(57)【要約】【課題】一又は複数の実施形態において、基板上に残留する異物の洗浄性に優れ、基板の表面粗さの悪化が抑制されうるハードディスク基板用洗浄剤組成物を提供する。【解決手段】一又は複数の実施形態において、炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸又はその塩（Ａ）、キレート剤（Ｂ）、アルカリ金属の水酸化物（Ｃ）及び水を含有するハードディスク基板用洗浄剤組成物に関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸又はその塩（Ａ）、キレート剤（Ｂ）、アルカリ金属の水酸化物（Ｃ）及び水を含有するハードディスク基板用洗浄剤組成物。
【請求項２】
ハードディスク基板がガラス製である、請求項１に記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
【請求項３】
キレート剤（Ｂ）がホスホン酸系キレート剤である、請求項１又は２に記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板の浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む、ハードディスク基板の洗浄方法。
【請求項５】
被洗浄基板が、研磨剤で研磨された基板である、請求項４記載のハードディスク基板の洗浄方法。
【請求項６】
請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板の浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む、ハードディスク基板の製造方法。
【請求項７】
被洗浄基板が、研磨剤で研磨された基板である、請求項６記載のハードディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ハードディスク基板用洗浄剤組成物、ハードディスク基板の洗浄方法、及びハードディスク基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のハードディスクドライブには、高容量化を目的として、記録密度を上げるために単位記録面積を小さくすることが求められている。それに伴い、磁気ヘッドの浮上量を低下させるため、ハードディスクの製造工程においても、研磨対象物を研磨して得られる研磨面に要求される清浄度等の表面品質が高くなってきている。
【０００３】
特許文献１は、ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を開示する。同文献は、該洗浄剤として、炭素数１〜１０の炭化水素基と、カルボン酸イオン、スルホン酸イオン、硫酸イオン又はリン酸イオン基とを有する特定のアニオン性界面活性剤を含有する洗浄剤を開示する。
【０００４】
特許文献２は、成形ガラス型の表面に付着した高屈折率の含硫黄プラスチックレンズ樹脂汚れに対して高い洗浄力を有する洗浄剤組成物として、無機系アルカリ剤と、アニオン界面活性剤及び非イオン界面活性剤から選ばれる少なくとも１種の界面活性剤と、カルシウム塩と、カルシウムイオン捕捉剤と、水溶性有機溶剤と、水とを含有する洗浄剤組成物が開示する。そして、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム、ＨＥＤＰ、及びＫＯＨを含有する洗浄剤組成物が開示される（同文献表２、実施例４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２０６４８１号公報
【特許文献２】特開２００６−１２４６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ハードディスクの製造過程には、一般的に基板形成工程とメディア工程とが含まれる。前記基板形成工程では、被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とがこの順で複数回行われることにより、ハードディスク基板が作製される。前記メディア工程でも、磁性層を形成する前に洗浄が行われ、必要に応じて研磨によりハードディスク基板の少なくとも一方の主面に浅い凸凹をつけた後（テクスチャー工程）、洗浄がなされ（洗浄工程）、次いで、前記基板の少なくとも一方の主面側に磁性層が形成される（磁性層形成工程）。
【０００７】
基板形成工程において被研磨基板に対して行われる最後の研磨処理では、セリアやコロイダルシリカ等の無機粒子を研磨材として用いた研磨工程が含まれる。例えば、シリカ砥粒による研磨処理後のガラス基板上には、研磨材として使用したシリカ粒子や、ガラス基板の研磨屑としてシリカ粒子が残留する。これらのシリカ粒子が残存していると、磁気ディスクの性能や歩留まりに悪影響が及ぶ。
【０００８】
そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、基板上に残留する異物の洗浄性に優れ、基板の表面粗さの悪化が抑制されうるハードディスク基板用洗浄剤組成物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示は、一又は複数の実施形態において、炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸又はその塩（Ａ）、キレート剤（Ｂ）、アルカリ金属の水酸化物（Ｃ）及び水を含有するハードディスク基板用洗浄剤組成物に関する。
【００１０】
