(57)【要約】【課題】有機発光表示装置及び該有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び少なくとも有機発光層を有する中間層を含む有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成され、低温粘度変化無機物及び酸化物を含む少なくとも１層の無機膜を有する薄膜封止層と、を含み、前記酸化物は、ジルコニウムおよびタングステンを含む酸化物ならびにリチウム、アルミニウム、およびシリコンを含む酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする有機発光表示装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び少なくとも有機発光層を有する中間層を含む有機発光素子と、
前記有機発光素子上に形成され、低温粘度変化無機物及び酸化物を含む少なくとも１層の無機膜を有する薄膜封止層と、を含み、
前記酸化物は、ジルコニウムおよびタングステンを含む酸化物ならびにリチウム、アルミニウム、およびシリコンを含む酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記ジルコニウムおよびタングステンを含む酸化物は、ＺｒＷ２Ｏ８およびＺｒ２ＷＰ２Ｏ１２からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記リチウム、アルミニウム、およびシリコンを含む酸化物は、ＬｉＡｌＳｉＯ４を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記低温粘度変化無機物は、スズ酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記低温粘度変化無機物は、リン酸化物、リン酸ホウ素、スズフッ化物、ニオブ酸化物及びタングステン酸化物のうち１種以上をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
基板上に、第１電極、第２電極、及び少なくとも有機発光層を有する中間層を含む有機発光素子を形成する段階と、
前記有機発光素子上に低温粘度変化無機物及び酸化物を含む少なくとも１層の無機膜を有する薄膜封止層を形成する段階と、を含み、
前記酸化物は、ジルコニウムおよびタングステンを含む酸化物ならびにリチウム、アルミニウム、シリコンを含む酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記薄膜封止層を形成する段階は、スパッタリング工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記スパッタリング工程は、スパッタリング・ターゲットを利用して進め、
前記スパッタリング・ターゲットは、前記低温粘度変化無機物を形成するための材料として、スズ酸化物を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記スパッタリング・ターゲットは、ジルコニウム酸化物及びタングステン、またはジルコニウム酸化物及びタングステン酸化物を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記スパッタリング・ターゲットは、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含むか、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウムを含むか、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウム酸化物を含むか、あるいはシリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウム酸化物を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及び該有機発光表示装置の製造方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置は、その用途が多様化している。特に、表示装置の厚さが薄くなり、重さが軽くなり、その使用の範囲が広範囲に渡っている。そのうち、有機発光表示装置は、消費電力特性、視野角特性または画質特性などにすぐれる自発光型表示装置である。
【０００３】
有機発光表示装置は、第１電極、第２電極、及びその間に配置され、少なくとも有機発光層を具備する有機発光素子を具備する。
【０００４】
一方、かような有機発光素子は、外部の水分及び熱に弱く、有機発光素子を封止する封止構造が必要である。
【０００５】
かような封止構造を形成する方法のうち、スパッタリング法は、スパッタリング・ターゲットを利用する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、スパッタリングを利用して封止構造を形成することは容易ではない。また、薄膜封止層を有する有機発光表示装置の耐久性及び封止特性の向上も十分なものとは言えない。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、密封特性及び耐久性を向上させる有機発光表示装置及び該有機発光表示装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態は、基板、前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び少なくとも有機発光層を有する中間層を含む有機発光素子、並びに前記有機発光素子上に形成され、低温粘度変化（ＬＶＴ）無機物及び酸化物を含む少なくとも１層の無機膜を有する薄膜封止層を含み、前記酸化物は、ジルコニウムおよびタングステンを含む酸化物（以下、ジルコニウム−タングステン酸化物とも称する）またはリチウム、アルミニウムおよびシリコンを含む酸化物（以下、リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物とも称する）を含む有機発光表示装置を開示する。
【０００９】
本実施形態において、前記ジルコニウム−タングステン酸化物は、ＺｒＷ２Ｏ８およびＺｒ２ＷＰ２Ｏ１２からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１０】
本実施形態において、前記リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物は、ＬｉＡｌＳｉＯ４を含むことが好ましい。
【００１１】
本実施形態において、前記ＬＶＴ無機物は、スズ酸化物を含んでもよい。
【００１２】
本実施形態において、前記ＬＶＴ無機物は、リン酸化物、リン酸ホウ素、スズフッ化物、ニオブ酸化物及びタングステン酸化物のうち１種以上をさらに含んでもよい。
【００１３】
本実施形態において、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度は、前記ＬＶＴ無機物に流動性を提供することができる最低温度でもある。
