(57)【要約】【課題】高周波化（特に、２００ＭＨｚ以上）を図ると共に、主振動のＣＩ値を低減し、且つ近接するインハーモニックモードに起因したスプリアスのＣＩ値を抑制して、発振回路が必要とするＣＩ値規格とスプリアス規格を満たした振動素子を提供する。【解決手段】振動素子１は、厚み滑り振動で振動し、互いに表裏の関係にある第１の主面及び第２の主面を含む振動部１２と、第１の主面に設けられている第１の励振電極２５ａと、第２の主面に設けられている第２の励振電極２５ｂと、を含み、エネルギー閉じ込め係数Ｍが３３．６≦Ｍ≦６５．１の関係を満たしている。【選択図】図１
2015088876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み滑り振動で振動し、互いに表裏の関係にある第１の主面及び第２の主面を含む振動部と、
前記第１の主面に設けられている第１の励振電極と、
前記第２の主面に設けられている第２の励振電極と、を含み、
エネルギー閉じ込め係数Ｍ、周波数低下量△、カットオフ周波数ｆｓ、周波数ｆｅは、
３３．６≦Ｍ≦６５．１、
Ｍ＝Ｋ×（ｈｘ／２×ｔｓ）×√△、
△＝（ｆｓ− ｆｅ）／ｆｓ、
ｆｓ＝Ｒ／ｔｓ、
ｆｅ＝Ｒ／［ｔｓ＋ｔｅ×（ρｅ／ρｘ）］、
の関係を満たしていることを特徴とする振動素子。
但し、Ｍはエネルギー閉じ込め係数、Ｋは前記振動部の異方性係数、ｈｘは前記第１の励振電極と第２の励振電極との厚み滑り振動方向に沿った長さ、ｔｓは前記振動部の厚さ、△は周波数低下量、ｆｓは前記振動部のカットオフ周波数、ｆｅは前記振動部に前記第１の励振電極と第２の励振電極とを配置したときの周波数、Ｒは前記振動部の周波数定数、ｔｅは前記第１の励振電極と前記第２の励振電極との厚さの合計、ρｅは前記第１の励振電極と第２の励振電極との密度、ρｘは前記振動部の密度である。
【請求項２】
請求項１において、
エネルギー閉じ込め係数Ｍは、
３３．６≦Ｍ≦４６．７、
の関係を満たしていることを特徴とする振動素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の励振電極と第２の励振電極との厚み滑り振動方向と直交する方向に沿った長さをｈｚとしたとき、
１．２５≦ｈｘ／ｈｚ≦１．３１、
の関係を満たしていることを特徴とする振動素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記振動部は水晶基板であることを特徴とする振動素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記水晶基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする振動素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の励振電極と前記第２の励振電極とは、前記振動部側から順に第１層、第２層が積層されている２層構造で構成されており、
第１層は、ニッケル（Ｎｉ）を含み、
第２層は、金（Ａｕ）を含むことを特徴とする振動素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子と、
前記振動素子が収容されているパッケージと、
を備えていることを特徴とする振動子。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子と、
回路と、
を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
主振動の振動モードとして厚み滑り振動で振動するＡＴカット水晶振動子は、小型化、高周波数化に適し、且つ優れた周波数温度特性を有するので、発振器や電子機器等に使用されている。特に、近年では伝送通信機器やＯＡ機器の処理速度の高速化、あるいは通信データや処理量の大容量化が進むのに伴い、それに用いられる基準周波数信号源としてのＡＴカット水晶振動子に対し高周波化の要求が強まっている。
一般的に、厚み滑り振動を主振動とするＡＴカット水晶振動子は、共振周波数と水晶素板の板厚とが反比例の関係にあるため、水晶素板の板厚を薄くすることで高周波化を図ることができる。
【０００３】
特許文献１には、水晶素板の主面の一部に凹陥部を形成することで、振動領域の板厚を薄くし高周波化を図った、所謂逆メサ構造のＡＴカット水晶振動子が開示されている。基本波振動が３００ＭＨｚ以上の共振周波数で振動するＡＴカット水晶振動子において、水晶素板の振動領域の板厚と、振動領域の表裏に形成された電極を水晶密度に換算した膜厚と、の比を７％〜１３％の範囲とすることにより、良好な周波数温度特性が得られると述べられている。
また、特許文献２には、特許文献１と同様に、基本波振動が３００ＭＨｚ以上の共振周波数で振動する逆メサ構造のＡＴカット水晶振動子において、水晶素板の振動領域の板厚と、振動領域の表裏に形成された電極の一方の電極膜厚と、の比を０．０１４以下又は０．０１２以下（前記水晶素板の振動領域の板厚と、前記電極膜厚を水晶密度に換算した膜厚と、の比で１９．２％以下又は１６．５％以下）とすることにより、リフロー前後の周波数変化及び周波数温度特性の変化を防止することができるということが開示されている。
ところが、基本波振動の共振周波数の高周波化、特に２００ＭＨｚ以上とすると、前述のごとき構造を備えている水晶振動子を備えた発振回路において、基本波振動の共振周波数で水晶振動子を駆動するためには、ＣＩ（クリスタル・インピーダンス＝水晶振動子の等価抵抗）値を低減しなければならないという課題があることが判明した。特に、共振周波数が２００ＭＨｚ以上の高周波になると、水晶素板に形成される励振電極及びリード電極の膜厚が主振動のＣＩ値に大きな影響を与える。水晶振動子の主振動のみを閉じ込めモードにしようとすると、電極膜を薄くすることが必要となり、電極膜が１００ｎｍ以下になると、シート抵抗は急激に増大するため、励振電極部やリード電極部で大きなオーミックロス（表面抵抗による抵抗損）が生じ、結果的に水晶振動子のＣＩ値が大きくなるという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２８４４８４号公報
