(57)【要約】      （修正有）【課題】膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を形成する電子写真感光体の製造方法を提供する。【解決手段】第一の補助基体の２つの端面のうち、第一の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ１、第一の円筒状基体の２つの端面のうち、第一の補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ２、第一の円筒状基体の２つの端面のうち、第二の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３、第二の円筒状基体の２つの端面のうち、第一の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４、第二の円筒状基体の２つの端面のうち、第二の補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５、第二の補助基体の２つの端面のうち、第二の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６としたとき、式（１）および式（２）の少なくとも一方を満足する電子写真感光体の製造方法。Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２（１）、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６（２）【選択図】図１
2015203713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、第一の補助基体と第一の円筒状基体と第二の円筒状基体と第二の補助基体とがこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記第一の円筒状基体および前記第二の円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加することにより、前記第一の円筒状基体および前記第二の円筒状基体の上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記第一の補助基体の２つの端面のうち、前記第一の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
前記第一の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、
前記第一の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
前記第二の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
前記第二の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
前記第二の補助基体の２つの端面のうち、前記第二の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６としたとき、
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が、下記式（１）および下記式（２）の少なくとも一方を満足することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
【請求項２】
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が、下記式（３）および下記式（４）の少なくとも一方を満足する請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２・・・（３）
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６・・・（４）
【請求項３】
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３および前記Ｒａ４が、前記式（１）または前記式（３）を満足する場合、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が、下記式（５）を満足し、
前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が、前記式（２）または前記式（４）を満足する場合、前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３および前記Ｒａ４が、下記式（６）を満足する請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４＝Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（５）
Ｒａ３＋Ｒａ４＝Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（６）
【請求項４】
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３および前記Ｒａ４が前記式（１）を満足する場合、前記第一の補助基体と前記第一の円筒状基体との間に樹脂材料を設け、
前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が前記式（２）を満足する場合、前記第二の補助基体と前記第二の円筒状基体との間に樹脂材料を設ける請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記基体ホルダーに対して前記第二の補助基体を押しつける方向の力を加えながら、前記第一の円筒状基体および前記第二の円筒状基体の上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記円筒状電極の２つの端部の
一方が、前記第一の補助基体の側面に対向する位置にあり、
他方が、前記第二の補助基体の側面に対向する位置にある
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマＣＶＤ法を用いた電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン、例えば水素原子及び／又はハロゲン原子を含有し、ケイ素原子を母体とするアモルファス材料で構成された堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。
