(57)【要約】【課題】コネクタの劣化などにより通信に障害が生じることがないデータバスシステムおよび記録装置を提供する。【解決手段】データを記録保持する複数の記録装置と、複数の記録装置と無線通信により接続され、前記データの伝送を行う伝送路と、記録装置および伝送路の状態を管理する管理装置とを備えるデータバスシステムである。【選択図】図１
2015072514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記録保持する複数の記録装置と、
該複数の記録装置と無線通信により接続され、前記データの伝送を行う伝送路と、
前記記録装置および前記伝送路を管理する管理装置と
を備えるデータバスシステム。
【請求項２】
前記伝送路は導波管により構成されている
請求項１に記載のデータバスシステム。
【請求項３】
前記複数の記録装置と前記伝送路との通信はマイクロ波帯を用いて行われる
請求項１に記載のデータバスシステム。
【請求項４】
前記複数の記録装置と前記伝送路との通信はミリ波帯を用いて行われる
請求項１に記載のデータバスシステム。
【請求項５】
前記複数の記録装置と前記伝送路との通信には複数の周波数を用いる
請求項１に記載のデータバスシステム。
【請求項６】
前記複数の記録装置には、前記複数の周波数のうちの一の周波数により通信を行う前記記録装置と、前記一の周波数とは異なる他の周波数により通信を行う前記記録装置があり、前記管理装置により、前記複数の周波数のうち通信に使用する周波数を選択することにより、通信の対象となる前記記録装置を切り替えることが可能である
請求項５に記載のデータバスシステム。
【請求項７】
前記複数の記録装置と前記伝送路との間の前記複数の周波数による通信は同時に行うことが可能である
請求項５に記載のデータバスシステム。
【請求項８】
前記複数の記録装置を格納するラックを備える
請求項１に記載のデータバスシステム。
【請求項９】
前記伝送路を構成する導波管は、前記ラックに設けられている
請求項８に記載のデータバスシステム。
【請求項１０】
前記記録装置は、前記ラックに収容可能なメモリカートリッジである
請求項８に記載のデータバスシステム。
【請求項１１】
データを記録保持する記録部と、
外部の伝送路と無線通信を行う通信部と、
前記記録部における前記データの入出力を制御するメモリコントローラと
を備える
記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、データバスシステムおよび記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、フラッシュ型半導体メモリなどを内部に収納した記録装置としては、ＳＤカードと称されるもの、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリと称されるもの、半導体メモリチップを複数以上収納したＨＤＤ（Hard Disc Drive）、取り付け互換をもったＳＳＤ（Solid State Drive）と称されるものなどがある。それらは通常、外部装置との通信のためにインターフェースとして電気的な接点を備える（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１２６２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、それらの装置は、ネットワークや他の装置との接続はコネクタの物理的な抜き差しを前提としているため、むき出しになっているコネクタの耐久性が低いという問題がある。また、コネクタの抜き差しに対する耐久性にも問題がある。さらに、静電気、コネクタ部腐食などの問題もある。これらの問題が生じるとネットワーク、他の装置との通信が不可能となってしまう。
【０００５】
本技術はこのような問題点に鑑みなされたものであり、コネクタの劣化などにより通信に障害が生じることがないデータバスシステムおよび記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、第１の技術は、データを記録保持する複数の記録装置と、複数の記録装置と無線通信により接続され、前記データの伝送を行う伝送路と、記録装置および前送路を管理する管理装置とを備えるデータバスシステムである。
