(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性が高い焦電型赤外線センサーを安定して大量に作る事。【解決手段】焦電センサー内に用いる、焦電型光電変換素子と、ＪＦＥＴなどのインピータンス変換器やその他電子部品を搭載する光電変換基板とから成る焦電型赤外線センサーに於いて光電変換基板並びに気密端子１４を複数連結し汎用のＳＭＴ機で実装し精度、実装密度並びに信頼性を上げると共に光電変換基板並びに気密端子を複数連結したままリフロー半田付けする事より生産性を大幅に向上させた事を特徴とした焦電センサー。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸ジルコン酸鉛などからなる、焦電型光電変換素子と、ＪＦＥＴなどのインピータンス変換器を搭載する基板からなる光電変換基板を有し、焦電型光電変換素子は支持台により基板から浮かせ熱的に絶縁し、光電変換基板は気密端子を介して外部と気密性を確保し接続され、且つシリコンなどの赤外線を透過する窓を有するカンで覆われ、気密性と外部との電気的接続、光学的接続を確保する焦電型赤外線センサーに於いて、少なくとも２個以上の複数基板を連結したまま気密端子挿入、支持台とJFETなど焦電型光電変換素子以外の電子部品を全て気密端子挿入側と反対側の面に実装、連結したまま同時に半田付けした後、個別の気密端子付き光電変換回路に分割し、焦電型光電変換素子を実装する事を特徴とした焦電センサー。
【請求項２】
気密端子と基板のクリーム半田印刷に於いて、気密端子のインナーリード長は基板の厚み以上で基板の厚み＋半田マスクの厚み以下としＪＦＥＴなどの半田接続部と同時にメタルマスクなどの半田マスクでクリーム半田印刷とリフロー半田付けする事を特徴とした請求項１記載の焦電センサー。
【請求項３】
気密端子付きで複数個連結された気密端子付き光電変換回路をリフロー半田付け後個別の気密端子付き光電変換回路に分割する時、レーザーで切断する事を特徴とする請求項１記載の焦電センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
人体から輻射される赤外線の変化を検知し、人体の動きとみなし、侵入者検知や自動照明などに人検知センサーとして使用する焦電型センサーの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
焦電センサーは素子自身の温度変化に比例し、生じる焦電流により光電変換する熱型の光電変換器である。
【０００３】
チタン酸ジルコン酸鉛などの焼結体から成り、吸湿性を有するので気密端子に取り付けた上で気密端子にカンを被せ溶接、気密封止される。
更に電磁気的遮蔽した上に、赤外線が入射する窓も必要である。限られたスペースで上記を満たし、更に信頼性を確保する事は困難である。
【０００４】
特許文献1では基板の上面に焦電センサー素子、ＪＦＥＴは基板に穴を空けた上で焦電センサー素子の下にＪＦＥＴの天地反転実装である。
特許文献2では基板の上面に焦電センサー素子、下面にＪＦＥＴの両面実装である。基板を連結し多数個工程数が多くなり、且つ基板組み込み後、下面の目視が出来ないため品質上も問題である。
【０００５】
何れの文献にも基板を連結し汎用のＳＭＴ機にて高精度や生産性を上げる発想は無く手加工、或いは専用の生産設備が必要であり、生産性と信頼性は低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平11-83623号公報
【特許文献２】特開2009-186374号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
焦電センサー内に用いる、焦電型光電変換素子と、ＪＦＥＴなどのインピータンス変換器を搭載する基板を複数連結し汎用のＳＭＴ機で実装し精度、実装密度並びに信頼性を上げると共に生産性を大幅に向上させた事を特徴とした焦電センサー。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は焦電型光電変換素子と、ＪＦＥＴなどのインピータンス変換器を搭載する基板からなる光電変換基板を通常のＳＭＴ汎用機で実装すると共に気密端子と電子部品への半田印刷リフロー半田付けを同時に済ませる事である。
【０００９】
