成していく。その際、レーザ光の走査方向Ｓに隣り合う変質部２１ｃ同士に跨るクラックＣＳ、および、レーザ光のオフセット方向Ｆに隣り合う変質部２１ｃ同士に跨るクラックＣＦの少なくとも一方を形成していく。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を集光するレーザ集光手段を介してレーザ光をシリコンの単結晶部材の被照射面から照射しつつ、前記単結晶部材と前記レーザ集光手段とを相対的に移動させることで、前記単結晶部材内部に形成された加工層と、
前記加工層の両面側にそれぞれ隣接する非加工部と、
を備え、
前記加工層には、レーザ光の集光によって形成された変質部が、レーザ光の走査方向およびオフセット方向にそれぞれ配列され、
レーザ光の走査方向に隣り合う変質部同士に跨るクラック、および、レーザ光のオフセット方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックの少なくとも一方が形成されていることを特徴とする内部加工層形成単結晶部材。
【請求項２】
各クラックは、前記被照射面から略同一深さ位置に形成されていることを特徴とする請求項１記載の内部加工層形成単結晶部材。
【請求項３】
レーザ光の走査方向に隣り合う変質部同士に跨るクラック、および、レーザ光のオフセット方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックの両方が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の内部加工層形成単結晶部材。
【請求項４】
レーザ光を集光するレーザ集光手段を介してレーザ光をシリコンの単結晶部材の被照射面から照射しつつ、前記単結晶部材と前記レーザ集光手段とを相対的に移動させることで、前記単結晶部材内部に加工層を形成して前記単結晶部材を内部加工層形成単結晶部材とする内部加工層形成単結晶部材の製造方法であって、
前記加工層を形成する際、レーザ光の集光による変質部を、レーザ光の走査方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックおよびレーザ光のオフセット方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックの少なくとも一方が生じるように形成していくことを特徴とする内部加工層形成単結晶部材の製造方法。
【請求項５】
各クラックを、前記被照射面から略同一深さ位置に生じさせることを特徴とする請求項４記載の内部加工層形成単結晶部材の製造方法。
【請求項６】
レーザ光の走査方向に隣り合う前記変質部同士の間隔である加工ピッチを１〜１０μｍの範囲とすることを特徴とする請求項４または５記載の内部加工層形成単結晶部材の製造方法。
【請求項７】
前記加工ピッチを１．５〜３．５μｍの範囲とすることを特徴とする請求項６記載の内部加工層形成単結晶部材の製造方法。
【請求項８】
レーザ光のオフセット方向に隣り合う前記変質部同士の間隔である加工オフセットを１〜１０μｍの範囲とすることを特徴とする請求項４または５記載の内部加工層形成単結晶部材の製造方法。
【請求項９】
前記加工オフセットを１．５〜３．５μｍの範囲とすることを特徴とする請求項８記載の内部加工層形成単結晶部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンの単結晶部材の被照射側の表面から単結晶部材内部にレーザ光を集光することで、単結晶部材内部に加工層を形成した内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、単結晶のシリコン（Ｓｉ）ウエハに代表される半導体ウエハを製造する場合には、石英るつぼ内に溶融されたシリコン融液から凝固した円柱形のインゴットを適切な長さのブロックに切断して、その周縁部を目標の直径になるよう研削し、その後、ブロック化されたインゴットをワイヤソーによりウエハ形にスライスして半導体ウエハを製造するようにしている。
【０００３】
このようにして製造された半導体ウエハは、前工程で回路パターンの形成等、各種の処理が順次施されて後工程に供され、この後工程で裏面がバックグラインド処理されて薄片化が図られることにより、厚さが約７５０μｍから１００μｍ以下、例えば７５μｍや５０μｍ程度に調整される。
