(57)【要約】【課題】前駆基板に金属導電層をメッキしにくく、製造が容易ではない問題を改善し、生産にかかる時間、費用コストを節約する前駆基板、フレキシブルプリント配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板を用意する工程と、前記基板の表面を触媒で触媒化することにより、前記基板に触媒層を形成する工程と、前記触媒層と結合する導電層を形成することにより、前記導電層を前記触媒層の表面に固着する工程と、金属層を前記導電層に全面的にメッキすることにより、前駆基板を形成する工程とを少なくとも含む前駆基板の製造方法を提供する。さらに、本発明は、触媒化された表面である表面を有し、前記触媒化された表面に触媒層が含まれる基板と、前記触媒層に結合されることで前記表面に被覆される導電層と、前記導電層の表面に位置する金属層とを少なくとも含む前駆基板を提供する。【選択図】図２Ｅ
2015021188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を用意する工程と、
前記基板の表面を触媒で触媒化することにより、前記基板に触媒層を形成する工程と、
前記触媒層と結合する導電層を形成することにより、前記導電層を前記触媒層の表面に固着する工程と、
金属層を前記導電層に全面的にメッキすることにより、前駆基板を形成する工程と
を少なくとも含むことを特徴とする前駆基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板の表面を触媒で触媒化することにより前記基板に触媒層を形成する工程は、前記基板の表面に対して粗化及び触媒化を行う工程を少なくとも含む導電化フロー工程を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の前駆基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板の表面に対して粗化を行う工程は化学的粗化工程であり、
前記化学的粗化工程は、化学試薬で前記基板の表面に対して、侵蝕又は分子内開環により粗化を行う工程を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の前駆基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面に対して粗化を行う工程は物理的粗化工程であり、
前記物理的粗化工程は、前記基板の表面に対して機械的に粗化を行う工程を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の前駆基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板の材料は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、液晶高分子、エポキシ樹脂及びアラミドからなる群から選ばれる少なくとも１つである
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の前駆基板の製造方法。
【請求項６】
前記触媒はパラジウムである
ことを特徴とする請求項５に記載の前駆基板の製造方法。
【請求項７】
前記触媒はパラジウムである
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の前駆基板の製造方法。
【請求項８】
触媒化された表面である表面を有し、前記触媒化された表面に触媒層が含まれる基板と、
前記触媒層に結合することで前記触媒化された表面を被覆する導電層と、
前記導電層の表面に位置する金属層と
を少なくとも含むことを特徴とする前駆基板。
【請求項９】
前記基板の材料はポリイミドである
ことを特徴とする請求項８に記載の前駆基板。
【請求項１０】
前記触媒層はパラジウムを含む
ことを特徴とする請求項８に記載の前駆基板。
【請求項１１】
前記導電層は、厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、又はコバルト合金のいずれかから選択される材料からなる無電解めっき層である
ことを特徴とする請求項８に記載の前駆基板。
【請求項１２】
前記金属層は、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれかから選択される材料からなる
ことを特徴とする請求項８に記載の前駆基板。
【請求項１３】
基板を用意する工程と、
前記基板の表面を触媒で触媒化することにより、前記基板に触媒層を形成する工程と、
前記触媒層と結合する導電層を形成することにより、前記導電層を前記触媒層の表面に固着する工程と、
金属層を前記導電層の表面に全面的にメッキする工程と、
耐めっきフォトレジストを前記金属層に設ける工程と、
プリント回路レイアウトパターンに応じて前記耐めっきフォトレジストに対して露光及び現像を行うことで、前記金属層を部分的に露出させるように前記耐めっきフォトレジストを部分的に除去するとともに、残余の耐めっきフォトレジストを残す工程と、