【００１４】
本実施形態において、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度は、前記有機発光素子の中間層に含まれた物質の変性温度より低いことが好ましい。
【００１５】
本実施形態において、前記薄膜封止層は、前記有機発光素子の上面及び側面を覆うように形成されもする。
【００１６】
本発明のさらに他の実施形態は、基板上に、第１電極、第２電極、及び少なくとも有機発光層を有する中間層を含む有機発光素子を形成する段階、並びに前記有機発光素子上に低温粘度変化（ＬＶＴ）無機物及び酸化物を含む少なくとも１層の無機膜を有する薄膜封止層を形成する段階を含み、前記酸化物は、ジルコニウム−タングステン酸化物またはリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物を含む有機発光表示装置の製造方法を開示する。
【００１７】
本実施形態において、前記薄膜封止層を形成する段階は、スパッタリング工程を含んでもよい。
【００１８】
本実施形態において、前記スパッタリング工程は、スパッタリング・ターゲットを利用して進め、前記スパッタリング・ターゲットは、前記ＬＶＴ無機物を形成するための材料として、スズ酸化物を含んでもよい。
【００１９】
本実施形態において、前記スパッタリング・ターゲットは、ジルコニウム酸化物及びタングステン、またはジルコニウム酸化物及びタングステン酸化物を含んでもよい。
【００２０】
本実施形態において、前記スパッタリング・ターゲットがジルコニウム酸化物及びタングステンを含み、前記スパッタリング工程が、酸素雰囲気で進められることが好ましい。
【００２１】
本実施形態において、前記スパッタリング・ターゲットは、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含むか、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウムを含むか、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウム酸化物を含むか、あるいはシリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウム酸化物を含んでもよい。
【００２２】
本実施形態において、前記スパッタリング・ターゲットがシリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含むか、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウムを含むか、あるいはシリコン酸化物、リチウム及びアルミニウム酸化物を含む場合、前記スパッタリング工程は、酸素雰囲気で進められることが好ましい。
【００２３】
本実施形態において、前記薄膜封止層を形成する段階は、前記ＬＶＴ無機物を含む予備薄膜封止層を形成する段階、及び前記予備薄膜封止層をヒーリングする段階を有し、前記予備薄膜封止層をヒーリングする段階は、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度以上であり、前記有機発光素子の中間層の物質の変性温度未満の温度で進めることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、薄膜封止層による封止特性及び有機発光素子の耐久性を容易に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係わるスパッタリング・ターゲットを図示した概略的な斜視図である。
【図２】図１のスパッタリング・ターゲットを利用して、スパッタリング法で形成された材料の熱膨脹係数を図示したグラフである。
【図３】図１のスパッタリング・ターゲットを利用して、有機発光表示装置を製造する方法を図示した図面である。
【図４】図３の方法で製造された有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図５】図４のＫの拡大図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係わる有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態を図示した概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本実施形態は、多様な変形を加えることができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。本実施形態の効果及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明されている内容を参照すれば明確になるであろう。しかし、本実施形態は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態で具現されもする。
【００２７】
以下の実施形態で、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、一つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
【００２８】
以下の実施形態で、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分のすぐ上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【００２９】
図面では、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されていたり、あるいは縮小されていたりする。例えば、図面で示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、以下の実施形態は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
【００３０】
以下、添付された図面を参照し、以下の実施形態について詳細に説明する。図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一の図面符号を付与し、それに係わる重複説明は省略する。
【００３１】
本発明の一実施形態は、薄膜封止層を形成するためのスパッタリング時に利用されるスパッタリング・ターゲットであって、前記薄膜封止層は、低温粘度変化無機物と、ジルコニウムおよびタングステンを含む酸化物（以下、ジルコニウム−タングステン酸化物とも称する）ならびにリチウム、アルミニウムおよびシリコンを含む酸化物（以下、リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物とも称する）の少なくとも１種と、を含むことを特徴とするスパッタリング・ターゲットを開示する。
【００３２】
