(57)【要約】【課題】基板の帯電を低減するとともに安定的に電荷を放出することを目的としている。【解決手段】回路層３０が一方の面に形成され、回路層３０が形成された面とは反対側の面に、凹凸の表面を有する導電膜３２が積層された絶縁基板１０を用意する。シャドウマスク３８に回路層３０を対向させるように、絶縁基板１０を配置する。シャドウマスク３８を使用した真空成膜プロセスによって、回路層３０に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。真空成膜プロセスで、接地された押さえ板４０を、導電膜３２の凹凸の凸部３６に押さえ付けて、回路層３０をシャドウマスク３８に密着させる。押さえ板４０は、凸部３６で導電膜３２と電気的に接続する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路層が一方の面に形成され、前記回路層が形成された前記面とは反対側の面に、凹凸の表面を有する導電膜が積層された絶縁基板を用意する工程と、
シャドウマスクに前記回路層を対向させるように、前記絶縁基板を配置する工程と、
前記シャドウマスクを使用した真空成膜プロセスによって、前記回路層に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
を含み、
前記真空成膜プロセスで、接地された押さえ板を、前記導電膜の前記凹凸の凸部に押さえ付けて、前記回路層を前記シャドウマスクに密着させ、
前記押さえ板は、前記凸部で前記導電膜と電気的に接続することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、
前記絶縁基板と前記導電膜との間に樹脂部が介在し、前記樹脂部によって、前記導電膜に前記凸部が形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、
前記絶縁基板と前記導電膜との間に、可視光を吸収する光吸収層が介在していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、
前記導電膜は、マトリクス状に配列された複数の前記凸部を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルは、低分子材料を用いた真空一貫プロセスで製造することが主流になっている。真空一貫プロセスでは、基板が帯電することがある。帯電が発生するのは、蒸着マスクを基板に密着させるために、押さえ板を基板に接触させたり脱離させたりを繰り返すからである。帯電が発生すると、着膜パターン異常や搬送トラブルなどが起きるが、真空一貫プロセスではプロセス槽内に残留ガス（分子）が少ないことから、イオナイザや軟Ｘ線等の既存の除電技術を適用することができず、除電が困難である。そこで、基板の帯電を防止する方法又は電荷を逃がす方法が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−２７３１６６号公報
【特許文献２】特開２００４−４７１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１には、基板の裏面に導電膜を形成することで、帯電する静電気を一様化し、薄膜トランジスタにおける電位差の発生を防止することが開示されている。特許文献２には、薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有する基板の裏面に帯電防止膜を形成することが開示されている。これらによれば、基板に電荷が誘起された場合でも、導電膜又は帯電防止膜を設備筺体（アース）に接触させることにより、電荷を放出することができる。
【０００５】
しかし、平坦な基板の裏面全域で良好なコンタクトを得ることは難しく、生産性向上のためには短時間でより安定的に電荷の放出を行うための工夫が必要である。
【０００６】
本発明は、基板の帯電を低減するとともに安定的に電荷を放出することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法は、回路層が一方の面に形成され、前記回路層が形成された前記面とは反対側の面に、凹凸の表面を有する導電膜が積層された絶縁基板を用意する工程と、シャドウマスクに前記回路層を対向させるように、前記絶縁基板を配置する工程と、前記シャドウマスクを使用した真空成膜プロセスによって、前記回路層に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、を含み、前記真空成膜プロセスで、接地された押さえ板を、前記導電膜の前記凹凸の凸部に押さえ付けて、前記回路層を前記シャドウマスクに密着させ、前記押さえ板は、前記凸部で前記導電膜と電気的に接続することを特徴とする。本発明によれば、押さえ板によって回路層をシャドウマスクに密着させるが、押さえ板は導電膜の凸部を押さえるので、導電膜の全面を押さえるときよりも接触面積が小さくなり、接触による絶縁基板の帯電を低減することができる。また、絶縁基板に誘起された電荷は、導電膜の凸部を介して、押さえ板から放出することができる。
