(57)【要約】【課題】画素サイズが小さくても、高開口で視野角特性に優れ、指押し跡が発生しないＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供する。【解決手段】一対の基板間に液晶層が挟持され、一方の基板上に、複数の走査線と複数のデータ線とこれらで形成される複数の画素とを具備し、各画素には、ストリップ状画素電極がデータ線または走査線に沿って少なくとも１本延在し、ストリップ状画素電極より液晶層に近い層で共通電極が走査線およびデータ線を少なくとも覆うように格子状に形成され、ストリップ状画素電極と共通電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置において、ストリップ状画素電極の一方の端部には、ストリップ部より幅広の第１の矩形状画素電極がＴ字状に接続され、第１の矩形状画素電極側の共通電極で形成される開口部のコーナー部分が、第１の矩形状画素電極と重畳する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持される液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板上に、
複数の直線状の走査線と、
前記走査線と交差する複数の直線状のデータ線と、
前記走査線と前記データ線とでマトリクス状に形成される複数の画素と、を具備し、
前記各画素には、ストリップ状画素電極が前記データ線または前記走査線に沿って少なくとも１本延在し、
前記ストリップ状画素電極より前記液晶層に近い層で共通電極が前記走査線および前記データ線を少なくとも覆うように格子状に形成され、
前記ストリップ状画素電極と、前記ストリップ状画素電極の延在方向と平行な前記共通電極との間で、前記基板面にほぼ平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置において、
前記ストリップ状画素電極の一方の端部には、ストリップ部より幅広の第１の矩形状画素電極がＴ字状に接続され、
前記第１の矩形状画素電極側の前記共通電極で形成される開口部のコーナー部分が、前記第１の矩形状画素電極と重畳する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ストリップ状画素電極は１画素内に複数本配置され、各々の前記ストリップ状画素電極に接続される前記第１の矩形状画素電極は互いに接続され、
前記ストリップ状画素電極間にさらにストリップ状共通電極が配置され、前記ストリップ状共通電極の両端部は前記格子状の共通電極と接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持される液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板上に、
複数の直線状の走査線と、
前記走査線と交差する複数の直線状のデータ線と、
前記走査線と前記データ線とでマトリクス状に形成される複数の画素と、を具備し、
前記各画素には、ストリップ状画素電極が前記データ線または前記走査線に沿って少なくとも１本延在し、
前記ストリップ状画素電極より前記液晶層に近い層で共通電極が前記走査線および前記データ線を少なくとも覆うように格子状に形成され、
前記ストリップ状画素電極と、前記ストリップ状画素電極の延在方向と平行な前記共通電極との間で、前記基板面にほぼ平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置において、
前記ストリップ状画素電極の一方の端部には、ストリップ部より幅広の突起状画素電極が前記共通電極で形成される開口部外で接続され、
前記突起状画素電極側の前記開口部のコーナー部分が、前記突起状画素電極側の少なくとも一方の突起部と重畳する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記ストリップ状画素電極は１画素内に複数本配置され、各々の前記ストリップ状画素電極に接続される前記突起状画素電極は互いに接続され、
前記ストリップ状画素電極間にさらにストリップ状共通電極が配置され、前記ストリップ状共通電極の両端部は前記格子状の共通電極と接続されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ストリップ状画素電極と前記突起状画素電極側の前記開口部の辺が略垂直に交差する、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記共通電極は前記開口部内に向かって凸状を成している領域を有し、
前記ストリップ状画素電極の他方の端部には、ストリップ部より幅広の第２の矩形状画素電極がＴ字状に接続され、
前記領域が前記第２の矩形状画素電極と重畳する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２の矩形状画素電極が前記領域から張り出すように重畳している、
ことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持される液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板上に、
複数の直線状の走査線と、
前記走査線と交差する複数の直線状のデータ線と、
前記走査線と前記データ線とでマトリクス状に形成される複数の画素と、を具備し、
前記走査線および前記データ線を少なくとも覆うように共通電極が格子状に形成され、
前記各画素には、前記共通電極よりも前記液晶層に近い層でストリップ状画素電極が前記データ線または前記走査線に沿って延在し、
前記ストリップ状画素電極と、前記ストリップ状画素電極の延在方向と平行な前記共通電極との間で、前記基板面にほぼ平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置において、
前記ストリップ状画素電極の一端には、ストリップ部より幅広の矩形状画素電極がＴ字状に接続され、
前記矩形状画素電極が前記共通電極で形成される開口部に張り出さずに前記共通電極と重畳している、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記ストリップ状画素電極の他方の一端が前記共通電極と重畳するように配置されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶層の液晶分子の初期配向方位が、前記ストリップ状画素電極の延在方向と略一致し、且つ前記液晶層を構成する液晶分子の誘電率異方性が正である、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶層の液晶分子の初期配向方位が、前記ストリップ状画素電極の延在方向と垂直な方向と略一致し、且つ前記液晶層を構成する液晶分子の誘電率異方性が負である、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記液晶層の液晶分子の初期配向方位が、前記走査線の延在方向と略一致しており、
前記共通電極は、前記データ線と重なる領域がくり抜かれている、
