(57)【要約】【課題】密着性に優れた導電部を有すると共に、積層された導電部間において導通している領域および絶縁している領域を含む多層配線基板をより簡便に製造することができる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に第１塗布層を形成する工程と、第１塗布層の少なくとも一部の領域に対して第１光を照射して第１導電部を形成する工程と、第１塗布層上に第２塗布層を形成する工程と、第２塗布層の上面から第１導電部の少なくとも一部に向けて第２光を照射し、かつ、第２塗布層の上面から第２光が照射された領域とは異なる領域に第３光を照射し、第２導電部および第３導電部を形成する工程と、第２塗布層上に第３塗布層を形成する工程と、第３塗布層の上面から第２導電部の少なくとも一部および第３導電部の少なくとも一部に向けて第４光を照射して、第４導電部および第５導電部を形成する工程とを少なくとも有する、多層配線基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ１の第１塗布層を形成する工程と、
前記第１塗布層の少なくとも一部の領域に対して第１光を照射して、照射領域における前記第１塗布層中の前記金属酸化物粒子を還元して金属を含有する第１導電部を形成する工程と、
前記第１塗布層上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ２の第２塗布層を形成する工程と、
前記第２塗布層の上面から前記第１導電部の少なくとも一部に向けて第２光を照射し、かつ、前記第２塗布層の上面から前記第２光が照射される領域とは異なる領域に第３光を照射し、前記第２光の照射領域における前記第２塗布層中の前記金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し前記第１導電部と導通する第２導電部を形成し、かつ、前記第３光の照射領域における前記第２塗布層中の前記金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し前記第１導電部とは導通しない第３導電部を形成する工程と、
前記第２塗布層上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ３の第３塗布層を形成する工程と、
前記第３塗布層の上面から前記第２導電部の少なくとも一部および前記第３導電部の少なくとも一部に向けて第４光を照射して、照射領域における前記第３塗布層中の前記金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し前記第２導電部と導通する第４導電部、および、金属を含有し前記第３導電部と導通する第５導電部を形成する工程とを少なくとも有し、
前記第１塗布層の厚みＴ１（μｍ）と、前記第１光に対する前記第１塗布層の吸収係数α１（ｃｍ−１）とが式（１）の関係を満たし、
前記第２塗布層の厚みＴ２（μｍ）と、前記第２光に対する前記第２塗布層の吸収係数α２ａ（ｃｍ−１）が式（２）の関係を満たし、
前記第２塗布層の厚みＴ２（μｍ）と、前記第３光に対する前記第２塗布層の吸収係数α２ｂ（ｃｍ−１）が式（３）の関係を満たし、
前記第３塗布層の厚みＴ３（μｍ）と、前記第４光に対する前記第３塗布層の吸収係数α３（ｃｍ−１）とが式（４）の関係を満たす、多層配線基板の製造方法。
式（１）：Ｔ１＜（４０００／α１）
式（２）：Ｔ２＜（４０００／α２ａ）
式（３）：Ｔ２＞（４００００／α２ｂ）
式（４）：Ｔ３＜（４０００／α３）
【請求項２】
前記厚みＴ１、前記厚みＴ２および前記厚みＴ３が５μｍ以上である、請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１光、前記第２光、および、前記第４光がレーザ光である、請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１光、前記第２光、および、前記第４光の波長が３μｍ以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第３光の波長が１．５μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属酸化物粒子に含まれる金属原子が、銅原子、ニッケル原子、および、スズ原子からなる群から選択される少なくとも一つを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に金属膜を形成する方法として、金属粒子や金属酸化物粒子に加熱処理または光照射処理を施して焼結させることによって多層配線基板における配線等の電気的導通部位を形成する技術が知られている。
上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理による配線作製法に比べて、簡便・省エネ・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。
【０００３】
例えば、特許文献１においては、金属粒子を含むペーストを用いた、緻密、かつ、基板への密着性の良い焼結層の製造方法が開示されている。より具体的には、導電ペーストの厚さが厚いと導電ペーストの表層部分のみで焼結反応が進行することを防止するために、所定の厚みの第１焼結層と第２焼結層を設ける手順が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９２９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、特許文献１の方法では、金属粒子を使用するため焼結層全域に渡って導通し、所定のパターン状の領域のみ導電するという配線構造を形成することができない。
また、近年、電子機器の低コスト化の要望に伴い、使用される多層配線基板をより生産性よく製造することが望まれている。通常、多層配線基板を作製する際には、積層されている配線間を導通させるために、ビアを形成し、その後ビアを金属で充填するといった手順が取られる。しかしながら、該方法では工程数が多く、生産性の点から必ずしも満足できる方法ではない。
さらに、多層配線基板を製造する際には、積層される導電部間において導通している領域と、絶縁している領域とを選択的に製造する必要がある。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みて、密着性に優れた導電部を有すると共に、積層された導電部間において導通している領域および絶縁している領域を含む多層配線基板をより簡便に製造することができる多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意検討した結果、所定のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布層に対して所定の関係を満たす光を照射することにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
【０００８】
（１）  基板上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ１の第１塗布層を形成する工程と、
