(57)【要約】【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行う。【解決手段】剥離システム１は、重合基板Ｔと被処理基板Ｗに対する処理を行う第１処理ブロック１０と、支持基板Ｓに対する処理を行う第２処理ブロック２０と、を有する。第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、待機ステーション１２と、第１搬送領域１３と、剥離ステーション１４と、洗浄ステーション１５と、を有する。第２処理ブロック２０は、第１受渡ステーション２１と、第２受渡ステーション２２と、第２搬送領域２３と、搬出ステーション２４と、を有する。【選択図】図１
2015088620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、
前記支持基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、
前記第１処理ブロックは、
前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、
前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、
前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、
前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、
前記第２処理ブロックは、
前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【請求項２】
前記第２処理ブロックは、第１受渡ステーションと第２受渡ステーションとをさらに有し、
前記第１受渡ステーションは、前記剥離ステーションと前記第２受渡ステーションとの間で前記支持基板を受け取る受渡装置を備え、
前記第２受渡ステーションは、前記支持基板を載置する載置部と、前記載置部を水平方向に移動させる移動部とを備え、前記第１受渡ステーションと前記第２搬送領域との間で前記支持基板を受け渡すことを特徴とする、請求項１に記載の剥離システム。
【請求項３】
前記第１処理ブロックは、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去する周縁部処理装置を備えた周縁部処理ステーションをさらに有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離システム。
【請求項４】
前記第１処理ブロックは、前記被処理基板の状態を検査する検査装置をさらに有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の剥離システム。
【請求項５】
前記第２処理ブロックは、前記支持基板を洗浄する他の洗浄装置を備えた他の洗浄ステーションをさらに有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の剥離システム。
【請求項６】
前記第１処理ブロック内の圧力は、前記第２処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、
前記第１処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第１搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の剥離システム。
【請求項７】
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の剥離システム。
【請求項８】
剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
前記剥離システムは、
前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、
前記支持基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、
前記第１処理ブロックは、
前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、
前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、
前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、
前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、
前記第２処理ブロックは、
前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有し、
前記剥離方法は、
前記搬入出ステーションに前記重合基板を搬入する搬入工程と、
前記剥離ステーションにおいて、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離工程と、
前記洗浄ステーションにおいて、前記剥離工程で剥離された前記被処理基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄された被処理基板を前記搬入出ステーションから搬出する第１搬出工程と、
前記剥離工程で剥離された前記支持基板を前記搬出ステーションから搬出する第２搬出工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。
【請求項９】
前記搬入工程後であって前記剥離工程前に、前記第１処理ブロックに設けられた周縁部処理ステーションにおいて、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去することを特徴とする、請求項８に記載の剥離方法。
【請求項１０】
前記洗浄工程後であって前記第１搬出工程前に、検査装置において、前記被処理基板の状態を検査することを特徴とする、請求項８又は９に記載の剥離方法。
【請求項１１】
前記剥離工程後であって前記第２搬出工程前に、前記第２処理ブロックに設けられた他の洗浄ステーションにおいて、前記支持基板を洗浄することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の剥離方法。
【請求項１２】
前記第１処理ブロック内の圧力は、前記第２処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、
前記第１処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第１搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の剥離方法。
