(57)【要約】【課題】製造工程の簡略化および出射される光の強度分布の偏りが低減された色変換基板および液晶表示装置を提供する。【解決手段】色変換基板は、第１主表面を有する透明基板４０と、第１主表面に沿って配列する複数の蛍光体４５Ｒと、蛍光体４５Ｒの周囲を取り囲むように形成された複数の透明な第１隔壁部１８Ｒとを含み、第１主表面に設けられた蛍光体４５Ｒ層と、複数の第１隔壁部１８Ｒの外周面上に形成された複数の第１反射部２８とを備え、第１隔壁部１８Ｒのうち第１反射部２８が形成された部分は、曲面であり、第１隔壁部１８Ｒの厚さを厚さｄ１とすると、第１隔壁部１８Ｒの曲面の曲率は、０．５０／ｄ１以上０．８３／ｄ１以下である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主表面を有する透明基板と、
前記第１主表面に沿って配列する複数の蛍光体と、前記蛍光体の周囲を取り囲むように形成された複数の透明な第１隔壁部とを含み、前記第１主表面に設けられた蛍光体層と、
複数の前記第１隔壁部の外周面上に形成された複数の第１反射部と、
を備え、
前記第１隔壁部のうち前記第１反射部が形成された部分は、曲面であり、
前記第１隔壁部の厚さを厚さｄ１とすると、前記第１隔壁部の前記曲面の曲率は、０．５０／ｄ１以上０．８３／ｄ１以下である、色変換基板。
【請求項２】
前記第１隔壁部の外周面のうち前記第１主表面側に位置する部分と、前記第１主表面とのなす角度は、６０度以上８０度以下である、請求項１に記載の色変換基板。
【請求項３】
前記蛍光体は、前記第１主表面と対向する第２主表面と、前記第２主表面と反対側に位置する第３主表面とを含み、
前記蛍光体の幅は、前記第３主表面側から前記第２主表面側に向かうにつれて、小さくなるように形成され、
前記第１反射部は、前記第１隔壁部の第１外周面から前記蛍光体の前記第３主表面上に張り出す張出部を含む、請求項１または請求項２に記載の色変換基板。
【請求項４】
前記蛍光体層は、複数の拡散体と、前記拡散体の周囲を取り囲むように形成され、複数の透明な第２隔壁部とを含み、
複数の前記第２隔壁部の外周面上に形成された第２反射部をさらに備え、
前記第２隔壁部のうち前記第２反射部が形成された部分は、曲面であり、
前記第２隔壁部の厚さを厚さｄ２とすると、前記第２隔壁部の前記曲面の曲率は、０．５０／ｄ２以上０．８３／ｄ２以下である、請求項１から請求項３のいずれかに記載の色変換基板。
【請求項５】
前記蛍光体層と前記透明基板の主表面との間に形成された低屈折率層をさらに備え、
前記低屈折率層の屈折率は前記蛍光体の屈折率より小さい、請求項１から請求項４のいずれかに記載の色変換基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の色変換基板を備えた液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、前記ＴＦＴ基板と間隔をあけて配置され、前記色変換基板を含む対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層とを含み、
前記対向基板は、前記色変換基板よりも前記ＴＦＴ基板側に配置された偏光膜と、前記偏光膜よりも前記ＴＦＴ基板側に配置された透明導電膜と、前記透明導電膜よりも、前記ＴＦＴ基板側に配置された配向膜とを含む、液晶表示装置。
【請求項７】
前記色変換基板と前記偏光膜との間には、平坦化膜が形成され、
前記平坦化膜のうち、前記偏光膜が形成された部分は平坦面とされ、
前記平坦化膜の屈折率は、前記蛍光体の屈折率よりも小さい、請求項６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、色変換基板および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から蛍光体基板を備えた画像表示装置について各種提案されている。たとえば、特開２０００−１３１６８３号公報や特開２００３−５１８２号公報に記載された表示装置は、液晶表示素子と、液晶表示素子を背面から照明する光源と、波長変換部とを備える。波長変換部は、液晶表示素子の光出射側の各画素に対応して配置され、光源光を赤色または緑色に変換する一種以上の波長変換用蛍光体を含む。
【０００３】
また、特開２０１０−６６４３７号公報に記載された表示装置は、前面板と、光シャッタと、光源とを備える。前面板は、拡散光を発生する複数の光散乱体と、この光拡散体を覆うように形成された平坦化膜とを含む。
【０００４】
光散乱体は、青色の光を赤色に変換する赤色蛍光体と、青色の光を緑色に変換する緑色蛍光体と、青色のコリメート光を散乱する青色光散乱体とを含む。
【０００５】
そして、赤色蛍光体の下面を開放すると共に、赤色蛍光体の周面を覆うように反射膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１３１６８３号公報
【特許文献２】特開２００３−５１８２号公報
【特許文献３】特開２０１０−６６４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
たとえば、上記特開２０１０−６６４３７号公報に記載された表示装置においては、各蛍光体および散乱体をフォトリソグラフによって各々形成する必要があり、製造工程が多くなるという問題がある。
【０００８】
当該課題を解決する手法としては、たとえば、予め枠状の隔壁部を形成してインクジェットで蛍光体材料と拡散材料とを塗布する方法が考えられる。そして、この隔壁部の周面に反射部を形成する。このような方法によれば、隔壁部を形成した後、インクジェットによって蛍光体と散乱体とを一括的に形成することができ、製造工程を簡略化することができる。
【０００９】
当該方法で形成された反射部は、隔壁部の外周面の形状に沿って形成される。このため、隔壁部の外周面および反射部の形状によっては、蛍光体や散乱体から出射される光の強度分布に大きな偏りが生じるおそれがある。
【００１０】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、製造工程の簡略化および出射される光の強度分布の偏りが低減された色変換基板および液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る色変換基板は、第１主表面を有する透明基板と、第１主表面に設けられた蛍光体層と、第１反射部とを備える。蛍光体層は、第１主表面に沿って配列する複数の蛍光体と、蛍光体の周囲を取り囲むように形成された複数の透明な第１隔壁部とを含む。第１反射部は、複数の第１隔壁部の外周面上に形成される。上記第１隔壁部のうち第１反射部が形成された部分は、曲面である。上記第１隔壁部の厚さを厚さｄ１とすると、第１隔壁部の曲面の曲率は、０．５０／ｄ１以上０．８３／ｄ１以下である。
