(57)【要約】【課題】配向液を過剰供給しても、過剰供給された配向液が画素以外の部分に影響を与えるのを防止して、モジュールの安定性を確保することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上に位置する画素電極と、前記画素電極と対向するルーフ層と、前記基板の周縁に沿って位置する隔壁と、を含み、前記画素電極と前記ルーフ層との間に複数の空間が形成されており、前記空間は液晶物質を含む、液晶表示装置が提供される。【選択図】図１
2015072463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上に位置する画素電極と、
前記画素電極と対向するルーフ層と、
前記基板の周縁に沿って位置する隔壁と、
を含み、
前記画素電極と前記ルーフ層との間に複数の空間が形成されており、前記空間は液晶物質を含む、液晶表示装置。
【請求項２】
前記基板は表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域を含み、前記隔壁は前記周辺領域に位置する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記基板上に位置する遮光層をさらに含み、
前記遮光層は前記周辺領域に位置し、前記隔壁は前記遮光層上に位置する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記隔壁は前記周辺領域に沿って線状に形成される、請求項２又は３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は複数形成される、請求項２〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
複数の前記隔壁は、前記表示領域から前記周辺領域に向かう方向に離隔し互いに隣接する、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記隔壁は前記ルーフ層と同一層に位置する、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記隔壁は前記ルーフ層と同一物質で形成される、請求項１〜６のいずれか液晶表示装置。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に位置する有機膜をさらに含み、前記隔壁は前記有機膜と同一物質で形成される、請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記空間と前記ルーフ層との間に位置する共通電極及び下部絶縁層をさらに含み、
前記下部絶縁層は前記共通電極上に位置する、請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記空間は、配向物質と液晶分子を含む液晶物質が毛管力により注入される微細空間であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
基板の上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの上に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上にルーフ層を形成する工程と、
前記犠牲層を除去し空間を形成する工程と、
前記空間に液晶分子を含む液晶物質を注入する工程と、
前記基板の周縁に沿って隔壁を形成する工程と、
を含む液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなる。
【０００３】
電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定して、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００４】
液晶表示装置の一つとして、ピクセル単位でキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、ここに液晶を満たしてディスプレイを実現する技術が開発されている。この技術は、下板の上に上板を形成する代わりに、有機物質などで犠牲層を形成し、上部に支持部材を形成した後に犠牲層を除去し、犠牲層の除去によって形成された空間に液晶注入口を通じて液晶を満たしてディスプレイを製造する装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−０８０１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなディスプレイ装置を製造する方法は、液晶分子を整列、配向するために、液晶を注入する段階以前に配向液を注入した後、乾燥させる工程を含む。