(57)【要約】【課題】比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部が撓み変化可能な量を大きくすることができる物理量センサーおよびその製造方法を提供すること、また、この物理量センサーを備える圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の物理量センサーは、凹部２１を有する半導体基板２と、凹部２１を覆って配置されていて半導体基板２との間にキャビティＳを形成している膜体８と、膜体８に配置されているセンサー素子７と、を備えている。半導体基板２は、シリコンで構成され、キャビティＳは、ＬＯＣＯＳ法を含む方法を用いて形成されたものである。【選択図】図１
2015152458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する基板と、
前記凹部を覆って配置されていて、前記基板とともに空間を構成している膜体と、
前記膜体に配置されているセンサー素子と、
を備えていることを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
シリコンを含む基板と、
前記基板上に配置されていて、前記基板とともに空間を構成している膜体と、
前記膜体に配置されているセンサー素子と、を備え、
前記空間は、ＬＯＣＯＳ法を含む方法を用いて形成されたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項３】
前記膜体は、シリコン窒化膜を含む請求項１または２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記空間は、大気圧よりも減圧されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記センサー素子は、ピエゾ抵抗素子である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記膜体が前記基板に対向している部分は、受圧により撓み変形するダイヤフラム部を構成しており、
前記センサー素子は、前記ダイヤフラム部に配置されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項７】
前記ダイヤフラム部は、屈曲または湾曲している肩部、を有している請求項６に記載の物理量センサー。
【請求項８】
基板を準備する工程と、
前記基板にＬＯＣＯＳ法を用いてシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜を覆うように前記基板上に膜体を形成するとともに、前記膜体にセンサー素子を形成する工程と、
前記膜体を貫通する孔を形成する工程と、
前記孔を通じて前記シリコン酸化膜をエッチングにより除去する工程と、
前記孔を封止する工程と、
を含むことを特徴とする物理量センサーの製造方法。
【請求項９】
前記エッチングは、フッ酸を含むエッチング液を用いて行う請求項８に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項１０】
前記膜体は、シリコン窒化膜を含んでいる請求項８または９に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする圧力センサー。
【請求項１２】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする高度計。
【請求項１３】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
受圧により撓み変形するダイヤフラムを備えた圧力センサーが広く用いられている。このような圧力センサーでは、ダイヤフラムの撓みを検出することにより、ダイヤフラムに加わった圧力を検出することができる。
従来、例えば、特許文献１に開示されているように、基板と、基板の一方の主面上に形成された薄膜（ダイヤフラム）と、を有し、基板と薄膜との間に空洞を形成した圧力センサーが知られている。特許文献１によれば、基板と薄膜との間は、空間基板の一方の主面に有機犠牲層を形成した後に、有機犠牲層上に薄膜を形成し、有機犠牲層をエッチングにより選択的に除去することにより形成される。
【０００３】
しかし、このようにして得られる圧力センサーは、基板の空間を介して薄膜に対向する部分が基板の他の部分と同一面上にあるため、基板と薄膜との間の空間の厚さを厚くすることが難しく、薄膜の撓み変形可能な量が小さくなってしまい、その結果、検出可能な圧力の範囲が小さくなってしまう。仮に、基板と薄膜との間の空間の厚さを厚くしようとすると、薄膜に比較的大きな段差が形成されてしまうため、製造プロセスが複雑になったり、薄膜が不本意な変形を生じやすくなって検出精度の低下を招いたりする。また、有機犠牲層を用いているため、一般的な半導体プロセスと異なるプロセスが必要となり、製造工程が複雑化し、また、有機犠牲層の残存物が後の工程等の熱によりガス化してセンサーの特性に悪影響を与えるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２０７９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部が撓み変化可能な量を大きくすることができる物理量センサーおよびその製造方法を提供すること、また、この物理量センサーを備える圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明の物理量センサーは、凹部を有する基板と、
前記凹部を覆って配置されていて、前記基板とともに空間を構成している膜体と、
前記膜体に配置されているセンサー素子と、
を備えていることを特徴とする。
このような物理量センサーによれば、膜体の空間を介して基板に対向している部分をダイヤフラム部として用いて、物理量を検出することができる。特に、基板に凹部を形成することにより、受圧によりダイヤフラム部が撓み変形する方向における空間の長さを大きくすることができる。そのため、比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部が撓み変化可能な量を大きくすることができる。
【０００７】
［適用例２］
本発明の物理量センサーは、シリコンを含む基板と、
前記基板上に配置されていて、前記基板とともに空間を構成している膜体と、
前記膜体に配置されているセンサー素子と、を備え、
前記空間は、ＬＯＣＯＳ法を含む方法を用いて形成されたことを特徴とする。
