(57)【要約】【課題】出射面から出射される光の強度の分布に大きな偏りが生じることが抑制された色変換基板および液晶表示装置を提供する。【解決手段】色変換基板は、主表面を有する透明基板と、複数の蛍光体を含み、主表面に設けられた蛍光体層と、複数の蛍光体に形成された複数の第１反射部４７Ｒとを備え、蛍光体は、透明基板と対向する第１出射面と、第１出射面と対向する第１入射面２０と、第１出射面と第１入射面２０との間に位置する第１周面２２とを含み、第１反射部４７Ｒは、第１周面２２に形成され、第１入射面２０は、平坦面状に形成され、第１周面２２は、第１部位Ｐ１と、第１部位Ｐ１よりも主表面側に位置する第２部位Ｐ２とを含み、第２部位Ｐ２の接線Ｌ２と主表面との交差角度α２は、第１部位Ｐ１の接線Ｌ１と主表面との交差角度α１よりも大きい。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する透明基板と、
複数の蛍光体を含み、前記主表面に設けられた蛍光体層と、
複数の前記蛍光体に形成された複数の第１反射部と
を備え、
前記蛍光体は、前記透明基板と対向する第１出射面と、前記第１出射面と対向する第１入射面と、前記第１出射面と前記第１入射面との間に位置する第１周面とを含み、
前記第１反射部は、前記第１周面に形成され、
前記第１入射面は、平坦面状に形成され、前記第１周面は、第１部位と、前記第１部位よりも前記主表面側に位置する第２部位とを含み、
前記第２部位の接線と前記主表面との交差角度は、前記第１部位の接線と前記主表面との交差角度よりも大きい、色変換基板。
【請求項２】
前記第１周面の断面形状は湾曲面である、請求項１に記載の色変換基板。
【請求項３】
前記蛍光体の厚さを厚さｄとすると、前記第１周面の曲率は、０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下である、請求項２に記載の色変換基板。
【請求項４】
前記第１周面のうち、前記主表面側に位置する端部と前記主表面とのなす角度は、６０度以上８０度以下である、請求項１から請求項３のいずれかに記載の色変換基板。
【請求項５】
前記蛍光体層は、前記蛍光体から間隔をあけて配置された複数の光拡散体と、前記光拡散体に形成された複数の第２反射部とを含み、
前記光拡散体は、前記主表面と対向する第２出射面と、前記第２出射面と対向する第２入射面と、前記第２入射面と前記第２出射面との間に位置する第２周面とを含み、
前記第２反射部は、前記第２周面に形成され、
前記第２入射面は、平坦面状に形成され、前記第２周面は、第３部位と、前記第３部位よりも前記主表面側に位置する第４部位とを含み、
前記第４部位の接線と前記主表面との交差角度は、前記第３部位の接線と前記主表面との交差角度よりも大きい、請求項１から請求項４のいずれかに記載の色変換基板。
【請求項６】
前記蛍光体層と前記透明基板の主表面との間に形成された低屈折率層をさらに備え、
前記低屈折率層の屈折率は前記蛍光体の屈折率より小さい、請求項１から請求項５のいずれかに記載の色変換基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の色変換基板を備えた液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、前記ＴＦＴ基板と間隔をあけて配置され、前記色変換基板を含む対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層とを含み、
前記対向基板は、前記色変換基板よりも前記ＴＦＴ基板側に配置された偏光層と、前記偏光層よりも前記ＴＦＴ基板側に配置された透明導電膜と、前記透明導電膜よりも、前記ＴＦＴ基板側に配置された配向膜とを含む、液晶表示装置。
【請求項８】
前記色変換基板と前記偏光層との間には、平坦化層が形成され、
前記平坦化層のうち、前記偏光層が形成された部分は平坦面とされ、
前記平坦化層の屈折率は、前記蛍光体の屈折率よりも小さい、請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、色変換基板および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から蛍光体基板を備えた画像表示装置について各種提案されている。たとえば、特開２０００−１３１６８３号公報や特開２００３−５１８２号公報に記載された表示装置は、液晶表示素子と、液晶表示素子を背面から照明する光源と、波長変換部とを備える。波長変換部は、液晶表示素子の光出射側の各画素に対応して配置され、光源光を赤色または緑色に変換する一種以上の波長変換用蛍光体を含む。
【０００３】
また、特開２０１０−６６４３７号公報に記載された表示装置は、前面板と、光シャッタと、光源とを備える。前面板は、拡散光を発生する複数の光散乱体と、この光拡散体を覆うように形成された平坦化膜とを含む。
【０００４】
光散乱体は、青色の光を赤色に変換する赤色蛍光体と、青色の光を緑色に変換する緑色蛍光体と、青色のコリメート光を散乱する青色光散乱体とを含む。
【０００５】
そして、赤色蛍光体の下面を開放すると共に、赤色蛍光体の周面を覆うように反射膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１３１６８３号公報
【特許文献２】特開２００３−５１８２号公報
【特許文献３】特開２０１０−６６４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
蛍光体に所定の周波数の光が入射すると、蛍光体が励起して、放射状に光を出射する。この際、特開２０１０−６６４３７号公報に記載された液晶表示装置においては、反射膜は、傾斜面状に形成されている。
【０００８】
蛍光体で発光した光の一部は、反射膜で反射されて出射面に向けて進む。この際、反射面が傾斜面であるため、出射面側の強度分布に偏りが生じる。その結果、観察者が特定の方向からみたときに、画像がうす暗く見えたり、また別の方向からみたときに非常に明るく画像が見えたりする。
