(57)【要約】【課題】研削手段の研削砥石を交換しても、板状ワークの外周に形成される環状の凸部の幅を予め規定する規定値に研削できるようにすること。【解決手段】研削装置（１）は、半導体ウェーハ（Ｗ）に環状に配置した研削砥石（５４）を当接させて研削し、半導体ウェーハの外周に環状の凸部（Ｗ１）を形成させる粗研削ユニット（３２）及び仕上げ研削ユニット（３３）と、これらを半導体ウェーハの径方向に進退させる進退手段（４１、４２）と、凸部の幅を測定する測定手段（５６、５７）と、演算部（８１）及び制御部（８２）とを備えている。演算部では、凸部の幅を測定した測定値（Ｈ１、Ｈ３）と、予め規定される規定値（Ｈ２、Ｈ４）とを比較して差（ｄ１、ｄ２）を求める。制御部では、演算部で求められた差に応じて進退手段で粗研削ユニット及び仕上げ研削ユニットを進退させ、規定値に凸部の幅を仕上げる。【選択図】図２
2015051479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状ワークを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された板状ワークに環状に配置した研削砥石を当接させて研削し該板状ワークの外周に環状の凸部を形成させる研削手段と、該研削手段を該保持テーブルの径方向に進退させる進退手段と、該研削手段を保持テーブルに接近および離間させる研削送り方向に研削送りする研削送り手段と、該凸部の幅を測定する測定手段と、で少なくとも構成される研削装置であって、
該測定手段で、研削された板状ワークの該凸部の幅を測定した測定値と、予め規定される凸部の幅の規定値とを比較して差を求める演算部と、該演算部で求められた差に応じて該進退手段を用いて該研削手段を進退させる制御部と、を含んで構成され、該規定値に該凸部の幅を仕上げる研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状ワークを研削する研削装置に関し、研削手段の研削砥石によって外周に環状の凸部を形成するように板状ワークを研削することができる研削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの製造工程において、電子機器の小型化や軽量化の他、熱放散性の向上を目的として、板状ワークとなる半導体ウェーハの薄化が望まれている。しかしながら、薄化された半導体ウェーハは、薄化前の半導体ウェーハと比較して剛性が低下し、反りの発生や搬送リスクが高いという問題があった。
【０００３】
そこで、この問題を解決するために、半導体ウェーハの裏面中央であって、デバイスが形成されるデバイス形成領域に対応する領域のみを研削して凹状とし、デバイス領域の外周領域に補強用となる環状の凸部を形成したものが利用されている（特許文献１参照）。
【０００４】
半導体ウェーハに環状の凸部を形成する研削装置では、半導体ウェーハを保持テーブルで保持し、研削砥石を配置した研削ホイールを回転させながら半導体ウェーハの裏面に研削砥石を接触させて研削を行っている。この研削では、半導体ウェーハの外縁に沿う所定幅領域だけを研削しないことで、環状の凸部を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７１１００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
研削装置においては、研削砥石が経時的に摩耗するので、研削ホイールを交換したときに、その交換前後で研削砥石の外径に若干の差が生じる。このため、研削ホイールを交換する前後において、研削によって形成される凸部の幅が変わってしまう、という問題がある。
【０００７】
図７は、従来技術による半導体ウェーハを研削した後の状態を示す説明用断面図である。図７に示す半導体ウェーハＷの外周部分は、粗研削として、研削砥石によって第１の研削工程を行った後、仕上げ研削として、第１の研削工程より粒度の細かい研削砥石で第２の研削工程とを行うことにより形成される。
【０００８】