ことを特徴とする請求項２または４に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記画素電極および前記共通電極はそれぞれ透明である、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記共通電極は透明であり、
前記ストリップ状画素電極は前記データ線と同層に同一部材で形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記画素の長辺の長さが１００μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、高開口で、高画質化の実現が可能な横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、視野角特性に優れたＩＰＳ（In-plane Switching）方式に代表される横方向電界方式の液晶表示装置が、テレビやモニタなど比較的大きいものから、タブレットやスマートフォンなど携帯可能なものまで、多くの情報端末に広く適用されている。ＩＰＳ方式は、基板に垂直な方向から見て、ストリップ状（短冊状）の２種類の電極（画素電極と共通電極）が間隔をおいて平行に配置され、ストリップ状の画素電極とストリップ状の共通電極の間に印加される電界により液晶分子を駆動する方式である。このＩＰＳ方式では、液晶分子の配列が視野角を変えても大きく変化するように見えないため、観察者から見て見る方向を変えても表示に大きな変化がないことが特徴である。
【０００３】
このように視野角が広いことを特徴とするＩＰＳ方式であるが、さらに視野角表示特性を向上させる目的で、次のようなマルチドメイン構造を用いる事がある。すなわち、上記のストリップ状の２種類の電極のある部分では、液晶に印加する電界方向を、液晶の初期配向方向に対して＋θ゜となるように配置し、そして上記のストリップ状の２種類の電極の別の部分では−θ゜となるように配置し、双方を接続することで画素内における電極を屈曲させる構造をとらせる。なお、ストリップ状の電極（ストリップ状の画素電極、ストリップ状の共通電極）は独立している必要はなく、対向するひとつのペアのエッジ部分が平行になっていれば、端部形状がストリップ状でなくとも、各々の端部が接続されていたとしても、また、ペアを構成しない部分の形状が異型であってもかまわないものとする。
【０００４】
しかしながら、このマルチドメイン構造では、＋θ゜の電極部と−θ゜の電極部を接続する部分で屈曲部が存在する。この屈曲部は、右回転変形する液晶部と左回転変形する液晶部のドメイン境界となるため、ディスクリネーションが発生することとなり透過率を落とす要因になる。
【０００５】
液晶表示装置の画素は、一対の基板の一方の基板に複数の走査線と複数のデータ線が配置され、そのうちの、２本の走査線と２本のデータ線を境界とする領域で分割される。この画素のサイズが小さくなると一画素あたりに占める走査線およびデータ線の面積が大きくなり、その結果、開口率が低下する。図２０は、走査線幅、データ線幅をそれぞれ１０μｍ一定とし、ある画素サイズのとき、この配線面積以外の領域を開口部と見立てた開口率との関係を示したグラフである。この関係からわかるように、特に画素サイズが１００μｍ以下になると顕著に開口率は低下し、上述したマルチドメイン構造の場合、屈曲部による相対的な透過率の低下が無視できなくなると言う問題が生じる。
【０００６】
この問題を回避するためには、画素を屈曲させないシングルドメインの構造を採用することが有利であるが、マルチドメイン構造で得られた優れた視野角特性が、シングルドメイン構造にすることで失われることになる。この問題を解決するにあたり、特許文献１の本文中の図３２、図３６や、特許文献２の本文中の図４５、図４６、図４８には、画素を屈曲させずに画素内で液晶分子を２方向に回転させる構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１０５９０８号公報
【特許文献２】特開２００４−２７１９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願の図２１は、これら従来技術の代表例として、特許文献１の本文中の図３２、図３６で示されている画素構造をそれぞれ（ａ）、（ｂ）として表している（説明を容易とするために、図の上下を反転している）。これらの構造では、共通電極１０１と画素電極１０２、あるいは共通電極１０１または画素電極１０２のいずれか一方の電極の端部の形状を斜め方向にも形成させ、画素端部に近づくにつれ一方の電極が他方の電極に徐々に近接し、その近接する領域で異なる２方向の電界１０３、１０４を発生させている。このため画素内では液晶分子の回転方向が２つ生じることになり、画素の屈曲のないマルチドメイン化が可能となると述べている。しかしながら、共通電極１０１と画素電極１０２、あるいは、共通電極１０１または画素電極１０２のいずれか一方の電極の端部の形状が斜め方向にも形成されるため、本来開口部として利用できた領域が減少する。従って、透過率の低下を招くことになる。
【０００９】
また、特許文献２の本文中の図４４、図４７でも上述のように画素を屈曲させずに画素内で液晶分子を２方向に回転させる画素構造が開示されている。本願の図２２は、これら従来技術の代表例として特許文献２の本文中の図４４で示されている画素構造を表している（ここでの説明に不要な蓄積容量線等は省いている）。これらの構造でも、一方の電極が他方の電極に徐々に近接し、その近接する領域で異なる２方向の電界１０３、１０４を発生させている。このため画素内では液晶分子の回転方向が２つ生じることになり、画素の屈曲のないマルチドメイン化が可能となると述べている。しかしながら、この構造も上述の理由と同じ理由で透過率の低下を招くことになる。
【００１０】
またさらに、この構造では、別の理由で透過率の低下を招く。その理由を本明細書の図２３と図２４を参照して説明する。図２３は、図２２中の破線で囲んだ領域を拡大表示させたものである。この構造は、共通電極１０１と画素電極１０２が異なる層で形成され、かつ、画素内で一部重なる領域を有するが、この重なる領域およびその近傍におけるある特定の領域では、意図する電界方向１０３、１０４とは異なる方向の電界１１４、１１５が生じることになる。この電界１１４、１１５は、いわゆるフリンジ電界と呼ばれるものである。このため、電界１１４、１１５の影響を受ける領域に存在する液晶分子は、意図した方向とは逆の方向の回転を起こすため、逆回転ドメイン１１７が生じる。この逆回転ドメイン１１７と順回転ドメイン１１８との境界ではディスクリネーション１１６が発生し、透過率の低下を招くことになる。
【００１１】
