(57)【要約】【課題】導電路を流れる電流により発生した磁界の干渉による影響を抑制し、小型化を図ることが可能なコネクタを提供する。【解決手段】雄コネクタ１１は、雌コネクタ１２との嵌合方向に直交する方向に並んで配置された第１〜第３の雄端子５１〜５３と、第１〜第３の雄端子５１〜５３を流れる電流により発生した磁界の強さを検出するＧＭＲ素子７１を有する第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃとを備え、対をなす雄端子とＧＭＲセンサとが、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に沿って並んで配置され、ＧＭＲ素子７１は、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に直交し、かつ嵌合方向に直交する一方向の磁界の強さを検出し、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向の厚みが最も薄くなるように配置されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手側コネクタとの嵌合により相手側端子に接続され、前記相手側コネクタとの嵌合方向に直交する方向に並んで配置された複数の端子と、
前記複数の端子のそれぞれを流れる電流により発生した磁界の強さを検出する検出素子を有する複数の磁気センサとを備え、
前記複数の端子と前記複数の磁気センサとはそれぞれ対をなし、前記対をなす端子と磁気センサとは、前記複数の端子の並び方向に沿って並んで配置され、
前記検出素子は、前記並び方向に直交し、かつ前記嵌合方向に直交する一方向の磁界の強さを検出し、
前記複数の磁気センサは、前記並び方向の厚みが最も薄くなるように配置されている
コネクタ。
【請求項２】
前記端子は、
前記嵌合方向に沿って延在する第１の導電路と、
前記第１の導電路の一端部から前記対をなす磁気センサ側に向かって前記並び方向に延在する第２の導電路とを有する、
請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記端子は、前記対をなす磁気センサの一部を囲むように屈曲された導電路を有している、
請求項１に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記磁気センサは、巨大磁気抵抗効果素子を有するＧＭＲセンサである、
請求項１乃至３の何れか１項に記載のコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ハイブリット車や電気自動車等におけるモータとインバータとの間を電気的に接続するために用いられるコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コネクタとして、雌コネクタとの嵌合により雌端子に電気的に接続される雄端子、及び雄端子を収容するハウジングを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の第１コネクタは、板状に形成された複数の第１接合端子、及び複数の第１接合端子が収容される第１ターミナルハウジングを備えている。第１接合端子は、モータ等の機器に電気的に接続される機器側接合端子と一体に構成されている。第１接合端子と機器側接合端子との間には、第１接合端子の平面の向きを変更する平面変更部と、第１接合端子の並び方向の配置間隔を機器側接合端子の並び方向の配置間隔に変換するピッチ変換部とが設けられている。
【０００４】
第１ターミナルハウジングを第２コネクタの第２ターミナルハウジングに嵌合させることにより、第１接合端子と第２コネクタの第２接合端子とが接触して接点が構成され、第１コネクタと第２コネクタとが電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１６４６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
通常、特許文献１に記載の第１コネクタが用いられるモータとインバータとの間の配線には、配線を流れる電流により発生した磁界の強さを検出する磁気センサを備えた電流検出装置が設けられる。そこで、本願の発明者らは、磁気センサをコネクタ内に備えることによって、別途電流検出装置を設ける必要がなくなるという着想を得た。
【０００７】
しかしながら、複数の配線がある場合には、それぞれの配線に対応して複数の磁気センサをコネクタ内に設ける必要がある。さらに、コネクタといった小さい空間内では、それぞれの配線に対応した導電路を流れる電流により発生した磁界が互いに干渉し、この干渉の影響を受けて磁気センサの検出精度が低下しないように導電路の間隔をある程度空ける必要がある。したがって、コネクタが大型化してしまうという問題を招来する可能性があった。
【０００８】
