(57)【要約】【課題】  本発明は、被検査体表面の形状を良好に転写可能とし、採取後のレプリカの管理を容易化するレプリカ採取装置を提供する。【解決手段】  レプリカ剤１２が保持又は塗布されたレプリカパッド１１を、レプリカ剤１２が被検査体３１表面と対向するよう保持するレプリカ処理部２１と、被検査体３１を載置しレプリカ処理部２１と相対的に移動可能な被検査体位置決め部２３と、レプリカ剤１２を被検査体表面３１と接触させ、被検査体３１表面の形状を転写するようレプリカ処理部２１と被検査体位置決め部２３を制御する制御部４を備える。【選択図】  図１
2015021805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レプリカ剤が保持又は塗布されたレプリカパッドを、前記レプリカ剤が被検査体表面と対向するよう保持するレプリカ処理部と、
前記被検査体を載置し、前記レプリカ処理部と相対的に移動可能な被検査体位置決め部と、
前記レプリカ剤を前記被検査体表面と接触させ、前記被検査体表面の形状を転写するよう前記レプリカ処理部及び被検査体位置決め部を制御する制御部を有することを特徴とするレプリカ採取装置。
【請求項２】
請求項１に記載のレプリカ採取装置において、
前記レプリカ剤は光硬化性の樹脂であり、前記レプリカ処理部は、前記レプリカパッドを透過し前記レプリカ剤へ紫外線を照射する光ファイバー及び集光レンズを備えたことを特徴とするレプリカ採取装置。
【請求項３】
請求項１に記載のレプリカ採取装置において、
前記レプリカ剤は熱可塑性樹脂であり、前記レプリカ処理部は、前記レプリカパッドを介して前記レプリカ剤へ熱を供給する機構を備えたことを特徴とするレプリカ採取装置。
【請求項４】
請求項１に記載のレプリカ採取装置において、
前記被検査体は半導体ウエハであって、
前記レプリカパッドは、採取されたレプリカを特定するための情報を保持することを特徴とするレプリカ採取装置。
【請求項５】
請求項４に記載のレプリカ採取装置において、
前記レプリカパッドはＩＣチップを備え、少なくとも、レプリカ毎に予め割り振られた固有のレプリカＩＤ、当該レプリカが採取された半導体ウエハを特定する情報、レプリカ採取領域及びレプリカが採取された検査工程を特定する情報からなるレプリカ管理情報を格納することを特徴とするレプリカ採取装置。
【請求項６】
請求項５に記載のレプリカ採取装置において、
前記レプリカ剤が保持又は塗布されたレプリカパッドと、前記半導体ウエハの表面形状が転写されたレプリカを保持するレプリカパッドを格納するレプリカ保管部と、
前記レプリカ保管部よりレプリカ採取前のレプリカパッドを前記レプリカ処理部へ搬送するレプリカ搬送部を備え、
少なくとも前記レプリカ保管部及び制御部のうち何れか一方が、レプリカパッド毎に前記レプリカ管理情報を対応付けて記憶することを特徴とするレプリカ採取装置。
【請求項７】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載のレプリカ採取装置であって、
前記レプリカ処理部及び前記被検査体位置決め部は、真空チャンバ内に設けられたことを特徴とするレプリカ採取装置。
【請求項８】
被検査体に電子線又は光を照射し得られる情報に基づき被検査体の検査を行う光学系と、
レプリカ剤が保持又は塗布されたレプリカパッドを、前記レプリカ剤が被検査体表面と対向するよう保持するレプリカ処理部と、
前記被検査体を載置し、前記光学系及び前記レプリカ処理部と位置決め可能な被検査体位置決め部と、
前記光学系、レプリカ処理部及び被検査体位置決め部を収容する真空チャンバと、
前記レプリカ剤を前記被検査体表面と接触させ前記被検査体表面の形状を転写するよう前記レプリカ処理部及び被検査体位置決め部を制御すると共に、採取されたレプリカを用いて前記被検査体の検査を行うため前記光学系を制御する制御部を備えたことを特徴とする検査システム。
【請求項９】
請求項８に記載の検査システムにおいて、
前記被検査体は半導体ウエハであって、
前記採取されたレプリカに電子線又は光を照射し得られる第１の情報と、
前記被検査体に電子線又は光を照射し得られる第２の情報に基づき、前記被検査体表面の検査を行うことを特徴とする検査システム。
【請求項１０】
請求項８に記載の検査システムにおいて、
前記レプリカ剤と前記被検査体表面とが接触した状態で、前記レプリカ処理部又は前記被検査体位置決め部を振動させた後、前記検査体表面の形状を転写することを特徴とする検査システム。
【請求項１１】
請求項８に記載の検査システムにおいて、
前記被検査体は半導体ウエハであって、
前記レプリカ剤が保持又は塗布されたレプリカパッドと、前記半導体ウエハの表面形状が転写されたレプリカを保持するレプリカパッドを格納するレプリカ保管部と、
前記レプリカ保管部よりレプリカ採取前のレプリカパッドを前記レプリカ処理部へ搬送するレプリカ搬送部を備え、
採取されたレプリカの表面に保護膜又は導電性膜を形成した後、当該レプリカを前記レプリカ搬送部により前記レプリカ保管部へ格納することを特徴とする検査システム。
【請求項１２】
請求項８に記載の検査システムにおいて、
前記被検査体は半導体ウエハであり、前記光学系はスキャットロメトリの光照射及び検出器の光学系であって、
前記制御部は、前記被検査体表面の形状が転写されたレプリカを前記被検査体位置決め部により前記光学系に位置決めし、前記レプリカへの光照射により発生する反射光及び回折光により形状を計測するよう制御することを特徴とする検査システム。
【請求項１３】
請求項１１に記載の検査システムにおいて、
前記光学系の校正用に所定のパターンが形成された校正用基準パターンを前記位置決め部の所定の領域に配置し、
前記制御部は、前記校正用基準パターンのレプリカを採取し、採取後のレプリカを前記光学系により検査するよう前記レプリカ処理部、前記位置決め部及び前記光学系を制御することを特徴とする検査システム。
【請求項１４】
請求項１１に記載の検査システムにおいて、
前記レプリカパッドはＩＣチップを備え、少なくとも、レプリカ毎に予め割り振られた固有のレプリカＩＤ、当該レプリカが採取された半導体ウエハを特定する情報、レプリカ採取領域、レプリカが採取された検査工程を特定する情報及び採取後のレプリカの検査結果をレプリカ管理情報として格納することを特徴とする検査システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の検査システムにおいて、
