(57)【要約】【課題】セラミック基板に形成される外部電極を、導電性ペーストで形成された下地電極とめっき形成された表面電極とで構成する場合に、セラミック基板と下地電極の界剥離および下地電極と表面電極の界面剥離の両方を低減する。【解決手段】配線基板２ａの製造方法は、未焼成状態のセラミック基板４を準備する工程と、セラミック基板４を構成する材料と金属とを含有する導電性ペーストを未焼成状態のセラミック基板４の一方主面に印刷することにより、セラミック基板４の一方主面から露出した露出面を有する下地電極５ａを形成する工程と、下地電極５ａとともに未焼成状態のセラミック基板４を焼成する工程と、めっき処理により下地電極５ａ上に表面電極５ｂを形成する工程と、下地電極５ａの金属と表面電極５ｂの金属とが金属焼結する温度で焼成することにより、下地電極５ａと表面電極５ｂの境界面で当該両金属を金属焼結させる工程とを備える。【選択図】図１
2015201514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未焼成状態のセラミック基板を準備する準備工程と、
前記セラミック基板を構成する材料と金属とを含有する導電性ペーストを前記未焼成状態の前記セラミック基板の一方主面に印刷することにより、前記セラミック基板の一方主面から露出した露出面を有する外部電極用の下地電極を形成する下地電極形成工程と、
前記下地電極とともに前記未焼成状態の前記セラミック基板を焼成する第１焼成工程と、
めっき処理により前記下地電極の前記露出面に外部電極用の表面電極を形成する表面電極形成工程と、
前記下地電極の金属と前記表面電極の金属とが金属焼結する温度で焼成することにより、
前記下地電極と前記表面電極の境界面で当該両金属を金属焼結させる第２焼成工程と
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
セラミック基板と、
その構成材料に金属および前記セラミック基板を構成する材料を含有し、前記セラミック基板の一方主面から露出する露出面を有するように前記セラミック基板に形成された外部電極用の下地電極と、
前記下地電極の前記露出面にめっき形成された外部電極用の表面電極とを備え、
前記下地電極と前記表面電極とが、前記下地電極の金属と前記表面電極の金属との間の金属焼結により接合されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記下地電極の金属と前記表面電極の金属とが同じ金属で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記表面電極には、前記セラミック基板を構成する材料を含有しないことを特徴とする請求項２または３に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板の主面に下地電極と表面電極とで構成された外部電極が形成された配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、図４に示すように、配線基板上に部品が実装されたモジュールが知られている（特許文献１参照）。このモジュール１００は、配線基板１０１と、該配線基板１０１の上面に実装された複数の部品１０２とを備える。配線基板１０１は、例えば低温同時焼成セラミックで形成されたコア基板としてのセラミック基板１０３と、セラミック基板１０３の内部に形成された複数の内部電極１０４およびビア導体１０５と、セラミック基板に内蔵された複数のチップ部品１０６とを備える。また、セラミック基板１０３の上下面それぞれには、外部接続用の複数の外部電極１０７が形成されており、上面側の各外部電極１０７が、各部品１０２を実装するための実装電極として使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−５３３２８号公報（段落００２２〜００２８、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来のモジュール１００の各外部電極１０７は、セラミック基板１０３の主面にスクリーン印刷技術を用いて、Ｃｕ等の金属を含有する導電性ペーストを塗布することによりそれぞれ形成される。しかしながら、導電性ペーストに含有する金属とセラミック基板１０３とは密着力が低いため、配線基板１０１を外部と接続したときに、外部電極１０７とセラミック基板１０３の界面剥離が生じるおそれがある。この課題を解決する方策として、外部電極１０７を形成する導電性ペーストに、セラミック基板１０３を構成する材料（例えば、ガラス成分）を含有させた上で、当該導電性ペーストをセラミック基板１０３と一緒に焼成することが考えられる。このようにすると、ガラス成分が導電性ペースト中に含まれる金属とセラミック基板１０３とを接着する接着材として機能するため、外部電極１０７とセラミック基板１０３の界面剥離を低減することができる。
