(57)【要約】【課題】長時間の高温処理を避けながら十分に低抵抗化された光透過性導電性フィルムを提供することを課題とする。【解決手段】金属酸化物を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、（１）還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝すことにより光透過性導電層を得る工程を含有する方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、
（１）還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝すことにより光透過性導電層を得る工程
を含有する方法。
【請求項２】
さらに、
（２）前記工程（１）により得られた光透過性導電層を、１００〜１４０℃で加熱する工程
を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属酸化物を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層が、
（１）還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝す工程
を含有する方法により得られうるものであることを特徴とする、
光透過性導電性フィルム。
【請求項４】
前記光透過性導電層が、さらに、
（２）前記工程（１）により得られた光透過性導電層を、１００〜１４０℃で加熱する工程
を含有する方法により得られうるものである、請求項３に記載の光透過性導電性フィルム。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の光透過性導電性フィルムを含有する、タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光透過性導電性フィルムの製造方法及びその光透過性導電性フィルム、並びにその光透過性導電性フィルムを含有するタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルの方式として、従来の抵抗膜型タッチパネルから、静電容量型タッチパネルへの移行が進んでいる。これらのタッチパネルに搭載される光透過性導電性フィルムとして、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の金属酸化物を含有する光透過性導電層を含有するフィルムが数多く使用されている。静電容量型タッチパネルに用いられる導電性フィルムとしては、抵抗膜型タッチパネルに用いられる場合よりも低抵抗であることが求められる。
【０００３】
これらの従来の光透過性導電性フィルムにおいては、金属酸化物を含有する光透過性導電層の形成が比較的低温条件で行われるのが通常であり、この結果、単に層を形成したのみでは、十分な程度にまで低抵抗化されたフィルムを得ることが難しかった。これは、比較的低温で層形成が行われる結果、当該層における金属酸化物の状態がアモルファス状態に留まり、十分に結晶化が進まないためと考えられている。
【０００４】
そこで、静電容量型タッチパネルに用いることができる程度の低抵抗化を達成するために、金属酸化物を含有する光透過性導電層を通常の温度でいったん形成した後に、１時間程度の長時間に渡り１５０℃程度の高温条件下にフィルムを置く、いわゆる熱アニール処理をフィルムに施すことにより、金属酸化物の結晶状態をより高めることが行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平３−１５５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、従来の熱アニール処理では高温での長時間に渡る処理が必要となるために、フィルムが熱ダメージにより損傷するなどのおそれがあり、また、設備投資やランニングコスト面で問題があることに着目した。本発明は、長時間の高温処理を避けながら十分に低抵抗化された光透過性導電性フィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討を重ね、本発明を完成させた。具体的には、本発明者らは、金属酸化物を含有する光透過性導電層の結晶性を向上させるという従来のアプローチとは全く異なり、光透過性導電層を還元することにより光透過性導電層中のキャリア濃度を増加させるというアプローチにより、フィルムの低抵抗化を実現することに成功した。本発明は次に掲げるものである。
項１．
金属酸化物を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、
（１）還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝すことにより光透過性導電層を得る工程
