(57)【要約】      （修正有）【課題】対象物の減磁を行う上で有利な技術を提供する。【解決手段】対象物の減磁を行う減磁装置は、前記対象物の減磁を行うための磁界を生成するコイルと、時間とともに振幅が小さくなる交番電流を前記コイルに供給する供給部と、を含み、前記供給部は、第１期間Ｔ１では、前記交番電流の振幅を前記対象物が磁気飽和する電流値の絶対値より大きくし、前記第１期間の後の第２期間Ｔ２では、前記交番電流の振幅の変化率の絶対値を前記第１期間のそれより大きくし、前記第２期間の後の第３期間Ｔ３では、前記交番電流の振幅を前記対象物の保磁力に対応する電流値の絶対値より小さくし且つ前記交番電流の振幅の変化率の絶対値を前記第２期間のそれより小さくする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物の減磁を行う減磁装置であって、
前記対象物の減磁を行うための磁界を生成するコイルと、
時間とともに振幅が小さくなる交番電流を前記コイルに供給する供給部と、
を含み、
前記供給部は、第１期間では、前記交番電流の振幅を前記対象物が磁気飽和する電流値の絶対値より大きくし、前記第１期間の後の第２期間では、前記交番電流の振幅の変化率の絶対値を前記第１期間のそれより大きくし、前記第２期間の後の第３期間では、前記交番電流の振幅を前記対象物の保磁力に対応する電流値の絶対値より小さくし且つ前記交番電流の振幅の変化率の絶対値を前記第２期間のそれより小さくする、ことを特徴とする減磁装置。
【請求項２】
前記供給部は、前記第３期間では少なくとも２周期分の交番電流を前記コイルに供給する、ことを特徴とする請求項１に記載の減磁装置。
【請求項３】
前記供給部は、前記第１期間では少なくとも１周期分の交番電流を前記コイルに供給する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の減磁装置。
【請求項４】
前記供給部は、前記第２期間では少なくとも１周期分の交番電流を前記コイルに供給する、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の減磁装置。
【請求項５】
前記減磁を行う期間をＴとし、および前記期間における経過時間をｔとして、前記交番電流の振幅が
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なる関数に従って変化するように、前記供給部は前記交番電流を前記コイルに供給する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の減磁装置。
【請求項６】
前記供給部は、前記交番電流の振幅が時間に関する３次以上の関数に従って変化するように前記交番電流を前記コイルに供給する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の減磁装置。
【請求項７】
前記供給部は、前記第１期間、前記第２期間および前記第３期間のそれぞれにおける前記交番電流の振幅が時間に関する１次関数に従って変化するように前記交番電流を前記コイルに供給する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の減磁装置。
【請求項８】
前記供給部は、前記第３期間において前記交番電流の振幅が零になるように前記交番電流を前記コイルに供給する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の減磁装置。
【請求項９】
正弦関数で表される電流を発生させる電源を含み、
前記供給部は、前記電源からの電流の振幅を変化させて前記交番電流を生成する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の減磁装置。
【請求項１０】
前記減磁装置は、前記コイルを複数有し、
前記供給部は、前記複数のコイルの各々に前記交番電流を供給する、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の減磁装置。
【請求項１１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
磁性体を含む部材と、
前記部材の減磁を行う請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の減磁装置と、
を含むことを特徴とする描画装置。
【請求項１２】
