(57)【要約】【課題】基板を浮上搬送させながら、基板に対して所定の処理をする基板処理装置において、均一性のよい処理を行うことができる基板処理装置を提供することにある。【解決手段】基板１１を浮上させる浮上プレート１０と、基板１１を浮上プレート１０上を浮上させた状態で搬送する基板搬送部と、浮上プレート１０上に配置され、基板１１に対して所定の処理を行う基板処理部２０とを備え、基板処理部２０によって基板１１に対して所定の処理が行われる際、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域上を遮蔽板１２ａ、１２ｂで覆いながら、基板１１が浮上プレート１０上を搬送される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を浮上させる浮上プレートと、
前記基板を、前記浮上プレート上を浮上させた状態で搬送する基板搬送部と、
前記浮上プレート上に配置され、前記基板に対して所定の処理を行う基板処理部と
を備えた基板処理装置であって、
前記基板処理部によって前記基板に対して所定の処理が行われる際、前記基板によって覆われていない前記浮上プレートの領域上を遮蔽板で覆いながら、前記基板が前記浮上プレート上を搬送されることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記遮蔽板は、前記基板処理部によって前記基板に対して所定の処理が行われる際、前記基板によって覆われていない前記浮上プレートの領域において、前記浮上プレート全体の少なくとも７０％以上の領域上を覆っている、請求項１に記載に基板処理装置。
【請求項３】
前記遮蔽板は、前記浮上プレート上に浮上した状態で、前記基板の搬送方向において、前記基板の前後にそれぞれ配置されながら、前記基板の搬送と同期して搬送される、請求項１に記載に基板処理装置。
【請求項４】
前記遮蔽板は、前記基板と、同一の単位面積当たりの質量を有する、請求項１に記載に基板処理装置。
【請求項５】
前記基板処理部は、前記基板上に塗布液を吐出する塗布部である、請求項１に記載に基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を浮上搬送させながら、基板に対して所定の処理をする基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ等の製造工程では、ガラス基板等にレジスト液等の塗布液を塗布する工程が用いられている。このような塗布工程に使用される塗布装置として、基板を浮上させながら搬送し、搬送中の基板に対して、浮上プレート上に配置されたノズルから塗布液を吐出して、基板上に塗布膜を形成する構成の装置が多く採用されている。
【０００３】
浮上プレートには、空気を噴出する複数の噴出口と、空気を吸引する複数の吸引孔とが混在して設けられており、基板は、噴出孔から噴出する空気の圧力と、吸引孔で吸引される吸引力とのバランスを制御することによって、浮上プレート上を一定に高さに保って浮上している。
【０００４】
ところで、複数の噴出口には、圧縮空気供給源から圧縮空気が供給され、複数の吸引孔には、真空供給源から真空圧力が供給されており、それぞれ所定の圧力値に設定することによって、基板の浮上量を一定に制御している。
【０００５】
しかしながら、一般に、圧縮空気供給源や真空供給源は、工場内で共有する用力源として配備されており、塗布装置だけでなく、他の様々な装置にも、圧縮空気や真空圧力を供給している。従って、このような用力源は、工場全体の稼働状況に応じて変動することがあり、その変動が、噴出口や吸引孔で設定された圧力値の変動をもたらす。この場合、基板の浮上量が設定値に維持できず、その結果、塗布膜の膜厚変動を招くおそれがある。
【０００６】
このような問題に対して、特許文献１には、噴出口や吸引孔に供給される圧縮空気や真空圧力の圧力を測定して、その測定値が、基板の浮上量に対応して設定された圧力値に一致するように、圧縮空気や真空圧力の圧力を制御する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−８８２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
