(57)【要約】【課題】工程の簡素化により低コスト化を図ることが可能なプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】配線パターン２０を有するプリント配線板１の製造方法は、シード層２１を絶縁性基板１０上に選択的に形成する第１の工程Ｓ１０，Ｓ２０と、電解めっき処理によってシード層２１上に導体層２２を形成する第２の工程Ｓ３０と、を備えており、シード層２１は、配線パターン２０に対応した形状を有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを有するプリント配線板の製造方法であって、
シード層を絶縁性基板上に選択的に形成する第１の工程と、
電解めっき処理によって前記シード層上に導体層を形成する第２の工程と、を備えており、
前記シード層は、前記配線パターンに対応した形状を有していることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の工程は、前記絶縁性基板の表面に触媒を選択的に付与した後に無電解めっき処理を行うことを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の工程は、前記絶縁性基板の表面を選択的に改質することを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の工程は、前記触媒を含有するインクを前記絶縁性基板上に選択的に印刷することを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の工程は、前記触媒を担持する層を前記絶縁性基板上に選択的に形成することを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２の工程は、同一の前記シード層に複数の電源を接続して前記電解めっき処理を行うことを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れかに記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２の工程は、同一の前記シード層、又は、相互に独立した複数の前記シード層に、複数の電源を接続して前記電解めっき処理を行うことを含み、
前記複数の電源の出力は相互に異なることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた少なくとも一つの配線パターンと、を備えたプリント配線板であって、
前記配線パターンは、側方に向かって膨らむ膨出部を含む断面形状を有することを特徴とするプリント配線板。
【請求項９】
請求項８に記載のプリント配線板であって、
前記配線パターンは部分的に厚さが異なることを特徴とするプリント配線板。
【請求項１０】
請求項８に記載のプリント配線板であって、
複数の前記配線パターンは、相互に厚さが異なることを特徴とするプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の製造方法、及び、その製造方法によって製造されたプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の配線パターンの形成方法として、所謂セミアディティブ法が知られている。
【０００３】
このセミアディティブ法では、先ず、スパッタリング或いは無電解めっき処理によって絶縁層の全面に下地金属層を形成した後に、配線パターンに対応した開口を有するめっきレジスト層を当該下地金属層上に形成する。次いで、このめっきレジスト層の開口内に電解めっき処理によって金属層を形成した後に、当該めっきレジスト層を剥離する。次いで、下地金属層において配線パターン部から露出する部分をエッチング処理により除去する（例えば、特許文献１（段落［０００２］）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２０５８０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、セミアディティブ法は、レジスト層の形成／除去工程やエッチング工程を含んでいるために工程数が多い。また、レジスト残渣を除去するデスカム工程では、酸素プラズマ照射によってレジスト残渣を燃焼させるために真空設備を必要とする。そのため、低コスト化が妨げられているという問題がある。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、工程の簡素化により低コスト化を図ることが可能なプリント配線板の製造方法及びプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［１］本発明に係るプリント配線板の製造方法は、配線パターンを有するプリント配線板の製造方法であって、シード層を絶縁性基板上に選択的に形成する第１の工程と、電解めっき処理によって前記シード層上に導体層を形成する第２の工程と、を備えており、前記シード層は、前記配線パターンに対応した形状を有していることを特徴とする。
