(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】Ｎ−カルバゾリルジフェニルホスフィンオキサイド誘導体を用いる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2015201463.tif 000026
［一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ6とＲ7、Ｒ7とＲ8、Ｒ11とＲ12、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、Ｒ14とＲ15、Ｒ16とＲ17、Ｒ17とＲ18、Ｒ18とＲ19、Ｒ19とＲ20は、それぞれ互いに結合して環状構造を形成していてもよい。］
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物と発光材料を含む発光層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記発光材料がリン光材料であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記発光材料が、Ｉｒ錯体、Ｃｕ錯体またはＰｔ錯体であることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記発光材料が遅延蛍光材料であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記発光材料の最大発光波長が４５０〜４８５ｎｍであることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記一般式（１）におけるＲ1〜Ｒ8が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、水酸基、置換もしくは無置換のアルキルアミド基、または置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記一般式（１）におけるＲ11〜Ｒ20が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記一般式（１）におけるＲ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される構造を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
2015201463.tif 000027
［一般式（２）中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ12〜Ｒ14およびＲ17〜Ｒ19は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ2とＲ3、Ｒ6とＲ7、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、Ｒ17とＲ18、Ｒ18とＲ19は、それぞれ互いに結合して環状構造を形成していてもよい。］
【請求項１１】
下記一般式（１）で表される化合物。
【化３】
2015201463.tif 000028
［一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20は、各々独立に水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20の少なくとも１つは置換基である。］
【請求項１２】
下記一般式（１）で表される化合物からなるキャリア輸送材料。
【化４】
2015201463.tif 000029
一般式（１）
［一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20は、各々独立に水素原子または置換基を表す。］
【請求項１３】
下記一般式（１）で表される化合物からなるホスト材料。
【化５】
2015201463.tif 000030
［一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20は、各々独立に水素原子または置換基を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる化合物、キャリア輸送材料およびホスト材料にも関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光効率を高める研究が盛んに行われている。これまでにも、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する電子輸送材料、ホール輸送材料、ホスト材料、発光材料などを新たに開発して組み合わせることにより、発光効率を高める工夫が種々なされてきている。なかでも、リン光材料は励起三重項状態を使用することができ、量子効率が高いことから発光材料として注目を集めている。しかしながら、リン光材料には、トリプレット−トリプレット失活を起こしやすいという共通の課題があるため、そのような失活を抑えるための様々な検討がなされている（非特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、トリフェニルホスフィンオキサイド構造を含む化合物は、従来のカルバゾール系化合物に比べて最低励起三重項エネルギー準位が高いことから、発光材料のホスト材料として注目されている。例えば特許文献１には、最低励起三重項エネルギー準位が２．６５ｅＶ以上である化合物を選択して用いることにより発光効率を改善することが記載されている。特許文献１には、下記の構造を有する化合物に発光材料をドープした発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が記載されている。
【化１】
2015201463.tif 000002
【０００４】
非特許文献２には、下記のトリフェニルホスフィンオキサイド構造を含む化合物にイリジウム（III）ビス（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2）ピコリナート（Ｆｌｒｐｉｃ）をドープした発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が記載されている。この文献には、希薄溶液で測定したリン光スペクトルが掲載されている。
【化２】
2015201463.tif 000003
【０００５】
非特許文献３には、下記のトリフェニルホスフィンオキサイド構造を含む化合物にイリジウム（III）ビス（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2）ピコリナート（Ｆｌｒｐｉｃ）をドープした発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が記載されている。この文献には、このような構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、発光効率を高めうることが記載されている。
