(57)【要約】【課題】高温長時間の分離拡散工程に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥を少なくして良品率を向上することのできる分離拡散層を有する半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】ｎ型半導体基板１の表面から裏面に向かう環状のｐ型分離拡散層６を最外周辺に形成する第１工程と、該環状のｐ型分離拡散層６に囲まれる内側の前記該表面に、半導体機能領域１５を形成する第２工程と、裏面を半導体装置の逆耐圧に見合う基板厚さに研削する第３工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記第１工程を、前記表面に前記ｐ型分離拡散層６形成用のイオン注入層を形成し、前記裏面に前記第３工程で半導体基板からすべて除去される拡散深さを有するゲッタリング層形成用のイオン注入層を形成した後、前記環状のｐ型分離拡散層６を形成するための熱処理を施す工程とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板の第１主面から第２主面に向かう環状の第２導電型分離拡散層を最外周辺に形成する第１工程と、該環状の第２導電型分離拡散層に囲まれる内側の前記該第１主面に、半導体機能領域を形成する第２工程と、第２主面を半導体装置の逆耐圧に見合う基板厚さに研削する第３工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記第１工程を、前記第１主面に前記第２導電型分離拡散層形成用のイオン注入層を形成し、前記第２主面に前記第３工程で半導体基板から除去される第２主面からの拡散深さを有するゲッタリング層形成用のイオン注入層を、それぞれ形成した後、前記環状の第２導電型分離拡散層を形成するための熱処理を施す工程とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２主面にイオン注入層を形成するためのイオン種が、ボロン・リン・希ガス元素から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
希ガス元素が元素記号Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎで示されるいずれかの元素であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
希ガス元素がＡｒであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置などに使用される、ダイオードや、双方向の耐圧特性を有する逆阻止型絶縁ゲート型半導体装置などの分離拡散層を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電力用半導体素子の一つであるＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）の高速スイッチング特性および電圧駆動特性と、バイポーラトランジスタの低オン電圧特性を有するパワー素子である。その応用範囲は、汎用インバータ、ＡＣサーボ、無停電電源（ＵＰＳ）またはスイッチング電源などの産業分野から、電子レンジ、炊飯器またはストロボなどの民生機器分野へと拡大してきている。
【０００３】
また、双方向スイッチング素子を搭載した直接リンク形変換回路等のマトリックスコンバータを用いて、ＡＣ（交流）／ＡＣ変換をおこなうことにより、回路の小型化、軽量化、高効率化、高速応答化および低コスト化を図る研究がなされるようになった。その双方向スイッチング素子として、逆耐圧を有するＩＧＢＴを逆並列接続する構造が簡単な構成とできるが、通常のＩＧＢＴは逆耐圧を有さないため逆直列にダイオードを接続する必要がある。このために、通常は有効な逆耐圧を有さないＩＧＢＴに対して、有効な逆耐圧を有するＩＧＢＴ（以下、逆阻止型ＩＧＢＴとする）の開発、製造が市場から要望されている。
【０００４】
図２は、そのような逆阻止型ＩＧＢＴの要部断面図である。また、図３に、ウエハプロセスへの投入から、逆阻止型ＩＧＢＴの製造に欠かせないだけでなく、重金属汚染が生じ易くまた結晶欠陥も発生し易く良品率にも大きな影響を及ぼすｐ型分離層形成工程までの工程フローの概略を半導体基板の要部断面図により示す。前記図２、３を参照して、以下、従来の逆阻止型ＩＧＢＴの製造方法について説明する。まず、最初に、図３（ａ）に示すように、ウエハ投入前に裏面にゲッタリング用ポリシリコン層１００ａが３μｍの厚さで形成されているｎ型ＦＺ半導体基板１００の表面側に、ｐ型分離層形成のための選択拡散用のマスク用薄膜を形成する。マスク材としては、通常、熱酸化法により形成されるマスク酸化膜１０１が用いられる。その後、フォトリソグラフィプロセスにより、ｐ型分離層を形成する予定部分のマスク酸化膜１０１に開口部１０２を形成する（図３（ｂ））。その開口部１０２部分にｐ型のイオン注入またはｐ型不純物を含む材料を塗布しイオン注入層１０２ａ（図３（ｃ））または塗布デポジット層を形成した後、高温でドライブ拡散熱処理を施すことにより、デバイス基板の設計厚さより深いｐ型分離層１０３を形成する（図３（ｄ））。ゲッタリング用ポリシリコン層１００ａは分離拡散時の熱処理により一部が単結晶化する。ｐ型分離層１０３の形成後は、マスク酸化膜１０１を全面除去する（図３（ｅ））。
