(57)【要約】【課題】端子被覆層の厚みを大きくすることなく端子部の腐食を防止することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ベース絶縁層２上に導体パターン３を介して配線被覆層４が形成される。配線被覆層４を覆うようにベース絶縁層２上にカバー絶縁層５が形成される。導体パターン３の端子部３ａを被覆するように端子被覆層６が形成される。端子部３ａの厚みは配線部３ｂの厚みよりも小さく、端子部３ａの厚みと配線部３ｂの厚みとの差は２μｍ以下である。配線被覆層４の突出部４ａは、配線部３ｂ上から端子部３ａの上方に突出する。突出部４ａの端面はカバー絶縁層５の端部よりも内側に位置する。端子被覆層６の挿入部６ｂは、端子部３ａの上面とカバー絶縁層５の端部の下面との間に形成される。端子被覆層６の突出部６ａは、端子部３ａの上面と突出部４ａの下面との間に形成される。【選択図】図２
2015026662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層上に形成され、端子部および配線部を有する導体パターンと、
前記導体パターンの前記配線部上に形成される配線被覆層と、
前記配線被覆層を覆うように前記ベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、
前記導体パターンの前記端子部を被覆するように形成される端子被覆層とを備え、
前記端子部の厚みは前記配線部の厚みよりも小さく、前記端子部の厚みと前記配線部の厚みとの差は２μｍ以下であり、
前記配線被覆層は、前記配線部上から前記端子部の上方に突出する第１の突出部を有し、前記第１の突出部の端面は前記カバー絶縁層の端部よりも内側に位置し、
前記端子被覆層は、前記端子部の上面と前記カバー絶縁層の端部の下面との間に形成される挿入部と、前記端子部の上面と前記第１の突出部の下面との間に形成される第２の突出部とを有し、
前記挿入部の上面と前記カバー絶縁層の端部の下面とが接触するとともに、前記挿入部の端面と前記第１の突出部の端面とが接触し、前記第２の突出部の上面と前記第１の突出部の下面とが接触するように前記端子被覆層が形成される、配線回路基板。
【請求項２】
前記カバー絶縁層の端部から内側へ向かう方向における前記挿入部の長さは１μｍ以下である、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記カバー絶縁層の端部から内側へ向かう方向における前記第２の突出部の長さは１μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記端子部の厚みと前記配線部の厚みとの差は１μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記配線被覆層の厚みは０．０１μｍ以上１μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項６】
ベース絶縁層上に端子部および配線部を有する導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの前記配線部上に配線被覆層を形成する工程と、
前記配線被覆層を覆うように前記ベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、
前記導体パターンの前記端子部を被覆するように端子被覆層を形成する工程とを含み、
前記端子部の厚みは前記配線部の厚みよりも小さく、前記端子部の厚みと前記配線部の厚みとの差は２μｍ以下であり、
前記配線被覆層を形成する工程は、前記配線被覆層の端部が第１の突出部として前記配線部上から前記端子部の上方に突出しかつ前記第１の突出部の端面が前記カバー絶縁層の端部よりも内側に位置するように前記配線被覆層を加工することを含み、
前記端子被覆層を形成する工程は、前記端子部の上面と前記カバー絶縁層の端部の下面との間に前記端子被覆層の一部が挿入部として形成されるとともに、前記端子部の上面と前記第１の突出部の下面との間に前記端子被覆層の他の一部が第２の突出部として形成され、前記挿入部の上面と前記カバー絶縁層の端部の下面とが接触するとともに、前記挿入部の端面と前記第１の突出部の端面とが接触し、前記第２の突出部の上面と前記第１の突出部の下面とが接触するように前記端子被覆層を形成することを含む、配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線被覆層を加工することは、