そこで、本発明は、導電路を流れる電流により発生した磁界の干渉による影響を抑制し、小型化を図ることが可能なコネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、相手側コネクタとの嵌合により相手側端子に接続され、前記相手側コネクタとの嵌合方向に直交する方向に並んで配置された複数の端子と、前記複数の端子のそれぞれを流れる電流により発生した磁界の強さを検出する検出素子を有する複数の磁気センサとを備え、前記複数の端子と前記複数の磁気センサとはそれぞれ対をなし、前記対をなす端子と磁気センサとは、前記複数の端子の並び方向に沿って並んで配置され、前記検出素子は、前記並び方向に直交し、かつ前記嵌合方向に直交する一方向の磁界の強さを検出し、前記複数の磁気センサは、前記並び方向の厚みが最も薄くなるように配置されているコネクタを提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るコネクタによれば、導電路を流れる電流により発生した磁界の干渉による影響を抑制し、小型化を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る雄コネクタ、及び雌コネクタを示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】雄コネクタの導電路、及び雄コネクタ内に設けられたＧＭＲセンサを模式的に示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る雄コネクタの導電路、及び雄コネクタ内に設けられたＧＭＲセンサを模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る雄コネクタ、及び雌コネクタを示す斜視図である。
【００１３】
雄コネクタ１１と相手側コネクタとしての雌コネクタ１２とは、雄コネクタ１１の雄側ハウジング３と雌コネクタ１２の雌側ハウジング２とを嵌合することにより電気的に接続される。本実施の形態では、雄側ハウジング３の一部が雌側ハウジング２に収容されるように、雄側ハウジング３と雌側ハウジング２との嵌合が行われる。
【００１４】
（雌コネクタ１２の構成）
雌コネクタ１２は、相手側端子としての第１〜第３の雌端子４１〜４３と、第１〜第３の雌端子４１〜４３を収容する雌側ハウジング２と、導電性の金属からなる筒状のシールドケース６とを備えている。
【００１５】
雌コネクタ１２には、例えば車両の駆動源としての電気モータにインバータで生成された電流を供給するための第１〜第３の電線１２１〜１２３が接続されている。電気モータは、例えば三相交流モータであり、第１〜第３の電線１２１〜１２３は、三相交流モータにＵ相、Ｖ相、Ｗ相の電流をそれぞれ供給する。
【００１６】
第１〜第３の雌端子４１〜４３は、例えば銅合金からなる基材の表面に錫メッキを施すことにより形成され、端子支持部材４０に支持されている。第１の雌端子４１は第１の電線１２１の一端部に、第２の雌端子４２は第２の電線１２２の一端部に、第３の雌端子４３は第３の電線１２３の一端部に、それぞれ加締め等により接続されている。
【００１７】
雌側ハウジング２は、例えばＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＡ（ポリアミド）等の絶縁性樹脂からなり、第１筒部２１、第２筒部２２、及び第３筒部２３を一体に有している。第１筒部２１から第２筒部２２に亘る一側面には、後述する雄側ハウジング３に形成された嵌合突起３１２とランス嵌合する嵌合凹部２２１が設けられている。
【００１８】
（雄コネクタ１１の構成）
雄コネクタ１１は、雌コネクタ１２との嵌合により第１〜第３の雌端子４１〜４３にそれぞれ接続され、雌コネクタ１２との嵌合方向に直交する方向に並んで配置された第１〜第３の雄端子５１〜５３と、第１〜第３の雄端子５１〜５３の一部を収容する雄側ハウジング３とを備えている。
【００１９】
第１〜第３の雄端子５１〜５３は、例えば銅合金からなる基材の表面に錫メッキを施すことにより形成されている。雄コネクタ１１と雌コネクタ１２との嵌合により、第１の雄端子５１が第１の雌端子４１に、第２の雄端子５２が第２の雌端子４２に、第３の雄端子５３が第３の雌端子４３に、それぞれ電気的に接続される。
【００２０】
雄側ハウジング３は、第１〜第３の雄端子５１〜５３の一部を収容する筒状の第１筒部３１及び第２筒部３２と、第１筒部３１から外方に張り出して形成されたフランジ部３３と、第２筒部３２の端部から第１筒部３１とは反対側に連続して形成された端子台部３４とを有している。端子台部３４は、第１〜第３の雄端子５１〜５３の一端部を保持している。
【００２１】
第１筒部３１及びフランジ部３３は、例えばアルミニウム等の導電性を有する金属により形成されている。第１筒部３１は、その外周面に、雌側ハウジング２との間をシールするシール部材３１１ａを保持する保持溝３１１が形成されている。
【００２２】
第１筒部３１の一側面には、雌側ハウジング２の嵌合凹部２２１に嵌合される嵌合突起３１２が、外側に向けて突出して形成されている。また、第１筒部３１の他の一側面には、雄側ハウジング３と雌側ハウジング２とを嵌合させた状態で第１〜第３の雄端子５１〜５３と第１〜第３の雌端子４１〜４３を押し付ける押付部材（図略）を取り付けるための取付部３１３が形成されている。
【００２３】
