(57)【要約】【課題】従来技術では、ステージの位置ずれが時間に応じて変化する場合、つまり経時変化する場合については配慮がなされていない。この位置ずれの経時変化に配慮をしないと、試料上の欠陥位置と検査装置側で認識した欠陥位置との間にかい離が生じてしまう。つまり、座標精度が悪化するということである。【解決手段】補正ベクトルの分布（補正ベクトルマップ）は所定の時刻で得られた所定の分布、前記所定の時刻より後の第１の時刻に得られた第１の分布を含む。データ処理装置１０８は、前記所定の分布と前記第１の分布との間の第１の差を得て、さらに、前記第１の差、及び第１の所定の値について第１の比較を行う。前記第１の比較結果に応じて前記分布を取得する方式は選択される。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料からの光を検出する検出光学系と、を有し、
処理部と、を有し、
前記処理部は、前記検出光学系の検出結果から欠陥の位置を補正するための補正ベクトルの分布を得て、
前記分布は所定の時刻で得られた所定の分布、前記所定の時刻より後の第１の時刻に得られた第１の分布を含み、
前記処理部は、前記所定の分布と前記第１の分布との間の第１の差を得て、さらに、前記第１の差、及び第１の所定の値について第１の比較を行い、
前記第１の比較結果に応じて前記分布を取得する方式は選択され、
前記処理部は前記選択された方式で前記分布を取得し、前記分布に基づいて検出した欠陥の位置を補正する検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記分布は、前記第１の時刻より後の第２の時刻に得られた第２の分布を含み、
前記処理部は、前記所定の分布と前記第２の分布との間の第２の差を得て、さらに、前記第２の差、及び第２の所定の値について第２の比較を行い、
前記第１の比較結果に応じて前記分布を取得する方式は変更される検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載の検査装置において、
前記処理部は、前記複数の補正ベクトルの始点となる複数の設計値を結んだ領域の中に前記検出した欠陥の位置がある場合は、前記複数の補正ベクトルを用いて前記検出した欠陥の位置を補正する検査装置。
【請求項４】
請求項３に記載の検査装置において、
前記処理部は、前記検出した欠陥の位置と前記分布の座標とを対応付け、前記検出した欠陥の周囲の複数の補正ベクトルについて重み付けを行い、前記重み付けの結果に基づいて前記検出した欠陥の位置の補正を行う検査装置。
【請求項５】
請求項１に記載の検査装置において、
前記処理部は、前記複数の補正ベクトルの始点となる複数の設計値を結んだ領域の中に前記検出した欠陥の位置がある場合は、前記複数の補正ベクトルを用いて前記検出した欠陥の位置を補正する検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の検査装置において、
前記処理部は、前記検出した欠陥の位置と前記分布の座標とを対応付け、前記検出した欠陥の周囲の複数の補正ベクトルについて重み付けを行い、前記重み付けの結果に基づいて前記検出した欠陥の位置の補正を行う検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料の欠陥を検出する検査装置に関する。特に、本発明は、半導体デバイス製造におけるウェーハなどの、パターンが形成された試料の欠陥検査装置に係り、特に光学式欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスでは、スパッタや化学気相成長による成膜、化学機械研磨による平坦化、リソグラフィとエッチングによるパターニングを多数繰り返す。半導体デバイスの歩留まりを確保するために、製造プロセスの途中でウェーハを抜き取り、欠陥検査を行う。欠陥とは、ウェーハ表面の異物、スクラッチやパターン欠陥（ショート、オープン等）である。欠陥検査の目的は、製造装置の状態を管理すること、及び不良が発生した工程とその原因を特定することにある。
【０００３】
