(57)【要約】【課題】フォトデバイスにおける深さ方向の各部分を適切に検査する技術を提供する。【解決手段】検査装置１００は、波長が相違する複数のパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１を出射して多接合型太陽電池９０に照射する照射部１２と、照射部１２が照射する複数のパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１、ＬＰ３１の波長を設定する波長設定部２７と、照射部１２によって照射された複数のパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１、ＬＰ３１に応じて、多接合型太陽電池９０から放射される電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１、ＬＴ３１の電界強度を検出する検出部１３とを備える。照射部１２は、パルス光ＬＰ２１が多接合型太陽電池９０に照射される時間を、パルス光ＬＰ１１に対して時間Δｔ１１遅らせる遅延素子３５を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトデバイスを検査する検査装置であって、
波長が相違する複数の光を出射してフォトデバイスに照射する照射部と、
前記照射部が照射する前記複数の光の波長を設定する設定部と、
前記照射部によって照射された前記複数の光に応じて、前記フォトデバイスから出射される電磁波の電界強度を検出する検出部と、
を備える、検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置であって、
前記照射部は、前記フォトデバイスに第１波長の光を照射してから時間Δｔ経過した後に、前記第１波長とは相違する第２波長の光を前記フォトデバイスに照射する、検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載の検査装置であって、
前記照射部が出射する前記波長が相違する複数の光は、パルス光であり、
前記検出部は、前記照射部が出射する前記パルス光を受光することによって、前記電磁波を検出する検出器を備え、
前記検査装置は、
前記検出器が前記電磁波を検出するタイミングを、前記パルス光を受光するタイミングに対して相対的に遅延させる遅延部、をさらに備えている、検査装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の検査装置であって、
前記照射部が照射する前記複数の光で、前記フォトデバイスを走査する走査機構と、
前記検出部によって検出された電磁波の電界強度に基づいて、前記フォトデバイスにおける電界強度の分布を示す画像を生成する画像生成部、
をさらに備える、検査装置。
【請求項５】
請求項２に記載の検査装置であって、
前記照射部が出射する前記波長が相違する複数の光は、パルス光であり、
前記時間Δｔが、前記パルス光によって放射される前記電磁波の１パルス分の発生時間よりも長い、検査装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の検査装置であって、
前記フォトデバイスが、吸収波長領域が相違する材料を積層することによって構成されている、検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載の検査装置であって、
前記フォトデバイスが、第１層、及び、前記第１層とは吸収波長領域が異なり、かつ、前記第１層よりも下に配されている第２層を含み、
前記波長が相違する複数の光には、前記第１層のエネルギーギャップよりも高エネルギーの第１光、及び、前記第２層のエネルギーギャップよりも高エネルギーかつ前記第１層のエネルギーギャップよりも低エネルギーの第２光が含まれる、検査装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の検査装置であって、
前記フォトデバイスが、多接合型太陽電池である、検査装置。
【請求項９】
フォトデバイスを検査する検査方法であって、
波長が相違する複数の光を出射してフォトデバイスに照射する照射工程と、
前記照射工程にて照射する前記複数の光の波長を設定する設定工程と、
前記照射工程にて照射された前記複数の光に応じて、前記フォトデバイスから出射される電磁波を検出する検出工程と、
を含む、検査方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の検査方法であって、
前記照射工程は、前記フォトデバイスに第１波長の光を照射してから時間Δｔ経過した後に、前記第１波長とは相違する第２波長の光を前記フォトデバイスに照射する工程を含む、検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フォトデバイスを検査する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば太陽電池等のフォトデバイスに光を照射し、それに応じてフォトデバイスから放射される電磁波に基づいて、該フォトデバイスを検査する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、多接合型太陽電池など、深さ方向において吸収波長領域が異なる部分を有するフォトデバイスの場合、特定波長の光を照射しただけでは、特定の深さにまでしか光が到達できず、その特定の深さで発生した電磁波しか検出できなかった。このため、従来の検査技術には、改善の余地があった。
【０００５】
そこで、本発明は、フォトデバイスにおける深さ方向の各部分を適切に検査する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、第１の態様は、フォトデバイスを検査する検査装置であって、波長が相違する複数の光を出射してフォトデバイスに照射する照射部と、前記照射部が照射する前記複数の光の波長を設定する設定部と、前記照射部によって照射された前記複数の光に応じて、前記フォトデバイスから出射される電磁波の電界強度を検出する検出部とを備える。
【０００７】
また、第２の態様は、第１の態様に係る検査装置であって、前記照射部は、前記フォトデバイスに第１波長の光を照射してから時間Δｔ経過した後に、前記第１波長とは相違する第２波長の光を前記フォトデバイスに照射する。
【０００８】
また、第３の態様は、第２の態様に係る検査装置であって、前記照射部が出射する前記波長が相違する複数の光は、パルス光であり、前記検出部は、前記照射部が出射する前記パルス光を受光することによって、前記電磁波を検出する検出器を備え、前記検査装置は、前記検出器が前記電磁波を検出するタイミングを、前記パルス光を受光するタイミングに対して相対的に遅延させる遅延部、をさらに備えている。
