(57)【要約】      （修正有）【課題】製造工程が短く、均一な厚みが得られる回路基板などの提供。【解決手段】第２金属層と前記第２金属層と異なる金属の第１金属層１とを有する積層体上に塑性変形可能な絶縁材料２を密着させた後に、前記絶縁材料を硬化し、更に前記第２金属層を除去して、パターン状の前記第１金属層が形成されたプレート状構造物を形成する工程と、硬化した前記絶縁材料に前記第１金属層まで達する穴を開ける工程と、前記穴に導電性ペースト９を充填する工程と、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、前記第１金属層と、前記導電性ペーストが充填された前記穴の開口部とが対向するように積層する工程とを含む回路基板の製造方法である。【選択図】図６Ｂ
2015026689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２金属で形成された第２金属層と、前記第２金属層上にパターン状で形成され少なくとも前記第２金属と異なる金属を含有する第１金属層とを有する積層体における前記第２金属層の前記第１金属層が形成された面上及び前記第１金属層上に塑性変形可能な絶縁材料を密着させた後に、前記絶縁材料を硬化し、更に前記第２金属層を除去して、パターン状の前記第１金属層が形成されたプレート状構造物を形成する工程と、
前記プレート状構造物の前記第１金属層が形成された面と反対側の面から、硬化した前記絶縁材料に前記第１金属層まで達する穴を開ける工程と、
前記穴に導電性ペーストを充填し、前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程と、
一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するように積層する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁材料の硬化が、完全硬化であり、
硬化した前記絶縁材料に穴を開ける際に、プレート状構造物が、前記プレート状構造物の第１金属層が形成された面と反対側の面上に、接着層と、剥離層とをこの順で有し、
前記穴に導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層が剥離される、
請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁材料の硬化が、半硬化であり、
硬化した前記絶縁材料に穴を開ける際に、プレート状構造物が、前記プレート状構造物の第１金属層が形成された面と反対側の面上に、剥離層を有し、
前記穴に導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層が剥離される、
請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
積層体が、金属製支持体と、第２金属層と、パターン状の第１金属層とをこの順で有し、
絶縁材料を硬化させた後に、前記金属製支持体を除去してプレート状構造物を形成する請求項１から３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
積層体が、金属製支持体と、第２金属層と、パターン状の第１金属層とをこの順で有し、
前記積層体の前記第２金属層の前記第１金属層が形成された面上及び前記第１金属層上に絶縁材料を密着させた後、かつ、前記絶縁材料を完全硬化させる前に、前記絶縁材料上に第３金属層が形成され、
前記絶縁材料を完全硬化させた後に、前記金属製支持体及び前記第３金属層を除去してプレート状構造物を形成する請求項１から４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁材料に接する第３金属層の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ以下である請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達する穴に充填された導電性ペーストと、を有するプレート状構造物を複数有する回路基板であって、
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にあり、
複数の前記プレート状構造物のうち、一の前記導電性ペーストが充填された第１プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置することを特徴とする回路基板。
【請求項８】
第１金属層の一の面の表面が、粗面である請求項６に記載の回路基板。
【請求項９】
導電性ペーストが充填されたプレート状構造物が、前記プレート状構造物の第１金属層が形成された面と反対側の面上に、接着層を有する請求項７から８のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１０】
硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達するビアと、を有するプレート状構造物を複数有する回路基板であって、
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にあり、
複数の前記プレート状構造物のうち、一のビアを有する第１プレート状構造物と、他のビアを有する第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置することを特徴とする回路基板。
【請求項１１】
請求項７から１０のいずれかに記載の回路基板と、電子部品とを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、回路基板、回路基板の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子部品をコンパクトに電子機器に組み込むためにプリント配線板などの回路基板が一般に広く使用されている。かかるプリント配線板は、積層板に張り合わせた銅箔を電子回路パターンに従ってエッチングしたものであって、高密度に電子部品を実装することは困難であるが、コスト面で有利である。
【０００３】
一方、電子機器に対する小型化、高性能化、低価格化などの要求に伴い、回路基板の電子回路の微細化、多層化、及び電子部品の高密度実装化が急速に進み、回路基板に対し、ビルドアップ多層配線板の検討が活発化してきた。
ビルドアップ多層配線板としては、例えば、ベースとなる厚いコア材の両面に絶縁材料等からなる基板層（エポキシ樹脂等の有機材料層）を順番に積層して形成したビルドアップ型の多層基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
この提案の技術では、コア材上に、電解銅箔等の銅箔などからなる導電パターンを有する絶縁材料等の基板層（エポキシ樹脂等の有機材料層）を順次形成する（ビルドアップする）ことによって多層化している。
しかし、この提案の技術では、製造工程に非常に長い時間を要し、製造コストも高いという問題がある。
【０００４】
そこで、複数の熱可塑性樹脂層を形成し、全ての前記熱可塑性樹脂層、又は最外層を除く全ての前記熱可塑性樹脂層に、それらの厚さ方向に貫通する導電性のビアを形成し、少なくとも１つの前記熱可塑性樹脂層の表面に、導電パターンを構成する金属層を設けた後に、前記複数の熱可塑性樹脂層を積層して一括して加熱及び加圧して互いに固着させて一体化する、半導体装置用パッケージ基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、この提案の技術では、複数の熱可塑性樹脂層を積層して一括して加熱及び加圧して互いに固着させて一体化する際に、複数の熱可塑性樹脂層の表面の凹凸により、得られるパッケージ基板の厚みが均一にならないという問題がある。
【０００５】
