(57)【要約】【課題】成型体の枠部を薄型化しても、光の透過率が低いため、反射率を高めることができ、かつ強度が高いため、クラックの発生を抑制することができる光半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。【解決手段】本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられ、かつ白色であり、光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み５０μｍのシートに成型したときに、前記シートの波長４５０ｎｍにおける透過率が１０％以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み５０μｍのシートに成型したときに、前記シートの波長４５０ｎｍにおける透過率が１０％以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項２】
エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、
前記白色顔料以外の充填材が、粒径が５０μｍ以上である充填材を含まないか、又は粒径が５０μｍ以上である充填材を１．５重量％未満で含む、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項３】
前記白色顔料以外の充填材が、粒径が５０μｍ以上である充填材を含まないか、又は粒径が５０μｍ以上である充填材を１重量％未満で含む、請求項２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項４】
前記白色顔料以外の充填材の平均粒径が１μｍ以上、４０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項５】
光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み５０μｍのシートに成型したときに、前記シートの引張強度が６５ＭＰａ以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項６】
前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであり、
前記白色顔料以外の充填材がシリカである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項７】
光半導体装置において光半導体素子が搭載されたリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項８】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体。
【請求項９】
リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、
前記成型体が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成型体が配置されている。該枠部を有する成型体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成型体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。
【０００４】
上記成型体を得るための成型材料の一例として、下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とカップリング剤とを含む硬化性組成物が開示されている。
【０００５】
また、下記の特許文献２には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−７４１２４号公報
【特許文献２】特開２０１１−００９５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、光半導体装置の小型化に伴い、成型体の枠部の薄型化が進められている。枠部が薄型化すると、特許文献１，２に記載のような従来の成型材料では、光半導体装置から発せられる光が上記枠部を透過しやすくなり、光半導体装置の輝度が低下する。また、上記枠部が薄型化すると、上記枠部の強度が低下し、トランスファー成型時にクラックが生じることがある。
【０００８】
本発明の目的は、成型体の枠部を薄型化しても、光の透過率が低いため、反射率を高めることができ、かつ強度が高いため、クラックの発生を抑制することができる光半導体装置用白色硬化性組成物を提供することである。
【０００９】
また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み５０μｍのシートに成型したときに、前記シートの波長４５０ｎｍにおける透過率が１０％以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。
【００１１】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、前記白色顔料以外の充填材が、粒径が５０μｍ以上である充填材を含まないか、又は粒径が５０μｍ以上である充填材を好ましくは１．５重量％未満で、より好ましくは１重量％未満で含む。
【００１２】
前記白色顔料以外の充填材の平均粒径が１μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み５０μｍのシートに成型したときに、前記シートの引張強度が６５ＭＰａ以上である。
【００１４】
前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。前記白色顔料以外の充填材がシリカであることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子が搭載されたリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる。
【００１６】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体が提供される。
【００１７】
本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、前記成型体が、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み５０μｍのシートに成型したときに、上記シートの波長４５０ｎｍにおける透過率が１０％以下であるので、成型体の枠部を薄型化しても、光の透過率が低いため、反射率を高めることができ、かつ強度が高いため、クラックの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成型体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成型体が連なった分割前成型体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成型体が連なった分割前成型体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２１】
（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物（以下、硬化性組成物と記載することがある）は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる。本発明に係る硬化性組成物は、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である。
【００２２】
本発明に係る硬化性組成物を厚み５０μｍのシートに成型したときに、上記シートの波長４５０ｎｍにおける透過率が１０％以下である。
