(57)【要約】【課題】焼成処理を実施しても、結晶化が生じ難いガラス組成物を提供することを目的とする。【解決手段】酸化物基準のモル％表示で、３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、２６％〜３５％のＺｎＯと、５％〜１２％のＳｉＯ２と、９％〜１８％のＢａＯと、を含有し、ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、鉛酸化物を実質的に含有しないことを特徴とするガラス組成物。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物基準のモル％表示で、
３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、
１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、
２６％〜３５％のＺｎＯと、
５％〜１２％のＳｉＯ２と、
９％〜１８％のＢａＯと、
を含有し、
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、
鉛酸化物を実質的に含有しないことを特徴とするガラス組成物。
【請求項２】
前記ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計は、４０％〜４７％であることを特徴とする請求項１に記載のガラス組成物。
【請求項３】
発光装置内の基板と発光素子の間に配置される光取り出し層であって、
酸化物基準のモル％表示で、
３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、
１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、
２６％〜３５％のＺｎＯと、
５％〜１２％のＳｉＯ２と、
９％〜１８％のＢａＯと、
を含有し、
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、
鉛酸化物を実質的に含有しないことを特徴とする光取り出し層。
【請求項４】
散乱粒子を含むことを特徴とする請求項３に記載の光取り出し層。
【請求項５】
前記散乱粒子は、セラミックフィラーであることを特徴とする請求項４に記載の光取り出し層。
【請求項６】
５μｍ〜１５μｍの範囲の膜厚を有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一つに記載の光取り出し層。
【請求項７】
前記発光素子は、有機ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一つに記載の光取り出し層。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス組成物に関し、特に、発光装置内の基板と発光素子の間に配置される光取り出し層を構成するガラス組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機ＬＥＤ素子のような発光素子を有する発光装置において、基板と発光素子の間に、散乱層のような光取り出し層が設置される場合がある（例えば特許文献１、２）。光取り出し層は、発光素子から生じた発光を効率良く外部に取り出す役割を有する。
【０００３】
このような光取り出し層は、基板上にガラスを含む原料ペーストの膜を塗布し、この膜を焼成することにより構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０５４８２０号
【特許文献２】国際公開第２０１３／０６２０２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように、光取り出し層は、基板上に塗布されたガラスを含む原料ペーストの膜を焼成することにより構成することができる。焼成処理の温度は、例えば、６４０℃である。
【０００６】
ここで、従来のガラス組成物を含む原料ペーストを使用して焼成処理を実施した場合、ガラス組成物に結晶化が生じる場合がある。焼成処理の際にこのような結晶化が生じると、ガラス組成物の流動性が低下し、表面に異物が残留してしまう問題がある。
【０００７】
さらに、このような現象が生じると、焼成処理後に得られる光取り出し層において、表面の凹凸が激しくなり、表面の平滑性が低下してしまう。また、そのような平滑性の劣る光取り出し層の上に発光素子を形成した場合、発光素子が適正に配置されず、発光素子が適正に作動しなくなる問題が生じ得る。
【０００８】
そこで、原料ペーストの焼成処理を実施しても、結晶化を十分に抑制することが可能な、光取り出し層用のガラス組成物が要望されている。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、焼成処理を実施しても、結晶化が生じ難いガラス組成物の提供を目的とする。また、本発明では、そのようなガラス組成物を有する、発光装置用の光取り出し層を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、酸化物基準のモル％表示で、
３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、
１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、
２６％〜３５％のＺｎＯと、
５％〜１２％のＳｉＯ２と、
９％〜１８％のＢａＯと、
を含有し、
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、
鉛酸化物を実質的に含有しないことを特徴とするガラス組成物が提供される。
【００１１】
ここで、本発明によるガラス組成物において、前記ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計は、４０％〜４７％であっても良い。
【００１２】
さらに、本発明では、発光装置内の基板と発光素子の間に配置される光取り出し層であって、
酸化物基準のモル％表示で、
３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、
１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、
２６％〜３５％のＺｎＯと、
５％〜１２％のＳｉＯ２と、
９％〜１８％のＢａＯと、
を含有し、
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、
鉛酸化物を実質的に含有しないことを特徴とする光取り出し層が提供される。
【００１３】
ここで、本発明による光取り出し層は、散乱粒子を含んでも良い。
【００１４】