このような物理量センサーによれば、膜体の空間を介して基板に対向している部分をダイヤフラム部として用いて、物理量を検出することができる。特に、膜体と基板との間の空間がＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法を含む方法を用いて形成されているため、基板に形成された凹部を利用して、受圧によりダイヤフラム部が撓み変形する方向における空間の長さを大きくすることができる。そのため、比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部が撓み変化可能な量を大きくすることができる。
【０００８】
［適用例３］
本発明の物理量センサーでは、前記膜体は、シリコン窒化膜を含むことが好ましい。
これにより、ＬＯＣＯＳ法を用いて形成されたシリコン酸化膜をエッチングにより除去して膜体と基板との間の空間を形成する際、膜体のシリコン窒化膜をエッチングストップ層として用いることができる。そのため、簡単かつ高精度に、膜体と基板との間の空間を形成することができる。
【０００９】
［適用例４］
本発明の物理量センサーでは、前記空間は、大気圧よりも減圧されていることが好ましい。
これにより、物理量センサーをいわゆる絶対圧センサーとして用いることができる。
［適用例５］
本発明の物理量センサーでは、前記センサー素子は、ピエゾ抵抗素子であることが好ましい。
ピエゾ抵抗素子は、例えば、ポリシリコンを成膜し、これにリン、ボロン等の不純物をドープすることにより形成することができる。したがって、ピエゾ抵抗素子をセンサー素子として用いることにより、膜体にセンサー素子を簡単かつ高精度に形成することができる。
【００１０】
［適用例６］
本発明の物理量センサーでは、前記膜体が前記基板に対向している部分は、受圧により撓み変形するダイヤフラム部を構成しており、
前記センサー素子は、前記ダイヤフラム部に配置されていることが好ましい。
これにより、受圧によりダイヤフラム部に生じた歪みをセンサー素子で検出し、その検出結果に基づいて物理量として圧力を検出することができる。
【００１１】
［適用例７］
本発明の物理量センサーでは、前記ダイヤフラム部は、屈曲または湾曲している肩部、を有していることが好ましい。
これにより、受圧によりダイヤフラム部が撓み変形する方向におけるダイヤフラム部と基板との間の空間の長さを大きくすることができる。また、受圧によりダイヤフラム部が撓み変形した際に、ダイヤフラム部の肩部に応力が集中する。そのため、ダイヤフラム部の肩部またはその近傍にセンサー素子を配置することにより、物理量センサーの高感度化を図ることができる。また、ダイヤフラム部の小型化を図りつつ、ダイヤフラム部の撓み変形可能な量を大きくすることができる。その結果、物理量センサーの検出可能な物理量（圧力）の範囲を大きくすることができる。
【００１２】
［適用例８］
本発明の物理量センサーの製造方法は、基板を準備する工程と、
前記基板にＬＯＣＯＳ法を用いてシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜を覆うように前記基板上に膜体を形成するとともに、前記膜体にセンサー素子を形成する工程と、
前記膜体を貫通する孔を形成する工程と、
前記孔を通じて前記シリコン酸化膜をエッチングにより除去する工程と、
前記孔を封止する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１３】
このような物理量センサーの製造方法によれば、得られる物理量センサーは、膜体の空間を介して基板に対向している部分をダイヤフラム部として用いて、物理量を検出することができる。また、得られる物理量センサーは、膜体と基板との間の空間がＬＯＣＯＳ法を含む方法を用いて形成されているため、基板に形成された凹部を利用して、受圧によりダイヤフラム部が撓み変形する方向における空間の長さを大きくすることができる。
【００１４】
［適用例９］
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記エッチングは、フッ酸を含むエッチング液を用いて行うことが好ましい。
これにより、シリコン酸化膜を効率的に除去することができる。
［適用例１０］
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記膜体は、シリコン窒化膜を含んでいることが好ましい。
これにより、シリコン酸化膜を除去する際に用いるエッチングのエッチングストップ層として膜体のシリコン窒化膜を用いることができる。そのため、簡単かつ高精度に、膜体と基板との間の空間を形成することができる。
【００１５】
［適用例１１］
本発明の圧力センサーは、本発明の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する圧力センサーを提供することができる。
［適用例１２］
本発明の高度計は、本発明の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する高度計を提供することができる。
【００１６】
［適用例１３］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
［適用例１４］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図２】図１に示す物理量センサーの平面図（一部を透過して示す図）である。
【図３】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図４】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図５】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図９】本発明の圧力センサーの一例を示す断面図である。
【図１０】本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【図１２】本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す各実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
１．物理量センサー
図１は、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す断面図、図２は、図１に示す物理量センサーの平面図（一部を透過して示す図）である。
【００１９】
図１に示す物理量センサー１は、半導体基板２と、絶縁層３と、絶縁層４と、を有し、これらがこの順で積層されており、半導体基板２と絶縁層３との間にキャビティＳ（空間）が形成され、絶縁層３および絶縁層４からなる膜体８（積層体）のキャビティＳに対応する部分がダイヤフラム部６を構成している。また、ダイヤフラム部６の絶縁層３と絶縁層４との間には、センサー素子７が配置されている。以下、物理量センサー１を構成する各部を順次説明する。