【請求項１３】
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されることを特徴とする、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の剥離方法。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずか一項に記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるように、当該剥離システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。
【０００３】
例えば特許文献１は、被処理基板（半導体基板）と支持基板が接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムとして、２つの剥離システムを開示している。
【０００４】
１つ目の剥離システム（以下、「第１剥離システム」という。）は、被処理基板と重合基板が載置される第１の搬入出ステーションと、支持基板が載置される第２の搬入出ステーションと、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄装置と、剥離システム内で被処理基板、支持基板、重合基板を搬送する搬送装置とを有している。
【０００５】
２つ目の剥離システム（以下、「第２剥離システム」という。）は、被処理基板、支持基板、重合基板が載置される搬入出ステーションと、被処理基板、支持基板、重合基板に対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーションと、搬入出ステーションと剥離処理ステーションとの間で、被処理基板、支持基板、重合基板を搬送する搬送装置を備えた搬送領域と、を有している。また、剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−０１６５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した特許文献１の第１剥離システムと第２剥離システムでは、１つの搬送装置で被処理基板、支持基板、重合基板をすべて搬送しているため、一の基板を搬送中、他の基板の処理が終了しているにも関わらず、当該他の基板の搬送待ちが生じる場合がある。したがって、剥離処理のスループットに改善の余地がある。
【０００８】
また、重合基板はダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されている場合がある。そして、重合基板と剥離後の被処理基板はダイシングフレームに保持された状態で搬送されるが、剥離後の支持基板はダイシングフレームに保持されずにそのままの状態で搬送される。かかる場合、第１剥離システムと第２剥離システムでは、１つの搬送装置で異なる形状のダイシングフレームと基板を搬送することになるため、その制御が複雑になる。
【０００９】
なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などの製造工程においても生じ得る課題である。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、前記支持基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、前記第１処理ブロックは、前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、前記第２処理ブロックは、前記支持基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴としている。
【００１２】
本発明によれば、第１処理ブロックにおいて、剥離システムの外部から搬入出ステーションに重合基板が搬入され、その後、剥離ステーションにおいて重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄ステーションにおいて剥離後の被処理基板を洗浄した後、前記搬入出ステーションから剥離システムの外部に被処理基板が搬出される。一方、第２処理ブロックでは、剥離ステーションで剥離された支持基板が搬出ステーションから剥離システムの外部に搬出される。このように重合基板及び被処理基板に対する処理と、支持基板に対する処理とは、それぞれ別個の第１処理ブロックと第２処理ブロックとで行われ、さらに重合基板及び被処理基板の搬送と、支持基板の搬送とは、それぞれ別個の第１搬送装置と第２搬送装置とで行われる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【００１３】
また、重合基板（被処理基板）がダイシングフレームに保持される場合であっても、ダイシングフレームで保持された重合基板及び被処理基板の搬送と、ダイシングフレームに保持されない支持基板の搬送とは、それぞれ別個の第１搬送装置と第２搬送装置とで行われる。したがって、これら重合基板、被処理基板、支持基板を搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。
【００１４】
前記第２処理ブロックは、第１受渡ステーションと第２受渡ステーションとをさらに有し、前記第１受渡ステーションは、前記剥離ステーションと前記第２受渡ステーションとの間で前記支持基板を受け取る受渡装置を備え、前記第２受渡ステーションは、前記支持基板を載置する載置部と、前記載置部を水平方向に移動させる移動部とを備え、前記第１受渡ステーションと前記第２搬送領域との間で前記支持基板を受け渡してもよい。
【００１５】
前記第１処理ブロックは、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去する周縁部処理装置を備えた周縁部処理ステーションをさらに有していてもよい。
【００１６】
前記第１処理ブロックは、前記被処理基板の状態を検査する検査装置をさらに有していてもよい。
【００１７】
前記第２処理ブロックは、前記支持基板を洗浄する他の洗浄装置を備えた他の洗浄ステーションをさらに有していてもよい。
【００１８】
前記第１処理ブロック内の圧力は、前記第２処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、前記第１処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第１搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であってもよい。
【００１９】
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されてもよい。
