(57)【要約】      （修正有）【課題】集積チップ製造装置のクリーニングで又は集積チップ製造装置と組み合わせて使用するためのクリーニングウェハ又は基板を提供する。【解決手段】クリーニング基板は、一つ以上の予め決められた接着剤、非粘着、静電又は突出、くぼみあるいは他の物理的区分などの異なる予め決められた表面特徴を有する基板を含むことができる。予め決められた特徴は、集積チップウェハの適所に集積チップ製造装置などで使用されるコンポーネントのより効果的なクリーニングを提供できる。クリーニング基板は、真空、機械的、静電又は他の力によってクリーニング又は他の位置に付勢される。クリーニング基板は、削り又は研磨を含む様々な機能を達成するのに適される。クリーニング基板は、新規な製造方法で作られ、チップ製造装置と組み合わせて新規な使用方法で使用される。【選択図】図２０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ製造装置に取り付け可能なクリーニングウェハであって、
第１側面を有する弾性クリーニングパッドを備え、 
第１側面は、第２クリーニング側面と反対側にあり、
第２クリーニング側面は、非平面であり、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分と第２の予め形成されたクリーニング側部分とを含み、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分は、第２の予め形成されたクリーニング側部分よりも厚さが大きい、クリーニングウェハ。
【請求項２】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニングウェハは、一つ以上の付加的な予め形成されたクリーニング側部分を有し、一つ以上の付加的な予め形成されたクリーニング側部分は、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分及び第２の予め形成されたクリーニング側部分の中で一つ又はそれ以上と軸方向の厚さが異なる、クリーニングウェハ。
【請求項３】
チップウェハ製造中予め決められた表面をクリーニングする請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側面の形状は、クリーニングされる予め決められた表面の形状と一致するように予め決められている、クリーニングウェハ。
【請求項４】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
第１クリーニング側部分は、接着自由部分を含み、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項５】
請求項４記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分とは異なる第２接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項６】
請求項５記載のクリーニングウェハにおいて、
第１接着部分は、第２接着部分とは異なる接着強度を有する、クリーニングウェハ。
【請求項７】
請求項２記載のクリーニングウェハにおいて、
第１クリーニング側部分は、接着自由部分を含み、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項８】
請求項７記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分とは異なる第２接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項９】
請求項８記載のクリーニングウェハにおいて、
第１接着部分は、第２接着部分とは異なる接着強度を有する、クリーニングウェハ。
【請求項１０】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、一つ以上の圧縮性突起部を備える、クリーニングウェハ。
【請求項１１】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、複数の予め決められた異なる粘着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項１２】
請求項１１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、複数の予め決められた異なる粘着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項１３】
クリーニングウェハのクリーニング側面上に複数の異なる予め決められた表面特徴を有するクリーニングウェハで集積回路製造装置をクリーニングする方法であって、
Ａ．クリーニングされる集積回路製造装置の一部分と結合する複数の異なる予め決められた表面特徴を有するクリーニングウェハパッドを確認するステップと、
Ｂ．クリーニングされる集積回路製造装置の結合部分に関して集積回路製造装置にクリーニングウェハを取り付けるステップと、
Ｃ．集積回路製造装置の結合部分に対してクリーニングウェハを押しつける力を適用するステップと、
Ｄ．その力を解放し、集積回路製造装置からクリーニングウェハを取り除くステップとを備える、方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、少なくとも一つの圧縮性突起部分を含み、
前記方法は、ステップＣにおいて、集積回路製造装置の結合部分に対して圧縮性突起部分を圧縮することを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、
前記方法は、ステップＤにおいて、
集積回路製造装置の結合部分から少なくとも部分的に分離するために、圧縮性突起部分にクリーニングウェハを減圧及び圧縮させることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、少なくとも一つの粘着部分を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、複数の粘着部分を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、異なる厚さの複数の部分を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、異なる厚さの複数の部分を含む、方法。
【請求項２０】
集積チップ製造装置のクリーニングウェハを作る方法であって、
Ａ．集積チップ製造装置に複数の異なる部分についての情報を収容するステップと、
Ｂ．複数の異なる部分を有する少なくとも一つのクリーニング側面を有するクリーニングウェハを（ｉ）第１部分が集積チップ製造装置の異なる部分の中で第１部分に対応し、（ｉｉ）第２部分が集積チップ製造装置の異なる部分の中で第２部分に対応させてｍ準備するステップと、を備える、方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第１部分は、クリーニングウェハの第２部分よりも異なる厚さの圧縮部分である、方法。
【請求項２２】
請求項２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、粘着材料を含む、方法。
【請求項２３】
請求項２１記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、粘着材料を含む、方法。
【請求項２４】
請求項２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、複数の異なる粘着領域を含む、方法。
方法。
【請求項２５】
請求項２１記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、複数の異なる粘着領域を含む、方法。
方法。
【請求項２６】
請求項２０記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
【請求項２７】
請求項２１記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
【請求項２８】
請求項２３記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
【請求項２９】
請求項２１記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、エンドエフェクタを含む、方法。
【請求項３０】
請求項２３記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、エンドエフェクタを含む、方法。
【請求項３１】
集積チップ製造装置のクリーニングシステムは、
Ａ．複数の異なる装置部分を有する集積チップ製造装置と、
Ｂ． 第１の圧縮されない厚さをもつ予め決められた第１基板部分と、第１の圧縮され
ない厚さと異なる厚さの第２の圧縮されない厚さをもつ予め決められた第２基板部分とを有し、集積チップ製造装置に取り付けられた一体クリーニング基板であって、第１基板部分は、集積チップ製造装置の第１装置部分に対応し、第２基板部分は、集積チップ製造装置の第２装置部分に対応する、一体クリーニング基板と、の組み合わせを備える、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３２】
請求項３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第１基板部分は、第１装置部分に対して圧縮できる圧縮突起部を含む、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３３】
請求項３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３４】
請求項３２記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３５】
請求項３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な複数の異なる粘着領域を有
する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３６】
請求項３２記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な複数の異なる粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３７】
請求項３６記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
異なる粘着領域は、第１の粘着レベルを有する第１粘着領域と、異なる粘着レベルを有する第２粘着領域とを含む、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願のクロスリファレンス）
本出願は、２００９年４月１４日に提出された出願番号６１／１６９００７号の“ウェハ製造クリーニング装置、プロセス及び使用方法”と称する出願人の米国仮特許出願によって優先権を主張し、それが、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。しかしながら、この明細書とこの明細書に参照によって組み込まれた情報との間に矛盾がある場合には、この明細書が適用されるものと理解されるべきである。
【０００２】
本開示は、概ね、集積回路の製造装置用の材料のクリーニングの分野に関する。
【背景技術】
【０００３】
集積回路チップは複雑であり、一般的にほぼあらゆる種類の電子機器に様々な機能を実行するように設計されることができる極小な電子回路である。例えば、図１に示された集積回路チップを参照してください。様々な集積チップは、様々な方法で互いに連結されたトランジスタ、抵抗、コンデンサ及びダイオードなどの様々な電気コンポーネントを含む。これらのコンポーネントは、様々な動きを有し、チップ上の無数の様々な方法でこれらの様々なコンポーネントの組み立ては、様々なチップによって実行される同様の様々な電子機能を生じる。
その結果、集積チップは、現代の先進国のほぼすべての種類の電子機器でいたるところにある。その結果、世界的に集積チップ市場のサイズは長く巨大になっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、集積チップは、製造することは困難であり、非常にクリーンな製造環境と設備を必要とする。これらのチップが製造されると、それらはあまりにも非常にクリーンな状態に維持する必要がある。しかし、チップの製造プロセスは、必ず、製造チップの汚染につながるチップの製造装置の汚染につながる。この汚染は、多くの場合に結果として得られるチップを損傷し台無しにする。その結果、チップの製造業は、長い間、集積回路チップの製造時に非常にスーパークリーンな環境を維持するためにより効率的でより効果的で低コスト技術を探してきた。参照によって本明細書に組み込まれた、Humphreyなどに対する米国特許第６７７７９６６号を参照する。
これに関し、チップは、チップ製造装置で”ステージ”上で一般的に製造される。様々なステージが、電子回路コンポーネントの様々な部分を形成するのに使用される。Bacchiなどに対する米国特許第６２５６５５５号及び米国特許第６１５５７６８号を参照する。ステージは、しばしば、突起、平らな領域、真空ポート及び他の構造を含む複雑な表面構造を有する。
