(57)【要約】      （修正有）【課題】モールド樹脂とディンプルとの密着性を向上させ、リードフレームからのモールド樹脂の剥離を抑制、更には防止可能なリードフレーム及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム１５は、ディンプル１４に、環状となって、その断面内幅が開口側４２へ向けて縮幅する第１の溝部４０が設けられ、開口側４２に、第１の溝部４０の内周面４３と外周面４５がそれぞれ径方向の外側と内側へ向けて突出する第１、第２の突出部４４、４６が設けられ、第１の突出部４４の突出量が第２の突出部４６より大きい。製造方法は、環状の凹部と、その径方向の内側と外側に第１、第２の隆起部をそれぞれ形成する第１のプレス加工を行った後、第１、第２の隆起部を潰して第１の溝部４０と第１、第２の突出部４４、４６を形成する第２のプレス加工を行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードとダイパッドを有し、前記リード及び前記ダイパッドのいずれか一方又は双方に、モールド樹脂との密着性を向上させるためのディンプルを設けたリードフレームであって、
前記ディンプルには、平面視して環状となって、その断面内幅が、前記ディンプルの底部から開口側へ向けて縮幅する第１の溝部が設けられ、
前記ディンプルの開口側には、前記第１の溝部の内周面が径方向外側へ向けて突出する第１の突出部と、前記第１の溝部の外周面が径方向内側へ向けて突出する第２の突出部がそれぞれ設けられ、かつ、前記第１の突出部の径方向外側への突出量が、前記第２の突出部の径方向内側への突出量より大きいことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１記載のリードフレームにおいて、対向する前記第１の突出部と前記第２の突出部で形成される隙間を、前記ディンプルの開口側へ向けて拡幅させていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
請求項１又は２記載のリードフレームにおいて、前記ディンプルの開口側には、更に第２の溝部が設けられ、該第２の溝部の底に、前記第１の溝部と前記第１、第２の突出部が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
請求項１記載のリードフレームの製造方法であって、
平面視して環状の凹部を形成すると共に、該凹部の径方向内側に第１の隆起部を、前記凹部の径方向外側に第２の隆起部を、それぞれ形成する第１のプレス加工を行った後、
前記第１、第２の隆起部を潰して、前記第１の溝部を形成すると共に、前記第１、第２の突出部を形成する第２のプレス加工を行うことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のリードフレームの製造方法において、前記第２のプレス加工に使用するパンチには第１の凸部が設けられ、前記第２のプレス加工を行うことで、対向する前記第１の突出部と前記第２の突出部で形成される隙間を、前記ディンプルの開口側へ向けて拡幅させることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５記載のリードフレームの製造方法において、前記第２のプレス加工に使用するパンチには第２の凸部が設けられ、前記第２のプレス加工を行うことで、第２の溝部を形成すると共に、該第２の溝部の底に、前記第１の溝部と前記第１、第２の突出部を形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のリードフレームを用いた半導体装置であって、前記ディンプルには前記モールド樹脂が充填され、前記ダイパッドと、該ダイパッド上に搭載されたチップと、前記リードは、前記モールド樹脂で一体化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、前記ダイパッドの裏面が外部に露出していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化や薄型化に伴い、ＩＣパッケージの薄型化の要求が高まっており、ＩＣパッケージを形成するモールド樹脂の厚みが薄くなる傾向にある。
