(57)【要約】【課題】  高周波回路を収容した高周波モジュールにおいて、モジュール容積内での高周波回路の実装面積をより大きくするとともに、ＲＦ信号の伝送損失をより抑制し、かつ放熱性をより高めることを目的とする。【解決手段】  高発熱高周波回路および他の高周波回路を収納空間内に収容するとともに、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続された複数の垂直給電線路、上記垂直給電線路および収納空間の周囲を囲む複数のグランドスルーホールが形成された第一の樹脂基板と、裏面にグランドベタパターンが形成され、当該グランドベタパターンの誘電体露出面で上記第一の樹脂基板の表面上面に複数のはんだボールにより接合され、当該はんだボール、上記第一の樹脂基板の垂直給電線路およびグランドスルーホールを介して、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続される制御回路を有した第二の樹脂基板を備える。【選択図】      図１
2015201538.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面にグランドベタパターンが形成され、
表面側に複数の収納空間が形成され、
当該収納空間の底面部に埋め込まれたヒートシンクと、当該ヒートシンク上に搭載された高発熱高周波回路と、当該収納空間の底面部上面における上記ヒートシンクの外側に搭載された他の高周波回路とを有し、
上記高発熱高周波回路および他の高周波回路を上記収納空間内に収容するとともに、
上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続された複数の垂直給電線路、上記垂直給電線路および収納空間の周囲を囲む複数のグランドスルーホール
が形成された第一の樹脂基板と、
裏面にグランドベタパターンが形成され、当該グランドベタパターンの誘電体露出面で上記第一の樹脂基板の表面上面に複数のはんだボールにより接合され、当該はんだボール、上記第一の樹脂基板の垂直給電線路およびグランドスルーホールを介して、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続される制御回路を有した第二の樹脂基板と、
を備えた高周波モジュール。
【請求項２】
上記高発熱高周波回路および他の高周波回路は、耐湿性を有したことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
上記収納空間は、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路の動作周波数での波長の２分の１以下となることを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波モジュール。
【請求項４】
上記第一の樹脂基板は、裏面にヒートシンクに熱的に接続された冷却板が設けられるとともに、当該冷却板の貫通穴に同軸コネクタが設けられ、当該同軸コネクタが上記垂直給電線路に接続されたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波、ミリ波等で動作する高周波回路を実装した高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波回路を格納した複数の誘電体パッケージを積層し、誘電体パッケージの間を金バンプにより階層的に接続して、高周波モジュールの底面の投影面積を小さくし、実装面積を小型化する、積層高周波モジュールが開示されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
積層高周波モジュールは、マイクロ波回路を上下の各誘電体パッケージに分散配置し、誘電体パッケージ間を階層的に接続するので、階層間でのＲＦ（Radio Frequency）信号用端子およびＤＣ（Direct Current）信号／制御信号用端子間の接続を要し、個々の誘電体パッケージ内部に垂直方向にＲＦ信号を伝送する垂直給電線路と、金バンプにより形成した階層間を疑似的な同軸線路で接続する疑似ＲＦコネクタが必要となる。
【０００４】
