(57)【要約】      （修正有）【課題】チャージアップを緩和させることで、対象物へのイオンの注入量の低下を抑制するイオン照射装置を提供する。【解決手段】実施形態のイオン照射装置１０は、対象物にイオンを照射するイオン照射装置１０であって、真空に保たれ内部でプラズマが発生する真空容器１１と、真空容器１１に印加される電圧を出力する電源１２と、真空容器１１に接続し内部に対象物が設置される基板設置容器１４と、プラズマから対象物に向けてイオンを引き出すイオン引き出し電極と、基板設置容器１４内部で対象物を接地電位に保持する基板ホルダ２３と、制御部２１とを有し、制御部２１は、正電圧が印加された真空容器１１内でプラズマが発生しているイオン照射ステップＳ１の後に、接地電圧の真空容器１１内または負の電圧が印加された真空容器１１内でプラズマが発生しているチャージアップ緩和ステップＳ２が行なわれるように電源１２を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物にイオンを照射するイオン照射装置であって、
真空に保たれ内部でプラズマが発生する真空容器と、
前記真空容器に印加される電圧を出力する電源と、
前記真空容器に接続し内部に前記対象物が設置される基板設置容器と、
前記プラズマから前記対象物に向けてイオンを引き出すイオン引き出し電極と、
前記基板設置容器内部で前記対象物を接地電位に保持する基板ホルダと、
制御部とを有し、
前記制御部は、
正電圧が印加された前記真空容器内でプラズマが発生しているイオン照射ステップの後に、
接地電圧の真空容器内または負の電圧が印加された真空容器内でプラズマが発生しているチャージアップ緩和ステップが行なわれるように前記電源を制御するイオン照射装置。
【請求項２】
前記真空容器の内部に設けられレーザの照射によってプラズマを発生する物質と、
前記真空容器に設けられ前記真空容器の外部から内部に前記レーザを透過させる窓と、
前記窓を介して前記物質に照射されるパルスレーザを出力するレーザ光源と、
前記物質上に前記レーザの焦点が形成されるように前記レーザを集光させる集光手段と、
を備え、
前記制御部は、前記レーザ光源の出力周期の２以上の整数倍の出力周期で前記電源に正のパルス電圧を出力させる請求項１に記載のイオン照射装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記レーザ光源の出力周期の２以上の整数倍の出力周期で前記電源に正のパルス電圧及び負のパルス電圧を出力させる請求項２に記載のイオン照射装置。
【請求項４】
前記対象物ホルダが前記イオン引き出し電極を兼ねる請求項１乃至請求項３に記載のいずれか一項に記載のイオン照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、イオン照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体の対象物に特定のイオンを照射し注入することで、対象物の特性を変化させることが可能である。対象物にイオンを照射する装置をイオン照射装置という。イオンを照射する対象物の導電率が低い場合、照射されたイオンは固体表面に溜まり帯電し、イオンの照射効率が低下するという問題がある。イオンを照射した結果、固体表面が照射されたイオンにより帯電する現象をチャージアップという。
【０００３】
チャージアップを緩和させるために、対象物に電圧を印加する例がある。しかし、導電率が低い対象物に電圧が印加されると、対象物と周囲の導電体との間に短絡が生じて対象物に電圧の電流が流れ、対象物に溶融や剥離等が生じ健全性が損なわれる可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１９２８２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、導電率が低い対象物に対して、対象物の健全性を確保しつつ効率よくイオンを照射することが可能なイオン照射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を達成するため、実施形態のイオン照射