【０００５】
その後は、図示しないが、一般的なＩＧＢＴの製造工程と同様にして、基板１００の表面側にフィールド酸化膜を形成した後、フィールドリミッティングリングなどの電界緩和構造を含む耐圧構造部と、ｐ型ベース領域やｎ型エミッタ領域、エミッタ電極などとＭＯＳ構造などを含む活性領域とを作りこむ。これらの表面構造形成後に、少数キャリアのライフタイムコントロールのために、基板１００に電子線や軽イオンを照射して、所望のライフタイムになるように電気炉による熱処理を行う。
【０００６】
前述の製造工程後、オン電圧を小さくするために半導体基板１００を耐圧クラスに対応する基板厚さ（デバイス基板の設計厚さ）以上の余分な厚さを裏面側からの機械的研削、化学的エッチングにより減厚して基板１００を薄くする。基板１００を薄ウエハ化した後に、ボロン等のｐ型不純物を裏面側にイオン注入して活性化することにより、ｐ型コレクタ層（図２）を形成すると共に、ｐ型分離層１０３の底部に接続させる。ｐ型コレクタ層の活性化は、電気炉での熱処理、または、レーザー照射で行うことが好ましい。最後にｐ型コレクタ層表面にコレクタ電極をスパッタ蒸着などにより形成して、半導体基板１００状態での製造プロセス（以降ウエハプロセス）が完了する。ウエハプロセス完了後は、前記ｐ型分離層の中央線部分でダイシングを行い、デバイスチップ化する。
【０００７】
一般的には、拡散工程等の熱処理プロセス中に付随的に導入され、高温長時間になるほど良品率に及ぼす悪影響が大きくなる重金属汚染や熱拡散時の高濃度酸素に起因する結晶欠陥を少なくするため、ウエハプロセスへの投入前の半導体基板の裏面には、ＣＶＤ法で形成した前述のポリシリコン層１００ａやサンドブラスト法によるダメージ層が設けられる。（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）。これらの層をゲッタリング層として利用することにより、特に高温長時間の熱処理の際に問題になり易い重金属汚染や高濃度酸素に起因する結晶欠陥を少なくし、良品率の低下を抑制する。高温長時間の熱処理プロセスにより付随的に導入される重金属や高濃度酸素に起因する結晶欠陥は裏面のゲッタリング層（ポリシリコン層１００ａ）に取り込まれて残るが、最終的には、このゲッタリング層部分は前述のように裏面側の機械的研削工程で除去されて、ウエハプロセスの終了後の半導体基板には残らない。その結果、重金属汚染や結晶欠陥の少ないデバイスウエハとすることができ、ゲート酸化膜特性異常や漏れ電流異常を少なくすることにより高い良品率が得られる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法とすることができる。
【０００８】
このような逆阻止型絶縁ゲート型半導体装置について、さらに逆耐圧特性の良品率を高くするために、ｐ型分離層の形成後、該ｐ型分離層に囲まれる内側の半導体基板表面に半導体機能領域を形成するために１０００℃以上の熱処理を施す前に、裏面側に希ガス元素のイオン注入層を形成する逆阻止型ＩＧＢＴの製造方法に関して記載されている。さらに、半導体基板の厚さの２分する厚さに裏面から全面に形成された不純物拡散層をゲッタリングサイトとして機能させ、ｐ型分離層の形成時に導入される高濃度の酸素に起因する欠陥を表面側の半導体機能領域から低減または除去することにより、双方向耐圧を保持するという記載もある（特許文献１）。
【０００９】
ｐ型分離拡散工程、表面側の半導体機能領域の形成工程および裏面研削工程の終了後、ｐ型コレクタ層の形成工程の前に、裏面研削により形成された裏面のストレス層を除去することにより、逆耐圧特性の良品率を高くすることに関する記載がある（特許文献２）。
【００１０】
半導体基板の表面から所要の深さのｐ型分離層を形成後、裏面にリンドープ層の形成とアルゴンのイオン注入によるゲッタリング層を順に追加形成し、その後１０００℃以上の熱処理を含む工程により表面に所要の半導体機能領域を形成した後、裏面側を前記ｐ型分離層が露出するまで減厚する工程を有する逆阻止型ＩＧＢＴの製造方法に関する記載がある（特許文献３）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１４０３０９号公報（要約、図５）
