(57)【要約】【課題】オートフォーカスの精度を低下させないようにする。【解決手段】固体撮像装置は、互いに隣接する複数の位相差検出画素と、複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体とを備え、分離構造体は、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成される。本技術は、例えば裏面照射型のCMOSイメージセンサや表面照射型のCMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図３
2015060855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接する複数の位相差検出画素と、
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体と
を備え、
前記分離構造体は、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成された
固体撮像装置。
【請求項２】
前記複数の位相差検出画素に対応して形成されるマイクロレンズをさらに備える
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記分離構造体の屈折率と、前記分離構造体の周囲の材料の屈折率との差は、0.2以上である
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記分離構造体の屈折率は略１である
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記マイクロレンズは、前記複数の位相差検出画素とともに画素領域に配置される撮像画素に対応して形成される他のマイクロレンズよりレンズパワーが大きくなるように形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記分離構造体は、側壁面の傾きが、前記複数の位相差検出画素の分離特性に応じて調整されて形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記分離構造体は、上面の幅が、前記複数の位相差検出画素の分離特性に応じて調整されて形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれの間にトレンチが形成された
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記分離構造体の上面に、反射防止膜が形成された
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記複数の位相差検出画素は、前記マイクロレンズの下層に光学フィルタを備える
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記マイクロレンズは、隣接する２つの前記位相差検出画素に対応して形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記マイクロレンズは、格子状に配置された４つの前記位相差検出画素に対応して形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
互いに隣接する複数の位相差検出画素と、
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記分離構造体を、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
互いに隣接する複数の位相差検出画素と、
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体と
を備え、
前記分離構造体は、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成された固体撮像装置
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、AFの精度を低下させないようにすることができる固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、撮像素子において、光電変換部の一部が遮光された位相差検出画素を設けることで位相差検出を行い、AF（Auto Focus）を行う撮像装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような位相差検出方式によるAFは、従来のコントラスト検出方式によるAFに比べて高速AF動作が可能である点で優れている。
【０００３】
このような高速AF動作を実現する位相差検出画素は、像面に入射する光の入射角を選択して受光する機能（以下、分離能力という）を有し、一般的には、光電変換部の上層に設けられた遮光膜により、瞳面の左側から入射する光と、瞳面の右側から入射する光とを分離して受光することで、焦点位置が検出されるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１６０３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方で、近年、多画素化に伴い画素サイズが縮小する傾向にあるが、これは、画素の感度低下を招くおそれがある。特に、位相差検出画素は、通常の撮像用の画素（撮像画素）と比較して、遮光膜による遮光により感度が低いため、画素サイズの縮小による感度低下の影響を大きく受ける。結果として、画素サイズの縮小により、位相差検出方式によるAFの精度が低下するおそれがある。
【０００６】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、AFの精度を低下させないようにすることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の一側面の固体撮像装置は、互いに隣接する複数の位相差検出画素と、前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体とを備え、前記分離構造体は、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成される。
【０００８】
前記複数の位相差検出画素に対応して形成されるマイクロレンズをさらに設けることができる。
【０００９】
前記分離構造体の屈折率と、前記分離構造体の周囲の材料の屈折率との差は、0.2以上であるようにすることができる。
【００１０】
前記分離構造体の屈折率は略１であるようにすることができる。
【００１１】
前記マイクロレンズは、前記複数の位相差検出画素とともに画素領域に配置される撮像画素に対応して形成される他のマイクロレンズよりレンズパワーが大きくなるように形成されるようにすることができる。
【００１２】
前記分離構造体は、側壁面の傾きが、前記複数の位相差検出画素の分離特性に応じて調整されて形成されるようにすることができる。
【００１３】
前記分離構造体は、上面の幅が、前記複数の位相差検出画素の分離特性に応じて調整されて形成されるようにすることができる。
【００１４】