少なくとも前記レプリカ保管部及び制御部のうち何れか一方が、レプリカパッド毎に前記レプリカ管理情報を対応付けて記憶することを特徴とする検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程における被検査体の立体形状の非破壊検査および評価・解析に係り、被検査体表面の形状が転写されたレプリカを採取するレプリカ採取装置及びそれを備えた検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの大規模化、高集積化が進んでいる。これを推進する上で、コスト低減は必須であり、基板（ウエーハ）の大口径化や、デバイス構造も複雑化が進んでいる。これに伴い、デバイス歩留まりの向上に向けた、製造工程における形状の出来栄え評価が重要となっている。出来栄え評価技術は種々あり、たとえば、一次元，二次元の形状評価にはＣＤ−ＳＥＭが主に用いられている。また、パターンの断面形状の評価にはウエハを割って断面を観察することが行われている。これに対し、ウエハを割らずに評価する手法として、Narender Rena,”Bridging CD metrology gap of advanced patterning with assistance of nanomolding”, Proc. Of SPIE, 832483241-M（非特許文献１）がある。この非特許文献１は、パターンが形成された試料の表面を離形処理し、光硬化性樹脂をパターン上に滴下し、スペーサ及び接着層が塗布されたガラスプレートを光硬化性樹脂が塗布されたパターン面に押し付け、紫外線照射により樹脂を硬化させる。その後ガラスプレートを引きはがすことにより上記パターンが転写されたレプリカを採取し、レプリカの凹凸パターンをＣＤ−ＡＦＭプローブにて観察するものである。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Narender Rena,Dario Goldfarb,”Bridging CD metrology gap of advanced patterning with assistance of nanomolding”, Proc. Of SPIE, 8324, 83241-M,2012.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記非特許文献１では、レプリカを採取するため光硬化性樹脂をパターン面に滴下する方式であるため、レプリカ作成の度に光硬化性樹脂を滴下する必要がある。そのため滴下位置の高精度な位置決めが必要となる位置決め機構についての開示は無い。また採取されたレプリカの個別管理については何ら考慮されていない。
【０００５】
本発明は、被検査体表面の形状を良好に転写可能とし、採取後のレプリカの管理を容易化するレプリカ採取装置を提供する。
【０００６】
また、本発明は、採取されたレプリカを検査することでスループット向上可能な検査システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明のレプリカ採取装置は、レプリカ剤が保持又は塗布されたレプリカパッドを、前記レプリカ剤が被検査体表面と対向するよう保持するレプリカ処理部と、前記被検査体を載置し前記レプリカ処理部と相対的に移動可能な被検査体位置決め部と、前記レプリカ剤を前記被検査体表面と接触させ、前記被検査体表面の形状を転写するよう前記レプリカ処理部及び被検査体位置決め部を制御する制御部を有することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の検査システムは、被検査体に電子線又は光を照射し得られる情報に基づき被検査体の検査を行う光学系と、レプリカ剤が保持又は塗布されたレプリカパッドを、前記レプリカ剤が被検査体表面と対向するよう保持するレプリカ処理部と、前記被検査体を載置し、前記光学系及び前記レプリカ処理部と位置決め可能な被検査体位置決め部と、前記光学系、レプリカ処理部及び被検査体位置決め部を収容する真空チャンバと、前記レプリカ剤を前記被検査体表面と接触させ前記被検査体表面の形状を転写するよう前記レプリカ処理部及び被検査体位置決め部を制御すると共に、採取されたレプリカを用いて前記被検査体の検査を行うため前記光学系を制御する制御部を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、被検査体表面の形状を良好に転写可能となり、また、採取後のレプリカの管理を容易化できる。
【００１０】
また、本発明によれば、採取されたレプリカを検査することで被検査体の非破壊検査及びスループット向上可能な検査システムの提供が可能となる。
【００１１】
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例に係るレプリカ採取装置の全体構成図である。
【図２】レプリカ採取領域と検査領域の関係を説明する図である。
【図３】レプリカ管理情報の説明図である。レプリカ採取時の座標特定
【図４】レプリカ採取工程の説明図である。
【図５】採取されたレプリカがSEM用観察用ホルダにセットされた状態を示す図である。
【図６】採取されたレプリカがFIB加工された状態を示す図である。
【図７】採取されたレプリカの凹凸パターンと被検査対象の凹凸パターンとの関係を示す図である。
【図８】被測定パターンおよびレプリカパターンのCD-SEM画像から立体形状を形成する説明図である。
【図９】図８に示す立体形状形成のための処理フロー図である。
【図１０】検査対象がFIN型トランジスタの場合の被測定パターンを示す図である。
【図１１】図１０に示す被測定パターンに対応するレプリカパターンを示す図である。
【図１２】本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を備えた検査システムの全体構成図である。
【図１３】高アスペクト比の多数のスルーホールを有する検査対象のレプリカを説明する図である。
【図１４】レプリカライブラリ構築の説明図である。
【図１５】本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を異物検査に適用したときの説明図である。
【図１６】本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を異物検査に適用したときの説明図である。