浮上プレートの噴出口や吸引孔に供給される圧縮空気や真空圧力の値を一定に保つことは、浮上量を所定の大きさに維持し、ひいては、浮上搬送中の基板に対して、塗布液を吐出することによって形成される塗布膜を所定の膜厚に維持する上で、極めて重要な制御すべきファクターである。
【０００９】
本願発明者等は、浮上プレートの噴出口や吸引孔に供給される圧縮空気や真空圧力が変動する要因として、特許文献１に開示された要因（工場内用力源の変動）以外に、今まで知られていなかった新たな要因を見出した。その要因については、後で詳しく述べるが、浮上プレート上を浮上した状態で搬送される基板に対して、所定の処理（塗布液の塗布）をする過程で生じる過渡的な要因であることが分かった。従って、この要因によって生じる圧力変動は、基板に対して所定の処理を行っている最中に起きるため、処理の途中で基板の浮上量が変動することになる。そのため、基板に塗布された塗布膜の膜厚は、基板全体で変動するのではなく、基板の搬送方向に沿って変動する現象を引き起こす。その結果、基板に形成された塗布膜の膜厚が、基板内でバラツキを生じるという問題を招くことになる。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その主な目的は、基板を浮上搬送させながら、基板に対して所定の処理をする基板処理装置において、均一性のよい処理を行うことができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基板を浮上搬送させながら、基板に対して所定の処理をする基板処理装置において、                                  
基板に対して所定の処理が行われる際、基板によって覆われていない浮上プレートの領域上を遮蔽板で覆いながら、基板を浮上プレート上を搬送させる構成を採用したものである。
【００１２】
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、基板を浮上させる浮上プレートと、基板を浮上プレート上を浮上させた状態で搬送する基板搬送部と、浮上プレート上に配置され、基板に対して所定の処理を行う基板処理部とを備え、基板処理部によって基板に対して所定の処理が行われる際、基板によって覆われていない浮上プレートの領域上を遮蔽板で覆いながら、基板が浮上プレート上を搬送されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、浮上搬送中の基板によって覆われていない浮上プレートの領域上を遮蔽板で覆うことによって、基板に対して所定の処理が行われる際、基板の浮上量の変動を抑制することができるため、基板に対して均一性のよい処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、浮上プレートにおける圧力変動を説明した図である。
【図２】遮蔽率に対する正圧Ｐ１及び負圧Ｐ２の値の変動を示したグラフである。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、基板を浮上プレート上で浮上搬送させながら、基板上に塗布膜を形成する工程を示した図である。
【図４】基板を浮上プレート上で浮上搬送したときの基板の浮上量を測定した結果を示したグラフである。
【図５】塗布膜の基板内の膜厚分布を搬送方向に沿って測定した結果を示したグラフである。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態における基板処理装置の動作を説明した図である。
【図７】図４の部分拡大図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、遮蔽板の形状の例を示した平面図である。
【図９】（ａ）は、遮蔽板の形状の他の例を示した平面図で、（ｂ）はその断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態における基板処理装置の具体的な構成を示した図である。
