(57)【要約】      （修正有）【課題】常温における保存性を向上させた半導体素子封止用樹脂組成物の提供。【解決手段】エポキシ樹脂と、シリカと、硬化剤と、を加熱混練して混練物を得る工程と、前記混練物を粉砕して粉粒体を得る工程と、前記粉粒体中に硬化促進剤を分散させる工程と、を備え、前記粉粒体に前記硬化促進剤を分散させる前記工程の後において、前記粉粒体の、ＢＥＴ法により算出される比表面積Ｓ１（ｍ２／ｇ）と、下記式により算出される比表面積Ｓ２（ｍ２／ｇ）と、の差（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５以下である封止用樹脂組成物の製造方法。Ｓ２＝Ｓ３／１．９９×１０−４（Ｓ３：レーザー回折・散乱法により算出される比表面積（ｃｍ２／ｃｍ３））【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂と、シリカと、硬化剤と、を加熱混練して混練物を得る工程と、
前記混練物を粉砕して粉粒体を得る工程と、
前記粉粒体中に硬化促進剤を分散させる工程と、
を備え、
前記粉粒体に前記硬化促進剤を分散させる前記工程の後において、前記粉粒体の、ＢＥＴ法により算出される比表面積Ｓ１（ｍ２／ｇ）と、下記式により算出される比表面積Ｓ２（ｍ２／ｇ）と、の差（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５以下である封止用樹脂組成物の製造方法。
Ｓ２＝Ｓ３／１．９９×１０−４
（Ｓ３：レーザー回折・散乱法により算出される比表面積（ｃｍ２／ｃｍ３））
【請求項２】
請求項１に記載の封止用樹脂組成物の製造方法において、
前記粉粒体に前記硬化促進剤を分散させる前記工程の後において、前記粉粒体をタブレット状に打錠成形する工程をさらに備える封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の封止用樹脂組成物の製造方法において、
前記粉粒体を得る前記工程によって得られる前記粉粒体は、粒径１０μｍ以下である粒子の含有量が前記粉粒体全体に対して１０質量％以下であり、粒径３０μｍ以上である粒子の含有量が前記粉粒体全体に対して３０質量％以下である封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の製造方法において、
前記シリカは、溶融球状シリカである封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の製造方法において、
前記封止用樹脂組成物全体に対する前記シリカの含有量は６５質量％以上９０質量％以下である封止用樹脂組成物の製造方法。
【請求項６】
基板上に半導体素子を搭載する工程と、
請求項１〜５いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物を用いて、前記半導体素子を封止する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止用樹脂組成物の製造方法、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、たとえば基板上に搭載された半導体素子を封止用樹脂組成物により封止することにより形成される。このような封止用樹脂組成物に関する技術については、様々な検討がなされており、たとえば特許文献１に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する技術である。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、多官能型フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤をイソフタル酸化合物により包接してなる包接硬化促進剤、および無機充填剤、を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体素子を封止するために用いられる封止用樹脂組成物については、その常温における保存性を向上させることが求められる。しかしながら、特許文献１に記載の技術では、十分な保存性を有する封止用樹脂組成物を実現することが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
エポキシ樹脂と、シリカと、硬化剤と、を加熱混練して混練物を得る工程と、
前記混練物を粉砕して粉粒体を得る工程と、
前記粉粒体中に硬化促進剤を分散させる工程と、
を備え、
前記粉粒体に前記硬化促進剤を分散させる前記工程の後において、前記粉粒体の、ＢＥＴ法により算出される比表面積Ｓ１（ｍ２／ｇ）と、下記式により算出される比表面積Ｓ２（ｍ２／ｇ）と、の差（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５以下である封止用樹脂組成物の製造方法が提供される。
Ｓ２＝Ｓ３／１．９９×１０−４
（Ｓ３：レーザー回折・散乱法により算出される比表面積（ｃｍ２／ｃｍ３））
【０００７】
本発明によれば、
基板上に半導体素子を搭載する工程と、
上述の封止用樹脂組成物を用いて、前記半導体素子を封止する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、封止用樹脂組成物の常温における保存性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、シリカと、硬化剤と、を加熱混練して混練物を得る工程と、上記混練物を粉砕して粉粒体を得る工程と、上記粉粒体中に硬化促進剤を分散させる工程と、を備える。また、上記粉粒体に上記硬化促進剤を分散させる上記工程の後において、上記粉粒体の、ＢＥＴ法により算出される比表面積Ｓ１（ｍ２／ｇ）と、下記式により算出される比表面積Ｓ２（ｍ２／ｇ）と、の差（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５以下である。
Ｓ２＝Ｓ３／１．９９×１０−４