第１塗布層の少なくとも一部の領域に対して第１光を照射して、照射領域における第１塗布層中の金属酸化物粒子を還元して金属を含有する第１導電部を形成する工程と、
第１塗布層上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ２の第２塗布層を形成する工程と、
第２塗布層の上面から第１導電部の少なくとも一部に向けて第２光を照射し、かつ、第２塗布層の上面から第２光が照射される領域とは異なる領域に第３光を照射し、第２光の照射領域における第２塗布層中の金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し第１導電部と導通する第２導電部を形成し、かつ、第３光の照射領域における第２塗布層中の金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し第１導電部とは導通しない第３導電部を形成する工程と、
第２塗布層上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ３の第３塗布層を形成する工程と、
第３塗布層の上面から第２導電部の少なくとも一部および第３導電部の少なくとも一部に向けて第４光を照射して、照射領域における第３塗布層中の金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し前記第２導電部と導通する第４導電部、および、金属を含有し第３導電部と導通する第５導電部を形成する工程とを少なくとも有し、
第１塗布層の厚みＴ１（μｍ）と、第１光に対する第１塗布層の吸収係数α１（ｃｍ−１）とが式（１）の関係を満たし、
第２塗布層の厚みＴ２（μｍ）と、第２光に対する第２塗布層の吸収係数α２ａ（ｃｍ−１）が式（２）の関係を満たし、
第２塗布層の厚みＴ２（μｍ）と、第３光に対する前記第２塗布層の吸収係数α２ｂ（ｃｍ−１）が式（３）の関係を満たし、
第３塗布層の厚みＴ３（μｍ）と、第４光に対する第３塗布層の吸収係数α３（ｃｍ−１）とが式（４）の関係を満たす、多層配線基板の製造方法。
式（１）：Ｔ１＜（４０００／α１）
式（２）：Ｔ２＜（４０００／α２ａ）
式（３）：Ｔ２＞（４００００／α２ｂ）
式（４）：Ｔ３＜（４０００／α３）
（２）  厚みＴ１、厚みＴ２および厚みＴ３が５μｍ以上である、（１）に記載の多層配線基板の製造方法。
（３）  第１光、第２光、および、第４光がレーザ光である、（１）または（２）に記載の多層配線基板の製造方法。
（４）  第１光、第２光、および、第４光の波長が３μｍ以上である、（１）〜（３）のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
（５）  第３光の波長が１．５μｍ以下である、（１）〜（４）のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
（６）  金属酸化物粒子に含まれる金属原子が、銅原子、ニッケル原子、および、スズ原子からなる群から選択される少なくとも一つを含む、（１）〜（５）のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、密着性に優れた導電部を有すると共に、積層された導電部間において導通している領域および絶縁している領域を含む多層配線基板をより簡便に製造することができる多層配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の多層配線基板の製造方法の各工程を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の多層配線基板の製造方法の好適態様について詳述する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
本発明の一つの特徴点は、後述する第２塗布層に対して所定の関係を満たす第２光および第３光を照射している点が挙げられる。以下、より詳細に説明する。
まず、本発明者らは、金属酸化物粒子を含む第２塗布層に対して第２光を照射して、照射部の金属酸化物粒子を還元して導電部を形成する際に、第２塗布層の厚みＴ２と第２塗布層の照射される第２光に対する第２塗布層の吸収係数α２ａが後述する式（２）を満たすことにより、第２塗布層の内部に渡って光が侵入し、結果として第２塗布層の膜厚方向に貫通する第２導電部が形成されることを見出している。
式（２）：Ｔ２＜（４０００／α２ａ）
言い換えると、式（２）の関係は、照射する第２光に対する第２塗布層の吸収係数α２が４０００／Ｔ２未満となるような第２光を照射することにより、第２塗布層を貫通する第２導電部を形成することができる。つまり、本発明では、使用される塗布層の材料に応じて、所定の塗布層の吸収係数を満たす光を選択し、その光を照射することにより、塗布層を貫通する導電部を形成することができる。
それに対して、第２塗布層の厚みと第２塗布層に照射される第３光に対する第２塗布層の吸収係数α２ｂが以下の式（３）の関係を満たす場合は、第３光が照射された領域では金属酸化物粒子の還元は進行するものの、第２塗布層の厚さ方向へは金属酸化物粒子の還元は進行しないことも見出している。
式（３）：Ｔ２＞（４００００／α２ｂ）
【００１２】
本発明では、第２塗布層を光焼成する際に、第１塗布層中に形成される第１導電部と導通する第２導電部を形成するために第２光を照射し、第１導電部と導通させたくない領域には第３光を照射して第３導電部を形成させる。それによって、第２塗布層上に配置される第３塗布層に第４光を照射して導電部を形成する際に、第４光が第３導電部によって反射されるため、それ以上侵入しない。その結果、第１導電部と絶縁された状態にある第５導電部を第３塗布層中に形成することができる。
仮に、第３導電部がない状況で第４光を第３塗布層に照射した場合、第４光は第３塗布層および第２塗布層まで侵入し、第１導電部と導通する導電部が形成されてしまい、所望の多層配線基板の製造ができない。
【００１３】
以下、図１を参照しながら、具体的に本発明の多層配線基板の製造方法（以後、単に本発明の製造方法とも称する）について詳述する。
本発明の製造方法は、第１塗布層を形成する工程（Ａ）と、第１塗布層の少なくとも一部の領域に対して第１光を照射して、第１導電部を形成する工程（Ｂ）と、第１塗布層上に第２塗布層を形成する工程（Ｃ）と、第２塗布層に第２光および第３光を照射して、第１導電部と導通する第２導電部および第１導電部と導通しない第３導電部を形成する工程（Ｄ）と、第２塗布層上に第３塗布層を形成する工程（Ｅ）と、第３塗布層に第４光を照射して、第２導電部と導通する第４導電部および第３導電部と導通する第５導電部を形成する工程（Ｆ）とを有する。
以下では、工程毎に使用される材料・部材、および、工程の手順について詳述する。
【００１４】
＜工程（Ａ）：第１塗布層形成工程＞
工程（Ａ）は、基板上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ１（μｍ）の第１塗布層を形成する工程である。本工程を実施することにより、後述する工程（Ｂ）での光焼成処理が施される第１塗布層が形成される。