【０００８】
（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、前記絶縁基板と前記導電膜との間に樹脂部が介在し、前記樹脂部によって、前記導電膜に前記凸部が形成されることを特徴としてもよい。
【０００９】
（３）（１）又は（２）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、前記絶縁基板と前記導電膜との間に、可視光を吸収する光吸収層が介在していることを特徴としてもよい。
【００１０】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、前記導電膜は、マトリクス状に配列された複数の前記凸部を有することを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法で使用する絶縁基板を示す断面図である。
【図２】凹凸の表面を有する導電膜を示す平面図である。
【図３】本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法で使用する製造装置を説明するための図である。
【図４】本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法を説明するための図である。
【図５】図４に示す構造の一部を拡大した図である。
【図６】真空成膜プロセスで形成された有機エレクトロルミネッセンス素子を示す図である。
【図７】本発明を適用した実施形態の変形例１を説明する図である。
【図８】本発明を適用した実施形態の変形例２を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法で使用する絶縁基板を示す断面図である。
【００１４】
絶縁基板１０は、ガラスからなる。絶縁基板１０の一方の面には、絶縁基板１０からの不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１２が形成され、その上に半導体層１４が形成されている。半導体層１４を覆ってゲート絶縁膜１６が形成されている。ゲート絶縁膜１６の上にはゲート電極１８が形成され、ゲート電極１８を覆って層間絶縁膜２０が形成されている。層間絶縁膜２０上には画素電極２２が形成されている。画像を表示するための複数の画素を構成するための複数の画素電極２２が画像表示領域に配置されている。画素電極２２は、層間絶縁膜２０を貫通して、半導体層１４上のソース電極２４及びドレイン電極２６の一方に電気的に接続している。また、ソース電極２４及びドレイン電極２６の他方は、層間絶縁膜２０を貫通してその上に形成された電源供給配線（図示せず）に電気的に接続されている。層間絶縁膜２０、画素電極２２及び電源供給配線上に、絶縁層２８が形成されている。絶縁層２８は、画素電極２２の一部を開口させるように形成されている。絶縁層２８によって、画素電極２２の一部を囲むバンクが形成される。
【００１５】
絶縁基板１０の一方の面には回路層３０が形成されている。画素電極２２は回路層３０の一部である。回路層３０は、半導体層１４、ソース電極２４、ドレイン電極２６及びゲート電極１８によって構成される薄膜トランジスタを含む。本実施形態では、多面取りのパネル製造方法が想定されており、絶縁基板１０から複数のパネルが切り出される。
【００１６】
絶縁基板１０の回路層３０が形成された面とは反対側の面には、導電膜３２が積層されている。絶縁基板１０と導電膜３２との間に樹脂部３４が介在している。樹脂部３４は、印刷又はフォトリソグラフィを適用した加工方法で形成することができる。樹脂部３４によって、導電膜３２に凸部３６が形成され、凸部３６の無い部分（図１では平坦部）が相対的に凹部になり、導電膜３２は凹凸の表面を有する。
【００１７】
図２は、凹凸の表面を有する導電膜３２を示す平面図である。導電膜３２は、マトリクス状に配列された複数の凸部３６を有する。変形例として、レール状（凸条）になるように凸部を設けてもよい。凸部３６は、複数のパネルに切り出される絶縁基板１０の切断線を避けて設けられる。したがって、凸部３６は、完成品のパネルに残ることになる。
【００１８】
図３は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法で使用する製造装置を説明するための図である。
【００１９】
本実施形態では、シャドウマスク３８を使用した真空成膜プロセス（蒸着・スパッタリングなど）を行って低分子の材料を成膜する。図３に示すように、シャドウマスク３８に回路層３０を対向させるように、絶縁基板１０を配置する。シャドウマスク３８とは反対側には、押さえ板４０が配置されており、絶縁基板１０をシャドウマスク３８の方向に押し付けて両者を密着させるようになっている。なお、押さえ板４０の上（絶縁基板１０とは反対側）にはマグネット４２が備えてあり、磁力でシャドウマスク３８を吸着することで密着力が増強される。押さえ板４０は、接地（アース）されている。