【０００８】
［２］上記発明において、前記第１の工程は、前記絶縁性基板の表面に触媒を選択的に付与した後に無電解めっき処理を行うことを含んでもよい。
【０００９】
［３］上記発明において、前記第１の工程は、前記絶縁性基板の表面を選択的に改質することを含んでもよい。
【００１０】
［４］上記発明において、前記第１の工程は、前記触媒を含有するインクを前記絶縁性基板上に選択的に印刷することを含んでもよい。
【００１１】
［５］上記発明において、前記第１の工程は、前記触媒を担持する層を前記絶縁性基板上に選択的に形成することを含んでもよい。
【００１２】
［６］上記発明において、前記第２の工程は、同一の前記シード層に複数の電源を接続して前記電解めっき処理を行うことを含んでもよい。
【００１３】
［７］上記発明において、前記第２の工程は、同一の前記シード層、又は、相互に独立した複数の前記シード層に、複数の電源を接続して前記電解めっき処理を行うことを含み、前記複数の電源の出力は相互に異なってもよい。
【００１４】
［８］本発明係るプリント配線板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた少なくとも一つの配線パターンと、を備えたプリント配線板であって、前記配線パターンは、側方に向かって膨らむ膨出部を含む断面形状を有することを特徴とする。
【００１５】
［９］上記発明において、前記配線パターンは部分的に厚さが異なってもよい。
【００１６】
［１０］上記発明において、複数の前記配線パターンは、相互に厚さが異なってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、配線パターンの形状に対応するように、シード層を絶縁性基板上に選択的に形成する。これにより、工程を簡素化することができるので、プリント配線板の低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の実施形態におけるプリント配線板の配線パターンの断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態におけるプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】図３（ａ）は、図２のステップＳ１１を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図１のステップＳ１２，Ｓ１３を示す断面図であり、図３（ｃ）は、図２のステップＳ１４，Ｓ１５を示す断面図であり、図３（ｄ）は、図２のステップＳ２０を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、図２のステップＳ２０を示す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のIVB-IVB線に沿った断面図である。
【図５】図５（ａ）は、図２のステップＳ３０を示す平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ｂ）のVB-VB線に沿った断面図である。
【図６】図６は、図２のステップＳ３０の変形例を示す平面図である。
【図７】図７は、図２のステップＳ３０の他の変形例を示す平面図である。
【図８】図８（ａ）は、図２のステップＳ４０を示す平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のVIIIB-VIIIB線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図１は本実施形態におけるプリント配線板の配線パターンの断面図である。
【００２１】
本実施形態におけるプリント配線板１は、図１に示すように、絶縁性基板１０と、その絶縁性基板１０の表面に設けられた配線パターン２０と、を備えたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）である。配線パターン２０は、絶縁性基板１０上に形成されたシード層２１と、前記シード層２１上に形成された導体層２２と、を有している。
【００２２】
絶縁性基板１０を構成する材料としては、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂材料を例示することができる。なお、絶縁性基板１０として、例えば、ガラス、セラミックス、ガラスエポキシ樹脂等から構成される硬質基板を用いてもよい。
【００２３】
シード層２１は、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは、これらの少なくとも一つを含む合金から構成されている。一方、導体層２２は、例えば、銅（Ｃｕ）等から構成されている。シード層２１の厚さは、例えば１［μｍ］以下であるのに対し、導体層２２の厚さは、例えば１〜５０［μｍ］程度であり、導体層２２は、シード層２１よりも相対的に厚くなっている。