【化３】
2015201463.tif 000004
【０００６】
一方、これらの化合物とは異なり、分子内にドナー部位とアクセプター部位をともに有する化合物からなるホスト材料も提案されており、例えば非特許文献４にはカルバゾール構造とトリフェニルホスフィンオキサイド構造を分子内に有する下記の化合物を用いることが提案されている。また、特許文献２には、この化合物のカルバゾリル基の３位と６位にフェニル基やtert-ブチル基を導入した誘導体をホスト材料として使用し、イリジウム（III）ビス（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2）ピコリナート（Ｆｌｒｐｉｃ）をドープした発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が記載されている。
【化４】
2015201463.tif 000005
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００６／１３０３５３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１８４９１０号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】L.Xiao, Adv. Mater. 2011, 23, 926-952
【非特許文献２】P.A.Vecchi et.al., Organic Letters, 2006, Vol.8, No.19, 4211-4214
【非特許文献３】C. Han, Chem. Eur. J. 2011, 17, 5800-5803
【非特許文献４】F. Phys. Chem. C2008, 112, 7989-7996
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
分子内にドナー部位とアクセプター部位をともに有するホスト材料について、本発明者らが種々試験を行ったところ、非特許文献４に記載されるような構造を分子内に有する化合物をホスト材料として用いて有機エレクトロルミネッセンス素子を製造しても、十分な発光効率を達成することはできないことが判明した。また、同じ骨格を有する化合物に置換基を導入した誘導体を用いても、発光効率の改善には限界がある。そこで、本発明者らは、高い発光効率を達成することができる新たな骨格を有する材料を開発し、有用な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを課題として鋭意検討を進めた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために鋭意検討を進めた結果、本発明者らは、ドナー部位とアクセプター部位を直接連結した構造を採用することにより、目的を達成しうることを見出した。すなわち、本発明者らは、上記の課題を解決する手段として、以下の本発明を提供するに至った。
【００１１】
［１］  下記一般式（１）で表される化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５】
2015201463.tif 000006
［一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ6とＲ7、Ｒ7とＲ8、Ｒ11とＲ12、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、Ｒ14とＲ15、Ｒ16とＲ17、Ｒ17とＲ18、Ｒ18とＲ19、Ｒ19とＲ20は、それぞれ互いに結合して環状構造を形成していてもよい。］
［２］  前記一般式（１）で表される化合物と発光材料を含む発光層を有することを特徴とする［１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［３］  前記発光材料がリン光材料であることを特徴とする［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［４］  前記発光材料が、Ｉｒ錯体、Ｃｕ錯体またはＰｔ錯体であることを特徴とする［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［５］  前記発光材料が遅延蛍光材料であることを特徴とする［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［６］  前記発光材料の最大発光波長が４５０〜４８５ｎｍであることを特徴とする［２］〜［５］のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［７］  前記一般式（１）におけるＲ1〜Ｒ8が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、水酸基、置換もしくは無置換のアルキルアミド基、または置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基であることを特徴とする［１］〜［６］のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［８］  前記一般式（１）におけるＲ11〜Ｒ20が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基であることを特徴とする［１］〜［７］のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［９］  前記一般式（１）におけるＲ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基であることを特徴とする［１］〜［６］のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［１０］  前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される構造を有することを特徴とする［１］〜［９］のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化６】
2015201463.tif 000007
［一般式（２）中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ12〜Ｒ14およびＲ17〜Ｒ19は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ2とＲ3、Ｒ6とＲ7、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、Ｒ17とＲ18、Ｒ18とＲ19は、それぞれ互いに結合して環状構造を形成していてもよい。］