前記部材は、磁気シールドを含む、ことを特徴とする請求項１１に記載の描画装置。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対象物の減磁を行う減磁装置、描画装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、荷電粒子線（電子線）を用いて基板にパターンを描画する描画装置が注目されている。描画装置では、基板を保持する基板ステージを高精度かつ高速に位置決めすることが要求されているため、基板ステージを駆動する駆動部として、例えば、位置決め精度と応答性に優れたリニアモータが用いられる。そして、このような描画装置では、リニアモータからの磁場が荷電粒子線に及ばないようにするため、磁気シールドがリニアモータの周りに設けられている。
【０００３】
しかしながら、このように構成された磁気シールド自体が磁気を帯びることがある。この場合、磁気シールドからの磁場が荷電粒子線に影響し、荷電粒子線の軌道が変化しうる。そのため、磁気シールドに帯びた磁気を減衰させることが必要である。特許文献１および２には、ブラウン管を用いたテレビジョン受像機等の陰極線管装置にコイルを巻き、そのコイルに交番電流を供給することで、陰極線管装置に帯びた磁気を減衰させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８１９８１号公報
【特許文献２】特開２００１−２８５８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１および２に記載された方法は、交番電流の振幅を時間とともに所定値まで減少させている。しかしながら、当該所定値の大きさについては言及していない。
【０００６】
そこで、本発明は、対象物の減磁を行う上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての減磁装置は、対象物の減磁を行う減磁装置であって、前記対象物の減磁を行うための磁界を生成するコイルと、時間とともに振幅が小さくなる交番電流を前記コイルに供給する供給部と、を含み、前記供給部は、第１期間では、前記交番電流の振幅を前記対象物が磁気飽和する電流値の絶対値より大きくし、前記第１期間の後の第２期間では、前記交番電流の振幅の変化率の絶対値を前記第１期間のそれより大きくし、前記第２期間の後の第３期間では、前記交番電流の振幅を前記対象物の保磁力に対応する電流値の絶対値より小さくし且つ前記交番電流の振幅の変化率の絶対値を前記第２期間のそれより小さくする、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、対象物の減磁を行う上で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の描画装置を示す概略図である。
【図２】第１実施形態の減磁装置を示す概略図である。
【図３】減磁を行っている最中の磁気シールドにおける磁化曲線の概念図を示す図である。
【図４】第１実施形態の減磁装置において、コイルに供給する交番電流の波形を示す図である。
【図５】第１期間における交番電流の波形を示す図である。
【図６】第３期間における交番電流の波形を示す図である。
【図７】第２実施形態の減磁装置において、コイルに供給する交番電流の波形の一例を示す図である。
【図８】第２実施形態の減磁装置において、コイルに供給する交番電流の波形の一例を示す図である。
【図９】コイルに供給する交番電流の波形の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
第１実施形態の描画装置１０について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の描画装置１０を示す概略図である。描画装置１０は、例えば、基板２に荷電粒子線を照射する照射部１と、基板２を移動させるステージ部９とを含む。照射部１は、例えば、荷電粒子線を射出する荷電粒子源と、荷電粒子線を基板上に集光させるための荷電粒子光学系と、荷電粒子線を基板上に高精度に位置決めするための偏向器とを含む。このように構成された照射部１に、照射部１の外部において生じた磁場が及んでしまうと、荷電粒子線を基板上に高精度に位置決めすることが困難になってしまいうる。そのため、描画装置１０は、装置の周辺が低磁場に保たれるように、磁気シールドルーム（不図示）内に配置されている。
【００１３】
