(57)【要約】    【課題】  プリント配線板と該プリント配線板上に搭載される上基板との間の接続信頼性を高め得るプリント配線板の提供。    【解決手段】  第１パッド７１０がソルダーレジスト層７０Ｆから露出されるため、キャビティ７０ＦＡ内にＩＣチップ９０を位置させることができ、第１パッドとＩＣチップとの距離を縮めることが可能となる。これにより、金属ポスト７７の高さを低くでき、上基板１１０と金属ポスト７７との接続信頼性が向上する。【選択図】  図１
2015072984.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板の製造方法であって、
最外層の層間樹脂絶縁層上に、該プリント配線板の中央側に形成されているＩＣチップ接続用の第１パッドと、外周側に形成されている上基板接続用の第２パッドとを形成することと、
前記第１パッド上に剥離層を設けることと、
前記最外層の層間樹脂絶縁層及び前記剥離層上に、前記第２パッドを露出する開口を備えるソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層、前記開口内、前記開口から露出する第２パッド上にシード層を形成することと、
前記シード層上に、前記開口を露出させると共に、該開口よりも径の大きなレジスト開口を備えるめっきレジストを形成することと、
前記シード層を介して前記レジスト開口を電解めっきで充填し金属ポストを形成することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記ソルダーレジスト層上に露出されているシード層を除去することと、
前記剥離層と共に該剥離層上のソルダーレジスト層を剥離し、前記第１パッドを露出するキャビティを形成することと、から成る。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
更に、前記キャビティから露出される前記第１パッドに酸化防止表面処理膜を形成する。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記レジスト開口を電解めっきで充填し金属ポストを形成した後、前記めっきレジストを剥離する前に、該金属ポストの頂部に表面処理を施す。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板の製造方法であって、
前記表面処理はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ膜又はＮｉ／Ａｕ膜の形成である。
【請求項５】
請求項３のプリント配線板の製造方法であって、
前記表面処理は半田めっき膜の形成である。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板の製造方法であって、
前記シード層の除去の際、前記金属ポストの側壁をエッチングにより湾曲させ、前記金属ポストに前記頂部と低部の間に細い部分を形成する。
【請求項７】
最上の層間樹脂絶縁層と、
前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され、該プリント配線板の中央側に形成されているＩＣチップ接続用の第１パッドと、外周側に形成されている上基板接続用の第２パッドと、前記第１パッドの全部を露出するキャビティと、前記第２パッドの一部を露出する開口とを備えるソルダーレジスト層と、
前記第２パッド上に形成されている金属ポストと、を有するプリント配線板。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板であって、
前記金属ポストの頂部には半田めっき膜が形成されている。
【請求項９】
請求項８のプリント配線板であって、
前記金属ポストの前記側壁は湾曲していて、頂部と底部の間に細い部分を有している。
【請求項１０】
請求項７のプリント配線板であって、
前記金属ポスト間のピッチは０．３mm以下である。
【請求項１１】
請求項１０のプリント配線板であって、
前記金属ポストの径は５０〜１５０μｍ、アスペクト比が０．６〜３である。
【請求項１２】
ＩＣチップの実装された下基板と、該下基板上に搭載される上基板とから成るパッケージ−オン−パッケージであって、
前記下基板は、最上の層間樹脂絶縁層と、
前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され、該下基板の中央側に形成されているＩＣチップ接続用の第１パッドと、外周側に形成されている上基板接続用の第２パッドと、
前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され、前記第１パッドを全部露出するキャビティと、前記第２パッドの一部を露出する開口とを備えるソルダーレジスト層と、
前記２パッド上に形成された金属ポストと、
第１バンプを備え、該第１バンプを介して前記第１パッドに実装されたＩＣチップと、
前記ＩＣチップと該下基板との間に充填され、前記金属ポストの頂部を露出する開口を備えたモールド樹脂とから成り、
前記上基板は、第２バンプを備え、該第２バンプが前記モールド樹脂の開口から露出する金属ポストの頂部に接続されている。