【０００７】
また、第２の技術は、データを記録保持する記録部と、外部の伝送路と無線通信を行う通信部と、記録部におけるデータの入出力を制御するメモリコントローラとを備える記録装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本技術によれば、コネクタの接点の劣化などにより通信が不能となることがなく、通信に障害が生じることもないデータバスシステムを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、データバスシステムの構成を示すブロック図である。
【図２】図２Ａは、データバスシステムを用いたラックシステムの第１の例の外観図であり、図２Ｂは第１の例のラックシステムの構成を示すブロック図である。
【図３】図３Ａは、データバスシステムを用いたラックシステムの第２の例の外観図であり、図３Ｂは第２の例のラックシステムの構成を示すブロック図である。
【図４】図４は、複数のラックシステムをデータセンタの外観図である。
【図５】図５Ａは、メモリカートリッジの上面斜視図であり、図５Ｂは、メモリカートリッジの底面斜視図である。
【図６】図６は、メモリカートリッジの分解斜視図である。
【図７】図７は、メモリカートリッジの分解斜視図である。
【図８】図８Ａおよび図８Ｂは、メモリカートリッジのコネクタ部分の拡大図である。
【図９】図９Ａは、メモリカートリッジのコネクタと導波管側のコネクタの接続状態を示す拡大図であり、図９Ｂは、メモリカートリッジと導波管の接続状態を示す図である。
【図１０】図１０は、メモリカートリッジの構成を示すブロック図である。
【図１１】図１１は、導波管とメモリカートリッジの接続状態を示すブロック図である。
【図１２】図１２は、ＴＸモジュールとＲＸモジュールの仕様を示す図である。
【図１３】図１３は、ＴＸモジュールとＲＸモジュールの構成を示す図である。
【図１４】図１４は、ＴＸモジュールとＲＸモジュールの構成の第２の例を示す図である。
【図１５】図１５は、複数の周波数を用いて通信を行う場合における通信の概略を示す図である。
【図１６】図１６は、導波管の終端について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本技術の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
＜１．実施の形態＞
［１−１．データバスシステムの構成］
［１−２．記録装置の構成］
［１−３．バスと記録装置の接続］
＜２．変形例＞
【００１１】
＜１．実施の形態＞
［１−１．データバスシステムの構成］
まず、本実施の形態に係るデータバスシステム１の構成について説明する。図１はデータバスシステム１の構成を示すブロック図である。データバスシステム１は、管理装置２、記録装置としての複数のメモリカートリッジ３、３、３・・、およびバスとしての導波管４とから構成されている。
【００１２】
管理装置２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）およびＲＯＭ（Read Only Memory）などから構成される制御部、各種データやプログラムなどを記憶保持する記憶部、ユーザからの入力を受け付ける入力部などからなるパーソナルコンピュータ等の情報処理装置である。
【００１３】
ＲＯＭには、ＣＰＵにより読み込まれ動作されるプログラムなどが記憶されている。ＲＡＭは、ＣＰＵのワークメモリとして用いられる。ＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されたプログラムに従い様々な処理を実行してコマンドの発行を行うことによって管理装置２自体、データバスシステム１全体、各メモリカートリッジ３の管理制御を行う。
【００１４】
