(57)【要約】【課題】配線を流れる電流値を精度良く測定すること。【解決手段】配線（３）に接続されたシャント抵抗素子（２９）と、シャント抵抗素子（２９）に対して直列に接続された抵抗素子（２８）であって、シャント抵抗素子（２９）における寄生インダクタンス（Ｌｓ）に対応する寄生インダクタンス（Ｌｓ′）を有する抵抗素子（２８）と、シャント抵抗素子（２８）の両端の電圧（Ｖ１）と、抵抗素子（２８）の両端の電圧（Ｖ２）と、に基づいて、配線（３）を流れる電流（ｉ１）を検出する電流検出手段（２７ｃ）と、を備えた電流検出器（２７〜２９）。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線に接続されたシャント抵抗素子と、
前記シャント抵抗素子に対して直列に接続された抵抗素子であって、前記シャント抵抗素子における寄生インダクタンスに対応する寄生インダクタンスを有する前記抵抗素子と、
前記シャント抵抗素子の両端の電圧と、前記抵抗素子の両端の電圧と、に基づいて、前記配線を流れる電流を検出する電流検出手段と、
を備えたことを特徴とする電流検出器。
【請求項２】
導電体と絶縁体が積層された積層型のシート状の前記配線、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電流検出器。
【請求項３】
ゼロΩ抵抗素子により構成された前記抵抗素子、
を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の電流検出器。
【請求項４】
前記シャント抵抗素子と同一の外形形状を有する前記抵抗素子、
を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電流検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路における電流を検出する電流検出器に関し、特に、電力変換回路に好適に使用可能な電流検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力変換や電力開閉、およびその制御等に関するパワーエレクトロニクスの分野では、高電圧、大電流に対応した電力用半導体（パワーデバイス）が使用される。パワーエレクトロニクスの回路において、スイッチの開閉等で、コンデンサと半導体（ＩＧＢＴ：Insulated Gate Bipolar Transistor）とが接続される際に、それらを接続する配線やコンデンサと半導体部品に寄生するＬ成分（インダクタンス成分）とスイッチング速度（ＯＮとＯＦＦの変化の時間）に起因する、サージ電圧や電磁ノイズが発生する。特に、ＳｉＣやＧａＮ等のパワーデバイスでは、従来のＳｉパワーデバイスに比べてスイッチング速度が速くなるためにＬ成分の存在が深刻である。また、インバータ等の高周波数でスイッチングが行われる状況では、Ｌ成分の影響も変わってくる。
このＬ成分の影響を減らすために、パワーエレクトロニクス分野では、シート状、膜状、帯状の絶縁層と導電層が積層されてラミネートされたラミネートバスバー（laminate  busbar:ラミネートブスバー）と呼ばれる積層電線、積層基板が広く使用されている。
【０００３】
ここで、インバーターを代表とする電力変換回路の保護や制御において、電流測定は必要不可欠である。回路内の電流を検出するセンサとしては、シャント抵抗やホール素子、磁性素子を使用する方法が知られており、それぞれ用途毎に実用化されている（例えば、特開２００６−１２１８３４号公報、特開２００９−３３８９３号公報、特開２０１１−７３５３２号公報等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２１８３４号公報
【特許文献２】特開２００９−３３８９３号公報
【特許文献３】特開２０１１−７３５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
（従来技術の問題点）
