(57)【要約】【課題】主回路と制御回路とを一つの絶縁基板に形成でき、軽量化および低コスト化しやすく、さらに製造しやすい電源装置を提供する。【解決手段】  絶縁材料からなる絶縁基板２と、該絶縁基板２上に設けられた複数の電子部品３と、絶縁基板２上に設けられた変圧用のトランス５と、絶縁基板２に形成された配線４とを備える。配線４には、大電流配線４ａと中電流配線４ｂと小電流配線４ｃとがある。大電流配線４ａと中電流配線４ｂと小電流配線４ｃとのうち、大電流配線４ａは、その厚さが最も厚く形成されている。また、中電流配線４ｂは、大電流配線４ａよりも厚さが薄く形成されている。小電流配線４ｃは、中電流配線４ｂよりも厚さが薄く形成されている。【選択図】図１
2015208200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる絶縁基板（２）と、
該絶縁基板（２）上に設けられた複数の電子部品（３）と、
上記絶縁基板（２）上に設けられた、変圧用のトランス（５）と、
上記絶縁基板（２）に形成された配線（４）とを備え、
該配線（４）には、流れる電流値が相対的に大きい大電流配線（４ａ）と、上記電流値が上記大電流配線（４ａ）よりも小さい中電流配線（４ｂ）と、上記電流値が上記中電流配線（４ｂ）よりも小さい小電流配線（４ｃ）とがあり、
上記複数の電子部品（３）のうち一部の電子部品（３）と上記大電流配線（４ａ）と上記中電流配線（４ｃ）と上記トランス（５）とにより、電力変換を行うための主回路（１１）が形成され、上記複数の電子部品（３）のうち上記主回路（１１）を構成する上記電子部品（３）以外の上記電子部品（３）と上記小電流配線とにより、上記主回路（１１）を制御する制御回路（１２）が形成されており、
上記大電流配線（４ａ）と上記中電流配線（４ｂ）と上記小電流配線（４ｃ）とのうち、上記大電流配線（４ａ）は、その厚さが最も厚く、上記中電流配線（４ｂ）は上記大電流配線（４ａ）よりも厚さが薄く、上記小電流配線（４ｃ）は上記中電流配線（４ｂ）よりも厚さが薄いことを特徴とする電源装置（１）。
【請求項２】
上記複数の電子部品（３）は、上記絶縁基板（２）の２つの主面（２４，２５）のうち一方の主面（２４）に固定され、他方の主面（２５）には他面側金属層（７）が形成され、上記主回路（１１）に含まれる上記複数の電子部品（３）には、上記制御回路（１２）に含まれる上記電子部品（３）よりも発熱量が高い高発熱電子部品（３０）があり、上記絶縁基板（２）の厚さ方向から見たときに、上記高発熱電子部品（３０）と上記他面側金属層（７）とが重なっており、上記他面側金属層（７）によって、上記高発熱電子部品（３０）から発生し上記絶縁基板（２）を伝導した熱を放熱するよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電源装置（１）。
【請求項３】
上記他面側金属層（７）に、該他面側金属層（７）の温度を検出する温度センサ（１４）が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電源装置（１）。
【請求項４】
上記絶縁基板（２）には、該絶縁基板（２）を貫通するビア（１５）が形成されており、該ビア（１５）と上記他面側金属層（７）とによって、上記厚さが互いに異なる２種類の上記配線（４）を電気接続してあることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の電源装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板と、該絶縁基板に設けられたトランス及び電子部品と、絶縁基板に形成された配線とを備える電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源装置として、絶縁基板上に電子部品とトランスとを搭載してなる主回路基板と、該主回路基板とは別に設けられた制御回路基板とを備えるものがある（下記特許文献１参照）。主回路基板には、例えば直流電圧を変圧する主回路が形成されている。また、制御回路基板には、主回路に含まれる電子部品の動作制御を行う制御回路が形成されている。主回路基板と制御回路基板とは、金属製の接続部材によって、互いに電気接続されている。