【０００９】
また、第４の態様は、第１から第３の態様のいずれか１態様に係る検査装置であって、前記照射部が照射する前記複数の光で、前記フォトデバイスを走査する走査機構と、前記検出部によって検出された電磁波の電界強度に基づいて、前記フォトデバイスにおける電界強度の分布を示す画像を生成する画像生成部、をさらに備える。
【００１０】
また、第５の態様は、第２の態様に係る検査装置であって、前記照射部が出射する前記波長が相違する複数の光は、パルス光であり、前記時間Δｔが、前記パルス光によって放射される前記電磁波の１パルス分の発生時間よりも長い。
【００１１】
また、第６の態様は、第１から第５の態様のいずれか１態様に係る検査装置であって、前記フォトデバイスが、吸収波長領域が相違する材料を積層することによって構成されている。
【００１２】
また、第７の態様は、第６の態様に係る検査装置であって、前記フォトデバイスが、第１層、及び、前記第１層とは吸収波長領域が異なり、かつ、前記第１層よりも下に配されている第２層を含み、前記波長が相違する複数の光には、前記第１層のエネルギーギャップよりも高エネルギーの第１光、及び、前記第２層のエネルギーギャップよりも高エネルギーかつ前記第１層のエネルギーギャップよりも低エネルギーの第２光が含まれる。
【００１３】
また、第８の態様は、第６または第７の態様に係る検査装置であって、前記フォトデバイスが、多接合型太陽電池である。
【００１４】
また、第９の態様は、フォトデバイスを検査する検査方法であって、波長が相違する複数の光を出射してフォトデバイスに照射する照射工程と、前記照射工程にて照射する前記複数の光の波長を設定する設定工程と、前記照射工程にて照射された前記複数の光に応じて、前記フォトデバイスから出射される電磁波を検出する検出工程とを含む。
【００１５】
また、第１０の態様は、第９の態様に係る検査装置であって、前記照射工程は、前記フォトデバイスに第１波長の光を照射してから時間Δｔ経過した後に、前記第１波長とは相違する第２波長の光を前記フォトデバイスに照射する工程を含む。
【発明の効果】
【００１６】
第１の態様に係る検査装置によると、フォトデバイスの深さ方向の各部分に対して、それぞれの吸収波長領域に対応した波長の光を照射できる。このため、深さ方向の各部分から適切に電磁波を放射させることができる。したがって、フォトデバイスの深さ方向の各部分を良好に検査することができる。
【００１７】
また、第２の態様に係る検査装置によると、２つの相違する波長の光を、時間Δｔの分ずらして照射するため、放射される各電磁波を時間Δｔの分ずらして検出できる。
【００１８】
また、第３の態様に係る検査装置によると、電磁波を復元するためのデータを収集できる。また、波長が相違する複数のパルス光によって放射された各電磁波の電界強度を同時に取得できる。このため、効率的に検査を行うことができる。
【００１９】
また、第４の態様に係る検査装置によると、電磁波強度の分布に基づく検査を行うことができる。
【００２０】
また、第５の態様に係る検査装置によると、波長が相違する複数のパルス光によって生じた各電磁波を、分離して検出できる。
【００２１】
また、第６の態様に係る検査装置によると、吸収波長領域が相違する材料を積層してなるフォトデバイスにおいて、目的の深さの部分を適切に検査できる。
【００２２】
また、第７の態様に係る検査装置によると、第１層および第２層のそれぞれから、良好に電磁波を放射させることができる。
【００２３】
また、第８の態様に係る検査装置によると、多接合型太陽電池において、各積層された単位的な太陽電池のうち、特定の太陽電池から電磁波を放射させることによって、当該特定の太陽電池を検査することができる。
【００２４】
第９の態様に係る検査方法によると、フォトデバイスの深さ方向の各部分に対して、それぞれの吸収波長領域に対応した波長の光を照射できる。このため、深さ方向の各部分から適切に電磁波を放射させることができる。したがって、フォトデバイスの深さ方向の各部分を良好に検査することができる。
【００２５】
第１０の態様に係る検査方法によると、２つの波長の光を、時間Δｔの分ずらして照射するため、放射される各電磁波を時間Δｔの分ずらして検出できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る検査装置の概略構成図である。
【図２】検査装置が備える照射部、検出部の概略構成図である。
【図３】遅延素子の概略構成図である。
【図４】多接合型太陽電池の概略断面図である。
【図５】検査例１の流れを示す図である。
【図６】多接合型太陽電池に照射されるパルス光のパルス列（上）、および、多接合型太陽電池から放射される電磁波のパルス列（下）を示す概念図である。
【図７】復元された電磁波の時間波形を示す図である。
【図８】電磁波のスペクトル分布の一例を示す図である。
【図９】検査例２の流れを示す図である。
【図１０】電界強度分布画像の一例を示す模式図である。
【図１１】第２実施形態に係る検査装置の概略構成図である。
【図１２】第３実施形態に係る検査装置の概略図である。
【図１３】第４実施形態に係る検査装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【００２８】
＜１．  第１実施形態＞
＜１．１．  構成および機能＞
図１は、第１実施形態に係る検査装置１００の概略構成図である。また、図２は、検査装置１００が備える照射部１２、検出部１３の概略構成図である。
【００２９】
検査装置１００は、フォトデバイスである検査対象物に対して、パルス光を照射し、該パルス光の照射に応じて検査対象物から放射される電磁波（例えば、周波数が０．１ＴＨｚ〜３０ＴＨｚのテラヘルツ波）を検出することによって、検査対象物の検査を行う。
【００３０】
本願においては、フォトデバイスとは、フォトダイオード、ＣＭＯＳセンサ若しくはＣＣＤセンサなどのイメージセンサ、太陽電池またはＬＥＤなど、半導体の光電効果を利用する電子デバイスをいう。検査対象物の表面は、平面状に形成されているものとするが、曲面状などに形成されていてもよい。本実施形態では、検査対象物として多接合型太陽電池９０を検査する場合について説明する。ただし、その他のフォトデバイスについても、同様に検査できる。
【００３１】
図１および図２に示されるように、検査装置１００は、ステージ１１、照射部１２、検出部１３、遅延素子１４、ステージ移動機構１５、制御部１６、モニター１７、操作入力部１８、およびカメラ１９を備えている。
【００３２】