【００１２】
好ましくは、上記第１隔壁部の外周面のうち第１主表面側に位置する部分と、第１主表面とのなす角度は、６０度以上８０度以下である。
【００１３】
好ましくは、上記蛍光体は、第１主表面と対向する第２主表面と、第２主表面と反対側に位置する第３主表面とを含む。上記蛍光体の幅は、第３主表面側から第２主表面側に向かうにつれて、小さくなるように形成される。上記第１反射部は、第１隔壁部の第１外周面から蛍光体の第３主表面上に張り出す張出部を含む。
【００１４】
好ましくは、上記蛍光体層は、複数の拡散体と、拡散体の周囲を取り囲むように形成され、複数の透明な第２隔壁部とを含む。色変換基板は、上記複数の第２隔壁部の外周面上に形成された第２反射部をさらに備える。上記第２隔壁部のうち第２反射部が形成された部分は、曲面である。上記第２隔壁部の厚さを厚さｄ２とすると、第２隔壁部の曲面の曲率は、０．５０／ｄ２以上０．８３／ｄ２以下である。
【００１５】
好ましくは、色変換基板は、上記蛍光体層と透明基板の主表面との間に形成された低屈折率層をさらに備える。上記低屈折率層の屈折率は蛍光体の屈折率より小さい。
【００１６】
本発明に係る液晶表示装置は、上記色変換基板を備える。液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、ＴＦＴ基板と間隔をあけて配置され、色変換基板を含む対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に配置された液晶層とを含む。上記対向基板は、色変換基板よりもＴＦＴ基板側に配置された偏光膜と、偏光膜よりもＴＦＴ基板側に配置された透明導電膜と、透明導電膜よりも、ＴＦＴ基板側に配置された配向膜とを含む。
【００１７】
好ましくは、上記色変換基板と偏光膜との間には、平坦化膜が形成される。上記平坦化膜のうち、偏光膜が形成された部分は平坦面とされる。上記平坦化膜の屈折率は、蛍光体の屈折率よりも小さい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る色変換基板および液晶表示装置によれば、出射される光の強度の分布に偏りが生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の形態１に係る表示装置１を示す断面図である。
【図２】図１に示す色変換基板４を示す平面図である。
【図３】赤色蛍光体４５Ｒおよびその周囲の構造を示す断面図である。
【図４】反射部４７Ｒおよびその周囲の構成を示す断面図である。
【図５】図３に示す赤色光ＲＬの強度分布を示すグラフである。
【図６】比較例に係る表示装置の一部を示す断面図である。
【図７】図６に示す比較例において、ミュレーションした赤色蛍光体４５Ｒの配向特性を示すグラフである。
【図８】光散乱体４４およびその周囲の構成を示す断面図である。
【図９】隔壁部１８Ｂおよびその周囲の構成を示す断面図である。
【図１０】色変換基板４の製造工程の第１工程を示す断面図である。
【図１１】図１０に示す製造工程の次の工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す製造工程の次の工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示す製造工程の次の工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に示す製造工程の次の工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す製造工程の次の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示す製造工程の次の工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に示す製造工程の次の工程を示す断面図である。
【図１８】本実施の形態１に係る表示装置１の第１変形例を示す断面図である。
【図１９】実施の形態２に係る表示装置１の断面図である。
【図２０】本実施の形態２に係る表示装置１の変形例を示す断面図である。
【図２１】本実施の形態１，２に係る第１変形例を模式的に示す模式図である。
【図２２】第２変形例を模式的に示す模式図である。
【図２３】第３変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１に係る表示装置１を示す断面図である。この図１に示すように、表示装置１は、光源モジュール２および液晶モジュール３を含む。
【００２１】
光源モジュール２は、たとえば、導光板２ｂと、この導光板２ｂの側面に設けられた複数のＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）２ａなどを備える。なお、光源モジュール２は、液晶モジュール３に向けて青色光ＢＬを照射する面発光ユニットである。光源モジュール２としては、上記のようなサイドエッジ型のバックライトに限られない。たとえば、アレイ状に配置された複数のＬＥＤ２ａを備えた直下型のバックライトであってもよい。この青色光ＢＬの波長領域は、たとえば、３９０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下である。この青色光ＢＬの強度が最も高くなるときの波長は、たとえば、４５０ｎｍ程度である。なお、本実施の形態においては、青色光を利用した例について説明するが、光源モジュール２から出射される光として紫外線を採用する場合もある。紫外線を採用した例については、後述する。
【００２２】
液晶モジュール３は、光源モジュール２側に配置されたＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）基板５と、ＴＦＴ基板５に対して光源モジュール２と反対側に配置された対向基板６と、ＴＦＴ基板５および対向基板６の間に封入された液晶層７と、液晶層７を封止するシール部材８とを含む。
【００２３】