この種の堆積膜を形成する方法についても各種提案されており、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法が挙げられる。なかでもプラズマＣＶＤ法は、電子写真感光体の形成方法において、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も多数提案されている。プラズマＣＶＤ法は、原料ガスに、ＤＣ電力やＲＦ高周波電力を印加して、原料ガスを分解し、基体の外周面上に堆積膜を形成する方法である。
【０００３】
例えば、補助基体に装着した基体の上部に補助基体キャップを設け、プラズマＣＶＤ法により、基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法が開示されている（特許文献１参照）。
また、補助基体を加圧手段により円筒状基体の長手方向へ加圧し、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態で堆積膜の形成をする電子写真感光体の形成装置が開示されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−０７３１７３号公報
【特許文献２】特開２０１１−２５７６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、上記のような方策により堆積膜の膜特性の均一化が図られてきた。
しかし、近年、このような堆積膜を利用した装置の高機能化、例えば電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、堆積膜の膜特性の均一性が従来以上に求められている。
例えば、電子写真プロセスを利用した近年の高画質カラー装置では、階調性が向上しているため、従来は実用上問題のなかった堆積膜の膜特性の不均一性でも、形成画像に視覚可能なムラを生じさせる可能性がある。このため、上述したような従来技術だけでは近年必要とされる堆積膜の膜特性の均一性を確保することが難しくなってきている。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を形成することができる電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る電子写真感光体の製造方法は、減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、第一の補助基体と第一の円筒状基体と第二の円筒状基体と第二の補助基体がこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記第一の円筒状基体および前記第二の円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加することにより、前記第一の円筒状基体および前記第二の円筒状基体の上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記第一の補助基体の２つの端面のうち、前記第一の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、前記第一の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、前記第一の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、前記第二の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、前記第二の円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、前記第二の補助基体の２つの端面のうち、前記第二の円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６としたとき、前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が、下記式（１）および下記式（２）の少なくとも一方を満足することを特徴とする。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】円筒状基体の設置方法及び算術平均粗さの関係を説明するための断面図
【図２】円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示す模式的な断面図
【図３】円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示す模式的な断面図
【図４】電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示す断面図
【図５】電子写真感光体の層構成の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明者らは堆積膜の膜特性の均一性を向上させるために、堆積膜形成装置の構成について鋭意検討を行った。
図４は、プラズマＣＶＤ法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示した断面図である。
図４は、第一の補助基体４０１、第一の円筒状基体４０２、第二の円筒状基体４０３および第二の補助基体４０４が基体ホルダー４０５に装着されている。基体ホルダー４０５は接地接続された受け台４０６に導通状態で設置されている。
【００１０】
つまり、片側のみで接地接続された基体ホルダー４０５に第一の補助基体４０１、第一の円筒状基体４０２、第二の円筒状基体４０３および第二の補助基体４０４が導通状態で装着されている。
一般的に、高周波電力は、金属の表面を伝搬する。そのため、電極の外側の表面に設けられた高周波電力の給電位置から電極の外側の表面を伝わり、給電位置から最も近い電極の終点（以下「開放端」と表記する。）から、電極の内側の表面に伝わると考えられる。電極が円筒状である場合、周方向には開放端は存在せず、開放端は、円筒状電極の母線方向の終端（両端）となる。
【００１１】
図４に示すような円筒状電極４０８を用いた堆積膜形成装置の場合、円筒状電極４０８は、第一の円筒状基体４０２および第二の円筒状基体４０３を取り囲むように配置され、反応容器４０７の側壁を兼ねる。円筒状電極４０８の外周面に１つ設けられた給電位置４２４から供給された高周波電力は、円筒状電極４０８の両端に向かって伝搬され、そこから円筒状電極４０８の内周面に伝わる。そのため、円筒状電極４０８の両端部は、中央部に比べて、プラズマの密度が高くなると考えられる。
本発明者らが検討を行ったところ、基体ホルダー４０５が片側のみで接地接続されている構成においては、上記のようなプラズマ密度の分布を反映し、第一の円筒状基体４０２の下端及び／または第二の円筒状基体４０３の上端の膜厚が厚くなる場合があった。
【００１２】
