(57)【要約】【課題】ビア導体を介して接続される導体回路間の接続信頼性の低下。【解決手段】プリント配線板の製造方法が、補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる絶縁層を準備することと、前記絶縁層の前記樹脂層上に第１金属箔を積層することと、前記第１金属箔および前記絶縁層を貫通する貫通孔をレーザで形成することと、前記第１金属箔を前記絶縁層から除去することと、前記絶縁層の前記樹脂層上に導体層を形成することと、前記貫通孔にビア導体を形成することを含む。【選択図】図１
2015088544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる絶縁層を準備することと、
前記絶縁層の前記樹脂層上に第１金属箔を積層することと、
前記第１金属箔および前記絶縁層を貫通する貫通孔をレーザで形成することと、
前記第１金属箔を前記絶縁層から除去することと、
前記絶縁層の前記樹脂層上に導体層を形成することと、
前記貫通孔にビア導体を形成することと、
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記絶縁層を準備することは、前記補強層上に前記樹脂層を形成することを含む。
【請求項３】
補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる絶縁層と、
前記樹脂層上に形成されていて第１シード層と第１シード層上の第１電解めっき層で形成されている第１導体層と、
前記補強層上に形成されていて金属箔と第２シード層と第２シード層上の第２電解めっき層で形成されている第２導体層と、
前記絶縁層を貫通し、前記第１導体層と前記第２導体層を接続していて、前記第１シード層と前記第１電解めっき層で形成されているビア導体とからなるプリント配線板。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、前記第１導体層の厚みと前記第２導体層の厚みの差は前記金属箔の厚みより小さい。
【請求項５】
請求項３のプリント配線板であって、前記第１導体層に含まれる導体回路と前記第２導体層に含まれる導体回路と前記ビア導体でインダクタが形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の製造方法および、プリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、回路基板の製造方法を開示している。そして、特許文献１の図１によれば、特許文献１の製造方法は、両面銅張積層板を準備することと、コンフォーマル・マスク法でビアホールを絶縁基板に形成することと、ビアホールにデスミア処理をすることと、ビアホール内にめっき層を形成することを含んでいる。そして、デスミア処理をすることは、特許文献１の図１（Ｂ）示されるように、銅箔に突出部を形成することを含んでいる。コンフォーマル・マスク法は、例えば特許文献２に開示されている。
【０００３】
特許文献１は、銅箔の突出部を有するので、ビアホール内に電解めっきでビア導体が形成される時、特許文献１の図１（Ｃ）に示されているように、銅箔の突出部の縁にも電解めっき層が形成される。銅箔の開口を通って、ビアホール内にめっき液は供給されるので、突出部に析出するめっきの析出速度はビアホール内に析出するめっきの析出速度より速いと考えられる。そのため、特許文献１の図１に示されている方法でビアホール内にめっき層が形成されると、ビアホール内がめっきで充填される前に銅箔に形成されている開口がめっきで閉じられると考えられる。その場合、ビアホール内のめっき層にボイドが発生すると推察される。特に、銅箔の突出部とビアホールの内壁で囲まれている隅にボイドが発生すると考えられる。
【０００４】
銅箔の開口が閉じられると、ビアホール内にめっき液が残ると考えられる。プリント配線板の使用時、ビアホール内のめっき液でビア導体の腐食が起こると考えられる。腐食により、ビア導体の断線が発生することがあると推察される。