エッチング工程を行うことで、露出した前記金属層、及び露出した金属層の下の導電層及び前記触媒層を除去する工程と、
前記残余の耐めっきフォトレジストを除去する工程と
を少なくとも含むことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の表面を触媒で触媒化することにより前記基板に触媒層を形成する工程は、前記基板の表面に対して粗化及び触媒化を行う工程を少なくとも含む導電化フロー工程を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記基板の表面に対して粗化を行う工程は化学的粗化工程であり、
前記化学的粗化工程は、化学試薬で前記基板の表面に対して、侵蝕又は分子内開環により粗化を行う工程を含む
ことを特徴とする請求項１４に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記基板の表面に対して粗化を行う工程は物理的粗化工程であり、
前記物理的粗化工程は、前記基板の表面に対して機械的に粗化を行う工程を含む
ことを特徴とする請求項１４に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記基板の材料は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、液晶高分子、エポキシ樹脂及びアラミドからなる群から選ばれる少なくとも１つである
ことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記触媒はパラジウムである
ことを特徴とする請求項１７に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前駆基板の製造方法、フレキシブルプリント配線基板の製造方法及び前駆基板に関し、特に基板に対して無電解メッキを行うことにより無電解メッキ層を形成した後、さらにこの無電解メッキ層に対して金属層をメッキして前駆材料とする前駆基板の製造方法、フレキシブルプリント配線基板及びその製造方法及び前駆基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、フレキシブルプリント配線基板は、前駆基板の半製品を加工製造することにより得られたものである。この前駆基板には、後続の加工、製造を容易に行うことができるように、１層の金属導電層を予め被覆する必要がある。一般に、これらの基板の材料表面に、例えばポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）を付着させることは困難である。このため、従来より、金属溶射法（ｍｅｔａｌ  ｓｐｒａｙｉｎｇ）、スパッタリング法、ＣＶＤ（化学気相成長）法、蒸着法、及びドライメッキ法等という処理方法が知られている。しかしながら、これらの方法は、いずれもその前駆基板の半製品の厚さが厚すぎ又はメッキし難く、厚さが薄すぎ又はメッキ時間がかかりすぎるという問題が生じる。厚さが厚すぎると、製品の微小化の要求に不利となる。メッキし難く、メッキの所要時間がかかりすぎると、スループットの向上が制限され、コストが嵩むという問題が生じることになる。また、従来の前駆基板では、金属導電層の厚さを自由に制御することができず、その金属導電層の厚さをカスタマイズすることもできず、特殊な製造工程の要求に不利になることがある。
【０００３】
上述の従来の方法では、解決できない難点があるほか、その製造された前駆基板の半製品は、技術資源及び材料源がいずれも上流の供給メーカによってコントロールされているため、この半製品を基礎とする製造工程及び最終製品は、生産、生産製造時に与えられたコストを受動的に受けるしかなく、材料源を自主的に決めることができず、これにより、製品性能を向上するという前提下でコスト制御管理の問題を根本的に解決することはできなくなっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前駆基板に金属導電層をメッキしにくく、製造が容易ではない問題を改善し、生産にかかる時間、費用コストを節約する前駆基板の製造方法、フレキシブルプリント配線基板の製造方法及び前駆基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は、基板を用意する工程と、前記基板の表面を触媒で触媒化することにより、前記基板に触媒層を形成する工程と、前記触媒層と結合する導電層を形成することにより、前記導電層を前記触媒層の表面に固着する工程と、金属層を前記導電層に全面的にメッキすることにより、前駆基板を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする前駆基板の製造方法を提供する。