【請求項１３】
請求項１２のパッケージ−オン−パッケージであって、
前記金属ポストの側壁は湾曲している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、他のプリント配線板（上基板）を搭載するための金属ポストを有するプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、プリント配線板のパッド上に金属ポストを形成する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−８２２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１はプリント配線板上に金属ポストをめっきプロセスで形成している。プリント配線板が、ＩＣチップを実装するためのバンプと、上基板を搭載するための金属ポストとを備える場合、プリント配線板と上基板との距離は、プリント配線板とＩＣチップよりも離れているため、高さの有る金属ポストを介してプリント配線板と上基板とを接続した際に、接続信頼性が低下することが考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、プリント配線板と該プリント配線板上に搭載される上基板との間の接続信頼性を高め得るプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、最外層の層間樹脂絶縁層上に、該プリント配線板の中央側に形成されているＩＣチップ接続用の第１パッドと、外周側に形成されている上基板接続用の第２パッドとを形成することと、前記第１パッド上に剥離層を設けることと、前記最外層の層間樹脂絶縁層及び前記剥離層上に、前記第２パッドを露出する開口を備えるソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層、前記開口内、前記開口から露出する第２パッド上にシード層を形成することと、前記シード層上に、前記開口を露出させると共に、該開口よりも径の大きなレジスト開口を備えるめっきレジストを形成することと、前記シード層を介して前記レジスト開口を電解めっきで充填し金属ポストを形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記ソルダーレジスト層上に露出されているシード層を除去することと、前記剥離層と共に該剥離層上のソルダーレジスト層を剥離し、前記第１パッドを露出するキャビティを形成することと、から成ることを技術的特徴とする。
【０００７】
本発明に係るプリント配線板は、最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され、該プリント配線板の中央側に形成されているＩＣチップ接続用の第１パッドと、外周側に形成されている上基板接続用の第２パッドと、前記第１パッドの全部を露出するキャビティと、前記第２パッドの一部を露出する開口とを備えるソルダーレジスト層と、前記第２パッド上に形成されている金属ポストと、を有することを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係るプリント配線板の製造方法では、剥離層と共に該剥離層上のソルダーレジスト層を剥離し、第１パッドを露出するキャビティを形成する。第１パッドがソルダーレジスト層から露出されるため、キャビティ内に電子部品を位置させることができ、第１パッドと電子部品との距離を縮めることが可能となる。これにより、金属ポストの高さを低くでき、上基板と金属ポストとの接続信頼性が向上する。また、ソルダーレジスト層の第２の開口が電解めっきで充填され、金属ポストの一部が形成されるので、金属ポストが剛性の高いソルダーレジスト層により保持され、金属ポストの信頼性が向上する。
【０００９】
本発明のプリント配線板では、第１パッドがソルダーレジスト層から露出されるため、キャビティ内に電子部品を位置させることができ、第１パッドと電子部品との距離を縮めることが可能となる。これにより、金属ポストの高さを低くでき、上基板と金属ポストとの接続信頼性が向上する。また、ソルダーレジスト層の開口が電解めっきで充填され、金属ポストの一部が形成されるので、金属ポストが剛性の高いソルダーレジスト層により保持され、金属ポストの信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の断面図。
【図３】図３（Ａ）は実装面の平面図である。図３（Ｂ）は金属ポストを有する実装面を示す。
【図４】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図５】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図６】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図７】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図８】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図９】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図１０】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。
