(57)【要約】    【課題】  反り量の小さいプリント配線板の提供    【解決手段】  実施形態に係るプリント配線板は、第１面と第２面を有する絶縁基板と絶縁基板を貫通し接合面を有する貫通孔に形成されているスルーホール導体を有するコア基板と絶縁基板の第１面上に形成されている上側の樹脂絶縁層と絶縁基板の第２面上に形成されている下側の樹脂絶縁層を有する。そして、上側の樹脂絶縁層の数は下側の樹脂絶縁層の数より大きく、全ての接合面が第１面と平行な１つの面に含まれない。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面から前記第２面に至るスルーホール導体用の複数の貫通孔を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と、
前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と、
前記貫通孔に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体と、
前記絶縁基板の前記第１面と前記第１導体層上に積層されているＮ層の上側の樹脂絶縁層と、
前記絶縁基板の前記第２面と前記第２導体層上に積層されているＫ層の下側の樹脂絶縁層と、を有するプリント配線板であって、
前記Ｎは２以上の整数であり、前記Ｋは１以上の整数であって、前記Ｎの数字は前記Ｋの数字より大きく、前記上側の樹脂絶縁層の内、Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層であり、前記下側の樹脂絶縁層の内、Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層であり、前記貫通孔のそれぞれは、前記第１面に第１開口を有する第１開口部と前記第２面に第２開口を有する第２開口部で形成されていて、前記貫通孔のそれぞれは前記第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点を結ぶことで得られる交線を有し、前記貫通孔のそれぞれは前記交線で囲まれる接合面を有し、前記接合面のそれぞれが重心を有し、前記重心の全てが前記第１面に平行な１つの平面上に位置しない。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記接合面の前記重心と前記上側のソルダーレジスト層の上面との間の距離がｈ１であって、前記接合面の前記重心と前記下側のソルダーレジスト層の上面との間の距離がＨ１であるとき、Ｈ１／ｈ１は０．３５より大きく０．７より小さい。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板であって、前記下側のソルダーレジスト層の前記上面と前記絶縁基板の前記第１面との間の距離がＨ２であって、前記絶縁基板の前記第１面と前記上側のソルダーレジスト層の前記上面との間の距離がｈ２である時、Ｈ２／ｈ２は０．７５より大きく２．４より小さい。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記絶縁基板を貫通する電子部品内蔵用の開口と、前記開口に内蔵されている前記電子部品と、前記開口により露出する前記絶縁基板の側壁と前記電子部品間の隙間を充填している充填剤とを有する。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記下側のソルダーレジスト層と１番目の前記上側の樹脂絶縁層は同じ組成で形成されている。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、前記上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂で形成されていて、前記下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂で形成されている。
【請求項７】
請求項４のプリント配線板であって、前記開口から露出する前記側壁は前記第２面から前記第１面に向かってテーパーしている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板と絶縁基板上に形成されている樹脂絶縁層とを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は電子部品搭載用基板を開示している。特許文献１の図２によれば、ベース基板の表面上のみにビルドアップ層が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０９−００８４６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図２に示されている電子部品搭載用基板では、ベース基板の表面上のみにビルドアップ層が形成されている。そのため、リフロー温度などの高温で電子部品搭載用基板の反りが大きくなると予想される。特許文献１の図２に示されている電子部品搭載用基板にＩＣチップ等の電子部品や第２のパッケージ基板を搭載することが難しいと考えられる。特許文献１の図２に示されている電子部品搭載用基板をマザーボードに搭載することが難しいと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、ヒートサイクルでプリント配線板の反りを小さくすることである。別の目的は、電子部品や第２のパッケージ基板を搭載しやすいプリント配線板を提供することである。さらなる別の目的は、マザーボードに搭載されやすいプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面から前記第２面に至るスルーホール導体用の複数の貫通孔を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と、前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と、前記貫通孔に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体と、前記絶縁基板の前記第１面と前記第１導体層上に積層されているＮ層の上側の樹脂絶縁層と、前記絶縁基板の前記第２面と前記第２導体層上に積層されているＫ層の下側の樹脂絶縁層と、を有する。そして、前記Ｎは２以上の整数であり、前記Ｋは１以上の整数であって、前記Ｎの数字は前記Ｋの数字より大きく、前記上側の樹脂絶縁層の内、Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層であり、前記下側の樹脂絶縁層の内、Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層であり、前記貫通孔のそれぞれは、前記第１面に第１開口を有する第１開口部と前記第２面に第２開口を有する第２開口部で形成されていて、前記貫通孔のそれぞれは前記第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点を結ぶことで得られる交線を有し、前記貫通孔のそれぞれは前記交線で囲まれる接合面を有し、前記接合面のそれぞれが重心を有し、前記重心の全てが前記第１面に平行な１つの平面上に位置しない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】図５（Ａ）は、第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図であり、図５（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態のいくつかの貫通孔を示す模式図であり、図５（Ｄ）は参考例のいくつかの貫通孔を示す模式図である。