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、本開示に係るハードディスク基板用洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板（洗浄対象の基板）の浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む、ハードディスク基板の洗浄方法並びに製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、研磨砥粒や研磨屑などの基板上に残留する異物の洗浄性に優れ、基板の表面粗さの悪化が抑制されるハードディスク基板用洗浄剤組成物を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示は、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸とキレート剤とアルカリ金属水酸化物とを組み合わせた洗浄剤組成物が、研磨後のハードディスク基板に対して優れた洗浄性と基板の平滑性をもたらすという知見に基づく。
【００１３】
すなわち、本開示は、一態様において、炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸又はその塩（Ａ）、キレート剤（Ｂ）、アルカリ金属の水酸化物（Ｃ）及び水を含有するハードディスク基板用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう）に関する。
【００１４】
本開示に係る洗浄剤組成物が、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上という効果の発現する機構は不明であるが、以下の様に推定される。
【００１５】
ハードディスク基板に付着した粒子の洗浄は、該粒子を該基板から剥離し、該粒子を水中へ分散させて洗浄系外への効率的な排出を促すことにより達成できる。即ち、キレート剤が付着粒子と基板の各表面を僅かにエッチングすることで付着粒子の基板からの剥離し易い状態とする。また、アルカリ金属水酸化物による高ｐＨ下では付着粒子は負電荷を帯びる。
【００１６】
炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸は疎水部により基板に吸着し、基板表面は負電荷を帯びると考えられる。そして、負電荷を帯びた付着粒子が電荷反発により基板表面から剥離し、付着粒子は基板表面との電荷反発により再付着も防止され、水中に効果的に分散し、洗浄液のオーバーフロー等により系外に排出されると考えられる。
【００１７】
また、該アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸は、適度な疎水部の大きさにより基板表面への吸着力が高く、適度な分子量により優れた拡散速度が得られ、解離しやすい官能基であるスルホン酸基を分子中に複数有するため、単位吸着部位に対する電荷付与を効果的に促すものと推定される。また、該アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸の基板表面への吸着により、洗浄時におけるアルカリ剤やキレート剤による基板表面の溶解が適度に抑制され、溶解速度が低下して均一な溶解となり、基板表面の平滑性が向上するものと推定される。
【００１８】
但し、本開示は、これらのメカニズムに限定して解釈されなくてよい。
【００１９】
［成分Ａ］
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ａは、炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸又はその塩である。成分Ａは、一又は複数の実施形態において、下記式（１）で表される化合物である。
【００２０】
【化１】
2015120817.tif 000002
【００２１】
式（１）において、Ｒは炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を示し、Ｍ1及びＭ2はそれぞれ独立して水素原子、金属、ＮＨ4、又は有機アンモニウム示す。
【００２２】
式（１）のＲは、一又は複数の実施形態において、基板への吸着力及び水溶性の観点から、好ましくは炭素数６〜１４のアルキル基である。アルキル基の一又は複数の実施形態としては、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。本明細書における上記表現には直鎖アルキル基も分岐鎖アルキル基も含み、例えばオクチル基にはｎ-オクチル基の如き直鎖のアルキル基も２−エチルヘキシル基の如き分岐鎖アルキル基も含む。
【００２３】
式（１）のＭ1及びＭ2の金属は、一又は複数の実施形態において、ナトリウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属が挙げられるが、解離性の観点から、ナトリウム及びカリウムがより好ましい。式（１）のＭ1及びＭ2の有機アンモニウムとしては、一又は複数の実施形態において、トリエタノールアンモニウム等の炭素数２〜９のアルカノールアンモニウム；トリメチルアンモニウム等の炭素数１〜９のアルキルアンモニウムが挙げられる。洗浄性の観点から、式（１）のＭ1及びＭ2の金属は、アルカリ土類金属を含まないことが好ましい。
【００２４】
成分Ａは、限定されない一又は複数の実施形態において、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸二ナトリウム、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸二カリウムが挙げられる。
【００２５】
成分Ａの分子量は、限定されない一又は複数の実施形態において、好ましくは２００以上である。また、成分Ａの分子量は、限定されない一又は複数の実施形態において、好ましくは２０００以下、又は、より好ましくは１０００以下である。
【００２６】
