(57)【要約】【課題】検出精度の低下を抑制する。【解決手段】第１基板１０に、他面１０ｂに第１、第２凹部１４ａ、１４ｂを形成することによって第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂを構成する。そして、第１基板１０の一面１０ａ側に、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂに第１基準圧力を印加する第１基準圧室４０を構成するように、第２基板３０を配置する。また、第１基板１０の他面１０ｂ側に、第２凹部１４ｂを封止して第２基準圧力を第２ダイヤフラム部１５ｂに印加する第２基準圧室６０を構成するように、第３基板５０を配置する。そして、第１凹部１４ａに導入されている基準媒体の圧力と第１基準圧力との差圧に応じた検査信号と、第１基準圧力と第２基準圧力との差圧に応じた基準信号との差分値を演算することでオフセット値を演算し、第１凹部１４ａに導入された測定媒体の圧力と第１基準圧力との差分値に基づいて圧力を検出する演算手段９０を備える。【選択図】図１
2015165222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ）および前記一面と反対側の他面（１０ｂ）を有し、前記他面に第１凹部（１４ａ）が形成されることによって前記一面側に第１ダイヤフラム部（１５ａ）が構成された第１基板（１０）と、
前記第１ダイヤフラム部のうちの前記一面側に形成された第１検出素子（１６ａ）と、
前記第１基板の一面側に配置され、前記第１ダイヤフラム部のうちの前記一面側の部分に第１基準圧力を印加する第１基準圧力室（４０）を前記第１基板との間に構成する第２基板（３０）と、を備え、
前記第１凹部に導入された測定媒体の圧力と前記第１基準圧力室の前記第１基準圧力との差圧に応じた検出信号が前記第１検出素子から出力される圧力センサにおいて、
前記第１基板には、前記他面に第２凹部（１４ｂ）が形成されることによって前記一面側に第２ダイヤフラム部（１５ｂ）が構成され、
前記第２ダイヤフラム部は、前記一面側の部分に前記第１ダイヤフラム部のうちの前記一面側の部分と共に前記第１基準圧力室から前記第１基準圧力が印加され、
前記第１基板の他面に接合され、前記第２凹部を封止して前記第２ダイヤフラム部のうちの前記他面側の部分に第２基準圧力を印加する第２基準圧力室（６０）を構成する第３基板（５０）と、
前記第２ダイヤフラム部のうちの前記一面側に形成され、前記第１基準圧力室の前記第１基準圧力と前記第２基準圧力室の前記第２基準圧力との差圧に応じた基準信号を出力する第２検出素子（１６ｂ）と、
前記第１凹部に導入される前記測定媒体の圧力と異なる基準媒体の圧力と前記第１基準圧力室の前記第１基準圧力との差圧に応じて第１検出素子から出力される検査信号と前記基準信号との差分値を演算することでオフセット値を演算し、前記検出信号と前記オフセット値との差分値に基づいて前記測定媒体の圧力を検出する演算手段（９０）と、を備えていること特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記第１基板は、一方向を長手方向としたとき、前記長手方向の一端部側がモールド樹脂（１１０）で封止されて固定端とされていると共に、前記長手方向の他端部側が自由端とされており、
前記第１ダイヤフラム部は、前記第２ダイヤフラム部より前記自由端側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記第３基板は、前記第１基板の他面のうちの前記第２凹部の開口部の周囲にのみ配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記第１基板は、支持基板（１１）、絶縁膜（１２）、半導体層（１３）が順に積層された半導体基板であり、
前記第１基板の一面が前記半導体層で構成され、前記第１基板の他面が前記支持基板で構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤフラム部の変形に基づいて測定媒体の圧力を検出する圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の圧力センサとして、ダイヤフラム部が形成された基板にキャップを配置した圧力センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、この圧力センサでは、一面および他面を有する基板の他面から凹部が形成され、凹部の底面と基板の一面との間の部分にてダイヤフラム部が構成されている。そして、ダイヤフラム部のうちの一面側には、ブリッジ回路を構成するように複数のゲージ抵抗が形成されている。また、キャップは、ゲージ抵抗が封止されると共に基板の一面との間に基準圧力室が構成されるように、基板の一面に配置されている。
【０００４】