ウェハ製造中、小さな粒子の汚染された堆積物が装置及びステージで構築する。例えば、ステージ上の構築された粒子汚染物は、チップ回路の製造時のフォトリソグラフィプロセスの焦点と精度に影響を与える可能性がある。様々なステージ及びウェハ処理装置の表面の割れ目、谷、および他の表面構造から汚染物を除去することは長い間実質的な課題を提示した。
ステージ及び処理装置のオフラインクリーニングは、一般的に、ツールのダウンタイム及び自動化されたウェハ処理装置の開口を必要とする。このクリーニング操作のための機器のダウンタイムが生産のスループットを低下させるので、集積回路の製造業者はかなりのコストを生じる。
インラインクリーニング技術は、ウェハ処理ツールをシャットダウンするため及び生産効率と集積回路のウェハの歩留まりを向上させるための必要性を避けるために模索してきた
。オンラインクリーニング技術は、クリーニングウェハの非粘着性のポリイミド表面を使用することを伴い、ウェハ製造ステージ及び製造装置の静電気を介して破片を収集する。例えば、日東電工、メトロンテクノロジー、およびアプライドマテリアルズなどの企業のプロセスを参照する。他のインラインクリーニング技術は、シリコンなどの粘弾性ポリマーで生成されたわずかな表面粗さを有する概ね平坦なウェハまたはウェハを利用してきた（例えば、日東電工、メトロンテクノロジー、およびアプライドマテリアルズの追加プロセスを参照）。
一般に、先行技術のクリーニングウェハ基板は、破片の収集の所望のレベルを達成するのに十分な表面の密着性または”粘着性”を有していなかった。この欠点の理由は、表面の付着のレベルが先行技術の平面ウェハにおける外部粒子の大部分を除去するのに十分である場合、クリーニング表面とハードウェアの接触面との密着性がしばしば適切な解放及び製造ハードウェア、ウェハステージ又はチャックからのクリーニングウェハの除去を防止していることである。
従って、先行技術のクリーニングウェハは、通常、制限されたあるいは非粘着性で設計されており、接着特性または不十分な接着性のない平面ウェハ基板のクリーニングウェハの使用の結果は、一般的に、異物又は粒子を取り除くのに十分でなかった。また、従来技術のウェハは、一般的に、それらによってクリーンニングされる表面と接触するときにこれらの表面の変形に依存せず、平面な表面を有する。変形は、多くの場合、クリーニングウェハによってクリーニングされる面の接合面に対して変形するように圧縮クリーニングウェハを押しつける真空を適用することによって達成される。
また、前述のクリーニングウェハ技術の使用後に残る破片を除去する真空ベースの粒子収集と組み合わせた砥石の摩耗（ＡＳＭＬ）の使用などのオフラインでのクリーニング方法が適用できる。このタイプのクリーニングプロセスは、かなりのコストで付加的な機能である。砥石クリーニングは、また、通常、ツールのダウンタイムと自動化されたウェハ処理装置の開口部を必要とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
出願人は、とりわけ、ステージ又はウェハチャック及び関連した構造などの自動化及び摺動の集積チップ製造ハードウェアの表面からの異物や微粒子の除去のための、クリーニングウェハ又は基板、関連装置、製造及び使用方法を発明した。いくつかの実施形態では、クリーニングウェハの形状と物理的な属性は、ステージのクリーニングされる表面の様々な輪郭の周りと接合係合又は接合する様々な表面特徴、あるいは、クリーニングウェハによってクリーニングされるチップ処理又は製造装置の他の態様を提供するように予め形成される。
【０００６】
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハは、特に、非平面をクリーニングするのに適し、それらの表面及び環境と非破壊的に相互作用する。
特定の実施形態では、クリーニングウェハの構造表面及び他の特徴、構造特徴の大きさ、形状、配向及び位置は、様々なプロセスツール、チャック、又はクリーニングウェハによってクリーニングされる他のコンポーネントに対応するために大幅に変更できる。
【０００７】
特定の実施形態では、これらの構造表面特徴は、クリーニング層の下にある弾性ポリマーの基板に形成され、又は、クリーニング基板に結合された又は積層された別個の特徴として付加される。構造特徴は、一つ以上のクリーニングポリマー及び基礎となる主要な基板、様々な粘着性レベルを有する他の弾性ポリマー、可変圧縮性の他のポリマー、又は、少ないか全くない粘着特性を示す他のポリマーから構成される。
【０００８】
特定の実施形態では、クリーニングウェハは、ポリマー又は同様の材料で作られ、クリーニングウェハのクリーニング表面は、突起又はマイクロ突起の周りに変形し、チップ製造ステージのピン接触表面の周囲の周りに積層された破片を収集するのに十分に従順する
。
【０００９】
いくつかの実施形態では、異物は、クリーニングウェハのクリーニング部分の接着又は粘着特性を使用することによってウェハ処理ハードウェア及びステージから除去される。
特定の実施形態は、一つ以上の圧縮オフセット又は他の特別に配置された表面特徴又はクリーニングウェハ上に又はその内部に形成された突起部を含む。いくつかの実施形態では、これらの特徴は、真空、静電又は他の力が、ターゲットオフセット又は他の表面特徴又は突起部をつぶすまでウェハ処理ハードウェア、ステージ又はチャックと面接触するのを減少又は防止できる。
【００１０】
いくつかの実施形態では、ウェハの突出した圧縮性オフセット表面の特徴の圧縮により、大きく、そしていくつかのケースでは、クリーニングメディアの完全な面接触をクリーニングすべき表面に作ることができる。
【００１１】
特定の実施形態では、真空、静電気または他の力の解放により、ウェハの突出した圧縮性オフセットまたは様々な特徴は、チップ製造のハードウェア、ステージ、またはチャックから粘着性クリーニング表面をはね戻る及び解放するのに十分な弾性力を有し、それによって、クリーニングされた表面から異物を除去する。
いくつかの実施形態において、クリーニング基材上の様々なタイプの従順かつ幾何学的特徴は、のウェハ処理及び配置のシーケンス内のさまざまな手順で壊滅的な付着を防ぐ。
【００１２】
特定の実施形態では、クリーニングウェハ基板のコンプライアンス特性は、最大の異物の接触及び除去を達成するためにステージなどのチップ製造ハードウェアの幾何学的特徴の周りの適合性を改善するために様々なコンプライアンス特性を有する多数の層又は区分を含むことによって変更される。
【００１３】
ステージ上にピン又は突起を含むチャックいくつかの実施形態では、例えば、クリーニングウェハの突起圧縮オフセット特徴は、ピン領域の外側の位置又はピン及び突起のピッチ内の特定の位置に予め配置されることができ、例えば、平らな粘着クリーニング表面などの様々なウェハ部分は、ピンチップ又はチャックの他の所望の部分と接して破片を除去する。
【００１４】
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハの特徴構造は、非粘着性の樹脂から形成され、表面にオフセットを提供し、クリーニングポリマーは、クリーニングウェハのオフセット又は様々な構造間の凹部領域に配置される。
【００１５】
特定の実施形態では、予め決められた基板特徴又は突起部は、クリーニング材料で構成することができ、素のウェハや非粘着性の樹脂は、突起部間に存在し、クリーニングされるステージ又は他の構造の対応する隣接した凹部領域にクリーニングを提供する。
いくつかの実施形態では、いくつかのウェハ処理ハードウェア、ステージ、及びチャックは、クリーニングメディアとの接触によって損傷される制限された別個のコンポーネントを有する。このような場合では、クリーニングウェハは、表面粘着様々な度合いを有する様々な部分を有し、例えば、高い表面粘着を有するエジェクタピン又は特定の突起をクリーニングすることを可能にし、外側シールリングをクリーニングするためなどの敏感な又は問題の領域は、例えば、真空の除去時に真空がリングにシールし及びリングから解放するのを可能にするために比較的少ない又は全くない粘着性を有する。
いくつかの実施形態では、特徴は構造に付加的な材料の必要性を排除するクリーニング材料に直接成形することができる。特定の実施形態では、単一の高分子材料から表面の特徴を形成するのに代えて、様々な特徴は、同じまたは異なる弾性重合体または樹脂材料から作られた別の幾何学的な特徴を接着することによってクリーニング表面にわたって形成さ
れ又は配置される。例えば、半球、ピラミッド、または他の形状などの幾何学的なオフセット特徴は、硬質樹脂から別個に形成され、クリーニングポリマー表面に接着的に結合される。
一つ以上の真空ポート、溝、又はニップルを有するクリーニングウェハ処理チャックを含むいくつかの実施形態では、圧縮性オフセット特徴の位置は、クリーニングウェハに予め決められて配置され、真空特徴によって囲まれた領域の内部からの破片収集を容易にする。
少なくとも一つの実施形態では、チップ製造及び処理システムの一つ以上のコンポーネント（移動装置、回転及び整合装置、ステージ、又はチャックなど）は、ウェハ処理装置を介してクリーニングウェハの移動を容易にするために予め決められた形状を有するクリーニングウェハの使用によってクリーニングされる。
いくつかの実施形態では、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、ダイヤモンド、または他の材料の研磨材粒子は、クリーニングウェハと関連して利用され、平らな表面又はウェハチャックの突起又はマイクロ突起から粘り強い微粒子を取り除くために、スクラブ作用を提供する。
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハ表面の静電荷は、外部粒子状物質への吸引力を向上させるために変更される。
いくつかの実施形態では、導電性フィラーは、クリーニングウェハのクリーニング表面ポリマーの組成物に添加してもよい。いくつかの実施形態では、そうすることは、クリーニングウェハチャックに使用されるときにクリーニングウェハの静電ホールドダウン力を向上させる。
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハまたは基板は、通常の処理条件下で、標準の自動化されたウェハ処理装置に実装することができる。特別仕様の機器を利用してもよいが、いくつかの実施形態では、クリーニングプロセスの一態様は、ウェハ製造プロセス中に、カスタマイズされた機器を使用することなくラインのクリーニングの使用を許容する。
【００１６】
前述の背景及び概要は、背景技術の特徴のいくつかを記載しそのすべてを記載していないが、この明細書の様々な実施形態の全ての態様、特徴及び利点ではないがそのいくつかを記載することを理解される。従って、本明細書の実施形態の付加的な態様、特徴及び利点は、この明細書の進行に伴い明らかになるであろう。
【００１７】
出願人の好適な及び他の実施形態は、添付の図面と関連して説明される。
図面を通じて、同一の参照符号及び説明は同じ構成要素を示すが、必ずしも同一な構成要素ではない。本明細書に記載された例示的な実施形態は、図面に例によって示され本明細書中に詳細に記載された様々な変形及び代替形態、特定の実施形態が可能である。しかしながら、当業者は、本明細書中に記載の例示的な実施形態が開示された特定の形態に限定されることを意図していないことを理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、先行技術の集積回路チップの斜視図である。
【図２】図２は、クリーニングウェハの表面から延びる多数の突出ポイント又はピークを有するクリーニングウェハの一実施形態の下側のクリーニング側面の概略斜視図である。
【図３】図３は、丸い突起を有するクリーニングウェハの斜視図である。
【図４】図４は、クリーニングウェハの表面から外側に延びる多数の予め形成された半径方向の隆起を有するチャッククリーニングウェハの実施形態の斜視図である。
【図５】図５は、様々な突出した円形の隆起を有するチャッククリーニングウェハの実施形態の斜視図である。
【図６】図６は、突出した縁部リングを有するチャッククリーニングウェハの実施形態の下側の斜視図である。
【図７】図７は、様々な円形の粘着領域を有する例示的な平らなクリーニングウェハの実施形態の斜視図である。
【図８】図８は、ウェハトレイからクリーニングウェハを取り出すウェハ処理アームの斜視図である。
【図９】図９は、真空の空洞とポートを持つ銅のエンドエフェクタの平面図である。
【図１０】図１０は、真空の空洞とポートを持つステンレス鋼のエンドエフェクタの平面図である。
【図１１】図１１は、多数の真空の空洞とポートを持つ青双極子のアームエンドエフェクタの平面図である。
【図１２】図１２は、ウェハ整合のためのステンレス鋼の回転チャックの平面図である。
【図１３】図１３は、ウェハ整合のためのテフロン（登録商標）の回転チャックの平面図である。
【図１５】図１５は、ピン／突起パターンを示す石英ピンチャックの斜視図である。
【図１６】図１６は、クリーニングウェハによってウェハ処理アームから取り除かれる破片の斜視図である。
【図１７】図１７は、ウェハステージに装填され、表面と接し、粒子物質を除去し、ステージから解放するクリーニングウェハの斜視図である。
【図１８】図１８は、ピンチャックのステージ上の突起及びマイクロ突起の周りに適合する従順クリーニングポリマーの斜視図である。