【００２０】
別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、前記支持基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、前記第１処理ブロックは、前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、前記第２処理ブロックは、前記支持基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有し、前記剥離方法は、前記搬入出ステーションに前記重合基板を搬入する搬入工程と、前記剥離ステーションにおいて、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離工程と、前記洗浄ステーションにおいて、前記剥離工程で剥離された前記被処理基板を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄された被処理基板を前記搬入出ステーションから搬出する第１搬出工程と、前記剥離工程で剥離された前記支持基板を前記搬出ステーションから搬出する第２搬出工程と、を有することを特徴としている。
【００２１】
前記搬入工程後であって前記剥離工程前に、前記第１処理ブロックに設けられた周縁部処理ステーションにおいて、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去してもよい。
【００２２】
前記洗浄工程後であって前記第１搬出工程前に、検査装置において、前記被処理基板の状態を検査してもよい。
【００２３】
前記剥離工程後であって前記第２搬出工程前に、前記第２処理ブロックに設けられた他の洗浄ステーションにおいて、前記支持基板を洗浄してもよい。
【００２４】
前記第１処理ブロック内の圧力は、前記第２処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、前記第１処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第１搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であってもよい。
【００２５】
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されてもよい。
【００２６】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるように、当該剥離システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２７】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図２】図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。
【図３】図３は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。
【図４】図４は、剥離システムによって実行される剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、重合基板の搬送順路を示す模式図である。
【図６】図６は、被処理基板及び支持基板の搬送順路を示す模式図である。
【図７】図７は、剥離システム内に生じる気流の説明図である。
【図８】図８は、他の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図９】図９は、他の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図１０】図１０は、他の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図１１】図１１は、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【図１２】図１２は、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００３１】
先ず、本実施形態に係る剥離システムの構成について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図３は、同重合基板の模式平面図である。
【００３２】
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００３３】
図１に示す本実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。
【００３４】
以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
【００３５】
被処理基板Ｗは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、例えば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜５０μｍである。
【００３６】
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗ及び支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。
【００３７】
また、図３に示すように、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定される。ダイシングフレームＦは、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームＦの厚みは、例えば１ｍｍ程度である。
【００３８】
重合基板Ｔは、かかるダイシングフレームＦにダイシングテープＰを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合基板Ｔを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐように被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎ及びダイシングフレームＦの裏面にダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定（保持）された状態となる。
【００３９】
図１に示すように、剥離システム１は、第１処理ブロック１０及び第２処理ブロック２０の２つの処理ブロックを備える。第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とは、第２処理ブロック２０及び第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に隣接して配置される。