【図６】図６（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板の応用例を示す図であり、図６（Ｂ）は実施形態に係る電子部品を内蔵するプリント配線板の一部を示す断面図である。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の反りを示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図５（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板１０の一部を示す。第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有し、第１面Ｆから第２面Ｓに至るスルーホール導体用の貫通孔２８を有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０ｚの第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓと貫通孔２８内に形成されていて、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。図１（Ｂ）に示されるように貫通孔２８は、絶縁基板２０zの第１面Ｆに第１開口２８ＦＯを有する第１開口部２８Ｆと第２面Ｓに第２開口２８ＳＯを有する第２開口部２８Ｓで形成されている。第１開口部と第２開口部は絶縁基板内で繋がっている。図５（Ｂ）に示されるように、貫通孔２８は、第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点を結ぶことで得られる交線ＩＮＬを有する。図５（Ｂ）では、交線ＩＮＬは円周である。さらに、貫通孔２８は、交線ＩＮＬで囲まれる接合面ＩＮＦを有する。接合面ＩＮＦに斜線が描かれている。第１開口部２８Ｆと第２開口部２８Ｓは接合面で交わっている。図５（Ｂ）に実施形態の貫通孔の模式図が示される。図５（Ｂ）では、貫通孔が８つ描かれている。図５（Ｂ）に、いくつかの接合面、または、いくつかの接合面の重心を通り第１面Ｆに平行な直線ＬＥが描かれている。図５（Ｂ）では、直線ＬＥは４つの貫通孔の接合面を通過している。図５（Ｂ）では、直線ＬＥは４つの貫通孔の接合面の重心を通過している。４つの貫通孔の上に丸が示されている。実施形態では、全ての貫通孔の接合面が第１面Ｆに平行な１つの面に含まれない。実施形態では、全ての貫通孔の接合面の重心が第１面Ｆに平行な１つの面に含まれない。
【０００９】
第１開口２８ＦＯの大きさは接合面ＩＮＦの大きさより大きい。第２開口２８ＳＯの大きさは接合面ＩＮＦの大きさより大きい。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしていることが好ましい。第２開口部２８Ｓは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしていることが好ましい。貫通孔は接合面で最も細い径を有することが好ましい。
【００１０】
図１（Ｃ）に示されているコア基板３０は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。コア基板３０の導体層は図示しない複数の導体回路やスルーホール導体３６の周りに形成されているスルーホール導体のランドを含む。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じである。
絶縁基板２０ｚは、さらに、電子部品収容用の開口２６を有しても良い。開口２６内にチップコンデンサ８０等の電子部品が収容される。その例のコア基板３０００が図１（Ｄ）や図５（Ａ）に示される。図５（Ａ）や図１（Ｄ）に示されるコア基板３０は、絶縁基板２０ｚを貫通し電子部品を内蔵するための開口２６を有する。そして、開口２６内に積層セラミックコンデンサ８０が内蔵されている。絶縁基板２０ｚは特許文献１のベース基板に相当する。
【００１１】
図５（Ａ）に示されるように、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆが積層されている。上側の樹脂絶縁層の層数はＮである。Ｎは２以上の整数である。Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層は最上の樹脂絶縁層であり、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆとして機能する。
図５（Ａ）では、上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆは４層である。４番目の上側の樹脂絶縁層３５０Ｆは上側のソルダーレジスト層である。
１番目の上側の樹脂絶縁層は、第１導体層と第１導体層から露出する絶縁基板上に形成されている。
実施形態のプリント配線板が開口２６と開口内の電子部品８０を有する場合、各上側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口上に形成されていて、１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆはコア基板と電子部品を内蔵する開口を覆う。
【００１２】
図５（Ａ）に示されるように、隣接する上側の樹脂絶縁層間に上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆが形成されている。Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層と（Ｎ−１）番目の上側の樹脂絶縁層で挟まれる上側の導体層は最上の導体層２５８Ｆである。最上の導体層は電子部品や第２のパッケージ基板を搭載するための上側のパッド７３Ｆを有する。
