(57)【要約】【課題】基板をサセプターの基板配置部に配置した状態で処理を行う際に、可動ピンが配置された凹部の内周面での侵食を抑制することのできる基板処理装置、ドライエッチング装置および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板処理装置４００は、基板配置部４３１を備えたサセプター４３０と、サセプター４３０の凹部４３４および可動ピン配置穴４３３内に配置された可動ピン４４０とを有している。可動ピン４４０の頭部４４３は、基板１０ｘを基板配置部４３１に配置したときに、凹部４３４の内部に位置する第２部分４４４と、第２部分４４４に対して第１部分４４１とは反対側に位置する第３部分４４５とを備えている。第３部分４４５は、基板配置部４３１とは反対側で、基板１０ｘの基板配置部４３１側とは反対側の面１０ｒより高い位置まで突出している。【選択図】図２
2015041623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が配置される基板配置部を一方の面に備えたサセプターと、
前記サセプターの前記一方の面に対して交差する方向に移動できる可動ピンと、
を有し、
前記サセプターの前記一方の面は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と一部が重なる位置に凹部を備え、
前記サセプターは、前記凹部の内部において、前記一方の面側から前記一方の面と反対側の面である他方の面へ向けて開口する可動ピン配置穴を備え、
前記可動ピンは、前記一方の面に平行な方向から見た断面視において、
前記可動ピン配置穴の内部に位置する第１部分と、
前記凹部の内部に位置する第２部分と、
前記第２部分に対して前記第１部分とは反対側に位置する第３部分と、
を備え、
前記第３部分は、前記基板配置部に前記基板を配置したとき、前記基板の前記基板配置部と反対側の面よりも高い位置まで突出していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記サセプターは、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と重なる位置に配置された電極と、前記電極の周りを覆う絶縁体と、を有し、
前記凹部と前記電極との間には前記絶縁体が位置することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記サセプターの前記凹部は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部とは反対側に位置する第１円弧部と、前記第１円弧部の一方端から前記基板配置部側に向かって直線的に延在する第１直線部と、を備え、
前記可動ピンの前記第３部分は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部とは反対側に位置する第２円弧部と、前記第２円弧部の一方端から前記基板配置部側に向かって直線的に延在する第２直線部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記可動ピンと前記サセプターとの間には、前記第３部分が前記基板配置部と重ならない位置に配置されるように前記可動ピンを位置決めさせる位置決め部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板が配置される基板配置部を一方の面に備えたサセプターと、
前記サセプターの前記一方の面に対して交差する方向に移動できる可動ピンと、
を有し、
前記サセプターの前記一方の面は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と一部が重なる位置に凹部を備え、
前記サセプターは、前記凹部の内部において、前記一方の面側から前記一方の面と反対側の面である他方の面へ向けて開口する可動ピン配置穴を備え、
前記可動ピンは、前記一方の面に平行な方向から見た断面視において、
前記可動ピン配置穴の内部に位置する第１部分と、
前記凹部の内部に位置する第２部分と、を備え、
前記サセプターは、前記凹部の前記基板配置部と反対側の位置に、前記基板配置部に前記基板を配置したとき、前記基板の前記基板配置部と反対側の面よりも高い位置まで突出した側壁部を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記サセプターは、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と重なる位置に配置された電極と、前記電極の周りを覆う絶縁体と、を有し、
前記凹部と前記電極との間には前記絶縁体が位置することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置を備えることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の基板処理装置を利用した電気光学装置の製造方法であって、
