(57)【要約】【課題】生産性と放熱性とが両立する発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光装置１００は、半導体積層体１２の一方の面にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を有する発光素子１と、半導体積層体１２の一方の面側に設けられる樹脂層３１を母体とする支持体３を備える。樹脂層３１は、内部に金属層３３ｎ，３３ｐ及び金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを有する。金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、リボン状のワイヤが用いられ、側面で金属層３２ｎ，３２ｐと接続され、端面が樹脂層３１の側面から露出するように設けられている。金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１からの露出面は、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐで被覆され、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面における露出面の下端が、金属層３３ｎ，３３ｐの上面よりも半導体積層体１２から離れるように設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂層と、を備え、
前記樹脂層内に金属ワイヤを有し、
前記金属ワイヤの側面で前記電極の上面に接続され、かつ、前記金属ワイヤの端面が前記樹脂層の側面から露出するように設けられ、
前記樹脂層の側面から露出した前記金属ワイヤの端面の下端が、前記電極の上面よりも前記半導体積層体から離れた位置に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記樹脂層内に、前記電極の最上層として、膜厚が３μｍ以上５０μｍ以下の金属層を更に有し、
前記金属ワイヤの側面で前記金属層の上面に接続されることで、前記金属ワイヤと前記電極とが電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属ワイヤの横断面の形状は長方形であり、前記長方形の長辺を含む側面で前記金属ワイヤが前記電極の上面と接合されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記樹脂層から露出した前記金属ワイヤの端面は、外部接続用電極によって被覆されることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記金属ワイヤは、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金から選択される材料からなり、
前記外部接続用電極は、少なくとも最表面がＡｕ又はＡｕを主成分とする合金から選択される材料からなることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、前記半導体発光素子が発光する波長の光を異なる波長の光に変換する波長変換層を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記半導体積層体の積層方向について、前記金属ワイヤの端面の幅が、前記樹脂層の側面の幅の３分の１以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記金属ワイヤの端面が露出する前記樹脂層の側面を実装面とすることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
半導体積層体と前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、
前記ウエハにおいて一方向に配列される前記半導体発光素子のそれぞれの電極を共通に接続するように、前記電極の間をアーチ状に、金属ワイヤで配線するワイヤ配線工程と、
前記半導体積層体の一方の面側に、前記金属ワイヤが内在するように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記ウエハを前記半導体発光素子を区画する境界線に沿って切断することで、複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ワイヤ配線工程において、平面視で前記金属ワイヤが配線される前記一方向と直交する方向に互いに隣接して配列される前記半導体発光素子の電極同士を接続するように前記金属ワイヤを配線することを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記個片化工程は、前記ウエハを前記境界線に沿って切断することにより、前記金属ワイヤを前記樹脂層から露出させることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂層形成工程よりも後に、前記境界線に沿った領域について、前記樹脂層を内在する前記金属ワイヤとともに除去することにより、前記金属ワイヤを前記樹脂層から露出させる内部配線層露出工程を更に含むことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記金属ワイヤの横断面の形状が長方形であり、当該長方形の長辺が、前記積層方向に垂直な面と平行となるように前記金属ワイヤを配線することを特徴とする請求項９乃至請求１２の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子と内部配線を有する樹脂層とを備える発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の半導体発光素子（発光素子）を用いた発光装置は小型化が容易で、かつ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
発光素子を用いた発光装置は、大別すると、発光素子にパッド電極を設ける面が、実装基板と反対側の面であるフェイスアップ型と、実装基板と対向する面である発光素子の下面に電極を設けたフェイスダウン型の２種類がある。
【０００３】
フェイスアップ型では発光素子をリード等にマウントし、発光素子とリードとの間をボンディングワイヤ等により接続する。このため、実装基板に実装して同基板の表面に垂直な方から平面視した場合、ボンディングワイヤの一部が発光素子よりも外側に位置する必要があり小型化に限界があった。
【０００４】
一方、フェイスダウン型（フリップチップ型）では、発光素子の表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方から平面視した場合に発光素子の大きさの範囲内に位置するバンプ又は金属ピラー等の接続手段により電気的に接続することが可能である。
これにより、発光装置のサイズ（とりわけ実装基板に垂直な方向から平面視したサイズ）を発光素子のチップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package又はChip
Scale Package）を実現することができる。
【０００５】
そして、最近ではより一層の小型化を進めるため、又は発光効率をより高めるために、サファイア等の成長基板（透光性基板）を除去、又はその厚さを薄くしたフェイスダウン型の発光装置が用いられている。
【０００６】
成長基板は、その上に発光素子を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層を成長させるために用いる基板であって、厚さが薄く強度の低い発光素子を支持することにより発光装置の強度を向上させる効果も有している。
このため、発光素子を形成した後に、成長基板を除去した発光装置又は成長基板の厚さを薄くした発光装置では、例えば、特許文献１に示されるように、発光素子を支持するために電極側（実装基板と対向する側）に樹脂層を設けるとともに、この樹脂層を貫く金属ピラーを形成して、この金属ピラーにより発光素子の電極と実装基板に設けた配線（配線層）とを電気的に接続している。
そして、この金属ピラーを含む樹脂層を有することで発光装置は十分な強度を確保することができる。
【０００７】
一方、発光素子ではないが、例えば、特許文献２や特許文献３には、実装基板の配線と、外部と接続するために樹脂の表面に設けられた端子とを、金属ワイヤで接続する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−１４１１７６号公報
【特許文献２】特開平５−２９９５３０号公報
【特許文献３】特開２００８−２５１７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、発光装置が十分な強度を有するために樹脂層は、例えば数十μｍレベル以上のように十分な厚さを有する必要がある。このため、金属ピラーも数十μｍ以上というような樹脂層と同程度の厚さが必要となる。
一方、特許文献１に記載されたような金属ピラーは、通常、電解メッキ法により形成されるため、このように厚い金属ピラー（金属膜）を形成するためには長い時間を要するため量産性（生産性）が低くなるという問題がある。
更に、厚膜にメッキ層を形成すると、樹脂層との間の応力や内部応力のためにメッキ層に反りが生じやすくなり、その結果、発光素子からメッキ層が剥がれる恐れがある。
【００１０】
そこで、特許文献２や特許文献３に開示された方法を適用して、金属ピラーに代えて金属ワイヤを用いることが考えられる。樹脂層が前記した範囲の厚さであれば、使用する金属ワイヤの長さを変更するだけで、生産性が低下することなく内部配線を形成することができる。
【００１１】
一方、発光素子は発熱量が多く、温度上昇に伴って発光出力が低下することが知られている。このため、発光素子で発生した熱を迅速に放熱して、過度に温度上昇しないようにする必要がある。ここで、支持体である樹脂層の厚さが厚くなると金属ワイヤも長くなる。しかしながら、一般的に金属ワイヤは、電解メッキ法で形成される金属ピラーに比べて細いため、単に金属ワイヤの長さが長くなると金属ワイヤの熱抵抗が大きくなり、金属ワイヤを熱伝導経路とする放熱性が低下することとなる。その結果、発光素子が過度に温度上昇すると、発光装置の発光出力が低下することとなる。
そこで本発明は、生産性と放熱性とが両立する光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記した課題を解決するために、本発明の実施形態に係る発光装置は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂層と、を備え、前記樹脂層内に金属ワイヤを有し、前記金属ワイヤの側面で前記電極の上面に接続され、かつ、前記金属ワイヤの端面が前記樹脂層の側面から露出するように設けられ、前記樹脂層の側面から露出した前記金属ワイヤの端面の下端が、前記電極の上面よりも前記半導体積層体から離れた位置に設けられるように構成する。
【００１３】
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、半導体積層体と前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、前記ウエハにおいて一方向に配列される前記半導体発光素子のそれぞれの電極を共通に接続するように、前記電極の間をアーチ状に、金属ワイヤで配線するワイヤ配線工程と、前記半導体積層体の一方の面側に、前記金属ワイヤが内在するように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記ウエハを前記半導体発光素子を区画する境界線に沿って切断することで、複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の実施形態に係る発光装置によれば、樹脂層内の金属の体積を多くすることができるため、樹脂層を母体とする支持体の熱伝導性が向上し、その結果として、発光装置の放熱性を向上させることができる。
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、前記した構成の発光装置を、一方向に配列される半導体発光素子のそれぞれの電極を共通に接続するように金属ワイヤを配線することで内部配線を形成し、境界線に沿って切断することで個片化するという簡便な工程を行うことにより、高い生産性で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態における発光素子の構成の一例を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態における発光素子の構成の一例を示す模式図であり、（ａ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図６】本発明及び参考例に係る発光装置をサイドビュー型実装した場合の様子を示す模式的断面図であり、（ａ）は本発明に係る発光装置、（ｂ）〜（ｄ）は参考例に係る発光装置を示す。
【図７】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図８】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、発光素子準備工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、金属層形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、ワイヤ配線工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、ワイヤ配線工程を示す模式的斜視図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、樹脂層形成工程を示す模式図であり、（ａ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図であり、（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、表面切削工程を示す模式図であり、（ａ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図であり、（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、ハーフダイシング工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、外部接続用電極形成工程を示す模式図であり、（ａ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図であり、（ｂ）は図１４（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。