このような圧力センサでは、基板に形成された凹部内に測定媒体が導入されると、測定媒体の圧力と基準圧力室との差圧に応じてダイヤフラム部が変形する。そして、ダイヤフラム部に形成されたゲージ抵抗が変形することにより、ブリッジ回路の出力電圧が変化して差圧に応じたセンサ信号が出力される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１５１４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記圧力センサでは、ダイヤフラム部のうちの測定媒体に曝される部分に測定媒体中に含まれる異物が付着する可能性がある。そして、この部分に異物が付着すると、当該異物によってダイヤフラム部に印加される圧力が実際の測定媒体の圧力より減少する。つまり、異物によってダイヤフラム部の変形が抑制される。このため、上記圧力センサでは、ダイヤフラム部のうちの測定媒体に曝される部分に異物が付着すると検出精度が低下するという問題がある。
【０００７】
本発明は上記点に鑑みて、検出精度の低下を抑制できる圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）および一面と反対側の他面（１０ｂ）を有し、他面に第１凹部（１４ａ）が形成されることによって一面側に第１ダイヤフラム部（１５ａ）が構成された第１基板（１０）と、第１ダイヤフラム部のうちの一面側に形成された第１検出素子（１６ａ）と、第１基板の一面側に配置され、第１ダイヤフラム部のうちの一面側の部分に第１基準圧力を印加する第１基準圧力室（４０）を第１基板との間に構成する第２基板（３０）と、を備え、第１凹部に導入された測定媒体の圧力と第１基準圧力室の第１基準圧力との差圧に応じた検出信号が第１検出素子から出力される圧力センサにおいて、以下の点を特徴としている。
【０００９】
すなわち、第１基板には、他面に第２凹部（１４ｂ）が形成されることによって一面側に第２ダイヤフラム部（１５ｂ）が構成され、第２ダイヤフラム部は、一面側の部分に第１ダイヤフラム部のうちの一面側の部分と共に第１基準圧力室から第１基準圧力が印加され、第１基板の他面に接合され、第２凹部を封止して第２ダイヤフラム部のうちの他面側の部分に第２基準圧力を印加する第２基準圧力室（６０）を構成する第３基板（５０）と、第２ダイヤフラム部のうちの一面側に形成され、第１基準圧力室の第１基準圧力と第２基準圧力室の第２基準圧力との差圧に応じた基準信号を出力する第２検出素子（１６ｂ）と、第１凹部に導入される測定媒体の圧力と異なる基準媒体の圧力と第１基準圧力室の第１基準圧力との差圧に応じて第１検出素子から出力される検査信号と基準信号との差分値を演算することでオフセット値を演算し、検出信号とオフセット値との差分値に基づいて測定媒体の圧力を検出する演算手段（９０）と、を備えていること特徴としている。
【００１０】
これによれば、第１ダイヤフラム部に異物が付着したとしても、検出信号とオフセット値との差分値を演算することによって異物による影響をキャンセルできるため、検出精度が低下することを抑制できる。
【００１１】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態における圧力センサの部分断面図である。
【図２】図１に示す第１基板の平面図である。
【図３Ａ】第１、第２ダイヤフラム部に印加される圧力を示す模式図である。
【図３Ｂ】第１ダイヤフラム部に異物が付着したときの第１、第２ダイヤフラム部に印加される圧力を示す模式図である。
【図４】本発明の第２実施形態における圧力センサの部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは、自動車に搭載され、オイルポンプから吐出されたオイルの圧力を検出する圧力センサとして適用されると好適である。
【００１５】
図１および図２に示されるように、圧力センサは、一面１０ａおよび一面１０ａと反対側の他面１０ｂを有する第１基板１０を備えている。本実施形態では、第１基板１０は、支持基板１１、絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層され、一方向を長手方向とする平面矩形状のＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板（半導体基板）が用いられる。そして、半導体層１３のうちの絶縁膜１２と反対側の一面が第１基板１０の一面１０ａを構成し、支持基板１１のうちの絶縁膜１２と反対側の一面が第１基板１０の他面１０ｂを構成している。
【００１６】
なお、本実施形態では、半導体層１３は、Ｎ型のシリコンで構成されている。また、図１は、第１基板１０等を断面図として示しており、図２中のI−I断面に相当している。
【００１７】
第１基板１０には、長手方向の一端部側（図１および図２中の紙面右側）に、他面１０ｂから第１、第２凹部１４ａ、１４ｂが形成されることにより、圧力に応じて変形可能とされた第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂが形成されている。
【００１８】
