(57)【要約】【課題】本発明は、蒸着効率の向上した気相蒸着装置を提供する。【解決手段】基板が装着される基板装着部と、基板装着部の方向に第１原料物質を噴射する複数の第１ノズル部と、複数の第１ノズル部と交互に配置され、基板装着部の方向にラジカル状の第２原料物質を噴射する複数の第２ノズル部と、複数の第２ノズル部に第２原料物質を供給するプラズマモジュール部と、を備え、基板装着部は、静電気発生部を備え、静電気発生部は、第２原料物質を基板装着部に誘導することを特徴とする気相蒸着装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が装着される基板装着部と、
前記基板装着部の方向に第１原料物質を噴射する複数の第１ノズル部と、
前記複数の第１ノズル部と交互に配置され、前記基板装着部の方向にラジカル状の第２原料物質を噴射する複数の第２ノズル部と、
前記複数の第２ノズル部に前記第２原料物質を供給するプラズマモジュール部と、を備え、
前記基板装着部は、静電気発生部を備え、前記静電気発生部は、前記第２原料物質を前記基板装着部に誘導することを特徴とする気相蒸着装置。
【請求項２】
前記静電気発生部は、前記基板装着部内に装着された電極を備え、前記電極にはＤＣ電圧が印加される、請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項３】
それぞれの前記複数の第１ノズル部は、前記第１原料物質とパージガスとを選択的に噴射する、請求項１または２に記載の気相蒸着装置。
【請求項４】
それぞれの前記第１ノズル部はスイッチ部と連結され、前記スイッチ部は、前記第１原料物質と前記パージガスとを選択的に前記第１ノズル部に供給する、請求項３に記載の気相蒸着装置。
【請求項５】
前記基板装着部の位置を感知するセンサー部及び前記センサー部から前記基板装着部の位置情報を受信される制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記位置情報によって前記スイッチ部の動作を制御する、請求項４に記載の気相蒸着装置。
【請求項６】
前記スイッチ部は、前記第１ノズル部と連結された流入配管と、前記流入配管と連結された第１原料ガス配管及びパージガス配管と、前記第１原料ガス配管に形成された第１弁と、前記パージガス配管に形成された第２弁と、を備える、請求項４または５に記載の気相蒸着装置。
【請求項７】
前記基板装着部は、前記複数の第１ノズル部の下部で第１方向に沿って移動し、
それぞれの前記第１ノズル部は、前記下部に前記基板装着部が位置する時、前記第１原料物質を噴射する、請求項３から６のうちいずれか１項に記載の気相蒸着装置。
【請求項８】
前記プラズマモジュール部は、プラズマ発生器と、前記プラズマ発生器を取り囲む対応面と、前記プラズマ発生器と前記対応面との間に形成されたプラズマ発生空間と、を備える、請求項１から７のうちいずれか１項に記載の気相蒸着装置。
【請求項９】
それぞれの前記第１ノズル部の下端には、脱着自在の下部プレートが結合され、
それぞれの前記下部プレートには、複数のスリットが形成された、請求項８に記載の気相蒸着装置。
【請求項１０】
前記第１ノズル部と前記第２ノズル部との間に、排気部及びパージ部をさらに備え、前記下部プレートは、それぞれの前記複数の第２ノズル部の下端及びそれぞれの前記パージ部の下端にも結合された、請求項９に記載の気相蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、表示装置及びその他電子素子などは、複数の薄膜を含む。このような複数の薄膜を形成する方法は多様であるが、気相蒸着方法はその一つの方法である。
【０００３】
気相蒸着方法は、薄膜を形成する原料として一つ以上のガスを使う。このような気相蒸着方法は、化学的気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）など多様な方法がある。
【０００４】
