(57)【要約】      （修正有）【課題】隣接する導体回路間のスペースが１０μｍ以下であっても絶縁信頼性の高いプリント配線板が提供される。【解決手段】第１の樹脂絶縁層２上における第１導体回路５４と第２導体回路５２との間の距離が１０μｍ以下であって、前記第１導体回路５４の第１側面と前記第２導体回路５２の第１側面は前記上面に近い上側の側壁と前記底面に近い下側の側壁を有し、前記上側の側壁に粗化層が形成されていて、前記下側の側壁に粗化層が形成されていない。【選択図】図３
2015041729.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の樹脂絶縁層と、
前記第１の樹脂絶縁層上に形成されている第１導体回路と前記第１導体回路に隣接している第２導体回路とを含む導体層と、
前記第１導体回路と前記第２導体回路間の空間を充填していると共に前記第１の樹脂絶縁層と前記導体層上に形成されている第２の樹脂絶縁層と、
を有するプリント配線板において、
前記第１導体回路は前記第１の樹脂絶縁層と接している底面と前記底面と反対側の上面と前記第２導体回路に近い第１側面と前記第１側面と反対側の第２側面を有し、
前記第２導体回路は前記第１の樹脂絶縁層と接している底面と前記底面と反対側の上面と前記第１導体回路に近い第１側面と前記第１側面と反対側の第２側面を有し、
前記第１の樹脂絶縁層上における前記第１導体回路と前記第２導体回路との間の距離が１０μｍ以下であって、
前記第１導体回路の第１側面と前記第２導体回路の第１側面は前記上面に近い上側の側壁と前記底面に近い下側の側壁を有し、前記上側の側壁に粗化層が形成されていて、前記下側の側壁に粗化層が形成されていない。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１導体回路の厚みがＴである時、前記上側の側壁の長さは、Ｔ/３〜２Ｔ/３の範囲である。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプリント配線板であって、前記第１と第２導体回路の線幅は、前記上面から前記底面に向かって大きくなっている。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１導体回路の厚みＴと前記第１導体回路の前記底面の線幅Ｌとの比（アスペクト比Ｔ/Ｌ）が２以下である。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板であって、さらに、前記第２の樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層を有し、前記導体層と前記第２導体層との最短距離は、前記第１導体回路の厚みＴよりも小さい。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１側面は、さらに、前記上側の側壁と前記下側の側壁の間に段差を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１導体回路とその第１導体回路に隣接している第２導体回路を有するプリント配線板に関し、第１導体回路と第２導体回路間の距離は１０μｍ以下であって、第１導体回路と第２導体回路の側壁は部分的に粗化されている。
【背景技術】
【０００２】
近年、高性能化および信号処理速度の高速化のトレンドに応じて、配線基板の小型化および配線パターンのファインピッチ化の要請が高まっている。
ファインピッチな導体回路を有するプリント配線板を実現する方法が、例えば、特許文献１に記載されている。特許文献１の製造方法によれば、一つのめっきレジストの幅および隣接するめっきレジスト間の隙間の幅は２０μｍ未満である。
【０００３】
特許文献２は導体回路の上面と側壁を粗化することを開示している。特許文献２の図１８や図１９に粗化することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５‐１５０５５１号公報
