(57)【要約】【課題】接着剤を簡単に剥離可能とすること。【解決手段】半導体ウエハ１０の第１面１１を第１接着剤２２を介し第１基板２０に仮接合する工程と、前記第１接着剤２２の側面が露出し第２接着剤３２の側面が露出しないように、前記半導体ウエハ１０の前記第１面１１と反対の第２面１２を前記第２接着剤３２を介し第２基板３０に仮接合する工程と、前記半導体ウエハ１０が前記第２基板３０に仮接合された状態で、前記第１基板２０を前記半導体ウエハ１０から剥離する工程と、を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの第１面を第１接着剤を介し第１基板に仮接合する工程と、
前記第１接着剤の側面が露出し第２接着剤の側面が露出しないように、前記半導体ウエハの前記第１面と反対の第２面を前記第２接着剤を介し第２基板に仮接合する工程と、
前記半導体ウエハが前記第２基板に仮接合された状態で、前記第１基板を前記半導体ウエハから剥離する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２基板の一面に形成された凹部内に前記第２接着剤が埋め込まれており、
前記第２基板に仮接合する工程は、前記凹部の側面が前記半導体ウエハの側面を覆うように、前記半導体ウエハの前記第２面を前記第２基板に仮接合する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２基板の前記凹部の内面と前記第２接着剤との間に離形剤が設けられていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２基板に仮接合する工程は、シールリングを用い前記凹部の側面と前記半導体ウエハの側面とを密着させる工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２基板に仮接合する工程は、前記第１接着剤の側面が露出するように前記第２接着剤の側面に保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１基板に仮接合された状態で、前記第２面を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば半導体ウエハを基板に仮接合する工程を含む半導体装置の製造方法である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際に、半導体ウエハを支持基板に仮接合（Temporary Binding）する技術が知られている。仮接合技術は、例えば３次元集積回路の製造工程に用いられる。半導体ウエハの両面に支持基板を仮接合する技術が知られている（例えば、特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２８１３３号公報
【特許文献２】特開平１１−７４２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体ウエハの両面に接着剤を用い支持基板を仮接合する場合、一方の接着剤が他方の接着剤の側面に流出することがある。これにより、支持基板の一方を離脱させるときに、接着剤を剥離することが難しくなる。
【０００５】
本半導体装置の製造方法は、接着剤を簡単に剥離可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
半導体ウエハの第１面を第１接着剤を介し第１基板に仮接合する工程と、前記第１接着剤の側面が露出し第２接着剤の側面が露出しないように、前記半導体ウエハの前記第１面と反対の第２面を前記第２接着剤を介し第２基板に仮接合する工程と、前記半導体ウエハが前記第２基板に仮接合された状態で、前記第１基板を前記半導体ウエハから剥離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を用いる。
【発明の効果】
【０００７】
本半導体装置の製造方法によれば、接着剤を簡単に剥離可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）から図１（ｅ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、比較例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】図３は、比較例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その８）である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｅ）は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照し実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１（ａ）から図１（ｅ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ１０は第１面１１と第１面１１の反対の面である第２面１２とを有している。例えば、第１面１１には、回路が形成されており、多層配線が形成されている。例えば半導体ウエハ１０内に第１面１１から第２面１２に向けてビアが形成されている。