を含有する方法。
項２．
さらに、
（２）前記工程（１）により得られた光透過性導電層を、１００〜１４０℃で加熱する工程
を含有する、項１に記載の方法。
項３．
金属酸化物を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層が、
（１）還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝す工程
を含有する方法により得られうるものであることを特徴とする、
光透過性導電性フィルム。
項４．
前記光透過性導電層が、さらに、
（２）前記工程（１）により得られた光透過性導電層を、１００〜１４０℃で加熱する工程
を含有する方法により得られうるものである、項３に記載の光透過性導電性フィルム。
項５．
項３又は４に記載の光透過性導電性フィルムを含有する、タッチパネル。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の製法により得られる光透過性導電性フィルムにおいては、低抵抗化が達成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】光透過性支持層（Ｂ）の片面に光透過性導電層（Ａ）が配置されている、本発明の光透過性導電性フィルムを示す断面図である。
【図２】光透過性支持層（Ｂ）の片面に光透過性導電層（Ａ）及び下地層（Ｃ）が配置されている、本発明の光透過性導電性フィルムを示す断面図である。
【図３】光透過性支持層（Ｂ）の両面に光透過性導電層（Ａ）及び下地層（Ｃ）がそれぞれ配置されている、本発明の光透過性導電性フィルムを示す断面図である。
【図４】光透過性支持層（Ｂ）の片面に光透過性導電層（Ａ）、下地層（Ｃ）及びハードコート層（Ｄ）が配置されている、本発明の光透過性導電性フィルムを示す断面図である。
【図５】光透過性支持層（Ｂ）の両面に光透過性導電層（Ａ）、下地層（Ｃ）及びハードコート層（Ｄ）がそれぞれ配置されている、本発明の光透過性導電性フィルムを示す断面図である。
【図６】光透過性支持層（Ｂ）の片面に光透過性導電層（Ａ）、下地層（Ｃ）及びハードコート層（Ｄ）がそれぞれ配置されており、光透過性支持層（Ｂ）の他方の面に別のハードコート層（Ｄ）が配置されている、本発明の光透過性導電性フィルムを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
１．  光透過性導電性フィルムの製造方法
本発明の、金属酸化物を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムの製造方法は、
（１）還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝すことにより光透過性導電層を得る工程
を含有する方法
である。
【００１１】
説明の便宜のため、本明細書において前記光透過性導電層のことを「光透過性導電層（Ａ）」ということがある。
【００１２】
本発明の光透過性導電性フィルムは、特に限定されないが、
（Ａ）光透過性導電層：及び
（Ｂ）光透過性支持層
を含有し、
前記光透過性導電層（Ａ）が、前記光透過性支持層（Ｂ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されているのが通常である。光透過性支持層とは、光透過性導電層を含む層を支持する役割を果たすものをいう。
【００１３】
本発明において「光透過性」とは、光を透過させる性質を有する（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）ことを意味する。「光透過性」には、透明（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）が含まれる。「光透過性」とは、例えば、全光線透過率が８０％以上、好ましくは８５％以上、より好ましくは８８％以上である性質をいう。本発明において全光線透過率は、ヘーズメーター（日本電色社製、商品名：ＮＤＨ−２０００、またはその同等品）を用いてＪＩＳ−Ｋ−７１０５に基づいて測定する。
【００１４】
本発明において、各層の厚さは、市販の反射分光膜厚計（大塚電子、ＦＥ−３０００（製品名）、又はその同等品）を用いて求める。又は、代替的に、市販の透過型電子顕微鏡を用いた観察により求めてもよい。具体的には、ミクロトーム又はフォーカスイオンビームなどを用いて光透過性導電性フィルムをフィルム面に対して垂直方向に薄く切断し、その断面を観察する。
【００１５】
本明細書において、光透過性支持層（Ｂ）の一方の面に配置される複数の層のうち二つの層の相対的な位置関係について言及する場合、光透過性支持層（Ｂ）を基準にして、光透過性支持層（Ｂ）からの距離が大きい一方の層を「上の」層等ということがある。
