(57)【要約】      （修正有）【課題】ＯＬＥＤの発光面積を大きくすることで、開口率を大きくし、ＯＬＥＤディスプレィの表示の明るさを有効に向上させ、両面表示を行う。【解決手段】ＯＬＥＤ基板１０と、ＯＬＥＤ基板１０に対向するように配置されたパッケージ基板と、ＯＬＥＤ基板とパッケージ基板の間に配置された接着材３０と、を備える両面ディスプレィであって、パッケージ基板は、電気泳動膜２０であり、電気泳動膜２０のＯＬＥＤ基板１０を覆わない部分は、両面ディスプレィの一面の表示を行い、ＯＬＥＤ基板１０は、両面ディスプレィの他の一面の表示を行う。ＯＬＥＤ基板１０と電気泳動膜２０は、個別または同時に表示を行うことができる。これにより、ユーザの異なるニーズに応じることができる。さらに、ＯＬＥＤ表示と電気泳動膜２０での表示は、相補的に行われ、発光する画素の面積を有効に利用し、より良好な発光効果を得ることができる。【選択図】図４
2015152925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ基板と、
前記ＯＬＥＤ基板に対向するように配置されたパッケージ基板と、
前記ＯＬＥＤ基板と前記パッケージ基板の間に配置された接着材と、を備える両面ディスプレィであって、
前記パッケージ基板は、電気泳動膜であり、  前記電気泳動膜の前記ＯＬＥＤ基板を覆わない部分は、両面ディスプレィの一面の表示を行い、
前記ＯＬＥＤ基板は、前記両面ディスプレィの他の一面の表示を行う    
ことを特徴とする両面ディスプレィ。
【請求項２】
前記ＯＬＥＤ基板及び前記電気泳動膜は、個別または同時に表示を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の両面ディスプレィ。
【請求項３】
前記ＯＬＥＤ基板には、ＯＬＥＤ発光素子とアクティブマトリックス薄膜トランジスタが配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の両面ディスプレィ。
【請求項４】
前記ＯＬＥＤ基板は、剛性材料またはフレキシブル材料からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の両面ディスプレィ。
【請求項５】
前記電気泳動膜は、フレキシブル表示可能である
ことを特徴とする請求項１に記載の両面ディスプレィ。
【請求項６】
駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）と、
ドレインがデータ線に接続され、ゲートが第１走査制御線に接続され、ソースが蓄積用コンデンサの一端及び前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）のゲートに接続される第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）と、を含む両面ディスプレィの制御装置であって、
さらに、ドレインが前記データ線に接続され、ゲートが第２走査制御線に接続され、ソースが電気泳動膜の電極に接続される第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）を備え、
前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）は、そのゲートが前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソースに接続され、ドレインが電源線に接続され、ソースが前記ＯＬＥＤ基板の正極に接続される
ことを特徴とする請求項１に記載の両面ディスプレィの制御装置。
【請求項７】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）がオンすると、データ線の電圧であるデータ電圧が前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）を介して蓄積用コンデンサに書き込まれ、そして、前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）がオフし、前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）がオンすると、電源線からの電流が前記ＯＬＥＤ基板を流れて、前記ＯＬＥＤ基板が表示を行う