図５（Ａ）では、上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆは３層である。１番目の樹脂絶縁層５０Ｆと２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆで挟まれている上側の導体層５８Ｆが１番目の上側の導体層である。２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆと３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆで挟まれている上側の導体層１５８Ｆが２番目の上側の導体層である。３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆと４番目の樹脂絶縁層３５０Ｆで挟まれている上側の導体層２５８Ｆが３番目の上側の導体層である。３番目の上側の導体層２５８Ｆが最上の導体層である。最上の導体層はＩＣチップ等の電子部品や第２のパッケージ基板を搭載するための上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＩ、７３ＦＯ）を有する。上側のパッド７３Ｆは、第２のパッケージ基板を搭載するための上側の第２パッド７３ＦＯを有さず、ＩＣチップを搭載するための上側の第１パッド７３ＦＩのみで形成されてもよい。上側のパッドは上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの開口７１Ｆ（７１ＦＩ、７１ＦＯ）により露出される。
【００１３】
各上側の樹脂絶縁層は開口を有する。各上側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの上側の樹脂絶縁層を貫通している。
１番目の上側の樹脂絶縁層から（Ｎ−１）番目の上側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。図５（Ａ）では、１番目の樹脂絶縁層５０Ｆと２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆと３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆは、それぞれ、ビア導体用の開口を有する。
Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層（上側のソルダーレジスト層）３５０Ｆは上側のパッドを露出するための開口７１Ｆ（７１ＦＩ、７１ＦＯ）を有する。開口７１Ｆにより上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＩ、７３ＦＯ）が露出される。図６（Ａ）などに示されるように、開口７１ＦＩにより露出される上側のパッドは上側の第１パッド７３ＦＩである。上側の第１パッド７３ＦＩはプリント配線板の実装面の略中央に形成されていて、複数の上側の第１パッド７３ＦＩでＣ４パッド群が形成される。上側の第１パッド上にＩＣチップ等の電子部品が搭載される。開口７１ＦＯにより露出される上側のパッドは、上側の第２パッド７３ＦＯである。上側の第２パッド７３ＦＯはＣ４パッド群の外に形成されている。図６（Ａ）に示されるように、上側の第２パッド７３ＦＯを介してプリント配線板上に第２のパッケージ基板１３０が搭載される。
【００１４】
ビア導体用の開口にビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆが形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
図５（Ａ）では、１番目の樹脂絶縁層５０Ｆのビア導体用の開口にビア導体６０Ｆが形成されている。ビア導体６０Ｆで第１導体層３４Ｆと導体層５８Ｆが接続されている。２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆのビア導体用の開口にビア導体１６０Ｆが形成されている。ビア導体１６０Ｆで導体層５８Ｆと導体層１５８Ｆが接続されている。３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆのビア導体用の開口にビア導体２６０Ｆが形成されている。ビア導体２６０Ｆで導体層１５８Ｆと導体層２５８Ｆが接続されている。
【００１５】
図５（Ａ）に示されるように、絶縁基板２０ｚの第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に下側の樹脂絶縁層５０Ｓが積層されている。下側の樹脂絶縁層の層数はＫである。Ｋは１以上の整数である。Ｋの数字はＮの数字より小さい。ＮとＫの差は、２以下であることが好ましい。プリント配線板の反りが小さくなる。つまり、上側の樹脂絶縁層の数は下側の樹脂絶縁層の数より多い。Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層は最下の樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層として機能する。
１番目の下側の樹脂絶縁層は、第２導体層と第２導体層から露出する絶縁基板上に形成されている。
実施形態のプリント配線板が開口２６と開口内の電子部品８０を有する場合、各下側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口上に形成されていて、１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓはコア基板と電子部品を内蔵する開口２６を覆う。
【００１６】
Ｋが１の時、下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層のみである。図５（Ａ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層は開口５１Ｓを有する。下側のソルダーレジスト層の開口５１Ｓにより第２導体層３４Ｓが露出する。下側のソルダーレジスト層の開口により露出される第２導体層は下側のパッド５３Ｓとして機能する。下側のパッドを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。
図５（Ａ）に示されるように、実施形態のプリント配線板が、開口２６と電子部品８０を有する場合、下側のソルダーレジスト層５０Ｓは電子部品の電極８２を露出する開口５１Ｓを有することが好ましい。
【００１７】
Ｋが２以上であると、隣接する下側の樹脂絶縁層間に下側の導体層が形成される。Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層と（Ｋ−１）番目の下側の樹脂絶縁層で挟まれる下側の導体層は最下の導体層である。最下の導体層はマザーボードと接続するための下側のパッド５３Ｓを有する。