本実施形態において、前記スパッタリング・ターゲットは、前記ＬＶＴ無機物を形成するための材料として、スズ酸化物を含んでもよい。
【００３３】
本実施形態において、前記スパッタリング・ターゲットは、前記ジルコニウム−タングステン酸化物を形成するための材料として、ジルコニウム酸化物及びタングステン、またはジルコニウム酸化物及びタングステン酸化物を含んでもよい。
【００３４】
本実施形態において、前記スパッタリング・ターゲットは、前記リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物を形成するための材料として、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含むか、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウムを含むか、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウム酸化物を含むか、あるいはシリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウム酸化物を含んでもよい。
【００３５】
図１は、本発明の一実施形態に係わるスパッタリング・ターゲットを図示した概略的な斜視図である。
【００３６】
図１を参照すれば、スパッタリング・ターゲット１０は、円型プレートと類似した形態であるが、それは、１つの例示であり、スパッタリング・ターゲット１０は、角形でもあっても、円柱形であってもよい。
【００３７】
スパッタリング・ターゲット１０は、薄膜封止層を形成するためのスパッタリング時に利用される。薄膜封止層は、例えば、有機発光素子を外気（空気や水分）から保護するために形成される。
【００３８】
スパッタリング・ターゲット１０は、低温粘度変化（ＬＶＴ：low temperature viscosity transition）無機物、ジルコニウム酸化物及びタングステン酸化物を含む。例えば、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２及びＷＯ３を含む。
【００３９】
選択的な他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウム酸化物を含む。例えば、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌ２Ｏ３を含む。
【００４０】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物、タングステン酸化物、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウム酸化物を含む。例えば、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌ２Ｏ３を含む。
【００４１】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物及びタングステンを含む。例えば、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２及びＷを含む。前述の実施形態と異なり、スパッタリング・ターゲット１０は、タングステン、すなわち、絶縁物ではない金属タングステンを含む。このため、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリング工程の進行時、スパッタリング・ターゲット１０の電気的抵抗を低下させ、スパッタリング工程の効率を向上させることができる。
【００４２】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウム酸化物を含むか、ＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウムを含むか、あるいはＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含む。例えば、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌを含む。すなわち、スパッタリング・ターゲット１０において、リチウム及びアルミニウムのうち少なくともいずれか一つは、絶縁物である酸化物状態ではない金属形態で存在する。このため、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリング工程の進行時、スパッタリング・ターゲット１０の電気的抵抗を低下させ、スパッタリング工程の効率を向上させる。
【００４３】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物、タングステン、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含み、タングステン、リチウム及びアルミニウムのうち少なくともいずれか一つは、酸素と結合した酸化物形態ではない金属形態で存在することができる。例えば、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２、Ｗ、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌを含む。すなわち、スパッタリング・ターゲット１０において、タングステン、リチウム、アルミニウムのうち少なくともいずれか一つは、絶縁物である酸化物状態ではない金属形態で存在する。このため、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリング工程の進行時、スパッタリング・ターゲット１０の電気的抵抗を低下させ、スパッタリング工程の効率を向上させることができる。
【００４４】
スパッタリング・ターゲット中におけるジルコニウム−タングステン酸化物またはリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物を形成するための材料と、低温粘度変化無機物を形成するための材料との含有質量比は適宜設定されるが、通常、酸化物形成材料の合計：低温粘度変化無機物＝１：０．０１〜１００（質量比）である。
【００４５】
本明細書において、「粘度変化温度」は、前記ＬＶＴ無機物が固体から液体に完全に変わる温度を意味するものではなく、前記ＬＶＴ無機物に流動性（fluidity）を提供することができる最低温度、すなわち、前記ＬＶＴ無機物の粘度が変化する最低温度を意味する。前記ＬＶＴ無機物の「粘度変化温度」に係わる具体的な内容については後述する。
【００４６】
具体的に、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度は、８０℃以上、例えば、８０℃以上及び１３２℃未満の範囲でもあるが、それに限定されるものではない。例えば、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度は、例えば、８０℃ないし１２０℃、または１００℃ないし１２０℃でもあるが、それらに限定されるものではない。例えば、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度は、１１０℃でもある。