このうち原子層蒸着方法は、一つの原料物質を注入した後、パージ及びポンピングを行って、単一分子層またはそれ以上の層を基板に吸着させる。その後、さらに他の原料物質を注入し、パージ及びポンピングを行って、最終的に所望の単一の原子層または複数層の原子層を形成する。
【０００５】
一方、表示装置のうち、有機発光表示装置は、視野角が広くてコントラストに優れているだけではなく、応答速度が速いという長所を持っており、次世代ディスプレイ装置として注目されている。有機発光表示装置は、互いに対向している第１電極と第２電極との間に有機発光層を持つ中間層を含み、その外側に一つ以上の多様な薄膜を含む。この時、有機発光表示装置の薄膜を形成するために蒸着工程が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１０−００５５６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、蒸着効率の向上した気相蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面による気相蒸着装置は、基板が装着される基板装着部と、前記基板装着部の方向に第１原料物質を噴射する複数の第１ノズル部と、前記複数の第１ノズル部と交互に配置され、前記基板装着部の方向にラジカル状の第２原料物質を噴射する複数の第２ノズル部と、前記複数の第２ノズル部に前記第２原料物質を供給するプラズマモジュール部と、を備え、前記基板装着部は、静電気発生部を備え、前記静電気発生部は、前記第２原料物質を前記基板装着部に誘導する。
【０００９】
本実施形態において、前記静電気発生部は、前記基板装着部内に装着された電極を備え、前記電極にはＤＣ電圧が印加される。
【００１０】
本実施形態において、それぞれの前記複数の第１ノズル部は、前記第１原料物質とパージガスとを選択的に噴射する。
【００１１】
本実施形態において、それぞれの前記第１ノズル部はスイッチ部と連結され、前記スイッチ部は、前記第１原料物質と前記パージガスとを選択的に前記第１ノズル部に供給する。
【００１２】
本実施形態において、前記基板装着部の位置を感知するセンサー部及び前記センサー部から前記基板装着部の位置情報を受信される制御部をさらに備え、前記制御部は、前記位置情報によって前記スイッチ部の動作を制御する。
【００１３】
本実施形態において、前記スイッチ部は、前記第１ノズル部と連結された流入配管と、前記流入配管と連結された第１原料ガス配管及びパージガス配管と、前記第１原料ガス配管に形成された第１弁及び前記パージガス配管に形成された第２弁と、を備える。
【００１４】
本実施形態において、前記基板装着部は、前記複数の第１ノズル部の下部で第１方向に沿って移動し、それぞれの前記第１ノズル部は、第１ノズルの下部に前記基板装着部が位置する時、前記第１原料物質を噴射する。
【００１５】
本実施形態において、前記プラズマモジュール部は、プラズマ発生器と、前記プラズマ発生器を取り囲む対応面と、前記プラズマ発生器と前記対応面との間に形成されたプラズマ発生空間と、を備える。
【００１６】
本実施形態において、それぞれの前記第１ノズル部の下端には、脱着自在の下部プレートが結合され、それぞれの前記下部プレートには、複数のスリットが形成されている。
【００１７】
本実施形態において、前記第１ノズル部と前記第２ノズル部との間に、排気部及びパージ部をさらに備え、前記下部プレートは、それぞれの前記複数の第２ノズル部の下端及びそれぞれの前記パージ部の下端にも結合されている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に関する気相蒸着装置は、蒸着効率を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態による気相蒸着装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の気相蒸着装置のＡ部分を概略的に示す断面図である。
【図３】図１の気相蒸着装置の第１ノズル部の断面を概略的に示す断面図である。
【図４】図１の気相蒸着装置の下部プレートを概略的に示す平面図である。