図７Ａにおいて、第１の研削工程による研削を行うことで、半導体ウェーハＷの外縁に沿う領域を除いて、裏面中央を凹状に研削して第１の研削面Ｗａを形成する。その後、第２の研削工程による研削を行うことで、第１の研削面Ｗａの外縁に沿う所定幅領域を除いて、第１の研削面Ｗａの底面を研削して第２の研削面Ｗｂを形成する。これにより、半導体ウェーハＷの外縁に沿って環状の凸部Ｗ１が形成され、凸部Ｗ１の内側には段差面Ｗ１ａが形成される。
【０００９】
ここで、第２の研削工程で、研削砥石の外周位置が半導体ウェーハＷの径方向内側（図７Ａ中右側）にずれると、凸部Ｗ１における段差面Ｗ１ａの図７Ａ中の左右幅も径方向内側に大きくなる。すると、第２の研削面Ｗｂによって形成される凸部Ｗ１の内周面Ｗ１ｂも、半導体ウェーハＷの径方向内側に形成され、半導体ウェーハＷの表面において外側に位置するデバイスＤに重なってしまう。この結果、後工程で半導体ウェーハＷから凸部Ｗ１を除去するときに、凸部Ｗ１の内周面Ｗ１ｂに沿って亀裂Ｃが生じるので、亀裂Ｃによって外側のデバイスＤが損傷してしまう、という問題がある。
【００１０】
また、図７Ｂは、図７Ａと同様に第１の研削工程を行った後、第２の研削工程において、研削砥石が半導体ウェーハの径方向外側にずれた状態を示している。通常、第１の研削工程で研削した第１の研削面Ｗａの側面は、第２の研削工程で研削しないが、図７Ｂでは、第１の研削面（不図示）の側面を第２の研削工程で研削しているので、第２の研削工程に用いる研削砥石１００の磨耗が多くなる。特に、研削砥石１００の側面が磨耗されるため、研削砥石１００の側面と底面との交点が直角でなく丸くなり、デバイスＤの外側（図７Ｂ中左側）における対応した位置まで研削できない場合が発生する。この結果、半導体ウェーハＷから凸部Ｗ１を除去するときに、凸部Ｗ１より内側に亀裂が生じ易くなってデバイスＤが破損する、という問題がある。
【００１１】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、研削手段の研削砥石を交換しても、板状ワークの外周に形成される環状の凸部の幅を予め規定する規定値に研削することができる研削装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の研削装置は、板状ワークを保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持された板状ワークに環状に配置した研削砥石を当接させて研削し板状ワークの外周に環状の凸部を形成させる研削手段と、研削手段を保持テーブルの径方向に進退させる進退手段と、研削手段を保持テーブルに接近および離間させる研削送り方向に研削送りする研削送り手段と、凸部の幅を測定する測定手段と、で少なくとも構成される研削装置であって、測定手段で、研削された板状ワークの凸部の幅を測定した測定値と、予め規定される凸部の幅の規定値とを比較して差を求める演算部と、演算部で求められた差に応じて進退手段を用いて研削手段を進退させる制御部と、を含んで構成され、規定値に凸部の幅を仕上げることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、凸部の幅を測定した結果に基づいて進退手段の駆動を制御し、研削手段をテーブルの径方向に進退させるので、研削砥石を有する研削ホイールを交換しても、研削ホイールの位置を補正して凸部の幅を規定値に仕上げることができる。これにより、板状ワークにデバイス等が形成される場合、凸部の幅が大きくなって、デバイスに重なることを回避でき、凸部を除去するときに、デバイスが損傷することを防止することができる。また、凸部の幅が狭くなって剛性が低下し、凸部が割れることを防止することができる他、上述のように研削砥石が丸みを帯びた形状となり、凸部の基部側も丸くなって凸部除去時にデバイスが破損することを防止することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、研削手段の研削砥石を交換しても、板状ワークの外周に形成される環状の凸部の幅を予め規定する規定値に研削することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態に係る研削後の半導体ウェーハの外観斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る研削装置の一例を示す斜視図である。
