(57)【要約】【課題】  熱抵抗を低減し、放熱効率の高い絶縁放熱基板を提供する。【解決手段】  絶縁放熱基板１は、絶縁樹脂基板２と、絶縁樹脂基板２の上下面のそれぞれに積層された第１金属層３および第２金属層４と、絶縁樹脂基板２中に配置された複数の高熱伝導絶縁粒子５とを有し、上部が第１金属層３と点接触しており、下部が第２金属層４と点接触している高熱伝導絶縁粒子５を含んでいる。この構成により、絶縁樹脂基板２は、その厚み方向における第１金属層３と第２金属層４との間に樹脂材料が介在しなくなる分、高熱伝導絶縁粒子５のみを通過する伝熱経路ができるので、第１金属層３および第２金属層４間における熱抵抗を低減しやすくなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂基板と、
該絶縁樹脂基板の上下面のそれぞれに積層された第１金属層および第２金属層と、
前記絶縁樹脂基板中に配置された複数の高熱伝導絶縁粒子とを有し、
上部が前記第１金属層と点接触しており、下部が前記第２金属層と点接触している前記高熱伝導絶縁粒子を含んでいる
絶縁放熱基板。
【請求項２】
前記絶縁樹脂基板の厚さが、前記高熱伝導絶縁粒子のモード径と略一致している請求項１に記載の絶縁放熱基板。
【請求項３】
前記高熱伝導絶縁粒子は、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が30％以下である請求項１または請求項２に記載の絶縁放熱基板。
【請求項４】
前記高熱伝導絶縁粒子は、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の０．５倍以下の粒子径を有する粒子の存在比率が30％以下である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の絶縁放熱基板。
【請求項５】
前記絶縁樹脂基板は、点接触している粒子の密度が高くなっている高密度点接触領域を有し、
該高密度点接触領域では、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が10％以下である請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の絶縁放熱基板。
【請求項６】
前記高密度点接触領域は、前記絶縁樹脂基板の素子実装部に存在する
請求項５に記載の絶縁放熱基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気・電子機器等の発熱部から放熱部材へ熱を伝達させるのに用いる絶縁放熱基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気・電子機器の発熱部から放熱部材へ熱を伝達させる絶縁放熱基板としては、絶縁樹脂基板を介して、第１金属層および第２金属層を貼り合わせたものが用いられてきた。絶縁樹脂基板は、高熱伝導性と絶縁性との要求から、高熱伝導絶縁粒子を含有していた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１９６４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された絶縁樹脂基板は、その厚み方向における第１金属層と第２金属層との間に、樹脂基板を構成する樹脂材料が介在する。樹脂材料が介在する分、第１金属層および第２金属層間での熱抵抗が増加しやすくなる。従って、絶縁放熱基板に発熱部となる電子部品が搭載された場合、絶縁放熱基板を介して良好に放熱を行うことが難しかった。
【０００５】
本発明の目的は、熱抵抗を低減し、放熱効率の高い絶縁放熱基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る絶縁放熱基板は、絶縁樹脂基板と、該絶縁樹脂基板の上下面のそれぞれに積層された第１金属層および第２金属層と、前記絶縁樹脂基板中に配置された複数の高熱伝導絶縁粒子とを有し、上部が前記第１金属層と点接触しており、下部が前記第２金属層と点接触している前記高熱伝導絶縁粒子を含んでいる。
