(57)【要約】【課題】使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサーを提供する。【解決手段】物理量センサー１００は、基板１０と、基板１０の主面上に設けられたセンサー素子９９と、基板１０の主面上において、基板１０を平面視したとき、センサー素子９９の外周に配置されたシールド部９０と、を備え、基板１０を平面視したときに、シールド部９０は、第１方向に延在する第１溝９２と、第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝９３と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上に設けられた第１センサー素子と、
前記基板の主面上において、前記基板を平面視したとき、前記第１センサー素子の外周に配置されたシールド部と、を備え、
前記基板を平面視したときに、前記シールド部は、第１方向に延在する第１溝と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝と、を有することを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記第１センサー素子が、
前記基板の主面上に固定された固定部と、
前記固定部から延出する支持部と、
前記支持部によって前記基板から遊離して変位可能に支えられた可動部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記第１方向が、前記基板の平面視における前記可動部の変位方向であることを特徴とする請求項２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記基板の主面上に設けられた第２センサー素子を備え、
前記第１溝および前記第２溝が、前記第１センサー素子と前記第２センサー素子との間の領域の前記シールド部に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記第１溝および前記第２溝は、前記基板を平面視したとき、前記第１溝および前記第２溝によって構成される図形が回転対称となるように配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記第１溝および前記第２溝、あるいは、前記第１溝または前記第２溝が、前記基板の厚さ方向において、前記シールド部を貫通していることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の物理量センサー。
【請求項７】
基板と、
前記基板の主面上に設けられた第１センサー素子と、
前記基板の主面上において、前記基板を平面視したとき、前記第１センサー素子の外周に配置されたシールド部と、を備え、
前記基板は、前記基板を平面視したときに、前記シールド部と重なる領域に、第１方向に延在する第１溝と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝と、を有することを特徴とする物理量センサー。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、機械的に可動な構造体を備えた電気機械系構造体としての物理量センサーが知られている。物理量センサーとしては、例えば、物理量（加速度、角速度など）の作用に応じて変位する可動電極と、この可動電極に対向する固定電極との間の静電容量に基づいて物理量を検出する容量型センサーが知られている（例えば、特許文献１に記載の半導体力学センサー）。これは、例えば、支持用の基板と、この基板上に設けられたセンサー素子（固定電極、固定部（アンカー部）、固定部から延出する支持部、支持部によって基板に遊離して支えられた可動電極等）などからなる。また、センサー素子は、例えば、基板（ガラス基板など）に貼り合わせた半導体基板（シリコン基板など）をフォトエッチングなどにより精密加工することにより得られる。
【０００３】
このような容量型センサーにおいては、センサー素子の構成において形成される寄生容量がセンサーの感度を低下させる場合がある。これに対し、特許文献２に記載の半導体力学センサーでは、センサー素子の外周に配置された外周部の電位を固定する手段（シールド電極）を備えることにより、センサー感度の低下を防止する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２１１０２２号公報
【特許文献２】特開２００７−２７９０５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したように、基板にセンサー素子を構成する層を貼り合わせた積層構造を有する物理量センサー（特に特許文献２に記載の半導体力学センサーのように、センサー素子の外周に外周部を備える物理量センサー）では、使用される温度環境により、センサーとしての検出特性が変動してしまうという問題があった。具体的には、基板（ガラス基板など）と、基板に積層されるセンサー素子形成層（半導体基板など）との熱膨張係数の差により発生する熱応力が、基板を反らせてしまうことなどにより、センサー素子を変形させてしまったり、センサー素子の可動部（可動電極）の変位に影響を与えてしまったりするために、検出特性が変動してしまうという問題であった。
【０００６】
また、基板にセンサー素子を構成する層を貼り合わせた積層構造からなる物理量センサーにおいては、基板上に複数のセンサー素子を搭載した場合に、上述したシールド電極を備えても、隣り合うセンサー素子の影響により、特性が変動してしまうという問題があった。具体的には、可動部（特に振動部）を有するセンサー素子からの漏れ力や漏れ振動が、隣接するセンサー素子の検出特性に影響を与えてしまうという問題であった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］  本適用例に係る物理量センサーは、基板と、前記基板の主面上に設けられた第１センサー素子と、前記基板の主面上において、前記基板を平面視したとき、前記第１センサー素子の外周に配置されたシールド部と、を備え、前記基板を平面視したときに、前記シールド部は、第１方向に延在する第１溝と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、物理量センサーは、基板と、基板の主面上に設けられた第１センサー素子と、第１センサー素子の外周（基板を平面視したときの外周）に配置されたシールド部とを備えている。このように、物理量センサーを、基板の主面上に設けた第１センサー素子と第１センサー素子の外周に設けたシールド部とによって構成した場合に、シールド部は、例えば、第１センサー素子が検出する信号の漏れや、外部から第１センサー素子に与えるノイズを遮断あるいは低減する効果を有するシールド電極として構成することができる。また、シールド電極として構成する場合には、第１センサー素子の外周をより広い面積で取り囲むことがより効果的である。その場合に、シールド部を構成する材料の熱膨張係数と、基板を構成する材料の熱膨張係数との間に差があると、物理量センサーを使用する環境の温度変化によって、基板とシールド部との間に熱応力が生じ、物理量センサーの検出特性に影響を与えてしまう場合がある。