上記の課題に対して、本発明者らは特許文献２に示される構成を試みた。特許文献２に示される電子写真感光体の形成装置は、円筒状基体と補助基体との間、及び円筒状基体と基体ホルダーとの間での高周波電力に対するアース面の不連続を低減し、装置本来のムラを反映させる効果を持つ。よって、上記のように基体ホルダー４０５が片側のみで接地接続されていることによりプラズマ密度の分布をもっているような装置構成において、特許文献２の構成を適用してもプラズマ密度の分布を反映した膜厚ムラとなり、改善することはできなかった。
そこで、対策を鋭意検討した結果、プラズマ密度の不均一を打ち消すような反射面を意図的に作り出すことにより、膜特性の均一性を向上させるという考えに至った。
その方策として、円筒状補助基体と円筒状基体との間の算術平均粗さと、円筒状基体と円筒状基体との間の算術平均粗さの関係が、一定の条件を満足することが重要であることを見出した。
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１３】
図４は、プラズマＣＶＤ法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示した断面図である。堆積膜形成装置は、プラズマ処理によって第一の円筒状基体４０２と第二の円筒状基体４０３に堆積膜を形成する装置である。円筒状電極４０８、絶縁体４０９、上壁４１０、ゲート弁４１１、底壁４１２により、減圧可能な反応容器４０７を形成している。
【００１４】
反応容器４０７の内部には、加熱用ヒータ４１３が設けられていてもよい。加熱用ヒータ４１３は、真空中で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータの様な電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプの様な熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。
【００１５】
また、反応容器４０７の内部には、反応容器４０７の内部に原料ガスを導入するための原料ガス導入管４１４が設けられている。原料ガス導入管４１４は接続配管４１５を介して、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在させたミキシング装置４１６と、原料ガス流入バルブ４１７からなるガス供給系に接続されている。堆積膜形成装置が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット（不図示）が、排気配管４１８を介して、底壁４１２の排気口４１９に接続されている。排気配管４１８には、排気メインバルブ４２０が設けられている。
【００１６】
また、反応容器４０７には、その内部の圧力を測定する真空計４２１が取り付けられている。これらを用いて、反応容器４０７の内部を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。真空ポンプユニットには、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。円筒状電極４０８には、整合回路を有するマッチングボックス４２２を介して高周波電源４２３が電気的に接続されている。円筒状電極４０８の上下は、セラミックスからなる絶縁体４０９により上壁４１０および底壁４１２と絶縁されている。
【００１７】
上壁４１０には反応容器４０７の内部と外部とを連通させる開閉部であるゲート弁４１１が設置されている。ゲート弁４１１から反応容器４０７の中に、第一の補助基体４０１、第一の円筒状基体４０２、第二の円筒状基体４０３及び第二の補助基体４０４が装着された基体ホルダー４０５が搬入・設置・搬出される。
反応容器４０７の下部には、基体ホルダー４０５が設置される接地接続された受け台４０６が設けられている。接地接続された受け台４０６は回転機構を有していてもよい。
【００１８】
円筒状電極４０８に関しては、円筒状基体の長さより長くするのが一般的である。円筒状電極４０８が円筒状基体より短い場合、円筒状電極４０８に対向している部分と対向していない部分で、プラズマが不均一となる。その結果、堆積膜の均一性を低下させる場合がある。よって、円筒状電極４０８は円筒状基体の長さより長くするほうが好ましい。
円筒状電極４０８が円筒状基体より長ければ長いほど、前述したような円筒状電極４０８のプラズマ密度の分布が円筒状基体に及ぼす影響を低減することが可能となる。しかしながら、円筒状電極４０８を円筒状基体より長くしすぎると装置が大型し、装置コストが増大すると同時に、消費する原料ガスも増加する。
【００１９】
よって、生産性を考慮すると、円筒状電極４０８の２つの端部の一方が、第一の補助基体４０１の側面に対向する位置にあり、他方が、第二の補助基体４０４の側面に対向する位置にあることが好ましい。
このような装置構成においては、前述したような円筒状電極４０８のプラズマ密度分布が円筒状基体に及ぼす影響が大きくなるが、本発明により、円筒状基体に及ぼす影響を低減することが可能となる。その結果、装置コストや原料ガスの使用量が増大することを抑制しつつ、膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造することが可能となる。
【００２０】
「円筒状基体の設置方法及び算術平均粗さの関係」
図１は本発明の円筒状基体の設置方法及び算術平均粗さの関係を説明するための模式的な断面図である。
第一の補助基体１０１、第一の円筒状基体１０２、第二の円筒状基体１０３及び第二の補助基体１０４が基体ホルダー１０５に装着されている。基体ホルダー１０５は反応容器の中の接地接続された受け台１０６に導通状態で設置されている。
第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３の材質は、使用目的に応じたものであればよい。第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００２１】
また、第一の補助基体１０１、第二の補助基体１０４及び基体ホルダー１０５の材質も第一の円筒状基体１０２及び第二の円筒状基体１０３に用いられるものと同様のものが挙げられる。
図１（ｂ）に示すように、第一の補助基体１０１の２つの端面のうち、第一の円筒状基体１０２側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
第一の円筒状基体１０２の２つの端面のうち、第一の補助基体１０１側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、第一の円筒状基体１０２の２つの端面のうち、第二の円筒状基体１０３側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