【図１７】本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を異物検査に適用したときの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を用いて本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の実施例に係るレプリカ採取装置の全体構成図である。本発明のレプリカ採取装置は、レプリカ保管部１、レプリカ採取部２、レプリカ採取の対象となる被検査物である半導体ウエハ３１を保管するウエハ保管部３、これらを制御する制御部４から構成される。
【００１５】
レプリカ保管部１は、レプリカ剤１２を保持する台座であるレプリカパット１１にレプリカ剤が保持又は塗布された状態で保管する。ここで、レプリカ剤１２は、例えば、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂が用いられる。また、被検査対象である例えば半導体ウエハの表面に形成された３次元構造のパターンを転写後のレプリカ、すなわち、採取後のレプリカ１２がレプリカパッド１１に保持された状態で保管している。レプリカパッド１１には、ＩＣチップ１３が埋め込まれており、ＩＣチップ１３に格納された情報により制御部４がレプリカの管理を行う。また、ＩＣチップ１３への情報の書き込み及び格納された情報を読み出すICリーダ・ライター１４を備えている。レプリカ保管部１は、レプリカ採取前のレプリカ剤が保持されたレプリカパッド１１、レプリカ採取後のレプリカが保持されたレプリカパッド１１をレプリカ採取部２との間で搬送するレプリカ搬送部１５を有している。レプリカパッド１１の形状は、各検査工程で用いられる検査装置、例えば、ＳＥＭ(走査型電子顕微鏡)、ＣＤ−ＳＥＭ(測長ＳＥＭ)、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）、ＳＴＥＭの試料ホルダと同一の形状となっている。
【００１６】
レプリカ採取部２は、レプリカ採取の対象である表面にパターンが形成された半導体ウエハ３１の位置決めを行うウエハ位置決め部２３、レプリカ剤がウエハに対向するようレプリカパッド１１を保持しレプリカ剤の硬化処理を行うレプリカ処理部２１、レプリカ処理部２１をＺ方向すなわちウエハ方向へ移動するレプリカ押当て部２２から構成される。レプリカ処理部２１は、レプリカ剤１２が光硬化性樹脂の場合、紫外線を照射しレプリカ剤１２を硬化するための光ファイバーと光ファイバーからの紫外線を集光するレンズを有し、レプリカパッド１１の裏面側から光ファイバーを介して紫外線を照射し、レプリカパッド１１を透過後の紫外線によりレプリカ剤１２を硬化可能な構造となっている。なお、レプリカ剤１２が熱可塑性樹脂の場合、レプリカパッド１１の裏面側よりレプリカ剤１２へ熱を供給可能な構造とすれば良い。また、レプリカ押当て部２２をＺ方向に加え、Ｘ―Ｙ方向へ移動可能に構成しても良い。この場合、半導体ウエハ３１とレプリカ処理部２１を相対的にＸ―Ｙ方向に移動させ半導体ウエハ３１上の所望の位置にレプリカ剤１２を位置決めできる。また、レプリカ採取部２は真空又は大気圧下に維持される。なお、真空に維持することで転写されるレプリカの溝部又は凹部形状の底部での気泡発生を防止できることから、レプリカ採取部２は真空に維持されることが望ましい。
【００１７】
図２は、レプリカ採取領域と検査領域の関係を説明する図である。図２において、半導体ウエハ３１表面に形成された複数の半導体チップは、スクライブライン内に設置されたチップ座標原点マークからのX座標２００およびY座標２０１あるいは、予め格納される半導体設計データからその位置が特定される。図２に示されるように、レプリカ採取領域は、スクライブライン内に設置されたチップ座標原点マークを含み半導体チップの全面を含むよう設定される。これにより、半導体ウエハ３１中のどの半導体チップのレプリカであるか容易に特定できる。また、図中点線で示される領域は、レプリカ作成後の検査領域を表している。
【００１８】
ここで、レプリカ保管部１が図示しないメモリに格納するレプリカ管理情報について説明する。図３は、レプリカ管理情報の説明図である。レプリカ保管部１は、図３に示すように、レプリカ毎に、ウエハロットＮｏ、チップ座標原点マーク、レプリカ採取領域、レプリカＩＤ、製造工程種別コード及びレプリカ１２中の検査領域が対応付けられた情報を格納している。ここで、レプリカＩＤは、レプリカを特定するためのユニークに割り振られたＩＤであり、製造工程種別コードは、半導体製造工程のいずれの検査工程において採取されたレプリカであるかを特定するための情報である。例えば、主な検査工程はパターン欠陥検査、異物検査、Overlay検査、寸法検査工程がある。図３において、例えば、レプリカＩＤ“００１”のレプリカは、ウエハロットＮｏ“００１”の半導体ウエハ３１から採取されたレプリカであることを示している。そして、チップ座標原点マーク（X0，Y0）、このチップ座標原点マークを原点とする座標系の（X1,Y1）(X2,Y2)で特定される領域から採取されたレプリカであることを示し、製造工程種別コード“００１”はパターン欠陥検査工程、座標(x1,y1)(x2,y2)で特定される検査領域に対し検査が行われたレプリカであることを示している。このように、レプリカ保管部１に保管される全てのレプリカについてメモリ内に格納することにより、各レプリカの管理が可能となり、また、不良発生の製造工程を追跡することも可能となる。なお、レプリカ管理情報を制御部４の図示しないメモリに格納しても良い。制御部４による検査終了後の統計処理も容易に行うことが可能となり、不良発生の頻度が高い半導体ウエハ３１中の領域を特定することも可能となる。なお、レプリカ管理情報として、上記レプリカ採取領域中の検査領域に対する検査結果を紐付可能に記憶するよう構成しても良い。ここで、紐付けし格納する検査結果として、デバイス構造が完了した後に行われる電気特性の検査で得られた不良情報をその不良発生個所を示す座標と共に記憶するようにしても良い。また、レプリカ採取領域については、チップ座標原点マークからのX方向及びY方向の差分を格納するようにしても良い。レプリカパッド１１に埋めこまれたICチップ１３には、レプリカ採取時、ICリーダ・ライター１４により、ウエハロットＮｏ、チップ座標原点マーク、レプリカ採取領域及び製造工程種別コードが格納される。そして、レプリカ採取領域の位置情報は、ウエハ位置決め部２３からの信号により取得されるものであるため、レプリカ採取時の実位置が検出され格納される。これにより、仮に、ウエハ位置決めの際、ウエハ移動量の指令値との誤差が発生しても、誤差を許容した位置情報としてレプリカ採取領域が得られる。