ステージ１１は、図示を省略する固定手段によって、多接合型太陽電池９０をステージ１１上に固定する。固定手段としては、基板を挟持する挟持具を利用したもの、粘着性シート、または、ステージ１１の表面に形成される吸着孔などが想定される。ただし、多接合型太陽電池９０を固定できるのであれば、これら以外の固定手段が採用されてもよい。本実施形態では、ステージ１１は、多接合型太陽電池９０の受光面（表面９０Ｓ）側に照射部１２および検出部１３が配置されるように、多接合型太陽電池９０を保持する。このため、検査装置１００は、照射面と同じ側に放射される電磁波を検出する反射型の検査装置となっている。
【００３３】
図２に示されるように、照射部１２は、フェムト秒レーザ１２１を備えている。フェムト秒レーザ１２１は、例えば、３６０ｎｍ（ナノメートル）以上１．５μｍ（マイクロメートル）以下の可視光領域を含む波長のパルス光（パルス光ＬＰ１０）を放射する。具体例としては、中心波長が８００ｎｍ付近であり、周期が数ｋＨｚ〜数百ＭＨｚ、パルス幅が１０〜１５０フェムト秒程度の直線偏光のパルス光が、フェムト秒レーザ１２１から放射される。
【００３４】
フェムト秒レーザ１２１から出射されたパルス光ＬＰ１０は、ビームスプリッタ等によってパルス光ＬＰ１１、ＬＰ１３、ＬＰ１５およびＬＰ１７に分割される。パルス光ＬＰ１１は、多接合型太陽電池９０へ導かれる。パルス光ＬＰ１３は、波長二倍変換器３１に導かれる。パルス光ＬＰ１５は、波長三倍変換器３３に導かれる。パルス光ＬＰ１７は、遅延素子１４を介して、電磁波を検出する検出部１３の検出器１３１へと導かれる。
【００３５】
波長二倍変換器３１は、非線形光学結晶などで構成される、第二高調波発生デバイスである。具体的には、波長二倍変換器３１は、バリウムボーレート（ＢＢＯ）結晶、砒素酸チタニルカリウム（ＫＴＡ）結晶、燐酸二水素カリウム（ＫＤＰ）結晶などで構成され、波長λであるパルス光ＬＰ１３から、波長λ／２のパルス光ＬＰ２１を発生させる。発生したパルス光ＬＰ２１は、二つに分割されて、一方が遅延素子３５へ導かれ、他方が波長三倍変換器３３へ導かれる。遅延素子３５を通過したパルス光ＬＰ２１は、多接合型太陽電池９０へ導かれる。
【００３６】
図３は、遅延素子３５の概略構成図である。遅延素子３５は、遅延ステージ３５１および遅延ステージ移動機構３５３を備えている。遅延ステージ３５１は、入射方向にパルス光ＬＰ２１を反射するミラー１０Ｍを備えている。遅延ステージ移動機構３５３は、ミラー１０Ｍをパルス光ＬＰ２１の入射方向に沿って移動させる。
【００３７】
遅延ステージ移動機構３５３は、制御部１６によって制御される。遅延素子３５は、遅延ステージ３５１を移動させることによって、パルス光ＬＰ２１の光路長を連続的に変更する。パルス光ＬＰ２１の光路長が変更されると、多接合型太陽電池９０に到達する、パルス光ＬＰ１１の位相に対して、パルス光ＬＰ２１の位相がずれる。これによって、パルス光ＬＰ１１が多接合型太陽電池９０に到達するタイミングに対して、パルス光ＬＰ２１が多接合型太陽電池９０に到達するタイミングを遅延させることができる。以下の説明では、この遅延させる時間をΔｔと標記する場合がある。
【００３８】
なお、遅延素子３５を、遅延ステージ３５１とは異なる構成としてもよい。具体的には、電気光学効果を利用することが考えられる。すなわち、印加する電圧を変化させることで屈折率が変化する電気光学素子を、遅延素子３５として用いてもよい。例えば、特許文献である特開２００９−１７５１２７号公報に開示された電気光学素子を利用することができる。
【００３９】
波長三倍変換器３３は、非線形光学結晶などで構成される、第三高調波発生デバイスである。具体的に、波長三倍変換器３３は、例えばセシウムリチウムボレート（ＣＬＢＯ）結晶などで構成され、パルス光ＬＰ１５とパルス光ＬＰ２１とを合成する和周波発生技術によって、波長λ／３のパルス光ＬＰ３１を発生させる。発生したパルス光ＬＰ３１は、遅延素子３７へ導かれる。そして、遅延素子３７を通過したパルス光ＬＰ３１は、多接合型太陽電池９０へ導かれる。
【００４０】
遅延素子３７は、図３に示される遅延素子３５とほぼ同様の構成を備えている。遅延素子３７は、パルス光ＬＰ１１，ＬＰ２１が多接合型太陽電池９０に到達するタイミングに対して、パルス光ＬＰ３１が多接合型太陽電池９０に到達するタイミングを遅延させる。
【００４１】
なお、本実施形態では、遅延素子３５、３７によってパルス光ＬＰ２１、ＬＰ３１の光路長を変更しているが、例えばパルス光ＬＰ１１およびＬＰ２１、または、パルス光ＬＰ１１およびＬＰ３１の光路長を変更するようにしてもよい。すなわち、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１が、多接合型太陽電池９０に到達する各タイミングを、相対的にずらすことができればよい。
【００４２】
多接合型太陽電池９０に導かれるパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１は、不図示の光チョッパによって数ｋＨｚの変調がかけられる。変調素子として、ＡＯＭ（Acousto-Optic Modulator）などを用いることができる。このようにして変調されたパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１が、多接合型太陽電池９０に照射される。
【００４３】
図１に示されるように、照射部１２は、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１、ＬＰ３１の照射を、多接合型太陽電池９０の受光面である表面９０Ｓの側から行う。また、照射部１２は、パルス光ＬＰ１１の光軸が、多接合型太陽電池９０の受光面に対して斜めに入射するように、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１、ＬＰ３１を多接合型太陽電池９０に対して照射する。本実施形態では、入射角度が４５度となるように照射角度が設定されている。ただし、入射角度はこのような角度に限定されるものではなく、０度から９０度の範囲内で適宜変更することができる。
【００４４】
図４は、多接合型太陽電池９０の概略断面図である。多接合型太陽電池９０は、深さ方向において吸収波長領域が異なる材料を積層することによって構成されている。より詳細には、多接合型太陽電池９０は、吸収波長領域の異なる３つの単位的な太陽電池９Ａ、９Ｂ、９Ｃを下からこの順に積層することによって構成されている。太陽電池９Ａおよび９Ｂ間、太陽電池９Ｂおよび９Ｃ間は、相互に電気的に接続されている。
【００４５】
ここで、吸収波長領域とは、単位的な太陽電池９Ａ、９Ｂ、９Ｃの各々で主に吸収される波長領域をいい、利用波長領域と称することができる。吸収波長領域は、複数の太陽電池９Ａ、９Ｂおよび９Ｃ間で完全に相違していなくてもよく、一部が重複していてもよい。
【００４６】
太陽電池９Ａ、９Ｂおよび９Ｃのそれぞれは、ｐ型半導体層９３Ａ、９３Ｂおよび９３Ｃと、ｎ型半導体層９４Ａ、９４Ｂおよび９４Ｃとが接合されることによって、ｐｎ接合部を形成している。そして、多接合型太陽電池９０の裏面を構成する太陽電池９Ａの下面には、アルミニウムなどで構成された板状の裏面電極９２が取り付けられている。
