(57)【要約】【課題】テスト用素子の除去を確実に行なうことができるウエーハの切削方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの切削方法はチャックテーブルと切削手段とを備えた切削装置を用いる。ウエーハの切削方法は除去工程と分割工程などから構成される。除去工程では先端がＶ形状に形成された第一の切削ブレード２１ａをウエーハＷの途中まで切り込み分割予定ラインＬに沿って切削を行い切削溝Ｒを形成しつつ分割予定ラインＬ上のＴＥＧ２００を除去する。分割工程では切削溝Ｒに沿って切削溝Ｒの幅よりも細い幅の第二の切削ブレードでウエーハＷの完全切断を行い複数のデバイスＤに分割する。除去工程においてはウエーハＷの分割予定ラインＬ毎のＴＥＧ２００の最大幅を除去できる切削溝Ｒ幅になるように第一の切削ブレード２１ａの切り込み量が分割予定ラインＬ毎に設定されている。【選択図】図３
2015072986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを含む切削手段とを少なくとも備えた切削装置を用い、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的に切削送り及び割り出し送りし、テスト用素子が形成された分割予定ラインによって複数のデバイスが区画されて形成されたウエーハの該分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割するウエーハの切削方法であって、
先端がＶ形状に形成された第一の切削ブレードをウエーハの途中まで切り込み該分割予定ラインに沿って切削を行い切削溝を形成しつつ該分割予定ライン上の該テスト用素子を除去する除去工程と、
該除去工程を実施した後に該切削溝に沿って該切削溝の幅よりも細い幅の該第二の切削ブレードでウエーハの完全切断を行い複数のデバイスに分割する分割工程と、から構成され、
該除去工程においては、ウエーハの該分割予定ライン毎の該テスト用素子の最大幅を除去できる切削溝幅になるように、表面からの該第一の切削ブレードの切り込み量が該分割予定ライン毎に設定されていること、を特徴とするウエーハの切削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハに形成された分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成されたウエーハは、高速回転する切削ブレードを用いて分割予定ラインを縦横に切削して分離させることにより個々のデバイスに分割される。切削時には、分割予定ラインの中央部に切削ブレードを位置付け、分割予定ラインの中央部を切削することとしている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、デバイスを区画する分割予定ラインに、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）と呼ばれるデバイスの特性を検査するためのテスト用素子が複数形成されているタイプのウエーハを分割する場合においても、切削ブレードの切り刃部を用いてテスト用素子を含めて、分割予定ラインの中央部を切削する。このように切削することで、分割予定ラインの中央部に切り溝が形成される。そして、すべての分割予定ラインを、同様に切削することによって個々のデバイスに分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３１１０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＴＥＧを切削ブレードで除去する際には、ＴＥＧを不完全に除去すると、ウエーハの表面に残存したＴＥＧが剥がれてしまうとともに、ウエーハの表面膜も剥離してしまう問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題にかんがみなされたもので、その目的は、テスト用素子の除去を確実に行うことができるウエーハの切削方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの切削方法は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを含む切削手段とを少なくとも備えた切削装置を用い、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的に切削送り及び割り出し送りし、テスト用素子が形成された分割予定ラインによって複数のデバイスが区画されて形成されたウエーハの該分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割するウエーハの切削方法であって、先端がＶ形