本実施形態では、第１、第２凹部１４ａ、１４ｂは、第１基板１０の他面１０ｂから絶縁膜１２に達するように形成されている。そして、第１、第２凹部１４ａ、１４ｂの底面と第１基板１０の一面１０ａとの間に位置する絶縁膜１２および半導体層１３にて第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂが構成されている。
【００１９】
また、第１凹部１４ａは、第２凹部１４ｂよりも一端部側に形成されている。つまり、第１ダイヤフラム部１５ａは、第２ダイヤフラム部１５ｂよりも第１基板１０のうちの一端部側に形成されている。
【００２０】
そして、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂは、互いに同じ形状とされている。つまり、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂは、平面の面積が等しくされていると共に、厚さが等しくされている。特に限定されるものではないが、本実施形態では、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂは、平面矩形状とされている。
【００２１】
第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂには、当該第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂの変形に応じて抵抗値が変化する第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂが形成されている。本実施形態では、これら第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂは、Ｐ型の不純物を拡散させることによって４個ずつ形成されている。そして、ブリッジ回路を構成するように、第１、第２接続配線層１７ａ、１７ｂによって適宜接続されている。
【００２２】
なお、本実施形態では、ブリッジ回路を構成するように形成された第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂが本発明の第１、第２検出素子に相当している。
【００２３】
また、第１基板１０には、第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂと電気的に接続される第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂが形成されている。これら第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂは、第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂと接側される部分から第１基板１０の他端部側（図１および図２中の紙面左側）まで引き出されている。
【００２４】
なお、本実施形態では、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂは４つずつ形成されており、それぞれ電源電圧を印加する１つの配線層、グランド電位と接続される１つの配線層、ブリッジ回路の中点電圧を出力する２つの配線層とされている。
【００２５】
そして、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂのうちの第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂと接続される部分と反対側の端部には、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂと接続された第１、第２接続部１９ａ、１９ｂが形成されている。第１、第２接続部１９ａ、１９ｂは、後述する貫通電極３６と電気的に接続される部分であり、本実施形態では、平面円形状とされている。
【００２６】
なお、第１、第２接続配線層１７ａ、１７ｂ、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂ、第１、第２接続部１９ａ、１９ｂは、それぞれＰ型の不純物を拡散させた拡散層等で構成されている。
【００２７】
また、第１基板１０には、第１、第２接続部１９ａ、１９ｂよりも他端部側に、半導体層１３よりも高不純物濃度とされたＮ＋型のコンタクト層２０が形成されている。このコンタクト層２０は、半導体層１３を所定電位に維持するために後述する貫通電極３６と接続される部分である。
【００２８】
そして、図１に示されるように、上記第１基板１０の一面１０ａには、第２基板３０が配置されている。第２基板３０は、シリコン等の基板３１のうちの第１基板１０と対向する一面側に絶縁膜３２が形成されていると共に、この一面と反対側の他面に絶縁膜３３が形成された構成とされている。そして、絶縁膜３２が第１基板１０（半導体層１３）と接合されている。
【００２９】