また、ステージ部９は、例えば、真空吸着や静電吸着によって基板２を保持し、ベース８上で移動可能に構成された基板ステージ３と、基板ステージ３を支持部材７を介してＸＹ方向に駆動する駆動部４とを含む。描画装置１０では、基板２を高精度かつ高速に位置決めすることが要求されているため、基板ステージ３を駆動する駆動部４としては、例えば、位置決め精度と応答性に優れたリニアモータが用いられる。リニアモータは、例えば、ベース８によって支持された固定子４１と、支持部材７が接続された可動子４２とを含む。固定子４１はコイルを有し、可動子４２は永久磁石を有する。そして、リニアモータは、固定子４１におけるコイルに電気が流れることにより、固定子４１におけるコイルと可動子４２における永久磁石との間ににローレンツ力が発生する。これにより、可動子４２を固定子４１に沿って移動させることができ、駆動部４は、支持部材７を介して基板ステージ３を駆動することができる。
【００１４】
このように構成された駆動部４では、リニアモータから磁場が発生し、その磁場が照射部１に及んでしまうと、荷電粒子線を基板上に高精度に位置決めすることが困難になってしまいうる。そのため、磁気シールド６がリニアモータ（駆動部４）の周りに設けられている。磁気シールド６は、磁性体を含む部材として構成され、リニアモータを取り囲むように配置されうる。磁気シール６の材料としては、例えば、パーマロイなど、磁界の変化に俊敏に追従する性質（高透磁率）を有する軟磁性材料が用いられる。これにより、リニアモータから発生する磁場が照射部１に及ぶことを防止することができる。
【００１５】
しかしながら、磁気シールドルームや磁気シールド６は、例えば、製造や組み立て、設置の過程などにおいて磁気を帯びることがある。また、磁気シールドルームや磁気シールド６は、描画装置１０を使用していくにつれて（例えば、駆動部４を動作させるにつれて）磁気を帯びることがある。このように、リニアモータからの磁場が照射部１に及ぶことを防止する磁気シールド６自体が磁気を帯びている場合においても、磁気シールド６などからの磁場が荷電粒子線に影響し、荷電粒子線の軌道が変わってしまいうる。即ち、照射部１において、荷電粒子線を基板上に高精度に位置決めすることが困難になってしまいうる。そのため、磁気シールド６などに帯びた磁気を減衰させることが必要である。そこで、磁気シールド６を構成する部品（以下、シールド部品１１（対象物））を取り出し、各シールド部品１１に帯びた磁気を減衰させる「減磁」が行われる。このようなシールド部品１１の「減磁」には、減磁装置３３が用いられる。以下に、減磁装置３３について図２を参照しながら説明する。ここで、第１実施形態では、描画装置１０から取り出されたシールド部品１１に対して減磁装置３３が減磁を行うように、描画装置１０と減磁装置３３とが別の装置として構成された場合について説明するが、それに限られるものではない。例えば、シールド部品１１が描画装置１０に取り付けられた状態で当該シールド部品１１の減磁が行われるように、描画装置１０に減磁装置３３が含まれていてもよい。
【００１６】
図２は、第１実施形態の減磁装置３３を示す概略図である。減磁装置３３は、図２に示すように、例えば、コイル３０と供給部３１と電源３２とを含む。コイル３０は、取り出したシールド部品１１に巻かれ、シールド部品１１（対象物）の減磁を行うための磁界を生成する。供給部３１は、電源３２で発生させた交番電流を用いて、シールド部品１１の減磁を行うための交番電流を生成し、生成した交番電流をコイル３０に供給する。電源３２は、一定の振幅Ｉ０を有する正弦関数で表される電流を発生させる。図２に示す減磁装置３３は、シールド部品１１に巻かれたコイル３０を複数有し、供給部３１によって複数（４つ）のコイル３０に交番電流を供給して、シールド部品１１に交番磁界を与える。そして、減磁装置３３は、時間が経過するにつれて、コイル３０に供給する交番電流の振幅を小さくすることにより、シールド部品１１に与えられた交番磁界の振幅も小さくし、シールド部品１１に帯びた磁気を減衰させることができる。ここで、図２では、シールド部品１１に４つのコイルが巻かれているが、それに限られるものではなく、シールド部品１１に少なくとも１つのコイルが巻かれていればよい。
【００１７】