ことを特徴とする請求項６に記載の制御装置。
【請求項８】
前記ＯＬＥＤ基板を流れる前記電流の大きさは、前記データ電圧の大きさで制限される
ことを特徴とする請求項７に記載の制御装置。
【請求項９】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）がオフ状態であり、且つ前記第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）がオン状態である場合、前記電気泳動膜のみを用いて表示を行い、
前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）及び前記第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）が同時にオン状態である場合、前記ＯＬＥＤ基板及び前記電気泳動膜両者を用いて、同時に表示を行う
ことを特徴とする請求項７に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）及び前記第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）は、同一の前記データ線を共有する
ことを特徴とする請求項６に記載の制御装置。
【請求項１１】
透明基板に半導体層を堆積し、当該半導体層に対してパターニングを行う工程と、
パターニングされた前記半導体層に一斉に第１絶縁層と第１金属層を堆積し、当該第１金属層に対してパターニングを行う工程と、
パターニングされた前記第１金属層に第２絶縁層を堆積し、当該第２絶縁層に対してパターニングを行う工程と、
第２金属層を堆積し、当該第２金属層に対してパターニングを行う工程と、
パターニングされた前記第２金属層の表面に平坦層を形成し、当該平坦層に対してパターニングを行う工程と、
前記平坦層の表面に画素電極層を堆積し、前記画素電極層の第１部分を、前記ＯＬＥＤ基板の正極として前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）のドレインに接続し、前記画素電極層の第２部分を、前記電気泳動膜での表示を制御するように前記電気泳動膜の画素電極に接続する工程と、
前記ＯＬＥＤ基板の上に、ＯＬＥＤ発光材料と負極材料を順に蒸着し、ＯＬＥＤデバイスを形成する工程と、
前記電気泳動膜でパッケージングを行う工程とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の両面ディスプレィの製造方法。
【請求項１２】
前記透明基板は、ガラス基板である
ことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体層は、非晶質シリコン、低温ポリシリコン、または酸化物である
ことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記平坦層は、スピンコーティングにより形成される
ことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記画素電極層の第１部分と前記画素電極層の第２部分は、互いに独立している
ことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面表示可能なディスプレィ、両面ディスプレィの制御装置、及び両面ディスプレィの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）ディスプレィは、有機分子薄膜から構成される固体装置であり、電圧が印加されると、発光することができる。多くのＯＬＥＤディスプレィは、有機層が両側の電極の間に配置されるようなサンドイッチ構造を有する。正孔と電子は、それぞれ、正極と負極から注入され、有機層の中で伝導し、伝導する正孔と電子の対がクーロン力により束縛状態となり、励起子を生成し、放射して発光する。光エネルギーを放出するために、正極は、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）からなる透明電極を使用し、負極は、主にＭｇ、Ｌｉ等の、低仕事関数を有する金属を使用する。ＯＬＥＤディスプレィは、電子設備により明るく、鮮明な画像を生成させることができ、その消費電力が従来のＬＥＤディスプレィより低い。ＯＬＥＤディスプレィは、下記のような利点がある。ＬＥＤまたはＬＣＤの結晶層と比べると、ＯＬＥＤ有機フィルム層は、より薄く、軽く且つ柔軟であり、ＯＬＥＤディスプレイは、自発光材料からなるので、バックライトが不要となり、また、視野が広く、画質が均一であり、応答速度が速く、カラー化が容易であり、簡単な駆動回路で発光することができ、製造過程が簡単で、可撓性を有するパネルを作成できる。即ち、ＯＬＥＤディスプレイは、軽・薄・短小化の原則に適している。
