(57)【要約】【課題】有機層が複数の画素にまたがって形成される場合であっても、画素の意図しない発光が抑制される有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、絶縁材料で形成される基板１００と、前記基板１００の表示領域にマトリクス状に配置される複数の画素と、前記複数の画素のうち隣接する画素にまたがって形成され、発光層を含む有機層４００と、を備え、前記有機層４００は、前記基板１００に対して垂直な方向Ａについての電気伝導率が、前記基板１００に沿った方向Ｂについての電気伝導率よりも大きい、異方層を含むことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料で形成される基板と、
前記基板の表示領域にマトリクス状に配置される複数の画素と、
前記複数の画素のうち隣接する画素にまたがって形成され、発光層を含む有機層と、を備え、
前記有機層は、
前記基板に対して垂直な方向についての電気伝導率が、前記基板に沿った方向についての電気伝導率よりも大きい、異方層を含む
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記異方層は、
前記有機層に含まれる電子注入層、電子輸送層、ホール輸送層、及びホール注入層のうち１又は複数の層である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記異方層は、
ｐ型有機半導体層であり、
前記ホール輸送層、及び前記ホール注入層のうち１又は複数の層である
ことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記異方層は、
ｎ型有機半導体層であり、
前記電子注入層、及び前記電子輸送層のうち１又は複数の層である
ことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記有機層は、
複数の発光層と、電荷発生層とを含み、
前記複数の発光層は、
前記電荷発生層を挟むように配置され、
前記異方層は、
前記有機層に含まれる層のうち１又は複数の層である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記電荷発生層は、
ｐ型有機半導体層及びｎ型有機半導体層が積層されて形成され、
前記異方層は、
前記ｐ型有機半導体層及び前記ｎ型有機半導体層のうち、少なくともいずれか一方である
ことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記異方層は、
ビス−（１，２，５−チアジアゾロ）−ｐ−キノビス（１，３−ジチオール）、
ペリレンテトラカルボキシルジイミド化合物、
ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、及び、
ヘキサアザトリナフチレン、
のうち少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光素子を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子を用いているため、従来の液晶表示装置と比較して、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の画素は有機発光ダイオードを含み、有機発光ダイオードは、陽極と陰極とで発光層を含む有機層を挟んだ構成を有する。ここで、有機層は有機ＥＬ表示装置の複数の画素にまたがって形成される場合がある。その場合、隣接する画素は絶縁材料で形成されたバンクで区切られ、陽極又は陰極のうち少なくとも一方を画素ごとに形成することによって、各画素を選択的に発光させる。
【０００４】
下記特許文献１には、上部電極及び下部電極に挟まれる単色発光ユニットと多色発光ユニットと、複数の発光ユニットに挟まれる電荷発生層とを有し、単色発光ユニットの発光効率は多色発光ユニットの発光効率と比較して同等以下とする有機発光素子が記載されている。
【０００５】
また、下記特許文献２には、４色のカラー画素を備え、各カラー画素の輝度を調節して、色域決定画素ピーク輝度の和がディスプレイ・ピーク輝度よりも小さくなるようにする駆動手段を備えるOLEDディスプレイが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２６７９９０号公報
【特許文献２】特表２００９−５２０２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機層が複数の画素にまたがって形成される場合、ある画素を発光させるために有機発光ダイオードに電流を流すと、電流が有機層に沿って隣接画素に流れ出し、隣接画素の意図しない発光を招く場合があった。
【０００８】
