(57)【要約】【課題】配向膜のエッジ直進性向上およびムラ低減の両立が可能な技術を提供する。【解決手段】第１配向膜１２８が形成された第１基板１０１と、第２配向膜１４３が形成された第２基板１０２と、第１基板と第２基板とで挟持された液晶層１０３とを有し、第１基板と第２基板とを貼り合わせるシール材１５１の内側において、第１配向膜を取り囲んで配置された枠１６０を構成する材料は、第１配向膜を形成するための塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料である液晶表示装置とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ及び第１配向膜が形成された第１基板と、
前記第１基板と対向し、第２配向膜が形成された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を有し、
前記第１基板と前記第２基板とはシール材で貼り合わせられており、
前記シール材の内側において、前記第１配向膜の周囲には前記第１配向膜を取り囲んで枠が配置されており、
前記枠を構成する材料は、前記第１配向膜を形成するための塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記第１配向膜を形成するための塗布液は、ＧＢＬ（γ−ブチロラクトン）リッチであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記枠の幅は、５０μｍ〜３００μｍの範囲内の値であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記枠の高さは、０．３μｍ〜１．０μｍの範囲内の値であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記枠は、前記第１基板上に配置された有機絶縁膜上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶表示装置において、
前記枠は、前記有機絶縁膜に枠状に設けられた溝の上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項５記載の液晶表示装置において、
前記有機絶縁膜はスリットを有し、前記スリット内には前記シール材が充填されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記第１配向膜が形成されている前記第１基板の表面領域は、前記第２配向膜が形成されている前記第２基板の表面領域よりも凸凹が大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
表示領域に第１配向膜が形成された第１基板と、
前記第１基板と対向し、第２配向膜が形成された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を有し、
前記第１基板と前記第２基板とはシール材で貼り合わせられており、
前記第１基板には駆動回路部が設けられており、前記駆動回路部と前記表示領域との間には枠が配置されており、
前記第１配向膜は、前記枠から前記表示領域まで延在しており、
前記枠を構成する材料は、前記第１配向膜を形成するための塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９記載の液晶表示装置において、
前記枠の幅は、５０μｍ〜３００μｍの範囲内の値であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項９記載の液晶表示装置において、
前記枠の高さは、０．３μｍ〜１．０μｍの範囲内の値であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項９記載の液晶表示装置において、
前記枠は、前記第１基板上に配置された有機絶縁膜上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
薄膜トランジスタが形成された第１基板を準備する第１工程と、
インクジェット塗布により、前記第１基板の上に枠を形成する第２工程と、
前記枠で区切られた２つの領域のうちの一方の領域に第１配向膜を形成するための塗布液をインクジェット塗布する第３工程と、
前記第１配向膜を形成するための前記塗布液を塗布して、前記第１配向膜を形成する第４工程と、
第２配向膜が形成された第２基板を準備する５工程と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜とが互いに対向するように配置された前記第１基板と前記第２基板との間であって、シール材で囲まれた領域に液晶層を挟持する第６工程と、を有し、
前記枠を構成する材料は、前記第１配向膜を形成するための前記塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第２の工程における前記枠を形成する際、前記第１基板を加熱することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法において、
塗布された前記塗布液に対して光を照射して前記第１配向膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第２工程は、前記第１基板を加熱した状態で、前記枠を形成するための塗布液を塗布する工程および乾燥する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第３工程における前記第１基板の温度は、前記第４工程における前記第１基板の温度よりも低いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第４工程における前記第１基板の温度は、前記第２工程における前記第１基板の温度よりも低いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第３工程における前記第１配向膜を形成するための前記塗布液は、前記第２配向膜を形成するための塗布液よりも粘度が低いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、画像表示装置としてテレビジョン受像機等に用いられる液晶表示装置が知られている。近年、液晶表示装置は、薄型、低消費電力、高画質の画像表示装置として需要も活発化し、その技術進歩も著しい。特に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子を備えたアクテイブマトリクス型のカラー液晶表示装置が開発されている。液晶表示装置は、ＴＦＴ等が形成されたアレイ基板（ＴＦＴ基板）と、カラーフィルタ等が形成された対向基板（ＣＦ基板）と、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に挟持された液晶層とを有した液晶表示パネルを備えている。ＴＦＴ基板及びＣＦ基板は、それぞれ液晶層に接する配向膜を備えている。ＴＦＴ基板及びＣＦ基板は、シール材により貼り合わせられている。配向膜は、主にフレキソ印刷により形成されているが、狭額縁化に伴い求められる印刷位置精度を満たすことが困難になりつつある。そのため、フレキソ印刷に代えてインクジェットによる塗布が注目を集めている（特許文献１〜３）。