ビア導体内にボイドが残留すると、ビア導体の断面積が局所的に小さくなる。その部分の電気抵抗が高くなる。ＩＣチップへの電力の供給に遅延が生じると考えられる。ボイドを含むビア導体がインダクタ回路に含まれると、所望のインダクタンスやＱ値が得られないと予想される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２３２５９０号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４６０５号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的は、ビア導体を介して接続される導体回路間の接続信頼性を確保することである。別の目的は、ビア導体を含む回路の抵抗を小さくすることである。さらなる別の目的はビア導体の径を小さくすることである。
【０００７】
本発明のプリント配線板の製造方法は、補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる層間樹脂絶縁層を準備することと、前記層間樹脂絶縁層の前記樹脂層上に第１金属箔を積層することと、前記第１金属箔および前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔をレーザで形成することと、前記第１金属箔を前記層間樹脂絶縁層から除去することと、前記層間樹脂絶縁層の前記樹脂層上に導体層を形成することと、前記貫通孔にビア導体を形成することを含む。
【０００８】
尚、補強材を含む補強層が準備され、その補強層に樹脂層を形成することは、補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる層間樹脂絶縁層を準備することに含まれる。
また、層間樹脂絶縁層とその層間樹脂絶縁層に積層されている金属箔とからなる金属箔付層間樹脂絶縁層が準備され、その後、金属箔と層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔が形成されても良い。
【０００９】
本発明のプリント配線板は、補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる絶縁層と、前記樹脂層上に形成されていて第１シード層と第１シード層上の第１電解めっき層で形成されている第１導体層と、前記補強層上に形成されていて金属箔と第２シード層と第２シード層上の第２電解めっき層で形成されている第２導体層と、前記絶縁層を貫通し、前記第１導体層と前記第２導体層を接続していて、前記第１シード層と前記第１電解めっき層で形成されているビア導体とを有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法における各工程を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態のプリント配線板の製造方法における各工程を模式的に示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態のプリント配線板の製造方法における各工程を模式的に示す断面図である。
【図４】実施形態のプリント配線板のコア基板を模式的に示す断面図。
【図５】本発明の一実施形態の多層プリント配線板を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の一実施形態の多層プリント配線板の応用例を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法およびプリント配線板が詳細に説明される。図５は、実施形態の多層プリント配線板１を模式的に示す断面図であり、図６は、実施形態の多層プリント配線板１の応用例を示している。応用例では、多層プリント配線板１にＩＣチップ等の電子部品７０，７００が実装されている。
【００１２】
図５に示される多層プリント配線板１は、第１面Fと第１面と反対側の第２面Ｓを有する多層コア基板２と、多層コア基板２の第１面Ｆ上に形成されている第１ビルドアップ層３Ｕと、多層コア基板２の第２面Ｓ上に形成されている第２ビルドアップ層３Ｄとを有する。
