(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に機械的なダメージを与えることのない方向性確認用マークを備えた裏面電極型太陽電池ならびに、工程数を増加させることなくマークを形成することができる裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】第１導電型の半導体基板の一方の面に、第１導電型不純物拡散層、第２導電型不純物拡散層、前記第１導電型不純物拡散層と接続される第１の電極および前記第２導電型不純物拡散層と接続される第２の電極を有する裏面電極型太陽電池１であって、前記第１導電型不純物拡散層および／または前記第２導電型不純物拡散層は、前記半導体基板の１以上の端部領域において、他の端部領域とは異なる形状である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の一方の面に、第１導電型不純物拡散層、第２導電型不純物拡散層、前記第１導電型不純物拡散層と接続される第１の電極および前記第２導電型不純物拡散層と接続される第２の電極を有する裏面電極型太陽電池において、
前記第１導電型不純物拡散層および／または前記第２導電型不純物拡散層は、前記半導体基板の１以上の端部領域において、他の端部領域とは異なる形状であること
を特徴とする裏面電極型太陽電池。
【請求項２】
前記第１導電型不純物拡散層と前記第２導電型不純物拡散層は、交互に接して形成されており、
前記第１導電型不純物拡散層は、前記半導体基板の１以上の端部領域において、他の端部領域より広いこと
を特徴とする請求項１に記載の裏面電極型太陽電池。
【請求項３】
前記第２導電型不純物拡散層は、前記半導体基板の１以上の端部領域において、他の端部領域より長さが短いこと
を特徴とする請求項１に記載の裏面電極型太陽電池。
【請求項４】
前記他の端部領域とは異なる形状を有する領域は、前記裏面電極型太陽電池の方向性を確認するマークであること
を特徴とする請求項１に記載の裏面電極型太陽電池。
【請求項５】
請求項１〜４に記載の裏面電極型太陽電池を使用した太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面電極型太陽電池、および裏面電極型太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類があるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。
【０００３】
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面である受光面と、受光面の反対側である裏面とに電極が形成された構造のものである。しかし、この構造を有する太陽電池では、受光面の電極における光の反射、吸収があることから、形成された電極の面積分だけ入射する太陽光が減少する。このため、裏面にのみ電極を形成した裏面電極型太陽電池が開発されている。
【０００４】
図１２は、特許文献１に記載の、従来の裏面電極型の太陽電池２０１の構造を模式的に示した図である。図１２（ａ）は太陽電池２０１裏面の平面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の線Ｉ−Ｉにおける断面図である。
【０００５】
図１２に示すように、太陽電池２０１は、太陽電池基板２１０を備えている。太陽電池基板２１０は、半導体基板２１５と、半導体基板２１５の裏面２１５ａの所定領域にそれぞれ配されたｎ型非晶質半導体層２１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層２１４ｐとを備えている。半導体基板２１５は、裏面２１５ａと、受光面２１５ｂを有する。
【０００６】
ｎ型非晶質半導体層２１４ｎとｐ型非晶質半導体層２１４ｐとは、それぞれ半導体基板２１５の裏面２１５ａの上の所定領域に形成されている。ｎ型非晶質半導体層２１４ｎとｐ型非晶質半導体層２１４ｐとのそれぞれは、くし歯状に形成されている。
【０００７】
ｐ型非晶質半導体層２１４ｐの上には、ｐ側電極２１７ｐが形成されている。一方、ｎ型非晶質半導体層２１４ｎの上には、ｎ側電極２１７ｎが形成されている。ｐ側電極２１７ｐ及びｎ側電極２１７ｎのそれぞれも、くし歯状の形状にされている。ｐ側電極２１７ｐは、バスバー部２１７ｐ１と、複数のフィンガー電極部２１７ｐ２とを有する。バスバー部２１７ｐ１は、半導体基板２１５のｙ１側の端縁部２１５Ａに位置している。同様に、ｎ側電極２１７ｎは、バスバー部２１７ｎ１と、複数のフィンガー電極部２１７ｎ２とを有する。バスバー部２１７ｎ１は、半導体基板２１５のｙ２側の端縁部２１５Ｂに位置している。
【０００８】
このように、太陽電池２０１は、裏面にｐ型領域及びｎ型領域が高精細に形成される。このため、太陽電池２０１の製造に際しては、半導体基板２１５の位置を正確に検出した上でｐ型領域、ｎ型領域を形成する必要がある。
【０００９】
そこで、半導体基板２１５の裏面２１５ａの端縁部２１５Ｂには、２つのアライメントマーク２１２ａ、２１２ｂが設けられている。より具体的には、アライメントマーク２１２ａ、２１２ｂは、端縁部２１５Ｂにおいて、バスバー部２１７ｎ１に隠れる部分に位置する半導体基板２１５の裏面２１５ａに形成された凹部により構成されている。アライメントマーク２１２ａ、２１２ｂは、例えば、レーザーの照射や、エッチング或いは機械的加工などにより形成することができる。また、アライメントマーク２１２ａ、２１２ｂは、凹部でなくても良く、例えば、半導体基板の裏面の上に他の層を形成することによりアライメントマークを形成してもよい。
【００１０】
このｎ型非晶質半導体層２１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層２１４ｐを形成する工程においては、撮像装置などの検出手段を用いてアライメントマーク２１２ａ、２１２ｂを検出し、その検出位置に基づいてｎ型非晶質半導体層２１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層２１４ｐを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１２−６９８８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図１２にも示すように裏面電極型太陽電池は、縦方向と横方向で構造が異なり、方向性を有する。従って、裏面電極型太陽電池の製造工程においても、この方向性に対応した処理を行う必要がある。例えば、製造工程で太陽電池を抜き取り検査後、製造工程に戻す場合に、方向がわかるような方向性確認用のマークを付ける必要がある。
