(57)【要約】【課題】多層配線基板において、リードタイムを短縮化することができるとともに、製造コストを減少させ、さらには信頼性を向上させる。【解決方法】絶縁部材を介して一対の配線層が形成され、一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを準備する。次いで、第１の配線基板ユニットの配線層上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成し、第１の配線基板ユニット上で、バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成する。次いで、第１の配線基板ユニット上で、絶縁樹脂層を介して第２の配線基板ユニットを加熱下押圧し、第１の配線基板ユニットと第２の配線基板ユニットとが電気的に接続され、第１の配線基板ユニット上に第２の配線基板ユニットが積層されてなる多層配線基板を得る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを準備する第１の工程と、
前記第１の配線基板ユニットの前記配線層上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する第２の工程と、
前記第１の配線基板ユニット上において、前記バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成する第３の工程と、
前記第１の配線基板ユニット上において、前記絶縁樹脂層を介して前記第２の配線基板ユニットを加熱下押圧し、前記バンプの上端部を前記第２の配線基板の前記配線層に圧接するとともに、前記絶縁樹脂層及び前記バンプを硬化させて、前記第１の配線基板ユニットと前記第２の配線基板ユニットとが前記バンプを介して電気的に接続する第４の工程と、
を具えることを特徴とする、多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程は、
支持板の両主面上において、離型フィルムを介し、絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層を形成する工程と、
前記支持板から前記第１のビルドアップ層及び前記第２のビルドアップ層を剥離する工程とを含み、
前記第１の配線基板ユニットは前記第１のビルドアップ層から構成し、前記第２の配線基板ユニットは前記第２のビルドアップ層から構成することを特徴とする、請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程は、
第１の配線基板ユニットの前記配線層となる第１の金属箔上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第３の工程は、
前記第１の金属箔に対して、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第１の温度で押圧し、前記絶縁樹脂層を流動化させる工程と、
前記樹脂密着フィルムを剥離して、前記バンプの上端部に残存する前記絶縁樹脂層を除去し、当該上端部を前記樹脂絶縁層から露出させる工程とを含むことを特徴とする、請求項３に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第４の工程は、
第１の金属箔に対して、第２の配線基板ユニットの配線層となる第２の金属箔を、絶縁樹脂層を介して、第１の温度よりも高い第２の温度で押圧し、絶縁樹脂層及びバンプを硬化させるとともに、当該絶縁樹脂層上に第２の金属箔（第２の配線基板ユニット）を積層する工程とを含むことを特徴とする、請求項３又は４に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の温度における前記絶縁樹脂層の溶融粘度が１×１０５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする、請求項４又は５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の温度における前記絶縁樹脂層の溶融粘度が１×１０1Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする、請求項４〜６のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂密着フィルムの弾性率が５００ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項４〜７のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記バンプは円錐形状を呈することを特徴とする、請求項１又は２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第１の配線基板ユニットと、
少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第２の配線基板ユニットと、
前記第１の配線基板ユニットと前記第２の配線基板ユニットとの間に介在する絶縁部材と、当該絶縁部材を貫通し、前記第１の配線基板ユニットの配線層及び前記第２の配線基板ユニットの配線層間を電気的に接続する導電性組成物からなる層間接続体と、
を具えることを特徴とする、多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法及び多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高性能化・小型化の流れの中、回路部品の高密度、高機能化が一層求められている。かかる観点より、回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密度、高機能化への対応が要求されている。このような要求に答えるべく、現在では配線基板を多層化した多層配線基板が盛んに作られている。
【０００３】
このような多層配線基板は、積層板の全体を貫通するスルーホールを開けたコア基板に、ビルドアップ工法で配線層を積層する方法（特許文献１、特許文献２参照）、回路基板と絶縁材とを必要枚数重ねて積層し、得られた積層体の全体にスルーホールを形成した後、スルーホールめっきを行う方法（特許文献３参照）などがある。
【０００４】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の方法では、層数が増えるほどビルドアップ工程の回数を増やす必要があることから、配線層の積層状態にずれが生じるために歩留りが低下し、製造コストが増大してしまうという問題があった。また、リードタイムも長くなることからさらなる製造コストの増大を生じる結果となっていた。
【０００５】
