(57)【要約】【課題】ダイナミックレンジが大きく、精度の高い粒径測定を行う。【解決手段】表面欠陥検査装置は、半導体ウエハ１を支持するウエハステージ４０と、半導体ウエハ１に検査光３を照射する照明部１０と、照明部１０から半導体ウエハ１に照射された検査光３による欠陥からの散乱光を集光する検出レンズ２１と、該検出レンズ２１が集光した散乱光を検出する反射光検出部３０と、反射光検出部３０の検出結果を処理する処理装置５０とを有する。反射光検出部３０は、散乱光を電流値に変換する複数の画素が配列された構成からなり、これらの画素は、散乱光の検出効率がそれぞれ異なる。【選択図】図１
2015021955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物を支持するステージと、
前記被検査物に検査光を照射する照明部と、
前記被検査物からの散乱光を検出する散乱光検出部と、
前記散乱光検出部にて検出した結果を処理する処理装置と、
を備え、
前記散乱光検出部は、
前記照明部から前記被検査物に照射された検査光による欠陥からの散乱光を集光する検出レンズと、
前記検出レンズが集光した前記散乱光を検出する反射光検出部と、
を有し、
前記反射光検出部は、前記散乱光を電流値に変換する複数の画素が配列された構成からなり、
前記複数の画素は、前記散乱光の検出効率がそれぞれ異なる、表面欠陥検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記処理装置は、
前記反射光検出部の隣接する画素の境界にて検出した前記散乱光から、光子数および２つの前記画素に照射される前記散乱光の面積比を最小二乗法によって算出し、その算出結果に基づいて、前記被検査物上の欠陥の粒径および位置をそれぞれ算出する、表面欠陥検査装置。
【請求項３】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記複数の画素は、入射光が通過する割合を示す透過率を変えることによって前記検出効率がそれぞれ異なるように設定される、表面欠陥検査装置。
【請求項４】
請求項３記載の表面欠陥検査装置において、
隣接する前記画素の透過率の差は、３倍である、表面欠陥検査装置。
【請求項５】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記検出レンズが集光する前記散乱光は、前記画素よりも小さい光の形状である、表面欠陥検査装置。
【請求項６】
被検査物に検査光を照射する照明部と、前記被検査物からの散乱光を検出する散乱光検出部と、前記散乱光検出部にて検出した結果を処理する処理装置と、前記被検査物を支持するステージと、を備え、前記散乱光検出部は、前記照明部から前記被検査物に照射された検査光による欠陥からの散乱光を集光する検出レンズと、前記散乱光の検出効率がそれぞれ異なる複数の画素が配列された構成からなり、前記検出レンズが集光した前記散乱光を検出する反射光検出部と、を有する表面欠陥検査装置による表面欠陥検査方法であって、
前記反射光検出部によって、隣り合う前記画素の境界での散乱光を検出するステップと、
前記処理装置において、前記反射光検出部の隣接する画素の境界にて検出した前記散乱光から、前記被検査物の欠陥の粒径および位置をそれぞれ算出するステップと、
を有する、表面欠陥検査方法。
【請求項７】
請求項６記載の表面欠陥検査方法において、
前記被検査物の欠陥の粒径および位置をそれぞれ算出するステップは、光子数および２つの前記画素に照射される前記散乱光の面積比を最小二乗法によって算出し、その算出結果に基づいて、前記被検査物の欠陥の粒径および位置をそれぞれ算出する、表面欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面欠陥検査装置およびその方法に関し、特に、半導体ウエハなどの被検査物の表面に存在する異物、傷、欠陥、汚れなどを検出する表面検査に有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハ上に幾つものプロセス工程を経て回路パターンを形成する。この過程での歩留まりを低下させる原因として、半導体ウエハの結晶起因の欠陥や装置起因の異物などが考えられる。
