(57)【要約】【課題】本発明は、気相成長法により形成される膜の成長速度、及びサセプタの回転速度（言い換えれば、単位時間当たりの回転数）に依存することなく、成長途中の膜の厚さを測定することの可能な気相成長装置の膜厚測定方法を提供することを課題とする。【解決手段】サセプタ１２が収容されたチャンバ１１内に原料ガスを供給することで、気相成長法により、複数の基板２０の表面に膜を成長させると共に、複数の基板２０の表面に成長する膜に対して、所定の波長とされたレーザ光を連続的に照射し、反射されたレーザ光の反射強度の振幅に基づいて、成長中の膜の厚さを連続的に取得する工程を含み、レーザ光を照射する基板２０上の領域を、トリガ信号が送信されたときのサセプタ１２の回転数と、予め設定され、かつサセプタ１２、基板２０、及びトリガ信号との関係から得られる設定値と、に基づいて決定する。【選択図】図１
2015074821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サセプタの周方向に等間隔で複数の基板を載置させ、前記複数の基板を加熱した状態で、前記サセプタを回転させる工程と、
前記サセプタが収容されたチャンバ内に原料ガスを供給することで、気相成長法により、前記複数の基板の表面に膜を成長させると共に、前記複数の基板の表面に成長する前記膜に対して、所定の波長とされたレーザ光を円弧状に連続的に照射し、反射された前記レーザ光の反射強度の振幅に基づいて、成長中の前記膜の厚さを連続的に取得する工程と、
を含み、
前記レーザ光を照射する前記基板上の領域を、トリガ信号が送信されたときの前記サセプタの回転数と、予め設定され、かつ前記サセプタ、前記基板、及び前記トリガ信号との関係から得られる設定値と、に基づいて決定することを特徴とする気相成長装置の膜厚測定方法。
【請求項２】
前記膜の厚さを連続的に取得する工程では、前記レーザ光を照射する前記基板上の領域として、前記複数の基板の表面のうち、前記サセプタの中心と一致する中心を有する円の円周が通過する領域を用いることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置の膜厚測定方法。
【請求項３】
前記設定値は、前記サセプタの回転数Ｘと、前記サセプタが回転数Ｘで回転している状態において、前記サセプタの前記トリガ信号が検出される位置の前記サセプタの回転方向直後に位置する１枚目の前記基板の膜厚測定開始点に膜厚測定器の膜厚測定点が至るまでに要する時間Ｅと、前記１枚目の基板の前記膜厚測定開始点から膜厚測定終了点に前記膜厚測定器の膜厚測定点が至るまでに要する時間Ｆと、前記１枚目の基板の前記膜厚測定終了点から前記１枚目の基板の前記サセプタの回転方向直後に位置する２枚目の前記基板の膜厚測定開始点に前記膜厚測定器の膜厚測定点が至るまでに要する時間Ｇと、であることを特徴とする請求項１または２記載の気相成長装置の膜厚測定方法。
【請求項４】
前記膜の成長速度が１０μｍ／ｈｏｕｒ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の気相成長装置の膜厚測定方法。
【請求項５】
前記膜の成長時において、前記サセプタ上に載置された前記複数の基板を自転させることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の気相成長装置の膜厚測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置の膜厚測定方法に関し、自公転型の気相成長装置を使用して、気相成長法により成長する膜の厚さを測定可能な気相成長装置の膜厚測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、チャンバ内に、公転可能な円盤状のサセプタ上に複数の基板を周方向に等間隔で載置し、該複数の基板を自転させながら、複数の基板を加熱し、チャンバ内に原料ガスを供給することで、薄膜（例えば、１０μｍ以下の膜）を気相成長させる自公転型の気相成長装置が知られている。
このような自公転型の気相成長装置では、基板に形成される薄膜の面内均一性を向上させる観点から、サセプタの公転時の回転数を薄膜の成長速度に応じて変更する場合がある。
【０００３】
特許文献１では、サセプタが１回転したことを検出するためのトリガを設けるとともに、サセプタ及び基板の温度を連続的に測定するための温度計を設け、トリガによって検出したサセプタの回転状態と、サセプタ、基板、及びトリガの関係に応じて予め設定された設定値と、温度計が測定するサセプタの測定温度と、に基づいて、サセプタのうち、基板が載置される部分の温度を測定した測定温度を選別する気相成長装置の基板温度測定方法が開示されている。
【０００４】
特許文献１に開示された気相成長装置の基板温度測定方法を用いることで、複数の基板の温度を把握することが可能となる。これにより、複数の基板上に良好な膜質とされた薄膜を形成することが可能となる。
【０００５】
また、気相成長装置を用いて薄膜を形成する場合、成長途中の薄膜の厚さを把握して、所定の厚さとされた薄膜を形成することも重要である。
しかしながら、特許文献１には、複数の基板の表面に成長する薄膜の厚さの測定方法については、なんら開示されていない。
【０００６】
特許文献２には、基板上に形成される半導体結晶の薄膜の厚さ、及び屈折率を測定可能な測定器が開示されている。
上記測定器は、基板の表面に形成された薄膜に対して、所定の波長とされたレーザ光を照射し、反射されたレーザ光の反射強度の振幅に基づいて、該薄膜の厚さを取得することが可能な測定器である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１００９１４号公報
【特許文献２】米国特許第８２３３１５８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に開示された測定器を用いて、複数の基板の中心に形成された薄膜（自公転型の気相成長装置により形成された薄膜）の厚さを測定する場合、膜厚測定の周期がサセプタの公転周期に依存してしまう。