【図１９】図１９は、ピンチャック表面上のピンアレイ、ピン上の破片のより高い倍率、チャッククリーニングウェハでクリーニングのピンのより高い倍率、及び、クリーニングポリマー表面上に捕捉された破片のより高い倍率を示す一連の写真である。
【図２０】図２０は、クリーニングポリマーと平らなウェハステージとの間で圧縮かつ接触を可能にする表面特徴の側面図である。
【図２１】図２１は、自動化された積層チップウェハ製造ツールでクリーニングウェハの使用のための例示的なプロセスステップを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図２を参照すると、ウェハ基板１０は、クリーニングポリマーシート又はクリーニング面１２を（図２において円錐形又は角錐形に示された）別体の突き出た他の表面特徴１４を含むクリーニングポリマーシート１２に取り付けられている。実施形態では、これらの別個の突出する表面特徴１４は、圧縮可能である。ウェハ基板１０は、ディスク形状であり、シリコン又はウェハ処理装置を通じて処理を可能にする他の材料から構成される。特定の実施形態では、幾何学は、例えば、直径が１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ又は４５０ｍｍで厚さが約０．０５５８８乃至０．０８３８２ｃｍ（約０．０２２乃至０．０３３インチ）に寸法づけられたウェハ処理装置と互換性がある。実施形態では、クリーニングポリマーシート１２は、弾性ポリマーで構成され、アクリルゴム、ウレタンゴム、ブタジエンゴム、スチレンゴム、ニトリルゴム、シリコンゴムまたは制御された表面の粘着性又は表面の密着性を有し、材料を移動しない任意の他のポリマーにすることができる。
【００２０】
図２０を参照すると、弾性クリーニングポリマー５０は、真空または静電気力が適用されるまでウェハ処理ハードウェア５１の平面５４とオフセット又は最小の接触を提供する例えば５２の突出表面特徴を形成するウェハベース面又は基板４８上に形成される。クリーニングウェハ４９にあらかじめ決められた力の適用は、クリーニングポリマー５０がウェハ処理ハードウェア５１の表面５４と接触し及び噛み合い接合を可能にする例えば５２のオフセット特徴をつぶすことができる。圧縮力の解放で、突出した圧縮可能な特徴例えば５２の弾力は、それらをそれらの元の形状すなわち非圧縮形状にし、それによって、弾性クリーニングポリマー５０をウェハ処理ハードウェア５１の表面５４から分離する。ク
リーニングポリマー５０の表面の接着性に起因して、望ましくない破片がクリーニングポリマー５０に付着し、従って、ウェハ処理ハードウェア５１の平面５４から除去される。
【００２１】
実施形態では、ウェハクリーニング基板材料５０は、シリコン、アクリル、ポリウレタンまたは約０．１ｐｓｉ乃至１０ｐｓｉの間の表面粘着性を形成された他の弾性ポリマーで作られる。特定の実施形態では、弾性クリーニングポリマー５０は、表面の粘着性を低下させることなく繰り返される処理で耐久性に処理されます。いくつかの実施形態では、クリーニング表面からウェハ処理ハードウェア５１への移動、ウェハステージ、ウェハチャックが生じないように処理され、及び／又は架橋される。しかし、ポリマー以外の材料が基板を提供するのに使用されることを理解されるべきである。
【００２２】
実施形態では、表面粘着性及び弾性クリーニングポリマー５０の材料移動の制御は、処理後の架橋密度のレベルでポリマー段階で達成される。シリコン実施形態では、ポリマー表面の粘着は、付加硬化システムにおける長鎖ガムポリマーに対する白金触媒と多機能架橋樹脂の比によって制御される。また、いくつかの実施形態は、ポリジメチルシロキサンポリマー系の過酸化物硬化剤の添加によってフリーラジカル硬化システムを使用することができる。高いレベルの触媒と架橋性樹脂は、付加硬化システムにおける低い面の粘着性ポリマーを生じる。高いレベルの過酸化物硬化剤は、フリーラジカル硬化システムにおいて低い面の粘着性ポリマーを生じる。低い面の粘着性ポリマーは、ショアＡの８０以上のデュオメーターレベルを示し、高い面の粘着性ポリマーは、ショアＡの３５以下のデュオメーターレベルを示す。各システムの例は，Wacker Silicones Elastosil M  ４６７０及びWacker Silicones Elastosil  R４０１／７０である。所望の表面の粘着性のレベルを
達成し、移動に貢献するかもしれないフリーの低分子量の揮発性物質を除去する後処理が、２５インチの真空下で２００℃乃至３００℃で完了される。６０分間に対する水銀は最低限である。実施形態では、このプロセスは、６０分間に対して１５０℃でのガスクロマトグラフィーのテストに応じてガス発生から材料を減少または排除するのに役立つ。ガスクロマトグラフィーのテストを通じて見られるように低分子量の揮発性物質は、退却され、追加の架橋は、デュロメータと材料の硬さ試験の増加によって見られるポスト処理サイクル中に達成することができる。
特定の実施形態では、充填材は、表面の粘着を調整し、色を変更し、又は破片の収集のための粘着に加えて研磨作用を提供するために弾性クリーニングポリマー５０に追加される。表面粘着性と材料の硬さの制御は、粒子状充填材を添加することによって高分子化合物で達成し、本明細書に記載の方法で使用される。この方法では、充填材のこれらのタイプを有するクリーニングウェハのアプリケーションは、付加研磨剤充填材を含む弾性クリーニングポリマー５０とウェハ処理装置の表面との間の典型的な接触を通じて研磨クリーニングを行うことができる。少なくとも一つの実施形態では、充填材は、全化合物の重量の７０％の負荷で０．５ミクロンの平均粒子サイズを有する酸化アルミニウムです。粒径は０．２５ミクロンから２５ミクロンの範囲であり、重量％の負荷では、全化合物の重量の５％から９０％まで変更できる。選択されたフィラーの粒子は、最低６のモーススケールで硬度の数値が必要である。一部の実施形態では、フィラーの粒子の添加は、負荷レベルが増加するにつれて３５以下から８０以上までの化合物の硬度をショアＡ硬度の影響を与える。
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハ４９の静電的機能は、例えば、当該技術分野で周知の方法でクリーニングポリマー５０の物質内に散在する金属組成物または化合物である静電フィラーで強化されている。この静電フィラーは、その後、ウェハの製造と静電力のシステムを使用するウェハ処理装置において関連付けられている構造体と所望なように接触される。
図１８を参照すると、少なくとも一つの実施形態では、クリーニングポリマーシート３８の厚さは、好ましくは約０．０２５４ｃｍ乃至０．２５４ｃｍ（約０．００１０インチ乃至０．０１０インチ）である。いくつかの実施形態では、クリーニングポリマーシート３
８の厚さは、材料が例えば４４の突起物及びマイクロ突起物の周りで変形するのを許容するのに十分であり、例えば４０のピンの周囲に蓄積された例えば４２の収集突起物は面と接する。３．０ｐｓｉ以上などの高い面粘着性レベルを示し、ショアＡ５０以下のデュロメーターレベルでより容易に変形する典型的な高分子化合物は、大型のピンとピンの間に大きなピッチを有するウェハチャックのピン配列に使用される。３．０ｐｓｉ以下などの低い面粘着性レベルを示し５０以上のデュロメータとして少ない準拠である典型的な高分子化合物は、小さなピンとピン間の小さなピッチを有し、従って表面積に対して高ピンカウントを有するウェハチャックのピン配列に使用される。
図２を参照すると、特定の実施形態では、別個の例えば１４の突出面の特徴は、約０．２０３２ｃｍ（約０．０８０インチ）の高さまで形成され、ウェハ基板１０に配向され、（ｉ）ウェハ処理ハードウェア（図２において示されていない）の特定の領域及び真空ポートなどの平らなステージ（図２において示されていない）と接触又は避ける、あるいは、（ｉｉ）ピンチャック表面の突起物（図２において示されていない）を避ける。少なくとも一つの実施形態では、突出する別個の表面特徴例えば１４は、０．０５０８ｃｍ（０．０２０インチ）の高さであり、クリーニング材料の表面の中又は表面上に圧縮成型される。その成型は、所望の特徴パターンとジオメトリの形状を有するキャビティ（図２に示されていない）と圧縮プレート（図２に示されていない）で行われる。圧縮プレートのプレスは、その特徴を形成するために、通常、平方インチ圧力あたり１乃至５ポンド以下で３０分間で１５０℃で保持される。
いくつかの実施形態では、シリコンやアクリル系粘着剤（図２に示されていない）などの接着層は、クリーニングポリマーシート１２をウェハ基板１０として使用されるベアシリコンウェハに結合する。いくつかの実施形態において、クリーニングポリマーシート１２は、任意の除外エリアなしで完全にカバーするためのウェハ又はウェハのような基板面１０にわたって拡張する。特定の実施形態では、必要に応じて、ウェハビード又は突出物例えば１４を露出するためにエッジ除外（図２には示されていない）が組み込まれる。エッジ除外は、クリーニングポリマーシート１２の１乃至２ミリメートルのレーザー除去によって形成される。
図５に関し、ウェハ基板１０は、リング状の突起の表面の特徴、例えば１６を含むクリーニングポリマーシートでクリーニングポリマーシート１２に固定される。リング状の突起特徴、例えば１６は、ウェハのベース面から約０．２０３２ｃｍ（約０．０８０インチ）高く形成され、ウェハ処理ハードウェアの特定の領域及び例えば真空ポート、ピン茶空表面の突起物などの平らなステージ（図５に示されていない）とクリーニングポリマーシートが接触するのを防止又は低減するためにウェハ処理ハードウェア上の特徴と接触するためにウェハ基板１０上に配向される。
図７を参照すると、ウェハ基板１０は、異なる表面粘着１８の別個の領域でクリーニングポリマーシート１２に固定される。異なる表面粘着１８の別個の領域の厚さは、クリーニングポリマー領域１２と実質的に同じである。異なる表面粘着１８の別個の領域又はバリアント粘着領域１８の粘着レベルは、材料が真空のリング（図７に示されていない）などの特定のウェハ処理装置から解放するのを可能にするのに十分である。バリアントの粘着領域１８が様々な形状でウェハ基板１０に配向され、例えば真空ポート又はリング（同一）などのウェハ処理装置（ここには図示せず）の特定の領域と接触あるいは避ける。
例えば、図２０を参照して、いくつかの実施形態では、ウェハ基板４８、ポリマークリーニング面５０、及び圧縮性オフセット面特徴、たとえば、５２を備えるクリーニングウェハ４９は、（ｉ）（真空ポート又はリング（図２０には図示せず）などの）ウェハ処理装置５１の対向面５４の敏感な特徴と接するクリーニングウェハ表面５０上に非表面粘着例えば５３のセクション、及び（ｉｉ）ポリマークリーニング表面５０上のポジティブ粘着例えば５５の領域を有する。
図７を参照すると、クリーニングポリマー表面１２の変形粘着領域１８は、隣接するクリーニングポリマー層１８と同様な厚さを有する剛性粘着フリー樹脂層１３の配置によって形成される。剛性粘着フリー樹脂層１３は、フィルム１３とクリーニングポリマー層１８
との間に接着層（図７に示されていない）でシリコンウェハに結合される。いくつかの実施形態では、接着剤は、シリコンまたはアクリル系粘着剤である。また、いくつかの実施形態では剛性粘着フリーフィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）で構成されている。
いくつかの実施形態では、接着剤層（図７に示されていない）は、シリコンまたはアクリル系粘着剤で構成されている。接着剤層（図示せず）の厚さは約０．０２５４ｃｍ乃至０．２５４ｃｍ（約０．００１０インチ乃至０．０１０インチ）であり、いくつかの実施形態では０．００７６２ｃｍ（０．００３インチ）の厚さを有する。接着剤は、ＰＳＴＣ１０１試験方法によってリニア型インチワイドあたり１．５乃至２．５ポンドの接着レベルを有する。いくつかの実施形態では、接着剤は感圧であるが、接着剤は、ヒートシール、シール材などの非粘着性の接着剤、あるいは、シリコン、アクリル、ポリウレタン、シアノアクリエート又は他の適当な材料で構成された熱硬化性接着剤にすることができる。
クリーニングポリマーシート１２は、任意の除外エリアなしで完全なカバレッジのためのウェハやウェハ状の基板表面１０を横切って延びる。必要に応じて、クリーニングウェハ基板は、ウェハビード（図７に示されていない）を露呈するためにエッジ除外又はリップセクション（図７には示されていない）を有する。
図８を参照すると、いくつかの実施形態では、一つ以上のチャッククリーニングウェハ例えば２２は、一つ以上のクリーニングウェハ例えば２２を含むことが可能なウェハキャリア又はウェハトレイ２４からウェハ処理アーム２０によって処理され、ウェハ処理アーム２０に装填され、及び非装填される。ウェハ処理アーム２０は、ウェハ処理ツール（図８に示さず）の部分である。このウェハ処理ツールは、ステッパやスキャナなどのフォトリソグラフィツールであってもよい。また、このツールは、化学蒸着ツール（ＣＶＤ）やプラズマ蒸着ツール（ＰＶＤ）にすることができる。この種のツールは、アプライドマテリアルズ、ＡＳＭＬ、キャノン、ニコンなどの会社によって供給されている。