したがって、製造工程が短く、均一な厚みが得られる回路基板、及びその製造方法、並びに前記回路基板を有する電子機器の提供が求められているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１５８６７１号公報
【特許文献２】特開２００６−０７３６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本件は、製造工程が短く、均一な厚みが得られる回路基板、及びその製造方法、並びに前記回路基板を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に記載した通りである。即ち、
開示の回路基板の製造方法は、
第２金属で形成された第２金属層と、前記第２金属層上にパターン状で形成され少なくとも前記第２金属と異なる金属を含有する第１金属層とを有する積層体における前記第２金属層の前記第１金属層が形成された面上及び前記第１金属層上に塑性変形可能な絶縁材料を密着させた後に、前記絶縁材料を硬化し、更に前記第２金属層を除去して、パターン状の前記第１金属層が形成されたプレート状構造物を形成する工程と、
前記プレート状構造物の前記第１金属層が形成された面と反対側の面から、硬化した前記絶縁材料に前記第１金属層まで達する穴を開ける工程と、
前記穴に導電性ペーストを充填し、前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程と、
一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するように積層する工程とを含む。
【０００９】
開示の回路基板は、
硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達する穴に充填された導電性ペーストと、を有するプレート状構造物を複数有する回路基板であって、
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にあり、
複数の前記プレート状構造物のうち、一の前記導電性ペーストが充填された第１プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置する。
【００１０】
開示の回路基板は、
硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達するビアと、を有するプレート状構造物を複数有する回路基板であって、
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にあり、
複数の前記プレート状構造物のうち、一のビアを有する第１プレート状構造物と、他のビアを有する第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置する。
【００１１】
開示の電子機器は、開示の前記回路基板と、電子部品とを有する。
【発明の効果】
【００１２】
開示の回路基板の製造方法によると、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、製造工程が短く、均一な厚みの回路基板が製造できる。
開示の回路基板によると、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、製造工程が短く、均一な厚みの回路基板が得られる。
開示の電子機器によると、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、製造工程を短くできる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、プレート状構造物の一例を示す概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その３）である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その４）である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その５）である。
【図３Ａ】図３Ａは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その６）である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その７）である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その８）である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、プレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その９）である。
【図４】図４は、硬化した絶縁材料に第１金属層まで達する穴を開ける工程の一例について説明するための概略断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を形成する工程の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を形成する工程の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図６Ａ】図６Ａは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図７】図７は、プレート状構造物の他の一例を示す概略断面図である。
【図８】図８は、プレート状構造物２００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図９Ａ】図９Ａは、プレート状構造物２００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、プレート状構造物２００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その３）である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、プレート状構造物２００を形成する方法の一例について説明するための概略断面図（その４）である。
【図１０】図１０は、硬化した絶縁材料に第１金属層まで達する穴を開ける工程の一例について説明するための概略断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を形成する工程の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を形成する工程の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図１３】図１３は、中心プレート状構造物の一例を示す概略断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、中心プレート状構造物の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その１）である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、中心プレート状構造物の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その２）である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図１６】図１６は、中心プレート状構造物の他の一例を示す概略断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、中心プレート状構造物の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その１）である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