(57)【要約】【課題】長方形のパターン化されたスタックインプリントテンプレートを形成するための方法および装置、ならびに一体型の長方形のパターン化されたスタックインプリントテンプレートを備える装置を提供する。【解決手段】実施例は、第１のテンプレートにおける周方向格子トラック構造および位置合わせパターンの位置を決定するように構成された分析器と、第２のテンプレートにおける径方向格子構造および点在パターンフィールドの位置を決定するように構成された位相装置とを開示し、第１のテンプレートは、長方形のパターン化されたスタックインプリントテンプレートとして第３のテンプレートの基板を形成するために、転写され、第２のテンプレートの構造およびパターンをクロスインプリントされる。【選択図】図２Ａ
2015165445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一体型の周方向格子および位置合わせパターンを含むパターンを有する第１のテンプレートを作製するステップと、
一体型の径方向格子および点在位相ロックループパターンを含むパターンを有する第２のテンプレートを作製するステップと、
長方形のパターン化されたスタックインプリントテンプレートとして第３のテンプレートの基板を形成するために、前記第１のテンプレートをインプリントおよび転写し、前記第２のテンプレートをクロスインプリントするステップとを備える、方法。
【請求項２】
長方形のデータアイランド、長方形のビットおよび他の長方形構造を含む長方形のパターン化されたスタック構造を作成するステップをさらに備え、前記クロスインプリントされた周方向および径方向格子は、長方形構造を作成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１、第２および第３のテンプレートは、石英およびシリコン（Ｓｉ）を含む材料を有する基板を使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
クロム（Ｃｒ）層を有する基板を使用するステップをさらに備え、Ｃｒの堆積は、前記第３のテンプレートの〜５ｎｍの厚みを含む厚みを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ドライブにおいてトラックを径方向に位置付けて追従するために、前記第１のテンプレートの周方向格子トラック構造の径方向位置およびサーボパターンを含む前記位置合わせパターンの径方向位置を決定するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
データアイランドおよびビットを含む長方形構造への書込みおよび／または読取りを同期させるためのタイミングを設定するためにドライブにおいて使用されるパターンフィールドの場所を決定するために、前記第２のテンプレートの径方向格子ダウントラック位置を決定するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第３のテンプレートの基板に転写されたサーボパターンを含む位置合わせパターンの上に保護オーバーレイマスクを形成するために、第１のテンプルサーボパターンを覆うフォトレジストを位置合わせし、露光し、現像するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のテンプレートを位置合わせするステップをさらに備え、インプリント角度位置合わせは１度未満であり、長方形のデータパターンと位相が合うようにする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１のテンプレートの基板上に堆積されたクロム（Ｃｒ）層に第１のテンプレートのパターンを転写する前に、前記第１のテンプレートのパターンのトーン反転プロセスを使用するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第２のテンプレートの基板上に堆積されたクロム（Ｃｒ）層に第２のテンプレートのパターンを転写する前に、前記第２のテンプレートのパターンのトーン反転プロセスを使用するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
第１のテンプレートにおける周方向格子トラック構造および位置合わせパターンの位置を決定するように構成された分析器と、
第２のテンプレートにおける径方向格子構造および点在パターンフィールドの位置を決定するように構成された位相装置とを備える装置であって、前記第１のテンプレートは、長方形のパターン化されたスタックインプリントテンプレートとして第３のテンプレートの基板を形成するために、転写され、前記第２のテンプレートの構造およびパターンをクロスインプリントされる、装置。
【請求項１２】
長方形のデータアイランド、長方形のビットおよび他の長方形構造を含む長方形のパターン化されたスタック構造をさらに備え、前記インプリントされた周方向格子およびクロスインプリントされた径方向格子は、長方形構造を作成する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
周方向格子トラック構造およびサーボパターンを第１のテンプレート基板にエッチングし、径方向格子構造およびパターンフィールドを第２のテンプレート基板にエッチングするように構成されたエッチング装置をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
一体型の長方形構造への書込みおよび／または読取りを同期させるためのタイミングを設定するために前記第２のテンプレートの前記径方向格子ダウントラック位置およびパターンフィールドの場所を決定するように構成された装置をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２のテンプレートのクロスインプリントを位置合わせするように構成された装置をさらに備え、インプリント角度位置合わせは１度未満であり、長方形のパターンと位相が合うようにする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
転写された第１のテンプレートのパターンおよび第２のテンプレートのパターンを含むように構成された一体型の長方形のパターン化されたスタックインプリントテンプレートを備える装置であって、前記第１のテンプレートのパターンは、一体型の周方向格子および位置合わせパターンを含み、前記第２のテンプレートのパターンは、前記第１のテンプレートのパターン上に重ね合わせられた、クロスインプリントされた一体型の径方向格子および点在パターンを含む、装置。
【請求項１７】
前記一体型の長方形のインプリントテンプレートを形成するために、第１のテンプレートのパターンおよび第２のテンプレートのパターンを第３のテンプレートの基板にインプリントし、転写するように構成された装置をさらに備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