前記配線部および前記端子部を被覆するように前記配線被覆層を形成することと、
エッチングにより、前記カバー絶縁層から露出する前記配線被覆層の部分および前記カバー絶縁層の端部から内側へ向かう方向における所定の長さの領域に重なる前記配線被覆層の部分を除去し、残存する前記配線被覆層の端部から内側へ向かう方向における所定の長さの領域に重なる端子部の厚みを２μｍ以下だけ除去することとを含む、請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線被覆層および前記端子部の除去は、前記配線被覆層に対するエッチング速度よりも前記端子部に対するエッチング速度が大きいか、または前記配線被覆層に対するエッチング速度と前記端子部に対するエッチング速度とが等しい選択エッチングにより行われる、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記選択エッチングは、前記配線被覆層の材料の溶解速度よりも前記端子部の材料の溶解速度が大きいか、または前記配線被覆層の材料の溶解速度と前記端子部の材料の溶解速度とが等しいエッチング液を用いて行われる、請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記配線被覆層はニッケルを含み、前記配線部および前記端子部は銅を含み、前記エッチング液は硝酸過水を含む、請求項９記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング液からは銅の腐食を抑制する銅インヒビター成分が除外されている、請求項１０記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる配線回路基板（サスペンション用基板）が示される。
【０００３】
特許文献１のサスペンション用基板においては、金属支持基板、絶縁層、配線層、配線被覆層およびカバー層がこの順で積層される。配線層は厚い部分と薄い部分（端子部）とを有する。配線層の厚い部分上に配線被覆層およびカバー層が順次形成される。配線層の端子部はカバー層から外方に突出する。端子部の表面およびカバー層の端部を覆うように端子めっき部が厚く形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−４５４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のサスペンション用基板においては、あえて端子めっき部を厚く形成することにより、外気および液体が配線被覆層まで浸入すること、およびカバー層に由来する異物（パーティクル）が発生することを抑制している。しかしながら、近年、配線回路基板のファインピッチ化が進んでおり、端子めっき部等の端子被覆層の厚みを小さくすることが求められている。
【０００６】
本発明の目的は、端子被覆層の厚みを大きくすることなく端子部の腐食を防止することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、ベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成され、端子部および配線部を有する導体パターンと、導体パターンの配線部上に形成される配線被覆層と、配線被覆層を覆うようにベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、導体パターンの端子部を被覆するように形成される端子被覆層とを備え、端子部の厚みは配線部の厚みよりも小さく、端子部の厚みと配線部の厚みとの差は２μｍ以下であり、配線被覆層は、配線部上から端子部の上方に突出する第１の突出部を有し、第１の突出部の端面はカバー絶縁層の端部よりも内側に位置し、端子被覆層は、端子部の上面とカバー絶縁層の端部の下面との間に形成される挿入部と、端子部の上面と第１の突出部の下面との間に形成される第２の突出部とを有し、挿入部の上面とカバー絶縁層の端部の下面とが接触するとともに、挿入部の端面と第１の突出部の端面とが接触し、第２の突出部の上面と第１の突出部の下面とが接触するように端子被覆層が形成されるものである。
【０００８】
この配線回路基板においては、ベース絶縁層上に導体パターンが形成される。導体パターンの配線部上に配線被覆層が形成される。配線被覆層を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層が形成される。導体パターンの端子部を被覆するように端子被覆層が形成される。端子部の厚みは配線部の厚みよりも小さく、端子部の厚みと配線部の厚みとの差は２μｍ以下である。