また、特許文献３に記載の方法では、スルーホールのアスペクト比が大きくなるため、ドリルで孔を開ける場合はドリル折れが生じ、さらにはスルーホールめっきの難易度が高いことから、歩留りの低下が生じてしまい、製造コストが増大してしまうという問題が生じていた。さらに、特許文献２に記載の方法では、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行うことから、スルーホール内におけるめっき厚の変動が大きくなり、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが発生してしまい、信頼性が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
一方、オールスタックレーザービアの多層配線基板においては、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−３３２１１５号公報
【特許文献２】特開２０１３−７４１５３号公報
【特許文献３】特開２０１０−２７５６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、例えば配線層が１０層以上の多層配線基板において、リードタイムを短縮化することができるとともに、製造コストを減少させ、さらには信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを準備する第１の工程と、
前記第１の配線基板ユニットの前記配線層上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する第２の工程と、
前記第１の配線基板ユニット上において、前記バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成する第３の工程と、
前記第１の配線基板ユニット上において、前記絶縁樹脂層を介して前記第２の配線基板ユニットを加熱下押圧し、前記バンプの上端部を前記第２の配線基板の前記配線層に圧接するとともに、前記絶縁樹脂層及び前記バンプを硬化させて、前記第１の配線基板ユニットと前記第２の配線基板ユニットとが前記バンプを介して電気的に接続する第４の工程と、
を具えることを特徴とする、多層配線基板の製造方法に関する。
【００１０】
本発明によれば、最初に、それぞれが絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第１の配線基板（本願明細書では、最終的な多層配線基板と識別すべく、「第１の配線基板ユニット」という）及び第２の配線基板（同じく、本願明細書では、最終的な多層配線基板と識別すべく、「第２の配線基板ユニット」という）を準備する。
【００１１】
なお、第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットは、リードタイムを減少するという観点から、例えばそれぞれ同一の工程を経て同時に形成する、あるいは大判の配線基板を製造した後、当該大判の配線基板を切断して第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニット等とする。
【００１２】
次いで、第１の配線基板ユニットの配線上に導電性ペーストを塗布して当該導電ペーストからなるバンプを形成し、適宜乾燥させた後に、バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成し、当該絶縁樹脂層を介して第１の配線基板ユニット上に第２の配線基板ユニットを積層し、その際に圧接した上記バンプによって第１の配線基板ユニット（の配線層）及び第２の配線基板ユニット（の配線層）間を電気的に接合して多層配線基板を製造するようにしている。
【００１３】
このように、本発明によれば、予め複数の配線層が形成された第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを準備し、これら第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを積層するのみで多層の配線基板を得るようにしている。したがって、ビルドアップ工法によって配線層を形成して多層配線基板を製造する場合に比較して、少なくとも第１の配線基板ユニットあるいは第２の配線基板ユニットのビルドアップ工程の回数を低減できるので、配線層の積層状態にずれが生じるために歩留り低下、及びこれに伴う製造コストの増大という問題を回避することができる。また、リードタイムの短縮化も図ることができ、製造コストのさらなる低減を図ることができる。
【００１４】
また、高アスペクト比のスルーホールを形成する必要がないので、当該スルーホールを形成する際のドリルでの孔開けの際のドリル折れを防止することができる。さらに、スルーホールめっきを比較的簡易に行うことができるので、歩留りの低下を抑制し、製造コストの増大も抑制することができる。また、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行う場合のようなめっき厚の変動を抑制でき、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが生じて、信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
【００１５】
また、オールスタックレーザービアの多層配線基板のように、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から、使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
【００１６】
なお、本発明における“バンプの上端部”とは、第２の配線基板ユニット、すなわち配線層と結合するバンプ領域の一部を指すものである。
【００１７】
本発明の一例において、前記第１の工程は、支持板の両主面上において、離型フィルムを介し、絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層を形成する工程と、支持板から第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層を剥離する工程とを含み、第１の配線基板ユニットは第１のビルドアップ層から構成し、第２の配線基板ユニットは第２のビルドアップ層から構成することができる。
【００１８】
この場合、上述した第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを、支持板の両主面上において、離型フィルムを介して絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層を形成し、次いで、支持板より離型フィルムを介して第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層を剥離するようにしている。そして、これら第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層から第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを構成するようにしている。