ＴＦＴ基板５は、ガラス基板などの透明基板１０と、透明基板１０の主表面のうち光源モジュール２と対向する主表面に形成された偏光板１１と、透明基板１０の主表面のうち、偏光板１１が形成された主表面と反対側の主表面に形成された複数のＴＦＴトランジスタ１３と、このＴＦＴトランジスタ１３を覆うように形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上に形成された画素電極１５と、この画素電極１５を覆うように形成された配向膜１６とを含む。
【００２４】
偏光板１１は、たとえば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素や２色性色素を染色、延伸させることで形成されている。ＴＦＴトランジスタ１３は、透明基板１０の主表面上に形成されたゲート電極ＧＥと、このゲート電極ＧＥを覆うように形成されたゲート絶縁膜１２と、このゲート絶縁膜１２上に形成された半導体層１７と、この半導体層１７上に互いに間隔をあけて形成されたソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥとを含む。ゲート絶縁膜１２は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのように透明絶縁膜である。
【００２５】
層間絶縁膜１４は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのように透明絶縁膜である。画素電極１５は、たとえば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）膜などのように透明導電膜によって形成されている。画素電極１５は、図示されないコンタクトによってドレイン電極ＤＥに接続されている。このため、ＴＦＴトランジスタ１３がＯＮ状態となると、画素電極１５には所定の電圧が印加される。
【００２６】
ＴＦＴトランジスタ１３は、複数設けられており、この図１に示す例においては、ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが設けられている。なお、各ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、いずれも、複数設けられている。
【００２７】
そして、ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、それぞれ、画素電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに接続されている。
【００２８】
配向膜１６は、ポリイミド膜などから形成されており、液晶分子の配向方向を制御可能なように表面にラビング処理が施されている。液晶層７は、複数の液晶分子を含む。
【００２９】
対向基板６は、色変換基板４と、色変換基板４の下面に形成された偏光板３３と、この偏光板３３の下面に形成された透明絶縁膜３０と、この透明絶縁膜３０の下面に形成された対向電極３１と、この対向電極３１を覆うように形成された配向膜３２とを含む。偏光板３３は、たとえば、アルミニウムなどの導電材料で形成されたワイヤーグリッドや１種類以上の二色性染料（たとえば、OPTVA社製TCF)などによって形成されている。
【００３０】
本実施の形態においては、対向基板６内に色変換基板４が組み込まれており、１つの透明基板４０を基板として、当該透明基板４０に色変換基板の構成部材と、偏光板や対向電極などの対向基板の構成部材を積層している。
【００３１】
このため、たとえば、ガラス基板を有する対向基板と、ガラス基板を有する色変換基板とを積層させた場合と比較して、ガラス基板などの透明基板を１枚省略することができる。このため、液晶モジュール３としても薄型化を図ることができる。
【００３２】
色変換基板４は、出射面を含む主板３９と、主板３９の出射面と反対側に位置する主板３９の主表面に形成された蛍光体層４２と、蛍光体層４２に形成された反射部材４６と、蛍光体層４２と偏光板３３との間に形成された平坦化膜４３とを含む。主板３９は、透明基板４０と、この透明基板４０の主表面に形成された低屈折率層４１とを含む。透明基板４０は、たとえば、ガラス基板などである。低屈折率層４１の屈折率は、たとえば、１．２０以上１．４０以下である。低屈折率層４１の厚さは、０．５μｍ〜３．０μｍである。このましくは、１．０μｍ以上１．５μｍ以下である。
【００３３】
蛍光体層４２は、複数の光散乱体４４と、複数の蛍光体４５と、光散乱体４４および蛍光体４５の周囲を取り囲むように形成された隔壁部１８とを含む。蛍光体４５は、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇとがある。赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４とは、互いに間隔をあけて配置されている。
【００３４】
赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの屈折率は１．４９以上１．５９以下程度である。赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下である。好ましくは、５μｍ以上８μｍ以下である。赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇは、有機蛍光材料またはナノ蛍光材料などから形成されている。有機蛍光材料としては、赤色蛍光色素としてローダミンＢ等のローダミン系色素、緑色蛍光色素としてクマリン６等のクマリン系色素などが挙げられる。ナノ蛍光材料は、バインダと、バインダ内に拡散した複数の蛍光体とを含む。バインダは、たとえば、透明なシリコーン系またはエポキシ系またはアクリル系などの樹脂から形成されている。蛍光体は、たとえば、CdSeやZnS等のナノ粒子蛍光体を使うこともできる。上記のような材料で赤色蛍光体４５Ｒを形成することで、赤色蛍光体４５Ｒは赤色光（波長域が５３０ｎｍ以上６９０ｎｍ以下の光）を透過させることができる。これにより、赤色蛍光体４５Ｒが励起することで発光した光が、赤色蛍光体４５Ｒ自身を透過することができ、赤色蛍光体４５Ｒからの光の利用効率の向上を図ることができる。
【００３５】
なお、同様に、緑色蛍光体４５Ｇは、緑色光を透過することができ、緑色蛍光体４５Ｇが励起することで発光した光が、緑色蛍光体４５Ｇ自身を透過することができ、緑色蛍光体４５Ｇからの光の利用効率の向上を図ることができる。
【００３６】