磁気シールド６における減磁の概念について、図３を参照しながら説明する。図３は、減磁を行っている最中のシールド部品１１における磁化曲線の概念図を示す図である。図３において、横軸は磁界の強さを表し、縦軸は磁束密度を表す。コイル３０に交番電流を供給したとき、磁化曲線は、図３に示すように、ヒステリシスループ１５を描く。そして、減磁装置３３は、磁化曲線のヒステリシスループ１５が徐々に小さくなるようにコイル３０に交番電流を供給することにより、シールド部品１１における減磁を行うことができる。即ち、時間が経過するにつれて交番電流の振幅が小さくなるようにコイル３０に交番電流を供給することにより、シールド部品１１における減磁を行うことができる。ここで、シールド部品１１の減磁を十分に行うには、交番電流の振幅を単純に小さくしていくだけでなく、シールド部品１１の減磁を行っている期間の初期段階と終期段階とにおける交番電流の振幅の大きさや長さが大事であることを発明者が見出した。
【００１８】
例えば、減磁装置３３においてシールド部品１１の減磁を行っている期間を、第１期間Ｔ１（初期段階）と第２期間Ｔ２（中期段階）と第３期間Ｔ３（周期段階）とに分けるとする。このとき、第１期間Ｔ１では、減磁装置３３は、シールド部品１１の磁化曲線が、飽和磁束密度Ｂｓおよび磁界Ｈｓから逆方向の飽和磁束密度−Ｂｓおよび磁界−Ｈｓにかけて大きなヒステリシスループ１５を描くようにコイル３０に交番電流を供給する。即ち、減磁装置３３は、シールド部品１１が磁気飽和する電流値の絶対値より大きい振幅を有する交番電流をコイル３０に供給する。飽和磁束密度とは、シールド部品１１が磁気的に飽和する磁束密度（シールド部品１１が磁気飽和する磁束密度）のことである。そして、シールド部品１１の減磁では、この第１期間Ｔ１を、少なくとも１回のヒステリシスループ１５が描かれるように、即ち、少なくとも１周期分の交番電流がコイル３０に供給されるように長くすることが好ましい。
【００１９】
第３期間Ｔ３では、減磁装置３３は、磁化曲線における磁界の強さがシールド部品１１の保磁力Ｈｃより小さくなるようにコイル３０に交番電流を供給する。即ち、減磁装置３３は、シールド部品１１の保磁力Ｈｃに対応する電流値の絶対値より小さい振幅を有する交番電流をコイル３０に供給する。また、第３期間Ｔ３では、減磁装置３３は、磁化曲線における磁束密度と磁界の強さがそれぞれ零に近づくようにコイル３０に交番電流を供給する。そして、シールド部品１１の減磁では、この第３期間Ｔ３を、少なくとも２回のヒステリシスループ１５が描かれるように、即ち、少なくとも２周期分の交番電流がコイル３０に供給されるように長くすることが好ましい。
【００２０】
また、第２期間Ｔ２では、減磁装置３３は、磁化曲線のヒステリシスループ１５が徐々に小さくなるように、即ち、磁束密度と磁界の強さとが徐々に小さくなるように、コイル３０に供給する交番電流の振幅を小さくしていく。この第２期間Ｔ２において交番電流の振幅を減少させていく割合（振幅の変化率の絶対値）は、減磁の効果へ影響度が第１期間Ｔ１および第３期間Ｔ３に比べて小さい。そのため、シールド部品１１の減磁では、シールド部品１１の減磁を行う期間Ｔ４を短縮させるため、第２期間Ｔ２を短くすることが好ましい。例えば、第２期間Ｔ２に、少なくとも１周期分の交流電流が含まれていればよい。このようにコイル３０に交番電流を供給すること（ヒステリシスループ１５を描くこと）により、減磁装置３３は、シールド部品１１に帯びた磁気を減衰させることができる。
【００２１】
ここで、コイル３０に供給する交番電流の波形の例について、図９を参照しながら説明する。図９は、コイル３０に供給する交番電流の波形の一例を示す図である。図９（ａ）に示す波形は、シールド部品１１の減磁を行っている期間において、時間が経過するにつれて交番電流の振幅が直線的に減少している。このような交番電流の波形で供給部３１が交番電流をコイル３０に供給すると、シールド部品１１の磁束密度が飽和磁束密度Ｂｓになる際の電流値の絶対値より交番電流の振幅が大きくなる第１期間Ｔ１を長くすることができる。一方で、終期段階においても電流の振幅の変化率が変わらないため、シールド部品１１の磁界の強さが保磁力となる際の電流値の絶対値より交番電流の振幅が小さくなる第３期間Ｔ３を長くすることが困難となってしまいうる。即ち、第３期間Ｔ３において、シールド部品１１の保磁力に対応する電流値の絶対値より小さい振幅を有する少なくとも２周期分の交番電流をコイル３０に供給することが困難となってしまいうる。
【００２２】
また、図９（ｂ）に示す波形は、シールド部品１１の減磁を行っている期間において、時間が経過するにつれて交番電流の振幅が指数関数的に減少している。このような交番電流の波形で供給部３１が交番電流をコイル３０に供給すると、シールド部品１１の磁界の強さが保磁力となる際の電流値の絶対値より交番電流の振幅が小さくなる第３期間Ｔ３を長くすることができる。一方で、初期段階における交番電流の振幅の変化率が大きいため、シールド部品１１の磁束密度が飽和磁束密度Ｂｓになる際の電流値の絶対値より交番電流の振幅が大きくなる第１期間Ｔ１を長くすることが困難となってしまいうる。即ち、第１期間Ｔ１において、シールド部品１１が磁気飽和する電流値の絶対値より大きい振幅を有する少なくとも１周期分の交番電流をコイル３０に供給することができず、シールド部品１１を磁気飽和する磁束密度まで励磁することが困難となってしまいうる。
