(57)【要約】【課題】精度良く広範囲の電流を、小規模且つ低コストで測定することができ電流センサを提供する。【解決手段】  磁界制御部５の内側では、第２の内面領域２３ｅと第２の内面領域２５ｅとで囲まれた中央磁界制御部２１側の領域のＸ方向の幅は、第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａとで囲まれた開口部２７側の領域のＸ方向の幅に比べて短い。第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａとで囲まれた領域に磁界制御部５が固定された基板１７が位置している。磁界制御部５は、バスバー６を流れる電流で発生した磁界を検出する。【選択図】図２
2015152390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流方向と直交する断面が仮想的な対称軸に対して線対称な形状を持つ電流路と、
前記対称軸と直交し、前記電流路に対向した対向面を持つ基板と、
前記対向面に配置され、前記電流路に流れる電流によって発生する磁界を検出する磁気センサと、
前記基板と前記電流路とを囲む一続きの内面を持ち、前記電流方向と直交する断面において前記内面に対応する輪郭線が前記対称軸に対して線対称な形状を持つ磁性材料からなる磁界制御手段と
を有し、
前記磁界制御手段の前記内面は、
前記対向面の位置において前記対称軸を挟んで対向する一対の第１の内面領域と、
前記対向面に面した前記電流路の位置において当該電流路を挟んで位置する一対の第２の内面領域と
を含み、
前記一対の第２の内面領域は、前記一対の第１の内面領域と比べて、前記対称軸と垂直な方向における離間距離が狭くなっている
ことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記第１の内面領域及び前記第２の内面領域は、前記対称軸と略平行である
請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記磁界制御手段は、前記第１の内面領域と前記第２の内面領域との間に、前記対称軸と略直交する第３の内面領域を備えている
【請求項４】
前記対称軸が延びる方向において、前記第３の内面領域と近接して前記磁気センサが位置する
請求項３に記載の電流センサ。
【請求項５】
前記磁界制御手段は、前記第１の内面領域と前記第２の内面領域との間に、前記第１の内面領域に近づくに従って前記対称軸からの距離を増加させる曲面である第３の内面領域を備えている
請求項２に記載の電流センサ。
【請求項６】
前記対称軸が延びる方向において、前記第３の内面領域と同じ位置に前記磁気センサが位置する
請求項５に記載の電流センサ。
【請求項７】
前記電流路は、断面がＵ字状に湾曲した湾曲部を有し、
前記磁界制御手段の一部を構成し、第２の内面領域が両側に位置し、前記対称軸と交わる中央磁界制御部が、前記電流路の前記湾曲部の窪んだ部分の内側に位置する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流路（バスバー）を流れる電流を検出する電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
バスバーに電流が流れたときに発生する磁界の磁束密度を磁気検出部（例えば、ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive effect）で検知して電気信号に変換する電流センサがある。
このような電流センサには、例えば、電流磁場の安定を優先し、シールド構造内の電流磁場強度が最小となる点にセンサを配置するものがある。
しかしながら、このような電流センサでは、微小な電流を検出する際は、それに対応する磁場が小さくなりすぎ、計測精度を確保することが難しくなってしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−６２４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、少ない電流をより正確に測るためには、磁束密度を高める必要があるが、そのためにはバスバーを囲む磁界制御板のギャップ（幅）を狭くする必要がある。
