(57)【要約】【課題】光の取り出し効率を高めることができる光デバイスを提供すること。【解決手段】本発明の光デバイス（１）は、基台（２１）と、基台の表面に形成された発光層（２２）とを備えている。基台は、四角形の表面（２１ａ）と、表面と平行で同等形状の四角形の裏面（２１ｂ）と、表面及び裏面を連結する４つの側面（２１ｃ）とを有している。側面には、外側に突起した複数の凸部（２６）が、基台の表面の辺の延在方向に並んで形成されている。各凸部には、基台の厚み方向に凹凸が交互に形成されている。【選択図】図１
2015165532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、該基台の表面に形成された発光層と、を含む光デバイスであって、
該基台は四角形の表面と、該表面と平行で四角形の裏面と、該表面及び該裏面を連結する４つの側面とを有し、
該側面には、外側に突起した複数の凸部が、該表面の辺の延在方向に並んで形成され、各該凸部には、該基台の厚み方向に凹凸が交互に形成されていることを特徴とする光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基台の表面に発光層が形成された光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザーダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光デバイスの製造プロセスでは、サファイアやＳｉＣ等からなる結晶成長用基板の上面に、例えばエピタキシャル成長によって発光層（エピタキシャル層）を積層することで、複数の光デバイスを形成するための光デバイスウェーハが製造される。ＬＤ，ＬＥＤ等の光デバイスは、光デバイスウェーハの表面において、格子状をなす分割予定ラインで区画された各領域に形成され、かかる分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを分割して個片化することで、個々の光デバイスが製造される。
【０００３】
従来、光デバイスウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、特許文献１及び２に記載された方法が知られている。特許文献１の分割方法では、先ず、分割予定ラインに沿ってウェーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射してレーザー加工溝を形成する。その後、ウェーハに外力を付与することによりレーザー加工溝を分割起点に光デバイスウェーハを割断している。
【０００４】
特許文献２の分割方法は、光デバイスの輝度向上のため、光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをウェーハの内部に集光点を合わせて照射して内部に分割予定ラインに沿った改質層を形成している。そして、改質層で強度が低下した分割予定ラインに外力を付与することにより、光デバイスウェーハを分割している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００８−００６４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２の光デバイスウェーハの分割方法では、レーザービームを光デバイスウェーハに対して略垂直に入射し、レーザー加工溝又は改質層を分割起点に光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割している。かかる光デバイスの側面は、表面に形成された発光層に対して略垂直になり、光デバイスは直方体形状に形成される。よって、光デバイスの発光層から出射した光において、側面への入射角が臨界角度より大きくなる光の割合が高くなる。このため、側面で全反射する光の割合が高くなり、全反射を繰り返すうちに最終的に光デバイスの内部で削光してしまう割合も高くなる。この結果、光デバイスにおける光の取り出し効率が低下し、輝度も低下してしまう、という問題がある。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、光の取り出し効率を向上することができる光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光デバイスは、基台と、基台の表面に形成された発光層と、を含む光デバイスであって、基台は四角形の表面と、表面と平行で四角形の裏面と、表面及び裏面を連結する４つの側面とを有し、側面には、外側に突起した複数の凸部が、表面の辺の延在方向に並んで形成され、各凸部には、基台の厚み方向に凹凸が交互に形成されていること、を特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、基台の側面に複数の凸部を形成し、凸部には基台の厚み方向に凹凸を交互に形成したので、側面に入射した光のうち、臨界角度以下で側面に入射する光の割合を多くすることができる。