先行技術としては、特許文献１が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本国特許第４４１６１９５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来技術では、ステージの位置ずれが時間に応じて変化する場合、つまり経時変化する場合については配慮がなされていない。この位置ずれの経時変化に配慮をしないと、試料上の欠陥位置と検査装置側で認識した欠陥位置との間にかい離が生じてしまう。つまり、座標精度が悪化するということである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、処理部を有し、前記処理部は、検出光学系の検出結果から欠陥の位置を補正するための補正ベクトルの分布を得て、前記分布は所定の時刻で得られた所定の分布、前記所定の時刻より後の第１の時刻に得られた第１の分布を含み、前記処理部は、前記所定の分布と前記第１の分布との間の第１の差を得て、さらに、前記第１の差、及び第１の所定の値について第１の比較を行い、前記第１の比較結果に応じて前記分布を取得する方式は選択され、前記処理部は前記選択された方式で前記分布を取得し、前記分布に基づいて検出した欠陥の位置を補正することを１つの特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ステージの位置ずれが時間に応じて変化する場合でも、欠陥の座標精度を維持、または向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施例の検査装置を説明する図。
【図２】補正ベクタマップ２０５を説明する図。
【図３】経時変化を考慮して補正ベクタマップ２０５を得るフロー。
【図４】二枚の専用ウェーハについて平均化を行う例。
【図５】補正ベクタマップ、誤差ベクトルを説明する図。
【図６】専用ウェーハ６００を説明する図。
【図７】決定用GUI７０８、検査用のGUI７１３を説明する図。
【図８】欠陥座標203が補正ベクトル２０４によって欠陥座標206に変更されるまでのプロセスを説明する図。
【図９】重みつけ演算の詳細。
【図１０】補正ベクタマップ２０５と探索範囲のイメージ。
【図１１】探索方法を詳細に説明する図。
【図１２】４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３の取り方を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は本実施例の検査装置を説明する図である。本検査装置はXYZΘステージ１００と照明光学系１０９、検出光学系、データ処理装置１０８を有する。
【００１１】
ウェーハ１０１はXYZΘステージ１００の上に搭載されている。
【００１２】
検出光学系は上方検出系１０と斜方検出系１１、１２を有する。上方検出器はレンズ１０４とラインセンサ１０５を含む。斜方検出系１１、１２はレンズ１０２、１０６と検出器１０３、１０７を含む。上方検出系１０と斜方検出系１１、１２はその空間周波数面に望ましくない光を遮光するための空間フィルタを有する場合もある。
【００１３】
照明光学系１０９は照明光を収束し、ウェーハ１０１上部に照明する。照明光学系１０９は、レーザ光を発生する光源、及びシリンドリカルレンズ等の光学素子を含み、ウェーハ１０１上に実質的に線状の照明領域１１０を形成する。
【００１４】
上方検出系１０は、ウェーハ１０１の法線周辺に散乱した光を検出するものであると表現できるし、その光軸がウェーハ１０１の法線と実質的に一致する光学系であると表現することもできる。斜方検出系１１、１２は、その光軸がウェーハ１０１の法線について所定の角度を有する検出器であると表現することもできる。
【００１５】
データ処理装置１０８は、欠陥の座標を得る。欠陥の座標は図２に示す（x, y）座標系で表現される。ウェーハ１０１はXYZΘステージ１００によって移動させられるため、欠陥座標には例えばXYZΘステージ１００内のレールの歪みに起因する位置ずれが重畳する。この位置ずれが重畳したままだと、欠陥の座標を正しく特定することができない。そこで、本実施例では、データ処理装置１０８はこの位置ずれを相殺して、正しい欠陥座標を得る、これが欠陥座標の補正である。
【００１６】
例えば、データ処理装置１０８がある欠陥を検出した場合、データ処理装置１０８は検出した欠陥座標（x, y）に近いベクトル（Δx, Δy）を検索する。この場合、データ処理装置１０８は補正後の欠陥座標を（x+Δx, y+Δy）として得る。
【００１７】
