(57)【要約】【課題】基板とアースプレートとを容易に引き離すことが可能なエレクトロスプレー装置を提供する。【解決手段】このエレクトロスプレー装置１００は、ノズル１から噴霧された溶液材料を、基板２００に薄膜として堆積するエレクトロスプレー装置１００であって、薄膜の形成時に基板２００に接触して基板２００を接地するアースプレート２を備え、アースプレート２の基板２００が接触する面２ａ上には、複数の凸部２ｂが設けられている。【選択図】図１
2015107451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズルから噴霧された溶液材料を、基板に薄膜として堆積するエレクトロスプレー装置であって、
前記薄膜の形成時に前記基板に接触して前記基板を接地するアースプレートを備え、
前記アースプレートの前記基板が接触する面上には、複数の凸部が設けられている、エレクトロスプレー装置。
【請求項２】
前記複数の凸部と前記基板とが接触する接触面積は、前記アースプレートの前記基板とオーバラップする領域の面積の１％以上５％以下である、請求項１に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項３】
前記複数の凸部の前記アースプレートの表面からの高さは、１００μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１または２に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項４】
前記複数の凸部は、前記アースプレートの前記基板とオーバラップする領域の全体に分散するように設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項５】
前記アースプレートの前記基板に接触する側の面は、凸状に湾曲しており、
前記アースプレートは、前記薄膜の形成時に、前記基板が前記アースプレートの湾曲した面に倣うように凸状に湾曲した状態で、前記アースプレートの前記複数の凸部に接触するように構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項６】
前記アースプレートと前記基板との間に生じる静電気を除電する除電部をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項７】
ノズルから噴霧された溶液材料を、基板に薄膜として堆積するエレクトロスプレー装置であって、
前記薄膜の形成時に前記基板に接触して前記基板を接地するアースプレートを備え、
前記アースプレートの前記基板に接触する側の面は、凸状に湾曲しており、
前記アースプレートは、前記薄膜の形成時に、前記基板が前記アースプレートの湾曲した面に倣うように凸状に湾曲した状態で、前記アースプレートに接触するように構成されている、エレクトロスプレー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、エレクトロスプレー装置に関し、特に、ノズルから噴霧された溶液材料を、基板に薄膜として堆積するエレクトロスプレー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ノズルから噴霧された溶液材料を基板に薄膜として堆積するエレクトロスプレー装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、基板が載置される平板状の基板載置部と、電圧が印加された状態の溶液材料を基板に噴霧するノズルとを備えるエレクトロスプレー装置が開示されている。このエレクトロスプレー装置では、基板載置部に載置された基板に電圧が印加されるように構成されている。そして、基板とノズルとの間に生じた電界により、ノズルから基板に溶液材料が飛行することによって、基板に溶液材料が薄膜として堆積される。なお、平板状の基板載置部の表面は、平坦面状に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１３５７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載されるような従来のエレクトロスプレー装置では、薄膜の形成後も基板に電荷が蓄積されている場合があり、基板と、平坦面状の表面を有する基板載置部との間の静電気力により、基板が基板載置部に吸着した状態（静電チャックの状態）となる。この場合に、基板と基板載置部（アースプレート）とを引き離すことが困難である場合があるという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、基板とアースプレートとを容易に引き離すことが可能なエレクトロスプレー装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面によるエレクトロスプレー装置は、ノズルから噴霧された溶液材料を、基板に薄膜として堆積するエレクトロスプレー装置であって、薄膜の形成時に基板に接触して基板を接地するアースプレートを備え、アースプレートの基板が接触する面上には、複数の凸部が設けられている。
