(57)【要約】【課題】絶縁基材の一面からバンプの先端までのスタンドオフ高さを確保しつつ、製造工程を簡素化できる配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板（１０）は、熱可塑性樹脂を含む絶縁基材（１２）と、金属箔が所定形状に打ち抜かれるとともに絶縁基材の一面（１２ａ）に熱圧着されてなる複数の電極（１４）と、各電極上にそれぞれ設けられ、電極と電気的に接続されたはんだバンプ（１６）と、を備える。絶縁基材は、自身の一部として一面の他の部分に対して突出し、電極をそれぞれ取り囲むように形成された隆起部（１８）と、電極を底とし、隆起部を側壁とする凹部（２２）と、を有する。はんだバンプは、凹部に配置され、電極に接続された柱部（２４）と、柱部に連結され、隆起部の突出先端よりも上方の位置まで配置されたボール部（２６）と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂を含む絶縁基材（１２）と、
金属箔が所定形状に打ち抜かれるとともに前記絶縁基材の一面（１２ａ）に熱圧着されてなる複数の電極（１４）と、
各電極上にそれぞれ設けられ、前記電極と電気的に接続されたはんだバンプ（１６）と、
を備える配線基板であって、
前記絶縁基材は、
自身の一部として前記一面の他の部分に対して突出し、前記電極をそれぞれ取り囲むように形成された隆起部（１８）と、
前記電極を底とし、前記隆起部を側壁とする凹部（２２）と、
を有し、
前記はんだバンプは、前記凹部に配置され、前記電極に接続された柱部（２４）と、前記柱部に連結され、前記隆起部の突出先端よりも上方の位置まで配置されたボール部（２６）と、を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記隆起部（１８）における前記はんだバンプ（１６）との接触部分は、前記隆起部の外側に膨らむ曲面をなし、
前記柱部（２４）と前記ボール部（２６）との連結部分は、Ｒ形状をなしていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記隆起部（１８）は、隣り合う前記隆起部の間に谷部（２０）を有するように、前記電極ごとに形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁基材（１２）の前記一面（１２ａ）に配置され、前記電極（１４）とともに形成されて前記電極から引き出された配線（３２）を備え、
前記隆起部（１８）は、前記電極を取り囲むように該電極に連結された前記配線上を横切って形成されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
熱プレスにより、金属箔（２８）を所定形状に打ち抜いて電極（１４）を形成しつつ、前記電極を、熱可塑性樹脂を含む絶縁基材（１２）に対して一面（１２ａ）側から押し込んで熱圧着させるとともに、前記電極を取り囲むように前記絶縁基材の一部を隆起させて隆起部（１８）を形成する熱プレス工程と、
前記電極を底とし、前記隆起部を側壁とする凹部（２２）にはんだペースト（３０）を充填するとともに、前記凹部の上方にも前記はんだペーストが位置するように、各電極にはんだペーストを塗布する塗布工程と、
前記はんだペースト中のはんだをリフローすることにより、前記凹部に配置され、前記電極に接続される柱部（２４）と、前記柱部に連結され、前記隆起部の突出先端よりも上方の位置まで配置されるボール部（２６）と、を有するはんだバンプ（１６）を形成するリフロー工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基材の一面に電極が配置され、この電極にはんだバンプが接続されてなる配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁基材の一面に電極が配置され、この電極にはんだバンプが接続されてなる配線基板が知られている。このような配線基板では、絶縁基材の一面からバンプの先端までの高さ、すなわちスタンドオフ高さ、を高くすることで、はんだ接合部の寿命を向上することができる。
【０００３】
しかしながら、電極の狭ピッチ化にともない、はんだバンプも狭ピッチとなると、はんだバンプの径が小さくなり、スタンドオフ高さが低くなる。したがって、はんだ接合部の寿命を確保するのが困難となる。
