(57)【要約】【課題】欠陥が実質的に存在しない切断面を得ることが可能なガラス板の切断方法を提供すること。【解決手段】ガラス板１の切断方法は、積層工程と、加熱工程と、切断工程と、剥離工程とを備える。積層工程で、ガラス板１を支持ガラス２に直接積層してガラス積層体３を形成する。加熱工程で、ガラス積層体３を加熱してガラス板１と支持ガラス２を接着する。切断工程で、ガラス積層体３を、支持ガラス２側からガラス板１側に亀裂を伝搬させることによって切断する。剥離工程で、ガラス積層体３からガラス板１を物理的に剥離する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板を切断する方法であって、
前記ガラス板を支持ガラスに直接積層してガラス積層体を形成する積層工程と、
前記ガラス積層体を加熱して前記ガラス板と前記支持ガラスを接着する加熱工程と、
前記加熱工程後の前記ガラス積層体を、前記支持ガラス側から前記ガラス板側に亀裂を伝搬させることによって切断する切断工程と、
前記切断工程で切断された前記ガラス積層体から前記ガラス板を剥離する剥離工程とを備えることを特徴とするガラス板の切断方法。
【請求項２】
前記加熱工程後における前記ガラス積層体の前記ガラス板と前記支持ガラスの接着力を、前記剥離工程で前記ガラス積層体から前記ガラス板を物理的に剥離可能な強度としたことを特徴とする請求項１に記載のガラス板の切断方法。
【請求項３】
前記加熱工程後における前記接着力の強度が、０．２５〜０．５Ｊ／ｍ2であることを特徴とする請求項２に記載のガラス板の切断方法。
【請求項４】
前記ガラス板と前記支持ガラスの積層時に対向する面の双方における平均表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のガラス板の切断方法。
【請求項５】
前記加熱工程で、レーザビームによって前記ガラス積層体における切断予定線を含む領域を局所加熱することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のガラス板の切断方法。
【請求項６】
前記ガラス板が前記支持ガラスより薄く、
前記加熱工程で、前記積層体の前記ガラス板側からレーザビームを照射することを特徴とする請求項５に記載のガラス板の切断方法。
【請求項７】
前記切断工程が、前記ガラス積層体を折り割る折り割り工程で構成され、
前記折り割り工程で、前記ガラス積層体の前記支持ガラスにチップでスクライブラインを形成することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のガラス板の切断方法。
【請求項８】
前記ガラス板が前記支持ガラスより小さいことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のガラス板の切断方法。
【請求項９】
前記ガラス板は、厚さが３００μｍ以下のガラスフィルムであることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載のガラス板の切断方法。
【請求項１０】
少なくとも一辺の端面が切断面であり、前記切断面に欠陥が実質的に存在しないことを特徴とするガラス板。
【請求項１１】
デバイス部が作製されたガラス板を基板とした電子デバイスを製造する方法であって、
前記ガラス板を支持ガラスに直接積層してガラス積層体を形成する積層工程と、
前記ガラス積層体の前記ガラス板にデバイス部を作製する加熱を伴うデバイス作製工程と、
前記デバイス作製工程後の前記ガラス積層体を、前記支持ガラス側から前記ガラス板側に亀裂を伝搬させることによって切断する切断工程と、
前記切断工程で切断された前記ガラス積層体から前記デバイス部が作製された前記ガラス板を剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