また、前記散乱粒子は、セラミックフィラーであっても良い。
【００１５】
また、本発明による光取り出し層は、５μｍ〜１５μｍの範囲の膜厚を有しても良い。
【００１６】
また、本発明による光取り出し層において、前記発光素子は、有機ＬＥＤ素子であっても良い。
【発明の効果】
【００１７】
本発明では、焼成処理を実施しても、結晶化が生じ難いガラス組成物を提供することができる。また、本発明では、そのようなガラス組成物を有する、発光装置用の光取り出し層を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施例による光取り出し層を有する発光装置の構成を概略的に示した断面図である。
【図２】本発明の一実施例による別の光取り出し層を有する発光装置の構成を概略的に示した断面図である。
【図３】発光装置内の発光素子の構成を概略的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。なお、以下の実施形態は、一例として示されたものであって、本発明の目的を逸脱しない範囲で、種々の変形をして実施することが可能である。
【００２０】
（本発明の一実施例による光取り出し層を有する発光装置）
まず、本発明の一実施例による光取り出し層を有する発光装置の一例について説明する。
【００２１】
図１には、本発明の一実施例による光取り出し層を有する発光装置（以下、「第１の発光装置」と称する）の一構成例を概略的に示す。
【００２２】
図１に示すように、この第１の発光装置１００は、基板１１０と、光取り出し層１２０と、発光素子１３０とを有する。
【００２３】
基板１１０は、上部に各部材を支持する役割を有し、例えば、ガラス、金属等で構成される。発光素子１３０は、第１の電極１４０と、発光層１５０と、第２の電極１６０とをこの順に有する。発光素子１３０は、例えば、有機ＬＥＤ素子であっても良い。
【００２４】
図１に示した第１の発光装置１００は、いわゆるボトムエミッション型の発光装置であっても良い。この場合、基板１１０および第１の電極１４０は、透明部材で構成され、第２の電極１６０は、反射性部材で構成される。
【００２５】
ここで、光取り出し層１２０は、ガラス組成物で構成される。
【００２６】
一般に、基板１１０として、ガラスを使用した場合、そのような基板１１０の屈折率は、第１の電極１４０（例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）層）の屈折率よりも低い場合が多い。そのため、光取り出し層１２０が存在しない場合、発光素子１３０から発光が生じても、発光装置１００内部での反射により、発光装置１００の外部に、光を効率的に取り出すことができなくなる。
【００２７】
しかしながら、基板１１０と発光素子１３０の間に、１．８〜２．１の屈折率を有する光取り出し層１２０を設けた場合、発光素子１３０と光取り出し層１２０の界面で全反射を低減できる。さらに、基板１１０と光取り出し層１２０の界面で組成が混じり合い、屈折率がなだらかに変化する状態となり、反射防止の効果が得られる。従って、発光装置１００の光取り出し効率を高めることができる。また、光取り出し層１２０は、発光装置１００の全視野角において色味の変化が小さい光を取り出す効果も有する。一般に、電極１４０と発光層１５０の屈折率はいずれも１．７以上と高く、合計の膜厚が数１００ｎｍ程度と薄いため、干渉が強く生じ、見る角度によって大きく色味が異なってしまう問題がある。光取り出し層１２０を設けることにより、干渉の効果を弱め、全視野角において色味の変化が小さい光を取り出すことができる。
【００２８】
なお、本願において、「屈折率」とは、特にことわりのない限り、Ｈｅランプｄ線（波長：５８７．６ｎｍ）を用いて２５℃で測定した屈折率を意味する。
【００２９】
このような第１の発光装置１００を製造する場合、基板１１０の上に、光取り出し層１２０および発光層１３０を構成する各層が積層される。
【００３０】
このうち、光取り出し層１２０は、基板１１０上に、ガラス組成物を含む原料ペーストの膜を塗布し、この膜を焼成することにより構成することができる。
【００３１】
ここで、従来のガラス組成物を含む原料ペーストを使用し、この原料ペーストを基板１１０上に塗布し、この膜を焼成処理すると（焼成処理温度は例えば６４０℃）、ガラス組成物に結晶化が生じる場合がある。このような結晶化が生じると、焼成処理中のガラス組成物の流動性が低下し、表面に異物が残留してしまう問題がある。
【００３２】
ここで、異物とは、導入することを意図しない物質、すなわちコンタミネーション物質を意味する。異物としては、基板を取り扱うための道具の破片、焼成炉の断熱材の破片、および部屋の壁材の小片などが挙げられる。
【００３３】
さらに、このような現象が生じると、焼成処理後に得られる光取り出し層において、表面の凹凸が激しくなり、表面の平滑性が低下してしまう。また、そのような平滑性の劣る光取り出し層の上に、発光素子１３０を構成する各層１４０、１５０、１６０を形成した場合、各層１４０〜１６０が断続的に形成されたり、第１の電極１４０と第２の電極１６０が短絡したりする場合がある。この場合、発光素子１３０が適正に作動しなくなるという問題が生じ得る。
【００３４】
これに対して、本発明では、原料ペーストに含有されるガラス組成物は、
酸化物基準のモル％表示で、
３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、
１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、
２６％〜３５％のＺｎＯと、
５％〜１２％のＳｉＯ２と、
９％〜１８％のＢａＯと、
を含有し、
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、
鉛酸化物を実質的に含有しないという特徴を有する。
【００３５】
後に詳しく説明するように、このようなガラス組成物を含む原料ペーストを使用して、焼成処理を実施した場合、結晶化の発生を有意に抑制することができる。このため、焼成処理中のガラス組成物の流動性が十分に高く、異物を膜中に取り込んだり異物と反応して分解したりする作用により、異物を表面に残留させない。このため、本発明では、焼成処理後に、凹凸の少ない平滑な平面を有する光取り出し層１２０を得ることができる。
【００３６】
従って、その後、光取り出し層１２０の上部に、発光素子１３０を構成する各層１４０〜１６０を形成した際に、各層１４０〜１６０が断続的になったり、第１の電極１４０と第２の電極１６０が短絡したりするという問題を、有意に抑制することが可能になる。すなわち、光取り出し層１２０の上に、発光素子１３０を構成する各層１４０〜１６０を適正に配置することができる。
【００３７】
（本発明の一実施例による別の光取り出し層を有する発光装置）
