(57)【要約】      （修正有）【課題】有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）での使用に適する、溶液加工が可能で、長い動作寿命を有する青色燐光化合物の提供。【解決手段】下式で表される燐光化合物。2015145492.tif 000043［Ｍは遷移金属；各出現でのＬは独立してモノ又はポリ歯状配位子；Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１はそれぞれ独立してＨまたは置換基であり；Ｄ１およびＤ２は各々独立にデンドロン；ｘは少なくとも１；ｙは０又は正の整数；ｚ１及びｚ２は各々独立に０又は正の整数；ｎ１及びｎ２の少なくとも１つが１であるｎ１及びｎ２は各々独立に０又は１］。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2015145492.tif 000039
［式中、
Ｍは遷移金属であり；
各出現でのＬは独立してモノまたはポリ歯状配位子であり；
Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１はそれぞれ独立してＨまたは置換基であり；
Ｄ１およびＤ２はそれぞれ独立してデンドロンであり；
ｘは少なくとも１であり；
ｙは０または正の整数であり；
ｚ１およびｚ２はそれぞれ独立して０または正の整数であり；
ｎ１およびｎ２の少なくとも１つが１であることを条件としてｎ１およびｎ２はそれぞれ独立して０または１である。］
の燐光化合物。
【請求項２】
Ｍがイリジウム、白金、オスミウム、パラジウム、ロジウムおよびルテニウムから選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ｙが０である、請求項１または２に記載の化合物。
【請求項４】
ｘが３である、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
Ｄ１およびＤ２が、式（ＩＩＩ）：
【化２】
2015145492.tif 000040
（ＩＩＩ）
［式中、ｕは０または１であり；
ｕが０である場合ｖは０であり、またはｕが１である場合ｖは０または１であってもよく；
ＢＰは、前記デンドロンＤ１またはＤ２が式（Ｉ）の化合物中でそれによって結合している分岐点を表し、Ｇ１、Ｇ２およびＧ３はそれぞれ第１、第２および第３世代のデンドロン分岐基を表す。］
のデンドロンからそれぞれ独立して選択される、請求項１から４のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】
ＢＰが置換または非置換のアリーレンまたはヘテロアリーレン基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
Ｇ１、Ｇ２およびＧ３が置換または非置換のアリーレンまたはヘテロアリーレン基から選択される、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
Ｒ８およびＲ９が、
Ｈ；
非置換の、または１個もしくは複数の置換基で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール；および
Ｃ１−２０アルキルの隣接していないＣ原子が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ３−、−ＳｉＲ３２−または−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、１個または複数のＨ原子がＦで置き換えられてもよく、ここで、Ｒ３がＨまたは置換基である、分岐、直鎖または環式のＣ１−２０アルキルからなる群から選択される、請求項１から７のいずれかに記載の化合物。
【請求項９】
Ｒ９が、非置換の、または１個もしくは複数の置換基で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリールである、請求項５に記載の化合物。
【請求項１０】
各出現でのＲ１０およびＲ１１が、
非置換の、または１個もしくは複数の置換基で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール；および
Ｃ１−２０アルキルの隣接していないＣ原子が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ３−、−ＳｉＲ３２−または−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、１個または複数のＨ原子がＦで置き換えられてもよく、ここで、Ｒ３がＨまたは置換基である、分岐、直鎖または環式のＣ１−２０アルキルからなる群から独立して選択される、請求項１から９のいずれかに記載の化合物。
【請求項１１】
ｎ１＝１である、請求項１から１０のいずれかに記載の化合物。
【請求項１２】
式（Ｉａ）：
【化３】
2015145492.tif 000041
の請求項１１に記載の化合物。
【請求項１３】
ｎ２＝１である、請求項１から１２のいずれかに記載の化合物。
【請求項１４】
式（Ｉｂ）：
【化４】
2015145492.tif 000042
の請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
４００−４９０ｎｍ、好ましくは４６０−４８０ｎｍの範囲にピーク波長を有するフォトルミネッセントスペクトルを有する、請求項１から１４のいずれかに記載の化合物。
【請求項１６】
ホスト材料および請求項１から１５のいずれかに記載の化合物を含む組成物。
【請求項１７】
前記ホスト材料がポリマーである、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記ホストポリマーがトリアジンを含む繰り返し単位を含む、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記燐光化合物が前記ホスト材料とブレンドされ、前記ホスト材料に対して０．５−５０重量％の範囲の量で与えられる、請求項１６から１８のいずれかに記載の組成物。
【請求項２０】
陽極、陰極および前記陽極と前記陰極の間の発光層を含む有機発光素子であって、前記発光層が請求項１から１９のいずれかに記載の化合物または組成物を含む素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光化合物、特に燐光発光化合物；前記発光化合物を含む組成物、溶液および発光素子、ならびに前記発光素子を製作する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光応答素子（特に有機光起電力素子および有機光検出器）、有機トランジスターおよび記憶配列素子などの素子として使用される活性な有機材料を含む電子素子は、ますます注目されている。活性な有機材料を含む素子は、軽量、低消費電力および可撓性などの恩恵を提供する。さらに、可溶性有機材料の使用は、素子製造、例えばインクジェット印刷またはスピンコーティングでの溶液加工の使用を可能にする。
【０００３】
ＯＬＥＤは、陽極、陰極、および陽極と陰極の間の１つまたは複数の有機発光層を担持する基体を含んでもよい。
【０００４】
素子の動作中に正孔は負極を通して素子に注入され、電子は正極を通して注入される。発光材料の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）中の正孔、および最低空軌道（ＬＵＭＯ）中の電子は結合して、光としてそのエネルギーを解放する励起子を形成する。
【０００５】
適切な発光材料には、小分子、ポリマーおよびデンドリマー材料が含まれる。適切な発光ポリマーには、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（アリーレンビニレン）およびポリフルオレンなどのポリアリーレンが含まれる。
【０００６】
発光層は、エネルギーがホスト材料から発光ドーパントまで移動する、半導体ホスト材料および発光ドーパントを含んでもよい。例えば、J．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５，３６１０，１９８９は、蛍光発光ドーパントがドープされたホスト材料（すなわち、光が一重項励起子の崩壊によって放射される発光材料）を開示している。
【０００７】
燐光ドーパントもまた公知である（すなわち、光が三重項励起子の崩壊によって放射される発光ドーパント）。
【０００８】
国際公開第０２／０６６５５２号は、金属錯体コアを有するデンドリマーを開示している。
【０００９】
国際公開第２０１０／０３２６６３号は、イミダゾ−フェナントリジン配位子を有するイリジウム錯体、例えば以下の構造を有する化合物を開示している。
【化１】
2015145492.tif 000002
【００１０】
米国特許出願公開第２００７１９０３５９号は、環状メタル化されたイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジンおよびジイミダゾ［１，２−ａ：１’，２’−ｃ］キナゾリン配位子、またはその等電子類似体もしくはベンゼン環化された類似体を含む燐光金属錯体を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開第０２／０６６５５２号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２０１０／０３２６６３号パンフレット
【特許文献３】米国特許出願公開第２００７１９０３５９号明細書
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】J．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５，３６１０，１９８９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、ＯＬＥＤでの使用に適する青色燐光発光化合物を提供することである。
【００１４】
本発明のさらなる目的は、ＯＬＥＤでの使用に適する、溶液加工が可能な青色燐光発光化合物を提供することである。
【００１５】
本発明のさらなる目的は、ＯＬＥＤで使用される場合に、長い動作寿命を有する燐光発光化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１の態様において、本発明は、式（Ｉ）：
【化２】
2015145492.tif 000003
