(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザ光を光ファイバによって伝送し、光学系によって生成したラインビームレーザによる加工装置ではラインビームの均一性を得る為に導波路やホモジナイザを必要とするので複雑で高価な装置になる。高倍率対物レンズによる集光ではラインビームの長さに制限がある。【解決手段】複数のレーザ光源２の光ファイバ３の終端部のクラッドをエッチングすることによりコアの間隔を狭め、光ファイバ３を通る光のＮＡによるレーザ光の広がりとシリンドリカルレンズの集光により均一化して、長尺ラインビームを生成し、広範囲を照射可能なレーザ加工装置に関するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の平均出力２０ミリワット以上の赤外光を発するダイオードレーザ、または可視光を発するダイオードレーザ、または紫外光を発するダイオードレーザを光源として用い、其々の光伝送ファイバのコア径が１０ミクロンから１ミリメートルの間であり、コア径とクラッド径の比率を１対１．０５以上から１対２．５以下の間の値を設定して各光伝送ファイバ終端部のクラッドをエッチングし、エッチングしていない部分の光伝送ファイバを立体的に配置することにより、光伝送ファイバを平行に並べ、終端部の出射光面を面一に整列して其々のコアの間隔を狭め固定し、ホモジナイザや導波路を用いないで光伝送ファイバを通る光のＮＡによるレーザ光の広がりとシリンドリカルレンズの一方向の集光性のみで均一性を向上させ、シリンドリカルレンズで被加工物に集光させる０．７ミリメートル以上の長尺ラインビーム発生光学系を用いたレーザ加工装置。
【請求項２】
複数の平均出力２０ミリワット以上の赤外光を発するファイバレーザ、または可視光を発するファイバレーザ、または紫外光を発するファイバレーザを光源として用い、其々の光伝送ファイバのコア径が１０ミクロンから１ミリメートルの間であり、コア径とクラッド径の比率を１対１．０５以上から１対２．５以下の間の値を設定して各光伝送ファイバ終端部のクラッドをエッチングし、エッチングしていない部分の光伝送ファイバを立体的に配置することにより、光伝送ファイバを平行に並べ、終端部の出射光面を面一に整列して其々のコアの間隔を狭め固定し、ホモジナイザや導波路を用いないで光伝送ファイバを通る光のＮＡによるレーザ光の広がりとシリンドリカルレンズの一方向の集光性のみで均一性を向上させ、シリンドリカルレンズで被加工物に集光させる０．７ミリメートル以上の長尺ラインビーム発生光学系を用いたレーザ加工装置。
【請求項３】
複数の平均出力２０ミリワット以上の赤外光または可視光または紫外光を発する固体レーザを光源として用い、其々の光伝送ファイバのコア径が１０ミクロンから１ミリメートルであり、コア径とクラッド径の比率を１対１．０５以上から１対２．５以下の間の値を設定して各光伝送ファイバ終端部のクラッドをエッチングし、エッチングしていない部分の光伝送ファイバを立体的に配置することにより、光伝送ファイバを平行に並べ、終端部の出射光面を面一に整列して其々のコアの間隔を狭め固定し、ホモジナイザや導波路を用いないで光伝送ファイバを通る光のＮＡによるレーザ光の広がりとシリンドリカルレンズの一方向の集光性のみで均一性を向上させ、シリンドリカルレンズで被加工物に集光させる０．７ミリメートル以上の長尺ラインビーム発生光学系を用いたレーザ加工装置。
【請求項４】
請求項１および請求項２および請求項３の装置で其々の光伝送ファイバのコアが矩形であり、其々の光伝送ファイバのコアの対角線長が１０ミクロンから１ミリメートルであり、コアの対角長とクラッド径の比率を１対１．０５以上から１対２．５以下の間の値を設定して各光伝送ファイバ終端部のクラッドをエッチングし、エッチングしていない部分の光伝送ファイバを立体的に配置することにより、光伝送ファイバを平行に並べ、終端部の出射光面を面一に整列して其々のコアの間隔を狭め固定し、ホモジナイザや導波路を用いないで光伝送ファイバを通る光のＮＡによるレーザ光の広がりとシリンドリカルレンズの一方向の集光性のみで均一性を向上させ、シリンドリカルレンズで被加工物に集光させる０．７ミリメートル以上の長尺ラインビーム発生光学系を用いたレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、長尺ラインビーム発生光学系によるレーザを光源として、対象物の形状や材質を変化させる加工を行うレーザ加工装置に係わる。
