(57)【要約】【課題】厚さが低減された複数のセンサパネルを並べて構成される放射線検出装置を製造するために有利な技術を提供する。【解決手段】放射線検出装置の製造方法は、画素アレイを有する第１面と、その反対側の第２面とをそれぞれが有する複数のセンサパネルを、画素アレイが一体の検出面を構成するように並んだ状態で互いに固定する固定工程と、複数のセンサパネルが互いに固定された状態で、複数のセンサパネルの厚さを第２面側から一括して低減する低減工程とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線検出装置の製造方法であって、
画素アレイを有する第１面と、その反対側の第２面とをそれぞれが有する複数のセンサパネルを、前記画素アレイが一体の検出面を構成するように並んだ状態で互いに固定する固定工程と、
前記複数のセンサパネルが互いに固定された状態で、前記複数のセンサパネルの厚さを前記第２面側から一括して低減する低減工程とを有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記固定工程は、前記複数のセンサパネルの前記第１面側に一体のセンサパネル保護層を形成する形成工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記形成工程は、ステージに配置されたシート状の部材に前記複数のセンサパネルの前記第１面を圧着することを含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記低減工程は、前記形成工程で用いた前記ステージに前記複数のセンサパネルを固定した状態で行われることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記形成工程は、前記複数のセンサパネルのそれぞれの前記第２面を別個のステージに固定した状態で、前記複数のセンサパネルの前記第１面に液状の部材を塗布し、前記液状の部材を硬化させることを含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項６】
前記固定工程は、前記複数のセンサパネルに一体の補強部材を取り付ける補強工程を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記センサパネル保護層と前記補強部材とが同じ材料で形成されることを特徴とする請求項２乃至５の何れか１項に従属する請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記補強部材は無機材料で形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記補強部材は、前記複数のセンサパネルの隙間に取り付けられることを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記補強部材は、前記複数のセンサパネルの前記第２面に取り付けられることを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記補強部材は、前記複数のセンサパネルの側面のうち前記複数のセンサパネルの隙間に面していない側面に取り付けられることを特徴とする請求項６乃至１０の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記低減工程の後に、前記複数のセンサパネルの前記第１面側にシンチレータ層を配置する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記補強部材が前記シンチレータ層を形成する際に発生する温度に耐性を有することを特徴とする請求項６乃至１１の何れか１項に従属する請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記低減工程の後に、前記複数のセンサパネルの前記第２面に一体の保持部材を取り付ける工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記低減工程は、前記複数のセンサパネルの前記第２面を研磨することを含むことを特徴とする請求項１乃至１４の何れか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線検出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、複数のセンサパネルを並べて一体の検出面を構成する放射線検出装置を提案する。