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれの間にトレンチが形成されるようにすることができる。
【００１５】
前記分離構造体の上面に、反射防止膜が形成されるようにすることができる。
【００１６】
前記複数の位相差検出画素は、前記マイクロレンズの下層に光学フィルタを設けることができる。
【００１７】
前記マイクロレンズは、隣接する２つの前記位相差検出画素に対応して形成されるようにすることができる。
【００１８】
前記マイクロレンズは、格子状に配置された４つの前記位相差検出画素に対応して形成されるようにすることができる。
【００１９】
本技術の一側面の固体撮像装置の製造方法は、互いに隣接する複数の位相差検出画素と、前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体とを備える固体撮像装置の製造方法であって、前記分離構造体を、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成するステップを含む。
【００２０】
本技術の一側面の電子機器は、互いに隣接する複数の位相差検出画素と、前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体とを備え、前記分離構造体は、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成された固体撮像装置を備える。
【００２１】
本技術の一側面においては、分離構造体が、複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置され、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成される。
【発明の効果】
【００２２】
本技術の一側面によれば、AFの精度を低下させないようにすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】固体撮像装置の構造例を示す断面図である。
【図３】位相差検出画素の構造例を示す断面図である。
【図４】位相差検出画素の構造例を示す平面図である。
【図５】位相差検出画素の分離能力について説明する図である。
【図６】画素形成処理の例について説明するフローチャートである。
【図７】画素形成の工程を示す図である。
【図８】位相差検出画素の各種パラメータについて説明する図である。
【図９】位相差検出画素の分離特性を示す図である。
【図１０】位相差検出画素の分離特性を示す図である。
【図１１】位相差検出画素の分離特性を示す図である。
【図１２】マイクロレンズのレンズパワーについて説明する図である。
【図１３】位相差検出画素の他の構造例を示す断面図である。
【図１４】位相差検出画素の分離特性を示す図である。
【図１５】位相差検出画素のさらに他の構造例を示す断面図である。
【図１６】位相差検出画素の分離特性を示す図である。
【図１７】位相差検出画素の反射率について説明する図である。
【図１９】位相差検出画素のさらに他の構造例を示す断面図である。
【図２０】位相差検出画素の分離特性を示す図である。
【図２１】位相差検出画素の分離特性を示す図である。
【図２２】画素形成処理の他の例について説明するフローチャートである。
【図２３】画素形成の工程を示す図である。
【図１８】位相差検出画素のさらに他の構造例を示す断面図である。
【図２４】マイクロレンズの他の構成例を示す平面図である。
【図２５】本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本技術の実施の形態について図を参照して説明する。
【００２５】
＜固体撮像装置の構成例＞
図１は、本技術が適用される固体撮像装置の一実施の形態を示すブロック図である。以下においては、増幅型固体撮像装置の１つである、裏面照射型のCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサの構成について説明する。なお、本技術は、裏面照射型のCMOSイメージセンサへの適用に限られるものではなく、表面照射型のCMOSイメージセンサや他の増幅型固体撮像装置、CCD（Charge Coupled Device）イメージセンサ等の電荷転送型の固体撮像装置にも適用可能である。
【００２６】
図１に示されるCMOSイメージセンサ１０は、図示せぬ半導体基板上に形成された画素アレイ部１１と、画素アレイ部１１と同じ半導体基板上に集積された周辺回路部とを有する構成となっている。周辺回路部は、例えば、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、水平駆動部１４、およびシステム制御部１５から構成されている。
【００２７】
さらに、CMOSイメージセンサ１０は、信号処理部１８およびデータ格納部１９を備えている。
【００２８】
画素アレイ部１１は、受光した光量に応じた光電荷を生成し、蓄積する光電変換部を有する単位画素（以下、単に画素ともいう）が行方向および列方向に、すなわち、行列状に２次元配置された構成を採る。ここで、行方向とは画素行の画素の配列方向（水平方向）を表し、列方向とは画素列の画素の配列方向（垂直方向）を表している。
【００２９】
画素アレイ部１１においては、行列状の画素配列に対して、画素行毎に画素駆動線１６が行方向に沿って配線され、画素列毎に垂直信号線１７が列方向に沿って配線されている。画素駆動線１６は、画素から信号を読み出す際の駆動を行うための駆動信号を伝送する。図１では、画素駆動線１６は１本の配線として示されているが、１本に限られるものではない。画素駆動線１６の一端は、垂直駆動部１２の各行に対応した出力端に接続されている。
【００３０】
垂直駆動部１２は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素アレイ部１１の各画素を全画素同時または行単位等で駆動する。すなわち、垂直駆動部１２は、垂直駆動部１２を制御するシステム制御部１５とともに、画素アレイ部１１の各画素を駆動する駆動部を構成している。垂直駆動部１２は、その具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の２つの走査系を有する構成となっている。
【００３１】
読出し走査系は、単位画素から信号を読み出すために、画素アレイ部１１の単位画素を行単位で順に選択走査する。単位画素から読み出される信号はアナログ信号である。掃出し走査系は、読出し走査系によって読出し走査が行われる読出し行に対して、その読出し走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して掃出し走査を行う。
【００３２】
この掃出し走査系による掃出し走査により、読出し行の単位画素の光電変換部から不要な電荷が掃出されることによって光電変換部がリセットされる。そして、この掃出し走査系による不要電荷の掃出す（リセットする）ことにより、電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換部の光電荷を捨てて、新たに露光を開始する（光電荷の蓄積を開始する）動作のことをいう。
【００３３】
