(57)【要約】【課題】異なるチップパターンを配置した場合でも迅速にウエハのエッチング条件を確定することができるフォトマスクを得る。【解決手段】フォトマスク基板２を備え、フォトマスク基板上の領域は、第１パターン７が形成された第１領域１００と、第２パターン１１５が形成された第２領域１０５と、で構成され、第１領域は、光を透過する第１透過領域１０を備え、第２領域は、光を透過する第２透過領域１５を備え、第１透過領域の面積が第１領域の面積に占める割合と、第２透過領域の面積が第２領域の面積に占める割合と、は異なる。【選択図】図５
2015152832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク基板、
を備え、
前記フォトマスク基板上の領域は、第１パターンが形成された第１領域と、第２パターンが形成された第２領域と、で構成され、
前記第１領域は、光を透過する第１透過領域を備え、
前記第２領域は、光を透過する第２透過領域を備え、
前記第１透過領域の面積が前記第１領域の面積に占める割合と、前記第２透過領域の面積が前記第２領域の面積に占める割合と、は異なる、
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記第２領域は、前記第１領域の周辺に配置される、
請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記第１パターンに対応する開口と、前記第２パターンに対応する開口と、をウエハに形成するために用いられ、
前記第１パターンは、半導体素子のパターンであり、
前記第２パターンは、前記ウエハの開口率の調整用のパターンである、
請求項１または２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記第１透過領域の面積が前記第１領域の面積に占める割合は、前記第２透過領域の面積が前記第２領域の面積に占める割合より大きい、
請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記第１透過領域の面積が前記第１領域の面積に占める割合は、前記第２透過領域の面積が前記第２領域の面積に占める割合より小さい、
請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記第２パターンのパターン幅は、前記第１パターンのパターン幅より狭い、
請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項７】
フォトマスク基板を備えるフォトマスクを生産するための装置であって、
前記フォトマスク基板上の第１領域に第１パターンを作製する第１パターン作製部と、
前記第１領域のうち光を透過する第１透過領域の面積が前記第１領域の面積に占める割合である第１パターン透過率を取得する透過率取得部と、
前記フォトマスクの設定透過率が記憶される設定透過率記憶部と、
前記第１パターン透過率と前記設定透過率とに基づいて、前記フォトマスク基板上の前記第１領域以外の第２領域に第２パターンを作製する第２パターン作製部と、
を備えることを特徴とするフォトマスクの生産装置。
【請求項８】
前記第２領域は、光を透過する第２透過領域を備え、
前記第２パターン作製部は、前記第１透過領域と前記第２透過領域との面積の和が前記フォトマスクの面積に占める割合と、前記設定透過率と、が同一となるように前記第２パターンを決定する、
請求項７記載のフォトマスクの生産装置。
【請求項９】
フォトマスク基板を備えるフォトマスクの生産方法であって、
前記フォトマスク基板上の領域は、第１パターンが形成される第１領域と、第２パターンが形成される第２領域と、で構成され、
前記第１領域は、光を透過する第１透過領域を備え、
前記第２領域は、光を透過する第２透過領域を備え、
前記第１透過領域の面積が前記第１領域の面積に占める割合である第１パターン透過率を取得するステップと、
前記フォトマスクの設定透過率を取得するステップと、
前記第１パターン透過率と前記設定透過率とに基づいて前記第２パターンを決定するステップと、
前記第１領域に前記第１パターンを作製するステップと、
前記第２領域に前記第２パターンを作製するステップと、
を有することを特徴とするフォトマスクの生産方法。
【請求項１０】
入力部と、
フォトマスクの設定透過率が記憶される設定透過率記憶部と、
演算部と、
を備えるコンピュータで実行される、フォトマスク基板を備えるフォトマスクを生産するためのプログラムであって、
前記演算部を、
前記フォトマスク基板上の第１パターンが形成される第１領域のうち光を透過する第１透過領域の面積が前記第１領域の面積に占める割合である第１パターン透過率を前記入力部から取得する透過率取得部と、