【００１６】
図１に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ｂ）の一方の面に隣接して、光透過性導電層（Ａ）が配置されている。
【００１７】
１．１  光透過性導電層（Ａ）
本発明において光透過性導電層とは、電気を導通しかつ可視光を透過する役割を果たすものをいう。光透過性導電層（Ａ）としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて光透過性導電層として通常用いられるものを用いることができる。
【００１８】
光透過性導電層（Ａ）は、金属酸化物を含有する。金属酸化物としては、特に限定されないが、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫及び酸化チタン等が挙げられる。金属酸化物としては、透明性と導電性を両立する点で酸化インジウムにドーパントをドープしたものが好ましい。ドーパントとしては、特に限定されないが、例えば、酸化スズ及び酸化亜鉛、並びにそれらの混合物等が挙げられる。
【００１９】
金属酸化物として酸化インジウムに酸化スズをドープしたものを用いる場合は、酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ２Ｏ３）に酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ２）をドープしたもの（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ  ｉｎｄｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）が好ましい。この場合、ＳｎＯ２の添加量としては、特に限定されないが、例えば、１〜１５重量％、好ましくは２〜１０重量％、より好ましくは３〜８重量％等が挙げられる。また、ドーパントの総量が左記の数値範囲を超えない範囲で、酸化インジウムスズにさらに他のドーパントが加えられ
たものを金属酸化物として用いてもよい。左記において他のドーパントとしては、特に限定されないが、例えばセレン等が挙げられる。
【００２０】
光透過性導電層（Ａ）は、上記の各種金属酸化物のうちいずれか単独を含有するものであってもよいし、複数種を含有するものであってもよい。
【００２１】
また、光透過性導電層（Ａ）は、上記の各種金属酸化物のうちいずれか単独からなるものであってよいし、複数種からなるものであってよい。
【００２２】
光透過性導電層（Ａ）は、特に限定されないが、その全部又は一部が、前記金属酸化物の結晶体若しくは非晶質体、又はそれらの混合体であってもよい。
【００２３】
光透過性導電層（Ａ）の厚さは、特に限定されないが、導電性及び／又は透明性の点で、好ましくは１０〜５０ｎｍであり、より好ましくは１５〜３０ｎｍ、さらに好ましくは１８〜２５ｎｍである。
【００２４】
１．２  工程（１）
工程（１）は、
還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝す工程
である。
【００２５】
還元性ガス雰囲気でプラズマ処理を行うことにより、光透過性導電層（Ａ）中における酸素欠損を高く保つことができ、その結果、光透過性導電層（Ａ）には、金属酸化物が還元されており、キャリア濃度が増加しているという特性が付与されていると考えられる。この特性に起因して、本発明の光透過性導電性フィルムは低い抵抗を示すと考えられる。
【００２６】
金属酸化物を含有する層を形成する方法は、湿式及び乾式のいずれであってもよく、特に限定されない。光透過性導電層（Ａ）を配置する方法の具体例として、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法及びパルスレーザーデポジション法等が挙げられる。
【００２７】
還元性ガスは、本発明の効果が得られる範囲内で幅広く選択できる。特に限定されないが、例えば、水素、アンモニア及びメタン等が挙げられる。還元性ガスとしては、特に水素が好ましい。
【００２８】
還元性ガスの処理ガス中の濃度は、本発明の効果が得られる範囲内で幅広く選択できる。一般に、還元性ガスの濃度が高いほどより低抵抗化を達成できるため好ましい傾向がある。特に限定されないが、還元性ガスとして水素を用いる場合は、空気中での爆発下限界が４ｖｏｌ％であることを考慮して、２ｖｏｌ％以上とすることが好ましい。
【００２９】
大気圧近傍の圧力下でプラズマを発生させる方法は、特に限定されず、公知の方法を適宜用いることができる。
【００３０】
大気圧近傍の圧力とは、９０〜１１０ｋＰａの範囲をいう。
【００３１】