そこで、本発明は、有機層が複数の画素にまたがって形成される場合であっても、画素の意図しない発光が抑制される有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁材料で形成される基板と、前記基板の表示領域にマトリクス状に配置される複数の画素と、前記複数の画素のうち隣接する画素にまたがって形成され、発光層を含む有機層と、を備え、前記有機層は、前記基板に対して垂直な方向についての電気伝導率が、前記基板に沿った方向についての電気伝導率よりも大きい、異方層を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記異方層は、前記有機層に含まれる電子注入層、電子輸送層、ホール輸送層、及びホール注入層のうち１又は複数の層であってもよい。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記異方層は、ｐ型有機半導体層であり、前記ホール輸送層、及び前記ホール注入層のうち１又は複数の層であってもよい。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記異方層は、ｎ型有機半導体層であり、前記電子注入層、及び前記電子輸送層のうち１又は複数の層であってもよい。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記有機層は、複数の発光層と、電荷発生層とを含み、前記複数の発光層は、前記電荷発生層を挟むように配置され、前記異方層は、前記有機層に含まれる層のうち１又は複数の層であってもよい。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記電荷発生層は、ｐ型有機半導体層及びｎ型有機半導体層が積層されて形成され、前記異方層は、前記ｐ型有機半導体層及び前記ｎ型有機半導体層のうち、少なくともいずれか一方であってもよい。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記異方層は、ビス−（１，２，５−チアジアゾロ）−ｐ−キノビス（１，３−ジチオール）、ペリレンテトラカルボキシルジイミド化合物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、及び、ヘキサアザトリナフチレン、のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの配線図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの回路図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの画素部分の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態における有機層の拡大図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬパネルの画素部分の断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における有機層の拡大図である。
【図８】本発明の第２の実施形態における電荷発生層の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１８】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を示す斜視図である。有機ＥＬ表示装置１は、上フレーム２と、下フレーム３と、上フレーム２と下フレーム３とで挟まれるように固定された有機ＥＬパネル１０とから構成されている。尚、必要に応じて、上フレーム２と下フレーム３がない有機ＥＬパネル単体で有機ＥＬ表示装置を構成しても良い。
【００１９】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の配線図である。有機ＥＬパネル１０は、データ駆動回路１２及び走査駆動回路１３によって、ガラス等の絶縁材料で形成される基板１００上の表示領域１１に形成された各画素を制御し、画像を表示する。ここで、データ駆動回路１２は、各画素に送るデータ信号を生成・発信するＩＣ（Integrated Circuit）であり、走査駆動回路１３は、画素に備えられたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）へのゲート信号を生成・発信するＩＣである。なお、図２において、データ駆動回路１２及び走査駆動回路１３は、２箇所に形成されるものとして記載されているが、一つのＩＣに組み込まれていてもよいし、基板上に直接配線された回路によって形成されたものであってもよい。
【００２０】
