(57)【要約】【課題】本発明は、磁性体組成物及びこれを用いた積層型電子部品に関する。【解決手段】本発明は、従来のガラス（ｇｌａｓｓ）成分の代わりに、フェライトグレーン（ｇｒａｉｎ）とは反応せず、結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）のみに均一に分布することができるガラス（ｇｌａｓｓ）成分を含ませることで、透磁率及び比抵抗を向上させるとともに、高周波比抵抗値を高く形成させることができる。【選択図】図３
2015051908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェライト及びガラス（ｇｌａｓｓ）を含み、
前記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、を含む、磁性体組成物。
【請求項２】
前記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物を１０〜４０ｍｏｌ％含む、請求項１に記載の磁性体組成物。
【請求項３】
前記珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をａ、前記リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｂ、前記バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｃ及び前記チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｄとすると、前記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たしており、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たす、請求項１に記載の磁性体組成物。
【請求項４】
前記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、０．５〜２０重量％含む、請求項１に記載の磁性体組成物。
【請求項５】
前記ガラス（ｇｌａｓｓ）の平均粒径は、０．０５〜５μｍである、請求項１に記載の磁性体組成物。
【請求項６】
前記フェライトの平均粒径は、０．０５〜５μｍである、請求項１に記載の磁性体組成物。
【請求項７】
前記フェライトは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト及びＬｉ系フェライトからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項１に記載の磁性体組成物。
【請求項８】
複数の磁性体層が積層された磁性体本体と、
前記磁性体本体の内部に形成された導体パターンと、
前記磁性体本体の少なくとも一端面に形成され、前記導体パターンと電気的に連結された外部電極と、を含み、
前記磁性体本体は、フェライト及びガラス（ｇｌａｓｓ）を含み、前記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、を含む、積層型電子部品。
【請求項９】
前記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物を１０〜４０ｍｏｌ％含む、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項１０】
前記珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をａ、前記リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｂ、前記バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｃ及び前記チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｄとすると、前記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たしており、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たす、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項１１】
前記磁性体本体は、ガラス（ｇｌａｓｓ）を０．５〜２０重量％含む、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項１２】
前記ガラス（ｇｌａｓｓ）の平均粒径は、０．０５〜５μｍである、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項１３】
前記フェライトの平均粒径は、０．０５〜５μｍである、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項１４】
前記フェライトは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト及びＬｉ系フェライトからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項８に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗値を向上させた磁性体組成物及びこれを用いた積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、インダクタや積層セラミックキャパシタ、圧電体、バリスタ、サーミスタなどの電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体、本体内部に形成された金属内部電極及び上記内部電極と接続されるようにセラミック本体表面に設置された外部電極などを備える。
【０００３】
最近は、電気・電子製品の小型化、軽量化及び多機能化が急激に行われ、これに用いられるインダクタも小型化及び高容量化される傾向にある。その結果、インダクタの磁性体材料として用いられるフェライトの高い透磁率及び比抵抗値が求められている。高い透磁率及び比抵抗を具現するためには、焼成後、フェライトの結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）にかかる抵抗値が高くなければならない。
【０００４】
一方、インダクタの製造時には、比較的低温においてフェライトの焼成を具現すべくガラスを用いる。これは、フェライト中に分散されているガラスが液相化されてフェライト成分の物質移動を促すことで、より低温において焼成を完了させるためである。また、焼結されたフェライト構造（ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）における空隙を比較的誘導性が良いガラスで満たすことで、焼結密度を具現し、信頼性を向上させる。
