(57)【要約】      （修正有）【課題】長尺フィルム基材の表面に薄膜を形成する反応性スパッタ装置において、スパッタガスおよび反応性ガスの空間密度分布を一様する。【解決手段】スパッタ装置１０は、ターゲット１８を囲う隔壁２０と、隔壁２０の内面に開口し、ターゲット１８方向にガスを供給する複数のガス供給孔２３と、隔壁２０の外に在って複数のガス供給孔２３に接続する複数のガス供給管２２を備え、成膜ロール１５の表面に沿って搬送される長尺フィルム基材１７の表面に薄膜を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバーと、
前記真空チャンバーを排気する真空ポンプと、
前記真空チャンバー内に設けられた成膜ロールと、
前記成膜ロールに対向するターゲットと、
前記ターゲットを囲う隔壁と
前記隔壁内面に開口し、前記ターゲット方向に前記ガスを供給する複数のガス供給孔と、
前記隔壁の外に在って、前記複数のガス供給孔に接続する複数のガス供給管を備え、
前記成膜ロールの表面に沿って搬送される長尺フィルム基材の表面に薄膜を形成するスパッタ装置。
【請求項２】
前記複数のガス供給孔がガス配管を介して前記複数のガス供給管と接続される請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記隔壁を冷却する冷却配管を備えた請求項１または２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記ガス配管に複数の前記ガス供給管が接続された請求項２または３に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記複数のガス供給孔の少なくとも一部が、前記ターゲットの表面より前記成膜ロールに対して反対側に在る請求項１〜４のいずれかに記載のスパッタ装置。
【請求項６】
前記複数のガス供給孔が、スパッタガスを供給する複数のガス供給孔と、反応性ガスを供給する複数のガス供給孔からなり、
前記反応性ガスを供給する複数のガス供給孔は、前記スパッタガスを供給する複数のガス供給孔より前記成膜ロール側に在り、
少なくとも前記スパッタガスを供給する複数のガス供給孔は、前記ターゲットの表面より前記成膜ロールに対して反対側に在る請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタ装置。
【請求項７】
前記スパッタガスがアルゴンガスであり、前記反応性ガスが酸素ガスである請求項６に記載のスパッタ装置。
【請求項８】
前記隔壁の電位と前記ターゲットの電位が異なる請求項１〜７のいずれかに記載のスパッタ装置。
【請求項９】
前記隔壁を冷却する冷却配管は、前記隔壁に密着した冷却水配管である請求項３〜８のいずれかに記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は長尺フィルム基材の表面に薄膜を形成するスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空中で行う薄膜形成方法としてスパッタ法が広く用いられている。スパッタ法では、低圧アルゴンガスなどのスパッタガス中で、基材をアノード電位とし、ターゲットをカソード電位として、基材とターゲットの間に電圧を印加して、基材とターゲットの間にスパッタガスのプラズマを生成させる。プラズマ中のスパッタガスイオンがターゲットに衝突し、ターゲットの構成物質が叩き出される。叩き出されたターゲットの構成物質が基材上に堆積し薄膜となる。
【０００３】
透明導電膜として、インジウム−スズ酸化物（Indium-Tin-Oxide : ITO）の薄膜が広く使用されている。インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）のような酸化物薄膜を形成する場合は反応性スパッタ法が用いられる。反応性スパッタ法では、アルゴンなどのスパッタガスに加えて、酸素などの反応性ガスも同時に供給される。反応性スパッタ法では、叩き出されたターゲットの構成物質（例えばインジウム原子、スズ原子）がプラズマ中あるいは基材上で酸素などの反応性ガスと反応し、ターゲットの構成物質の酸化物などが基材上に堆積する。
【０００４】
