(57)【要約】      （修正有）【課題】熱膨張と収縮によって生じるスパッタリングターゲットの反りの方向を制御することで、スパッタリング時のマグネットとの接触を回避することができ、生産性を向上させることができるターゲット/バッキングプレート組立体を提供する。【解決手段】スパッタリングターゲットとバッキングプレートを拡散接合した組立体であって、スパッタリングターゲットが耐力１５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルからなり、バッキングプレートがスパッタリングターゲットよりも耐力が同じ又は高い材料からなることを特徴とするスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合した組立体であって、スパッタリングターゲットが耐力１５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルからなり、バッキングプレートの耐力がスパッタリングターゲットの耐力よりも同じ又は高い材料からなることを特徴とするスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
【請求項２】
バッキングプレートが耐力２０〜３０ｋｇｆ／ｍｍ２の材料からなることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
【請求項３】
バッキングプレートがステンレス鋼（ＳＵＳ）からなることを特徴とする請求項２記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
【請求項４】
組立体の厚みに対するスパッタリングターゲットの厚みの比率が５０％〜８０％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
【請求項５】
スパッタリングターゲットとバッキングプレートとからなる組立体の厚みが２０〜３０ｍｍからなることを特徴とする請求項４記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリングに必要とされる特性を備えたスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、膜厚や成分を容易に制御できるスパッタリング法が電子・電気部品用材料の成膜法の一つとして多く利用されている。また、このスパッタリングの成膜速度を上げるために、電磁力によってプラズマをコントロールするマグネトロンスパッタリング装置が特に多く利用されている。また、成膜速度を上げるためにスパッタリングターゲットへの投入電力をできるだけ大きくしているが、このような場合、陽イオンによるターゲット表面への衝突により加熱され、投入電力の増加とともに、ターゲットの温度が高くなる傾向にある。
【０００３】
通常、スパッタリングターゲットは銅等の熱伝導性の良い材料で作製されたバッキングプレートに接合されており、このバッキングプレートを水冷等の手段により冷却し、前記のごとく加熱されるスパッタリングターゲットを間接的に冷却する構造となっている。バッキングプレートは多くの場合、再利用されるので、このスパッタリングターゲットとバッキングプレートは、スパッタリングターゲットが交換できるように、ロウ材や接着剤で接合されている場合が多い。
【０００４】
一般に、マグネトロンスパッタリング装置におけるマグネットは、冷却装置の中で回転させる構造が採用されている。このような装置において、マグネットを冷却装置で回転させると渦電流が発生し、回転速度の増加とともに渦電流も増大する。そして、この渦電流に起因して逆磁場が発生し、これが実効磁束を減少させるという作用をする。このような実効磁束の減少は、結果として膜の均一性に大きな影響を与え、成膜速度を変動させるという問題が発生した。
【０００５】
次に、従来技術を紹介する。
特許文献１には、マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートがベリリウム銅合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金であるターゲット／バッキングプレート組立体が開示されている。
また、特許文献２には、銅、アルミニウム、タンタル等のスパッタリングターゲットと比抵抗値が３．０μΩ・ｃｍ以上であり、かつ引張り強度が１５０ＭＰａ以上である銅合金又はアルミニウム合金製バッキングプレートとを接合した組立体が記載されている。
【０００６】
特許文献３には、０．２％耐力が２００ＭＰａ以上を有するＣｕ合金からなるスパッタリング用バッキングプレートとスパッタリングターゲットとを接合させてなる組立体、が開示されている。また、特許文献４には、０．２％耐力が２００ＭＰａ以上を有するＡｌ合金からなるスパッタリング用バッキングプレートとスパッタリングターゲットとを接合させてなる組立体、が記載されている。  
【０００７】
特許文献５には、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張率の差が大きい場合でも拡散接合後の変形が小さい、アルミニウム又はアルミニウム合金のインサート材を介して拡散接合されている組立体が開示されている。また、特許文献６には、強度と渦電流特性に優れる、ターゲットの中央部のバッキングプレート位置に純銅を埋め込んだ構造を持つスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体が記載されている。
【０００８】
特許文献７には、ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれなどの問題を防止するためにＭｏ（Ｔａ）−Ｔｉ−（Ｔａ）の３層構造からなるバッキングプレートが開示されている。また、特許文献８には、スパッタリングの際の加熱と冷却によるターゲットの反りを低減するために、バッキングプレートとして、０．２５％耐力が６０〜２００ＭＰａを有するＣｕ合金を用いることが記載されている。
【０００９】
しかし、従来のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体は、次のような問題があった。すなわち、スパッタ電源をオン・オフすると、ターゲットへの加熱と冷却が繰り返され、熱膨張と収縮によりターゲットの反りが生ずる。この反りが特にマグネット側に向かうと、スパッタリング時にマグネットと接触して、スパッタリングをこれ以上継続できないという極めて重要な問題が発生していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第４３３１７２７号
【特許文献２】特開２００１−３２９３６２号公報
【特許文献３】特開平１１−２３６６６５号公報
【特許文献４】特開平１０−３３０９２９号公報
【特許文献５】特開２００２−１２９３１６号公報
【特許文献６】国際公開第２００８／００１５４７号
【特許文献７】特開平８−２４６１４４号公報
【特許文献８】特願２０１３−２３０３４４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、熱膨張と収縮の繰り返しによるスパッタリングターゲットの反りを制御することにより、スパッタリング時に該ターゲットがマグネットに接触することを回避できるスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の問題を解決するために、本発明者らは、鋭意研究を行った結果、スパッタリングターゲット及びバッキングプレートに用いる材料の耐力を適切に調整することにより、熱膨張と収縮の繰り返しによるターゲットの反りを制御することができ、マグネットとの接触を回避できるとの知見を得た。この知見に基づき、以下の発明を提供する。  
