(57)【要約】【課題】各ダイパッド間をつなぐ、ダイパッド間吊り部を設けることによって、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる面実装型半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、隣り合って配置された少なくとも２つのダイパッドと、端子と、ダイパッド間吊り部とを有するリードフレームを用意する工程と、隣り合って配置されたダイパッド間がダイパッド間吊り部によって相互に連結された状態で、半導体チップを搭載し、半導体チップと端子とをワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、ワイヤボンディング工程の後に、ダイパッド間吊り部を切断して、隣り合って配置されたダイパッドを相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも２つのダイパッドを含むように、端子の少なくとも一部と半導体チップとを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図１
2015201592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣り合って配置された少なくとも２つのダイパッド２１と、前記ダイパッド２１に隣接して配置された端子２２と、前記隣り合って配置されたダイパッド２１間を相互に連結するダイパッド間吊り部２４とを有するリードフレーム２を用意する工程と、隣り合って配置された前記ダイパッド２１間が前記ダイパッド間吊り部２４によって相互に連結された状態で、前記ダイパッド２１の上面に半導体チップ１を搭載し、前記半導体チップ１と前記端子２２とをワイヤ３で接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記ダイパッド間吊り部２４を切断して、隣り合って配置された前記ダイパッド２１を相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも２つの前記ダイパッド２１を含むように、前記端子２２の少なくとも一部と前記半導体チップ１とを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ダイパッド２１と、前記端子２２と、を有するリードフレーム２と、前記ダイパッド２１の上面に搭載される前記半導体チップ１と、前記半導体チップ１と、前記ダイパッド２１および前記端子２２の上面を被覆する前記樹脂封止体４と、を備え、前記ダイパッド２１の下面が前記樹脂封止体４の下面と同じ平面に配置され、前記樹脂封止体４の下面に露出する半導体装置１００において、前記リードフレーム２の厚さは０．３ｍｍ以下であり、複数の前記半導体チップ１を複数の前記ダイパッド２１の上面に搭載し、向かい合う前記ダイパッド２１の側面には、前記突起部２５が、前記吊り部２３の延長線上に形成されていることを特徴とする請求項１記載の製造方法で製造される半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に回路基板等に面実装される半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイパッド上に搭載された半導体チップと、半導体チップを封止する樹脂封止体と、を備えた半導体装置において、半導体チップを搭載する複数のダイパッドを備え、裏面を樹脂封止体の外部に露出させた半導体装置が従来技術として知られている（例えば、特許文献１参照）。これにより、保証温度が相互に異なる半導体チップを複数搭載した面実装型半導体装置とすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１８７１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術によれば、複数のダイパッドに複数の半導体チップを搭載することが可能である。しかしながら、各ダイパッドが独立している場合、ワイヤボンディング時に、各ダイパッドを個々にクランプすることが難しい。特に、半導体装置の低背化のために、ダイパッドを含むリードフレームの厚さを薄くすると、リードフレームが変形しやすくなり、ワイヤの接合状態が安定しないという課題がある。
【０００５】
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、各ダイパッド間をつなぐ、ダイパッド間吊り部を設けることによって、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる面実装型半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本発明は以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体装置１００の製造方法は、隣り合って配置された少なくとも２つのダイパッド２１と、前記ダイパッド２１に隣接して配置された端子２２と、前記隣り合って配置されたダイパッド２１間を相互に連結するダイパッド間吊り部２４とを有するリードフレーム２を用意する工程と、隣り合って配置された前記ダイパッド２１間が前記ダイパッド間吊り部２４によって相互に連結された状態で、前記ダイパッド２１の上面に半導体チップ１を搭載し、前記半導体チップ１と前記端子２２とをワイヤ３で接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記ダイパッド間吊り部２４を切断して、隣り合って配置された前記ダイパッド２１を相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも２つの前記ダイパッド２１を含むように、前記端子２２の少なくとも一部と前記半導体チップ１とを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする。
本発明の半導体装置１００は、前記ダイパッド２１と、前記端子２２と、を有するリードフレーム２と、前記ダイパッド２１の上面に搭載される前記半導体チップ１と、前記半導体チップ１と、前記ダイパッド２１および前記端子２２の上面を被覆する前記樹脂封止体４と、を備え、前記ダイパッド２１の下面が前記樹脂封止体４の下面と同じ平面に配置され、前記樹脂封止体４の下面に露出する半導体装置１００において、前記リードフレーム２の厚さは０．３ｍｍ以下であり、複数の前記半導体チップ１を複数の前記ダイパッド２１の上面に搭載し、向かい合う前記ダイパッド２１の側面には、前記突起部２５が、前記吊り部２３の延長線上に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、以上のように構成されているので、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる面実装型半導体装置とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の平面透視図である。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体装置の断面側面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体装置のリードフレームの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。なお以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