この放射線検出装置は、複数のセンサパネルを基台の上に並べ、複数のセンサパネルの上に透明膜及びシンチレータ層を形成することによって製造される。放射線検出装置を構成するセンサパネルをＣＭＯＳ技術を用いて形成する場合に、センサパネルの厚さを低減することがある。例えば、シンチレータ層側からセンサパネルに放射線が入射する構成の放射線検出装置では、シンチレータ層で吸収されずに透過した放射線の一部がセンサパネルの半導体基板に到達する。この放射線は半導体基板においてキャリアを発生させ、ランダムな白欠陥発生の原因となる。また、シンチレータ層とは反対側からセンサパネルに放射線が入射する構成の放射線検出装置では、センサパネルの半導体基板で放射線が吸収され、量子検出効率（ＤＱＥ）の低下や、ランダムな白欠陥発生の原因となる。いずれの場合でも、センサパネルの厚さを低減することによって、このような悪影響を抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４８８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
センサパネルの厚さを低減した後に、特許文献１の方法を用いて放射線検出装置を製造しようとすると、以下の問題が生じる。例えば、厚さが低減されたセンサパネルは衝撃に弱いので、センサパネルを研磨装置から取り外す際やセンサパネルを並べる際にセンサパネルに破損が生じる場合がある。また、複数のセンサパネルを並べて形成される一体の検出面が平坦にならない場合がある。そこで、本発明は、厚さが低減された複数のセンサパネルを並べて構成される放射線検出装置を製造するために有利な技術を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、放射線検出装置の製造方法であって、画素アレイを有する第１面と、その反対側の第２面とをそれぞれが有する複数のセンサパネルを、前記画素アレイが一体の検出面を構成するように並んだ状態で互いに固定する固定工程と、前記複数のセンサパネルが互いに固定された状態で、前記複数のセンサパネルの厚さを前記第２面側から一括して低減する低減工程とを有することを特徴とする製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、厚さが低減された複数のセンサパネルを並べて構成される放射線検出装置を製造するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一部の実施形態の放射線検出装置の構成を説明する図。
【図２】一部の実施形態の放射線検出装置の製造方法を説明する図。
【図３】一部の実施形態の放射線検出装置の製造方法を説明する図。
【図４】一部の実施形態の放射線検出装置の製造方法を説明する図。
【図５】一部の実施形態のカセッテの構成を説明する図。
【図６】一部の実施形態の放射線検出システムの構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
【０００９】
図１を参照して、一部の実施形態に係る放射線検出装置１００の構成について説明する。図１（ａ）は放射線検出装置１００の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における放射線検出装置１００の断面図である。図１（ａ）では見やすさのためにシンチレータ保護層１４０を省略し、センサパネル保護層１２０及びシンチレータ層１３０をその輪郭のみを用いて示す。
【００１０】
放射線検出装置１００は、複数のセンサパネル１１０、センサパネル保護層１２０、シンチレータ層１３０、シンチレータ保護層１４０、保持部材１５０及び補強部材１６０を備えうる。複数のセンサパネル１１０のそれぞれは、表側の面（図１（ｂ）で上側の面、第１面）に画素アレイ１１１及び電極パッド１１２を有する。画素アレイ１１１には複数の画素が２次元アレイ状に配される。各画素は電磁波を電荷に変換する変換素子と、変換素子で変換された電荷を転送するための転送トランジスタとを有する。放射線検出装置１００はシンチレータ層１３０を有するので、変換素子は可視光を電荷に変換する光電変換素子であってもよい。シンチレータ層を有しない放射線検出装置では、変換素子は放射線を直接に電荷に変換してもよい。変換素子は、ガラス等の絶縁基板上に形成されたＭＩＳ型又はＰＩＮ型の光電変換素子であってもよく、光電変換素子と転送トランジスタとが基板上に横に並んでいてもよいし、縦に重なっていてもよい。これに代えて、センサパネル１１０は、半導体基板にＣＭＯＳ技術を用いて形成された光電変換素子であってもよい。