前記第１パターン透過率と前記設定透過率記憶部に記憶されている前記設定透過率とに基づいて第２パターンを決定する第２パターン決定部と、
前記第２パターンをフォトマスクを作製するための出力装置に出力させる出力部、
として動作させることを特徴とするフォトマスクの生産プログラム。
【請求項１１】
第１パターンと第２パターンとを備えるフォトマスクを用いて、上記第１パターンと上記第２パターンとに対応する開口がエッチングされて形成されるウエハ基板、
を備え、
前記ウエハ基板上の領域は、前記第１パターンが露光されて第１露光パターンが形成された第１露光領域と、前記第２パターンが露光されて第２露光パターンが形成された第２露光領域と、で構成され、
前記第１露光パターンは、露光された第１透過露光領域を備え、
前記第２露光パターンは、露光された第２透過露光領域を備え、
前記第１透過露光領域の面積が前記第１露光領域の面積に占める割合と、前記第２透過露光領域の面積が前記第２露光領域の面積に占める割合と、は異なる、
ことを特徴とするウエハ。
【請求項１２】
ノズルと、
前記ノズルが連通する液室を形成する液室形成部材と、
を備えた液体吐出ヘッドであって、
前記液室形成部材は、請求項１１記載のウエハが備える前記第１露光領域がエッチングされて形成された、
ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１３】
液体吐出ヘッドを備える画像形成装置であって、
前記液体吐出ヘッドは、請求項１２記載の液体吐出ヘッドである、
ことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク、フォトマスクの生産装置、フォトマスクの生産方法、フォトマスクの生産プログラム、ウエハ、液体吐出ヘッド及び画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
所定のエッチングレートや開口プロファイル角度でウエハをエッチングするためには、様々なエッチング条件を確定する必要がある。ここで、ウエハとは、例えばシリコン基板である。また、エッチング条件とは、例えばドライエッチングのボッシュプロセスにおいては、ガス流量、高周波パワー、引き込みパワー、チャンバー圧力等の条件である。
【０００３】
ここで、ウエハのエッチングとは、化学薬品などの腐食作用を利用してウエハ上に開口を作製する工程である。ウエハ上の開口の位置は、開口の設計レイアウトを示すフォトマスクに形成されたパターンをウエハ上に露光することにより、ウエハ上に定められる。
【０００４】
エッチングにおいては、ウエハ全体の開口率がエッチング条件に大きな影響を及ぼすことが知られている。ここで、ウエハ全体の開口率とは、ウエハの表面積に対する開口の面積の割合である。
【０００５】
ウエハ全体の開口率がエッチングに及ぼす影響について、模式図で説明する。
【０００６】
図１は、理想的なエッチング条件でエッチングされたウエハ６の模式図である。第１露光領域２００は、ウエハ６上の略中央に設けられている。第１露光領域２００とは、エッチング後にチップが形成されるウエハの領域である。
【０００７】
第１露光領域２００には、複数の第１露光パターン２０７が形成されている。第１露光パターン２０７とは、エッチング後にウエハを貫通する開口の位置に対応して、ウエハ上のレジストを露光する露光のパターンである。第１露光パターンは、例えば半導体素子等のチップパターンに対応する。
【０００８】
第１露光パターン２０７は、エッチング後にウエハ６を貫通する開口９と、隔壁８と、を形成する。なお、隔壁８は、エッチングで腐食されずに残ったウエハである。
【０００９】
図２は、エッチング後のウエハ６の、図１におけるＡ−Ａ’断面の模式図である。隔壁８は、ウエハ６の底面に対して略垂直となっている。すなわち、開口９は、ウエハ６の底面に対して略垂直な孔である。
【００１０】
図３は、図１とは別の第１露光パターンをウエハ６と同一のエッチング条件でエッチングしたウエハ１６の模式図である。第１露光領域２０１は、ウエハ１６上の略中央に設けられている。第１露光領域２０１には、複数の第１露光パターン２０８が形成されている。この例では、第１露光パターン２０８によるウエハ１６の開口率は、図１における第１露光パターン２０７によるウエハ６の開口率よりも大きい。
【００１１】
なお、第１露光パターンによるウエハの開口率とは、第１露光パターンによりウエハに形成される開口の面積の合計が、第１露光領域の面積に占める割合である。
【００１２】
図４は、エッチング後のウエハ１６の、図３におけるＢ−Ｂ’断面の模式図である。隔壁１８は、ウエハ１６の底面に対してランダムに傾斜している。すなわち、図４は、ウエハ１６の開口率に対して適切なエッチング条件が設定されなかったためにエッチングの精度が低下して、正しいエッチングが行われなかったことを示している。