図８に関して続けると、ウェハ処理アーム２０のエンドエフェクタ２１（図９に関しては６０、図１０に関しては７０、図１１に関しては８０、図１２に関しては９０、図１３に関しては１００）は、典型的に、クリーニングウェハ２２と接するウェハ移動アーム２０の端部にあるデバイスであり、いくつかの実施形態では、ウェハ２２が典型的にウェハ移動アーム２０によって持ち上げられ移動されるときに真空力でそれを固定する。いくつかの実施形態では、ウェハ処理ツール（図８に示さず）は、クリーニングウェハ２２とウェハ処理アーム２０のエンドエフェクタとの間の真空シールの強度を測定する真空計（図８に示さず）を有する。真空シールがウェハ処理アーム２４にクリーニングウェハ２２をしっかりと保持するのに十分でない場合、チャッククリーニングウェハ２２は移動されない。
いくつかの実施形態において、ウェハ処理アーム２４によってウェハ処理装置を通じて移動されるときに、クリーニングウェハ２２は、ウェハ処理ステージ（図８に示さず）の表面上に配置され、ウェハ処理ステージの引っ込み可能なエジェクタピン（図８に示さず）で洗浄されて配置される。いくつかの実施形態では、ウェハステージに取り付けられたエジェクタピンは、真空力を使用してチャッククリーニングウェハ２２を所定の位置に保持し配置する。そして、ウェハ処理装置は、チップウェハと同じようにクリーニングウェハ２２を処理する。すなわち、ウェハステージのエジャクタピンは、引っ込み、クリーニングされるためにウェハ処理装置の表面上にクリーニングウェハ２２を配置し、クリーニングウェハ２２は、例えば、真空力、静電力、又は機械的な力によって駆り立てられたウェハ処理装置と接するように駆り立てられ、それから、クリーニングウェハ２２は、その力によって解放され、ウェハ処理コンポーネント表面（図８に示さず）と接するように駆り立てられ、ウェハステージのエジェクタピンは、伸びて、ウェハ処理アーム２４のエンドエフェクタ２１がクリーニングウェハ２２に再度取り付ける場所までクリーニングウェハ２２を運んで戻し、ウェハ処理アーム２４は、ウェハ処理コンポーネントからクリーニングウェハ２２を再度動かしていくつかの実施形態ではウェハキャリア又はウェハトレイ２４までそれを戻す。
【００２３】
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハ又は複数のクリーニングウェハ２２は、ウェハ処理アーム２０によってウェハキャリア又はウェハトレイ２４から自動的に取り除かれ、通常の条件下でツールのプロセスを経て循環される。クリーニングウェハ２２は、処理プロセス全体で通常下方に向いたクリーニングメディアで循環され、クリーニングポリマーシート１２（図８に示さず）は、処理アーム２０の平面と接し、それによって、処理アーム面から粗い異物粒子状物質を除去する。ハンドアーム２０によるクリーニングウェハ２２の処理は、別個の表面特徴１４として図２に示され、リング形状表面特徴１６として図５に示された図５に示されたクリーニングポリマー表面１２の特徴によって促進され、それは、クリーニング表面１２を処理装置の表面からオフセットに保持する。図７は、ウェハ処理アーム２０から解放を促進することによってクリーニングウェハ２２の処理を許容する例の異なる粘着領域１８を示す。
【００２４】
チャッククリーニングウェハ２２は典型的に表面粘着性特性を示し、ウェハチャック（図８に示さず）を洗浄するので、クリーニングウェハ２２の粘着クリーニング表面（図７に示すように１２）は、エンドエフェクタ２１の表面の平面に付着し、次のステーションでクリーニングウェハ２２の解放と干渉する。クリーニングウェハ２２の別個の表面特徴（図２に示されるように１４）は、クリーニングウェハ２２とエンドエフェクタ２１との間の表面接触を減少又は最小にするように予め決められ、例えば、ウェハ処理アーム２０がウェハチャック（図８に示さず）からの破片を適切に除去するために必要な表面粘着性を維持しながらクリーニングウェハ２２がエンドエフェクタ２１及びウェハ処理機構の他のコンポーネントから解放するのを許容する。いくつかの実施形態では、クリーニングウェハ２２の表面特徴は、真空シールが発生しながらエンドエフェクタ２１の平面及び回転リング（図８に示さず）との接触を減少する又は最小限にするようにせっけいされることができる。適当な真空シールがないと、ウェハ処理ツール（図８に示さず）のいくつかの実施形態は、真空エラーを報告し、クリーニングをもたらすために望まれたようにクリーニングウェハ２２を処理しないでオリジナルのロードと例２４にクリーニングウェハ２２を戻す。全ての真空が引っ張られると、フルコンタクトが通常、少なくともツールを清掃し反動を提供するのに十分に配置する。
いくつかの実施形態では、（例えば図９乃至図１３に示され、上記段落で引用された）エンドエフェクタは、幾分交換可能であり、その設計は、通常、ツールから異なるツールに変わる。チャッククリーニングウェハ２２上の別個の特徴パターンのあらかじめ決められたデザインは、エンドエフェクタ２１の形状と操作に基づいており、例えば、回転リング（図８に示さず）である。このように、いくつかの実施形態でクリーニングウェハ２２は、クリーニングウェハでクリーニングされる特定のウェハ処理ツールのコンポーネントの特定の形状と操作に適合するようにカスタマイズすることができる。
いくつかの実施形態では、図９を参照すると、青銅エンドエフェクタ６０は、輸送中クリーニングウェハ（図９に示さないが図８において２２で示す）を固定するために、真空チューブ６６に接続され、真空チューブ６６を通じて真空引きされる。クリーニングウェハは、一般的に、平面領域６８のエンドエフェクタ６０と接する。
図１０を参照すると、他の実施形態では、ステンレスエンドエフェクタ７０がクリーニングウェハ（図１２に示さず）の中心と接するチップ７２、真空チューブ７６に接続された真空ポート７４及びクリーニングウェハによって接続された平らな領域７８を有する。各エンドエフェクタ例えば７０の形状は、クリーニングウェハのクリーニング及び解放を促進するためにクリーニングウェハ表面特徴の配置を画定し、エンドエフェクタ例えば７０の材料組成は、クリーニングウェハの粘着性の表面クリーニング材料の密着性に影響を与える。エンドエフェクタ例えば７０、回転チャック（図１２に示さず）及びメインチャック（図１２に示さず）の金属、プラスチック、またはセラミック部品の接着のレベルは、クリーニングウェハの設計時に対応することができる。
図１１に関し、他の実施形態では、エンドエフェクタ８０は、クリーニングウェハ（図１
３において示さず）の中心と接するのに役立つチップ８２を有する。このエンドエフェクタ８０は、必要に応じてエンドエフェクタ８０の輸送及びクリーニング中にクリーニングウェハを固定することができる５つの真空ポート８４を有する。
図１２に関し、他の実施形態では、ステンレス鋼の回転エンドエフェクタ９０は、チップ製造装置（図１４に示さず）内で処理中にクリーニングウェハを回転し整合する回転アームを有する。回転エンドエフェクタ９０は、真空ポート９４を有する二つの接触リング９２を含み、動作中にクリーニングウェハ（図１２に示さず）を固定する。回転エンドエフェクタ９０は、クリーニングウェハの中心と接し、真空は、エンドエフェクタ９０の位置にクリーニングウェハを固定する。
図１３に関し、ポリテトラフルオロエチレンまたはテフロンの回転アームエンドエフェクタ１００の別の実施形態は、図１２のステンレス鋼回転エンドエフェクタ９０と形状が同様である。この回転アームエンドエフェクタ１００は、その回転ディスク１０２に二つの真空ポート１０４を含む。
これらの例から、各チャッククリーニングウェハの形状及び表面特徴パターンは、各異なるタイプのエンドエフェクタ及び各ウェハ処理ツールの表面形状及び材料組成のために注文設計されることができることは明らかである。
図１４に関し、平らな静電チャック１１０の一実施形態は、真空ポート（図１４に示さず）を含む同心円状の真空リング１１２、エジェクタピン穴１１４、及び平らなウェハ接触面１１６を有する。クリーニングウェハ（図１４に示さず）は、静電気力によってチャック１１０の適所に保持され、その力を取り除いた後、クリーニングウェハの圧縮オフセット表面特徴（図２、１４、および図２０、５２を参照）は、圧縮から保存されている弾性力を通じた解放を容易にする。これらの圧縮オフセット表面特徴は、このケースでは真空リング１１２との接触を避けるように配置される。クリーニングウェハクリーニング表面特徴（図１４に示さず）は、各ウェハ処理ツール、エンドエフェクタ、回転チャック及びメインピン又は静電チャック例えば１１０の考慮、及び各これらのコンポーネント形状及び材料組成の考慮に対して注文設計されなければならないことは明らかである。
図１５に関し、石英である材料組成であるピンチャック１２０の実施形態は、真空ポート例えば１２４、ボルト穴例えば１２６及びエジェクタピン１２８を有するクリーニングウェハ（図１５に示さず）と接する表面に突出ピン又は突起部例えば１２２を含む。クリーニングウェハの粘着性表面は、ピン及び突起例えば１２２と接し、真空によって接触が保持される。真空の解放時は、ピンの突起は、クリーニングウェハ表面に結合され、クリーニングウェハで除去される。多くの実施形態と同様に、クリーニングウェハ上の突出面特徴は、ピン及び突起例えば１２２との接触を避けるように配置され、従って、クリーニングウェハをピンチャック１２０に押しやる真空又は静電気力によってもたらされた接触でクリーニングウェハ表面がピンアレイと接してクリーニングするのを許容する。
図１６に関し、少なくとも一つの実施形態において、ウェハ処理アーム２０は、ウェハ処理アーム２０の平面２４と面するそのクリーニングポリマー側面（図１６に示さず）に配置されている。処理アーム２０の平面２４上に外部粒子状物質２５があるとき、クリーニングウェハ２２は、プロセスステージに移送するためにウェハ処理アーム２０によって取り上げられ、移送中、クリーニングウェハ２２は処理アーム２０の表面と接し、それから外部粒子状物質２５は、クリーニングポリマー表面２２に付着する。次のプロセスステージのために処理アーム２０からクリーニングウェハ２２を解放するときに、外部粒子状物質２５は、クリーニングウェハ表面２２に収集され、処理アーム２０から離れて運ばれる。
図１７に関し、いくつかの実施形態では、クリーニングポリマー側面３０を有するクリーニングウェハ２８は、ウェハステージ２６に配置される。約１６乃至２４インチの水銀での真空力などの力を印加するとクリーニングウェハ２８のクリーニング表面３０は、ウェハステージ２６の表面と接する。ウェハステージ２６の表面上に外部粒子状物質例えば３２が存在する場合、ウェハステージ２６にクリーニングウェハ２８を保持する力の解放時に外部粒子状物質３２は、クリーニングウェハ２８のクリーニング表面３０に付着し、そ
れによって、ウェハステージ２６から除去される。
更なる詳細では、図１７を参照すると、クリーニングウェハ３０のクリーニングポリマー側面３０は、真空力又は静電力がかけられるまでクリーニングウェハ２８のクリーニング表面とウェハステージ２６の表面との間の接触を阻止するために設計された突出圧縮性オフセット特徴（図２、１４、２０、５２参照）を有する。ひとたびその力が、クリーニングウェハ３０のクリーニングポリマー側面３０上の圧縮性オフセット特徴をつぶすと、粘着性ポリマー表面又はクリーニングポリマー側面３０は、ウェハステージ２６と接触して外部粒子状物質例えば３２を取り除く。ピン又は突起チャックの場合では、圧縮性オフセット特徴は、ピン領域の外側の位置に又はピン及び突起（図１８、４４、４６）のピッチ内の特定の位置で配置され、クリーニングポリマー３０の粘着性クリーニング表面は、破片を取り除くためにピンチップで接する。滑らかなポリマー３０は、突起及びマイクロ突起（図１８，４４，４６参照）の周りを変形するために十分に従順し、ピン接触表面の周辺に蓄積された破片を収集する。真空ポート、溝又は真空ニップル（図１７に示さず）を有するチャックの場合では、クリーニングポリマー側面３０のクリーニングウェハ２８の圧縮性オフセット特徴の位置は、真空特徴内部から破片の収集を容易にするために配置される。
図１８に関し、いくつかの実施形態では、クリーニングウェハ（図２０に示さず）は、ウェハピンステージ４１のピン例えば４０の周りに適合することができる従順クリーニングポリマー３８で構成される。従順クリーニングポリマー３８は、ウェハステージピン４０からの収集及び除去のためにウェハステージピン例えば４０上の外部粒子状物質例えば４２と接する。従順クリーニングポリマー３８は、ウェハピンステージピン例えば４１上のマイクロ突起例えば４４に適合し、ウェハステージ４１からの収集及び除去のために外部粒子状物質例えば４６と接する。
特定の実施形態では、図１８に関し、従順クリーニングウェハのクリーニングポリマー３８は、真空力の適用でウェハピンステージのピン４０の周りに適合する。いくつかの実施形態では、ポリマー３８は、突起又はピン４０及びマイクロ突起例えば４４を囲んで変形するのに十分に従順し、ピン接触表面例えば４４の外縁の周りに蓄積された破片を収集する。ピン例えば４０の外側に配置されたクリーニングウェハ（図１８に示さず）の突出圧縮性オフセット特徴（図１８に示さず）は、ピン表面例えば４０と接するためにクリーニングウェハポリマー３８の比較的に滑らかな領域を可能にする。突出圧縮性オフセット特徴（図１８に示さず）は、真空ポート、溝又は真空ニップル（図１８に示さず）の位置と適合するように配置され、真空特徴（図１８に示さず）内部からの破片収集を容易にする。
図１９に関し、少なくとも一つの実施形態では、クリーニングされるウェハ処理装置は、ピンアレイ例えばセクション８．Ａ.１であるその表面に石英ピンチャックを含む。フォ
トリソグラフィ製造工程及びクリーニングウェハ（図１９に示さず）でクリーニングする前に、破片は、ピンチャック表面上のピンの周りに蓄積し、例えば、セクション８．Ａ.