このため、リードフレームとモールド樹脂との密着性を向上させモールド樹脂のクラック発生を防止するため、リードフレームに設けられたダイパッドのチップが搭載されていない面に、プレス加工によりディンプル（窪み）を形成していた。
例えば、特許文献１には、ダイパッドに対してプレス加工を２回行い、ディンプルを形成する方法が記載されている。具体的には、１回目のプレス加工で、座屈の支点となる屈曲部を有する下穴をダイパッドに形成し、２回目のプレス加工により、内壁平面を形成すると共に、内壁平面と屈曲部の間で開口部の金属材料を加圧し径方向内側へ流している。
このように、金属材料を径方向内側に流すことで、径方向内側に突出する突起を開口部に形成し、この突起により、モールド樹脂とディンプルとの密着性を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３３３９１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、形成される突起の突出長さが短い場合、モールド樹脂とディンプルとの密着性が低下してしまう。
そこで、突起の突出長さを長く形成するため、２回目のプレス加工でダイパッドの潰し量を大きくする必要があるが、この場合、１回目のプレス加工で、下穴の屈曲部をより深い位置に形成しなければならない。ここで、屈曲部をより深い位置に形成するため、１回目のプレス加工でダイパッドの潰し量を更に大きくすると、潰された部分の金属材料の逃げ場が制限され、ディンプルの周辺がうねり、ダイパッドに大きな反りが発生してしまうおそれがあった。なお、反りが大きくなると、後工程で反りを直す矯正工程が必要となり、生産性が低下する。
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、モールド樹脂とディンプルとの密着性を向上させ、リードフレームからのモールド樹脂の剥離を抑制、更には防止可能なリードフレーム及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的に沿う第１の発明に係るリードフレームは、リードとダイパッドを有し、前記リード及び前記ダイパッドのいずれか一方又は双方に、モールド樹脂との密着性を向上させるためのディンプルを設けたリードフレームであって、
前記ディンプルには、平面視して環状となって、その断面内幅が、前記ディンプルの底部から開口側へ向けて縮幅する第１の溝部が設けられ、
前記ディンプルの開口側には、前記第１の溝部の内周面が径方向外側へ向けて突出する第１の突出部と、前記第１の溝部の外周面が径方向内側へ向けて突出する第２の突出部がそれぞれ設けられ、かつ、前記第１の突出部の径方向外側への突出量が、前記第２の突出部の径方向内側への突出量より大きい。
【０００７】
第１の発明に係るリードフレームにおいて、対向する前記第１の突出部と前記第２の突出部で形成される隙間を、前記ディンプルの開口側へ向けて拡幅させていることが好ましい。
【０００８】
第１の発明に係るリードフレームにおいて、前記ディンプルの開口側には、更に第２の溝部が設けられ、該第２の溝部の底に、前記第１の溝部と前記第１、第２の突出部が設けられていることが好ましい。
【０００９】
前記目的に沿う第２の発明に係るリードフレームの製造方法は、第１の発明に係るリードフレームの製造方法であって、
平面視して環状の凹部を形成すると共に、該凹部の径方向内側に第１の隆起部を、前記凹部の径方向外側に第２の隆起部を、それぞれ形成する第１のプレス加工を行った後、
前記第１、第２の隆起部を潰して、前記第１の溝部を形成すると共に、前記第１、第２の突出部を形成する第２のプレス加工を行う。
【００１０】
第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記第２のプレス加工に使用するパンチには第１の凸部が設けられ、前記第２のプレス加工を行うことで、対向する前記第１の突出部と前記第２の突出部で形成される隙間を、前記ディンプルの開口側へ向けて拡幅させることが好ましい。
【００１１】
第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記第２のプレス加工に使用するパンチには第２の凸部が設けられ、前記第２のプレス加工を行うことで、第２の溝部を形成すると共に、該第２の溝部の底に、前記第１の溝部と前記第１、第２の突出部を形成することが好ましい。