【００１３】
このように、最適なエッチング条件は、ウエハ全体の開口率に応じて決定される。したがって、チップパターンの開口率が設計変更等により変更されると、ウエハ全体の開口率が変更されるため、チップパターンの設計変更の都度エッチング条件を検討し直す必要がある。
【００１４】
そこで、あるチップパターンに代えて異なるチップパターンを配置した場合でも、ウエハのエッチング条件を検討し直すことなく、又は微調整レベルの条件確認を実施することで迅速にエッチング条件を確定できるフォトマスクが必要とされている。
【００１５】
これまでにも、チップパターンのエッチング精度を向上することを目的としたフォトマスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１６】
しかし、特許文献１で提案されているフォトマスクは、あるチップパターンに代えて異なるチップパターンを配置した場合に、エッチング条件を検討し直す必要があるという問題は解消できていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、異なるチップパターンが配置された場合でも迅速にウエハのエッチング条件を確定することができるフォトマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明にかかるフォトマスクは、フォトマスク基板を備え、フォトマスク基板上の領域は、第１パターンが形成された第１領域と、第２パターンが形成された第２領域と、で構成され、第１領域は、光を透過する第１透過領域を備え、第２領域は、光を透過する第２透過領域を備え、第１透過領域の面積が第１領域の面積に占める割合と、第２透過領域の面積が第２領域の面積に占める割合と、は異なる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、異なるチップパターンが配置された場合でも迅速にウエハのエッチング条件を確定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】理想的なエッチング条件でエッチングされたウエハの模式図である。
【図２】図１のウエハの断面図の模式図である。
【図３】不適切なエッチング条件でエッチングされたウエハの模式図である。
【図４】図３のウエハの断面図の模式図である。
【図５】本発明にかかるフォトマスクの実施の形態を示す模式図である。
【図６】上記フォトマスクの別の実施の形態を示す模式図である。
【図７】上記フォトマスクの第２パターンの模式図である。
【図８】上記フォトマスクを用いてエッチングしたウエハの断面図の模式図である。
【図９】本発明にかかるフォトマスクの別の実施の形態を示す模式図である。
【図１０】上記フォトマスクを用いてエッチングしたウエハの断面図の模式図である。
【図１１】本発明にかかるウエハの実施の形態を示す模式図である。
【図１２】本発明にかかる液体吐出ヘッドの実施の形態を示す模式図である。
【図１３】上記液体吐出ヘッドのサブフレーム基板を示す模式図である。
【図１４】上記液体吐出ヘッドのアクチュエーター基板を示す模式図である。
【図１５】上記液体吐出ヘッドのノズル基板を示す模式図である。
【図１６】本発明にかかるフォトマスクの製造装置の実施の形態を示す機能ブロック図である。
【図１７】本発明にかかるフォトマスクの生産方法の実施の形態を示すフローチャートである。
【図１８】本発明にかかるフォトマスクの生産プログラムの実施の形態を示す同プログラムが実行されるコンピュータの機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明にかかるフォトマスクと、フォトマスクの生産装置と、フォトマスクの生産方法と、フォトマスクの生産プログラムと、ウエハと、液体吐出ヘッドと、画像形成装置と、について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
なお、以下の説明では、シリコン基板にシリコン深堀エッチングをするフォトマスクを例に説明する。
【００２３】
●フォトマスク（１）●
図５は、本発明にかかるフォトマスクを示す模式図である。
【００２４】
フォトマスク１は、フォトマスク基板２の上面に遮光膜３が成膜されている。フォトマスク基板２の上面は、第１領域１００と、第２領域１０５と、により構成されている。
【００２５】
●第１領域について
第１領域１００は、複数の第１パターン７が形成されている領域である。
【００２６】
第１領域１００に対応するウエハは、エッチング後に複数のチップを形成する。チップは、例えば半導体素子に適用可能である。
【００２７】
ここで、ウエハは、例えばシリコン基板である。