【０００９】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、出射面から出射される光の強度の分布に大きな偏りが生じることが抑制された色変換基板および液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る色変換基板は、主表面を有する透明基板と、複数の蛍光体を含み主表面に設けられた蛍光体層と、複数の蛍光体に形成された複数の第１反射部とを備える。上記蛍光体は、透明基板と対向する第１出射面と、第１出射面と対向する第１入射面と、第１出射面と第１入射面との間に位置する第１周面とを含む。上記第１反射部は、第１周面に形成される。上記第１入射面は、平坦面状に形成され、第１周面は、第１部位と、第１部位よりも主表面側に位置する第２部位とを含む。上記第２部位の接線と主表面との交差角度は、第１部位の接線と主表面との交差角度よりも大きい。
【００１１】
好ましくは、上記第１周面の断面形状は湾曲面である。好ましくは、上記蛍光体の厚さを厚さｄとすると、第１周面の曲率は、０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下である。好ましくは、上記第１周面と主表面との接触角度は、６０度以上８０度以下である。好ましくは、上記蛍光体層は、蛍光体から間隔をあけて配置された光拡散体と、光拡散体に形成された第２反射部とを含む。上記光拡散体は、主表面と対向する第２出射面と、第２出射面と対向する第２入射面と、第２入射面と第２出射面との間に位置する第２周面とを含む。上記第２反射部は、第２周面に形成される。上記第２入射面は、平坦面状に形成され、第２周面は、第３部位と、第３部位よりも主表面側に位置する第４部位とを含む。上記第４部位の接線と主表面との交差角度は、第３部位の接線と主表面との交差角度よりも大きい。
【００１２】
好ましくは、上記蛍光体層と透明基板の主表面との間に形成された低屈折率層をさらに備える。上記低屈折率層の屈折率は蛍光体の屈折率より小さい。
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置は、上記色変換基板を備える。液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、ＴＦＴ基板と間隔をあけて配置され、色変換基板を含む対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に配置された液晶層とを含む。上記対向基板は、色変換基板よりもＴＦＴ基板側に配置された偏光層と、偏光層よりもＴＦＴ基板側に配置された透明導電膜と、透明導電膜よりも、ＴＦＴ基板側に配置された配向膜とを含む。
【００１４】
好ましくは、上記色変換基板と偏光層との間には、平坦化膜が形成される。上記平坦化膜のうち、偏光層が形成された部分は平坦面とされる。上記平坦化膜の屈折率は、蛍光体層の屈折率よりも小さい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る色変換基板および液晶表示装置によれば、出射面側からの光の強度分布に大きな偏りが生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施の形態１に係る表示装置１を示す断面図である。
【図２】図１に示す色変換基板４を示す平面図である。
【図３】赤色蛍光体４５Ｒおよびその周囲の構成を示す断面図である。
【図４】赤色蛍光体４５Ｒの周面２２およびその周囲の構成を示す断面図である。
【図５】図３に示す赤色光ＲＬの強度分布を示すグラフである。
【図６】比較例に係る表示装置の一部を示す断面図である。
【図７】比較例の赤色蛍光体の配向特性を示すグラフである。
【図８】比較例２に係る表示装置の一部を示す断面図である。
【図９】光散乱体４４およびその周囲の構成を示す断面図である。
【図１０】光散乱体４４の周面２７およびその周囲の構成を示す断面図である。
【図１１】色変換基板４の製造工程の第１工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１８】図１７に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１９】図１８に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図２０】図１９に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図２１】図２０に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図２２】対向基板６を製造する工程を示す断面図である。
【図２３】本実施の形態１に係る表示装置１の第１変形例を示す断面図である。
【図２４】実施の形態２に係る表示装置１の断面図である。
【図２５】本実施の形態２に係る表示装置１の変形例を示す断面図である。
【図２６】本実施の形態１，２に係る第１変形例を模式的に示す模式図である。
【図２７】第２変形例を模式的に示す模式図である。
【図２８】第３変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（実施の形態１）
図１から図２３を用いて、本実施の形態に係る表示装置１について説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態１に係る表示装置１を示す断面図である。この図１に示すように、表示装置１は、光源モジュール２および液晶モジュール３を含む。
【００１９】
光源モジュール２は、たとえば、導光板２ｂと、この導光板２ｂの側面に設けられた複数のＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）２ａなどを備える。なお、光源モジュール２は、液晶モジュール３に向けて青色光ＢＬを照射する面発光ユニットである。光源モジュール２としては、上記のようなサイドエッジ型のバックライトに限られない。たとえば、アレイ状に配置された複数のＬＥＤ２ａを備えた直下型のバックライトであってもよい。この青色光ＢＬの波長領域は、たとえば、３９０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下である。この青色光ＢＬの強度が最も高くなるときの波長は、たとえば、４５０ｎｍ程度である。なお、本実施の形態においては、青色光を利用した例について説明するが、光源モジュール２から出射される光として紫外線を採用する場合もある。紫外線を採用した例については、後述する。
【００２０】