次に、本発明の一実施例による別の光取り出し層を有する発光装置の一例について説明する。
【００３８】
図２には、本発明の一実施例による別の光取り出し層を有する発光装置（以下、「第２の発光装置」と称する）の断面の一例を示す。
【００３９】
図２に示すように、この第２の発光装置２００は、基板２１０と、光取り出し層２２０と、発光素子２３０とを有する。
【００４０】
このうち、基板２１０および発光素子２３０は、それぞれ、前述の図１に示した第１の発光装置１００の基板１１０および発光素子１３０と同様の構成を有する。従って、ここでは、これ以上説明しない。
【００４１】
一方、図２に示すように、第２の発光装置２００の光取り出し層２２０は、前述の光取り出し層１２０とは異なり、ベース材２２２と、該ベース材２２２中に分散された散乱粒子２２４とを有する。
【００４２】
このように構成された光取り出し層２２０では、散乱粒子２２４による散乱効果によって、発光素子２３０で生じた光が、光取り出し層２２０と基板２１０の界面、あるいは基板２１０と大気の界面で全反射される可能性が低減される。このため、光取り出し効率をより高めることができる。
【００４３】
ここで、光取り出し層２２０は、前述の光取り出し層１２０と同様、基板２１０上に、ガラス組成物を含む原料ペーストの膜を塗布し、この膜を焼成することにより構成される。
【００４４】
この原料ペーストは、ベース材２２２を構成するガラス組成物と、散乱粒子２２４を構成するフィラーとを有する。
【００４５】
また、ベース材２２２を構成するガラス組成物は、前述のように、
酸化物基準のモル％表示で、
３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、
１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、
２６％〜３５％のＺｎＯと、
５％〜１２％のＳｉＯ２と、
９％〜１８％のＢａＯと、
を含有し、
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、
鉛酸化物を実質的に含有しないという特徴を有する。
【００４６】
このようなガラス組成物およびフィラーを含む原料ペーストとして使用し、焼成処理を実施した場合、ガラス組成物の結晶化の発生を有意に抑制することができる。このため、焼成処理中のガラス組成物の流動性が十分に高く、異物を膜中に取り込んだり異物と反応して分解したりする作用により、異物を表面に残留させない。その結果、焼成処理後には、凹凸が有意に抑制された平滑な表面を有する光取り出し層２２０を得ることができる。
【００４７】
従って、発光装置２００においても、光取り出し層２２０の上部に、各層２４０〜２６０が断続的に形成されたり、第１の電極２４０と第２の電極２６０が短絡したりするという問題を、有意に抑制することができる。
【００４８】
（発光装置を構成する各部材）
次に、発光装置を構成する各部材について詳しく説明する。なお、ここでは、一例として、図２に示した第２の発光装置２００を例に、各構成部材について説明する。
【００４９】
ただし、以下の説明が、一部を変更することにより、図１に示した第１の発光装置１００に対しても適用できることは、当業者には明らかである。
【００５０】
（基板２１０）
基板２１０は、上部に各部材を支持する役割を有し、例えば、ガラス、金属等で構成される。
【００５１】
なお、以下に示すように、第２の発光装置２００が「ボトムエミッション型」の発光装置２００である場合、基板２１０は、透明材料で構成される。
【００５２】
（光取り出し層２２０）
光取り出し層２２０は、ベース材２２２と、該ベース材２２２とは異なる屈折率を有する散乱粒子２２４とを有する。光取り出し層２２０は、散乱粒子２２４による散乱効果によって、いわゆる「散乱層」としての役割を有し、これにより第２の発光装置２００からの光取り出し効率を高めることができる。
【００５３】
前述のように、光取り出し層２２０は、フィラーおよびガラス組成物を含む原料ペーストを焼成することにより、形成することができる。フィラーは、散乱粒子２２４を構成する原料として使用され、ガラス組成物は、ベース材２２２を構成する原料として使用される。
【００５４】
（散乱粒子２２４）
散乱粒子２２４は、ベース材２２２とは異なる屈折率を有する。
【００５５】
散乱粒子２２４としては、固形の粒子（フィラー）が用いられる。特に、ベース材２２２との反応性が低く、また、形状寸法や含有率の制御が容易なセラミックス粒子を使用することが好ましい。
【００５６】
セラミックス粒子は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、チタニア（ＴｉＯ２）、および／またはジルコニア（ＺｒＯ２）等で形成される。複数種類のセラミックス粒子が用いられても良い。
【００５７】
なお、ジルコニア（ＺｒＯ２）は、焼成時にベース材２２２とのぬれ性が特に良く、平滑な表面を形成しやすいため、散乱粒子２２４としてジルコニア（ＺｒＯ２）を用いることが特に好ましい。なお、ジルコニア（ＺｒＯ２）は、イットリア安定化ジルコニアを用いても良い。
【００５８】
なお、散乱粒子２２４として、ベース材２２２に用いられるガラス組成物とは異なる組成のガラス組成物を使用しても良い。
【００５９】
散乱粒子２２４が光取り出し層２２０に占める割合は、散乱粒子２２４の種類に応じて適宜設定される。
【００６０】
散乱粒子２２４がセラミックス粒子の場合、上記割合は、好ましくは１体積％〜２０体積％である。上記割合が１体積％以上であると、発光装置２００から取り出せる光の量が多くなる。一方、上記割合が２０体積％以下であると、ベース材２２２が散乱粒子２２４に阻害されず流動性を保ち、表面に異物が残留するおそれはない。
【００６１】
ここで、光取り出し層２２０中に複数種の散乱粒子２２４が分散されている場合、「散乱粒子２２４が光取り出し層２２０に占める割合」とは、全ての散乱粒子２２４の割合の合計を意味する。
【００６２】
散乱粒子２２４の寸法形状は、散乱粒子２２４の種類に応じて適宜設定される。
【００６３】
散乱粒子２２４としてのフィラーの平均粒径（Ｄ５０）は、好ましくは０．０５μｍ〜１μｍであり、より好ましくは１００ｎｍ〜９００ｎｍである。Ｄ５０が０．０５μｍ以上では、発光装置２００から光を取り出すための十分な散乱が得られ、散乱強度の波長依存性小さくなり、その制御が容易となるため、取り出し光の色味を制御することが容易となる。Ｄ５０が１μｍ以下であると、発光装置２００から光を取り出すための十分な散乱が得られるようになる。
【００６４】
ここでＤ５０は、ＪＩＳ  Ｒ  １６２９−１９９７に規定されている５０％径である。
【００６５】
