(57)【要約】【課題】よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換する。【解決手段】  偏波制御器２０は、光学軸が水平面に対して４５度をなす光導波路として形成された偏波回転素子ＰＣ１と、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置されると共に光導波路として形成され制御信号Ｃｃｒ１によって内部を伝搬する光のＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分との位相差を変更可能な偏波変調素子Ｍｏｄ１と、偏波変調素子Ｍｏｄ１に対して偏波回転素子ＰＣ１と反対側に配置された偏波回転素子ＰＣ２と、偏波回転素子ＰＣ２に対して偏波変調素子Ｍｏｄ１と反対側に配置された偏波変調素子Ｍｏｄ２と、を備える。こうした構成により、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。【選択図】図１
2015152772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の偏波状態を制御する偏波制御器であって、
光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第１の軸を回転軸として、光軸方向の長さに基づく第１の回転量分回転させて出力する第１偏波回転素子と、
前記第１偏波回転素子と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力し、Ｓ１軸を回転軸とする回転量が第１の制御信号により制御される第１偏波変調素子と、
を備える偏波制御器。
【請求項２】
請求項１記載の偏波制御器であって、
前記第１の回転量は、９０度である
偏波制御器。
【請求項３】
請求項１または２記載の偏波制御器であって、
前記第１偏波回転素子は、光学軸が水平面に対して０度および９０度と異なる角度をなす素子である
偏波制御器。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１つの請求項に記載の偏波制御器であって、
前記第１偏波変調素子は、光学軸が水平面に対して０度をなし、前記第１の制御信号によって水平面に平行な電界成分と水平面に垂直な電界成分との位相差を変更可能な素子である
偏波制御器。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１つの請求項に記載の偏波制御器であって、
光導波路として形成され、前記第１偏波変調素子に対して前記第１偏波回転素子とは反対側であり且つ前記第１偏波変調素子と光結合可能な位置に配置され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第２の軸を回転軸として、光軸方向の長さに基づく第２の回転量分回転させて出力する第２偏波回転素子
を備える偏波制御器。
【請求項６】
請求項５記載の偏波制御器であって、
前記第２の回転量は、９０度である
偏波制御器。
【請求項７】
請求項５または６記載の偏波制御器であって、
前記第２偏波回転素子は、光学軸が水平面に対して０度および９０度と異なる角度をなす素子である
偏波制御器。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか１つの請求項に記載の偏波制御器であって、
前記第２偏波回転素子に対して前記第１偏波変調素子とは反対側であり且つ前記第２偏波回転素子と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力し、Ｓ１軸を回転軸とする回転量が第２の制御信号により制御される第２偏波変調素子
を備える偏波制御器。
【請求項９】
請求項８記載の偏波制御器であって、
前記第２偏波変調素子は、光学軸が水平面に対して０度をなし、前記第２の制御信号によって水平面に平行な電界成分と水平面に垂直な電界成分との位相差を変更可能な素子である
偏波制御器。
【請求項１０】
請求項８または９記載の偏波制御器であって、
前記第１偏波回転素子に対して前記第１偏波変調素子とは反対側であり且つ前記第１偏波回転素子と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力し、Ｓ１軸を回転軸とする回転量が第３の制御信号により制御される第３偏波変調素子
を備える偏波制御器。
【請求項１１】
請求項１０記載の偏波制御器であって、
前記第３偏波変調素子は、光学軸が水平面に対して０度をなし、前記第３の制御信号によって光の入射面に平行な電界成分と光の入射面に垂直な電界成分との位相差を変更可能な素子である
偏波制御器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏波制御器に関し、詳しくは、光の偏波状態を制御する偏波制御器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の偏波制御器としては、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる基板上にアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）からなるガイド層を有するリッジ導波路を備えるものが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。この偏波制御器では、リッジ導波路に対して水平方向に電界をかけることで光学軸が水平面に対して４５度に傾いた複屈折を誘起し、例えばＴＥモードの入力光をＴＭモード，右円偏波，左円偏波に変換するなど、入力された直線偏波光をポアンカレ球のＳ１−Ｓ３面上の偏波状態に変換している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】J. D. Bull, et al., "40 GHz electro-optic polarization modulator for fiber optic communications systems," SPIE Photonics North, vol. 5577, pp. 133-143 (2004)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の偏波制御器では、入力光の偏波状態を、ポアンカレ球のＳ１−Ｓ３面上以外の偏波状態に変換することができないため、光通信における偏波変調や光センシングにおける偏波スクランブリングなど、光の偏波状態をポアンカレ球上の任意の偏波状態に変換することが望まれるシステムには適用できない。こうしたシステムに適用する手法として、入力光をビームスプリッタなどの空間光学系で分割し、分割した光をそれぞれ成分毎に偏波変換した後合成する手法も考えられるが、この場合、ビームスプリッタなどの空間光学系が必要となるため、装置全体が大型化してしまう。