【図１６】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、成長基板除去工程を示す模式図であり、図１４（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図である。
【図１７】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、蛍光体層形成工程を示す模式図であり、図１４（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図である。
【図１８】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、個片化工程を示す模式図であり、（ａ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図であり、（ｂ）は図１４（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図１９のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は図１９のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図２１】本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図２２】本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図２１のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は図２１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図２３】本発明の第４実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図２４】本発明の第４実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図２３のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は図２３のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図２５】本発明の第５実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図２６】本発明の第５実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図２５のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は図２５のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図２７】本発明の第６実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図２８】本発明の第６実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図２７のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は図２７のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図２９】本発明の第７実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図３０】本発明の第７実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図２９のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は図２９のＢ−Ｂ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、斜視図、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
【００１７】
また、本発明の各実施形態に係る発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
【００１８】
＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
まず、図１〜図３を参照して、第１実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
第１実施形態に係る発光装置１００は、図１〜図３に示すように、外形が略直方体形状をしており、成長基板が除去されたＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体発光素子１（以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ）と、発光素子１の一方の面側に設けられた支持体３と、発光素子１の他方の面側に設けられた蛍光体層（波長変換層）２とから構成されるＣＳＰである。発光素子１の一方の面側には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられ、支持体３の母体である樹脂層３１内に設けられた内部配線である金属層（ｎ側金属層）３３ｎ及び金属層（ｐ側金属層）３３ｐと、金属ワイヤ（ｎ側金属ワイヤ）３２ｎ及び金属ワイヤ（ｐ側金属ワイヤ）３２ｐとを介して、それぞれ、樹脂層３１の側面及び上面を被覆するように設けられた外部接続用電極（ｎ側外部接続用電極）３４ｎ及び外部接続用電極（ｐ側外部接続用電極）３４ｐと電気的に接続されている。
【００１９】
なお、図１に示した斜視図は、内部構造を分かりやすく示すために、樹脂層３１は外形を２点鎖線で示し、当該樹脂層３１を透視した図を示している。また、図１において、樹脂層３１の下部（−Ｚ軸方向）について、後記する段差部３１ｇ（図２（ｂ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）の記載は省略している。
また、図１９（ａ）〜図２９（ａ）に示した第２実施形態から第７実施形態に係る発光装置の斜視図についても、図１（ａ）に示した斜視図と同様である。
【００２０】
発光装置１００は、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられた長手方向の何れかの側面（ＸＹ平面に平行な側面）を実装面とするサイドビュー型実装が可能であるとともに、上面を実装面とするトップビュー型実装が可能なように構成されている。
また、図２（ｂ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、発光装置１００の短手方向の側面（ＹＺ平面に平行な側面）及び長手方向の側面には、高さ方向（Ｚ軸方向）の位置ＨＤを境として段差部３１ｇが設けられ、位置ＨＤより下部の下部側面が、位置ＨＤより上部の上部側面よりも、平面視で内側になるように形成されている。
なお、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製されるＷＣＳＰ（ウエハプロセスによるＣＳＰ）である。
【００２１】
また、発光装置１００は、蛍光体層２によって、発光素子１が発光する光の一部又は全部を異なる波長の光に変換し、波長変換した光又は波長変換した光及び発光素子１が発光した光を出力光とするものである。例えば、発光素子１が青色光を発光し、蛍光体層２が青色光の一部を吸収して黄色光に波長変換するように構成することで、発光装置１００を、青色光と黄色光とを混色した白色光を出力する白色光源とすることができる。
なお、本実施形態及び後記する他の実施形態において、発光装置１００などは蛍光体層２を備えているが、ＣＳＰを構成する上で蛍光体層２は必須ではなく、設けないようにしてもよい。
【００２２】
なお、本明細書では、各図に適宜に座標軸を付して示すように、便宜上、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面の法線方向を「＋Ｚ軸方向」とし、＋Ｚ軸方向から−Ｚ軸方向を観察することを平面視と呼ぶ。また、平面視で長方形の形状を有する発光素子１の、長手方向をＸ軸方向とし、短手方向をＹ軸方向とする。
また、断面図として示した図は、何れもＸＹ平面に垂直な面（すなわち、ＸＺ平面又はＹＺ平面に平行な面）による断面を示すものである。
【００２３】
次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で略長方形の板状の形状を有しており、一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を備えたフェイスダウン型のＬＥＤチップである。
【００２４】
（発光素子の例）
ここで、図４及び図５を参照して、発光素子１の一例について詳細に説明する。
図４及び図５に示した発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流を通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。
【００２５】
半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から窪んだ領域（この領域を「段差部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。段差部１２ｂの底面はｎ型半導体層１２ｎの露出面であり、段差部１２ｂの底面の一部に設けられた保護層１６の開口部である接合部１３ａで、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されている。
また、半導体積層体１２のｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、反射電極１４ａ及びカバー電極１４ｂが積層された全面電極１４が設けられている。
また、半導体積層体１２の下面の全部と、段差部１２ｂの底面の一部である接合部１３ａと、ｐ側電極１５が設けられる全面電極１４の上面の一部とを除き、半導体積層体１２及び全面電極１４の表面は、絶縁性の保護層１６によって被覆されている。また、発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎの下面の全面に、光取り出し効率を向上させるための凹凸形状１２ｃが形成されている。このような凹凸形状１２ｃは、後記する発光装置１００の製造工程において、半導体積層体１２を結晶成長させるための成長基板（例えば、サファイア基板など）を除去した後に、エッチングすることにより形成することができる。
【００２６】
また、発光素子１は、ｐ側のパッド電極であるｐ側電極１５が全面電極１４の上面の一部に形成されているとともに、ｎ側のパッド電極であるｎ側電極１３が、ｐ側電極１５が設けられた領域及びその近傍を除き、半導体積層体１２の上面及び側面の略全面に亘って、絶縁性の保護層１６を介して延在するように設けられている。
すなわち、発光素子１は、半導体積層体１２の一方の面側に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられている。
また、このように、ｎ側電極１３又はｐ側電極１５を、発光素子１の上面及び側面に広範囲に設けることにより、後記する支持体３の樹脂層３１に対して効率的に熱を伝導させることで放熱性を向上させることがきる。
【００２７】
半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
【００２８】
全面電極１４は、電流拡散層及び反射層としての機能を有するものであり、反射電極１４ａとカバー電極１４ｂとを積層して構成されている。
反射電極１４ａは、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。また、反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するように、カバー電極１４ｂが設けられている。反射電極１４ａは、カバー電極１４ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に均一に拡散するための導体層である。また、反射電極１４ａは良好な光反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する反射膜としても機能する。
【００２９】
反射電極１４ａは、良好な導電性と反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、反射電極１４ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
【００３０】
また、カバー電極１４ｂは、反射電極１４ａを構成する金属材料のマイグレーションを防止するためのバリア層である。
カバー電極１４ｂとしては、良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いることができ、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、ＡｌＣｕ合金などを用いることができる。また、カバー電極１４ｂは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
【００３１】