【００４７】
前記ＬＶＴ無機物は、１種の化合物であってもよいし、２種以上の化合物からなる混合物であってもよい。
【００４８】
前記ＬＶＴ無機物は、スズ酸化物（例えば、ＳｎＯまたはＳｎＯ２）を含んでもよい。前記ＬＶＴ無機物がＳｎＯを含む場合、前記ＳｎＯの含量は、ＬＶＴ無機物中、２０重量％ないし１００重量％であることが好ましい。
【００４９】
前記ＬＶＴ無機物は、前記スズ酸化物に加え、リン酸化物（例えば、Ｐ２Ｏ５）、リン酸ホウ素（ＢＰＯ４）、スズフッ化物（例えば、ＳｎＦ２）、ニオブ酸化物（例えば、ＮｂＯ）及びタングステン酸化物（例えば、ＷＯ３）のうち１種以上をさらに含んでもよい。
【００５０】
例えば、前記ＬＶＴ無機物は、−ＳｎＯ；−ＳｎＯ及びＰ２Ｏ５；−ＳｎＯ及びＢＰＯ４；−ＳｎＯ、ＳｎＦ２及びＰ２Ｏ５；−ＳｎＯ、ＳｎＦ２、Ｐ２Ｏ５及びＮｂＯ；または−ＳｎＯ、ＳｎＦ２、Ｐ２Ｏ５及びＷＯ３；を含んでもよいが、それらに限定されるものではない。
【００５１】
本実施形態のスパッタリング・ターゲット１０は、多様な方法を利用して製造することができる。例えば、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２及びＷＯ３を含むパウダーを準備する段階、前記パウダーを均一に混合する段階、前記混合したパウダーを高温高圧で溶融する段階、溶融された材料を加圧する段階、加圧された材料を冷却する段階、及び冷却した材料を切断する段階を介して形成されもする。ターゲット素材とするには、例えば平面研削盤で研削して表面粗さＲａが０．５μｍ以下の素材とすることが好ましい。ここで、さらにターゲット素材のスパッタ面に鏡面加工を施して、平均表面粗さＲａが１０００オングストローム以下としてもよい。最後に、得られたターゲット素材を清浄処理することが好ましい。ターゲット素材の厚みは通常２〜２０ｍｍ、好ましくは３〜１２ｍｍである。
【００５２】
しかし、それらは、１つの例示であるのみ、本実施形態のスパッタリング・ターゲット１０は、前記の材料を含みさえすれば、多様な方法で製造されるということは言うまでもない。
【００５３】
図２は、図１のスパッタリング・ターゲットを利用して、スパッタリング法で形成された材料の熱膨脹係数を図示したグラフである。
【００５４】
例えば、図２は、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物及びタングステン酸化物を含むスパッタリング・ターゲット１０に対してスパッタリングを進めるか、あるいはＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物及びタングステンを含むスパッタリング・ターゲット１０を利用して、酸素を含む雰囲気でスパッタリングを進めて形成されたＺｒＷ２Ｏ８の熱膨脹係数を示している。
【００５５】
図２を参照すれば、Ｘ軸は、温度、Ｙ軸は、熱膨脹係数である。図２の（ａ）はエポキシ材料、（ｂ）は氷、（ｃ）はアルミニウム、（ｄ）はインバー（Invar）、（ｅ）はシリコン、（ｚ）はＺｒＷ２Ｏ８の熱膨脹係数を示す。
【００５６】
図２に図示されているように、（ｚ）は、負（−）の熱膨脹係数を示す。かような低い値の熱膨脹係数は、ＬＶＴ無機物の高い熱膨脹係数に比べて著しく低いので、スパッタリング・ターゲット１０を利用して形成する薄膜封止層（図示せず）の形成時、ＬＶＴ無機物の熱膨脹係数が高いことによって発生する薄膜封止層（図示せず）の損傷を抑制することができる。
【００５７】
図３は、図１のスパッタリング・ターゲットを利用して、有機発光表示装置を製造する方法を図示した図面である。
【００５８】
図３を参照すれば、前述のスパッタリング・ターゲット１０及び基板１０１がチャンバＣＡ内に配置される。基板１０１は、ステージ部ＳＵに配置され、スパッタリング・ターゲット１０は、基板１０１と対向するように配置される。スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリング法を進め、スパッタリング・ターゲット１０を構成する材料を含む薄膜を、基板１０１に形成することができる。具体的には、薄膜封止層を基板１０１上に形成することができる。
【００５９】
図３に図示された構造は、スパッタリング法の一例を図示したものに過ぎず、本実施形態は、それに限定されるものではない。すなわち、スパッタリング・ターゲット１０を利用した多様なスパッタリング法を進め、有機発光表示装置を製造することができる。
【００６０】
図３に図示されたところと異なる例として、２個のスパッタリング・ターゲット１０を対向させて配置し、２個のスパッタリング・ターゲット１０の間の空間にプラズマを発生させ、かようなプラズマと対向するように基板１０１を配置した後、スパッタリング法を遂行し、基板１０１に対する粒子衝突による損傷を防止することも可能であるということは言うまでもない。
【００６１】
スパッタ方式としては、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタなど公知の方式を用いることができる。
【００６２】
スパッタリングガス（雰囲気）としては、アルゴン等の希ガス原子と酸化性ガスの混合ガスを用いることができる。酸化性ガスとしてはＯ２、ＣＯ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏ等が挙げられる。スパッタリングガスは、希ガス原子と、水分子、酸素分子及び亜酸化窒素分子から選ばれる一種以上の分子を含有する混合気体が好ましい。
【００６３】
スパッタリングにより成膜する際の基板温度は、２５〜１２０℃であることが好ましい。
【００６４】
図４は、図３の方法で製造された有機発光表示装置を図示した概略的な断面図であり、図５は、図４のＫの拡大図である。
【００６５】
図４及び図５を参照すれば、有機発光表示装置１００は、基板１０１、有機発光素子１２０、及びＬＶＴ無機物を含んだ少なくとも１層の無機膜を含んだ薄膜封止層１５０を含む。無機膜は、少なくとも１層から構成されるが、薄膜化の観点からは１〜３層であることが好ましく、１〜２層であることがより好ましく、１層であることがさらに好ましい。
【００６６】
薄膜封止層全体の厚みは、封止特性の観点から適宜設定されるが、例えば、１〜１００μｍであり、１〜３０μｍである。
【００６７】
基板１０１は、多様な素材を利用して形成することができる。例えば、基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分にする透明なガラス材質からもなる。また、基板１０１は、透明なプラスチック材質から形成することもできる。
【００６８】
有機発光素子１２０は、基板１０１上に形成され、第１電極１２１、第２電極１２２及び中間層１２３を含む。具体的には、第１電極１２１は、基板１０１上に形成され、第２電極１２２は、第１電極１２１上に形成され、中間層１２３は、第１電極１２１と第２電極１２２との間に形成される。