【０００４】
従来における半導体ウエハは、以上のように製造され、インゴットがワイヤソーにより切断され、しかも、切断の際にワイヤソーの太さ以上の切り代が必要となるので、厚さ０．１ｍｍ以下の薄い半導体ウエハを製造することが非常に困難であり、製品率も向上しないという問題がある。
【０００５】
一方、集光レンズでレーザ光の集光点をインゴット（ウエハ）の内部に合わせ、そのレーザ光でインゴットを相対的に走査することにより、インゴットの内部に多光子吸収による面状の改質層（加工層）を形成し、この改質層を剥離面としてインゴットの一部を基板として剥離することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
なお、この明細書中においては、別記する場合を除いてウエハのことを適宜に基板と称する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１６７７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、単結晶部材内部に改質層を形成する場合、１つのレーザパルスで１点（１つ）の加工痕を形成している。このため、その加工間隔である加工ピッチは、加工進行方向へのステージ移動速度とパルス周波数で決まる。また、この加工ピッチと、オフセット方向（加工進行方向に直交する方向）の間隔である加工オフセットと、によって、単結晶部材内部に形成される加工痕の数（加工数）が決まる。
【０００９】
従って、加工ピッチと加工オフセットとの数を低減させることで、加工時間が短縮される。
【００１０】
一方、単結晶部材を形成した内部加工層から分断させて新たな単結晶部材を創成することができる。この分断方法としては、内部加工層を形成した単結晶部材を、接着剤を用いて金属板で挟持して固定した後、金属板を互いに離れる方向の力を加えることにより剥離する方法、単結晶基板の側面から応力を印加してクラックを伝搬させて剥離する方法などが例示されている。しかしながら、こうした従来の方法により加工層から単結晶部材を分断させる方法においては、単結晶部材に応力が負荷あるいは印加されることによって単結晶部材の非加工層領域に衝撃や変形などが生じ、欠陥や転移などを発生させる可能性が高い。その結果、分断され創成された単結晶部材の品質劣化につながり、実使用上の不具合が生じる。さらに、これらの分断方法が求められる内部加工層結晶部材は、内部加工層が応力を負荷あるいは印加させないと分離できない状態であることを示唆している。従って、応力を負荷あるいは印加させなくても、形成した内部加工層から単結晶部材を分断および分離可能な加工層の形成方法が求められる。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑み、シリコンの単結晶部材に形成した加工層から剥離させることで比較的大きくて薄いシリコンの単結晶基板を形成するにあたり、応力を負荷せずに剥離可能であり、加工時間の短縮化を図ることができる内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するための本発明の一態様によれば、レーザ光を集光するレーザ集光手段を介してレーザ光をシリコンの単結晶部材の被照射面から照射しつつ、前記単結晶部材と前記レーザ集光手段とを相対的に移動させることで、前記単結晶部材内部に形成された加工層と、前記加工層の両面側にそれぞれ隣接する非加工部と、を備え、前記加工層には、レーザ光の集光によって形成された変質部が、レーザ光の走査方向およびオフセット方向にそれぞれ配列され、レーザ光の走査方向に隣り合う変質部同士に跨るクラック、および、レーザ光のオフセット方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックの少なくとも一方が形成されている内部加工層形成単結晶部材が提供される。
【００１３】