本実施形態では、絶縁膜３２と第１基板１０（半導体層１３）とは、絶縁膜３２および半導体層１３のうちの接合面を活性化させて接合するいわゆる直接接合等で接合されている。以下では、絶縁膜３２側のうちの基板３１と反対側の一面を第２基板３０の一面３０ａとし、絶縁膜３３のうちの基板３１と反対側の一面を第２基板３０の他面３０ｂとして説明する。
【００３０】
基板３１には、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂと対向する部分に窪み部３１ａが形成されている。そして、第１基板１０と第２基板３０との間には、この窪み部３１ａによって構成される共通の第１基準圧力室４０が形成されている。つまり、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂのうちの一面１０ａ側は、共通の第１基準圧力室４０に封止されている。これにより、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂの一面１０ａ側には、第１基準圧力室４０から共通の第１基準圧力が印加される。
【００３１】
なお、図１では、窪み部３１ａの壁面に絶縁膜３２が形成されていないものを図示しているが、窪み部３１ａの壁面に絶縁膜３２が形成されていてもよい。また、本実施形態では、第１基準圧力室４０は、真空圧とされている。
【００３２】
また、第２基板３０のうちの他端部側（図１中紙面左側）には、当該第２基板３０を第１基板１０と第２基板３０との積層方向に貫通する９つの貫通孔３４が形成されている。具体的には、この貫通孔３４は、各第１、第２接続部１９ａ、１９ｂおよびコンタクト層２０をそれぞれ露出させるように形成されている。そして、貫通孔３４の壁面には、ＴＥＯＳ（Tetra ethyl ortho silicate）等で構成される絶縁膜３５が成膜され、絶縁膜３５上にはＡｌ等で構成される貫通電極３６が適宜第１、第２接続部１９ａ、１９ｂおよびコンタクト層２０と電気的に接続されるように形成されている。また、第２基板３０のうちの他面３０ｂ側には、絶縁膜３３上に貫通電極３６と電気的に接続されるパッド部３７が形成されている。
【００３３】
なお、図１では、最も紙面左側に位置する貫通電極３６と電気的に接続されるパッド部３７のみを図示しているが、他の貫通電極３６も図１とは別断面に形成されたパッド部３７と電気的に接続されている。
【００３４】
第１基板１０の他面１０ｂには、シリコン基板等で構成される第３基板５０が第２凹部１４ｂを閉塞するように配置されている。本実施形態では、第１基板１０と第３基板５０とは、上記第１基板１０と第２基板３０との接合と同様に、いわゆる直接接合等によって接合されている。
【００３５】
また、第３基板５０には、第１凹部１４ａ内の空間と外部空間とを連通させる貫通孔５１が形成されている。これにより、第１凹部１４ａ内には、外部空間から検出対象となる測定媒体が導入される。
【００３６】
そして、第１ダイヤフラム部１５ａは、第１凹部１４ａ内の圧力と第１基準圧力室４０の第１基準圧力との差圧に応じて変形する。このため、第１ダイヤフラム部１５ａに形成された第１ゲージ抵抗１６ａが変形し、ブリッジ回路の出力電圧が変化してこの差圧に応じた検出信号が出力される。
【００３７】
ここで、第１凹部１４ａには、上記のように測定媒体が導入されるが、測定媒体が導入される前には基準媒体（大気）が導入されている。例えば、圧力センサが自動車に搭載されてオイルの圧力を検出する場合、イグニッションスイッチをオンする前からオンした直後は、第１凹部１４ａには基準媒体が導入されている。そして、イグニッションスイッチをオンしてから所定期間後に測定媒体が導入される。このため、第１凹部１４ａ内に基準媒体が導入されている場合には、基準媒体の圧力と第１基準圧力室４０の第１基準圧力との差圧に応じた検査信号が出力される。
【００３８】
また、第２凹部１４ｂは、第３基板５０によって閉塞されている。このため、第１基板１０と第３基板５０との間に第２凹部１４ｂ内の空間にて第２基準圧力室６０が構成され、第２ダイヤフラム部１５ｂの他面１０ｂ側には、第２基準圧力室６０から第２基準圧力が印加される。なお、本実施形態では、第２基準圧力室６０は、真空圧とされている。
【００３９】
そして、第２ダイヤフラム部１５ｂは、第１基準圧力室４０の第１基準圧力と第２基準圧力室６０の第２基準圧力との差圧に応じて変形する。このため、第２ダイヤフラム部１５ｂに形成された第２ゲージ抵抗１６ｂが変形し、ブリッジ回路の出力電圧が変化してこの差圧に応じた基準信号が出力される。
【００４０】
第３基板５０の他端部側（図１中紙面左側）には、第１〜第３基板１０、３０、５０を搭載して支持する支持部材７０が接着剤等の接合部材８０を介して配置されている。この支持部材７０は、銅や４２アロイ等で構成されるリードフレームが用いられる。
【００４１】
