(57)【要約】【課題】可とう性を有し、耐熱性、透明性に優れ、光電変換効率の高い太陽電池を得ること。【解決手段】本願の太陽電池は、明細書に記載された式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサンのうち少なくとも一種を基本単位とするシルセスキオキサン重合体硬化物とガラス繊維を含む第１の基板１と；第１の基板１に成膜された透明導電膜である陰極２と；陰極２の対向電極である陽極６と；陰極２と陽極６に挟まれた光起電力層とを備える。【選択図】図１
2015088271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサンのうち少なくとも一種を基本単位とするシルセスキオキサン重合体硬化物とガラス繊維を含む第１の基板と；
前記第１の基板に成膜された透明導電膜である陰極と；
前記陰極の対向電極である陽極と；
前記陰極と前記陽極に挟まれた光起電力層とを備える；
太陽電池。
【化１】
2015088271.tif 000007
［式（Ａ−１）〜（Ａ−３）において、Ｒはそれぞれ独立して、水素、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよく、隣接しない−ＣＨ２−が−Ｏ−もしくはシクロアルキレンで置き換えられてもよい炭素数が１〜４５のアルキル、炭素数が４〜８のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリールである。置換アリールのベンゼン環において、任意の水素は、炭素数が１〜１０のアルキル、ハロゲン、またはフッ素で置き換えられてもよい。Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数が１〜４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびフェニルから選択される基である。少なくとも１つのＸは水素あるいは重合性の官能基を有する基を有する、炭素数が１〜１０のアルキレン、シクロアルキレン、フェニレンであり、残りのＸはＲ１と同様に定義される基である。］
【請求項２】
前記第１の基板は、さらにエポキシ樹脂を含む、
請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記陽極を成膜した基板であって、前記陽極の前記光起電力層が配置された側とは反対の側に配置された第２の基板を備える、
請求項１または請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記光起電力層は、色素を吸着させた多孔質粒子層と電解質含有層を有し、
前記陰極は、前記多孔質粒子層を構成する粒子を担持する、
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記色素を吸着させた多孔質粒子層は、金属酸化物粒子に、色素または有機金属ペロブスカイト結晶を化学吸着あるいは物理吸着させて得られた、
請求項４に記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池に関する。特に、可とう性を有し、耐熱性、透明性に優れ、光電変換効率の高い太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、光を通しかつ電気を流す特徴から、太陽電池において欠かすことができない重要な部材である。例えば、スパッタリング法で成膜されるＩＴＯ透明導電膜に関して、土台となるガラス基板を３００℃以上に加熱して成膜することにより、抵抗値が１０Ω／ｓｑ．以下のＩＴＯ透明導電膜が得られることが特許文献１に記載されている。
しかし、ガラス基板は、割れ易く、曲げられず、比重が大きく軽量化に不向きである等の問題点を有する。
【０００３】
一方、軽量化、薄膜化、フレキシブル化のために、ガラス等の硬質の無機物の基板から、基板の全体もしくは一部を高分子等の有機物に置き換える試みがある。
しかし、基板の全体もしくは一部に有機高分子を用いた場合、ガラス等の無機材料を用いた基板に比べて、基板の熱膨張係数が大きいために加熱すると基板が伸び、また、冷却すると熱収縮によって加熱前よりもさらにサイズが小さくなる等、いずれも基板が所望のサイズにならなかったり、熱で変形したりする等の問題がある。また、有機高分子では、加熱により構造変化して、弾性率、屈折率、拡散係数、誘電率等の機械的特性や電気的特性が変わるという問題もある。
熱により有機高分子基板の形状が変化すると、その上に成膜したＩＴＯ透明導電膜等にクラックが生じたり、膜が基板から剥離したりといった不具合が生じる。このように、有機高分子基板は、耐熱性において問題点を有する。
【０００４】
例えば特許文献２には、有機高分子からなる可とう性透明基材（基板）にスパッタリング法により、インジウム錫酸化物を４０℃〜１９０℃で成膜することが開示されている。当該文献には、基材に１９０℃以上の温度で成膜すると、熱しわによる外観不良や基材の熱劣化を生じる場合があることも開示されている。
【０００５】
なお、近年、高耐熱性の有機高分子基板として、ポリエチレンナフタレート（以後ＰＥＮと記載する場合がある）フィルムやポリエチレンテレフタレート（以後ＰＥＴと記載する場合がある）が用いられている。ＰＥＮフィルムあるいはＰＥＴフィルム等の高分子上に透明導電膜を成膜した場合、例えばＩＴＯ透明導電膜を成膜した場合の比抵抗値は５×１０−４〜７×１０−４Ω・ｃｍ程度である（非特許文献１参照）。
しかし、スパッタリング成膜法を用いてＩＴＯ透明導電膜を成膜する際は、２５０℃以上に加熱しなければ、高い導電性は得られない。ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のガラス転移温度は１５５℃、分解温度は２５８℃であるため、スパッタリング成膜法では、ポリエチレンナフタレートは１５５℃以下の低温でしか成膜することができない。このため、スパッタリング成膜法では抵抗値が高くなる。すなわち、高耐熱性の有機高分子基板であっても、スパッタリング成膜法を用いるには、その耐熱性は不十分なものであるという問題点を有する。
【０００６】