散乱粒子２２４がセラミックス粒子の場合、散乱粒子２２４の屈折率は、好ましくは１．８以下または２．１以上である。セラミックスの屈折率が１．８以下または２．１以上であると、十分な光取り出しを期待することができる。
【００６６】
（ベース材２２２）
ベース材２２２は、ガラス組成物から形成される。
【００６７】
前述のように、このガラス組成物は、
酸化物基準のモル％表示で、
３０％〜４０％のＢ２Ｏ３と、
１０％〜２０％のＢｉ２Ｏ３と、
２６％〜３５％のＺｎＯと、
５％〜１２％のＳｉＯ２と、
９％〜１８％のＢａＯと、
を含有し、
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％〜４８％であり、
鉛酸化物を実質的に含有しないことを特徴とする。
【００６８】
このようなガラス組成物を、ベース材２２２の原料として使用して、焼成処理を実施することにより、光取り出し層２２０中に結晶化が生じることを有意に抑制することができる。また、これにより、凹凸の少ない良好な平滑表面を有する光取り出し層２２０を得ることができる。また、これにより、その後、光取り出し層２２０の上に、発光素子２３０を構成する各層２４０〜２６０を適正に配置することが可能になる。
【００６９】
（ガラス組成物）
ここで、ベース材２２２の原料として使用されるガラス組成物に含まれる各成分について説明する。なお、以下の記載において、酸化物の含有量の単位は、特に記載がない限り、モル％とする。
【００７０】
本発明において、ベース材２２２の原料として使用されるガラス組成物は、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、およびＢａＯを必須成分として含む。
【００７１】
このうちＢ２Ｏ３は、ガラスの骨格となる成分である。
【００７２】
Ｂ２Ｏ３含有量は、３０％〜４０％である。Ｂ２Ｏ３含有量が３０％以上では、ガラスが安定になり製造時に失透し難くなる。一方、Ｂ２Ｏ３含有量が４０％以下では、ガラス転移点が低くなる。
【００７３】
Ｂ２Ｏ３の含有量は、３１％〜３８％が好ましく、３２％〜３７％がより好ましく、３２％〜３６％が特に好ましい。
【００７４】
Ｂｉ２Ｏ３は、屈折率を上げ、ガラス転移点を下げる成分である。また、Ｂｉ２Ｏ３は、本発明の組成領域において、ガラスの骨格を形成する成分である。
【００７５】
Ｂｉ２Ｏ３含有量は、１０％〜２０％である。Ｂｉ２Ｏ３含有量が１０％以上では、屈折率が高くなるとともに、ガラス転移点が高くなる。一方、Ｂｉ２Ｏ３含有量が２０％以下では、平均線膨張係数が大きくならず適度となるとともに、ガラス組成物の焼成時にガラスが結晶化し難くなる。
【００７６】
Ｂｉ２Ｏ３の含有量は、１１％〜１９％が好ましく、１２％〜１９％がより好ましく、１２％〜１５％が特に好ましい。
【００７７】
ＺｎＯは、ガラス組成物の結晶化を抑制する効果を有する。
【００７８】
ＺｎＯ含有量は、２６％〜３５％である。ＺｎＯ含有量が２６％以上では、結晶化抑制効果が認められる。ＺｎＯ含有量が３５％以下では、ガラスが製造時に失透し難くなるとともに、耐候性に優れる。
【００７９】
ＺｎＯの含有量は、２６％〜３４％が好ましく、２７％〜３４％がより好ましく、２７％〜３３％が特に好ましい。
【００８０】
ＳｉＯ２は、ガラスの骨格となる成分である。
【００８１】
ＳｉＯ２含有量は、５％〜１２％である。ＳｉＯ２含有量が５％以上では、ガラスが安定となり耐候性に優れる。一方、ＳｉＯ２含有量が１２％以下であると、ガラスが焼成時に結晶化し難い。また、ガラス転移点が低くなり、屈折率が低下しないので好ましい。
【００８２】
ＳｉＯ２の含有量は、５％〜１０％が好ましく、５％〜９％がより好ましく、６％〜８％が特に好ましい。
【００８３】
ＢａＯは、ガラス組成物の結晶化を抑制する効果を有する。
【００８４】
ＢａＯの含有量は、９％〜１８％である。ＢａＯの含有量が９％以上の場合、結晶化抑制効果が認められる。一方、ＢａＯの含有量が１８％以下であると、ガラス組成物の平均線膨張係数が大きくならず適度となる。
【００８５】
ＢａＯ含有量は、１０％〜１８％が好ましく、１２％〜１７％がより好ましく、１３％〜１７％が特に好ましい。
【００８６】
以上説明した通り、ＺｎＯとＢａＯにはガラス組成物の結晶化を抑制する効果がある。そのため、どちらか一方の含有量が少ない場合には、他方の含有量が多くなければならない。従って、ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計を規定することは重要である。
【００８７】
ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計は３９％〜４８％である。ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が３９％以上の場合、ガラス組成物が焼成時に結晶化し難くなる。一方、ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計が４８％以下であると、ガラスの骨格を形成する成分に比してそれ以外の成分の割合が十分に小さくなるために、ガラスが安定になる。また、ガラスの耐候性に優れる。ＺｎＯとＢａＯの含有量の合計は、４０％〜４７％が好ましく、４０％〜４６％がより好ましく、４１％〜４６％が特に好ましい。
【００８８】
また、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの含有量は合計で１％未満が好ましい。これらアルカリ金属酸化物は１％未満であると屈折率を下げることなく、平均線膨張係数が大きくならず適度となる。
【００８９】
ＰｂＯとＰｂ３Ｏ４は、不純物として含まれる場合を除き、実質的に含まれない。よって、使用者等の要求により、鉛の使用を回避できる。
【００９０】
ガラス組成物は、発明の効果を失わない範囲で、例えば、ＧｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、および／またはＴａ２Ｏ５等を、合計で５％以下含んでも良い。
【００９１】
ベース材２２２の屈折率ｎｄは、好ましくは１．８０以上、より好ましくは１．８３以上、さらに好ましくは１．８６以上である。ベース材２２２の屈折率ｎｄが１．８０以上の場合、光取り出し層２２０と第１の電極２４０との界面による全反射の影響が小さくなり、光取り出し効率が良好となる傾向にある。
【００９２】
ベース材２２２のガラス転移点Ｔｇは、好ましくは４７０℃以下、より好ましくは４６０℃以下、さらに好ましくは４４０℃以下である。ガラス転移点Ｔｇが４７０℃以下であると、ガラス組成物を焼成する際に、ガラス組成物が流動し易くなる。
【００９３】
ベース材２２２の５０℃〜３００℃における平均線膨張係数αは、好ましくは７０×１０−７／℃〜１０５×１０−７／℃、より好ましくは８０×１０−７／℃〜１００×１０−７／℃である。基板２１０としてガラス基板を使用した場合、ベース材２２２の平均線膨張係数αが７０×１０−７／℃〜１０５×１０−７／℃の範囲にあれば、基板２１０の平均線膨張係数との差（絶対値）が小さくなり、温度変化による破損や反りが低減される。