【０００５】
本発明の偏波制御器は、コンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の偏波制御器は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。
【０００７】
本発明の偏波制御器は、
光の偏波状態を制御する偏波制御器であって、
光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第１の軸を回転軸として、光軸方向の長さに基づく第１の回転量分回転させて出力する第１偏波回転素子と、
前記第１偏波回転素子と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力し、Ｓ１軸を回転軸とする回転量が第１の制御信号により制御される第１偏波変調素子と、
を備えることを要旨とする。
【０００８】
この本発明の偏波制御では、第１偏波回転素子は、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第１の軸を回転軸として、光軸方向の長さに基づく第１の回転量分回転させて出力し、第１偏波変調素子は、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力する。光の入力側から第１偏波回転素子，第１偏波変調素子の順に配置して、第１偏波回転素子側から光を入力することにより、入力した光の偏波状態を、ポアンカレ球において順にＳ２軸または第１の軸，Ｓ１軸を回転軸として回転させた偏波状態に変換することができる。また、光の入力側から、第１偏波変調素子，第１偏波回転素子の順に配置して、第１偏波変調素子側から光を入力すると、入力した光の偏波状態をポアンカレ球において順にＳ１軸，Ｓ２軸または第１の軸を回転軸として回転させた偏波状態に変換することができる。そして、第１の制御信号の電圧を調整することにより、入力した光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。さらに、第１偏波回転素子および第１偏波変調素子は共に光導波路として形成されているから、空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。この結果、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。ここで、「Ｓ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第１の軸」は、例えば、Ｓ１−Ｓ２面上のＳ２軸を中心として９０度（Ｓ２軸から±４５度）の範囲内に位置する軸であるものとすることができる。
【０００９】
こうした本発明の偏波制御器において、前記第１の回転量は、９０度であるものとすることもできる。こうすれば、光の入力側から第１偏波回転素子，第１偏波変調素子の順に配置して、第１偏波回転素子側からＴＥ偏波光またはＴＭ偏波光を入力することにより、入力した光の偏波状態を、ポアンカレ球におけるＳ２−Ｓ３面上の任意の偏波状態に変換することができる。また、光の入力側から、第１偏波変調素子，第１偏波回転素子の順に配置して、第１偏波変調素子側からポアンカレ球におけるＳ２−Ｓ３面上の光を入力すると、入力した光の偏波状態をＴＥ偏波光またはＴＭ偏波光に変換することができる。
【００１０】
また、本発明の偏波制御器において、前記第１偏波回転素子は、例えば、光学軸が水平面に対して４５度であるものなど、光学軸が水平面に対して０度および９０度と異なる角度をなすものとすることもできる。
【００１１】
さらに、本発明の偏波制御器において、前記第１偏波変調素子は、光学軸が水平面に対して０度をなし、前記第１の制御信号によって水平面に平行な電界成分と光の入射面に垂直な電界成分との位相差を変更可能な素子であるものとすることもできる。
【００１２】
そして、本発明の偏波制御器において、光導波路として形成され、前記第１偏波変調素子に対して前記第１偏波回転素子とは反対側であり且つ前記第１偏波変調素子と光結合可能な位置に配置され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第２の軸を回転軸として、光軸方向の長さに基づく第２の回転量分回転させて出力する第２偏波回転素子を備えるものとすることもできる。第２偏波回転素子は、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第２の軸を回転軸として、光軸方向の長さに基づく第２の回転量分回転させて出力する。第１偏波回転素子側から光を入力することにより、入力した光の偏波状態を、ポアンカレ球において順にＳ２軸または第１の軸，Ｓ１軸，Ｓ２軸または第２の軸を回転軸として回転させた偏波状態に変換することができ、第１の制御信号の電圧を調整することにより、入力した光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。さらに、第２偏波回転素子も光導波路として形成されているから、空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。これにより、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。ここで、「Ｓ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の第２の軸」は、例えば、Ｓ１−Ｓ２面上のＳ２軸を中心として９０度（Ｓ２軸から±４５度）の範囲内に位置する軸であるものとすることができる。
【００１３】
第１偏波回転素子，第１偏波変調素子，第２偏波回転素子を備える態様の本発明の偏波制御器において、前記第２の回転量は、９０度であるものとすることもできる。こうすれば、ＴＥ偏波光またはＴＭ偏波光を入力することにより、入力した光の偏波状態を任意の直線偏波光に変換することができる。
【００１４】
第１偏波回転素子，第１偏波変調素子，第２偏波回転素子を備える態様の本発明の偏波制御器において、前記第２偏波回転素子は、光学軸が水平面に対して４５度であるものなど、光学軸が水平面に対して０度および９０度と異なる角度をなす素子であるものとすることもできる。
【００１５】