【背景技術】
【０００２】  レーザを光源として使用して、対象物の形状や材質を変化させる加工を行うレーザ加工装置が提案されている（例えば、特許文献１〜１６を参照）。
各種レーザを用いたレーザ加工装置は数多く発表されており、実用化もされている。レーザによる熱加工として、金属の穴あけ、切断、溶接、焼き入れなどの加工や、アブレーションによる表面処理などの加工があり、近年は半導体のプロセスにも各種レーザによる熱加工、非熱加工が多く用いられている。【０００３】  被加工物に照射するレーザ光のスポットは溶接や切断の場合はフォーカスした円形スポットが多い。表面処理プロセスの場合はラインビームや面ビームの場合がある。【０００４】  たとえば、シリコン基板のアニーリングがあり、例えば波長３０８ナノメータのエキシマレーザ（ＸｅＣｌ）を用いて、シリコン膜の大きな面積に対してダイごと分割して照射または、ラインビームの走査によってアニールする装置がある。【０００５】  Ｎｄ：ＹＡＧレーザの波長１０６４ナノメータの２倍波、すなわち波長５３２ナノメータのグリーンレーザを用いてラインビームを生成してビームまたは被加工物を移動させてアニールする方法がある。【０００６】  複数のダイオードレーザ（以降、レーザダイオードまたはＬＤと呼ぶ）に光伝送ファイバ（以降、光ファイバ）を整列して、ラインビームを生成し、ビームを移動または被加工物を移動させてレーザを照射してアニールする方法がある。この場合、限定した長さのラインビームを複数回走査して加工する装置が考案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２８７７０３公報
【特許文献２】特開２００３−８６５０５公報
【特許文献３】特開２００３−１０９９１２公報
【特許文献４】特開平９−１２９５７３公報
【特許文献５】特開平２００６−１３５２５１公報
【特許文献６】特開平２００７−０８８０５０公報
【特許文献７】特開平２００７−２５１１９６公報
【特許文献８】国際公開番号Ｗ２００７／１１４０３１公報
【特許文献９】特開平２００８−８５２３６公報
【特許文献１０】特開平２００９−１６３７６公報
【特許文献１１】特開平２００９−４９０３０公報
【特許文献１２】特開平２００９−２０６３８６公報
【特許文献１３】特開平２００９−２６０１３３公報
【特許文献１４】特開平２０１０−１０３１７７公報
【特許文献１５】特開平２０１１−７１３５１公報
【特許文献１６】特開平２０１３−２３３５５６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  エキシマレーザやＮｄ：ＹＡＧレーザによるによる面照射やラインビームやスポット照射によるアニール装置があるが、レーザビームを均一にする手段としてフライアイレンズや導波路や導光板を用いる例がある。それにより光伝送方法と光学系が複雑になり、また光学系によるレーザエネルギーの減衰が大きい為、よりエネルギーの高いレーザ光源が必要になる。また、レーザ発振器自体が大型でありまたランニングコストが高い。【０００９】  複数のＬＤと長い光ファイバを複数本使用している例がある。光伝送系が大がかりで、多数になるほど加工ヘッド内部の光学系、例えば導波路との連結が困難になる。【００１０】  一例として複数のＬＤをレーザ光源とした場合、光学ヘッド内部のレーザ・パワーセンサーを用いてドライバーが個々のＬＤの電流を制御する装置がある。個々のＬＤに対して正確にレーザパワーをフィードバックすることが困難である。【００１１】  複数のＬＤを用いたレーザ光源によるラインビーム発生光学系は、多数のファイバの結合、ホモジナイザ、オートフォーカス、オートパワーコントロールなどのセンサー類を内蔵する必要があり光学ヘッドは複雑、大型、大重量となる。したがって可動式ヘッド方式の装置には向いていない。