【０００５】
その一方で、ガラス成分を含有する導電性ペーストで外部電極を形成すると、半田の濡れ性等が悪くなるため、外部との接続性が劣化する。そのため、外部電極を、上記したようなガラス成分を含有する導電性ペーストを用いて形成された下地電極と、該下地電極の表面にガラス成分を含有しない導電性ペーストを再度スクリーン印刷することにより形成された表面電極との２層構造にするものが開発されている。
【０００６】
しかしながら、このように複数の印刷により外部電極を形成すると、印刷精度や導電性ペーストの滲み等を加味した設計スペースが必要となり、狭ピッチで外部電極を配置する際の障害となる。さらに、印刷方式では、外部電極の厚みが厚くなり、配線基板の薄型化が困難になる。ここで、下地電極の金属をめっき核として、めっきにより表面電極を形成することが考えられる。このようにすると、表面電極を印刷方式で形成しない分、外部電極の狭ピッチ化および薄膜化が容易になるが、下地電極の表面にはガラス成分が存在するため、下地電極と表面電極との密着強度が低くなるという弊害がある。したがって、セラミック基板と外部電極との密着強度を向上するに当たり、セラミック基板と導電性ペーストで形成された下地電極の密着強度の向上と下地電極とめっきにより形成された表面電極との密着強度の向上の両立を実現できる技術が要求されている。
【０００７】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、セラミック基板の主面に導電性ペーストにより形成された下地電極と、下地電極の表面にめっき形成された表面電極とにより構成された外部電極を備える配線基板において、セラミック基板と下地電極の界面剥離および下地電極と表面電極の界面剥離の両方を低減する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明の配線基板の製造方法は未焼成状態のセラミック基板を準備する準備工程と、前記セラミック基板を構成する材料と金属とを含有する導電性ペーストを前記未焼成状態の前記セラミック基板の一方主面に印刷することにより、前記セラミック基板の一方主面から露出した露出面を有する外部電極用の下地電極を形成する下地電極形成工程と、前記下地電極とともに前記未焼成状態の前記セラミック基板を焼成する第１焼成工程と、めっき処理により前記下地電極の前記露出面に外部電極用の表面電極を形成する表面電極形成工程と、前記下地電極の金属と前記表面電極の金属とが金属焼結する温度で焼成することにより、前記下地電極と前記表面電極の境界面で当該両金属を金属焼結させる第２焼成工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
この場合、第１焼成工程により、セラミック基板を構成する材料を含有する導電性ペーストで形成された外部電極用の下地電極がセラミック基板とともに焼成される。このようにすると、下地電極の導電性ペーストに含有するセラミック基板を構成する材料を、セラミック基板と下地電極の金属を接着する接着材として機能させることができるため、セラミック基板と外部電極用の下地電極との密着強度が向上する。
【００１０】
また、セラミック基板と外部電極とは、焼成時の焼結タイミングが異なるため、セラミック基板上に形成される外部電極の厚みが厚くなるとセラミック基板に反り等が発生する。しかしながら、本発明では、外部電極用の表面電極をセラミック基板の焼成後に形成することにより、焼成前の外部電極の厚みを薄くすることができるため、焼成後のセラミック基板の反りが低減する。また、下地電極を形成する導電性ペーストが、セラミック基板を構成する材料を含有することで、下地電極の焼成時の焼結タイミングをセラミック基板に近づけることもできる。
【００１１】