第２のテンプレートのパターンを第３のテンプレートの基板に転写するステップは、第２のテンプレート構造の転写中に位置合わせパターン領域を保護するために、サーボパターンを含む第１のテンプレートの位置合わせパターンの上にオーバーレイマスクを位置合わせし、露光し、現像するステップを含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記一体型の周方向格子およびクロスインプリントされた一体型の径方向格子は、長方形のデータアイランド、長方形のビットおよび他の長方形構造を含む長方形構造を作成するように構成される、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記第１のテンプレートのパターンおよび第２のテンプレートのパターンは、長方形のパターンと位相が合った前記パターンの１度未満のインプリント角度位置合わせを達成するために、インプリントおよびクロスインプリント中に位置合わせされるように構成され、前記パターンは、点在位相ロックループパターンである、請求項１６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００１】
一般的概要：
例えば長方形のＢＰＭを作製するための方法に関する以下の説明は例示を目的としてなされており、基本的なシステムは、いかなる数の長方形の磁気ビットパターンにも適用可能であり、複数のタイプの長方形の磁気ビットパターンに適用可能である、ということに注目すべきである。本発明の一実施例では、長方形のＢＰＭを作製するための方法は、石英およびシリコンを含む基板材料を使用して構成され得る。長方形のＢＰＭを作製するための方法は、複数のタイプの点在位相ロックループ（interspersed Phase-Locked-Loop：ｉＰＬＬ）パターンを含むように構成され得て、実施例を使用して複数のタイプのサーボパターンを含むように構成され得る。
【０００２】
点在位相ロックループ（ｉＰＬＬ）パターンフィールドは、データフィールドに一体化されて、位相が入力信号の位相に関連付けられる出力信号を生成する位相ロックループ（ＰＬＬ）制御システムのために読取られる信号を生成する。ｉＰＬＬ磁気パターン化構造は、入力信号を作成するためにパターンに書込まれる信号を含む。入力信号は、ビットを含むデータフィールド構造への読取りおよび書込みのためのダウントラックタイミングを確認するために使用される。それは、ビットの配列の中にヘッドを正確に位置決めする。サーボは、グレーコードおよび他のサーボ位置合わせ情報を確認するためにＰＬＬについて読取られる単一のトーン信号を有する。
【０００３】
物理的パターンは、ＰＬＬではなく、ＰＬＬが分析する別々の入力信号の群を提供する。ＰＬＬ制御システムは、ビット信号と同期する入力信号を選択し、当該ｉＰＬＬパターン信号パターン位置を選択して、ダウントラック配列におけるビットにアクセスする。
【０００４】
ｉＰＬＬパターン構造は、一連のタイミングマークを提供するように機能する。ｉＰＬＬパターンは、同一のパターン化プロセスを使用してデータ構造と同時に作成されるので、長方形のビットと精密に位置合わせされる。別個のプロセスにおいて別個のインデックスおよびタイミングマークを作成する他の方法は、それらの一体型ではない別個のインデックスおよびタイミングマークを作成するためのディスクの複数回のインストールによって引起される位置合わせ不良により、精度を享受することがない。
【０００５】
以下の説明では、添付の図面を参照する。添付の図面は、本明細書の一部を構成し、添付の図面には、本発明を実施することができる具体的な例が例証として示されている。実施例の範囲から逸脱することなく他の実施例を利用することができ、構造的変更を行うことができる、ということが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】一実施例の長方形のＢＰＭを作製するための方法の概要のブロック図を示す。
【図２Ａ】一実施例の第１のテンプレートを作製するための方法の概略フローチャートのブロック図を示す。
【図２Ｂ】一実施例の第２のテンプレートを作製するための方法の概略フローチャートのブロック図を示す。
【図２Ｃ】一実施例の第３のテンプレートを作製するための方法の概略フローチャートのブロック図を示す。
【図３Ａ】一実施例の第１のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。
【図３Ｂ】一実施例の第１のテンプレートのパターンを決定する一例を、単に例示を目的として示す。
【図４】一実施例の第１のテンプレートのパターンを第３のテンプレートにインプリントする一例を、単に例示を目的として示す。
【図５Ａ】一実施例のインプリントされた第１のテンプレートのパターンを有する第３のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。
【図５Ｂ】一実施例のサーボマスクの一例を、単に例示を目的として示す。
【図５Ｃ】一実施例の周方向格子ガイドパターン密度の一例を、単に例示を目的として示す。
【図５Ｄ】一実施例の第２のレジスト堆積物を有する第３のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。
【図６Ａ】一実施例の周方向ガイドパターンの第１の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。
【図６Ｂ】一実施例の周方向ガイドパターンの第２の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。
【図６Ｃ】一実施例の第１のテンプレートの第３のテンプレート斜視図にエッチングされた第１のテンプレートのパターンの一例を、単に例示を目的として示す。
【図７Ａ】一実施例の第２のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。
【図７Ｂ】一実施例の第２のテンプレートのパターンを決定する一例を、単に例示を目的として示す。
【図８Ａ】一実施例の第２のテンプレートのパターンをインプリントされた第３のテンプレートのレジストの一例を、単に例示を目的として示す。
【図８Ｂ】一実施例の第３のＣｒ層にエッチングされた第１のテンプレートのパターンの一例を、単に例示を目的として示す。
【図８Ｃ】一実施例のｉＰＬＬマスクの一例を、単に例示を目的として示す。
【図９Ａ】一実施例の径方向ガイドパターンの第１の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。
【図９Ｂ】一実施例の径方向ガイドパターンの第２の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。
【図９Ｃ】一実施例の第３のテンプレートにエッチングされた第２のテンプレートのパターンの一例を、単に例示を目的として示す。
【図９Ｄ】一実施例のクロスインプリントされた長方形のパターン化されたインプリントテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。
【図９Ｅ】一実施例のクロスインプリントされた長方形のパターン化されたインプリントテンプレートを使用してインプリントされたスタックの一例を、単に例示を目的として示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図面に示される図において、線は長方形であるように示されているが、実際にはトラックを規定する水平な線は、ディスクの中心と同心の円形の輪または螺旋であり、垂直な線は、異なるデータゾーンを形成する記録バンドまたはバンドのサブセクションの幅全体にわたって延在する回転アクチュエータ上のヘッドの読み書き素子の経路と一致するように径方向の弓形または弧であり得る。
【０００８】