【００２０】
半導体基板２は、例えばシリコン等の半導体で構成されている。なお、以下では、半導体基板２がシリコンで構成されている場合を説明する。
この半導体基板２の一方の面（図１にて上側の面）には、凹部２１が形成されている。このような半導体基板２の凹部２１側の面には、凹部２１の開口を塞ぐ（覆う）ように膜体８が設けられている。ここで、半導体基板２と膜体８との間は、凹部２１に対応する領域において、互いに離間しており、これにより、キャビティＳ（空隙部）が形成されている。
【００２１】
凹部２１は、後に詳述するように、半導体基板２上に形成された犠牲層（熱酸化膜）を除去することにより形成されたものである。この犠牲層は、後述するように、ＬＯＣＯＳ法を用いて形成することができる。この凹部２１の深さＬ１は、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。これにより、ＬＯＣＯＳ法により形成した犠牲層を利用して凹部２１およびキャビティＳを比較的簡単かつ高精度に形成することができる。
【００２２】
キャビティＳは、密閉された空間である。このキャビティＳは、物理量センサー１が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。本実施形態では、キャビティＳが真空状態（３００Ｐａ以下）となっている。キャビティＳを真空状態とすることによって、物理量センサー１を、真空状態を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、その利便性が向上する。
【００２３】
ただし、キャビティＳは、真空状態でなくてもよく、大気圧であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。また、キャビティＳには、窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
また、ダイヤフラム部６が撓み変形する方向におけるキャビティＳの長さＬは、膜体８の厚さやダイヤフラム部６の幅等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。これにより、受圧によりダイヤフラム部６が撓む最大量を１０気圧あたり１．５μｍ程度とすることができる。
【００２４】
本実施形態では、キャビティＳの平面視形状、すなわち、凹部２１の平面視形状が円形である。なお、かかる平面視形状は、円形に限定されず、例えば、四角形（正方形、長方形）等の多角形、長円形等であってもよい。
このような半導体基板２上およびその上方には、膜体８の他に、半導体回路が作り込まれていてもよい。この半導体回路は、例えば、ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、その他必要に応じて形成されたコンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（センサー素子７に接続されている配線、配線層を含む）等の回路要素を有している。ここで、ＭＯＳトランジスタは、半導体基板２の上面にリン、ボロン等の不純物をドープして形成されたソースおよびドレイン（図示せず）と、そのソースとドレインと間に形成されるチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜（図示せず）と、そのゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有している。
【００２５】
膜体８は、半導体基板２の凹部２１を覆って配置されている。そして、膜体８は、平面視において凹部２１と重なる部分が、受圧により撓み変形するダイヤフラム部６を構成する。すなわち、膜体８の半導体基板２と離間している部分（キャビティＳを介して対向する部分）がダイヤフラム部６を構成する。このように、ダイヤフラム部６が半導体基板２に配置されていることにより、半導体基板２の一方の面側に対して加工や成膜を行ってキャビティＳおよびダイヤフラム部６を形成することができる。また、かかる加工や成膜としてＣＭＯＳプロセスと同様のプロセスを用いることが可能であるため、半導体基板２上に集積回路を形成することもできる。
【００２６】
このダイヤフラム部６は、半導体基板２とは反対側に突出した形状（トレイ状）をなしている。すなわち、ダイヤフラム部６は、半導体基板２の板面に平行な方向に沿った板状の天板部６ａと、天板部６ａの外周部側から半導体基板２側に向けて延びている側壁部６ｂと、天板部６ａと側壁部６ｂとの間で屈曲している肩部６ｃ（角部）と、を有している。ここで、ダイヤフラム部６の半導体基板２とは反対側の面、すなわち、天板部６ａ、側壁部６ｂおよび肩部６ｃの外表面は、受圧面６１を構成している。
【００２７】
本実施形態では、ダイヤフラム部６の幅（内側の幅）Ｗ２は、凹部２１の幅Ｗ１と等しい。これにより、後述するように、比較的簡単に、凹部２１、ダイヤフラム部６およびキャビティＳを形成することができる。
また、ダイヤフラム部６の幅Ｗ２は、キャビティＳの長さＬに対して１０倍以上１００倍以下であることが好ましく、３０倍以上７０倍以下であることがより好ましく、具体的には、５０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。これにより、ダイヤフラム部６の必要な機械的強度を確保しつつ、ダイヤフラム部６の撓み変形可能な量を大きくすることができる。
この膜体８は、シート状をなしており、半導体基板２に接合されている絶縁層３と、絶縁層３の半導体基板２と反対側の面に接合されている絶縁層４と、で構成されている。
絶縁層３、４は、いずれも、絶縁性を有している。これにより、絶縁層３、４間に配置されているセンサー素子７の各部が短絡するのを防止することができる。
【００２８】
また、絶縁層３、４は、それぞれ、センサー素子７を保護する機能をも有している。より具体的には、絶縁層３は、主に、物理量センサー１を製造する際に、エッチング液等からセンサー素子７を保護する。したがって、絶縁層３は、エッチング液等に対する耐性を有する。また、絶縁層４は、主に、物理量センサー１の使用時に、外部からの光、酸素および水分等からセンサー素子７を保護する。したがって、絶縁層４は、遮光性や、酸素、水分等に対するバリア性を有する。
【００２９】