読出し走査系による読出し動作によって読み出される信号は、その直前の読出し動作または電子シャッタ動作以降に受光した光量に対応するものである。そして、直前の読出し動作による読出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃出しタイミングから、今回の読出し動作による読出しタイミングまでの期間が、単位画素における光電荷の露光期間となる。
【００３４】
垂直駆動部１２によって選択走査された画素行の各単位画素から出力される信号は、画素列毎に垂直信号線１７の各々を通してカラム処理部１３に入力される。カラム処理部１３は、画素アレイ部１１の画素列毎に、選択行の各画素から垂直信号線１７を通して出力される信号に対して所定の信号処理を行うとともに、信号処理後の画素信号を一時的に保持する。
【００３５】
具体的には、カラム処理部１３は、信号処理として、少なくともノイズ除去処理、例えばCDS（Correlated Double Sampling）処理を行う。カラム処理部１３によるCDS処理により、リセットノイズや画素内の増幅トランジスタの閾値ばらつき等の、画素固有の固定パターンノイズが除去される。カラム処理部１３には、ノイズ除去処理以外に、例えば、AD（Analog-Digital）変換機能を持たせ、アナログの画素信号をデジタル信号に変換して出力させることも可能である。
【００３６】
水平駆動部１４は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、カラム処理部１３の画素列に対応する単位回路を順番に選択する。水平駆動部１４による選択走査により、カラム処理部１３において単位回路毎に信号処理された画素信号が順番に出力される。
【００３７】
システム制御部１５は、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ等によって構成され、そのタイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、および水平駆動部１４等の駆動制御を行う。
【００３８】
信号処理部１８は、少なくとも演算処理機能を有し、カラム処理部１３から出力される画素信号に対して演算処理等の種々の信号処理を行う。データ格納部１９は、信号処理部１８での信号処理に必要なデータを一時的に格納する。
【００３９】
なお、信号処理部１８およびデータ格納部１９は、CMOSイメージセンサ１０と同じ基板（半導体基板）上に搭載されても構わないし、CMOSイメージセンサ１０とは別の基板上に配置されるようにしても構わない。また、信号処理部１８およびデータ格納部１９の各処理は、CMOSイメージセンサ１０とは別の基板に設けられる外部信号処理部、例えば、DSP（Digital Signal Processor）回路やソフトウエアによる処理として実行されても構わない。
【００４０】
＜固体撮像装置の構造例＞
次に、図２を参照して、CMOSイメージセンサ１０の構造例について説明する。図２は、裏面照射型のCMOSイメージセンサ１０における撮像用の画素（撮像画素）２０の断面構成を示している。
【００４１】
図２に示されるCMOSイメージセンサ１０においては、支持基板２１の上に、SiO2からなる配線層２２が形成され、配線層２２の上にシリコン基板２３が形成される。支持基板２１は、例えば、シリコン、ガラスエポキシ、ガラス、プラスチック等で形成される。シリコン基板２３の表面には、撮像画素２０それぞれの光電変換部（受光部）としての複数のフォトダイオード２４が、所定の間隔で形成される。
【００４２】
シリコン基板２３およびフォトダイオード２４の上には、SiO2からなる保護膜２５が形成される。保護膜２５の上には、隣接する画素２０への光の漏れ込みを防止するための遮光膜２６が、隣接するフォトダイオード２４の間に形成される。遮光膜２６は、例えばタングステン（Ｗ）等の金属で形成される。
【００４３】
保護膜２５および遮光膜２６の上には、カラーフィルタを形成する領域を平坦化するための平坦化膜２７が形成される。平坦化膜２７の上には、カラーフィルタ層２８が形成される。カラーフィルタ層２８には、複数のカラーフィルタが撮像画素２０毎に設けられており、各色のカラーフィルタは、例えば、ベイヤ配列に従って並べられる。
【００４４】
カラーフィルタ層２８の上には、第１の有機材料層２９が形成される。第１の有機材料層２９は、例えば、アクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料、エポキシ系樹脂材料等で形成される。第１の有機材料層２９の上には、マイクロレンズ３０が形成される。マイクロレンズ３０は、例えば屈折率1.45の透明な材料で形成される。
【００４５】
マイクロレンズ３０上部には、カバーガラス３１が第２の有機材料層３２を介して接着されている。カバーガラス３１は、ガラスに限らず、樹脂等の透明板で形成されるようにしてもよい。また、マイクロレンズ３０とカバーガラス３１との間には、水分や不純物の浸入を防止するための保護膜が形成されてもよい。第２の有機材料層３２は、第１の有機材料層２９と同じく、アクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料、エポキシ系樹脂材料等で形成される。
【００４６】
なお、図２に示される構成は一例であり、他の構成、例えば、上述した各層だけでなく、他の層が追加されたり、または上述した層のうちのいずれかの層が削除されたような構成であっても、以下で説明する本技術を適用可能である。
【００４７】
＜位相差検出画素の構造例＞
上述したCMOSイメージセンサ１０は、位相差検出を実現するために、位相差検出信号を得るための位相差検出画素を備える。位相差検出信号は、焦点のずれ方向（デフォーカス方向）およびずれ量（デフォーカス量）を表す信号である。
【００４８】
位相差検出画素は、撮像画素が行列状に２次元配置されてなる、図１に示す画素アレイ部１１（画素領域）内に混在して設けられる。例えば、位相差検出画素は、画素領域内において、左右上下方向に交差した状態で設けられる。
【００４９】
撮像画素と位相差検出画素とは、その構造が若干異なる。ここで、位相差検出画素の構造の一例について、図３および図４を参照して説明する。図３は位相差検出画素の断面図を、図４はその平面図をそれぞれ示している。
【００５０】
なお、図３に示される断面図において、図２に示される断面図と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。
【００５１】
図３において、２つの位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒは、左右に隣接して配置されている。位相差検出画素４０Ｌは、瞳面の左側から入射する光を受光し、位相差検出画素４０Ｒは、瞳面の右側から入射する光を受光する。
【００５２】
位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの上には、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒそれぞれのフォトダイオード２４に入射する光を分離するように、分離構造体２６Ａが配置されている。
【００５３】
