(57)【要約】【課題】長期にわたり精度良く所定の波長の光を通過させることができる光フィルターを提供する。【解決手段】固定基板１４と、固定基板１４に対向して配置される可動部１３ｂと、固定基板１４に設けられ光２８の一部を反射し一部を透過する固定反射膜３７と、可動部１３ｂに設けられ固定反射膜３７に対向し、光２８の一部を反射し一部を透過する可動反射膜３３と、固定反射膜３７と可動反射膜３３との間隔を制御する静電アクチュエーター４７と、を備え、固定反射膜３７に重ねて光透過性の誘電体膜３８及び導電膜３９を積層し、可動反射膜３３に重ねて光透過性の誘電体膜３４及び導電膜３５を積層した。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定基板と、
前記固定基板に対向して配置される可動部と、
前記固定基板に設けられた第１反射膜と、
前記可動部に設けられ前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、
前記第１反射膜と前記第２反射膜との間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第１反射膜と前記第２反射膜とのうち少なくとも一方の反射膜に重ねて光透過性の誘電体膜及び導電膜を積層したことを特徴とする光フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の光フィルターであって、
前記誘電体膜はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮのいずれかを含むことを特徴とする光フィルター。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光フィルターであって、
前記誘電体膜は前記反射膜が露出しないように覆うことを特徴とする光フィルター。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光フィルターであって、
前記導電膜はＩＧＯを含むことを特徴とする光フィルター。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光フィルターであって、
前記導電膜は前記第１反射膜及び前記第２反射膜に設置され、
前記第１反射膜に設置された前記導電膜と前記第２反射膜に設置された前記導電膜とは導通することを特徴とする光フィルター。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の光フィルターであって、
前記導電膜は厚み方向から見た外形形状が突出する凸部を有し、
前記凸部は配線と接続され、
前記凸部の幅は前記配線の幅より短いことを特徴とする光フィルター。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の光フィルターと、
前記光フィルターを収納する収納部と、を備えることを特徴とする光学モジュール。
【請求項８】
光フィルターと、
前記光フィルターを制御する制御部と、を備え、
前記光フィルターは、固定基板と、
前記固定基板に対向して配置される可動部と、
前記固定基板に設けられた第１反射膜と、
前記可動部に設けられ前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、
前記第１反射膜と前記第２反射膜との間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第１反射膜と前記第２反射膜とのうち少なくとも一方の反射膜に重ねて光透過性の誘電体膜及び導電膜が積層されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光フィルター、光学モジュールおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、入射光の中から特定の波長の光を選択して通過させる光フィルターが活用されている。そして、特定の波長の光を通過させる光フィルターが特許文献１に開示されている。それによると、光フィルターは一対の基板を対向配置し、これら基板の対向する面のそれぞれに反射膜が設置されている。
【０００３】
この光フィルターは、対向する一対の反射膜間のギャップに応じた波長の光を選択的に取り出すことができる。反射膜間のギャップは、基板間に設けられたスペーサー膜の厚みにより設定されていた。
【０００４】
反射膜には反射率の良い銀の膜が用いられている。そして、銀の膜は空気中に晒されると硫化あるいは湿度の影響を受けて劣化する。そこで、反射膜を覆って保護膜が設置され、反射膜の劣化が防止されていた。この保護膜にはＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＣａＦ2、ＳｉＮ4、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質やポリイミド、各種フォトレジストなどの有機材料が用いられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１−３００２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光フィルターの周囲には水分子等の各種の分子が流動しており、分子同士の衝突により分子は静電気を帯びる。そして、帯電した分子は保護膜に接触するので、保護膜が帯電する。そして、対向する保護膜間に静電気による力が作用することにより反射膜間の距離が変化する。このため、光フィルターを通過する光の波長が変化し、波長のバラツキが大きくなるという問題が生じた。そこで、長期にわたり精度良く所定の波長の光を通過させることができる光フィルターが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例にかかる光フィルターであって、固定基板と、前記固定基板に対向して配置される可動部と、前記固定基板に設けられた第１反射膜と、前記可動部に設けられ前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、前記第１反射膜と前記第２反射膜との間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第１反射膜と前記第２反射膜とのうち少なくとも一方の反射膜に重ねて光透過性の誘電体膜及び導電膜を積層したことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、光フィルターは固定基板と可動部とを備えている。固定基板には第１反射膜が設置され、可動部には第２反射膜が設置されている。第１反射膜と第２反射膜とは対向配置されている。第１反射膜及び第２反射膜は入射光を反射する。第１反射膜と第２反射膜との間で光の多重反射が生じ、位相の合う光は入射光が進行する方向に透過して進行する。間隔制御部が第１反射膜と第２反射膜との間隔を制御する。これにより、光フィルターは透過させる光の波長を制御することができる。
【００１０】
第１反射膜と第２反射膜とのうち少なくとも一方の反射膜には誘電体膜及び導電膜が設置されている。誘電体膜は反射膜を保護する為、反射膜の反射率を長期にわたって維持することができる。そして、導電膜が表面への帯電を抑制するので、間隔制御部は品質良く第１反射膜と第２反射膜との距離を制御することができる。その結果、光フィルターは長期にわたり精度良く所定の波長の光を通過させることができる。
【００１１】
［適用例２］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記誘電体膜はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮのいずれかを含むことを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、誘電体膜はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮのいずれかを含んでいる。ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮは耐熱性があり、製造工程中に加熱されるときにも反射膜が劣化することを抑制することができる。
【００１３】
［適用例３］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記誘電体膜は前記反射膜が露出しないように覆うことを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、誘電体膜は反射膜が露出しないように覆っている。従って、反射膜を取り囲む雰囲気中の気体により劣化する部分がないように反射膜を維持することができる。
【００１５】
［適用例４］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記導電膜はＩＧＯを含むことを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、導電膜はＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）を含んでいる。ＩＧＯは光透過性が良い為、効率良く光を透過させることができる。さらに、ＩＧＯはアモルファス構造である為、シュウ酸系のエッチング液を用いて所定の形状に容易に形成することができる。