【００１９】
次に、レプリカ採取の工程について説明する。図４は、レプリカ採取工程の説明図である。レプリカ保管部１から、レプリカ剤１２がレプリカパッド１１上に保持又は塗布された状態のレプリカパッド１１をレプリカ搬送部１４により、レプリカ採取部２へ搬送する。この時、レプリカパッド１１に埋め込まれたICチップ１３には上述のレプリカIDが予め格納されている。レプリカ剤１２がウエハ基板３１１上に形成された３次元構造のパターン３１２に対向するようレプリカ処理部２１にセットされる。レプリカ押当て部２２により３次元構造のパターン３１２にレプリカ剤１２が接触するまでレプリカ処理部２１を移動する。このとき半導体ウエハ３１は、ウエハ位置決め部２３により上述のレプリカ採取領域がレプリカ処理部２１と対向する位置にＸ―Ｙ方向の位置決めが完了されている。レプリカ剤１２が３次元構造のパターン３１２と接触後、所定量加圧され３次元構造のパターン３１２に押し付けられる。ここで、所定量の加圧は、レプリカ処理部２１とウエハ位置決め部２３の接触圧力を測定することで制御される。なお、ここでは、接触圧力を測定することとしたがこれに限られず、例えば、レプリカ処理部２１とウエハ位置決め部２３との間の距離を測定することで所定量の加圧を実現するよう構成しても良い。レプリカ剤１２として光硬化性樹脂を用いる場合、所定量加圧後、上述のとおり光ファイバー及び集光レンズにより紫外線がレプリカパッド１１を透過しレプリカ剤１２に照射され、レプリカ剤１２を硬化する。
【００２０】
レプリカ剤１２の硬化後、レプリカ押当て部２２は上昇し３次元構造のパターン３１２よりレプリカ１２を剥離する。剥離後、３次元構造のパターン３１２が反転し転写されたレプリカの表面に保護膜又は導電処理膜３１３を形成する。保護膜又は導電処理膜３１３の形成は、採取されたレプリカを用いてＳＥＭ等の検査装置により検査の際、レプリカの形状が変形することを防止するため行う。保護膜又は導電処理膜３１３形成には、レプリカ剤１２の軟化点以下の温度雰囲気で、例えば原子レベルで一層毎に製膜可能なAtomic Layer Deposition法を用いる。また、レプリカ剤１２の軟化点以下の温度雰囲気とは、例えば、ガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度である。
【００２１】
図５は、採取されたレプリカがＳＥＭ用観察ホルダにセットされた状態を示す図である。採取されたレプリカ１２を保持するレプリカパッド１１は、上述のとおり試料ホルダと同一の形状を有している。そのため、レプリカパッド１１をＳＥＭ観察用ホルダ４０に直接セットすることができる。図５において、ＳＥＭによる観察方向、すなわち電子線の照射方向を矢印４１で示している。SEM観察用ホルダ４０を回転又は傾斜角４２に示すように傾斜させ電子線を照射することで、レプリカ１２をさまざまな角度から観察できる。そして、レプリカパッド１１に埋め込まれたＩＣチップ１３には、上述のとおりレプリカＩＤと共にレプリカ採取領域等が記憶されているため、被検査対象である半導体ウエハ３１から切り出された半導体チップに代えてレプリカを観察することで検査を行うことができる。
【００２２】
図６は、採取されたレプリカがＦＩＢ加工された状態を示す図である。図６においてＳＥＭによる観察方向、すなわち電子線の照射方向を矢印４１で示し、ＦＩＢ（集束イオンビーム装置）の集束イオンビーム照射方向を矢印４３で示している。レプリカパッド１１の形状は試料ホルダと同一の形状であることから、ＳＥＭ用観察ホルダ４０に直接セットすることができる。ＳＥＭ用観察ホルダ４０を傾斜角４２に示すように傾斜させ、集束イオンビームを照射することでレプリカ１２に所望の断面を形成する等の加工を行うことができる。そして、断面形成等の加工を行いながらSEM観察することで、トモグラフ（断面図）のデータを取得できる。これまで、被検査対象である半導体ウエハ３１の表面に形成された３次元構造のパターン３１２が高アスペクト比の凹凸パターンを有する場合、ＦＩＢ加工により断面を形成し凹部を観察していた。しかし、この場合においても凹部形状の底部の状態を観察することは困難であると共に、検査のためにＦＩＢ加工することによりデバイスを破壊する必要があった。これに対し、本実施例では、３次元構造のパターンが反転して転写されたレプリカ１２を観察することで、凹部形状は凸部形状として得られ観察が容易となる。また、レプリカ１２はＦＩＢ加工により所望の位置の断面を形成し観察することができ、デバイスの破壊を行うことなく形状を高精度に観察することができる。
【００２３】
図７は、採取されたレプリカの凹凸パターンと被検査対象の凹凸パターンとの関係を示す図である。図７において、図７(ａ)は、半導体ウエハ３１に３次元構造のパターン３１２として高アスペクト比の凹凸パターンが形成された凹部の底部６０を示している。レプリカ１２を採取することで、被検査対象の底部６０はレプリカ１２の凸部の角部６１として得られる。これにより電子線照射によりＳＥＭ観察が可能となる。図７（ｂ）は、凹部でなく、半導体ウエハ３１に形成された凸部の裾部６２を観察する場合を示している。この場合、凸部の裾野６２はレプリカ１２において凹部の上面６３として転写される。これによりＳＥＭ観察を容易化できる。
【００２４】
図８は、被測定パターンおよびレプリカパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像から立体形状を形成する説明図である。図８において、半導体ウエハ上に形成された凸形状をなす２つのパターン７１、７２からなる被測定パターン７０は、ＣＤ−ＳＥＭによりパターン７１の凸部頂部の線幅Ｗ1ａとパターン７２の凸部頂部の線幅Ｗ1ｂがＣＤ−ＳＥＭ画像から取得される。一方、採取されたレプリカに含まれる凹形状をなす２つのパターン７４、７５からなるレプリカパターン７３は、ＣＤ−ＳＥＭによりパターン７４の凹部頂部の線幅Ｗ2ａとパターン７５の凹部頂部の線幅Ｗ2ｂがＣＤ−ＳＥＭ画像から取得される。被測定パターン７０のパターン７１はレプリカパターン７３のパターン７４に対応し、被測定パターン７０のパターン７２はレプリカパターン７３のパターン７５に対応している。レプリカパターン７３をＣＤ―ＳＥＭにより測長することにより被測定パターン７０の底部の線幅が得られることから、これらの線幅Ｗ1ａ，Ｗ1ｂ、Ｗ2ａ及びＷ2ｂを合成することにより被測定パターン７０の立体形状７６を得るができる。これら線幅の合成は、レプリカパッド１１に埋め込まれたＩＣチップに記憶されたレプリカＩＤ、レプリカ採取領域及びレプリカ中の検査領域等の情報を読み出すことにより、被測定パターン７０とレプリカパターン７３との対応付けができる。