【００４０】
第１処理ブロック１０では、重合基板Ｔの搬入、重合基板Ｔの剥離処理、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板（重合基板Ｔと被処理基板Ｗ）に対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、待機ステーション１２と、第１搬送領域１３と、剥離ステーション１４と、洗浄ステーション１５とを備える。
【００４１】
搬入出ステーション１１、待機ステーション１２、剥離ステーション１４及び洗浄ステーション１５は、第１搬送領域１３に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション１１と待機ステーション１２とは、第１搬送領域１３のＹ軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション１４の一の剥離装置１４１と洗浄ステーション１５の２つの洗浄装置１５１、１５２とは、第１搬送領域１３のＹ軸正方向側に並べて配置される。また、剥離ステーション１４の他の剥離装置１４２は、第１搬送領域１３のＸ軸負方向側に配置される。
【００４２】
搬入出ステーション１１には、複数のカセット載置台１１１が設けられており、各カセット載置台１１１には、重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔ又は剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、これらカセットＣｔとカセットＣｗが外部との間で搬入出される。
【００４３】
待機ステーション１２には、例えばダイシングフレームＦのＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。なお、待機ステーション１２では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１２には、後述する第１搬送装置１３１によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。
【００４４】
第１搬送領域１３には、重合基板Ｔ又は剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置１３１が配置される。第１搬送装置１３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第１搬送領域１３では、かかる第１搬送装置１３１により、重合基板Ｔを待機ステーション１２及び剥離ステーション１４へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Ｗを洗浄ステーション１５及び搬入出ステーション１１へ搬送する処理が行われる。
【００４５】
剥離ステーション１４には、２つの剥離装置１４１、１４２が配置される。剥離ステーション１４では、かかる剥離装置１４１、１４２によって、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。具体的には剥離装置１４１、１４２では、被処理基板Ｗを下側に配置し且つ支持基板Ｓを上側に配置した状態で、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。剥離装置１４１、１４２としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の剥離装置を用いることができる。なお、剥離ステーション１４に配置される剥離装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の剥離装置１４１、１４２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。
【００４６】
洗浄ステーション１５には、２つの洗浄装置１５１、１５２が配置される。洗浄ステーション１５では、かかる洗浄装置１５１、１５２によって、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する洗浄処理が行われる。洗浄装置１５１、１５２としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。なお、洗浄ステーション１５に配置される洗浄装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の洗浄装置１５１、１５２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。
【００４７】
また、第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されていない基板（支持基板Ｓ）に対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、第１受渡ステーション２１と、第２受渡ステーション２２と、第２搬送領域２３と、搬出ステーション２４とを備える。
【００４８】
第１受渡ステーション２１は、剥離ステーション１４の剥離装置１４１のＸ方向負方向側であって、剥離装置１４２のＹ方向正方向側に配置される。また、第２受渡ステーション２２及び搬出ステーション２４は、第２搬送領域２３に隣接して配置される。具体的には、第２受渡ステーション２２は第２搬送領域２３のＹ軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション２４は第２搬送領域２３のＹ軸負方向側に並べて配置される。
【００４９】
第１受渡ステーション２１では、剥離ステーション１４の剥離装置１４１、１４２から剥離後の支持基板Ｓを受け取って第２受渡ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。第１受渡ステーション２１には、受渡装置２１１が配置される。受渡装置２１１は、例えばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有し、この非接触保持部は水平軸回りに回動自在に構成されている。具体的に受渡装置２１１としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の搬送装置を用いることができる。そして受渡装置２１１は、剥離後の支持基板Ｓの表裏面を反転させつつ、剥離装置１４１、１４２から第２処理ブロック２０へ支持基板Ｓを非接触で搬送する。
【００５０】