【００９４】
ベース材２２２の屈折率は、所定の波長において、第１の電極２４０の屈折率と同等か、第１の電極２４０の屈折率よりも高いことが好ましい。この場合、第１の電極２４０と光取り出し層２２０との界面において、所定の波長の光が全反射し難くなるため、光取り出し効率が向上する。
【００９５】
上記所定の波長は、発光素子２３０からの発光の波長範囲の少なくとも一部分（例えば、赤、青、または緑）であれば良く、好ましくは発光の波長範囲の全域（４３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）、より好ましくは可視光の波長範囲全域（３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）である。
【００９６】
ベース材２２２の屈性率と、散乱物質２２４の屈折率との差は、上記所定の波長において０．０５以上であることが好ましい。
【００９７】
なお、本発明では、光取り出し層２２０のベース材２２２として使用されるガラス組成物は、焼成処理後に、結晶化が生じ難い。このため、焼成後に表面が平滑な光取り出し層２２０を得ることができ、光取り出し層２２０の表面粗さＲａを小さくすることができる。
【００９８】
例えば、光取り出し層２２０の表面粗さＲａは、０．０１０μｍ〜０．０５０μｍの範囲であっても良い。
【００９９】
ここで、表面粗さＲａは、微視的にみた表面粗さであり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に規定されている輪郭曲線フィルタのカットオフ値λｃを２．５ｍｍとして長波長成分を除去した値であって、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等で測定される。
【０１００】
また、本発明の一実施例では、光取り出し層２２０の厚さを薄くすることができる。これは、本発明におけるガラス組成物から得られる光取り出し層２２０は、表面に異物が残留し難く、厚さが薄くても平滑な表面を得ることができるためである。
【０１０１】
光取り出し層２２０の厚さは、例えば、５μｍ〜１５μｍの範囲である。光取り出し層２２０の厚さは、５μｍ〜１０μｍの範囲であることが好ましい。光取り出し層２２０の厚さを薄くするほど、発光装置２００の重量を軽量化できるとともに、基板２１０と光取り出し層２２０との平均線膨張係数の差による反りを低減できる。
【０１０２】
（発光素子２３０）
発光素子２３０は、いかなる種類の発光素子であっても良い。例えば、発光素子２３０は、有機ＬＥＤ素子、ＬＥＤ素子および無機ＥＬ素子等であっても良い。
【０１０３】
なお、以下の記載では、一例として、発光素子２３０が有機ＬＥＤ素子である場合を例に、その構成について説明する。また、ここでは、有機ＬＥＤ素子は、「ボトムエミッション型」の有機ＬＥＤ素子であるものと仮定する。
【０１０４】
図３には、発光装置の発光素子部分の模式的な断面図を示す。
【０１０５】
図３に示すように、この発光素子は、「ボトムエミッション型」の有機ＬＥＤ素子３３０で構成される。
【０１０６】
図３に示すように、有機ＬＥＤ素子３３０は、基板（図３には示されていない）に近い側から、第１の電極３４０、発光層３５０、および第２の電極３６０を有する。また、発光層３５０は、正孔注入層３５４、正孔輸送層３５５、有機発光層３５６、電子輸送層３５７、および電子注入層３５８を含む。ただし、発光層３５０において、有機発光層３５６以外の層は、省略されても良い。
【０１０７】
以下、有機ＬＥＤ素子３３０を構成する各層について、詳しく説明する。
【０１０８】
（第１の電極３４０）
第１の電極３４０は、発光層３５０に正孔を供給する陽極として構成される。発光素子３３０が「ボトムエミッション型」の有機ＬＥＤ素子である場合、第１の電極３４０は、透明電極である。
【０１０９】
第１の電極３４０は、高い仕事関数および高い透過率（例えば、８０％以上の透過率）を有する材料で構成されることが好ましい。
【０１１０】
第１の電極３４０の材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３：アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３：ガリウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＮｂドープＴｉＯ２、およびＴａドープＴｉＯ２等が用いられても良い。
【０１１１】
第１の電極３４０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。第１の電極３４０の厚さが５０ｎｍ以上の場合、電気抵抗が小さくなる。
【０１１２】
第１の電極３４０の屈折率は、例えば１．７〜２．２である。第１の電極３４０の材料がＩＴＯの場合、屈折率を低下させるため、ＩＴＯのキャリア濃度を増加させても良い。ＩＴＯのＳｎ濃度が増えるほど、ＩＴＯの屈折率が下がる。ただし、Ｓｎ濃度が増えるほど、移動度および透過率が低下するので、これらのバランスをとるように、Ｓｎ濃度が設定される。
【０１１３】
第１の電極３４０は、単層であっても、複数層であっても良い。また、第１の電極３４０上の一部または第１の電極３４０下の一部に、第１の電極３４０と接するように、補助配線を形成しても良い。補助配線の材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｉ、およびＲｕなどの金属ならびに金属化合物などが用いられる。
【０１１４】
（発光層３５０）
発光層３５０中の正孔注入層３５４は、第１の電極３４０とのイオン化ポテンシャルの差が小さい材料で形成される。高分子では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）などが用いられる。低分子では、フタロシアニン系の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などが用いられる。
【０１１５】
次に、正孔輸送層３５５は、正孔注入層３５４から注入された正孔を有機発光層３５６に輸送する役割を有する。
【０１１６】