これにより、全反射して発光層に戻る光の割合を低く抑え、側面から出る光の割合を多くすることができ、光の取り出し効率の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、光の取り出し効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態に係る光デバイスの構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２Ａは、図１のＡ−Ａ切断面の模式図であり、図２Ｂは、光デバイスを模式的に表した側面図である。
【図３】本実施の形態に係る光デバイスにおける光が放出される様子を示す断面模式図である。
【図４】比較構造に係る光デバイスにおける光が放出される様子を示す断面模式図である。
【図５】図５Ａは、本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図であり、図５Ｂは、レーザー加工装置におけるレーザー光線照射の説明図である。
【図６】貼着工程の説明図である。
【図７】改質層形成工程の説明図であり、図７Ａは、改質層形成前の説明図、図７Ｂは、レーザー光線の集光点の説明図、図７Ｃは、改質層が形成された分割予定ラインを上から見た説明図、図７Ｄは、改質層形成後の説明図である。
【図８】図８Ａは、光デバイスウェーハの概略斜視図であり、図８Ｂ及び図８Ｃは、図８ＡのＢ−Ｂ切断面の模式図である。
【図９】改質層形成工程の説明用斜視図である。
【図１０】分割工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係る光デバイスついて説明する。図１は、本実施の形態に係る光デバイスの構成例を模式的に示す斜視図である。図２Ａは、図１のＡ−Ａ切断面の模式図であり、図２Ｂは、光デバイスを模式的に表した側面図である。図３は、光デバイスの光の放出状態の説明用断面模式図である。
【００１３】
図１及び図２に示すように、光デバイス１は、基台２１と、基台２１の表面２１ａに形成された発光層２２とを含んで構成されている。基台２１は、結晶成長用基板としてサファイア基板（Ａｌ２Ｏ３基板）、窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）、シリコンカーバイド基板（ＳｉＣ基板）、酸化ガリウム基板（Ｇａ２Ｏ３基板）を用いて形成されたものを例示できる。図３に示すように、光デバイス１は、ベース１１上にワイヤボンディング実装、或いは、フリップチップ実装される。
【００１４】
発光層２２は、基台２１の表面２１ａに電子が多数キャリアとなるｎ型半導体層（例えば、ｎ型ＧａＮ層）、半導体層（例えば、ＩｎＧａＮ層）、正孔が多数キャリアとなるｐ型半導体層（例えば、ｐ型ＧａＮ層）を順にエピタキシャル成長させることで形成される。そして、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とのそれぞれに外部取り出し用の２個の電極（不図示）が形成され、２個の電極に対して外部電源からの電圧が印加されることで発光層２２から光が放出される。
【００１５】
図１及び図２に戻り、基台２１の表面２１ａ及び裏面２１ｂは、平面視で略同一の四角形状をなし、相互に平行となるように形成されている。基台２１は、表面２１ａ及び裏面２１ｂの各四辺を連結する４つの側面２１ｃを備えている。
【００１６】
各側面２１ｃには、外側に突起した複数の凸部２６が表面２１ａの四辺の延在方向に並んで形成されている。これにより、図２Ａに示すように、基台２１を表面２１ａと平行な面（図１のＡ−Ａ切断面）で切断して見た場合の各側面２１ｃの断面形状は、波形状に形成される。図１及び図２Ｂに示すように、各凸部２６においては、基台２１の厚み方向（上下方向）に凹凸が交互に形成された形状をなす。従って、基台２１を正面から見た場合の左右両側に位置する凸部２６の形状は、交互に形成された凹凸によって波形状に形成されている。本実施の形態では、凸部２６に形成された凹凸のピッチ間隔に比べ、凸部２６の並び方向（表面２１ａの四辺の延在方向）のピッチ間隔を小さく形成しているが、これを同一としたり、大きく形成したりしてもよい。なお、上記したそれぞれの波形状は、図示したように、緩やかに湾曲した形状に限られるものでない。例えば、凸部２６や、凸部２６に形成された凹凸の凸部分の断面形状が、台形状（等脚台形状）に隆起したり、三角形状に尖ったりしてもよい。