液晶モジュール３は、光源モジュール２側に配置されたＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）基板５と、ＴＦＴ基板５に対して光源モジュール２と反対側に配置された対向基板６と、ＴＦＴ基板５および対向基板６の間に封入された液晶層７と、液晶層７を封止するシール部材８とを含む。
【００２１】
ＴＦＴ基板５は、ガラス基板などの透明基板１０と、透明基板１０の主表面のうち光源モジュール２と対向する主表面に形成された偏光板１１と、透明基板１０の主表面のうち、偏光板１１が形成された主表面と反対側の主表面に形成された複数のＴＦＴトランジスタ１３と、このＴＦＴトランジスタ１３を覆うように形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上に形成された画素電極１５と、この画素電極１５を覆うように形成された配向膜１６とを含む。
【００２２】
偏光板１１は、たとえば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素や２色性色素を染色、延伸させることで形成されている。ＴＦＴトランジスタ１３は、透明基板１０の主表面上に形成されたゲート電極ＧＥと、このゲート電極ＧＥを覆うように形成されたゲート絶縁膜１２と、このゲート絶縁膜１２上に形成された半導体層１７と、この半導体層１７上に互いに間隔をあけて形成されたソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥとを含む。ゲート絶縁膜１２は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのように透明絶縁膜である。
【００２３】
層間絶縁膜１４は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのように透明絶縁膜である。画素電極１５は、たとえば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）膜などのように透明導電膜によって形成されている。画素電極１５は、図示されないコンタクトによってドレイン電極ＤＥに接続されている。このため、ＴＦＴトランジスタ１３がＯＮ状態となると、画素電極１５には所定の電圧が印加される。
【００２４】
ＴＦＴトランジスタ１３は、複数設けられており、この図１に示す例においては、ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが設けられている。なお、各ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、いずれも、複数設けられている。
【００２５】
そして、ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、それぞれ、画素電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに接続されている。
【００２６】
配向膜１６は、ポリイミド膜などから形成されており、液晶分子の配向方向を制御可能なように表面にラビング処理が施されている。液晶層７は、複数の液晶分子を含む。
【００２７】
対向基板６は、色変換基板４と、色変換基板４の下面に形成された偏光板３３と、この偏光板３３の下面に形成された透明絶縁膜３０と、この透明絶縁膜３０の下面に形成された対向電極３１と、この対向電極３１を覆うように形成された配向膜３２とを含む。偏光板３３は、たとえば、アルミニウムなどの導電材料で形成されたワイヤーグリッドや１種類以上の二色性染料（たとえば、OPTVA社製TCF)などによって形成されている。
【００２８】
本実施の形態においては、対向基板６内に色変換基板４が組み込まれており、１つの透明基板４０を基板として、当該透明基板４０に色変換基板の構成部材と、偏光板や対向電極などの対向基板の構成部材を積層している。
【００２９】
このため、たとえば、ガラス基板を有する対向基板と、ガラス基板を有する色変換基板とを積層させた場合と比較して、ガラス基板などの透明基板を１枚省略することができる。このため、液晶モジュール３としても薄型化を図ることができる。
【００３０】
色変換基板４は、主板３９と、主板３９の主表面のうち、液晶モジュール３と対向する主表面に形成された蛍光体層４２と、蛍光体層４２に形成された反射部材４６と、蛍光体層４２と偏光板３３との間に形成された平坦化膜４３とを含む。主板３９は、透明基板４０と、この透明基板４０の主表面に形成された低屈折率層４１とを含む。透明基板４０は、たとえば、ガラス基板などである。低屈折率層４１の屈折率は、たとえば、１．２０以上１．４０以下である。低屈折率層４１の厚さは、０．５μｍ〜３．０μｍである。このましくは、１．０μｍ以上１．５μｍ以下である。
【００３１】
蛍光体層４２は、複数の光散乱体４４と、複数の蛍光体４５とを含む。蛍光体４５は、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇとがある。赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４とは、互いに間隔をあけて配置されている。
【００３２】
赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの屈折率は１．４９以上１．５９以下程度である。赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下である。好ましくは、５μｍ以上８μｍ以下である。赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇは、有機蛍光材料またはナノ蛍光材料などから形成されている。有機蛍光材料としては、赤色蛍光色素としてローダミンＢ等のローダミン系色素、緑色蛍光色素としてクマリン６等のクマリン系色素などが挙げられる。ナノ蛍光材料は、バインダと、バインダ内に拡散した複数の蛍光体とを含む。バインダは、たとえば、透明なシリコーン系またはエポキシ系またはアクリル系などの樹脂から形成されている。蛍光体は、たとえば、CdSeやZnS等のナノ粒子蛍光体を使うこともできる。上記のような材料で赤色蛍光体４５Ｒを形成することで、赤色蛍光体４５Ｒは赤色光（波長域が５３０ｎｍ以上６９０ｎｍ以下の光）を透過させることができる。これにより、赤色蛍光体４５Ｒが励起することで発光した光が、赤色蛍光体４５Ｒ自身を透過することができ、赤色蛍光体４５Ｒからの光の利用効率の向上を図ることができる。