【特許文献２】特開２００５−２０３８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電極膜のオーミックロスを低減するために電極の厚みを厚くすると、主振動の他に多くのインハーモニックモードの振動が閉じ込められてしまいスプリアスが発生し、条件によっては主振動のＣＩ値より主振動に近接したスプリアスのＣＩ値の方が小さくなり、発振回路がスプリアスの共振周波数で発振してしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る振動素子は、厚み滑り振動で振動し、互いに表裏の関係にある第１の主面及び第２の主面を含む振動部と、前記第１の主面に設けられている第１の励振電極と、前記第２の主面に設けられている第２の励振電極と、を含み、エネルギー閉じ込め係数Ｍ、周波数低下量△、カットオフ周波数ｆｓ、周波数ｆｅは、３３．６≦Ｍ≦６５．１、Ｍ＝Ｋ×（ｈｘ／２×ｔｓ）×√△、△＝（ｆｓ−ｆｅ）／ｆｓ、ｆｓ＝Ｒ／ｔｓ、ｆｅ＝Ｒ／［ｔｓ＋ｔｅ×（ρｅ／ρｘ）］、の関係を満たしていることを特徴とする。但し、Ｍはエネルギー閉じ込め係数、Ｋは前記振動部の異方性係数、ｈｘは前記第１の励振電極と第２の励振電極との厚み滑り振動方向に沿った長さ、ｔｓは前記振動部の厚さ、△は周波数低下量、ｆｓは前記振動部のカットオフ周波数、ｆｅは前記振動部に前記第１の励振電極と第２の励振電極とを配置したときの周波数、Ｒは前記振動部の周波数定数、ｔｅは前記第１の励振電極と前記第２の励振電極との厚さの合計、ρｅは前記第１の励振電極と第２の励振電極との密度、ρｘは前記振動部の密度である。
【０００８】
本適用例によれば、基本波の厚み滑り振動モードで励振する高周波の振動素子において、エネルギー閉じ込め係数Ｍが、３３．６≦Ｍ≦６５．１、の関係を満たしていることにより、励振電極の薄膜化に伴うオーミックロスの影響によるＣＩ値劣化を低減することができる。更に、振動エネルギーを効率良く励振電極の領域内に閉じ込めることができるため、主振動のＣＩ値を２０Ω以下にすることができ、発振回路による発振が容易になるという効果がある。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の振動素子において、エネルギー閉じ込め係数Ｍは、
３３．６≦Ｍ≦４６．７、の関係を満たしていることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、基本波の厚み滑り振動モードで励振する高周波の振動素子において、エネルギー閉じ込め係数Ｍが、３３．６≦Ｍ≦４６．７、の関係を満たしていることにより、励振電極の薄膜化に伴うオーミックロスの影響によるＣＩ値劣化を低減することができる。更に、励振電極の寸法や膜厚により決定されるインハーモニックモードのスプリアスの励振強度を低減することが可能となる。これにより、主振動のＣＩ値を２０Ω以下と小さくすることができ、且つ主振動のＣＩｍ値に対する近接したスプリアスのＣＩｓ値との比、即ちＣＩ値比（ＣＩｓ／ＣＩｍ）の大きな振動素子が得られるという効果がある。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の振動素子において、前記第１の励振電極と第２の励振電極との厚み滑り振動方向と直交する方向に沿った長さをｈｚとしたとき、１．２５≦ｈｘ／ｈｚ≦１．３１、の関係を満たしていることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、結晶の異方性により定まる変位方向の変位分布と、それと直交する方向の変位分布が異なる基板を振動部に用いた場合、主振動のエネルギー閉じ込めの効率を高めることができる。更に、振動素子の容量比γ（＝Ｃ０／Ｃ１、ここで、Ｃ０は並列容量、Ｃ１は等価直列共振容量）を小さくすることができるという効果がある。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の振動素子において、前記振動部は水晶基板であることを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、Ｑ値の高い振動素子が得られるという効果がある。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の振動素子において、前記水晶基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、温度特性の優れた切断角度を有しているので、ＣＩ値が小さく、温度特性に優れた振動素子が得られるという効果がある。また、振動部にＡＴカット水晶基板を用いることにより、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術に関する実績や経験が活用でき、ＣＩ値が小さく、温度特性に優れ、不要なスプリアスを低減した振動素子の量産が可能になるという効果がある。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の振動素子において、前記第１の励振電極と前記第２の励振電極とは、前記振動部側から順に第１層、第２層が積層されている２層構造で構成されており、第１層は、ニッケル（Ｎｉ）を含み、第２層は、金（Ａｕ）を含むことを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、振動部と金（Ａｕ）を含む第２層との間に、ニッケル（Ｎｉ）を含む第１層を設けた構造とすることで、振動部と金（Ａｕ）を含む第２層との密着性を高めることができる。