【００１９】
したがって、第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを簡易な方法で準備することができるので、上述した本発明の作用効果をより確実に奏することができるようになる。
【００２０】
また、本発明の一例において、前記第２の工程は、第１の配線基板ユニットの配線層となる第１の金属箔上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する工程を含むことができる。
【００２１】
さらに、本発明の一例において、前記第３の工程は、第１の金属箔に対して、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第１の温度で押圧し、絶縁樹脂層を流動化させる工程と、樹脂密着フィルムを剥離して、バンプの上端部に残存する絶縁樹脂層を除去し、当該上端部を樹脂絶縁層から露出させる工程とを含むことができる
【００２２】
また、本発明の一例において、前記第４の工程は、第１の金属箔に対して、第２の配線基板ユニットの配線層となる第２の金属箔を、絶縁樹脂層を介して、第１の温度よりも高い第２の温度で押圧し、絶縁樹脂層及びバンプを硬化させるとともに、当該絶縁樹脂層上に第２の金属箔（第２の配線基板ユニット）を積層する工程とを含むことができる。
【００２３】
これらの場合においては、第１の金属箔上に導電性ペーストからなるバンプを形成した後、第１の金属箔に対して繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第１の温度で押圧するようにしている。このとき、絶縁樹脂層は温度の上昇とともに粘度が低下して流動化するようになるので、押圧の際にバンプの上端部に残存している絶縁樹脂層が排除され、当該上端部には絶縁樹脂層の一部からなる薄皮のみが残存するようになる。
【００２４】
このとき、バンプの上端部に残存した樹脂絶縁層の薄皮には樹脂密着フィルムが密着している。絶縁樹脂層の薄皮は大部分が樹脂から構成されているため、大部分が金属から構成されている異種材料のバンプに対する密着力よりも、大部分あるいは総てが樹脂から構成されている同種材料の樹脂密着フィルムに対する密着力の方が大きい。
【００２５】
したがって、樹脂密着フィルムを絶縁樹脂層から剥離しようとすると、当該樹脂密着フィルムには樹脂絶縁層の薄皮が密着して共に剥離されるようになる。この結果、バンプの上端部に残存した樹脂絶縁層の薄皮が剥離され、バンプの上端部が露出するようになる。
【００２６】
このため、後に第１の温度より高い第２の温度で再度第２の金属箔を第１の金属箔に対して押圧して積層プレスを行う際に、第２の金属箔は、絶縁樹脂層から露出した硬化後のバンプ（ビア）の上端部と確実に結合するようになり、これによって、後に配線層となる第１の金属箔及び第２の金属箔は高い信頼性の下に電気的に接続されるようになる。結果として、層間接続体（ビア）によって配線層間の電気的導通を十分に保持することができ、信頼性に優れた多層配線基板を提供することができるようになる。
【００２７】
また、本発明の一例において、上記バンプの形状を円錐形状とすることができる。この場合、バンプの上端部が鋭角となっているので、絶縁樹脂層を第１の配線基板ユニットに積層する場合に、当該絶縁樹脂層を簡易に貫通することができるようになる。
【００２８】
以上のような製造方法の工程を経ることにより、本願発明の、
少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第１の配線基板ユニットと、
少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第２の配線基板ユニットと、
前記第１の配線基板ユニットと前記第２の配線基板ユニットとの間に介在する絶縁部材と、当該絶縁部材を貫通し、前記第１の配線基板ユニットの配線層及び前記第２の配線基板ユニットの配線層間を電気的に接続する導電性組成物からなる層間接続体と、
を具えることを特徴とする、多層配線基板を得ることができる。
【００２９】
本発明の多層配線基板においては、第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニット間に弾性に優れた導電性ペースト（導電性組成物）からなる層間接続体（ビア）が形成されているので、当該多層配線基板における縦方向における引張応力等を緩和することができる。したがって、高強度かつ信頼性に優れた多層配線基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上、本発明によれば、例えば配線層が１０層以上の多層配線基板において、リードタイムを短縮化することができるとともに、製造コストを減少させ、さらには信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】第１の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】第１の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】第１の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】第２の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】第２の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】第２の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】第２の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】第３の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】第３の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】第３の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】第３の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】第３の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】第３の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の具体的特徴について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。
【００３３】
（第１の実施形態）
図１〜図４は、本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【００３４】