【図１１】遮蔽板を基板と同期させて搬送する機構を説明した図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、基板を上流側の浮上プレート上に載置する方法を説明した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を説明する前に、本発明を想到するに至った経緯をまず説明する。
【００１６】
本願発明者等は、基板を浮上プレート上で浮上させながら搬送し、搬送中の基板に対して、浮上プレート上に配置されたノズルから塗布液を吐出する塗布装置を用いて、基板上に塗布膜を形成していたところ、塗布膜の膜厚が、基板の搬送方向において変動する現象を見出した。さらに、この膜厚変動が、基板の搬送方向において、基板の前後の一定の幅領域においてのみ生じていることを見出した。
【００１７】
その原因を検討していたところ、次のような現象が生じていることに気がついた。以下、図１（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。
【００１８】
図１（ａ）は、浮上プレート１０の構成を模式的に示した図である。図１（ａ）に示すように、浮上プレート１０は、空気を噴出する複数の噴出孔（不図示）と、空気を吸引する複数の吸引孔（不図示）とを有する。複数の噴出孔には、圧縮空気供給管４１を介して、圧縮空気供給源４０から圧縮空気が供給され、また、複数の吸引孔には、真空供給管４４を介して、真空圧力供給源４３から真空圧力が供給されている。そして、噴出孔に供給される圧縮空気の圧力（以下、「正圧」という）Ｐ１、及び吸引孔に供給される真空圧力（以下「負圧」という）Ｐ２は、それぞれ、所定の圧力に設定されている。これにより、基板１１は、噴出孔での正圧と、吸引孔での負圧とのバランスを制御して、浮上プレート１０上を所定の浮上量で浮上している。
【００１９】
ところが、図１（ｂ）に示すように、搬送中の基板１１が、浮上プレート１０の一部の領域上しか覆っていないとき、浮上プレート１０上の矢印Ａで示した領域では、正圧及び負圧が基板１１に加わっていない状態になっている。この場合、浮上プレート１０上での正圧及び負圧の全体の負荷は、基板が浮上プレート１０の全ての領域上を覆っているときの全体の負荷と異なっている。そのため、圧縮空気供給源４０から供給される正圧Ｐ１の値、及び真空圧力供給源４３から供給される負圧Ｐ２の値は、基板１１が浮上プレート１０上を覆う割合（以下、「遮蔽率」という）によって変化することが考えられる。
【００２０】
そこで、遮蔽率を変えて、正圧Ｐ１及び負圧Ｐ２の値の変動を調べたところ、図２のグラフに示すような結果が得られた。図２において、横軸は遮蔽率（％）を示し、縦軸は、正圧Ｐ１及び負圧Ｐ２の値（ｋＰａ）を示す。また、図２中の矢印Ａで示す線は正圧Ｐ１を表し、矢印Ｂで示す線は負圧Ｐ２を表す。ここで、正圧Ｐ１及び負圧Ｐ２の値は、図１（ａ）、（ｂ）において、圧縮空気供給管４１及び真空供給管４４に接続されたレギュレータ４２、４５の、噴出孔側及び吸引孔側の圧力の値である。
【００２１】
図２に示すように、遮蔽率が小さくなるに従い、正圧Ｐ１の値は小さくなり、また、負圧Ｐ２の絶対値も小さくなっている。これは、図１（ｂ）の矢印Ａで示した領域では、噴出孔及び吸引孔が開放状態になっているため、圧縮空気供給源４０及び真空圧力供給源４３の負荷が増大したためと考えられる。
【００２２】
図３（ａ）〜（ｆ）は、基板１１を、浮上プレート１０上を浮上させた状態で搬送させながら、浮上プレート１０上に配置された塗布部（ノズル）２０から塗布液を吐出して、基板１１上に塗布膜３０を形成する工程を模式的に示した図である。
【００２３】
図３（ａ）は、基板１１が、浮上プレート１０上に配置された塗布部２０の直下まで搬送された状態を示す。塗布部２０が、基板１１の搬送方向において、浮上プレート１０の中央に配置されている場合、この状態での遮蔽率は５０％である。このとき、基板１１の浮上量Ｌ１は、図２に示したグラフにおいて、遮蔽率５０％のときの正圧Ｐ１及び負圧Ｐ２のバランスによって決まる。また、基板１１に塗布される塗布膜３０の膜厚は、基板１１と塗布部２０との間隔Ｄによって定まる。