ここで、ディスプレイパネルの位置によって乾燥特性が異なり、特にパネルの周縁部分で乾燥の不均一が発生する。これによって光漏れを誘発しうる。このような問題を解決するために配向液を過剰供給することができるが、過剰供給された配向液が画素以外の部分に影響を与えて、モジュールの安定性が劣るおそれがある、という問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、配向液を過剰供給しても、過剰供給された配向液が画素以外の部分に影響を与えるのを防止して、モジュールの安定性を確保することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板と、前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上に位置する画素電極と、前記画素電極と対向するルーフ層と、前記基板の周縁に沿って位置する隔壁と、を含み、前記画素電極と前記ルーフ層との間に複数の空間が形成されており、前記空間は液晶物質を含む、液晶表示装置が提供される。
【０００９】
前記基板は表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域を含み、前記隔壁は前記周辺領域に位置してもよい。
【００１０】
前記基板上に位置する遮光層をさらに含み、前記遮光層は前記周辺領域に位置し、前記隔壁は前記遮光層上に位置してもよい。
【００１１】
前記隔壁は前記周辺領域に沿って線状に形成されてもよい。
【００１２】
前記隔壁は複数形成されてもよい。
【００１３】
前記隔壁は、前記表示領域から前記周辺領域に向かう方向に並列し互いに隣接してもよい。
【００１４】
前記隔壁は前記ルーフ層と同一層に位置してもよい。
【００１５】
前記隔壁は前記ルーフ層と同一物質で形成されてもよい。
【００１６】
前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に位置する有機膜をさらに含み、前記隔壁は前記有機膜と同一物質で形成されてもよい。
【００１７】
前記空間と前記ルーフ層との間に位置する共通電極及び下部絶縁層をさらに含み、
前記下部絶縁層は前記共通電極上に位置してもよい。
【００１８】
前記空間は、配向物質と液晶分子を含む液晶物質が毛管力により注入される微細空間であってもよい。
【００１９】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板の上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上に画素電極を形成する工程と、前記画素電極の上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の上にルーフ層を形成する工程と、前記犠牲層を除去し空間を形成する工程と、前記空間に液晶分子を含む液晶物質を注入する工程と、前記基板の周縁に沿って隔壁を形成する工程と、を含む液晶表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように本発明によれば、配向液を過剰供給しても、過剰供給された配向液が画素以外の部分に影響を与えるのを防止して、モジュールの安定性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１に示した複数の画素の一部分を示す平面図である。
【図３】図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図４】図２の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図５】図１の切断線Ｖ−Ｖに沿った断面図である。
【図６】図５の実施形態を変形した液晶表示装置を示す断面図である。
【図７】図５の実施形態を変形した液晶表示装置を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図１の切断線Ｖ−Ｖに沿った断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図１の切断線Ｖ−Ｖに沿った断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図２０】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す図２の切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
添付した図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化することもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容が徹底で、かつ完全なものとなるようにし、また、当業者に本発明の思想が十分に伝達されるように提供されるものである。