最初に、図１に示すように第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０を準備する（第１の工程）。本実施形態においては、第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０のいずれも、コア基板１１と、コア基板１１の両面にビルドアップ層１２及び１３が積層された構成を採っている。
【００３５】
コア基板１１は、絶縁部材１１１の両主面に第１の配線層１２１及び第２の配線層１２２が配設されており、絶縁部材１１１の内部において、第３の配線層１２３及び第４の配線層１２４が形成されたような構成を採っている。なお、これらの配線層は互いに平行かつ相対向するようにして配設されている。また、コア基板１１の両主面に形成された第１の配線層１２１及び第２の配線層１２２は、絶縁部材１１１を貫通するようにして形成されたスルーホールビア１１３によって電気的に接続されている。
【００３６】
コア基板１１の一方の主面に形成されたビルドアップ層１２は、コア基板１１の第１の配線層１２１上に順次に積層された絶縁部材１２１及び配線層１２２からなる。なお、コア基板１１の第１の配線層１２１とビルドアップ層１２の配線層１２２とは、例えば銅などの金属からなる層間接続体（ビア）１２３で電気的に接続されている。
【００３７】
コア基板１１の他方の主面に形成されたビルドアップ層１３は、コア基板１１の第２の配線層１２２上に順次に積層された絶縁部材１３１及び配線層１３２からなる。なお、コア基板１１の第２の配線層１２２とビルドアップ層１３の配線層１３２とは、例えば銅などの金属からなる層間接続体（ビア）１３３で電気的に接続されている。
【００３８】
なお、図１に示すような第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０は、同一の構成を有しているため、互いに同一の工程において製造することもできるし、大型の配線基板を製造した後、この配線基板を適宜切断することによって製造することもできる。
【００３９】
第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０が、このような同一の構成を有することによって同一の工程で製造できるということは、以下に説明するように、本実施形態における種々の作用効果を享受することができる。
【００４０】
但し、第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０が、同一の工程で製造できれば、これらの形態は、図１に示すようなものに限定されず、必要に応じた形態に形成することができる。
【００４１】
なお、コア基板１１における絶縁部材１１１、ビルドアップ層１２及び１３の絶縁部材１２１及び１３１は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリイミド樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂，メラミン樹脂，あるいはブタジェンゴム，ブチルゴム，天然ゴム，ネオプレンゴム，シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
【００４２】
また、コア基板１１における第１の配線層１２１等や、ビルドアップ層１２及び１３における配線層１２２及び１３２、層間接続体（ビア）１２３及び１３３、さらには、スルーホールビア１１３等は、電気的良導体、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等から構成することができる。
【００４３】
次いで、図２に示すように、第１の配線基板ユニット１０の第２の配線層１２２上に、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの任意の方法で導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプ１５Ｘを形成する（第２の工程）。
【００４４】
バンプ１５Ｘ、すなわち導電性ペーストは、たとえば銀，金，銅，半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合（混合）金属粉末と、例えばポリカーボネート樹脂，ポリスルホン樹脂，ポリエステル樹脂，フェノキシ樹脂，フェノール樹脂，ポリイミド樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成する。なお、バンプ１５Ｘ中には、焼結助剤として、錫、ビスマスなどを含有させることもできる。
【００４５】
次いで、バンプ１５Ｘを乾燥させて硬化させた後、図３に示すように、ロールラミネーターや真空ラミネーターなどの図示しない装置を用い、第１の配線基板ユニット１０上に、バンプ１５Ｘの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層１６Ｘを形成する（第３の工程）。
【００４６】
この絶縁樹脂層１６Ｘは、上述したコア基板１１における絶縁部材１１１等と同様に、例えばエポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリイミド樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂，メラミン樹脂，あるいはブタジェンゴム，ブチルゴム，天然ゴム，ネオプレンゴム，シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
【００４７】
また、絶縁樹脂層１６Ｘを形成する場合には、その溶融粘度を例えば１×１０1Ｐａ・ｓ以上１×１０５Ｐａ・ｓ以下に設定して行う。なお、当該溶融粘度は、３００ｍｍ〜５００ｍｍ□及び厚さ３００μｍの試験片を用い、TA instrument社製（型番ＡＲＥＳ−Ｇ２）でレオメータ測定を行い、最低の溶融粘度から求めた値である。
【００４８】
次いで、図４に示すように、第１の配線基板ユニット１０上において、絶縁樹脂層１６Ｘを介して第２の配線基板ユニット２０を加熱下押圧し、バンプ１５Ｘの上端部を第２の配線基板ユニット２０の第１のビルドアップ層１２の配線層１２２によって圧接するとともに、絶縁樹脂層１６Ｘ及びバンプ１５Ｘを硬化させて、第１の配線基板ユニット１０と第２の配線基板ユニット２０とがバンプ１５Ｘ（層間接続体（ビア）１５）を介して電気的に接続されるとともに、第１の配線基板ユニット１０上に絶縁樹脂層１６Ｘ（絶縁部材１６）を介して第２の配線基板ユニット２０が積層されてなる多層配線基板３０を得る。
【００４９】
このように、本実施形態によれば、予め複数の配線層１２１，１２２，１２３，１２４が形成されたコア基板１１と、コア基板１１の両主面に形成された第１のビルドアップ層１２及び１３とを有する、同一態様の第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０を準備し、これら第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０を積層するのみで多層配線基板３０を得るようにしている。