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、０．５質量％以上が好ましく、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは２．０質量％以上である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１０．０質量％以下が好ましく、より好ましくは７．０質量％以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．５質量％以上１０．０質量％以下が好ましく、より好ましくは１．０質量％以上７．０質量％以下、さらに好ましくは２．０質量％以上７．０質量％以下である。
【００２７】
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、水以外の成分の合計質量に対して、１０質量％以上が好ましく、より好ましくは２０量％以上である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、水以外の成分の合計質量に対して、５０質量％以下が好ましく、より好ましくは４５質量％以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、水以外の成分の合計質量に対して、１０質量％以上５０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以上４５質量％以下である。
【００２８】
［成分Ｂ］
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ｂは、キレート剤である。キレート剤としては、一又は複数の実施形態において、グルコン酸、グルコヘプトン酸などのアルドン酸類；エチレンジアミン四酢酸などのアミノカルボン酸類；クエン酸、リンゴ酸などのヒドロキシカルボン酸類；１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸などのホスホン酸類；及びこれらのアルカリ金属塩からなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、グルコン酸ナトリウム、グルコヘプトン酸ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、又は１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸が好ましく、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）がより好ましい。これらのキレート剤は、単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。
【００２９】
本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、１．０質量％以上が好ましく、より好ましくは２．０質量％以上、さらに好ましくは４．０質量％以上である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１５．０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０．０質量％以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１．０質量％以上１５．０質量％以下が好ましく、より好ましくは２．０質量％以上１０．０質量％以下、さらに好ましくは４．０質量％以上１０．０質量％以下である。
【００３０】
本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、水以外の成分の合計質量に対して、１５質量％以上が好ましく、より好ましくは２０質量％以上である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、水以外の成分の合計質量に対して、６５質量％以下が好ましく、より好ましくは６０質量％以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、水以外の成分の合計質量に対して、１５質量％以上６５質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以上６０質量％以下である。
【００３１】
成分Ａと成分Ｂの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）は、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、好ましくは０．１５以上、より好ましくは０．３５以上である。成分Ａと成分Ｂの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは３．５以下、より好ましくは２．０以下である。
【００３２】
［成分Ｃ］
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ｃは、アルカリ金属の水酸化物である。アルカリ金属の水酸化物は、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウムである。
【００３３】
本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄時のｐＨが後述の範囲になるような量である。本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、成分Ｃの含有量は、０．１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．２質量％以上である。一又は複数の実施形態において、洗浄性の観点から、ｐＨ調整は、有機アンモニウムと成分Ｃとを併用してもよい。また、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、細かい残留物を除去する観点から、アルカリ土類金属は含まないことが好ましい。「アルカリ土類金属は含まない」とは、一又は複数の実施形態において、アルカリ土類金属を含まないこと、アルカリ土類金属を実質的に含まないこと、又は、洗浄結果に影響を与える量のアルカリ土類金属を含まないこと、を含みうるものである。