【００２４】
図３（ｂ）に示すように、基板１１がさらに搬送方向に搬送されると、遮蔽率は増加し、図３（ｃ）に示すように、基板１１の前方端部が、浮上プレート１０の前方端部まで搬送される、遮蔽率は１００％となる。この間、遮蔽率は５０％から１００％まで変化するため、基板１１の浮上量もＬ１からＬ３まで変動する。その結果、基板１１と塗布部２０との間隔Ｄも変動するため、その間の搬送途中で塗布される塗布膜３０の膜厚も変動する。
【００２５】
図３（ｄ）は、基板１１の後方端部が、浮上プレート１０の後方端部まで搬送された状態を示す。図３（ｃ）に示した状態から図３（ｄ）に示した状態までの間は、遮蔽率は１００％に維持されるので、この間は、基板１１の浮上量Ｌ３及びＬ4は変動しない。従って、この間に塗布される塗布膜３０の膜厚も変動しない。
【００２６】
図３（ｅ）に示すように、基板１１がさらに搬送方向に搬送されると、遮蔽率は再び減少し、図３（ｆ）に示すように、基板１１の後方端部が、塗布部２０の直下まで搬送されると、遮蔽率は５０％まで減少する。この間、遮蔽率は１００％から５０％まで変化するため、基板１１の浮上量もＬ５からＬ６まで変動する。その結果、基板１１と塗布部２０との間隔Ｄも変動するため、その間の搬送途中で塗布される塗布膜３０の膜厚も変動する。
【００２７】
このように、基板１１が浮上プレート１０上を浮上した状態で搬送され、浮上プレート１０上に配置された塗布部２０で基板１１に対して所定の処理（塗布液の吐出）が行われる途中で、過渡的に、浮上プレート１０の領域の一部が、基板１１によって覆われていない状態（遮蔽率が１００％未満）が出現することになる。そのため、この間に、基板１１に対して所定の処理が行われると、基板１１の浮上量が過渡的に変動しているため、基板１１に対する処理の結果（塗布膜の膜厚）が変動することになる。基板１１の浮上量の変動は、基板１１が搬送方向に搬送されている間に起きるため、基板１１に対する処理の結果（塗布膜の膜厚）の変動は、搬送方向において出現することになる。
【００２８】
図４は、上記の考察を検証するために、図２のグラフに示した正圧Ｐ１及び負圧Ｐ２の条件の下、長さ１３００ｍｍの基板１１を、長さ４６０ｍｍの浮上プレート１０上を浮上させながら搬送したときの基板１１の浮上量Ｌを測定した結果を示したグラフである。ここで、塗布部２０は、搬送方向において、浮上プレート１０の中央に配置し、グラフの横軸は、塗布部（ノズル）２０の位置から、基板１１の前方端部までの距離を示す。すなわち、横軸の原点は、基板１１の前方端部が、塗布部２０の直下にある状態を示す。
【００２９】
図４に示すように、基板１１の前方端部の位置が、塗布部２０の直下から２３０ｍｍまでの間は、遮蔽率が５０％から１００％まで変化する過渡状態で、その間、基板１１の浮上量Ｌは、約２７μｍから約２５μｍまで減少している。一方、基板１１の前方端部の位置が、２３０ｍｍから１０７０ｍｍまでの間は、遮蔽率が１００％に維持され、その間の基板１１の浮上量Ｌは、約２５μｍと一定である。さらに、基板１１の前方端部の位置が、１０７０ｍｍから１３００ｍｍ（基板１１の後方端部が塗布部２０直下）までの間は、遮蔽率が１００％から５０％までに変化する過渡状態で、その間の基板１１の浮上量Ｌは、約２５μｍから約２７μｍまで増加している。
【００３０】
このように、基板１１が浮上プレート１０上を搬送される間、遮蔽率が１００％未満の状態が出現し、その間の基板１１の浮上量Ｌは、遮蔽率が１００％の状態のときに比べ、過渡的に増加していることが分かる。
【００３１】
図５は、図４に示した基板１１の搬送過程において、搬送中の基板１１に対して、塗布部２０から塗布液を吐出して、基板１１上に塗布膜３０を形成し、形成した塗布膜３０の基板１１内の膜厚分布を、搬送方向に沿って測定した結果を示したグラフである。
【００３２】