【０００９】
具体的には、サセプタ上にサセプタの周方向に対して複数の基板が載置され、そのうちの１枚の基板の中心で成長する薄膜の厚さを測定する場合、サセプタが１回転する間に、１度しか薄膜の厚さは測定されない。
このため、サセプタの公転周期が遅い（言い換えれば、サセプタの回転数が遅い）と、膜厚の測定間隔が非常に長くなってしまう。
【００１０】
図８は、図９に示すデータを取得する際に使用した気相成長装置の主要部の平面図である。
図９は、図８に示す気相成長装置を用いて形成される薄膜の成長速度の違いと、基板の表面で反射されるレーザ光の反射強度の振幅と、の関係を説明するための図である。
【００１１】
ここで、本発明者は、事前検討として、図８に示す６枚処理用の気相成長装置３００を用いて、サセプタ３０１の公転時の回転数が５ｒｐｍ（言い換えれば、１つの基板３０２に形成される薄膜３０３の測定周期が１２ｓｅｃ）、薄膜３０３の成長速度が１μｍ／ｈｏｕｒ（成長速度が遅い）の条件で厚さ３００ｎｍとされたＡｌＮ（アルミナイトライド）膜（薄膜３０３）を成長させ、特許文献２に開示された膜厚測定器（具体的には、Ｌａｙｔｅｃ社製の膜厚測定器であるＥｐｉＣｕｒｖｅ  ＴＴ  Ｔｗｏ  ＡＲ）を用いて、基板３０２の中心３０２Ａに位置する成長中の薄膜３０３にレーザ光を照射し、基板３０２から反射されるレーザ光の反射強度と時間との関係を求めた。
【００１２】
具体的には、薄膜３０３の成長速度として、１μｍ／ｈｏｕｒ、５μｍ／ｈｏｕｒ、１０μｍ／ｈｏｕｒ（成長速度が速い）を用いて、基板３０２から反射されるレーザ光の反射強度と時間との関係を求めた。この結果を図９に示す。
【００１３】
図９に示すように、薄膜３０３の成長速度が速いと、レーザ光の反射強度から該反射強度の振幅を正しく測定することが困難となるため、該反射強度に基づいて薄膜の厚さを求めることができない。
つまり、特許文献１，２を単に組み合わせただけでは、薄膜３０３の成長速度が速い場合に、成長途中の薄膜３０３の厚さを測定することができないという問題があった。
【００１４】
そこで、本発明は、気相成長法により形成される膜の成長速度、及びサセプタの回転速度（言い換えれば、単位時間当たりの回転数）に依存することなく、成長途中の膜の厚さを測定することの可能な気相成長装置の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明によれば、サセプタの周方向に等間隔で複数の基板を載置させ、前記複数の基板を加熱した状態で、前記サセプタを回転させる工程と、前記サセプタが収容されたチャンバ内に原料ガスを供給することで、気相成長法により、前記複数の基板の表面に膜を成長させると共に、前記複数の基板の表面に成長する前記膜に対して、所定の波長とされたレーザ光を円弧状に連続的に照射し、反射された前記レーザ光の反射強度の振幅に基づいて、成長中の前記膜の厚さを連続的に取得する工程と、を含み、前記レーザ光を照射する前記基板上の領域を、トリガ信号が送信されたときの前記サセプタの回転数と、予め設定され、かつ前記サセプタ、前記基板、及び前記トリガ信号との関係から得られる設定値と、に基づいて決定することを特徴とする気相成長装置の膜厚測定方法が提供される。
【００１６】
また、請求項２に係る発明によれば、前記膜の厚さを連続的に取得する工程では、前記レーザ光を照射する前記基板上の領域として、前記複数の基板の表面のうち、前記サセプタの中心と一致する中心を有する円の円周が通過する領域を用いることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置の膜厚測定方法が提供される。
【００１７】
また、請求項３に係る発明によれば、前記設定値は、前記サセプタの回転数Ｘと、前記サセプタが回転数Ｘで回転している状態において、前記サセプタの前記トリガ信号が検出される位置の前記サセプタの回転方向直後に位置する１枚目の前記基板の膜厚測定開始点に膜厚測定器の膜厚測定点が至るまでに要する時間Ｅと、前記１枚目の基板の前記膜厚測定開始点から膜厚測定終了点に前記膜厚測定器の膜厚測定点が至るまでに要する時間Ｆと、前記１枚目の基板の前記膜厚測定終了点から前記１枚目の基板の前記サセプタの回転方向直後に位置する２枚目の前記基板の膜厚測定開始点に前記膜厚測定器の膜厚測定点が至るまでに要する時間Ｇと、であることを特徴とする請求項１または２記載の気相成長装置の膜厚測定方法が提供される。
【００１８】
また、請求項４に係る発明によれば、前記膜の成長速度が１０μｍ／ｈｏｕｒ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の気相成長装置の膜厚測定方法が提供される。
【００１９】
また、請求項５に係る発明によれば、前記膜の成長時において、前記サセプタ上に載置された前記複数の基板を自転させることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の気相成長装置の膜厚測定方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の気相成長装置の膜厚測定方法によれば、サセプタが収容されたチャンバ内に原料ガスを供給することで、気相成長法により、複数の基板の表面に膜を成長させると共に、複数の基板の表面に成長する膜に対して、所定の波長とされたレーザ光を円弧状に連続的に照射し、反射されたレーザ光の反射強度の振幅に基づいて、成長中の膜の厚さを連続的に取得する工程を含み、レーザ光を照射する基板上の領域を、トリガ信号が送信されたときのサセプタの回転数と、予め設定され、かつサセプタ、基板、及びトリガ信号との関係から得られる設定値と、に基づいて決定することで、複数の基板から反射されるレーザ光の反射強度を１つのデータとして扱うことで、膜厚測定の周期を短くすることが可能となる。
【００２１】