ｎ側電極１３は、段差部１２ｂの底面における絶縁層１６の開口部で、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３との接合部１３ａは、図４（ａ）にハッチングを施して示すように、半導体積層体１２の外周部の全周に亘って設けられている。このように広範囲に亘って接合部１３ａを設けることにより、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、ｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光効率を向上させることができる。
また、ｐ側電極１５は、カバー電極１４ｂの上面の一部に設けられている。
ｎ側電極１３及びｐ側電極１５には、図２及び図３に示したように、支持体３の内部配線である金属ワイヤ３２ｎ及び金属ワイヤ３２ｐがそれぞれ金属層３３ｎ及び金属層３３ｐを介して接続される。
【００３２】
ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。
【００３３】
保護層１６は、絶縁性を有し、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３との接合部１３ａ及びｐ側電極１５が設けられる領域を除き、半導体積層体１２及び全面電極１４の上面及び側面を被覆する被膜である。保護層１６は、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。また、保護層１６の上面の広範囲には、ｎ側電極１３が延在して設けられている。保護層１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。また、保護層１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。
【００３４】
なお、図４及び図５に示した発光素子１は、一例を示したものであり、これに限定されるものではない。発光素子１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が半導体積層体１２の一方の面側に設けられていればよく、段差部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に定めることができる。
【００３５】
図１〜図３に戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
蛍光体層（波長変換層）２は、発光素子１が発光する光の一部又は全部を吸収して、発光素子１が発光する波長とは異なる波長の光に変換する波長変換層である。蛍光体層２は、波長変換材料として蛍光体の粒子を含有する樹脂層として形成することができる。また、蛍光体層２は、凹凸形状１２ｃ（図４（ｂ）参照）が設けられた発光素子１の光取り出し面であるｎ型半導体層１２ｎの下面側に設けられている。
【００３６】
蛍光体層２の膜厚は、蛍光体の含有量や、発光素子１が発光する光と波長変換後の光との混色後の所望する色調などに応じて定めることができるが、例えば、１μｍ以上５００μｍ以下程度とすることができ、５μｍ以上２００μｍ以下程度とすることがより好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下程度とすることが更に好ましい。
【００３７】
蛍光体層２を構成する樹脂材料としては、当該分野で公知のものを使用することができ、発光素子１が発光した光及び蛍光体層２が含有する蛍光体が波長変換した後の光に対して良好な透光性を有するものを用いることが好ましい。
【００３８】
また、蛍光体（波長変換材料）としては、発光素子１が発光する波長の光によって励起されて、この励起光と異なる波長の蛍光を発する蛍光物質であれば特に限定されず、蛍光体層２中に、２種類以上を一様に混在させてもよいし、多層構造となるように分布させてもよい。
【００３９】
蛍光体層２は、溶剤に前記した樹脂、蛍光体粒子、その他の無機フィラー粒子を含有するスラリーを調整し、調整したスラリーをスプレー法、キャスト法、ポッティング法などの塗布法を用いて半導体積層体１２の下面に塗布し、その後に硬化させることにより形成することができる。
また、別途に蛍光体粒子を含有する樹脂板を作製し、当該樹脂板を半導体積層体１２の下面に接着することで形成することもできる。
【００４０】
なお、発光装置１００において、蛍光体層２を設けずに、半導体積層体１２の下面を光取り出し面として発光素子１が発光した光を直接出力するようにしてもよい。また、蛍光体層２に代えて、蛍光体を含有させずに、透光性の樹脂層を設けるようにしてもよく、光拡散性のフィラーを含有させた光拡散性の樹脂層を設けるようにしてもよい。
【００４１】
支持体３は、平面視で発光素子１の外形を内包する直方体形状をしており、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面側と接合するように設けられ、成長基板１１（図８参照）が除去された発光素子１の構造を機械的に保つための補強部材である。また、支持体３は、平面視で蛍光体層２と略同じ外形形状をしている。
支持体３は、樹脂層３１と、実装基板に実装するための外部接続用電極３４ｎ，３４ｐと、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５を、それぞれ対応する極性の外部接続用電極３４ｎ，３４ｐと電気的に接続するための内部配線（金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属層３３ｎ，３３ｐ）とを備えている。
【００４２】
樹脂層３１は、発光素子１の補強部材としての母体である。また、樹脂層３１は、図２（ｂ）及び図３に示すように、支持体３の外形形状と略同じであり、平面視で、発光素子１の外形形状を内包するとともに蛍光体層２と略同じ外形形状をしている。また、樹脂層３１は、発光素子１の上面及び側面を封止する封止樹脂層である。従って、発光素子１は、樹脂層３１と、下面側に設けられた樹脂層である蛍光体層２とによって全面が封止されている。
また、樹脂層３１の長手方向の側面及び短手方向の側面において、高さ方向の位置ＨＤを境として段差部３１ｇが設けられ、平面視で、位置ＨＤよりも下部が位置ＨＤよりも上部より内側となるように形成されている。
【００４３】
樹脂層３１は、内部配線として、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属層３３ｎ，３３ｐを内部に有している。下層側の内部配線である金属層３３ｎ，３３ｐは、樹脂層３１から露出しないように、樹脂層３１によって側面が封止されている。また、上層側の内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、樹脂層３１の長手方向の側面、短手方向の側面及び上面から露出するように設けられている。
また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面は、それぞれが露出する樹脂層３１の側面又は上面と同一平面をなすように平坦に形成されている。
【００４４】
なお、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１からの露出面は、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐによって被覆されている。従って、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐの表面は、その膜厚分だけ、対応する樹脂層３１の側面又は上面よりも高くなるように形成されている。
【００４５】
樹脂層３１の樹脂材料としては、前記した蛍光体層２に用いるのと同様の樹脂材料を用いることができる。また、圧縮成型により樹脂層３１を形成する場合は、原料として、例えば、粉状のエポキシ系樹脂であるＥＭＣ（エポキシ・モールド・コンパウンド）や粉状のシリコーン系樹脂であるＳＭＣ（シリコーン・モールド・コンパウンド）などを好適に用いることができる。
【００４６】
また、樹脂層３１には、熱伝導性を高めるため、熱伝導部材を含有させるようにしてもよい。樹脂層３１の熱伝導率を高めることにより、発光素子１が発生した熱を迅速に伝導して外部に放熱させることができる。
熱伝導部材としては、例えば、粒状のカーボンブラックやＡｌＮ（窒化アルミニウム）などを用いることができる。なお、熱伝導部材が導電性を有する材料の場合は、樹脂層３１が導電性を有さない範囲の粒子密度で熱伝導部材を含有させるものとする。
【００４７】
また、樹脂層３１として、透光性の樹脂材料に光反射性のフィラーを含有させた白色樹脂を用いるようにしてもよい。少なくとも、発光素子１の上面に接合する樹脂層３１の下層部に白色樹脂を用いて、発光素子１に隣接する側の樹脂層３１を光反射膜として機能させることにより、発光素子１の上面及び側面側から漏出する光を発光素子１内に戻すことができるため、発光素子１の光取り出し面である下面側からの光取り出し効率を向上させることができる。また、樹脂層３１が光反射膜としての機能を有する場合は、発光素子１の全面電極１４を、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの透光性導電材料を用いて形成するようにしてもよい。
【００４８】
樹脂層３１の厚さは、成長基板が剥離された発光素子１の補強部材として十分な強度を有するように下限を定めることができる。更に、サイドビュー型で実装可能とする場合は、半田などの接着材料が電極接合部から蛍光体層２に回り込まないように、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐと、蛍光体層２との距離を考慮して下限を定めることが好ましい。
【００４９】
例えば、補強部材としての観点からは樹脂層３１の厚さが３０μｍ以上程度とすることが好ましい。また、更に好ましくは、樹脂層３１の厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下程度とすることで、樹脂層３１の側面部を実装面としてサイドビュー型で実装基板に実装する際に、発光装置１００を更に安定して実装することができる。
また、接着材料の蛍光体層２への回り込み防止の観点からは、蛍光体層２から外部接続用電極３４ｎ，３４ｐまでは、３０μｍ程度以上離れるようにすることが好ましく、８０μｍ程度以上離れるようにすることが更に好ましい。
なお、本実施形態では、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、樹脂層３１の側面部で外部接続用電極３４ｎ，３４ｐと接続するため、樹脂層３１の厚さの上限については、特に限定されるものではない。
【００５０】
金属ワイヤ（ｎ側金属ワイヤ）３２ｎは、樹脂層３１の内部に設けられ、金属層３３ｎとともに、ｎ側電極１３と外部接続用電極３４ｎとの間を電気的に接続するための内部配線を構成するものである。金属ワイヤ３２ｎの下面の一部は、ｎ側電極１３上に設けられた金属層３３ｎの上面と接合され、金属ワイヤ３２ｎの上面の全体及び側面の一部は、外部接続用電極３４ｎと接合されている。また、金属ワイヤ３２ｎは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
【００５１】
金属ワイヤ３２ｎは、下面、すなわち、ワイヤ形状としての側面で金属層３３ｎの上面と接合されるため、金属ワイヤ３２ｎの端面で接合される場合と比べて、より広い面積で両者を接合させることができる。更に、金属ワイヤ３２ｎを、短手方向に樹脂層３１を貫通するように設ける際に、ワイヤ形状としての側面が、金属層３３ｎの上面と、金属層３３ｎの短手方向（Ｙ軸方向）の全幅に亘って接合させることで、両者の接合面積を更に増やすことができる。
このように、金属ワイヤ３２ｎと金属層３３ｎとを、より広い面積で接合させることにより、金属層３３ｎから金属ワイヤ３２ｎへの熱伝導性を向上させることができ、その結果として、発光装置１００の放熱性を向上させることができる。なお、金属層３３ｎを設けずに、金属ワイヤ３２ｎのワイヤ形状としての側面でｎ側電極１３の上面と接合させる場合も同様である。
【００５２】
金属ワイヤ３２ｎは、断面形状（ワイヤ形状としての、延伸方向に垂直な面による断面である横断面の形状）が長方形であるリボン状のワイヤを用いて形成される。金属ワイヤ３２ｎは、平面視において、半導体積層体１２の短手方向の辺に平行に（Ｙ軸方向に）配線されている。そして、金属ワイヤ３２ｎのワイヤ形状としての側面（図２（ｂ）及び図３において、下面）の一部が金属層３３ｎの上面と接続され、ワイヤ形状としての横断面である両端面（図２（ｂ）及び図３において、側面）が、それぞれ樹脂層３１の長手方向の両側面から露出するように設けられている。更に、金属ワイヤ３２ｎのワイヤ形状としての側面に相当する他の部分が、樹脂層３１の短手方向の側面及び上面から露出するように設けられている。なお、金属ワイヤ３２ｎの上面は、切削することにより平坦面に加工されたものである。
【００５３】
また、金属ワイヤ３２ｎは、金属層３３ｎ上が谷となるように、波状又はアーチ状に屈曲させながら配線されたものである（図１１及び図１２参照）。このように、金属ワイヤ３２ｎを屈曲させながら配線することにより、支持体３（樹脂層３１）に占める金属の体積を多くすることができる。更に、金属ワイヤ３２ｎは、樹脂層３１の短手方向を貫通するように設けられており、支持体３に占める金属の体積を多くすることができる。また、金属ワイヤ３２ｎの両端面が、熱伝導性の比較的低い樹脂層３１から露出することで、金属ワイヤ３２ｎの両端面を介して、外部に熱を放出し易くすることができる。
なお、金属ワイヤ３２ｎの形成方法の詳細については後記する。
【００５４】
金属ワイヤ３２ｎは、金属ワイヤ３２ｐと対向する短手方向の側面を除き、他方の短手方向の側面の全体、両方の長手方向の側面の位置ＨＢよりも上部、及び上面の全体が、樹脂層３１から露出している。金属ワイヤ３２ｎの樹脂層３１から露出したこれらの露出面は、樹脂層３１のそれぞれ対応する側面又は上面と同一平面をなすように、平坦に形成されている。また、金属ワイヤ３２ｎの樹脂層３１から露出したこれらの露出面は、外部接続用電極３４ｎによって被覆されている。
【００５５】
図２及び図３に示すように、金属ワイヤ３２ｎと金属層３３ｎとの接合面の高さ（Ｚ軸方向の位置）を位置ＨＣとすると、金属ワイヤ３２ｎは、位置ＨＣから位置ＨＢまでの下部について、長手方向の側面が樹脂層３１に被覆されており、位置ＨＢから位置ＨＡまでの上部について、長手方向の側面が樹脂層３１から露出している。
【００５６】