【０００８】
この第１の局面によるエレクトロスプレー装置では、上記のように、アースプレートの基板が接触する面上に、複数の凸部を設けることによって、アースプレートの基板が接触する面が平坦面状である場合と異なり、アースプレートと基板（複数の凸部）との接触面積を小さくすることができるので、基板に電荷が帯電している場合でも、基板とアースプレートとの間の静電気力を小さくすることができる。これにより、基板とアースプレートとを容易に引き離すことができる。
【０００９】
上記第１の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、複数の凸部と基板とが接触する接触面積は、アースプレートの基板とオーバラップする領域の面積の１％以上５％以下である。ここで、接触面積が、アースプレートの基板とオーバラップする領域の面積の１％よりも小さい場合では、１つの凸部と基板との接触面積が小さくなりすぎるため、凸部に接触する基板の部分に応力が集中し、その結果、基板が損傷する場合がある。また、接触面積が、アースプレートの基板とオーバラップする領域の面積の５％よりも大きい場合では、基板とアースプレートとの間の静電気力が大きくなるため、基板とアースプレートとを容易に引き離せない場合がある。そこで、本発明では、複数の凸部と基板とが接触する接触面積を、アースプレートの基板とオーバラップする領域の面積の１％以上５％以下にすることによって、基板が破損することを抑制しながら、基板とアースプレートとを容易に引き離すことができる。
【００１０】
上記第１の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、複数の凸部のアースプレートの表面からの高さは、１００μｍ以上５００μｍ以下である。ここで、複数の凸部のアースプレートの表面からの高さが、１００μｍよりも小さい場合では、基板が撓んで隣接する凸部の間の凹部に基板が接触する場合がある。この場合、アースプレートと基板との接触面積が大きくなるので、基板とアースプレートとを引き離すことが困難になる場合がある。また、複数の凸部のアースプレートの表面からの高さが、５００μｍよりも大きい場合では、基板とアースプレート（凸部の間の凹部）との間の距離が大きいことに起因して、局所的にノズルと基板（アースプレートの凹部に対応する部分）との間に電界が生じない場合（電界が弱い場合）がある。このため、基板に形成される薄膜の厚みにばらつき（塗布ムラ）が生じる場合がある。そこで、本発明では、複数の凸部のアースプレートの表面からの高さを、１００μｍ以上５００μｍ以下にすることによって、基板に形成される薄膜の厚みにばらつき（塗布ムラ）が生じることを抑制しながら、基板とアースプレートとを容易に引き離すことができる。
【００１１】
上記第１の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、複数の凸部は、アースプレートの基板とオーバラップする領域の全体に分散するように設けられている。このように構成すれば、複数の凸部がアースプレートの基板とオーバラップする領域の一部分に偏って設けられる場合と異なり、ノズルと基板との間の電界の強さに偏りが生じるのを抑制することができる。これにより、基板に形成される薄膜の厚みにばらつき（塗布ムラ）が生じることを効果的に抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、アースプレートの基板に接触する側の面は、凸状に湾曲しており、アースプレートは、薄膜の形成時に、基板がアースプレートの湾曲した面に倣うように凸状に湾曲した状態で、アースプレートの複数の凸部に接触するように構成されている。このように構成すれば、薄膜の形成後、基板が湾曲した状態を解消して平坦な状態に戻る復元力によって、基板とアースプレートとをより容易に引き離すことができる。
【００１３】
上記第１の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、アースプレートと基板との間に生じる静電気を除電する除電部をさらに備える。このように構成すれば、薄膜の形成後、除電部によってアースプレートと基板との間に生じる静電気を除電することにより、基板とアースプレートとをさらに容易に引き離すことができる。
【００１４】
