(57)【要約】【課題】クラッド部の形状に工夫を加えることで、コア部を剥離しにくくして、歩留まり率を向上させることができる光モジュールを提供する。【解決手段】基板１の表面の導波路形成用溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、溝１ａの前端面に形成されたミラー部１５とを備えている。ミラー部１５と対向するように基板１の表面に実装され、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１５ａ，１５ｂとを備えている。内部導波路１６は、コア部１７とクラッド部１８とで構成され、クラッド部１８の前端１８ａは、少なくとも導波路形成用溝１ａの前端１ｃの位置に設定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された導波路形成用溝内に設けられた内部導波路と、この溝の前端面に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子とを少なくとも備えた光モジュールにおいて、
前記内部導波路は、コア部と、このコア部を覆うクラッド部とで構成され、
前記クラッド部の前端は、少なくとも前記導波路形成用溝の前端の位置に設定されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記クラッド部の前端は、前記ミラー部の上端付近まで延在されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記コア部の前端は、前記ミラー部から後退された位置に設定され、前記クラッド部の前端は、後退された前記コア部の前端付近まで延在されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記クラッド部の前端は、前記コア部の真上付近だけが、前記コア部の前端付近まで延在されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記クラッド部の前端は、前記コア部の真上付近の両側部分だけが、前記ミラー部の上端付近まで延在されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記ミラー部の上端付近まで延在されたクラッド部の両側部分の内縁部は、前記コア部の両側部分の角を覆うように狭く設定されていることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記導波路形成用溝は、略台形または略Ｖ形の断面形状あることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子を備えた光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１２（ａ）のように、光モジュールは、基板１の表面に形成された第１溝（導波路形成用溝）１ａ内に設けられた内部導波路１６と、この第１溝１ａの前端面に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。また、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２を備えている。
【０００３】
さらに、基板１の表面に形成された第２溝１ｂ内に設けられ、内部導波路１６のコア部１７と光学的に結合するファイバーコア部２１を有する光ファイバー（外部導波路）２を備えている（特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、光モジュールが動作している場合、ミラー部１５と合成樹脂製の内部導波路１６は、光吸収によって発熱することがある。特に光素子１２が発光素子であるときは、これに近いミラー部１５付近は、光が拡がる前であるので、光のパワー密度が高いために、発熱温度が高くなる傾向になる。
【０００５】
このような光モジュールにおいて、短距離や低速伝送であれば、光素子１２からの光のパワー密度が低いために、ミラー部１５やその近傍の内部導波路１６の発熱温度は、問題となるほど高くならない。しかし、長距離や高速伝送であれば、伝送信頼性を確保するために、より高い光出力が必要となり、その分、ミラー部１５やその近傍の内部導波路１６の発熱温度も高くなる。
【０００６】
そのため、ミラー部１５やその近傍の内部導波路１６の温度上昇に起因する応力のために、コア部１７に剥離が発生する可能性がある。
【０００７】
そこで、図１２（ｂ）のように、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５から後退させることで温度上昇を抑制して、剥離が発生しにくいように工夫したものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−３５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５から後退させることで、基板１との接触面積が減少したコア部１７の密着力が低下する。しかも、コア部１７を覆うクラッド部１８の前端１８ａもコア部１７の前端１７ａから後退させることで、クラッド部１８から露出したコア部１７に応力がかかりやすくなる。
【００１０】
これらのことから、コア部１７が剥離しやすくなって、光モジュールの歩留まり率が低下するという問題があった。
【００１１】
ここで、クラッド部１８の前端１８ａをコア部１７の前端１７ａから後退させていたのは、次の理由からである。すなわち、クラッド部１８の前端１８ａがコア部１７の前端１７ａよりも前方にはみ出してコア部１７の前端面を覆ってしまうと、光損失が発生する。そのため、従来では、製造装置の精度から公差を大幅に見越して、略５０μｍ程度で後退させることが普通であったことによる。その結果、第１溝１ａの前端１ｃよりも後方にクラッド部１８の前端１８ａが位置することになっていた。