第２筒部３２は、端子台部３４とは反対側の端部が第１筒部３１に収容されている。フランジ部３３は、第１筒部３１における第２筒部３２側に位置している。フランジ部３３の第２筒部３２側の端面には、環状のシール部材３３１が設けられている。フランジ部３３には、雄側ハウジング３を例えば電気モータ等の機器のケースに取り付けるためのボルト（図略）を挿通させる複数（本実施の形態では２つ）の挿通孔３３ａが形成されている。なお、図１では２つの挿通孔３３ａのうち１つの挿通孔３３ａのみを示す。
【００２４】
次に、雄コネクタ１１の構成について、図２を参照してより具体的に説明する。
【００２５】
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【００２６】
雄コネクタ１１は、第１〜第３の雄端子５１〜５３のそれぞれを流れる電流により発生した磁界の強さを検出し、その検出信号を出力する磁気センサとしての複数のＧＭＲセンサ（第１のＧＭＲセンサ７ａ、第２のＧＭＲセンサ７ｂ、及び第３のＧＭＲセンサ７ｃ）を有している。ここで、「ＧＭＲセンサ」とは、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive effect）素子を有するセンサのことである。
【００２７】
第１の雄端子５１と第１のＧＭＲセンサ７ａとは対をなし、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に沿って並んで配置されている。同様にして、第２の雄端子５２と第２のＧＭＲセンサ７ｂとは対をなし、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に沿って並んで配置されている。また同様にして、第３の雄端子５３と第３のＧＭＲセンサ７ｃとは対をなし、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に沿って並んで配置されている。第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向の厚みが最も薄くなるように配置されている。
【００２８】
第１の雄端子５１は、一端が第１の雌端子４１に接触する平板状の接触部５１１として形成され、他端が電気モータ等の機器に接続される平板状の機器接続部５１２として形成されている。機器接続部５１２には、接続対象となる機器の端子を固定するためのボルト（図略）が貫通する貫通孔５１２ａが形成されている。
【００２９】
接触部５１１の平面の向きは、雄コネクタ１１と雌コネクタ１２との嵌合方向に対して平行であり、機器接続部５１２の平面の向きは、嵌合方向に対して直交している。すなわち、接触部５１１の平面の向きと機器接続部５１２の平面の向きとは、９０°異なっている。
【００３０】
接触部５１１と機器接続部５１２との間には、機器接続部５１２の端部から接触部５１１側に向かって延在する延在部５１３と、延在部５１３の端部から接触部５１１側に向かって連続して形成された導電路５１４と、導電路５１４と接触部５１１とを連結する連結部５１５とを有している。
【００３１】
本実施の形態では、接触部５１１、機器接続部５１２、延在部５１３、導電路５１４、及び連結部５１５は、一体に形成されている。延在部５１３及び導電路５１４は、丸い棒状に形成され、連結部５１５は、例えばつぶし加工等によって平板状に形成されている。
【００３２】
導電路５１４は、嵌合方向に沿って延在する第１の導電路５１４ａと、第１の導電路５１４ａにおける延在部５１３とは反対側の端部から第１のＧＭＲセンサ７ａ側に向かって第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に延在する第２の導電路５１４ｂと、第２の導電路５１４ｂにおける第１の導電路５１４ａとは反対側の端部から連結部５１５側に向かって嵌合方向に延在する第３の導電路５１４ｃとを一体に有している。
【００３３】
第２の雄端子５２及び第３の雄端子５３の構成は、それぞれ第１の雄端子５１の構成と同様である。
【００３４】
第２の雄端子５２は、一端に接触部５２１を有し、他端に貫通孔５２２ａが形成された機器接続部５２２を有している。接触部５２１と機器接続部５２２との間には、延在部５２３と、第１の導電路５２４ａ、第２の導電路５２４ｂ、及び第３の導電路５２４ｃを備えた導電路５２４と、連結部５２５とを有している。
【００３５】
第３の雄端子５３は、一端に接触部５３１を有し、他端に貫通孔５３２ａが形成された機器接続部５３２を有している。接触部５３１と機器接続部５３２との間には、延在部５３３と、第１の導電路５３４ａ、第２の導電路５３４ｂ、及び第３の導電路５３４ｃを備えた導電路５３４と、連結部５３５とを有している。
【００３６】
第１の雄端子５１の導電路５１４、第２の雄端子５２の導電路５２４、及び第３の雄端子５３の導電路５３４は、隣り合う導電路の少なくとも一部と対向しながら、嵌合方向に対して交差する方向に並列して配置されている。
【００３７】
