(57)【要約】【課題】隣り合う２つの画素に共通の金属層の上に、一方の画素に対応する第１電極の一部と、他方の画素に対応する第１電極の一部と、が形成される場合において、各第１電極形成時のエッチング残渣に起因する画素間ショートを抑制する。【解決手段】第１の画素に対応するアノード電極３２ｇ、及び第１の画素の隣の第２の画素に対応するアノード電極３２ｂは、それぞれ、その一部が、金属層２６の上に形成されている。ここで、金属層２６は、平面図で見た場合において、金属層２６の形成領域とそれ以外の領域との境界線ＢＬ上のいずれか２点を、両アノード電極３２ｇ、３２ｂの間の区間内で選択したとき、金属層２６の一部が、当該２点を結ぶ線分（例えば、点Ｑ１と点Ｑ２とを結ぶ線分Ｑ１Ｑ２）から突出するように形成されている。【選択図】図７
2015201327.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と前記第１の画素の隣の第２の画素とに共通の金属層と、
その一部が前記金属層の上に形成される、前記第１の画素に対応する第１電極と、
その一部が前記金属層の上に形成される、前記第２の画素に対応する第１電極と、
各第１電極の上に形成される有機発光層と、
前記有機発光層の上に形成される第２電極と、
前記金属層と前記第１の画素に対応する前記第１電極との間、及び前記金属層と前記第２の画素に対応する前記第１電極との間、に形成される容量層と、
を含み、
前記金属層は、
平面図で見た場合において、前記金属層の形成領域とそれ以外の領域との境界線上のいずれか２点を、前記第１の画素に対応する前記第１電極と前記第２の画素に対応する前記第１電極との間の区間内で選択したとき、前記形成領域の一部が当該２点を結ぶ線分から突出するように形成されている、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記金属層は、
平面図で見た場合に、前記形成領域の一部が、前記境界線の両第１電極間の部分、の両端点を結ぶ線分から突出するように、形成されている、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記金属層は、
平面図で見た場合に、前記両端点を結ぶ線分から突出する突出部を含み、前記突出部の先端が鋭角である、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記金属層は、
平面図で見た場合に、前記両端点を結ぶ線分から突出する突出部を含み、該線分と前記突出部の先端との距離が、０．５マイクロメートル以上且つ１０マイクロメートル以下である、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、表示装置で用いられるＴＦＴアレイ基板が開示されている。このＴＦＴアレイ基板では、ゲート電極の膜厚よりソース／ドレイン電極の膜厚を薄くすることにより、ゲート電極の低抵抗化、ソース電極のキャパシタ容量の低減等を図っている。
【０００３】
ＴＦＴアレイ基板を用いる表示装置としては、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置等がある。有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、各画素に対応する有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、ＴＦＴアレイ基板上に形成される。有機発光素子は、少なくとも、第１電極、有機発光層、及び第２電極により構成され、第１電極は、例えばドライバＴＦＴのソース／ドレイン電極に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５７２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、例えば高細密化のため、画素サイズを小さくした場合、いわゆる保持容量が不足する場合がある。そこで、保持容量を補うために、補助容量を画素ごとに形成することが考えられる。例えば、各画素に共通の金属層を設け、その上層に各有機エレクトロルミネッセンス発光素子の第１電極を設けるとともに、金属層と各第１電極との間に容量層を設けることが考えられる。こうすれば、金属層と第１電極との対により補助容量を形成することができる。
【０００６】