【特許文献２】特開平１０−１９０２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
隣接する導体回路間の距離（Ｌ）が２０μｍ未満になると、隣接する導体回路間の絶縁信頼性が低下しやすい。
【０００６】
隣接する導体回路間のスペースが１０μｍ以下であっても、絶縁信頼性の高いプリント配線板を提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るプリント配線板は、第１の樹脂絶縁層と、前記第１の樹脂絶縁層上に形成されている第１導体回路と前記第１導体回路に隣接している第２導体回路とを含む導体層と、前記第１導体回路と前記第２導体回路間の空間を充填していると共に前記第１の樹脂絶縁層と前記導体層上に形成されている第２の樹脂絶縁層と、を有する。そして、前記第１導体回路は前記第１の樹脂絶縁層と接している底面と前記底面と反対側の上面と前記第２導体回路に近い第１側面と前記第１側面と反対側の第２側面を有し、前記第２導体回路は前記第１の樹脂絶縁層と接している底面と前記底面と反対側の上面と前記第１導体回路に近い第１側面と前記第１側面と反対側の第２側面を有し、前記第１の樹脂絶縁層上における前記第１導体回路と前記第２導体回路との間の距離が１０μｍ以下であって、前記第１導体回路の第１側面と前記第２導体回路の第１側面は前記上面に近い上側の側壁と前記底面に近い下側の側壁を有し、前記上側の側壁に粗化層が形成されていて、前記下側の側壁に粗化層が形成されていない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態にかかるプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、実施形態にかかるプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３】（Ａ）は、実施形態にかかるプリント配線板の概念を模式的に示す断面図であり、（Ｂ）は、粗化後の導体回路の断面形状の例を示す説明図であり、（Ｃ）は、粗化後の導体回路の状態を示す説明図である。
【図４】隣接する配線パターン間の粗化処理前の線間距離と上側の側壁の長さとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図３（Ａ）に示されている断面図は本発明の実施形態のプリント配線板の一部を示している。図３（Ａ）中で右に描かれている導体回路は第１導体回路５４であって、第１導体回路５４に隣接している導体回路が第２導体回路５２である。図３（Ａ）では第２導体回路５２は左に描かれている。第１導体回路５４と第２導体回路５２は平行に並んでいる。図３（Ａ）は第１導体回路５４と第２導体回路５２に対し垂直な面でプリント配線板を切断することで得られる図である。図３（Ｂ）や図３（Ｃ）に示されている断面図も、導体回路に対し垂直な面でプリント配線板を切断することで得られる。また、垂直な面は導体回路の進行方向（電流の進行方向）に対し垂直である。
【００１０】
図３（Ａ）に示されている間隔Ｓは、第１導体回路５４と第２導体回路５２との間に存在しているスペース（空間）ＳＰの距離Ｓであって、１０μｍ以下である。距離Ｓは第１導体回路５４と第２導体回路５２から露出する第１の樹脂絶縁層２の長さに相当する。図３（Ａ）では、第１の樹脂絶縁層２上における第１導体回路５４と第２導体回路５２間の距離である。導体回路５４、５２の形状が図３（Ｂ）に示される形状の場合、距離Ｓは図３（Ｂ）に示されている部分の距離である。そして、スペースＳＰは第２の樹脂絶縁層２０で埋められている。
【００１１】
距離Ｓが１０μｍ以下になると、スペースＳＰを第２の樹脂絶縁層２０で埋めることは難しくなる。また、特許文献２に示されるように、従来技術では、導体回路の全側壁は粗面を有している。粗面は抵抗として働く。粗面は第２の樹脂絶縁層２０の動きを阻害する。そのため、粗面は第２の樹脂絶縁層２０でスペースＳＰを充填することを阻害する。従って、距離Ｓが１０μｍ以下であって、導体回路の全側壁が粗面を有していると、スペースＳＰを樹脂で充填することは難しい。スペースＳＰが樹脂で埋められないと、第２の樹脂絶縁層２０と第１の樹脂絶縁層２との間に隙間が発生する。そして、プリント配線板が吸湿すると、その隙間に水分が溜まりやすい。第１導体回路５４と第２導体回路５２間の絶縁抵抗が低くなることがある。