【００１２】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、クラッド部の形状に工夫を加えることで、コア部を剥離しにくくして、歩留まり率を向上させることができる光モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するために、本発明は、基板の表面に形成された導波路形成用溝内に設けられた内部導波路と、この溝の前端面に形成された光路変換用のミラー部とを備えている。また、このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子とを少なくとも備えた光モジュールである。そして、前記内部導波路は、コア部と、このコア部を覆うクラッド部とで構成され、前記クラッド部の前端は、少なくとも前記導波路形成用溝の前端の位置に設定されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明によれば、製造装置の精度向上の観点から公差を大幅に見直して、クラッド部の前端を、少なくとも導波路形成用溝の前端の位置に設定することで、クラッド部で、導波路形成用溝の前端位置までコア部を押さえ付けることができる。換言すれば、剥離が生じやすいコア部のミラー底の部分の首根っこに相当する箇所を押さえ付けることができる。これにより、導波路形成用溝の前端位置とミラー部との間でコア部が剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
【００１５】
前記クラッド部の前端は、前記ミラー部の上端付近まで延在されている構成とすることができる。
【００１６】
この構成によれば、クラッド部で、ミラー部の上端付近までコア部を押さえ付けることができる。これにより、コア部がより剥離しにくくして、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
【００１７】
前記コア部の前端は、前記ミラー部から後退された位置に設定され、前記クラッド部の前端は、後退された前記コア部の前端付近まで延在されている構成とすることができる。
【００１８】
この構成によれば、コア部の前端をミラー部から後退した位置に設定することで、コア部の温度上昇が抑制されて剥離が発生しにくくなる。加えて、クラッド部の前端をコア部の前端付近まで延在させているから、コア部がクラッド部から殆ど露出しないので、コア部の押さえ力が大きくなる。これにより、ミラー部から後退したコア部が剥離しにくくなって、歩留まり率が向上するようになる。
【００１９】
また、光素子の実装後に、ミラー部とコア部の前端との間の導波路形成用溝に充填されるアンダーフィルの充填量も少なくなるから、アンダーフィルによる応力も小さくなるので、コア部が剥離しにくくなって、歩留まりが向上するようになる。
【００２０】
前記クラッド部の前端は、前記コア部の真上付近だけが、前記コア部の前端付近まで延在されている構成とすることができる。
【００２１】
この構成によれば、コア部の真上付近だけがクラッド部で覆われているから、ミラー底の周りの斜面でコア部の硬化時のＵＶ光が反射して、パターンの外側の不要な部分まで硬化することが無くなる。そのため、歩留まりがより向上するようになる。
【００２２】
前記クラッド部の前端は、前記コア部の真上付近の両側部分だけが、前記ミラー部の上端付近まで延在されている構成とすることができる。
【００２３】
この構成によれば、クラッド部と基板の表面との密着面積が増大することで、コア部の密着力が大きくなる。また、ミラー部とコア部の前端との間の導波路形成用溝に充填されるアンダーフィルの充填量が少なくなるので、アンダーフィルによる応力もより小さくなる。そのため、コア部が剥離しにくくなって、歩留まりが向上するようになる。さらに、アンダーフィルも充填しやすく、アンダーフィルの充填時のボイド（気泡）も減少するので、歩留まりが向上するようになる。
【００２４】
前記ミラー部の上端付近まで延在されたクラッド部の両側部分の内縁部は、前記コア部の両側部分の角を覆うように狭く設定されている構成とすることができる。
【００２５】
この構成によれば、コア部の剥離の起点となりやすいコア部の角の密着力がより大きくなる。また、ミラー部とコア部の前端との間の導波路形成用溝に充填されるアンダーフィルの充填量が少なくなるので、アンダーフィルによる応力も小さくなる。そのため、コア部が剥離しにくくなって、歩留まりが向上するようになる。さらに、アンダーフィルも充填しやすく、ボイドも減少するので、歩留まりが向上するようになる。
【００２６】
前記導波路形成用溝は、略台形または略Ｖ形の断面形状ある構成とすることができる。
【００２７】
この構成によれば、導波路形成用溝の断面形状は、特に問わないが、略台形よりも製造コストが安いものの、コア部の密着性が悪く、ミラー底やＶ溝底の角部のコア部に応力が集中しやすい略Ｖ形である時には、剥離防止により良い効果が得られる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、少なくとも導波路形成用溝の前端の位置とミラー部との間でコア部が剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る光モジュールの概略側面図である。
【図２】第１実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】第２実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図４】第３実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図５】（ａ）は第４実施形態の内部導波路の平面図、（ｂ）は第５実施形態の内部導波路の平面図、（ｃ）は第６実施形態の内部導波路の平面図である。