【００２３】
本発明に係る硬化性組成物の上記の構成を採用することで、上記硬化性組成物を成型して得られる枠部が薄くても、光半導体装置から発せられる光の透過率を低くすることができ、反射率を高めることができる。さらに、上記枠部の強度を高めることができ、トランスファー成型時のクラックの発生を抑制することができる。
【００２４】
上記シートの上記透過率は、１０％以下であるが、好ましくは９％以下、より好ましくは７％以下である。透過率が１０％以下であることで、成型体の反射率を高めることができる。上記透過率は低いほどよく、上記透過率が低いほど成型体の反射率をより一層高めることができる。
【００２５】
上記透過率は、以下の要領にて測定することができる。光半導体用白色硬化性組成物を１７０℃で５分間加熱プレスすることにより、厚み５０μｍのシートを作製する。作製したシートについて、分光光度計を用いて、波長４５０ｎｍにおける透過率を測定する。
【００２６】
上記透過率を１０％以下とする方法としては、後述する白色顔料以外の充填材の特定の粒径の割合を調整する方法等が挙げられる。
【００２７】
本発明に係る硬化性組成物を、厚み５０μｍのシートに成型したときに、上記シートの引張強度は好ましくは６５ＭＰａ以上、より好ましくは７０ＭＰａ以上、更に好ましくは８０ＭＰａ以上、特に好ましくは９０ＭＰａ以上である。上記引張強度が６５ＭＰａ以上であると、トランスファー成型時に金型から成型体を取り出す際にクラックや欠けの発生を抑制することができる。上記引張強度は高いほどよく、上記引張強度が高いほど、クラック及び欠けの発生をより一層抑えることができる。
【００２８】
本発明に係る硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）を含むことが好ましく、硬化剤（Ｂ）を含むことが好ましく、白色顔料（Ｃ）を含むことが好ましく、白色顔料以外の充填材（Ｄ）を含むことが好ましく、硬化促進剤（Ｅ）を含むことが好ましい。
【００２９】
以下、本発明に係る硬化性組成物に用いることができる各成分の詳細を説明する。
【００３０】
［エポキシ化合物（Ａ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成型体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、及び複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。
【００３２】
上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。
【００３３】
上記エポキシ化合物（Ａ）は無色であるか、又は無色に近い色であることが好ましい。このため、上記エポキシ化合物（Ａ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ジグリシジルイソシアヌレート又はトリグリシジルイソシアヌレートであることが好ましい。
【００３４】
光半導体装置から発せられる光の明るさをより一層低下し難くする観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）として、耐熱性に優れたエポキシ化合物を用いることが好ましい。このため、脂環式エポキシ化合物又はトリグリシジルイソシアヌレートが好ましく、トリグリシジルイソシアヌレートがより好ましい。
【００３５】
過酷な環境下での使用による光半導体装置の品質の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。
【００３６】
上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、３００以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記硬化性組成物の連続成型性、及び成型体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。
【００３７】
上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成型体の耐熱性がより一層高くなる。
【００３８】
［硬化剤（Ｂ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含むことが好ましい。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤であることが好ましい。該酸無水物硬化剤の使用によって、成型体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成型体の成型むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３９】
上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。
【００４０】
好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００４１】
上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００４２】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下、特に好ましくは１００重量部以下である。上記硬化剤（Ｂ）が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物を良好に硬化させることができる。
【００４３】
上記硬化性組成物中で、上記エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と上記硬化剤（Ｂ）全体の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜３：１であることが好ましく、１．３：１〜２：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：酸無水物硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成型体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。
【００４４】
［白色顔料（Ｃ）］
上記硬化性組成物は上記白色顔料（Ｃ）を含むことが好ましい。白色顔料（Ｃ）の使用により、光の反射率が高い成型体を得ることができる。また、上記白色顔料（Ｃ）の使用によって、上記白色顔料（Ｃ）以外の充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成型体が得られる。上記白色顔料（Ｃ）は特に限定されない。上記白色顔料（Ｃ）として従来公知の白色顔料を使用可能である。上記白色顔料（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４５】
上記白色顔料（Ｃ）としては、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン及び酸化マグネシウム等が挙げられる。
【００４６】
成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。この好ましい白色顔料を用いる場合に、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化ジルコニウムの中で、１種又は２種以上の白色顔料を用いることができる。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン又は酸化亜鉛であることが好ましく、酸化チタンであることが好ましく、酸化亜鉛であることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化ジルコニウムであってもよい。
