(57)【要約】【課題】磁気記録媒体処理装置の磁気データの読み取りに及ぼす影響を低減することが可能で、かつ、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能な磁気記録媒体処理装置および磁気記録媒体処理装置の制御方法を提供する。【解決手段】駆動電圧ＶＣＣを供給する駆動電源部５２１と、基準電位部５２２と、第１のノードＮＤ５２と第２のノードＮＤ５３との間にインダクタＬ５１およびキャパシタＣ５１が接続された共振回路を含み、第１のノードに駆動電圧を受け、第２のノードが基準電位部５２２に接続された状態で共振して磁界を発生する共振部５１１と、振部の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との間に接続され、制御信号ＣＴＬに応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、共振部の第２のノードと基準電位部との接続状態、非接続状態を切り替える駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を含む共振駆動部５２３とを有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
挿入口から挿入または排出するカード状磁気記録媒体を検知する検出機構部と、
カード状の前記磁気記録媒体上に形成された磁気ストライプに摺動して磁気データを読み取るプリヘッドと、
前記検出機構部の検出結果に応じて開閉されるシャッターと、
カード状磁気記録媒体上に記録されている磁気情報を処理するカード処理部と、
共振部により磁界を発生する磁界発生部および当該磁界発生部を駆動制御する駆動制御回路を含む磁気発生装置と、を有し、
前記磁気発生装置の前記駆動制御回路は、
駆動電圧を供給する駆動電源部と、
基準電位部と、
前記共振部を駆動する共振駆動部と、を含み、
前記共振部は、
第１のノードと第２のノードとの間にインダクタおよびキャパシタが接続された共振回路を含み、前記第１のノードに前記駆動電圧を受け、前記第２のノードが基準電位部に接続された状態で共振して磁界を発生し、
前記共振駆動部は、
前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との間に接続され、制御信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との接続状態、非接続状態を切り替える駆動スイッチング素子を含む
磁気記録媒体処理装置。
【請求項２】
前記駆動制御回路は、
前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との間に接続され、磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との接続状態、非接続状態を切り替える第１のスイッチング素子を含む放電駆動部を有し、
磁界発生停止時には、
前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替える
請求項１記載の磁気記録媒体処理装置。
【請求項３】
前記駆動制御回路は、
前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との間に接続され、第１の磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との接続状態、非接続状態を切り替える第１のスイッチング素子を含む放電駆動部を有し、
前記駆動電源部は、
前記駆動電圧の供給源と前記共振部の前記第１のノードとの間に接続され、第２の磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記駆動電圧の供給部と前記共振部の前記第１のノードとの接続状態、非接続状態を切り替える第２のスイッチング素子を含む
請求項１記載の磁気記録媒体処理装置。
【請求項４】
前記駆動制御回路は、
磁界発生停止時には、
前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を非導通状態に切り替えた後、
前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替える
請求項３記載の磁界発生装置。
【請求項５】
前記駆動制御回路は、
磁界発生開始時には、
前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を非導通状態に切り替えた後、
前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を導通状態に切り替える
請求項３または４記載の磁気記録媒体処理装置。
【請求項６】
前記共振駆動部は、
前記制御信号に応じて、前記共振部の第２のノードと前記基準電位部との接続状態および非接続状態が周期的および／または非周期的に切り替えられることにより、共振が周期的および／または非周期的に誘起されて、磁界を周期的および／または非周期的に発生するように前記共振部を駆動する
請求項１から５のいずれか一に記載の磁気記録媒体処理装置。
【請求項７】
前記検出機構部の検出結果および前記プリヘッドの検出情報に応じて前記磁界発生装置を駆動制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記検出機構部で記録媒体が検出されると、前記磁界発生装置の磁界発生を停止させ、
前記プリヘッドで磁気情報が検出された後、前記磁界発生装置の磁界発生を開始させる
請求項１から６のいずれか一に記載の磁気記録媒体処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記プリヘッドで磁気情報が検出され、前記磁界発生装置の磁界発生を開始させた後、前記シャッターを開いて前記磁気記録媒体を取り込ませる
請求項７記載の磁気記録媒体処理装置。
【請求項９】
挿入口から挿入または排出するカード状磁気記録媒体を検知する検出機構部と、
カード状の前記磁気記録媒体上に形成された磁気ストライプに摺動して磁気データを読み取るプリヘッドと、
前記検出機構部の検出結果に応じて開閉されるシャッターと、
カード状磁気記録媒体上に記録されている磁気情報を処理するカード処理部と、
第１のノードと第２のノードとの間にインダクタおよびキャパシタが接続された共振回路を含む共振部により磁界を発生する磁界発生部および当該磁界発生部を駆動制御する駆動制御回路を含む磁気発生装置と、を有し、