［式中、
Ｍは遷移金属であり；
各出現でのＬは、独立してモノまたはポリ歯状配位子であり；
Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１はそれぞれ独立してＨまたは置換基であり；
Ｄ１およびＤ２はそれぞれ独立してデンドロンであり；
ｘは少なくとも１であり；
ｙは０または正の整数であり；
ｚ１およびｚ２はそれぞれ独立して０または正の整数であり；
ｎ１およびｎ２の少なくとも１つが１であることを条件として、ｎ１およびｎ２はそれぞれ独立して０または１である。］
の燐光化合物を提供する。
【００１７】
第２の態様において、本発明は、ホスト材料および第１の態様による化合物を含む組成物を提供する。
【００１８】
第３の態様において、本発明は、１種または複数の溶媒に溶解した第１の態様の化合物、または第２の態様の組成物を含む溶液を提供する。
【００１９】
第４の態様において、本発明は、陽極と、陰極と、発光層が第１または第２の態様による化合物または組成物を含む、陽極と陰極の間の発光層とを含む有機発光素子を提供する。
【００２０】
第５の態様において、本発明は、第４の態様による有機発光素子を形成する方法であって、陽極および陰極の一方の上に発光層を堆積させるステップ、および発光層の上に陽極および陰極の他方を堆積させるステップを含む方法を提供する。
【００２１】
第５の態様によると、発光層は、第３の態様による溶液を堆積させて１種または複数の溶媒を蒸発させることにより形成されていてもよい。
【００２２】
本発明は、ここで図を参照してより詳細に記載される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態によるＯＬＥＤを説明する。
【図２】本発明の実施形態による白色ＯＬＥＤおよび比較の白色ＯＬＥＤについてのエレクトロルミネセンススペクトルを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、縮尺通りに描かれていないが、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ１００を概略的に説明する。ＯＬＥＤ１００は、基体１０７に担持され、陽極１０１、陰極１０５および陽極と陰極の間の発光層１０３を含む。陽極と陰極の間には、正孔輸送層、電子輸送層、正孔遮断層、電子遮断層、正孔注入層および電子注入層を含むがこれらに限定されないさらなる層（図示せず）を備えてもよい。
【００２５】
１つまたは複数のさらなる層を含む、例示のＯＬＥＤ構造は、以下を含む：
陽極／正孔注入層／発光層／陰極
陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極。
【００２６】
発光層１０３はホスト材料および式（Ｉ）の燐光化合物を含んでよい。ホスト材料は、陽極から注入された正孔および陰極から注入された電子を結合して一重項および三重項励起子を形成することができる。三重項励起子は少なくとも式（Ｉ）の燐光化合物に移動し、崩壊して燐光を生成することができる。
【００２７】
本素子は複数の発光層を含んでいてもよい。発光層（複数可）は、式（Ｉ）の燐光化合物および１種または複数のさらなる発光化合物、例えば式（Ｉ）の化合物とは異なる色を放射するさらなる燐光または蛍光発光材料を含んでいてもよい。素子が使用される場合に、式（Ｉ）の化合物およびさらなる発光化合物からの放射は、白色光を生成してもよい。
【００２８】
ホストおよび式（Ｉ）の化合物の組成物から放射される光は、実質的にすべてが式（Ｉ）の化合物からであることが好ましい。
【００２９】
燐光化合物
式（Ｉ）の燐光化合物の金属Ｍは、任意の適切な遷移金属、例えばｄ−ブロック元素の第２または第３列の遷移金属（周期表のそれぞれ周期５および周期６）であってもよい。例示の金属には、ルテニウム、ロジウム、パラディウム、銀、タングステン、レニウム、オスミウム、イリディアム、白金および金が含まれる。好ましくは、Ｍはイリジウムである。
【００３０】
式（Ｉ）の化合物はコア単位ＣＯＲＥ：
【化３】
2015145492.tif 000004
を有する。
【００３１】
式（Ｉ）の化合物のイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン配位子（ｘが１を超える場合、複数の配位子）は、デンドロンＤ１およびデンドロンＤ２の少なくとも１つで置換されている。
【００３２】
デンドロンＤ１およびＤ２はそれぞれ、式（Ｉ）のイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン配位子に結合した、芳香族またはヘテロ芳香族の分岐点を有する。分岐点は、少なくとも２個の第１世代分岐基Ｇ１で置換されて第１世代デンドロンを形成する。
【００３３】
第１世代デンドロンは、置換されていてもよい式（ＩＩ）：
【化４】
2015145492.tif 000005
［式中、ＢＰは、ＣＯＲＥに結合した、芳香族またはヘテロ芳香族の分岐点を表し、Ｇ１は第１世代分岐基を表す。］
を有していてもよい。
【００３４】
デンドロンは、第１、第２、第３またはより高世代のデンドロンであってもよい。Ｇ１は、２個以上の第２世代分岐基Ｇ２など、分岐基Ｇｎを有する世代ｎまでで置換されていてもよい。
【００３５】
第１、第２または第３世代のデンドロンは、式（ＩＩＩ）：
【化５】
2015145492.tif 000006
［式中、ｕは０または１であり；ｖは、ｕが０である場合０であり、またはｕが１である場合０または１であってもよく；ＢＰは、ＣＯＲＥとの結合部に対する分岐点を表し、Ｇ１、Ｇ２およびＧ３は第１、第２および第３世代のデンドロン分岐基を表す。］
を有していてもよい。
【００３６】
簡単に言えば、図（ＩＩＩ）は、第３世代デンドロン以下のデンドロン構造を説明するが、デンドロンＤ１および／またはＤ２がより高世代のものであってもよいことは理解されよう。
【００３７】
図（ＩＩＩ）は、分岐点ＢＰから伸びる２つの分岐および各分岐基を有するデンドロン構造を説明するが、ＢＰおよび／または１種または複数の分岐基が２個以上の分岐を有していてもよいことは理解されよう。
【００３８】
分岐点ＢＰおよび各分岐基Ｇ１、Ｇ２…Ｇｎはそれぞれ、芳香族基；ヘテロ芳香族基；アリーレンビニレン基；またはヘテロアリーレンビニレン基であってもよい。Ｎ−含有ヘテロアリールは、分岐点または分岐基がヘテロ芳香族基またはヘテロアリーレンビニレン基である場合に好ましい。
【００３９】
一実施形態において、ＢＰおよびＧ１、Ｇ２…Ｇｎのそれぞれはフェニルであり、フェニルＢＰ、Ｇ１、Ｇ２…Ｇｎ−１はそれぞれ３，５−連結フェニルである。
【００４０】
１つの好ましい実施形態において、ＢＰはトリアジンであり、Ｇ１、Ｇ２…Ｇｎはフェニルであり、フェニルＢＰ、Ｇ１、Ｇ２…Ｇｎ−１はそれぞれ３，５−連結フェニルである。
【００４１】
例示のデンドロンは、下記：
【化６】
2015145492.tif 000007
［式中、＊は、ＣＯＲＥへのデンドロンの結合点を表す。］
に説明される。
【００４２】
任意の基Ｇは、１個または複数の置換基で置換されていてよい。例示の置換基は、Ｆ、ＣＮ、分岐、直鎖または環式のＣ１−２０アルキルから選択されてよく、ここで、Ｃ１−２０アルキルの隣接していないＣ原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ３−、−ＳｉＲ３２−または−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、１個または複数のＨ原子はＦで置き換えられてもよく、ここで、Ｒ３はＨまたは置換基である。Ｒ３は、Ｃ１−４０ヒドロカルビル基、例えばＣ１−２０アルキル、非置換フェニル、および１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されたフェニルである。
【００４３】
分岐基Ｇｎの最後の世代の１個または複数の分岐基は、表面置換基を有するデンドロンを与えるために置換されていてもよい。
【００４４】
デンドロンＤ１および／またはＤ２での置換に加えて、ＣＯＲＥは、１個または複数の置換基Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１で置換されていてよい。
【００４５】
Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立して：
Ｈ；
非置換の、または１個もしくは複数の置換基で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール、例えば非置換フェニル、または１個もしくは複数のＣ１−２０アルキルまたはＣ１−２０アルコキシ基で置換されたフェニル；および
分岐、直鎖または環式のＣ１−２０アルキル，
［ここで、Ｃ１−２０アルキルの隣接していないＣ原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ３−、−ＳｉＲ３２−または−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、また、１個または複数のＨ原子はＦで置き換えられてもよく、ここで、Ｒ３はＨまたは置換基である。Ｒ３は、Ｃ１−４０ヒドロカルビル基、例えばＣ１−２０アルキル、非置換フェニル、および１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されたフェニル；およびデンドロン、例えばＤ１またはＤ２に関連して記載されるようなデンドロンであってもよい。］
からなる群から選択されてもよい。
【００４６】
Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立して：
非置換の、または１個もしくは複数の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール、例えば非置換フェニル、または１個もしくは複数のＣ１−２０アルキルまたはＣ１−２０アルコキシ基で置換されたフェニル；および
分岐、直鎖または環式のＣ１−２０アルキル，
［ここで、Ｃ１−２０アルキルの隣接していないＣ原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ３−、−ＳｉＲ３２−または−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、また、１個または複数のＨ原子はＦで置き換えられてもよく、ここで、Ｒ３はＨまたは置換基である。Ｒ３は、Ｃ１−４０ヒドロカルビル基、例えばＣ１−２０アルキル、非置換フェニル、および１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されたフェニルであってもよい。］