【００２３】
そこで、第１実施形態の減磁装置３３（供給部３１）は、交番電流の振幅の変化の絶対値が余弦波の関数で表されるように交番電流をコイル３０に供給する。このような交番電流の波形１２で供給部３１が交番電流をコイル３０に供給すると、第１期間Ｔ１ではシールド部品１１が磁気飽和する電流値Ｉｓの絶対値より交番電流の振幅を大きくすることができる。そして、第３期間Ｔ３ではシールド部品１１の保磁力Ｈｃに対応する電流値Ｉｃの絶対値より交番電流の振幅を小さくすることができる。また、第２期間Ｔ２における交番電流の振幅の変化率の絶対値を、第１期間Ｔ１および第３期間Ｔ３より大きくすることができるため、シールド部品１１の減磁を行う期間Ｔ４を短くすることができる。
【００２４】
第１実施形態の減磁装置３３においてコイル３０に供給する交番電流の波形１２を、図４を参照しながら説明する。図４は、第１実施形態の減磁装置３３において、コイル３０に供給する交番電流の波形１２を示す図である。第１実施形態の減磁装置３３は、図４に示すように、極性がプラス方向とマイナス方向とに交互に変化する周期Ｔ１２の正弦波電流の振幅が、周期Ｔ４×２の余弦波の関数で表される曲線２２に従って小さくなるように交番電流の波形１２を生成する。そして、減磁装置３３は、第３期間Ｔ３において曲線２２の傾きが零になる時刻ｔ３、即ち、交番電流の振幅が零になる時刻ｔ３で、シールド部品１１の減磁を終了する。このような交番電流の波形１２は、式（１）によって表すことができる。式（１）において、Ｉ０は交番電流の振幅の最大値（例えば、電源３２で発生した交番電流の振幅）であり、シールド部品１１が磁気飽和する電流値Ｉｓの絶対値より大きくなるように設定される。また、ｔは減磁を行う期間Ｔ４における経過時間を示す。ここで、交番電流の周波数１／Ｔ１２は、シールド部品１１の内部に発生する渦電流の影響が小さくなるように、商用電源の周波数以下（例えば６０Ｈｚ以下）にするとよい。
【００２５】
【数１】
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【００２６】
式（１）に示すように、交番電流の波形１２は、振幅Ｉ０を有する正弦波「Ｉ０×ｓｉｎ（２π・ｔ／Ｔ１２）」と、曲線２２を表す振幅の変化Ａ（ｔ）「｛ｃｏｓ（２π・ｔ／２Ｔ４）＋１｝／２」とを乗じた波形となっている。そして、供給部３１は、このような交番電流の波形１２で交番電流をコイル３０に供給する。例えば、供給部３１は、周期Ｔ１２の正弦波の関数と、周期Ｔ４×２の余弦波の関数とを記憶しておき、２つの関数を乗じた結果に基づいて交番電流をコイル３０に供給してもよい。また、供給部３１は、予め２つの関数を乗じた結果をテーブルとして記憶しておき、このテーブルに基づいて交番電流をコイル３０に供給してもよい。
【００２７】
上述の式（１）で表される交番電流の波形１２では、第１期間Ｔ１において、シールド部品１１が磁気飽和する電流値Ｉｓの絶対値より大きい振幅を有し、少なくとも１周期分（図４では３周期分）の交番電流をコイル３０に供給することができる。そして、第１期間Ｔ１における振幅の変化率の絶対値を、第２期間Ｔ２における振幅の変化率の絶対値より小さくすることができる。例えば、図５は、第１期間Ｔ１における交番電流の波形を示す図である。図５では、半周期ごとに現れる各振幅の絶対値を｜Ｉｎ｜と表す。そして、振幅の変化率の絶対値を「｜Ｉｎ｜−｜Ｉｎ＋１｜」とすると、第１期間Ｔ１における振幅の変化率の絶対値が、第２期間Ｔ２における振幅の変化率「｜Ｉ７｜−｜Ｉ８｜」より小さくなることが分かる。このように第１期間Ｔ１では、シールド部品１１が磁気飽和する電流値Ｉｓの絶対値より大きい振幅を有する、少なくとも１周期分の交番電流をコイル３０に供給する。これにより、第１期間Ｔ１を長くし、飽和磁束密度Ｂｓとなる磁界の強さＨｓから逆方向の飽和磁束密度−Ｂｓとなる磁界の強さ−Ｈｓまでの磁化曲線のヒステリシスループ１５を少なくとも１回描くことができる。即ち、シールド部品１１の減磁を行う前にシールド部品１１に帯びていた磁界よりも大きな磁界を、シールド部品１１に確実に印加することができる。
【００２８】