スパッタ装置においては、通常、ターゲットがカソードにネジ止めされており、ターゲットとカソードが機械的および電気的に一体化している。基材とターゲットは所定の間隔を隔てて対向する。スパッタガスは、通常、基材とターゲットの間に供給される。反応性ガスもスパッタガスと同様、通常、基材とターゲットの間に供給される。スパッタガスと反応性ガスは別々に供給されることもあるし、混合して供給されることもある。
【０００５】
基材が例えば直径１００ｍｍ〜３００ｍｍ程度のシリコンウエハであるスパッタ装置においては、ターゲットは、通常、円板である。この場合、基材とターゲットの間の空間は円柱形となる。空間が円柱形の場合、スパッタガスの空間密度分布を一様にすることはそれほど難しくない。そのため、そのような反応性スパッタ装置においては、基材上に堆積した薄膜の厚さや特性が場所によりばらつくという問題は少ない。従ってこのような反応性スパッタ装置においては、スパッタガスと反応性ガスの供給にそれほど工夫を必要とはしない。
【０００６】
しかし、基材が例えば幅１．６ｍ、長さ５０００ｍというような長尺フィルム基材の場合は事情が異なる。長尺フィルム基材の場合、長尺フィルム基材全体に一度にスパッタ膜を成膜することは不可能である。そのため、供給ロールから繰り出した長尺フィルム基材を成膜ロール（キャンロール）に半周ほど巻き付け、成膜ロールを回転させて長尺フィルム基材を連続的に走行させながら、長尺フィルム基材の、ターゲットと対向する部分に成膜を行なう。成膜の終わった長尺フィルム基材は収納ロールに巻き取られる。
【０００７】
ターゲットは長尺フィルム基材の幅（例えば１．６ｍ）全体をカバーしなければならない。そのため、基材（成膜ロール）から見たターゲットの形状は、例えば、長辺が１．７ｍ程度、短辺が０．１ｍ程度の細長い長方形となる。ターゲットがこのような細長い長方形の場合、基材とターゲットの間の空間は細長い直方体となる。この場合、スパッタガスおよび反応性ガスの空間密度分布を一様にすることは相当難しい。スパッタガスおよび反応性ガスの空間密度分布が一様でない場合、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の薄膜ならば、膜厚、面積抵抗率、透過率などが場所によりばらつく。
【０００８】
スパッタ中は、スパッタガスおよび反応性ガスが消費されるので、真空チャンバーを真空ポンプで排気しながら、スパッタガスおよび反応性ガスを供給する。そのためスパッタガスおよび反応性ガスの分圧を測定しながら、真空ポンプの排気能力とスパッタガスおよび反応性ガスの供給量を制御して、スパッタガスおよび反応性ガスの分圧を一定に維持する。
【０００９】
反応性スパッタ装置の真空チャンバー内では、ガス供給孔から真空ポンプに至るスパッタガスおよび反応性ガスの流れが形成される。長尺フィルム基材の反応性スパッタ装置の場合、基材とターゲットの間の空間が細長い直方体形状であるため、ガスの流れが複雑である。そのため、スパッタガスおよび反応性ガスの供給を工夫しないと、スパッタガスおよび反応性ガスの空間密度分布を一様にすることは難しい。このことは従来から問題となっていた。
【００１０】
例えば特許文献１（特開２００２−１２１６６４）では、スパッタガスをターゲット近傍に導入し、反応性ガスを長尺フィルム基材近傍に導入している。これにより、ターゲット表面近傍ではスパッタガスリッチな状態に、長尺フィルム基材表面近傍では反応性ガスリッチな状態になる。それによりスパッタ効率が高められ、かつスパッタ粒子と反応性ガスとの反応効率も高められる。
【００１１】
特許文献１では、ターゲットの周りに、長尺フィルム基材に対向する側を開口した隔壁が設けられ、隔壁によりターゲットの周辺が囲われる。スパッタガスは隔壁内部のターゲット近傍に導入され、反応性ガスは長尺フィルム基材の表面近傍に導入される。特許文献１では、隔壁の内部にスパッタガス導入管が配設されている。スパッタガス導入管には、ターゲットの幅方向に沿って多数のガス供給孔が設けられ、各ガス供給孔は、カソードと隔壁の間にスパッタガスを吐出する。また、成膜ロールに巻き付けられた長尺フィルム基材の表面近傍に反応性ガス導入管が配設されている。反応性ガス導入管には、成膜ロールの幅方向に沿って多数のガス供給孔が設けられ、各ガス供給孔は、成膜ロールに巻き付けられた長尺フィルム基材に向けて反応性ガスを吐出する。
【００１２】