更に、金（Ａｕ）を含む第２層は酸化等の影響が小さく非常に安定なため、信頼性評価の高い振動素子が得られるという効果がある。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る振動子は、上記適用例に記載の振動素子と、前記振動素子が収容されているパッケージと、を備えていることを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、振動素子をパッケージに収容することで、信頼性の高い振動子が得られる。たとえば、温度変化や湿度変化等の外乱の影響や汚染による影響を防ぐことができるため、周波数再現性、周波数温度特性、ＣＩ温度特性、周波数エージング特性等に優れた振動子が得られるという効果がある。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る電子デバイスは、上記適用例に記載の振動素子と、回路と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、基本波で励振する高周波の振動素子を用いて電子デバイスを構成すると、振動素子の容量比が小さいので、周波数可変幅が広がり、更に、Ｓ／Ｎ比の良好な高周波の電圧制御型発振器が得られるという効果がある。
また、電子デバイスとして発振器、温度補償型発振器等を構成することが可能であり、周波数再現性、エージング特性、周波数温度特性に優れた発振器を構成できるという効果がある。
【００２３】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の振動素子を備えたことを特徴とする。
【００２４】
本適用例によれば、上記適用例に記載の振動素子を電子機器に用いることにより、高周波で周波数安定度に優れ、Ｓ／Ｎ比の良好な基準周波数源を備えた電子機器が構成できるという効果がある。
【００２５】
［適用例１０］本適用例に係る移動体は、上記適用例に記載の振動素子を備えたことを特徴とする。
【００２６】
本適用例によれば、上記適用例に記載の振動素子を電子機器に用いることにより、高周波で周波数安定度に優れ、Ｓ／Ｎ比の良好な基準周波数源を備えた信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態に係る振動素子の構造を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図。
【図２】水晶基板と結晶軸との関係を説明する図。
【図３】電極の膜厚に対するシート抵抗を示す図。
【図４】振動素子の試作条件と振動子の特性結果を示す図。
【図５】振動素子のエネルギー閉じ込め係数Ｍに対する振動子のＣＩ値を示す図。
【図６】振動素子のエネルギー閉じ込め係数Ｍに対する振動子の主振動ＣＩ値とスプリアスＣＩ値とのＣＩ値比を示す図。
【図７】本発明の実施形態に係る振動素子の励振電極形状の変形例を示す概略図であり、（ａ）は変形例１の平面図、（ｂ）は変形例２の平面図、（ｃ）は変形例３の平面図。
【図８】本発明の実施形態に係る振動素子の基板形状の変形例を示す概略図であり、（ａ）は変形例１の平面図、（ｂ）は変形例１のＣ−Ｃ線断面図。
【図９】本発明の実施形態に係る振動素子の基板形状の変形例を示す概略図であり、（ａ）は変形例２の平面図、（ｂ）は変形例２のＤ−Ｄ線断面図。
【図１０】本発明の実施形態に係る振動素子の基板形状の変形例を示す概略図であり、（ａ）は変形例３の平面図、（ｂ）は変形例３のＥ−Ｅ線断面図。
【図１１】本発明の実施形態に係る振動素子の基板形状の変形例を示す概略図であり、（ａ）は変形例４の平面図、（ｂ）は変形例４のＦ−Ｆ線断面図。
【図１２】本発明の実施形態に係る振動素子の基板形状の変形例を示す概略図であり、（ａ）は変形例５の平面図、（ｂ）は変形例５のＧ−Ｇ線断面図。
【図１３】本発明の実施形態に係る振動子の構造を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図。
【図１４】本発明の実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図。
【図１５】本発明の実施形態に係る振動素子を備える電子機器を適用したモバイル型（又はノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【図１６】本発明の実施形態に係る振動素子を備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図。
【図１７】本発明の実施形態に係る振動素子を備える電子機器を適用したデジタルカメラの構成を示す斜視図。
【図１８】本発明の実施形態に係る振動子を備える移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器及び移動体を図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜振動素子＞
先ず、本発明の実施形態に係る振動素子１について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る振動素子の構成を示す概略図であり、図１（ａ）は振動素子の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２９】
