(57)【要約】【課題】温度に関わらず一定の利得を得るために必要な電圧を半導体に印加できるようにすることを目的とする。【解決手段】温度補償回路６は、抵抗素子１と、正特性のサーミスタ２と、複数のダイオード３と、電源端子４と、バイアス端子５とを備える。抵抗素子１と複数のダイオード３とは直列に接続され、抵抗素子１の他端は電源端子４に接続され、複数のダイオード３の他端は接地されている。バイアス端子５は抵抗素子１と複数のダイオード３との接続部に接続されている。そして、正特性のサーミスタ２は複数のダイオード３に並列に接続されている。【選択図】図１
2015041953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗素子と、温度が上がるほど抵抗値が小さくなる負特性の抵抗体と、温度が上がるほど抵抗値が大きくなる正特性の抵抗体と、電源に接続される電源端子と、温度の変化に伴って利得が変化する半導体に電圧を印加するための電圧端子とを備え、
前記抵抗素子と前記負特性の抵抗体とが直列に接続され、
前記抵抗素子の端部のうち前記負特性の抵抗体に接続されていない側の端部が前記電源端子に接続され、
前記負特性の抵抗体の端部のうち前記抵抗素子に接続されていない側の端部が接地され、
前記電圧端子が前記抵抗素子と前記負特性の抵抗体との接続部に接続され、
前記正特性の抵抗体が前記負特性の抵抗体に並列に接続された
ことを特徴とする温度補償回路。
【請求項２】
前記負特性の抵抗体は縦続に接続した複数のダイオードであることを特徴とする請求項１記載の温度補償回路。
【請求項３】
前記負特性の抵抗体は温度が上がるほど抵抗値が小さくなるサーミスタであることを特徴とする請求項１記載の温度補償回路。
【請求項４】
前記正特性の抵抗体は温度が上がるほど抵抗値が大きくなるサーミスタであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の温度補償回路。
【請求項５】
温度の変化に伴って抵抗値が変化する感温抵抗体を備え、
前記感温抵抗体が前記抵抗素子に並列に接続されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の温度補償回路。
【請求項６】
前記感温抵抗体は温度が上がるほど抵抗値が大きくなるサーミスタであることを特徴とする請求項５記載の温度補償回路。
【請求項７】
前記抵抗素子として第一の抵抗素子を備え、
前記正特性の抵抗体に並列に接続された第二の抵抗素子を備えたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の温度補償回路。
【請求項８】
前記抵抗素子として第一の抵抗素子を備え、
前記複数のダイオードのうちの少なくとも一つのダイオードに並列に接続された第二の抵抗素子を備えたことを特徴とする請求項２記載の温度補償回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周囲温度に関わらず所望の大きさの電圧を得るための回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーダ装置、通信装置および観測装置などの装置はマイクロ波を扱うマイクロ波機器（例えば、増幅器または受信機）を備え、マイクロ波機器は電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという）またはダイオードなどの半導体を備える。
一般に、これらの半導体は高温になるに従って利得が低下する温度特性を持つ。そのため、マイクロ波機器はこれらの半導体の温度特性を相殺するための温度補償回路を備える必要がある。
【０００３】
従来の温度補償回路は、抵抗と負特性のサーミスタとを直列に接続する回路である（特許文献１参照）。
この従来の温度補償回路は、抵抗の他端（サーミスタと接続されていない側の端部）に直流電圧を印加し、サーミスタの他端（抵抗と接続されたない側の端部）を接地し、抵抗とサーミスタとの接続部からＦＥＴのゲートに電圧を印加する。
そして、負特性のサーミスタは高温になるほど抵抗値が低くなるため、抵抗とサーミスタとの接続部からＦＥＴのゲートに印加される電圧は低温では高くなり、高温では低くなる。例えば、抵抗の他端に負の直流電圧を印加した場合、ＦＥＴに印加される電圧は低温では負の高い電圧になり、高温では０Ｖ（ボルト）に近い負の低い電圧になる。
【０００４】
ＦＥＴの利得は低温から常温までは緩やかに低下し、常温から高温までは急峻に低下する。
