(57)【要約】【課題】電気的接続が十分であり、各画素における発光面積を拡大させた有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配置された表示領域内の画素毎に配置された薄膜トランジスタ（２２２）と、薄膜トランジスタ上に形成された有機絶縁材料からなる平坦化膜（２２４）と、薄膜トランジスタのドレイン又はソースのいずれかに、平坦化膜内に形成されたコンタクトホールを介して接続される導電材料からなるコンタクト電極（２２５）と、コンタクト電極上でコンタクトホールを埋めて配置される有機絶縁材料からなるコンタクトホール平坦化膜（２２６）と、コンタクト電極上に電気的に接続されて形成されると共に、コンタクトホール平坦化膜上に形成される下部電極（２２７）と、下部電極上で、表示領域の全体を覆うように配置され、発光する発光層を含む複数の有機材料の層からなる有機層（２２９）と、を備える。【選択図】図５
2015041489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された表示領域内の画素毎に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機絶縁材料からなる平坦化膜と、
前記薄膜トランジスタのドレイン又はソースのいずれかに、前記平坦化膜内に形成されたコンタクトホールを介して接続される導電材料からなるコンタクト電極と、
前記コンタクト電極上で前記コンタクトホールを埋めて配置される有機絶縁材料からなるコンタクトホール平坦化膜と、
前記コンタクト電極上に電気的に接続されて形成されると共に、前記コンタクトホール平坦化膜上に形成される下部電極と、
前記下部電極上で、前記表示領域の全体を覆うように配置され、発光する発光層を含む複数の有機材料の層からなる有機層と、
前記有機層上に形成され、前記表示領域の全体を覆うように配置され、導電材料からなる上部電極と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記コンタクトホール平坦化膜は、前記コンタクトホールの外側にある有機材料と接触している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記コンタクトホール平坦化膜は、前記有機平坦化膜と接触している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記下部電極の端部を覆い、画素間に配置された有機絶縁材料からなる画素分離膜を更に備え、
前記コンタクトホール平坦化膜は、前記画素分離膜と接触している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記下部電極は、
前記コンタクトホール平坦化膜上に形成され、前記発光層で発光した光を反射する反射膜と、
前記反射板上に形成された透明導電材料からなる透明電極膜と、を有していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記コンタクトホールは、隣接する画素のコンタクトホールと結合され、
前記コンタクトホール平坦化膜は、前記隣接する画素のコンタクトホール平坦化膜と一体化されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記結合された前記コンタクトホールが形成された画素間に沿って伸びる制御信号線を更に備え、
前記制御信号線は、前記平坦化膜と接しない位置に配置されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。            
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。この有機ＥＬ表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置においてカラー表示を行う方法として、発光素子が画素毎にＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色をそれぞれ発光する方法、発光素子が白色を発光し、各画素のカラーフィルタがＲＧＢ３色のそれぞれの波長領域を透過させる方法、及びこれらを組み合わせる方法等がある。
【０００４】
特許文献１は、有機ＥＬ材料を均一な膜厚に成膜するために、電極ホールを有機樹脂材料で埋め、保護部を形成することについて開示している。特許文献２は、特許文献１と同様の課題について、コンタクトホール部分を絶縁体層又は導電体層で覆い、なだらかにすることにより有機ＥＬ層の膜厚の均一化を図ることについて開示している。特許文献３は、ＴＦＴ及び配線の形成された領域は光が透過しないという問題に鑑み、コンタクトホールに導電体を埋め込み、電極である金属膜と接触させることについて開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３１２２２３号公報