また、上述の式（１）で表される交番電流の波形１２では、第３期間Ｔ３において、シールド部品１１の保磁力に対応する電流値Ｉｃの絶対値より小さい振幅を有し、少なくとも２周期分（図４では３周期分）の交番電流をコイル３０に供給することができる。そして、第３期間Ｔ３における振幅の変化率の絶対値を、第２期間Ｔ２における振幅の変化率の絶対値より小さくすることができる。例えば、図６は、第３期間Ｔ３における交番電流の波形１２を示す図である。図６では、半周期ごとに現れる各振幅の絶対値を｜Ｉｎ｜と表す。そして、振幅の変化率の絶対値を「｜Ｉｎ｜−｜Ｉｎ＋１｜」とすると、第３期間Ｔ３における振幅の変化率の絶対値が、第２期間Ｔ２における振幅の変化率の絶対値「｜Ｉ１３｜−｜Ｉ１４｜」より小さくなることが分かる。このように第３期間Ｔ３では、シールド部品１１の保磁力Ｈｃに対応する電流値Ｉｃの絶対値より小さい振幅を有する、少なくとも２周期分の交番電流をコイル３０に供給する。これにより、第３期間Ｔ３を長くし、シールド部品１１の保磁力Ｈｃよりも小さい磁界の範囲内で磁化曲線のヒステリシスループ１５を少なくとも２回描くことができる。その結果、シールド部品１１に帯びていた磁界を、シールド部品１１の保磁力Ｈｃよりも小さい磁界にまで確実に減衰させることができる。
【００２９】
上述したように、第１実施形態の減磁装置３３は、交番電流の振幅の変化が余弦波の関数で表されるように交番電流を供給部３１によってコイル３０に供給する。これにより、供給部３１は、シールド部品１１が磁気飽和する電流値Ｉｓの絶対値より大きい振幅を有する、少なくとも１周期分の交番電流をコイル３０に供給することができるように第１期間Ｔ１を長くすることができる。また、供給部３１は、シールド部品１１の保磁力Ｈｃに対応する電流値Ｉｃの絶対値より小さい振幅を有する、少なくとも２周期分の交番電流をコイル３０に供給することができるように第３期間Ｔ３を長くすることができる。その結果、第１実施形態の減磁装置３３は、シールド部品１１の減磁を高精度に行うことができる。ここで、第１実施形態では、高透磁率材料からなるシールド部品１１の減磁を行う場合について説明したが、減磁を行う対象はシールド部品１１に限られず、磁性材料からなる物体であればよい。
【００３０】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、減磁装置３３は、交番電流の振幅の変化が余弦波の関数で表わされるように交番電流の波形１２を生成したが、交番電流の振幅の変化が余弦波の関数以外の関数で表わされるように交番電流の波形を生成してもよい。以下では、交番電流の振幅の変化が余弦波の関数以外の関数で表されるように生成された交番電流の波形について、図７および図８を参照しながら説明する。
【００３１】
図７および図８は、コイル３０に供給する交番電流の波形の一例を示す図である。図７に示す交番電流の波形１３では、第１期間Ｔ１、第２期間Ｔ２および第３期間Ｔ３のそれぞれにおける交番電流の振幅の変化（線２３）が時間に関する１次関数で表されている。また、図８に示す交番電流の波形１４では、シールド部品１１の減磁を行う期間Ｔ４における交番電流の振幅の変化（曲線２４）が時間に関する３次関数で表されている。ここで、図８では、交番電流の振幅の変化（曲線２４）が時間に関する３次関数で表されているが、それに限られるものではなく、時間に関する３次以上の関数によって表されていてもよい。
【００３２】
そして、図７および図８に示す交番電流の波形（１３および１４）はそれぞれ、第１期間Ｔ１より第２期間Ｔ２の方が交番電流の振幅の変化が大きく、および第２期間Ｔ２より第３期間Ｔ３の方が交番電流の振幅の変化が大きい。また、第１期間Ｔ１における交番電流の振幅は、シールド部品１１が磁気飽和する電流値Ｉｓの絶対値より大きい。そして、第３期間Ｔ３における交番電流の振幅は、シールド部品１１の保磁力Ｈｃに対応する電流値Ｉｃの絶対値より小さく、かつ時間の経過につれて零に近づく。減磁装置３３（供給部３１）は、図７または図８に示す交番電流の波形（１３または１４）でコイル３０に交番電流を供給することにより、第１実施形態と同様に、シールド部品１１の減磁を高精度に行うことができる。
【００３３】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の減磁装置を含む描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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