従来の積層高周波モジュールは、マイクロ波回路を構成する内部ＲＦ部品を、各誘電体パッケージに収容し、窒素ガスを混入後、導電性を有する封止蓋を接合して気密封止する。これにより、内部ＲＦ部品の高信頼化と電磁シールド効果によるＲＦ信号処理の動作安定化を図っている。また、積層高周波モジュールは、複数の個別の誘電体パッケージを１パッケージに一体化させて１モジュール分を構成しており、当該モジュールを駆動させる制御回路は最上層階の誘電体パッケージまたは外部パッケージに実装される。また、最下部の誘電体パッケージにおいて、内部ＲＦ部品における発熱素子の下部に、サーマルビアホールを設けて、誘電体パッケージ外部に放熱する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３６６２２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の積層高周波モジュールは、パッケージ内部に形成した垂直給電線路および階層間を接続する疑似ＲＦコネクタの実装領域を、マイクロ波回路の格納領域の外周部に設ける必要がある。積層高周波モジュールの外径寸法に制約がある場合、当該ＲＦコネクタの実装領域を確保するために、内部のマイクロ波回路の格納領域の大きさが狭小化してしまう。例えば積層高周波モジュールを複数個集めてアンテナ装置を構成する場合、１つの積層高周波モジュールを１素子分の素子アンテナ専有面積内に構成するため、積層高周波モジュール単体の外径寸法を小さくせざるを得ない。このため積層高周波モジュールを駆動する制御回路の実装スペースが狭くなり、マイクロ波回路を駆動するキャパシタ、ドライバＩＣ等の制御回路部品および外部制御基板との間で信号を授受する基板間接続コネクタの実装面積の確保が困難となるという問題があった。
【０００７】
また、垂直給電線路及び疑似ＲＦコネクタにより、誘電体パッケージ内部の垂直方向にＲＦ信号を通すことに付随して、ＲＦ信号の伝送損失が増大するという問題があった。
【０００８】
また、発熱素子下部のサーマルビアホールを設けた放熱板により放熱しており、熱抵抗が比較的増大し易い構造となっているため、積層高周波モジュールの送信電力に制限がかかる。また、上層階に置かれた積層高周波モジュールについては、さらに熱的経路が最下層階に置かれた放熱板から遠くなり、積層高周波モジュールの熱設計を難しくする制約となっているという問題があった。
【０００９】
この発明は、係る課題を解決するためになされたものであり、高周波回路を収容した高周波モジュールにおいて、モジュール容積内での高周波回路の実装面積をより大きくするとともに、ＲＦ信号の伝送損失をより抑制し、かつ放熱性をより高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明による高周波モジュールは、裏面にグランドベタパターンが形成され、表面側に複数の収納空間が形成され、当該収納空間の底面部に埋め込まれたヒートシンクと、当該ヒートシンク上に搭載された高発熱高周波回路と、当該収納空間の底面部上面における上記ヒートシンクの外側に搭載された他の高周波回路とを有し、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路を上記収納空間内に収容するとともに、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続された複数の垂直給電線路、上記垂直給電線路および収納空間の周囲を囲む複数のグランドスルーホールが形成された第一の樹脂基板と、裏面にグランドベタパターンが形成され、当該グランドベタパターンの誘電体露出面で上記第一の樹脂基板の表面上面に複数のはんだボールにより接合され、当該はんだボール、上記第一の樹脂基板の垂直給電線路およびグランドスルーホールを介して、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続される制御回路を有した第二の樹脂基板と、を備えたものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、第二の樹脂基板の下層に第一の樹脂基板をはんだボールにより接合し、高周波回路を第一の樹脂基板内に格納することで、複数階層に高周波回路を分散して配置した場合に必要な階層毎のＲＦ信号接続線路が不要となるので、高周波回路の実装面積をより大きくすることができ、また異なる階層に配置された高周波回路間の伝送損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１による高周波モジュールの構成を示す図である。
【図２】実施の形態１による高周波モジュールの機能ブロックを示す図である。
【図３】実施の形態１による高周波モジュールの第一の樹脂基板の上面図である。
【図４】実施の形態１による高周波モジュールの第一の樹脂基板の下面図である。
【図５】実施の形態１による高周波モジュールの第二の樹脂基板の上面図である。
【図６】実施の形態１による高周波モジュールの第二の樹脂基板の下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