［１１］  上記一般式（１）で表される化合物（ただし、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20の少なくとも１つは置換基である）。
［１２］  上記一般式（１）で表される化合物からなるキャリア輸送材料。
［１３］  上記一般式（１）で表される化合物からなるホスト材料。
【発明の効果】
【００１２】
一般式（１）で表される化合物はキャリア輸送材料として有用であり、また発光層のホスト材料として有用である。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、特定の構造を有する化合物を用いているため、発光効率が高いという特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光スペクトルである。
【図２】実施例１および比較例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図３】実施例１および比較例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光強度−電圧特性を示すグラフである。
【図４】実施例１および比較例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の外部量子効率−電流密度特性を示すグラフである。
【図５】実施例２の有機フォトルミネッセンス素子および実施例３の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光スペクトルである。
【図６】実施例２の有機フォトルミネッセンス素子の時間分解スペクトルである。
【図７】実施例３の有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図８】実施例３の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光強度−電圧特性を示すグラフである。
【図９】実施例３の有機エレクトロルミネッセンス素子の外部量子効率−電流密度特性を示すグラフである。
【図１０】有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１５】
［一般式（１）で表される化合物］
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記一般式（１）で表される化合物を用いる点に特徴がある。
【化７】
2015201463.tif 000008
【００１６】
一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20は、すべてが水素原子であってもよいし、１つ以上が置換基であってもよい。２つ以上が置換基である場合は、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ1〜Ｒ8が採りうる置換基として、例えば、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、水酸基、置換もしくは無置換のアルキルアミド基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基を挙げることができる。より具体的には、Ｒ1〜Ｒ8が採りうる置換基として、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数７〜２０の置換もしくは無置換のアラルキル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のアルキニル基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基、シアノ基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のジアルキルアミノ基、炭素数１２〜３０の置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、炭素数１２〜３０の置換もしくは無置換のカルバゾリル基、炭素数１２〜３０の置換もしくは無置換のジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のアシル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、水酸基、アミド基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のハロアルキル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルアミド基、炭素数３〜２０の置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０の置換もしくは無置換のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数５〜２０の置換もしくは無置換のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数５〜２０の置換もしくは無置換のトリアルキルシリルアルキニル基が挙げられ、これらはさらに置換基により置換されていてもよい。Ｒ1〜Ｒ8は、より好ましくは、各々独立に水素原子、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基、炭素数１２〜３０の置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、炭素数１２〜３０のカルバゾリル基である。
【００１７】
一般式（１）において、Ｒ11〜Ｒ20が採りうる置換基として、例えば、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基を挙げることができる。より具体的には、Ｒ11〜Ｒ20が採りうる置換基として、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数７〜２０の置換もしくは無置換のアラルキル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のアルキニル基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基が挙げられ、これらはさらに置換基により置換されていてもよい。Ｒ1〜Ｒ8は、より好ましくは、各々独立に水素原子、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基である。
【００１８】