【００１１】
画素アレイ１１１内の回路構成は導電パターン（不図示）を介して電極パッド１１２に電気的に接続されている。電極パッド１１２には導電部材１８０によってフレキシブル配線板１７０が取り付けられる。センサパネル１１０によって生成された信号は導電部材１８０及びフレキシブル配線板１７０を経由して外部に読み出される。
【００１２】
複数のセンサパネル１１０は、画素アレイ１１１が一体の検出面を構成するように並んで配置されている。図１の例では放射線検出装置１００は４枚のセンサパネル１１０を有するが、センサパネル１１０の枚数はこれに限定されない。各センサパネル１１０は表側の面（画素アレイ１１１を有する面）が上を向くように配置される。隣接するセンサパネル１１０の隙間には補強部材１６０が配置される。また、複数のセンサパネル１１０の上（表側）には、一体のセンサパネル保護層１２０が画素アレイ１１１を覆う位置に配置されている。センサパネル保護層１２０は透明な部材で形成される。センサパネル保護層１２０の上に、一体のシンチレータ層１３０が配置されている。シンチレータ層１３０の面のうち、センサパネル保護層１２０に接していない面（すなわち、上面及び側面）は、シンチレータ保護層１４０によって覆われている。放射線は図２（ｂ）の上側から入射してもよいし、下側から入射してもよい。放射線検出装置１００は、シンチレータ保護層１４０に積層された反射層を更に有してもよい。
【００１３】
続いて、図２を参照して、放射線検出装置１００の製造方法の一例について説明する。図２の各図面は、図１（ｂ）で説明した放射線検出装置１００の断面図に対応する位置における、各工程で得られる構造体を示す。
【００１４】
まず、図２（ａ）に示すように、加熱可能なステージ２０１の上にセンサパネル保護層１２０を配置する。センサパネル保護層１２０として例えばＰＩ（ポリイミド）からなる熱圧着型のシート状の部材を用いてもよい。センサパネル保護層１２０はバキュームによる吸着によってステージ２０１に固定されてもよい。ステージ２０１にセンサパネル保護層１２０が接着されないように、ステージ２０１の上面にフッ素コートが施されてもよい。
【００１５】
その後、上述の構成を有するセンサパネル１１０の裏側の面（第１面とは反対側の第２面）をアライメントステージ２０２で吸着し、アライメントマーク（不図示）を基準としてセンサパネル保護層１２０上の目的の位置にセンサパネル１１０を配置する。センサパネル１１０は既存の方法で製造可能であるので、詳細な製造方法の説明を省略する。アライメントステージ２０２は加熱可能である。その後、ステージ２０１及びアライメントステージ２０２を加熱しながらセンサパネル１１０をセンサパネル保護層１２０に押し込むことによって、センサパネル１１０の表側の面がセンサパネル保護層１２０に熱圧着される。この熱圧着は、例えば約２００℃、０．２ＭＰａの条件で行ってもよい。熱圧着後のセンサパネル保護層１２０の厚さは例えば６μｍである。上記の処理を各センサパネル１１０に対して施すことによって、複数のセンサパネル１１０の画素アレイ１１１が同一平面上に位置合わせされた状態で並んでセンサパネル保護層１２０に接着される。各センサパネル１１０の表側の面がステージ２０１の表側の面に対向しているため、複数のセンサパネル１１０の表側の面の段差が抑制される。センサパネル１１０の表側の面全体にセンサパネル保護層１２０を形成することによって、センサパネル１１０に発生するうねりを抑制できる。
【００１６】
次に、図２（ｂ）に示すように、隣接するセンサパネル１１０の隙間に補強部材１６０を配置する。補強部材１６０は、例えば無機材料の接着剤をセンサパネル１１０の隙間に流し込み、加熱して硬化させることによって形成される。無機材料の接着材として、例えばアルカリ金属ケイ酸塩系、リン酸塩系、シリカゾル系の接着剤を用いてもよい。接着剤の中に無機のフィラー（充填剤）や硬化剤が入っていてもよく、フィラーとしてシリカの他、アルミナ、コーディエライト、ベントナイト、ジルコニア、ジルコン、炭素、リン酸、酸化イットリウム、マグネシアを用いてもよい。
【００１７】