【０００４】
これに対し、特許文献１に記載のバンプの形成方法を採用することで、スタンドオフ高さを確保することも考えられる。
【０００５】
特許文献１では、レジストを塗布する工程と、塗布したレジストを露光・現像によりパターニングする工程と、を経ることで、レジストに所定深さの開口部を形成する。次いで、開口部の所定高さまで銅めっきを施し、ポストを形成する、次いで、開口部を埋めるように、ポスト上にはんだめっきを施す。そして、レジストを除去した後、はんだのリフローを行い、ポストとはんだからなるボールとを有するバンプを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４５２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記したように、特許文献１によれば、電極上に、銅製のポストを立て、その上にはんだボールを形成するため、基材の一面からバンプの先端までの高さ、すなわちスタンドオフ高さ、を確保することができる。
【０００８】
しかしながら、特許文献１では、めっき法によって、銅製のポスト及びはんだボールを形成するため、製造工程が複雑になる。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑み、絶縁基材の一面からバンプの先端までのスタンドオフ高さを確保しつつ、製造工程を簡素化できる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００１１】
開示された発明のひとつは、熱可塑性樹脂を含む絶縁基材（１２）と、金属箔が所定形状に打ち抜かれるとともに絶縁基材の一面（１２ａ）に熱圧着されてなる複数の電極（１４）と、各電極上にそれぞれ設けられ、電極と電気的に接続されたはんだバンプ（１６）と、を備える配線基板であって、絶縁基材は、自身の一部として一面の他の部分に対して突出し、電極をそれぞれ取り囲むように形成された隆起部（１８）と、電極を底とし、隆起部を側壁とする凹部（２２）と、を有し、はんだバンプは、凹部に配置され、電極に接続された柱部（２４）と、柱部に連結され、隆起部の突出先端よりも上方の位置まで配置されたボール部（２６）と、を有することを特徴とする。
【００１２】
このような配線基板において、隆起部（１８）は、金属箔を打ち抜いて熱圧着により電極（１４）を形成する際に形成される。また、はんだバンプ（１６）は、はんだペーストを凹部（２２）内及び凹部（２２）上に塗布し、リフローすることで形成される。したがって、隆起部（１８）により、例えばリフロー時に溶融したはんだが一面（１２ａ）に沿う方向へ広がるのを抑制することができる。これにより、はんだバンプ（１６）の高さを確保することができる。
【００１３】
また、熱プレスによる電極（１４）及び隆起部（１８）の形成→はんだペースト塗布→はんだリフローの工程により、絶縁基材（１２）に電極（１４）とはんだバンプ（１６）を形成することができる。したがって、めっき法を用いた従来の構成に較べて、製造工程を簡素化することができる。
【００１４】
さらには、上記したように、隆起部（１８）により、溶融したはんだが一面（１２ａ）に沿う方向へ広がるのを抑制することができる。したがって、例えば隣り合う電極（１４）同士ではんだバンプ（１６）が接続されて短絡が生じたり、溶融したはんだが接触して、はんだバンプの大きさにばらつきが生じる、などの不具合を抑制することができる。
【００１５】
次に、開示された他の発明は、上記した配線基板の製造方法であって、熱プレスにより、金属箔（２８）を所定形状に打ち抜いて電極（１４）を形成しつつ、電極を、熱可塑性樹脂を含む絶縁基材（１２）に対して一面（１２ａ）側から押し込んで熱圧着させるとともに、電極を取り囲むように絶縁基材の一部を隆起させて隆起部（１８）を形成する熱プレス工程と、電極を底とし、隆起部を側壁とする凹部（２２）にはんだペースト（３０）を充填するとともに、凹部の上方にもはんだペーストが位置するように、各電極にはんだペーストを塗布する塗布工程と、はんだペースト中のはんだをリフローすることにより、凹部に配置され、電極に接続される柱部（２４）と、柱部に連結され、隆起部の突出先端よりも上方の位置まで配置されるボール部（２６）と、を有するはんだバンプ（１６）を形成するリフロー工程と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明の作用効果は、上記した発明の作用効果と同じであるため、その記載を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態に係る配線基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII-II線に沿う断面図である。