第２受渡ステーション２２には、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１をＹ方向に移動させる移動部２２２とが配置される。載置部２２１は、例えば３つの支持ピンを備え、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを支持して載置する。移動部２２２は、Ｙ方向に延伸するレールと、載置部２２１をＹ方向に移動させる駆動部とを備える。第２受渡ステーション２２では、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１から載置部２２１に支持基板Ｓが載置された後、移動部２２２によって載置部２２１を第２搬送領域２３側に移動させる。そして、載置部２２１から後述する第２搬送領域２３の第２搬送装置２３１に支持基板Ｓが受け渡される。なお、本実施形態では、載置部２２１はＹ方向のみに移動するが、これに加えてＸ方向にも移動可能に構成されていてもよい。
【００５１】
なお、上述した第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１はベルヌーイチャック等の非接触保持部で支持基板Ｓを保持するため、搬送信頼性は高くない。このため、受渡装置２１１から後述する第２搬送領域２３の第２搬送装置２３１に支持基板Ｓを直接受け渡そうとすると、当該支持基板Ｓを取り落す可能性がある。そこで、本実施形態では、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２３との間に第２受渡ステーション２２を設け、当該第２受渡ステーション２２で一旦支持基板Ｓを載置している。
【００５２】
第２搬送領域２３には、剥離後の支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置２３１が配置される。第２搬送装置２３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第２搬送領域２３では、かかる第２搬送装置２３１により、剥離後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理が行われる。
【００５３】
搬出ステーション２４には、複数のカセット載置台２４１が設けられており、各カセット載置台２４１には、剥離後の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、このカセットＣｓが外部との間で搬出される。
【００５４】
また、剥離システム１は、制御装置３０を備える。制御装置３０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置３０は、例えばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。
【００５５】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置３０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００５６】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理方法について説明する。図４は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図５は、重合基板Ｔの搬送順路を示す模式図であり、図６は、被処理基板Ｗ及び支持基板Ｓの搬送順路を示す模式図である。なお、剥離システム１は、制御装置３０の制御に基づき、図４に示す各処理手順を実行する。
【００５７】
先ず、複数枚の重合基板Ｔを収容したカセットＣｔと、空のカセットＣｗとが、搬入出ステーション１１の所定のカセット載置台１１１に載置されると共に、空のカセットＣｓが、搬出ステーション２４の所定のカセット載置台２４１に載置される。そして、剥離システム１では、第１処理ブロック１０の第１搬送装置１３１が、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｔから重合基板Ｔを取り出す。このとき、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置１３１の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置１３１は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１２へ搬入する基板搬入処理を行う（図４のステップＳ１０１、図５のＴ１参照）。
【００５８】
続いて、待機ステーション１２では、ＩＤ読取装置が、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う（図４のステップＳ１０２）。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置３０へ送信される。その後、重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によって待機ステーション１２から取り出されて、剥離ステーション１４の剥離装置１４１へ搬入される（図５のＴ２参照）。
【００５９】
なお、例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１２に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
【００６０】
剥離ステーション１４では、剥離装置１４１が、重合基板Ｔに対して剥離処理を行う。かかる剥離処理により、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに分離される（図４のステップＳ１０３）。
【００６１】
その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。
【００６２】
第１処理ブロック１０では、剥離後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出されて、洗浄ステーション１５の洗浄装置１５１へ搬入される（図５のＷ１参照）。洗浄ステーション１５では、洗浄装置１５１が、剥離後の被処理基板Ｗに対して洗浄処理を行う。かかる洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される（図４のステップＳ１０４）。
【００６３】