【００２８】
第１パターン７は、半導体素子のパターンである。第１パターン７は、遮光膜が形成されていないために光を透過する第１透過領域１０を有している。第１透過領域１０は、フォトマスク１を用いてウエハに塗布されたレジストが露光される際、ウエハ上のレジストに形成される第１透過露光領域に対応している。
【００２９】
●第２領域について
第２領域１０５は、第２パターン１１５が形成されている領域である。第２領域１０５は、第１領域１００の周辺に設けられている。この構成により、第１領域１００の第１パターン７の端部、すなわちレジストパターン有無界面で発生するローディング効果によるエッチングの精度低下を軽減することができる。
【００３０】
第２領域１０５に対応するウエハと、第１領域１００と、は、エッチング後にダイシングされる。すなわち、第２領域１０５に対応するウエハは、チップを構成しない。
【００３１】
第２パターン１１５は、ウエハの開口率の調整用のパターンである。第２パターン１１５は、遮光膜３が形成されていて光を透過しない非透過領域１４と、遮光膜３が形成されていないために光を透過する第２透過領域１５と、を有している。
【００３２】
第２透過領域１５は、フォトマスク１を用いてウエハに塗布されたレジストが露光される際、ウエハ上のレジストに形成される第２透過露光領域に対応している。
【００３３】
●ウエハの開口率について
次に、ウエハの開口率について説明する。第１透過領域１０の面積と、第２透過領域１５の面積と、の和が、フォトマスク１に設けられた透過領域の面積の和である。前述の透過領域の面積の和がフォトマスクの表面積に占める割合は、エッチング後のウエハ全体の開口率に対応する。
【００３４】
すなわち、エッチング後のウエハ全体の開口率は、第２透過領域１５の面積に応じて決定される。換言すれば、第２パターン１１５は、エッチング後のウエハ全体の開口率を調整することができる。
【００３５】
ここで、第１透過領域１０の面積が第１領域１００の面積に占める割合と、第２透過領域１５の面積が第２領域１０５の面積に占める割合と、は異なる。
【００３６】
第２パターン１１５は、第２領域１０５のうち第１領域１００に隣接する領域に集中して設けられている。
【００３７】
図６は、第２パターン１１５に加えて、第２パターン１１６が、第１領域１００周辺の第２領域１０５に配置されているフォトマスク１１の様子を示している。第２パターン１１５と、第２パターン１１６と、は、第２領域１０５の全域に疎らに設けられている。ここで、第２パターン（１１５、１１６）が第２領域１０５の全域に設けられているとは、フォトマスクの上面のうち第１領域以外の領域全てにパターンが形成されていることをいう。
【００３８】
このように、第２パターン１１５と、第２パターン１１６と、が第２領域１０５の全域に疎らに設けられていることにより、ローディング効果によるエッチングの精度低下を軽減することができる。
【００３９】
以上説明した実施の形態によれば、エッチング後のウエハ全体の開口率を調整する第２パターンを備えるフォトマスク１は、チップを形成する第１パターンのチップパターンが異なる場合でも、ウエハ全体の開口率を一定にすることができる。すなわち、フォトマスク１は、第２パターンの第２透過領域の面積の設定によって、異なるチップパターンが配置された場合でも、ウエハ全体の開口率を一定にすることができる。
【００４０】
つまり、チップパターンと異なる第２パターンを備えたフォトマスク１は、異なるチップパターンが配置された場合でも、迅速にウエハのエッチング条件を確定することができる。
【００４１】
●フォトマスク（２）●
次に、本発明にかかるフォトマスクの別の実施の形態について、先に説明した実施の形態と異なる部分を中心に説明する。ここで、本実施の形態は、第２パターンのパターン幅は、第１パターンのパターン幅より狭い点において、これまでに説明した実施の形態と異なる。
【００４２】
図７（ａ）は、第２パターンのパターン幅、すなわち、第２透過領域１５の幅と、不図示の第１パターンのパターン幅と、が、等しい第２領域１０５の模式図である。フォトマスク１は、非透過領域１４と、第２透過領域１５と、を有している。
【００４３】
図７（ｂ）は、第２領域１０５を有するフォトマスク１によってエッチングされたウエハ１１０の模式図である。フォトマスク１上の非透過領域１４の位置は、ウエハ１１０の隔壁１０８の位置に対応している。また、フォトマスク１上の第２透過領域１５の位置は、ウエハ１１０の開口１０９の位置に対応している。
【００４４】
開口１０９の形状は、ウエハ１１０の底面に対して略垂直な孔である。
【００４５】
図８は、ウエハ１１０を詳細に示した模式図である。ウエハ１１０は、液体吐出ヘッドに用いるシリコン基板である。ウエハ１１０の底面には、振動板４１と、層間膜４２と、保護膜４３と、が設けられている。