金属酸化物を含有する層をプラズマガスに曝す方法は、特に限定されないが、例えば、次のようにして行うことができる。ステージを兼ねた電極と、相対する移動可能な電極とを備え、前記電極間に電界を印加して放電を生成するとともに、その放電空間に処理ガスを導入してプラズマ化させることのできる装置を用いる。前記ステージ上に金属酸化物を
含有する層を含有するフィルムを置き、前記移動可能な電極を、所定の速度でフィルム上を通過させることによって、金属酸化物を含有する層を一定時間プラズマガスに曝すことができる。このとき、金属酸化物を含有する層が、プラズマガスに曝される時間（照射時間）が、１０分間以下であることが好ましい。照射時間が１０分間以下であることによって、長時間プラズマガスに曝されることによる悪影響（金属酸化物を含有する層の表面の粗化、及び／又は金属酸化物を含有する層の剥離等）を避けることができ好ましい。
【００３２】
なお、工程（１）における、還元性ガス雰囲気下でのプラズマ処理は、光透過性導電性フィルムをより低抵抗化させるという点では、プラズマ処理量６Ｗｈ／ｍｍ３以上となるように行うことが好ましく、１２Ｗｈ／ｍｍ３以上となるように行うことがより好ましい。なお、プラズマ処理量（Ｗｈ／ｍｍ３）は、式：投入電力／(プラズマ処理面積×処理速度）により算出できる。
【００３３】
プラズマガスを発生させる際に用いる処理ガスとしては、特に限定されないが、還元性ガスの他に、例えば、窒素（Ｎ２）を含有するガス等が挙げられる。処理ガスとしては、還元性ガスの他に、窒素（Ｎ２）に加えて、さらに、アルゴン、キセノン及びヘリウムからなる群より選択される少なくとも一種を含有するガス等も用いることができる。
【００３４】
１．３  工程（２）
本発明の上記製造方法は、好ましくは、さらに、
（２）前記工程（１）により得られた光透過性導電層を、１００〜１４０℃で加熱する工程
を含有する。
【００３５】
この工程（２）を、前記工程（１）を経たフィルムに施すことにより、フィルムのさらなる低抵抗化を達成することができる。通常の熱アニール処理においては、十分な低抵抗化のためには、１５０℃程度の高温条件での、１時間程度の比較的長時間に渡る処理が必要とされる。一方、本発明においては、工程（１）により特殊な特性が付与された光透過性導電層に対して加熱処理を行うため、比較的低温領域であるにもかかわらず、従来の熱アニールにおけるのと同程度の低抵抗化を達成できる。さらに、本発明においては、同じ理由により、比較的低温領域であるにもかかわらず、比較的短時間での処理で従来の熱アニールにおけるのと同程度の低抵抗化を達成できるという利点も有する。特に限定されないが、例えば、０．１分間〜３０分間、好ましくは５分間〜３０分間での処理でも十分な低抵抗化を達成できる。
【００３６】
１．４  その他の工程
本発明の光透過性導電性フィルムの製造方法は、光透過性導電層（Ａ）に加えて、以下に説明する、光透過性支持層（Ｂ）、下地層（Ｃ）、ハードコート層（Ｄ）及びそれらと異なる少なくとも１種のその他の層（Ｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の層をそれぞれ配置する工程をそれぞれ含んでいてもよい。それぞれの層を配置する工程は、それぞれの層について以下に説明する通りである。
【００３７】
なお、通常は、本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ｂ）を含有し、この光透過性支持層（Ｂ）の上に、直接又は他の層を介して光透過性導電層（Ａ）を配置することにより得ることができる。光透過性導電層（Ａ）に加えて、少なくとも１種の他の層を光透過性支持層（Ｂ）の上に配置する場合は、例えば、光透過性支持層（Ｂ）の少なくとも一方の面に光透過性支持層（Ｂ）側から順次配置させてもよいが、配置の順番は特に限定されない。例えば、最初に光透過性支持層（Ｂ）ではない層（例えば、光透過性導電層（Ａ））の一方の面に他の層を配置させてもよい。あるいは、一方で２種以上の層を互いに隣接するように配置させることにより１種の複合層を得てから、又はそれと同時に、他方で同様に２種以上の層を互いに隣接するように配置させることにより１種の複合層を得て、これらの２種の複合層をさらに互いに隣接するように配置させてもよい。
【００３８】
２．  光透過性導電性フィルム
本発明の光透過性導電性フィルムは、
光透過性導電層（Ａ）を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ａ）が、
（１）還元性ガスを含有する処理ガスを大気圧近傍の圧力下でプラズマ化して発生させたプラズマガスに、金属酸化物を含有する層を曝す工程
を含有する方法により得られうるものであることを特徴とする、
光透過性導電性フィルムである。
【００３９】
２．１  光透過性導電層（Ａ）
光透過性導電層（Ａ）については、上記１．１で説明した通りである。