【００１３】
図４は、多層コア基板２を示している。図４に示されているように、多層コア基板２は、積層方向の中央部に両面板１０を有する。そして、その両面板１０の両面にそれぞれ複数の樹脂絶縁層（絶縁層）３０と複数の導体層４４が積層されている。図４では、４層の樹脂絶縁層３０と４層の導体層４４が両面板１０の両面に積層されている。
図１と図２は多層コア基板２の両面板１０の製造方法を示している。
【００１４】
（１）両面板１０を製造するために、図１（ａ）に示される金属箔付絶縁層１１が準備される。図１（ａ）では、金属箔付絶縁層１１は両面銅張積層板である。両面銅張積層板１１は、補強材を含む補強層１２と補強層１２上に形成されていて補強層を含まない樹脂層１３とからなる樹脂絶縁層（第１絶縁層）１４を有する。第１絶縁層（樹脂絶縁層）１４は第1面ＦＦと第1面と反対側の第２面ＳＳを有する。
両面銅張積層板１１は、さらに、第１絶縁層１４の第1面ＦＦ上に積層されている第１金属箔１６としての銅箔と、第１絶縁層１４の第２面ＳＳ上に積層されている第２金属箔１７としての銅箔を有する。金属箔付絶縁層１１は第１絶縁層１４の第１面ＦＦと第２面ＳＳ上に金属箔を積層することで作られる。
【００１５】
補強層１２は、ガラスクロス等の補強材とエポキシ等の樹脂で形成されている。補強層１２は、さらに、シリカ等の無機粒子を含むことが好ましい。
補強層１２の厚さは、１００μｍ以下であることが望ましく、さらに、３０〜７０μｍの範囲であることがより望ましい。厚みが１００μｍを越えると、プリント配線板の厚みが大きくなる。
【００１６】
樹脂層１３は、エポキシ等の樹脂で形成されている。樹脂層１３は、繊維等の補強材を含まないが、シリカ等の無機粒子を含むことが好ましい。樹脂層１３の厚みは、５μｍ〜２０μｍであり、樹脂層１３の厚みと補強層１２の厚みの比（樹脂層１３の厚み／補強層１２の厚み）は１／３〜１／１０である。
樹脂層１３に粗面を形成することができる。そのため、樹脂層１３上に後述されるシード層を直接形成することができる。
樹脂層１３を補強層１２上に形成することで、第１絶縁層１４の第１面ＦＦ上に微細な導体回路を形成することができる。
第１金属箔１６と第２金属箔１７の厚さは、１〜５μｍである。
【００１７】
（２）次に、第１金属箔１６に炭酸ガスレーザ等のレーザが直接照射される。第1金属箔１６と第１絶縁層１４を貫通し、第２金属箔１７に至るビア導体用開口１８が形成される（図１（ｂ）参照）。
実施形態では、ダイレクトレーザ法が用いられている。
【００１８】
レーザ加工は、たとえばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によって行われる。加工条件が以下に示される。たとえばパルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪであり、パルス幅が１〜１００μｓであり、パルス間隔が０．５ｍｓ以上であり、ショット数が２〜１０の範囲内である。そして、この加工条件のもとで形成されるビア導体用開口１８の径は、５０〜２５０μｍである。
このとき、第１金属箔１６は第１絶縁層１４よりレーザで加工され難い。この結果、図１（ｂ）に示されるように、第１金属箔１６に形成される開口１８の径は第１絶縁層１４に形成される開口１８の径より小さくなる。第１絶縁層１４の開口の外周は第１金属箔１６で覆われている。第１金属箔１６が第１絶縁層１４の開口１８上に突出している。第１絶縁層１４の開口１８上に突出している第１金属箔１６はひさしと称される。
【００１９】
（３）次に、開口１８の側壁および底面に存在する樹脂残滓を除去するためデスミア処理が行われる。この時、開口１８の内壁は粗化される。
デスミア処理は、例えば、薬液またはプラズマで行われる。
【００２０】