本発明の別の態様によれば、レーザ光を集光するレーザ集光手段を介してレーザ光をシリコンの単結晶部材の被照射面から照射しつつ、前記単結晶部材と前記レーザ集光手段とを相対的に移動させることで、前記単結晶部材内部に加工層を形成して前記単結晶部材を内部加工層形成単結晶部材とする内部加工層形成単結晶部材の製造方法であって、前記加工層を形成する際、レーザ光の集光による変質部を、レーザ光の走査方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックおよびレーザ光のオフセット方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックの少なくとも一方が生じるように形成していく内部加工層形成単結晶部材の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、シリコンの単結晶部材に形成した加工層から剥離させることで比較的大きくて薄いシリコンの単結晶基板を形成するにあたり、応力を負荷せずに剥離可能であり、加工時間の短縮化を図ることができる内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態で内部加工層形成単結晶部材を製造することを説明する模式的な鳥瞰図である。
【図２】本発明の一実施形態で内部加工層形成単結晶部材を製造することを説明する模式的な側面断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る内部加工層形成単結晶部材の模式的な側面断面図である。
【図４】本発明の一実施形態で、内部加工層形成単結晶部材を製造することを説明する側面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る内部加工層形成単結晶部材を説明する模式的な平面断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る内部加工層形成単結晶部材を説明する模式的な側面断面図である。
【図７】実験例で、加工進行方向に沿って一列に並んだ各変質部を切断した説明図である。
【図８】実験例で、加工進行方向に沿って一列に並んだ各変質部を切断した光学顕微鏡写真図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、すでに説明したものと同一または類似の構成要素には同一または類似の符号を付し、その詳細な説明を適宜省略している。
【００１７】
また、図面は模式的なものであり、寸法比などは現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法比などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１８】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態（以下、本実施形態という）で、レーザ集光手段により単結晶部材１０の被照射面（被照射側の表面）からレーザ光を集光して内部に加工層２１を形成していくことを説明する模式的な鳥瞰図である。図２は、レーザ光の照射により単結晶部材１０の内部に加工層２１を形成して内部加工層形成単結晶部材を形成することを説明する模式的な断面図である。図３は、本実施形態で製造された内部加工層形成単結晶部材２０の断面構造を説明する模式的な側面断面図である。図４は、本実施形態で、内部加工層形成単結晶部材を製造することを説明する側面図であり、本実施形態におけるレーザ加工装置の一例の全体図も示している。図５は、本実施形態で、内部加工層形成単結晶部材を説明する模式的な平面断面図である。図６は、本実施形態で、内部加工層形成単結晶部材を説明する模式的な側面断面図である。
【００２０】
（概要説明）
本実施形態で製造する内部加工層形成単結晶部材２０は、パルス状のレーザ光Ｂをシリコンの単結晶部材１０の被照射面２０ｔから照射し単結晶部材内部で集光することで、この被照射面２０ｔから離間しかつこの被照射面２０ｔと平行に延在する加工層２１と、その加工層２１の両面側にそれぞれ隣接する非加工層２２とを有する。
【００２１】
加工層２１には、レーザ光Ｂの集光によって形成された変質部２１ｃが、レーザ光の走査方向Ｓおよびオフセット方向Ｆにそれぞれ規則的に配列されている。そして、本実施形態では、レーザ光の走査方向Ｓに隣り合う変質部同士に跨るクラックＣＳ（図５、６参照）、および、レーザ光のオフセット方向に隣り合う変質部同士に跨るクラックＣＦ（図５、６参照）が形成されている。これらクラックＣＳおよびＣＦはレーザ光Ｂにより形成された変質部２１ｃから面状に拡がって形成されており、断面方向においては変質部２１ｃのレーザ照射面側に形成されていて、変質部同士に跨っている。