状に形成された第一の切削ブレードをウエーハの途中まで切り込み該分割予定ラインに沿って切削を行い切削溝を形成しつつ該分割予定ライン上の該テスト用素子を除去する除去工程と、該除去工程を実施した後に該切削溝に沿って該切削溝の幅よりも細い幅の該第二の切削ブレードでウエーハの完全切断を行い複数のデバイスに分割する分割工程と、から構成され、該除去工程においては、ウエーハの該分割予定ライン毎の該テスト用素子の最大幅を除去できる切削溝幅になるように、表面からの該第一の切削ブレードの切り込み量が該分割予定ライン毎に設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、テスト用素子の幅に応じて、各分割予定ライン毎に、全てのテスト用素子を除去可能な幅の切削溝になるように、Ｖ形状の第一の切削ブレードの切り込み量を設定するので、テスト用素子の除去を確実に行うことができる。また、本発明は、すべての分割予定ラインに形成されたテスト用素子のうちの最大の幅のテスト用素子を除去可能な幅の切削溝により、全ての分割予定ラインに切削溝を形成する場合に比べて、テスト用素子の無い分割予定ラインでの切り込み量を低減できるので、Ｖ形状の第一の切削ブレードの先端摩耗を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係るウエーハの切削方法に用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態に係るウエーハの切削方法により個々のデバイスに分割されるウエーハの要部の断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係るウエーハの切削方法の除去工程の概要を示す断面図である。
【図４】図４は、実施形態に係るウエーハの切削方法の分割工程の概要を示す断面図である。
【図５】図５は、実施形態に係るウエーハの切削方法に用いられる切削装置の制御手段に記憶された幅情報を示す図である。
【図６】図６は、実施形態に係るウエーハの切削方法に用いられる切削装置の制御手段に記憶された切り込み量情報を示す図である。
【図７】図７は、切削前の分割予定ラインを撮像して得た画像を示した図である。
【図８】図８は、切り込み量を１０μｍとして切削した後の分割予定ラインを撮像して得た画像を示した図である。
【図９】図９は、切り込み量を２０μｍとして切削した後の分割予定ラインを撮像して得た画像を示した図である。
【図１０】図１０は、切り込み量を３０μｍとして切削した後の分割予定ラインを撮像して得た画像を示した図である。
【図１１】図１１は、切り込み量を４０μｍとして切削した後の分割予定ラインを撮像して得た画像を示した図である。
【図１２】図１２は、切り込み量を４６μｍとして切削した後の分割予定ラインを撮像して得た画像を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１１】
〔実施形態〕
実施形態に係るウエーハの切削方法を、図１から図６に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るウエーハの切削方法に用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。図２は、実施形態に係るウエーハの切削方法により個々のデバイスに分割されるウエーハの要部の断面図である。図３は、実施形態に係るウエーハの切削方法の除去工程の概要を示す断面図である。図４は、実施形態に係るウエーハの切削方法の分割工程の概要を示す断面図である。図５は、実施形態に係るウエーハの切削方法に用いられる切削装置の制御手段に記憶された幅情報を示す図である。図６は、実施形態に係るウエーハの切削方法に用いられる切削装置の制御手段に記憶された切り込み量情報を示す図である。
【００１２】
実施形態に係るウエーハの切削方法（以下、単に、切削方法と記す）は、図１に示された切削装置１を用いて、ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する方法である。
【００１３】
なお、本実施形態に係る切削方法により個々のデバイスＤに分割されるウエーハＷは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図１に示すように、ＴＥＧ２００（図２などに示し、テスト用素子に相当）が形成された分割予定ラインＬによって複数のデバイスＤが区画されて形成されたものである。ＴＥＧ２００は、デバイスＤの特性を検査するためのものである。ウエーハＷは、複数のデバイスＤが形成された表面Ｗａに保護膜（図示せず）が形成されており、表面Ｗａの裏側の裏面ＷｂにダイシングテープＴが貼着され、ダイシングテープＴに環状フレームＦが貼着されて、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦに貼着される。
