(57)【要約】【課題】  封止シートのはみ出しを防止できるとともに、凹凸を良好に埋め込むことができる電子デバイスの封止方法を提供する。【解決手段】  第１の本発明は、基板上に配置された電子デバイスの上に封止シートと離型フィルムをこの順に配置する工程と、減圧雰囲気下で、基板、電子デバイス及び封止シートを離型フィルムで覆って、離型フィルムにより密閉された密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の内部より高めることによって生じた圧力差を利用して、封止シートで電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスの封止方法に関する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及び前記基板上に配置された電子デバイスを備えるデバイス付き基板、
前記デバイス付き基板上に配置された封止シート、並びに
前記封止シートと接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層体の
前記周辺部を前記基板と接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記封止シートで覆う工程とを含み、
前記封止シートが無機充填剤を含み、
前記封止シート中の前記無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％であり、
前記封止シートは、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、
前記最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである電子デバイスの封止方法。
【請求項２】
前記離型フィルムの常温における引張破断伸びが３０〜３００％である請求項１に記載の電子デバイスの封止方法。
【請求項３】
前記封止シートと前記離型フィルムとの密着力が、０．１Ｎ／２０ｍｍ以下である請求項１又は２に記載の電子デバイスの封止方法。
【請求項４】
前記離型フィルム及び前記離型フィルム上に積層された前記封止シートを備える封止シート付き離型フィルムを減圧雰囲気下で前記デバイス付き基板上に配置することにより、前記積層体を形成する工程をさらに含む請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイスの封止方法。
【請求項５】
基板及び前記基板上に配置された電子デバイスを備えるデバイス付き基板、
前記デバイス付き基板上に配置された封止シート、並びに
前記封止シートと接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層体の
前記周辺部を前記基板と接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記封止シートで覆う工程とを含み、
前記封止シートが無機充填剤を含み、
前記封止シート中の前記無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％であり、
前記封止シートは、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、
前記最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記離型フィルム及び前記離型フィルム上に積層された前記封止シートを備える封止シート付き離型フィルムを減圧雰囲気下で前記デバイス付き基板上に配置することにより、前記積層体を形成する工程をさらに含む請求項５に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項７】
基板及び前記基板上に配置された電子デバイスを備えるデバイス付き基板、
前記デバイス付き基板上に配置された封止シート、並びに
前記封止シートと接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層体の
前記周辺部を前記基板と接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスの封止方法に使用するための封止シートであって、
無機充填剤を含み、
前記無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％であり、
昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、
前記最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである封止シート。
【請求項８】
キャリア、前記キャリア上に配置された粘着剤及び前記粘着剤上に配置された電子デバイスを備えるデバイス仮固定体、
前記デバイス仮固定体上に配置された封止シート、並びに
前記封止シートと接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層構造体の
前記周辺部を前記キャリアと接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記封止シートで覆う工程とを含み、
前記封止シートが無機充填剤を含み、
前記封止シート中の前記無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％であり、
前記封止シートは、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、
前記最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである電子デバイスの封止方法。
【請求項９】
キャリア、前記キャリア上に配置された粘着剤及び前記粘着剤上に配置された電子デバイスを備えるデバイス仮固定体、
前記デバイス仮固定体上に配置された封止シート、並びに
前記封止シートと接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層構造体の
前記周辺部を前記キャリアと接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記封止シートで覆う工程とを含み、
前記封止シートが無機充填剤を含み、
前記封止シート中の前記無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％であり、
前記封止シートは、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、
前記最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項１０】
キャリア、前記キャリア上に配置された粘着剤及び前記粘着剤上に配置された電子デバイスを備えるデバイス仮固定体、
前記デバイス仮固定体上に配置された封止シート、並びに
前記封止シートと接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層構造体の
前記周辺部を前記キャリアと接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスの封止方法に使用するための封止シートであって、
無機充填剤を含み、
前記無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％であり、
昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、
前記最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである封止シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの封止方法、電子デバイスパッケージの製造方法及び封止シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの封止方法として、基板上に配置された電子デバイスを封止シートで封止する方法が知られている。
【０００３】