分離構造体２６Ａは、隣接する位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒそれぞれのフォトダイオード２４の間に、それぞれのフォトダイオード２４の一部を遮光するように形成される。具体的には、分離構造体２６Ａは、左右に隣接して配置されている位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒそれぞれのフォトダイオード２４の境界（素子分離領域）上に延在するように配置される。位相差検出画素４０Ｌのフォトダイオード２４は、分離構造体２６Ａによって、その右側が遮光され、位相差検出画素４０Ｒのフォトダイオード２４は、分離構造体２６Ａによって、その左側が遮光される。
【００５４】
さらに、分離構造体２６Ａは、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒそれぞれに面した側壁面に傾きを有し、断面は、光の入射する方向（図中上方向）に向かってテーパー形状を有するように形成されている。分離構造体２６Ａは、遮光膜２６と同じ層に形成され、遮光膜２６と同様、Ｗ等の金属で形成される。
【００５５】
また、図４に示されるように、撮像画素２０については、１画素に対応して１つのマイクロレンズ３０が形成されているのに対して、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒについては、２画素に対応して１つのマイクロレンズ３０Ａが形成されている。すなわち、マイクロレンズ３０Ａは、２画素分のレンズとして形成される。なお、マイクロレンズ３０Ａは、マイクロレンズ３０と同様、例えば、屈折率1.45の透明な材料で形成される。
【００５６】
以上のような構造によって、位相差検出画素の感度を大幅に向上させることができる。
【００５７】
具体的には、従来の固体撮像装置では、図５Ａに示されるように、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒに入射する光を分離する分離構造体２６Ｂは、それぞれのフォトダイオード２４の受光面の半分を覆うように形成されていた。さらに、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒそれぞれに、マイクロレンズ３０が形成されていた。
【００５８】
このような構造により、位相差検出画素４０Ｌにおいては、瞳面の左側から入射する入射光のうちの半分程度の光５１Ｌはフォトダイオード２４に入射するものの、残りの光５２Ｌは分離構造体２６Ｂに遮光されていた。同様に、位相差検出画素４０Ｒにおいては、瞳面の右側から入射する入射光のうちの半分程度の光５１Ｒはフォトダイオード２４に入射するものの、残りの光５２Ｒは分離構造体２６Ｂに遮光されていた。
【００５９】
一方、本技術の固体撮像装置では、図５Ｂに示されるように、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒに入射する光を分離する分離構造体２６Ａは、側壁面に傾きを有し、その断面がテーパー形状を有するように形成されている。さらに、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒに１つのマイクロレンズ３０Ａが形成されている。
【００６０】
このような構造により、位相差検出画素４０Ｌにおいては、瞳面の左側から入射する入射光のうちの半分程度の光５１Ｌに加え、瞳面の右側から入射する入射光のうちの半分程度の光５１Ｌ'がフォトダイオード２４に入射するようになる。同様に、位相差検出画素４０Ｒにおいては、瞳面の右側から入射する入射光のうちの半分程度の光５１Ｒに加え、瞳面の左側から入射する入射光のうちの半分程度の光５１Ｒ'がフォトダイオード２４に入射するようになる。
【００６１】
以上の構造によれば、従来は遮光されていた光が、隣接する位相差検出画素に分配されて入射されるようになるので、位相差検出画素の感度を大幅に向上させることができ、画素サイズが縮小された場合であっても、AFの精度を低下させないようにすることが可能となる。
【００６２】
また、分離構造体２６Ａの形状やマイクロレンズ３０Ａの形状を変えることで、フォトダイオード２４に入射する光の量を調整することができるので、位相差検出画素の分離能力（像面に入射する光の入射角を選択して受光する機能）を最適に高めることが可能となる。
【００６３】
＜画素形成の流れについて＞
次に、図６および図７を参照して、本技術の固体撮像装置の画素形成の流れについて説明する。図６は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図７は、画素形成の工程を示す断面図である。
【００６４】
なお、以下においては、保護膜２５上に平坦化膜２７が形成された後の処理について説明する。
【００６５】
まず、ステップＳ１１において、遮光膜材が成膜される。具体的には、図７Ａに示されるように、平坦化膜２７上に、例えばＷ等からなる遮光膜材２６'が成膜される。なお、図７においては、フォトダイオード２４の図示は省略されている。
【００６６】
ステップＳ１２において、レジストパターンが形成される。具体的には、図７Ｂに示されるように、遮光膜材２６'上に、遮光膜２６を形成するためのフォトレジストパターン６１と、分離構造体２６Ａを形成するためのフォトレジストパターン６１Ａが形成される。フォトレジストパターン６１Ａは、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成される。
【００６７】
ステップＳ１３において、フォトレジストパターン６１，６１Ａが、その下地に形成された遮光膜材２６'にエッチング転写されることで、ドライエッチング処理が行われる。これにより、図７Ｃに示されるように、遮光膜２６とともに、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有する分離構造体２６Ａが形成される。
【００６８】
その後、ステップＳ１４においては、遮光膜２６および分離構造体２６Ａ上に、平坦化膜２７が形成される。
【００６９】
ステップＳ１５においては、平坦化膜２７上に、カラーフィルタ層２８が形成される。なお、カラーフィルタ層２８は、位相差検出画素に対応する画素領域には形成されないものとする。
【００７０】
そして、ステップＳ１６において、平坦化膜２７上に形成された第１の有機材料層２９上に、マイクロレンズ３０，３０Ａが形成される。
【００７１】
以上の処理によれば、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒに入射する光を分離する分離構造体２６Ａが、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成されるとともに、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒに対応するマイクロレンズ３０Ａが形成されるようになる。これにより、従来は遮光されていた光が、隣接する位相差検出画素に分配されて入射されるようになるので、位相差検出画素の感度を大幅に向上させることができ、画素サイズが縮小された場合であっても、AFの精度を低下させないようにすることが可能となる。
【００７２】
＜位相差検出画素の分離能力＞
上述したように、分離構造体２６Ａの形状やマイクロレンズ３０Ａの形状を変えることで、位相差検出画素の分離能力を最適に高めることができる。そこで、以下においては、分離構造体２６Ａの形状やマイクロレンズ３０Ａの形状を変えた場合の、位相差検出画素の分離能力の変化について詳細に説明する。