【００３４】
［水］
本開示に係る洗浄剤組成物は、水を含む。前記水は、溶媒としての役割を果たすことができるものであれば特に制限はなく、例えば、超純水、純水、イオン交換水、又は蒸留水等を挙げることができるが、超純水、純水、又はイオン交換水が好ましく、超純水がより好ましい。尚、純水及び超純水は、例えば、水道水を活性炭に通し、イオン交換処理し、さらに蒸留したものを、必要に応じて所定の紫外線殺菌灯を照射、又はフィルターに通すことにより得ることができる。尚、洗浄剤組成物は、溶媒として上記水に加えて水系溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）をさらに含んでいてもよいが、洗浄剤組成物に含まれる溶媒は水のみからなることが好ましい。
【００３５】
本開示に係る洗浄剤組成物における水の含有量は、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、９０．０質量％以上が好ましく、そして、同様の観点から９８．０質量％以下が好ましい。なお、後述する任意成分は水に置き換えて含有させてもよい。
【００３６】
［任意成分］
本開示に係る洗浄剤組成物には、さらに、ノニオン活性剤、可溶化剤、アニオンポリマー、酸化防止剤、防腐剤等が含まれてもよい。
【００３７】
［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄時のｐＨは、一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、より好ましくは１１．５以上である。また、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄時のｐＨは、同様の観点から、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１３．０以下である。
【００３８】
本開示において「洗浄時」とは、一又は複数の実施形態において、洗浄工程を行うときをいう。また、洗浄剤組成物は、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。よって、本開示において「洗浄時」とは一又は複数の実施形態において、希釈された状態をいう。なお、上記のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物の使用時のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後３分後の数値である。
【００３９】
［洗浄剤組成物の調製方法］
本開示に係る洗浄剤組成物は、各成分を混合することにより、調製することができる。洗浄剤組成物は、貯蔵及び輸送の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。洗浄剤組成物は、そのまま使用してもよいし、洗浄剤組成物の濃縮液を調整し希釈して使用してもよい。洗浄剤組成物の濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度や洗浄条件等に応じて適宜決定できる。一又は複数の実施形態において、洗浄性及び平滑性の向上の観点から、洗浄剤組成物の濃縮液を１０質量％以下に希釈することが好ましく、５質量％以下に希釈することがより好ましい。また、洗浄性の観点から、洗浄剤組成物の濃縮液を０．００５質量％以上に希釈することが好ましく、０．３質量％以上に希釈することがより好ましい。
【００４０】
［洗浄剤組成物の濃縮液］
本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液は、各成分を混合することにより調製することができる。水以外の各成分の含有量は洗浄剤組成物と同様である。洗浄剤組成物の濃縮液の水の含有量は、貯蔵及び輸送の観点から、９５．０質量％以下が好ましく、９０．０質量％以下がより好ましく、そして、同様の観点から６０．００質量％以上が好ましく、７０．０質量％以上がより好ましい。したがって、本開示に係るガラス基板の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、前記洗浄剤組成物の濃縮液を希釈することを含む。
【００４１】
本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液のｐＨは、希釈後の洗浄性の向上の観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、より好ましくは１１．５以上である。また、本開示に係る洗浄剤組成物の濃縮液のｐＨは、同様の観点から、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１３．０以下である。洗浄剤組成物の濃縮液のｐＨは、洗浄剤組成物のｐＨと同様の方法で測定することができる。
【００４２】
［被洗浄基板］
本開示に係る洗浄剤組成物を用いる洗浄の対象である被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、ハードディスクの製造に用いられる基板（ハードディスク基板）である。また、被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、ハードディスクの製造に用いられる基板（ハードディスク基板）である。ハードディスク基板は、一又は複数の実施形態において、ガラスハードディスク基板、又は、Ｎｉ−Ｐメッキアルミニウム合金基板などが挙げられる。また、被洗浄基板は、一又は複数の実施形態において、砥粒を含有する研磨液組成物で研磨された後の基板であり、砥粒は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子である。本開示において、ガラスハードディスク基板は、結晶化ガラス基板であってもよく、非結晶化ガラス基板であってもよい。