バスとしての導波管４は、管理装置２と複数のメモリカートリッジ３との間の伝送路として機能するものである。本技術においては、マイクロ波帯またはミリ波帯を利用した無線通信により導波管４とメモリカートリッジ３間の通信が行われる。
【００１５】
マイクロ波とは、周波数が３００ＭＨｚ程度〜３００ＧＨｚ程度、波長が１ｍから１００μｍ程度の電波である。また、ミリ波とは、周波数が３０-３００ＧＨｚ程度、波長が１ー１０ｍｍ程度の電波である。周波数が高いマイクロ波またはミリ波の電波を利用することにより、高速のデータレートでの無線通信が可能となる。
【００１６】
マイクロ波またはミリ波の特性としては、波長が短いためアンテナなどの小型化が可能である、電波の指向性が高いため、通信相手の方向にだけ電波を送信し、他の方向への電波の干渉を抑えることが可能であることなどが挙げられる。よって、空間中の機器同士が互いに干渉することなく効率よくデータ通信を行うことが可能となる。
【００１７】
本技術においては、バスとして高周波用伝送線路である導波管４が用いられている。導波管とは、光、電波などの伝送に用いられる、円形または方形の断面を持つ金属製の管である。電波は、導波管の中に、導波管の形状や寸法、波長（周波数）に応じた電磁界を形成しながら導波管の中を伝播する。
【００１８】
メモリカートリッジ３は、例えば、データを記録保持し、外部に出力することができるフラッシュ型半導体メモリを内部に内蔵したカートリッジである。メモリカートリッジ３は、マイクロ波またはミリ波を利用した無線通信によってバスとしての導波管４との通信を行う。
【００１９】
データバスシステム１は、以上のように構成されている。このデータバスシステム１は例えば、大規模サーバ、データセンタ、クラウド・コンピューティング用データセンタなどのシステムに用いられる。
【００２０】
次に、このデータバスシステム１を用いた具体的実施例を、データセンタなどとして用いられるラックシステムを例にして説明する。
【００２１】
図２Ａは、データバスシステム１が用いられるラックシステムの第１の外観例を示す図である。図２Ａの例においては、ラック１０に縦３列、横３列、奥行き２８個の合計２５２個のメモリカートリッジ３が収納されている。ただし、このメモリカートリッジ３の数はあくまで一例であり、その数に限定されるものではない。バスとしての導波管４は、例えばラックの背面側に鉛直状態で設けられている。
【００２２】
図２Ｂは、データバスシステム１を用いたラックシステムの構成を示す図である。ラック１０の背面側などに設けられているバスとしての導波管４は、非接触通信イーサネットモジュール１１を介してイーサネットスイッチ１２に接続されている。イーサネットスイッチ１２は、外部の機器と有線または無線で接続して、データの送受信を行う中継デバイスである。そして、イーサネットスイッチ１２とファイルサーバ１３とがＦＣ（Fiber Channel）を介して接続されている。さらにＦＣを介してファイルサーバ１３がコアルータに接続されている。コアルータとは、基幹となるネットワーク内でデータの伝送および中継に使用されるルータであり、大規模なデータセンタや通信システムなどで利用されるものである。
【００２３】
図３Ａはデータバスシステム１が用いられるラックシステムの第２の外観例を示す図である。図３Ａの例では、ラック２０内に縦に４１４（２５２＋１６２）個のメモリカートリッジ３が並んだ列が３列並んで収納されている。ただし、このメモリカートリッジ３の数はあくまで一例であり、その数に限定されるものではない。バスとしての導波管４は、例えばラック２０の背面側に鉛直状態で設けられている。
【００２４】
図３Ｂはデータバスシステム１を用いたラックシステムの構成を示す図である。導波管４とイーサネットスイッチ２２が非接触通信イーサネットモジュール２１により接続されている。そして、イーサネットスイッチ２２とＦＣスイッチ２３とがＦＣを介して接続されている。さらにＦＣを介してＦＣスイッチ２３がコアルータに接続されている。
【００２５】
このようなラックシステムにおけるネットワークは例えばＶＬＡＮ（Virtual Local Area Network）を用いて構築される。メモリカートリッジ３には一つ一つにＩＰ（Internet Protocol）アドレスが割り当てられている。ＩＰアドレスを用いることにより多数のメモリカートリッジ３の中から所望のメモリカートリッジを特定することが可能となっている。