以下、図を用いて、この発明に係る実施の形態１による高周波モジュールの構成を説明する。図１は、実施の形態１による高周波モジュールの構成を示す図である。図２は、実施の形態１による高周波モジュールの機能ブロックを示す図である。図３は、実施の形態１による高周波モジュールの第一の樹脂基板の上面図である。図４は、実施の形態１による高周波モジュールの第一の樹脂基板の下面図である。図５は、実施の形態１による高周波モジュールの第二の樹脂基板の上面図である。図６は、実施の形態１による高周波モジュールの第二の樹脂基板の下面図である。
【００１４】
実施の形態１による高周波モジュール１００は、第一の樹脂基板１０と、第二の樹脂基板１１と、冷却板１２を備えている。第一の樹脂基板１０は、複数のはんだボール１６により、第二の樹脂基板１１の最上面に接合される。はんだボール１６は、下層の第一の樹脂基板１０と上層の第二の樹脂基板１１の上下層の固定と、上下層間での制御信号の接続を担う。第一の樹脂基板１０の最上面は、グランドに接続されたグランドベタパターン３７が形成されている。第一の樹脂基板１０の裏面は、グランドに接続されたグランドベタパターン３６が形成されている。グランドベタパターン３６が冷却板１２の上面に接触し、第一の樹脂基板１０が冷却板１２に接着される。冷却板１２は、貫通穴４５が形成されている。冷却板１２は、銅タングステン合金、アルミ合金等の熱良導性の金属で形成される。
【００１５】
第一の樹脂基板１０は、多層に積層された樹脂基板から構成され、収納空間であるキャビティ（空洞）１９が複数形成されている。キャビティ１９は、高さの異なる二段階の段差が形成されており、第一の樹脂基板１０の最上面がキャビティ１９の段差の最上段面となっている。キャビティ１９の段差の最下段面はキャビティ１９の底面部上面となっている。このキャビティ１９の段差の最上段面と最下段面の間に、中間段差面が形成されている。第一の樹脂基板１０の最上面は、グランドパッド３１と制御信号／電源供給用パッド３２が形成されている。グランドパッド３１はグランドベタパターン３７に接続される。制御信号／電源供給用パッド３２は、グランドベタパターン３７が長円形状に刳り貫かれた誘電体露出面内に配置されて、グランドベタパターン３７と非接触になっている。グランドベタパターン３７は内側にキャビティ１９が配置される。キャビティ１９の中間段差面には、複数の導体パッド３８が形成されている。
【００１６】
第一の樹脂基板１０は、複数の高周波回路２０，２１，２２，２４と、バイパスコンデンサ２５と、垂直給電線路１３ａ，１３ｂと、同軸コネクタであるＲＦコネクタ１４ａ，１４ｂ，１４ｃと、グランドスルーホール１８と、制御信号／電源供給用スルーホール２７を備えている。複数の高周波回路２０，２１，２２，２３，２４は、第一の樹脂基板１０の各キャビティ１９の空間内に収納されている。一組の高周波回路２１，２２，２４は、第一の樹脂基板１０における同一のキャビティ１９の底面部上面に実装される。また、第一の樹脂基板１０は、キャビティ１９の底面部に貫通した穴４６が形成されており、穴４６に四角形状のヒートシンク１５が嵌合している。ヒートシンク１５の上面はキャビティ１９の底面部上面と同じ高さの面となっており、ヒートシンク１５の下面は第一の樹脂基板１０の裏面と同じ高さの面になっている。ヒートシンク１５は丸形状であってもよい。高周波回路２０およびバイパスコンデンサ２５は、ヒートシンク１５の上面に、高放熱導電性接着剤のような接合剤でダイボンドされ、接着されている。ヒートシンク１５は高周波回路２０の放熱性を向上させる。ヒートシンク１５は、銅、銅タングステン合金等により形成される。高周波回路２０，２１，２２，２４、およびバイパスコンデンサ２５は、信号接続ワイヤであるボンディングワイヤ２６により、キャビティ１９の中間段差面における導体パッドに接続される。ＲＦコネクタ１４ａ，１４ｂ，１４ｃは中心導体の周囲を円筒形状の誘電体で覆い、さらにその外周を外導体で覆っている。
【００１７】
高周波回路２０は、発熱性の高出力増幅器（ＨＰＡ（High Power Amplifier））である。高周波回路２１は、高周波回路２０の前段に接続されるドライバ増幅器（ＤＡ（Driver Amprifier））である。高周波回路２２は、低雑音増幅器（ＬＮＡ(Low Noise Amplifier)）である。高周波回路２４は、送信動作と受信動作の切換え、振幅調整および位相調整を行う信号制御回路ＣＯＮＴ(Control chip)である。高周波回路２４は、スイッチ、減衰器、移相器、増幅器等から構成される。バイパスコンデンサ２５は、高周波回路２０，２１にバイアス電圧を供給するバイアス回路として作用する。高周波回路２０，２１は送信回路を構成し、高周波回路２２は受信回路を構成する。一組の高周波回路２０，２１，２２，２４は、一つのキャビティ１９を囲むモジュール構成領域３０の仮想的な外形線内に配置されたＲＦデバイス（またはチップ）である。なお、モジュール構成領域３０で囲まれた領域毎に単位モジュールを構成する。