【００１０】
本適用例によれば、シールド部は、第１方向に延在する第１溝と、第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝とを有している。そのため、シールド部が基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、少なくとも、これらの溝のいずれかによって緩和される。
具体的には、面の広がり方向に発生する応力は、少なくとも第１方向あるいは第２方向と交差する方向のいずれかの方向のベクトル成分に分解される。溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、溝によってその伝達が緩和される。従って、基板と基板の主面上のシールド部との間に生ずる熱応力も、これらのいずれかの溝によって緩和される。例えば、熱応力によって基板が反ってしまう場合においては、これらの溝によって、その反りが緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１センサー素子を変形させてしまったり、第１センサー素子が可動部（可動電極）を備える場合には、その変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
つまり、本適用例によれば、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサーを提供することができる。
【００１１】
［適用例２］  上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第１センサー素子が、前記基板の主面上に固定された固定部と、前記固定部から延出する支持部と、前記支持部によって前記基板から遊離して変位可能に支えられた可動部と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、物理量センサーが備える第１センサー素子は、基板の主面上に固定された固定部と、固定部から延出する支持部と、支持部によって基板から遊離して変位可能に支えられた可動部とを備えている。このような可動部を備える物理量センサーは、熱応力や熱応力による変形などによって、可動部の変位特性に影響を受け、物理量センサーとしての検出特性が劣化する場合がある。
本適用例によれば、第１センサー素子の外周に配置されたシールド部は、第１方向に延在する第１溝と、第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝とを有している。そのため、本適用例のように、第１センサー素子が可動部（可動電極）を備えた場合であっても、その変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
つまり、本適用例によれば、可動部を備える物理量センサーにおいて、使用される環境の温度変化による検出特性の変動を抑制し、より安定させることができる。
【００１３】
［適用例３］  上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第１方向が、前記基板の平面視における前記可動部の変位方向であることを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、第１方向は、第１センサー素子が備える可動部の変位方向（基板の平面視における変位方向）である。つまり、第１センサー素子の外周に配置されたシールド部は、基板を平面視したときに、第１センサー素子が備える可動部が変位する方向と同じ方向に延在する第１溝と、第１センサー素子が備える可動部が変位する方向と交差する方向に延在する第２溝とを備えている。
【００１５】
シールド部が基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合、シールド部は、第１センサー素子が備える可動部の変位方向と交差する方向に延在する第２溝を備えるため、第２溝により、可動部の変位方向に生ずる熱応力をより効果的に緩和することができる。特に、第２溝が、可動部の変位方向と直角方向に交差して延在する場合に、より効果的に熱応力が緩和される。
また、シールド部が第１溝を備えることにより、基板がシールド部から受ける熱応力自体が抑制される。具体的には、シールド部が、第１センサー素子が備える可動部の変位方向に延在する第１溝を備えることにより、可動部の変位方向において、基板とシールド部との接合面積が減少するため、基板がシールド部から受ける可動部の変位方向に発生する熱応力自体が抑制される。
これらの結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１センサー素子を変形させてしまったり、第１センサー素子が可動部（可動電極）を備える場合には、その変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
【００１６】
［適用例４］  上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基板の主面上に設けられた第２センサー素子を備え、前記第１溝および前記第２溝が、前記第１センサー素子と前記第２センサー素子との間の領域の前記シールド部に設けられていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、物理量センサーは、基板の主面上に設けられた第１センサー素子に加えて、更に第２センサー素子を備えている。このように、共通の基板上に複数のセンサー素子を備える場合には、一方のセンサー素子が発生するノイズが他方のセンサー素子に影響を与えるなど、物理量センサーとしての検出特性を悪化させる場合がある。このノイズは、電気的なものだけではなく、応力や振動など機械的なエネルギーによる場合がある。具体的には、センサー素子の構造体が発生あるいは有する熱応力や残留応力が、また、可動部を有する場合などにおいては、可動部の振動漏れが隣接するセンサー素子に伝達されて隣接するセンサー素子の検出特性に影響を与える場合がある。
【００１８】
本適用例によれば、第１溝および第２溝は、第１センサー素子と第２センサー素子との間の領域のシールド部に設けられている。従って、第１センサー素子と第２センサー素子との間に働く応力や、一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝および第２溝、あるいは、少なくとも一方の溝によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。