第１偏波回転素子，第１偏波変調素子，第２偏波回転素子を備える態様の本発明の偏波制御器において、前記第２偏波回転素子に対して前記第１偏波変調素子とは反対側であり且つ前記第２偏波回転素子と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力し、Ｓ１軸を回転軸とする回転量が第２の制御信号により制御される第２偏波変調素子を備えるものとすることもできる。第２偏波変調素子は、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力する。光の入力側から第１偏波回転素子，第１偏波変調素子，第２偏波回転素子，第２偏波変調素子の順に配置して、第１偏波回転素子側から光を入力することにより、入力した光の偏波状態を、ポアンカレ球において順にＳ２軸または第１の軸，Ｓ１軸，Ｓ２軸または第２の軸，Ｓ１軸を回転軸として回転させた偏波状態に変換することができる。また、光の入力側から、第２偏波変調素子、第２偏波回転素子，第１偏波変調素子，第１偏波回転素子の順に配置して、第２偏波変調素子側から光を入力すると、入力した光の偏波状態をポアンカレ球において順にＳ１軸，Ｓ２軸または第２の軸，Ｓ１軸，Ｓ２軸または第１の軸を回転軸として回転させた偏波状態に変換することができる。そして、第１の制御信号，第２の制御信号の電圧を調整することにより、入力した光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。さらに、第２偏波変調素子も光導波路として形成されているから、空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。これにより、コンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。この場合において、前記第２偏波変調素子は、光学軸が水平面に対して０度をなし、前記第２の制御信号によって水平面に平行な電界成分と水平面に垂直な電界成分との位相差を変更可能な素子であるものとすることもできる。
【００１６】
第１偏波回転素子，第１偏波変調素子，第２偏波回転素子，第２偏波変調素子を備える態様の本発明の偏波制御器において、前記第１偏波回転素子に対して前記第１偏波変調素子とは反対側であり且つ前記第１偏波回転素子と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力し、Ｓ１軸を回転軸とする回転量が第３の制御信号により制御される第３偏波変調素子を備えるものとすることもできる。第３偏波変調素子は、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力する。こうすれば、入力した光の偏波状態を、ポアンカレ球において順にＳ１軸，Ｓ２軸または第１の軸，Ｓ１軸，Ｓ２軸または第２の軸，Ｓ１軸を回転軸として回転させた偏波状態に変換することができる。そして、第１の制御信号，第２の制御信号，第３の制御信号の電圧を調整することにより、入力した光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。さらに、第３偏波変調素子も光導波路として形成されているから、空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。これにより、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。この場合において、前記第３偏波変調素子は、光学軸が水平面に対して０度をなし、前記第２の制御信号によって水平面に平行な電界成分と水平面に垂直な電界成分との位相差を変更可能な素子であるものとすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施例としての偏波制御器２０の構成の概略を示す構成図である。
【図２】偏波回転素子ＰＣ１の構成の概略を示す外観図である。
【図３】図２におけるＡＡ線での断面の概略を示す断面図である。
【図４】距離Ｗ設定用マップの一例を示す説明図である。
【図５】光偏波回転素子３０の光学軸の方向を説明するための説明図である。
【図６】半ビート長設定用マップの一例を示す説明図である。
【図７】光偏波回転素子３０において入力された光の偏波状態を変換する様子を説明するための説明図である。
【図８】偏波変調素子Ｍｏｄ１の構成の概略を示す説明図である。
【図９】偏波変調素子Ｍｏｄ１において入力された光の偏波状態を変換する様子を説明するための説明図である。
【図１０】ＴＥ偏波光を偏波制御器２０に入力したときの偏波状態の変換の様子を示す説明図である。
【図１１】偏波制御器２０において、制御信号Ｃｃｒ１，Ｃｃｒ２の電圧を調整して入力された光の偏波状態を複数の偏波状態（図中の出力光の偏波状態１〜３）に変換した実験の結果を示す図である。
【図１２】変形例の偏波制御器１２０の構成の概略を示す構成図である。
【図１３】Ｓ２−Ｓ３面の外周上の偏波状態の光を偏波制御器１２０に入力したときの偏波状態の変換の様子を示す説明図である。
【図１４】本発明の第２実施例としての偏波制御器２２０の構成の概略を示す構成図である。
【図１５】ＴＥ偏波光を偏波制御器２２０に入力したときの偏波状態の変化の様子を示す説明図である。
【図１６】本発明の第３実施例としての偏波制御器３２０の構成の概略を示す構成図である。
【図１７】ＴＥ偏波光を偏波制御器３２０に入力したときの偏波状態の変化の様子を示す説明図である。
【図１８】変形例の偏波制御器４２０の構成の概略を示す構成図である。
【図１９】光を偏波制御器４２０に入力したときの偏波状態の変換の様子を示す説明図である。
【図２０】本発明の第４実施例としての偏波制御器５２０の構成の概略を示す構成図である。
【図２１】光を偏波制御器５２０に入力したときの偏波状態の変化の様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明を実施するための形態を実施例を用いて説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の第１実施例としての偏波制御器２０の構成の概略を示す構成図である。偏波制御器２０は、光導波路として形成された偏波回転素子ＰＣ１と、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置されると共に光導波路として形成された偏波変調素子Ｍｏｄ１と、偏波変調素子Ｍｏｄ１と光結合可能な位置に配置されると共に光導波路として形成され偏波変調素子Ｍｏｄ１に対して偏波回転素子ＰＣ１と反対側に配置された偏波回転素子ＰＣ２と、偏波回転素子ＰＣ２と光結合可能な位置に配置されると共に光導波路として形成され偏波回転素子ＰＣ２に対して偏波変調素子Ｍｏｄ１と反対側に配置された偏波変調素子Ｍｏｄ２と、を備える。
【００２０】
