(57)【要約】【課題】成膜時にマスクに発生した熱をホルダ本体側へ放熱させる伝熱経路を成膜対象物の面積を超えた範囲に拡大することにより、成膜対象物の膜が過熱状態となって膜の内部応力が過大となることを効果的に防止する。【解決手段】少なくとも一部に永久磁石１３０を備え、且つ成膜対象物１０を配置するホルダ本体１１０と、成膜対象物を間に挟んでホルダ本体上に配置されることにより永久磁石により吸引保持されるマスク２０と、を備え、マスクの外周縁部の少なくとも一部は、成膜対象物の対応する外周縁部から庇状に突出した庇部２３となっており、ホルダ本体には庇部との間に空所Sを形成する張出し部１１１が形成されており、空所内に庇部からの熱をホルダ本体に伝導する熱伝導部材１４０を配置した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
全部、又は一部に永久磁石を備え、且つ一面に成膜対象物を配置するホルダ本体と、該ホルダ本体の一面上に配置した前記成膜対象物を間に挟んで前記ホルダ本体の一面上に配置されることにより前記永久磁石により吸引保持されるマスクと、を備え、
前記マスクの外周縁部の少なくとも一部は、前記成膜対象物の対応する外周縁部から庇状に突出した庇部となっており、
前記ホルダ本体には、前記庇部との間に空所を形成する張出し部が形成されており、
前記空所内に、前記庇部からの熱を前記ホルダ本体に伝導する熱伝導部材の少なくとも一部を配置したことを特徴とする成膜用マスクホルダユニット。
【請求項２】
前記空所は、前記マスク、及び前記ホルダ本体の外周縁部の全周に亘って延在しており、
前記熱伝導部材は、前記空所の全周に亘って延在するように配置された環状体であることを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスクホルダユニット。
【請求項３】
前記熱伝導部材は、前記ホルダ本体と一体化されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜用マスクホルダユニット。
【請求項４】
前記永久磁石を前記空所の直下に配置したことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の成膜用マスクホルダユニット。
【請求項５】
前記ホルダ本体上面であって、前記成膜対象物と前記熱伝導部材との境界に沿った部位に、凹所を形成したことを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスクホルダユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜処理の対象物としての基板上にマスクを磁力で保持する成膜用マスクホルダユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーデバイスをはじめとする半導体素子、水晶振動子等の各種デバイスの製造工程には薄膜による電極形成プロセスがあり、この電極形成プロセスとしては、フォトリソグラフィ法と、マスク成膜法とがある。フォトリソグラフィ法は、蒸着やスパッタリング等により半導体基板等の基板の全面に薄膜を成膜し、その後フォトレジストにより所望のパターン開口を形成し、不要部分をエッチング処理で除去するものである。またマスク成膜法は、多数の磁石を具備した成膜処理用マスクホルダ上に、基板と所定の開口が形成された磁性材料から成るマスクとを順次重ねて配置し、マスクを基板の表面に磁力で吸着つつ、この状態でスパッタリング等の成膜処理を行い、成膜が終了した後、マスクを離脱することでパターンを形成するものである。
マスク成膜法は簡便でありプロセスコストが安いという利点があるが、マスクが基板から離間して密着性が低下し易い。このようにマスクが基板から浮いた状態でスパッタリング等による成膜を行うと、形成されたパターンに欠陥が発生し易くなり、このマスクの浮きという問題が解決されない限り微細なパターン形成には適さない。このため、微細なパターンを形成するため、マスクが基板から浮かないよう、マスクを成膜処理用マスクホルダに強力な磁力で吸着する必要がある。
【０００３】