【００４７】
また、多接合型太陽電池９０の受光面（表面９０Ｓ）を構成する太陽電池９Ｃの上面に、アルミニウムなどで構成された受光面電極９６が取り付けられている。受光面電極９６は、光が通過しやすいように、例えば櫛状または格子状に設けられている。なお、受光面電極９６は、透明電極で構成されていてもよい。
【００４８】
多接合型太陽電池９０における両側の主面のうち、受光面電極９６が設けられている側の主面が、受光面となっている。つまり、多接合型太陽電池９０は、受光面側から光を受けることで好適に発電するように設計されている。
【００４９】
多接合型太陽電池９０の内部電界が存在する部位に、禁制帯幅を超えるエネルギーを持つパルス光ＬＰ１１が照射されると、光キャリア（自由電子および正孔）が発生し、内部電界によって加速される。なお、加速された光キャリアのうち、正孔は裏面電極９２へ移動し、自由電子は受光面電極９６へ移動する。これによって、パルス状の電流が発生することとなり、それに応じたパルス状の電磁波が発生することとなる。なお、内部電界は、例えばｐｎ接合部やショットキー接合部などに発生していることが知られている。
【００５０】
本実施形態に係る検査装置１００においては、多接合型太陽電池９０に対して、３つの波長が相違するパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１が照射可能とされている。このため、各パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１を照射した場合、それぞれに対応した電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１が放射される。
【００５１】
多接合型太陽電池９０から放射された電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１は、検出部１３が備える検出器１３１へ導かれる。検出器１３１は、パルス光ＬＰ１１が入射する光伝導スイッチ（光伝導アンテナ）で構成されている。光伝導スイッチとしては、ダイポール型、ボウタイ型およびスパイラル型などが知られている。電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１またはＬＴ３１が検出器１３１に入射する状態で、パルス光ＬＰ１１が検出器１３１に照射されると、光伝導スイッチに瞬間的に電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１またはＬＴ３１の電界強度に応じた電流が発生する。この電界強度に応じた電流は、不図示のロックインアンプ、Ｉ／Ｖ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路などを介してデジタル量に変換される。このように、検出部１３は、パルス光ＬＰ１７の照射に応じて多接合型太陽電池９０から放射された電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度を検出する。
【００５２】
なお、検出器１３１に、その他の素子、例えばショットキーバリアダイオードを用いてもよい。ショットキーバリアダイオードは、偏光依存性が小さいという特性をもつ。また、検出器１３１として、非線形光学結晶を用いることも考えられる。
【００５３】
検出器１３１に到達するまでのパルス光ＬＰ１７の光路上には、遅延素子１４（遅延部）が設けられている。遅延素子１４は、パルス光ＬＰ１７の光路長を変更することによって、パルス光ＬＰ１７が検出器１３１に到達するタイミングを変更する。遅延素子１４の基本的構成は、図３に示される遅延素子３５と同様である。
【００５４】
遅延素子１４は、検出器１３１に到達するパルス光ＬＰ１７の位相を、検出器１３１に到達する電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の位相に対してずらす。すなわち、パルス光ＬＰ１７が検出器１３１に到達するタイミングを、電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１が検出器１３１に到達するタイミングに対して遅延させる。すなわち、遅延素子１４でパルス光ＬＰ１７の光路長を変化させることによって、検出器１３１において電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度を検出するタイミング（検出タイミングまたはサンプリングタイミング）が遅延される。
【００５５】
なお、パルス光ＬＰ１７ではなく、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１の光路長、もしくは、多接合型太陽電池９０から放射された電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の光路長を変更するようにしてもよい。この場合においても、電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１が検出器１３１に到達するタイミングを、パルス光ＬＰ１７が検出器１３１に到達するタイミングに対して、相対的にずらすことができる。つまり、検出器１３１における電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度の検出タイミングを遅延させることができる。
【００５６】
図示を省略するが、検査時に、多接合型太陽電池９０に対して逆バイアス電圧を印加してもよい。具体的には、多接合型太陽電池９０の受光面電極９６および裏面電極９２に、電圧印加回路が接続され、逆バイアス電圧が印加される。この電圧印加回路が多接合型太陽電池９０に印加する電圧の大きさは、制御部１６からの制御に基づいて、可変としてもよい。
【００５７】
逆バイアス電圧が印加されることによって、多接合型太陽電池９０におけるｐｎ接合部の空乏層を拡大できる。これによって、検出器１３１において検出される電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度を高めることができる。
【００５８】
なお、逆バイアス電圧を印可するのではなく、受光面電極９６−裏面電極９２間を短絡することによっても、電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度を高めることができる。
【００５９】
再び、検査装置１００の構成を説明する。ステージ移動機構１５は、ステージ１１を二次元平面内で移動させる装置であり、例えばＸ−Ｙテーブルなどで構成されている。ステージ移動機構１５は、ステージ１１に保持された多接合型太陽電池９０を、照射部１２に対して相対的に移動させる。検査装置１００は、ステージ移動機構１５によって、多接合型太陽電池９０を２次元平面内で任意の位置に移動させることができる。