（４）次に、第２金属箔１７が保護膜で覆われる。その後、エッチングによって第１金属箔１６が除去される（図１（ｃ））。この時、第１金属箔１６のマット面が樹脂層１３に転写される。樹脂層１３に粗面が形成される。また、ビア導体用開口１８から露出する第２金属箔１７の厚みがエッチングで薄くなる。ビア導体と導体層の接続信頼性を高くするため、第２金属箔１７の厚みは第１金属箔１６の厚みより厚いことが好ましい。第２金属箔１７の厚みと第1金属箔１６の厚みとの比（第２金属箔１７の厚み／第1金属箔１６の厚み）が１．３〜１．５であると、接続信頼性が高い。また、第１絶縁層１４の両面に微細な導体回路を形成することができる。
これにより、図１（ｂ）に示されている第１絶縁層１４の開口１８上に存在する第１金属箔（ひさし）１６が消失する。ビア導体用開口１８内に電解めっき液が入りやすい。ビア導体用開口１８内のめっき液の入れ替わりが起こりやすい。ビア導体用の開口１８をめっき膜で充填することが容易になる。
【００２１】
（５）次に、第２金属箔１７上の保護膜が除去される。そして、無電解銅めっき処理により、第１絶縁層１４の第２面ＳＳ上に形成されている銅箔１７上と、第１絶縁層１４の第１面ＦＦ上と、開口１８の内壁とに、無電解銅めっき膜などのシード層２０が形成される（図１（ｄ））。無電解銅めっき膜２０の厚みは、例えば、０．５μｍ〜２μｍである。無電解銅めっき膜２０は樹脂層１３上に直接形成される。無電解銅めっき膜２０は樹脂層１３の粗面上に形成される。
第１面ＦＦ上のシード層２０は第１シード層であり、第２面ＳＳ上のシード層２０は第２シード層である。
【００２２】
（６）続いて、電解銅めっき処理により、無電解銅めっき膜２０上に電解銅めっき膜２２が形成される。この時、ビア導体用の開口１８にビア導体２４が形成される。電解銅めっき膜２２の厚みは５μｍ〜２０μｍである。前の工程で、ひさしが除去されているので、開口１８の底までめっき液が到達しやすい。また、開口１８内にフレッシュなめっき液を供給することができる。開口１８内でめっき液のよどみが小さくなる。そのため、開口１８は電解めっき膜で充填される。
第１面ＦＦ上の電解銅めっき膜２２は第１電解めっき層であり、第２面ＳＳ上の電解銅めっき膜２２は第２電解めっき層である。
【００２３】
（７）次に、電解銅めっき膜２２上にエッチングレジスト層２６が形成される（図２（ａ））。
（８）次に、エッチングレジスト層２６から露出する導体がエッチングで除去される（図２（ｂ））。この時、第１絶縁層１４の第１面ＦＦ上に形成されている無電解銅めっき膜２０と電解銅めっき膜２２が除去される。第１絶縁層１４の第２面ＳＳ上に形成されている銅箔１７と無電解銅めっき膜２０と電解銅めっき膜２２が除去される。
【００２４】
（９）その後、エッチングレジスト層２６が除去される。両面板１０が完成する（図２（ｃ））。第１絶縁層１４の第１面ＦＦ上に第１導体層２８が形成される。第１絶縁層１４の第２面ＳＳ上に第２導体層２９が形成される。開口１８に第１導体層２８と第２導体層２９を接続するビア導体２４が形成される。第１導体層２８は複数の導体回路とビア導体２４を覆っている導体とビア導体２４の周りに形成されているランド２７を含む。ランド２７はビア導体２４の径より大きく、ランド２７の径は７５μｍ〜３５０μｍである。第１導体層２８は無電解銅めっき膜２０と電解銅めっき膜２２で形成されている。
【００２５】
第２導体層２９は複数の導体回路とビア導体２４を覆っている導体とビア導体２４の周りに形成されているランド２７を含む。ランド２７はビア導体２４の径より大きく、ランド２７の径は７５μｍ〜３５０μｍである。第２導体層２９は銅箔１７と無電解銅めっき膜２０と電解銅めっき膜２２で形成されている。
【００２６】
第２導体層２９は銅箔１７等の金属箔を含むが第１導体層２８は金属箔を含まない。そのため、第１導体層２８の厚みは第２導体層２９の厚みより薄い。第1導体層２８に微細な導体回路を形成することができる。従って、第１導体層２８は主として信号層として機能することが好ましい。第１導体層２８が信号線とそれ以外の回路（例えば、電源層）を含む場合、第１絶縁層１４の第１面ＦＦ上に形成されている導体層の面積の内、信号線と機能する配線の面積が５５％以上であると、第１導体層２８は主として信号層として機能している。信号線が複数存在する場合、それぞれの信号線の面積を足すことで、信号層の面積は算出される。