これにより、サセプタの回転速度が遅く、及び／または基板上に成長する膜の成長速度が速い場合でも、反射されたレーザ光の反射強度の振幅を正しく測定することが可能となるので、得られた反射強度の振幅に基づいて、成長途中の膜の厚さを求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係る気相成長装置の膜厚測定方法を行う際に使用する気相成長装置の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す気相成長装置のうち、領域Ａで囲まれた部分を拡大した断面図である。
【図３】サセプタ上に６枚の基板が載置された場合において、膜厚測定器の測定部が基板に対してレーザ光を照射する領域（区間）を説明するための平面図である。
【図４】温度計による基板の温度測定を説明するための平面図である。
【図５】膜厚測定器で測定したレーザ光の反射強度の変化を示しており、反射強度が測定される測定点がサセプタの回転に応じて測定点がトリガを発生させる点Ｌ０から移動したときの各測定点における反射強度を説明するための模式的な図である。
【図６】基板の表面温度及びサセプタの表面温度の変化を示しており、測定点がトリガを発生させる点Ｌ０から移動したときの各測定点における基板の表面温度及びサセプタの表面温度を説明するための模式的な図である。
【図７】実施例及び比較例で取得したレーザ光の反射強度（ａ．ｕ）と経過時間（ｓｅｃ）との関係を示す。
【図８】図９に示すデータを取得する際に使用した気相成長装置の主要部の平面図である。
【図９】図８に示す気相成長装置を用いて形成される薄膜の成長速度の違いと、基板の表面で反射されるレーザ光の反射強度の振幅と、の関係を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の気相成長装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００２４】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る気相成長装置の膜厚測定方法を行う際に使用する気相成長装置の概略構成を模式的に示す断面図である。
【００２５】
図１を参照するに、気相成長装置１０は、チャンバ１１と、サセプタ１２と、回転軸１３と、検出器（図示せず）と、内歯車付きリング状固定部材１４と、モーター１５と、ガス供給部１７と、原料ガス供給源１９と、ガイド部材２３と、加熱部２７と、排気部３４と、温度計３６と、膜厚測定器３８と、制御装置４１と、を有する。
【００２６】
チャンバ１１は、チャンバ本体１１−１と、開口部１１−２と、貫通部１１−３と、光透過性窓部材１１−４と、を有する。
チャンバ本体１１−１は、偏平円筒状とされている。チャンバ本体１１−１は、サセプタ１２、回転軸１３、内歯車付きリング状固定部材１４、ガイド部材２３、加熱部２７、及び温度計４７の測定部等を収容している。
開口部１１−２は、チャンバ本体１１−１の中央に設けられている。開口部１１−２には、チャンバ１１内に原料ガスを導くガス供給部１７が挿入される。
【００２７】
貫通部１１−３は、チャンバ本体１１−１のうち、サセプタ１２上に載置され、かつ回転移動する基板２０の中心と対向する部分を貫通するように設けられている。
光透過性窓部材１１−４は、貫通部１１−３に収容されている。光透過性窓部材１１−４は、透明で、かつ膜厚測定器３８を構成する測定部３８−１から照射されるレーザ光を基板２０上に透過させることが可能な材料で構成されている。
具体的には、光透過性窓部材１１−４としては、例えば、電気溶解石英を用いることができる。
【００２８】
サセプタ１２は、サセプタ本体１２−１と、貫通部１２−２と、外歯車付きリング状固定部材１２−３と、複数のボール１２−４と、基板載置部材１２−５と、を有する。
サセプタ本体１２−１は、円盤状とされている。サセプタ本体１２−１の上面１２−１ａは、平坦な面とされている。サセプタ本体１２−１の上面１２−１ａには、原料ガス供給口１７Ａから、上面１２−１ａに対して平行な方向（水平方向）に、サセプタ本体１２−１の中心から放射状に原料ガスが供給される。
【００２９】
図２は、図１に示す気相成長装置のうち、領域Ａで囲まれた部分を拡大した断面図である。図２において、図１に示す気相成長装置１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００３０】
図１及び図２を参照するに、貫通部１２−２は、サセプタ本体１２−１の外周部を貫通するように設けられている。貫通部１２−２は、サセプタ本体１２−１の外周に沿って、所定の間隔で複数（例えば、８個）配置されている。複数の貫通部１２−２の中心は、サセプタ本体１２−１の中心を中心とする円Ｄ（図４参照）の円周上に配置されている。
【００３１】
貫通部１２−２は、サセプタ本体１２−１の下面１２−１ｂから上面１２−１ａに向かうにつれて、開口径が広くなる階段形状とされている。
このように、貫通部１２−２の形状を、サセプタ本体１２−１の下面１２−１ｂから上面１２−１ａに向かうにつれて、開口径が広くなる階段形状とすることにより、複数のボール１２−４を介して、外歯車付きリング状固定部材１２−３を回転可能に支持することができる。
【００３２】
外歯車付きリング状固定部材１２−３は、複数のボール１２−４を介して、貫通部１２−２に配置されている。外歯車付きリング状固定部材１２−３の上面１２−３ａは、サセプタ本体１２−１の上面１２−１ａに対して面一とされている。
外歯車付きリング状固定部材１２−３は、その上部が下部と比較して幅広形状とされたリング状の部材である。
【００３３】
外歯車付きリング状固定部材１２−３の上部の外周には、内歯車付きリング状固定部材１４を構成する内歯車１４−２と噛み合う形状とされた外歯車１２−３Ａが配置されている。
これにより、回転軸１３により、サセプタ本体１２−１が回転させられた際、外歯車付きリング状固定部材１２−３は、基板載置部材１２−５上に保持された基板２０を回転（自転）させる。
【００３４】
外歯車付きリング状固定部材１２−３は、その中央部に基板載置部材１２−５を収容する収容部１２−３Ｂを有する。収容部１２−３Ｂとしては、例えば、円盤形状とされた空間を用いることができる。