【００１２】
また、第１導体回路５４と第２導体回路５２間の第１樹脂絶縁層２と第２樹脂絶縁層２０との間に隙間（ボイド）が存在すると、プリント配線板の製造時の熱や使用時の熱でボイドが膨張する。ボイドの膨張により、隙間が大きくなるので、第１導体回路５４と第２導体回路５２が短絡する場合がある。
【００１３】
本発明の実施形態が図３（Ａ）を参照して説明される。実施形態のプリント配線板は、第１の樹脂絶縁層２と、第１の樹脂絶縁層２上に形成されている導体層５を有している。導体層５が第１導体回路（図３（Ａ）中の右側の導体回路）５４と第２導体回路（図３（Ａ）中の左側の導体回路）５２を含む複数の導体回路（配線パターン）を有している。第１導体回路５４と第２導体回路５２間の距離Ｓが１０μｍ以下である。
【００１４】
第１導体回路５４と第２導体回路５２は、第１の樹脂絶縁層２と接している底面を有する。第１導体回路５４と第２導体回路５２はさらに、底面と反対側の上面と第１側面と第１側面と反対側の第２側面を有する。第１導体回路５４の第１側面と第２導体回路５２の第１側面は向かい合っている。つまり、第２導体回路５２の第１側面は第１導体回路５４に近く、第２導体回路５２の第２側面は第１導体回路５４から遠い。図３（Ａ）では、第１導体回路５４の右側の側面が第２側面であり、左側の側面が第１側面であり、第２導体回路５２の右側の側面が第１側面であり、左側の側面が第２側面である。
【００１５】
そして、第１側面は上側の側壁（第１の上側の側壁）ｘと下側の側壁（第１の下側の側壁）ｙを有する。上側の側壁ｘは上面に近く、下側の側壁ｙは底面に近い。第２側面と上面と上側の側壁ｘは粗化されている。下側の側壁ｙは粗化されていない。全上面と全第２側面は粗化されている。第１側面の上端から途中までの側壁（上側の側壁）ｘは粗化されているが、第１側面の下端から途中までの側壁（下側の側壁）ｙは粗化されていない。
【００１６】
また、図３（Ａ）に示されているように、第１側面は段差ＳＴを有することが好ましい。段差ＳＴを有することで、第１導体回路５４の第１側面の上端ＵＥと第２導体回路５２の第１側面の上端ＵＥとの間の距離が大きくなる。スペースＳＰに樹脂を充填することが容易になる。第１側面が段差を有する場合、例えば第１側面の上端ＵＥから段差ＳＴまでの側面が上側の側壁ｘであり、段差ＳＴから下端ＢＥまでの側面が下側の側壁ｙである。
【００１７】
図３（Ａ）では、第１導体回路５４の右側に導体回路が省略されているが、省略されている右側の導体回路と第１導体回路間５４間の距離Ｓは１０μｍを越えている。図３（Ａ）では、第２導体回路５２の左側に導体回路が省略されているが、省略されている左側の導体回路と第２導体回路５２間の距離Ｓは１０μｍを越えている。距離Ｓが１０μｍを越えているので、第２側面が粗化されても、導体回路間は樹脂で充填される。
【００１８】
導体層５が第２導体回路５２の横に第３導体回路を有し、第２導体回路５２と第３導体回路の間の距離Ｓが１０μｍ以下であると、第２導体回路５２の第２側面は第２の上側の側壁ｘと第２の下側の側壁ｙを有する。この場合、第２側面の上側の側壁（第２の上側の側壁）ｘは粗化されていて、第２側面の下側の側壁（第２の下側の側壁）ｙは粗化されていない。
【００１９】
即ち、隣接する導体回路間の距離Ｓが１０μｍ以下の場合、対向する側面の各下端に近い部分（下側の側壁ｙ）に粗化層（粗面）Ｒが形成されない。そのため、導体層５上に未硬化の樹脂フィルムが積層され、樹脂フィルム中の樹脂が加熱プレス等で導体回路５４，５２間のスペースＳＰ（空間）に充填される時、導体回路５４，５２の側壁の粗面Ｒに起因する抵抗が小さくなる。未硬化の樹脂材料が、スペースＳＰの下端まで充填される。したがって、スペースＳＰに充填される第２の樹脂絶縁層２０とスペースＳＰにより露出する第１の樹脂絶縁層２との間に隙間が生じることがない。そのため、第１と第２導体回路５４，５２間の絶縁抵抗や絶縁信頼性が高くなる。