【００４７】
上記酸化チタンは、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなり、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。
【００４８】
上記酸化チタンは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなる。
【００４９】
上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−９０−２」、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−５８」、ルチル塩素法酸化チタンであるデュポン社製「Ｒ−９００」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「Ｒ−６３０」等が挙げられる。
【００５０】
上記酸化亜鉛は、表面処理された酸化亜鉛であることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化亜鉛は、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００５１】
上記酸化ジルコニウムは、表面処理された酸化ジルコニウムであることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化ジルコニウムは、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００５２】
上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。
【００５３】
上記白色顔料（Ｃ）の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは４０μｍ以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、成型体の光の反射率をより一層高めることができ、上記上限以下であると、同じく成型体の光の反射率をより一層高めることができる。
【００５４】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）の含有量及び上記酸化チタンの含有量はそれぞれ、好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは７重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。
【００５５】
［充填材（Ｄ）］
上記充填材（Ｄ）は、白色顔料以外の充填材である。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）とは異なる。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５６】
上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料である酸化チタンではなく、白色顔料である酸化亜鉛ではなく、白色顔料である酸化ジルコニウムではない。
【００５７】
上記硬化性組成物の成型性、並びに成型体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材（Ｄ）はシリカを含むことが好ましく、シリカであることがより好ましい。
【００５８】
上記白色顔料以外の充填材（Ｄ）は、粒径が５０μｍ以上である充填材を含まないか、又は粒径が５０μｍ以上である充填材を１．５重量％未満で含むことが好ましい。すなわち、粒径が５０μｍ以上である充填材の含有量は少ないほどよい。粒径が５０μｍ以上である充填材の含有量が１．５重量％未満であると、成型体の透過率を低減し、光の反射率をより一層高めることができる。上記白色顔料以外の充填材（Ｄ）における粒径が５０μｍ以上である充填材の含有量は、より好ましくは１重量％未満である。本発明者らは、粒径が５０μｍ以上である充填材の含有量が少ないほど、成型体の枠部を薄型化しても、光の透過率がかなり低くなって、反射率をより一層高めることができるだけでなく、かつ強度がかなり高くなって、クラックの発生を抑制することができることを見出した。
【００５９】
粒径が５０μｍ以上である充填材の割合は、以下の要領にて測定することができる。
【００６０】
上記白色顔料以外の充填材（Ｄ）５０ｇをアセトン１５０ｇに超音波をかけながら分散させる。次いで目開き５０μｍのメッシュでろ過し、メッシュ不通過分を風乾させた後に重量を測定する。
【００６１】
粒径が５０μｍ以上である充填材が１重量％未満である上記充填材（Ｄ）としては、龍森社製「ＭＳＲ−３５１２−ＳＣ４」（５０μｍ以上の粒径の割合が０．１重量％）、「ＭＳＲ−３５１２−ＳＣ３」（５０μｍ以上の粒径の割合が０．８重量％）等が挙げられる。また、充填材をふるいにかけて、５０μｍ以上の粒径の割合を制御してもよい。
【００６２】
上記充填材（Ｄ）の平均粒径は、好ましくは１μｍ以上、好ましくは４０μｍ以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、トランスファー成型時のクラックをより一層抑制することができる。
【００６３】
上記充填材（Ｄ）における平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ  Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ  １３  ３２０」等が挙げられる。
【００６４】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなる。
【００６５】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性及び成型体の光の反射率がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が５０重量％以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。
【００６６】
上記硬化性組成物１００重量％中、充填材（Ｄ）に含まれる粒径が５０μｍ以上である充填材の含有量は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下、特に好ましくは０重量％（未含有）である。
【００６７】
［硬化促進剤（Ｅ）］
上記硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含むことが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成型体の耐熱性を高めることができる。上記硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６８】
上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【００６９】
上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。
【００７０】
上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
【００７１】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００７２】
上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。
【００７３】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。