また、金属ワイヤ３２ｎの短手方向の側面は、図３に示した断面形状と同じ形状で全体が樹脂層３１の短手方向の側面から露出している。従って、短手方向の側面視における金属ワイヤ３２ｎの露出面の外形形状は、最下端の位置ＨＣにおいて、金属層３３ｎの幅に相当する箇所が水平であり、位置ＨＣから長手方向の露出面の最下端である位置ＨＢにかけて外側に広がるように傾斜し、位置ＨＢから上端である位置ＨＡにかけて垂直となり、位置ＨＡにおいて水平となっている。
【００５７】
金属ワイヤ（ｐ側金属ワイヤ）３２ｐは、樹脂層３１の内部に設けられ、金属層３３ｐとともに、ｐ側電極１５と外部接続用電極３４ｐとの間を電気的に接続するための内部配線を構成するものである。金属ワイヤ３２ｐの下面の一部は、ｐ側電極１５上に設けられた金属層３３ｐの上面と接合され、金属ワイヤ３２ｐの上面の全体及び側面の一部は、外部接続用電極３４ｐと接合されている。また、金属ワイヤ３２ｐは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
なお、金属ワイヤ３２ｐの構成は、金属ワイヤ３２ｎと同様であるから、詳細な説明は省略する。
【００５８】
金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１の上面における露出面は、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられ、トップビュー型実装をする際の実装面となる。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１の長手方向の側面における露出面は、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられ、サイドビュー型実装をする際の実装面となる。従って、上面及び長手方向の側面における金属ワイヤ３２ｎの露出面と金属ワイヤ３２ｐの露出面との距離は、実装時に接着材料が広がって短絡しないように、例えば、２００μｍ程度以上離間させることが好ましい。
なお、本実施形態では、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面上にのみ設けられているが、樹脂層３１の上面や側面にまで延在するように設ける場合には、外部接続用電極３４ｎと外部接続用電極３４ｐとを、例えば、２００μｍ以上離間させることが好ましい。
【００５９】
金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐとしては、良好な電気伝導性及び熱伝導性を有する材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。また、金属ワイヤの表面にコーティングを施したものであってもよい。また、発光素子１が発生する熱を効率よく伝導するために、支持体３に占める金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの体積が大きくなるほど好ましい。大きな体積の金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを安価に構成するためには、Ａｌ、Ｃｕ又はこれらの金属を主成分とする合金を用いることが好ましい。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを形成する際に、体積の大きなワイヤ、すなわち断面積の大きなワイヤを屈曲させながら容易に配線するためには、比較的軟らかいＡｌ、Ａｕ又はこれらの金属を主成分とする合金を用いることが好ましい。
【００６０】
金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの形成に用いるワイヤの断面形状は特に限定されるものではなく、長方形の他に、楕円形、円形、正方形などであってもよいが、長方形の断面形状を有するワイヤを用いることで、金属層３３ｎ，３３ｐの上面と広い面積で密着性よく接合できるため好ましい。
また、長方形の断面形状を用いることで、ワイヤボンディングの際に、金属層３３ｎ，３３ｐに均等に荷重がかかるため、金属層３３ｎ，３３ｐの下側にある半導体積層体１２への衝撃を低減することができる。このため、例えば、円形の断面形状のワイヤよりも、同じ断面積のワイヤを用いた場合に、半導体積層体１２へのダメージを低減することができる。
更にまた、支持体３が直方体形状である場合は、長方形の断面形状を有するワイヤを用いると、当該ワイヤを屈曲させながら支持体３の形状内に隙間が少なくなるように配線することができる。これによって、支持体３における金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの体積を大きくすることができるため好ましい。
【００６１】
金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの形成に用いるワイヤの径は、支持体３のサイズに応じて適宜に選択することができる。例えば、断面形状が長方形のＡｌワイヤで、１０００μｍ×５００μｍ程度のサイズのものまで利用することができる。
また、断面形状が円形のＡｇワイヤで直径が１００μｍ程度、断面形状が円形のＣｕワイヤ又はＡｌワイヤで直径が３００μｍ程度のものまで利用することができる。
【００６２】
具体的には、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの断面形状が長方形の場合に、当該長方形の短辺の長さ（すなわち、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの厚さ）については、発光装置１００の安定した実装性と実装基板への放熱性とを考慮して１００μｍ以上程度とすることが好ましく、１５０μｍ以上程度とすることが更に好ましく、２００μｍ以上程度とすることがより好ましい。
また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを接続するときに発光素子１にかかる応力（負担）を考慮して、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの断面形状の短辺の長さ（厚さ）は、７００μｍ以下程度とすることが好ましく、４００μｍ以下程度とすることが更に好ましく、３５０μｍ以下程度とすることがより好ましく、２５０μｍ以下程度とすることがなお更に好ましい。
【００６３】
また、樹脂層３１の長手方向の側面において、高さ方向であるＺ軸方向（すなわち、半導体積層体１２の積層方向）についての金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面の幅（位置ＨＡと位置ＨＢの距離）は、樹脂層３１の幅（位置ＨＡと位置ＨＥとの距離）の３分の１以上程度であることが好ましい。また、樹脂層３１の長手方向の側面から露出する金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの端面の面積は、それぞれ、１００００μｍ２以上程度であることが好ましく、２００００μｍ２以上程度であることが更に好ましい。
これによって、発光装置１００をより安定して実装することができるとともに、実装基板への放熱性を向上させることができる。
なお、樹脂層３１の長手方向の側面における金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面の形状が円形などの矩形以外の場合であっても、高さ方向の幅（例えば、円形の場合は、当該円の直径）を、樹脂層３１の高さ方向の幅の３分の１以上とすることが好ましく、露出面の面積についても矩形の場合と同様である。
【００６４】
また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの断面形状の長辺の長さ（幅）は、支持体３の長手方向の幅に応じて適宜に選択できるが、発光装置１００としたときの実装性を考慮して、それぞれ５０μｍ以上程度とすることが好ましく、７５μｍ以上程度とすることが更に好ましい。
また、実装時に金属ワイヤ３２ｎの露出面と金属ワイヤ３２ｐの露出面とが短絡しないように、両露出面を２００μｍ以上程度離間させることが好ましい。このため、金属ワイヤ３２ｎの幅と金属ワイヤ３２ｐの幅の合計の上限は、例えば、支持体３の長手方向の幅が５００μｍ程度のサイズであれば、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの幅は合計で３００μｍ以下程度、支持体３の長手方向の幅が２ｍｍ程度のサイズであれば、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの幅は合計で１８００μｍ以下程度とすることができる。
【００６５】
なお、後記するワイヤ配線工程Ｓ１０３（図７参照）において、図１０に示すように、１本の金属ワイヤ３２を、隣接する発光素子１に対して、一方の発光素子１の金属層３３ｎと他方の発光素子１の金属層３３ｐとに亘って同時に接続する場合は、配線に用いる金属ワイヤ３２の幅は、金属ワイヤ３２ｎの幅と金属ワイヤ３２ｐの幅とを合計した幅のものを用いることができる。すなわち、支持体３の長手方向の幅が５００μｍ程度の場合は、金属ワイヤ３２の幅は３００μｍ程度以下とすることが好ましく、支持体３の長手方向の幅が２ｍｍ程度の場合は、金属ワイヤ３２の幅は１８００μｍ程度以下とすることが好ましい。
【００６６】
金属層（ｎ側金属層、電極）３３ｎは、ｎ側電極１３上に設けられる下層側の内部配線であり、金属層３３ｎの上面には、上層側の内部配線である金属ワイヤ３２ｎが接合される。同様に、金属層（ｐ側金属層、電極）３３ｐは、ｐ側電極１５上に設けられる下層側の内部配線であり、金属層３３ｐの上面には、上層側の内部配線である金属ワイヤ３２ｐが接合される。
金属層３３ｎ，３３ｐは、ワイヤボンダを用いて金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを接合する際の衝撃吸収層として機能し、半導体積層体１２へのダメージを低減するものである。このため、金属層３３ｎ，３３ｐの膜厚は、３μｍ以上５０μｍ以下程度とすることが好ましく、２０μｍ以上３０μｍ以下程度とすることが更に好ましい。
また、金属層３３ｎ，３３ｐは、樹脂層３１から露出しないように埋設されており、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面における露出面の下端の位置ＨＢをかさ上げする機能も有している。
なお、金属層３３ｎ，３３ｐは、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の最上層として設けられるパッド電極の一部であると見ることもできる。
【００６７】
なお、発光素子１のパッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５がワイヤボンディングの際の衝撃を吸収できる場合は、金属層３３ｎ，３３ｐを設けずに、金属ワイヤ３２ｎ，３３ｐを、直接に、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極１５に接合するようにしてもよい。また、金属層３３ｎ，３３ｐを設けない場合は、金属ワイヤ３２，３２ｐをｎ側電極１３及びｐ側電極１５に配線する際に、ワイヤのループ形状を調整して、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面における露出面の下端の位置ＨＢが、発光素子１の下面の位置ＨＥから所定の距離以上離れるようにすればよい。
【００６８】
金属層３３ｎ，３３ｐとしては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、金属層３３ｎ，３３ｐを複数種類の金属を用いて積層構造としてもよい。
金属層３３ｎ，３３ｐは、電解メッキ法により形成することができる。また、金属層３３ｎ，３３ｐは、金属ワイヤをボールボンディングする際に形成されるワイヤバンプを用いて形成することもできる。
【００６９】
外部接続用電極（ｎ側外部接続用電極）３４ｎ及び外部接続用電極（ｐ側外部接続用電極）３４ｐは、発光装置１００を外部の実装基板に接合するためのパッド電極であり、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１からの露出面と電気的に接続するように設けられている。
なお、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを設けずに、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１からの露出面を、実装のための外部との接続面とするようにしてもよい。
【００７０】
また、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐは、例えば、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接合材料を用いた実装基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。例えば、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐがＣｕ、Ａｌなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、無電解メッキ法により、まず、Ｎｉの薄膜を形成し、Ｎｉ層の上層にＡｕ層を積層して形成することが好ましい。また、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕのように、間にＰｄ層を有するように積層してもよい。
また、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐは、総膜厚が０．１μｍ以上５μｍ以下程度、更に好ましくは０．５μｍ以上４μｍ以下程度とすることができる。
【００７１】
次に、図６を参照して、発光装置１００をサイドビュー型実装する様子と、内部配線による放熱性について説明する。なお、図６においては、説明を簡単にするために、発光装置１００は、外部接続用電極３４ｐ（図３（ａ）参照）を省略し、金属ワイヤ３２ｐの樹脂層３１からの露出面で、実装基板９０と直接接合されるものとして説明する。