【０００３】
図１は、従来のＯＬＥＤディスプレィ１’の断面を例示的に示す図である。このＯＬＥＤディスプレィ１’は、ボトムエミッション型ＯＬＥＤディスプレィである。符号１０’は、ＯＬＥＤ基板を示す。このＯＬＥＤ基板１０’には、ＯＬＥＤ発光素子とアクティブマトリックス薄膜トランジスタが配置されている。このＯＬＥＤ基板１０’の材料は、剛性を有してもよく、フレキシブルを有してもよい。符号２０’は、パッケージ基板を示す。このパッケージ基板２０’は、通常、ガラス等の剛性な基板からなってもよく、有機膜と無機膜を交互に積層したフレキシブルを有する薄膜パッケージを使用してもよい。このＯＬＥＤディスプレィ１’のＯＬＥＤ基板１０’とパッケージ基板２０’との間には、ＯＬＥＤ基板１０’とパッケージ基板２０’を固定し接続するための接着材３０’が付けられている。図１において、矢印で示される方向は、このＯＬＥＤディスプレィ１’の光の出射する方向であり、ＯＬＥＤディスプレィ１’の下面は、光の出射面である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
当該従来技術のＯＬＥＤディスプレィの画素の平面図は、図２に示した図である。図２には、３つのサブ画素が示されている。図２において、符号２１’で示される領域は、空白領域であり、２２’で示される領域は、画素の実際に発光する面積である。図２から分かるように、蒸着精度の影響を受けることに起因して、従来のＯＬＥＤディスプレィの実際に発光する面積は、非常に小さいため、製品の明るさが低くなってしまう。
【０００５】
図３は、従来技術によるＯＬＥＤディスプレィの画素の回路図である。図３において、Ｔ１は、スイッチング薄膜トランジスタであり、Ｔ２は、駆動用薄膜トランジスタであり、トランジスタＴ１のドレインにデータ線Ｖｄａｔａが接続され、ゲートに第１走査制御線Ｓｃａｎ１が接続され、ソースに蓄積用コンデンサの一端及び第２トランジスタＴ２のゲートが接続されている。トランジスタＴ１がオンすると、データ線Ｖｄａｔａに対応する電圧がトランジスタＴ２のゲートに書き込まれ、蓄積用コンデンサに蓄積される。その後、トランジスタＴ１がオフ状態になる。トランジスタＴ２のゲートにトランジスタＴ１のソースが接続され、そのドレインに電源ＶＤＤが接続され、そのソースにＯＬＥＤの正極が接続され、蓄積用コンデンサにおいて蓄積された電圧を用いてＯＬＥＤを流れる電流の大きさを制御することで、ＯＬＥＤの発光強度を制御する。
【０００６】
上記のように、従来技術のＯＬＥＤディスプレィは、蒸着精度に制限されるため、実際にＯＬＥＤの発光する面積が非常に小さく、開口率も非常に低く、大部分の画素面積が利用されていない。従来技術のＯＬＥＤディスプレィにおいて、開口面積は、２０％しか達していない。従って、上記ＯＬＥＤディスプレィの明るさは、比較的低く、ユーザの要求を満たすことができない場合がある。
【０００７】
本開示は、上記従来技術の問題点を鑑みてなされたものであり、表示領域を有効に利用可能、かつ両面表示可能なＯＬＥＤ両面ディスプレィを提供し、さらに、前記両面ディスプレィの制御装置、及び前記両面ディスプレィを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の１つの技術方案によると、両面ディスプレィは、ＯＬＥＤ基板と、前記ＯＬＥＤ基板に対向するように配置されたパッケージ基板と、前記ＯＬＥＤ基板と前記パッケージ基板の間に配置された接着材とを備える。前記パッケージ基板は、電気泳動膜であり、前記ＯＬＥＤ基板において、ＯＬＥＤデバイスの発光領域は、ＯＬＥＤでの表示を行い、ＯＬＥＤデバイスの発光領域でない領域においては、電気泳動膜での表示を行う。ＯＬＥＤの光の出射面は、下方に向いて、電気泳動膜での表示は、上方に向く。ＯＬＥＤと電気泳動膜は、個別または同時に表示を行うことができる。
【０００９】