【００１９】
［適用例５］  上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第１溝および前記第２溝は、前記基板を平面視したとき、前記第１溝および前記第２溝によって構成される図形が回転対称となるように配置されていることが好ましい。
【００２０】
本適用例のように、基板を平面視したとき、第１溝および第２溝によって構成される図形が回転対称となるように第１溝および第２溝を配置することにより、より効果的に温度変化による検出特性の変動を抑制することができる。
具体的には、基板と基板の主面上に設けられたシールド部とにおいて、基板を構成する材料の熱膨張係数と、シールド部を構成する材料の熱膨張係数との間に差があると、物理量センサーを使用する環境の温度変化によって、基板とシールド部との間に熱応力が生じる。その結果、例えば、この熱応力により、基板に反りが生ずる場合がある。本適用例によれば、この熱応力を緩和する効果を有する第１溝および第２溝は、基板を平面視したとき、第１溝および第２溝によって構成される図形が回転対称となるように配置されている。すなわち、熱応力を緩和する効果は、少なくとも回転対称として重なる領域同士のバランスが取れる。従って、例えば、基板に反りなどが発生する場合であっても、応力バランスが崩れて、意図しない歪が発生してしまうことなどが軽減され、より安定して応力緩和をすることができる。
なお、回転対称となるように配置されるとは、自然数ｎにおいて、ｎ＋１回回転対称に配置されることを意味している。
【００２１】
［適用例６］  上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第１溝および前記第２溝、あるいは、前記第１溝または前記第２溝が、前記基板の厚さ方向において、前記シールド部を貫通していることが好ましい。
【００２２】
本適用例のように、第１溝および第２溝、あるいは、第１溝または第２溝が、基板の厚さ方向において、シールド部を貫通して設けられることにより、より効果的に温度変化による検出特性の変動を抑制することができる。
具体的には、上述した応力緩和効果において、応力を緩和する溝（第１溝および第２溝、あるいは、第１溝または第２溝）が、シールド部を貫通する溝として形成されているため、溝の底部として残されたシールド部（残留底部）が無く、従って、その残留底部において伝達される応力が無くなる。また、例えば、シールド部が基板上に貼り付けて構成され、残留底部が基板上に固定される場合においては、溝を貫通させることにより、基板に固定される残留部が無くなることで基板とシールド部との接合面積が減少するため、基板とシールド部との熱膨張係数の差により発生する熱応力自体の大きさもより小さくすることができる。その結果、熱応力をより効果的に緩和することができ、より効果的に温度変化による検出特性の変動を抑制することができる。
【００２３】
［適用例７］  本適用例に係る物理量センサーは、基板と、前記基板の主面上に設けられた第１センサー素子と、前記基板の主面上において、前記基板を平面視したとき、前記第１センサー素子の外周に配置されたシールド部と、を備え、前記基板は、前記基板を平面視したときに、前記シールド部と重なる領域に、第１方向に延在する第１溝と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝と、を有することを特徴とする。
【００２４】
本適用例によれば、物理量センサーは、基板と、基板の主面上に設けられた第１センサー素子と、基板の主面上において、基板を平面視したとき、第１センサー素子の外周に配置されたシールド部とを備えている。また、基板は、シールド部と重なる領域に、第１方向に延在する第１溝と、第１方向と交差する第２方向に延在する第２溝とを有している。そのため、基板がシールド部の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、少なくとも、これらの溝のいずれかによって緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、第１センサー素子を変形させてしまったり、第１センサー素子が可動部（可動電極）を備える場合には、その変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、第１センサー素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
つまり、本適用例によれば、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサーを提供することができる。
【００２５】
［適用例８］  本適用例に係る電子機器は、上記適用例に係る物理量センサーを備えていることを特徴とする。
【００２６】
本適用例によれば、電子機器として、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制され、より安定した検出特性の物理量センサーを備えることにより、より温度特性が安定した電子機器を提供することができる。
【００２７】
［適用例９］  本適用例に係る移動体は、上記適用例に係る物理量センサーを備えていることを特徴とする。
【００２８】
本適用例によれば、移動体として、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制され、より安定した検出特性の物理量センサーを備えることにより、より温度変化などの環境特性が安定した移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）実施形態１に係る物理量センサーを示す模式図。
【図２】（ａ）基板とシリコン基板とを貼り合わせた状態を示す模式図。（ｂ）図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図。
【図３】（ａ）実施形態２に係る物理量センサーを示す平面図。（ｂ）実施形態３に係る物理量センサーを示す平面図。
【図４】（ａ）電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図、（ｂ）電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図５】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図６】移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図。