光散乱体４４は、内部に入射された光を拡散して、外部に出射する層である。光散乱体４４の厚さは、３μｍ以上１５μｍ以下である。好ましくは、５μｍ以上１０μｍ以下である。光散乱体４４は、たとえば、バインダーとしての透明樹脂と、樹脂内に散乱する複数の散乱粒子（フィラー）とを含む。なお、バインダーとしての透明樹脂は、青色光ＢＬを通し、光の利用効率の向上が図られている。散乱粒子としては、TiO2等のミー散乱するフィラー材料などが挙げられる。
【００３７】
平坦化膜４３は、光散乱体４４、赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの屈折率よりも低い屈折率の材料によって形成されている。
【００３８】
隔壁部１８は、赤色蛍光体４５Ｒの周面を取り囲むように形成された隔壁部１８Ｒと、
緑色蛍光体４５Ｇの周囲を取り囲むように形成された隔壁部１８Ｇと、光散乱体４４の周囲を取り囲むように形成された隔壁部１８Ｂとを含む。隔壁部１８は、光を透過する透明樹脂などによって形成されている。
【００３９】
反射部材４６は、隔壁部１８Ｒ上に形成された反射部４７Ｒと、隔壁部１８Ｇ上に形成された反射部４７Ｇと、隔壁部１８Ｂ上に形成された反射部４７Ｂと、各反射部４７Ｒ，４７Ｇ，４７Ｂを接続するように形成された接続部４８とを含む。
【００４０】
接続部４８は、隔壁部１８Ｒと隔壁部１８Ｇとの間と、隔壁部１８Ｇと隔壁部１８Ｂとの間と、隔壁部１８Ｂと隔壁部１８Ｒとの間に位置する低屈折率層４１に形成されている。
【００４１】
反射部材４６は、可視光範囲で高い反射率の例えばアルミニウムや銀及びその合金などの材料などが挙げられる。たとえば、反射部材４６を形成する金属材料として、アルミニウム（Ａｌ）を採用した場合には、反射部材４６の膜厚は、たとえば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。好ましくは、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。
【００４２】
シール部材８は、ＴＦＴ基板５と対向基板６との外周縁部に沿って環状に形成されており、液晶層７を色変換基板４とＴＦＴ基板５との間に封止している。
【００４３】
図２は、図１に示す色変換基板４を示す平面図である。この図２においては、色変換基板４を光源モジュール２側から見たときの平面図である。
【００４４】
この図２に示すように、複数の赤色蛍光体４５Ｒが配列方向Ｄ１に間隔をあけて配列し、同様に、複数の緑色蛍光体４５Ｇが配列方向Ｄ１に配列する。また光散乱体４４も配列方向Ｄ１に間隔をあけて配列する。
【００４５】
赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４は、配列方向Ｄ２に間隔をあけて順次配列する。なお、図中に示す長さＬＬは、たとえば、３０μｍ以上９００μｍ以下である。長さＬＢ、ＬＲ，ＬＧは、たとえば、３０μｍ以上３００μｍ以下程度である。なお、長さＬＢ，ＬＲ，ＬＧは、等しい必要はない。
【００４６】
このように、複数の赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４は、アレイ状に配置され、この複数の赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４の周囲を取り囲むように、環状の隔壁部１８Ｒ、１８Ｇ，１８Ｂが形成されている。反射部材４６は、隔壁部１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ上に形成されている。
【００４７】
図３は、赤色蛍光体４５Ｒおよびその周囲の構造を示す断面図である。この図３に示すように、赤色蛍光体４５Ｒは、透明基板４０の主表面と対向する出射面２０と、出射面２０と反対側に位置する下面２１と、出射面２０および下面２１との間に位置する周面２２とを含む。
【００４８】
隔壁部１８Ｒは、周面２２を取り囲むように環状に形成されている。隔壁部１８Ｒは、出射面２０の主表面と対向する対向面２４と、対向面２４以外の周面２５とを含む。
【００４９】
周面２５は、外周面２７と、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２と接触する内周面２６とを含む。外周面２７および内周面２６は、湾曲面状に形成されている。
【００５０】
赤色蛍光体４５Ｒの幅は、下面２１側から出射面２０側に向かうにつれて小さくなるように形成されている。
【００５１】
反射部４７Ｒは、外周面２７上に形成された側壁部２８と、側壁部２８の端部に接続され、赤色蛍光体４５Ｒの下面２１に形成された張出部２９とを含む。張出部２９は、環状に形成されている。下面２１の一部が張出部２９から露出することで、入射面３４が形成されている。張出部２９は、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２と赤色蛍光体４５Ｒの厚さ方向に対向するように形成されている。赤色蛍光体４５Ｒのうち、厚さが薄い部分が張出部２９によって覆われている。
【００５２】
図４は、反射部４７Ｒおよびその周囲の構成を示す断面図である。この図４において、隔壁部１８Ｒの外周面２７は、曲面となるように形成されている。
【００５３】
図４に示す第１部位Ｐ１は、外周面２７上の任意の部位である。第２部位Ｐ２は、第１部位Ｐ１よりも透明基板４０の主表面側に位置する部位である。上端部Ｐ３は、外周面２７のうち、透明基板４０の主表面に最も近い部位である。
【００５４】
ここで、第１部位Ｐ１における接線を接線Ｌ１とし、第２部位Ｐ２における接線を接線Ｌ２とする。同様に、上端部Ｐ３における接線を接線Ｌ３とする。
【００５５】
そして、透明基板４０の主表面と、接線Ｌ１との交差角度を交差角度α１とし、透明基板４０の主表面と接線Ｌ２との交差角度を交差角度α２とする。また、透明基板４０の主表面と接線Ｌ３との交差角度を交差角度α３とする。なお、交差角度α１などは、透明基板４０の主表面と接線Ｌ１などと為す角度のうち、９０度よりも小さい方の角度を意味する。
【００５６】
ここで、図４からも明らかなように、交差角度α１は、交差角度α２よりも小さく、交差角度α３は交差角度α２よりも大きい。このように、外周面２７は、透明基板４０の主表面に近接するにつれて、透明基板４０の主表面との交差角度が大きくなるように湾曲面状に形成されている。
【００５７】