【０００３】
よって、半導体ウエハの表面を検出する表面欠陥検査装置により、これらの欠陥や異物を高感度、かつ高スループットにて検査し、検出した欠陥を関係する製造工程へフィードバックすることが重要である。
【０００４】
この種の表面欠陥検査装置は、レーザ光などの検査光を半導体ウエハ表面に照射し、該ウエハの表面で発生した反射光または散乱光を検出することにより、半導体ウエハの表面に存在する欠陥、および異物を検出するものが広く知られている。
【０００５】
上述した半導体ウエハ表面の欠陥、および異物を検査する技術としては、例えば検出画素ずれや画素割れによる影響を回避し、同一領域から発生する散乱光同士を加算することによって試料表面に存在する微小な欠陥を検査するものがある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１５８２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
表面欠陥検査装置は、レーザ光などの検査光を被検査物である半導体ウエハの表面に照射し、該半導体ウエハ上にある欠陥や異物からの散乱光の強度または単位時間当たりの散乱光子数を測定し、異物、欠陥の大きさを推定する。
【０００８】
よって、散乱光の検出は、半導体ウエハの表面からの散乱光を検出するセンサのダイナミックレンジを拡大することが検出能力に大きく影響を及ぼすことになる。
【０００９】
ここで、表面欠陥検査装置による異物、欠陥の大きさ（以下、粒径という）の測定範囲において、最小粒径と最大粒径との比が、例えば１０倍程度であるとする。このとき、波長に比べて十分に小さい微粒子による光の散乱を表現するレイリー散乱を仮定すると、散乱光の強度のダイナミックレンジは、粒径のダイナミックレンジの６乗に比例するので、１００００００に達することになる。
【００１０】
したがって、粒径のダイナミックレンジを拡げようとした場合、強度と電気信号のキャリブレーションカーブが飽和状態に近くなり、その結果、粒径の検出精度が低下してしまうことなる。
【００１１】
本発明の目的は、異なる検出効率および感度をもつ光センサにて複数回、散乱光強度および光子数の測定を行い、ダイナミックレンジが大きく、精度の高い粒径測定を行うことのできる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
一実施の形態による表面欠陥検査装置は、照明部、散乱光検出部、処理装置、およびステージを備えた構成からなる。照明部は、被検査物に検査光を照射する。散乱光検出部は、被検査物からの散乱光を検出する。処理装置は、散乱光検出部にて検出した結果を処理する。ステージは、被検査物を支持する。
【００１５】
散乱光検出部は、検出レンズおよび反射光検出部を有する。検出レンズは、照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの散乱光を受光する。反射光検出部は、検出レンズが受光した散乱光を検出する。
【００１６】
また、反射光検出部は、散乱光を電流値に変換する複数の画素が配列された構成からなる。そして、画素は、散乱光の検出効率がそれぞれ異なる。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１８】
（１）被検査物における検出感度を向上することができる。
【００１９】
（２）上記（１）により、高効率な表面欠陥検査を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態による表面欠陥検査装置の概略構成の一例を示す説明図である。
【図２】図１の表面欠陥検査装置に設けられた反射光検出部の構成の一例を示す説明図である。
【図３】図１の表面欠陥検査装置による検出欠陥処理の一例を示すフローチャートである。