【０００３】
テレビジョン受像機に用いられる大型の液晶表示パネルのＴＦＴ基板の形成において、ガラス基板上にＴＦＴ等を形成した後、ガラス基板の配向膜形成領域内に塗布液を吐出するインクジェットによる塗布を用いて配向膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２６７６０号公報
【特許文献２】特開２００９−２５８３５１号公報
【特許文献３】特開２００７−１１４５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明者等は、今後益々狭額縁化が求められる液晶表示装置で用いる配向膜の形成法として、インク滴下位置精度の高いインクジェットによる塗布に着目し検討を行った。しかしながら、インクジェットによる塗布ではインク粘度が低い場合、インクが流れやすいため孔等凸凹の有る基板への塗布ムラ（セサミムラ）は低減できるものの、エッジ直進性が悪くなる。逆にインク粘度が高いとインクが流れないためエッジ直進性は良好だが、孔等凸凹の有る基板では塗布ムラが増加する。即ち、エッジ直進性と塗布ムラとは二律背反の関係にある。そこで、インク粘度とインクの滴下方法等の最適化を図るべく検討した結果、インク液滴を微細化すると共に滴下ピッチを狭くすることによりエッジ直進性及び塗布ムラの両者とも多少改善される条件範囲のあることが判明した。しかしながら、エッジ直進性と塗布ムラの二律背反性を根本的に解消するものではなく、今後要求される精度を満たすには不十分であると判断された。
【０００６】
本発明の目的は、配向膜のエッジ直進性向上およびムラ低減の両立が可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための一実施形態として、薄膜トランジスタ及び第１配向膜が形成された第１基板と、
前記第１基板と対向し、第２配向膜が形成された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を有し、
前記第１基板と前記第２基板とはシール材で貼り合わせられており、
前記シール材の内側において、前記第１配向膜の周囲には前記第１配向膜を取り囲んで枠が配置されており、
前記枠を構成する材料は、前記第１配向膜を形成するための塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料であることを特徴とする液晶表示装置とする。
【０００８】
また、表示領域に第１配向膜が形成された第１基板と、
前記第１基板と対向し、第２配向膜が形成された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を有し、
前記第１基板と前記第２基板とはシール材で貼り合わせられており、
前記第１基板には駆動回路部が設けられており、前記駆動回路部と前記表示領域との間には枠が配置されており、
前記第１配向膜は、前記枠から前記表示領域まで延在しており、
前記枠を構成する材料は、前記第１配向膜を形成するための塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料であることを特徴とする液晶表示装置とする。
【０００９】
また、薄膜トランジスタが形成された第１基板を準備する第１工程と、
インクジェット塗布により、前記第１基板の上に枠を形成する第２工程と、
前記枠で区切られた２つの領域のうちの一方の領域に第１配向膜を形成するための塗布液をインクジェット塗布する第３工程と、
前記第１配向膜を形成するための前記塗布液を塗布して、前記第１配向膜を形成する第４工程と、
第２配向膜が形成された第２基板を準備する５工程と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜とが互いに対向するように配置された前記第１基板と前記第２基板との間であって、シール材で囲まれた領域に液晶層を挟持する第６工程と、を有し、
前記枠を構成する材料は、前記第１配向膜を形成するための前記塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルを示す斜視図である。
【図２】上記液晶表示パネルを示す概略断面図である。
【図３】上記液晶表示パネルを示す概略平面図であり、配線の構造を示す図である。
【図４】図１乃至図３に示したＴＦＴ基板の一部を示す概略平面図である。
【図５】上記ＴＦＴ基板を示す拡大平面図であり、ＴＦＴ基板の配線構造を示す図である。
【図６】上記液晶表示パネルを示す拡大断面図であり、液晶表示パネルの構造を示す図である。
【図７】図３の線Ａ−Ａ’に沿った上記液晶表示パネルの周縁部の一例を概略的に示す拡大断面図である。
【図８】図３の線Ａ−Ａ’に沿った上記液晶表示パネルの周縁部の他の例を概略的に示す拡大断面図である。
【図９】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域の枠形成）を説明するための概略平面図である。
【図１０】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域に配向膜塗布液を塗布）を説明するための概略平面図である。
【図１１Ａ】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域の枠形成）を説明するための図９の線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域に配向膜塗布液を塗布）を説明するための図１１Ａと同一領域における概略断面図である。
【図１１Ｃ】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域に配向膜形成）を説明するための図１１Ａと同一領域における概略断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施例に係る他の液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域の枠形成）を説明するための図９の線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の一例を示す概略平面図である。
【図１４】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域に配向膜塗布液を塗布）を説明するための概略平面図である。