からなる群から選択されてもよい。
【００４７】
Ｒ８およびＲ９の少なくとも１つは置換基であってもよい。
【００４８】
ｚ１およびｚ２はともに０であってもよい。
【００４９】
Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０またはＲ１１がアリールまたはヘテロアリール基、例えばフェニルである場合、アリールまたはヘテロアリール基は、それをＣＯＲＥに連結する位置に隣接する一方または両方の位置で置換されて、ＣＯＲＥとＲ８またはＲ９の間にねじれを生み出すことができ、そのため、アリールまたはヘテロアリールと、ＣＯＲＥのイミダゾフェナントリジン配位子の間の共役の程度を限定することができる。この共役の程度の限定は、そのような置換基がさもないと引き起こし得る、より長い波長へのシフトを限定することができる。
【００５０】
式（Ｉ）の金属錯体は、ｘの値が金属Ｍの価数を満たすホモレプティック錯体、またはヘテロレプティック錯体であってもよい。
【００５１】
金属錯体がヘテロレプティックである場合、配位子は：
（ｉ）金属Ｍに直接配位した基；
（ｉｉ）配位基上の置換基の数；
（ｉｉｉ）配位基上の置換基の位置；および
（ｉｖ）配位基上の置換基の構造，
の１つまたは複数が異なってもよい。
【００５２】
式（Ｉ）のｙは０または正の整数であってもよい。ｙ＝０である場合、ｘは３であってもよい。
【００５３】
ヘテロレプティック錯体は、異なる置換基で置換されたイミダゾフェナントリジン配位子を２つ以上含んでいてもよい。
【００５４】
ｙが正の整数である場合、式（Ｉ）の例示の配位子（Ｌ）は、非置換フェニルトリアゾール、または１個もしくは複数のＣ１−２０アルキル基で置換されたフェニルトリアゾール、非置換フェニルイミダゾール、または１個もしくは複数のＣ１−２０アルキル基で置換されたフェニルイミダゾール、非置換フェニルピラゾール、または１個もしくは複数のＣ１−２０アルキル基で置換されたフェニルピラゾール、および非置換イミダゾ−フェナントリジン、または１個もしくは複数のＣ１−２０アルキル基で置換されたイミダゾ−フェナントリジン、ならびに補助配位子、例えばテトラキス−（ピラゾール−１−イル）ボラート、２−カルボキシピリジルおよびジケトナート、例えばアセチルアセトナートを含む。
【００５５】
式（Ｉ）の例示の化合物は、以下の：
【化７】
2015145492.tif 000008
【化８】
2015145492.tif 000009
［式中、ｔ−オクチルは以下の構造を有し、＊は、ｔ−オクチル置換基：
【化９】
2015145492.tif 000010
の結合点を表す。］
を含む。
【００５６】
式（Ｉ）の化合物は、好ましくは４００−４９０ｎｍ、または４２０−４９０ｎｍであってもよく、４６０−４８０ｎｍであってもよい範囲にピークを含むフォトルミネセンススペクトルを有する。
【００５７】
ホスト材料
ホスト材料から式（Ｉ）の燐光化合物への三重項励起子の移動を可能にするため、ホスト材料は、式（Ｉ）の燐光化合物より０．１ｅＶだけ低く、好ましくは少なくともそれと同等またはそれ以上の三重項励起状態エネルギー準位Ｔ１を有する。
【００５８】
ホスト材料および燐光化合物の三重項励起状態エネルギー準位は、それぞれの燐光スペクトルから求めることができる。
【００５９】
ホスト材料は、ポリマーまたは非ポリマー化合物であってもよい。
【００６０】
例示の非ポリマーホスト材料は、式（Ｘ）：
【化１０】
2015145492.tif 000011
［式中、ＸはＯまたはＳである。］
の置換されていてもよい化合物である。
【００６１】
式（Ｘ）の化合物のベンゼン環のそれぞれは独立して、非置換であるか、または１個もしくは複数の置換基で置換されている。置換基は、アルキルの１個または複数の隣接しないＣ原子がＯ、Ｓ、ＣＯＯ、Ｃ＝ＯまたはＳｉで置き換えられてもよいＣ１−２０アルキルから選択されてもよく、また、アルキルの１個または複数のＨ原子がＦで置き換えられてもよい。
【００６２】
式（Ｉ）の化合物はホスト材料とブレンドされてもよく、またはホスト材料と共有結合していてもよい。ホスト材料がポリマーである場合、金属錯体は、主鎖繰り返し単位、繰り返し単位の側基またはポリマーの末端基として与えられてもよい。
【００６３】
式（Ｉ）の化合物が側基として与えられる場合、金属錯体は、ポリマーの主鎖に直接結合されるか、またはスペーサ基によって主鎖から離れて配置されてもよい。例示のスペーサ基には、Ｃ１−２０アルキル基、アリール−Ｃ１−２０アルキル基およびＣ１−２０アルコキシ基が含まれる。ポリマーの主鎖またはスペーサ基は、フェニルトリアゾール；または（存在する場合）式（Ｉ）の化合物の別の配位子に結合していてもよい。
【００６４】
式（Ｉ）の化合物は、共役した繰り返し単位を含むポリマーに結合している場合、共役した繰り返し単位と式（Ｉ）の化合物の間に共役がないように、または共役した繰り返し単位と式（Ｉ）の化合物の間の共役の程度が限定されるようにポリマーに結合されてもよい。
【００６５】
式（Ｉ）の化合物がホスト材料と混合される場合、ホスト：エミッタ重量比は５０−９９．５：５０−０．５の範囲にあってもよい。
【００６６】
式（Ｉ）の化合物がポリマーに結合している場合、式（Ｉ）の化合物を含有する繰り返し単位または末端基は、ポリマーの０．５−２０ｍｏｌパーセント、より好ましくは１−１０ｍｏｌパーセントを形成してもよい。
【００６７】
例示のホストポリマーには、非共役骨格の側鎖にある電荷輸送基を含む非共役骨格を有するポリマー、例えばポリ（９−ビニルカルバゾール）、およびポリマーの骨格中に共役した繰り返し単位を含むポリマーが含まれる。ポリマーの骨格が共役した繰り返し単位を含む場合、ポリマー骨格中の繰り返し単位間の共役の程度は、式（Ｉ）の燐光化合物の三重項エネルギー準位以上であるポリマーのそれを維持するために限定されてもよい。
【００６８】
共役ポリマーの例示の繰り返し単位には、非置換または置換の単環式および多環式ヘテロアリーレン繰り返し単位；例えば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０００  １２（２３）１７３７−１７５０に開示されているような非置換または置換の単環式および多環式アリーレン繰り返し単位が含まれ、J．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１９９６，７９，９３４に開示されているような１，２−、１，３−および１，４−フェニレン繰り返し単位；欧州特許第０８４２２０８号に開示されているような２，７−フルオレン繰り返し単位；例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２０００，３３（６），２０１６−２０２０に開示されているようなインデノフルオレン繰り返し単位；および、例えば欧州特許第０７０７０２０号に開示されているようなスピロフルオレン繰り返し単位が含まれる。これらの繰り返し単位のそれぞれは置換されていてもよい。置換基の例には、Ｃ１−２０アルキルまたはアルコキシなどの可溶化基；フッ素、ニトロまたはシアノなどの電子吸引基；およびポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）を高めるための置換基が含まれる。
【００６９】
１つの例示の種類の繰り返し単位は式（ＩＶ）：
【化１１】
2015145492.tif 000012
［式中、ＡはＯ、Ｓ、ＮＲ１、ＣＲ１２またはＳｉＲ１２であり；各出現でのＲ１は、同一または異なり、Ｈまたは置換基であり、ここで、２個の基Ｒ１は連結して環を形成してもよい。］
の非置換または置換繰り返し単位である。
【００７０】
各Ｒ１は好ましくは置換基であり、各Ｒ１は：
置換されていてもよいアルキル、任意選択で、１個または複数の隣接しないＣ原子が、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏまたは−ＣＯＯ−で置き換えられてもよいＣ１−２０アルキル；
置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール；
それぞれの基が独立して置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールの直鎖または分岐鎖、例えば式（ＶＩ）に関連して以下に記載するような式−（Ａｒ６）ｒの基；および
架橋可能基、例えばビニルもしくはアクリラート基などの二重結合を含む基またはベンゾシクロブタン基，
からなる群から独立して選択されてもよい。
【００７１】
Ｒ１がアリールもしくはヘテロアリール環系、またはアリールもしくはヘテロアリール環系の直鎖または分岐鎖を含む場合、各アリールまたはヘテロアリール環系は：
アルキル、例えば、１個または複数の隣接しないＣ原子がＯ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、また、アルキル基の１個または複数のＨ原子が、Ｆ、または１個もしくは複数の基Ｒ４で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリールで置き換えられてもよいＣ１−２０アルキル；
１個または複数の基Ｒ４で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール；
ＮＲ５２、ＯＲ５、ＳＲ５；および
フッ素、ニトロおよびシアノ，
［ここで、各Ｒ４は、独立して、アルキル、例えば１個または複数の隣接しないＣ原子がＯ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、アルキル基の１個または複数のＨ原子はＦで置き換えられてもよいＣ１−２０アルキルであり、各Ｒ５は、アルキル、および１個または複数のアルキル基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールからなる群から独立して選択される。］
からなる群から選択される１個または複数の置換基Ｒ３で置換されていてもよい。
【００７２】