【００７３】
図８は、図３と同様、本技術の位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの断面図であり、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒに関する各種パラメータについて説明する図である。
【００７４】
図８において、ａは、画素サイズを表している。ｂは、マイクロレンズ３０Ａの厚さを、ｃは、マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離を表している。また、ｄは、分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度を、ｅは、分離構造体２６Ａの上面の幅（線幅）を表している。さらに、ｆは、遮光膜２６の線幅を、ｇは、分離構造体２６Ａ（遮光膜２６）とフォトダイオード２４（シリコン基板２３）表面との距離を表している。
【００７５】
（実施例１）
まず、分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度ｄを変化させた場合の位相差検出画素の分離能力について説明する。
【００７６】
ここで、分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度ｄ以外のパラメータは、以下に示す通りとする。
【００７７】
画素サイズａ：1.12μｍ
マイクロレンズ３０Ａの厚さｂ：1000ｎｍ
マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃ：1000ｎｍ
分離構造体２６Ａの線幅ｅ：100ｎｍ
遮光膜２６の線幅ｆ：200ｎｍ
分離構造体２６Ａとシリコン基板２３表面との距離ｇ：100ｎｍ
【００７８】
このような条件で、分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度ｄを、０°，15°，30°とした場合の位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を図９に示す。
【００７９】
図９のグラフにおいて、横軸は、入射光の入射角を示しており、縦軸は、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの画素出力を示している。図９においては、本例の位相差検出画素において、ｄ＝０°，15°，30°とした場合の特性に加え、従来の位相差検出画素の特性が示されている
【００８０】
このグラフに示されるように、右側に配置されている位相差検出画素４０Ｒは、左側（マイナス側）に入射光の角度をつけると、その出力（感度）が大きくなり、左側に配置されている位相差検出画素４０Ｌは、右側（プラス側）に入射光の角度をつけると、その出力（感度）が大きくなる。
【００８１】
図９に示されるように、本例の位相差検出画素は、ｄ＝０°，15°，30°いずれの場合であっても、従来の位相差検出画素と比較して、十分な感度を有するだけでなく、良好な分離特性を有している。すなわち、分離構造体２６Ａは、所望する位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性に応じて、その側壁面の傾きの角度ｄが調整されて形成される。
【００８２】
（実施例２）
次に、分離構造体２６Ａの線幅ｅを変化させた場合の位相差検出画素の分離能力について説明する。
【００８３】
ここで、分離構造体２６Ａの線幅ｅ以外のパラメータは、以下に示す通りとする。
【００８４】
画素サイズａ：1.12μｍ
マイクロレンズ３０Ａの厚さｂ：1000ｎｍ
マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃ：1000ｎｍ
分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度ｄ：15°
遮光膜２６の線幅ｆ：200ｎｍ
分離構造体２６Ａとシリコン基板２３表面との距離ｇ：100ｎｍ
【００８５】
このような条件で、分離構造体２６Ａの線幅ｅを、０ｎｍ，100ｎｍ，300ｎｍ，500ｎｍとした場合の位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を図１０に示す。
【００８６】
図１０に示されるように、本例の位相差検出画素は、ｅ＝０ｎｍ，100ｎｍ，300ｎｍ，500ｎｍいずれの場合であっても、十分な感度を有するだけでなく、良好な分離特性を有している。すなわち、分離構造体２６Ａは、所望する位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性に応じて、その線幅ｅが調整されて形成される。
【００８７】
特に、分離構造体２６Ａの線幅は、垂直入射光を含む入射角０°付近の光に対する感度を変化させることができるため、分離能力の設計に用いるパラメータとして有用となる。一般的に、分離特性において、位相差検出画素の出力がピーク値となる入射角は、５°乃至15°付近が好ましく、垂直入射光（入射角０°）に対する位相差検出画素の出力は、ピーク値の半分以下が好ましい。したがって、本例の場合、分離構造体２６Ａの線幅ｅが、100ｎｍ乃至300ｎｍ程度（画素サイズの10％乃至30％）の場合に、より好適な分離特性を得ることができる。
【００８８】
（実施例３）
次に、マイクロレンズ３０Ａの厚さｂと、マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃを変化させた場合の位相差検出画素の分離能力について説明する。
【００８９】
ここで、厚さｂおよび距離ｃ以外のパラメータは、以下に示す通りとする。
【００９０】
画素サイズａ：1.12μｍ
分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度ｄ：15°
分離構造体２６Ａの線幅ｅ：100ｎｍ
遮光膜２６の線幅ｆ：200ｎｍ
分離構造体２６Ａとシリコン基板２３表面との距離ｇ：100ｎｍ
【００９１】
このような条件で、マイクロレンズ３０Ａの厚さｂを、500ｎｍとし、マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃを、500ｎｍ，1000ｎｍ，1500ｎｍとした場合の位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を、図１１Ａに示す。同様にして、マイクロレンズ３０Ａの厚さｂを、1000ｎｍ，1500ｎｍとした場合の位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を、図１１Ｂ，Ｃに示す。
【００９２】
図１１に示されるように、マイクロレンズ３０Ａの厚さｂによって、分離能力が良好となるマイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃは異なる。すなわち、レンズパワーに応じて、最適なマイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃが決定される。
【００９３】