【００６０】
本実施形態では、ステージ移動機構１５によってステージ１１をＸＹ方向に移動させることによって、多接合型太陽電池９０上の所要の検査範囲をパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１で走査可能とされている。つまり、ステージ移動機構１５は、走査機構を構成している。
【００６１】
なお、ステージ移動機構１５によって、ステージ１１を移動させる代わりに、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１の光路を変更することによって、検査範囲の走査を実現することも考えられる。具体的には、図示を省略するガルバノミラーを設けて、多接合型太陽電池９０の表面９０Ｓに平行であって、かつ、互いに直交する二方向に、パルス光ＬＰ１１を走査することが考えられる。また、ガルバノミラーの代わりに、ポリゴンミラー、ピエゾミラーまたは音響光学素子などを用いることも考えられる。
【００６２】
制御部１６は、図示を省略するＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを備えた一般的なコンピュータによって構成されている。制御部１６は、フェムト秒レーザ１２１、検出器１３１、遅延素子３５、３７、遅延素子１４およびステージ移動機構１５などに接続されており、これらの各要素の動作を制御したり、あるいは、これらの各要素からデータを受け取ったりする。
【００６３】
また、制御部１６は、図１に示される画像生成部２１、時間波形復元部２３、スペクトル解析部２５および波長設定部２７を備えている。画像生成部２１、時間波形復元部２３、スペクトル解析部２５および波長設定部２７は、制御部１６が備えるＣＰＵがプログラムにしたがって動作することにより実現される機能とされてもよいし、専用回路によってハードウェア的に実現されてもよい。
【００６４】
画像生成部２１は、多接合型太陽電池９０の検査対象範囲（多接合型太陽電池９０の一部または全部）において、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１の照射によって放射される電磁波の電界強度の分布を視覚化した電界強度分布画像を生成する。電界強度分布画像においては、電界強度の相違が、異なる色、色の濃淡または異なる模様などで視覚的に表現される。
【００６５】
時間波形復元部２３は、検出器１３１において検出される電界強度に基づいて、多接合型太陽電池９０から放射される電磁波の時間波形を復元する。具体的には、遅延素子１４を駆動することによって、パルス光ＬＰ１７が検出器１３１に到達するタイミングを変更し、各位相で検出された電磁波の電界強度が取得される。そして、この取得された電界強度が、時間軸上にプロットされることによって、電磁波の時間波形が復元される。
【００６６】
スペクトル解析部２５は、復元された電磁波の時間波形に基づき、多接合型太陽電池９０のスペクトル分析を行う。詳細には、スペクトル解析部２５は、時間波形情報をフーリエ変換することで、周波数に関する振幅強度スペクトルを取得する。
【００６７】
波長設定部２７は、照射部１２が多接合型太陽電池９０に照射するパルス光の波長を設定する。より具体的には、波長設定部２７は、後述する操作入力部１８を介した入力情報に基づいて、３つの波長が相違するパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１のうちから、多接合型太陽電池９０に照射するパルス光を設定する。照射部１２は、波長設定部２７によって設定された波長のパルス光を、多接合型太陽電池９０に照射する。パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１のうち、波長設定部２７によって照射しないこととなったパルス光については、例えば、遮蔽板によって遮断されることなどによって、照射が抑制される。
【００６８】
なお、フェムト秒レーザ１２１が波長可変レーザである場合、波長設定部２７によってフェムト秒レーザ１２１から出射するパルス光ＬＰ１０の波長を設定できるようにしてもよい。
【００６９】
制御部１６には、モニター１７および操作入力部１８が接続されている。モニター１７は、液晶ディスプレイなどの表示装置であり、オペレータに対して各種画像情報を表示する。モニター１７には、例えば、カメラ１９で撮影された多接合型太陽電池９０の表面９０Ｓの画像、画像生成部２１が生成した電界強度分布画像、時間波形復元部２３によって復元された電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の時間波形、または、スペクトル解析部２５が取得したスペクトル情報などが表示される。また、モニター１７には、検査の条件（検査範囲など）を設定するために必要なＧＵＩ（Graphical User Interface）画面などが表示されてもよい。
【００７０】
操作入力部１８は、マウスおよびキーボードなどの各種入力デバイスで構成されている。オペレータは操作入力部１８を介して所定の操作入力を行うことができる。なお、モニター１７がタッチパネルとして構成されることにより、モニター１７が操作入力部１８として機能するようにしてもよい。
【００７１】
また、制御部１６には、各種データが格納される記憶部が接続されている。記憶部は、ハードディスクなどの固定ディスクの他、可搬メディア（例えば磁気メディア、光ディスクメディアまたは半導体メモリなど）で構成されていてもよい。また、制御部１６と記憶部とは、ネットワーク回線を介して接続されていてもよい。
【００７２】
＜１．２  検査＞
＜１．２．１  検査例１＞
図５は、検査例１の流れを示す図である。この検査例１では、多接合型太陽電池９０における特定の位置（検査対象箇所）で発生する電磁波を復元することによって、その位置における多接合型太陽電池９０の特性等が評価される。なお、以下の説明において、各動作は、特に断らない限り制御部１６の制御に基づいて、検査装置１００が実行するものとする。
【００７３】
検査例１では、まず、多接合型太陽電池９０の各層の吸収波長領域に基づいて、照射するパルス光の波長が設定される（ステップＳ１１、設定工程）。ここでは、３つの波長λ、λ／２およびλ／３のパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１を多接合型太陽電池９０に照射するように設定されたものとする。
【００７４】