図１２乃至図１５は、補助容量を形成する場合の構成の例を示す。図１２は、補助容量を形成する場合における画素の平面図の例であり、図１５は、ＸＶ−ＸＶ線における画素の断面を示す断面図の例である。図１２では、４つの画素３が示されている。一点鎖線で囲まれる矩形が一つの画素３を示し、各画素３に共通の金属層５が形成され、その上層に、各第１電極７が形成される。金属層５は、図１３に示す形状を有し、第１電極７は、図１４に示す形状を有している。図１２乃至図１４から分かるように、第１電極７は、その一部が金属層５の上に形成される。
【０００７】
具体的には、図１５に示すように、ＴＦＴアレイ基板９の上に形成された平坦化層１１の上に、透明導電膜１３及び金属層５が形成されている。また、平坦化層１１及び金属層５の上に容量層１５が形成され、容量層１５の上に、反射膜１７、及び透明導電膜である第１電極７が形成されている。ここで、第１電極７は、透明導電膜の層の形成後、エッチングによるパターニングにより形成される。
【０００８】
また、第１電極７の上に、有機発光層１９及び第２電極２１が形成される。第１電極７、有機発光層１９、及び第２電極２１により、有機エレクトロルミネッセンス発光素子が形成される。なお、符号２３は、リブを示している。
【０００９】
この構成によれば、金属層５、容量層１５、及び第１電極７により、補助容量を形成することができる。但し、以下に説明するような問題がある。
【００１０】
図１６及び図１７は、補助容量を形成する場合の問題点を説明するための図であり、図１６は、ＸＶＩ−ＸＶＩ線（図１２参照）における断面図であり、２つの第１電極７の間の領域における断面図である。図１５に示すように、補助容量を形成する場合、容量層１５は平坦ではなく、容量層１５には金属層５に起因する段差ができる。この段差の周辺に形成された透明導電膜はエッチングにより除去されにくく、第１電極７の形成時、図１６に示すように、段差の周辺にエッチング残渣２５が残ってしまう。そのため、場合によっては、図１７に示すように、段差の周辺に残ったエッチング残渣２５が隣り合う２つの第１電極７を電気的に接続し、画素間ショートが発生する虞がある。
【００１１】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、隣り合う２つの画素に共通の金属層の上に、一方の画素に対応する第１電極の一部と、他方の画素に対応する第１電極の一部と、が形成される場合において、各第１電極形成時のエッチング残渣に起因する画素間ショートを抑制できる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するための本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、第１の画素と前記第１の画素の隣の第２の画素とに共通の金属層と、その一部が前記金属層の上に形成される、前記第１の画素に対応する第１電極と、その一部が前記金属層の上に形成される、前記第２の画素に対応する第１電極と、各第１電極の上に形成される有機発光層と、前記有機発光層の上に形成される第２電極と、前記金属層と前記第１の画素に対応する前記第１電極との間、及び前記金属層と前記第２の画素に対応する前記第１電極との間、に形成される容量層と、を含み、前記金属層は、平面図で見た場合において、前記金属層の形成領域とそれ以外の領域との境界線上のいずれか２点を、前記第１の画素に対応する前記第１電極と前記第２の画素に対応する前記第１電極との間の区間内で選択したとき、前記形成領域の一部が当該２点を結ぶ線分から突出するように形成されていることを特徴としている。
【００１３】
本発明の一態様では、前記金属層は、平面図で見た場合に、前記形成領域の一部が、前記境界線の両第１電極間の部分、の両端点を結ぶ線分から突出するように、形成されていてもよい。また、前記金属層は、平面図で見た場合に、前記両端点を結ぶ線分から突出する突出部を含み、前記突出部の先端が鋭角であってもよい。また、前記金属層は、平面図で見た場合に、前記両端点を結ぶ線分から突出する突出部を含み、該線分と前記突出部の先端との距離が、０．５マイクロメートル以上且つ１０マイクロメートル以下であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】画素の平面図である。
【図３】金属層の平面図である。
【図４】アノード電極の平面図である。
【図５】画素にて実現される等価回路を示す図である。
【図６】ＶＩ−ＶＩ線における画素の断面図である。