洗浄処理後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって洗浄ステーション１５の洗浄装置１５１から取り出されて、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｗに収容される（図５のＷ２参照）。その後、複数の被処理基板Ｗを収容したカセットＣｗは、搬入出ステーション１１から搬出されて、回収される（図４のステップＳ１０５）。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。
【００６４】
一方、第２処理ブロック２０では、ステップＳ１０４及びステップＳ１０５の処理と並行して、剥離後の支持基板Ｓに対する処理（後述するステップＳ１０６及びステップＳ１０７）が行われる。
【００６５】
第２処理ブロック２０では、先ず、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う。具体的には、受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出して（図５のＳ１参照）、第２受渡ステーション２２へ搬入する（図４のステップＳ１０６、図５のＳ２参照）。
【００６６】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置１４１によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、受渡装置２１１は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。その後、受渡装置２１１は、保持した支持基板Ｓを反転させたうえで、第２受渡ステーション２２の載置部２２１へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊを上方に向けた状態で載置部２２１に載置される。
【００６７】
第２受渡ステーション２２では、支持基板Ｓが載置された載置部２２１が移動部２２２によって第２搬送領域２３側の所定の位置まで移動する。この所定の位置とは、第２搬送装置２３１の搬送アーム部が載置部２２１上の支持基板Ｓを受け取ることができる位置である。
【００６８】
続いて、支持基板Ｓは、第２搬送装置２３１によって第２受渡ステーション２２から取り出されて、搬出ステーション２４に載置されたカセットＣｓに収容される（図５のＳ３参照）。その後、複数の支持基板Ｓを収容したカセットＣｓは、搬出ステーション２４から搬出されて、回収される（図４のステップＳ１０７）。こうして、支持基板Ｓについての処理も終了する。
【００６９】
以上のように本実施形態に係る剥離システム１は、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理を行う第１処理ブロック１０と、支持基板Ｓに対する処理を行う第２処理ブロック２０とを備える。このため、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理と、支持基板Ｓに対す処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。より具体的には、本実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板（重合基板Ｔ及び剥離後の被処理基板Ｗ）用のフロントエンド（搬入出ステーション１１及び第１搬送領域１３）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板（剥離後の支持基板Ｓ）用のフロントエンド（搬出ステーション２４及び第２搬送領域２３）とを備える。これにより、被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【００７０】
また、本実施形態によれば、重合基板Ｔと被処理基板ＷがダイシングフレームＦに保持されていても、ダイシングフレームＦで保持された重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗの搬送と、ダイシングフレームＦに保持されない支持基板Ｓの搬送とは、それぞれ別個の第１搬送装置１３１と第２搬送装置２３１とで行われる。したがって、従来のように１つの搬送装置でダイシングフレームに保持された基板とダイシングフレームに保持されない基板を搬送する場合に比べて、本実施形態では、重合基板Ｔ、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓを搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。
【００７１】
さらに、本実施形態に係る剥離システム１では、剥離ステーション１４と第２搬送領域２３とが第１受渡ステーション２１と第２受渡ステーション２２を介して接続される。これにより、第１搬送領域１３を経由することなく、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４から第２搬送領域２３へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓの搬送を円滑に行うことができる。
【００７２】
しかも、第２受渡ステーション２２は、第２受渡ステーションは、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１を水平方向に移動させる移動部２２２とを備える。これにより、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２３との間で支持基板Ｓを受け渡す際、支持基板Ｓを載置した載置部２２１を移動できるので、当該第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１の非接触保持部や第２搬送領域２３の第２搬送装置２３１の搬送アーム部を伸長させる必要がない。したがって、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２３の専有面積を小さくでき、剥離システム１全体の専有面積を小さくすることができる。
【００７３】
次に、以上のように構成された剥離システム１において重合基板Ｔの剥離処理を行う際、当該剥離システム１内に生じる気流について図７に基づいて説明する。なお、図７中の矢印は気流の向きを示している。
【００７４】
剥離システム１では、第１処理ブロック１０内において、搬入出ステーション１１、待機ステーション１２及び第１搬送領域１３内の圧力は、剥離ステーション１４と洗浄ステーション１５内の圧力に対して陽圧になる。そうすると、第１搬送領域１３から剥離ステーション１４と洗浄ステーション１５に向かう気流が生じ、剥離ステーション１４と洗浄ステーション１５から第１搬送領域１３に雰囲気が流出しない。このため、剥離ステーション１４において重合基板Ｔの剥離処理を行う際に発生するパーティクルや、洗浄ステーション１５において被処理基板Ｗの洗浄処理を行う際に発生するパーティクルが、第１搬送領域１３側に拡散するのを抑制できる。したがって、搬入出ステーション１１、待機ステーション１２及び第１搬送領域１３内を清浄に保つことができ、剥離前の重合基板Ｔや剥離後の被処理基板Ｗにパーティクルが付着するのを抑制できる。また、製品の歩留まりの低下を抑制することもできる。