さらに、従来の有機高分子基板は、ガラス基板では透過可能な近紫外領域の光を透過させることができない。そのため、従来の有機高分子基板を備えた太陽電池は、ガラス基板を備えた太陽電池よりも、光電変換効率が劣るという問題点を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−３１３１１１号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／０９０７３５号
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】「月刊ディスプレイ」城尚志、花田亨、谷田部俊明、Ｖｏｌ．９、Ｎｏ．３、ｐ．７７、（２００３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで本発明は、可とう性を有し、耐熱性、透明性に優れ、光電変換効率の高い太陽電池を得ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った。その結果、特定の構造を有するシルセスキオキサン重合体硬化物を含む基板は、耐熱性に優れ、かつガラスと同程度の領域の光を透過させることを見出した。その結果、当該基板を備えた太陽電池は、起電力時の温度にも耐えることができ、広領域の光を透過させて高効率の太陽電池となり得ることを見出し、本発明を完成させた。
【００１１】
本発明の第１の態様に係る太陽電池は、例えば図１に示すように、後述の式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサンのうち少なくとも一種を基本単位とするシルセスキオキサン重合体硬化物とガラス繊維を含む第１の基板１と；第１の基板１に成膜された透明導電膜である陰極２と；陰極２の対向電極である陽極６と；陰極２と陽極６に挟まれた光起電力層とを備える。
式（Ａ−１）〜（Ａ−３）において、Ｒはそれぞれ独立して、水素、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよく、隣接しない−ＣＨ２−が−Ｏ−もしくはシクロアルキレンで置き換えられてもよい炭素数が１〜４５のアルキル、炭素数が４〜８のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリールである。置換アリールのベンゼン環において、任意の水素は、炭素数が１〜１０のアルキル、ハロゲン、またはフッ素で置き換えられてもよい。Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数が１〜４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびフェニルから選択される基である。少なくとも１つのＸは水素あるいは重合性の官能基を有する基を有する、炭素数が１〜１０のアルキレン、シクロアルキレン、フェニレンであり、残りのＸはＲ１と同様に定義される基である。
このように構成すると、第１の基板が熱的に安定なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するシルセスキオキサンの重合体硬化物を含むため、高い耐熱性を有する基板を備えた太陽電池を構成することができる。また、第１の基板は、近紫外領域の光をも透過させることができるため、ガラス基板を備えた太陽電池と同程度の領域の光を利用可能な太陽電池を構成することができる。さらに、第１の基板は屈曲性を有するため、可とう性を有する太陽電池を構成することができる。
【００１２】
本発明の第２の態様に係る太陽電池は、上記本発明の第１の態様に係る太陽電池において、第１の基板１が、さらにエポキシ樹脂を含む。
このように構成すると、第１の基板の剛性や屈折率を調整することができるため、硬度や透明性を所望の特性に調節することが可能となる。
【００１３】
本発明の第３の態様に係る太陽電池は、上記本発明の第１の態様または第２の態様に係る太陽電池において、例えば図１に示すように、陽極６を成膜した基板であって、陽極６の光起電力層が配置された側とは反対の側に配置された第２の基板７を備える。
このように構成すると、第２の基板として第１の基板と同一の透明性の高い基板を用いた場合、透明な太陽電池を構成することができる。なお、第２の基板は、従来の有機高分子基板であってもよい。
【００１４】
本発明の第４の態様に係る太陽電池は、上記本発明の第１の態様〜第３の態様のいずれか１の態様に係る太陽電池において、例えば図１に示すように、光起電力層が、色素４を吸着させた多孔質粒子層３と電解質含有層５を有し、陰極２が、多孔質粒子層３を構成する粒子を担持する。
このように構成すると、第１の基板は３００ｎｍ付近から８００ｎｍに至るまでの光の吸収を示さず透過させるため、従来のプラスチックフィルムでは透過できなかった近紫外領域の光を利用することが可能となる。そのため、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。さらに、３００ｎｍ以上の光を吸収しないため、太陽電池は優れた耐光性を有することができ、太陽電池の長寿命化が可能になる。
【００１５】
本発明の第５の態様に係る太陽電池は、上記本発明の第４の態様に係る太陽電池において、色素４を吸着させた多孔質粒子層３が、金属酸化物粒子に、色素または有機金属ペロブスカイト結晶を、化学吸着あるいは物理吸着させて得られる。
このように構成すると、色素の種類を調整することで、いろいろな色の太陽電池を製造することができ、用途に合わせた意匠性を持たせることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の太陽電池は、可とう性を有し、耐熱性、透明性に優れ、光電変換効率の高い太陽電池となり得る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る色素増感太陽電池の構成を示す模式図である。
【図２】ＩＴＯ透明導電膜付きフィルム基板の断面模式図である。
【図３】ＰＥＮフィルム、ＰＥＴフィルム、ＳＱフィルムの加熱前後（２５０℃：４時間）の外観を示す写真である。
【図４】ＩＴＯ透明導電膜付きフィルムの紫外可視吸収スペクトルである。
【図５】ＲＦ−マグネトロンスパッタ装置の模式図である。