（Ｓ３：レーザー回折・散乱法により算出される比表面積（ｃｍ２／ｃｍ３））
【００１２】
本発明者は、封止用樹脂組成物の常温における保存性を向上させるために、封止用樹脂組成物の製造方法について鋭意検討した。その結果、エポキシ樹脂と、シリカと、硬化剤と、を加熱混練して得た混練物を粉砕して粉粒体を形成した後、（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５以下となるように粉粒体中に硬化促進剤を分散させる、という製造プロセスが、封止用樹脂組成物の常温における保存性の向上に寄与することを見出し、本実施形態に係る製造方法に至った。このように、本実施形態によれば、封止用樹脂組成物の常温における保存性を向上させることが可能となる。
【００１３】
以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物、封止用樹脂組成物の製造方法、および半導体装置について詳細に説明する。
【００１４】
まず、封止用樹脂組成物について説明する。
封止用樹脂組成物は、たとえば基板上、または他の半導体素子上に搭載された半導体素子を封止するために用いられる。すなわち、封止用樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物により、半導体素子を封止する封止樹脂が構成されることとなる。基板としては、たとえばリードフレームや有機基板等が挙げられる。半導体素子は、たとえばボンディングワイヤを介して基板へ接続される。この場合、封止用樹脂組成物は、半導体素子とボンディングワイヤを封止することとなる。一方で、半導体素子は、たとえば基板へフリップチップ接続されていてもよい。
【００１５】
封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、シリカ（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、硬化促進剤（Ｄ）と、を含む。これにより、耐湿性や耐熱性等の、半導体パッケージを構成する封止樹脂に求められる諸特性を実現することができる。
【００１６】
（エポキシ樹脂（Ａ））
エポキシ樹脂（Ａ）としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
本実施形態において、エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、アラルキル型エポキシ樹脂、およびビフェニル型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。なお、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、およびテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ならびにスチルベン型エポキシ樹脂は、結晶性を有するものであることが好ましい。
【００１７】
エポキシ樹脂（Ａ）としては、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、下記式（２）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（３）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含有するものを用いることがより好ましい。これらの中でも、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂を含有するものを用いることがとくに好ましい。
【００１８】
【化１】
2015218294.tif 000002
（式（１）中、Ａｒ１はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ１がナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ２はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｇは０〜５の整数であり、ｈは０〜８の整数である。ｎ３は重合度を表し、その平均値は１〜３である）
【００１９】
【化２】
2015218294.tif 000003
（式（２）中、複数存在するＲｃは、それぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ５は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００２０】
【化３】
2015218294.tif 000004
（式（３）中、複数存在するＲｄおよびＲｅは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ６は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００２１】
エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、４質量％以上であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を向上させることができる。一方で、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。また、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記範囲とすることによって、封止用樹脂組成物の常温における保存性の向上に寄与することも可能となる。
【００２２】
（シリカ（Ｂ））