【００１３】
ここで、特許文献１に記載のアライメントマークは上記の通り、撮像装置などの検出手段を用いて検出する。従って、目視で認識できない小さなマークであっても構わない。一方、方向性確認用のマークはアライメントマークに比べると、目視で簡単にわかるような大きさのマークにする必要がある。
【００１４】
しかしながら、方向性確認用のマークが、特許文献１に記載のアライメントマークのように、凹部により構成されている場合は、マークを形成する際に基板に機械的なダメージを与えてしまう。従って、基板に割れが発生する恐れが増加するという問題があった。さらに、方向性確認用のマークが大きいと、ダメージはより大きくなり、基板に割れが発生する恐れもさらに増加する。
【００１５】
また、マークは上記のように、レーザーの照射、エッチング、機械的加工などにより形成したり、他の層により形成したりすることから、マークを形成する工程が別に必要であり、工程数が増加して生産性が低下するという問題があった。
【００１６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、基板に機械的なダメージを与えることのないマークを備えた裏面電極型太陽電池を提供することを目的とする。また、工程数を増加させることなくマークを形成することができる裏面電極型太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様によれば、本発明にかかる裏面電極型太陽電池は、第１導電型の半導体基板の一方の面に、第１導電型不純物拡散層、第２導電型不純物拡散層、第１導電型不純物拡散層と接続される第１の電極および第２導電型不純物拡散層と接続される第２の電極を有し、第１導電型不純物拡散層および／または第２導電型不純物拡散層は、半導体基板の１以上の端部領域において、他の端部領域とは異なる形状であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の別の一態様によれば、第１導電型不純物拡散層と第２導電型不純物拡散層は、交互に接して形成されており、第１導電型不純物拡散層は、半導体基板の１以上の端部領域において、他の端部領域より広くても良い。
【００１９】
本発明の別の一態様によれば、第２導電型不純物拡散層は、半導体基板の１以上の端部領域において、他の端部領域より長さが短くても良い。
【００２０】
本発明の別の一態様によれば、他の端部領域とは異なる形状を有する領域は、裏面電極型太陽電池の方向性を確認するマークであっても良い。
【００２１】
本発明の別の一態様によれば、本発明にかかる太陽電池モジュールは、本発明の裏面電極型太陽電池を使用する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板に機械的なダメージを与えることのないマークを備えた太陽電池を得ることができる。また、マークを形成するに際して工程数を増加させることのない太陽電池の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例１にかかる裏面電極型太陽電池の断面構造を模式的に示した図である。
【図２】実施例１にかかる裏面電極型太陽電池の裏面の構造を模式的に示した図である。
【図３】実施例１にかかる裏面電極型太陽電池の製造工程を示した図である。
【図４】実施例２にかかるマークを示した図である。
【図５】実施例３にかかるマークを示した図である。
【図６】実施例４にかかるマークを示した図である。
【図７】実施例５にかかる裏面電極型太陽電池の断面構造を模式的に示した図である。
【図８】実施例５にかかる裏面電極型太陽電池の裏面の構造を模式的に示した図である。
【図９】実施例６にかかるマークを示した図である。
【図１０】実施例７にかかるマークを示した図である。
【図１１】実施例８にかかるマークを示した図である。
【図１２】従来の裏面電極型の太陽電池の構造を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す内容は例示であって、本発明の範囲は，図面や以下の記述中で示すものに限定されない。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２５】
＜実施形態１＞
まず、本発明の実施形態１に関して、実施例１〜４を用いて説明する。
【００２６】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１の断面構造を模式的に示した図である。ｎ型シリコン基板２の受光面側には、凹凸形状３が形成されている。これは一般的にテクスチャ構造と呼ばれる。凹凸形状３の凹凸はμｍオーダーである。凹凸形状３の受光面側には、受光面パッシベーション膜と反射防止膜を兼ねた窒化シリコン膜４が形成されている。
【００２７】
ｎ型シリコン基板２の裏面には、裏面パッシベーション膜５が形成されている。ｎ型シリコン基板２の裏面側には、ｎ＋層６とｐ＋層７が交互に接して形成されている。ｎ＋層６はｎ型拡散層と、ｐ＋層７はｐ型拡散層とも呼ばれる。ｎ型シリコン基板２とｐ＋層７の間およびｎ＋層６とｐ＋層７の間にｐｎ接合が形成される。さらに、ｎ＋層６にはｎ型用電極８が形成され、ｐ＋層７にはｐ型用電極９が形成されている。ｎ型用電極８およびｐ型用電極９は、インクジェット法やスクリーン印刷法で銀ペーストを印刷し焼成することにより８０〜１００μｍ幅の電極を形成する。
【００２８】
図２は、実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１の裏面の構造を模式的に示した図である。裏面電極型太陽電池１からｎ型用電極８、ｐ型用電極９および裏面パッシベーション膜５を除去し、ｎ＋層６およびｐ＋層７を露出させた状態を表している。ｎ＋層６とｐ＋層７は、交互に接して形成されている。ｎ＋層６とｐ＋層７は共に略矩形形状であり、ｎ＋層６は、裏面電極型太陽電池１の裏面の外周縁において互いに接続されている。ｐ＋層７の合計面積は裏面の全面積の８割以上であることが望ましい。シリコン基板の導電型であるｎ型と異なる導電型であるｐ＋層７の合計面積のほうがｎ＋層６の合計面積よりも大きいと、より高い短絡電流を得られるためである。従って、より面積の大きなｐ＋層７の方がｎ＋層６より幅が広くなる。一方、ｎ＋層６の上にｎ型用電極８を印刷する際の位置合わせのマージンを考慮すると、ｎ＋層６の幅は２００μｍ以上であることが望ましい。このように、裏面電極型太陽電池１は、縦方向と横方向でｎ＋層６やｐ＋層７などの構造が異なり、方向性を有する。