【００７４】
上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００７５】
上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成型体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。
【００７６】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。
【００７７】
［離型剤（Ｆ）］
上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか又は含む。連続成型性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいてもよい。上記離型剤（Ｆ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７８】
上記離型剤（Ｆ）は特に限定されない。上記離型剤（Ｆ）として、従来公知の離型剤を使用可能である。上記離型剤（Ｆ）としては、脂肪酸エステル系ワックス、酸化又は非酸化ポリオレフィン系ワックス、パラフィン系ワックス、エステル系ワックス、カルナバワックス及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記シリコーン化合物としては、シリコーンオイル及び変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００７９】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）の含有量は０重量％（未含有）以上、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下である。上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいなくてもよい。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記下限以上であると、連続成型性がより一層高くなる。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記上限以下であると、密着対象物と成型体との密着性がより一層高くなる。
【００８０】
密着対象物と成型体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか、上記硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）を２重量％以下で含むことが特に好ましい。
【００８１】
［他の成分］
上記硬化性組成物は、必要に応じて、密着助剤、酸化防止剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
【００８２】
上記密着助剤としては特に限定されず、カップリング剤、メラミン、イソシアネート化合物等の窒素原子を有する化合物、硫黄原子を有する化合物等が挙げられる。上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤等が挙げられる。
【００８３】
上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【００８４】
上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。
【００８５】
（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成型体）
上記色硬化性組成物の、示差走査熱量測定により求められたガラス転移点は、好ましくは−２０℃以上、より好ましくは０℃以上、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下である。上記ガラス転移点が上記下限以上であると、タブレットの強度がより一層高くなり、タブレットに欠けがより一層生じ難くなる。上記ガラス転移点が上記上限以下であると、成型不良がより一層生じ難くなり、特にトランスファー成型時の成型不良がより一層生じ難くなる。
【００８６】
上記示差走査熱量測定では、２３℃から降温速度１０℃／分で−１００℃まで冷却した後、昇温速度１０℃／分で２００℃まで加熱する条件で、測定が行われる。上記示差走査熱量測定では、例えば、エイアイアイ・ナノテクノロジー社製「ＥＸＳＴＡＲ  ＤＳＣ７０２０」等が用いられる。
【００８７】
上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる。上記硬化性組成物は、金型を用いて成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。
【００８８】
上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成型体は、光半導体装置用成型体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。
【００８９】
光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。
【００９０】
光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記成型体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成型体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成型体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成型体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。
【００９１】
上記硬化性組成物は、複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、該分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、複数の成型体がリードフレームを介して連なった分割前成型体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。
【００９２】
上記硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と白色顔料（Ｃ）と白色顔料以外の充填材（Ｄ）と硬化促進剤（Ｅ）などと必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕、タブレット化する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜６０分間混練することがより好ましく、５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが更に好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが特に好ましい。
【００９３】
成型体の外観をより一層良好にする観点からは、上記硬化性組成物を得る際に、５０℃〜９０℃で１０分〜６０分加熱混練した後、３０℃を超え、５０℃未満で２４時間〜２４０時間エージングが行われていることが好ましい。上記エージングにおける温度が３０℃を超えることで、エージングによる反応が適度に進行し、タブレット強度がより一層高くなり、タブレットの欠けがより一層生じ難くなる。上記エージングにおける温度が５０℃未満であることで、エポキシ化合物と酸無水物硬化剤との相溶性がより一層良好になる。
【００９４】