焦電型光電変換素子と、ＪＦＥＴなどのインピータンス変換器を搭載する光電変換基板を有し、焦電型光電変換素子は支持台により基板から浮かせ熱的に絶縁し、光電変換基板は気密端子を介して外部と気密性を確保し接続され、且つシリコンなどの赤外線を透過する窓を有するカンで覆われ、気密性と外部との電気的接続、光学的接続を確保する焦電型赤外線センサーに於いて、少なくとも２個以上の複数基板を連結したまま気密端子挿入、支持台とＪＦＥＴなど焦電型光電変換素子以外の電子部品を全て気密端子挿入側と反対側の面に実装、連結したまま同時に半田付けした後個別の気密端子付き光電変換回路に分割した後、焦電型光電変換素子に分割する事であり、気密端子と基板は予め接着された後、基板の気密端子ランドと他の電子部品ランドと同時にクリーム半田印刷する為、気密端子のインナーリード長は基板の厚み以上で基板の厚み＋半田マスクの厚み以下としＪＦＥＴなどの半田接続部と同時にメタルマスクなどの半田マスクでクリーム半田印刷後リフロー半田付けにより複数個連結された気密端子付き光電変換回路として複数個連結し生産性を向上させる。
【００１０】
複数個連結された気密端子付き光電変換回路基板は、気密端子とカンとの溶接部分確保の為、金属製気密端子最外形より光電変換回路最外形小さくし分割の必要が有るが、金属製気密端子と光電変換回路は密着しているので従来のルーターなどによる機械的な分割が困難であり複数個連結された気密端子付き光電変換回路をリフロー半田付け後、個別の気密端子付き光電変換回路に分割する時、複数個連結された気密端子付き光電変換回路をレーザーで回路基板のみ選択的に溶断する事を可能とした。
【発明の効果】
【００１１】
複数個連結された光電変換回路基板は汎用のＳＭＴ機で実装可能であり高密度且つ高信頼性の焦電型センサーが可能である。
更に焦電型センサーに不可欠な気密端子も他の電子部品と同時に半田印刷、リフローするので極めて合理的である。
【００１２】
複数個連結された気密端子付き光電変換回路を光電変換回路側からレーザーで溶断するので例えば紙フェノールで出来た光電変換回路基板と金属製の気密端子はレーザーに対する耐量が全く異なる為、気密端子に損傷を与える事無く基板のみを選択的に切断する事が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施例に係る複数個連結された光電変換基板に気密端子を接着する図面である。
【図２】本発明の一実施例に係る気密端子挿入後の斜視図である。
【図３】本発明の一実施例に係わる断面図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１４】
本発明の実施例を図面の記載に基づき説明する。
図１は複数個連結された光電変換基板に気密端子を接着する図面であり図１の１１が複数個連結された光電変換基板、１２が個別の光電変換基板、１４が気密端子、１３が気密端子と光電変換基板を接着する接着剤である。
接着剤は通常のエポキシ系の接着剤で有りメタルマスクにより、必要ヶ所に塗布される。
【００１５】
次に１４気密端子を挿入し加圧と加熱により接着を確実な物にする。
図２は気密端子挿入時の斜視図である。
２１が気密端子、２２が光電変換基板、２３が気密端子のインナーリードである。２４が光電変換基板のインナーリード用ランド、２５がＪＦＥＴのランドでありそれぞれのランドにクリーム半田をメタルマスク印刷した後、ＪＦＥＴを実装リフロー半田付けする。
【００１６】
図３が断面図であり３１が気密端子台、３２がガラス封し部、３４が光電変換基板であり３６は気密端子のインナーリードで有る。
３４の光電変換基板より飛びだした３６、インナーリードの飛び出しは半田印刷用マスクの厚み以下であり、３５のクリーム半田は３３のＪＦＥＴ用半田含め一度に印刷可能で有る。
半田印刷後はＳＭＴ機にてＪＦＥＴなどを実装しリフロー半田付けする。
【００１７】
この状態では気密端子付き光電変換基板は複数個連結されたままなので個別の基板に切断する必要が有る。
しかし気密端子にはカンを被せ溶接する必要が有り、基板最外形は気密端子最外形より小さく切断、分割する必要が有り、基板側からレーザー光にて切断する事より基板のみを選択的に切断可能である。
基板切断後わずかな時間、気密端子にもレーザー光が当たるが金属製で反射率も高い気密端子に損傷を与える事は無い。
【符号の説明】
【００１８】
１１  複数個連結された光電変換基板
１２  個別の光電変換基板
１３  気密端子と光電変換基板を接着する接着剤
１４  気密端子
２１  気密端子
２２  光電変換基板
２３  気密端子のインナーリード
２４  光電変換基板のインナーリード用ランド
２５  ＪＦＥＴのランド
３１  気密端子台
３２  ガラス封し部
３３  ＪＦＥＴ
３４  光電変換基板
３５  クリーム半田
３６  インナーリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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