また、表面電極形成工程により、下地電極の金属をめっき核として該下地電極の露出面に外部電極用の表面電極が形成されるため、下地電極の露出面にスクリーン印刷で表面電極を形成する場合と比較して、印刷精度やペーストの滲み等を加味した設計スペースを確保する必要がなく、セラミック基板に狭ピッチで外部電極を形成することができる。
【００１２】
また、セラミック基板を構成する材料を含有する導電性ペーストで形成された下地電極の表面（露出面）に、めっき処理により表面電極を形成すると、両電極の密着強度が低下して界面剥離のおそれがある。しかしながら、本発明では、表面電極を形成した後に、第２焼成工程により、下地電極と表面電極の境界面で両電極の金属を金属焼結させるため、下地電極と表面電極の密着強度が向上する。以上のように、セラミック基板の主面に導電性ペーストにより形成された下地電極と、下地電極の表面にめっき形成された表面電極とにより構成された外部電極を備える配線基板において、セラミック基板と下地電極の界面剥離および下地電極と表面電極の界面剥離の両方を低減できる配線基板を製造することができる。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、セラミック基板と、その構成材料に金属および前記セラミック基板を構成する材料を含有し、前記セラミック基板の一方主面から露出する露出面を有するように前記セラミック基板に形成された外部電極用の下地電極と、前記下地電極の前記露出面にめっき形成された外部電極用の表面電極とを備え、前記下地電極と前記表面電極とが、前記下地電極の金属と前記表面電極の金属との間の金属焼結により接合されていることを特徴としている。
【００１４】
この構成によると、外部電極用の下地電極が、セラミック基板を構成する材料を含有するため、下地電極が金属のみで構成される場合と比較して、セラミック基板と下地電極との密着強度が向上する。また、外部電極用の下地電極と表面電極とが、下地電極の金属と表面電極の金属との間の金属焼結により接合されるため、表面電極の金属と、下地電極の金属との間で金属焼結がない場合と比較して、下地電極と表面電極の密着強度が向上する。
【００１５】
また、前記下地電極の金属と前記表面電極の金属とが同じ金属で形成されていてもよい。このようにすると、下地電極の金属と表面電極の金属との焼結温度の低温化を図ることができる等、両電極間の金属結合を円滑に形成することができるため実用的である。
【００１６】
また、前記表面電極には、前記セラミック基板を構成する材料を含有しなくてもよい。この場合、外部電極の外部と直接接続される部分の金属密度を高くすることができるため、セラミック基板との密着強度の向上を図りつつ、外部との接続性のすぐれた外部電極を備える配線基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第１焼成工程により、セラミック基板を構成する材料を含有する導電性ペーストで形成された下地電極とともに未焼成状態のセラミック基板を焼成する。そして、下地電極の露出面にめっき処理により表面電極を形成した後、第２焼成工程により、下地電極の金属と表面電極の金属との間を金属焼結させる。このようにすると、導電性ペーストにより形成された下地電極と、下地電極の表面にめっき形成された表面電極とにより外部電極を構成した場合において、セラミック基板と下地電極の界面剥離および下地電極と表面電極の界面剥離の両方を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる配線基板が適用されるモジュールの断面図である。
【図２】図１の外部電極の断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる配線基板の外部電極の断面図である。
【図４】従来の配線基板が適用されたモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる配線基板２ａについて、図１および図２を参照して説明する。なお、図１は配線基板１ａの断面図であり、図２は図１の部分拡大図であり、外部電極の断面図を示している。
【００２０】
この実施形態にかかる配線基板２ａが適用されるモジュール１は、図１に示すように、配線基板２ａと、該配線基板２ａの一方主面に実装された複数の電子部品３とを備え、例えば、高周波モジュールとして使用される。
【００２１】
各電子部品３としては、ＳｉやＧａＡｓ等で形成された半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品などが挙げられ、周知の表面実装技術を用いて配線基板２ａの一方主面（上面）に実装される。