、中心プレート状構造物の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その２）である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その１）である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、積層する工程の一例について説明するための概略断面図（その２）である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、積層体の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その１）である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、積層体の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その２）である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、積層体の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その３）である。
【図１９Ｄ】図１９Ｄは、積層体の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その４）である。
【図１９Ｅ】図１９Ｅは、積層体の形成方法の一例を説明するための概略断面図（その５）である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、積層体の形成方法の他の一例を説明するための概略断面図（その１）である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、積層体の形成方法の他の一例を説明するための概略断面図（その２）である。
【図２０Ｃ】図２０Ｃは、積層体の形成方法の他の一例を説明するための概略断面図（その３）である。
【図２０Ｄ】図２０Ｄは、積層体の形成方法の他の一例を説明するための概略断面図（その４）である。
【図２０Ｅ】図２０Ｅは、積層体の形成方法の他の一例を説明するための概略断面図（その５）である。
【図２１】図２１は、半導体パッケージの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（回路基板の製造方法）
開示の回路基板の製造方法は、プレート状構造物を形成する工程と、硬化した絶縁材料に第１金属層まで達する穴を開ける工程と、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を形成する工程と、積層する工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００１５】
＜プレート状構造物を形成する工程＞
前記プレート状構造物を形成する工程としては、第２金属で形成された第２金属層と、前記第２金属層上にパターン状で形成され少なくとも前記第２金属と異なる金属を含有する第１金属層とを有する積層体における前記第２金属層の前記第１金属層が形成された面上及び前記第１金属層上に塑性変形可能な絶縁材料を密着させた後に、前記絶縁材料を硬化し、更に前記第２金属層を除去して、パターン状の前記第１金属層が形成されたプレート状構造物を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１６】
前記第２金属層を形成する前記第２金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、銅などが挙げられる。
【００１７】
前記第１金属層は、少なくとも前記第２金属と異なる金属を含有する。
前記第１金属層を形成する金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記第１金属層は単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。ただし、前記第１金属層が単層構造の場合には、前記第１金属層を形成する金属は、前記第２金属層を形成する第２金属とは、異なる金属である。また、前記第１金属層が多層構造の場合には、前記多層構造における前記第２金属層に接する層の金属は、前記第２金属層を形成する第２金属とは、異なる金属である。そうすることにより、前記第２金属層又は前記第１金属層を、エッチングにより選択的に除去できる。
前記第１金属層としては、例えば、銅の単層構造、銅とニッケルとの２層構造などが挙げられる。
【００１８】
前記第１金属層は、前記第２金属層を除去（例えば、エッチングにより除去）する際に、共に除去されない材料で構成される。
【００１９】
前記第１金属層の前記第２金属層側の表面は、粗面であることが好ましい。前記粗面の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣＺ処理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ  ｏｆ  ｃｏｐｐｅｒ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  ｚｉｇｚａｇ）などが挙げられる。前記表面が、粗面であることにより、前記第２金属層との密着性を向上できる。前記粗面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、例えば、１．０μｍ〜２．０μｍなどが挙げられる。
【００２０】
例えば、前記第２金属層を形成する第２金属がニッケルの場合、前記第１金属層は、銅の単層構造である。前記第２金属層を形成する第２金属が銅の場合、前記第１金属層は、ニッケルと銅との２層構造であり、前記第２金属層上に、前記第１金属層としてのニッケルで形成された層と銅で形成された層とがこの順で形成されている。そうすることにより、前記第２金属層を、エッチングにより選択的に除去できる。
【００２１】
パターン状の前記第１金属層を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、サブトラクティブ（エッチング）法、セミアディティブ法（メッキ法）などが挙げられる。これらは、フォトリソグラフィー法を利用して行うことができる。
【００２２】
前記絶縁材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プリプレグなどが挙げられる。前記絶縁材料は、熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。前記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２３】
ここで、プリプレグとは、炭素繊維、ガラス繊維等の織物若しくは一方向に引き揃えた繊維に樹脂を含浸したシートである。
前記樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂などが挙げられる。
【００２４】
＜硬化した絶縁材料に第１金属層まで達する穴を開ける工程＞
前記硬化した絶縁材料に第１金属層まで達する穴を開ける工程としては、前記プレート状構造物の前記第１金属層が形成された面と反対側の面から、硬化した前記絶縁材料に前記第１金属層まで達する穴を開ける工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、レーザーを用いて穴を開ける方法などが挙げられる。
【００２５】
前記レーザーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザーなどが挙げられる。
前記レーザーの出力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２６】