【０００３】
上記主回路には、上記トランスの一次コイルに接続した一次側回路と、二次コイルに接続した二次側回路とがある。例えば、トランスを用いて直流電圧を降圧する場合、二次側回路の配線には大きな電流（大電流）が流れ、一次側回路の配線には、二次側回路の配線よりも少ない電流（中電流）が流れる。また、制御回路の配線には、一次側回路の配線よりも少ない電流（小電流）が流れる。このように、電源装置の配線には、大電流が流れる大電流配線と、中電流が流れる中電流配線と、小電流が流れる小電流配線との３種類の配線がある。
【０００４】
近年、主回路基板と制御回路基板とを一体化し、一つの基板に、主回路と制御回路とを形成することが検討されている。主回路基板と制御回路基板とを一体化すれば、上記接続部材等が不要となり、部品点数を低減することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、主回路と制御回路とを一つの絶縁基板上に形成する場合、以下のような問題が生じやすい。すなわち、この場合、上記３種類の配線を、同一の絶縁基板上に形成することになる。配線を形成する場合、絶縁基板上に金属層を形成する工程と、フォトリソグラフィー等により所定の配線パターンを形成する工程と、エッチング工程とを行う。そのため、上記３種類の配線の厚さを全て揃え、３種類の配線を同時に形成した方が、製造工程を簡素化できると思われる。ここで仮に、上記３種類の配線の厚さを、上記大電流配線の厚さに統一したとすると、小電流配線のように配線ピッチが狭い配線を、厚い金属層によって形成することになるため、エッチング工程を行った際に、小電流配線が倒れやすくなる。また、３種類の配線の厚さを、大電流配線の厚さに統一すると、中電流配線や小電流配線が必要以上に厚く形成されるため、電源装置の重量が重くなったり、製造コストが上昇したりしやすくなる。
【０００７】
また、仮に、上記３種類の配線の厚さを、上記小電流配線の厚さに統一したとすると、大電流配線や中電流配線のパターン幅が大幅に太くなり、基板面積が大きくなりやすい。また、３種類の配線の厚さを、中電流配線の厚さに統一した場合も、上記と同様の問題、すなわち、小電流配線がエッチング加工時に倒れやすくなったり、大電流配線のパターン幅が大幅に太くなり、基板面積が大きくなる等の問題が生じる。
【０００８】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、主回路と制御回路とを一つの絶縁基板に形成でき、軽量化および低コスト化しやすく、さらに製造しやすい電源装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、絶縁材料からなる絶縁基板と、
該絶縁基板上に設けられた複数の電子部品と、
上記絶縁基板上に設けられた、変圧用のトランスと、
上記絶縁基板に形成された配線とを備え、
該配線には、流れる電流値が相対的に大きい大電流配線と、上記電流値が上記大電流配線よりも小さい中電流配線と、上記電流値が上記中電流配線よりも小さい小電流配線とがあり、
上記複数の電子部品のうち一部の電子部品と上記大電流配線と上記中電流配線と上記トランスとにより、電力変換を行うための主回路が形成され、上記複数の電子部品のうち上記主回路を構成する上記電子部品以外の上記電子部品と上記小電流配線とにより、上記主回路を制御する制御回路が形成されており、
上記大電流配線と上記中電流配線と上記小電流配線とのうち、上記大電流配線は、その厚さが最も厚く、上記中電流配線は上記大電流配線よりも厚さが薄く、上記小電流配線は上記中電流配線よりも厚さが薄いことを特徴とする電源装置にある。
【発明の効果】
【００１０】
上記電源装置においては、大電流配線と中電流配線と小電流配線とのうち、大電流配線の厚さを最も厚くしてある。そのため、大電流配線に充分大きな電流を流すことができる。また、中電流配線の厚さは、大電流配線よりも薄いため、必要以上に中電流配線の厚さが厚くならず、中電流配線の形成に必要な金属材料の量を少なくすることができる。そのため、電源装置の重量を軽くすることができると共に、製造コストを低減することができる。