【００３３】
なお、同様に、緑色蛍光体４５Ｇは、緑色光を透過することができ、緑色蛍光体４５Ｇが励起することで発光した光が、緑色蛍光体４５Ｇ自身を透過することができ、緑色蛍光体４５Ｇからの光の利用効率の向上を図ることができる。
【００３４】
光散乱体４４は、内部に入射された光を拡散して、外部に出射する層である。光散乱体４４の厚さは、３μｍ以上１５μｍ以下である。好ましくは、５μｍ以上１０μｍ以下である。光散乱体４４は、たとえば、バインダーとしての透明樹脂と、樹脂内に散乱する複数の散乱粒子（フィラー）とを含む。なお、バインダーとしての透明樹脂は、青色光ＢＬを通し、光の利用効率の向上が図られている。散乱粒子としては、TiO2等のミー散乱するフィラー材料などが挙げられる。
【００３５】
平坦化膜４３は、光散乱体４４、赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの屈折率よりも低い屈折率の材料によって形成されている。
【００３６】
反射部材４６は、赤色蛍光体４５Ｒの周面を覆う反射部４７Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇの周面を覆う反射部４７Ｇと、光散乱体４４の周面を覆う反射部４７Ｂと、隣り合う反射部４７Ｒ，４７Ｇ，４７Ｂ同士を接続する接続部４８とを含む。接続部４８は、隣接する蛍光体の間と、蛍光体と光散乱体４４との間とに位置する低屈折率層４１に形成されている。
【００３７】
反射部材４６は、可視光範囲で高い反射率の例えばアルミニウムや銀及びその合金などの材料などによって形成されている。たとえば、反射部材４６を形成する金属材料として、アルミニウム（Ａｌ）を採用した場合には、反射部材４６の膜厚は、たとえば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。好ましくは、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。
【００３８】
シール部材８は、ＴＦＴ基板５と対向基板６との外周縁部に沿って環状に形成されており、液晶層７を対向基板６とＴＦＴ基板５との間に封止している。
【００３９】
図２は、図１に示す色変換基板４を示す平面図である。この図２においては、色変換基板４を光源モジュール２側から見たときの平面図である。
【００４０】
この図２に示すように、複数の赤色蛍光体４５Ｒが配列方向Ｄ１に間隔をあけて配列し、同様に、複数の緑色蛍光体４５Ｇが配列方向Ｄ１に配列する。また光散乱体４４も配列方向Ｄ１に間隔をあけて配列する。
【００４１】
赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４は、配列方向Ｄ２に間隔をあけて順次配列する。なお、図中に示す長さＬＬは、たとえば、３０μｍ以上９００μｍ以下である。長さＬＢ、ＬＲ，ＬＧは、たとえば、３０μｍ以上３００μｍ以下程度である。なお、長さＬＢ，ＬＲ，LＧは、等しい必要はない。
【００４２】
このように、複数の赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４は、アレイ状に配置され、この複数の赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４を覆うように、反射部材４６が形成されている。反射部材４６には、蛍光体ごとおよび拡散体ごとに開口部４９が形成されている。
【００４３】
換言すれば、反射部材４６は、赤色蛍光体４５Ｒの周面を覆うと共に、環状に形成された反射部４７Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇの周面を覆うと共に、環状に形成された反射部４７Ｇと、光散乱体４４の周面を覆うと共に、環状に形成された反射部４７Ｂと、上記の複数の反射部４７Ｒ，４７Ｇ，４７Ｂを接続するように形成された接続部４８とを含む。そして、環状に形成された反射部４７Ｒ，４７Ｇ，４７Ｂによって、開口部４９が形成されている。
【００４４】
図３は、赤色蛍光体４５Ｒおよびその周囲の構成を示す断面図である。この図３に示すように、赤色蛍光体４５Ｒは、透明基板４０の主表面と対向する出射面２１と、出射面２１と対向し、光源モジュール２からの光が入射する入射面２０と、出射面２１および入射面２０との間に設けられた周面２２とを含む。入射面２０および出射面２１は、平坦面であり、周面２２は、湾曲面である。
【００４５】
図４は、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２およびその周囲の構成を示す断面図である。この図４において、第１部位Ｐ１は、周面２２上の任意の部位である。第２部位Ｐ２は、第１部位Ｐ１よりも透明基板４０の主表面５１に近い位置の部位である。上端部Ｐ３は、周面２２のうち、最も主表面５１に近い部位である。
【００４６】
また、第１部位Ｐ１の接線を接線Ｌ１とし、第２部位Ｐ２の接線を接線Ｌ２とする。上端部Ｐ３における接線を接線Ｌ３とする。
【００４７】
接線Ｌ１と主表面５１との交差角度を交差角度α１とし、接線Ｌ２と主表面５１との交差角度を交差角度α２とする。接線Ｌ３と主表面５１との交差角度を交差角度α３とする。そして、図４からも明らかなように、交差角度α２は交差角度α１よりも大きい。そして、交差角度α３は、交差角度α２よりも大きい。なお、交差角度α１とは、接線Ｌ１と透明基板４０の主表面とが交わる角度のうち、小さい方の角度（９０度よりも小さい方の角度）を意味する。
【００４８】
このように、主表面５１に近づくにつれて、接線と主表面５１との交差角度が大きくなるように湾曲面状に形成されている。なお、周面２２の曲率中心Ｏ１は、周面２２の外側の領域と反対側の領域に位置する。
【００４９】
ここで、赤色蛍光体４５Ｒの厚さを厚さｄとする。周面２２および反射部４７Ｒの曲率は、０より大きければよい。好ましくは、周面２２および反射部４７Ｒの内表面の曲率は、０５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下とする。さらに好ましくは、当該曲率は、０．６６／ｄとする。このときの交差角度α３は、６０度以上８０度以下となる。なお、周面２２および反射部４７Ｒの内周面の曲率は、一定でなくてもよい。
【００５０】