前記穴としては、前記第１金属層まで達する穴であれば、その穴の大きさ（開口径）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５０μｍ以上などが挙げられる。
【００２７】
前記穴の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開口部から前記第１金属層に向かってその径が暫時小さくなる形状（テーパー状）などが挙げられる。
【００２８】
前記プレート状構造物における前記穴の数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２９】
＜導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を形成する工程＞
前記導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を形成する工程としては、前記穴に導電性ペーストを充填し、前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３０】
前記導電性ペーストとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属粒子（導電性フィラー）と、液状のバインダー樹脂とを含有する導電性ペーストなどが挙げられる。
前記金属粒子を構成する金属としては、例えば、銅、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫、鉛、ビスマスなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等といった熱硬化性樹脂などが挙げられる。ただし、バインダー樹脂はこれに限られず、例えば、ポリイミド樹脂等、他の樹脂であってもよい。
前記導電性ペーストは、例えば、前記液状のバインダー樹脂、及び前記金属粒子を混練することで得られる。前記導電性ペーストは、フラックスなどを含有していてもよい。
【００３１】
前記導電性ペーストは、圧接タイプであってもよいし、溶融タイプであってもよい。  前記圧接タイプとは、積層時の熱では低抵抗金属粉末（導電性フィラー）が溶融せず積層時の圧力だけで導電性フィラー同士が接触することで層間の導通接続を可能とする導電性ペーストである。前記圧接タイプは、導電性ペーストに含まれる樹脂が熱硬化することで流動性を失う。
前記溶融タイプとは、積層時の熱で低融点金属粉末（導電性フィラー）が溶融し、高融点金属粉末（導電性フィラー）を取り巻くように硬化して合金層を形成することで層間の導通接続を可能とする導電性ペーストである。
【００３２】
前記穴に前記導電性ペーストを充填する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スキージ治具を使用し大気又は真空下で前記穴に前記導電性ペーストを充填する方法などが挙げられる。
【００３３】
＜積層する工程＞
前記積層する工程としては、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するように積層する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するように配置した後に、それらのプレート状構造物の積層体を加圧する方法、加熱及び加圧する方法などが挙げられる。
【００３４】
前記加圧時の圧力及び前記加熱時の加熱温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３５】
前記回路基板の製造方法においては、前記プレート状構造物を形成する工程における前前記絶縁材料の硬化は、完全硬化であることが好ましい。また、硬化した前記絶縁材料に穴を開ける際に、前記プレート状構造物は、前記プレート状構造物の前記第１金属層が形成された面と反対側の面上に、接着層と、剥離層とをこの順で有することが好ましい。また、前記穴に前記導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層が剥離されることが好ましい。
前記プレート状構造物を形成する工程における前記絶縁材料の硬化が完全硬化であることにより、得られる回路基板において寸法安定性が良好となるとともに、前記導電性ペーストが充填された各前記プレート状構造物の厚みを均一にすることができる。
また、前記プレート状構造物が、前記接着層を有することにより、前記積層する工程において、前記プレート状構造物同士の接着性を高くできる。
また、前記プレート状構造物が、前記剥離層を有し、かつ前記穴に導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層を剥離することにより、前記導電性ペーストが、前記プレート状構造物の表面から凸状に隆起した状態になる。そうすることにより、前記積層する工程において、凸状に隆起した分の導電性ペーストが前記穴内に押し込まれ、前記穴内の内圧が高くなることで導電性ペースト同士の接続性が向上する。その際の導電性ペーストの状態は、圧接状態もしくは積層熱で溶融して形成される合金による金属バルク状態が好ましい。
【００３６】
ここで、完全硬化とは、絶縁材料を構成する樹脂の硬化が完了することを意味する。硬化が完了するとは、更に加熱してもそれ以上硬化がほとんど進行しない状態を意味する。完全硬化としては、例えば、Ｃステージ（反応の最終段階）などが挙げられる。
【００３７】
前記接着層と前記剥離層とは、一括して積層することが工程が短縮できる点で好ましい。
【００３８】
前記接着層としては、硬化した絶縁材料同士を接着できる層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記絶縁材料と同等の特性を有する接着層などが挙げられる。
【００３９】
前記剥離層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどが挙げられる。前記剥離層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記プレート状構造物を積層する際の導電性ペーストの流動及び拡散の点から、５μｍ〜２５μｍが好ましい。
【００４０】
前記回路基板の製造方法においては、前記プレート状構造物を形成する工程における前前記絶縁材料の硬化は、半硬化であることが好ましい。また、硬化した前記絶縁材料に穴を開ける際に、前記プレート状構造物は、前記プレート状構造物の前記第１金属層が形成された面と反対側の面上に剥離層を有することが好ましい。また、前記穴に前記導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層が剥離されることが好ましい。
前記プレート状構造物を形成する工程における前記絶縁材料の硬化が半硬化であることにより、得られる回路基板において接着層が不要なために、接着層に起因する反りを防止できる。
また、前記プレート状構造物が、前記剥離層を有し、かつ前記穴に前記導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層を剥離することにより、前記導電性ペーストが、前記プレート状構造物の表面から凸状に隆起した状態になる。そうすることにより、前記積層する工程において、凸状に隆起した分の導電性ペーストが前記穴内に押し込まれ、前記穴内の内圧が高くなることで導電性ペースト同士の接続性が向上する。その際の導電性ペーストの状態は、圧接状態もしくは積層熱で溶融して形成される合金による金属バルク状態が好ましい。
【００４１】
ここで、半硬化とは、絶縁材料を構成する樹脂の硬化が完了していないことを意味する。硬化が完了するとは、更に加熱してもそれ以上硬化がほとんど進行しない状態を意味する。半硬化としては、例えば、Ｂステージ（反応の中間的な段階であって、材料は加熱により軟化して膨張するが、ある種の液体と接触しても、完全には溶融又は溶解しない段階）などが挙げられる。また、半硬化としては、例えば、完全硬化における硬化率を１００％とした場合に、３０％〜６０％の硬化率などが挙げられる。