上述で説明したように、位相差検出画素は、画素領域において撮像画素に混在して配置されるため、位相差検出画素と撮像画素とは、同様の工程で製造されることが好ましい。ここで、撮像画素について、最適なマイクロレンズ３０の厚さおよびマイクロレンズ３０と遮光膜２６との距離がいずれも500ｎｍであった場合、製造工程の観点から、マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃを500ｎｍとすることが好ましい。この場合、図１１Ｃの分離特性に示されるように、マイクロレンズ３０Ａの厚さｂが1500ｎｍである場合の分離特性が最も良好とされる。したがって、撮像画素２０と位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの高さを同一とした場合、マイクロレンズ３０Ａは、図１２に示されるように、撮像画素２０に対応するマイクロレンズ３０よりレンズパワーが大きくなるように形成される。
【００９４】
以上においては、位相差検出画素の分離能力を向上させるために、分離構造体２６Ａの形状やマイクロレンズ３０Ａの形状を変えた構成について説明してきたが、他の構成によって、位相差検出画素の分離能力を向上させることもできる。
【００９５】
（実施例４）
図１３は、位相差検出画素の分離能力を向上させるようにした位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの断面図を示している。
【００９６】
図１３の構造においては、図３の構造に加え、シリコン基板２３の、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒそれぞれのフォトダイオード２４の間（素子分離領域）に、トレンチ７１が形成されている。さらに、位相差検出画素４０Ｌと隣接する撮像画素それぞれのフォトダイオード２４の間、および、位相差検出画素４０Ｌと隣接する撮像画素それぞれのフォトダイオード２４の間には、トレンチ７２が形成されている。
【００９７】
シリコン基板２３上に形成されたトレンチ７１およびトレンチ７２には、例えば、SiOが埋め込まれるものとするが、ＷやAl等の金属が埋め込まれるようにしてもよい。
【００９８】
ここで、各種パラメータは、以下に示す通りとする。
【００９９】
画素サイズａ：1.12μｍ
マイクロレンズ３０Ａの厚さｂ：1000ｎｍ
マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃ：1000ｎｍ
分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度ｄ：15°
分離構造体２６Ａの線幅ｅ：100ｎｍ
遮光膜２６の線幅ｆ：200ｎｍ
分離構造体２６Ａとシリコン基板２３表面との距離ｇ：100ｎｍ
【０１００】
このような条件に加え、トレンチ７１，７２の線幅を100ｎｍとした場合の位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を図１４に示す。図１４においては、トレンチ７１，７２を設けた場合の特性に加え、トレンチ７１，７２を設けない場合の特性が示されている。
【０１０１】
図１４に示されるように、トレンチ７１，７２を設けた場合の位相差検出画素は、トレンチ７１，７２を設けない場合の位相差検出画素と比較して、若干ではあるが分離特性が向上している。
【０１０２】
また、図１３の構造によれば、トレンチ７１により、隣接する位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒ同士の間の混色を抑えることができ、トレンチ７２により、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒそれぞれと、隣接する撮像画素２０との間の混色を抑えることができる。
【０１０３】
なお、本例の構造は、上述した他の実施例の位相差検出画素にも適用することができる。
【０１０４】
ところで、本技術の固体撮像装置においては、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの間に設けられた分離構造物２６Ａの表面で入射光が反射することで、隣接する撮像画素２０への信号漏れやゴーストが発生するおそれがある。
【０１０５】
（実施例５）
図１５は、隣接する撮像画素への信号漏れやゴーストの発生を抑制するようにした位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの断面図を示している。
【０１０６】
図１５の構造においては、図３の構造に加え、分離構造物２６Ａの上面に、反射防止膜８１が形成されている。
【０１０７】
反射防止膜８１は、SiN，SiON，TaO，HfO，AlO等により形成され、その膜厚は例えば60ｎｍとされる。また、反射防止膜８１は、単層膜として形成されてもよいし、積層膜として形成されてもよい。反射防止膜８１が積層膜として形成される場合には、層間にSiOが挟まれるようにする。
【０１０８】
なお、図１５の例では、反射防止膜８１は、分離構造物２６Ａの上面のみに形成されているが、これに加え、分離構造物２６Ａの側壁面に形成されるようにしてもよい。
【０１０９】
ここで、各種パラメータは、以下に示す通りとする。
【０１１０】
画素サイズａ：1.12μｍ
マイクロレンズ３０Ａの厚さｂ：1000ｎｍ
マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃ：1000ｎｍ
分離構造体２６Ａの側壁面の傾きの角度ｄ：15°
分離構造体２６Ａの線幅ｅ：100ｎｍ
遮光膜２６の線幅ｆ：200ｎｍ
分離構造体２６Ａとシリコン基板２３表面との距離ｇ：100ｎｍ
【０１１１】
このような条件での位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を図１６に示す。図１６においては、反射防止膜８１を設けた場合の特性に加え、反射防止膜８１を設けない場合の特性が示されている。
【０１１２】
図１６に示されるように、反射防止膜８１を設けた場合の位相差検出画素は、反射防止膜８１を設けない場合の位相差検出画素と比較して、分離特性に差はほとんどない。
【０１１３】
しかしながら、図１７に示されるように、反射防止膜８１を設けた場合の位相差検出画素では、反射防止膜８１を設けない場合の位相差検出画素と比較して、位相差検出画素における反射率を約40％抑制することができる。これにより、隣接する撮像画素への信号漏れやゴーストの発生を抑制することが可能となる。
【０１１４】
なお、本例の構造は、上述した他の実施例の位相差検出画素にも適用することができる。
【０１１５】
以上においては、分離構造体２６Ａを、遮光膜２６と同一の材料で形成するようにしたが、他の材料で形成するようにしてもよい。
【０１１６】
（実施例６）
図１８は、分離構造体を遮光膜と異なる材料で形成するようにした位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの断面図を示している。
【０１１７】
図１８の構造においては、図３の構造における分離構造体２６Ａに代えて、屈折率が略１の透明材料からなる分離構造体１０１が形成されている。具体的には、分離構造体１０１は、真空または空気で形成されている。
【０１１８】