【図１５】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法における配向膜形成工程（配向膜形成領域に配向膜塗布液を塗布）を説明するための概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
始めに、本発明の実施形態の着想について説明する。
【００１２】
液晶表示パネルの配向膜の形成にインクジェット方式を採用することができる。インクジェット方式を採用した場合、所望の領域のみに塗布すればよいため塗布液の使用量を最小限に抑えることができ、製造コストを削減することができる。このため、インクジェット方式は生産性に優れている。
【００１３】
そして、インクジェット方式を用いることにより、大型の液晶表示パネルで求められる精度で配向膜を形成することが可能である。なぜなら、大型の場合、（１）塗布液中の溶剤の割合を上げる必要がなく一般的な粘度の塗布液を使用して膜厚の均一な配向膜を形成することができ、（２）配向膜の周縁の直線性を確保しなくとも良好な表示品位を得ることができ、（３）配向膜のハロー領域の影響により表示品位が低下する問題が生じないためである。ここで、ハロー領域とは、配向膜の周縁部の膜厚が不均一になる領域を言う。
【００１４】
一般に大型の液晶表示パネルの画素ピッチは大きく、配向膜形成面は比較的平坦である。塗布液の粘度を一般的な度合い未満に設定しなくとも、配向膜形成面上に吐出された塗布液は良好に広がることになる。このため、上記（１）に示したように膜厚の均一な配向膜を形成することができる。
【００１５】
また、一般に大型の液晶表示パネルの場合、面積に余裕があり額縁領域を確保することができる。ここで、額縁領域とは、表示領域の外側の領域であり液晶表示パネルの周縁部の領域を言う。一般的な粘度を有する塗布液を吐出するインクジェット方式を用いて配向膜を形成する場合であっても、配向膜の周縁の直線性を確保することは困難である。このため、配向膜の周縁は、例えば蛇行し、想定していた配向膜形成領域の外側にはみ出すことになる。しかしながら、額縁領域に余裕があるため、シール材の形成領域にも余裕があり、シール材と配向膜の下層との接着を十分に確保することが可能な領域にシール材を設けることができる。これにより、基板間のシール材による接着強度の低下を解消することができる。なお、シール材の形成領域の外側にまで配向膜が形成された場合、つまり、配向膜形成領域上にシール材が形成された場合、基板間の接着力が低下するとともに、配向膜の材質や特性によっては配向膜を経由して液晶パネル内に水分が侵入してくる可能性がある。液晶表示パネル内部に水分が侵入すると、表示品位の低下を招くことになる。
【００１６】
またさらに、大型の液晶表示パネルの場合には額縁領域に余裕があるため、表示領域の外側にハロー領域が位置するように配向膜を形成することが可能である。このため、上記（３）に示したように、配向膜のハロー領域の影響により表示品位が低下するという問題は生じ難い。
【００１７】
しかしながら、上記手法では、モバイル用端末（例えば、スマートフォン）用途等の小型の液晶表示パネルで求められる精度で配向膜を形成することは困難となる。なぜなら、小型の場合、次の（４）乃至（６）の問題が生じるためである。
【００１８】
（４）一般に小型の液晶表示パネルの画素ピッチは小さく、配向膜形成面は凸凹している。ＴＦＴ等に対応した領域の配向膜形成面は隆起し、スルーホール領域の配向膜形成面は窪むためである。配向膜形成面が平坦であるより凸凹していた方が塗布液は濡れ広がり難い。このため、インクジェット方式を用いて大型の液晶表示パネルで使用する塗布液（一般的な粘度の塗布液）を吐出すると、塗布液が十分に広がらず、配向膜の膜厚が不均一になったり、配向膜の一部が塗布されず欠落した箇所が形成されたりする恐れがある。上記のことから、一般的な粘度の塗布液を使用すると膜厚の均一な配向膜を形成し難いと言う問題が生じる。
【００１９】
（５）一般に小型の液晶表示パネルにおいて、面積に余裕のある額縁領域を確保することは困難である。上述したように塗布液を吐出するインクジェット方式を用いて配向膜を形成する場合、配向膜の周縁の直線性を確保することは困難であり、配向膜の周縁は、想定した配向膜形成領域の外側にはみ出すことになる。しかしながら、額縁領域に余裕がないため、シール材の形成領域にも余裕がなく、シール材と配向膜の下層との接着を十分に確保することが困難となる可能性がある。これにより、基板間の接着強度が低下する可能性が高まるとともに、配向膜の材料等によっては配向膜中を通ったり配向膜の界面を伝ったりすることによる液晶表示パネル内部への水分が侵入してくる可能性も高まる。上記のことから、配向膜の周縁の直線性を確保しないと良好な表示品位を得難いと言う問題が生じる。
【００２０】
（６）額縁領域に余裕がないため、表示領域の外側にハロー領域が位置するように配向膜を形成することが困難である。配向膜は、ハロー領域が表示領域に位置するように形成される恐れがある。ハロー領域では配向膜による液晶分子の配向が十分に行われなかったり、液晶層のギャップが狭くなる等の理由により、表示品位が低下すると言う問題が生じる。
【００２１】
上記（４）と（５）は二律背反の関係にあるものである。すなわち、塗布液の粘度が低いほど、塗布液は広がり易くなるため、膜厚の均一な配向膜を形成し易くなるが、配向膜の周縁の直線性を確保し難くなる。一方、塗布液の粘度が高いほど、塗布液は広がり難くなるため、膜厚の均一な配向膜を形成し難くなるが、配向膜の周縁の直線性を確保し易くなる。
【００２２】
上述したことから分かるように、上述したような配向膜を形成する手法では、小型の液晶表示パネルで求められる精度で配向膜を形成することは困難である。
【００２３】
そこで、本発明の実施形態においては、この課題の原因を解明し、この課題を解決することにより、狭額縁化を図ることができ、製品歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネルの製造方法を得ることができるものである。次に、本発明の実施形態の課題解決のため、上記着想を具体化する手段について説明する。尚、上記では、小型の液晶表示パネルと大型の液晶表示パネルとの相違について記述しているが、将来において、大型の液晶表示パネルにおいても額縁領域を狭くする要求が強くなることは考えられる。その場合は、本願発明を大型パネルに対しても適用することが可能である。本願発明が大型の液晶表示パネルを排除している訳ではない。
【００２４】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等につて模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【実施例１】
【００２５】