【００３５】
複数のボール１２−４は、外歯車付きリング状固定部材１２−３とサセプタ本体１２−１との間にリング状に配置されている。複数のボール１２−４は、サセプタ本体１２−１に対して回転可能な状態で外歯車付きリング状固定部材１２−３を支持している。
【００３６】
基板載置部材１２−５は、外歯車付きリング状固定部材１２−３の収容部１２−３Ｂに配置されている。基板載置部材１２−５は、外歯車付きリング状固定部材１２−３に固定されている。
これにより、に基板載置部材１２−５は、外歯車付きリング状固定部材１２−３が回転させられた際、外歯車付きリング状固定部材１２−３とともに回転（自転）する。
【００３７】
基板載置部材１２−５は、収容部１２−３Ｂに収容された円盤形状とされた部材である。基板載置部材１２−５は、その上面側に１枚の基板２０を収容可能な凹部である基板収容部１２−５Ａを有する。
基板収容部１２−５Ａが形成されていない基板載置部材１２−５の上面１２−５ａは、外歯車付きリング状固定部材１２−３の上面１２−３ａに対して面一とされている。基板載置部材１２−５の上面１２−５ａを基準としたときの基板収容部１２−５Ａの深さは、基板２０の厚さの値と等しくなるように構成されている。
【００３８】
基板収容部１２−５Ａは、基板２０の裏面２０ｂと接触する平坦な基板載置面１２−５ｂを有する。基板収容部１２−５Ａに収容された基板２０の表面２０ａは、基板載置部材１２−５の上面１２−５ａに対して面一となるように構成されている。
上記構成とされた基板載置部材１２−５の材料としては、例えば、カーボンを用いることができる。
また、上記基板２０としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板、炭化珪素（ＳｉＣ）基板、ＧａＮ基板、及びサファイア基板等を用いることができる。
【００３９】
図１を参照するに、回転軸１３は、サセプタ１２の下方に配置されている。回転軸１３の上端部は、サセプタ１２の下面側の中心部と接続されている。これにより、回転軸１３は、サセプタ１２を回転可能に支持している。回転軸１３の下端部は、モーター１５と接続されている
【００４０】
検出器（図示せず）は、回転軸１３に設けられている。該検出器は、サセプタ１２が１回転した際に、トリガ信号を膜厚測定器３８及び制御装置４１に送信する。
該トリガ信号を受信すると膜厚測定器３８は、膜２１が成長する基板２０の表面２０ａにレーザ光を照射して、反射されたレーザ光（反射光）の強度を測定し、該反射光の強度から反射強度の振幅を求めることを開始する。
【００４１】
図１及び図２を参照するに、内歯車付きリング状固定部材１４は、リング状部材１４−１と、内歯車部１４−２と、を有する。リング状部材１４−１は、内側にサセプタ１２を収容可能なリング状とされた部材である。リング状部材１４−１は、サセプタ１２の外周を囲むように配置されている。
内歯車部１４−２は、リング状部材１４Ａのうち、サセプタ１２の外周と対向する部分に設けられている。内歯車部１４−２は、外歯車１２−３Ａと噛み合う形状とされている。
【００４２】
図１を参照するに、モーター１５は、回転軸１３の下端と接続されている。モーター１５は、回転軸１３を介して、サセプタ１２の実際の回転数を測定する。
【００４３】
ガス供給部１７は、チャンバ１１に設けられた開口部１１−２に挿入されている。ガス供給部１７は、サセプタ本体１２−１の上面１２−１ａと平行な方向に対して放射状に原料ガスを供給する原料ガス供給口１７Ａを有する。
原料ガス供給源１９は、原料ガスを供給可能な状態でガス供給部１７と接続されている。例えば、基板２０としてサファイア基板を用い、サファイア基板の表面に、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体層を形成する場合、原料ガスとしては、ガリウムを含む有機系金属化合物であるトリメチルガリウムと、アンモニアと、を含むガスを用いることができる。
【００４４】
ガイド部材２３は、第１のガイド部材２３−１と、第２のガイド部材２３−２と、を有する。第１のガイド部材２３−１は、回転軸１３が設けられていない部分のサセプタ１２の下面、及び歯車付きリング状固定部材１４の下面との間に、加熱部２７を収容可能な空間である加熱部収容部２５が形成されるように、サセプタ１２及び歯車付きリング状固定部材１４の下方に配置されている。
【００４５】
第１のガイド部材２３−１のうち、歯車付きリング状固定部材１４の外周縁に位置する部分には、不活性ガスを加熱部収容部２５から導出するための不活性ガス導出部２９が設けられている。
第２のガイド部２３−２は、回転軸１３の周囲との間に不活性ガスを導入するための不活性ガス導入部３２が形成されるように、回転軸１３の周囲に配置されている。第２のガイド部２３−２の上端は、第１のガイド部２３−１と一体とされている。
【００４６】
加熱部２７は、加熱部収容部２５に収容されると共に、サセプタ１２の下方、及び歯車付きリング状固定部材１４の下方に配置されている。加熱部２７は、基板載置部材１２−５を介して、基板載置面１２−５ｂ（図２参照）に載置された基板２０全体が均一な温度となるように加熱する。
加熱部２７としては、例えば、複数のヒーターを用いることができる。加熱部２７として複数のヒーターを用いる場合、各ヒーターの温度を独立して制御可能な構成にするとよい。
【００４７】
基板２０としてサファイア基板を用い、かつガリウムを含む有機系金属化合物であるトリメチルガリウムと、アンモニアと、を含む原料ガスを用いて、基板２０の表面２０ａに、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体層を形成する場合、例えば、加熱部２７により、基板２０の温度が４５０〜１２００℃の温度範囲内の所定の温度となるように、基板２０を加熱する。
【００４８】
排気部３４は、チャンバ１１の内壁付近に設けられている。排気部３４は、不要な原料ガス、及び不活性ガス導出部２９から導出された不活性ガスをチャンバ１１外に排気するためのガス排気経路である。
【００４９】