【００１７】
次に、本実施の形態に係る光デバイス１による輝度改善効果について、図３及び図４を参照しながら説明する。図４は、実施の形態と比較するための比較構造に係る光デバイスから光が放出される様子を示す断面模式図である。比較構造に係る光デバイス３は、実施の形態に係る光デバイス１に対し、基台の側面の形状が変わる点を除き共通の構成を備える。すなわち、比較構造に係る光デバイス３は、表面３１ａ及び裏面３１ｂが略同一の四角形状をなす基台３１と、基台３１の表面３１ａに形成された発光層３２とからなり、ベース３３上に実装される。そして、基台３１の４つの側面３１ｃは、表面３１ａ及び裏面３１ｂに垂直となる平面状に形成されている。
【００１８】
図３に示すように、本実施の形態に係る光デバイス１において、発光層２２で生じた光は、主に、表面２２ａ及び裏面２２ｂから放出される。発光層２２の表面２２ａから放出された光（例えば、光路Ａ１）は、レンズ部材（不図示）等を通じて外部に取り出される。一方で、例えば、発光層２２の裏面２２ｂから出射されて光路Ａ２を伝播する光は、基台２１の側面２１ｃと空気層との界面に対し、入射角θ１で入射する。ここで、側面２１ｃの凸部２６には基台２１の厚み方向に凹凸が交互に形成されるので、凸部２６において光路Ａ２が入射する面が垂直面より発光層２２側を向くように傾斜する。これにより、光路Ａ２を伝播する光の入射角θ１が小さくなって基台２１の臨界角度以下となる。従って、光路Ａ２を伝播する光は、一部が空気層側へ透過して放出され（光路Ａ３）、残りが反射される（光路Ａ４）。
【００１９】
光路Ａ３を伝播する光は、空気層側へ透過されてからベース１１の表面で反射され、外部に取り出される。光路Ａ４を伝播する光は、入射角θ１が上記のように小さくなるので、基台２１を透過する進行方向が図２中横方向に近付くようになり、反対側（図３中右側）の側面２１ｃに入射して空気層側へ放出される。
【００２０】
これに対し、図４に示すように、比較構造に係る光デバイス３の光路Ｂ１，Ｂ２は、実施の形態に係る光デバイス１の光路Ａ１，Ａ２と同様となる。ところが、基台３１の側面３１ｃが表面３１ａ及び裏面３１ｂに垂直な平面となるので、側面３１ｃと空気層との界面に対する光路Ｂ２の入射角θ２は、実施の形態の入射角θ１より大きくなる。従って、光路Ｂ２を伝播する光の入射角θ２が基台２１の臨界角度より大きくなり、側面３１ｃと空気層との界面で全反射される（光路Ｂ３）。光路Ｂ３を伝播する光は、ベース３３の表面で反射される（光路Ｂ４）。光路Ｂ４を伝播する光の進行方向は、光路Ａ４を伝播する光に比べ、図４中縦方向に近付くようになり、基台３１を透過してから発光層３２に入射して吸収され、外部に取り出すことができなくなる。
【００２１】
以上のように、本実施の形態の光デバイス１によれば、基台２１の側面２１ｃに複数の凸部２６を形成し、各凸部２６に凹凸を交互に形成したので、発光層２２から出射して光路Ａ２と同様に伝播する光を、光路Ａ３，Ａ４と同様にして外部に取り出すことができる。従って、光路Ａ２と同様に伝播する光は、比較構造の光路Ｂ２と同様に伝播する光に比べ、側面２１ｃで全反射する光の割合を低減することができる。これにより、基台２１の内部で反射を繰り返して発光層２２に戻る光の割合を少なくし、基台２１から出る光の割合を多くでき、光の取り出し効率を高めて、輝度の向上を図ることができる。
【００２２】
続いて、本発明の実施の形態に係る光デバイスの加工方法について説明する。本実施の形態に係る光デバイスの加工方法は、貼着工程、レーザー加工装置による改質層形成工程、分割装置による分割工程を経て実施される。貼着工程では、発光層が形成された光デバイスウェーハの表面に粘着シートが貼着される。改質層形成工程では、光デバイスウェーハの内部に分割予定ラインに沿った改質層が形成される。分割工程では、改質層が分割起点となって個々の光デバイスに分割される。以下、本実施の形態に係る加工方法の詳細について説明する。
【００２３】
図５を参照して、光デバイスウェーハの内部に改質層を形成するレーザー加工装置について説明する。図５Ａは、本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図であり、図５Ｂは、レーザー加工装置におけるレーザー光線照射の説明図である。なお、本実施の形態に係るレーザー加工装置は、図５Ａに示す構成に限定されない。レーザー加工装置は、光デバイスウェーハに対して改質層を形成可能であれば、どのような構成でもよい。