【００１１】
また、上記電源装置では、小電流配線の厚さを、中電流配線よりも薄くしてある。そのため、必要以上に小電流配線の厚さが厚くならず、小電流配線の形成に必要な金属材料の量を低減できる。したがって、電源装置を軽量化できると共に、製造コストを低減できる。また、小電流配線は、配線ピッチが狭いことが多いが、上述のように小電流配線の厚さを薄くすれば、配線ピッチが狭くても、製造時にエッチング工程を行ったときに、小電流配線が倒れる等の不具合を抑制できる。
【００１２】
以上のごとく、本発明によれば、主回路と制御回路とを一つの絶縁基板に形成でき、軽量化および低コスト化しやすく、さらに製造しやすい電源装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１における、電源装置の断面図。
【図２】実施例１における、電源装置の平面図であって、配線を省略して描いたもの。
【図３】実施例１における、電源装置の回路図。
【図４】実施例１における、ＭＯＳＦＥＴの平面図。
【図５】実施例１における、電源装置の製造工程説明図。
【図６】図５に続く図。
【図７】図６に続く図。
【図８】図７に続く図。
【図９】実施例１における、同期式整流を行う電源装置の回路図。
【図１０】実施例２における、電源装置の断面図。
【図１１】実施例３における、電源装置の要部拡大断面図。
【図１２】実施例４における、電源装置の概略平面図。
【図１３】実施例４における、大電流領域と中電流領域と小電流領域とトランスとの配置レイアウトを変更した電源装置の概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
上記電源装置は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電源装置とすることができる。
【実施例】
【００１５】
（実施例１）
上記電源装置に係る実施例について、図１〜図９を用いて説明する。図１に示すごとく、本例の電源装置１は、絶縁材料からなる絶縁基板２と、該絶縁基板２上に設けられた複数の電子部品３と、絶縁基板２上に設けられた変圧用のトランス５と、絶縁基板２に形成された配線４とを備える。
【００１６】
配線４には、大電流配線４ａと中電流配線４ｂと小電流配線４ｃとがある。大電流配線４ａに流れる電流値は、中電流配線４ｂと小電流配線４ｃとのいずれに流れる電流値よりも大きい。中電流配線４ｂに流れる電流値は、大電流配線４ａよりも小さい。また、小電流配線４ｃに流れる電流値は、中電流配線４ｂよりも小さい。
【００１７】
図１〜図３に示すごとく、複数の電子部品３のうち一部の電子部品３と大電流配線４ａと中電流配線４ｂとトランス５とにより、電力変換を行うための主回路１１が形成されている。また、複数の電子部品３のうち主回路１１を構成する電子部品３以外の電子部品３と、小電流配線４ｃとにより、上記主回路１１を制御する制御回路１２が形成されている。
【００１８】
図１に示すごとく、大電流配線４ａと中電流配線４ｂと小電流配線４ｃとのうち、大電流配線４ａは、その厚さが最も厚い。また、中電流配線４ｂは、大電流配線４ａよりも厚さが薄い。小電流配線４ｃは、中電流配線４ｂよりも厚さが薄い。
【００１９】
本例の電源装置１は、電気自動車やハイブリッド車に搭載するための、車載用電源装置である。
【００２０】
図３に示すごとく、本例の電源装置１は、高圧直流電源８０の電圧を降圧して、低圧直流電源８１を充電するためのＤＣ−ＤＣコンバータである。電源装置１は、電子部品３として、複数のＭＯＳＦＥＴ３ａと、フィルタコンデンサ３ｅと、電流センサ３ｇと、整流ダイオード３ｂと、チョークコイル３ｄと、平滑コンデンサ３ｆとを備える。複数のＭＯＳＦＥＴ３ａにより、Ｈブリッジ回路が形成されている。ＭＯＳＦＥＴ３ａをオンオフ動作させることにより、高圧直流電源８０の直流電圧を交流電圧に変換し、この交流電圧を、トランス５の一次コイル５１に加えている。
【００２１】