【００１２】
前記目的に沿う第３の発明に係る半導体装置は、第１の発明に係るリードフレームを用いた半導体装置であって、前記ディンプルには前記モールド樹脂が充填され、前記ダイパッドと、該ダイパッド上に搭載されたチップと、前記リードは、前記モールド樹脂で一体化されている。
【００１３】
第３の発明に係る半導体装置において、前記ダイパッドの裏面が外部に露出していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るリードフレーム及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置は、ディンプルに第１の溝部を設け、このディンプルの開口側に第１、第２の突出部を設けているので、モールド樹脂と接するディンプルの表面積が増え、リードフレームに対するモールド樹脂の密着性を向上できる。
ここで、第１の突出部の径方向外側への突出量を、第２の突出部の径方向内側への突出量より大きくするので、第１の突出部により、リードフレームからのモールド樹脂の剥離を抑制、更には防止できる。
【００１５】
また、本発明に係るリードフレームにおいて、対向する第１の突出部と第２の突出部で形成される隙間を、ディンプルの開口側へ向けて拡幅させる場合、モールド樹脂と接するディンプルの表面積を更に増やすことができ、リードフレームに対するモールド樹脂の密着性を更に向上できる。なお、上記構成により、第１、第２の突出部の各先端を尖らせることもでき、尖らせない（例えば、丸みを帯びた）場合よりも、リードフレームに対するモールド樹脂の密着性を更に向上できる。
【００１６】
更に、ディンプルの開口側に第２の溝部を設け、その底に、第１の溝部と第１、第２の突出部を設ける場合、モールド樹脂と接するディンプルの表面積を更に増やすことができ、リードフレームに対するモールド樹脂の密着性を更に向上できる。
なお、第２の溝部を設けるに際し、第１、第２の突出部は上方から押圧されるため、この押圧に伴う金属材料の移動により、第１、第２の突出部の突出長さを更に長くできる。これにより、モールド樹脂のリードフレームに対する引っ掛かりを更に強めることができ、リードフレームからのモールド樹脂の剥離を更に防止できる。
【００１７】
本発明に係るリードフレームの製造方法は、第１のプレス加工によって、平面視して環状の凹部を形成するので、凹部の形成によって移動する金属材料を凹部の径方向内側に移動させて、第１の隆起部を形成できる。これにより、従来のように、リードフレームの表面が反って変形するおそれがなくなる。
なお、凹部を形成するに際し、第１のプレス加工で使用する環状のパンチとして、その内径が押圧側に向かって拡径するパンチを使用する場合、プレス加工を行う部分の金属材料を径方向内側に容易に案内できると共に、パンチ先端部の摩耗も少なくできる。
【００１８】
ここで、第１の凸部が設けられたパンチを用いて第２のプレス加工を行い、対向する第１の突出部と第２の突出部で形成される隙間を、ディンプルの開口側へ向けて拡幅させる場合、モールド樹脂と接するディンプルの表面積を更に増やすことができる。
なお、上記したように、形成される隙間をディンプルの開口側へ向けて拡幅させることで、第１の溝部へのモールド樹脂の流れ込みを促進することもできる。
【００１９】
また、第２の凸部が設けられたパンチを用いて第２のプレス加工を行い、第２の溝部を形成する場合、リードフレームの潰し量を更に多くすることができ、その結果、第１、第２の突出部の各突出長さを更に長くできる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置において、ダイパッドにディンプルを設けたリードフレームを用いた場合、ダイパッドはリードフレームの中で最も表面積が大きい部分であるため、リードフレームに対するモールド樹脂の密着性が高められ、半導体装置の信頼性を向上できる。
また、リードにディンプルを設けたリードフレームを用いた場合、リードとモールド樹脂の密着性が高められ、モールド樹脂からのリードの抜けを抑制、更には防止でき、半導体装置の信頼性を向上できる。
【００２１】
ここで、ダイパッドの裏面が外部に露出している場合、このタイプの半導体装置の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の側断面図、（Ｂ）は同半導体装置に用いたリードフレームの底面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の側断面図である。