【００２４】
図５Ａに示すように、レーザー加工装置１００は、レーザー光線を照射するレーザー加工ユニット１０２と光デバイスウェーハＷを保持したチャックテーブル（保持手段）１０３とを相対移動させて、光デバイスウェーハＷを加工するように構成されている。
【００２５】
レーザー加工装置１００は、直方体状の基台１０１を有している。基台１０１の上面には、チャックテーブル１０３をＸ軸方向に加工送りすると共に、Ｙ軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構１０４が設けられている。チャックテーブル移動機構１０４の後方には、立壁部１１１が立設されている。立壁部１１１の前面からはアーム部１１２が突出しており、アーム部１１２にはチャックテーブル１０３に対向するようにレーザー加工ユニット１０２が支持されている。
【００２６】
チャックテーブル移動機構１０４は、基台１０１の上面に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１１５と、一対のガイドレール１１５にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル１１６とを有している。また、チャックテーブル移動機構１０４は、Ｘ軸テーブル１１６上面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１１７と、一対のガイドレール１１７にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル１１８とを有している。
【００２７】
Ｙ軸テーブル１１８の上部には、チャックテーブル１０３が設けられている。なお、Ｘ軸テーブル１１６、Ｙ軸テーブル１１８の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ１２１、１２２が螺合されている。そして、ボールネジ１２１、１２２の一端部に連結された駆動モータ１２３、１２４が回転駆動されることで、チャックテーブル１０３がガイドレール１１５、１１７に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。
【００２８】
チャックテーブル１０３は、円板状に形成されており、θテーブル１２５を介してＹ軸テーブル１１８の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル１０３の上面には、ポーラスセラミックス材により吸着面が形成されている。チャックテーブル１０３の周囲には、一対の支持アームを介して４つのクランプ部１２６が設けられている。４つのクランプ部１２６がエアアクチュエータ（不図示）により駆動されることで、光デバイスウェーハＷの周囲のリングフレームＦが四方から挟持固定される。
【００２９】
レーザー加工ユニット１０２は、アーム部１１２の先端に設けられた加工ヘッド１２７を有している。アーム部１１２及び加工ヘッド１２７内には、レーザー加工ユニット１０２の光学系が設けられている。加工ヘッド１２７では、不図示の発振器から発振されたレーザー光線を不図示の分光手段によって常光ＬＢ１と異常光ＬＢ２（図５Ｂ参照）との２つのレーザー光線に分光する。そして、分光した常光ＬＢ１及び異常光ＬＢ２それぞれを不図示の集光レンズによって集光し、チャックテーブル１０３上に保持された光デバイスウェーハＷをレーザー加工する。この場合、常光ＬＢ１及び異常光ＬＢ２のレーザー光線は、光デバイスウェーハＷに対して透過性を有する波長であり、光学系において光デバイスウェーハＷの内部に集光するように調整される。なお、常光ＬＢ１及び異常光ＬＢ２に分光する分光手段については、特開２００７−０００９３１号公報に開示された装置の対応部分を適用することができる。
【００３０】
かかるレーザー光線の照射により光デバイスウェーハＷの内部に分割起点となる改質層Ｒ（図７Ｄ、図８Ｂ参照）が形成される。改質層Ｒは、レーザー光線の照射によって光デバイスウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層Ｒは、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００３１】