シャント抵抗は、電流計に並列に接続される抵抗素子であるが、抵抗内部のインダクタンス成分（寄生インダクタンス（Ｌ）成分）により、高周波成分の電流検出が困難であり、電流の検出をする際に、寄生インダクタンス成分の悪影響を受ける（補償されない）問題がある。
また、ホール素子や磁気素子のように磁界から電流を検出する素子では、断面が円形の電線の電流検出に適しており、任意形状の電線の電流検出は極めて困難である。すなわち、特に、シート形状のラミネートバスバー構造（積層型）の配線では、電流を測定することができない。また、ホール素子等は、一般的に、シャント抵抗よりも高価である問題もある。
【０００６】
本発明は、配線を流れる電流値を精度良く測定することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記技術的課題を解決するために、請求項１に記載の発明の電流検出器は、
配線に接続されたシャント抵抗素子と、
前記シャント抵抗素子に対して直列に接続された抵抗素子であって、前記シャント抵抗素子における寄生インダクタンスに対応する寄生インダクタンスを有する前記抵抗素子と、
前記シャント抵抗素子の両端の電圧と、前記抵抗素子の両端の電圧と、に基づいて、前記配線を流れる電流を検出する電流検出手段と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電流検出器において、
導電体と絶縁体が積層された積層型のシート状の前記配線、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の電流検出器において、
ゼロΩ抵抗素子により構成された前記抵抗素子、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の電流検出器において、
前記シャント抵抗素子と同一の外形形状を有する前記抵抗素子、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、本発明の構成を有しない場合に比べて、配線を流れる電流値を精度良く測定することができる。
請求項２に記載の発明によれば、積層型の配線を流れる電流値を精度良く測定することができる。
請求項３に記載の発明によれば、ゼロΩ抵抗素子を有しない場合に比べて、抵抗素子による損失を低減することができる。
請求項４に記載の発明によれば、シャント抵抗素子と同一の寄生インダクタンスを有する抵抗素子を容易に選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は本発明の実施例１の電流検出器を含む高電圧スイッチング回路の説明図であり、図１Ａは斜視図、図１Ｂは図１Ａの矢印ＩＢ方向から見た図、図１Ｃは図１ＡのＩＣ−ＩＣ線断面図である。
【図２】図２は実験例の説明図であり、実施例１の高電圧スイッチング回路１を有する実験装置の等価回路の説明図である。
【図３】図３は実験例における電流検出器の等価回路の説明図である。
【図４】図４は実験例の結果の説明図であり、図４Ａは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取ったシャント抵抗素子の両端の測定結果のグラフ、図４Ｂは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取った０Ω抵抗素子の両端の測定結果のグラフ、図４Ｃは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取った電流検出手段により検出された電流値のグラフ、図４Ｄは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取ったＡＣＣＴの測定結果のグラフである。
【図５】図５はＦＦＴ解析の結果の説明図であり、図５Ａは図４Ａおよび図４Ｄの測定結果を対比したグラフ、図５Ｂは図４Ｃおよび図４Ｄの測定結果を対比したグラフである。
【図６】図６は実験例のゲイン−周波数特性の解析結果の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に図面を参照しながら、本発明の実施の形態の具体例（以下、実施例と記載する）を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、以下の図面を使用した説明において、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。