本出願人により提案された未公知の特許文献１（特願２０１３−１４７７５３）には、一面に磁力により吸引されるマスクを配置した基板の他面を一面で支持する第１プレートと、第１プレートの他面側に配置され、外面に係止部材を取り付けた磁石を夫々収容する複数の穴部を備えた第２プレートと、を備え、磁石の磁力により第１プレートを吸引することにより第２プレート上にマスクを保持するようにした成膜処理用マスクホルダが提案されている。
【０００４】
ところで、スパッタリング等を用いたマスク成膜法では、例えば１００℃程度の低温での成膜が理想的であるが、プラズマ内の自由電子は基板の成膜面に流入してジュール熱となって成膜面の温度を例えば２００℃程度まで上昇させる要因となる。成膜温度が高いほど膜の内部応力が高くなるが、半導体素子を形成する上で膜の内部応力の増大は好ましくない特性要因となるため、成膜温度は極力下げることが理想である。
【０００５】
図６（ａ）乃至（ｄ）は未公知のマスクホルダユニットの平面図、正面図、分解斜視図、及び（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
このマスクホルダユニット１００は、一面１０１ａに半導体ウェハ等の成膜対象物１１０を配置するホルダ本体１０１と、ホルダ本体内に収納される複数の磁石１１５と、成膜対象物１１０を間に挟んでホルダ本体１０１上に配置される磁性体から成るマスク１０５と、を備えている。
ホルダ本体１０１は、磁石１１５を収容する複数の凹所１０２ａを上面に有した下層プレート１０２と、凹所１０２ａ内から突出した磁石１１５の上部を収容する凹所１０４ａを下面に有した上層プレート１０４と、を有する金属製である。
ホルダ本体１０１側に固定配置された磁石１１５の磁力によってマスク１０５を吸引することにより、マスク１０５を下層プレート１０２の上面に位置決め保持することができる。
【０００６】
従来のホルダ本体１０１はその一面１０１ａ上に成膜対象物１１０、及びマスク１０５を配置できるように、成膜対象物及びマスクよりも面積が大きく構成されている。一方、従来のマスク１０５は、成膜対象部１１０と同面積（外形状が同じ）か、若しくは成膜対象物よりも面積が狭くなるように構成されている。このため、スパッタリング工程中においてマスク面で発生した熱は成膜対象物１１０を経由しホルダ本体１０１に伝熱して行くこととなり、これ以外の伝熱経路は存在しない。
成膜工程では、ホルダ本体１０１を水冷式の冷却装置上に搭載することにより、マスク１０５→成膜対象物１１０→ホルダ本体１０１→冷却装置といった伝熱ルートで放熱を行うことになる。
しかし、このように従来のマスクホルダユニット１００を用いた成膜工程では、マスクの昇温に起因して成膜対象物の成膜面の温度が過大に上昇したとしても、放熱のための伝熱経路が成膜対象物の面積の範囲内に極限されていたため、成膜温度を充分に低下させることが難しかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特願２０１３−１４７７５３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
以上のように従来の成膜処理用マスクホルダにあっては、成膜時にマスクに発生した熱を半導体ウェハ等の成膜対象物を経由してホルダ本体へ放熱していたに過ぎなかったため、放熱ルートが極限されており、成膜対象物の膜が過熱状態となり、膜の内部応力が過大となる虞があった。
本発明は上述の課題に鑑みてなされたものであり、成膜時にマスクに発生した熱をホルダ本体側へ放熱させる伝熱経路を成膜対象物の面積を超えた範囲に拡大することにより、成膜対象物の膜が過熱状態となって膜の内部応力が過大となることを効果的に防止することができる成膜用マスクホルダユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、請求項１に記載の成膜用マスクホルダユニットは、全部、又は一部に永久磁石を備え、且つ一面に成膜対象物を配置するホルダ本体と、該ホルダ本体の一面上に配置した前記成膜対象物を間に挟んで前記ホルダ本体の一面上に配置されることにより前記永久磁石により吸引保持されるマスクと、を備え、前記マスクの外周縁部の少なくとも一部は、前記成膜対象物の対応する外周縁部から庇状に突出した庇部となっており、前記ホルダ本体には、前記庇部との間に空所を形成する張出し部が