【００６９】
図示されてはいないが、第１電極１２１及び基板１０１の上に、バッファ層（図示せず）をさらに形成することもできる。バッファ層（図示せず）は、基板１０１上に平坦面を提供し、基板１０１を介して浸透する水分またはガスを遮断することができる。
【００７０】
第１電極１２１は、アノードの機能を行い、第２電極１２２は、カソードの機能を行うことができるが、かような極性の順序は、互いに反対になっても差し支えない。
【００７１】
第１電極１２１がアノードの機能を行う場合、第１電極１２１は、仕事関数が大きい酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを含んで具備される。また、目的及び設計条件によって、第１電極１２１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、ＹｂまたはＣａなどから形成された反射膜をさらに含んでもよい。
【００７２】
第２電極１２２がカソードの機能を行う場合、第２電極１２２は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、ＬｉまたはＣａの金属から形成されもする。また、第２電極１２２は、光透過が可能になるように、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを含んでもよい。
【００７３】
中間層１２３は、少なくとも有機発光層を具備する。また、中間層１２３は、有機発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくとも１層以上を選択的に具備することができる。
【００７４】
第１電極１２１及び第２電極１２２に電圧が印加されれば、中間層１２３、特に、中間層１２３の有機発光層から可視光線が発生する。
【００７５】
図示されていないが、本実施形態の有機発光表示装置１００は、有機発光素子１２０に電気的に連結される一つ以上の薄膜トランジスタ（図示せず）を具備することができる。有機発光表示装置１００は、有機発光素子１２０に電気的に連結される一つ以上のキャパシタを具備することができる。
【００７６】
図示されていないが、有機発光素子１２０と薄膜封止層１５０との間に、１層以上の平坦化層または保護層が形成されもする。平坦化層または保護層は、有機発光素子１２０上に平坦な面を提供し、有機発光素子１２０を一次的に保護する。平坦化層または保護層は、多様な絶縁物質を利用して形成することができるが、例えば、平坦化層または保護層は、有機物質を利用して形成することができる。
【００７７】
薄膜封止層１５０は、有機発光素子１２０上に形成される。
【００７８】
薄膜封止層１５０は、ＬＶＴ無機物１５１及び酸化物１５２を具備する。
【００７９】
酸化物１５２は、ジルコニウム−タングステン酸化物および／またはリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物を含む。好適には、酸化物が、ジルコニウム−タングステン酸化物および／またはリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物からなる。ＬＶＴ無機物１５１と酸化物１５２は、図５でのように、混合されている。薄膜封止層における酸化物およびＬＶＴ無機物の含有質量比は、適宜設定される。
【００８０】
ジルコニウム−タングステン酸化物としては、例えば、ＺｒＷ２Ｏ８、Ｚｒ２ＷＰ２Ｏ１２が挙げられる。ジルコニウム−タングステン酸化物は１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００８１】
リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物としては、例えば、ＬｉＡｌＳｉＯ４が挙げられる。
【００８２】
かような薄膜封止層１５０は、図３に図示されたように、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリング法で形成することができる。薄膜封止層１５０を形成する方法について説明する。
【００８３】
まず、基板１０１を、スパッタリング・ターゲット１０が配置されたチャンバＣＡに配置する。このとき、基板１０１上には、有機発光素子１２０が形成されており、追加して有機発光素子１２０上には、平坦化層（図示せず）または保護層（図示せず）が形成されもする。
【００８４】
その後、スパッタリング・ターゲット１０を利用してスパッタリングを進め、薄膜封止層１５０を形成するための予備薄膜封止層（図示せず）を形成する。
【００８５】
前述のように、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物及びタングステン酸化物を含み、例えば、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２及びＷＯ３を含む場合、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリングを進めて形成された予備薄膜封止層（図示せず）は、ＬＶＴ無機物及びジルコニウム−タングステン酸化物を含む。ジルコニウム−タングステン酸化物としては、例えば、ＺｒＷ２Ｏ８が挙げられる。他の例として、ジルコニウム−タングステン酸化物としては、Ｚｒ２ＷＰ２Ｏ１２が挙げられる。Ｚｒ２ＷＰ２Ｏ１２は、ＬＶＴ無機物に含有されたリン酸化物とジルコニウム−タングステン酸化物との反応によって形成される。
【００８６】
選択的な他の例として、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウム酸化物を含み、例えば、スパッタリング・ターゲット１０がＬＶＴ無機物、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌ２Ｏ３を含む場合、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリングを進めて形成された予備薄膜封止層（図示せず）は、ＬＶＴ無機物及びリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物を含む。リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物としては、例えば、ＬｉＡｌＳｉＯ４が挙げられる。
【００８７】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物、タングステン酸化物、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウム酸化物を含み、例えば、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌ２Ｏ３を含む場合、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリングを進めて形成された予備薄膜封止層（図示せず）は、ＬＶＴ無機物、リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物及びジルコニウム−タングステン酸化物を含む。リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物としては、例えば、ＬｉＡｌＳｉＯ４が挙げられる。ジルコニウム−タングステン酸化物としては、例えば、ＺｒＷ２Ｏ８またはＺｒ２ＷＰ２Ｏ１２が挙げられる。