【０００９】
配線被覆層の第１の突出部は、配線部上から端子部の上方に突出する。第１の突出部の端面はカバー絶縁層の端部よりも内側に位置する。端子被覆層の挿入部は、端子部の上面とカバー絶縁層の端部の下面との間に形成される。端子被覆層の第２の突出部は、端子部の上面と第１の突出部の下面との間に形成される。挿入部の上面とカバー絶縁層の端部の下面とが接触するとともに、挿入部の端面と第１の突出部の端面とが接触し、第２の突出部の上面と第１の突出部の下面とが接触する。
【００１０】
この構成によれば、配線回路基板の製造工程において薬液を用いる場合でも、挿入部の上面とカバー絶縁層の端部の下面との間に薬液が浸入することが防止される。また、挿入部の端面と第１の突出部の端面との間、および第２の突出部の上面と第１の突出部の下面との間にも薬液が浸入することが防止される。
【００１１】
したがって、薬液の残渣が発生することを防止するために端子被覆層の厚みを大きくする必要がない。これにより、端子被覆層の厚みを大きくすることなく端子部の腐食を防止することが可能になる。
【００１２】
（２）カバー絶縁層の端部から内側へ向かう方向における挿入部の長さは１μｍ以下であってもよい。
【００１３】
この場合、カバー絶縁層の下方における薬液の残渣および薬液による導体パターンの変色を効率的に防止することができる。また、カバー絶縁層と端子被覆層との間における水分の貯留を効率的に防止することができる。これにより、配線回路基板の長期的な信頼性を向上させることができる。
【００１４】
（３）カバー絶縁層の端部から内側へ向かう方向における第２の突出部の長さは１μｍ以下であってもよい。この場合、配線被覆層の下方における薬液の残渣および導体パターンの変色を効率的に防止することができる。
【００１５】
（４）端子部の厚みと配線部の厚みとの差は１μｍ以下であってもよい。この場合、配線被覆層の下方における薬液の残渣および薬液による導体パターンの変色を効率的に防止することができる。
【００１６】
（５）配線被覆層の厚みは０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。この場合、配線被覆層の厚みをより小さくしつつ配線部のマイグレーションを効率的に防止することができる。
【００１７】
（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層上に端子部および配線部を有する導体パターンを形成する工程と、導体パターンの配線部上に配線被覆層を形成する工程と、配線被覆層を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、導体パターンの端子部を被覆するように端子被覆層を形成する工程とを含み、端子部の厚みは配線部の厚みよりも小さく、端子部の厚みと配線部の厚みとの差は２μｍ以下であり、配線被覆層を形成する工程は、配線被覆層の端部が第１の突出部として配線部上から端子部の上方に突出しかつ第１の突出部の端面がカバー絶縁層の端部よりも内側に位置するように配線被覆層を加工することを含み、端子被覆層を形成する工程は、端子部の上面とカバー絶縁層の端部の下面との間に端子被覆層の一部が挿入部として形成されるとともに、端子部の上面と第１の突出部の下面との間に端子被覆層の他の一部が第２の突出部として形成され、挿入部の上面とカバー絶縁層の端部の下面とが接触するとともに、挿入部の端面と第１の突出部の端面とが接触し、第２の突出部の上面と第１の突出部の下面とが接触するように端子被覆層を形成することを含むものである。
【００１８】
この配線回路基板の製造方法によれば、ベース絶縁層上に導体パターンが形成される。導体パターンの配線部上に配線被覆層が形成される。配線被覆層を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層が形成される。導体パターンの端子部を被覆するように端子被覆層が形成される。端子部の厚みは配線部の厚みよりも小さく、端子部の厚みと配線部の厚みとの差は２μｍ以下である。
【００１９】
配線被覆層の第１の突出部は、配線部上から端子部の上方に突出する。第１の突出部の端面はカバー絶縁層の端部よりも内側に位置する。端子被覆層の挿入部は、端子部の上面とカバー絶縁層の端部の下面との間に形成される。端子被覆層の第２の突出部は、端子部の上面と第１の突出部の下面との間に形成される。挿入部の上面とカバー絶縁層の端部の下面とが接触するとともに、挿入部の端面と第１の突出部の端面とが接触し、第２の突出部の上面と第１の突出部の下面とが接触する。