トランス５の二次コイル５２は、ダイオードブリッジ３９に接続している。ダイオードブリッジ３９は、複数の整流ダイオード３ｂからなる。本例では、二次コイル５２の二次電流を、ダイオードブリッジ３９によって全波整流し、チョークコイル３ｄを用いて、整流後の電流を平滑化するよう構成されている。また、平滑コンデンサ３ｆを用いて、整流後の電圧を平滑している。
【００２２】
図３に示すごとく、ＭＯＳＦＥＴ３ａと、フィルタコンデンサ３ｅと、配線（中電流配線４ｂ）とにより、一次コイル５１に接続した一次側回路１１１が構成されている。また、複数の整流ダイオード３ｂと、チョークコイル３ｄと、整流ダイオード３ｆと、配線４（大電流配線４ａ）とにより、二次コイル５２に接続した二次側回路１１２が構成されている。これら一次側回路１１１と、二次側回路１１２と、トランス５とによって、上述した主回路１１が形成されている。
【００２３】
本例では、トランス５を用いて、一次側の電圧を降圧しているため、二次側回路１１２の配線４に流れる電流値は、一次側回路１１１の配線４に流れる電流値よりも大きい。
【００２４】
また、本例では、制御回路１２によって、ＭＯＳＦＥＴ３ａのスイッチング動作を制御している。一次側回路１１１を構成する中電流配線４ｂには、電流センサ３ｇが設けられている。制御回路１２は、この電流センサ３ｇを用いて、中電流配線４ｂに流れる電流値を測定し、ＭＯＳＦＥＴ３ａのスイッチング動作等にフィードバックしている。
【００２５】
また、本例では、制御回路１２によって、二次側回路１１２の出力電圧を測定している。そして、測定した電圧を、ＭＯＳＦＥＴ３ａのスイッチング動作等にフィードバックしている。
【００２６】
一方、図１に示すごとく、本例の絶縁基板２は、３枚の分割板２１と、１枚の共通板２２と、これら分割板２１と共通板２２とを接着する接着層２３とを備える。３枚の分割板２１（２１ａ〜２１ｃ）のうち、第１の分割部２１ａには、大電流配線４ａが形成されている。この第１の分割板２１ａに、上記二次側回路１１２が形成されている。また、第２の分割板２１ｂには、中電流配線４ｂが形成されている。この第２分割板２１ｂに、上記一次側回路１１１が形成されている。また、第３の分割板２１ｃには、小電流配線４ｃが形成されている。この第３の分割板２１ｃに、制御回路１２が形成されている。
【００２７】
大電流配線４ａには、整流ダイオード３ｂが接続している。また、中電流配線４ｂには、ＭＯＳＦＥＴ３ａが接続している。小電流配線４ｃには、マイコン３ｃが接続している。
【００２８】
本例では、大電流配線４ａと、中電流配線４ｂと、小電流配線４ｃとの３種類の配線４を、銅によって形成してある。大電流配線４ａには、３０Ａ以上の電流が流れる。大電流配線４ａの厚さは、１．０〜３．０ｍｍである。また、中電流配線４ｂには、３０Ａ以下の電流が流れる。中電流配線４ｂの厚さは、０．３〜１．０ｍｍである。また、小電流配線４ｃには、１Ａ以下の電流が流れる。小電流配線４ｃの厚さは、３５〜７０μｍである。
【００２９】
図１に示すごとく、整流ダイオード３ｂは、ダイオード素子（図示しない）を封止したダイオード本体部３１と、該ダイオード本体部３１から突出したアノード端子３２及びカソード端子３３とを備える。ダイオード本体部３１は大電流配線４ａ上に載置されている。アノード端子３２とカソード端子３３とは、それぞれ大電流配線４ａに接続している。
【００３０】
図１、図４に示すごとく、ＭＯＳＦＥＴ３ａは、ＭＯＳ素子３４２と、該ＭＯＳ素子３４２を封止したＭＯＳ本体部３４１と、該ＭＯＳ本体部３４１から突出したゲート端子３４３及びソース端子３４４と、ＭＯＳ本体部３４１の底面に設けられたドレイン端子３４５とを備える。図１に示すごとく、ＭＯＳ本体部３４１と中電流配線４ｂとの間に、ドレイン端子３４５が介在している。ドレイン端子３４５、ゲート端子３４３、ソース端子３４４は、それぞれ中電流配線４ｂに接続している。
【００３１】
図１、図２に示すごとく、制御回路１２は、マイコン３ｃと、その他複数の電子部品３と、小電流配線４ｃとによって構成されている。
【００３２】