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は、基板を用意する工程と、前記基板の表面を触媒で触媒化することにより、前記基板に触媒層を形成する工程と、前記触媒層と結合する導電層を形成することにより、前記導電層を前記触媒層の表面に固着する工程と、金属層を前記導電層の表面に全面的にメッキする工程と、耐めっきフォトレジストを前記金属層に設ける工程と、プリント回路レイアウトパターンに応じて前記耐めっきフォトレジストに対して露光及び現像を行うことで、前記金属層を部分的に露出させるように前記耐めっきフォトレジストを部分的に除去するとともに、残余の耐めっきフォトレジストを残す工程と、エッチング工程を行うことで、露出した前記金属層、及び露出した金属層の下の導電層及び前記触媒層を除去する工程と、前記残余の耐めっきフォトレジストを除去する工程とを少なくとも含むことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板の製造方法をさらに提供する。
【０００７】
また、上記の目的を達成するために、本発明は、触媒化された表面である表面を有し、前記触媒化された表面に触媒層が含まれる基板と、前記触媒層に結合することで前記表面を被覆する導電層と、前記導電層の表面に位置する金属層とを少なくとも含むことを特徴とする前駆基板をさらに提供する。
【発明の効果】
【０００８】
上記のように、本発明は、基板に形成された触媒層を導電層と基板との間の貼り付け媒体とする（特殊な無電解メッキの製造工程に相当する）ことにより、導電層と基板との間に極めて良好な接合効果を提供する。しかも、従来の技術と比較すると、この方法は、導電層の所要の厚さ及びメッキの所要時間を効果的に減少することができ、厚さの低減、コスト削減の要求、材料源自主決定の優勢を達成することができる。また、該導電層に対して直接かつ全面的に電気めっきした後、金属層は、後続の製造工程によりその厚さをカスタマイズすることができ、特殊な製造工程を必要とするフレキシブルプリント配線基板の製造に有利になるため、利用上の自由度が向上し、前駆基板として産業に利用される役割を十分果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法の工程フロー図を示す。
【図１Ｂ】本発明に係る基板導電化フローにおいて運用された化学メカニズムを模式的に説明した図である。
【図１Ｃ】本発明に係る導電化フロー工程フロー図を示す。
【図２Ａ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｂ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｃ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｄ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｅ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｆ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｇ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｈ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【図２Ｉ】本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法を参照した工程フロー図の断面構造の変化の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施形態］
図１Ａは、本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法の工程フロー図を示す。図２Ａに係るフレキシブルプリント配線基板の断面構造の変化の模式図に示すように、本発明は、まず、以下の工程を含むフレキシブルプリント配線基板の製造方法を提供する。表面１１を有する基板１０を用意する（ステップＳ１０１）。基板１０の表面１１は、上表面１１１と下表面１１２を含む。原材料としての基板１０の材料は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレートポリエステル（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ  Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ、ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ、ＰＴＦＥ）、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ、ＬＣＰ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）及びアラミド（Ａｒａｍｉｄ）等の材料からなる群から選ばれる少なくとも１つである若しくは複数種類の高分子重合物であってもよい。次に、図２Ｂに示すように、必要に応じてレーザ加工により、基板１０に対して上表面１１１及び下表面１１２に連通する導通孔１２を穿設する。導通孔１２の周囲は、孔壁１１３により囲まれる。孔壁１１３は、上表面１１１又は下表面１１２からさらに導通孔１２へ延在してなるものである。従って、広義的に言えば、孔壁１１３も、基板１０の表面１１の範囲に含まれる。また、レーザードリル加工された基板１０に対してプラズマ洗浄を行うことにより、レーザ加工後に伴って基板１０に生じた屑を除去することができる。