【００２６】
なお、ラックとしては例えば１９インチラックが用いられる。１９インチラックとは、機器類を複数、集中的に収容する為の規格化されたラックであり、機器取り付け用の支柱のネジの水平間隔が１９インチと定められているものである。１９インチラックは、通信機器、映像機器、音響機器などの収容に広く用いられている。実際には、図４に示されるように、多数のラックシステムを用いることにより大規模ラックシステムが構築される。
【００２７】
多数のラックシステムにより大規模ラックシステムを構成する場合、格納されているメモリカートリッジ３の数も大量になるため、メモリカートリッジ３の状態を確認するのは多くの手間と時間を要することとなる。そこで、メモリカートリッジ３内に収納された不揮発性半導体メモリ３１３のデータ保持状態と再生性能を定期的に検査し、その状態を外部に通知する機能として図４に示されるようにラックに状態チェックアラート２５を設けるようにしてもよい。さらに、状態に問題があるメモリカートリッジ３の位置をユーザに通知するためにカートリッジに通知アラート２６を設けるようにしてもよい。
【００２８】
［１−２．メモリカートリッジの構成］
次に記録装置であるメモリカートリッジ３の構成について説明する。図５はメモリカートリッジ３の外観構成を示す図である。図５Ａは、メモリカートリッジ３の上面斜視図であり、図５Ｂは底面斜視図である。
【００２９】
メモリカートリッジ３は上側ケース３０１と下側ケース３０２とにより、略直方体状に構成されている。上側ケース３０１には、前方および後方に合計４つの積み重ね位置決め凹部３０３が形成されている。積み重ね位置決め凹部３０３は、上側ケース３０１の端部を切り欠くようにして形成されている。また、下側ケース３０２の底面の前方および後方には、積み重ね位置決め凹部３０３の数と同じく４つの積み重ね位置決め凸部３０４が設けられている。なお、積み重ね位置決め凹部３０３および積み重ね位置決め凸部３０４の数は４つに限られるものではない。
【００３０】
積み重ね位置決め凹部３０３と積み重ね位置決め凸部３０４の位置は対応しており、メモリカートリッジ３を積み重ねた際に、上に位置するメモリカートリッジ３の積み重ね位置決め凸部３０４が下に位置するメモリカートリッジ３の積み重ね位置決め凹部３０３に入り込むこととなる。これによって、積み重ねたメモリカートリッジ３の位置が固定されることとなる。
【００３１】
上側ケース３０１には上側滑り止め部３０５が形成されている。また、下側ケース３０２の底面には下側滑り止め部３０６が形成されている。上側滑り止め部３０５および下側滑り止め部３０６は、細かい多数の凹凸が形成されており、ユーザがメモリカートリッジ３をラックから引き抜く場合などにユーザの手がメモリカートリッジ３から滑るのを防止するものである。
【００３２】
また、下側ケース３０２の底面および側面にかけて複数の切り欠き部３０７が形成されている。切り欠き部３０７は、メモリカートリッジ３をラックに収納する際の位置決めや安定した状態でラック内に固定するために用いられるものである。
【００３３】
メモリカートリッジ３の前方側面には、通信用開口３０８が設けられている。通信用開口３０８は、メモリカートリッジ３とバスとしての導波管４とを接続するケーブルが挿通するためのものである。
【００３４】
図６は、メモリカートリッジ３の分解図である。また、図７は、メモリカートリッジ３を図６とは異なる角度から見た場合における分解図である。
【００３５】
メモリカートリッジ３内には、下側基板３１１、下側不要輻射シールド３１２、不揮発性半導体メモリ３１３、中間基板３１４、光補助給電レンズ３１７、上側基板３１８、放熱シート３１９、上側不要輻射シールド３２１、回路部３２２、レックアンレック３２３、非接触タグＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）３２４および電池が設けられている。
【００３６】