この発明の第２の局面によるエレクトロスプレー装置は、薄膜の形成時に基板に接触して基板を接地するアースプレートを備え、アースプレートの基板に接触する側の面は、凸状に湾曲しており、アースプレートは、薄膜の形成時に、基板がアースプレートの湾曲した面に倣うように凸状に湾曲した状態で、アースプレートに接触するように構成されている。このように構成すれば、薄膜の形成後、基板が湾曲した状態を解消して平坦な状態に戻る力によって、基板とアースプレートとを容易に引き離すことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、上記のように、基板とアースプレートとを容易に引き離すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態によるエレクトロスプレー装置の概略の構成を示す全体図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるエレクトロスプレー装置のアースプレートの平面図である。
【図３】図３に示すアースプレートの拡大平面図である。
【図４】図３に示すアースプレートの拡大側面図である。
【図５】本発明の第２実施形態によるエレクトロスプレー装置の概略の構成を示す全体図である。
【図６】本発明の第２実施形態の変形例によるエレクトロスプレー装置の概略の構成を示す全体図である。
【図７】本発明の第３実施形態によるエレクトロスプレー装置の概略の構成を示す全体図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
（第１実施形態）
図１〜図４を参照して、第１実施形態によるエレクトロスプレー装置１００の構成について説明する。
【００１９】
図１に示すように、エレクトロスプレー装置１００は、ノズル１と、アースプレート２と、マスク３と、昇降ユニット４とを備えている。また、アースプレート２とマスク３との間には、基板２００が配置されている。なお、図１は、エレクトロスプレー装置１００の概略的な構成を示す図であり、後述するアースプレート２の凸部２ｂは、簡略化のため実際の数よりも少なく記載されている。
【００２０】
ノズル１は、溶液材料に電圧を印加した状態で、溶液材料を下方（Ｚ２方向）から上方（Ｚ１方向）に向かって噴霧するように構成されている。そして、ノズル１から噴霧された溶液材料が、基板２００に薄膜（図示せず）として堆積されるように構成されている。
【００２１】
アースプレート２は、たとえば金属板から構成されており、平板状を有する。アースプレート２は、薄膜の形成時（図１に示す状態）に、基板２００に接触して基板２００を接地するように構成されている。ここで、第１実施形態では、図２に示すように、アースプレート２の基板２００が接触する面２ａ上（Ｚ２方向側の面２ａ上）には、複数の凸部２ｂが設けられている。複数の凸部２ｂは、たとえば平板状のアースプレート２の表面が切削加工されることにより形成されている。図３に示すように、凸部２ｂは、平面視において、１辺が１ｍｍの長さＬを有する略正方形形状（１ｍｍ×１ｍｍ）に形成されている。そして、複数の凸部２ｂと基板２００とが接触する接触面積は、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域（図２の点線で囲まれた領域Ａ）の面積の１％以上５％以下である。具体的には、第１実施形態では、複数の凸部２ｂ（凸部２ｂの上面）と基板２００とが接触する接触面積は、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａの面積の４％である。
【００２２】
また、図４に示すように、凸部２ｂのアースプレート２の表面からの高さｈ（隣接する凸部２ｂの間の凹部２ｃからの高さｈ）は、１００μｍ以上５００μｍ以下である。具体的には、第１実施形態では、凸部２ｂは、３００μｍの高さｈを有する。
【００２３】
また、図３に示すように、複数の凸部２ｂは、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域（図２の点線で囲まれた領域Ａ）の全体に分散するように設けられている。具体的には、複数の凸部２ｂは、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａにマトリクス状（略均一）に配置されている。また、複数の凸部２ｂは、平面視において、Ｘ方向およびＹ方向において、それぞれ、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の間隔ｄを隔てた状態で、互いに隣接するように配置されている。なお、第１実施形態では、複数の凸部２ｂは、５ｍｍの間隔ｄを隔てた状態で、互いに隣接するように配置されている。
【００２４】
また、図１に示すように、マスク３は、基板２００とノズル１との間に配置されている。また、マスク３は、マスク３の両端部が昇降ユニット４に支持されており、昇降ユニット４の昇降とともに昇降するように構成されている。そして、また、マスク３は、基板２００とともに、昇降ユニット４によりアースプレート２側（Ｚ１方向側）に押圧されるように構成されている。また、マスク３には、開口部３ａが設けられており、開口部３ａから露出する基板２００の部分に薄膜が堆積されるように構成されている。