前記ＯＬＥＤ基板には、ＯＬＥＤ発光素子とアクティブマトリックス薄膜トランジスタが配置されている。
【００１０】
前記ＯＬＥＤ基板は、剛性材料またはフレキシブル材料からなる。
前記電気泳動膜は、フレキシブル表示可能である。
【００１１】
本発明は、さらに、両面ディスプレィの制御装置を開示している。この制御装置は、駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）と、ドレインがデータ線に接続され、ゲートが第１走査制御線に接続され、ソースが蓄積用コンデンサの一端及び前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）のゲートに接続される第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）と、を含む両面ディスプレィの制御装置であって、さらに、ドレインが前記データ線に接続され、ゲートが第２走査制御線に接続され、ソースが電気泳動膜の電極に接続される第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）を備える。
【００１２】
前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）は、そのゲートが前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソースに接続され、ドレインが電源線に接続され、ソースが前記ＯＬＥＤ基板の正極に接続される。
【００１３】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）がオンすると、データ線の電圧であるデータ電圧が前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）を介して蓄積用コンデンサに書き込まれ、前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）がオンすると、前記電源からの電流が前記ＯＬＥＤ基板を流れることで、前記ＯＬＥＤが表示を行う。即ち、ＯＬＥＤ表示のみを行う場合、先にトランジスタＴ１をオンすることで、データ電圧が前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）を介して蓄積用コンデンサに書き込まれ、その後トランジスタ（Ｔ１）をオフし、薄膜トランジスタＴ２をオンしてＯＬＥＤを発光させる。
【００１４】
前記ＯＬＥＤ基板を流れる前記電流の大きさは、前記データ電圧の大きさで制限される。
【００１５】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）がオフ状態であり、且つ前記第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）がオン状態である場合、前記電気泳動膜のみを用いて表示を行い、前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）及び前記第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）が同時にオン状態である場合、前記ＯＬＥＤ基板及び前記電気泳動膜両者を用いて、同時に表示を行う。
【００１６】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ１）及び前記第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔ３）は、同一の前記データ線を共有する。
【００１７】
本発明は、さらに、両面ディスプレィの製造方法を開示している。この製造方法は、透明基板に半導体層を堆積し、当該半導体層に対してパターニングを行う工程と、パターニングされた前記半導体層に一斉に第１絶縁層と第１金属層を堆積し、当該第１金属層に対してパターニングを行う工程と、パターニングされた前記第１金属層に第２絶縁層を堆積し、当該第２絶縁層に対してパターニングを行う工程と、第２金属層を堆積し、当該第２金属層に対してパターニングを行う工程と、パターニングされた前記第２金属層の表面に平坦層を形成し、当該平坦層に対してパターニングを行う工程と、前記平坦層の表面に画素電極層を堆積し、前記画素電極層の第１部分を、前記ＯＬＥＤ基板の正極として前記駆動用薄膜トランジスタ（Ｔ２）のドレインに接続し、前記画素電極層の第２部分を、前記電気泳動膜の画素電極に接続する工程と、前記ＯＬＥＤ基板の上に、ＯＬＥＤ発光材料と負極材料を順に蒸着し、ＯＬＥＤデバイスを形成する工程と、前記電気泳動膜でパッケージングを行う工程とを含む。