式（ＩＶ）の繰り返し単位の芳香族炭素原子は、非置換であるか、または１個もしくは複数の置換基で置換されていてもよい。置換基は、アルキル、例えばＣ１−２０アルキルからなる群から選択されていてもよく、ここで、１個または複数の隣接しないＣ原子は、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたは置換Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、フッ素、シアノおよびアリールアルキルで置き換えられてもよい。特に好ましい置換基には、Ｃ１−２０アルキルおよび置換または非置換のアリール、例えばフェニルが含まれる。アリールの任意選択の置換基には、１個または複数のＣ１−２０アルキル基が含まれる。
【００７３】
存在する場合、置換Ｎは、各出現において独立してＮＲ６であってもよく、ここで、Ｒ６は、アルキル、任意選択でＣ１−２０アルキル、または置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリールである。アリールまたはヘテロアリールの任意選択の置換基Ｒ６は、Ｒ４またはＲ５から選択されてもよい。
【００７４】
好ましくは、各Ｒ１は、Ｃ１−２０アルキルおよび置換されていてもよいフェニルからなる群から選択される。フェニルの任意選択の置換基には、１個または複数のＣ１−２０アルキル基が含まれる。
【００７５】
式（Ｉ）の化合物がポリマーの側鎖として与えられる場合、Ａは、ＮＲ１、ＣＲ１２またはＳｉＲ１２であってもよく、少なくとも１個のＲ１は、Ｎ、ＣまたはＳｉに直接結合した、またはスペーサ基によってＡから離れて配置された式（Ｉ）の化合物を含んでもよい。
【００７６】
式（ＩＶ）の繰り返し単位の共役の程度は、隣接する繰り返し単位、例えば３−および６−位の一方または両方にＣ１−２０アルキル置換基を持つ２，７−連結フルオレンを用いてねじれを生み出すために、（ａ）繰り返し単位の連結位置を選択すること、および／または（ｂ）繰り返し単位の連結位置に隣接する１個または複数の芳香族炭素原子を置換することによって限定されてもよい。
【００７７】
式（ＩＶ）の例示の繰り返し単位は以下を含む。
【化１２】
2015145492.tif 000013
【００７８】
ホストポリマーは、式（ＩＶ）の繰り返し単位、または式（ＩＶ）の２種以上の異なる繰り返し単位を含んでいてもよい。
【００７９】
別の例示の種類の繰り返し単位は、式（Ｖ）：
【化１３】
2015145492.tif 000014
［式中、ｐは０、１、２、３または４であり、１または２であってもよく、Ｒ２は、各出現において独立して置換基、上記のような置換基Ｒ１、例えばＣ１−２０アルキル、および非置換の、または１個もしくは複数のＣ１−２０アルキル基で置換されていてもよいフェニルである。］
のフェニレン繰り返し単位などのフェニレン繰り返し単位である。
【００８０】
式（Ｖ）の繰り返し単位は、１，４−連結、１，２−連結、または１，３−連結していてよい。
【００８１】
式（Ｖ）の繰り返し単位が１，４−連結し、ｐが０である場合、隣接する繰り返し単位の一方または両方への式（Ｖ）の繰り返し単位の共役の程度は、比較的高くてもよい。
【００８２】
ｐが少なくとも１であり、かつ／または繰り返し単位が１，２−または１，３−連結している場合、隣接する繰り返し単位の一方または両方への式（Ｖ）の繰り返し単位の共役の程度は、比較的低くてもよい。１つの好ましい構成において、式（Ｖ）の繰り返し単位は１，３−連結し、ｐは０、１、２または３である。別の好ましい構成において、式（Ｖ）の繰り返し単位は式（Ｖａ）：
【化１４】
2015145492.tif 000015
を有する。
【００８３】
式（ＩＶ）および（Ｖ）の繰り返し単位などのアリーレン繰り返し単位は、隣接する繰り返し単位の芳香族またはヘテロ芳香族基と完全共役していてもよい。追加または代替として、ホストポリマーは、共役切断繰り返し単位に隣接する繰り返し単位間の共役を完全に切断する、共役切断繰り返し単位を含んでいてもよい。例示の共役切断繰り返し単位は、式（ＩＸ）：
【化１５】
2015145492.tif 000016
［式中、Ａｒ７は、各出現において独立して、非置換の、または１個もしくは複数の置換基で置換されていてもよい芳香族基またはヘテロ芳香族基を表し、Ｓｐ１は、２個の基Ａｒ７を分離する、少なくとも１個のｓｐ３混成炭素原子を含むスペーサ基を表す。］
を有する。好ましくは、各Ａｒ７はフェニルであり、Ｓｐ１はＣ１−１０アルキル基である。Ａｒ７の置換基は、式（Ｖ）に関連して上に記載された基Ｒ２から選択されてもよく、好ましくはＣ１−２０アルキルから選択される。
【００８４】
ホストポリマーは、正孔輸送単位または電子輸送単位であってもよい電荷輸送単位ＣＴを含んでもよい。
【００８５】
正孔輸送単位は、低い電子親和性（２ｅＶ以下）および低いイオン化ポテンシャル（５．８ｅＶ以下、好ましくは５．７ｅＶ以下、より好ましくは５．６ｅＶ以下）を有していてもよい。
【００８６】
電子輸送単位は、高い電子親和性（１．８ｅＶ以上、好ましくは２ｅＶ以上、より好ましくは２．２ｅＶ以上）および高いイオン化ポテンシャル（５．８ｅＶ以上）を有していてもよい。適切な電子輸送基は、例えば、Ｓｈｉｒｏｔａ  ａｎｄ  Ｋａｇｅｙａｍａ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７，１０７，９５３−１０１０に開示されている基を含む。
【００８７】
電子親和性およびイオン化ポテンシャルは、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）によって測定されてもよい。作用電極の電位は、時間に対して直線的に上げてもよい。
【００８８】
サイクリックボルタンメトリーが設定した電位に達したら、作用電極の電位の経路は反転させる。この反転は、単回の実験中に複数回起こすことができる。作用電極の電流は印加される電圧に対してプロットされ、サイクリックボルタンモグラムの曲線を与える。
【００８９】
ＣＶによるＨＯＭＯまたはＬＵＭＯエネルギー準位を測定する装置は、過塩素酸ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウム／またはアセトニトリル中のｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムヘキサフルオロホスファート溶液、試料がフィルムとして被覆されたガラス状炭素作用電極、白金対向電極（電子のドナーまたはアクセプター）および漏れなし参照ガラス電極Ａｇ／ＡｇＣｌを含む電池を備えることができる。フェロセンは、計算目的で実験の最後に電池に添加される（Ａｇ／ＡｇＣｌ／フェロセンおよび試料／フェロセンの間の電位差の測定）。
方法および設定：
直径３ｍｍのガラス状炭素作用電極
Ａｇ／ＡｇＣｌ／漏れなし参照電極
Ｐｔ線補助電極
アセトニトリル中の０．１Ｍテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスファート
ＬＵＭＯ＝４．８−フェロセン（ピーク間の最大平均値）＋開始点
試料：３０００ｒｐｍでＬＵＭＯ（還元）測定したトルエン中の５ｍｇ／ｍＬの１滴：
良好な可逆的還元事象は、通常、２００ｍＶ／ｓおよび−２．５Ｖの切り替え電位で測定した厚膜について観察される。還元事象は１０サイクルにわたり測定し比較するべきであり、通常、測定は３回目のサイクルで得られる。開始点は、還元事象の最も急峻な部分および基準線で最も良く適合する線の交点で得られる。
【００９０】
例示の正孔輸送単位ＣＴは、置換されていてもよい（ヘテロ）アリールアミン繰り返し単位、例えば式（ＶＩ）：
【化１６】
2015145492.tif 000017
［式中、各出現でのＡｒ４およびＡｒ５は、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールから独立して選択され、ｎは、１以上、好ましくは１または２であり、Ｒ８はＨまたは置換基、好ましくは置換基であり、ｘおよびｙはそれぞれ独立して１、２または３である。］
の繰り返し単位を含む。
【００９１】
Ａｒ４およびＡｒ５は、それぞれ独立して単環式または縮合環系であってもよい。
【００９２】
Ｒ８は、ｎ＞１である場合各出現において同一でも異なっていてもよいが、アルキル、例えばＣ１−２０アルキル、Ａｒ６、Ａｒ６基の分岐鎖または直鎖、または式（ＶＩ）のＮ原子に直接結合した、またはスペーサ基によってそこから離れて配置された架橋可能単位からなる群から好ましくは選択され、ここで、各出現でのＡｒ６は、独立して置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールである。例示のスペーサ基は、上記のような、例えばＣ１−２０アルキル、フェニルおよびフェニル−Ｃ１−２０アルキルである。
【００９３】
Ａｒ６基は、下記のような１個または複数の置換基で置換されていてもよい。Ａｒ６基の例示の分岐鎖または直鎖は、式−（Ａｒ６）ｒ［式中、各出現でのＡｒ６は、アリールまたはヘテロアリールから独立して選択され、ｒは少なくとも１、または１、２もしくは３であってもよい。］
を有することができる。Ａｒ６基の例示の分岐鎖は、３，５−ジフェニルベンゼンである。
【００９４】
Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６のいずれも、独立して１個または複数の置換基で置換されていてもよい。好ましい置換基は：
アルキル、例えば１個または複数の隣接しないＣ原子が、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏまたは−ＣＯＯ−で置き換えられてもよく、アルキル基の１個または複数のＨ原子が、Ｆまたは１個もしくは複数の基Ｒ４で置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリールで置き換えられてもよいＣ１−２０アルキル；
１個または複数の基Ｒ４で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール；
ＮＲ５２、ＯＲ５、ＳＲ５；および
フッ素、ニトロおよびシアノ，
［ここで、各Ｒ４は、独立してアルキル、例えば、１個または複数の隣接しないＣ原子がＯ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏおよび−ＣＯＯ−で置き換えられてもよいＣ１−２０アルキルであり、アルキル基の１個または複数のＨ原子はＦで置き換えられてもよく、各Ｒ５は、アルキル、および１個または複数のアルキル基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールからなる群から独立して選択される。］
からなる基Ｒ３から選択される。
【００９５】