第１〜第３の雄端子５１〜５３の導電路５１４，５２４，５３４、連結部５１５，５２５，５３５、及び第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、保持部材３５に保持された状態で、延在部５１３，５２３，５３３と共に第２筒部３２の内部に収容されている。延在部５１３，５２３，５３３のそれぞれの外周には、第２筒部３２の内面との間をシールするシール部材１１１，１１２，１１３が設けられている。第２筒部３２とフランジ部３３との間にはシール部材３２１が設けられている。
【００３８】
機器接続部５１２，５２２，５３２は、端子台部３４に保持され、接触部５１１，５２１，５３１は、第１筒部３１の内部に収容されている。また、第１筒部３１の取付部３１３の内部には、第１〜第３の雄端子５１〜５３を第１〜第３の雌端子４１〜４３にそれぞれ押し付けるためのばね部材３１３ａが設けられている。
【００３９】
（第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃについて）
次に、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃの構成及び動作について、図３を参照して説明する。
【００４０】
図３は、雄コネクタ１１の導電路５１４，５２４，５３４、及び雄コネクタ１１内に設けられた第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃを模式的に示す斜視図である。
【００４１】
なお、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、それぞれ同様の構成であるため、第１のＧＭＲセンサ７ａを例にとって説明する。
【００４２】
第１のＧＭＲセンサ７ａは、第１の雄端子５１の導電路５１４を流れる電流により発生した磁界の強さを検出する検出素子としてのＧＭＲ素子７１と、ＧＭＲ素子７１を収容するカバー部材７２と、カバー部材７２の一端部から外側に露出した複数（本実施の形態では３本）のリード線７３とを備えている。本実施の形態では、３本のリード線７３は、それぞれ電源線、信号線、ＧＮＤ線としての機能を有している。
【００４３】
３本のリード線７３は、第１のＧＭＲセンサ７ａの一端部から第１の雄端子５１の導電路５１４、第２の雄端子５２の導電路５２４、及び第３の雄端子５３の導電路５３４の並び方向に対して交差する方向に引き出されている。
【００４４】
ＧＭＲ素子７１は、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に直交し、かつ雄コネクタ１１と雌コネクタ１２との嵌合方向に直交する一方向（図３における矢印Ｄ方向）の磁界を直接検出する。
【００４５】
カバー部材７２は、本実施の形態では、モールド樹脂等により矩形状に形成され、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向の厚みｔと嵌合方向の幅ｗとの関係ｔ／ｗが１〜３０％になるように設定されている。
【００４６】
第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、それぞれカバー部材７２における最も薄い厚みｔの方向が第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向になるように配置されている。
【００４７】
第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは板状であり、その主面が第１の導電路５１４ａ，５２４ａ，５３４ａと平行、かつ第２の導電路５１４ｂ，５２４ｂ，５３４ｂに平行な方向に対して直交するように配置される。
【００４８】
第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１は、第１の雄端子５１の第１の導電路５１４ａを流れる電流ｉ１１により発生した磁界Ｍ１１、及び第２の導電路５１４ｂを流れる電流ｉ１２により発生した磁界Ｍ１２を検出する。
【００４９】
第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１と同様にして、第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１は、第１の導電路５２４ａを流れる電流ｉ２１により発生した磁界Ｍ２１、及び第２の導電路５２４ｂを流れる電流ｉ２２により発生した磁界Ｍ２２を検出し、第３のＧＭＲセンサ７ｃのＧＭＲ素子７１は、第１の導電路５３４ａを流れる電流ｉ３１により発生した磁界Ｍ３１、及び第２の導電路５３４ｂを流れる電流ｉ３２により発生した磁界Ｍ３２を検出する。
【００５０】
なお、第１の雄端子５１の導電路５１４において、第２の雄端子５２で発生した磁界Ｍ２１が磁界Ｍ１１及び磁界Ｍ１２に干渉するが、第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１における磁界Ｍ２１の方向は磁界Ｍ１１及び磁界Ｍ１２と逆方向であり、第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１は図３の矢印Ｄ方向の磁界のみを検出するため、磁界Ｍ２１は第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１で検出されない。