【図６】太陽電池の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を示すグラフである。
【図７】太陽電池の分光感度特性を示すグラフである。
【図８】色素（Ｎ７１９、Ｎ３、Ｃｏｕｍａｒｉｎ３４３、Ｂｌａｃｋｄｙｅ）の紫外可視吸収スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において互いに同一または相当する部分には同一あるいは類似の符号を付し、重複した説明は省略する。また、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。
【００１９】
図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池を、色素増感太陽電池を例に説明する。第１の実施の形態に係る太陽電池は、シルセスキオキサンの重合体硬化物とガラス繊維を含む第１の基板１と；第１の基板１に成膜された透明導電膜である陰極２と；陰極２の対向電極である陽極６と；陰極２と陽極６に挟まれた光起電力層とを備える。本実施の形態に係る色素増感太陽電池では、光起電力層は、色素４を吸着させた多孔質粒子層３と、電解質含有層５を有する。
以下に、各部の詳細について説明する。
【００２０】
［第１の基板］
第１の基板の製造に用いられるシルセスキオキサンには、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサン誘導体があげられる。
【化１】
2015088271.tif 000003
【００２１】
式（Ａ−１）〜（Ａ−３）において、Ｒはそれぞれ独立して、水素、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよく、隣接しない−ＣＨ２−が−Ｏ−もしくはシクロアルキレンで置き換えられてもよい炭素数が１〜４５のアルキル、炭素数が４〜８のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリールである。置換アリールのベンゼン環において、任意の水素は、炭素数が１〜１０のアルキル、ハロゲン、またはフッ素で置き換えられてもよい。Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数が１〜４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびフェニルから選択される基である。少なくとも１つのＸは水素あるいは重合性の官能基を有する基であり、残りのＸはＲ１と同様に定義される基である。Ｒが水素の場合には、一つのＸだけが水素であってもよい。Ｘが重合性の官能基の場合には、少なくとも２つのＸが重合性の官能基であることが好ましい。
これらの化合物は、公知の製造方法によって合成できる。
【００２２】
なお、Ｘで表される重合性の官能基を有する基の重合性を有する基とは、付加重合、開環重合、または重縮合が可能な官能基であれば特に限定されず、オキシラニル、オキシラニレン、３，４−エポキシシクロヘキシル、オキセタニル、オキセタニレン、アクリルまたは（メタ）アクリル、アルケニル、アミン、２−オキサプロパン−１，３−ジオイル等が例示される。なお、重合性の官能基が複数ある場合は、各々同じ基であってもよく、また異なる基であってもよい。
具体的には下記式（ａ）〜（ｈ）で示される基を例示することができる。
【化２】
2015088271.tif 000004
式（ａ）〜（ｈ）にいて、Ｒ２は炭素数１〜１０のアルキレンであり、好ましくは炭素数１〜６のアルキレンである。このアルキレンにおける１つの−ＣＨ２−は−Ｏ−または１，４−フェニレンで置き換えられてもよい。そして、Ｒ３は水素または炭素数１〜６のアルキルであり、好ましくは水素である。
【００２３】
第１の基板は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサン誘導体の少なくとも一種と硬化剤もしくは重合開始剤とを含む組成物を、必要に応じてエポキシ樹脂とともにガラス繊維に含浸させ、シルセスキオキサンの重合と硬化を同時に行って得ることができる。または、第１の基板は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサンの少なくとも一種を基本単位とするシルセスキオキサンの重合体を、必要に応じてエポキシ樹脂とともにガラス繊維に含浸させ、硬化させて得られるものでもよい。硬化前のシルセスキオキサンの重合体とは、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で表されるシルセスキオキサンのいずれかまたは複数と、必要に応じて他のモノマーを用いて付加重合、開環重合、または重縮合することにより、Ｂステージ化、すなわち溶媒に再可溶な重合体（完全には硬化させず半硬化の状態）としたものである。重合体の重量平均分子量は３０００〜４００００００の範囲が好ましく、１００００〜２０００００の範囲がより好ましい。
【００２４】
ガラス繊維としては、糸状のヤーン、ガラスクロス、不織布等様々な形状のものを使用することができる。特にガラスクロスは透明性と線膨張係数の低減効果が高く好適に使用することができる。ガラスクロスは溶融したガラスを細い糸状に成形したあと、平織りし布状に加工したものである。原料として用いられるガラスの組成によってＥガラス、Ｃガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、ＡＲガラス等があるが、なかでもアルカリ金属等のイオン性不純物が少ないＥガラスあるいはＴガラスで製作された厚みが１０〜３００μｍのガラスクロスが好ましく、これらは市販されており入手が容易である。
【００２５】
ガラスクロスの使用割合は、第１の基板の総量に対して２０〜９５重量％であり、より好ましくは３０〜８５重量％である。ガラスクロスの割合が２０重量％以上であると、第１の基板の熱線膨張係数が小さく、熱に対して第１の基板の伸縮が小さくなり、第１の基板に製膜した透明導電膜が割れることを回避することができる。一方、９５重量％以下であると、ガラスクロスの表面を覆う樹脂が多く、ガラスクロスの折り目に由来する凹凸が小さく、表面平滑性が悪くなることを回避することができる。