式（ＶＩ）の繰り返し単位中の同一Ｎ原子に直接結合した、Ａｒ４、Ａｒ５および存在する場合Ａｒ６の任意の２つは、直接結合または二価の連結原子または基によって連結されていてもよい。好ましい二価の連結原子および基は、Ｏ、Ｓ；置換Ｎ；および置換Ｃを含む。
【００９６】
存在する場合、Ｒ３、Ｒ４、または二価の連結基の置換Ｎまたは置換Ｃは、各出現において独立してそれぞれＮＲ６またはＣＲ６２であってもよく、ここで、Ｒ６は、アルキルまたは置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールである。アリールまたはヘテロアリールＲ６の任意選択の置換基はＣ１−２０アルキルであってもよい。
【００９７】
１つの好ましい構成において、Ｒ８はＡｒ６であり、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６のそれぞれは、独立して１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されていてもよい。
【００９８】
式（ＶＩ）を満たす特に好ましい単位は、式１−４：
【化１７】
2015145492.tif 000018
の単位を含む。
【００９９】
存在する場合、Ａｒ６の好ましい置換基は、Ａｒ４およびＡｒ５について記載されているような置換基、特にアルキルおよびアルコキシ基を含む。
【０１００】
Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６は好ましくはフェニルであり、そのそれぞれは独立して上記のような１個または複数の置換基で置換されていてもよい。
【０１０１】
別の好ましい構成において、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６はフェニルであり、そのそれぞれは１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されていてもよく、ｒ＝１である。
【０１０２】
別の好ましい構成において、Ａｒ４およびＡｒ５はフェニルであり、そのそれぞれは１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されていてもよく、Ｒ８は３，５−ジフェニルベンゼンであり、ここで、各フェニルは１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されていてもよい。
【０１０３】
別の好ましい構成において、ｎ、ｘおよびｙはそれぞれ１であり、Ａｒ４およびＡｒ５は、酸素原子によって連結してフェノキサジン環を形成するフェニルである。
【０１０４】
トリアジンは例示の種類の電子輸送単位、例えば（ヘテロ）アリール基の１つによって側基として結合した、置換されていてもよいジまたはトリ−（ヘテロ）アリールトリアジンを形成する。他の例示の電子輸送単位は、ピリミジンおよびピリジン；スルホキシドおよびホスフィンオキシド；ベンゾフェノン；およびボランであり、そのそれぞれは非置換であるか、または１個もしくは複数の置換基、例えば１個もしくは複数のＣ１−２０アルキル基で置換されていてもよい。
【０１０５】
例示の電子輸送単位ＣＴは、式（ＶＩＩ）：
【化１８】
2015145492.tif 000019
［式中、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６は、上記式（ＶＩ）に関連して記載された通りであり、それぞれ独立してＡｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６に関連して記載された１個または複数の置換基で置換されていてもよく、各出現でのｚは独立して少なくとも１、または１、２もしくは３であってもよく、ＹはＮまたはＣＲ７であり、ここで、Ｒ７はＨまたは置換基、好ましくはＨまたはＣ１−１０アルキルである。］
を有する。好ましくは、式（ＶＩＩ）のＡｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６はそれぞれフェニルであり、各フェニルは、独立して１個または複数のＣ１−２０アルキル基で置換されていてもよい。
【０１０６】
１つの好ましい実施形態において、３個の基ＹはすべてＮである。
【０１０７】
３個の基ＹがすべてＣＲ７である場合、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３の少なくとも１つは、好ましくはＮを含むヘテロ芳香族基である。
【０１０８】
Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６のそれぞれは、独立して１個または複数の置換基で置換されていてもよい。１つの構成において、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６は各出現においてフェニルである。例示の置換基は、式（ＶＩ）に関連して上記のようなＲ３、例えばＣ１−２０アルキルまたはアルコキシを含む。
【０１０９】
式（ＶＩＩ）のＡｒ６は好ましくはフェニルであり、１個または複数のＣ１−２０アルキル基または架橋可能単位で置換されていてもよい。架橋可能単位は、Ａｒ６に直接結合した、またはスペーサ基によってＡｒ６から離れて配置された式（Ｉ）の単位であってもよいがそうでなくてもよい。
【０１１０】
電荷輸送単位ＣＴは、対応するモノマーの重合により形成された別個の繰り返し単位として与えられてもよい。代替として、１個または複数のＣＴ単位は、より大きな繰り返し単位、例えば式（ＶＩＩＩ）：
【化１９】
2015145492.tif 000020
［式中、ＣＴは共役電荷輸送基を表し；各Ａｒ３は独立して非置換または置換のアリールまたはヘテロアリールを表し；ｑは少なくとも１であり；各Ｓｐは、独立してＡｒ３とＣＴの間の共役に切れ目を形成するスペーサ基を表す。］
の繰り返し単位の一部を形成してもよい。
【０１１１】
Ｓｐは、好ましくは分岐、直鎖または環式のＣ１−２０アルキル基である。
【０１１２】
例示のＣＴ基には、上記の式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）の単位が含まれる。
【０１１３】
Ａｒ３は、好ましくは非置換または置換アリール、または非置換もしくは置換のフェニルもしくはフルオレンであってもよい。Ａｒ３の任意選択の置換基は、上記のようなＲ３から選択されていてもよく、好ましくは１個または複数のＣ１−２０アルキル置換基から選択される。
【０１１４】
ｑは好ましくは１である。
【０１１５】
ポリマーは、ポリマー鎖に沿った共役を遮断または低下させ、それによってポリマーのバンドギャップを増加させる繰り返し単位を含んでもよい。例えば、ポリマーは、ポリマー骨格に沿った共役を低下させるポリマー骨格の面からねじれた単位、またはポリマー骨格に沿った任意の共役経路を与えない単位を含んでもよい。ポリマー骨格に沿った共役を低下させる例示の繰り返し単位は、式（Ｖ）に関連して上に記載されたように、置換または非置換の１，３−置換フェニレン繰り返し単位、およびＣ１−２０アルキル基で２−および／または５−位で置換された１，４−フェニレン繰り返しである。
【０１１６】
ポリマー中の電荷輸送繰り返し単位、例えば、式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位のモルパーセントは、ポリマーの繰り返し単位の合計数の最大７５ｍｏｌ％の範囲であってよく、最大５０ｍｏｌ％の範囲であってもよい。
【０１１７】
白色ＯＬＥＤ
本発明のＯＬＥＤは、素子から放射される光が白色になるように、式（Ｉ）の青色発光化合物およびある色を放射する１種または複数のさらなる発光材料を含有する白色ＯＬＥＤであってもよい。さらなる発光材料は、蛍光性または燐光性であってもよい赤色および緑色の発光材料を含む。
【０１１８】
１種または複数のさらなる発光材料は、式（Ｉ）の化合物と同一の発光層中に存在してよく、または素子の１つまたは複数のさらなる発光層中に与えられてもよい。
【０１１９】
白色ＯＬＥＤから放射される光は、２５００−９０００Ｋの範囲の温度で黒体によって放射される光と等価のＣＩＥ  ｘ座標、および黒体によって放射される前記光のＣＩＥ  ｙ座標の０．０５または０．０２５以内のＣＩＥ  ｙ座標であり、２７００−６００Ｋの範囲の温度で黒体によって放射される光に等価なＣＩＥ  ｘ座標を有していてもよい。
【０１２０】
緑色発光材料は、４９０ｎｍを超え５８０ｎｍまで、または４９０ｎｍを超え５４０ｎｍまでの範囲にピークを有するフォトルミネッセントスペクトルを有していてもよい。
【０１２１】
赤色発光材料は、５８０ｎｍを超え６３０ｎｍまで、または５８５ｎｍを超え６２５ｎｍまでのフォトルミネッセントスペクトル中にピークを有していてもよい。
【０１２２】
ポリマー合成
上記のような式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）および（ＩＸ）の１個または複数の繰り返し単位を含むポリマーなどの共役ポリマーの調製にとって好ましい方法は、金属錯体触媒の金属原子が、アリールまたはヘテロアリール基と、モノマーの脱離基の間に挿入される「金属挿入」を含む。例示の金属挿入方法は、例えば、国際公開第００／５３６５６号に記載されているような鈴木重合、および、例えば、Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，「Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ａｎｄ  Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔａｂｌｅ  ｐｉ−Ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  Ｐｏｌｙ（ａｒｙｌｅｎｅ）ｓ  Ｐｒｅｐａｒｅｄ  ｂｙ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９３，１７，１１５３−１２０５に記載されているような山本重合である。山本重合の場合、ニッケル錯体触媒が使用され、鈴木重合の場合には、パラジウム錯体触媒が使用される。
【０１２３】
例えば、山本重合による直鎖ポリマーの合成において、２個の反応性ハロゲン基を有するモノマーが使用される。同様に、鈴木重合の方法によると、少なくとも一方の反応基は、ボロン酸またはボロン酸エステルなどのホウ素誘導基であり、他方の反応基はハロゲンである。好ましいハロゲンは、塩素、臭素およびヨウ素であり、最も好ましくは臭素である。