本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置およびその製造方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００２６】
始めに、液晶表示装置における液晶表示パネルの構成について説明する。図１乃至図６に示すように、液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板（アレイ基板）１０１と、ＴＦＴ基板に所定の隙間を置いて対向配置された対向基板（ＣＦ基板）１０２と、これら両基板間に挟持された液晶層１０３と、カラーフィルタ１０４（図６）とを備えている。ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２の外面には、偏光板がそれぞれ配置される。また、ＴＦＴ基板１０１の外面側には、バックライトユニットが配置されて液晶表示装置を構成する。ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２は矩形状の表示領域Ｒ１（図３）を有している。カラーフィルタ１０４は、対向基板１０２に設けられているが、ＴＦＴ基板１０１に設ける構成であってもよい。表示領域Ｒ１は矩形以外の形状であってもよい。
【００２７】
ＴＦＴ基板１０１は、透明な絶縁基板としてガラス基板１１１を有している（図６）。表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１１上には、行方向Ｘに延びているとともに行方向Ｘと直交した列方向Ｙに間隔を置いて並んだ複数の走査線１１５と、複数の走査線１１５と交差して列方向Ｙに延びているとともに行方向Ｘに間隔を置いて並んだ複数の信号線１２１とが格子状に配置されている（図５）。
【００２８】
ガラス基板１１１上には、補助容量素子１２４を構成し、かつ、複数の信号線１２１と交差して行方向Ｘに延びているとともに列方向Ｙに間隔を置いて並んだ複数の補助容量線１１７が形成されている。補助容量線１１７は走査線１１５と平行に延びている（図５）。
【００２９】
ここで、ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２は、複数の信号線１２１及び複数の走査線１１５で囲まれたマトリクス状の複数の画素１２０を有している（図４）。すなわち、各画素１２０は隣合う２本の信号線１２１及び隣合う２本の走査線１１５で囲まれた領域である。ＴＦＴ基板１０１の画素１２０にはスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１９がそれぞれ設けられている（図５）。より詳しくは、ＴＦＴ１１９は、走査線１１５と信号線１２１との各交差部近傍に設けられている（図５）。
【００３０】
ＴＦＴ１１９は、半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）又はポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体層１１２と、走査線１５の一部を延出してなるゲート電極１１６とを有している。本実施の形態では、半導体層１１２及び後述する補助容量電極１１３はｐ−Ｓｉで形成されている（図５）。
【００３１】
表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１１上には、半導体層１１２と、補助容量電極１１３とが形成され、これら半導体層及び補助容量電極を含むガラス基板上にゲート絶縁膜１１４が成膜されている。ゲート絶縁膜１１４上に、走査線１１５、ゲート電極１１６及び補助容量線１１７が配設されている。補助容量線１１７及び補助容量電極１１３はゲート絶縁膜１１４を挟み、対向配置されている。走査線１１５、ゲート電極１１６及び補助容量線１１７を含むゲート絶縁膜１１４上には層間絶縁膜１１８が成膜されている。この実施形態において、層間絶縁膜１１８は無機絶縁膜である（図５、図６）。
【００３２】
層間絶縁膜１１８上には、信号線１２１及びコンタクト電極１２２が形成されている（図６）。各コンタクト電極１２２は、ゲート絶縁膜１１４及び層間絶縁膜１１８に形成されたコンタクトホールを通って半導体層１１２のドレイン領域及び後述する画素電極１２６にそれぞれ接続されている。さらに、コンタクト電極１２２は、ゲート絶縁膜１１４及び層間絶縁膜１１８に形成された他のコンタクトホールを通って補助容量電極１１３に接続されている。ここで、補助容量線１１７は、補助容量電極１１３とコンタクト電極１２２との接続部を除いて形成されている。
【００３３】
信号線１２１は、ゲート絶縁膜１１４及び層間絶縁膜１１８に形成されたコンタクトホールを通って半導体層１１２のソース領域と接続されている。層間絶縁膜１１８、信号線１２１及びコンタクト電極１２２に重ねて保護絶縁膜１２３が形成されている。保護絶縁膜１２３は、基板上の配線等から生じる凹凸を平坦化する平坦化膜としての役割も果たす。この実施形態において、保護絶縁膜１２３は有機絶縁膜である。保護絶縁膜１２３は、表示領域Ｒ１だけでなく、表示領域Ｒ１を囲む矩形枠状の額縁領域Ｒ２も覆っている。保護絶縁膜１２３の膜厚は、例えば２．５μｍである。
【００３４】
保護絶縁膜１２３上には、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）等の透明な導電膜により画素電極１２６がそれぞれ形成されている（図６）。コンタクト電極１２２に重なった保護絶縁膜１２３には複数のコンタクトホール１２５が形成されている。これらのコンタクトホール１２５は、複数の画素１２０に設けられている。
【００３５】
各画素電極１２６は、コンタクトホール１２５を通ってコンタクト電極１２２に接続されている。各画素電極１２６の周縁部は、補助容量線１１７及び信号線１２１に重なっている。画素電極１２６は、画素１２０をそれぞれ形成している。
【００３６】
上記のように、ガラス基板１１１上にアレイパターン１０１ｐが形成されている（図２）。表示領域Ｒ１において、アレイパターン１０１ｐは、ガラス基板１１１と画素電極１２６との間に積層されたものである。
【００３７】
アレイパターン１０１ｐ（画素電極１２６、保護絶縁膜１２３等）上には配向膜１２８が形成されている（図６）。配向膜１２８は、配向膜形成領域内に形成されている。配向膜１２８の周縁は、枠（土手部）１６０に接している。このため、配向膜１２８の周縁の形状は、枠１６０により規制されている。配向膜１２８は、有機物であるポリイミドで形成されている。配向膜１２８の膜厚は、例えば０．１μｍである。
【００３８】
一方、額縁領域Ｒ２においては、図３及び図７に示すように、ガラス基板１１１上には、枠（土手部）１６０が形成されている。額縁領域Ｒ２において、アレイパターン１０１ｐは、ゲート絶縁膜１１４、層間絶縁膜１１８及び保護絶縁膜１２３を有し、その他に少なくとも保護絶縁膜１２３で覆われた駆動回路、各種配線等も有している。