【図１２】第２実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図１３】第２実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【図１４】第２実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの製造工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の応用例が図１に示されている。
プリント配線板１０は、ＩＣチップ等の電子部品９０を実装するためのパッド（第１パッド）７１０ＦＩと他のプリント配線板（上基板）１１０を搭載するためのパッド（第２パッド）７１０ＦＰを有する。他のプリント配線板にメモリなどの電子部品９００が実装される。複数のパッド７１０ＦＩでパッド群Ｃ４（図３（Ａ）参照）が形成され、パッド群Ｃ４は、プリント配線板１０の略中央に形成されている。パッド７１０ＦＰは、パッド群Ｃ４の周りの外周領域Ｐ４（図３（Ａ）参照）に形成されている。そして、パッド７１０ＦＰ上に上基板を搭載するための接合ポスト（金属ポスト）７７が形成されている。金属ポストの形状は、例えば、円柱である。金属ポスト７７は、プリント配線板１０とプリント配線板１１０を電気的に接続する機能を有する。また、パッド７１０ＦＰ間のピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、金属ポスト７７により、実施形態のプリント配線板１０とプリント配線板（上基板）１１０との間の距離が確保される。パッド７１０ＦＰ間のピッチｐ１が０．２５ｍｍ以下でも、金属ポスト７７により、実施形態のプリント配線板１０とプリント配線板（上基板）１１０との間の距離が一定に保たれる。隣接するパッド間で絶縁が確保される。ピッチｐ１は隣接するパッド７１０ＦＰの中心間の距離である。
【００１２】
実施形態のプリント配線板は、コア基板を有するプリント配線板であってもコアレス基板であっても良い。コア基板を有するプリント配線板やその製造方法は、例えば、ＪＰ２００７２２７５１２Ａに示されている。コアレス基板やその製造方法は、例えば、ＪＰ２００５２３６２４４Ａに示されている。コアレス基板は、交互に積層されている層間樹脂絶縁層と導体層を有し、全ての層間樹脂絶縁層の厚みが例えば６０μｍ以下である。
第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。そのコア基板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板はさらに、絶縁基板２０ｚに形成されているスルーホール導体用の貫通孔２８をめっき膜で充填しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを接続している。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００１３】
コア基板３０の第１面Ｆ上に層間樹脂絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）５０Ｆが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（最上の導体層）５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体（最上のビア導体）６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。第１実施形態では、上側のビルドアップ層は１層である。最上の導体層はパッド７１０ＦＩ、７１０ＦＰを有している。パッド７１０ＦＩ、７１０ＦＰは、最上の導体層に含まれる導体回路の上面や最上のビア導体の上面である。
【００１４】
コア基板３０の第２面Ｓに層間樹脂絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）５０Ｓが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層（最下の導体層）５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体（最下のビア導体）６０Ｓで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓと導体層５８Ｓとビア導体６０Ｓで下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。第１実施形態では、下側のビルドアップ層は１層である。最下の導体層はマザーボードと接続するためのＢＧＡパッド７１ＳＰを有している。パッド７１ＳＰは、最下の導体層に含まれる導体回路の上面や最下のビア導体の上面である。