【００４３】
［ハードディスク基板の洗浄方法］
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板の浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む、ハードディスク基板の洗浄方法（以下、「本開示に係る洗浄方法」ともいう）に関する。被洗浄基板は上述のとおりである。
【００４４】
（浸漬洗浄）
被洗浄基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物の温度は、作業性及び操業性の観点から２０〜１００℃が好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性の向上の観点から５秒以上が好ましく、１０秒以上がより好ましく、１００秒以上がさらに好ましい。洗浄された結晶化ガラス基板の生産効率の向上の観点から３０分以下が好ましく、１０分以下がより好ましく、５分以下がさらに好ましい。また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、２０〜２０００ｋＨｚが好ましく、４０〜２０００ｋＨｚがより好ましく、４０〜１５００ｋＨｚがさらに好ましい。
【００４５】
（スクラブ洗浄）
スクラブ洗浄の方法は、一又は複数の実施形態において、研磨粒子等の残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、被洗浄基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。
【００４６】
洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の手段を用いることができる。また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジブラシ等を使用することができる。超音波の周波数としては、上述の浸漬洗浄で好ましく採用される値と同様である。
【００４７】
さらにその他の一又は複数の実施形態において、前記浸漬洗浄及び／又は前記スクラブ洗浄に加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の洗浄工程を１つ以上含んでもよい。
【００４８】
本開示に係る洗浄方法では、被洗浄基板を一枚ずつ洗浄してもよいが、複数枚の洗浄すべき被洗浄基板を一度にまとめて洗浄してもよい。また、洗浄の際に用いる洗浄槽の数は１つでも複数でも良い。
【００４９】
以下に、本開示に係る洗浄方法の限定されない一又は複数の実施形態を示す。
（１）洗浄-1：本開示に係る洗浄剤組成物を入れた洗浄槽(ａ)を所定の温度に設定し、被洗浄基板を浸漬し、超音波を照射しながら洗浄する。
（２）すすぎ-1：超純水を入れたすすぎ槽(ｂ）を所定の温度に設定し、非洗浄基板を洗浄槽(ａ)からすすぎ槽(ｂ）に移して浸漬し、超音波を照射しながらすすぎをする。
（３）本開示に係る洗浄剤組成物を入れた洗浄槽（ｃ）、超純水を入れたすすぎ槽(ｄ）を使用して再度（１）と（２）を繰り返す。
（４）洗浄−２：すすぎ槽内から被洗浄基板を、洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニット（Ａ）に移し、洗浄ブラシに本開示に係る洗浄剤組成物を射出し、該洗浄剤組成物の存在下で洗浄ブラシを該基板の両面に回転させながら押し当てることにより、洗浄する。
（５）すすぎ−２：スクラブ洗浄ユニット（Ｂ）に被洗浄基板を移し、超純水を射出し、洗浄ブラシを該基板の両面に（４）と同様に回転させながら押し当てることにより、すすぎをする。
（６）スクラブ洗浄ユニット（Ａ）と同様の条件で準備したスクラブ洗浄ユニット（Ｃ）、スクラブ洗浄ユニット（Ｂ）と同様の条件で準備したスクラブ洗浄ユニット（Ｄ）を使用して再度（４）と（５）を繰り返す。
（７）すすぎ−３: 被洗浄基板を、超純水を入れたすすぎ槽(ｅ)に移し、すすぎをする。
（８）乾燥：被洗浄基板を、温純水を入れたすすぎ槽（ｆ）に移し、浸漬した後、所定の速度で被洗浄基板を引き上げた後、完全に基板表面を乾燥させる。
【００５０】
［ハードディスク基板の製造方法]
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板の浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む、ハードディスク基板の製造方法（以下、「本開示に係る製造方法」ともいう）に関する。被洗浄基板は上述のとおりである。本開示に係る製造方法は、一又は複数の実施形態において、好ましくはガラスハードディスク基板の製造方法である。
【００５１】
一般に、ハードディスク基板は、基材から、形状加工工程、粗研削工程、精研削工程、粗研磨工程、仕上げ研磨工程等を経て製造される。また各工程の間には洗浄工程が含まれることがある。ハードディスク基板は、最終の洗浄工程の後に記録部形成工程を経ることで磁気ハードディスクとなる。
【００５２】
記録部形成工程は、一又は複数の実施形態において、ハードディスク基板上にスパッタ等の方法により磁気記録領域を有し金属薄膜を含む磁性層が形成することにより行われる。前記金属薄膜を構成する金属材料としては、例えば、クロム、タンタル、又は白金等とコバルトとの合金である、コバルト合金や、鉄と白金などとの合金等が挙げられる。尚、磁性層は、ハードディスク基板の両主面側に形成されてもよいし、一方の主面側にのみ形成されてもよい。
【００５３】
前記粗研磨工程と前記仕上げ研磨工程は、この順で行われる。前記粗研磨工程の際に用いられる研磨剤組成物に含まれる無機微粒子は、高速研磨が可能であるという理由から、酸化セリウム粒子又はアルミナ粒子が好ましい。前記仕上げ研磨工程の際に用いられる研磨剤組成物に含まれる無機微粒子は、表面の平坦性（低粗さ）を向上させるという理由から、シリカ粒子が好ましい。
【００５４】