【００４０】
２．２  光透過性支持層（Ｂ）
本発明の光透過性導電性フィルムは、好ましくは、
（Ａ）光透過性導電層：及び
（Ｂ）光透過性支持層
を含有し、
前記光透過性導電層（Ａ）が、前記光透過性支持層（Ｂ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されている、光透過性導電性フィルムである。
【００４１】
本発明において光透過性支持層とは、光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性導電層を含む層を支持する役割を果たすものをいう。光透過性支持層（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性支持層として通常用いられるものを用いることができる。
【００４２】
光透過性支持層（Ｂ）の素材は、特に限定されないが、例えば、各種の有機高分子等を挙げることができる。有機高分子としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリメタクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂及びポリフェニレンサルファイド系樹脂等が挙げられる。ポリエステル系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等が挙げられる。光透過性支持層（Ｂ）の素材は、ポリエステル系樹脂が好ましく、中でも特にＰＥＴが好ましい。光透過性支持層（Ｂ）は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。
【００４３】
光透過性支持層（Ｂ）の厚さは、特に限定されないが、例えば、２〜３００μｍの範囲が挙げられる。
【００４４】
２．３  下地層（Ｃ）
本発明の光透過性導電性フィルムは、さらに、下地層（Ｃ）を含有し、かつ少なくとも一方の光透過性導電層（Ａ）が少なくとも下地層（Ｃ）を介して光透過性支持層（Ｂ）の面に配置されていてもよい。
【００４５】
光透過性導電層（Ａ）は、下地層（Ｃ）に隣接して配置されていてもよい。
【００４６】
図２に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ｂ）の一方の面に、下地層（Ｃ）の一方の面が隣接して配置されており、さらに下地層（Ｃ）の他方の面に光透過性導電層（Ａ）が隣接して配置されている。図２において、「前記光透過性導電層（Ａ）に隣接する前記光透過性支持層（Ｂ）側の面」とは、下地層（Ｃ）の面のうち、光透過性導電層（Ａ）に隣接する面のことを指す。
【００４７】
図３に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ｂ）の両面にそれぞれ、下地層（Ｃ）の一方の面が隣接して配置されており、さらに下地層（Ｃ）の他方の面に光透過性導電層（Ａ）が隣接して配置されている。図３において、「前記光透過性導電層（Ａ）に隣接する前記光透過性支持層（Ｂ）側の面」とは、下地層（Ｃ）の面のうち、光透過性導電層（Ａ）に隣接する面のことを指す。
【００４８】
下地層（Ｃ）の素材は、特に限定されないが、例えば、誘電性を有するものであってもよい。下地層（Ｃ）の素材としては、特に限定されないが、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリコンアルコキシド、アルキルシロキサン及びその縮合物、ポリシロキサン、シルセスキオキサン、ポリシラザン及びアクリルシリカハイブリッド等が挙げられる。下地層（Ｃ）は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。下地層（Ｃ）としては、ポリシラザン、アクリルシリカハイブリッド及びＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）からなる群より選択される１種を含む下地層が好ましい。下地層（Ｃ）は、ポリシラザン、アクリルシリカハイブリッド及びＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）からなる群より選択される１種からなる下地層であってもよい。下地層（Ｃ）としては、ＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）を含む下地層が好ましい。下地層（Ｃ）は、ＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）からなる下地層であってもよい。以下、例えば、ＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）からなる下地層を、ＳｉＯｘ層というように略記する場合がある。