本明細書でいうアルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよく、より好ましくは炭素数１〜６であり、具体例としてメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基を挙げることができる。アリール基は、単環でも融合環でもよく、具体例としてフェニル基、ナフチル基を挙げることができる。アルコキシ基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよく、より好ましくは炭素数１〜６であり、具体例としてメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソプロピポキシ基を挙げることができる。ジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。ジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、各々独立に直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよく、より好ましくは炭素数１〜６であり、具体例としてメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基を挙げることができる。アリール基は、単環でも融合環でもよく、具体例としてフェニル基、ナフチル基を挙げることができる。ヘテロアリール基も、単環でも融合環でもよく、具体例としてピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、トリアジル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基を挙げることができる。これらのヘテロアリール基は、ヘテロ原子を介して結合する基であっても、ヘテロアリール環を構成する炭素原子を介して結合する基であってもよい。
【００１９】
上記一般式（１）において、Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ6とＲ7、Ｒ7とＲ8、Ｒ11とＲ12、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、Ｒ14とＲ15、Ｒ16とＲ17、Ｒ17とＲ18、Ｒ18とＲ19、Ｒ19とＲ20は、それぞれ互いに結合して環状構造を形成していてもよい。ここでいう環状構造は芳香環であっても脂肪環であってもよく、またヘテロ原子を含むものであってもよい。ここでいうヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択されるものであることが好ましい。形成される環状構造の例として、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、イミダゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、シクロヘキサジエン環、シクロヘキセン環、シクロペンタエン環、シクロヘプタトリエン環、シクロヘプタジエン環、シクロヘプタエン環などを挙げることができる。環状構造を形成する場合は、一般式（１）のＲ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ6とＲ7Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、Ｒ17とＲ18、Ｒ18とＲ19の少なくとも１つが、それぞれ互いに結合して環状構造を形成していることが好ましい。
【００２０】
一般式（１）で表される好ましい化合物群として、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基である化合物群を挙げることができる。また、一般式（１）で表される別の好ましい化合物群として、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20が、各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基である化合物群を挙げることもできる。
【００２１】
一般式（１）で表される化合物として、下記一般式（２）で表される構造を有する化合物を好ましく例示することができる。
【化８】
2015201463.tif 000009
【００２２】
一般式（２）において、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ12〜Ｒ14およびＲ17〜Ｒ19は、各々独立に水素原子または置換基を表す。ここでいう置換基の例と好ましい範囲については、上記一般式（１）における対応する記載を参照することができる。
一般式（２）において、Ｒ2とＲ3、Ｒ6とＲ7、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、Ｒ17とＲ18、Ｒ18とＲ19は、それぞれ互いに結合して環状構造を形成していてもよい。これらの環状構造の例と好ましい範囲についても、上記一般式（１）における対応する記載を参照することができる。
一般式（２）で表される化合物の態様として、Ｒ2とＲ7が水素原子であって、Ｒ3とＲ6が置換基である化合物群；Ｒ3とＲ6が水素原子であって、Ｒ2とＲ7が置換基である化合物群；Ｒ13とＲ18が水素原子であって、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ17およびＲ19が置換基である化合物群；Ｒ12、Ｒ14、Ｒ17およびＲ19が水素原子であって、Ｒ13とＲ18が置換基である化合物群などを好ましく例示することができる。
【００２３】
以下において、一般式（１）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明において用いることができる一般式（１）で表される化合物はこれらの具体例によって限定的に解釈されるべきものではない。なお、以下の具体例の構造式の中でｔ−Ｂｕはtert−ブチル基を表す。
【００２４】
【表１】
2015201463.tif 000010
【００２５】
［一般式（１）で表される化合物の合成方法］
一般式（１）で表される化合物のうち、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ20の少なくとも１つが置換基である化合物は新規化合物である。これらの新規化合物は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高くて、非晶質フィルムを形成しやすい。これらの新規化合物は、既知の反応を組み合わせることによって合成することができる。例えば、以下のスキームにしたがって、カルバゾールとクロロジフェニルホスフィンをカップリングさせ、得られた化合物をホスフィンオキシドへ変換することにより一般式（１）で表される化合物を合成することができる。カルバゾールとクロロジフェニルホスフィンとのカップリング反応は、公知のカップリング反応であり、ｎ−ブチルリチウムを用いて反応させることができる。また、得られた化合物をホスフィンオキシドへ変換する反応も公知であり、過酸化水素を用いて変換することができる。これらの反応の具体的な条件については、後述の合成例を参考にすることができる。また、一般式（１）で表される化合物は、その他の公知の合成反応を組み合わせることによっても合成することができる。