【００２４】
なお、シード層２１を構成する材料は、後述する電解めっき処理の際に通電層として十分に機能する導電性材料であれば、特に上記のものに限定されない。また、導体層２２も、電解めっき処理によって形成可能な材料であれば、特に上記に限定されない。
【００２５】
以下に、このプリント配線板１０の製造方法について、図２〜図８（ｂ）を参照しながら説明する。なお、以下に説明する図中の配線パターン２０の形状、本数、配置等は一例であって特にこれに限定されない。
【００２６】
図２は本実施形態におけるプリント配線板の製造方法を示す工程図、図３（ａ）〜図３（ｄ）は図２の各ステップを示す断面図、図４（ａ）及び図４（ｂ）は図２のステップＳ２０を示す平面図及び断面図、図５（ａ）及び図５（ｂ）は図２のステップＳ３０を示す平面図及び断面図、図６及び図７は図２のステップＳ３０の変形例を示す平面図、図８（ａ）及び図８（ｂ）は図２のステップＳ４０を示す平面図及び断面図である。
【００２７】
最初に本実施形態における製造方法について概説すると、図２に示すように、先ず、ステップＳ１０において、無電解めっき処理のための触媒５０を絶縁性基板１０上に選択的に付与する。次いで、ステップＳ２０において、絶縁性基板１０に対して無電解めっき処理を行うことで、絶縁性基板１０上にシード層３１を形成する。次いで、ステップＳ３０において、このシード層３１を利用して電解めっき処理を行うことで、シード層３１上に導体層３２を形成する。以上の工程を経ることで、絶縁性基板１０上に配線パターン３０が形成される。
【００２８】
以下に、上記の製造方法の各ステップについて詳説する。
【００２９】
図２のステップＳ１０の触媒選択的付与工程では、先ず、ステップＳ１１において、絶縁性基板１０の表面１１を選択的に改質する。具体的には、図３（ａ）に示すように、フォトマスク６０を介して、絶縁性基板１０の表面１１に向かって紫外線を照射する。この際、絶縁性基板１０がポリイミド（ＰＩ）で構成されている場合には、例えば、低圧水銀灯を光源として用いることができる。また、フォトマスク６０には、配線パターン３０に対応した形状の開口６１が形成されている。
【００３０】
低圧水銀灯は、波長が１８５［ｎｍ］の紫外線と、波長が２５４［ｎｍ］の紫外線を主に発生する。前者の光エネルギーは６４７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、後者の光エネルギーが４７２［ｋＪ／ｍｏｌ］である。これに対し、例えば、絶縁性基板１０を構成する有機化合物のＣ−Ｈ結合の結合エネルギーは４５７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、上述の紫外線の光エネルギーの方が分子結合のエネルギーよりも強い。このため、この低圧水銀灯から照射された紫外線によって、絶縁性基板１０の上面１１の分子結合を断ち切ることで、絶縁性基板１０の上面１１においてフォトマスク６０の開口６１に対応する部分が改質されて改質部分１２が形成される。
【００３１】
次いで、図２のステップＳ１２において、絶縁性基板１０を薬液に浸漬する。これにより、図３（ｂ）に示すように、絶縁性基板１０の表面１１において、改質部分１２が除去されると共に、当該除去された部分が薬液中の水分と反応して親水化（ヒドロキシル化）されることで、絶縁性基板１０の表面１１に親水性を有する部分１３が形成される。このステップＳ１２で使用される薬液の具体例としては、例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液等を例示することができる。
【００３２】
次いで、図２のステップＳ１３において、界面活性剤を含む溶液に絶縁性基板１０を浸漬する。この界面活性剤によって、絶縁性基板１０の表面１１における親水性部分１３の表面の電荷状態が調整され、当該親水性部分１３の電位が制御される。後述する無電解めっき処理用の触媒として用いられるパラジウムは水溶液中において正イオンとして存在するため、界面活性剤によって絶縁性基板１０の親水性部分１３をマイナスに帯電させておく。これにより、親水性部分１３への触媒の吸着を促進させることができる。
【００３３】
次いで、図１のステップＳ１４において、触媒５０を含む溶液（以下単に「触媒含有溶液」とも称する。）に絶縁性基板１０を浸漬することで、図３（ｃ）に示すように、親水性部分１３に触媒５０を吸着させる（キャタライジング）。触媒５０を含む溶液の具体例としては、塩化パラジウム水溶液を例示することができる。この際、上述のステップＳ１１〜Ｓ１３を経て形成された親水性部分１３は、無電解めっき処理用のめっき液がぬれ易くなっており触媒５０が吸着し易くなっている。これに対し、絶縁性基板１０の表面１１における未処理部分１４（親水性部分１３が形成されていない部分。図３（ｂ）参照。）は、親水性部分１３と比較して触媒５０が吸着し難くなっている。