温度計３６は、サセプタ１２の温度を測定可能な状態で、加熱部２７の下方に複数配置されている。複数の温度計３６は、チャンバ１１の半径方向に配置されている。  
温度計３６が測定したサセプタ１２の温度に関する結果は、温度データとして、加熱部２７と電気的に接続された制御装置４１に送信され、該温度データに基づいて、制御装置４１は、基板２０が所定の温度となるように、加熱部２７を制御する。温度計３６としては、例えば、放射温度計を用いることができる。
【００５０】
膜厚測定器３８は、測定部３８−１と、測定部３８−１と電気的に接続された演算部３８−２と、を有する。
測定部３８−１は、所定の波長とされたレーザを照射すると共に、該レーザ光の反射光を受光し、反射光の強度に関するデータを演算部３８−２に送信する。測定部３８−１は、チャンバ１１の上方であって、かつ光透過性窓部材１１−４と対向する位置に設けられている。
【００５１】
これにより、測定部３８−１は、光透過性窓部材１１−４を介して、サセプタ１２上に載置され、かつ膜２１が成長する基板２０の表面２０ａに対して、レーザ光を照射することが可能になると共に、基板２０の表面２０ａに成長した膜２１を通過し、基板２０の表面２０ａで反射された反射光を受光することができる。
【００５２】
図３は、サセプタ上に６枚の基板が載置された場合において、膜厚測定器の測定部が基板に対してレーザ光を照射する領域（区間）を説明するための平面図である。図３において、図１及び図２に示す構造体と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００５３】
図３を参照するに、測定部３８−１は、円弧状とされた曲線Ｂに対してレーザ光を連続的に照射すると共に、曲線Ｂに照射され、かつ基板２０の表面により反射されたレーザ光（反射光）の強度を連続的に測定する。測定部３８−１は、取得した反射光の強度に関するデータをリアルタイムで演算部３８−２に送信する。
側定部３８−１が照射するレーザ光の波長（所定の波長）は、例えば、４０５〜９５１ｎｍの範囲内で適宜選択することができる。
後述する図４に示すように、円弧状とされた曲線Ｂは、サセプタ１２の中心Ｃを中心とする円Ｄの円周の一部と一致している。
【００５４】
演算部３８−２では、膜２１の成膜開始（成長開始）からの経過時間と、測定部３８−１が受光する反射されたレーザ光の反射強度と、の関係に基づいて、後述する図４に示すようなグラフを作製する。
その後、該グラフから反射強度の振幅を算出し、該反射強度の振幅に基づいて、成長中の膜２１の厚さを算出する。
【００５５】
上記構成とされた膜厚測定器３８としては、例えば、レーザ光を照射し、該レーザ光の反射強度から膜厚を求める膜厚測定器を用いることができる。このような膜厚測定器としては、例えば、Ｌａｙｔｅｃ社製のＥｐｉＣｕｒｖｅ  ＴＴ  Ｔｗｏ  ＡＲを用いることができる。
【００５６】
制御装置４１は、気相成長装置１０の制御全般を行う。制御装置４１は、記憶部（図示せず）を有している、該記憶部には、膜２１を成膜するためのプログラム、膜厚測定器３８を制御するためのプログラム、及び膜２１の厚さを求めるために予め記憶された設定値等が格納されている。
制御装置４１は、原料ガス供給源１９や演算部３８−２等と電気的に接続されている。制御装置４１は、サセプタ１２に載置された複数の基板２０上に所定の厚さの膜２１が形成された際、原料ガス供給源１９からの原料ガスの供給を停止させる。
【００５７】
図４は、膜厚測定をする曲線Ｂの範囲を説明するための平面図である。
図５は、膜厚測定器で測定したレーザ光の反射強度の変化を示しており、反射強度が測定される測定点がサセプタの回転に応じて測定点がトリガを発生させる点Ｌ０から移動したときの各測定点における反射強度を説明するための模式的な図である。
図６は、基板の表面温度及びサセプタの表面温度の変化を示しており、測定点がトリガを発生させる点Ｌ０から移動したときの各測定点における基板の表面温度及びサセプタの表面温度を説明するための模式的な図である。
【００５８】
図４〜図６では、サセプタ１２上に保持される６枚の基板２０を、基板２０−１〜２０−６として図示する。
図４に示す円Ｄは、サセプタ１２の中心Ｃを中心とする円である。また、図４に示す点Ｌ０は、基板２０−１と基板２０−６との間に位置するサセプタ１２に配置され、かつトリガを検出する際に使用する点である。
図４に示す点Ｌ０〜Ｌ１０は、円Ｄの円周上に、点Ｌ０、点Ｌ１、点Ｌ２、点Ｌ３、点Ｌ４、点Ｌ５、点Ｌ６、点Ｌ７、点Ｌ８、点Ｌ９、点Ｌ１０の順で配置されている。
点Ｌ１及び点Ｌ４は、基板２０−１の縁に配置されており、点Ｌ１及び点Ｌ４は、基板２０−１の縁よりも内側に位置する基板２０−１に配置されている。
また、点Ｌ５及び点Ｌ８は、基板２０−２の縁に配置されており、点Ｌ５及び点Ｌ８は、基板２０−２の縁よりも内側に位置する基板２０−２に配置されている。
また、点Ｌ９は、基板２０−３の縁に配置されており、点Ｌ１０は、基板２０−３の縁よりも内側に位置する基板２０−３に配置されている。
図５及び図６において、図４と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００５９】
図４及び図５を参照するに、基板２０−１〜２０−６が載置された下方に位置するサセプタ１２（具体的には、図１に示す基板載置部材１２−５）の表面温度と、基板２０−１〜２０−６が配置されていない部分の下方に位置するサセプタ１２の表面温度と、の間には差がある。
【００６０】
具体的には、例えば、基板２０−１〜２０−６として、厚さが７２５μｍ、直径が８インチ（２００ｍｍ）のシリコン基板（シリコンウェハ）を用い、サセプタ１２として、厚さ２０ｍｍで、かつＳｉＣコートカーボンまたは炭化ケイ素（ＳｉＣ）よりなるサセプタを用いて、加熱部２７により、サセプタ１２を介して、基板２０−１〜２０−６が所定の温度となるように加熱する場合、基板２０−１〜２０−６が配置された下方に位置するサセプタ１２の温度が８００℃のとき、基板２０−１〜２０−６が存在していない部分の下方に位置するサセプタ１２の温度は、約７７０℃となり、３０℃程度の温度差が生じる。