【００１５】
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆは、パッド７１０ＦＩを露出するためのキャビティ７０ＦＡとパッド７１０ＦＰを露出するための開口７１ＦＰを有する。ソルダーレジスト層７０Ｓは、ＢＧＡパッド７１ＳＰを露出する開口７１Ｓを有する。ＢＧＡパッド７１ＳＰ上にマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプは無くてもよいく、代わりにＳｎ膜などの接続部材を設けてもよい。パッド７１０ＦＩには、ＩＣチップ９０の半田バンプ９４が接続される。
【００１６】
図２は、半田バンプ７６Ｓを有する実施形態のプリント配線板１０の断面図である。実装面は上側のソルダーレジスト層７０Ｆやパッド７１０ＦＩ、７１０ＦＰを有している。パッド７１０ＦＰ上に金属ポスト７７が形成されている。
【００１７】
金属ポスト７７は頂部７７Ｔと頂部と反対側の底部７７Ｂを有する。頂部７７Ｔ側には半田めっき膜８８が形成されている。金属ポスト７７は頂部と底部の間にソルダーレジスト層７０Ｆから露出する円筒部７７Ｅと、ソルダーレジスト層の開口７１ＦＰ内に形成された裁頭円錐部７７Ｋとを有する。円筒部７７Ｅ及び裁頭円錐部７７Ｋは電解めっき膜８６から形成されている。裁頭円錐部７７Ｋ表面にはシード層８４が形成されている。金属ポストの底部（裁頭円錐部の頂部）７７Ｂがパッド７１０ＦＰと対向する。
【００１８】
図３（Ｂ）中のＸ２−Ｘ２間のプリント配線板１０の断面が図２に示されている。図２や図３（Ｂ）に示されている金属ポストのソルダーレジストからの露出部（円筒部７７Ｅ）の径ｄ２は４５μｍ〜１４０μｍである。パッドの径はソルダーレジスト層から露出している部分の導体（導体回路やビア導体）の径である。金属ポスト７７の径（金属ポストの頂部の径）ｄ１は、径ｄ２より大きい。ｄ１は、５０μｍ〜１５０μｍである。パッドの径ｄ２と金属ポストの径ｄ１との比（ｄ２／ｄ１）は、０．５から０．９であることが好ましい。パッド間のピッチを小さくすることができる。ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、プリント配線板１０と上基板との間の接続信頼性が高い。また、金属ポスト間の絶縁信頼性が高い。隣接するパッド７１０ＦＰ間の距離（ピッチ）ｐ１は、１００μｍ〜３００μｍである。ピッチｐ１が１００μｍより小さいと、金属ポスト間の絶縁信頼性が低下しやすい。また、金属ポストが細くなるので、上基板とプリント配線板１０間の接続信頼性が低下する。ピッチｐ１が３００μｍを越えると、プリント配線板１０のサイズが大きくなる。そのため、金属ポストに働く応力が大きくなるので、上基板とプリント配線板１０間の接続信頼性が低下する。
【００１９】
ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下の場合、半田めっき膜厚（ｄｐ：２０μｍ）を含む金属ポスト７７の高さ（頂部から底部先端までの距離）Ｈは７５μｍ〜２００μｍであって、金属ポストの径ｄ１は７５μｍ〜１５０μｍである。実施形態のプリント配線板と上基板間の接続信頼性や金属ポスト間の絶縁信頼性が向上する。
ピッチｐ１が０．２５ｍｍ以下の場合、金属ポスト７７の高さＨは１００μｍ〜２００μｍであって、金属ポストの径ｄ１は５０μｍ〜１５０μｍである。実施形態のプリント配線板と上基板間の接続信頼性や金属ポスト間の絶縁信頼性が向上する。
【００２０】
金属ポストのアスペクト比（高さＨ／径ｄ１）は１より大きいことが好ましい。金属ポストで上基板と実施形態のプリント配線板間の応力が緩和される。接続信頼性が高くなる。アスペクト比（Ｈ／ｄ１）は、０．６〜３であることが好ましい。上基板とプリント配線板１０間の応力が緩和される。また、金属ポストが疲労で劣化しない。上基板とプリント配線板１０間の接続信頼性が高くなる。
【００２１】
パッド７１０ＦＰの上面から金属ポストの頂部までの距離Ｈとパッド７１０ＦＰの厚みｃ１の比（Ｈ／ｃ１）は５以上３０以下であることが好ましい。ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下の場合、Ｈ／ｃ１の値は、７以上２５以下であることが好ましい。パッド７１０ＦＰは金属ポストの土台であるので、（Ｈ／ｃ１）が大すぎると金属ポストがパッドから取れたり、金属ポストの信頼性が低下する。（Ｈ／ｃ１）が小さすぎると金属ポストで応力を緩和し難い。接続信頼性が低下する。
【００２２】
第１実施形態では、ピッチｐ１を小さくすることができる。隣接する金属ポスト間のスペースの距離が大きいので、ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、金属ポスト間の絶縁信頼性が高い。ピッチｐ１が０．２５ｍｍ以下になると、金属ポストが細くなる。接続信頼性を高くするため、金属ポストのアスペクト比（Ｈ／ｄ１）は０．６以上であることが好ましい。パッド７１０ＦＰの数が多くなると、プリント配線板のサイズが大きくなる。しかしながら、金属ポストのアスペクト比（Ｈ／ｄ１）が２以上であると、上基板の物性とプリント配線板の物性の違いに起因する応力が金属ポストで緩和される。Ｈ／ｄ１が３．５を越えると金属ポストがヒートサイクルで劣化する。物性の例は熱膨張係数やヤング率である。