位置ずれは例えばウェーハ１０１に刻印されているマークの設計値２０９とマークの実測値２０８との差分で表現できる。ウェーハ１０１に刻印されているマークとは、例えばアライメントマークの事を指す。座標が既知で、光学系を用いて検出が可能であれば、何を用いてもよい。マークの実測値２０８は、例えば、ウェーハ１０１の散乱光画像（暗視野画像）中のマークの設計値２０９に対して最も近い明るい画素と対応するxyzθステージ１００の座標を用いて測定される。データ処理装置１０８はこの座標をマークの実測値２０８として、マークの設計値２０９との差分を得ることで誤差ベクトル、補正ベクタマップ２０５を得る。
【００１８】
位置ずれはより具体的には、向きと位置ずれ量を持つので、位置ずれはベクトル（以降、誤差ベクトルと称する）として表現できる。よって、正しい欠陥座標を得るには、この誤差ベクトルの相殺するベクトル（補正ベクトル２０４）を与えれば良い。
【００１９】
さらに、誤差ベクトル、補正ベクトル２０４はウェーハ内で分布を持つ。よって、誤差ベクトル、補正ベクトル２０４はマップ（以降、補正ベクタマップ２０５と称する。）として、得られることが望ましい。データ処理装置１０８は図８に示すような処理によって補正ベクタマップ２０５を生成する。データ処理装置１０８は補正ベクタマップ２０５を得る。データ処理装置１０８は、検出光学系の検出結果から欠陥の位置を補正するための補正ベクトルの分布を得ると表現するすることができる。
【００２０】
図２は補正ベクタマップ２０５を説明する図である。補正ベクタマップ２０５の座標系は、ウェーハの格子210の左下端をウェーハ原点２００とし、X方向２０１とY方向２０２に分割した(x, y)座標系で表現できる。なお、補正ベクタマップ２０５の座標系は検出した欠陥の座標を表現する座標系と実質的に一致している。例えば、欠陥座標２０３は補正ベクトル２０４によって欠陥座標２０６に変更される。
【００２１】
データ処理装置１０８は、欠陥座標２０３を補正するための補正ベクトル２０４を、例えば４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３について距離で重みつけした演算を行うことで得る。
【００２２】
重みつけ演算の詳細は図９で詳細に説明する。例えば、４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３は、欠陥座標を含む第１のチップ２１４、第１のチップのｘ方向に隣接した第２チップ２１５、第１のチップのｙ方向に隣接した第３のチップ２１６、及び第１のチップの斜め上の第４のチップ２１７内のベクトルであると表現することもできる。
【００２３】
XYZΘステージ１００に起因する位置ずれは時間によって変化する、つまり位置ずれは経時変化する場合があるということである。よって、補正ベクタマップ２０５もこの経時変化を考慮して得られることが望ましい。
【００２４】
図３は経時変化を考慮して補正ベクタマップ２０５を得るフローである。より具体的には，経時変化を短期的（第１の期間）、中期的（第１の期間より長い第２の期間）、長期的（第２の期間より長い第３の期間）に分割することで、それぞれに適した補正ベクタマップ２０５を得ることが可能となる。
【００２５】
まず、ステップ３００では、補正ベクタマップ２０５を複数枚取得する。より具体的には、専用ウェーハ（詳細は後述する）をXYZΘステージ１００に搭載し、検出光学系からの信号をデータ処理装置１０８が処理することで欠陥の座標を得て、欠陥の座標と設計値との差分を得ることで誤差ベクトルを取得する。専用ウェーハを用いるとウェーハ１０１を用いるよりも高精度な補正ベクタマップ２０５を作成することができる（詳細は図６にて後述する）。次に、データ処理装置１０８は、誤差ベクトルから補正ベクトル２０４を得る。そして、データ処理装置１０８は、得られた補正ベクトル２０４を座標に対応づけることで補正ベクタマップ２０５を作成する。
【００２６】
ステップ３０１では、データ処理装置１０８は図５(a)の時刻t0（時間である場合もある）で得られた補正ベクタマップ２０５と時刻t1（時間である場合もある）で得られた補正ベクタマップ２０５との差の標準偏差を得る。
【００２７】
ステップ３０２では、データ処理装置１０８は図５(a)の時刻t0（時間である場合もある）で得られた補正ベクタマップ２０５と時刻t2（時間である場合もある）で得られた補正ベクタマップ２０５との差の標準偏差を得る。
【００２８】
ここで、t1-t0 < t2- t0の関係があるとすると、ステップ３０１は比較的短期的な時間に位置ずれの経時変化があるか否かを判断し、ステップ３０２は前述した短期的な時間よりも長い中期的な時間の中で位置ずれの経時変化があるか否かを判断することを示している。経時変化の有無は取得時刻（時間である場合もある）の異なる補正ベクタマップ２０５同士の差が、ある閾値Aより大きいかどうかから判断する。ステップ３０１とステップ３０２のある閾値Aは異なる場合もある。