【００１１】
図１（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０の第１面１１を接着剤２２を介し支持基板２０に仮接合する。支持基板２０としては、シリコン基板、ガラス基板、樹脂基板、セラミック基板または金属基板を用いることができる。接着剤２２としては、例えば樹脂を用いることができる。例えば接着剤２２を半導体ウエハ１０および支持基板２０の間に形成する。接着剤２２は、例えばスピンコート法を用い形成する。接着剤２２は、両面テープを貼り付けることにより形成してもよい。接着剤２２に熱処理および／または紫外線照射を行なう。これにより、接着剤２２が半導体ウエハ１０と支持基板２０とを接着し、半導体ウエハ１０と支持基板２０とが仮接合される。
【００１２】
第１面１１を支持基板２０に仮接合した状態で、例えば半導体ウエハ１０の第２面１２を研削および／または研磨して、半導体ウエハ１０を薄くすることができる。また、第２面１２に配線層を形成することができる。これらの工程において、支持基板２０が半導体ウエハ１０を支持する。このため半導体ウエハ１０のハンドリングが容易となる。
【００１３】
図１（ｃ）に示すように、凹部３１を備える支持基板３０を準備する。支持基板３０としては、シリコン基板、ガラス基板、樹脂基板、セラミック基板または金属基板を用いることができる。凹部３１の中には、接着剤３２が設けられている。接着剤３２は例えば樹脂である。接着剤３２は、例えばスピンコート法により形成される、または、両面テープを貼り付けることにより形成される。半導体ウエハ１０の第２面１２に凹部３１を位置合わせする。
【００１４】
図１（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１０を凹部３１に嵌め込む。半導体ウエハ１０の第２面１２と接着剤３２とが接触した状態で、熱処理および／または紫外線照射を行なう。これにより、半導体ウエハ１０の第２面１２と接着剤３２とが接着され、第２面１２が接着剤３２を用い支持基板３０に仮接合される。接着剤３２の側面は、凹部３１の側面で保護されている。また、凹部３１の大きさ（例えば直径）は、半導体ウエハ１０とほぼ同じかやや大きい。これにより、接着剤３２が流出し、接着剤２２の側面を覆うことを抑制できる。
【００１５】
図１（ｅ）に示すように、半導体ウエハ１０から支持基板２０および接着剤２２を剥離する。支持基板２０は、例えば接着剤２２へ熱処理、レーザ光照射および／または紫外線照射を行なうことにより剥離する。接着剤２２の剥離は、例えば半導体ウエハ１０をリムーバに浸すことにより行なう。リムーバは接着剤２２を溶解する溶液である。第１面１１から接着剤２２が剥離された状態で、半導体ウエハ１０上に半導体チップを搭載する等の工程を行なうことができる。このように、第１面１１への処理を自在に行なえる。支持基板３０が仮接合されているため、半導体ウエハ１０のハンドリングが容易となる。その後、支持基板３０および接着剤３２を除去することもできる。
【００１６】
次に、実施例１との比較する比較例について説明する。図２（ａ）から図２（ｃ）は、比較例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、実施例１の図１（ｂ）の後に、半導体ウエハ１０の第２面１２をダイシングフィルム９８に貼り付ける。図２（ｂ）に示すように、支持基板２０および接着剤２２を剥離する。図２（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１０上にチップ７２を搭載する。
【００１７】
比較例１では、図２（ｂ）において、支持基板２０および接着剤２２を剥離するときに、例えばリムーバ処理、レーザ光照射および／または紫外線を用いる。このため、ダイシングフィルム９８には、薬液耐性および／または紫外線耐性が求められる。また、図２（ｃ）において、チップ７２を搭載するときに、ダイシングフィルム９８には、加重および／または温度（例えば２５０℃）が加わる。このため、ダイシングフィルム９８には、加重耐性および／または温度耐性が求められる。さらに、この後、半導体ウエハ１０の第１面１１上にモールド樹脂を形成するときに、ダイシングフィルム９８には、温度（例えば１８０℃、１時間以上）が加わる。このため、ダイシングフィルム９８には温度耐性が求められる。さらに、第２面１２にバンプまたはピラーが形成されているときには、ダイシングフィルム９８には、バンプまたはピラーの埋め込み性が求められる。
【００１８】
しかしながら、ダイシングフィルム９８が薬液耐性、紫外線耐性、加重耐性、温度耐性および埋め込み性といったプロセス耐性を満足することは難しい。
【００１９】