次に、検査装置１００は、多接合型太陽電池９０にパルス光ＬＰ１１（第１パルス光）のみを照射して、放射される電磁波ＬＴ１１（第１電磁波）を計測する（ステップＳ１２）。また、多接合型太陽電池９０にパルス光ＬＰ２１（第２パルス光）のみを照射して、放射される電磁波ＬＴ２１（第２電磁波）を計測する（ステップＳ１３）。さらに、多接合型太陽電池９０にパルス光ＬＰ３１（第３パルス光）のみを照射して、放射される電磁波ＬＴ３１（第３電磁波）を計測する（ステップＳ１４）。
【００７５】
このステップＳ１２〜ステップＳ１４では、遅延素子１４の遅延ステージを１回走査することによって、電磁波の電界強度の検出タイミング（位相）を変更することで、電磁波の時間波形を復元するためのデータが取得される。また、多接合型太陽電池９０における電磁波の計測位置は、特に限定されない。しかしながら、受光面電極９６の近辺など、比較的電磁波が発生し易い箇所であることが望ましい。
【００７６】
次に、各パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１の照射を相互にずらす時間Δｔが決定される（ステップＳ１５）。具体的には、ステップＳ１２〜ステップＳ１４において計測された電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の時間波形に基づき、各電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の１パルス分の発生時間が取得される。電磁波の発生時間とは、電界強度が変化し始める時から、その変化が完結する時までをいう。この発生時間に基づいて、時間Δｔが決定される。
【００７７】
図６は、多接合型太陽電池９０に照射されるパルス光のパルス列（上）、および、多接合型太陽電池９０から放射される電磁波のパルス列（下）を示す概念図である。なお、図６において、２つの横軸は時間軸を示している。
【００７８】
検査例１では、図６に示されるように、１パルス分のパルス光ＬＰ１１が照射された後、時間Δｔ１１遅れて、１パルス分のパルス光ＬＰ２１が照射される。さらにその後、時間Δｔ２１遅れて、１パルス分のパルス光ＬＰ３１が照射される。さらにその後、時間Δｔ３１遅れて、再び１パルス分のパルス光ＬＰ１１が照射される。このような照射サイクルが繰り返し行われる。すると、多接合型太陽電池９０では、電磁波ＬＴ１１が発生した後、時間Δｔ１１あけて電磁波ＬＴ２１が放射され、さらに時間Δｔ２１あけて電磁波ＬＴ３１が発生し、さらに時間Δ３１あけて電磁波ＬＴ１１が発生する。
【００７９】
ここで、時間Δｔ１１を電磁波ＬＴ１１の発生時間Ｔ１１よりも大きくすれば、電磁波ＬＴ１１および電磁波ＬＴ２１の電界強度成分が、検出器１３１において同時に検出されることを抑制できる。したがって、電磁波ＬＴ１１および電磁波ＬＴ２１の電界強度を、分離して検出することができる。同様に、時間Δｔ２１を、電磁波ＬＴ２１の発生時間Ｔ２１よりも大きくすれば、電磁波ＬＴ２１および電磁波ＬＴ３１の電界強度を分離して検出することができる。同様に、時間Δｔ３１を、電磁波ＬＴ３１の発生時間Ｔ３１よりも大きくすれば、電磁波ＬＴ３１および新たな電磁波ＬＴ１１の電界強度を分離して検出することができる。
【００８０】
時間Δｔ１１、Δｔ２１およびΔｔ３１は、一致していてもよいし、一致していなくてもよい。電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の発生時間Ｔ１１、Ｔ２１およびＴ３１が異なる場合も想定されるため、発生時間Ｔ１１、Ｔ２１およびＴ３１に応じて時間Δｔ１１、Δｔ２１およびΔｔ３１が適宜決定されればよい。
【００８１】
図５に戻って、時間Δｔ１１、Δｔ２１およびΔｔ３１が決定されれば、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１を相互に遅延させながら、予め設定された多接合型太陽電池９０における検査対象箇所に照射して、電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１を同時に計測する（ステップＳ１６、照射工程および検出工程）。
【００８２】
具体的には、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１を照射して、電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度を取得するという単位的な計測が、遅延素子１４の遅延ステージを１回走査する間に繰り返し実行される。ことによって、電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の時間波形を復元するための全データが収集される。
【００８３】
なお、ステップＳ１５において、検査対象箇所が複数設定された場合、それぞれの検査対象箇所における電界強度の取得が実行される。
【００８４】
電界強度の取得が完了すると、時間波形復元部２３によって復元された時間波形がモニター１７に表示部に表示される（ステップＳ１７）。
【００８５】
図７は、復元された電磁波ＬＴ１１の時間波形４１を示す図である。ステップＳ１６が実行されることによって、検査対象箇所について、図７に示す電磁波ＬＴ１１の時間波形４１が復元される。これと同時に、電磁波ＬＴ２１、ＬＴ３１の時間波形についても同様に復元される。
【００８６】
なお、パルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１を個別に照射して、電磁波ＬＴ１１の時間波形復元用の全データ、電磁波ＬＴ２１の時間波形復元用の全データ、および、電磁波ＬＴ３１の時間波形復元用の全データを順番に取得することも考えられる。しかしながら、この場合、遅延素子１４の遅延ステージを計３回走査しなければならない。このように遅延ステージの走査回数が増大すると、検査時間が長くなったり、もしくは、遅延ステージの移動に誤差が発生したりする虞がある。これに対して、本実施形態では、遅延ステージを１回走査させるだけで済むため、安定的にかつ精度よく複数の電磁波ＬＴ１１、ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度のデータを同時取得できる。また、検査を効率的に行うことができる。
【００８７】
なお、ステップＳ１２〜ステップＳ１４およびステップＳ１６における電磁波計測時に、多接合型太陽電池９０に逆バイアス電圧を印可するなどして、放射される電磁波を強めるようにしてよい。
【００８８】
図８は、電磁波ＬＴ１１のスペクトル分布４３の一例を示す図である。図８中、縦軸はスペクトル強度を示し、横軸は周波数を示している。スペクトル解析部２５が、時間領域を周波数空間に変換するフーリエ変換を実行することによって、図７に示される時間波形４１から、図８に示されるスペクトル分布４３が取得される。スペクトル分布４３を取得することによって、検査対象箇所における物性情報をさらに詳細に分析することが可能となる。このようなスペクトル解析が、ステップＳ１６もしくはステップＳ１７の後に実行されてもよい。