特許文献１は、真空状態の真空チェンバー内において、基板、電子デバイス及び加熱軟化した封止シートがこの順に配置された積層体を離型フィルムで覆って、基板、電子デバイス及び封止シートを収容する真空の密閉空間を形成した後、チャンバー内に大気圧以上のガスを導入して、封止シートを電子デバイス及び基板に密着させて、電子デバイスを封止する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５１８９１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の封止方法は、電子デバイスなどの封止対象を均一に加圧できる。しかしながら、加熱して軟化させた封止シートが、基板からはみ出してしまう（封止シートが封止対象エリア外へはみ出してしまう）ことがある。また、電子デバイスを要素とする凹凸に封止シートが追従できず、凹凸を埋め込みできないことがある。
【０００６】
本発明は前記課題を解決し、封止シートのはみ出しを防止できるとともに、凹凸を良好に埋め込むことができる電子デバイスの封止方法、電子デバイスパッケージの製造方法及び封止シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の本発明は、基板及び基板上に配置された電子デバイスを備えるデバイス付き基板、
デバイス付き基板上に配置された封止シート、並びに
封止シートと接する中央部及び中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層体の
周辺部を基板と接するステージに押し付けることにより、ステージ及び離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスの封止方法に関する。
【０００８】
第１の本発明の封止方法では、基板、電子デバイス及び封止シートを収容する密閉空間の内外の圧力差を利用して、電子デバイスを封止する。第１の本発明の封止方法では、例えば、特許第５１８９１９４号公報に記載の真空加熱接合装置を用いることができる。
【０００９】
第１の本発明の封止方法は、無機充填剤の含有量が６０体積％以上であり、最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０Ｐａ・ｓ以上の封止シートを用いるので、封止シートのはみ出しを防止できる。また、無機充填剤の含有量が９０体積％以下であり、最低複素粘度η＊が３０００Ｐａ・ｓ以下の封止シートを用いるので、凹凸を良好に埋め込むことができる。
【００１０】
前記離型フィルムの常温における引張破断伸びが３０〜３００％であることが好ましい。これにより、基板上の電子デバイスの凹凸に対し追従性良く封止を行うことができる。
【００１１】
前記封止シートと前記離型フィルムとの密着力が、０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、離型フィルムを封止シートから良好に剥離できる。
【００１２】
第１の本発明の封止方法は、離型フィルム及び離型フィルム上に積層された封止シートを備える封止シート付き離型フィルムを減圧雰囲気下でデバイス付き基板上に配置することにより、積層体を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
【００１３】
減圧雰囲気下で封止シートを電子デバイスと接触させるため、封止シートと電子デバイスの間へのボイドの入り込み、及び封止シートと基板の間へのボイドの入り込みを防止できる。電子デバイスパッケージを連続して封止する場合、真空熱加圧装置内が高温となりボイドが入り込み易いが、本工程では、ボイドの入り込みを防止できるため、連続運転が可能となり、生産性を向上できる。
【００１４】
第１の本発明はまた、積層体の周辺部を基板と接するステージに押し付けることにより、ステージ及び離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
【００１５】
第１の本発明はまた、積層体の周辺部を基板と接するステージに押し付けることにより、ステージ及び離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスの封止方法に使用するための封止シートに関する。第１の本発明の封止シートは、無機充填剤を含み、無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％である。第１の本発明の封止シートは、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである。
【００１６】
第２の本発明は、キャリア、キャリア上に配置された粘着剤及び粘着剤上に配置された電子デバイスを備えるデバイス仮固定体、
デバイス仮固定体上に配置された封止シート、並びに
封止シートと接する中央部及び中央部の周辺に配置された周辺部を備える離型フィルムを備える積層構造体の
周辺部をキャリアと接するステージに押し付けることにより、ステージ及び離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスの封止方法に関する。
【００１７】
第２の本発明の封止方法では、密閉容器の内外の圧力差を利用して、電子デバイスを覆う。第２の本発明の封止方法では、例えば、特許第５１８９１９４号公報に記載の真空加熱接合装置を用いることができる。
【００１８】
第２の本発明の封止方法は、無機充填剤の含有量が６０体積％以上であり、最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０Ｐａ・ｓ以上の封止シートを用いるので、封止シートのはみ出しを防止できる。また、無機充填剤の含有量が９０体積％以下であり、最低複素粘度η＊が３０００Ｐａ・ｓ以下の封止シートを用いるので、凹凸を良好に埋め込むことができる。
第２の本発明の封止方法は、離型フィルム及び離型フィルム上に積層された封止シートを備える封止シート付き離型フィルムを減圧雰囲気下でデバイス仮固定体上に配置することにより、積層構造体を形成する工程をさらに含んでもよい。減圧雰囲気下で封止シートを電子デバイスと接触させるため、封止シートと電子デバイスの間へのボイドの入り込み、及び封止シートと粘着剤の間へのボイドの入り込みを防止できる。
【００１９】
第２の本発明はまた、積層構造体の周辺部をキャリアと接するステージに押し付けることにより、ステージ及び離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
【００２０】
第２の本発明はまた、積層構造体の周辺部をキャリアと接するステージに押し付けることにより、ステージ及び離型フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを封止シートで覆う工程とを含む電子デバイスの封止方法に使用するための封止シートに関する。第２の本発明の封止シートは、無機充填剤を含み、無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％である。第２の本発明の封止シートは、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】真空熱加圧装置の概略図である。
【図２】基板置台上に、基板、電子デバイス、封止シート、離型フィルムをこの順に配置した様子を模式的に示す図である。
【図３】上ヒータ板、上枠部材及び下板部材によって真空隔壁を形成した様子を模式的に示す図である。
【図４】基板、電子デバイス及び封止シートを離型フィルムで覆って、基板、電子デバイス及び封止シートを収容する密閉空間を形成した様子を模式的に示す図である。
【図５】真空チェンバーにガスを導入して、封止シートを電子デバイスに押しつけた様子を模式的に示す図である。
【図６】天板により電子デバイスパッケージを平坦化する様子を模式的に示す図である。
【図７】封止シート付き離型フィルムを枠状押え部に固定した様子を模式的に示す図である。
【図８】上ヒータ板、上枠部材及び下板部材によって真空隔壁を形成した様子を模式的に示す図である。
【図９】基板、電子デバイス及び封止シートを離型フィルムで覆って、基板、電子デバイス及び封止シートを収容する密閉空間を形成した様子を模式的に示す図である。
【図１０】真空チェンバーにガスを導入して、封止シートを電子デバイスに押しつけた様子を模式的に示す図である。
【図１１】天板により電子デバイスパッケージを平坦化する様子を模式的に示す図である。
【図１２】ステージ上に積層構造体を配置した様子の概略を示す断面図である。
【図１３】チップ仮固定体の概略断面図である。
【図１４】真空チェンバーを形成した様子の概略を示す断面図である。
【図１５】チップ仮固定体及び封止シートを格納する密閉容器を形成した様子の概略を示す断面図である。
【図１６】密閉容器の外部の圧力を大気圧にした様子の概略を示す断面図である。