【００１４】
なお、ウエーハＷの分割予定ラインＬ上に形成されたＴＥＧ２００の位置や幅は、分割予定ラインＬ毎に適宜設定されている。即ち、全長に亘ってＴＥＧ２００が形成される分割予定ラインＬもあり、一箇所又は複数箇所にＴＥＧ２００が形成される分割予定ラインＬもあり、ＴＥＧ２００が全く形成されない分割予定ラインＬもある。また、幅の異なる複数のＴＥＧ２００が形成された分割予定ラインＬもある。また、ウエーハＷの複数の分割予定ラインＬには、同じ位置に同じ幅のＴＥＧ２００が形成された分割予定ラインＬが複数存在することもあり、全ての分割予定ラインＬ上に形成されたＴＥＧ２００の位置や幅が異なることもある。
【００１５】
例えば、図２に示された場合では、左側の分割予定ラインＬ（以下、Ｌ１と記す）に形成されたＴＥＧ２００の幅が中央の分割予定ラインＬ（以下、Ｌ２と記す）に形成されたＴＥＧ２００の幅よりも大きく形成されている。また、図２に示された場合では、右側の分割予定ラインＬ（以下、Ｌ３と記す）には、ＴＥＧ２００が全く形成されていない。
【００１６】
切削方法に用いられる切削装置１は、ウエーハＷを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを切削する切削ブレード２１ａ，２１ｂを含む切削手段２０ａ，２０ｂとを少なくとも備える。切削装置１は、図１に示すように、切削手段２０ａ，２０ｂ（以下、第一の切削手段及び第二の切削手段と記す）を２つ備えた、即ち、２スピンドルのダイサ、いわゆるフェイシングデュアルタイプの切削装置である。
【００１７】
切削装置１は、第一の切削手段２０ａを用いて、分割予定ラインＬに沿って切削を行い切削溝Ｒ（図４に示す）を形成した後、第二の切削手段２０ｂを用いて、切削溝Ｒに沿って切削を行いウエーハＷの完全切断を行って、ウエーハＷを複数のデバイスＤに分割するものである。切削装置１は、図１に示すように、チャックテーブル１０と、切削手段２０ａ，２０ｂに加えて、Ｘ軸移動手段３０（切削送り手段に相当）と、Ｙ軸移動手段４０（割り出し送り手段に相当）と、Ｚ軸移動手段５０（切り込み送り手段に相当）と、制御手段１００とを備えている。
【００１８】
チャックテーブル１０は、切削加工前のウエーハＷが載置されて、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦの開口に貼着されたウエーハＷを保持するものである。チャックテーブル１０は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハＷを吸引することで保持する。なお、チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動手段３０によりＸ軸方向に移動自在に設けられかつ回転駆動源（図示せず）により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転自在に設けられている。
【００１９】
第一の切削手段２０ａ及び第二の切削手段２０ｂは、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに加工水を供給しながら切削するものである。第一の切削手段２０ａ及び第二の切削手段２０ｂは、それぞれ、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｙ軸移動手段４０によりＹ軸方向に移動自在に設けられ、かつ、Ｚ軸移動手段５０によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。
【００２０】
第一の切削手段２０ａは、略リング形状を有する極薄の切削砥石でありかつスピンドル（図示せず）により回転することでウエーハＷを切削する第一の切削ブレード２１ａなどを含んで構成されている。第一の切削ブレード２１ａの外縁の先端は、図３などに示すように、断面Ｖ形状に形成されている。第一の切削ブレード２１ａは、ウエーハＷの分割予定ラインＬをＴＥＧ２００上からウエーハＷの厚み方向の途中まで切り込んで、断面Ｖ字状の切削溝Ｒを形成し、分割予定ラインＬの表面からＴＥＧ２００及び保護膜を除去するものである。
【００２１】
第二の切削手段２０ｂは、略リング形状を有する極薄の切削砥石でありかつスピンドル（図示せず）により回転することでウエーハＷを切削する第二の切削ブレード２１ｂなどを含んで構成されている。第二の切削ブレード２１ｂの外縁の先端は、図４などに示すように、平坦に形成されている。第二の切削ブレード２１ｂは、厚みが、第一の切削ブレード２１ａの厚みよりも薄く形成されて、第一の切削ブレード２１ａが形成した切削溝Ｒの幅よりも細い幅である。第二の切削ブレード２１ｂは、切削溝Ｒ内に切り込んで、ウエーハＷの完全切断を行うものである。