【００５０】
第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０は、同じような配線ルールを有するので、同一の工程で製造できる。したがって、ビルドアップ工法によって配線層を形成して多層配線基板を製造する場合に比較して、少なくとも第１の配線基板ユニット１０あるいは第２の配線基板ユニット２０のビルドアップ工程の回数を低減できるので、配線層の積層状態にずれが生じるための歩留り低下、及びこれに伴う製造コストの増大という問題を回避することができる。また、リードタイムの短縮化も図ることができ、製造コストのさらなる低減を図ることができる。
【００５１】
また、高アスペクト比のスルーホールを形成する必要がないので、当該スルーホールを形成する際のドリルでの孔開けの際のドリル折れを防止することができる。さらに、スルーホールめっきを比較的簡易に行うことができるので、歩留りの低下を抑制し、製造コストの増大も抑制することができる。また、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行う場合のようなめっき厚の変動を抑制でき、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが生じて、信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
【００５２】
また、オールスタックレーザービアの多層配線基板のように、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
【００５３】
また、本実施形態の多層配線基板３０によれば、第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０間に弾性に優れた導電性ペースト（導電性組成物）からなる層間接続体（ビア）１５が形成されているので、多層配線基板３０における縦方向における引張応力等を緩和することができる。したがって、高強度かつ信頼性に優れた多層配線基板３０を得ることができる。
【００５４】
なお、上記実施形態では、同一形態の第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０のみを準備して、これを絶縁樹脂層１６Ｘを介して積層して多層配線基板３０を製造するようにしている。しかしながら、３以上の同一形態の配線基板ユニットを製造して準備しておき、これら配線基板ユニットを上述のように絶縁樹脂層１６Ｘを介して互いに積層するようにすれば、上述した作用効果を有するより層数の多い多層配線基板の製造方法を提供することができ、上述した作用効果を有する多層配線基板を得ることもできる。
【００５５】
また、例えば、異なった形態の第１の配線基板ユニット１０及び第２の配線基板ユニット２０を別々に準備し、これらを絶縁樹脂層１６Ｘを介して積層して多層配線基板３０を製造することもできる。
【００５６】
（第２の実施形態）
図５〜図８は、本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。なお、第１の実施形態の図１〜図４に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については、類似あるいは同一の符号を用いて表す。
【００５７】
最初に、図５に示すように、支持板１１の両主面上に、離型フィルム４２を介して第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４を形成する。
【００５８】
支持板１１は、金属基板とすることができる。金属基板とすることにより、製造プロセス上におけるハンドリング性を良好に維持することができる。また、基板を部分的に除去して、これらの残留する部分を支持枠体として機能させようとする場合、ビルドアップ層の強度を十分に補強することができ、支持枠体としての機能を十分に果たすことができる。例えばＣｕ、Ｃｕ合金、ＳＵＳ（ＪＩＳ規格）、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、インバー、インバー合金等を使用することができる。
【００５９】
離型フィルム４２は、例えば一対のフィルム間に熱可塑性樹脂からなるクッション材を挟み且つその周縁で上記フィルムにより密封したシート状のものである。なお、上記クッション材には、柔軟性（弱い弾性）を有する熱可塑性樹脂（商品名：パコタンプラス）が用いられる。なお、このようなクッション材を使用する代わりに、ＰＥＴフィルムや、フッ素樹脂（登録商標：テフロン）フィルムなどを使用してもよい。
【００６０】
第１のビルドアップ層１３は、支持板１１の主面から外方に向けて、順に第１の配線層１３１、第１の絶縁層１３５、第２の配線層１３２、第２の絶縁層１３６及び第３の配線層１３３が積層されてなり、第１の配線層１３１及び第２の配線層１３２間は第１の層間接続体１３７で電気的に接続されており、第２の配線層１３２及び第３の配線層１３３間は第２の層間接続体１３８で電気的に接続されている。
【００６１】
第２のビルドアップ層１４は、支持板１１の主面から外方に向けて、順に第１の配線層１４１、第１の絶縁層１４５、第２の配線層１４２、第２の絶縁層１４６及び第３の配線層１４３が積層されてなり、第１の配線層１４１及び第２の配線層１４２間は第１の層間接続体１４７で電気的に接続されており、第２の配線層１４２及び第３の配線層１４３間は第２の層間接続体１４８で電気的に接続されている。
【００６２】
なお、図５に示すような第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４は、類似した配線ルールを有しているため、互いに同一の工程において製造することもできるが、異なる工程で製造することもできる。
【００６３】
但し、第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４が、このような同一の構成を有することによって同一の工程で製造できるということは、以下に説明するように、本実施形態における種々の作用効果を享受することができる。
【００６４】
なお、ビルドアップ層１３及び１４における第１の配線層１３１及び１４１等や、層間接続体１３７及び１４７等は、電気的良導体、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等から構成することができる。
【００６５】
ビルドアップ層１３及び１４における第１の絶縁部材１３５及び１４５等は、例えばエポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリイミド樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂，メラミン樹脂，あるいはブタジェンゴム，ブチルゴム，天然ゴム，ネオプレンゴム，シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