【００１８】
垂直給電線路１３ａ，１３ｂは、それぞれ第一の樹脂基板１０の中間段差面の上面と、第一の樹脂基板１０の裏面の間を、垂直方向に接続している。垂直給電線路１３ａ，１３ｂの一端部は、第一の樹脂基板１０の中間段差面上の導体パッドに接続され、ボンディングワイヤ２６を介して高周波回路２０に接続されている。垂直給電線路１３ａ，１３ｂの他端部は、第一の樹脂基板１０の裏面でＲＦコネクタ１４ａ，１４ｂの中心導体にそれぞれ接続される。同様に、図示しない垂直給電線路の他端部が第一の樹脂基板１０の裏面でＲＦコネクタ１４ｃの中心導体に接続される。ＲＦコネクタ１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、冷却板１２の貫通穴４５内に収納される。制御信号／電源供給用スルーホール２７は、第一の樹脂基板１０の内層線路により、第一の樹脂基板１０の中間段差面の上面と、第一の樹脂基板１０の最上面の間を接続している。
【００１９】
制御信号／電源供給用スルーホール２７は、第一の樹脂基板１０の最上面で、一端部が制御信号／電源供給用パッド３２に接続されたはんだボール１６に接続される。制御信号／電源供給用スルーホール２７は、第一の樹脂基板１０の中間段差面の上面で垂直給電線路１３ａ，１３ｂの一端部に接続される。グランドスルーホール１８は、第一の樹脂基板１０の最上面におけるグランドパッド３１と裏面におけるグランドベタパターン３６の間を接続している。グランドスルーホール１８は、第一の樹脂基板１０の最上面で、グランドパッド３１を介してはんだボール１６に接続される。グランドスルーホール１８は、グランドベタパターン３６を介して冷却板１２の上面に接続される。
【００２０】
第二の樹脂基板１１は、上面に制御回路１７が実装されている。第二の樹脂基板１１は、下面（裏面）にはんだボール１６が実装されている。制御回路１７は、第二の樹脂基板１１に形成された配線パターンおよび導体スルーホール（図示せず）を介して、はんだボール１６に接続される。制御回路１７は、高周波回路２０，２１，２２，２４を駆動する。また、第二の樹脂基板１１は、上面に制御信号／電源供給用コネクタ４０が実装されている。制御信号／電源供給用コネクタ４０は、制御回路１７および外部制御基板との信号授受を担う。この外部制御基板は、高周波モジュール１００の各種制御を行う。また、第二の基板の下面（裏面）には、制御信号／電源供給用パッド３４と、グランドベタパターン３５と、グランドパッド３３が形成されている。グランドベタパターン３５は、当該制御信号／電源供給用パッド３４の周囲を取り囲むように配置される。グランドパッド３３は、グランドベタパターン３５のレジストを開口した誘電体露出面内に形成されている。制御信号／電源供給用パッド３４は制御信号／電源供給用のはんだボール１６に接続され、グランドパッド３３はグランド用のはんだボール１６に接続される。
【００２１】
グランドスルーホール１８は、第一の樹脂基板１０におけるキャビティ１９の周囲に複数個配置される。グランドスルーホール１８は、グランドパッド３１およびはんだボール１６を介して、第二の樹脂基板１１におけるグランドパッド３３およびグランドベタパターン３５と接続される。
【００２２】
ＲＦデバイス（高周波回路２０，２１，２２，２４、バイパスコンデンサ２５）および垂直給電線路１３ａ，１３ｂは、これらのグランドパターン（グランドベタパターン３５，３６，３７）、スルーホール（制御信号／電源供給用スルーホール２７、グランドスルーホール１８）により囲まれて、電磁的にシールドされる。ＲＦデバイスのうち、一部の発熱の高い部品（高周波回路２０）はヒートシンク１５の上面に実装される。また、他の発熱の低い部品（高周波回路２１，２２，２４、バイパスコンデンサ２５）は、第一の樹脂基板１１上に直接実装することで、ヒートシンク１５の面積を小さくすることができる。
【００２３】
ここで、第一の樹脂基板１０および第二の樹脂基板１１の各基板は、以下の１）から５）の順番で部品実装される。
１）ヒートシンク１５が穴４６に埋め込まれた下層の第一の樹脂基板１０の裏面に、はんだリフローでＲＦコネクタ１４ａ，１４ｂを部品実装する。