【００２６】
第１の基板に、シルセスキオキサン重合体硬化物と、屈折率がシルセスキオキサン重合体硬化物と同等のガラス繊維とを複合化させたものを用いると、基板の反りを防止できるため好ましい。あるいは、屈折率がシルセスキオキサン重合体硬化物と同等の他の繊維状の無機材料を複合化してもよい。なお「同等」とは、屈折率を近づけることによって所望の透明性が得られる程度の同等であればよい。
【００２７】
また、第１の基板の反りを防止するために、特に制限されるものではないが、シリコンやＳｉＯＸ（Ｘ＝１〜２）、ＳｉＮＸ（Ｘ＝１〜４／３）、ＳｉＯＮ系、ＳｉＯＣ系、ＳｉＯＣＮ系、Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＡｌＯＮ系の１種以上の無機材料を積層化してもよい。ＳｉＯＸ（Ｘ＝１〜２）、ＳｉＮＸ（Ｘ＝１〜４／３）、ＳｉＯＮ系、ＳｉＯＣ系、ＳｉＯＣＮ系、Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＡｌＯＮ系の無機材料に、膜の化学的耐久性が増す程度に、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔｉを微量添加した膜を形成したものでもよい。
【００２８】
第１の基板は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサンもしくはそれらの重合体のみをガラス繊維に含浸させ、硬化させたものでもよい。または、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサンもしくはそれらの重合体とエポキシ樹脂とをガラス繊維に含浸させ、硬化させたものでもよい。すなわち、エポキシ樹脂を追加して、第１の基板を構成してもよい。
【００２９】
エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等）、２個のオキシラニルを有するエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂、水素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等）、多官能複素環式エポキシ樹脂（フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート等）、および３個以上のオキシラニルを有するエポキシ樹脂（ポリ（エポキシ化シクロヘキセンオキサイド）等の多官能脂環式エポキシ樹脂）、脂環エポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製、製品名：セロキサイド２０２１、同製品名：セロキサイド３０００、同製品名：セロキサイド２０８１）等である。これらのうち、透明性の観点から着色の少ない、脂環エポキシ樹脂がより好ましい。これらのエポキシ樹脂は、２種以上を併用してもよい。
【００３０】
このようなエポキシ樹脂を用いるとき、その好ましい配合割合は、使用するガラス繊維の屈折率と、樹脂組成物の硬化物の屈折率差が０．０１以下になるような割合が好ましい。例えば、シルセスキオキサンの重量を基準として５〜１０００重量％、もしくは１０〜５００重量％等である。
【００３１】
第１の基板は、例えば国際公開第２０１０／１１９９０３号に記載の方法によって得ることができる。
具体的には、例えば、第１の基板は、上記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で表わされるシルセスキオキサンと硬化剤、重合開始剤またはヒドロシリル化触媒とを含む組成物、またはシルセスキオキサン重合体と溶剤からなる組成物とを、必要に応じてエポキシ樹脂とともにガラス繊維に含浸して硬化反応させることによって得られる。
第１の基板の製造方法は、特に限定されないが、例えば、シルセスキオキサンと硬化剤あるいは重合開始剤、またはシルセスキオキサン重合体と各種添加剤に、エポキシ樹脂、有機溶媒を混合したのち、減圧下脱泡して溶存空気を除去した組成物を調製し、これを気泡が入らないようにガラスクロスに含浸したのち、所定の温度と時間加熱することを含む方法が挙げられる。なお、加熱の際、重合体を完全に硬化させず半硬化の状態すなわちＢステージの状態としたのち、プレス機で挟んで加圧しながら加熱硬化させることにより、いっそう表面が平滑な基板を得ることができる。加熱硬化の際の温度は、用いるシルセスキオキサンが有する重合性の官能基に応じて適宜設定される。また、シルセスキオキサンが有する重合性の官能基の種類によっては、シルセスキオキサン含有組成物またはシルセスキオキサン重合体含有組成物に光酸発生剤を加えることで光硬化によって硬化反応させてもよい。
【００３２】
シルセスキオキサン含有組成物またはシルセスキオキサン重合体含有組成物の調製に使用される有機溶媒は、前記組成物や重合体を溶解可能であればよく、特に制限はない。好ましい有機溶媒は、ヘキサンやヘプタンなどの炭化水素系溶剤、トルエン、キシレン、メシチレン、アニソールなどの芳香族炭化水素系溶剤、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦ）、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル系溶剤、塩化メチレン、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶剤、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエステル系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類である。特に好ましくは、トルエン、メシチレン、アニソール、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸２−（２−エトキシエトキシ）エチルである。これらの溶剤は、単独で用いても複数混合して使用してもよい。