各下側の樹脂絶縁層は開口を有する。各下側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの下側の樹脂絶縁層を貫通している。
下側のソルダーレジスト層は開口を有し、開口により露出される最下の導体層は下側のパッドとして機能する。下側のパッドを介してプリント配線板はマザーボードに接続される。
１番目の下側の樹脂絶縁層から（Ｋ−１）番目の下側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。ビア導体用の開口にビア導体が形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
【００１８】
実施形態のプリント配線板と特許文献１の電子部品搭載用基板は、第１面と第２面を有するコア基板とコア基板の第１面上の上側の樹脂絶縁層とコア基板の第２面上の下側の樹脂絶縁層を有する。特許文献１のベース基板は実施形態の絶縁基板に相当する。特許文献１のベース基板の表面は実施形態の絶縁基板の第１面に相当し、特許文献１のベース基板の裏面は実施形態の絶縁基板の第２面に相当する。絶縁基板の第１面と平行な面はＸ−Ｙ面である。そして、Ｘ−Ｙ面に垂直な軸はＺ軸である。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は図５（Ａ）のプリント配線板の下に示されている。
特許文献１の図２や実施形態の図５（Ａ）に示されているように、絶縁基板の厚みは樹脂絶縁層の厚みより厚い。そのため、ベース基板は電子部品搭載用基板の反りに大きな影響を与える。絶縁基板の材料として、一般的に、ガラスエポキシ基板が使われる。ガラスエポキシ基板はガラスクロスを含み、ガラスクロスは絶縁基板のＸ−Ｙ面と平行に絶縁基板内に形成されている。ガラスクロスにより、絶縁基板のＸ−Ｙ方向は強化される。また、特許文献１の図２や実施形態の図５（Ａ）によれば、コア基板は絶縁基板を貫通するスルーホール導体を有する。スルーホール導体により、絶縁基板のＸ−Ｚ方向やＹ−Ｚ方向は強化される。特許文献１の図２によれば、特許文献１のスルーホール導体は円柱の貫通孔内に形成されている。そのため、スルーホール導体による強化は略均等に行われると考えられる。実施形態の図５（Ａ）によれば、実施形態のスルーホール導体は砂時計形状の貫通孔内に形成されている。そのため、スルーホール導体による強化は均等に行われないと考えられる。
【００１９】
特許文献１の図２の電子部品搭載用基板や実施形態の図５（Ａ）のプリント配線板では、コア基板の第１面上に積層されている樹脂絶縁層の数とコア基板の第２面上に積層されている樹脂絶縁層の数が異なる。そのため、特許文献１の図２の電子部品搭載用基板や実施形態のプリント配線板がヒートサイクルを受けると、絶縁基板の第１面に働く応力と絶縁基板の第２面に働く応力に差が生じると考えられる。そして、絶縁基板に働く応力が絶縁基板の強度より大きいと、特許文献１の図２の電子部品搭載用基板や実施形態のプリント配線板が反ると予想される。
図５（Ｂ）に示されるように、実施形態では、全ての接合面ＩＮＦの重心がコア基板の第１面と平行な１つの上面に位置していない。全ての接合面ＩＮＦがコア基板の第１面と平行な１つの面上に位置しない。
【００２０】
反りのメカニズムが以下に示される。以下のメカニズムは推察を含むので、誤りを含んでいるかもしれない。
図５（Ｄ）に参考例の貫通孔の模式図が示される。図５（Ｄ）に示されるように、参考例の貫通孔も接合面ＩＮＦと接合面ＩＮＦの重心を有する。但し、参考例では、全ての接合面ＩＮＦがコア基板の第１面と平行な１つの面に含まれる。参考例では、全ての接合面ＩＮＦの重心がコア基板の第１面と平行な１つの面上に位置する。図５（Ｄ）に示される８つの貫通孔の接合面の重心は直線ＬＤ上に位置する。図１（Ｂ）や図５（Ｂ）、図５（Ｃ）に示されるように、第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点は接合箇所２８Ｍである。
接合箇所２８Ｍは交点のため、接合箇所の強度はそれ以外の部分の強度より低いと考えられる。
応力は弱い部分から弱い部分に伝わると考えられる。そのため、実施形態のコア基板や参考例のコア基板が応力を受けると、１つの貫通孔の接合箇所２８Ｍから隣の貫通孔の接合箇所２８Ｍに応力は伝わると予想される。図５（Ｃ）と図５（Ｄ）に各接合箇所を結ぶ線ＬＦ、ＬＤが描かれている。図５（Ｃ）では、図５（Ｂ）に示される実施形態の貫通孔の接合箇所を結ぶ線ＬＦが描かれている。図５（Ｃ）と図５（Ｄ）を比較することで、少なくとも１つの接合面または１つの接合面の重心が別の平面上に位置すると、接合箇所を結ぶ線の長さが長くなる事が理解される。図５（Ｃ）と図５（Ｄ）で応力を受ける長さが比較されると、実施形態の長さが参考例の長さより長い。つまり、単位長さ当たりの応力が実施形態のコア基板と参考例のコア基板で比較されると、実施形態の値が参考例の値より小さい。同様に、単位面積当たりの応力が実施形態のコア基板と参考例のコア基板で比較されると、実施形態の値が参考例の値より小さい。それ故、実施形態のコア基板は参考例のコア基板より反り難い。
特許文献１の絶縁基板に形成されているスルーホール導体用の貫通孔の形状は、ストレート形状なので、接合箇所を有していない。
そのため、特許文献１の絶縁基板に働く応力は１つのスルーホール導体用の貫通孔から隣接するスルーホール導体用の貫通孔に最短で伝わると予想される。つまり、特許文献１の絶縁基板に働く応力は、図５（Ｄ）に描かれている線と同様に伝わると予想される。従って、単位面積当たりの応力が実施形態のコア基板と特許文献１の図２のコア基板で比較されると、実施形態の値が特許文献１の値より小さい。それ故、実施形態のコア基板は特許文献１の図２のコア基板より反り難い。
実施形態のプリント配線板によれば、コア基板の第１面上に積層されている樹脂絶縁層の数がコア基板の第２面上に積層されている樹脂絶縁層の数が多い。そして、全ての貫通孔２８の接合面ＩＮＦ、または、全ての接合面ＩＮＦの重心がコア基板の第１面と平行なひとつの平面上に位置しない。接合面ＩＮＦは、コア基板の第１面と平行な５以上の平面に分散していることが好ましい。接合面ＩＮＦの重心は、コア基板の第１面と平行な５以上の平面に分散していることが好ましい。コア基板に働く応力を分散することができる。実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。図５（Ｂ）では、接合面ＩＮＦが５つの平面上に分散している。接続面の重心が５つの平面上に分散している。
【００２１】