【００４９】
下地層（Ｃ）は、一層が配置されていてもよい。あるいは二層以上が互いに隣接して、または他の層を介して互いに離間して配置されていてもよい。下地層（Ｃ）が二層以上互いに隣接して配置されているのが好ましい。このような態様の例としては、例えば、隣接するＳｉＯ２層及びＳｉＯｘ層からなる積層（ｓｔａｃｋｉｎｇ）、及び隣接するＳｉＯ２層及びＳｉＯｘＮｙ層からなる積層が挙げられる。例えば二層が互いに隣接して配置されている場合、ＳｉＯ２層及びＳｉＯｘ層の順序は任意であるが、光透過性支持層（Ｂ）側にＳｉＯ２からなる下地層（Ｃ−１）、光透過性導電層（Ａ）側にＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）からなる下地層（Ｃ−２）を配置させるのが好ましい。
【００５０】
下地層（Ｃ）の一層あたりの厚さとしては、特に限定されないが、例えば１５〜２５ｎｍ等が挙げられる。二層以上が互いに隣接して配置されている場合は互いに隣接している全ての下地層（Ｃ）の合計厚さが上記範囲内であればよい。
【００５１】
下地層（Ｃ）の屈折率は、本発明の光透過性導電性フィルムがタッチパネル用光透過性導電性フィルムとして使用できる限り特に限定されないが、例えば、１．４〜１．５が好ましい。
【００５２】
本発明の光透過性導電性フィルムが下地層（Ｃ）を含む場合、好ましくは下地層（Ｃ）が光透過性導電層（Ａ）に隣接して配置されており、かつ下地層（Ｃ）の面のうち、光透過性導電層（Ａ）と隣接する面の平均表面粗さＲａが０．１〜１ｎｍであってもよい。
【００５３】
下地層（Ｃ）を平均表面粗さＲａ０．１〜１ｎｍとなるよう配置するための方法としては、湿式及び乾式のいずれでもよく、特に限定されないが、湿式としては例えば、ゾル−ゲル法、又は微粒子分散液若しくはコロイド溶液を塗布する方法等が挙げられる。
【００５４】
下地層（Ｃ）を配置する方法として、乾式としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法及びパルスレーザーデポジション法により隣接する層上に積層する方法等が挙げられる。
【００５５】
２．４  ハードコート層（Ｄ）
本発明の光透過性導電性フィルムは、さらに、ハードコート層（Ｄ）を含有し、かつ少なくとも一方の光透過性導電層（Ａ）が、少なくともハードコート層（Ｄ）を介して光透過性支持層（Ｂ）の面に配置されていてもよい。
【００５６】
本発明の光透過性導電性フィルムが下地層（Ｃ）及びハードコート層（Ｄ）の両者を光透過性支持層（Ｂ）の同じ面側に含む場合は、その下地層（Ｃ）が、少なくともそのハードコート層（Ｄ）を介して前記光透過性支持層（Ｂ）の面に配置されている。この場合、下地層（Ｃ）は、好ましくはハードコート層（Ｄ）に隣接して配置されている。
【００５７】
ハードコート層（Ｄ）は、好ましくは光透過性支持層（Ｂ）の少なくとも一方の面に隣接して配置されている。
【００５８】
ハードコート層（Ｄ）は、一層が配置されていてもよい。あるいは二層以上が互いに隣接して、または他の層を介して互いに離間して配置されていてもよい。
【００５９】
ハードコート層（Ｄ）は、光透過性支持層（Ｂ）の両面に配置されていてもよい。
【００６０】
図４に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ｂ）の一方の面にハードコート層（Ｄ）の一方の面が隣接して配置されており、ハードコート層（Ｄ）の他方の面に下地層（Ｃ）の一方の面が隣接して配置されており、さらに下地層（Ｃ）の他方の面に光透過性導電層（Ａ）の一方の面が隣接して配置されている。図４において、「前記光透過性導電層（Ａ）に隣接する前記光透過性支持層（Ｂ）側の面」とは、下地層（Ｃ）の面のうち、光透過性導電層（Ａ）に隣接する面のことを指す。
【００６１】
図５に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ｂ）の両面にハードコート層（Ｄ）の一方の面が隣接して配置されており、ハードコート層（Ｄ）の他方の面に下地層（Ｃ）の一方の面が隣接して配置されており、さらに下地層（Ｃ）の他方の面に光透過性導電層（Ａ）の一方の面が隣接して配置されている。図５において、「前記光透過性導電層（Ａ）に隣接する前記光透過性支持層（Ｂ）側の面」とは、下地層（Ｃ）の面のうち、光透過性導電層（Ａ）に隣接する面のことを指す。
【００６２】
図６に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ｂ）の一方の面にハードコート層（Ｄ）、下地層（Ｃ）及び光透過性導電層（Ａ）がこの順で互いに隣接して配置されており、光透過性支持層（Ｂ）の他方の面に別のハードコート層（Ｄ）が直接配置されている。図６において、「前記光透過性導電層（Ａ）に隣接する前記光透過性支持層（Ｂ）側の面」とは、下地層（Ｃ）の面のうち、光透過性導電層（Ａ）に隣接する面のことを指す。