【図３】上記研削装置の要部を示す模式図である。
【図４】本実施の形態に係る測定手段における測定結果の一例を示す説明図である。
【図５】本実施の形態に係る測定手段における測定結果の他の一例を示す説明図である。
【図６】本実施の形態に係る半導体ウェーハを研削した後の状態を示す説明用断面図である。
【図７】従来技術による半導体ウェーハを研削した後の状態を示す説明用断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施の形態に係る研削装置は、半導体ウェーハにおける裏面の外周に凸部を形成するものである。本発明の実施の形態に係る研削装置について説明する前に、先ず、研削対象となる半導体ウェーハについて簡単に説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る研削後の半導体ウェーハの外観斜視図であり、図１Ａは半導体ウェーハの表面、図１Ｂは半導体ウェーハの裏面をそれぞれ示している。
【００１７】
図１Ａに示すように、加工前の半導体ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された図示しない分割予定ラインによって複数の領域に区画されている。分割予定ラインによって区画された各領域には、半導体ウェーハＷの中央においてＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスＤが形成されている。また、半導体ウェーハＷの表面は、中央部分に位置するデバイスＤが形成されたデバイス形成領域６２と、デバイス形成領域６２の周囲に位置する外周領域６３とに分けられる。
【００１８】
図１Ｂに示すように、半導体ウェーハＷの裏面は、デバイス形成領域６２に対応する領域が除去され、外周領域６３に対応する領域が環状に突出して補強用となる凸部Ｗ１が形成される。そして、半導体ウェーハＷの裏面には凹部Ｗ２が形成され、デバイス形成領域６２だけが薄化される。凹部Ｗ２が形成された半導体ウェーハＷは、カセット２（図２参照）に収容され、研削装置１に搬入される。
【００１９】
なお、本実施の形態においては、板状ワークとしてシリコンウェーハ等の半導体ウェーハＷを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではなく、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイヤ、シリコン系の基板、各種電気部品やミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料をワークとしてもよい。
【００２０】
次に、図２を参照して本発明の実施の形態に係る研削装置について説明する。図２は、本実施の形態に係る研削装置の外観斜視図である。図３は、本実施の形態に係る研削装置の要部を示す模式図である。
【００２１】
図２に示すように、研削装置１は、加工前の半導体ウェーハＷを搬入する他、加工後の半導体ウェーハＷを搬出する搬入搬出ユニット４と、搬入搬出ユニット４から搬入された半導体ウェーハＷを研削して凸部Ｗ１を形成する凸部形成ユニット５とから構成されている。搬入搬出ユニット４は、直方体状の基台１１を有し、基台１１にはカセット２、３が載置される一対のカセット載置部１２、１３が前面１１ａから前方に突出するように設けられている。
【００２２】
カセット載置部１２は、搬入口として機能し、加工前の半導体ウェーハＷが収容されたカセット２が載置される。カセット載置部１３は、搬出口として機能し、加工後の半導体ウェーハＷが収容されるカセット３が載置される。基台１１の上面には、カセット載置部１２、１３に面して搬入搬出アーム１４が設けられ、搬入搬出アーム１４に隣接して凸部形成ユニット５側の一の角部に仮置き部１５、他の角部にスピンナー洗浄部１６がそれぞれ設けられている。また、基台１１の上面において、仮置き部１５とスピンナー洗浄部１６との間には、ウェーハ供給部１７、ウェーハ回収部１８が設けられている。
【００２３】