少なくとも一辺の端面が切断面であり、前記切断面に欠陥が実質的に存在しないガラス板を基板としたことを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス板の切断方法、ガラス板、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、近年では、電子機器等の発達に伴って、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ（サーフェイスエミッションディスプレイを含む）およびエレクトロルミネッセンスディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）やセンサの基板、あるいは固体撮像素子やレーザダイオード等の半導体パッケージ用カバー、さらには薄膜化合物太陽電池の基板等の多種に亘るガラス板が使用されている。
【０００３】
このようなガラス板の切断方法として、例えば特許文献１には、ガラス板を支持ガラスに積層させた状態で、レーザ熱割断することで、ガラス板を切断する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２３０９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、割断の起点となる初期クラックをガラス板にあらかじめ形成しなければならない。このため、ガラス板の切断面に、初期クラックに起因する欠陥が残存する。このような欠陥は、破損等の原因となる可能性があり、無くすことが好ましい。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑み、欠陥が実質的に存在しない切断面を得ることが可能なガラス板の切断方法を提供することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために創案された本発明のガラス板の切断方法は、ガラス板を切断する方法であって、前記ガラス板を支持ガラスに直接積層してガラス積層体を形成する積層工程と、前記ガラス積層体を加熱して前記ガラス板と前記支持ガラスを接着する加熱工程と、前記加熱工程後の前記ガラス積層体を、前記支持ガラス側から前記ガラス板側に亀裂を伝搬させることによって切断する切断工程と、前記切断工程で切断された前記ガラス積層体から前記ガラス板を剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする。ここで、ガラス板の切断とは、ガラス板の完全な切断（フルボディカット）のことをいう（以下、同様）。
【０００８】
この構成では、切断工程で、ガラス積層体を、支持ガラス側からガラス板側に亀裂を伝搬させることによって切断する。このため、ガラス板側に上述の初期クラックを形成する必要は無く、ガラス板は、亀裂の伝搬のみで切断される。そして、ガラス板が亀裂の伝搬のみで切断される場合には、切断面に欠陥は実質的に発生しない。すなわち、本発明のガラス板の切断方法では、欠陥が実質的に存在しない切断面を得ることが可能である。なお、欠陥が実質的に存在しないとは、切断面を顕微鏡等で観察した場合に、スクライブチップや研磨紙、砥石等による加工痕を観察することができない状態のことを言う。
【０００９】
上記の構成において、前記加熱工程後における前記ガラス積層体の前記ガラス板と前記支持ガラスの接着力を、前記剥離工程で前記ガラス積層体から前記ガラス板を物理的に剥離可能な強度としたことが好ましい。ここで、物理的に剥離とは、ガラス積層体とガラス板を離隔させる力を、治具、流体等によって付与して、剥離することを意味する。
【００１０】
この構成であれば、剥離工程で、ガラス積層体からガラス板を物理的に剥離することができるので、剥離工程で、エッチング等の化学反応を利用した化学的な処理を使用せずに、ガラス積層体からガラス板を剥離することができる。従って、化学的な処理のための設備や作業が不要なので、本発明のガラス板の切断方法を実施することが容易となる。
【００１１】
そして、この構成において、前記加熱工程後における前記接着力の強度が、０．２５〜０．５Ｊ／ｍ2であることが好ましい。
【００１２】
この構成であれば、切断工程で、ガラス積層体のガラス板を切断することが確実に可能となり、且つ、剥離工程でガラス積層体からガラス板を物理的に剥離することが確実に可能となる。
【００１３】
上記の何れかの構成において、前記ガラス板と前記支持ガラスの積層時に対向する面の双方における平均表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、平均表面粗さＲａはＳＥＭＩ  Ｄ７−９７「ＦＰＤガラス板の表面粗さの測定方法」に準拠した方法により測定すればよい（以下、同様）。