【図７】変形例に係る物理量センサーを示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。以下は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。なお、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００３１】
（実施形態１）
まず、実施形態１に係る物理量センサーについて説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）は、実施形態１に係る物理量センサー１００を示す模式図であり、図１（ａ）は、物理量センサー１００の平面図、図１（ｂ）は、物理量センサー１００が備えるセンサー素子９９の平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
なお、以下では、説明の便宜上、図に付記するＸＹＺ軸において、Ｘ方向を右方向、Ｘ軸方向（±Ｘ方向）を横方向、Ｙ方向を奥行方向、Ｙ軸方向（±Ｙ方向）を前後方向、Ｚ方向を上方向、Ｚ軸方向（±Ｚ方向）を上下方向、あるいは、後述する基板１０の厚さ方向として説明する。
【００３２】
物理量センサー１００は、基板１０、第１センサー素子としてのセンサー素子９９、シールド部９０などを備えている。
基板１０は、ベース基板として物理量センサー１００を支持する板状体であり、平面視したときに矩形の形状を呈している。また、センサー素子９９は、基板１０の主面上に設けられている。基板１０は、センサー素子９９のベース基板をも兼ねている。
センサー素子９９は、センシング部２０、配線３０などを備えている。
センシング部２０は、固定部４１，４２、可動部としての可動電極５０、固定電極６０などを備えている。可動電極５０は、支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５などを備えている。
【００３３】
基板１０は、主面としての上面に、凹部７０が設けられている。この凹部７０は、基板１０を平面視したときに、センシング部２０の可動電極５０（支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５）が収まる領域に形成されている。
固定部４１，４２は、基板１０を平面視したときに、凹部７０の領域の外側の領域に、基板１０の主面に接合し設けられている。具体的には、固定部４１は、基板１０の主面の凹部７０に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合され、固定部４２は、凹部７０に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部４１，４２は、平面視したときに、それぞれ、凹部７０の外周縁部に跨るように設けられている。
【００３４】
可動基部５５は、長手方向がＸ方向を向く長方形の板状体であり、固定部４１，４２との間に支持部５１，５２を介して基板１０に遊離して支えられている。より具体的には、可動基部５５の左側の端部が支持部５１を介して固定部４１に連結されるとともに、可動基部５５の右側の端部が支持部５２を介して固定部４２に連結されている。
可動基部５５の＋Ｙ側の長辺部分からは、複数の（本実施形態では３つの）梁状の可動電極指５３が＋Ｙ方向に、可動基部５５の−Ｙ側の長辺部分からは、複数の（本実施形態では３つの）梁状の可動電極指５４が−Ｙ方向に延出している。
凹部７０は、可動電極５０（支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５）を基板１０から遊離させるための逃げ部として形成されている。なお、本実施形態では、凹部７０の平面視形状は、矩形を呈しているが、これに限定されるものではない。
【００３５】
支持部５１，５２は、可動基部５５を固定部４１，４２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、支持部５１，５２は、図１（ｂ）にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向に可動基部５５を変位し得るように構成されている。
Ｙ軸方向に延出する複数の可動電極指５３および複数の可動電極指５４は、それぞれ、可動電極５０の変位するＸ軸方向に並んで設けられている。
【００３６】
支持部５１は、具体的には、２つ（一対）の梁で構成されており、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながら＋Ｘ方向に延びる形状をなしている。換言すると、それぞれの梁は、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
支持部５２も同様に、Ｙ軸方向に蛇行しながら−Ｘ方向に延びる形状をなす一対の梁で構成されている。
【００３７】
固定電極６０は、可動電極５０の複数の可動電極指５３，５４に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指６１，６２を備えている。
固定電極指６１は、１つの可動電極指５３を、間隔を隔てて挟むように、Ｘ軸方向の両側に対向して一対ずつ（従って、２つ×３か所）配置されている。また、同様に、固定電極指６２は、１つの可動電極指５４を、間隔を隔てて挟むように、Ｘ軸方向の両側に一対ずつ（従って、２つ×３か所）対向して配置されている。
【００３８】
固定電極指６１，６２は、基板１０の主面上において、基板１０を平面視したときに、凹部７０の領域の外側の領域に、それぞれ一方の端部が主面に接合し設けられている。具体的には、固定電極指６１は、可動電極５０側とは反対側（可動電極５０に対して＋Ｙ側）の端部が、それぞれ、凹部７０に対して＋Ｙ方向側の基板１０の上面に接合されている。また、各固定電極指６１は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延出している。同様に、固定電極指６２は、可動電極５０側とは反対側（可動電極５０に対して−Ｙ側）の端部が、それぞれ、凹部７０に対して−Ｙ方向側の基板１０の上面に接合されており、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延出している。
【００３９】
このような構成により、固定電極指６１の内の可動電極指５３の＋Ｘ側に位置する固定電極指６１（以下第１固定電極指と言う。）と可動電極指５３との間の静電容量、および、固定電極指６１の内の可動電極指５３の−Ｘ側に位置する固定電極指６１（以下第２固定電極指と言う。）と可動電極指５３との間の静電容量を可動電極５０の変位に応じて変化させることができる。
同様に、固定電極指６２の内の可動電極指５４の＋Ｘ側に位置する固定電極指６２（以下、同様に第１固定電極指と言う。）と可動電極指５４との間の静電容量、および、固定電極指６２の内の可動電極指５４の−Ｘ側に位置する固定電極指６２（以下、同様に第２固定電極指と言う。）と可動電極指５４との間の静電容量を可動電極５０の変位に応じて変化させることができる。