【発明の効果】
【０００７】
上記の絶縁放熱基板の構成によれば、上部が前記第１金属層と点接触しており、下部が前記第２金属層と点接触している前記高熱伝導絶縁粒子を含んでいるので、絶縁樹脂基板は、その厚み方向における第１金属層と第２金属層との間に樹脂材料が介在しなくなる分、高熱伝導絶縁粒子のみを通過する伝熱経路ができるので第１金属層および第２金属層間における熱抵抗を低減しやすくなる。従って、絶縁放熱基板に発熱部となる電子部品が搭載された場合であっても、絶縁放熱基板を介して良好に放熱しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態における絶縁放熱基板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態における複数の高熱伝導絶縁粒子の粒度分布を示すグラフである。
【図３】（ａ）は本発明の他の実施形態における絶縁放熱基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線における縦断面を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態に係る絶縁放熱基板について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１０】
なお、絶縁放熱基板１は、便宜的に、その厚み方向を上下方向と定義し、上面、下面、上部、下部等の語を用いるものとする。
【００１１】
図１を参照して、本発明の絶縁放熱基板１について説明する。図１に示す例の絶縁放熱基板１は、絶縁樹脂基板２、第１金属層３、第２金属層４と、複数の高熱伝導絶縁粒子５とを有する。
【００１２】
絶縁樹脂基板２の厚みは、例えば、５０μｍ〜１００μｍ程度である。絶縁樹脂基板２のマトリックスとなる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの組成物を用いることができるが、エポキシ樹脂は、絶縁樹脂基板２の製造が容易であるので、特に好ましい。
【００１３】
エポキシ樹脂組成物の主剤としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルーアミノフェノール系エポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は２種以上を併用しても良い。
【００１４】
エポキシ樹脂組成物の硬化剤としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ハイミック酸などの脂環式酸無水物、ドデセニル無水コハク酸などの脂肪族酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸などの芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、アジピン酸ジヒドラジドなどの有機ジヒドラジド、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ジメチルベンジルアミン、１，８-ジアザビシクロ（
５，４，０）ウンデセン、およびその誘導体、２−メチルイミダゾール、２−エチルー４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類が挙げられる。これらの硬化剤は２種以上を併用しても良い。
【００１５】
絶縁樹脂基板２には、必要に応じてカップリング剤を含有させても良い。用いられるカップリング剤としては、例えばγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、γ―メルカプトプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。上記カップリング剤は２種類以上併用しても良い。絶縁樹脂基板２に上記のようなカップリング剤を含有させると、第１金属層３および第２金属層４に対する接着力が向上する。
【００１６】