図１は、一実施例の長方形のＢＰＭを作製するための方法の概要のブロック図を示す。図１は、長方形のビットパターン化媒体（bit-patterned-media：ＢＰＭ）を作製する（１００）ために利用されるプロセスを示している。長方形のビットパターン化媒体は、長方形のデータアイランド、長方形のビットおよび他の長方形構造を含む長方形のパターンを含む。長方形のビットパターン化媒体（ＢＰＭ）は、ブロック共重合体（block co-polymer：ＢＣＰ）の誘導自己組織化（directed self-assembly：ＤＳＡ）を使用して、六角形に配置されたＢＰＭの上に構造を有する。なぜなら、それがより高いビットアスペクト比（bit-aspect ratio：ＢＡＲ）および任意のスキュー角を可能にするからである。長方形のＢＰＭは、周方向格子からなる１つのテンプレートと、径方向格子からなる別のテンプレートとをクロスインプリントすることによって実現可能である。
【０００９】
長方形のビットパターン化媒体（ＢＰＭ）を作製する（１００）ための方法は、一体型の周方向格子およびサーボパターンを有する第１のテンプレートを作製すること（１１０）を含む。第１のテンプレートは、長方形のビットおよびサーボパターンを両方とも位置合わせして、クロストラクトおよびダウントラック位置決めを一体化する。長方形のビットパターン化媒体（ＢＰＭ）を作製する（１００）ための方法は、一体型の径方向格子および点在位相ロックループ（ｉＰＬＬ）パターンを有する第２のテンプレートを作製すること（１２０）を含む。第２のテンプレートは、長方形のビットおよびｉＰＬＬパターンを両方とも位置合わせして、一実施例のクロストラクトおよびダウントラック位置決めを一体化する。
【００１０】
当該プロセスは、第１のテンプレートのパターンを第３のテンプレートの基板にインプリントすること（１３０）を含む。第１のテンプレートのパターンのインプリントに続いて、インプリントされたサーボパターンを保護するために、オーバーレイマスクを使用して、第２のテンプレートのパターンを第３のテンプレートの基板にクロスインプリントする（１４０）。両方のインプリント動作により、第１および第２のテンプレートのパターンを第３のテンプレートの基板にエッチングして、より高いビットアスペクト比（ＢＡＲ）および任意のスキュー角を有する長方形のビットパターン化媒体（ＢＰＭ）インプリントテンプレートを作成する（１５０）ことになる。長方形のビットパターン化媒体（ＢＰＭ）インプリントテンプレートは、一実施例のＢＰＭスタックをインプリントするために使用される。
【００１１】
詳細な説明：
図２Ａは、一実施例の第１のテンプレートを作製するための方法の概略フローチャートのブロック図を示す。図２Ａは、一体型の周方向格子およびサーボパターンを有する第１のテンプレートを作製する（１１０）ためのプロセスを示している。一体型の周方向格子およびサーボパターンを有する第１のテンプレートを作製する（１１０）。第１のテンプレートにおける周方向格子トラック構造および位置合わせパターンの位置を決定するように構成された分析器を使用する（２００）。Ｃｒ層を堆積させた第３の基板上にサーボパターンとデータトラックの規定のためのガイドパターンとを同時に設ける（２１０）。
【００１２】
クロム（Ｃｒ）層は、〜５ｎｍの厚みを含む厚みを有するＣｒの堆積物を含むように構成される。電子ビーム書込装置を使用するなどして、パターンを第１のテンプレートの基板にエッチングする（２２０）。Ｃｒ層を堆積させた第３のテンプレートの基板上の第１のレジスト層に第１のテンプレートのパターンを転写する（２２５）。さまざまな高密度化技術に適応させるためにサーボフィールドおよびデータフィールドを別々に処理する（２３０）。他の処理中の保護のためにサーボパターンをマスキングする（２３５）。ブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）を適用する（２４０）。データ領域においてラメラ構造およびラインダブリングをパターニングする（２４５）。
【００１３】
一体化プロセスは、周方向トラックの径方向位置を決定し、サーボパターンの位置を決定するために使用され、これは、トラックを径方向に位置付けて、ディスクがドライブに入るとトラックを追従するようにするために使用されることになる。一体化プロセスは、表面のＴＰＩプロファイルをカスタマイズすることを含む。表面のＴＰＩプロファイルのカスタマイズは、さまざまな範囲のＴＰＩ特性（読取装置および／または書込装置の幅）を有するヘッドに適応させるために使用される。第１および第２のテンプレートの使用は、テンプレート内容を分割するためであり、ＴＰＩおよびＢＰＩを互いに独立して選択する。
【００１４】
第１のテンプレートを作製するためのプロセスは、第１の基板上にサーボパターンとデータトラックの規定のためのガイドパターンとを同時に設けることを含む。第１の基板は、石英、シリコン（Ｓｉ）および他の材料を含む材料の使用を含むように構成される。パターンを設けるプロセスは、電子ビーム書込装置の使用を含むエッチングを含む。２つの領域においてさまざまな高密度化技術に適応させるためにサーボフィールドおよびデータフィールドを別々に処理することにより、さまざまなＢＰＭスタック製品のためのパターンがカスタマイズされる。
【００１５】
サーボパターンおよびガイドパターンが設けられると、プロセスは、ブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）、複数回のパターニングおよび他のプロセスを含むリソグラフィプロセスに進む。リソグラフィプロセスは、例えばブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）を適用することを含む。ＢＣＰのＤＳＡは、データ領域においてラメラ構造およびラインダブリングをパターニングするために使用される。サーボパターンのパターニングは、電子ビーム直接書込みと、ブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）、複数回のパターニングおよび他のプロセスを含むリソグラフィプロセスとを含む。リソグラフィプロセスは、例えばサーボフィールドに球形構造を形成するためにブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）を含む。ＢＣＰのＤＳＡリソグラフィの完了に続いて、第３の基板上のクロム（Ｃｒ）層に第１のテンプレートのパターンを転写する。最終的なＢＰＭスタック製品のために第１のテンプレートを構成することは、一実施例のパターン転写の前にトーン反転を実行することを含んでいてもよい。
【００１６】
別の実施例では、第１のテンプレート、すなわちサーボフィールドを含むテンプレートが二段階プロセスにおいて生成され、当該二段階プロセスでは、データトラックの規定のためにガイドパターンが設けられるのと同時に、例えば電子ビーム書込装置によって、サーボ情報に関連付けられた複雑なパターンが設けられる。その後、２つの領域におけるさまざまな高密度化技術、例えば一実施例のデータ領域におけるラメラ構造およびラインダブリングのＤＳＡ、ならびにサーボフィールドにおける球形構造のＤＳＡに適応させるために、サーボフィールドおよびデータフィールドは別々に処理され得る。続きのプロセスは、図２Ｂに示されている。
【００１７】