このような絶縁層３、４の構成材料としては、絶縁層３、４が上述したような特性を発揮し得るものであればよいが、半導体基板２との線熱膨張係数差が小さい材料を用いることが好ましい。したがって、絶縁層３、４は、半導体基板２と同一の主成分で構成されていること、例えば、半導体基板２がシリコン基板である場合、シリコンを主成分とするＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＮ等を用いることが好ましい。これにより、半導体基板２と絶縁層３、４との線熱膨張係数差を小さくし、その結果、物理量センサー１の温度特性を優れたものとする（温度変化に伴う特性変化を小さくする）ことができる。
【００３０】
また、２つの絶縁層３、４の厚さが互いに異なることが好ましく、特に、絶縁層４の厚さが絶縁層３の厚さよりも薄いことが好ましい。これにより、センサー素子７をダイヤフラム部６の一方の面側に偏在させることができる。そのため、ダイヤフラム部６の撓み変形をセンサー素子７により効率的に検出することができる。
なお、絶縁層３、４のうちの一方を省略することができる。例えば、絶縁層３、４の一方を省略した場合、前述したような絶縁層３、４の厚さを異ならせるのと同様の効果を奏することができる。
【００３１】
また、絶縁層３、４の具体的な厚さは、それぞれ、特に限定されないが、前述した機能を確保する観点から、０．０１μｍ以上３μｍ以下程度とされる。
以上説明したような膜体８またはダイヤフラム部６の厚さ、すなわち、本実施形態では絶縁層３の厚さと絶縁層４の厚さの合計（厚さＴ）は、物理量センサー１の小型化を図りつつ、ダイヤフラム部６として必要な機能を確保する観点から、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。
【００３２】
また、膜体８の線熱膨張係数は、半導体基板２の線熱膨張係数とできるだけ近いことが好ましく、具体的には、半導体基板２がシリコン基板である場合、２×１０−６／ｄｅｇ以上３×１０−６／ｄｅｇ以下であることが好ましい。
このようなダイヤフラム部６または膜体８には、受圧面６１側とキャビティＳ側とを繋ぐ孔６２が形成されている。この孔６２は、封止部材６３で封止されている。
【００３３】
本実施形態では、孔６２および封止部材６３がダイヤフラム部６の中央部に設けられている。これにより、孔６２および封止部材６３がダイヤフラム部６の撓み変形に悪影響を与えるのを低減することができる。なお、孔６２および封止部材６３の配置は、これに限定されず、例えば、ダイヤフラム部６の外周部に設けられていてもよい。また、孔６２および封止部材６３をダイヤフラム部６の外側に設けてもよく、この場合、孔６２とキャビティと連通する孔や溝を膜体８と半導体基板２との間や半導体基板２の膜体８側の面に形成すればよい。
【００３４】
また、封止部材６３は、シリコンを主成分とすることが好ましい。これにより、膜体８の主成分をシリコンとした場合、膜体８と封止部材６３との主成分が同一となることから、ダイヤフラム部６内の線熱膨張係数差を小さくし、その結果、物理量センサー１の温度特性を優れたものとする（温度変化に伴う特性変化を小さくする）ことができる。
また、ダイヤフラム部６の絶縁層３と絶縁層４との間には、センサー素子７が配置されている。このセンサー素子７は、ピエゾ抵抗素子である。
【００３５】
具体的に説明すると、センサー素子７は、例えば、ポリシリコンで構成された層にリン、ボロン等の不純物がドープされて構成されている。これにより、成膜法を用いてセンサー素子７を形成することができる。そのため、センサー素子７を高い寸法精度で形成することができる。
【００３６】
本実施形態では、センサー素子７は、図２に示すように、複数（本実施形態では４つ）のピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄで構成されている。これらのピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、それぞれ、ダイヤフラム部６の外周部に設けられている。
ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂは、図２にて左右方向に並んで配置され、ピエゾ抵抗素子７ｃ、７ｄは、図２にて上下方向に並んで配置されている。
ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂは、それぞれ、ダイヤフラム部６の外周部に沿って延びている長手形状をなしている。このピエゾ抵抗素子７ａの両端部には、それぞれ、配線７２ａが接続されている。同様に、ピエゾ抵抗素子７ｂの両端部には、それぞれ、配線７２ｂが接続されている。
【００３７】
一方、ピエゾ抵抗素子７ｃ、７ｄは、それぞれ、ダイヤフラム部６の中央部側から外周部側に延びている長手形状をなしている。このピエゾ抵抗素子７ｃの両端部には、配線７２ｃが接続されている。同様に、ピエゾ抵抗素子７ｄの両端部には、配線７２ｄが接続されている。
このようなピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、それぞれ、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコン（多結晶シリコン）で構成されている。また、配線７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄは、それぞれ、例えば、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄよりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコン（多結晶シリコン）で構成されている。
【００３８】
また、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、自然状態における抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。そして、これらのピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、配線７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ等を介して、互いに電気的に接続され、図示しないブリッジ回路（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。このブリッジ回路は、駆動電圧が供給され、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの抵抗値に応じた信号（電圧）を出力する。
以上説明したように構成された物理量センサー１は、以下のようにして圧力を検出する。
【００３９】