走査駆動回路１３からの信号を伝える走査線１４は、次図で図示するようにスイッチトランジスタ３０のゲート電極に接続される。また、データ駆動回路１２からの信号を伝えるデータ線１５は、スイッチトランジスタ３０のソース・ドレイン電極に接続される。電位配線１６には、有機発光ダイオード６０に発光させるための電位が与えられ、ドライバトランジスタ２０のソース・ドレイン電極に接続される。第１の電位供給配線１７及び第２の電位供給配線１８は電位供給源に接続され、トランジスタを介して電位配線１６に接続される。
【００２１】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の回路図である。有機ＥＬパネル１０の表示領域１１には、データ線１５がＤ１からＤｎまでｎ本形成されており、走査線１４がＧ１からＧｍまでｍ本形成されている。複数の画素ＰＸがマトリクス状に、走査線１４の延在方向及びデータ線１５延在方向に配置されている。例えば、Ｇ１とＧ２、Ｄ１とＤ２で囲まれる部分に画素ＰＸが形成される。
【００２２】
第１の走査線Ｇ１はスイッチトランジスタ３０のゲート電極に接続されており、走査駆動回路１３から信号が印加されると、スイッチトランジスタ３０がオン状態になる。そこでデータ駆動回路１２から第１のデータ線Ｄ１に信号が印加されると、蓄積容量４０に電荷が蓄積され、ドライバトランジスタ２０のゲート電極に電圧が印加されて、ドライバトランジスタ２０がオン状態になる。ここでスイッチトランジスタ３０がオフ状態となっても、蓄積容量４０に蓄えられた電荷により、一定期間はドライバトランジスタ２０がオン状態になる。有機発光ダイオード６０の陽極はドライバトランジスタ２０のソース・ドレイン間を通じて電位配線１６に接続されており、有機発光ダイオード６０の陰極は基準電位Ｖｃに固定されているから、ドライバトランジスタ２０のゲート電圧に応じて有機発光ダイオード６０に電流が流れ、有機発光ダイオード６０が発光することとなる。また、付加容量５０が有機発光ダイオード６０の陽極と陰極との間に形成される。付加容量５０は、蓄積容量４０に書き込まれる電圧を安定させる効果を発揮し、有機発光ダイオード６０の安定動作に寄与する。
【００２３】
なお、図２の配線図、及び図３の回路図は一例であって、これ以外の配線や回路構成を採用することとしてもよい。
【００２４】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の画素部分の断面図である。図４は、隣接する２つの画素におけるドライバトランジスタ２０と有機発光ダイオード６０の接続状態を示している。最下層には、ガラス等からなるパネル基板１００が配置され、その上にＳｉＮｘ等からなる第１の下地膜１１０が形成され、さらにその上にＳｉＯｘ等からなる第２の下地膜１２０が形成される。第２の下地膜１２０の上には、ドライバトランジスタ２０のドレイン電極層２１、ソース電極層２２、チャネル層２３が形成される。そして、ドレイン電極層２１、ソース電極層２２、チャネル層２３、及び第２の下地膜１２０を覆うようにゲート絶縁膜２４を形成した後、チャネル層２３の上方にゲート電極層２５が形成される。ここで、本実施形態では、ドレイン電極層２１、ソース電極層２２、チャネル層２３といった層を多結晶シリコンで形成するものとする。なお、チャネル層２３は非晶質シリコン等で形成されたものであってもよい。
【００２５】
ゲート電極層２５及びゲート絶縁膜２４を覆うように第１の層間絶縁膜１３０が積層され、ドレイン電極層２１とソース電極層２２にそれぞれ到達するスルーホールが形成される。それぞれのスルーホールには、ドレイン電極２６及びソース電極２７が形成され、ドレイン電極２６、ソース電極２７、及び第１の層間絶縁膜１３０を覆うように第２の層間絶縁膜２００が積層される。第２の層間絶縁膜２００には、各画素を制御するドライバトランジスタ２０のソース電極２７に達するスルーホールが形成される。その後、スルーホールが設けられた第２の層間絶縁膜２００を覆い、スルーホールの底のソース電極２７と電気的に接続されるように、金属材料等の導電材料で下部電極３００が形成される。下部電極３００は画素ごとに形成され、隣接する画素の下部電極３００は電気的に絶縁される。
【００２６】
下部電極３００の上に絶縁材料により画素分離膜２１０（バンク）が形成され、画素分離膜２１０及び下部電極３００の上に有機層４００が形成される。有機層４００は、隣接する画素にまたがって形成され、少なくとも発光層を含む。ここで、下部電極３００と有機層４００が接触する領域が発光領域となり、画素分離膜２１０は、発光領域の外縁を規定する。なお、有機層４００は、異色画素ごとに形成し、隣接する同色画素にまたがって形成されることとしてよい。有機層４００の上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、及びＺｎＯ（Zinc Oxide）等の透明電極により、隣接する画素にまたがって上部電極５００が形成される。上部電極５００は、マトリクス状に配置された画素ＰＸの全部にまたがって形成されてもよい。