【００２５】
なお、図８に示されるように、被測定パターン７０が、その凸形状のパターンの底部から頂部に至るまでの間に段差を有する形状となっている場合の立体形状の形成について説明する。レプリカパターン７３の垂直断面を、図６に示すＦＩＢ（集束イオンビーム装置）により加工することで形成し、形成後の垂直断面をＳＥＭにより観察することで、段差を有する被測定パターン７０の転写パターンであるレプリカパターン７３の立体形状を得ることができる。また、ＦＩＢ加工の工程数が増加するものの、レプリカパターン７３の水平断面を形成しながらＣＤ−ＳＥＭ画像を取得するようにしても同様に被測定パターン７０の立体形状を取得することができる。本実施例においては、被測定パターン７０の深さ方向の立体形状を得る場合を例に説明したが、被測定パターン７０の奥行方向(図８の紙面に向かい手前から奥へ向かう方向)の立体形状を得る場合も、垂直断面を得るための軸を変更することで同様にできる。また水平方向の断面については、上記と同様に実行できる。
【００２６】
図９は、図８に示す立体形状を形成するための処理フロー図である。以下の処理は、図８にて説明したレプリカパターンの水平断面を形成しながらＳＥＭ観察することにより被測定パターンの立体形状を形成する場合を例に説明する。なお、以下の処理は、図６において説明したＳＥＭとＦＩＢとを併用して断面加工観察する検査装置を想定し、図示しない制御部により実行される処理フローを説明している。検査装置の制御部は、ＣＰＵ及びＲＯＭ，ＲＡＭ等のメモリから構成され、メモリに記憶されたプログラムを読み出し処理を実行する。
【００２７】
被測定パターン７０の凸形状をなすパターンの頂部（最上部）の線幅Ｗ[１]をＣＤ−ＳＥＭにより計測する(ステップＳ８１)。次に、被測定パターン７０を有する検査対象に対応するレプリカが保持されたレプリカパッド１１をレプリカ保管部１（図１）より取り出し準備する。ここで、準備すべきレプリカパッド１１の特定は、図３に示すレプリカ管理情報を参照し、レプリカＩＤ、レプリカ採取領域、レプリカ中の検査領域等の情報に基づいて行う。準備されたレプリカパッド１１をＳＥＭ用観察ホルダ４０にセットし、レプリカに転写されたレプリカパターン７３の凹形状をなすパターンの頂部の線幅をＣＤ−ＳＥＭにより計測する。これにより被測定パターン７０の最底部W[N]の線幅が求まる（ステップＳ８２）。ＦＩＢ加工により、所定の深さのレプリカの水平断面を得る（レプリカ加工  ステップＳ８３）。ステップＳ８３にて得られたレプリカの水平断面頂部の線幅をＣＤ−ＳＥＭにより計測する。これにより被測定パターン７０の凸部頂部の高さが所定の深さ削られた線幅Ｗ[N=N-1]が求まる（ステップＳ８４）。レプリカパターン７３の線幅Ｗ[Ｎ]がＷ[１]に達したかを判定する（ステップＳ８５）。判定の結果Ｎｏの場合ステップＳ８３へ戻り、更に所定の深さのレプリカの水平断面をＦＩＢ加工により得る。判定の結果Ｙｅｓの場合、立体形状（トモグラフ）を形成し処理を終了する（ステップＳ８６）。ここで、レプリカの水平断面を形成する間隔、すなわち、上記所定の深さは任意に設定可能であり、小さい値に設定するほど得られる立体形状の精度は向上する。但し、この場合、ステップＳ８３からステップＳ８５までの繰り返し回数が増えるため、スループットは低下する。よって、水平断面を形成する間隔は、スループット及び立体形状の精度とのトレードオフを考慮し設定することが望ましい。
【００２８】
図１０は、検査対象がFIN型トランジスタの被測定パターンを示す図である。また、図１１は、図１０に示す被測定パターンに対応するレプリカパターンを示す図である。FIN型トランジスタは、ソース電極９０、ゲート電極９１、ドレイン電極９２からなる。検査領域９４が凹部形状の底部である場合、ＳＥＭ観察が困難となる。しかしながら上記検査領域９４を含むようレプリカ採取領域を設定すれば、採取されたレプリカ９５における検査領域９４に対応する形状は凸部９６として得られるため、ＳＥＭ観察が容易となる。
【００２９】
本実施例においては、レプリカパッド１１にＩＣチップ１３を埋め込む構成としたが、これに限られず、レプリカＩＤを示すバーコードないしナンバリングをレプリカパッド１１に貼付する構成としても良い。この場合、ＩＣリーダ・ライターに代えてバーコードリーダをレプリカ保管部１に設けると共に、レプリカ保管部１のメモリに記憶されるレプリカ管理情報（図３）を別途ＰＣ等により書き込む構成とすれば良い。
【００３０】
本実施例によれば、被検査対象パターンが転写されたレプリカを採取でき、このレプリカを用いた検査が可能となるため、非破壊で検査を行うことが可能となる。
【実施例２】
【００３１】
図１２は、本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を備えた検査システムの全体構成図である。図１と同一の構成要素には同一の符号を付している。実施例１と異なる点は、例えば、ＣＤ−ＳＥＭ等の検査装置の電子光学系６を設け、電子光学系６、レプリカ処理部２１、レプリカ押当て部２２及びウエハ位置決め部２３を真空チャンバ２０内に収容し、ウエハ位置決め部２３を電子光学系６とレプリカ処理部２１で共用する構成としたことにある。本実施例において、電子光学系６は、図示しない電子銃、引出電極、加速電極、偏向電極及び対物レンズを備え、加速された電子線を被検査対象に照射し、照射された電子線により被検査対象物から発生する二次電子を検出する検出器を含めた総称として定義する。
【００３２】