図５に示すように、基板１１の搬送方向において、基板１１の前後の一定の幅領域においてのみ、膜厚の増加が生じていることが分かる。このような膜厚の増加が生じた領域は、図４に示した遮蔽率が５０〜１００％の領域に対応するものである。すなわち、浮上プレート１０上を基板１１が搬送さる際、基板１１に対する塗布液の吐出が、基板１１の遮蔽率が１００％未満の過渡状態において行われた領域に対応して、塗布膜３０の膜厚の増加が生じたものである。
【００３３】
以上、説明したように、本願発明者等は、基板１１が浮上プレート１０上を浮上した状態で搬送され、浮上プレート１０上に配置された塗布部２０で基板１１に対して所定の処理（塗布液の吐出）が行われる際、過渡的に、浮上プレート１０の領域の一部が、基板１１によって覆われていない状態（遮蔽率が１００％未満）が出現し、これにより、浮上プレート１０の噴出口や吸引孔に供給される正圧や負圧が、過渡的に変動することを見出した。そして、この圧力変動に起因して、基板１１の浮上量が過渡的に変動し、その結果、基板１１に対する処理の結果（塗布膜の膜厚）が変動することを見出し、本願発明を想到するに至った。
【００３４】
なお、このような圧力変動に対して、特許文献１に開示されたような方法で、圧力変動を検出して、所定の圧力値に一致するように圧力調整することも考えられる。しかしながら、このような圧力変動は、基板１１の搬送速度によって決まり、搬送速度が速くなると、圧力調整の応答速度の方が遅くなって、実際には、圧力変動を制御し、基板１１の浮上量を一定に維持することは難しい。
【００３５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本発明の効果を奏する範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。
【００３６】
本発明の一実施形態における基板処理装置は、基板を浮上させる浮上プレートと、基板を浮上プレート上を浮上させた状態で搬送する基板搬送部と、浮上プレート上に配置され、基板に対して所定の処理を行う基板処理部とを備える。基板処理部としては、基板上に塗布液を吐出する塗布部の他、例えば、基板上に塗布されたフォトレジスト膜を露光する露光部や、基板にレーザ光を照射してマーキング加工するレーザ加工部等がある。なお、本実施形態における基板処理装置を構成する浮上プレート、基板搬送部、及び基板処理部は、通常、採用されている構成のものを適用することができる。
【００３７】
本実施形態における基板処理装置は、基板処理部によって基板に対して所定の処理が行われる際、基板によって覆われていない浮上プレートの領域上を遮蔽板で覆いながら、基板が浮上プレート上を搬送されることを特徴とする。
【００３８】
以下、図６（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、本実施形態における基板処理装置の動作を説明する。なお、本実施形態では、基板処理部として、基板上に塗布液を吐出する塗布部を例に説明する。
【００３９】
図６（ａ）は、浮上プレート１０上に、基板１１を搬送させた状態を示す。ここで、基板１１の搬送方向において、浮上プレート１０の中央に塗布部（ノズル）２０が配置されている。本実施形態では、基板１１の搬送方向において、基板１１の前方に、遮蔽板１２ａが、浮上プレート１０上を浮上した状態で、基板１１の搬送と同期して搬送される。
【００４０】
図６（ｂ）は、基板１１及び遮蔽板１２ａが、さらに搬送方向に搬送され、基板１１の前方端部が、塗布部２０の直下に達した状態を示す。この時点で、基板１１への塗布液の吐出が開始される。このとき、遮蔽板１２ａは、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域上を覆った状態になっている。このような状態（遮蔽率１００％）を得るには、遮蔽板１２ａの搬送方向における長さを、少なくとも、浮上プレート１０の搬送方向における長さの半分以上にすればよい。
【００４１】
なお、本実施形態における「遮蔽率」とは、基板処理部（塗布部）２０によって基板１１に対して所定の処理（塗布液の吐出）が行われる際、基板１１及び遮蔽板１２が浮上プレート１０を覆う割合をいう。
【００４２】