シリカ（Ｂ）は、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができ、たとえば溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、および結晶シリカから選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、溶融球状シリカを用いることがより好ましい。また、シリカ（Ｂ）の形状としては、とくに限定されないが、封止用樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えつつ、シリカの含有量を高める観点から、略真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。
【００２３】
シリカ（Ｂ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して３５質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、６５質量％以上であることがとくに好ましい。シリカ（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、耐湿信頼性や耐リフロー性をより効果的に向上させることができる。一方で、シリカ（Ｂ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して９５質量％以下であることが好ましく、９３質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以下であることがとくに好ましい。シリカ（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性の低下にともなう成型性の低下や、高粘度化に起因したボンディングワイヤ流れ等を抑制することが可能となる。
【００２４】
（硬化剤（Ｃ））
硬化剤（Ｃ）としては、たとえば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の３タイプに大別することができる。
【００２５】
硬化剤（Ｃ）に用いられる重付加型の硬化剤としては、たとえばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノールなどのフェノール樹脂系硬化剤；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などが挙げられる。
【００２６】
硬化剤（Ｃ）に用いられる触媒型の硬化剤としては、たとえばベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などが挙げられる。
【００２７】
硬化剤（Ｃ）に用いられる縮合型の硬化剤としては、たとえばレゾール型フェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。
【００２８】
これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存性等についてのバランスを向上させる観点から、フェノール樹脂系硬化剤が好ましい。フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は特に限定されない。
硬化剤（Ｃ）として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等から選択される一種または二種以上を含むことができる。
【００２９】
硬化剤（Ｃ）としては、下記式（４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の硬化剤を含むことがとくに好ましい。
【００３０】
【化４】
2015218294.tif 000005
（式（４）中、Ａｒ３はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ３がナフチレン基の場合、水酸基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ４は、フェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。ＲｆおよびＲｇは、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｉは０〜５の整数であり、ｊは０〜８の整数である。ｎ４は重合度を表し、その平均値は１〜３である）
【００３１】
硬化剤（Ｃ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、３質量％以上であることがとくに好ましい。硬化剤（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、十分な流動性を有する封止用樹脂組成物を実現し、成型性の向上を図ることができる。一方で、封止用樹脂組成物中における硬化剤（Ｃ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して１５質量％以下であることが好ましく、１３質量％以下であることがより好ましく、１１質量％以下であることがとくに好ましい。硬化剤（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。
【００３２】
（硬化促進剤（Ｄ））
硬化促進剤（Ｄ）は、エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ基と、硬化剤（Ｃ）（たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基）と、の架橋反応を促進させるものであればよく、たとえば一般の封止用エポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。
【００３３】
本実施形態において、硬化促進剤（Ｄ）は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、前記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、成形性や硬化性、保存性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。
【００３４】