【特許文献２】特開２００６−１４７７３９号公報（要約）
【特許文献３】特許第４９５１８７２号公報（請求項４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前述の逆阻止型ＩＧＢＴの製造方法では、半導体基板をウエハプロセスへの投入初期でｐ型分離層を形成する際に、１１００℃程度の熱酸化法によるマスク酸化膜の形成工程と１３００℃程度の高温と１００〜２００時間程度の長時間ドライブ拡散工程とが必要となる。
【００１３】
しかしながら、ゲッタリング層として既に基板裏面に形成されているポリシリコン層は、高温長時間の分離拡散層拡散工程中に、前述の重金属や結晶欠陥をゲッタリングする効果はきわめて有効であるが、厚さ３μｍ程度の前記ポリシリコン層は、分離拡散工程後の工程になると、そのゲッタリング効果を半減させていることが判明した。これは、ポリシリコン層の一部単結晶化が進んだためと考えられている。サンドブラスト法によるダメージ層に基づくゲッタリング層の場合も、前述と同様に、高温熱処理によりダメージ層が回復するため、ゲッタリング効果が小さくなる。ゲッタリングの効果が小さくなると、ポリシリコン層以外の基板内部に重金属や結晶欠陥が残されることになる。基板内に残された重金属は後工程でゲート酸化膜に取り込まれて、ゲート特性に異常を引き起こす。また、半導体基板に残存したままの結晶欠陥は漏れ電流異常を引き起こすなどの不具合を発生させることになる。そのため、逆阻止型ＩＧＢＴを製造する際には、従来、前記特許文献３の記載にあるように、分離拡散工程後に、新たに基板の裏面にリンドープ層やアルゴンのイオン注入によるゲッタリング層を追加形成する必要があった。しかし、分離拡散工程後のプロセス追加では強力なゲッタリング層の形成は困難であり、これらの追加ゲッタリングによる対策を行っても、良品率が低下することがあってゲッタリング効果は、なお不十分であった。さらに他の方法によりゲッタリング効果の増強が必要であるので、工程が増加するという問題がある。
【００１４】
本発明は以上説明した問題点を考慮してなされたものであり、本発明の目的は、高温長時間の分離拡散工程に伴って半導体基板に導入される重金属や高濃度酸素に起因する結晶欠陥を少なくして良品率を向上することのできる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、前記目的を達成するために、第１導電型半導体基板の第１主面から第２主面に向かう環状の第２導電型分離拡散層を最外周辺に形成する第１工程と、該環状の第２導電型分離拡散層に囲まれる内側の前記該第１主面に、半導体機能領域を形成する第２工程と、第２主面を半導体装置の逆耐圧に見合う基板厚さに研削する第３工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記第１工程を、前記第１主面に前記第２導電型分離拡散層形成用のイオン注入層を形成し、前記第２主面に前記第３工程で半導体基板から除去される拡散深さを有するゲッタリング層形成用のイオン注入層を形成した後、前記環状の第２導電型分離拡散層を形成するための熱処理を施す工程とする半導体装置の製造方法とする。
【００１６】
前記第２主面にイオン注入するイオン種が、ボロン・リン・希ガス元素から選ばれることが好ましい。希ガス元素が元素記号Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎで示されるいずれかの元素であることが望ましい。希ガス元素がＡｒであることが特に好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高温長時間の分離拡散工程に伴って半導体基板に導入される重金属や高濃度酸素に起因する結晶欠陥を少なくして良品率を向上することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法にかかる逆阻止型ＩＧＢＴのｐ型分離層を形成するまでの製造プロセスをプロセスごとの半導体基板で示す要部断面図である。
【図２】逆阻止型ＩＧＢＴの要部断面図である。
【図３】従来の逆阻止型ＩＧＢＴのｐ型分離層を形成するまでの製造プロセスをプロセスごとの半導体基板で示す要部断面図である。
【図４】本発明と従来の製造方法によりそれぞれ作製した逆阻止型ＩＧＢＴの逆漏れ電流を比較して示す逆漏れ電流分布図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の半導体装置の製造方法にかかる実施例について、図面を参照して詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれ相対的に不純物濃度が高いまたは低いことを意味する。なお、以下の実施例の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、実施例で説明される添付図面は、見易くまたは理解し易くするために正確なスケール、寸法比で描かれていない。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２０】