【００３４】
次いで、図２のステップＳ１５において、絶縁性基板１０の親水性部分１３に付与された触媒５０を活性化させる（アクセラレイティング）。具体的には、絶縁性基板１０を還元剤に浸漬することより、当該絶縁性基板１０の親水性部分１３に吸着されていたパラジウムを還元してパラジウム金属とする。還元剤の具体例としては、例えば、次亜リン酸水溶液を例示することができる。
【００３５】
なお、絶縁性基板１０上に触媒５０を選択的に付与する方法は、上記の方法に特に限定されない。
【００３６】
例えば、触媒金属を含有するインクを絶縁性基板１０上に印刷した後に硬化させることで、触媒５０を絶縁性基板１０上に選択的に付与してもよい。こうしたインクの具体例としては、例えば、パラジウムをイオンの状態で含有した塩化パラジウム水溶液や、特開２０１３−１９５５号公報に記載の無電解めっき用塗料組成物、国際公開第２０１２／１４１２１６号に記載の無電解めっき下地剤等を例示することができる。また、印刷方法の具体例としては、例えば、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、インクジェット印刷等を例示することができ、こうした印刷方法によって、配線パターン２０に対応した形状となるように、インクを絶縁性基板１０上に直接印刷する。
【００３７】
また、触媒５０を担持する層を絶縁性基板１０上に印刷法により形成した後に、当該絶縁性基板１０を触媒含有溶液に浸漬することで、触媒５０を絶縁性基板１０上に選択的に付与してもよい。こうした担持層を構成する具体的な材料としては、例えば、触媒５０を樹脂製の絶縁性基板１０に接着することが可能なトリアジン化合物を例示することができる。
【００３８】
なお、表面グラフト法を用いて担持層を形成してもよい。この表面グラフト法では、絶縁性基板１０上に塗布されたモノマーに対して光照射することで、絶縁性基板１０に直接接合された表面グラフトポリマーを形成する。この表面グラフトポリマーは親水性を有しているので、モノマーを絶縁性基板１０上に部分的に印刷した状態で光照射した後に、当該絶縁性基板１０を触媒含有溶液に浸漬することで、触媒５０を絶縁性基板１０上に選択的に付与することができる。
【００３９】
或いは、印刷、転写法、その他の手法でパターン形成された接着層を触媒５０の担持層として用いてもよい。一例を挙げると、この接着層を配線パターン２０の形状に対応するように仮支持体上で予めパターニングしておき、当該接着層を絶縁性基板１０に転写した後に、当該絶縁性基板１０を触媒含有溶液に浸漬することで、触媒５０を絶縁性基板１０上に選択的に付与することができる。なお、接着層を絶縁性基板１０に転写する際にエネルギーを配線パターン２０の形状に対応するように局所的に付与することで、接着層を絶縁性基板１０上に選択的に形成してもよい。こうした接着層の具体例としては、例えば、特開２００９−２８０９０５号公報に記載されているめっき受容性層を例示することができる。
【００４０】
また、レーザ照射によって配線パターン２０の形状に対応するように絶縁性基板１０の表面を部分的に改質した後に、当該絶縁性基板１０を触媒含有溶液に浸漬することで、触媒５０を絶縁性基板１０上に選択的に付与してもよい。
【００４１】
なお、レーザ照射に代えて、配線パターン２０の形状に対応した開口を有するマスクを用いて、絶縁性基板１０に対してプラズマ処理を行うことで、絶縁性基板１０の表面を部分的に改質してもよい。
【００４２】
或いは、配線パターン２０の形状に対応した開口を有するレジストパターンを絶縁性基板１０上に形成した後に、当該絶縁性基板を薬液に浸漬することで、絶縁性基板１０の表面を部分的に改質してもよい。なお、この際に使用される薬液の具体例としては、例えば、水酸化ナトリウム水溶液等を例示することができる。
【００４３】
また、スパッタリング法或いは真空蒸着法によって、絶縁性基板１０上に触媒金属を直接付与してもよい。この際に、配線パターン２０の形状に対応した開口を有するマスクを用いて、スパッタリング或いは蒸着を行うことで、絶縁性基板１０上に触媒５０を直接且つ選択的に付与してもよい。
【００４４】
或いは、スパッタリング或いは蒸着によって触媒金属からなるブランケット薄膜（所謂ベタパターン）を絶縁性基板１０の全面に形成した後に、配線パターン２０の形状に対応した開口を有するレジストパターンをブランケット薄膜上に形成し、レジストパターンの開口を介してブランケット薄膜をエッチングすることで、絶縁性基板１０上に選択的に触媒５０を付与してもよい。
【００４５】
以上のように、配線パターン３０の形状に対応するように触媒５０が絶縁性基板１０上に付与されたら、図２のステップＳ２０において、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、無電解めっき処理によって絶縁性基板１０上にシード層２１を形成する。無電解めっき処理用のめっき液の具体例としては、硫酸銅めっき液、硫酸ニッケルめっき液、或いは、これらの混合液等を例示することができる。