封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
【００３５】
封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（５）で表される化合物等が挙げられる。
【００３６】
【化５】
2015218294.tif 000006
（上記一般式（５）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の数、ｚは０〜３の数であり、かつｘ＝ｙである。）
【００３７】
一般式（５）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（５）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（５）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。
【００３８】
封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。
【００３９】
【化６】
2015218294.tif 000007
（上記一般式（６）において、Ｒ８は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ９はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の数であり、ｇは０〜３の数である。）
【００４０】
一般式（６）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
【００４１】
封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式（７）で表される化合物等が挙げられる。
【００４２】
【化７】
2015218294.tif 000008
（上記一般式（７）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００４３】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
【００４４】
また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
【００４５】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
【００４６】
一般式（７）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１０、Ｒ１１およびＲ１２がフェニル基であり、かつＲ１３、Ｒ１４およびＲ１５が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
【００４７】
封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（８）で表される化合物等が挙げられる。
【００４８】
【化８】
2015218294.tif 000009
（上記一般式（８）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｒ２０は、基Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。式中Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ２０、およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【００４９】
一般式（８）において、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
【００５０】
また、一般式（８）において、Ｒ２０は、Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｒ２０およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（８）中の−Ｙ２−Ｒ２０−Ｙ３−、および−Ｙ４−Ｒ２１−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも２個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、１，１'−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
【００５１】
また、一般式（８）中のＺ１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
【００５２】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。
【００５３】
硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の硬化性が低下することを抑制できる。一方で、硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以下であることが好ましく、０．８質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性が低下することを抑制できる。また、硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記範囲とすることにより、封止用樹脂組成物の常温における保存性の向上に寄与することも可能である。
【００５４】
（その他の成分（Ｅ））