【００１２】  一例として長手方向が数百ミクロン、幅が数ミクロンのラインビームを生成するＬＤをレーザ光源とする光学系は焦点距離が数ミリ、焦点深度は数ミクロンと想定され、加工テーブルおよび被加工物は超高精度であることが要求され、オートフォーカスも必要となる。【００１３】  一例として光ファイバを複数に分岐し線状に配列する装置があるが一般的な光ファイバの整列のみで均一な極細ラインビームを得ることは困難であり、プロセスの結果として線状痕が残る。【００１４】  複数の光ファイバを溶着、コンバインしてゾーン制御をするラインレーザ光による装置が考案されている。光ファイバをコンバインすることにより、コア径が増大し、レーザの単位面積あたりのエネルギーは低下する。光ファイバの結合損失を考えると損失が増大するのでコンバイン数に制限が生じる。【００１５】  複数の光ファイバによるアレーを用いてラインビームを得ようとした場合、特にビームの長手方向の均一化が困難であった。理由としてレーザを光ファイバのコア径とクラッド径の比率が大きい場合、一例として光ファイバのコア径が１０ミクロン、クラッド径が１２５ミクロンの場合がある。またコア径が２０ミクロン、クラッド径が４００ミクロンの場合がある。コアから出射されるレーザ光が点状となり、間隔が大きい為にフライアイレンズや導波路による均一化を試みる場合、光学系が複雑になる。【００１６】  極細ラインビームを生成する為に２０倍から１００倍の円筒形高倍率対物レンズを用いた場合はアパチャー径とレンズ径の制限によりレーザビームの長さに限界を生じる。【００１７】  以上の例では長尺レーザビームの生成方法について示されていない。現在の所、ロールやシート材など広い面積の加工を行う場合、ラインビームを用いて、オーバーラップを含む複数のスキャン動作またはステップ動作を行う必要がある。
【課題を解決する為の手段】
【００１８】  本発明のレーザ加工装置は、被加工物に長尺なレーザ光を照射して、被加工物の加工を行うレーザ装置である。本レーザ加工装置をアニールプロセスに応用した一例としてレーザ光源に波長４４５ナノメータの青色ＬＤを採用する場合を述べる。特許文献１６の図７に示されたようアモルファスシリコンの吸収率曲線（５０）のピークは４５０ナノメータ近傍であり、本の発明で採用する青色ＬＤの中心波長（５４）は４４５ナノメータであり、エキシマレーザの中心波長（５３）では同等またはそれに近い吸収特性をもつ。緑色レーザの中心波長（５５）では両者より低い吸収特性をもつ。
【００１９】  青色ＬＤはエキシマレーザやＮｄ：ＹＡＧレーザと比較して広いスペクトラムを持っているので光学系における干渉の心配が少ない。青色ＬＤ以外のレーザ光源では４４５ナノメータの波長を得ることが困難である。したがって青色ＬＤがシリコン系材料のアニールに最適なレーザ光源といえる。
【００２０】  今回採用する青色ＬＤは日亜化学工業株式会社製のＬＤレセクタブルモジュール，ＮＵＢ２０６Ｅ（エンジニアリングサンブル、光出力１．３Ｗ）に光ファイバを接続した物を２１個使用する。１個あたり最大出力１ワットで使用すれば損失を考慮しても余裕をもって２１Ｗを得ることが可能である。当該青色ＬＤの波長は４４５〜４５０ナノメータであり、アモルファスシリコンのアニール用として最適である。
【００２１】  複数の青色ＬＤに接続した光ファイバすなわちピッグテール・ファイバのクラッドをエッチングしてコア間の間隙を調整して整列し、ファイバアレーとして固定する。この場合、光ファイバの本数と、長さに制限は無いので、従来の装置と比較して柔軟な設計が可能となり、小型、軽量化が得られる。
【００２２】  ファイバアレーから出射したレーザ光はファイバを通る光のＮＡにより拡散する。ファイバの整列軸に沿って配置した一段目の凸シリンドリカルレンズによって一方向だけ集光すれば円形ビームが楕円状のビームとなる。等間隔で隣り合った光ファイバが出射する楕円ビームが重なり合い、ファイバアレー全体から出射するレーザ光はラインビームとなる。
【００２３】  楕円ビームの重なり具合はファイバを通る光のＮＡによるレーザの広がり角とファイバアレーと凸シリンドリカルレンズの焦点距離とファイバアレーとレンズの距離によって調整する。
【００２４】  二段目の凹シリンドリカルレンズによって集光したレーザ光を平行光に近く拡散させる。三段目の対物用凸シリンドリカルレンズによって焦点を合わせ被加工物に集光する。
