(57)【要約】【課題】安定した電気的な接続信頼性と、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を備え、経済性にも優れる差し込みコネクタを提供する。【解決手段】雌端子に雄端子を嵌め込むことによって、電流路が形成される差し込みコネクタであり、雌端子及び雄端子の少なくとも一方の接続部分の母材に、下地めっき層を介してＡｇ−Ｂｉ合金めっき層又は光沢Ａｇめっき層と純Ａｇめっき層が順に形成され、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を高めている。このＡｇ−Ｂｉ合金めっき層中のＢｉ含有率が０．０１ａｔ％以上３ａｔ％以下の範囲にあることが好ましい。また、光沢Ａｇめっき層には、Ｓｅ及びＳｂのいずれか一方又は双方が含まれていることが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
雌端子に雄端子を嵌め込むことによって、電流路が形成される差し込みコネクタにおいて、
前記雌端子及び前記雄端子の少なくとも一方の接続部分の母材に、下地めっき層を介してＡｇ−Ｂｉ合金めっき層と純Ａｇめっき層が順に形成され、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を高めたことを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項２】
請求項１記載の差し込みコネクタにおいて、前記Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層中のＢｉ含有率が０．０１ａｔ％以上３ａｔ％以下の範囲にあることを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項３】
請求項１又は２記載の差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層は厚みが０．５μｍ以上２μｍ以下のＮｉめっき層であり、前記Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層の厚みが０．２μｍ以上２μｍ以下の範囲にあり、前記純Ａｇめっき層の厚みが０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層と前記Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層との間に、Ｃｕめっき層が形成されていることを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項５】
雌端子に雄端子を嵌め込むことによって、電流路が形成される差し込みコネクタにおいて、
前記雌端子及び前記雄端子の少なくとも一方の接続部分の母材に、下地めっき層を介して光沢Ａｇめっき層と純Ａｇめっき層が順に形成され、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を高めたことを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項６】
請求項５記載の差し込みコネクタにおいて、前記光沢Ａｇめっき層には、Ｓｅ及びＳｂのいずれか一方又は双方が含まれていることを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項７】
請求項５又は６記載の差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層は厚みが０．５μｍ以上２μｍ以下のＮｉめっき層であり、前記光沢Ａｇめっき層の厚みが０．２μｍ以上２μｍ以下の範囲にあり、前記純Ａｇめっき層の厚みが０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層と前記光沢Ａｇめっき層との間に、Ｃｕめっき層が形成されていることを特徴とする差し込みコネクタ。
【請求項９】
請求項４又は８記載の差し込みコネクタにおいて、前記Ｃｕめっき層の厚みは０．０５μｍ以上１μｍ以下の範囲にあることを特徴とする差し込みコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として自動車に使用される差し込みコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、自動車のエンジン周りの部品は、通常ボルトを用いて固定すると共に、電気的な接続がなされている。なお、ボルトの表面には、通電性を高めるため、Ｓｎ（すず）めっきがなされている。
このように、ボルトを用いることで、取り付け部分の接触面積を広げることができると共に、電気的な接続信頼性を高めることができる。
【０００３】
しかし、ボルトを用いる場合、例えば、上記した部品のメンテナンス時、この部品の取り付け取り外し作業を行う際に、ボルトを締めたり緩めたりする作業を行う必要があり、作業性が悪かった。