【００１７】
［適用例５］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記導電膜は前記第１反射膜及び前記第２反射膜に設置され、前記第１反射膜に設置された前記導電膜と前記第２反射膜に設置された前記導電膜とは導通することを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、第１反射膜に設置された導電膜と第２反射膜に設置された導電膜とは導通する。従って、第１反射膜と第２反射膜との間では電位差がなくなるので、第１反射膜と第２反射膜との間で静電気による力が作用することを抑制することができる。
【００１９】
［適用例６］
上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記導電膜は厚み方向から見た外形形状が突出する凸部を有し、前記凸部は配線と接続され、前記凸部の幅は前記配線の幅より短いことを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、導電膜は凸部を有し、凸部は配線と接続している。凸部の幅は配線の幅より短くなっている。凸部の幅が配線の幅より長いとき、凸部の一部が配線よりはみ出す。導電膜は薄いので、配線よりはみ出す部分がちぎれて分離する可能性がある。分離した導電膜の部分は配線を短絡させる要因となる。一方、本適用例の導電膜は配線からはみ出さない為、導電膜の一部がちぎれることを防止することができる。
【００２１】
［適用例７］
本適用例にかかる光学モジュールであって、上記のいずれか一項に記載の光フィルターと、前記光フィルターを収納する収納部と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、光フィルターは収納部に収納され、収納部に保護されている。従って、光学モジュールを把持するとき光フィルターが損傷することを防止することができる。そして、光フィルターは長期にわたり精度良く所定の光を通過させるフィルターである。従って、光学モジュールは長期にわたり精度良く所定の光を通過させることができる。
【００２３】
［適用例８］
本適用例にかかる電子機器であって、光フィルターと、前記光フィルターを制御する制御部と、を備え、前記光フィルターは、固定基板と、前記固定基板に対向して配置される可動部と、前記固定基板に設けられた第１反射膜と、前記可動部に設けられ前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、前記第１反射膜と前記第２反射膜との間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第１反射膜と前記第２反射膜とのうち少なくとも一方の反射膜に重ねて光透過性の誘電体膜及び導電膜が積層されたことを特徴とする。
【００２４】
本適用例によれば、電子機器は光フィルターと制御部とを備え、制御部が光フィルターを制御する。光フィルターは間隔制御部、第１反射膜及び第２反射膜を備え、間隔制御部が第１反射膜と第２反射膜との間隔を制御する。第１反射膜と第２反射膜とのうち少なくとも一方の反射膜には誘電体膜及び導電膜が設置されている。誘電体膜が反射膜を保護し反射膜の反射率を維持する為、光フィルターは長期にわたり品質良く機能することができる。そして、導電膜は表面への帯電を抑制するので、第１反射膜と第２反射膜との距離を精度良く制御することができる。従って、電子機器は長期にわたり精度良く所定の波長の光を透過させる光フィルターを備えた電子機器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）及び（ｂ）は光学モジュールの構造を示す概略斜視図。
【図２】（ａ）は光学モジュールの構造を示す模式平面図、（ｂ）及び（ｃ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図。
【図３】（ａ）は光フィルターの構造を示す模式側断面図、（ｂ）は可動基板の構造を示す模式平面図、（ｃ）は固定基板の構造を示す模式平面図。
【図４】（ａ）は可動基板における端子の要部模式拡大図、（ｂ）は固定基板における端子の要部模式拡大図。
【図５】制御部の構造を説明するための回路図。
【図６】光学モジュールの製造方法を説明するための模式図。
【図７】光学モジュールの製造方法を説明するための模式図。
【図８】光学モジュールの製造方法を説明するための模式図。
【図９】第２の実施形態にかかわる測色装置の構成を示すブロック図。
【図１０】第３の実施形態にかかわるガス検出装置の構成を示す模式正面図。
【図１１】ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。
【図１２】第４の実施形態にかかわる食物分析装置の構成を示すブロック図。
【図１３】第５の実施形態にかかわる分光カメラの構成を示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００２７】
（第１の実施形態）
本実施形態では、特徴的な構造を有する光学モジュールと、この光学モジュールの製造方法について図面に従って説明する。光学モジュールについて図１〜図８に従って説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）は光学モジュールの構造を示す概略斜視図である。図１（ａ）は光学モジュールの第１蓋体側から見た図であり、図１（ｂ）は光学モジュールの第２蓋体側から見た図である。図１（ａ）に示すように、光学モジュール１は略直方体の形状となっている。光学モジュール１の図中下方向をＺ方向とし、Ｚ方向と直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向はそれぞれ光学モジュール１の辺に沿う方向であり、直交する方向となっている。
【００２８】
光学モジュール１は有底角筒状の収納部としての筐体２を備え、筐体２の−Ｚ方向側には円形の第１孔２ａが形成されている。そして、第１孔２ａを塞ぐように収納部としての第１蓋体３が設置されている。筐体２と第１蓋体３とは第１の低融点ガラス４により接合されている。筐体２において−Ｚ方向側の面には第１端子５、第２端子６、第３端子７、第４端子８が設置されている。筐体２のＺ方向側には収納部としての第２蓋体９が設置され、筐体２と第２蓋体９とは第２の低融点ガラス１０により接合されている。
【００２９】
図１（ｂ）に示すように、筐体２のＺ方向には四角形の第２孔２ｂが形成されている。第２孔２ｂは第１孔２ａより大きな孔となっている。そして、第２孔２ｂを塞ぐように第２蓋体９が設置されている。筐体２、第１蓋体３及び第２蓋体９に囲まれた内部空間１１は密閉された空間であり、内部空間１１には光フィルター１２が設置されている。換言すれば、筐体２は内部空間１１を有し内部空間１１に光フィルター１２を収納する。第２蓋体９は筐体２と接続され内部空間１１を密閉する。筐体２、第１蓋体３及び第２蓋体９等により収納部が形成され、収納部の内部に光フィルター１２が収納されている。
【００３０】
光学モジュール１の寸法は特に限定されないが、本実施形態では例えば、第１蓋体３から第２蓋体９までの厚みが約３ｍｍである。筐体２をＺ方向から見た大きさは１辺が約１５ｍｍの四角形となっている。第２蓋体９の厚みは約１ｍｍである。光フィルター１２をＺ方向から見た大きさは１辺が約１１ｍｍ〜１２ｍｍの四角形となっている。光フィルター１２の厚みは約０．７ｍｍ〜約１．５ｍｍとなっている。
【００３１】
図２（ａ）は光学モジュールの構造を示す模式平面図であり、光学モジュール１をＺ方向側から見た図である。図２（ａ）は第２蓋体９を除いた図となっている。図２（ｂ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面から見た図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、筐体２の底面２ｃに光フィルター１２が設置され、光フィルター１２は可動基板１３と固定基板１４とが重なった構造となっている。
【００３２】
可動基板１３は＋Ｘ方向側の端に第１端子１５、第２端子１６、配線としての第３端子１７、第４端子１８が設置されている。＋Ｘ方向側の底面２ｃには第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３、第４端子２４が設置されている。第１端子１５は第１端子２１と金線２５により接続され、第２端子１６は第２端子２２と金線２５により接続されている。さらに、第３端子１７は第３端子２３と金線２５により接続され、第４端子１８は第４端子２４と金線２５により接続されている。
【００３３】
筐体２には貫通電極２６が設置され、第１端子２１は第１端子５と貫通電極２６により接続されている。同様に、第２端子２２は第２端子６と貫通電極２６により接続され、第３端子２３は第３端子７と貫通電極２６により接続されている。さらに、第４端子２４は第４端子８と貫通電極２６により接続されている。つまり、第１端子１５は第１端子５と接続され、第２端子１６は第２端子６と接続されている。そして、第３端子１７は第３端子７と接続され、第４端子１８は第４端子８と接続されている。
【００３４】
第１端子５〜第４端子８は制御部２７と電気的に接続されている。制御部２７は第１端子５〜第４端子８、貫通電極２６、第１端子２１〜第４端子２４及び金線２５を介して第１端子１５〜第４端子１８の電圧を制御する。