図３は、比較例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図３に示すように、実施例１の図１（ｂ）後に、半導体ウエハ１０の第２面１２を支持基板３０に接着剤３２を用い仮接合する。比較例１のように、第１面１１および第２面１２ともに、支持基板２０および３０に仮接合する。これにより、支持基板３０および接着剤３２の薬液耐性、紫外線耐性、加重耐性、温度耐性および埋め込み性といったプロセス耐性を向上できる。
【００２０】
しかしながら、半導体ウエハ１０を支持基板３０に仮接合するときに、例えば、接着剤３２をスピンコート、熱処理、紫外線照射および／または加圧することにより、接着剤３２が半導体ウエハ１０の側面および接着剤２２の側面に流れ出る。接着剤２２の側面は流れ出た接着剤３２ａに覆われてしまう。この場合、支持基板２０を剥離するときに、接着剤２２が容易に剥離できない。例えば、液状のリムーバを用いる場合、接着剤３２ａはリムーバが接着剤２２に浸潤するのを妨げる。仮に、接着剤２２を半導体ウエハ１０に接合したまま支持基板２０を剥離しても、接着剤２２を剥離するのが難しい。このように、半導体ウエハ１０から支持基板２０を剥離するときに、接着剤３２ａが接着剤２２と干渉してしまう。
【００２１】
一方、実施例１によれば、図１（ｂ）のように、半導体ウエハ１０の第１面１１を接着剤２２（第１接着剤）を介し支持基板２０（第１基板）に仮接合する。図１（ｄ）のように、接着剤２２の側面が露出し接着剤３２（第２接着剤）の側面が露出しないように、半導体ウエハ１０の第２面１２を接着剤３２を介し支持基板３０（第２基板）に仮接合する。図１（ｅ）のように、半導体ウエハ１０が支持基板３０に仮接合された状態で、支持基板２０を半導体ウエハ１０から剥離する。半導体ウエハ１０に支持基板３０を仮接合したときに、接着剤２２の側面が露出し接着剤３２の側面が露出していない。よって、支持基板２０を半導体ウエハ１０から剥離するときに、比較例２のような接着剤２２と接着剤３２の干渉は生じない。これにより、支持基板２０を簡単に剥離することができる。よって、比較例１のようなダイシングフィルム９８を用いることがなく、プロセス耐性の高い支持基板３０および接着剤３２を用いることができる。
【００２２】
また、図１（ｃ）のように、支持基板３０の一面に形成された凹部３１内に接着剤３２が埋め込まれている。図１（ｄ）のように、凹部３１の側面が半導体ウエハ１０の側面を覆うように、半導体ウエハ１０の第２面１２を支持基板３０に仮接合する。このように凹部３１を備える支持基板３０を用いることにより、接着剤３２が接着剤２２の側面に付着することを抑制できる。
【実施例２】
【００２３】
実施例２は、実施例１の具体例である。図４（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、説明しやすいように図では半導体ウエハの断面の両端を拡大して示している。また、倍率等は理解しやすいように適宜変更している。
【００２４】
図４（ａ）に示すように、３００ｍｍ径の単結晶シリコン基板を半導体ウエハ１０として用いる。半導体ウエハ１０の第１面１１に多層配線１４を形成することにより、第１面１１に回路を形成する。多層配線１４は、例えば酸化シリコンを含む絶縁膜と例えば銅を含む配線層とが積層した構造である。半導体ウエハ１０の第１面１１からビア１６を形成する。ビア１６は、銅等の金属であり、銅と半導体ウエハ１０との間にタンタル膜等のバリアメタル膜が設けられていてもよい。半導体ウエハ１０の端部には第１面１１から凹部１５が形成されている。凹部１５は、この後の工程で半導体ウエハ１０の端部が尖ることを抑制する。
【００２５】
図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０の第１面１１を接着剤２２を用い支持基板２０に貼り付ける。支持基板２０は例えば膜厚が０．５ｍｍから０．８ｍｍの石英基板またはシリコン基板である。半導体ウエハ１０の第１面１１上に接着剤２２をスピンコートする。接着剤２２の膜厚は例えば２０μｍから１００μｍである。支持基板２０上にレーザ感光層または離形剤をスピンコートする。接着剤２２とレーザ感光層または離形剤とが密着するように、半導体ウエハ１０と支持基板２０とを合わせる。支持基板２０を介し接着剤２２に紫外線を照射する。これにより、接着剤２２が半導体ウエハ１０と支持基板２０を一体化する。このように、半導体ウエハ１０を支持基板２０に仮接合する。
【００２６】
図４（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１０の第２面１２を研削およびＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）する。これにより、半導体ウエハ１０の膜厚が０．２ｍｍから０．３ｍｍ程度となる。ビア１６の端部は半導体ウエハ１０を貫通していない。
【００２７】
図４（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１０の第２面１２をドライエッチングまたはウエットエッチングする。これにより、ビア１６は半導体ウエハ１０を貫通し、ＴＳＶ（through Silicon Via）となる。ビア１６の先端は半導体ウエハ１０から１μｍから１０μｍ程度突出する。