【００２９】
なお、ｎ＋層６は長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、ｎ＋層６間はｐ＋層７が形成されていてもよい。また、ｐ＋層７が長さ方向に対し垂直方向に分離されている場合は、ｐ＋層７間にｎ＋層６が形成されていてもよい。
【００３０】
ここで、右端のｐ＋層７は、その他のｐ＋層７とは上部の形状が異なり、ｐ＋層７の領域内に四角形形状のｎ＋層１０が存在する。このように、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２のある端部領域において他の端部領域と異なる部分を、マーク１１とする。また、ｐ＋層７の領域内に存在する四角形形状のｎ＋層１０自体を、マークと見なすこともできる。
【００３１】
図３は、実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１の製造工程を示した図である。以下、順に説明する。
【００３２】
まず、図３（ａ）に示すように、ｎ型シリコン基板２の受光面となる面の反対側の面である裏面に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等のテクスチャマスク２１を、ＣＶＤ法、またはスパッタ法等で形成する。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板２の受光面となる面に、凹凸形状３からなるテクスチャ構造を、エッチングにより形成する。エッチングは、例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、７０℃以上８０℃以下に加熱した溶液により行われる。
【００３４】
次に、図３（ｃ）を用いて次工程を説明する。図３（ｃ）は、ｎ型シリコン基板２の裏面側が上となっている。図３（ｃ）に示すように、ｎ型シリコン基板２の裏面に形成したテクスチャマスク２１を除去後、ｎ型シリコン基板２の裏面の全体に、拡散マスク２２として、例えば酸化シリコン膜を、ＣＶＤ法を用いて形成する。次に、拡散マスク２２上においてｎ＋層６およびｎ＋層１０を形成しようとする箇所に、拡散マスク２２をエッチングする成分を含有するエッチングペースト２３を、インクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布する。ここで、エッチングペースト２３としては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも１種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものを用いる。図３（ｃ）において二か所に塗布されたエッチングペースト２３のうち、より大きな右側の領域がｎ＋層６を形成しようとする箇所、より小さな左側の領域がｎ＋層１０を形成しようとする箇所である。
【００３５】
次に、図３（ｄ）に示すように、加熱処理を行い、拡散マスク２２をパターンエッチングする。これにより、拡散マスク２２には、ｎ＋層６およびｎ＋層１０を形成しようとする箇所に、開口部が形成される。次に、拡散マスク２２の開口部を覆うように、リンを含むリンインク２４をインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布する。このリンインク２４は、リン以外に例えば溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含む。
【００３６】
次に、図３（ｅ）に示すように、熱処理を行い、リンインク２４からリンが拡散してｎ＋層６およびｎ＋層１０が形成される。ここで、上記のように、ｎ＋層１０自体をマーク１１と見なした場合は、本工程においてマーク１１が形成されると言うことができる。
【００３７】
その後、ｎ型シリコン基板２に形成した拡散マスク２２ならびに拡散マスク２２にリンが拡散して形成されたガラス層、および熱処理後のリンインク２４を、フッ化水素酸処理により除去する。
【００３８】
次に、図３（ｆ）に示すように、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、酸化シリコン膜２５を形成する。この際、図３（ｆ）に示すように、ｎ＋層６上およびｎ＋層１０上の酸化シリコン膜２５は、ｎ型シリコン基板２上よりも厚く成膜される。これは、シリコン基板に拡散される不純物の種類と濃度により、熱酸化による酸化シリコン膜の成長速度が異なるためである。とくにｎ型不純物濃度が高い場合は、成長速度が速くなる。このため、ｎ型シリコン基板２よりもｎ型不純物濃度が高いｎ＋層６上およびｎ＋層１０上の酸化シリコン膜２５の膜厚の方が、ｎ型シリコン基板２上よりも厚くなる。ここで、熱酸化前のｎ＋層６およびｎ＋層１０のリンの表面濃度は、５×１０１９／ｃｍ３以上であり、熱酸化の処理温度の範囲としては、酸素による熱酸化で８００℃〜１０００℃、水蒸気による熱酸化で８００℃〜９５０℃である。例えば、９００℃で水蒸気による熱酸化を行った場合、ｎ＋層６上およびｎ＋層１０上以外の酸化シリコン膜２５の膜厚が７０ｎｍ〜９０ｎｍ、ｎ＋層６上の酸化シリコン膜２４の膜厚は２５０ｎｍ〜３５０ｎｍになった。
【００３９】
次に、図３（ｇ）に示すように、ｎ型シリコン基板２のｎ＋層６上およびｎ＋層１０上以外の酸化シリコン膜２５を、エッチングにより除去する。上記に示したように、酸化シリコン膜２５は、ｎ＋層６上およびｎ＋層１０上に厚く形成されているため、ｎ＋層６およびｎ＋層１０以外の領域でｎ型シリコン基板２が露出し、なおかつ、ｎ＋層６上およびｎ＋層１０上にｐ＋層形成時の拡散マスクとして機能する厚さが残るように、酸化シリコン膜２５をエッチングする。
【００４０】
次に、ｎ型シリコン基板２の受光面に、酸化シリコン膜等の拡散マスク２６を形成する。また、ｎ型シリコン基板２の裏面において、ｐ＋層７を形成しようとする箇所を覆うように、ボロンを含むボロンインク２７をインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布する。このボロンインク２７は、ボロン以外に例えば溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含む。その後、ボロンインク２７を焼結する。
【００４１】