【００２９】
ステップ３０４では比較的短期的な時間で位置ずれの経時変化が発生している。この場合、方式1のように専用ウェーハ（詳細は後述）は用いず、ウェーハ１０１の欠陥検査を行う際に、ウェーハ１０１に刻印されているマークを同時に検出し、検出した値をマークの実測値２０８として用い、補正ベクタマップ２０５の取得を行う。データ処理装置１０８はこの補正ベクタマップ２０５を用いて補正を行う。これは、検査と補正ベクタマップ２０５の取得を同時に行えば、経時変化の影響は完全にキャンセルできると考えるためである。
【００３０】
ステップ３０５では比較的中期的な時間で位置ずれの経時変化が発生している。この場合、方式2のように、データ処理装置１０８は定期的に補正ベクタマップ２０５を取得し直して，補正を行う。そうしなければ、経時変化によって補正ベクタマップ２０５の補正の効果が低減してしまうためである。
【００３１】
ステップ３０３では比較的長期的な時間で位置ずれの経時変化が発生している。この場合には、経時変化による補正ベクタマップ２０５の補正の効果の低減は低いと判断し、方式３のように補正ベクタマップ２０５の定期的な取得は行なわず、データ取得装置１０８常に同じ補正ベクタマップ２０５を用いて補正を行う。この補正ベクタマップ２０５は同じマークによって作られる補正ベクトル２０４を平均化して作成する。
【００３２】
図３の説明によれば、上述した補正ベクトルの分布（補正ベクトルマップ）は所定の時刻で得られた所定の分布、前記所定の時刻より後の第１の時刻に得られた第１の分布を含み、データ処理装置１０８は、前記所定の分布と前記第１の分布との間の第１の差を得て、さらに、前記第１の差、及び第１の所定の値について第１の比較を行い、前記第１の比較結果に応じて前記分布を取得する方式は選択され（主体はデータ処理装置１０８、所定のプログラム、作業者いずれであっても良い）、データ処理装置１０８は前記選択された方式で前記分布を取得し、前記分布に基づいて検出した欠陥の位置を補正すると表現することができる。さらに、補正ベクトルの分布は、前記第１の時刻より後の第２の時刻に得られた第２の分布を含み、データ処理装置１０８はは、前記所定の分布と前記第２の分布との間の第２の差を得て、さらに、前記第２の差、及び第２の所定の値について第２の比較を行うと表現することもできる。
【００３３】
例えば二枚の専用ウェーハについて平均化を行う例を図４に示す。あるマーク４００について1回目に取得した補正ベクトル２０４をv1、2回目に取得した補正ベクトル２０４をv2とする、方式3で用いる補正ベクタマップ２０５のあるマーク４００の補正ベクトル２０４は（v1+v2）/2となる。これらを全マークについて行えば方式3で用いる補正ベクタマップ２０５が作成される。
【００３４】
なお、これ以降、補正ベクタマップ２０５を本装置で取得することは基本的にないが、外的な圧力によってXYZΘステージ100のフレームの歪みが変化した場合には再度、図3のフローチャートに沿って補正ベクタマップ２０５を取得する必要がある。例えば、異なる時刻に得られた補正ベクタマップ２０５の同じ座標の補正ベクトル２０４の平均をデータ処理装置１０８は得る。
【００３５】
図５(a)は図３のステップ３００で所定枚数の補正ベクタマップ２０５を取得する時のフローを示している。補正ベクタマップ２０５の取得は時間t0からt2までの間、Δtの間隔で行われる。補正ベクタマップ２０５の取得の終了後、図３のステップ３０１または，３０２の比較が行われ，補正ベクタマップ２０５の取得の方式が決定される。
【００３６】
図５(b)は誤差ベクトルの量は、XYZΘステージ100の歪み量と同値であり、その符号を反転したベクトルが補正ベクトル２０４であることを示している。そのため，補正ベクトル２０４はXYZΘステージ100の歪みを補正できる。(x,y)の座標の補正ベクトル２０４はXY方向に分解すると（Δx(x,y),Δy(x,y)）と表現できる。誤差ベクトルは補正ベクトル２０４の符号を反転したもののため（-Δx(x,y), -Δy(x,y)）と表現できる。
【００３７】