正孔輸送層３５５の材料としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体、Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）−４'−アミノビフェニル−４−イル］−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＴＥ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＨＴＭ２）およびＮ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−１，１'−ジフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）等が用いられる。
【０１１７】
正孔輸送層３５５の厚さは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましい。厚さは薄ければ薄いほど低電圧化できるが、電極間短絡の問題から１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましい。
【０１１８】
一方、電子輸送層３５７は、第２の電極３６０から注入された電子を輸送する役割を有する。
【０１１９】
電子輸送層３５７の材料としては、例えば、キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体（例えば、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）および２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）等）、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、ならびにシロール誘導体等が用いられる。
【０１２０】
また、電子注入層３５８は、例えば第２の電極３６０の表面に、リチウム（Ｌｉ）および／またはセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属をドーピングした層で構成される。
【０１２１】
次に、有機発光層３５６は、第１の電極３４０および第２の電極３６０から注入された電子と正孔との再結合によって生じるエネルギーで発光する。
【０１２２】
有機発光層３５６におけるホスト材料への発光色素のドーピングは、高い発光効率を得るとともに、発光波長を変換させる。
【０１２３】
有機発光層３５６の有機材料には、低分子系と高分子系の材料がある。さらに、発光機構によって、蛍光材料、りん光材料に分類される。
【０１２４】
有機発光層３５６の有機材料には、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウムフェノキサイド（Ａｌｑ′２ＯＰｈ）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウム−２，５−ジメチルフェノキサイド（ＢＡｌｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体（Ｌｉｑ）、モノ（８−キノリノラート）ナトリウム錯体（Ｎａｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）ナトリウム錯体およびビス（８−キノリノラート）カルシウム錯体（Ｃａｑ２）等のキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン（ＱＤ）、アントラセン、ペリレンならびにコロネン等が挙げられる。ホスト材料としては、キノリノラート錯体が好ましく、特に、８−キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が好ましい。
【０１２５】
（第２の電極３６０）
第２の電極３６０は、発光層３５０の上に配置される。
【０１２６】
第２の電極３６０は、発光層３５０に電子を供給する陰極として構成される。第２の電極３６０は、反射性を有し、発光層３５０で生じた発光を、再度発光層３５０、さらには第１の電極３４０側に向けて反射する。
【０１２７】
第２の電極３６０は、仕事関数の小さな金属またはその合金で構成されても良い。
【０１２８】
より具体的には、第２電極３６０の材料として、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属および周期表第３族の金属等が挙げられる。アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）またはこれらの合金等が好ましい。
【０１２９】
第２電極３６０は、例えば、ＭｇＡｇの共蒸着膜、ＬｉＦもしくはＬｉ２Ｏの薄膜蒸着膜の上にＡｌを蒸着した積層電極、またはアルカリ土類金属（例えばＣａ、Ｂａ）の層にアルミニウム（Ａｌ）を積層した電極等であっても良い。
【０１３０】
以上、図２に示した発光素子２３０が、図３に示すような「ボトムエミッション型」の有機ＬＥＤ素子３３０である場合を例に、その構成について説明した。
【０１３１】
ただし、上記記載は、「トップエミッション型」の有機ＬＥＤ素子にも適用できることは、当業者には明らかである。例えば、「トップエミッション型」の有機ＬＥＤ素子の場合、第１の電極３４０の代わりに、第２の電極３６０が透明電極となる。また、その場合、前述の発光層３５０を構成する各層は、順番が上下反転して配置される。
【０１３２】
（発光装置の製造方法）
次に、図２に示した第２の発光装置２００の製造方法の一例について説明する。
【０１３３】
ただし、図２に示した第２の発光装置２００のうち、発光素子２３０の部分の製造方法は、当業者には明らかである。従って、ここでは、光取り出し層２２０の製造方法について説明する。なお、図１に示した第１の発光装置１００の光取り出し層１２０も、原料ペーストにフィラーを添加する工程を除き、同様の方法により製造することができる。
【０１３４】
（光取り出し層の製造方法）
光取り出し層２２０は、例えば、原料ペーストの調製、原料ペーストの基板２１０への塗布、および原料ペーストの焼成、の各工程により形成することができる。
【０１３５】
（原料ペーストの調製）
原料ペーストは、前述のガラス組成物の他、光取り出し層２２０の散乱粒子２２４となるフィラー、およびビヒクルを混練して作製される。ビヒクルを混ぜることで、原料ペーストの基板２１０上への塗布性が向上する。
【０１３６】
ガラス組成物は、粉末状（以下、「ガラスフリット」とも称する）にして使用される。
【０１３７】
ガラスフリットのＤ５０は、塗工性の観点から、１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましい。ガラスフリットの表面は、界面活性剤やシランカップリング剤によって改質されても良い。
【０１３８】
フィラーは、前述のように、セラミック粒子で構成されても良い。
【０１３９】
原料ペーストは、ガラスフリット、フィラーおよびビヒクルを、プラネタリーミキサー等で混合し、３本ロールミル等で均一に分散させることにより、調製される。