【００２３】
図面において、層及び領域の厚さは明確性を期するために誇張して示した。また、層が他の層または基板「上」にあると言及される場合に、それは他の層または基板上に直接形成されるか、またはそれらの間に第３の層が介されてもよい。明細書の全体にわたって同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を意味する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。図２は、図１に示した複数の画素の一部分を示す平面図である。図３は、図２のドレイン電極１７５に沿った切断線ＩＩＩ−ＩＩＩでの断面図である。図４は、図２の維持電極１３５ａに垂直な方向の切断線ＩＶ−ＩＶでの断面図である。図５は、図１の隔壁３６５に垂直な方向の切断線Ｖ−Ｖでの断面図である。
【００２５】
最初に、図１に示したように、本実施形態による液晶表示装置は表示領域ＤＡと周辺領域ＰＡを含んでもよく、表示領域ＤＡは画素ＰＸを囲む点線で示した四角形の内側部分を指し、周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡを指す点線で示した四角形の外側部分を指す。表示領域ＤＡは実際イメージを出力する領域であり、２つ以上の領域に分離されてもよく、また形状は四角形に限らず円形、楕円形、多角形であってもよい。周辺領域ＰＡにはパッド部６００が位置するか、または駆動部が位置してもよい。実際に、図１のパッド部６００において、パッドは周辺領域ＰＡのいずれか一辺、または互いに対向しない二辺に位置してもよい。
【００２６】
表示領域ＤＡには複数の画素ＰＸが位置し、周辺領域ＰＡには光漏れが生じうる部分を覆う遮光層２２１が位置する。遮光層２２１は、表示領域ＤＡの外郭で表示領域ＤＡを取り囲むように形成されてもよい。遮光層２２１は、表示領域ＤＡに位置する遮光部材２２０と同一層、同一物質で形成されてもよい。遮光層２２１は、外部光が反射して視認されるのを遮断する役割を果たす。遮光層２２１と重なる部分に隔壁３６５が位置してもよい。
【００２７】
しかし、本実施形態に限定されず、図１に示したこととは異なり、隔壁３６５は、周辺領域ＰＡの一辺、または周辺領域ＰＡの二辺、または周辺領域ＰＡの三辺に沿って位置してもよい。
【００２８】
図２〜図４を参照して、表示領域ＤＡに位置した画素ＰＸに対して具体的に説明する。図２は、図１に示した複数の画素の一部分である２×２画素部分ＴＰを示す。
【００２９】
図２〜図４を参照すれば、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１はゲート電極１２４を含む。維持電極線１３１は、主に画素ＰＸが隣接して配置される方向に延在して、共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧が印可される。維持電極線１３１は、ゲート線１２１に垂直に延在した一対の縦部１３５ａ、及び一対の縦部１３５ａの端部を接続する横部１３５ｂを含む。維持電極１３５ａ、１３５ｂは画素電極１９１を取り囲む構造を有する。
【００３０】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の上にゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に位置する半導体層１５１、ソース電極１７３／ドレイン電極１７５の下部に薄膜トランジスタＱのチャネル部分に相当する半導体層１５４が形成されている。
【００３１】
各半導体層１５１、１５４の上であり、データ線１７１、ソース電極１７３／ドレイン電極１７５の間には複数のオーミックコンタクト部材が形成されてもよいが、図面では省略されている。
【００３２】
各半導体層１５１、１５４及びゲート絶縁膜１４０の上に、ソース電極１７３、ソース電極１７３と接続するデータ線１７１、及びドレイン電極１７５を含むデータ導電体１７１、１７３、１７５が形成されている。
【００３３】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は半導体層１５４と共に薄膜トランジスタＱを形成し、薄膜トランジスタＱのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体層部分１５４に形成される。
【００３４】
データ導電体１７１、１７３、１７５及び露出した半導体層１５４部分の上には第１層間絶縁膜１８０ａが形成されている。第１層間絶縁膜１８０ａは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物、または有機絶縁物を含んでもよい。
【００３５】