【００２８】
図５（ａ）に示すように、第２面１２上に突出したビア１６を覆うように絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い形成された窒化シリコン膜、またはスピンコート法を用い形成された樹脂膜である。図５（ｂ）に示すように、絶縁膜１７をエッチバックすることにより、ビア１６の上面を露出させる。
【００２９】
図５（ｃ）に示すように、絶縁膜１７上に配線層１８を形成する。配線層１８はビア１６と電気的に接続する。配線層１８は、例えば銅層等の金属層であり、電解メッキ法を用い形成する。配線層１８を覆うように保護膜として絶縁膜１９を形成する。絶縁膜１９は、絶縁膜１７と同様の膜である。絶縁膜１９の開口から配線層１８が露出する。配線層１８上にランド層４０を形成する。ランド層４０は、例えばＮｉ膜またはＡｕ膜であり、無電解メッキ法を用い形成する。
【００３０】
図４（ａ）から図５（ｃ）においては、半導体ウエハ１０を薄くする前に、ビア１６を形成するビアファースト法またはビアミドル法を例に説明した。半導体ウエハ１０を薄くした後にビア１６を形成するビアラスト法を用いてもよい。ビアラスト法の場合、図４（ｃ）のＣＭＰの後にビア１６を形成する。
【００３１】
図６（ａ）は、図５（ｃ）の半導体ウエハ１０の両端を拡大し、詳細に示した図である。ビア１６を２個示しているが、例えば１つの半導体ウエハ１０内に1万個以上のビア１６が設けられている。図６（ａ）に示すように、半導体ウエハ１０の第１面１１上には多層配線１４が形成されている。多層配線１４上（図では下）に複数のバンプ４２が形成されている。バンプ４２は、例えば半田バンプまたは銅ピラーである。バンプ４２の高さは約２０μｍである。半導体ウエハ１０および絶縁膜１７を貫通しビア１６が設けられている。ビア１６とバンプ４２とは、多層配線１４を介し電気的に接続されている。支持基板２０と接着剤２２との間には膜２１が形成されている。膜２１は、図４（ｂ）において説明したレーザ感光層または離形剤である。膜２１として離形剤を用いた場合、例えば膜２１は、支持基板２０の周辺数ｍｍを除いた中央領域に形成されている。膜２１は、以下の図では省略する。その他の構成は図５（ｃ）と同じであり説明を省略する。
【００３２】
図７（ａ）に示すように、支持基板３０の表面には凹部３１が形成されている。凹部３１の上部側面にシールリング３５が形成されている。支持基板３０は、例えば石英基板またはシリコン基板である。半導体ウエハ１０の直径が３００ｍｍの場合、支持基板３０の直径は３００ｍｍより大きく、例えば３０１ｍｍから３０２ｍｍである。凹部３１は、例えば円形である。凹部３１の深さは、後述する図６（ｃ）において、シールリング３５が半導体ウエハ１０の側面に位置する程度とする。例えば、半導体ウエハ１０の厚さが５０μｍ、接着剤３２の厚さが１００μｍの場合、凹部３１の深さは１５０μｍより深い。凹部３１の直径は半導体ウエハ１０の直径と同じかやや大きい。シールリング３５は例えば耐熱性のＯ（オー）−リングである。
【００３３】
凹部３１は、例えば支持基板３０の選択的な研磨によって形成する。支持基板３０を３６０°回転させながら、凹部３１の側面にレーザ光を照射する。これにより、凹部３１の側面にシールリング３５用の溝を形成する。溝に耐熱性接着剤を介し、例えばシリコーン樹脂またはフッ素系樹脂等の耐熱性樹脂Ｏ−リングを嵌め込む。これにより、凹部３１の側面にシールリング３５が形成される。
【００３４】
図７（ｂ）に示すように、凹部３１の底面および側面に離形剤３４を形成する。離形剤３４は、例えばＺｏｎｅＢＯＮＤ（登録商標）である。離形剤３４は、例えば凹部３１内に離形剤の薬液を充填し、スピンコートすることにより形成する。これにより、離形剤３４の膜厚は１０ｎｍ程度となる。離形剤３４は、支持基板３０と接着剤３２との密着を低くするためのものである。なお、接着剤３２の剥離をより容易にするために、離形剤３４をシールリング３５まで到達するように形成してもよい。図７（ｃ）に示すように、凹部３１内に接着剤３２をスピンコートする。
【００３５】
図６（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０上に凹部３１が配置されるように、半導体ウエハ１０上に支持基板３０を位置合わせする。図６（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１０を凹部３１に嵌め込む。第２面１２と接着剤３２とが接着する。これにより、第２面１２が支持基板３０に仮接合される。このとき、シールリング３５が半導体ウエハ１０の側面に密着する。これにより、接着剤３２が凹部３１から流れ出すことが抑制される。
【００３６】
図８（ａ）に示すように、膜２１（図６（ａ）参照）が離形剤の場合、接着剤２２を接着剤用リムーバに浸漬する。これにより、周辺の接着剤２２が除去される。このとき、矢印４８のようにリムーバが凹部３１内へ侵入しようとする。シールリング３５がリムーバの凹部３１内への侵入を抑制する。これにより、接着剤３２が除去されることを抑制できる。なお、膜２１がレーザ感光層の場合、図８（ａ）の処理は行なわなくてもよい。