ヒートサイクルや工程中でのプリント配線板の反りが図７に示される。図７では、プリント配線板の下側の樹脂絶縁層が平面に向くように、プリント配線板が平面上に置かれている。図７に示される反りは推察される反りであり、図７に関わる記述は誤りを含んでいるかもしれない。図７では、プリント配線板は１枚の板ＰＳで示されている。プリント配線板内の絶縁基板の熱膨張係数は、樹脂絶縁層の熱膨張係数より小さい。また、プリント配線板に実装されるＩＣチップ９０の熱膨張係数と絶縁基板の熱膨張係数は略同じである。もしくは、絶縁基板の熱膨張係数は、５ｐｐｍ／Ｋ以下であって、ＩＣチップ９０の熱膨張係数と樹脂絶縁層の熱膨張係数より小さい。絶縁基板の熱膨張係数は１〜４ｐｐｍ／Ｋであることが好ましい。
【００２２】
絶縁基板の第１面と第２面上に積層温度で樹脂絶縁層が積層される。その後、プリント配線板の温度は常温に下げられる。この時、第１面上の樹脂絶縁層の数は第２面上の樹脂絶縁層の数より多い。そのため、第１面上の樹脂絶縁層の収縮量は第２面上の樹脂絶縁層の収縮量より大きい。従って、図７（Ａ）に示されるように、常温時のプリント配線板は凹の反りを有する。常温での反りの量ＣＡは５９．５μｍ以下である。
プリント配線板にＩＣチップがリフローで実装される。プリント配線板の温度はリフロー温度まで上げられる。リフロー温度は積層温度より高い。第１面上の樹脂絶縁層の数は第２面上の樹脂絶縁層の数より多いので、プリント配線板の温度が上がると、第１面上の樹脂絶縁層の膨張量は第２面上の樹脂絶縁層の膨張量より大きい。そのため、凹の反りの量が小さくなる。図７（Ｂ）に示されるように、ＩＣが実装される時、実施形態のプリント配線板の反り量は０である。もしくは、図７（Ｃ）に示されるように、実施形態のプリント配線板は凸の反りを有する。リフロー温度での反りの量ＣＡは３４．２μｍ以下である。
実施形態のプリント配線板によれば、コア基板に働く単位面積当たりの応力が小さい。そのため、常温や高温で実施形態のプリント配線板の反りの量は、特許文献１の図２の電子部品搭載用基板の反りの量より小さい。ヒートサイクルで実施形態のプリント配線板の反りの変化が小さい。プリント配線板の信頼性がヒートサイクルで低下しがたい。
【００２３】
プリント配線板にＩＣチップが実装される時、プリント配線板は平坦である。、もしくは、プリント配線板は小さな凸の反りを有する。そのため、ＩＣチップを実装しやすいプリント配線板が提供される。ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が高い。
プリント配線板にＩＣチップを実装することで、第１の半導体パッケージが得られる。第１の半導体パッケージの温度がリフロー温度から常温に下げられる。コア基板の第１面上に積層されている樹脂絶縁層上に低い熱膨張係数を有するＩＣチップが実装されている。そのため、パッケージ基板の温度が常温に下がっても、反りの量は大きく変化しない。
【００２４】
第１の半導体パッケージ上にＩＣチップを封止するためのモールド樹脂が形成される。実施形態のプリント配線板では、コア基板に働く単位面積当たりの応力が小さい。さらに、第１の半導体パッケージはモールド樹脂を有する。そのため、リフローで第１の半導体パッケージに第２の半導体パッケージが搭載される時、第１の半導体パッケージは略平坦である。第２の半導体パッケージを搭載しやすい第１の半導体パッケージが提供される。第１の半導体パッケージと第２の半導体パッケージ間の接続信頼性が高い。
実施形態のプリント配線板のリフロー温度（約２６０度）での反りの量は８０μｍ以下であり、実施形態のプリント配線板の常温時での反りの量は１２０μｍ以下である。
【００２５】
図５（Ａ）に下側のソルダーレジスト層５０Ｓの上面と接合面ＩＮＦとの間の距離Ｈ１と接合面ＩＮＦと上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの上面との間の距離ｈ１が示されている。接合面ＩＮＦが第１面Ｆや第２面Ｓと平行でない場合、距離Ｈ１は、下側のソルダーレジスト層５０Ｓの上面と接合面ＩＮＦの重心との間の距離である。距離ｈ１は、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの上面と接合面ＩＮＦの重心との間の距離である。プリント配線板の２つの対角線の交点に最も近いスルーホール導体用の貫通孔とプリント配線板の各コーナーに最も近いスルーホール導体用の貫通孔でＨ１とｈ１が測定される。そして、５つのＨ１の平均値がプリント配線板のＨ１に相当する。５つのｈ１の平均値がプリント配線板のｈ１に相当する。
各接合面または各接合面の重心を結ぶことで得られる面（仮想の面）に上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数の差に起因する応力が働くと予想される。そのため、プリント配線板内で接合面の位置や接合面の重心の位置は反りに影響を与える。図７によれば、実施形態のプリント配線板では、高温での反りが小さく、常温での反りが大きい。そのため、仮想の面は常温で大きな力を受ける。その時、プリント配線板は凹の反りを有するので、仮想の面は引っ張り応力を受けると考えられる。また、スルーホール導体は金属で形成されているので、スルーホール導体は圧縮応力より引っ張り応力により劣化しやすいと考えられる。そのため、仮想の面がコア基板の第２面Ｓに接近すると、引張り応力により接合面ＩＮＦに形成されているスルーホール導体からクラックが発生しやすいと考えられる。コア基板の第１面上の樹脂絶縁層の数が大きいので、コア基板の第１面に働く応力はコア基板の第２面に働く応力より大きいと考えられる。そのため、仮想の面が第１面Ｆに接近すると、仮想の面に働く衝撃力が強くなると予想される。また、第１面Ｆから仮想の面に至る力は第１面と仮想の面との間に存在する絶縁基板で緩和されると考えられる。仮想の面が第１面Ｆに接近すると、第１面Ｆに働く力と同等な力が仮想の面に働くと推察される。そのため、仮想の面がコア基板の第１面Ｆに接近すると、接合面ＩＮＦに形成されているスルーホール導体からクラックが発生しやすいと考えられる。
スルーホール導体を介する接続信頼性を高くするため、Ｈ１とｈ１との比（Ｈ１／ｈ１）が０．３５より大きく０．７より小さいことが好ましい。
【００２６】
プリント配線板が比（Ｈ１／ｈ１）の関係を満足すると、高温でのプリント配線板の反りが小さくなる。そのため、リフロー温度などの高温でのプリント配線板の反りの量が８０μｍ以下になる。高温時の反りの量が８０μｍ以下であると、プリント配線板にＩＣチップ等の電子部品を搭載する歩留りが高くなる。ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が高くなる。
【００２７】
プリント配線板の温度が常温から高温に移ると、反りの形状が変化する。ヒートサイクルで反りの形状の変化が繰り返される。プリント配線板が劣化する。例えば、プリント配線板内の導体回路が断線する。樹脂絶縁層にクラックが発生する。ビア導体を介する接続信頼性が低下する。プリント配線板の温度が常温から高温に移る時、反りの変化量が２２０μｍ以上であると、プリント配線板の劣化が顕著になる。比（Ｈ１／ｈ１）の関係を満足することで、常温でのプリント配線板の反りの量が１２０μｍ以下になる。従って、プリント配線板が比（Ｈ１／ｈ１）の関係を満足すると、反りの変化量は２００μｍ以下となる。プリント配線板の信頼性が高くなる。