次に、図３（ｈ）を用いて次工程を説明する。図３（ｈ）は、ｎ型シリコン基板２の受光面側が上となっている。ｎ型シリコン基板２の裏面には、熱処理により、ボロンインク２７からボロンが拡散してｐ＋層７が形成される。これにより、ｐｎ接合が形成される。ｐ＋層７のボロンの表面濃度は、１×１０１９／ｃｍ３以上が望ましい。あまり不純物の表面濃度が低いと、ｐ型用電極９との接触抵抗が大きくなるためである。ここで、上記のように、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分をマーク１１と見なした場合は、本工程においてマーク１１が形成されると言うことができる。
【００４２】
次に、図３（ｉ）に示すように、ｎ型シリコン基板２に形成した酸化シリコン膜２５、拡散マスク２６、酸化シリコン膜２５にボロンが拡散して形成されたガラス層、および熱処理後のボロンインク２７を、フッ化水素酸処理により除去する。さらに、ｎ型シリコン基板２の裏面に酸化シリコン膜による裏面パッシベーション膜５を形成するため、熱酸化を行う。この際、前記の図３（ｆ）を用いて説明した工程と同様に、裏面パッシベーション膜５は、ｎ＋層６上およびｎ＋層１０上の方が、ｐ＋層７上よりも厚く成膜される。
【００４３】
次に、図３（ｊ）に示すように、ｎ型シリコン基板２の受光面に、受光面パッシベーション膜と反射防止膜を兼ねた窒化シリコン膜４を、ＣＶＤ法により形成する。
【００４４】
その後、ｎ型シリコン基板２の裏面側に形成されたｎ＋層６、ｐ＋層７に電極を形成するため、ｎ型シリコン基板２の裏面に形成された裏面パッシベーション膜５にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷法等で塗布し、加熱処理により行われる。
【００４５】
次に、図３（ｋ）に示すように、ｎ型シリコン基板２の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、ｎ＋層６にはｎ型用電極８が形成され、ｐ＋層７にはｐ型用電極９が形成される。
【００４６】
以上の製造工程により、マーク１１を備えた裏面電極型太陽電池１を作製することができる。
【００４７】
以上のようにマーク１１を形成した場合、裏面電極型太陽電池１に機械的なダメージを与えることなくマーク１１を形成できることから、ｎ型シリコン基板２に割れが発生することを防止することができるという効果を有する。
【００４８】
また、上記の裏面電極型太陽電池１の製造方法によれば、マーク１１は、上記の図３（ｅ）を用いて説明した工程でｎ＋層６と同時に形成することができるので、工程を増やすことなくマーク１１を形成することができるという効果を有する。
【００４９】
以上説明した実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１の製造工程において、マーク１１は以下のように識別することができる。
【００５０】
まず、上記の図３（ｃ）を用いて説明した工程において、ｎ＋層１０を形成しようとする箇所の上にエッチングペースト２３が塗布されることから、ｎ＋層１０を形成しようとする箇所を目視で容易に識別することが可能である。
【００５１】
また、上記の図３（ｄ）を用いて説明した工程および上記の図３（ｅ）を用いた説明した工程において、パターンエッチングされた拡散マスク２２が形成されている領域のみで、光を当てた際の干渉色が見られる。従って、ｎ＋層１０を形成しようとする箇所またはｎ＋層１０が形成された箇所を、目視で容易に識別することが可能である。
【００５２】
また、上記の図３（ｆ）を用いて説明した工程において、ｎ型シリコン基板２上と、ｎ＋層６上およびｎ＋層１０上とで、酸化シリコン膜２５の膜厚差があることから、光を当てた際の干渉色が異なり、ｎ＋層６およびｎ＋層１０とその他の領域は、異なる色に見える。従って、ｎ＋層１０は、目視でも容易にその位置や形状を識別できる。
【００５３】
また、上記の図３（ｇ）および図３（ｈ）を用いて説明した工程において、酸化シリコン膜２５が残っている領域、すなわちｎ＋層６およびｎ＋層１０が形成されている領域のみで、光を当てた際の干渉色が見られる。従って、ｎ＋層１０は、目視でも容易にその位置や形状を識別できる。
【００５４】
また、上記の図３（ｉ）、図３（ｊ）および図３（ｋ）を用いて説明した工程において、ｐ＋層７上と、ｎ＋層６上およびｎ＋層１０上とで、裏面パッシベーション膜５の膜厚差があることから、光を当てた際の干渉色が異なり、ｎ＋層６およびｎ＋層１０とその他の領域は、異なる色に見える。従って、ｎ＋層１０は、目視でも容易にその位置や形状を識別できる。さらには、製造後においても裏面パッシベーション膜５の膜厚差によりｎ＋層１０を容易に識別できる。
【００５５】
このように、実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１の様々な製造工程において、ｎ＋層１０を形成しようとする箇所またはｎ＋層１０を、言い換えればマーク１１を、目視でも容易に識別できるという効果を有する。
【００５６】
なお、方向性確認要マークを形成する別の手段として、例えば上記の図３（ｋ）を用いて説明した電極形成工程において、銀ペーストを用いてマークを形成することも考えられる。しかし電極形成工程は製造の最終工程であり、それ以前の工程では銀ペーストによるマークを方向性確認に用いることができない。これに対し、マーク１１は、上記のように図３（ｃ）を用いて説明した工程から、すなわち、製造工程の早い段階から識別が可能である。
【００５７】
次に、マーク１１を識別する別の手段について説明する。太陽電池の評価手法として、ＰＬ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）法と、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）法がある。ＰＬ法は、太陽電池に光を照射し、その時ｐｎ接合において生成された電子・正孔対が再結合する際に放出される光を、裏面電極型太陽電池１の表面側から、ＣＣＤカメラ等で検出して評価する方法である。ＥＬ法は、太陽電池のｐｎ接合に電流を流し、これによって放出される光を、裏面電極型太陽電池１の表面側から、ＣＣＤカメラ等で検出して評価する方法である。いずれの方法も、太陽電池においてｐｎ接合が形成されている部分から光が放出される。このため、ｐｎ接合の欠陥等により光が放出されない領域を判別することができる。
【００５８】