【実施例１】
【００１４】
図１は本発明の実施例１の電流検出器を含む高電圧スイッチング回路の説明図であり、図１Ａは斜視図、図１Ｂは図１Ａの矢印ＩＢ方向から見た図、図１Ｃは図１ＡのＩＣ−ＩＣ線断面図である。
図１において、実施例１の電力変換回路の一例としての高電圧スイッチング回路（降圧チョッパ回路）１は、板状の絶縁性の基板２を有する。基板２の表面２ａおよび裏面２ｂには、複数の配線部３が支持されている。実施例１の各配線部３は、図１Ｃに示すように、シート状の導電層（導電体）４と絶縁層（絶縁体）５とが積層されたラミネートバスバー構造を有する。
【００１５】
配線部３は、基板２の表面２ａに配置され且つ互いに分離された第１〜第４の配線部６，７，８，９と、基板２の裏面２ｂに配置され且つ互いに分離された第５〜第７の配線部１１，１２，１３と、を有する。
第１の配線部６には、電源２１に接続される第１の電源接続部６ａが形成されている。第１の配線部６には、負荷の一例としての空芯インダクタ２２の一端が接続される第１の負荷接続部６ｂが形成されている。
第１の配線部６と第２の配線部７とは、パワーデバイスの一例であって、回路素子の一例としての第１のダイオード２３により電気的に接続されている。
第２の配線部７と第３の配線部８とは、パワーデバイスの一例であって、回路素子の一例としての第２のダイオード２４により接続されている。実施例１では、各ダイオード２３，２４として、市販のＳｉＣ−ＳＢＤ（schottky barrier diode）を使用している。
【００１６】
第３の配線部８には、前記空芯インダクタ２２の他端が接続される第２の負荷接続部８ａが形成されている。
第３の配線部８と第４の配線部９との間は、回路素子の一例としてのＩＧＢＴ２６により電気的に接続されている。なお、実施例１のＩＧＢＴ２６は、市販のＳｉ−ＩＧＢＴ（半導体）を使用可能である。
基板２の表面２ａの第４の配線部９と、裏面２ｂの第５の配線部１１とは、図示しない接続部材により電気的に接続されている。
第５の配線部１１には、電流計２７の端子が接続される第１の電流計端子部１１ａが形成されている。
第５の配線部１１と第６の配線部１２との間は、抵抗素子の一例としての０Ω抵抗素子２８により電気的に接続されている。実施例１の０Ω抵抗素子２８は、１０個の素子が並列に配置された構成を有する。
【００１７】
第６の配線部１２には、電流計２７の端子が接続される第２の電流計端子部１２ａと、第３の電流計端子部１２ｂとが形成されている。
第６の配線部１２と第７の配線部１３との間は、シャント抵抗素子２９により電気的に接続されている。実施例１のシャント抵抗素子２９は、０Ω抵抗素子２８と同様に１０個の素子が並列に配置された構成を有する。なお、実施例１の０Ω抵抗素子２８は、シャント抵抗素子２９のサイズと、ほぼ同一のサイズ（ほぼ同一の外形形状）を有する市販の０Ω抵抗素子２８により構成されている。
第７の配線部１３には、電流計２７の端子が接続される第４の電流計端子部１３ａが形成されている。また、第７の配線部１３には、電源２１に接続される第２の電源接続部１３ｂも形成されている。
【００１８】
実施例１の電流計２７は、第１の電流計端子部１１ａと第２の電流計端子部１２ａとの間の電圧Ｖ１を測定する第１の電圧計２７ａと、第３の電流計端子部１２ｂと第４の電流計端子部１３ａとの間の電圧Ｖ２を測定する第２の電圧計２７ｂと、を有する。
また、実施例１の電流計２７は、各電圧Ｖ１，Ｖ２と、シャント抵抗素子２９の抵抗値Ｒとに基づいて、電流値ｉ１を検出する電流検出手段２７ｃを有する。具体的には、実施例１の電流検出手段２７ｃは、以下の式（１）に基づいて、電流値ｉ１を検出する。
ｉ１＝（Ｖ１−Ｖ２）／Ｒ  …式（１）
前記電流計２７、０Ω抵抗素子２８、シャント抵抗素子２９等により、実施例１の電流検出器２７〜２９が構成されている。
【００１９】
（実施例１の作用）