【００２５】  青色ＬＤの電源には市販の多チャンネル電源装置例えばＴＥＸＩＯ製ＰＷ８−３ＡＱＰ（４チャンネル）または類似の多チャンネル電源を複数台用いネットワーク化する。ＵＳＢ通信またはＲＳ２３２Ｃ通信によって簡単に多数の青色ＤＬの電流を一斉に制御する事が可能である。また各ＬＤの電流のモニターも容易である。
【００２６】仮に１個の青色ＬＤや光伝送系が破損した場合ファイバアレーの出射口または、光ファイバからの漏れ光のモニターによって破損個所の同定が容易である。
【００２７】  青色ＬＤのパワーのモニターとフィードバックは光ファイバの漏れ光をセンサーで検出することによりＬＤのレーザのモニターと高速フィードバック制御が可能となる。プロセスによってはフィードバックの必要が無い場合もある。
【００２８】  本発明の光学ヘッドではエッチングした光ファイバアレーと長尺のシリンドリカルレンズを用いることによりラインビームを生成することが可能であり、ヘッド内にセンサーなどの電気系配線を必要とせず、小型、軽量となる為に長いラインビーム生成ヘッドとして拡張性が高い。また可動式ヘッドやガントリー式にも搭載可能である。
【００２９】  光ファイバ結合の青色ＬＤは定期交換部材がなく、メンテナンスが簡単である。以上の様に上記に挙げた例を解決する事により小型でランニングコストが低い、面荒れの少ない、安定した性能のアニール用レーザ加工装置が可能となる。
【００３０】  本発明のレーザ加工装置の一例としてレーザ光源に波長８００ナノメータから９００ナノメータ台のＬＤを複数台採用する例を示す。その理由についてこの範囲の波長のＬＤは低出力から高出力まで種類が豊富であり、熱処理やレーザの励起源として使用できる。クラッドをエッチングした光ファイバによるラインビームによってシートやロール状の樹脂や金属の表面処理、熱処理のレーザ光源としてプロセスを高速で実施する事が可能となる。
【００３１】  本発明のレーザ加工装置の一例としてレーザ光源に波長４００ナノメータ台の紫光ＬＤを複数台採用する例を示す。その理由について紫光ＬＤは現在のとことろ数百ミリワット程度の低出力ではあるが、将来的には十ワット級の高出力化の可能性があり、クラッドをエッチングした光ファイバによるラインビームによってアニールやコーティングの表面処理のレーザ光源としてプロセスを高速で実施する事が可能となる。
【００３２】  本発明のレーザ加工装置の一例としてレーザ光源に波長３００ナノメータ台の紫外光ＬＤを複数台採用する例を示す。その理由について紫外光ＬＤは現在、ミリワット級の低出力ではあるが、将来的にはワット級の高出力化の可能性があり、クラッドをエッチングした光ファイバによるラインビームによって殺菌やクリーニングまたはＵＶ接着、コーティングの表面処理のレーザ光源としてプロセスを高速で実施する事が可能となる。
【００３３】本発明のレーザ加工装置の一例としてレーザ光源に波長１０００ナノメータ台の赤外光ファイバレーザを複数台採用する例を示す。ファイバレーザは高品質であり、ワット級からキロワット級の高出力までレーザ光が得られる。一例として光ファイバのコア径２０ミクロン、クラッド径４００ミクロンのクラッドをエッチングしたファイバアレーによるラインビームによってアブレーションによる表面加工や熱処理加工のプロセスを高速で実施する事が可能となる。
【００３４】  本発明のレーザ加工装置、アニール装置の一例としてレーザ光源に波長１０６４ナノメータの固体レーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを複数台採用する例を示す。その理由について、固体レーザは高品質でＷ級からＫＷ級のレーザ光が得られ、光ファイバ伝送が可能である。またＣＷまたはパルス光を容易に得る事が可能である。クラッドをエッチングした光ファイバにより長尺なラインビームによるアブレーション加工や熱処理加工のプロセスを高速で実施する事が可能となる。
【発明の効果】