【図６】第１実施形態の変形例の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図７】第２実施形態の変形例の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図８】第３実施形態の変形例の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図９】（ａ）は第４実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｂ）は第５実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｃ）は第６実施形態の内部導波路の変形例の平面図である。
【図１０】コア部の前端をミラー部に接触するまで延在させた内部導波路の実施形態であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図１１】コア部の前端を第１溝の前端よりも後退させた実施形態の断面図である。
【図１２】背景技術の光モジュールの内部導波路であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）はコア部の前端を後退させた側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、背景技術と同一構成・作用の箇所は、同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００３１】
図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図１において、光モジュールは、発光側の第１基板（マウント基板）１と、受光側の第１基板（マウント基板）３と、この第１基板１，３を光学的に結合する光ファイバー２とを備えている。
【００３２】
第１基板１，３は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子１２ａから受光素子１２ｂまでの光結合効率が必要になるので、光素子（発光素子１２ａと受光素子１２ｂ）１２を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１，３として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００３３】
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）、溝内に内部導波路１６（後述）を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。
【００３４】
第１基板１，３は、それよりもサイズが大きい第２基板（インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００３５】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ〔図１２（ｂ）参照〕でフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００３６】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００３７】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の表面に形成されたメタル回路（銅や金スパッタによるパターニング回路）に接続されている。
【００３８】
第１基板１の表面には、図２に示すような略Ｖ字形の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、第１溝１ａよりも深い略Ｖ字形形の第２溝１ｂが前後方向に連なって形成されている。
【００３９】
第１溝１ａの前端面には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。このミラー部１５には、反射率の向上のための金メッキ等が施されている。
【００４０】
第１基板１の第１溝１ａ内には、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。
【００４１】
内部導波路１６は、図２を参照すれば、光が伝播する屈折率の高いコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。コア部１７の左右の両面は、クラッド部１８で覆われている。コア部１７の上部は、第１基板１の表面と略同じ高さであり、クラッド部１８の上部は、第１基板１の表面よりも僅かに盛り上げられている。クラッド部１８の上部は、第１溝１ａの両側で基板１の表面に密着されている。
【００４２】
図１に戻って、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装され、この発光素子１２ａと第１基板１の表面との間には、アンダーフィルが充填されている。
【００４３】
一方、受光側の第１基板３の基本的な構成は、発光側の第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側の第１基板３の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側の第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）が採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００４４】