【図１７】密閉容器の内外の圧力差を利用して封止体を形成した様子の概略を示す断面図である。
【図１８】封止体の横にスペーサーを配置した様子の概略を示す断面図である。
【図１９】封止体を平板で押さえつけた様子の概略を示す断面図である。
【図２０】硬化体などの概略断面図である。
【図２１】硬化体の概略断面図である。
【図２２】硬化体上にバッファーコート膜を形成した様子の概略を示す断面図である。
【図２３】バッファーコート膜上にマスクを配置した状態で、バッファーコート膜に開口を形成する様子の概略を示す断面図である。
【図２４】マスク除去後の様子の概略を示す断面図である。
【図２５】シード層上に、レジストを形成した様子の概略を示す断面図である。
【図２６】シード層上にめっきパターンを形成した様子の概略を示す断面図である。
【図２７】再配線を形成した様子の概略を示す断面図である。
【図２８】再配線上に保護膜を形成した様子の概略を示す断面図である。
【図２９】保護膜に開口を形成した様子の概略を示す断面図である。
【図３０】再配線上に電極を形成した様子の概略を示す断面図である。
【図３１】電極上にバンプを形成した様子の概略を示す断面図である
【図３２】再配線体をダイシングすることにより得られた半導体パッケージの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に実施形態を掲げ、第１及び第２の本発明を詳細に説明するが、第１及び第２の本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００２３】
［実施形態１］
（真空熱加圧装置）
まず、実施形態１の封止方法で使用する真空熱加圧装置（真空加熱接合装置）について説明する。
【００２４】
図１に示すように、真空熱加圧装置において、基台１上に加圧シリンダ下板２が配置され、加圧シリンダ下板２上にスライド移動テーブル３がスライドシリンダ４によって真空熱加圧装置内外を移動可能に配置されている。スライド移動テーブル３の上方には、下ヒータ板５が断熱配置されており、下ヒータ板５の上面には下板部材６が配置され、下板部材６の上面には基板置台７（以下、基板置台７をステージ７ともいう）が配置されている。
【００２５】
加圧シリンダ下板２の上には複数の支柱８が配置立設され、支柱８の上端部には加圧シリンダ上板９が固定されている。支柱８は基台１上に直接立設してもよい。加圧シリンダ上板９の下方には支柱８を通して中間移動部材（中間部材）１０が配置されており、中間移動部材１０の下方には断熱板を介して上ヒータ板１１が固定され、上ヒータ板１１の下面の外周部には上枠部材１２が気密に固定され下方に延びている。また、上ヒータ板１１の下面で上枠部材１２の内方には内方枠体１３が固定されている。上ヒータ板１１は、例えば離型フィルム２４及び封止シート２３の軟化用のヒータとして機能できる。下ヒータ板５は、例えば基板２１の予熱用ヒータとして機能できる。また、上ヒータ板１１の下面上で内方枠体１３の内方には天板１７（以下、平板１７ともいう）が固定されている。
【００２６】
内方枠体１３は、下端部の枠状押え部１３ａとそれから上方に延びるロッド１３ｂとを備え、ロッド１３ｂの周りにはスプリングが配置され、ロッド１３ｂは上ヒータ板１１の下面に断熱固定されている。枠状押え部１３ａはロッド１３ｂに対してスプリングにより下方に付勢されている。枠状押え部１３ａとステージ７の間に離型フィルム２４を気密に保持できる。
【００２７】
加圧シリンダ上板９の上面には加圧シリンダ１４が配置され、加圧シリンダ１４のシリンダロッド１５は加圧シリンダ上板９を通って中間移動部材１０の上面に固定され、加圧シリンダ１４によって、中間移動部材１０と上ヒータ板１１と上方枠体１２とが上下に一体的に移動可能となっている。図１において、Ｓは、加圧シリンダ１４による中間移動部材１０と上ヒータ板１１と上方枠体１２の下方の移動を規制するストッパーであり、下降して加圧シリンダ１４本体の上面のストッパープレートに当接するようになっている。加圧シリンダ１４としては、油圧シリンダ、空圧シリンダ、サーボシリンダなどが使用される。
【００２８】
加圧シリンダ１４で上枠部材１２を引き上げた状態から下降させることにより、上枠部材１２の下端部を下板部材６の外周部端部に設けた段差部に気密に摺動させることができる。これにより、上ヒータ板１１、上枠部材１２及び下板部材６を備える真空隔壁（以下、真空隔壁を格納容器ともいう）を形成できる。なお、上枠部材１２には真空隔壁の内部（以下、真空隔壁の内部を真空チェンバーともいう）を真空引きし、加圧するための真空・加圧口１６が設けられている。
【００２９】
真空チェンバーを開いた状態で、スライドシリンダ４によって、スライド移動テーブル３、下ヒータ板５及び下板部材６を一体として外部に引き出すことができる。これらを引き出した状態で、ステージ７の上に、基板２１などを配置できる。
【００３０】
次に、実施形態１の封止方法の各工程について説明する。
【００３１】
（配置工程）
図２に示すように、ステージ７上に積層体４１を配置する。積層体４１は、デバイス付き基板４２、デバイス付き基板４２上に配置された封止シート２３及び封止シート２３上に配置された離型フィルム２４を備える。
【００３２】
デバイス付き基板４２は、基板２１及び基板２１上に配置された電子デバイス２２を備える。
【００３３】
離型フィルム２４は、封止シート２３と接する中央部２４ａ及び中央部２４ａの周辺に配置された周辺部２４ｂを備える．
【００３４】
なお、配置工程では、例えば、基板２１上に配置された電子デバイス２２の上に封止シート２３と離型フィルム２４をこの順に配置してもよい。
【００３５】
離型フィルム２４の外形寸法は、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３を覆うことが可能な大きさである。
【００３６】
封止シート２３の外形寸法は、電子デバイス２２を封止可能な大きさである。例えば、ステージ７と枠状押え部１３ａの間に離型フィルム２４を気密に保持した場合に、封止シート２３はステージ７と枠状押え部１３ａの間に挟まれない大きさである。
【００３７】
封止シート２３は、後で詳細に説明する。
【００３８】
電子デバイス２２としては特に限定されず、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタや、圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスや、ＬＳＩなどのＩＣ（集積回路）や、トランジスタなどの半導体；コンデンサ；抵抗などが挙げられる。
【００３９】
基板２１としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板などが挙げられる。
【００４０】
基板２１としては、プラズマ処理を施したものが好ましい。プラズマ化する気体としては、アルゴンなどが挙げられる。これにより、電気的接続の信頼性を向上できる。
【００４１】
離型フィルム２４の材質としては特に限定されず、例えば、フッ素系フィルム、ポリオレフィン系フィルムなどが挙げられる。なかでも、耐熱性と引っ張り伸び特性が良いという理由から、ポリ−４−メチルペンテン−１が好ましい。
【００４２】
離型フィルム２４の常温における引張破断伸びは好ましくは３０％以上、より好ましくは４０％以上である。３０％以上であると、成型時の凹凸追従性が良い。離型フィルム２４の常温における引張破断伸びは好ましくは３００％以下、より好ましくは１００％以下である。３００％以下であると、剥離作業がし易い。
引張破断伸びは、ＡＳＴＭ  Ｄ８８２に従って測定できる。
【００４３】
離型フィルム２４の軟化温度は特に限定されないが、好ましくは８０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。８０℃以下であると、成型時の凹凸追従性が良い。また、離型フィルム２４の軟化温度は、好ましくは０℃以上である。
なお、引っ張り弾性率が３００ＭＰａとなる温度を軟化温度とする。
【００４４】
離型フィルム２４の表面は、凹凸形状が好ましい。これにより、離型フィルム２４を封止シート２３から良好に剥離できる。
【００４５】
離型フィルム２４の厚さは特に限定されないが、好ましくは１０μｍ〜２００μｍである。上記範囲内であると、良好に電子デバイス２２を封止できる。
【００４６】
（真空隔壁形成工程）
図３は、上ヒータ板１１、上枠部材１２及び下板部材６によって真空隔壁を形成した様子を模式的に示す図である。図３に示すように、加圧シリンダ１４により上ヒータ板１１を下降させ、上枠部材１２の下端部を下板部材６の外縁部の段差に気密に摺動させて真空隔壁を形成する。真空隔壁の内部に真空チェンバーを形成した段階で、上ヒータ板１１の下降を停止する。