これに代えて、補強部材１６０はＰＩやエポキシなどの樹脂を用いて形成されてもよい。補強部材１６０はセンサパネル１１０の裏側の面からはみ出さないように形成されてもよい。無機材料は樹脂に比べて温度による膨張が少ない点で有利である。図２（ｂ）では、補強部材１６０の高さとセンサパネル１１０の高さ（厚さ）とが一致するように補強部材１６０が形成されている。補強部材１６０を有することにより、後述の工程における研磨において、センサパネル１１０の破損の発生を抑制できるとともに、センサパネル１１０のずれの発生を抑制できる。補強部材１６０は形成されなくてもよい。
【００１８】
その後、複数のセンサパネル１１０をステージ２０１に固定した状態で、センサパネル１１０の裏側の面が図２（ｂ）の点線２０３で示す位置になるように、センサパネル１１０の裏側（第２面側）からセンサパネル１１０の厚さを一括して低減する。この厚さの低減は、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって複数のセンサパネル１１０の裏側の面を一括して研磨することによって行われる。これに代えて、グラインダなどを使用したＭＰ（機械研磨）によりセンサパネル１１０の厚さを低減してもよいし、化学研磨法であるウェットエッチングによりセンサパネル１１０の厚さを低減してもよい。例えば、センサパネル１１０の厚さが５００μｍである場合に、その厚さが数十μｍから、数μｍ程度になるまで（例えば、７μｍになるまで）厚さを低減する。このように、複数のセンサパネル１１０をステージ２０１に並べて互いに固定した状態で一括して研磨することによって、複数のセンサパネル１１０の厚さのばらつきを低減できる。
【００１９】
続いて、図２（ｃ）に示すように、複数のセンサパネル１１０の裏側の面及び外側の側面（すなわち、複数のセンサパネル１１０の隙間に面していない側面）を一体の保持部材１５０で覆う。保持部材１５０は例えばＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を蒸着することによって形成される。また、保持部材１５０は、シート状の部材をセンサパネル１１０に接着することによって形成されてもよい。シート状の部材の材料として、例えばパリレンやポリ尿素、ＰＩなどを用いる。さらに、保持部材１５０は、液体状の樹脂をセンサパネル１１０に塗布することによって形成されてもよい。液体状の樹脂の材料として、例えばＰＩやエポキシなどを用いる。センサパネル１１０の裏側の面全体に保持部材１５０を形成することによって、センサパネル１１０に発生するうねりを抑制できる。保持部材１５０の厚さは例えば２０μmである。保持部材１５０によって、複数のセンサパネル１１０の画素アレイ１１１が同一平面上にある状態で維持される。保持部材１５０は防湿膜として機能してもよい。
【００２０】
続いて、図２（ｄ）に示すように、この工程までに形成された構造体をステージ２０１から取り外す。そして、センサパネル保護層１２０のうち、電極パッド１１２を覆う部分を除去する。この処理は、例えば、感光性ドライフィルムをセンサパネル保護層１２０に貼り合わせ、感光性ドライフィルムを露光・現像した後、ウェットエッチング又はドライエッチングよりセンサパネル保護層１２０の一部を除去することによって行われる。図２（ａ）の工程で事前にセンサパネル保護層１２０のサイズが調整してあり、電極パッド１１２がセンサパネル保護層１２０によって覆われていない場合には、この工程を省略する。
【００２１】
続いて、図２（ｅ）に示すように、センサパネル保護層１２０の上にシンチレータ層１３０を形成する。この工程は、例えば、この工程までに形成された構造体を静電チャックを用いて保持し、当該構造体のうちシンチレータ層１３０を形成しない部分をマスク２０４で覆う。その後、センサパネル保護層１２０に蛍光体であるＣｓＩ：Ｔｌを蒸着する。例えば、真空チャンバーの中にＣｓＩとＴｌＩの蒸着ボートを別々に配置し、アルゴンガスを流しながら圧力を０．０５〜１Ｐａの範囲でコントロールし、温度を最高で２００℃まで上昇させて蒸着する。これに代えて、蒸着時の温度を低温に維持し、蒸着後にアニール処理を約２００℃で行ってシンチレータ層１３０を形成してもよい。シンチレータ層１３０の材料として、ＣｓＩ：Ｔｌに代えて、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｃｕ、ＣｓＩ：Ｉｎ、ＣｓＢｒ：Ｅｕなどを用いてもよい。ＣｓＩ：Ｔｌとセンサパネル保護層１２０との密着力を向上させるために、ＣｓＩ：Ｔｌを蒸着する前にセンサパネル保護層１２０に大気圧プラズマ等の処理を施してもよい。
【００２２】