【図７】隣り合う２つのアノード電極の間の区間を拡大した拡大図である。
【図８】ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線での断面図である。
【図９】エッチング残渣が形成される様子を示す図である。
【図１０】Ｘ−Ｘ線での断面図である。
【図１１Ａ】金属層の他の形状を示す図である。
【図１１Ｂ】金属層の他の形状を示す図である。
【図１１Ｃ】金属層の他の形状を示す図である。
【図１１Ｄ】金属層の他の形状を示す図である。
【図１１Ｅ】金属層の他の形状を示す図である。
【図１１Ｆ】金属層の他の形状を示す図である。
【図１１Ｇ】金属層の他の形状を示す図である。
【図１２】補助容量を形成する場合における画素の平面図である。
【図１３】金属層を示す平面図である。
【図１４】第１電極を示す平面図である。
【図１５】ＸＶ−ＸＶ線における画素の断面図である。
【図１６】ＸＶＩ−ＸＶＩ線における断面図である。
【図１７】補助容量を形成する場合の問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１（以下、有機ＥＬ表示装置１と表記する）の構成を模式的に示す図である。本実施形態では、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタ方式でカラー化を行う有機ＥＬ表示装置として実現され、同図に示すように、下から、薄膜トランジスタがアレイ状に形成されたＴＦＴアレイ基板２と、白色発光する有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤが画素ＰＸごとに形成される発光部４と、カラーフィルタ基板６と、を備える。また、図示していないドライバＩＣ等も備える。発光部４から出力される白色光がカラーフィルタ基板により、四色にカラー化される。ここではトップエミッション方式が採用されており、カラーフィルタ基板６の上面が画像の表示面にあたる。
【００１７】
以下、図２乃至図６を参照して、有機ＥＬ表示装置１の構成を詳細に説明する。図２は、画素ＰＸの平面図であり、図３は、後述する金属層２６の平面図である。また、図４は、後述するアノード電極３２の平面図である。
【００１８】
図２は、画素ＰＸの外観を示す。一点鎖線で囲まれる矩形が一つの画素ＰＸを示している。ここでは、画素ＰＸを、赤を表現する画素ＰＸｒ、緑を表現する画素ＰＸｇ、青を表現する画素ＰＸｂ、及び白を表現する画素ＰＸｗの４種類で区別している。符号４０は画素ＰＸごとに形成されるコンタクトホール４０を示す。有機ＥＬ表示装置１では、各画素ＰＸに共通の金属層２６（図３参照）の上層に、画素ＰＸごとに形成される有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤのアノード電極３２（図４参照）が形成される。ここで、境界線ＢＬ（図２及び図３参照）は、金属層２６が形成される領域とそれ以外の領域との境界線を示す。図２及び図３から分かるように、金属層２６には、金属層２６がコンタクトホール４０を覆わないように画素ＰＸｒ、画素ＰＸｇ、画素ＰＸｂ、及び画素ＰＸｗに共通の開口部ＡＰが設けられる。図２及び図４から分かるように、アノード電極３２は、コンタクトホール４０を覆うようになっているため、アノード電極３２は、その一部が金属層２６の上に形成され、残り部分が開口部ＡＰの上に形成されることになる。この金属層２６の意義については後述する。なお、ここでは、各アノード電極３２を、４種類の符号３２ｒ、３２ｇ、３２ｂ、及び３２ｗで区別している。アノード電極３２ｒは、画素ＰＸｒに対応するアノード電極であり、より詳しくは、画素ＰＸｒに形成される有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤのアノード電極である。アノード電極３２ｇは、画素ＰＸｇに対応するアノード電極であり、より詳しくは、画素ＰＸｇに形成される有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤのアノード電極である。また、アノード電極３２ｂは、画素ＰＸｂに対応するアノード電極であり、より詳しくは、画素ＰＸｂに形成される有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤのアノード電極である。また、アノード電極３２ｗは、画素ＰＸｗに対応するアノード電極であり、より詳しくは、画素ＰＸｗに形成される有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤのアノード電極である。