メモリカートリッジ３の内部の底側には下側基板３１１が設けられている。下側基板３１１の下面には下側不要輻射シールド３１２が設けられている。不要輻射とは、例えば電子機器などにおいて急峻な電流変化や電圧変化により発生する電磁界、電磁波や不要な電波などであり、周囲の電子装置を誤動作させたり、データ、信号などにノイズを与えてしまうおそれがあるものである。下側不要輻射シールド３１２は、例えば、銅又はニッケルなどの所定の金属により構成されており、その不要輻射を防ぐために設けられている。
【００３７】
下側基板３１１上には、複数の不揮発性半導体メモリ３１３が設けられている。この不揮発性半導体メモリ３１３に各種データが保存される。
【００３８】
下側基板３１１の上方には中間基板３１４が複数の基板ネジ３１５に支持されることにより設けられている。中間基板３１４上には不揮発性半導体メモリ３１３が設けられている。この不揮発性半導体メモリ３１３は下側基板３１１上に設けられているものと同様のものである。
【００３９】
中間基板３１４上には、メモリカートリッジ３と導波管４を接続するためのカートリッジ側コネクタ３１６が設けられている。メモリカートリッジ３と導波管４との接続については後述する。さらに、中間基板３１４には、光補助給電レンズ３１７が設けられている。
【００４０】
中間基板３１４の上方には、上側基板３１８が複数の基板ネジ３１５に支持されることにより設けられている。上側基板３１８上には不揮発性半導体メモリ３１３が設けられている。この不揮発性半導体メモリ３１３は下側基板３１１および中間基板３１４上に設けられているものと同様のものである。
【００４１】
さらに、上側基板３１８上には放熱シート３１９が設けられている。放熱シート３１９は、一対の脚部３２０を備えており、その脚部３２０で下側不要輻射シールド３１２上に起立する形で設けられている。メモリカートリッジ３内部において発生する熱は放熱シート３１９に伝達され、放熱シート３１９から放出される。
【００４２】
上側ケース３０１の内面側には上側不要輻射シールド３２１が設けられている。上側不要輻射シールド３２１は、上述した下側不要輻射シールド３１２と同様に銅又はニッケルなどの所定の金属により構成されており、その不要輻射を防ぐために設けられている。
【００４３】
また、メモリカートリッジ３内には、電源制御部、メモリコントローラなどとしての処理を行う回路部３２２が設けられている。さらに、メモリカートリッジ３内にはレックアンレック３２３が設けられている。
【００４４】
さらに、図７に示されるように、メモリカートリッジ３内には非接触タグＲＦＩＤ３２４が設けられている。非接触タグＲＦＩＤ３２４は、個々のメモリカートリッジ固有の識別データを記憶し、非接触通信技術により読み取り装置などと交信し、個々のメモリカートリッジ３を識別するためのものである。なお、図には現れていないが、メモリカートリッジ３に電力供給を行うための電池もメモリカートリッジ３内に設けられている。
【００４５】
図８は、中間基板３１４上におけるカートリッジ側コネクタ３１６周辺の拡大図である。カートリッジ側コネクタ３１６には、ケーブル側コネクタ４０１が接続されている。ケーブル側コネクタ４０１は、ケーブル４０２の一端に設けられているものである。
【００４６】
そして、図９Ａに示されるように、ケーブル４０２の他端側に設けられたケーブル側コネクタ４０３は、バスである導波管４に設けられた導波管側コネクタ２０１に接続されている。図９Ｂに示されるように、導波管側コネクタ２０１は、導波管４の側面に導波管２００の鉛直方向に沿って複数設けられている。
【００４７】
なお、ケーブル側コネクタ４０１とカートリッジ側コネクタ３１６とは電気的接点は有しておらず、コネクタ部分はアライメントとしての機能を有するのみとなっている。同様に、ケーブル側コネクタ４０３と導波管側コネクタ２０１も電気的接点は有しておらず、コネクタ部分はアライメントとしての機能を有するのみとなっている。通信はコネクタ内のマイクロ波またはミリ波通信用アンテナによる無線通信で行われる。したがって、電気的接点の劣化、腐食などにより通信に不具合が生じることがない。
【００４８】
