(57)【要約】【課題】装置を小型化可能なウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】交差する複数の分割予定ライン（１７）で区画された表面（１１ａ）の各領域にそれぞれデバイス（１９）が形成されたウェーハ（１１）の加工方法であって、ウェーハと略同形の支持部材（２１）をウェーハの裏面（１１ｂ）に配設する支持部材配設ステップと、支持部材配設ステップを実施した後、ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿ってダイシングしてウェーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、を備える構成とした。【選択図】図１
2015072994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハと略同形の支持部材をウェーハの裏面に配設する支持部材配設ステップと、
該支持部材配設ステップを実施した後、ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿ってダイシングしてウェーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該支持部材はプレートからなり、該支持部材配設ステップでは、接着部材を介して該プレートがウェーハの裏面に配設されることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にデバイスが形成されたウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面にＩＣ等のデバイスが形成されたウェーハは、例えば、円環状の切削ブレードを備える切削装置や、レーザー照射用の加工ヘッドを備えるレーザー加工装置でダイシングされて、各デバイスに対応する複数のチップへと分割される。
【０００３】
ウェーハをダイシングする際には、あらかじめウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共に、ダイシングテープの外周部分に環状のフレームを固定しておく（例えば、特許文献１参照）。これにより、ダイシング後におけるチップの分散を防いで、ハンドリング性を維持できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２４３４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年ではウェーハの大口径化が進められており、装置の大型化が問題となっている。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、装置を小型化可能なウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハと略同形の支持部材をウェーハの裏面に配設する支持部材配設ステップと、該支持部材配設ステップを実施した後、ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿ってダイシングしてウェーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【０００７】
また、本発明において、該支持部材はプレートからなり、該支持部材配設ステップでは、接着部材を介して該プレートがウェーハの裏面に配設されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの裏面にウェーハと略同形の支持部材を配設してからウェーハをダイシングするので、従来の加工方法のように、ウェーハを環状のフレームで支持する必要がない。すなわち、ウェーハより大径のフレームを用いずに済むので、装置を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態に係る支持部材配設ステップを模式的に示す斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る分割ステップを模式的に示す斜視図である。
【図３】変形例に係る支持部材を使用する支持部材配設ステップを模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係るウェーハの加工方法は、支持部材配設ステップ（図１、図３参照）、及び分割ステップ（図２参照）を含む。
【００１１】
支持部材配設ステップでは、表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面側にウェーハと略同形の支持部材を配設する。分割ステップでは、ウェーハを表面側からダイシングして複数のチップへと分割する。以下、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００１２】
図１は、本実施の形態に係る支持部材配設ステップを模式的に示す斜視図である。図１に示すように、加工対象のウェーハ１１は、例えば、円盤状の半導体ウェーハであり、表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられる。
【００１３】
デバイス領域１３は、格子状に配列された交差する複数のストリート（分割予定ライン）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１９が形成されている。被加工物１１の外周１１ｃは面取り加工されており、断面形状は円弧状である。
【００１４】
本実施の形態のウェーハの加工方法では、まず、上述したウェーハ１１の裏面１１ｂ側に支持部材を配設する支持部材配設ステップを実施する。図１に示すように、支持部材２１は、ウェーハ１１と略同形のプレートであり、所定の剛性を備えている。
【００１５】
なお、本実施の形態において、略同形の支持部材２１には、ウェーハ１１と完全に同じ形状の支持部材２１の他、例えば、数１０ｍｍ程度（代表的には、３０ｍｍ以下）の範囲で大きい支持部材２１が含まれる。
【００１６】
この支持部材２１としては、例えば、ウェーハ１１と同等の半導体ウェーハを用いることができる。この場合、切削装置のブレードを支持部材２１に切り込ませても、ブレードが破損することはないので好ましい。
【００１７】
ただし、ウェーハ１１を適切に支持できる円盤状のプレートであれば、支持部材２１として使用可能である。例えば、ガラス基板、金属基板、樹脂基板等を支持部材２１として用いても良い。
【００１８】
支持部材配設ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側、又は支持部材２１の表面２１ａ側に接着部材（不図示）を配置する。接着部材としては、例えば、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂に代表される接着剤、両面テープ等を用いることができる。