前記基板の前記基板配置部とは反対側の面に対してドライエッチングを行うエッチング工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプターの可動ピン配置穴内に可動ピンが設けられた基板処理装置、ドライエッチング装置、および基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置等を製造する際には、例えば、基板に膜を形成した後、膜にドライエッチングを行って、膜のパターニングを行うエッチング工程が行われる。かかるドライエッチング工程に用いる基板処理装置は、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、基板処理室内にサセプター４３０を有しており、サセプター４３０は、基板１０ｘが配置される基板配置部４３１を一方の面４３２に備えている。サセプター４３０には、基板配置部４３１の外縁に重なる位置で開口する凹部４３４と、凹部４３４に連通する可動ピン配置穴４３３とが形成されており、凹部４３４および可動ピン配置穴４３３の内部には、軸線方向Ｌの一方側に位置する頭部４４３で基板１０ｘを支持する可動ピン４４０が配置されている。サセプター４３０は、静電式基板保持装置用の電極４３７ａと、電極４３７ａを覆う絶縁体４３７ｂとを有しており、凹部４３４と電極４３７ａとの間には絶縁体４３７ｂが位置する。
【０００３】
このように構成した基板処理装置では、図８（ａ）に示すように、可動ピン４４０が上昇して基板１０ｘを搬送装置から受け取った後、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、可動ピン４４０が下降して、基板１０ｘをサセプター４３０の基板配置部４３１に配置する。この状態では、可動ピン４４０の頭部４４３は、凹部４３４の内部に引っ込んだ状態にある。
【０００４】
一方、可動ピン４４０によって基板１０ｘを支持した場合の位置ずれを防止するために、図８（ｄ）に示すように、可動ピン４４０の頭部４４３にテーパ面をもった凸部４４５ａを形成した構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、図８（ｅ）に示すように、可動ピン４４０の頭部４４３に段部４４５ｂを設けるとともに、段部４４５ｂに、基板１０ｘの上面に被さるように変位する跳ね上がり防止手段４４９を設けた構成が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３２６２６７号公報
【特許文献２】特開２００２−３３４９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図８（ｃ）に示すように、基板１０ｘをサセプター４３０の基板配置部４３１に配置した状態では、可動ピン４４０の頭部４４３が基板１０ｘより下方まで下降するため、凹部４３４の内周面が大きく露出した状態となる。このため、ドライエッチングを行うと、矢印Ｇで示すように、エッチングガスが凹部４３４の内側まで供給され、凹部４３４の内周面が侵食されるという問題点がある。かかる侵食が発生すると、生成物によって可動ピン４４０のスムーズな移動が妨げられることがある。また、侵食が電極４３７ａに届くまで進行すると、電極４３７ａの腐食が発生するため、好ましくない。
【０００７】
一方、図８（ｄ）に示すように、頭部４４３に凸部４４５ａを設けた場合でも、凹部４３４の内周面のうち、基板配置部４３１側に位置する部分と、頭部４４３との間が大きく開放されているため、凹部４３４の内部にエッチングガスが供給されてしまう。また、図８（ｅ）に示すように、頭部４４３に段部４４５ｂおよび跳ね上がり防止手段４４９を設けた場合でも、凹部４３４の内周面のうち、基板配置部４３１側に位置する部分と、頭部４４３との間が大きく開放されているため、凹部４３４の内周面にエッチングガスが供給されてしまう。このため、図８（ｄ）、（ｅ）に示す構成でも、凹部４３４の内周面が侵食されるのを防止することは困難である。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板をサセプターの基板配置部に配置した状態で処理を行う際に、可動ピンが配置された凹部の内周面での侵食を抑制することのできる基板処理装置、ドライエッチング装置、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る基板処理装置の一態様は、基板が配置される基板配置部を一方の面に備えたサセプターと、前記サセプターの前記一方の面に対して交差する方向に移動できる可動ピンと、を有し、前記サセプターの前記一方の面は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と一部が重なる位置に凹部を備え、前記サセプターは、前記凹部の内部において、前記一方の面側から前記一方の面と反対側の面である他方の面へ向けて開口する可動ピン配置穴を備え、前記可動ピンは、前記一方の面に平行な方向から見た断面視において、前記可動ピン配置穴の内部に位置する第１部分と、前記凹部の内部に位置する第２部分と、前記第２部分に対して前記第１部分とは反対側に位置する第３部分と、を備え、前記第３部分は、前記基板配置部に前記基板を配置したとき、前記基板の前記基板配置部と反対側の面よりも高い位置まで突出していることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一態様では、可動ピンは、可動ピン配置穴内で軸線方向に移動して基板を第２部分で支持した後、軸線方向の他方側に移動して、基板を基板配置部に配置する。この状態で、凹部の内周面は、可動ピンと基板との間で斜め方向に露出している。但し、本発明では、第２部分には第３部分が設けられており、第３部分は、基板配置部に配置された基板の側面に対向した状態で、基板の基板配置部側とは反対側の面より高い位置まで突出している。このため、基板処理室内にエッチングガスを導入しても、エッチングガスは、第３部分で遮られる。従って、可動ピンと基板との間で凹部の内周面が斜め方向に露出していても、凹部の内周面がエッチングガスによって侵食されにくい。