【００２５】
次に、図１を参照して、エレクトロスプレー装置１００の薄膜の堆積時の動作について説明する。
【００２６】
まず、基板２００が上面に載置された状態のマスク３が、昇降ユニット４によって上昇されることにより、基板２００がアースプレート２に接触される（図１に示す状態になる）。次に、基板２００がアースプレート２に接触した状態で、マスク３を介して、ノズル１から溶液材料が噴霧されて、基板２００に薄膜が形成される。そして、薄膜の形成後、昇降ユニット４が下降することにより、マスク３とともに基板２００がアースプレート２から引き離される。なお、アースプレート２の基板２００が接触する面２ａ上に複数の凸部２ｂが設けられているので、その分接触面積が小さくなり、アースプレート２と基板２００との間の静電気力が小さくなる。その結果、基板２００がアースプレート２から容易に引き離される。
【００２７】
次に、第１実施形態の効果について説明する。
【００２８】
第１実施形態では、上記のように、アースプレート２の基板２００が接触する面２ａ上に、複数の凸部２ｂを設けることによって、アースプレート２の基板２００が接触する面２ａが平坦面状である場合と異なり、アースプレート２（複数の凸部２ｂ）と基板２００との接触面積を小さくすることができるので、基板２００に電荷が帯電している場合でも、基板２００とアースプレート２との間の静電気力を小さくすることができる。これにより、基板２００とアースプレート２とを容易に引き離すことができる。
【００２９】
また、第１実施形態では、上記のように、複数の凸部２ｂと基板２００とが接触する接触面積を、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａの面積の１％以上５％以下にする。ここで、接触面積が、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａの面積の１％よりも小さい場合では、１つの凸部２ｂと基板２００との接触面積が小さくなりすぎるため、凸部２ｂに接触する基板２００の部分に応力が集中し、その結果、基板２００が損傷する場合がある。また、接触面積が、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａの面積の５％よりも大きい場合では、基板２００とアースプレート２との間の静電気力が大きくなるため、基板２００とアースプレート２とを容易に引き離せない場合がある。そこで、第１実施形態では、複数の凸部２ｂと基板２００とが接触する接触面積を、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａの面積の１％以上５％以下にすることによって、基板２００が破損することを抑制しながら、基板２００とアースプレート２とを容易に引き離すことができる。
【００３０】
また、第１実施形態では、上記のように、複数の凸部２ｂのアースプレート２の表面からの高さｈを、１００μｍ以上５００μｍ以下にする。ここで、複数の凸部２ｂのアースプレート２の表面からの高さｈが、１００μｍよりも小さい場合では、基板２００が撓んで隣接する凸部２ｂの間の凹部２ｃに基板２００が接触する場合がある。この場合、アースプレート２と基板２００との接触面積が大きくなるので、基板２００とアースプレート２とを引き離すことが困難になる場合がある。また、複数の凸部２ｂのアースプレート２の表面からの高さｈが、５００μｍよりも大きい場合では、基板２００とアースプレート２（凸部２ｂの間の凹部２ｃ）との間の距離が大きいことに起因して、局所的にノズル１と基板２００（アースプレート２の凹部２ｃに対応する部分）との間に電界が生じない場合（電界が弱い場合）がある。このため、基板２００に形成される薄膜の厚みにばらつき（塗布ムラ）が生じる場合がある。そこで、第１実施形態では、複数の凸部２ｂのアースプレート２の表面からの高さｈを、１００μｍ以上５００μｍ以下にすることによって、基板２００に形成される薄膜の厚みにばらつき（塗布ムラ）が生じることを抑制しながら、基板２００とアースプレート２とを容易に引き離すことができる。
【００３１】
また、第１実施形態では、上記のように、複数の凸部２ｂを、アースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａの全体に分散するように設ける。これにより、複数の凸部２ｂがアースプレート２の基板２００とオーバラップする領域Ａの一部分に偏って設けられる場合と異なり、ノズル１と基板２００との間の電界の強さに偏りが生じるのを抑制することができる。その結果、基板２００に形成される薄膜の厚みにばらつき（塗布ムラ）が生じることを効果的に抑制することができる。
【００３２】
（第２実施形態）