【００８８】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物及びタングステンを含み、例えば、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２及びＷを含む場合、酸素雰囲気で、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリングを進めて形成された予備薄膜封止層（図示せず）は、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム−タングステン酸化物を含む。ジルコニウム−タングステン酸化物としては、例えば、ＺｒＷ２Ｏ８またはＺｒ２ＷＰ２Ｏ１２が挙げられる。スパッタリング工程時、金属のタングステンの酸化のために、酸素雰囲気で工程が進められ、金属のタングステンを含むスパッタリング・ターゲット１０の電気的抵抗が低下し、スパッタリング工程の速度が上昇する。酸素ガス雰囲気は、酸素濃度が、例えば１０〜１００体積％の雰囲気であることが好ましい。
【００８９】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウム酸化物を含むか、ＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム酸化物及びアルミニウムを含むか、あるいはＬＶＴ無機物、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含む場合、例えば、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌを含む場合、酸素雰囲気で、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリングを進めて形成された予備薄膜封止層（図示せず）は、ＬＶＴ無機物及びリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物を含む。リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物は、例えば、ＬｉＡｌＳｉＯ４が挙げられる。スパッタリング工程時、金属のリチウムまたはアルミニウムの酸化のために酸素雰囲気で工程が進められ、金属を含むスパッタリング・ターゲット１０の電気的抵抗が低下し、スパッタリング工程の速度が上昇する。
【００９０】
選択的なさらに他の実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０は、ＬＶＴ無機物、ジルコニウム酸化物、タングステン、シリコン酸化物、リチウム及びアルミニウムを含み、タングステン、リチウム及びアルミニウムのうち少なくともいずれか一つは、酸素と結合した酸化物形態ではない金属形態で存在することができる。例えば、スパッタリング・ターゲット１０が、ＬＶＴ無機物、ＺｒＯ２、Ｗ、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ及びＡｌを含む場合、酸素雰囲気で、スパッタリング・ターゲット１０を利用したスパッタリングを進めて形成された予備薄膜封止層（図示せず）は、ＬＶＴ無機物、リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物及びジルコニウム−タングステン酸化物を含む。リチウム−アルミニウム−シリコン酸化物としては、例えば、ＬｉＡｌＳｉＯ４が挙げられる。ジルコニウム−タングステン酸化物としては、例えば、ＺｒＷ２Ｏ８またはＺｒ２ＷＰ２Ｏ１２が挙げられる。スパッタリング工程時、金属のタングステン、リチウムまたはアルミニウムの酸化のために酸素雰囲気で工程が進められ、金属を含むスパッタリング・ターゲット１０の電気的抵抗が低下し、スパッタリング工程の速度が上昇する。
【００９１】
前記スパッタリングを介して形成された予備薄膜封止層（図示せず）は、多様な欠陥を含むが、例えば、成膜性要素、ピンホール及び環境性要素を含みもする。環境性要素は、有機物または無機物であり、有機発光表示装置形成のための複数工程のうち一工程において付着した粒子でもある。また、予備薄膜封止層（図示せず）と有機発光素子１２０とのの間の空スペースのような欠陥が発生することもある。成膜性要素は、予備薄膜封止層（図示せず）の形成時、成膜に寄与することができなかったＬＶＴ無機物凝集粒子を意味し、ピンホールは、ＬＶＴ無機物が提供されていない領域である。
【００９２】
前述の予備薄膜封止層（図示せず）の欠陥は、外部環境物質、例えば、水分、酸素などの移動通路になり、経時での暗点形成の原因にもなり、有機発光表示装置１００の寿命低下の原因にもなる。
【００９３】
従って、予備薄膜封止層（図示せず）を形成した後、ヒーリング（healing）段階を遂行し、最終的に、図４及び図５に図示されているように、薄膜封止層１５０を形成する。
【００９４】
前記ヒーリング段階は、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度以上の温度で遂行される。例えば、前記ヒーリング段階は、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度以上であり、前記有機発光素子１２０に含まれた中間層物質の変性温度未満の温度範囲で、前記予備薄膜封止層（図示せず）を熱処理することによって遂行される。他の例として、前記ヒーリング段階は、前記ＬＶＴ無機物の粘度変化温度以上であり、前記有機発光素子１２０の中間層１２３に含まれた物質の変性温度のうち最低値未満の温度範囲で、前記予備薄膜封止層（図示せず）を熱処理することによって遂行される。さらに他の例として、前記ヒーリング段階は、ＬＶＴ無機物の粘度変化温度で遂行されもする。例えば、前記ヒーリング段階は、８０℃以上及び１３２℃未満の範囲（例えば、８０℃ないし１２０℃、または１００℃ないし１２０℃の範囲）で、１時間から３時間の間（例えば、１１０℃で２時間）、前記予備薄膜封止層（図示せず）を熱処理することによって遂行されるが、それに限定されるものではない。前記ヒーリング段階の温度が、前述のような範囲を満足することにより、前記予備薄膜封止層（図示せず）のＬＶＴ無機物の流動化が可能になり、有機発光素子１２０の中間層の変性が防止される。前記ヒーリング段階は、予備薄膜封止層（図示せず）のピンホールを介した外部環境露出を防止するために、真空雰囲気下または不活性ガス雰囲気（例えば、Ｎ２雰囲気、Ａｒ雰囲気など）下のＩＲ（infrared）オーブンで遂行されもする。