参考例に係る発光装置２００，３００，４００についても同様に、上層側の内部配線である金属層２３４，３３４，４３４の樹脂層３１からの露出面で、実装基板９０と直接接合されるものとして説明する。
また、図６には、ｐ側の電極及び配線構成についての断面を示したが、ｎ側の電極及び配線構成についても同様であるから、ｎ側についての図示は省略する。
【００７２】
図６（ａ）は、発光装置１００を、実装基板９０にサイドビュー型実装をした様子を示すものである。発光装置１００は、長手方向の側面の一方を実装面として、実装面に露出した金属ワイヤ３２ｐが半田などの導電性の接着材料９３を用いて、基板９１の上面に設けられた配線パターン９２と接合されている。
【００７３】
このとき、接着材料９３は、実装の際の発光装置１００に加えられる自重又は押圧力などにより、金属ワイヤ３２ｐの露出面だけでなく、当該露出面の周辺領域まで広がることがある。そして、接着材料９３が、発光装置１００の光取り出し面である蛍光体層２まで達すると、光取り出し面が接着材料９３によって汚損され、光取り出し効率の低下に繋がることがある。
そこで、サイドビュー型実装の際の実装面において、外部接続領域である金属ワイヤ３２ｐの露出面の下端（Ｚ軸方向の下端。図６（ａ）〜図６（ｄ）においては、右端）の位置ＨＢと、光取り出し面の上端の位置ＨＥとの距離Ｄ１が、所定の距離以上となるように構成する。この所定の距離は、発光装置１００のサイズなどにもよるが、例えば、１００μｍとすることができる。
【００７４】
このように、実装時の光取り出し面の汚損防止の観点からは、距離Ｄ１を大きくするほど好ましい。しかし、距離Ｄ１を大きくすると、樹脂層３１の体積の割合が増加して、発光素子１が発生する熱を効率的に外部に伝達する放熱性が低下することになる。
ここで、発光装置１００において金属ワイヤ３２ｐに代えて、横断面の形状が一定でＺ軸方向を軸とする柱状形状を有する金属層（例えば、メッキ層）を用いて上層側の内部配線を構成する場合について検討することで、発光装置１００の放熱性について説明する。
【００７５】
図６（ｂ）に示した参考例に係る発光装置２００は、金属層２３４が、ｐ側電極１５の上面の位置が下端（図６（ｂ）においては右端）となるように設けられ、当該下端の位置より上方（Ｚ軸のプラス方向）が樹脂層３１から露出する露出面となっている。
この場合は、支持体２０３における樹脂層３１の体積Ｖ２の占める割合が非常に小さく、金属層２３４の割合が大きいため、発光装置２００は、非常に良好な放熱性を得ることができる。
この一方で、金属層２３４の露出面の下端と光取り出し面である蛍光体層２の上面（すなわち、発光素子１の下面）との距離Ｄ２が小さいため、実装時に光取り出し面が接着材料９３によって汚損され易くなる。
【００７６】
また、図６（ｃ）に示した参考例に係る発光装置３００は、金属層３３４が、ｐ側電極１５の上面に設けられた金属層３３３の上面の位置が下端（図６（ｃ）においては右端）となるように設けられ、当該下端の位置より上方（Ｚ軸のプラス方向）が樹脂層３１から露出する露出面となっている。ここで、金属層３３３は、発光装置１００の金属層３３ｐと同じものであり、金属層３３４の側面における露出面の下端位置を上方にかさ上げするためのものである。
この場合は、支持体３０３における樹脂層３１の体積Ｖ３の占める割合が比較的小さく、金属層３３４の割合が大きいため、発光装置３００は、良好な放熱性を得ることができる。
この一方で、金属層３３４の露出面の下端と光取り出し面である蛍光体層２の上面（すなわち、発光素子１の下面）との距離Ｄ３は、発光装置２００における距離Ｄ２よりは大きいものの、比較的小さいため、実装時に光取り出し面の接着材料９３による汚損を防止するには十分ではない。
【００７７】
更に、図６（ｄ）に示した参考例に係る発光装置４００は、金属層４３４が、ｐ側電極１５の上面に設けられた金属層４３３の上面の位置が下端（図６（ｄ）においては右端）となるように設けられ、当該下端位置より上方（Ｚ軸のプラス方向）が樹脂層３１から露出する露出面となっている。ここで、金属層４３３は、上面の位置が、図６（ａ）に示した発光装置１００の金属ワイヤ３２ｐの露出面の下端の位置ＨＢとなる厚さを有するものである。
この場合は、金属層４３４の露出面の下端と光取り出し面である蛍光体層２の上面（すなわち、発光素子１の下面）との距離Ｄ４は、十分に大きいため、実装時に光取り出し面の接着材料９３による汚損を効果的に防止することができる。
この一方で、支持体４０３における樹脂層３１の体積Ｖ４の占める割合が大きく、金属層４３４の割合が小さいため、発光装置４００の放熱性が、発光装置３００に比べて大きく低下することになる。
【００７８】
本発明における発光装置１００は、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの下端（位置ＨＣ）から樹脂層３１の長手方向の側面における露出面の下端（位置ＨＢ）にかけて、下部側面が傾斜するテーパ形状を有するように構成される。このため、金属ワイヤ３２ｐの樹脂層３１の長手方向の側面における露出面の下端（位置ＨＢ）と、蛍光体層２の上面（位置ＨＥ）との距離Ｄ１が、発光装置４００における距離Ｄ４と同じである。従って、実装時に光取り出し面の接着材料９３による汚損を効果的に防止することができる。
一方で、金属ワイヤ３２ｐの下部がテーパ形状を有するため、支持体３における樹脂層３１の体積Ｖ３を、発光装置４００における樹脂層３１の体積Ｖ４より小さくすることができる。従って、発光装置１００は、発光装置４００よりも良好な放熱性を得ることができる。
【００７９】
なお、発光装置１００の樹脂層３１の短手方向の側面における金属ワイヤ３２ｐの露出面は、図６（ａ）に示した金属ワイヤ３２ｐの断面形状と同形である。従って、この露出面の下端は、金属層３３ｐの上面の位置ＨＣである。短手方向の側面における金属ワイヤ３２ｐの露出面は実装面ではないが、長手方向の側面における露出面と連続するため、長手方向の露出面を実装面とする場合は、接着材料９３が短手方向の側面を伝って蛍光体層２の方向に回り込むことが考えられる。発光装置１００では、金属ワイヤ３２ｐの下部がテーパ形状を有しているため、長手方向の側面における金属ワイヤ３２ｐの露出面の下端の位置ＨＢから、短手方向の側面における金属ワイヤ３２ｐの露出面の下端の位置ＨＣまでは十分に離間されている。従って、接着材料９３が、短手方向の側面における金属ワイヤ３２ｐの露出面を伝って、位置ＨＣの下端を経由して、蛍光体層２の上面の位置ＨＥまで回り込むことを効果的に防止することができる。
【００８０】
［発光装置の動作］
次に、図１〜図５を参照して、発光装置１００の動作について説明する。なお、説明の便宜上、発光素子１は青色光を発光し、蛍光体層２は黄色光を発光するものとして説明する。
【００８１】
発光装置１００は、実装基板（例えば、図６（ａ）の実装基板９０参照）を介して、正負電極である外部接続用電極３４ｎ，３４ｐに外部電源が接続されると、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属層３３ｎ，３３ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが青色光を発光する。
【００８２】
発光素子１の活性層１２ａが発光した青色光は、半導体積層体１２内を伝播して、発光素子１の下面から出射して、一部は蛍光体層２に含有される蛍光体に吸収され、黄色光に変換されて外部に取り出される。また、青色光の一部は、蛍光体に吸収されずに蛍光体層２を透過して外部に取り出される。
なお、発光素子１内を上方向に伝播する光は、反射電極１４ａによって下方向に反射され、発光素子１の下面から出射する。
そして、発光装置１００の外部に取り出された黄色光及び青色光が混色することにより、白色光が生成される。
【００８３】
［発光装置の製造方法］
次に、図７を参照して、図１〜図３に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
図７に示すように、発光装置１００の製造方法は、発光素子準備工程（ウエハ準備工程）Ｓ１０１と、金属層形成工程Ｓ１０２と、ワイヤ配線工程Ｓ１０３と、樹脂層形成工程Ｓ１０４と、表面切削工程Ｓ１０５と、ハーフダイシング工程Ｓ１０６と、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７と、成長基板除去工程Ｓ１０８と、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ１０９と、個片化工程Ｓ１１０と、を含み、この順で各工程が行われる。
また、表面切削工程Ｓ１０５及びハーフダイシング工程Ｓ１０６が、内部配線を露出させるための工程（内部配線露出工程）である。
【００８４】
以下、図８〜図１８を参照（適宜図１〜図５及び図７参照）して、各工程について詳細に説明する。なお、図８〜図１８の各図において、発光素子１の詳細な構成（例えば、保護層１６、半導体積層体１２の積層構造など）については、記載を省略している。また、その他の各部材についても、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。後記する他の実施形態における製造工程の説明図についても同様である。
【００８５】
発光素子準備工程（ウエハ準備工程）Ｓ１０１は、例えば、図４及び図５に示した構成の発光素子１を準備する工程である。発光素子準備工程Ｓ１０１では、複数の発光素子１が一枚の成長基板１１上に配列されたウエハ状態で形成される。図８〜図１８では、平面視で、長手方向（Ｘ軸方向）に２個、短手方向（Ｙ軸方向）に４個の発光素子１が形成される様子を示している。
なお、図８〜図１８において平面視と、複数の面による断面視とを示している場合があるが、各図での方向は座標軸で示している。
【００８６】
具体的には、まず、サファイアなどからなる成長基板１１の上面に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層して半導体積層体１２を形成する。
半導体積層体１２が形成されると、半導体積層体１２の上面の一部の領域について、ｐ型半導体層１２ｐ、活性層１２ａ及びｎ型半導体層１２ｎの一部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが底面に露出した段差部１２ｂを形成する。
【００８７】
また、段差部１２ｂの形成と同時に、発光素子１同士の境界領域をエッチングしてｎ型半導体層１２ｎを露出させるようにしてもよい。これによって、発光素子準備工程Ｓ１０１内の後工程で、半導体積層体１２の、少なくとも活性層１２ａが含まれる側面を保護層１６で被覆することができる。
更に、境界領域については、成長基板１１が露出するように、半導体積層体１２をすべて除去するようにしてもよい。これによって、個片化工程Ｓ１１０において、半導体積層体１２をダイシングする必要がなくなるため、樹脂からなる層のみのダイシングにより個片化を容易に行うことができる。なお、図８に示した例では、発光素子１の境界領域（図８の各図において、太い破線で示した境界線４０の近傍領域）の半導体積層体１２は完全に除去されている。
【００８８】
次に、段差部１２ｂの底面にパッド電極であるｎ側電極１３を形成する。また、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａを有する発光領域となる領域には、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を被覆する反射電極１４ａと反射電極１４ａの上面及び側面を完全に被覆するカバー電極１４ｂとからなる全面電極１４を形成する。また、カバー電極１４ｂの上面の一部にパッド電極であるｐ側電極１５を形成する。
更に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の表面を除くウエハの表面全体に、例えば、スパッタリングにより、ＳｉＯ２などの絶縁性材料を用いて、保護層１６を形成する。
以上により、図８に示すように、ウエハ状態の発光素子１が形成される。
【００８９】
次に、金属層形成工程Ｓ１０２において、図９に示すように、各発光素子１について、ｎ側電極１３上に金属層３３ｎを、ｐ側電極１５上に金属層３３ｐをそれぞれ形成する。
金属層３３ｎ，３３ｐは、電解メッキ法などによって形成することができ、エッチングによるパターン形成法やリフトオフによるパターン形成法などの当該分野で公知の方法によって形状を整形することができる。また、金属ワイヤをｎ側電極１３及びｐ側電極１５の上面にボールボンディングすることでワイヤバンプを形成し、このワイヤバンプを金属層３３ｎ，３３ｐとして用いるようにしてもよい。
【００９０】
次に、ワイヤ配線工程Ｓ１０３において、ワイヤボンダを用いて、図１０及び図１１に示すように、成長基板１１上で一方向（Ｙ軸方向）に配列している発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５のそれぞれについて、１列ごとに１本の金属ワイヤ３２を用いてウェッジボンディング（金属ワイヤ３２をウェッジツールの移動方向側から斜めに供給し、ウェッジツールの先端で押しつぶしながらボンディング）を繰り返すことによって配線する。すなわち、金属ワイヤ３２を、一方向に一列に配列されている各電極と、切断することなく順次に接続（共通に接続）するように配線する。このとき、金属ワイヤ３２を波状に屈曲させながら配線し、ウェッジボンディングによって、金属ワイヤ３２のワイヤ形状としての側面の一部であり、当該波状の形状の谷に相当する箇所を、金属層３３ｎ，３３ｐの上面と接合させる。
【００９１】
言い換えれば、この接合の際に、金属ワイヤ３２が、配線方向（Ｙ軸方向）に隣接する発光素子１のｎ側電極１３間又はｐ側電極１５間において、アーチ状になるように配線する。すなわち、発光素子１の境界線４０上において、金属ワイヤ３２の下端（Ｚ軸方向）が、金属層３３ｎ，３３ｐとの接合面の位置ＨＣよりも、半導体積層体１２（例えば、光取り出し面である発光素子１の下面）から離れた位置ＨＢとなるように配線する。
【００９２】
このとき、発光素子１の下面から位置ＨＢまでの距離が所定値（例えば、１００μｍ）以上となるように、金属ワイヤ３２のアーチの高さを調整する。
なお、金属層形成工程Ｓ１０２を省略して、金属層３３ｎ，３３ｐを形成せずに、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に金属ワイヤ３２を直接接合するようにしてもよい。この場合においても、発光素子１の下面から位置ＨＢまでの距離が所定値（例えば、１００μｍ）以上となるように、金属ワイヤ３２のアーチの高さを調整するようにすればよい。