【００２８】
プリント配線板が比（Ｈ１／ｈ１）の関係を満足すると、実装温度でプリント配線板は平坦である。もしくは、プリント配線板は凸の反りを有する。多数のプリント配線板が製造されても、実装温度で凹の反りを有するプリント配線板が製造されない。もしくは、凹の反りを有するプリント配線板が製造されても、反りの量が小さい。そのため、同じ実装条件でプリント配線板にＩＣチップを実装することができる。そのため、工程を簡単にすることができる。各プリント配線板の品質が略同等になる。高い品質を有する第１のパッケージ基板が提供される。実装温度でプリント配線板にＩＣチップが実装される。
プリント配線板が比（Ｈ１／ｈ１）の関係を満足しないと、凹の反りを有するプリント配線板と凸の反りを有するプリント配線板が混在する。同じ実装条件で各プリント配線板にＩＣチップを実装することが難しい。もし、同じ実装条件で各プリント配線板にＩＣチップが実装されると、ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が低下する。
【００２９】
図５（Ａ）に下側のソルダーレジスト層５０Ｓの上面と絶縁基板２０ｚの第１面Ｆとの間の距離Ｈ２と絶縁基板２０ｚの第１面Ｆと上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの上面との間の距離ｈ２が示されている。実施形態のプリント配線板では、コア基板の第１面上の樹脂絶縁層の数とコア基板の第２面上の樹脂絶縁層の数が違う。そのため、差によりプリント配線板の反りの量が大きくなりやすい。しかしながら、プリント配線板が比（Ｈ１／ｈ１）の関係を満足し、さらに、Ｈ２とｈ２との比（Ｈ２／ｈ２）は、０．７５より大きく、２．４より小さいと、プリント配線板の反りが小さくなる。
【００３０】
実施形態のプリント配線板では、上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層の材質が異なる。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。そのため、樹脂絶縁層の数が異なっても、実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。下側のソルダーレジスト層の材質は上側のソルダーレジスト層以外の上側の樹脂絶縁層の材質と同じである。上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子を含む。下側のソルダーレジスト層は、さらに、補強部材を含んでもよい。上側のソルダーレジスト層は補強部材を含まない。補強部材の例はガラスクロスである。
【００３１】
実施形態のプリント配線板が開口２６と開口内の電子部品８０を有する場合、開口２６は、テーパーを有することが好ましい。図６（Ｂ）に示されるように、開口２６は、第２面Ｓから第１面Ｆに向けてテーパーしている。第１面上の開口２６のサイズは第２面上の開口２６のサイズより小さい。開口の側壁は図６（Ｂ）に示されるように、第２面Ｓから第１面に向かってテーパーしている。開口２６のサイズは第２面から第１面に向かって小さくなっている。
絶縁基板は補強部材を有するので、絶縁基板の剛性は高い。そのため、コア基板は、コア基板上に形成されている樹脂絶縁層の変形を抑えることができる。
図６（Ｂ）に示されるプリント配線板では、１番目の上側の樹脂絶縁層とコア基板の第１面との接触面積は、１番目の下側の樹脂絶縁層とコア基板の第２面との接触面積より大きい。
図６（Ｂ）に示されるプリント配線板では、コア基板の第１面上の上側の樹脂絶縁層の数はコア基板の第２面上の下側の樹脂絶縁層の数より多い。そのため、上側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力は、下側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力より大きい。
絶縁基板の第１面の面積は大きく、絶縁基板の第１面に働く力は大きい。それに対し、絶縁基板の第２面の面積は小さく、絶縁基板の第２面に働く力は小さい。そのため、コア基板の第１面と第２面で単位面積当たりの力が比較されると、両者の差は小さくなる。もしくは、両者は略同等である。従って、コア基板に形成されている電子部品収容用の開口２６が、第２面から第１面に向かうテーパーを有し、さらに、コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっても、反りの小さなプリント配線板やＰＯＰ基板を提供することができる。電子部品を内蔵するプリント配線板の接続信頼性が高くなる。絶縁基板の第２面にレーザを照射することで、開口２６が形成される。第２面から第１面に向かうテーパーを有する開口２６が得られる。
【００３２】
図６（Ａ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の応用例１０００を示す。応用例１０００は、ＰＯＰ（Package on Package）基板である。
第１実施形態のプリント配線板１０にＩＣチップ（ロジックチップ）等の電子部品９０が実装される。そして、応用例では、ＩＣチップを実装しているプリント配線板（第１のパッケージ基板）１２０に第２のパッケージ基板１３０が搭載されている。第２のパッケージ基板１３０は上基板１１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０を有する。プリント配線板１０の最上の導体層は、中央部分に電子部品９０を実装する複数のパッド（Ｃ４パッド）７３ＦＩを有する。複数のＣ４パッド（第１パッド）７３ＦＩでパッド群（Ｃ４パッド群）が形成されている。さらに、プリント配線板１０の最上の導体層は、Ｃ４パッド群の外に第２のパッケージ基板を搭載するための複数の第２パッド７３ＦＯを有する。Ｃ４パッドと第２パッドは上側のパッドに含まれる。Ｃ４パッドに半田バンプ７６ＦＩが形成されている。半田バンプ７６ＦＩを介してＩＣチップ９０が実装される。第２パッドに半田バンプ７６ＦＯが形成されている。半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が搭載される。第１のパッケージ基板１２０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。上基板１１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。図６（Ａ）では、第１のパッケージ基板と第２のパッケージ基板を接続する接続体は半田バンプ７６ＦＯである。半田バンプ以外に、接続体として、めっきポストやピンなどの金属ポストを例示することができる。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