【００２７】
第２導体層２９の厚みは厚いので、第２導体層２９の抵抗は低い。従って、第２導体層２９は主として電源層またはグランド層として機能することが好ましい。ＩＣチップに電力がスムーズに供給される。第２導体層２９が電源層とそれ以外の回路（例えば、信号線）を含む場合、第１絶縁層１４の第２面ＳＳ上に形成されている導体層の面積の内、電源と機能する配線の面積が５５％以上であると、第２導体層２９は主として電源層として機能している。電源回路が複数存在する場合、それぞれの電源回路の面積を足すことで、電源層の面積は算出される。同様に、グランド層の面積が５５％以上であると、第２導体層２９は主としてグランド層として機能している。
【００２８】
第１導体層２８はビア導体２４と同時に形成される。第１導体層２８はビア導体２４から延びている電解銅めっき膜２２を含んでいる。開口１８はめっきで充填される。そのため、第１絶縁層１４の第１面ＦＦ上に形成される電解めっき膜２２の厚みは第１絶縁層１４の第２面ＳＳ上に形成される電解めっき膜２２の厚みより厚くなりやすい。しかしながら、実施形態では、第１導体層２８は金属箔を含まないので、第１導体層２８の厚みは薄くなる。例えば、第１導体層２８の厚みと第２導体層２９の厚みの差は第２導体層２９に含まれる金属箔１７の厚みより小さくなる。
【００２９】
第１導体層２８の電解めっき膜２２が金属箔上に形成されると、第１絶縁層１４上のシード層は金属箔と無電解めっき膜２０を含み、開口１８内のシード層は無電解めっき膜２０で形成される。そのため、第１導体層２８用のシード層（第１絶縁層１４上のシード層）の抵抗値は、ビア導体２４用のシード層（開口１８内のシード層）の抵抗値より低い。第１絶縁層１４の第１面ＦＦ上のシード層と開口１８内の無電解めっき膜２０は繋がっているので、第１導体層２８を形成するための抵抗値は場所により異なりやすい。第１導体層２８の厚みのバラツキが大きくなりやすい。
しかしながら、実施形態では、ビア導体２４と第１導体層２８を形成するためのシード層は無電解めっき膜２０である。シード層が金属箔を含んでいない。そのため、第１導体層２８を形成する電解めっき膜２２の膜厚のバラツキが小さくなる。第２導体層２９を形成するためのシード層はビア導体２４を形成するためのシード層を含んでいない。そのため、第２導体層２９を形成するためのシード層は金属箔１７を含んでも良い。第２導体層２９を形成するためのシード層が金属箔１７を含むので、シード層の抵抗が低くなる。そのため、第２導体層２９を形成する電解めっき膜２２の厚みのバラツキが小さくなる。
【００３０】
実施形態の製造方法および、その方法で製造される両面板１０によれば、ビア導体２４を形成する電解銅めっき膜（層）２２がボイドを含み難い。これにより、ビア導体２４を形成する電解銅めっき膜２２の断面積が局所的に小さくなり難い。ビア導体２４内で局部的に電気抵抗が高くなり難い。そのため、たとえば両面板１０の第１導体層２８と第２導体層２９に含まれる導体回路と第１絶縁層１４を貫通するビア導体２４でインダクタが形成されても、所望のインダクタンスやＱ値を得ることができる。
【００３１】
その理由として、以下の理由が考えられる。第１導体層２８は金属箔１６を含むことなく、第２導体層２９は金属箔１７を含む。ビア導体２４の抵抗が低い。第１導体層２８の膜厚と第２導体層２９の膜厚のバラツキが小さい。第１導体層２８の膜厚と第２導体層２９の膜厚の差が金属箔１７の厚み未満である。金属箔１６，１７の厚みは１μｍ〜５μｍである。第１導体層２８の厚みと第２導体層２９の厚みとの差を小さくするため、第２導体層２９に含まれる金属箔１７の厚みは３μｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示される両面板１０の第１面ＦＦと第２面ＳＳ上に絶縁層と導体層が交互に積層される。両面板１０の第１面ＦＦと第１絶縁層１４の第１面ＦＦは同じ面であり、両面板１０の第２面ＳＳと第１絶縁層１４の第２面ＳＳは同じ面である。多層コア基板２が製造される。実施形態では、両面板１０の両面に絶縁層や導体層が積層されるので、両面板１０は多層コア基板２の中央コア基板と称される。