装置は、対象物にイオンを照射するイオン照射装置であって、真空に保たれ内部でプラズマが発生する真空容器と、真空容器に印加される電圧を出力する電源と、真空容器に接続し内部に対象物が設置される基板設置容器と、プラズマから対象物に向けてイオンを引き出すイオン引き出し電極と、基板設置容器内部で対象物を接地電位に保持する基板ホルダと、制御部とを有し、制御部は、正電圧が印加された真空容器内でプラズマが発生しているイオン照射ステップの後に、接地電圧の真空容器内または負の電圧が印加された真空容器内でプラズマが発生しているチャージアップ緩和ステップが行なわれるように電源を制御するものとする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態におけるイオン照射装置の模式図。
【図２】第１の実施形態における（ａ）レーザ光源の出力のグラフと、（ｂ）真空容器に電圧を印加する電源の出力のグラフ。
【図３】第１の実施形態における（ａ）レーザ光源の出力のグラフと（ｂ）複数のパルスレーザにまたがって真空容器に電圧を印加する際の電源の出力を表すグラフ。
【図４】第２の実施形態における（ａ）レーザ光源の出力のグラフと、（ｂ）真空容器に電圧を印加する電源の出力のグラフ。
【図５】第２の実施形態における（ａ）レーザ光源の出力のグラフと、（ｂ）真空容器に正と負のパルス電圧を不連続に印加する際の電源の出力を表すグラフ。
【図６】絶縁容器を備えるイオン照射装置の変形例の模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１と図２を参照しながら説明する。図１は本実施形態におけるイオン照射装置の模式図である。図２（ａ）は本実施形態におけるレーザ光源の出力のグラフと、図２（ｂ）は本実施形態における真空容器に電圧を印加する電源の出力のグラフである。
【００１０】
なお、本実施形態において、イオンを照射する対象は導電率が低い絶縁体の固体であり、基板と呼称する。また、対象物に照射するイオンは陽イオンであるものとする。
【００１１】
（構成）
以下、本実施形態のイオン照射装置の構成について図１を用いて説明する。イオン照射装置１０は基板にイオンを照射する装置であって、真空に保たれた内部でプラズマが発生する真空容器１１と、真空容器１１に印加する電圧を出力する電源１２を有する。また、イオン照射装置１０は、プラズマを発生させるためのパルスレーザを出力する真空容器１１の外部に設けられたレーザ光源１９と、真空容器１１に接続し内部に基板１３が設置される基板設置容器１４と、電源１２とレーザ光源１９の出力を制御する制御部２１を有する。
【００１２】
真空容器１１には輸送管１６が接続されており、輸送管１６の真空容器１１との接続部である一端は真空容器１１の内側に開口している。真空容器１１の内側の輸送管１６の開口部をプラズマ引き出し窓９と呼称する。なお、真空容器１１および輸送管１６はステンレス等の導電性の高い材料で構成される。
【００１３】
また、真空容器１１の内部には、レーザの照射によってプラズマを発生する固体材料が設けられており、この固体材料をターゲット１７と呼称する。ターゲット１７は、図示されないターゲット保持手段によって保持されている。ターゲット１７の材料は基板に照射すべきイオンに応じて決められる。ターゲット１７は気体、液体および固体のいずれであっても良いが、ターゲット１７の密度が高いほど密度の高いプラズマを生成することができるため、固体であることが好ましい。
【００１４】
また、真空容器１１にはレーザ光源１９から出力されたパルスレーザを外部から内部に導くための窓１８が設けられている。なお、レーザ光源１９が出力するレーザは例えばＣＯ２レーザやＹＡＧレーザである。レーザ光源１９と窓１８の間には、ターゲット１７表面にレーザの焦点が形成されるようにパルスレーザを集光させる集光手段２０が設けられている。集光手段２０はミラー２０ａと窓１８に気密に設けられた集光レンズ２０ｂ等から構成される。
【００１５】
パルスレーザが照射された部分のターゲット１７はパルスレーザのエネルギにより気化し高密度のプラズマが生じる。ターゲットに強力なレーザを照射することで生じるプラズマをアブレーションプラズマという。