【００１９】
次に、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側と支持部材２１の表面２１ａ側とを対面させるようにウェーハ１１と支持部材２１とを重ねる。これにより、支持部材２１は、接着部材を介してウェーハ１１の裏面１１ｂ側に固定される。
【００２０】
支持部材配設ステップの後には、ウェーハ１１をストリート１７に沿ってダイシングして各デバイス１９に対応する複数のチップへと分割する分割ステップを実施する。図２は、本実施の形態に係る分割ステップを模式的に示す斜視図である。
【００２１】
分割ステップは、例えば、図２に示すような切削装置（加工装置）２で実施される。図２に示すように、切削装置２は、ウェーハ１１を切削する切削ユニット（加工ユニット）４を備えている。
【００２２】
この切削ユニット４は、水平方向に伸びる回転軸の周りに回転可能に支持されたスピンドル６と、スピンドル６の一端側に装着された円環状のブレード８とを含む。スピンドル６の他端側にはモータ（不図示）が連結されており、ブレード８はこのモータの回転力で回転する。
【００２３】
切削ユニット４の下方には、チャックテーブル（不図示）が配置されている。チャックテーブルの表面は、ウェーハ１１を吸引保持する保持面となっており、この保持面には、チャックテーブルの内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用する。
【００２４】
分割ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼着された支持部材２１の裏面２１ｂ側をチャックテーブルの保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側を上方に露出した状態でチャックテーブルに吸引保持される。
【００２５】
次に、加工開始位置として指定されたストリート１７にブレード８を位置付ける。そして、回転するブレード８を、チャックテーブルに保持させたウェーハ１１に切り込ませると共に、ブレード８とチャックテーブルとをストリート１７と平行な方向に相対移動（加工送り）させる。なお、本実施の形態では、チャックテーブルをストリート１７と平行な方向に相対移動させている。
【００２６】
ここで、ウェーハ１１に対するブレード８の切り込み深さは、ウェーハ１１を完全に切断できる程度（フルカット）とする。より具体的には、例えば、ブレード８を、ウェーハ１１と支持部材２１との界面、又は支持部材２１の表面２１ａに到達する深さまで切り込ませる。これにより、ウェーハ１１を、対象のストリート１７に沿って分断できる。
【００２７】
対象のストリートに沿ってウェーハ１１を分断した後には、ブレード８を上昇させると共に、ブレード８とチャックテーブルとをストリート１７と直交する方向に相対移動（加工送り）させる。これにより、ブレード８を、隣接するストリート１７に位置合わせできる。
【００２８】
隣接するストリート１７に対してブレード８を位置合わせした後には、ブレード８をウェーハ１１に切り込ませると共に、ブレード８とチャックテーブルとをストリート１７と平行な方向に相対移動（加工送り）させる。これにより、ウェーハ１１を、隣接するストリート１７に沿って分断できる。
【００２９】
このような加工送りと割り出し送りとを繰り返して、第１の方向に延びる全てのストリート１７に沿ってウェーハ１１を分断した後には、チャックテーブル（ウェーハ１１）を９０°回転させて、第２の方向に延びるストリート１７に沿ってウェーハ１１を分断する。全てのストリート１７に沿ってウェーハ１１が分断され、複数のチップへと分割されると分割ステップは終了する。
【００３０】
本実施の形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１を支持部材２１に固定しているので、従来の加工方法のように環状のフレームを用いなくても、分割後のウェーハ１１のハンドリング性を維持できる。そして、この場合、ウェーハ１１より大径のフレームを省略できるので、切削装置２を小型化できる。
【００３１】
具体的には、例えば、ウェーハ１１を搬送する搬送機構、ウェーハを吸引保持するチャックテーブル、ウェーハ１１を収容したカセットが載置されるカセットエレベータ等の構成を小型化可能である。
【００３２】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、所定の剛性を備えるプレートを支持部材２１として使用しているが、本発明に係るウェーハの加工方法はこれに限定されない。図３は、変形例に係る支持部材を使用する支持部材配設ステップを模式的に示す斜視図である。
【００３３】
図３に示すように、変形例に係る支持部材３１は、ウェーハ１１と略同形のテープ（フィルム）であり、表面３１ａ側には、接着性のある糊層（接着部材）（不図示）が設けられている。この糊層をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に接触させることで、支持部材３１はウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼着される。
【００３４】
その後の分割ステップでは、ウェーハ１１に貼着された支持部材３１の裏面３１ｂ側をチャックテーブルに吸引させた後に、ウェーハ１１をブレード８で分断する。このように、ウェーハ１１と略同形のテープを支持部材３１として用いる方法では、分割後のチップを支持部材３１から容易に分離できる。そのため、後工程のピックアップに係る煩雑さを軽減できる。
【００３５】
また、上記実施の形態では、切削装置２を使用してウェーハ１１をダイシングする分割ステップの例を示しているが、本発明に係るウェーハの加工方法はこれに限定されない。分割ステップでは、レーザー加工装置を用いてウェーハ１１をダイシング（レーザーダイシング）しても良い。
【００３６】
すなわち、本発明のダイシングには、ウェーハ１１をブレード８で加工するダイシングと、ウェーハ１１をレーザービームで加工するレーザーダイシングとが含まれる。なお、いずれの場合にも、ウェーハ１１を完全に分断するフルカットが実施される。
【００３７】
その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００３８】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  外周
１３  デバイス領域
１５  外周余剰領域
１７  分割予定ライン（ストリート）
１９  デバイス
２１  支持部材
２１ａ  表面
２１ｂ  裏面
３１  支持部材
３１ａ  表面
３１ｂ  裏面
２  切削装置
４  切削ユニット
６  スピンドル
８  ブレード
【図１】
2015072994.tif 000003
【図２】
2015072994.tif 000004
【図３】
2015072994.tif 000005