【図３】図２に一点鎖線で示す領域IIIを拡大した図である。
【図４】図３において、はんだボールを省略した図である。
【図５】配線基板の製造工程のうち、熱プレス工程を示す断面図であり、図２に対応している。
【図６】配線基板の製造工程のうち、塗布工程を示す断面図であり、図２に対応している。
【図７】配線基板の製造工程のうち、リフロー工程を示す断面図であり、図２に対応している。
【図８】スタンドオフ高さの効果を示す断面図である。
【図９】第１実施形態に係る配線基板において、電極及びはんだバンプの形成手順を示す図である。
【図１０】参考例としての従来の電極及びバンプの形成手順を示す図である。
【図１１】第２実施形態に係る配線基板のうち、隆起部周辺を拡大した平面図である。
【図１２】配線基板の活用例を示す断面図である。
【図１３】隆起部の変形例を示す図である。
【図１４】隆起部及びはんだバンプの変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。
【００１９】
（第１実施形態）
先ず、図１〜図４に基づき、配線基板の概略構成について説明する。
【００２０】
図１及び図２に示すように、配線基板１０は、絶縁基材１２と、絶縁基材１２に配置された電極１４と、電極１４上に形成されたはんだバンプ１６と、を備えている。
【００２１】
絶縁基材１２は、熱可塑性樹脂を材料として少なくとも含むものである。この熱可塑性樹脂としては、以下の条件を満たす材料を採用することができる。第１の条件は、後述する熱プレスにより、金属箔２８を打ち抜いてなる電極１４を、絶縁基材１２に押し込んで熱圧着できるように、熱プレス時の熱で軟化することにある。第２の条件は、後述するはんだペースト３０のはんだをリフローしてはんだバンプ１６を形成する際に、軟化しないことにある。例えばＰＢＴやＰＰＳなどを採用することができる。また、熱可塑性樹脂にガラスクロスなどを混合させた材料を用いることもできる。
【００２２】
本実施形態では、図１に示すように、絶縁基材１２が平面矩形状に成形されており、絶縁基材１２の厚み方向における両面１２ａ，１２ｂのうち、一方の面１２ａに電極１４が配置されている。以下においては、一方の面１２ａを一面１２ａと示し、一面１２ａと反対の面１２ｂを裏面１２ｂと示す。
【００２３】
なお、絶縁基材１２に対する配線の層数は特に限定されるものではない。上記した電極１４も配線の一部である。したがって、配線は、絶縁基材１２の一面１２ａ側表層に少なくとも配置されれば良い。さらに、裏面１２ｂ側に配置されても良いし、絶縁基材１２の内部に配置されても良い。本実施形態では、便宜上、一面１２ａに配置された電極１４のみ、を図示する。
【００２４】
電極１４は、上記したように、絶縁基材１２の配置された配線の一部である。この電極１４はランドとも言う。電極１４は、絶縁基材１２の一面１２ａ側表層に配置されており、一方の面１４ａ（以下、外面１４ａと示す）が、一面１２ａのうち、隆起部１８を除く部分と略面一とされ、外面１４ａと反対の面が絶縁基材１２の内部に配置されている。
【００２５】
また、電極１４は、上記したように、金属箔２８を打ち抜き加工してなるものである。本実施形態では、金属箔２８として銅箔を採用している。また、絶縁基材１２の一面１２ａに沿う方向において、電極１４の平面形状が略真円状とされており、真円状の複数の電極１４が、隣り合う電極１４との間に所定のピッチを有して行列状に配置されている。例えば、電極１４の直径が約２００μｍとなっている。
【００２６】
はんだバンプ１６は、複数の電極１４に対応して各電極１４上にそれぞれ形成されており、対応する電極１４と電気的且つ機械的に接続されている。すなわち、はんだバンプ１６は、絶縁基材１２の一面１２ａ上において、所定のピッチを有して行列状に配置されている。本実施形態では、図１に示すように、５行×７列の配置となっている。また、はんだバンプ１６の一面１２ａに沿う方向の直径が約２５０μｍとされ、ピッチが約０．５ｍｍとなっている。