【００６１】
すなわち、温度計３６がサセプタ１２の温度を測定する測定点がトリガ信号を検出する位置である点Ｌ０から点Ｌ０の近傍に位置する基板２０−１（１枚目の基板）の縁の点Ｌ１までの回転距離の範囲では、サセプタ１２上に基板２０−１〜２０−６が存在しないため、サセプタ１２の表面温度が高くなる。
【００６２】
一方、点Ｌ０の近傍に位置する基板２０−１の縁の点Ｌ１から基板２０−２（２枚目の基板）の近傍に位置する基板２０−１の縁の点Ｌ４までの回転距離の範囲では基板２０−１が存在しているため、サセプタ１２の反射強度が大きくなる。
また、基板２０−１の点Ｌ４から点Ｌ４の近傍に位置する基板２０−２の縁の点Ｌ５までの区間では、サセプタ１２の反射強度が小さく、基板２０−２の縁の点Ｌ５から基板２０−３の近傍に位置する基板２０−２の縁の点Ｌ８まではサセプタ１２の反射強度が大きくなる。
【００６３】
したがって、図６に示すように、複数の基板２０−１〜２０−６上に成長する膜２１のレーザ光の反射強度を連続的に測定するためには、基板２０−１〜２０−６が存在している部分のサセプタ１２の反射強度と、基板２０−１〜２０−６が存在していない部分のサセプタ１２の反射強度と、に基づいて、基板２０−１〜２０−６が存在している部分のサセプタ１２の温度を選別し、基板２０−１〜２０−６が存在している部分のサセプタ１２の反射強度を基板の反射強度とする選別操作が必要となる。
【００６４】
なお、上記選別操作を開始する前には、選別操作に必要な演算処理を行うコンピュータ等の制御装置４１（図１参照）に、例えば、サセプタ１２の径（直径または半径）、サセプタ１２を構成する複数の基板載置部材１２−５の中心点を通過する円Ｄの径（直径または半径）、基板２０−１〜２０−６の径（直径または半径）、及びサセプタ１２が保持する基板２０−１〜２０−６の枚数によって決まる設定値を予め入力する。
【００６５】
上記サセプタ１２の径、円Ｄの径（直径または半径）、基板２０−１〜２０−６の径、及びサセプタ１２が保持する基板２０−１〜２０−６の枚数によって決まる設定値と、トリガによって検出したサセプタ１２の回転数と、に基づいて、基板２０−１〜２０−６が存在している部分のサセプタ１２と、基板２０−１〜２０−６が存在しない部分のサセプタ１２と、を選別することができる。
【００６６】
例えば、計算が容易な数値を挙げて具体的に説明すると、直径が２００ｍｍのサセプタ１２の外周部上に等間隔で直径が６０ｍｍの基板２０を４枚保持し、基板２０の中心が通る軌跡の円Ｄの円周の長さを３６０ｍｍとした場合、サセプタ１２が１周すると、基板２０が存在する部分の長さは、２４０ｍｍ（＝６０ｍｍ×４）となり、基板２０が存在しない部分の長さは、１２０ｍｍ（＝３６０ｍｍ−２４０ｍｍ）であり、隣接する基板２０間ではそれぞれ３０ｍｍ（＝１２０ｍｍ／４）となる。
【００６７】
したがって、この場合、サセプタ１２の回転により、温度計３６の温度測定点は、基板２０の存在する範囲の６０ｍｍの部分と、基板２０が存在していない範囲の３０ｍｍの部分と、を交互に連続して通過することになる。
このとき、サセプタ１２が毎分１回転（１ｒｐｍ）で回転しているとすると、サセプタ１２が１周する６０秒の間に、基板２０が存在する部分の１０秒と、基板２０が存在しない部分の５秒と、が交互に４回ずつ生じることになる。
【００６８】
トリガを発生させる点Ｌ０を基板２０の回転方向先端外縁部分に設定すると、点Ｌ０を通過後１０秒間は基板２０が存在する部分を通過し、続く、５秒間は基板２０が存在しない部分を通過し、その後、これらが交互に繰り返される。
【００６９】
図４では、サセプタ１２上に６枚の基板２０−１〜２０−６を載置させるとともに、トリガ信号を発生させる位置である点Ｌ０を隣接する２枚の基板２０−１，２０−６間の中央に位置するサセプタ１２に配置した場合を図示している。
【００７０】
設定値としては、例えば、サセプタ１２の回転数Ｘ（ｒｐｍ）と、サセプタ１２がＸ（ｒｐｍ）で回転している状態において、トリガ信号が検出されてから点Ｌ０から基板２０−１の点Ｌ２（サセプタ１２のトリガ信号が検出される位置（点Ｌ０）のサセプタ１２の回転方向直後に位置する１枚目の基板２０−１の反射強度測定開始点）に反射強度測定器３８の反射強度測定点が至るまでに要する時間Ｅ（ｓｅｃ）と、基板２０−１の点Ｌ２から点Ｌ３（基板２０−１の反射強度測定終了点）に反射強度測定器３８の反射強度測定点が至るまでに要する時間Ｆ（ｓｅｃ）と、基板２０−１の点Ｌ３から基板２０−２の点Ｌ５（１枚目の基板２０−１のサセプタ１２の回転方向直後に位置する２枚目の基板２０−２の反射強度測定開始点）に反射強度測定器３８の反射強度測定点が至るまでに要する時間Ｇ（ｓｅｃ）と、を用いることができる。
【００７１】
各設定値Ｅ，Ｆ，Ｇは、前述のように、サセプタ１２の径、基板載置部材１２−５の中心点が通る円Ｄの径、基板２０−１〜２０−６の径、及びサセプタ１２上に配置する基板２０−１〜２０−６の枚数が決まれば計算によって、容易に求めることができる。
【００７２】
なお、サセプタ１２の回転数Ｘについては、任意であり、処理中に設定されるサセプタ１２の実際の回転数を設定値としてもよいし、単純に「１」を設定値とすることもできる。
また、基板２０−１〜２０−６の外縁部分を反射強度測定開始点や反射強度測定終了点に設定しないのは、設計上の基板２０−１〜２０−６の位置と実際の基板２０−１〜２０−６の位置とのずれを考慮したものであり、基板２０−１〜２０−６の外縁から反射強度測定開始点や反射強度測定終了点までの距離は、基板２０−１〜２０−６の径等の条件に応じて任意に設定することができる。
【００７３】
ここで、トリガ信号を検出後に測定されたサセプタ１２の実際の回転数Ｙ（ｒｐｍ）と、サセプタ１２に載置された基板２０−１〜２０−６の枚数（ｎ）（ｎは２以上の自然数。図４の場合、ｎ＝６。）と、先に説明した設定値であるサセプタ１２の回転数（設定回転数）Ｘ（ｒｐｍ）、時間Ｅ（ｓｅｃ）、時間Ｆ（ｓｅｃ）、及び時間Ｇ（ｓｅｃ）と、に基づいて、トリガ信号が検出されてからｍ（ｍは１〜ｎの自然数）枚目の基板２０−１〜２０−６のレーザ光の反射強度を測定する手順について説明する。