物理量センサー１では、ダイヤフラム部６の受圧面６１が受ける圧力に応じて、ダイヤフラム部６がキャビティＳ側に撓み変形し、これにより、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄが歪み、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの抵抗値が変化する。それに伴って、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄが構成するブリッジ回路の出力が変化し、その出力に基づいて、受圧面６１で受けた圧力の大きさを求めることができる。
より具体的に説明すると、前述したように、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの抵抗値が互いに等しいため、ダイヤフラム部６の変形が生じる前の自然状態では、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂの抵抗値の積とピエゾ抵抗素子７ｃ、７ｄの抵抗値の積とが等しく、ブリッジ回路の出力（電位差）はゼロとなる。
【００４０】
一方、ダイヤフラム部６の変形が生じると、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂと、ピエゾ抵抗素子７ｃ、７ｄとの一方にその長手方向に沿った圧縮歪みが生じるとともに幅方向に引張歪みを生じ、他方にその長手方向に沿った引張歪みが生じるとともに幅方向に圧縮歪みが生じる。
このようなピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの歪みにより、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂの抵抗値の積とピエゾ抵抗素子７ｃ、７ｄの抵抗値の積との差が生じ、その差に応じた出力（電位差）がブリッジ回路から出力される。このブリッジ回路からの出力に基づいて、受圧面６１で受けた圧力の大きさ（絶対圧）を求めることができる。
【００４１】
ここで、前述したようなダイヤフラム部６の変形が生じたとき、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂとピエゾ抵抗素子７ｃ、７ｄとの一方の抵抗値は増加し、他方の抵抗値は減少するため、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂの抵抗値の積とピエゾ抵抗素子７ｃ、７ｄの抵抗値の積との差の変化を大きくすることができ、それに伴って、ブリッジ回路からの出力を大きくすることができる。その結果、圧力の検出感度を高めることができる。また、ブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄのすべて温度条件がほぼ同一であるため、外部の温度変化に対する特性変化を低減することもできる。
【００４２】
また、このようなセンサー素子７は、前述したような極めて薄いダイヤフラム部６を用いても、共振子のような振動素子をセンサー素子として用いた場合のようにダイヤフラム部６への振動漏れによってＱ値が低下するという問題がない。そのため、ダイヤフラム部６の厚さを薄くして、物理量センサー１の高感度化を図ることができる。
以上説明したような物理量センサー１によれば、膜体８のキャビティＳを介して半導体基板２に対向している部分をダイヤフラム部６として用い、ダイヤフラム部６に配置されたセンサー素子７の検知結果に基づいて、物理量（圧力）を検出することができる。
【００４３】
特に、半導体基板２に凹部２１を形成することにより、受圧によりダイヤフラム部６が撓み変形する方向におけるキャビティＳの長さＬを大きくすることができる。そのため、比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部６が撓み変化可能な量を大きくすることができる。ここで、膜体８と半導体基板２との間のキャビティＳを後述するようにＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法を含む方法を用いて比較的簡単に形成することができる。
【００４４】
また、膜体８が、シリコン窒化膜で構成されている絶縁層３、４を含んでいることにより、後述するように、ＬＯＣＯＳ法を用いて形成されたシリコン酸化膜（犠牲層）をエッチングにより除去して膜体８と半導体基板２との間のキャビティＳを形成する際、膜体８の絶縁層３、４をエッチングストップ層として用いることができる。そのため、簡単かつ高精度に、膜体８と半導体基板２との間のキャビティＳを形成することができる。
また、キャビティＳが大気圧よりも減圧されていることにより、物理量センサー１をいわゆる絶対圧センサーとして用いることができる。
【００４５】
また、前述したように、センサー素子７がピエゾ抵抗素子である。ピエゾ抵抗素子は、後述するように、例えば、ポリシリコンを成膜し、これにリン、ボロン等の不純物をドープすることにより形成することができる。したがって、ピエゾ抵抗素子をセンサー素子７として用いることにより、膜体８にセンサー素子７を簡単かつ高精度に形成することができる。
【００４６】
また、前述したように、ダイヤフラム部６は、半導体基板２の板面に平行な方向沿って延びている天板部６ａと、天板部６ａ側から半導体基板２側へ延びている側壁部６ｂと、天板部６ａと側壁部６ｂとの間で屈曲または湾曲している肩部６ｃと、を含んでいる。これにより、受圧によりダイヤフラム部６が撓み変形する方向におけるダイヤフラム部６と半導体基板２との間のキャビティＳの長さＬを大きくすることができる。また、受圧によりダイヤフラム部６が撓み変形した際に、ダイヤフラム部６の肩部６ｃに応力が集中する。そのため、ダイヤフラム部６の肩部６ｃまたはその近傍にセンサー素子７を配置することにより、物理量センサー１の高感度化を図ることができる。また、ダイヤフラム部６の小型化を図りつつ、ダイヤフラム部６の撓み変形可能な量を大きくすることができる。その結果、物理量センサー１の検出可能な物理量（圧力）の範囲を大きくすることができる。
【００４７】
（物理量センサーの製造方法）
次に、本発明の物理量センサーの製造方法について、前述した物理量センサー１を製造する場合を例に説明する。
図３〜図５は、図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。以下、これらの図に基づいて説明する。
物理量センサー１の製造方法は、［１］キャビティＳ形成用犠牲層の形成工程と、［２］絶縁層３形成用膜の形成工程と、［３］センサー素子７の形成工程と、［４］絶縁層４形成用膜の形成工程と、［５］孔６２の形成工程と、［６］キャビティＳの形成工程と、［７］封止部材６３の形成工程と、を有している。以下、各工程を順次説明する。
【００４８】
［１］キャビティＳ形成用犠牲層の形成工程