なお、重合体をガラス繊維に含浸させる際には必ずしも有機溶媒を用いる必要はないが、溶媒で希釈する場合は、樹脂濃度が５重量％以上９９重量％以下とすることが好ましく、更に好ましくは３０重量％以上９０重量％以下である。有機溶媒を用いない場合は、プレス機などを用いてシルセスキオキサン含有組成物や重合体をガラス繊維に密着させ、これに熱を加えて重合体を融解させてガラス繊維に含浸させることもできる。この場合は、含浸と熱硬化を同時に達成できる。
【００３３】
第１の基板１と後述の陰極２としての透明導電膜の密着性を増すために、第１の基板の表面をコロナ放電処理したものを用いてもよい。
また、第１の基板を太陽電池の基板として用いる場合は、基板がフィルム状であることが好ましい。よって、以後、図１に示す第１の基板１を、フィルム基板１またはＳＱフィルム１と記載する場合がある。
【００３４】
第１の基板に含まれるシルセスキオキサン重合体硬化物は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で示されるシルセスキオキサン誘導体、すなわち、２つの環状シロキサンを上下に重ねて結合した構造を有するダブルデッカー型シルセスキオキサンを基本単位とする。そのため、第１の基板は、無色透明で屈曲性のあるフィルムとなり得る。また、ポリマーのネットワークが熱的に安定なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合で構成され、その結合分解温度が３５０℃と高い。そのため、第１の基板は、高い耐熱性を有することができ、基板温度が１９０℃〜３５０℃の範囲での加熱も可能であり、熱による基板の着色も生じない。他のシルセスキオキサンを用いたフィルムや、従来の炭素系プラスチックでは酸化して着色してしまう温度（例えば大気中２５０℃）においても、無色透明を維持することができる。
また、用いるシルセスキオキサン誘導体の構造が明確であるため、屈折率を一定範囲で維持できる。そのため、第１の基板に含まれるシルセスキオキサン重合体硬化物とガラス繊維との屈折率が合わせやすくなり、高い透明性を必要とする太陽電池において有益に作用することができる。
【００３５】
［透明導電膜］
陰極２としての透明導電膜２は、前記第１の基板１の表面に成膜される。以下に、スパッタリング法で成膜されるＩＴＯ透明導電膜を例に説明する。
図２に、第１の基板１の表面に陰極２としてのＩＴＯ透明導電膜２が成膜されてなるＩＴＯ透明導電膜付きフィルム基板を示す。
ＩＴＯ透明導電膜は、酸化インジウムに錫を酸化物換算で５〜１０ｗｔ％添加したものである。錫の添加量が酸化物換算で５ｗｔ％以上の場合は、ＩＴＯ透明導電膜中のキャリア濃度が低くなりすぎず、１０ｗｔ％以下の場合は、キャリアの移動度が小さくなりすぎず、どちらの場合も導電性が低下するのを抑制することができる。よって、錫の添加量は酸化物換算で、５〜１０ｗｔ％とすることが好ましい。
【００３６】
ＩＴＯ透明導電膜を、スパッタリング法により、１９０℃〜３５０℃、好ましくは２００℃〜２８０℃で成膜すると、抵抗値が低いＩＴＯ透明導電膜付きフィルムを得ることができるため好ましい。すなわち、本願の第１の基板は、スパッタリング法においても高い導電性を得ることができる温度範囲に耐え得る耐熱性を有している。
【００３７】
ＩＴＯ透明導電膜の成膜は、ＲＦ−マグネトロンスパッタ装置（例えば、サンユー電子（株）製、ＲＦスパッタ装置：ＳＶＣ−７００ＲＦ  Ｉ）を用いて、真空下で行う。ターゲットには、ＩＴＯ（ＳｎＯ２＝５ｗｔ％／密度９５％ｕｐ）ターゲットの焼結ターゲットを用いることができる。真空チャンバーの到達圧力は、７×１０−４〜３×１０−３Ｐａ程度で、ＲＦパワーが２０〜１００Ｗ、好ましくは３０〜７０Ｗ、基板温度が１９０〜３５０℃、好ましくは２００〜２８０℃、酸素分圧が０〜０．１％、Ａｒガス流量が１０〜１５ｓｃｃｍにおいて、成膜することが好ましい。膜厚が、１０〜１０００ｎｍのＩＴＯ薄膜の成膜が可能となる。この場合、比抵抗値は、１．５×１０−４〜３．７×１０−３Ω・ｃｍが得られる。
ＲＦパワーが２０Ｗ以上であると、成膜速度が遅くなりすぎず好ましい。一方、１００Ｗ以下であると、フィルム基板の撓み、着色が起こりにくく好ましい。
フィルム基板の温度が１９０℃以上の場合、成膜したＩＴＯの結晶化が十分となり、比抵抗値が１．５×１０−４〜３．７×１０−３Ω・ｃｍのＩＴＯ透明導電膜付きフィルムを得られやすくなる。一方で、フィルム基板の温度が３５０℃以下の場合、フィルム基板の熱分解により着色が起こり、光透過率が低下するのを防止できるため好ましい。
また、酸素分圧が高いほど、成膜したＩＴＯの結晶化が進み、キャリア移動度が増加するため好ましい。同時に、酸素分圧が０．１％以下であると、キャリア密度が減少しすぎることがなく、比抵抗値が１．５×１０−４〜３．７×１０−３Ω・ｃｍのＩＴＯ透明導電膜付きフィルムを得られやすくなる。
膜厚は、１０〜１０００ｎｍにおいて、導電性ならびに透明性を保つことができる。１０ｎｍ以上であると、シート抵抗値が高くなりすぎず、１０００ｎｍ以下であると、透明性が維持できる。
【００３８】
スパッタリング法の他、ＰＥＮフィルム等の一般のプラスチックに施される、常圧下での成膜法であるミストＣＶＤ法、塗布法、真空下で９０℃〜１５０℃の温度範囲に保つ低温成膜法であるイオンプレーティング法も好ましく適応できる。
プラズマガンを用いるイオンプレーティング法を利用すると、比較的低い温度でも、比抵抗値は１．５×１０−４Ω・ｃｍと若干低くなる（特開２００８−１９４７８号公報参照）。
【００３９】
透明導電膜は、錫がドープされたインジウム酸化物（ＩＴＯ）以外に、フッ素ドープ型錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛膜（ＡＺＯ）、ガリウムがドープされた酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）であってもよい。成膜方法は、真空成膜法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ミストＣＶＤ法、常圧塗布法等から適宜選択される。
【００４０】
［対向電極］
陽極６としての対向電極６は、白金、金、銀、カーボン、導電性高分子や、前記第１の基板に成膜したものと同様の透明導電膜を採用できる。