これら、ディスクリネーション１１６、逆回転ドメイン１１７、順回転ドメイン１１８の様子を本願の図２４に示す。また、このような順回転ドメインの近傍に逆回転ドメインが存在すると、駆動中に表示画面に指押しなどの外力が一時的に加わった場合、その間、液晶の配向は乱され、外力が解放されると再び液晶は元の配向に戻ろうとするが、外力がかかる前の状態よりも順回転ドメインが小さくなり、逆にその分、逆回転ドメインが大きくなった状態で安定してしまう現象が生じやすくなる。したがって、外力がかかる前の表示状態と指押しの外力が加わった後の表示状態が異なることが起こり、その結果、指押し跡として認識される表示不具合が発生する。この現象は、著しく画質の低下を招くことになる。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、画素サイズが小さくても、高開口で視野角特性に優れ、指押し跡が発生しないＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本願の第１の発明の液晶表示装置は、一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持される液晶層と、前記一対の基板の一方の基板上に、複数の直線状の走査線と、前記走査線と交差する複数の直線状のデータ線と、前記走査線と前記データ線とでマトリクス状に形成される複数の画素と、を具備し、前記各画素には、ストリップ状画素電極が前記データ線または前記走査線に沿って少なくとも１本延在し、前記ストリップ状画素電極より前記液晶層に近い層で共通電極が前記走査線および前記データ線を少なくとも覆うように格子状に形成され、前記ストリップ状画素電極と、前記ストリップ状画素電極の延在方向と平行な前記共通電極との間で、前記基板面にほぼ平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置において、前記ストリップ状画素電極の一方の端部には、ストリップ部より幅広の第１の矩形状画素電極がＴ字状に接続され、前記第１の矩形状画素電極側の前記共通電極で形成される開口部のコーナー部分が、前記第１の矩形状画素電極と重畳することを特徴とする。また、第１の発明において、前記ストリップ状画素電極は１画素内に複数本配置される場合、各々の前記ストリップ状画素電極に接続される前記第１の矩形状画素電極は互いに接続され、前記ストリップ状画素電極間にさらにストリップ状共通電極が配置され、前記ストリップ状共通電極の両端部は前記格子状の共通電極と接続されていることを特徴とする。
【００１４】
本願の第２の発明の液晶表示装置は、一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持される液晶層と、前記一対の基板の一方の基板上に、複数の直線状の走査線と、前記走査線と交差する複数の直線状のデータ線と、前記走査線と前記データ線とでマトリクス状に形成される複数の画素と、を具備し、前記各画素には、ストリップ状画素電極が前記データ線または前記走査線に沿って少なくとも１本延在し、前記ストリップ状画素電極より前記液晶層に近い層で共通電極が前記走査線および前記データ線を少なくとも覆うように格子状に形成され、前記ストリップ状画素電極と、前記ストリップ状画素電極の延在方向と平行な前記共通電極との間で、前記基板面にほぼ平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置において、前記ストリップ状画素電極の一方の端部には、ストリップ部より幅広の突起状画素電極が前記共通電極で形成される開口部外で接続され、前記突起状画素電極側の前記開口部のコーナー部分が、前記突起状画素電極側の両端の突起部と重畳することを特徴とする。また、第２の発明において、前記ストリップ状画素電極は１画素内に複数本配置される場合、各々の前記ストリップ状画素電極に接続される前記突起状画素電極は互いに接続され、前記ストリップ状画素電極間にさらにストリップ状共通電極が配置され、前記ストリップ状共通電極の両端部は前記格子状の共通電極と接続されていることを特徴とする。
【００１５】
また、本願の第１の発明及び第２の発明において、前記共通電極が前記画素内に向かって凸状を成している領域を有し、前記ストリップ状画素電極の他方の端部には、ストリップ部より幅広の第２の矩形状画素電極がＴ字状に接続され、前記領域が前記第２の矩形状画素電極と重畳することを特徴とする。
【００１６】
ここで、ストリップ状画素電極、第１の矩形状画素電極又は突起状画素電極、第２の矩形状画素電極、共通電極で囲われた領域をコラムと称すると、画素内にコラムは複数存在し、主にこのコラム内で液晶分子がツイスト変形を起こす。この際、複数のコラムは、それぞれツイスト変形方向が異なる二つの領域のどちらかに対応する。すなわち、以上のような画素構造を適用することにより、画素内における液晶のツイスト変形方向が異なるコラムが存在するために視野角特性に優れ、また高開口で指押し跡が発生しない横電界方式の液晶表示装置を得ることが可能となる。
【００１７】
なお、本願の第１の発明又は第２の発明では、共通電極を液晶層に近い側にすることにより、画素電極と共通電極との間の絶縁膜を、共通電極とデータ線との間の層間絶縁膜と共通にすることができ、その結果、絶縁膜の形成回数を少なくすることができるため、より低コストで形成することができる。
【００１８】
本願の第３の発明の液晶表示装置は、一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持される液晶層と、前記一対の基板の一方の基板上に、複数の直線状の走査線と、
前記走査線と交差する複数の直線状のデータ線と、前記走査線と前記データ線でマトリクス状に形成される複数の画素と、を具備し、前記走査線および前記データ線を少なくとも覆うように共通電極が格子状に形成され、前記各画素には、前記共通電極よりも前記液晶層に近い層でストリップ状画素電極が前記データ線または前記走査線に沿って延在し、前記ストリップ状画素電極と、前記ストリップ状画素電極の延在方向と平行な前記共通電極との間で、前記基板面にほぼ平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置において、前記ストリップ状画素電極の一端には、ストリップ部より幅広の矩形状画素電極がＴ字状に接続され、前記矩形状画素電極が前記共通電極で形成される開口部に張り出さずに前記共通電極と重畳していることを特徴とする。
【００１９】
本願の第３の発明では、画素電極を液晶層に近い側にすることにより、画素電極とデータ線との間に絶縁膜が形成される。このため、画素電極もしくはデータ線のパターン崩れに伴う画素電極とデータ線の短絡を防止することができる。
【００２０】
本願の第１の発明乃至第３の発明において、前記液晶層の液晶分子の初期配向方位が、前記ストリップ状画素電極の延在方向と略一致することを特徴とする。
【００２１】
このとき、液晶分子の誘電率異方性は正のもの（以降、ポジ液晶と称する。また同様に誘電率異方性が負のものをネガ液晶と称する。）を適用する必要がある。ポジ液晶はネガ液晶に比べ、一般的に誘電率異方性が大きく粘度が低いため、低電圧駆動と高速応答が可能になる。
【００２２】
本願の第１の発明乃至第３の発明において、前記液晶層の液晶分子の初期配向方位が、前記ストリップ状画素電極の延在方向と垂直な方向と略一致することを特徴とする。
【００２３】