このように構成された表示装置１の動作について説明する。図１において、光源モジュール２から青色光ＢＬは、液晶モジュール３に入射する。液晶モジュール３は、液晶モジュール３に設けられた色変換基板４に選択的に青色光ＢＬを入射させる。具体的には、選択されたＴＦＴトランジスタ１３がＯＮとなると、当該選択されたＴＦＴトランジスタ１３に接続された画素電極１５を通る青色光ＢＬのみが偏光板３３を通過して、色変換基板４に入射する。
【００５１】
図３において、たとえば、青色光ＢＬが赤色蛍光体４５Ｒ内に入り込んだ状態を示す。青色光ＢＬが赤色蛍光体４５Ｒ内に入り込むと、赤色蛍光体４５Ｒが励起して、放射状に赤色光ＲＬを出射する。たとえば、赤色光ＲＬ１は、低屈折率層４１に向けて進む。赤色蛍光体４５Ｒと低屈折率層４１との界面の臨界角度よりも、赤色光ＲＬ１の入射角度が小さい場合には、赤色光ＲＬ１は低屈折率層４１内に入り込み、透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００５２】
その一方で、赤色光ＲＬ３に示すように、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面への入射角度が、赤色蛍光体４５Ｒと低屈折率層４１との臨界角度よりも大きいときには、当該界面で反射される。このように低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面で反射された赤色光ＲＬ３は、その後、反射部４７Ｒで反射され、再度、低屈折率層４１に向けて進む。そして、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に入射するときに赤色光ＲＬ３の入射角度が臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ３が低屈折率層４１内に入り込み、透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００５３】
赤色光ＲＬ４は、発光した赤色光ＲＬのうち、入射面２０に向かう赤色光である。ここで、平坦化膜４３の屈折率は、赤色蛍光体４５Ｒの屈折率よりも小さい。このため、平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面への赤色光ＲＬ４の入射角度が平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの臨界角度よりも大きい場合には、赤色光ＲＬ４は当該界面で反射される。
【００５４】
平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面で反射された赤色光ＲＬ４は、その後、反射部４７Ｒで反射される。
【００５５】
反射部４７Ｒで反射された赤色光ＲＬ４は、低屈折率層４１に向けて反射される。そして、このときの赤色光ＲＬ４の入射角度が、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面の臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ４は、低屈折率層４１をとおり透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００５６】
なお、赤色光ＲＬのうち、周面２２に向かう赤色光ＲＬ２も、反射部４７Ｒによって反射される。反射部４７Ｒで反射された赤色光ＲＬ２は、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に向けて入射する。このときの入射角度が低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面の臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ２は低屈折率層４１を通り透明基板４０の出射面から外部に出射される。
【００５７】
このように、発光した赤色光ＲＬは、反射部４７Ｒによって反射される。この際、反射部４７Ｒは上述のように湾曲面状に形成されている。このため、赤色光ＲＬが反射部４７Ｒに入射する位置によって赤色光ＲＬの反射角度は変化する。これに伴い、赤色光ＲＬが特定の方向に反射されることが抑制される。
【００５８】
図５は、図３に示す赤色光ＲＬの強度分布を示すグラフである。この図５において、横軸は、赤色光ＲＬの出射角度θ（°）を示す。ここで、図３において、透明基板４０の出射面に対して垂直な方向を基準方向Ｖとする。出射角度θ（°）は、基準方向Ｖと赤色光ＲＬの出射方向のなす角度を示す。図５に示す縦軸は、赤色光ＲＬの強度を示す。
【００５９】
そして、図５のグラフは、本実施の形態に係る表示装置１において、次に示す条件に基づいて、配向特性をシミュレーションした結果を示す。赤色蛍光体４５Ｒの厚みと入射面２０の開口幅の比率を1：9とする。基板と蛍光体層の接する角度α＝７０度とし、低屈折率層の屈折率＝１．２１とする。そして、基板の法線方向を０度とする。
【００６０】
上記の条件の下において、本実施の形態に係る表示装置１の赤色光ＲＬの配向特性は、ランバーシアン（Ｌａｍｂｅｒｔｉａｎ）特性に近似する特性を有することが分かる。これにより、視認角度による強度変化が小さくなり表示品位が向上する。
【００６１】
ここで、上記のような配向特性は、図４に示す反射部４７Ｒおよび周面２２が湾曲面状に形成されていることに起因する。
【００６２】
なお、赤色蛍光体４５Ｒについて説明したが、緑色蛍光体４５Ｇにおいても同様に反射部４７Ｇが湾曲面状に形成されているため、赤色蛍光体４５Ｒと同様の配向特性を有する。これにより、表示された画像の明るさは、観察者の視る角度にかかわらず略一定となる。次に、図６および図７を用いて、比較例に係る表示装置１の構成と、表示装置１の光の配向特性について説明する。
【００６３】
図６は、比較例に係る表示装置の一部を示す断面図である。この図６に示す例においては、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２は、傾斜面であり、反射部４７Ｒも傾斜面状に形成されている。すなわち、反射部４７Ｒのどの部位の接線であっても、当該接線と透明基板４０の主表面とのなす角度は、一定である。そして、図７に示すグラフは、図６に示す比較例において、次の条件に基づいてシミュレーションした赤色蛍光体４５Ｒの配向特性を示すグラフである。赤色蛍光体４５Ｒ層の厚みと開口幅の比率を1：9とする。透明基板４０と赤色蛍光体４５Ｒの周面の上端部との為す角度を７０度とし、低屈折率層４１の屈折率＝１．２１とする。反射部４７の反射率=90%とする。透明基板４０の法線方向を０度とする。