【００４７】
（真空引き工程）
真空引き工程では、真空引きを行い、真空チェンバー内を減圧状態（好ましくは真空状態）とした後、離型フィルム２４と封止シート２３を加熱し、軟化させる。なお、離型フィルム２４と封止シート２３の加熱は、真空引き前、真空引き中に行ってもよい。
【００４８】
離型フィルム２４と封止シート２３の加熱温度は、５０℃〜１５０℃が好ましい。
【００４９】
図３に示すように、封止シート２３は、電子デバイス２２と接する接触部から接触部の周辺に向かって傾斜している。また、離型フィルム２４は、中央部２４ａから周辺部２４ｂに向かって傾斜している。周辺部２４ｂの一部はステージ７と接している。
【００５０】
（密閉空間形成工程）
図４に示すように、上ヒータ板１１を更に下降させて、内方部材１３の下端部の下面で、離型フィルム２４をステージ７に押さえつけて、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３を離型フィルム２４で覆う。これにより、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３を収容する密閉空間を形成する。
すなわち、枠状押え部１３ａで周辺部２４ｂをステージ７に押さえつけることにより、密閉容器１２１を形成する。密閉容器１２１は、ステージ７及び離型フィルム２４を備える。密閉容器１２１の内部（密閉空間）には、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３が配置されている。なお、真空チェンバー内を減圧状態にした後に密閉空間を形成するため、密閉空間の内部及び外部は減圧状態である。
【００５１】
（封止工程）
図５に示すように、真空・加圧口１６を通して真空チェンバーにガスを導入して、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の内部より高めて、封止シート２３を電子デバイス２２に押しつける。これにより、封止シート２３で電子デバイス２２が封止された電子デバイスパッケージを得ることができる。ガスとしては特に限定されず、空気、窒素などが挙げられる。また、ガス圧力は特に限定されないが、大気圧以上が好ましい。ガス導入により、密閉空間の外部の圧力を大気圧以上に高められる。電子デバイスパッケージは、デバイス付き基板４２及びデバイス付き基板４２上に配置された樹脂層を備える。
【００５２】
図６に示すように、ガス導入後、天板１７を下降させて、離型フィルム２４を介して電子デバイスパッケージを加圧することにより、電子デバイスパッケージの離型フィルム２４側の面を平坦化してもよい。これにより、電子デバイスパッケージの厚みを均一化できる。加圧する圧力としては、０．５〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。
【００５３】
（その他の工程）
電子デバイスパッケージを加熱することにより、樹脂層を硬化させる。次いで、電子デバイスパッケージ上にバンプを設ける。次いで、電子デバイスパッケージをダイシングしてチップ化してもよい。
【００５４】
なお、電子デバイスパッケージに再配線を形成してもよい。
【００５５】
（封止シート２３）
次に、封止シート２３について説明する。
【００５６】
封止シート２３は、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである。最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０Ｐａ・ｓ以上であるので、はみ出しを防止できる。一方、最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０００Ｐａ・ｓ以下であるので、凹凸を良好に埋め込むことができる。
【００５７】
最低複素粘度η＊は、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上である。また、最低複素粘度η＊は、好ましくは２５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以下である。
【００５８】
最低複素粘度η＊は、無機充填剤の含有量、無機充填剤の種類、有機成分の溶融粘度によりコントロールできる。
【００５９】
最低複素粘度η＊を示す温度は、主には硬化触媒の種類と量によりコントロールできる。
【００６０】
最低複素粘度η及び最低複素粘度η＊を示す温度は、実施例に記載の方法で測定できる。
【００６１】
封止シート２３は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを好適に使用できる。
【００６２】
エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
【００６３】
エポキシ樹脂としては特に限定しないが、硬化前の可とう性及び硬化後の成型物硬度、強度を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、ビスフェノール型エポキシ樹脂を含むことが好ましく、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。
【００６４】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６５】
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。
また、硬化物の低反り性、低吸水性という点から、ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【００６６】
封止シート２３中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、５重量％以上が好ましく、１０重量％以上がより好ましい。５重量％以上であると、充分な硬化物強度が得られる。封止シート２３中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１５重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、硬化物の線膨張係数が小さく、かつ低吸水性が得られやすい。
【００６７】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００６８】
封止シート２３は、無機充填剤を含む。
【００６９】
無機充填剤としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。
【００７０】
無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。０．３μｍ以上であると、封止シート２３の可撓性、柔軟性を得易い。無機充填剤の平均粒径は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。４０μｍ以下であると、無機充填剤を高充填率化し易い。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００７１】
封止シート２３中の無機充填剤の含有量は、６０体積％以上であり、好ましくは６５体積％以上である。６０体積％以上であるので、低吸水性、低反り性の硬化後成型物が得られる。一方、無機充填剤の含有量は、９０体積％以下であり、好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であるので、硬化前の封止シート２３の割れ、欠けを防止できる。
【００７２】
無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、封止シート２３中のシリカの含有量は、７３重量％以上が好ましく、７７重量％以上がより好ましい。封止シート２３中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。
【００７３】
アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、封止シート２３中のアルミナの含有量は、８３重量％以上が好ましく、８６重量％以上がより好ましい。封止シート２３中のアルミナの含有量は、９５重量％以下が好ましく、９３重量％以下がより好ましい。
【００７４】
封止シート２３は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。