【図３】（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の側断面図、（Ｂ）は同半導体装置に用いたリードフレームの底面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームに設けたディンプルの平面図、側断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は同リードフレームの製造方法におけるプレス加工の説明図である。
【図６】（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームに設けたディンプルの側断面図、（Ｂ）は同リードフレームの製造方法におけるプレス加工の説明図である。
【図７】（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るリードフレームに設けたディンプルの側断面図、（Ｂ）は同リードフレームの製造方法におけるプレス加工の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１０は、リード１１とダイパッド（素子搭載部）１２を有し、このダイパッド１２の裏面側（チップ搭載面の反対側）に、モールド樹脂１３との密着性を向上させるためのディンプル１４を複数設けたリードフレーム１５を用いたものである。
【００２４】
ダイパッド１２は、半導体装置１０の中央にあって、その周囲に、ダイパッド１２上に搭載されたチップ（半導体チップ）１６の電極パッド（図示しない）のそれぞれにボンディングワイヤ１７によって連結されたリード１１が配置されている。なお、リードフレーム１５は、リード１１と、ダイパッド１２と、このダイパッド１２を周囲から支持するサポートバー１８と、各リード１１を連結している枠部（図示しない）とを有している。
【００２５】
上記した半導体装置１０は、図１（Ａ）に示すように、ダイパッド１２の裏面側もモールド樹脂（例えば、熱硬化性樹脂）１３で覆われている。
このため、各ディンプル１４にもモールド樹脂１３が充填され、ダイパッド１２と、このダイパッド１２上に搭載されたチップ１６と、リード１１と、サポートバー１８が、モールド樹脂１３で一体化されている。
【００２６】
次に、図２を参照しながら、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置２０について説明するが、前記した半導体装置１０と同一部材には同一番号を付し、詳しい説明を省略する。
半導体装置２０は、リード１１とダイパッド（素子搭載部）２１を有し、このダイパッド１２の表面側（チップ搭載面側）に、モールド樹脂（例えば、熱硬化性樹脂）２２との密着性を向上させるためのディンプル１４を複数設けたリードフレーム２３を用いたものである。
【００２７】
ダイパッド２１は、半導体装置２０の中央にあって、ダイパッド１２上に搭載されたチップ１６の周辺部（チップ搭載面側の周辺部）に、ディンプル１４が設けられている。
上記した半導体装置２０は、図２に示すように、チップ１６の搭載領域に対応したダイパッド２１の裏面側を除く部分が、モールド樹脂２２で覆われている。このため、ダイパッド２１の裏面が外部に露出した状態で、各ディンプル１４にもモールド樹脂２２が充填され、ダイパッド２１と、このダイパッド２１上に搭載されたチップ１６と、リード１１と、サポートバー（図示しない）が、モールド樹脂２２で一体化されている。
【００２８】
図３（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置３０について説明するが、前記した半導体装置１０と同一部材には同一番号を付し、詳しい説明を省略する。
半導体装置３０は、リード３１とダイパッド（素子搭載部）３２を有し、このリード３１に、モールド樹脂（例えば、熱硬化性樹脂）３３との密着性を向上させるためのディンプル１４を複数設けたリードフレーム３４を用いたものである。
【００２９】
ダイパッド３２は、半導体装置３０の中央にあって、その周囲に、ダイパッド３２上に搭載されたチップ１６の電極パッド（図示しない）のそれぞれにボンディングワイヤ１７によって連結されたリード３１が配置されている。このリード３１の幅広となった部分の裏面側には、ディンプル１４が設けられている。