【００３９】
枠１６０は、配向膜形成領域の外周部の全域に亘って保護絶縁膜１２３の上に形成されている。枠１６０は、額縁領域Ｒ２に位置している。枠１６０は、枠状（表示領域Ｒ１を囲む矩形枠状）に形成され、分断されること無く連続的に形成されている。このため、枠１６０を矩形壁状の突起と言うことができる。本実施例において、枠１６０の幅は、例えば２００μｍとした。但し、５０μｍ〜３００μｍの範囲を用いることができる。５０μｍ未満ではインクジェット塗布の際、途中で枠（土手部）用インクが途切れることがあり、配向膜塗布液を確実に堰き止めることが困難となる場合がある。又、３００μｍを超えると枠の直進性が悪化すると共に、狭額縁化の妨げとなる恐れがある。枠の高さは０．５μｍとした。但し、０．３μｍ〜１．０μｍの範囲を用いることができる。配向膜塗布液の塗布直後の膜厚が４〜５μｍ程度であるため、０．３μｍ未満では配向膜塗布液を堰き止めることが困難となる。また、ＴＦＴ基板と対向基板との間の距離（セルギャップ）を考慮すると、１．０μｍ以下が望ましい。枠１６０を構成する材料としては、配向膜１２８を形成するための配向膜塗布液の溶媒に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料が好適である。低溶解性なだけでは配向膜塗布液の拡がりを堰き止めることができない。また、高撥水性なだけでは、その程度により枠１６０を構成する材料が配向膜塗布液と接触して配向膜塗布液内に混入し焼き付きやムラが生じ、又枠１６０と配向膜塗布液との間に隙間が生じてしまう。枠を配置することにより、周縁側への配向膜１２８の広がりを抑制することができ、配向膜１２８の周縁が配向膜形成領域の外側にはみ出さないように配向膜１２８を形成することができる。尚、枠は分断されることなく連続するとしているが、矩形形状のコーナー部等で一部分断された形状とすることも可能である。
【００４０】
また、額縁領域Ｒ２において、図８に示すように保護絶縁膜１２３はスリット１２３ｈを有していてもよい。スリット１２３ｈは、保護絶縁膜を貫通し、層間絶縁膜１１８を剥き出しの状態にするように形成されている。スリット１２３ｈは、枠状に形成され、ここでは矩形枠状に連続して形成されている。スリット１２３ｈは、数μｍ乃至数十μｍの幅を有している。スリット１２３ｈは層間絶縁膜１１８を剥き出しの状態にすることに限らず、ガラス基板１１１等を剥き出しにするものであってもよい。
【００４１】
シール材１５１は、スリット１２３ｈにも充填して形成されている。シール材１５１は、水分を遮断する性質を有しているため、保護絶縁膜１２３や保護絶縁膜１２３の表面（界面）を伝うことによる液晶表示パネル内部への水分の侵入を防止することができる。
【００４２】
次に対向基板の構成について説明する。図１、図２、図３、図６及び図７に示すように、対向基板１０２は、透明な絶縁基板としてガラス基板１４１を備えている（図６）。このガラス基板１４１上（ＴＦＴ基板側、図６では下方に対応）には、カラーフィルタ１０４が設けられている。カラーフィルタ１０４は、例えば赤色の着色層１３０Ｒ、緑色の着色層１３０Ｇ、青色の着色層１３０Ｂを有している（図６）。
【００４３】
遮光部１３１は、格子状に形成されている。遮光部１３１は、走査線１１５、補助容量線１１７及び信号線１２１に対向して形成されている。周辺遮光部１３２は、矩形枠状に形成され、額縁領域Ｒ２の全体に形成されている。周辺遮光部１３２は、表示領域Ｒ１の外側から漏れる光の遮光に寄与している。
【００４４】
着色層１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、ガラス基板１４１及び遮光部１３１上（ＴＦＴ基板側）に形成されている。着色層１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、列方向Ｙに沿って帯状に延在している。着色層１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、行方向Ｘに互いに隣接し、交互に並べられている。着色層１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂの周縁部は、遮光部１３１に重なっている。
【００４５】
なお、カラーフィルタ１０４上には、オーバーコート層を配置してもよい。これにより、遮光部１３１及びカラーフィルタ１０４の表面の凹凸の影響を緩和することができる。
【００４６】
カラーフィルタ１０４（オーバーコート層）上（ＴＦＴ基板側）に、ＩＴＯ等の透明な導電膜により対向電極１４２が形成されている。上記のように、ガラス基板１４１上（ＴＦＴ基板側）に対向パターン１０２ｐが形成されている。対向パターン１０２ｐは、カラーフィルタ１０４及び対向電極１４２を有している（図６、図７）。対向パターン１０２ｐは、オーバーコート層をさらに有していてもよい。
【００４７】
対向パターン１０２ｐ上には、スペーサとしての複数の柱状スペーサ１８０と、配向膜１４３とが形成されている（図７）。柱状スペーサ１８０は、少なくとも表示領域Ｒ１に形成されている。柱状スペーサ１８０の高さは、セルギャップに対応させることができ、例えば３乃至５μｍとすることができる。
【００４８】
配向膜１４３は、配向膜形成領域内に形成されている。配向膜１４３の周縁は、枠１８１に接している（図７）。このため、配向膜１４３の周縁の形状は、枠１８１により規制されている。配向膜１４３は、有機物であるポリイミドで形成されている。配向膜１４３の膜厚は、例えば０．１μｍである。対向基板１０２側の配向膜１４３は、ＴＦＴ基板１０１側の配向膜１２８と同一の材質のもであっても異なった材質のものであってもよい。
【００４９】
枠１８１は、ガラス基板１４１上の配向膜形成領域の外周部の全域に亘って形成されている。枠１８１は、額縁領域Ｒ２に位置している。枠１８１は、枠状（矩形枠状）に形成され、分断されること無く連続的に形成されている。本実施例において、枠１８１の幅は、例えば２００μｍである。枠１８１は、有機物であるポリイミドで形成されている。枠１８１の高さは、例えば１．７μｍである。
【００５０】
枠１８１を形成することにより、対向基板１０２の周縁側への配向膜１４３の広がりを抑制することができ、配向膜１４３の周縁が配向膜形成領域の外側にはみ出さないように配向膜１４３を形成することができる。また、枠１８１は直線性を有しているため、配向膜１４３の周縁が蛇行することを抑制することができ、すなわち配向膜１４３の周縁の直線性を確保することができる。
【００５１】
図１乃至図３及び図７に示すように、ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２は、複数の柱状スペーサ１８０により所定の隙間を置いて対向配置されている（図２）。シール材１５１は、額縁領域Ｒ２において、ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２間に設けられ、矩形枠状に連続して形成されている（図３）。