【００９３】
なお、前記した発光素子１が配列する一方向（Ｙ軸方向）とは、個々の発光素子１内でｎ側電極１３に接続された金属層３３ｎとｐ側電極１５に接続された金属層３３ｐとが対向する方向（Ｘ軸方向）に垂直な方向のことである。この一方向に金属ワイヤ３２を配線することで、１個の発光素子１内の金属層３３ｎ及び金属層３３ｐに亘らずに、独立して金属ワイヤ３２を配線することができる。
【００９４】
また、図１０及び図１１に示した例では、金属ワイヤ３２は、配線方向に垂直な方向（Ｘ軸方向）に隣接して配列されている発光素子１において、一方の発光素子１の金属層３３ｎと、他方の発光素子１の金属層３３ｐとに同時に接合されるように配線されている。すなわち、金属ワイヤ３２が、幅方向で、一方の発光素子１（例えば、図１０（ａ）の左側に配列された発光素子１）の金属層３３ｎと、他方の発光素子１（例えば、図１０（ａ）の右側に配列された発光素子１）の金属層３３ｐとに亘るように配線されている。
【００９５】
このように、一回のワイヤボンディングで、金属ワイヤ３２を、２つの金属層３３ｎ，３３ｐと接合することで、ワイヤボンディング回数を低減することができる。
また、金属ワイヤ３２として、長方形の断面形状を有するリボン状のワイヤを用い、当該長方形の長辺が、金属層３３ｎ，３３ｐに亘るように配線することで、金属ワイヤ３２と金属層３３ｎ，３３ｐとが良好に密着するように接合させることができて好ましい。
【００９６】
なお、配線方向及び配線方向と垂直な方向に隣接する発光素子１間に亘って配線された金属ワイヤ３２は、後記するハーフダイシング工程Ｓ１０６又は個片化工程Ｓ１１０において発光素子１ごとに分割される。
また、本例では、金属ワイヤ３２として断面形状が長方形であるリボン状のワイヤを用いて配線したが、これに限定されるものではない。例えば、このリボン状の金属ワイヤ３２の幅（断面の長辺の長さ）に相当する直径の円形の断面を有する金属ワイヤを用いて配線してもよい。また、配線方向と垂直な方向に隣接する発光素子１の金属層３３ｎ，３３ｐに亘るように配線せずに、適宜な幅又は直径を有する金属ワイヤを用いて、個々の金属層３３ｎ，３３ｐごとに配線するようにしてもよい。
【００９７】
このように、リボン状のワイヤや太線ワイヤなどの体積の大きな金属ワイヤ３２を用いて内部配線を形成することにより、メッキ法で内部配線を形成する場合に比べて、短時間で内部配線を形成することができ、発光装置の生産性を向上することができる。
また、金属ワイヤ３２の材料は特に限定されるものではないが、Ａｕに比べて安価なＣｕやＡｌなどの金属からなる金属ワイヤ３２を用いることで、安価に体積の大きな内部配線を設けることができる。その結果、発光装置の放熱性を向上させることができる。
【００９８】
また、断面積の大きな金属ワイヤ３２を屈曲させながら配線することで金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを形成することにより、それぞれの極性の電極当たり１本の金属ワイヤ３２を用いて、サイドビュー型実装に適した内部配線を形成することができる。更に、この金属ワイヤ３２からなる内部配線は、樹脂層３１の側面だけでなく、樹脂層３１の上面からも露出させることができるため、トップビュー型実装にも適するものである。
また、金属ワイヤ３２を波状に屈曲させながら配線することで、完成後の支持体３（樹脂増３１）に占める金属の体積を多くすることができる。更に、金属ワイヤ３２を、両隣の発光素子１に亘って配線することでも、完成後の支持体３（樹脂増３１）に占める金属の体積を多くすることができる。
【００９９】
次に、樹脂層形成工程Ｓ１０４において、図１２に示すように、発光素子１、金属層３３ｎ，３３ｐ及び金属ワイヤ３２を封止するように、例えば、金型を用いた圧縮成型法やスピンコート法などの塗布法により樹脂層３１を形成する。
このとき、樹脂層３１は、上面が少なくともＺ軸方向の位置ＨＡ以上となるように形成する。
【０１００】
次に、表面切削工程（内部配線露出工程）Ｓ１０５において、切削装置を用いて樹脂層３１を上面側から切削線４１の厚さになるまで、内在する金属ワイヤ３２とともに切削する。ここで、切削線４１の高さは、アーチ状に配線された金属ワイヤ３２の谷部のおける上面に相当する高さである。この切削線４１まで金属ワイヤ３２を切削することにより、図１３に示すように、金属ワイヤ３２が樹脂層３１の上面から露出するとともに、金属ワイヤ３２の上面を平坦にすることができる。また、このとき樹脂層３１の上面における金属ワイヤ３２の露出面と、樹脂層の上面とが同一平面をなすように形成される。
【０１０１】
次に、ハーフダイシング工程（内部配線露出工程）Ｓ１０６において、図１４に示すように、境界線４０に沿って、上面側から溝３１ａ及び溝３１ｂを形成する。これによって、隣接する発光素子１同士に配線された内部配線である金属ワイヤ３２が境界線４０の箇所で切断され、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに分離される。そして、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの切断された端面が樹脂層３１の長手方向及び短手方向の各側面から露出する。
また、溝３１ａの内側面が発光装置１００の長手方向の上部側面となり、溝３１ｂの内側面が短手方向の上部側面となる。
前記したように金属ワイヤ３２の切断面を、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの側面として樹脂層３１の側面に露出させるために、少なくとも溝３１ａは、樹脂層３１の上面側から所定範囲の深さで、樹脂層３１の一部をダイシング（ハーフダイシング）して除去する。
【０１０２】
ここで、溝３１ａは、後工程である外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、無電解メッキを行う際に、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面にメッキ液が十分に行き渡るような幅で形成する。
なお、本工程では、実装面ではない短手方向の側面を形成するための溝３１ｂは、溝３１ａとは異なる深さでハーフダイシングして形成してもよく、本工程では溝３１ｂを形成せずに、個片化工程Ｓ１１０でＹ軸方向に沿って厚さ方向に完全に切断するフルダイシングを行うようにしてもよい。
【０１０３】
ここで、図１４（ｂ）及び図１４（ｃ）に示すように、高さ方向（Ｚ軸方向）について、樹脂層３１及び金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面の位置をＨＡ、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面における露出面の下端の位置をＨＢ、ハーフダイシングにより形成される溝３１ａ（及び溝３１ｂ）の下端である底面の位置をＨＧ、発光素子１の下端である下面の位置をＨＥとする。
【０１０４】
溝３１ａの深さ、すなわち、位置ＨＧの下限（浅い方の限度）は、位置ＨＢである。位置ＨＧを位置ＨＢよりも下側とすることにより、長手方向の側面について、金属ワイヤ３２を完全に切断して、切断面を樹脂層３１から露出させることができる。
更に、位置ＨＧを金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの下端である位置ＨＣ以下とすることが好ましい。これによって、短手方向の側面についても、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを完全に切断して、切断面を樹脂層３１から露出させることができる。
【０１０５】
また、位置ＨＧの上限（深い方の限度）は、後続する工程において、成長基板１１を除去した際にウエハ状態が維持可能な強度を得られる位置とすることが好ましい。位置ＨＧの上限は、樹脂の剛性に応じて適宜に定めることができる。
なお、成長基板１１を除去しないでそのまま又は薄肉化して残す場合や、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７の後で、成長基板１１を除去する前に、成長基板１１が設けられた側と反対側の面に、ウエハ状態を維持するための支持体として粘着シートを貼付する場合は、樹脂層３１を厚さ方向にすべて除去するように溝３１ａ及び溝３１ｂを形成してもよい。
【０１０６】
次に、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、無電解メッキ法により、図１５に示すように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面、長手方向の側面及び短手方向の側面における露出面に、Ａｕ膜からなる外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成する。
なお、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐがＡｕ以外のＣｕやＡｌの場合は、密着性を向上させるために、Ａｕ膜を形成する前に、下層側としてＮｉ膜を形成することが好ましい。
このように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面にのみ外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを設ける場合は、無電解メッキ法により簡便に外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することができる。
なお、図１４（ａ）のＣ−Ｃ線に相当する断面については図示を省略したが、図１５（ｂ）に示したｐ側の配線構造と同様に、ｎ側の配線構造が形成される。
【０１０７】
次に、成長基板除去工程Ｓ１０８において、図１６に示すように、例えば、ＬＬＯ（レーザーリフトオフ法）やケミカルリフトオフ法等により、成長基板１１を剥離して取り除く。このとき、半導体積層体１２は、樹脂層３１を母体とする支持体３により補強されているため、割れやひびなどの損傷を受けない。
なお、成長基板１１を除去せずに、裏面研磨を行うことで薄肉化するようにしてもよい。
また、成長基板１１を除去する前に、上面側にウエハ状態を維持するための支持体として、粘着シートを貼付するようにしてもよい。
【０１０８】
また、成長基板１１を剥離後の後工程として、露出した半導体積層体１２の下面を研磨し、例えば、ウェットエッチング法により粗面化することで凹凸形状１２ｃ（図４（ｂ）参照）を形成するようにしてもよい。
なお、剥離した成長基板１１は、表面を研磨することで、半導体積層体１２を結晶成長させるための成長基板１１として再利用することができる。
【０１０９】
次に、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ１０９において、図１７に示すように、半導体積層体１２の下面側に蛍光体層２を形成する。蛍光体層２は、前記したように、例えば、溶剤に樹脂及び蛍光体粒子を含有させたスラリーをスプレー塗布することにより形成することができる。
また、発光素子準備工程Ｓ１０１において、発光素子１の境界領域の半導体積層体１２を完全に除去しておいた場合は、半導体積層体１２は、樹脂からなる層である蛍光体層２及び樹脂層３１により全面が樹脂封止されることになる。
【０１１０】
最後に、個片化工程Ｓ１１０において、境界線４０（図１７参照）に沿って、蛍光体層２の下面側からダイシングすることで、図１８（ｂ）に示すように、溝３１ａの下面に達する深さの溝３１ｃを形成する。また、Ｙ軸方向に延伸する溝３１ｂについても同様に、蛍光体層２の下面側からダイシングすることで、図１８（ａ）に示すように、溝３１ｂの下面に達する深さの溝を形成する。これによって、発光装置１００が個片化される。
なお、成長基板１１を除去せずに有している場合や、境界線４０の近傍領域に半導体積層体１２を有している場合は、成長基板１１や半導体積層体１２もダイシングする。
【０１１１】
ここで、溝３１ｃが溝３１ａの下面に達するとは、溝３１ｃの上面の位置ＨＤが、溝３１ａの下面の位置ＨＧ（図１４（ｂ）参照）よりも上方か同じになることをいうものである。これによって、溝３１ａと溝３１ｃとが連通して、発光装置１００が分離される。
【０１１２】
また、溝３１ｃの幅は、溝３１ａよりも広くし、平面視で、溝３１ａが溝３１ｃに内包されるように形成することが好ましい。これによって、溝３１ａの中心線と溝３１ｃの中心線がずれている場合でも、確実に個片化することができ、更に、溝３１ｃの内側面である発光装置１００の下部側面が、溝３１ａの内側面である発光装置１００の上部側面よりも発光装置１００の内側となるように段差が形成される。このため、発光装置１００の実装面である長手方向の側面において、下部側面が、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられた上部側面よりも外側になることがない。従って、実装時に下部側面によって外部接続用電極３４ｎ，３４ｐと実装基板等の配線パターンとの密着性が妨げられずに、高い信頼性で発光装置１００を実装することができる。また、段差が形成されることにより、実装基板の実装面と発光装置１００の下部側面との間に空間ができるため、実装時に接着材料が蛍光体層２に回り込むことを抑制することができる。
以上の工程により、図１〜図３に示した発光装置１００が完成する。
【０１１３】
なお、溝３１ｃの幅を、溝３１ａの幅よりも狭くして、平面視で、溝３１ｃが溝３１ａに内包されるように形成することもできる。これによって、発光装置１００の上部側面が下部側面よりも平面視で内側となるように段差が形成される。このように発光装置１００の実装面である側面を構成することによって、実装時に、段差によって接着材料の広がりを留めることができるため、接着材料が蛍光体層２にまで回り込むことを抑制することができる。
【０１１４】
すなわち、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられる樹脂層３１の側面は、発光素子１が設けられた側（下面側）の端部を含む面である下部側面と、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられた面である上部側面とが同一面上にないようにすることにより、実装時に接着材料が光取り出し面である蛍光体層２に回り込むことを抑制することができる。