上記した半導体装置３０は、各ディンプル１４にもモールド樹脂３３が充填され、ダイパッド３２と、このダイパッド３２上に搭載されたチップ１６と、リード３１と、サポートバー１８が、モールド樹脂３３で一体化されている。
【００３０】
以上に示した第１〜第３の発明の実施の形態に係る半導体装置１０、２０、３０に用いたリードフレーム１５、２３、３４は、例えば、銅又は銅合金等の金属製シートを打ち抜くことで形成されている。なお、金属製シートは、導電材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、ＦｅＮｉ合金等も使用できる。
また、リードフレーム１５（リードフレーム２３、３４も同様）の厚み（金属製シートの厚み）も、特に限定されるものではないが、例えば、８０〜５００μｍ程度である。
【００３１】
ここで、図４（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の第１の実施の形態に係るリードフレーム１５に設けたディンプル１４について説明する。なお、リードフレーム２３、３４に設けたディンプル１４も同様である。
ディンプル１４は、平面視して環状となって、表面側の外径（開口部の外径）Ｄが、例えば、５０μｍ〜２ｍｍ程度、リードフレーム１５の表面からの深さｄ１が、リードフレーム１５（金属製シート）の厚みの３０〜９０％（好ましくは、下限が５０％、更には７０％、上限が８０％）程度、である。なお、ディンプル１４の平面視した輪郭は、ここでは円形となっているが、環状となっていれば、例えば、楕円形や卵形でもよい。
【００３２】
ディンプル１４には、第１の溝部４０が設けられている。
この第１の溝部４０は、図４（Ａ）に示すように、ディンプル１４の形状に合わせて、平面視して環状となっているが、ディンプルの輪郭が上記した楕円形や卵形であれば、この形状に合わせて、楕円形や卵形にすることもできる。
また、第１の溝部４０は、図４（Ｂ）に示すように、その断面内幅Ｗ１が、ディンプル１４の底部４１から開口側４２へ向けて徐々に縮幅している。
【００３３】
ディンプル１４の開口側４２には、第１の溝部４０の内周面４３が径方向外側へ向けて突出する第１の突出部４４と、第１の溝部４０の外周面４５が径方向内側へ向けて突出する第２の突出部４６が、それぞれ設けられている。なお、第１の突出部４４の径方向外側への突出量Ｘは、第２の突出部４６の径方向内側への突出量Ｙより大きくなっている。
上記した第１の突出部４４の突出量Ｘとは、第１の溝部４０の底位置の内周面を基準として径方向外側への突出長さを意味し、第２の突出部４６の突出量Ｙとは、第１の溝部４０の底位置の外周面を基準として径方向内側への突出長さを意味している。なお、第１の突出部４４の突出量Ｘは、第２の突出部４６の突出量Ｙの例えば、１．０５〜１．５倍程度である。
【００３４】
続いて、上記した本発明の第１の実施の形態に係るリードフレーム１５の製造方法について説明する。なお、リードフレーム２３、３４の製造方法も、ディンプル１４の形成位置を除いては略同様であるため、ここでは省略する。
まず、前記した金属製シートを打ち抜き、リードフレーム１５を構成するリード１１、ダイパッド１２、サポートバー１８、及び枠部を形成する（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【００３５】
次に、金属製シートに形成されたリードフレーム１５のダイパッド１２に対して、第１のプレス加工を行う。
このプレス加工では、図５（Ａ）に示す円筒状のパンチ４７を使用する。このパンチ４７は、その軸心方向において、外径が同一であり、押圧側端部の内径が、押圧対象（リードフレーム１５）に向けて拡幅（テーパ状に）している。なお、傾斜角度θは、パンチ４７の端面を基準（０°）として、例えば、２０〜７０°程度である。
これにより、プレス加工を行う部分の金属材料を径方向内側に容易に案内できると共に、パンチ先端部の摩耗も少なくできる。
【００３６】
なお、上記したパンチ４７の代わりに、その内径が、軸心方向に渡って同一のものを使用することもできる。