【００２０】
この構成によれば、配線回路基板の製造工程において薬液を用いる場合でも、挿入部の上面とカバー絶縁層の端部の下面との間に薬液が浸入することが防止される。また、挿入部の端面と第１の突出部の端面との間、および第２の突出部の上面と第１の突出部の下面との間にも薬液が浸入することが防止される。
【００２１】
したがって、薬液の残渣が発生することを防止するために端子被覆層の厚みを大きくする必要がない。これにより、端子被覆層の厚みを大きくすることなく端子部の腐食を防止することが可能になる。
【００２２】
（７）配線被覆層を加工することは、配線部および端子部を被覆するように配線被覆層を形成することと、エッチングにより、カバー絶縁層から露出する配線被覆層の部分およびカバー絶縁層の端部から内側へ向かう方向における所定の長さの領域に重なる配線被覆層の部分を除去し、残存する配線被覆層の端部から内側へ向かう方向における所定の長さの領域に重なる端子部の厚みを２μｍ以下だけ除去することとを含んでもよい。
【００２３】
この場合、一度のエッチングにより配線被覆層に第１の突出部を形成する加工と、端子部の厚みを配線部の厚みよりも小さくする加工とを同時に行うことができる。これにより、効率よく配線回路基板を製造することができる。
【００２４】
（８）配線被覆層および端子部の除去は、配線被覆層に対するエッチング速度よりも端子部に対するエッチング速度が大きいか、または配線被覆層に対するエッチング速度と端子部に対するエッチング速度とが等しい選択エッチングにより行われてもよい。
【００２５】
この場合、カバー絶縁層の下の配線被覆層の部分をほとんど除去せず、カバー絶縁層の端部から内側へ所定の長さの領域に重なる配線被覆層の部分のみを除去することができる。これにより、配線被覆層に第１の突出部が形成される。同時に、配線被覆層から露出する導体パターンの部分および第１の突出部の端部から内側へ所定の長さの領域に重なる導体パターンの部分を２μｍ以下の厚みだけ除去することができる。これにより、端子部の厚みが配線部の厚みよりも小さくされる。その結果、効率よく配線回路基板を製造することができる。
【００２６】
（９）選択エッチングは、配線被覆層の材料の溶解速度よりも端子部の材料の溶解速度が大きいか、または配線被覆層の材料の溶解速度と端子部の材料の溶解速度とが等しいエッチング液を用いて行われてもよい。この場合、選択エッチングを容易に行うことができる。
【００２７】
（１０）配線被覆層はニッケルを含み、配線部および端子部は銅を含み、エッチング液は硝酸過水を含んでもよい。
【００２８】
この場合、配線被覆層の材料の溶解速度よりも端子部の材料の溶解速度を容易に大きくすることができる。あるいは、配線被覆層の材料の溶解速度と端子部の材料の溶解速度とを容易に等しくすることができる。
【００２９】
（１１）エッチング液からは銅の腐食を抑制する銅インヒビター成分が除外されていてもよい。この場合、選択エッチングにおいて、配線被覆層の溶解速度よりも端子部の溶解速度を容易に大きくすることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、配線回路基板の端子被覆層の厚みを大きくすることなく端子部の腐食を防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態に係る配線回路基板の平面図および断面図である。
【図２】導体パターンの端子部と配線部との境界部周辺を示す拡大断面図である。
【図３】配線回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】配線回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】配線回路基板の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態の配線回路基板は、例えば磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる。
【００３３】
（１）配線回路基板
図１は、本実施の形態に係る配線回路基板の平面図および断面図である。図１（ｂ）の断面は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面に相当する。