【００２７】
上部電極５００の上には、必要に応じて、透明な封止層６００を形成する。封止層６００は、有機層４００への水分や空気の侵入を防止するためのものであり、ガスバリア性の高い材料で形成することが望ましい。具体的には、ＳｉＮなどの緻密な無機材料、あるいは、無機材料と有機材料の積層膜により形成してもよい。さらに、封止層６００の上方に可視光に対して透明な封止部材６２０を配置し、有機ＥＬパネル１０の額縁部分でシール材を用いて密閉、封止する。封止部材６２０もガスバリア性の高い部材であることが望ましい。具体的には、ガラス基板やガスバリア性を高める処理を施したプラスチック基板を用いることができる。封止部材６２０と封止層６００との空隙には樹脂材料や窒素などの不活性ガスからなる充填剤６１０を封入する、充填剤６１０は、有機層４００の劣化につながる水分などを放出しにくい透明な物質でもよい。
【００２８】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機層４００として白色発光が得られるものを採用し、封止部材６２０に、３原色（赤、緑、青）に対応したカラーフィルタを配置することで３原色の副画素を実現し、フルカラー表示を行う。なお、カラーフィルタは、画素の発光領域と重畳する領域に設けることとして、それ以外の領域にはブラックマトリクスを設けることとしてもよい。また、赤、緑、青以外に白の副画素を設けることとしてもよい。
【００２９】
有機ＥＬ表示装置１では、前述のように、走査信号によってスイッチトランジスタ３０をオンして、データ信号を送り、ドライバトランジスタ２０をオンすることで、画素を選択的に発光させる。ここで、例えば、図４の右側の画素のドライバトランジスタ２０をオン状態としたとすると、右側の下部電極３００が第１の電位供給線１７及び第２の電位供給線１８に接続されることとなり、基準電位Ｖｃに保たれている上部電極５００との間で電位差（電圧）が生じる。その結果、陽極である下部電極３００側から有機層４００にホールが注入され、陰極である上部電極５００側から有機層４００に電子が注入される。注入された電子とホールは、それぞれ有機層４００の発光層に到達し、電子とホールの再結合が生じて、所定の波長の光を生じる。発光層で生じた光は上部電極５００側に放出され、カラーフィルタを通った後、ユーザに視認される。
【００３０】
ここで、図４に示すように、隣接する画素にまたがって有機層４００を形成する場合、基板１００に垂直な方向（矢印Ａの方向）に電流が流れるだけでなく、基板１００に沿った方向（矢印Ｂの方向）にも電流が流れてしまうおそれがある。有機層４００に沿って、方向Ｂに電流が流れてしまうと、隣接する画素の発光層にまで電流が流れることとなり、隣接画素の意図しない発光を招くこととなってしまう。上記の例の場合、図４の右側の下部電極３００を選択したにも関わらず、右側の画素とともに、左側の画素までもが発光するおそれがある。
【００３１】
本実施形態では、有機層４００に含まれる層のうち全部又は一部の層を、電気伝導率に異方性を有する異方層で形成することにより、意図しない隣接画素の発光を抑制する。異方層は、基板１００に対して垂直な方向Ａについての電気伝導率が、基板１００に沿った方向Ｂについての電気伝導率よりも大きい層である。言い換えると、異方層とは、層の積層方向についての電気伝導率が、層の延在方向についての電気伝導率よりも大きい層である。
【００３２】
図５は、本発明の第１の実施形態における有機層４００の拡大図である。図５は、図４において点線で描かれた円Ｖの部分を拡大した図である。有機層４００は、下部電極３００側から順に、ホール注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Hole Transfer Layer）、発光層（ＬＬ：Luminous Layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transfer Layer）、及び電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）が積層された構造を有する。ここで、ホール注入層（ＨＩＬ）及びホール輸送層（ＨＴＬ）はｐ型有機半導体で形成され、電子注入層（ＥＩＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）はｎ型有機半導体で形成される。発光層（ＬＬ）は、発光分子となるゲスト分子と、ゲスト分子を保持するホスト分子とからなる。ここで、ゲスト分子は所望の発光色が得られるように選定される。ホスト分子は、ｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体のいずれで形成してもよい。
【００３３】