例えば、XYZΘステージ100が座標Y1’の位置でx方向に移動する時，フレームの歪みによってy方向の座標の位置ずれ５０１が発生しているとする。この歪みの量はΔy’(x,Y1’)で表すことができる。このΔy’(x,Y1’)はマークの設計値２０９の座標（x,Y1）とマークの実測値２０８の座標(x,Y)の差のことであり、誤差ベクトルY方向の成分-Δy(x,Y)と一致する。誤差ベクトルはマークの設計値２０９とマークの実測値２０８との差を得ることでどの位置でも得ることができるため、Δy’(x,y)=-Δy(x,y)と表すこともできる。x方向についても同様に、XYZΘステージ100にフレームの歪みが発生していると考えると、(Δx’(x,y), Δy’(x,y)) = (-Δx (x,y), -Δy (x,y))と表現できる。したがって，誤差ベクトルは、ステージの歪み量と同値であるといえる。補正ベクトル２０４は、誤差ベクトルの符号を反転したベクトルのため、歪みの符号を反転させた図５(b) のように(Δx (x,y), Δy (x,y)) = (-Δx’(x,y), -Δy’(x,y))とも表現できる。したがって，補正ベクトル２０５はステージの歪みの向きを反転させたベクトルであり，補正ベクトル２０５によって歪みを補正することができるといえる。
【００３８】
図６は、図3の方式2、方式3の方式で使用する専用ウェーハ６００の例である。専用ウェーハ６００を用いると、ウェーハ１０１を用いて補正ベクタマップ２０５を取得し、補正をする場合よりも高精度な補正をすることができる。これは、補正ベクタマップ２０５を取得するための基準マークとなるドット６０１の位置精度を上げることや、ドット６０１の間隔を狭くすることで補正ベクタマップ２０５の補正間隔を狭くできるような構造とすることで実現できる。ただし、経時変化が短期的に生じるような場合には専用ウェーハで補正ベクタマップ２０５を取得し、座標補正を行うよりも図3の方式1のように検査と補正ベクタマップ２０５の取得を同時に行った方が、座標精度が良くなると考えられるため、方式1が採用される。
【００３９】
ドット６０１は座標が既知である物体である。データ処理装置１０８はこのドット６０１の座標を専用ウェーハ６００の散乱光画像（暗視野画像）から得る。そのため、このドット６０１は照明光学系１０９から照射された照明が当たると散乱光を発生させるような材質である必要がある。また、この散乱光が上方検出器と斜方検出器で検出可能である必要がある。ドット６０１は丸い物体であることと、装置が検出できる範囲，例えば検出器の解像度に対して十分小さいものが望ましい。材質はウェーハ１０１上のパターンと同様の材質が望ましい。ただし、場合によっては、異なる材質が望ましい場合もある。例えば、本装置のデータ処理装置１０８は得られた専用ウェーハ６００の散乱光画像（暗視野画像）中の所定の座標に対して最も近い明るい画素を専用ウェーハ６００のドット６０１の座標とするが、この際、散乱光の画像の状態によって、本来データ処理装置１０８が取得したいウェーハ１０１のマークの座標と位置ずれが生じる場合がある。この位置ずれが材質によって改善する場合にはその材質を使用する。同様に専用ウェーハ６００は材質がウェーハ１０１と同様の素材であることが望ましいが，その他の材質が望ましい場合もある。
【００４０】
さらにデータ処理装置１０８はこのドット６０１の座標を用いて補正ベクタマップ２０５を作成する。そしてデータ処理装置１０８は補正ベクタマップ２０５を得る。
【００４１】
ドット６０１は等間隔に特定のパターンが打ってあることが望ましい。この間隔は例えば歪み成分の振幅の間隔よりもせまい方が望ましい。ドット６０１の位置は既知であり座標の精度が例えば，本装置が目標とする座標精度よりも十分に高い方が望ましい。ドットの範囲６０２は、ウェーハ１０１の欠陥検査が行われる範囲よりも十分に広い方が望ましい。これは、領域の外側に補正ベクトル２０５がないと、近傍の四つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３のどれかが存在しなくなってしまうためである。尚、この場合には図１１で示すように、四つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３の内存在しない場所では、例えば近くの補正ベクトル２０５をコピーして対応する。
【００４２】
図７は補正ベクタマップ２０５の取得方式の決定用GUI７０８と、検査用のGUI７１３を説明する図である。補正ベクタマップ２０５の取得方式の決定用GUI７０８では図３のフローチャートで方式を決めるために必要なパラメタを入力する画面である。作業者は図３のフローチャートにおけるAを入力ボックス７００に、図５の取得間隔Δtを入力ボックス７０１に、t0を７０２にt1を７０３に、t2を７０４に入力する必要がある。