粗研磨工程の後、洗浄剤組成物を用いた洗浄工程（第１洗浄工程）、すすぎ工程（第１すすぎ工程）、乾燥工程（第１乾燥工程）、仕上げ研磨工程、洗浄剤組成物を用いた洗浄工程（第２洗浄工程）、すすぎ工程（第２すすぎ工程）、及び乾燥工程（第２乾燥工程）がこの順で行うことができる。本開示に係る洗浄方法は、前記第１洗浄工程及び/又は前記第２洗浄工程に適用することができる。限定されない一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄方法は、洗浄性の観点から第２洗浄工程に用いることが好ましい。
【００５５】
したがって、本開示は、一態様において、以下の（１）及び（２）を含むハードディスク基板の製造方法に関する。
（１）研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
【００５６】
前記工程（１）における被研磨基板は、一般に前記精研削工程を経た後のハードディスク基板であり、粗研磨工程を経た後のハードディスク基板であることが好ましい。ハードディスク基板については、上述のとおりである。工程（１）は、ハードディスク基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、所定の圧力（荷重）をかけながら、研磨パッドや被研磨基板を動かすこと等によって行うことができる。この工程（１）は、最終の基板の品質を向上させる観点から、シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いた仕上げ研磨工程であることが好ましい。また、仕上げ研磨工程においては、研磨液組成物を繰り返し使用することが好ましい。
【００５７】
前記工程（２）の洗浄工程は、上述した本開示に係る洗浄方法と同様に行うことができる。
【００５８】
本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
【００５９】
＜１＞  炭素数６〜１８の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸又はその塩（成分Ａ）、キレート剤（成分Ｂ）、アルカリ金属の水酸化物（成分Ｃ）及び水を含有する、ハードディスク基板用洗浄剤組成物。
【００６０】
＜２＞  前記成分Ａが、好ましくは、下記式（１）で表される化合物である、＜１＞記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
【化２】
2015120817.tif 000003
［式（１）において、Ｒは炭素数６〜１８、好ましくは炭素数６〜１４の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を示し、Ｍ1及びＭ2はそれぞれ独立して水素原子、金属、ＮＨ4、又は有機アンモニウム示す。］
＜３＞  前記成分Ａの分子量が、好ましくは２００以上である、＜１＞又は＜２＞に記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜４＞  前記成分Ａの分子量が、好ましくは２０００以下、より好ましくは１０００以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜５＞  洗浄剤組成物中の前記成分Ａの含有量が、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは２．０質量％以上である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜６＞  洗浄剤組成物中の前記成分Ａの含有量が、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜７＞  洗浄剤組成物の前記成分Ａの含有量が、好ましくは０．５質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上７．０質量％以下、さらに好ましくは２．０質量％以上７．０質量％以下である、＜１＞から〔6〕のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜８＞  洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する前記成分Ａの含有量が、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０量％以上である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜９＞  洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する前記成分Ａの含有量が、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１０＞  洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する前記成分Ａの含有量が、好ましくは１０質量％以上５０質量％以下、より好ましくは２０質量％以上４５質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１１＞  前記成分Ｂが、アミノカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類、ホスホン酸類、及びこれらのアルカリ金属塩からなる群から選ばれる少なくとも１種、好ましくはホスホン酸系キレート剤である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１２＞  洗浄剤組成物中の前記成分Ｂの含有量が、好ましくは１．０質量％以上、より好ましくは２．０質量％以上、さらに好ましくは４．０質量％以上である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１３＞  洗浄剤組成物中の前記成分Ｂの含有量が、好ましくは１５．