【００１１】
さらに、図２Ｃ、図２Ｄに示すように、基板１０の表面１１を触媒で触媒化することにより、基板１０の表面１１に触媒層２０を形成する（ステップＳ１０３）。さらに詳しくは、上記触媒層２０は、基板１０の上表面１１１、下表面１１２、及び孔壁１１３のそれぞれの表層に位置する。言い換えれば、触媒層２０は、上表面１１１、下表面１１２、及び孔壁１１３のそれぞれの表層に部分的に融合又は浸透することができる。上記触媒は、パラジウム触媒であるのが好ましい。次に、触媒層２０と結合するための導電層３０を形成し、触媒層２０の補助により、導電層３０を触媒層２０の表面に固着する（ステップＳ１０５）。この実施形態において、表面１１には上表面１１１、下表面１１２、及び孔壁１１３が含まれるが、孔壁１１３は、必ずしも存在しなくてはならない要件ではない。好ましくは、導電層３０は、厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、銅、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれか１つから選択される。また、導電層３０は、基板１０への固着が無電解メッキにより達成されるため、無電解メッキ層でもある。
【００１２】
さらに図２Ｅに示すように、金属層４０を導電層３０の表面にメッキすることで、前駆基板Ｐを形成する（ステップＳ１０７）。金属層４０の厚さは、必要に応じて所定の厚さまでメッキするように、自由に調整することができる。この所定の厚さは、１μｍ以上１８μｍ以下である。さらに、ここでのメッキとは、導電層３０を有する基板１０の表面に対して全面的にメッキすることを指す。
【００１３】
次に、図２Ｆに示すように、耐めっきフォトレジスト５０を金属層４０に設ける（ステップＳ１０９）。耐めっきフォトレジストは、何ら限定されないが、ポジ型耐めっきフォトレジスト（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）又はネガ型耐めっきフォトレジスト（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）であるのが好ましい。耐めっきフォトレジスト５０の配設は、接合又は塗布により行うことができる。その後、図２Ｇに示すように、プリント回路レイアウトパターンに応じて耐めっきフォトレジスト５０に対して露光及び現像を行うことで、金属層４０を露出させるように耐めっきフォトレジスト５０を部分的に除去し、残余の耐めっきフォトレジスト（５０'、５０"）を残す（ステップＳ１１１）。従って、図２Ｇに示すように、残余の耐めっきフォトレジスト５０'及び残余の耐めっきフォトレジスト５０"は、それぞれ下方の各層材料に対して遮蔽領域Ａを形成し、残余の耐めっきフォトレジスト５０'と残余の耐めっきフォトレジスト５０"との間の下方の各層材料は、無遮蔽領域Ｂとなる。この無遮蔽領域Ｂにおいて、説明の簡単化のために、無遮蔽領域Ｂに位置する触媒層２０を触媒層２０'に、導電層３０を導電層３０'に、上記部分的に露出した金属層４０を金属層４０'にそれぞれ変更する。遮蔽領域Ａにおける残余の耐めっきフォトレジスト（５０'、５０"）の下方の各層材料は、それぞれ本来の触媒層２０、導電層３０及び金属層４０で示す。
【００１４】
次に、図２Ｇ及び図２Ｈに示すように、エッチング工程を行うことで、部分的に露出した金属層４０'、その下の導電層３０'及び触媒層２０'を除去する（ステップＳ１１３）。一方、遮蔽領域Ａにおける残余の耐めっきフォトレジスト５０（５０'、５０"）の下方は、金属層４０、導電層３０及び触媒層２０である。次に、残余の耐めっきフォトレジスト（５０'、５０"）を除去した（ステップＳ１１５）後、図２Ｉに示すフレキシブルプリント配線基板の製品が完成する。本発明により基板１０に形成された触媒層２０及び導電層３０は、いずれも従来技術よりも厚さが薄いことに優れ、金属層４０のメッキは、製造上の実行が一層容易になり、しかも必要に応じて金属層４０の厚さを自由に制御することができるため、製造上に特殊な製造工程を必要とするフレキシブルプリント配線基板として、本発明に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法は、より容易に適用することができる。
【００１５】
この実施形態において、何ら限定されないが、ポリイミド、パラジウム（Ｐｄ）触媒及びニッケル（Ｎｉ）をそれぞれ基板１０、触媒層２０及び導電層３０の材料選択上の代表として説明すると、図１Ｂ、図１Ｃ及び図２Ｃに示すように、上述の「基板１０の表面１１を触媒で触媒化することにより基板１０に触媒層２０を形成する」工程において、導電化フロー工程をさらに含む。その目的は、主に基板１０の表面１１のパラジウム触媒に対する捕獲能力を増加し、さらにパラジウムとニッケルとの組み合わせにより導電層３０を形成することである。従って、パラジウム触媒は、ニッケルがどのように基板１０に固着するかという点において、基盤の役割を果たしている。言い換えれば、導電層３０のニッケル及び触媒層２０のパラジウムは、パラジウムニッケル合金となることができる。