振動素子１は、振動部１２及び振動部１２に連設され、振動部１２の厚さよりも厚い厚肉部１３である支持部１８を有する基板１０と、振動部１２の両主面（±Ｙ’方向の表裏面）に、平面視で重なるように夫々対向するようにして形成された第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂと、厚肉部に設けられたパッド電極２９ａ，２９ｂと、第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとからパッド電極２９ａ，２９ｂに向けて、夫々延出されて形成されたリード電極２７ａ，２７ｂと、を備えている。
【００３０】
基板１０は、矩形状をなし、且つ肉薄でＹ’軸に直交しており、厚さが一定である平板状の振動部１２と、振動部１２の一辺を除いた三辺に沿って一体化された第１の厚肉部１４、支持部１８となる第２の厚肉部１５及び第３の厚肉部１６（第１、第２及び第３の厚肉部１４，１５，１６とも称する）からなる厚肉部１３と、支持固定した際に生じるマウント応力を振動部１２に伝わるのを低減するためのスリット１７と、を備えている。
なお、第１の厚肉本体１４ａ、第２の厚肉本体１５ａ及び第３の厚肉本体１６ａ（第１、第２及び第３の厚肉本体１４ａ，１５ａ，１６ａとも称する）とは、Ｙ’軸に平行な厚さが一定である領域をいう。
【００３１】
また、第１の傾斜部１４ｂ、第２の傾斜部１５ｂ及び第３の傾斜部１６ｂ（第１、第２及び第３の傾斜部１４ｂ，１５ｂ，１６ｂとも称する）とは、第１、第２及び第３の厚肉本体１４ａ，１５ａ，１６ａと、振動部１２と、の間に生じる傾斜面をいう。
振動部１２の一方の主面と、第１、第２及び第３の厚肉部１４，１５，１６の夫々の一方の面とは、同一平面上、即ち図１に示す座標軸のＸ−Ｚ’平面上にあり、この面（図１（ｂ）の−Ｙ’方向にある下面側）をフラット面（平坦面）といい、凹陥部１１を有する反対側の面（図１（ｂ）の＋Ｙ’方向にある上面側）を凹陥面という。
【００３２】
第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとは、図１に示す振動素子１では矩形状（Ｘ軸方向を長辺とする）であり、振動部１２のほぼ中央部の表裏面（上面及び下面の両面）に、平面視で重なるように夫々対向し、第１の主面となる一方の主面に第１の励振電極２５ａが、第２の主面となる他方の主面に第２の励振電極２５ｂが形成されている。
リード電極２７ａは、凹陥面である第１の主面に形成した第１の励振電極２５ａから延出し、振動部１２上から第３の傾斜部１６ｂと、第３の厚肉本体１６ａとを経由して、支持部１８である第２の厚肉本体１５ａの凹陥面に形成されたパッド電極２９ａに導通接続されている。
【００３３】
また、リード電極２７ｂは、フラット面である第２の主面に形成された第２の励振電極２５ｂから延出し、基板１０のフラット面の端縁部を経由して、支持部１８である第２の厚肉本体１５ａのフラット面に形成されたパッド電極２９ｂと導通接続されている。
なお、第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとは、リード電極２７ａ，２７ｂと接続している部分について、励振電極の外縁（外辺）に沿った延長線（仮想線）を境界として形状や面積として説明する。
【００３４】
図１（ａ）に示した実施形態例は、リード電極２７ａ，２７ｂの引出し構造の一例であり、リード電極２７ａは他の厚肉部を経由してもよい。但し、リード電極２７ａ，２７ｂの長さは最短であることが望ましく、リード電極２７ａ，２７ｂ同士が平面視で基板１０を挟んで交差しないように配慮することにより静電容量の増加を抑えることが望ましい。
【００３５】
また、第１の励振電極２５ａ、第２の励振電極２５ｂ、リード電極２７ａ，２７ｂ、パッド電極２９ａ，２９ｂは、蒸着装置あるいはスパッタ装置等を用いて、例えば、基板１０側から下地層である第１層のニッケル（Ｎｉ）を成膜し、その上に第２層である金（Ａｕ）を積層して成膜してある。なお、電極材料として、第１層のニッケル（Ｎｉ）の代わりにニッケル（Ｎｉ）を含むニクロム（ＮｉＣｒ）やクロム（Ｃｒ）、また、金（Ａｕ）の代わりに金（Ａｕ）を含む１８金や１４金、更に、銀（Ａｇ）や白金（Ｐｔ）を用いても構わない。
【００３６】
圧電材料である水晶は三方晶系に属し、図２に示すように、互いに直交する結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚを有する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、夫々電気軸、機械軸、光学軸と呼称される。そして、ＸＺ面をＸ軸の回りに所定の角度θだけ回転させた平面に沿って、水晶から切り出された回転Ｙカット水晶基板が基板１０として用いられる。例えば、ＡＴカット水晶基板の場合は、角度θは略３５°１５’である。なお、Ｙ軸及びＺ軸もＸ軸の周りに角度θだけ回転させて、夫々Ｙ’軸及びＺ’軸とする。従って、ＡＴカット水晶基板は、直交する結晶軸Ｘ、Ｙ’、Ｚ’を有する。ＡＴカット水晶基板は、厚さ方向がＹ’軸であって、Ｙ’軸に直交するＸＺ’面（Ｘ軸及びＺ’軸を含む面）が主面であり、Ｘ軸方向に沿った変位を有する厚み滑り振動が主振動として励振される。
【００３７】
即ち、基板１０は、図２に示すように、Ｘ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）、Ｚ軸（光学軸）からなる直交座標系のＸ軸を中心として、Ｚ軸をＹ軸の−Ｙ方向へ傾けた軸をＺ’軸とし、Ｙ軸をＺ軸の＋Ｚ方向へ傾けた軸をＹ’軸とし、Ｘ軸とＺ’軸に平行な面で構成され、Ｙ’軸に平行な方向を厚さとする回転Ｙカット水晶基板である。
【００３８】
なお、本実施形態例に係る基板１０は、角度θが略３５°１５’のＡＴカット水晶基板に限定されるものではなく、角度θが略−４９°で厚み滑り振動モードで励振するＢＴカット水晶基板等でもよい。更に、振動部１２の外縁に沿って厚肉部を設けた例を用いて説明したが、これに限らず、以降の基板形状の変形例で述べるが、振動部１２の外縁全周に沿って厚肉部を設けた基板や厚肉部が設けられていない平板状の基板でもよい。