第二の円筒状基体１０３の２つの端面のうち、第一の円筒状基体１０２側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、第二の円筒状基体１０３の２つの端面のうち、第二の補助基体１０４側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
第二の補助基体１０４の２つの端面のうち、第二の円筒状基体１０３側の端面の算術平均粗さをＲａ６としたとき、
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が、下記式（１）および下記式（２）の少なくとも一方を満足するようにする。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
【００２２】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３およびＲａ４が、前記式（１）を満足する場合、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が、下記式（５）を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４＝Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（５）
また、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が、前記式（２）を満足する場合、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３およびＲａ４が、下記式（６）を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４＝Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（６）
【００２３】
なお、本発明でいう算術平均粗さは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で示される算術平均粗さ（Ｒａ）とする。
例えば、上記式（１）のみを満足するようにした場合を例にして説明する。
第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３との接続部分における算術平均粗さの合計に比べて、第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２との接続部分における算術平均粗さの合計を大きくする。このようにすることで、「第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２との接続部分」の微視的な隙間が、「第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３との接続部分」の微視的な隙間よりも相対的に大きくなるようにする。これにより、「第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２との接触」は、「第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３との接触」に比べて、全周に亘って十分に接触しているとは言えない状態となる。
【００２４】
高周波電力は接触状態の影響を受けやすい。このため、第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２の接続部分において、直流的には十分な導通が確保されている状態であっても、微視的な隙間を設けることで高周波電力に対しては導通が十分に確保されていない状態となる。その結果、第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２の接続部分は、高周波電力に対して反射面となる。このような場合、第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２との間で高周波電力に対するアース面の不連続が発生する。その結果、第一の補助基体１０１から第一の円筒状基体１０２にかけてのプラズマから見た電位の均一性が十分に確保できず、第一の円筒状基体１０２の下端でのプラズマが不均一となる。
【００２５】
前述したように、基体ホルダー１０５が片側のみで接地接続されている構成においては、プラズマ密度の分布を反映し、第一の円筒状基体1０２の下端の膜厚が厚くなる場合がある。しかし、上記のように、第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２の間に意図的に反射面を作り出すことにより、第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２との間で高周波電力に対するアース面の不連続が発生する。これにより、第一の円筒状基体１０２の下端の膜厚が厚くなることを抑制することが可能となる。
つまり、上記のように意図的に作り出した反射面によるプラズマの不均一は、基体ホルダーが片側のみで接地接続されている構成及びカソード電極の長さに起因するプラズマの不均一を打ち消すような方向に働く。その結果、第一の円筒状基体１０２の下端の膜厚が厚くなることを抑制し、堆積膜の均一性を向上することが可能となった。
【００２６】
また、上記式（２）のみを満足するようにした場合も同様で、第二の円筒状基体１０３の上端の膜厚が厚くなることを抑制し、堆積膜の均一性を向上することが可能となった。
さらに、上記式（１）、上記式（２）を満足するようにした場合も同様で、第一の円筒状基体１０２の下端及び第二の円筒状基体１０３の上端の膜厚が厚くなることを抑制し、堆積膜の均一性を向上することが可能となった。
本発明において算術平均粗さを管理すべき端面とは円筒状基体同士もしくは円筒状基体と補助基体が向き合った面を指す。例えば、第一の補助基体１０１の算術平均粗さを管理すべき端面とは第一の円筒状基体１０２と向き合った面（図１（ａ）中のＡを指す。
【００２７】
端面の加工方法としては、加工条件の変更で、任意の算術平均粗さに仕上げることが可能ならばいずれの方法でも良く、たとえば切削加工、研磨加工、圧縮加工が挙げられる。
切削加工の場合、切削バイトの種類、送り速度等により、任意の算術平均粗さに加工することができる。研磨加工の場合、研磨部材（たとえば、サンドペーパー、研磨シート、研磨スポンジ等）の番手、研磨材料の種類や粒系により任意の算術平均粗さに加工することができる。圧縮加工の場合、端面に圧力をかけて表面を平滑に加工することもできる。
【００２８】
さらに、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６は、下記式（３）および下記式（４）の少なくとも一方を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２・・・（３）