２の高倍率で見える。破片は、通常、シリコンプロセスのウェハ（図１９に示されていない）によってチャックピンに移送され、チャックピンに残存する。クリーニングウェハポリマー例えばセクション８．Ａ.４と接触後すぐに、粗い破片は、ピンチップ及び周囲例
えばセクション８．Ａ.３から除去され、ピンから取り除かれた残余破片は、クリーニン
グポリマーの表面例えばセクション８．Ａ.４に存在する。この実施形態及び他の実施形
態では、クリーニングポリマー例えばセクション８．Ａ.４は、ピンと接触せず、ピンチ
ップ及びやや側面の下方の周りに適合するのに十分に従順し、クリーニングポリマーは、チャックピンから粗い破片に結合しかつ粗い破片を除去するのに十分な粘着性である。
図２０を参照すると、いくつかの実施形態では、ウェハのような基板４８上にクリーニングポリマー表面５０を有するクリーニングウェハ４９は、クリーニングポリマー表面５０とウェハステージ表面５４との間にオフセット及び制限接触を提供する、クリーニングポリマー５０上の突出圧縮性表面特徴例えば５２を有する。突出圧縮性特徴例えば５２を形成するためにクリーニングウェハ表面５０に形成された弾性ポリマーは、真空力又は静電
力がかけられるまでウェハステージ５４の平面にオフセット又は最小限の接触を提供する。ひとたびその真空力が圧縮性オフセット特徴例えば５２をつぶすと、粘着性ポリマー表面５０は、ウェハステージ５１の表面５４と接し、外部粒子例えば５６を削除する。圧縮力の解放で、オフセット特徴例えば５２は、跳ね返り、ウェハステージ５１からの解放を容易にして外部粒子状物質５６はクリーニングポリマー５０に付着し、ウェハステージ５１から取り除かれる。
高分子クリーニング材５０は、外部粒子の収集のため及びステージ形状に応じてステージ表面５４からのクリーニング材の解放を可能にする標準的なＡＳＴＭベースの方法を使用して０．０１乃至１０ｐｓｉの測定可能な表面の粘着性を有する。また、表面特徴例えば５２は、チャック又はステージ形状に依存する。いくつかの実施形態では、破片収集のために接触を可能にするためにウェハステージ５４などのウェハステージ上につぶれる特徴は、通常、６ｐｓｉ以下の真空力で行う。クリーニング材５０の表面粘着は、通常、クリーニングウェハ４９が各エジェクタピンの４．５ｐｓｉ圧力以下で（通常約３．０ｐｓｉ圧力で）ウェハステージ５１から解放するのに十分に低い。少なくとも一つの使用方法では、真空は、５ないし１５秒などの最小限の時間で保持され、それは、破片を収集するが解放を容易にするためにウェハステージ５１のクリーニング表面５０の完全接触を可能にする。
クリーニングウェハほとんどのツールで自動的に装填されかつ循環されるが、ＡＳＭＬＰＡＳ５５００ステッパーなどの主なチャックへのアクセスを有するツールで手動的に装填される。また、クリーニングウェハは、破片の蓄積を制御するために第１の予めきれいなチャンバで処理することによって、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｅｎｄｕｒａ
ＨＰなどのプラズマ蒸着ツールに手動的に装填されることができる。ピンチャックの真空のサイクル時間を減少することは、クリーニングポリマーの解放を容易にし、５乃至１５秒までサイクル時間を減少し、１５０Ｖ又はそれ以下まで印加電圧を減らすことによって、それが静電チャックに達成されるクリーニング効果を保持する。
図２及び図８の図と関連して図２１のフローチャートを参照すると、実装方法の一実施形態では、クリーニングウェハ１０は、輸送中及び前クリーニング処理中の汚染から保護するために固定的に包まれる。ステップ２００で、クリーニングウェハの第１使用時に保護表面ライナーが取り外され、破棄される。ステップ２０２で、ウェハ基板１０が手動的に装填され又は自動的な方法で装填される。ステップ２０４及び２０６で、単一のクリーニングウェハ２２又は多数のウェハ２２がウェハキャリヤ２４、ウェハトレイ又は所望のウェハ処理ツールの他のウェハ装填デバイスのクリーニング材料の側面の下（又はウェハの側面の上）に配置される。ステップ２０２で、単一のクリーニングウェハ２２又複数のクリーニングウェハ２２は、ウェハキャリヤ２４又はウェハトレイから自動的に取り除かれ、通常の条件下でツールのプロセスを経て循環される。クリーニングウェハは、クリーニング表面１２が処理プロセス全体で下方に面した状態で循環される。ツール内で、標準的な処理は、ウェハの突出表面特徴例えば１４によって促進され、それは、クリーニング表面１２を処理装置の表面からオフセットに保つ。ステップ２０８で、ウェハキャリヤ２４は、自動化されたウェハ処理ツールのロードポートに取り付けられる。
ステップ２１０で、ウェハ基板１０は、例えば、処理ハードウェア、エンドエフェクタ、又はウェハ処理ロボットアーム２０で移動され、それから非装填される。
ステップ２１２で、破片２５は、処理ハードウェアの平らな接触領域の真空を介して除去される。ステップ２１４で、ウェハ１０は、ウェハステージ２６に配置され、ウェハチャックは、真空又は静電荷を適用する。ステップ２１６で、ウェハは、ウェハ状態２６又はウェハチャックから解放される。ステップ２１２と同様に、ステップ２１８で、破片２５は、処理ハードウェアの平面領域の真空によって取り除かれる。ステップ２２０で、ウェハ基板１０は、手動的に装填され又は自動的な方法で装填される。
ステップ２２２で、ウェハ１０は、処理ツールのロードポートに取り付けられたウェハキャリヤ２４に戻される。代替的に、ステップ２２４で、ウェハ１０は、単一のウェハトレイに戻される。ステップ２２６で、ウェハ表面は検査される。
従って、図２１において例によって示されたいくつかの実施形態では、クリーニングメディア１２が自動化されたウェハ処理ツール内の各ウェハチャック又はウェハステージの表面に配置され、平らなステージの真空アシストを通じてあるいは特定の滞留時間に対してピンチャックの突起上に載置することによって、ほぼ完全又は完全な面接触をつくり、外部粒子物質２５を収集して、ウェハキャリヤトレイ２４に戻って循環され、その後、非充填される。
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハを作る方法は、ウェハ処理コンポーネント及びクリーニングウェハの対象となる特定の機器のチャックの形状に関する詳細を提供するウェハハンドリング機器メーカーから始まる。メーカーの仕様に基づいて、いくつかの潜在的なデザインが準備され、プロトタイプのクリーニングウェハが生産される。これらのプロトタイプのクリーニングウェハは、低レベルの粘着性を有し、例えば、特定のアプリケーションやツールのための粘着の所望の範囲は１乃至１０のスケールでレベル３を有する。これらのプロトタイプのクリーニングウェハは、各デザインおよび幾何学的形状が蓄積された外部粒子の成功したスループット及び量の濃度に対してテストされて、実際のマシンを介して実行される。
初期テストの結果に基づき、デザインが変更され、新しいプロトタイプのクリーニングウェハが製造される。これらの新しい、変更されたプロトタイプのクリーニングウェハは、粘着性の増加的な高いレベルでテストされ、それが含む粘着の最も高いレベル及び許容範囲の濃度に関する機能が何であるかを各デザインに対して画定する。テストでベストを行うクリーニングウェハは、その特定のウェハ処理装置のクリーニングウェハであることが指定される。
他の実施形態では、クリーニングウェハは、クリーニングウェハの両面に配置された二つのポリマークリーニング面で構成される。いくつかの実施形態では、両面のクリーニングウェハは、ウェハ結合装置で使用するために設計されている。ウェハ結合は、二つ以上の整合された基板を接合して集積回路を作成する。
基板は、以下の技術である融着、陽極接合、共晶接合、半田接合、ガラスフリット接合、接着接合を使用して接合又は結合されることができる。一時的なウェハ結合は、支持のためのキャリヤに配置された薄いウェハ上に実行される。このプロセスは、三次元集積回路を製造するために主に使用される。ＳＵＳＳ  ＭｉｃｒｏＴｅｃは、これらの結合技術を支持する装置を作成する。両面クリーニングウェハは、ウェハの各面に対して上記技術を使用して製造される。これは、機器を介してウェハを循環させることによって結合装置の部品をきれいにするために両側に所定の表面特徴を有するクリーニングウェハを得ることができる。また、両面クリーニングウェハは、クリーニングウェハの一方側に少なくとも一つ有し他方側に他の一つを有する二つのクリーニング面を有することが二つ以上のコンポーネントをクリーニングするのに有利であるときなどの他の状況でウェハ処理装置をクリーニングするのに利用されることができる。また、クリーニングウェハは、このような予め決められた特徴を有する他の側面を同様に含むことができ、ウェハ処理装置の他のコンポーネントをクリーニングする。
他の実施形態では、クリーニングウェハは、レティクル、マスクフレーム、マスクローディング装置、およびマスクの表面のようなフォトリソグラフィツールの領域から破片を除去するように設計することができる。レティクルまたはマスクは、例えばステッパまたはスキャナのウェハの表面に投影される特定の回路パターンの画像が含まれる。ツールを使用してウェハプロセスで説明した方法と同様の方法で、破片は、マスク、マスクを保持するフレーム、およびマスクの表面上をロードおよびアンロードするために使用する処理装置のマスク領域に沿って蓄積することができる。表面の特徴を含む同じ製品の属性と同様のクリーニングの材料は、ツールのこの領域から破片を除去するために使用されることができる。この場合の材料は、石英ブロックなどの代理マスクに取り付けられツールによってクリーニング材料を移送し、それが、蓄積された破片を取り除くために処理面と接するのを可能にする。また、破片が存在してマスクが正しく装着できず不フォーカスの問題が生じる場合は、ここでマスクを保持するフレームとの接触を可能にする。また、クリーニ
ング材料は、フォトリソグラフィ工程でマスクをインストールする前に、破片を除去するためにマスクの表面のオフラインと接する。この手順は、特にマスクの寿命を減らす溶剤または手動スクラブまたは摩耗を適用する技術と比較して、非破壊クリーニングを提供することができる。
上述の実施形態は多くの利点を提供することがわかる。それらはいくつかの実施形態：
・少ない又は一定のツールのダウンタイムを有するより効果的なウェハステージクリーニング、
・改善されより効果的なウェハ処理クリーニング、
・より経済的なウェハ処理装置クリーニング、
・より生産的なウェハ処理装置クリーニング、及び
・クリーニングプロセス中ウェハ処理ハードウェア、ウェハステージ及びウェハチャックの少ない破損、
に含まれる。
上述の明細書は、当業者が出願人のベスト及び他のモードであると考えられることを作り使用することができるが、当業者は、この明細書に記載された変形、組み合わせ、および特定の実施形態の等価物、方法及び例の存在を理解し認識されるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2015148818.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年4月2日(2015.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ製造装置に取り付け可能なクリーニングウェハであって、
第１側面を有する弾性クリーニングパッドを備え、 
第１側面は、第２クリーニング側面と反対側にあり、
第２クリーニング側面は、非平面であり、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分と第２の予め形成されたクリーニング側部分とを含み、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分は、第２の予め形成されたクリーニング側部分よりも厚さが大きく、
少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分は、圧縮されたときに、半導体ウェハ製造装置の一部分との接触から離れる方向に少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分を付勢する予め決められた第１の圧縮可能な非粘着性の突出部を含む、クリーニングウェハ。
【請求項２】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニングウェハは、一つ以上の付加的な予め形成されたクリーニング側部分を有し、一つ以上の付加的な予め形成されたクリーニング側部分は、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分及び第２の予め形成されたクリーニング側部分の中で一つ又はそれ以上と軸方向の厚さが異なる、クリーニングウェハ。
【請求項３】
チップウェハ製造中予め決められた表面をクリーニングする請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側面の形状は、クリーニングされる予め決められた表面の形状と一致するように予め決められている、クリーニングウェハ。
【請求項４】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
第１クリーニング側部分は、接着自由部分を含み、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項５】
請求項４記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分とは異なる第２接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項６】
請求項５記載のクリーニングウェハにおいて、
第１接着部分は、第２接着部分とは異なる接着強度を有する、クリーニングウェハ。
【請求項７】
請求項２記載のクリーニングウェハにおいて、
第１クリーニング側部分は、接着自由部分を含み、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項８】