【００７５】
シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。
【００７６】
加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。
【００７７】
有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、無機充填剤の凝集を抑制するという理由から、メタクリル基が好ましい。
【００７８】
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。
【００７９】
シランカップリング剤の含有量は特に限定されないが、無機充填剤１００重量部に対して、０．０５〜５重量部が好ましい。
【００８０】
封止シート２３は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
【００８１】
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、良好な保存性が得られるという理由から、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。
【００８２】
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上である。０．１重量部以上であると、実用的な時間内で硬化が完了する。また、硬化促進剤の含有量は、好ましくは５重量部以下、より好ましくは２重量部以下である。５重量部以下であると、良好な保存性が得られる。
【００８３】
封止シート２３は、熱可塑性樹脂（エラストマー）を含むことが好ましい。
【００８４】
熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂への分散性という理由から、ゴム成分からなるコア層とアクリル樹脂からなるシェル層とを有するコアシェル型アクリル樹脂が好ましい。
【００８５】
コアシェル型アクリル樹脂を構成するゴム成分は特に限定されず、例えば、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、アクリルゴム、シリコンゴムなどが挙げられる。
【００８６】
コアシェル型アクリル樹脂の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上である。０．１μｍ以上であると、分散性が良好である。コアシェル型アクリル樹脂の平均粒子径は、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。２００μｍ以下であると、作製したシートの平坦性が良好である。
なお、平均粒子径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００８７】
熱可塑性樹脂の含有量は、有機成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、硬化促進剤など）１００重量部に対して、好ましくは１重量部以上、より好ましくは５重量部以上である。１重量部以上であると、可とう性が良好である。また、熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは４０重量部以下である。５０重量部以下であると、流動性、変形性が良好である。
【００８８】
封止シート２３には、顔料、難燃剤成分などを含有させてもよい。
【００８９】
顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。封止シート２３中の顔料の含有量は、０．０１〜１重量％が好ましい。
【００９０】
難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。
【００９１】
封止シート２３の製造方法は特に限定されないが、前記各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤及び硬化促進剤）を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、無機充填剤を高充填できる。
【００９２】
具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤及び硬化促進剤をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ２である。
【００９３】
溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。
【００９４】
封止シート２３を塗工方式で製造することもできる。例えば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることで、封止シート２３を製造できる。
【００９５】
接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。
【００９６】
基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。
【００９７】
封止シート２３の厚さは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、封止シート２３の厚さは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。上記範囲内であると、良好に電子デバイス２２を封止できる。
【００９８】
封止シート２３は、単層構造であってもよいし、２以上の封止シートを積層した多層構造であってもよいが、層間剥離のおそれがなく、シート厚の均一性が高いという理由から、単層構造が好ましい。
【００９９】
以上のとおり、実施形態１の封止方法は、例えば、基板２１上に配置された電子デバイス２２の上に封止シート２３と離型フィルム２４をこの順に配置する工程と、減圧雰囲気下で、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３を離型フィルム２４で覆って、離型フィルム２４により密閉された密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の内部より高めることによって生じた圧力差を利用して、封止シート２３で電子デバイス２２を封止する工程とを含む。また、実施形態１の封止方法は、必要に応じて、離型フィルム２４の上方から天板１７を下降させて、離型フィルム２４を介して電子デバイスパッケージを加圧する工程をさらに含む。
【０１００】
［実施形態２］
実施形態２は、封止シート２３と離型フィルム２４とが一体となった封止シート付き離型フィルム３１を用いる点、及び真空チェンバー内を減圧した後に封止シート２３を電子デバイス２２と接触させる点で、実施形態１と異なる。なお、実施形態２の説明において、実施形態１と重複する内容は省略する。
【０１０１】
（準備工程）
まず、封止シート２３が離型フィルム２４上に積層された封止シート付き離型フィルム３１を準備する。
【０１０２】
封止シート付き離型フィルム３１において、封止シート２３と離型フィルム２４との密着力は、好ましくは０．１Ｎ／２０ｍｍ以下である。０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であると、離型フィルム２４を封止シート２３から良好に剥離できる。
なお、封止シート２３と離型フィルム２４との密着力は実施例に記載の方法で測定できる。
【０１０３】
（配置工程）
図７に示すように、電子デバイス２２を搭載した基板２１をステージ７上に載置し、次いで枠状押え部１３ａに封止シート付き離型フィルム３１を固定する。これにより、電子デバイス２２と封止シート付き離型フィルム３１との間に隙間を設けることができる。なお、枠状押え部１３ａに封止シート付き離型フィルム３１を固定した後に、電子デバイス２２を搭載した基板２１をステージ７上に載置してもよい。
【０１０４】
枠状押え部１３ａに封止シート付き離型フィルム３１を固定する方法は特に限定されず、例えば、封止シート付き離型フィルム３１を把持するための把持手段を備えた枠状押え部１３ａを用い、把持手段で封止シート付き離型フィルム３１を把持する方法、枠状押え部１３ａの下面に粘着剤を介して封止シート付き離型フィルム３１を貼り付ける方法などが挙げられる。
【０１０５】
（真空隔壁形成工程）