図６（ｃ）は、基板１１及び遮蔽板１２ａが、さらに搬送方向に搬送された状態を示し、基板１１に対して、塗布部２０から塗布液が吐出されて、基板１１上に塗布膜３０が形成される。このとき、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域は、遮蔽板１２ａで覆われた状態（遮蔽率１００％）が維持されている。従って、基板１１の浮上量も変動せず、一定に保たれている。
【００４３】
図６（ｄ）は、基板１１の後方端部が、浮上プレート１０の後方端部まで搬送された状態を示す。本実施形態の場合、基板１１の搬送方向の長さは、浮上プレート１０の搬送方向の長さよりも長くなっているので、遮蔽板１２ａがなくても、浮上プレート１０の領域は、基板１１によって覆われており、遮蔽率１００％は維持されている。従って、基板１１の浮上量も変動せず、一定に保たれている。
【００４４】
図６（ｅ）は、基板１１がさらに搬送方向に搬送された状態を示す。このとき、基板１１の搬送方向において、基板１１の後方に、遮蔽板１２ｂが、浮上プレート１０上を浮上した状態で、基板１１の搬送と同期して搬送される。このとき、遮蔽板１２ｂは、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域上を覆った状態になっている。従って、遮蔽率１００％は維持されており、基板１１の浮上量の変動はなく、一定に保たれている。
【００４５】
図６（ｆ）は、基板１１の後方端部が、塗布部２０の直下まで搬送された状態を示す。この時点で、基板１１への塗布液の吐出は終了する。このときも、遮蔽板１２ｂは、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域上を覆った状態になっていため、遮蔽率１００％は維持されている。従って、基板１１の浮上量の変動はなく、一定に保たれている。なお、このような状態（遮蔽率１００％）を得るには、遮蔽板１２ｂの搬送方向における長さを、少なくとも、浮上プレート１０の搬送方向にける長さの半分以上にすればよい。
【００４６】
このように、塗布部２０によって基板１１に対して所定の処理（塗布液の吐出）が行われている間、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域上を、遮蔽板１２ａ、１２ｂで覆いながら、基板１１が浮上プレート１０上を搬送されるため、遮蔽率１００％が常に維持される。従って、この間、基板１１の浮上量の変動はなく、一定に保たれているため、基板１１上に形成された塗布膜３０の膜厚は、一定に保たれ、均一な塗布膜３０が形成される。
【００４７】
ところで、基板１１の遮蔽率が変わると、基板１１の浮上量が変動し、これに起因して、基板１１に対する処理の結果（例えば、塗布膜の膜厚）に変動が生じる。従って、基板１１に対する処理結果の変動を抑制するには、遮蔽率を１００％に維持するのが好ましい。しかしながら、基板１１の浮上量の変動量に対して、基板１１に対する処理結果の変動量が、必ずしも同程度になるとは限らない。また、図７（図４の部分拡大図）に示すように、遮蔽率の変動に対する浮上量の変動の割合は、遮蔽率が小さくなるほど大きくなる。従って、基板１１に対する処理結果の変動を抑制するためには、必ずしも遮蔽率を１００％にする必要はなく、処理結果に対して要求される均一性に程度に応じて、適宜、維持すべき遮蔽率の大きさを決めればよい。例えば、遮蔽率を７０％以上、より好ましくは８０％以上にすることによって、基板１１の浮上量の変動を効果的に抑制することができ、これにより、基板１１に対して均一性のよい処理を行うことができる。すなわち、遮蔽板１２ａ、１２ｂは、基板処理部（塗布部）２０によって基板１１に対して所定の処理（塗布液の吐出）が行われる際、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域において、浮上プレート１０全体の少なくとも７０％以上、より好ましくは８０％以上の領域上を覆っていればよい。なお、基板１１と遮蔽板１２ａ、１２ｂとが接触して、基板１１に損傷を与えないために、基板１１と遮蔽板１２ａ、１２ｂとの間に隙間を設けておいてもよい。
【００４８】