そこで、雌端子に雄端子を嵌め込む差し込みコネクタが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−５９４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、差し込みコネクタは、上記したボルトと比較して接続信頼性が低い。このため、差し込みコネクタの表面に、通電性の良い金属、例えば、純Ａｇ（銀）を被覆していたが、差し込みコネクタの使用により、被覆層が磨耗しても下地めっきが露出しないように、被覆厚みを厚くする（純Ａｇの使用量を増やす）必要があり、製造コストの上昇を招いていた。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、安定した電気的な接続信頼性と、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を備え、経済性にも優れる差し込みコネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う第１の発明に係る差し込みコネクタは、雌端子に雄端子を嵌め込むことによって、電流路が形成される差し込みコネクタにおいて、
前記雌端子及び前記雄端子の少なくとも一方の接続部分の母材に、下地めっき層を介してＡｇ−Ｂｉ合金めっき層と純Ａｇめっき層が順に形成され、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を高めている。
【０００８】
第１の発明に係る差し込みコネクタにおいて、前記Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層中のＢｉ含有率が０．０１ａｔ％以上３ａｔ％以下の範囲にあることが好ましい。
【０００９】
第１の発明に係る差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層は厚みが０．５μｍ以上２μｍ以下のＮｉめっき層であり、前記Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層の厚みが０．２μｍ以上２μｍ以下の範囲にあり、前記純Ａｇめっき層の厚みが０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
【００１０】
第１の発明に係る差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層と前記Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層との間に、Ｃｕめっき層が形成されていることが好ましい。
【００１１】
前記目的に沿う第２の発明に係る差し込みコネクタは、雌端子に雄端子を嵌め込むことによって、電流路が形成される差し込みコネクタにおいて、
前記雌端子及び前記雄端子の少なくとも一方の接続部分の母材に、下地めっき層を介して光沢Ａｇめっき層と純Ａｇめっき層が順に形成され、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を高めている。
【００１２】
第２の発明に係る差し込みコネクタにおいて、前記光沢Ａｇめっき層には、Ｓｅ及びＳｂのいずれか一方又は双方が含まれていることが好ましい。
【００１３】
第２の発明に係る差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層は厚みが０．５μｍ以上２μｍ以下のＮｉめっき層であり、前記光沢Ａｇめっき層の厚みが０．２μｍ以上２μｍ以下の範囲にあり、前記純Ａｇめっき層の厚みが０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
【００１４】
第２の発明に係る差し込みコネクタにおいて、前記下地めっき層と前記光沢Ａｇめっき層との間に、Ｃｕめっき層が形成されていることが好ましい。
【００１５】
第１、第２の発明に係る差し込みコネクタにおいて、前記Ｃｕめっき層の厚みは０．０５μｍ以上１μｍ以下の範囲にあるのがよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る差し込みコネクタは、接続部分の母材に、下地めっき層を介して、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層又は光沢Ａｇめっき層と、純Ａｇめっき層が順に形成されている。この純Ａｇめっき層の下層となるＡｇ−Ｂｉ合金めっき層と光沢Ａｇめっき層は、純Ａｇめっき層よりも硬度が高い。これにより、差し込みコネクタを繰り返し摺動させた際に、純Ａｇめっき層の磨耗の進行を抑制できるので、純Ａｇめっき層の厚みを従来よりも薄くできる。