このとき、ネガ液晶を適用する必要がある。ホモジニアス配向のネガ液晶は前記基板面に対し垂直な方向の成分を持った電界に対して変形を起こすことはほぼない。したがって、前記垂直な方向の成分を持った電界に対し前記ホモジニアス配向は変形を起こすことなく、基板面に平行な方向の成分をもった電界に対してツイスト変形を起こすため、視野角特性に優れた表示特性を得ることが可能になる。
【００２４】
本願の第１の発明乃至第３の発明において、前記画素電極、および前記共通電極はそれぞれ透明であることを特徴とする。
【００２５】
透明の導電膜を適用することにより、各々の電極上の一部からの透過が起こるため、透過率の増加が実現できる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、画素サイズが小さくても、高開口で視野角特性に優れ、指押し跡が発生しないＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の図１におけるＡ−Ａ’の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の図１におけるコラムとその周辺を拡大した図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の図３における画素の上側部分と下側部分をそれぞれさらに拡大した図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の平面図を示す図５におけるＢ−Ｂ’の断面図である。
【図７】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の図５におけるコラムとその周辺を拡大した図である。
【図８】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図９】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の図８におけるデータ線周辺の領域を拡大して示したものである。
【図１０】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置のデータ線を覆うように配置されている共通電極がくり抜かれていない場合の１画素の構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１２】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１３】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１４】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の図１３におけるコラムとその周辺を拡大した図である。
【図１５】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１６】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１７】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１８】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の平面図を示す図１７におけるＣ−Ｃ’の断面図である。
【図１９】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の図１７におけるコラムとその周辺を拡大した図である。
【図２０】液晶表示装置の開口率と画素サイズの関係を示すグラフである。
【図２１】従来技術の代表例として、特許文献１の図３２、図３６で示されている画素構造をそれぞれ（ａ）、（ｂ）として示した平面図である。
【図２２】従来技術の代表例として、特許文献２の図４４で示されている画素構造を示した平面図である。
【図２３】図２２中の破線で囲んだ領域を拡大した図である。
【図２４】図２３における、ディスクリネーション、逆回転ドメイン、順回転ドメインの様子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
背景技術で示したように、ＩＰＳ方式の横電界液晶表示装置においては、画素のサイズが小さくなると、開口率の低下が生じる。これらの課題を解決するために、画素を屈曲させずに画素内で液晶分子を２方向に回転させる画素構造が提案されているが、従来の構造では、本来開口部として利用できた領域が電極で占められるために透過率の低下が起こり、またあるいは、液晶分子が意図した方向とは逆の方向に回転するため透過率の低下や指押し跡として認識される表示不具合が課題として残ってしまう。
【００２９】
そこで、本発明の一実施の形態では、各画素にデータ線または走査線に沿ってストリップ状画素電極を設け、ストリップ状画素電極より液晶層に近い層で走査線およびデータ線を少なくとも覆うように格子状の共通電極を設け、ストリップ状画素電極が複数本配置される場合は、ストリップ状画素電極間にさらにストリップ状共通電極を設け、ストリップ状共通電極の両端部は格子状の共通電極と接続し、ストリップ状画素電極の一方の端部に、ストリップ部より幅広の第１の矩形状画素電極をＴ字状に接続し、第１の矩形状画素電極側の共通電極で形成される開口部のコーナー部分が、第１の矩形状画素電極と重畳するようにしたり、ストリップ状画素電極の一方の端部に、ストリップ部より幅広の突起状画素電極を共通電極で形成される開口部外で接続し、突起状画素電極側の開口部のコーナー部分が、突起状画素電極側の両端の突起部と重畳するようにしたりする。
【００３０】
また、走査線およびデータ線を少なくとも覆うように格子状の共通電極を設け、各画素に共通電極より液晶層に近い層で走査線またはデータ線に沿ってストリップ状画素電極を設け、ストリップ状画素電極が複数本配置される場合は、ストリップ状画素電極間にさらにストリップ状共通電極を設け、ストリップ状共通電極の両端部は格子状の共通電極と接続し、ストリップ状画素電極の一方の端部に、ストリップ部より幅広の矩形状画素電極をＴ字状に接続し、矩形状画素電極が共通電極で形成される開口部に張り出さずに共通電極と重畳するようにする。
【実施例１】
【００３１】
本発明の実施例１について、図１乃至図４を用いて説明する。図１は本発明の実施例１に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である（単位画素を破線で示す）。図２は、図１に示すＡ−Ａ’部の断面図であり、液晶層、対向基板も図示している。図３は、図１におけるコラムとその周辺を拡大した図である。図４は、図３における画素の上側部分と下側部分をそれぞれさらに拡大した図である。図１乃至図４に示す実施例１を、以下詳細に説明する。
【００３２】