図１に示すごとく、各配線４ａ，４ｂ，４ｃは、絶縁基板２の２つの主面２４，２５のうち、一方の主面２４に形成されている。また、他方の主面２５には、他面側金属層７が形成されている。絶縁基板２には、該絶縁基板２の厚さ方向（Ｚ方向）に貫通するビア１５を形成してある。２つのビア１５（１５１，１５２）と他面側金属層７とによって、厚さが互いに異なる２種類の配線４（４ｂ，４ｃ）を電気接続している。
なお、上記「主面」とは、絶縁板２の表面のうち、側面２９０を除いた面を意味する。
【００３３】
また、図示しないが、小電流配線４ｃと大電流配線４ａとも、同様に接続されている。これにより、二次側回路１１の出力電圧を、制御回路１２が検知できるようにしてある（図３参照）。
【００３４】
図２に示すごとく、本例の絶縁基板２は、Ｚ方向から見たときに長方形状を呈する。絶縁基板２の長手方向（Ｘ方向）に、制御回路１２と、一次側回路１１１と、二次側回路１１２とが並べられている。一次側回路１１１と二次側回路１１２との間には、トランス５が設けられている。一次側回路１１１には、４個のＭＯＳＦＥＴ３ａが含まれる。この４個のＭＯＳＦＥＴ３ａは、絶縁基板２の短手方向（Ｙ方向）に並べられている。また、二次側回路１１２には、４個の整流ダイオード３ｂが含まれる。４個の整流ダイオード３ｂは、Ｙ方向に並べられている。
【００３５】
次に、本例の電源装置１の製造方法について説明する。まず、図５に示すごとく、第１の分割板２１ａに大電流配線４ａを形成した大電流仮基板２１１と、第２の分割板２１ｂに中電流配線４ｂを形成した中電流仮基板２１２と、第３の分割板２１ｃに小電流配線４ｃを形成した小電流仮基板２１３とを用意する。そして、これらの仮基板２１１〜２１３と、接着層２３と、共通板２２とを積層する。
仮基板２１１〜２１３、共通板２２は、金属箔接着工程と、フォトリソ工程と、エッチング工程とを行うことにより、それぞれ形成される。金属箔接着工程では、各分割板２１に金属箔（銅箔）を接着する。フォトリソ工程では、銅箔上に感光性レジストを塗布し、露光および現像を行って、所定の配線パターンを形成する。エッチング工程では、金属箔のうち、感光性レジストから露出した部位を除去する。これにより、各仮基板２１１〜２１３、共通板２２を形成する。
【００３６】
仮基板２１１〜２１３と、接着層２３と、共通板２２とを積層した後、図６に示すごとく、加圧機１６を用いて、これらをＺ方向に加圧する。これにより、仮基板２１１〜２１３を共通板２２に接着する。
【００３７】
次いで、図７に示すごとく、絶縁基板７にスルーホール１５５を形成する。スルーホール１５５は、レーザ光を照射することにより形成できる。また、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことにより形成することもできる。
【００３８】
その後、めっき工程を行って、図８に示すごとく、スルーホール１５５内に導体部１５６を形成する。これにより、ビア１５を形成する。なお、本例では、スルーホール１５５内を全て導体部１５６で充填する、いわゆるフィルドビアにしてあるが、スルーホール１５５の内周面のみに導体部１５６を形成してもよい。
【００３９】
この後、各配線４（４ａ〜４ｃ）を形成した側に、図示しないソルダーレジストを塗布し、露光、現像工程を行って、配線４の内はんだ付けが必要な部位のみを露出させる。次いで、各配線４に電子部品３を搭載し、はんだ付けを行う。以上の工程を行うことにより、本例の電源装置１を製造する。
【００４０】
本例の作用効果について説明する。図１に示すごとく、本例では、大電流配線４ａと中電流配線４ｂと小電流配線４ｃとのうち、大電流配線４ａの厚さを最も厚くしてある。そのため、大電流配線４ａに充分大きな電流を流すことができる。また、中電流配線４ｂの厚さは、大電流配線４ａよりも薄いため、必要以上に中電流配線４ｂの厚さが厚くならず、中電流配線４ｂの形成に必要な金属材料の量を少なくすることができる。そのため、電源装置１の重量を軽くすることができると共に、製造コストを低減することができる。
【００４１】