従って、安定した電気的な接続信頼性と、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を備え、経済性にも優れる差し込みコネクタを提供できる。
【００１７】
また、下地めっき層とＡｇ−Ｂｉ合金めっき層又は光沢Ａｇめっき層との間に、Ｃｕめっき層が形成されている場合、下地めっき層と、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層又は光沢Ａｇめっき層との密着性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（Ａ）はＡｇめっきを行った試験片の摺動後の磨耗形態を示す説明図、（Ｂ）はＡｇ−Ｂｉ合金めっきを行った試験片の摺動後の磨耗形態を示す説明図である。
【図２】摺動回数の増加に伴う接触抵抗値の推移を示すグラフである。
【図３】耐熱性試験の前後における接触抵抗値の変化を示すグラフである。
【図４】耐熱性試験の前後におけるＡｇめっき層へのＣｕの拡散状況を示すグラフである。
【図５】摺動回数の増加に伴う接触抵抗値の推移を示す他のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
本発明の一実施の形態に係る差し込みコネクタ（以下、単にコネクタともいう）は、雌端子に雄端子を嵌め込むことによって、電流路が形成される差し込みコネクタであり、安定した電気的な接続信頼性と、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を備え、経済性にも優れるコネクタである。以下、詳しく説明する。
【００２０】
差し込みコネクタは、主として自動車に使用されるものであるが、これに限定されるものではない。
なお、差し込みコネクタの雄端子としては、例えば、従来自動車のエンジン周りの部品に使用していた前記したボルトの代わりに使用するもの（ボルトの周囲のねじ山がないもの）や、充電用プラグに使用するもの等がある。また、差し込みコネクタの雌端子としては、例えば、上記した雄端子が嵌め込まれるもの等がある。
【００２１】
上記した雌端子及び雄端子の少なくとも一方（双方でもよい）の接続部分の母材には、下地めっき層を介してＡｇ−Ｂｉ（銀／ビスマス）合金めっき層と純Ａｇめっき層（純度が、例えば、９９．９９質量％以上）が順に形成されている。
接続部分の母材としては、Ｃｕ（銅）合金を使用できるが、使用用途に応じて種々変更でき、例えば、Ｃｕ系（Ｃｕ又はＣｕ合金）、Ｆｅ（鉄）系（Ｆｅ又はＦｅ合金（ステンレス等））、及びＡｌ（アルミニウム）系（Ａｌ又はＡｌ合金）のいずれか１種を使用することもできる。
【００２２】
また、下地めっき層としては、母材からの元素の拡散を抑制するため、Ｎｉ（ニッケル）又はＮｉ合金を使用することが好ましい。
ここで、下地めっき層にＮｉを使用する場合、その厚みを０．５μｍ以上２μｍ以下にすることにより、母材からの元素の拡散を抑制する効果が向上する。
【００２３】
Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層と純Ａｇめっき層は、以下の理由により、母材の表面に形成した。
まず、図１（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら説明する。
図１（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれＡｇめっき層、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層が形成された半球状の凸部表面を、試験片に対して往復摺動させた場合の摺動後の試験片の磨耗形態を示す説明図である。なお、図１（Ａ）の試験片は、めっき層としてＡｇめっきを使用し、図１（Ｂ）の試験片は、めっき層としてＡｇ−Ｂｉ合金めっきを使用している。
【００２４】
図１（Ａ）に示すように、Ａｇめっき層の厚みが十分に厚い場合、Ａｇの自己潤滑と相互転写の特性が得られる。このため、凸部表面を試験片に対して摺動させると、Ａｇめっき層の磨耗速度は速いが、ある程度の深さで磨耗が進行しなくなる。
一方、Ａｇ−Ｂｉ合金はＡｇと比較して硬質であるため、凸部表面を試験片に対して摺動させると、磨耗の進行は遅いものの、図１（Ｂ）に示すように、磨耗の深さが摺動回数に比例し、下地が表面に露出することになる。
【００２５】
以上の結果を基に、摺動回数の増加に伴う接触抵抗値の推移について検討した結果を、図２を参照しながら説明する。なお、接触抵抗値の増加は、雌端子と雄端子との間の通電特性の低下を意味する（以下、同様）。
試験は、厚み１μｍのＡｇめっき層（下地めっき層：Ｎｉ）が形成された直径３ｍｍの半球状の凸部（厚み０．２ｍｍ）表面を、試験片に対して往復摺動（ストローク：０．０５ｍｍ、温度：室温）させることで行った。なお、試験片としては、Ａｇめっき層（厚み：２μｍと１０μｍ）がＮｉの下地めっき層を介して母材の表面に形成されたものと、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層（Ｂｉ含有量：０．２ａｔ％（原子％））と純Ａｇめっき層（厚み：２μｍ）が順に、Ｎｉの下地めっき層を介して母材の表面に形成されたものを使用した（合計３種類）。