多層コア基板２の製造方法が図３（ａ）〜（ｅ）を参照して説明される。
【００３３】
（１０）中央コア基板１０の第１面ＦＦ上に市販のプリプレグと銅箔などの金属箔３４が積層される。中央コア基板１０の第２面上に市販のプリプレグと銅箔などの金属箔３４が積層される。銅箔はプリプレグ上に積層される。その後、加熱プレスにより、両面板１０の両面に絶縁層３２，３２が形成される。絶縁層３２，３２上に金属箔３４，３４が積層されている。金属箔３４，３４として、銅箔が好ましい。（図３（ａ））。
絶縁層３２は、ガラスクロス等の補強材とエポキシ等の樹脂で形成されている。絶縁層３２によりプリント配線板の強度と薄さが確保される。絶縁層３２の厚さは、１００μｍ以下であることが望ましく、さらに、３０〜７０μｍの範囲であることがより望ましい。プリント配線板の強度が確保され、薄いプリント配線板が得られる。
【００３４】
絶縁層３２に積層されている銅箔３４の厚みは、１〜５μｍである。絶縁層３２に積層されている銅箔３４の厚みは、中央コア基板１０の金属箔（第２導体層に含まれる金属箔）１７の厚みより薄いことが望ましい。
後述されるめっき工程で絶縁層上に形成される電解めっき膜４０の厚みが薄くなる。電解めっき膜４０の厚みのバラツキが小さくなる。その理由は、ビア導体用の開口３６内のシード層の抵抗値と絶縁層３２上のシード層の抵抗値の差が小さくなるからと考えられる。
【００３５】
（１１）次いで、レーザが金属箔３４に照射される。金属箔３４と絶縁層３２を貫通し中央コア基板１０の導体層２８，２９に至るビア導体用の開口３６が形成される（図３（ｂ））。
金属箔３４は絶縁層３２の開口上にひさしを有する。ヒートサイクル等で多層コア基板２が反ると、外に位置する絶縁層３２の変形量は中央に位置する絶縁層１４の変形量より大きいと考えられる。金属箔３４のひさしは後述されるビア導体（絶縁層３２に形成されているビア導体）４２に突き刺さる。そのため、ヒートサイクルでビア導体４２が絶縁層３２や中央コア基板２の導体層２８，２９から剥がれない。
【００３６】
両面板１０上の絶縁層３２や導体層４４は、例えば、以下の方法で形成される。
絶縁層３２は、第１絶縁層１４と同様に、補強層と補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層で形成されても良い。絶縁層３２が第１絶縁層１４と同様な絶縁層で形成される場合、中央コア基板１０の両面に補強層と補強層上の樹脂層とで形成されている絶縁層３２と金属箔３４が積層される。金属箔３４は絶縁層３２の樹脂層上に積層されている。金属箔３４にレーザが照射され、金属箔３４と絶縁層３２を貫通するビア導体用の開口３６が絶縁層３２に形成される。金属箔３４はひさしを有する。その後、金属箔３４は絶縁層３２の樹脂層から除去される。この時、金属箔３４のマット面が樹脂層に転写される。樹脂層の表面に粗面が形成される。
【００３７】
絶縁層３２上の導体層４４が両面板１０の第１導体層２８と同様な方法で形成されると、絶縁層３２上の導体層４４の厚みのバラツキが小さくなる。絶縁層３２に形成されるビア導体４２の抵抗が小さくなる。絶縁層３２上の導体層４４に含まれる導体回路や絶縁層３２に形成されているビア導体４２が多層コア基板２内のインダクタに含まれると、インダクタンスの値やＱ値が大きくなる。
中央コア基板２に金属箔付絶縁層が積層されても良い。この場合、予め、絶縁層に金属箔が貼りつけられている。
【００３８】
（１２）その後、開口３６の側壁および底の樹脂残滓を除去するためのデスミアが行われる。そして、開口３６の内壁と絶縁層３２上に無電解銅めっき層などのシード層３８が形成される（図３（ｃ））。図３（ｃ）では、シード層３８は金属箔３４上に形成されているが、絶縁層３２が樹脂層を有する場合、シード層３８は樹脂層上に直接形成される。
【００３９】
（１３）続いて、シード層３８上に電解銅めっき層４０が形成される。開口３６は電解銅めっき層４０で充填されている（図３（ｄ））。開口３６を充填しているビア導体４２はフィルドビアと称される。