【００１１】
本発明の一態様において、前記サセプターは、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と重なる位置に配置された電極と、前記電極の周りを覆う絶縁体と、を有し、前記凹部と前記電極との間には前記絶縁体が位置する構成を採用することができる。かかる構成でも、絶縁体において凹部の内周面を構成する部分がエッチングガスによって侵食されにくいので、電極の侵食が発生しにくい。
【００１２】
本発明の一態様において、前記サセプターの前記凹部は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部とは反対側に位置する第１円弧部と、前記第１円弧部の一方端から前記基板配置部側に向かって直線的に延在する第１直線部と、を備え、前記可動ピンの前記第３部分は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部とは反対側に位置する第２円弧部と、前記第２円弧部の一方端から前記基板配置部側に向かって直線的に延在する第２直線部と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、可動ピンを所定の向きに配置することができる。また、可動ピンと基板との間で凹部の内周面が斜め方向に露出している部分が狭いので、凹部の内周面がエッチングガスによって侵食されにくい。
【００１３】
本発明の一態様において、前記可動ピンと前記サセプターとの間には、前記第３部分が前記基板配置部と重ならない位置に配置されるように前記可動ピンを位置決めさせる位置決め部が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、可動ピンを確実に所定の向きに配置することができる。
【００１４】
本発明の別の基板処理装置の一態様は、基板が配置される基板配置部を一方の面に備えたサセプターと、前記サセプターの前記一方の面に対して交差する方向に移動できる可動ピンと、を有し、前記サセプターの前記一方の面は、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と一部が重なる位置に凹部を備え、前記サセプターは、前記凹部の内部において、前記一方の面側から前記一方の面と反対側の面である他方の面へ向けて開口する可動ピン配置穴を備え、前記可動ピンは、前記一方の面に平行な方向から見た断面視において、前記可動ピン配置穴の内部に位置する第１部分と、前記凹部の内部に位置する第２部分と、を備え、前記サセプターは、前記凹部の前記基板配置部と反対側の位置に、前記基板配置部に前記基板を配置したとき、前記基板の前記基板配置部と反対側の面よりも高い位置まで突出した側壁部を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明の上記態様では、可動ピンは、可動ピン配置穴内で軸線方向に移動して基板を第２部分で支持した後、軸線方向の他方側に移動して、基板を基板配置部に配置する。この状態で、凹部の内周面は、可動ピンと基板との間で斜め方向に露出している。但し、本発明では、サセプターには基板配置部とは反対側に側壁部が設けられており、側壁部は、基板配置部に配置された基板の側面に対向した状態で、基板の基板配置部側とは反対側の面より高い位置まで突出している。このため、基板処理室内にエッチングガスを導入しても、エッチングガスは、側壁部で遮られる。従って、可動ピンと基板との間で凹部の内周面が斜め方向に露出していても、凹部の内周面がエッチングガスによって侵食されにくい。
【００１６】
本発明の一態様において、前記サセプターは、前記一方の面に垂直な方向から見た平面視において、前記基板配置部と重なる位置に配置された電極と、前記電極の周りを覆う絶縁体と、を有し、前記凹部と前記電極との間には前記絶縁体が位置する構成を採用することができる。かかる構成でも、絶縁体において凹部の内周面を構成する部分がエッチングガスによって侵食されにくいので、電極の侵食が発生しにくい。
【００１７】