【図５】図１の気相蒸着装置を用いて製造された有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図６】図５のＦの拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明は、多様な修正や変形によって様々な実施形態を持つことができるので、典型的な実施形態を図面に例示し、かつ詳細な説明で詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の実施形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての修正物、変形物、均等物ないし代替物を含むと理解されねばならない。本発明を説明するに際して、かかる公知技術についての具体的な説明が本発明の趣旨を不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００２１】
第１、第２などの用語は、多様な構成要素の説明に使われるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみで使われる。
【００２２】
本願で使った用語は、単に特定の実施形態を説明するために使われたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、特に断らない限り、複数の表現を含む。また各図面で、構成要素は説明の便宜及び明確性のために誇張、省略されるか、または概略的に図示され、各構成要素のサイズは、実際サイズをそのまま反映するものではない。
【００２３】
各構成要素の説明において、“上（on）”または“下（under）”に形成されると記載される場合において、上（on）及び下（under）は、直接または他の構成要素を介在して形成されることをいずれも含み、上（on）及び下（under）についての基準は、図面を基準として説明する。
【００２４】
以下、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当って、同一または対応する構成要素には同一な図面番号を付し、これについての重なる説明は省略する。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態による気相蒸着装置を概略的に示す斜視図、図２は、図１の気相蒸着装置のＡ部分を概略的に示す断面図、図３は、図１の気相蒸着装置の第１ノズル部の断面を概略的に示す断面図、そして、図４は、図１の気相蒸着装置の下部プレートを概略的に示す平面図である。
【００２６】
図１から図４を参照すれば、本発明の一実施形態による気相蒸着装置１００は、基板Ｓが装着される基板装着部Ｐ、基板装着部Ｐの方向に第１原料物質を噴射する複数の第１ノズル部１１０、基板装着部Ｐの方向に第２原料物質を噴射する複数の第２ノズル部１２０、及び、複数の第２ノズル部１２０に第２原料物質を供給するプラズマモジュール部１５０を備える。
【００２７】
一方、図面に図示されていないが、気相蒸着装置１００は、基板Ｓ、基板装着部Ｐなどを収容するチャンバ（図示せず）を備える。チャンバ（図示せず）は、蒸着工程の圧力雰囲気を制御するためにポンプ（図示せず）が連結され、基板Ｓの出入りのための一つ以上の出入口（図示せず）を備え、基板装着部Ｐの移動のための駆動部（図示せず）を備える。
【００２８】
基板装着部Ｐには、基板Ｓが取り付けられることができ、基盤装着部Ｐは、チャンバ（図示せず）の内部に基板Ｓを移送できる。また、基盤装着部Ｐは、基板Ｓを固定できるような固定ユニット（図示せず）を備える。固定ユニット（図示せず）は、クランプ、圧力ユニット、接着物質、またはその他の多様な種類である。基板装着部Ｐは、蒸着工程中に一方向に沿って移動または往復動し、これによって基板Ｓ上に蒸着される薄膜の厚さを調節する。
【００２９】