【００４０】
第１固定電極指と第２固定電極指とは、基板１０上で互いに分離しており、電気的に絶縁されている。そのため、第１固定電極指と可動電極５０（可動電極指５３，５４）との間の静電容量、および第２固定電極指と可動電極５０（可動電極指５３，５４）との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
つまり、センシング部２０は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動電極５０（可動電極指５３，５４）が、支持部５１，５２を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。センサー素子９９は、このような変位に伴って変化する静電容量に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することができる。つまり、センサー素子９９は、容量型加速度センサーである。
なお、可動電極５０および固定電極６０の形状は、センシング部２０を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
【００４１】
配線３０は、上記の静電容量を検出するための電気接続配線であり、基板１０の主面に形成された凹部７１に沿って敷設されている。配線３０は、第１固定電極指を結線し外部回路と接続するための電極３１ａに接続する配線と、第２固定電極指を結線し外部回路と接続するための電極３１ｂに接続する配線と、可動電極５０と外部回路と接続するための電極３１ｃに接続する配線とがそれぞれ設けられている。
【００４２】
凹部７１は、凹部７０の外側の領域において、配線３０が敷設される領域として設けられている。すなわち、凹部７１は、基板１０を平面視したときに、配線３０の敷設されている領域が凹部７１の領域に収まるように形成されている。
凹部７１の深さ寸法（基板１０の厚み方向の寸法）は、後述するコンタクト部を除き、配線３０の厚さ寸法よりも大きく、凹部７０の深さ寸法より小さくなっている。
【００４３】
上述したように、基板１０の主面上に凹部７１を形成し、凹部７１の領域内に凹部７１の深さより薄い配線３０を敷設する構成とすることで、所定の電気接続部以外の領域における配線３０と基板１０の上層に積層されるセンシング部２０との接触が回避される。
所定の電気接続部とは、配線３０の一部を覆うようにセンシング部２０を構成する上層が積層して配線３０とその上層とが当接し、電気的に接続されるコンタクト部である。
図１（ｂ）に示すように、配線３０による第１，第２固定電極指の結線や、配線３０と固定部４１との接続は、コンタクト部８１によって行われる。可動電極５０は、固定部４１を介して、配線３０と電気的に接続されている。
【００４４】
配線３０の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium zinc oxide）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
また、配線３０とセンシング部２０を構成する上層とが当接するコンタクト部を除き、配線３０上には、絶縁膜を設けても良い。この絶縁膜は、配線３０とセンシング部２０の非接続部との電気的接続（短絡）を回避する機能を有する。絶縁膜の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、基板１０がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ2）を用いることが好ましい。
【００４６】
シールド部９０は、センサー素子９９が検出する信号の漏れや、外部からセンサー素子９９に与えるノイズを遮断あるいは低減する効果を有するシールド電極であり、図１（ａ）に示すように、基板１０の主面上において、基板１０を平面視したとき、センサー素子９９の外周領域に配置されている。
具体的には、基板１０の主面上中央部において、センサー素子９９は平面視矩形の領域を占めて構成されており、シールド部９０は、センサー素子９９を囲むように、額縁状に形成されている。シールド部９０には、配線（図示省略）により、例えば接地電位が与えられる。
【００４７】
また、シールド部９０は、基板１０を平面視したときに、第１方向としてのＸ軸方向に延在する複数の第１溝９２と、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向としてのＹ軸方向に延在する複数の第２溝９３とを有している。つまり、第１溝９２が延在する第１方向は、可動部（可動電極５０）の変位方向である。
【００４８】
第１溝９２は、シールド部９０の上面から下面に貫通する孔溝であり、Ｘ軸方向の長さが、額縁状を成すシールド部９０の枠幅の約７０％、幅が約１０％の大きさである。第１溝９２は、シールド部９０の枠の領域に略等間隔で配置されている。
第２溝９３は、第１溝９２と同様に、シールド部９０を貫通する孔溝であり、Ｙ軸方向の長さが、額縁状を成すシールド部９０の枠幅の約７０％、幅が約１０％の大きさである。第２溝９３は、略等間隔に配置された第１溝９２の間あるいはその隣に交互に並ぶように略等間隔に配置されている。
また、第１溝９２および第２溝９３は、基板１０を平面視したとき、第１溝９２および第２溝９３によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
【００４９】
なお、第１溝９２および第２溝９３の大きさや数は、上述した内容に限定するものではない。例えば、長さや幅をより小さくして、より数多く配置する構成でも良い。また、第１溝９２および第２溝９３を連続させ、十字形やＬ字形に構成しても良い。ただし、シールド電極としての効果を損なわない範囲で設ける必要がある。また、第１溝９２および第２溝９３によって構成される図形が回転対称となる配置とすることが好ましい。
【００５０】
センシング部２０（固定部４１，４２、支持部５１，５２、可動電極指５３，５４、可動基部５５、固定電極指６１，６２）およびシールド部９０を構成する材料には、好適例としてシリコンを用いている。その製造に当たって、それらは、一体に、例えば、一枚のシリコン基板をパターニング加工することにより形成されることが好ましい。
シリコン基板は、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、センシング部２０を、シリコン基板を主材料として構成することにより、センシング部２０の寸法精度を優れたものとし、その結果、センサー素子９９の高感度化を図ることができる。また、センシング部２０、シールド部９０を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、センサー素子９９は、センシング部２０の導電性、およびシールド部９０のシールド電極としてのシールド性を優れたものとすることができる。