【００７４】
まず、トリガ信号が検出されてから１枚目の基板２０−１における反射強度の測定開始点Ｌ２に測定部３８−１の反射強度の測定点が至るまでの時間Ｓ１（ｓｅｃ）は、時間Ｅ（ｓｅｃ）と、サセプタ１２の設定回転数に対する実回転数Ｙの補正を行えばよく、Ｓ１＝Ｅ／（Ｙ／Ｘ）で求めることができる。なお、サセプタ１２の実際の回転数（実回転数Ｙ）は、モーター１３を用いて測定する。
【００７５】
サセプタ１２の設定回転数Ｘがサセプタ１２の実回転数Ｙと等しい場合、Ｓ１＝Ｅとなる。また、トリガ信号が検出されてから基板２０−１における反射強度の測定終了点Ｌ３に至るまでの時間Ｔ１（ｓｅｃ）は、時間Ｅ（ｓｅｃ）と時間Ｆ（ｓｅｃ）との和に対してサセプタ１２の回転数の補正を行えばよいことから、下記式（１）により求めることができる。
Ｔ１＝（Ｅ＋Ｆ）／（Ｙ／Ｘ）・・・（１）
【００７６】
２枚目の基板２０−１における反射強度の測定開始点Ｌ６に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｓ２（ｓｅｃ）は、時間Ｅ（ｓｅｃ）、時間Ｆ（ｓｅｃ）、及び時間Ｇ（ｓｅｃ）の和に対してサセプタ１２の回転数の補正を行えばよく、この時間Ｓ２（ｓｅｃ）と時間Ｆ（ｓｅｃ）との和にサセプタ１２の回転数の補正を行えば、基板２０−２における反射強度の測定終了点Ｌ７に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｔ２（ｓｅｃ）を求めることができる。
【００７７】
すなわち、ｍ枚目の基板における反射強度の測定開始点に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｓｍは、１枚目の基板２０−１の反射強度の測定開始点に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｅ（ｓｅｃ）と、ｍ枚目に至るまでに反射強度の測定点が経過した時間Ｆ（ｓｅｃ）及び時間Ｇ（ｓｅｃ）の和にサセプタ１２の回転数の補正を行えばよいことになる。
【００７８】
また、ｍ枚目の基板における反射強度の測定終了点に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｔｍは、反射強度の測定開始点に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｓｍと時間Ｆ（ｓｅｃ）との和にサセプタ１２の回転数の補正を行えばよいことから、ｍ枚目の基板における反射強度の測定開始点に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｓｍは、下記式（２）にて表すことができ、ｍ枚目の基板における反射強度の測定終了点に反射強度の測定点が至るまでの時間Ｔｍは、下記式（３）にて表すことができる。
【００７９】
Ｓｍ＝（（Ｆ＋Ｇ）×（ｍ−１）＋Ｅ）／（Ｙ／Ｘ）・・・（２）
Ｔｍ＝（（Ｆ＋Ｇ）×（ｍ−１）＋Ｅ＋Ｆ）／（Ｙ／Ｘ）・・・（３）
【００８０】
例えば、基板枚数が６枚（ｎ＝８）、サセプタ１２の設定回転数Ｘが１ｒｐｍ（１分間に１回転）、時間Ｅが１ｓｅｃ、時間Ｆが７ｓｅｃ、時間Ｇが３ｓｅｃに設定され、かつトリガ信号が送信された際のサセプタ１２の実回転数Ｙが５ｒｐｍの場合、トリガ信号を検出したときを０ｓｅｃとして反射強度の測定を開始すると、各基板の反射強度の測定開始点に反射強度の測定点が至る時間（測定開始時間）Ｓｍと各基板の反射強度の測定終了点に反射強度の測定点が至る時間（測定終了時間）Ｔｍとは、表１に示す時間となる。また、反射強度の測定点が６枚目の基板２０−６を通過し、トリガ信号が検出されると計測時間はリセットされて０に戻る。
【００８１】
【表１】
2015074821.tif 000003
【００８２】
本実施の形態の気相成長装置の膜厚測定方法は、サセプタ１２の周方向に等間隔で複数の基板２０を載置させ、複数の基板２０を加熱した状態で、サセプタ１２を回転させる工程と、サセプタ１２が収容されたチャンバ１１内に原料ガスを供給することで、気相成長法により、複数の基板２０の表面２０ａに膜２１を成長させると共に、複数の基板２０の表面２０ａに成長する膜２１に対して、所定の波長とされたレーザ光を円弧状に連続的に照射し、反射されたレーザ光の反射強度の振幅に基づいて、成長中の膜２１の厚さを連続的に取得する工程と、を含み、レーザ光を照射する基板２０上の領域（円弧状の曲線Ｂ）を、トリガ信号が送信されたときのサセプタ１２の回転数と、予め設定され、かつサセプタ１２、基板２０、及びトリガ信号との関係から得られる設定値と、に基づいて決定することを特徴とする（図１参照。）。
【００８３】
図４の場合、レーザ光を照射及び反射させる領域は、例えば、１枚目の基板２０−１の場合、点Ｌ２から点Ｌ３の区間（言い換えれば、曲線Ｂ）とすることができ、他の基板２０−２〜２０−６についてもレーザ光を照射及び反射させる区間は、１枚目の基板２０−１と同じ区間（点Ｌ２から点Ｌ３に相当する区間、言い換えれば、曲線Ｂ）を用いることができる。
このように、基板２０−１〜２０−６の円弧状の曲線Ｂにレーザ光を照射及び反射させ、反射されるレーザ光の反射強度を取得することで、複数の基板２０−１〜２０−６を１枚の基板とみなして連続的に反射強度を取得することが可能となる。
【００８４】
また、照射膜厚測定器３８の下方に基板２０−１〜２０−６が存在する間、基板２０−１〜２０−６から反射されるレーザ光（反射光）の反射強度を連続的に取得し、複数の基板から反射された反射強度に関するデータを１つのデータとして扱うことで、基板２０上に成長する膜２１の膜厚測定の周期を短くすることが可能となる。
このため、サセプタ１２の回転速度が遅く、かつ基板２０上に成長する膜２１の成長速度が速い場合でも、膜２１の膜厚測定の周期が短くなるため、反射されたレーザ光の反射強度の振幅を正しく測定することが可能となる。
【００８５】