【図４】図１の表面欠陥検査装置が有する反射光検出部に照射される反射光のレーザスポットの一例を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００２３】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２４】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２５】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２６】
以下、実施の形態を詳細に説明する。
【００２７】
〈表面欠陥検査装置の構成例〉
図１は、本発明の一実施の形態による表面欠陥検査装置の概略構成の一例を示す説明図である。
【００２８】
表面欠陥検査装置は、図１に示すように、照明部１０、検出レンズ２１、反射光検出部３０、ウエハステージ４０、および処理装置５０を有している。また、検出レンズ２１および反射光検出部３０によって散乱光検出部が構成されている。
【００２９】
検出レンズ２１は、照明部１０から被検査物である半導体ウエハ１に照射された検査光３による欠陥あるいは異物からの散乱光を集光する。反射光検出部３０は、受光した散乱光を電流値に変換する。
【００３０】
ここでは、反射光検出部３０として、例えばＭＰＰＣ（Multi-Pixel-Photon-Counter）などが用いられる。ＭＰＰＣ（登録商標）は、複数のアバランシェフォトダイオードのピクセルからなるフォトンカウンティングデバイスである。
【００３１】
照明部１０は、図示しない照射レンズと、例えば所定波長のレーザ光などの検査光を発生する図示しないレーザ装置とによって構成されている。この照明部１０は、検査光３を半導体ウエハ１の表面に照射する。また、例えば波長板を照射光中に挿入可能にし、検査光３の偏光を変える機構を具備するようにしてもよい。
【００３２】
処理装置５０は、座標管理装置５１、増幅器５２、Ａ／Ｄ（Analog/Digital）変換器５６、欠陥判定装置５３、検査結果記憶装置５４、検査結果表示装置５５、入力装置５７、しきい値設定回路５８、および回転・ステージ移動量制御装置５９を備えている。
【００３３】
座標管理装置５１は、ウエハステージ４０から入力した位置情報、すなわち半導体ウエハ１の位置情報に基づいて、その座標情報を、欠陥判定装置５３に出力する。
【００３４】
増幅器５２は、反射光検出部３０から入力したアナログ信号の電流値を増幅して出力する。Ａ／Ｄ変換器５６は、増幅器５２が増幅したアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。ここで、例えばＡ／Ｄ変換器５６には、ノイズ除去を目的としたデジタルフィルタリング機能を備えるようにしてもよい。
【００３５】
欠陥判定装置５３は、光子数・欠陥位置計算部５３ａを有している。反射光検出部３０から出力された電流値は、増幅器５２によって増幅され、Ａ／Ｄ変換器５６によってデジタルデータに変換された後、欠陥判定装置５３に出力される。
【００３６】
欠陥判定装置５３において、光子数・欠陥位置計算部５３ａは、入力されたデジタルデータを、しきい値設定回路５８から入力されたしきい値とそれぞれ比較し、欠陥の有無を判定する。
【００３７】
また、光子数・欠陥位置計算部５３ａは、入力されたデジタルデータに基づいて、反射光検出部３０が有する後述する各画素の電流値を光子数に変換し、透過率差を用いて飛来した全ての光子数、および欠陥位置を同時に算出する。
【００３８】
検査結果記憶装置５４は、欠陥判定装置５３から入力した検査結果、および座標管理装置５１から出力された半導体ウエハ１上の座標情報を対応付けして記憶する。欠陥判定装置５３から入力した検査結果は、半導体ウエハ１における欠陥の有無、検出信号強度、および欠陥分類種である。検査結果表示装置５５は、検査結果記憶装置５４から入力した検査結果情報などを表示する。
【００３９】
表面欠陥検査装置において、検査光を走査する際には、ウエハステージ４０上で吸着され支持された半導体ウエハ１を該半導体ウエハ１の円周方向であるθ方向に回転させながら、半導体ウエハ１の半径方向であるＸ方向へ直進移動することによって、該半導体ウエハ１の表面全体をスパイラル状に走査を行う。
【００４０】