しかしながら、磁気抵抗効果素子を用いた磁気検出部は、平面方向に感度により磁界を検知するため、平面方向に一定以上の大きさが必要となり、ギャップを短くするのが困難である。すなわち、ギャップ全体を短くすると、磁界制御板内に磁気検出部を基板と共に配置するスペースを確保できないという問題がある。
また、ギャップ全体を短くすると、磁界制御板が磁気飽和してバスバーの電流の大きさに対してのリニアリティが保てず、測定できる電流範囲が小さいという問題もある。
【０００５】
本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みてなされ、広範囲の電流を、小規模且つ低コストで精度良く測定することができ電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電流センサは、電流方向と直交する断面が仮想的な対称軸に対して線対称な形状を持つ電流路と、前記対称軸と直交し、前記電流路に面した対向面を持つ基板と、前記対向面に配置され、前記電流路に流れる電流によって発生する磁界を検出する磁気センサと、前記基板と前記電流路とを囲む一続きの内面を持ち、前記電流方向と直交する断面において前記内面に対応する輪郭線が前記対称軸に対して線対称な形状を持つ磁性材料からなる磁界制御手段とを有し、前記磁界制御手段の前記内面は、前記対向面の位置において前記対称軸を挟んで対向する一対の第１の内面領域と、前記対向面に面した前記電流路の位置において当該電流路を挟んで位置する一対の第２の内面領域とを含み、前記一対の第２の内面領域は、前記一対の第１の内面領域と比べて、前記対称軸と垂直な方向における離間距離が狭くなっている。
【０００７】
本発明の電流センサでは、電流路に電流が流れると、当該電流路の回りに磁界が発生し、その磁界の強さに応じた磁束密度が生じる。
このとき、磁界制御手段内には、磁界制御手段の形状に応じた磁束密度が生じ、それを磁気センサが検出する。
【０００８】
本発明の電流センサの磁界制御手段の内側では、一対の第２の内面領域で囲まれた領域の対称軸と直交する方向の幅は、一対の第１の内面領域で囲まれた領域の幅に比べて短い。
そのため、一対の第１の内面領域の間に基板を配置する十分な幅を持たせながら、第２の内面領域と電流路との距離を短くして磁界制御手段の内側の磁束密度を高めることができる。
また、本発明の電流センサは、ギャップ全体を短くした場合に比べて、磁界制御手段が磁気飽和してバスバーの電流の大きさに対してのリニアリティが保てなくなることを防止でき、広範囲の電流を検出できる。
【０００９】
好適には、本発明の電流センサの前記磁界制御手段の前記第１の内面領域及び前記第２の内面領域は、前記対称軸と略平行である。
これにより、前記磁界制御手段内の磁束密度を高めることができる。
【００１０】
好適には、本発明の電流センサの前記磁界制御手段は、前記第１の内面領域と前記第２の内面領域との間に、前記対称軸と略直交する第３の内面領域を備えている。
この構成によれば、第３の内面領域が対称軸と直交するため、第１の内面領域及び第２の内面領域の対称軸方向の長さを長くできる。これにより、磁性制御手段による磁界制御特性を向上できる。
好適には、本発明の電流センサは、前記対称軸が延びる方向において前記第３の内面領域と近接して前記磁気センサが位置する。
この構成によれば、前記対称軸が延びる方向において前記第３の内面領域と近接した磁束密度が高い領域に前記磁気センサが配置される。
【００１１】
好適には、本発明の電流センサの前記磁界制御手段は、前記第１の内面領域と前記第２の内面領域との間に、前記第１の内面領域に近づくに従って前記対称軸からの距離を増加させる曲面である第３の内面領域を備えている。
この構成によれば、第３の内面領域が前記第１の内面領域に近づくに従って前記対称軸からの距離を増加させる曲面であるため、当該第３の内面領域あるいはその近傍に、基板を設置する十分な幅を有する領域と、当該領域より幅が短い高磁束密度の領域とを形成でき、当該高磁束密度の領域に磁気センサを配置することができる。
これにより、磁性制御手段による磁界制御特性を向上できる。
好適には、本発明の電流センサは、前記対称軸が延びる方向において、前記第３の内面領域と同じ位置に前記磁気センサが位置する。