ここで、各種パラメータは、以下に示す通りとする。
【０１１９】
画素サイズａ：1.12μｍ
マイクロレンズ３０Ａの厚さｂ：1000ｎｍ
マイクロレンズ３０Ａと分離構造体２６Ａとの距離ｃ：1000ｎｍ
分離構造体１０１の側壁面の傾きの角度ｄ：15°
分離構造体１０１の線幅ｅ：100ｎｍ
遮光膜２６の線幅ｆ：200ｎｍ
分離構造体１０１とシリコン基板２３表面との距離ｇ：100ｎｍ
【０１２０】
このような条件での位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を図１９に示す。
【０１２１】
本例の位相差検出画素の構造によれば、分離構造体１０１の屈折率と、その周囲（平坦化膜２７）の材料の屈折率との差によって、入射光が左右のフォトダイオード２４へ選択的に導かれるようになるので、図１９に示されるように、良好な分離特性が得られるようになる。
【０１２２】
なお、分離構造体１０１の屈折率と、その周囲の材料の屈折率とに差があれば、良好な分離特性が得られることから、分離構造体１０１の材料として、屈折率の低い材料を用いることができる。具体的には、分離構造体１０１を、SiOC（屈折率1.4）や多孔質（ポーラス）SiOC（屈折率1.33）等の透明誘電体で形成するようにしてもよい。
【０１２３】
ここで、分離構造体１０１の屈折率と、その周囲の材料の屈折率との屈折率差ndを0.45，0.20，0.10とした場合の位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒの分離特性を図２０に示す。
【０１２４】
図２０に示されるように、屈折率差ndによって分離特性は変化するが、nd＝0.10の場合には決して良好な分離特性が得られるとはいえず、屈折率差ndが0.20以上の場合に、良好な分離特性を得ることができる。
【０１２５】
なお、本例の構造は、上述した他の実施例の位相差検出画素にも適用することができる。
【０１２６】
＜画素形成の流れについて＞
ここで、図２１および図２２を参照して、図１８に示される構造の固体撮像装置の画素形成の流れについて説明する。図２１は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図２２は、画素形成の工程を示す断面図である。
【０１２７】
なお、以下においても、保護膜２５上に平坦化膜２７が形成された後の処理について説明する。
【０１２８】
まず、ステップＳ３１において、遮光膜材が成膜される。具体的には、図２２Ａに示されるように、平坦化膜２７上に、例えばＷ等からなる遮光膜材２６'が成膜される。なお、図２２においては、フォトダイオード２４の図示は省略されている。
【０１２９】
ステップＳ３２において、レジストパターンが形成される。具体的には、図２２Ｂに示されるように、遮光膜材２６'上に、遮光膜２６を形成するためのフォトレジストパターン６１が形成される。
【０１３０】
ステップＳ３３において、フォトレジストパターン６１が、その下地に形成された遮光膜材２６'にエッチング転写されることで、ドライエッチング処理が行われる。これにより、図２２Ｃに示されるように、遮光膜２６が形成される。
【０１３１】
ステップＳ３４において、分離構造体１０１に対応する部分に空隙が形成されるようにしつつ、平坦化膜２７が堆積される。これにより、図２２Ｄに示されるように、平坦化膜２７内に、真空（空気）からなる分離構造体１０１が形成される。
【０１３２】
その後、ステップＳ３５においては、平坦化膜２７上に、カラーフィルタ層２８が形成される。
【０１３３】
そして、ステップＳ３６においては、平坦化膜２７上に形成された第１の有機材料層２９上に、マイクロレンズ３０，３０Ａが形成される。
【０１３４】
以上の処理によれば、分離構造体１０１の屈折率と、その周囲の材料の屈折率との差によって、良好な分離特性が得られる位相差検出画素が形成されるようになる。これにより、位相差検出画素の感度を大幅に向上させることができ、画素サイズが縮小された場合であっても、AFの精度を低下させないようにすることが可能となる。
【０１３５】
＜その他の構造例＞
上述した実施例において、位相差検出画素には、カラーフィルタ層は形成されないものとしたが、位相差検出画素に、カラーフィルタ層が形成されるようにしてもよい。上述した実施例における位相差検出画素は、感度を大幅に向上させる構造を採っているが、被写体によっては画素の飽和信号量を超えてしまい、却って感度を低下させるおそれがある。
【０１３６】
そこで、図２３に示されるように、位相差検出画素４０Ｌ，４０Ｒのマイクロレンズ３０Ａの下層に、光学フィルタ１２１を設けるようにしてもよい。光学フィルタ１２１は、入射光のうち所定の性質を持つ光（例えば、特定の波長範囲の光）だけを透過する。
【０１３７】
これにより、入射光の明るさや色に応じて、適切な信号量が得られるようになり、感度の低下を防ぐことが可能となる。
【０１３８】
また、以上においては、本技術を、入射光を瞳面の左側から入射する光と瞳面の右側から入射する光に２分割する位相差検出画素に適用するものとしたが、図２４に示されるように、入射光を瞳面の左上側から入射する光、瞳面の右上側から入射する光、入射光を瞳面の左下側から入射する光、瞳面の右下側から入射する光に４分割する位相差検出画素４０Ｌ−１，４０Ｒ−１，４０Ｌ−２，４０Ｒ−２に適用することも可能である。この場合、格子状に配置された４つの位相差検出画素４０Ｌ−１，４０Ｒ−１，４０Ｌ−２，４０Ｒ−２に対応して１つのマイクロレンズ３０Ａが形成される。
【０１３９】
さらに、以上においては、分離構造体は、Ｗや真空（空気）、透明誘電体により形成されるものとしたが、AlやAg等の反射率の高い材料や、Cu等の半導体プロセスで一般的に用いられる材料により形成されるようにしてもよい。また、分離構造体を、金属と誘電体の両方を用いて形成するようにしてもよく、この場合、誘電体上を薄い金属膜でコーティングすることで、分離構造体を形成するようにする。
【０１４０】
なお、これらの構造もまた、上述した他の実施例の位相差検出画素にも適用することができる。
【０１４１】
本技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機等の撮像機能を有する携帯端末装置等、固体撮像装置を備える電子機器全般に対して適用することができる。
【０１４２】
＜電子機器への適用＞
図２５は、本技術を適用した電子機器の一例である撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【０１４３】
図２５に示されるように、撮像装置２００は、撮像レンズ２１１を含む光学系、固体撮像装置２１２、カメラ信号処理部であるDSP（Digital Signal Processor）回路２１３、フレームメモリ２１４、表示部２１５、記録部２１６、操作部２１７、および電源部２１８等を有している。DSP回路２１３、フレームメモリ２１４、表示部２１５、記録部２１６、操作部２１７、および電源部２１８は、バスライン２１９を介して相互に通信可能に接続されている。
【０１４４】
撮像レンズ２１１は、被写体からの入射光を取り込んで固体撮像装置２１２の撮像面上に結像する。固体撮像装置２１２は、撮像レンズ２１１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この固体撮像装置２１２として、位相差検出用画素を備える本技術の固体撮像装置を用いることができる。