また、本例では、小電流配線４ｃの厚さを、中電流配線４ｂよりも薄くしてある。そのため、必要以上に小電流配線４ｃの厚さが厚くならず、小電流配線４ｃの形成に必要な金属材料の量を低減できる。したがって、電源装置１を軽量化できると共に、製造コストを低減できる。また、小電流配線４ｃは、配線ピッチが狭いことが多いが、上述のように小電流配線４ｃの厚さを薄くすれば、配線ピッチが狭くても、小電流配線４ｃのエッチング工程を行ったときに、小電流配線４ｃが倒れる等の不具合を抑制できる。
【００４２】
本例の電源装置１では、大電流配線４ａと、中電流配線４ｂと、小電流配線４ｃとの３種類の配線４があり、これら３種類の配線４にそれぞれ流れる電流値は、互いに大きく異なる。そのため、各配線４（４ａ〜４ｃ）の厚さを互いに異ならせることによる効果は大きい。
【００４３】
また、本例では、ビア１５と裏面側金属層７とによって、厚さが互いに異なる２種類の配線４（中電流配線４ｂおよび小電流配線４ｃ）を電気接続している。厚さが互いに異なる２種類の配線４（４ｂ，４ｃ）を直接接続することは困難であるが、本例のようにビア１５と裏面側金属層７とを用いて接続すれば、容易に接続することができる。
【００４４】
以上のごとく、本例によれば、主回路と制御回路とを一つの絶縁基板に形成でき、軽量化および低コスト化しやすく、さらに製造しやすい電源装置を提供することができる。
【００４５】
なお、本例では、一次側回路１１１（図３参照）よりも二次側回路１１２に流れる電流値の方が大きいが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、直流電圧を昇圧する場合のように、二次側回路１１２よりも一次側回路１１１に流れる電流値の方が大きい構成にすることもできる。この場合、一次側回路１１１に含まれる配線４は大電流配線４ａとなり、二次側回路１１２に含まれる配線４は中電流配線４ｂとなる。
【００４６】
また、本例では、整流ダイオード３ｂを用いて二次電流を整流したが、本発明はこれに限るものではない。例えば図９に示すごとく、整流用ＭＯＳＦＥＴ３ｈを用いて、二次電流を整流してもよい。この場合、制御回路１２を用いて整流用ＭＯＳＦＥＴ３ｈのスイッチング動作を行う、いわゆる同期式整流を行うこととなる。
【００４７】
また、本例では、ＭＯＳＦＥＴ３ａ及び整流ダイオード３ｂとして、素子単体を封止した、いわゆるディスクリートの電子部品３を用いているが、複数の素子を封止してモジュール化した電子部品３を用いてもよい。
【００４８】
また、本例では、絶縁基板２の一方の主面２４に配線４を形成したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、絶縁基板２の両方の主面２４，２５にそれぞれ配線４を形成してもよい。また、配線４を、共通板２２や分割板２１の内部に形成してもよい。
【００４９】
また、本例では図１に示すごとく、共通板２２の２つの主面２２１，２２２のうち、一方の主面２２１に、各仮基板２１１〜２１３を接着してあるが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、共通板２２の２つの主面２２１，２２２にそれぞれ、上記仮基板を接着してもよい。また、共通板２２の２つの主面２２１，２２２と、内部との、少なくとも一か所に配線４を形成し、さらに２つの主面２２１，２２２にそれぞれ仮基板を接着してもよい。
【００５０】
（実施例２）
本例は図１０に示すごとく、絶縁板２に複数の他面側金属層７を形成した例である。本例では実施例１と同様に、絶縁基板２の２つの主面２４、２５のうち一方の主面２４に、複数の電子部品３を、配線４を介して固定してある。また、他方の主面２５に、他面側金属層７を形成してある。複数の電子部品３の一部（ＭＯＳＦＥＴ３ａ及び整流ダイオード３ｂ）は、高発熱部品３０となっている。高発熱部品３０は、制御回路１２を構成する電子部品３（マイコン３ｃ）よりも発熱量が高い。他面側金属層７の一部は、Ｚ方向から見たときに高発熱部品３０に重なる位置に形成されている。他面側金属層７には、冷却器１７が接触している。
【００５１】
高発熱部品３０から発生した熱の一部は、絶縁層２を伝わり、他面側金属層７から放熱される。これにより、高発熱部品３０を冷却するよう構成されている。また、複数の他面側金属層７のうち、配線４ｂ，４ｃを電気接続するための導電用他面側金属層７ａは、絶縁膜１９によって被覆されている。これにより、導電用他面側金属層７ａと冷却器１７とを絶縁している。