具体的には、外周面２７は、曲率中心点Ｏ１を中心とする円弧状に形成されている。ここで、隔壁部１８Ｒの厚さをｄ１とすると、外周面２７の曲率は、０．５０／ｄ１以上０．８３／ｄ１以下である。なお、上記のような曲率となるように外周面２７を形成すると交差角度α３は、６０度以上８０度以下となる。なお、外周面２７の曲率は、好ましくは、０．６６／ｄ１である。なお、外周面２７の曲率は、全面に亘って一定である必要はない。
【００５８】
そして、反射部４７Ｒの側壁部２８は、外周面２７上に形成されており、側壁部２８の内周面も外周面２７と同様に形成されている。
【００５９】
このように構成された表示装置１の動作について説明する。図１において、光源モジュール２から青色光ＢＬは、液晶モジュール３に入射する。液晶モジュール３は、液晶モジュール３に設けられた色変換基板４に選択的に青色光ＢＬを入射させる。具体的には、選択されたＴＦＴトランジスタ１３がＯＮとなると、当該選択されたＴＦＴトランジスタ１３に接続された画素電極１５を通る青色光ＢＬのみが偏光板３３を通過して、色変換基板４に入射する。
【００６０】
図３において、張出部２９は、赤色蛍光体４５Ｒのうち、隔壁部１８Ｂの内周面２６の下方に位置する部分を覆うように形成されている。このため、張出部２９は、赤色蛍光体４５Ｒの薄い部分に、青色光ＢＬが入り込むことを抑制する。赤色蛍光体４５Ｒの薄い部分に青色光ＢＬが入射することを抑制することで、入射した青色光ＢＬが赤色蛍光体４５Ｒを通過することを抑制することができる。
【００６１】
これに対して、入射面３４における赤色蛍光体４５Ｒの厚さは、厚いため、青色光ＢＬが入射しても、青色光ＢＬが赤色蛍光体４５Ｒを通過することを抑制することができる。入射面３４から青色光ＢＬが入射すると赤色蛍光体４５Ｒが励起して赤色蛍光体４５Ｒは、放射状に赤色光ＲＬを発光する。たとえば、赤色光ＲＬ１は、低屈折率層４１に向けて進む。赤色蛍光体４５Ｒと低屈折率層４１との界面の臨界角度よりも、赤色光ＲＬ１の入射角度が小さい場合には、赤色光ＲＬ１は低屈折率層４１内に入り込み、透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００６２】
その一方で、赤色光ＲＬ３に示すように、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面への入射角度が、赤色蛍光体４５Ｒと低屈折率層４１との臨界角度よりも大きいときには、当該界面で反射される。このように低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面で反射された赤色光ＲＬ３は、隔壁部１８Ｂ内に入り込み、その後、反射部４７Ｒの側壁部２８で反射される。そして、この赤色光ＲＬ３は、低屈折率層４１に向けて進む。低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に入射するときに赤色光ＲＬ３の入射角度が臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ３が低屈折率層４１内に入り込み、透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００６３】
赤色光ＲＬ４は、発光した赤色光ＲＬのうち、入射面３４に向かう赤色光である。ここで、平坦化膜４３の屈折率は、赤色蛍光体４５Ｒの屈折率よりも小さい。このため、平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面への赤色光ＲＬ４の入射角度が大きい場合には、赤色光ＲＬ４は当該界面で反射される。平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面で反射された赤色光ＲＬ４は、その後、反射部４７Ｒの側壁部２８で反射される。
【００６４】
反射部４７Ｒで反射された赤色光ＲＬ４は、低屈折率層４１に向けて反射される。そして、このときの赤色光ＲＬ４の入射角度が、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面の臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ４は、低屈折率層４１をとおり透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００６５】
赤色光ＲＬのうち、周面２２に向かう赤色光ＲＬ２も、反射部４７Ｒの側壁部２８によって反射される。反射部４７Ｒの側壁部２８で反射された赤色光ＲＬ２は、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に向けて入射する。このときの入射角度が低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面の臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ２は低屈折率層４１を通り透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００６６】
このように、発光した赤色光ＲＬは、反射部４７Ｒの側壁部２８によって反射される。この際、反射部４７Ｒの側壁部２８は上述のように湾曲面状に形成されている。このため、赤色光ＲＬが反射部４７Ｒに入射する位置によって赤色光ＲＬの反射角度は変化する。これに伴い、赤色光ＲＬが特定の方向に反射されることが抑制される。
【００６７】
図５は、図３に示す赤色光ＲＬの強度分布を示すグラフである。この図５において、横軸は、赤色光ＲＬの出射角度θ（°）を示す。ここで、図３において、透明基板４０の出射面に対して垂直な方向を基準方向Ｖとする。出射角度θ（°）は、基準方向Ｖと赤色光ＲＬの出射方向のなす角度を示す。図５に示す縦軸は、赤色光ＲＬの強度を示す。
【００６８】
そして、図５のグラフは、本実施の形態に係る表示装置１において、次に示す条件に基づいて、配向特性をシミュレーションした結果を示す。赤色蛍光体４５Ｒの厚みと入射面３４の開口幅の比率を１：９とする。透明基板４０と隔壁部１８Ｒの外周面２７の接する交差角度α３＝７０度とし、低屈折率層の屈折率＝１．２１とする。そして、透明基板４０の法線方向を０度とする。
【００６９】
上記の条件の下において、本実施の形態に係る表示装置１の赤色光ＲＬの配向特性は、ランバーシアン（Ｌａｍｂｅｒｔｉａｎ）特性に近似する特性を有することが分かる。これにより、視認角度による強度変化が小さくなり表示品位が向上する。
【００７０】
ここで、上記のような配向特性は、図３に示す反射部４７Ｒの側壁部２８の形状に起因する。
【００７１】