より具体的には、図１（Ａ）に示すように、本工程を実施することにより、基板１０上に第１塗布層１２が配置される。
まず、本工程で使用される部材・材料について詳述し、その後本工程の手順について詳述する。
【００１５】
（基板）
基板は、後述する第１塗布層、第２塗布層および第３塗布層を支持する支持体である。
基板の種類は特に制限されず、公知の基板が使用される。例えば、樹脂基板、ガラス基板、半導体基板などが挙げられる。なかでも、取扱い性に優れる点で、樹脂基板（特に、絶縁樹脂基板）を使用することが好ましい。これらの中でも、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ポリエーテルイミド基板、紙基板、ガラス基板が好ましく使用される。
【００１６】
（金属酸化物粒子）
本工程で使用される金属酸化物粒子は、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する。金属酸化物粒子が上記範囲のバンドギャップを有していれば、電気的には絶縁体として機能する。そのため、後述する導電部間を絶縁する絶縁体として機能する。なかでも、絶縁性がより優れる点で、金属酸化物粒子のバンドギャップは１．５ｅＶ以上が好ましく、２．０ｅＶ以上がより好ましい。バンドギャップの上限は特に制限されないが、効率よく金属への還元が進行する点で、１０ｅＶ以下が好ましく、５ｅＶ以下がより好ましい。
上記バンドギャップは、３００Ｋにおけるバンドギャップ値である。
また、バンドギャップの値は、一般的に用いられるＴａｕｃプロットによって求める。例えば、金属酸化物粒子が直接許容遷移の場合は、αを吸光度、Ｅを光子エネルギー、Ｅｇを光学バンドギャップとした時に吸光度と光子エネルギーの関係は、
α＝Ａ（Ｅ−Ｅｇ）１／２／Ｅ（Ａは定数）
と表される。（αＥ）２＝Ａ２（Ｅ−Ｅｇ）と書き換えることができ、（αＥ）２をＥに対してプロットすると横軸の切片がＥｇを与える。
【００１７】
金属酸化物粒子に含まれる金属原子の種類は、金属酸化物粒子が上記バンドギャップを満たしてれば特に制限されないが、例えば、銅原子、ニッケル原子、および、スズ原子などが好ましく挙げられる。なかでも、金属への還元が進行しやすい点で、銅原子などがより好ましい。これら原子を含む金属酸化物粒子としては、具体的には、酸化銅粒子などが挙げられる。
なお、本発明における「酸化銅」とは、酸化されていない銅を実質的に含まない化合物であり、具体的には、Ｘ線回折による結晶解析において、酸化銅由来のピークが検出され、かつ金属由来のピークが検出されない化合物のことを指す。銅を実質的に含まないとは、限定的ではないが、銅の含有量が酸化銅粒子に対して１質量％以下であることをいう。
酸化銅としては、酸化銅（Ｉ）または酸化銅（ＩＩ）が好ましく、安価に入手可能であること、空気中での安定性に優れることから酸化銅（ＩＩ）であることが更に好ましい。
【００１８】
金属酸化物粒子の平均粒子径は特に制限されないが、５００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。下限も特に制限されないが、１ｎｍ以上が好ましく、５０ｎｍ以上がより好ましい。
平均粒子径が１ｎｍ以上であれば、粒子表面の活性が高くなりすぎず、塗布液中で分散が容易となり、取扱い性、保存性に優れるため好ましい。また、５００ｎｍ以下であれば、金属酸化物粒子を含む組成物をインクジェット用インク組成物として用い、印刷法により配線等のパターン形成を行うことが容易となり、金属への還元が十分となり、得られる導電部の導電性が良好であるため好ましい。
なお、本発明における平均粒子径は、平均一次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の金属酸化物粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、酸化銅粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。
酸化銅粒子としては、例えば、関東化学社製のＣｕＯナノ粒子、シグマアルドリッチ社製のＣｕＯナノ粒子等を好ましく使用することができる。
【００１９】
（その他の成分）
塗布液に、上述した金属酸化物粒子以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、塗布液には、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、水や、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、１−ブタノール、１−ペンタノール）、エーテル類（例えば、ジエチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジブチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル）、エステル類（例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸メチル）などの有機溶媒などを使用することができる。
塗布液中における溶媒の含有量は特に制限されないが、塗布液の塗布性に優れる点で、金属酸化物粒子１００質量部に対して、３０〜５０質量部であることが好ましい。
【００２０】
また、塗布液には、樹脂バインダーが含まれていてもよい。樹脂バインダーは基板との密着性の向上に寄与する。
樹脂バインダーの種類は特に制限されず、上記金属酸化物粒子を分散させることができる公知の樹脂を使用することができる。例えば、ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂等の硬化性樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
より具体的には、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキレングリコール（例えば、ポリエチレングリコールなど）が挙げられる。なかでも、後述する還元工程の際に、優れた還元剤としても機能する点から、ポリビニルピロリドン、ポリアルキレングリコールがより好ましい。
【００２１】
また、塗布液には、還元剤が含まれていてもよい。還元剤は、後述する光焼成工程の際に、塗布層に含まれる金属酸化物粒子を還元する機能を有する。
還元剤は、後述する光照射処理の際に、金属酸化物を還元し得るものであれば特に制限はなく、例えば、光照射により炭素や水素を発生して分解する素材を好ましく用いることができる。なかでも、金属酸化物粒子に対して実質的に常温では還元性を有さないが光照射処理により還元性を発揮する還元剤（潜在性還元剤）であることが好ましい。
還元剤の好適態様の一つとしては、金属酸化物粒子の還元がより効率的に進行する点から、有機ポリマーが挙げられ、特に、重量平均分子量１００００以上の有機ポリマーが好ましい。なお、重量平均分子量の上限は特に制限されないが、取扱い性の点から、２５００００以下が好ましい。