【００６４】
上記の条件のもと、比較例に係る赤色蛍光体４５Ｒの配向特性は、図７に示すように、出射角度θ（°）が０°付近で際立ったピークが生じ、±３０度方向の極小値に向かって強度が急峻に変化する。このため、ランバーシアン特性から大きくずれた状態となる。すなわち、観察者が特定の角度から画面を見ると画面が非常に明るく見え、他の角度から見ると画面が暗く見えることになる。
【００６５】
このように、本実施の形態に係る表示装置１においては、反射部４７Ｒの傾斜角度を位置によって異ならせることで、図５に示すように、ランバーシアン特性を得ることができる。
【００６６】
図８は、比較例２に係る表示装置の一部を示す断面図である。この図８に示す例においては、赤色蛍光体４５Ｒは、出射面２１は平坦面状に形成されており、他の部分は半球体状に形成されている。赤色蛍光体４５Ｒの表面の一部を反射部４７Ｒが覆うように形成され、反射部４７Ｒから露出する部分が入射面２０とされている。このため、この図８に示す例においては、入射面２０は湾曲面状に形成されている。
【００６７】
赤色蛍光体４５Ｒに青色光ＢＬが入射すると、放射状の赤色光が出射する。ここで、図８に示す赤色光ＲＬ５は、図３に示す赤色光ＲＬ４と同じ角度で発光点から出射される。その一方で、図８に示す比較例においては、入射面２０が湾曲面状となるように形成されているため、平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に赤色光ＲＬ５が入射する入射角度は、図３に示す赤色光ＲＬ４が赤色蛍光体４５Ｒと平坦化膜４３との界面に入射する入射角度よりも小さくなる。この結果、図８に示す赤色光ＲＬ５は、平坦化膜４３内に入り込む。
【００６８】
このように、本実施の形態に係る表示装置１によれば、入射面２０が平坦面状に形成されているため、赤色蛍光体４５Ｒで発光した光が平坦化膜４３内に入り込むことを抑制することができ、光の利用効率の向上が図られている。なお、赤色蛍光体４５Ｒのみならず、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４においても、入射面が平坦面状に形成されているため、緑色蛍光体４５Ｇで発光した緑色光や、光散乱体４４内で散乱した青色光が、平坦化膜４３内に入り込むことを抑制することができる。
【００６９】
図９は、光散乱体４４およびその周囲の構成を示す断面図である。この図９に示すように、光散乱体４４は、透明基板４０の主表面と対向する出射面２６と、出射面２６と対向する入射面２５と、出射面２６および入射面２５の間に位置する周面２７とを含む。光散乱体４４内に青色光ＢＬが入射すると、光散乱体４４内で青色光ＢＬが散乱して、出射面２６から主板３９内に入り込み、外部に出射される。
【００７０】
この際、透明基板４０と光散乱体４４との間には、低屈折率層４１が形成されているため、低屈折率層４１と光散乱体４４との界面に入射する入射角度が低屈折率層４１と光散乱体４４との臨界角度よりも大きい青色光ＢＬは当該界面で反射される。そして、低屈折率層４１と光散乱体４４との界面に入射する入射角度が臨界角度よりも小さい青色光ＢＬのみが低屈折率層４１内に入り込み、外部に出射される。
【００７１】
また、平坦化膜４３の屈折率は、光散乱体４４に屈折率よりも小さいため、光散乱体４４内で散乱した青色光ＢＬが平坦化膜４３内に入り込むことが抑制されている。このため、光散乱体４４内で散乱した青色光ＢＬが平坦化膜４３内に入り込むことが抑制されている。このため、青色光ＢＬの利用効率の向上を図ることができる。
【００７２】
図１０は、光散乱体４４の周面２７およびその周囲の構成を示す断面図である。この図１０において、第４部位Ｐ４は、周面２７上の部位である。第５部位Ｐ５は、第４部位Ｐ４よりも透明基板４０の主表面側に位置する部位である。上端部Ｐ６は、周面２７の上端部である。
【００７３】
そして、第４部位Ｐ４を通る接線を接線Ｌ４とし、第５部位Ｐ５を通る接線を接線Ｌ５とする。同様に、上端部Ｐ６における周面２７の接線を接線Ｌ６とする。接線Ｌ４と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α４とし、接線Ｌ５と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α５とする。接線Ｌ６と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α６とする。
【００７４】
そして、周面２７は、図１０からも明らかなように、交差角度α４よりも交差角度α５が大きくなるように湾曲面状に形成されている。なお、交差角度α６は、交差角度α５よりも大きい。このように湾曲面状に形成された周面２７上に反射部４７Ｂが形成されており、反射部４７Ｂの内周面も、周面２７と同様の湾曲面である。
【００７５】
図１に示す表示装置１の製造方法について説明する。表示装置１を製造する際には、液晶モジュール３と光源モジュール２とを組み付けることで製作される。液晶モジュール３は、別個に製造されたＴＦＴ基板５と対向基板６とを張り合せると共に、液晶層７をシール部材８で封止することで製作することができる。対向基板６は、色変換基板４に、偏光板３３と、透明絶縁膜３０と、対向電極３１と、配向膜３２とを順次形成することで製造することができる。
【００７６】
そこで、色変換基板４の製造方法について詳細に説明する。図１１は、色変換基板４の製造工程の第１工程を示す断面図である。この図１１に示すように、主表面５２を有する透明基板５０を準備する。
【００７７】
次に図１２に示すように、主表面５２上にスピンコータやスリットコータなどを用いて、透明基板５０の主表面５２に低屈折率層４１を形成する。
【００７８】
次に図１３に示すように、散乱層５５を低屈折率層４１上に塗布する。次に、図１４に示すように、散乱層５５に対してマスク５８を通して、紫外線ＵＲを照射する。マスク５８は、透明基板の下面に所望のパターンの遮光パターンが形成されている。紫外線ＵＲは、たとえば、高圧水銀ランプなどを利用して生成される。
【００７９】
次に図１５に示すように、紫外線ＵＲが照射された散乱層５５を現像する。たとえば、無機または有機のアルカリによって散乱層５５のうち、露光されなかった部分を溶解する。これにより、光散乱体４４が形成される。