【００１６】
また、真空容器１１には、絶縁管１５を介して基板設置容器１４が接続されている。絶縁管１５の径はプラズマ引き出し窓９および輸送管１６の径よりも大きい。絶縁管１５の一端は内側に輸送管１６が通るように真空容器１１に接続され、絶縁管１５のもう一方の端部は基板設置容器１４内に開口するよう基板設置容器１４に接続される。
【００１７】
なお、輸送管１６は絶縁管１５の内部を通って基板１３に向かって開口し、輸送管１６の基板１３に対向する開口部をイオン照射窓２２と呼称する。真空容器１１で発生したプラズマなどの粒子は、プラズマ引き出し窓９、輸送管１６及びイオン照射窓２２を通り基板設置容器１４に到達する。プラズマ引き出し窓９およびイオン照射窓２２の径は、基板１３に照射すべきイオンの量に応じて適宜決められるものである。真空容器１１と基板設置容器１４の真空は、図示されない真空ポンプ等で保たれているものとする。
【００１８】
基板１３は基板設置容器１４内に基板ホルダ２３によって保持される。基板ホルダ２３の電位は接地電位であり、基板１３は電圧が印加されず接地電位に保たれる。また、基板ホルダ２３はプラズマから引き出されたイオンが照射される位置に基板１３を保持する。本実施形態ではプラズマから引き出されたイオンはイオン照射窓２２から基板設置容器１４内に引き出されるため、基板ホルダ２３はイオン照射窓２２に対向するように、基板１３を保持するものとする。
【００１９】
ここで、プラズマについて説明する。プラズマとは、正の電気を帯びた粒子と負の電気を帯びた電子とがほぼ同じ密度で、ほぼ電気的中性を保って分布している粒子集団のことである。本実施形態で発生させるプラズマは、正の電荷を有するイオンと電子で構成されている。
【００２０】
プラズマ中のイオンは静電界を用いて加速させ引き出してくることが可能である。本実施形態においては、真空容器１１よりも電位の低い電極を用いることで、真空容器１１と電極の間に電位差を形成し、真空容器１１内のプラズマ中のイオンを加速させイオンビームとして引き出すことが可能である。プラズマからイオンを引き出すための電極をイオン引き出し電極と呼称する。なお、イオン引き出し電極の電位が真空容器１１よりも高い場合は、プラズマから電子が電子ビームとして引き出される。
【００２１】
（作用）
次に、本実施形態のイオン照射装置１０のそれぞれの構成の作用を説明する。レーザ光源１９から出力されたパルスレーザは、ミラー２０ａにより窓１８まで到達し、集光レンズ２０ｂによりターゲット表面にレーザの焦点が形成されるため、ターゲット１７表面に照射される。レーザ光源１９が出力しているとき、パルスレーザが照射された部分のターゲット１７はプラズマ化し、アブレーションプラズマが発生する。
【００２２】
また、本実施形態において、基板ホルダ２３は接地電位であり、イオン引き出し電極の機能を兼ねている。真空容器１１に正の高電圧が印加されている場合、基板ホルダ２３の電位が真空容器１１の電位よりも低くなるため、真空容器１１内のプラズマ中のイオンは電位の低い基板ホルダ２３側に加速されて基板１３に照射され、イオンが基板１３に注入される。
【００２３】
ここで、正電圧が印加された真空容器１１内でプラズマが発生している状態をイオン照射ステップＳ１と呼称する。イオン照射ステップＳ１では、基板１３にイオンが照射されるが、基板１３の表面はチャージアップにより次第に表面電位が上昇し、真空容器１１と基板ホルダ２３との電位差が小さくなる。そのため、次第にイオンの速度が低下し、結果、イオンの照射効率は低下する。
【００２４】
なお、イオンは価数が大きいほど電位差による加速を受けやすい。アブレーションプラズマは、価数の大きなイオンを生成することができるため、より小さな印加電圧でイオンを加速することができる。つまり、イオンを加速させ引き出すために真空容器１１に印加する電圧を低減させることができる。
【００２５】
一方、真空容器１１に電圧がかかっていない場合は、真空容器１１内のプラズマは拡散によりプラズマのまま基板１３に到達する。また、アブレーションプラズマはターゲットに対して垂直な初速度をもって発生する。そのため、アブレーションプラズマは真空容器１１に電圧が印加されていない場合、拡散及び発生時の初速度によってプラズマの状態で基板まで到達する。