【０１２４】
したがって、本出願の全体にわたって説明される繰り返し単位は、適切な脱離基を持つモノマーに由来してもよいことが理解されよう。同様に、末端基または側基は適切な脱離基の反応によってポリマーに結合していてよい。
【０１２５】
鈴木重合は、位置規則性、ブロックおよびランダムコポリマーを調製するために使用されてもよい。特に、一方の反応基がハロゲンであり他方の反応基がホウ素誘導基である場合、ホモポリマーまたはランダムコポリマーを調製することができる。代替として、第１のモノマーの反応基が両方ともホウ素であり、第２のモノマーの反応基が両方ともハロゲンである場合、ブロックまたは位置規則性のコポリマーを調製することができる。
【０１２６】
ハライドの代替として、金属挿入に関与することができる他の脱離基には、トシラート、メシラートおよびトリフラートなどのスルホン酸およびスルホン酸エステルが含まれる。
【０１２７】
電荷輸送層および電荷遮断層
正孔輸送層が、陽極と発光層（複数可）の間に設けられてもよい。同様に、電子輸送層が、陰極と発光層（複数可）の間に設けられてもよい。
【０１２８】
同様に、電子遮断層が、陽極と発光層の間に設けられてもよく、正孔遮断層が、陰極と発光層の間に設けられてもよい。輸送層および遮断層は組み合わせて使用されてもよい。そのＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ水準に応じて、単一の層が、正孔および電子の一方を輸送し、かつ、正孔および電子の他方を遮断してもよい。
【０１２９】
電荷輸送層または電荷遮断層は、特にその電荷輸送層または電荷遮断層に重なる層が溶液から堆積される場合、架橋されていてもよい。この架橋に使用される架橋可能基は、ビニルもしくはアクリラート基などの反応性二重結合を含む架橋可能基またはベンゾシクロブタン基であってもよい。架橋可能基は、電荷輸送または電荷遮断ポリマーの骨格から側鎖にある置換基として設けられてもよい。電荷輸送層または電荷遮断層の形成後、架橋可能基は熱処理または照射によって架橋されてもよい。
【０１３０】
存在する場合、陽極と発光層の間に位置する正孔輸送層は、好ましくは、サイクリックボルタンメトリーによって測定して５．５ｅＶ以下、より好ましくは４．８−５．５ｅＶの辺りのＨＯＭＯ水準を有する。正孔輸送層のＨＯＭＯ水準は、これらの層の間の正孔輸送に対して小さい障壁を提供するために、隣接する層（発光層など）の０．２ｅＶの内に選択されてもよく、０．１ｅＶの内になるように選択されてもよい。
【０１３１】
存在する場合、発光層と陰極の間に位置する電子輸送層は、好ましくは方形波サイクリックボルタンメトリーによって測定しておよそ２．５−３．５ｅＶのＬＵＭＯ水準を有する。０．２−２ｎｍの範囲の厚さを有する一酸化ケイ素または二酸化ケイ素の層、または他の薄い誘電体層は、陰極に最も近い発光層と陰極の間に設けられてもよい。ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの水準は、サイクリックボルタンメトリーを使用して測定されてもよい。
【０１３２】
正孔輸送層は、式（ＶＩ）の正孔輸送繰り返し単位を含むホモポリマーまたはコポリマーなどの正孔輸送する（ヘテロ）アリールアミンを含んでいてもよい。例示のコポリマーは、上記のようなフェニル、フルオレンまたはインデノフルオレン繰り返し単位などの式（ＶＩ）の繰り返し単位および置換されていてもよい（ヘテロ）アリーレン共繰り返し単位を含み、ここで、前記（ヘテロ）アリーレン繰り返し単位のそれぞれは、アルキルまたはアルコキシ基などの１個または複数の置換基で置換されていてもよい。特定の共繰り返し単位は、上記のような式（ＩＶ）のフルオレン繰り返し単位および式（Ｖ）の置換されていてもよいフェニレン繰り返し単位を含む。式（ＶＩ）の繰り返し単位を含有する正孔輸送コポリマーは、式（ＶＩ）の２５−９５ｍｏｌ％の繰り返し単位を含んでいてもよい。
【０１３３】
電子輸送層は、フルオレン繰り返し単位の鎖などの、置換されていてもよいアリーレン繰り返し単位の鎖を含むポリマーを含んでいてもよい。
【０１３４】
複数の正孔輸送層または複数の電子輸送層が設けられてもよい。実施形態において、２つ以上の正孔輸送層が設けられる。
【０１３５】
正孔注入層
導電性の有機または無機材料から形成されてもよい導電性正孔注入層が、半導体ポリマーの層（複数可）への陽極からの正孔注入を支援するために陽極と発光層（複数可）の間に設けられてもよい。正孔輸送層は、正孔注入層と組み合わせて使用されてもよい。
【０１３６】
ドープした有機正孔注入材料の例は、置換されていてもよいドープしたポリ（エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）、特に欧州特許第０９０１１７６号および欧州特許第０９４７１２３号に開示されているポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ポリアクリル酸またはフッ化スルホン酸、例えばナフィオン（登録商標）などの電荷バランスを保つポリ酸でドープしたＰＥＤＴ；米国特許第５７２３８７３号および米国特許第５７９８１７０号に開示されているポリアニリン；置換されていてもよいポリチオフェンまたはポリ（チエノチオフェン）を含む。導電性無機材料の例は、Jｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｄ：Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  （１９９６），２９（１１），２７５０−２７５３に開示されているようなＶＯｘ、ＭｏＯｘおよびＲｕＯｘなどの遷移金属酸化物を含む。
【０１３７】
陰極
陰極は、発光層（複数可）への電子の注入を可能にする仕事関数を有する材料から選択される。陰極と発光材料の間の不都合な相互作用の可能性などの他の要因は、陰極の選択に影響を及ぼす。陰極は、アルミニウムの層などの単一の材料からなっていてもよい。代替として、これは複数の金属、例えば国際公開第９８／１０６２１号に開示されているようなカルシウムおよびアルミニウムなどの低い仕事関数材料と高い仕事関数材料との二重層を含んでもよい。陰極は、例えば国際公開第９８／５７３８１号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００２，８１（４），６３４および国際公開第０２／８４７５９号に開示されているような元素のバリウムを含有する層を含んでいてもよい。陰極は、ＯＬＥＤの発光層（複数可）と陰極の１つまたは複数の導電層（１つまたは複数の金属層など）の間に、金属化合物の薄い（例えば厚さ１−５ｎｍ）層を含んでいてもよい。例示の金属化合物には、電子注入を支援するアルカリまたはアルカリ土類金属の酸化物またはフッ化物、例えば国際公開第００／４８２５８号に開示されているようなフッ化リチウム；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１，７９（５），２００１に開示されているようなフッ化バリウム；および酸化バリウムが含まれる。素子への電子の効率的な注入をもたらすために、陰極は、好ましくは３．５ｅＶ未満、より好ましくは３．２ｅＶ未満、最も好ましくは３ｅＶ未満の仕事関数を有する。金属の仕事関数は、例えば、Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ，J．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４８（１１），４７２９，１９７７に見いだすことができる。
【０１３８】
陰極は不透明でも透明であってもよい。透明陰極は、アクティブマトリクス素子には特に有利であるが、それは、そのような素子中の透明陽極を通る放射が、発光画素の真下に位置する駆動回路類によって少なくとも部分的に遮断されるからである。透明陰極は、透明であるのに十分に薄い電子注入材料の層を含む。通常、この層の横方向の導電率は、その薄さの結果、低くなる。この場合、電子注入材料の層は、酸化インジウムスズなどの透明導電材料のより厚い層と組み合わせて使用される。
【０１３９】
透明陰極素子は、透明陽極を必要とせず（他の場合、当然、完全に透明な素子が所望される）、そのため、下部発光素子に使用される透明陽極は、アルミニウムの層などの反射材料の層と置き換えられ、または補われてもよいことは理解されよう。透明陰極素子の例は、例えば、英国特許第２３４８３１６号に開示されている。
【０１４０】
封止
有機オプトエレクトロニクス素子は、湿気および酸素に敏感な傾向がある。したがって基体１は、湿気および酸素の素子への進入の防止に対する良好な障壁特性を有することが好ましい。基体は一般にガラスであるが、しかし、特に素子の可撓性が望まれる場合、代替の基体が使用されてもよい。例えば、基体は、交互するプラスチックおよび障壁層の基体を開示している米国特許第６２６８６９５号のようなプラスチック、または欧州特許第０９４９８５０号に開示されているような薄いガラスおよびプラスチックの積層物を含んでもよい。
【０１４１】
素子は、湿気および酸素の進入を防止するために、封止剤（図示せず）で封止されてもよい。適切な封止剤は、シート状ガラス、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、窒化ケイ素などの適切な障壁特性を有するフィルム、または、例えば、国際公開第０１／８１６４９号に開示されているようなポリマーおよび誘電体の交互するスタック、または、例えば、国際公開第０１／１９１４２号に開示されているような気密容器を含む。透明陰極素子の場合、一酸化ケイ素または二酸化ケイ素などの透明封止層は、ミクロン水準の厚さに堆積させてよいが、１つの好ましい実施形態において、そのような層の厚さは２０−３００ｎｍの範囲にある。基体または封止剤に浸透し得る大気中の湿気および／または酸素を吸収するためのゲッタ材料が、基体と封止剤の間に配置されてもよい。
【０１４２】
溶液加工
式（Ｉ）およびその組成物の発光金属錯体の溶液加工することができる調合物の形成に適する溶媒は、モノ−またはポリ−アルキルベンゼン、およびモノ−またはポリ−アルコキシベンゼン（トルエンおよびキシレンなど）などの通常の有機溶媒から選択されてもよい。
【０１４３】
式（Ｉ）の化合物を含有する発光層を形成するための例示の溶液堆積技法は、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティングまたはロール印刷、ドクターブレードコーティング、スロットダイコーティング、グラビア印刷、スクリーン印刷およびインクジェット印刷などの印刷およびコーティング技法を含む。