【００２３】
図１に示されるように、プリント配線板１０と上基板１１０は、高い剛性を有する金属ポスト７７で接続される。上基板とプリント配線板間の熱応力が金属ポスト７７で緩和される。金属ポストで上基板とプリント配線板を有する電子機器の強度が保たれる。上基板の物性とプリント配線板の物性の違いによる電子機器の反りが低減される。
【００２４】
第１実施形態のプリント配線板では、第１パッド７１０がソルダーレジスト層７０Ｆから露出されるため、キャビティ７０ＦＡ内にＩＣチップ９０を位置させることができ、第１パッドとＩＣチップとの距離を縮めることが可能となる。これにより、金属ポスト７７の高さを低くでき、上基板１１０と金属ポスト７７との接続信頼性が向上する。また、ソルダーレジスト層の開口７１ＦＰが電解めっきで充填され、金属ポストの一部が形成されるので、金属ポストが剛性の高いソルダーレジスト層７０Ｆにより保持され、金属ポストの信頼性が向上する。
【００２５】
図４〜図１０に、金属ポストの製造方法が示される。
図４（Ａ）に示すプリント配線板１０１が、上述したように、例えば、ＪＰ２００７２２７５１２Ａに示されている方法で製造される。プリント配線板１０１は、ＩＣチップ等の電子部品９０を実装するためのパッド（第１パッド）７１０ＦＩと他のプリント配線板（上基板）１１０を搭載するためのパッド（第２パッド）７１０ＦＰを上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に有する。また、マザーボードへ実装するためのパッド７１ＳＰを下側の層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に有する。
【００２６】
第１パッド７１０ＦＩ上に剥離層３２が形成される（図４（Ｂ））。上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆ及び剥離層３２上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側の層間樹脂絶縁層５０Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図５（Ａ））。上側のソルダーレジスト層７０Ｆにレーザで、第２パッド７１０ＦＰを露出させる開口７１ＦＰが形成され、下側のソルダーレジスト層７０Ｓにパッド７１ＳＰを露出させる開口７１Ｓが形成される（図５（Ｂ））。
【００２７】
下側のソルダーレジスト層７０Ｓの表面にレジスト８２Ｓが形成される。上側のソルダーレジスト層７０Ｆ表面、及び、開口７１ＦＰ内にスパッタによりＴｉ／Ｃｕシード層８４が形成される（図６（Ａ））。ここでは、スパッタリングでＴｉ／Ｃｕシード層を形成したが、無電解銅めっきによりシード層を形成することもできる。
【００２８】
プリント配線板１０１のソルダーレジスト層７０Ｆ上に、開口７１ＦＰを露出させると共に、該開口よりも径の大きなレジスト開口８２ＦＡを備えるめっきレジスト８２Ｆが形成される（図６（Ｂ））。シード層８４を介して電流が流され、レジスト開口８２Ａ内に電解銅めっき８６が充填される。さらに、電解銅めっき８６上に半田めっきにより半田めっき膜８８が形成される（図７（Ａ））。半田として、Ｓｎ／Ａｇ半田やＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ半田を用いることができ、また、半田層の代わりにＳｎ層、Ｎｉ／Ａｕ膜、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ膜を設けることもできる。上側のめっきレジスト８２Ｆが剥離され、金属ポスト７７が露出される（図７（Ｂ））。
【００２９】
ソルダーレジスト層７０Ｆ上に金属ポストから露出しているシード層８４が剥離され、下側のレジスト８２Ｓが剥離される（図８（Ａ））。レーザで剥離層３２に至る開口が形成され、剥離層３２と共に剥離層上のソルダーレジスト層が剥離され、ソルダーレジスト７０Ｆのキャビティ７０ＦＡが形成される。キャビティ７０ＦＡにより、キャビティの第１パッド７１０ＦＩを含む導体層５８Ｆ全体が露出される（図８（Ｂ））。
【００３０】
上側のソルダーレジスト層７０Ｆのキャビティ７０ＦＡから露出される第１パッド７１０ＦＩ、下側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓから露出されるパッド７１ＳＰ上に酸化防止表面処理膜７２が塗布され、プリント配線板１０が完成する（図９（Ａ））。酸化防止表面処理膜７２はパッドの酸化を防止するための保護膜である。保護膜の例として、ＯＳＰ以外にも、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎなどが挙げられる。
【００３１】