特許文献１では、スパッタガスをカソードと隔壁の間に吐出する。そのため、スパッタガスは隔壁やカソードと衝突し、カソードと隔壁の間に拡散して、ターゲットの表面近傍に効率良く供給される。また、長尺フィルム基材表面近傍に反応性ガスを吐出するため、長尺フィルム基材表面近傍に反応性ガスが効率良く供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００２−１２１６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
特許文献１により、長尺フィルム基材用の反応性スパッタ装置において、スパッタガスおよび反応性ガスの空間密度分布の一様性が改善された。しかし本願発明者の研究により、特許文献１の長尺フィルム基材用の反応性スパッタ装置には次に述べる未解決の問題があることが判明した。
（１）特許文献１には、ガス配管にガスを供給するガス供給管については言及がない。しかし、各ガス配管に接続されるガス供給管の数が少ない場合（例えば、ガス配管１本につきガス供給管が１本の場合）、長尺フィルム基材幅方向のガス濃度のばらつきが大きい。
（２）特許文献１では、隔壁の内部にスパッタガス導入管が配設されているが、これによりガスの流れが乱されるおそれがある。
（３）特許文献１に記載された隔壁はガスの流れを制御する上で有用である。しかし隔壁は、成膜ロールやターゲットからの熱放射やプラズマによる加熱などにより、熱変形することがある。隔壁が熱変形するとガスの流れ方が変わるおそれがある。隔壁の熱変形を防ぐため隔壁を強制的に冷却する必要がある。しかし隔壁の冷却に関しては特許文献１に記載されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
（１）本発明のスパッタ装置は、成膜ロールの表面に沿って搬送される長尺フィルム基材の表面に薄膜を形成するスパッタ装置である。本発明のスパッタ装置は、真空チャンバーと、真空チャンバーを排気する真空ポンプを備える。真空チャンバー内には成膜ロールと、成膜ロールに対向するターゲットが設けられている。ターゲットは隔壁により囲まれている。ターゲットを囲む６面のうち、成膜ロールに対向する１面を除いて、５面までは隔壁により囲まれていてもよい。ターゲット方向にガスを供給する複数のガス供給孔が隔壁内面に開口している。複数のガス供給孔に接続する複数のガス供給管が隔壁の外に在る。
（２）本発明のスパッタ装置においては、複数のガス供給孔がガス配管を介して複数のガス供給管と接続される。
（３）本発明のスパッタ装置は隔壁を冷却する冷却配管を備える。
（４）本発明のスパッタ装置においては、ガス配管に複数のガス供給管が接続される。
（５）本発明のスパッタ装置においては、複数のガス供給孔の少なくとも一部が、ターゲットの表面より、成膜ロールに対して反対側（成膜ロールから遠い側）に在る。
（６）本発明のスパッタ装置においては、複数のガス供給孔が、スパッタガスを供給する複数のガス供給孔と、反応性ガスを供給する複数のガス供給孔からなる。反応性ガスを供給する複数のガス供給孔は、スパッタガスを供給する複数のガス供給孔より成膜ロール側（成膜ロールに近い側）に在る。少なくともスパッタガスを供給する複数のガス供給孔は、ターゲットの表面より、成膜ロールに対して反対側（成膜ロールから遠い側）に在る。
（７）本発明のスパッタ装置においては、スパッタガスがアルゴンガスであり、反応性ガスが酸素ガスである。
（８）本発明のスパッタ装置においては、隔壁の電位とターゲットの電位が異なる。
（９）本発明のスパッタ装置においては、隔壁を冷却する冷却配管は、隔壁に密着した冷却水配管である。冷却水配管内に冷却水を通すことにより、隔壁を冷却し、隔壁の過熱を防止することができる。
【発明の効果】
【００１６】
（１）スパッタガスおよび反応性ガスの各ガス配管に、複数のガス供給管を接続させる（例えば、１本のガス配管に２本のガス供給管を接続させる）ことにより、長尺フィルム基材幅方向のガス濃度のばらつきが大幅に小さくなる。
（２）ガス供給管、ガス配管を隔壁の外に設置し、隔壁内面に設けられたガス供給孔からスパッタガスおよび反応性ガスを供給することにより、ガスの流れがガス供給管、ガス配管により乱されるおそれがなくなった。
（３）隔壁に密着した冷却配管により隔壁を強制冷却することにより隔壁の熱変形を防止した。これにより隔壁の熱変形によるガスの流れの変化や、変形した隔壁によるターゲットの遮蔽などの不具合が発生しなくなった。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のスパッタ装置の全体の斜視図