図８は、上ヒータ板１１、上枠部材１２及び下板部材６によって真空隔壁を形成した様子を模式的に示す図である。図８に示すように、加圧シリンダ１４により上ヒータ板１１を下降させ、上枠部材１２の下端部を下板部材６の外縁部の段差に気密に摺動させて真空隔壁を形成する。そして、封止シート付き離型フィルム３１が電子デバイス２２に接触するまでに、上ヒータ板１１の下降を停止する。
【０１０６】
（真空引き工程）
真空引き工程では、真空引きを行い、真空チェンバー内を減圧状態（好ましくは真空状態）とした後、離型フィルム２４と封止シート２３を加熱し、軟化させる。なお、離型フィルム２４と封止シート２３の加熱は、真空引き前、真空引き中に行ってもよい。
【０１０７】
離型フィルム２４と封止シート２３の加熱温度は、５０℃〜１５０℃が好ましい。
【０１０８】
（接触工程）
本工程では、ヒータ板１１を下降させて、封止シート２３を電子デバイス２２と接触させる。本工程では、真空チェンバー内を減圧状態とした後に、封止シート２３を電子デバイス２２と接触させるため、封止シート２３と電子デバイス２２の間へのボイドの入り込み、及び封止シート２３と基板２１の間へのボイドの入り込みを防止できる。電子デバイスパッケージを連続して封止する場合、真空熱加圧装置内が高温となりボイドが入り込み易いが、本工程では、ボイドの入り込みを防止できるため、連続運転が可能となり、生産性を向上できる。
【０１０９】
（密閉空間形成工程）
図９に示すように、ヒータ板１１を更に下降させて、内方部材１３の下端部の下面で、離型フィルム２４を押さえつけて、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３を離型フィルム２４で覆う。これにより、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３を収容する密閉空間を形成する。なお、真空チェンバー内を減圧状態にした後に密閉空間を形成するため、密閉空間の内部及び外部は減圧状態である。
なお、接触工程及び密閉空間形成工程において、ヒータ板１１の下降は一連の動作であってもよいし、断続的な動作であってもよい。
【０１１０】
（封止工程）
図１０に示すように、真空・加圧口１６を通して真空チェンバーにガスを導入して、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の内部より高めて、封止シート２３を電子デバイス２２に押しつける。これにより、封止シート２３で電子デバイス２２が封止された電子デバイスパッケージを得ることができる。ガスとしては特に限定されず、空気、窒素などが挙げられる。また、ガス圧力は特に限定されないが、大気圧以上が好ましい。ガス導入により、密閉空間の外部の圧力を大気圧以上に高められる。
【０１１１】
図１１に示すように、ガス導入後、天板１７を下降させて、離型フィルム２４を介して電子デバイスパッケージを加圧することにより、電子デバイスパッケージの離型フィルム２４側の面を平坦化してもよい。これにより、電子デバイスパッケージの厚みを均一化できる。加圧する圧力としては、０．５〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。
【０１１２】
（その他の工程）
電子デバイスパッケージに再配線や、パンプを形成してもよい。また、電子デバイスパッケージをダイシングしてチップ化してもよい。
【０１１３】
以上のとおり、実施形態２の封止方法は、封止シート２３が離型フィルム２４上に積層された封止シート付き離型フィルム３１を準備する工程と、基板２１上に配置された電子デバイス２２の上に、電子デバイス２２と隙間をあけて封止シート付き離型フィルム３１を配置する工程と、減圧雰囲気下で、封止シート付き離型フィルム３１を下降させて、封止シート２３を電子デバイス２２と接触させる工程と、封止シート付き離型フィルム３１をさらに下降させて、基板２１、電子デバイス２２及び封止シート２３を離型フィルム２４で覆って、離型フィルム２４により密閉された密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の内部より高めることによって生じた圧力差を利用して、封止シート２３で電子デバイス２２を封止する工程とを含む。また、実施形態２の封止方法は、必要に応じて、離型フィルム２４の上方から天板１７を下降させて、離型フィルム２４を介して電子デバイスパッケージを加圧する工程をさらに含む。
【０１１４】
なお、実施形態１及び実施形態２では、基板２１上にひとつの電子デバイス２２を配置する場合を示しているが、電子デバイス２２の個数は特に限定されず、複数であってもよい。
【０１１５】
実施形態１では、封止シート２３上に離型フィルム２４を載置するが、変形例では、例えば、特許第５１８９１９４号公報の図４（ａ）及び（ｂ）に示されるように、離型フィルム２４を内方枠体１３の下端部に固定してもよい。
【０１１６】
実施形態１では、離型フィルム２４は、特許第５１８９１９４号公報の図５（ａ）〜（ｄ）に示されるような離型フィルム挟み冶具によって所定位置に配置されてもよい。
【０１１７】
実施形態１では、封止シート２３と離型フィルム２４に代えて、封止シート付き離型フィルム３１を用いてもよい。
【０１１８】
［実施形態３］
【０１１９】
（半導体パッケージ１０５の製造方法）
次に、半導体パッケージ１０５の製造方法について説明する。
【０１２０】
図１２に示すように、積層構造体１０１をステージ７上に配置する。積層構造体１０１は、チップ仮固定体５１、チップ仮固定体５１上に配置された封止シート２３及び封止シート２３上に配置された離型フィルム２４を備える。
【０１２１】
図１３に示すように、チップ仮固定体５１は、キャリア５１ａ、キャリア５１ａ上に配置された粘着剤５１ｂ及び粘着剤５１ｂ上に固定された半導体チップ５１ｃを備える。
【０１２２】
キャリア５１ａとしては、例えば、金属板、ブラスチップ板などが挙げられる。キャリア５１ａの材料としては、例えば、ＳＵＳなどの金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォンなどのプラスチック材料などである。
【０１２３】
粘着剤５１ｂとしては特に限定されないが、容易に剥離できるという理由から、通常は、熱発泡性粘着剤などの熱剥離性粘着剤などを使用する。
【０１２４】
半導体チップ５１ｃは、電極パッド１５１ｃを備える。電極パッド１５１ｃが設けられた回路形成面２５１ｃが粘着剤５１ｂと接する。
【０１２５】
封止シート２３の外形寸法は、半導体チップ５１ｃを封止可能な大きさである。
【０１２６】
離型フィルム２４は、封止シート２３と接する中央部２４ａ及び中央部２４ａの周辺に配置された周辺部２４ｂを備える。離型フィルム２４の外形寸法は、チップ仮固定体５１及び封止シート２３を覆うことが可能な大きさである。
【０１２７】
ステージ７はあらかじめ加熱されている。ステージ７の温度は、好ましくは７０℃以上、より好ましくは８０℃以上、さらに好ましくは８５℃以上である。７０℃以上であると、封止シート２３を溶融させ、流動させることが可能である。ステージ７の温度は好ましくは１００℃以下、より好ましくは９５℃以下である。１００℃以下であると、硬化反応を抑えて成型できる。
【０１２８】
図１４に示すように、上ヒータ板１１及び上枠部材１２を下降させ、上枠部材１２の下端部を下板部材６の外縁部に沿って気密に摺動させ、上ヒータ板１１、上枠部材１２及び下板部材６によって気密に囲われた真空チェンバーを形成する。すなわち、上ヒータ板１１、上枠部材１２及び下板部材６を備える格納容器を形成する。真空チェンバーを形成した段階で、上ヒータ板１１及び上枠部材１２の下降を停止する。
【０１２９】
次いで、真空引きを行い、真空チェンバー内を減圧状態とする。真空チェンバー内の圧力は、好ましくは５００Ｐａ以下である。
【０１３０】
図１５に示すように、枠状押え部１３ａを下降させることにより、離型フィルム２４の外周部２４ｂをステージ７に押さえつけて、密閉容器１２１を形成する。密閉容器１２１は、ステージ７及び離型フィルム２４を備える。密閉容器１２１の内部には、チップ仮固定体５１及びチップ仮固定体５１上に配置された封止シート２３が配置されている。なお、真空チェンバー内を減圧状態にした後に密閉容器１２１を形成するため、密閉容器１２１の内部及び外部は減圧状態である。
【０１３１】
図１６に示すように、真空・加圧口１１６を開放することにより、真空チェンバー内の圧力を大気圧にする。すなわち、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にする。
【０１３２】
図１７に示すように、真空・加圧口１１６にガスを導入することにより真空チェンバー内の圧力を高める。すなわち、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧よりも高める。これにより、半導体チップ５１ｃを封止シート２３で覆って、封止体６１を得る。