【００４２】
前記回路基板の製造方法において、前記積層体は、金属製支持体と、前記第２金属層と、パターン状の前記第１金属層とをこの順で有することが好ましい。また、前記絶縁材料を硬化させた後に、前記金属製支持体を除去して前記プレート状構造物を形成することが好ましい。
前記積層体が前記金属製支持体を有することにより、前記積層体の強度が強くなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などが適用しやすい積層体を得ることができ、前記積層体の作製が容易になる。
【００４３】
前記金属製支持体を形成する金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、銅などが挙げられる。
前記金属製支持体を形成する金属は、前記第２金属層を形成する前記第２金属とは異なる金属であることが好ましい。そうすることにより、エッチングにより、前記金属製支持体又は前記第２金属層を選択的に除去できる。
【００４４】
前記回路基板の製造方法において、前記積層体は、前記金属製支持体と、前記第２金属層と、パターン状の前記第１金属層とをこの順で有することが好ましい。また、前記積層体の前記第２金属層の前記第１金属層が形成された面上及び前記第１金属層上に前記絶縁材料を密着させた後、かつ、前記絶縁材料を完全硬化させる前に、前記絶縁材料上に第３金属層が形成されることが好ましい。また、前記絶縁材料を完全硬化させた後に、前記金属製支持体及び前記第３金属層を除去してプレート状構造物を形成することが好ましい。
前記積層体が、前記金属製支持体を有することにより、前記積層体の強度が強くなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などが適用しやすい積層体を得ることができ、前記積層体の作製が容易になる。
また、前記絶縁材料上に前記第３金属層を形成することにより、前記絶縁材料を硬化させる際に前記積層体が反ることを防止できる。
【００４５】
前記絶縁材料に接する第３金属層の面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１．０μｍ以下が好ましく、０．６μｍ〜０．９μｍがより好ましい。前記Ｒａが、前記好ましい範囲内であることにより、前記プレート状構造物に前記接着層を設ける際に、薄い接着層（例えば、３μｍ〜８μｍ）を設けることができる。前記接着層が薄いと、積層時の加熱で各層（プレート状構造物）の接着層が溶融した際、回路基板の外周枠の外に排出される接着層の量が低減され、それに伴い回路基板の厚みがより均一となる点で有利である。また、前記絶縁材料と前記接着層との密着性を向上できる。
【００４６】
（回路基板）
開示の回路基板は、硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達する穴に充填された導電性ペーストと、を有するプレート状構造物を複数有する。
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にある。
複数の前記プレート状構造物のうち、一の前記導電性ペーストが充填された第１プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置する。
【００４７】
また、開示の回路基板は、硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達するビアと、を有するプレート状構造物を複数有する。
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にある。
複数の前記プレート状構造物のうち、一のビアを有する第１プレート状構造物と、他のビアを有する第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置する。
【００４８】
ここで、前記ビアとは、導電部材が充填された穴を意味する。
前記ビアの形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記導電性ペーストを前記穴に充填し、複数の前記プレート状構造物を積層して、加熱及び加圧する方法などが挙げられる。
【００４９】
ここで、第１金属層の一の面とプレート状構造物の一の面とが同一平面にあるとは、言い換えれば、図１に示すように、プレート状構造物２の厚みが均一ではなく、プレート状構造物２を表面側から観察した際の第１金属層１を有しない箇所のプレート状構造物１００の厚み（Ｔ１）が、第１金属層１を有する箇所のプレート状構造物２の厚み（Ｔ２）よりも厚く、かつ前記Ｔ１と、前記Ｔ２と第１金属層１の厚みとの和とが、同じである、ということができる。また、言い換えれば、プレート状構造物１００の表面において第１金属層１に起因する凹凸がなく、プレート状構造物１００の厚みが均一である、ということができる。
【００５０】
前記第１金属層の一の面の表面は、粗面であることが好ましい。前記粗面の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣＺ処理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ  ｏｆ  ｃｏｐｐｅｒ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  ｚｉｇｚａｇ）などが挙げられる。前記粗面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、例えば、１．０μｍ〜２．０μｍなどが挙げられる。
【００５１】
開示の回路基板の製造方法の一例を図を用いて説明する。
＜第１の態様＞
＜＜プレート状構造物の形成＞＞
まず、プレート状構造物を形成する工程の一例を説明する。
図１にプレート状構造物を形成する工程により形成されるプレート状構造物の一例を示す。プレート状構造物１００は、硬化した絶縁材料２と、絶縁材料２の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層１とを有する。プレート状構造物１００において、第１金属層１は絶縁材料２に埋没しており、第１金属層１の一の面と絶縁材料２の一の面とは同一平面にある。
【００５２】
次に、図１に示すプレート状構造物１００を形成する方法の一例について説明する。
−積層体の作製−
まず、銅製の金属製支持体４と、ニッケル製の第２金属層３と、銅製のパターン状の第１金属層１とをこの順で有する積層体（図２Ｅ）を作製する。
前記積層体は、例えば、金属製支持体４と、第２金属層３と、第１金属層１とをこの順で積層した積層体を用意し（図２Ａ）、これをサブトラクティブ法によって第１金属層１をパターニングすることにより得ることができる。
具体的には、図２Ａに示す積層体の金属製支持体４及び第１金属層１上にフォトレジスト層５を積層する（図２Ｂ）。続いて、第１金属層１上のフォトレジスト層５を所定のパターン状になるように、露光及び現像する（図２Ｃ）。続いて、アルカリエッチングにより、露出した銅製の第１金属層１をエッチングして、パターン状の第１金属層１を形成する（図２Ｄ）。続いて、フォトレジスト層５を剥離する。以上により、銅製の金属製支持体４と、ニッケル製の第２金属層３と、銅製のパターン状の第１金属層１とをこの順で有する積層体（図２Ｅ）が得られる。
【００５３】
ここで、金属製支持体４の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０μｍ〜１００μｍが好ましく、２０μｍ〜８０μｍがより好ましく、２５μｍ〜６５μｍが特に好ましい。前記平均厚みが、前記特に好ましい範囲内であると、積層体の強度が強く、サブトラクティブ法が適用しやすい積層体を得ることができる。