【特許文献２】特開２００３−０９１２４６号公報
【特許文献３】特開２００９−３０１０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ表示装置において、各画素には、各画素のＴＦＴ（Thin Film Transistor）と発光素子の下部電極とを接続するためのコンタクトホールが形成されるが、コンタクトホールは段差が大きく、通常、発光素子を形成することができない。したがって、発光領域は、コンタクトホールを除く領域となるため、各画素における発光面積を低下させてしまうこととなる。特許文献３には発光面積を広げた例について開示しているが、アクリルに銀粒子を分散させた異方性導電膜を導通手段として利用しているため電気的接続が不十分である恐れがある。
【０００７】
本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、電気的接続が十分であり、各画素における発光面積を拡大させた有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配置された表示領域内の画素毎に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機絶縁材料からなる平坦化膜と、前記薄膜トランジスタのドレイン又はソースのいずれかに、前記平坦化膜内に形成されたコンタクトホールを介して接続される導電材料からなるコンタクト電極と、前記コンタクト電極上で前記コンタクトホールを埋めて配置される有機絶縁材料からなるコンタクトホール平坦化膜と、前記コンタクト電極上に電気的に接続されて形成されると共に、前記コンタクトホール平坦化膜上に形成される下部電極と、前記下部電極上で、前記表示領域の全体を覆うように配置され、発光する発光層を含む複数の有機材料の層からなる有機層と、前記有機層上に形成され、前記表示領域の全体を覆うように配置され、導電材料からなる上部電極と、を備える。
【０００９】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクトホール平坦化膜は、前記コンタクトホールの外側にある有機材料と接触していてもよい。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクトホール平坦化膜は、前記有機平坦化膜と接触していてもよい。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記下部電極の端部を覆い、画素間に配置された有機絶縁材料からなる画素分離膜を更に備え、前記コンタクトホール平坦化膜は、前記画素分離膜と接触していてもよい。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記下部電極は、前記コンタクトホール平坦化膜上に形成され、前記発光層で発光した光を反射する反射膜と、前記反射板上に形成された透明導電材料からなる透明電極膜と、を有していてもよい。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクトホールは、隣接する画素のコンタクトホールと結合され、前記コンタクトホール平坦化膜は、前記隣接する画素のコンタクトホール平坦化膜と一体化されていてもよい。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記結合された前記コンタクトホールが形成された画素間に沿って伸びる制御信号線を更に備え、前記制御信号線は、前記平坦化膜と接しない位置に配置されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。
【図２】図１の有機ＥＬパネルの構成を示す図である。
【図３】図２に示された各副画素におけるコンタクトホールの位置を示す図である。
【図４】図２の副画素の１つについて示す平面図であり、発光領域及び遮光領域であるブラックマトリクスについて示す図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線における断面を示す図であり、副画素の構造について示す図である。
【図６】第１実施形態の第１変形例について、図５と同じ視野により示す図である。
【図７】図６のコンタクト電極の成膜形状を示す平面図である。
【図８】図７のコンタクト電極の成膜形状の異なる例について示す平面図である。