【００５２】
ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２は、シール材１５１により互いに接合されている（貼り合わせられている）。シール材１５１は、水分を遮断する性質を有している。シール材１５１は、アクリル等の樹脂を利用して形成することができる。シール材１５１の外縁は、枠１６０、１８１よりも基板（ＴＦＴ基板１０１及びＣＦ基板１０２）の外縁側に位置している（図７）。このため、枠１６０、１８１や配向膜１２８、１４３の表面（界面）を伝っての表示領域Ｒ１側への水分の侵入を遮断することができる。尚、シール材１５１は、枠１６０、１８１よりも表示領域Ｒ１側に形成されたとしても、表示領域Ｒ１に影響を与えなければ問題無い。
【００５３】
液晶層１０３は、ＴＦＴ基板１０１、対向基板１０２及びシール材１５１で囲まれた空間に封入されている。
【００５４】
次に、ＴＦＴ基板の保護絶縁膜１２３の上に配向膜１２８を形成する手順について図９、図１０、図１１Ａ〜図１１Ｃを用いて説明する。先ず、保護絶縁膜１２３が形成された複数の液晶表示パネル領域（ここでは、４×４の領域）を含むＴＦＴ基板１０１を準備し、配向膜形成領域を規定する枠１６０をそれぞれの液晶表示パネル領域に形成する（図９）。具体的には、加熱したＴＦＴ基板１０１の所定の領域に配向膜塗布液の溶媒に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料を含む液体を用いてインクジェット方式により塗布する。ＴＦＴ基板１０１が加熱されているため、ＴＦＴ基板の保護絶縁膜上の所定の領域に塗布されると直ちに乾燥し、図１１Ａ（図９の線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図）に示すようにコーヒーステイン現象により両端に凸部を有する高さＨが０．５μｍ、幅Ｗが２００μｍの枠が形成される。なお、配向膜が形成される対向基板の表面に対しＴＦＴ基板の表面は凹凸が大きいため、ＴＦＴ基板用の配向膜塗布液の粘度の方が対向基板用に用いる配向膜塗布液の粘度に比較して低く調整されていてもよい。枠を構成する材料として低溶解性で且つ高撥水性の有機材料を含むインクを用いることにより、配向膜塗布液を効果的に堰き止めることができる。なお、配向膜塗布液がＧＢＬ（γ−ブチロラクトン）リッチな溶剤の場合、枠（土手部）はＧＢＬに対して難溶性であって、撥水性側鎖が付与されたポリマを用いることができる。尚、枠形成に使用する有機材料によっては加熱が不要な場合もある。
【００５５】
枠１６０を形成後、常温のＴＦＴ基板に対して図１０に示すように枠１６０で囲まれた配向形成領域にポリイミドを含む配向膜塗布液を４〜５μｍの厚さとなるようにインクジェット塗布する。この時の断面図を図１１Ｂ（図１１Ａと同じ領域）に示す。枠１６０により配向膜塗布液（配向膜を形成するための塗布液）１２８aは堰きとめられた状態となる。その後、ＴＦＴ基板を加熱することにより、０．１μｍ程度の厚さの配向膜が形成される（図１１Ｃ）。配向膜形成時のＴＦＴ基板の温度は、配向膜の膜厚の均一性を考慮して枠形成時のＴＦＴ温度よりも低いことが望ましい。
【００５６】
対向基板側の配向膜も上記手順で同様に形成することができる。なお、対向基板側に形成する枠１８１は、例えば柱状スペーサ１８０を形成する際に所定のフォトマスクを使用することにより柱状スペーサ１８０と同時に形成することができる。この場合、製造工程を増やすことなく枠１８１を形成することができる。そして、上記フォトマスクにハーフトーンマスクを使用することにより、柱状スペーサ１８０より高さの低い枠１８１を形成することができる。これにより、セルギャップの均一化に寄与することができる。
【００５７】
配向膜を形成し、配向膜にラビングや紫外線等の光照射等の配向処理を施した後、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる。具体的には、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２の何れか一方にシール材を設ける。ここでは、ＴＦＴ基板１０１の額縁領域Ｒ２に全周に亘って、シール材を設ける。シール材としては、有機系の材料として、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂を利用することができる。これにより、枠状にシールが形成される。
【００５８】
その後、シール材で囲まれた領域に液晶材料を滴下する。続いて、配向膜１２８及び配向膜１４３が対向するよう、ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２を対向配置し、ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２を複数の柱状スペーサ１８０により所定の隙間を保持し、ＴＦＴ基板１０１及び対向基板１０２の周縁部をシール材により貼り合せる。
【００５９】
次いで、外部よりシール材に紫外線を照射してシール材を硬化させ、さらに熱硬化処理を施し、本硬化させる。これにより、シール１５１を介してＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とが接合される。
【００６０】
続いて、貼り合わされたＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との積層基板を分割する。これにより、図３に示すような液晶表示パネルが１６組完成する。
【００６１】
その後、液晶表示パネルにバックライト等を組み合わせて液晶表示装置が完成する。液晶表示装置１００の一例を図１３に示す。符号２１０は駆動回路部を示す。この方法を用いることにより、狭額縁であっても高い歩留まりで液晶表示装置を製造することができた。また、この液晶表示装置を評価したところ、狭額縁であっても焼き付きやムラが低減され高品質な画像を得ることができた。尚、駆動回路部２１０では、ＴＦＴ基板上に形成された端子と半導体チップ等からなる駆動回路とが異方性導電シートを介して接続されている。駆動回路部は、液晶表示パネルの１か所に限らず、複数個所に設けることも可能である。
【００６２】
上記手法により、モバイル用端末（例えば、スマートフォン）用途等の小型の液晶表示パネルで求められる精度で配向膜１２８（１４３）を形成することが可能となる。なぜなら、上記（４）乃至（６）の問題を解消することができるためである。
【００６３】