【０００５】
しかし、ガラスを添加したフェライト組成物でセラミック素体を形成する場合、ガラスの種類や添加量、フェライト粉末のサイズまたはフェライト組成物の分散状態、焼成熱処理温度及び雰囲気などによって以下のような悪影響をもたらす。
【０００６】
まず、フェライト組成物に含まれたガラスが過剰である場合は、焼成過程においてガラスがフェライトの焼結を促すのではなく、むしろ物質移動の距離を増加させ、接点（ｃｏｎｔａｃｔ  ｐｏｉｎｔ）を減少させるため、未焼成の原因になり得る。
【０００７】
また、焼成過程においてガラスがフェライトグレーン（ｇｒａｉｎ）と反応するため、フェライトの粒内抵抗を減少させて高周波比抵抗（ＡＣ比抵抗）を低下させる原因になり得る。
【０００８】
なお、ガラス成分の高温流動性が具現できない場合、ガラス成分が結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）に均一に分布できなくなって結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を通じて得ることができる最大の比抵抗値（全体のセラミック素体のうち結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）が有する体積分率）が得られないため、粒界抵抗を減少させて透磁率及び比抵抗を低下させる原因になり得る。
【０００９】
下記特許文献１には、フェライトに特定のガラスを一定量含む磁器組成物及びこれを用いた電子部品が開示されている。しかし、下記特許文献１に係わる発明は、過剰のガラスによって透磁率が低下することがあり、結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）に均一に分布できなくなることから透磁率及び比抵抗の向上に限界があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−１５００５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明による一実施形態の目的は、焼結時にガラスをフェライト結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）に均一に分布させ、フェライトグレーン（ｇｒａｉｎ）とは反応させないことで、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗を向上させることができる磁性体組成物及びこれを用いた積層型電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記した課題を解決すべく、本発明の一実施形態は、フェライト及びガラス（ｇｌａｓｓ）を含み、上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、を含む磁性体組成物を提供する。
【００１３】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物を１０〜４０ｍｏｌ％含むことができる。
【００１４】
上記珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をａ、上記リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｂ、上記バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｃ及び上記チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｄとすると、上記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たしており、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たすことができる。
【００１５】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、０．５〜２０重量％含むことができる。
【００１６】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）の平均粒径は、０．０５〜５μｍであることができる。
【００１７】
上記フェライトの平均粒径は、０．０５〜５μｍであることができる。
【００１８】
上記フェライトは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト及びＬｉ系フェライトからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
【００１９】
また、本発明の他の一実施形態は、複数の磁性体層が積層された磁性体本体と、上記磁性体本体の内部に形成された導体パターンと、上記磁性体本体の少なくとも一端面に形成され、上記導体パターンと電気的に連結された外部電極と、を含み、上記磁性体本体は、フェライト及びガラス（ｇｌａｓｓ）を含み、上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、を含む積層型電子部品を提供する。
【００２０】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物を１０〜４０ｍｏｌ％含むことができる。
【００２１】
上記珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をａ、上記リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｂ、上記バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｃ及び上記チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｄとすると、上記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たしており、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たすことができる。
【００２２】
上記磁性体本体は、ガラス（ｇｌａｓｓ）を０．５〜２０重量％含むことができる。
【００２３】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）の平均粒径は、０．０５〜５μｍであることができる。
【００２４】
上記フェライトの平均粒径は、０．０５〜５μｍであることができる。
【００２５】