そのため、ＦＥＴの利得を一定に保つためには、ＦＥＴに印加する電圧を低温から常温までは緩やかに上昇させ、常温から高温までは急峻に上昇させる必要がある。即ち、低温から常温までは温度変化に対する電圧変化の傾きが小さく、常温から高温までは温度変化に対する電圧変化の傾きが大きい非直線的な温度特性で変化させた電圧をＦＥＴに印加する必要がある。
【０００５】
しかし、負特性のサーミスタの抵抗値は、低温、常温および高温のいずれの場合であっても温度変化に対してほぼ一定の割合で変化する。
つまり、抵抗とサーミスタとの接続部からＦＥＴに印加される電圧は、低温、常温および高温のいずれの場合であっても温度の上昇に伴ってほぼ一定の割合で上昇する。
したがって、従来の温度補償回路は、低温から高温までＦＥＴの利得を一定に保つことができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２２４４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、温度に関わらず一定の利得を得るために必要な電圧を半導体に印加できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の温度補償回路は、
抵抗素子と、温度が上がるほど抵抗値が小さくなる負特性の抵抗体と、温度が上がるほど抵抗値が大きくなる正特性の抵抗体と、電源に接続される電源端子と、温度の変化に伴って利得が変化する半導体に電圧を印加するための電圧端子とを備え、
前記抵抗素子と前記負特性の抵抗体とが直列に接続され、
前記抵抗素子の端部のうち前記負特性の抵抗体に接続されていない側の端部が前記電源端子に接続され、
前記負特性の抵抗体の端部のうち前記抵抗素子に接続されていない側の端部が接地され、
前記電圧端子が前記抵抗素子と前記負特性の抵抗体との接続部に接続され、
前記正特性の抵抗体が前記負特性の抵抗体に並列に接続される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、温度に関わらず一定の利得を得るために必要な電圧を半導体に印加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
【図２】実施の形態１におけるＦＥＴ８の非直線的な利得温度特性を示すグラフ（ａ）および目標とする非直線的な電圧温度特性を示すグラフ（ｂ）である。
【図３】実施の形態１における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
【図４】実施の形態１における温度補償回路６の非直線的な電圧温度特性を示すグラフである。
【図５】実施の形態１における温度補償回路６の電圧温度特性と目標とする電圧温度特性と従来の電圧温度特性とを比較したグラフである。
【図６】実施の形態１におけるマイクロ波機器９の利得温度特性と従来の利得温度特性とを比較したグラフである。
【図７】実施の形態１におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の別例を示す構成図である。
【図８】実施の形態１における温度補償回路６を適用した増幅器の一例を示す図である。
【図９】実施の形態２におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
【図１０】実施の形態２における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
【図１１】実施の形態２における温度補償回路６の電圧温度特性を示すグラフである。
【図１２】実施の形態３におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
【図１３】実施の形態３における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
【図１４】実施の形態３における温度補償回路６の電圧温度特性を示すグラフである。
【図１５】実施の形態４におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
【図１６】実施の形態４における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
【図１７】実施の形態４における温度補償回路６の電圧温度特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
温度に関わらず一定の利得を得るために必要な電圧を半導体（例えば、ＦＥＴ）に印加する形態について説明する。