【図２】本発明のスパッタ装置のターゲット周辺の斜視図
【図３】本発明のスパッタ装置のターゲットおよび成膜ロール周辺の断面図
【図４】（ａ）従来のガス濃度の模式的な分布グラフ、（ｂ）本発明のガス濃度の模式的な分布グラフ
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は本発明のスパッタ装置１０の一例の全体の斜視図である。本発明のスパッタ装置１０は、真空チャンバー１１と真空チャンバー１１を排気する真空ポンプ１２を備える。真空チャンバー１１内には長尺フィルム基材１７の供給ロール１３、ガイドロール１４、成膜ロール１５、長尺フィルム基材１７の収納ロール１６が備えられる。長尺フィルム基材１７は、供給ロール１３から繰り出され、ガイドロール１４により走行をガイドされ、成膜ロール１５に約半周巻き付けられ、再びガイドロール１４により走行をガイドされ、収納ロール１６に収納される。ターゲット１８は表面が成膜ロール１５に所定の距離を隔てて対向している。成膜ロール１５上を連続的に走行する長尺フィルム基材１７には、ターゲット１８と対向する位置で、スパッタ薄膜が付着する。図１にはターゲット１８が二個図示されているが、ターゲット１８の個数は限られない。
【００１９】
長尺フィルム基材１７として、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンなどの単独重合体や共重合体などからなる透明フィルムが用いられる。長尺フィルム基材１７は、単独フィルムであっても積層フィルムであってもよい。長尺フィルム基材１７の厚さはとくに限定されないが、通常、６〜２５０μｍである。
【００２０】
本発明のスパッタ装置１０では、低圧アルゴンガスなどのスパッタガス中で、成膜ロール１５をアノード電位とし、ターゲット１８をカソード電位として、成膜ロール１５とターゲット１８の間に電圧を印加して、長尺フィルム基材１７とターゲット１８の間にスパッタガスのプラズマを生成させる。プラズマ中のスパッタガスイオンがターゲット１８に衝突し、ターゲット１８の構成物質が叩き出される。叩き出されたターゲット１８の構成物質が長尺フィルム基材１７上に堆積し、薄膜となる。
【００２１】
透明導電膜として、インジウム−スズ酸化物（Indium-Tin-Oxide : ITO）の薄膜が広く使用されている。インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）のような酸化物薄膜を形成する場合は反応性スパッタ法が用いられる。反応性スパッタ法では、アルゴンなどのスパッタガスに加えて、酸素などの反応性ガスも同時に供給される。反応性スパッタ法では、叩き出されたターゲット１８の構成物質（例えばインジウム原子、スズ原子）がプラズマ中あるいは長尺フィルム基材１７上で酸素などの反応性ガスと反応し、ターゲット１８の構成物質の酸化物（例えば、インジウム−スズ酸化物）などが長尺フィルム基材１７上に堆積する。
【００２２】
図２は本発明のスパッタ装置１０の一例のターゲット１８周辺の斜視図である。ターゲット１８は成膜ロール１５側から見てほぼ長方形であり、背面がカソード１９にネジ止めされ、カソード１９と一体化している。少なくともターゲット１８の二本の長辺は隔壁２０に囲まれている。図ではターゲット１８の二本の長辺とターゲット１８（カソード１９）の底面が隔壁２０に囲まれている。ターゲット１８を囲む６面のうち、成膜ロール１５に対向する１面を除いて、５面までは隔壁２０に囲まれていてもよい。隔壁２０にはスパッタガスおよび反応性ガスの流れの乱れを抑制する効果がある。隔壁２０はターゲット１８およびカソード１９と異なる電位にある。隔壁２０の電位がターゲット１８およびカソード１９の電位と同じであると、隔壁２０にもプラズマ中のスパッタガスイオンが衝突し、隔壁２０の構成物質が叩き出されるおそれがある。隔壁２０の材質は限定されないが、アルミニウム、ステンレス鋼などが適している。アルミニウムは熱伝導率が高いため、隔壁２０の冷却が容易である。ステンレス鋼は強度が高く、腐食に強い。隔壁２０の厚さは２ｍｍ〜１０ｍｍが適当である。隔壁２０の厚さが２ｍｍ未満であると強度が不足するおそれがある。隔壁２０の厚さが１０ｍｍを超えると冷却が不足するおそれがある。