ウエハステージ４０は、例えばＸ方向の座標位置検出にはレーザスケール、θ方向の座標位置検出にはロータリーエンコーダをそれぞれ用い、その座標位置情報を出力する。回転・ステージ移動量制御装置５９は、入力された座標位置情報に基づいてウエハステージ４０に支持された半導体ウエハ１が１回転、あるいは整数回転した際のウエハステージ４０におけるＸ方向の移動量がほぼ一定となるように制御する。
【００４１】
〈反射光検出部の構成例〉
続いて、反射光検出部３０について説明する。
【００４２】
図２は、図１の表面欠陥検査装置に設けられた反射光検出部３０の構成の一例を示す説明図である。
【００４３】
反射光検出部３０は、図２に示すように、例えば１１個の画素３０1〜３０11が配列された構成のセンサである。画素３０1〜３０11は、フォトンカウンティング用の複数のアバランシェフォトダイオード（以下、ピクセルという）を２次元に配列してそれぞれ構成されており、例えば長方形状である。１画素は、例えば８００ピクセル程度から構成されている。
【００４４】
照明部１０や検出レンズ２１などにおいて、欠陥、異物から放射される光子は、ほぼ１画素に収まる領域内に均一な確率で検出されるように設計されており、各画素内にて光子が検出されたピクセルの数を電流値として出力する。
【００４５】
また、各々の画素３０1〜３０11は、ダイナミックレンジを拡大させるために、表面にコーティングが施されており、隣り合う画素の透過率が異なる構成となっている。コーティングは、例えば透過型ＮＤ（Neutral Density）フィルタなどに使われているクロムの薄膜蒸着などである。
【００４６】
そして、クロムの蒸着膜の厚さを変えることによって各画素における透過率が異なるように設定する。この場合、１１個の画素を有するので１１階調であり、隣り合う画素との透過率の差は３倍程度とする。そして、隣の画素との境界上で光子数を測定し、透過率差を用いて飛来した全光子数および欠陥位置を計測する。
【００４７】
例えば、１画素が２００個のピクセルから構成されている場合において、この画素に１０個程度の光子が、各ピクセルに対して一様な確率で入射するとき、同一のピクセルに入射する確率は無視することができる。
【００４８】
したがって、ピクセルを構成するアバランシェフォトダイオードの量子効率を０．３程度とすると、大きな確率で３個のピクセルが光子を検出することになる。
【００４９】
しかし、入射光子数が１０００個の場合は事情が異なる。つまり、１つのピクセルに２つの光子またはそれ以上の光子が入射する確率が無視できなくなってしまう。反射光検出部３０、すなわちＭＰＰＣは、１つのピクセルに複数個入射した場合、１つの光子と判定する。
【００５０】
これは、いわゆるクエンチング動作のためである。そこで、入射光子数と光子を検出したピクセル数が比例しなくなる。これが、１つの画素で入射粒子数を検出するときのダイナミックレンジの上限を決めてしまう。この１つの画素で光子の直線性がでる範囲を５９０４９００とし、これが１００個程度になる。
【００５１】
しかしながら、半導体ウエハの表面欠陥検査は、１個から最低１００００００個までの光子の計測が正確にできる必要があり、１００個では全く足りない。そこで、画素の表面をコーティングして透過率が異なる画素を複数個用意し、異物・欠陥をすべての画素で測定する。そして、その中で、１つの画素でのダイナミックレンジに入っているものを選び、測定値とする。
【００５２】
〈表面欠陥検査装置の処理例〉
次に、本実施の形態による検出欠陥処理の一例について、図３を用いて説明する。図３は、図１の表面欠陥検査装置による検出欠陥処理の一例を示すフローチャートである。
【００５３】
まず、照明部１０によって、ウエハステージ４０の移動方向（Ｘ方向）に長い検査光３を半導体ウエハ１に照射する。それにより、検査光３のレーザスポット内に入った欠陥は散乱光を発生し、その散乱光を検出レンズ２１が受光することによって反射光検出部３０の画素３０1上に集光する。
【００５４】
このとき、ウエハステージ４０は、回転・ステージ移動量制御装置５９によって回転速度とステージ速度とが調整される（ステップＳ１０１）。回転・ステージ移動量制御装置５９は、半導体ウエハ１の１周の回転周期にウエハステージ４０の移動速度を乗算した値が画素ピッチと同じ程度となるように制御する。