【００５２】
本例の作用効果について説明する。本例では、Ｚ方向から見たときに、高発熱電子部品３０と他面側金属層７とが重なるように構成してあるため、高発熱電子部品３０から発生した熱を、絶縁層２を介して他面側金属層７から放熱することができる。そのため、高発熱電子部品３０の冷却効率を向上させることができる。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。
【００５３】
なお、本例では、大電流配線４ａおよび中電流配線４ｂと他面側金属層７とを、ビア１５によって接続していないが、これらをビア１５によって接続してもよい。この場合、高発熱電子部品３０から発生した熱が、ビア１５内の、熱伝導率の高い導体部１５６を伝わり、他面側金属層７から放熱される。そのため、高発熱電子部品３０の冷却効率をより高めることが可能となる。なお、この場合、ビア１５を介して配線４ａ，４ｂと他面側金属層７とが電気接続されるため、他面側金属層７と冷却器１７とを絶縁できるよう、これらの間に絶縁膜１９を介在させる必要がある。
【００５４】
（実施例３）
本例は、図１１に示すごとく、他面側金属層７に温度センサ１８を設けた例である。この温度センサ１８により、他面側金属層７の温度を測定するよう構成されている。本例の制御回路１２は、測定した温度が予め定められた値よりも上昇した場合は、主回路１１に流れる電流が低減するように、ＭＯＳＦＥＴ３ａのスイッチング動作のデューティーを制御する。これにより、高発熱電子部品３０（ＭＯＳＦＥＴ３ａ、整流ダイオード３ｂ）の温度が上昇し過ぎることを抑制している。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。
【００５５】
（実施例４）
本例は、絶縁基板２上に形成した各回路のレイアウトを変更した例である。図１２に示すごとく、本例では、中電流が流れる回路である一次側回路１１１と、トランス５と、大電流が流れる回路である二次側回路１１２とをこの順に並べて、主回路１１を形成してある。そして、一次側回路１１１とトランス５と二次側回路１１２とが配列する方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）おいて、主回路１１に隣り合う位置に、制御回路１２を形成してある。
【００５６】
また、図１３に示すレイアウトにすることもできる。この電源装置１では、制御回路１２と、大電流が流れる回路である二次側回路１１２とを並べてある。そして、これら制御回路１２と二次側回路１１２とが配列する方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）において、制御回路１２に隣り合う位置に、中電流が流れる回路である一次側回路１１１を形成してある。また、二次側回路１１２に対してＹ方向に隣り合う位置に、トランス５を設けてある。
その他、実施例１と同様の構成及び作用効果を有する。
【符号の説明】
【００５７】
１  電源装置
１１  主回路
１２  制御回路
２  絶縁基板
３  電子部品
４  配線
４ａ  大電流配線
４ｂ  中電流配線
４ｃ  小電流配線
５  トランス
【図１】
2015208200.tif 000003
【図２】
2015208200.tif 000004
【図３】
2015208200.tif 000005
【図４】
2015208200.tif 000006
【図５】
2015208200.tif 000007
【図６】
2015208200.tif 000008
【図７】
2015208200.tif 000009
【図８】
2015208200.tif 000010
【図９】
2015208200.tif 000011
【図１０】
2015208200.tif 000012
【図１１】
2015208200.tif 000013
【図１２】
2015208200.tif 000014
【図１３】
2015208200.tif 000015