シンチレータ層１３０は、蛍光体を塗布することによって形成されてもよい。例えば、ＧＯＳ(Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ)などの粉体を混ぜ込んだバインダー樹脂をスリットコートやスクリーン印刷などの方法により塗布した後、硬化させてもよい。
【００２３】
センサパネル保護層１２０に直接、蛍光体を蒸着・塗布する代わりに、別途用意したシンチレータパネルをセンサパネル保護層１２０に固定することによってシンチレータ層１３０を配置してもよい。例えば、基台にＣｓＩ：Ｔｌを形成し、その周りにパリレン等の耐湿樹脂を塗布して得られるシンチレータパネルを粘着剤などによりセンサパネル保護層１２０に貼り合わせてもよい。
【００２４】
本実施形態では、複数のセンサパネル１１０の表側の面の平面性が高いので、蒸着・塗布の際のシンチレータのムラの発生を抑制でき、又はシンチレータパネルを貼り合わせる際の気泡の発生を抑制できる。
【００２５】
続いて、シンチレータ層１３０の上面及び側面を覆うシンチレータ保護層１４０を形成する。シンチレータ保護層１４０は、例えば耐湿性を有する材料で形成される。例えば、シンチレータ保護層１４０は、ポリパラキシリレンやポリ尿素などの材料を蒸着することによって形成される。または、シンチレータ保護層１４０は、ポリ塩化ビニリデンなどのような液体樹脂をスプレーコート、ディップ、スクリーン印刷などの方法で塗布することによって形成されてもよい。さらに、シンチレータ保護層１４０は、アルミ／ＰＥＴ積層シートをホットメルト等の樹脂で貼り合わせることによって形成されてもよい。シンチレータ層１３０だけでなく、複数のセンサパネル１１０及び保持部材１５０も含めて全体的にシンチレータ保護層１４０で覆ってもよい。その後、導電部材１８０を用いて電極パッド１１２にフレキシブル配線板１７０を接着する。導電部材１８０は例えば異方性導電膜（ＡＣＦ）である。
【００２６】
上述の方法で製造された放射線検出装置１００では、複数のセンサパネル１１０の厚さのばらつきが抑制されているので、センサパネル１１０の裏側から放射線が照射される場合に、センサパネル１１０による放射線の吸収量のばらつきを抑制できる。そのため、センサパネル１１０間での画像の濃淡差を抑制できる。また、センサパネル１１０の厚さを低減した後にセンサパネル１１０を個別に移動することがないので、センサパネル１１０の破損の発生を抑制でき、放射線検出装置１００を歩留りよく製造できる。さらに、複数のセンサパネル１１０の表側の面の平面性が向上するので、その上に形成されるシンチレータ層１３０を安定的に形成できる。
【００２７】
続いて、図３を参照して、一部の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法について説明する。図３の方法で製造される放射線検出装置の構成は図１の放射線検出装置１００と同様であるため、以下ではその相違点を中心に説明する。図３の各図面は、図１（ｂ）で説明した放射線検出装置１００の断面図に対応する位置における、各工程で得られる構造体を示す。
【００２８】
図３（ａ）に示すように、アライメントステージ２０２で個別のセンサパネル１１０を保持する。センサパネル１１０の構造は図１を参照して説明したので、重複する説明を省略する。複数のアライメントステージ２０２は、複数のセンサパネル１１０が放射線検出装置における目的の位置になるように相互の位置関係（間隔及び高さ）が調節されている。複数のセンサパネル１１０の厚さが異なる可能性があるので、本実施形態ではセンサパネル１１０ごとに別個のアライメントステージ２０２で保持する。
【００２９】
続いて、図３（ｂ）に示すように、センサパネル１１０の表側にセンサパネル保護層１２０を形成する。センサパネル保護層１２０は、例えば液状のＰＩ樹脂を塗布し、加熱して硬化させることで形成される。液状のＰＩ樹脂は隣接するセンサパネル１１０の隙間にも入り込む。センサパネル保護層１２０によって、複数のセンサパネル１１０の画素アレイ１１１が同一平面上にある状態で複数のセンサパネル１１０が互いに対して固定される。センサパネル１１０の表側の面全体にセンサパネル保護層１２０を形成することによって、センサパネル１１０に発生するうねりを抑制できる。
【００３０】