プリント配線板１０のソルダーレジスト層７０Ｆの第１パッド７１０ＦＩに、パッド９２上の半田バンプ９４を介してＩＣチップ９０が実装される（図９（Ｂ））。ここで、ＩＣチップ９０は一部がキャビティ７０ＦＡ内に入り込む。ＩＣチップ９０の上面に合わせてモールド樹脂８０がプリント配線板の上に充填される（図１０（Ａ））。金属ポスト７７の頂部の半田めっき膜８８を露出させる開口８０Ａがモールド樹脂８０にレーザで形成される（図１０（Ｂ））。
【００３２】
他のプリント配線板（上基板）１１０が半田バンプ１１２を介して金属ポスト７７に接合される。他のプリント配線板１１０がプリント配線板１０に搭載される（図１）。
【００３３】
第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、キャビティ７０ＦＡと、上基板接続用の金属ポスト形成用の開口７１ＦＰを備えるソルダーレジスト層７０Ｆを形成し、第１開口に半田バンプを形成すること無く、先に開口に金属ポスト７７を形成する。半田バンプによる影響を受けないため、金属ポストの形成時の信頼性を高めることができ、上基板と金属ポストとの接続信頼性が向上する。
【００３４】
第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、剥離層３２と共に該剥離層上のソルダーレジスト層７０Ｆを剥離し、第１パッド７１０ＦＩを露出するキャビティ７０ＦＡを形成する。第１パッド７１０ＦＩがソルダーレジスト層７０Ｆから露出されるため、キャビティ内にＩＣチップ９０を位置させることができ、第１パッドと９０との距離を縮めることが可能となる。これにより、金属ポスト７７の高さを低くでき、上基板１１０と金属ポスト７７との接続信頼性が向上する。また、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７０ＦＰが電解めっきで充填され、金属ポストの一部が形成されるので、金属ポストが剛性の高いソルダーレジスト層７０Ｆにより保持され、金属ポストの信頼性が向上する。
【００３５】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１０の応用例が図１１に示されている。
第２実施形態では、金属ポスト７７の円筒部７７Ｅの側壁は湾曲していて、上面から下面の間でポストの径が細くなっている。金属ポストが細い部分を有するので、金属ポストが変形しやすくなる。そのため、応力が緩和される。パッド７１０ＦＰ間のピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、第２実施形態のプリント配線板と上基板間の接続信頼性が低下しない。
【００３６】
第２実施形態のプリント配線板では、金属ポスト７７の円筒部７７Ｅの側壁は湾曲していて、頂部と底部の間に細い部分を有している。このため、金属ポストの剛性が下がり、金属ポストで応力の緩和ができるため、上基板と金属ポストとの接続信頼性が向上する。また、金属ポスト７７の側壁７７Ｗの面積が増大するため、金属ポストをモールドするモールド樹脂８０と金属ポストと接触面積が増え、金属ポストの信頼性が高まる。
【００３７】
図１１〜図１４に、第２実施形態のプリント配線板の金属ポストの製造方法が示される。図４〜図８（Ａ）を参照して上述された第１実施形態と同様に、電解銅めっき８６と半田めっき膜８８から成る金属ポスト７７を形成する（図１２）。エッチングでＴｉ／Ｃｕシード層８４を除去し、同時に、電解銅めっき膜８６から成る金属ポスト７７の側壁７７Ｗを湾曲させ、金属ポスト７７に砂時計形状のテーパーを設ける（図１３（Ａ））。この際に、金属ポスト７７の頂部７７Ｔは、半田めっき膜８８が被覆されているので、エッチングされない。レーザで剥離層３２に至る開口が形成され、剥離層３２と共に剥離層上のソルダーレジスト層が剥離され、ソルダーレジスト７０Ｆのキャビティ７０ＦＡが形成される。キャビティ７０ＦＡにより、キャビティの第１パッド７１０ＦＩを含む導体層５８Ｆ全体が露出される（図１３（Ｂ））。なお、第２実施形態では、Ｔｉ／Ｃｕシード層８４を除去する際に、電解銅めっき膜８６に湾曲を形成したが、Ｔｉ／Ｃｕシード層８４を除去した後、電解銅めっき膜８６から成る金属ポスト７７の側壁７７Ｗを選択エッチングし、側壁に湾曲を形成することもできる。
【００３８】
図８（Ｂ）を参照して上述された第１実施形態と同様に、プリント配線板１０の第１パッド７１０ＦＩ上に、半田バンプ９２を介してＩＣチップ９０が実装される。ＩＣチップ９０の上面に合わせてモールド樹脂８０がプリント配線板の上に充填される（図１４（Ａ））。金属ポスト７７の頂部７７Ｔを露出させる開口８０Ａがモールド樹脂８０にレーザで形成される（図１４（Ｂ））。第１実施形態と同様に、上基板１１０がプリント配線板１０に搭載される（図１１）。
【符号の説明】
【００３９】
１０  プリント配線板
７０Ｆ  ソルダーレジスト層
７１０ＦＩ  第１パッド
７１ＦＰ  開口
７１０ＦＰ  第２パッド
７２  保護膜
７７  金属ポスト
７７Ｔ  頂部
８４  シード層
８６  電解めっき膜
８８  半田めっき膜
９０  ＩＣチップ
１１０  他のプリント配線板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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