【００３５】
第１蓋体３及び第２蓋体９は光透過性を有するケイ酸ガラスによって形成されている。可動基板１３及び固定基板１４の材料にもケイ酸ガラスが用いられている。ケイ酸ガラスにはソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等を用いることができる。従って、第１蓋体３、光フィルター１２、第２蓋体９を入射光としての光２８が通過することが可能になっている。筐体２の材質は第１蓋体３及び第２蓋体９と線膨張率が近い材質であれば良く特に限定されないが、本実施形態では例えば、筐体２の材質にセラミックを用いている。
【００３６】
図２（ｃ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面から見た図である。図２（ａ）及び図２（ｃ）に示すように、固定基板１４の−Ｘ方向且つ＋Ｙ方向側の角の付近には固定部２９が設置され、固定部２９により固定基板１４は上面にて第２蓋体９に固定されている。固定部２９にはケイ酸ガラスに添加剤を加えた低融点ガラスが用いられている。本実施形態では例えば、第２蓋体９、可動基板１３及び固定基板１４、に石英ガラスが用いられている。
【００３７】
図３（ａ）は光フィルターの構造を示す模式側断面図である。図３（ｂ）は可動基板の構造を示す模式平面図であり、図３（ｃ）は固定基板の構造を示す模式平面図である。図３（ａ）に示すように、光フィルター１２では可動基板１３と固定基板１４とが接合膜３１により接合されている。接合膜３１には例えば、シロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された膜を用いることができる。固定基板１４のＺ方向側の面にはアパーチャー３２が設置されている。
【００３８】
アパーチャー３２は例えばＣｒ等の非透光性部材の膜である。アパーチャー３２は円環状であり、アパーチャー３２の内周径は光フィルター１２が光干渉する光２８の有効径に設定されている。これにより、アパーチャー３２は光学モジュール１に入射する光２８を所定の範囲に限定して絞ることができる。アパーチャー３２が無くても光フィルター１２が通過させる光２８の波長の精度がだせるときにはアパーチャー３２を省略しても良い。
【００３９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、Ｚ方向から見た平面視で可動基板１３には中央を囲む円環状の溝１３ａが設置されている。溝１３ａに囲まれた円柱状の部分を可動部１３ｂとする。可動部１３ｂの周囲に位置し溝１３ａにより薄くなっている部分を保持部１３ｃとする。保持部１３ｃは厚みが薄いので変形し易くなっている。これにより、可動部１３ｂは容易にＺ方向に移動することが可能になっている。可動基板１３は厚みが例えば２００μｍ〜８００μｍに形成されたガラス基材を加工することで形成されている。
【００４０】
可動部１３ｂには＋Ｚ方向側の面に第２反射膜としての可動反射膜３３が設置されている。可動反射膜３３はＺ方向から見た形状が円形の膜であり表面が鏡面となっている。可動反射膜３３の材質は光２８を反射する反射率の高い材質が好ましく、本実施形態では例えば可動反射膜３３の材質に銀または銀合金が用いられている。銀合金には例えば、ＡｇＳｍＣｕ（銀サマリウム銅合金）、ＡｇＣ（炭化銀）、ＡｇＰｄＣｕ（銀パラジウム銅合金）、ＡｇＢｉＮｄ（銀ビスマス銅合金）、ＡｇＧａＣｕ（銀ガリウム銅合金）、ＡｇＡｕ（金化銀）、ＡｇＩｎＳｎ（銀インジウム錫合金）、ＡｇＣｕ（銅化銀）を使用することができる。ＡｇＳｍＣｕ、ＡｇＢｉＮｄの合金は特に硫黄、ハロゲン化合物、ナトリウムに対して耐性が高いので、製造工程における可動反射膜３３の反射率の劣化を抑制することができる。
【００４１】
可動反射膜３３を覆って誘電体膜３４が設置されている。誘電体膜３４は可動反射膜３３を保護し可動反射膜３３の反射率を維持する。誘電体膜３４の材質は光透過性があり耐熱性のある材質が好ましく例えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を用いることができる。ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮは耐熱性があり、製造工程中に加熱されるときにも可動反射膜３３が劣化することを抑制することができる。
【００４２】
誘電体膜３４は可動反射膜３３の側面まで覆って設置されている。これにより、可動反射膜３３は側面から劣化が進行することを防止することができる。そして、誘電体膜３４は可動反射膜３３が露出しないように覆っている。従って、可動反射膜３３を取り囲む雰囲気中の気体により劣化する部分がないように可動反射膜３３を維持することができる。
【００４３】
誘電体膜３４の＋Ｚ方向側の面には導電膜３５が設置されている。導電膜３５の材質は光透過性があり導電性のある膜であれば良くＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ  ｃｅｒｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）等を用いることができる。本実施形態では例えば導電膜３５の材質にＩＧＯが用いられている。ＩＧＯは光透過性が良く、可視領域において概ね８０％以上の透過性を有している。そして、ＩＧＯは１０-3  ΩＣｍ以下の導電性を有している。さらに、ＩＧＯはアモルファス構造である為シュウ酸系のエッチング液を用いて所定の形状に容易に形成することができる。このように、ＩＧＯは導電膜３５に適した材料となっている。
【００４４】
導電膜３５の＋Ｘ方向側には凸部としての導電膜配線３５ａが＋Ｘ方向に延在している。導電膜配線３５ａは導電膜３５と同じ材質であり、導電膜３５を設置する工程と同じ工程で設置される。可動基板１３の＋Ｚ方向側の面にはさらに第１端子１５〜第４端子１８が設置され、導電膜配線３５ａは第３端子１７と接続されている。第１端子１５〜第４端子１８にはＣｒ膜上にＡｕ膜を積層した膜、ＩＴＯ膜、ＴiＷ膜、Ａｕ膜を積層した膜、ＩＴＯ膜等を用いることができる。
【００４５】
可動電極３６は可動反射膜３３の周囲に位置し円環状に可動反射膜３３を囲んでいる。可動電極３６は円環状の＋Ｘ方向側が分断され、分断された場所に導電膜配線３５ａが設置されている。可動電極３６は凸部としての電極配線３６ａにより第２端子１６と接続されている。第２端子１６は筐体２の第２端子６と接続されているので、可動電極３６は第２端子６と接続されている。
【００４６】
図３（ａ）及び図３（ｃ）に示すように、−Ｚ方向から見た平面視で固定基板１４の中央には円柱状に−Ｚ方向に突出する反射膜設置部１４ａが設置されている。反射膜設置部１４ａの周囲には円環状に凹んだ電極設置溝１４ｂが設置されている。さらに、電極設置溝１４ｂは＋Ｘ方向側に延び固定基板１４の外周にまで延在している。従って、光フィルター１２は電極設置溝１４ｂが＋Ｘ方向側で開口している。固定基板１４は厚みが例えば５００μｍ〜１０００μｍに形成されたガラス基材を加工することで形成されている。
【００４７】
反射膜設置部１４ａには−Ｚ方向側の面に第１反射膜としての固定反射膜３７が設置されている。固定反射膜３７は−Ｚ方向から見た形状が円形の膜であり表面が鏡面となっている。固定反射膜３７の材質は可動反射膜３３と同様の材質が用いられている。
【００４８】
固定反射膜３７を覆って誘電体膜３８が設置されている。誘電体膜３８は固定反射膜３７を保護し固定反射膜３７の反射率を維持する。誘電体膜３８の材質は誘電体膜３４の材質と同様の材質を用いることができる。誘電体膜３８の材質には例えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮのいずれかを用いることができる。ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮは耐熱性があり、製造工程中に加熱されるときにも固定反射膜３７が劣化することを抑制することができる。他にも誘電体膜３８の材質には例えば、高屈折層をＴｉＯ2、低屈折層をＳｉＯ2とした誘電体多層膜を用いてもよい。
【００４９】
誘電体膜３８は固定反射膜３７の側面まで覆って設置されている。これにより、固定反射膜３７は側面から劣化が進行することを防止することができる。そして、誘電体膜３８は固定反射膜３７が露出しないように覆っている。従って、固定反射膜３７を取り囲む雰囲気中の気体により劣化する部分がないように固定反射膜３７を維持することができる。
【００５０】
誘電体膜３８の−Ｚ方向側の面には導電膜３９が設置されている。導電膜３９の材質は導電膜３５の材質と同様の材質を用いることができる。導電膜３９の材質にはＩＧＯ、ＩＣＯ等を用いることができる。本実施形態では例えば導電膜３９の材質にＩＧＯが用いられている。
【００５１】
導電膜３９の−Ｘ方向側には凸部としての導電膜配線３９ａが−Ｘ方向に延在している。導電膜配線３９ａは導電膜３９と同じ材質であり、導電膜３９を設置する工程と同じ工程で設置される。固定基板１４の−Ｚ方向側の面にはさらに配線としての反射膜端子４０が設置され、導電膜配線３９ａは反射膜端子４０と接続されている。反射膜端子４０は導電膜３９の同軸円に沿って導電膜３９の−Ｙ方向側を通って＋Ｘ方向側まで延在し、第４端子１８と対向する位置まで達する。反射膜端子４０の材質は第１端子１５と同様の材質を用いることができる。