【００６６】
次いで、図６に示すように、支持板１１より離型フィルム４２を介して第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４を剥離した後（第１の工程）、第２のビルドアップ層１４の第３の配線層１４３上に、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの任意の方法で導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプ１５Ｘを形成する（第２の工程）。
【００６７】
バンプ１５Ｘ、すなわち導電性ペーストは、たとえば銀，金，銅，半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合（混合）金属粉末と、例えばポリカーボネート樹脂，ポリスルホン樹脂，ポリエステル樹脂，フェノキシ樹脂，フェノール樹脂，ポリイミド樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成する。なお、バンプ１５Ｘ中には、焼結助剤として、錫、ビスマスなどを含有させることもできる。
【００６８】
次いで、図７に示すように、バンプ１５Ｘを乾燥させて硬化させた後、ロールラミネーターや真空ラミネーターなどの図示しない装置を用い、第２のビルドアップ層１４上に、バンプ１５Ｘの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層１６Ｘを形成する（第３の工程）。
【００６９】
この絶縁樹脂層１６Ｘは、上述したビルドアップ層１３及び１４における第１の絶縁部材１３５及び１４５等と同様に、例えばエポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリイミド樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂，メラミン樹脂，あるいはブタジェンゴム，ブチルゴム，天然ゴム，ネオプレンゴム，シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
【００７０】
また、絶縁樹脂層１６Ｘを形成する場合には、その溶融粘度を例えば１×１０1Ｐａ・ｓ以上１×１０５Ｐａ・ｓ以下に設定して行う。なお、当該溶融粘度は、３００ｍｍ〜５００ｍｍ□及び厚さ３００μｍの試験片を用い、TA instrument社製（型番ＡＲＥＳ−Ｇ２）でレオメータ測定を行い、最低の溶融粘度から求めた値である。
【００７１】
次いで、図８に示すように、第２のビルドアップ層１４上において、絶縁樹脂層１６Ｘを介して第１のビルドアップ層１３を加熱下押圧し、バンプ１５Ｘの上端部を第１のビルドアップ層１３の第３の配線層１３３によって圧接するとともに、絶縁樹脂層１６Ｘ及びバンプ１５Ｘを硬化させて、第１のビルドアップ層１３と第２のビルドアップ層１４とがバンプ１５Ｘ（層間接続体（ビア）１５）を介して電気的に接続されるとともに、第２のビルドアップ層１４上に絶縁樹脂層１６Ｘ（絶縁部材１６）を介して第１のビルドアップ層１４が積層されてなる多層配線基板３０を得る（第４の工程）。
【００７２】
このように、本実施形態によれば、支持板１１を利用して予め複数の配線層１３１〜１３３を有する第１のビルドアップ層１３、及び複数の配線層１４１〜１４３を有する第２のビルドアップ層１４を準備し、これら第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４を積層するのみで多層配線基板３０を得るようにしている。
【００７３】
したがって、ビルドアップ工法によって配線層を形成して多層配線基板を製造する場合に比較して、少なくとも第１のビルドアップ層１３あるいは第２のビルドアップ層１４のビルドアップ工程の回数を低減できるので、配線層の積層状態にずれが生じるための歩留り低下、及びこれに伴う製造コストの増大という問題を回避することができる。また、リードタイムの短縮化も図ることができ、製造コストのさらなる低減を図ることができる。
【００７４】
また、高アスペクト比のスルーホールを形成する必要がないので、当該スルーホールを形成する際のドリルでの孔開けの際のドリル折れを防止することができる。さらに、スルーホールめっきを比較的簡易に行うことができるので、歩留りの低下を抑制し、製造コストの増大も抑制することができる。また、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行う場合のようなめっき厚の変動を抑制でき、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが生じて、信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
【００７５】
また、オールスタックレーザービアの多層配線基板のように、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
【００７６】
さらに、第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４が類似した配線ルールを採るようにすることによって、支持板上において同一のリードタイムで第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４を形成することができる。したがって、多層配線基板３０の全体を製造する際のリードタイムをも低減することができる。
【００７７】
また、本実施形態の多層配線基板３０によれば、第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４間に弾性に優れた導電性ペースト（導電性組成物）からなる層間接続体（ビア）１５が形成されているので、多層配線基板３０における縦方向における引張応力等を緩和することができる。したがって、高強度かつ信頼性に優れた多層配線基板３０を得ることができる。
【００７８】
さらに、本実施形態では、第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを、それぞれ支持板１１の両主面上において、離型フィルム４２を介して、支持板１１の主面から外方に向けて、順に第１の配線層１３１、第１の絶縁層１３５、第２の配線層１３２、第２の絶縁層１３６及び第３の配線層１３３が積層されてなる第１のビルドアップ層１３から構成し、支持板１１の主面から外方に向けて、順に第１の配線層１４１、第１の絶縁層１４５、第２の配線層１４２、第２の絶縁層１４６及び第３の配線層１４３が積層されてなる第２のビルドアップ層１４から構成している。したがって、第１の配線基板ユニット及び第２の配線基板ユニットを簡易な方法で準備することができるので、上述した本発明の作用効果をより確実に奏することができるようになる。
【００７９】