１）スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合した組立体であって、スパッタリングターゲットが耐力１５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルからなり、バッキングプレートの耐力がスパッタリングターゲットの耐力よりも同じ又は高い材料からなることを特徴とするスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
２）バッキングプレートが耐力２０〜３０ｋｇｆ／ｍｍ２の材料からなることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
３）バッキングプレートがステンレス鋼（ＳＵＳ）からなることを特徴とする上記２）記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
４）組立体の厚みに対するスパッタリングターゲットの厚みの比率が５０％〜８０％であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
５）スパッタリングターゲットとバッキングプレートとからなる組立体の厚みが２０〜３０ｍｍからなることを特徴とする上記４）記載のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体は、熱膨張と収縮によって生じるスパッタリングターゲットの反りの方向を制御することで、スパッタリング時のマグネットとの接触を回避することができ、生産性を向上させることができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体は、スパッタリングターゲットとバッキングプレートを拡散接合したものであり、スパッタリングターゲットとして、耐力が１５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを使用し、バッキングプレートとして、前記タンタルよりも耐力が同じ又は高い材料を使用することを特徴とする。バッキングプレートとして、耐力がタンタル（耐力：１５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２）よりも低い材料を使用すると、スパッタリング時にターゲットがバッキングプレート側に凸の反りが発生して、マグネットと接触する可能性が高くなる。そして、このような場合はスパッタリングを中止せざるを得ないため、生産効率が著しく低下することになる。本発明はターゲットの反り方向をコントロールすることで、マグネットとの接触を回避することを目的とするものである。なお、本発明において耐力とは、０．２％耐力を意味するものとする。
【００１５】
バッキングプレートとしては、耐力２０〜３０ｋｇｆ／ｍｍ２の材料を使用することが好ましい。耐力が２０ｋｇｆ／ｍｍ２未満であると、タンタルターゲットより耐力が低くなり、前述の通り、スパッタリング時にターゲットがマグネットと接触する可能性が高くなるため好ましくない。一方、耐力が３０ｋｇｆ／ｍｍ２超であっても、本発明の目的を達成することができるが、そのような材料は高価となるため、バッキングプレートの用途に適当でない。上記のような材料としては、ステンレス鋼（ＳＵＳ）が挙げられる。但し、本発明の組立体はマグネトロンスパッタリング装置に使用されるため、例えば、ＳＵＳ３０４のような磁性を有するものは採用することができない。したがって、本発明におけるステンレス鋼は、このような磁性を有するものは除かれる。
【００１６】
スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体の厚みに対して、スパッタリングターゲットの厚みの比率が５０％〜８０％であるとき、スパッタリング時にターゲットの中心部に熱がかかり、スパッタリングターゲットがマグネット側に変形して、マグネットとの接触が頻繁に生じていた。したがって、このような厚み構成からなるスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体に対して本発明は有効である。また、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体の厚みが２０〜３０ｍｍの場合に、上記のような反りの問題が極めて重大となっていたことから、そのような厚み構成からなるスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体に対して本発明は特に有効である。
【００１７】
次に、本発明のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体は、例えば、以下のようにして作製することができる。
まず、スパッタリングターゲットの作製に際しては、タンタル原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して直径１９５ｍｍφのタンタルインゴットとする。タンタル原料の純度は、不純物による電気特性の劣化を防止するために、高純度原料を使用することが好ましい。例えば、純度９９．９９５％程度のタンタル原料を用いることができる。インゴットのサイズは、所望のターゲットサイズに応じて、適宜、変更することができる。
【００１８】
次に、このインゴットを室温で締め鍛造して直径１５０ｍｍφとした後、これを１１００〜１４００℃の温度で再結晶焼鈍する。再度、これを室温で鍛造して厚さ１００ｍｍ、直径１５０ｍｍφとし（一次鍛造）、その後、再結晶温度〜１４００℃の温度で再結晶焼鈍する。再度、これを室温で鍛造して厚さ７０〜１００ｍｍ、直径１５０〜１８５ｍｍφとし（二次鍛造）、その後、再結晶温度〜１４００℃の温度で再結晶焼鈍する。
その後、これを圧延率８０〜９０％で圧延した後、真空中、８５０〜９５０℃の温度で熱処理する。これにより、耐力が１５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２のＴａスパッタリングターゲットを得ることができる。なお、鍛造の程度や回数、圧延率、さらには、焼鈍温度や熱処理温度は、ターゲットのサイズなどの影響を受けるため、適宜調整する必要がある。また、本発明は上記の製造方法や条件によって制限されるものではなく、耐力が１５〜２０ｋｇｆ／ｍｍ２のＴａスパッタリングターゲットであれば、本発明のスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体に使用することができる。
【００１９】
バッキングプレートには、耐力が２０〜３０ｋｇｆ／ｍ２のステンレス鋼、たとえば、ＳＵＳ３１６Ｌを使用することができる。前記ステンレス鋼の種類は、一例であって、本発明はこれによって制限されるものではない。但し、ＳＵＳ３０４など磁性を有するものは、マグネトロンスパッタリングに使用できないため、このような材料の使用は制限される。本発明において特に重要なことは、耐力は材料の成分組成が同じであっても鍛造や圧延などによる塑性変形、特に熱処理履歴によって異なるため、スパッタリングターゲットやバッキングプレートの耐力が、所定の範囲となるように、鍛造、焼鈍、圧延、熱処理等の条件を制御して加工を行うことである。
以上の方法により、所望の特性を有するスパッタリングターゲット及びバッキングプレートを得ることができる。その後、上記の方法で得られたスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合することで、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製することができる。
【実施例】
【００２０】
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
【００２１】
（実施例１）
耐力が１８ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１７ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が２６ｋｇｆｍｍ２のステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は６５％であった。なお、０．２％耐力測定は、ＪＩＳ Ｚ２２４１に準拠させた（以下の実施例、比較例も同様）。