（１４）次に、電解銅めっき層４０およびビア導体４２上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出する電解銅めっき層４０および無電解銅めっき層３８と銅箔３４がエッチングにより除去される。
絶縁層３２が樹脂層を有する場合、樹脂層上に金属箔が存在していないので、エッチングでシード層３８とシード層３８上の電解めっき層４０が除去される。
【００４０】
（１５）エッチングレジストが除去される。絶縁層３２上に金属箔３４と金属箔３４上のシード層３８とシード層３８上の電解めっき層４０で形成される導体層４４が形成される。導体層４４は複数の導体回路やビア導体４２のランドを含む。また、絶縁層３２を貫通し、中央コア基板２の導体層２８，２９と絶縁層３２上の導体層４４を接続するビア導体４２が形成される（図３（ｅ））。
絶縁層３２が樹脂層を有する場合、導体層４４は、絶縁層３２上のシード層と３８シード層３８上の電解めっき層４０で形成される。
【００４１】
実施形態の製造方法ではさらに、上記（１０）〜（１５）の工程が繰り返される。多層コア基板２が完成する（図４）。図４に示されている多層コア基板２では、中央コア基板１０の両面に４層の絶縁層３０と４層の導体層４４が交互に清掃されている。
中央コア基板１０の第２導体層２９が、銅箔１７を含む。そのため、中央コア基板１０の強度が高くなる。高い強度を有する中央コア基板１０が多層コア基板２の中央（断面方向の中央）に位置する。従って、多層コア基板２の反りが小さくなる。多層プリント配線板１の反りが小さくなる。
【００４２】
実施形態の製造方法では次に、多層コア基板２の両面に、絶縁層５０と導体層５２とビア導体５４を有するビルドアップ層３Ｕ，３Ｄが形成される（図５）。最外層のビルドアップ層３Ｕ，３Ｄ上にソルダーレジスト層６０が積層される。ソルダーレジスト層６０の開口６２から露出する導体層５２が半田パッド５６として機能する。半田パッド５６上に半田バンプ６４が形成される。多層プリント配線板１が完成する。ビルドアップ層３Ｕ，３Ｄとソルダーレジスト層６０と半田バンプ６４は、周知の方法で形成される。ビルドアップ層やビルドアップ層の製造方法は、例えば特開２００５−３４７３９１号公報に開示されている。特開２００５−３４７３９１号公報の図８に符号３０で示されている部分がビルドアップ層である。
【００４３】
図６は、多層プリント配線板１の応用例を示している。多層プリント配線板１上に半田バンプ６４を介してＩＣチップ７０とメモリ７００が実装されている。ソルダーレジスト層６０とＩＣチップ７０の間およびソルダーレジスト層６０とメモリ７００の間にアンダーフィル６６が充填されている。多層プリント配線板１は、多層コア基板２内に高いインダクタスや高いＱ値を有するインダクタが形成されている。そのため、電子部品に電力がスムーズに供給される。そのため、多層プリント配線板１上にＩＣチップ７０とメモリ７００を搭載することができる（図６）。
【符号の説明】
【００４４】
１  多層プリント配線板
２  多層コア基板
３Ｕ，３Ｄ  ビルドアップ層
１０  中央コア基板（両面板）
１１  金属箔付絶縁層（両面銅張積層板）
１２  補強層
１３  樹脂層
１４  第１絶縁層
１６  第１金属箔（銅箔）
１７  第２金属箔（銅箔）
１８  開口
２０  無電解銅めっき膜（シード層）
２２  電解銅めっき膜
２４  ビア導体
２６  エッチングレジスト
２７  ランド
２８  第１導体層
２９  第２導体層
３２  樹脂絶縁層（絶縁層）
３４  金属箔（銅箔）
３６  開口
３８  無電解めっき膜（シード層）
４０  電解めっき膜
４２  ビア導体
４４  導体層
５０  絶縁層
５２  導体層
５４  ビア導体
６０  ソルダーレジスト層
６２  開口
６４  半田パンプ
６６  アンダーフィル
７０  ＩＣチップ
７００  メモリ
Ｆ，ＦＦ  第１面
Ｓ，ＳＳ  第２面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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