【００１６】
図１Ｂ、図１Ｃ及び図２Ｃに示すように、基板１０の表面のパラジウム触媒に対する捕獲能力を増加するために、上記導電化フロー工程は、以下の工程を含む。基板１０の表面に対して脱脂工程（ステップＳ２０１）、酸塩基変性工程（ステップＳ２０３）、粗化工程（ステップＳ２０５）、触媒化工程（ステップＳ２０７）、及び触媒活性化工程（ステップＳ２０９）を行う。特に基板表面に対して粗化工程（ステップＳ２０５）を行う場合は、化学的粗化工程又は物理的粗化工程をさらに含む。上記化学的粗化工程は、化学試薬により基板１０の表面に対して侵蝕又は分子内開環により粗化を行う工程を含む。上記物理的粗化工程は、基板１０の表面に機械的に粗化を行う工程を含む。いずれの工程も、基板１０の表面のパラジウム触媒に対する捕獲を促進することができる。分子内開環は、ミクロ的にみれば、基板１０の材料の分子構造に対して開環により分子構造上の不均一を生成することで、パラジウム触媒の基板１０に対する結合を促進する。言い換えれば、ポリイミド分子構造上に開環することを例にすると、ミクロ的にみても、基板１０を粗化させる意味及び目的が存在している。これにより、基板１０の表面にパラジウム触媒イオンを捕獲できるメカニズムを生成させることで、パラジウム触媒イオンが基板１０に容易に付着し、触媒層２０が形成される。
【００１７】
さらに詳しくは、化学的分子内開環の粗化は、図１Ｂの基板導電化フロー工程において運用された化学メカニズム説明模式図に示すように、その原理が、主にアルカリ性の試薬により基板１０の表面上のポリイミドのイミド官能基（Ｏ＝Ｃ−Ｎ−Ｃ＝Ｏ）のうちのいずれか１つのＣ−Ｎシングルボンドが断裂し、ポリイミドの開環となるに加えて、パラジウム触媒の使用により、パラジウム触媒を媒体として、ニッケルとポリイミドとの密着性が増加し、この無電解メッキの動作が完成する。
【００１８】
図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃを併せて参照して、図１Ｃに示すように、分子内開環を好ましい粗化例として説明すると、上述導電化フロー工程において、下記の工程を行う。
【００１９】
上記脱脂工程は、摂氏４５度〜５５度で、ｐＨ値１０〜１１であるアミンアルコール系試薬（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、試薬番号ＥＳ−１００）により、基板１０の表面に対して１〜３分間の洗浄を行い、油脂を除去する。
【００２０】
上記表面酸塩基変性工程は、摂氏３５度〜４５度で、ｐＨ値７．５〜８．５である弱アルカリ、例えば炭酸ナトリウム（試薬番号ＥＳ−ＦＥ）により、基板１０の表面に対して１〜３分間の洗浄を行い、基板１０の表面の一般の酸塩基特性を回復させるとともに、残余のＥＳ−１００を除去する。しかしながら、前の各工程の反応条件に応じて、次にこの工程を省略することでより好ましい効果を達成することができる。
【００２１】
上記表面粗化工程は、化学的なものであり、摂氏４５度〜５５度で、ｐＨ値１１〜１２である無機強アルカリ、例えば、水酸化カリウム（ただし必ずしもこれに限定されない）（試薬番号ＥＳ−２００）により、基板１０に対してアルカリの変性を行い、作用時間は１〜３分間であり、ポリイミドのＯ＝Ｃ−Ｎ−Ｃ＝Ｏのうちのいずれか１つのＣ−Ｎシングルボンドを断裂させ、ポリイミドの開環となる。
【００２２】
上述触媒化工程は、触媒が基板１０の表面に吸着することにより触媒層２０を形成する工程を含む。より詳しくは、この工程は、パラジウム触媒イオン及び開環されたポリイミドに生じたホルミルグループ（Ｏ＝Ｃ−Ｏ−）により化学的結合を生成する（硫酸パラジウムを含有した錯化合物（ｃｏｍｐｌｅｘ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）のＨ２ＳＯ４・Ｐｄ４であるＥＳ−３００試薬を使用し、最終ｐＨ値が５．５〜６．５で、作用温度は摂氏４５度〜５５度で、作用時間は１〜４分間である）。
【００２３】
触媒活性化工程では、金属が触媒層２０に吸着することにより、基板１０の表面に上記導電層３０を形成する。より詳しくは、この工程にはＥＳ−４００の試薬が使用される。ＥＳ−４００は、パラジウム触媒イオンを活性化するために、その主要成分がホウ素（ｐＨ値は６〜８であり、作用温度は摂氏３０度〜４０度であり、作用時間は１〜３分間である）であり、金属（ニッケル）の付着が可能である状態にさせる。次に、さらにＥＳ−５００試薬を使用し、このＥＳ−５００は、主成分がＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ及びＮａＨ２ＰＯ２である（ｐＨ値８〜９で、作用温度は摂氏３５度〜４５度であり、作用時間は３〜５分間である）。この場合、ニッケルは、パラジウム触媒を中間媒体とすることにより、基板１０の表面に付着することが容易となり、容易に脱落することはない。形成されたニッケル層（導電層）は、厚さが上記のように５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、上述ＥＳ−５００成分の作用により、析出した無電解メッキニッケルの燐含有率が低い（２〜３％）特色を有するため、導電層３０の応力が低く、析出速度が約１００ｎｍ／５分間であり、従来の方法より析出速度が速く、長時間にわたる生産に伴う時間、費用のコスト負担が節約されることになる。