上記フェライトは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト及びＬｉ系フェライトからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の一実施形態による磁性体組成物及びこれを用いた積層型電子部品は、従来のガラス（ｇｌａｓｓ）成分の代わりに、フェライトグレーン（ｇｒａｉｎ）とは反応せず、結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）のみに均一に分布することができるガラス（ｇｌａｓｓ）成分を含ませることで、透磁率及び比抵抗を向上させるとともに、高周波比抵抗値を高く形成させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】ガラス含量による透磁率を示したグラフである。
【図２】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２９】
本発明の一実施形態による磁性体組成物は、フェライト及びガラス（ｇｌａｓｓ）を含む。
【００３０】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、磁性体組成物に対して０．５〜２０重量％含むことができる。ガラス（ｇｌａｓｓ）が０．５重量％未満含まれる場合は、ガラスによる液相焼結メカニズムを具現することが困難であり、空隙を満たすことによる緻密度向上などの効果が示されない。また、焼結温度の上昇によって電気的特性が悪化し、信頼性が低下しかねない。一方、ガラス（ｇｌａｓｓ）が２０重量％を超過する場合は、ガラス（ｇｌａｓｓ）が過剰の液相を形成するため、フェライト母材の移動距離を増加させて粒成長を妨害することから透磁率が減少しかねない。図１はガラス含量による透磁率を示したグラフで、Ｔ１（９２５℃）及びＴ２（９４３℃）においてガラス含量が２０重量％を超過した段階で、透磁率が減少することが確認できる。
【００３１】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、を含むことができる。
【００３２】
即ち、上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、ａ（Ｓｉ、Ｂ）−ｂ（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）−ｃ（Ｖ、Ｍｎ）−ｄ（Ｔｉ、Ａｌ）を含むことができ、上記ａは珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｂはリチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｃはバナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｄはチタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比を意味する。
【００３３】
このとき、本発明の一実施形態によると、上記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たしており、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たすことができる。
【００３４】
一方、積層させた複数のフェライト磁性体層を４００℃〜１０００℃の高温において焼成するとき、セラミックを均一に接合させるためには、ガラス安定性及び濡れ温度が重要である。これは、ガラス（ｇｌａｓｓ）の組成によって決定される。
【００３５】
上記ガラス安定性（ΔＴ）は、結晶化温度（Ｔｃ）とガラス転移温度（Ｔｇ）の差異、即ち、ΔＴ＝Ｔｃ−Ｔｇで示されることができる。
【００３６】
ガラス安定性が低い場合は、昇温すると、均一なガラス相を形成するのではなく、一部成分が結晶相をなして析出され、ガラス相の組成的不均一性をもたらす。そのため、上記４００℃〜１０００℃の高温のフェライト焼成温度において優れたガラス安定性を示すことが重要である。
【００３７】
また、濡れ温度（Ｔｗｅｔ）とは、基板上にガラスパウダーで製作したペレット（Ｐｅｌｌｅｔ）を昇温して軟化させた後に、基板となす角（ａｎｇｌｅ）が９０°になる温度を意味し、高温においてガラス（ｇｌａｓｓ）が有する粘度を示す。濡れ温度（Ｔｗｅｔ）が好ましい場合は、フェライトなどの母材が焼結されて発生する毛管力及びガラスの粘度が複合的に作用することにより、ガラスが空孔を満たすことで緻密度を向上させることができる。
【００３８】
濡れ温度（Ｔｗｅｔ）は、ガラスの高温流動に関連する特性で、磁性体組成物内におけるフェライト粉末とガラス粉末との濡れ温度が焼成温度に対して相対的に高い場合は、液相焼結をもたらす役割ができなくなるため焼結温度を減らすことができないのみならず、フェライト粒界間に適切に分布できなくなるため電気的特性も具現できない可能性がある。即ち、フェライト粉末とガラス粉末との濡れ温度が焼成温度に対して相対的に高い場合は、フェライトが焼結される温度区間に比べて多少低い温度区間においてガラスが融液を形成して物質移動をもたらさなければならないが、このような役割をすることができない。また、フェライト粉末との濡れ温度が焼成温度に対して過度に低い場合は、フェライト焼成区間よりスプレッディング（ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）が過度に速く行われて焼成反応に参加できなくなり、透磁率が低下するおそれがある。
【００３９】
したがって、ガラス（ｇｌａｓｓ）の組成を調節することで、フェライト焼成雰囲気及び温度区間において結晶相が析出されないように適当なガラス安定性（ΔＴ）を確保し、濡れ温度（Ｔｗｅｔ）が５５０℃〜７５０℃を満たすようにすることが好ましい。また、本発明の一実施形態によるａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たし、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たすことで、上記問題を達成することができる。
【００４０】
また、本発明の一実施形態によるガラス（ｇｌａｓｓ）組成を満たすことで、焼成時にフェライトの粒成長を十分に具現することができる。なお、粒界抵抗を向上させるバナジウム（Ｖ）またはマンガン（Ｍｎ）成分が粒界に均一に分布されることで、グレーン（ｇｒａｉｎ）とは反応しないことから、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗を向上させることができる。
【００４１】
上記ガラス（ｇｌａｓｓ）の平均粒径は、０．０５〜５μｍであることができる。ガラス（ｇｌａｓｓ）の平均粒径が０．０５μｍ未満である場合は、スラリーの製造時に分散性を確保することが困難になって不均一な特性が示される可能性が高くなる。また、５μｍを超過する場合は、大きいガラス粒子が溶けた部分をフェライト母材が満たすことができないと、一種の空隙（ｖａｃａｎｃｙ）が形成されて信頼性問題、外見不良及び電気的特性の低下が起こり得る。
【００４２】