【００２７】
また、絶縁基材１２は、隆起部１８と、谷部２０と、凹部２２と、を有している。
【００２８】
隆起部１８は、熱プレスの際に、絶縁基材１２の一面１２ａ側の一部が隆起することで、絶縁基材１２の一部として形成されている。この隆起部１８は、絶縁基材１２の一面１２ａ側表層に配置された電極１４に対して、該電極１４に隣接しつつ取り囲むように形成されている。本実施形態では、平面真円状の電極１４を取り囲むように、平面円環状をなしている。そして、図２及び図３に示すように、隆起部１８は、絶縁基材１２の一面１２ａにおける他の部分及び電極１４の外面１４ａの上方に突出している。また、隆起部１８は、電極１４の外面１４ａにおける縁部に密着し、該縁部を被覆している。
【００２９】
また、図３に示すように、隆起部１８の断面形状は、半楕円形となっている。換言すれば、角のないＲ形状となっている。そして、隆起部１８におけるはんだバンプ１６との接触部分は、隆起部１８の外側に膨らむ曲面をなしている。
【００３０】
谷部２０は、隣り合う電極１４をそれぞれ取り囲む隆起部１８の間に形成されており、隆起部１８を山とすると、２つの山の間の形成された谷の部分である。本実施形態では、図２に示すように、隣り合う電極１４をそれぞれ取り囲む隆起部１８同士が接触しないように、各隆起部１８が形成されている。換言すれば、隣り合う隆起部１８の間に、一面１２ａにおける隆起部１８を除く部分（電極１４の外面１４ａと面一の部分）が位置している。
【００３１】
凹部２２は、図４に示すように、電極１４の外面１４ａを底とし、隆起部１８を側壁として形成されている。そして、はんだバンプ１６は、図３に示すように、凹部２２に配置され、電極１４に接続された柱部２４と、柱部２４に連結され、隆起部１８の突出先端よりも上方の位置まで配置されたボール部２６と、を有している。ボール部２６は略球状（半球状）をなしており、柱部２４は、電極１４上にボール部２６を支持している。なお、図３では、絶縁基材１２の厚み方向において、隆起部１８の突出先端と同じ位置に二点鎖線を示している。この二点鎖線の位置を境界として、凹部２２内の部分が柱部２４となっている。また、隆起部１８の突出先端よりも上方とは、該突出先端よりも一面１２ａにおける隆起部１８を除く部分との距離が長くなる方向である。
【００３２】
上記したように、隆起部１８におけるはんだバンプ１６との接触部分は、隆起部１８の外側に膨らむ曲面をなしている。これにより、はんだバンプ１６において、柱部２４とボール部２６とのとの連結部分は、Ｒ形状をなしている。そして、はんだバンプ１６は、言うなれば電球様の形状をなしている。
【００３３】
次に、図５（ａ），（ｂ）、図６、及び図７に基づき、上記した配線基板１０の製造方法について説明する。
【００３４】
先ず、絶縁基材１２を準備する。この絶縁基材１２は、上記したように、熱可塑性樹脂を含む。そして、熱プレス工程を実施する。この熱プレスは、金属箔プレスとも言う。
【００３５】
この熱プレス工程では、図５（ａ）に示すように、絶縁基材１２の一面１２ａに金属箔２８を配置し、絶縁基材１２の裏面１２ｂが、図示しない下型の受け面に接するように、下型に絶縁基材１２を載置する。そして、この状態で、プレス型１００（上型）を下降させ、プレス型１００の凹凸形状により、凸部１０２に対応する金属箔２８の部分を打ち抜く。
【００３６】
このとき、プレス型１００及び下型の少なくとも一方が、図示しないヒータなどによって加熱されており、この熱で、絶縁基材１２の一面１２ａ側表層が軟化する。したがって、打ち抜かれた金属箔２８、すなわち、電極１４を少なくとも含む配線は、図５（ｂ）に示すように、絶縁基材１２に押し込まれて溶着（熱圧着）する。このように、プレス型１００にて金属箔２８を打ち抜き、熱圧着させて、絶縁基材１２の一面１２ａ側表層に電極１４を配置する。
【００３７】
なお、金属箔２８のうち、電極１４（配線）として用いられない不要部分は、プレス型１００の凹部に位置するため、プレス型１００によって絶縁基材１２に押し込まれずに残る。したがって、型開き後に除去することができる。
【００３８】