本実施形態では、浮上プレート１０上を遮蔽板１２ａ、１２ｂで覆うことによって、遮蔽率を所定の大きさ以上（例えば、７０％以上）に維持しているが、遮蔽板１２ａ、１２ｂの重さと、基板１１の重さとの差が大きすぎると、浮上プレート１０上で負荷状態を、浮上プレート１０を基板１１のみで覆っているときの負荷状態に近づけることが難しくなる。従って、遮蔽板１２ａ、１２ｂによる実効的な効果を得るためには、遮蔽板１２ａ、１２ｂの重さと、基板１１の重さとの差を、できるだけ小さくすることが好ましい。例えば、遮蔽板１２ａ、１２ｂを、基板１１と単位面積当たりの質量が同一の材料、あるいは、基板１１と同一の材料を用いてもよい。
【００４９】
本実施形態において、遮蔽板１２ａ、１２ｂの形状や大きさ等は、特に制限されず、基板１１によって覆われていない浮上プレート１０の領域の形状や大きさによって、適宜、決めればよい。
【００５０】
図８（ａ）、（ｂ）は、遮蔽板１２ａの形状の例を示した平面図である。例えば、図８（ａ）に示すように、基板１１の幅（搬送方向と垂直な方向の長さ）が、浮上プレート１０の幅よりも広い場合には、基板１１の前方（もしくは後方）に、浮上プレート１０より広い幅を有する遮蔽板１２ａを配置させればよい。また、図８（ｂ）に示すように、基板１１の幅が、浮上プレート１０の幅よりも狭い場合には、基板１１の前方（もしくは後方）に、浮上プレート１０より広い幅を有する遮蔽板１２ａを配置するとともに、基板１１の幅方向の両側部に沿って、浮上プレート１０の領域を覆う遮蔽板１３、１３を配置すればよい。
【００５１】
本実施形態では、遮蔽板１２ａ、１２ｂを、浮上プレート１０上を浮上した状態で、基板１１の搬送と同期させて搬送したが、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、浮上する遮蔽板１２のみで、浮上プレート１０を遮蔽し、基板１１は、遮蔽板１２上に載置してもよい。この場合、遮蔽率は、遮蔽板１２が浮上プレート１０を覆う割合をいい、少なくも７０％以上、より好ましくは８０％以上であればよい。また、基板１１は、例えば、接着剤等で、遮蔽板１２上に仮止めすることができる。本実施形態は、基板１１が、例えば、フレキシブル基板等の柔軟な材料で構成され、浮上プレート１０上を、一定の高さで維持することが難しい場合に、特に有効である。
【００５２】
本実施形態において、浮上プレート１０上に配置される基板処理部（例えば、塗布部）２０の位置は、特に制限されないが、基板処理部２０を、浮上プレート１０の中央に配置することが好ましい。この場合、遮蔽板１２ａ、１２ｂで覆わないときに生じる遮蔽率は、５０％以上であるが、基板処理部２０を、浮上プレート１０の中央以外の位置に配置すると、遮蔽板１２ａ、１２ｂで覆わないときに生じる遮蔽率は、５０％よりも低くなるため、遮蔽板１２ａ、１２ｂで覆わなければならない面積が増え、コストの面であまり好ましくない。
【００５３】
次に、図１０及び図１１を参照しながら、本実施形態における基板処理装置の具体的な構成を説明する。なお、本発明における基板処理装置は、ここで説明する構成に限定されない。
【００５４】
図１０に示すように、本実施形態における基板処理装置は、基板１１を浮上させる浮上プレート１０ａ、１０ｂ、１０ｃと、基板１１を、浮上プレート１０ａ、１０ｂ、１０ｃ上を浮上させた状態で搬送する基板搬送部５０と、浮上プレート１０ａ上に配置され、基板１１に対して所定の処理を行う基板処理部（塗布部）２０とを備えている。
【００５５】
浮上プレートは、搬送方向の前後に分割されており、メインプレート１０ａを挟んで、上流側にサブプレート１０ｂが、下流側にプレート１０ｃが、それぞれ配置されている。ここで、メインプレート１０ａでの浮上量の精度は、サブプレート１０ｂ、１０ｃでの浮上量の精度よりも高く、基板処理部２０近傍における基板１１の浮上量は、メインプレート１０ａによって、実質的に制御されている。
【００５６】
基板搬送部５０は、基板１１の両側部を吸着する吸着部５１、５１と、浮上プレート１０ａ、１０ｂ、１０ｃの両側部に沿って配置されたレール５３、５３と、吸着部５１、５１を、レール５３、５３に沿って、搬送方向Ｘに移動させる駆動部５２とを備えている。これにより、吸着部５１、５１によって吸着された基板１１は、駆動部５２、５２によって、搬送方向Ｘに搬送される。