【００５２】
固定反射膜３７の周囲では電極設置溝１４ｂに固定電極４１が設置されている。固定電極４１は固定反射膜３７の周囲に位置し円環状に固定反射膜３７を囲んでいる。固定電極４１は円環状の−Ｘ方向側が分断され、分断された場所に導電膜３９に接続する導電膜配線３９ａが設置されている。固定電極４１は凸部としての固定電極配線４１ａにより固定電極端子４２と接続されている。固定電極端子４２は導電膜３９の同軸円に沿って固定電極４１の＋Ｙ方向側を通って＋Ｘ方向側まで延在し、第１端子１５と対向する位置まで達する。固定電極端子４２の材質は第１端子１５と同様の材質を用いることができる。
【００５３】
反射膜端子４０と第４端子１８との間にはバンプ電極４３が設置され、バンプ電極４３により反射膜端子４０は第４端子１８と接続されている。第４端子１８は筐体２の第４端子８と接続されているので、固定反射膜３７は第４端子８と接続されている。同様に、固定電極端子４２と第１端子１５との間にはバンプ電極４３が設置され、バンプ電極４３により固定電極端子４２は第１端子１５と接続されている。第１端子１５は筐体２の第１端子５と接続されているので、固定電極４１は第１端子５と接続されている。
【００５４】
可動電極３６と固定電極４１とは円環状の部分が対向して設置されている。そして、制御部２７が、第２端子６と第１端子５との間に所定の電圧を印加する。これにより、可動電極３６と固定電極４１との間に静電気力が発生する。静電気力により保持部１３ｃが撓むことで、可動部１３ｂと固定基板１４との距離が変位する。これにより、制御部２７が反射膜間ギャップ４６を所望の寸法に設定することが可能となる。可動電極３６、固定電極４１及び保持部１３ｃ等により間隔制御部としての静電アクチュエーター４７が構成されている。
【００５５】
可動反射膜３３及び固定反射膜３７は光フィルター１２に入射する光２８の一部を反射し一部を透過する。可動反射膜３３と固定反射膜３７との間で多重反射が生じ、位相の合う光２８は光２８が進行する方向に透過して進行する。静電アクチュエーター４７が反射膜間ギャップ４６を制御することにより光フィルター１２は所定の波長の光２８を透過させることができる。
【００５６】
図４（ａ）は可動基板における端子の要部模式拡大図であり、（ｂ）は固定基板における端子の要部模式拡大図である。図４（ａ）は図３（ｂ）の部分を拡大した図であり、図４（ｂ）は図３（ｃ）の部分を拡大した図である。図４（ａ）に示すように、導電膜配線３５ａの幅は第３端子１７の幅より短くなっている。導電膜配線３５ａの幅が第３端子１７の幅より長いとき、導電膜配線３５ａの一部が第３端子１７よりはみ出す。導電膜配線３５ａは薄いので、第３端子１７よりはみ出す部分がちぎれて分離する可能性がある。分離した導電膜配線３５ａの部分は第３端子１７と第２端子１６または第４端子１８とを短絡させる要因となる。一方、導電膜配線３５ａは第３端子１７からはみ出さない為、導電膜配線３５ａの一部がちぎれることを防止することができる。
【００５７】
同様に、電極配線３６ａの幅は第２端子１６の幅より短くなっている。従って、電極配線３６ａは第２端子１６からはみ出さない為、電極配線３６ａの一部がちぎれることを防止することができる。図４（ｂ）に示すように、導電膜配線３９ａの幅は反射膜端子４０の幅より短くなっている。従って、導電膜配線３９ａは反射膜端子４０からはみ出さない為、導電膜配線３９ａの一部がちぎれることを防止することができる。同様に、固定電極配線４１ａの幅は固定電極端子４２の幅より短くなっている。従って、固定電極配線４１ａは固定電極端子４２からはみ出さない為、固定電極配線４１ａの一部がちぎれることを防止することができる。
【００５８】
図５は制御部の構造を説明するための回路図である。図５に示すように、制御部２７には第１スイッチ４８、第２スイッチ４９の２個のスイッチと第１スイッチ４８、第２スイッチ４９を制御するスイッチ制御部５０が設置されている。各スイッチは２回路２接点スイッチの形態となっている。第１スイッチ４８は第１可動切片４８ａ、第２可動切片４８ｂ、第１接点４８ｃ、第２接点４８ｄ、第３接点４８ｅ及び第４接点４８ｆを備えている。
【００５９】
第１可動切片４８ａ及び第２可動切片４８ｂは共に接地されている。第１接点４８ｃは孤立し接続されていない接点である。第２接点４８ｄは導電膜３９と接続されている。第１可動切片４８ａは第１接点４８ｃ及び第２接点４８ｄの一方と導通する。同様に、第３接点４８ｅは孤立し接続されていない接点である。第４接点４８ｆは導電膜３５と接続されている。第２可動切片４８ｂは第３接点４８ｅ及び第４接点４８ｆの一方と導通する。
【００６０】
第１可動切片４８ａと第２可動切片４８ｂとは連動しスイッチ制御部５０に制御される。スイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第１接点４８ｃと導通させて第２可動切片４８ｂを第３接点４８ｅと導通させるとき、第１スイッチ４８では導電膜３９が第１可動切片４８ａと切断され、導電膜３５が第２可動切片４８ｂと切断された状態となる。一方、スイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第２接点４８ｄと導通させて第２可動切片４８ｂを第４接点４８ｆと導通させるとき、第１スイッチ４８では導電膜３５及び導電膜３９が接地された状態となる。従って、スイッチ制御部５０は導電膜３５及び導電膜３９を短絡させて且つ接地させるか開放するかを制御することができる。
【００６１】
第２スイッチ４９は第１可動切片４９ａ、第２可動切片４９ｂ、第１接点４９ｃ、第２接点４９ｄ、第３接点４９ｅ及び第４接点４９ｆを備えている。第１可動切片４９ａ及び第２可動切片４９ｂは距離検出部５１と接続されている。第１接点４９ｃは導電膜３９と接続されている。第２接点４９ｄは孤立し接続されていない接点である。第１可動切片４９ａは第１接点４９ｃ及び第２接点４９ｄの一方と導通する。同様に、第３接点４９ｅは導電膜３５と接続されている。第４接点４９ｆは孤立し接続されていない接点である。第２可動切片４９ｂは第３接点４９ｅ及び第４接点４９ｆの一方と導通する。距離検出部５１は導電膜３５と導電膜３９との間の電気容量を測定することにより導電膜３５と導電膜３９との間の距離を検出する機能を有する。
【００６２】
第１可動切片４９ａと第２可動切片４９ｂとは連動しスイッチ制御部５０に制御される。スイッチ制御部５０が第１可動切片４９ａを第１接点４９ｃと導通させて第２可動切片４９ｂを第３接点４９ｅと導通させるとき、第２スイッチ４９ではスイッチ制御部５０が導電膜３５及び導電膜３９を距離検出部５１と接続させる。一方、スイッチ制御部５０が第１可動切片４９ａを第２接点４９ｄと導通させて第２可動切片４９ｂを第４接点４９ｆと導通させるとき、第２スイッチ４９ではスイッチ制御部５０は導電膜３５及び導電膜３９を距離検出部５１と切断させる。従って、スイッチ制御部５０は導電膜３５及び導電膜３９を距離検出部５１に接続させるか接地させるかを制御することができる。
【００６３】
制御部２７が反射膜間ギャップ４６を検出するとき、まず、スイッチ制御部５０が第１スイッチ４８及び第２スイッチ４９を切り替える。第１スイッチ４８ではスイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第１接点４８ｃと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４８ｂを第３接点４８ｅと接触させる。さらに、第２スイッチ４９ではスイッチ制御部５０が第１可動切片４９ａを第１接点４９ｃと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４９ｂを第３接点４９ｅと接触させる。これにより、導電膜３５及び導電膜３９はそれぞれ距離検出部５１と接続される。そして、距離検出部５１は導電膜３５及び導電膜３９に通電して導電膜３５と導電膜３９との間の電気容量を測定する。これにより、距離検出部５１は反射膜間ギャップ４６を検出する。
【００６４】
距離検出部５１が反射膜間ギャップ４６を測定しないとき、第１スイッチ４８ではスイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第２接点４８ｄと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４８ｂを第４接点４８ｆと接触させる。第２スイッチ４９ではスイッチ制御部５０は第１可動切片４９ａを第２接点４９ｄと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４９ｂを第４接点４９ｆと接触させる。これにより、導電膜３５及び導電膜３９はそれぞれ接地され、互いに導通する。
【００６５】
導電膜３５と導電膜３９との間には水分子や酸素分子等の分子が移動し、分子同士が衝突しあう。このとき、各分子に静電気が生ずることがある。そして、静電気をもつ分子が導電膜３５及び導電膜３９に接触するとき導電膜３５及び導電膜３９が帯電する。静電気により導電膜３５と導電膜３９との間で電圧差が生じるとき、導電膜３５と導電膜３９との間に静電気力が生じる。これにより反射膜間ギャップ４６が変動する。反射膜間ギャップ４６が変動することにより光フィルター１２を通過する光の波長が変動する。そこで、スイッチ制御部５０が所定の時間間隔にて導電膜３５及び導電膜３９を接地する。これにより、導電膜３５及び導電膜３９の静電気が除去される為反射膜間ギャップ４６を精度良く制御することができる。