形成されており、前記空所内に、前記庇部からの熱を前記ホルダ本体に伝導する熱伝導部材を配置したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る成膜用マスクホルダユニットによれば、成膜時にマスクに発生した熱をホルダ本体側へ放熱させる伝熱経路を成膜対象物の面積を超えた範囲に拡大することにより、成膜対象物の膜が過熱状態となって膜の内部応力が過大となることを効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニットの構成を示す平面図、正面図、分解斜視図、及びＢ−Ｂ断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００の平面図、Ｃ−Ｃ断面図、及びＤ部拡大図であり、（ｄ）は比較例に係る成膜用マスクホルダユニットの平面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニットの斜視断面図、及びその要部拡大図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は比較例に係る成膜用マスクホルダユニットの斜視断面図、及びその要部拡大図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００の要部断面図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）は従来の成膜用マスクホルダユニット（未公知）の平面図、正面図、分解斜視図、及び（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニットについて説明する。
まず成膜用マスクホルダユニットの全体の構造について説明する。
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニットの構成を示す平面図、正面図、分解斜視図、及びＢ−Ｂ断面図である。
【００１３】
成膜用マスクホルダユニット（成膜処理用マスクホルダユニット）１００は、半導体基板、水晶基板、セラミック基板等々の成膜対象物としての基板（ウェハ）１０を一面上に配置可能であり、且つ少なくとも一部に（全体、又は一部に）永久磁石を備えたホルダ本体１１０と、ホルダ本体１１０内に収容された複数の磁石１３０と、ホルダ本体１１０の一面上に配置した基板１０を間に挟んでホルダ本体１１０の一面上に配置されることにより永久磁石により吸引保持される磁性体から成るマスク２０と、を備え、マスク２０の外周縁部の少なくとも一部は、基板１０の対応する外周縁部から庇状に突出した庇部２３となっており、ホルダ本体１１０には、庇部２３との間に空所Ｓを形成する張出し部１１１が形成されており、空所Ｓ内に、庇部２３からの熱をホルダ本体１１０に伝導する熱伝導部材１４０の少なくとも一部を配置したものである。
【００１４】
ホルダ本体１１０は、第１プレートである上層プレート１１５と、第２プレートである下層プレート１２０と、を備える。下層プレート１２０は、基板１０を配置する上層プレートの上面とは反対の下面側に配置される。複数個の磁石１３０は、両プレート間に配置されている。
成膜用マスクホルダユニット１００は、円盤状の基板１０に磁力で吸着されるマスク２０を配置して成膜処理を行うものである。
即ち、ホルダ本体１１０は、一面に磁力により吸引されるマスク２０を配置した基板１０の他面を一面（上面）で支持する上層プレート（第１プレート）１１５と、上層プレートの他面側に配置され、筒状の磁石１３０を収容する複数の穴部１２５を備えた下層プレート（第２プレート）１２０と、を備える。
上層プレート１１５及び下層プレート１２０は、基板１０より大きな円盤状をなしており、ネジその他の固定手段により着脱自在に組み付けられる。
下層プレート１２０の穴部１２５内に磁石１３０を取り付けて上層プレート１１５を被せた状態で、上層プレート１１５上に基板１０とマスク２０を配置して、磁石１３０の磁力で基板１０上にマスク２０を密着させる。磁石１３０は、例えば、ネオジウムやサマリウムコバルト等の焼結マグネットであり、柱体状である円柱として構成されている。