まず、図３（ａ）に示すように、シリコン基板２０（基板）を準備し、シリコン基板２０の一方の面の一部をＬＯＣＯＳ法を用いて熱酸化することにより、図３（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２０ａが形成された基板２０Ａを形成する。この基板２０Ａのシリコン酸化膜２０ａを除く部分が半導体基板２となる。
この際、半導体基板２上に集積回路も形成する場合には、その集積回路の素子間分離膜もシリコン酸化膜２０ａと一括して形成することができる。
このシリコン酸化膜２０ａは、後述する工程［６］のエッチングにより除去されるキャビティＳ形成用犠牲層である。
また、シリコン酸化膜２０ａの厚さは、特に限定されないが、小型な物理量センサー１を実現する観点から、例えば、２μｍ以上５μｍ以下程度とされる。
【００４９】
なお、シリコン酸化膜２０ａの形成は、ＳＴＩ法を用いてもよい。また、ＬＯＣＯＳ法やＳＴＩ法を用いてシリコン酸化膜を形成した後に、そのシリコン酸化膜上にＣＶＤ法等の気相成膜法を用いてシリコン酸化膜をさらに重ねて形成し、シリコン酸化膜の積層体としてシリコン酸化膜２０ａを形成してもよい。この場合、かかる積層体を構成する各シリコン酸化膜の形状、大きさ、厚さ等を適宜設定して所望の立体的形状のシリコン酸化膜２０ａを形成することができる。
【００５０】
［２］絶縁層３形成用膜の形成工程
次に、基板２０Ａのシリコン酸化膜２０ａ側の面上に、図３（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜３０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。
シリコン窒化膜３０は、絶縁層３形成用膜である。また、シリコン窒化膜３０は、後に行われるキャビティＳの形成工程において実施されるエッチングに対する耐性を有しており、いわゆるエッチングストップ層として機能する。なお、シリコン窒化膜３０は、パターニング処理によって、センサー素子７を形成する平面範囲を含む範囲に限定して形成してもよい。
また、シリコン窒化膜３０の形成は、応力緩和の観点から、プラズマＣＶＤを用いて行うことが好ましい。
【００５１】
［３］センサー素子７の形成工程
次に、図４（ａ）に示すように、シリコン窒化膜３０上にセンサー素子７を形成する。
具体的に説明すると、シリコン窒化膜３０の上面に、多結晶シリコン膜（またはアモルファスシリコン膜）をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。そして、その多結晶シリコン膜に対してリン、ボロン等の不純物をドープ（イオン注入または拡散）することにより、センサー素子７を形成する。図示しないが、同様に、配線７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄも形成する。
【００５２】
ここで、不純物のドープは、配線７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄのドープ量がピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄへの不純物のドープ量よりも多くなるように行う。
例えば、ピエゾ抵抗素子７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄへのイオン注入濃度を１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度とし、配線７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄへのイオン注入濃度を１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下程度とする。
【００５３】
［４］絶縁層４形成用膜の形成工程
次に、シリコン窒化膜３０上にセンサー素子７ごと覆うように、図４（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜４０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。
シリコン窒化膜４０は、絶縁層４形成用膜である。
また、シリコン窒化膜４０の形成は、シリコン窒化膜３０と同様、応力緩和の観点から、プラズマＣＶＤを用いて行うことが好ましい。
【００５４】
［５］孔６２の形成工程
次に、シリコン窒化膜３０およびシリコン窒化膜４０からなる積層体の一部をドライエッチング等により貫通させ、図４（ｃ）に示すように、孔６２を形成する。これにより、孔６２を有する絶縁層３、４（すなわち膜体８）が形成される。
［６］キャビティＳの形成工程
次に、シリコン酸化膜２０ａを除去することにより、図５（ａ）に示すように、キャビティＳを形成する。
キャビティＳの形成は、孔６２を通じたエッチングにより、シリコン酸化膜２０ａを除去することにより行う。ここで、かかるエッチングとしてウェットエッチングを用いる場合、孔６２からフッ酸、緩衝フッ酸等のエッチング液を供給し、ドライエッチングを用いる場合、孔６２からフッ化水素酸ガス等のエッチングガスを供給する。
【００５５】
［７］封止部材６３の形成工程
最後に、図５（ｂ）に示すように、孔６２を封止する封止部材６３を形成する。
封止部材６３の形成は、絶縁層４上に、Ｓｉ、ＳｉＮ等をスパッタリング法等により成膜することにより形成する。これにより、キャビティＳを密閉空間とすることができる。
また、真空下で封止部材６３を形成することにより、得られるキャビティＳを真空状態とすることができる。
以上のような工程により、物理量センサー１を製造することができる。
【００５６】
すなわち、以上説明した物理量センサー１の製造方法は、前述したように、シリコン基板２０を準備する工程と、シリコン基板２０にＬＯＣＯＳ法を用いてシリコン酸化膜２０ａを形成する工程と、シリコン酸化膜２０ａを覆うようにシリコン基板２０（半導体基板２）上に膜体８を形成するとともに、膜体８に配置したセンサー素子７を形成する工程と、膜体８を貫通する孔６２を形成する工程と、孔６２を通じてシリコン酸化膜２０ａをエッチングにより除去する工程と、孔６２を封止する工程と、を有する。これにより、前述したような効果を奏する物理量センサー１を製造することができる。
【００５７】
また、かかる製造方法では、前述したように、シリコン酸化膜２０ａをエッチングにより除去する際に、緩衝フッ酸を用いることにより、シリコン酸化膜２０ａを効率的に除去することができる。したがって、シリコン酸化膜２０ａの一部が残存するのを防止することができ、また、仮にシリコン酸化膜２０ａの一部が残存したとしても、その後の工程等において加熱されたとしても、犠牲層として有機材料を用いた場合のようなガスが発生することがない。
【００５８】