また、基板装着部Ｐは、静電気発生部を備える。例えば、静電気発生部は、基板装着部Ｐに装着された電極Ｗを備え、電極ＷにＤＣ電圧を印加することで、静電気を発生させる。基板装着部Ｐで発生した静電気は、イオンなどを基板装着部Ｐに誘導する。特に、後述するようにラジカル状の第２原料物質の指向性及び運動性を高めることで、第２原料物質の損失を最小化し、かつ基板Ｓに到逹する第２原料物質を増加させて気相蒸着装置１００の蒸着効率を向上させる。
【００３０】
第１ノズル部１１０は、基板装着部Ｐの方向に第１原料物質を噴射する。第１原料物質は、供給タンク（図示せず）から第１ノズル部１１０に供給されるが、この時、第１原料物質は、水平方向に第１ノズル部１１０に供給される。すなわち、基板装着部Ｐと平行な方向に第１ノズル部１１０に供給された第１原料物質は、第１ノズル部１１０によって基板装着部Ｐの方向に噴射される。
【００３１】
第１ノズル部１１０は、第１原料物質を噴射するだけではなく、選択的にパージガスを噴射する。例えば、第１ノズル部１１０の下部に基板装着部Ｐが位置しない場合、第１ノズル部１１０は、第１原料物質の代わりにパージガスを噴射する。すなわち、第１ノズル部１１０は、基板装着部Ｐの位置によって断続的に第１原料物質を供給できるので、第１原料物質の消費量を低減させる。
【００３２】
このために第１ノズル部１１０は、スイッチ部１７０と連結される。スイッチ部１７０は、第１ノズル部１１０と連結された流入配管１７２、流入配管１７２と連結された第１原料ガス配管１７３及びパージガス配管１７４、第１原料ガス配管１７３に形成された第１弁１７５、及び、パージガス配管１７４に形成された第２弁１７６を備え、第１原料物質及びパージガスを選択的に第１ノズル部１１０に供給する。
【００３３】
具体的に、基板装着部Ｐが第１ノズル部１１０の下部に位置する場合には、第１弁１７５が開かれ、第２弁１７６は閉まることで、第１原料物質が第１ノズル部１１０に供給される。逆に、基板装着部Ｐの移動によって第１ノズル部１１０の下部に基板装着部Ｐが位置しない場合には、第１弁１７５が閉まり、第２弁１７６は開かれることでパージガスが第１ノズル部１１０に供給される。
【００３４】
したがって、第１原料物質の消費量を低減させ、チャンバ（図示せず）内への第１原料物質の噴射を防止して、チャンバ（図示せず）の内部の第１原料物質による汚染を最小化できる。また、第１原料物質のチャンバ（図示せず）内への噴射を防止するために、従来の基板装着部Ｐの両側に設けられていた安定化板（図示せず）を除去でき、これによって、気相蒸着装置１００の長さを縮められる。
【００３５】
一方、気相蒸着装置１００は、基板装着部Ｐの位置によってスイッチ部１７０の動作を制御するため、基板装着部Ｐの位置を感知するセンサー部（図示せず）と、センサー部（図示せず）から基板装着部Ｐの位置情報を受信してスイッチ部１７０の動作を制御する制御部（図示せず）と、を備える。
【００３６】
第１ノズル部１１０の下端には、下部プレート１６０が脱着自在に結合される。下部プレート１６０はシャワーヘッドであり、板状の本体１６２と、第１原料物質を一定に噴射するように本体１６２に形成された複数のスリット１６４と、を備える。図４では、複数のスリット１６４らが一列に形成された例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の列または円形をなすように形成されることもできる。下部プレート１６０は第１ノズル部１１０に脱着自在に結合することで、入れ替え及びクリーニング作業が容易である。また、下部プレート１６０は、複数の第２ノズル部１２０及びパージ部１３０ａ、１３０ｂの下端にも脱着自在に結合される。
【００３７】
第２ノズル部１２０は、第１ノズル部１１０と交互に配置され、ラジカル状の第２原料物質を基板装着部Ｐの方向に噴射する。ラジカル状の第２原料物質は、プラズマモジュール部１５０を通じて第２ノズル部１２０に供給される。
【００３８】
プラズマモジュール部１５０は、チャンバ（図示せず）の内部または外部に位置し、プラズマを発生させるためのプラズマ発生部（図示せず）を備える。
【００３９】