この構成によれば、前記対称軸が延びる方向において前記第３の内面領域付近の磁束密度が高い領域に前記磁気センサが配置される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、広範囲の電流を、小規模且つ低コストで精度良く測定することができ電流センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る電流センサの斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す電流センサのＹ方向から見た外観図である。
【図３】図３は、図１及び図２に示す電流センサにおいて、バスバーに電流を流した場合の磁界シミュレーションを行った結果を示す図である。
【図４】図４は、比較例の電流センサの斜視図である。
【図５】図５は、図４に示す電流センサにおいて、バスバーに電流を流した場合の磁界シミュレーションを行った結果を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態と比較例の電流センサにおける磁気センサモジュールの位置の磁束密度を示す場合である。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態に係る電流センサ１の斜視図である。
【図８】図８は、図７に示す電流センサ１のＹ方向から見た外観図である。
【図９】図９は、図７及び図８に示す電流センサにおいて、バスバーに電流を流した場合の磁界シミュレーションを行った結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態に係る電流センサを説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電流センサ１の斜視図である。
図２は、図１に示す電流センサ１のＹ方向から見た外観図である。
電流センサ１は、磁性材料で作られた磁界制御部の形状を工夫することにより、製品外形を変えることなく、磁界制御部内の磁場強度を調整する。
図１及び図２において、バスバー６が本発明の電流路の一例であり、基板１７が本発明の基板の一例であり、磁気センサモジュール３が本発明の磁気センサの一例であり、第１の内面領域２３ａ，２５ａが本発明の第１の内面領域の一例であり、第２の内面領域２３ｅ，２５ｅが本発明の第２の内面領域の一例であり、第３の内面領域２３ｃ，２５ｃが本発明の第３の内面領域の一例である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、電流センサ１は、バスバー６に流れる電流から発生する磁界を検出する。
電流センサ１は、磁気センサモジュール３と磁界制御部（ヨーク）５とを有する。
バスバー６のＹ方向経路６ａは、電流方向（Ｙ方向）と直交する断面が仮想的な対称軸１１に対して線対称な形状（例えば、長方形）を有している。対称軸１１は、バスバー６の電流方向（Ｙ方向）と直交している。
【００１６】
［磁気センサモジュール３］
磁気センサモジュール３は、磁界制御部５の内側に位置する。磁界制御部５は、例えば、ＧＭＲ等の磁気抵抗効果素子であり、平面方向（Ｘ，Ｙ平面）の感度により磁界を検知する。
【００１７】
磁気センサモジュール３は、対称軸１１と直交したバスバー６の湾曲部のＹ方向経路６ａの表面６ａ１と対向する基板１７の対向面１７ａに固定されている。
【００１８】
［磁界制御部５］
図２に示すように、磁界制御部５は、バスバー６の電流方向（Ｙ方向）と直交する横断面が、対称軸１１に対して線対称となる形状を有している。
磁界制御部５は、磁性体である。
磁界制御部５は、中央磁界制御部２１と、Ｚ方向磁界制御部２３、２５とが一体的に形成されている。このように一体成形することで、１枚の磁性板から簡単に製造することができ、低価格化を図ることができる。
磁界制御部５は、基板１７、磁気センサモジュール３及びバスバー６を囲む一続きの内面を持ち、上記横断面において上記内面に対応する輪郭線が対称軸１１に対して線対称となっている。
Ｚ方向磁界制御部２３とＺ方向磁界制御部２５との間に開口部２７が形成されている。
【００１９】
中央磁界制御部２１は、Ｚ方向磁界制御部２３、２５の内面２３ａ，２５ａと直交する平面２１ａを有している。
中央磁界制御部２１の平面２１ａは、バスバー６の湾曲部のＹ方向経路６ａの平面６ａ２と所定の距離を隔てて対向して位置する。
バスバー６は、断面がＵ字状に湾曲した湾曲部を有し、磁界制御部５の中央磁界制御部２１に覆いかぶさるように位置している。中央部磁界制御部２１は、バスバー６の湾曲部の窪んだ部分の内側に位置している。
【００２０】