【００３５】  本発明の長尺ラインビーム発生光学系を用いたレーザ加工装置及びレーザアニール装置によれば、従来の装置と比較して、小型な光学ヘッドでサブミリメートルからメートル級の実用上無制限に長尺なラインビームが可能となり、レーザのスキャン回数を低減または１回にすることが可能となるので、加工時間の短縮が可能となる。装置も小型で安価になる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】長尺ラインビーム発生光学系の斜視図とレーザ電源と制御系のブロック図である。
【図２】長尺ラインビーム発生光学系の側面の概略図である。
【図３】均一にエッチング処理した光ファイバの長手方向断面図である。
【図４】一部テーパー状にエッチング処理した光ファイバの長手方向断面図である。
【図５】光ファイバの取り付け側の概略図である。
【図６】光ファイバのレーザ出射側の概略図である。
【図７−１】光ファイバのエッチング前（コア径４０ミクロン／クラッド径１２５ミクロン）のファイバアレーの図である。
【図７−２】光ファイバのエッチング後（コア径４０ミクロン／クラッド径６０ミクロン）のファイバアレーの図である。
【図８−１】光ファイバのエッチング前の矩形ファイバアレーの図である。
【図８−２】光ファイバのエッチング前の矩形ファイバアレーの図である。
【図９−１】、
【図９−２】光ファイバのクラッドを均一にエッチングするプロセスの説明図である。
【図１０−１】、
【図１０−２】光ファイバのクラッドを一部テーパー状にエッチングするプロセスの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】以下、図により本発明の実施する為の最良の形態（以下、実施の形熊）を説明する。
本発明の長尺ラインビーム発生光学系の実施の形態（斜視図とレーザ光源、制御系のブロック図）を図１に示し、構成と機能を説明する。レーザ電源ユニット１で設定した電圧と電流を給電線２４によってレーザ光源２に印加する。レーザ光源２で発生したレーザを光ファイバ３によってラインビーム発生光学系２６に伝送する。
【００３８】  光ファイバ３をエッチング処理しない場合、光ファイバ３の先端径と元径が異なる為に、光ファイバ３の先端を平行に配列することが困難である。これを解決する為に光ファイバ固定器４を用いて図１及び図２に示す様に光ファイバ３をラインビーム発生光学系２６に立体的に配置する。この場合、光ファバー３のバッファー２８とジャケット２７の厚さに考慮して取り付け位置と距離を調整する。
【００３９】  図５に光ファイバ３のファイバ側の立体的構造を示す。図６に光ファイバ３の先端の整列状態を示す。エッチングプロセスを実施する前に、光ファイバ３の被服すなわちジャケット２７および光ファイバ３の保護膜すなわちバッファー２８を剥離しておく。図９−１、図９−２または図１０−１、図１０−２に示すプロセスによって光ファイバ３の先端のクラッドはエッチングしておく。均一にエッチング処理した光ファイバ５を整列して固定金具と光学用接着剤で固定してファイバアレー６とする。その後、光ファイバ３先端を研磨、クリーニングする。これにより、エッチング処理をしていないファイバアレーよりコア１８の間隔が狭くなり、単位面積あたりのエネルギーが増大する。
【００４０】  図７−１にコア径が４０ミクロン、クラッド径が１２５ミクロンの光ファイバのアレー６を示す。この例に示す光ファイバは一般的に良く使われている。しかし、アレー状に配列した場合は図７−１に示す様にコア１８の間隔が離れている場合、均一なラインビームを生成する為には特別な光学系を必要とする。
【００４１】  図７−２にコア径４０ミクロン、クラッド径を１２５ミクロンから６０ミクロンにエッチングした光ファイバのアレー６を示す。光ファイバ３のエッチング前の図７−１と光ファイバのエッチング後の図７−２を比較すると明らかにレーザ光の集中が得られる。
【００４２】図８−１に矩形光ファイバのクラッド１７−１のエッチング前、図８−２にエッチング後を示す。矩形ファイバのクラッド１７−１と矩形ファイバのコア１８−１のアスペクト比の組み合わせが種々考えられる。矩形光ファイバの場合は強度を保ちつつ、クラッド径を極力小さくする必要がある。
【００４３】  図２に長尺ラインビームを発生するラインビーム発生光学系２６の側面図との光路の概略を示す。ファイバアレー６の各光ファイバから出射したレーザ光１０は光のＮＡによって拡散するので、隣の光ファイバから出射したレーザ光と重なり合い。コア１７の間隔が小さい程、大きな面積で重なり合う。