【００６６】
尚、第１スイッチ４８及び第２スイッチ４９はトランジスター等の半導体により構成されたスイッチング素子を用いても良く電磁スイッチでも良い。電流が小さいときには半導体により構成されたスイッチング素子を用いる方が製造し易く耐久性があり好ましい。本実施形態では、例えば、第１スイッチ４８及び第２スイッチ４９は半導体により構成されたスイッチング素子を用いている。
【００６７】
制御部２７には電圧制御部５２が設置され、電圧制御部５２には可動電極３６及び固定電極４１が電気的に接続されている。電圧制御部５２は可動電極３６及び固定電極４１に印加する電圧を制御することにより反射膜間ギャップ４６を制御することが可能になっている。電圧制御部５２が反射膜間ギャップ４６を所定の間隔に変更する。そして、光２８が光フィルター１２に入射される。光２８は可動反射膜３３と固定反射膜３７との間で多重反射し、反射膜間ギャップ４６の寸法に応じた波長の光が光フィルター１２を通過する。従って、電圧制御部５２が反射膜間ギャップ４６を制御することにより光フィルター１２を通過する光２８の波長を制御することが可能になっている。
【００６８】
次に、光学モジュール１の製造方法について説明する。図６〜図８は光学モジュールの製造方法を説明するための模式図である。図６（ａ）に示すように、溝１３ａ及び保持部１３ｃが形成された可動基板１３を用意する。溝１３ａ及び保持部１３ｃは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。
【００６９】
次に、図６（ｂ）に示すように、可動基板１３上に第１端子１５〜第４端子１８及びバンプ電極４３を形成する。まず、可動基板１３上に第１端子１５の材料からなる導体ベタ膜を形成する。ベタ膜は基板上全体に同じ膜厚で設置された膜を示す。導体ベタ膜は導体の材料からなるベタ膜を示す。導体ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、導体ベタ膜をパターニングして第１端子１５〜第４端子１８及びバンプ電極４３を形成する。第１端子１５〜第４端子１８及びバンプ電極４３を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして導体ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００７０】
次に、図６（ｃ）に示すように、可動基板１３上に可動反射膜３３を形成する。まず、可動基板１３上に可動反射膜３３の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜は光を反射する材質からなるベタ膜である。反射ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、反射ベタ膜をパターニングして可動反射膜３３を形成する。可動反射膜３３を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００７１】
次に、図６（ｄ）に示すように、可動反射膜３３を覆って誘電体膜３４を設置する。まず、可動基板１３上に可動反射膜３３に重ねて誘電体膜３４の材料からなるベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして誘電体膜３４を形成する。誘電体膜３４を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。誘電体膜３４は可動反射膜３３の図中上面及び側面を覆うように設置される。可動基板１３の厚み方向から見て誘電体膜３４の形状を可動反射膜３３より大きくすることにより誘電体膜３４が可動反射膜３３の側面を覆うことができる。
【００７２】
次に、図６（ｅ）に示すように、導電膜３５及び可動電極３６を設置する。まず、可動基板１３上の誘電体膜３４、第２端子１６及び第３端子１７に重ねて導電膜３５及び可動電極３６の材料からなるベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして導電膜３５、導電膜配線３５ａ及び可動電極３６を形成する。導電膜３５、導電膜配線３５ａ及び可動電極３６を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。尚、導電膜３５と可動電極３６との材質を異なる材質にしてもよい。このときには、一方を形成した後で他方を形成する。
【００７３】
次に、図６（ｆ）に示すように反射膜設置部１４ａ及び電極設置溝１４ｂが形成された固定基板１４を用意する。反射膜設置部１４ａ及び電極設置溝１４ｂは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。固定基板１４にはアパーチャー３２が設置されている。アパーチャー３２の形成には、まず、アパーチャー３２の材料のベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングしてアパーチャー３２を形成する。アパーチャー３２を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００７４】
次に、図７（ａ）に示すように、固定基板１４上に反射膜端子４０及び固定電極端子４２を設置する。まず、固定基板１４上に反射膜端子４０及び固定電極端子４２の材料からなる導体ベタ膜を形成する。導体ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、導体ベタ膜をパターニングして反射膜端子４０及び固定電極端子４２を形成する。反射膜端子４０及び固定電極端子４２を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして導体ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００７５】
次に、図７（ｂ）に示すように、固定基板１４上に固定反射膜３７を形成する。まず、反射膜設置部１４ａ上に固定反射膜３７の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、反射ベタ膜をパターニングして固定反射膜３７を形成する。固定反射膜３７を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００７６】
次に、図７（ｃ）に示すように、固定反射膜３７を覆って誘電体膜３８を設置する。まず、固定基板１４上に固定反射膜３７に重ねて誘電体膜３８の材料からなるベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして誘電体膜３８を形成する。誘電体膜３８を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。誘電体膜３８は固定反射膜３７の図中上面及び側面を覆うように設置される。固定基板１４の厚み方向から見て誘電体膜３８の形状を固定反射膜３７より大きくすることにより誘電体膜３８が固定反射膜３７の側面を覆うことができる。
【００７７】
次に、図７（ｄ）に示すように、導電膜３９及び固定電極４１を設置する。まず、固定基板１４に誘電体膜３８、反射膜端子４０及び固定電極端子４２に重ねて導電膜３９及び固定電極４１の材料からなるベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして導電膜３９及び固定電極４１を形成する。導電膜３９及び固定電極４１を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。尚、導電膜３９と固定電極４１との材質を異なる材質にしてもよい。このときには、一方を形成した後で他方を形成する。
【００７８】
導電膜３５及び導電膜３９の材料には酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）が用いられている。導電膜３５及び導電膜３９の材料にＩＴＯを用いるとき、ＩＴＯは結晶性の膜でありパターニングするには王水系エッチング液を用いなければならない。王水系エッチング液は配線や素子等に損傷を及ぼす可能性がある。酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）をパターニングするときに用いるエッチング液には例えばシュウ酸系エッチング液を用いることができる。酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）用のエッチング液は王水系エッチング液に比べて配線や素子等に損傷を及ぼし難い溶液である。従って、品質良く光フィルター１２を製造することができる。
【００７９】
次に、図７（ｅ）に示すように、可動基板１３と固定基板１４とを接合する。可動基板１３及び固定基板１４にそれぞれプラズマ重合膜を成膜する。次に、プラズマ重合膜を貼り合せて可動基板１３と固定基板１４とを接合する。貼り合せられたプラズマ重合膜は接合膜３１となる。バンプ電極４３は反射膜端子４０と第４端子１８とを接続し、固定電極端子４２と第１端子１５とを接続する。以上の工程により光フィルター１２が完成する。
【００８０】