請求項７記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分とは異なる第２接着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項９】
請求項８記載のクリーニングウェハにおいて、
第１接着部分は、第２接着部分とは異なる接着強度を有する、クリーニングウェハ。
【請求項１０】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、一つ以上の圧縮性突起部を備える、クリーニングウェハ。
【請求項１１】
請求項１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、複数の予め決められた異なる粘着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項１２】
請求項１１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、複数の予め決められた異なる粘着部分を含む、クリーニングウェハ。
【請求項１３】
クリーニングウェハのクリーニング側面上に複数の異なる予め決められた表面特徴を有するクリーニングウェハで集積回路製造装置をクリーニングする方法であって、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、圧縮されたときに、半導体ウェハ製造装置の一部分との接触から離れる方向にクリーニング側面を付勢する予め決められた第１の圧縮可能な非粘着性の突出部を含み、
前記方法は、
Ａ．クリーニングされる集積回路製造装置の一部分と結合する複数の異なる予め決められた表面特徴を有するクリーニングウェハパッドを確認するステップと、
Ｂ．クリーニングされる集積回路製造装置の結合部分に関して集積回路製造装置にクリーニングウェハを取り付けるステップと、
Ｃ．集積回路製造装置の結合部分に対してクリーニングウェハを押しつけると共に集積回路製造装置に対して第１の圧縮可能な非粘着性の突出部を圧縮する力を適用するステップと、
Ｄ．その力を解放し、集積回路製造装置からクリーニングウェハを取り除くステップとを備える、方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、少なくとも一つの圧縮性突起部分を含み、
前記方法は、ステップＣにおいて、集積回路製造装置の結合部分に対して圧縮性突起部分を圧縮することを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、
前記方法は、ステップＤにおいて、
集積回路製造装置の結合部分から少なくとも部分的に分離するために、圧縮性突起部分にクリーニングウェハを減圧及び圧縮させることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、少なくとも一つの粘着部分を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、複数の粘着部分を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、異なる厚さの複数の部分を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、異なる厚さの複数の部分を含む、方法。
【請求項２０】
圧縮されない集積チップ製造装置のクリーニングウェハを作る方法であって、
Ａ．集積チップ製造装置に複数の異なる部分についての情報を収容するステップと、
Ｂ．複数の異なる部分を有する少なくとも一つのクリーニング側面を有するクリーニングウェハを（ｉ）第１の部分が集積チップ製造装置の異なる部分の中で第１部分に対応し、（ｉｉ）第２の部分が集積チップ製造装置の異なる部分の中で第２部分に対応させて準備するステップと、を備え、
第１の部分は、圧縮されない集積チップ製造装置のクリーニングウェハの少なくとも一つのクリーニング側面から外方に延在すると共に圧縮されたときに半導体ウェハ製造装置の一部分との接触から離れる方向にクリーニング側面を付勢する予め決められた第１の圧縮可能な非粘着性の突出部を含む、方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第１部分は、クリーニングウェハの第２部分よりも異なる厚さの圧縮部分である、方法。
【請求項２２】
請求項２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、粘着材料を含む、方法。
【請求項２３】
請求項２１記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、粘着材料を含む、方法。
【請求項２４】
請求項２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、複数の異なる粘着領域を含む、方法。
方法。
【請求項２５】
請求項２１記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、複数の異なる粘着領域を含む、方法。
方法。
【請求項２６】
請求項２０記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
【請求項２７】
請求項２１記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
【請求項２８】
請求項２３記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
【請求項２９】
請求項２１記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、エンドエフェクタを含む、方法。
【請求項３０】
請求項２３記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、エンドエフェクタを含む、方法。
【請求項３１】
集積チップ製造装置のクリーニングシステムは、
Ａ．複数の異なる装置部分を有する集積チップ製造装置と、
Ｂ． 第１の圧縮されない厚さをもつ予め決められた第１基板部分と、第１の圧縮されない厚さと異なる厚さの第２の圧縮されない厚さをもつ予め決められた第２基板部分とを有し、集積チップ製造装置に取り付けられた一体クリーニング基板であって、第１基板部分は、集積チップ製造装置の第１装置部分に対応し、第２基板部分は、集積チップ製造装置の第２装置部分に対応する、一体クリーニング基板と、の組み合わせを備え、
第１基板部分は、圧縮されたときに、半導体ウェハ製造装置の一部分との接触から離れる方向に第１基板部分を付勢する予め決められた第１の圧縮可能な非粘着性の突出部を含む、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３２】
請求項３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第１基板部分は、第１装置部分に対して圧縮できる圧縮突起部を含む、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３３】
請求項３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３４】
請求項３２記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３５】
請求項３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な複数の異なる粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３６】
請求項３２記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な複数の異なる粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【請求項３７】
請求項３６記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
異なる粘着領域は、第１の粘着レベルを有する第１粘着領域と、異なる粘着レベルを有する第２粘着領域とを含む、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
チャッククリーニングウェハ２２は典型的に表面粘着性特性を示し、ウェハチャック（図８に示さず）を洗浄するので、クリーニングウェハ２２の粘着クリーニング表面（図７に示すように１２）は、エンドエフェクタ２１の表面の平面に付着し、次のステーションでクリーニングウェハ２２の解放と干渉する。クリーニングウェハ２２の別個の表面特徴（図２に示されるように１４）は、クリーニングウェハ２２とエンドエフェクタ２１との間の表面接触を減少又は最小にするように予め決められ、例えば、ウェハ処理アーム２０がウェハチャック（図８に示さず）からの破片を適切に除去するために必要な表面粘着性を維持しながらクリーニングウェハ２２がエンドエフェクタ２１及びウェハ処理機構の他のコンポーネントから解放するのを許容する。いくつかの実施形態では、クリーニングウェハ２２の表面特徴は、真空シールが発生しながらエンドエフェクタ２１の平面及び回転リング（図８に示さず）との接触を減少する又は最小限にするようにせっけいされることができる。適当な真空シールがないと、ウェハ処理ツール（図８に示さず）のいくつかの実施形態は、真空エラーを報告し、クリーニングをもたらすために望まれたようにクリーニングウェハ２２を処理しないでオリジナルのロードと例２４にクリーニングウェハ２２を戻す。全ての真空が引っ張られると、フルコンタクトが通常、少なくともツールを清掃し反動を提供するのに十分に配置する。
いくつかの実施形態では、（例えば図９乃至図１３に示され、上記段落で引用された）エンドエフェクタは、幾分交換可能であり、その設計は、通常、ツールから異なるツールに変わる。チャッククリーニングウェハ２２上の別個の特徴パターンのあらかじめ決められたデザインは、エンドエフェクタ２１の形状と操作に基づいており、例えば、回転リング（図８に示さず）である。このように、いくつかの実施形態でクリーニングウェハ２２は、クリーニングウェハでクリーニングされる特定のウェハ処理ツールのコンポーネントの特定の形状と操作に適合するようにカスタマイズすることができる。
いくつかの実施形態では、図９を参照すると、青銅エンドエフェクタ６０は、輸送中クリーニングウェハ（図９に示さないが図８において２２で示す）を固定するために、真空チューブ６６に接続され、真空チューブ６６を通じて真空引きされる。クリーニングウェハは、一般的に、平面領域６８のエンドエフェクタ６０と接する。
図１０を参照すると、他の実施形態では、ステンレスエンドエフェクタ７０がクリーニングウェハ（図１２に示さず）の中心と接するチップ７２、真空チューブ７６に接続された真空ポート７４及びクリーニングウェハによって接続された平らな領域７８を有する。各エンドエフェクタ例えば７０の形状は、クリーニングウェハのクリーニング及び解放を促進するためにクリーニングウェハ表面特徴の配置を画定し、エンドエフェクタ例えば７０の材料組成は、クリーニングウェハの粘着性の表面クリーニング材料の密着性に影響を与える。エンドエフェクタ例えば７０、回転チャック（図１２に示さず）及びメインチャック（図１２に示さず）の金属、プラスチック、またはセラミック部品の接着のレベルは、クリーニングウェハの設計時に対応することができる。
図１１に関し、他の実施形態では、エンドエフェクタ８０は、クリーニングウェハ（図１３において示さず）の中心と接するのに役立つチップ８２を有する。このエンドエフェクタ８０は、必要に応じてエンドエフェクタ８０の輸送及びクリーニング中にクリーニングウェハを固定することができる５つの真空ポート８４を有する。
図１２に関し、他の実施形態では、ステンレス鋼の回転エンドエフェクタ９０は、チップ製造装置（図１４に示さず）内で処理中にクリーニングウェハを回転し整合する回転アームを有する。回転エンドエフェクタ９０は、真空ポート９４を有する二つの接触リング９２を含み、動作中にクリーニングウェハ（図１２に示さず）を固定する。回転エンドエフェクタ９０は、クリーニングウェハの中心と接し、真空は、エンドエフェクタ９０の位置にクリーニングウェハを固定する。
図１３に関し、ポリテトラフルオロエチレンまたはテフロンの回転アームエンドエフェクタ１００の別の実施形態は、図１２のステンレス鋼回転エンドエフェクタ９０と形状が同様である。この回転アームエンドエフェクタ１００は、その回転ディスク１０２に二つの真空ポート１０４を含む。
これらの例から、各チャッククリーニングウェハの形状及び表面特徴パターンは、各異なるタイプのエンドエフェクタ及び各ウェハ処理ツールの表面形状及び材料組成のために注文設計されることができることは明らかである。
図１４に関し、平らな静電チャック１１０の一実施形態は、真空ポート（図１４に示さず）を含む同心円状の真空リング１１２、エジェクタピン穴１１４、及び平らなウェハ接触面１１６を有する。クリーニングウェハ（図１４に示さず）は、静電気力によってチャック１１０の適所に保持され、その力を取り除いた後、クリーニングウェハの圧縮オフセット表面特徴（図２、１４、および図２０、５２を参照）は、圧縮から保存されている弾性力を通じた解放を容易にする。これらの圧縮オフセット表面特徴は、このケースでは真空リング１１２との接触を避けるように配置される。クリーニングウェハクリーニング表面特徴（図１４に示さず）は、各ウェハ処理ツール、エンドエフェクタ、回転チャック及びメインピン又は静電チャック例えば１１０の考慮、及び各これらのコンポーネント形状及び材料組成の考慮に対して注文設計されなければならないことは明らかである。