図２は偏波回転素子ＰＣ１の構成の概略を示す外観図であり、図３は、図２におけるＡＡ線での断面の概略を示す断面図である。偏波回転素子ＰＣ１は、図示するように、屈折率がｎ１（例えば、３．１７）のリン化インジウム（ＩｎＰ）からなる下部クラッド層２２と、リン化インジウムより屈折率が大きい屈折率がｎ２（例えば、３．４０）のリン化インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓＰ）からなるコア層２４と、屈折率がｎ１のリン化インジウム（ＩｎＰ）からなる上部クラッド層２６と、が順に積層されてなる光導波路として構成されており、コア層２４に形成された凸部２４ａ上に上部クラッド層２６が積層され入射した光をその偏波方向を回転させずに伝搬するリッジ導波路２９と、リッジ導波路２９からの光をその偏波方向を回転させて伝搬する光偏波回転素子３０と、コア層２４に形成された凸部２４ａ上に上部クラッド層２６が積層され光偏波回転素子３０からの光をその偏波方向を回転させずに伝搬して出射するリッジ導波路５０と、を備える。
【００２１】
光偏波回転素子３０の光導波路の断面は、図３で例示されているように、厚さＤＬ（例えば、２μｍなど）の下部クラッド層２２ａと、厚さＤｃｏｒｅ（例えば、０．５μｍなど）のコア層２４ｂと、厚さＤｃｌａｄ（例えば、１μｍ）の上部クラッド層２６ａと、が積層されてなる矩形断面（図中破線で示した部分）３２から、上部クラッド層２６ａが形成する２つの隅３４，３６のうち隅３４を隅とすると共にコア層２４内に位置する点３８を隅３４と対向する隅とする矩形断面４０と、隅３６を隅とすると共に点３８より隅３６側に位置する点４２を隅３６と対向する隅とする矩形断面４４と、を削除することにより形成される形状（図中実線の部分）となっている。矩形断面３２における下部クラッド層２２，コア層２４，上部クラッド層２６の厚さＤＬ，Ｄｃｏｒｅ，Ｄｃｌａｄは、図２に例示したリッジ導波路２９，５０の凸部２４ａにおける下部クラッド層２２，コア層２４，上部クラッド層２６の厚さと同じであるものとした。
【００２２】
矩形断面４０では、点３８をコア層２４ｂの下面から高さＤ２（例えば、０．３０μｍ）の位置に配置し、矩形断面４４では、点４２を点３８から距離Ｗだけ離間して下部クラッド層２２の上面から深さＤ１（例えば、０．５μｍ）の位置に配置した。距離Ｗは、高さＤ２と距離Ｗと次式（１）で表される回転パラメータＲとの関係を実験や解析などにより距離設定用マップとし予め定めておき、高さＤ２と回転パラメータＲが与えられると距離設定用マップから対応する距離Ｗを導出して定めるものとした。図４は、距離Ｗ設定用マップの一例を示す説明図である。式（１）中、Ｈｘ，Ｈｙは、光偏波回転素子３０の光の伝搬方向（光軸方向）に垂直な面において水平方向（下部クラッド層２２の図中下部の面に平行な方向）をｘ方向、ｘ方向に垂直な方向をｙ方向としたときのｘ方向，ｙ方向における磁場の強さであり、Ａは光偏波回転素子３０の光軸方向に垂直な面の断面積である。実施例では、距離Ｗを、高さＤ２が０．３０μｍのときに回転パラメータＲが値１となる距離Ｗ（例えば、１μｍ）に設定するものとした。
【００２３】
R=(∫|Hx|2dA)/(∫|Hy|2dA) ・・・(1)
【００２４】
こうした断面形状の光偏波回転素子３０は、図５に示すように、光学軸（図中のｘ軸）が水平面（下部クラッド層２２の図中下部の面に平行な面）に対して角度α（実施例では４５度）をなし、光が入力すると異なる伝搬定数をもって互いに直交する２つの導波モードを励起する。
【００２５】
光偏波回転素子３０の光の伝搬方向の長さＬは、高さＤ２と距離Ｗと次式（２）で表される半ビート長Ｌπ（伝播するｘ，ｙ偏波の位相差がπとなる長さ）との関係を実験や解析などにより長さ設定用マップとし予め定めておき、高さＤ２と距離Ｗが与えられると半ビート長さ設定用マップから対応する半ビート長Ｌπを導出し、半ビート長Ｌπがポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸にして１８０度回転させる長さに対応することから、目標回転量を１８０度で除した値を半ビート長Ｌπに乗じた長さに設定されるものとした。図６は、半ビート長設定用マップの一例を示す説明図である。式（２）中、ｎｘ，ｎｙは図５におけるｘ、ｙ方向の光導波モードの実効屈折率であり、ｋは真空中の伝搬定数である。実施例では、目標回転量を９０度とし、半ビート長Ｌπが２００μｍであることから、長さＬを１００μｍに定めるものとした。図７は、光偏波回転素子３０において入力された光の偏波状態を変換する様子を説明するための説明図である。このように、光偏波回転素子３０は、入射された光の偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸にして９０度回転させた偏波状態に変換する。なお、深さＤ１については、光偏波回転素子３０の伝搬へ寄与しないため、適宜設定することができる。
【００２６】
Lπ=π/k・|nx-ny|  ・・・(2)
【００２７】
偏波回転素子ＰＣ２は、図示していないが、偏波回転素子ＰＣ１と同一の構成となっており、入射された光の偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換する。
【００２８】
図８は、偏波変調素子Ｍｏｄ１の構成の概略を示す説明図である。偏波変調素子Ｍｏｄ１は、リッジ導波路型の光導波路として形成されており、ＩｎＰからなる下部クラッド層５２と、ＩｎＧａＡｓＰからなり凸形状に形成されたコア層５４と、ＩｎＰからなりコア層５４上に形成された上部クラッド層５６と、下部クラッド層５２の下部に形成されて接地電位が供給される電極５８ａと、上部クラッド層５６の上部に形成され制御信号Ｃｃｒ１が印加される電極５８ｂと、を備える。偏波変調素子Ｍｏｄ１は、光学軸（図中のｘ軸）が水平面に対して０度をなし、制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じて内部を伝搬する光のＴＥ偏波成分（水平面に平行な電界成分）とＴＭ偏波成分（水平面に垂直な電界成分）との位相差を変更する。図９は、偏波変調素子Ｍｏｄ１において入力された光の偏波状態を変換する様子を説明するための説明図である。偏波変調素子Ｍｏｄ１は、図示するように、入力された光の偏波状態を、ポアンカレ球においてＳ１軸を中心として回転させた偏波状態に変換する。ここで、回転量（ＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分との位相差）は、制御信号Ｃｃｒ１の電圧により変更可能で、例えば、制御信号Ｃｃｒ１の電圧の大きさの変化によって、ＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分との位相差を０度〜３６０度と変化させて、偏向状態を楕円偏光，右円偏光，楕円偏光，直線偏光，楕円偏光，左円偏光，楕円偏光，直線偏光と変化させることができる。偏波変調素子Ｍｏｄ１は、制御信号Ｃｃｒ１の電圧を高い周波数で切り替えることにより、入力された光の偏波状態を高速に制御信号Ｃｃｒ１に応じた偏波状態に変換することができる。