マスク２０には、基板１０の成膜パターンに対応する開口２１が形成されている。マスクとしては、磁石に吸着される材料、例えば、鉄、鉄−ニッケル合金を用いる。
なお、基板の形状は、円盤状に限らないが、本例では円盤状の基板を一例として説明する。
【００１５】
次に成膜用マスクホルダユニット１００の具体例について説明する。下層プレート１２０は、加工性と熱伝導性を考慮し純銅材で製作することが望ましい。下層プレート１２０の厚さは、例えば７ｍｍとし、穴部１２５は、直径４．３ｍｍとし、直径４ｍｍの磁石１３０を配置する。
磁石１３０は、円柱中実形状で直径４ｍｍ、高さ６ｍｍの希土類マグネットを使用する。
尚、本実施形態において上層プレート、下層プレートの材料は純銅に限定されるものではなく、アルミ等、他の金属素材で製作することができる。
なお、本実施形態では、ホルダ本体の少なくとも一部に別体構造の磁石を配置した構成（複数個の磁石を上下プレート間に配置した構成）としたがこれは一例に過ぎず、ホルダ全体、又はその一部が磁石から構成されていてもよい。
【００１６】
図示した実施形態では、熱伝導部材１４０として、金属等の熱伝導性の高い材料から成る環状熱伝導部材（環状体）１４２を用いている。環状熱伝導部材１４２は、マスク２０、及びホルダ本体１１０の外周縁部の全周に亘って延在している空所Ｓ内に配置される。環状熱伝導部材１４２を空所Ｓの全周に亘って延在するように配置することにより、マスク２０の外周縁部からの熱を効果的にホルダ本体１１０側へ放熱することが可能となる。環状熱伝導部材１４２は、庇部２３の下面と張出し部１１１の上面に密着するようにその厚み、及び上下両面の形状が設定される。即ち、環状熱伝導部材１４２は基板１０とほぼ同等の厚みを有すると共に、その上下両面は平坦に構成されている。また、環状熱伝導部材１４２は、磁性体から構成することにより、磁石１３０からの吸引力によって庇部２３の下面と張出し部１１１の上面に密着するように構成する。
【００１７】
このようにマスク２０の外周縁とホルダ本体１１０の外周縁を基板１０の外周縁よりも外径方向へ突出させて空所Ｓを形成し、この空所Ｓ内を満たすように環状熱伝導部材１４２を配置し、更に環状熱伝導部材を磁石により吸引して庇部２３、及び張出し部１１１と密着させた（接触圧を高めた）。このため、従来のように基板の面積の範囲内でのみマスク及びホルダ本体と接触させていた従来例とは異なって、基板の外径方向に熱伝導経路を増大させることができ、ホルダ本体に放熱される熱量を増大させることが可能となる。つまり、スパッタリング等による成膜工程で発生する基板への自由電子の流入による発熱を効率的にホルダ本体側に伝導し、成膜時の温度上昇を防ぐことが可能となり、成膜材料の内部応力を緩和することができた。
なお、環状熱伝導部材の外周縁が庇部２３よりも外径方向へ（空所の外周縁を越えて）突出するように環状熱伝導部材を大径に構成することにより、環状熱伝導部材の熱容量を増大させてホルダ本体側への熱伝導量を増大させるようにしてもよい。
また、マスクの外周縁を基板の外周縁よりも外径方向に突出させた上で、ホルダ本体側の磁石により吸着するようにしたので、マスクの吸着力（接触圧）を増大させることにより基板からの浮きを更に確実に防止することが可能となり、マスクの浮きによる成膜パターンの欠陥を解消することができた。
【００１８】
［第２の実施形態］
次に、図２（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００の平面図、Ｃ−Ｃ断面図、及びＤ部拡大図である。また、図２（ｄ）は比較例に係る成膜用マスクホルダユニットの平面図である。
ホルダ本体側に配置する磁石１３０の位置は、図２（ｄ）の比較例に示したように基板１０の外周縁の内側に配置された磁石からの磁力により庇部２３を張出し部１１１側に吸引することができる場合には、ホルダ本体の張出し部１１１に相当する位置に磁石を設けなくても良い。
【００１９】
しかし、庇部２３、及び環状熱伝導部材１４２をより確実に張出し部１１１側に吸引するためには、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように空所Ｓの直下に相当するホルダ本体内にも磁石を配置することが好ましい。