【００１２】
図１は、実施の形態１におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
実施の形態１におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成について、図１に基づいて説明する。
【００１３】
マイクロ波機器９（電波機器、電波処理装置の一例）はマイクロ波を扱う機器であり、マイクロ波を増幅する増幅器、および、マイクロ波を受信する受信機はマイクロ波機器９の一例である。
マイクロ波機器９は、電源７、温度補償回路６およびＦＥＴ８などを備える。マイクロ波機器９が備えるその他の構成については図示を省略する。
【００１４】
ＦＥＴ８（半導体素子の一例）は、マイクロ波を増幅するために用いられる電界効果トランジスタである。但し、ＦＥＴ８は他の半導体素子（例えば、可変減衰器）に置き換えても構わない。
ＦＥＴ８の利得は、低温から常温（例えば、−２０度から２５度）までは緩やかに低下し、常温から高温（例えば、２５度から６０度）までは急峻に低下する。つまり、ＦＥＴ８の利得は非直線的な温度特性を有する（図２の（ａ）参照）。以下、温度に対する利得の特性を利得温度特性という。
ＦＥＴ８の利得を一定に保つためには、ＦＥＴ８のゲート端子に印加する電圧を低温から常温までは緩やかに上昇させ、常温から高温までは急峻に上昇させる必要がある。即ち、非直線的な温度特性で変化させた電圧をＦＥＴ８のゲート端子に印加する必要がある（図２の（ｂ）参照）。以下、ＦＥＴ８のゲート端子に印加する電圧をバイアス電圧（または制御電圧）とし、このバイアス電圧を「Ｖｃ」と記す。また、温度に対する電圧の特性を電圧温度特性という。
図２は、実施の形態１におけるＦＥＴ８の非直線的な利得温度特性を示すグラフ（ａ）および目標とする非直線的な電圧温度特性を示すグラフ（ｂ）である。
【００１５】
温度補償回路６は、非直線的な温度特性で変化させたバイアス電圧をＦＥＴ８のゲート端子に印加することによって、ＦＥＴ８の利得を温度に関わらず一定に保つための回路である。
温度補償回路６は、抵抗素子１と、ポジスター２と、複数のダイオード３と、電源端子４と、バイアス端子５とを備える。「ポジスター」は登録商標である（以下同様）。
抵抗素子１は、抵抗値が可変でない抵抗素子、つまり、固定の抵抗値を有する抵抗素子である。
ポジスター２（正特性の抵抗体の一例）は、正特性のサーミスタであり、（周囲の）温度が高くなるほど抵抗値が大きくなる温度特性を有する。以下、温度に対する抵抗値の特性を抵抗温度特性という。
複数のダイオード３（負特性の抵抗体の一例）は、（周囲の）温度が高くなるほど抵抗値が小さくなる抵抗温度特性を有する。複数のダイオード３は縦続に接続している。但し、ダイオード３は１つであっても構わない。
電源端子４は、抵抗素子１の一端を負の電源７に接続するための端子である。
バイアス端子５（電圧端子の一例）は、ＦＥＴ８のゲート端子にバイアス電圧を印加するための端子である。
【００１６】
抵抗素子１の一端は電源端子４に接続し、抵抗素子１の他端はポジスター２の一端および複数のダイオード３の一端に接続している。
また、抵抗素子１は複数のダイオード３と直列に接続している。
【００１７】
ポジスター２の一端は抵抗素子１に接続し、ポジスター２の他端は接地している。
また、ポジスター２は複数のダイオード３と並列に接続している。
【００１８】
複数のダイオード３の一端は抵抗素子１に接続し、複数のダイオード３の他端は接地している。
つまり、複数のダイオード３は抵抗素子１と直列に接続している。また、複数のダイオード３はポジスター２と並列に接続している。
【００１９】
そして、抵抗素子１とポジスター２との接続部、つまり、抵抗素子１と複数のダイオード３との接続部はバイアス端子５に接続している。
【００２０】
ポジスター２と複数のダイオード３とを並列に接続した回路部分において、ポジスター２の抵抗値は温度が高くなるほど大きくなり、複数のダイオード３の抵抗値は温度が高くなるほど小さくなる。
低温のときには、ポジスター２の抵抗値が複数のダイオード３の抵抗値に比べて十分に小さいため並列の回路部分においてポジスター２が支配的な要素になり、並列の回路部分は簡易的にポジスター２だけで表すことができる（図３の（ａ）参照）。
高温のときには、複数のダイオード３の抵抗値がポジスター２の抵抗値に比べて十分に小さいため並列の回路部分において複数のダイオード３が支配的な要素になり、並列の回路部分は簡易的に複数のダイオード３だけで表すことができる（図３の（ｂ）参照）。