【００６３】
本発明においてハードコート層とは、プラスチック表面の傷つきを防止する役割を果たすものをいう。ハードコート層（Ｄ）としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいてハードコート層として通常用いられるものを用いることができる。
【００６４】
ハードコート層（Ｄ）の素材は、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂及びアルキド系樹脂等が挙げられる。ハードコート層（Ｄ）の素材としては、さらに、シリカ、ジルコニア、チタニア及びアルミナ等のコロイド粒子等を上記樹脂中に分散させたものも挙げられる。ハードコート層（Ｄ）は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。ハードコート層（Ｄ）としては、ジルコニア粒子を分散したアク
リル樹脂が好ましい。
【００６５】
ハードコート層（Ｄ）の一層あたりの厚さは、特に限定されないが、例えば０．１〜１０μｍ、１〜７μｍ、及び２〜６μｍ等が挙げられる。二層以上が互いに隣接して配置されている場合は互いに隣接している全てのハードコート層（Ｄ）の合計厚さが上記範囲内であればよい。左記の例示列挙においては後出のものが前出のものよりも好ましい。
【００６６】
ハードコート層（Ｄ）の屈折率は、本発明の光透過性導電性フィルムがタッチパネル用光透過性導電性フィルムとして使用できる限り特に限定されないが、例えば、１．４〜１．７等が挙げられる。
【００６７】
ハードコート層（Ｄ）は、下地層（Ｃ）よりも高い屈折率を有していてもよい。この場合、下地層（Ｃ）は好ましくはハードコート層（Ｄ）の一方の面に隣接して配置されている。このような構成を採ることにより、下地層（Ｃ）及びハードコート層（Ｄ）の光学干渉作用により光透過性導電性フィルムの透過率が向上するので好ましい。また、このような構成を採ることにより、パターン化された光透過性導電性層のパターン見えが軽減される。
【００６８】
ハードコート層（Ｄ）を配置する方法としては、特に限定されないが、例えば、フィルムに塗布して、熱で硬化する方法、紫外線や電子線などの活性エネルギー線で硬化する方法等が挙げられる。生産性の点で、紫外線により硬化する方法が好ましい。
【００６９】
２．５  その他の層
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ｂ）の少なくとも一方の面に、光透過性導電層（Ａ）に加えて、下地層（Ｃ）、ハードコート層（Ｄ）及びそれらと異なる少なくとも１種のその他の層（Ｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の層がさらに配置されていてもよい。
【００７０】
（Ａ）〜（Ｄ）のいずれとも異なるその他の層としては、特に限定されないが、例えば、接着層等が挙げられる。
【００７１】
接着層とは、二層の間に当該二層と互いに隣接して配置され、当該二層間を互いに接着するために配置される層である。接着層としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて接着層として通常用いられるものを用いることができる。接着層は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。
【００７２】
２．６  本発明の光透過性導電性フィルムの用途
本発明の光透過性導電性フィルムは、静電容量型タッチパネルの製造のために好ましく用いられる。抵抗膜方式タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率（シート抵抗）が２５０〜１，０００Ω／ｓｑ程度は必要であるとされる。これに対して静電容量型タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率が低いほうが有利である。本発明の光透過性導電性フィルムは、抵抗率が低減されており、これにより、静電容量型タッチパネルの製造のために好ましく用いられる。静電容量型タッチパネルについて詳細は、２で説明する通りである。
【００７３】
３．  本発明の静電容量型タッチパネル
本発明の静電容量型タッチパネルは、本発明の光透過性導電性フィルムを含み、さらに必要に応じてその他の部材を含んでなる。
【００７４】
本発明の静電容量型タッチパネルの具体的な構成例としては、次のような構成が挙げられる。なお、保護層（１）側が操作画面側を、ガラス（５）側が操作画面とは反対側を向くようにして使用される。
（１）保護層
（２）本発明の光透過性導電性フィルム（Ｙ軸方向）