【実施例１】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体装置１００を説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導体装置１００の平面透視図である。図２は、その断面側面図である。図３は、リードフレームの上面図である。
【００１１】
図１に示すように、半導体装置１００は、半導体チップ１と、ダイパッド２１、端子２２と、ワイヤ３と、樹脂封止体４とで構成されている。
【００１２】
半導体チップ１は、上面に電極（図示せず）を有している。半導体チップ１は、トランジスタであり、例えば高温動作可能な化合物半導体素子の炭化珪素（ＳｉＣ）である。
【００１３】
図３に示すように、リードフレーム２は、ダイパッド２１と、端子２２と、吊り部２３と、ダイパッド間吊り部２４を有している。また、リードフレーム２は、熱伝導率の高い銅又は銅合金で構成され、例えばその厚さは０．２ｍｍ程度である。
【００１４】
ダイパッド２１は、上面に接合材（図示ぜす）を介して半導体チップ１が搭載される。さらに、ダイパッド２１の下面は樹脂封止体４の下面と同じ平面に配置され、樹脂封止体４の下面に露出しており、半導体装置１００を回路基板上に面実装する際に、半導体装置１００と回路基板との間の電気的接続や放熱接続として用いられる。
また、向かい合うダイパッド２１の側面には、突起部２５が形成されている。突起部２５は、吊り部２３の延長線上に配置される。
【００１５】
端子２２は、半導体チップ１から配線されたワイヤ３の一端が接続される内部端子であり、樹脂封止体４の外部へ導出し、半導体装置１００の外部端子となる。
【００１６】
ワイヤ３は、銅または銅合金からなる細線で、半導体チップ１の電極とリードフレーム２の端子２２の上面（ボンディング面）に接続される。例えば細線の直径は２８ミクロンの銅線である。材質は金または金合金、あるいはアルミニウムまたはアルミニウム合金でも可能である。
【００１７】
樹脂封止体４は、リードフレーム２のダイパッド２１の上面、端子２２の上面、半導体チップ１、ワイヤ３を覆い、半導体装置１００の外形形状を構成する。例えば半導体チップ１の動作温度に対する充分な耐熱性や絶縁性をもつ樹脂材料であるエポキシ樹脂をトランスファーモールド金型により成形される。
【００１８】
次に、半導体装置１００の製造方法について説明する。
【００１９】
まず、リードフレーム２に、ダイパッド２１と、端子２２と、吊り部２３と、ダイパッド間吊り部２４と、を形成する。
吊り部２３はリードフレーム２の枠体に固定し接続される部分である。
また、ダイパッド間吊り部２４は、吊り部２３の延長線上に配置され、各ダイパッド間を繋いでいる。吊り部２３と、ダイパッド間吊り部２４と、が延長線上に配置されることによって、ワイヤボンディングの際の変形に強くなる。
【００２０】
次に、リードフレーム２のダイパッド３の上面に接合材であるはんだ（図示せず）等を介して、半導体チップ１を搭載し固着する。
【００２１】
次に、ワイヤボンディング工程では、ワイヤボンディング装置を用いて、半導体チップ１の電極（図示せず）の上面とリードフレーム２の端子２２の上面間をワイヤ３で電気的機械的に配線接続する。
【００２２】
次に、ワイヤボンディング工程にて、ワイヤ３で配線した後、突起部２５を形成するように、ダイパッド間吊り部２４を切断して除去する。
【００２３】
次に、封止工程では、モールド金型を用いて、モールド樹脂でリードフレーム２のダイパッド２１の上面、端子２２の上面、半導体チップ１、ワイヤ３を覆い、樹脂封止し、樹脂封止体４を成形する。
【００２４】
以上により、半導体装置１００が完成する。
【００２５】
次に、上述の実施例１に係る半導体装置１００および、その製造方法の効果を説明する。
【００２６】
本発明の実施例１に係る半導体装置１００は、隣り合って配置された少なくとも２つのダイパッド２１と、前記ダイパッド２１に隣接して配置された端子２２と、前記隣り合って配置されたダイパッド２１間を相互に連結するダイパッド間吊り部２４とを有するリードフレーム２を用意する工程と、隣り合って配置された前記ダイパッド２１間が前記ダイパッド間吊り部２４によって相互に連結された状態で、前記ダイパッド２１の上面に半導体チップ１を搭載し、前記半導体チップ１と前記端子２２とをワイヤ３で接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記ダイパッド間吊り部２４を切断して、隣り合って配置された前記ダイパッド２１を相互に分離する工程と、相互に分離された少なくとも２つの前記ダイパッド２１を含むように、前記端子２２の少なくとも一部と前記半導体チップ１とを単一の樹脂封止体で被覆する樹脂モールド工程とを含むことを特徴とする。
これにより、ワイヤボンディング時にクランプ性を向上させ、良好なワイヤボンディング接合ができる。
【００２７】
上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることが明らかになるはずである。
【００２８】
また、図２に示すように、ダイパッド２１の周囲に段差を付けることができる。段差は端子の板厚の半分以下、例えば０．１ｍｍとするとよい。これにより、ダイパッド２１の上面の実装面積を確保し、ダイパッド２１の裏面間の絶縁距離も確保することができる。また、面実装時のはんだブリッジを防止し、ダイパッド２１と樹脂封止体４からダイパッド２１が剥がれることを防止し、水分が浸入を抑制する効果がある。
【００２９】
また、モールド樹脂をエポキシ樹脂としたが、ブロム（Ｂｒ）非含有のハロゲンフリー樹脂としてもよい。これにより、環境性能を向上することができる。
【００３０】
また、リードフレーム２を銅又は銅合金としたが、アルミニウム又はアルミニウム合金であってもよい。これにより、材料費を低減することができる。ただし、その表面には、接合材料やワイヤが接合可能なように、各種めっき処理が施されていることが好ましい。
【００３１】
また、半導体チップ１をＳｉＣで構成されたものとしたが、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）等で構成することもできる。これにより、上述の構成や効果が変わることはない。
【００３２】
また、上述の例では、単一の半導体チップとしたが、リードフレームの上に複数の半導体チップが搭載される場合、ＳｉＣとＧａＮ等との組み合わせでもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１、半導体チップ
２、リードフレーム
２１、ダイパッド
２２、端子
２３、吊り部
２４、ダイパッド間吊り部
２５、突起部
３、ワイヤ
４、樹脂封止体
１００、半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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