実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１の場合、ｎ型シリコン基板２とｐ＋層７の間にｐｎ接合が形成されている。一方、ｎ型シリコン基板２とｎ＋層６およびｎ＋層１０は共にｎ型であるため、ｐｎ接合が形成されていない。このため、ＰＬ法またはＥＬ法を用いて、裏面電極型太陽電池１から放出される光を観測した場合、ｐ＋層７の形成された領域からは放出光が観測され、ｎ＋層６およびｎ＋層１０が形成された領域からは観測されない。従って、例えば図２に示したように、ｐ＋層７の中に形成されているｎ＋層１０は、ＰＬ法またはＥＬ法により、その位置や形状を容易に検出可能である。すなわち、マーク１１はＰＬ法またはＥＬ法により容易に検出可能である。
【００５９】
また、ＰＬ法またはＥＬ法は、ｐｎ接合から放出される光を検出することから、裏面電極型太陽電池１の製造後のみならず、製造工程の途中であっても、ｐｎ接合が形成された後であれは、マーク１１を検出可能である。
【００６０】
次に、マーク１１の利用方法について述べる。
【００６１】
マーク１１は、裏面電極型太陽電池１の製造工程において、例えば以下のような状況で利用することができる。何らかのトラブルの発生により、製造工程の途中のｎ型シリコン基板２を抜き出して検査を行った後、再び製造工程に戻すことが有る。前記の通り、裏面電極型太陽電池１は、縦方向と横方向でｎ＋層６やｐ＋層７などの構造が異なり、方向性を有する。このため、例えば抜き出して検査を行ったｎ型シリコン基板２を、９０度異なる方向にして製造工程に戻してしまうと、方向性の誤りのために製造不良が発生するという問題が有る。このため、裏面電極型太陽電池１の製造工程においては、裏面電極型太陽電池１の裏面の構造の方向性を考慮した処理を行う必要がある。
【００６２】
これに対し、実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１は、上記のように、マーク１１によりｎ型シリコン基板２の方向性を目視で確認できることから、容易に正しい方向に合わせて製造工程に戻すことができ、製造不良の発生を防止することが可能である。このように、マーク１１は裏面電極型太陽電池１の製造工程における処理の方向性確認用マークとして用いることができる。もちろん、目視の代わりに、ＰＬ法またはＥＬ法を用いて確認しても良い。
【００６３】
また、マーク１１は、裏面電極型太陽電池１を複数接続し、樹脂封止して太陽電池モジュールを作製する工程においても利用できる。複数の裏面電極型太陽電池１を配線で接続する際には、各裏面電極型太陽電池１の向きを揃える必要がある。この際にも、マーク１１を目視またはＰＬ法もしくはＥＬ法によって識別することにより、裏面電極型太陽電池１の向きを容易に確認することが可能である。
【００６４】
さらに、マーク１１は裏面電極型太陽電池１の裏面に形成されたものであるところ、上記の通り、ＰＬ法またはＥＬ法によれは、裏面電極型太陽電池１の表面側からマーク１１を検出可能である。例えば、裏面電極型太陽電池１を複数接続し、樹脂封止して作製した太陽電池モジュールにおいては、通常は裏面電極型太陽電池１の表面しか確認できない。しかし、このような場合であっても、マーク１１は、ＰＬ法またはＥＬ法により検出可能である。この結果、例えば以下のような状況で利用される。裏面電極型太陽電池１を複数用いて太陽電池モジュールを作製し、実際に使用を開始した後で、裏面電極型太陽電池１の不具合が顕在化する場合がある。このような場合、ＰＬ法またはＥＬ法により、裏面電極型太陽電池１の不具合の状況、例えば割れの発生の有無を検査する。この時、マーク１１の位置を併せて取得することで、太陽電池モジュールに用いられた各裏面電極型太陽電池１の、各製造工程における処理の方向性と不具合の発生位置を関連付けて解析することができる。より具体的には、例えばある工程における、裏面電極型太陽電池１の位置調整のための冶具が裏面電極型太陽電池１に接触する位置と、不具合の発生位置との関連を解析することが可能である。
【００６５】
なお、図２において、マーク１１は、ｎ型シリコン基板２の裏面の右上部分に形成されているが、その他の部分に形成されていても構わない。また、マーク１１は１個のみ形成されているが、複数個形成しても構わない。また、マーク１１を形成するｎ＋層１０は四角形形状であるが、三角形形状や円形形状など、その他の形状でもかまわない。また、マーク１１を形成するｎ＋層１０は、十字型の形状や、Ｌ字型の形状であっても構わない。
【００６６】
次に、マークのその他の例を説明する。
【００６７】
（実施例２）
図４は、実施例２にかかるマークを示した図である。実施例２は、前記実施例１の変形例である。図４において、右端の２つのｐ＋層７は、その他のｐ＋層７より短く、上部のｎ＋層６の部分が広い。すなわち、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分をマーク１１ａとして用いることができる。また、ｎ＋層６が大きく広がった部分をマーク１１ａと見なすこともできる。すなわち、マーク１１ａはｎ＋層６により形成されていると見なすこともできる。
【００６８】
なお、図４においては、右端の２つのｐ＋層７の長さが短い場合を示したが、１つのｐ＋層７の長さが短い場合や、３つ以上のｐ＋層７の長さが短い場合も、同様にマークとして用いることが可能である。
【００６９】
（実施例３）
図５は、実施例３にかかるマークを示した図である。実施例３は、前記実施例１の別の変形例である。図５に示した裏面電極型太陽電池１の裏面の右上部分において、ｐ＋層７の一部がｎ＋層６からなる分断領域１２ｂにより分断されて、四角形形状のｐ＋層７ｂが形成されている。すなわち、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分を、マーク１１ｂとして用いることが可能である。また、ｎ＋層６からなる分断領域１２ｂ自体をマークと見なすこともできる。
【００７０】
また、図５に示した裏面電極型太陽電池１の裏面の右下部分において、ｐ＋層７の一部がｎ＋層６からなる分断領域１２ｃにより分断されて、三角形形状のｐ＋層７ｃが形成されている。すなわち、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分を、マーク１１ｃとして用いることが可能である。また、ｎ＋層６からなる分断領域１２ｃ自体をマークと見なすこともできる。
【００７１】
なお、ＥＬ法は上記の通り、太陽電池のｐｎ接合に電流を流して光を放出させることから、ｐ＋層７ｂおよびｐ＋層７ｃは、電極が接続され電流が流れる場合であれば発光する。一方ＰＬ法であれば、ｐ＋層７ｂおよびｐ＋層７ｃに電極が接続されていなくても発光する。
【００７２】
また、マーク１１ｂおよびマーク１１ｃにおけるｐ＋層７ｂおよびｐ＋層７ｃは、四角形形状および三角形形状であるが、その他の形状であっても構わない。