図１２において、レプリカ採取装置を備えた検査システムは、レプリカ保管部１、レプリカ採取の対象となる被検査物である半導体ウエハ３１を保管するウエハ保管部３、ＣＤ−ＳＥＭ等の検査装置の電子光学系６、レプリカ剤がウエハに対向するようレプリカパッド１１を保持しレプリカ剤の硬化処理を行うレプリカ処理部２１、レプリカ採取の対象である表面にパターンが形成された半導体ウエハ３１をレプリカ処理部２１及び電子光学系６に対し位置決めするウエハ位置決め部２３、真空チャンバ２０とこれらを制御する制御部４から構成される。すなわち、ＣＤ−ＳＥＭ等の検査装置にレプリカ採取のための機構を組みこんだことを特徴としている。これにより、同一の真空チャンバ２０内でレプリカ採取とレプリカを用いた検査を行うことが可能となり、スループットを低下させることなく効率的な検査が可能となる。
【００３３】
制御部４は、検査レシピに従い検査対象となる半導体ウエハ３１をウエハ保管部３からウエハ搬送部３０により予備排気室５を経由して真空チャンバ２０内のウエハ位置決め部２３に搬送するよう制御する。ここで、ウエハ位置決め部２３は、真空チャンバ２０内でＣＤ−ＳＥＭ電子光学系６及びレプリカ処理部２１の配置位置まで移動可能に構成されている。レプリカ採取を行う場合、ウエハ位置決め部２３はレプリカ処理部２１まで移動する。レプリカ保管部１内に保管されるレプリカ剤１２が保持又は塗布されたレプリカパッド１１は、レプリカ搬送部１５により真空チャンバ２０内のレプリカ処理部２１へ搬送される。搬送後のレプリカパッド１１は、レプリカ剤１２がウエハ位置決め部２３に載置された半導体ウエハ３１に対向するようレプリカ処理部２１に装着され、実施例１と同様に、レプリカ押当て部２２により半導体ウエハ３１上に形成されたパターンと接触するまでＺ方向に移動する。所定量加圧された後、レプリカ剤１２が光硬化性樹脂の場合はレプリカパッド１１を透過しレプリカ剤１２へ紫外線を照射することにより硬化させる。レプリカ剤１２が熱可塑性樹脂の場合には、レプリカパッド１１の裏面側よりレプリカ剤１２を例えばガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱し軟化させる。その後、上記のように所定量加圧しガラス転移温度以下に冷却し硬化させる。レプリカ剤１２が硬化した後、半導体ウエハ３１上のパターンから剥離されたレプリカは、一旦、レプリカ搬送部１５によりレプリカ保管部１へ戻され、ＩＣリーダー・ライター１４によりレプリカパッド１１に埋め込まれたＩＣチップ１３へ、ウエハロットＮｏ、チップ座標原点マーク、レプリカ採取領域、製造工程種別コード及びレプリカ１２中の検査領域（図３）が書き込まれる。このとき、レプリカＩＤは、レプリカ採取前に予めＩＣチップ１３に格納されている。採取されたレプリカと半導体ウエハ上に形成された被検査対象パターンの検査は、実施例１と同様に実行される。検査又は測定が終了した半導体ウエハ３１はウエハ保管部３へ回収される。
【００３４】
本実施例によれば、同一の真空チャンバ２０内でレプリカ採取、採取後のレプリカの測定及び被検査対象のパターン検査が行われるため、別チャンバで行う場合に比べ大幅なスループットの向上が図られる。
【００３５】
また、実施例１と同様に採取後のレプリカを用いた計測と被検査対象パターン計測結果に基づき立体構造を得ることが可能となるため、非破壊で検査が可能となる。
本実施例では、レプリカ保管部１と真空チャンバ２０を接続する構成としたが、これらレプリカ保管部１と真空チャンバ２０の間に、予備排気室を設けても良い。
【００３６】
また、レプリカ採取の安定性を確認するため、基準パターンを装置内に設け、定期的にレプリカを採取し、それを観察することで、安定性の確認を行うことも有効である。この場合、基準パターンは、表面に凹凸パターン形状を有し、ウエハ位置決め部２３上の半導体ウエハ３１が載置される領域以外に設置すればよい。
【００３７】
また、本実施例では、レプリカの採取と被検査対象パターンの測定及び採取後のレプリカの測定を同一の真空チャンバ２０内で行うものであることから、制御部４により上記処理を時分割で行うよう制御すればよい。
【実施例３】
【００３８】
実施例２では、レプリカ採取装置を備えた検査システムとして、電子光学系を有する検査装置を用いる場合を説明した。本実施例においては、電子光学系に代えスキャットロメトリ等の光学式の検査装置を用いる場合を例に説明する。
【００３９】
光学式検査装置であるスキャットロメトリは、検査対象パターンに光源からの光を照射し、検査対象パターンから得られる回折光の強度により検査対象パターンの立体形状を計測するものである。この方法は、計測の高速性や、基板へのダメージが少ないなどの利点があるが、被測定基板が多層膜で形成されている場合や、複雑な形状をしている場合は構成されている膜の光学定数（屈折率、吸収係数）や膜厚等を事前に求めることが必要である、これらをすべて変数として扱うことも可能であるが、計算時間が膨大になるなどが問題である。本実施例においては、図１２に示すレプリカ保管部１、レプリカ処理部２１、レプリカ押当て部２２により、スキャットロメトリ用のターゲットパターン、すなわち、被検査対象パターンのレプリカを採取し、採取されたレプリカに転写された被検査対象７パターンをスキャットロメトリにより計測し立体形状を計測するよう構成する。採取されたレプリカは1種類の材料（レプリカ剤）で構成されているため、形状計測での解析が容易となり、計測誤差も低減できる。
【００４０】
本実施例によれば、実施例２と同様に、同一のチャンバ内で、レプリカの採取と採取されたレプリカの形状計測をスキャットロメトリにより測定できることからスループットの向上が図られる。また、上述のとおり複雑な光学定数の設定及び膜厚の設定も不要となることからもスループットを向上できる。
【００４１】
本実施例においては、採取されたレプリカをスキャットロメトリにて計測することで被検査パターンの形状計測を行うとしたが、これに限られず、スキャットロメトリによる被検査対象パターンの形状計測結果を、採取後のレプリカの計測結果によりキャリブレーションするよう構成しても良い。この場合、複雑な光学定数の設定及び膜厚の設定が必要となるものの、スキャットロメトリによる計測の安定性を向上することができる。
また、本実施例では同一のチャンバとしたが、レプリカ採取とスキャットロメトリによる計測を別チャンバ内で行うよう構成しても良い。
【実施例４】
【００４２】