【００８９】
＜１．２．２．  検査例２＞
図９は、検査例２の流れを示す図である。この検査例２は、多接合型太陽電池９０の前部又は一部の領域から放射される電磁波を計測し、電磁波強度の分布を画像化するものである。この検査例２によると、ある程度広い範囲を検査することができるため、部分毎の特性の比較や、不良箇所の検出などを行うことが可能である。
【００９０】
具体的には、まず、多接合型太陽電池９０の各層の吸収波長領域に基づいて、照射するパルス光の波長が設定される（ステップＳ２１）。このステップＳ２１は、図５に示されるステップＳ１１と同様である。ここでは、３つの波長λ、λ／２およびλ／３のパルス光ＬＰ１１、ＬＰ２１およびＬＰ３１を多接合型太陽電池９０に照射するように設定されたものとする。
【００９１】
次に、検査用の検出タイミングの決定が行われる（ステップＳ２２）。具体的には、ステップＳ２１において設定された複数の波長のうち特定波長のパルス光（ここでは、パルス光ＬＰ１１とする。）が照射され、多接合型太陽電池９０から放射される電磁波ＬＴ１１の時間波形が復元される。そして、この時間波形において電界強度が最も強くなるときの、タイミング（すなわち、遅延素子１４の遅延ステージの位置）が、検査用の検出タイミングとされる。
【００９２】
次に、パルス光ＬＰ１１を多接合型太陽電池９０の検査対象範囲に照射して、放射される電磁波ＬＴ１１の計測が行われる（ステップＳ２３）。具体的には、遅延素子１４の遅延ステージが、ステップＳ２２で決定された検査用の検出タイミングに対応する位置に固定される。この状態で、多接合型太陽電池９０の検査対象範囲を、パルス光ＬＰ１１で走査する二次元走査が行われる。
【００９３】
なお、ステップＳ２２において決定される検査用の検出タイミングは、必ずしも、最大電界強度が検出される検出タイミングでなくてもよい。しかしながら、ステップＳ２３において、このような検出タイミングに固定することで、多接合型太陽電池９０の各部分から放射される電磁波を検出しやすくなる。
【００９４】
ステップＳ２３において、電磁波ＬＴ１１の計測が完了すると、画像生成部２１によって、電界強度分布画像が生成され、当該画像がモニター１７に表示される（ステップＳ２４）。
【００９５】
次に、ステップＳ２１において全ての電磁波の計測が完了したかどうかが判定される（ステップＳ２５）。完了していると判定された場合には、検査が完了するが、未完了の場合は、ステップＳ２２に戻る。この時点では、他のパルス光ＬＰ２１およびＬＰ３１の照射が完了していないため、ステップＳ２２に戻ることとなる。これによって、パルス光ＬＰ２１の照射による電磁波ＬＴ２１の計測、および、パルス光ＬＰ３１の照射による電磁波ＬＴ３１の計測が行われる。そして、ステップＳ２４において、電磁波ＬＴ２１およびＬＴ３１の電界強度分布画像の生成および表示が実行される。
【００９６】
なお、ステップＳ２５において、全ての電磁波計測が完了したと判断された後に、ステップＳ２４（すなわち、電界強度分画像の生成および表示する工程）が実行されるようにしてもよい。
【００９７】
図１０は、電界強度分布画像ｉ１の一例を示す模式図である。このような電界強度分布画像ｉ１によると、多接合型太陽電池９０における電界強度分布を容易に把握することができる。この電界強度分布に基づいて、例えば、多接合型太陽電池９０の不良箇所の特定を容易に行うことができる。
【００９８】
また、例えば、ステップＳ２５において得られた複数の電界強度分布画像を１つの画像に合成して、モニター１７に表示してもよい。例えば、電界強度分布画像が３つある場合、そのそれぞれを、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）などの各色に色付けし、１つの画像に合成してもよい。これによって、１つの合成画像において、３つの電界強度分布を個別的に把握することが可能となる。
【００９９】
＜１．３  効果＞
このように、本実施形態によると、深さ方向に吸収波長領域が異なる多接合型太陽電池９０において、目的の深さ位置にある太陽電池層に対応した波長の光を照射し、それらによって放射される各電磁波を計測できる。このため、多接合型太陽電池９０における深さ方向の各部分を良好に検査できる。
【０１００】
また、裏面側から受光面側にかけて、ドットサイズが徐々に小さくなるように量子ドットを積層してなる量子ドット太陽電池が知られている。このような量子ドット太陽電池では、ドットサイズが異なるために、深さ方向において吸収波長が異なっている。検査装置１００は、波長が相違する複数のパルス光で検査を行うため、このような量子ドット太陽電池を検査するのに好適である。
【０１０１】
また、一般的には、長波長の光は深い部分まで侵入するが、短波長の光は浅い部分までしか侵入できないことが知られている。つまり、単接合の太陽電池に対しても、波長が相違する複数のパルス光を照射することによって、太陽電池の深さ方向の各部分を良好に検査できる。
【０１０２】
また、イメージセンサの分野においては、例えば、Foveon X3（登録商標）など吸収波長領域が相違する複数のシリコン層を積層してなるイメージセンサが知られている。このようなイメージセンサを検査する場合、各層に対応した波長のパルス光を照射することで、各層の検査を行うことができる。
【０１０３】
また、ＬＥＤを検査対象とする場合においても、ある半導体層の発振波長よりも短い波長の光を照射すれば、光が吸収されて電磁波を放射させることができる。したがって、ＬＥＤに対しては、発振波長よりも短い（すなわち、エネルギーギャップよりも高エネルギーの光）を照射すれば、良好に検査することができる。
【０１０４】
フォトデバイスに照射されるパルス光の波長は、以下のように決定してもよい。例えば検査対象のフォトデバイスが、第１層、及び、前記第１層とは吸収波長領域が異なり、かつ、第１層よりも下側に配されている第２層を有するものとする。この場合、第１層のエネルギーギャップよりも高エネルギーの第１光、および、第２層のエネルギーギャップよりも高エネルギーであって、第１層のエネルギーギャップよりも低エネルギーの第２光を照射すればよい。この場合、第１光の照射によって、第１層から選択的に電磁波を放射させることができ、また、第２光の照射によって、第２層から選択的に電磁波を放射させることができる。
【０１０５】
＜２．  第２実施形態＞
図１１は、第２実施形態に係る検査装置１００Ａの概略構成図である。なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の機能を有する要素については適宜同一符号を付して、その説明を省略する場合がある。
【０１０６】