【００１４】
この構成であれば、加熱工程で、加熱により、支持ガラスとガラス板を接着することが容易となる。
【００１５】
上記の何れかの構成において、前記加熱工程で、レーザビームによって前記ガラス積層体における切断予定線を含む領域を局所加熱することが好ましい。
【００１６】
この構成であれば、切断予定線を含む領域を効率よく加熱することができる。そして、接着する領域を少なくすることができるので、剥離工程でガラス積層体からガラス板を物理的に剥離することを容易にすることができる。
【００１７】
そして、この構成において、前記ガラス板が前記支持ガラスより薄く、前記加熱工程で、前記積層体の前記ガラス板側からレーザビームを照射することが好ましい。
【００１８】
この構成であれば、ガラス積層体の支持ガラスとガラス板の界面を効率よく加熱することができる。
【００１９】
上記の何れかの構成において、前記切断工程が、前記ガラス積層体を折り割る折り割り工程で構成され、前記折り割り工程で、前記ガラス積層体の前記支持ガラスにチップでスクライブラインを形成することが好ましい。
【００２０】
例えばレーザ等によりスクライブラインを形成すると、支持ガラスとガラス板の界面が加熱される可能性があり、この界面を、加熱工程での加熱と合わせて２回加熱することになり、支持ガラスとガラス板の接着力の設定が難しくなる可能性がある。これに対し、この構成であれば、切断工程で、支持ガラスとガラス板の界面がほとんど加熱されず、支持ガラスとガラス板の接着力の設定が容易となる。
【００２１】
上記の何れかの構成において、前記ガラス板が前記支持ガラスより小さいことが好ましい。
【００２２】
この構成であれば、積層体の状態で、支持ガラスに、ガラス板からはみ出す部位ができる。この支持ガラスのはみ出した部位を把持するようにすれば、把持する部位を積層体のうち支持ガラスのみに限定することができ、ガラス板を破損したり汚染したりする可能性を低減できる。また、剥離工程で剥離するために、カミソリの刃等の剥離手段をガラス板と支持ガラスとの間に挿入する場合には、剥離手段を支持ガラスのはみ出した部位に沿って移動させることによって、この挿入が容易になる。
【００２３】
上記の何れかの構成において、前記ガラス板は、厚さが３００μｍ以下のガラスフィルムであることが好ましい。
【００２４】
厚さが３００μｍ以下のガラスフィルムでは、その薄さのため、可撓性を有し、そのままでは取り扱いづらい。これに対して、本発明の積層工程を使用して、このガラスフィルムを支持ガラスに積層して積層体を形成した状態にすると、可撓性がある程度抑制され、取扱いが容易になる。つまり、厚さ３００μｍ以下のガラスフィルムに、本発明は好適である。
【００２５】
上記の何れかの構成の方法で切断したガラス板は、上述したように、切断面に欠陥が実質的に存在しない。従って、上記の何れかの構成の方法で切断したガラス板は、少なくとも一辺の端面が切断面であり、前記切断面に欠陥が実質的に存在しないことを特徴とする。
【００２６】
ところで、冒頭でも説明したように、液晶ディスプレイ等の電子デバイスは、ガラス板を基板として使用するものが多い。この種の電子デバイスの製造プロセスでは、基板上に様々な膜等を形成することによって電子回路を含むデバイス部を作製する。このデバイス部の作製工程の中には、高温で行なう処理がある。つまり、デバイス部の作製工程には、加熱を伴うものが存在する。
【００２７】
従って、電子デバイスの製造プロセスの初期段階で、ガラス板を支持ガラスに直接積層させておけば、加熱を伴う電子デバイスの作製工程中にガラス板と支持ガラスを接着させることが可能である。これにより、電子デバイスの製造プロセスで、デバイス部が作製されたガラス基板を切断するために、上述したガラス板の切断方法と同様の切断工程を実行することが可能となり、その後に、上述したガラス板の切断方法と同様の剥離工程を実行することが可能となる。
【００２８】