有機ポリマーの種類としては、ポリビニルピロリドン、ポリアルキレングリコール（例えば、ポリエチレングリコールなど）、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。
還元剤の他の好適態様としては、例えば、エチレングリコ−ル、ジエチレングリコ−ル、１，２−プロパンジオ−ル、１，３−プロパンジオ−ル、１，２−ブタンジオ−ル、１，３−ブタンジオ−ル、１，４−ブタンジオ−ル、２−ブテン−１，４−ジオール、２，３−ブタンジオ−ル、ペンタンジオ−ル、ヘキサンジオ−ル、オクタンジオ−ル、グリセリンなど炭素数２０以下の多価アルコール化合物などが挙げられる。
【００２２】
（工程の手順）
上記塗布液を基板上に付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などの塗布法が挙げられる。
塗布の形状は特に制限されず、基板全面を覆う面状であっても、パターン状（例えば、配線状、ドット状）であってもよい。
【００２３】
本工程においては、必要に応じて、塗布液を基板へ塗布した後に乾燥処理を行い、溶媒を除去してもよい。残存する溶媒を除去することにより、後述する工程（Ｂ）において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を抑制することができ、導電部の導電性および導電部と基板との密着性の点で好ましい。
乾燥処理の方法としては、例えば、温風乾燥機などを用いることができ、温度としては、４０℃〜２００℃で加熱処理を行うことが好ましく、７０℃〜１２０℃で加熱処理を行うことがさらに好ましい。また、酸化を抑制するような条件が好ましく、例えば、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下がより好ましく、水素等の還元性ガス雰囲気下で乾燥することがさらに好ましい。
【００２４】
上記手順により形成された第１塗布層には、金属酸化物粒子が含まれる。
金属酸化物粒子の第１塗布層中における含有量は、第１塗布層全質量に対して、８５質量％以上が好ましく、８９質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、第１塗布層の成膜性の観点から、９９．５質量％以下が好ましい。
【００２５】
第１塗布層の厚みＴ１は特に制限されないが、より厚膜の導電部を形成できる点で、５μｍ以上が好ましく、８μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。上限は特に制限されず、形成される第１導電部の厚みに合わせて適宜調整できるが、良好な導電性を確保する上で、５０μｍ以下が好ましい。
厚みＴ１は平均厚みであり、その測定方法としては、触針式段差計（Ｖｅｅｃｏ社製  Ｄｅｋｔａｋ３）により第１塗布層の任意の３箇所における厚みを測定し、それらを算術平均して求める。
【００２６】
＜工程（Ｂ）：第１光焼成工程＞
工程（Ｂ）は、工程（Ａ）で得られた第１塗布層の少なくとも一部の領域に対して、第１光を照射して、照射領域における第１塗布層中の金属酸化物粒子を還元して金属を含有する第１導電部を形成する工程である。本工程を実施することにより、導電性に優れる第１導電部が形成される。例えば、金属酸化物粒子として酸化銅粒子が使用される場合、金属銅を含む第１導電部が形成される。
より具体的には、図１（Ｂ）に示すように、図１（Ａ）の第１塗布層１２の中心領域に第１光を照射することにより、第１塗布層１２中に第１導電部１４が形成される。
第１導電部が形成されるメカニズムとしては、第１光を第１塗布層に照射することにより、第１塗布層中の金属酸化物粒子が金属粒子に還元され、生成した金属粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して第１導電部を形成する。言い換えると、金属酸化物粒子が金属粒子に還元焼結され、第１導電部が形成される。このように、第１光の照射領域において、光焼成が進行し、第１導電部が形成される。
なお、図１（Ｂ）において、第１導電部１４は矩形状に形成されているが、この態様には限定されず、所定のパターン状に形成できる。
【００２７】
なお、第１塗布層の厚みＴ１（μｍ）と第１光に対する第１塗布層の吸収係数α１（ｃｍ−１）とは式（１）の関係を満たす。
式（１）：Ｔ１＜（４０００／α１）
言い換えれば、上記式（１）の関係を満たすような第１光を選択して、第１塗布層に照射する。
なお、第１塗布層の吸収係数α１の測定方法としては、まず、ポリプロピレンフィルム（積水化学製、厚み：２００μｍ）上に上記塗布液を塗布して、厚み約１μｍ程度の厚みの第１塗布層を形成する。次に、第１塗布層に対して、所定の波長の光を照射して、塗布層およびポリプロピレンフィルムを透過する光のエネルギー量Ａ（単位：Ｊ（ジュール））をＯｐｈｉｒ社製Ｌ５０（１５０）Ａセンサを用いて測定する。一方、ブランクとして、ポリプロピレンフィルムのみに対して、第１塗布層に照射した光を照射して、ポリプロピレンフィルムを透過する光のエネルギー量Ｂ（単位：Ｊ（ジュール））をＯｐｈｉｒ社製Ｌ５０（１５０）Ａセンサを用いて測定する。次に、エネルギー量Ａとエネルギー量Ｂとの差を測定し、塗布層によるエネルギー損失Ｃ（単位：Ｊ（ジュール））を求める。
第１塗布膜の吸収係数α１は、
ｔ：塗布膜厚（ｃｍ）
Ｉｉｎ：塗布膜に入射する光エネルギー（Ｊ）
Ｉｏｕｔ：塗布膜から出てくる光エネルギー（Ｊ）とした時
α１＝−１／ｔ・ｌｎ（Ｉｏｕｔ／Ｉｉｎ）  （ｃｍ−１）
で表される。
この場合、照射した光のエネルギーがＩｉｎ、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−Ｃとなる。
次に、塗布層の任意の３箇所の膜厚を触針式段差計（Ｖｅｅｃｏ社製  Ｄｅｋｔａｋ３）を用いて測定し、それらを算術平均して平均厚みを算出し、これをｔとして代入し吸収係数α１を求める。
【００２８】
第１塗布層に対して第１光を照射する照射領域の範囲は特に制限されず、第１塗布層の一部であってもよいし、全面であってもよい。
また、所定のパターン状（例えば、円状、ストライプ状など）に第１光を照射してもよい。
【００２９】
上記第１光の波長範囲は、第１塗布層に対して式（１）の関係を満たすような吸収係数をとり得る光であれば特に制限されず、紫外光から赤外光まで任意のものを選択できる。なかでも、第１塗布層に対する透過性がより優れる点で、第１光の波長は３．０μｍ以上が好ましく、５．０μｍ以上がより好ましく、９．０μｍ以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、装置の性能の点から、通常、３０μｍ以下が好ましい。
第１光としては、導電部がより効率よく形成される点で、レーザ光が好ましく、連続発振レーザ光がより好ましい。
代表的なレーザとしては、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮ系等の半導体レーザ、Ｎｄ:ＹＡＧレーザ、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ、色素レーザ、ルビーレーザ等の固体レーザ、Ｈｅ-Ｎｅ、Ｈｅ-Ｘｅ、Ｈｅ-Ｃｄ、ＣＯ2、Ａｒ等の気体レーザ、自由電子レーザなどが挙げられる。なかでも、ＣＯ2レーザ（炭酸ガスレーザ）が好ましい。