【００１８】
前記基板は、透明な剛性基板でもよく、透明なフレキシブル基板であってもよい。
前記半導体層は、非晶質シリコン、低温ポリシリコン、または酸化物であってもよい。
【００１９】
前記平坦層は、スピンコーティングにより形成される。
前記画素電極層の第１部分と前記画素電極層の第２部分は、互いに独立するように形成される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による両面ディスプレィは、ＯＬＥＤの発光面積を大きくすることで、開口率を大きくし、ＯＬＥＤディスプレィの表示の明るさを有効に向上させて両面表示を行う。これにより、ユーザの異なるニーズに応えることができる。なお、本発明において、ＯＬＥＤ表示と電気泳動膜での表示は、相補的に行われ、発光画素面積を有効に利用し、より良好な発光効果を得ることができる。
【００２１】
以上の一般的な記述及び以下の詳細な記述は、例示的及び説明のためのものであり、本発明のさらなる説明のためになされたものである。
【００２２】
ここでの図面は、本開示をより理解できるように提供され、明細書の一部分として明細書全体を構成することにより、本開示に示した実施例を合わせて、本開示の原理を解釈するためのものである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来技術によるＯＬＥＤディスプレィの断面を例示的に示す断面図である。
【図２】図１に示す従来技術によるＯＬＥＤディスプレィの画素の平面図である。
【図３】従来技術によるＯＬＥＤディスプレィの画素の回路図である。
【図４】本発明によるＯＬＥＤディスプレィの断面を例示的に示す断面図である。
【図５】本発明によるＯＬＥＤディスプレィの画素の平面図である。
【図６】本発明によるＯＬＥＤディスプレィの画素の回路図である。
【図７】本発明によるＯＬＥＤディスプレィの画素の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。
図４は、本発明によるＯＬＥＤディスプレィ１を例示的に示す断面図である。図４に示すように、本発明によるＯＬＥＤディスプレィ１は、ＯＬＥＤ発光素子とアクティブマトリックス薄膜トランジスタが配置され、ＯＬＥＤ基板１０と、ＯＬＥＤ基板１０に対向するように配置されたパッケージ基板と、ＯＬＥＤ基板１０とパッケージ基板との間に配置された接着材３０とを含む。ＯＬＥＤ基板１０は、剛性基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。本発明において、パッケージ基板は、例えば、電気泳動膜２０を用いる。接着材３０は、ＯＬＥＤ基板１０と電気泳動膜２０とを接着する。
【００２５】
本発明において、電気泳動膜２０は、パッケージ材料としてＯＬＥＤ基板１０のパッケージングする以外、フレキシブル表示を行うことができる。電気泳動膜２０自身は、画像を表示することができ、その両端に電圧が印加されることで、電気泳動膜２０の内部の電気泳動膜セルにおける正電荷と負電荷は、それぞれ、２つの方向に移動し、画像を表示する。電気泳動膜２０の重要な役割は、双安定状態を有することにある。即ち、外部の電場の印加がなくなる場合においても、表示することができる。実際の応用において、例えば、動態のカラー画像のみを表示する場合、ＯＬＥＤ表示に切り替え、一方、モノクロ画像を表示する場合、電気泳動膜のみで表示することにより、電力をより節約することができる。従って、本発明によれば、電気泳動膜２０は、ＯＬＥＤの表示領域を覆う部分がパッケージ材料として機能し、ＯＬＥＤの表示領域を覆う部分以外、その両端に電圧が印加されることにより、電気泳動膜として表示する。図４において、矢印で示したように、本発明の１つの実施例によるＯＬＥＤディスプレィは、下方から光を出射し、即ち、このＯＬＥＤディスプレィの下部に位置する面が光の出射面である。ＯＬＥＤディスプレィの上部にある電気泳動膜２０も表示を行うことができるので、このような構成により、ＯＬＥＤディスプレィは、両面表示することができる。例えば、文字のみ又はモノクロ画面のみを表示する場合、電気泳動膜２０で表示することで、電力をより節約できる効果を奏する。