【０１４０】
原料ペーストは、粘度調整のため、溶剤等を加えて混練機でさらに混練しても良い。原料ペーストは、ガラスフリットおよびフィラーを合計で７０質量％〜８０質量％、ならびにビヒクルを２０質量％〜３０質量％の割合で混合して調製しても良い。
【０１４１】
ビヒクルは、樹脂および溶剤を混合したものであって、さらに界面活性剤を混合したものを含む。ビヒクルは、例えば５０℃〜８０℃に加熱した溶剤中に樹脂および界面活性剤等を投入し、４時間から１２時間静置した後、溶剤をろ過することにより得られる。
【０１４２】
このうち、樹脂は、原料ペーストの塗布膜を保形する役割を有する。樹脂としては、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂等が用いられる。主剤として用いられるのは、エチルセルロースとニトロセルロースがある。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂は、塗膜強度向上のための添加剤として用いられる。
【０１４３】
また、ビヒクル中の溶剤は、樹脂を溶解するとともに、原料ペーストの粘度を調整する役割を有する。溶剤は、原料ペーストの塗工中には乾燥せず、原料ペーストの乾燥中に素早く乾燥するものが好ましく、沸点が２００℃〜２３０℃のものが好ましい。
【０１４４】
具体例としては、エーテル系溶剤（ブチルカルビトール（ＢＣ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ）、アルコール系溶剤（α−テルピネオール、パインオイル、ダワノール）、エステル系溶剤（２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）、フタル酸エステル系溶剤（ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート））がある。
【０１４５】
これらの溶剤は、単独で用いられても良く、あるいは粘度、固形分比、および乾燥速度調整のため、組み合わせて用いられても良い。主に用いられているのは、α−テルピネオールや２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレートである。なお、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、およびＤＯＰ（ジオクチルフタレート）は、可塑剤としても機能する。
【０１４６】
（原料ペーストの基板２１０への塗布）
次に、原料ペーストが基板２１０上に塗布される。
【０１４７】
原料ペーストを基板２１０上に塗布する方法としては、スクリーン印刷、ドクターブレード印刷、およびダイコート印刷等、各種方法が利用できる。また、基板２１０とは別の基材上に原料ペーストを塗布、乾燥してグリーンシートを作製し、グリーンシートを基材から剥離して基板２１０上に熱圧着する方法もある。
【０１４８】
スクリーン印刷を用いる場合、スクリーン版のメッシュ粗さ、乳剤の厚み、印刷時の押し圧、スキージ押し込み量等を調節することにより、塗布膜の膜厚を制御できる。
【０１４９】
（原料ペーストの焼成）
次に、原料ペーストの膜が焼成される。
【０１５０】
焼成処理は、原料ペースト中の樹脂を分解、消失させる分解工程と、分解工程後にガラスフリットを軟化させる軟化工程とを含む。
【０１５１】
分解工程は、樹脂がエチルセルロースの場合は３５０℃〜４００℃で、樹脂がニトロセルロースの場合は２００℃〜３００℃で加熱して行われ、１分間〜１時間、大気雰囲気で行われる。
【０１５２】
軟化工程は、好ましくはガラス転移点Ｔｇ＋７０℃〜ガラス転移点Ｔｇ＋２５０℃の温度で、１分間〜１時間、大気雰囲気で加熱して行われる。このような温度で加熱するとガラス組成物の流動性が高くなるので、フィラーとしてセラミックス粒子を用いた場合でも、フィラーの一部が光取り出し層２２０の表面から突出するおそれが少なく、平滑な表面を形成できる。
【０１５３】
以上の工程を経て、光取り出し層２２０を形成することができる。
【実施例】
【０１５４】
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。例１〜例１０、例１２が実施例、例１１、例１３が比較例である。
【０１５５】
（例１）
所定の組成を有するガラス粉末を製造し、このガラス粉末で構成されたガラスの特性を評価した。さらに、このガラス粉末を含む原料ペーストから構成された光取り出し層の結晶化挙動を評価した。
【０１５６】
まず、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、およびＢａＯを所定量配合してガラス原料を調製した。次に、このガラス原料を白金ルツボに入れ、１０５０℃で２．５時間加熱し、溶融ガラスを作製した。
【０１５７】
この溶融ガラスを双ロールの隙間に流して急冷した後、遊星ボールミルで２時間乾式粉砕した。これにより、フレーク状のガラスを作製した。
【０１５８】
エルボージェット分級機を用いて、フレーク状のガラスから、粒径が０．６μｍ以下の微粒、および粒径が５．０μｍ以上の粗粒を取り除き、ガラス粉末を得た。得られたガラス粉末の平均粒径（Ｄ５０）は、レーザ回折式粒度分布測定装置（島津製作所社製、ＳＡＬＤ−２１００）で測定したところ、１．５μｍであった。
【０１５９】
ガラス粉末の組成は、酸化物基準のモル％表示で、Ｂ２Ｏ３：３３．２％、Ｂｉ２Ｏ３：１８．５％、ＺｎＯ：２７．２％、ＳｉＯ２：５．９％、およびＢａＯ：１５．２％であった。
【０１６０】
なお、前記溶融ガラスの一部は、カーボン鋳型に流し入れてバルク状のガラスを作製し、これをガラス特性評価用のサンプルのために使用した。なお、バルク状のガラスは、歪みを取り除くため、電気炉を用いて４９０℃で１時間加熱した後、５時間かけて室温まで徐冷した。このバルク状のガラスから、ガラス特性測定用のサンプルを作製した。
【０１６１】
（ガラス特性の測定）
ガラス特性測定用のサンプルを用いて、屈折率測定、ガラス転移点測定、および平均線膨張係数測定を行った。なお、ガラス転移点測定および平均線膨張係数測定には、直径５ｍｍ、長さ２００ｍｍの円柱状のサンプルを使用した。
【０１６２】
屈折率測定には、屈折計（カルニュー社製、ＫＰＲ−２０００）を使用し、Ｖブロック法で屈性率ｎｄを測定した。ここで、屈性率ｎｄは、Ｈｅランプｄ線（波長：５８７．６ｎｍ）を用いて２５℃で測定した屈折率値である。
【０１６３】
また、ガラス転移点Ｔｇ（℃）および平均線膨張係数α（１０−７／℃）は、熱膨張計（ブルカー・エイエックスエス社製、ＴＤ５０００ＳＡ）を用いて測定した。昇温速度は、５℃／ｍｉｎとした。ここで、平均線膨張係数αは、５０℃〜３００℃における平均線膨張係数である。
【０１６４】