図３は、実施の形態１における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
【００２１】
図４は、実施の形態１における温度補償回路６の非直線的な電圧温度特性を示すグラフである。
図４において、実線は、温度補償回路６がＦＥＴ８に印加するバイアス電圧の温度特性（電圧温度特性）を示す。また、破線および点線は、ポジスター２および複数のダイオード３を交換した場合の温度補償回路６の電圧温度特性を示す。
【００２２】
図４の実線で示すように、温度補償回路６がＦＥＴ８に印加するバイアス電圧は温度が上がるにつれて０Ｖ（ボルト）に近づく。
但し、低温から常温までのバイアス電圧は複数のダイオード３の抵抗温度特性よりもポジスター２の抵抗温度特性に大きく依存するため、バイアス電圧の変化は常温から高温までのバイアス電圧の変化に比べて緩やかになる。
また、常温から高温までのバイアス電圧はポジスター２の抵抗温度特性よりも複数のダイオード３の抵抗温度特性に大きく依存するため、バイアス電圧の変化は低温から常温までのバイアス電圧の変化に比べて急峻になる。
【００２３】
低温から常温までの温度補償回路６の電圧温度特性を調整したい場合、ポジスター２を交換するとよい。
温度変化に対する抵抗値の変化が大きい抵抗温度特性を有するポジスター２を用いることにより、低温から常温までのバイアス電圧の変化を緩やかにすることができる（図４の破線参照）。
温度変化に対する抵抗値の変化が小さい抵抗温度特性を有するポジスター２を用いることにより、低温から常温までのバイアス電圧の変化を急峻にすることができる（図４の点線を参照）。
【００２４】
常温から高温までの温度補償回路６の電圧温度特性を調整したい場合、ダイオード３の数を変えるとよい。
ダイオード３の数を増やすことにより、常温から高温までのバイアス電圧の変化を急峻にすることができる（図４の点線参照）。
ダイオード３の数を減らすことにより、常温から高温までのバイアス電圧の変化を緩やかにすることができる（図４の破線参照）。
【００２５】
以上のように、ポジスター２の抵抗温度特性およびダイオード３の数を適宜に選択することにより、温度に関わらず一定の利得を得るために必要なバイアス電圧をＦＥＴ８に印加する温度補償回路６を構成することができる。
【００２６】
図５は、実施の形態１における温度補償回路６の電圧温度特性と目標とする電圧温度特性と従来の電圧温度特性とを比較したグラフである。
図５において、実線は実施の形態１における温度補償回路６の電圧温度特性を示し、破線は従来の温度補償回路の電圧温度特性を示す。
また、黒丸を結んだ点線は目標とする電圧温度特性、つまり、ＦＥＴ８のゲート端子に印加したいバイアス電圧の温度特性を示す。
【００２７】
図２で説明したようにＦＥＴ８の利得は低温から常温までは緩やかに低下し、常温から高温までは急峻に低下する。したがって、ＦＥＴ８の利得を一定に保つためには、ＦＥＴ８のゲート端子に印加するバイアス電圧を低温から常温までは緩やかに上昇させ、常温から高温までは急峻に上昇させる必要がある。言い換えると、低温と常温とのバイアス電圧の差が小さく、常温と高温とのバイアス電圧の差が大きくなるような電圧温度特性が必要である。つまり、目標とする電圧温度特性（図５の点線）は非直線的である。
【００２８】
しかし、従来の温度補償回路は抵抗素子１と負特性のサーミスタとを直列に接続した回路であるため、バイアス電圧（図５の破線）は低温から高温まで直線的に上昇する。
したがって、従来の温度補償回路は低温時および高温時に目標のバイアス電圧を得ることができない。
【００２９】
一方、実施の形態１における温度補償回路６において、バイアス電圧（図５の実線）は図４で説明したように低温から常温まで緩やかに上昇し、常温から高温まで急峻に上昇する。
したがって、実施の形態１における温度補償回路６は低温から高温まで目標の電圧値に近いバイアス電圧を得ることができる。
【００３０】
図６は、実施の形態１におけるマイクロ波機器９の利得温度特性と従来の利得温度特性とを比較したグラフである。
図６において、実線は実施の形態１におけるマイクロ波機器９の利得温度特性を示し、破線は従来のマイクロ波機器の利得温度特性を示す。
【００３１】
図５で説明したように従来の温度補償回路は低温時および高温時に目標のバイアス電圧を得られないため、従来の温度補償回路を適用したマイクロ波機器は低温から高温まで一定の利得を得ることができない（図６の破線参照）。