基板１０の外周縁を外径方向へ越えた空所Ｓの直下位置に磁石１３０を配置することにより、マスクの庇部２３、及び環状熱伝導部材１４２をホルダ本体側に吸引し、各部材相互の密着力を高めることができる。これにより、マスクからの熱をより効果的にホルダ本体へ入熱させて放熱効果（伝熱効率）を高めることができる。
【００２０】
［第３の実施形態］
次に、図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００の斜視断面図、及びその要部拡大図であり、図４（ａ）及び（ｂ）は比較例に係る成膜用マスクホルダユニット１００の斜視断面図、及びその要部拡大図である。
なお、上記実施形態と同一部分には同一符号を付して説明する。
本実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００は、ホルダ本体１１０の上面であって、基板１０の外周縁と環状熱伝導部材１４２の内周縁との境界部ＢＬに沿った部位に、環状の凹所（保護フィルム退避部）１２６を形成したことを特徴とする。
図３（ａ）（ｂ）に示した例では、環状の凹所１２６は、基板１０の外周縁と環状熱伝導部材１４２の内周縁にまたがる幅寸法Ｗと、境界部ＢＬの全長に亘る周方向長を有する。
なお、境界部ＢＬでは、基板の外周縁と環状熱伝導部材の内周縁とが図示のように離間していてもよいし、密着していてもよい。
【００２１】
図４は第１の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００を組み付けた状態を示しており、実際の製膜作業時には基板１０の裏面とホルダ本体１１０の表面との間には、両者の接触による傷発生を防止する目的でポリイミド系の樹脂材料から成る保護フィルム１５０（膜厚５０μｍ程度）を介在させるのが一般である。保護フィルム１５０のホルダ本体表面と接する下面には粘着剤層が設けられており、この粘着剤層がホルダ表面と接着した状態となっている。
このため、保護フィルム１５０の外形状（外周輪郭）を基板１０の外形状と同じにすると、保護フィルムの外周縁から粘着剤の一部が基板側に付着し易くなる。基板側に付着した粘着剤はその後の基板の加工工程や、最終的に得られるデバイスの性能に悪影響を与える原因となる。
このような不具合を回避するために、図４（ｂ）の拡大図に示すように保護フィルムの外周縁を、境界部ＢＬを越えて充分に外径方向へ延長し、環状熱伝導部材１４２（熱伝導部材１４０）の内周縁を越えた位置まで延在させている。保護フィルム１５０の外周縁が基板１０の外周縁を越えた位置にあることにより、保護フィルムの外周縁から粘着剤が漏れ出したとしても基板に付着する虞を皆無にすることができるからである。
【００２２】
しかし、このように構成すると、庇部２３と張出し部１１１との間（空所Ｓ）に保護フィルム１５０が介在することとなり、環状熱伝導部材１４２により形成されている補助的な熱伝導経路による放熱を阻害する要因となり、基板への蓄熱による熱的な影響が発生する。
本実施形態ではこのような不具合を解決するために、図３に示したように、ホルダ本体１１０の上面であって、基板１０の外周縁と環状熱伝導部材１４２の内周縁との境界部ＢＬに沿った部位に環状の凹所（保護フィルム退避部）１２６を形成した。
【００２３】
図３（ｂ）の実施形態では、凹所１２６は基板１０の外周縁と環状熱伝導部材１４２の内周縁との境界部ＢＬを跨いで基板１０と環状熱伝導部材１４２側に延在している。保護フィルム１５０の外周縁、即ち境界部ＢＬが凹所１２６の幅Ｗの範囲内に位置している。また、保護フィルムの外周縁は基板の外周縁を越えて凹所１２６内に入り込んでいるため、保護フィルムの外周縁から基板側へ粘着剤が移行するおそれは皆無となる。また、保護フィルムの外周縁は凹所内で終端しており、張出し部１１１上にまで延在していないため、環状熱伝導部材１４２は庇部２３及び張出し部１１１と同時に密着した状態で組付けを行うことが可能となり、環状熱伝導部材を放熱経路として最大限に有効活用することが可能となる。このように構成した結果、成膜中における基板温度が最適温度にまで低下し、基板面上に成膜された膜の内部応力を充分に緩和することができた。
なお、この場合には、環状熱伝導部材１４２の厚さＴ１を、保護フィルムの厚さ分だけ基板１０の厚さＴ２より厚く構成することにより、基板上面と環状熱伝導部材の上面との間に段差（高さ位置のずれ）が形成されて、マスク下面との密着性が低下することを防止できる。