【００３９】
一般的に、厚み滑り振動モードは振動部上に部分電極を形成するか、板厚差を設けると、その部分近傍に振動エネルギーを閉じ込めることができ、安定した共振周波数を得ることができる。この場合の閉じ込めモードの共振周波数は、振動部の厚さｔｓや励振電極の膜厚ｔｅと寸法ｈｘにより求まるエネルギー閉じ込め係数Ｍの関数として表される。
エネルギー閉じ込め係数Ｍは、下記式（１）で表される。
Ｍ＝Ｋ×（ｈｘ／２×ｔｓ）×√△・・・（１）
【００４０】
ここで、Ｋは振動部の異方性係数（ＡＴカット水晶基板の場合は１．５３８）、ｈｘは励振電極の厚み滑り振動の変位方向に沿った寸法、ｔｓは振動部の厚さ、△は周波数低下量である。なお、ｈｘは、励振電極が円形や楕円形のように形状が矩形でない場合は、厚み滑り振動モードの変位方向（Ｘ軸方向）に沿った長さのうち最大値を寸法とする。
【００４１】
また、周波数低下量△は下記式（２）で表される。
△＝（ｆｓ−ｆｅ）／ｆｓ・・・（２）
ここで、ｆｓは振動部のカットオフ周波数、ｆｅは振動部全面に励振電極を成膜した場合の周波数である。
【００４２】
なお、表裏の励振電極の形状と面積が同一の場合、振動部のカットオフ周波数ｆｓは下記式（３）で、振動部全面に励振電極を成膜した場合の周波数ｆｅは下記式（４）で表される。
ｆｓ＝Ｒ／ｔｓ・・・（３）
ｆｅ＝Ｒ／［ｔｓ＋ｔｅ×（ρｅ／ρｘ）］・・・（４）
ここで、Ｒは振動部の周波数定数、ｔｓは振動部の厚さ、ｔｅは表裏の励振電極の厚さの和、ρｅは励振電極の密度、ρｘは振動部の密度である。
【００４３】
一般的にＡＴカット水晶基板の厚み滑り振動モードにおいて、基本波の単一モードを閉じ込める条件は、エネルギー閉じ込め係数Ｍが２．８以下と言われている。
例えば、４９１ＭＨｚ帯の共振周波数で共振するＡＴカット水晶振動素子は、第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとの寸法ｈｘを０．３０ｍｍとした場合、エネルギー閉じ込め係数Ｍが２．８となる励振電極の膜厚が約１ｎｍと非常に薄く、製造上実現不可能な膜厚となり、例え実現できたとしても電極の薄膜化によるオーミックロスの影響によりＣＩ値が非常に大きくなり発振回路で発振することはできない。
【００４４】
そこで、高周波においては電極膜厚のオーミックロスを避けるように成膜する（膜厚を厚くする）と、主振動だけを閉じ込めるエネルギー閉じ込め係数Ｍが２．８から大幅に大きくなるため、主振動以外に低次のインハーモニックモードのスプリアスが閉じ込められることは避けられない。しかし、閉じ込められたスプリアスの最小のＣＩ値と主振動ＣＩ値とのＣＩ値比が１．８以上であればインハーモニックモードのスプリアスで発振することは理論上無いと言える。そこで、主振動のＣＩ値が２０Ω以下と小さくし、スプリアスとのＣＩ値比が製造ばらつきを考慮して２．０以上とすれば、発振回路で求められる要求仕様を満たし主振動のみを発振させることができるので、実用化が可能であることに思い至った。
【００４５】
図３はニッケル（Ｎｉ）を下地層とした金（Ａｕ）の膜厚とシート抵抗値を示したものである。下地層のニッケル（Ｎｉ）の膜厚を７ｎｍで一定とし、金（Ａｕ）の膜厚を４５ｎｍ〜１５０ｎｍに変化させた場合のシート抵抗の測定結果である。図３より、膜厚９０ｎｍ以下になるとシート抵抗が急激に増大することが判る。従って、エネルギー閉じ込め係数Ｍを決定する励振電極の膜厚以外で、オーミックロスの影響で主振動のＣＩ値が大きくなるのを低減するためにはリード電極２７ａ、２７ｂやパッド電極２９ａ、２９ｂの膜厚を大きくする必要がある。特に、リード電極部はパッド部に比べ、細く長いためオーミックロスの影響は大きい。例えば、リード電極部の長さを１０□（正方形を１０個接続した長さ）と仮定した場合、リード電極部の抵抗値を２Ω以下とするには、図３より、シート抵抗が０．２Ω／□となる電極膜厚１５０ｎｍ以上とする必要がある。
【００４６】
図４は、図１の実施形態例で試作した４９１ＭＨｚ帯の共振周波数で振動する振動素子の試作条件と振動子の特性結果を示したものである。
基板１０はＡＴカット水晶基板を用い、表裏の第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとは下地層のニッケル（Ｎｉ）膜厚を７ｎｍで一定とし、金（Ａｕ）の膜厚を３０ｎｍ〜１００ｎｍとしている。第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとはｈｘを０．１８ｍｍ、ｈｚを０．１４ｍｍとし、ｈｘ／ｈｚが約１．２９である。なお、ｈｚは第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとの厚み滑り振動方向と直交する方向に沿った寸法（長さ）である。
また、表裏のリード電極２７ａ，２７ｂとパッド電極２９ａ，２９ｂはオーミックロスの影響を低減するために第１の励振電極２５ａや第２の励振電極２５ｂと同等の厚さで形成した電極層の上層部に、ニッケル（Ｎｉ）を膜厚７ｎｍ積層し、更にその上に金（Ａｕ）を膜厚２００ｎｍ積層している。
なお、試作した振動素子１は後述するパッケージに実装され、封止された後に、振動子として特性を測定している。
【００４７】
ここで、図４に示す試作条件は、前述の式（１）、（２）、（３）、（４）を満たしている。
なお、各パラメーターは以下の通りである。
Ｋ＝１．５３８
Ｒ＝１．６７（ＭＨｚ・ｍｍ）
ρｘ＝２．６４９（ｇ／ｃｍ3）
ρＡｕ（金の密度）＝１９．３（ｇ／ｃｍ3）
ρＮｉ（ニッケルの密度）＝８．９（ｇ／ｃｍ3）
２層構造からなる励振電極の密度ρｅは以下の式（５）で算出される。