【００５４】
第２金属層３の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．５μｍ〜１０μｍが好ましく、０．８μｍ〜５μｍがより好ましい。前記平均厚みが、前記より好ましい範囲内であると、第２金属層の除去が容易である点で、有利である。
【００５５】
第１金属層１の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０μｍ〜５０μｍが好ましく、２０μｍ〜３０μｍがより好ましい。
【００５６】
上記のようにして得られた積層体を用いて以下のようにプレート状構造物を作製することにより、プレート状構造物におけるパターン状の第１金属層の寸法安定性が非常に優れたものとなる。
【００５７】
−プレート状構造物の作製−
次に、得られた積層体のパターン状の第１金属層１上に絶縁材料（硬化していない絶縁材料）２を積層し、更に絶縁材料２上に銅製の第３金属層６を積層する。続いて、絶縁材料２を完全硬化させる（図３Ａ）。続いて、銅製の金属製支持体４及び銅製の第３金属層６を、アルカリエッチングにより除去する（図３Ｂ）。この際、ニッケル製の第２金属層３は、第１金属層１がエッチングされることを防ぐバリアメタルとして機能する。続いて、ニッケル製の第２金属層３をエッチングする（図３Ｃ）。続いて、絶縁材料２上に、接着層７と剥離層８とをラミネートなどにより積層し、プレート状構造物１００を得る（図３Ｄ）。
プレート状構造物１００においては、第１金属層１の一の面と層状の絶縁材料２の一の面とが同一平面にある。
【００５８】
＜＜第１金属層まで達する穴の形成＞＞
次に、硬化した絶縁材料に第１金属層まで達する穴を開ける工程の一例を説明する。
前記プレート状構造物を形成する工程で得られたプレート状構造物１００（図３Ｄ）に対して、プレート状構造物１００の第１金属層１が形成された面と反対側の面から、ＣＯ２レーザーを用いて、硬化した絶縁材料２に第１金属層１まで達する穴を開ける（図４）。形成された穴は、開口部から第１金属層１に向かってその径が暫時小さくなる形状（テーパー状）をしている。
【００５９】
＜＜導電性ペーストの充填＞＞
次に、導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程の一例を説明する。
前記穴を開ける工程で得られた穴に対して、スキージを用いて導電性ペースト９を充填する（図５Ａ）。この際、剥離層８があることにより、剥離層８が印刷マスクの役割を果たす。そのため、スキージを用いた場合でも、接着層７の表面を汚すことなく、導電性ペースト９を穴に充填できる。
導電ペースト９が穴に充填した後には、剥離層８を剥離する（図５Ｂ）。
【００６０】
＜＜積層する工程＞＞
次に、積層する工程の一例を説明する。
前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程で得られた、複数の、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を用い、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するように重ねる（図６Ａ）。なお、この態様においては、最表面に銅製の第４金属層１０を積層している。続いて、重ねてできた積層体を加圧することにより、多層の回路基板が形成される（図６Ｂ）。
【００６１】
第１の態様では、複数のプレート状構造物１００を積層する前に絶縁材料を完全硬化しているため、得られる多層の回路基板においては、寸法安定性が良好となるとともに、導電性ペーストが充填された各プレート状構造物の厚みを均一にすることができる。
【００６２】
＜第２の態様＞
＜＜プレート状構造物の形成＞＞
まず、プレート状構造物を形成する工程の一例を説明する。
図７にプレート状構造物を形成する工程により形成されるプレート状構造物の一例を示す。プレート状構造物２００は、硬化した絶縁材料１２と、絶縁材料１２の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層１１とを有する。プレート状構造物２００において、第１金属層１１は絶縁材料１２に埋没しており、第１金属層１１の一の面と絶縁材料２の一の面とは同一平面にある。また、プレート状構造物２００は、絶縁材料１２の第１金属層１１が形成された面と反対側の面上に、剥離層１８を有する。
【００６３】
次に、図７に示すプレート状構造物２００を形成する方法の一例について説明する。
−積層体の作製−
まず、銅製の金属製支持体１４と、ニッケル製の第２金属層１３と、銅製のパターン状の第１金属層１１とをこの順で有する積層体（図８）を作製する。作製方法は、例えば、図２Ａ〜図２Ｅに示す作製方法などが挙げられる。
【００６４】
−プレート状構造物の作製−
次に、得られた積層体のパターン状の第１金属層１１上に絶縁材料（硬化していない絶縁材料）１２を積層し、更に絶縁材料１２上に剥離層１８を積層する。続いて、絶縁材料１２を半硬化させる（図９Ａ）。続いて、銅製の金属製支持体１４を、アルカリエッチングにより除去する（図９Ｂ）。この際、ニッケル製の第２金属層１３は、第１金属層１１がエッチングされることを防ぐバリアメタルとして機能する。続いて、ニッケル製の第２金属層１３をエッチングすることにより、プレート状構造物２００を得る（図９Ｃ）。
プレート状構造物２００においては、第１金属層１１の一の面とプレート状構造物１２の一の面とが同一平面にある。
【００６５】
＜＜第１金属層まで達する穴の形成＞＞
次に、硬化した絶縁材料に第１金属層まで達する穴を開ける工程の一例を説明する。
前記プレート状構造物を形成する工程で得られたプレート状構造物２００（図９Ｃ）に対して、プレート状構造物２００の第１金属層１１が形成された面と反対側の面から、ＣＯ２レーザーを用いて、絶縁材料１２に第１金属層１１まで達する穴を開ける（図１０）。形成された穴は、開口部から第１金属層１１に向かってその径が暫時小さくなる形状（テーパー状）をしている。
【００６６】
＜＜導電性ペーストの充填＞＞
次に、導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程の一例を説明する。
前記穴を開ける工程で得られた穴に対して、スキージを用いて導電性ペースト１９を充填する（図１１Ａ）。この際、剥離層１８があることにより、剥離層１８が印刷マスクの役割を果たす。そのため、スキージを用いた場合でも、絶縁材料１２の表面を汚すことなく、導電性ペースト１９を穴に充填できる。
導電ペースト１９が穴に充填した後には、剥離層１８を剥離する（図１１Ｂ）。
【００６７】
＜＜積層する工程＞＞
次に、積層する工程の一例を説明する。
前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程で得られた、複数の、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を用い、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するように重ねる（図１２Ａ）。なお、この態様においては、最表面に銅製の第４金属層２０を積層している。続いて、重ねてできた積層体を加熱及び加圧することにより、多層の回路基板が形成される（図１２Ｂ）。
【００６８】
第２の態様では、複数のプレート状構造物２００を積層する前の絶縁材料の硬化が半硬化であるため、積層する際に接着層が不要である。そのため、得られる多層の回路基板においては、接着層に起因する反りを防止できる。
【００６９】
＜第３の態様＞
第３の態様は、図１３に示す中心プレート状構造物３００を作製し、その中心プレート状構造物３００の両面に、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を積層する態様である。
【００７０】