【０１１５】
＜製造方法の変形例＞
また、図７に示した製造方法において、樹脂層形成工程Ｓ１０４の次に、成長基板除去工程Ｓ１０８及び蛍光体層形成工程Ｓ１０９を行い、その後に、表面切削工程Ｓ１０５から外部接続用電極形成工程Ｓ１０７までを行うようにしてもよい。更にまた、表面切削工程Ｓ１０５の次に、成長基板除去工程Ｓ１０８及び蛍光体層形成工程Ｓ１０９を行い、その後に、ハーフダイシング工程Ｓ１０６及び外部接続用電極形成工程Ｓ１０７を行うようにしてもよい。
【０１１６】
また、これらの変形例において、成長基板除去工程Ｓ１０８及び蛍光体層形成工程Ｓ１０９を行った後に、蛍光体層２側にウエハ状態を維持するための支持体として粘着シートを貼付し、境界線４０（図１４参照）に沿って樹脂層３１及び蛍光体層２をフルダイシングし、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７を行うようにしてもよい。
この場合は、樹脂層３１及び蛍光体層２のフルダイシングにより、既に発光装置１００が個片化されているため、個片化工程Ｓ１１０を省略することができる。また、樹脂層３１の側面に段差部３１ｇ（図２（ｂ）及び図３参照）が形成されない。
【０１１７】
＜第２実施形態＞
次に、図１９及び図２０を参照して、第２実施形態に係る発光装置について説明する。
図１９及び図２０に示すように、第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、図１〜図３に示した第１実施形態に係る発光装置１００に対して、支持体３に代えて支持体３Ａを備えることが異なる。第１実施形態に係る発光装置１００と同様の構成については、同じ符号を付して、説明は省略する。
【０１１８】
第１実施形態における支持体３は、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面が平坦であるのに対して、第２実施形態における支持体３Ａの金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、上部が短手方向に二股に分かれ、当該二股の頂部が樹脂層３１から露出していることが異なる。
支持体３Ａの金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上部の二股構造は、第１実施形態における製造方法の表面切削工程Ｓ１０５において、切削線４１の高さを、アーチ状に配線された金属ワイヤ３２の谷部の上面よりも高く設定することで形成されるものである。言い換えれば、アーチ状に配線された金属ワイヤ３２の山部が露出する高さまで、樹脂層３１とともに金属ワイヤ３２を切削することで形成されるものである。このため、アーチ状に配線された金属ワイヤ３２の谷部は樹脂層３１に被覆されたままである。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面における露出面の下端の位置ＨＢは、第１実施形態と同様である。
【０１１９】
第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、上層側の内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上部構造が異なるが、発光装置１００Ａの上面を実装面として、トップビュー型の実装をすることができる。また、第１実施形態と同様に、発光装置１００Ａは、長手方向の何れかの側面を実装面としてサイドビュー型の実装をすることもできる。
また、第２実施形態における樹脂層３１が、第１実施形態における樹脂層３１よりも厚く形成されるため、側面が広くなる。そのため、発光装置１００Ａは、この広い側面を実装面として安定したサイドビュー型の実装をすることができる。
【０１２０】
なお、発光装置１００Ａは、第１実施形態に係る発光装置１００とは、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの形状が異なるだけであるから、動作についての説明は省略する。
また、前記したように、発光装置１００Ａは、第１実施形態における表面切削工程Ｓ１０５において、切削線４１の高さを変えることで製造することができるから、製造方法についての詳細な説明は省略する。
【０１２１】
＜第３実施形態＞
次に、図２１及び図２２を参照して、第３実施形態に係る発光装置について説明する。
図２１及び図２２に示すように、第３実施形態に係る発光装置１００Ｂは、図１９及び図２０に示した第２実施形態に係る発光装置１００Ａに対して、支持体３Ａに代えて支持体３Ｂを備えることが異なる。第２実施形態に係る発光装置１００Ａと同様の構成については、同じ符号を付して、説明は省略する。
【０１２２】
第２実施形態における支持体３Ａは、前記したように外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面及び側面における露出面のみを被覆するように設けられている。これに対して、第３実施形態における支持体３Ｂは、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面及び側面における露出面及びこれらの露出面の近傍の樹脂層３１の表面にまで延在して被覆するように設けられている。
【０１２３】
外部接続用電極３４ｎ，３４ｐは、上面において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１からの二股に分かれた露出面を被覆するとともに、各極性について、当該二股の露出面の間の樹脂層３１の上面も被覆するように設けられている。更に、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐは、樹脂層３１の上面及び長手方向の側面において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐが対向する方向（Ｘ軸方向）にも延在するように設けられている。更にまた、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐは、短手方向の側面において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面の、アーチ形状の谷部に対応する樹脂層３１の側面も被覆するように設けられている。すなわち、外部接続用電極３４ｎ，４３ｐは、それぞれ支持体３Ｂの角部の４面を箱状に被覆するように設けられている。
【０１２４】
また、外部接続用電極３４ｎは、上面の外部接続用電極３４ｐと対向する辺の一部に三角形の切り欠き３１ａを有している。この切り欠き３１ａは、発光装置１００Ｂの電極の極性を識別するためのものである。本例では、ｎ側の極性であることを識別するために切り欠きを設けているが、ｐ側の極性であることを示すように、外部接続用電極３４ｐに切り欠き３１ｐを設けるようにしてもよい。
【０１２５】
発光装置１００Ｂは、発光装置１００Ａと同様に、上面を実装面としてトップビュー型の実装をすることができるとともに、長手方向の何れかの側面を実装面としてサイドビュー型の実装をすることもできる。
また、トップビュー型の実装を行う場合は、実装面である上面において、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが樹脂層３１の上面にまで延在するように設けられているため、発光装置１００Ａよりも強固に実装基板と接合することができる。更に、より広範囲に設けられた外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを介して、発光素子１が発生した熱を効率的に外部に伝達することができるため、放熱性を向上させることができる。
なお、発光装置１００Ｂの動作は、前記した発光装置１００等と同様であるから、説明は省略する。
【０１２６】
第３実施形態に係る発光装置１００Ｂは、前記した第２実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法の外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、無電解メッキ法に代えて、レジストパターンを用いたスパッタリング法によって外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することで製造することができる。
発光素子準備工程Ｓ１０１からハーフダイシング工程Ｓ１０６までは、第２実施形態と同様に行う。すなわち、表面切削工程Ｓ１０５及びハーフダイシング工程Ｓ１０６を行うことにより、樹脂層３１の上面及び側面に金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを露出させる。
【０１２７】
次に、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、上面及び側面において、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを設ける領域に開口を有し、その他の領域をマスクするレジストパターンを形成し、スパッタリング法によって金属膜を形成する。そして、レジストパターンを除去（リフトオフ）することにより、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐがパターニングされる。このとき、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面及び所定範囲のその近傍の樹脂層３１の表面に、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐとして金属膜が形成される。また、この金属膜をパターニングした後で、更に無電解メッキを行うことにより、強固な外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することができる。
【０１２８】
なお、ハーフダイシング工程Ｓ１０６で形成された溝３１ａ，３１ｂの内面に、レジストパターンを形成するためには、例えば、静電吐出方式により高粘度のレジスト材料を吐出することで高精度に塗布可能な塗布装置（例えば、エンジニアリングシステム株式会社のＱ−ｊｅｔ（登録商標）シリーズ）を好適に用いることができる。
また、レジストパターンは、フォトリソグラフィ法を用いて形成することもできる。
【０１２９】
このように、マスクであるレジストパターンを併用したスパッタリング法によって外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することにより、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面だけでなく、樹脂層３１の側面や上面にまで延在するように、広い面積に外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することができる。
【０１３０】
成長基板除去工程Ｓ１０８〜個片化工程Ｓ１１０については、第２実施形態と同様であるから説明は省略する。
【０１３１】
＜第４実施形態＞
次に、図２３及び図２４を参照して、第４実施形態に係る発光装置について説明する。
図２３及び図２４に示すように、第４実施形態に係る発光装置１００Ｃは、図２１及び図２２に示した第３実施形態に係る発光装置１００Ｂに対して、支持体３Ｂに代えて支持体３Ｃを備えることが異なる。第３実施形態に係る発光装置１００Ｂと同様の構成については、同じ符号を付して、説明は省略する。
【０１３２】
第３実施形態における支持体３Ｂは、前記したように外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面及び側面における露出面及びこれらの露出面の近傍の樹脂層３１の表面にまで延在して被覆するように設けられている。これに対して、第４実施形態における支持体３Ｃは、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面における露出面及びこの露出面の近傍の樹脂層３１の表面にまで延在して被覆するように設けられている。従って、長手方向の側面及び短手方向の側面においては、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられておらず、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは樹脂層３１から露出したままである。
【０１３３】
従って、本実施形態においては、上面を実装面とするトップビュー型の実装に適した構成を有するものである。また、長手方向の側面には外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが設けられていないが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面における露出面を接合部として、サイドビュー型実装を行うことも可能である。
本実施形態のように、実装型を考慮して、必要な領域にのみ外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを設けることができる。
なお、発光装置１００Ｃの動作は、前記した発光装置１００等と同様であるから、説明は省略する。
【０１３４】
第４実施形態に係る発光装置１００Ｃは、前記した第３実施形態に係る発光装置１００Ｂの製造方法において、ハーフダイシング工程Ｓ１０６を行わないようにすることで製造することができる。すなわち、表面切削工程Ｓ１０５において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面を露出させた後に、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７を行うことで、上面にのみ、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することができる。
また、第４実施形態では、個片化工程Ｓ１１０において、樹脂層３１及び蛍光体層２を境界線４０（例えば、図８参照）に沿ってフルダイシングすることにより、発光装置１００Ｃを個片化することができる。