ρｅ＝（ρＡｕ×ｔＡｕ＋ρＮｉ×ｔＮｉ）／（ｔＡｕ＋ｔＮｉ）・・・（５）
ここで、ｔＡｕは第２層の金（Ａｕ）の厚さ、ｔＮｉは下地層である第１層のニッケル（Ｎｉ）の厚さである。
ｆｓは振動部１２のカットオフ周波数、ｆｅは振動部１２に第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとを配置したときの周波数である。
【００４８】
図５は、図４に示した振動素子のエネルギー閉じ込め係数Ｍに対する振動子のＣＩ値を示したものである。エネルギー閉じ込め係数Ｍが大きくなるとＣＩ値は一度小さくなり、その後、再び大きくなる傾向を示している。これは、電極膜厚が大きくなることでオーミックロスの影響が小さくなり、その後、電極膜厚が更に大きくなることで振動部１２が電極の重さで振動に負荷が掛かるので抵抗が大きくなるためと考えられる。
よって、図５より、エネルギー閉じ込め係数Ｍを３３．６以上６５．１以下の範囲とすることで、発振回路が必要とするＣＩ値の仕様（ＣＩ≦２０Ω）を満足することができる。
【００４９】
図６は、図４に示した振動素子のエネルギー閉じ込め係数Ｍに対する振動子の主振動のＣＩ値（ＣＩｍ）とスプリアスのＣＩ値（ＣＩｓ）とのＣＩ値比（ＣＩｓ／ＣＩｍ）を示したものである。エネルギー閉じ込め係数Ｍが大きくなるとＣＩ値比（ＣＩｓ／ＣＩｍ）は小さくなる傾向は、励振電極の膜厚が大きくなることでインハーモニックモードのスプリアスを強く閉じ込めてしまうためであると考えられる。
図６より、エネルギー閉じ込め係数Ｍが４６．７以下とすることで、発振回路が必要とするスプリアスの仕様（ＣＩｓ／ＣＩｍ≧２．０）を満足することができることが判る。
【００５０】
以上の結果から、第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとの表裏の形状と面積が同一の場合、発振回路が必要とするＣＩ値の仕様（ＣＩ≦２０Ω）とスプリアスの仕様（ＣＩｓ／ＣＩｍ≧２．０）を同時に満足できるのは、エネルギー閉じ込め係数Ｍが３３．６≦Ｍ≦４６．７の範囲にある場合であることが判る。
【００５１】
＜励振電極形状の変形例＞
図７は、本発明の実施形態に係る振動素子の励振電極形状の変形例を示した概略図であり、図７（ａ）は変形例１の平面図、図７（ｂ）は変形例２の平面図、図７（ｃ）は変形例３の平面図である。
図１の実施形態例では、第１の励振電極２５ａと第２の励振電極２５ｂとの形状として矩形（Ｘ軸方向を長辺とする）の例を示したが、これに限定する必要はない。図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、励振電極１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃの形状は、正方形、楕円形（Ｘ軸方向が長い）、円形等であってもよい。
【００５２】
なお、ＡＴカット水晶基板を用いた厚み滑り振動モードの場合、結晶の異方性により定まる変位方向の変位分布と、それと直交する方向の変位分布が異なり、その電極寸法比（ｈｘ／ｈｚ）は約１．２８が最も効率が良いと言われているので、その比の楕円形状や矩形形状の励振電極形状がＡＴカット水晶振動子の容量比γ（＝Ｃ０／Ｃ１、ここで、Ｃ０は並列容量、Ｃ１は等価直列容量）を最小にできる。また、第１の励振電極２５ａや第２の励振電極２５ｂの寸法ｈｘ，ｈｚの製造ばらつきや表裏の位置合わせ誤差等が寸法比で約±２％（ｈｘ＝０．１８ｍｍとすると約±４μｍ）と予想されるので、電極寸法比（ｈｘ／ｈｚ）は１．２８を中心とし、１．２５〜１．３１の範囲が適している。
【００５３】
＜基板形状の変形例＞
図８〜図１２は、本発明の実施形態に係る振動素子の基板形状の変形例を示す概略図であり、各図の（ａ）は各変形例１〜５の平面図、各図の（ｂ）は各変形例１〜５の断面図である。
基板１０の形状についても、図１の実施形態例では、一方の主面に凹陥部１１を有し、他方の主面がフラット面である基板１０を用いているが、図８に示すように、振動部１２ａの両主面に凹陥部１１ａ，１１ａ’を有する基板１０ａであっても構わない。
【００５４】
また、図９や図１０に示すように、振動部１２ｂの一方の主面に周囲が肉厚部１３ｂで囲まれた凹陥部１１ｂを有する基板１０ｂや、振動部１２ｃの両主面に周囲が肉厚部１３ｃで囲まれた凹陥部１１ｃ，１１ｃ’を有する基板１０ｃであっても構わない。
【００５５】
更に、図１１に示すように、平板な形状の基板１０ｄであっても構わない。なお、平板な形状の場合には、板厚が非常に薄いので取り扱い時やパッケージに実装する時に、破損する虞がある。そのため、強度を向上させるために、図１２に示すように、厚さの厚い保持基板１１０上に平板な形状の基板１０ｅを実装した構成であっても構わない。
【００５６】
この構成における電気的な導通は、先ず、基板１０ｅに設けられたパッド電極２９ｅと保持基板１１０の一方の主面に設けられたパッド電極９０とを導電性の接合部材８０で接合することで図られる。次に、保持基板１１０のパッド電極９０と側面電極（図示せず）等により電気的に接続されている保持基板１１０の他方の主面に設けられた実装電極９２をパッケージの素子搭載パッドに導電性の接合部材等を介して取り付けることで、基板１０ｅのパッド電極２９ｅとパッケージの素子搭載パッドとを電気的に導通することができる。
【００５７】
＜振動子＞
次に、前述した振動素子１を適用した振動子２（本発明の振動子）について説明する。
図１３は、本発明の実施形態に係る振動子の構成を示す図であり、図１３（ａ）は蓋部材を省略した平面図であり、図１３（ｂ）は縦断面図である。振動子２は、振動素子１と、振動素子１を収容するために矩形の箱状に形成されているパッケージ本体４０と、金属、セラミック、ガラス等から成る蓋部材４９と、で構成されている。