次に、図５を参照して、第２実施形態によるエレクトロスプレー装置１０１の構成について説明する。第２実施形態では、上記アースプレートが平板状を有していた第１実施形態と異なり、アースプレートが凸状に湾曲している。
【００３３】
図５に示すように、エレクトロスプレー装置１０１は、ノズル１と、アースプレート２１と、マスク３と、昇降ユニット４とを備えている。ここで、第２実施形態では、アースプレート２１の基板２００に接触する側の面２１ａは、下方（矢印Ｚ２方向）に向かって凸状に湾曲している。具体的には、アースプレート２１の面２１ａは、Ｙ方向（紙面に垂直な方向）から見て、カテナリー曲線状（ロープなどの両端を持って垂らした時にできる曲線状）に形成されている。
【００３４】
また、アースプレート２１の基板２００に接触する側の面２１ａは、Ｒ３０００ｍｍ以上Ｒ３００００ｍｍ以下の曲率半径を有するように構成されている。具体的には、アースプレート２１の面２１ａが平坦な状態から、アースプレート２１の面２１ａの中央部が０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲Ｗで、下方に凸状に湾曲した状態になるように構成されている。第２実施形態では、アースプレート２１のＸ方向の幅が３５０ｍｍであり、この場合、Ｒ３０００ｍｍでの湾曲量（Ｗ）は、約５ｍｍとなり、Ｒ３００００ｍｍでの湾曲量（Ｗ）は、約０．５ｍｍとなる。
【００３５】
また、アースプレート２１の基板２００が接触する面２１ａ上にも、上記第１実施形態（図２参照）と同様に、複数の凸部２１ｂが設けられている。そして、アースプレート２１は、薄膜の形成時に、基板２００がアースプレート２１の湾曲した面２１ａに倣うように凸状に湾曲した状態で、アースプレート２１の複数の凸部２１ｂに接触するように構成されている。なお、第２実施形態の凸部２１ｂの大きさ、形状および配置状態は、上記第１実施形態（図２参照）と同様である。また、第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００３６】
次に、第２実施形態の効果について説明する。
【００３７】
第２実施形態では、上記のように、アースプレート２１の基板２００に接触する側の面２１ａは、凸状に湾曲しており、アースプレート２１を、薄膜の形成時に、基板２００がアースプレート２１の湾曲した面２１ａに倣うように凸状に湾曲した状態で、アースプレート２１の複数の凸部２１ｂに接触するように構成する。これにより、薄膜の形成後、マスク３の下降とともに、基板２００が湾曲した状態を解消して平坦な状態に戻る復元力によって、基板２００とアースプレート２１とをより容易に引き離すことができる。
【００３８】
（第２実施形態の変形例）
次に、図６を参照して、第２実施形態の変形例によるエレクトロスプレー装置１０１ａの構成について説明する。第２実施形態の変形例では、凸状に湾曲しているアースプレートの基板が接触する面上に複数の凸部が設けられていた上記第２実施形態と異なり、アースプレートの基板が接触する面上に凸部が設けられていない。
【００３９】
図６に示すように、エレクトロスプレー装置１０１ａは、ノズル１と、アースプレート３１と、マスク３と、昇降ユニット４とを備えている。アースプレート３１の基板２００に接触する側の面３１ａは、下方（矢印Ｚ２方向）に向かって凸状に湾曲している。また、第２実施形態の変形例では、アースプレート３１の基板２００が接触する面３１ａ上は、凸部は設けられずに、平坦面状に形成されている。そして、薄膜の形成時に、基板２００は、アースプレート３１の湾曲した面３１ａに倣うように、凸状に湾曲した状態で、アースプレート３１の面３１ａに接触するように構成されている。なお、第２実施形態の変形例のその他の構成および効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００４０】
（第３実施形態）
次に、図７を参照して、第３実施形態によるエレクトロスプレー装置１０２の構成について説明する。第３実施形態では、上記第１実施形態の構成に加えて、イオナイザが設けられている。なお、イオナイザは、空気をイオン化させて、生成されたイオンにより静電気を中和する機能を有する。
【００４１】
図７に示すように、エレクトロスプレー装置１０２は、ノズル１と、アースプレート２と、マスク３と、昇降ユニット４とを備えている。ここで、第３実施形態では、アースプレート２（基板２００、マスク３）の下方には、アースプレート２と基板２００との間に生じる静電気を除電するイオナイザ５が設けられている。なお、イオナイザ５は、本発明の「除電部」の一例である。イオナイザ５は、薄膜の形成後に駆動されて、アースプレート２と基板２００との間に生じる静電気を除電するように構成されている。なお、第３実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００４２】
次に、第３実施形態の効果について説明する。
【００４３】