【００７５】
また、第１処理ブロック１０内の圧力が第２処理ブロック２０内に対して陽圧になる。すなわち、剥離ステーション１４内の圧力は、第１受渡ステーション２１内の圧力に対して陽圧になる。そうすると、剥離ステーション１４から第１受渡ステーション２１に向かう気流が生じる。
【００７６】
さらに、第２処理ブロック２０内においては、第１受渡ステーション２１の圧力は、第２受渡ステーション２２、第２搬送領域２３及び搬出ステーション２４に対して陽圧になる。そうすると、第１受渡ステーション２１から第２受渡ステーション２２に向かう気流が生じる。
【００７７】
このように剥離ステーション１４から第１受渡ステーション２１を介して第２受渡ステーション２２に向かう気流が生じ、第２受渡ステーション２２と第１受渡ステーション２１内の雰囲気が剥離ステーション１４に流出しない。これにより、剥離ステーション１４内に不要なパーティクルが流入するのを抑制でき、当該剥離ステーション１４における剥離処理を適切に行うことができる。なお、剥離後の支持基板Ｓは、第２処理ブロック２０の搬出ステーション２４から外部に搬出された後に洗浄されるため、必ずしも第２処理ブロック２０内の雰囲気を清浄に保つ必要はない。かかる観点からも、第１処理ブロック１０内の圧力を第２処理ブロック２０内に対して陽圧するのがよい。
【００７８】
次に、剥離システム１の他の実施形態について説明する。
【００７９】
図８に示すように剥離システム１は、重合基板Ｔにおける接着剤Ｇの周縁部を除去する周縁部処理ステーション１６を有していてもよい。周縁部処理ステーション１６は、第１処理ブロック１０において、第１搬送領域１３のＸ軸正方向側に配置される。
【００８０】
周縁部処理ステーション１６には、周縁部処理装置が配置される。周縁部処理装置は、重合基板Ｔにおける接着剤Ｇの周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。なお、周縁部処理装置は、例えば重合基板Ｔを接着剤Ｇの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させる。
【００８１】
かかる周縁部処理ステーション１６におけるエッジカット処理は、図４に示したステップＳ１０２とステップＳ１０３の間で行われる。すなわち、ステップＳ１０２において待機ステーション１２でＩＤ読取処理が行われた後、重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によって待機ステーション１２から取り出されて、周縁部処理ステーション１６へ搬入される。そして、周縁部処理ステーション１６において、重合基板Ｔに対するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることにより、後段のステップＳ１０３の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
【００８２】
このように本実施形態にかかる剥離システム１では、周縁部処理ステーション１６が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置１３１を用いて周縁部処理ステーション１６へ直接搬入することができる。したがって、一連の剥離処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。
【００８３】
また、図９に示すように剥離システム１は、剥離後の被処理基板Ｗの状態を検査する検査装置１７を有していてもよい。検査装置１７は、第１処理ブロック１０において、第１搬送領域１３のＸ軸正方向側に配置される。
【００８４】
検査装置１７では、剥離ステーション１４で剥離された被処理基板Ｗ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。かかる検査は、例えばチャックに保持された被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを撮像することによって行われる。
【００８５】
かかる検査装置１７における被処理基板Ｗの検査は、図４に示したステップＳ１０４とステップＳ１０５の間で行われる。すなわち、ステップＳ１０４において洗浄ステーション１５で被処理基板Ｗの洗浄処理が行われた後、洗浄後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって洗浄ステーション１５から取り出されて、検査装置１７へ搬入される。そして、検査装置１７では、被処理基板Ｗにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。検査装置１７において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理基板Ｗは洗浄ステーション１５に搬送され、当該被処理基板Ｗに対して再度洗浄処理が行われる。一方、検査装置１７において接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合、被処理基板Ｗは搬入出ステーション１１に搬送され、カセットＣｗに収容される。その後、ステップＳ１０５において、カセットＣｗは搬入出ステーション１１から搬出されて、回収される。
【００８６】
このように本実施形態にかかる剥離システム１では、検査装置１７が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、被処理基板Ｗの状態を検査することにより、被処理基板Ｗを適切な状態で外部に搬出することができる。したがって、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００８７】
なお、検査装置１７における被処理基板Ｗの検査は、図４に示したステップＳ１０３とステップＳ１０４の間で行われてもよい。例えばステップＳ１０３において剥離ステーション１４で重合基板Ｔの剥離処理が行われた後、剥離後の被処理基板Ｗには接着剤Ｇが残存していない場合もあり得る。かかる場合、剥離ステーション１４から検査装置１７に被処理基板Ｗを搬送し、被処理基板Ｗにおける接着剤Ｇの残渣の有無を検査すれば、当該接着剤Ｇの残渣は確認されず、後段のステップＳ１０４における被処理基板Ｗの洗浄処理を省略できる。
【００８８】
なお、検査装置１７で行われる被処理基板Ｗの検査は、上述した被処理基板Ｗにおける接着剤Ｇの残渣の有無の検査に限定されない。例えば剥離後の被処理基板Ｗの欠陥等を検査してもよい。