【００５５】
これによって、ウエハステージ４０に載置されている半導体ウエハ１の中心を回転中心として回転するとともに、半導体ウエハ１が１回転する間にウエハステージ４０が画素の半導体ウエハ１の半径方向の長さ分移動して、隣の画素３０2上に散乱光によるレーザスポットが形成され、該画素３０2上で欠陥によって発生した散乱光を計測する。
【００５６】
以下、ウエハステージ４０の３周目は画素３０3、４周目は画素３０4、・・・１１周目は画素３０11にてそれぞれ検出を行い、ステップＳ１０２〜Ｓ１０５の処理を行う。
【００５７】
そして、欠陥判定装置５３は、反射光検出部３０が有する各画素の境界部分での散乱光を検出し（ステップＳ１０２）、各画素に入射した光子数が、画素の直線性のよい領域の境界を少なくとも２つ選択する（ステップＳ１０３）。
【００５８】
そして、光子数・欠陥位置計算部５３ａは、ステップＳ１０３の処理で選択した境界における光子数および面積比を最小二乗法によって算出し（ステップＳ１０４）、その算出結果に基づいて、欠陥、異物の粒径および半導体ウエハ上の位置を算出する（ステップＳ１０５）。
【００５９】
〈異物／欠陥の算出処理〉
続いて、図３のステップＳ１０２〜Ｓ１０５の処理について詳しく説明する。なお、ここでは、わかりやすくするために各ステップの説明が前後している場合がある。
【００６０】
まず、ステップＳ１０２の処理において、検出レンズ２１は、半導体ウエハ１上における視野内の点光源から、等方的に光子が射出する場合、画素面上の長方形のレーザスポットに対し、一様に入射するように設計されている。
【００６１】
また、そのレーザスポットの中心には、半導体ウエハ上異物位置が対応するようにも設計されている。ここで、微小異物からは、必ずしも等方的に光子は射出されないが、近似的に等方的とみなしてよい場合が多い。
【００６２】
ここで、図４は、反射光検出部３０に照射される反射光のレーザスポットＳＰの一例を示した説明図である。この図４では、レーザスポットＳＰが反射光検出部３０が有する画素３０2と画素３０3とを跨ぐように照射されている例を示している。
【００６３】
そして、レーザスポットＳＰの総面積を面積Ｓとした場合、該面積Ｓのうち、画素３０2に照射されている面積は、面積Ｓ２であり、画素３０3に照射されている面積は、面積Ｓ３となっている例を示している。ここで、Ｓ２：Ｓ３＝１：３である。
【００６４】
よって、図示するように、上述したレーザスポットＳＰは、反射光検出部３０が有する１つの画素に対し、わずかに小さくなるように設計されている。レーザスポットＳＰの大きさが１画素より、わずかに小さいため、該レーザスポットＳＰは、２つの画素以上に跨がることはない。
【００６５】
レーザスポットＳＰに入射する全光子数をＮとすると、単位面積当たりの入射光子数ρは、
【００６６】
【数１】
2015021955.tif 000003
となる。
【００６７】
また、画素３０2の検出率をＴ２としたとき、画素３０2によって変換される電流Ｉ２により検出される光子数Ｎ２は、
【００６８】
【数２】
2015021955.tif 000004
となる。
【００６９】
同様にして、画素３０3の検出率をＴ３としたとき、画素３０3によって変換される電流Ｉ３により検出される光子数Ｎ３は、
【００７０】
【数３】
2015021955.tif 000005
となる。
【００７１】
ここからステップＳ１０４の処理が行われる。ここで、光子数Ｎ２、光子数Ｎ３は、測定値であり、検出率Ｔ２、検出率Ｔ３は、既知であるとすると、全光子数Ｎ、およびＳ２／Ｓは、同時に求められ、
【００７２】
【数４】
2015021955.tif 000006
となる。
【００７３】
また  Ｓ２／Ｓからスポット中心位置と、画素３０2および画素３０3の境界の距離を知ることができる。
【００７４】
単純には、レーザスポットＳＰの縦の辺の長さをＬ（これは、画素の縦の長さにほぼ等しい）とすれば、簡単な計算より
【００７５】
【数５】