なお、保護フィルムを使用する必要がない場合には、凹所１２６を形成する必要がないことは言うまでも無い。
本実施形態においても、第１の実施形態と同様にマスクの発熱を効果的にホルダ本体側に伝導することが可能となる。また、マスクを吸着する面積（接触圧）を増大させることにより、基板からの浮きを更に確実に防止することが可能となり、マスクの浮きによる成膜パターンの欠陥を解消することができた。
【００２４】
［第４の実施形態］
次に、図５は本発明の第４の実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００の要部断面図である。なお、図１を併せて参照し、同一部分には同一符号を付して説明する。
本実施形態に係る成膜用マスクホルダユニット１００は、熱伝導部材１４０を、ホルダ本体１１０と一体化した構成が特徴的である。言い換えれば、ホルダ本体１１０の張出し部１１１に相当する外周縁部の厚みＷ１を、基板を載置する内側部分の厚みＷ２よりも大きくして、基板上面と熱伝導部材１４０との段差を解消してマスク２０との密着性を高めつつ、熱伝導部材１４０による高い熱伝導性を確保している。
つまり、熱伝導部材１４０をホルダ本体１１０と別部材とせずに、ホルダ本体の一部（張出し部１１１に相当する部位）を厚肉にしてマスク２０と直接接触させたものである。
これを言い換えれば、ホルダ本体の張出し部１１１に相当する上面に環状の凸部を設け、この凸部により空所Ｓを満たすように構成する。この凸部を熱伝導部材１４０として利用することにより、マスク、及び成膜対象物の冷却効率を高めることが可能となる。
保護フィルム１５０を基板下面に配置する場合には、基板外周縁と熱伝導部材１４０の内周縁との間に空間Ｇを設け、保護フィルムの外周縁を基板外周縁よりも外径方向へ突出させればよい。
【００２５】
この実施形態では、基板１０の下面に配置された保護フィルム１５０の外周縁を空間Ｇ内に収納させることにより、保護フィルムの端面から粘着剤が基板側に付着するという不具合を解消しつつ、ホルダ本体の張出し部１１１（環状熱伝導部材１４２）をマスク２０と直接接触させることにより、高い熱伝導性を確保することが可能となる。つまり、スパッタリング等による成膜工程で発生する基板への自由電子の流入による発熱を効率的にホルダ本体側に伝導し、成膜時の温度上昇を防ぐことが可能となり、成膜材料の内部応力を緩和することができた。
また、マスクの外周縁を基板の外周縁よりも外径方向に突出させた上で、ホルダ本体側の磁石により吸着するようにしたので、マスクの吸着面積（接触圧）を増大させることにより基板からの浮きを更に確実に防止することが可能となり、マスクの浮きによる成膜パターンの欠陥を解消することができた。
【００２６】
［発明の構成、作用、効果のまとめ］
第１の本発明に係る成膜用マスクホルダユニットは、全部、又は一部に永久磁石を備え、且つ一面に成膜対象物２０を配置するホルダ本体１００と、ホルダ本体の一面上に配置した成膜対象物を間に挟んでホルダ本体の一面上に配置されることにより永久磁石により吸引保持される磁性体から成るマスク２０と、を備え、マスクの外周縁部の少なくとも一部は成膜対象物の対応する外周縁部から庇状に突出した庇部２３となっており、ホルダ本体には、庇部との間に空所Ｓを形成する張出し部１１１が形成されており、空所内に、庇部からの熱をホルダ本体に伝導する熱伝導部材１４０の少なくとも一部を配置したことを特徴とする。
ホルダ本体１１０の一面に基板１０を位置決め固定するために、基板上に配置したマスク２０をホルダ本体側に設けた磁石により吸引する場合に、マスク２０の外周縁とホルダ本体１１０の外周縁を基板１０の外周縁よりも外径方向へ突出させて空所Ｓを形成し、この空所Ｓ内に熱伝導部材１４０（環状熱伝導部材１４２）を配置した。この結果、熱伝導部材を介して庇部２３、及び張出し部１１１とが密着状態となる。このため、従来のように基板の面積の範囲内でのみマスク及びホルダ本体と接触させていた従来例とは異なって、基板の外径方向に熱伝導経路を増大させることができ、ホルダ本体に放熱される熱量を増大させることが可能となる。つまり、スパッタリング等による成膜工程で発生する基板への自由電子の流入による発熱を効率的にホルダ本体側に伝導し、成膜時の温度上昇を防ぐことが可能となり、成膜材料の内部応力を緩和することができた。ホルダ本体の他面側に冷却装置を配置することにより、冷却効果を高めることができる。