対向電極は、図１に示す第２の基板７としてのフィルム基板の表面に成膜される。第２の基板としては、第１の基板と同一の素材から第２の基板を製造してもよい。第１の基板だけでなく第２の基板にも、上記のＳＱフィルムを用いると、可とう性のある透明な太陽電池を構成することができる。または、従来の高分子樹脂基板やガラス基板等を用いてもよい。
【００４１】
［光起電力層］
陰極２と陽極６に挟まれた光起電力層について説明する。色素増感太陽電池では、光起電力層は、図１に示すように、色素４を吸着させた多孔質粒子層３と、電解質含有層５を有する。
多孔質粒子層３は、金属酸化物の粒子からなる多孔質構造の金属酸化物層３であり、色素４としての増感色素やペロブスカイト構造を有する有機金属を複合化させる。
ここで、金属酸化物層に色素を複合化するとは、金属酸化物層に色素が化学的に結合したり（化学吸着）、金属酸化物層に色素が物理的に保持されたり（物理吸着）する等、金属酸化物層に増感色素等が担持された状態を云う。
金属酸化物としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム等を用いることができる。この中でも、酸化チタンや酸化亜鉛が好ましい。特に、酸化亜鉛を用いると、酸化チタンを用いた場合よりも低い温度の熱処理工程で色素増感太陽電池を作製できるため好ましい。
【００４２】
金属酸化物層３は、金属酸化物の粒子を溶媒に分散させた状態で透明導電膜２に塗布し、溶媒を蒸発させることにより形成してもよい。前記溶媒としては、５０℃未満の温度で蒸発させ得るものが好ましく、例えば、アセトニトリル等のニトリル化合物、エタノール等のアルコール、水等、またはこれらの混合溶液を採用できる。このように低温で溶媒を蒸発させることにより、溶媒に分散した状態の金属酸化物粒子の結晶化度を保った状態で金属酸化物層を形成することができる。なお、金属酸化物粒子の結晶化度を保った状態とは、従来の高温の熱処理により電子パスが形成されるような金属酸化物が焼結した状態ではなく、金属酸化物粒子における非晶質成分に対する結晶質成分の割合が変化しない状態をいう。
【００４３】
また、金属酸化物粒子または金属酸化物粒子を含む分散液を透明導電膜に塗布する際には、スキージ法、グラビアコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法、ロールコート法、ドクターブレード法、スピンコート法、スプレー塗布法等を採用することができる。
ここで、金属酸化物粒子は、平均粒径が１〜１０００ｎｍであることが好ましく、１〜４００ｎｍであると更に好ましい。金属酸化物粒子の平均粒径が１０００ｎｍ以下であれば、吸着する増感色素の量を確保するのに充分な表面積を有する金属酸化物層を形成することができる。なお、本明細書において「平均粒径」とは、レーザー回折・散乱法によって求めた値である。
【００４４】
色素４としては、起電力を発生させることができるものであればよく、例えば、ルテニウムやオスミウム等の遷移金属錯体、ルテニウム−ビピリジル錯体、ポルフィリン、フタロシアニン、ジチオラート錯体、シアニン色素、ローダミン、クマリン誘導体、スチルベン誘導体等を採用できる。また、文献Ｎａｔｕｒｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ８，８１８−８２４，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  ２００９やＳｃｉｅｎｃｅ，３３８，６４３−６４７（２０１２）等で公知の、固体型色素増感太陽電池で用いられる有機金属ペロブスカイト結晶も採用できる。
【００４５】
電解質含有層５としては、電子、ホール、イオン等を輸送できる物質であれば特に限定されず、ヨウ素／ヨウ化物、臭素／臭化物等の酸化還元電解質や、ヨウ化カリウム（ＫＩ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、チオシアン酸銅（ＣｕＳＣＮ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、Ｃｏ（ＩＩ）／Ｃｏ（ＩＩＩ）等のＰ型半導体を有機溶媒に溶解した溶液を採用できる。前記有機溶媒としては、アセトニトリル、３−メトキシプロピオニトリル、γ−プチロラクトン、ポリエチレングリコール、プロピレンカーボネート、ジエチルカーボネート等を採用できる。なお、電解質含有層５は、液体に限られず、ゲル体、固体等であってもよい。
【００４６】
本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池を、図１に示す色素増感太陽電池を例に説明したが、色素増感太陽電池はこれに限られない。また、本願の太陽電池は、色素増感太陽電池に限られるものではなく、有機薄膜太陽電池、シリコン太陽電池、化合物半導体型太陽電池、色素増感固体ハイブリッド太陽電池等であってもよい。
なお、ｐｎ接合型太陽電池の場合、陰極と陽極に挟まれる光起電力層は、少なくともｐ型半導体、ｎ型半導体を有する。さらに陰極側に反射防止膜を配置してもよい。
【００４７】
本発明の第１の基板として用いたＳＱフィルムは、ポリエチレンナフタレート等の芳香環を有するフィルムでは吸収してしまう３００〜４００ｎｍの波長領域の光を透過させることができる。そのため、ＳＱフィルムを有する太陽電池は、従来のプラスチックフィルムでは透過できなかった近紫外領域の光を利用することができる。このように、本発明の太陽電池は、光電変換効率を向上させることができ、ガラス基板を用いた太陽電池と同様の分光感度を持ち、さらに可とう性を有することができる。
さらに、有機系の色素は、近紫外線領域（一般に波長２８０ｎｍから３８０ｎｍ）に吸収を持つ（例えば図８参照）。ＳＱフィルムは、図３に示す通り波長３００ｎｍまでの光を透過させるのに対し、ＰＥＮフィルムは、波長３８０ｎｍ以下の光を透過させない。したがって、ＳＱフィルムを色素増感太陽電池に用いると、従来利用されていなかった波長領域をより活用でき、光電変換効率の向上が可能となる。
さらに、第１の実施の形態で説明した色素増感太陽電池が有する多孔質粒子層は、吸着する増感色素の量を確保するのに充分な表面積を有する。したがって、ＳＱフィルムと組合せて色素増感太陽電池を構成し、色素として有機系の色素を用いた場合には、色素増感太陽電池の光電変換効率のさらなる向上が可能となる。