【００３０】
本工程において、第１塗布層中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、導電部の密着性がより優れる点で、第１光の照射領域における照射エネルギー密度は１０Ｊ／ｃｍ2以上が好ましく、１５Ｊ／ｃｍ2以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、第１塗布層の材料の分解などがより抑制される点で、７５０Ｊ／ｃｍ2以下が好ましく、５００Ｊ／ｃｍ2以下がより好ましい。
【００３１】
本工程において、第１光としてレーザ光を使用した場合、第１塗布層中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、導電部の密着性がより優れる点で、レーザ光のレーザパワーは０．６Ｗ以上が好ましく、１．０Ｗ以上がより好ましく、１．４Ｗ以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、材料自体の蒸発をより抑制できる点で、１ｋＷ以下が好ましく、５００Ｗ以下がより好ましく、１００Ｗ以下がさらに好ましく、２０．０Ｗ以下が特に好ましい。
本工程において、第１光としてレーザ光を使用した場合、第１塗布層の一地点あたりの照射時間は、第１塗布層中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、導電部の密着性がより優れる点で、１０μｓ以上が好ましく、３０μｓ以上がより好ましく、５０μｓ以上がさらに好ましく、８０μｓ以上が特に好ましい。また、上限は特に制限されないが、５０００μｓ以下が好ましく、３０００μｓ以下がより好ましく、１０００μｓがさらに好ましい。長すぎると、制御が難しく、材料自体が蒸発などをしてしまう場合がある。
ここで、照射時間は、レーザ光が照射される第１塗布層表面上の任意の一地点におけるレーザ光が照射される時間を意味する。
【００３２】
上記光焼成処理を実施する雰囲気は特に制限されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気であり、また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。
【００３３】
上記処理を実施することにより、第１光照射領域において第１塗布層の基板とは反対側の表面から基板まで貫通する第１導電部が形成される。第１導電部が基板表面まで形成されることにより、第１導電部を含む第１塗布層の基板に対する密着性が向上する。
第１導電部の厚みは、第１塗布層の厚みと略同じである。
なお、図１（Ｂ）に示すように、第１光が照射されなかった未照射領域においては、金属酸化物粒子の還元は進行せず、絶縁層として存在する。
【００３４】
＜工程（Ｃ）：第２塗布層形成工程＞
工程（Ｃ）は、第１塗布層上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ２（μｍ）の第２塗布層を形成する工程である。本工程を実施することにより、後述する工程（Ｄ）での光焼成処理が施される第２塗布層が形成される。
より具体的には、図１（Ｃ）に示すように、本工程を実施することにより、第１塗布層１２上に第２塗布層１６が配置される。
【００３５】
本工程で使用される塗布液は、上述した工程（Ａ）で使用される塗布液と同じである。
また、第２塗布層の形成の手順も、上述した工程（Ａ）での第１塗布層の形成の手順と同じである。
また、形成される第２塗布層中における金属酸化物粒子の含有量の範囲も、上記第１塗布層中における金属酸化物粒子の含有量の範囲と同じである。
【００３６】
第２塗布層の厚みＴ２は特に制限されないが、より厚膜の導電部を形成できる点で、５μｍ以上が好ましく、８μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。上限は特に制限されず、形成される第２導電部の厚みに合わせて適宜調整できるが、良好な導電性を確保する上で、５０μｍ以下が好ましい。
厚みＴ２は平均厚みであり、その測定方法としては、触針式段差計により第２塗布層の任意の３箇所における厚みを測定し、それらを算術平均して求める。
【００３７】
＜工程（Ｄ）：第２光焼成工程＞
工程（Ｄ）は、第２塗布層の上面から第１導電部の少なくとも一部に向けて第２光を照射し、かつ、第２塗布層の上面から第２光が照射された領域とは異なる領域に第３光を照射し、第２光の照射領域における第２塗布層中の金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し第１導電部と導通する第２導電部を形成し、かつ、第３光の照射領域における第２塗布層中の金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し第１導電部とは導通しない第３導電部を形成する工程である。本工程を実施することにより、下層である第１塗布層中の第１導電部と導通する第２導電部、および、第１導電部と導通しない第３導電部が第２塗布層中に形成される。
より具体的には、図１（Ｄ）に示すように、図１（Ｃ）の第２塗布層１６の所定の領域に第２光を照射することにより、第２塗布層１６中に第１導電部１４と導通する第２導電部１８が形成され、第３光を照射することにより、第２塗布層１６中に第１導電部１４と導通しない第３導電部２０が形成される。
第２導電部および第３導電部が形成されるメカニズムは、上記工程（Ｂ）で説明した第１導電部が形成されるメカニズムと同じである。
以下では、第２光を照射する処理と、第３光を照射する処理とに分けて説明する。まず、第２光を照射する処理について詳述する。
【００３８】
（第２光照射処理）
第２光照射処理は、第２光を第２塗布層に照射する処理である。
第２光照射処理において、第２塗布層の厚みＴ２（μｍ）と第２光に対する第２塗布層の吸収係数α２ａ（ｃｍ−１）とは式（２）の関係を満たす。
式（２）：Ｔ２＜（４０００／α２ａ）
言い換えれば、上記式（２）の関係を満たすような第２光を選択して、第２塗布層に照射する。
第２塗布層の吸収係数α２ａの測定方法は、上記第１塗布層の吸収係数α１の測定方法と同じである。
【００３９】
第２光は、第２塗布層の上面（第１塗布層側とは反対側の表面）から第１導電部の少なくとも一部に向けて照射される。つまり、第２光を照射する方向から見て、第１導電部が存在する第２塗布層の領域（第１導電部に対応する第２塗布層の領域）に向かって、第２光を照射する。上記領域に第２光を照射することにより、第１導電部と厚み方向に沿って導通する第２導電部が形成される。
なお、第２光は、第１導電部の少なくとも一部に向けて照射されればよく、第１導電部の全領域に向かって照射されてもよい。
【００４０】
第２光の波長範囲は、上述した第１光の波長範囲と同じであり、好適態様も同じである。
第２光としては、第２導電部がより効率よく形成される点で、レーザ光が好ましく、連続発振レーザ光がより好ましい。代表的なレーザの種類は、第１光の態様と同じである。
第２光の照射エネルギー密度の好適範囲は、上述した第１光の照射エネルギー密度の好適範囲と同じである。