本発明のドライエッチング装置の一態様は、上記の基板処理装置を備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明の上記態様を適用した基板処理装置を利用した電気光学装置の製造方法では、前記基板の前記基板配置部とは反対側の面に対してドライエッチングを行うエッチング工程を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の一例を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の可動ピン等の一例を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る基板処理装置の可動ピン等の一例を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る基板処理装置の一例を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る基板処理装置の可動ピン等の一例を示す説明図である。
【図６】電気光学装置の製造に用いられるマザー基板の一例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置の液晶パネルの一例を示す説明図である。
【図８】本発明の比較例に係る基板処理装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明においては、図８に示す構成との対応が分かりやすいように、図８に示す構成と共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の一例を示す説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、可動ピンが上昇して頭部で基板を支持した状態の説明図、および可動ピンが下降してサセプターの基板配置部に基板を載置した状態の説明図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の可動ピン等の一例を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、可動ピン等の平面図、可動ピンが上昇している状態の斜視図、可動ピンが下降している状態の斜視図、可動ピンが下降している状態をサセプターの一方の面に平行な方向からみた断面図である。
【００２２】
図１（ａ）に示す基板処理装置４００は、ドライエッチング装置であって、基板１０ｘが処理される基板処理室４１０を区画する壁部４２０を有している。基板処理装置４００において、壁部４２０には、基板処理室４１０内に基板１０ｘを搬入するとともに、基板処理室４１０内の基板１０ｘを搬出する搬入搬出口（図示せず）が設けられている。また、壁部４２０には、基板処理室４１０の内部にエッチングガス等を導入するガス導入口４１１と、基板処理室４１０からガスを排出する排出口４１３とが設けられている。基板処理室４１０の天面には、プラズマ励起用の上電極４７０が設けられている。
【００２３】
（サセプター４３０等の構成）
基板処理装置４００において、基板処理室４１０には、上電極４７０の下面と対向するようにサセプター４３０が設けられており、かかるサセプター４３０において、上電極４７０と対向する一方の面４３２（上面）の中央領域が、基板１０ｘが載置される基板配置部４３１になっている。本形態において、基板１０ｘは円板状あるいは略円板状であるため、基板配置部４３１は円形領域あるいは略円形領域である。サセプター４３０には、一方の面４３２で開口する凹部４３４と、凹部４３４の内側でサセプター４３０を厚さ方向に貫通して一方の面４３２（上面）から他方の面４３９（一方の面４３２と反対側の面、下面）に向けて開口する可動ピン配置穴４３３とが複数、設けられており、かかる可動ピン配置穴４３３および凹部４３４の内側に可動ピン４４０が配置されている。本形態において、可動ピン配置穴４３３は、凹部４３４より内径が小さく、凹部４３４の底部の中央で開口している。
【００２４】
本形態においては、図２（ａ）に示すように、凹部４３４および可動ピン４４０は、サセプター４３０の基板配置部４３１の外縁と重なる位置に配置されている。また、凹部４３４、可動ピン配置穴４３３および可動ピン４４０は、等角度間隔の複数個所、例えば４か所に設けられている。
【００２５】
再び図１（ａ）において、サセプター４３０は、一方の面４３２および基板配置部４３１に対して垂直な方向（可動ピン配置穴４３３の軸線方向Ｌ）からみたときに基板配置部４３１と重なる位置に、プラズマ励起用の下電極４３８ａと、基板１０ｘを基板配置部４３１に吸着保持する静電式基板保持装置等の電極４３７ａとを有している。電極４３７ａおよび下電極４３８ａは各々、アルミナ等のセラミックスからなる絶縁体４３７ｂ、４３８ｂによって覆われている。本形態において、電極４３７ａは、下電極４３８ａとサセプター４３０の一方の面４３２（上面）との間に配置されている。
【００２６】
電極４３７ａと絶縁体４３７ｂとは、円盤状の静電式基板保持装置４３７として一体化されており、静電式基板保持装置４３７は、サセプター４３０の枠状のサセプター本体４３０ａによって周りが囲まれた状態で配置されている。サセプター本体４３０ａは、アルミナ等のセラミックスからなる。本形態において、凹部４３４は、静電式基板保持装置４３７の外面に接するように形成されている。このため、凹部４３４の内周面のうち、基板配置部４３１の側に位置する部分は、静電式基板保持装置４３７の絶縁体４３７ｂからなり、他の部分は、サセプター本体４３０ａからなる。このような構成において、凹部４３４と電極４３７ａとの間には絶縁体４３７ｂが位置することになる。