【実施例】
【００４８】
以下に本発明を、実施例を用いて詳細に説明する。しかし本発明は、以下の実施例に記載された内容に限定されるものではない。
【００４９】
≪耐熱性の比較≫
・ＰＥＮフィルム：帝人デュポン（株）製、商品名  テオネックスＱ６５
・ＰＥＴフィルム：東レ（株）製、商品名  ルミラーＴ６０
・ＳＱフィルム：国際公開第２０１０／１１９９０３号に記載の方法によって作製した厚さ１００μｍのフィルム
シルセスキオキサンは、式（Ａ−１）で示されるシルセスキオキサンであり、具体的には、国際公開第２０１０／１１９９０３号の［合成例３］に記載の化合物（ＶＩＩ）を用いた。
ＳＱフィルムは、上記シルセスキオキサン１８重量部、エポキシ樹脂８２重量部、γ−ブチロラクトン０．５重量部、カチオン重合開始剤０．５重量部からなる樹脂組成物と、日東紡績（株）製ガラスクロスＷＴＸ１０７８を用いて、国際公開第２０１０／１１９９０３号に記載の方法によって作製した。
・加熱装置：アズワン（株）製、商品名  プログラム管状電気炉ＴＭＦ−５００Ｎ
【００５０】
［実施例１］
太陽電池の基板として用いる際の温度を想定し、ＰＥＮフィルム、ＰＥＴフィルム、ＳＱフィルムの各フィルムを、窒素気流中、２５０℃で４時間加熱した。図３上段に加熱後（２５０℃：４時間）の各フィルムの外観を示す。図３下段に加熱前の各フィルムの外観を示す。なお、左列はＰＥＮフィルム、中央列はＰＥＴフィルム、右列はＳＱフィルムである。加熱後、ＰＥＮフィルム、ＰＥＴフィルムは、融着した。しかし、ＳＱフィルムは、形の変形もなく、加熱前後の寸法も変化しなかった。
【００５１】
≪光線透過率の比較≫
・ＩＴＯ透明導電膜付きＳＱフィルム：下記製造例に従い調製した。
・ＩＴＯ透明導電膜付きＰＥＮフィルム：ペクセルテクノロジーズ（株）製、型番  ＰＥＣＦ−ＩＰ
・ＩＴＯ透明導電膜付きガラス：ジオマテック（株）製、ＩＴＯ透明導電膜付きガラス（スパッタ品）０００５
・紫外可視分光光度計：日本分光（株）製、型式Ｖ−５６０
・ＲＦ−マグネトロンスパッタ装置（図５に模式図を示す）：サンユー電子（株）製、ＲＦスパッタ装置ＳＶＣ−７００ＲＦ
・ＩＴＯ：ＩＴＯ（ＳｎＯ２＝５ｗｔ％／密度９５％ｕｐ）φ５０×ｔ２．０ｍｍ／４Ｎ
【００５２】
［製造例］ＩＴＯ透明導電膜付きＳＱフィルムの作製
ＲＦ−マグネトロンスパッタ装置を用いて、ＩＴＯ（ＳｎＯ２＝５ｗｔ％／密度９５％ｕｐ）をターゲットに、チャンバー内圧力を３×１０−３Ｐａに固定して、基板温度を２５０℃、ＡｒＧａｓＦｌｏｗを１２ｓｃｃｍ、ＲＦパワーを５０Ｗ、スパッタ圧力を０．６７Ｐａ、プレスパッタ時間を５分として、膜厚を３００ｎｍに固定してＳＱフィルムに成膜を行いＩＴＯ透明導電膜付きＳＱフィルムを得た。
【００５３】
［実施例２］
ＩＴＯ透明導電膜付きＳＱフィルムについて、太陽光を考慮して、紫外可視分光光度計により、３００〜８００ｎｍの領域の光の透過率を調査した。比較として、ＩＴＯ透明導電膜付きＰＥＮフィルムとＩＴＯ透明導電膜付きガラスの透過率も調査した。図４にそれらの紫外可視吸収スペクトルを示す。
ＩＴＯ透明導電膜付きＰＥＮフィルムは、３００〜４００ｎｍ弱の領域の光を全く透過させていないのに対し、ＩＴＯ透明導電膜付きＳＱフィルムは、ＩＴＯ透明導電膜付きガラスと同様に４００ｎｍ以下の領域の光を透過させている。
【００５４】
≪比抵抗値の比較≫
［実施例３］
製造例で使用したＲＦ−マグネトロンスパッタ装置を用いて、ＩＴＯをターゲットとして、チャンバー内圧力を３×１０−３Ｐａに固定して、基板温度を３００℃、ＡｒＧａｓＦｌｏｗを１２ｓｃｃｍ、ＲＦパワーを５０Ｗ、スパッタ圧力を０．６７Ｐａ、プレスパッタ時間を５ｍｉｎとして、膜厚を３００ｎｍに固定してＳＱフィルムに成膜を行った。得られたＩＴＯ透明導電膜付きフィルムの比抵抗値は、５．４９×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００５５】
［実施例４］
基板温度を２５０℃にした以外は実施例３と同様にして製膜を行なった。得られたＩＴＯ透明導電膜付きフィルムの比抵抗値は、４．７１×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００５６】
［実施例５］
基板温度を２００℃にした以外は実施例３と同様にして製膜を行なった。得られたＩＴＯ透明導電膜付きフィルムの比抵抗値は、３．６３×１０−３Ω・ｃｍであった。
【００５７】
［比較例１］
使用する基板をＳＱフィルムからガラス基板に変えて、基板温度を３００℃にした以外は実施例３と同様にして製膜を行なった。得られたＩＴＯ透明導電膜付きガラスの比抵抗値は、４．９５×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００５８】
表１に成膜時の基板温度と成膜条件、比抵抗値および透過率を示した。
実施例３〜５のいずれも温度においても、低い比抵抗値が得られた。特に、温度２５０℃では、ガラス基板に匹敵するほどの比抵抗値を示した。
【表１】
2015088271.tif 000005
【００５９】
≪光電変換効率の比較≫
太陽電池の光電変換効率ηは、下記式（１）によって算出した。
・光電変換効率η＝Ｐｍａｘ（ｍＷ／ｃｍ２）／Ｐｉｎ（ｍＷ／ｃｍ２）×１００
＝Ｊｓｃ（ｍＡ／ｃｍ２）×Ｖｏｃ（Ｖ）／１００（ｍＷ／ｃｍ２）×ＦＦ×１００  ・・・（１）
・Ｐｍａｘ：最大出力
・Ｐｉｎ：光照射強度
・Ｊｓｃ：短絡電流密度
・Ｖｏｃ：開放電圧
ここで、短絡電流密度（Ｊｓｃ）とは、電圧が０Ｖのときの電流値であり、開放電圧（Ｖｏｃ）とは、電流が０ｍＡのときの電圧値である。また、太陽電池の出力は、設定された電圧に対して発生する電流をかけた値で表され、最大出力Ｐｍａｘは、太陽電池の出力が最高となる動作点における出力である。すなわち、最大出力となるときの電流密度と電圧をそれぞれ、ＪｍａｘおよびＶｍａｘと表した際に、下記式（２）で表される。
・ＦＦ＝（Ｊｍａｘ×Ｖｍａｘ）／（Ｊｓｃ×Ｖｏｃ）  ・・・（２）