【００２６】
ここで、接地電圧の真空容器１１内でプラズマが発生している状態をチャージアップ緩和ステップＳ２と呼称する。チャージアップ緩和ステップＳ２において、基板１３がチャージアップしている場合、プラズマ内の電子が基板１３表面に溜まった電価を中和し、チャージアップを緩和させる。
【００２７】
次に、制御部２１によるレーザ光源１２と電源１２の制御について図２を用いて説明する。制御部２１は、図２（ａ）に示すように、一定の出力周期でパルスレーザを出力させる。パルスレーザが出力されているとき、真空容器１１内にはプラズマが発生する。また、制御部２１は図２（ｂ）に示すように、パルスレーザのパルス幅と同じまたはそれよりも長いパルス幅の正のパルス電圧を電源１２に出力させ、真空容器１１に正の電圧を印加させる。電源１２の出力周期はレーザ光源１９の出力周期の２以上の整数倍とする。例えば、電源１２の出力周期はレーザ光源１９が出力するパルスレーザの出力周期の２倍であるものとする。このとき、電源１２は１パルスレーザごとに出力することになる。
【００２８】
例えば、図２において時刻ｔ０から時刻ｔ３のとき電源１２は正のパルス電圧を出力しており、時刻ｔ１から時刻ｔ２のときレーザ光源１９がパルスレーザを出力している。時刻ｔ０から時刻ｔ３の真空容器１１内には、時刻ｔ１から時刻ｔ２のレーザ出力によるプラズマと、時刻ｔ０直前のレーザ出力によるプラズマが発生していると考えられ、時刻ｔ０から時刻ｔ３のときイオン照射ステップＳ１が行われる。
【００２９】
また、時刻ｔ３から時刻ｔ６のとき電源１２の出力はゼロとなり、時刻ｔ４から時刻ｔ５のときレーザ光源１９がパルスレーザを出力している。時刻ｔ３から時刻ｔ４の真空容器１１内には、時刻ｔ４から時刻ｔ５のレーザ出力によるプラズマと、時刻ｔ３直前のレーザ出力によるプラズマが発生していると考えられ、時刻ｔ３から時刻ｔ６のときチャージアップ緩和ステップＳ２が行われる。
【００３０】
時刻ｔ６以降も、上記時刻ｔ０から時刻ｔ５と同様にイオン照射ステップＳ１とチャージアップ緩和ステップＳ２が交互に行われる。
【００３１】
（効果）
以下、本実施形態の効果について説明する。真空容器１１にパルス電圧を印加することで、基板１３に電圧を印加することなく、導電率の低い基板にチャージアップを緩和させ、効率よくイオンを照射し注入することが可能である。基板１３に電圧を印加した場合、基板１３と周囲の構成との間に短絡が生じ、基板１３に局所的に大電流が流れ、基板１３に溶融や剥離、性質の劣化などが生じ、基板１３の健全性が損なわれる可能性がある。本実施形態では、基板１３に電圧を印加していないため、基板１３の健全性を損なうことなく、効率よくイオンを照射することが可能である。
【００３２】
また、基板設置容器１４側には電圧印加手段を設ける必要がなく構成を単純化することが可能であるため、基板交換やメンテナンスが容易である。
【００３３】
また、本実施形態では一定周期のパルスレーザを用いてプラズマを発生させている。そのため、一定周期のパルス電圧を電源１２に出力させることで、真空容器１１に印加する電圧をプラズマの発生と同期させることが可能であり、電圧の制御が容易である。
【００３４】
また、アブレーションプラズマを用いているため、イオンを加速するために必要な真空容器１１への印加電圧を低減することが可能である。
【００３５】
なお、プラズマを最大限イオン照射に利用するために、電源１２が出力する電圧のパルス幅は、パルスレーザのパルス幅よりも長いことが好ましいが、電圧のパルス幅はパルスレーザのパルス幅と重複していればよく、パルスレーザのパルス幅よりも短くても良い。
【００３６】
また、例えば図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、電源１２が出力する電圧のパルス幅は、複数のパルスレーザにまたがっていても良い。図３（ａ）は第１の実施形態における（ａ）レーザ光源の出力のグラフであり、図３（ｂ）は複数のパルスレーザにまたがって真空容器に電圧を印加する際の電源の出力を表すグラフである。