光ファイバから発するレーザ光１０を凸シリンドリカルレンズ７によってファイバの整列方向と直角方向のビーム幅が小さくなる様に集光させる。凹シリンドリカルレンズ８により、集光したビームの直角方向のレーザ光１０をほぼ並行光にして、対物用凸シリンドリカルレンズ９によって焦点調整１１を行い、ラインビーム１０−１となり被加工物１２を照射する。
【００４４】  所定のプロセスパラメータの速度によって被加工物の移動１３を行う。各光ファイバ３を通過するレーザ光は僅かに漏れ光となり各ファイバ・パワーセンサ１４によって電気信号となりファイバ・パワー信号変換器１５で信号に変換し、信号２２となり、制御ユニット１６でモニターし、レーザパワー設定信号線２３を経由してレーザ電源ユニット１にフィードバックする。そのフィードバック制御により安定したレーザパワーを得る。ラインビーム１０−１の部分ごとのレーザパワーはパワーメータヘッド１４−１によって測定され、パワーメータ信号変換器１５−１から制御ユニット１６に接続して表示する。
【００４５】  光ファイバのクラッドのエッチングの方法の１つとして化学的エッチングのプロセスを図９−１、図９−２及び図１０−１、図１０−２に示す。フッ化水素等を用いたエッチング溶液２０に光ファイバ先端を漬け、エッチングレートと時間設定で引き上げ制御２１を行い、希望するクラッド５の径を求める。図９−１及び図９−２の様に一定時間エッチングを実施し、短時間引き上げ２１で光ファイバ３を引き上げれば均一にエッチッグ処理した光ファイバ５を得られることを図３に示す。
【００４６】  図１０−１及び図１０−２の様に徐々に光ファイバを引き上げ、引き上げ制御２１−１を行い、一部テーパー状にエッチッグ処理した光ファイバ５−１を図４に示す。
【００４７】  一部テーパー状にエッチング処理した光ファイバ５−１は均一にエッチングしたな光ファイバ５より強度に優れているが、エッチングのプロセスは複雑となる。両方の組み合わせの例として、図４のような先端の一部が均一でテーパー部を持つ光ファイバが考えられる。どちらを採用するかは採用する光ファイバの径と光学系の構造によって選択する。
【００４８】  以上のことから本実施の形態では、長尺ラインビーム発生光学系を用いたレーザ加工装置によれば、従来の装置と比較して小型な光学ヘッドでサブミリメートルからメートル級の実用上無制限に長尺なラインビームが可能となり、レーザの走査回数を低減または１回にすることが可能となるので、加工時間の短縮が可能となる。装置も小型で安価になる。
【００４９】  本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、その他様々な構成が取り得る。
【符号の説明】
【００５０】１  レーザ電源ユニット、２  レーザ光源、３  光ファイバ、４  光ファイバ固定器、５  均一にエッチング処理した光ファイバ、５−１  一部テーパー状にエッチング処理した光ファイバ、６  ファイバアレー、７  凸シリンドリカルレンズ、８  凹シリンドリカルレンズ、９  対物用凸シリンドリカルレンズ、１０  レーザ光、１０−１  ラインビーム、１１  焦点調整、１２  被加工物、１３  被加工物の移動、１４  ファイバ・パワーセンサ、１４−１  パワーメータヘッド、１５  ファイバ・パワー信号変換器、１５−１  パワーメータ信号変換器、１６  制御ユニット、１７  コア、１７−１  矩形ファイバのコア、１８  クラッド、１８−１  矩形ファイバのクラッド、１９  耐エッチング剤容器、２０  エッチング溶液、２１  短時間引き上げ、２１−１  引き上げ制御、２２  ファイバ・パワーセンサ信号線、２２−１  パワーメータ信号線、２３  レーザパワー設定信号線、２４  給電線、２５  レーザ電源と制御系、
２６  ラインビーム発生光学系，２７  ジャケット、２８  バッファー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
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