第１層間絶縁膜１８０ａの上にはカラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０が形成されている。
【００３６】
先ず、遮光部材２２０は画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子構造に形成されており、光が透過できない物質からなっている。遮光部材２２０の開口部にはカラーフィルタ２３０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と平行な方向に沿って形成された横遮光部材２２０ａ、及びデータ線１７１と平行な方向に沿って形成された縦遮光部材２２０ｂを含む。
【００３７】
カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。しかし、赤色、緑色、及び青色の三原色に制限されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。カラーフィルタ２３０は、隣接する画素ごとに互いに異なる色を表示する物質で形成されてもよい。
【００３８】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上にはこれを覆う第２層間絶縁膜１８０ｂが形成されている。第２層間絶縁膜１８０ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物、または有機絶縁物を含んでもよい。図２の断面図に示されたこととは異なり、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０の厚さの差によって段差が発生した場合には、第２層間絶縁膜１８０ｂに有機絶縁物を含むようにして、段差を減らし、又は除去することができる。
【００３９】
カラーフィルタ２３０、遮光部材２２０、及び層間絶縁膜１８０ａ、１８０ｂにはドレイン電極１７５を露出するコンタクトホール１８５が形成されている。
【００４０】
第２層間絶縁膜１８０ｂの上には画素電極１９１が形成されている。画素電極１９１はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。
【００４１】
画素電極１９１は、全体的な形状が四角形であり、横幹部１９１ａ及びこれと交差する縦幹部１９１ｂからなる十字型幹部を含む。また、横幹部１９１ａと縦幹部１９１ｂによって四つの副領域に分けられ、各副領域は複数の微細枝部１９１ｃを含む。また、本実施形態で画素電極１９１の外郭を取り囲む外郭幹部をさらに含んでもよい。
【００４２】
画素電極１９１の微細枝部１９１ｃは、ゲート線１２１または横幹部と４０度〜４５度の角をなす。また、隣接する二つの副領域の微細枝部は互いに直交してもよい。また、微細枝部１９１ｃの幅は一定でなくてもよく、または微細枝部１９１ｃ間の間隔は均等でなくてもよい。
【００４３】
画素電極１９１は、縦幹部１９１ｂの下端で接続し、縦幹部１９１ｂより広い面積を有する延長部１９７を含み、延長部１９７でコンタクトホール１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。
【００４４】
以上説明した薄膜トランジスタＱ及び画素電極１９１に関する説明は一例であり、側面視認性を向上させるために薄膜トランジスタ構造及び画素電極デザインを変更してもよい。
【００４５】
画素電極１９１の上には下部配向膜１１が形成されており、下部配向膜１１は垂直配向膜であってもよい。下部配向膜１１は、ポリアミド酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃ  ａｃｉｄ）、ポリシロキサン（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）またはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの液晶配向膜であって、一般に使用される物質のうちの少なくとも一つを含んで形成されてもよい。
【００４６】
下部配向膜１１と対向する部分に上部配向膜２１が位置し、下部配向膜１１と上部配向膜２１との間には微細空間３０５が形成されている。微細空間３０５には液晶分子３１０を含む液晶物質が注入されており、微細空間３０５は液晶注入口３０７を有する。微細空間３０５は画素電極１９１の隣接して配置される方向に垂直な方向に沿って形成されてもよい。本実施形態で配向膜１１、２１を形成する配向物質と液晶分子３１０を含む液晶物質は、毛管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）を利用して微細空間３０５に注入されることができる。
【００４７】