続いて、光フィルター１２を筐体２及び第２蓋体９で密閉する。図８（ａ）に示すように、まず、筐体２及び光フィルター１２を用意する。筐体２には第１蓋体３、第１端子５〜第４端子８、貫通電極２６、第１端子２１〜第４端子２４等が設置されている。尚、筐体２の製造方法は公知の方法を用いて製造することが可能であり説明を省略する。
【００８１】
次に、筐体２内の内部空間１１に光フィルター１２を配置し、図示しない固定治具を用いて筐体２と光フィルター１２との位置関係を固定する。
【００８２】
図８（ｂ）に示すように、次に、第１端子１５と第１端子２１とを金線２５で接続し、第２端子１６と第２端子２２とを金線２５で接続する。さらに、第３端子１７と第３端子２３とを金線２５で接続し、第４端子１８と第４端子２４とを金線２５で接続する。金線２５の接続はワイヤーボンディング法を用いて行われる。金線２５が設置された後で固定治具を除去する。
【００８３】
図８（ｃ）に示すように、次に、筐体２の第２蓋体９を設置する予定の面に低融点ガラスペースト５３を配置する。固定基板１４上で固定部２９を設置する予定の場所に低融点ガラスペースト５４を配置する。続いて、低融点ガラスペースト５３及び低融点ガラスペースト５４を加熱してバインダー成分を蒸発させて除去する。
【００８４】
図８（ｄ）に示すように、次に、筐体２上に第２蓋体９を配置し、真空チャンバー装置等によって真空雰囲気に設定された環境下で加熱する。低融点ガラスペースト５３及び低融点ガラスペースト５４が溶融した後、徐冷する。これにより、低融点ガラスペースト５３が第２の低融点ガラス１０になり、低融点ガラスペースト５４が固定部２９になる。そして、内部空間１１が減圧された状態で封止される。以上の工程により光学モジュール１が完成する。
【００８５】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、可動反射膜３３には誘電体膜３４及び導電膜３５が設置されている。誘電体膜３４は可動反射膜３３を保護し可動反射膜３３の反射率を維持する。固定反射膜３７には誘電体膜３８及び導電膜３９が設置されている。誘電体膜３８は固定反射膜３７を保護し固定反射膜３７の反射率を維持する。そして、導電膜３５及び導電膜３９は表面への帯電を抑制するので、光フィルター１２は品質良く可動反射膜３３と固定反射膜３７との距離を精度よく制御することができる。従って、光フィルター１２は長期信頼性が高く且つ精度良く所定の波長の光を通過させるフィルターとすることができる。
【００８６】
（２）本実施形態によれば、誘電体膜３４及び誘電体膜３８はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮのいずれかを含んでいる。ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯＮ、ＳｉＮは耐熱性があり、製造工程中に加熱されるときにも可動反射膜３３及び固定反射膜３７が劣化することを抑制することができる。さらに、可動反射膜３３及び固定反射膜３７は高温高湿耐性、硫化耐性、ハロゲン耐性の各種耐性を向上させて光学特性の劣化を防止することができる。
【００８７】
（３）本実施形態によれば、誘電体膜３４は可動反射膜３３が露出しないように側面まで覆っている。誘電体膜３８は固定反射膜３７が露出しないように側面まで覆っている。従って、可動反射膜３３及び固定反射膜３７を取り囲む雰囲気中の気体により可動反射膜３３及び固定反射膜３７に劣化する部分がないように反射膜を維持することができる。
【００８８】
（４）本実施形態によれば、導電膜３５及び導電膜３９はＩＧＯを含んでいる。ＩＧＯは光透過性が良く、アモルファス構造である為シュウ酸系のエッチング液を用いて所定の形状に容易に形成することができる。
【００８９】
（５）本実施形態によれば、可動基板１３に設置された導電膜３５と固定基板１４に設置された導電膜３９とを制御部２７が導通する。そして、可動反射膜３３と固定反射膜３７との間では電位差がなくなる。従って、可動反射膜３３と固定反射膜３７との間で電気的な力が作用することを抑制することができる。
【００９０】
（６）本実施形態によれば、可動基板１３において、導電膜３５は導電膜配線３５ａを有し、導電膜配線３５ａは第３端子１７と接続している。導電膜配線３５ａの幅は第３端子１７の幅より短くなっている。導電膜配線３５ａの幅が第３端子１７の幅より長いとき、導電膜配線３５ａの一部が第３端子１７より空中へはみ出す。導電膜配線３５ａは薄いので、第３端子１７よりはみ出す部分がちぎれて分離する可能性がある。分離した導電膜配線３５ａの部分は第３端子１７を短絡させる要因となる。一方、本実施形態の導電膜配線３５ａは第３端子１７から空中へはみ出さない為、導電膜配線３５ａの一部がちぎれることを防止することができる。
【００９１】
同様に、固定基板１４では導電膜３９は導電膜配線３９ａを有し、導電膜配線３９ａは反射膜端子４０と接続している。導電膜配線３９ａの幅は反射膜端子４０の幅より短くなっている。導電膜配線３９ａは反射膜端子４０から空中へはみ出さない為、導電膜配線３９ａの一部がちぎれることを防止することができる。
【００９２】
（７）本実施形態によれば、光フィルター１２は筐体２、第１蓋体３及び第２蓋体９等からなる収納部に収納され、収納部に保護されている。従って、光学モジュール１を把持するとき光フィルター１２が損傷することを防止することができる。
【００９３】
（８）本実施形態によれば、距離検出部５１が反射膜間ギャップ４６を検出する。従って、検出した反射膜間ギャップ４６をフィードバック制御することにより高い駆動精度を得ることができる。
【００９４】
（第２の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１を備えた測色装置の一実施形態について図９を用いて説明する。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９５】
（測色装置）
図９は、測色装置の構成を示すブロック図である。図９に示すように、電子機器としての測色装置６０は、測定対象物６１に光を射出する光源装置６２と、測色センサー６３と、測色装置６０の全体動作を制御する制御装置６６とを備える。そして、この測色装置６０は光源装置６２から射出される光を測定対象物６１にて反射させる。反射された検査対象光を測色センサー６３が受光する。測色センサー６３から出力される検出信号に基づいて測色装置６０は検査対象光の色度すなわち測定対象物６１の色を分析して測定する。
【００９６】
光源装置６２は光源６７及び複数のレンズ６８（図中には１つのみ記載）を備え、測定対象物６１に対して例えば白色光等の基準光を射出する。また、複数のレンズ６８にはコリメーターレンズが含まれてもよい。この場合、光源６７から射出された基準光をコリメーターレンズが平行光にし、光源装置６２は図示しない投射レンズから測定対象物６１に向かって光を射出する。尚、本実施形態では、光源装置６２を備える測色装置６０を例示するが、例えば測定対象物６１が液晶パネル等の発光部材である場合、光源装置６２が設けられない構成としてもよい。
【００９７】
測色センサー６３は光学モジュールとしての光フィルター６９と、光フィルター６９を透過する光を受光するディテクター６４と、光フィルター６９を透過させる光の波長を制御する制御部としての波長制御部６５とを備える。光フィルター６９には上記の光学モジュール１が用いられている。波長制御部６５は第１の実施形態における制御部２７の機能を備えている。
【００９８】
また、測色センサー６３は、光フィルター６９に対向する場所に図示しない入射光学レンズを備えている。入射光学レンズは測定対象物６１で反射された反射光（検査対象光）を測色センサー６３の内部に導光する。そして、測色センサー６３では入射光学レンズから入射した検査対象光のうち所定の波長の光を光フィルター６９が分光し、分光した光をディテクター６４が受光する。
【００９９】
制御装置６６は測色装置６０の全体動作を制御する。この制御装置６６としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや携帯情報端末の他にも測色専用コンピューター等を用いることができる。そして、制御装置６６は光源制御部７０、測色センサー制御部７１及び測色処理部７２等を備えて構成されている。光源制御部７０は光源装置６２に接続され、例えば、操作者の設定入力に基づいて光源装置６２に所定の制御信号を出力して所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部７１は測色センサー６３に接続されている。例えば、操作者の設定入力に基づいて測色センサー６３にて受光させる光の波長を測色センサー制御部７１が設定する。そして、設定した波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー制御部７１が測色センサー６３に出力する。これにより、制御信号に基づいて波長制御部６５は光フィルター６９を駆動させる。測色処理部７２は、ディテクター６４により検出された受光量から、測定対象物６１の色度を分析する。
【０１００】
光フィルター６９には上記の光学モジュール１が用いられている。光フィルター６９は長期信頼性が高く精度良く所定の波長の光を通過させるフィルターである。従って、測色装置６０は測色する波長の光を長期に渡って品質良く透過させる光フィルター６９を備えた電子機器とすることができる。
【０１０１】