熱伝導部材の外周縁が空所を越えて外径方向へ突出するようにしてもよい。この場合にはマスクからホルダ本体側への放熱量を増大させることが可能となる。
【００２７】
また、マスクの外周縁を基板の外周縁よりも外径方向に突出させた上で、ホルダ本体側の磁石により吸着するようにしたので、マスクの吸着面積、接触圧を増大させることにより基板からの浮きを更に確実に防止することが可能となり、マスクの浮きによる成膜パターンの欠陥を解消することができた。
なお、磁石はホルダ本体の全体、或いは一部に設けられていれば足り、実施形態のように複数個の磁石を規則的に分散配置する場合に限らない。
空所Ｓは、必ずしもマスク１０、及びホルダ本体１１０の外周縁部の全周に亘って延在している環状の空所である必要はなく、部分的に配置された空所であってもよい。成膜対象物である基板の形状等々の条件に応じて、基板の任意の外径方向に空所を設け、当該空所内に熱伝導部材を配置するようにすればよい。
熱伝導部材１４０は、ホルダ本体と別体構造の別部品であってもよいし、ホルダ本体の一部を熱伝導部材としてもよい。
【００２８】
第２の本発明では、空所Ｓは、マスク１０、及びホルダ本体１１０の外周縁部の全周に亘って延在しており、熱伝導部材１４０は、空所の全周に亘って延在するように配置された環状体（成膜対象物と同等の厚み）である。
実施形態では、成膜対象物の外周縁の外径方向全周に亘って空所Ｓを設け、この空所内を満たすように熱伝導部材１４０を配置したので、熱伝導部材の面積を大きくすることができ、放熱効率を大幅に高めることが可能となる。
【００２９】
第３の本発明では、熱伝導部材１４０は、ホルダ本体１１０と一体化されていることを特徴とする。
ホルダ本体の張出し部１１１に相当する上面に環状の凸部を設け、この凸部により空所Ｓを満たすように構成する。この凸部を熱伝導部材１４０として利用することにより、マスク、及び成膜対象物の冷却効率を高めることが可能となる。
【００３０】
第４の本発明では、永久磁石１３０を空所Ｓの直下に配置したことを特徴とする。
マスク２０の外周縁に庇部２３を設け、庇部２３とホルダ本体の張出し部１１１との間に熱伝導部材１４０を配置した場合に、張出し部１１１に相当するホルダ本体部分に磁石を配置することにより、成膜対象物２０に対する庇部２３と張出し部との密着性を高めることが可能となる。その結果、熱伝導効率を高めるばかりで無く、マスクの浮きを防止して精度の高い成膜が可能となる。
【００３１】
第５の本発明では、ホルダ本体上面であって、成膜対象物と前記熱伝導部材との境界に沿った部位に、凹所１２６を形成したことを特徴とする。
ホルダ本体の一面と成膜対象部との間に保護フィルムを介在させる場合には、保護フィルムをホルダ本体と接着するための粘着剤が保護フィルムの外周縁から基板側に漏出することを防止する必要がある。一方、保護フィルムが熱伝導部材とホルダ本体との間に介在すると熱伝導性からするとマイナス要因になる。
本発明では、ホルダ本体上に保護フィルムの外周縁を収容する凹所１２６を設けることにより保護フィルム外周縁を基板から充分に離間させるようにした。一方、保護フィルムは熱伝導部材とホルダ本体との間に介在させないことが熱伝導効率からいえば重要であるため、凹所を成膜対象物と熱伝導部材との境界に配置し、且つ保護フィルムの外周縁を凹所内（熱伝導部材の内周縁の手前）にて終端させた。
【符号の説明】
【００３２】
１０  基板（成膜対象物）、２０  マスク、２１  開口、２３  庇部、Ｓ  空所、１００  成膜用マスクホルダユニット（成膜処理用マスクホルダユニット）、１１０  ホルダ本体、１１１  張出し部、１１５  上層プレート（第１プレート）、１２０  下層プレート（第２プレート）、１２５  穴部、１２６  凹所（保護フィルム退避部）１３０  磁石、１４０  熱伝導部材、１４２  環状熱伝導部材、１５０  保護フィルム、Ｇ  空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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