微細空間３０５は、ゲート線１２１と重なる部分に位置する複数の液晶注入口形成領域３０７ＦＰによって画素電極１９１の隣接して配置される方向に垂直な方向に分けられ、また、ゲート線１２１が延在している方向に沿って複数に形成されている。複数に形成された微細空間３０５それぞれは、画素領域一つまたは二つ以上に対応することができ、画素領域は画面を表示する領域に対応することができる。
【００４８】
上部配向膜２１の上には共通電極２７０、下部絶縁層３５０が位置する。共通電極２７０は共通電圧の印加を受け、データ電圧が印加された画素電極１９１と共に電界を生成して、二つの電極間の微細空間３０５に位置する液晶分子３１０が傾く方向を決定する。共通電極２７０は画素電極１９１とキャパシタを形成して、薄膜トランジスタがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）された後にも印加された電圧を維持する。下部絶縁層３５０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成されてもよい。
【００４９】
本実施形態では共通電極２７０が微細空間３０５の上に形成されることと説明したが、他の実施形態では共通電極２７０が微細空間３０５の下部に形成されて、水平電界モードによる液晶駆動も可能である。
【００５０】
下部絶縁層３５０の上にルーフ層（Ｒｏｏｆ  Ｌａｙｅｒ）３６０が位置する。ルーフ層３６０は、画素電極１９１と共通電極２７０との空間である微細空間３０５が形成されるように支持する役割を果たす。ルーフ層３６０は、フォトレジストまたはその他の有機物質を含んでもよい。
【００５１】
ルーフ層３６０の上に上部絶縁層３７０が位置する。上部絶縁層３７０はルーフ層３６０の上部面と接触してもよい。上部絶縁層３７０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成されてもよい。
【００５２】
本実施形態において、キャッピング層３９０は、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを満たしながら、液晶注入口形成領域３０７ＦＰによって露出した微細空間３０５の液晶注入口３０７を覆う。キャッピング層３９０は有機物質または無機物質を含む。
【００５３】
本実施形態では図４に示したように、画素電極１９１の隣接して配置される方向に隣接する微細空間３０５の間に隔壁形成部ＰＷＰが形成されている。隔壁形成部ＰＷＰはデータ線１７１が延在している方向に沿って形成されてもよく、ルーフ層３６０によって覆われてもよい。隔壁形成部ＰＷＰには下部絶縁層３５０、共通電極２７０、上部絶縁層３７０、及びルーフ層３６０が満たされているが、このような構造物が隔壁（Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ  Ｗａｌｌ）を形成することにより、微細空間３０５を区画または定義することができる。本実施形態では微細空間３０５の間に隔壁形成部ＰＷＰのような隔壁構造があるため、基板１１０が曲がっても発生するストレスが少なく、セルギャップ（Ｃｅｌｌ  Ｇａｐ）が変更される程度をはるかに減少することができる。
【００５４】
以下、図１及び図５を参照して、本発明の一実施形態による周辺領域ＰＡの構造的な特徴について説明する。
【００５５】
図１及び図５を参照すれば、表示領域ＤＡの周縁に位置する画素ＰＸに隣接した周辺領域ＰＡには周縁部５００が形成されている。周縁部５００は、表示領域ＤＡの最外郭の画素ＰＸと周辺領域ＰＡの遮光層２２１との間の空間に対応する。
【００５６】
本実施形態で周辺領域ＰＡに位置する遮光層２２１の上に隔壁３６５が位置する。隔壁３６５は、周辺領域ＰＡの一辺に沿って線状で形成されてもよい。隔壁３６５は、ルーフ層３６０と同一層に位置してもよく、同一物質で形成されてもよい。
【００５７】
従来の液晶表示装置では、配向液を注入した後乾燥させるとき、液晶表示装置パネルの位置によって乾燥特性が異なるため、特に表示領域ＤＡの周縁部分で乾燥の不均一が発生する。これによって光漏れを誘発しうる。このような問題を解決するために、配向液を過剰供給することができる。このとき、図５に示した周縁部５００に配向液が供給される。周縁部５００に過剰供給された配向液がパッド部６００に影響を与えて、モジュールの安定性が劣ることがある。
【００５８】
しかし、本実施形態では、パッド部６００と周縁部５００との間に隔壁３６５が形成されているので、過剰供給された配向液に影響を与えられることなくパッド部６００の安定性を確保することができる。また、周縁部５００で気化（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）して残った固形分が均一に分布して、周縁部５００で視認しうる光漏れも防止することができる。
【００５９】