【０１４５】
表示部２１５は、液晶表示装置や有機EL（Electro Luminescence）表示装置等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置２１２で撮像された動画または静止画を表示する。記録部２１６は、固体撮像装置２１２で撮像された動画または静止画を、メモリカード、磁気テープ、DVD（Digital Versatile Disk）等の記録媒体に記録する。
【０１４６】
操作部２１７は、ユーザによる操作の下、撮像装置２００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部２１８は、DSP回路２１３、フレームメモリ２１４、表示部２１５、記録部２１６、および操作部２１７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
【０１４７】
さらに、撮像装置２００は、撮像レンズ２１１をその光軸方向に駆動するレンズ駆動部２２０を備えている。レンズ駆動部２２０は、撮像レンズ２１１とともに、焦点の調節を行うフォーカス機構を構成している。そして、撮像装置２００においては、図示せぬシステムコントローラにより、フォーカス機構の制御や、上述した各構成要素の制御等、種々の制御が行われる。
【０１４８】
フォーカス機構の制御に関しては、本技術の固体撮像装置における位相差検出用画素から出力される位相差検出信号に基づいて、例えばDSP回路２１３において、焦点のずれ方向およびずれ量を算出する演算処理が行われる。この演算結果を受けて、図示せぬシステムコントローラは、レンズ駆動部２２０を介して撮像レンズ２０１をその光軸方向に移動させることによって焦点（ピント）が合った状態にするフォーカス制御を行う。
【０１４９】
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１５０】
さらに、本技術は以下のような構成をとることができる。
（１）
互いに隣接する複数の位相差検出画素と、
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体と
を備え、
前記分離構造体は、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成された
固体撮像装置。
（２）
前記複数の位相差検出画素に対応して形成されるマイクロレンズをさらに備える
（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記分離構造体の屈折率と、前記分離構造体の周囲の材料の屈折率との差は、0.2以上である
（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記分離構造体の屈折率は略１である
（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
前記マイクロレンズは、前記複数の位相差検出画素とともに画素領域に配置される撮像画素に対応して形成される他のマイクロレンズよりレンズパワーが大きくなるように形成される
（２）に記載の固体撮像装置。
（６）
前記分離構造体は、側壁面の傾きが、前記複数の位相差検出画素の分離特性に応じて調整されて形成される
（２）に記載の固体撮像装置。
（７）
前記分離構造体は、上面の幅が、前記複数の位相差検出画素の分離特性に応じて調整されて形成される
（２）に記載の固体撮像装置。
（８）
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれの間にトレンチが形成された
（２）乃至（７）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（９）
前記分離構造体の上面に、反射防止膜が形成された
（２）乃至（８）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１０）
前記複数の位相差検出画素は、前記マイクロレンズの下層に光学フィルタを備える
（２）乃至（９）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１１）
前記マイクロレンズは、隣接する２つの前記位相差検出画素に対応して形成される
（２）乃至（１０）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１２）
前記マイクロレンズは、格子状に配置された４つの前記位相差検出画素に対応して形成される
（２）乃至（１０）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１３）
互いに隣接する複数の位相差検出画素と、
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記分離構造体を、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
（１４）
互いに隣接する複数の位相差検出画素と、
前記複数の位相差検出画素の受光部それぞれに入射する光を分離するように配置された分離構造体と
を備え、
前記分離構造体は、側壁面に傾きを有し、断面がテーパー形状を有するように形成された固体撮像装置
を備える電子機器。
【符号の説明】
【０１５１】
１０  CMOSイメージセンサ，  １１  画素アレイ部，  ２０  撮像画素，  ２４  フォトダイオード，  ２６  遮光膜，  ２６Ａ  分離構造体，  ３０，３０Ａ  マイクロレンズ，  ４０Ｌ，４０Ｒ  位相差検出画素，  ７１，７２  トレンチ，  ８１  反射防止膜，  １０１  分離構造体，  １２１  光学フィルタ，  ２００  撮像装置，  ２１２  固体撮像装置
【図１】
2015060855.tif 000003
【図２】
2015060855.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015060855.tif 000009
【図８】
2015060855.tif 000010
【図９】
2015060855.tif 000011
【図１０】
2015060855.tif 000012
【図１１】
2015060855.tif 000013
【図１２】
2015060855.tif 000014
【図１３】
2015060855.tif 000015
【図１４】
2015060855.tif 000016
【図１５】
2015060855.tif 000017
【図１６】
2015060855.tif 000018
【図１７】
2015060855.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2015060855.tif 000021
【図２０】
2015060855.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
2015060855.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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