第一の透明絶縁性基板１１に、隣接する２本の走査線６と隣接する２本のデータ線５を境界とする画素が形成され、この画素には、１本のストリップ状画素電極２と、走査線６およびデータ線５を覆う格子状の共通電極１が形成され、ストリップ状画素電極２とデータ線５を覆っている共通電極１が交互に配置されており、共通電極１は、ストリップ状画素電極２より液晶９に近い層に形成される。ストリップ状画素電極２は、画素の中央部にデータ線５の延在方向に沿って配置され、さらに、長手方向が、データ線５を覆っている共通電極１より短く、且つ、ストリップ状画素電極２の一端には、矩形状の画素電極（第１の矩形状画素電極２ｂ）が設けられ、Ｔ字状に接続されている。つまり、ストリップ状画素電極２の一方の端部には、ストリップ部より幅広の第１の矩形状画素電極２ｂがＴ字状に略垂直の関係で接続され、さらにこの第１の矩形状画素電極２ｂは共通電極１で形成される開口部２８の２つのコーナー部分と重畳することになる。また、ストリップ状画素電極２の長手方向の他端側には、走査線６を覆っている共通電極１から開口部２８側にはみ出すように設けられた共通電極（凸状共通電極１ａ）を有し、且つ、そのはみ出すように設けられた凸状共通電極１ａを覆うように設けられ、該凸状共通電極１ａより大きい矩形状の画素電極（第２の矩形状画素電極２ａ）がストリップ状画素電極２の他端に接続されている。つまり、ストリップ状画素電極２の他方の端部には、ストリップ部より幅広の第２の矩形状画素電極２ａがＴ字状に接続され、凸状共通電極１ａと重畳することになる。このときの液晶配向方位７は、ストリップ状画素電極２が延在する方向にとっている。
【００３３】
ここで走査線６およびデータ線５を覆う共通電極１、凸状共通電極１ａ、ストリップ状画素電極２、第２の矩形状画素電極２ａ、第１の矩形状画素電極２ｂの詳細な位置関係について図３、図４を用いて述べる。図３は、図１の画素内のコラムとその周辺を拡大して示したものである。図４は、図３に示す画素の上側部分と下側部分をそれぞれさらに拡大して示したものである。
【００３４】
まず、図３について述べる。このような構造をした横電界方式の液晶表示装置において、両電極間に電位差が生じたとき、横方向電界８が生じるが、これ以外にも、共通電極１と第２の矩形状画素電極２ａおよび第１の矩形状画素電極２ｂが近接した領域での横方向電界２１ａ、２１ｂや、共通電極１および凸状共通電極１ａと第２の矩形状画素電極２ａおよび第１の矩形状画素電極２ｂから発せられるフリンジ電界２２ａ、２２ｂがある。本発明では、特にフリンジ電界２２ａ、２２ｂが重要となる。その理由として、液晶配向方位７は、横方向電界８の方向と垂直（９０度）の関係にあり、この場合、初期配向状態にある液晶が、横方向電界８が生じたときにツイスト変形を起こそうとするが、図３で示す右側のコラムに存在する液晶は２２ａのフリンジ電界による変形開始のほうが早いためにフリンジ電界２２ａの影響が波及してiiの方向に変形する。左側のコラムに存在する液晶は同様にフリンジ電界２２ｂに影響を受けｉの方向に変形する。つまり、液晶配向方位７と横方向電界８の方向が垂直（９０度）の関係でありながら、液晶のツイスト変形方向がストリップ状画素電極２と共通電極１から構成される２つのコラム各々で異なるようになる。
【００３５】
補足すると、このときストリップ状画素電極２の右側のコラムに存在する液晶はiiの方向に変形するが、この方向と逆方向の横方向電界２１ａがコラム内に発生する。しかし、この横方向電界２１ａは、すぐ近傍にあるフリンジ電界２２ａと比較すると弱いために、横方向電界２１ａが働く領域に存在する液晶も、横方向電界２１ａの方向に変形を起こすことはなく、iiの方向に変形することになる。同様に、ストリップ状画素電極２の左側のコラムに存在する液晶はｉの方向に変形するが、この方向と逆方向の横方向電界２１ｂがコラム内に発生している。しかし、この横方向電界２１ｂも、すぐ近傍にあるフリンジ電界２２ｂと比較すると弱いために、横方向電界２１ｂが働く領域に存在する液晶も、横方向電界２１ｂの方向に変形を起こすことはなく、ｉの方向に変形することになる。また、厳密に言うと、本画素内で発生するフリンジ電界は、２２ａ、２２ｂの斜め方向以外にも、データ線５や走査線６が延在する方向にも存在するが、これらは液晶のツイスト変形方向には影響を与えないので、ここでは省略している。
【００３６】
次に、図４について述べる。図４には、凸状共通電極１ａと第２の矩形状画素電極２ａ、第１の矩形状画素電極２ｂを示している。第２の矩形状画素電極２ａが凸状共通電極１ａから張り出す距離ｄ１と第１の矩形状画素電極２ｂの共通電極１からの張り出す距離ｄ２は、少なくとも０または０より大きければよいが、ここでは、２μｍとした。また、凸状共通電極１ａの突き出す距離ｄ３は、２〜３μｍあれば十分であるが、ここでは５μｍとし、幅ｄ４は、３μｍとした。
【００３７】
以上のような画素構造を適用することにより、画素内における液晶のツイスト変形方向が異なるコラムが複数存在するために、屈曲させたマルチドメイン構造と同じような優れた視野角特性が得られ、さらに、図２１、図２２で述べたように各電極の端部の形状が斜め方向に形成されないために開口領域の減少はなく、また、フリンジ電界２２ａ、２２ｂによって液晶ツイスト方向を制御しているので、指押し跡に強く、加えて高速応答も実現できるＩＰＳ方式の液晶表示装置を得ることが可能となる。
【００３８】
また、本実施例では、共通電極１が画素電極２より液晶層に近い。共通電極１を液晶層に近い側にすることにより、画素電極２と共通電極１との間の絶縁膜を、共通電極１とデータ線５との間の層間絶縁膜と共通にすることができ、その結果、絶縁膜の形成回数を少なくすることができるため、より低コストで形成することができる。
【００３９】
以上が、実施例１に関する構造の詳細な説明となるが、以下に製造方法の一例についても述べる。
【００４０】
まず、第一の透明絶縁性基板１１としてガラス基板上に、モリブデン合金からなる第一金属層をスパッタ法により、３００ｎｍの厚さで形成させ、走査線６のパターンに加工する。
【００４１】
次に、ゲート絶縁膜１２として、酸化シリコンを１００ｎｍ堆積させた後、ＰＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコンを３００ｎｍ、ｉ−ａ−Ｓｉ（intrinsic amorphous Silicon）を１７０ｎｍ、ｎ−ａ−Ｓｉ（n-type amorphous Silicon）を３０ｎｍ、それぞれ連続的に堆積させる。ｉ−ａ−Ｓｉとｎ−ａ−Ｓｉとの積層膜は、薄膜半導体層４となる部分を残して、エッチング除去する。
【００４２】
次に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により、画素電極２を走査線６の延在方向に垂直（９０度）な方向に、ストリップ状に４０ｎｍの厚さで形成する。またこのとき同時に、第２の矩形状画素電極２ａ、第１の矩形状画素電極２ｂも形成する。
【００４３】
次に、第二金属層として、モリブデン合金の膜を３００ｎｍ形成させ、データ線５、ソース電極３のパターンに加工する。データ線５は、ストリップ状画素電極２、第２の矩形状画素電極２ａ、第１の矩形状画素電極２ｂと重ならないように、かつストリップ状画素電極２と平行に配置される。また、ソース電極３は、第１の矩形状画素電極２ｂと一部重なる領域を持ち、電気的に導通されるように配置される。なお、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）は、走査線６の一部、ゲート絶縁膜１２、薄膜半導体層４、データ線５の一部、およびソース電極３から構成される。