また、第２基板３０に形成されている各パッド部３７は、所定の処理を行う信号処理機能等を有する回路基板９０とボンディングワイヤ１００を介して電気的に接続されている。回路基板９０は、検査信号と基準信号との差分値からオフセット値を演算し、検出信号と当該オフセット値との差分値に基づいて圧力の検出を行うものである。言い換えると、回路基板９０は、オフセット値を用いて検出信号の補正を行って圧力の検出を行うものであるともいえる。なお、本実施形態では、回路基板９０が本発明の演算手段に相当している。
【００４２】
そして、第１〜第３基板１０、３０、５０のうちの他端部側、ボンディングワイヤ１００、支持部材７０等は、モールド樹脂１１０によって封止されて固定されている。つまり、第１〜第３基板１０、３０、５０は、一端部側が自由端とされ、他端部側が固定端とされている。
【００４３】
以上が本実施形態における圧力センサの構成である。次に、上記圧力センサの作動について説明する。このような圧力センサは、例えば、自動車に搭載され、オイルポンプから吐出されたオイルの圧力を検出するのに適用される。また、圧力センサは、Ｎ型の半導体層１３（コンタクト層２０）が、Ｐ型の第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂ、第１、第２接続配線層１７ａ、１７ｂ、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂ、第１、第２接続部１９ａ、１９ｂより高電位とされた状態で圧力の検出を行う。つまり、Ｎ型の半導体層１３と、Ｐ型の第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂ、第１、第２接続配線層１７ａ、１７ｂ、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂ、第１、第２接続部１９ａ、１９ｂとで構成されるダイオードに逆バイアスが印加される状態で圧力の検出を行う。
【００４４】
まず、回路基板９０は、イグニッションオンされた直後等において、検査信号と基準信号との差分値を演算することによってオフセット値を演算する。つまり、第１凹部１４ａに大気等の基準媒体が印加されている状態でオフセット値を演算する。
【００４５】
例えば、図３Ａに示されるように、第１基準圧力室４０から第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂに印加される第１基準圧力をＰａ、基準媒体から第１ダイヤフラム部１５ａに印加される圧力をＰｂとする。また、第２基準圧力室６０から第２ダイヤフラム部１５ｂに印加される第２基準圧力をＰｃとする。この場合、基準媒体の圧力Ｐｂと第１基準圧力Ｐａとの差圧に応じた検査信号は、Ｐｂ−Ｐａに応じた信号となる。また、第２基準圧力Ｐｃと第１基準圧力Ｐａとの差圧に応じた基準信号は、Ｐｃ−Ｐａに応じた信号となる。したがって、検査信号Ｐｂ−Ｐａと基準信号Ｐｃ−Ｐａとの差分値であるオフセット値はＰｂ−Ｐｃに応じた信号となる。
【００４６】
そして、回路基板９０は、イグニッションオンされてから第１凹部１４ａ内に測定媒体が導入されると、検出信号とオフセット値との差分値を演算することにより、圧力の検出を行う。
【００４７】
つまり、測定媒体の圧力をＰｄとすると、測定媒体の圧力Ｐｄと第１基準圧力Ｐａとの差圧に応じた検出信号は、Ｐｄ−Ｐａに応じた信号となる。したがって、回路基板９０は、検出信号Ｐｄ−Ｐａとオフセット値Ｐｂ−Ｐｃとの差分値Ｐｄ−Ｐａ−Ｐｂ＋Ｐｃに基づいて圧力の検出を行う。
【００４８】
そして、図３Ｂに示されるように、第１ダイヤフラム部１５ａのうちの測定媒体に曝される部分にオイル劣化物等の異物１２０が付着すると、当該異物１２０によって第１ダイヤフラム部１５ａに印加される圧力が実際の測定媒体の圧力より減少する。
【００４９】
このため、異物によって減少する圧力をＰｅとすると、検査信号は（Ｐｂ−Ｐｅ）−Ｐａに応じた信号となる。そして、検査信号（Ｐｂ−Ｐｅ）−Ｐａと基準信号Ｐｃ−Ｐａとの差分値であるオフセット値は（Ｐｂ−Ｐｅ）−Ｐｃに応じた信号となる。また、この異物１２０は、基準媒体と同様に測定媒体にも影響するため、検出信号は（Ｐｄ−Ｐｅ）−Ｐａに応じた信号となる。
【００５０】
そして、回路基板９０は、検出信号（Ｐｄ−Ｐｅ）−Ｐａと、オフセット値（Ｐｂ−Ｐｅ）−Ｐｃとの差分値Ｐｄ−Ｐａ−Ｐｂ＋Ｐｃを演算し、この差分値Ｐｄ−Ｐａ−Ｐｂ＋Ｐｃに基づいて圧力の検出を行う。これにより、異物１２０によって減少する圧力Ｐｅがキャンセルされ、第１ダイヤフラム部１５ａに異物１２０が付着していない状態と同じように圧力検出を行うことができる。
【００５１】
なお、ここでは、第１基準圧力をＰａとし、第２基準圧力をＰｃとした例について説明したが、第１、第２基準圧力は等しい圧力であってもよい。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態では、検査信号と基準信号との差分値からオフセット値を演算し、検出信号と当該オフセット値との差分値に基づいて圧力の検出を行っている。  このため、第１ダイヤフラム部１５ａに異物１２０が付着したとしても、当該異物による影響をキャンセルすることができ、検出精度が低下することを抑制できる。