封止用樹脂組成物には、さらに必要に応じて、カップリング剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；シリコーンゴム等の低応力成分；カルナバワックス等の天然ワックス、合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等の難燃剤；ハイドロタルサイト類および多価金属酸性塩等の無機イオン交換体等のイオン捕捉剤；酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。カップリング剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、およびアルミニウム／ジルコニウム系化合物等に例示される公知のカップリング剤を一種または二種以上用いることができる。
【００５５】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物について、キュラストメーターを用いて測定温度１７５℃で硬化トルクを経時的に測定した際の、測定開始９０秒後の硬化トルク値をＴ９０（Ｎ・ｍ）とし、測定開始１２０秒後の硬化トルク値をＴ１２０（Ｎ・ｍ）とし、測定開始４００秒後までの最大硬化トルク値をＴｍａｘ（Ｎ・ｍ）とする。以下に、封止用樹脂組成物の硬化特性を、Ｔ９０、Ｔ１２０、およびＴｍａｘを用いて説明する。
【００５６】
封止用樹脂組成物は、たとえばＴｍａｘが２．６Ｎ・ｍ以上であることが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の硬化性を向上させることができ、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能となる。封止用樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させる観点からは、Ｔｍａｘが３．０Ｎ・ｍ以上であることがより好ましく、３．２Ｎ・ｍ以上であることがとくに好ましい。Ｔｍａｘの上限値は、とくに限定されないが、たとえば１０Ｎ・ｍとすることができる。
【００５７】
また、封止用樹脂組成物は、たとえばＴ９０／Ｔｍａｘが０．４以下であることが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の常温における保存性を向上させることができる。常温における保存性をより効果的に向上させる観点からは、Ｔ９０／Ｔｍａｘが０．２以下であることがより好ましく、０．１５以下であることがとくに好ましい。Ｔ９０／Ｔｍａｘの下限値は、とくに限定されないが、たとえば０．００１とすることができる。
【００５８】
本実施形態におけるとくに好ましい態様としては、たとえば封止用樹脂組成物が以下の条件（Ａ）および（Ｂ）をともに満たすものが挙げられる。
（Ａ）Ｔ９０／Ｔｍａｘが０．４以下である
（Ｂ）Ｔｍａｘが２．６Ｎ・ｍ以上である
上記条件（Ａ）および（Ｂ）をともに満たすことにより、保存性を向上させつつ、硬化性に優れた封止用樹脂組成物を実現することもできる。このため、得られる半導体装置の信頼性向上に寄与することも可能である。
【００５９】
封止用樹脂組成物は、たとえばＴ１２０／Ｔｍａｘが０．７以下であることが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の長期保存性を向上させることができる。なお、長期保存性は、たとえば常温環境下で３０日間保管した際の保存性により評価され得る。長期保存性をより効果的に向上させる観点からは、Ｔ１２０／Ｔｍａｘが０．５以下であることがより好ましく、０．４以下であることがとくに好ましい。Ｔ１２０／Ｔｍａｘの下限値は、とくに限定されないが、たとえば０．１とすることができる。
【００６０】
本実施形態において、封止用樹脂組成物のＴ９０、Ｔ１２０、Ｔｍａｘ、Ｔ９０／Ｔｍａｘ、およびＴ１２０／Ｔｍａｘは、たとえば封止用樹脂組成物に含まれる成分の種類や配合割合、および封止用樹脂組成物の製造方法を適切に調整することによって制御することが可能である。これらの中でも、ＴｍａｘおよびＴ９０／Ｔｍａｘをともに所望の範囲として上記条件（Ａ）および（Ｂ）をともに満たす封止用樹脂組成物を実現するためには、本実施形態に係る封止用樹脂組成物の製造方法を採用することが重要であると考えられる。
【００６１】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえばゲルタイムが３０秒以上１２０秒以下であることが好ましく、４０秒以上１１０秒以下であることがより好ましく、５０秒以上１１０秒以下であることがとくに好ましい。これにより、封止用樹脂組成物における硬化性、充填性、および成形性のバランスを向上させることができる。なお、封止用樹脂組成物のゲルタイムは、封止用樹脂組成物に含まれる成分の種類や配合割合、および封止用樹脂組成物の製造方法を適切に制御することによって制御することが可能である。
【００６２】
次に、封止用樹脂組成物の製造方法について説明する。
本実施形態に係る封止用樹脂組成物の製造方法は、エポキシ樹脂（Ａ）と、シリカ（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、を加熱混練して混練物を得る工程（工程（ａ））と、上記混練物を粉砕して粉粒体を得る工程（工程（ｂ））と、上記粉粒体中に硬化促進剤（Ｄ）を分散させる工程（工程（ｃ））と、を備える。また、工程（ｃ）の後において、得られた粉粒体の、ＢＥＴ法により算出される比表面積Ｓ１（ｍ２／ｇ）と、下記式により算出される比表面積Ｓ２（ｍ２／ｇ）と、の差（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５以下である。
Ｓ２＝Ｓ３／１．９９×１０−４
（Ｓ３：レーザー回折・散乱法により算出される比表面積（ｃｍ２／ｃｍ３））
これにより、上述したように、封止用樹脂組成物の常温における保存性を向上させることが可能となる。なお、本実施形態において、常温における保存性は、たとえば３０℃の環境下で保管した場合の保存性により評価することができる。
【００６３】
以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物の製造方法の一例を詳述する。
【００６４】
まず、エポキシ樹脂（Ａ）と、シリカ（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、を加熱混練して混練物を得る（工程（ａ））。