図２Ｂは、一実施例の第２のテンプレートを作製するための方法の概略フローチャートのブロック図を示す。図２Ｂは、図２Ａから続く処理を示している。処理は、サーボマスクを除去すること（２５０）に進む。基板上に堆積された第３のテンプレートのＣｒ層にパターンをエッチングする（２５２）。一体型の径方向格子および点在位相ロックループ（ｉＰＬＬ）パターンを有する第２のテンプレートを作製する（１２０）。第２のテンプレートにおける径方向格子構造および点在位相ロックループ（ｉＰＬＬ）パターンの位置を決定するように構成された位相装置を使用する（２５４）。第３の基板上にｉＰＬＬパターンとデータトラックの規定のための径方向ガイドパターンとを同時に設ける（２６０）。電子ビーム書込装置を使用するなどしてパターンを第２のテンプレートの基板にエッチングする（２６２）。クロスインプリントプロセスにおいて、第３のテンプレート上に堆積された第２のレジスト層に第２のテンプレートのパターンを転写する（２６４）。
【００１８】
第２のテンプレート作製のための一体化プロセスは、さまざまな目的でデータレートおよびデータゾーニングをカスタマイズすることを含む。当該さまざまな目的は、表面当たり異なるデータ容量を有するディスクを生成すること、および、さまざまな範囲の線密度特性を有するヘッドに適応させることを含む。エッチングされた低密度ラメラ構造ガイドパターンは、径方向格子を作成するために使用される。
【００１９】
作製は、電子ビーム直接書込動作を含む電子ビームガイドパターンのエッチングを含む、一体型の径方向格子を含む各格子を作製することを含む。ガイドパターンは、ブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）、複数回のパターニングおよび他のプロセスを含むリソグラフィプロセスにおいて使用される。リソグラフィプロセスは、例えばブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）を適用することを含む。ラメラ誘導自己組織化（ＤＳＡ）をダブルパターニングに適用することを含むリソグラフィプロセスが使用される。ｉＰＬＬパターンの作製は、電子ビーム直接書込みを含む電子ビームパターニングおよびＤＳＡを含む乗法性パターニングを使用することを含む。
【００２０】
最終的なＢＰＭスタック製品のために第１のテンプレートおよび第２のテンプレートを構成することは、一実施例のパターン転写の前にトーン反転を実行することを含んでいてもよい。続きのプロセスは、図２Ｃに示されている。
【００２１】
図２Ｃは、一実施例の第３のテンプレートを作製するための方法の概略フローチャートのブロック図を示す。図２Ｃは、図２Ｂからの続きを示しており、ｉＰＬＬパターンをマスキングする（２７０）ためのプロセスを有する。続いて、径方向ガイドパターンライン上で高密度化リソグラフィを処理する（２７２）。ブロック共重合体（ＢＣＰ）の誘導自己組織化（ＤＳＡ）を適用する（２７４）。データ領域においてラメラ構造およびラインダブリングをパターニングする（２７６）。ｉＰＬＬマスクを除去し（２８０）、周波数ダブリングされた第１のテンプレートの周方向パターン、サーボパターン、周波数ダブリングされた第２のテンプレートの径方向パターンおよびｉＰＬＬパターンを第３のテンプレートの基板にエッチングする（２８２）。パターン転写プロセスに続いて、フォトレジストおよびインプリントレジスト材料を取除く。レジストおよびＣｒ層を除去し（２８４）、続いて、スタックを作製するために使用されるインプリントテンプレートにおいて、クロスインプリントされた長方形のデータ構造、長方形のｉＰＬＬ構造およびサーボ構造を露出させる（２９０）。
【００２２】
図３Ａは、一実施例の第１のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。図３Ａは、第１のテンプレート３００を示している。第１のテンプレート３００は、第１のテンプレートのサーボパターン３２０と、周方向ラメララインガイドパターン３１０とを含む。第１のテンプレートは、電子ビーム書込み（e-beam write：ＥＢＷ）を使用して基板にエッチングされる。周方向ラメララインガイドパターン３１０は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスにおいて使用される。低密度ラメラ構造ガイドパターンを追従するリソグラフィＢＣＰ  ＤＳＡラメララインダブリングプロセスが、さらなる一体型の周方向格子を作成するために使用される。周方向ＤＳＡガイドおよび完全なサーボパターンは、ＥＢＷによって規定される（３０５）。周方向ラメララインガイドパターン３１０の密度には、４倍最終ピッチの格子ピッチ３２５が使用される。当該パターンは、図３Ｂの詳細３Ａ（３３０）に明確に示されている。
【００２３】
図３Ｂは、一実施例の第１のテンプレートのパターンを決定する一例を、単に例示を目的として示す。図３Ｂは、第１のテンプレートのサーボパターン３２０と、周方向ラメララインガイドパターン３１０とを含む詳細３Ａ（３３０）を示している。当該プロセスは、一実施例の第１のテンプレートにおける周方向格子トラック構造および位置合わせパターンの位置を決定するように構成された分析器を使用している（３４０）。
【００２４】
図４は、一実施例の第１のテンプレートのパターンを第３のテンプレートにインプリントする一例を、単に例示を目的として示す。図４は、インプリントプロセスの一部として、逆さまにされた第１のテンプレート４００と、逆さまにされたサーボパターン４１０と、逆さまにされた周方向ガイドラインパターン４１５とを示している。インプリントプロセスは、逆さまにされた第１のテンプレートを第３のテンプレートの第１のレジスト層まで下げて、周方向ガイドラインおよびサーボパターンをインプリントする（４５０）ためのプロセスを含む。
【００２５】
インプリントは、第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層４３０と、第３のテンプレートの第１のレジスト層４４０とを含む第３のテンプレートの基板４２０上でなされる。テンプレートの基板は、石英、シリコン（Ｓｉ）および他の材料を含む材料の使用を含むように構成される。第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層は、〜５ｎｍの厚みを含む厚みを有するＣｒの堆積物を含むように構成される。インプリントされた第３のテンプレート４４５は、一実施例のリソグラフィを使用して処理される。
【００２６】
図５Ａは、一実施例のインプリントされた第１のテンプレートのパターンを有する第３のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。図５Ａは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層４３０と、インプリントされたサーボパターン５３０と、インプリントされた周方向ガイドラインパターン５４０とを示している。図５Ｂは、一実施例のサーボマスクの一例を、単に例示を目的として示す。図５Ｂは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層４３０とを示している。第３のテンプレート４４５は、インプリントされた周方向ガイドラインパターン５４０を含む。他の処理中の損傷を防止するために、サーボパターン上にサーボマスク５５０が堆積される。オーバーレイマスク保護プロセスは、サーボパターンを保護するために第３の基板上にオーバーレイマスクをリソグラフィ処理することを含む。保護されたサーボ領域にはパターンは転写されない。オーバーレイマスク保護プロセスは、一実施例の第３の基板上のインプリントされたＣｒ層上にフォトレジスト層をスピンコーティングすることを含む。サーボ領域を覆うフォトレジストを位置合わせし、露光し、現像するために、ある装置が使用される。レジスト層は、例えば紫外線を含む光硬化プロセスにさらされる。サーボ領域を覆うフォトレジストの部分が硬化される。硬化されると、サーボ領域を覆っていないフォトレジストの残りの部分が除去される。フォトレジストの残りの硬化部分は、一実施例の後続の処理において、パターン化された第３のＣｒ層の一体型のサーボパターン領域を保護するように構成されたオーバーレイマスクを形成する。