すなわち、一般的な粘度の塗布液より粘度の低い配向膜塗布液１２８ａを使用することができるため、上記（４）の問題を解消することができる。低溶解性で且つ高撥水性の有機材料を含むインクを用いて形成された枠１６０は、配向膜塗布液１２８ａを堰き止めることができるためである。配向膜塗布液１２８ａの粘度を低くすることにより、配向膜形成面が凸凹していても配向膜塗布液１２８ａは良好に濡れ広がり、膜厚の均一な配向膜１２８を形成することができるためである。
【００６４】
また、配向膜１２８、１４３の周縁の直線性を確保することができるため、上記（５）の問題を解消することができる。配向膜１２８、１４３の周縁の形状は、枠１６０、１８１により規制されるためである。そして、配向膜１２８、１４３は、周縁が配向膜形成領域の外側にはみ出さないように形成される。
【００６５】
このため、額縁領域（シール材１５１の形成領域）に余裕がない場合であっても、配向膜１２８、１４３及び枠１６０、１８１が外気に露出しないようにシール材を設けることが可能となる。これにより、配向膜１２８、１４３及び枠１６０、１８１中を通ったり配向膜１２８、１４３及び枠１６０、１８１の界面を伝ったりすることによる液晶表示パネル内部への水分の侵入を防止することができる。また、表示品位の低下を防止することができる。
【００６６】
表示領域Ｒ１の外側にハロー領域が位置するように配向膜１２８、１４３を形成することが可能となるため、上記（６）の問題を解消することができる。枠１６０、１８１が存在することにより、配向膜１２８、１４３のハロー領域の面積を低減することができるためである。これにより、配向膜１２８、１４３のハロー領域の影響による表示品位の低下を防止することができる。
【００６７】
そして、上記のように、二律背反の関係にあった上記（４）と（５）の問題をともに解消することができるものである。すなわち、配向膜塗布液１２８ａの粘度を低くすることができるため、配向膜塗布液１２８ａを濡れ広がり易くすることができ、膜厚の均一な配向膜１２８を形成し易くすることができる。また、枠１６０を設けることにより、配向膜１２８の周縁の直線性を確保し易くすることができる。
【００６８】
また、上記のことから、インクジェットによる塗布を用いて配向膜１２８、１４３を形成することができ、生産性に優れた手法を採ることができる。
【００６９】
以上本実施例によれば、配向膜のエッジ直進性向上およびムラ低減の両立が可能な技術を提供することができる。また、狭額縁であっても画像の品質が高い液晶表示装置を提供することができる。また、狭額縁であっても歩留まりの高い液晶表示装置の製造方法を提供することができる。また、保護有機膜にスリットを形成し、シール材で覆うことにより、液晶表示パネル内への水分の侵入をより低減することができる。
【実施例２】
【００７０】
本発明の第２の実施例について図１２を用いて説明する。なお、実施例１に記載され本実施例以降の実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例以降の実施例にも適用することができる。実施例１と本実施例との違いは、ＴＦＴ基板の枠（土手部）１６０が形成される保護絶縁膜１２３の形状が異なる点にある。
【００７１】
本実施例に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０１は、図１２に示すように配向膜形成領域の外周部の全域に亘って保護絶縁膜１２３に形成された溝（凹部）１２３ｒを有する。保護絶縁膜１２３に形成された溝１２３ｒは、枠１６０が形成される額縁領域Ｒ２に位置している。この場合、保護絶縁膜１２３に形成された溝１２３ｒは、枠状（矩形枠状）に形成され、分断されること無く連続的に形成される。溝１２３ｒの幅とピッチは、例えば２０μｍである。なお、溝は必ずしも保護絶縁膜に形成する必要はなく、ＴＦＴ基板に形成された他の有機膜や無機膜であってもよい。配線パターン段差を用いることもできる。
【００７２】
枠６０の高さｈは、例えば１．７μｍであり、保護絶縁膜１２３の上面からの高さが０．３μｍ〜１．０μｍとなるように形成した。保護絶縁膜１２３に溝１２３ｒを形成することにより、対向基板１０２と枠１６０との間に隙間（所望のセルギャップ）を確保又は一層確保しつつ、枠１６０の高さ制限を緩和することができる。そして、溝１２３ｒにより、枠１６０の幅方向への広がりを一層抑制することができる（溝が無い場合の１／２程度）。そして、額縁領域Ｒ２の各辺において、溝１２３ｒは直線的に延出して形成されている。このため、額縁領域Ｒ２の各辺における枠１６０の直線性（直進性）を実施例１に比べてより一層確保することができる。
【００７３】
上記のように、溝１２３ｒ上に枠１６０を形成することにより、枠１６０を一層高く形成することができ、枠１６０の所望の体積を確保することができる。所望の体積を有した枠１６０により、ＴＦＴ基板１０１の周縁側への配向膜１２８の広がりを抑制することができ、配向膜１２８の周縁が配向膜形成領域の外側にはみ出さないように配向膜１２８を形成することができる。また、枠１６０は直線性を有しているため、配向膜１２８の周縁が蛇行することを抑制することができ、すなわち配向膜１２８の周縁の直線性を確保することができる。また、枠の幅が小さくなった分だけ枠形成用インクは溝に沿って長手方向に拡がるため枠形成用インクの滴下ピッチを大きくとれ、インク使用量を低減できる。
【００７４】
また、枠１６０の幅を増加させなくとも枠１６０の所望の体積を確保することができる。上記のように、配向膜１２８の周縁の直線性を確保することができ、枠１６０の幅を増加させなくともよいため、狭額縁化に寄与することができる。
【００７５】
また、対向基板１０２は、ガラス基板１４１上の配向膜形成領域の外周部の全域に亘って形成された溝を有していてもよい。例えば、対向パターン１０２ｐがオーバーコート層を有している場合、オーバーコート層の額縁領域Ｒ２に溝を形成することができる。これにより、枠１８１をオーバーコート層の溝上に形成することができる。
【００７６】
対向基板１０２側においても溝を形成することにより、ＴＦＴ基板１０１と枠１８１との間に隙間（所望のセルギャップ）を確保又は一層確保しつつ、枠１８１の高さ制限を緩和することができる。そして、枠１８１の幅方向への広がりを抑制することができる。
【００７７】
また、所望の体積を有した枠１８１を形成することができ、対向基板１０２の周縁側への配向膜１４３の広がりを抑制することができ、配向膜１４３の周縁が配向膜形成領域の外側にはみ出さないように配向膜１４３を形成することができる。またさらに、枠１８１の直線性をより高めることができる。枠１８１の幅を低減することも可能となる。これにより、狭額縁化に一層寄与することができる。
【００７８】
なお、保護絶縁膜に形成される溝１２３ｒの幅、枠１６０の高さ及び幅、並びに枠１８１の高さ及び幅は、上述した値に限定されるものではなく種々変形可能である。溝１２３ｒ及び枠１６０、１８１は、セルギャップを確保することができ、ＴＦＴ基板に滴下される配向膜塗布液１２８ａ及びＣＦ基板に滴下される配向膜塗布液を堰き止めることができるように形成されていればよい。