【００９５】
前記ヒーリング段階によって、予備薄膜封止層（図示せず）に含まれたＬＶＴ無機物は、流動化される（fluidized）。流動化されたＬＶＴ無機物は、フロー性（flowability）を有することができる。従って、前記ヒーリング段階時、ｉ）前記環境性要素によって発生した間隙に、前記流動化されたＬＶＴ無機物が流れて充填され、ｉｉ）前記ピンホールに、前記流動化されたＬＶＴ無機物が流れて充填され、ｉｉｉ）前記成膜性要素が流動化され、ピンホールを充填することができる。
【００９６】
ＬＶＴ無機物１５１及び前記の酸化物１５２を含む薄膜封止層１５０の形成を介して、最終的に有機発光表示装置１００が完成される。
【００９７】
また、選択的な実施形態として、追加的なヒーリング段階をさらに遂行することができる。すなわち、２回のヒーリング段階を遂行し、薄膜封止層１５０の耐熱性及び機械的強度を向上させることができる。
【００９８】
薄膜封止層１５０は、前述のように溶解した後で凝固される過程を経て形成されるが、薄膜封止層１５０中のＬＶＴ無機物の粘度変化温度は、中間層１２３の変性温度より低いことが好ましい。
【００９９】
本明細書中、「粘度変化温度」は、ＬＶＴ無機物１５１が、固体から液体に完全に変わる温度を意味するものではなく、ＬＶＴ無機物１５１に流動性（fluidity）を提供することができる最低温度、すなわち、ＬＶＴ無機物１５１の粘度が変化する最低温度を意味する。
【０１００】
ＬＶＴ無機物１５１の粘度変化温度は、中間層１２３に含まれた物質の変性温度より低いことが好ましい。例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１の粘度変化温度は、中間層１２３に含まれた物質のうち最も低い変性温度を有する物質の変性温度より低いことが好ましい。
【０１０１】
中間層１２３に含まれた物質の変性温度とは、中間層１２３に含まれた物質の物理的変性及び／または化学的変性をもたらす温度を意味するものであり、中間層１２３に含まれた物質の種類及び数によって、複数個存在することができる。例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１の粘度変化温度、及び中間層１２３の変性温度は、ＬＶＴ無機物のガラス転移温度Ｔｇ、及び中間層１２３に含まれた有機物のガラス転移温度Ｔｇを意味することができる。したがって、好適な形態は、ＬＶＴ無機物１５１の粘度変化温度は、中間層を構成する有機物のガラス転移温度よりも低い形態である。
【０１０２】
前記ガラス転移温度は、ＬＶＴ無機物１５１、及び中間層１２３に含まれた有機物に対して、熱重量分析法（ＴＧＡ：thermo gravimetric analysis）を遂行することによって測定される。
【０１０３】
ガラス転移温度は、例えば、中間層１２３に含まれた物質に対して、ＴＧＡ及びＤＳＣ（differential scanning calorimetry）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、pan type：１回使用Ａｌ pan（ＴＧＡ）内のＰｔ pan、１回使用Ａｌ pan（ＤＳＣ））を遂行した結果から導き出され、それは、当業者が容易に認識することができるものである。
【０１０４】
前記中間層１２３に含まれた物質の変性温度は、例えば、１３０℃を超えることがあるが、それに限定されるものではなく、中間層１２３に含まれた物質に対して、前述のようなＴＧＡ分析を介して、容易に測定することができるのである。
【０１０５】
前記中間層１２３に含まれた物質の変性温度のうち最低値は、例えば、１３０℃ないし１４０℃でもある。例えば、前記中間層１２３に含まれた物質の変性温度のうち最低値は、１３２℃でもあるが、それに限定されるものではなく、前記中間層１２３に含まれた物質の変性温度のうち最低値は、中間層１２３に含まれた物質について、前述のようなＴＧＡ分析を介してＴｇを求めた後、多様なＴｇのうち最小値を選択することによって決められる。
【０１０６】
例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１の粘度変化温度は、８０℃以上、例えば、８０℃以上１３２℃未満の範囲でもあるが、それに限定されるものではない。例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１の粘度変化温度は、例えば、８０℃から１２０℃の間、または１００℃ないし１２０℃の間でもあるが、それらに限定されるものではない。例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１の粘度変化温度は、１１０℃でもある。
【０１０７】
前記ＬＶＴ無機物１５１は、スズ酸化物（例えば、ＳｎＯまたはＳｎＯ２）を含みもする。前記ＬＶＴ無機物１５１がＳｎＯを含む場合、前記ＳｎＯの含量は、２０重量％から１００重量％の間でもある。
【０１０８】
例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１は、スズ酸化物を含み、さらにリン酸化物（例えば、Ｐ２Ｏ５）、リン酸ホウ素（ＢＰＯ４）、スズフッ化物（例えば、ＳｎＦ２）、ニオブ酸化物（例えば、ＮｂＯ）及びタングステン酸化物（例えば、ＷＯ３）のうち１種以上をさらに含んでもよいが、それらに限定されるものではない。
【０１０９】
例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１は、−ＳｎＯ；−ＳｎＯ及びＰ２Ｏ５；−ＳｎＯ及びＢＰＯ４；−ＳｎＯ、ＳｎＦ２及びＰ２Ｏ５；−ＳｎＯ、ＳｎＦ２、Ｐ２Ｏ５及びＮｂＯ；または−ＳｎＯ、ＳｎＦ２、Ｐ２Ｏ５及びＷＯ３；を含んでもよいが、それらに限定されるものではない。
【０１１０】
例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１は、下記組成を有することができるが、それらに限定されるものではない。
【０１１１】
１）ＳｎＯ（１００重量％）；
２）ＳｎＯ（８０重量％）及びＰ２Ｏ５（２０重量％）；
３）ＳｎＯ（９０重量％）及びＢＰＯ４（１０重量％）；
４）ＳｎＯ（２０〜５０重量％）、ＳｎＦ２（３０〜６０重量％）及びＰ２Ｏ５（１０〜３０重量％）（ここで、ＳｎＯ、ＳｎＦ２及びＰ２Ｏ５の重量合計は、１００重量％である）；
５）ＳｎＯ（２０〜５０重量％）、ＳｎＦ２（３０〜６０重量％）、Ｐ２Ｏ５（１０〜３０重量％）及びＮｂＯ（１〜５重量％）（ここで、ＳｎＯ、ＳｎＦ２、Ｐ２Ｏ５及びＮｂＯの重量合計は、１００重量％である）；または
６）ＳｎＯ（２０〜５０重量％）、ＳｎＦ２（３０〜６０重量％）、Ｐ２Ｏ５（１０〜３０重量％）及びＷＯ３（１〜５重量％）（ここで、ＳｎＯ、ＳｎＦ２、Ｐ２Ｏ５及びＷＯ３の重量合計は、１００重量％である）。
【０１１２】