【００２２】
なお、本実施形態の２つの切削手段２０ａ，２０ｂのスピンドルの軸心方向は、Ｙ軸方向と平行に設定されている。第一の切削手段２０ａは、図１に示すように、Ｙ軸移動手段４０、Ｚ軸移動手段５０などを介して、装置本体２から立設した一方の柱部３ａに設けられている。第二の切削手段２０ｂは、図１に示すように、Ｙ軸移動手段４０、Ｚ軸移動手段５０などを介して、他方の柱部３ｂに設けられている。
【００２３】
切削手段２０ａ，２０ｂは、Ｙ軸移動手段４０及びＺ軸移動手段５０により、チャックテーブル１０の表面の任意の位置に切削ブレード２１ａ，２１ｂを位置付け可能となっている。また、第一の切削手段２０ａは、ウエーハＷの上面を撮像する撮像手段８０が、スピンドルと一体的に移動するように固定されている。撮像手段８０は、チャックテーブル１０に保持された分割加工前のウエーハＷの分割すべき領域を撮像するＣＣＤカメラを備えている。ＣＣＤカメラは、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを撮像して、ウエーハＷと切削ブレード２１ａ，２１ｂとの位置合わせを行なうアライメントを遂行するための画像を得、得た画像を制御手段１００に出力する。
【００２４】
制御手段１００は、切削装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハＷに対する分割加工を切削装置１に行わせるものである。なお、制御手段１００は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態や前記画像などを表示する表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段と接続されている。
【００２５】
また、制御手段１００は、ウエーハＷの各分割予定ラインＬと、各分割予定ラインＬに形成されたＴＥＧ２００の最大幅Ｗ１、Ｗ２・・・Ｗｎとを１対１で関連付けた幅情報ＷＩ（図５に示す）を記憶している。ＴＥＧ２００の最大幅Ｗ１、Ｗ２・・・Ｗｎとは、各分割予定ラインＬに複数のＴＥＧ２００が形成されている場合には、複数のＴＥＧ２００のうちの幅が最大のＴＥＧ２００の幅を示し、各分割予定ラインＬにＴＥＧ２００が一つのみ形成されている場合には、この一つのＴＥＧ２００の幅が最大となる位置の幅を示している。
【００２６】
さらに、制御手段１００は、第一の切削ブレード２１ａが実際に加工した切り込み量と第一の切削ブレード２１ａが実際に加工した切削溝Ｒの幅との関係を示す切り込み量情報ＳＩ（図６に示す）を記憶している。例えば、図６に示す切り込み量情報ＳＩは、幅がＡμｍである切削溝Ｒを分割予定ラインＬ上に形成するための切り込み量が、Ｂμｍであることを示している。なお、切り込み量とは、第一の切削ブレード２１ａがウエーハＷの途中まで切り込む際の、保護膜から第一の切削ブレード２１ａの先端までの距離である。
【００２７】
制御手段１００は、第一の切削手段２０ａの第一の切削ブレード２１ａで分割予定ラインＬに沿って切削を行う際に、図５に示された幅情報ＷＩを参照して、切削を行う分割予定ラインＬのＴＥＧ２００の最大幅を抽出する。そして、制御手段１００は、幅情報ＷＩを参照して抽出したＴＥＧ２００の最大幅に所定値（例えば、数μｍ）を加えたものが、切削溝Ｒの幅となるように、図６に示された切り込み量情報ＳＩに基づいた切り込み量で第一の切削ブレード２１ａをウエーハＷの途中まで切り込ませる。また、制御手段１００は、ＴＥＧ２００が形成されていない分割予定ラインＬ３では、第二の切削ブレード２１ｂの幅よりも大きい切削溝Ｒの幅Ｃとなるように、切り込み量を最小切り込み量Ｄｃ（図６に示す）となるように、第一の切削ブレード２１ａをウエーハＷの途中まで切り込ませる。
【００２８】
また、本発明では、制御手段１００は、第一の切削ブレード２１ａの先端角度（例えば、４５度や６０度）を予め記憶しておき、ＴＥＧ２００の最大幅に所定値（例えば、数μｍ）を加えたものが切削溝Ｒの幅となるように、第一の切削ブレード２１ａの先端角度に基づき、切り込み量を調整しながら、第一の切削ブレード２１ａをウエーハＷの途中まで切り込ませてもよい。
【００２９】
例えば、図３の右側のＴＥＧ２００が形成されていない分割予定ラインＬ３の第一の切削ブレード２１ａの切り込み量は、最小切り込み量Ｄｃとなり、最小切り込み量Ｄｃは、図３の左側の分割予定ラインＬ１での切り込み量Ｄａ及び図３の中央の分割予定ラインＬ２での切り込み量Ｄｂよりも小さい。また、図３の左側の分割予定ラインＬ１のＴＥＧ２００の最大幅が図３の中央の分割予定ラインＬ２のＴＥＧ２００の最大幅よりも大きいために、図３の左側の分割予定ラインＬ１での切り込み量Ｄａは、図３の中央の分割予定ラインＬ２での切り込み量Ｄｂよりも大きくなる。このように、分割予定ラインＬ１，Ｌ２，Ｌ３・・・上に形成されるＴＥＧ２００の最大幅が大きくなるのにしたがって、切り込み量が大きくなり、図３に示された場合では、切り込み量Ｄａ＞切り込み量Ｄｂ＞最小切り込み量Ｄｃとなる。