【００２７】
サセプター４３０は、カバー４８５を介して基板処理室４１０に固定された状態にあり、サセプター４３０の下方位置はカバー４８５によって密閉されている。サセプター４３０の下方位置において、カバー４８５の内側には、可動ピン４４０をサセプター４３０に対して上下動させる昇降装置４６０の出力軸４６１が配置されている。昇降装置４６０の出力軸４６１の先端部には駆動板４６５が連結されており、かかる駆動板４６５は、複数の可動ピン４４０の全てに対して、可動ピン４４０の軸線方向Ｌの下方に位置する。従って、昇降装置４６０の出力軸４６１が上昇して駆動板４６５が上昇すると、複数の可動ピン４４０は全て、駆動板４６５によって上方に押し上げられることになる。
【００２８】
（可動ピン４４０および可動ピン配置穴４３３の構成）
図１（ａ）および図２（ｂ）に示すように、可動ピン４４０は、可動ピン配置穴４３３の内側に配置された軸状の第１部分４４１と、第１部分４４１の上端部で拡径して基板１０ｘを支持する頭部４４３と、第１部分４４１の下端部で拡径する受け板部４４２とを有している。頭部４４３は、軸線方向Ｌからみたとき、円形である。可動ピン４４０は、例えば、セラミックス製、金属製、合成樹脂等からなる円筒状の第１部分４４１の上端部に対して、断面Ｔ字形状のセラミックス製の頭部４４３の凸部を圧入する方法等により構成することができる。第１部分４４１および頭部４４３に用いられるセラミックスとしてはアルミナ等を挙げることができる。
【００２９】
可動ピン配置穴４３３は、可動ピン４４０の構成に対応して、第１部分４４１の外径寸法よりわずかに大きな内径寸法をもって形成されており、可動ピン配置穴４３３の内周面と可動ピン４４０の外周面とはわずかな隙間を介して対向している。また、可動ピン配置穴４３３は凹部４３４の底部で開口しており、凹部４３４の底部は、可動ピン４４０がサセプター４３０に対して下降した際に頭部４４３の下面が当接する環状のピン受け部４３５を構成している。本形態においては、軸線方向Ｌからみたとき、凹部４３４は円形であるが、静電式基板保持装置４３７の外面（絶縁体４３７ｂ）と接する部分には、肉薄部分を除去することによる切り欠き４３４ｒが形成されている。このため、凹部４３４の内周面では、絶縁体４３７ｂが周方向の広い範囲にわたって露出している。
【００３０】
（動作）
本形態では、図１（ｂ）に示すように、昇降装置４６０によって駆動板４６５を下降させると、可動ピン４４０が下降する。そして、可動ピン４４０の頭部４４３をサセプター４３０のピン受け部４３５で受けた状態となった後、駆動板４６５が可動ピン４４０の下端部よりさらに下方まで下降すると、可動ピン４４０は、頭部４４３がピン受け部４３５に引っ掛かった状態で垂れ下がる。この状態で、可動ピン４４０の頭部４４３は凹部４３４に入り込み、基板１０ｘから下方に離間する。このため、基板１０ｘは、サセプター４３０の基板配置部４３１に載置された状態となる。
【００３１】
その間に、排出口４１３から基板処理室４１０の内部を真空引きし、基板処理室４１０の内部を減圧状態とする。また、ガス導入口４１１から基板処理室４１０の内部にエッチングガスを導入しながら、上電極４７０とサセプター４３０側の下電極（図示せず）との間にプラズマを発生させ、基板１０ｘにドライエッチング行う。
【００３２】
このようにしてドライエッチングを行った後、昇降装置４６０によって可動ピン４４０を上昇させ、サセプター４３０の基板配置部４３１から基板１０ｘを持ち上げた後、ロボットハンド（図示せず）等によって、可動ピン４４０の頭部４４３から基板１０ｘを浮かせ、しかる後に、基板１０ｘを基板処理室４１０から搬出する。以降、同様な動作を繰り返し行って、基板１０ｘを順次処理する。
【００３３】
（可動ピン４４０の詳細構成）
図２に示すように、本形態の基板処理装置４００において、凹部４３４および可動ピン４４０は、サセプター４３０において、基板配置部４３１の外縁と重なる位置に配置されている。このため、可動ピン４４０の頭部４４３は、軸線方向Ｌで基板１０ｘに重なる内側部分と、内側部分に対して基板配置部４３１とは反対側において軸線方向Ｌで基板１０ｘとは重ならない外側部分とを備えている。
【００３４】
ここで、可動ピン４４０は、図２（ｄ）に示すように、サセプター４３０の一方の面４３２に平行な方向から見た断面視において、可動ピン４４０が下降して基板１０ｘを基板配置部４３１に配置したときに、凹部４３４の内部に位置する第２部分４４４と、第２部分４４４に対して第１部分４４１とは反対側（軸線方向Ｌの一方側）に位置する第３部分４４５とを備えている。本形態において、第３部分４４５は、頭部４４３のうち、基板配置部４３１とは反対側で、基板配置部４３１に配置された基板１０ｘの側面１０ｕに対向するとともに、基板１０ｘの基板配置部４３１側とは反対側の面１０ｒより高い位置まで突出している。
【００３５】