検査装置１００Ａは、照射部１２Ａの光源として、白色フェムト秒レーザ１２１Ａを備えている。白色フェムト秒レーザ１２１Ａから放射される白色パルス光ＬＰ５０が分割されて、長波長フィルター５１、中波長フィルター５３および短波長フィルター５５を通過する。これによって、波長が相違する複数のパルス光ＬＰ５１、ＬＰ５３およびＬＰ５５が生成され、多接合型太陽電池９０に照射される。また、本実施形態においても、遅延素子３５および遅延素子３７によって、パルス光ＬＰ５１、ＬＰ５３およびＬＰ５５を、時間的に相互にずらして、多接合型太陽電池９０に照射可能とされている。パルス光ＬＰ５１、ＬＰ５３およびＬＰ５５のそれぞれが、多接合型太陽電池９０に照射されることによって、多接合型太陽電池９０から電磁波ＬＴ５１、ＬＴ５２およびＬＴ５３が放射される。
【０１０７】
また、本実施形態では、白色パルス光ＬＰ５０が、長波長フィルター５７を通過した後、検出器１３１に入射する。これによって、検出器１３１が、多接合型太陽電池９０から放射される電磁波を検出する。なお、必ずしも長波長フィルター５７である必要はなく、検出器１３１の素材に応じて、波長フィルターを適宜選択すればよい。また、検出器１３１に入射するパルス光の光路長は、遅延素子１４によって変更可能とされている。このため、検出器１３１における電磁波の検出タイミングが変更可能とされている。
【０１０８】
このような検査装置１００Ａにおいても、検査装置１００と同様に、多接合型太陽電池９０を良好に検査することができる。
【０１０９】
＜３．  第３実施形態＞
図１２は、第３実施形態に係る検査装置１００Ｂの概略図である。検査装置１００Ｂは、照射部１２が出射したパルス光が、透明導電膜基板（ＩＴＯ）９９０を透過して、多接合型太陽電池９０の表面９０Ｓに対して垂直に入射する。そして、パルス光の照射に応じて発生した電磁波のうち、表面９０Ｓの側に出射された電磁波が、透明導電性基板９９０を反射し、レンズなどの光学系を介して検出器１３１に入射する。すなわち、検査装置１００Ｂは、照射用のパルス光と放射された電磁波とが同軸となる、同軸反射型の装置として構成されている。このような検査装置１００Ｂによっても、検査装置１００と同様に、多接合型太陽電池９０から放射される電磁波を検出できる。
【０１１０】
＜４．  第４実施形態＞
図１３は、第４実施形態に係る検査装置１００Ｃの概略図である。検査装置１００Ｃは、照射部１２が出射したパルス光が、多接合型太陽電池９０の表面９０Ｓに対して垂直に入射する。そして、多接合型太陽電池９０の裏面側に出射される（すなわち、透過する）電磁波が、検出部１３にて検出される。すなわち、検査装置１００Ｃは、透過型の検査装置として構成されている。このような検査装置１００Ｃによっても、検査装置１００と同様に、多接合型太陽電池９０から放射される電磁波を検出できる。
【０１１１】
＜変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【０１１２】
例えば、第１実施形態では、フェムト秒レーザ１２１からパルス光を出射させて、多接合型太陽電池９０からパルス状の電磁波を放射させている。しかしながら、フェムト秒レーザ１２１の代わりに、発振周波数がわずかに相違する２つの連続光を出射する２つの光源を利用することも可能である。具体的には、２つの連続光を、光導波路である光ファイバなどで形成されたカプラによって重ね合わせることで、差周波に対応する光ビート信号を生成する。そして、この光ビート信号を、多接合型太陽電池９０に照射することによって、その光ビート信号の周波数に応じた電磁波（テラヘルツ波）を放射させることができる。なお、光源としては、例えば温度制御によって、出射するレーザ光の波長をほぼ連続的（例えば、２ｎｍ毎）に変更可能とされる分布帰還型（ＤＦＢ）レーザなどを利用することができる。
【０１１３】
この技術を利用する場合において、例えば、波長が相違する３つの光（光ビート信号）を照射するのであれば、６つの光源を用いればよい。また、波長が相違する複数の光ビート信号を切り替えて多接合型太陽電池９０に照射することが望ましいが、これらを同時に照射してもよい。なぜなら、光ビート信号の照射によって放射される電磁波の周波数分布は、非常に狭い。このため、周波数フィルターを用いることによって、各電磁波の成分を容易に分離できる。
【０１１４】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【０１１５】
また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各要素は、相互に矛盾しない限り組み合わせたり、あるいは省略したりすることができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ  検査装置
１１  ステージ
１２、１２Ａ  照射部
１２１  フェムト秒レーザ
１２１Ａ  白色フェムト秒レーザ
１３  検出部
１３１  検出器
１４  遅延素子（遅延部）
１５  ステージ移動機構（走査機構）
１６  制御部
１７  モニター
２１  画像生成部
２３  時間波形復元部
２５  スペクトル解析部
２７  波長設定部
３１  波長二倍変換器
３３  波長三倍変換器
３５、３７  遅延素子
３５１  遅延ステージ
３５３  遅延ステージ移動機構
４１  時間波形
４３  スペクトル分布
５１、５７  長波長フィルター
５３  中波長フィルター
５５  短波長フィルター
９０  多接合型太陽電池
９０Ｓ  表面
９Ａ、９Ａ、９Ｂ  太陽電池
９２  裏面電極
９３Ａ、９３Ｂ、９３Ｃ  ｐ型半導体層
９４Ａ、９４Ｂ、９４Ｃ  ｎ型半導体層
９６  受光面電極
９９０  透明導電性基板
ＬＰ１０  パルス光
ＬＰ１１、ＬＰ１３、ＬＰ１５、ＬＰ１７  パルス光
ＬＰ２１、ＬＰ３１  パルス光
ＬＰ５０  白色パルス光
ＬＰ５１、ＬＰ５３、ＬＰ５５  パルス光
ＬＴ１１、ＬＴ２１、ＬＴ３１  電磁波
ＬＴ５１、ＬＴ５２、ＬＴ５３  電磁波
Ｔ１１、Ｔ２１、Ｔ３１  発生時間
ｉ１  電界強度分布画像
Δｔ、Δｔ１１、Δｔ２１、Δｔ３１  時間
【図１】
2015152519.tif 000003
【図２】
2015152519.tif 000004
【図３】
2015152519.tif 000005
【図４】
2015152519.tif 000006
【図５】
2015152519.tif 000007
【図６】
2015152519.tif 000008
【図７】
2015152519.tif 000009
【図８】
2015152519.tif 000010
【図９】
2015152519.tif 000011
【図１０】
2015152519.tif 000012
【図１１】
2015152519.tif 000013
【図１２】
2015152519.tif 000014
【図１３】
2015152519.tif 000015