図１５に関し、石英である材料組成であるピンチャック１２０の実施形態は、真空ポート例えば１２４、ボルト穴例えば１２６及びエジェクタピン１２８を有するクリーニングウェハ（図１５に示さず）と接する表面に突出ピン又は突起部例えば１２２を含む。クリーニングウェハの粘着性表面は、ピン及び突起例えば１２２と接し、真空によって接触が保持される。真空の解放時は、ピンの突起は、クリーニングウェハ表面に結合され、クリーニングウェハで除去される。多くの実施形態と同様に、クリーニングウェハ上の突出面特徴は、ピン及び突起例えば１２２との接触を避けるように配置され、従って、クリーニングウェハをピンチャック１２０に押しやる真空又は静電気力によってもたらされた接触でクリーニングウェハ表面がピンアレイと接してクリーニングするのを許容する。
図１６に関し、少なくとも一つの実施形態において、ウェハ処理アーム２０は、ウェハ処理アーム２０の平面２４と面するそのクリーニングポリマー側面（図１６に示さず）に配置されている。処理アーム２０の平面２４上に外部粒子状物質２５があるとき、クリーニングウェハ２２は、プロセスステージに移送するためにウェハ処理アーム２０によって取り上げられ、移送中、クリーニングウェハ２２は処理アーム２０の表面と接し、それから外部粒子状物質２５は、クリーニングポリマー表面２２に付着する。次のプロセスステージのために処理アーム２０からクリーニングウェハ２２を解放するときに、外部粒子状物質２５は、クリーニングウェハ表面２２に収集され、処理アーム２０から離れて運ばれる。
図１７に関し、いくつかの実施形態では、クリーニングポリマー側面３０を有するクリーニングウェハ２８は、ウェハステージ２６に配置される。約１６乃至２４インチの水銀での真空力などの力を印加するとクリーニングウェハ２８のクリーニング表面３０は、ウェハステージ２６の表面と接する。ウェハステージ２６の表面上に外部粒子状物質例えば３２が存在する場合、ウェハステージ２６にクリーニングウェハ２８を保持する力の解放時に外部粒子状物質３２は、クリーニングウェハ２８のクリーニング表面３０に付着し、それによって、ウェハステージ２６から除去される。
更なる詳細では、図１７を参照すると、クリーニングウェハ３０のクリーニングポリマー側面３０は、真空力又は静電力がかけられるまでクリーニングウェハ２８のクリーニング表面とウェハステージ２６の表面との間の接触を阻止するために設計された突出圧縮性オフセット特徴（図２、１４、２０、５２参照）を有する。ひとたびその力が、クリーニングウェハ３０のクリーニングポリマー側面３０上の圧縮性オフセット特徴をつぶすと、粘着性ポリマー表面又はクリーニングポリマー側面３０は、ウェハステージ２６と接触して外部粒子状物質例えば３２を取り除く。ピン又は突起チャックの場合では、圧縮性オフセット特徴は、ピン領域の外側の位置に又はピン及び突起（図１８、４４、４６）のピッチ内の特定の位置で配置され、クリーニングポリマー３０の粘着性クリーニング表面は、破片を取り除くためにピンチップで接する。滑らかなポリマー３０は、突起及びマイクロ突起（図１８，４４，４６参照）の周りを変形するために十分に従順し、ピン接触表面の周辺に蓄積された破片を収集する。真空ポート、溝又は真空ニップル（図１７に示さず）を有するチャックの場合では、クリーニングポリマー側面３０のクリーニングウェハ２８の圧縮性オフセット特徴の位置は、真空特徴内部から破片の収集を容易にするために配置される。
図１８に関し、いくつかの実施形態では、クリーニングウェハ（図２０に示さず）は、ウェハピンステージ４１のピン例えば４０の周りに適合することができる従順クリーニングポリマー３８で構成される。従順クリーニングポリマー３８は、ウェハステージピン４０からの収集及び除去のためにウェハステージピン例えば４０上の外部粒子状物質例えば４２と接する。従順クリーニングポリマー３８は、ウェハピンステージピン例えば４１上のマイクロ突起例えば４４に適合し、ウェハステージ４１からの収集及び除去のために外部粒子状物質例えば４６と接する。
特定の実施形態では、図１８に関し、従順クリーニングウェハのクリーニングポリマー３８は、真空力の適用でウェハピンステージのピン４０の周りに適合する。いくつかの実施形態では、ポリマー３８は、突起又はピン４０及びマイクロ突起例えば４４を囲んで変形するのに十分に従順し、ピン接触表面例えば４４の外縁の周りに蓄積された破片を収集する。ピン例えば４０の外側に配置されたクリーニングウェハ（図１８に示さず）の突出圧縮性オフセット特徴（図１８に示さず）は、ピン表面例えば４０と接するためにクリーニングウェハポリマー３８の比較的に滑らかな領域を可能にする。突出圧縮性オフセット特徴（図１８に示さず）は、真空ポート、溝又は真空ニップル（図１８に示さず）の位置と適合するように配置され、真空特徴（図１８に示さず）内部からの破片収集を容易にする。
図１９に関し、少なくとも一つの実施形態では、クリーニングされるウェハ処理装置は、ピンアレイ例えばセクション８．Ａ.１であるその表面に石英ピンチャックを含む。フォトリソグラフィ製造工程及びクリーニングウェハ（図１９に示さず）でクリーニングする前に、破片は、ピンチャック表面上のピンの周りに蓄積し、例えば、セクション８．Ａ.２の高倍率で見える。破片は、通常、シリコンプロセスのウェハ（図１９に示されていない）によってチャックピンに移送され、チャックピンに残存する。クリーニングウェハポリマー例えばセクション８．Ａ.４と接触後すぐに、粗い破片は、ピンチップ及び周囲例えばセクション８．Ａ.３から除去され、ピンから取り除かれた残余破片は、クリーニングポリマーの表面例えばセクション８．Ａ.４に存在する。この実施形態及び他の実施形態では、クリーニングポリマー例えばセクション８．Ａ.４は、ピンと接触せず、ピンチップ及びやや側面の下方の周りに適合するのに十分に従順し、クリーニングポリマーは、チャックピンから粗い破片に結合しかつ粗い破片を除去するのに十分な粘着性である。
図２０を参照すると、いくつかの実施形態では、ウェハのような基板４８上にクリーニングポリマー表面５０を有するクリーニングウェハ４９は、クリーニングポリマー表面５０とウェハステージ表面５４との間にオフセット及び制限接触を提供する、クリーニングポリマー５０上の突出圧縮性表面特徴例えば５２を有する。突出圧縮性特徴例えば５２を形成するためにクリーニングウェハ表面５０に形成された弾性ポリマーは、真空力又は静電力がかけられるまでウェハステージ５４の平面にオフセット又は最小限の接触を提供する。ひとたびその真空力が圧縮性オフセット特徴例えば５２をつぶすと、粘着性ポリマー表面５０は、ウェハステージ５１の表面５４と接し、外部粒子例えば５６を削除する。圧縮力の解放で、オフセット特徴例えば５２は、跳ね返り、ウェハステージ５１からの解放を容易にして外部粒子状物質５６はクリーニングポリマー５０に付着し、ウェハステージ５１から取り除かれる。
高分子クリーニング材５０は、外部粒子の収集のため及びステージ形状に応じてステージ表面５４からのクリーニング材の解放を可能にする標準的なＡＳＴＭベースの方法を使用して０．０１乃至１０ｐｓｉの測定可能な表面の粘着性を有する。また、表面特徴例えば５２は、チャック又はステージ形状に依存する。いくつかの実施形態では、破片収集のために接触を可能にするためにウェハステージ５４などのウェハステージ上につぶれる特徴は、通常、６ｐｓｉ以下の真空力で行う。クリーニング材５０の表面粘着は、通常、クリーニングウェハ４９が各エジェクタピンの４．５ｐｓｉ圧力以下で（通常約３．０ｐｓｉ圧力で）ウェハステージ５１から解放するのに十分に低い。少なくとも一つの使用方法では、真空は、５ないし１５秒などの最小限の時間で保持され、それは、破片を収集するが解放を容易にするためにウェハステージ５１のクリーニング表面５０の完全接触を可能にする。
クリーニングウェハほとんどのツールで自動的に装填されかつ循環されるが、ＡＳＭＬＰＡＳ５５００ステッパーなどの主なチャックへのアクセスを有するツールで手動的に装填される。また、クリーニングウェハは、破片の蓄積を制御するために第１の予めきれいなチャンバで処理することによって、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｅｎｄｕｒａ  ＨＰなどのプラズマ蒸着ツールに手動的に装填されることができる。ピンチャックの真空のサイクル時間を減少することは、クリーニングポリマーの解放を容易にし、５乃至１５秒までサイクル時間を減少し、１５０Ｖ又はそれ以下まで印加電圧を減らすことによって、それが静電チャックに達成されるクリーニング効果を保持する。
図２及び図８の図と関連して図２１のフローチャートを参照すると、実装方法の一実施形態では、クリーニングウェハ１０は、輸送中及び前クリーニング処理中の汚染から保護するために固定的に包まれる。ステップ２００で、クリーニングウェハの第１使用時に保護表面ライナーが取り外され、破棄される。ステップ２０２で、ウェハ基板１０が手動的に装填され又は自動的な方法で装填される。ステップ２０４及び２０６で、単一のクリーニングウェハ２２又は多数のウェハ２２がウェハキャリヤ２４、ウェハトレイ又は所望のウェハ処理ツールの他のウェハ装填デバイスのクリーニング材料の側面の下（又はウェハの側面の上）に配置される。ステップ２０２で、単一のクリーニングウェハ２２又複数のクリーニングウェハ２２は、ウェハキャリヤ２４又はウェハトレイから自動的に取り除かれ、通常の条件下でツールのプロセスを経て循環される。クリーニングウェハは、クリーニング表面１２が処理プロセス全体で下方に面した状態で循環される。ツール内で、標準的な処理は、ウェハの突出表面特徴例えば１４によって促進され、それは、クリーニング表面１２を処理装置の表面からオフセットに保つ。ステップ２０８で、ウェハキャリヤ２４は、自動化されたウェハ処理ツールのロードポートに取り付けられる。
ステップ２１０で、ウェハ基板１０は、例えば、処理ハードウェア、エンドエフェクタ、又はウェハ処理ロボットアーム２０で移動され、それから非装填される。
ステップ２１２で、破片２５は、処理ハードウェアの平らな接触領域の真空を介して除去される。ステップ２１４で、ウェハ１０は、ウェハステージ２６に配置され、ウェハチャックは、真空又は静電荷を適用する。ステップ２１６で、ウェハは、ウェハ状態２６又はウェハチャックから解放される。ステップ２１２と同様に、ステップ２１８で、破片２５は、処理ハードウェアの平面領域の真空によって取り除かれる。ステップ２２０で、ウェハ基板１０は、手動的に装填され又は自動的な方法で装填される。
ステップ２２２で、ウェハ１０は、処理ツールのロードポートに取り付けられたウェハキャリヤ２４に戻される。代替的に、ステップ２２４で、ウェハ１０は、単一のウェハトレイに戻される。ステップ２２６で、ウェハ表面は検査される。
従って、図２１において例によって示されたいくつかの実施形態では、クリーニングメディア１２が自動化されたウェハ処理ツール内の各ウェハチャック又はウェハステージの表面に配置され、平らなステージの真空アシストを通じてあるいは特定の滞留時間に対してピンチャックの突起上に載置することによって、ほぼ完全又は完全な面接触をつくり、外部粒子物質２５を収集して、ウェハキャリヤトレイ２４に戻って循環され、その後、非充填される。
いくつかの実施形態では、クリーニングウェハを作る方法は、ウェハ処理コンポーネント及びクリーニングウェハの対象となる特定の機器のチャックの形状に関する詳細を提供するウェハハンドリング機器メーカーから始まる。メーカーの仕様に基づいて、いくつかの潜在的なデザインが準備され、プロトタイプのクリーニングウェハが生産される。これらのプロトタイプのクリーニングウェハは、低レベルの粘着性を有し、例えば、特定のアプリケーションやツールのための粘着の所望の範囲は１乃至１０のスケールでレベル３を有する。これらのプロトタイプのクリーニングウェハは、各デザインおよび幾何学的形状が蓄積された外部粒子の成功したスループット及び量の濃度に対してテストされて、実際のマシンを介して実行される。
初期テストの結果に基づき、デザインが変更され、新しいプロトタイプのクリーニングウェハが製造される。これらの新しい、変更されたプロトタイプのクリーニングウェハは、粘着性の増加的な高いレベルでテストされ、それが含む粘着の最も高いレベル及び許容範囲の濃度に関する機能が何であるかを各デザインに対して画定する。テストでベストを行うクリーニングウェハは、その特定のウェハ処理装置のクリーニングウェハであることが指定される。
他の実施形態では、クリーニングウェハは、クリーニングウェハの両面に配置された二つのポリマークリーニング面で構成される。いくつかの実施形態では、両面のクリーニングウェハは、ウェハ結合装置で使用するために設計されている。ウェハ結合は、二つ以上の整合された基板を接合して集積回路を作成する。
基板は、以下の技術である融着、陽極接合、共晶接合、半田接合、ガラスフリット接合、接着接合を使用して接合又は結合されることができる。一時的なウェハ結合は、支持のためのキャリヤに配置された薄いウェハ上に実行される。このプロセスは、三次元集積回路を製造するために主に使用される。ＳＵＳＳ  ＭｉｃｒｏＴｅｃは、これらの結合技術を支持する装置を作成する。両面クリーニングウェハは、ウェハの各面に対して上記技術を使用して製造される。これは、機器を介してウェハを循環させることによって結合装置の部品をきれいにするために両側に所定の表面特徴を有するクリーニングウェハを得ることができる。また、両面クリーニングウェハは、クリーニングウェハの一方側に少なくとも一つ有し他方側に他の一つを有する二つのクリーニング面を有することが二つ以上のコンポーネントをクリーニングするのに有利であるときなどの他の状況でウェハ処理装置をクリーニングするのに利用されることができる。また、クリーニングウェハは、このような予め決められた特徴を有する他の側面を同様に含むことができ、ウェハ処理装置の他のコンポーネントをクリーニングする。