【００３０】
次に、実施形態に係る切削装置１を用いた切削方法について説明する。切削方法は、切削装置１を用い、チャックテーブル１０と切削手段２０ａ，２０ｂとを相対的にＸ軸方向に切削送り及びＹ軸方向に割り出し送りし、ウエーハＷの分割予定ラインＬを切削して個々のデバイスＤに分割する方法である。切削方法は、除去工程と、分割工程などから構成される。切削方法では、オペレータが加工内容情報を制御手段１００に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、切削装置１が加工動作を開始する。まず、切削方法では、吸着工程において、オペレータが切削手段２０ａ，２０ｂから離間したチャックテーブル１０の表面にウエーハＷを載置し、制御手段１００が、チャックテーブル１０の表面にウエーハＷを吸引保持して、除去工程に進む。
【００３１】
次に、除去工程では、制御手段１００は、Ｘ軸移動手段３０によりチャックテーブル１０を切削手段２０ａ，２０ｂの下方に向かって移動して、第一の切削手段２０ａに固定された撮像手段８０の下方にチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを位置付け、撮像手段８０に撮像させる。撮像手段８０は、撮像した画像の情報を制御手段１００に出力する。そして、制御手段１００が、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの分割予定ラインＬと、切削手段２０ａ，２０ｂの切削ブレード２１ａ，２１ｂとの位置合わせを行なうためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷと切削手段２０ａ，２０ｂとの相対位置を調整する。
【００３２】
そして、制御手段１００は、加工内容情報に基づいて、最初に切削する分割予定ラインＬ上のＴＥＧ２００の最大幅を幅情報ＷＩから抽出する。そして、制御手段１００は、第一の切削ブレード２１ａを回転させ、抽出したＴＥＧ２００の最大幅に所定値（例えば、数μｍ）を加えたものが、切削溝Ｒの幅となるように、各分割予定ラインＬ毎に切り込み量情報ＳＩに基づき、Ｚ軸移動手段５０に切り込み量を調整させながらＸ軸移動手段３０にチャックテーブル１０を所定の切削送り速度で移動させて、第一の切削ブレード２１ａをウエーハＷの途中まで切り込む。そして、Ｘ軸移動手段３０によるチャックテーブル１０の切削送りにより、第一の切削ブレード２１ａで分割予定ラインＬに沿って切削を行い切削溝Ｒを形成しつつ、第一の切削ブレード２１ａにより分割予定ラインＬ上のＴＥＧ２００を除去する。
【００３３】
そして、制御手段１００は、最初に切削する分割予定ラインＬの切削が完了し、切削溝Ｒを形成すると、Ｘ軸移動手段３０、Ｙ軸移動手段４０、Ｚ軸移動手段５０及び回転駆動源によりチャックテーブル１０と第一の切削手段２０ａとを相対的に移動させて、各分割予定ラインＬに順に切削溝Ｒを形成する。この際、制御手段１００は、第一の切削ブレード２１ａの切り込み量を幅情報ＷＩ及び切り込み量情報ＳＩに基いて調整する。このように、除去工程においては、ウエーハの分割予定ラインＬ毎のＴＥＧ２００の最大幅を除去できる切削溝Ｒ幅になるように、表面からの第一の切削ブレード２１ａの切り込み量が分割予定ラインＬ毎に設定されている。全ての分割予定ラインＬに切削溝Ｒを形成すると、分割工程に進む。
【００３４】
分割工程では、制御手段１００は、除去工程を実施した後に、Ｘ軸移動手段３０、Ｙ軸移動手段４０、Ｚ軸移動手段５０及び回転駆動部を用いて、第二の切削手段２０ｂとチャックテーブル１０とを相対的に移動させて、分割予定ラインＬに順に、第二の切削ブレード２１ｂで切削する。この際、各分割予定ラインＬの切削では、図４に示すように、切削溝Ｒに沿って、切削溝Ｒの幅よりも細い幅の第二の切削ブレード２１ｂでウエーハＷの完全切断を行い、ウエーハＷを複数のデバイスＤに分割する。そして、搬出工程に進む。なお、分割工程における第二の切削ブレード２１ｂの切り込み量は、図４に示すように、全ての分割予定ラインＬ１，Ｌ２，Ｌ３において等しくなっている。
【００３５】
搬出工程では、制御手段１００は、チャックテーブル１０を切削手段２０ａ，２０ｂの下方から退避させた後、チャックテーブル１０の吸引保持を解除する。そして、オペレータが分割された複数のデバイスＤなどをチャックテーブル１０上から取り除くとともに、切削前のウエーハＷを再度、チャックテーブル１０上に載置し、前述の工程を繰返して、ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する。