【００２９】
偏波変調素子Ｍｏｄ２は、図示していないが、制御信号Ｃｃｒ１に代えて制御信号Ｃｃｒ２が入力されている点を除いて偏波変調素子Ｍｏｄ１と同一の構成となっている。偏波変調素子Ｍｏｄ２は、入力された光の偏波状態をポアンカレ球においてＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ２の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換する。
【００３０】
こうして構成された偏波制御器２０では、偏波回転素子ＰＣ１側から光を入力すると、偏波回転素子ＰＣ１で入力した光の偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換し、変換した光の偏波状態を偏波変調素子Ｍｏｄ１でＳ１軸を回転軸として制御信号に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換し、偏波変調素子Ｍｏｄ１で変換した光の偏波状態を偏波回転素子ＰＣ２でＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換し、変換した光の偏波状態を偏波変調素子Ｍｏｄ２でＳ１軸を回転軸として制御信号に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換する。偏波制御器２０では、制御信号Ｃｃｒ１，Ｃｃｒ２を調整することにより、入力された光を様々な偏波状態に変換することができる。
【００３１】
図１０は、ＴＥ偏波光を偏波制御器２０に入力したときの偏波状態の変化の様子を示す説明図である。入力されたＴＥ偏波光は、図示するように、偏波回転素子ＰＣ１により、ポアンカレ球の赤道上の偏波状態Ａ１からＳ２軸を回転軸として９０度回転させたＳ２−Ｓ３面の偏波状態Ａ２（円偏光）に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ１により、偏波状態Ａ２からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけＳ２−Ｓ３面の外周を回転させた偏波状態Ａ３に変換され、偏波回転素子ＰＣ２により、偏波状態Ａ３からＳ２軸を回転軸として９０度回転させた赤道上の偏波状態Ａ４に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ２により、偏波状態Ａ４からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ２の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態Ａ５に変換される。図１１は、偏波制御器２０において、制御信号Ｃｃｒ１，Ｃｃｒ２の電圧を調整して入力された光の偏波状態を複数の偏波状態（図中の出力光の偏波状態１〜３）に変換した実験の結果を示す図である。このように、偏波制御器２０は、制御信号Ｃｃｒ１，Ｃｃｒ２の電圧を調整することによりＴＥ偏波光やＴＭ偏波光などの直線偏波光の偏波状態をポアンカレ球上のいずれかの偏波状態に変換することができる。ここで、偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２，偏波変調素子Ｍｏｄ１，Ｍｏｄ２は共に光導波路として形成されているから、ビームスプリッタ等の空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。これにより、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【００３２】
以上説明した第１実施例の偏波制御器２０によれば、光学軸が４５度をなす光導波路として形成された偏波回転素子ＰＣ１と、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され制御信号Ｃｃｒ１によって内部を伝搬する光のＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分との位相差を変更可能な偏波変調素子Ｍｏｄ１と、偏波変調素子Ｍｏｄ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され偏波変調素子Ｍｏｄ１に対して偏波回転素子ＰＣ１と反対側に配置された偏波回転素子ＰＣ２と、偏波回転素子ＰＣ２と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され偏波回転素子ＰＣ２に対して偏波変調素子Ｍｏｄ１と反対側に配置された偏波変調素子Ｍｏｄ２と、を備えるから、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【００３３】
第１実施例の偏波制御器２０では、光を偏波回転素子ＰＣ１側から入力するものとしたが、図１２に示す変形例の偏波制御器１２０に示すように、光を偏波変調素子Ｍｏｄ２側から入力するものとしてもよい。この場合、入力された光の偏波状態は、偏波変調素子Ｍｏｄ２でＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ２の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換され、偏波回転素子ＰＣ２でさらに偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ１でＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換され、偏波回転素子ＰＣ１で偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換される。図１３は、光を偏波制御器１２０に入力したときの偏波状態の変換の様子を示す説明図である。入力された光は、図示するように、偏波変調素子Ｍｏｄ２により、偏波状態Ｂ１からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ２の電圧に応じた回転量だけ回転させた赤道上の偏波状態Ｂ２に変換され、偏波回転素子ＰＣ２により、偏波状態Ｂ２からＳ２軸を回転軸として９０度回転させたＳ２−Ｓ３平面上の偏波状態Ｂ３に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ１により、偏波状態Ｂ３からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけＳ２−Ｓ３面の外周を回転させた偏波状態Ｂ４に変換され、偏波回転素子ＰＣ１により、偏波状態Ｂ４からＳ２軸を回転軸として９０度回転させた赤道上の偏波状態Ｂ５（ＴＥ偏波状態）に変換される。このように、偏波制御器１２０では、入力された光の偏波状態を様々な偏波光、特に、ＴＥ偏波光に変換することができる。