図１０は、メモリカートリッジ３の機能ブロック図である。メモリカートリッジ３は、不揮発性半導体メモリアレイ３５１、電源制御部３５２、電池３５３、メモリコントローラ３５４、通信部３５５およびＲＦＩＣ３５６とから構成されている。
【００４９】
不揮発性半導体メモリアレイ３５１は、複数の不揮発性半導体メモリからなるものである。この不揮発性半導体メモリアレイ３５１に各種データが保存される。
【００５０】
電池３５３は、メモリカートリッジ３に電力供給を行う電力源である。電源制御部３５２は、電池３５３からの電力をメモリカートリッジ３の各部に供給する電力供給制御を行う制御部である。
【００５１】
メモリコントローラ３５４は、不揮発性半導体メモリアレイ３５１へのデータの書き込み処理、データの読み出し処理を行うものである。メモリコントローラ３５４は、さらにアクセス単位ごとに誤り検出・訂正処理などを行うものであってもよい。
【００５２】
通信部３５５は、ＴＸモジュール、ＲＸモジュールを備え、バスとしての導波管４との通信を行うものである。
【００５３】
ＲＦＩＣ３５６は、非接触状態で通信を行う機能を有するものである。通信相手となるリーダライタの出力する電波あるいは磁界をアンテナで受信し、電力に変換してメモリに格納されたＩＤ（識別情報）などをリーダライタに対して出力し、また外部から入力するデータをメモリコントローラ３５４に出力する処理などを実行する。さらに、ＩＤなどの識別情報による認証処理などのデータ処理機能を備えた構成であってもよい。
【００５４】
なお、電源制御部３５２、メモリコントローラ３５４は、例えば、回路部により所定のプログラムが実行されることにより実現されてもよい。また、プログラムによって実現されるのみでなく、それぞれの機能を有するハードウェアによる専用の回路などを組み合わせて実現されてもよい。
【００５５】
以上のようにしてメモリカートリッジ３が構成されている。
【００５６】
［１−３．バスと記録装置の接続］
次に、バスとしての導波管４と記録装置としてのメモリカートリッジ３との接続について説明する。図１１は、導波管４に設けられた導波管側コネクタ２０１と、メモリコントローラ３に設けられたカートリッジ側コネクタ３１６との接続状態を示すブロック図である。
【００５７】
導波管側コネクタ２０１はミリ波カプラ２２０で構成されている。また、カートリッジ側コネクタ３１６は、ミリ波カプラ３６０、ＴＸモジュール３４０、ＲＸモジュール３５０により構成されている。そして、導波管側コネクタ２０１とカートリッジ側コネクタ３１６は、ケーブル４０２で接続されている。
【００５８】
バスとしての導波管４と、その導波管４に接続されたメモリカートリッジ３との間の通信は、導波管側コネクタ２０１、ケーブル４０２およびカートリッジ側コネクタ３１６を介して行われる。
【００５９】
ＴＸモジュールおよびＲＸモジュールの仕様は、例えば、図１２に示されるようなものである。ただし、ＴＸモジュールおよびＲＸモジュールの仕様はそれに限られるものではない。ＴＸモジュールおよびＲＸモジュールは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて構成されている。
【００６０】
図１３は、カートリッジ側コネクタ３１６におけるＴＸモジュール３４０、ＲＸモジュール３５０の構成を示す図である。ＴＸモジュール３４０は、乗算器３４１、局部発振器３４２、アンプ３４３およびアンテナ３４４により構成されている。一方、ＲＸモジュール３５０は、アンテナ３５１、第１アンプ３５２、可変ゲインアンプ３５３、局部発振器３５４、乗算器３５５および第２アンプ３５６により構成されている。
【００６１】
メモリカートリッジから得られたデータは、ＴＸモジュール３４０において、乗算器３４１で局部発振器３４２からの局部発振信号（例えば、６０ＧＨｚのもの）との乗算がなされ、さらにアンプ３４３によって増幅される。そして、データは、信号としてアンテナ３４４からミリ波カプラ３６０に送信される。
【００６２】