【００４６】
隔壁８と、開口９と、は、第１露光領域２００に設けられている。隔壁１０８と、開口１０９と、は、第２露光領域２０５に設けられている。第１露光領域２００と、第２露光領域２０５と、は、ダイシングライン４４で区切られている。
【００４７】
図９（ａ）は、第２パターンのパターン幅、すなわち、第２透過領域１５の幅が、不図示の第１パターンのパターン幅より狭い第２領域１０６の模式図である。第２透過領域２５は、フォトマスク２１に形成されている。フォトマスク２１は、非透過領域２４と、第２透過領域２５と、を有している。
【００４８】
図９（ｂ）は、フォトマスク２１によってエッチングされたウエハ１１１の模式図である。フォトマスク２１上の非透過領域２４の位置は、ウエハ１１１の隔壁１１８の位置に対応している。また、フォトマスク２１上の第２透過領域２５の位置は、ウエハ１１１の穴１１９の位置に対応している。
【００４９】
穴１１９は、ウエハ１１１を貫通しない穴である。
【００５０】
図１０は、ウエハ１１１を詳細に示した模式図である。隔壁８と、開口９と、は、第１露光領域２０１に設けられている。隔壁１１８と、穴１１９と、は、第２露光領域２０６に設けられている。第１露光領域２０１と、第２露光領域２０６と、は、ダイシングライン４４で区切られている。
【００５１】
以上説明した実施の形態によれば、第２パターンのパターン幅が第１パターンのパターン幅より狭いため、第２パターンのエッチングにより形成された穴は、ウエハを貫通しない。すなわち、エッチングされた第２パターンによるウエハの強度低下を軽減することができる。
【００５２】
●ウエハ●
次に、本発明にかかるウエハの実施の形態について説明する。
【００５３】
図１１は、本発明にかかるウエハを示す模式図である。
【００５４】
ウエハ２６は、ウエハ基板２２を備えている。ウエハ基板２２の上面は、第１露光領域２００と、第２露光領域２０５と、により構成されている。
【００５５】
●第１露光領域について
第１露光領域２００は、フォトマスク１の第１パターン７が露光されて第１露光パターン２０７が形成された領域である。
【００５６】
第１露光パターン２０７は、第１透過露光領域２１０を備えている。第１露光パターン２０７は、エッチング後に半導体素子等のチップを形成する。ウエハ２６上の第１透過露光領域２１０の位置は、フォトマスク１上の第１透過領域１０の位置に対応している。
【００５７】
●第２露光領域について
第２露光領域２０５は、フォトマスク１の第２パターン１１５が露光されて第２露光パターン２１７が形成された領域である。第２露光領域２０５は、第１露光領域２００の周辺に設けられている。この構成により、第１露光領域２００の端部、すなわち、レジストパターン有無界面で発生するローディング効果によるエッチングの精度低下を軽減することができる。
【００５８】
第２露光パターン２１７は、第２透過露光領域２１５を備えている。第２露光パターン２１７は、ウエハ２６全体の開口率の調整用のパターンである。ウエハ２６上の第２透過露光領域２１５の位置は、フォトマスク１上の第２透過領域１５の位置に対応している。
【００５９】
第２露光領域２０５は、チップの生産過程で第１露光領域２００からダイシングされる。すなわち、第２露光領域２０５は、チップを構成しない。
【００６０】
第１透過露光領域２１０の面積が第１露光領域２００の面積に占める割合と、第２透過露光領域２１５の面積が第２露光領域２０５の面積に占める割合と、は異なる。
【００６１】
ここで、前述のとおり、第２露光パターン２１７は、ウエハ２６全体の開口率を調整することができる。
【００６２】
以上説明した実施の形態によれば、ウエハ２６は、異なるチップパターンが配置された場合でも迅速にウエハ２６のエッチング条件を確定することができる。
【００６３】
●液体吐出ヘッド●
次に、本発明にかかる液体吐出ヘッドの実施の形態について説明する。
【００６４】
図１２は、本発明にかかる液体吐出ヘッドを示す模式図である。
【００６５】
液体吐出ヘッド３００は、サブフレーム基板３０１と、アクチュエーター基板３０２（図１４参照）と、ノズル基板３０４と、を接着剤によって接合した積層基板となっている。
【００６６】
図１３は、サブフレーム基板３０１を示す模式図である。サブフレーム基板３０１は、シリコン基板である。サブフレーム基板３０１には、図示しないアクチュエーター保護キャビティ、サブフレーム接合部、インク供給孔、電気配線の取り回し用開口、及びアクチュエーター基板とのアライメント用マーク等が形成されている。
【００６７】
図１４は、アクチュエーター基板３０２を示す模式図である。アクチュエーター基板３０２は、シリコン基板である。アクチュエーター基板３０２は、本発明にかかるウエハ２６の第１露光領域２００がエッチングされて形成されている。