【００３４】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、例えばステンレス鋼からなる金属基板１上に、例えば感光性ポリイミドからなるベース絶縁層２が形成される。ベース絶縁層２上に、例えば銅からなる複数のストライプ状の導体パターン３が形成される。
【００３５】
以下、各導体パターン３の先端部を端子部３ａと呼び、端子部３ａを除く各導体パターン３の部分を配線部３ｂと呼ぶ。
【００３６】
端子部３ａの表面を被覆するように、例えば金からなる端子被覆層６が形成される。配線部３ｂの表面を被覆するように、例えばニッケルからなる配線被覆層４が形成される。複数の導体パターン３の配線部３ｂおよび複数の配線被覆層４を覆うように、ベース絶縁層２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層５が形成される。この場合、配線部３ｂとカバー絶縁層５との間に配線被覆層４が設けられることにより、配線部３ｂの銅のマイグレーションが防止されるとともに、配線部３ｂとカバー絶縁層５との密着性が向上される。
【００３７】
図２は、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺を示す拡大断面図である。なお、図２においては、金属基板１およびベース絶縁層２の図示が省略される。図２に示すように、導体パターン３の端子部３ａの厚みは、配線部３ｂの厚みよりも小さく設定される。
【００３８】
配線被覆層４は、カバー絶縁層５の端部から内側へ予め定められた長さＬ１を有する領域を除いてカバー絶縁層５の下で配線部３ｂを被覆するように形成される。また、配線被覆層４は、突出部４ａを有する。突出部４ａは、予め定められた長さＬ２だけ配線部３ｂ上から端子部３ａの上方に突出する。これにより、端子被覆層６が形成されない状態で、突出部４ａの下面と端子部３ａの上面との間に隙間が形成される。
【００３９】
端子被覆層６は、突出部４ａの下面と端子部３ａの上面との隙間およびカバー絶縁層５の端部の下面と端子部３ａの上面との隙間に充填されるとともに、端子部３ａを被覆するように形成される。それにより、端子被覆層６は、突出部４ａの下面および端面ならびに端子部３ａの上面と密着するように形成される。ここで、突出部４ａの端面とは、導体パターン３が延びる方向に垂直な突出部４ａの面をいう。
【００４０】
突出部４ａの下面と端子部３ａの上面との間に形成される端子被覆層６の部分を突出部６ａと呼び、カバー絶縁層５の端部の下面と端子部３ａの上面との間に形成される端子被覆層６の部分を挿入部６ｂと呼ぶ。端子被覆層６の突出部６ａの下面および挿入部６ｂの下面は、共通面（端子部３ａの上面）上に形成される。
【００４１】
（２）配線回路基板の製造方法
次に、図１および図２の配線回路基板１００の製造方法について説明する。図３および図４は、配線回路基板１００の製造工程を示す断面図である。
【００４２】
図３（ａ）に示すように、まず、金属層１１および絶縁層１２からなる２層基材を用意する。金属層１１は、例えばステンレス鋼からなる。絶縁層１２は、例えば感光性ポリイミドからなる。
【００４３】
金属層１１の材料としては、ステンレス鋼に代えて、アルミニウム等の他の材料を用いてもよい。金属層１１の厚みは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
絶縁層１２の材料としては、感光性ポリイミドに代えて、感光性エポキシ等の他の感光性樹脂材料を用いてもよい。絶縁層１２の厚みは、例えば１μｍ以上５０μｍ以下であり、３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００４５】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁層１２に露光処理、現像処理および加熱硬化処理を行うことにより、所定の形状のベース絶縁層２を形成する。なお、エッチング等の他の方法により絶縁層１２から所定の形状のベース絶縁層２を形成してもよい。その場合、絶縁層１２の材料として、感光性を有さないポリイミドまたはエポキシ等の樹脂材料を用いてもよい。
【００４６】
次に、図３（ｃ）に示すように、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法等により、ベース絶縁層２上に端子部３ａおよび配線部３ｂを含む導体パターン３を形成する。
【００４７】
導体パターン３の材料としては、銅に代えて、金またはアルミニウム等の他の金属を用いてもよく、銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。導体パターン３の厚みは、例えば３μｍ以上５０μｍ以下であり、３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