上記フェライトは、特に制限されないが、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト、Ｌｉ系フェライトなどの公知のフェライトを所望する特性に適して選択し、用いることができる。
【００４３】
上記フェライトの平均粒径は、０．０５〜５μｍであることができる。フェライトの平均粒径が０．０５μｍ未満である場合は、スラリー製造時に分散性を確保することが困難になって不均一な特性が示される可能性が高くなる。また、５μｍを超過する場合は、低温焼結に対する駆動力の低下によって低温焼結が困難になって電気的特性を具現することができず、超小型機種に適用することが困難になり得る。上記フェライトは、特に制限されないが、球状や楕円状などの多様な形状を有することができる。
【００４４】
図２は本発明の他の実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図３は図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００４５】
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の磁性体層３が積層された磁性体本体１０と、上記磁性体本体１０の内部に形成された導体パターン２０と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に形成され、上記導体パターンと電気的に連結された外部電極３０と、を含む。
【００４６】
以下では、本発明の一実施形態による積層型電子部品、特に積層型インダクタを例に挙げて説明するが、これに制限されない。
【００４７】
本発明の一実施形態による積層型インダクタにおいて、「長さ方向」は図２の「Ｌ」方向、「幅方向」は「Ｗ」方向、「厚さ方向」は「Ｔ」方向と定義する。ここで、「厚さ方向」は磁性体層を積み上げる方向、即ち、「積層方向」と同一の概念で用いられることができる。
【００４８】
上記複数の磁性体層３が積層されて形成される磁性体本体１０は、フェライト及びガラス（ｇｌａｓｓ）を含み、上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、バナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、を含むことができる。
【００４９】
即ち、上記ガラス（ｇｌａｓｓ）は、ａ（Ｓｉ、Ｂ）−ｂ（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）−ｃ（Ｖ、Ｍｎ）−ｄ（Ｔｉ、Ａｌ）を含むことができ、上記ａは珪素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｂはリチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）及びカルシウム（Ｃａ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｃはバナジウム（Ｖ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｄはチタニウム（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比を意味する。
【００５０】
このとき、本発明の一実施形態によると、上記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たしており、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たすことができる。
【００５１】
その他、上記した本発明の一実施形態による磁性体組成物の特徴と同一部分に対しては、ここでは省略する。
【００５２】
上記磁性体本体１０の内部に形成された導体パターン２０を形成する材料は、特に制限されないが、例えば、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のうちいずれか一つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いることで形成されることができる。
【００５３】
上記導体パターン２０と電気的に連結される外部電極３０は、上記導体パターン２０と同一の導電性金属で形成されることができるが、これに制限されず、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などの単独またはこれらの合金であることができる。また、上記導電性金属に酸化物系ガラス粉末、ベース樹脂及び有機ビークル（ｖｅｈｉｃｌｅ）などを混合させた導電性ペースト（ｐａｓｔｅ）を用いることで外部電極３０を形成することもできる。
【００５４】
以下では、実施例を通じて本発明をより具体的に説明する。下記実施例は、本発明の理解を助けるために例示したものに過ぎず、本発明の範囲はこれに制限されるものではない。
【００５５】
実施例
【００５６】
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト及び下記表１による各組成のガラス（ｇｌａｓｓ）２０重量％を含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥することで複数個の磁性体シートを用意した。
【００５７】
次に、上記磁性体シート上にスクリーンを用いて銅（Ｃｕ）導電性ペーストを塗布して導電パターンを形成した。また、上記導電パターンと同一層になるように上記導電パターンの周りの上記磁性体シート上に上記スラリーを塗布して上記磁性体シートとともに一つの積層キャリアを形成した。
【００５８】
その後、導電パターンが形成された積層キャリアを繰り返し積層することで積層体を形成し、上記導電パターンが電気的に接続されて積層方向にコイルパターンを有するようにした。ここで、上記磁性体シートにはビア電極が形成されて上記磁性体シートを介して上部導電パターンと下部導電パターンが電気的に接続されることができる。
【００５９】
次いで、積層体を８５℃において１０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力条件で等圧圧縮成形（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  ｐｒｅｓｓｉｎｇ）した。上記圧着されたチップ積層体を個別のチップ状に切断し、切断されたチップを大気雰囲気において２３０℃、４０時間維持して脱バインダーを行った。
【００６０】
その後、７５０℃の温度雰囲気において１時間焼成した。このとき、焼成後のチップは、２．５ｍｍ×２．０ｍｍ（Ｌ×Ｗ）、２５２０サイズに製作された。
【００６１】
最後に、銅（Ｃｕ）導電性ペーストで外部電極を塗布し、電極焼成やめっきなどの工程を経て外部電極を形成した。
【００６２】
下記表１は、各ガラス（ｇｌａｓｓ）の組成による積層型インダクタの透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗の測定結果を示したものである。