2015021955.tif 000007
となる。ここで、長さＬは、画素の長辺方向の長さにほぼ等しい長さとする。この計算がステップＳ１０５の処理となる。
【００７６】
さらに、各々の画素の表面に施されたコーティングによって隣接する画素の透過率を前述したように３倍程度毎に変えていった場合、ステップＳ１０３の処理において、画素に入射する光子数が画素の直線性のよい領域に入る画素間の境界が複数存在し、これらの境界を少なくとも２つ選択する。
【００７７】
そして、ステップＳ１０４の処理おいて、選択した境界において、式１および式２を用いた最小二乗法によって光子数Ｎ、面積比Ｓ２／Ｓをそれぞれ求める。これによって、統計的な精度を向上させることができる。
【００７８】
反射光検出部３０のダイナミックレンジについて説明する。
【００７９】
反射光検出部３０は、先に述べたように隣接する画素において、透過率Ｔｎが３倍程度の差をそれぞれ有している。ここで、１１個の画素３０1〜３０11を用い各画素のダイナミックレンジを１００とした場合には、５９０４９００ものダイナミックレンジを得ることができる。
【００８０】
〈計測位置ずれの補正〉
続いて、上記した欠陥、異物の粒径および位置検出技術において、半導体ウエハ１と検出レンズ２１との間の距離に依存することなく、入射光子数Ｎおよび半導体ウエハ１上の異物検出位置を測定する技術について説明する。
【００８１】
半導体ウエハ１と検出レンズ２１との間の距離は、半導体ウエハ１が高速回転しているため、正確に一定間隔とすることは無理であり、常に誤差が生じている。これにより、反射光検出部３０の面上のレーザスポットＳＰの大きさは変化してしまう。
【００８２】
このとき、先に説明したように式１、式２を用いることによって入射光子数Ｎ、および（Ｓ２／Ｓ）は求めることができるが、長さＬが変化し、異物の計測位置にずれが生じてしてしまう。
【００８３】
これに対し、以下のような計測を行うとこれを補うことができる。
【００８４】
ここまでは、半導体ウエハ１が１回転するとき、画素の縦幅Ｄだけウエハステージ４０が進むように、回転・ステージ移動量制御装置５９が制御を行っていたが、半導体ウエハ１が１回転したとき、ウエハステージ４０を縦幅Ｄ＋Δだけ進むようにする。また、スポットＡの縦幅をＬとする。
【００８５】
このとき、隣接した画素の２つの境界Ｂ１、Ｂ２での面積比（Ｓ２／Ｓ）をそれぞれ（Ｓ２／Ｓ）１、（Ｓ２／Ｓ）２とすると、簡単な計算より長さＬを求めることができ、
【００８６】
【数６】
2015021955.tif 000008
となる。
【００８７】
これを式に代入することにより、レーザスポットＳＰの中心位置は、Ｂ１より、
【００８８】
【数７】
2015021955.tif 000009
と求めることができる。
【００８９】
以上により、ダイナミックレンジが大きく、精度の高い粒径測定を行うことができる。それにより、表面欠陥検査装置における検出感度を向上させることができ、高効率の表面欠陥検査を実現することができる。
【００９０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００９１】
なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
【００９２】
また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１  半導体ウエハ
３  検査光
１０  照明部
２１  検出レンズ
３０  反射光検出部
４０  ウエハステージ
５０  処理装置
５１  座標管理装置
５２  増幅器
５３  欠陥判定装置
５３ａ  光子数・欠陥位置計算部
５４  検査結果記憶装置
５５  検査結果表示装置
５６  Ａ／Ｄ変換器
５７  入力装置
５８  しきい値設定回路
５９  回転・ステージ移動量制御装置
３０1〜３０11  画素
ＳＰ  レーザスポット
【図１】
2015021955.tif 000010
【図２】
2015021955.tif 000011
【図３】
2015021955.tif 000012
【図４】
2015021955.tif 000013