【００５８】
パッケージ本体４０は、図１３（ｂ）に示すように、第１の基板４１と、第２の基板４２と、第３の基板４３と、シールリング４４と、実装端子４５と、を積層して形成されている。実装端子４５は、第１の基板４１の外部底面に複数形成されている。第３の基板４３は中央部が除去された環状体であり、第３の基板４３の上部周縁に例えばコバール等のシールリング４４が形成されている。
【００５９】
第３の基板４３と第２の基板４２とにより、振動素子１を収容する凹部（キャビティ）が形成されている。第２の基板４２の上面の所定の位置には、導体４６により実装端子４５と電気的に導通する複数の素子搭載パッド４７が設けられている。素子搭載パッド４７は、振動素子１を載置した際に第２の厚肉本体１５ａに形成したパッド電極２９ａに対応するように配置されている。
【００６０】
振動素子１を固定する際には、先ず、振動素子１を反転（裏返し）してパッド電極２９ａを導電性接着剤３０が塗布された素子搭載パッド４７に載置して荷重をかける。導電性接着剤３０は経年変化を考慮して脱ガスの少ないポリイミド系接着剤を用いている。
【００６１】
次に、パッケージ本体４０に搭載された振動素子１の導電性接着剤３０を硬化させるために、所定の温度の高温炉に所定の時間入れる。導電性接着剤３０を硬化させた後、反転して上面側になったパッド電極２９ｂと、パッケージ本体４０の電極端子４８とをボンディングワイヤーＢＷ等で導通接続する。図１３（ｂ）に示すように、振動素子１をパッケージ本体４０に支持・固定する部分は、一カ所（一点）であるため、支持固定により生じるマウント応力の大きさを小さくすることが可能となる。
【００６２】
実装歪を緩和するためのアニール処理を施した後、第２の励振電極２５ｂに質量を付加するか、又は質量を減じて周波数調整を行う。その後、パッケージ本体４０の上面に形成したシールリング４４上に、蓋部材４９を載置し、減圧雰囲気中、又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で蓋部材４９をシーム溶接して密封し、振動子２が完成する。又は、パッケージ本体４０の第３の基板４３の上面に塗布した低融点ガラス上に蓋部材４９を載置し、溶融して密着する方法もある。この場合もパッケージのキャビティ内は減圧雰囲気にするか、又は窒素ガス等の不活性ガスを充填して、振動子２が完成する。
【００６３】
パッド電極２９ａ、２９ｂの間隔をＺ’軸方向に離して形成した振動素子１を構成してもよい。この場合も図１３で説明した振動子２と同様に振動子を構成することができる。また、パッド電極２９ａ、２９ｂを同一面上に間隔を離して形成した振動素子１を構成してもよい。この場合、振動素子１は、二カ所（二点）に導電性接着剤３０を塗布して、導通と支持・固定を図るようにした構造である。低背化に適した構造であるが、導電性接着剤３０に起因するマウント応力が少し大きくなる虞がある。
以上の振動子２の実施形態例では、パッケージ本体４０に積層板を用いた例を説明したが、パッケージ本体４０に単層セラミック板を用い、蓋体に絞り加工を施したキャップを用いて振動子を構成してもよい。
【００６４】
図１３に示すように、振動素子１を支持する部位が一点であり、且つ支持部１８と振動部１２の間にスリット１７を設けることにより、導電性接着剤３０に起因して生じるマウント応力を小さくすることができるため、周波数再現性、周波数温度特性、ＣＩ温度特性、周波数エージング特性等に優れた振動子２が得られるという効果がある。
【００６５】
＜電子デバイス＞
次に、本発明の振動素子１を適用した電子デバイス３（本発明の電子デバイス）について説明する。
図１４は、本発明の実施形態に係る電子デバイスの構成を示す図であり、図１４（ａ）は蓋部材を省略した平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の縦断面図である。電子デバイス３は、パッケージ本体５０と、蓋部材４９と、振動素子１と、振動素子１を励振させる発振回路を搭載したＩＣ部品５１と、電圧により容量が変化する可変容量素子、温度により抵抗が変化するサーミスター、インダクター等の電子部品５２の少なくとも１つと、を備えている。
【００６６】
パッケージ本体５０は、図１４に示すように、第１の基板６１と、第２の基板６２と、第３の基板６３と、を積層して形成されている。実装端子４５は、第１の基板６１の外部底面に複数形成されている。第２の基板６２と第３の基板６３とは中央部が除去された環状体で形成されている。
第１の基板６１と、第２の基板６２と、第３の基板６３と、により、振動素子１、ＩＣ部品５１及び電子部品５２等を収容する凹部（キャビティ）が形成されている。第２の基板６２の上面の所定の位置には、導体４６により実装端子４５と電気的に導通する複数の素子搭載パッド４７が設けられている。素子搭載パッド４７は、振動素子１を載置した際に第２の厚肉本体１５ａに形成したパッド電極２９ａに対応するように配置されている。
【００６７】
反転した振動素子１のパッド電極２９ａを、導電性接着剤（ポリイミド系）３０を塗布したパッケージ本体５０の素子搭載パッド４７に載置し、パッド電極２９ａと素子搭載パッド４７との導通を図る。反転して上面側になったパッド電極２９ｂと、パッケージ本体５０の電極端子４８とをボンディングワイヤーＢＷにて接続し、パッケージ本体５０の基板間に形成された導体（図示せず）を通じて、ＩＣ部品５１の１つの電極端子５５との導通を図る。ＩＣ部品５１をパッケージ本体５０の所定の位置に固定し、ＩＣ部品５１の端子と、パッケージ本体５０の電極端子５５とをボンディングワイヤーＢＷにて接続する。また、電子部品５２は、パッケージ本体５０の所定の位置に載置し、金属バンプ等を用いて導体４６に接続する。パッケージ本体５０を減圧雰囲気、又は窒素ガス等の不活性ガスで満たし、パッケージ本体５０を蓋部材４９で密封して電子デバイス３を完成する。