第２光のレーザパワーの好適範囲は、上述した第１光のレーザパワーの好適範囲と同じである。
第２塗布層の一地点あたりの照射時間の好適範囲は、上述した第１塗布層の一地点あたりの照射時間の好適範囲と同じである。
【００４１】
上記処理を実施することにより、第２光照射領域において第２塗布層の基板側とは反対側の表面から第１導電部まで導通する第２導電部が形成される。第２導電部が第１導電部表面まで形成されることにより、第２導電部を含む第２塗布層と第１導電部を含む第１塗布層との密着性が向上し、結果として第２塗布層の基板に対する密着性も向上する。
第２導電部の厚みは、第２塗布層の厚みと略同じである。
【００４２】
（第３光照射処理）
第３光照射処理は、第３光を第２塗布層に照射する処理である。
第３光照射処理において、第２塗布層の厚みＴ２（μｍ）と第３光に対する第２塗布層の吸収係数α２ｂ（ｃｍ−１）とは式（３）の関係を満たす。
式（３）：Ｔ２＞（４００００／α２ｂ）
言い換えれば、上記式（３）の関係を満たすような第３光を選択して、第２塗布層に照射する。
第２塗布層の吸収係数α２ｂの測定方法は、上記第１塗布層の吸収係数α１の測定方法と同じである。
なお、式（３）において、Ｔ２×α２ｂの値は４００００超であるが、Ｔ２×α２ｂの上限は特に制限されない。なかでも、使用するレーザの装置上の制限から、通常、１０００００以下の場合が多い。
【００４３】
第３光は、第２塗布層の上面（第１塗布層側とは反対側の表面）から第２光が照射される領域とは異なる領域に照射される。
図１（Ｄ）においては、第３光は矩形状に照射されているが、その態様には限定されず、所定のパターン状（例えば、円状）であってもよい。また、上述したように、第３光は第２光が照射される領域とは異なればよく、図１（Ｄ）に示すように、第１導電部が存在する第２塗布層の領域（第１導電部に対応する第２塗布層の領域）であってもよい。
なお、通常は、後述する第４光が照射される領域の少なくとも一部分に第３光が照射される。このような態様をとることにより、第４光が照射された際に、第４光の一部分が第３導電部で遮断され、第１塗布層に到達するのを抑制することができる。
【００４４】
第３光の波長範囲は、第２塗布層に対して式（３）の関係を満たすような吸収係数をとり得る光であれば特に制限されず、紫外光から赤外光まで任意のものを選択できる。なかでも、第３導電部の形成効率が優れる点で、第３光の波長は３μｍ未満が好ましく、２μｍ以下がより好ましく、１．５μｍ以下が特に好ましい。下限は特に制限されないが、装置の性能の点から、通常、０．３μｍ以上が好ましい。
第３光としては、導電部がより効率よく形成される点で、レーザ光が好ましく、連続発振レーザ光がより好ましい。
代表的なレーザとしては、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮ系等の半導体レーザ、Ｎｄ:ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＶＯ４ＳＨＧレーザ、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ、色素レーザ、ルビーレーザ等の固体レーザ、Ｈｅ−Ｎｅ、Ｈｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ等の気体レーザ、自由電子レーザなどが挙げられる。なかでも、ＹＶＯ４レーザが好ましい。
【００４５】
本工程において、第２塗布層中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、導電部の密着性がより優れる点で、第３光の照射領域における照射エネルギー密度は１０Ｊ／ｃｍ2以上が好ましく、１５Ｊ／ｃｍ2以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、第２塗布層の材料の分解などがより抑制される点で、７５０Ｊ／ｃｍ2以下が好ましく、５００Ｊ／ｃｍ2以下がより好ましい。
【００４６】
本工程において、第３光としてレーザ光を使用した場合、第２塗布層中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行すると共に、導電部の密着性がより優れる点で、レーザ光のレーザパワーは０．６Ｗ以上が好ましく、１．０Ｗ以上がより好ましく、１．４Ｗ以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、材料自体の蒸発をより抑制できる点で、１ｋＷ以下が好ましく、５００Ｗ以下がより好ましく、１００Ｗ以下がさらに好ましく、２０．０Ｗ以下が特に好ましい。
本工程において、第３光としてレーザ光を使用した場合、第２塗布層の一地点あたりの照射時間は、第２塗布層中において金属酸化物から金属への還元がより効率よく進行する点で、１．０μｓ以上が好ましく、２．０μｓ以上がより好ましく、３．０μｓ以上がさらに好ましく、４．０μｓ以上が特に好ましい。また、上限は特に制限されないが、１０００μｓ以下が好ましく、５００μｓ以下がより好ましく、１００μｓ以下がさらに好ましい。長すぎると、制御が難しく、材料自体が蒸発などをしてしまう場合がある。
ここで、照射時間は、レーザ光が照射される第２塗布層表面上の任意の一地点におけるレーザ光が照射される時間を意味する。
【００４７】
上記処理を実施することにより、第３光照射領域において第２塗布層の基板側とは反対側の表面付近に第１導電部とは導通しない第３導電部が形成される。
第３導電部の厚みＴｘは特に制限されないが、絶縁性の点から、第２塗布層の厚みＴ２との比（Ｔｘ／Ｔ２）は、０．５以下が好ましく、０．２５以下がより好ましい。上限は特に制限されないが、後述する第４光の反射効率がより優れる点で、０．１以上が好ましい。
【００４８】
上記第２光照射処理と第３光照射処理の実施の順番は特に制限されず、第２光照射処理を実施した後、第３光照射処理を実施してもよいし、第３光照射処理を実施した後、第２光照射処理を実施してもよい。また、両者を同時に実施してもよい。
【００４９】
＜工程（Ｅ）：第３塗布層形成工程＞
工程（Ｅ）は、第２塗布層上に、１ｅＶ以上のバンドギャップを有する金属酸化物粒子を含む塗布液を塗布して、厚みＴ３（μｍ）の第３塗布層を形成する工程である。本工程を実施することにより、後述する工程（Ｆ）での光焼成処理が施される第３塗布層が形成される。
より具体的には、図１（Ｅ）に示すように、本工程を実施することにより、第２塗布層１６上に第３塗布層２２が配置される。
【００５０】
本工程で使用される塗布液は、上述した工程（Ａ）で使用される塗布液と同じである。
また、第３塗布層の形成の手順も、上述した工程（Ａ）での第１塗布層の形成の手順と同じである。
また、形成される第３塗布層中における金属酸化物粒子の含有量の範囲も、上記第１塗布層中における金属酸化物粒子の含有量の範囲と同じである。
【００５１】
第３塗布層の厚みＴ３は特に制限されないが、より厚膜の導電部を形成できる点で、５μｍ以上が好ましく、８μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。上限は特に制限されず、形成される第４導電部および第５導電部の厚みに合わせて適宜調整できるが、良好な導電性を確保する上で、５０μｍ以下が好ましい。