【００３７】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について図４を用いて説明する。図４（ａ）は第２の実施形態におけるパルスレーザの出力のグラフであり、図４（ｂ）は第２の実施形態における真空容器に電圧を印加する電源の出力のグラフである。なお、第１の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３８】
以下、第２の実施形態における、制御部２１によるレーザ光源１９と電源１２の制御について図４を用いて説明する。制御部２１は電源１２に正のパルス電圧と負のパルス電圧を、レーザ光源１９の出力周期の２以上の整数倍の出力周期で出力させる。正のパルス電圧と負のパルス電圧の出力周期は、それぞれレーザ光源１９の出力周期の２倍であるものとする。
【００３９】
また、第１の実施形態と同様に、正電圧が印加された真空容器１１内でプラズマが発生している状態をイオン照射ステップＳ１と呼称する。一方、負の電圧が印加された真空容器１１内でプラズマが発生している状態をチャージアップ緩和ステップＳ２と呼称する。真空容器１１に負の電圧が印加されているとき、真空容器１１と基板ホルダ２３との電位差により、プラズマから電子が基板ホルダ側に加速される。基板１３がチャージアップしている場合、加速された電子は基板１３に照射されチャージアップを緩和する。
【００４０】
例えば、図２において時刻ｔ０から時刻ｔ３のとき電源１２は正のパルス電圧を出力しており、時刻ｔ１から時刻ｔ２のときレーザ光源１９がパルスレーザを出力している。時刻ｔ０から時刻ｔ３の真空容器１１内には、時刻ｔ１から時刻ｔ２のレーザ出力によるプラズマと、時刻ｔ０直前のレーザ出力によるプラズマが発生していると考えられ、時刻ｔ０から時刻ｔ３のときイオン照射ステップＳ１が行われる。
【００４１】
また、時刻ｔ３から時刻ｔ６のとき電源１２は負のパルス電圧を出力しており、時刻ｔ４から時刻ｔ５のときレーザ光源１９がパルスレーザを出力している。時刻ｔ３から時刻ｔ４の真空容器１１内には、時刻ｔ４から時刻ｔ５のレーザ出力によるプラズマと、時刻ｔ３直前のレーザ出力によるプラズマが発生していると考えられ、時刻ｔ３から時刻ｔ６のときチャージアップ緩和ステップＳ２が行われる。
【００４２】
時刻ｔ６以降も、上記時刻ｔ０から時刻ｔ５と同様にイオン照射ステップＳ１とチャージアップ緩和ステップＳ２が交互に行われる。
【００４３】
以下、本実施形態の効果について説明する。第１の実施形態と同様に、本実施形態においても、真空容器１１にパルス電圧を印加することで、基板１３の健全性を損なうことなく、効率よくイオンを照射することが可能である。
【００４４】
また、チャージアップ緩和ステップＳ２のときに、真空容器１１に負の電圧を印加することで、電子を積極的に基板１３に加速させチャージアップを緩和することが可能である。そのため、第１の実施形態に比べて、短時間で効果的にチャージアップを緩和させ、対象物へのイオンの照射量の低下を抑制することが可能である。
【００４５】
また、本実施形態においても第１の実施形態と同様に一定周期のパルスレーザを用いてプラズマを発生させているため、電圧の制御が容易である。
【００４６】
また、本実施形態においては、例えば図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、電源１２の出力において、正のパルス電圧と負のパルス電圧の間に電圧を印加しない状態を設けるものとしても良い。図５（ａ）は第２の実施形態におけるレーザ光源の出力のグラフであり、図５（ｂ）は第２の実施形態における真空容器に正と負のパルス電圧を不連続に印加する際の電源の出力を表すグラフである。なお、真空容器１１が接地電位及び、真空容器１１に負の電圧が印加されているときを、チャージアップ緩和ステップＳ２と呼称する。チャージアップ緩和ステップＳ２のうち、真空容器１１が接地電位の時にはプラズマが基板１３に到達し、チャージアップが緩和される。チャージアップ緩和ステップＳ２のうち、真空容器１１に負の電圧が印加されている時には電子ビームが基板１３に照射され、チャージアップが緩和される。