Ｚ方向磁界制御部２３は、図２に示すように、開口部２７から中央磁界制御部２１に向けて順に、第１の内面領域２３ａ、内面領域２３ｂ、第３の内面領域２３ｃ、内面領域２３ｄ及び第２の内面領域２３ｅを有し、これらが一体成形されている。
第１の内面領域２３ａはＹ，Ｚ平面に平行であり、内面領域２３ｂは１／４円弧の曲面であり、第３の内面領域２３ｃはＸ，Ｙ平面に平行であり、内面領域２３ｄは１／４円弧の曲面であり、第２の内面領域２３ｅはＹ，Ｚ平面に平行である。
第２の内面領域２３ｅは、第１の内面領域２３ａに対して対称軸１１側に位置している。
【００２１】
Ｚ方向磁界制御部２５は、Ｙ方向と直交する横断面において、対称軸１１に対してＺ方向磁界制御部２３と線対称である。
Ｚ方向磁界制御部２５は、図２に示すように、開口部２７から中央磁界制御部２１に向けて順に、第１の内面領域２５ａ、内面領域２５ｂ、第３の内面領域２５ｃ、内面領域２５ｄ及び第２の内面領域２５ｅを有し、これらが一体成形されている。
第１の内面領域２５ａはＹ，Ｚ平面に平行であり、内面領域２５ｂは１／４円弧の曲面であり、第３の内面領域２５ｃはＸ，Ｙ平面に平行であり、内面領域２５ｄは１／４円弧の曲面であり、第２の内面領域２５ｅはＹ，Ｚ平面に平行である。
第２の内面領域２５ｅは、第１の内面領域２５ａに対して対称軸１１側に位置している。
【００２２】
図２に示すように、磁界制御部５の内側では、第２の内面領域２３ｅと第２の内面領域２５ｅとで囲まれた領域のＸ方向の幅は、第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａとで囲まれた領域のＸ方向の幅に比べて短い。
そして、図２に示すように、第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａとで囲まれた領域に基板１７が位置している。そのため、基板１７のスペースを十分に確保できる。第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａとのＸ方向の距離は、基板１７のＸ方向の長さに応じて決められる。
【００２３】
磁気センサモジュール３は、基板１７の対向面１７ａに固定され、Ｚ方向において略第３の内面領域２３ｃ，２５ｃの位置付近にある。当該位置は、磁束密度が比較的高い領域であり、磁気センサモジュール３の電流計測の感度特性を高めることができる。
また、第２の内面領域２３ｅと第２の内面領域２５ｅとで囲まれた領域にバスバー６のＹ方向経路６ａが位置している。そのため、第２の内面領域２３ｄ，２５ｄとバスバー６との距離を短くでき、磁界制御部５の内側の磁束密度を高めることができる。第２の内面領域２３ｅと第２の内面領域２５ｅとのＸ方向の距離は、バスバー６のＹ経路部６ａのＸ方向の幅に応じて決められる。
【００２４】
磁気センサモジュール３では、第３の内面領域２３ｃ，２５ｃがＸ，Ｙ平面と平行であるため、Ｙ，Ｚ方向と平行な第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａ、並びに第２の内面領域２３ｅと第２の内面領域２５ｅのＺ方向の長さを長くできる。これにより、磁性制御部５による磁界制御特性を向上できる。
【００２５】
［バスバー６］
バスバー６は、断面がＵ字状に湾曲した湾曲部を有する。
磁界制御部５の第２の内面領域２３ｅと第２の内面領域２５ｅとで囲まれた領域において、バスバー６は、上記湾曲部の窪んだ部分の平面６ａ２（Ｙ経路部６ａの平面６ａ）を磁界制御部５の中央磁界制御部２１の内面２１ａに向ける姿勢で配置されている。
すなわち、バスバー６は、磁界制御部５の中央磁界制御部２１に覆いかぶさるように位置している。中央部磁界制御部２１は、バスバー６の湾曲部の窪んだ部分の内側に位置している。
これにより、図１に示すバスバー６の両端に接続されるバスバーの位置を変える必要がなくなり、電流センサ１を最終製品の基板に容易に表面実装することが可能になる。
【００２６】
以下、電流センサ１の作用を説明する。
バスバ−６に電流が流れると、そのバスバー６の回りに磁界が発生し、その磁界の強さに応じた磁束密度が生じる。
このとき、磁界制御部５の周辺には、磁界制御部５の形状に応じた図３に示す磁束密度が生じる。
そして、磁気センサモジュール３で検出した磁束に応じた検出信号が制御部に出力される。
制御部では、検出信号が増幅回路で増幅され、検出した磁界の強さに比例した値の電圧値を出力する。