図１に本発明にかかる逆阻止型ＩＧＢＴの製造工程のうち、ウエハの投入から逆阻止型ＩＧＢＴの製造に欠かせないｐ型分離層形成工程までの工程フローの概略を半導体基板の要部断面図により示す。（ａ）裏面にゲッタリング用ポリシリコン層１ａが３μｍの厚さで形成されている厚さ５００μｍ程度のｎ型ＦＺ半導体基板１の表面上にｐ型分離層形成のための選択拡散用のマスク用薄膜を形成する。マスク材としては、通常、熱酸化法により形成されるマスク酸化膜２が用いられる。その後、（ｂ）裏面全面にゲッタリング用のイオン注入によりイオン注入層３ａを形成する。この際、表面側を保護するために、表面側にレジスト（図示せず）を塗布することも好ましい。イオン注入するイオン種は、ボロン、リン、希ガス元素等が好適である。希ガス元素としては、元素記号Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎなどから選択することができ、特にはＡｒ（アルゴン）が好ましい。裏面に、例えばイオン種としてボロンを用いてゲッタリング用のイオン注入層３ａを全面に形成した後に、（ｃ）表面側のマスク酸化膜２をフォトリソグラフィにより選択的にエッチングしてｐ型分離層のためのイオン注入用開口部４を設ける。その後、（ｄ）ｐ型分離層用のボロンのイオン注入によりイオン注入層５を形成し、その後、（ｅ）ｐ型分離層６の形成のために高温長時間のドライブ拡散熱処理を行う。熱処理条件は、耐圧６００Ｖ用デバイスでは１３００℃で１００時間程度、１２００Ｖ用の耐圧デバイスでは１３００℃で２００時間程度である。前述した表面保護用のレジスト塗布を行った場合は、ｐ型分離層を拡散の前にレジストを剥離する必要がある。このｐ型分離層用のドライブ拡散熱処理の際には、同時に裏面に注入されたイオン注入層３ａからイオン種（ボロン）も拡散し深いゲッタリング拡散層３が形成される。耐圧６００Ｖ用デバイスではｐ型分離層６とゲッタリング層とも表面または裏面からそれぞれ約１２０μｍの拡散深さとなる。また、ゲッタリング用ポリシリコン層１ａはｐ型分離拡散時の熱処理により一部が単結晶化し、ゲッタリング効果が低下するが、前記ゲッタリング拡散層３内にはｐ型分離層と同様に高濃度酸素の導入に起因する結晶格子の歪みが形成されるので、この歪みが新たなゲッタリング効果を創出する。（ｆ）ｐ型分離層６の形成後は、マスク酸化膜２を全面除去する。
【００２１】
その後は、図１には示されないが、一般的なＩＧＢＴの製造工程と同様にして、基板１の表面側に、図２の逆阻止型ＩＧＢＴの要部断面図に示すフィールドリミッティングリング７（ＦＬＲ）、フィールドプレート８などの電界緩和構造を含む耐圧構造部９と、ｐ型ベース領域１０やｎ型エミッタ領域１１、エミッタ電極１２とＭＯＳ構造１３（基板１上のゲート電極１３ａとゲート酸化膜１３ｂ）などを含む活性領域１４とからなる半導体機能領域１５を作りこむ。前記ＦＬＲの熱処理条件は１１５０℃、２００分、ｐ型ベース領域１０の熱処理条件は１１５０℃、１２０分である。
【００２２】
この工程での高温熱処理の際に、半導体基板内の半導体機能領域１５から、前記裏面側のゲッタリング層３に酸素起因の結晶欠陥を取り込むことができるので、前記半導体機能領域１５内の結晶欠陥の密度を小さくすることができる。必要に応じてポリイミド膜等の保護膜（図示せず）を半導体基板の最上層に被着する。またさらに、基板表面にＭＯＳ構造１３形成後に逆漏れ電流を低減するために、電子線を６Ｍｒａｄで導入することも好ましい。
【００２３】
これらの表面側の半導体機能領域１５の形成後に、少数キャリアのライフタイムコントロールのために、基板１に電子線や軽イオンを照射して、所望のライフタイムになるように電気炉による熱処理を行う。
【００２４】
前述の製造工程後、半導体基板１を耐圧クラスに応じた基板厚さにするために、裏面側から機械的研削、化学的エッチングを施し基板を薄くする。通常、耐圧クラス６００Ｖでは基板厚さ１００μｍ程度、１２００Ｖでは基板厚さ１８０μｍ程度に薄ウエハ化することが好ましい。裏面を削った時のストレスや歪を除去するために、化学的エッチングや化学的機械的ポリッシングを行うことが望ましい。化学的エッチングの場合では、薬液のエッチングレートは、０．２５〜０．４５μｍ／ｓｅｃで処理すると面状態が良好になる。化学的機械的ポリシングの場合では、ポリシング量を３μｍ程度で行う。化学的機械的ポリシング処理を行うと、研削後の荒れた面を鏡面にすることができる。逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧特性の改善に非常に有効である。
【００２５】