【００２６】
図５は、本発明によるＯＬＥＤディスプレィの画素の平面図である。本発明によるＯＬＥＤディスプレィにおいて、空白領域２１において画素層２３が追加され、図２に示す従来技術によるＯＬＥＤディスプレィの画素の平面図と比べると、画素層を十分に利用することができ、ＯＬＥＤ表示の発光できない領域に、電気泳動膜の画素電極層を配置することで、ＯＬＥＤの発光する面積を低減しないうえで、電気泳動膜表示機能を追加することができる。
【００２７】
図６は、本発明によるＯＬＥＤディスプレィの画素の回路図である。図３に従来技術によるＯＬＥＤディスプレィの画素の回路図に比較して、本発明によるＯＬＥＤディスプレィの画素の回路図は、スイッチング薄膜トランジスタＴ３をさらに含む。薄膜トランジスタＴ１のドレインにデータ線Ｖｄａｔａが接続され、そのゲートに第１走査線Ｓｃａｎ１が接続され、そのソースに薄膜トランジスタＴ２のゲートが接続される。薄膜トランジスタＴ２のゲートに薄膜トランジスタＴ１のソースが接続され、そのドレインに電源ＶＤＤが接続され、そのソースがＯＬＥＤの正極が接続される。薄膜トランジスタＴ３のドレインにデータ線Ｖｄａｔａが接続され、そのゲートに第２走査線Ｓｃａｎ２が接続され、そのソースに電気泳動膜の電極が接続される。ＯＬＥＤ表示のみを行う場合、薄膜トランジスタＴ１をオンし、データ電圧Ｖｄａｔａを薄膜トランジスタＴ１を介して蓄積用コンデンサに書き込む。蓄積用コンデンサの一端に薄膜トランジスタＴ２のゲートが接続され、その他端に電源ＶＤＤが接続される。トランジスタＴ２がオンすると、電源ＶＤＤによりＯＬＥＤに電流を流れ、ＯＬＥＤを発光させる。ＯＬＥＤを流れる電流の大きさは、Ｖｄａｔａの大きさにより制御される。即ち、ＯＬＥＤ表示のみを行う場合、先ず、トランジスタＴ１をオンさせ、データ電圧を第１スイッチングトランジスタ（Ｔ１）を介して蓄積用コンデンサに書き込んだ後、Ｔ１をオフし、その後、薄膜トランジスタＴ２をオンし、ＯＬＥＤに発光を始めさせる。電気泳動膜で表示のみを行う場合、薄膜トランジスタＴ１は、オフ状態にあり、薄膜トランジスタＴ３がオンする。両面表示を行う場合、トランジスタＴ１とＴ３を同時にオン状態にすることで、ＯＬＥＤと電気泳動膜での表示を同時に行うことができる。
【００２８】
図７は、本発明によるＯＬＥＤディスプレィの１つの実施例の画素の断面図である。この実施例によると、本発明によるＯＬＥＤディスプレィの製造プロセスは、下記の通りである。
【００２９】
まず、ガラス基板４０に半導体層４１を堆積し、パターニングを行う。ＯＬＥＤに下部から光を出射させるために、基板４０は、他の透明材料からなってもよい。半導体層４１は、非晶質シリコンや、低温ポリシリコンや、酸化物等であってもよい。その後、パターニングされた半導体層４１の上に第１絶縁層４２、第１金属層４３を順番に堆積し、第１金属層４３に対してパターニングを行う。パターニングされた第１金属層４３の第１部分４３ａは、図６に示したトランジスタＴ２のゲートに対応する。パターニングされた第１金属層４３の第２部分４３ｂは、図６に示したトランジスタＴ１のゲートに対応する。パターニングされた第１金属層４３の第３部分４３ｃは、図６に示したトランジスタＴ３のゲートに対応する。パターニングされた第１金属層４３の第１部分４３ａは、薄膜トランジスタＴ１のドレイン４５ｃと接続されている。
【００３０】
その後、パターニングされた金属層４３に第２絶縁層４４を堆積し、第２絶縁層４４に対してパターニングを行う。パターニングを行う目的は、半導体層４１の表面と、第１金属層４３の表面にスルーホールを形成することにあり、スルーホールを形成する目的は、半導体層４１と第２金属層４５、第１金属層４３と第２金属層を電気的に接続することにある。その後、第２金属層４５を堆積し、当該第２金属層４５に対してパターニングを行う。パターニングされた第２金属層４５の第４部分４５ｄは、図６に示したデータ線Ｖｄａｔａに対応する。トランジスタＴ１とトランジスタＴ３は、同一のデータ線Ｖｄａｔａを共有する。パターニングされた第２金属層４５の第１部分４５ａは、図６に示したトランジスタＴ２のドレインに対応する。即ち、ＯＬＥＤの正極には、ＯＬＥＤの画素電極４７ａが接続される。パターニングされた第２金属層４５の第２部分４５ｂは、図６に示した電源ＶＤＤに対応する。