【００２２】
図６に示すように、クラックＣＳ、クラックＣＦの何れであっても、各クラックは単結晶部材１０の被照射面２０ｔから略同一深さ位置に形成されている。ここで、略同一深さとは、加工層２１の寸法にもよるが、深さ位置の差が３μｍ以下（加工層２１の寸法が小さい場合には２μｍ以下）のことをいう。この深さ位置が３μｍを超えると、剥離時応力負荷あるいは印加が必要となり、さらに剥離応力が大きくなることで単結晶部材品質劣化や、剥離面の平坦性低下をもたらす。
【００２３】
内部加工層形成単結晶部材２０を製造して単結晶基板を得るには、レーザ集光手段として例えば集光器（組レンズ）７８により、単結晶部材１０の被照射面２０ｔにレーザ光Ｂを照射して単結晶部材１０内部にレーザ光Ｂを集光しつつ、集光器７８と単結晶部材１０とを相対的に移動させて、単結晶部材１０内部に、被照射面２０ｔと平行に延在する加工層２１を形成した内部加工層形成単結晶部材２０を製造する。
【００２４】
その際、クラックＣＳおよびクラックＣＦが形成されるように変質部２１ｃを形成していく。単結晶部材１０としては、レーザ光Ｂを照射する被照射面２０ｔ（第１面）と、被照射面２０ｔに平行であって被照射面２０ｔに照射したレーザ光Ｂが通過する光出射面２０ｓ（第２面）と、を有する部材を用いる。
【００２５】
（詳細説明）
以下、本実施形態をより詳細に説明する。本実施形態では、図４に示すように、レーザ加工装置は、レーザ発振器７１、集光器７８を順次備え、また、ＸＹステージ８０を備えている。集光器７８は複数のレンズが組み合わされた組レンズとなっており、集光性能が高くされている。
【００２６】
レーザ光を照射する単結晶部材１０のサイズは、例えばφ３００ｍｍの厚いシリコンウエハＥからなり、レーザ光Ｂが照射される被照射面Ｅｔが予め平坦化されていることが好ましい。
【００２７】
レーザ光Ｂは、単結晶部材１０の周面ではなく、上記の被照射面２０ｔに集光器７８を介して照射される。このレーザ光Ｂは、例えばパルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光からなり、９００ｎｍ以上の波長、好ましくは１０００ｎｍ以上の波長が選択され、ＹＡＧレーザ等が好適に使用される。
【００２８】
（作用、効果）
以下、本実施形態で内部加工層形成単結晶部材１０を製造することについて説明する。本実施形態では、単結晶部材１０をＸＹステージ８０上に載置し、真空チャック、静電チャックなどでこの単結晶部材１０を保持する。そして、ＸＹステージで単結晶部材１０をＸ方向やＹ方向に移動させることで、レーザ集光手段（集光器７８）と単結晶部材１０とを、単結晶部材１０の被照射面２０ｔに平行に相対的に移動させながらレーザ光Ｂを照射する。この結果、図５に示すように、単結晶部材１０の内部に集光したレーザ光Ｂによって変質部２１ｃをレーザ光Ｂの走査方向Ｓに沿って一列に規則的に形成していく。変質部２１ｃを一列に形成した後、ＸＹステージ８０の移動により単結晶部材１０をオフセット方向Ｆへ移動させ、同様に変質部２１ｃを走査方向Ｓへ一列に形成していく。このようにして加工層２１を形成する。
【００２９】
本実施形態では、この変質部２１ｃを形成する際、レーザ光の走査方向Ｓに隣り合う変質部２１ｃの間隔である加工ピッチｐを１〜１０μｍの範囲（さらに好ましくは１．５〜３．５μｍ）とする。
【００３０】
また、レーザ光のオフセット方向Ｆに隣り合う変質部２１ｃの間隔である加工オフセットｗを１〜１０μｍの範囲（更に好ましくは１．５〜３．５μｍの範囲）とする。
【００３１】
この結果、変質部２１ｃを形成していく際、図５、図６に示すように、レーザ光の走査方向Ｓに隣り合う変質部２１ｃ同士を跨るクラックＣＳが生じ、また、レーザ光のオフセット方向Ｆに隣り合う変質部２１ｃ同士を跨るクラックＣＦが生じる。変質部２１ｃはレーザ光Ｂの照射方向（例えば、レーザ光Ｂが上方から下方へ向けて照射される場合には上下方向）に沿って細長く形成されおり、クラックＣＳ、ＣＦは、変質部２１ｃから面状に拡がっている。
【００３２】