次に、図４（ａ）に示すように、導体パターン３の表面を被覆するように、無電解めっきにより例えばニッケルからなる配線被覆層４を形成する。この場合、導体パターン３が形成されていないベース絶縁層２の部分にめっきレジストを形成し、導体パターン３の表面に選択的に無電解めっきを行う。その後、めっきレジストを除去する。
【００４９】
配線被覆層４の材料としては、ニッケルに代えて、錫等の他の金属を用いてもよく、錫−銅、錫−ビスマスまたは錫−銀等の合金を用いてもよい。配線被覆層４の厚みは、例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であることが好ましい。配線被覆層４の厚みが０．０１μｍ以上である場合、銅のマイグレーションを効率的に防止することができる。また、配線被覆層４の厚みが１μｍ以下である場合、後述する配線被覆層４のエッチングを短時間で行うことができる。
【００５０】
次に、図４（ｂ）に示すように、導体パターン３および配線被覆層４を覆うように、ベース絶縁層２上に例えば感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層５を形成する。
【００５１】
カバー絶縁層５の材料としては、感光性ポリイミドに代えて、感光性エポキシ等の他の感光性樹脂材料を用いてもよい。カバー絶縁層５の厚みは、例えば１μｍ以上５０μｍ以下であり、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００５２】
次に、図４（ｃ）に示すように、カバー絶縁層５に露光処理、現像処理および加熱硬化処理を施すことにより、カバー絶縁層５を所定の形状に成形する。本例においては、例えば温度３８５℃で２時間カバー絶縁層５に加熱硬化処理を施す。
【００５３】
これにより、導体パターン３の端子部３ａ上に形成された配線被覆層４の部分が露出する。なお、エッチング等の他の方法によりカバー絶縁層５を所定の形状に成形してもよい。その場合、カバー絶縁層５の材料として、感光性を有さないポリイミドまたはエポキシ等の樹脂材料を用いてもよい。
【００５４】
次に、図５（ａ）に示すように、配線被覆層４の一部、端子部３ａの部分をエッチングする。これにより、カバー絶縁層５から露出する配線被覆層４の部分およびカバー絶縁層５の端部から内側へ長さＬ１までの領域に重なる配線被覆層４の部分が除去され、突出部４ａが形成される。また、配線被覆層４から露出する端子部３ａの部分および突出部４ａの端部から長さＬ２までの領域に重なる端子部３ａの部分が除去される。
【００５５】
端子部３ａが厚みｄ１だけ除去されることにより、端子部３ａの厚みが厚みｄ１だけ配線部３ｂの厚みよりも小さくなる。また、突出部４ａの長さＬ２の端部が配線部３ｂ上から端子部３ａの上方に突出する。
【００５６】
次に、図５（ｂ）に示すように、突出部４ａの下面および端面ならびに端子部３ａの上面を被覆するように、電解めっきにより例えば金からなる端子被覆層６を形成する。それにより、突出部４ａの下面と端子部３ａの上面との間に突出部６ａが形成され、カバー絶縁層５の端部の下面と端子部３ａの上面との間に挿入部６ｂが形成される。
【００５７】
端子被覆層６の材料としては、金に代えて、高い耐食性を有するパラジウム等の他の金属を用いてもよい。端子被覆層６の厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、０．５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００５８】
そして、図５（ｃ）に示すように、金属層１１をエッチングすることにより所定の形状の金属基板１を形成する。これにより、配線回路基板１００が完成する。
【００５９】
図５（ａ）の工程においては、カバー絶縁層５から露出する配線被覆層４の部分にエッチング液をスプレーする。エッチング液としては、配線被覆層４の材料の溶解速度よりも導体パターン３の材料の溶解速度が大きい薬液が用いられる。エッチング液として、配線被覆層４の材料の溶解速度と導体パターン３の材料の溶解速度とが等しい薬液を用いてもよい。
【００６０】