【００３７】
図８（ｂ）に示すように、支持基板２０を接着剤２２から剥離する。膜２１（図６（ａ）参照）が離形剤の場合、膜２１を介さず支持基板２０と接着剤２２が接着されている周囲領域の接着剤２２が、図８（ａ）において除去されている。よって、支持基板２０は横からの力で簡単に剥離できる。また、膜２１がレーザ感光層の場合、膜２１にレーザ光を照射する。これにより、支持基板２０は簡単に剥離できる。
【００３８】
図８（ｃ）に示すように、接着剤２２を洗浄する。接着剤２２の洗浄は、図８（ａ）と同じリムーバまたは有機溶剤を用いる。図８（ｄ）に示すように、半導体チップ５０上（図では下）に多層配線層５２およびバンプ５４が形成されている。半導体チップ５０のバンプ５４とバンプ４２とを接合する。これにより、半導体ウエハ１０上に半導体チップ５０が搭載され、いわゆるＣＯＷ（Chip On Wafer）構造となる。接合のとき、半導体チップ５０には加重および熱を加える。半導体チップ５０は、例えば２５０℃となる。
【００３９】
図９（ａ）に示すように、半導体チップ５０をモールド樹脂５８により封止する。モールド樹脂５８は、１８０℃において１時間以上加熱することにより硬化させる。図９（ｂ）に示すように、半導体チップ５０側をダイシングテープ６０の接着膜６２に貼り付ける。ダイシングテープ６０はダイシングリング６４に貼り付けられている。
【００４０】
図１０（ａ）に示すように、ダイシングテープ６０を吸着ステージ６６に固定する。吸着ステージ６６は、ダイシングテープ６０を例えば真空吸着する。図１０（ｂ）に示すように、支持基板３０の外周をクランパ６８で固定する。クランパ６８を用い、支持基板３０の一端から徐々に力を加えることにより、支持基板３０が接着剤から機械的に剥離される。支持基板３０と接着剤３２との間に離形剤３４が形成されているため、支持基板３０を簡単に剥離できる。
【００４１】
図１１（ａ）に示すように、接着剤３２をリムーバまたは有機溶剤を用い洗浄して除去する。図１１（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０および樹脂５８をダンシングブレード７３を用い切断する。これにより、半導体チップが積層されたチップ７０となる。図１１（ｃ）に示すように、チップ７０のランド層４０にパッケージ基板７４の半田バンプ７６を接合する。これにより、チップ７０をパッケージ基板７４に搭載できる。
【００４２】
実施例２によれば、支持基板３０の凹部３１の内面と接着剤３２との間に離形剤３４が設けられている。これにより、図１０（ｂ）において、支持基板３０を簡単に剥離できる。なお、支持基板３０が仮接合された状態で横方向の力はほとんど加わらないため、工程途中で支持基板３０が接着剤３２から剥離することはほとんどない。一方、図４（ｃ）において、支持基板２０が仮接合された状態で、半導体ウエハ１０の第２面１２を研削およびＣＭＰするため、支持基板２０には横方向の力が加わる。よって、支持基板２０と接着剤２２との間に膜２１として離形剤を形成する場合、膜２１は、周辺には形成されていないことが好ましい。
【００４３】
図６（ｃ）のように、半導体ウエハ１０を支持基板３０に仮接合するときに、シールリング３５を用い凹部３１の側面と半導体ウエハ１０の側面とを密着させることが好ましい。これにより、凹部３１からの接着剤３２が流れ出すことを抑制できる。また、図８（ａ）において、リムーバが凹部３１内に侵入することを抑制できる。
【００４４】
また、実施例１においては、比較例１のダンシングフィルム９８の代わりに支持基板３０を用いている。よって、図６（ｃ）のように半導体ウエハ１０の第１面１１にバンプ４２が形成されていても接着剤３２でバンプ４２を十分埋め込むことができる。図８（ｃ）において、接着剤２２を除去する際に、リムーバ処理、レーザ光照射および／または紫外線を用いることができる。図８（ｄ）のように、半導体チップ５０を搭載する際に、加重および／または温度が加えることができる。図９（ａ）のように、第１面１１上にモールド樹脂５８を形成するときに、温度を加えることができる。
【実施例３】
【００４５】
図１２（ａ）から図１２（ｅ）は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図では半導体ウエハの断面の片端を拡大して示している。また、半導体ウエハの詳細は図示していない。
【００４６】
図１２（ａ）に示すように、支持基板２０に接着剤２２を介し半導体ウエハ１０が貼り付けられている。支持基板２０と接着剤２２との間には離形剤等の膜２１が形成されていてもよい。半導体ウエハ１０の第２面１２は研磨されている。図１２（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０の第２面１２の外周領域に、保護膜８０を形成する。保護膜８０は、例えばポジ型感光性樹脂、レーザ感光性分解樹脂または熱昇華性樹脂である。半導体ウエハ１０の外周５ｍｍから１０ｍｍに保護膜８０の原料となる薬液を滴下する。薬液の粘度に応じ、スピン回転数を設定する。これにより、保護膜８０の一部が接着剤２２の側面を薄く覆う。