また、膜体８がシリコン窒化膜で構成されている絶縁層３を含んでいるため、シリコン酸化膜２０ａを除去する際に用いるエッチングのエッチングストップ層として絶縁層３を用いることができる。そのため、簡単かつ高精度に、膜体８と半導体基板２との間のキャビティＳを形成することができる。
また、前述した物理量センサー１の製造方法は、以下の（１）〜（５）のような効果もある。
【００５９】
（１）シリコン基板２０の一方の面側のみに成膜や加工を行うだけでよいため、製造工程の簡略化を図ることができる。（２）シリコン基板２０の一方の面側のみに成膜や加工を行ってキャビティＳおよびダイヤフラム部６を形成するため、キャビティＳとダイヤフラム部６との位置合わせを高精度に行うことができる。また、ウエハーを薄肉化してダイヤフラムを形成する場合に比し、小型化を図ることができる。（３）ダイヤフラム部６が成膜により形成されるため、ダイヤフラム部６の薄膜化が容易であるとともに、ダイヤフラム部６の厚さを高精度に制御することができる。（４）一般的なＣＭＯＳプロセスとの親和性が高いため、集積回路を半導体基板２上に一括して形成することができる。（５）ダイヤフラム部６の厚さを均一にすることができる。
【００６０】
＜第２実施形態＞
次に本発明の物理量センサーの第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
以下、本発明の物理量センサーの第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００６１】
第２実施形態は、基板に形成された凹部の幅が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図６に示す物理量センサー１Ａは、凹部２１Ａを有する半導体基板２Ａを備えており、この半導体基板２Ａの凹部２１Ａ側の面には、膜体８が設けられている。そして、膜体８は、平面視において凹部２１Ａと重なる部分が、受圧により撓み変形するダイヤフラム部６Ａを構成している。
【００６２】
このダイヤフラム部６Ａは、半導体基板２Ａの板面に平行な方向に沿った板状の天板部６ａと、天板部６ａの外周部側から半導体基板２Ａ側に向けて延びている側壁部６ｂと、天板部６ａと側壁部６ｂとの間で屈曲している肩部６ｃ（角部）と、側壁部６ｂよりも外側で半導体基板２Ａの板面に平行な方向に沿った外周部６ｄと、を有している。ここで、ダイヤフラム部６Ａの半導体基板２Ａとは反対側の面、すなわち、天板部６ａ、側壁部６ｂ、肩部６ｃおよび外周部６ｄの外表面は、受圧面６１Ａを構成している。
すなわち、本実施形態では、凹部２１Ａの幅Ｗ１が側壁部６ｂの内側の幅Ｗ２よりも大きい。
【００６３】
このようなダイヤフラム部６Ａと半導体基板２Ａとの間に形成されているキャビティＳは、前述した第１実施形態で説明した製造方法において、キャビティＳ形成用犠牲層の形状を適宜変更することで形成することができる。
以上説明したような物理量センサー１Ａによっても、比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部が撓み変化可能な量を大きくすることができる。
【００６４】
＜第３実施形態＞
次に本発明の物理量センサーの第３実施形態について説明する。
図７は、本発明の第３実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
以下、本発明の物理量センサーの第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００６５】
第３実施形態は、基板に形成された凹部の幅が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図７に示す物理量センサー１Ｂは、凹部２１Ｂを有する半導体基板２Ｂを備えており、この半導体基板２Ｂの凹部２１Ｂ側の面には、膜体８が設けられている。そして、膜体８は、平面視において凹部２１Ｂと重なる部分よりも大きい部分が、受圧により撓み変形するダイヤフラム部６を構成している。
すなわち、本実施形態では、凹部２１Ｂの幅Ｗ１が側壁部６ｂの内側の幅Ｗ２よりも小さい。
【００６６】
このようなダイヤフラム部６と半導体基板２Ｂとの間に形成されているキャビティＳは、前述した第１実施形態で説明した製造方法において、キャビティＳ形成用犠牲層の形状を適宜変更することで形成することができる。
以上説明したような物理量センサー１Ｂによっても、比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部が撓み変化可能な量を大きくすることができる。
【００６７】
＜第４実施形態＞
次に本発明の物理量センサーの第４実施形態について説明する。
図８は、本発明の第４実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
以下、本発明の物理量センサーの第４実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第４実施形態は、ダイヤフラム部の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００６８】
図８に示す物理量センサー１Ｃは、半導体基板２の凹部２１側の面に設けられた膜体８Ｃを備えている。
膜体８Ｃは、絶縁層３Ｃ、４で構成されており、絶縁層３Ｃは、凹部２１に対応する部分が除去されている。そして、絶縁層４のキャビティＳを介して半導体基板２に対向する部分がダイヤフラム部６Ｃを構成している。
このダイヤフラム部６Ｃは、半導体基板２の板面に平行な方向に沿った板状の天板部６ａ１と、天板部６ａ１の外周部側から半導体基板２側に向けて延びている側壁部６ｂ１と、天板部６ａ１と側壁部６ｂ１との間で屈曲している肩部６ｃ１（角部）と、を有している。
【００６９】
ここで、絶縁層３Ｃは、シリコン酸化膜で構成されている。したがって、前述した第１実施形態で説明した製造方法において、絶縁層３形成用膜をシリコン酸化膜で構成する。これにより、キャビティＳの形成工程において絶縁層３形成用膜の一部も除去され、前述したようなダイヤフラム部６Ｃを形成することができる。
以上説明したような物理量センサー１Ｃによっても、比較的簡単な構成または製造工程で、受圧によりダイヤフラム部が撓み変化可能な量を大きくすることができる。
【００７０】
２．圧力センサー
次に、本発明の物理量センサーを備える圧力センサー（本発明の圧力センサー）ついて説明する。図９は、本発明の圧力センサーの一例を示す断面図である。
図９に示すように、本発明の圧力センサー１００は、物理量センサー１と、物理量センサー１を収納する筐体１０１と、物理量センサー１から得た信号を圧力データに演算する演算部１０２とを備えている。物理量センサー１は、配線１０３を介して演算部１０２と電気的に接続されている。