【００７３】
また、図５においては、裏面電極型太陽電池１の裏面の右上部分および右下部分にそれぞれマーク１１ｂとマーク１１ｃを形成しているが、いずれか片方のみであってもマークとして用いることができる。
【００７４】
（実施例４）
図６は、実施例４にかかるマークを示した図である。実施例４は、前記実施例１のさらに別の変形例である。図６に示した裏面電極型太陽電池１の裏面の右上部分において、ｐ＋層７から四角形形状の突出部１３ｄが突出している。すなわち、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分を、マーク１１ｄとして用いることが可能である。
【００７５】
また、図６に示した裏面電極型太陽電池１の裏面の右下部分において、ｐ＋層７から三角形形状の突出部１３ｅが突出している。すなわち、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分を、マーク１１ｅとして用いることが可能である。
【００７６】
なお、マーク１１ｄおよびマーク１１ｅは、ｎ＋層６において、その一部が四角形形状または三角形形状に欠けていることにより、マークを形成していると見なすこともできる。すなわち、マークはｎ＋層６により形成されていると見なすこともできる。
【００７７】
また、図６においては、裏面電極型太陽電池１の裏面の右上部分および右下部分にそれぞれマーク１１ｄとマーク１１ｅを形成しているが、いずれか片方のみであってもマークとして用いることができる。
【００７８】
以上、図２、図４、図５および図６を用いて、実施形態１にかかる裏面電極型太陽電池１の裏面に形成するマークの様々な形態を説明した。これらのマークはいずれも、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分をマークとして用いている。上記の通り、このようなマークは、本実施形態にかかる裏面電極型太陽電池１の製造工程においては、熱酸化により形成された酸化シリコン膜２５の膜厚差や膜の有無により、目視でも容易に識別可能である。また、このようなマークは、熱酸化により形成された裏面パッシベーション膜５の膜厚差により、目視でも容易に識別可能である。また、上記の通り、このようなマークは、本実施形態にかかる裏面電極型太陽電池１にｐｎ接合が形成された後であれは、ＰＬ法またはＥＬ法によって識別可能である。すなわち、ｐ＋層７の形状がｎ型シリコン基板２の端部領域において他の端部領域と異なる部分を形成してマークとして用いることにより、本実施形態にかかる裏面電極型太陽電池１の製造工程および製造後のいずれにおいても、容易にマークを識別可能である。また、ＰＬ法またはＥＬ法によれば、これらのマークのいずれも、裏面電極型太陽電池１の表面側から検出可能である。
【００７９】
また、これらのマークのいずれも、ｐ＋層７の形状の違いにより形成されていることから、ｎ型シリコン基板２に機械的ダメージを与えることなく形成することができ、ｎ型シリコン基板２に割れが発生することを防止することができる。
【００８０】
また、これらのマークのいずれも、上記の図３（ｅ）を用いて説明した工程で、ｎ＋層６およびｎ＋層１０を形成する際に同時に形成され、または、図３（ｈ）を用いて説明した工程で、ｐ＋層７を形成する際に同時に形成されるので、工程を増やすことなくマークを形成することができる。
【００８１】
なお、本実施形態では、シリコン基板がｎ型である場合に関して説明したが、ｐ型シリコン基板を用いることも可能である。このようにシリコン基板がｐ型である場合、ｎ＋層の形状がｐ型シリコン基板の端部領域において他の端部領域と異なる部分を形成してマークとして用いることにより、ＥＬ法またはＰＬ法により識別することが可能である。
【００８２】
また、本実施形態の裏面電極型太陽電池１は、上記で開示した製造方法のほか、様々な製造方法で作製可能である。それらの製造方法にも、本実施形態のように熱酸化により形成したシリコン酸化膜の膜厚差を利用したマークの識別を行うことが可能である。
【００８３】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２に関して、実施例５、６を用いて説明する。
【００８４】
（実施例５）
本発明の実施例５にかかる裏面電極型太陽電池１０１は、上記の実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１とは異なる構造を有する。以下、詳細に説明する。
【００８５】
図７は、本発明の実施例５にかかる裏面電極型太陽電池１０１の断面構造を模式的に示した図である。ｎ型シリコン基板１０２の受光面側には、凹凸形状１０３が形成されている。凹凸形状１０３の受光面側には、受光面パッシベーション膜と反射防止膜を兼ねた窒化シリコン膜１０４が形成されている。
【００８６】
ｎ型シリコン基板１０２の裏面には、裏面パッシベーション膜１０５が形成されている。ｎ型シリコン基板１０２の裏面側には、ｎ＋層１０６とｐ＋層１０７が交互に離間して形成されている。ｎ＋層１０６はｎ型拡散層と、ｐ＋層１０７はｐ型拡散層とも呼ばれる。ｎ型シリコン基板１０２とｐ＋層１０７の間にｐｎ接合が形成される。さらに、ｎ＋層１０６にはｎ型用電極１０８が形成され、ｐ＋層１０７にはｐ型用電極１０９が形成されている。
【００８７】
図８は、実施例５にかかる裏面電極型太陽電池１０１の裏面の構造を模式的に示した図である。裏面電極型太陽電池１０１から、ｎ型用電極１０８、ｐ型用電極１０９および裏面パッシベーション膜１０５を除去し、ｎ型シリコン基板１０２、ｎ＋層１０６およびｐ＋層１０７を露出させた状態を表している。ｎ＋層１０６とｐ＋層１０７は、交互に離間して形成されている。ｎ＋層１０６とｐ＋層１０７は共に略矩形形状である。ｎ＋層１０６とｐ＋層１０７の間には、シリコン基板１０２が露出している。
【００８８】
ここで、前記の実施例１にかかる裏面電極型太陽電池１では、ｎ＋層６とｐ＋層７が交互に接して形成されていたところ、実施例５にかかる裏面電極型太陽電池１０１では、ｎ＋層１０６とｐ＋層１０７が交互に離間して形成されている点が、異なっている。
【００８９】
なお、ｎ＋層１０６は、長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、ｎ＋層１０６間は、シリコン基板１０２が露出されていてもよい。また同様に、ｐ＋層１０７は、長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、ｐ＋層１０７間は、シリコン基板１０２が露出されていてもよい。
【００９０】