光デバイスウェーハＷは、略円板状に形成されている。光デバイスウェーハＷは、基台Ｗ１と、基台Ｗ１の表面に形成された発光層Ｗ２とを含んで構成される。光デバイスウェーハＷは、複数の交差する分割予定ラインＳＴによって複数の領域に区画され、この区画された各領域にそれぞれ光デバイス１が形成されている（図６及び図８Ａ参照）。また、図５Ａにおいて、光デバイスウェーハＷは、発光層Ｗ２が形成された表面を下向きにして、環状のリングフレームＦに張られた粘着シートＳに貼着されている。
【００３２】
図６から図１０を参照して、本実施の形態に係る光デバイスウェーハの加工方法の流れについて説明する。なお、下記の各工程は、あくまでも一例に過ぎず、この構成に限定されるものではない。
【００３３】
まず、図６に示す貼着工程が実施される。貼着工程では、まず、フレームＦの内側に光デバイスウェーハＷが発光層Ｗ２側となる表面を上向きとした状態で配置される。その後、光デバイスウェーハＷの表面（上面）とフレームＦの上面とが粘着シートＳによって一体に貼着され、粘着シートＳを介してフレームＦに光デバイスウェーハＷが装着される。
【００３４】
貼着工程が実施された後、図７に示す改質層形成工程が実施される。図７Ａは、改質層形成前の説明図、図７Ｂは、レーザー光線の集光点の説明図、図７Ｃは、改質層が形成された分割予定ラインを上から見た説明図、図７Ｄは、改質層形成後の説明図である。改質層形成工程では、図７Ａに示すように、光デバイスウェーハＷの粘着シートＳ側がチャックテーブル１０３によって保持され、フレームＦがクランプ部１２６に保持される。次いで、光デバイスウェーハＷにおける所定の分割予定ラインＳＴを加工ヘッド１２７の直下に位置付ける。そして、加工ヘッド１２７から照射されるレーザー光線の常光ＬＢ１の集光点Ｐａおよび異常光ＬＢ２の集光点Ｐｂを光デバイスウェーハＷの内部に位置付ける（図５Ｂ参照）。なお、加工ヘッド１２７から照射されるレーザー光線の常光ＬＢ１の集光点Ｐａおよび異常光ＬＢ２の集光点Ｐｂは、図７Ｂに示すように、Ｘ軸方向に間隔Ｘａ、Ｙ軸方向に間隔Ｙｂをもって位置付ける。
【００３５】
次に、加工ヘッド１２７から、光デバイスウェーハＷに対して透過性を有する波長となるレーザー光線の常光ＬＢ１と異常光ＬＢ２とが照射される。この照射を行いながら、光デバイスウェーハＷがＸ軸方向に移動されることで、図７Ｃに示すように、光デバイスウェーハＷの内部に分割予定ラインＳＴに沿った改質層Ｒが形成される。改質層Ｒでは、レーザー光線の常光ＬＢ１による改質部Ｒａと、異常光ＬＢ２による改質部ＲｂがＸ軸方向にＸａ、Ｙ軸方向にＹｂの間隔をあけ、且つ、レーザー光線の波長に基づくパルスピッチＰ毎にＸ軸方向に並んで複数形成される。
【００３６】
図８Ａは、光デバイスウェーハの概略斜視図であり、図８Ｂ及び図８Ｃは、図８ＡのＢ−Ｂ切断面の模式図である。図９は、改質層形成工程の説明用斜視図である。図７Ｄ及び図８Ｂ、図９に示すように、上記のようなレーザー光線による改質層Ｒの形成は、上下位置を変えて複数回繰り返し行われる。最初の改質層Ｒ１は、図９における上下方向（Ｚ軸方向）の形成位置が、光デバイスウェーハＷの裏面Ｗａ（上面）からデフォーカス量ＤＦ１分、表面方向（下方向）となる位置に設定される。かかる上下位置で全ての分割予定ラインＳＴに沿って改質部Ｒａ，Ｒｂからなる改質層Ｒ１を形成した後、２回目の改質層Ｒ２の形成を行うべく、デフォーカス量ＤＦ１より小さいデフォーカス量ＤＦ２が設定される。そして、レーザー光線の照射によって２回目の改質層Ｒ２の形成が行われ、その形成位置は、最初の改質層Ｒ１の裏面側（上側）に隣接する位置であって、分割予定ラインＳＴの幅方向（Ｙ軸方向）にインデックスＩｎ分、離隔させた位置に設定される。３回目以降の改質層Ｒ（Ｒ３，Ｒ４）の形成では、その直前の改質層Ｒ（Ｒ２，Ｒ３）の形成に対し、デフォーカス量を小さく設定しつつ、分割予定ラインＳＴの幅方向にインデックスＩｎ分離隔させてレーザー光線が照射される。これにより、光デバイスウェーハＷの表面側（下面側）から裏面側（上面側）に渡って複数の改質層Ｒ（本実施の形態では、Ｒ１〜Ｒ４の４層）が形成され、上下方向で隣接する改質層Ｒ同士が分割予定ラインＳＴの幅方向に互い違いに形成される。このようにして、光デバイスウェーハＷの内部に分割予定ラインＳＴに沿った分割起点が形成される。
【００３７】
改質層形成工程の後、図１０に示すように、分割工程が実施される。分割工程では、ブレーキング装置（不図示）の一対の支持台３５に光デバイスウェーハＷの基台Ｗ１側を下に向けた状態で載置され、光デバイスウェーハＷの周囲のフレームＦが環状テーブル３６に載置される。環状テーブル３６に載置されたフレームＦは、環状テーブル３６の四方に設けたクランプ部３７によって保持される。一対の支持台３５は、一方向（紙面に垂直方向）に延在しており、一対の支持台３５の間には、撮像手段３８が配置されている。この撮像手段３８によって、一対の支持台３５の間から光デバイスウェーハＷの裏面（下面）が撮像される。