このように磁気センサモジュール３からの出力に基づいて、バスバー６に流れる電流値の検出が行われる。
【００２７】
図３は、図１及び図２に示す電流センサ１において、バスバー６に電流を流した場合の磁界シミュレーションを行った結果を示す図である。
図３に示すように、磁界制御部５の内側、並びにその周辺の領域３１，３３，３５の磁束密度は他の領域に比べて高くなっていることが分かる。
電流センサ１では、図２に示すように、図３に示す磁束密度が高い領域３５に磁界制御部５を配置している。
【００２８】
図４は、比較例の電流センサ１０１の斜視図である。
図４に示す電流センサ１０１の磁界制御部１０５は、断面Ｕ字型をしている。
図５は、図４に示す電流センサ１０１において、バスバー６に電流を流して磁界シミュレーションを行った結果を示す図である。
電流センサ１０１によれば、図５に示すように、磁界制御部１０５の内側、並びにその周辺の領域１３１，１３３，１３５の磁束密度は他の領域に比べて高くなる。
電流センサ１０１では、図４に示すように、図５に示す磁束密度が高い領域１３５に磁界制御部５を配置している。
なお、図６に示すように、電流センサ１の磁界制御部５が配置される領域３５は、電流センサ１０１の磁界制御部１０５が配置される領域１３５に比べて磁束密度が高く、磁界制御部５が磁界制御部１０５に比べて内部の磁束密度を高めることができること分かる。
【００２９】
以上説明したように、電流センサ１によれば、磁界制御部５の内側では、第２の内面領域２３ｅと第２の内面領域２５ｅとで囲まれた領域のＸ方向の幅は、第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａとで囲まれた領域のＸ方向の幅に比べて短い。
そのため、第１の内面領域２３ａと第１の内面領域２５ａとの間に基板１７を配置する十分な幅を持たせながら、第２の内面領域２３ｅ，２５ｅとバスバー６との距離を短くして磁界制御部５の内側の磁束密度を高めることができる。
また、磁界制御部５内の磁束密度が高い領域３５に磁気センサモジュール３を配置することで、電流検出の感度を高め、小さな電流でも高精度に可能である。
【００３０】
また、電流センサ１は、ギャップ全体を短くした場合に比べて、磁界制御部５が磁気飽和してバスバーの電流の大きさに対してのリニアリティが保てなくなることを防止でき、広範囲の電流を検出できる。
【００３１】
電流センサ１では、磁界制御部５は比較的簡単な加工で成形できるため、低価格で製造できる。
すなわち、電流センサ１では、精度良く広範囲の電流を、小規模且つ低コストで測定することができる。
【００３２】
＜第２実施形態＞
図７は、本発明の第２実施形態に係る電流センサ２０１の斜視図である。
図８は、図７に示す電流センサ２０１のＹ方向から見た外観図である。
【００３３】
図７及び図８に示すように、電流センサ２０１は、バスバー６に流れる電流から発生する磁界を検出する。
電流センサ２０１は、磁気センサモジュール３と磁界制御部２０５とを有する。
図７及び図８において、図１と同じ構成要素には、図１と同じ符号を付している。
すなわち、電流センサ２０１は、磁界制御部２０５が第１実施形態の磁界制御部５と異なる。
【００３４】
以下、磁界制御部２０５を中心に説明する。
図７及び図８に示すように、磁界制御部２０５は、磁性体であり、バスバー６の電流方向（Ｙ方向）と直交する横断面が、対称軸２１１に対して線対称となる形状を有している。
磁界制御部２０５は、中央磁界制御部２２１と、Ｚ方向磁界制御２２３、２２５とが一体的に形成されている。
【００３５】
中央磁界制御部２２１は、Ｚ方向磁界制御部２２３、２２５の内面２２３ａ，２２５ａと直交する平面２２１ａを有している。
中央磁界制御部２２１の平面２２１ａは、バスバー６の湾曲部のＹ方向経路６ａの平面６ａ２と所定の距離を隔てて対向して位置する。
【００３６】
Ｚ方向磁界制御部２２３は、図８に示すように、開口部２２７から中央磁界制御部２２１に向けて順に、第１の内面領域２２３ａと、第３の内面領域２２３ｂと、第２の内面領域２２３ｃとが一体成形されている。
第１の内面領域２２３ａはＹ，Ｚ平面に平行であり、第３の内面領域２２３ｂは第１の内面領域２２３ａに近づくに従って対称軸２１１からの距離を増加させる曲面であり、第２の内面領域２２３ｃはＹ，Ｚ平面に平行である。
第２の内面領域２２３ｃは、第１の内面領域２２３ａに対して対称軸２１１側に位置している。