搬入搬出アーム１４は、カセット載置部１２に載置されたカセット２から仮置き部１５に半導体ウェーハＷを搬入する他、スピンナー洗浄部１６からカセット載置部１３に載置されたカセット３に半導体ウェーハＷを搬出する。仮置き部１５は、仮置きテーブル２１と、撮像部２２とを有しており、仮置きテーブル２１に載置された半導体ウェーハＷの外周部分を撮像して、画像処理により半導体ウェーハＷの中心位置と仮置きテーブル２１の中心位置との位置ズレ量を算出する。
【００２４】
ウェーハ供給部１７は、仮置きテーブル２１に載置された加工前の半導体ウェーハＷの位置ズレ量を補正しつつ、凸部形成ユニット５の保持テーブル３４に載置する。ウェーハ回収部１８は、保持テーブル３４に載置された加工後の半導体ウェーハＷをスピンナー洗浄部１６のスピンナー洗浄テーブル２３に載置する。スピンナー洗浄部１６は、基台１１内においてスピンナー洗浄テーブル２３に載置された半導体ウェーハＷを回転させ、洗浄水を噴射して洗浄する。
【００２５】
凸部形成ユニット５は、粗研削ユニット（研削手段）３２および仕上げ研削ユニット（研削手段）３３と、半導体ウェーハＷを保持する保持テーブル３４とを備え、半導体ウェーハＷを研削するように構成されている。また、凸部形成ユニット５は、直方体状の基台３１を有し、基台３１の前面には搬入搬出ユニット４が接続されている。基台３１の上面には、３つの保持テーブル３４が配置されたターンテーブル３５が設けられ、ターンテーブル３５の後方には支柱部３６が立設されている。
【００２６】
保持テーブル３４は、円盤状であり、上面中央部分にポーラスセラミック材により円形状に吸着保持面３４ａが形成されている。吸着保持面３４ａは、基台３１内に配置された図示しない吸引源に接続され、半導体ウェーハＷを吸着保持する。また、保持テーブル３４は、図示しない回転駆動機構により吸着保持面３４ａに対して垂直な軸線回りに回転可能に構成されている。
【００２７】
ターンテーブル３５は、大径の円盤状に形成されており、上面には周方向に１２０度間隔で３つの保持テーブル３４が配置されている。そして、ターンテーブル３５は、図示しない回転駆動機構に接続され、回転駆動機構によりＤ１方向に１２０度間隔で間欠回転される。これにより、３つの保持テーブル３４は、ウェーハ供給部１７およびウェーハ回収部１８との間で半導体ウェーハＷを受け渡す載せ換え位置、粗研削ユニット３２に半導体ウェーハＷを対向させる粗研削位置、仕上げ研削ユニット３３に半導体ウェーハＷを対向させる仕上げ研削位置の間を移動する。
【００２８】
基台３１の上面において、ターンテーブル３５の粗研削位置および仕上げ研削位置の近傍には接触式センサ３８、３９が設けられている。この接触式センサ３８、３９は、２つの接触子を有し、一方の接触子が半導体ウェーハＷの凹部Ｗ２に接触され、他方の接触子が吸着保持面３４ａに接触されている。そして、２つの接触子の高さの差分から研削深さが制御される。
【００２９】
支柱部３６は、一対の斜面を有する上面視ベース状に形成され、この一対の斜面には保持テーブル３４の上方において粗研削ユニット３２および仕上げ研削ユニット３３を移動させる進退手段４１、４２が設けられている。支柱部３６の一対の斜面は、粗研削ユニット３２および仕上げ研削ユニット３３をそれぞれ対応する保持テーブル３４の径方向に進退する方向に移動可能な角度になっている。進退手段４１は、支柱部３６の斜面に配置された互いに左右方向に平行な図示しない一対のガイドレールと、一対のガイドレールにスライド可能に設置されたモータ駆動のＲ軸テーブル４３とを有している。
【００３０】
また、進退手段４１には、粗研削ユニット３２を保持テーブル３４に接近及び離間させる研削送り方向に研削送りする研削送り手段４４が設けられている。研削送り手段４４は、Ｒ軸テーブル４３の前面に配置された互いに上下方向に平行な一対のガイドレール４５と、一対のガイドレール４５のそれぞれにスライド可能に配置されたモータ駆動のＺ軸テーブル４６を有している。Ｚ軸テーブル４６には、前面に取り付けられた支持部４７を介して粗研削ユニット３２が支持されている。また、進退手段４２も、進退手段４１と同様の構成を備えつつ、研削送り手段４４が設けられ、仕上げ研削ユニット３３が支持されている。
【００３１】