【００２０】
距離Ｓが１０μｍ以下なので、対向する下側の側壁ｙ間に形成されている第２の樹脂絶縁層（下側の側壁ｙ間の第２の樹脂絶縁層）２００の量が少ない。そのため、プリント配線板がヒートサイクルを受けても、下側の側壁ｙ間の第２の樹脂絶縁層２００の変形量は小さい。したがって、下側の側壁ｙが粗面Ｒを有していなくても、下側の側壁ｙから第２の樹脂絶縁層２００は剥がれがたい。
【００２１】
図３（Ａ）に示されるように、第１側面は、概ね、上面から底面に向かって、導体回路の線幅が大きくなるようにテーパーしている。第１導体回路５４や第２導体回路５２の形状は略台形である。そのため、対向する上側の側壁ｘ間に形成されている第２の樹脂絶縁層２０００の量は多い。上側の側壁ｘが粗面Ｒを有すると、第１側面から第２の樹脂樹脂層２０００は剥がれがたい。
【００２２】
第１の樹脂絶縁層２は、熱硬化性樹脂を用いて形成される。第１の樹脂絶縁層２はシリカ等の無機粒子を含んでも良い。第１の樹脂絶縁層２はガラスクロス等の補強材を含んでも良い。第１の樹脂絶縁層２は無機粒子と補強材を含んでも良い。
【００２３】
第１の樹脂絶縁層２上に導体層５が形成される。導体層５は周知のセミアディティブ法で形成される。
図１（ａ）にコア基板１とコア基板１上の第１の樹脂絶縁層２が示されている。
図１（ｂ）に示されるように、第１の樹脂絶縁層２上にシード層として無電解銅めっき膜１２が形成される。無電解銅めっき膜１２の厚みは、０．１〜５μｍである。
【００２４】
次に、シード層（無電解銅めっき膜）１２上にめっきレジスト３が形成される（図１（ｄ））。
具体的には、２０〜５０μｍの厚みを有するドライフィルム１４がシード層上に貼り付けられる（図１（ｃ））。そして、所定のパターンを有するフォトマスクを介してドライフィルム１４が露光される。その後、現像を行うことによって、導体層５を構成する複数の導体回路を形成するためのめっきレジスト３が形成される（図１（ｄ））。
【００２５】
図１（ｄ）に示されるように、めっきレジスト３は、１０μｍ未満の幅ＲＷを有するレジストパターンＲＴを含む。レジストパターンＲＴの幅ＲＷはシード層上での幅である。後述されるシード層の除去工程で導体回路間の幅が大きくなることがあるので、レジストパターンＲＴの幅ＲＷは９．８μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
次に、めっきレジスト３により露出されるシード層上に電解めっき膜（電解銅めっき膜）１３が形成される（図２（ａ））。電解めっき膜の膜厚は、１０〜２０μｍである。
その後、ＮａＯＨやアミンなどでめっきレジスト３が除去される（図２（ｂ））。
さらに、電解めっき膜１３間のシード層（無電解銅めっき膜）１２は、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液により除去される。無電解銅めっき膜１２と、無電解銅めっき膜１２上の電解銅めっき膜１３とからなる導体層５が形成される（図２（ｃ））。
【００２７】
次に、導体層５にエッチング処理（粗化処理）が行われる。導体層５の複数の導体回路の内、特定の導体回路は特定の部分だけ粗化される。
即ち、導体層５が第１導体回路とその第１導体回路に隣接する第２導体回路を有し、第１導体回路と第１導体回路に隣接する第２導体回路間の距離が１０μｍ以下である場合、第２導体回路と向かい合っている第１導体回路の側壁は特定の部分だけに粗面を有する。特定の部分は導体回路の上面から所定の距離内の側壁である。粗化処理では、特定の部分に粗面が形成され、それ以外の側面部分に粗面が形成されないように粗化処理が行われる。導体回路の上面は粗面を有する。
【００２８】
一方、隣接する導体回路間の間隔が１０μｍを越える場合、向かい合う導体回路の全側面に粗面が形成される。
このような粗面を形成するためのエッチング液として、硫酸と過酸化水素水の混合液や有機酸と銅錯体を含むエッチング液、過硫酸ナトリウム水溶液などが挙げられる。
【００２９】