【００５３】
また、第１ダイヤフラム部１５ａは、第２ダイヤフラム部１５ｂよりも第１基板１０のうちの一端部側に形成されている。つまり、第１ダイヤフラム部１５ａは、第２ダイヤフラム部１５ｂよりも固定端側に配置されている。このため、測定媒体が実際に印加される第１ダイヤフラム部１５ａに、モールド樹脂１１０と第１〜第３基板１０、３０、５０との間に発生する熱応力が印加されることを抑制できる。
【００５４】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して第３基板５０の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５５】
本実施形態では、図４に示されるように、第３基板５０は、第１基板１０の他面１０ｂのうちの第２凹部１４ｂの開口部の周囲にのみ配置されている。つまり、第１基板１０の他面１０ｂにおける第２凹部１４ｂの開口部の周囲と異なる部分は、第３基板５０から露出している。そして、支持部材７０は、第１基板１０と接合部材８０を介して接続されている。
【００５６】
これによれば、第３基板５０を縮小しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５８】
例えば、上記各実施形態において、第１基板１０としてＳＯＩ基板ではなく、シリコン基板等を用いることもできる。
【００５９】
また、上記各実施形態において、第１ダイヤフラム部１５ａが第２ダイヤフラム部１５ｂより他端部側（固定端側）に配置されていてもよい。このような圧力センサとしても、上記のように、検査信号と基準信号との差分値からオフセット値を演算し、検出信号と当該オフセット値との差分値に基づいて圧力の検出を行うことにより、検出精度が低下することを抑制できる。
【００６０】
さらに、上記各実施形態において、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂは、半導体層１３のみで構成されていてもよい。つまり、第１、第２凹部１４ａ、１４ｂによって絶縁膜１２が除去されていてもよい。
【００６１】
そして、上記各実施形態において、半導体層１３およびコンタクト層２０をＰ型とし、第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂ、第１、第２接続配線層１７ａ、１７ｂ、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂ、第１、第２接続部１９ａ、１９ｂをＮ型としてもよい。この場合は、第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂ、第１、第２接続配線層１７ａ、１７ｂ、第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂ、第１、第２接続部１９ａ、１９ｂが半導体層１３より高電位となる状態で圧力の検出を行えばよい。
【００６２】
さらに、上記各実施形態において、第１、第２ゲージ抵抗１６ａ、１６ｂに電源電圧を印加する第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂ、およびグランド電位を印加する第１、第２引き出し配線層１８ａ、１８ｂを共通化してもよい。すなわち、貫通孔３４（貫通電極３６）を７個にしてもよい。これによれば、貫通孔３４（貫通電極３６）の個数を低減できるため、これらを形成するための領域を無くすことができ、小型化を図ることができる。
【００６３】
また、上記各実施形態において、第１、第２ダイヤフラム部１５ａ、１５ｂは、互いに形状が異なっていてもよい。そして、上記各実施形態において、第１、第２接続部１９ａ、１９ｂおよびコンタクト層２０は、平面円形状ではなく、平面矩形状や平面多角形状等とされていてもよい。
【００６４】
そして、上記各実施形態において、第１、第２基板１０、３０の接合、および第１、第３基板１０、５０の接合は、陽極接合や中間層接合、フージョン接合等の接合技術によって接合されてもよい。そして、接合後に、高温アニール等の接合品質を向上させる処理が行われていてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１０            第１基板
１０ａ          一面
１０ｂ          他面
１４ａ、１４ｂ  第１、第２凹部
１５ａ、１５ｂ  第１、第２ダイヤフラム部
１６ａ、１６ｂ  第１、第２ゲージ抵抗（第１、第２検出素子）
３０            第２基板
４０            第１基準圧力室
５０            第３基板
６０            第２基準圧力室
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2015165222.tif 000006
【図４】
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