２）第一の樹脂基板１０のキャビティ１９内部に、高周波回路２０，２１，２２，２４、およびバイパスコンデンサ２５をダイボンドする。また、高周波回路２０，２１，２２，２４、およびバイパスコンデンサ２５上の端子（導体パッド）と、導体パッド３８をワイヤボンドにより接続する。
３）上層の第二の樹脂基板１１の上面に、はんだリフローで制御回路１７および制御信号／電源供給用コネクタ４０を部品実装する。
４）第二の樹脂基板１１の裏面にはんだボール１６を実装する。
５）第二の樹脂基板１１を、下層の第一の樹脂基板１０上にはんだボール１６により、ＢＧＡ（Ball Grid Array）実装する。
６）第一の樹脂基板１０を冷却板１２の上面に実装する。
【００２４】
次に、実施の形態１による高周波モジュール１００の動作について説明する。
高周波モジュール１００は、各ＲＦデバイスが送信および受信動作を行う。まず、送信動作から説明する。
【００２５】
送信時、上層の第二の樹脂基板１１は、制御信号／電源供給用コネクタ４０を介して、外部制御基板からモジュール制御信号、および電源供給を受ける。上層の第二の樹脂基板１１の制御回路１７は、高周波回路２０，２１，２２，２４等のＲＦデバイス駆動用のデバイス制御信号を生成する。ここで、デバイス制御信号は、電圧レベルシフト、タイミング制御信号等からなる。
【００２６】
制御回路１７の生成したＲＦデバイス駆動用のデバイス制御信号と、制御信号／電源供給用コネクタ４０に供給される電源は、制御信号／電源供給用パッド３４を介して下層の第一の樹脂基板１０に伝送される。第一の樹脂基板１０は、はんだボール１６および制御信号／電源供給用パッド３２と、制御信号/電源供給用スルーホール２７を介して、ＲＦデバイス（高周波回路２０，２１，２２，２４）を所要の動作状態に動作させる。
【００２７】
例えばＲＦ信号（ＴＸｉｎ）は、ＲＦコネクタ１４ａから入力され、下層の第一の樹脂基板１０を介して基板内部の垂直給電線路１３ａを通り、高周波回路（ＣＯＮＴ）２４に伝送される。ＴＸｉｎは、高周波回路（ＣＯＮＴ）２４でＲＦ信号の振幅および／または位相の制御を受けた後、高周波回路（ＤＡ）２１および高周波回路（ＨＰＡ）２０に伝達され、信号増幅される。その後、信号増幅されたＴＸｉｎは、ボンディングワイヤ２６を介して、出力側の垂直給電線路１３ｂを通り、ＲＦコネクタ１４ｃからＲＦ信号（ＴＸｏｕｔ）として出力される。
【００２８】
また、受信時は、ＲＦ信号（ＲＸｉｎ）が、ＲＦコネクタ１４ｂから入力され、高周波回路（ＬＮＡ）２２で低雑音増幅される。高周波回路（ＬＮＡ）２２で低雑音増幅されたＲＸｉｎは、高周波回路（ＣＯＮＴ）２４でＲＦ信号の振幅および／または位相の制御を受けた後、ＲＦコネクタ１４ａから出力される。
【００２９】
ここで、ＲＦデバイスの例として、高周波回路（ＨＰＡ）２０、高周波回路（ＤＡ）２１、高周波回路（ＬＮＡ）２２、高周波回路（ＣＯＮＴ）２４を挙げたが、高周波モジュール１００の構成としては、このデバイス例に限定されない。
【００３０】
下層の第一の樹脂基板１０内部における、ＲＦデバイスを収納するキャビティ１９の外周のグランドスルーホール１８で囲まれたモジュール構成領域３０において、グランドスルーホール１８間の距離（Ｌｃ）は、高周波回路２０，２１，２２，２４の動作周波数で１／２波長以下に設定されており、導波管モードの信号伝搬を抑圧している。これにより、信号接続ワイヤ（ボンディングワイヤ２６）からのＲＦ信号の放射によって、ＲＦデバイスに入出力されるＲＦ信号が、キャビティ１９の内部空間を介して結合する。このため高周波モジュール１００の不安定動作、通過特性リップル等の特性悪化を抑制することができる。
【００３１】
さらに、上下層の第二の樹脂基板１１と第一の樹脂基板１０をＢＧＡ実装により接合する。これによって、各モジュール構成領域３０内の単位モジュールの間に、グランドスルーホール１８およびはんだボール１６を配置するとともに、グランドパターン３５，３６により電磁的にシールドしている。かくして、同一の第一の樹脂基板１０内に複数の単位モジュールを一体的に配置し、高周波モジュール１００を構成することで、単位モジュール間の電気的アイソレーションを確保することができる。
【００３２】
また、各ＲＦデバイスは、絶縁性保護膜等による封止構造がそれぞれのＲＦデバイス単位で施され、耐湿性が確保されている。これによりモジュール単位での気密構造を不要とする。例えば、従来構造では封止蓋を金属リングに溶接して気密構造を得るが、この気密構造において所要の気密性能を確保するために所要の大きさの接合領域が必要となる。高周波モジュール１００は、この接合領域を削除することができるので、ＲＦデバイスの実装面積を増大することができる。
【００３３】