図１３に示す中心プレート状構造物３００は、絶縁材料３２と、絶縁材料３２の両面に埋没したパターン状の第１金属層３１と、絶縁材料３２内に充填された導電性ペースト３９とを有する。中心プレート状構造物３００は、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、金属製支持体３４と、第２金属層３３と、パターン状の第１金属層３１と、絶縁材料３２と、導電性ペースト３９とを有する層を２つ用い、導電性ペースト３９が対向するように重ねて積層することにより作製できる。前記２つの層は、例えば、図２〜図５、及び図９〜図１１に示す工程を参照することにより容易に作製できる。
【００７１】
そして、第２の態様における積層する工程と同様にして、複数の、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を用い、中心プレート状構造物３００の両面に、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するよう重ねる（図１５Ａ）。続いて、重ねてできた積層体を加圧することにより、多層の回路基板が形成される（図１５Ｂ）。
【００７２】
＜第４の態様＞
第４の態様は、図１６に示す中心プレート状構造物４００を作製し、その中心プレート状構造物４００の両面に、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を積層する態様である。
【００７３】
図１６に示す中心プレート状構造物４００は、絶縁材料４２と、絶縁材料４２の両面に埋没したパターン状の第１金属層４１と、絶縁材料４２内に充填された導電性ペースト４９と、絶縁材料４２を上下に仕切る接着層４７とを有する。中心プレート状構造物４００は、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、金属製支持体４４と、第２金属層４３と、パターン状の第１金属層４１と、絶縁材料４２と、導電性ペースト４９と、接着層４７とを有する層を２つ用い、導電性ペースト４９が対向するように重ねて積層することにより作製できる。前記２つの層は、例えば、図２〜図５、及び図９〜図１１に示す工程を参照することにより容易に作製できる。
【００７４】
そして、第１の態様における積層する工程と同様にして、複数の、導電性ペーストが充填されたプレート状構造物を用い、中心プレート状構造物４００の両面に、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するよう重ねる（図１８Ａ）。続いて、重ねてできた積層体を加圧することにより、多層の回路基板が形成される（図１８Ｂ）。
【００７５】
なお、前記第１の態様〜第４の態様に用いる前記導電性ペーストは、前記圧接タイプであってもよいし、前記溶融タイプであってもよい。
また、図６Ｂ、図１２Ｂ、図１５Ｂ、及び図１８Ｂに示す多層の回路基板においては、導電性ペーストが充填された穴は、ビアということもできる。
【００７６】
＜＜積層体の形成方法の他の態様＞＞
積層体の形成方法の他の態様の一例を示す。
以下に説明する方法は、セミアディティブ法を利用した方法である。
まず、銅製の第２金属層５３を用意する（図１９Ａ）。続いて、第２金属層５３の両面にフォトレジスト層５５を積層する（図１９Ｂ）。続いて、第２金属層５３の片面のフォトレジスト層５５を所定のパターン状になるように、露光及び現像する（図１９Ｃ）。続いて、メッキ法により、第２金属層５３上に、ニッケル製の第１Ａ層５１Ａ及び銅製の第１Ｂ層５１Ｂをこの順で有するパターン状の第１金属層５１を形成する（図１９Ｄ）。続いて、フォトレジスト層５５を剥離する。以上により、銅製の第２金属層５３と、ニッケルと銅製のパターン状の第１金属層５１とをこの順で有する積層体（図１９Ｅ）が得られる。
この方法を用いることにより、後の工程において第２金属層５３をエッチングにより除去する際に、第２金属層を形成している銅と異種金属であるニッケル製の第１Ａ層５１Ａが、第１金属層５１がエッチングされることを防ぐバリアメタルとして機能する。そして、第２金属層が銅製であると、費用を低く抑えることができる。
【００７７】
積層体の形成方法の更に他の態様の一例を示す。
以下に説明する方法は、セミアディティブ法を利用した方法である。
まず、アルミニウム製の第２金属層６３を用意する（図２０Ａ）。続いて、第２金属層６３の両面にフォトレジスト層６５を積層する（図２０Ｂ）。続いて、第２金属層６３の片面のフォトレジスト層６５を所定のパターン状になるように、露光及び現像する（図２０Ｃ）。続いて、メッキ法により、第２金属層６３上に、パターン状の銅製の第１金属層６１を形成する（図２０Ｄ）。続いて、フォトレジスト層６５を剥離する。以上により、アルミニウム製の第２金属層６３と、銅製のパターン状の第１金属層５１とをこの順で有する積層体（図２０Ｅ）が得られる。
この方法を用いることにより、短工程で、積層体を作製できる。
【００７８】
開示の回路基板の製造方法により形成される回路基板、及び開示の回路基板は、マザーボード（支持基板）としても使用可能であり、またインターポーザ（中継基板）としても使用可能であり、更には、半導体素子を構成する回路基板としても使用可能である。
【００７９】
図２１に、半導体パッケージの概略断面図を示す。図２１の半導体パッケージは、ハンダボール５５０を有するマザーボード５００と、マザーボード５００上にバンプ６５０を介して接続されたインターポーザ６００と、インターポーザ６００上に配置された半導体素子７００とを有する。半導体素子７００としては、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）チップなどが挙げられる。
ここで、開示の回路基板の製造方法により形成される回路基板、及び開示の回路基板は、図２１におけるマザーボード５００としても使用可能であり、インターポーザ６００としても使用可能であり、更には、半導体素子７００を構成する回路基板としても使用可能である。
【００８０】
（電子機器）
開示の電子機器は、開示の回路基板と、電子部品とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記電子機器としては、携帯電話、コンピュータ、タブレット型携帯端末などが挙げられる。
【００８１】
開示の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  第２金属で形成された第２金属層と、前記第２金属層上にパターン状で形成され少なくとも前記第２金属と異なる金属を含有する第１金属層とを有する積層体における前記第２金属層の前記第１金属層が形成された面上及び前記第１金属層上に塑性変形可能な絶縁材料を密着させた後に、前記絶縁材料を硬化し、更に前記第２金属層を除去して、パターン状の前記第１金属層が形成されたプレート状構造物を形成する工程と、
前記プレート状構造物の前記第１金属層が形成された面と反対側の面から、硬化した前記絶縁材料に前記第１金属層まで達する穴を開ける工程と、
前記穴に導電性ペーストを充填し、前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物を形成する工程と、
一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物とを、一の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記第１金属層と、他の前記導電性ペーストが充填された前記プレート状構造物の前記穴の開口部とが対向するように積層する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法である。
（付記２）  絶縁材料の硬化が、完全硬化であり、
硬化した前記絶縁材料に穴を開ける際に、プレート状構造物が、前記プレート状構造物の第１金属層が形成された面と反対側の面上に、接着層と、剥離層とをこの順で有し、