第３実施形態では、上記のように、アースプレート２と基板２００との間に生じる静電気を除電するイオナイザ５を設ける。これにより、薄膜の形成後、イオナイザ５によってアースプレート２と基板２００との間に生じる静電気を除電することにより、基板２００とアースプレート２とをさらに容易に引き離すことができる。
【００４４】
なお、今回開示された実施形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００４５】
たとえば、上記第１〜第３実施形態では、凸部が、平面視において、１辺の長さが１ｍｍの長さを有する略正方形形状（１ｍｍ×１ｍｍ）に形成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、凸部が、平面視において、１辺の長さが１ｍｍ以外の長さ（たとえば、０．３ｍｍ）を有する略正方形形状に形成されていてもよい。この場合、複数の凸部と基板とが接触する接触面積は、アースプレートの基板とオーバラップする領域の面積の約０．３６％になる。
【００４６】
また、上記第１〜第３実施形態では、複数の凸部が、平面視において、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の間隔を隔てた状態で互いに隣接するように配置されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、隣接する凸部の間の間隔は、ノズルから噴霧された溶液材料が基板上に塗布される領域（略円状の領域）の直径の１／２未満であればよい。なお、隣接する凸部の間の間隔が、直径の１／２以上の場合、ノズルと基板との間に生じる電界の強さに局所的に強弱が生じる場合があり、この場合、基板に形成される薄膜の厚みにばらつき（塗布ムラ）が生じる。
【００４７】
また、上記第１〜第３実施形態では、アースプレートの基板が接触する面上に、平面視において、略正方形形状の凸部が設けられる例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、凸部は、平面視において、略正方形形状以外の形状（たとえば、円形状など）を有していてもよい。
【００４８】
また、上記第１〜第３実施形態では、複数の凸部が、アースプレートの基板が接触する面上に、マトリクス状に配置されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、凸部を、マトリクス状以外の千鳥格子状に配置してもよい。
【００４９】
また、上記第１〜第３実施形態では、複数の凸部は、アースプレートの基板とオーバラップする領域の全体に略均一に（マトリクス状に）分散するように設けられている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、複数の凸部を、薄膜の塗布ムラが生じない程度に、略均一ではない状態（不均一な状態）で配置してもよい。
【００５０】
また、上記第１〜第３実施形態では、複数の凸部が、アースプレートの表面を切削加工することにより形成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、アースプレートの表面をサンドブラスト加工、または、ショットピーニング加工することにより、複数の凸部を形成してもよい。
【００５１】
また、上記第１〜第３実施形態では、溶液材料が下方から上方に向かってノズルから噴霧される例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、溶液材料が上方から下方に向かってノズルから噴霧されるようにしてもよい。また、溶液材料が横方に向かってノズルから噴霧されるようにしてもよい。
【００５２】
また、上記第３実施形態では、上記第１実施形態のエレクトロスプレー装置の構成に加えて、アースプレートと基板との間に生じる静電気を除電するイオナイザが設けられている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、上記第２実施形態のエレクトロスプレー装置の構成に加えて、イオナイザを設けてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１  ノズル
２、２１、３１  アースプレート
２ａ、２１ａ  面
２ｂ、２１ｂ  凸部
５  イオナイザ（除電部）
１００、１０１、１０１ａ、１０２    エレクトロスプレー装置
２００  基板
Ａ  領域
ｈ  高さ
【図１】
2015107451.tif 000003
【図２】
2015107451.tif 000004
【図３】
2015107451.tif 000005
【図４】
2015107451.tif 000006
【図５】
2015107451.tif 000007
【図６】
2015107451.tif 000008
【図７】
2015107451.tif 000009