クラックＣＳ、ＣＦが更に均一に安定して形成する観点では、加工ピッチｐを１．５〜３．５μｍの範囲とすることが更に好ましく、また、加工オフセットｗも１．５〜３．５μｍの範囲とすることが更に好ましい。クラックＣＳ、ＣＦの形成にかかる時間を短縮するには、加工ピッチｐ、加工オフセットｗを大きくする。
【００３３】
加工層２１が形成された結果、加工層２１を挟んでレーザ光Ｂの照射方向とその反対側にそれぞれ非加工層２２が加工層２１に隣接して存在する。形成する加工層２１の寸法、密度などは、剥離し易くする観点で設定することが好ましい。
【００３４】
本発明の内部加工層形成単結晶部材２０はクラックＣＳおよびＣＦはレーザ光Ｂにより形成された変質部２１ｃから面状に拡がって形成されており、断面方向においては変質部２１ｃのレーザ照射面側に形成されていて、変質部同士に跨っているため、応力を負荷および印加せずに、加工層２１と非加工層２２との剥離が可能であり、上記のように加工層を露出させるだけで剥離でき、衝撃などを与えずに新たな単結晶部材を創成することができる。
【００３５】
このとき上記の加工痕２１ｓおよび変質層２１ｃによって、応力を負荷せずに分断あるいは分離可能とすることができる。本発明において、応力を負荷せずに単結晶部材を分断あるいは剥離可能とするというとは、内部加工層形成後に自ら分断あるいは剥離できる状態であり、剥離荷重は１０Ｎ/ｃｍ2以下であることをいう。
【００３６】
また、剥離しやすくするために、剥離を行なう前に内部加工層形成単結晶部材２０の側面に加工層２１を露出させても良い。露出させるには、例えば、非加工層２２の所定の結晶面に沿ってへき開すると、非加工層２２によって加工層２１が挟まれた構造のものが得られる。加工層２１が既に露出している場合や、加工層２１の周縁と内部加工層形成単結晶部材２０の側壁との距離が十分に短い場合には、この露出をさせる作業を省略することが可能である。
【００３７】
剥離後、この剥離面（加工層露出面）をラッピング加工およびポリシング加工により研磨加工する。研磨加工は例えばラッピング・ポリシング装置を利用して行うことができる。ラッピングでは研磨剤として粒径が１μｍから数１０μｍの遊離砥粒を潤滑剤に混ぜたスラリーをラップ定盤と上記の加工層露出面との間に入れ加工する。このときの遊離砥粒としてはコロイダルシリカ、アルミナ、微粒ダイヤモンド、酸化セリウムなどが利用できる。ポリシング加工では粒径１μｍ以下の微細な研磨剤が使用され、研磨パッドを定盤に貼りつけて加工層露出面を研磨加工する。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態では、加工層２１を形成していく際、レーザ光の走査方向Ｓに隣り合う変質部２１ｃ同士を跨るクラックＣＳを生じさせ、また、レーザ光のオフセット方向Ｆに隣り合う変質部２１ｃ同士を跨るクラックＣＦを生じさせている。従って、加工層２１と非加工層２２とを剥離させる際、クラックＣＳ、ＣＦから剥離させることができるので、従来に比べて大幅に剥離させやすくなっている。
【００３９】
よって、レーザ光の走査方向Ｓに隣り合う変質部２１ｃの加工ピッチｐ、および、レーザ光のオフセット方向に隣り合う変質部２１ｃの加工オフセットｗを従来に比べて大幅に広くすることができるので、変質部２１ｃの加工密度、すなわち変質部２１ｃの形成数を大幅に低減させることができる。従って、変質部２１ｃの加工時間が大幅に短縮され、内部加工層形成単結晶部材２０の製造効率が大きく向上する。また、剥離に必要な力も低減させることができ、応力を負荷せずに剥離することが可能となる。
【００４０】
また、被照射面２０ｔからのクラックＣＳ、ＣＦの深さ位置が、各クラックで略同一となっている。従って、非加工層２２の剥離面が従来に比べて大幅に平坦となっている。
【００４１】
また、本実施形態では、クラックＣＳおよびクラックＣＦの両者を形成する例で説明したが、加工ピッチｐおよび加工オフセットｗの一方を広くしてクラックＣＳおよびクラックＣＦの一方のみを形成した場合であっても、そのクラックから剥離させることができ、これにより、変質部２１ｃの加工時間を更に短縮させることができる。
【００４２】
また、本実施形態では、単結晶部材１０としてシリコンウエハＥを例に挙げて説明したが、単結晶部材１０がインゴット状であって、加工層２１を形成してレーザ光照射側の非加工部を剥がすことを順次繰り返してもよく、単結晶部材１０の寸法は特に限定しない。