このような観点から創案された本発明の電子デバイスの製造方法は、デバイス部が作製されたガラス板を基板とした電子デバイスを製造する方法であって、前記ガラス板を支持ガラスに直接積層してガラス積層体を形成する積層工程と、前記ガラス積層体の前記ガラス板にデバイス部を作製する加熱を伴うデバイス作製工程と、前記デバイス作製工程後の前記ガラス積層体を、前記支持ガラス側から前記ガラス板側に亀裂を伝搬させることによって切断する切断工程と、前記切断工程で切断された前記ガラス積層体から前記デバイス部が作製された前記ガラス板を剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする。
【００２９】
上記の方法で製造した電子デバイスは、切断工程で、ガラス積層体を、支持ガラス側からガラス板側に亀裂を伝搬させることによって切断するので、基板のガラス板の切断面に欠陥が実質的に存在しない。従って、上記の方法で製造した電子デバイスは、少なくとも一辺の端面が切断面であり、前記切断面に欠陥が実質的に存在しないガラス板を基板としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように、本発明によれば、欠陥が実質的に存在しない切断面を得ることが可能なガラス板の切断方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態に係るガラス板の切断方法を示すフローチャートである。
【図２】積層工程前のガラス板と支持ガラスを示す斜視図である。
【図３】積層工程後のガラス板と支持ガラスを示す斜視図である。
【図４】加熱工程のガラス積層体に対するレーザビーム照射の様子を示す斜視図である。
【図５】切断工程のガラス積層体に対するスクライブライン形成の様子を示す斜視図である。
【図６】切断工程のガラス積層体に対する折り割りの様子を示す正面図である。
【図７】切断工程後のガラス積層体を示す斜視図である。
【図８】剥離工程後のガラス板と支持ガラスを示す斜視図である。
【図９】（Ａ）が切断後のガラス板を示す斜視図で、（Ｂ）が（Ａ）のＸ部の拡大平面図である。
【図１０】（Ａ）が切断後のガラス板を示す断面図で、（Ｂ）が（Ａ）のＹ部の拡大図である。
【図１１】（Ａ）が電子デバイスを模式的に示す断面図で、（Ｂ）が（Ａ）のＺ部の拡大図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】デバイス作製工程後のガラス積層体を示す断面図である。
【図１４】封止工程後のガラス積層体を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明を実施するための形態について図面に基づき説明する。
【００３３】
図１は、本発明の実施形態に係るガラス板の切断方法を示すフローチャートである。このガラス板の切断方法は、積層工程Ｓ１と、加熱工程Ｓ２と、切断工程Ｓ３と、剥離工程Ｓ４とを備える。
【００３４】
積層工程Ｓ１では、図２，３に示すように、切断対象のガラス板１を、支持ガラス２に直接接触させて積層してガラス積層体３を形成する。
【００３５】
切断対象のガラス板１は、本実施形態では、電子デバイスの基板として使用されるものである。ガラス板１は、本実施形態では、厚さが薄く、可撓性を有する所謂ガラスフィルムと呼ばれるものである。ガラス板１の厚さは、例えば、３００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下とすることができる。また、ガラス板１の大きさは、例えば、２５０ｍｍ×３４０ｍｍ〜２８３０ｍｍ×３０３０ｍｍである。
【００３６】
支持ガラス２は、ガラス板１よりも厚みが大きいことが好ましく、ガラス板１と同一の厚みでもよい。支持ガラス２の厚さは、例えば、５００μｍ以下、３００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下とすることができる。また、支持ガラス２の大きさは、例えば、２７０ｍｍ×３６０ｍｍ〜２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍである。
【００３７】
本実施形態では、ガラス板１が支持ガラス２より薄い。なお、支持ガラス２とガラス板１は略同じ大きさで図示しているが、ガラス板１は、支持ガラス２より小さいことが好ましい。
【００３８】