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６・・・（４）
【００２９】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３およびＲａ４が、前記式（３）を満足する場合、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が、下記式（５）を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４＝Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（５）
また、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が、前記式（４）を満足する場合、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３およびＲａ４が、下記式（６）を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４＝Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（６）
【００３０】
例えば、上記式（３）のみを満足するようにした場合を例にして説明する。
第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３の接続部分に関しては十分に接触していることが好ましい。Ｒａ３＋Ｒａ４を１．０μｍ以下とすることで、第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３が実質的に密着し、第一の円筒状基体１０２から第二の円筒状基体１０３にかけてのプラズマから見た電位の均一性を十分に確保することができる。よって、第一の円筒状基体１０２と第二の円筒状基体１０３の接続部分でのプラズマの均一性を向上させることができる。その結果、堆積膜の均一性をさらに向上することが可能となる。よって、Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍとすることが好ましい。
【００３１】
一方、Ｒａ１＋Ｒａ２を２．０μｍ以上とすることで、第一の補助基体１０１と第一の円筒状基体１０２の接触を、高周波的に不連続な状態とすることができる。その結果、第一の円筒状基体１０２の下端でのプラズマが、片側のみで接地接続されている構成における円筒状電極端部のプラズマの不均一をさらに打ち消す状態を作り出すことが可能となる。よって、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２とすることが好ましい。
【００３２】
上記式（３）を満足していれば、本発明の効果が得られるが、Ｒａ１、Ｒａ２を３．０μｍ以下、Ｒａ３、Ｒａ４を０．１μｍ以上とすることで、加工に要する手間と時間を削減でき、加工に掛かるコストを抑えることができる。
そのため、最適には、０．２μｍ≦Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２≦６．０μｍであることが好ましい。
上記式（４）のみを満足するようにした場合、さらに、上記式（３）、上記式（４）を満足するようにした場合も同様である。
【００３３】
図２は本発明の円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示した模式的な断面図である。
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３およびＲａ４が前述の式（１）を満足する場合、第一の補助基体２０１と第一の円筒状基体２０２との間に樹脂材料２０７をさらに設けることが好ましい。Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が前述の式（２）を満足する場合、第二の円筒状基体２０３と第二の補助基体２０４との間に樹脂材料２０７をさらに設けることが好ましい。
【００３４】
例えば、前述の式（１）のみを満足するようにした場合を例にして説明する。
樹脂材料２０７を設けない場合は、高周波電力の印加電力が大きい堆積膜形成条件において、第一の補助基体２０１と第一の円筒状基体２０２のように金属同士が対向している部分に微視的な隙間があることでプラズマが集中する場合がある。そして、プラズマが集中することに起因して、スパークを発生させしまう場合がある。その結果、第一の円筒状基体２０２の下端部から数ｍｍの範囲において端部ハガレが発生してしまう場合がある。端部ハガレが生じても画像形成の際に使用する範囲外のため、堆積膜の均一性に影響を及ぼさないが、外観上の見栄えの点で問題となる場合がある。
【００３５】
第一の補助基体２０１と第一の円筒状基体２０２との間に樹脂材料２０７をさらに設けることで、金属同士が対向することを回避し、スパークの発生を低減することが可能となる。
樹脂材料２０７の設置方法としては、第一の補助基体２０１と第一の円筒状基体２０２との間の微視的な隙間を残すことが重要である。
つまり、第一の補助基体２０１と第一の円筒状基体２０２との間の微視的な隙間を残すことで反射面として作用させ、堆積膜の均一性を維持しつつ、樹脂材料２０７を設けることで金属同士が対向することを回避し、スパークの発生を低減する。
【００３６】
その結果、堆積膜の均一性を維持しつつ、端部ハガレの発生を低減することが可能となる。
樹脂材料２０７としては耐熱性に優れていれば特に制限はない。例えば、フッ素樹脂やポリイミド樹脂が使用される。
また、前述の式（２）のみを満足するようにした場合、さらに、前述の式（１）、式（２）を満足するようにした場合も同様である。
【００３７】
図３は本発明の円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示した模式的な断面図である。
各端面の算術平均粗さを大きくした円筒状基体及び補助基体を用いた場合、搬送時の振動により、各端面の接触面でダストが発生する場合がある。発生したダストが円筒状基体上に付着すると、付着したダストを起点として、異常成長を起こす場合がある。これにより、電子写真感光体の表面に球状突起が形成され、画像形成の際に画像欠陥が生じる場合がある。よって、基体ホルダー３０５に対して第二の補助基体３０４を押しつける方向の力を加えながら、第一の円筒状基体３０２および第二の円筒状基体３０３の上に堆積膜を形成することが好ましい。
【００３８】