より具体的には、可動ピン４４０の頭部４４３において、基板配置部４３１側とは反対側の外側部分は、第２部分４４４の軸線方向Ｌの厚さと第３部分４４５の軸線方向Ｌの厚さとの和に相当する厚さに形成され、基板配置部４３１側の内側部分は、第２部分４４４の軸線方向Ｌの厚さに形成されている。従って、可動ピン４４０の頭部４４３において上方（軸線方向Ｌの一方側）を向く端部４４３ｓでは、基板１０ｘに重なる内側部分が低所部分になっており、基板１０ｘとは重ならない外側部分が高所部分になっている。
【００３６】
このため、図２（ｄ）に示すように、基板処理室４１０にエッチングガスを導入して、基板１０ｘの基板配置部４３１側とは反対側の面１０ｒにドライエッチングを行う際、エッチングガスの流れは、例えば、図２（ｄ）に矢印Ｇで示すように、第３部分４４５を乗り越えて基板１０ｘの側に向かう。このため、凹部４３４において、凹部４３４の内周面に位置する絶縁体４３７ｂが、可動ピン４４０と基板１０ｘとの間で斜め方向に露出している場合でも、エッチングガスが第３部分４４５で遮られる。従って、凹部４３４の内周面（絶縁体４３７ｂ）がエッチングガスによって侵食されにくい。それ故、侵食によって発生した生成物によって可動ピン４４０の移動が妨げられることがない。また、絶縁体４３７ｂの侵食が電極４３７ａにまで進行して電極４３７ａが侵食されるという事態も発生しにくい。
【００３７】
また、本形態では、第３部分４４５は、可動ピン４４０の頭部４４３を部分的に厚く形成することによって構成されている。このため、可動ピン４４０の構成のみを変更すればよいので、基板処理装置４００を改造するための多大な費用が発生しない。
【００３８】
［実施の形態２］
図３は、本発明の実施の形態２に係る基板処理装置４００の可動ピン４４０等の一例を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、可動ピン４４０等の平面図、可動ピン４４０が上昇している状態の斜視図、可動ピン４４０が下降している状態の斜視図、および可動ピン４４０が下降している状態をサセプター４３０の一方の面４３２に平行な方向からみた断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００３９】
図３に示すように、本形態の基板処理装置４００においても、実施の形態１と同等、凹部４３４および可動ピン４４０は、基板配置部４３１の外縁と重なる位置に配置されている。また、基板１０ｘを基板配置部４３１に配置したとき、可動ピン４４０は、サセプター４３０の一方の面４３２に平行な方向から見た断面視において、凹部４３４の内部に位置する第２部分４４４と、第２部分４４４に対して第１部分４４１とは反対側に位置する第３部分４４５とを備えており、第３部分４４５は、基板１０ｘの基板配置部４３１側とは反対側の面１０ｒより高い位置まで突出している。
【００４０】
本形態では、軸線方向Ｌからみたときに、凹部４３４の開口部は、基板配置部４３１とは反対側に位置する第１円弧部４３４ａと、第１円弧部４３４ａの一方端から基板配置部４３１側に向かって直線的に延在する第１直線部４３４ｂと、第１円弧部４３４ａの他方端から基板配置部４３１側に向かって直線的に延在する第１直線部４３４ｃとを有している。このため、図２に示す切り欠き４３４ｒが形成されていない。
【００４１】
かかる形状に対応して、可動ピン４４０の頭部４４３において、第３部分４４５は、軸線方向Ｌからみたときに、基板配置部４３１とは反対側に位置する第２円弧部４４３ａと、第２円弧部４４３ａの一方端から基板配置部４３１側に向かって直線的に延在する第２直線部４４３ｂと、第２円弧部４４３ａの他方端から基板配置部４３１側に向かって直線的に延在する第２直線部４４３ｃとを有している。また、第２部分４４４のうち、第３部分４４５より基板配置部４３１の側に位置する部分は、軸線方向Ｌからみたとき、第２直線部４４３ｂから直線的に延在する直線部分４４３ｆと、第２直線部４４３ｃから直線的に延在する直線部分４４３ｇとを備えている。
【００４２】
このため、可動ピン４４０と基板１０ｘとの間で凹部４３４の内周面（絶縁体４３７ｂ）が斜め方向に露出している部分が狭い。それ故、凹部４３４の内周面（絶縁体４３７ｂ）がエッチングガスによって侵食されにくい。
【００４３】
また、軸線方向Ｌからみたとき、凹部４３４の開口部は、第１円弧部４３４ａと、第１円弧部４３４ａから基板配置部４３１側に向かって直線的に延在する第１直線部４３４ｂ、４３４ｃとを有している。また、可動ピン４４０の頭部４４３は、軸線方向Ｌからみたときに、第２円弧部４４３ａと、第２円弧部４４３ａから基板配置部４３１側に向かって直線的に延在する第２直線部４４３ｂ、４４３ｃと、直線部分４４３ｆ、直線部分４４３ｇとを有している。このため、可動ピン４４０とサセプター４３０の凹部４３４との間には、第３部分４４５を基板配置部４３１とは反対側に向かせる位置決め部が設けられている。それ故、可動ピン４４０を確実に所定の向きに配置することができる。
【００４４】
［実施の形態１の変形例］
なお、実施の形態１でも、可動ピン４４０の側、および可動ピン配置穴４３３の内周面等のサセプター４３０の側のうちの一方に凸部を設け、他方に凹部を設けることにより、第２部分４４５を基板配置部４３１とは反対側に向かせる位置決め部を構成してもよい。
【００４５】
［実施の形態３］