【実施例２】
【００３４】
図１４は、本発明の第２実施例としての偏波制御器２２０の構成の概略を示す構成図である。偏波制御器２２０は、偏波変調素子Ｍｏｄ２を備えていない点を除いて、図１に例示した第１実施例の偏波制御器２０と同一の構成となっている。したがって、第１実施例の偏波制御器２０と同一の素子には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００３５】
こうして構成された偏波制御器２２０では、偏波回転素子ＰＣ１側から光を入力すると、偏波回転素子ＰＣ１で入力した光の偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換し、変換した光の偏波状態を偏波変調素子Ｍｏｄ１でＳ１軸を回転軸として制御信号に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換し、偏波変調素子Ｍｏｄ１で変換した光の偏波状態を偏波回転素子ＰＣ２でＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換する。偏波制御器２２０では、制御信号Ｃｃｒ１を調整することにより、入力された光を様々な偏波状態に変換することができる。
【００３６】
図１５は、ＴＥ偏波光を偏波制御器２２０に入力したときの偏波状態の変化の様子を示す説明図である。入力されたＴＥ偏波光は、図示するように、偏波回転素子ＰＣ１により、ポアンカレ球の赤道上の偏波状態Ｃ１からＳ２軸を回転軸として９０度回転させたＳ２−Ｓ３面の偏波状態Ｃ２に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ１により偏波状態Ｃ２からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけＳ２−Ｓ３面の外周を回転させた偏波状態Ｃ３に変換され、偏波回転素子ＰＣ２により偏波状態Ｃ３からＳ２軸を回転軸として９０度回転させた赤道上の偏波状態Ｃ４に変換される。このように、偏波制御器２２０は、入力されたＴＥ偏波光やＴＭ偏波光などの直線偏波光の偏波状態をポアンカレ球の赤道上のいずれかの直線偏波状態に変換することができる。ここで、偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２，偏波変調素子Ｍｏｄ１は共に光導波路として形成されているから、ビームスプリッタ等の空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。これにより、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【００３７】
以上説明した第２実施例の偏波制御器２２０によれば、光学軸が４５度をなす光導波路として形成された偏波回転素子ＰＣ１と、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され制御信号Ｃｃｒ１によって内部を伝搬する光のＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分との位相差を変更可能な偏波変調素子Ｍｏｄ１と、偏波変調素子Ｍｏｄ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され偏波変調素子Ｍｏｄ１に対して偏波回転素子ＰＣ１と反対側に配置された偏波回転素子ＰＣ２と、を備えるから、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【実施例３】
【００３８】
図１６は、本発明の第３実施例としての偏波制御器３２０の構成の概略を示す構成図である。偏波制御器３２０は、偏波回転素子ＰＣ２，偏波変調素子Ｍｏｄ２を備えていない点を除いて、図１に例示した第１実施例の偏波制御器２０と同一の構成となっている。したがって、第１実施例の偏波制御器２０と同一の素子には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００３９】
こうして構成された偏波制御器３２０では、偏波回転素子ＰＣ１側から光を入力すると、偏波回転素子ＰＣ１で入力した光の偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態にし、偏波変調素子Ｍｏｄ１でＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換する。偏波制御器２０では、制御信号Ｃｃｒ１の電圧を調整することにより、入力された光を様々な偏波状態に変換することができる。
【００４０】
図１７は、ＴＥ偏波光を偏波制御器２０に入力したときの偏波状態の変換の様子を示す説明図である。入力されたＴＥ偏波光は、図示するように、偏波回転素子ＰＣ１により、ポアンカレ球の赤道上の偏波状態Ｄ１からＳ２軸を回転軸として９０度回転させたＳ２−Ｓ３面の偏波状態Ｄ２に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ１により、偏波状態Ｄ２からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけＳ２−Ｓ３面の外周を回転させた偏波状態Ｄ３に変換される。このように、偏波制御器２０は、入力されたＴＥ偏波光やＴＭ偏波光の偏波状態をＳ２−Ｓ３面の外周上のいずれかの偏波状態に変換することができる。また、偏波回転素子ＰＣ１，偏波変調素子Ｍｏｄ１は共に光導波路として形成されているから、空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。これにより、コンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【００４１】
以上説明した第３実施例の偏波制御器３２０によれば、光学軸が４５度をなす光導波路として形成された偏波回転素子ＰＣ１と、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され制御信号Ｃｃｒ１によって内部を伝搬する光のＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分との位相差を変更可能な偏波変調素子Ｍｏｄ１とを備えるから、コンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【００４２】