続いて、図３（ｃ）に示すように、センサパネル１１０をアライメントステージ２０２から取り外し、センサパネル保護層１２０が下（すなわち、ステージ２０１側）になるように、この工程までに形成された構造体をステージ２０１で保持する。その後、複数のセンサパネル１１０の裏側の面及び外側の側面（すなわち、複数のセンサパネル１１０の隙間に面していない側面）を覆うように、一体の補強部材３０１を形成する。補強部材３０１は例えば、液状のエポキシ樹脂をスプレーコートにより塗布し、加熱して硬化させることで形成される。補強部材３０１はＰＩや無機材料で形成されてもよい。補強部材３０１により、複数のセンサパネル１１０が互いに対してさらに強固に固定される。センサパネル１１０の裏面全体に補強部材３０１を形成することによって、センサパネル１１０に発生するうねりを抑制できる。
【００３１】
その後、複数のセンサパネル１１０をステージ２０１に固定した状態で、センサパネル１１０の裏側の面が図３（ｃ）の点線３０２で示す位置になるように、センサパネル１１０の裏側（第２面側）からセンサパネル１１０の厚さを一括して低減する。この厚さの低減は、図２で説明した方法と同様にして行ってもよい。低減後のセンサパネル１１０の厚さは例えば７μｍである。これにより、図３（ｄ）の構造体が得られる。
【００３２】
続いて、図３（ｅ）に示すように、センサパネル１１０の裏側の面並びにその同一面上にあるセンサパネル保護層１２０及び補強部材３０１を一体の保持部材３０３で覆う。センサパネル１１０の裏面全体に保持部材３０３を形成することによって、センサパネル１１０に発生するうねりを抑制できる。保持部材３０３は、例えば、液状のＰＩやエポキシ等の樹脂を塗布し、加熱して硬化させることによって形成される。保持部材３０３の厚さは例えば１０μｍである。補強部材３０１により、複数のセンサパネル１１０が互いに対して裏側から固定される。複数のセンサパネル１１０を表側から互いに固定するセンサパネル保護層１２０と裏側から互いに固定する保持部材３０３とを同じ材料（例えば、ＰＩ樹脂）で形成することによって、複数のセンサパネル１１０の境界における反りの発生を抑制できる。
【００３３】
その後、これまでの工程で形成された構造体をステージ２０１から取り外す。その後、図２と同様にして、センサパネル保護層１２０のうち、電極パッド１１２を覆う部分を除去し、シンチレータ層１３０、導電部材１８０及びフレキシブル配線板１７０を形成する。図３の製造方法によっても、図２の製造方法と同様の効果が得られる。
【００３４】
続いて、図４を参照して、一部の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法について説明する。図４の方法で製造される放射線検出装置の構成は図１の放射線検出装置１００と同様であるため、以下ではその相違点を中心に説明する。図４の各図面は、図１（ｂ）で説明した放射線検出装置１００の断面図に対応する位置における、各工程で得られる構造体を示す。
【００３５】
まず、図４（ａ）に示すように、センサパネル１１０の裏側をアライメントステージ（不図示）で吸着し、アライメントマーク（不図示）を基準としてステージ２０１上の目的の位置にセンサパネル１１０を配置する。センサパネル１１０の構造は図１を参照して説明したので、重複する説明を省略する。各センサパネル１１０の表側の面がステージ２０１の表側の面に対向しているため、複数のセンサパネル１１０の表側の面の段差が抑制される。ステージ２０１は、複数のセンサパネル１１０を吸着して保持する。
【００３６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、複数のセンサパネル１１０をステージ２０１に固定した状態で、複数のセンサパネル１１０の裏側の面及び側面を補強部材４０１で覆う。補強部材４０１は、例えば液状のエポキシやＰＩ等の樹脂を塗布し、加熱して硬化させることで生成される。補強部材４０１は無機材料で形成されてもよい。液状の樹脂は隣接するセンサパネル１１０の隙間にも入り込む。ステージ２０１の表面をテフロン（登録商標）でコーティングすることによって、樹脂がステージ２０１の表面に張り付くことを抑制できる。そのため、吸着を終了することによってセンサパネル１１０をステージ２０１から取り外せる。センサパネル１１０の裏側の面全体に補強部材４０１を形成することによって、センサパネル１１０に発生するうねりを抑制できる。
【００３７】
その後、複数のセンサパネル１１０をステージ２０１に固定した状態で、センサパネル１１０の裏側の面が図４（ｂ）の点線４０２で示す位置になるように、センサパネル１１０の裏側（第２面側）からセンサパネル１１０の厚さを一括して低減する。この厚さの低減は、図２で説明した方法と同様にして行ってもよい。低減後のセンサパネル１１０の厚さは例えば７μｍである。
【００３８】