基体ホルダー３０５に第二の補助基体３０４を押しつけることにより、第二の円筒状基体３０３が第一の円筒状基体３０２に押しつけられる。さらに、第一の円筒状基体３０２が第一の補助基体３０１に押しつけられる。よって、各端面での密着性が向上し、搬送時のダストの発生を低減することが可能となる。
基体ホルダー３０５に第二の補助基体３０４を押しつける方向の力を加える方法は特に制限はないが、例えば以下のような方法により実施することができる。
【００３９】
図３は第一の補助基体３０１、第一の円筒状基体３０２、第二の円筒状基体３０３及び第二の補助基体３０４が基体ホルダー３０５に装着されている。基体ホルダー３０５は反応容器の中の接地接続された受け台３０６に導通状態で設置されている。
基体ホルダー３０５と第二の補助基体３０４はネジ３０７によって固定されている。ネジ３０７は第二の補助基体３０４を基体ホルダー３０５に固定できるだけの強度をもつものであれば特に制限はないが、ネジ３０７を介して接地接続するために導電性であることが好ましい。ネジ３０７の材質としては例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金が好適である。
【００４０】
また、ネジ３０７と第二の補助基体３０４の間に弾性部材であるバネ３０８を設けてもよい。ネジ３０７を押し込むことによって、弾性部材であるバネ３０８を介して第二の補助基体３０４が押しつけられる。これにより、基体ホルダー３０５が熱的に伸び縮みしても安定して、第二の補助基体３０４を押しつけることが可能となる。
ネジ３０７の締め付けトルクを適宜選択することで、第二の補助基体３０４を加圧する力を適切に調整することが可能となる。
加圧されることで各端面が押しつぶされて、算術平均粗さは加圧前より小さくなる場合がある。あらかじめネジ３０７の締め付けトルクにより各端面の算術平均粗さがどの程度変化するかを測定しておくことにより、堆積膜形成中の各端面の算術平均粗さを所望の値にすることが可能となる。
【００４１】
（堆積膜形成方法）
次に本発明における堆積膜形成方法を説明する。
図４は、プラズマＣＶＤ法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示した断面図である。
まず、反応容器４０７の内部に、第一の補助基体４０１、第一の円筒状基体４０２、第二の円筒状基体４０３及び第二の補助基体４０４が装着された基体ホルダー４０５を搬入し、接地接続された受け台４０６に設置した後、ゲート弁４１１を閉める。
各端面の算術平均粗さは、例えば、Ｒａ１＝１．６μｍ、Ｒａ２＝１．２μｍ、Ｒａ３＝０．２μｍ、Ｒａ４＝０．４μｍ、Ｒａ５＝１．２μｍ、Ｒａ６＝１．６μｍとし、下記式（１）および式（２）を満足するようにする。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
【００４２】
その後、真空ポンプユニット（不図示）により排気された反応容器４０７の内部に、第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３の加熱に必要なガス（例えばＡｒガス，Ｈｅガス）を導入する。加熱に必要なガスは、ミキシング装置４１６、原料ガス流入バルブ４１７、接続配管４１５および原料ガス導入管４１４を介して導入する。
そして、反応容器４０７の内部が所定の圧力になるように、真空計４２１を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット（不図示）のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ４１３により第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３の温度を１５０［℃］〜４５０［℃］、より好ましくは２００［℃］〜３５０［℃］の所望の温度に制御する。
【００４３】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３の外周面上に堆積膜の形成を行う。このために、まず、堆積膜形成用の原料ガスとして、主原料ガスと希釈ガスおよび特性改善ガスを、ミキシング装置４１６を介して混合して導入し、導入ガスが所望の流量になるように調整する。その際、反応容器４０７の内部の圧力が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の所望の圧力になるように、真空計４２１を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。
【００４４】
堆積膜形成時に使用する主原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、六フッ化二ケイ素（Ｓｉ２Ｆ６）のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。
この際に用いる窒素原子を含むものとしては、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）が挙げられる。炭素原子を含むものとしては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）が挙げられる。フッ素原子を含むものとしては、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）、フッ化窒素（ＮＦ３）が挙げられる。また、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化硼素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）の特性改善ガスを同時に放電空間に導入してもよい。
【００４５】
次に、反応容器４０７の内部の圧力が安定した後、高周波電源４２３を所望の電力に設定して、高周波電力を、マッチングボックス４２２を介して円筒状電極４０８に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器４０７の中に導入された堆積膜形成用の原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３の外周面上に堆積膜が形成される。
【００４６】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３を加熱する段階から、第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３を回転させてもよい。この回転は、０．５［ｒｐｍ］〜２０［ｒｐｍ］、例えば１０［ｒｐｍ］の回転速度とする。こうすることで第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００４７】
以上のようにして第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３の外周面上に堆積膜が形成される。