なお、センシング部２０の構成材料としては、シリコン基板に限定するものではなく、静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能な材料であれば良い。
【００５１】
基板１０の構成材料には、好適例として、絶縁性を有するガラス材料を用いている。また、特に、センシング部２０がシリコン基板で構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。これにより、センサー素子９９は、基板１０（ガラス基板）とセンシング部２０（シリコン基板）とを陽極接合することにより構成することができる。
【００５２】
図２（ａ）は、ガラス基板とシールド部やセンシング部を構成するシリコン基板とを貼り合わせたときの状態を示す模式図である。
前述したように、基板（ガラス基板など）にセンシング部やシールド部（シールド電極）を構成する層（シリコン基板など）を貼り合わせた積層構造を有する物理量センサーでは、使用される温度環境により、センサーとしての検出特性が変動してしまうという問題があった。具体的には、図２（ａ）に示すように、ガラス基板と、ガラス基板に積層されるシリコン基板との熱膨張係数の差により発生する熱応力が、ガラス基板を反らせてしまうことなどにより、センサー素子を変形させてしまったり、センサー素子の可動部（可動電極）の変位に影響を与えてしまったりするために、検出特性が変動してしまうという問題であった。
【００５３】
これに対し、本実施形態のように、シールド部９０（シリコン基板）に第１溝９２および第２溝９３を設けることで、熱応力を緩和することができる。
図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、シールド部９０に第１溝９２および第２溝９３が設けられた状態を示している。この図からもわかるように、シールド部９０に第１溝９２や第２溝９３を貫通させることにより、発生する熱応力自体の緩和や、発生した熱応力の伝達を抑制することが可能となる。つまり、基板１０とシールド部９０との接合面積が減少することで、発生する熱応力が緩和され（減少し）、また、シールド部９０が不連続となることで、熱応力の伝達が分断される。その結果、図２（ａ）に示されるような反りの発生が抑制される。
【００５４】
以上述べたように、本実施形態による物理量センサー１００によれば、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー１００は、基板１０と、基板１０の主面上に設けられたセンサー素子９９と、センサー素子９９の外周（基板１０を平面視したときの外周）に配置されたシールド部９０とを備えている。シールド部９０は、第１方向（Ｘ軸方向）に延在する第１溝９２と、第１方向と交差する第２方向（Ｙ軸方向）に延在する第２溝９３とを有している。そのため、シールド部９０が基板１０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、少なくとも、これらの溝のいずれかによって緩和される。
【００５５】
具体的には、溝に対して、溝の延在方向と交差する方向に作用する応力は、溝によってその伝達が緩和される。従って、基板１０と基板１０の主面上のシールド部９０との間に生ずる熱応力も、これらの溝（第１溝９２および第２溝９３、あるいは、少なくともこれらの一方の溝）によって緩和される。例えば、熱応力によって基板１０が反ってしまう場合においては、これらの溝によって、その反りが緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、センサー素子９９を変形させてしまったり、センサー素子９９が備える可動部（可動電極５０）の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、センサー素子９９が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
つまり、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサーを提供することができる。
【００５６】
また、第１方向は、センサー素子９９が備える可動部の変位方向（基板１０の平面視における変位方向）である。つまり、センサー素子９９の外周に配置されたシールド部９０は、基板１０を平面視したときに、センサー素子９９が備える可動部が変位する方向と同じ方向に延在する第１溝９２と、センサー素子９９が備える可動部が変位する方向と交差する方向に延在する第２溝９３とを備えている。
シールド部９０が基板１０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合、シールド部９０は、センサー素子９９が備える可動部の変位方向と交差する方向に延在する第２溝９３を備えるため、第２溝９３により、可動部の変位方向に生ずる熱応力をより効果的に緩和することができる。特に、第２溝９３が、可動部の変位方向と略直角方向に交差して延在しているため、より効果的に熱応力が緩和される。
【００５７】
また、シールド部９０が第１溝９２を備えることにより、基板１０がシールド部９０から受ける熱応力自体が抑制される。シールド部９０が、センサー素子９９が備える可動部の変位方向に延在する第１溝９２を備えることにより、基板１０がシールド部９０から受ける可動部の変位方向に発生する熱応力自体が抑制される。
【００５８】
これらの結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、センサー素子９９を変形させてしまったり、センサー素子９９が備える可動部（可動電極５０）の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、センサー素子９９が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
【００５９】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る物理量センサーについて説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図３（ａ）は、実施形態２に係る物理量センサー１０１を示す平面図である。
実施形態２は、第１センサー素子（センサー素子９９）に加えて、更に第２センサー素子を備え、それぞれのセンサー素子の間の領域のシールド部に第１溝９２および第２溝９３を備えていることを特徴としている。
【００６０】
物理量センサー１０１は、基板１０、センサー素子９９、第２センサー素子としてのセンサー素子９９ａおよびセンサー素子９９ｂ、シールド部９０ａなどを備えている。