（第３の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１を備えたガス検出装置の一実施形態について図１０及び図１１を用いて説明する。このガス検出装置は、例えば、特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等に用いられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１０２】
図１０は、ガス検出装置の構成を示す模式正面図であり、図１１は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。図１０に示すように、電子機器としてのガス検出装置７５はセンサーチップ７６と吸引口７７ａ、吸引流路７７ｂ、排出流路７７ｃ及び排出口７７ｄを備えた流路７７と本体部７８とを有する構成となっている。
【０１０３】
本体部７８は、センサー部カバー７９、排出手段８０及び筐体８１を備えている。センサー部カバー７９を開閉することにより、流路７７を着脱することが可能になっている。さらに、本体部７８は光学部８２、フィルター８３、光学モジュールとしての光フィルター８４、受光素子８５（検出部）等を含む検出装置を備えている。光フィルター８４には上記の光学モジュール１が用いられている。
【０１０４】
さらに、本体部７８は検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部８６（処理部）及び電力を供給する電力供給部８７等を備えている。光学部８２は、光を射出する光源８８、ビームスプリッター８９、レンズ９０、レンズ９１及びレンズ９２により構成されている。ビームスプリッター８９は光源８８から入射された光をセンサーチップ７６側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子８５側に透過する。
【０１０５】
図１１に示すように、ガス検出装置７５には操作パネル９３、表示部９４、外部とのインターフェイスのための接続部９５及び電力供給部８７が設けられている。電力供給部８７が二次電池の場合には充電のための接続部９６を備えてもよい。更に、ガス検出装置７５の制御部８６は、ＣＰＵ等により構成された信号処理部９９及び光源８８を制御するための光源ドライバー回路１００を備えている。更に、制御部８６は光フィルター８４を制御するための制御部としての波長制御部１０１、受光素子８５からの信号を受信する受光回路１０２を備えている。波長制御部１０１は第１の実施形態における制御部２７の機能を備えている。更に、制御部８６はセンサーチップ７６のコードを読み取り、センサーチップ７６の有無を検出するセンサーチップ検出器１０３からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１０４を備えている。更に、制御部８６は排出手段８０を制御する排出ドライバー回路１０５等を備えている。
【０１０６】
次に、ガス検出装置７５の動作について説明する。本体部７８の上部のセンサー部カバー７９の内部にはセンサーチップ検出器１０３が設けられている。センサーチップ検出器１０３によりセンサーチップ７６の有無が検出される。信号処理部９９はセンサーチップ検出器１０３からの検出信号を検出するとセンサーチップ７６が装着された状態であると判断する。そして、信号処理部９９は表示部９４へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
【０１０７】
そして、操作者により操作パネル９３が操作され、操作パネル９３から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部９９へ出力される。まず、信号処理部９９は光源ドライバー回路１００に光源駆動の指示信号を出力して光源８８を作動させる。光源８８が駆動されると、光源８８から単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。光源８８には温度センサーや光量センサーが内蔵されており、センサーの情報が信号処理部９９へ出力される。光源８８から入力された温度や光量に基づいて、光源８８が安定動作していると信号処理部９９が判断すると、信号処理部９９は排出ドライバー回路１０５を制御して排出手段８０を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口７７ａから吸引流路７７ｂ、センサーチップ７６内、排出流路７７ｃ、排出口７７ｄへと誘導される。尚、吸引口７７ａには、除塵フィルター７７ｅが設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気等が除去される。
【０１０８】
センサーチップ７６は金属ナノ構造体が複数組み込まれた素子であり、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ７６ではレーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成される。この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は光学部８２を通ってフィルター８３に入射する。フィルター８３によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光フィルター８４に入射する。
【０１０９】
そして、信号処理部９９は波長制御部１０１に対して制御信号を出力する。これにより、波長制御部１０１は光フィルター８４のアクチュエーターを駆動させて検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光フィルター８４に分光させる。分光した光が受光素子８５にて受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１０２を介して信号処理部９９に出力される。
【０１１０】
信号処理部９９は、得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータとＲＯＭに格納されているデータとを比較する。そしてし、検出対象となるガス分子が目的のガス分子か否かを判定し物質の特定をする。また、信号処理部９９は表示部９４にその結果情報を表示し、接続部９５から外部へ出力する。
【０１１１】
ラマン散乱光を光フィルター８４により分光し、分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置７５を例示した。ガス検出装置７５はガス固有の吸光度を検出してガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーに光フィルター８４を用いる。そして、ガス検出装置はガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別する電子機器である。ガス検出装置７５はこのような構成にすることで光フィルター８４を用いてガスの成分を検出することができる。
【０１１２】
光フィルター８４には上記の光学モジュール１が用いられている。光フィルター８４は長期信頼性が高く精度良く所定の波長の光を通過させるフィルターである。従って、ガス検出装置７５は測色する波長の光を長期に渡って品質良く透過させる光フィルター８４を備えた電子機器とすることができる。
【０１１３】
（第４の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１を備えた食物分析装置の一実施形態について図１２を用いて説明する。上記の光学モジュール１は近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の物質成分分析装置に用いることができる。食物分析装置は物質成分分析装置の１種である。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１１４】
図１２は、食物分析装置の構成を示すブロック図である。図１２に示すように、電子機器としての食物分析装置１０８は検出器１０９、制御部１１０及び表示部１１１を備えている。検出器１０９は光を射出する光源１１２、測定対象物１１３からの光が導入される撮像レンズ１１４、撮像レンズ１１４から導入された光を分光する光学モジュールとしての光フィルター１１５を備えている。光フィルター１１５には上記の光学モジュール１が用いられている。
【０１１５】
さらに、検出器１０９は分光された光を検出する撮像部１１６（検出部）を備えている。また、制御部１１０は光源１１２の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部１１７及び光フィルター１１５を制御する制御部としての波長制御部１１８を備えている。波長制御部１１８は第１の実施形態における制御部２７の機能を備えている。さらに、制御部１１０は撮像部１１６を制御して撮像部１１６で撮像された分光画像を取得する検出制御部１１９、信号処理部１２０及び記憶部１２１を備えている。
【０１１６】
食物分析装置１０８を駆動させると光源制御部１１７により光源１１２が制御されて光源１１２から測定対象物１１３に光が照射される。そして、測定対象物１１３で反射された光は撮像レンズ１１４を通って光フィルター１１５に入射する。光フィルター１１５は波長制御部１１８の制御により駆動される。これにより、光フィルター１１５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えば、ＣＣＤカメラ等により構成される撮像部１１６に撮像される。また、撮像された光は分光画像として記憶部１２１に蓄積される。また、信号処理部１２０は波長制御部１１８を制御して光フィルター１１５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