多層膜を形成する場合には、各層の堆積膜が所望の膜厚になった時点で高周波電力の供給を停止し、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。また、連続的に高周波電力、原料ガスの種類、流量設定、加熱用ヒータ４１３の電力、反応容器４０７の中の圧力を再設定して堆積膜を形成してもよい。
【００４８】
堆積膜が形成された後は、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力、加熱用ヒータ４１３の電力の供給を停止し、反応容器４０７の中を排気する。その後、反応容器４０７および原料ガス導入管４１４内をパージガス、例えばＡｒ、ＨｅやＮ２のごとき不活性ガスの少なくとも一つを用いてパージ処理する。パージ処理完了後、第一の補助基体４０１、第一の円筒状基体４０２、第二の円筒状基体４０３及び第二の補助基体４０４が装着された基体ホルダー４０５を反応容器４０７の中から搬出する。
【実施例】
【００４９】
以下に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５０】
〔実施例１〕
図４に示す堆積膜形成装置を用いて、アルミニウムよりなる外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの第一の円筒状基体４０２及び第二の円筒状基体４０３の上に、図５に示す層構成のアモルファスシリコンからなる電子写真感光体の製造を行った。製造の際の各種条件を表１に示す。
【００５１】
図５において符号５０１は円筒状基体を、符号５０２は下部阻止層を、符号５０３は光導電層を、符号５０４は上部阻止層を、符号５０５は表面層をそれぞれ示す。
本実施例では円筒状基体の設置方法を図１に示す構成にした。
本実施例では各端面の算術平均粗さを表２に示すようにし、下記式（１）のみを満足するようにした。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
【００５２】
各端面は、サンドペーパー（三共理化学（株）製：商品名：ＤＣＣＳ）を用い、研磨加工を行った。加工の手順としては、まず円筒状基体もしくは補助基体を旋盤等の回転駆動機にセットし、回転速度２００〜１０００ｒｐｍで回転させる。次に、サンドペーパーを端面に押し当て、所望の算術平均粗さに加工する。なお、サンドペーパーは、粒度５００〜２０００の範囲で粗さに応じ使用した。
【００５３】
（「軸方向膜厚ムラ」の評価）
渦電流式膜厚計（（株）フィッシャーインストルメンツ製  ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ）を用いて、軸方向膜厚ムラの評価を行った。電子写真感光体の中央部位置を０位置とし、そこから軸方向に両側夫々４ｃｍ間隔で８点（±４ｃｍ，±８ｃｍ，±１２ｃｍ，±１６ｃｍ）の合計９点の膜厚を測定した。また、各９点について、それぞれ周方向４５°間隔で８点の膜厚を測定した。軸方向の各９点において、得られた周方向８点の膜厚の平均値を求めた。得られた軸方向の各位置の平均値の、最大値と最小値の膜厚差を軸方向膜厚ムラとした。評価は、後述する比較例１で得られた結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
ランクＣ以上で本発明の効果が得られていると考える。
【００５４】
ＡＡ  ・・・５０未満
Ａ    ・・・５０以上６０未満
Ｂ    ・・・６０以上８０未満
Ｃ    ・・・８０以上１００未満
Ｄ    ・・・１００以上１２０未満
Ｅ    ・・・１２０以上
【００５５】
評価結果を表２に示す。
なお、上記渦電流式膜厚計による具体的な膜厚測定方法手順の詳細を以下に説明する。
気温２５℃、湿度６０%、１気圧に調整された環境の下で、まず、キャリブレーションを行い、検量線を膜厚計に覚え込ませる。膜厚測定を行う電子写真感光体に使われている基体と同じ円筒状基体（堆積膜の付いていないもの）を用意し、表面を１０回測定することにより、ゼロ点を合わせる。つぎに、円筒状基体の上に、装置付属の標準板（厚みが分かっているフィルム）を置き、これを１０回測定し、標準板の膜厚を入力する。次に厚みの異なる２枚目の標準板も同様に１０回測定し、標準板の膜厚を入力する。以上で、膜厚計のキャリブレーションは完了する。
【００５６】
こうして渦電流式膜厚計に検量線を覚え込ませることで、正しい膜厚を測定することが可能になる。その他の具体的な操作や測定作業は、全てＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ付属の取扱説明書に従った。
次に、成膜の終わった電子写真感光体を測定した。渦電流式膜厚計は、上記の手順ですでにキャリブレーションされているため、電子写真感光体の膜厚を直読することができる。
【００５７】
〔実施例２〕
表２に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（２）のみを満足するようにした以外は実施例１と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表２に示す。
【００５８】
〔実施例３〕
表２に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（１）、下記式（２）を満足するようにした以外は実施例１と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表２に示す。
【００５９】
〔比較例１、２〕
表２に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（１）、下記式（２）のいずれも満足しないようにした以外は実施例１と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
本比較例においても実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表２に示す。
【００６０】
【表１】
2015203713.tif 000003
【００６１】
【表２】
2015203713.tif 000004
【００６２】
表２から、本発明による各実施例は軸方向膜厚ムラが改善されており、本発明の効果が明らかになった。
【００６３】
〔実施例４、５〕
表３に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（３）のみを満足するようにした以外は実施例１と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２・・・（３）
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表３に示す。