【００４３】
その後、作業者はボタン７０５を押下することで、補正ベクタマップ２０５の取得が開始される。補正ベクタマップ２０５取得の終了後、図3のフローチャートにおける方式１、２、３の内、選ばれた方式が出力ボックス７０６に、もし、選ばれた方式が方式２であったなら補正ベクタマップ２０５の定期的な取得のタイミングが出力ボックス７０７に表示される。
【００４４】
出力ボックス７０６、７０７のデータはデータ処理装置１０８に記憶され、データ処理装置１０８は出力ボックス７０６に出力された方式の補正ベクタマップ２０５を欠陥座標の補正に用いる。
【００４５】
検査用のGUI７１３は，決定した方式を用いて欠陥座標を補正する際に必要なパラメタを入力する画面である。チェックボックス７１２のチェックの有無はデータ処理装置１０８で欠陥座標に補正ベクタマップ２０５を行うかどうかを決定するためのものである。チェックボックス７１２にチェックが入っている時、データ処理装置１０８で欠陥座標に補正ベクタマップ２０５を行う。タイムバー７１０は図３のフローチャートで方式２の専用ウェーハで，定期的に補正ベクタマップ２０５を取得しなおす場合のみ使用する。このタイムバー７１０が完全に黒くなっている状態では補正ベクタマップ２０５の取得が必要となる。そこで作業者は専用ウェーハ６００を装置に設置し、ボタン７１１を押下することで補正ベクタマップ２０５を取得する。これらの作業が完了している状態で、作業者はボタン７０９を押下し、欠陥検査を開始する。
【００４６】
図８は図２で欠陥座標203が補正ベクトル２０４によって欠陥座標206に変更されるまでのプロセスである。ここでは，欠陥座標203を欠陥座標（X, Y）と，欠陥座標206を補正後欠陥座標（X’, Y’）と表現している。データ処理装置１０８は欠陥座標（X, Y）の入力を受けた時、補正ベクタマップ２０５を用いて補正を行い、補正後欠陥座標（X’, Y’）を出力する。
【００４７】
プロセス８００では、補正ベクタマップ２０５から、入力された欠陥座標（X,Y）に近い座標にある近傍４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３を探索する（探索方法は図１１で別途詳細を記述する。）。この時近傍４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３は、例えば(ax11,ay11), (ax21, ay21), (ax12, ay12), (ax22, ay22)と表現することができる。
【００４８】
プロセス８０１、８０２では、補正ベクトル２０４を得るために、４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３について距離で重みつけした演算を行う例である。補正ベクトル２０４は例えば、式１、２、３の演算を行うことで得られる（計算は図９で詳細を記述する。）。
【００４９】
プロセス８０３では、データ処理装置１０８が補正ベクトル２０４を用いて、欠陥座標（X, Y）から補正後欠陥座標（X’, Y’）を得る例である。式４の演算をすることでデータ処理装置１０８は補正後欠陥座標（X’, Y’）を得る。
【００５０】
図９(a)はプロセス８０１の距離の重みつけの具体的な例である。ここで、データ処理装置１０８は、欠陥座標（X,Y）と左隣の補正ベクトル２１３とのX方向の距離の差aと、欠陥座標（X,Y）と右隣の補正ベクトル２０７とのX方向の距離の差bを用いて(ax11,ay11)と、(ax21,ay21)に重みつけ式1を行うことで、(bx1,by1)を得る。
【００５１】
データ処理装置１０８は、同様に距離の差a、bを用いて(ax12,ay12)と、(ax22,ay22)に重みつけ式２を行うことで、(bx2,by2)を得る。
【００５２】
図９(b)はプロセス８０２の距離の重みつけの具体的な例である。ここで、データ処理装置１０８は、欠陥座標（X,Y）と下隣の補正ベクトル２１３とのY方向の距離の差cと、欠陥座標（X,Y）と上隣の補正ベクトル２１１とのY方向の距離の差dを用いて、プロセス８０１によって、データ処理装置１０８が得た(bx1,by1)と、(bx2,by2)に重みつけ式３を行うことで、(cx1,cy1)を得る。
【００５３】
図８、９の説明によれば、データ処理装置１０８は、検出した欠陥の位置と分布の座標とを対応付け、前記検出した欠陥の周囲の複数の補正ベクトルについて重み付けを行い、前記重み付けの結果に基づいて前記検出した欠陥の位置の補正を行う