ここで、右端のｐ＋層１０７は、その他のｐ＋層１０７とは上部の形状が異なり、ｐ＋層１０７の領域内に四角形形状でｎ型シリコン基板が露出しているｎ型シリコン基板露出部１１４がある。このように、ｐ＋層１０７の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分を、マーク１１１とする。また、ｎ型シリコン基板露出部１１４自体を、マークと見なすこともできる。
【００９１】
また、図８において、右端のｐ＋層１０７は、その他のｐ＋層１０７より短く、下部のシリコン基板１０２が露出している部分が広い。すなわち、ｐ＋層１０７の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分をマーク１１１ａとして用いることができる。
【００９２】
このように、マーク１１１およびマーク１１１ａは、ｐ＋層１０７において形状が異なる部分をマークとしていることから、これらのマークは、ｐ＋層１０７を形成する際に同時に形成される。
【００９３】
実施例５にかかる裏面電極型太陽電池１０１の場合、ｎ型シリコン基板１０２とｐ＋層１０７の間にｐｎ接合が形成されている。一方、ｎ型シリコン基板露出部１１４には、ｐｎ接合が形成されていない。このため、ＰＬ法またはＥＬ法を用いて、裏面電極型太陽電池１０１から放出される光を観測した場合、ｐ＋層１０７の形成された領域からは放出光が観測され、ｎ型シリコン基板露出部１１４からは観測されない。従って、マーク１１１は、上記のＰＬ法やＥＬ法を用いて容易に検出可能である。マーク１１１ａも同様である。
【００９４】
また、これらのマークは、実施形態１におけるマークと同様に、裏面電極型太陽電池１０１の製造後のみならず、製造工程の途中であっても、ｐｎ接合が形成された後であれば、ＰＬ法やＥＬ法で識別可能である。また、ＰＬ法またはＥＬ法によれば、これらのマークは、実施形態１におけるマークと同様に、裏面電極型太陽電池１０１の表面側から検出可能である。
【００９５】
なお、図８において、マーク１１１は、ｎ型シリコン基板１０２の裏面の右上部分に形成されているが、その他の部分に形成されていても構わない。また、マーク１１１は１個のみ形成されているが、複数個形成しても構わない。マーク１１１ａも同様である。
【００９６】
また、図８に示したｎ型シリコン基板１０２の裏面の右上部分において、ｐ＋層１０７の領域内でシリコン基板１０２が露出している部分は四角形形状であるが、三角形形状、円形形状、十字型の形状またはＬ字型等の形状であっても構わない。
【００９７】
また、図８においては、裏面電極型太陽電池１０１の裏面の右上部分および右下部分にそれぞれマーク１１１とマーク１１１ａを形成しているが、いずれか片方のみであってもマークとして用いることができる。
【００９８】
（実施例６）
図９は、実施例６にかかるマークを示した図である。実施例６は、前記実施例５の変形例である。図９に示した裏面電極型太陽電池１０１の裏面の右上部分において、ｐ＋層１０７の一部が分断領域１１２により分断されてシリコン基板１０２が露出しており、四角形形状のｐ＋層１０７ｂが形成されている。すなわち、ｐ＋層１０７の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分を、マーク１１１ｂとして用いることが可能である。また、分断領域１１２自体をマークと見なすこともできる。
【００９９】
また、図９に示した裏面電極型太陽電池１０１の裏面の右下部分において、ｐ＋層１０７から四角形形状の突出部１１３が突出している。すなわち、ｐ＋層１０７の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分を、マーク１１１ｄとして用いることが可能である。
【０１００】
このように、マーク１１１ｂおよびマーク１１１ｃは、ｐ＋層１０７において形状が異なる部分をマークとしていることから、これらのマークは、ｐ＋層１０７を形成する際に同時に形成される。
【０１０１】
マーク１１１ｂおよびマーク１１１ｃは、上記の実施例５と同様に、裏面電極型太陽電池１０１の製造後のみならず、製造工程の途中であっても、ｐｎ接合が形成された後であれば、ＰＬ法やＥＬ法を用いて容易に検出可能である。なお、ＥＬ法は上記の通り、太陽電池のｐｎ接合に電流を流して光を放出させることから、ｐ＋層１０７ｂは、電極が接続され電流が流れる場合であれば発光する。一方ＰＬ法であれば、ｐ＋層１０７ｂに電極が接続されていなくても発光する。
【０１０２】
また、マーク１１１ｂにおけるｐ＋層７ｂは、四角形形状であるが、その他の形状であっても構わない。
【０１０３】
また、図９においては、裏面電極型太陽電池１０１の裏面の右上部分および右下部分にそれぞれマーク１１１ｂとマーク１１１ｃを形成しているが、いずれか片方のみであってもマークとして用いることができる。
【０１０４】
（実施例７）
図１０は、実施例７にかかるマークを示した図である。実施例７は、前記実施例５の別の変形例である。図８に示した実施例５と比較すると、ｎ＋層１０６とｐ＋層１０７の位置が逆になっている。右端のｎ＋層１０６は、その他のｎ＋層１０６とは上部の形状が異なり、ｎ＋層１０６の領域内に四角形形状でｎ型シリコン基板が露出しているｎ型シリコン基板露出部１１４ｄがある。このように、ｎ＋層１０６の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分を、マーク１１１ｄとする。また、ｎ型シリコン基板露出部１１４ｄ自体を、マークと見なすこともできる。
【０１０５】
また、図１０において、右端のｎ＋層１０６は、その他のｎ＋層１０６より短く、下部のシリコン基板１０２が露出している部分が広い。すなわち、ｎ＋層１０６の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分が存在する。この部分をマーク１１１ｅとして用いることができる。
【０１０６】
このように、マーク１１１ｄおよびマーク１１１ｅは、ｎ＋層１０６において形状が異なる部分をマークとしていることから、これらのマークは、ｎ＋層１０６を形成する際に同時に形成される。
【０１０７】
図１０に示した実施例７にかかる裏面電極型太陽電池１０１の場合、裏面パッシベーション膜１０５が熱酸化による酸化膜により形成されている場合は、上記の実施形態１と同様に、裏面パッシベーション膜１０５は、ｎ＋層１０６上の方がｎ型シリコン基板１０２上よりも厚く成膜される。この膜厚差により、光を当てた際の干渉色が異なり、ｎ＋層１０６とその他の領域は、異なる色に見える。従って、マーク１１１ｄおよびマーク１１１ｅは、目視でも容易にその位置や形状を識別できる。さらには、裏面電極型太陽電池１０１の製造工程において、熱酸化による酸化シリコン膜をマスクとして用いる工程がある場合は、上記の実施形態１と同様に、酸化シリコン膜の膜厚差により目視でも容易にマークの位置や形状を識別できる。