他の工程については、第３実施形態と同様であるから説明は省略する。
【０１３５】
＜第５実施形態＞
次に、図２５及び図２６を参照して、第５実施形態に係る発光装置について説明する。
図２５及び図２６に示すように、第５実施形態に係る発光装置１００Ｄは、図１９及び図２０に示した第２実施形態に係る発光装置１００Ａに対して、支持体３Ａに代えて支持体３Ｄを備えることが異なる。第２実施形態に係る発光装置１００Ａと同様の構成については、同じ符号を付して、説明は省略する。
【０１３６】
第２実施形態における支持体３Ａは、前記したように外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面及び側面における露出面を被覆するように設けられている。これに対して、第５実施形態における支持体３Ｄは、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面の全体が樹脂層３１によって被覆されている。そして、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面及び短手方向の側面における露出面のみを被覆するように設けられている。
【０１３７】
従って、第５実施形態における支持体３Ｄは、長手方向の何れかの側面を実装面とするサイドビュー型の実装に適した構成を有している。このように、樹脂層３１を厚く形成することにより、側面を広く形成することができ、広く形成された長手方向の側面を実装面として、より安定したサイドビュー型の実装をすることができる。
なお、発光装置１００Ｄの動作は、前記した発光装置１００等と同様であるから、説明は省略する。
【０１３８】
第５実施形態に係る発光装置１００Ｄは、前記した第２実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法において、表面切削工程Ｓ１０５を行わないようにすることで製造することができる。なお、表面切削工程Ｓ１０５において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面が露出しない範囲で、樹脂層３１の高さを調整するために表面を切削するようにしてもよい。
また、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、無電解メッキ法によって、樹脂層３１の側面に露出した金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面にのみ、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することができる。
他の工程については、第２実施形態と同様であるから説明は省略する。
【０１３９】
＜第６実施形態＞
次に、図２７及び図２８を参照して、第６実施形態に係る発光装置について説明する。
図２７及び図２８に示すように、第６実施形態に係る発光装置１００Ｅは、図２５及び図２６に示した第５実施形態に係る発光装置１００Ｄに対して、支持体３Ｄに代えて支持体３Ｅを備えることが異なる。第５実施形態に係る発光装置１００Ｄと同様の構成については、同じ符号を付して、説明は省略する。
【０１４０】
第５実施形態における支持体３Ｄは、前記したように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面の全体が樹脂層３１によって被覆され、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面及び短手方向の側面における露出面のみを被覆するように設けられている。これに対して、第６実施形態における支持体３Ｅは、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面及び短手方向の側面における露出面に加えて、これらの露出面よりも上方の樹脂層３１の表面全体及び上面にまで延在するように設けられている。
従って、発光装置１００Ｅは、長手方向の何れかの側面を実装面とするサイドビュー型の実装が可能であるとともに、上面を実装面とするトップビュー型の実装も可能なように構成されている。
なお、発光装置１００Ｅの動作は、前記した発光装置１００等と同様であるから、説明は省略する。
【０１４１】
第６実施形態に係る発光装置１００Ｅは、前記した第３実施形態に係る発光装置１００Ｂの製造方法において、表面切削工程Ｓ１０５を行わないようにすることで製造することができる。なお、表面切削工程Ｓ１０５において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面が露出しない範囲で、樹脂層３１の高さを調整するために表面を切削するようにしてもよい。
また、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、レジストパターンを用いたスパッタリング法によって、樹脂層３１の側面に露出した金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面のほか、これらの露出面より上方の樹脂層の表面及び上面にまで延在するように外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成することができる。
他の工程については、第３実施形態と同様であるから説明は省略する。
【０１４２】
＜第７実施形態＞
次に、図２９及び図３０を参照して、第７実施形態に係る発光装置について説明する。
図２９及び図３０に示すように、第７実施形態に係る発光装置１００Ｆは、図２５及び図２６に示した第５実施形態に係る発光装置１００Ｄに対して、支持体３Ｄに代えて支持体３Ｆを備えることが異なる。第５実施形態に係る発光装置１００Ｄと同様の構成については、同じ符号を付して、説明は省略する。
【０１４３】
第５実施形態における支持体３Ｄは、前記したように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面の全体が樹脂層３１によって被覆され、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面及び短手方向の側面における露出面のみを被覆するように設けられている。これに対して、第７実施形態における支持体３Ｆは、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの長手方向の側面及び短手方向の側面における露出面を被覆するように設けられているとともに、上面に金属膜３５ｎ，３５ｐが設けられている。上面に設けられた金属膜３５ｎ，３５ｐは、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐ及び金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの何れとも導通しておらず、電気的にフロート状態の金属膜である。
【０１４４】
従って、発光装置１００Ｆは、長手方向の何れかの側面を実装面とするサイドビュー型の実装に適した構成を有するものである。また、樹脂層３１を厚く形成することにより、サイドビュー型実装をする際に、発光装置１００Ｅを実装基板に安定して接合することができる。更に、サイドビュー型の実装時において、長手方向の側面に設けられた外部接続用電極３４ｎ，３４ｐに供給された接着部材が樹脂層３１の表面を伝って上面に形成された金属膜３５ｎ，３５ｐにまで回り込むことで、接合性を向上させることができる。
従って、金属膜３５ｎ，３５ｐは、長手方向の側面から所定の距離（例えば、１００μｍ）以下となる領域まで延在するように設けることが好ましい。
【０１４５】
なお、金属膜３５ｎの一辺に形成された三角形の切り欠き３５ａは、切り欠き３４ａ（例えば、図２７参照）と同様に、当該切り欠き３５ａの近傍に設けられた外部接続用電極３４ｎがｎ側の極性であることを識別するためのものである。
また、発光装置１００Ｆの動作は、前記した発光装置１００等と同様であるから、説明は省略する。
【０１４６】
第７実施形態に係る発光装置１００Ｆは、第５実施形態に係る発光装置１００Ｄの製造方法を次のように変更して製造することができる。すなわち、ハーフダイシング工程Ｓ１０６の前に、上面にレジストパターンを用いたスパッタリング法により金属膜３５ｎ，３５ｐを形成する。その後、ハーフダイシング工程Ｓ１０６を行うことで、樹脂層３１の側面に金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを露出させ、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、無電解メッキを行うことで、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面に外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを形成する。なお、このときの無電解メッキによって、金属膜３５ｎ，３５ｐを強固にすることができる。
他の工程については、第５実施形態と同様であるから説明は省略する。
【０１４７】
また、発光装置１００Ｆは、第６実施形態に係る発光装置１００Ｅの製造方法と同様にして製造することもできる。この場合は、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、金属膜３５ｎ，３５ｐと外部接続用電極３４ｎ，３４ｐとの間をマスクするようにレジストパターンを形成することにより、フロート状態の金属膜３５ｎ，３５ｐを形成することができる。
【０１４８】
＜変形例＞
以上説明した各実施形態に係る発光装置１００〜１００Ｆにおいて、次のように構成することもできる。
金属層３３ｎ，３３ｐを設けずに、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐをｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に直接接合するようにしてもよい。
また、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐを設けずに、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１からの露出面を、外部と接続する際の接合部としてもよい。
また、外部接続用電極３４ｎ，３４ｐは、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの樹脂層３１からの露出面の全部又は一部を被覆するように設けてもよいし、樹脂層３１の表面に延在するように設けてもよい。
また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、実装面とならない短手方向の側面において樹脂層３１に被覆され、露出しないように構成してもよい。
また、蛍光体層２は設けなくともよく、蛍光体層２に代えて、透光性の樹脂層を設けてもよい。また、成長基板１１を除去せずに、成長基板１１の下面側に蛍光体層２を設けるようにしてもよい。
【０１４９】
以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１５０】
１      発光素子（半導体発光素子）
１１    成長基板
１２    半導体積層体
１２ｎ  ｎ型半導体層
１２ａ  活性層
１２ｐ  ｐ型半導体層
１２ｂ  段差部
１２ｃ  凹凸形状
１３    ｎ側電極（電極）
１３ａ  接合部
１４    全面電極
１４ａ  反射電極
１４ｂ  カバー電極
１５    ｐ側電極（電極）
１６    保護層
２      蛍光体層（波長変換層）
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ  支持体
３１    樹脂層
３１ａ，３１ｂ  溝
３１ｃ，３１ｄ  溝
３１ｇ  段差部
３２    金属ワイヤ
３２ｎ  金属ワイヤ（内部配線、ｎ側金属ワイヤ）
３２ｐ  金属ワイヤ（内部配線、ｐ側金属ワイヤ）
３３ｎ  金属層（電極、ｎ側金属層）
３３ｐ  金属層（電極、ｐ側金属層）
３４ｎ  外部接続用電極（ｎ側外部接続用電極）
３４ｐ  外部接続用電極（ｐ側外部接続用電極）
３４ａ  切り欠き
３５ｎ，３５ｐ  金属膜
３５ａ  切り欠き
４０    境界線
４１    切削線
９０    実装基板
９１    基板
９２    配線パターン
９３    接着材料
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ  発光装置
【図１】
2015201605.tif 000003
【図２】
2015201605.tif 000004
【図３】
2015201605.tif 000005
【図４】
2015201605.tif 000006
【図５】
2015201605.tif 000007
【図６】
2015201605.tif 000008
【図７】
2015201605.tif 000009
【図８】
2015201605.tif 000010
【図９】
2015201605.tif 000011
【図１０】
2015201605.tif 000012
【図１１】
2015201605.tif 000013
【図１２】
2015201605.tif 000014
【図１３】
2015201605.tif 000015
【図１４】
2015201605.tif 000016
【図１５】
2015201605.tif 000017
【図１６】
2015201605.tif 000018
【図１７】
2015201605.tif 000019
【図１８】
2015201605.tif 000020
【図１９】
2015201605.tif 000021
【図２０】
2015201605.tif 000022
【図２１】
2015201605.tif 000023
【図２２】
2015201605.tif 000024
【図２３】
2015201605.tif 000025
【図２４】
2015201605.tif 000026
【図２５】
2015201605.tif 000027
【図２６】
2015201605.tif 000028
【図２７】
2015201605.tif 000029
【図２８】
2015201605.tif 000030
【図２９】
2015201605.tif 000031
【図３０】
2015201605.tif 000032