第３実施例の偏波制御器３２０では、光を偏波回転素子ＰＣ１側から入力するものとしたが、図１８に示す変形例の偏波制御器４２０に示すように、光を偏波変調素子Ｍｏｄ１側から入力するものとしてもよい。この場合、入力された光の偏波状態は、偏波変調素子Ｍｏｄ１でＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換され、偏波回転素子ＰＣ１でポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換される。図１９は、Ｓ２−Ｓ３面の外周上の偏波状態の光を偏波制御器４２０に入力したときの偏波状態の変換の様子を示す説明図である。入力された光は、図示するように、偏波変調素子Ｍｏｄ１により、Ｓ２−Ｓ３面の外周上の偏波状態Ｅ１から、Ｓ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけＳ２−Ｓ３面の外周を回転させた偏波状態Ｅ２に変換され、偏波回転素子ＰＣ１により、偏波状態Ｅ２から回転軸をＳ２軸として９０度回転させた赤道上の偏波状態Ｅ３に変換される。このように、偏波制御器４２０では、Ｓ２−Ｓ３面の外周上の偏波状態の光を入力すると、入力された光の偏波状態をＴＥ偏波状態やＴＭ偏波状態などの直線偏波状態に変換することができる。
【実施例４】
【００４３】
図２０は、本発明の第４実施例としての偏波制御器５２０の構成の概略を示す構成図である。偏波制御器５２０は、偏波回転素子ＰＣ１に対して偏波変調素子Ｍｏｄ１と反対側に偏波変調素子Ｍｏｄ０を備えている点を除いて、図１に例示した第１実施例の偏波制御器２０と同一の構成となっている。したがって、第１実施例の偏波制御器２０と同一の素子には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００４４】
偏波変調素子Ｍｏｄ０は、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置され、図示はしていないが、制御信号Ｃｃｒ１に代えて制御信号Ｃｃｒ０が入力されている点を除いて偏波変調素子Ｍｏｄ１と同一の構成となっている。偏波変調素子Ｍｏｄ０は、入力された光の偏波状態をポアンカレ球においてＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ０の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換する。
【００４５】
こうして構成された偏波制御器５２０では、偏波変調素子Ｍｏｄ０側から光を入力すると、入力された光の偏波状態を偏波変調素子Ｍｏｄ０でＳ１軸を回転軸にして制御信号Ｃｃｒ０に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換し、偏波回転素子ＰＣ１で偏波変調素子Ｍｏｄ０で変換した偏波状態をポアンカレ球においてＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換し、変換した光の偏波状態を偏波変調素子Ｍｏｄ１でＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換し、偏波回転素子ＰＣ２で偏波変調素子Ｍｏｄ１で変換した光の偏波状態をＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態に変換し、偏波変調素子Ｍｏｄ２で変換した光の偏波状態をＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ２に応じた回転量だけ回転させた偏波状態に変換する。偏波制御器５２０では、制御信号Ｃｃｒ０，Ｃｃｒ１，Ｃｃｒ２を調整することにより、入力された光を様々な偏波状態に変換することができる。
【００４６】
図２１は、光を偏波制御器５２０に入力したときの偏波状態の変化の様子を示す説明図である。入力された光は、図示するように、偏波変調素子Ｍｏｄ０により、偏波状態Ｆ１からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ０の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態Ｆ２に変換され、偏波回転素子ＰＣ１により、偏波状態Ｆ２からＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態Ｆ３に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ１により、偏波状態Ｆ３からＳ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ１の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態Ｆ４に変換され、偏波回転素子ＰＣ２により、偏波状態Ｆ４からＳ２軸を回転軸として９０度回転させた偏波状態Ｆ５に変換され、偏波変調素子Ｍｏｄ２により、偏波状態Ｆ５から、Ｓ１軸を回転軸として制御信号Ｃｃｒ２の電圧に応じた回転量だけ回転させた偏波状態Ｆ６に変換される。このように、偏波制御器５２０は、制御信号Ｃｃｒ０，Ｃｃｒ１，Ｃｃｒ２の電圧を調整することにより入力された光の偏波状態をポアンカレ球上のいずれかの偏波状態に変換することができる。ここで、偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２，偏波変調素子Ｍｏｄ０，Ｍｏｄ１，Ｍｏｄ２は共に光導波路として形成されているから、ビームスプリッタ等の空間光学系を用いるものより、装置全体をコンパクトにすることができる。これにより、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【００４７】
以上説明した第４実施例の偏波制御器５２０によれば、光学軸が４５度をなす光導波路として形成された偏波回転素子ＰＣ１と、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され制御信号Ｃｃｒ１によって内部を伝搬する光のＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分との位相差を変更可能な偏波変調素子Ｍｏｄ１と、偏波変調素子Ｍｏｄ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され偏波変調素子Ｍｏｄ１に対して偏波回転素子ＰＣ１と反対側に配置された偏波回転素子ＰＣ２と、偏波回転素子ＰＣ２と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成され偏波回転素子ＰＣ２に対して偏波変調素子Ｍｏｄ１と反対側に配置された偏波変調素子Ｍｏｄ２と、偏波回転素子ＰＣ１と光結合可能な位置に配置された光導波路として形成される共に偏波回転素子ＰＣ１に対して偏波変調素子Ｍｏｄ１と反対側に配置された偏波変調素子Ｍｏｄ０と、を備えるから、よりコンパクトな構成で入力された光の偏波状態を様々な偏波状態に変換することができる。