また、絶縁樹脂基板２のマトリックスとなる熱硬化性樹脂にエポキシ樹脂組成物を用いた場合、主剤の一部として数平均分子量３０００以上のエポキシ樹脂を併用すると、絶縁樹脂基板２の柔軟性が向上し、第１金属層３および第２金属層４に対する密着性が増して、好ましい。数平均分子量３０００以上のエポキシ樹脂の配合割合は、主剤の液状エポキシ樹脂１００重量部に対して１０〜４０重量部である。この配合割合が１０重量部未満では、上記の密着性の向上が認められない。この配合割合が４０重量部より大きいと、絶縁樹脂基板２の耐熱性が低下する。
【００１７】
図１に示す例のように、第１金属層３、第２金属層４は、絶縁樹脂基板の表裏に積層されている。第１金属層３、第２金属層４の材料としては、熱伝導性や電気特性などを考慮した場合、例えば、ＣｕやＡｌ等が使用される。第１金属層３、第２金属層４の厚みは、
例えば、１５０μｍ〜３００μｍ程度である。
【００１８】
図１に示す例のように、複数の高熱伝導絶縁粒子５は、絶縁樹脂基板２中に配置されており、絶縁樹脂基板２は、上部が第１金属層３と点接触しており、下部が第２金属層４と点接触している高熱伝導絶縁粒子５を含んでいる。これにより、絶縁樹脂基板２は、その厚み方向における第１金属層３と第２金属層４との間に樹脂材料が介在しなくなる分、高熱伝導絶縁粒子５のみを通過する伝熱経路ができるので第１金属層３および第２金属層４間における熱抵抗を低減しやすくなる。従って、絶縁放熱基板１に発熱部となる電子部品が搭載された場合であっても、絶縁放熱基板１を介して良好に放熱しやすくなる。
【００１９】
なお、この放熱の観点からいえば、単位面積当たりの第１金属層３（第２金属層４）との点接触数が５〜５００個／ｍｍ２であることが好ましい。
【００２０】
また、図１に示す例のように、絶縁樹脂基板２中において、その厚み方向において第１金属層３と第２金属層４との間に高熱伝導絶縁粒子５が複数でなく、１つのみ存在している。絶縁樹脂基板２中に、複数の高熱伝導絶縁粒子が互いに接するように厚み方向に粒子を配列する場合、絶縁樹脂基板２中における高熱伝導絶縁粒子の含有比率を極端に増加させる必要がある。そのような場合、絶縁樹脂基板中の樹脂材料比率が極端に低下することから絶縁樹脂基板の強度が低下することが予想される。従って、図１に示す例のように、第１金属層３と第２金属層４との間に、厚み方向において、１つのみの高熱伝導絶縁粒子５が配置されていることが、絶縁樹脂基板２の強度の観点から好ましい。
【００２１】
また、図１に示されるように、高熱伝導絶縁粒子５が第１金属層３および第２金属層４と点接触していることから、高熱伝導絶縁粒子５と、第１金属層３および第２金属層４との点接触部の周辺に、絶縁樹脂基板２の樹脂材料が入り込む構成となっている。この入り込んだ樹脂材料によって、絶縁放熱基板１全体が撓んだ場合であっても、高熱伝導絶縁粒子５と、第１金属層３および第２金属層４とが剥離するのを抑制できる。
【００２２】
また、例えば、高熱伝導絶縁粒子５としてＡｌ2Ｏ3等のセラミックスを用い、第１金属層３および第２金属層４としてＣｕ等を用い、絶縁樹脂基板２の樹脂材料としてエポキシ樹脂等を選択した場合、一般的に、高熱伝導絶縁粒子５と金属層３、４との熱膨張率の差は、樹脂材料と金属層３、４との熱膨張率の差よりも大きい。よって、本願のように、高熱伝導絶縁粒子５と金属層３、４との接触を点接触とした場合、金属層３、４と比較的熱膨張率が近似した樹脂材料を、より金属層３、４に接触させることができる。従って、熱膨張差の大きい高熱伝導絶縁粒子５と金属層３、４との接触面積を低減し、両者が剥離することを抑制することができる。
【００２３】
また、高熱伝導絶縁粒子５の材料としては、絶縁性と比較的高い熱伝導率を兼ね備えたセラミックスが使用でき、例えば、Ａｌ2Ｏ3（熱伝導率：２０Ｗ／ｍｋ）、ＳｉＣ、ＳｉＮ（熱伝導率：７０Ｗ／ｍｋ）、ＡｌＮ（熱伝導率：１７０Ｗ／ｍｋ）等が挙げられるが、必要とする放熱性能に応じて選択することができる。複数の高熱伝導絶縁粒子５の直径は、例えば、５０μｍ〜１００μｍ程度である。
【００２４】