例えば、前記ＬＶＴ無機物１５１は、ＳｎＯ（４２．５重量％）、ＳｎＦ２（４０重量％）、Ｐ２Ｏ５（１５重量％）及びＷＯ３（２．５重量％）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。ＬＶＴ無機物１５１の多様な組成は、前記スパッタリング・ターゲット１０に含有される無機物の組成；並びにスパッタリング工程時の圧力、温度及び同工程時の雰囲気を造成するガスの種類；を制御して調節することができる。
【０１１３】
本実施形態の有機発光表示装置１００は、薄膜封止層１５０を形成し、有機発光素子１２０を容易に封止する。また、薄膜封止層１５０の厚みを最小化し、ベンディング特性にすぐれる有機発光表示装置１００を容易に具現することができる。
【０１１４】
薄膜封止層１５０は、ＬＶＴ無機物１５１と共に酸化物１５２を含み、酸化物１５２は、ジルコニウム−タングステン酸化物またはリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物を含む。ＬＶＴ無機物１５１は、比較的低い温度で流動性を有し、前記ヒーリング段階で、成膜性要素、環境性要素などを容易に覆い、有機発光素子１２０を容易に封止する。ＬＶＴ無機物１５１は、比較的高い熱膨脹係数を有するので、ヒーリングのような熱処理過程において、急激な膨脹及び収縮により、ストレス発生の余地がある。酸化物１５２に含有されたジルコニウム−タングステン酸化物またはリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物は、低い熱膨脹係数または負（−）値の熱膨脹係数を有するので、ＬＶＴ無機物１５１の急激な膨脹及び収縮を低減し、ストレス発生を抑制し、結果的に、薄膜封止層１５０の耐久性を向上させ、有機発光表示装置１００の封止特性を向上させる。特に、酸化物１５２の例示として、ＺｒＷ２Ｏ８、Ｚｒ２ＷＰ２Ｏ１２またはＬｉＡｌＳｉＯ４は、非常に低い熱膨脹係数を有するもので、かような材料で酸化物１５２を形成すれば、ＬＶＴ無機物１５１において発生する応力を最小化し、薄膜封止層１５０の耐久性向上効果を上昇させる。
【０１１５】
一方、ジルコニウム−タングステン酸化物またはリチウム−アルミニウム−シリコン酸化物が含有された酸化物１５２を形成するための材料を、ＬＶＴ無機物１５１を形成するための材料と共に、スパッタリング・ターゲット１０を製造した後、１個のスパッタリング・ターゲット１０を介したスパッタリング工程を進めるので、複雑な工程の進行なしにも、所望特性の薄膜封止層１５０を容易に製造することができる。
【０１１６】
また、選択的な実施形態として、スパッタリング・ターゲット１０の製造時、酸化物ではない金属形態の材料を含む場合、すなわち、前述のように、タングステン酸化物の代わりに、タングステンを、リチウム酸化物の代わりに、リチウムを、アルミニウム酸化物の代わりに、アルミニウムなどを含有させた場合、スパッタリング・ターゲット１０の電気的抵抗を低下させ、スパッタリング工程時の工程時間を短縮させることができる。
【０１１７】
図６は、本発明の他の実施形態に係わる有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。図６を参照すれば、有機発光表示装置２００は、基板２０１、有機発光素子２２０及び薄膜封止層２５０を含む。
【０１１８】
有機発光素子２２０は、第１電極２２１、第２電極２２２及び中間層２２３を具備する。
【０１１９】
説明の便宜のために、前述の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【０１２０】
図６の実施形態は、前述の実施形態と比較するとき、薄膜封止層２５０の構造が異なる。薄膜封止層２５０は、有機発光素子２２０の上面及び側面を覆う構造である。それを介して、有機発光素子２２０が、水分、外部ガス及び異物からの損傷を防止する。また、薄膜封止層２５０は、基板２０１と接する。それを介して、薄膜封止層２５０は、有機発光素子２２０を効果的に封止する。薄膜封止層２５０と基板２０１とが接し、薄膜封止層２５０が有機発光表示装置２００から剥離されることを防止し、薄膜封止層２５０の耐久性が向上する。図示されていないが、薄膜封止層２５０は、基板２０１の上面に形成された追加的な絶縁膜または導電膜と接することもできる。
【０１２１】
有機発光素子２２０及び薄膜封止層２５０を形成する材料は、前述の実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１２２】
図７は、本発明のさらに他の実施形態を図示した概略的な断面図である。
【０１２３】
図７を参照すれば、有機発光表示装置２００’は、基板２０１’、有機発光素子２２０’、及び薄膜封止層２５０’を含む。有機発光素子２２０’は、第１電極２２１’、第２電極２２２’及び中間層２２３’を具備する。
【０１２４】
説明の便宜のために、前述の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【０１２５】
薄膜封止層２５０’のエッジは、突設されている。具体的には、薄膜封止層２５０’の領域のうち、基板２０１’と接した領域を突出させ、薄膜封止層２５０’と基板２０１’との接触面積が拡大される。薄膜封止層２５０’と基板２０１’との接触面積が拡大され、薄膜封止層２５０’と基板２０１’との間を介して、水分、ガス及び異物の浸透を効果的に防止し、薄膜封止層２５０’が基板２０１’に安定して結合され、薄膜封止層２５０’及び有機発光表示装置２００’の耐久性が向上する。
【０１２６】
有機発光素子２２０’及び薄膜封止層２５０’を形成する材料は、前述の実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１２７】
本発明は、図面に図示された実施形態を参照して説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当該技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明のスパッタリング・ターゲットの製造方法、有機発光表示装置及び該有機発光表示装置の製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１２９】
１０    スパッタリング・ターゲット
１００，２００，２００’    有機発光表示装置
１０１，２０１，２０１’    基板
１２０，２２０，２２０’    有機発光素子
１２１，２２１，２２１’    第１電極
１２２，２２２，２２２’    第２電極
１２３，２２３，２２３’    中間層
１５０，２５０，２５０’    薄膜封止層
１５１    ＬＶＴ無機物
１５２    酸化物
ＣＡ    チャンバ
ＳＵ    ステージ部
【図１】
2015026612.tif 000003
【図２】
2015026612.tif 000004
【図３】
2015026612.tif 000005
【図４】
2015026612.tif 000006
【図５】
2015026612.tif 000007
【図６】
2015026612.tif 000008
【図７】
2015026612.tif 000009