【００５１】
第１の雄端子５１の導電路５１４と同様にして、第２の雄端子５２の導電路５２４において、第３の雄端子５３で発生した磁界Ｍ３１が磁界Ｍ２１及び磁界Ｍ２２に干渉するが、第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１における磁界Ｍ３１の方向は磁界Ｍ２１及び磁界Ｍ２２と逆方向であり、第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１は図３の矢印Ｄ方向の磁界のみを検出するため、磁界Ｍ３１は第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１で検出されない。
【００５２】
第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃのそれぞれのＧＭＲ素子７１で検出された磁界は、検出信号として出力されて、リード線７３（信号線）を介して外部機器に伝送される。
【００５３】
（第１の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第１の実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。
【００５４】
（１）第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃのＧＭＲ素子７１は、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に直交し、かつ雄コネクタ１１と雌コネクタ１２との嵌合方向に直交する一方向の磁界の強さを検出するため、第１〜第３の雄端子５１〜５３の導電路５１４，５２４，５３４のそれぞれを流れる電流により発生した磁界が相互に干渉することによる影響を抑制することができ、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃの検出精度の向上につながる。
【００５５】
（２）第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向の厚みｔが最も薄くなるように配置されているため、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃを雄コネクタ１１に備えた場合でも、雄側ハウジング３の小型化、すなわち雄コネクタ１１の小型化を図ることができる。
【００５６】
（３）第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、例えばホールＩＣ等のセンサに比べて磁気抵抗効果が大きい。より具体的には、ホールＩＣ等のセンサでは磁気抵抗効果が数％程度であるのに対し、ＧＭＲセンサでは、磁気抵抗効果が数十％以上になる。また、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、例えばホールＩＣ等のセンサに比べて応答速度が速い。そして、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは、例えば磁界の変化を捉えるコイル等とは異なり、磁界そのものを直接検出するため、磁界の微小な変化にも敏感に反応することが可能である。したがって、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃを用いることにより、第１〜第３の雄端子５１〜５３のそれぞれを流れる電流により発生した磁界の検出精度が向上する。
【００５７】
（４）第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃの各リード線７３は、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃのそれぞれの一端部から第１の雄端子５１の導電路５１４、第２の雄端子５２の導電路５２４、及び第３の雄端子５３の導電路５３４の並び方向に対して交差する方向に引き出されているため、雄側ハウジング３の小型化を図りながらも、各リード線７３を雄側ハウジング３の内部から外部へ引き出すことが容易となる。
【００５８】
（５）第１〜第３の雄端子５１〜５３は、それぞれ嵌合方向に沿って延在する第１の導電路５１４ａ，５２４ａ，５３４ａと、第１の導電路５１４ａ，５２４ａ，５３４ａのそれぞれの一端部から対をなす第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ側に向かって第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に延在する第２の導電路５１４ｂ，５２４ｂ，５３４ｂとを有するため、第１の導電路５１４ａ，５２４ａ，５３４ａのみを有する場合と比較して、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃのＧＭＲ素子７１で検出する磁界が強くなる。これにより、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃの検出精度がより向上する。