一方、実施の形態１における温度補償回路６は低温から高温まで目標の電圧値に近いバイアス電圧を得られるため、実施の形態１における温度補償回路６を適用したマイクロ波機器９は低温から高温まで一定の利得を得ることができる（図６の実線参照）。
【００３２】
図７は、実施の形態１におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の別例を示す構成図である。
図７に示すように、温度補償回路６は、複数のダイオード３の代わりにサーミスタ１０を備えても構わない。
サーミスタ１０（負特性の抵抗体の一例）は、複数のダイオード３と同様に、（周囲の）温度が高くなるほど抵抗値が低くなる抵抗温度特性を有する。
但し、温度補償回路６は、複数のダイオード３またはサーミスタ１０の代わりに、その他の負特性の抵抗体を備えても構わない。
【００３３】
図８は、実施の形態１における温度補償回路６を適用した増幅器の一例を示す図である。
図８の（ａ）に示すように、温度補償回路６は、複数の単位増幅器１２を縦続に接続した増幅器１１ａ（マイクロ波機器９の一例）に適用することができる。増幅器１１ａに適用される温度補償回路６は、単位増幅器１２を構成するＦＥＴのゲート端子に印加するバイアス電圧を制御する。
図８の（ｂ）に示すように、温度補償回路６は、単位増幅器１２と可変減衰器１５とを縦続に接続した増幅器１１ｂ（マイクロ波機器９の一例）に適用することができる。増幅器１１ｂに適用される温度補償回路６は、可変減衰器１５に印加するバイアス電圧を制御する。
温度補償回路６を適用した増幅器１１ａ・１１ｂは、入力端子１３から入力されるマイクロ波の信号を温度に関わらずほぼ一定のレベルの信号に増幅し、ほぼ一定のレベルの信号を出力端子１４から出力することができる。
【００３４】
実施の形態１により、非直線的な電圧温度特性を有する温度補償回路６を実現することができる。この温度補償回路６は、低温から常温まで温度変化に対する変化が小さく、常温から高温まで温度変化に対する変化が大きいバイアス電圧を得る。
また、温度補償回路６によって得られるバイアス電圧を半導体（例えば、ＦＥＴ８）に印加することにより、温度に関わらず一定の利得が得られるマイクロ波機器９（例えば、増幅器）を実現することができる。
【００３５】
実施の形態２．
温度補償回路６の電圧温度特性を調整するための形態について説明する。
以下、実施の形態１と異なる事項について主に説明する。説明を省略する事項については実施の形態１と同様である。
【００３６】
図９は、実施の形態２におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
図９に示すマイクロ波機器９は、以下のような温度補償回路６を備える。
温度補償回路６は、実施の形態１（図１参照）で説明した構成に加えて、抵抗素子１に並列に接続されたポジスター２１（感温抵抗体の一例）を備える。「ポジスター」は登録商標である（以下同様）。
抵抗素子１とポジスター２１との合成抵抗値は、ポジスター２１を並列に接続しない場合の抵抗素子１の抵抗値に比べて、温度変化に対する変化が大きい。つまり、抵抗素子１とポジスター２１との合成抵抗値は温度が上がるほど大きくなる。
【００３７】
ポジスター２１は温度の変化に伴って抵抗値が変化する感温抵抗体の一例であり、ポジスター２１以外の感温抵抗体を抵抗素子１に並列に接続しても構わない。
例えば、温度が上がるほど抵抗値が小さくなる負特性のサーミスタまたは複数のダイオードを抵抗素子１に並列に接続しても構わない。
【００３８】
図１０は、実施の形態２における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
図１０において、（ａ）は低温のときの温度補償回路６を簡易的に示し、（ｂ）は高温のときの温度補償回路６を簡易的に示している。
低温のときにはポジスター２と複数のダイオード３とを並列に接続した回路部分においてポジスター２が支配的になるため、温度補償回路６は簡易的に図１０の（ａ）のように表すことができる。
また、高温のときには複数のダイオード３が支配的になるため、温度補償回路６は簡易的に図１０の（ｂ）のように表すことができる。
【００３９】
図１１は、実施の形態２における温度補償回路６の電圧温度特性を示すグラフである。
図１１において、実線は、実施の形態２における温度補償回路６の電圧温度特性、つまり、抵抗素子１にポジスター２１を並列に接続した場合の電圧温度特性を示す。
また、破線は抵抗素子１にポジスター２１を並列に接続しない場合の電圧温度特性を示し、点線は抵抗素子１に負特性のサーミスタを並列に接続した場合の電圧温度特性を示す。