【００２６】
【化９】
2015201463.tif 000011
【００２７】
［有機エレクトロルミネッセンス素子］
一般式（１）で表される化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料として有用である。特に、一般式（１）で表される化合物はキャリア輸送材料として有用であり、また発光層のホスト材料として有用である。一般式（１）で表される化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光効率を高くすることができる。
【００２８】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも陽極、陰極、および陽極と陰極の間に有機層を形成した構造を有する。有機層は、少なくとも発光層を含むものであり、発光層のみからなるものであってもよいし、発光層の他に１層以上の有機層を有するものであってもよい。そのような他の有機層として、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層、励起子阻止層などを挙げることができる。正孔輸送層は正孔注入機能を有した正孔注入輸送層でもよく、電子輸送層は電子注入機能を有した電子注入輸送層でもよい。具体的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を図１０に示す。図１０において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を表わす。以下において、これらの構成部材や層について説明する。
【００２９】
（陽極）
有機エレクトロルミネッセンス素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが好ましく用いられる。このような電極材料の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極材料の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な材料を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００３０】
（陰極）
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが用いられる。このような電極材料の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性および酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陽極の説明で挙げた導電性透明材料を陰極に用いることで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【００３１】
（発光層）
発光層は、陽極および陰極のそれぞれから注入された正孔および電子が再結合することにより励起子が生成した後、発光する層であり、発光材料とホスト材料を含むことが好ましい。ホスト材料としては、一般式（１）で表される本発明の化合物群から選ばれる１種または２種以上を用いることが特に好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子が高い発光効率を発現するためには、発光材料に生成した一重項励起子および三重項励起子を、発光材料中に閉じ込めることが重要である。従って、発光層中に発光材料に加えて、一般式（１）で表されるホスト材料を用いることが好ましい。ホスト材料を用いる場合、発光材料が発光層中に含有される量は０．１重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることがより好ましく、また、５０重量％以下であることが好ましく、２０重量％以下であることがより好ましく、１０重量％以下であることがさらに好ましい。
【００３２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる発光材料は、発光させたい波長等を考慮して選択することができる。本発明では、特に発光材料の最大発光波長が４５０〜４８５ｎｍにある青色発光材料を好ましく選択することができる。青色発光材料の最大発光波長は４５５〜４８０ｎｍであるのがより好ましい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる発光材料としては、例えばリン光材料、遅延蛍光材料、エキサイプレックス型発光材料などを適宜選択して用いることができる。
リン光材料としては、従来公知の種々の金属錯体を挙げることができる。本発明では特に深い青色のリン光を発光する材料を好ましく選択することができる。リン光材料としては、例えば、Ｆｌｒｐｉｃ、ＦＣＮＩｒ、Ｉｒ（ｄｂｆｍｉ）、ＦＩｒ６、Ｉｒ（ｆｂｐｐｚ）2（ｄｆｂｄｐ）、ＦＩｒＮ４などのＩｒ錯体や、後掲の［Ｃｕ（ｄｎｂｐ）（ＤＰＥＰｈｏｓ）］ＢＦ4や、[Ｃｕ（ｄｐｐｂ）（ＤＰＥＰｈｏｓ）]ＢＦ4、［Ｃｕ（μ−ｌ）ｄｐｐｂ］2、[Ｃｕ（μ−Ｃｌ）ＤＰＥｐｈｏｓ]2、Ｃｕ（２−ｔｚｑ）（ＤＰＥＰｈｏｓ）、[Ｃｕ（ＰＮＰ）]2、ｃｏｍｐｏｕｎｄ  １００１、Ｃｕ（Ｂｐｚ4）（ＤＰＥＰｈｏｓ）などのＣｕ錯体、ＦＰｔ、Ｐｔ−４などのＰｔ錯体を好ましい例として挙げることができる。これらの構造を以下に示す。
【００３３】
【化１０】
2015201463.tif 000012
【００３４】
【化１１】
2015201463.tif 000013
【００３５】
【化１２】
2015201463.tif 000014
【００３６】
上に代表的なリン光材料を記載したが、本発明に用いることができるリン光材料はこれらに限定されるものではない。主な発光材料は、例えば、シーエムシー出版、「有機ＥＬのデバイス物理・材料化学・デバイス応用」の第９章に記載されている。
【００３７】
遅延蛍光材料としては、例えば下記のＰＩＣ−ＴＲＺ、[Ｃｕ（ＰＮＰ−tＢｕ）]2といった熱活性化型遅延蛍光材料を好ましい例として挙げることができる。
【化１３】
2015201463.tif 000015
【００３８】
また、下記一般式（１０）で表される遅延蛍光材料も好ましく例示することができる。
【化１４】
2015201463.tif 000016
【００３９】