【００５９】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について、図４を参照して説明する。図４において、第１の実施の形態について説明したものと実質的に同一の機能を有する構成要素については、共通する符号を付してその重複した説明を省略する。
【００６０】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る雄コネクタ１１の導電路５１６，５２６，５３６、及び雄コネクタ１１内に設けられた第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃを模式的に示す斜視図である。
【００６１】
本実施の形態に係る雄コネクタ１１の第１〜第３の雄端子５１〜５３は、導電路５１６，５２６，５３６の構成が第１の実施の形態に係る導電路５１４，５２４，５３４の構成と異なる。
【００６２】
第１の雄端子５１の導電路５１６は第１のＧＭＲセンサ７ａの一部を、第２の雄端子５２の導電路５２６は第２のＧＭＲセンサ７ｂの一部を、第３の雄端子５３の導電路５３６は第３のＧＭＲセンサ７ｃの一部を、それぞれ囲むように屈曲している。
【００６３】
第１の雄端子５１の導電路５１６は、本実施の形態では、延在部５１３の端部から連結部５１５に向かって嵌合方向に沿って延在する第１の導電路５１６ａと、第１の導電路５１６ａの端部から第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に沿って延在する第２の導電路５１６ｂと、第２の導電路５１６ｂの端部から嵌合方向に沿って延在する第３の導電路５１６ｃと、第３の導電路５１６ｃの端部から第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に沿って延在する第４の導電路５１６ｄと、第４の導電路５１６ｄの端部から連結部５１５側に向かって嵌合方向に沿って延在する第５の導電路５１６ｅとを一体に有している。
【００６４】
なお、第２の導電路５１６ｂ及び第４の導電路５１６ｄは、第３の導電路５１６ｃの両端部からそれぞれ第１のＧＭＲセンサ７ａ側に向かって第１〜第３の雄端子５１〜５３の並び方向に延在している。
【００６５】
第２の導電路５１６ｂ及び第４の導電路５１６ｄは、本実施の形態では、第３の導電路５１６ｃに対して９０°屈曲されて形成されている。すなわち、第２の導電路５１６ｂと第４の導電路５１６ｄとは、平行である。なお、導電路５１６の一部が第１のＧＭＲセンサ７ａを囲むように、例えば円弧状に屈曲されていてもよい。
【００６６】
第２の雄端子５２の導電路５２６及び第３の雄端子５３の導電路５３６の構成は、第１の雄端子５１の導電路５１６の構成と同様である。
【００６７】
第２の雄端子５２の導電路５２６は、第１の導電路５２６ａ、第２の導電路５２６ｂ、第３の導電路５２６ｃ、第４の導電路５２６ｄ、及び第５の導電路５２６ｅを一体に有し、第３の雄端子５３の導電路５３６は、第１の導電路５３６ａ、第２の導電路５３６ｂ、第３の導電路５３６ｃ、第４の導電路５３６ｄ、及び第５の導電路５３６ｅを一体に有している。
【００６８】
第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１は、第１の雄端子５１の第２の導電路５１６ｂを流れる電流ｉ１２により発生した磁界Ｍ１２、第３の導電路５１６ｃを流れる電流ｉ１３により発生した磁界Ｍ１３、及び第４の導電路５１６ｄを流れる電流ｉ１４により発生した磁界Ｍ１４を検出する。
【００６９】
第１のＧＭＲセンサ７ａと同様にして、第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１は、電流ｉ２２により発生した磁界Ｍ２２、電流ｉ２３により発生した磁界Ｍ２３、及び電流ｉ２４により発生した磁界Ｍ２４を検出し、第３のＧＭＲセンサ７ｃのＧＭＲ素子７１は、電流ｉ３２により発生した磁界Ｍ３２、電流ｉ３３により発生した磁界Ｍ３３、及び電流ｉ３４により発生した磁界Ｍ３４を検出する。
【００７０】
第１の雄端子５１の導電路５１６において、第１の実施の形態と同様に、第２の雄端子５２で発生した磁界Ｍ２３が磁界Ｍ１２、磁界Ｍ１３、及び磁界Ｍ１４に干渉するが、第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１における磁界Ｍ２３の方向は磁界Ｍ１２、磁界Ｍ１３、及び磁界Ｍ１４の方向と逆方向であり、第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１は図４の矢印Ｄ方向の磁界のみを検出するため、磁界Ｍ２３は第１のＧＭＲセンサ７ａのＧＭＲ素子７１で検出されない。
【００７１】
同様に、第２の雄端子５２の導電路５２６において、第３の雄端子５３で発生した磁界Ｍ３３が磁界Ｍ２２、磁界Ｍ２３、及び磁界Ｍ２４に干渉するが、第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１における磁界Ｍ３３の方向は磁界Ｍ２２、磁界Ｍ２３、及び磁界Ｍ２４の方向と逆方向であり、第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１は図４の矢印Ｄ方向の磁界のみを検出するため、磁界Ｍ３３は第２のＧＭＲセンサ７ｂのＧＭＲ素子７１で検出されない。