通常、配線被覆層４のエッチングに用いられるエッチング液には銅インヒビター（銅腐蝕抑制剤）が含まれる。ここで、銅インヒビター成分は、エッチングにおいて銅の溶解（腐蝕）を抑制する。本例においては、エッチング液としては銅インヒビター成分を含まない硝酸過水を用いる。それにより、エッチングにおいて配線被覆層４の溶解速度よりも導体パターン３の溶解速度を容易に大きくすることができる。
【００６１】
この場合、エッチング液が直接スプレーされない配線被覆層４の部分はほとんど溶解しない。すなわち、カバー絶縁層５の下の配線被覆層４の部分はほとんど溶解せず、カバー絶縁層５の端部から内側へ長さＬ１の領域に重なる配線被覆層４の部分のみが溶解する。
【００６２】
一方、導体パターン３は、エッチング液の浸透によって比較的容易に溶解する。それにより、配線被覆層４から露出する導体パターン３の部分および突出部４ａの端部から内側へ長さＬ２の領域に重なる導体パターン３の部分が厚みｄ１だけ除去される。
【００６３】
長さＬ１，Ｌ２および厚みｄ１は、エッチング時間により調整することができる。長さＬ１は、例えば１μｍ以下であり、０．５μｍ以下であることが好ましい。長さＬ１が１μｍ以下である場合、カバー絶縁層５の下方における薬液の残渣および導体パターン３の変色を効率的に防止することができる。また、カバー絶縁層５と端子被覆層６との間における水分の貯留を効率的に防止することができる。その結果、配線回路基板１００の長期的な信頼性を向上させることができる。
【００６４】
長さＬ２は、例えば１μｍ以下であり、０．５μｍ以下であることが好ましい。長さＬ２が１μｍ以下である場合、配線被覆層４の下方における薬液の残渣および導体パターン３の変色を効率的に防止することができる。
【００６５】
厚みｄ１は、例えば０．５μｍ以上２μｍ以下であり、０．５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。厚みｄ１が０．５μｍ以上である場合、カバー絶縁層５の下方における溶融した配線被覆層４を効率的に除去することができる。また、厚みｄ１が１μｍ以下である場合、配線被覆層４の下方における薬液の残渣および導体パターン３の変色を効率的に防止することができる。
【００６６】
（３）効果
本実施の形態においては、端子部３ａの厚みは配線部３ｂの厚みよりも小さく、端子部３ａの厚みと配線部３ｂの厚みとの差は２μｍ以下である。配線被覆層４の突出部４ａの端面はカバー絶縁層５の端部よりも長さＬ１だけ内側に位置し、突出部４ａは配線部３ｂ上から端子部３ａの上方に長さＬ２だけ突出する。
【００６７】
端子被覆層６の挿入部６ｂは、端子部３ａの上面とカバー絶縁層５の端部の下面との間に形成される。端子被覆層６の突出部６ａは、端子部３ａの上面と突出部４ａの下面との間に形成される。挿入部６ｂの上面とカバー絶縁層５の端部の下面とが接触するとともに、挿入部６ｂの端面と突出部４ａの端面とが接触し、突出部６ａの上面と突出部４ａの下面とが接触する。
【００６８】
この構成によれば、配線回路基板１００の製造工程において薬液を用いる場合でも、挿入部６ｂの上面とカバー絶縁層５の端部の下面との間に薬液が浸入することが防止される。また、挿入部６ｂの端面と突出部４ａの端面との間、および突出部６ａの上面と突出部４ａの下面との間にも薬液が浸入することが防止される。
【００６９】
したがって、薬液の残渣が発生することを防止するために端子被覆層６の厚みを大きくする必要がない。これにより、端子被覆層６の厚みを大きくすることなく端子部３ａの腐食を防止することが可能になる。また、配線回路基板１００の製造コストを低減することができる。
【００７０】
さらに、一度のエッチングにより配線被覆層４に突出部４ａを形成する加工と、端子部３ａの厚みを配線部３ｂの厚みよりも小さくする加工とを同時に行うことができる。これにより、効率よく配線回路基板１００を製造することができる。
【００７１】
（４）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、ベース絶縁層２下に金属基板１が設けられるが、これに限定されない。ベース絶縁層２下に金属基板１が設けられなくてもよい。
【００７２】
（ｂ）上記実施の形態においては、湿式エッチング法を用いた選択エッチングにより配線被覆層４の部分および端子部３ａの部分が除去されるが、これに限定されない。乾式エッチング法を用いた選択エッチングにより配線被覆層４の部分および端子部３ａの部分が除去されてもよい。
【００７３】
また、レーザ加工技術等による他の方法により配線被覆層４の部分および端子部３ａの部分が除去されてもよい。
【００７４】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００７５】