【００２７】
図５Ｃは、一実施例の周方向格子ガイドパターン密度の一例を、単に例示を目的として示す。図５Ｃは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層４３０とを示している。インプリントされた周方向ガイドラインパターン５４０のピッチを示すために、インプリントされた周方向ガイドラインパターン５４０およびサーボマスク５５０が端部側から示されている。
【００２８】
図５Ｄは、一実施例の第２のレジスト堆積物を有する第３のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。図５Ｄは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層４３０とを示している。インプリントされた構造の上に堆積された第３のテンプレートの第２のレジスト層５６０が示されている。
【００２９】
図６Ａは、一実施例の周方向ガイドパターンの第１の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。図６Ａは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層４３０とを示している。ラメラＢＣＰの誘導自己組織化による第１の周波数ダブリング（６００）中にサーボパターンを保護するサーボマスク５５０が見られる。ラメラＢＣＰの誘導自己組織化による第１の周波数ダブリング（６００）は、３倍最終ピッチに減少させたラインピッチ６１０を、周方向ガイドラインの４倍最終ピッチのインプリントされた格子ピッチ３２５に基づいて変更するために使用される。
【００３０】
図６Ｂは、一実施例の周方向ガイドパターンの第２の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。図６Ｂは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、第３のテンプレートのクロム（Ｃｒ）層４３０とを示している。サーボマスク５５０が見られる。ＡＬＤ堆積および方向性ＲＩＥによるダブルパターニングによる第２の周波数ダブリング（６２０）は、図６Ａの３倍最終ピッチに減少させたラインピッチ６１０を１倍最終ピッチのラインピッチ６３０に変更した。
【００３１】
図６Ｃは、一実施例の第１のテンプレートの第３のテンプレート斜視図にエッチングされた第１のテンプレートのパターンの一例を、単に例示を目的として示す。図６Ｃは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、第３のテンプレートのＣｒ層にエッチングされたサーボパターン６４０とを示している。また、第３のテンプレートの基板にエッチングされた、処理された周方向ライン６５０が、ラインピッチが１倍最終ピッチである（６３０）ことを示さないラインピッチで示されている。これは、図６Ｃを明確に視覚化するためであり、図６Ｂに示されているピッチでは、詳細がほとんどない固体塊のように見えるであろう。
【００３２】
インプリントは、Ｃｒ層を有する第３の基板上に堆積されたレジスト層をパターニングするために使用される。パターン化されたレジスト層が硬化されると、第３の基板上のクロム（Ｃｒ）層に第１のテンプレートのパターンを転写し、それに続いてインプリントされたレジスト材料を除去するためのプロセスが使用される。エッチングプロセスは、一実施例の基板上に堆積された第３のテンプレートのＣｒ層に、処理された第１のテンプレートの周方向パターンおよびインプリントされたサーボパターンをエッチングする（６６０）ために使用される。
【００３３】
図７Ａは、一実施例の第２のテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。図７Ａは、第２のテンプレート７００を示している。第２のテンプレート７００は、ｉＰＬＬパターン７１０と、径方向ラメララインガイドパターン７３０とを含む。ＥＢＷによって規定される径方向ＤＳＡガイドおよびｉＰＬＬパターン７２０は、４倍最終ピッチの格子ピッチ７４０を含む。パターンにおける構造の詳細は、詳細７Ａ（７５０）に示されている。
【００３４】
図７Ｂは、一実施例の第２のテンプレートのパターンを決定する一例を、単に例示を目的として示す。図７Ｂは、詳細７Ａ（７５０）を示している。第２のテンプレート７００、ｉＰＬＬパターン７１０および径方向ラメララインガイドパターン７３０を明らかに見ることができる。第２のテンプレート７００の作製処理は、一実施例の第２のテンプレートにおける径方向格子構造および点在パターンフィールドの位置を決定するように構成された位相装置を使用している（７６０）。
【００３５】
図８Ａは、一実施例の第２のテンプレートのパターンをインプリントされた第３のテンプレートのレジストの一例を、単に例示を目的として示す。図８Ａは、第１のテンプレートのパターンをエッチングされたＣｒ層８０５のエッチングされた構造の上に堆積された第３のテンプレートの第３のレジスト層８００を含む第３のテンプレート４４５を示している。第２のテンプレート７００は、第３のテンプレートの第３のレジスト層８００をインプリントするために逆さまにされている。インプリントプロセスは、第２のテンプレートを使用して第３の基板上に第２のレジスト層をクロスインプリントするように構成される。
【００３６】
装置およびプロセスは、両方のテンプレートのテンプレート構造の位置合わせを一体化するために使用されるように構成される。当該装置およびプロセスは、トラック（第１のテンプレート）の径方向位置を決定するために使用され、サーボパターンも決定し、これは、トラックを径方向に位置付けて、ディスクがドライブに入るとトラックを追従するようにするために使用されることになる。当該装置およびプロセスは、第２のテンプレートのダウントラック位置を決定するために使用され、ｉＰＬＬフィールドの位置も決定し、これは、データアイランドおよびビットを含む長方形構造への書込みおよび／または読取りを同期させるためのタイミングを設定するためにドライブにおいて使用されることになる。
【００３７】
インプリントプロセスは、第２のテンプレートを位置合わせするように構成され、インプリント角度位置合わせは１度未満であり、ｉＰＬＬを長方形のデータパターンと位相が合うようにする。クロスインプリントされたレジストは硬化され、第３の基板上の第３のＣｒ層に第２のテンプレートのパターンを転写し、それに続いてクロスインプリントされたレジスト材料を除去するためのプロセスが使用される。
【００３８】
図８Ｂは、一実施例の第３のＣｒ層にエッチングされた第１のテンプレートのパターンの一例を、単に例示を目的として示す。図８Ｂは、第３のテンプレート４４５と、エッチングされたＣｒ層８０５とを示している。インプリントされた径方向ガイドラインパターン８１４およびインプリントされたｉＰＬＬパターン８１６も示されている。さらなる一体型の径方向格子を作成するために、ＢＣＰ  ＤＳＡラメララインダブリングプロセスが使用される。
【００３９】