【０１４４】
上記のようなコーティング方法は、発光層（複数可）のパターニングが不必要である素子−例えば、照明用途または単純な単色に区分されたディスプレイには特に適している。
【０１４５】
印刷は、特に大きい情報量のディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに適する。素子は、第１の電極を覆ってパターン層を設けて１色（単色素子の場合）または多数色（多色、特にフルカラー素子の場合）の印刷に対してウェルを画定することによってインクジェット印刷されてもよい。パターン層は、通常、例えば、欧州特許第０８８０３０３号に記載されているようなウェルを画定するためにパターン化されたフォトレジストの層である。
【０１４６】
ウェルの代替として、インクはパターン層内に画定された通路へ印刷されてもよい。特に、フォトレジストは、通路を形成するためにパターン化されてよく、通路は、ウェルと異なり、複数の画素にわたって延び、通路の終点で閉じられてもよく、または開いていてもよい。
【０１４７】
同一のコーティングおよび印刷方法が、（存在する場合）正孔注入層、電荷輸送層および電荷遮断層を含むＯＬＥＤの他の層を形成するために使用されてもよい。
【実施例】
【０１４８】
エミッタ実施例１
エミッタ実施例１を以下の反応スキームに従って調製した：
配位子の合成
【化２０】
2015145492.tif 000021
【０１４９】
工程−１：２−ブロモ−５Ｈ−フェナントリジン−６−オン（２）の合成
【化２１】
2015145492.tif 000022
窒素環境下で、６−（５Ｈ）−フェナントリジノン（７５０ｇ、３．８４１ｍｏｌ）を酢酸（７．５Ｌ）に入れた。混合物は、氷浴を使用して０℃に冷却した。臭素（３６５ｍＬ、６．９１３ｍｏｌ）を０℃で徐々に添加した。反応物は、室温に徐々に温め、１６時間撹拌した。反応の完了後、これを氷冷水（１５Ｌ）に注意深く添加し、３０分間撹拌した。このようにして得られた固体は濾過し、１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液（４Ｌ）、続いて水（４Ｌ）で洗った。固体を真空環境下で乾燥して、オフホワイト色の固体（９９０ｇ、９４％）として２−ブロモ−５Ｈ−フェナントリジン−６−オン（２）が得られた。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ［ｐｐｍ］δ  ７．２９（ｄ，J＝８．６８Ｈｚ，１Ｈ），７．６４（ｄｄ，J＝２．１２Ｈｚ，８．６６Ｈｚ，１Ｈ），７．６７−７．６９（ｍ，１Ｈ），７．８３−７．８７（ｍ，１Ｈ），８．３１（ｄｄ，J＝１．２Ｈｚ，７．９２Ｈｚ，１Ｈ），８．５６（ｄ，J＝８．１６Ｈｚ，１Ｈ），８．５８（ｄ，J＝２．０８Ｈｚ，１Ｈ），１１．８０（ｓ，１Ｈ）．
【０１５０】
工程−２：２−ブロモ−６−クロロフェナントリジン（３）の合成
【化２２】
2015145492.tif 000023
窒素環境下で、ＰＣｌ５（９５８ｇ、４．５９６ｍｏｌ）を、２−ブロモ−５Ｈ−フェナントリジン−６−オン（１．２ｋｇ、４．３７７ｍｏｌ）を含むＰＯＣｌ３（７．２Ｌ）溶液に分割して添加した。混合物を９５℃で１６時間加熱した。反応の完了後、ＰＯＣｌ３を真空環境下で留去した。残渣を氷水（８．５Ｌ）に注意深く添加し、１時間撹拌した。このようにして得られた固体を濾過し、水で洗い、真空環境下で乾燥して、２−ブロモ−６−クロロフェナントリジン（３）（１．１２ｋｇ、８７％）が得られた。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ［ｐｐｍ］δ  ７．９１−７．９５（ｍ，３Ｈ），８．０３−８．０７（ｍ，１Ｈ），８．４２（ｄ，J＝７．６４Ｈｚ，１Ｈ），８．９６（ｄ，J＝８．２８Ｈｚ，１Ｈ），９．０４（ｓ，１Ｈ）．
【０１５１】
工程−３：中間体４の合成
【化２３】
2015145492.tif 000024
窒素環境下で、２−ブロモ−６−クロロフェナントリジン（３）（１．５８ｋｇ、５．４ｍｏｌ）、４−メトキシベンジルアミン（２．２２ｋｇ、１６．２ｍｏｌ）およびＮ−エチルジイソプロピルアミン（２．７９３Ｌ、１６．２ｍｏｌ）の混合物を含むｎ−ブタノール（１５Ｌ）を１３５℃で２４時間加熱した。反応の完了後、室温に冷却し濾過した。固体はメタノールで洗い、真空環境下で乾燥して中間体４（１．８ｋｇ、８４％）が得られた。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ［ｐｐｍ］δ  ３．７０（ｓ，３Ｈ），４．７７（ｓ，２Ｈ），６．８７（ｄ，J＝６．３６Ｈｚ，２Ｈ），７．３８（ｄ，J＝５．８８Ｈｚ，２Ｈ），７．４７−７．４９（ｍ，１Ｈ），７．６０−７．８４（ｍ，３Ｈ），８．２５−８．２９（ｍ，１Ｈ），８．４２−８．４４（ｍ，１Ｈ），８．６４−８．７１（ｍ，２Ｈ）．
【０１５２】
工程−４：２−ブロモ−６−アミノフェナントリジン（５）の合成
【化２４】
2015145492.tif 000025
窒素環境下で、中間体４（１．２ｋｇ、３．０５１ｍｏｌ）、ＴＦＡ（７．２Ｌ）を含むＤＣＭ（７．２Ｌ）の混合物を６０°Ｃに加熱し、２４時間撹拌した。反応の完了後、室温に冷却し、ＴＦＡを回転蒸発装置で除去した。残渣を酢酸エチル（８Ｌ）に溶解し、１０％炭酸ナトリウム水溶液（５Ｌ）、水（５Ｌ）で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥し濃縮した。このようにして得られた残渣をＭＴＢＥ（２Ｌ）で研和して２−ブロモ−６−アミノフェナントリジン（５）（６００ｇ、７２％）が得られた。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ［ｐｐｍ］δ  ７．２３（ｂｒ，ｓ，２Ｈ），７．４５（ｄ，J＝８．６８Ｈｚ，１Ｈ），７．６２（ｄｄ，J＝２．２０Ｈｚ，８．６８Ｈｚ，１Ｈ），７．６９−７．７３（ｍ，１Ｈ），７．８２−７．８６（ｍ，１Ｈ），８．３６（ｄ，J＝７．８０Ｈｚ，１Ｈ），８．６５（ｄ，J＝２．２０Ｈｚ，１Ｈ），８．７０（ｄ，J＝８．０８Ｈｚ，１Ｈ）．
【０１５３】
工程−５：中間体７の合成
【化２５】
2015145492.tif 000026
窒素環境下で、（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（１．７３４ｋｇ、５．０５ｍｏｌ）をＴＨＦ（５Ｌ）に入れ、ドライアイス／アセトン浴を使用して−７８℃に冷却した。ＬｉＨＭＤＳ（５Ｌ、ＴＨＦ中の１．０Ｍ）を−７８℃で反応混合物に添加した。反応混合物を徐々に０℃にし、３０分間撹拌した。これをもう一度−７８℃に冷却した。ＴＨＦ（５Ｌ）中の２，４，６−トリメチルベンズアルデヒド（３００ｇ、２．０２ｍｏｌ）を−７８℃で反応混合物に添加した。混合物を徐々に室温に暖め、１６時間撹拌した。反応の完了後、混合物は塩化アンモニウム溶液（３Ｌ）で失活させ、ＥｔＯＡｃ（３Ｌｘ  ２）で抽出した。合わせた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し濃縮した。粗生成物は、溶離液としてヘキサン中の２％ＥｔＯＡｃを使用してカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、６０−１２０メッシュ）によって精製して、中間体７（３５０ｇ）が得られた。これは、次の工程でそのまま使用した。
【０１５４】
工程−６：２，４，６−トリメチルフェニルアセトアルデヒド（８）の合成
【化２６】
2015145492.tif 000027
窒素環境下で、中間体７（７００ｇ、３．９７１ｍｏｌ）、濃ＨＣｌ（２．１Ｌ）および水（３．３Ｌ）の混合物を含む１，４−ジオキサン（２．１Ｌ）を１００℃で１２時間加熱した。反応の完了後、ジオキサンを回転蒸発装置で除去し、水相を酢酸エチル（５Ｌｘ２）で抽出した。合わせた有機層を塩水（１．５Ｌ）で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥し濃縮した。粗生成物は、溶離液として８％ＥｔＯＡｃを含むヘキサンを使用してカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、６０−１２０メッシュ）によって精製して２，４，６−トリメチルフェニルアセトアルデヒド（８）（２８０ｇ、４４％）が得られた。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］δ  ２．２６（ｓ，６Ｈ），２．２８（ｓ，３Ｈ），３．７３（ｄ，J＝２．０１Ｈｚ，２Ｈ），６．９２（ｓ，２Ｈ），９．６６（ｔ，J＝２．１０Ｈｚ，１Ｈ）．
【０１５５】
工程−７：中間体９の合成
【化２７】
2015145492.tif 000028
窒素環境下で２，４，６−トリメチルフェニルアセトアルデヒド（４００ｇ、２．４６５ｍｏｌ）をＤＣＭ（３．２５Ｌ）および１，４−ジオキサン（６．２Ｌ）に溶解した。臭素（１２７ｍＬ、２．４６５ｍｏｌ）を含むＤＣＭ（３．２５Ｌ）溶液を室温で上記溶液に添加した。反応混合物を室温で２時間撹拌した。反応の完了後、チオ硫酸ナトリウム溶液（３Ｌ）を添加した。これをＤＣＭ（３Ｌ）で抽出し、水（２．５Ｌ）で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥し濃縮して中間体９（６２０ｇ）が得られた。粗生成物はさらなる精製をせず次の工程に用いた。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］δ  ２．２７（ｓ，３Ｈ），２．２９（ｓ，６Ｈ），５．７６（ｓ，１Ｈ），６．９０（ｓ，２Ｈ），９．７２（ｓ，１Ｈ）．
【０１５６】
工程−８：７−ブロモ−３−（２，４，６−トリメチルフェニル）イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン（１０）の合成
【化２８】
2015145492.tif 000029