プラズマ発生部（図示せず）は、電圧が印加されるプラズマ発生器、プラズマ発生器を取り囲む対応面、及び、プラズマ発生器（図示せず）と上記の対応面との間に形成されたプラズマ発生空間を備える。プラズマ発生器は、電圧が印加される円筒状の電極であり、対応面は、プラズマ発生器を取り囲むように形成された電極であって、接地された電極である。しかし、本発明はこれらに限定されず、プラズマ発生器が接地され、対応面に電圧が印加されてもよい。
【００４０】
このようなプラズマ発生部（図示せず）は、プラズマ発生器にパルス電圧を印加してプラズマ発生器と対応面との間に電位差を発生させれば、プラズマ発生空間でプラズマが発生し、プラズマが発生したプラズマ発生空間（図示せず）に第２原料物質を注入すれば、第２原料物質はラジカル状になる。また、蒸着工程の進行中の領域と離隔されたプラズマモジュール部１５０内にプラズマが形成されるので、プラズマによる基板Ｓの損傷が防止される。
【００４１】
一方、プラズマモジュール部１５０と第２ノズル部１２０との間には、拡散部１５２が位置する。拡散部１５２は、プラズマモジュール部１５０から供給された第２原料物質を拡散させて、複数の第２ノズル部１２０に分配する。
【００４２】
例えば、拡散部１５２は、複数の第２ノズル部１２０と連結された配管（図示せず）を備える。または、拡散部１５２は、複数のプレート（図示せず）を備えるように構成される。複数のプレート（図示せず）は複数層で構成され、それぞれのプレート（図示せず）には第２原料物質が通過する複数のホールが形成されることで、第２原料物質の移動経路を調節して、複数の第２ノズル部１２０に第２原料物質を均一に供給する。
【００４３】
複数の第２ノズル部１２０によって噴射された第２原料物質は、基板装着部Ｐで発生する静電気によって基板装着部Ｐの方向に誘導される。すなわち、ラジカル状の第２原料物質の指向性及び運動性が増加することで、容易に消滅するラジカル状の第２原料物質がより容易に基板Ｓに到逹するので、第２原料物質の損失を最小化し、かつ基板Ｓに到逹する第２原料物質を増加させて、気相蒸着装置１００の蒸着効率を向上させる。
【００４４】
第１ノズル部１１０と第２ノズル部１２０との間には、パージ部１３０ａ、１３０ｂ及び排気部１４０ａ、１４０ｂがさらに設けられる。
【００４５】
パージ部１３０ａ、１３０ｂは、図面で基板装着部ＰがＹ方向に移動すると仮定すると、基板装着部Ｐの移動方向を基準として、第１ノズル部１１０の次に位置する第１パージ部１３０ａと、第２ノズル部１２０の次に位置する第２パージ部１３０ｂを備える。同様に、排気部１４０ａ、１４０ｂは、基板装着部Ｐの移動方向を基準として、第１ノズル部１１０の次に位置する第１排気部１４０ａと、第２ノズル部１２０の次に位置する第２排気部１４０ｂを備える。
【００４６】
第１パージ部１３０ａ及び第２パージ部１３０ｂは、パージガスを基板Ｓ方向に噴射する。パージガスは、蒸着に影響を与えないガス、例えば、アルゴンガスや窒素ガスなどである。
【００４７】
第１排気部１４０ａ及び第２排気部１４０ｂは、パージガスによって基板Ｓから分離された副産物や、反応に関与しない余分の第１、２原料物質などを排出する。
【００４８】
以下では、図１から図３を参照して、気相蒸着装置１００によって基板Ｓ上に薄膜を形成する方法を説明する。また、以下では、基板装着部Ｐが図１のＹ方向に移動する途中で、基板Ｓ上にＡｌｘＯｙ薄膜が形成される例を挙げて説明する。但し、本発明はこれに限らず、基板装着部Ｐは往復動してもよい。
【００４９】
先ず、被蒸着材である基板Ｓが基板装着部Ｐに装着され、基板装着部Ｐが第１ノズル部１１０の下部に位置すれば、センサー部（図示せず）によって基板装着部Ｐの位置が感知され、これを受信した制御部（図示せず）の制御によって第１ノズル部１１０は、基板Ｓ方向に第１原料物質を噴射する。
【００５０】