【００１９】
有機ＥＬ表示装置１では、図５に例示する等価回路が画素ＰＸにて実現される。同図に示すように、画素ＰＸでは、ゲートが走査線ＳＬに接続され且つソースがデータ線ＤＬに接続された薄膜トランジスタであるスイッチＳＷが形成される。また、画素ＰＸでは、ゲートがスイッチＳＷに接続され且つソースが電圧源Ｖｄｄに接続された薄膜トランジスタである駆動トランジスタＤｒが形成される。また、画素ＰＸでは、駆動トランジスタＤｒのゲートとドレインとに接続されている保持容量Ｃｓが形成される。また、画素ＰＸでは、アノード電極３２が駆動トランジスタＤｒのドレインに接続された有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤが形成される。
【００２０】
さらに、画素ＰＸでは、有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤに並列な補助容量Ｃａも形成される。上述した金属層２６の存在により、この補助容量Ｃａが形成される。
【００２１】
具体的には、ＶＩ−ＶＩ線（図２参照）における画素ＰＸの断面図たる図６に示すように、画素ＰＸでは、基板８の上に形成されたアンダーコート層１０の上に、駆動トランジスタＤｒを構成する半導体層１２の一部が形成されている。また、半導体層１２の上の中間層１４が形成され、中間層１４の上に、駆動トランジスタＤｒのゲートに接続される容量配線層１６、絶縁層１８、及び駆動トランジスタＤｒのドレイン配線を構成する配線層２０が順に形成されている。配線層２０、絶縁層１８、及び容量配線層１６により、保持容量Ｃｓが形成される。
【００２２】
また、画素ＰＸでは、配線層２０の上に、コンタクトホール４０を備える平坦化層２２が形成されている。
【００２３】
補助容量Ｃａが不要であれば、平坦化層２２の上面にアノード電極３２を形成すればよい。しかし、この有機ＥＬ表示装置１では、補助容量Ｃａを形成するために、平坦化層２２の上面の平坦な部分に、透明導電膜２４及び上述した金属層２６が形成されている。また、金属層２６の上に、金属層２６を覆うシリコン窒化膜である容量層２８が形成され、容量層２８の上に、反射膜３０と、透明導電膜であるアノード電極３２が形成されている。アノード電極３２は、透明導電膜の層の形成後、エッチングによるパターニングにより形成されるものであり、コンタクトホール４０にて透明導電膜２４を介し駆動トランジスタＤｒのドレインに接続される。このように、アノード電極３２の下に、容量層２８及び金属層２６が形成されるので、アノード電極３２、容量層２８、及び金属層２６により補助容量Ｃａが形成されるようになっている。
【００２４】
また、画素ＰＸでは、コンタクトホール４０を覆うリブ３８が形成されている。また、有機エレクトロルミネッセンス発光素子ＯＬＥＤを形成するべく、アノード電極３２の上に、白色発光する有機発光層３４及びカソード電極３６が形成されている。有機発光層３４及びカソード電極３６は、各画素ＰＸごとに設けられてもよいし、各画素ＰＸに共通に設けられてもよい。
【００２５】
ところで、図２に示すように、境界線ＢＬは、隣り合う２つのアノード電極３２の間の区間において直線にはなっていない。図７は、図２において隣り合う２つのアノード電極３２ｇ、３２ｂの間の区間を拡大した拡大図である。図７に示すように、この区間において、境界線ＢＬは直線になっておらず、金属層２６に突起部Ｐが設けられている。ここで、突起部Ｐは、金属層２６の一部であり、境界線ＢＬの上記区間における部分の両端点Ｑ１、Ｑ２を結ぶ線分Ｑ１Ｑ２から突出している。図７に示す突起部Ｐの先端Ｔは鋭角であり、線分Ｑ１Ｑ２と先端Ｔとの距離は０．５マイクロメートル以上１０マイクロメートル以下の距離（例えば、３マイクロメートル）となっている。
【００２６】
このような突起部Ｐを設けたのは以下の理由からである。すなわち、図６をみると分かるように、有機ＥＬ表示装置１では、金属層２６が形成されるので、容量層２８は平坦にはならず、容量層２８には金属層２６に起因する段差ができる。この段差の周辺に形成された透明導電膜はエッチングにより除去されにくく、アノード電極３２の形成時、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線（図７参照）での断面図たる図８に示すように、段差の周辺にエッチング残渣４２が残ってしまう。そのため、段差の周辺に残ったエッチング残渣４２が隣り合う２つのアノード電極３２ｇ、３２ｂを電気的に接続し、画素間ショートが発生する虞がある。