【００４８】
第１〜第４実施例やそれらの変形例の偏波制御器２０〜５２０では、偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２のＳ２軸を中心とした回転量が９０度となるよう偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２の光軸方向の長さを定めるものとしたが、光軸方向の長さは目標とする回転量（偏波状態）に応じて適宜変更すればよい。また、偏波回転素子ＰＣ１と偏波回転素子ＰＣ２との回転量は、同一のものとしてもよいし、異なるものとしてもよい。
【００４９】
第１〜第４実施例やそれらの変形例の偏波制御器２０〜５２０では、偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２の光学軸は水平面に対して４５度の角度をなすものとしたが、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の所定の軸を回転軸として回転させる角度であればよく、例えば、３０度や４５度，６０度などとしても構わない。なお、所定の軸は、Ｓ１−Ｓ２面上のＳ２軸を中心として９０度（Ｓ２軸から±４５度）の範囲内に位置する軸とするのが望ましく、光学軸は、４５度±２２．５度でとするのが望ましい。
【００５０】
第１〜第４実施例やそれらの変形例の偏波制御器２０〜５２０では、偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２を下部クラッド層２２，上部クラッド層２６がリン化インジウムから形成されるものとし、コア層２４がリン化インジウムガリウムヒ素から形成されるものとしたが、下部クラッド層２２，コア層２４，上部クラッド層２６を形成する材料は、下部クラッド層２２，上部クラッド層２６がコア層２４を形成する半導体より屈折率が低い半導体からなるという条件を満たすものであれば、如何なる半導体から形成されるものとしてもよい。また、実施例では、光偏波回転素子３０の下部クラッド層２２と上部クラッド層２６とを同じ半導体からなるものとしたが、下部クラッド層２２と上部クラッド層２６とを互いに異なる半導体から形成されているものとしてもよい。
【００５１】
第１〜第４実施例やそれらの変形例の偏波制御器２０〜５２０では、光偏波回転素子３０をリッジ導波路２９，５０と共に搭載した場合を例示したが、光偏波回転素子３０を単体で用いるものとしてもよい。
【００５２】
第１〜第４実施例やそれらの変形例の偏波制御器２０〜５２０では、偏波回転素子ＰＣ１，ＰＣ２が互いに同一の構成であるものとしたが、光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ２軸またはＳ１−Ｓ２面上のＳ２軸近傍の所定の軸を回転軸として回転させるものであればよいから、例えば、光学軸の角度が異なりポアンカレ球の回転軸が異なるものや光学軸の角度が同じでも光軸方向の長さが異なるものなど、異なる構成であるものとしてもよい。
【００５３】
第１〜第４実施例やそれらの変形例の偏波制御器２０〜５２０では、偏波変調素子Ｍｏｄ０〜Ｍｏｄ２をリン化インジウム，リン化インジウムガリウムヒ素から形成されるものとしたが、シリコン（Ｓｉ）など他の材料により形成されるものとしても構わない。
【００５４】
第１〜第４実施例やそれらの変形例の偏波制御器２０〜５２０では、偏波変調素子Ｍｏｄ０〜Ｍｏｄ２を互いに同一の構成であるものとしたが、光導波路として形成され、入力された光の偏波状態をポアンカレ球のＳ１軸を回転軸として回転させて出力し、Ｓ１軸を回転軸とする回転量が制御信号により制御されるものであればよく、互いに異なる構成としてもよい。
【００５５】
実施例の主要な要素と課題を解決するための手段の欄に記載した発明の主要な要素との対応関係について説明する。実施例では、偏波回転素子ＰＣ１が「第１偏波回転素子」に相当し、偏波変調素子Ｍｏｄ１が「第１偏波変調素子」に相当する。
【００５６】
なお、実施例の主要な要素と課題を解決するための手段の欄に記載した発明の主要な要素との対応関係は、実施例が課題を解決するための手段の欄に記載した発明を実施するための形態を具体的に説明するための一例であることから、課題を解決するための手段の欄に記載した発明の要素を限定するものではない。即ち、課題を解決するための手段の欄に記載した発明についての解釈はその欄の記載に基づいて行なわれるべきものであり、実施例は課題を解決するための手段の欄に記載した発明の具体的な一例に過ぎないものである。
【００５７】
以上、本発明を実施するための形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、偏波制御器の製造産業などに利用可能である。
【符号の説明】
【００５９】
２０，１２０，２２０，３２０，４２０，５２０  偏波制御器、２２，２２ａ，５２  下部クラッド層、２４，２４ｂ，５４  コア層、２４ａ  凸部、２６，２６ａ，５６  上部クラッド層、２９，５０  リッジ導波路、３０  光偏波回転素子、３２，４０，４４  矩形断面、３４，３６  隅、３８，４２  点、５８ａ，５８ｂ  電極、ＰＣ１，ＰＣ２  偏波回転素子、Ｍｏｄ０〜Ｍｏｄ２  偏波変調素子。
【図１】
2015152772.tif 000003
【図２】
2015152772.tif 000004
【図３】
2015152772.tif 000005
【図４】
2015152772.tif 000006
【図５】
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【図６】
2015152772.tif 000008
【図７】
2015152772.tif 000009
【図８】
2015152772.tif 000010
【図９】
2015152772.tif 000011
【図１０】
2015152772.tif 000012
【図１２】
2015152772.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
2015152772.tif 000015
【図１５】
2015152772.tif 000016
【図１６】
2015152772.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図１１】
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