また、熱プレス工程では、上記したように、熱プレスにより、打ち抜いた電極１４を、厚み方向において絶縁基材１２に押し込む。この押し込みにより、電極１４直下の軟化した絶縁基材１２の部分が、厚み方向に垂直な方向、すなわち一面１２ａに沿う方向において、電極１４の周囲に押しやられる。そして、図５（ｂ）に示すように、絶縁基材１２の一面１２ａのうち、電極１４の周囲部分が盛り上がり、隆起部１８が形成される。また、隆起部１８が形成されるとともに、凹部２２も形成される。さらに、本実施形態では、谷部２０も形成される。
【００３９】
また、盛り上がった絶縁基材１２は、プレス型１００を絶縁基材１２から離反させると、電極１４の外面１４ａの縁部に流動し、縁部を被覆する。すなわち、隆起部１８が、電極１４の縁部を被覆する。以上により、電極１４を絶縁基材１２に配置するとともに、電極１４に隣接しつつ、電極１４の外形輪郭に沿って、電極１４を取り囲む隆起部１８を形成することができる。
【００４０】
隆起部１８の形状及び高さは、例えば電極１４の押し込み量により、調整することができる。本実施形態では、電極１４の外面１４ａが、絶縁基材１２の一面１２ａにおける隆起部１８の形成されない部分と面一となるように押し込む。なお、一面１２ａにおける隆起部１８の形成されない部分は、裏面１２ｂに対し、プレス型１００でプレスされる前の絶縁基材１２の一面１２ａの位置とほぼ一致する。これにより、上記した形状の隆起部１８を形成することができる。本実施形態では、隆起部１８の表面が段差（角）を有さず、隆起部１８の外側に膨らむ連続する曲面をなすように、隆起部１８が形成される。
【００４１】
なお、隆起部１８を整形したい場合には、熱プレス工程に次いで、隆起部１８の整形工程を実施しても良い。この整形工程では、温度上昇により軟化した隆起部１８を加圧して流動させても良いし、軟化（又は溶融）した隆起部１８を、自重により流動させても良い。例えば接触方式として、加熱しつつ金型でプレスする方法、金型以外のヒートツールを用いる方法などを採用することができる。また、非接触方式として、熱風を照射する方法、レーザ光を照射する方法などを採用することができる。本実施形態では、この整形工程を実施せず、次の工程に移行する。
【００４２】
次いで、塗布工程を実施する。この塗布工程では、図６に示すように、電極１４の外面１４ａにおける露出部分に、はんだペースト３０を塗布する。はんだペースト３０は、はんだ粉末と、フラックスとを混練してなる。詳しくは、電極１４の外面１４ａと隆起部１８により形成された凹部２２内及びその上方に一体的に配置されるように、各電極１４に対して、はんだペースト３０を塗布する。また、各電極１４に対応するはんだペースト３０同士が接触しないように、はんだペースト３０を塗布する。
【００４３】
本実施形態では、はんだペースト３０が、隆起部１８の突出先端から内周側の面のほぼ全面に接触し、且つ、上記突出先端から所定高さ分上方に位置するように、はんだペースト３０が配置される。はんだペースト３０の塗布方法としては、例えばスクリーン印刷、ディスペンサーによる塗布、インクジェットなどを採用することができる。
【００４４】
次いで、リフロー工程を実施する。このリフロー工程では、はんだペースト３０を加熱し、はんだ粉末を溶融させる。この溶融はんだは、隆起部１８によって、凹部２２内及び凹部２２の上方に保持される。そして、溶融はんだは、凹部２２内を満たし、且つ、凹部２２の上方において、はんだの表面張力により略球状（半球状）となる。したがって、冷却固化を経て、柱部２４及びボール部２６を有するはんだバンプ１６が形成される。
【００４５】
次に、本実施形態に係る配線基板１０の効果について説明する。
【００４６】
本実施形態では、絶縁基材１２が隆起部１８を有しており、この隆起部１８は、金属箔２８を打ち抜いて熱圧着により電極１４を形成する際に形成される。また、はんだバンプ１６は、はんだペースト３０を凹部２２内及び凹部２２上に塗布し、リフローすることで形成される。すなわち、はんだペースト３０の塗布時には、隆起部１８が存在している。
【００４７】
ここで、図８は、隆起部を有さない配線基板の参考例におけるスタンドオフ高さＨ１と、本実施形態の配線基板１０におけるスタンドオフ高さＨ２を示している。なお、参考例においては、本実施形態と対応する要素の符号を、本実施形態の要素の符合に１００を加算したものとしている。したがって、絶縁基材１１２、一面１１２ａ、電極１１４、はんだバンプ１１６である。