上記したプレス加工により、図５（Ａ）に示すように、ダイパッド１２に、平面視して環状の凹部４８を形成できると共に、この凹部４８の径方向内側に第１の隆起部４９を、凹部４８の径方向外側に第２の隆起部５０を、それぞれ形成できる。なお、環状の凹部４８を形成する際、押し潰される領域の金属材料の殆どが、円筒状のパンチ４７の円筒内へ移動するため、第２の隆起部５０の高さに比べ、第１の隆起部４９の高さが高く形成される。
【００３７】
続いて、上記した凹部４８と第１、第２の隆起部４９、５０が形成されたダイパッド１２に対して、第２のプレス加工を行う。
このプレス加工では、図５（Ｂ）に示す円盤状のパンチ５１を使用する。このパンチ５１は、その外径が第２の隆起部５０の外径よりも大きく、その押圧側端面が平坦となっている。
このプレス加工により、第１、第２の隆起部４９、５０が潰され、第１の隆起部４９を構成する金属材料が径方向外側へ向けて移動すると共に、第２の隆起部５０を構成する金属材料が径方向内側へ向けて移動して（図５（Ｂ）の矢印の方向へ向けて移動して）、ディンプル１４（第１の突出部４４及び第２の突出部４６が形成された第１の溝部４０）を形成できる。また、上記したパンチ４７を使用することで、第１の隆起部４９の基部側の外径が凹部４８の底へ向けて拡幅（テーパ状に）するため、パンチ５１によるプレス加工の際、第１の隆起部４９が傾いて潰れたりすることがなく、第１の溝部４０の形状が均一に形成されて安定する。
【００３８】
このように、第２のプレス加工により、第１の隆起部４９が第１の突出部４４となり、第２の隆起部５０が第２の突出部４６となるため、形成する第１、第２の突出部４４、４６の大きさに応じて、第１、第２の隆起部４９、５０の大きさ（移動する金属材料の量）を、予め決定しておくことが好ましい。
【００３９】
次に、図６（Ａ）を参照しながら、本発明の第２の実施の形態に係るリードフレーム６０に設けたディンプル６１について説明するが、ディンプル６１は、その形状の一部のみが、前記したディンプル１４の形状と異なるため、同一部材には同一番号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
ディンプル６１は、ディンプル６１の開口側６２に設けられた対向する第１の突出部６３と第２の突出部６４で形成される隙間を、ディンプル６１の開口側６２へ向けて徐々に拡幅させている（テーパ状にしている）。ここで、第１、第２の突出部６３、６４は、前記した第１の突出部４４、４６に相当する。
なお、第１、第２の突出部６３、６４は、図６（Ａ）に示すように、その各先端が尖っている。
【００４０】
上記した本発明の第２の実施の形態に係るリードフレーム６０の製造方法について以下説明するが、本製造方法は、前記したリードフレーム１５の製造方法の第２のプレス加工のみが異なる。このため、前記した第１のプレス加工終了後のリードフレーム１５に対して、第２のプレス加工を行う方法についてのみ、詳しく説明する。
このプレス加工では、図６（Ｂ）に示すように、パンチ５１と同一形状の円盤部に、平面視して環状の第１の凸部６５が設けられたパンチ６６を使用する。ここで、第１の凸部６５は、断面外幅が、押圧対象（リードフレーム６０）に向けて縮幅している。
【００４１】
上記したパンチ６６により、第１、第２の隆起部４９、５０が潰され、第１の隆起部４９を構成する金属材料が径方向外側へ向けて移動すると共に、第２の隆起部５０を構成する金属材料が径方向内側へ向けて移動する（図６（Ｂ）の矢印の方向へ向けて移動）。
また、第１の凸部６５により、対向する第１の突出部６３と第２の突出部６４で形成される隙間を、ディンプル６１の開口側６２へ向けて拡幅させることができる。なお、この構成により、半導体装置の製造に際し、第１の溝部４０へのモールド樹脂の流れ込みも促進できる。
これにより、ディンプル６１を形成できる。
【００４２】
続いて、図７（Ａ）を参照しながら、本発明の第３の実施の形態に係るリードフレーム７０に設けたディンプル７１について説明するが、ディンプル７１は、その形状の一部のみが、前記したディンプル１４、６１の形状と異なるため、異なる部分について詳しく説明する。
ディンプル７１には、平面視して環状の第１の溝部７２（前記した第１の溝部４０に相当）が設けられている。この第１の溝部７２は、図７（Ａ）に示すように、その断面内幅Ｗ２が、第１の溝部７２の底部７３から開口側７４へ向けて徐々に縮幅している。
【００４３】