測定の結果、屈性率ｎｄは１．９１であり、ガラス転移点Ｔｇは４２８℃であり、平均線膨張係数αは９８×１０−７／℃であった。
【０１６５】
（結晶化評価試験）
以下の方法で、前述のガラス粉末を含む原料ペーストを焼成して光取り出し層を形成した。また、光取り出し層中の結晶の有無を評価した。
【０１６６】
まず、前述の組成のガラス粉末７５ｇと、ビヒクル（α―テルピネオールにエチルセルロースを１０質量％溶解したもの）２５ｇとを混練し、原料ペーストを調製した。
【０１６７】
また、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのアルカリシリケート製のガラス基板（旭硝子社製、ソーダライム基板）を準備した。
【０１６８】
次に、このガラス基板上に、９４ｍｍ×９４ｍｍの範囲にわたって、原料ペーストをスクリーン印刷した。その後、ガラス基板を１５０℃で１０分間乾燥させ、α―テルピネオールを揮発させた。さらに、ガラス基板の温度が室温に戻ってから、再度ガラス基板を３０分間で３５０℃まで加熱した後、５０分間で６４０℃まで昇温しながら、エチルセルロースを分解、焼失させた。次に、６４０℃で３０分間保持し、ガラス粉末を軟化流動させた後、１時間で室温まで降温する条件とした。
【０１６９】
これにより、ガラス基板上に、厚さが約８μｍの光取り出し層が形成された。
【０１７０】
次に、得られた光取り出し層を光学顕微鏡で観察し、結晶の有無を評価した。
【０１７１】
観察の結果、光取り出し層中に、結晶は認められなかった。
【０１７２】
以下の表１の「例１」の欄には、例１において製造されたガラス粉末の組成、ガラス特性の測定結果、および結晶化評価試験の結果をまとめて示した。なお、表１、表２において、結晶化評価試験の欄の「○」は、結晶が認められなかった場合を示し、「×」は、結晶が認められた場合を表す。
【０１７３】
【表１】
2015107892.tif 000003
【０１７４】
【表２】
2015107892.tif 000004
（例２〜例１１）
例２〜例１１として、例１と同様の方法により、例１とは異なる１０種類の組成を有するガラス粉末を製造し、これらのガラス粉末で構成されたガラスの特性を評価した。また、例１と同様の方法により、これらのガラス粉末を含む原料ペーストから光取り出し層を形成し、結晶化挙動を評価した。
【０１７５】
ここで、例７では、ガラス原料として、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、およびＢａＯに加えて、ＴｅＯ２を所定量添加した。
【０１７６】
前述の表１には、例２〜例１１のそれぞれにおいて製造されたガラス粉末の組成、ガラス特性の測定結果、および結晶化評価試験の結果をまとめて示した。
【０１７７】
表１に示すように、例１〜例１０では、光取り出し層中に結晶が認められなかったのに対して、例１１では、光取り出し層中に結晶が存在していることがわかった。
【０１７８】
このように、例１〜例１０で製造したガラス粉末は、例１１で使用したガラス粉末に比べて結晶化が生じにくいことが確認された。
【０１７９】
（例１２）
前述の例１〜例１１では、光取り出し層が図１に示したような形態、すなわち散乱物質を含まない場合を想定して、その結晶化挙動について検討した。
【０１８０】
そこで、この例１２では、光取り出し層が図２に示したような形態、すなわち光取り出し層がベース材および散乱粒子を含む場合を想定して、その結晶化挙動について評価した。
【０１８１】
まず、例１の場合と同様の方法により、例１のガラス粉末と実質的に同じ組成を有するガラス粉末を製造した。
【０１８２】
次に、例１と同様の方法により、このガラス粉末を含む原料ペーストを焼成して光取り出し層を形成した。
【０１８３】
ただし、この例１２では、原料ペーストは、ガラス粉末と、有機ビヒクルと、ジルコニア粒子（平均粒径４００ｎｍ）とを混練して調製した。ジルコニア粒子の量は、原料ペースト全体に対して、１２ｖｏｌ％とした。なお、原料ペースト全体に対する有機ビヒクルの量は、例１の場合と同様である。従って、例１２では、例１に比べて、ガラス粉末の一部がジルコニア粒子と置換された点が異なっている。
【０１８４】
その他の光取り出し層の形成条件は、例１の場合と同様である。これにより、ガラス基板上に、厚さが約８μｍの光取り出し層が形成された。
【０１８５】
次に、得られた光取り出し層を光学顕微鏡で観察し、結晶の有無を評価した。
【０１８６】
観察の結果、光取り出し層中に、結晶は認められなかった。
【０１８７】
（例１３）
例１３として、例１２と同様の方法により光取り出し層を形成し、結晶化挙動を評価した。
【０１８８】
ただし、この例１３では、例１２とは異なる組成を有するガラス粉末を使用して、光取り出し層を形成した。例１３で使用したガラス粉末の組成は、前述の例１１のものと実質的に同様である。
【０１８９】
その他の光取り出し層の形成条件は、例１２の場合と同様である。これにより、ガラス基板上に、厚さが約８μｍの光取り出し層が形成された。
【０１９０】
次に、得られた光取り出し層を光学顕微鏡で観察し、結晶の有無を評価した。
【０１９１】
結晶の数は、１ｍｍ２あたり約１５個程度であった。
【０１９２】
表２には、例１２および例１３において製造されたガラス粉末の組成、および結晶化評価試験の結果をまとめて示した。
【０１９３】
表２に示すように、例１２では、光取り出し層中に結晶が認められなかったのに対して、例１３では、光取り出し層中に結晶が存在していることがわかった。
【０１９４】
このように、散乱粒子を含む光取り出し層においても、例１２で製造した組成のガラス粉末を使用した場合、例１３で製造した組成のガラス粉末を使用した場合に比べて、結晶化が生じ難くなることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１９５】
本発明は、例えば、有機ＬＥＤ素子等の発光素子を備える発光装置等に利用することができる。
【符号の説明】
【０１９６】
１００    第１の発光装置
１１０    基板
１２０    光取り出し層
１３０    発光素子
１４０    第１の電極
１５０    発光層
１６０    第２の電極
２００    第２の発光装置
２１０    基板
２２０    光取り出し層
２２２    ベース材
２２４    散乱粒子
２３０    発光素子
２４０    第１の電極
２５０    発光層
２６０    第２の電極
３３０    有機ＬＥＤ素子
３４０    第１の電極
３５０    発光層
３５４    正孔注入層
３５５    正孔輸送層
３５６    有機発光層
３５７    電子輸送層
３５８    電子注入層
３６０    第２の電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
2015107892.tif 000007