導波管４から送り込まれた信号は、ＲＸモジュール３５０のアンテナ３５１で受信されると、第１アンプ３５２により増幅される。次に、可変ゲインアンプ３５３を介して、局部発振器３５４に供給される。そして、乗算器３５５において局部発振信号（例えば、６０ＧＨｚのもの）との乗算がなされた後に、第２アンプ３５６により増幅されて受信データとして出力される。
【００６３】
ただし、ＴＸモジュール３４０およびＲＸモジュール３５０は図１３に示される構成に限られるものではない。図１４は、ＴＸモジュールおよびＲＸモジュールの構成の第２の例を示すものである。なお、ＴＸモジュール３４０は図１３に示される第１の例と同様であるため、説明を省略する。
【００６４】
ＲＸモジュール３８０は、アンテナ３５１、第１アンプ３５２、乗算器３５５および第２アンプ３５６とから構成されている。ＴＸモジュール３４０から送信されたデータはＲＸモジュール３８０のアンテナ３５１で受信されると、第１アンプ３５２により増幅される。次に、データは乗算器３５５を介して第２アンプ３５６に供給され、第２アンプ３５６により増幅された後、受信データとして出力される。
【００６５】
ＲＸモジュール３８０において信号の２乗倍をとることにより局部発振器を用いずにＲＸモジュールを構成することができる。これにより、ＲＸモジュールの部品点数を削減することができる。ただし、パフォーマンスは図１３に示されるＲＸモジュールの第１の例の方が図１４に示されるＲＸモジュールの第２の例に比べて優れている。
【００６６】
図１５は、導波管４とメモリカートリッジ３との間の通信を複数の周波数を用いて行う場合における通信の概略を示す図である。上述したように、本技術においては、バスとしての導波管４によってマイクロ波またはミリ波を用いた無線通信が行われる。図１５においては、導波管４に複数のメモリカートリッジ３が無線通信により接続されている。
【００６７】
マイクロ波またはミリ波を用いた無線通信においては、図１５に示されるように導波管４とメモリカートリッジ３間の通信に複数の周波数を用いることが可能である。例えば、第１の周波数を用いて導波管４とメモリカートリッジ３を接続する。また、第１の周波数を用いて接続したメモリカートリッジ３とは異なるメモリカートリッジ３を第２の周波数を用いて導波管４に接続する。図１５においては、一点鎖線が第１の周波数による接続を示し、点線が第２の周波数による接続を示している。通信にミリ波を用いる場合、第１の周波数として例えば６０ＧＨｚの周波数を用い、第２の周波数として例えば８０ＧＨｚの周波数を用いることができる。
【００６８】
そして、管理装置２の制御により、通信に使用する周波数を例えば第１の周波数から第２の周波数に切り替える。そうすると、通信可能なメモリカートリッジ３は、第１の周波数で接続されているメモリカートリッジ３から第２の周波数で接続されているメモリカートリッジ３へと切り替わる。このように、あたかもケーブル接続の切り替えを行うように通信を行うメモリカートリッジ３を切り替える事が可能となる。
【００６９】
また、導波管４とメモリカートリッジ３間の通信に複数の周波数を用いる場合、いずれか一つの周波数を選択して通信を行うのではなく、その複数の周波数で同時に導波管４とメモリカートリッジ３間の通信を行うことができるようにしてもよい。
【００７０】
なお、通信の伝送路として導波管を用いる場合、電波の漏れ、反射などを防止するために導波管における電界の流れを終端させる必要がある。図１６は、導波管４を終端させた状態を概略的に示す図である。説明の便宜上、導波管４の両端をそれぞれ第１端部、第２端部と称する。第１端部および第２端部は終端処理が施されている。また、各分岐をそれぞれ第１分岐、第２分岐、第３分岐と称する。
【００７１】
導波管４への入力をＰｉｎ１とする。その入力Ｐｉｎ１は第１分岐を介して係数ａにより「ａ・Ｐｉｎ１」となって第２分岐へ向かう。そして第２分岐においてさらに係数ｂによって「ａ・ｂ・Ｐｉｎ１」となり、第２分岐から出力される。また、「ａ・Ｐｉｎ１」と第２分岐からの出力「ａ・ｂ・Ｐｉｎ１」の差分「ａ・Ｐｉｎ１−ａ・ｂ・Ｐｉｎ１」が第３分岐へと向かう。
【００７２】