【００８９】
また、図１０に示すように剥離システム１は、剥離後の支持基板Ｓの洗浄処理を行う他の洗浄ステーション２５を有していてもよい。他の洗浄ステーション２５は、第２処理ブロック２０において、第２受渡ステーション２２のＸ方向負方向側であって、第２搬送領域２３のＹ軸正方向側に配置される。
【００９０】
他の洗浄ステーション２５には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する他の洗浄装置が配置される。他の洗浄装置としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
【００９１】
かかる他の洗浄ステーション２５における洗浄処理は、図４に示したステップＳ１０６とステップＳ１０７の間で行われる。すなわち、ステップＳ１０６において、剥離ステーション１４から第１受渡ステーション２１を介して第２受渡ステーション２２に剥離後の支持基板Ｓが受け渡された後、支持基板Ｓは、第２搬送装置２３１によって第２受渡ステーション２２から取り出されて、他の洗浄ステーション２５へ搬入される。そして、他の洗浄ステーション２５では、他の洗浄装置が、剥離後の支持基板Ｓに対して洗浄処理を行う。かかる洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。洗浄後の支持基板Ｓは、搬出ステーション２４に搬送され、カセットＣｓに収容される。その後、ステップＳ１０７において、カセットＣｓは搬入出ステーション１１から搬出されて、回収される。
【００９２】
このように本実施形態にかかる剥離システム１では、他の洗浄ステーション２５が第２処理ブロック２０に組み込まれているため、支持基板Ｓを洗浄することにより、支持基板Ｓを清浄な状態で外部に搬出することができる。したがって、剥離システム１の外部での支持基板Ｓの処理や搬送を適切に行うことができる。
【００９３】
なお、以上の剥離システム１において、第１処理ブロック１０は、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームＦが取り付けられていない重合基板ＴをカセットＣｔから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けた後、ダイシングフレームＦに固定された重合基板Ｔを剥離ステーション１４へ搬送することとなる。なお、マウント装置は、第１処理ブロック１０の任意の位置に配置すればよい。
【００９４】
また、以上の剥離システム１において、各処理ステーションの処理装置や搬送領域の配置は任意に設計することができ、水平方向に並べて配置してもよいし、鉛直方向に積層して配置してもよい。
【００９５】
また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。例えば剥離ステーション１４では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
【００９６】
ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図１１及び図１２を参照して説明する。図１１及び図１２は、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図１１に示すように、ＳＯＩ基板を形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。
【００９７】
ドナー基板Ｋは、表面に絶縁膜６が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層７が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、例えばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。
【００９８】
剥離ステーション１４では、例えばドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈをそれぞれ個別の保持部で保持した状態で、重合基板Ｔａの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Ｋに形成された水素イオン注入層７に対して機械的衝撃を与える。これにより、図１２に示すように、水素イオン注入層７内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｋからシリコン層８が剥離する。その結果、ハンドル基板Ｈの上面に絶縁膜６とシリコン層８とが転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。
【００９９】
また、上述してきた実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ、Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。
【０１００】
また、上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持されることを要しない。
【０１０１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１０２】
１  剥離システム
１０  第１処理ブロック
１１  搬入出ステーション
１２  待機ステーション
１３  第１搬送領域
１４  剥離ステーション
１５  洗浄ステーション
１６  周縁部処理ステーション
１７  検査装置
２０  第２処理ブロック
２１  第１受渡ステーション
２２  第２受渡ステーション
２３  第２搬送領域
２４  搬出ステーション
２５  他の洗浄ステーション
３０  制御装置
１３１  第１搬送装置
１４１、１４２  剥離装置
１５１、１５２  洗浄装置
２１１  受渡装置
２２１  載置部
２２２  移動部
２３１  第２搬送装置
Ｆ  ダイシングフレーム
Ｐ  ダイシングテープ
Ｓ  支持基板
Ｔ  重合基板
Ｗ  被処理基板
【図１】
2015088620.tif 000003
【図２】
2015088620.tif 000004
【図３】
2015088620.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015088620.tif 000009
【図８】
2015088620.tif 000010
【図９】
2015088620.tif 000011
【図１０】
2015088620.tif 000012
【図１１】
2015088620.tif 000013
【図１２】
2015088620.tif 000014