本発明に係る光半導体装置用成型体は、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記硬化性組成物は所定の形状に成型される。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる成型体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。
【００９５】
上記硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成型体を得る方法としては、圧縮成型法、トランスファー成型法、積層成型法、射出成型法、押出成型法及びブロー成型法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成型法が好ましい。
【００９６】
成型体の製造を容易にし、かつ圧縮強度が高いタブレットを得ることができることから、上記硬化性組成物は、トランスファー成型するためのタブレットであることが好ましい。
【００９７】
トランスファー成型法では、例えば、成型温度１００〜２００℃、成型圧力５〜２０ＭＰａ及び成型時間６０〜３００秒の条件で、上記硬化性組成物をトランスファー成型することにより、成型体が得られる。
【００９８】
（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備える。上記光半導体装置における上記成型体が、上記光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色タブレットは、上記白色硬化性組成物を用いて形成される。
【００９９】
本発明に係る光半導体装置では、上記成型体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【０１００】
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。
【０１０１】
本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成型体４と第２の成型体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成型体４と第２の成型体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成型体４と第２の成型体５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成型体４は、枠部である。第２の成型体５は、底部である。光半導体装置１では、成型体は、枠部（第１の成型体４）と、底部（第２の成型体５）とを有する。第１の成型体４である枠部は、外壁部である。第１の成型体４である枠部は、環状である。
【０１０２】
なお、成型体は、底部を有さない成型体であってもよい。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる枠部を有する成型体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成型体は、枠部のみの枠状の成型体であってもよい。上記底部材は、成型体であってもよい。
【０１０３】
リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成型体４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成型体５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成型体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成型体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成型体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成型体４が配置されている。第１，第２の成型体４，５（枠部及び底部を有する成型体）は、上述した硬化性組成物の硬化物であり、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成型体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成型体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成型体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。第１の成型体４のみが、上述した硬化性組成物の硬化物であってもよい。
【０１０４】
第１の成型体４（枠部）は、光半導体素子３から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成型体４，５は、白色である。第１の成型体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。
【０１０５】
光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。ダイボンド材６は、導電性を有する。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成型体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。
【０１０６】
光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成型体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光は明るい。
【０１０７】
図２に、図１に示す光半導体装置１の変形例を示す。図１に示す光半導体装置１と図２に示す光半導体装置２１とでは、ダイボンド材６，２２及びボンディングワイヤー７，２３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置１におけるダイボンド材６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置２１はダイボンド材２２を有し、ダイボンド材２２は導電性を有さない。光半導体装置１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図１（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体装置２１は、ボンディングワイヤー７に加えて、ボンディングワイヤー２３を有する。光半導体装置２１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー２３により電気的に接続されている。
【０１０８】
図３に、図２に示す光半導体装置２１の変形例を示す。図３に示す光半導体装置３１は、図１に示す光半導体装置１の変形例でもある。図２に示す光半導体装置２１と、図３に示す光半導体装置３１とでは、第１，第２の成型体４，５及び成型体３２の構造のみが異なる。光半導体装置２１では、第１，第２の成型体４，５が用いられており、第１の成型体４は、リードフレーム２上に配置されており、第２の成型体５は、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置３１では、１つの成型体３２が用いられている。成型体３２は、リードフレーム２上に配置された枠部３２ａと、複数のリードフレーム２間に配置された充填部３２ｂとを有する。枠部３２ａと充填部３２ｂとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有していればよい。リードフレームの下方に、成型体は配置されていなくてもよい。成型体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。