そして、分岐３からさらに係数ｂを乗じた「ｂ（ａ・Ｐｉｎ１−ａ・ｂ・Ｐｉｎ１）」が出力される。上述したように導波管の端部は終端させているため、第２端部からの反射や漏れはなく、第３分岐からの出力と同等の「ｂ（ａ・Ｐｉｎ１−ａ・ｂ・Ｐｉｎ１）」が第２分岐へ向かう。
【００７３】
そして、第２分岐において、「ａ・ｂ・Ｐｉｎ１」と「ｂ（ａ・Ｐｉｎ１−ａ・ｂ・Ｐｉｎ１）」との和である「ａ・ｂ・Ｐｉｎ１＋ｂ（ａ・Ｐｉｎ１−ａ・ｂ・Ｐｉｎ１）」が第１分岐へと向かう。上述したように導波管の端部は終端させているため、第１端部からも電波の反射や漏れはない。
【００７４】
また、透明な導体を用いて導電体の壁を構成することにより導波管４における電波の漏れ、反射を防止する手法もある。用いる導体としては例えば、下記の表１に示されるものが挙げられる。個体である場合にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用い、折り曲げる必要があれば、柔軟性を有するSheerflex（登録商標）を用いる、というような選択が可能である。ただし、用いる導体は表１に挙げるものに限られない。
【００７５】
【表１】
2015072514.tif 000003
【００７６】
以上のようにして、本技術に係るデータバスシステム１が構成されている。本技術によれば、導波管４とメモリコントローラ３との間のデータの送受信が無線通信により行われるため、コネクタの接点の劣化などにより通信が不能となることがなく、通信に障害が生じることもないデータバスシステムを実現することができる。
【００７７】
＜２．変形例＞
以上、本技術の実施の形態について具体的に説明したが、本技術は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
データを記録保持する複数の記録装置と、
該複数の記録装置と無線通信により接続され、前記データの伝送を行う伝送路と、
前記記録装置および前記伝送路の状態を管理する管理装置と
を備えるデータバスシステム。
（２）
前記伝送路は導波管により構成されている
前記（１）に記載のデータバスシステム。
（３）
前記複数の記録装置と前記伝送路との通信はマイクロ波帯を用いて行われる
前記（１）または（２）に記載のデータバスシステム。
（４）
前記複数の記録装置と前記伝送路との通信はミリ波帯を用いて行われる
前記（１）または（２）に記載のデータバスシステム。
（５）
前記複数の記録装置と前記伝送路との通信には複数の周波数を用いる
前記（１）から（４）のいずれかに記載のデータバスシステム。
（６）
前記複数の記録装置には、前記複数の周波数のうちの一の周波数により通信を行う前記記録装置と、前記一の周波数とは異なる他の周波数により通信を行う前記記録装置があり、前記管理装置により、前記複数の周波数のうち通信に使用する周波数を選択することにより、通信の対象となる前記記録装置を切り替えることが可能である
前記（１）から（５）のいずれかに記載のデータバスシステム。
（７）
前記複数の記録装置と前記伝送路との間の前記複数の周波数による通信は同時に行うことが可能である
前記（１）から（５）のいずれかに記載のデータバスシステム。
（８）
前記複数の記録装置を格納するラックを備える
前記（１）から（７）のいずれかに記載のデータバスシステム。
（９）
前記伝送路を構成する導波管は、前記ラックに設けられている
前記（８）に記載のデータバスシステム。
（１０）
前記記録装置は、前記ラックに収容可能なメモリカートリッジである
前記（８）または（９）に記載のデータバスシステム。
（１０）
データを記録保持する記録部と、
外部の伝送路と無線通信を行う通信部と、
前記記録部における前記データの入出力を制御するメモリコントローラと
を備える
記録装置。
【符号の説明】
【００７８】
１・・・・・・・・データバスシステム
２・・・・・・・・管理装置
３・・・・・・・・メモリカートリッジ
４・・・・・・・・導波管
１０、２０・・・・ラック
【図１】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１２】
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