【００２２】
配線基板２ａは、複数（この実施形態では３層）のセラミック層４ａが積層されて成るコア基板としてのセラミック基板４と、セラミック基板４の両主面それぞれに形成された複数の外部電極５と、セラミック基板４の内部に形成された複数の内部電極６および複数のビア導体７とを備えている。
【００２３】
セラミック基板４の各セラミック層４ａそれぞれは、例えば、ホウケイ酸系ガラス（ガラス成分）、アルミナ、シリカ等を主成分とする低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）で形成されている。なお、セラミック基板４は単層であってもかまわない。
【００２４】
各内部電極６は、Ｃｕ、Ａｇ等の一般的な配線電極に採用される金属で形成されており、所定のセラミック層４ａの主面に、スクリーン印刷などによりそれぞれ形成される。また、各ビア導体７それぞれは、Ｃｕ、Ａｇ等の金属から成り、周知の方法で各セラミック層４ａに形成される。ここで、各ビア導体７は、所定の外部電極５と内部電極６同士や、所定の内部電極６同士を接続する層間接続導体として使用される。
【００２５】
各外部電極５は、図２に示すように、セラミック基板４の主面から露出する露出面を有するようにセラミック基板５に形成された下地電極５ａと、下地電極５ａの前記露出面にめっき形成された表面電極５ｂとでそれぞれ構成され、所定のビア導体７に接続される。
ここで、各下地電極５ａは必ずしもビア導体７と接続される必要はなく、セラミック基板４の主面上に形成された配線電極と接続されていてもよい。なお、この実施形態では、セラミック基板４の上面に形成された各外部電極５は、各電子部品３を実装するための実装電極としてそれぞれ使用されている。
【００２６】
下地電極５ａは、ＣｕやＡｇ等の金属と、セラミック基板４を構成する材料の一つであるガラス成分とを含有する導電性ペーストで形成されており、セラミック基板４の主面にスクリーン印刷などにより塗布された後、セラミック基板４と一緒に焼成されることで得られる。なお、この実施形態における導電性ペーストは、金属成分がＣｕで形成されている。
【００２７】
表面電極５ｂは、下地電極５ａの金属を核として、下地電極５ａの露出面にＣｕ等の金属でめっき形成される。このようにすることで、下地電極の露出面に、ガラス成分を含有しない金属密度の高い膜（表面電極５ｂ）が形成される。また、各外部電極５それぞれは、下地電極５ａと表面電極５ｂの境界面における下地電極５ａの金属と表面電極５ｂの金属との間の金属焼結により接合されている。
【００２８】
（配線基板の製造方法）
次に、配線基板２ａの製造方法について説明する。まず、各セラミック層４ａを形成する複数のセラミックグリーンシートを用意し、各セラミックグリーンシートに内部電極６およびビア導体７を形成する。このとき、各ビア導体７は、セラミックグリーンシートの所定位置にレーザなどで貫通孔を形成し、該貫通孔にＣｕ等の金属を含有する導電性ペーストを印刷方式により充填するなどしてそれぞれ形成することができる。また、内部電極６は、セラミックグリーンシートの主面に、スクリーン印刷などによりＣｕ等の金属を含有する導電性ペーストを塗布することによりそれぞれ形成することができる。なお、この実施形態における各セラミックグリーンシートは、アルミナやガラス成分などを含有する低温同時焼成セラミックでそれぞれ形成されている。
【００２９】
次に、内部電極６およびビア導体７が形成された各セラミックグリーンシートを積層し、各セラミックグリーンシートが積層されて成る未焼成状態のセラミック基板４を準備する（準備工程）。
【００３０】
次に、未焼成状態のセラミック基板４の両主面に、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷により、それぞれセラミック基板４の主面から露出した露出面を有する外部電極用の各下地電極５ａを形成する（下地電極形成工程）。このとき、導電性ペーストには、有機溶剤中にＣｕ粒子とセラミック基板４を構成する材料の一つであるガラス成分とが含有したものを用いる。
【００３１】