センサー素子９９ａは、例えば、センサー素子９９と同じ構成で、その設置方向（向き）が異なる容量型加速度センサーである。センサー素子９９がＸ軸方向の加速度を検出するのに対して、センサー素子９９ａは、Ｙ軸方向の加速度を検出する向きに配置されている。
センサー素子９９ｂは、例えば、角速度を検出するジャイロセンサーである。内部に、可動部として振動子を備えている。
【００６１】
センサー素子９９、センサー素子９９ａ、センサー素子９９ｂは、図３（ａ）に示すように、基板１０の主面上にそれぞれ間隔を置いて配置されている。具体的には、矩形状の基板１０の右下領域（＋Ｘ、−Ｙ側の領域）にセンサー素子９９が、その奥方向の領域（＋Ｘ、＋Ｙ側の領域）にセンサー素子９９ｂが、センサー素子９９とセンサー素子９９ｂの左側領域（−Ｘ側のＹ軸方向中央の領域）にセンサー素子９９ａが配置されている。
【００６２】
それぞれのセンサー素子の外周には、シールド部９０ａが配置されている。換言すると、基板１０の主面上のそれぞれのセンサー素子が占める領域以外の領域にシールド部９０ａが形成されている。シールド部９０ａには、配線（図示省略）により、例えば接地電位が与えられる。
【００６３】
それぞれのセンサー素子の間の領域のシールド部９０ａには、第１溝９２および第２溝９３が設けられている。具体的には、センサー素子９９とセンサー素子９９ｂとの間の領域のシールド部９０ａには、第１溝９２および第２溝９３がＸ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９４が設けられている。また、センサー素子９９とセンサー素子９９ａとの間、およびセンサー素子９９ｂとセンサー素子９９ａとの間の領域のシールド部９０ａには、第１溝９２および第２溝９３がＹ軸方向に交互に並ぶ列からなる溝列９５が設けられている。
溝列９４および溝列９５のそれぞれにおいて、基板１０を平面視したとき、第１溝９２および第２溝９３によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
なお、必ずしも溝列９４および溝列９５の両方を設ける必要はなく、センサー素子相互間に発生する応力の緩和が必要な領域に溝列を設ければ良い。
【００６４】
以上述べたように、本実施形態による物理量センサー１０１によれば、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー１０１は、基板１０の主面上に設けられた第１センサー素子（センサー素子９９）に加えて、更に第２センサー素子（センサー素子９９ａ、センサー素子９９ｂ）を備えている。このように、共通の基板上に複数のセンサー素子を備える場合には、一方のセンサー素子が発生するノイズが他方のセンサー素子に影響を与えるなど、物理量センサーとしての検出特性を悪化させる場合がある。このノイズは、電気的なものだけではなく、応力や振動など機械的なエネルギーによる場合がある。具体的には、センサー素子構造体が発生あるいは有する熱応力や残留応力が、また、可動部を有する場合などにおいては、可動部の振動漏れが隣接するセンサー素子に伝達されて隣接するセンサー素子の検出特性に影響を与える場合がある。
【００６５】
本実施形態によれば、第１溝９２および第２溝９３は、少なくとも、センサー素子９９とセンサー素子９９ａとの間、センサー素子９９とセンサー素子９９ｂとの間、センサー素子９９ａとセンサー素子９９ｂとの間のいずれかの領域のシールド部９０ａに設けられている。従って、それぞれのセンサー素子間に働く応力や、一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝９２および第２溝９３、あるいは、少なくとも一方の溝によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。
【００６６】
（実施形態３）
次に、実施形態３に係る物理量センサーについて説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図３（ｂ）は、実施形態３に係る物理量センサー１０２を示す平面図である。
実施形態３は、実施形態２と同様に第１センサー素子に加えて、更に第２センサー素子を備え、それぞれのセンサー素子の外周をとり囲むシールド部９０ａの全領域（全面）に亘って第１溝９２および第２溝９３を備えていることを特徴としている。
【００６７】
物理量センサー１０２は、シールド部９０ａが備える第１溝９２および第２溝９３の位置や数が異なる点を除き、物理量センサー１０１と同様である。
物理量センサー１０２は、図３（ｂ）に示すように、シールド部９０ａの全領域に亘って、第１溝９２および第２溝９３がＸ軸方向、Ｙ軸方向に交互に並ぶように配置されている。
また、第１溝９２および第２溝９３は、基板１０を平面視したとき、第１溝９２および第２溝９３によって構成される図形が２回回転対称となるように配置されている。
【００６８】
本実施形態による物理量センサー１０２によれば、以下の効果を得ることができる。
シールド部９０ａが基板１０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、これらの溝（第１溝９２および第２溝９３、あるいは、少なくともこれらの一方の溝）によって緩和される。また、基板１０と基板１０の主面上のシールド部９０ａとの間に生ずる熱応力も、これらの溝によって緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、基板１０の主面上に設けられたセンサー素子（センサー素子９９、センサー素子９９ａ、センサー素子９９ｂ）を変形させてしまったり、センサー素子が備える可動部の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、センサー素子が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
また、複数のセンサー素子間に働く応力や、一方から他方に伝達される漏れ振動などのエネルギーは、第１溝９２および第２溝９３、あるいは、少なくともこれらの一方の溝によってその伝達が緩和され、特性に与える影響を抑制させることができる。
このように、シールド部９０ａの全領域に亘って、第１溝９２および第２溝９３がＸ軸方向、Ｙ軸方向に交互に並ぶように配置されることで、より効果的に検出特性の安定化をはかることができる。
【００６９】
なお、実施形態１〜３において、第１溝９２および第２溝９３は、シールド部９０，９０ａの上面から下面に貫通する孔溝であると説明したが、必ずしも貫通していなくとも良い。つまり、第１溝９２および第２溝９３は、その両方あるいは一方においてシールド部９０，９０ａを貫通せずに底部を有する溝であっても良い。また、その底部は、下面側（基板１０側）にあっても、その逆に上面側にあっても良い。
【００７０】