厚みＴ３は平均厚みであり、その測定方法としては、触針式段差計により第３塗布層の任意の３箇所における厚みを測定し、それらを算術平均して求める。
【００５２】
＜工程（Ｆ）：第３光焼成工程＞
工程（Ｆ）は、第３塗布層の上面から第２導電部の少なくとも一部および第３導電部の少なくとも一部に向けて第４光を照射して、照射領域における第３塗布層中の金属酸化物粒子を還元して、金属を含有し第２導電部と導通する第４導電部、および、金属を含有し第３導電部と導通する第５導電部を形成する工程である。本工程を実施することにより、第１導電部と電気的に導通する第４導電部と、第１導電部とは電気的に絶縁している第５導電部を形成することができる。
より具体的には、図１（Ｆ）に示すように、本工程を実施することにより、第２塗布層１６中の第２導電部１８と導通する第４導電部２４と、第２塗布層１６中の第３導電部２０と導通する第５導電部２６とが形成される。特に、第２塗布層１６の上面から第３導電部２０に向かって第４光を照射した際には、第４光は第３導電部２０によって遮断され、それ以上深さ方向には侵入しない。
なお、第４導電部および第５導電部が形成されるメカニズムは、上記工程（Ｂ）で説明した第１導電部が形成されるメカニズムと同じである。
【００５３】
なお、第３塗布層の厚みＴ３（μｍ）と第４光に対する第３塗布層の吸収係数α３（ｃｍ−１）とは式（４）の関係を満たす。
式（４）：Ｔ３＜（４０００／α３）
言い換えれば、上記式（３）の関係を満たすような第４光を選択して、第３塗布層に照射する。
第３塗布層の吸収係数α３の測定方法は、上記第１塗布層の吸収係数α１の測定方法と同じである。
【００５４】
第４光は、第３塗布層の上面（第１塗布層側とは反対側の表面）から第２導電部の少なくとも一部（一部の領域）、および、第３導電部の少なくとも一部（一部の領域）に向けて照射される。つまり、第４光を照射する方向から見て、第２導電部が存在する第３塗布層の領域（第２導電部に対応する第３塗布層の領域）の少なくとも一部、および、第３導電部が存在する第３塗布層（第３導電部に対応する第３塗布層の領域）の少なくとも一部に向かって、第４光を照射する。上記領域に第４光を照射することにより、第２導電部と厚み方向に沿って導通する第４導電部、および、第３導電部と厚み方向に沿って導通する第５導電部が形成される。
なお、第４光は、第２導電部の少なくとも１部に向けて照射されればよく、第２導電部の全領域に向かって照射されてもよい。また、第４光は、第３導電部の少なくとも１部に向けて照射されればよく、第３導電部の全領域に向かって照射されてもよい。
【００５５】
第４光の波長範囲は、上述した第１光の波長範囲と同じであり、好適態様も同じである。
第４光としては、第４導電部および第５導電部がより効率よく形成される点で、レーザ光が好ましく、連続発振レーザ光がより好ましい。代表的なレーザの種類は、第１光の態様と同じである。
第４光の照射エネルギー密度の好適範囲は、上述した第１光の照射エネルギー密度の好適範囲と同じである。
第４光のレーザパワーの好適範囲は、上述した第１光のレーザパワーの好適範囲と同じである。
第３塗布層の一地点あたりの照射時間の好適範囲は、上述した第１塗布層の一地点あたりの照射時間の好適範囲と同じである。
【００５６】
上記処理を実施することにより、第４光照射領域において第３塗布層の基板側とは反対側の表面から第２導電部まで導通する第４導電部、および、第３導電部まで導通する第５導電部が形成される。
第４導電部および第５導電部の厚みは、第３塗布層の厚みと略同じである。
なお、図１（Ｆ）に示すように、第４光が照射されなかった未照射領域においては、金属酸化物粒子の還元は進行せず、絶縁層として存在する。
【００５７】
上記では、工程（Ａ）〜工程（Ｆ）を含む態様のみ記載したが、本発明の製造方法はこの態様には限定されず、工程（Ｃ）〜工程（Ｆ）を繰り返し実施して積層数を増やしてもよい。
【００５８】
上記方法より得られる多層配線基板は種々の用途に使用することができる。例えば、通信機器、計測機器、コンピューター周辺機器などが挙げられる。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６０】
（吸収係数の測定）
第１光〜第４光の波長選択のために、Novacentrix社製ＣｕＯインクＩＣＩ−０２１を塗布液として用いて形成される塗布膜の吸収係数を測定した。
具体的には、ポリプロピレンフィルム上に上記塗布液を塗布し、１００℃にて６０分間乾燥して吸収係数測定用の塗布層（平均厚み：１．１μｍ）を形成し、評価用のサンプルを作製した。ポリプロピレンフィルムのみをブランクとし、ブランクおよびサンプル（ポリプロピレンフィルムと塗布層とを含む積層体）に波長９．３μｍのレーザ（ＣＯ2レーザ。以後、単に９．３μｍレーザとも称する。）を照射し、ポリプロピレンフィルム単体およびサンプルを透過してくるエネルギーを測定することで、塗布層のみによるエネルギー損失を求めた。塗布層の平均厚みとエネルギー損失とを用いて、以下の式から１ｃｍ当たりの塗布層の吸収係数を求めた
α＝−１／ｔ・ｌｎ（Ｉｏｕｔ/Ｉｉｎ）  （ｃｍ−１）
ただし、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−塗布膜のみのエネルギー損失である。
結果、波長９．３μｍにおける吸収係数は３００ｃｍ−１であった。
なお、塗布層の平均厚みは、任意の３箇所の塗布層の厚みを触針式段差計（Ｖｅｅｃｏ社製  Ｄｅｋｔａｋ３）を用いて測定し、それらを算術平均して平均厚みを算出した。
また、波長９．３μｍのレーザの代わりに、波長１０．６μｍのレーザ（ＣＯ2レーザ。以後、単に１０．６μｍレーザとも称する。）を使用した場合、塗布層の吸収係数は２６０ｃｍ−１であった。
また、波長９．３μｍのレーザの代わりに、波長０．５３２μｍのレーザ（ＹＶＯ4ＳＨＧレーザ。以後、単に０．５３２μｍレーザとも称する。）を使用した場合、塗布層の吸収係数は５００００ｃｍ−１であった。
また、波長９．３μｍのレーザの代わりに、波長１．０６４μｍのレーザ（ＹＶＯ4レーザ。以後、単に１．０６４μｍレーザとも称する。）を使用した場合、塗布層の吸収係数は４５００ｃｍ−１であった。
【００６１】
＜実施例１＞
ガラエポ基板上にNovacentrix社製ＣｕＯインクＩＣＩ−０２１をバー塗布し、第１塗布層を形成した。形成された第１塗布層の厚み（平均厚み）は１０μｍであった。この第１塗布層に第１光として９．３μｍレーザ（出力２Ｗ、照射エネルギー密度８０Ｊ／ｃｍ2）を照射したところ、ＣｕＯが還元焼結し、照射した部分のみで金属銅が生成して、図１（Ｂ）に示すような第１導電部が形成された。
次に、第１導電部が形成された第１塗布層上に、上記第１塗布層と同様の作製手順に従って、第２塗布層を形成した。形成された第２塗布層の厚み（平均厚み）は１０μｍであった。