【００６８】
アクチュエーター基板３０２は、一方の面に、下電極層３１０と、圧電素子３１１と、上電極層３１２と、の積層構成から成るアクチュエーター素子が形成されている。アクチュエーター素子上には、層間絶縁膜３０８と、外部駆動回路からの信号を伝達するメタル配線３０７と、メタル配線３０７を保護するためのパッシベーション保護膜３０６と、が形成されている。
【００６９】
アクチュエーター基板３０２の他方の面には、振動板３０３を介して、隔壁８と、開口９と、が形成されている。開口９は、本発明にかかる液体吐出ヘッドにおいては液室として作用する。すなわち、アクチュエーター基板３０２は、液室形成部材である。
【００７０】
アクチュエーター基板３０２は、上面で、サブフレーム基板３０１と接着剤によって接合している。
【００７１】
図１５は、ノズル基板３０４を示す模式図である。ノズル基板３０４は、プレス加工又はＮｉ電鋳工法等によってノズル孔３０５が形成されている。ノズル基板３０４は、アクチュエーター基板３０２の開口９が設けられている側の面に接着剤によって接合されている。開口９は、ノズル孔３０５が連通している。
【００７２】
以上説明した実施の形態によれば、液体吐出ヘッド３００は、前述の本発明にかかるウエハを用いて液室９が形成されるため、液室９の加工精度を高めてノズル孔３０５との位置関係などを所望に設定することができ、安定した吐出特性を実現することができる。
【００７３】
●フォトマスクの製造装置●
次に、本発明にかかるフォトマスクの製造装置の実施の形態について説明する。
【００７４】
図１６は、本発明にかかるフォトマスクの製造装置の実施の形態を示す機能ブロック図である。
【００７５】
フォトマスクの製造装置５０は、フォトマスク１を製造する装置であって、第１パターン作製部５１と、第１パターン透過率取得部５２と、設定透過率記憶部５３と、第２パターン作製部５４と、を備える。
【００７６】
第１パターン作製部５１は、フォトマスク１上の第１パターンを作製する。第１パターンの作製は、例えばガラス基板上への焼付により行う。
【００７７】
第１パターン透過率取得部５２は、第１パターン作製部５１が作製した第１パターンの第１パターン透過率を求める。ここで、第１パターン透過率は、第１透過領域の面積が第１領域の面積に占める割合である。
【００７８】
設定透過率記憶部５３は、設定透過率を記憶する。設定透過率とは、フォトマスク１全体の透過率の設定値である。フォトマスク１全体の透過率とは、フォトマスク１の第１透過領域の面積と、第２透過領域の面積と、の和がフォトマスク１の表面積に占める割合である。
【００７９】
第２パターン作製部５４は、設定透過率記憶部５３に記憶された設定透過率と、第１パターン透過率取得部５２で取得したチップパターン透過率と、に基づいて、第２パターンを作製する。このとき、第２パターン作製部５４は、フォトマスク１全体の透過率と、設定透過率と、が等しくなるように第２パターンを作製する。
【００８０】
ここで、第２パターンを作製する際、第２パターン作製部５４は、第２パターン１１５を構成する非透過領域１４と第２透過領域との面積や、フォトマスク基板上での第２パターン１１５の配置位置を決定する。
【００８１】
なお、フォトマスク１全体の透過率が設定透過率であるときの、フォトマスク１でエッチングするウエハのエッチング条件が既知である。したがって、第１パターン透過率と、設定透過率と、が、異なっている場合でも、第２パターンを作製することにより、前述のエッチング条件をウエハのエッチングに適用することができる。
【００８２】
以上説明した実施の形態によれば、フォトマスクの製造装置５０は、異なるチップパターンを配置した場合でも迅速にウエハのエッチング条件を確定することができる。
【００８３】
●フォトマスクの生産方法●
次に、フォトマスクの製造装置５０が実行する、本発明にかかるフォトマスク１の生産方法について説明する。
【００８４】
図１７は、本発明にかかるフォトマスクの生産方法の実施の形態を示すフローチャートである。
【００８５】
まず、第１パターン作製部５１は、フォトマスク１に第１パターンを作製する（Ｓ１）。
【００８６】
次いで、第１パターン透過率取得部５２は、第１パターン透過率を取得する（Ｓ２）。
【００８７】
次いで、第２パターン作製部５４は、設定透過率記憶部５３に記憶されるフォトマスク１の設定透過率を取得する（Ｓ３）。
【００８８】
次いで、第２パターン作製部５４は、ステップＳ２で取得した第１パターン透過率と、ステップＳ３で取得した設定透過率と、を比較する（Ｓ４）。
【００８９】
第１パターン透過率と、設定透過率と、が同一であるときは、フォトマスク１の生産処理を終了する。第１パターン透過率と、設定透過率と、が異なるときは、ステップＳ５へ進む。