第１原料物質は、例えば、ガス状態のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）のようなアルミニウム（Ａｌ）原子を含むガスである。これを通じて基板Ｓの上面にはＡｌを含む吸着層が形成されるが、形成される吸着層は、化学的吸着層及び物理的吸着層をいずれも含むことが可能である。このうち、分子間結合力の弱い物理的吸着層は、基板Ｓの進行方向を基準として、第１ノズル部１１０の次に位置する第１パージ部１３０ａから噴射されたパージガスによって基板Ｓから分離される。また、基板Ｓから分離された物理的吸着層は、基板Ｓの進行方向を基準として、第１ノズル部１１０の次に位置する第１排気部１４０ａのポンピングを通じて効率的に基板Ｓから除去される。
【００５１】
次いで、基板装着部Ｐは、Ｙ方向に沿って移動し続け、第２ノズル部１２０は、基板Ｓに向けて第２原料物質を噴射する。第２原料物質はラジカル状であり、基板Ｓに既に吸着されている第１原料物質で形成された化学的吸着層と反応するか、または化学的吸着層の一部を置換して最終的に所望の蒸着層、例えば、ＡｌｘＯｙ層を形成する。但し、過剰の第２原料物質は、物理的吸着層をなして基板Ｓ上に残存する。
【００５２】
基板Ｓ上に残存する第２原料物質の物理的吸着層は、基板Ｓの進行方向を基準として、第２ノズル部１２０の次に位置する第２パージ部１３０ｂから噴射されたパージガスによって基板Ｓから分離され、基板Ｓの進行方向を基準として第２ノズル部１２０の次に位置する第２排気部１４０ｂのポンピングを通じて効率的に基板Ｓから除去される。よって、基板Ｓ上には所望の単一の原子層が形成される。
【００５３】
一方、基板装着部Ｐは、第２原料物質を基板装着部Ｐ側に誘導するための静電気発生部を備える。このため、第２原料物質の指向性及び運動性が増加し、上記の化学反応に関与する第２原料物質の量が増加するので、気相蒸着装置１００の蒸着効率が向上する。
【００５４】
また、基板装着部ＰがＹ方向に移動し続けることで、基板装着部Ｐが第１ノズル部１１０の下部から外れれば、センサー部（図示せず）に基板装着部Ｐの位置が感知され、これを受信した制御部（図示せず）はスイッチ部１７０を制御し、第１ノズル部１１０は第１原料物質の代わりにパージガスを噴射する。よって、第１原料物質の消費を低減させ、且つチャンバ（図示せず）の内部の第１原料物質による汚染を最小化する。
【００５５】
図５は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法によって製造された有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図６は、図５のＦ部分の拡大図である。
具体的に、図５及び図６は、前述した気相蒸着装置１００（図１）を用いて製造された有機発光表示装置を示す。
【００５６】
有機発光表示装置１０は、基板３０上に形成される。基板３０は、ガラス材、プラスチック材、または金属材で形成される。
基板３０上には基板３０の上部に平坦面を提供し、基板３０方向への水分及び異物の侵透を防止するように絶縁物を含むバッファ層３１が形成されている。
【００５７】
バッファ層３１上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４０と、キャパシタ５０と、有機発光素子６０と、が形成される。ＴＦＴ４０は、活性層４１、ゲート電極４２、ソース／ドレイン電極４３などを備える。有機発光素子６０は、第１電極６１、第２電極６２、及び中間層６３を備える。
キャパシタ５０は、第１キャパシタ電極５１及び第２キャパシタ電極５２を備える。
【００５８】
具体的にバッファ層３１の上面には、所定パターンで形成された活性層４１が配置される。活性層４１は、シリコンのような無機半導体物質、有機半導体物質、または酸化物半導体物質を含み、ｐ型またはｎ型のドーパントを注入して形成される。活性層４１と同一層に第１キャパシタ電極５１が形成されるが、活性層４１と同じ材質で形成される。
【００５９】
活性層４１の上部にはゲート絶縁膜３２が形成される。ゲート絶縁膜３２の上部には、活性層４１と対応してゲート電極４２が形成される。ゲート電極４２を覆うように層間絶縁膜３３が形成され、層間絶縁膜３３上にソース／ドレイン電極４３が形成され、ソース／ドレイン電極４３は活性層４１の所定の領域と接触する。ソース／ドレイン電極４３と同一層に第２キャパシタ電極５２が形成されるが、ソース／ドレイン電極４３と同じ材質で形成される。