【００２４】
因みに、本発明の図面において、触媒層２０、導電層３０、又は上表面１１１、下表面１１２、孔壁１１３等は、説明の簡単化のために、いずれも層に分けて明確に示されている。実際には、上表面１１１、下表面１１２、及び孔壁１１３のそれぞれが含まれる基板１０の表面１１において、導電層３０、触媒層２０がそれらの表層に結合された接続関係上、互いに融合する融合層（図示せず）をさらに備えてもよい。このことは、本発明に係る製造方法により製造された前駆基板又はフレキシブルプリント配線基板によれば、その表面の各材料層の間に、より緊密な接合効果が生じることが可能であることを意味する。
【００２５】
従って、上記の実施形態をまとめると、図２Ｉに示すように、上述の製造方法によれば、本発明は、基板１０に設けられた少なくとも１つの積層ユニット（Ｅ１、Ｅ２）を備え、積層ユニット（Ｅ１、Ｅ２）は、基板１０に設けられており、触媒層２０と、導電層３０と、金属層４０とを含み、上記触媒層２０が基板１０の表面１１に位置し、この表面１１に上表面１１１と下表面１１２または孔壁１１３とが含まれるフレキシブルプリント配線基板を製造することができる。積層ユニットＥ１は、その触媒層２０、導電層３０及び金属層４０が上表面１１１及び下表面１１２に分布するほか、基板１０の導通孔１２に分布することが可能であるため、該導通孔１２に充満されまたは該導通孔１２の孔壁に沿って延在分布し、これにより上表面１１１と下表面１１２との間が電気的に導通する。
【００２６】
［第２の実施形態］
言い換えれば、第１の実施形態に示すフレキシブルプリント配線基板の製造方法によれば、図１Ａを併せて参照すると、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０７において、前駆基板の製造方法も提供されている。従って、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０７に基づいて図２Ａ〜図２Ｅを併せて参照すると、本発明は、前駆基板の製造方法が提供されている。当然ながら、前駆基板に対して触媒層を形成する工程は、上記の導電化フロー工程をも含む。基板１０、導電層３０、及び金属層４０の材料は、上述した第１の実施形態に記載されているため、詳しい説明を省略する。しかしながら、好ましい状況下で、注意すべき点は、導電層３０に適用される金属材料には、ニッケルのような酸化されやすい金属材料が用いられる場合、本発明にさらに含まれる金属層４０の電気メッキ工程において、この金属層４０は、銅、又は銅よりも酸化電位が低い金属であるのが好ましい。これらの金属は、良好な導電性を提供するのみならず、外部環境、例えば空気、湿気によって酸化しにくい利点を有するため、内部の導電層３０を保護するとともに、導電層３０を酸化から回避することができる。また、前駆基板という半製品を適当かつ長期的に保存することができる。
【００２７】
従って、上記の技術内容によれば、図２Ｅに示すように、本発明は、少なくとも基板１０と、基板１０の表面１１に形成された触媒層２０と、導電層３０と、金属層４０とを含む前駆基板をさらに提供する。基板１０の表面１１は、触媒化された表面であるため、該触媒化された表面は、触媒層２０を含む。導電層３０は、触媒層２０に結合することで、該触媒化された表面を被覆する。金属層４０は、導電層３０の表面に位置し、導電層３０の表面１１を全面的に被覆するため、導通孔１２の存在下では、金属層４０は、導通孔１２に延在することで、導通孔１２に充満し、又は孔壁１１３に分布する。
【００２８】
上記のように、本発明は、触媒層Ｐｄにより従来と異なるフレキシブルプリント配線基板及びその前駆基板の製造工程を派生し、厚さの低減、製造工程の簡単化、歩留まりの向上、コストの低下に寄与するとともに、材料源の自主的決定の利点を有する。ただし、上述したものは、本発明の好ましい実施形態にすぎず、本発明の特許請求の範囲に基づいてなされた均等の変化及び修飾は、本発明の範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００２９】
１０  基板
１１  表面
１１１  上表面
１１２  下表面
１１３  孔壁
１２  導通孔
２０  触媒層
２０'  触媒層
３０  導電層
３０'  導電層
４０  金属層
４０'  金属層
５０  耐めっきフォトレジスト
５０'、５０"  残余の耐めっきフォトレジスト
Ａ  遮蔽領域
Ｂ  無遮蔽領域
Ｅ１  積層ユニット
Ｅ２  積層ユニット
Ｐ  前駆基板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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