【００４８】
参考例では、隆起部が存在しないため、リフロー時に、溶融はんだが一面１１２ａに沿う方向に広がり、一面１１２ａからはんだバンプ１１６の突出先端までのスタンドオフ高さはＨ１となる。一方、本実施形態では、隆起部１８が電極１４を取り囲んでおり、隆起部１８を側壁とする凹部２２が形成されている。したがって、リフロー時に、溶融はんだが一面１２ａに沿う方向へ広がろうとするのを、隆起部１８により抑制することができる。換言すれば、隆起部１８と電極１４により形成される凹部２２内に、溶融はんだを保持することができる。このように、一面１２ａに沿う方向への広がりを抑制できる分、スタンドオフ高さは、参考例のＨ１よりも高いＨ２となる。すなわち、スタンドオフ高さを確保することができる。なお、隆起部１８により、はんだペースト３０が一面１２ａに沿う方向に広がるのを抑制することもできる。
【００４９】
図９は、本実施形態に係る配線基板において、電極及びはんだバンプの形成手順を示している。この図９は、図５〜図７を用いて上記した製造方法の説明に対応している。一方、図１０は、参考例としての従来の電極及びバンプの形成手順を示す図である。
【００５０】
図９に示すように、本実施形態では、熱プレスにより、電極１４を絶縁基材１２の一面１２ａに配置するとともに、隆起部１８を形成する（Ｓ１０）。次いで、はんだペースト３０を各電極１４上に塗布し（Ｓ２０）、はんだをリフローすることで、はんだバンプ１６を形成する（Ｓ１２）。以上の、３つのステップＳ１０〜Ｓ１２により、絶縁基材１２に電極１４とはんだバンプ１６を形成することができる。
【００５１】
一方、めっき法を用いる従来の方法では、図１０に示すように、先ず電極（配線）を形成し（Ｓ２０）、次いで、レジストを塗布する（Ｓ２１）。そして、塗布したレジストを、露光・現像することでパターニングし、レジストに、電極を底とする開口部を形成する（Ｓ２２）。次に、開口部の底から所定高さまで銅めっきを行い、はんだバンプの柱部となる部分を形成する（Ｓ２３）。そして、銅めっき上にはんだめっきを行い、ボール部となる部分を形成する（Ｓ２４）。次に、レジストを除去し（Ｓ２５）、はんだをリフローすることで、柱部及びボール部を有するバンプを形成する（Ｓ２６）。
【００５２】
このように、本実施形態によれば、めっき法を用いた従来の構成に較べて、製造工程を簡素化することができる。
【００５３】
さらには、上記したように、隆起部１８により、溶融はんだが一面１２ａに沿う方向へ広がるのを抑制することができる。したがって、例えばはんだバンプ１６が繋がって、隣り合う電極１４間で短絡が生じたり、溶融はんだが接触して、一方のはんだを奪うことで、はんだバンプ１６の大きさにばらつきが生じる、などの不具合が生じるのを抑制することができる。
【００５４】
特に本実施形態では、隣り合う隆起部１８の間に谷部２０を有するように、隆起部１８が電極ごとに形成されている。したがって、万が一、溶融はんだが凹部２２から溢れても、谷部２０によって距離を稼ぐことができるため、短絡が生じにくくすることができる。
【００５５】
また、本実施形態では、図３に示したように、隆起部１８におけるはんだバンプ１６との接触部分が、隆起部１８の外側に膨らむ曲面をなしている。そして、これにより、はんだバンプ１６において、柱部２４とボール部２６との連結部分は、Ｒ形状をなしている。このように、はんだバンプ１６がＲ形状をなしているため、角を有する形状に較べて、隆起部１８を含む絶縁基材１２、電極１４、及びはんだバンプ１６の線膨張係数差に基づく熱応力が局所的に集中しにくい。したがって、はんだバンプ１６の応力集中による疲労破壊を抑制することができる。
【００５６】
（第２実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示した配線基板１０と共通する部分についての説明は割愛する。
【００５７】
本実施形態に係る配線基板１０は、図１１に示すように、絶縁基材１２の一面１２ａに、電極１４だけでなく、電極１４から引き出された配線３２を備えている。この配線３２は、上記した熱プレスにより、電極１４とともに形成されている。そして、隆起部１８は、電極１４を取り囲むように、該電極１４に連結された配線３２上を横切って形成されている。