特に、エッチング液として、メック社製の「メックエッチボンド」が好ましい。メック社製の商品名「メックエッチボンドＳＴＺ−３１００」を用いて、以下のようなエッチング条件（濃度、方法、温度等）にてエッチング処理することが好ましい。また、このようなエッチング処理により形成される粗面の表面粗さ（算術平均粗さ）は、０．１５〜０．２５μｍであることが好ましい。
【００３０】
〔エッチング条件〕
濃度：銅濃度１７．５ｇ／Ｌ
方法：スプレーもしくはエッチング液に浸漬
温度：２５℃（２０〜３０℃）
時間：２０〜８０秒
【００３１】
導体回路の側面の特定の部分（上側の側壁）を粗化する方法として、スプレーや浸漬が挙げられる。距離Ｓが１０μｍ以下であると、スペースＳＰ内でエッチング液の入れ替わりが悪い。もしくは、入れ替わりが起こらない。そのため、スペースＳＰの上部でエッチング剤が消費される。エッチング剤が上側の側壁ｘを形成することに消費される。特定の部分の距離Ｘはエッチング液の濃度や処理時間やスプレーの圧力などで調整される。下側の側壁ｙを形成するため、エッチング液の濃度は薄いことが好ましい。また、エッチング時間は短いことが好ましい。スプレーの圧力は小さいことが好ましい。一方、距離Ｓが１０μｍを越えるとスペースＳＰ内でエッチング液の入れ替わりが良好となる。したがって、全側面が粗化される。
【００３２】
このようなエッチング処理によれば、導体回路の線幅Ｌは、その上面から底面に向かうにつれて次第に大きくなる。線幅Ｌは図３（Ｃ）に示されているように、導体回路の底面と略平行な面で導体回路を切断することで得られるカット面ＣＵＴの幅である。即ち、エッチング処理により粗面を有する導体回路は、その導体回路の線幅が上面から底面に向かうにつれて次第に大きくなるように形成される。
【００３３】
特に、距離Ｓが１０μｍ以下であると、導体回路の上部と下部でのエッチング量の差が大きいので上側の側壁ｘと下側の側壁ｙの間に段差ＳＴが生じやすい。また、距離Ｓが１０μｍを越えると、線幅Ｌは上面から底面に向かってほぼ直線的に大きくなる。段差ＳＴ部分の側壁は粗面を有することが好ましい。
【００３４】
つまり、実施形態によれば、距離Ｓが１０μｍ以下であると、スペースＳＰを介して向かい合っている導体回路の側面は特定の部分のみに粗面が形成されるように、エッチング条件がコントロールされる。また、距離Ｓが１０μｍを越えると、スペースＳＰを介して向かい合っている導体回路の全側面に粗面が形成される。
【００３５】
また、距離Ｓが１０μｍ以下であって、エッチングで上側の側壁ｘが形成されると、距離Ｓと上側の側壁ｘの長さＸとの間に関係が存在する。距離Ｓが小さいほど、上側の側壁ｘの長さＸは小さくなる。その関係が図４に示されている。図４では、導体回路の厚みＴは約１５μｍである。距離Ｓと上側の側壁ｘの長さＸはほぼ比例している。
【００３６】
図３（Ａ）に示されているように導体回路の厚みがＴであるとき、上側の側壁ｘの長さＸはＴ/３〜２Ｔ/３の範囲であることが好ましい。つまり、導体回路の側壁は、所定の長さの上側の側壁ｘとそれ以外の下側の側壁ｙで形成され、下側の側壁ｙが粗面を有していない。なお、（下側の側壁ｙの長さＹ）＝（導体回路の厚みＴ）−（上側の側壁ｘの長さＸ）である。したがって、スペースＳＰに、第２の樹脂絶縁層２０を形成するための未硬化の樹脂が充填される際、粗面は抵抗となるが、実施形態では、下側の側壁ｙが粗面を有していないので、粗面の影響が小さくなる。そのため、第２の樹脂絶縁層２０を形成する樹脂でスペースＳＰを十分に埋めることができる。スペースＳＰは第２の樹脂絶縁層２０で十分に埋められる。スペースＳＰは第２の樹脂絶縁層２０で完全に埋められる。したがって、第２の樹脂絶縁層２０と第１の樹脂絶縁層２との界面に隙間が形成されることがない。距離Ｓが１０μｍ以下であっても、第１と第２の樹脂絶縁層２，２０が密着する。また、第２の樹脂絶縁層２０と導体回路５２，５４の側壁が密着する。そのため、距離Ｓが１０μｍ以下であっても、第１と第２の樹脂絶縁層２，２０間や第２の樹脂絶縁層２０と導体回路５２，５４間で剥がれが発生しない。
【００３７】