上記実施の形態においては、ベース絶縁層２がベース絶縁層の例であり、端子部３ａが端子部の例であり、配線部３ｂが配線部の例であり、導体パターン３が導体パターンの例であり、配線被覆層４が配線被覆層の例である。カバー絶縁層５がカバー絶縁層の例であり、端子被覆層６が端子被覆層の例であり、突出部４ａ，６ａがそれぞれ第１および第２の突出部の例であり、挿入部６ｂが挿入部の例であり、配線回路基板１００が配線回路基板の例である。
【００７６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００７７】
（６）実施例
図３〜図５の製造方法に基づいて、実施例１〜３および比較例１，２に係る配線回路基板を作製した。なお、金属基板の材料としてステンレス鋼を用い、ベース絶縁層の材料として感光性ポリイミドを用い、導体パターンの材料として銅を用いた。また、配線被覆層の材料としてニッケルを用い、カバー絶縁層の材料として感光性ポリイミドを用い、端子被覆層の材料として金を用いた。
【００７８】
また、エッチング前の導体パターンの厚みを１０μｍとし、配線被覆層の厚みを０．１μｍとし、カバー絶縁層の厚みを５μｍとし、端子被覆層の厚みを１．５μｍとした。
【００７９】
実施例１においては、図５（ａ）の工程で、エッチング液として硝酸過水を用い、エッチング時間を３０秒とした。これにより、長さＬ１は０．５μｍとなり、長さＬ２は０．３μｍとなり、厚みｄ１は０．６μｍとなった。
【００８０】
実施例２においては、図５（ａ）の工程で、エッチング液として硝酸過水を用い、エッチング時間を７５秒とした。これにより、長さＬ１は０．９μｍとなり、長さＬ２は０．７μｍとなり、厚みｄ１は１．８μｍとなった。
【００８１】
実施例３においては、図５（ａ）の工程で、エッチング液として硝酸過水を用い、エッチング時間を１８秒とした。これにより、長さＬ１は０．１μｍとなり、長さＬ２は０．２μｍとなり、厚みｄ１は０．３５μｍとなった。
【００８２】
比較例１においては、図５（ａ）の工程で、エッチング液として硫酸過水を用い、エッチング時間を６０秒とした。これにより、長さＬ１は０．１μｍとなり、長さＬ２は３．０μｍとなり、厚みｄ１は２．４μｍとなった。
【００８３】
比較例２においては、図５（ａ）の工程で、エッチング液として過マンガン酸塩含有アルカリ溶液を用い、エッチング時間を６０秒とした。これにより、長さＬ１は２．０μｍとなり、長さＬ２は０．４μｍとなり、厚みｄ１は２．１μｍとなった。
【００８４】
実施例１〜３および比較例１，２に係る配線回路基板のカバー絶縁層の下方におけるエッチング液等の薬液の残渣を調査した。調査結果を表１に示す。
【００８５】
【表１】
2015026662.tif 000003
【００８６】
表１に示すように、実施例１〜３に係る配線回路基板においては、カバー絶縁層の下方に薬液の残渣が発生しなかった。一方、比較例１，２に係る配線回路基板においては、カバー絶縁層に薬液の残渣が発生した。
【００８７】
実施例１〜３と比較例１，２との比較結果から長さＬ１が１μｍ以下であり、長さＬ２が１μｍ以下であり、厚みｄ１が２μｍ以下である場合には、カバー絶縁層の下方における薬液の残渣を確実に防止可能であることが確認された。一方、長さＬ１が１μｍを超えるか、長さＬ２が１μｍを超えるか、または厚みｄ１が２μｍを超える場合には、カバー絶縁層の下方に薬液の残渣が発生し得ることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、種々の配線回路基板に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００８９】
１  金属基板
２  ベース絶縁層
３  導体パターン
３ａ  端子部
３ｂ  配線部
４  配線被覆層
４ａ，６ａ  突出部
５  カバー絶縁層
６  端子被覆層
６ｂ  挿入部
１１  金属層
１２  絶縁層
１００  配線回路基板
【図１】
2015026662.tif 000004
【図２】
2015026662.tif 000005
【図３】
2015026662.tif 000006
【図４】
2015026662.tif 000007
【図５】
2015026662.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（２）配線回路基板の製造方法
次に、図１および図２の配線回路基板１００の製造方法について説明する。図３〜図５は、配線回路基板１００の製造工程を示す断面図である。