支持ガラス２とガラス板１の表裏面のうち、積層時に対向する面１ａ，２ａの双方における平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下である。本実施形態では、支持ガラス２とガラス板１の表裏面のうち、積層時に対向しない面１ｂ，２ｂも、平均表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下である。表裏面がこのような平均表面粗さＲａの支持ガラス２やガラス板１は、例えば、オーバーフローダウンドロー法によって製造すれば、研磨を実施せずに得ることができる。
【００３９】
支持ガラス２とガラス板１は、面１ａ，２ａの双方における平均表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下であるので、接着剤など他の部材を介すること無く、直接接触させて積層するだけで、ある程度の接着力で相互に接着する。この現象は次のメカニズムによると推察される。面１ａおよび面２ａが非常に平滑であるために、面１ａ・面２ａの間において水素結合、またはファンデルワールス力が作用することで、ある程度の接着力が発現していると考えられる。
【００４０】
積層工程Ｓ１の後、加熱工程Ｓ２では、ガラス積層体３を加熱する。すると、この加熱によって、支持ガラス２とガラス板１は、面１ａ，２ａで、より強固に相互に接着する。この現象は次のメカニズムによると推察される。加熱されることにより、前述のように面１ａ・面２ａの間で作用している水素結合部において脱水反応が進行し、より強力な接着力を発生させる共有結合へと変化するためであると考えられている。本実施形態では、図４に示すように、ガラス積層体３のガラス板１側からレーザビーム４を移動させつつ照射することによってガラス積層体３の切断予定線を含む領域を局所加熱する。この加熱によって、ガラス積層体３を一体ものとして取り扱える程度に、ガラス積層体３のガラス板１と支持ガラス２とが接着する。この加熱の後、本実施形態では、自然冷却するが、強制的に冷却してもよい。なお、加熱後の冷却によって、ガラス板１と支持ガラス２の接着力は、実質的に変化しない。
【００４１】
切断工程Ｓ３では、加熱工程Ｓ２後のガラス積層体３を、支持ガラス２側からガラス板１側に亀裂を伝搬させることによって切断する。本実施形態では、切断工程Ｓ３が、ガラス積層体３を折り割る折り割り工程で構成されている。この折り割り工程では、図５に示すように、最初に、ガラス積層体３を上下反転させ、次に、ガラス積層体３の支持ガラス２にスクライブライン２ｃを形成する。本実施形態では、ダイヤモンド、超硬合金等からなるホイールチップ５によってメカニカルスクライブしてスクライブライン２ｃを形成する。しかし、これに限定されるものでは無く、例えば、レーザビーム等で局所加熱することによりスクライブライン２ｃを形成してもよい。
【００４２】
それから、図６に示すように、スクライブライン２ｃを境界としたガラス積層体３の一方側（図６で左側）を固定し、他方の側（図６で右側）に、白矢印で示すように、押圧力を付与する。すると、スクライブライン２ｃを起点として生じた亀裂６が、点線で示すように、支持ガラス２側からガラス板１側に連続して伝搬し、ガラス積層体３は切断され、図７に示す状態となる。
【００４３】
次の剥離工程Ｓ４では、切断工程Ｓ３で切断されたガラス積層体３からガラス板１を物理的に剥離する。すると、ガラス板１と支持ガラス２が図８に示す状態となる。ガラス板１を物理的に剥離する方法としては、例えば、最初に、カミソリの刃を、ガラス積層体３の支持ガラス２とガラス板１との間に挿入してガラス板１を少し剥離し、そのままカミソリの刃を進展させることで、支持ガラス２からガラス板１を剥離することが挙げられる。また、剥離方法は前述に限らず、最初に、カミソリの刃を、ガラス積層体３の支持ガラス２とガラス板１との間に挿入してガラス板１を少し剥離し、その後、ガラス板１に接着したテープを引っ張ることによって、支持ガラス２からガラス板１を引き剥がしてもよい。また、例えば空気等の流体を、支持ガラス２とガラス板１の端面に向かって吹き付けて、支持ガラス２からガラス板１を浮き上がらせるようにして、剥離してもよい。
【００４４】
剥離工程を完了すれば、本発明の実施形態に係るガラス板の切断方法によるガラス板１の切断は完了する。
【００４５】