【００２６】
図２に示すように、厚み２μｍのＡｇめっき層が形成された試験片は、Ａｇめっき層の厚みが薄過ぎたため、摺動試験の途中で、下地めっき層であるＮｉが表面に露出し、接触抵抗値の上昇を招いた。
また、厚み１０μｍのＡｇめっき層が形成された試験片は、Ａｇめっき層の厚みが十分であったため、下地めっき層であるＮｉが表面に露出することなく、接触抵抗値を低い値で推移させることができた（図１（Ａ）参照）。しかし、この場合、Ａｇめっき層の厚みが厚くなるため、製造コストの上昇を招く。
一方、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層と純Ａｇめっき層が順に形成された試験片は、純Ａｇめっき層の厚みが薄かったにも関わらず、上記した厚み２μｍのＡｇめっき層が形成された試験片と比較して、接触抵抗値を低い値で推移させることができた。
【００２７】
また、耐熱性試験の前後における接触抵抗値の変化を、図３を参照しながら説明する。
試験は、めっき層形成直後の試験片（耐熱性試験前の試験片）と、この試験片を１５０℃で１０００時間加熱した試験片（耐熱性試験後の試験片）を用い、前記した往復摺動により行った。なお、試験片としては、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層（Ｂｉ含有量：０．２ａｔ％）と純Ａｇめっき層が順に、Ｎｉの下地めっき層を介して母材の表面に形成されたもの（Ａｇ−Ｂｉ合金＋Ａｇ）と、純Ａｇめっき層のみがＮｉの下地めっき層を介して母材の表面に形成されたもの（Ａｇ）と、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層（Ｂｉ含有量：０．２ａｔ％のみがＮｉの下地めっき層を介して母材の表面に形成されたもの（Ａｇ−Ｂｉ合金）を使用した（合計３種類）。
【００２８】
図３から明らかなように、耐熱性試験前の試験片はいずれも、接触抵抗値が略同等で、しかも低い値であった。
一方、耐熱性試験後の試験片は、「Ａｇ−Ｂｉ合金」の場合、接触抵抗値の急激な上昇が確認されたが、「Ａｇ−Ｂｉ合金＋Ａｇ」については、耐熱性試験前と略同等の接触抵抗値が得られ、しかも、その接触抵抗値は「Ａｇ」と略同等であった。
更に、上記した「Ａｇ」と「Ａｇ−Ｂｉ合金＋Ａｇ」については、曲げ加工試験（曲げ試験又はＷ曲げ試験）を行ったが、「Ａｇ−Ｂｉ合金＋Ａｇ」のＡｇ−Ｂｉ合金めっき層とＡｇめっき層は、共に母材から剥がれることなく、曲げ加工性は「Ａｇ」のＡｇめっき層と略同等であった。
【００２９】
以上のことから、Ａｇの自己潤滑及び相互転写と、Ａｇ―Ｂｉ合金の硬質性を備える構成として、前記した構成、即ち、母材の表面に、下地めっき層を介してＡｇ−Ｂｉ合金めっき層と純Ａｇめっき層を順に形成した構成とした。
上記したＡｇ―Ｂｉ合金は、Ａｇ中にＢｉが固溶しているため、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層の硬度が、純Ａｇめっきの場合と比較して上昇する。例えば、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層のマイクロビッカース硬度（ＭＨｖ）は、上記した耐熱性試験後も１１０以上である（Ａｇめっき層の硬度は８０程度）。このＡｇ−Ｂｉ合金めっき層の耐熱性試験前のマイクロビッカース硬度は、１２０以上１８０以下程度である。
【００３０】
なお、この場合、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層中のＢｉの含有率は、例えば、０．０１ａｔ％以上３ａｔ％以下（下限を０．０５ａｔ％、更には０．１ａｔ％とすることが好ましく、上限を１ａｔ％、更には０．５ａｔ％とすることが好ましい）でよい。
ここで、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層中のＢｉ含有率が０．０１ａｔ％未満の場合、Ｂｉ量が少な過ぎて皮膜硬度が不足し、耐摺動磨耗性に十分に寄与せず、一方、Ｂｉ含有率が３ａｔ％超の場合、Ｂｉ量が多過ぎて皮膜が硬くなり、曲げ加工性が劣る。
また、Ａｇ−Ｂｉ合金めっきは、Ｂｉを除けば全てＡｇであるが、不可避的不純物が含まれている場合もある。
【００３１】
このＡｇ―Ｂｉ合金めっき層の厚みは、特に限定されるものではないが、０．２μｍ以上２μｍ以下（好ましくは、下限を０．５μｍ、上限を１．５μｍ）の範囲にあることが好ましい。
Ａｇ―Ｂｉ合金めっき層の厚みを、上記した範囲に規定することで、Ａｇ―Ｂｉ合金めっき層の特性、即ち純Ａｇめっき層の下層に硬質層を存在させるという特性を、十分に発揮できる。
【００３２】