本実施形態においては、たとえばエポキシ樹脂（Ｂ）と、シリカ（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、をミキサーにより常温で混合して得られた粉末状中間体に対して加熱混練を行うことにより混練物を得ることができる。また、加熱混練は、たとえば８０℃〜１００℃の温度条件により行うことが可能である。
【００６５】
エポキシ樹脂（Ａ）、シリカ（Ｂ）および硬化剤（Ｃ）としては、たとえば上記において例示したものを用いることができる。また、工程（ａ）においては、必要に応じて、その他の成分（Ｅ）をともに加熱混練してもよい。なお、工程（ａ）における混練物の作製において、硬化促進剤（Ｄ）は添加されない。
【００６６】
次に、工程（ａ）において得られた混練物を粉砕して粉粒体を得る（工程（ｂ））。
粉粒体とは、粉末状または顆粒状のいずれかである場合を指す。本実施形態では、工程（ｂ）により得られる粉粒体が、たとえば粉末および顆粒のうちのいずれか一方、または双方を含む態様を採用することができる。
【００６７】
本実施形態において、工程（ｂ）は、たとえば混練物を粗粉砕する工程（工程（ｂ１））と、粗粉砕された混練物を微粉砕する工程（工程（ｂ２））と、を含むことができる。これにより、得られる粉粒体の粒度分布を制御することができる。このため、封止用樹脂組成物の常温における保存性の向上に寄与することも可能である。工程（ｂ１）における粗粉砕は、たとえばパルペライザーを用いて行うことができる。工程（ｂ２）における微粉砕は、たとえばジェットミルを用いて、空気圧０．５〜０．８ＭＰａ、原料供給速度１〜１０ｋｇ／ｈの条件により行うことが可能である。
【００６８】
工程（ｂ）によって得られる粉粒体は、たとえば粒径１０μｍ以下である粒子の含有量が粉粒体全体に対して１０質量％以下であり、粒径３０μｍ以上である粒子の含有量が粉粒体全体に対して３０質量％以下である。これにより、封止用樹脂組成物の常温における保存性をより効果的に向上させることができる。この理由は、定かではないが、後述する工程（ｃ）において粉粒体に対する硬化促進剤（Ｄ）の分散を良好なものとすることができることが要因の一つであると推定される。なお、粒径１０μｍ以下である粒子の含有量および粒径３０μｍ以上である粒子の含有量は、工程（ｂ）における粉砕条件を適切に選択することにより制御できる。本実施形態においては、たとえば工程（ｂ１）および工程（ｂ２）を行うことや、これらの各工程における粉砕条件を適切に選択することがとくに重要であると考えられる。
【００６９】
次に、工程（ｂ）により得られた粉粒体中に硬化促進剤（Ｄ）を分散させる（工程（ｃ））。
工程（ｃ）は、工程（ｃ）の後における粉粒体の、ＢＥＴ法により算出される比表面積Ｓ１（ｍ２／ｇ）と、下記式により算出される比表面積Ｓ２（ｍ２／ｇ）と、の差（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５以下となるように行われる。
Ｓ２＝Ｓ３／１．９９×１０−４
（Ｓ３：レーザー回折・散乱法により算出される比表面積（ｃｍ２／ｃｍ３））
常温における保存性をより効果的に向上させる観点からは、（Ｓ１−Ｓ２）が０．１２以下であることがより好ましく、０．１０以下であることがとくに好ましい。なお、（Ｓ１−Ｓ２）の下限値は、とくに限定されないが、たとえば０．０１とすることができる。
【００７０】
工程（ｃ）の後における粉粒体の（Ｓ１−Ｓ２）は、たとえば工程（ａ）〜（ｃ）における処理条件や、封止用樹脂組成物に含まれる成分の種類や配合割合をそれぞれ適切に制御することによって制御することが可能である。これらの中でも、工程（ｂ）や工程（ｃ）における処理条件が、粉粒体の（Ｓ１−Ｓ２）を上述の数値範囲とする観点からは、とくに重要であると想定される。
【００７１】
工程（ｃ）においては、たとえば粉体処理装置を用いて、工程（ｂ）により得られた粉粒体中に硬化促進剤（Ｄ）を分散させることができる。粉体処理装置は、複数種の粉体等の原料に対して圧縮力やせん断力および衝撃力を含む機械的作用を加えることで、複数種の粉体等の原料同士が結合した粉体を得ることができる装置である。機械的作用を加える方式としては、一つあるいは複数の撹拌翼等を備えた回転体と撹拌翼等の先端部と近接した内周面を備えた混合容器を有し、撹拌翼等を回転させる方式や、撹拌翼等を固定し、または回転させながら混合容器を回転させる等の方式が挙げられる。撹拌翼等の形状については、機械的作用を加えることができれば特に制限はなく、楕円型や板状等が挙げられる。また、撹拌翼等は、回転方向に対して角度をもってもよい。また、混合容器はその内面に溝等の加工を施してもよい。このような粉体処理装置としては、たとえばホソカワミクロン社製メカノフュージョンおよびノビルタ、奈良機械製作所社製ハイブリダイゼーション、川崎重工業社製クリプトロン、徳寿工作所社製シータコンポーザ、岡田精工社製メカノミル、宇部興産社製ＣＦミル等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００７２】
本実施形態においては、たとえば粉体処理装置の混合容器に工程（ｂ）により得られた粉粒体を投入した後、混合容器内へ硬化促進剤（Ｄ）を供給するとともに撹拌翼を回転させることによって、粉粒体中に硬化促進剤（Ｄ）を分散させることができる。この際、撹拌翼の処理動力は、とくに限定されないが、たとえば０．５ｋＷ以上１．４ｋＷ以下とすることができる。また、処理時間は、とくに限定されないが、５分以上１２０分以下とすることができる。本実施形態では、粉体処理装置を用いるとともに、当該粉体処理装置の撹拌翼の処理動力や処理時間等の動作条件をそれぞれ適切に調整することによって、粉粒体の（Ｓ１−Ｓ２）を制御することが可能である。
【００７３】