【０１３３】
ガスとしては特に限定されず、空気、窒素などが挙げられる。
【０１３４】
ガス導入後の密閉容器１２１の外部の圧力は、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．９ＭＰａ以上である。密閉容器１２１の外部の圧力の上限は特に限定されないが、好ましくは５ＭＰａ以下、より好ましくは３ＭＰａ以下である。
【０１３５】
封止体６１は、半導体チップ５１ｃ及び半導体チップ５１ｃを覆う樹脂部６１ａを備える。封止体６１は粘着剤５１ｂと接している。また、封止体６１は離型フィルム２４と接している。
【０１３６】
図１８に示すように、封止体６１の横にスペーサー１３１を配置する。
【０１３７】
図１９に示すように、平板１７をスペーサー１３１に当たるまで下降させることにより、封止体６１をプレスし、封止体６１の厚みを調整する。これにより、封止体６１の厚みを均一化することができる。平板１７で封止体６１を押す際の圧力としては、０．５ｋｇｆ／ｃｍ２〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。
【０１３８】
次いで、封止体６１上に配置された離型フィルム２４を取り除く。
【０１３９】
次いで、樹脂部６１ａのうちキャリア５１ａから側方にはみ出した部分を切り離す。
【０１４０】
次いで、封止体６１を加熱することで樹脂部６１ａを硬化させて、硬化体７１を形成する。
【０１４１】
加熱温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限は、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間は、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限は、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。
【０１４２】
図２０に示すように、硬化体７１は、半導体チップ５１ｃ及び半導体チップ５１ｃを覆う保護部７１ａを備える。硬化体７１は、粘着剤５１ｂと接している。硬化体７１は、回路形成面２５１ｃを備える第１主面及び第１主面に対向した第２主面で両面を定義できる。
【０１４３】
粘着剤５１ｂを加熱して粘着剤５１ｂの粘着力を低下させる。
【０１４４】
図２１に示すように、硬化体７１から粘着剤５１ｂを剥離する。
【０１４５】
次いで、吸着ステージに硬化体７１を吸着させることにより、硬化体７１を吸着ステージに固定する。
【０１４６】
図２２に示すように、第１主面上にバッファーコート膜１４１を形成する。バッファーコート膜１４１としては、感光性のポリイミド、感光性のポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などを使用できる。
【０１４７】
図２３に示すように、バッファーコート膜１４１上にマスク１４２を配置した状態で、露光，現像、エッチングすることで、バッファーコート膜１４１に開口を形成し、電極パッド１５１ｃを露出させる。
【０１４８】
次いで、図２４に示すように、マスク１４２を除去する。
【０１４９】
次いで、バッファーコート膜１４１及び電極パッド１５１ｃ上に、シード層を形成する。
【０１５０】
図２５に示すように、シード層上にレジスト１４３を形成する。
【０１５１】
図２６に示すように、電解銅めっきなどのめっき法で、シード層上にめっきパターン１４４を形成する。
【０１５２】
図２７に示すように、レジスト１４３を除去する。次いで、シード層をエッチングすることにより再配線１４５を形成する。
【０１５３】
図２８に示すように、再配線１４５上に保護膜１４６を形成する。保護膜１４６としては、感光性のポリイミド、感光性のポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などを使用できる。
【０１５４】
図２９に示すように、保護膜１４６に開口を形成することにより、再配線体１０４を得る。再配線体１０４は、硬化体７１及び硬化体７１上に配置された再配線層１４０を備える。再配線層１４０は、再配線１４５を含む。
【０１５５】
図３０に示すように、再配線１４５上に電極（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）１４７を形成する。
【０１５６】
図３１に示すように、電極１４７上にバンプ１４８を形成する。パンプ１４８は、電極１４７及び再配線１４５を介して電極パッド１５１ｃと電気的に接続されている。
【０１５７】
図３２に示すように、再配線体１０４を個片化（ダイシング）して半導体パッケージ１０５を得る。
【０１５８】
以上により、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体パッケージ１０５を得ることができる。
【０１５９】
（変形例１）
実施形態３では、積層構造体１０１をステージ７上に配置するが、変形例１では、チップ仮固定体５１をステージ７上に配置し、次いでチップ仮固定体５１上に封止シート２３を配置し、次いで封止シート２３上に離型フィルム２４を配置する。
【０１６０】
（変形例２）
実施形態３では、積層構造体１０１をステージ７上に配置するが、変形例２では、チップ仮固定体５１及びチップ仮固定体５１上に配置された封止シート２３を備える積層物をステージ７上に配置し、次いで積層物上に離型フィルム２４を配置する。
【０１６１】
（変形例３）
実施形態３では、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にし、次いで大気圧よりも高めるが、変形例３では、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にする工程を含まない。すなわち、密閉容器１２１を形成し、次いで密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧よりも高める。
【０１６２】
（変形例４）
実施形態３では、平板１１７で封止体６１をプレスするが、変形例４では封止体６１をプレスしない。
【０１６３】
（変形例６）
変形例６では、硬化体７１の第２主面を研削する工程を含む。
（変形例７）
変形例７は、封止シート付き離型フィルム３１を減圧雰囲気下でチップ仮固定体５１上に配置することにより、積層構造体１０１を形成する工程をさらに含む点で実施形態３と異なる。変形例７は、デバイス付き基板４２をチップ仮固定体５１に変更した点以外は実施形態２の配置工程、真空隔壁形成工程、真空引き工程及び接触工程と同様であるので、説明を省略する。
【０１６４】
以上のとおり、実施形態３の半導体パッケージ１０５の製造方法は、積層構造体１０１の周辺部２４ｂをキャリア５１ａと接するステージ７に押し付けることにより、ステージ７及び離型フィルム２４を備える密閉容器１２１を形成する工程と、密閉容器１２１の外部の圧力を密閉容器１２１の内部の圧力より高めることにより、半導体チップ５１ｃを封止シート２３で覆う工程とを含む。
【０１６５】
実施形態３の半導体パッケージ１０５の製造方法は、封止体６１を加熱することにより硬化体７１を形成する工程、硬化体７１に再配線層１４０を形成することにより再配線体１０４を形成する工程、及び再配線体１０４をダイシングすることにより半導体パッケージ１０５を得る工程などをさらに含む。
【０１６６】
［その他の実施形態］
実施形態３では、半導体パッケージの製造方法及び半導体チップの封止方法について例示したが、第２の本発明は、電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法に適用できることは、当業者が容易に理解できるであろう。
【実施例】
【０１６７】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【０１６８】
封止シートに配合した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
熱可塑性樹脂：三菱レイヨン社製のメタブレン  Ｊ-５８００（コアシェル型アクリル樹脂、平均粒子径１μｍ）
シリカフィラー１：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
シリカフィラー２：アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−５０３（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製のＭＡ−６００