【００４３】
＜実験例＞
本発明者は、加工層２１を形成して非加工層２２を剥離させる上で、加工ピッチｐおよび加工オフセットｗの好ましい範囲を検討するための実験を行った。この結果、以下の実験条件のときに、加工層２１の形成時間が比較的短く、しかも、剥離した非加工層２２の剥離面で良好な平坦性が得られていた。
【００４４】
光源（レーザ発振器）    ：ファイバーレーザ
波長                    ：１０６４ｎｍ
モード                  ：シングルモード
集光器のレンズのＮＡ    ：０．８
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
パルス幅                ：２００ｎｓ
出力                    ：１Ｗ（１μＪ／パルス）
加工速度                ：３００ｍｍ／ｓｅｃ
加工ピッチｐ            ：３μｍ
加工オフセット          ：３μｍ
加工手順および評価      ：
１）ビームの焦点を試料ウエハ表面となるように集光器の高さ位置を調整する。
２）次に、その位置から集光器高さを試料ウエハ方向に６０μｍ加工させ、ビーム焦点を試料ウエハ内部に移動する。
３）上記加工条件で、φ１５０ｍｍウエハ内部の１００ｍｍ×１００ｍｍの部分にレーザを照射した。
４）この試料を２個作成した。
５）１個の試料を使用して、レーザ照射部分の１辺をダイシングにより切り出し、加工層を露出させ、５０箇所の加工層の位置の差を共焦点レーザ顕微鏡（機種名：ＯＬＳ−４０００  オリンパス（株）製）により測定したところ、３μｍ以下であった。なお、測定結果を表１に示す。表１では、ウエハのレーザ照射面側の表面を基準にした測定結果を示している。
６）残りの１試料からレーザ照射領域部分を、ダイシングにより切り出した。その切り出したウエハは、切り出した状態で応力を負荷させることなく加工層で２枚に分断、剥離することができた。
７）剥離したウエハの表面粗さを非接触三次元測定装置（ＰＦ−６０  ：三鷹光器（株）製）で測定した結果、表面粗さＲａ＝０．８４μｍであった。
【表１】
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【００４５】
同じ実験条件で単結晶部材１０に加工層２１を形成し、加工進行方向（レーザ走査方向Ｓ）に沿って一列に並んだ各変質部２１ｃを切断した説明図を図７に、光学顕微鏡写真図を図８に、それぞれ示す。なお、図７では、簡略化のためクラックＣＳを省略して描いている。図８に示すように、隣り合う変質部２１ｃ同士を跨るクラックＣＳが、略同一深さ位置に形成されていることが確認された。
【００４６】
また、加工ピッチｐを２μｍ、加工オフセットｗを２μｍとした場合に、非加工層２２の剥離面の平坦性は更に良好となっていた。
【００４７】
本実験例により、加工ピッチｐは１．５〜３．５μｍの範囲、加工オフセットｗは１．５〜３．５μｍの範囲であることが更に好ましいことがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明により薄い単結晶基板を効率良く形成することができることから、薄く切り出された単結晶基板は、Ｓｉ基板（シリコン基板）であれば、太陽電池に応用可能であり、また、ＳｉＣなどであれば、ＳｉＣ系パワーデバイスなどに応用可能であり、透明エレクトロニクス分野、照明分野、ハイブリッド／電気自動車分野など幅広い分野において適用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  単結晶部材
２０  内部加工層形成単結晶部材
２０ｔ  被照射面
２１  加工層
２１ｃ  変質部
２２  非加工層（非加工部）
７２  ズームエキスパンダ（レーザ集光手段）
７３  アパーチャ（レーザ集光手段）
７８  集光器（レーザ集光手段）
Ｂ  レーザ光
ＣＦ  クラック
ＣＳ  クラック
Ｆ  オフセット方向
Ｓ  走査方向
ｐ  加工ピッチ
ｗ  加工オフセット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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