［一般式（１０）において、Ｒ101〜Ｒ105の少なくとも１つはシアノ基を表し、Ｒ101〜Ｒ105の少なくとも１つは下記一般式（１１）で表される基を表し、残りのＲ101〜Ｒ105は水素原子または置換基を表す。］
【００４０】
【化１５】
2015201463.tif 000017
【００４１】
［一般式（１１）において、Ｒ21〜Ｒ28は、各々独立に水素原子または置換基を表す。ただし、下記＜Ａ＞か＜Ｂ＞の少なくとも一方を満たす。
＜Ａ＞  Ｒ25およびＲ26は一緒になって単結合を形成する。
＜Ｂ＞  Ｒ27およびＲ28は一緒になって置換もしくは無置換のベンゼン環を形成するのに必要な原子団を表す。
【００４２】
一般式（１１）で表される基は、具体的には下記一般式（１２）〜（１５）のいずれかで表される基であることが好ましい。なかでも、一般式（１２）で表される基であることが好ましい。
【化１６】
2015201463.tif 000018
【００４３】
［一般式（１２）において、Ｒ31〜Ｒ38は、各々独立に水素原子または置換基を表す。］
【００４４】
【化１７】
2015201463.tif 000019
【００４５】
［一般式（１３）において、Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に水素原子または置換基を表す。］
【００４６】
【化１８】
2015201463.tif 000020
【００４７】
［一般式（１４）において、Ｒ51〜Ｒ62は、各々独立に水素原子または置換基を表す。］
【００４８】
【化１９】
2015201463.tif 000021
【００４９】
［一般式（１５）において、Ｒ71〜Ｒ80は、各々独立に水素原子または置換基を表す。］
【００５０】
一般式（１１）〜（１５）における置換基としては、例えばヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜２０のアルキル置換アミノ基、炭素数２〜２０のアシル基、炭素数６〜４０のアリール基、炭素数３〜４０のヘテロアリール基、炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基、炭素数１２〜４０の置換もしくは無置換のカルバゾリル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、アミド基、炭素数２〜１０のアルキルアミド基、炭素数３〜２０のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数５〜２０のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数５〜２０のトリアルキルシリルアルキニル基およびニトロ基等が挙げられる。これらの具体例のうち、さらに置換基により置換可能なものは置換されていてもよい。より好ましい置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜４０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数３〜４０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、炭素数１２〜４０の置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、炭素数１２〜４０の置換もしくは無置換のカルバゾリル基である。さらに好ましい置換基は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のジアルキルアミノ基、炭素数６〜１５の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数３〜１２の置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【００５１】
一般式（１０）で表される化合物のうち、好ましい化合物群として、Ｒ101〜Ｒ105の少なくとも１つがシアノ基であり、Ｒ101〜Ｒ105の少なくとも３つが置換もしくは無置換の９−カルバゾリル基、置換もしくは無置換の１，２，３，４−テトラヒドロ−９−カルバゾリル基、置換もしくは無置換の１−インドリル基、または置換もしくは無置換のジアリールアミノ基であり、残りのＲ101〜Ｒ105がヒドロキシ基である化合物群を挙げることができる。
一般式（１０）で表される化合物のうち、さらに好ましい化合物群として、Ｒ101〜Ｒ105の１つがシアノ基であり、Ｒ101〜Ｒ105の２つが置換もしくは無置換の９−カルバゾリル基であり、その他の２つが水素原子である化合物群を挙げることができる。
【００５２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いることができるエキサイプレックス型発光材料としては、例えば下記のｍ−ＭＴＤＡＴＡとＰＢＤ、ＰｙＰｙＳＰｙＰｙとＮＰＢ、ＰＰＳＰＰとＮＰＢを好ましい例として挙げることができる。
【化２０】
2015201463.tif 000022
【００５３】
（注入層）
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層または正孔輸送層の間、および陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。
【００５４】
（阻止層）
阻止層は、発光層中に存在する電荷（電子もしくは正孔）および／または励起子の発光層外への拡散を阻止することができる層である。電子阻止層は、発光層および正孔輸送層の間に配置されることができ、電子が正孔輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。同様に、正孔阻止層は発光層および電子輸送層の間に配置されることができ、正孔が電子輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。阻止層はまた、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止するために用いることができる。すなわち電子阻止層、正孔阻止層はそれぞれ励起子阻止層としての機能も兼ね備えることができる。本明細書でいう電子阻止層または励起子阻止層は、一つの層で電子阻止層および励起子阻止層の機能を有する層を含む意味で使用される。
【００５５】
（正孔阻止層）
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は電子を輸送しつつ、正孔が電子輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層の材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。
【００５６】
（電子阻止層）