周辺領域ＰＡの遮光層２２１と隔壁３６５との間に第２層間絶縁膜１８０ｂ及び下部絶縁層３５０が位置する。隔壁３６５の上には表示領域ＤＡに位置する上部絶縁層３７０が周辺領域ＰＡまで延長されて隔壁３６５を覆ってもよい。キャッピング層３９０は表示領域ＤＡと周辺領域ＰＡを覆ってもよい。
【００６０】
図６は、図５の実施形態を変形した液晶表示装置を示す断面図である。
【００６１】
図６で説明しようとする実施形態は、図５を参照して説明した実施形態と大部分同様であり、ただし隔壁構造に差がある。
【００６２】
図６を参照すれば、本実施形態で隔壁３６５は複数の小隔壁３６５ｓを含む。複数の小隔壁３６５ｓは周辺領域ＰＡに位置する遮光層２２１の上に形成される。
【００６３】
以上説明した差異点以外に、図５で説明した内容は本実施形態に適用することができる。
【００６４】
図７は、図５の実施形態を変形した液晶表示装置を示す断面図である。
【００６５】
図７で説明しようとする実施形態は、図５を参照して説明した実施形態と大部分同様であり、ただし隔壁構造に差がある。
【００６６】
図７を参照すれば、本実施形態において、隔壁１８３は、遮光層２２１を覆う第２層間絶縁膜１８０ｂが上に突出して形成された部分である。ここで、隔壁１８３は、スリットマスクまたはハーフトーンマスクなどを用いて形成することができる。隔壁１８３の上には表示領域ＤＡに位置する下部絶縁層３５０と上部絶縁層３７０が周辺領域ＰＡまで延長されて隔壁１８３を覆ってもよい。
【００６７】
以上説明した差異点以外に、図５で説明した内容は本実施形態に適用することができる。
【００６８】
以下、図８〜図２０を参照して、上述した液晶表示装置を製造する方法に対する一実施形態について説明する。次に説明する実施形態は製造方法の一実施形態で、他の形態に変形して実施することができる。
【００６９】
図８〜図２０は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。図８、図１０、図１３、図１６、図１７、図１９は、図２のドレイン電極１７５に沿った切断線ＩＩＩ−ＩＩＩでの断面図を順に示したものである。図９、図１１、図１４、図１８、図２０は、図２の維持電極１３５ａに垂直な方向の切断線ＩＶ−ＩＶでの断面図である。
【００７０】
図２、図８及び図９を参照すれば、基板１１０の上に一般に知られたスイッチング素子を形成するために、画素電極１９１の隣接して配置される方向に延在しているゲート線１２１、ゲート線１２１の上にゲート絶縁膜１４０を形成し、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体層１５１、１５４を形成し、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５を形成する。このとき、ソース電極１７３と接続されたデータ線１７１はゲート線１２１と交差しながら、画素電極１９１の隣接して配置される方向に垂直な方向に延在するように形成してもよい。
【００７１】
ソース電極１７３、ドレイン電極１７５及びデータ線１７１を含むデータ導電体１７１、１７３、１７５及び露出した半導体層１５４部分の上には第１層間絶縁膜１８０ａを形成する。
【００７２】
第１層間絶縁膜１８０ａの上に画素領域に対応する位置にカラーフィルタ２３０を形成し、カラーフィルタ２３０の間に遮光部材２２０を形成する。遮光部材２２０を形成するとき、図１２に示したように周辺領域ＰＡに位置する遮光層２２１を共に形成してもよい。
【００７３】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上にこれを覆う第２層間絶縁膜１８０ｂを形成し、第２層間絶縁膜１８０ｂは、画素電極１９１とドレイン電極１７５を電気的、物理的に接続するコンタクトホール１８５を有するように形成する。
【００７４】
次に、第２層間絶縁膜１８０ｂの上に画素電極１９１を形成し、画素電極１９１の上に犠牲層３００を形成する。犠牲層３００には、図９に示したようにデータ線１７１と平行な方向に沿ってオープン部ＯＰＮが形成されている。オープン部ＯＰＮには、以降工程で共通電極２７０、下部絶縁層３５０、ルーフ層３６０、及び上部絶縁層３７０が満たされて、隔壁形成部ＰＷＰを形成することができる。
【００７５】
図１０〜図１２を参照すれば、犠牲層３００の上に共通電極２７０、下部絶縁層３５０、及びルーフ層３６０を順に形成する。ルーフ層３６０は、露光及び現像工程によって画素電極１９１の隣接して配置される方向に垂直な方向に隣接する画素領域の間に位置する遮光部材２２０と対応する領域から除去されてもよい。ルーフ層３６０は、遮光部材２２０と対応する領域で下部絶縁層３５０を外部に露出させる。このとき、共通電極２７０、下部絶縁層３５０、及びルーフ層３６０は、縦遮光部材２２０ｂのオープン部ＯＰＮを満たしながら、隔壁形成部ＰＷＰを形成する。ルーフ層３６０を形成するとき、スリットマスクまたはハーフトーンマスクなどを用いて周辺領域ＰＡに隔壁３６５を形成してもよい。したがって、隔壁３６５はルーフ層３６０と同一層に同一物質で形成されてもよい。隔壁３６５とルーフ層３６０は離隔してもよい。