発光側の第１基板１と受光側の第１基板３およびＩＣ基板４ａ，４ｂは、第２基板６の表面に取付けたシールドケース８でそれぞれシールドされていて、光ファイバー２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通させている。
【００４５】
光ファイバー２は、発光側の第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と、受光側の第１基板３の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバーコア部２１を内部に有している。そして、このファイバーコア部２１の外周を包囲するファイバークラッド部２２と、このファイバークラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部２１とファイバークラッド部２２と被覆部２３は円形状である。
【００４６】
光ファイバー２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通して第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされて、ファイバークラッド部２２が露出されている。
【００４７】
そして、第１基板１の第２溝１ｂに光ファイバー２のファイバークラッド部２２を設置して、第１溝１ａとの境部分の立ち上がり傾斜部でファイバークラッド部２２の位置決めをする。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバー２のファイバーコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
【００４８】
第１基板１の表面の位置において、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の上部には押えブロック２４が配置され、この押えブロック２４と第２溝１ｂとの間の空間には、接着剤が充填されている。
【００４９】
このように、光ファイバー２のファイバークラッド部２２の先端側は、押えブロック２４で第２溝１ｂに押え付けられた状態で、押えブロック２４とともに第１基板１に接着剤で接着固定されるようになる。
【００５０】
図２は、第１実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００５１】
基板１の第１溝１ａの断面形状は略Ｖ字形である。また、クラッド部１８の上部の幅は、ミラー底１５ａの最大幅Ｗよりも広く設定されているが、狭く設定されていても差し支えはない。
【００５２】
そして、コア部１７の前端１７ａは、ミラー部１５の下端１５ｂの付近まで後退させている。また、クラッド部１８の前端１８ａは、少なくとも第１溝１ａの前端１ｃの位置に設定している。なお、クラッド部１８の前端１８ａが少なくとも第１溝１ａの前端１ｃの位置に設定されていることが重要なのである。したがって、図１１に例示したように、コア部１７の前端１７ａが第１溝１ａの前端１ｃよりも後退された位置に設定されていても、クラッド部１８の前端１８ａが少なくとも第１溝１ａの前端１ｃの位置に設定されていれば差し支えはない。このことは、後述するように、第１溝１ａの断面形状を略台形とした実施形態でも同様である。
【００５３】
第１実施形態の構成であれば、製造装置の精度向上の観点から公差を大幅に見直して、クラッド部１８の前端１８ａを、少なくとも第１溝１ａの前端１ｃの位置に設定したものである。したがって、クラッド部１８で、第１溝１ａの前端１ｃの位置までコア部１７を押さえ付けることができる。換言すれば、剥離が生じやすいコア部１７のミラー底１５ａの部分の首根っこに相当する箇所を押さえ付けることができる。これにより、第１溝１ａの前端１ｃの位置とミラー部１５との間でコア部１７が剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
【００５４】
特に、第１溝１ａの断面形状が略Ｖ字形であると、ミラー底１５ａでのコア部１７の密着性が悪く、ミラー底１５ａや第１溝１ａのＶ底の角部１ｅのコア部１７部に応力が集中して剥離しやすい。そこで、前述のように、剥離が生じやすい部分の首根っこに相当する箇所を押さえ付けることで、剥離防止により良い効果が得られる。
【００５５】
また、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５から後退した位置に設定することで、コア部１７の温度上昇が抑制されて剥離が発生しにくくなる。
【００５６】
図３は、第２実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。第１実施形態と相違するのは、クラッド部１８の前端１８ａは、ミラー部１５の上端１５ｃの付近まで延在（前進）されて、基板１の表面に密着されている点である。
【００５７】
第２実施形態の構成であれば、クラッド部１８で、ミラー部１５の上端１５ｃの付近までコア部１７を押さえ付けることができる。これにより、第１実施形態と比較して光損失は発生するものの、コア部１７がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
【００５８】
図４は、第３実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。第１実施形態と相違するのは、クラッド部１８の前端１８ａは、後退されたコア部１７の前端１７ａの付近まで延在（前進）されている点である。
【００５９】
ここで、コア部１７の前端１７ａの付近とは、図のように、コア部１７の前端１７ａから僅か（例えば５μｍ程度）後退した位置以外に、コア部１７の前端１７ａと面一の位置（符号ｂ参照）も含まれる。また、コア部１７の前端１７ａから僅か（例えば５μｍ程度）延在した位置（符号ｃ参照）も含まれる。なお、コア部１７の前端１７ａから僅か延在した位置とは、コア部１７の前端１７ａの前端面の全てを覆う位置以外に、前端面の周辺だけを覆う位置も含まれる。