なお、各Ｒ軸テーブル４３、各Ｚ軸テーブル４６の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ４８が螺合されている（Ｒ軸テーブル用のボールネジは不図示）。そして、Ｒ軸テーブル４３用のボールネジ、Ｚ軸テーブル４６用のボールネジ４８の上端部には、それぞれ駆動モータ４９が連結され、この駆動モータ４９によりボールネジが回転駆動される（Ｒ軸テーブル用の駆動モータは不図示）。このような構成により、Ｒ軸テーブル４３はＲ１方向、Ｒ２方向にそれぞれ移動し、Ｚ軸テーブル４６は上下方向に移動する。
【００３２】
粗研削ユニット３２は、ユニットハウジング５１と、ユニットハウジング５１の内側においてモータ５２により回転駆動する図示しないスピンドルと、スピンドルの下端に着脱自在に装着された研削ホイール５３とを有している。研削ホイール５３には、複数の研削砥石５４が環状に配置されている。粗研削ユニット３２は、回転した保持テーブル３４に保持された半導体ウェーハＷに研削砥石５４を回転接触させると共に、図示しないノズルから研削液を半導体ウェーハＷに噴射する。そして、粗研削ユニット３２は、進退手段４１により、研削砥石５４が半導体ウェーハＷの径方向（Ｒ１方向）に位置調整され、研削送り手段４４により上下方向に研削送りされて半導体ウェーハＷに凹部Ｗ２及び凸部Ｗ１を形成する。
【００３３】
研削砥石５４は、ダイヤモンドの砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成されている。なお、仕上げ研削ユニット３３は、粗研削ユニット３２と同様の構成を有して同様な動作を行うが、研削砥石５４として粒度が細かいものを使用している。
【００３４】
粗研削位置および仕上げ研削位置の各保持テーブル３４における上方位置には、測定手段５６、５７が設けられている。測定手段５６、５７としては、内部にＣＣＤやＣＭＯＳなどの撮像素子を備えた撮像カメラが例示できる。測定手段５６、５７は、保持テーブル３４によって保持された半導体ウェーハＷの凸部Ｗ１を撮像可能に設けられる。図４及び図５は、測定手段における撮像結果の一例を示す説明図である。なお、本実施の形態では、後述するように２回の研削工程（第１の研削工程、第２の研削工程）を行うので、図４、図５及び以下の説明において、両方の研削工程を含む説明で用いられる値については、第１の研削工程の値の後に括弧書きで第２の研削工程の値を記載する。測定手段５６、５７は、図４及び図５に示す撮像結果から、半導体ウェーハＷの径方向における凸部Ｗ１の幅を測定し、その測定値Ｈ１（Ｈ３）を後述する制御手段８０に出力可能に構成されている。
【００３５】
図２に戻り、基台３１の内部には、研削装置１の各部を統括制御する制御手段８０が設けられている。制御手段８０は、各種処理を実行するプロセッサや、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などの記憶媒体を含んで構成される。制御手段８０は、たとえば、測定手段５６、５７で測定した凸部Ｗ１の幅の測定値Ｈ１に応じ、進退手段４１、４２の駆動する方向や駆動量を制御する。制御手段８０の演算部８１において、測定手段５６、５７による凸部Ｗ１の幅の測定値Ｈ１（Ｈ３）と、予め規定される凸部Ｗ１の幅の規定値Ｈ２（Ｈ４）とを比較して差ｄ１（ｄ２）を求める（図４及び図５参照）。また、制御手段８０の制御部８２において、演算部８１で求められた差に応じて進退手段４１、４２を駆動し、粗研削ユニット３２及び仕上げ研削ユニット３３を進退させる。
【００３６】
次いで、本実施の形態の研削装置１を用いた研削方法について、図６も参照しながら説明する。図６は、本実施の形態に係る半導体ウェーハを研削した後の状態を示す説明用断面図である。なお、図６に示すように、研削装置１で研削を行うにあたり、半導体ウェーハＷの表面（下面）には、テープ基台７０ａに糊層７０ｂが積層された保護テープ７０が予め貼付されている。
【００３７】
先ず、最初の半導体ウェーハＷとして、テスト用の半導体ウェーハＷに研削を行う。この研削において、粗研削位置に半導体ウェーハＷを搬入する搬入工程を行った後、粗研削によって第１の研削面Ｗａを形成する第１の研削工程、粗研削ユニット３２の研削砥石５４の位置を調整する第１の調整工程を行う。その後、仕上げ研削によって第２の研削面Ｗｂを形成する第２の研削工程、仕上げ研削ユニット３３の研削砥石５４の位置を調整する第２の調整工程を行う。