第２の樹脂絶縁層２０は、第１の樹脂絶縁層２と同様な材料で形成される。第１の樹脂絶縁層２はガラスクロス等の補強材を有し、第２の樹脂絶縁層２０は補強材を含まないことが好ましい。第２の樹脂絶縁層２０が補強材を含むとスペースＳＰ内に樹脂を充填することが難しくなる。第１の樹脂絶縁層２が補強材を有すると、第１の樹脂絶縁層２の剛性が高いので、第１の樹脂絶縁層２上に形成される導体層５の距離Ｓを１０μｍ以下にすることが容易となる。第２の樹脂絶縁層２０が補強材を有してもよい。スペースＳＰ内に樹脂が充填されるとき、均一に圧力をかけることができる。
【００３８】
さらに、第１や第２の樹脂絶縁層２，２０が無機粒子を含む場合、その平均粒子径は０．５μｍ以下であることが好ましい。粒子の径が０．５μｍ以下であると、樹脂が粒子を含んでいても、実施形態のスペースＳＰを樹脂で充填することが容易である。
第１や第２の樹脂絶縁層２，２０は、液状の樹脂を塗布することや樹脂シートをラミネートすることにより形成される。ラミネートが好ましい。
【００３９】
第２の樹脂絶縁層２０上に、導体層５と同様な第２の導体層を形成することができる。この場合、第２の導体層の底面と導体層５の上面との間に形成されている第２の樹脂絶縁層２０の厚み（層間厚み）は、導体層５の厚みよりも小さいことが望ましい。層間厚みが薄いので、ヒートサイクル時の樹脂の変形量が小さくなる。そのため、距離Ｓが１０μｍ以下であって導体回路の側面が下側の側壁ｙを有しても、ヒートサイクルで樹脂が導体回路から剥がれがたい。
【００４０】
さらに、この実施形態では、第２の導体層上に開口を有するソルダーレジスト層を形成することができる。そして、ソルダーレジスト層の開口にハンダバンプを形成することで多層プリント配線板が得られる。
【００４１】
以下、この発明の一実施形態にかかるプリント配線板の製造方法が説明される。実施形態では、第１および第２の樹脂絶縁層２，２０としてエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂が用いられている。例えば、味の素ファインテクノ社製のＡＢＦフィルムが用いられる。
【００４２】
(1)第１の樹脂絶縁層２が形成される（図１（ａ））。第１の樹脂絶縁層２は例えば支持板１やコア基板１上に形成される。第１の樹脂絶縁層２は、例えば、特開２０００−３２３６１３号公報の図２（ｃ）に示されている絶縁層や特開２０００−２６０９０５号公報の図２（ｂ）に示されている樹脂絶縁層である。
【００４３】
(2)第１の樹脂絶縁層（第１の層間樹脂絶縁層）２上に無電解めっきやスパッタ等でシード層１２が形成される（図１（ｂ））。実施形態では、シード層１２は銅で形成されている。シード層１２の厚さは、０．１〜２．０μｍ程度であることが望ましい。シード層１２の形成前に第１の樹脂絶縁層の上面を粗化することができる。
【００４４】
(3)シード層１２上にめっきレジスト３が形成される（図１（ｄ））。シード層１２上にドライフィルム１４が貼り付けられる（図１（ｃ））。ドライフィルム１４の厚みは２０μｍから４０μｍである。そして、所定のパターンを有するフォトマスクを介してドライフィルム１４が露光される。その後、ドライフィルム１４が現像され、めっきレジスト３が形成される（図１（ｄ））。めっきレジスト３は、１０μｍ未満の幅ＲＷを有するレジストパターンＲＴを含む。
【００４５】
実施形態では、１０本のレジストパターンＲＴが平行して並んでいる。その１０本のレジストパターンＲＴの幅ＲＷは、順に、１０．８μｍ、１０．８μｍ、９．８μｍ、９．８μｍ、７．８μｍ、７．８μｍ、５．８μｍ、５．８μｍ、４．８μｍ、４．８μｍであり、隣接するレジストパターンＲＴ間の距離ＲＬは８．２μｍである。
【００４６】
(4)次に、シード層１２をリードとして電解めっきが行われる。めっきレジスト３から露出するシード層１２上に電解めっき膜１３が形成される（図２（ａ））。電解めっき膜１３の膜厚は、７〜１５μｍである。
【００４７】