【００３６】
以上のように、実施形態に係る切削方法は、ＴＥＧ２００の最大幅に応じて、各分割予定ラインＬ毎に、全てのＴＥＧ２００を除去可能な幅の切削溝Ｒになるように、断面Ｖ形状の第一の切削ブレード２１ａの切り込み量を設定する。このために、切削方法は、除去工程において、ＴＥＧ２００の除去を確実に行うことができる。また、切削方法は、全ての分割予定ラインＬに、最も幅の広いＴＥＧ２００を除去可能な幅の切削溝Ｒを形成する場合に比べて、ＴＥＧ２００の無い分割予定ラインＬでの切り込み量を低減できるので、断面Ｖ形状の第一の切削ブレード２１ａの先端摩耗を抑えることができる。したがって、切削方法は、ＴＥＧ２００の不完全除去による表面膜の剥がれを防ぐことができる。
【００３７】
次に、本発明の発明者は、前述した実施形態の効果を確認した。確認にあたっては、最大幅が５９μｍのＴＥＧ２００が形成された分割予定ラインＬを、切り込み量を１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、４６μｍとして第一の切削ブレード２１ａを用いて切削した後の分割予定ラインＬを撮像した。結果を図７〜図１２の上段に示す。図７の上段は、切削前の分割予定ラインＬを撮像して得た画像を示した図であり、図８の上段は、切り込み量を１０μｍとして切削した後の分割予定ラインＬを撮像して得た画像を示した図であり、図９の上段は、切り込み量を２０μｍとして切削した後の分割予定ラインＬを撮像して得た画像を示した図であり、図１０の上段は、切り込み量を３０μｍとして切削した後の分割予定ラインＬを撮像して得た画像を示した図であり、図１１の上段は、切り込み量を４０μｍとして切削した後の分割予定ラインＬを撮像して得た画像を示した図であり、図１２の上段は、切り込み量を４６μｍとして切削した後の分割予定ラインＬを撮像して得た画像を示した図である。また、図７〜図１２の下段には、比較として、上段と同じ切り込み量で切削した後のＴＥＧ２００が形成されていない分割予定ラインＬを撮像して得た画像を示している。
【００３８】
なお、図８では、切削溝Ｒの幅が約１７μｍとなり、図９では、切削溝Ｒの幅が約３１μｍとなり、図１０では、切削溝Ｒの幅が約４８μｍとなり、図１１では、切削溝Ｒの幅が約７２μｍとなり、図１２では、切削溝Ｒの幅が約８７μｍとなる。
【００３９】
図８から図１０の上段と下段とを比較すると、切削溝Ｒの幅がＴＥＧ２００の最大幅よりも小さい場合には、切削溝Ｒの外縁にＴＥＧ２００の剥がれが生じることが明らかとなった。また、図１１の上段と下段とを比較すると、切削溝Ｒの幅をＴＥＧ２００の最大幅よりも１３μｍ大きくても、切削溝Ｒの外縁にＴＥＧ２００の剥がれが若干生じることが明らかとなった。これに対し、図１２の上段と下段とを比較すると、上段の画像と下段の画像とが殆ど等しいので、切削溝Ｒの幅をＴＥＧ２００の最大幅よりも２８μｍ大きくすることで、切削溝Ｒの外縁にＴＥＧ２００の剥がれが生じないことが明らかとなった。
【００４０】
本発明では、除去工程におけるＸ軸移動手段３０によるチャックテーブル１０の切削送り速度をＴＥＧ２００の最大幅に応じて変化させてもよく、分割工程におけるＸ軸移動手段３０によるチャックテーブル１０の切削送り速度を切削溝Ｒの幅に応じて変化させてもよい。この場合、除去工程におけるＸ軸移動手段３０によるチャックテーブル１０の切削送り速度をＴＥＧ２００の最大幅が大きくなるのにしたがって徐々に遅くしてもよく、分割工程におけるＸ軸移動手段３０によるチャックテーブル１０の切削送り速度を切削溝Ｒの幅が大きくなるのにしたがって徐々に早くしてもよい。
【００４１】
また、前述した実施形態では、制御手段１００が、予め幅情報ＷＩと切り込み量情報ＳＩとを記憶しているが、本発明では、制御手段１００が、予めウエーハＷの各分割予定ラインＬと各分割予定ラインＬの切り込み量とを１対１で関連付けた情報を記憶してもよい。さらに、本発明では、撮像手段８０が撮像して得た画像から各分割予定ラインＬ上のＴＥＧ２００の最大幅を抽出して、切り込み量を算出してもよい。
【００４２】
なお、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１  切削装置
１０  チャックテーブル
２０ａ，２０ｂ  切削手段
２１ａ  第一の切削ブレード
２１ｂ  第二の切削ブレード
２００  ＴＥＧ（テスト用素子）
Ｗ  ウエーハ
Ｄ  デバイス
Ｌ  分割予定ライン
Ｒ  切削溝
【図１】
2015072986.tif 000003
【図２】
2015072986.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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