次に、図２を用いて本願に示す例の粒度分布について説明する。粒度分布とは、粉体粒子の粒子径ごとの存在比率の分布をいい、存在比率は体積基準であるものとし、レーザー回折散乱法、画像解析等によって測定する。また、以下で、モード径とは、出現比率がもっとも大きい粒子径チャンネル、または分布の極大値の粒子径をいう。
【００２５】
図２に示す例においては、複数の高熱伝導絶縁粒子５は、直径が５０μｍ〜１００μｍ程度の粒子が絶縁樹脂基板２中に分布しており、モード径は１００μｍ程度となっている
。なお、複数の高熱伝導絶縁粒子５のモード径は、絶縁樹脂基板２の厚さと略一致していることが好ましい。従って、図２に示す例においては、絶縁樹脂基板２の厚さは１００μｍ程度であることが好ましい。このような場合には、上部が第１金属層３と点接触し、下部が第２金属層４と点接触するような高熱伝導絶縁粒子５の比率を増加させることができ、単位面積当たりの第１金属層３（第２金属層４）との点接触数を５〜５００個／ｍｍ２とする上で好ましい。
【００２６】
また、図２に示す例のように、複数の高熱伝導絶縁粒子５は、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が30％以下であることが好ましい。この場合、モード径の粒子の存在比率がそれ以外の粒子径の存在比率に対して相対的に大きくなるので、上部が第１金属層３と点接触し、下部が第２金属層４と点接触するような高熱伝導絶縁粒子５の比率を増加させることができ、単位面積当たりの第１金属層３（第２金属層４）との点接触数を５〜５００個／ｍｍ２とする上で好ましい。
【００２７】
また、図２に示す例のように、複数の高熱伝導絶縁粒子５は、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の０．５倍以下の粒子径を有する粒子の存在比率が30％以下であることが好ましい。この場合、モード径の粒子の存在比率がそれ以外の粒子径の存在比率に対して更に相対的に大きくなるので、上部が第１金属層３と点接触し、下部が第２金属層４と点接触するような高熱伝導絶縁粒子５の比率を更に増加させることができ、単位面積当たりの第１金属層３（第２金属層４）との点接触数を５〜５００個／ｍｍ２とする上で好ましい。
【００２８】
なお、以下に、図２示す例のような粒度分布の測定方法の具体的な方法として、レーザー回折散乱法と、画像解析法とに分けて説明する。
【００２９】
（レーザー回折散乱法）
（１）まず、絶縁放熱基板１の第１金属層３および第２金属層４を溶解させる。例えば、第１金属層３および第２金属層４がＣｕ又はＡｌであった場合には、絶縁放熱基板１を４０℃〜５０℃程度に加熱した塩化第２鉄溶液に浸漬し揺動する。これにより、第１金属層３および第２金属層４が溶解し、絶縁樹脂基板２単体を取り出すことができる。
【００３０】
（２）次に、絶縁樹脂基板２の樹脂部分を溶解する。この工程においては、例えば、絶縁樹脂基板２単体をダイナソルブ（エア・ブラウン社）、またはｅソルブ２１（カネコ化学）等の樹脂溶解剤に浸漬する。これにより、絶縁樹脂基板２から樹脂部分を溶解することができる。なお、この状態においては、樹脂溶解剤中に高熱伝導絶縁粒子５が沈殿しており、溶解した樹脂成分は上澄みとなって存在している。
【００３１】
（３）次に、樹脂溶解剤から溶解した樹脂成分を分離する。この工程においては、まず、上述した樹脂溶解剤を遠心分離し、上澄みとしての溶解樹脂成分を廃棄する。続いて、ＩＰＡ等の有機溶剤を容器に入れ、超音波等で撹拌した後再度遠心分離し、１回目の廃棄後も残存していた樹脂成分が溶解した有機溶剤を、上澄みとして再度廃棄する。有機溶剤の注入、撹拌と遠心分離による分離、廃棄のサイクルを、例えば、２〜３回程度繰り返すことが好ましい。その後、容器に残った高熱伝導絶縁粒子５を乾燥させることによって高熱伝導絶縁粒子５のみを取り出すことができる。
【００３２】
（４）次に、高熱伝導絶縁粒子５の濃度が0.1ｗｔ％程度になるよう、容器に分散媒と
して蒸留水を入れて、それを超音波撹拌する。ここで、蒸留水の代わりにＩＰＡ等の有機溶剤を用いても良い。なお、必要に応じて中性洗剤やヘキサメタリン酸ナトリウムのような分散剤を添加しても良い。