【０１０８】
なお、図１０において、マーク１１１ｄは、ｎ型シリコン基板１０２の裏面の右上部分に形成されているが、その他の部分に形成されていても構わない。また、マーク１１１ｄは１個のみ形成されているが、複数個形成しても構わない。マーク１１１ｅも同様である。
【０１０９】
また、図１０に示したｎ型シリコン基板１０２の裏面の右上部分において、ｎ＋層１０６の領域内でシリコン基板１０２が露出している部分は四角形形状であるが、三角形形状、円形形状、十字型の形状またはＬ字型等の形状であっても構わない。
【０１１０】
また、図１０においては、裏面電極型太陽電池１０１の裏面の右上部分および右下部分にそれぞれマーク１１１ｄとマーク１１１ｅを形成しているが、いずれか片方のみであってもマークとして用いることができる。
【０１１１】
（実施例８）
図１１は、実施例８にかかるマークを示した図である。実施例８は、前記実施例６と前記実施例７のマークを組み合わせたものである。マーク１１１ｂおよびマーク１１１ｃは、ｐ＋層１０７において形状が異なる部分をマークとしており、マーク１１１ｄおよびマーク１１１ｅは、ｎ＋層１０６において形状が異なる部分をマークとしている。このように、ｎ＋層１０６およびｐ＋層１０７の両方にマークを形成してもかまわない。
【０１１２】
マーク１１１ｂおよびマーク１１１ｃは前記の通り、ＰＬ法やＥＬ法を用いて容易に検出可能である。また、マーク１１１ｄおよびマーク１１１ｅは前記の通り、裏面パッシベーション膜１０５の膜厚差により目視でも容易にその位置や形状を識別できる。従って、実施例８にかかるマークは、上記のいずれの方法でもマークを検出可能である。
【０１１３】
以上、図８、図９、図１０および図１１を用いて、実施形態２にかかる裏面電極型太陽電池１０１の裏面に形成するマークの様々な形態を説明した。実施例５、実施例６および実施例８にかかるマークは、ｐ＋層１０７の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分をマークとして用いている。また、実施例７および実施例８にかかるマークは、ｎ＋層１０６の形状がｎ型シリコン基板１０２の端部領域において他の端部領域と異なる部分をマークとして用いている。これらのマークはいずれも、実施形態１におけるマークと同様に、複数の裏面電極型太陽電池１０１を用いて太陽電池モジュールを作製した後において、各裏面電極型太陽電池１０１の、各製造工程における処理の方向性の確認に用いることができる。
【０１１４】
また、これらのマークのいずれも、ｐ＋層１０７または／およびｎ＋層１０６の形状の違いにより形成されていることから、ｎ型シリコン基板１０２に機械的ダメージを与えることなく形成することができ、ｎ型シリコン基板１０２に割れが発生することを防止することができる。
【０１１５】
また、これらのマークのいずれも、ｐ＋層１０７または／およびｎ＋層１０６と同時に形成することができるので、工程を増やすことなくマークを形成することができる。
【０１１６】
なお、本実施形態では、シリコン基板がｎ型である場合に関して説明したが、ｐ型シリコン基板を用いることも可能である。このようにシリコン基板がｐ型である場合、ｎ＋層の形状がｐ型シリコン基板の端部領域において他の端部領域と異なる部分を形成してマークとして用いることにより、ＥＬ法またはＰＬ法により識別することが可能である。
【０１１７】
上記の実施形態１および２において示したマークは一例であり、マークの位置や個数、形状等はこれに限られない。例えば、上記の実施形態１および２において示したマークは、いずれもシリコン基板の端部領域に形成しているが、シリコン基板のより内側に形成してもかまわない。ただし、シリコン基板の端部領域にマークを形成した方が、目視で把握しやすい。
【０１１８】
また、ｎ型シリコン基板の方向性を確実に判別できるようにするためには、９０度や１８０度の回転対称とならない位置、個数、形状等で形成することが好ましい。例えば、ｎ型シリコン基板の４つの頂点付近の端部領域のうち、1か所にマークを形成したり、ある辺の両端の２か所の頂点付近にマークを形成することが好ましい。
【０１１９】
また、上記の実施形態１および２において、マークはいずれもｎ型シリコン基板の頂点付近の端部領域に形成しているが、それ以外の端部領域に形成しても構わない。例えば、ｎ型シリコン基板のある辺の中央付近にマークを形成しても構わない。
【０１２０】
また、上記の実施形態１および２において、添付図面に図示されている構成等については、あくまで一例であり、これらに限定されるものではなく、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明に係る裏面電極型太陽電池、および裏面電極型太陽電池の製造方法は、裏面電極型太陽電池、および裏面電極型太陽電池の製造方法全般に広く適用することができる。
【符号の説明】
【０１２２】
１、１０１  裏面電極型太陽電池
２、１０２  ｎ型シリコン基板
３、１０３  凹凸形状
４、１０４  窒化シリコン膜
５、１０５  裏面パッシベーション膜
６、１０６  ｎ＋層
７、７ｂ、７ｃ、１０７、１０７ｂ  ｐ＋層
８、１０８  ｎ型用電極
９、１０９  ｐ型用電極
１０、１１０、１１０ａ、１１０ｂ  ｎ＋層
１１、１１ａ〜ｅ、１１１、１１１ａ〜１１１ｅ  マーク
１２ｂ、１２ｃ、１１２  分断領域
１３ｄ、１３ｅ、１１３  突出部
２１  テクスチャマスク
２２  拡散マスク
２３  エッチングペースト
２４  リンインク
２５  酸化シリコン膜
２６  拡散マスク
２７  ボロンインク
２８  酸化シリコン膜
２９  拡散マスク
３０  ボロンインク
５３  エッチングペースト
１１４、１１４ｄ  ｎ型シリコン基板露出部
【図１】
2015026665.tif 000003
【図２】
2015026665.tif 000004
【図３】
2015026665.tif 000005
【図４】
2015026665.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2015026665.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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