図８Ｃは、一実施例のｉＰＬＬマスクの一例を、単に例示を目的として示す。図８Ｃは、第３のテンプレート４４５と、エッチングされたＣｒ層８０５とを示している。ｉＰＬＬパターンインプリントの上に堆積されたｉＰＬＬパターンマスク８２０が示されている。ｉＰＬＬパターンマスク８２０は、他の処理中の損傷を防止する。さらなる処理に備えて未保護のインプリントされた径方向ガイドラインパターン８１４が示されている。オーバーレイマスクは、ｉＰＬＬパターンマスク８２０を覆うフォトレジスト層のセクションを硬化させることによって作成される。その後、ｉＰＬＬパターンマスク８２０を覆っていない未露出の現像されたフォトレジスト材料を除去するためのプロセスが使用される。
【００４０】
図９Ａは、一実施例の径方向ガイドパターンの第１の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。図９Ａは、第３のテンプレート４４５と、ｉＰＬＬパターンマスク８２０とを示している。ラメラＢＣＰの誘導自己組織化による第１の周波数ダブリング（６００）は、図７Ａの４倍最終ピッチの格子ピッチ７４０を変更するために使用される。ラメラＢＣＰの誘導自己組織化による第１の周波数ダブリング（６００）は、第１の周波数ダブル密度径方向ライン９１０に見られるように、３倍最終ピッチに減少させたラインピッチ６１０を生成する。
【００４１】
図９Ｂは、一実施例の径方向ガイドパターンの第２の周波数ダブリングの一例を、単に例示を目的として示す。図９Ｂは、第３のテンプレート４４５と、ｉＰＬＬパターンマスク８２０とを示している。乗法性周波数ダブリングは、原子層堆積（atomic layer deposition：ＡＬＤ）および反応性イオンエッチング（reactive-ion etching：ＲＩＥ）を含むプロセスを含む。ＡＬＤ堆積および方向性ＲＩＥによるダブルパターニングによる第２の周波数ダブリング６２０が行われる。第２の周波数ダブリングは、径方向ラインの密度を１倍最終ピッチのラインピッチ６３０に変更し、一実施例の第２の周波数ダブル密度径方向ライン９２０を生成する。
【００４２】
図９Ｃは、一実施例の第３のテンプレートにエッチングされた第２のテンプレートのパターンの一例を、単に例示を目的として示す。図９Ｃは、第３のテンプレート４４５と、第３のテンプレートの基板４２０と、サーボマスク５５０とを示している。第３のテンプレートの基板６５０にエッチングされた、処理された周方向ラインが、エッチングされたＣｒ層８０５に示されている。残余のインプリントされた径方向ガイドパターンライン８１４は、図５Ｂのサーボマスク５５０を覆うレジストに見ることができる。クロスインプリントされた処理された第２のテンプレートの径方向パターンおよびｉＰＬＬパターンを第３のテンプレートの基板にエッチングする（９４２）ために、エッチングプロセスが使用される。エッチングプロセスは、パターン化されていない一体型のサーボ領域を除外する。
【００４３】
エッチングプロセス後、残余の第３のテンプレートの第４のレジスト層材料を除去し（９４４）、エッチング後に残余の第３のテンプレートのＣｒ層材料を除去する（９４６）ために、別のプロセスが使用される。ｉＰＬＬパターン７１０は、ｉＰｌｌマスクが除去された状態で、明らかに見ることができる。また、第２の周波数ダブル密度径方向ライン９２０が、ラインピッチが１倍最終ピッチである（６３０）ことを示さないラインピッチで示されている。これは、図９Ｃを明確に視覚化するためであり、図９Ｂに示されているピッチでは、詳細がほとんどない固体塊のように見えるであろう。
【００４４】
図９Ｄは、一実施例のクロスインプリントされた長方形のパターン化されたインプリントテンプレートの一例を、単に例示を目的として示す。図９Ｄは、サーボマスクを除去した（９５０）第３のテンプレート４４５を示している。ここで、これは、エッチングされたパターン化されたサーボパターン４４２と、長方形のエッチングされたｉＰＬＬパターン９６０と、長方形のエッチングされたビット９６５が、パターン化された媒体スタックの作製に使用されるインプリントテンプレートを形成することを示している。２つのクロスインプリントテンプレート、第１のテンプレートおよび第２のテンプレートにおけるパターンの一体化は、互いに対するさまざまなパターンの正確な位置合わせをもたらす。一体化された位置合わせは、データの読み違いおよび書き間違いを防止する。
【００４５】
図９Ｅは、一実施例のクロスインプリントされた長方形のパターン化されたインプリントテンプレートを使用してインプリントされたスタックの一例を、単に例示を目的として示す。図９Ｅは、一体型のサーボパターン９７０をインプリントされたスタック媒体と、一体型のｉＰＬＬパターン９７２をインプリントされたスタック媒体とを示している。長方形のデータビット９８０をインプリントされたスタック媒体は、一体型のサーボ、ｉＰＬＬおよびデータ構造９９０を有するインプリントされたスタックを提供し、スタック媒体の機能の精度を提供する。第３の基板に転写された第１のテンプレートおよび第２のテンプレートのパターンは、より高いビットアスペクト比（ＢＡＲ）および任意のスキュー角を有する長方形のビットパターン化媒体（ＢＰＭ）インプリントテンプレートを作成するために使用される。
【００４６】
上記では、本発明の原理、実施例および動作モードについて説明した。しかし、本発明は、記載されている特定の実施例に限定されるものとして解釈されるべきではない。上記の実施例は、限定的ではなく例示的であるようみなされるべきであり、以下の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく当業者によってそれらの実施例において変更がなされ得るということが理解されるべきである。
【００４７】
本発明は、以下の実施例を含む。
１．方法であって、
第１のインプリントテンプレートを使用して第１のレジストにサーボパターンおよび周方向格子を形成するステップと、
上記サーボパターンおよび周方向格子を下部のマスクに転写するステップと、
第２のインプリントテンプレートを使用して第２のレジストに径方向格子の第１の組および径方向格子の第２の組を形成するステップとを備え、
上記径方向格子の第１の組は、上記径方向格子の第２の組よりも大きなピッチを有し、上記方法はさらに、
上記径方向格子の第１および第２の組を上記下部のマスクに転写するステップを備える、方法。
【００４８】
２．上記周方向格子および上記径方向格子の第１の組を上記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を上記下部のマスクに形成する、一局面に記載の方法。
【００４９】
３．上記周方向格子および上記径方向格子の第２の組を上記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体におけるデータフィールドに対応する長方形構造の第２の組を上記下部のマスクに形成する、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５０】
４．ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、上記長方形構造の第１の組および上記サーボパターンを下部の基板に転写するステップをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５１】
５．上記径方向格子の第１および第２の組を上記下部のマスクに転写する前に、上記下部のマスクにおける上記サーボパターンの上にサーボマスクを形成するステップをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５２】