本実施形態では、ホール注入層（ＨＩＬ）、ホール輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＬＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）のうち、全部又は一部の層を異方層とする。例えば、電子注入層（ＥＩＬ）を異方層とした場合、電子注入層（ＥＩＬ）の延在方向Ｂに関する電子の移動が、電子注入層（ＥＩＬ）の積層方向Ａに関する電子の移動よりも制限されることとなり、隣接画素に電子が流れ出すことが抑制され、意図しない発光が抑制されることとなる。当然ながら、電子注入層（ＥＩＬ）以外の有機層４００を構成する層を異方層としてもよい。また、隣接画素の意図しない発光を抑制する効果は、有機層４００を構成する全ての層を異方層とする場合に最も良く発揮される。
【００３４】
ホール注入層（ＨＩＬ）、ホール輸送層（ＨＴＬ）を異方層とする場合、電気伝導率に異方性を有するｐ型の有機半導体を用いることが好ましい。ｐ型の有機半導体としては、例えば、ビス−（１，２，５−チアジアゾロ）−ｐ−キノビス（１，３−ジチオール）（以下、ＢＴＱＢＴと呼ぶ。）が挙げられる。また、ペリレンテトラカルボキシルジイミド化合物（以下、ＰＴＣＤＩと呼ぶ。）、及びヘキサアザトリナフチレン（以下、ＨＡＴＮＡと呼ぶ。）のいずれかを用いてもよい。ホール注入層（ＨＩＬ）を異方層とする場合には、下部電極３００と仕事関数の値が近い材料を採用することが好ましい。
【００３５】
電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）を異方層とする場合、電気伝導率に異方性を有するｎ型の有機半導体を用いることが好ましい。具体的には、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ）、ＰＴＣＤＩを用いることが好ましい。また、ＨＡＴＮＡを用いてもよい。
【００３６】
なお、発光層（ＬＬ）を異方層とする場合は、ホスト分子としてＢＴＱＢＴ、ＰＴＣＤＩ、ＨＡＴＮＡ、及びＰＴＣＤＡのいずれをも用いることができる。
【００３７】
異方層を形成する材料は、分子構造に平面部分を有するものである場合がある。その場合、平面部分が基板１００と平行に配列することによって、電気伝導率の異方性を実現する。すなわち、分子構造の平面部分と直交する方向にπ電子が分布することにより、基板１００に垂直な方向についてはπ軌道の重なりが大きくなり比較的高い電気伝導率となり、基板１００に沿った方向についてはπ軌道の重なりが小さくなり比較的低い電気伝導率となる。
【００３８】
なお、異方層を形成する材料としては、上記した例以外にも、電気伝導率に異方性を有する材料を用いることができる。
【００３９】
［第２の実施形態］
図６は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の画素部分の断面図である。第２の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０と比較して有機層４００の構成が異なり、他の構成については同様である。本発明の第２の実施形態における有機層４００は、第１の有機層４１０と、電荷発生層４２０と、第２の有機層４３０とが積層された構成を有する。本実施形態に係る有機発光ダイオード６０は、いわゆるタンデム型の有機発光ダイオード６０であり、第１の有機層４１０と、第２の有機層４３０とは、それぞれ発光層を含み、電荷発生層４２０は、２つの発光層に挟まれるように配置される。なお、２つの発光層は、それぞれ異なる発光色を有するものであってよい。
【００４０】
本実施形態では、第１の有機層４１０、電荷発生層４２０、及び第２の有機層４３０のいずれかに含まれる層を電気伝導率に異方性を有する異方層で形成することにより、意図しない隣接画素の発光を抑制する。異方層は、前述した材料で形成することとしてよく、基板１００に対して垂直な方向についての電気伝導率が、基板１００に沿った方向についての電気伝導率よりも大きい層である。
【００４１】
図７は、本発明の第２の実施形態における有機層４００の拡大図である。図７は、図６において点線で描かれた円ＶＩＩの部分を拡大した図である。本実施形態における有機層４００は、下部電極３００側から順に、第１のホール注入層（ＨＩＬ１）、第１のホール輸送層（ＨＴＬ１）、第１の発光層（ＬＬ１）、第１の電子輸送層（ＥＴＬ１）、第１の電子発生層（ＥＩＬ１）、電荷発生層（ＣＧＬ）、第２のホール注入層（ＨＩＬ２）、第２のホール輸送層（ＨＴＬ２）、第２の発光層（ＬＬ２）、第２の電子輸送層（ＥＴＬ２）、及び第２の電子発生層（ＥＩＬ２）が積層されて形成される。ここで、これらの層のうち全部又は一部を異方層としてよい。
【００４２】