工程（ｃ）においては、たとえば微粉砕した硬化促進剤（Ｄ）を粉粒体中に分散させることができる。これにより、粉粒体の（Ｓ１−Ｓ２）を所望の数値範囲のものとすることがより容易となる。この理由は明らかではないが、硬化促進剤（Ｄ）を微粉砕することにより分散性がさらに良好となることに起因しているものと推定されている。微粉砕処理は、たとえばジェットミルを用いて、空気圧０．５〜０．８ＭＰａ、原料供給速度１〜１０ｋｇ／ｈの条件により行うことが可能である。
【００７４】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物の製造方法は、工程（ｃ）の後において、工程（ｃ）による処理が行われた粉粒体をタブレット状に打錠成形する工程（工程（ｄ））を備えることができる。これにより、タブレット状の封止用樹脂組成物を製造することができる。なお、本実施形態に係る封止用樹脂組成物の製造方法は、工程（ｄ）を含まなくともよい。この場合、得られた封止用樹脂組成物は、粉粒体状となる。
【００７５】
本実施形態では、たとえばこのようにして封止用樹脂組成物の製造方法が行われる。
【００７６】
次に、半導体装置について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置１００の一例を示す断面図である。半導体装置１００は、基板３０と、基板３０上に搭載された半導体素子２０と、半導体素子２０を封止する封止樹脂５０と、を備えている。封止樹脂５０は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、半導体素子２０を封止する。このように、保存性に優れた封止用樹脂組成物を用いて封止樹脂５０を形成することにより、得られる半導体装置１００の信頼性向上に寄与することも可能となる。
【００７７】
基板３０は、たとえばリードフレームまたは有機基板である。図１では、リードフレームである基板３０のうちのダイパッド３２上に、ダイアタッチ材１０を介して半導体素子２０が搭載される場合が例示されている。この場合、半導体素子２０は、たとえば半導体素子２０の電極パッド２２に接続されたボンディングワイヤ４０を介して、基板３０のうちのアウターリード３４へ電気的に接続される。また、ボンディングワイヤ４０は、半導体素子２０とともに封止樹脂５０により封止されることとなる。一方で、基板３０がインタポーザ等の有機基板である場合には、半導体素子２０は、たとえばワイヤボンディングまたはフリップチップ接続によって、基板３０へ電気的に接続されることができる。なお、半導体素子２０は、他の半導体素子上に配置されていてもよい。
【００７８】
半導体装置は、たとえば次のようにして製造される。
まず、基板３０上に半導体素子２０を搭載する。次に、上述の封止用樹脂組成物を用いて、半導体素子２０を封止する。封止用樹脂組成物の成形方法は、とくに限定されないが、たとえばトランスファー成形法または圧縮成形法を採用することができる。これにより、半導体素子２０を封止する封止樹脂５０が形成される。本実施形態においては、たとえばこのようにして半導体装置１００を製造することができる。
【００７９】
なお、上記実施形態によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
エポキシ樹脂と、シリカと、硬化剤と、硬化促進剤と、を含み、
キュラストメーターを用いて測定温度１７５℃で硬化トルクを経時的に測定した際の、測定開始９０秒後の硬化トルク値をＴ９０（Ｎ・ｍ）とし、測定開始４００秒後までの最大硬化トルク値をＴｍａｘ（Ｎ・ｍ）としたとき、
Ｔ９０／Ｔｍａｘが０．４以下であり、
Ｔｍａｘが２．６Ｎ・ｍ以上である封止用樹脂組成物。
（付記２）
付記１に記載の封止用樹脂組成物において、
キュラストメーターを用いて測定温度１７５℃で硬化トルクを経時的に測定した際の測定開始１２０秒後の硬化トルク値をＴ１２０（Ｎ・ｍ）としたとき、Ｔ１２０／Ｔｍａｘが０．７以下である封止用樹脂組成物。
【００８０】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００８１】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００８２】
＜封止用樹脂組成物の調製＞
（実施例１〜２、および比較例１、３）
各実施例および比較例１、３について、以下のように封止用樹脂組成物を調製した。
まず、硬化促進剤（Ｄ）を除く各成分を、表１に示す配合に従い、ミキサーを用いて常温で混合し、粉末状中間体を得た。次いで、得られた粉末状中間体を自動供給装置（ホッパー）に装填した後、８０℃〜１００℃の加熱ロールへ定量供給して加熱混練を行い、混練物を得た。次いで、得られた混練物を冷却した後、粉砕して、粉粒体を得た。なお、粉砕処理は、パルペライザーを用いて粗粉砕した後、ジェットミルを用いて、空気圧０．８ＭＰａ、原料供給速度５ｋｇ／ｈの条件で微粉砕することにより行った。得られた粉粒体は、粒径１０μｍ以下である粒子の含有量が粉粒体全体に対して１０質量％以下であり、粒径３０μｍ以上である粒子の含有量が粉粒体全体に対して３０質量％以下であった。
【００８３】
次いで、ジェットミルを用いて空気圧０．６ＭＰａ、原料供給速度１ｋｇ／ｈの条件で微粉砕した硬化促進剤（Ｄ）を、表１に示す配合に従い、上記で得られた粉粒体中に分散させた（分散処理）。
【００８４】
実施例１〜２および比較例３においては、粉体処理装置（ノビルタ、ホソカワミクロン（株）製）を用いて、次のように上記分散処理を行った。まず、粉体処理装置の混合容器内に、上記で得られた粉粒体を投入した。次いで、上記混合容器内に微粉砕された硬化促進剤（Ｄ）を供給するとともに、粉体処理装置の撹拌翼を、表１に示す処理動力（ｋＷ）および処理時間（分）の条件（粉体処理条件）にて回転駆動させた。これにより、粉粒体中に硬化促進剤（Ｄ）を分散させた。
比較例１においては、上記で得られた粉粒体と硬化促進剤（Ｄ）をヘンシェルミキサーに投入し、１０００ｒｐｍ、１０分間の条件で混合することにより、上記分散処理を行った。
【００８５】
次いで、成型装置を用いて、上記粉粒体をタブレット状に打錠成型した。これにより、封止用樹脂組成物を得た。
【００８６】
（比較例２）
比較例２について、以下のように封止用樹脂組成物を調製した。