また、プリント配線板１０は下側のパッドにマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓを有しても良い。
【００３３】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図４に示される。
図１（Ａ）に示されるように、出発基板２０Ａが準備される。出発基板２０Ａは、ガラスクロスと樹脂と無機粒子を含む絶縁基板（コア材）２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている。絶縁基板は第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓを有する。第１面Ｆ上の銅箔は第１銅箔２２Ｆであり、第２面Ｓ上の銅箔は第２銅箔２２Ｓである。
【００３４】
第１銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。更に、第２銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される。第１開口部２８Ｆと第２開口部２８Ｓとが接合面ＩＮＦで接続される。第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。第１開口部は第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部は第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆに第１開口２８ＦＯを有し、第２開口部２８Ｓは、第２面Ｓに第２開口２８ＳＯを有する。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点が接合箇所２８Ｍである。
【００３５】
第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は貫通孔の接合箇所２８Ｍに最も細い部分を有する。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有するコア基板３０が得られる（図１（Ｃ））。コア基板３０はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００３６】
ＣＯ2ガスレーザを絶縁基板の第２面Ｓに照射することにより電子部品収容用の開口２６が形成される（図１（Ｄ））。開口２６は第１導体層または第２導体層に含まれるアライメントマークを用い形成される。アライメントマークは図に示されていない。コア基板３０に電子部品収容用の開口２６を形成することで電子部品内蔵用のコア基板３０００が完成する。コア基板３０（３０００）の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。
【００３７】
コア基板が反転され、コア基板３０の第１面にＰＥＴフィルム９８が貼られる（図１（Ｅ））。ＰＥＴフィルム９８で開口２６が塞がれる。
【００３８】
電子部品収容用の開口２６により露出するＰＥＴフィルム上に積層セラミックコンデンサ８０が置かれる。積層セラミックコンデンサ８０が開口２６内に収容される（図２（Ａ））。積層セラミックコンデンサ８０は、ＰＥＴフィルム９８の粘着力により、ＰＥＴフィルム９８上に保持される。コア基板３０の第１導体層３４Ｆの上面と電子部品８０の電極８２Ｆの上面は略同一平面上に位置する。
【００３９】
コア基板３０の第２面と電子部品上に１番目の下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム５０ｓが積層される。下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（下側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。下側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。実施形態の下側の樹脂フィルムは、シリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。
下側の樹脂フィルムは加熱プレスでコア基板上に積層される（図２（Ｂ））。この時、下側の樹脂フィルムに含まれる樹脂と無機粒子が開口２６の側壁と積層セラミックコンデンサ８０との間の隙間に流れ込む。隙間を充填する充填剤５０ＳＳが形成される。充填剤により電子部品はコア基板に内蔵される。充填剤により電子部品はコア基板に固定される。１番目の下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムは熱硬化タイプである。図２（Ｂ）に示される下側の樹脂フィルム５０ｓはB-stageの状態である。
【００４０】
コア基板３０からＰＥＴフィルム９８が剥離される。
【００４１】
コア基板の第１面と電子部品上に１番目の上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム５０ｆが積層される。中間基板３００が得られる。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（上側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。上側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。実施形態の上側の樹脂フィルムは、シリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムは熱硬化タイプである。図２（Ｃ）に示される上側の樹脂フィルム５０ｆはB-stageの状態である。
【００４２】
２つの中間基板３００が準備される。１つの中間基板３００の樹脂フィルム５０ｓと別の中間基板３００の樹脂フィルム５０ｓが向かい合うように、２つの中間基板が重ねられる。この時、図３（Ａ）に示されるように、２つの中間基板の間に離型フィルム４８が挿入されている。離型フィルムの大きさは樹脂フィルムの大きさより小さい。離型フィルムが樹脂フィルム５０ｓ上に置かれると樹脂フィルムの外周領域のみが露出する。露出する幅は、１ｍｍ〜５ｍｍである。離型フィルムと離型フィルムを挟む２つの中間基板３００に加熱プレスが行われる。樹脂フィルムが硬化する。図３（Ａ）に示されるように、コア基板の第１面上に１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆが形成される。コア基板の第２面上に１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓが形成される。充填剤５０ＳＳの樹脂が硬化する。