６．上記径方向格子の第１の組を上記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を上記周方向格子から形成する、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５３】
７．上記径方向格子の第２の組を上記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体におけるデータフィールドに対応する長方形構造の第２の組を上記周方向格子から形成する、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５４】
８．上記サーボマスクを除去するステップと、
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、上記サーボパターンおよび上記径方向格子の第１の組を下部の基板に転写するステップとをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５５】
９．方法であって、
第１のインプリントテンプレートを用いて第１のレジストにサーボパターンおよび周方向格子をインプリントするステップと、
上記サーボパターンおよび周方向格子を下部のクロムマスクにエッチングするステップと、
第２のインプリントテンプレートを用いて第２のレジストに径方向格子の第１の組および径方向格子の第２の組をインプリントするステップとを備え、
上記径方向格子の第１の組は、上記径方向格子の第２の組よりも大きなピッチを有し、上記方法はさらに、
上記径方向格子の第１および第２の組を上記下部のクロムマスクにエッチングするステップを備える、方法。
【００５６】
１０．上記サーボパターンおよび周方向格子を上記下部のクロムマスクにエッチングする前にトーン反転プロセスを使用するステップをさらに備える、別の局面に記載の方法。
【００５７】
１１．上記周方向格子および上記径方向格子の第１の組を上記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を上記下部のクロムマスクに形成する、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５８】
１２．ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、石英またはシリコンを含む下部の基板に上記長方形構造の第１の組および上記サーボパターンをエッチングするステップをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００５９】
１３．上記径方向格子の第１および第２の組を上記下部のクロムマスクにエッチングする前に、上記下部のクロムマスクにおける上記サーボパターンの上にフォトレジストベースのサーボマスクを形成するステップをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００６０】
１４．上記径方向格子の第１および第２の組を上記下部のクロムマスクにエッチングする前にトーン反転プロセスを使用するステップをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００６１】
１５．上記径方向格子の第１の組を上記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を上記周方向格子から形成する、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００６２】
１６．上記サーボマスクを除去するステップと、
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、石英またはシリコンを含む下部の基板に上記サーボパターンおよび上記径方向格子の第１の組をエッチングするステップとをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００６３】
１７．方法であって、
第１のインプリントテンプレートを用いて第１のレジストにサーボパターンおよび周方向格子をインプリントするステップと、
任意にトーン反転プロセス後に、上記サーボパターンおよび周方向格子を下部のクロムマスクにエッチングするステップと、
第２のインプリントテンプレートを用いて第２のレジストに径方向格子の第１の組および径方向格子の第２の組をインプリントするステップとを備え、
上記径方向格子の第１の組は、上記径方向格子の第２の組よりも大きなピッチを有し、上記方法はさらに、
上記下部のクロムマスクにおける上記サーボパターンの上にフォトレジストベースのサーボマスクを形成するステップと、
任意にトーン反転プロセス後に、上記径方向格子の第１および第２の組を上記下部のクロムマスクにエッチングするステップとを備える、方法。
【００６４】
１８．上記周方向格子および上記径方向格子の第１の組を上記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を上記下部のクロムマスクに形成する、別の局面に記載の方法。
【００６５】
１９．上記径方向格子の第２の組を上記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体におけるデータフィールドに対応する長方形構造の第２の組を上記周方向格子から形成する、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【００６６】
２０．上記サーボマスクを除去するステップと、
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、石英またはシリコンを含む下部の基板に上記サーボパターン、周方向格子および上記径方向格子の第１および第２の組をエッチングするステップとをさらに備える、上記の局面のいずれか１つに記載の方法。
【符号の説明】
【００６７】
３００，４００  第１のテンプレート、４２０  第３のテンプレートの基板、４４５  第３のテンプレート、７００  第２のテンプレート。
【図１】
2015165445.tif 000003
【図２Ａ】
2015165445.tif 000004
【図２Ｂ】
2015165445.tif 000005
【図２Ｃ】
2015165445.tif 000006
【図３Ａ】
2015165445.tif 000007
【図３Ｂ】
2015165445.tif 000008
【図４】
2015165445.tif 000009
【図５Ａ】
2015165445.tif 000010
【図５Ｂ】
2015165445.tif 000011
【図５Ｃ】
2015165445.tif 000012
【図５Ｄ】
2015165445.tif 000013
【図６Ａ】
2015165445.tif 000014
【図６Ｂ】
2015165445.tif 000015
【図６Ｃ】
2015165445.tif 000016
【図７Ａ】
2015165445.tif 000017
【図７Ｂ】
2015165445.tif 000018
【図８Ａ】
2015165445.tif 000019
【図８Ｂ】
2015165445.tif 000020
【図８Ｃ】
2015165445.tif 000021
【図９Ｂ】
2015165445.tif 000022
【図９Ｃ】
2015165445.tif 000023
【図９Ｄ】
2015165445.tif 000024
【図９Ｅ】
2015165445.tif 000025
【図９Ａ】