次に、ペースト状の各下地電極５ａとともに、未焼成状態の各セラミックグリーンシートの積層体（セラミック基板４）を、例えば８００℃〜１０００℃程度の温度で焼成する（第１焼成工程）。このようにすると、導電性ペースト中のガラス成分がセラミック基板４の焼結に寄与することにより、当該ガラス成分が、導電性ペーストの金属（Ｃｕ）とセラミック基板４とを接着する接着材として機能するため、セラミック基板４と外部電極用の下地電極５ａとの密着強度が向上する。
【００３２】
次に、各下地電極５ａの前記露出面それぞれに、下地電極５ａの金属（Ｃｕ）をめっき核として、同じくＣｕ等の金属をめっきすることにより外部電極用の各表面電極５ｂを形成する（表面電極形成工程）。このようにすると、ガラス成分を含有させることにより金属密度が低くなった下地電極５ａの前記露出面に、金属密度の高い膜（表面電極５ｂ）が供給されることになる。なお、めっき処理には、電解めっきおよび無電解めっきのいずれを用いてもよい。また、下地電極５ａの金属と表面電極５ｂの金属とは種類が異なっていてもよい。
【００３３】
次に、各外部電極５それぞれの下地電極５ａの金属（Ｃｕ）と表面電極５ｂの金属（Ｃｕ）とが金属焼結する温度（例えば、８００〜１０００℃）で焼成することにより、下地電極５ａと表面電極５ｂの境界面で当該両金属を金属焼結させて（第２焼成工程）、配線基板２ａが完成する。なお、第２焼成工程を設けない場合、下地電極５ａの露出面に存在するガラス成分の影響で、下地電極５ａと表面電極５ｂの境界が多孔状態（所謂、ポーラス）となる。この点、この実施形態では、第２焼成工程で焼成することにより、両電極５ａ，５ｂの境界に発生した孔を減らすことができるため、両電極５ａ，５ｂの密着強度の向上を図ることができる。
【００３４】
したがって、上記した実施形態によれば、第１焼成工程により、セラミック基板４を構成する材料（ガラス成分）を含有する導電性ペーストで形成された外部電極用の各下地電極５ａがセラミック基板４とともに焼成される。このようにすると、下地電極５ａの導電性ペーストに含有するガラス成分を、セラミック基板４と下地電極５ａの金属（例えば、Ｃｕ）を接着する接着材として機能させることができるため、セラミック基板４と外部電極用の下地電極５ａとの密着強度が向上する。
【００３５】
また、セラミック基板４と外部電極５とは、焼成時の焼結タイミングが異なるため、そのタイミングの違いから、セラミック基板４上に形成される外部電極５の厚みが厚くなるほどセラミック基板４の反りが大きくなる。しかしながら、この実施形態では、外部電極用の表面電極５ｂをセラミック基板４の焼成後に形成することにより、焼成前の外部電極５の厚みを薄くすることができるため、焼成後のセラミック基板４の反りが低減する。また、下地電極５ａを形成する導電性ペーストが、セラミック基板４を構成する材料（ガラス成分）を含有することで、下地電極５ａの焼成時の焼結タイミングをセラミック基板４に近づけることもできる。
【００３６】
また、表面電極形成工程により、下地電極５ａの金属をめっき核として該下地電極５ａの露出面に外部電極用の表面電極５ｂが形成されるため、下地電極５ａの露出面にスクリーン印刷などで表面電極５ｂを形成する場合と比較して、印刷精度やペーストの滲み等を加味した設計スペースを確保する必要がなく、セラミック基板４に狭ピッチで外部電極５を形成することができる。
【００３７】
また、セラミック基板４を構成する材料（ガラス成分）を含有する導電性ペーストで形成された下地電極５ａの表面（露出面）に、めっき処理で表面電極５ｂを形成すると、下地電極５ａの露出面に存在するガラス成分などの影響で、両電極５ａ，５ｂの密着強度が低下するため、両電極５ａ，５ｂの界面剥離が生じるおそれがある。しかしながら、この実施形態では、表面電極５ｂを形成した後に、第２焼成工程により、下地電極５ａと表面電極５ｂの境界面で両電極５ａ，５ｂの金属を金属焼結させるため、下地電極５ａと表面電極５ｂの密着強度が向上する。以上のように、セラミック基板４の主面に導電性ペーストにより形成された下地電極５ａと、下地電極５ａの表面にめっき形成された表面電極５ｂとにより外部電極５を構成した場合に、セラミック基板４と下地電極５ａの界面剥離および下地電極５ａと表面電極５ｂの界面剥離の両方を低減できる配線基板２ａを製造することができる。
【００３８】
また、下地電極５ａに含有する金属と、表面電極５ｂの金属とを同じ金属（この実施形態ではＣｕ）で形成することで、これらの金属の種類が異なる場合と比較して、第２焼成工程での金属焼結をより低温で行うことができるため実用的である。
【００３９】