【００４０】
実施の形態２の温度補償回路６において抵抗素子１とポジスター２１との合成抵抗値は温度が上がるほど大きくなるため、低温から常温までのバイアス電圧（図１１の実線）の傾きは、抵抗素子１にポジスター２１を並列に接続しない場合（図１１の破線）に比べて大きい。そして、常温から高温までのバイアス電圧（図１１の実線）の傾きは、抵抗素子１にポジスター２１を並列に接続しない場合（図１１の破線）に比べて大きい。
【００４１】
また、抵抗素子１に負特性のサーミスタを並列に接続した場合の抵抗素子１と負特性のサーミスタとの合成抵抗値は温度が上がるほど小さくなるため、バイアス電圧（図１１の点線）の傾きは、抵抗素子１にポジスター２１を並列に接続しない場合（図１１の破線）に比べて小さい。
【００４２】
実施の形態２により、温度補償回路６の電圧温度特性を微調整することができ、温度に関わらずほぼ一定の利得が得られるマイクロ波機器９（例えば、増幅器）を実現することができる。
また、ポジスター２の抵抗温度特性およびダイオード３の数を選択しなくても、温度補償回路６の電圧温度特性を調整することができる。つまり、多数の種類のポジスター２を用意する必要も、多数のダイオード３を用意する必要もないため、温度補償回路６の電圧温度特性の調整を安価に行うことができる。
【００４３】
実施の形態３．
温度補償回路６の電圧温度特性を調整するための形態について説明する。
以下、実施の形態１と異なる事項について主に説明する。説明を省略する事項については実施の形態１と同様である。
【００４４】
図１２は、実施の形態３におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
図１２に示すマイクロ波機器９は、以下のような温度補償回路６を備える。
温度補償回路６は、実施の形態１（図１参照）で説明した構成に加えて、ポジスター２に並列に接続された抵抗素子２２を備える。
ポジスター２と抵抗素子２２との合成抵抗値は温度が上がるほど大きくなる。
【００４５】
図１３は、実施の形態３における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
図１３において、（ａ）は低温のときの温度補償回路６を簡易的に示し、（ｂ）は高温のときの温度補償回路６を簡易的に示している。
低温のときにはポジスター２と複数のダイオード３とを並列に接続した回路部分においてポジスター２が支配的になるため、温度補償回路６は簡易的に図１３の（ａ）のように表すことができる。
高温のときには複数のダイオード３が支配的になるため、温度補償回路６は簡易的に図１３の（ｂ）のように表すことができる。
【００４６】
図１４は、実施の形態３における温度補償回路６の電圧温度特性を示すグラフである。
図１４において、実線は、実施の形態３における温度補償回路６の電圧温度特性、つまり、ポジスター２に抵抗素子２２を並列に接続した場合の電圧温度特性を示す。
また、破線は、ポジスター２に抵抗素子２２を並列に接続しない場合の電圧温度特性を示す。
【００４７】
低温の場合、温度補償回路６はポジスター２に抵抗素子２２を並列に接続した回路で表すことができる（図１３の（ａ）参照）。
また、ポジスター２と抵抗素子２２との合成抵抗値は、抵抗素子２２を並列に接続しない場合のポジスター２の抵抗値に比べて温度変化に対する変化が小さい。
そして、低温から常温までのバイアス電圧（図１４の実線）の傾きは、ポジスター２に抵抗素子２２を並列に接続しない場合（図１４の破線）に比べて大きい。
【００４８】
高温の場合、温度補償回路６は複数のダイオード３に抵抗素子２２を並列に接続した回路で表すことができる（図１３の（ｂ）参照）。
また、複数のダイオード３と抵抗素子２２との合成抵抗値は、抵抗素子２２を並列に接続しない場合の複数のダイオード３の抵抗値に比べて温度変化に対する変化が小さい。
そして、常温から高温までのバイアス電圧（図１４の実線）の傾きは、ポジスター２に抵抗素子２２を並列に接続しない場合（図１４の破線）に比べて小さい。
【００４９】
実施の形態３により、温度補償回路６の電圧温度特性を微調整することができ、温度に関わらずほぼ一定の利得が得られるマイクロ波機器９（例えば、増幅器）を実現することができる。
また、ポジスター２の抵抗温度特性およびダイオード３の数を選択しなくても、温度補償回路６の電圧温度特性を調整することができる。つまり、多数の種類のポジスター２を用意する必要も、多数のダイオード３を用意する必要もないため、温度補償回路６の電圧温度特性の調整を安価に行うことができる。
【００５０】