【００４７】
図１２（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１０の第２面１２上に接着剤３２を介し支持基板３０を張り合わせる。支持基板３０の面は平坦であり、凹部は形成されていない。接着剤３２と支持基板３０との間には離形剤３４が形成されていてもよい。接着剤３２の側面は保護膜８０に厚く（図１２（ｃ）において横方向に厚く）覆われる。接着剤２２の側面は保護膜８０に薄く覆われる。
【００４８】
図１２（ｄ）に示すように、保護膜８０がポジ型感光性樹脂の場合、保護膜８０に感光波長の光８２を照射する。光８２は、例えば紫外線である。紫外線源としては例えばエキシマレーザを用いる。これにより、保護膜８０は溶媒に可溶となる。図１２（ｅ）に示すように、接着剤２２の側面の保護膜８０を溶媒により除去する。なお、接着剤３２の側面の接着剤３２は厚いため、溶媒により除去されない。
【００４９】
保護膜８０がレーザ感光性分解樹脂の場合、図１２（ｄ）において、接着剤２２の側面の保護膜８０のレーザ光を照射する。これにより、接着剤２２の側面の保護膜８０は分解消失する。保護膜８０が熱昇華性樹脂の場合、加熱（例えば３００℃）により接着剤２２の側面の保護膜８０が消失する。
【００５０】
その後、リムーバ等で支持基板２０を剥離する。このとき、リムーバでは保護膜８０が除去されない。その後、実施例１の図８（ｂ）以降の工程を行なう。
【００５１】
実施例３によれば、接着剤２２の側面が露出するように接着剤３２の側面に保護膜８０を形成する。この状態で、支持基板２０を剥離する。これにより、支持基板２０を半導体ウエハ１０から剥離するときに、比較例２のような接着剤２２と接着剤３２の干渉は生じない。よって、支持基板２０を簡単に剥離することができる。
【００５２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５３】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）半導体ウエハの第１面を第１接着剤を介し第１基板に仮接合する工程と、前記第１接着剤の側面が露出し第２接着剤の側面が露出しないように、前記半導体ウエハの前記第１面と反対の第２面を前記第２接着剤を介し第２基板に仮接合する工程と、前記半導体ウエハが前記第２基板に仮接合された状態で、前記第１基板を前記半導体ウエハから剥離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）前記第２基板の一面に形成された凹部内に前記第２接着剤が埋め込まれており、前記第２基板に仮接合する工程は、前記凹部の側面が前記半導体ウエハの側面を覆うように、前記半導体ウエハの前記第２面を前記第２基板に仮接合する工程を含むことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）前記第２基板の前記凹部の内面と前記第２接着剤との間に離形剤が設けられていることを特徴とする付記２記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）前記第２基板に仮接合する工程は、シールリングを用い前記凹部の側面と前記半導体ウエハの側面とを密着させる工程を含むことを特徴とする付記３記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）前記第２基板に仮接合する工程は、前記第１接着剤の側面が露出するように前記第２接着剤の側面に保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）前記第１基板に仮接合された状態で、前記第２面を研磨する工程を含むことを特徴とする付記１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）前記第２面に配線を形成する工程を含むことを特徴とする付記１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）前記第１基板を剥離した後、前記半導体ウエハが前記第２基板に貼り付けられた前記半導体ウエハの前記第１面にチップを接合する工程を含む付記１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）半導体ウエハが嵌め込まれる凹部内に形成された離形剤と、前記離形剤を介し前記凹部内に設けられ、前記半導体ウエハの表面に接着する接着剤と、を具備することを特徴とする支持基板。
【符号の説明】
【００５４】
１０          半導体ウエハ
１１          第１面
１２          第２面
２０、３０    支持基板
２２、３２    接着剤
３１          凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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