２つの中間基板が離型フィルムから露出する樹脂フィルム内の樹脂で接着される。１つの中間基板の１番目の下側の樹脂絶縁層の外周と他の中間基板の１番目の下側の樹脂絶縁層の外周を接着することで、２つの中間基板が接着される。中間の積層体ＬＣが得られる。１つの中間基板に他の中間基板を接着している部分は接着箇所ＡＰである。
離型フィルムと離型フィルムと接している１番目の下側の樹脂絶縁層は接着していない。
【００４３】
１番目の上側の樹脂絶縁層に第１導体層３４Ｆや電極８２Ｆに至るビア導体用の開口が形成される。その後、セミアディティブ法で１番目の上側の樹脂絶縁層上に１番目の上側の導体層５８Ｆが形成される。同時に、１番目の上側の樹脂絶縁層の開口に１番目の上側の導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆや電極８２Ｆを接続するビア導体６０Ｆが形成される（図３（Ｂ））。
【００４４】
１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと１番目の上側の導体層５８Ｆ上に２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆが加熱プレスにより形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層に２番目の上側のビア導体用の開口が形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層は２番目の上側のビア導体用の開口を有する。２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
２番目の上側の樹脂絶縁層上に２番目の上側の導体層１５８Ｆがセミアディティブ法で形成される。同時に、２番目の上側のビア導体用の開口に２番目の上側のビア導体１６０Ｆが形成される。
【００４５】
前の段落に示されている方法と同様な方法で３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと３番目の上側の導体層２５８Ｆと３番目の上側のビア導体２６０Ｆが形成される。
【００４６】
３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと３番目の上側の導体層２５８Ｆ上に４番目の上側の樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）３５０Ｆが形成される。４番目の上側の樹脂絶縁層は光硬化タイプである。ソルダーレジスト層３５０Ｆに露光処理と現像処理により開口７１Ｆ（７１ＦＯ、７１ＦＩ）が形成される（図３（Ｃ））。開口７１Ｆにより３番目の上側の導体層が露出される。開口７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッドとして機能する。以上のプロセスにより、図３（Ｃ）に示される積層体ＬＢが形成される。
【００４７】
接着箇所ＡＰより内側で積層体ＬＢが切断される。切断により１つの積層体から２つの中間の回路基板ＭＣＢが得られる。中間の回路基板ＭＣＢが図４（Ａ）に示される。中間の回路基板ＭＣＢはコア基板とコア基板の第１面上に形成されている上側の樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体と１番目の下側の樹脂絶縁層とを有する。
【００４８】
１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓにレーザで開口５１Ｓが形成される（図４（Ｂ））。開口５１Ｓにより、下側のパッド５３Ｓや電極８２Ｓが露出される。下側のパッドは第２導体層に含まれる。１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層（下側の保護層）として機能する。
【００４９】
上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＯ、７３ＦＩ）と下側のパッド５３Ｓ、電極８２上に保護膜７２が形成される。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００５０】
上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＯ、７３ＦＩ）上に半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯが形成される。半田バンプを有するプリント配線板が完成する（図５（Ａ））。半田バンプ７６ＦＩはＣ４パッド上に形成されていて、半田バンプ７６ＦＯは上側の第２パッド上に形成されている。
図５（Ａ）に示されるプリント配線板は４つの上側の樹脂絶縁層と１つの下側の樹脂絶縁層を有する。プリント配線板の下側のパッド５３Ｓに半田バンプ７６Ｓを形成することができる。
【００５１】
プリント配線板の半田バンプ７６ＦＩを介してＩＣチップ９０が実装される。第１のパッケージ基板が完成する。半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される。プリント配線板１０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成される（図６（Ａ））。ＰＯＰ基板が完成する。
【００５２】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、２つの中間基板３００が貼り合わされている。そのため、製造過程で反りが生じ難い。高い精度で導体層を形成することが出来る。上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数をそれぞれ必要最小限にすることで、インピーダンスや寄生容量を減らすことができる。
【００５３】
ＮとＫの組み合せの例が以下に示される。
（Ｎ、Ｋ）＝（３，１）、（３、２）、（４、２）
これらの内、Ｎが３であって、Ｋが１であることが好ましい。反りが小さくなる。
【符号の説明】
【００５４】
１０  プリント配線板
２０ｚ  絶縁基板
２６  開口
２８  貫通孔
２８Ｍ  接合箇所
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  導体層
６０Ｆ  ビア導体
９０  ＩＣチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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