【００６８】
パッド電極２９ｂとパッケージ本体５０の電極端子４８とをボンディングワイヤーＢＷで接続する工法は、振動素子１を支持する部位が一カ所（一点）になり、導電性接着剤３０に起因して生じるマウント応力を小さくすることができる。
【００６９】
図１４に示すように、電子デバイス３を構成することにより、基本波で励振する高周波の振動素子１を用いているので、容量比が小さく、周波数可変幅が広がり、更に、Ｓ／Ｎ比の良好な電圧制御型発振器が得られるという効果がある。
また、電子デバイス３として発振器、温度補償型発振器等を構成することが可能であり、周波数再現性、エージング特性、周波数温度特性等に優れた発振器を構成できるという効果がある。
【００７０】
＜電子機器＞
次いで、本発明の実施形態に係る振動素子１を適用した電子機器（本発明の電子機器）について、図１５〜図１７に基づき、詳細に説明する。
図１５は、本発明の実施形態に係る振動素子を備える電子機器としてのモバイル型（又はノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する振動素子１が内蔵されている。
【００７１】
図１６は、本発明の実施形態に係る振動素子を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器等として機能する振動素子１が内蔵されている。
【００７２】
図１７は、本発明の実施形態に係る振動素子を備える電子機器としてのデジタルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７３】
デジタルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００７４】
撮影者が表示部１００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルカメラ１３００には、フィルター、共振器等として機能する振動素子１が内蔵されている。
【００７５】
なお、本発明の実施形態に係る振動素子１を備える電子機器には、図１５のパーソナルコンピューター１１００（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１６の携帯電話機１２００、図１７のデジタルカメラ１３００の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等がある。
【００７６】
＜移動体＞
次に、本発明の実施形態に係る振動素子１を適用した移動体（本発明の移動体）について説明する。
図１８は、本発明の移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００には、本発明の実施形態に係る振動素子１が搭載されている。振動素子１は、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ：Antilock Brake System）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：Electronic Control Unit）１５１０に広く適用することができる。
【００７７】
以上、本発明の振動素子１、振動子２、電子デバイス３、電子機器及び移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１…振動素子、２…振動子、３…電子デバイス、１０…基板、１１…凹陥部、１２…振動部、１３…厚肉部、１４…第１の厚肉部、１４ａ…第１の厚肉本体、１４ｂ…第１の傾斜部、１５…第２の厚肉部、１５ａ…第２の厚肉本体、１５ｂ…第２の傾斜部、１６…第３の厚肉部、１６ａ…第３の厚肉本体、１６ｂ…第３の傾斜部、１７…スリット、１８…支持部、２５ａ…第１の励振電極、２５ｂ…第２の励振電極、２７ａ，２７ｂ…リード電極、２９ａ，２９ｂ…パッド電極、３０…導電性接着剤、４０…パッケージ本体、４１…第１の基板、４２…第２の基板、４３…第３の基板、４４…シールリング、４５…実装端子、４６…導体、４７…素子搭載パッド、４８…電極端子、４９…蓋部材、５０…パッケージ本体、５１…ＩＣ部品、５２…電子部品、５５…電極端子、６１…第１の基板、６２…第２の基板、６３…第３の基板、１００…表示部、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１３００…デジタルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１５００…自動車、１５１０…電子制御ユニット。
【図１】
2015088876.tif 000003
【図２】
2015088876.tif 000004
【図３】
2015088876.tif 000005
【図４】
2015088876.tif 000006
【図５】
2015088876.tif 000007
【図６】
2015088876.tif 000008
【図７】
2015088876.tif 000009
【図８】
2015088876.tif 000010
【図９】
2015088876.tif 000011
【図１０】
2015088876.tif 000012
【図１１】
2015088876.tif 000013
【図１２】
2015088876.tif 000014
【図１３】
2015088876.tif 000015
【図１４】
2015088876.tif 000016
【図１５】
2015088876.tif 000017
【図１６】
2015088876.tif 000018
【図１７】
2015088876.tif 000019
【図１８】
2015088876.tif 000020