【００２７】
この点、この有機ＥＬ表示装置１では、境界線ＢＬが外に屈曲するところではエッチング残渣４２が残りにくいことに着目し、金属層２６に突起部Ｐが設けられている。そのため、例えば図９に示すようにエッチング残渣４２が形成され、Ｘ−Ｘ線（図９参照）での断面図たる図１０に示すように、境界線ＢＬが屈曲する先端Ｔではエッチング残渣４２が残りにくくなる。従って、エッチング残渣４２が先端Ｔの付近で途切れやすくなり、画素間ショートの発生が抑制される。
【００２８】
以上のように、この有機ＥＬ表示装置１では、隣り合う２つのアノード電極３２の間の区間において、金属層２６に突起部Ｐが設けられている。すなわち、金属層２６の一部が、線分Ｑ１Ｑ２（図７参照）から突き出ている。よって、エッチング残渣４２に起因する画素間ショートを抑制することができる。また、先端Ｔが鋭角となっているので、先端Ｔが鈍角である場合に比して先端Ｔでエッチング残渣４２が残りにくくなる。よって、より確実に画素間ショートを抑制することができる。
【００２９】
なお、隣り合う２つのアノード電極３２の間の区間における金属層２６の形状は、以上で説明したものに限らず、他の形状であってもよい。
【００３０】
例えば、金属層２６の形状は、図１１Ａに示す形状であってもよい。図１１Ａは、金属層２６の他の形状を示す図であり、アノード電極３２ｇとアノード電極３２ｂとの間の区間の平面図である。図１１Ａでは、突起部Ｐが複数の頂点Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３を有している。図１１Ａでは、境界線ＢＬが外に屈曲する、点Ｒ１、点Ｒ２、及び点Ｒ３の付近でエッチング残渣４２が途切れやすくなる。よって、図１１Ａに示す形状でも、画素間ショートの発生を抑制できる。
【００３１】
また、例えば、金属層２６の形状は、図１１Ｂに示す形状であってもよい。図１１Ｂは、金属層２６の他の形状を示す図であり、アノード電極３２ｇとアノード電極３２ｂとの間の区間の平面図である。図１１Ｂでは、突起部Ｐが半円形状を有している。図１１Ｂでは、境界線ＢＬが、点Ｓ１から点Ｓ２までの区間において曲線となっており、点Ｓ１から点Ｓ２までのどこにおいても境界線ＢＬが外に屈曲しているということになる。よって、点Ｓ１から点Ｓ２までのどこかでエッチング残渣４２が途切れやすくなり、図１１Ｂに示す形状でも、画素間ショートの発生を抑制できる。
【００３２】
また、例えば、金属層２６の形状は、図１１Ｃに示す形状であってもよい。図１１Ｃは、金属層２６の他の形状を示す図であり、アノード電極３２ｇとアノード電極３２ｂとの間の区間の平面図である。図１１Ｃでは、突起部Ｐが矩形形状を有している。図１１Ｃでは、境界線ＢＬが外に屈曲する、点Ｕ１及び点Ｕ２の付近でエッチング残渣４２が途切れやすくなる。よって、図１１Ｃに示す形状でも、画素間ショートの発生を抑制できる。
【００３３】
また、例えば、金属層２６の形状は、図１１Ｄに示す形状であってもよい。図１１Ｄは、金属層２６の他の形状を示す図であり、アノード電極３２ｇとアノード電極３２ｂとの間の区間の平面図である。図１１Ｄでは、突起部Ｐが星形形状をしている。図１１Ｄでは、境界線ＢＬが外に屈曲する、点Ｍ１、点Ｍ２、及び点Ｍ３の付近でエッチング残渣４２が途切れやすくなる。よって、図１１Ｄに示す形状でも、画素間ショートの発生を抑止できる。
【００３４】
また、例えば、金属層２６の形状は、図１１Ｅに示す形状であってもよい。図１１Ｅは、金属層２６の他の形状を示す図であり、アノード電極３２ｇとアノード電極３２ｂとの間の区間の平面図である。図１１Ｅでは、突起部Ｐが複数形成される。よって、突起部Ｐが１つのみの場合より確実に画素間ショートを抑制できる。
【００３５】
また、金属層２６が、上記点Ｑ１及び上記点Ｑ２を結ぶ線分から突出する部分（すなわち、突起部Ｐ）を有していなくても、画素間ショートを抑制することは可能である。例えば、金属層２６の形状は、図１１Ｆに示す形状であってもよい。図１１Ｆは、金属層２６の他の形状を示す図であり、アノード電極３２ｇとアノード電極３２ｂとの間の区間の平面図である。図１１Ｆでは、境界線ＢＬが外に屈曲する点Ｎ２付近でエッチング残渣４２が途切れやすくなる。よって、図１１Ｆに示す形状でも、画素間ショートの発生を抑制できる。また、例えば、金属層２６の形状は、図１１Ｇに示す形状であってもよい。図１１Ｇは、金属層２６の他の形状を示す図であり、アノード電極２ｇとアノード電極３２ｂとの間の区間の平面図である。図１１Ｇでは、上記点Ｑ１から上記点Ｑ２までの区間において、境界線ＢＬが段差を有している。図１１Ｇでは、境界線ＢＬが外に屈曲する点Ｌ１付近でエッチング残渣４２が途切れやすくなる。よって、図１１Ｇに示す形状でも、画素間ショートの発生を抑制できる。