なお、赤色蛍光体４５Ｒについて説明したが、緑色蛍光体４５Ｇにおいても同様に反射部４７Ｇが湾曲面状に形成されているため、赤色蛍光体４５Ｒと同様の配向特性を有する。これにより、表示された画像の明るさは、観察者の視る角度にかかわらず略一定となる。
【００７２】
次に、図６および図７を用いて、比較例に係る表示装置１の構成と、表示装置１の光の配向特性について説明する。
【００７３】
図６は、比較例に係る表示装置の一部を示す断面図である。この図６に示す例においては、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２は、傾斜面であり、反射部４７Ｒの側壁部２８も傾斜面状に形成されている。すなわち、反射部４７Ｒの側壁部２８のどの部位の接線であっても、当該接線と透明基板４０の主表面とのなす角度は、一定である。
【００７４】
そして、図７に示すグラフは、図６に示す比較例において、次の条件に基づいてシミュレーションした赤色蛍光体４５Ｒの配向特性を示すグラフである。赤色蛍光体４５Ｒ層の厚みと開口幅の比率を1：9とする。透明基板４０と赤色蛍光体４５Ｒの周面の上端部との為す角度を７０度とし、低屈折率層４１の屈折率＝１．２１とする。反射部４７の反射率=90%とする。透明基板４０の法線方向を０度とする。
【００７５】
上記の条件のもと、比較例に係る赤色蛍光体４５Ｒの配向特性は、図７に示すように、出射角度θ（°）が０°付近で際立ったピークが生じ、±３０度方向の極小値に向かって強度が急峻に変化する。このため、ランバーシアン特性から大きくずれた状態となる。すなわち、観察者が特定の角度から画面を見ると画面が非常に明るく見え、他の角度から見ると画面が暗く見えることになる。
【００７６】
このように、本実施の形態に係る表示装置１においては、反射部４７Ｒの傾斜角度を位置によって異ならせることで、図５に示すように、ランバーシアン特性を得ることができる。
【００７７】
なお、本実施の形態においては、外周面２７の全体が曲面となるように形成されているが、外周面２７の少なくとも一部が曲面としてもよい。そして、反射部４７Ｒは、外周面２７のうち、少なくとも上記曲面部分に形成されている。
【００７８】
図８は、光散乱体４４およびその周囲の構成を示す断面図である。この図８に示すように、光散乱体４４は、透明基板４０の主表面と対向する出射面５０と、出射面５０の反対側に位置する下面５１と、出射面５０および下面５１の間に位置する周面５２とを含む。
【００７９】
隔壁部１８Ｂも、透明基板４０の主表面と対向する対向面５４と、この対向面５４以外の周面５５とを含む。周面５５は、外周面５６と、内周面５７とを含む。内周面５７は、光散乱体４４の周面５２と接触している。
【００８０】
反射部４７Ｂは、外周面５６に形成された側壁部３５と、側壁部３５に接続され、光散乱体４４の下面５１に形成された張出部３６とを含む。
【００８１】
張出部３６は、環状に形成されており、下面５１のうち、張出部３６から露出する部分が光散乱体４４の入射面５３である。
【００８２】
張出部３６は、隔壁部１８Ｂの内周面５７と対向しており、張出部３６は、光散乱体４４のうち、薄い部分を覆うように形成されている。これにより、青色光ＢＬが光散乱体４４の薄い部分に入射することが抑制され、入射した青色光ＢＬが光散乱体４４を通過することが抑制されている。
【００８３】
光散乱体４４内に青色光ＢＬが入射すると、光散乱体４４内で青色光ＢＬが散乱して、出射面５０から主板３９内に入り込み、外部に出射される。
【００８４】
この際、透明基板４０と光散乱体４４との間には、低屈折率層４１が形成されているため、低屈折率層４１と光散乱体４４との界面に入射する入射角度が低屈折率層４１と光散乱体４４との臨界角度よりも小さい青色光ＢＬは当該界面で反射される。そして、低屈折率層４１と光散乱体４４との界面に入射する入射角度が臨界角度よりも小さい青色光ＢＬのみが低屈折率層４１内に入り込み、外部に出射される。
【００８５】
また、平坦化膜４３の屈折率は、光散乱体４４に屈折率よりも小さいため、光散乱体４４内で散乱した青色光ＢＬが平坦化膜４３内に入り込むことが抑制されている。このため、青色光ＢＬの利用効率の向上を図ることができる。
【００８６】
図９は、隔壁部１８Ｂおよびその周囲の構成を示す断面図である。この図９において、第４部位Ｐ４は、外周面５６上の部位である。第５部位Ｐ５は、第４部位Ｐ４よりも透明基板４０の主表面側に位置する部位である。上端部Ｐ６は、外周面５６の上端部である。
【００８７】
そして、第４部位Ｐ４を通る接線を接線Ｌ４とし、第５部位Ｐ５を通る接線を接線Ｌ５とする。同様に、上端部Ｐ６における接線を接線Ｌ６とする。接線Ｌ４と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α４とし、接線Ｌ５と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α５とする。接線Ｌ６と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α６とする。
【００８８】
そして、外周面５６は、図９からも明らかなように、交差角度α４よりも交差角度α５が大きくなるように湾曲面状に形成されている。なお、交差角度α６は、交差角度α５よりも大きい。このように湾曲面状に形成された外周面５６上に反射部４７Ｂが形成されており、反射部４７Ｂの側壁部３５の内周面も、外周面５６と同様の湾曲面である。ここで、隔壁部１８Ｂの厚さをｄ２とすると、外周面５６の曲率は、０．５０／ｄ２以上０．８３／ｄ２以下である。なお、上記のような曲率となるように外周面５６を形成すると交差角度α６は、６０度以上８０度以下となる。なお、外周面５６の曲率は、好ましくは、０．６６／ｄ２である。なお、外周面５６の曲率は、全面に亘って一定である必要はない。
【００８９】
なお、本実施の形態においては、隔壁部１８Ｂの外周面５６の全体が曲面となるように形成されているが、外周面５６の一部が上記のような曲面とされていてもよい。この場合には、反射部４７Ｂは、上記の曲面部分に少なくとも形成される。
【００９０】
図１に示す表示装置１の製造方法について説明する。表示装置１を製造する際には、液晶モジュール３と光源モジュール２とを組み付けることで製作される。液晶モジュール３は、別個に製造されたＴＦＴ基板５と対向基板６とを張り合せると共に、液晶層７をシール部材８で封止することで製作することができる。対向基板６は、色変換基板４に、偏光板３３と、透明絶縁膜３０と、電極３１と、配向膜３２とを順次形成することで製造することができる。そこで、色変換基板４の製造方法について主に説明する。