【００３８】
光デバイスウェーハＷを挟んだ一対の支持台３５の上方には、光デバイスウェーハＷを上方から押圧する押圧刃３９が設けられている。押圧刃３９は、一方向（紙面に垂直方向）に延在しており、不図示の押圧機構によって上下動される。撮像手段３８によってウェーハＷの裏面が撮像されると、撮像画像に基づいて一対の支持台３５の間かつ押圧刃３９の直下に分割予定ラインＳＴが位置付けられる。そして、押圧刃３９が下降されることで、粘着シートＳを介して押圧刃３９が光デバイスウェーハＷに押し当てられて外力が付与され、改質層Ｒを分割起点として光デバイスウェーハＷが分割される。このとき、押圧刃３９が押し当てられた分割予定ラインＳＴでは、分割予定ラインＳＴの幅方向に互い違いに形成されて光デバイスウェーハＷの厚み方向に隣接する改質層Ｒ間に亀裂Ｋ（図８Ｃ参照）が形成される。この亀裂Ｋによって、分割予定ラインＳＴでは、図１及び図２に示した側面２１ｃの形状、すなわち、複数の複数の凸部２６が並んで形成され、各凸部２６に凹凸を交互に形成された形状に表面から裏面に渡って分割される。このとき、改質層Ｒは、分割予定ラインＳＴを挟む一方の光デバイス１の凸部２６と、他方の光デバイス１の凸部２６との両方を形成することとなる（図８Ｃ参照）。光デバイスウェーハＷは、全ての分割予定ラインＳＴに押圧刃３９が押し当てられることで個々の光デバイス１に分割される。
【００３９】
なお、特に限定されるものでないが、改質層形成工程におけるレーザー加工条件としては、以下の実施例１〜３を例示することができる。下記の表１に実施例１、表２に実施例２、表３に実施例３の加工条件を示す。なお、全ての実施例において、改質層Ｒの形成回数：４回、加工送り速度：６００ｍｍ／ｓ、ピッチＰ（１つの凸部２６の幅）：３μｍとし、光デバイスの平面サイズ：０．６５ｍｍ×０．６５ｍｍの条件で加工した。
【００４０】
【表１】
2015165532.tif 000003
【００４１】
【表２】
2015165532.tif 000004
【００４２】
【表３】
2015165532.tif 000005
【００４３】
上記実施例１〜３の条件の光デバイスは、放射される全ての光の強度（パワー）の合計値を測定（全放射束測定）したところ、上記比較構造と同様に基台の側面を平面状に形成した光デバイスに比べ、輝度が１〜２％向上した。
【００４４】
以上のように、本実施の形態に係る加工方法によれば、光デバイスウェーハＷの厚みが薄厚になっても、複数の凸部２６を形成し、光デバイスウェーハＷの厚み方向において各凸部２６に凹凸を交互に形成することができる。しかも、改質層形成工程において、光デバイスウェーハＷの厚み方向で隣接する改質層Ｒを互い違いに形成したので、分割工程では光デバイスウェーハＷに外力を付与するだけで、上述した形状に分割することができる。これにより、上記の各工程が複雑になったり、工程時間が長くなることを抑制して効率よく光デバイス１を製造することができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４６】
例えば、上記実施の形態では、ブレーキング装置により分割工程を行ったが、これに限られるものでなく、光デバイスウェーハＷを分割予定ラインＳＴに沿って個々の光デバイス１に分割可能であればよい。
【００４７】
また、上記した実施の形態においては、上記各工程は別々の装置で実施されてもよいし、同一の装置で実施されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、基台の表面に発光層が形成された光デバイスの光取り出し効率を高めるために有用である。
【符号の説明】
【００４９】
１  光デバイス
２１  基台
２１ａ  表面
２１ｂ  裏面
２１ｃ  側面
２２  発光層
２６  凸部
ＳＴ  予定分割ライン
Ｗ  光デバイスウェーハ
Ｗ１  基台
Ｗ２  発光層
【図１】
2015165532.tif 000006
【図２】
2015165532.tif 000007
【図３】
2015165532.tif 000008
【図４】
2015165532.tif 000009
【図５】
2015165532.tif 000010
【図６】
2015165532.tif 000011
【図７】
2015165532.tif 000012
【図８】
2015165532.tif 000013
【図９】
2015165532.tif 000014
【図１０】
2015165532.tif 000015