(5)電解めっき膜１３間のめっきレジスト３が水酸化ナトリウム水溶液で除去される（図２（ｂ））。そして、電解めっき膜１３から露出するシード層１２がエッチングで除去される。シード層１２と電解めっき膜１３からなる導体層５が形成される（図２（ｃ））。シード層１２が除去される時、導体回路の側面も０．１μｍ程度除去される。したがって、実施形態の導体層は、８μｍの線幅Ｌを有する導体回路を１１本有する。導体層５の厚み（高さ）は１５μｍである。そして、隣接する導体回路間の距離ＳはＳ１＝１１μｍ、Ｓ２＝１０μｍ、Ｓ３＝８μｍ、Ｓ４＝６μｍ、Ｓ５＝５μｍである。電解めっき膜１３やシード層１２は銅が好ましい。第１導体回路の厚みＴと第１導体回路の底面の線幅Ｌとの比（アスペクト比Ｔ/Ｌ）が２以下であって、側面が下側の側壁を有すると、スペース（第１導体回路と第２導体回路間の空間）内が樹脂で充填される。
【００４８】
（6）次に、特開２０００−２８２２６５号公報で開示されているエッチング液で、導体層５が粗化される。エッチングは、導体層５を有する基板をエッチング液に浸漬することで行われる。
エッチング液とエッチング条件の例が下に示されている。
（エッチング液とエッチング条件）
硫酸：５０ｇ／Ｌ
過酸化水素：４０ｇ／Ｌ
５−アミノトリアゾール：１ｇ／Ｌ
亜リン酸：１ｇ／Ｌ
温度：２０℃
浸漬時間：１０秒
エッチング後、基板は水で洗浄される。
【００４９】
特開２０００−２８２２６５号公報では、銅張積層板がエッチングされている。そのため、銅箔の全面が粗化される。それに対し、実施形態では、導体回路の側面が粗化されている。実施形態では、距離Ｓが１０μｍ以下なので、エッチング液がスペースＳＰ内の第１の樹脂絶縁層の上面まで到達しがたい。また、各濃度やエッチング時間が下限なので、導体回路の側壁の上側のみが粗化される。したがって、図３（Ａ）に示される形状の導体回路が得られる。エッチング液の濃度や処理時間、処理方法を変更することで、上側の側壁ｘの長さＸを調整することができる。例えば、特開２０００−２８２２６５号公報に開示されているエッチング量を管理することで、上側の側壁の長さは制御される。
【００５０】
(7)導体層５上に第２の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。樹脂フィルムはエポキシ樹脂と硬化剤を含むＢステージのフィルムである。また、樹脂フィルムの厚みは約３０μｍである。その後、真空ラミネーターで導体回路間のスペースに樹脂フィルムの樹脂が充填される。
（真空ラミネートの条件）
温度：５０℃から１５０℃
圧力：５ｋｇ／ｃｍ２
【００５１】
続いて、樹脂フィルムが硬化され第１の樹脂絶縁層２と導体層５上に第２の樹脂絶縁層２０が形成される（図２（ｄ））。第２の樹脂絶縁層２０はスペースＳＰを充填している。
上記(2)〜(6)の工程が繰り返され、第２の樹脂絶縁層２０上に図示しない第２の導体層が形成される。
【００５２】
その後、第２の樹脂絶縁層２０と第２の導体層上に開口を有する図示しないソルダーレジスト層が形成される。ソルダーレジスト層の開口から露出する第２の導体層上にハンダバンプを形成することにより、多層プリント配線板が得られる。第２の樹脂絶縁層２０を貫通するビア導体を形成することで第２の導体層と導体層を接続することができる。ビア導体の形成方法は例えば特開２０００−２６０９０５号公報に開示されている。
【符号の説明】
【００５３】
１  コア基板、支持板
２  第１の層間樹脂絶縁層
３  めっきレジスト
５  導体層
１２  シード層
１３  電解めっき膜
１４  ドライフィルム
２０，２００，２０００  第２の層間樹脂絶縁層
５２  第２導体回路
５４  第１導体回路
ＢＥ  下端
Ｌ  導体回路の線幅
Ｒ  粗面
ＲＴ  レジストパターン
Ｓ，Ｓ１〜Ｓ５  間隔（距離）
ＳＰ  スペース
ＳＴ  段差
Ｔ  導体回路の厚み（高さ）
ＵＥ  上端
Ｘ  上側の側壁の長さ
Ｙ  下側の側壁の長さ
ｘ  上側の側壁
ｙ  下側の側壁
【図１】
2015041729.tif 000003
【図２】
2015041729.tif 000004
【図３】
2015041729.tif 000005
【図４】
2015041729.tif 000006