ディンプル７１の開口側７４には、第１の溝部７２の内周面７５が径方向外側へ向けて突出する第１の突出部７６と、第１の溝部７２の外周面７７が径方向内側へ向けて突出する第２の突出部７８が、それぞれ設けられている。また、ディンプル７１の開口側７４に設けられた対向する第１の突出部７６と第２の突出部７８で形成される隙間を、ディンプル７１の開口側７４へ向けて徐々に拡幅させている。なお、対向する第１の突出部７６と第２の突出部７８で形成される隙間を拡幅させることなく、ディンプル１４と同様の形状とすることもできる。
ここで、第１、第２の突出部７６、７８はそれぞれ、前記した第１、第２の突出部６３、６４に相当する。
【００４４】
ディンプル７１の開口側７４には、更に第２の溝部７９が設けられ、この第２の溝部７９の底に、第１の溝部７２と第１、第２の突出部７６、７８が設けられている。
この第２の溝部７９は、平面視して円形であり、その内径が、第２の突出部７８の外径（即ち、第１の溝部７２の底部７３の外径）よりも大きくなっている。また、第２の溝部７９は、リードフレーム７０の表面からの深さｄ２が、リードフレーム７０（金属製シート）の厚みの１０〜３０％程度、である。
【００４５】
上記した本発明の第３の実施の形態に係るリードフレーム７０の製造方法について以下説明するが、本製造方法は、前記したリードフレーム１５の製造方法の第２のプレス加工のみが異なる。このため、前記した第１のプレス加工終了後のリードフレーム１５に対して、第２のプレス加工を行う方法についてのみ、詳しく説明する。
このプレス加工では、図７（Ｂ）に示すように、前記したパンチ６６の円盤部と第１の凸部６５との間に、円盤部よりも径が小さな円盤状の第２の凸部８０が設けられたパンチ８１を使用する。なお、第１の凸部６５が設けられていないパンチを使用することもできる。
【００４６】
このパンチ８１の第２の凸部８０により、第１、第２の隆起部４９、５０が潰され、更に、第２の溝部７９も形成されながら、第１の隆起部４９を構成する金属材料が径方向外側へ向けて移動すると共に、第２の隆起部５０を構成する金属材料が径方向内側へ向けて移動する（図７（Ｂ）の矢印の方向へ向けて移動）。
また、第１の凸部６５により、対向する第１の突出部７６と第２の突出部７８で形成される隙間を、ディンプル７１の開口側７４へ向けて拡幅できる。
これにより、ディンプル７１を形成できる。
【００４７】
以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。例えば、前記したそれぞれの実施の形態や変形例の一部又は全部を組合せて本発明のリードフレーム及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置を構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。
また、前記実施の形態においては、ディンプルを、リードフレームのリード又はダイパッドに設けた場合について説明したが、リードとダイパッドの双方に設けてもよい。これにより、ディンプルを、リードに設けた場合とダイパッドに設けた場合の両方の効果が得られる。
【符号の説明】
【００４８】
１０：半導体装置、１１：リード、１２：ダイパッド、１３：モールド樹脂、１４：ディンプル、１５：リードフレーム、１６：チップ、１７：ボンディングワイヤ、１８：サポートバー、２０：半導体装置、２１：ダイパッド、２２：モールド樹脂、２３：リードフレーム、３０：半導体装置、３１：リード、３２：ダイパッド、３３：モールド樹脂、３４：リードフレーム、４０：第１の溝部、４１：底部、４２：開口側、４３：内周面、４４：第１の突出部、４５：外周面、４６：第２の突出部、４７：パンチ、４８：凹部、４９：第１の隆起部、５０：第２の隆起部、５１：パンチ、６０：リードフレーム、６１：ディンプル、６２：開口側、６３：第１の突出部、６４：第２の突出部、６５：第１の凸部、６６：パンチ、７０：リードフレーム、７１：ディンプル、７２：第１の溝部、７３：底部、７４：開口側、７５：内周面、７６：第１の突出部、７７：外周面、７８：第２の突出部、７９：第２の溝部、８０：第２の凸部、８１：パンチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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