【００９０】
次いで、第２パターン作製部５４は、ステップＳ２で取得した第１パターン透過率と、ステップＳ３で取得した設定透過率と、に基づいて、第２パターンを決定する（Ｓ５）。このとき、第２パターン作製部５４は、フォトマスク１全体の透過率と、設定透過率と、が同一となるように第２パターンの大きさやフォトマスク１上での位置を決定する。
【００９１】
次いで、第２パターン作製部５４は、ステップＳ５で決定した第２パターンをフォトマスク１に作製する（Ｓ６）。
【００９２】
以上説明した実施の形態によれば、フォトマスクの製造装置５０によるフォトマスクの生産方法は、異なるチップパターンを配置した場合でも迅速にウエハのエッチング条件を確定することができる。
【００９３】
●フォトマスクの生産プログラム●
次に、コンピュータが実行する、本発明にかかるフォトマスク１の生産プログラムについて説明する。ここで、同生産プログラムが実行されるコンピュータは、前述のフォトマスクの製造装置５０として機能する。
【００９４】
図１８は、本発明にかかるフォトマスクの生産プログラムが実行されるコンピュータの機能ブロック図である。
【００９５】
コンピュータ６０は、入力部６１と、演算部６２と、フォトマスクの設定透過率が記憶される設定透過率記憶部６３と、として動作する。
【００９６】
入力部６１は、第１パターン透過率が入力可能な装置である。入力部６１は、例えば、キーボードである。
【００９７】
なお、入力部６１は、画像読取機能によりフォトマスク上の第１パターンを読取可能な装置でもよい。
【００９８】
演算部６２は、第１パターン透過率取得部６４と、第２パターン決定部６５と、出力部６６、として動作する。
【００９９】
第１パターン透過率取得部６４は、入力部６１から第１パターン透過率を取得する。
【０１００】
第２パターン決定部６５は、設定透過率記憶部６３に記憶される設定透過率と、チップパターン透過率と、に基づいて第２パターンを決定する。
【０１０１】
出力部６６は、フォトマスクを作製するための出力装置に第２パターンを出力する。
【０１０２】
以上説明した実施の形態によれば、本発明にかかるフォトマスクの生産プログラムは、異なるチップパターンを配置した場合でも迅速にウエハのエッチング条件を確定することができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１        フォトマスク
６        ウエハ
７        第１パターン
１０      第１透過領域
１５      第２透過領域
２２      ウエハ基板
５０      フォトマスクの製造装置
５１      第１パターン作製部
５２      第１パターン透過率取得部
５３      設定透過率記憶部
５４      第２パターン作製部
６０      コンピュータ
６１      入力部
６２      演算部
６３      設定透過率記憶部
６４      第１パターン透過率取得部
６５      第２パターン決定部
６６      出力部
１００    第１領域
１０５    第２領域
１１０    ウエハ
１１５    第２パターン
２００    第１露光領域
２０５    第２露光領域
２０７    第１露光パターン
２１０    第１透過露光領域
２１５    第２透過露光領域
２１７    第２露光パターン
３００    液体吐出ヘッド
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１０４】
【特許文献１】特開２００１−１８３８０９号公報
【図１】
2015152832.tif 000003
【図２】
2015152832.tif 000004
【図３】
2015152832.tif 000005
【図４】
2015152832.tif 000006
【図５】
2015152832.tif 000007
【図６】
2015152832.tif 000008
【図７】
2015152832.tif 000009
【図８】
2015152832.tif 000010
【図９】
2015152832.tif 000011
【図１０】
2015152832.tif 000012
【図１１】
2015152832.tif 000013
【図１２】
2015152832.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2015152832.tif 000016
【図１５】
2015152832.tif 000017
【図１６】
2015152832.tif 000018
【図１７】
2015152832.tif 000019
【図１８】
2015152832.tif 000020