【００４６】
なお、複数の無電解めっき処理を行うことで、シード層２１を複数の金属層で構成してもよい。また、シード層２１がリン（Ｐ）やパラジウム（Ｐｂ）を含んでもよい。こうしたリンやパラジウムは、上述のステップＳ１５で還元剤として使用する次亜リン酸水溶液から供給される。
【００４７】
なお、スパッタリング法或いは真空蒸着法によって、絶縁性基板１０上にシード層２１を直接形成してもよい。この際に、配線パターン２０の形状に対応した開口を有するマスクを用いて、スパッタリング或いは蒸着を行うことで、絶縁性基板１０上にシード層２１を直接且つ選択的に形成してもよい。
【００４８】
或いは、導電性材料から構成されるブランケット薄膜を、スパッタリング或いは蒸着によって絶縁性基板１０の全面に形成した後に、配線パターン２０の形状に対応した開口を有するレジストパターンをブランケット薄膜上に形成し、レジストパターンの開口を介してブランケット薄膜をエッチングすることで、絶縁性基板１０上に選択的にシード層２１を付与してもよい。
【００４９】
次いで、図２のステップＳ３０において、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、電解めっき処理によって、シード層２１上に導体層２２を形成する。具体的には、同図に示すように、絶縁性基板１０を電解めっき液に浸漬した状態で、給電電極３０を介してシード層２１にマイナス電位を印加すると共に、対向電極（アノード電極）にプラス電位を印加する。これにより、シード層２１の表面で銅イオンが電子を受け取ることによって還元され、銅から構成される導体層２２がシード層２１上に形成される。なお、電解めっき液の具体例としては、例えば、硫酸銅を含有する電解めっき液を例示することができる。
【００５０】
なお、給電電極３０は、上述の図３（ａ）〜図３（ｄ）には特に図示していないが、図２のステップＳ１０において、シード層２１と同時に且つ一体的に絶縁性基板１０上に形成されており、シード層２１と同一の層構造を有している。電解めっき処理用の電源７１は、この給電電極３０に接続されており、シード層２１は給電電極３０を介して電源７１に電気的に接続されている。
【００５１】
電解めっき処理の際に、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、シード層２１に対して一つの電源７１のみを接続してもよいが、特にこれに限定されない。図６に示すように、一つのシード層２１に対して複数の電源７１，７２を接続してもよい。これにより、一つのシード層２１の中に線幅の太い部分と細い部分が混在する場合や、シード層２１の中に給電電極３０からの距離が遠い部分が含まれている場合であっても、著しい電圧降下を防止することができ、導体層２２を電解めっき処理によって十分な速度で形成することができる。
【００５２】
或いは、一つのシード層２１に対して複数の電源７１，７２を接続した場合（図６参照）に、当該複数の電源７１，７２の出力（電気量＝電流［Ａ］×時間［ｈ］）を相互に異ならせてもよい。これにより、同一の配線パターン２０の中で厚さを異ならせることができ、目的に応じて任意の厚さを持った部分を同一の配線パターン３０内に形成することができる。
【００５３】
一例を挙げると、配線パターン２０の中で大電流を流したい部分（図６中におけるシード層２１の第１の部分２１ａに対応）については、当該第１の部分２１ａに接続された第１の電源７１の出力を大きくすることで、導体層２２を厚くする。これに対し、当該配線パターン２０の中で折り曲げられる部分（同図中におけるシード層２１の第２の部分２１ｂに対応）については、当該第２の部分２１ｂに接続された第２の電源７２の出力を第１の電源７１の出力よりも相対的に小さくすることで、導体層２２を薄くする。なお、同図に示すように、シード層２１において第１の部分２１ａと第２の部分２１ｂとの間は、ダイオード８０を介して接地されている。
【００５４】
また、図７に示すように、相互に電気的に絶縁された複数のシード層２１Ａ，２１Ｂを同一の絶縁性基板１０上に形成した場合に、当該複数のシード層２１Ａ，２１Ｂに接続された電源７１〜７３の出力を相互に異ならせてもよい。
【００５５】
一例を挙げると、第１のシード層２１Ａに接続された第１及び第２の電源７１，７２の出力を大きくすることで、当該第１のシード層２１Ａ上に厚い導体層２２を形成する。これに対し、第２のシード層２１Ｂに接続された第３の電源７３の出力を大きくすることで、当該第２のシード層２１Ｂ上に薄い導体層２２を形成する。
【００５６】
また、特に図示しないが、図２のステップＳ１０において、識別のための文字列を象ったマーキング部を、シード層２１と同時に絶縁性基板１０上に形成してもよい。本実施形態では、このマーキング部は、シード層２１や給電電極３０と同一の層構造を有しているが、シード層２１や給電電極３０に接続されていない。このため、従来のようにシード層２１と共にマーキング部が電解めっき処理されてしまうことがないので、当該マーキング部を構成する文字を小型化したり複雑化することができる。