なお、上記実施形態では、単一の支持板を用い、この両主面上にそれぞれ単一の第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４を形成するようにしたが、複数の支持板を用い、これらの両主面上に第１のビルドアップ層１３及び第２のビルドアップ層１４を形成するようにすれば、上述した作用効果を有するより層数の多い多層配線基板の製造方法を提供することができ、上述した作用効果を有する多層配線基板を得ることもできる。
【００８０】
（第３の実施形態）
図９〜図１４は、本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図であり、本実施形態における特徴を明確にすべく、１つのバンプの近傍の領域を拡大して示している。なお、本実施形態は、第１の実施形態における第２の工程から第４の工程までの具体例について説明する。
【００８１】
最初に、図９に示すように、第１の配線基板ユニット１０のビルドアップ層１３における配線層１３２となる第１の金属箔１３２Ｘ上に、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの任意の方法で導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプ１５Ｘを形成する。
【００８２】
第１の金属箔１３２Ｘは、後に多層配線基板の配線層を構成することから、銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）などの電気的良導体から構成する。また、第１の金属１３２Ｘの厚さｔ１は、例えば１．５μｍ〜 ４０μｍとする。
【００８３】
バンプ１５Ｘを構成する導電性ペーストは、たとえば銀，金，銅，及びＡｇ半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合（混合）金属粉末と、例えば例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成する。
【００８４】
また、バンプ１５Ｘを構成する導電性ペーストは、少なくともＳｎ，Ｂｉ，Ｃｕ及びＡｇなどの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合（混合）金属粉末と、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成することができる。
【００８５】
この場合、以下に説明するように、導電性ペーストからなるバンプを形成し、適宜乾燥した後、第１の金属箔に対して繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層を配設して加熱し、バンプの上端部が絶縁樹脂層から露出した後、第２の金属箔を当該絶縁樹脂層を介して加熱下押圧した際に、上記バンプを構成する金属のうち、銅、錫あるいはビスマスが焼結助剤として機能するようになり、例えば上記加熱によって液相となって、上記バンプは樹脂等のバインダー成分を含む金属焼結体となる。
【００８６】
この結果、従来のように、多層配線基板を構成するバンプ（加熱硬化後のビア）中に銀などの粒子が含有されている場合に比較して、粒子間の界面減少によるバンプ（ビア）の表面積が減少するので、バンプ（ビア）の表面積が減少して、高速伝送時に表皮効果による導体損失が減少する。さらにはバンプ（ビア）及び第２の金属箔１４間で合金層を形成するようになる。この結果、信号遅延が発生してしまうという問題を抑制することができる。
【００８７】
また、本実施形態において、バンプ１５Ｘは円錐台形状を呈しており、その高さｈは例えば１５μｍ〜２００μｍの範囲とすることができ、下面の直径Ｒは１０μｍ〜２００μｍの範囲とすることができる。なお、バンプ１５Ｘの形状はその他、円錐形状等の任意の形状とすることができる。
【００８８】
次いで、図１０に示すように、第１の金属箔１３２Ｘ上に、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層１６及び樹脂密着フィルム５４を配設し、図１１に示すように、ロールラミネーターや真空ラミネーターなどの図示しないプレス装置を用い、第１の金属箔１３２Ｘに対して、絶縁樹脂層１６及び樹脂密着フィルム５４を第１の温度で押圧する。
【００８９】
絶縁樹脂層１６は、その厚さｔ２が例えば１０μｍ〜４０μｍの範囲であって、第１の温度による加熱によって流動化し、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡに残存する絶縁樹脂層１６が、図中矢印で示すように、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡから側面１５ＸＢに向けて流れ、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡに例えば厚さ数ｎｍ〜３μｍの絶縁樹脂層１６からなる薄皮１６１のみが残存するようにする。
【００９０】
このためには、絶縁樹脂層１６の第１の温度における溶融粘度の上限値が１×１０５Ｐａ・ｓであることが好ましく、さらには１×１０４Ｐａ・ｓであることが好ましい。当該溶融粘度が上記値を超えて大きくなると、絶縁樹脂層１６が十分に流動しきれず、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡに樹脂残渣が比較的多量に存在し、樹脂密着フィルム５４で除去できる厚さの薄皮１６１を形成できない場合がある。
【００９１】
また、絶縁樹脂層１６の第１の温度における溶融粘度の下限値が１×１０1Ｐａ・ｓであることが好ましく、さらには１×１０2Ｐａ・ｓであることが好ましい。当該溶融粘度が、上記値より小さくなると、絶縁樹脂層１６の厚さを制御することが困難になる場合がある。
【００９２】
なお、当該溶融粘度は、３００ｍｍ〜５００ｍｍ□及び厚さ３００μｍの試験片を用い、TA instrument社製（型番ＡＲＥＳ−Ｇ２）でレオメータ測定を行い、最低の溶融粘度から求めた値である。
【００９３】
絶縁樹脂層１６を構成する絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びシアネート樹脂などを挙げることができる。
【００９４】
また、絶縁樹脂層１６を上述のような絶縁樹脂から構成する場合、上記第１の温度は、例えば８０℃〜１６０℃の範囲に設定することができる。
【００９５】
樹脂密着フィルム５４は、その厚さｔ３が例えば２０μｍ〜１００μｍの範囲であって、例えば、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡに残存した樹脂絶縁層１６の薄皮１６１に樹脂密着フィルム５４が密着した際に、バンプに対する密着力よりも当該薄皮１６１に対する密着力が大きいことが必要である。かかる観点より、樹脂密着フィルム５４を構成する樹脂としては、ＰＴＦＥ系樹脂、ＰＥＴ系樹脂、ポリカーボネート系樹脂及びポリイミド系樹脂などを挙げることができる。
【００９６】