また、下地電極５ａの露出面にめっき処理で表面電極５ｂを形成することにより、外部電極５の外部と直接接続される部分の金属密度を高くすることができるため、セラミック基板４との密着強度の向上を図りつつ、外部との接続性のすぐれた外部電極５を備える配線基板２ａを提供することができる。
【００４０】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる配線基板２ｂについて、図３を参照して説明する。なお、図３は配線基板２ｂの外部電極５０の断面図であり、第１実施形態の配線基板２ａの図２に対応する図である。
【００４１】
この実施形態にかかる配線基板２ｂが、図１および図２を参照して説明した第１実施形態の配線基板２ａと異なるところは、ビア導体７の端面７ａを下地電極として、該下地電極上にめっきにより表面電極５ｂを形成することで外部電極５０が形成されていることである。その他の構成は第１実施形態の配線基板２ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４２】
この配線基板２ｂの製造方法について説明すると、セラミック基板４の最下層および最上層のセラミック層４ａのビア導体７は、第１実施形態の下地電極５ａと同様に、セラミック基板４を構成する材料（ガラス成分）と金属（例えば、Ｃｕ）とを含有する導電性ペーストにより形成される。具体的には、最上層および最下層のセラミック層４ａを形成するセラミックグリーンシートそれぞれに、ビア導体７用の貫通孔をレーザなどにより形成し、その貫通孔に、スクリーン印刷技術などを用いて導電性ペースト（ガラス成分と金属を含有）を充填する（下地電極形成工程）。なお、他のセラミックグリーンシートは、第１実施形態の配線基板２ａの製造方法と同じ要領で形成してもよい。また、内部電極６については、第１実施形態の配線基板２ａと同じ要領で形成することができる。
【００４３】
次に、各セラミックグリーンシートを積層し、このセラミックグリーンシートの積層体（未焼成状態のセラミック基板４）を各ビア導体７とともに焼成する(第１焼成工程）。次に、セラミック基板４の両主面から露出した各ビア導体７の端面７ａを外部電極用の下地電極として、第１実施形態の配線基板２ａと同じ要領で表面電極５ｂを形成する。これ以降の工程（第２焼成工程）についても、第１実施形態の配線基板２ａと同じ要領で行うことにより、配線基板２ｂが完成する。
【００４４】
この構成によると、第１実施形態の配線基板２ａと同様の効果が得られるのに加え、以下のような効果が得られる。すなわち、第１実施形態の配線基板２ａで設けていた下地電極５ａをビア導体７の端面７ａで代用することにより、印刷精度や導電性ペーストの滲み等を加味した設計スペースを確保する必要がなくなるため、セラミック基板４の主面に形成する外部電極５０のさらなる狭ピッチ化を図ることができる。また、スクリーン印刷等でセラミック基板４の主面に形成されていた下地電極５ａ（厚膜）がなくなる分、外部電極５０の厚みを薄くすることができるため、配線基板２ｂをさらに薄くすることができる。また、外部電極用の下地電極をビア導体の端面７ａとすることで、第１実施形態の配線基板２ａと比較して焼成前の外部電極５０の厚みを薄くすることができるため、焼成後のセラミック基板４の反りをさらに低減することができる。
【００４５】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態では、下地電極５ａを形成する導電性ペーストに含有するセラミック基板４を構成する材料が、ガラス成分である場合について説明したが、セラミック基板４の他の構成材料を含有するようにしてもよい。
【００４６】
また、本発明は、セラミック基板の主面に設けられた外部電極が、導電性ペーストにより形成された下地電極と、下地電極上にめっき形成された表面電極とで構成される種々の配線基板に適用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
２ａ，２ｂ    配線基板
４            セラミック基板
５，５０      外部電極
５ａ          下地電極
５ｂ          表面電極
７ａ          ビア導体の端面（下地電極）
【図１】
2015201514.tif 000003
【図２】
2015201514.tif 000004
【図３】
2015201514.tif 000005
【図４】
2015201514.tif 000006