以上説明した通り、実施の形態１による高周波モジュール１００は、裏面にグランドベタパターン３６が形成され、表面側に複数の収納空間（キャビティ１９）が形成され、当該収納空間（キャビティ１９）の底面部に埋め込まれたヒートシンク１５と、当該ヒートシンク１５上に搭載された高発熱高周波回路２０と、当該収納空間（キャビティ１９）の底面部上面における上記ヒートシンク１５の外側に搭載された他の高周波回路２１，２２，２４とを有し、上記高発熱高周波回路２０および他の高周波回路２１，２２，２４を上記収納空間（キャビティ１９）内に収容するとともに、上記高発熱高周波回路２０および他の高周波回路２１，２２，２４に接続された複数の垂直給電線路１３ａ，１３ｂ，１３ｃ、上記垂直給電線路１３ａ，１３ｂ，１３ｃおよび収納空間（キャビティ１９）の周囲を囲む複数のグランドスルーホール１８が形成された第一の樹脂基板１０と、裏面にグランドベタパターン３５が形成され、当該グランドベタパターン３５の誘電体露出面で上記第一の樹脂基板１０の表面上面に複数のはんだボール１６により接合され、当該はんだボール１６、上記第一の樹脂基板１０の垂直給電線路１３ａ，１３ｂ，１３ｃ、およびグランドスルーホール１８を介して、上記高発熱高周波回路２０および他の高周波回路２１，２２，２４に接続される制御回路１７を有した第二の樹脂基板１１を備えたことを特徴とする。
【００３４】
また、上記高発熱高周波回路２０および他の高周波回路２１，２２，２４は、耐湿性を有したことを特徴とする。
【００３５】
また、上記収納空間（キャビティ１９）は、上記高発熱高周波回路２０および他の高周波回路２１，２２，２４の動作周波数での波長の２分の１以下となることを特徴とする。
【００３６】
また、上記第一の樹脂基板１０は、裏面にヒートシンク１５に熱的に接続された冷却板１２が設けられるとともに、当該冷却板１２の貫通穴４５に同軸コネクタ（ＲＦコネクタ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）が設けられ、当該同軸コネクタが上記垂直給電線路１３ａ，１３ｂ，１３ｃに接続されることを特徴とする。
【００３７】
このように、ＲＦデバイスを全て下層の第一の樹脂基板１０内に格納したため、従来の複数階層に分散してＲＦデバイスを配置した階層構造で要していたＲＦ信号の垂直給電線路およびＲＦ信号の接続部が必要なくなるので、その分だけＲＦデバイスの実装面積を増大することができる。また、垂直給電線路に付随して、異なる階層に配置されたＲＦデバイス間の伝送損失を低減することができる。
【００３８】
また、複数の単位モジュールを下層の第一の樹脂基板１０内に一体化して配置し、上層階の第二の樹脂基板１１の面積を大型化することにより、上層階の部品の実装面積が拡大し、制御信号／電源供給用コネクタ４０および制御回路１７の実装領域をより広く確保することができる。また、第二の樹脂基板１１上の実装コストの低減が図れる。
【００３９】
また、全ＲＦデバイス（ＨＰＡ２０、ＤＡ２１、ＬＮＡ２２、ＣＯＮＴ２４、バイパスコンデンサ２５）を第一の樹脂基板１０に実装することで、従来の複数階層に分散してＲＦデバイスを配置する階層構造では困難であった、発熱性のＲＦデバイスの放熱経路の確保がより容易となる。また、高周波回路（ＨＰＡ）２０のような高放熱部品は、第一の樹脂基板１０に埋め込んだ高放熱のヒートシンク１５上に実装することで、さらにＲＦデバイスの放熱性を改善することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１０  第一の樹脂基板、１１  第二の樹脂基板、１２  冷却板、１３ａ，１３ｂ  垂直給電線路、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ  ＲＦコネクタ、１５  ヒートシンク、１６  はんだボール、１９  キャビティ、１８  グランドスルーホール、２０，２１，２２，２４  高周波回路、２５  バイパスコンデンサ、２６  ボンディングワイヤ、２７  制御信号／電源供給用スルーホール、３０  モジュール構成領域、３１  グランドパッド、３２  制御信号／電源供給用パッド、３３  グランドパッド、３４  制御信号／電源供給用パッド、３５，３６，３７  グランドベタパターン、３８  導体パッド、４０  制御信号／電源供給用コネクタ、４５  貫通穴、４６  穴、１００  高周波モジュール。
【図１】
2015201538.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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