まず、硬化促進剤（Ｄ）を含む各成分を、表１に示す配合に従い、羽根回転式ミキサーにて室温で混合し、８０℃〜１００℃の加熱ロールで溶融混練を行い、その後冷却して混練物を得た。次いで、得られた混練物を粗粉砕して粉粒体を得た。次いで、成型装置を用いて上記粉粒体をタブレット状に打錠成型した。これにより、封止用樹脂組成物を得た。
【００８７】
表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。表１中の単位は、質量％である。
【００８８】
（Ａ−１）エポキシ樹脂：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ−３０００）
（Ａ−２）エポキシ樹脂：ビフェニル骨格を有するテトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、ＹＸ−４０００Ｈ）
【００８９】
（Ｂ）シリカ
溶融球状シリカ（電気化学工業（株）製、ＦＢ５６０、平均粒径Ｄ５０＝３０μｍ）
【００９０】
（Ｃ）硬化剤
ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１）
【００９１】
（Ｄ−１）硬化促進剤：下記式（１１）で示される化合物
（Ｄ−２）硬化促進剤：トリフェニルホスフィン（北興化学（株）製、ＴＰＰ）
【００９２】
【化９】
2015218294.tif 000010
【００９３】
（Ｅ）その他の成分
カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）
着色剤：カーボンブラック
離型剤：カルナバワックス
【００９４】
＜比表面積の測定＞
実施例１〜２および比較例１、３について、粉粒体に硬化促進剤（Ｄ）を分散させる工程の後であって、タブレット状に打錠成形する工程の前において、粉粒体の比表面積Ｓ１（ｍ２／ｇ）および比表面積Ｓ２（ｍ２／ｇ）を測定した。比表面積Ｓ１は、ＢＥＴ法により算出される比表面積である。また、比表面積Ｓ２は、下記式により算出される比表面積である。
Ｓ２＝Ｓ３／１．９９×１０−４
（Ｓ３：レーザー回折・散乱法により算出される比表面積（ｃｍ２／ｃｍ３））
また、比表面積Ｓ１と比表面積Ｓ２の差（Ｓ１−Ｓ２）を算出した。結果を表１に示す。
【００９５】
＜キュラストトルク＞
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物のキュラストトルクを測定した。キュラストトルクの測定は、キュラストメーター（（株）オリエンテック製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶＰＳ型）を用いて測定温度１７５℃で封止用樹脂組成物の硬化トルクを経時的に測定することにより行った。ここでは、測定開始９０秒後の硬化トルク値をＴ９０（Ｎ・ｍ）とし、測定開始１２０秒後の硬化トルク値をＴ１２０（Ｎ・ｍ）とし、測定開始４００秒後までの最大硬化トルク値をＴｍａｘ（Ｎ・ｍ）とした。また、これらの測定値から、Ｔ９０／ＴｍａｘとＴ１２０／Ｔｍａｘをキュラストトルク比として算出した。結果を表１に示す。
【００９６】
＜ゲルタイム＞
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物のゲルタイムを測定した。ゲルタイムの測定は、１７５℃に加熱した熱板上で封止用樹脂組成物を溶融した後、へらで練りながら硬化するまでの時間（ゲルタイム）を測定することにより行った。結果を表１に示す。なお、表１における単位は秒である。
【００９７】
＜常温保存性評価＞
各実施例および各比較例について、封止用樹脂組成物の常温保存性を次のように評価した。まず、得られた封止用樹脂組成物の高化式粘度を、高化式フローテスター（（株）島津製作所製、ＣＦＴ−５００）を用いて、１７５℃、圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ２、キャピラリー径０．５ｍｍの条件で測定し、これを初期粘度とした。次いで、封止用樹脂組成物を３０℃、相対湿度５０％ＲＨの条件で３０日間保管した。次いで、保管後の封止用樹脂組成物の高化式粘度を、初期粘度と同様の条件により測定し、これを保管後粘度とした。次いで、初期粘度に対する保管後粘度の上昇率を、以下の式により求めた。
［（保管後粘度）−（初期粘度）］／（初期粘度）×１００（％）
ここでは、上昇率が２０％以下のものを○とし、２０％を超えるものを×として、常温保存性を評価した。結果を表１に示す。
【００９８】
【表１】
2015218294.tif 000011
【００９９】
実施例１〜２に係る封止用樹脂組成物の製造方法においては、エポキシ樹脂（Ａ）と、シリカ（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、を混練して得た混練物を粉砕して粉粒体を作製した後、当該粉粒体中に硬化促進剤（Ｄ）を分散させた。また、（Ｓ１−Ｓ２）は、いずれも０．１５以下であった。このような実施例１〜２に係る封止用樹脂組成物は、いずれも常温保存性評価において良好な結果を示していることが分かる。
【０１００】
一方で、比較例１、３に係る封止用樹脂組成物の製造方法においては、いずれも（Ｓ１−Ｓ２）が０．１５を超えていた。また、比較例２に係る封止用樹脂組成物の製造方法では、エポキシ樹脂（Ａ）と、シリカ（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、硬化促進剤（Ｄ）と、を混練して得た混練物を粉砕することにより粉粒体を作製した。これらの比較例１〜３に係る封止用樹脂組成物は、いずれも常温保存性評価において良好な結果が得られなかった。
【符号の説明】
【０１０１】
１００  半導体装置
１０  ダイアタッチ材
２０  半導体素子
２２  電極パッド
３０  基板
３２  ダイパッド
３４  アウターリード
４０  ボンディングワイヤ
５０  封止樹脂
【図１】
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