【００９１】
図１０は、色変換基板４の製造工程の第１工程を示す断面図である。この図１０に示すように、主表面を有する透明基板６０を準備する。
【００９２】
次に、図１１に示すように、透明基板６０の主表面上にスピンコータやスリットコータなどを用いて低屈折率層４１を形成する。次に、図１２に示すように、レジスト層６１を低屈折率層４１上に形成する。
【００９３】
次に、図１３に示すように、マスク６２を通して、レジスト層６１に紫外線ＵＲを放射する。マスク６２は、透明板材の下面に所望のパターンの遮光膜パターンを配置したものである。紫外線ＵＲは、高圧水銀ランプなどによって生成することができる。
【００９４】
次に図１４に示すように、紫外線ＵＲが照射されたレジスト層６１を現像する。具体的には、無機または有機のアルカリにより、レジスト層６１のうち、露光された部分を溶解する。そして、溶解して残った部分にベーク処理を施すことで、隔壁部１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが形成される。なお、上記ベーク処理は、必須ではない。
【００９５】
このように、レジスト層６１にフォトリソグラフィを施すことで、周面が湾曲面状の隔壁部１８Ｂ、１８Ｇ，１８Ｒを製作することができる。
【００９６】
次に、図１５に示すように、インクジェット法で、光散乱体４４と、緑色蛍光体４５Ｇと、赤色蛍光体４５Ｒとを形成する。光散乱体４４は、隔壁部１８Ｂによって形成された穴部内に散乱材料が塗布されることで形成される。緑色蛍光体４５Ｇは、隔壁部１８Ｇによって形成された穴部内に緑色蛍光体材料が塗布されることで形成される。赤色蛍光体４５Ｒは、隔壁部１８Ｒによって形成された穴部内に赤色蛍光体材料が塗布されることで形成される。なお、各材料を塗布した後に加熱処理を施してもよい。
【００９７】
インクジェット法によれば、散乱材料と、緑色蛍光体材料と、赤色蛍光体材料と一括的に塗布することができるため、フォトリソグラフ法で形成する場合と比較して工程時間を短縮化することができる。さらに、塗布する材料の量も低減することができる。
【００９８】
次に、図１６において、隔壁部１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒと、光散乱体４４と、緑色蛍光体４５Ｇと、赤色蛍光体４５Ｒとを覆うように、金属膜をスパッタリング法や蒸着法で形成する。なお、金属としては、アルミニウムや銀もしくはその合金などが採用される。ここで、隔壁部１８Ｒ，１８Ｒ，１８Ｇの周面の下端部側（透明基板６０側）の傾斜角度は、６０度以上８０度以下である。このため、金属膜を形成する際に、金属膜が形成されない部分が生じることを抑制することができる。
【００９９】
金属膜を形成した後、この金属膜上にレジスト膜を形成する。このレジスト膜にフォトリソグラフを施して、レジスト膜をパターニングする。このパターンされたレジスト膜を用いて、上記金属膜をエッチングする。これにより、図１６に示すように、反射部材４６が形成される。このようにして、本実施の形態に係る色変換基板４を製作することができる。
【０１００】
次に、上記のように色変換基板４を製作した後に、対向基板６を製作する製造方法について説明する。
【０１０１】
図１７において色変換基板４の反射部材４６上に熱硬化型もしくは紫外線硬化型の透明なアクリル系樹脂などにより平坦化膜４３を形成する。次に、平坦化膜４３の上面上に偏光板３３を形成する。偏光板３３の上面上に、たとえば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などにより透明絶縁膜３０を形成する。次に、ＩＴＯ膜またはＩＺＯ膜などの透明導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングして、対向電極３１を形成する。次に、対向電極３１を覆うように、配向膜３２を形成する。
【０１０２】
このように、色変換基板４が一体化された対向基板６を製作する場合と、色変換基板４と、一般的な対向基板とを個別に製作する場合とを比較すると、ガラス基板が１枚不要となると共に、製造工程の削減を図ることができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態に係る表示装置１は、液晶駆動方式のＴＮ方式、ＶＡ方式、ＥＣＢ方式およびＩＰＳ方式のいずれのタイプにも適用することができる。
【０１０４】
図１８は、本実施の形態１に係る表示装置１の第１変形例を示す断面図である。この図１８に示す例においては、光散乱体４４に替えて青色蛍光体４５Ｂが採用されている。光源モジュール２は、液晶モジュール３に向けて紫外線ＵＲを照射する。
【０１０５】
そして、選択された赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび青色蛍光体４５Ｂに紫外線ＵＲが入射する。この図１８に示す例では、赤色蛍光体４５Ｒは、紫外線ＵＲが入射することで励起して、赤色光を発光する。緑色蛍光体４５Ｇも紫外線ＵＲが入射することで発光し、青色蛍光体４５Ｂも紫外線ＵＲが入射することで、青色光を発光する。
【０１０６】
この図１８に示す例においても、緑色蛍光体４５Ｇ、赤色蛍光体４５Ｒおよび青色蛍光体４５Ｂの周面は、図３および図４に示すように湾曲面状に形成されている。
【０１０７】
（実施の形態２）
図１９を用いて、本実施の形態２に係る表示装置１について説明する。なお、図１９に示す構成のうち、上記図１から図１８に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１０８】
図１９は、実施の形態２に係る表示装置１の断面図である。表示装置１は、光源モジュール２と、光源モジュール２上に設けられた液晶モジュール３と、液晶モジュール３上に設けられた色変換基板４とを備える。本実施の形態２においては、液晶モジュール３と色変換基板４とは、別の構成部材であって、色変換基板４は、液晶モジュール３上に実装されている。
【０１０９】
このため、対向基板６は、透明基板３７と、透明基板３７の主表面のうち、ＴＦＴ基板５と対向する主表面に形成された対向電極３１と、この対向電極３１を覆うように形成された配向膜３２とを含む。さらに、対向基板６は、透明基板３７の主表面のうち、対向電極３１が形成された主表面と反対側の主表面に形成された偏光板３３とを含む。色変換基板４は、主板３９と、主板３９に形成された蛍光体層４２と、蛍光体層４２に形成された反射部材４６と、反射部材４６および蛍光体層４２を覆うように形成された平坦化膜４３とを含む。本実施の形態２において、平坦化膜４３は接着性を有し、これにより対向基板６と色変換基板４が接着されている。