図１３は、高アスペクト比の多数のスルーホールを有する検査対象のレプリカを説明する図である。図１３に示されるように、検査対象１１０は高アスペクト比のスルーホールを複数有している。電子光学系を有する検査装置または光学式検査装置によりスルーホールの底を観察することを想定する。この場合、電子線照射又は光源からの光を照射してもスルーホールの底付近からの反射情報はホールの側壁に衝突し欠落する。これはアスペクト比が高くなるほど反射情報の欠落は増大する。本実施例では図１または図１２に示すレプリカ保管部１、レプリカ処理部２１及びレプリカ押当て部２２により、検査対象物１１０のレプリカ１１１を採取する。レプリカ１１１には検査対象物１１０の複数のスルーホールが反転し転写され、複数の円筒状パターンが得られる。これにより、スルーホールの底付近の形状は、レプリカ１１１中の円筒状パターンの頂部付近の形状として現れることから電子光学系を有する検査装置または光学式検査装置による形状観察が可能となる。また、透明なレプリカを取得することで透過光による光学的観察も可能となる。レプリカ１１１に光を照射することで、レプリカ１１１のフーリエマップないしスキャットロメトリの情報が入手可能である。これに設計値から得られたフーリエマップないしスキャットロトリによる計測値との差分を取ることで欠陥検出が容易となり効率的となる。特に、周期性のある構造に対して欠陥が存在すると、欠陥モードの検出感度は向上する。
【実施例５】
【００４３】
図１４は、レプリカライブラリ構築の説明図である。図１４に示すレプリカライブラリは量産時における歩留まり向上のための良否判定を含む。ＣＤ−ＳＥＭ等の電子光学系を有する検査装置は、校正用の基準パターンを備えている。校正用の基準パターンとしては、所定のピッチで配線パターンが配列された形状となっている。ＣＤ―ＳＥＭ等の電子光学系を有する検査装置は、所定の周期で校正用の基準パターンを測定し、この校正用の基準パターンの測定結果を評価することで検査装置の安定性を確認している。本実施例では、この校正用の基準パターンのレプリカを採取し、採取後のレプリカを検査装置で測定することで、校正用の基準パターンがレプリカに正しく転写されているか評価するよう構成する。これにより、レプリカ採取の安定性の確認が可能となる。レプリカ採取装置を備えた検査システムの全体構成は図１２に示す構成と同様とする。校正用の基準パターンは、図１２に示すウエハ位置決め部２３の半導体ウエハ３１が載置される領域以外に設置される。これにより、検査装置による被検査対象の計測と被検査対象のレプリカ採取との干渉を回避できる。
【００４４】
以下に図１４を用いて、レプリカライブラリの構築について説明する。ここで、構築されるレプリカライブラリは制御部４の図示しないメモリまたはレプリカ保管部１の図示しないメモリに格納される。
【００４５】
制御部４は、レプリカ搬送部１５、レプリカ処理部２１、レプリカ押当て部２２及びウエハ位置決め部２３を制御し、ウエハ位置決め部２３に設置された校正用の基準パターンのレプリカを採取する。採取された校正用の基準パターンが転写されたレプリカを検査装置により測定し評価し、転写が正しく行われていることが確認された後、検査レシピに従い対応する複数の半導体ウエハ３１中のレプリカ採取領域のレプリカを採取する。採取されたレプリカ毎に、図３に示す、レプリカＩＤ、ウエハロットＮｏ、チップ座標原点マーク、レプリカ採取領域、製造工程種別コード及びレプリカ中の検査領域情報を逐次レプリカライブラリ１２０に格納する。ここで、レプリカライブラリ１２０への格納は、レプリカ採取後、当該レプリカを用いて検査した結果も併せて記憶される。すなわち、レプリカ毎にレプリカ採取領域中の検査領域に対する検査結果が紐付可能となっている。今回採取したレプリカの情報１２１とレプリカライブラリに格納されたレプリカの情報(検査の結果、良品判定されたレプリカの情報)とを比較し差分を算出する。レプリカライブラリ１２０との差がある一定値以内であるならば良品１２３としてレプリカライブラリ１２０に加える。差分が一定値を超えたなら不良品１２４として検出して、レプリカライブラリ１２０には加えず、不良品ライブラリ１２５に登録する。
【００４６】
不良品ライブラリ１２５に格納されたレプリカの情報中、製造種別コード、レプリカ採取領域及びレプリカ中の検査領域の情報を参照することにより、どの製造工程中に不良が発生しやすいのか、またはどの位置で不良が発生しやすいのかの判断が可能となる。これにより、デバイス特性の安定化、歩留まり向上が期待できる。また、個々のレプリカの情報がレプリカライブラリ１２０に登録されていても、後で良否判定の基準を厳しくした際に対応できるように、レプリカライブラリ１２０との平均値との差分を更新されるデータとして保持しておくライブラリ（データベース）としておくことが望ましい。
【００４７】
本実施例においては、ＣＤ−ＳＥＭ等の検査装置用の校正用の基準パターンを、レプリカ採取装置の基準パターンとして用いている。
【００４８】
本実施例によれば、採取されたレプリカを検査結果と紐付して格納することにより、新たなレプリカ採取時、良品と判定されたレプリカと比較することのみにより、デバイスの良否を判定することができる。
【実施例６】
【００４９】
図１５は、本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を異物検査に適用した時の説明図である。本実施例におけるレプリカ採取装置は、図１に示すレプリカ処理部２１及びウエハ位置決め部２３のいずれか一方に超音波振動または機械的振動を発生する機構を備えた点が実施例１と異なる。
【００５０】
図１に示すウエハ保管部３には、光学式検査装置等により異物が検出された半導体ウエハ３１が格納されている。制御部４は、予め光学式検査装置による検査結果を取得し、少なくとも半導体ウエハのロッドＮｏ及び異物の座標情報を図示しないメモリに取り込む。半導体ウエハのロッドＮｏ及び異物の座標情報に基づき、制御部４は、対応する半導体ウエハ３１をウエハ搬送部３０によりレプリカ採取部２内のウエハ位置決め部２３へ搬送するよう制御する。ウエハ位置決め部２３は、異物の座標情報に基づいて半導体ウエハ３１表面に付着した異物１３０がレプリカ処理部２１と対向する位置まで半導体ウエハ３１を移動する。レプリカ押当て部２２は、レプリカ剤１２が異物１３０と接触するまでレプリカ処理部２１をＺ方向に移動する。次に、レプリカ剤１２が異物１３０と接触した状態で、レプリカ処理部２１及びウエハ位置決め部２３のいずれか一方に設けられた超音波振動または機械的振動を発生する機構を駆動し加振する。所定時間加振した後、レプリカ剤１２が光硬化性樹脂の場合には紫外線を照射し、熱可塑性樹脂の場合には加熱することでレプリカ剤１２を軟化し、所定時間加振した後、冷却し硬化する。異物１３０を取り込んだレプリカを半導体ウエハ３１より剥離し、レプリカ保管部１へ搬送する。採取された異物１３０を含むレプリカを保持するレプリカパッド１１のＩＣチップに、ＩＣリーダ・ライター１４により図３に示すレプリカ管理情報を書き込む。異物１３０を含むレプリカは、レプリカ剤が透明である場合、電子光学系を有する検査装置又は光学式検査装置により観察可能となる。また、異物１３０を含むレプリカ剤のみを熱流動やアッシング等により除去することで、異物１３０のみがレプリカパッド１１に保持された状態で観察することが可能となる。