【００４４】
次に、第二金属層をマスクとして、ＴＦＴの薄膜半導体層４の不要なｎ−ａ−Ｓｉ層をエッチングによって除去する。
【００４５】
次に、パッシベーション膜１３として、窒化シリコンを５００ｎｍ堆積させる。
【００４６】
次に、表示画面周辺に引き出された走査線６およびデータ線５の端子部で金属層を露出させるために、ゲート絶縁膜１２、およびパッシベーション膜１３の必要部分をエッチング除去する。
【００４７】
次に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により、共通電極１を、走査線６およびデータ線５を覆うように厚さ８０ｎｍで形成する。またこのとき同時に、凸状共通電極１ａも形成する。さらに共通電極１は、表示画面周辺部に第一の金属層および第二の金属層、またはいずれかの金属層によって形成された共通電極配線とコンタクトホールを介して導通されるが、図による説明は省略している。また、走査線６を覆うように配置されている共通電極１は、ＴＦＴのチャネル部の直上は形成させないようにパターン加工してもよい。
【００４８】
上述のようにして形成したＴＦＴ側の基板に、配向膜１４を塗布、焼成する。一方、対向基板となる第二の透明絶縁性基板１９には、ブラックマトリクス１８、カラーフィルタとなる色層１７、オーバーコート１６、および、ＴＦＴ側基板と対向基板との間に空間を確保させるための柱状スペーサ（図中には示していない）を形成し、更にその上に配向膜１５を塗布、焼成する。そして、両基板の配向膜１４、１５に対し走査線６の延在方向に垂直（９０度）な方向にラビング処理をし、液晶配向方位７をとり、両基板を貼り合せて、周辺をシールで固めて、中に液晶９を注入し、封孔する。液晶セルギャップは３．５μｍになるようにし、屈折率異方性Δｎ＝０．０９、誘電率異方性Δε＝１０の液晶９（ポジ液晶）を用いる。液晶９の注入に際しては、十分に液晶９がセル内に入るように、注入時間を十分とって実施する。また、液晶セル内が所定の圧力となるように、加圧を行いながら、封孔を実施する。当然ながら、液晶滴下工法によって、両基板のラビング処理後に液晶９の充填、両基板の貼り合せ、周辺のシール固めの工程を行なうことも可能である。
【００４９】
上述のようにして作製した液晶表示パネルのＴＦＴ側基板に、偏光軸が液晶のラビング方向となる液晶配向方位７に一致する偏光板１０を貼り付け、対向基板にはクロスニコルとなるように偏光板２０を貼り付ける。
【００５０】
更に、周辺に必要な駆動ドライバを実装し、バックライト及び信号処理基板をしかるべき形に組み立てて、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する。
【００５１】
この液晶表示装置は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードであり、ラビング方向にホモジニアス配向させた液晶を、データ線５に沿った共通電極１とストリップ状画素電極２の間に形成される基板に略平行な横方向電界８により、面内にツイスト変形させることで、画素ごとの透過光量を制御する。
【００５２】
本実施例１では、解像度が横１０２４×ＲＧＢ本、縦７６８本のＸＧＡを適用した。画素サイズを６９μｍとし、データ線幅３μｍ、データ線上の共通電極幅９μｍ、画素電極幅３μｍとした。この場合、ストリップ状画素電極２とデータ線５に沿った共通電極１の間隔は５．５μｍとなる。
【００５３】
上述したこれらの設定値は、本実施例１で適用している設定値であり、特に限定されるものではなく、適宜設定されるべき値である。例えば、本実施例１では、金属層にモリブデン合金を使用しているが、特にこれに限定されず、アルミニウム合金なども用いてよい。また、本実施例１では、薄膜半導体層４を形成後に、透明導電膜による画素電極２、ソース電極３およびデータ線５の形成、薄膜半導体層４の不要なｎ−ａ−Ｓｉ層のエッチングの工程順で作製しているが、これに限定されず、例えば、薄膜半導体層４を形成後、ソース電極３およびデータ線５の形成、薄膜半導体層４の不要なｎ−ａ−Ｓｉ層のエッチング、透明導電膜による画素電極２の形成、という工程順で作製してもよい。
【実施例２】
【００５４】
本発明の実施例２について、図５、図６、図７を用いて説明する。図５は本発明の実施例２に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である（単位画素を破線で示す）。図６は、図５に示すＢ−Ｂ’部の断面図であり、液晶層、対向基板も図示している。図７は、図６の画素内のコラムとその周辺を拡大して示したものである。図５、図６、図７に示す実施例２を、以下詳細に説明する。
【００５５】
実施例１では、図１等で示すように、画素電極に透明導電膜を用いたが、これに対して実施例２では、図５、図６、図７に示すように画素電極を第二金属層で形成することを特徴としている。つまり、第二金属層のプロセスで、データ線５、ソース電極３、ストリップ状画素電極２ｃ、第２の矩形状画素電極２ｄ、第１の矩形状画素電極２ｅを同時に形成する。これにより、実施例１では必要であった画素電極を形成するための透明導電膜の成膜およびパターニングの工程を省略することが可能となり、タクト時間の減少、工数削減による低コスト化、異物付着の機会減少による不良率低下などの効果が得られる。
【実施例３】
【００５６】
本発明の実施例３について、図８、図９、図１０を用いて説明する。図８は本発明の実施例３に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図であり（単位画素を破線で示す）、図９は、図８におけるデータ線５周辺の領域を拡大して示したものである。図１０は、データ線を覆う共通電極がくり抜かれていない場合の１画素の構成を示す平面図である（単位画素を破線で示す）。図８、図９、図１０に示す実施例３を、以下詳細に説明する。
【００５７】
実施例１では、ストリップ状画素電極２の延在方向はデータ線５の延在方向と平行に配置されているが、これに対して実施例３では、図８に示すようにストリップ状画素電極２の延在方向が走査線６の延在方向と平行に配置されることを特徴としている。また、必要に応じて、ストリップ状画素電極２を複数本配置させ、隣接するストリップ状画素電極２の略中間にストリップ状共通電極１ｂを配置させる。この場合、隣接する第１の矩形状画素電極２ｂは互いに接続され、ストリップ状共通電極１ｂの両端部は格子状に形成された共通電極１と接続される。ちなみに、図８においては、２本のストリップ状画素電極２と１本のストリップ状共通電極１ｂが配置されている場合を示しているが、ストリップ状画素電極２が３本以上配置され、隣り合うストリップ状画素電極２の間にストリップ状共通電極１ｂが各々配置されるようにしてもよい。
【００５８】