【０１０９】
なお、図１〜３に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成型体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１１０】
また、図４に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成型体４Ａと、分割前第２の成型体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品を得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成型体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成型体４が得られる。分割前第２の成型体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成型体５が得られる。
【０１１１】
さらに、図５に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成型体４Ａと、分割前第２の成型体５Ａとを有する。また、図１〜３に示す光半導体装置１，２１，３１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図４，５では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成型体が連なって分割前成型体が形成されているが、複数の成型体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。
【０１１２】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【０１１３】
（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＥＨＰＥ３１５０（脂環骨格を有するエポキシ樹脂、ダイセル社製、エポキシ当量１７７）
２）ＴＥＰＩＣ−Ｓ（トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学社製、エポキシ当量１００）
【０１１４】
（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製、融点３３℃）
２）リカシッドＴＨ（テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製、融点１０１℃）
【０１１５】
（白色顔料（Ｃ））
１）ＣＲ−５８（酸化チタン、ルチル型、Ａｌにより表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、石原産業社製）
２）酸化亜鉛Ｉ種（酸化亜鉛、平均粒径１μｍ、堺化学工業社製）
３）ＵＥＰ（酸化ジルコニウム、平均粒径０．６μｍ、第一稀元素化学工業社製）
【０１１６】
（充填材（Ｄ））
１）ＭＳＲ−３５１２−ＳＣ４（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、粒径が５０μｍ以上である球状シリカの割合０．３重量％、龍森社製）
２）ＭＳＲ−３５１２−ＳＣ３（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、粒径が５０μｍ以上である球状シリカの割合１．２重量％、龍森社製）
３）ＦＢ−１０５アッパーカット品（球状シリカ、平均粒径１２μｍ、粒径が５０μｍ以上である球状シリカの割合０．２重量％）：ＦＢ−１０５（球状シリカ、電気化学工業社製）を目開き４５μｍのふるいで粗大粒子を取り除いた処理品
４）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、粒径が５０μｍ以上である球状シリカの割合５．０重量％、龍森社製）
【０１１７】
（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジオネート、日本化学工業社製）
【０１１８】
（離型剤（Ｆ））
１）セリダスト３７１５（ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン社製）
２）Ｍ−９６７６（ステアリン酸ステアリル、日油社製）
【０１１９】
（実施例１〜１５及び比較例１〜５）
下記表１に示す各成分を下記表１に示す配合量で配合（配合単位は重量部）し、混合機（東洋精機製作所社製「ラボプラストミルＲ−６０」）にて、７０℃で２０分間（加熱混練工程）で加熱混練した後、下記の表１に示す温度及び時間の条件（エージング工程）でエージングを行い、得られた硬化性組成物を粉砕して、粉末状の硬化性組成物（タブレット）を得た。
【０１２０】
（測定及び評価）
（１）透過率
得られた硬化性組成物を１７０℃で５分間加熱プレスすることにより、厚み５０μｍのシートを作製した。得られたシートについて、分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製「Ｕ−３９００」）を用いて、波長４５０ｎｍにおける透過率を測定した。測定条件は、スキャン範囲３００−８００ｎｍ、スキャンスピード６００ｎｍ／分とした。
【０１２１】
（２）引張強度
上記（１）の透過率の評価で得られたシートを用いて、引張試験機（エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＣ」）の条件をチャック間距離５０ｍｍ、引張速度１０ｍｍ／分として、引張強度を測定した。
【０１２２】
（３）トランスファー成型性
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、リードフレーム（銀めっき表面、厚み０．２ｍｍ）を得た。
【０１２３】
金型として、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成型用金型を用意した。キャビティサイズは、１個当たり４ｍｍ×２ｍｍ、深さ１ｍｍとした。金型クリーニング材（日本カーバイド社製「ニカレットＲＣＣ」）を用いて、上記金型を３回クリーニングした後、金型離型回復材（日本カーバイド社製「ニカレットＥＣＲ−Ｃ  ＫＵ」）を用いて、金型に離型性を付与した。
【０１２４】
離型性が付与された金型を用いて、得られたタブレットのトランスファー成型を行い、光半導体装置搭載用基板を得た。得られた光半導体装置搭載用基板を目視により検査し、成型性を下記の基準で判定した。
【０１２５】
［トランスファー成型性の判定基準］
○：成型体に充填不良による欠け及びクラックなどの外観異常がない  
△：成型体に充填不良による欠け及びクラックなどの外観異常が僅かにある  
×：成型体に充填不良による欠け及びクラックなどの明らかな外観異常がある
【０１２６】
組成及び結果を下記の表１に示す。
【０１２７】
【表１】
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【符号の説明】
【０１２８】
１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成型体
４Ａ…分割前第１の成型体
４ａ…内面
５…第２の成型体
５Ａ…分割前第２の成型体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置
２１…光半導体装置
２２…ダイボンド材
２３…ボンディングワイヤー
３１…光半導体装置
３２…成型体
３２ａ…枠部
３２ｂ…充填部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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