基板１を裏面研削により薄ウエハ化した後、裏面の研削面を前述の鏡面処理した後、ドーズ量５×１０13ｃｍ-2のボロン等のｐ型不純物を裏面側にイオン注入し、４００℃、１時間程度でアニールし、活性化したボロンのピーク濃度が１×１０17ｃｍ-3程度で厚さが１μｍ以下のｐ型コレクタ層１６を形成する。ｐ型コレクタ層１６の活性化は、電気炉での熱処理、または、レーザー照射で行うことが好ましい。最後にｐ型コレクタ層１６表面にコレクタ電極１７をスパッタ蒸着などにより形成して、半導体基板１状態での製造プロセスが完了する。ウエハプロセス完了後は、前記ｐ型分離層６の中央線部分でダイシングを行い、逆阻止ＩＧＢＴチップ状態にする。
【００２６】
裏面にゲッタリング用イオン注入を行う工程順については、前述した工程順に限らず、ｐ型分離層拡散工程の前までに行えばよい。本発明は裏面へのゲッタリング用イオン注入をｐ型分離層拡散工程の前に行うことが重要である。さらに、本発明ではｐ型分離層６とゲッタリング層３を形成するためのドライブ拡散熱処理工程を同時に行なうことにより、表面側のＭＯＳ構造１３に近い領域まで裏面から深いゲッタリング層３が形成されるので、より大きいゲッタリング効果を得ることができる。しかも、先に述べたように、このゲッタリング層３は、表面側のＭＯＳ構造１３の形成が完了した後の裏面研削工程で半導体基板から除去されるので、ウエハプロセスを終えたデバイスの半導体基板には残っていないことが重要な点である。例えば、前述の特許文献３の逆阻止ＩＧＢＴでは、ｐ型分離層を形成後、裏面にリンドープ層の形成とアルゴンのイオン注入によるゲッタリング層を順に追加形成するので、裏面ゲッタリング層の厚さが薄く（厚くできず）、表面側の半導体機能領域からも遠いので、ゲッタリングについても小さい効果にならざるを得ない。
【００２７】
図４に、ｐ型分離層の形成前に、ゲッタリング用イオン注入を行った本発明にかかる製造方法により作製された逆阻止型ＩＧＢＴと、ｐ型分離層の形成後にゲッタリング用イオン注入を行った従来の逆阻止型ＩＧＢＴのそれぞれの逆漏れ電流分布のヒストグラムを併せて示す。図４から、ｐ型分離層の形成前にイオン注入を行った本発明にかかる逆阻止型ＩＧＢＴは、従来の逆阻止型ＩＧＢＴに比べて、逆漏れ電流分布が小さく、かつ狭い範囲の分布になっていることが分かる。
【００２８】
以上、説明した本発明にかかる実施例では、半導体装置として逆阻止型ＩＧＢＴを採り上げたが、本発明は、逆阻止型ＩＧＢＴだけでなく、両主面に跨るｐ型分離層を半導体基板の導電型と反対の導電型の領域として用いるバイポーラデバイスであれば、他のデバイス、例えば、ｐ型分離層を利用したダイオードの製造方法に適用することもできる。
【００２９】
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、高温長時間の分離拡散工程の前に裏面にイオン注入層を形成しておき、ｐ型分離層の形成と同時に、裏面ゲッタリング層を全面に深い拡散層とすることができる。そして、この裏面全面に形成された深いゲッタリング層により、その後工程のウエハプロセスにおける熱処理工程の際に、重金属や結晶欠陥が裏面ゲッタリング層に十分に捕獲しかつ裏面研削により除去することができる。その結果、高温長時間の分離拡散工程に伴って導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥を少なくして、逆漏れ電流を低減することができ、安定的に高い良品率の半導体装置が達成できる。また、良質なゲート酸化膜が形成できるため、高い信頼性を達成できる。
【符号の説明】
【００３０】
１          ｎ型半導体基板
１ａ        ポリシリコン層
２          マスク酸化膜
２ａ        フィールド酸化膜
２ｂ        層間絶縁膜
３          ゲッタリング層
３ａ        イオン注入層
４          開口部
５          イオン注入層
６          ｐ型分離層
７          フィールドリミッティングリング
８          フィールドプレート
９          耐圧構造部
１０        ｐ型ベース層
１１        ｎ型エミッタ領域
１２        エミッタ電極
１３        ＭＯＳ構造
１３ａ      ゲート電極
１３ｂ      ゲート酸化膜
１４        活性領域
１５        半導体機能領域
１６        ｐ型コレクタ層
１７        コレクタ電極
【図１】
2015041720.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015041720.tif 000005
【図４】
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