次いで、図１２に示すように、樹脂密着フィルム５４を絶縁樹脂層１６から剥離する。このとき、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡに残存した樹脂絶縁層１６の薄皮１６１には樹脂密着フィルム５４が密着している。絶縁樹脂層１６の薄皮１６１は大部分が樹脂から構成されているため、大部分が金属から構成されている異種材料のバンプ１５Ｘに対する密着力よりも、大部分あるいは総てが樹脂から構成されている同種材料の樹脂密着フィルム５４に対する密着力の方が大きい。
【００９７】
したがって、樹脂密着フィルム５４を剥離しようとすると、当該樹脂密着フィルム５４には樹脂絶縁層１６の薄皮１６１が密着して共に剥離されるようになる。この結果、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡに残存した樹脂絶縁層１６の薄皮１６１が剥離され、バンプ１５Ｘ上端部１５ＸＡが樹脂絶縁層１６から露出するようになる。
【００９８】
次いで、図１３及び図１４に示すように、さらに第１の金属箔１３２Ｘに対して、図示しないプレス装置により、第２の配線基板ユニット２０の第１のビルドアップ層１２における第１の配線層１２２となる第２の金属箔１２２Ｘを、絶縁樹脂層１６を介して、第１の温度よりも高い第２の温度で押圧し、絶縁樹脂層１６及びバンプ１５Ｘを硬化させるとともに、絶縁樹脂層１６上に第２の金属箔１２２Ｘを積層する（積層プレス）。これによって、第１の金属箔１３２Ｘは、第１の配線基板ユニット１０のビルドアップ層１３における配線層１３２となり、第２の金属箔１２２Ｘは、第２の配線基板ユニット２０の第１のビルドアップ層１２における第１の配線層１２２となる。
【００９９】
第２の金属箔１２２Ｘも、後に多層配線基板の配線層を構成することから、銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）などの電気的良導体から構成する。また、第２の金属箔１２２Ｘの厚さｔ４は、例えば１．５μｍ〜４０μｍとする。
【０１００】
なお、第２の温度は、第１の温度よりも高く、絶縁樹脂層１６及びバンプ１５Ｘを硬化させる温度であるので、例えば１６０℃〜２３０℃の温度範囲に設定することができる。
【０１０１】
以上、本実施形態の製造方法によれば、上述したように、第１の金属箔１３２Ｘ上に導電性ペーストからなるバンプ１５Ｘを形成した後、第１の金属箔１３２Ｘに対して繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層１６及び樹脂密着フィルム５４を第１の温度で押圧するようにしている。このとき、絶縁樹脂層１６は温度の上昇とともに粘度が低下して流動化するようになるので、押圧の際にバンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡに残存している絶縁樹脂層１６が排除され、当該上端部１５ＸＡには薄皮１６１のみが残存する。そして、当該薄皮１６１は、樹脂密着フィルム５４によって剥離され、バンプ１５Ｘの上端部１５ＸＡが絶縁樹脂層１６から露出するようにしている。
【０１０２】
したがって、後に第１の温度より高い第２の温度で再度第２の金属箔１２２Ｘを第１の金属箔１３２Ｘに対して押圧して積層プレスを行う際に、第２の金属箔１２２Ｘは、絶縁樹脂層１６から露出した硬化後のバンプ（ビア）１５Ｘの上端部１５ＸＡと確実に結合するようになり、これによって、後に配線層となる第１の金属箔１３２Ｘ及び第２の金属箔１２２Ｘは高い信頼性の下に電気的に接続されるようになる。結果として、層間接続体（ビア）よって配線層間の電気的導通を十分に保持することができ、信頼性に優れた多層配線基板を提供することができるようになる。
【０１０３】
また、本実施形態では、多層配線基板を構成する絶縁部材を繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層１６から構成しているので、絶縁部材の厚さを狭小化することができる。したがって、多層配線基板の微細化及び高密度を図ることもできる。
【０１０４】
なお、本実施形態において、樹脂密着フィルム５４の弾性率は５００ＭＰａ以下であることが好ましい。この場合、第１の金属箔に対して、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第１の温度で押圧する際に、当該樹脂密着フィルムによってバンプの形状が変化するのを抑えることができる。
【０１０５】
また、樹脂密着フィルム５４の弾性率の下限値は特に限定されるものではないが、例えば１００ＭＰａとすることができる。樹脂密着フィルム５４の弾性率の下限値が上記値よりも小さいと、樹脂密着フィルム５４に対してバンプ（ビア）１５Ｘの上端部が当たった部位で当該フィルム５４が追従してしまい、バンプ（ビア）１５Ｘ上の樹脂層を薄くすることができない。このため、バンプ（ビア）１５Ｘが、絶縁樹脂層１６を貫通した後に、樹脂層がバンプ（ビア）１５Ｘの先端に残ってしまい、プレス後でも界面に樹脂が残存してしまう場合がある。したがって、バンプ（ビア）１５Ｘと第２の金属箔１２２Ｘとの接続信頼性が低下してしまう場合がある。
【０１０６】
なお、上記弾性率は、樹脂密着フィルム５４から１００ｍｍ□の試験片を切り出し、株式会社エリオニクス社製、超微小押込み硬さ試験機（型番ＥＮＴ−１１００ａ）にて、試験荷重５ｍＮ，保持時間１ｓで得た値である。
【０１０７】
また、本実施形態では、第１の実施形態における第２の工程から第４の工程までの具体例について説明したが、第２の実施形態における第２の工程から第４の工程までの具体例についても同様に説明することができる。
【０１０８】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０  第１の配線基板ユニット
１１  コア基板、支持板
１２、１３  第１のビルドアップ層
１３、１４  第２のビルドアップ層
１５Ｘ  導電性ペーストからなるバンプ
１５  層間接続体（ビア）  
１６Ｘ  樹脂絶縁層
１６  絶縁部材
２０  第２の配線基板ユニット
３０  多層配線基板
４２  離型フィルム
５４  樹脂密着フィルム
【図１】
2015201637.tif 000003
【図２】
2015201637.tif 000004
【図３】
2015201637.tif 000005
【図４】
2015201637.tif 000006
【図５】
2015201637.tif 000007
【図６】
2015201637.tif 000008
【図７】
2015201637.tif 000009
【図８】
2015201637.tif 000010
【図９】
2015201637.tif 000011
【図１０】
2015201637.tif 000012
【図１１】
2015201637.tif 000013
【図１２】
2015201637.tif 000014
【図１３】
2015201637.tif 000015
【図１４】
2015201637.tif 000016