したがって、サセプタ１２の回転速度が遅く、かつ基板２０上に成長する膜２１の成長速度が速い場合でも、反射されたレーザ光の反射強度の振幅に基づいて、成長途中の膜２１の厚さを正確に求めることができる。
【００８６】
本実施の形態の膜厚測定方法は、膜２１の成長速度が１０μｍ／ｈｏｕｒ以上の場合に特に有効である。
【００８７】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００８８】
（実施例）
実施例では、図１に示す気相成長装置として、大陽日酸株式会社製のＭＯＣＶＤ装置（型番；ＵＲ２６Ｋ）を用いて、図４に示す６枚の基板２０−１〜２０−６の表面に、膜２１として厚さ３００ｎｍのＡｌＮ膜を成長させる際のＡｌＮ膜の厚さを求めた。
原料ガスとしては、ＮＨ３、及びＴＭＡを用いた。このとき、ＴＭＡの供給量を１００００μｍｏｌ／ｍｉｎとした。
基板２０−１〜２０−６としては、厚さが７２５μｍ、外径が８インチのシリコン基板（シリコンウェハ）を用いた。成膜時の基板２０−１〜２０−６の温度は、１１００℃とした。また、ＡｌＮ膜の成長速度は、１０μｍ／ｈｏｕｒとした。
【００８９】
膜厚測定器３８としては、Ｌａｙｔｅｃ社製の膜厚測定器であるＥｐｉＣｕｒｖｅ  ＴＴ  Ｔｗｏ  ＡＲを用いた。また、レーザ光としては、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光を用いた。
各基板２０−１〜２０−６の膜厚を算出する距離（図４に示す円Ｄの円周上における点Ｌ２から点Ｌ３までの距離）は、１７０ｍｍとした。
【００９０】
図７に、実施例で取得したレーザ光の反射強度（ａ．ｕ）と経過時間（ｓｅｃ）との関係を示す。
【００９１】
（比較例）
比較例では、特許文献１に開始された気相成長装置（６枚の基板に同時に成膜可能なサセプタを有した装置）として、大陽日酸株式会社製のＭＯＣＶＤ装置（型番；ＵＲ２６Ｋ）を用いて、６枚の基板の表面に、膜として厚さ３００ｎｍのＡｌＮ膜を成長させる際のＡｌＮ膜の厚さを求めた。
【００９２】
原料ガスとしては、ＮＨ３、及びＴＭＡを用いた。このとき、ＴＭＡの供給量を１０００μｍｏｌ／ｍｉｎとした。つまり、比較例では、実施例のＴＭＡの供給量の１／１０のＴＭＡを供給した。
上記６枚の基板としては、厚さが７２５μｍ、外径が８インチのシリコン基板（シリコンウェハ）を用いた。
【００９３】
特許文献１に記載のトリガとしては、オムロン株式会社製のプログラマルコントローラー装置であるＣＪ２（型番）を用いた。
また、膜厚測定器３８としては、Ｌａｙｔｅｃ社製の膜厚測定器であるＥｐｉＣｕｒｖｅ  ＴＴ  Ｔｗｏ  ＡＲを用いた。また、レーザ光としては、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光を用いた。
成膜時の６枚の基板の温度は、１１００℃とした。また、ＡｌＮ膜の成長速度は、１０μｍ／ｈｏｕｒとした。
【００９４】
膜厚測定器３８（具体的には、Ｌａｙｔｅｃ社製の膜厚測定器であるＥｐｉＣｕｒｖｅ  ＴＴ  Ｔｗｏ  ＡＲ（型番））を用いた。また、レーザ光としては、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光を用いた。
各基板の膜厚を算出する距離は、実施例と同じ距離を用いた。
【００９５】
図７に、比較例で取得したレーザ光の反射強度（ａ．ｕ）と経過時間（ｓｅｃ）との関係を示す。
【００９６】
図７を参照するに、比較例では、膜厚測定を６枚の基板の中心のみで行い、かつ同一の基板のみで測定した膜厚データを１つのデータとして扱うため、サセプタの回転数が遅いと、膜厚測定の周期が長くなる。このため、反射強度のデータの数が少なくなり、反射強度の振幅が一定になっていなかった。
この結果、比較例のレーザ光の反射強度の振幅に基づいて、成長途中のＡｌＮ膜の厚さを正確に求めることができなかった。
【００９７】
一方、実施例では、基板２０−１〜２０−６を点ではなく、所定の領域（曲線Ｂに対応する基板２０−１の領域）において、反射されたレーザ光の反射強度を利用して、取得した複数の基板２０−１〜２０−６の反射強度のデータを１つのデータとして扱うため、比較例よりも反射強度のデータの数が多くなり、反射強度の振幅が一定となった。
このことから、実施例のレーザ光の反射強度の振幅から成長途中の膜２１の厚さを正確に求めることができることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明は、自公転型の気相成長装置を使用して、気相成長法により成長する膜の厚さを測定可能な気相成長装置の膜厚測定方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００９９】
１０…気相成長装置、１１…チャンバ、１１−１…チャンバ本体、１１−２…開口部、１１−３…貫通部、１１−４…光透過性窓部材、１２…サセプタ、１２−１…サセプタ本体、１２−１ａ，１２−３ａ，１２−５ａ，１４ａ…上面、１２−１ｂ…下面、１２−２…貫通部、１２−３…外歯車付きリング状固定部材、１２−３Ａ…外歯車、１２−３Ｂ…収容部、１２−４…ボール、１２−５…基板載置部材、１２−５ｂ…基板載置面、１２−５Ａ…基板収容部、１３…回転軸、１４…内歯車付きリング状固定部材、１４−１…リング状部材、１４−２…内歯車部、１５…モーター、１７…ガス供給部、１７Ａ…原料ガス供給口、１９…原料ガス供給源、２０，２０−１〜２０−６…基板、２０ａ…表面、２０ｂ…裏面、２１…膜、２３…ガイド部材、２３−１…第１のガイド部材、２３−２…第２のガイド部材、２５…加熱部収容部、２７…加熱部、２９…不活性ガス導出部、３２…不活性ガス導入部、３４…排気部、３６…温度計、３８…膜厚測定器、３８−１…測定部、３８−２…演算部、４１…制御装置、Ａ…領域、Ｂ…曲線、Ｃ…中心、Ｄ…円、Ｌ０〜Ｌ１０…点
【図１】
2015074821.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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