【０１６９】
［実施例１〜３及び比較例２〜３］
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、厚さ５００μｍの封止シートを作製した。
【０１７０】
封止シート（２００ｍｍ角、厚さ５００μｍ）と離型フィルム（三井化学社製のＴＰＸフィルム  Ｘ‐８８ＢＭＴ４、ポリ−４−メチルペンテン−１、両面エンボス、両面マット、引張破断伸び５０％、軟化温度５２℃、厚さ５０μｍ）を、貼り合わせ条件７０℃で貼り合わせて、封止シート付き離型フィルムを作製した。
【０１７１】
得られた封止シート付き離型フィルムを用いて、実施形態２に記載の方法で半導体パッケージを作製した。
【０１７２】
すなわち、基板置台７上に、１００個の半導体チップ（半導体チップサイズ：１５ｍｍ×１５ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ）を搭載する有機基板（有機基板サイズ：２４０ｍｍ角、プラズマ処理（３５０Ｗ、１０ｓｅｃ、Ａｒ）されたもの）を載置した後、封止シート付き離型フィルムを枠状押え部１３ａに固定した。その後、上ヒータ板１１を下降させ、これらを収容する真空チェンバーを形成した。常温にて真空チェンバー内が１０Ｔｏｒｒになるまで真空引きした後、封止シート付き離型フィルムを１００℃になるまで加熱した。その後、内方部材１３の下端部の下面で、離型フィルムを押さえつけ、有機基板、半導体チップ及び封止シートを収容する密閉空間を形成した。密閉空間の外部の雰囲気が５ｋｇ／ｃｍ２となるように雰囲気加圧（オートクレーブ）し、密閉空間内外の圧力差を利用して封止シートを半導体チップに押しつけて、半導体パッケージを作製した。その後、天板１７を下降させて、離型フィルムを介して半導体パッケージを加圧（２ｋｇｆ／ｃｍ２）し、半導体パッケージの離型フィルム側の面を平坦化した。
【０１７３】
［比較例１］
表１に記載の配合比に従い、実施例１と同様の方法で厚さ５００μｍの封止シートを作製した。
【０１７４】
得られた封止シートを用いて、離型フィルムを用いない点以外は実施例１と同様の方法で半導体パッケージを作製した。
【０１７５】
［評価］
実施例及び比較例の封止シート、半導体パッケージ、離型フィルムについて下記の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１７６】
［複素粘度η＊］
動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製、ＡＲＥＳ）を用いて封止シート（直径８ｍｍ、厚さ５００μｍ）の最低複素粘度η＊を測定した（測定条件：昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％）。
【０１７７】
［密着力］
引っ張り試験機（エー・アンド・デイ製  テンシロン）を用いて、封止シートからの離型フィルム剥離力を測定した（試験片幅：２０ｍｍ、引っ張り速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０度）。
【０１７８】
［引張破断伸び］
引っ張り試験機（エー・アンド・デイ製  テンシロン）を用いて、離型フィルムの破断伸びを測定した。（試験片幅：１０ｍｍ、チャック間距離：１０ｍｍ、引っ張り速度：６０ｍｍ／ｍｉｎ）
【０１７９】
［凹凸追従性］
半導体パッケージについて、チップ間及びチップ側面などの凹凸部にボイドが入り込んでいるかを超音波顕微鏡（日立製作所製  ＦｉｎｅＳＡＴ  ＦＳ２００ＩＩ）によって観察した。凹凸部にボイドが入り込んでいる場合を×、入り込んでいない場合を○と判定した。
【０１８０】
［はみ出し］
半導体パッケージについて、有機基板からの封止シートのはみ出しがないものを○、はみ出しがあるものを×と判定した。また、その距離を測定した。
【０１８１】
【表１】
2015026821.tif 000003
【０１８２】
無機充填剤の含有量が６０体積％未満であり、最低複素粘度η＊が３０Ｐａ・ｓ未満の封止シートを用いた比較例２では、封止シートのはみ出しが確認された。また、最低複素粘度η＊が３０００Ｐａ・ｓを超える封止シートを用いた比較例３では、凹凸部でボイドの入り込みが確認された。
【０１８３】
一方、無機充填剤の含有量が６０〜９０体積％であり、最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、前記最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである封止シートを用いた実施例１〜３では、封止シートがはみ出さず、凹凸部でボイドが入り込むこともなかった。
ただし、離型フィルムを用いなかった比較例１では、封止シートのはみ出し及びボイドの入り込みが確認された。
【０１８４】
なお、実施形態１の方法で半導体パッケージを作製した場合でも、表１と同様の結果が得られた。
【符号の説明】
【０１８５】
１    基台
２    加圧シリンダ下板
３    スライド移動テーブル
４    スライドシリンダ
５    下ヒータ板
６    下板部材
７    基板置台（ステージ）
８    支柱
９    加圧シリンダ上板
１０    中間移動部材
１１    上ヒータ板
１２    上枠部材
１３    内方枠体
１３ａ  枠状押え部
１３ｂ  ロッド
１４    加圧シリンダ
１５    シリンダロッド
１６    真空・加圧口
１７    天板（平板）
Ｓ    ストッパー
【０１８６】
２１    基板
２２    電子デバイス
２３    封止シート
２４    離型フィルム
２４ａ  中央部
２４ｂ  周辺部
３１    封止シート付き離型フィルム
４１    積層体
４２    デバイス付き基板
１２１      密閉容器
【０１８７】
１０１      積層構造体
５１      チップ仮固定体
５１ａ    キャリア
５１ｂ    粘着剤
５１ｃ    半導体チップ
１５１ｃ    電極パッド
２５１ｃ    回路形成面
６１      封止体
６１ａ    樹脂部
７１      硬化体
７１ａ    保護部
１４１      バッファーコート膜
１４２      マスク
１４３      レジスト
１４４      めっきパターン
１４５      再配線
１４６      保護膜
１４７      電極
１４８      バンプ
１４０      再配線層
１０４      再配線体
１０５      半導体パッケージ
【図１】
2015026821.tif 000004
【図２】
2015026821.tif 000005
【図３】
2015026821.tif 000006
【図４】
2015026821.tif 000007
【図５】
2015026821.tif 000008
【図６】
2015026821.tif 000009
【図７】
2015026821.tif 000010
【図８】
2015026821.tif 000011
【図９】
2015026821.tif 000012
【図１０】
2015026821.tif 000013
【図１１】
2015026821.tif 000014
【図１２】
2015026821.tif 000015
【図１３】
2015026821.tif 000016
【図１４】
2015026821.tif 000017
【図１５】
2015026821.tif 000018
【図１６】
2015026821.tif 000019
【図１７】
2015026821.tif 000020
【図１８】
2015026821.tif 000021
【図１９】
2015026821.tif 000022
【図２０】
2015026821.tif 000023
【図２１】
2015026821.tif 000024
【図２２】
2015026821.tif 000025
【図２３】
2015026821.tif 000026
【図２４】
2015026821.tif 000027
【図２５】
2015026821.tif 000028
【図２６】
2015026821.tif 000029
【図２７】
2015026821.tif 000030
【図２８】
2015026821.tif 000031
【図２９】
2015026821.tif 000032
【図３０】
2015026821.tif 000033
【図３１】
2015026821.tif 000034
【図３２】
2015026821.tif 000035