【００７９】
図１２に示す構造のＴＦＴ基板を用い、図９〜図１１Ｃに示した手順で枠及び配向膜を形成して液晶表示装置を作製したところ、狭額縁であっても高い歩留まりで液晶表示装置を製造することができた。また、この液晶表示装置を評価したところ、狭額縁であっても焼き付きやムラが低減され高品質な画像を得ることができた。
【００８０】
以上本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。また、枠を溝上に形成することにより、より狭額縁化を図ることができる。
【実施例３】
【００８１】
本発明の第３の実施例について図１４を用いて説明する。実施例１と本実施例との違いは、複数の液晶表示パネル領域１９０（破線で仕切られた４×４の領域）を含むＴＦＴ基板１０１における枠（土手部）１６０の形状が異なる点にある。
【００８２】
これまでの実施例では、シール材の形成領域の外側にまで配向膜が形成された場合、基板間の接着力が低下するとともに、配向膜を経由して液晶表示パネル内に水分が侵入してくるといった問題点に対処する構成を示してきた。具体的には、シール材を設けたシール領域よりも表示領域Ｒ１側に枠を設け、その枠にて配向膜塗布液の広がりを防止する構成を開示してきた。しかし、シール材や配向膜の材質を改善することで配向膜とシール材との接着強度や、水分の侵入は改善される可能性がある。その場合であっても、図１０において枠１６０を形成することなく、ＴＦＴ基板全面に配向膜塗布液を塗布することはできない。何故なら、図１３で示す駆動回路部２１０にも配向膜を形成するとＴＦＴ基板上に形成された端子も配向膜で覆われることとなり、端子と半導体チップ、及び、端子と外部回路（例えば携帯型電子機器のシステム側回路）とを接続することができない。半導体チップに代えて駆動回路をＴＦＴ基板上に作り込んだ場合であっても外部回路との接続は必要となる。その場合も枠を設けて配向膜が形成されない領域を設ける必要がある。他の実施例についても同様である。また、液晶表示パネルを薄くするために、複数の液晶表示パネル領域が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との周辺をシール材（液晶の封止とは異なるシール）にて封止し、ガラス基板を研磨する場合がある。その際は基板を研磨液に浸漬するために基板周辺に設けられるシールよりも内側に配向膜形成領域の外周部留めておく必要がある。図１４は、ＴＦＴ基板の縦方向に併設される４つの液晶表示パネル領域の表示領域全体を一つの枠１６０で囲み、それぞれの液晶表示パネルの駆動回路部は枠の外に位置している。これにより、表示領域には配向膜が形成されるが駆動回路部には配向膜が形成されない。本実施例にて形成されたそれぞれの液晶表示パネルでは、駆動回路部には配向膜が形成されておらず、表示領域と駆動回路部との間には枠が形成されている。駆動回路部が設けられる辺以外には枠は形成されておらず、配向膜とシール材とが重畳する構成となる。
【００８３】
図１４に示すような配置となるように枠及び配向膜を形成し液晶表示装置を作製したところ、狭額縁であっても高い歩留まりで液晶表示装置を製造することができた。また、この液晶表示装置を評価したところ、狭額縁であっても焼き付きやムラが低減され高品質な画像を得ることができた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。
【実施例４】
【００８４】
本発明の第４の実施例について図１５を用いて説明する。実施例３と本実施例との違いは、複数の液晶表示パネル領域１９０（破線で仕切られた４×４の領域）を含むＴＦＴ基板１０１における枠（土手部）１６０で複数の液晶表示パネルを囲み、更に、それぞれの液晶表示パネルの駆動回路部も枠で囲んでいることである。図１５には、本実施例にて形成されたそれぞれの液晶表示パネルでは、駆動回路部には配向膜が形成されておらず、駆動回路部を囲むように枠が形成されている。尚、ＴＦＴ基板の駆動回路部側の辺には外部回路と接続するための端子が設けられている。そのため、当該端子部分も枠で囲まれており、配向膜は形成されていない。駆動回路部が設けられる辺以外には枠は形成されておらず、配向膜とシール材とが重畳する構成となる。シール材や配向膜の材質的アプローチにより強度や防水性が向上した状況においては、実施例３や実施例４の構造であっても本願の問題点を解決することが出来る。更に、駆動回路部についても面積を極力小さくする要求が高いため、本願発明を実施することで駆動回路部の面積を細かく制御することが可能となる。
【００８５】
図１５に示すような配置となるように枠及び配向膜を形成し、液晶表示装置を作製したところ、狭額縁であっても高い歩留まりで液晶表示装置を製造することができた。また、この液晶表示装置を評価したところ、狭額縁であっても焼き付きやムラが低減され高品質な画像を得ることができた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。本願発明は、配向膜を形成する前に、当該配向膜を形成するための塗布液に対して低溶解性で且つ高撥水性の有機材料によって土手を形成することであり、この思想より派生する新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００８７】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８８】
１００…液晶表示装置、１０１…ＴＦＴ基板（アレイ基板）、１０１ｐ…アレイパターン、１０２…対向基板、１０２ｐ…対向パターン、１０３…液晶層、１０４…カラーフィルタ、１１１…ガラス基板、１１２…半導体層、１１３…補助容量電極、１１４…ゲート絶縁膜、１１５…走査線、１１６…ゲート電極、１１７…補助容量線、１１８…層間絶縁膜、１１９…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１２０…画素、１２１…信号線、１２２…コンタクト電極、１２３…保護絶縁膜、１２３ｒ…溝（凹部）、１２３ｈ…スリット、１２４…補助容量素子、１２５…コンタクトホール、１２６…画素電極、１２８…配向膜、１２８ａ…配向膜塗布液、１３０Ｒ…赤色着色層、１３０Ｇ…緑色着色層、１３０Ｂ…青色着色層、１３１…遮光部、１３２…周辺遮光部、１４１…ガラス基板、１４２…対向電極、１４３…配向膜、１５１…シール材、１６０…ＴＦＴ基板に形成された枠（土手部）、１８０…柱状スペーサ、１８１…対向基板に形成された枠（土手部）、１９０…液晶表示パネル領域、２１０…駆動回路部、Ｒ１…表示領域、Ｒ２…額縁領域、Ｘ…行方向、Ｙ…列方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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