図４は、本発明の実施の形態３に係る基板処理装置４００の一例を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、可動ピン４４０が上昇して頭部４４３で基板１０ｘを支持した状態の説明図、および可動ピン４４０が下降してサセプター４３０の基板配置部４３１に基板１０ｘを載置した状態の説明図である。図５は、本発明の実施の形態３に係る基板処理装置４００の可動ピン４４０等の一例を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、可動ピン４４０等の平面図、可動ピン４４０が上昇している状態の斜視図、可動ピン４４０が下降している状態の斜視図、および可動ピン４４０が下降している状態をサセプター４３０の一方の面４３２に平行な方向からみた断面図である。
【００４６】
図４および図５に示すように、本形態の基板処理装置４００においても、実施の形態１と同等、凹部４３４および可動ピン４４０は、サセプター４３０において、基板配置部４３１の外縁と重なる位置に配置されている。
【００４７】
本形態では、実施の形態１、２と違って、可動ピン４４０の頭部４４３は、基板１０ｘを基板配置部４３１に配置したときに、凹部４３４の内部に位置する第２部分４４４のみからなり、第３部分４４５が形成されていない。
【００４８】
但し、本形態では、サセプター４３０の一方の面４３２では、凹部４３４の周りのうち、基板配置部４３１とは反対側に、一方の面４３２から軸線方向Ｌの上方に突出した凸部からなる側壁部４３６が形成されている。本形態では、側壁部４３６は、基板１０ｘを基板配置部４３１に配置した状態で、基板１０ｘの側面１０ｕに対向し、基板１０ｘの基板配置部４３１側とは反対側の面１０ｒより高い位置まで突出している。
【００４９】
このため、基板処理室４１０にエッチングガスを導入して、基板１０ｘの基板配置部４３１側とは反対側の面１０ｒにドライエッチングを行う際、エッチングガスの流れは、例えば、図５（ｄ）に矢印Ｇで示すように、側壁部４３６を乗り越えて基板１０ｘの側に向かう。このため、凹部４３４の内周面に位置する絶縁体４３７ｂが、可動ピン４４０と基板１０ｘとの間で斜め方向に露出している場合でも、エッチングガスが側壁部４３６で遮られる。従って、凹部４３４の内周面（絶縁体４３７ｂ）がエッチングガスによって侵食されにくい。それ故、侵食によって発生した生成物によって可動ピン４４０の移動が妨げられることがない。また、絶縁体４３７ｂの侵食が電極４３７ａにまで進行して電極４３７ａが侵食されるという事態も発生しにくい。
【００５０】
また、本形態では、可動ピン４４０が軸線周りのいずれの向きであっても、基板１０ｘの搬送等を支障なく行うことができる。
【００５１】
［電気光学装置の説明］
図６は、電気光学装置の製造に用いられるマザー基板の一例を示す説明図である。上記実施の形態１〜３に係る基板処理装置４００を用いて製造される電気光学装置１００の代表例として液晶装置を説明する。なお、以下に説明する液晶装置において、第１基板１０および第２基板２０のうちの少なくとも一方の基板を製造するためのマザー基板が上記実施の形態における「基板１０ｘ」に相当する。
【００５２】
ここで、マザー基板は、図６に示すように、複数の第１基板１０を得ることができる大型の基板１０ｘである。本形態において、基板１０ｘはシリコンウェーハと同様、円板状であり、周方向の１箇所には、いわゆるオリエンテーションフラットと呼ばれる直線部が形成されている。基板１０ｘにおいて、複数の第１基板１０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域１０ｙであり、それ以外の領域は、切断工程で除去される無効領域１０ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。
【００５３】
なお、上記実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００については、以下に説明する電気光学装置１００以外にも、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造に用いることができる。さらには、上記実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００については、電気光学装置以外の半導体装置の製造に用いることができる。
【００５４】
（電気光学装置の構成）
図７は、本発明に係る電気光学装置の液晶パネルの一例を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００５５】
図７（ａ）、（ｂ）に示す電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを備えている。液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０（素子基板／液晶装置用基板）と第２基板２０（対向基板／液晶装置用基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７で囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、画像の表示に直接寄与する画素領域１０ａ（画像生成領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。