【００３６】
つまり、境界線ＢＬ上のいずれか２点を上記点Ｑ１から上記点Ｑ２に至るまでの境界線ＢＬの部分のうちで選択したときに、当該選択した２点を結ぶ線分から金属層２６の一部が突出するように、金属層２６を形成しさえすれば、画素間ショートの発生を抑制できる。なぜなら、当該選択した２点の間のどこかで、境界線ＢＬが必ず外に屈曲することになるからである。その証拠に、例えば図７では、金属層２６の一部が境界線ＢＬ上の点Ｑ１及び点Ｑ２を結ぶ線分Ｑ１Ｑ２から突出しているが、それがためにこの２点の間にある先端Ｔで境界線ＢＬが外に屈曲している。また、例えば図１１Ｆでは、金属層２６の一部が境界線ＢＬ上の点Ｎ１及び点Ｎ３を結ぶ線分から突出しているが、それがためにこの２点の間にある点Ｎ２で境界線ＢＬが外に屈曲している。また、図１１Ｇでは、金属層２６の一部が境界線ＢＬ上の点Ｑ２及び点Ｌ２を結ぶ線分Ｑ２Ｌ２から突出しているが、それがためにこの２点の間にある点Ｌ１で境界線ＢＬが外に屈曲している。
【００３７】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。
【００３８】
例えば、本発明は、有機ＥＬ表示装置１において、画素ＰＸｗをのぞく３種類の画素ＰＸが形成される場合においても、適用可能である。例えば、画素ＰＸｒに赤色発光する有機エレクトロルミネッセンス発光素子が備えられ、且つ、画素ＰＸｇに緑色発光する有機エレクトロルミネッセンス発光素子が備えられ、画素ＰＸｂに青色発光する有機エレクトロルミネッセンス発光素子が備えられる場合においても適用可能である。
【００３９】
また、例えば、本発明は、有機ＥＬ表示装置１において、ボトムエミッション方式が採用される場合においても、適用可能である。
【００４０】
また例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４１】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、  ２  ＴＦＴアレイ基板、４  発光部、６  カラーフィルタ基板、８  基板、１０  アンダーコート層、１２  半導体層、１４  中間層、１６  容量配線層、１８  絶縁層、２０  配線層、２２  平坦化層、２４  透明導電膜、２６  金属層、２８  容量層、３０  反射膜、３２，３２ｒ，３２ｇ，３２ｂ，３２ｗ  アノード電極、３４  有機発光層、３６  カソード電極、３８  リブ、４０  コンタクトホール、４２  エッチング残渣、ＡＰ  開口部、ＢＬ  境界線、Ｃａ  補助容量、Ｃｓ  保持容量、ＤＬ  データ線、Ｄｒ  駆動トランジスタ、Ｌ１，Ｌ２，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｓ１，Ｓ２，Ｕ１，Ｕ２  点、ＯＬＥＤ  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、Ｐ  突起部、ＰＸ，ＰＸｒ，ＰＸｇ，ＰＸｂ，ＰＸｗ  画素、Ｑ１，Ｑ２  端点、Ｑ１Ｑ２，Ｑ２Ｌ２  線分、ＳＬ  走査線、ＳＷ  スイッチ、Ｔ  先端。
【図１】
2015201327.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015201327.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015201327.tif 000009
【図８】
2015201327.tif 000010
【図９】
2015201327.tif 000011
【図１０】
2015201327.tif 000012
【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【図１１Ｇ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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