【００５８】
このような隆起部１８は、上記した熱プレス工程において形成することも可能である。しかしながら、配線３２の幅や絶縁基材１２への押し込み量等によっては、熱プレス工程のみで、配線３２上を横切って環状の隆起部１８が形成されないことも考えられる。この場合には、上記したように、熱プレス工程後、塗布工程の前に、隆起部１８の整形工程を実施すればよい。
【００５９】
このように、本実施形態では、一面１２ａに、電極１４から引き出される配線３２を有しながらも、電極１４を取り囲むべく、配線３２を横切って環状の隆起部１８が形成されている。したがって、配線３２を横切らずに隆起部１８を設ける構成に較べて、凹部２２内から配線３２側へ溶融はんだが流れにくく、スタンドオフ高さを確保することができる。また、配線３２側、すなわち凹部２２外へ、溶融はんだが流れにくいので、電極間の短絡やはんだバンプ１６の大きさのばらつきも抑制することができる。
【００６０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００６１】
上記実施形態では、配線基板１０が何に用いられるか特に言及しなかった。配線基板１０は、例えば絶縁基材１２の裏面１２ｂ側に半導体チップが搭載され、半導体チップとともに半導体パッケージを構成しても良い。この場合、半導体チップと一面１２ａ側の電極１４及びはんだバンプ１６とは、電気的に接続される。一例として示す図１２では、絶縁基材１２の裏面１２ｂに、半導体チップ３４が搭載されている。裏面１２ｂの表層には、電極３６が配置されており、この電極３６に隣接して隆起部３８が形成されている。そして、半導体チップ３４における搭載面と反対の面に形成された電極４０と、裏面１２ｂの電極３６とが、隆起部３８の表面に形成された配線４２を介して、電気的に接続されている。また、半導体チップ３４は、封止樹脂体４４により絶縁基材１２の裏面１２ｂごと封止されている。図１２に示すような絶縁基材１２の裏面１２ｂ側の構成は、熱プレスによって形成することができる。詳細については、本出願人は特願２０１２−２５６３０６号にて出願しているため、説明を割愛する。
【００６２】
上記実施形態では、隣り合う隆起部１８の間に形成される谷部２０として、一面１２ａにおける隆起部１８が形成されない部分を底とする例を示した。しかしながら、谷部２０としては、図１３（ａ）に示すように、隣り合う隆起部１８が一部連結されながらも形成されるものであっても良い。しかしながら、谷部２０が深いほど、短絡抑制等の効果が高くなる。
【００６３】
また、図１３（ｂ）に示すように、谷部２０を有さず、隣り合う隆起部１８が完全に一体化した構成も採用することができる。
【００６４】
上記実施形態では、隆起部１８の断面形状が半楕円形とされる例を示した。しかしながら、隆起部１８の形状は上記例に限定されるものではない。例えば、角を有する形状としても良い。一例として示す図１４では、隆起部１８の断面形状が矩形状となっている。これにより、はんだバンプ１６において、柱部２４も円柱状をなし、柱部２４とボール部２６との連結部分に角が存在する。このように、はんだバンプ１６が角を有すると、上記した熱応力が集中するため、はんだバンプ１６の熱疲労破壊が生じやすくなる。したがって、好ましくは、柱部２４とボール部２６とのとの連結部分がＲ形状をなすように、隆起部１８におけるはんだバンプ１６との接触部分を、隆起部１８の外側に膨らむ曲面とすると良い。
【符号の説明】
【００６５】
１０・・・配線基板、１２・・・絶縁基材、１２ａ・・・一面、１２ｂ・・・裏面、１４・・・電極、１４ａ・・・外面、１６・・・はんだバンプ、１８・・・隆起部、２０・・・谷部、２２・・・凹部、２４・・・柱部、２６・・・ボール部、２８・・・金属箔、３０・・・はんだペースト、３２・・・配線、３４・・・半導体チップ、３６・・・電極、３８・・・隆起部、４０・・・電極、４２・・・配線、４４・・・封止樹脂体、４６・・・半導体パッケージ、１００・・・プレス型、１０２・・・凸部、１１２・・・絶縁基材、１１２ａ・・・一面、１１４・・・電極、１１６・・・はんだバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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