電子阻止層とは、広い意味では正孔を輸送する機能を有する。電子阻止層は正孔を輸送しつつ、電子が正孔輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。
【００５７】
（励起子阻止層）
励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。すなわち、励起子阻止層を陽極側に有する場合、正孔輸送層と発光層の間に、発光層に隣接して該層を挿入することができ、陰極側に挿入する場合、発光層と陰極との間に、発光層に隣接して該層を挿入することができる。また、陽極と、発光層の陽極側に隣接する励起子阻止層との間には、正孔注入層や電子阻止層などを有することができ、陰極と、発光層の陰極側に隣接する励起子阻止層との間には、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層などを有することができる。阻止層を配置する場合、阻止層として用いる材料の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーの少なくともいずれか一方は、発光材料の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーよりも高いことが好ましい。
【００５８】
（正孔輸送層）
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第３級アミン化合物を用いることがより好ましい。
【００５９】
（電子輸送層）
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる場合もある）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。使用できる電子輸送層としては例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【００６０】
有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する際には、一般式（１）で表される化合物を発光層に用いるだけでなく、発光層以外の層にも用いてもよい。その際、発光層に用いる一般式（１）で表される化合物と、発光層以外の層に用いる一般式（１）で表される化合物は、同一であっても異なっていてもよい。例えば、上記の注入層、阻止層、正孔阻止層、電子阻止層、励起子阻止層、正孔輸送層、電子輸送層などにも一般式（１）で表される化合物を用いてもよい。これらの層の製膜方法は特に限定されず、ドライプロセス、ウェットプロセスのどちらで作製してもよい。
上述の方法により作製された有機エレクトロルミネッセンス素子は、得られた素子の陽極と陰極の間に電界を印加することにより発光する。このとき、励起一重項エネルギーによる発光であれば、そのエネルギーレベルに応じた波長の光が、蛍光発光および遅延蛍光発光として確認される。また、励起三重項エネルギーによる発光であれば、そのエネルギーレベルに応じた波長が、りん光として確認される。通常の蛍光は、遅延蛍光発光よりも蛍光寿命が短いため、発光寿命は蛍光と遅延蛍光で区別できる。
一方、りん光については、本発明の化合物のような通常の有機化合物では、励起三重項エネルギーは不安定で熱等に変換され、寿命が短く直ちに失活するため、室温では殆ど観測できない。通常の有機化合物の励起三重項エネルギーを測定するためには、極低温の条件での発光を観測することにより測定可能である。
【００６１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。本発明によれば、発光層に一般式（１）で表される化合物を含有させることにより、発光効率が大きく改善された有機発光素子が得られる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子などの有機発光素子は、さらに様々な用途へ応用することが可能である。例えば、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することが可能であり、詳細については、時任静士、安達千波矢、村田英幸共著「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社）を参照することができる。また、特に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、需要が大きい有機エレクトロルミネッセンス照明やバックライトに応用することもできる。
【実施例】
【００６２】
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００６３】
（合成例１）
下記のスキームにしたがって、化合物１を合成した。
【化２１】
2015201463.tif 000023
【００６４】
１００ｍＬ二口フラスコに、３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルバゾール（０．９７ｇ、３．４８ｍｍｏｌ）を入れ、真空乾燥を行った。フラスコ内を窒素で置換し、窒素置換したシリンジを用いて、ジエチルエーテル（脱水）を１５ｍＬ加えた。反応溶液を−７８℃に冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムへキサン溶液（３．２ｍＬ、５．２ｍｍｏｌ）を加えた後、室温で１時間攪拌した。再度反応溶液を−７８℃に冷却し、窒素置換したシリンジを用いて、クロロジフェニルホスフィン（０．７７ｇ、３．４８ｍｍｏｌ）を加えた。−７８℃下で１時間、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去し、得られた固体をジクロロメタンに溶解した。ろ過して不溶物を取り除いた後、溶媒を留去すると白色固体が得られた。
得られた白色固体を、クロロホルムとエタノールの混合溶液（クロロホルム：エタノール＝１：１、５０ｍＬ）に溶解した後、Ｈ2Ｏ2を１ｍＬ加えて３０分間攪拌した。反応停止後、反応溶液にクロロホルムを加え、分液ロートを用いて抽出した。抽出したクロロホルム溶液に硫酸マグネシウム（無水）を加えて３０分間室温で攪拌した。ろ過して硫酸マグネシウムを除去した後、溶媒を留去した。得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶離液：クロロホルム、Ｒｆ＝０．２）で精製し、昇華精製を行って化合物１の白色固体１．２５ｇを得た（収率７５％）。ガラス転移温度（Ｔｇ）は６８℃であり、既知化合物である化合物２のガラス転移温度（３３℃）よりも高いことが確認された。
1H NMR (CDCl3, 500 MHz, ppm): δ 8.00 (s, 2H), 7.76-7.72 (m, 4H), 7.63-7.60 (td, 2H), 7.50-7.46 (td, 4H), 7.23-7.21 (dd, 2H), 7.15-7.13 (d, 2H), 1.39 (s, 18H).