【図９】図７のコンタクト電極の成膜形状が異なる２つ目の例について示す平面図である。
【図１０】第１実施形態における第２変形例について、図５と同じ視野により示す図である。
【図１１】コンタクトホール平坦化膜の成膜形状を示す平面図である。
【図１２】第２実施形態に係る図３の画素に含まれる４つの副画素について示す図である。
【図１３】図１２のXIII−XIII線における断面を示す図である。
【図１４】図１２のXIV−XIV線における断面を示す図である。
【図１５】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルの製造方法について示すフローチャートである。
【図１６】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルの製造方法について示すフローチャートである。
【図１７】図１の有機ＥＬパネルにおける他の画素構成が示されている。
【図１８】図１７に示された各副画素におけるコンタクトホールの位置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
［第１実施形態］
図１には、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００が概略的に示されている。この図に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル２００から構成されている。
【００１８】
図２には、図１の有機ＥＬパネル２００の構成が示されている。有機ＥＬパネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板２２０と封止基板２５０の２枚の基板を有し、これらの基板の間には透明樹脂２４１（図５参照）が充填されている。ＴＦＴ基板２２０は、表示領域２０２にマトリクス状に配置された副画素２８０を有している。また、ＴＦＴ基板２２０には、副画素２８０のそれぞれに配置された画素トランジスタの走査信号線（不図示）に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタのデータ信号線に対して画素の階調値に対応する電圧を印加する駆動回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２６０が載置されている。また、本実施形態においては、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）Ｗ（白）の４つの色がそれぞれ割り当てられた４つの副画素２８０の組合せにより一画素が構成され、各副画素２８０は、白色を発光するＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を有し、各色に対応するカラーフィルタを用いて、各色に対応する波長領域を有する光を出射する。
【００１９】
図３は、図２に示された各副画素２８０におけるコンタクトホール２８１の位置を示す図である。コンタクトホール２８１は、トランジスタのソース／ドレイン電極２２３（後述）と画素の発光層へと繋がる電極とを電気的に接続するための穴であり、この図に示されるように、各副画素２８０のコンタクトホール２８１は、４つの副画素２８０が組み合わされた画素において、各副画素２８０の境界線の交点に近い位置に配置されている。
【００２０】
図４は、図２の副画素２８０の１つについて示す平面図であり、発光領域２８２及び遮光膜であるブラックマトリクス２８３について示す図である。副画素２８０の形状を確定する外形線に沿ってその内側に発光領域２８２が形成され、その周囲をブラックマトリクス２８３が囲っている。
【００２１】
図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面を示す図であり、副画素２８０の構造について示す図である。この図に示されるように、封止基板２５０とＴＦＴ基板２２０とは透明樹脂２４１を介して接着されている。封止基板２５０はガラス基板、プラスチック基板等の透明な絶縁基板２５１と、隣合う副画素２８０間において出射される光を遮光する遮光膜であるブラックマトリクス２８３と、特にＲＧＢ色の画素において各々の色に対応する波長領域の光を透過させるカラーフィルタ２５５と、カラーフィルタ２５５上で封止基板２５０の表示領域全体を覆うように形成された保護膜であるオーバーコート層２５２と、を有している。
【００２２】