前記構成を備えた実施例１の高電圧スイッチング回路１では、ダイオード２３，２４とＩＧＢＴ２６を用いて高速スイッチング動作が実現可能である。特に、ＩＧＢＴの短ｏｎ特性を利用することによって、Ｔｕｒｎ  ｏｆｆ時の高速なスイッチングが可能である。
そして、このとき、高電圧スイッチング回路１の配線部３を流れる電流値は、電流検出器２７〜２９で検出される。実施例１の高電圧スイッチング回路１では、電流計２７に並列に接続されているシャント抵抗素子２９に対して、ほぼ同一のサイズの０Ω抵抗素子２８が直列に接続されている。したがって、０Ω抵抗素子２８は、シャント抵抗素子２９が有する寄生インダクタンスＬｓに対応する寄生インダクタンスＬｓ′を有する。寄生インダクタンスは、回路素子の外形の形状に依存するところが大きく、外形形状が同様の２つの抵抗素子２８，２９の寄生インダクタンスＬｓ，Ｌｓ′は、ほぼ同一（Ｌｓ＝Ｌｓ′）となる。
【００２０】
図２は実験例の説明図であり、実施例１の高電圧スイッチング回路１を有する実験装置の等価回路の説明図である。
次に、実施例１の電流検出器２７〜２９の効果を確認するための実験を行った。
図２において、実験例では、電源２１として、２．５ｋＶ、６Ａの直流電源を使用した。また、実験例では、ダブルパルス試験とするために、直流電源２１と並列に高耐圧フィルムコンデンサ（容量Ｃ＝４４０μＦ）を接続した。さらに、空芯インダクタ２２として、Ｌ＝１ｍＨのものを使用した。また、ＩＧＢＴ２６として、４ｋＶ耐圧のＩＧＢＴを使用し、ＩＧＢＴ２６の駆動電圧は±１５Ｖ、外付けのゲート抵抗は５Ωとした。さらに、ダイオード２３，２４として、１．７ｋＶ耐圧のＳｉＣ−ＳＢＤを２直列して使用した。
【００２１】
図３は実験例における電流検出器の等価回路の説明図である。
実験例１では、シャント抵抗素子２９として、１Ωのチップ抵抗を１０個使用し、０Ω抵抗素子２８として、同一サイズで同じ大きさの寄生インダクタンスを持つ０Ωのチップ抵抗を同数使用した。
図３の等価回路に示すように、シャント抵抗素子２９は、抵抗成分Ｒに加えて、寄生インダクタンス成分Ｌｓを有する。また、０Ω抵抗素子２８も、寄生インダクタンス成分Ｌｓ′を有する。なお、各抵抗素子２８，２９の寄生インダクタンスＬｓ，Ｌｓ′を、ＴＤＲ法（Time Domain Reflectmetry:時間領域反射測定法）により測定して、同一の値Ｌｓ＝１．７ｎＨであることを確認した。
【００２２】
したがって、図３から、各電圧計２７ａ，２７ｂが測定する電圧Ｖ１，Ｖ２は、ｊを虚数単位とし、ωを電流ｉ１の角周波数成分とした場合に、以下の式（２）、（３）となる。
Ｖ１＝（Ｒ＋ｊωＬｓ）・ｉ１  …式（２）
Ｖ２＝ｊωＬｓ′・ｉ１＝ｊωＬｓ・ｉ１  …式（３）
よって、式（２）、式（３）から、ｊωＬｓを消す計算をすることで、式（１）が導出される。
なお、０Ω抵抗素子２８に替えて、抵抗値Ｒ′を有し且つ寄生インダクタンス成分Ｌｓ′（＝Ｌｓ）の抵抗素子を使用した場合には、式（３）が以下の式（３′）となる。
Ｖ２＝（Ｒ′＋ｊωＬｓ′）・ｉ１＝（Ｒ′＋ｊωＬｓ）・ｉ１  …式（３′）
よって、式（２）、式（３′）から、式（１）に替えて以下の式（１′）により、電流値ｉ１が演算、検出可能である。
ｉ１＝（Ｖ１−Ｖ２）／（Ｒ−Ｒ′）  …式（１′）
【００２３】
また、実験例では、電圧計２７ａ，２７ｂとして、一例として、５００ＭＨｚの帯域を持つ電圧プローブ（Ｐ６１３９Ｂ：Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ）を使用して測定した。
なお、実験例の電流測定方法の妥当性を確認するために、２００ＭＨｚ帯域のＡＣＣＴ（ＰＥＡＲＳＯＮ：２８７７）を使用した測定も行った。また、測定結果は、各抵抗素子２８，２９にかかる電圧Ｖ１，Ｖ２を、シャント抵抗Ｒで除算し、電流値に換算した。
【００２４】