続いて、図４（ｃ）に示すように、複数のセンサパネル１１０の裏側の面に一体の保持部材４０３を粘着剤４０４によって貼り付ける。保持部材４０３として、放射線の透過率が高く、剛性が高いアモルファスカーボン(ａ−Ｃ)又はカーボン繊維強化プラスチック（ＣＦＰＲ）などの板を用いてもよい。保持部材４０３の厚さは例えば０．５ｍｍである。粘着剤４０４の厚さは例えば２５μｍである。
【００３９】
続いて、図４（ｄ）に示すように、形成された構造体をステージ２０１から取り外し、保持部材４０３側を下（ステージ２０１側）にしてステージ２０１に取り付ける。その後、センサパネル１１０の上にセンサパネル保護層１２０を形成する。センサパネル保護層１２０は、画素アレイ１１１を覆うが、電極パッド１１２を覆わないように形成される。センサパネル保護層１２０は、例えばスリットコートにより液状のＰＩを塗布し、加熱して硬化させることによって形成される。
【００４０】
その後、形成された構造体をステージ２０１から取り外す。その後、図２と同様にして、シンチレータ層１３０、導電部材１８０及びフレキシブル配線板１７０を形成する。図４の製造方法によっても、図２の製造方法と同様の効果が得られる。
【００４１】
以上の各実施形態において、補強部材１６０、３０１、４０１、保持部材１５０、３０３、４０３及び粘着剤４０４は、シンチレータ層１３０の形成に用いられる温度（例えば、２００℃）に対する耐性を有する材料で形成されてもよい。このような材料として、例えば、ＰＩ、エポキシ、ＰＡＩ(ポリアミドイミド)、ＰＥＥＫ(ポリエーテルエーテルケトン)、ＰＰＳ(ポリフェニレンサルファイド)、ＰＥＩ(ポリエーテルイミド)、ＰＥＳ(ポリエーテルサルフォン)、ＰＳＦ(ポリサルフォン)、ＰＡＲ(ポリアリレート)、ＰＴＦＥ(フッ素樹脂)、シリコーン樹脂などがある。
【００４２】
続いて、図５を参照して、放射線検出装置を組み込んだカセッテ５００の構成例について説明する。カセッテ５００は図１の放射線検出装置１００を有するが、上述の各実施形態の何れの方法で製造された放射線検出装置を有してもよい。カセッテ５００では、設置板５０４の一方の面に制御用プリント基板５０２が設置され、他方の面に放射線検出装置１００が設置される。設置板５０４には、放射線検出装置１００のうちシンチレータ保護層１４０が貼り合わされる。放射線検出装置１００と制御用プリント基板５０２とはフレキシブル配線板１７０によって接続される。放射線検出装置１００はシャーシ５０１に格納されており、シャーシ５０１のうちの放射線入射側（図面の下側）はＣＦＰＲよりなるカバー５０３が設けられている。カセッテ５００全体の厚みは例えば１５ミリメートル以下である。
【００４３】
図６は本発明に係る放射線用の検出装置のＸ線診断システム（放射線検出システム）への応用例を示した図である。Ｘ線チューブ６０５０（放射線源）で発生した放射線としてのＸ線６０６０は、被験者又は患者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレータを本発明の検出装置の上部に配置した検出装置６０４０に入射する。ここで、シンチレータを上部に配置した検出変換装置は放射線用の検出装置を構成する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され信号処理部となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示部となるディスプレイ６０８０で観察できる。なお、放射線検出システムは、検出装置と、検出装置からの信号を処理する信号処理部とを少なくとも有する。
【００４４】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理部により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示部となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録部に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録部となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【図６】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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