例えば、有機層４００を構成する他の層と比較して電気伝導率が高い場合がある電荷発生層（ＣＧＬ）を異方層とすることで、電荷発生層（ＣＧＬ）に沿ってキャリアが隣接画素に流れ出すことを効率的に抑制することができ、意図しない隣接画素の発光が抑制される。当然ながら、電荷発生層（ＣＧＬ）を異方層としつつ、他の層をも異方層とすることで、意図しない隣接画素の発光がより抑制されることとなる。
【００４３】
具体的には、第１のホール注入層（ＨＩＬ１）、第１のホール輸送層（ＨＴＬ１）、第２のホール注入層（ＨＩＬ２）、及び第２のホール輸送層（ＨＴＬ２）のうちいずれかを異方層とする場合、ＢＴＱＢＴ、ＰＴＣＤＩ、及びＨＡＴＮＡのいずれか又はこれらの組み合わせを用いることが好ましい。
【００４４】
また、第１の電子輸送層（ＥＴＬ１）、第１の電子発生層（ＥＩＬ１）、第２の電子輸送層（ＥＴＬ２）、及び第２の電子発生層（ＥＩＬ２）のうちいずれかを異方層とする場合、ＰＴＣＤＡを用いることが好ましい。
【００４５】
第１の発光層（ＬＬ１）、及び第２の発光層（ＬＬ２）、のうちいずれかを異方層とする場合、ホスト分子として、ＢＴＱＢＴ、ＰＴＣＤＩ、ＨＡＴＮＡ、及びＰＴＣＤＡを用いることができる。
【００４６】
図８は、本発明の第２の実施形態における電荷発生層４２０の拡大図である。図８は、図７において点線で描かれた円ＶＩＩＩの部分を拡大した図である。本実施形態における電荷発生層４２０は、第１の電子発生層（ＥＩＬ１）側から順に、ｎ型有機半導体層（ｎ−ｔｙｐｅ）とｐ型有機半導体層（ｐ−ｔｙｐｅ）とが積層されて形成される。ここで、ｎ型有機半導体層（ｎ−ｔｙｐｅ）は第１の電子発生層（ＥＩＬ１）に電子を供給し、ｐ型有機半導体層（ｐ−ｔｙｐｅ）は第２のホール注入層（ＨＩＬ２）にホールを供給する。
【００４７】
電荷発生層４２０を異方層とする場合、異方層は、例えばＰＴＣＤＡ、ＰＴＣＤＩ、ＢＴＱＢＴ、及びＨＡＴＮＡを含む。特に電荷発生層４２０を構成するｎ型有機半導体層（ｎ−ｔｙｐｅ）を異方層とする場合には、例えばＰＴＣＤＡ、及びＰＴＣＤＩのうちいずれかを用いてｎ型有機半導体層（ｎ−ｔｙｐｅ）を形成することが好ましい。
【００４８】
また、電荷発生層４２０を構成するｐ型有機半導体層（ｐ−ｔｙｐｅ）を異方層とする場合には、例えばＢＴＱＢＴを用いてｐ型有機半導体層（ｐ−ｔｙｐｅ）を形成することが好ましい。
【００４９】
電荷発生層４２０に含まれるｎ型有機半導体層（ｎ−ｔｙｐｅ）及びｐ型有機半導体層（ｐ−ｔｙｐｅ）の両方を異方層とすることとしてもよく、その場合には、電子及びホールの両方について隣接画素に流れ出すことが抑制でき、意図しない隣接画素の発光をより確実に抑制することができる。
【００５０】
本実施形態では、第１の有機層４１０と、電荷発生層４２０と、第２の有機層４３０とを有するタンデム型の有機発光ダイオード６０の場合を示したが、３以上の有機層と２以上の電荷発生層とを有するタンデム型の有機発光ダイオード６０の場合であっても、本発明を適用することで、隣接画素の意図しない発光を抑制することができる。その場合、比較的電気伝導率が高い複数の電荷発生層を異方層とすることにより、効率的に隣接画素へのキャリアの流れ出しを抑制することができる。
【００５１】
本発明の実施形態として上述した有機ＥＬ表示装置１を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての有機ＥＬ表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００５２】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００５３】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００５４】
１  有機ＥＬ表示装置、２  上フレーム、３  下フレーム、１０  有機ＥＬパネル、１１  表示領域、１２  データ駆動回路、１３  走査駆動回路、１４  走査線、１５  データ線、１６  電位配線、１７  第１の電位供給配線、１８  第２の電位供給配線、２０  ドライバトランジスタ、２１  ドレイン電極層、２２  ソース電極層、２３  チャネル層、２４  ゲート絶縁膜、２５  ゲート電極層、２６  ドレイン電極、２７  ソース電極、３０  スイッチトランジスタ、４０  蓄積容量、５０  付加容量、６０  有機発光ダイオード、１００  基板、１１０  第１の下地膜、１２０  第２の下地膜、１３０  第１の層間絶縁膜、２００  第２の層間絶縁膜、２１０  画素分離膜、３００  下部電極、４００  有機層、４１０  第１の有機層、４２０  電荷発生層、４３０  第２の有機層、５００  上部電極、６００  封止層、６１０  充填剤、６２０  封止部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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