パターニングされた第２金属層４５の第３部分４５ｃは、図６に示したトランジスタＴ１のドレインに対応する。ドレイン４５ｃには、薄膜トランジスタＴ２のゲートが接続される。パターニングされた第２金属層４５の第５部分４５ｅには、図６に示した薄膜トランジスタＴ３のドレインが接続される。即ち、電気泳動膜の画素電極４７ａが接続される。パターニングされた第２金属層４５の表面に、スピンコーティングにより平坦層４６を形成し、平坦層４６に対してパターニングを行う。この平坦層は、例えば、平坦化するためのＯＣ層であってもよい。平坦層４６の表面に画素電極層４７を堆積する。画素電極層４７の第１部分４７ａは、薄膜トランジスタＴ２のドレインと接続され、ＯＬＥＤの正極として機能する。画素電極層４７の第２部分４７ｂは、電気泳動膜の画素電極、即ち、薄膜トランジスタＴ３のドレインと接続される。画素電極層４７の第１部分４７ａと画素電極層４７の第２部分４７ｂは、お互いに独立している。その後、ＯＬＥＤの上部に、ＯＬＥＤ発光材料、負極材料を順番に蒸着し、ＯＬＥＤデバイスを形成する。その後、電気泳動膜でパッケージングを行い、画素電極、即ち画素電極層４７の第２部分４７ｂを利用して、電気泳動膜での表示を制御する。
【００３１】
トランジスタＴ１とトランジスタＴ３は、同一のデータ線４５ｄを共有しており，薄膜トランジスタＴ３のゲート４３ｃにオン電圧を印加すると、薄膜トランジスタＴ３が導通され、チャンネルに電流が流れ、画素電極４７ｂにデータ電圧Ｖｄａｔａが書き込まれ、電気泳動膜５０の両側に電圧差が生じ、当該電圧差により、電気泳動膜５０の中の正粒子セル・負粒子セルが互いに対向する両側に移動し、電気泳動膜での表示を行う。薄膜トランジスタＴ１のソース４５ｃに、薄膜トランジスタＴ２のゲート４３ａが接続されるので（図示なし），トランジスタＴ１がオンすると、データ線４５ｄの電圧が薄膜トランジスタＴ２のゲートに書き込まれ、図４に示したゲート４３ａと電源ＶＤＤ（図７中の４５ｂ）との間のコンデンサ（図示なし）に蓄積される。コンデンサに蓄積された電圧の大きさで薄膜トランジスタＴ２のオン・オフを制御できる。薄膜トランジスタＴ２がオンすると、電流は、電源ＶＤＤ、４５ｂからソース４５ａに流れ、ＯＬＥＤデバイスを流れることにより、ＯＬＥＤでの表示を行うことができる。この電流の大きさは、蓄積コンデンサの電圧と関連する。ＯＬＥＤ材料４８の発光時の明るさは、ＯＬＥＤデバイスを流れる電流の大きさと関連する。薄膜トランジスタＴ１とＴ３が同時にオンすると、電気泳動膜とＯＬＥＤは、同時に表示を行う。
【００３２】
上記図７の実施例に示した双面ディスプレイの動作プロセスは、下記のようである。ＯＬＥＤで表示する場合，まず、当該第１スイッチング薄膜トランジスタＴ１をオンさせ、電圧を当該第１スイッチング薄膜トランジスタＴ１を介して蓄積コンデンサに書き込み、そして、当該トランジスタＴ１をオフさせた後、薄膜トランジスタＴ２をオンさせ、ＯＬＥＤの発する光が下方の透明な基板を透過して出射し表示を行う。電気泳動膜で表示する場合、薄膜トランジスタＴ１がオフ状態にあり、薄膜トランジスタＴ３をオンさせ、上側に位置する電気泳動膜で表示を行う。双面で表示しようとする場合、薄膜トランジスタＴ１及びＴ３を同時にオン状態にし、これにより、ＯＬＥＤ及び電気泳動膜が同時に表示することができる。
【００３３】
本発明によるＯＬＥＤディスプレィは、電気泳動膜をパッケージ基板として採用することで、両面表示を行うことができる。また、電気泳動膜は、画素層を有効に増やしたので、開口率が大きくなり、ＯＬＥＤ表示の明るさがより向上することができる。
【００３４】
当業者にとって、本発明に対する如何なる補正、変更は、本発明の主旨、範囲に逸脱しない限り、本発明の保護する範囲に含まれることを言うまでもない。従って、本発明は、その補正または変更が添付の請求の範囲及び同等置換の範囲内に入れば、いかなる補正、変更を含むことを意図する。
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図２】
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【図５】
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【図７】
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