【０１１７】
そして、信号処理部１２０は記憶部１２１に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部１２１にはスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されている。記憶部１２１に記憶された食物に関する情報を基に信号処理部１２０は求めたスペクトルのデータを分析する。そして、信号処理部１２０は測定対象物１１３に含まれる食物成分と各食物成分含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から信号処理部１２０は食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、信号処理部１２０は検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができる。更には、信号処理部１２０は食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部１２０は上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部１１１に表示させる処理をする。
【０１１８】
光フィルター１１５には上記の光学モジュール１が用いられている。光フィルター１１５は長期信頼性が高く精度良く所定の波長の光を通過させるフィルターである。従って、食物分析装置１０８は測色する波長の光を長期に渡って品質良く透過させる光フィルター１１５を備えた電子機器とすることができる。
【０１１９】
また、食物分析装置１０８の他にも略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば、血液等の体液成分を測定する装置に食物分析装置１０８を用いることができる。他にも、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置に食物分析装置１０８を用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
【０１２０】
更には、上記の光学モジュール１を用いた電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、上記の光学モジュール１により特定波長の光を分光する。そして、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このように上記の光学モジュール１でデータを抽出する電子機器により各波長の光のデータを処理することで、複数波長の光通信を実施することもできる。
【０１２１】
（第５の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１を備えた分光カメラの一実施形態について図１３を用いて説明する。光を分光させて分光画像を撮像する分光カメラや分光分析機等に上記の光学モジュール１を用いることができる。このような分光カメラの一例として、上記の光学モジュール１を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２２】
図１３は、分光カメラの構成を示す概略斜視図である。図１３に示すように、電子機器としての分光カメラ１２４はカメラ本体１２５、撮像レンズユニット１２６及び撮像部１２７を備えている。カメラ本体１２５は操作者により把持され操作される部分である。
【０１２３】
撮像レンズユニット１２６はカメラ本体１２５に接続され、入射した画像光を撮像部１２７に導光する。また、この撮像レンズユニット１２６は対物レンズ１２８、結像レンズ１２９及びこれらのレンズ間に設けられた光学モジュールとしての光フィルター１３０を備えて構成されている。光フィルター１３０には上記の光学モジュール１が用いられている。さらに、カメラ本体１２５には光フィルター１３０が分光する光の波長を制御する制御部としての波長制御部１３１が設置されている。波長制御部１３１は第１の実施形態における制御部２７の機能を備えている。
【０１２４】
撮像部１２７は受光素子により構成され、撮像レンズユニット１２６により導光された画像光を撮像する。分光カメラ１２４では光フィルター１３０が撮像対象となる波長の光を透過させて、撮像部１２７が所望の波長の光の分光画像を撮像する。
【０１２５】
光フィルター１３０には上記の光学モジュール１が用いられている。光フィルター１３０は長期信頼性が高く精度良く所定の波長の光を通過させるフィルターである。従って、分光カメラ１２４は測色する波長の光を長期に渡って品質良く透過させる光フィルター１３０を備えた電子機器とすることができる。
【０１２６】
更には、光フィルター１３０を組み合わせた光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよい。例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを光フィルター１３０で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた血管、指紋、網膜及び虹彩等の認証装置にも適用できる。更には、光学モジュールを濃度検出装置に用いることができる。この場合、上記の光学モジュール１により物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
【０１２７】
上記に示すように、上記の光学モジュール１は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、上記の光学モジュール１は上記のように複数の波長を効率良く分光させることができる。このため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を効率よく実施することができる。したがって、単一波長を分光させる複数の光学モジュールにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。このときにも、上記の光学モジュール１は長期信頼性が高く精度良く所定の波長の光を通過させることができる為、これらの光学モジュールを用いた電子機器は複数の波長の光を長期に渡って品質良く取り出して利用することができる。
【０１２８】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、可動反射膜３３に重ねて誘電体膜３４及び導電膜３５が設置されていた。さらに、固定反射膜３７に重ねて誘電体膜３８及び導電膜３９が設置されていた。可動反射膜３３だけに誘電体膜３４及び導電膜３５が設置されていても良い。また、固定反射膜３７だけに誘電体膜３８及び導電膜３９が設置されていても良い。
【０１２９】
誘電体膜が設置された反射膜の反射率の低下を抑制することができる。そして、導電膜が設置されていない反射膜に配線を設置して制御部２７と電気的に接続しても良い。このときにも導電膜と反射膜との間で静電気を除去することができる。
【０１３０】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、固定部２９が第２蓋体９と固定基板１４との間に設置された。固定部２９は筐体２と固定基板１４との間に設置されても良く、筐体２と可動基板１３との間に設置されても良い。光フィルター１２が収納部に固定されれば良い。
【符号の説明】
【０１３１】
１…光学モジュール、２…収納部としての筐体、３…収納部としての第１蓋体、９…収納部としての第２蓋体、１２，６９，８４，１１５，１３０…光フィルター、１３ｂ…可動部、１４…固定基板、１７…配線としての第３端子、２８…入射光としての光、３３…第２反射膜としての可動反射膜、３４，３８…誘電体膜、３５，３９…導電膜、３５ａ，３９ａ…凸部としての導電膜配線、３６ａ…凸部としての電極配線、３７…第１反射膜としての固定反射膜、４０…配線としての反射膜端子、４１ａ…凸部としての固定電極配線、４７…間隔制御部としての静電アクチュエーター、６０…電子機器としての測色装置、６５，１０１，１１８，１３１…制御部としての波長制御部、７５…電子機器としてのガス検出装置、１０８…電子機器としての食物分析装置、１２４…電子機器としての分光カメラ。
【図１】
2015165266.tif 000003
【図２】
2015165266.tif 000004
【図３】
2015165266.tif 000005
【図４】
2015165266.tif 000006
【図５】
2015165266.tif 000007
【図６】
2015165266.tif 000008
【図７】
2015165266.tif 000009
【図８】
2015165266.tif 000010
【図９】
2015165266.tif 000011
【図１０】
2015165266.tif 000012
【図１１】
2015165266.tif 000013
【図１２】
2015165266.tif 000014
【図１３】
2015165266.tif 000015