【００６０】
ソース／ドレイン電極４３を覆うように不活性化層３４が形成され、不活性化層３４の上部には、ＴＦＴ４０の平坦化のために別途の絶縁膜がさらに形成されることができる。
【００６１】
不活性化層３４上に第１電極６１を形成する。第１電極６１は、ソース／ドレイン電極４３のいずれか一つと電気的に連結されるように形成される。そして、第１電極６１を覆うように画素定義膜３５が形成される。この画素定義膜３５に所定の開口６４が形成された後、この開口６４に限定された領域内には、有機発光層を備える中間層６３が形成される。中間層６３上に第２電極６２が形成される。
【００６２】
第２電極６２上に封止層７０を形成する。封止層７０は、有機物または無機物を含み、有機物と無機物とを交互に積層した構造である。
【００６３】
封止層７０は、本発明の前述した気相蒸着装置１００（図１）を用いて形成される。即ち、第２電極６２が形成された基板３０を本発明の前述した気相蒸着装置１００（図１）に通過させつつ所望の層を形成する。
【００６４】
特に、封止層７０は、無機層７１及び有機層７２を備え、無機層７１は、複数の層７１ａ、７１ｂ、７１ｃを備え、有機層７２は、複数の層７２ａ、７２ｂ、７２ｃを備える。この時、本発明の気相蒸着装置１００（図１）を用いて無機層７１の複数の層７１ａ、７１ｂ、７１ｃを形成する。
【００６５】
しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。すなわち、有機発光表示装置１０のバッファ層３１、ゲート絶縁膜３２、層間絶縁膜３３、不活性化層３４及び画素定義膜３５などその他の絶縁膜を、本発明の気相蒸着装置１００（図１）で形成することもできる。
【００６６】
また、活性層４１、ゲート電極４２、ソース／ドレイン電極４３、第１電極６１、中間層６３及び第２電極６２などその他の多様な薄膜を、本発明の気相蒸着装置１００（図１）で形成することもできる。
【００６７】
前述したように、本発明の気相蒸着装置１００（図１）を用いる場合、有機発光表示装置１０に形成される蒸着膜特性を向上させ、結果的に有機発光表示装置１０の電気的特性及び画質特性を向上させる。
【００６８】
以上、図面に示された実施形態を参照として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な修正や変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、気相蒸着装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００７０】
Ｐ  基板装着部
Ｓ  基板
Ｗ  電極
１０  有機発光表示装置
３０  基板
３１  バッファ層
３２  ゲート絶縁膜
３３  層間絶縁膜
３４  不活性化層
３５  画素定義膜
４０  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
４１  活性層
４２  ゲート電極
４３  ソース／ドレイン電極
５０  キャパシタ
５１  第１キャパシタ電極
５２  第２キャパシタ電極
６０  有機発光素子
６１  第１電極
６２  第２電極
６３  中間層
６４  開口
７０  封止層
７１、７１ａ、７１ｂ、７１ｃ  無機層
７２、７２ａ、７２ｂ、７２ｃ  有機層
１００  気相蒸着装置
１１０  第１ノズル部
１２０  第２ノズル部
１５０  プラズマモジュール部
１５２  拡散部
１６０  下部プレート
１６２  本体
１６４  スリット
１７０  スイッチ部
１７２  流入配管
１７３  第１原料ガス配管
１７４  パージガス配管
１７５  第１弁
１７６  第２弁
１３０ａ  第１パージ部
１３０ｂ  第２パージ部
１４０ａ  第１排気部
１４０ｂ  第２排気部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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