また、ＴＦＴ基板２２０は、ガラス基板、プラスチック基板等の透明な絶縁基板２２１と、その上に形成された各副画素２８０の発光を制御する回路であり、ＬＴＰＳ（Low-Temperature Poly Silicon）半導体、アモルファス半導体、酸化物半導体等公知の半導体によりトランジスタ等が形成された半導体回路層２２２と、トランジスタの一方の電極であるソース／ドレイン電極２２３と、有機絶縁材料により形成された平坦化膜２２４と、平坦化膜２２４に形成された開口であるコンタクトホール２８１を介してトランジスタのソース／ドレイン電極２２３に接続されたコンタクト電極２２５と、コンタクトホール２８１のコンタクト電極２２５上にコンタクトホール２８１を埋めるように形成されたコンタクトホール平坦化膜２２６と、コンタクト電極２２５及びコンタクトホール平坦化膜２２６上に形成された下部電極２２７と、下部電極の端部を覆い、画素間に有機絶縁材料により形成された画素分離膜２２８と、下部電極２２７及び画素分離膜２２８上に表示領域全体を覆うように形成され、白色に発光する発光層及び電子注入層、正孔輸送層等からなる有機層２２９と、有機層２２９を覆うように形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料からなる上部電極２３０と、上部電極２３０上に形成され、ＳｉＯ、ＳｉＮ等の無機絶縁材料からなる封止膜２３１と、を有している。
【００２３】
ここで、下部電極２２７は、Ａｇ等の反射金属により形成された反射膜２３３と、反射膜２３３上に形成され、ＩＴＯ、ＩＺＯやＡｇ等の透明又は光を透過させる導電体からなる透明電極膜２３４と、を有しており、透明電極膜２３４は、コンタクト電極２２５の一部と直接接しており、導電性を高めている。また、発光領域２８２は、下部電極２２７と有機層２２９とが接している領域で定義される。
【００２４】
上述したように、コンタクトホール２８１内にコンタクトホール平坦化膜２２６が形成され、下部電極２２７がコンタクト電極２２５と十分な面積で接触すると共に、コンタクトホール２８１上にも形成されるため、図４に示されるように、発光領域２８２をコンタクトホール２８１上にも形成することができる。これにより、電気的接続が十分であり、かつ各画素における発光面積を拡大させた有機ＥＬ表示装置１００とすることができる。
【００２５】
図６は、本実施形態の第１変形例について、図５と同じ視野により示す図である。図５と異なる点は、コンタクト電極２２５はコンタクトホール２８１の斜面に開口部２３６を有しており、この開口部２３６においてコンタクトホール平坦化膜２２６と平坦化膜２２４とが接している。図７は、図６のコンタクト電極２２５の成膜形状を示す平面図である。この図に示されるように、コンタクト電極２２５は、コンタクトホール２８１上に開口部２３６が設けられるように形成され、その部分の領域Ａにおいて、コンタクトホール平坦化膜２２６と平坦化膜２２４とが接触している。
【００２６】
一般に有機絶縁材料は水分を含んでおり、この水分は発光層等の劣化を促進する原因となるため、発光層である有機層２２９を成膜する前に、コンタクトホール平坦化膜２２６を含め有機絶縁材料に含まれる水分を除去するベーク工程を設けている。しかしながら、コンタクトホール平坦化膜２２６が無機材料である下部電極２２７等に密封された状態では、水分の出口がなくなるため、ベーク工程において外部に出ようとする水分により、下部電極２２７等が剥がれてしまう恐れがある。したがって、図６及び７に示されるような開口部２３６を設けることにより、ベーク工程においてコンタクトホール平坦化膜２２６に含まれる水分を開口部２３６から放出することができる。また、水分が除去されることにより、発光層の劣化に対する信頼性が高められると共に、コンタクト電極２２５及び下部電極２２７は互いに導電材料で接触していることから電気的接続が十分でありかつ各画素における発光面積を拡大させた有機ＥＬ表示装置１００とすることができる。
【００２７】
図８は、図７のコンタクト電極２２５の成膜形状の異なる例について示す平面図である。図７においては、コンタクト電極２２５の一部に開口部２３６を設けるように成膜したが、この例では、コンタクト電極２２５は、コンタクトホール２８１に重なる一部を切り欠いた切欠き部２３７を有する形状となっている。この場合には、コンタクト電極２２５の切欠き部２３７のうちコンタクトホールに重なる領域Ｂが、コンタクトホール平坦化膜２２６と平坦化膜２２４とが接触する部分となる。
【００２８】
図９は、図７のコンタクト電極２２５の成膜形状が異なる２つ目の例を示す平面図である。この例では、コンタクト電極２２５は、コンタクトホール２８１に重なる一部のうち、角部分を切り欠いた切欠き部２３７を有する形状となっている。この場合には、コンタクト電極２２５の切欠き部２３７のうちコンタクトホールに重なる領域Ｃが、コンタクトホール平坦化膜２２６と平坦化膜２２４とが接触する部分となる。このようにした場合であっても、図６及び７と同様の効果を得ることができる。