その後、第１塗布層に対する照射条件と同様の条件で第２光として９．３μｍレーザを第２塗布層の一部の領域に対して照射し（第２光照射）、かつ、第２塗布層の９．３μｍレーザが照射された領域とは異なる他の領域に対して第３光として１．０６４μｍレーザ（出力１．５Ｗ、照射エネルギー密度６０Ｊ／ｃｍ2）を照射した（第３光照射）。９．３μｍレーザを照射した領域においては、図１（Ｄ）に示すような第１導電部と導通する第２導電部が形成され、１．０６４μｍレーザを照射した領域においては、図１（Ｄ）に示すような第２塗布層の表面近傍のみにおいてＣｕＯが還元焼結し、第１導電部とは導通しない第３導電部が形成された。なお、第３導電部の厚みＴｘと、第２塗布層の厚みＴ２との比（Ｔｘ／Ｔ２）は、０．２４であった。
次に、第２導電部および第３導電部が形成された第２塗布層上に、上記第１塗布層と同様の作製手順に従って、第３塗布層を形成した。形成された第３塗布層の厚み（平均厚み）は１０μｍであった。
その後、第１塗布層に対する照射条件と同様の条件で、第４光として９．３μｍレーザを第３塗布層の一部の領域に対して照射した（第４光照射）。なお、第４光のレーザ照射は、第３塗布層の上面から第２導電部および第３導電部に向けてそれぞれ実施した。レーザが照射された領域においては、第１塗布層と同様に、ＣｕＯが還元焼結し、照射した部分のみで金属銅が生成して、図１（Ｆ）に示すような第２導電部と導通する第４導電部、および、第３導電部と導通する第５導電部を含む、多層配線基板が製造された。
また、第１塗布層の厚み（平均厚み）は、触針式段差計（Ｖｅｅｃｏ社製  Ｄｅｋｔａｋ３）により第１塗布層のそれぞれの任意の３箇所における厚みを測定し、それらを算術平均して求めた。第２塗布層および第３塗布層の厚み（平均厚み）も同様の方法で求めた。
【００６２】
＜実施例２＞
第１光、第２光および第４光として９．３μｍレーザ（出力２Ｗ、照射エネルギー密度８０Ｊ／ｃｍ2）を１０．６μｍレーザ（出力２Ｗ、照射エネルギー密度８０Ｊ／ｃｍ2）に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、多層配線基板を製造した。
【００６３】
＜実施例３＞
第１塗布層、第２塗布層および第３塗布層の厚み（平均厚み）を１０μｍから１５μｍに変更した以外は、実施例２と同様の手順に従って、多層配線基板を製造した。
【００６４】
＜実施例４＞
第１塗布層、第２塗布層および第３塗布層の厚み（平均厚み）を１０μｍから５μｍに変更し、第３光として１．０６４μｍレーザ（出力１．５Ｗ）を０．５３２μｍレーザ（出力１．５Ｗ）に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、多層配線基板を製造した。
【００６５】
＜実施例５＞
第１塗布層、第２塗布層および第３塗布層の厚み（平均厚み）を１０μｍから５μｍに変更し、第３光として１．０６４μｍレーザ（出力１．５Ｗ）を０．５３２μｍレーザ（出力１．５Ｗ）に変更した以外は、実施例２と同様の手順に従って、多層配線基板を製造した。
【００６６】
＜比較例１＞
第３光として１．０６４μｍレーザ（出力１．５Ｗ、照射エネルギー密度６０Ｊ／ｃｍ2）を照射しなかった以外は、実施例４と同様の手順に従って、多層配線基板を製造した。
なお、比較例１において第４光を第３塗布層に照射する際には、実施例１と同様に、第４導電部および第５導電部を形成するように照射した。
【００６７】
＜比較例２＞
第１光、第２光および第４光として９．３μｍレーザ（出力２Ｗ、照射エネルギー密度８０Ｊ／ｃｍ2）を１．０６４μｍレーザ（出力１．５Ｗ、照射エネルギー密度６０Ｊ／ｃｍ2）に変更し、第３光として１．０６４μｍレーザ（出力１．５Ｗ、照射エネルギー密度６０Ｊ／ｃｍ2）を照射しなかった以外は、実施例５と同様の手順に従って、多層配線基板を製造した。
なお、比較例１において第４光を第３塗布層に照射する際には、実施例４と同様に、第４導電部および第５導電部を形成するように照射した。
【００６８】
＜比較例３＞
第１光、第２光および第４光として９．３μｍレーザ（出力２Ｗ）を１．０６４μｍレーザ（出力１．５Ｗ）に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、多層配線基板を製造した。
【００６９】
（評価Ａ：絶縁性評価）
実施例１〜５および比較例１〜３で得られたそれぞれの多層配線基板の第２塗布層および第３塗布層の一部を除去して、第１塗布層中の第１導電部を露出させた。
次に、ＳＡＮＷＡ製  ＣＤ７５１を用いて、第１導電部の露出部と第４導電部とが電気的に接続されているか否か、および、第１導電部の露出部と第５導電部とが電気的に絶縁されているか否かを評価した。
なお、第１導電部の露出部と第４導電部とが電気的に接続されているか否かの評価は、抵抗値が１００Ω未満であれば導通していると評価した。
また、第１導電部の露出部と第５導電部とが電気的に絶縁されているか否かを評価は、抵抗値が１ＭΩ超であれば絶縁されていると評価した。
両者の関係を満たすものを「Ａ」、いずれか一方の要件を満たさないものを「Ｂ」と評価した。
【００７０】
（評価Ｂ：テープ密着性試験）
焼結済み塗布層（光照射後の第３塗布層）に対して、ＪＩＳＨ８５０４：１９９９記載のテープ試験方法と同様にして行い、貼り合せたセロテープ(登録商標)は剥離し、還元焼結部分（光照射部分）の剥離を以下の基準に従って評価した。結果は表１に示す。
「Ａ」：剥離なし
「Ｂ」：還元焼結部分の一部に剥離あり
「Ｃ」：還元焼結部分の全面が剥離
【００７１】
上記実施例および比較例の結果を、以下表１にまとめて示す。
表１中、「式（１）、式（２）および式（４）の関係を満たすか？」欄は、第１塗布層、第２塗布層、および第３塗布層での光照射の際に上記式（１）、式（２）および式（４）の全ての関係を満たすか否かを示す。関係を満たす場合は「Ａ」、満たさない場合は「Ｂ」と示す。
表１中、「式（３）の関係を満たすか？」欄は、第２塗布層での光照射（第３光照射）の際に上記式（３）の関係を満たすか否かを示す。関係を満たす場合は「Ａ」、満たさない場合は「Ｂ」と示す。
なお、上記実施例および比較例においては、いずれも第１塗布層、第２塗布層および第３塗布層は同じ厚みを有することから、表１においてはそれらの厚みをまとめて「塗布膜厚Ｔ」と表記する。
また、上記実施例および比較例においては、いずれも第１塗布層、第２塗布層および第３塗布層の成分は同じであることから、表１においてはそれらの第１光（または第２光、第４光）および第３光に対する吸収係数をまとめて「吸収係数αＡ」および「吸収係数αＢ」と表記する。
【００７２】
【表１】
2015026680.tif 000002
【００７３】
表１より、式（１）〜（４）の関係を満たす実施例１〜５の本発明の製造方法によれば、所望の多層配線基板を簡便に製造できることが確認された。
一方、式（１）〜（４）の関係を満たさない比較例１〜３においては、導電部の密着性および導電部間の導通性または絶縁性に劣っていた。
【符号の説明】
【００７４】
１０    基板
１２    第１塗布層
１４    第１導電部
１６    第２塗布層
１８    第２導電部
２０    第３導電部
２２    第３塗布層
２４    第４導電部
２６    第５導電部
１００    多層配線基板
【図１】
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