【００３３】
（５）次に、得られた高熱伝導絶縁粒子５入りの分散媒を、粒度分布測定用の測定器であるマイクロトラック（日機装）、またはSALD-3100（島津製作所）などにセットして、
レーザー回折散乱法によって粒度分布を測定する。
【００３４】
（画像解析法）
（１）まず、レーザー回折散乱法における工程（１）と同様に、第１金属層３および第２金属層４を溶解させ、絶縁樹脂基板２単体を取り出す。なお、Ｘ線透過を用いた画像解析法においては、第１金属層３および第２金属層４の溶解は必須ではないが、これらを除去した方が、より鮮明な画像を得ることができるので好ましい。
【００３５】
（２）次に、絶縁樹脂基板２の上面側からＸ線透過画像を撮像する。Ｘ線撮像装置としては、SMX-1000（島津製作所）、またはTOSMICRON-S400（東芝）などを用いることができる。撮像した画像を画像解析することによって、粒度分布を得ることができる。
【００３６】
次に、図３を用いて、本発明の絶縁放熱基板１の他の例について説明する。図３（ａ）に示す例においては、絶縁樹脂基板２の上面に３枚の第１金属層３が設けられている。図３に示す例においては、そのうちの１つの第１金属層３に、素子が実装される素子実装部７が設けられている。実装される素子の例としては、パワー系半導体素子などが挙げられる。素子実装においては例えばダイボンディングが行われる。
【００３７】
また、図３に示すように、この絶縁樹脂基板２には、点接触している粒子の密度が高くなっている高密度点接触領域６が設けられており、かつ、この高密度点接触領域６では、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が10％以下であっても良い。
【００３８】
また、図３に示すように、高密度点接触領域６は、絶縁樹脂基板２の素子実装部７に存在することが好ましい。このような場合には、素子で発生した熱を、伝熱効率の高い高密度点接触領域６を介して第２金属層４側に効率的に放熱することができる。なお、図３に示す例においては、上面視した際に、高密度点接触領域６が素子実装部７と同様の形状になっているが、高密度点接触領域６と素子実装部７とは、その形状に多少の誤差があっても良い。
【００３９】
本発明の絶縁放熱基板１は、以下に示す方法により製造する。
【００４０】
（１）まず、絶縁樹脂基板２を準備する。この工程では、所定量の熱硬化性樹脂の主剤とこの主剤を硬化させるのに必要な量の硬化剤とからなる熱硬化性樹脂組成物と、例えばこの熱硬化性樹脂組成物と同重量の溶剤とを混合し、上記熱硬化性樹脂組成物の溶液とする。
【００４１】
次に、上記熱硬化性樹脂組成物の溶液に、高熱伝導絶縁粒子５を添加して予備混合する。この予備混合物を例えば３本ロールやニーダなどで混練し、絶縁樹脂基板用コンパウンドとする。ここで、溶液に添加する高熱伝導絶縁粒子５として、例えば図２に示すような所望の粒度分布の粉体を得るためには、量産型スピンエアーシーブ SAR-500（セイシン企業）、マイクロン・クラッシファイアー（セイシン企業）などの分級器を用いると良い。
【００４２】
次に、得られたコンパウンドを、離型処理された樹脂シートまたは金属板上に、ドクターブレード法により塗布する。次に、この塗布物を乾燥し、塗布物中の溶剤を揮発させ、絶縁樹脂基板２を得る。ここで、本願発明のように、高熱伝導絶縁粒子５が第１金属層３、第２金属層４と点接触するような絶縁樹脂基板２を得るためには、上記のように得られたコンパウンドを、高熱伝導絶縁粒子５の粒子径と同程度の厚みになるよう、樹脂シート
や金属板上に塗布すると良い。
【００４３】
この時、必要に応じて加熱をして、溶剤の揮発を促進させても良く、熱硬化性樹脂組成物の反応を進め、Ｂステージ化しても良い。また、粘度が低い熱硬化性樹脂組成物の場合は、溶剤を添加することなしに、熱硬化性樹脂組成物そのものに、高熱伝導絶縁粒子５を添加しても良い。また、カップリング剤などの添加剤は、熱硬化性樹脂組成物と高熱伝導絶縁粒子５との混練工程までに添加すれば良い。
【００４４】