【００８０】
次に図１６に示すように、光散乱体４４を覆うように、透明基板５０の主表面上に緑色蛍光体層５６を塗布する。そして、マスク６０を通して、緑色蛍光体層５６に紫外線を照射する。
【００８１】
次に、図１７に示すように、無機または有機のアルカリによって緑色蛍光体層５６のうち、露光されなかった部分を溶解する。これにより、緑色蛍光体４５Ｇが形成される。
【００８２】
次に、図１８に示すように、光散乱体４４および緑色蛍光体４５Ｇを覆うように、赤色蛍光体層５７を透明基板５０の主表面に形成する。次に、マスク６１を通して、赤色蛍光体層５７に紫外線を照射する。
【００８３】
次に、図１９に示すように、赤色蛍光体層５７のうち、露光されなかった部分を溶解することで、赤色蛍光体４５Ｒを形成する。
【００８４】
次に、図２０に示すように、スパッタリングや蒸着法によって、アルミニウムや銀などの金属膜を光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇおよび赤色蛍光体４５Ｒの表面を覆うように形成する。
【００８５】
この際、光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇおよび赤色蛍光体４５Ｒの周面の曲率は、曲率は０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下となるように形成されている。このため、金属膜が各蛍光体や光散乱体の周面にも良好に形成される。
【００８６】
曲率が０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下のときには、図４に示す交差角度α３と、図１０に示す交差角度α６とは、６０度以上８０度以下となる。そして、曲率を０．８３／ｄよりも大きくすると、赤色蛍光体４５Ｒや光散乱体４４の周面２２や周面２７の上端部の傾斜角度が透明基板４０に対して９０度に近い角度となる。この結果、スパッタリングで金属膜を赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４の周面に形成する際に、金属膜が良好に成膜されない部分が生じるおそれがある。
【００８７】
また、曲率が０．５０／ｄよりも小さくなると、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２が緩やかな湾曲面となる。その結果、赤色蛍光体４５Ｒを平面視したときに周面２２が占める割合が大きくなる。周面２２には、反射部４７Ｒが形成されており、結果として、光源モジュール２からの光のうち、赤色蛍光体４５Ｒなどに入り込む光の割合が少なくなる。この結果、開口率の低下につながる。
【００８８】
そこで、本実施の形態においては、曲率を０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下とすると共に、さらに好ましい値として、０．６６/ｄとする。なお、「ｄ」とは、光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇおよび赤色蛍光体４５Ｒの厚さｄである。
【００８９】
次に、この金属膜の上面上にレジストを形成する。このレジストにパターニングを施して、このパターニングが施されたレジストを用いて、金属膜をパターニングする。これにより、反射部材４６が形成される。
【００９０】
次に、図２１に示すように、樹脂層を光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇ、赤色蛍光体４５Ｒおよび反射部４７を覆うように堆積する。これにより平坦化膜４３が形成される。このようにして、本実施の形態に係る表示装置１に搭載された色変換基板４を製作することができる。
【００９１】
当該色変換基板４から図１に示す対向基板６を製作する際には、図２２に示すように、熱硬化型もしくは紫外線硬化型の透明なアクリル系樹脂などにより平坦化膜４３を形成する。次に、平坦化膜４３上に偏光板３３を形成する。その後、たとえば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などにより透明絶縁膜３０を形成する。次に、ＩＴＯ膜またはＩＺＯ膜などの透明導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングして、対向電極３１を形成する。次に、対向電極３１を覆うように、配向膜３２を形成する。
【００９２】
このように、色変換基板４が一体化された対向基板６を製作する場合と、色変換基板４と、一般的な対向基板とを個別に製作する場合とを比較すると、ガラス基板が１枚不要となると共に、製造工程の削減を図ることができる。
【００９３】
なお、本実施の形態に係る表示装置１は、液晶駆動方式のＴＮ方式、ＶＡ方式、ＥＣＢ方式およびＩＰＳ方式のいずれのタイプにも適用することができる。
【００９４】
図２３は、本実施の形態１に係る表示装置１の第１変形例を示す断面図である。この図２３に示す例においては、光散乱体４４に替えて青色蛍光体４５Ｂが採用されている。光源モジュール２は、液晶モジュール３に向けて紫外線ＵＲを照射する。
【００９５】
そして、選択された赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび青色蛍光体４５Ｂに紫外線ＵＲが入射する。この図２３に示す例では、赤色蛍光体４５Ｒは、紫外線ＵＲが入射することで励起して、赤色光を発光する。緑色蛍光体４５Ｇも紫外線ＵＲが入射することで発光し、青色蛍光体４５Ｂも紫外線ＵＲが入射することで、青色光を発光する。
【００９６】
この図２３に示す例においても、緑色蛍光体４５Ｇ、赤色蛍光体４５Ｒおよび青色蛍光体４５Ｂの周面は、図３および図４に示すように湾曲面状に形成されている。
【００９７】
（実施の形態２）
図２４および図２５を用いて、本実施の形態２に係る表示装置１について説明する。なお、図２４および図２５に示す構成のうち、図１から図２３に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【００９８】
図２４は、実施の形態２に係る表示装置１の断面図である。表示装置１は、光源モジュール２と、光源モジュール２上に設けられた液晶モジュール３と、液晶モジュール３上に設けられた色変換基板４とを備える。本実施の形態２においては、液晶モジュール３と色変換基板４とは、別の構成部材であって、色変換基板４は、液晶モジュール３上に実装されている。