さらに、液晶配向方位７は、ストリップ状共通電極１ｂとストリップ状画素電極２の延在する方向にとることにより、データ線５を覆うように配置されていた共通電極１にくり抜き領域２３を設けることが可能となる。その理由を、図９を用いて説明する。図９は、図８におけるデータ線５周辺の領域を拡大して示したものである。液晶配向方位７は、データ線５の延在方向と垂直（９０度）の関係となり、液晶の初期配向状態９ａは、図９で示すようになる。このとき、データ線５に駆動信号が入力されたとき、データ線５と共通電極１との間には電界２４が働くが、電界２４の方向は液晶配向方位７と同じであるために、液晶はツイスト変形しない状態９ｃとなる。従って、共通電極のくり抜き領域２３に存在する液晶は、データ線５に駆動信号が入力されてもツイスト変形を起こさないため、この領域からの透過は起こらず、画質の劣化を招くこともない。
【００５９】
これにより、実施例３では、データ線５の上に共通電極１が配置される領域が減少し、データ線５と共通電極１の間で形成される容量も減少するため、意図しない容量カップリングを減少させる効果がある。その結果、データ信号の影響による共通電極電位の揺らぎに起因する画質低下を抑制し、また負荷容量の低減による低消費電力化が可能となる。また、当然ながら、図１０のようにデータ線５を覆うように配置されている共通電極１をくり抜かなくても表示素子としては問題ないことは言うまでもない。本実施例ではストリップ状画素電極２およびストリップ状共通電極１ｂは走査線６の延在する方向と平行に形成されているが、ストリップ状画素電極２およびストリップ状共通電極１ｂの延在方向をデータ線５の延在方向と平行に形成することも可能である。
【実施例４】
【００６０】
本発明の実施例４について、図１１および図１２を用いて説明する。図１１および図１２は本発明の実施例４に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である（単位画素を破線で示す）。図１１および図１２に示す実施例４を、以下詳細に説明する。
【００６１】
実施例１ないし実施例３では、液晶配向方位７と横方向電界８が垂直（９０度）の関係であることから、ポジタイプの液晶を適用する必要があるが、これに対して実施例４では、図１１および図１２に示すように液晶配向方位７と横方向電界８が平行の関係であることから、ネガタイプの液晶を適用する必要があることを特徴としている。図１１および図１２のような電極構造では、基板に垂直な方向の成分を持った電界もわずかながら発生させているが、ホモジニアス配向のネガタイプ液晶はこの垂直方向の電界に対して、変形を起こすことはほとんどない。したがって、ホモジニアス配向のネガタイプ液晶は、基板に平行な方向の電界に対してツイスト変形を起こすため、視野角特性に優れたＩＰＳ方式の液晶表示装置を得ることが可能となる。
【実施例５】
【００６２】
本発明の実施例５について、図１３乃至図１６を用いて説明する。図１３は、本発明の実施例５に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図であり（単位画素を破線で示す）、図１４は、図１３の画素内のコラムとその周辺を拡大して示したものである。図１５および図１６は、本発明の実施例５に係る液晶表示装置の１画素の他の構成を示す平面図である（単位画素を破線で示す）。図１３乃至図１６に示す実施例５を、以下詳細に説明する。
【００６３】
共通電極１は、データ線５と走査線６を覆うように配置されており、ストリップ状画素電極２は、画素の中央部にデータ線５の延在方向に沿って配置されている。また、共通電極１は、図で示す画素の上側で凸状の領域を有するように配置され、ストリップ状画素電極２は、画素の上側で凸状共通電極１ａからはみ出すように第２の矩形状画素電極２ａが配置される。また、図で示す画素の下側で共通電極１の開口部２８のコーナー部分からはみ出る突起状の領域（突起部２ｇ）を有した突起状画素電極２ｆが形成され、ストリップ状画素電極２と接続される。図１３および図１４で示すように、突起状画素電極２ｆとストリップ状画素電極２とは共通電極１の開口部２８外で接続されている。このような構造にすることで、図で示す画素の下側でストリップ状画素電極２と走査線６を覆う共通電極１の交わる方向は略垂直の関係となる。また、本実施例ではストリップ状画素電極２と突起状画素電極２ｆを接続させるための電極を矩形状にしているが、この形状は矩形状である必要はない。
【００６４】
このような構造をした横電界方式の液晶表示装置において、コラム上側の液晶の変形の様子は実施例１で述べた内容と同様であるが、コラム下側では、共通電極１と突起状画素電極２ｆが近接した領域での横方向電界２１ａ、２１ｂや、共通電極１と突起状画素電極２ｆから発せられるフリンジ電界２２ａ、２２ｂがある。左側のコラムに存在する液晶は、２２ｂのフリンジ電界に影響を受けｉの方向に変形する。フリンジ電界２２ｂの近傍に横方向電界２１ｂが発生するが、フリンジ電界２２ｂと比較すると弱いために、横方向電界２１ｂが働く領域に存在する液晶も、横方向電界２１ｂの方向に変形を起こすことはなく、ｉの方向に変形することになる。さらに、左側のコラム下側では、共通電極１とストリップ状画素電極２が近接した領域で横方向電界２１ａが発生するが、この電界は、左側コラム内の液晶がｉの方向に変形することをさらに強める効果がある。同様に、右側のコラムに存在する液晶は、２２ａのフリンジ電界に影響を受けiiの方向に変形する。フリンジ電界２２ａの近傍に横方向電界２１ａが発生するが、フリンジ電界２２ａと比較すると弱いために、横方向電界２１ａが働く領域に存在する液晶も、横方向電界２１ａの方向に変形を起こすことはなく、iiの方向に変形することになる。さらに、右側のコラム下側では、共通電極１とストリップ状画素電極２が近接した領域で横方向電界２１ｂが発生するが、この電界は、右側コラム内の液晶がiiの方向に変形することをさらに強める効果がある。
【００６５】
本実施例の特徴は、共通電極１の角の部分から僅かでも開口部２８側にはみ出る突起部２ｇを有することであり、この突起部２ｇの形状は特に矩形である制約はない。また、本実施例では、突起状画素電極２ｆがＴ字の交差部の両側で凹部を有している場合について示したが、凹部は片側のみに設けられていてもよい。さらに、本実施例は、実施例２のように、データ線５を形成する第二金属層のプロセスで、ストリップ状画素電極２、突起状画素電極２ｆ、第２の矩形状画素電極２ｄが形成される場合（図５の場合）に適用することができる。また、実施例３のように、ストリップ状画素電極２が走査線６の延在する方向と平行に形成されている場合や、図１５および図１６に示すように複数本（図では２本）のストリップ状画素電極２の略中間にストリップ状共通電極１ｂを配置し、隣接する突起状画素電極２ｆを互いに接続し、ストリップ状共通電極１ｂの両端部を共通電極１に接続する場合（データ線５を覆う共通電極１がくり抜かれている場合といない場合の双方を含む。）に適用することもできる。また、実施例４のように、液晶配向方位７と横方向電界８が平行の関係になる場合（図１１または図１２の場合）に適用することもできる。
【実施例６】
【００６６】
本発明の実施例６について、図１７、図１８、図１９を用いて説明する。図１７は本発明の実施例６に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である（単位画素を破線で示す）。図１８は、図１７に示すＣ−Ｃ’部の断面図であり、液晶層、対向基板も図示している。また、図１９は、図１７の画素内のコラムとその周辺を拡大して示したものである。図１７、図１８、図１９に示す実施例６を、以下詳細に説明する。