【００５６】
第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。
【００５７】
また、第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａには、画素トランジスター（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。
【００５８】
また、第１基板１０の一方側の基板面において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００５９】
第２基板２０において第１基板１０と対向する一方の基板面には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。
【００６０】
共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。また、第２基板２０において第１基板１０と対向する一方の基板面には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００６１】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されており、かかる基板間導通用電極１０９は、共通電位線（図示せず）に電気的に接続している。また、基板間導通用電極１０９と重なる位置には、いわゆる銀点等の基板間導通材１０９ａが配置されており、第１基板１０の共通電位線と第２基板２０の共通電極２１とは、基板間導通材１０９ａを介して電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。
【００６２】
かかる構成の電気光学装置１００において、第１基板１０の基板本体１０ｗ、第２基板２０の基板本体２０ｗ、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性材料により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１の一方を透光性導電膜により形成し、他方を反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置１００が反射型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置１００が透過型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００６３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００６４】
（電気光学装置の製造方法）
上記電気光学装置１００において、その製造工程では、各種成膜工程の後、形成した膜に対してドライエッチングを行って、膜のパターニングやコンタクトホールの形成が行われる。かかるドライエッチング工程において、実施の形態１〜３に係る基板処理装置４００を用いれば、サセプター４３０の絶縁体４３７ｂの侵食を防止することができる。
【００６５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、平行平板型のドライエッチング装置に本発明を適用した場合を例示したが、ＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｄｒｙ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチング装置に本発明を適用してもよい。また、ＲＩＥに関しては、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）のいずれのタイプのドライエッチング装置に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００６６】
９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ａ・・画素領域、１０ｒ・・反対側の面、１０ｕ・・側面、１０ｘ・・基板、２０・・第２基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、４００・・基板処理装置、４１０・・基板処理室、４３０・・サセプター、４３０ａ・・サセプター本体、４３１・・基板配置部、４３２・・一方の面、４３３・・可動ピン配置穴、４３４・・凹部、４３４ａ・・第１円弧部、４３４ｂ、４３４ｃ・・第１直線部、４３４ｒ・・切り欠き、４３５・・ピン受け部、４３６・・側壁部、４３７・・静電式基板保持装置、４３７ａ・・電極、４３７ｂ・・絶縁体、４４０・・可動ピン、４４１・・第１部分、４４３・・頭部、４４３ａ・・第２円弧部、４４３ｂ、４４３ｃ・・第２直線部、４４３ｓ・・端部、４４４・・第２部分、４４５・・第３部分、Ｌ・・軸線方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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