【００２０】
図４は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法を説明するための図である。シャドウマスク３８を使用した真空成膜プロセス（蒸着・スパッタリングなど）では、図４に示すように、押さえ板４０によって絶縁基板１０（詳しくは回路層３０）をシャドウマスク３８に密着させる。回路層３０とシャドウマスク３８が密着することでシャドウイングの効果が得られる。
【００２１】
ただし、絶縁基板１０とシャドウマスク３８の接触及び剥離によって絶縁基板１０が帯電する。接触及び剥離は、製造プロセスにおいて１０〜２０回は行われる。絶縁基板１０が帯電すると、シャドウマスク３８が絶縁基板１０に貼りついてしまい、完全に剥離しないまま（一部が接触したまま）、シャドウマスク３８と絶縁基板１０とが摺り動くことになり、絶縁基板１０に傷を付けるおそれがある。あるいは、絶縁基板１０の搬送トラブルの原因にもなり、帯電によって異物を吸着することもあり得る。そこで、本実施形態では、接地（アース）された押さえ板４０で電荷を放出するようになっている。
【００２２】
図５は、図４に示す構造の一部を拡大した図である。図５に示すように、押さえ板４０は、導電膜３２の凹凸の凸部３６を押さえる。押さえ板４０は、接地（アース）されており、凸部３６で導電膜３２と電気的に接続するので、導電膜３２を介して絶縁基板１０に誘起された電荷を放出することができる。導電膜３２は、凸部３６を有するので、相対的な凹部（例えば平坦部）と押さえ板４０との間に隙間が形成される。隙間があることで、異物の挟み込みを防止することができる。
【００２３】
本実施形態によれば、押さえ板４０によって回路層３０をシャドウマスク３８に密着させるが、押さえ板４０は導電膜３２の凸部３６を押さえるので、導電膜３２の全面を押さえるときよりも接触面積が小さくなり、接触による絶縁基板１０の帯電を低減することができる。また、絶縁基板１０に誘起された電荷は、導電膜３２の凸部３６を介して、押さえ板４０から放出することができる。そして、シャドウマスク３８を使用した真空成膜プロセス（蒸着・スパッタリングなど）を行う。
【００２４】
図６は、真空成膜プロセスで形成された有機エレクトロルミネッセンス素子を示す図である。有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも発光層４４を含み、さらに、電子輸送層４６、正孔輸送層４８、電子注入層５０及び正孔注入層５２のうち少なくとも一層を含んでもよい。有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する少なくとも一層は、有機材料からなる。その後、公知のプロセスを経て、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルを製造することができる。
【００２５】
図７は、本発明を適用した実施形態の変形例１を説明する図である。この変形例では、絶縁基板１１０と導電膜１３２との間に、可視光を吸収する光吸収層１５４が介在している。有機エレクトロルミネッセンス素子の下には画素電極２２（図６参照）があり、画素電極２２の下に図示しない反射膜があるが、反射膜は、全面にあるわけではなく、絶縁層２８の下には反射膜がない。そのため、光が漏れるのを防止するため、図７に示す例では光吸収層１５４を設けてある。光吸収層１５４の材料は、例えば、ブラックマトリクスの材料であってもよく、金属であってもよいし、黒色の顔料が分散された樹脂であってもよい。光吸収層１５４は、光を反射するのではなく、可視光を吸収するので、光が反射して隣の画素に入射して混色が発生することがない。
【００２６】
図８は、本発明を適用した実施形態の変形例２を説明する図である。この変形例では、導電膜２３２は、その周縁に沿って一列で並ぶ複数の凸部２３６を有する。言い換えると、導電膜２３２は、周縁部のみに凸部２３６が形成され、中央部には凸部２３６が形成されないようになっている。
【００２７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００２８】
１０  絶縁基板、１２  アンダーコート層、１４  半導体層、１６  ゲート絶縁膜、１８  ゲート電極、２０  層間絶縁膜、２２  画素電極、２４  ソース電極、２６  ドレイン電極、２８  絶縁層、３０  回路層、３２  導電膜、３４  樹脂部、３６  凸部、３８  シャドウマスク、４０  押さえ板、４２  マグネット、４４  発光層、４６  電子輸送層、４８  正孔輸送層、５０  電子注入層、５２  正孔注入層、１１０  絶縁基板、１３２  導電膜、１５４  光吸収層、２３２  導電膜、２３６  凸部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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