【０１１０】
なお、主板３９は、出射面と、この出射面と反対側に位置する主表面とを含み、蛍光体層４２は、出射面と反対側に位置する主表面に設けられている。
【０１１１】
主板３９は、透明基板４０と、透明基板４０の下面に形成された低屈折率層４１とを含む。蛍光体層４２は、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４とを含み、赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４の各周囲を取り囲むように形成された隔壁部１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを含む。
【０１１２】
ここで、本実施の形態２においても、各隔壁部１８Ｒ、１８Ｇ、１８Ｂの外周面は、上記実施の形態１と同様に湾曲面状に形成されており、この湾曲面状の外周面上に反射部材４６が形成されている。
【０１１３】
このため、本実施の形態２に係る表示装置１においても、上記実施の形態１に係る表示装置１と同様に光の利用効率の向上を図ることができる。
【０１１４】
図２０は、本実施の形態２に係る表示装置１の変形例を示す断面図である。この図２０に示す例においては、表示装置１は、色変換基板４と対向基板６との間に設けられると共に、各基板の外周縁部の近傍に配置された支持部材４９を備える。これにより、色変換基板４と、対向基板６との間には、空気層５８が形成されている。
【０１１５】
なお、空気層５８の屈折率は、赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４の屈折率よりも小さい。このため、図２０に示す例においても、赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇで発光した光が対向基板６側に向かうことを抑制することができると共に、光散乱体４４で散乱した光が対向基板６に向かうことを抑制することができる。
【０１１６】
上記実施の形態１，２は、サイドエッジ型のバックライトを備えた液晶表示装置に本願発明に係る色変換基板４を適用した例について説明したが、色変換基板４は各種の表示装置に適用することができる。
【０１１７】
図２１は、本実施の形態１，２に係る第１変形例を模式的に示す模式図である。この図２１に示す例においては、複数のＬＥＤ２ａがアレイ状に配置された直下型の光源モジュール２が採用されている。なお、複数のＬＥＤにかえて、冷陰極管を採用してもよい。
【０１１８】
図２２は、第２変形例を模式的に示す模式図である。この図２２に示す例においては、光源モジュール２は、有機ＥＬパネルや無機ＥＬパネルであり、光量を調整可能な調光光源である。光源モジュール２と色変換基板４とは、接着剤などで接着されている。この図２２に示す例では、液晶パネルなどの光シャッター装置を用いる必要がない。
【０１１９】
図２３は、第３変形例を示す断面図であり、この図２３に示す表示装置１は、光源モジュール２と、光シャッター６７と、色変換基板４とを備える。光シャッター６７は、透明基板６３と、透明基板６３の主表面上に形成された複数のシャッター素子６８とを含む。シャッター素子６８は、赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４と対向する位置に設けられている。
【０１２０】
このシャッター素子６８は、開口部６６が形成され、内部に空隙が形成された遮光壁６４と、この遮光壁６４内を移動可能に設けられたシャッター６５とを含む。シャッター６５が移動することで、開口部６６から液晶モジュール３に向かう光の量が調整される。このように、ＭＥＭＳが採用された光シャッター６７を採用することができる。
【０１２１】
以上、本発明に基づいた各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１２２】
１  表示装置、２  光源モジュール、２ａ  ＬＥＤ、２ｂ  導光板、３  液晶モジュール、４  色変換基板、５  基板、６  対向基板、７  液晶層、８  シール部材、１０，４０，６３  透明基板、１１，３３  偏光板、１２  ゲート絶縁膜、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ  トランジスタ、１４  層間絶縁膜、１５，１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ  画素電極、１６，３２  配向膜、１７  半導体層、１８，１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ  隔壁部、２０，５０  出射面、２１，５１  下面、２２，２５，２６，５２，５５  周面、２４，５４  対向面、２６  内周面、２７，５６  外周面、２８，３５  側壁部、２９，３６  張出部、３０  透明絶縁膜、３１  対向電極、３４，５３  入射面、３９  主板、４０  透明基板、４１  低屈折率層、４２  蛍光体層、４３  平坦化膜、４４  光散乱体、４５  蛍光体、４５Ｂ  青色蛍光体、４５Ｇ  緑色蛍光体、４５Ｒ  赤色蛍光体、４６  反射部材、４７，４７Ｂ，４７Ｇ，４７Ｒ  反射部、４８  接続部、６０  透明基板、６１  レジスト層、６２  マスク、６４  遮光壁、６５  シャッター、６６  開口部、６７  光シャッター、６８  シャッター素子、ＢＬ  青色光、Ｄ１，Ｄ２  配列方向、ＤＥ  ドレイン電極、ＧＥ  ゲート電極、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６  接線、ＬＢ，ＬＲ，ＬＧ，ＬＬ  長さ、Ｏ１  曲率中心点、Ｐ１  第１部位、Ｐ２  第２部位、Ｐ３，Ｐ６  上端部、Ｐ４  第４部位、Ｐ５  第５部位、ＲＬ，ＲＬ１，ＲＬ２，ＲＬ３，ＲＬ４  赤色光、ＳＥ  ソース電極、ＵＲ  紫外線、Ｖ  基準方向、ｄ１，ｄ２  厚さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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