【００２９】
図１０は、本実施形態における第２変形例について、図５と同じ視野により示す図である。図５と異なる点は、コンタクトホール平坦化膜２２６が、コンタクトホール２８１を埋めるだけでなく、コンタクトホール２８１以外に形成されたコンタクト電極２２５上にも接触するように厚く形成することにより、画素分離膜２２８と接触する接触部分Ｄを有している点である。なお、コンタクト電極２２５は、下部電極２２７と接触するためにコンタクトホール平坦化膜２２６が形成されない接触部２３８を有している。
【００３０】
図１１は、コンタクトホール平坦化膜２２６の成膜形状を示す平面図である。この図に示されるように、コンタクトホール平坦化膜２２６は、コンタクトホール２８１だけでなく、コンタクト電極２２５が下部電極２２７と接触するための接触部２３８を除き、コンタクト電極２２５を覆うように形成されている。このように形成することにより、コンタクト電極２２５は下部電極２２７と電気的に接続されると共に、画素分離膜２２８との接触部分Ｄを形成することができる。したがって、第２変形例においても第１変形例と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬパネルの全体構成は、図１乃至３に示された第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００及び有機ＥＬパネル２００と同様であるため、重複する説明を省略する。
【００３２】
図１２は、第２実施形態に係る、図３の画素を構成する４つの副画素２８０について示しており、本実施形態に係るコンタクトホール３８１について説明するための図である。この図に示されるように、副画素２８０の発光領域２８２は、横方向に伸びる走査線３１１、第１制御線３１２及び第２制御線３１３と、縦方向に伸びる信号線３１４及び電源線３１５とに囲まれている。コンタクトホール３８１は、縦方向に隣り合う画素で、走査線３１１、第１制御線３１２及び第２制御線３１３を横切って、結合されている。
【００３３】
図１３は、図１２のXIII−XIII線における断面を示す図である。第１実施形態における図５と異なる点は、コンタクトホール３８１が隣合う副画素２８０で結合されている点であり、コンタクトホール３８１内に形成されるコンタクトホール平坦化膜３２６も結合されている。このようにコンタクトホール３８１を隣接する副画素２８０で結合して形成することにより、コンタクトホール平坦化膜３２６が画素分離膜２２８と接触する。これにより、ベーク工程においてコンタクトホール平坦化膜３２６の水分を放出させることができる。また、本実施形態においても第１実施形態及び第１実施形態の変形例と同様の効果を得ることができる。ここで、横方向に伸びる走査線３１１、第１制御線３１２及び第２制御線３１３は、平坦化膜２２４より下層の層間絶縁膜３１９の下に形成されている。このため、平坦化膜２２４上でコンタクトホール平坦化膜３２６を結合したとしても、これらの配線に影響を与えない。
【００３４】
図１４は、図１２のXIV−XIV線における断面を示す図である。この断面においては、コンタクトホール３８１は、隣接する副画素２８０で結合されていないため、図５における断面と同様の形状となっている。ここで、コンタクトホール３８１を結合していないのは、隣接する画素間に伸びる電源線３１５は、平坦化膜２２４の下で平坦化膜２２４に接するように形成されているため、この方向においても、図１３と同様に、コンタクトホール３８１を結合すると、コンタクト電極２２５及び電源線３１５が接するか、近づきすぎる状態となり、短絡する恐れがある。このため、平坦化膜２２４の下で接している配線である電源線３１５が伸びる方向を横切るようなコンタクトホール３８１の結合は行わないことしている。しかしながら、短絡の恐れがない場合等には３つ以上の画素のコンタクトホールが結合していてもよい。
【００３５】
図１５及び１６は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルの製造方法について示すフローチャートである。図１５に示されるように、まず、透明なガラスやプラスチックの絶縁基板２２１上にＴＦＴ回路を形成し、半導体回路層２２２を形成する（Ｓ１０１）。ＴＦＴ回路はＬＴＰＳ半導体、アモルファス半導体、酸化物半導体等公知の半導体を用いて形成することができる。次に、有機絶縁材料からなる平坦化膜２２４を塗布し（Ｓ１０２）、隣接する画素に跨って、ソース／ドレイン電極２２３が露出するようにコンタクトホール３８１を形成する（Ｓ１０３）。続いて露出したソース／ドレイン電極２２３を副画素２８０毎に覆うように、フォトリソグラフィ工程によりコンタクト電極２２５を形成する（Ｓ１０４）。