窒素環境下で、２−ブロモ−６−アミノフェナントリジン（５）（７０２．２ｇ、２．５７１ｍｏｌ）および中間体９（６２０ｇ、２．５７１ｍｏｌ）の混合物を含む２−プロパノール（６．２Ｌ）を９５℃に２４時間加熱した。ＮａＨＣＯ３（３３０ｇ、５．１４２ｍｏｌ）およびジグライム（６．２Ｌ）を添加し１４０℃で４８時間加熱した。反応物の完了後、水（１０Ｌ）を添加し１時間撹拌した。このようにして得られた固体を濾過し水で洗い乾燥して、粗の１０が得られた。粗生成物を、溶離液として７％ＥｔＯＡｃを含むヘキサンを使用してカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、６０−１２０メッシュ）によって精製して、９８．８％のＨＰＬＣ純度を有する１０が得られた。上記手順の後、さらに４００ｇの中間体９を１０に変換し、両バッチから得られた粗生成物を合わせ結晶化した。再結晶：このようにして得られた生成物は、トルエン：ヘキサン（１：２）混合物に入れ、８０℃に１時間加熱した。これを室温に冷却し、濾過して９９．６１％のＨＰＬＣ純度を有する５２０ｇの１０が得られた。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］δ  ２．０３（ｓ，６Ｈ），２．４３（ｓ，３Ｈ），７．０７（ｓ，２Ｈ），７．２２（ｄ，J＝９．０４Ｈｚ，１Ｈ），７．３５（ｄｄ，J＝２．１６Ｈｚ  ａｎｄ  ９．０８Ｈｚ，１Ｈ），７．３８（ｓ，１Ｈ），７．６６−７．７４（ｍ，２Ｈ），８．３３（ｄ，J＝７．８０Ｈｚ，１Ｈ），８．５８（ｄ，J＝２．１２Ｈｚ，１Ｈ），８．７６（ｄ，J＝７．２８Ｈｚ，１Ｈ）．
【０１５７】
工程−９：エミッタ１配位子（１２）の合成
７−ブロモ−３−（２，４，６−トリメチルフェニル）イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン１０（１０．０ｇ、２４ｍｍｏｌ）および中間体１１（１６．８４ｇ、２９ｍｍｏｌ、１．２当量）を、還流凝縮器およびオーバーヘッド撹拌機を取り付けた５００ｍＬの３首フラスコに装入した。トルエン（１５０ｍＬ）を添加し混合物を１時間脱気した。次いで、反応混合物を撹拌しながら８５℃に加熱した。Ｐｄ２ｄｂａ３（０．１１ｇ、０．１２ｍｍｏｌ、０．００５当量）およびＳＰｈｏｓ（０．０９９ｇ、０．２４ｍｍｏｌ、０．００５当量）を固体として、続いてＥｔ４ＮＯＨ（２０％ｗ／ｖ水溶液）（７０ｍＬ、９６ｍｍｏｌ、４当量）の脱気した溶液を添加した。次いで、混合物を撹拌しながら（５００ｒｐｍ）１０５℃で２４時間加熱した。反応物を室温に冷却し、有機層を分離した。水層はジクロロメタン（２ｘ１００ｍＬ）で抽出した。有機画分を合わせ、減圧環境下で濃縮して約９０％のＨＰＬＣ純度のオレンジ色の固体が得られた。シリカＴＬＣプレート上のＲｆ＝０．４２（２０％ＥｔＯＡｃを含むヘキサン）であった。粗生成物は、ヘキサン中のＥｔＯＡｃの勾配を使用してシリカの自動カラムクロマトグラフィーによって精製して１７．５９ｇ、９３％の収率で得られた。ＨＰＬＣ純度９９．８％。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，６００ＭＨｚ）：δ［ｐｐｍ］８．７８（ｄ，J＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），８．７６（ｓ，１Ｈ），８．５２（ｄ，J＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．８５（ｓ，１Ｈ），７．８３（ｓ，２Ｈ），７．７２−７．６７（ｍ，２Ｈ），７．６４（ｄ，J＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．６０（ｄ，J＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４９（ｄ，J＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４４（ｄ，J＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４０（ｓ，１Ｈ），７．０９（ｓ，２Ｈ），２．４４（ｓ，３Ｈ），２．０８（ｓ，６Ｈ），１．８１（ｓ，４Ｈ），１．４３（ｓ，１２Ｈ），０．７８（ｓ，１８Ｈ）．
【０１５８】
エミッタ実施例１
【化２９】
2015145492.tif 000030
エミッタ１配位子（１２）（５．１０ｇ、６．４６ｍｍｏｌ）およびＩｒ（ａｃａｃ）３（０．７０８ｇ、１．４５ｍｍｏｌ）を、空気凝縮器および磁気撹拌棒を装備した２５ｍＬのシュレンクフラスコに装入した。窒素環境下で、トリデカン（１．５ｍＬ）を添加し、混合物を２６０−２８０℃で３日間加熱した。室温に冷却した後、褐色固体をジクロロメタンに溶解し、ヘキサン中のジクロロメタンの勾配（２０％ジクロロメタンから出発し３５％まで増加する）を使用して、シリカのカラムクロマトグラフィーによって精製した。結果として得られた黄色固体は、最小限のジクロロメタンに溶解し、ＭｅＯＨ（２００ｍＬ）の添加によって沈殿させた。エミッタ実施例１を収集し、真空オーブンで２４時間５０℃で乾燥した。２．０６ｇ、４９％収率、９８．９５％のＨＰＬＣ純度。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，６００ＭＨｚ）：δ［ｐｐｍ］８．７７（ｓ，３Ｈ），７．８２（ｓ，９Ｈ），７．８０（ｄ（ｂｒｏａｄ），J＝６．０Ｈｚ，３Ｈ），７．６３（ｄ，J＝８．３Ｈｚ，１２Ｈ），７．５３（ｄ，J＝８．７Ｈｚ，３Ｈ），７．４８（ｄ，J＝８．３Ｈｚ，１２Ｈ），７．２４（ｄ，J＝８．８Ｈｚ，３Ｈ），７．２１（ｔ，J＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），７．１６（ｓ（ｂｒｏａｄ），３Ｈ），７．０３（ｓ，３Ｈ），６．９９（ｓ，３Ｈ），６．８５（ｓ，３Ｈ），２．３９（ｓ，９Ｈ），２．１０（ｓ，９Ｈ），１．９０（ｓ，９Ｈ），１．８０（ｓ，１２Ｈ），１．４２（ｓ，３６Ｈ），０．７７（ｓ，５４Ｈ）．
【０１５９】
材料
ホスト−エミッタ組成物のフォトルミネッセンスおよびエレクトロルミネセンスの測定は、エミッタ実施例１、比較エミッタ１および比較エミッタ２からエミッタを選択して、表１に述べたモノマーの、国際公開第００／５３６５６号に記載されている鈴木重合によって調製したポリマーホスト中からホストを選択して行った。
【表１】
2015145492.tif 000031
【化３０】
2015145492.tif 000032
【０１６０】
フォトルミネセンス量子収量（ＰＬＱＹ）
ＰＬＱＹ測定のために、石英円盤上に適切な溶媒（例えばアルキルベンゼン、ハロベンゼン、アルコキシベンゼン）からフィルムを作って、０．３−０．４の透過率値を得た。特に好ましい溶媒はオルトキシレンである。測定は窒素環境下で、水銀灯Ｅ７５３６および正確な波長の選択のためのモノクロメータを有する浜松Ｃ９９２０−０２に結合した積分球中で実施した。
【表２】
2015145492.tif 000033
表２に示すように、エミッタ実施例１は、比較エミッタ１または比較エミッタ２のいずれかと比較して、異なるホスト中、および低濃度（５重量％）、高濃度（３６重量％）でより高いＰＬＱＹを与える。
【０１６１】
色特性
金属錯体のデンドロン化で金属錯体の放射の色の変化が観察された。例えば、デンドロンをフェニルトリアゾール金属錯体に結合させると、より長波長へ放射を移動させる効果がある。
【表３】
2015145492.tif 000034
【化３１】
2015145492.tif 000035
【化３２】
2015145492.tif 000036
本発明者らは、驚いたことに、表２に示すように、エミッタ実施例１の色がデンドリマーの存在によって著しく影響を受けないことを見いだした。比較すると、８ｎｍの深色移動が、非デンドリマーエミッタのフェニルトリアゾールエミッタ１と比較してデンドリマーエミッタのフェニルトリアゾールエミッタ２について観察される。
【０１６２】
素子実施例１
以下の構造を有する白色有機発光素子を調製した：
ＩＴＯ／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＬＥＬ／陰極
ここで、ＩＴＯは酸化インジウムスズ陽極であり；ＨＩＬは正孔注入材料を含む正孔注入層であり、ＨＴＬは正孔輸送層であり、ＬＥＬは発光金属錯体およびホストポリマーを含有する発光層である。
【０１６３】
ＩＴＯを担持する基体を、ＵＶ／オゾンを使用して浄化した。正孔注入層は、Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社から入手可能な正孔注入材料の水性製剤をスピンコーティングすることによって約３５ｎｍの厚さに形成した。赤色発光正孔輸送層は、架橋可能な赤色発光正孔輸送ポリマーをスピンコーティングし加熱によって当該ポリマーを架橋することによって約２２ｎｍの厚さに形成した。
【０１６４】
赤色発光正孔輸送ポリマーは、国際公開第００／５３６５６号に記載されているような以下のモノマーの鈴木重合によって形成した：
【化３３】
2015145492.tif 000037
正孔輸送ポリマーは、以下の分子量特性（ポリスチレン標準に対するＧＰＣ、ドルトンで）を有する：Ｍｗ１２９，０００、Ｍｐ１２８，０００、Ｍｎ３７，０００、Ｐｄ３．５３。
【０１６５】
緑色および青色発光層は、以下に説明するエミッタ実施例１（青色発光金属錯体）および緑色燐光エミッタ１がドープされたホストポリマー３を含有する発光組成物を、ホストポリマー３：エミッタ実施例１：緑色燐光エミッタ１が８４：１５：１の重量比で、スピンコーティングによって約７５ｎｍの厚さに堆積させることにより形成した。陰極は、フッ化ナトリウムの第１の層を約２ｎｍの厚さに、アルミニウムの第２の層を約１００ｎｍの厚さに、銀の第３の層を約１００ｎｍの厚さに蒸発することによって形成した。
【化３４】
2015145492.tif 000038
【０１６６】
比較素子１
エミッタ実施例１を比較エミッタ１で置き換えたという点を除いて、素子実施例１に記載したように素子を調製した。
【０１６７】
図２を参照すると、比較素子１および素子実施例１のエレクトロルミネセンスのスペクトルは同様である。
【０１６８】
比較素子１および素子実施例１の輝度が、初期の輝度１０００ｃｄ／ｍ２の７０％に下がるのに要する時間を測定した（Ｔ７０）。素子実施例１のＴ７０値は、比較素子１の３倍であった。
【０１６９】
本発明は特定の例示の実施形態について記載されたが、本明細書に開示された特色の様々な変形、変更および／または組み合わせが、以下の特許請求の範囲に述べる本発明の範囲から離れずに、当業者には明白であることは理解されよう。
【図１】
2015145492.tif 000044
【図２】
2015145492.tif 000045
【外国語明細書】
2015145492000001.pdf
2015145492000002.pdf
2015145492000003.pdf
2015145492000004.pdf