【００５１】
本実施例によれば、半導体ウエハ等の被検査体に付着する異物をレプリカに取り込むことで、検査装置により異物を詳細に観察することができる。  
【実施例７】
【００５２】
図１６は、本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を異物検査に適用したときに説明図である。実施例５と異なる点は、異物が付着する半導体ウエハ３１上に凹凸パターンが形成されていることにある。
【００５３】
図１６に示すように、半導体ウエハ３１に高さの異なる凸状パターン１４０、１４１が形成されており、これら凸状パターン１４０及び１４１の間に異物１３０が付着している。異物１３０を含むレプリカ採取については、上記実施例５と同様のためここでは説明を省略する。異物１３０を含むレプリカ１２は、その表面に凸状パターン１４０，１４１に対応して凹状のパターンが形成される。この状態で、レプリカ１２の全面に光照射すると凹状パターン部で反射光及び回折光が発生する。異物１３０からの反射光を検出するためには、波長毎に反射光及び回折光を弁別するフィルタが必要となる。しかしながら、半導体ウエハ３１上に形成されるパターンの微細化等により仮に上記フィルタを用いても弁別することが困難となっている。本実施例では、異物１３０を含むレプリカ１２表面に転写された凹凸パターンを熱フロー等により除去し、表面が平坦化されたレプリカ１２’を得る処理を実施例５の構成に追加したことを特徴としている。これにより、上記フィルタによる弁別は不要となり、異物検出感度の大幅向上が達成できる。また、レプリカ剤１２およびレプリカパッド１１を透明な材質とすることにより、照射光１４２による反射光および透過光の観察が可能となり、異物検出の感度がさらに向上する。
【実施例８】
【００５４】
図１７は、本発明の実施例に係るレプリカ採取装置を異物検査に適用したときの説明図である。実施例６では半導体ウエハ３１上に付着した異物１３０をレプリカに取り込むよう構成したが、本実施例では、異物１３０を半導体ウエハ３１上に形成された凹凸パターンの一部として、レプリカにその反転パターンを転写するよう構成した点が異なる。本実施例におけるレプリカ採取装置は、図１に示す構成と同様であり、実施例５及び実施例６においてレプリカ処理部２１及びウエハ位置決め部２３のいずれかに設けた超音波振動または機械的振動を発生する機構を必要としない構成としている。
【００５５】
図１７に示すように、半導体ウエハ３１に高さの異なる凸状パターン１４０、１４１が形成されており、これら凸状パターン１４０及び１４１の間に異物１３０が付着している。図１に示す制御部４は、半導体ウエハ３１上に形成された凸状パターン１４０、１４１と、これら凸状パターンの間に付着した異物１３０とレプリカ剤１２が接触するようレプリカ処理部２１の移動を制御する。接触後、所定量加圧した後、レプリカ剤１２へ紫外線を照射またはレプリカ剤１２を加熱することでレプリカ剤１２を硬化させる。ここで、本実施例では、実施例５及び実施例６において説明したレプリカ処理部２１またはウエハ位置決め部２３に振動を加えないため、異物１３０が半導体ウエハ３１の表面から剥離しレプリカ剤１２中に取り込まれることはない。
【００５６】
硬化後のレプリカを半導体ウエハ３１の表面から剥離することで、図１７に示すようにレプリカパッド１１に保持されたレプリカの上面には、上記凸状パターン１４０，１４１及び異物１３０の形状が転写される。本実施例では、レプリカ剤１２及びレプリカパッド１１を透明な材質としており、照射光１４２によりレプリカ表面の転写パターンからの反射光１４３とレプリカパッド１１を透過する透過光１４４を検出できる。これら検出される反射光１４３及び透過光１４４には、異物１３０の転写パターンの他に凸状パターン１４０、１４１の転写パターンに起因する反射光及び透過光が含まれている。本実施例では、半導体設計データから予め得られる規則信号情報によりフィルタリング処理を行うことで、異物１３０の形状の転写パターンに起因する反射光及び透過光のみを抽出する。
【００５７】
本実施例によれば、１種類のみの材料からなるレプリカからの反射光及び透過光を検出することで、多重反射の影響を受けることなく異物検査の検出感度を向上することができる。
【００５８】
なお、本実施例においては、レプリカからの反射光及び透過光の双方を検出するとしたが、これに限られず反射光のみ又は透過光のみを検出するようにしても良い。この場合においても、半導体ウエハに形成されたパターンへ光照射し得られる反射光から異物を検出する方式に比較し検出感度を向上できる。これは、半導体基板には複数種の材料からなる薄膜が形成されており、光照射により多重反射が発生するが、本実施例におけるレプリカは１種類の材料から構成されるものであるため、多重反射の影響を回避可能なことによる。
【００５９】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の実施例の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１  レプリカ保管部
２  レプリカ採取部
３  ウエハ保管部
４  制御部
５  予備排気室
６  ＣＤ−ＳＥＭ等の検査装置の電子光学系
１１  レプリカパッド
１２  レプリカ剤
１３  ＩＣチップ
１４  ＩＣリーダ・ライター
１５  レプリカ搬送部
２１  レプリカ採取部
２２  レプリカ押当て部
２３  ウエハ位置決め部
３０  ウエハ搬送部
３１  半導体ウエハ
【図１】
2015021805.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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