【００３６】
その後全体を覆うように有機絶縁材料からなるコンタクトホール平坦化膜３２６を塗布し（Ｓ１０５）、コンタクトホール平坦化膜３２６を、コンタクト電極２２５が露出して、コンタクト電極２２５と同一面をなすようにエッチングを行う（Ｓ１０６）。引き続き、コンタクト電極２２５及びコンタクトホール平坦化膜３２６上に、Ａｇ等からなる反射膜２３３を各副画素２８０毎に独立するように形成し（Ｓ１０７）、反射膜２３３上で一部コンタクト電極２２５に接するように、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明電極膜２３４を形成する（Ｓ１０８）。ここで、反射膜２３３及び透明電極膜２３４は、下部電極２２７を構成する。
【００３７】
次に、有機絶縁材料により画素分離膜２２８を形成し（Ｓ１０９）、ベーク処理により水分及びガスを除去する（Ｓ１１０）。この際に、平坦化膜２２４及びコンタクトホール平坦化膜３２６に含まれる水分及びガスは、それぞれ接している画素分離膜２２８を介して放出される。続いて、白色に発光する発光層及び電子注入層、正孔輸送層等からなる有機層２２９と、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる上部電極２３０と、ＳｉＯ、ＳｉＮ等の無機絶縁材料からなる封止膜２３１とを順に成膜することにより、ＴＦＴ基板２２０が完成する（Ｓ１１１）。最後に、ＴＦＴ基板２２０上に透明樹脂２４１を介して封止基板２５０を接着することにより有機ＥＬパネル２００とする（Ｓ１１２）。以上説明した製造工程により、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の有機ＥＬパネル２００を製造することができる。
【００３８】
図１７には、図１の有機ＥＬパネル２００における他の画素構成が示されている。図１７の画素構成は、図２において示された画素構成と異なり、Ｒの波長領域を出射する副画素４８０の列、Ｇの波長領域を出射する副画素４８０の列、Ｂの波長領域を出射する副画素４８０の列が横方向に順に並び、横方向に並ぶＲＧＢの３つの副画素４８０を一画素として構成している。各副画素４８０は、白色を発光するＯＬＥＤを有し、カラーフィルタを用いてＲＧＢの各色を出射することとしてもよいし、ＲＧＢ等２色以上の色を発光するＯＬＥＤを用いることとしてもよい。この場合には、カラーフィルタを用いない態様とすることもできる。
【００３９】
図１８は、図１７に示された各副画素４８０におけるコンタクトホール４８１の位置を示す図である。この図に示されるように、各副画素４８０のコンタクトホール４８１は、縦方向に隣り合う同じ色の画素の互いの境界に近い位置に設けられる。このような配置であっても、第１実施形態のコンタクトホール２８１及びコンタクトホール平坦化膜２２６の構成を用いることができる。また、隣合うコンタクトホール４８１を結合することにより、第２実施形態のコンタクトホール３８１及びコンタクトホール平坦化膜３２６の構成を用いることができる。したがって、図１７及び１８のような画素構成であっても、第１実施形態及び第２実施形態の副画素構成を用いることができるため、第１実施形態、第１実施形態の変形例及び第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４０】
１００  有機ＥＬ表示装置、１１０  上フレーム、１２０  下フレーム、２００  有機ＥＬパネル、２０２  表示領域、２２０  ＴＦＴ基板、２２１  絶縁基板、２２２  半導体回路層、２２３  ドレイン電極、２２４  平坦化膜、２２５  コンタクト電極、２２６  コンタクトホール平坦化膜、２２７  下部電極、２２８  画素分離膜、２２９  有機層、２３０  上部電極、２３１  封止膜、２３３  反射膜、２３４  透明電極膜、２３６  開口部、２３７  切欠き部、２３８  接触部、２４１  透明樹脂、２５０  封止基板、２５１  絶縁基板、２５２  オーバーコート層、２５５  カラーフィルタ、２８０  副画素、２８１  コンタクトホール、２８２  発光領域、２８３  ブラックマトリクス、３１１  走査線、３１２  第１制御線、３１３  第２制御線、３１４  信号線、３１５  電源線、３１９  層間絶縁膜、３２６  コンタクトホール平坦化膜、３８１  コンタクトホール、４８０  副画素、４８１  コンタクトホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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