なお、本実施形態では、加熱工程Ｓ２後におけるガラス積層体３の支持ガラス２とガラス板１の接着力は、剥離工程Ｓ４でガラス積層体３からガラス板１を物理的に剥離可能な強度である。この接着力の強度は、実施例に基づいて決められるので、詳細な説明は、実施例で行なう。
【００４６】
以上のように、本実施形態のガラス板１の切断方法では、切断工程Ｓ３で、ガラス積層体３を、支持ガラス２側からガラス板１側に亀裂６を伝搬させることによって切断する。このため、ガラス板１の側に初期クラックを形成する必要は無く、ガラス板１は、亀裂６の伝搬のみで切断される。そして、ガラス板１が亀裂６の伝搬のみで切断される場合には、切断面に欠陥は実質的に発生しない。すなわち、本実施形態のガラス板の切断方法では、欠陥が実質的に存在しない切断面を得ることが可能である。
【００４７】
また、本実施形態のガラス板１の切断方法では、剥離工程Ｓ４で、ガラス積層体３からガラス板１を物理的に剥離し、エッチング等の化学反応を利用した化学的な処理を使用しない。従って、化学的な処理のための設備や作業が不要なので、本実施形態のガラス板の切断方法は実施することが容易である。
【００４８】
このように、本実施形態のガラス板１の切断方法では、欠陥が実質的に存在しない切断面を得ることでき、これにより、図９（Ａ）に示す矩形状のガラス板７を形成することができる。すなわち、ガラス板７は、その矩形の四辺のうちの少なくとも一辺の端面が、切断によって形成された切断面７ａで構成されている。この切断面７ａは、欠陥が実質的に存在しておらず、鏡面となっている。なお、本実施形態のガラス板７は、その矩形の四辺のうち、端面が切断面７ａで構成された一辺以外の三辺も、その端面が切断面で構成されている。しかし、本発明は、これに限定されず、三辺の端面が製造後に加工されていなくてもよいし、別の加工が施されていてもよい。
【００４９】
また、図９（Ｂ）に示すように、ガラス板１の切断面７ａと隣接する端面７ｂとの間の角Ｃ１は丸まっておらず角張っている。また、図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように、切断面７ａと表側の面７ｃとの間の角Ｃ２も丸まっておらず角張っており、切断面７ａと裏側の面７ｄとの間の角Ｃ３も丸まっておらず角張っている。このように、切断面７ａと他面７ｂ〜７ｄの間の角Ｃ１〜Ｃ３が丸まっておらず角張っているのは、剥離工程Ｓ４で、エッチング等の化学反応を利用した化学的な処理を使用しておらず、かつ、砥石等による面取り等も行なっていないからである。
【００５０】
次に、本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する。
【００５１】
図１１（Ａ）に示すように、電子デバイス１１は、ガラス板１２を基板とし、ガラス板１２上に、電子回路を含むデバイス部１３が作製されている。デバイス部１３としては、例えば、液晶素子、有機ＥＬ素子、太陽電池等が挙げられる。本実施形態では、電子デバイス１１は液晶ディスプレイで、デバイス部１３は液晶素子であり、２枚のガラス板７，１２で封止されている。
【００５２】
図１２に示すように、本発明の実施形態に係る電子デバイス１１の製造方法は、積層工程Ｓ１１と、デバイス作製工程Ｓ１２と、封止工程Ｓ１３、切断工程Ｓ１４と、剥離工程Ｓ１５とを備える。本実施形態の電子デバイス１１の製造方法は、封止工程Ｓ１３を備えているが、封止工程Ｓ１３は、電子デバイス１１の種類によっては必要が無い場合もある。
【００５３】
積層工程Ｓ１１は、上記実施形態の積層工程Ｓ１と同様であるので説明を省略する。
【００５４】
デバイス作製工程Ｓ１２は、図１３に示すように、上記実施形態のガラス積層体３のガラス板１に複数（図示例は２つ）のデバイス部１３を作製する工程であって、加熱を伴うものである。デバイス作製工程Ｓ１２後におけるガラス積層体３の支持ガラス２とガラス板１の接着力は、剥離工程Ｓ１５でガラス積層体３からガラス板１を物理的に剥離可能な強度である。なお、デバイス作製工程Ｓ１２で加熱を伴わない場合や加熱温度や時間が不十分な場合については、レーザ等による加熱工程Ｓ２を伴ってもよい。
【００５５】
封止工程Ｓ１３では、図１４に示すように、デバイス作製工程Ｓ１２でデバイス部１３が作製されたガラス積層体３のガラス板１に、上記実施形態の加熱工程Ｓ２後のガラス積層体３のガラス板１を、スペーサ１４を介して接着する。これにより、デバイス部１３が一対のガラス板１によって封止される。