（２）次に、絶縁樹脂基板２に、第１金属層３、第２金属層４を形成する。上記方法で得られた絶縁樹脂基板２は、マトリックスの熱硬化性樹脂がＢステージ状態であるので、第１金属層３、第２金属層４とで挟んで加熱硬化して、両者をそれぞれ絶縁樹脂基板２の主面に接着するとともに電気絶縁する。ここで、本願発明のように、高熱伝導絶縁粒子５が第１金属層３、第２金属層４と点接触するような絶縁樹脂基板２を得るためには、第１金属層３、第２金属層４とで絶縁樹脂基板２を挟んだ際に、０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａ程度の圧力で両側から加圧すると良い。押圧力が０．１ＭＰａ以上であれば、高熱伝導絶縁粒子５を第１金属層３（第２金属層４）と十分に点接触させることができる点から好ましく、１０ＭＰａ以下であれば、高熱伝導絶縁粒子５が第１金属層３（第２金属層４）に突入することによって面接触となることを避けることができるので好ましい。
【００４５】
また、上記の方法以外に以下の方法であっても良い。まず、（１）で得られた絶縁樹脂基板用コンパウンドを、第１金属層３に塗布する。塗布方法としては、プリント、ポッティング等がある。次に、絶縁樹脂基板用コンパウンドを、例えば、温度８０℃で１０分間、１２０℃で１０分間、温度１５０℃１０分間で乾燥させることにより、半硬化状態の絶縁樹脂基板２が張り付けられた第１金属層３を得る。次に、絶縁樹脂基板２における第１金属層３が張り付けられていない方の主面に第２金属層４を接触、あるいは貼着させる。次に、１７０℃の温度が加えることによって、半硬化状態の絶縁樹脂基板２を熱硬化させ、第１金属層３および第２金属層４が設けられた絶縁樹脂基板２、すなわち絶縁放熱基板１を得る。
【００４６】
なお、図３に示す例のような高密度点接触領域６を有する絶縁樹脂基板２を製造する際の製造方法について以下に説明する。まず、上記（１）の工程において、高密度点接触領域６となる絶縁樹脂基板用コンパウンドと、それ以外の領域用の絶縁樹脂基板用コンパウンドとをそれぞれ準備する。高密度点接触領域６用の粒度分布としては、例えば、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が10％以下であるものを用い、それ以外の領域用の粒度分布としては、例えば、モード径の粒子の存在比率に対し、モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が30％以下であるものを用いる。そして、これらコンパウンドを樹脂シートや金属板上に塗布する際、素子実装部７と対応する高密度点接触領域６には高密度点接触領域６用のコンパウンドを塗布し、それ以外の領域には高密度点接触領域６以外の領域用のコンパウンドを塗布すると良い。あとの工程は上述した工程と同様である。
【００４７】
なおこれまで述べた「モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が30％以下」は、粒度分布上でモード径の１．５倍以上の各区間の粒子の存在比率がそれぞれ30％以下であることを示しており、モード径の１．５倍以上すべての粒子の合計の存在比率が30％以下であることではない。これは「モード径の１．５倍以上の粒子径を有する粒子の存在比率が10％以下」の場合も同様である。
【００４８】
またこれまで述べた「モード径の０．５倍以下の粒子径を有する粒子の存在比率が30％以下」についても同様に、粒度分布上でモード径の０．５倍以下の各区間の粒子の存在比率がそれぞれ30％以下であることを示しており、モード径の０．５倍以下すべての粒子の
合計の存在比率が30％以下であることではない。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・・・絶縁放熱基板
２・・・・・絶縁樹脂基板
３・・・・・第１金属層
４・・・・・第２金属層
５・・・・・高熱伝導絶縁粒子
６・・・・・高密度点接触領域
７・・・・・素子実装部
【図１】
2015026780.tif 000003
【図２】
2015026780.tif 000004
【図３】
2015026780.tif 000005