【００７２】
（第２の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態について説明した（１）〜（４）の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。
【００７３】
また、第１〜第３の雄端子５１〜５３は、対をなす第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃの一部を囲むように屈曲された導電路５１６，５２６，５３６を有しているため、第１の実施の形態と比較して、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃのＧＭＲ素子７１で検出する磁界がより強くなる。これにより、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃの検出精度がより向上する。
【００７４】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００７５】
［１］相手側コネクタ（雌コネクタ１２）との嵌合により相手側端子（第１〜第３の雌端子４１〜４３）に接続され、雌コネクタ（１２）との嵌合方向に直交する方向に並んで配置された複数の端子（第１〜第３の雄端子５１〜５３）と、第１〜第３の雄端子（５１〜５３）のそれぞれを流れる電流により発生した磁界の強さを検出する検出素子（ＧＭＲ素子７１）を有する複数の磁気センサ（第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ）とを備え、第１〜第３の雄端子（５１〜５３）と第１〜第３のＧＭＲセンサ（７ａ，７ｂ，７ｃ）とはそれぞれ対をなし、対をなす雄端子とＧＭＲセンサとは、第１〜第３の雄端子（５１〜５３）の並び方向に沿って並んで配置され、ＧＭＲ素子（７１）は、並び方向に直交し、かつ嵌合方向に直交する一方向の磁界の強さを検出し、第１〜第３のＧＭＲセンサ（７ａ，７ｂ，７ｃ）は、並び方向の厚みが最も薄くなるように配置されているコネクタ（雄コネクタ１１）。
【００７６】
［２］第１〜第３の雄端子（５１〜５３）は、嵌合方向に沿って延在する第１の導電路（５１４ａ，５２４ａ，５３４ａ）と、第１の導電路（５１４ａ，５２４ａ，５３４ａ）の一端部から対をなすＧＭＲセンサ側に向かって並び方向に延在する第２の導電路（５１４ｂ，５２４ｂ，５３４ｂ）とを有する、［１］に記載の雄コネクタ（１１）。
【００７７】
［３］第１〜第３の雄端子（５１〜５３）は、対をなすＧＭＲセンサの一部を囲むように屈曲された導電路（５１６，５２６，５３６）を有している、［１］に記載の雄コネクタ（１１）。
【００７８】
［４］第１〜第３のＧＭＲセンサ（７ａ，７ｂ，７ｃ）は、巨大磁気抵抗効果素子を有するＧＭＲセンサである、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の雄コネクタ（１１）。
【００７９】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００８０】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、第１〜第３の雄端子５１〜５３における接触部５１１，５２１，５３１、機器接続部５１２，５２２，５３２、延在部５１３，５２３，５３３、導電路５１４，５２４，５３４、及び連結部５１５，５２５，５３５は、一体に形成されていたが、これに限らず、例えば個々に形成して半田付けや溶接等により接合することにより第１〜第３の雄端子５１〜５３を構成してもよい。
【００８１】
また、上記実施の形態では、導電路５１４，５２４，５３４は丸い棒状に形成されていたが、これに限らず、例えば角柱状に形成されていてもよい。
【００８２】
また、上記実施の形態では、第１〜第３のＧＭＲセンサ７ａ，７ｂ，７ｃは矩形の板状に形成されていたが、これに限らず、例えば円板状に形成されていてもよい。
【符号の説明】
【００８３】
７ａ，７ｂ，７ｃ…第１〜第３のＧＭＲセンサ（磁気センサ）
１１…雄コネクタ（コネクタ）
１２…雌コネクタ（相手側コネクタ）
４１〜４３…第１〜第３の雌端子（相手側端子）
５１〜５３…第１〜第３の雄端子（端子）
７１…ＧＭＲ素子（検出素子）
５１４，５２４，５３４…導電路
５１４ａ，５２４ａ，５３４ａ…第１の導電路
５１４ｂ，５２４ｂ，５３４ｂ…第２の導電路
５１４ｃ，５２４ｃ，５３４ｃ…第３の導電路
５１６，５２６，５３６…導電路
５１６ａ，５２６ａ，５３６ａ…第１の導電路
５１６ｂ，５２６ｂ，５３６ｂ…第２の導電路
５１６ｃ，５２６ｃ，５３６ｃ…第３の導電路
５１６ｄ，５２６ｄ，５３６ｄ…第４の導電路
５１６ｅ，５２６ｅ，５３６ｅ…第５の導電路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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