他の実施形態では、クリーニングウェハは、レティクル、マスクフレーム、マスクローディング装置、およびマスクの表面のようなフォトリソグラフィツールの領域から破片を除去するように設計することができる。レティクルまたはマスクは、例えばステッパまたはスキャナのウェハの表面に投影される特定の回路パターンの画像が含まれる。ツールを使用してウェハプロセスで説明した方法と同様の方法で、破片は、マスク、マスクを保持するフレーム、およびマスクの表面上をロードおよびアンロードするために使用する処理装置のマスク領域に沿って蓄積することができる。表面の特徴を含む同じ製品の属性と同様のクリーニングの材料は、ツールのこの領域から破片を除去するために使用されることができる。この場合の材料は、石英ブロックなどの代理マスクに取り付けられツールによってクリーニング材料を移送し、それが、蓄積された破片を取り除くために処理面と接するのを可能にする。また、破片が存在してマスクが正しく装着できず不フォーカスの問題が生じる場合は、ここでマスクを保持するフレームとの接触を可能にする。また、クリーニング材料は、フォトリソグラフィ工程でマスクをインストールする前に、破片を除去するためにマスクの表面のオフラインと接する。この手順は、特にマスクの寿命を減らす溶剤または手動スクラブまたは摩耗を適用する技術と比較して、非破壊クリーニングを提供することができる。
上述の実施形態は多くの利点を提供することがわかる。それらはいくつかの実施形態：
・少ない又は一定のツールのダウンタイムを有するより効果的なウェハステージクリーニング、
・改善されより効果的なウェハ処理クリーニング、
・より経済的なウェハ処理装置クリーニング、
・より生産的なウェハ処理装置クリーニング、及び
・クリーニングプロセス中ウェハ処理ハードウェア、ウェハステージ及びウェハチャックの少ない破損、
に含まれる。
上述の明細書は、当業者が出願人のベスト及び他のモードであると考えられることを作り使用することができるが、当業者は、この明細書に記載された変形、組み合わせ、および特定の実施形態の等価物、方法及び例の存在を理解し認識されるであろう。
[形態１]  半導体ウェハ製造装置に取り付け可能なクリーニングウェハであって、
第１側面を有する弾性クリーニングパッドを備え、 
第１側面は、第２クリーニング側面と反対側にあり、
第２クリーニング側面は、非平面であり、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分と第２の予め形成されたクリーニング側部分とを含み、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分は、第２の予め形成されたクリーニング側部分よりも厚さが大きい、クリーニングウェハ。
[形態２]  形態１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニングウェハは、一つ以上の付加的な予め形成されたクリーニング側部分を有し、一つ以上の付加的な予め形成されたクリーニング側部分は、少なくとも一つの予め形成されたクリーニング側部分及び第２の予め形成されたクリーニング側部分の中で一つ又はそれ以上と軸方向の厚さが異なる、クリーニングウェハ。
[形態３]  チップウェハ製造中予め決められた表面をクリーニングする形態１記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側面の形状は、クリーニングされる予め決められた表面の形状と一致するように予め決められている、クリーニングウェハ。
[形態４]  形態１記載のクリーニングウェハにおいて、
第１クリーニング側部分は、接着自由部分を含み、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分を含む、クリーニングウェハ。
[形態５]  形態４記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分とは異なる第２接着部分を含む、クリーニングウェハ。
[形態６]  形態５記載のクリーニングウェハにおいて、
第１接着部分は、第２接着部分とは異なる接着強度を有する、クリーニングウェハ。
[形態７]  形態２記載のクリーニングウェハにおいて、
第１クリーニング側部分は、接着自由部分を含み、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分を含む、クリーニングウェハ。
[形態８]  形態７記載のクリーニングウェハにおいて、
第２クリーニング側部分は、第１接着部分とは異なる第２接着部分を含む、クリーニングウェハ。
[形態９]  形態８記載のクリーニングウェハにおいて、
第１接着部分は、第２接着部分とは異なる接着強度を有する、クリーニングウェハ。
[形態１０]  形態１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、一つ以上の圧縮性突起部を備える、クリーニングウェハ。
[形態１１]  形態１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、複数の予め決められた異なる粘着部分を含む、クリーニングウェハ。
[形態１２]  形態１１記載のクリーニングウェハにおいて、
クリーニング側部分は、複数の予め決められた異なる粘着部分を含む、クリーニングウェハ。
[形態１３]  クリーニングウェハのクリーニング側面上に複数の異なる予め決められた表面特徴を有するクリーニングウェハで集積回路製造装置をクリーニングする方法であって、
Ａ．クリーニングされる集積回路製造装置の一部分と結合する複数の異なる予め決められた表面特徴を有するクリーニングウェハパッドを確認するステップと、
Ｂ．クリーニングされる集積回路製造装置の結合部分に関して集積回路製造装置にクリーニングウェハを取り付けるステップと、
Ｃ．集積回路製造装置の結合部分に対してクリーニングウェハを押しつける力を適用するステップと、
Ｄ．その力を解放し、集積回路製造装置からクリーニングウェハを取り除くステップとを備える、方法。
[形態１４]  形態１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、少なくとも一つの圧縮性突起部分を含み、
前記方法は、ステップＣにおいて、集積回路製造装置の結合部分に対して圧縮性突起部分を圧縮することを含む、方法。
[形態１５]  形態１４記載の方法において、
前記方法は、ステップＤにおいて、
集積回路製造装置の結合部分から少なくとも部分的に分離するために、圧縮性突起部分にクリーニングウェハを減圧及び圧縮させることを含む、方法。
[形態１６]  形態１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、少なくとも一つの粘着部分を含む、方法。
[形態１７]  形態１５記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、複数の粘着部分を含む、方法。
[形態１８]  形態１３記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、異なる厚さの複数の部分を含む、方法。
[形態１９]  形態１７記載の方法において、
複数の異なる予め決められた表面特徴は、異なる厚さの複数の部分を含む、方法。
[形態２０]  集積チップ製造装置のクリーニングウェハを作る方法であって、
Ａ．集積チップ製造装置に複数の異なる部分についての情報を収容するステップと、
Ｂ．複数の異なる部分を有する少なくとも一つのクリーニング側面を有するクリーニングウェハを（ｉ）第１部分が集積チップ製造装置の異なる部分の中で第１部分に対応し、（ｉｉ）第２部分が集積チップ製造装置の異なる部分の中で第２部分に対応させてｍ準備するステップと、を備える、方法。
[形態２１]  形態２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第１部分は、クリーニングウェハの第２部分よりも異なる厚さの圧縮部分である、方法。
[形態２２]  形態２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、粘着材料を含む、方法。
[形態２３]  形態２１記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、粘着材料を含む、方法。
[形態２４]  形態２０記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、複数の異なる粘着領域を含む、方法。
方法。
[形態２５]  形態２１記載の方法において、
クリーニングウェハの第２部分は、複数の異なる粘着領域を含む、方法。
方法。
[形態２６]  形態２０記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
[形態２７]  形態２１記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
[形態２８]  形態２３記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、ウェハ製造ステージを含む、方法。
[形態２９]  形態２１記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、エンドエフェクタを含む、方法。
[形態３０]  形態２３記載の方法において、
集積チップ製造装置の異なる部分は、エンドエフェクタを含む、方法。
[形態３１]  集積チップ製造装置のクリーニングシステムは、
Ａ．複数の異なる装置部分を有する集積チップ製造装置と、
Ｂ． 第１の圧縮されない厚さをもつ予め決められた第１基板部分と、第１の圧縮されない厚さと異なる厚さの第２の圧縮されない厚さをもつ予め決められた第２基板部分とを有し、集積チップ製造装置に取り付けられた一体クリーニング基板であって、第１基板部分は、集積チップ製造装置の第１装置部分に対応し、第２基板部分は、集積チップ製造装置の第２装置部分に対応する、一体クリーニング基板と、の組み合わせを備える、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
[形態３２]  形態３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第１基板部分は、第１装置部分に対して圧縮できる圧縮突起部を含む、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
[形態３３]  形態３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
[形態３４]  形態３２記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
[形態３５]  形態３１記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な複数の異なる粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
[形態３６]  形態３２記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
予め決められた第２基板部分は、第２装置部分と接合可能な複数の異なる粘着領域を有する、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
[形態３７]  形態３６記載の集積チップ製造装置のクリーニングシステムにおいて、
異なる粘着領域は、第１の粘着レベルを有する第１粘着領域と、異なる粘着レベルを有する第２粘着領域とを含む、集積チップ製造装置のクリーニングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】図１は、先行技術の集積回路チップの斜視図である。
【図２】図２は、クリーニングウェハの表面から延びる多数の突出ポイント又はピークを有するクリーニングウェハの一実施形態の下側のクリーニング側面の概略斜視図である。
【図３】図３は、丸い突起を有するクリーニングウェハの斜視図である。
【図４】図４は、クリーニングウェハの表面から外側に延びる多数の予め形成された半径方向の隆起を有するチャッククリーニングウェハの実施形態の斜視図である。
【図５】図５は、様々な突出した円形の隆起を有するチャッククリーニングウェハの実施形態の斜視図である。
【図６】図６は、突出した縁部リングを有するチャッククリーニングウェハの実施形態の下側の斜視図である。
【図７】図７は、様々な円形の粘着領域を有する例示的な平らなクリーニングウェハの実施形態の斜視図である。
【図８】図８は、ウェハトレイからクリーニングウェハを取り出すウェハ処理アームの斜視図である。
【図９】図９は、真空の空洞とポートを持つ銅のエンドエフェクタの平面図である。
【図１０】図１０は、真空の空洞とポートを持つステンレス鋼のエンドエフェクタの平面図である。
【図１１】図１１は、多数の真空の空洞とポートを持つ青双極子のアームエンドエフェクタの平面図である。
【図１２】図１２は、ウェハ整合のためのステンレス鋼の回転チャックの平面図である。
【図１３】図１３は、ウェハ整合のためのテフロン（登録商標）の回転チャックの平面図である。
【図１４】図１４は、平らな静電チャックの斜視図である。
【図１５】図１５は、ピン／突起パターンを示す石英ピンチャックの斜視図である。
【図１６】図１６は、クリーニングウェハによってウェハ処理アームから取り除かれる破片の斜視図である。
【図１７】図１７は、ウェハステージに装填され、表面と接し、粒子物質を除去し、ステージから解放するクリーニングウェハの斜視図である。
【図１８】図１８は、ピンチャックのステージ上の突起及びマイクロ突起の周りに適合する従順クリーニングポリマーの斜視図である。
【図１９】図１９は、ピンチャック表面上のピンアレイ、ピン上の破片のより高い倍率、チャッククリーニングウェハでクリーニングのピンのより高い倍率、及び、クリーニングポリマー表面上に捕捉された破片のより高い倍率を示す一連の写真である。
【図２０】図２０は、クリーニングポリマーと平らなウェハステージとの間で圧縮かつ接触を可能にする表面特徴の側面図である。
【図２１】図２１は、自動化された積層チップウェハ製造ツールでクリーニングウェハの使用のための例示的なプロセスステップを示すフローチャートである。
【外国語明細書】
2015148818000001.pdf