図４は実験例の結果の説明図であり、図４Ａは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取ったシャント抵抗素子の両端の測定結果のグラフ、図４Ｂは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取った０Ω抵抗素子の両端の測定結果のグラフ、図４Ｃは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取った電流検出手段により検出された電流値のグラフ、図４Ｄは横軸に時間を取り縦軸に電流値を取ったＡＣＣＴの測定結果のグラフである。
図４Ａは、シャント抵抗素子２９の両端において測定される電流値であり、０Ω抵抗素子２８が接続されない従来のシャント抵抗素子２９のみを使用する電流測定法の測定結果に相当する。一方、実験例では、図４Ａに示す波形から図４Ｂに示す波形を引いた図４Ｃに示す電流値ｉ１が測定される。
【００２５】
図４Ａに示す従来のシャント抵抗を使用する電流測定結果と、図４Ｃに示す実験例の電流測定結果と、図４Ｄに示すＡＣＣＴの測定結果とを比較すると、実験例の方が、ＡＣＣＴの測定結果に対するズレが小さいことがわかる。ズレの大きさを確認するために、図４Ａ、図４Ｃ、図４Ｄの測定波形をＦＦＴ解析した。ＦＦＴ解析は、図４に示すように、測定開始から５１２ｎｓ分の区間において、１ＧＳ／ｓｅｃ（Giga Samples per second）のサンプリング速度で測定した５１２点のデータを用いて計算した。そして、図４Ａの従来のＦＦＴ解析結果および図４Ｃの実験例のＦＦＴ解析結果と、ＡＣＣＴの解析結果との差を取った。
ＦＦＴ解析の結果を図５に示し、差を取った結果を図６に示す。
【００２６】
図５はＦＦＴ解析の結果の説明図であり、図５Ａは図４Ａおよび図４Ｄの測定結果を対比したグラフ、図５Ｂは図４Ｃおよび図４Ｄの測定結果を対比したグラフである。
図６は実験例のゲイン−周波数特性の解析結果の説明図である。
図５において、図５Ａの従来の結果と、図５Ｂの実験例の結果とを対比すると、実験例の方がＡＣＣＴの結果に近いことが確認できる。
また、図６に示すように、実線で示す従来の結果と、破線で示す実験例の結果とを比較すると、実験例の方が「０」に近い、すなわち、ＡＣＣＴとの差が少ないことがわかり、特に、実験例の電流値ｉ１のゲイン特性は、２５ＭＨｚ以下の周波数において増加することなく、±２ｄＢの範囲に収まっている。
よって、実験例の方が、従来の電流測定法に比べて、測定帯域の改善が確認された。
【００２７】
したがって、実施例１の電流検出器２７〜２９では、シャント抵抗素子２９に直列に接続された０Ω抵抗素子２８により、寄生インダクタンス成分Ｌｓの影響を打ち消すことができ（インダクタンス成分が補償され）、ラミネートバスバー構造の配線部３を流れる電流ｉ１を直接測定することができる。０Ω抵抗素子２８が設けられておらず、シャント抵抗素子２９のみで電流を測定する従来の方式では、周波数（ｆ＝ω／２π）が高くなると寄生インダクタンス成分Ｌｓによる抵抗が大きくなる問題があったが、実施例１では、寄生インダクタンス成分Ｌｓの影響を受けず、電流値ｉ１を測定することができる。よって、半導体の発熱を推定するのではなく、直接測定された電流値ｉ１に基づいて、電力変換回路の保護や制御を行うことができる。
また、実施例１では、電圧計２７ａ，２７ｂの測定結果を使用して、電流の計測を行っている。したがって、電圧と電流の計測を電圧計２７ａ，２７ｂに統一でき、電圧計２７ａ，２７ｂ間の遅延を考慮する必要が無くなる。つまり、スイッチング損失の計算においては、従来の電流センサを用いる手法に比べて、誤差を低減できる。
さらに、実施例１では、抵抗素子として０Ω抵抗素子２９を使用しており、抵抗がゼロとなっている。したがって、抵抗を有する素子を使用する場合に比べて、回路における損失が低減されている。
【００２８】
仮に、電流を検出するために、ＣＴ（分流器）を使用しようとした場合、ＣＴの構造に合わせた配線形状とする必要があり、一般的にはラミネート構造には適用できない問題がある。すなわち、ＣＴを挿入するための寄生インダクタンスが増加してしまい、ラミネート構造の特徴、利点が無くなってしまう問題がある。これに対して、実施例１の電流検出器２７〜２９では、抵抗２８，２９のみで実現可能であるため、安価且つ小型化で、精度良く、ラミネート構造の電流を測定できる。