【００３７】
Ｚ方向磁界制御２２５は、Ｙ方向と直交する横断面において、対称軸２１１に対してＺ方向磁界制御２２３と線対称である。
Ｚ方向磁界制御部２２５は、図８に示すように、開口部２２７から中央磁界制御部２２１に向けて順に、第１の内面領域２２５ａと、第３の内面領域２２５ｂ，第２の内面領域２２５ｃとが一体成形されている。
第１の内面領域２２５ａはＹ，Ｚ平面に平行であり、第３の内面領域２２５ｂは第１の内面領域２２５ａに近づくに従って対称軸２１１からの距離を増加させる曲面であり、第２の内面領域２２５ｃはＹ，Ｚ平面に平行である。
第２の内面領域２２５ｃは、第１の内面領域２２５ａに対して対称軸２１１側に位置している。
【００３８】
図８に示すように、磁界制御部２０５の内側では、第２の内面領域２２３ｃと第２の内面領域２２５ｃとで囲まれた領域のＸ方向の幅は、第１の内面領域２２３ａと第１の内面領域２２５ａとで囲まれた領域のＸ方向の幅に比べて短い。
そして、図７に示すように、第１の内面領域２２３ａと第１の内面領域２２５ａとで囲まれた領域に基板１７が位置している。そのため、基板１７のスペースを十分に確保できる。
【００３９】
磁気センサモジュール３は、基板１７の対向面１７ａに固定され、Ｚ方向において略第３の内面領域２２３ｂと２２５ｂで囲まれた位置にある。当該位置は、磁束密度が比較的高い領域であり、磁気センサモジュール３の電流計測の感度特性を高めることができる。
また、第２の内面領域２２３ｃと第２の内面領域２２５ｃとで囲まれた領域にバスバー６のＹ方向経路６ａが位置している。そのため、第２の内面領域２２３ｃ，２２５ｃとバスバー６との距離を短くでき、磁界制御部５の内側の磁束密度を高めることができる。
【００４０】
図９は、図７及び図８に示す電流センサ２０１において、バスバー６に電流を流した場合の磁界シミュレーションを行った結果を示す図である。
電流センサ２０１によれば、図９に示すように、磁界制御部２０５の内側、並びにその周辺の領域２３１，２３３，２３５の磁束密度が他の領域に比べて高くなっていることが分かる。  電流センサ２０１では、図８に示すように、図９に示す磁束密度が高い領域２３５に磁界制御部５を配置している。
なお、図６に示すように、電流センサ２０１の磁界制御部２０５が配置される領域２３５は、電流センサ１０１の磁界制御部５が配置される領域１３５に比べて磁束密度が高く、磁界制御部２０５が磁界制御部１０５に比べて内部の磁束密度を高めることができること分かる。
【００４１】
以上説明したように、電流センサ２０１によっても、第１実施形態の電流センサ１と同様の効果が得られる。
電流センサ２０１によれば、磁性制御部２０５の第３の内面領域２２３ｂ，２２５ｂが第１の内面領域２２３ａ，２２５ａに近づくに従って対称軸２１１からの距離を増加させる曲面であるため、第３の内面領域２２３ｂ，２２５ｂあるいはその近傍に、基板１７を設置する十分な幅を有する領域と、当該領域より幅が短い高磁束密度の領域とを形成でき、当該高磁束密度の領域に磁気センサ３を配置することができる。
【００４２】
本発明は上述した実施形態には限定されない。
すなわち、当業者は、本発明の技術的範囲またはその均等の範囲内において、上述した実施形態の構成要素に関し、様々な変更、コンビネーション、サブコンビネーション、並びに代替を行ってもよい。
【００４３】
また、本実施形態で示した磁界制御部５，２０５の形状は一例であり、請求項に記載の範囲において改変可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、例えば、磁気抵抗効果素子を用いて電流を検出する電流センサ等に適用可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１，２０１…電流センサ、３…磁気センサモジュール、５…磁界制御部、６…バスバー、１７…基板、２１，２２１…中央磁界制御部、２３，２５，２２３，２２５…Ｚ方向磁界制御部、２３ａ，２５ａ，２２３ａ，２２５ａ…第１の内面領域、２３ｃ，２５ｃ，２２３ｃ，２２５ｃ…第３の内面領域、２３ｅ，２５ｅ，２２３ｃ，２２５ｃ…第２の内面領域
【図１】
2015152390.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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