【００５７】
図２に戻り、電解めっき処理が完了したら、同図のステップＳ４０において、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、図中の一点鎖線に沿って絶縁性基板１０を切断することで、シード層２１が形成されている第１の領域１０１から、給電電極３０が形成されている第２の領域１０２を切り離す。この第１の領域１０１がプリント配線板１として使用される。なお、図６や図７に示す例においても、図中の一点鎖線に沿って絶縁性基板１０を切断する。
【００５８】
以上の工程Ｓ１０〜Ｓ４０を経て形成された配線パターン２０は、図１に示すような断面形状を有している。
【００５９】
具体的には、同図に示すように、絶縁性基板１０上のシード層２１は、略矩形形状の断面形状を有している。これに対し、導体層２２は、シード層２１の上面から側方に急激に膨れる膨出部２２１を下部に持ち、当該膨出部２１から上方に向かうに従って緩やかに幅狭となるような略台形状の断面形状を有している。
【００６０】
このような断面形状は次の理由によって形成される。すなわち、電解めっき処理を開始した時点では、シード層２１のみに電流が流れるので、導体層２２の高さ方向への成長速度が遅く横方向へも広がることで、導体層２２の下部に膨出部２２１が形成される。そして、導体層２２が厚くなるに従って電流も多く流れるようになるので、導体層２２の高さ方向の成長速度が速くなり、導体層２２の上部では膨出が解消する。
【００６１】
なお、電解めっき処理では、シード層からアノード電極に向かう方向（絶縁性基板１０に対して法線方向）に沿って金属が成長するが、配線パターンの断面角部では電界集中の影響によって横方向（絶縁性基板１０に対して水平方向）にも金属が若干成長してしまうため、レジストパターンを用いない場合には、配線パターン同士の短絡が懸念される。
【００６２】
しかしながら、電解めっき処理における横方向の成長速度ＶＬは法線方向の成長速度Ｖｖ以下であるため（ＶＬ≦ＶＶ）、配線パターンにおいて電解めっき処理によって形成される導体層の厚さｔＣを、配線パターン２０の間の間隔ＳＷの１／２以下とすることで（ｔｃ≦１／２×ＳＷ）、レジストパターンを使用しなくても、配線パターン同士が短絡することを防止することができる。
【００６３】
以上のように、本実施形態では、配線パターン２０の形状に対応するように、シード層２１を絶縁性基板１０上に選択的に形成する。
【００６４】
これに対し、従来のセミアディティブ法では、レジストパターンの形成／除去工程やシード層のエッチング工程を必要とする。また、このセミアディティブ法では、レジストパターンの形成工程や除去工程にデスカム処理が必要となる。このデスカム処理では、酸素プラズマ照射によってレジストの残渣を燃焼させると共にレジストパターン表面を親水化する処理であるので、真空装置が必要となる。
【００６５】
一方、従来のフルアディティブ法では、無電解めっき処理のみによって厚い配線パターンを形成するので、配線形成に多くの時間を要する。また、無電解めっき処理ではリン等の不純物が配線パターンに混ざり配線パターンの電気的な抵抗が高くなるため、フルアディティブ法では、電気的な特性の低い配線パターンしか形成することができない。
【００６６】
これに対し、本実施形態では、従来のセミアディティブ法と比較して、工程を簡素化することができると共に真空設備が不要となるので、プリント配線板１の低コスト化を図ることができる。
【００６７】
また、本実施形態では、シード層２１の厚さは、電解めっき処理で通電できる程度の厚さであればよく、配線パターン２０の大部分を電解めっき処理によって形成することができる。このため、従来のフルアディティブ法と比較して、配線形成の時間の短縮によるプリント配線板１の低コスト化を図ると共に、電気的な特性の良好な配線パターン２０を形成することができる。
【００６８】
すなわち、本実施形態におけるプリント配線板の製造方法では、従来のセミアディティブ法やフルアディティブ法と比較して、プリント配線板１の低コスト化と高品質化を図ることができる。
【００６９】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００７０】
１…プリント配線板
１０…絶縁性基板
１１…表面
１２…改質部分
１３…親水性部分
１４…未処理部分
２０…配線パターン
２１…シード層
２２…導体層
２２１…膨出部
３０…給電電極
５０…触媒
６０…フォトマスク
６１…開口
７１〜７３…第１〜第３の電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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