【００７１】
物理量センサー１は、筐体１０１の内側に、図示しない固定手段により固定されている。また、筐体１０１には、物理量センサー１のダイヤフラム部６が、例えば大気（筐体１０１の外側）と連通するための貫通孔１０４を有している。
このような圧力センサー１００によれば、貫通孔１０４を介してダイヤフラム部６が圧力を受ける。この受圧した信号を配線１０３を介して演算部に送信し、圧力データに演算する。この演算された圧力データは、図示しない表示部（例えば、パーソナルコンピューターのモニター等）を介して表示することができる。
以上説明したような圧力センサーによれば、優れた信頼性を有する。
【００７２】
３．高度計
次に、本発明の物理量センサーを備える高度計（本発明の高度計）の一例について説明する。図１０は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
高度計２００は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、物理量センサー１（圧力センサー１００）が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。
なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
以上説明したような高度計によれば、優れた信頼性を有する。
【００７３】
４．電子機器
次に、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したナビゲーションシステムについて説明する。図１１は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
ナビゲーションシステム３００には、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、物理量センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【００７４】
このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。高度情報を得ることにより、例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、本実施形態に係るナビゲーションシステム３００では、高度情報を物理量センサー１によって取得することができ、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出し、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【００７５】
なお、表示部３０１は、例えば液晶パネルディスプレイや、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）ディスプレイなど、小型かつ薄型化が可能な構成となっている。
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、上記のものに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。
以上説明したような電子機器によれば、優れた信頼性を有する。
【００７６】
５．移動体
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体（本発明の移動体）について説明する。図１２は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
図１２に示すように、移動体４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような移動体４００には、ナビゲーションシステム３００（物理量センサー１）が内蔵されている。
以上説明したような移動体によれば、優れた信頼性を有する。
【００７７】
以上、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
また、前述した実施形態では、センサー素子としてピエゾ抵抗素子を用いた場合を例に説明したが、本発明は、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子、櫛歯電極等の他のＭＥＭＳ振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。
【００７８】
また、前述した実施形態では、４つのセンサー素子を用いる場合を例に説明したが、本発明は、これに限定されず、センサー素子の数は、１つ以上３つ以下、または、５つ以上であってもよい。
また、前述した実施形態では、ダイヤフラム部の外周部側にセンサー素子を配置した場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されず、ダイヤフラム部の中央部にセンサー素子が配置されていてもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１‥‥物理量センサー  １Ａ‥‥物理量センサー  １Ｂ‥‥物理量センサー  １Ｃ‥‥物理量センサー  ２‥‥半導体基板  ２Ａ‥‥半導体基板  ２Ｂ‥‥半導体基板  ３‥‥絶縁層  ３Ｃ‥‥絶縁層  ４‥‥絶縁層  ６‥‥ダイヤフラム部  ６Ａ‥‥ダイヤフラム部  ６Ｃ‥‥ダイヤフラム部  ６ａ‥‥天板部  ６ａ１‥‥天板部  ６ｂ‥‥側壁部  ６ｂ１‥‥側壁部  ６ｃ‥‥肩部  ６ｃ１‥‥肩部  ６ｄ‥‥外周部  ７‥‥センサー素子  ７ａ‥‥ピエゾ抵抗素子  ７ｂ‥‥ピエゾ抵抗素子  ７ｃ‥‥ピエゾ抵抗素子  ７ｄ‥‥ピエゾ抵抗素子  ８‥‥膜体  ８Ｃ‥‥膜体  ２０‥‥シリコン基板  ２０Ａ‥‥基板  ２０ａ‥‥シリコン酸化膜  ２１‥‥凹部  ２１Ａ‥‥凹部  ２１Ｂ‥‥凹部  ３０‥‥シリコン窒化膜  ４０‥‥シリコン窒化膜  ６１‥‥受圧面  ６１Ａ‥‥受圧面  ６２‥‥孔  ６３‥‥封止部材  ７２ａ‥‥配線  ７２ｂ‥‥配線  ７２ｃ‥‥配線  ７２ｄ‥‥配線  １００‥‥圧力センサー  １０１‥‥筐体  １０２‥‥演算部  １０３‥‥配線  １０４‥‥貫通孔  ２００‥‥高度計  ２０１‥‥表示部  ３００‥‥ナビゲーションシステム  ３０１‥‥表示部  ４００‥‥移動体  ４０１‥‥車体  ４０２‥‥車輪  Ｓ‥‥キャビティ  Ｗ１‥‥幅  Ｗ２‥‥幅  Ｌ‥‥長さ  Ｌ１‥‥深さ  Ｔ‥‥厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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