【００２３】
本発明のスパッタ装置１０においては、１本のガス配管２１に２本以上のガス供給管２２が接続される。スパッタガスおよび反応性ガスのガス配管２１は別々に設けられる。スパッタガスおよび反応性ガスは、それぞれガス供給管２２からガス配管２１に供給される。スパッタガスおよび反応性ガスを供給するガス配管２１は隔壁２０の外側に取り付けられる。隔壁２０がターゲット１８の下側（底側）にもある場合、下側（底側）の隔壁２０の外側にガス配管２１が取り付けられることもある。スパッタガスおよび反応性ガスのガス供給孔２３は、ガス配管２１の管壁と隔壁２０を連通し、隔壁２０内面に開口する。スパッタガスおよび反応性ガスは、隔壁２０内面に開口したガス供給孔２３からターゲット１８方向に噴出する。
【００２４】
スパッタ中は、スパッタガスおよび反応性ガスが消費されるので、真空チャンバー１１を真空ポンプ１２で排気しながら、スパッタガスおよび反応性ガスを供給する。そのためには、スパッタガスおよび反応性ガスの分圧を測定しながら、真空ポンプ１２の排気能力とスパッタガスおよび反応性ガスの供給量を制御し、スパッタガスおよび反応性ガスの分圧を一定に維持する。スパッタガスとしてアルゴンガスが、反応性ガスとして酸素ガスが広く用いられる。
【００２５】
隔壁２０には冷却配管２４が密着して設けられる。冷却配管２４を密着させる理由は、隔壁２０の熱を冷却配管２４に効率よく伝導するためである。隔壁２０はターゲット１８およびプラズマに近い上方が過熱しやすい。そのため冷却配管２４は、図示のように、隔壁２０の上方部に設けられることが望ましい。スパッタ中は冷却配管２４に冷却水を流し、隔壁２０を冷却し、隔壁２０の熱変形を防止する。冷却配管２４に流す冷媒は冷却水とは限らず、他の冷媒も使用可能である。また冷却配管２４を冷媒で冷却するとは限らず、例えばペルチェ素子を用いて電気的に冷却してもよい。
【００２６】
図３は本発明のスパッタ装置１０の一例のターゲット１８および成膜ロール１５周辺の断面図である。下側にあるガス配管２１ａはスパッタガス２５の配管であり、上側にあるガス配管２１ｂは反応性ガス２６の配管である。下側のガス供給孔２３ａからスパッタガス２５が噴出し、上側のガス供給孔２３ｂから反応性ガス２６が噴出する。スパッタガス２５は反応性ガス２６より供給量が多いため、図示の構成によれば、下から流れてくるスパッタガス２５の流れに反応性ガス２６が混合して、反応性ガス２６がスムーズに上方に流れる。図示とは逆に、スパッタガス２５のガス供給孔２３ａが上側にあり、反応性ガス２６のガス供給孔２３ｂが下側にあることは望ましくない。そのような構成の場合、反応性ガス２６はスパッタガス２５より供給量が少ないため、反応性ガス２６の流れがスパッタガス２５の流れに阻害されるおそれがある。
【００２７】
図示のように、スパッタガス２５のガス供給孔２３ａおよび反応性ガス２６のガス供給孔２３ｂのいずれもが、ターゲット１８の表面より下側（成膜ロール１５に対して反対側、すなわちカソード１９側）にあることが望ましい。このような構成であれば、隔壁２０と、カソード１９およびターゲット１８の間隙で、スパッタガス２５および反応性ガス２６の流れが整えられて、ターゲット１８の表面と成膜ロール１５の間にガスの層流が形成される。また、ターゲット１８から飛び出した原子がスパッタガス２５および反応性ガス２６のガス供給孔２３ａ、２３ｂの周辺に堆積して、ガス供給孔２３ａ、２３ｂが徐々に塞がれる不具合が防止できる。少なくとも、供給量の多いスパッタガス２５のガス供給孔２３ａ（下側）は、ターゲット１８の表面より下側（成膜ロール１５に対して反対側、すなわちカソード１９側）にあることが望ましい。
【００２８】
図示のように、スパッタガス２５および反応性ガス２６は、それぞれのガス供給孔２３ａ、２３ｂから隔壁２０内部に噴出したあと、隔壁２０と、カソード１９およびターゲット１８の間隙を上昇し、隔壁２０の上部開口から成膜ロール１５方向に上昇し、成膜ロール１５に衝突して左右に流れ、最終的には真空ポンプ１２で排出される。本発明のスパッタ装置１０では、隔壁２０と、カソード１９およびターゲット１８との間隙にガス供給管、ガス配管が無いため、ガスの流れの乱れが少ない。
【００２９】