2015165445.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
第１のインプリントテンプレートを使用して第１のレジストにサーボパターンおよび周方向格子を形成するステップと、
前記サーボパターンおよび周方向格子を下部のマスクに転写するステップと、
第２のインプリントテンプレートを使用して第２のレジストに径方向格子の第１の組および径方向格子の第２の組を形成するステップとを備え、
前記径方向格子の第１の組は、前記径方向格子の第２の組よりも大きなピッチを有し、前記方法はさらに、
前記径方向格子の第１および第２の組を前記下部のマスクに転写するステップを備える、方法。
【請求項２】
前記周方向格子および前記径方向格子の第１の組を前記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を前記下部のマスクに形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記周方向格子および前記径方向格子の第２の組を前記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体におけるデータフィールドに対応する長方形構造の第２の組を前記下部のマスクに形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、前記長方形構造の第１の組および前記サーボパターンを下部の基板に転写するステップをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記径方向格子の第１および第２の組を前記下部のマスクに転写する前に、前記下部のマスクにおける前記サーボパターンの上にサーボマスクを形成するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記径方向格子の第１の組を前記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を前記周方向格子から形成する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記径方向格子の第２の組を前記下部のマスクに転写するステップは、ビットパターン化媒体におけるデータフィールドに対応する長方形構造の第２の組を前記周方向格子から形成する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記サーボマスクを除去するステップと、
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、前記サーボパターンおよび前記径方向格子の第１の組を下部の基板に転写するステップとをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
方法であって、
第１のインプリントテンプレートを用いて第１のレジストにサーボパターンおよび周方向格子をインプリントするステップと、
前記サーボパターンおよび周方向格子を下部のクロムマスクにエッチングするステップと、
第２のインプリントテンプレートを用いて第２のレジストに径方向格子の第１の組および径方向格子の第２の組をインプリントするステップとを備え、
前記径方向格子の第１の組は、前記径方向格子の第２の組よりも大きなピッチを有し、前記方法はさらに、
前記径方向格子の第１および第２の組を前記下部のクロムマスクにエッチングするステップを備える、方法。
【請求項１０】
前記サーボパターンおよび周方向格子を前記下部のクロムマスクにエッチングする前にトーン反転プロセスを使用するステップをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記周方向格子および前記径方向格子の第１の組を前記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を前記下部のクロムマスクに形成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、石英またはシリコンを含む下部の基板に前記長方形構造の第１の組および前記サーボパターンをエッチングするステップをさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記径方向格子の第１および第２の組を前記下部のクロムマスクにエッチングする前に、前記下部のクロムマスクにおける前記サーボパターンの上にフォトレジストベースのサーボマスクを形成するステップをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記径方向格子の第１および第２の組を前記下部のクロムマスクにエッチングする前にトーン反転プロセスを使用するステップをさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記径方向格子の第１の組を前記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を前記周方向格子から形成する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記サーボマスクを除去するステップと、
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、石英またはシリコンを含む下部の基板に前記サーボパターンおよび前記径方向格子の第１の組をエッチングするステップとをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
方法であって、
第１のインプリントテンプレートを用いて第１のレジストにサーボパターンおよび周方向格子をインプリントするステップと、
任意にトーン反転プロセス後に、前記サーボパターンおよび周方向格子を下部のクロムマスクにエッチングするステップと、
第２のインプリントテンプレートを用いて第２のレジストに径方向格子の第１の組および径方向格子の第２の組をインプリントするステップとを備え、
前記径方向格子の第１の組は、前記径方向格子の第２の組よりも大きなピッチを有し、前記方法はさらに、
前記下部のクロムマスクにおける前記サーボパターンの上にフォトレジストベースのサーボマスクを形成するステップと、
任意にトーン反転プロセス後に、前記径方向格子の第１および第２の組を前記下部のクロムマスクにエッチングするステップとを備える、方法。
【請求項１８】
前記周方向格子および前記径方向格子の第１の組を前記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体における点在位相ロックループフィールドに対応する長方形構造の第１の組を前記下部のクロムマスクに形成する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記径方向格子の第２の組を前記下部のクロムマスクにエッチングするステップは、ビットパターン化媒体におけるデータフィールドに対応する長方形構造の第２の組を前記周方向格子から形成する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記サーボマスクを除去するステップと、
ビットパターン化媒体の作製のためのテンプレートを形成するために、石英またはシリコンを含む下部の基板に前記サーボパターン、周方向格子および前記径方向格子の第１および第２の組をエッチングするステップとをさらに備える、請求項１７に記載の方法。
【外国語明細書】
2015165445000001.pdf