Tg: 68℃
【００６５】
（実施例１）
本実施例において、化合物１とリン光材料からなる発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を作製して、特性を評価した。
膜厚１００ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度５．０×１０-4Ｐａで積層した。まず、ＩＴＯ上にＴＡＰＣを４０ｎｍの厚さに形成し、次いでｍＣＰを１０ｎｍの厚さに形成した。次に、化合物１とＦＩｒ６を異なる蒸着源から共蒸着し、２０ｎｍの厚さの層を形成して発光層とした。この時、ＦＩｒ６の濃度は１０重量％とした。次に、ＤＰＥＰＯを４０ｎｍの厚さに形成し、さらにフッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．７ｎｍ真空蒸着し、次いでアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
製造した有機エレクトロルミネッセンス素子を、半導体パラメータ・アナライザ（アジレント・テクノロジー社製：Ｅ５２７３Ａ）、光パワーメータ測定装置（ニューポート社製：１９３０Ｃ）、および光学分光器（オーシャンオプティクス社製：ＵＳＢ２０００）を用いて測定した。発光スペクトルを図１に示し、電流密度−電圧（J-V）特性を図２に示し、発光強度−電圧特性を図３に示し、電流密度−外部量子効率特性を図４に示す。化合物１とリン光材料からなる発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子は１９．６％の高い外部量子効率を達成した。
【００６６】
（比較例１）
実施例１で用いた化合物１を下記の比較化合物１に変更して、実施例１と同じ手順にしたがって有機エレクトロルミネッセンス素子を製造して評価した。
比較例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度−電圧（J-V）特性を図２に示し、発光強度−電圧特性を図３に示し、電流密度−外部量子効率特性を図４に示す。
【００６７】
【化２３】
2015201463.tif 000024
【００６８】
（実施例２）
本実施例において、化合物１と遅延蛍光材料からなる発光層を有する有機フォトルミネッセンス素子を作製して、特性を評価した。
シリコン基板上に真空蒸着法にて、真空度５．０×１０-4Ｐａの条件にて化合物１と４ＣｚＩＰＮとを異なる蒸着源から蒸着し、４ＣｚＩＰＮの濃度が６．０重量％である薄膜を形成して有機フォトルミネッセンス素子とした。浜松ホトニクス（株）製Ｃ９９２０−０２型絶対量子収率測定装置を用いて、Ｎ2レーザーにより３３７ｎｍの光を照射した際の薄膜からの発光スペクトルを３００Ｋで特性評価したところ、図５に発光スペクトルを示すように５１１ｎｍの発光が確認され、その際の発光量子収率は８７．３％であることが確認された。この素子にＮ2レーザーにより３３７ｎｍの光を照射した際の時間分解スペクトルを図６に示す。遅延蛍光成分が７０％であることが確認された。
【００６９】
（実施例３）
本実施例において、化合物１と遅延蛍光材料からなる発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を作製して、特性を評価した。
膜厚１００ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度５．０×１０-4Ｐａで積層した。まず、ＩＴＯ上にＴＡＰＣを４０ｎｍの厚さに形成し、次いでｍＣＰを１０ｎｍの厚さに形成した。次に、化合物１と４ＣｚＩＰＮを異なる蒸着源から共蒸着し、２０ｎｍの厚さの層を形成して発光層とした。この時、４ＣｚＩＰＮの濃度は６．０重量％とした。次に、ＤＰＥＰＯを４０ｎｍの厚さに形成し、さらにフッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．７ｎｍ真空蒸着し、次いでアルミニウム（Ａｌ）を６０ｎｍの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
製造した有機エレクトロルミネッセンス素子を、半導体パラメータ・アナライザ（アジレント・テクノロジー社製：Ｅ５２７３Ａ）、光パワーメータ測定装置（ニューポート社製：１９３０Ｃ）、および光学分光器（オーシャンオプティクス社製：ＵＳＢ２０００）を用いて測定した。発光スペクトルを図５に示し、電流密度−電圧（J-V）特性を図７に示し、発光強度−電圧特性を図８に示し、電流密度−外部量子効率特性を図９に示す。化合物１と遅延蛍光材料からなる発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子は１６．８％の高い外部量子効率を達成した。
【００７０】
【化２４】
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【産業上の利用可能性】
【００７１】
一般式（１）で表される化合物は電荷輸送材料として有用である。特に、リン光材料や遅延蛍光材料に対するホスト材料として、効果的に用いることができる。一般式（１）で表される化合物を用いれば高発光効率を実現可能であることから、様々な工業製品に応用することが可能である。例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子などの表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリアの分野への応用が期待される。このため、本発明は産業上の利用可能性が高い。
【符号の説明】
【００７２】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  電子輸送層
７  陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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