【００６０】
第３実施形態の構成であれば、クラッド部１８の前端１８ａをコア部１７の前端１７ａの付近まで延在させているから、コア部１７がクラッド部１８から殆ど露出しないので、コア部１７の押さえ力が大きくなる。これにより、ミラー部１５から後退したコア部１７が剥離しにくくして、歩留まり率が向上するようになる。
【００６１】
また、光素子（発光素子１２ａまたは受光素子１２ｂ）１２の実装後に、ミラー部１５とコア部１７の前端１７ａとの間の第１溝１ａに充填されるアンダーフィルの充填量も少なくなるから、アンダーフィルによる応力も小さくなるので、コア部１７が剥離しにくくなって、歩留まりが向上するようになる。
【００６２】
図５（ａ）は、第４実施形態の内部導波路１６の平面図である。第１実施形態と相違するのは、クラッド部１８の前端１８ａは、コア部１７の真上付近だけが、コア部１７の前端１７ａの付近までさらに延在（前進）されている点である。
【００６３】
第４実施形態の構成であれば、コア部１７の真上付近だけがクラッド部１８で覆われているから、ミラー底１５ａの周りの斜面でコア部１７の硬化時のＵＶ光が反射して、パターンの外側の不要な部分まで硬化することが無くなり、歩留まりがより向上するようになる。
【００６４】
図５（ｂ）は、第５実施形態の内部導波路１６の平面図である。第１実施形態と相違するのは、クラッド部１８の前端１８ａは、コア部１７の真上付近の両側部分だけが、ミラー部１５の上端１５ｃの付近までさらに延在（前進）されている点である。
【００６５】
第５実施形態の内部導波路１６であれば、クラッド部１８と基板１の表面との密着面積が増大することで、コア部１７の密着力が大きくなる。
【００６６】
また、ミラー部１５とコア部１７の前端１７ａとの間の第１溝１ａに充填されるアンダーフィルの充填量が少なくなるので、アンダーフィルによる応力もより小さくなる。そのため、コア部１７が剥離しにくくなって、歩留まりが向上するようになる。さらに、アンダーフィルも充填しやすく、アンダーフィルの充填時のボイド（気泡）も減少するので、歩留まりが向上するようになる。
【００６７】
図５（ｃ）は、第６実施形態の内部導波路１６の平面図である。第５実施形態と相違するのは、ミラー部１５の上端１５ｃの付近まで延在（前進）されたクラッド部の両側部分の内縁部１８ｃは、コア部１７の両側部分の角１７ｂを覆うように狭く設定されている点である。
【００６８】
第６実施形態の内部導波路１６であれば、コア部１７の剥離の起点となりやすいコア部１７の角１７ｂの密着力がより大きくなる。また、ミラー部１５とコア部１７の前端１７ａとの間の第１溝１ａに充填されるアンダーフィルの充填量が少なくなるので、アンダーフィルによる応力も小さくなる。そのため、コア部１７が剥離しにくくなって歩留まりが向上するようになる。さらに、アンダーフィルも充填しやすく、ボイドも減少するので、歩留まりが向上するようになる。
【００６９】
第１〜第６実施形態は、第１基板１の第１溝１ａの断面形状は略Ｖ字形であったが、第１溝１ａの断面形状を略台形とすることもできる。
【００７０】
図６は、図２の第１実施形態に対応する図である。図７は図３の第２実施形態に対応する図である。図８は図４の第３実施形態に対応する図である。図９（ａ）〜（ｃ）は、図５（ａ）〜（ｃ）の第４〜６実施形態に対応する図である。
【００７１】
なお、第１溝１ａの断面形状が略台形の場合、図６および図７のように、ミラー底１５ａと第１溝１ａの前端１ｃとが一致している。したがって、クラッド部１８の前端１８ａも少なくともミラー底１５ａと第１溝１ａの前端１ｃの位置に設定されていることになる。
【００７２】
このように、第１溝１ａの断面形状を略台形としても、第１〜６実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００７３】
前記各実施形態では、コア部１７の前端１７ａは、ミラー部１５の下端１５ｂの付近まで後退させている構成を前提としている。
【００７４】
しかしながら、図１０のように、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５に接触するまで延在（前進）させるタイプであっても可能である。
【００７５】
図１０では、図３の第２実施形態と同様に、クラッド部１８の前端１８ａは、ミラー部１５の上端１５ｃの付近まで延在（前進）されて、基板１の表面に密着されている構成である。しかし、クラッド部１８の前端１８ａは、図２の第１実施形態の位置、図４の第３実施形態に位置、図５（ａ）〜（ｃ）の第４〜６実施形態の位置にそれぞれ設定することができる。
【００７６】
また、図６〜図８、図９（ａ）〜（ｃ）と同様に、第１溝１ａの断面形状を略台形としても同様である。
【００７７】
前記各実施形態は、光素子１２が発光素子１２ａであるときの発熱に対処するものであり、光素子１２が受光素子１２ｂであるときの発熱は問題が少ない。そこで、光素子１２が受光素子１２ｂであるときは、図１０のタイプを好適に採用することができる。
【符号の説明】
【００７８】
１      第１基板
１ａ    第１溝（導波路形成用溝）
１ｃ    前端
１２ａ  発光素子
１２ｂ  受光素子
１５    ミラー部
１５ａ  ミラー底
１５ｂ  下端
１５ｃ  上端
１６    内部導波路
１７    コア部
１７ａ  前端
１７ｂ  角
１８    クラッド部
１８ａ  前端
１８ｃ  内縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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