０質量％以下、より好ましくは１０．０質量％以下である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１４＞  洗浄剤組成物中の前記成分Ｂの含有量が、好ましくは１．０質量％以上１５．０質量％以下、より好ましくは２．０質量％以上１０．０質量％以下、さらに好ましくは４．０質量％以上１０．０質量％以下である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１５＞  洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する前記成分Ｂの含有量が、好ましくは１５質量％以上、より好ましくは２０質量％以上である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１６＞  洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する前記成分Ｂの含有量が、好ましくは６５質量％以下、より好ましくは６０質量％以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１７＞  洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する前記成分Ｂの含有量が、好ましくは１５質量％以上６５質量％以下、より好ましくは２０質量％以上６０質量％以下である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１８＞  成分Ａと成分Ｂの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）が、好ましくは０．１５以上、より好ましくは０．３５以上である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜１９＞  成分Ａと成分Ｂの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）が、好ましくは３．５以下、より好ましくは２．０以下である、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜２０＞  洗浄剤組成物中の前記成分Ｃの含有量が、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜２１＞  ｐＨが、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、より好ましくは１１．５以上である、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜２２＞  ｐＨが、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１３．０以下である、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜２３＞  アルカリ土類金属は含まない、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜２４＞  ハードディスク基板がガラス製である、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載のハードディスク基板用洗浄剤組成物。
＜２５＞  ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板の浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む、ハードディスク基板の洗浄方法。
＜２６＞  被洗浄基板が、研磨剤で研磨された基板である、＜２５＞記載のハードディスク基板の洗浄方法。
＜２７＞  ハードディスク基板がガラスハードディスク基板である、＜２５＞又は＜２６＞に記載のハードディスク基板の洗浄方法。
＜２８＞  ＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板の浸漬洗浄及び／又はスクラブ洗浄を行うことを含む、ハードディスク基板の製造方法。
＜２９＞  以下の（１）及び（２）を含むハードディスク基板の製造方法。
（１）研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
＜３０＞  被洗浄基板が、研磨剤で研磨された基板である、＜２８＞又は＜２９＞に記載のハードディスク基板の製造方法。
＜３１＞  ハードディスク基板がガラスハードディスク基板である、＜２８＞から＜３０＞のいずれかに記載のハードディスク基板の製造方法。
【００６１】
以下の実施例及び比較例に基づいて本開示を説明するが、本開示はこれに限定されるものではない。
【実施例】
【００６２】
［洗浄剤組成物の調製（実施例１、比較例１〜８）］
添加物、キレート剤、アルカリ剤及び超純水を混合し洗浄剤組成物（実施例１、比較例１〜８）を調製した（ｐＨ１２．３−１２．７）。添加剤は、比較例１には使用せず、その他の実施例・比較例に用いた添加剤は以下の通りである。
実施例１：ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム塩
比較例２：ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩、重量平均分子量≒３０００
比較例３：Ｃ１２アルケニルコハク酸カリウム塩
比較例４：ナフタレントリスルホン酸ナトリウム塩
比較例５：アクリル酸（ＡＡ）／２−アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）共重合体ナトリウム塩、重量平均分子量≒２０００
比較例６：パラトルエンスルホン酸ナトリウム塩
比較例７：ポリオキシエチレン（ＰＯＥ）オレイルエーテル硫酸ナトリウム塩