セルの面積を０．２５ｃｍ２に設定した実施例６、比較例２および比較例３の太陽電池の夫々について、太陽電池評価装置（日本分光（株）製、製品名：ＹＱ−２５０）を用いて、光照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２の条件で、電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定した。その結果を図６に示す。また、図７に示すように、波長毎の太陽電池の分光感度も測定した。
ＳＱフィルムを用いた太陽電池は、ガラス基板を用いた太陽電池と同様に、３００〜４００ｎｍの領域であっても太陽電池の感度を有している。
【００６０】
・ＺｎＯナノ粒子：大東化成工業（株）製、超微粒子酸化亜鉛
・エタノール：ナカライテスク（株）製、特級試薬
・水：蒸留水
・Ｒｕｔｈｅｎｉｚｅｒ  ５３５  ｂｉｓ−ＴＢＡ（Ｎ７１９）ｔｅｒｔ−ブタノール：ＳＯＬＡＲＯＮＩＸ  ＳＡ社製、ルテニウム色素
・アセトニトリル：ナカライテスク（株）製、特級試薬
・ボルテックスミキサー：ＩＫＡ製、Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ  ＭＳ１
・超音波装置：ＢＲＡＮＳＯＮ製、卓上超音波洗浄器５５１０
・電気炉：アズワン（株）製、卓上小型電気炉
・ＩＴＯ透明導電膜付きＳＱフィルム：製造例で作製したフィルム
・ＩＴＯ透明導電膜付きＰＥＮフィルム：ペクセルテクノロジーズ（株）製、型番ＰＥＣＦ−ＩＰ
・ＩＴＯ透明導電膜付きガラス：ジオマテック（株）製、ＩＴＯ膜付きガラス（スパッタ品）０００５
【００６１】
［実施例６］太陽電池の作製１
平均粒径２０ｎｍのＺｎＯナノ粒子１．１２５ｇと、水／エタノール混合溶液（水：エタノール（体積比）＝３：７）５．０ｍｌをそれぞれサンプル管に混ぜ、その後、ボルテックスミキサーを用いて混合させた後、超音波を１０分間照射して分散させた。
５（ｍｍ）×２５（ｍｍ）のＩＴＯ透明導電膜付きＳＱフィルムにスキージ法により塗布し、電気炉にて１００℃で３０ｍｉｎアニールした。これら塗布／アニール工程を４回繰り返した。得られた膜を、Ｒｕｔｈｅｎｉｚｅｒ  ５３５  ｂｉｓ−ＴＢＡ（Ｎ７１９）ｔｅｒｔ−ブタノール：アセトニトリル（体積比）＝１：１溶液中に、室温（２５℃）で３時間浸漬した。余分な色素溶液をアセトニトリルで洗い流し、乾燥させることにより光電極を作製した。
作製した光電極と白金板の間に厚さ５０μｍのテフロン（登録商標）製のスペーサーフィルムを挟んで固定し、光電極と白金板の間に電解質溶液（０．１Ｍ  ＬｉＩ、０．０５Ｍ  Ｉ２、０．６Ｍ  １，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウムヨージド、０．５Ｍ  ４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジンのアセトニトリル溶液）を注入することで色素増感太陽電池セルを作製した。作製した色素増感太陽電池を、１００ｍＷ／ｃｍ２のソーラーシミュレーターによる照射の下でその発電性能を測定すると、変換効率は、１．８０％であった。
【００６２】
［比較例２］太陽電池の作製２
平均粒径２０ｎｍのＺｎＯナノ粒子１．１２５ｇと、水／エタノール混合溶液（水：エタノール＝３：７）５．０ｍｌをそれぞれサンプル管に混ぜ、その後、ボルテックスミキサーを用いて混合させた後、超音波を１０分間照射して分散させた。
５（ｍｍ）×２５（ｍｍ）のＩＴＯ透明導電膜付きＰＥＮフィルム（ペクセルテクノロジーズ（株）、型番：ＰＥＣＦ−ＩＰ、厚み：０．２ｍｍ、１２Ω・ｃｍ）にスキージ法により塗布し、電気炉にて１００℃で３０ｍｉｎアニールした。これら塗布／アニール工程を４回繰り返した。得られた膜を、Ｒｕｔｈｅｎｉｚｅｒ  ５３５  ｂｉｓ−ＴＢＡ（Ｎ７１９）ｔｅｒｔ−ブタノール：アセトニトリル＝１：１溶液中に、室温（２５℃）で３時間浸漬した。余分な色素溶液をアセトニトリルで洗い流し、乾燥させることにより光電極を作製した。これを実施例６と同様にして発電性能を測定すると、変換効率は、１．５８％であった。
【００６３】
［比較例３］太陽電池の作製３
平均粒径２０ｎｍのＺｎＯナノ粒子１．１２５ｇと、水／エタノール混合溶液（水：エタノール＝３：７）５．０ｍｌをそれぞれサンプル管に混ぜ、その後、ボルテックスミキサーを用いて混合させた後、超音波を１０分間照射して分散させた。
比較例１で作製した、５（ｍｍ）×２５（ｍｍ）のＩＴＯ透明導電膜付きガラス基板にスキージ法により塗布し、電気炉にて１００℃で３０ｍｉｎアニールした。これら塗布／アニール工程を４回繰り返した。得られた膜を、Ｒｕｔｈｅｎｉｚｅｒ  ５３５  ｂｉｓ−ＴＢＡ（Ｎ７１９）ｔｅｒｔ−ブタノール：アセトニトリル＝１：１溶液中に、室温（２５℃）で３時間浸漬した。余分な色素溶液をアセトニトリルで洗い流し、乾燥させることにより光電極を作製した。これを実施例６と同様にして発電性能を測定すると、変換効率は、２．７１％であった。
【００６４】
表２に、短絡電流密度Ｊｓｃ、開放電圧Ｖｏｃ、光電変換効率ηを示す。
ＳＱフィルムを用いた太陽電池は、ガラス基板を用いた太陽電池には及ばないものの、ＰＥＮフィルムを用いた太陽電池よりも高い光電変換効率を示した。
【表２】
2015088271.tif 000006
【符号の説明】
【００６５】
１    第１の基板、フィルム基板、ＳＱフィルム
２    陰極、透明導電膜、ＩＴＯ透明導電膜
３    多孔質粒子層、金属酸化物層
４    色素
５    電解質含有層
６    陽極、対向電極
７    第２の基板
１１  チャンバー
１２  ヒーター
１３  試料台
１４  シルセスキオキサン（ＳＱ）フィルム
１５  プラズマ領域
１６  ＩＴＯターゲット
１７  磁石
１８  高周波電源
【図１】
2015088271.tif 000008
【図２】
2015088271.tif 000009
【図４】
2015088271.tif 000010
【図５】
2015088271.tif 000011
【図６】
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【図７】
2015088271.tif 000013
【図８】
2015088271.tif 000014
【図３】
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