【００３８】
搬入工程では、保持テーブル３４において、ウェーハ供給部１７により載せ換え位置で半導体ウェーハＷの表面が吸着保持面３４ａに載置される。そして、裏面を上側に向けて半導体ウェーハＷを吸着保持面３４ａに保持した状態でターンテーブル３５の回転により保持テーブル３４が粗研削位置に移動される。
【００３９】
保持テーブル３４が粗研削位置に移動すると、第１の研削工程が行われる。この工程では、先ず、進退手段４１のＲ軸テーブル４３を移動して粗研削ユニット３２を保持テーブル３４の径方向に進退させ、凸部Ｗ１の幅ａが予め規定された規定値Ｈ２となるよう、研削砥石５４が位置付けられる。これと前後して、接触式センサ３８によって、半導体ウェーハＷの上面位置と厚さとが測定され、それら測定結果と、予め規定された半導体ウェーハＷの凹部Ｗ２における仕上げ厚み等とから、研削送り量が求められる。そして、保持テーブル３４と研削砥石５４とを連続回転させながら、研削砥石５４が求められた研削送り量で下方向に研削送りされる。これにより、半導体ウェーハＷの外縁に沿う領域を除いて、裏面中央を凹状に研削して第１の研削面Ｗａを形成する。この第１の研削面Ｗａによって形成される凸部Ｗ１の幅ａは、半導体ウェーハＷの外縁から、上下方向に延在する第１の研削面Ｗａまでの距離となる。
【００４０】
第１の研削面Ｗａの形成を完了した後、第１の調整工程が行われる。この工程では、測定手段５６によって凸部Ｗ１を撮像し、その撮像結果から凸部Ｗ１の幅ａが測定される。凸部Ｗ１の幅ａの測定値Ｈ１は、制御手段８０に出力され、演算部８１によって、測定値Ｈ１と、予め規定される凸部Ｗ１の幅の規定値Ｈ２とを比較して差ｄ１（図４及び図５参照）が求められる。そして、演算部８１で求められた差ｄ１に応じ、制御部８２によって進退手段４１の移動量及び移動方向を制御することで、粗研削ユニット３２をＲ１方向に進退移動させる。これにより、粗研削ユニット３２における研削砥石５４のＲ１方向の位置が補正され、次回以降の第１の研削工程（粗研削）において、凸部Ｗ１の幅ａを規定値Ｈ２に仕上げることができる。
【００４１】
第１の調整工程の後、ターンテーブル３５の回転により保持テーブル３４が仕上げ研削位置に移動した後、第２の研削工程が行われる。
【００４２】
第２の研削工程は、第１の研削工程と同様となり、先ず、進退手段４２のＲ軸テーブル４３を移動して仕上げ研削ユニット３３を保持テーブル３４の径方向に進退させ、凸部Ｗ１の幅ｂが予め規定された規定値Ｈ４となるよう、研削砥石５４が位置付けられる。これと前後して、接触式センサ３９によって、凹部Ｗ２の底面位置と、凹部Ｗ２に底側の厚さとが測定され、それら測定結果等の基づき、研削送り量が求められる。そして、保持テーブル３４と研削砥石５４とを連続回転させながら、研削砥石５４が求められた下方向に研削送り量で研削送りされる。これにより、第１の研削工程で形成された凸部Ｗ１の内周面から所定幅領域を除いて、第１の研削面Ｗａの底面中央が凹状に研削され、第２の研削面Ｗｂが形成される。このとき、凸部Ｗ１の内側において段差面Ｗ１ａが形成される。この第２の研削面Ｗｂによって形成される凸部Ｗ１の幅ｂは、半導体ウェーハＷの外縁から、上下方向に向けられた第２の研削面Ｗｂまでの距離となる。
【００４３】
第２の研削面Ｗｂの形成を完了した後、第２の調整工程が行われる。この工程では、測定手段５７によって凸部Ｗ１を撮像し、その撮像結果から凸部Ｗ１の幅ｂが測定される。凸部Ｗ１の幅ｂの測定値Ｈ３は、制御手段８０に出力され、演算部８１によって、測定値Ｈ３と、予め規定される凸部Ｗ１の幅の規定値Ｈ４とを比較して差ｄ２が求められる。そして、演算部８１で求められた差ｄ２に応じ、制御部８２によって進退手段４２の移動量及び移動方向を制御することで、仕上げ研削ユニット３３をＲ２方向に進退移動させる。これにより、仕上げ研削ユニット３３における研削砥石５４のＲ２方向の位置が補正され、次回以降の第２の研削工程（仕上げ研削）において、凸部Ｗ１の幅ｂを規定値Ｈ４に仕上げることができる。
【００４４】