前記穴に導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層が剥離される、
付記１に記載の回路基板の製造方法である。
（付記３）  絶縁材料の硬化が、半硬化であり、
硬化した前記絶縁材料に穴を開ける際に、プレート状構造物が、前記プレート状構造物の第１金属層が形成された面と反対側の面上に、剥離層を有し、
前記穴に導電性ペーストを充填した後に、前記剥離層が剥離される、
付記１に記載の回路基板の製造方法である。
（付記４）  積層体が、金属製支持体と、第２金属層と、パターン状の第１金属層とをこの順で有し、
絶縁材料を硬化させた後に、前記金属製支持体を除去してプレート状構造物を形成する付記１から３のいずれかに記載の回路基板の製造方法である。
（付記５）  積層体が、金属製支持体と、第２金属層と、パターン状の第１金属層とをこの順で有し、
前記積層体の前記第２金属層の前記第１金属層が形成された面上及び前記第１金属層上に絶縁材料を密着させた後、かつ、前記絶縁材料を完全硬化させる前に、前記絶縁材料上に第３金属層が形成され、
前記絶縁材料を完全硬化させた後に、前記金属製支持体及び前記第３金属層を除去してプレート状構造物を形成する付記１から４のいずれかに記載の回路基板の製造方法である。
（付記６）  絶縁材料に接する第３金属層の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ以下である付記５に記載の回路基板の製造方法である。
（付記７）  硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達する穴に充填された導電性ペーストと、を有するプレート状構造物を複数有する回路基板であって、
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にあり、
複数の前記プレート状構造物のうち、一の前記導電性ペーストが充填された第１プレート状構造物と、他の前記導電性ペーストが充填された第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置することを特徴とする回路基板である。
（付記８）  第１金属層の一の面の表面が、粗面である付記６に記載の回路基板である。
（付記９）  導電性ペーストが充填されたプレート状構造物が、前記プレート状構造物の第１金属層が形成された面と反対側の面上に、接着層を有する付記７から８のいずれかに記載の回路基板である。
（付記１０）  硬化した絶縁材料と、前記絶縁材料の一の面上に形成されたパターン状の第１金属層と、前記絶縁材料に形成された前記第１金属層が形成された面と反対側の面から前記第１金属層まで達するビアと、を有するプレート状構造物を複数有する回路基板であって、
前記プレート状構造物は、前記絶縁材料に前記第１金属層が埋没して前記第１金属層の一の面と前記絶縁材料の一の面とが同一平面にあり、
複数の前記プレート状構造物のうち、一のビアを有する第１プレート状構造物と、他のビアを有する第２プレート状構造物とが、前記第１プレート状構造物の前記第１金属層と、前記第２プレート状構造物の穴の開口部とが対向して位置することを特徴とする回路基板である。
（付記１１）  第１金属層の一の面の表面が、粗面である付記１０に記載の回路基板である。
（付記１２）  ビアを有するプレート状構造物が、前記プレート状構造物の第１金属層が形成された面と反対側の面上に、接着層を有する付記１０から１１のいずれかに記載の回路基板である。
（付記１３）  ビアは、導電部材が充填された穴である付記１０から１２のいずれかに記載の回路基板である。
（付記１４）  付記７から１３のいずれかに記載の回路基板と、電子部品とを有することを特徴とする電子機器である。
【符号の説明】
【００８２】
１      第１金属層
２      絶縁材料
３      第２金属層
４      金属製支持体
５      フォトレジスト層
６      第３金属層
７      接着層
８      剥離層
９      導電性ペースト
１０    第４金属層
１１    第１金属層
１２    絶縁材料
１３    第２金属層
１４    金属製支持体
１８    剥離層
１９    導電性ペースト
２０    第４金属層
３１    第１金属層
３２    絶縁材料
３３    第２金属層
３４    金属製支持体
３９    導電性ペースト
４１    第１金属層
４２    絶縁材料
４３    第２金属層
４４    金属製支持体
４７    接着層
４９    導電性ペースト
５１    第１金属層
５１Ａ  第１Ａ層
５１Ｂ  第１Ｂ層
５３    第２金属層
５５    フォトレジスト層
６１    第１金属層
６３    第２金属層
６５    フォトレジスト層
１００  プレート状構造物
２００  プレート状構造物
３００  中心プレート状構造物
５００  マザーボード
５５０  ハンダボール
６００  インターポーザ
６５０  バンプ
７００  半導体素子
【図１】
2015026689.tif 000003
【図２Ａ】
2015026689.tif 000004
【図２Ｂ】
2015026689.tif 000005
【図２Ｃ】
2015026689.tif 000006
【図２Ｄ】
2015026689.tif 000007
【図２Ｅ】
2015026689.tif 000008
【図３Ａ】
2015026689.tif 000009
【図３Ｂ】
2015026689.tif 000010
【図３Ｃ】
2015026689.tif 000011
【図３Ｄ】
2015026689.tif 000012
【図４】
2015026689.tif 000013
【図５Ａ】
2015026689.tif 000014
【図５Ｂ】
2015026689.tif 000015
【図６Ａ】
2015026689.tif 000016
【図６Ｂ】
2015026689.tif 000017
【図７】
2015026689.tif 000018
【図８】
2015026689.tif 000019
【図９Ａ】
2015026689.tif 000020
【図９Ｂ】
2015026689.tif 000021
【図９Ｃ】
2015026689.tif 000022
【図１０】
2015026689.tif 000023
【図１１Ａ】
2015026689.tif 000024
【図１１Ｂ】
2015026689.tif 000025
【図１２Ａ】
2015026689.tif 000026
【図１２Ｂ】
2015026689.tif 000027
【図１３】
2015026689.tif 000028
【図１４Ａ】
2015026689.tif 000029
【図１４Ｂ】
2015026689.tif 000030
【図１５Ａ】
2015026689.tif 000031
【図１５Ｂ】
2015026689.tif 000032
【図１６】
2015026689.tif 000033
【図１７Ａ】
2015026689.tif 000034
【図１７Ｂ】
2015026689.tif 000035
【図１８Ａ】
2015026689.tif 000036
【図１８Ｂ】
2015026689.tif 000037
【図１９Ａ】
2015026689.tif 000038
【図１９Ｂ】
2015026689.tif 000039
【図１９Ｃ】
2015026689.tif 000040
【図１９Ｄ】
2015026689.tif 000041
【図１９Ｅ】
2015026689.tif 000042
【図２０Ａ】
2015026689.tif 000043
【図２０Ｂ】
2015026689.tif 000044
【図２０Ｃ】
2015026689.tif 000045
【図２０Ｄ】
2015026689.tif 000046
【図２０Ｅ】
2015026689.tif 000047
【図２１】
2015026689.tif 000048