実施の形態４．
温度補償回路６の電圧温度特性を調整するための形態について説明する。
以下、実施の形態１と異なる事項について主に説明する。説明を省略する事項については実施の形態１と同様である。
【００５１】
図１５は、実施の形態４におけるマイクロ波機器９および温度補償回路６の構成を示す図である。
図１５に示すマイクロ波機器９は、以下のような温度補償回路６を備える。
温度補償回路６は、実施の形態１（図１参照）で説明した構成に加えて、複数のダイオード３のうちの一つに並列に接続された抵抗素子２３を備える。但し、抵抗素子２３は二つ以上のダイオード３に並列に接続しても構わない。
複数のダイオード３と抵抗素子２３との合成抵抗値は、抵抗素子２３を接続しない場合の複数のダイオード３の抵抗値に比べて温度変化に対する変化が小さい。
【００５２】
図１６は、実施の形態４における温度補償回路６を簡易的に表した図である。
図１６において、（ａ）は低温のときの温度補償回路６を簡易的に示し、（ｂ）は高温のときの温度補償回路６を簡易的に示している。
低温のときにはポジスター２と複数のダイオード３とを並列に接続した回路部分においてポジスター２が支配的になるため、温度補償回路６は簡易的に図１３の（ａ）のように表すことができる。
高温のときには複数のダイオード３が支配的になるため、温度補償回路６は簡易的に図１６の（ｂ）のように表すことができる。
【００５３】
図１７は、実施の形態４における温度補償回路６の電圧温度特性を示すグラフである。
図１７において、実線は、実施の形態４における温度補償回路６の電圧温度特性、つまり、一つのダイオード３に抵抗素子２３を並列に接続した場合の電圧温度特性を示す。
また、破線は、いずれのダイオード３にも抵抗素子２３を並列に接続しない場合の電圧温度特性を示す。
【００５４】
低温の場合、温度補償回路６においてポジスター２と複数のダイオード３と抵抗素子２３との回路部分は簡易的にポジスター２だけで表すことができる（図１６の（ａ）参照）。
そのため、低温から常温までのバイアス電圧（図１７の実線）の傾きは、一つのダイオード３に抵抗素子２３を並列に接続しない場合（図１７の破線）とほぼ同じである。
【００５５】
高温の場合、温度補償回路６においてポジスター２と複数のダイオード３と抵抗素子２３との回路部分は簡易的に複数のダイオード３と抵抗素子２３とで表すことができる（図１６の（ｂ）参照）。
また、複数のダイオード３と抵抗素子２３との合成抵抗値は、抵抗素子２３を接続しない場合の複数のダイオード３の抵抗値に比べて温度に対する変化が小さい。
そのため、常温から高温までのバイアス電圧（図１７の実線）の傾きは、一つ（または二つ以上）のダイオード３に抵抗素子２３を並列に接続しない場合（図１７の破線）に比べて小さい。
【００５６】
実施の形態４により、温度補償回路６の常温から高温までの電圧温度特性を微調整することができ、特に常温から高温までほぼ一定の利得が得られるマイクロ波機器９（例えば、増幅器）を実現することができる。
実施の形態４において、抵抗素子２３は二つ以上のダイオード３に並列に接続しても構わない。この場合、一つのダイオード３に抵抗素子２３を並列に接続するよりも、常温から高温までの温度変化に対するバイアス電圧の変化を小さくすることができる。
【００５７】
各実施の形態は、マイクロ波機器９および温度補償回路６の形態の一例である。
つまり、マイクロ波機器９および温度補償回路６は、各実施の形態で説明した機能または構成の一部を備えなくても構わない。
また、マイクロ波機器９および温度補償回路６は、各実施の形態で説明していない機能または構成を備えても構わない。
さらに、各実施の形態は、矛盾が生じない範囲で一部または全てを組み合わせても構わない。例えば、実施の形態２で説明した温度補償回路６（図９参照）が、実施の形態３で説明した抵抗素子２２（図１２参照）または実施の形態４で説明した抵抗素子２３（図１５参照）を備えても構わない。
【符号の説明】
【００５８】
１  抵抗素子、２  ポジスター、３  ダイオード、４  電源端子、５  バイアス端子、６  温度補償回路、７  電源、８  ＦＥＴ、９  マイクロ波機器、１０  サーミスタ、１１ａ，１１ｂ  増幅器、１２  単位増幅器、１３  入力端子、１４  出力端子、１５  可変減衰器、２１  ポジスター、２２  抵抗素子、２３  抵抗素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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