【００５６】
切断工程Ｓ１４では、封止工程Ｓ１３後の一対のガラス積層体３をデバイス部１３の間の一点鎖線で切断可能とするために、一対のガラス積層体３の支持ガラス２に、上記実施形態の切断工程Ｓ３と同様にして、スクライブラインを形成する。そして、各ガラス積層体３におけるスクライブラインを境界とした両側に、例えば粘着テープ等を使用して、白矢印で示すように、ガラス板に沿った方向（図で横方向）に反対向きに力を付与する。すると、スクライブラインを起点として生じた亀裂が支持ガラス２側からガラス板１側に伝播し、ガラス積層体３が一点鎖線で切断される。
【００５７】
次の剥離工程Ｓ１５では、上記実施形態の剥離工程Ｓ４と同様に、切断工程Ｓ１４で切断されたガラス積層体３からガラス板１を物理的に剥離する。
【００５８】
本発明の実施形態に係る製造方法で製造された電子デバイス１１のガラス板１２は、平面視で矩形状である。図１１（Ａ）に示すように、ガラス板１２における矩形の四辺の端面のうち、少なくとも一辺の端面は切断面１２ａで構成されている。この切断面１２ａは、欠陥が実質的に存在しておらず、鏡面となっている。これは、切断工程Ｓ１４で、ガラス積層体３を、その支持ガラス２側からガラス板１側へ亀裂６を伝搬させることによって切断するからである。なお、本実施形態のガラス板１２は、その矩形の四辺のうち、端面が切断面１２ａで構成された一辺以外の三辺も、その端面が切断面で構成されている。しかし、本発明は、これに限定されず、三辺の端面が製造後に加工されていなくてもよいし、別の加工が施されていてもよい。
【００５９】
また、電子デバイス１１の切断面１２ａと隣接する端面との間の角は丸まっておらず角張っている。図１１（Ｂ）に示すように、切断面１２ａと表側の面１２ｂとの間の角Ｃ４も丸まっておらず角張っており、切断面１２ａと裏側の面１２ｃとの間の角Ｃ５も丸まっておらず角張っている。このように、切断面１２ａと他面の間の角が丸まっておらず角張っているのは、剥離工程Ｓ１５で、エッチング等の化学反応を利用した化学的な処理を使用しておらず、かつ、砥石等による面取り等も行なっていないからである。なお、ガラス板７については、上記実施形態と同様なので、同一箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【実施例１】
【００６０】
本願の発明者らは、本発明に係るガラス板の切断方法に関連して、ガラス板と支持ガラスの接着力が異なるガラス積層体を作製し、その切断性と剥離性を評価した。
【００６１】
ガラス板として、日本電気硝子社製ＯＡ−１０Ｇ  ０．２ｔを使用し、支持ガラスとしては、日本電気硝子社製ＯＡ−１０Ｇ  ０．５ｔを使用した。ガラス板の大きさは、９５ｍｍ×１００ｍｍで、支持ガラスの大きさは、１００ｍｍ×１００ｍｍであった。両者とも、表裏面の平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であった。
【００６２】
このガラス板と支持ガラスを洗浄した後、直接積層しガラス積層体を形成した。このガラス積層体に対して、ＣＯ2レーザビームをスポット径φ７ｍｍに集光させて、ガラス板側から照射した。ここで、レーザビームの照射の速度と出力を変化させて、ガラス板と支持ガラスの接着力を変化させた。レーザビームの照射後、ガラス積層体を自然冷却した。
【００６３】
そして、ガラス積層体に対して、前述のレーザビーム照射領域に沿って、支持ガラス側からホイールダイヤモンドチップによってスクライブラインを形成し、ガラス積層体に対して折り割りを行なった。
【００６４】
そして、ガラス板が支持ガラスと共に、折り割れた場合には、ガラス積層体からガラス板を物理的に剥離できるか否かを確認した。剥離は、カミソリの刃を、ガラス板と支持ガラスの間に挿入し、ガラス板を少し引き剥がし、ここを起点として、ガラス板に接着したテープを引っ張ることによって引き剥がすという方法で行った。まず、ガラス板の外周部分を剥離してから、ガラス板全体を剥離した。
【００６５】
ガラス板と支持ガラスの接着力の測定は、クラックオープニング法を用い、次のように行なった。ガラス板と支持ガラスの間に、既知の厚みを有する部材を挿入し、ガラス板と支持ガラスとの間に生じた剥離の距離から剥離表面エネルギーγ［Ｊ／ｍ2］を計算し、その剥離表面エネルギーを持って接着力とした。ここで、剥離表面エネルギーγは、次の式で計算される。