また、純Ａｇめっき層の厚みも、特に限定されるものではないが、０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
ここで、純Ａｇめっき層の厚みが０．５μｍ未満の場合、厚みが薄過ぎて、コネクタの使用時に純Ａｇめっき層が磨耗し、下層のＡｇ―Ｂｉ合金めっき層が露出して、接触抵抗値の上昇を招く（図１（Ｂ）参照）。一方、純Ａｇめっき層の厚みが厚ければ、Ａｇの自己潤滑と相互転写の効果が得られるため、上限値については特に限定されないが、製造コストの低減を図るためには、５μｍ（好ましくは３μｍ、更に好ましくは２μｍ）程度がよい。
【００３３】
上記したＡｇ―Ｂｉ合金めっき層は、下地めっき層の表面に直接形成できるが、下地めっき層とＡｇ―Ｂｉ合金めっき層との密着性を高めるため、特に、高温（１５０℃超）の使用環境下では、下地めっき層とＡｇ−Ｂｉ合金めっき層との間に、Ｃｕめっき層を形成することが好ましい。
このＣｕめっき層の厚みは、特に限定されるものではないが、０．０５μｍ以上１μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
【００３４】
Ｃｕめっき層の厚みが０．０５μｍ未満の場合、Ｃｕめっき層の厚みが薄過ぎて、下地めっき層が拡散し、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層が剥がれ易くなる。このため、Ｃｕめっき層の厚みを０．０５μｍ以上としたが、０．０８μｍ以上とすることが好ましい。
一方、Ｃｕめっき層の厚みが厚くなっても、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層により、純Ａｇめっき層へのＣｕの拡散を抑制、更には防止できるため、上限値については特に限定されるものではないが、経済性を考慮すれば、１μｍ（更には、０．５μｍ）である。
【００３５】
ここで、耐熱性試験の前後におけるＡｇめっき層へのＣｕの拡散状況について、図４を参照しながら説明する。
試験は、めっき層形成直後の試験片（耐熱性試験前の試験片）と、この試験片を１５０℃で１０００時間加熱した試験片（耐熱性試験後の試験片）を用い、Ａｇめっき層中のＣｕ量の割合（Ｃｕ／Ａｇ）を算出することで行った（ＡＥＳ分析結果：分析面の最表面層を高精度に分析可能）。なお、試験片としては、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層（Ｂｉ含有量：０．２ａｔ％）と純Ａｇめっき層が順に、Ｃｕめっき層の表面に形成されたもの（Ａｇ−Ｂｉ合金＋Ａｇ）と、純Ａｇめっき層のみがＣｕめっき層の表面に形成されたもの（Ａｇ）を使用した（合計２種類）。
【００３６】
図４から明らかなように、耐熱性試験前の試験片は、「Ａｇ」の場合、Ａｇめっき層へのＣｕの拡散が僅かに発生したが、「Ａｇ−Ｂｉ合金＋Ａｇ」の場合、Ａｇめっき層へのＣｕの拡散は全くなかった。
また、耐熱性試験後の試験片は、「Ａｇ」の場合、Ａｇめっき層へのＣｕの拡散が顕著に発生したが、「Ａｇ−Ｂｉ合金＋Ａｇ」の場合、Ａｇめっき層へのＣｕの拡散は全くなかった。
【００３７】
なお、差し込みコネクタには、上記したＡｇ−Ｂｉ合金めっき層の代わりに、光沢Ａｇめっき層を形成したものを使用することもできる。
ここで、摺動回数の増加に伴う接触抵抗値の推移について検討した他の結果を、図５を参照しながら説明する。
試験は、エンボス材に形成された直径３ｍｍの半球状の凸部表面を、試験片に対して往復摺動（加重：４Ｎ、ストローク：１０ｍｍ、温度：室温）させることで行った。なお、エンボス材と試験片の母材は共に、Ｃｕで構成されている。また、母材の表面にはそれぞれ、半光沢Ｎｉの下地めっき層（厚み：１．０μｍ）を介して、同一構成（組成と厚みが同一）のめっき層が形成されている。
【００３８】
なお、めっき層が形成された母材として、以下の３種類を使用した。
・めっき層として純Ａｇめっき層（厚み：１．０μｍ）が、下地めっき層を介して、母材の表面に形成されたもの
・めっき層としてＡｇ−Ｂｉ合金めっき層（Ｂｉ含有量：０．２ａｔ％、厚み：０．３μｍ）と純Ａｇめっき層（厚み：１．０μｍ）が順に、下地めっき層を介して、母材の表面に形成されたもの
・めっき層として光沢Ａｇめっき層（厚み：０．３μｍ）と純Ａｇめっき層（厚み：１．０μｍ）が順に、下地めっき層を介して、母材の表面に形成されたもの
【００３９】
図５に示すように、下地めっき層の表面に純Ａｇめっき層のみが形成された試験片は、純Ａｇめっき層の厚みが薄過ぎたため、純Ａｇめっき層が摺動回数４回程度で剥がれてしまい（母材表面が露出していまい）、接触抵抗値の上昇を招いた。
一方、下地めっき層の表面に、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層と純Ａｇめっき層が順に形成された試験片は、前記した図２の結果と同様、純Ａｇめっき層の厚みが薄かったにも関わらず、接触抵抗値を低い値で推移させることができた。