【００２２】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、次の条件（電源：直流方式、電力：１５ｋＷ、到達真空度：５×１０−８Ｔｏｒｒ、雰囲気ガス：Ａｒ、スパッタガス圧：５×１０−３Ｔｏｒｒ）で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を測定した。反りは、スパッタ面にストレートゲージを置いたときのスパッタ面の中心部と外周部の高さの差とした。すなわち、反り＝（スパッタ面中心部の高さ）−（スパッタ面外周部高さ）を求めた（スパッタ面側に凸の反りをプラス、バッキングプレート側に凸の反りをマイナスで表記する）。その結果、表１の通り、反りは＋１．８ｍｍとマグネット側への反りを回避することができた。
【表１】
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【００２３】
（実施例２）
耐力が１９ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１３ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が２７ｋｇｆｍｍ２のステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は５０％であった。
【００２４】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは＋１．５ｍｍとマグネット側への反りを回避することができた。
【００２５】
（実施例３）
耐力が１７ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ２１ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が２９ｋｇｆｍｍ２のステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は８０％であった。
【００２６】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは＋０．８ｍｍとマグネット側への反りを回避することができた。
【００２７】
（実施例４）
耐力が２０ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１７ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が２０ｋｇｆｍｍ２のステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は６５％であった。
【００２８】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは＋１．７ｍｍとマグネット側への反りを回避することができた。
【００２９】
（比較例１）
耐力が１７ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１７ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が１２ｋｇｆｍｍ２の銅−亜鉛合金を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みは６５％であった。
【００３０】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは−０．９ｍｍとマグネット側へ反っていることを確認した。
【００３１】
（比較例２）
耐力が１７ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１３ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が１１ｋｇｆｍｍ２の銅−亜鉛合金を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は５０％であった。
【００３２】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは−０．６ｍｍとマグネット側へ反っていることを確認した。
【００３３】
（比較例３）
耐力が１６ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１７ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が９ｋｇｆｍｍ２の銅−亜鉛合金を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は６５％であった。
【００３４】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは−１．２ｍｍとマグネット側への反っていることを確認した。
【００３５】
（比較例４）
耐力が１８ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１３ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が８ｋｇｆｍｍ２の銅−亜鉛合金を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は５０％であった。
【００３６】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは−０．８ｍｍとマグネット側へ反っていることを確認した。
【００３７】
（比較例５）
耐力が１９ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１３ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が１８ｋｇｆｍｍ２のステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は５０％であった。
【００３８】
このスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の条件で、ライフにして約１３００ｋＷｈまでスパッタリングを実施した。その後、スパッタ装置から取り出し、ターゲットの反り量を実施例１と同様の方法を用いて測定した。その結果、表１に示す通り、反りは−０．２ｍｍとマグネット側へ反っていることを確認した。
【００３９】
（比較例６）
耐力が１９ｋｇｆ／ｍｍ２のタンタルを用いて、直径４５０ｍｍ、厚さ１３ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。バッキングプレートとして、耐力が２６ｋｇｆｍｍ２のステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）を使用し、直径５４０ｍｍのバッキングプレートを作製した。このスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合により、スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体を作製した。そして、この組立体をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、スパッタリングを実施した。しかし、バッキングプレートが磁性を有しいているため、通常通りのスパッタリングを行うことはできなかった。このとき、組立体の総厚に対するターゲット厚みの比率は５０％であった。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、熱膨張と収縮によって生じるスパッタリングターゲットの反りの方向を制御することで、スパッタリング時のマグネットとの接触を回避することができ、生産性を向上させることができるという優れた効果を有する。本発明は、特にマグネトロンスパッタリング装置への使用に有用である。