【００４７】
（他の実施形態）
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００４８】
例えば、ターゲット保持手段は、レーザが照射される度にターゲット１７の位置をずらす手段を有するものとしても良い。ターゲット１７には、プラズマ化によって表面にクレータが生じる。このクレータによって、レーザが照射される条件が変化しないよう、ターゲット保持手段は、毎回ターゲット１７の位置をずらし、レーザの照射位置を変える。
【００４９】
また、真空容器１１内で発生されるプラズマはアブレーションプラズマに限られない。例えば、マイクロ波プラズマや高周波プラズマであってもよい。その場合、電源１２の出力制御はタイマー等で行なうものとする。
【００５０】
また、電源１２の出力周期はパルスレーザの出力周期の２倍には限られない。基板１３表面の電位を低下させるためにより多くの電子が必要であれば、電源１２の出力周期をレーザ光源１９の出力周期よりもさらに長くすることが考えられる。
【００５１】
また、輸送管１６の内部にはフィルタ電極２４が設けられていても良い。フィルタ電極２４とは、プラズマ発生時に生じた所望のイオン以外の不純物が基板１３に到達しないよう除去するための構成である。例えば、本実施形態のイオン照射に好適なイオンは価数が
大きな陽イオンであり、価数が小さな陽イオンや複数の分子や原子が集まったクラスターイオンが基板１３に照射されることは好ましくない。
【００５２】
価数が小さな陽イオンやクラスターイオンはいずれも、価数が大きなイオンに比べて質量が大きく移動速度が遅い。一方、質量が小さく価数が大きい多価イオンは移動速度が早い。そのため、フィルタ電極２４に真空容器１１に印加している電圧よりもやや高い電圧を印加することで、質量が大きなイオンはフィルタ電極２４を越えることができず、基板１３には到達しない。一方、質量が小さく価数が大きいイオンはフィルタ電極２４を通過することができ、価数の大きい所望のイオンのみを基板１３に照射させることが可能となる。
【００５３】
また、イオン照射装置１０は、図６に示すように、真空容器１１を覆う絶縁容器２５を有していても良い。絶縁容器２５の中で真空容器１１は絶縁体２６を介して保持されており、絶縁容器２６と真空容器１１は絶縁されている。また基板設置容器１４は絶縁容器２６と接続されており、絶縁容器２５内は真空である。また、絶縁容器２５および真空容器１１にはレーザをターゲットに導くための窓や集光手段等が設けられているものとする。絶縁容器２５を設けることで高電圧が印加された真空容器１１がむき出しにならない。そのため、イオン照射装置１０を稼働させる作業員の感電等の事故の可能性が低減される。
【００５４】
また、本実施形態において基板ホルダ２３はイオン引き出し電極の役割を兼ねているが、基板ホルダ２３とイオン照射窓２２の間にイオン引き出し電極が独立して設けられていても良い。その場合、イオン引き出し電極よりも下流でイオンビームとなったイオンが基板１３に照射される。
【００５５】
また、制御部２１は少なくとも電源１２の出力を制御するものであれば良く、電源１２以外の構成の出力を制御するものであっても良い。例えば、制御部２１はレーザ光源１９の出力も制御するものであってもよい。
【符号の説明】
【００５６】
９・・・・・プラズマ引き出し窓
１０・・・・・イオン照射装置
１１・・・・・真空容器
１２・・・・・電源
１３・・・・・基板
１４・・・・・基板設置容器
１５・・・・・絶縁管
１６・・・・・輸送管
１７・・・・・ターゲット
１８・・・・・窓
１９・・・・・レーザ光源
２０・・・・・集光手段
２０ａ・・・・・ミラー
２０ｂ・・・・・集光レンズ
２１・・・・・制御部
２２・・・・・イオン照射窓
２３・・・・・基板ホルダ
２４・・・・・フィルタ電極
２５・・・・・絶縁容器
２６・・・・・絶縁体
Ｓ１・・・・・イオン照射ステップ
Ｓ２・・・・・チャージアップ緩和ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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