γ［Ｊ／ｍ2］=（３ｈ2ＥaＴa3ＥbＴb3）／｛１６ｃ（ＥaＴa3＋ＥbＴb3）｝
ここで、ｈはガラス板と支持ガラスの間に挿入する部材の厚み［ｍ］、Ｔaはガラス板の厚み［ｍ］、Ｅaはガラス板のヤング率［Ｐａ］、Ｔbは支持ガラスの厚み［ｍ］、Ｅbは支持ガラスのヤング率［Ｐａ］、ｃは厚み既知の部材の挿入によって剥離した距離［ｍ］、である。なお、既知の厚みを有する部材には厚み１００μｍのステンレス板を用いた。
【００６６】
このように実施した評価の結果を表１に示す。
【００６７】
切断性についての符号の意味は以下のとおりである。
×：ガラス板に亀裂が伝搬しなかった
△：ガラス板まで亀裂が伝搬し、ガラス板を切断できたが、ガラス板と支持ガラスとで亀裂にズレが有り、ガラス板を予定の位置で切断できなかった
○：支持ガラスからガラス板まで亀裂が連続して伝搬し、ガラス板を予定の位置で切断できた
【００６８】
剥離性についての符号の意味は以下のとおりである。
×：ガラス板の剥離ができなかった
△：ガラス板の剥離時に一部に欠けが発生した
○：ガラス板の剥離ができた
【００６９】
【表１】
2015218100.tif 000003
【００７０】
表１から、ガラス板が良好に切断できる接着力は、０．２５Ｊ／ｍ2以上、より好ましくは、０．２６Ｊ／ｍ2以上、更に好ましくは０．３３Ｊ／ｍ2以上であることが理解できる。そして、良好にガラス積層体からガラス板を剥離できる接着力の強度は、０．５Ｊ／ｍ2以下、より好ましくは、０．４５Ｊ／ｍ2以下、更に好ましくは０．４４Ｊ／ｍ2以下であることが理解できる。従って、ガラス板が良好に切断でき、且つ、良好にガラス積層体からガラス板を剥離できる接着力の強度は、０．２５〜０．５Ｊ／ｍ2、より好ましくは、０．２６〜０．４５Ｊ／ｍ2、更に好ましくは０．３３〜０．４４Ｊ／ｍ2である。
【００７１】
本発明は、上記実施形態に限定されるものでは無く、その技術的思想の範囲内で、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では、ガラス積層体の切断を折り割りで行なっていたが、支持ガラス側からガラス板側に亀裂を伝搬させればよく、例えば、支持ガラスにエキスパンドテープを接着して、エキスパンドテープを拡張させることでガラス積層体の切断を行なってもよい。
【００７２】
また、本発明では、ガラス板と支持ガラスを直接面接触させて、両者を積層しているが、この形態には限定されない。例えば、ガラス板との剥離性を向上させるために、支持ガラスの表面やガラス板の表面に、ＩＴＯ、ＺｒＯ2等の無機酸化物薄膜や、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＡｌＮ、ＡｌＣｒＮ等の窒化膜、Ｔｉ等の金属薄膜、ダイヤモンドライクカーボン、ＴｉＣ、ＷＣ等の炭化膜、ＭｇＦ2等のフッ化膜を形成したり、ＨＭＤＳ等を塗布することによって有機膜を形成したりしたものを、面接触させることでガラス積層体を形成しても良い。ガラス板の表面に無機薄膜を形成する場合については、無機薄膜形成後の表面の表面粗さＲａは、それぞれ２．０ｎｍ以下、１．０ｎｍ以下、０．５ｎｍ以下、０．２ｎｍ以下であることがこの順で好ましい。
【符号の説明】
【００７３】
１      切断前のガラス板
１ａ    対向する面
２      支持ガラス
２ａ    対向する面
２ｃ    スクライブライン
３      ガラス積層体
４      レーザビーム
５      ホイールチップ
６      亀裂
７      切断後のガラス板
７ａ    切断面
１１    電子デバイス
１２    ガラス板（基板）
１２ａ  切断面
１３    デバイス層
Ｓ１    積層工程
Ｓ２    加熱工程
Ｓ３    切断工程
Ｓ４    剥離工程
Ｓ１１  積層工程
Ｓ１２  デバイス作製工程
Ｓ１４  切断工程
Ｓ１５  剥離工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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