【００７６】
これとは異なり、隔壁３６５はルーフ層３６０に形成せずに、図７に示したように第２層間絶縁膜１８０ｂと共に形成してもよい。このとき、第２層間絶縁膜１８０ｂはフォト工程を行った有機物質で形成してもよい。具体的に、スリットマスクまたはハーフトーンマスクを用いて第２層間絶縁膜１８０ｂを形成しながら、第２層間絶縁膜１８０ｂの一部が上に突出した部分を有するように形成してもよい。第２層間絶縁膜１８０ｂが上に突出した部分は、図７に示したように隔壁１８３を形成してもよい。
【００７７】
図１３〜図１５を参照すれば、ルーフ層３６０と露出した下部絶縁層３５０上を覆うように上部絶縁層３７０を形成する。上部絶縁層３７０は周辺領域ＰＡまで延長されて隔壁３６５を覆ってもよい。ここで、隔壁３６５と表示領域ＤＡのルーフ層３６０との間に周縁部５００が形成されてもよい。周縁部５００は隔壁３６５が延在している方向に沿って長く形成される。
【００７８】
図１６を参照すれば、上部絶縁層３７０、下部絶縁層３５０、及び共通電極２７０をドライエッチングして、上部絶縁層３７０、下部絶縁層３５０、及び共通電極２７０が部分的に除去されることによって液晶注入口形成領域３０７ＦＰを形成する。このとき、上部絶縁層３７０がルーフ層３６０の側面を覆う構造を有してもよいが、これに限定されず、ルーフ層３６０の側面を覆っていた上部絶縁層３７０が除去されて、ルーフ層３６０の側面が外部に露出するようにしてもよい。
【００７９】
図１７及び図１８を参照すれば、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを通じて犠牲層３００を酸素（Ｏ２）アッシング（Ａｓｈｉｎｇ）処理またはウェットエッチング法などによって除去する。このとき、液晶注入口３０７を有する微細空間３０５が形成される。微細空間３０５は犠牲層３００が除去されて空の状態である。
【００８０】
図１９及び図２０を参照すれば、液晶注入口３０７を通じて配向物質を注入して、画素電極１９１及び共通電極２７０の上に配向膜１１、２１を形成する。具体的に、液晶注入口３０７を通じて固形分と溶媒を含む配向物質を注入した後、ベーク工程を行う。表示領域ＤＡの周縁部分でもベーク工程を通じて配向液の乾燥が均一に行われるようにするために配向液を十分に過剰供給することができる。例えば、複数の微細空間３０５を完全に満たす容量を１００％というとき、過剰供給する配向液の容量は１２０％〜３００％であってもよい。過剰供給された配向液は非表示領域ＰＡの周縁部５００まで満たすことができる。図１及び図１５に示したように、周縁部５００に満たされた配向液は隔壁３６５によって遮断されて、パッド部６００に流れることを遮断する。また、周縁部５００でも十分に配向液が満たされた状態でベーク工程が行われるので、乾燥後に残った固形分が均一に分布することができる。
【００８１】
その後、液晶注入口３０７を通じて微細空間３０５にインクジェット方法などによって液晶分子３１０を含む液晶物質を注入する。
【００８２】
次に、上部絶縁層３７０の上に液晶注入口３０７及び液晶注入口形成領域３０７ＦＰを覆うようにキャッピング層３９０を形成すれば、図３に示したような液晶表示装置を形成することができる。このとき、キャッピング層３９０は、図５に示したように周辺領域ＰＡの隔壁３６５を覆うように形成してもよい。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８４】
１２４  ゲート電極
１３１  維持電極線
１３５  維持電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４  半導体層
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１８０ａ  第１層間絶縁膜
１８０ｂ  第２層間絶縁膜
１８３  隔壁
１８５  コンタクトホール
１９１  画素電極
１９７  延長部
２２０  遮光部材
２２０ａ  横遮光部材
２２０ｂ  縦遮光部材
２２１  遮光層
２３０  カラーフィルタ
２７０  共通電極
３００  犠牲層
３０５  微細空間
３０７  液晶注入口
３０７ＦＰ  液晶注入口形成領域
３１０  液晶分子
３５０  下部絶縁層
３６０  ルーフ層
３６５  隔壁
３６５ｓ  小隔壁
３７０  上部絶縁層
３９０  キャッピング層
５００  周縁部
６００  パッド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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