図１０は補正ベクタマップ２０５と探索範囲のイメージを示している。データ処理装置１０８はマークの設計値２０９のあるチップをX、Y(M、N)方向に積み上げてできた、チップ数m、nを配列のインデックスとして、マークの設計値２０９（x,y）と補正ベクトル２０４（Δx，Δy）を補正ベクタマップ２０５として持つ。これは(m,n) = (Δx，Δy，x，y)と表現できる。これを用いて欠陥座標に隣接する４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３を探索するが、欠陥座標によっては、チップがない場合もある。その場合にはデータ処理装置１０８は、その周囲のチップ配列をコピーする。例えば、チップなし領域１００５、１００７、１００９については、データ処理装置１０８はチップなし領域１００５の左隣のチップ１００８、下隣のチップ１０１０のいずれかをチップなし領域１００５、１００７、１００９へ貼り付け、補正ベクタマップ２０５とする、データ処理装置１０８に格納する。
【００５４】
図１１は，図８のステップ８００の欠陥に隣接する４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３を探索するアルゴリズムのフローチャートである。探索は図１０のようにデータ処理装置１０８に格納した補正ベクタマップ２０５を用いて行う。
【００５５】
ステップ１１００では，データ処理装置１０８は欠陥座標２０３を得る。この欠陥座標２０３に隣接する４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３を探索する。
【００５６】
ステップ１１０１では、データ処理装置108は補正ベクタマップ２０５の中から任意に隣接しあうチップ1002の中のマークの設計値２０９を結んだ領域１００６を得る。
【００５７】
ステップ１１０２では、この領域１００２の中に欠陥座標２０３が含まれているかどうかを判断する。含まれているならば，この４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３を用いて欠陥座標を補正する。データ処理装置１０８はこの４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３を用いて欠陥座標２０３を補正する。そうでなければ，ステップ１１０３へ移行する。
【００５８】
ステップ１１０３では，隣接しあうチップ１００２とマークの設計値２０９を結んだ領域1006を再設定する。欠陥座標に隣接する４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３が見つかるまでステップ１１０１，１１０２，１１０３を繰り返し行う。
【００５９】
図１１の説明によれば、データ処理装置１０８は、複数の補正ベクトルの始点となる複数の設計値を結んだ領域の中に検出した欠陥の位置がある場合は、前記複数の補正ベクトルを用いて前記検出した欠陥の位置を補正すると表現することができる。
【００６０】
図１２は、補正ベクタマップ２０５の入力された欠陥座標２０３に隣接する４つの補正ベクトル２０７、２１１、２１２、２１３の取り方を示している。例えば、隣接しあうチップ１００２のように、最も近いベクトルを近傍４つの補正ベクトルにすることもできるし、隣接しあうチップ１２０１のようにデータ処理装置１０８に、一つ飛ばしにデータを格納することによって、最も近いベクトルの領域を広げることができる。この時，マークの設計値２０９を結んだ領域1006もマークの設計値２０９を結んだ領域１２０２のように広くなる。隣接しあうチップ１２０１を用いることで、補正の精度は落ちるものの、データ処理装置１０８の計算負荷を低減すること、データ処理装置１０８が持つメモリ量を低減することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１００・・・XYZΘステージ１００
１０１・・・ウェーハ
１０２・・・レンズ
１０３・・・検出器
１０４・・・レンズ
１０５・・・検出器
１０６・・・レンズ
１０７・・・検出器
１０８・・・データ処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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