【００５７】
なお、本実施形態において、遮蔽板１２ａ、１２ｂで覆う浮上プレートは、基板処理部２０近傍における基板１１の浮上量を実質的に制御しているメインプレート１０ａだけで十分であるが、サブプレート１０ｂ、１０ｃの一部（もしくは全部）を、遮蔽板１２ａ、１２ｃで覆っても、もちろん構わない。また、メインプレート１０ａは、分割された浮上プレートで構成されていてもよい。  
【００５８】
次に、図１１に示すように、基板１１の前後に、それぞれ遮蔽板１２ａ、１２ｂを配置しながら、遮蔽板１２ａ、１２ｂを、基板１１と同期させて搬送する機構を説明する。
【００５９】
基板１１は、両側部において、それぞれ３台の吸着部５１によって、搬送方向Ｘに搬送される。同様に、遮蔽板１２ａ、１２ｂは、両側部において、それぞれ１台の吸着部５１によって、搬送方向Ｘに搬送される。そして、これら吸着部５１は、同期させながら、レール５３、５３に沿って搬送される。
【００６０】
次に、図１２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、基板１１を、上流側の浮上プレート１０ｂ上に載置する方法について説明する。
【００６１】
図１２（ａ）に示すように、基板１１を載置した状態のロボットアーム６０を、水平方向に駆動して、基板１１を、浮上プレート１０ｂ上まで移動する。このとき、遮蔽板１２ａ、１２ｂは、それぞれ、図１１に示した方法で、吸着部５１に支持された状態にある。
【００６２】
次に、図１２（ｂ）に示すように、リフトピン駆動部７０を駆動して、リフトピン７１を上昇させて、リフトピン７１の先端部を、基板１１の裏面に当接させて、基板１１を、ロボットアーム６０から引き上げる。
【００６３】
次に、図１２（ｃ）に示すように、基板１１が離脱したロボットアーム６０を、水平方向に駆動して、待避位置まで移動させた後、リフトピン７１を下降させて、基板１１を浮上プレート１０ｂ上の所定の位置に停止させる。この状態で、基板１１を、図１１に示した方法で、吸着部５１で支持する。
【００６４】
また、下流側の浮上プレート１０ｃに搬送された基板１１を、ロボットアーム６０へ引き渡す方法も、図１２（ａ）〜（ｃ）で示した方法と同様の方法で行うことができる。
【００６５】
このような方法で、基板１１の受け渡しを行えば、遮蔽板１２ａ、１２ｂは、常時、吸着部５１に支持された状態にしておくことができる。
【００６６】
なお、基板１１の受け渡し方法は、上記した方法に限定されず、例えば、コンベアローラを用いて、基板１１を受け渡ししてもよい。この場合、基板１１を上流側、及び下流側の浮上プレート１０ｂ、１０ｃ上に搬送する際に、遮蔽板１２ａ、１２ｂを、リフトアップして待避させておけばよい。
【００６７】
以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、もちろん、種々の改変が可能である。例えば、上記実施形態において、浮上プレート１０は、空気を噴出する複数の噴出孔と、空気を吸引する複数の吸引孔とを有する構成を採用したが、これに限定されず、空気を噴出する複数の噴出孔のみで構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１０      浮上プレート 
１１      基板 
１２ａ、１２ｂ、１３    遮蔽板 
２０      塗布部（基板処理部） 
３０      塗布膜 
４０      圧縮空気供給源 
４１      圧縮空気供給管 
４３      真空圧力供給源 
４４      真空供給管 
５０      基板搬送部 
５１      吸着部
５２      駆動部 
５３      レール 
６０      ロボットアーム 
７１      リフトピン 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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