なお、上記の各調整工程において、図４に示すように、測定手段５６、５７の測定値Ｈ１（Ｈ３）が規定値Ｈ２（Ｈ４）より大きくなる場合、進退手段４１、４２によって半導体ウェーハＷの径方向外側に研削砥石５４が移動されて位置付けられる。これにより、凸部Ｗ１の幅ａ、ｂが小さくなるよう研削砥石５４の位置を補正することができる。一方、図５に示すように、測定手段５６、５７の測定値Ｈ１（Ｈ３）が規定値Ｈ２（Ｈ４）より小さくなる場合、半導体ウェーハＷの径方向内側に研削砥石５４が移動されて位置付けられる。これにより、凸部Ｗ１の幅ａ、ｂが大きくなるよう研削砥石５４の位置を補正することができる。
【００４５】
上記のように、テスト用の半導体ウェーハＷに研削を行った後、製品用の半導体ウェーハＷの研削を行う。この研削では、テスト用の半導体ウェーハＷの研削に対し、第１の調整工程及び第２の調整工程が省略される。そして、製品用の半導体ウェーハＷの研削を複数回行った後、研削ホイール５３の交換等によって研削砥石５４の位置調整が必要なときに、再度、テスト用の半導体ウェーハＷに対し、第１の調整工程及び第２の調整工程を含む研削が行われる。
【００４６】
以上のように、本実施の形態によれば、研削ホイール５３の交換前後で研削砥石５４の外径が変化しても、製品用の半導体ウェーハＷにおいて、凸部Ｗ１の幅ａ、ｂを規定値Ｈ２（Ｈ４）に容易に仕上げることができる。これにより、凸部Ｗ１の内周面Ｗ１ｂが図６で示す位置より右側に形成されてデバイスＤに重なることを回避でき、半導体ウェーハＷから凸部Ｗ１を除去するときに、内周面Ｗ１ｂに沿って生じる亀裂ＣによってデバイスＤが損傷することを防止することができる。また、第１の研削工程で研削した凸部Ｗ１の内周面を第２の研削工程で研削しないようにすることができ、凸部Ｗ１の幅ｂが小さくなって割れ易くなることを回避することができる。更に、第１の研削工程で研削した凸部Ｗ１の内周面を第２の研削工程で研削し、仕上げ研削ユニット３３における研削砥石５４の角部が丸みを帯びた形状になることを防止することができる。これにより、図７Ｂのように凸部Ｗ１の内周面が形成されることを回避でき、凸部Ｗ１の除去において亀裂Ｃの形成位置がデバイスＤに重なることを防止することができる。
【００４７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４８】
例えば、上記のテスト用の半導体ウェーハＷの研削では、第１の研削工程後に第１の調整工程、第２の研削工程後に第２の調整工程を行ったが、これに限られるものでない。例えば、各研削面Ｗａ，Ｗｂの形成中に、測定手段５６、５７によって凸部Ｗ１の幅ａ、ｂを測定し、その測定結果に基づいて進退手段４１、４２を駆動し、Ｒ１、Ｒ２方向に研削砥石５４の位置を調整してもよい。
【００４９】
また、スピンナー洗浄部１６に測定手段５６、５７と同様の構成をなす測定手段１１０（図２参照）を設けた構成としてもよい。この構成では、上記の各調整工程を省略して研削を行ってから、スピンナー洗浄部１６に搬送されて洗浄された半導体ウェーハＷに対し、測定手段１１０によって凸部Ｗ１の幅ａ、ｂを測定することができる。
【００５０】
上記実施の形態では、粗研削ユニット３２と仕上げ研削ユニット３３との２体の研削ユニットを備えた構成としたが、１枚の半導体ウェーハＷに対する研削工程の回数に応じて、研削ユニットの設置数を増減してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上説明したように、本発明は、半導体ウェーハ等の板状ワークの外周に形成される凸部の幅を規定値に容易に仕上げることができるという効果を有する。
【符号の説明】
【００５２】
１  研削装置
３２  粗研削ユニット（研削手段）
３３  仕上げ研削ユニット（研削手段）
３４  保持テーブル
４１、４２  進退手段
４４  研削送り手段
５４  研削砥石
５６、５７  測定手段
８１  演算部
８２  制御部
Ｗ  半導体ウェーハ（板状ワーク）
Ｗ１  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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