スパッタガス２５が隔壁２０の上部開口から流出してターゲット１８の上方に来ると、ターゲット１８と成膜ロール１５の間に電圧が印加されているので、ターゲット１８と成膜ロール１５の間にスパッタガス２５のプラズマ２７が形成される。本発明のスパッタ装置１０ではスパッタガス２５の流れの乱れが少ないため、形成されるプラズマ２７が安定している。そのためスパッタ速度（スパッタレート）の変化が少なく、スパッタ膜の膜厚の変動が少ない。
【００３０】
図４は、１本のガス配管に２本のガス供給管を接続したときの、ガス濃度のばらつき低減効果を示すグラフである。図４（ａ）は従来の反応性スパッタ装置において、１本のガス配管３０に１本のガス供給管３１を接続したときの、スパッタガス３２および反応性ガス３３のガス濃度の模式的な分布グラフである。図４（ｂ）は本発明のスパッタ装置１０において、１本のガス配管２１に２本のガス供給管２２を接続したときのスパッタガス２５および反応性ガス２６のガス濃度の模式的な分布グラフである。グラフの横軸は長尺フィルム基材１７の幅に相当する。図４（ａ）および図４（ｂ）においては、長尺フィルム基材１７の幅方向に、２本のガス配管３０、２１が直列に設置されている。グラフの縦軸はスパッタガス３２、２５および反応性ガス３３、２２のガス濃度を示す。グラフの縦軸は任意尺度であるが、図４（ａ）と図４（ｂ）の縦軸の尺度は等しい。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、従来の、１本のガス配管３０に１本のガス供給管３１を接続した場合、スパッタガス３２および反応性ガス３３のガス濃度の幅方向のばらつきが大きい。特にスパッタガス３２のガス濃度の幅方向のばらつきが大きい。スパッタガス３２のガス濃度の幅方向のばらつきが大きい理由は、スパッタガス３２は圧力が高く噴出量が多いため、ガス供給管３１に近い中央のガス供給孔３４と、ガス供給管３１から遠い端のガス供給孔３４のガス圧の差が大きいためである。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように、本発明の、１本のガス配管２１に２本のガス供給管２２を接続した場合、スパッタガス２５および反応性ガス２６のガス濃度の幅方向のばらつきが、従来に比べ小さくなる。特にスパッタガス２５のガス濃度の幅方向のばらつきが顕著に小さくなる。スパッタガス２５および反応性ガス２６のガス濃度の幅方向のばらつきが従来（図４（ａ））に比べ小さくなる理由は、ガス供給管２２を２本に増やすことにより、ガス供給管２２に近いガス供給孔２３と、ガス供給管２２から遠いガス供給孔２３のガス圧の差が減少するためである。１本のガス配管２１に接続するガス供給管２２の本数は２本に限らず３本以上でもよい。ガス供給管２２を増やすほど、スパッタガス２５および反応性ガス２６のガス濃度の幅方向のばらつきは小さくなる。
【００３３】
本発明のスパッタ装置では、図４（ｂ）に示すように、スパッタガス２５および反応性ガス２６のガス濃度の幅方向のばらつきが従来に比べ小さいため、プラズマ２７密度の幅方向のばらつきが従来に比べ小さい。その結果、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の薄膜を形成した場合、従来よりも、膜厚、面積抵抗率、透過率などの幅方向のばらつきが少ない。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明のスパッタ装置は、長尺フィルム基材の表面に薄膜、特にインジウム−スズ酸化物（Indium-Tin-Oxide : ITO）などの透明導電膜を形成するのに有用である。
【符号の説明】
【００３５】
１０ スパッタ装置
１１ 真空チャンバー
１２ 真空ポンプ
１３ 供給ロール
１４ ガイドロール
１５ 成膜ロール
１６ 収納ロール
１７ 長尺フィルム基材
１８ ターゲット
１９ カソード
２０ 隔壁
２１ ガス配管
２１ａ ガス配管
２１ｂ ガス配管
２２ ガス供給管
２３ ガス供給孔
２３ａ ガス供給孔
２３ｂ ガス供給孔
２４ 冷却配管
２５ スパッタガス
２６ 反応性ガス
２７ プラズマ
３０ ガス配管
３１ ガス供給管
３２ スパッタガス
３３ 反応性ガス
３４ ガス供給孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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