表３には比較のため、実施例１，２，３の結果も示す。
【００６４】
〔実施例６，７〕
表３に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（４）のみを満足するようにした以外は実施例１と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６・・・（４）
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表３に示す。
表３には比較のため、実施例１，２，３の結果も示す。
【００６５】
〔実施例８，９〕
表３に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（３）、下記式（４）を満足するようにした以外は実施例１と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２・・・（３）
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６・・・（４）
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表３に示す。
表３には比較のため、実施例１，２，３の結果も示す。
【００６６】
【表３】
2015203713.tif 000005
【００６７】
表３から、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が、下記式（３）および式（４）の少なくとも一方を満足するようにしたことで軸方向膜厚ムラが改善されており、本発明の効果が明らかになった。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２・・・（３）
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ  かつ  ２．０μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６・・・（４）
【００６８】
〔実施例１０〕
本実施例では表４に示すように、表１の条件から光導電層形成時のパワーを１５００Ｗに変更した条件で、図５に示す層構成のアモルファスシリコンからなる電子写真感光体の形成を行ったこと以外は実施例９と同様にした。
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。
さらに目視により、「端部ハガレ」の評価も行った。評価を実施した範囲は、第一の円筒状基体２０２の下端部及び第二の円筒状基体２０３の上端部から電子写真感光体の母線方向３ｍｍの範囲とした。結果を表５に示す。
【００６９】
〔実施例１１〕
本実施例では円筒状基体の設置方法を図２に示す構成にしたこと以外は実施例１０と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
つまり、第一の補助基体２０１と第一の円筒状基体２０２との間に樹脂材料２０７をさらに設け、第二の円筒状基体２０３と第二の補助基体２０４との間にも樹脂材料２０７をさらに設けた。樹脂材料２０７として厚さ２ｍｍのテフロン（登録商標）シートを用いた。
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。また、実施例１０と同様、端部ハガレの評価を行った。結果を表５に示す。
【００７０】
【表４】
2015203713.tif 000006
【００７１】
【表５】
2015203713.tif 000007
【００７２】
表５から、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３およびＲａ４が下記式（１）を満足する場合、第一の補助基体と第一の円筒状基体との間に樹脂材料を設けるようにしたことで端部ハガレが改善されており、本発明の効果が明らかになった。同様に、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が下記式（２）を満足する場合、第二の補助基体と第二の円筒状基体との間に樹脂材料を設けるようにしたことで端部ハガレが改善されており、本発明の効果が明らかになった。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ５＋Ｒａ６  ・・・（２）
【００７３】
〔実施例１２〕
本実施例では円筒状基体の設置方法を図３に示す構成にしたこと以外は実施例１１と同様に、電子写真感光体の形成を行った。
つまり、基体ホルダー３０５に対して第二の補助基体３０４を押しつける方向の力を加えながら、第一の円筒状基体３０２および第二の円筒状基体３０３の上に堆積膜の形成を行った。
本実施例では、ネジ３０７の材質はＳＵＳ３０４（オーステナイト系ステンレス鋼）を用いた。ネジ３０７は第二の補助基体３０４の周方向に９０度間隔で４個設置した。
さらにネジ３０７と第二の補助基体３０４との間に弾性部材であるバネ３０８を設けた。バネ３０８の材質はＳＵＳ３０４を用いた。
本実施例においても実施例１と同様の評価を行った。さらに以下に示す方法により「球状突起」の評価も行った。結果を表６に示す。
表６には比較のため、実施例１１の結果も示す。
【００７４】
「球状突起」
作製した電子写真感光体を、光学顕微鏡を用いて電子写真感光体の全面の観察を行い、球状突起の個数をカウントした。カウントする対象とした球状突起は、電子写真感光体の表面から見た場合の、球状突起の外接円の直径が１０μｍ以上のものとした。
評価は、実施例１１で作製した電子写真感光体の結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
【００７５】
Ａ    ・・・５０未満
Ｂ    ・・・５０以上８０未満
Ｃ    ・・・８０以上１１０未満
【００７６】
その評価結果を表６に示す。
表６には比較のため、実施例１１の結果も示す。
【００７７】
【表６】
2015203713.tif 000008
【００７８】
表６から、基体ホルダー３０５に対して第二の補助基体３０４を押しつける方向の力を加えながら、第一の円筒状基体および第二の円筒状基体の上に堆積膜を形成するようにしたことで球状突起が改善されており、本発明の効果が明らかになった。
【符号の説明】
【００７９】
１０１‥‥第一の補助基体
１０２‥‥第一の円筒状基体
１０３‥‥第二の円筒状基体
１０４‥‥第二の補助基体
１０５‥‥基体ホルダー
１０６‥‥受け台
【図１】
2015203713.tif 000009
【図２】
2015203713.tif 000010
【図３】
2015203713.tif 000011
【図４】
2015203713.tif 000012
【図５】
2015203713.tif 000013