【００６３】
【表１】
2015051908.tif 000003
【００６４】
１）透磁率の評価基準
Ｘ：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均透磁率が比較例１に比べて低い場合
△：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均透磁率が比較例１と同一水準の場合
Ｏ：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均透磁率が比較例１に比べて１０％以上上昇した場合
【００６５】
２）比抵抗の評価基準
Ｘ：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均比抵抗が比較例１に比べて低い場合
△：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均比抵抗が比較例１と同一水準の場合
Ｏ：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均比抵抗が比較例１に比べて１０％以上上昇した場合
【００６６】
３）高周波比抵抗の評価基準
Ｘ：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均高周波比抵抗が比較例１に比べて低い場合
△：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均高周波比抵抗が比較例１と同一水準の場合
Ｏ：２００個のサンプルに対し、焼成後の平均高周波比抵抗が比較例１に比べて１０％以上上昇した場合
【００６７】
上記表１を参照すると、比較例１は、従来のガラスを含有するフェライト磁性体組成物を適用した場合で、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗値を改善させる必要がある。また、比較例２は、（Ｖ、Ｍｎ）及び（Ｔｉ、Ａｌ）を含まない場合で、フェライトグレーン（ｇｒａｉｎ）をまったく成長させなかったため、透磁率及び比抵抗値が低下しており、比較例３は、（Ｔｉ、Ａｌ）を含まない場合で、ガラスがフェライトの粒成長には役立ったが、成長されたグレーン（ｇｒａｉｎ）の境界が明確ではない形状を示し、高周波比抵抗値が低く測定された。
【００６８】
実施例１及び２は、（Ｓｉ、Ｂ）の含量が３０ｍｏｌ％未満である場合で、フェライトに対する溶解度（ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ）が低下して焼成が十分に具現できなかったため、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗の電気的特性が比較例１に比べても低い結果を示しており、実施例３は、（Ｓｉ、Ｂ）の含量が６０ｍｏｌ％を超過する場合で、ガラスの融点が上昇してフェライトの粒成長を促す役には立たなかったため、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗を十分に改善させることができなかった。
【００６９】
実施例４は、（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）の含量が１０ｍｏｌ％未満である場合で、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗が十分ではなく、実施例５は、（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）の含量が３０ｍｏｌ％を超過する場合で、ガラスの融点は適正範囲にあることから、フェライトの焼結を可能にしたが、グレーン（ｇｒａｉｎ）のサイズを大きくできなかったため、適正な透磁率値を得ることができなかった。
【００７０】
実施例６及び７は、（Ｖ、Ｍｎ）の含量が１０ｍｏｌ％未満である場合で、ガラスがフェライトの粒成長を促したが、結晶粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）に十分な粒界抵抗を形成できなかったため、比抵抗及び高周波比抵抗値が十分に改善されなかった。また、実施例８は、（Ｖ、Ｍｎ）の含量が４０ｍｏｌ％を超過する場合で、ガラスの相安定性が不安定になって溶融時に失透現象が発生し、パウダーを製造しても不均一な特性を示して物性を調節することが困難になるのみならず、過剰の（Ｖ、Ｍｎ）がフェライトグレーン（ｇｒａｉｎ）と反応するようになって粒内抵抗を減らし、高周波比抵抗に悪い特性を示した。
【００７１】
実施例９は、（Ｔｉ、Ａｌ）の含量が２０ｍｏｌ％を超過する場合で、基本的に融点が高いＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３が酸化物ガラスを形成するとき、融点が上昇し、高温粘度が上昇して使用性が低下した。
【００７２】
実施例１０から１７は、本発明の一実施例によるａ（Ｓｉ、Ｂ）−ｂ（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）−ｃ（Ｖ、Ｍｎ）−ｄ（Ｔｉ、Ａｌ）のａ、ｂ、ｃ及びｄの値を満たす場合で、上記ガラスを適用したスラリーを焼成した結果、フェライトの粒成長が十分に具現でき、粒界抵抗を向上させる（Ｖ、Ｍｎ）の成分が粒界のみに均一に分布され、グレーン（ｇｒａｉｎ）とは反応しないことから、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗が全て従来の比較例１に対して１０％以上改善された特性を示した。
【００７３】
したがって、本発明の一実施形態による積層型インダクタの磁性体本体は、フェライト及びａ（Ｓｉ、Ｂ）−ｂ（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）−ｃ（Ｖ、Ｍｎ）−ｄ（Ｔｉ、Ａｌ）の組成を有するガラス（ｇｌａｓｓ）を含み、上記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たしており、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦４０（ｍｏｌ％）及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たし、本発明の一実施形態によると、透磁率、比抵抗及び高周波比抵抗が顕著に向上した積層型インダクタを具現することができる。
【００７４】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【００７５】
１００  積層型電子部品
２０  内部導体パターン
３  磁性体層
３０  外部電極
１０  磁性体本体
【図１】
2015051908.tif 000004
【図２】
2015051908.tif 000005
【図３】
2015051908.tif 000006