（３）絶縁層
（４）本発明の光透過性導電性フィルム（Ｘ軸方向）
（５）ガラス
本発明の静電容量型タッチパネルは、特に限定されないが、例えば、上記（１）〜（５）、並びに必要に応じてその他の部材を通常の方法に従って組み合わせることにより製造することができる。
【実施例】
【００７５】
以下に実施例を掲げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００７６】
実施例１
ＤＣスパッタ法により、ＰＥＴフィルム上にＩＴＯ層を２０ｎｍ堆積させた。大気圧プラズマ装置（積水化学工業株式会社製、「ＡＰ／ＴＯ２」、ダイレクト電極タイプ）にＨ２ガスを４ｖｏｌ％含有するＮ２ガスを処理ガスとして導入し、投入電力９００Ｗ（１４０Ｖ−６．４Ａ）でプラズマガスを発生させ、前記フィルムを３ｍ／分の速度で搬送し、プラズマ処理を行って本発明の光透過性導電性フィルムを得た。なお、処理面積は２００ｍｍ２（光透過性導電性フィルムの幅方向に２００ｍｍかつ長さ方向に１ｍｍ）とした。
【００７７】
表面抵抗を測定した結果を表１に示す。なお、本実施例において表面抵抗は、表面抵抗計（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＡＮＡＬＹＴＥＣＨ社製、商品名：Ｌ
ｏｒｅｓｔａ−ＥＰ）を用いて、４端子法により測定した。
【００７８】
実施例２
実施例１で得られたフィルムに対して、１４０℃で３０分間オーブンにて熱処理を行って本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００７９】
実施例３
熱処理を１３０℃で３０分間行った他は実施例２と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８０】
実施例４
プラズマガス中でのフィルムの搬送速度を６ｍ／分とした他は実施例１と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８１】
実施例５
プラズマガス中でのフィルムの搬送速度を６ｍ／分とした他は実施例２と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８２】
実施例６
熱処理を１３０℃で３０分間行った他は実施例５と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８３】
実施例７
プラズマガス中でのフィルムの搬送速度を１０ｍ／分とした他は実施例２と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８４】
実施例８
プラズマガス中でのフィルムの搬送速度を１０ｍ／分とした他は実施例１と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８５】
実施例９
プラズマガス中でのフィルムの搬送速度を１５ｍ／分とした他は実施例２と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８６】
実施例１０
プラズマガス中でのフィルムの搬送速度を１５ｍ／分とした他は実施例１と同様にして本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
【００８７】
比較例１
プラズマ処理を行わない他は実施例１と同様にして光透過性導電性フィルムを得た。
【００８８】
以上のようにして得られた実施例１〜１０及び比較例１の光透過性導電性フィルムについてそれぞれ表面抵抗を測定した結果を表１に示す。
【００８９】
【表１】
2015165493.tif 000002
【００９０】
表１に示す通り、本発明の光透過性導電性フィルムにおいては、プラズマ処理を行うことにより、低抵抗化が達成されていた。
【００９１】
また、表１に示す通り、本発明の光透過性導電性フィルムにおいては、プラズマ処理に引き続いて所定の熱アニール処理を行うことにより、より低抵抗化が促進されていた。なお、この所定の熱アニール処理の条件は、通常行われる条件（１５０℃、１時間等）と比べると比較的緩やかな条件である。
【００９２】
さらに、表１に示す通り、本発明の光透過性導電性フィルムにおいては、プラズマ処理の時間を多少変えたとしても、低抵抗化の程度に大きな変化は見られなかった。
【符号の説明】
【００９３】
１        光透過性導電性フィルム
１１      光透過性支持層（Ｂ）
１２      光透過性導電層（Ａ）
１３      下地層（Ｃ）
１４      ハードコート層（Ｄ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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