また、下地めっき層の表面に、光沢Ａｇめっき層と純Ａｇめっき層が順に形成された試験片は、摺動回数２０回程度まで、上記したＡｇ−Ｂｉ合金めっき層が形成された場合と同様、接触抵抗値が低い値で推移していた。
【００４０】
従って、差し込みコネクタには、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層の代わりに、光沢Ａｇめっき層が形成されたものを使用することもできる。
ここで、光沢Ａｇめっきとは、光沢剤の添加による電気化学反応の抑制により、Ａｇの結晶組織が微細化され、表面平滑度が向上して、光沢が得られるものである。また、この微細な結晶の粒界には、添加された物質や水素が不純物として析出している結果、硬質のめっき膜となる（マイクロビッカース硬度：１２０以上１８０以下程度）。
なお、Ａｇ中に含まれる上記した光沢剤としては、Ｓｅ（セレン）及びＳｂ（アンチモン）のいずれか一方又は双方がある。
【００４１】
なお、光沢剤として、ＳｅとＳｂの双方を含む場合、光沢Ａｇめっき層中のＳｅとＳｂの各含有率は、例えば、以下の割合であることが好ましい。
・Ｓｅ：０．０５ａｔ％以上０．０９ａｔ％以下
・Ｓｂ：０．１５ａｔ％以上０．３０ａｔ％以下
これにより、皮膜硬度が高められ、耐摺動磨耗性を備えることができると共に、必要な曲げ加工性も備えることができる。
なお、光沢Ａｇめっきは、ＳｅとＳｂの双方を含む場合、ＳｅとＳｂの双方（Ｓｅ及びＳｂのいずれか一方のみを含む場合、その一方）を除けば全てＡｇであるが、不可避的不純物が含まれている場合もある。
【００４２】
また、光沢Ａｇめっきは、上記硬度が得れる構成であれば、特に限定されるものではなく、例えば、以下に示す光沢剤が含まれるものでもよい。
（１）二酸化炭素とケトン類の縮合生成物
（２）キサントゲン塩
（３）ＡＳＫ化合物（アクロレイン−二硫化硫黄縮合生成物）
（４）チオカクバジッド縮合生成物
（５）チオ硫酸塩
（６）セレニウムとテルリウム化合物
（７）アンチモン−ビスマス化合物
【００４３】
この光沢Ａｇめっき層の厚みは、特に限定されるものではないが、０．２μｍ以上２μｍ以下（好ましくは、下限を０．５μｍ、上限を１．５μｍ、更には１．０μｍ）の範囲にあることが好ましい。
光沢Ａｇめっき層の厚みを、上記した範囲に規定することで、光沢Ａｇめっき層の特性、即ち純Ａｇめっき層の下層に硬質層を存在させるという特性を、十分に発揮できる。
また、上記した光沢Ａｇめっき層は、下地めっき層の表面に直接形成できるが、下地めっき層と光沢Ａｇめっき層との密着性を高めるため、下地めっき層と光沢Ａｇめっき層との間に、前記したＣｕめっき層（例えば、厚みが０．０５μｍ以上１μｍ以下）を形成することが好ましい。
【００４４】
以上に示した本発明の差し込みコネクタは、安定した電気的な接続信頼性と、繰り返し摺動に対する耐磨耗性を備え、経済性にも優れる。
【００４５】
続いて、本発明の一実施の形態に係る差し込みコネクタの製造方法について説明する。
まず、母材を準備する。この母材は、製品と略同一形状に加工されたものである。
そして、この母材をめっき浴中に浸漬して、めっき処理する。
このめっき処理は、Ｎｉめっき、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき、及び純Ａｇめっきを、順次行う。ここで、Ａｇ−Ｂｉ合金めっきは、Ｂｉ濃度を調整しためっき浴を使用し、陽極にＰｔ（白金電極）を用いて行う。
なお、Ｃｕめっきを行う場合は、Ｎｉめっきを行った後、Ｃｕめっきを行う。
これにより、母材に、下地めっき層を介して（場合によってはＣｕめっき層と）Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層と純Ａｇめっき層を順に形成できる。
【００４６】
また、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層の代わりに、光沢Ａｇめっき層を形成する場合も、上記した方法と同様に、母材をめっき浴中に浸漬して、Ｎｉめっき、光沢Ａｇめっき、及び純Ａｇめっきの各めっき処理を、順次行う。
なお、光沢Ａｇめっき層として、Ａｇ中にＳｅとＳｂの双方が含まれる場合のめっき液には、例えば、めっき液１リットル中に、Ａｇ：６０ｇ、Ｓｅ：２０ｍｇ以上４０ｍｇ以下、Ｓｂ：１００ｍｇ以上２００ｍｇ以下のものを使用できる。
これにより、母材に、下地めっき層を介して（場合によってはＣｕめっき層と）光沢Ａｇめっき層と純Ａｇめっき層を順に形成できる。
【００４７】
以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。例えば、前記したそれぞれの実施の形態や変形例の一部又は全部を組合せて本発明の差し込みコネクタを構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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