また、実施形態１〜３において、第２溝９３は、略等間隔に配置された第１溝９２の間あるいはその隣に交互に並ぶように略等間隔に配置されていると説明したが、必ずしも第１溝９２と第２溝９３とが交互に並ぶ必要はない。また、必ずしも等間隔に配置される必要はない。第１溝９２や第２溝９３が配置されるシールド部の平面形状や大きさ、またセンサー素子の配置やその向き、想定する応力緩和の効果により、適宜レイアウトすることが望ましい。
【００７１】
また、センサー素子は、必ずしも上述した構成のセンサーに限定するものではない。物理量センサーとしての構成が、基板の主面上にセンサー素子およびシールド部を構成する層を積層させる構造であり、シールド部と基板との熱膨張係数の差によって発生する熱応力や、センサー素子間に配置されたシールド部を介して伝達される応力が、センサー素子の検出特性に影響を与える場合の構成であれば、同様の効果が得られる。
【００７２】
［電子機器］
次いで、本発明の一実施形態に係る電子部品としての物理量センサー１００を適用した電子機器について、図４（ａ），（ｂ）、図５に基づき説明する。なお、以下の説明では、物理量センサー１００を適用した例として説明しているが、物理量センサー１０１、１０２であっても良い。
【００７３】
図４（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子部品としての物理量センサー１００が内蔵されている。
【００７４】
図４（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品（タイミングデバイス）としての物理量センサー１００が内蔵されている。
【００７５】
図５は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品としての物理量センサー１００が内蔵されている。
【００７６】
上述したように、電子機器として、検出精度の低下がより抑制された物理量センサー１００を備えることにより、より動作精度の高い電子機器を提供することができる。
【００７７】
なお、本発明の一実施形態に係る物理量センサー１００は、図４（ａ）のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図４（ｂ）の携帯電話機、図５のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００７８】
［移動体］
次いで、本発明の一実施形態に係る物理量センサー１００を適用した移動体について、図６に基づき説明する。なお、以下の説明では、物理量センサー１００を適用した例として説明しているが、物理量センサー１０１、１０２であっても良い。
【００７９】
図６は、物理量センサー１００を備える移動体としての自動車１４００を概略的に示す斜視図である。自動車１４００には本発明に係る物理量センサー１００を含んで構成されたジャイロセンサーが搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１４００には、タイヤ１４０１を制御する該ジャイロセンサーを内蔵した電子制御ユニット１４０２が搭載されている。また、他の例としては、物理量センサー１００は、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【００８０】
上述したように、移動体として、精度の低下がより抑制された物理量センサー１００を備えることにより、より温度変化などの環境特性が安定した移動体を提供することができる。
【００８１】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。ここで、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略している。
【００８２】
（変形例１）
図７は、変形例に係る物理量センサー１０３を示す断面図であり、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面に相当する位置の断面図である。
実施形態１〜３では、応力を緩和するための第１溝９２、第２溝９３を基板１０の主面上のシールド部に設けるとして説明したが、これらの溝は基板１０に設けても良い。
【００８３】
物理量センサー１０３は、シールド部９０に第１溝９２、第２溝９３を設けていない。これに代わり、基板１０に第３溝９６、第４溝９７を設けている。この点を除き、物理量センサー１０３は、物理量センサー１００と同様である。
第３溝９６は、基板１０の主面から下面に貫通する孔溝であり、基板１０を平面視したとき、物理量センサー１００における第１溝９２と同様の位置に配置されている。また、第４溝９７も同様に、基板１０の主面から下面に貫通する孔溝であり、基板１０を平面視したとき、物理量センサー１００における第２溝９３と同様の位置に配置されている。つまり、第３溝９６、第４溝９７は、いずれもシールド部９０と重なる領域に設けられている。
【００８４】
本変形例に係る物理量センサー１０３よれば、基板１０は、シールド部９０と重なる領域に、第１方向に延在する第３溝９６と、第１方向と交差する第２方向に延在する第４溝９７とを有している。そのため、基板１０がシールド部９０の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する場合に発生する熱応力は、少なくとも、これらの溝のいずれかによって緩和される。その結果、熱膨張係数の差により発生する熱応力が、センサー素子９９を変形させてしまったり、センサー素子９９が備える可動部（可動電極５０）の変位に影響を与えてしまったりすることが抑制され、センサー素子９９が使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制される。
つまり、本変形例のように基板１０に応力を緩和するための溝を設けた場合であっても、使用される環境の温度変化による検出特性の変動が抑制された、より検出特性が安定した物理量センサーを提供することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１０…基板、２０…センシング部、３０…配線、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…電極、４１，４２…固定部、５０…可動電極、５１，５２…支持部、５３，５４…可動電極指、５５…可動基部、６０…固定電極、６１，６２…固定電極指、７０，７１…凹部、８１…コンタクト部、９０，９０ａ…シールド部、９２…第１溝、９３…第２溝、９４，９５…溝列、９６…第３溝、９７…第４溝、９９，９９ａ，９９ｂ…センサー素子、１００〜１０３…物理量センサー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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