比較例８：ＰＯＥノニルフェニルエーテル硫酸エステルナトリウム塩
なお、キレート剤は、１―ヒドロキシエタン−１,１―ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）を使用し、アルカリ剤は、ＫＯＨを使用した。
【００６３】
［洗浄剤試験１］
調製した洗浄剤組成物（実施例１、比較例１〜８）を用いて洗浄性試験を下記条件で行った。
（評価用基板）
評価用基板として、アルミノシリケ−ト製のガラス基板（外径：６５ｍｍφ、内径：２０ｍｍφ、厚さ：０．６３５ｍｍ）を用意した。
（研磨条件）
研磨機：両面９Ｂ研磨機（浜井産業社製）  研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製仕上げ研磨用スウェードパッド
研磨剤組成物：コロイダルシリカスラリ−（コロイダルシリカ粒子の個数平均粒径２４ｎｍ、コロイダルシリカ粒子の濃度：８重量％、媒体：水、花王調製品）
予備研磨：荷重４０ｇ／ｃｍ2、時間６０秒、研磨液流量１００ｍＬ／分
本研磨：荷重１００ｇ／ｃｍ2、時間１２００秒、研磨液流量１００ｍＬ／分
水リンス：荷重４０ｇ／ｃｍ2、時間６０秒、リンス水流量約２Ｌ／分
【００６４】
（洗浄方法１）
研磨後の基板（以下、被洗浄基板という）を、ディスク洗浄装置（プレテック社製）にて以下の条件で洗浄した。洗浄槽、すすぎ槽は２セットずつ用意した。
（１）洗浄−１：洗浄剤組成物（実施例１及び比較例１〜８）１５０ｇを入れた洗浄液タンクに超純水を加え、総量１５Ｌとし、洗浄液を調整した。洗浄タンクを４０℃に設定し、洗浄槽に洗浄液を供給し、洗浄槽で洗浄液をオーバーフローさせる。被洗浄基板を洗浄槽に浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ）を照射しながら１２０秒間洗浄する。
（２）すすぎ−１：超純水が供給されるすすぎ槽（４０℃）に被洗浄基板を移し、超音波（４０ｋＨｚ）を照射しながら１２０秒間すすぎを行う。
（３）未使用の洗浄剤組成物（実施例１及び比較例１〜８）が供給される洗浄槽及び未使用の超純水が供給されるすすぎ槽を使用して再度（１）と（２）を繰り返す。
（４）洗浄−２：すすぎ槽内から被洗浄基板を、洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニット（Ａ）に移し、洗浄ブラシに常温（２５℃）の水酸化カリウム水溶液（ｐＨ＝１０．５）を射出し、該洗浄液の存在下で洗浄ブラシを該基板の両面に４００ｒｐｍで回転させながら押し当てることにより、洗浄を２５℃で５秒間行う。
（５）すすぎ−２：未使用のスクラブ洗浄ユニット（Ｂ）に被洗浄基板を移し、２５℃の超純水を射出し、洗浄ブラシを該基板の両面に（４）と同様にしてすすぎを５秒間行う。
（６）再度（４）と（５）を繰り返す。
（７）再度（３）を行う。
（８）すすぎ−３：洗浄された基板を、超純水を入れた樹脂槽に移し、６００秒間２５℃ですすぎを行う。
（９）乾燥：洗浄された基板を、温純水を入れた樹脂槽に移し、３０秒間浸漬した後、９０ｍｍ／分の速度で水滴が残らない様に静かに該基板を引き上げた後、完全に基板表面を乾燥させる。
【００６５】
（洗浄性評価方法）
１００００ｒｐｍで回転している洗浄された基板に、光学式微細欠陥検査装置（  Ｃａｎｄｅｌａ６１００、ＫＬＡＴｅｎｃｏｒ社製）のＭＯＤＥ  Ｑ−Ｓｃａｔｔｅｒでレーザーを照射して、欠陥数（基板上の異物数）の測定を実施した。実施例１及び比較例１〜８の洗浄剤組成物それぞれにつき１０枚ずつの基板について前記測定を行い、平均値を得た。欠陥数が少ないほど洗浄性が高いことを示す。洗浄性を比較例１の場合の欠陥数に対する比で表し、下記の基準で評価した結果を表１に示す。
Ａ：比較例１に対して２５％未満の欠陥数。
Ｂ：比較例１に対して２５％以上、４０％未満の欠陥数。
Ｃ：比較例１に対して４０％以上、６０％未満の欠陥数。
Ｄ：比較例１に対して６０％以上の欠陥数。
（表面粗さの評価方法）
ＡＦＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  ＮａｎｏＳｃｏｐｅ  ＩＩＩａ  Ｍｕｌｔｉ  Ｍｏｄｅ  ＡＦＭ）を用いて、以下に示す条件で、洗浄後の基板の内周縁と外周縁との中央部分を表裏１箇所ずつ測定し、中心線平均粗さＡＦＭ‐Ｒａを測定した。２枚の平均値をＡＦＭ‐Ｒａとした。ＡＦＭ−Ｒａが低いほど平滑性が高いことを示す。表面粗さを比較例１の場合のＡＦＭ−Ｒａに対する比で表し、下記の基準で評価した結果を表１の「平滑性」に示した。
Ａ：比較例１に対して９５％未満のＡＦＭ−Ｒａ
Ｂ：比較例１に対して９５％以上のＡＦＭ−Ｒａ
〔ＡＦＭの測定条件〕
Ｍｏｄｅ：Ｔａｐｐｉｎｇ  ｍｏｄｅ
Ａｒｅａ：１×１μｍ
Ｓｃａｎ  ｒａｔｅ：１．０Ｈｚ
Ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ：ＮＣＨ−１０Ｖ
Ｌｉｎｅ：５１２×５１２
【００６６】
【表１】
2015120817.tif 000004
【００６７】
表１の洗浄性に示すとおり、実施例１の洗浄剤組成物は比較例１〜８に対して高い洗浄性を示した。また、表１の平滑性に示すとおり、実施例１の洗浄剤組成物は比較例１〜８に対して良好な結果を示した。
【００６８】
［洗浄剤試験２：実施例２及び３］
洗浄剤試験１の洗浄方法１における工程（１）、（３）及び（７）で使用する浸漬用の洗浄剤組成物を表２の洗浄剤組成物に替え、工程（４）と（６）でスクラブ射出する液である水酸化カリウム水溶液を表２の洗浄剤組成物の０．５％水溶液に替えたほかは洗浄方法１と同様の方法を用いて洗浄し、同様に洗浄性評価を行った。その評価結果を表２に示す。
【００６９】
【表２】
2015120817.tif 000005
【００７０】
表２の洗浄性が示すとおり、実施例２及び３の洗浄性は、比較例５よりも優れていた。また、実施例３の洗浄性は、実施例２よりも優れていた。よって、実施例１の洗浄剤組成物は、スクラブ用洗浄剤としても、浸漬用洗浄剤としても優れていることが示された。