さらに、ＡＣＣＴ（交流分流器）を使用する場合には、その測定手法において磁性材料を使用しているために、ＡＣＣＴを追加することで挿入インダクタンスが生じる。すなわち、低インダクタンス回路実現においては電流測定することで逆にインダクタンスを増加させてしまう問題がある。また、ＡＣＣＴは直流電流計測が原理的にできない問題もある。これに対して、実施例１の電流検出器２７〜２９では、インダクタンス成分が増加される問題が抑制されると共に、直流電流の計測も可能である。
【００２９】
（変更例）
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内で、種々の変更を行うことが可能である。本発明の変更例（Ｈ01）〜（Ｈ08）を下記に例示する。
（Ｈ01）前記実施例では、高電圧スイッチング回路１に電流検出器２７〜２９を適用した構成を例示したが、電流検出器２７〜２９が使用可能な回路は、これに限定されず、任意の回路に適用可能である。特に、メガソーラー発電施設やスマートグリッド、自動車等の高周波数の大電流が流れる場合がある電力変換回路に好適に適用可能である。
（Ｈ02）前記実施例において、例示した具体的な数値や製品名等は、例示したものに限定されず、設計や仕様等に応じて適宜変更可能である。
【００３０】
（Ｈ03）前記実施例において、抵抗素子として、０Ω抵抗素子を使用する構成を例示したが、抵抗値が０Ωの素子に限定されない。抵抗値Ｒ′を有する抵抗素子を使用することも可能である。この場合、前述のように、式（１′）に基づいて、電流値ｉ１を検出することが可能である。
（Ｈ04）前記実施例において、抵抗素子２８として、シャント抵抗素子２９の寄生インダクタンスＬｓに対応する寄生インダクタンスＬｓ′として、同一のインダクタンス（Ｌｓ＝Ｌｓ′）の構成を例示したが、これに限定されない。要求される精度やコスト、電流検出器が使用される回路（低周波数）等に応じて、シャント抵抗素子２９の寄生インダクタンスＬｓと抵抗素子２８の寄生インダクタンスＬｓ′は、完全に同一ではなく値にズレが存在する構成とすることも可能である。
【００３１】
（Ｈ05）前記実施例において、同一の寄生インダクタンスを有する抵抗素子２８として、シャント抵抗素子２９と同一の外形形状を有するものを使用する場合を例示したが、これに限定されず、外形形状が異なっても、同一またはほぼ同一の寄生インダクタンスを有する素子を使用可能である。
（Ｈ06）前記実施例において、シャント抵抗素子２９や抵抗素子２８を１０個並列に接続する構成を例示したが、これに限定されない。ラミネートバスバーの幅や流れる電流等に応じて、個数や接続方法は適宜変更可能である。
【００３２】
（Ｈ07）前記実施例において、電流の流れる方向に対して、シャント抵抗素子２９の上流側に０Ω抵抗素子２８を接続する構成を例示したが、これに限定されず、下流側に接続する構成とすることも可能である。また、シャント抵抗素子２９と０Ω抵抗素子２８とは、隣接して配置することが望ましいが、シャント抵抗素子２９と０Ω抵抗素子２８との間に回路素子が接続することも可能である。
（Ｈ08）前記実施例において、実施例の電流検出器２７〜２９は、配線の一例としてのラミネートバスバーを使用した回路に特に好適に使用可能であるが、これに限定されない。例えば、ラミネートされていない一般的なバスバー（銅板が平行に配置されている一般的な構造）により構成された配線や、電線形状の配線にも適用可能である。他にも、一般的な電流センサでは計測不能な同軸ケーブル中の電流や、基板の中の配線の電流波形も広帯域で計測可能である。
【符号の説明】
【００３３】
３…配線、
４…導電体、
５…絶縁体、
２７ｃ…電流検出手段、
２７〜２９…電流検出器、
２８…抵抗素子、ゼロΩ抵抗素子、
２９…シャント抵抗素子、
ｉ１…電流、
Ｌｓ，Ｌｓ′…寄生インダクタンス、
Ｖ１…シャント抵抗素子の両端の電圧、
Ｖ２…抵抗素子の両端の電圧。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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