【００６７】
実施例１では画素電極２とデータ線５を同層に形成しているためパターン崩れによって短絡する恐れがあるが、実施例６では、画素電極２とデータ線５の短絡を抑制するため、画素電極は、共通電極１より上側に配置され、また、共通電極１上には、透明絶縁膜２６が形成される。さらに、パッシベーション膜１３および透明絶縁膜２６にコンタクトホール２５を設け、ストリップ状画素電極２とソース電極３との導通をとる。これにより、画素電極とデータ線５の短絡による表示画質の低下を抑制させることが可能となる。また、ストリップ状画素電極２は、図で示す画素下側に矩形状画素電極２ｈを共通電極１上に、かつ、はみ出さないように形成させる。この矩形状画素電極２ｈとソース電極３を、コンタクトホール２５を介して導通をとることも可能である。また、図で示す画素上部では、ストリップ状画素電極２は、共通電極１上に重なるように配置される。
【００６８】
このような構造をした横電界方式の液晶表示装置において、コラム上側の液晶の変形の様子は、左側のコラムでは、横方向電界２１ｂが発生し、コラム内の液晶がiiの方向に変形することを促進させ、右側のコラムでは、横方向電界２１ａが発生し、コラム内の液晶がｉの方向に変形することを促進させる。また、コラム下側の液晶の変形の様子は、左側のコラムでは、フリンジ電界２２ａが発生し、コラム内の液晶がiiの方向に変形することを促進させ、右側のコラムでは、フリンジ電界２２ｂが発生し、コラム内の液晶がｉの方向に変形することを促進させる。またフリンジ電界２２ａ近傍に発生する横方向電界２１ａは、フリンジ電界２２ａと比較すると弱いために、横方向電界２１ａが働く領域に存在する液晶も、横方向電界２１ａの方向に変形を起こすことはなく、iiの方向に変形することになる。同様にフリンジ電界２２ｂ近傍に発生する横方向電界２１ｂは、フリンジ電界２２ｂと比較すると弱いために、横方向電界２１ｂが働く領域に存在する液晶も、横方向電界２１ｂの方向に変形を起こすことはなく、ｉの方向に変形することになる。
【００６９】
製造方法としては、実施例１で示した薄膜半導体層４を形成させる工程までは同じであり、次に、ソース電極３およびデータ線５を、モリブデン合金を用い３００ｎｍ形成させ、薄膜半導体層４の不要なｎ−ａ−Ｓｉ層のエッチングを行った後に、パッシベーション膜１３として窒化シリコンを３００ｎｍ堆積させる。
【００７０】
次に、共通電極１を形成し、その後、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により、共通電極１を走査線６、およびデータ線５を覆うように、厚さ８０ｎｍ形成させ、パターン加工する。
【００７１】
次に、透明絶縁膜２６を窒化シリコン膜３００ｎｍで形成し、その後、パッシベーション膜１３および透明絶縁膜２６にコンタクトホール２５をソース電極３上に形成させ、同時に、表示画面周辺に引き出された走査線６およびデータ線５の端子部で金属層を露出させるために、ゲート絶縁膜１２、パッシベーション膜１３および透明絶縁膜２６の必要部分をエッチング除去する。
【００７２】
次に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により、画素電極２を走査線６の延在方向に垂直な方向にストリップ状に３００ｎｍの厚さで形成する。また、共通電極１は、表示画面周辺に第一の金属層および、または第二の金属層によって形成された共通電極配線とコンタクトホール、および、上層の透明導電膜を介して導通させているが、図による詳細は省略している。
【００７３】
本実施例では、上述のように、画素電極２が共通電極１より液晶層に近い。画素電極２を液晶層に近い側にするために、画素電極２とデータ線５との間に絶縁膜が形成されることにより、画素電極２もしくはデータ線５のパターン崩れに伴う画素電極２とデータ線５の短絡を防止することができる。また、本実施例ではストリップ状画素電極２はデータ線５の延在する方向と平行に形成されているが、実施例３で述べたようにストリップ状画素電極２の延在方向を走査線６の延在方向と平行に形成することも可能である。また、実施例４のように、液晶配向方位７と横方向電界８が平行の関係になる場合（図１１または図１２の場合）に適用することもできる。
【００７４】
以上、上記各実施例を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。したがって、本発明は、上述してきたように画素サイズが小さい（特に、画素サイズ（画素の長辺の長さ）が１００μｍ以下）場合に効果的であるが、必ずしもこれに限定される訳ではなく、比較的画素サイズが大きくても、指押し跡対策としてこの技術は使えることは言うまでもない。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及び該液晶表示装置を表示装置として利用する任意の機器に利用可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１  共通電極
１ａ  凸状共通電極
１ｂ  ストリップ状共通電極
２  ストリップ状画素電極（画素電極）
２ａ  第２の矩形状画素電極
２ｂ  第１の矩形状画素電極
２ｃ  ストリップ状画素電極（第二金属層）
２ｄ  第２の矩形状画素電極（第二金属層）
２ｅ  第１の矩形状画素電極（第二金属層）
２ｆ  突起状画素電極
２ｇ  突起部
２ｈ  矩形状画素電極（画素電極が共通電極より液晶層に近い場合）
３  ソース電極
４  薄膜半導体層
５  データ線
６  走査線
７  液晶配向方位
８  横方向電界
９  液晶
９ａ  液晶の初期配向状態
９ｂ  液晶のツイスト変形した状態
９ｃ  液晶のツイスト変形しない状態
１０  入射側偏光板
１１  第一の透明絶縁性基板
１２  ゲート絶縁膜
１３  パッシベーション膜
１４、１５  配向膜
１６  オーバーコート
１７  色層
１８  ブラックマトリクス
１９  第二の透明絶縁性基板
２０  出射側偏光板
２１ａ、２１ｂ  （共通電極と画素電極が近接した箇所での）横方向電界
２２ａ、２２ｂ  フリンジ電界
２３  共通電極くり抜き領域
２４  （共通電極とデータ線の間に生じる）電界
２５  コンタクトホール
２６  透明絶縁膜
２７  単位画素
２８  開口部
１０１  共通電極
１０２  画素電極
１０３  電界
１０４  電界
１０５  共通電極配線
１０６  データ配線
１０７  ソース電極
１０８  ドレイン電極
１０９  アモルファスシリコン（ＴＦＴチャネル領域）
１１０  走査線（ゲート配線）
１１１  ブラックマトリクス境界部
１１２  半導体層ＬＴＰＳ
１１３  スルーホール
１１４  （電界１０３と異なる方向の）フリンジ電界
１１５  （電界１０４と異なる方向の）フリンジ電界
１１６  ディスクリネーション
１１７  逆回転ドメイン
１１８  順回転ドメイン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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