【００９９】
このため、対向基板６は、透明基板３７と、透明基板３７の主表面のうち、ＴＦＴ基板５と対向する主表面に形成された対向電極３１と、この対向電極３１を覆うように形成された配向膜３２とを含む。さらに、対向基板６は、透明基板３７の主表面のうち、対向電極３１が形成された主表面と反対側の主表面に形成された偏光板３３とを含む。色変換基板４は、主板３９と、主板３９に形成された蛍光体層４２と、蛍光体層４２に形成された反射部材４６と、反射部材４６および蛍光体層４２を覆うように形成された平坦化膜４３とを含む。本実施の形態２において、平坦化膜４３は接着性を有し、これにより対向基板６と色変換基板４が接着されている。
【０１００】
なお、主板３９は、出射面と、この出射面と反対側に位置する主表面とを含み、蛍光体層４２は、出射面と反対側に位置する主表面に設けられている。
【０１０１】
主板３９は、透明基板４０と、透明基板４０の下面に形成された低屈折率層４１とを含む。蛍光体層４２は、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４とを含む。
【０１０２】
ここで、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４の周面は、上記実施の形態１に係る蛍光体層４２と同様に湾曲面状に形成されている。
【０１０３】
このため、本実施の形態２に係る表示装置１においても、ランバーシアン特性またはランバーシアン特性に近似した光配向特性を得ることができる。
【０１０４】
図２５は、本実施の形態２に係る表示装置１の変形例を示す断面図である。この図２５に示す例においては、表示装置１は、色変換基板４と対向基板６との間に設けられると共に、各基板の外周縁部の近傍に配置された支持部材５９を備える。これにより、色変換基板４と対向基板６との間には、空気層６８が形成されている。
【０１０５】
なお、空気層６８の屈折率は、赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４の屈折率よりも小さい。このため、図２５に示す例においても、赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇで発光した光が対向基板６側に向かうことを抑制することができると共に、光散乱体４４で散乱した光が対向基板６に向かうことを抑制することができる。
【０１０６】
上記実施の形態１，２は、サイドエッジ型のバックライトを備えた液晶表示装置に本願発明に係る色変換基板４を適用した例について説明したが、色変換基板４は各種の表示装置に適用することができる。
【０１０７】
図２６は、本実施の形態１，２に係る第１変形例を模式的に示す模式図である。この図２６に示す例においては、複数のＬＥＤ２ａがアレイ状に配置された直下型の光源モジュール２が採用されている。なお、複数のＬＥＤにかえて、冷陰極管を採用してもよい。
【０１０８】
図２７は、第２変形例を模式的に示す模式図である。この図２７に示す例においては、光源モジュール２は、有機ＥＬパネルや無機ＥＬパネルであり、光量を調整可能な調光光源である。光源モジュール２と色変換基板４とは、接着剤などで接着されている。この図２７に示す例では、液晶パネルなどの光シャッター装置を用いる必要がない。
【０１０９】
図２８は、第３変形例を示す断面図であり、この図２８に示す表示装置１は、光源モジュール２と、光シャッター６７と、色変換基板４とを備える。光シャッター６７は、透明基板６３と、透明基板６３の主表面上に形成された複数のシャッター素子６２とを含む。シャッター素子６２は、赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４と対向する位置に設けられている。
【０１１０】
このシャッター素子６２は、開口部６６が形成され、内部に空隙が形成された遮光壁６４と、この遮光壁６４内を移動可能に設けられたシャッター６５とを含む。シャッター６５が移動することで、開口部６６から色変換基板４に向かう光の量が調整される。このように、ＭＥＭＳが採用された光シャッター６７を採用することができる。
【０１１１】
以上、本発明に基づいた各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１２】
１  表示装置、２  光源モジュール、２ａ  ＬＥＤ、２ｂ  導光板、３  液晶モジュール、４  色変換基板、５  ＴＦＴ基板、６  対向基板、７  液晶層、８  シール部材、１０，４０，６３  透明基板、１１，３３  偏光板、１２  ゲート絶縁膜、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ  トランジスタ、１４  層間絶縁膜、１５，１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ  画素電極、１６，３２  配向膜、１７  半導体層、２０，２５  入射面、２１，２６  出射面、２２，２７  周面、３０  透明絶縁膜、３１  対向電極、３９  主板、４１  低屈折率層、４２  蛍光体層、４３  樹脂層、４４  光散乱体、４５  蛍光体、４５Ｂ  青色蛍光体、４５Ｇ  緑色蛍光体、４５Ｒ  赤色蛍光体、４６  反射部材、４７，４７Ｂ  反射部、４８  接続部、４９，６６  開口部、５０  透明基板、５１，５２  主表面、５５  散乱層、５６  緑色蛍光体層、５７  赤色蛍光体層、５８，６０，６１  マスク、５９，ＵＲ  紫外線、６２  シャッター素子、６４  遮光壁、６５  シャッター、６７  光シャッター、ＢＬ  青色光、Ｄ１，Ｄ２  配列方向、ＤＥ  ドレイン電極、ＥＬ  有機、ＧＥ  ゲート電極、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６  接線、ＬＢ，ＬＲ，LＧ，ＬＬ  長さ、Ｏ１  曲率中心、Ｐ１  第１部位、Ｐ２  第２部位、Ｐ３，Ｐ６  上端部、Ｐ４  第４部位、Ｐ５  第５部位、ＲＬ  赤色光、ＳＥ  ソース電極、Ｖ  基準方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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