前記磁気発生装置の前記駆動制御回路は、
駆動電圧を供給する駆動電源部と、
基準電位部と、
前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との間に接続され、制御信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との接続状態、非接続状態を切り替える駆動スイッチング素子を含む共振駆動部と、
前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との間に接続され、磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との接続状態、非接続状態を切り替える第１のスイッチング素子を含む放電駆動部と、を含む
磁気記録媒体処理装置において磁界発生停止を制御する際に、
磁界発生停止時には、
前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替える
磁気記録媒体処理装置の制御方法。
【請求項１０】
前記駆動電源部が、
前記駆動電圧の供給源と前記共振部の前記第１のノードとの間に接続され、第２の磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記駆動電圧の供給部と前記共振部の前記第１のノードとの接続状態、非接続状態を切り替える第２のスイッチング素子を含む
磁気記録媒体処理装置において磁界発生停止を制御する際に、
磁界発生時には、
前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を非導通状態に切り替え、
前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を導通状態に切り替え、
磁界発生停止時には、
前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替え、
前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を非導通状態に切り替える
請求項９記載の磁気記録媒体処理装置の制御方法。
【請求項１１】
磁界発生停止時には、
前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を非導通状態に切り替えた後、
前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替える
請求項１０記載の磁気記録媒体処理装置の制御方法。
【請求項１２】
磁界発生開始時には、
前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を非導通状態に切り替えた後、
前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を導通状態に切り替える
請求項１０または１１記載の磁気記録媒体処理装置の制御方法。
【請求項１３】
前記制御信号に応じて、前記共振部の第２のノードと前記基準電位部との接続状態および非接続状態が周期的および／または非周期的に切り替えられることにより、共振が周期的および／または非周期的に誘起されて、磁界を周期的および／または非周期的に発生するように前記共振部を駆動する
請求項９から１２のいずれか一に記載の磁気記録媒体処理装置の制御方法。
【請求項１４】
前記検出機構部の検出結果および前記プリヘッドの検出情報に応じて前記磁界発生装置を駆動制御し、
前記磁界発生装置の駆動制御に際し、
前記検出機構部で記録媒体が検出されると、前記磁界発生装置の磁界発生を停止させ、
前記プリヘッドで磁気情報が検出された後、前記磁界発生装置の磁界発生を開始させる
請求項９から１３のいずれか一に記載の磁気記録媒体処理装置の制御方法。
【請求項１５】
前記プリヘッドで磁気情報が検出され、前記磁界発生装置の磁界発生を開始させた後、前記シャッターを開いて前記磁気記録媒体を取り込ませる
請求項１４記載の磁気記録媒体処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に記録された磁気データの読み取りや磁気記録媒体への磁気データの書き込みを行う磁気記録媒体処理装置および磁気記録媒体処理装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気記録媒体としてカード状をした磁気記録媒体（以下、「カード」という。）に記録された磁気データの読み取りやカードへの磁気データの書き込みを行う磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダが広く利用されている。この種のカードリーダは、たとえば、銀行等の金融機関に設置されるＡＴＭ（Ａｕｔｏｍａｔｅ  Ｔｅｌｌｅｒ  Ｍａｃｈｉｎｅ）等の上位装置に搭載されて使用されている。また、カードリーダが使用される金融機関等の業界では、従来、犯罪者がカードリーダのカード挿入口の前方に磁気ヘッドを取り付けて、この磁気ヘッドでカードの磁気データを不正に取得するいわゆるスキミングが大きな問題となっている。
【０００３】
そこで、従来、カード挿入口の前方に取り付けられるスキミング用の磁気ヘッド（以下、「スキミング用磁気ヘッド」とする。）によるカードの磁気データの読み取りを妨害するための妨害磁界を発生させる磁界発生装置を備えたカードリーダが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のカードリーダでは、カードリーダのカード挿入口に磁界（磁気）発生装置を備え、磁界（磁気）発生装置から放出される妨害磁界（磁気）により、スキミング用磁気ヘッドがカード利用者の磁気データを読み取ることを妨害する技術が開示されている。
【０００４】
この技術において、妨害磁界を発生する回路は、コイル（インダクタ）の電源を、スイッチ機能を有するトランジスタにて駆動させる構成が採用される。
【０００５】
特許文献１に示すカードリーダにおいて、上記した磁界（磁気）発生装置は、次のように適用される。不正行為者が、カードの磁気データを読み取るために、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッドであるスキミング用磁気ヘッドと磁気読み取り回路を取り付ける。このスキミング用磁気ヘッドに対し、磁気データが読み取れないようにするため、スキミング用磁気ヘッドに向けて妨害磁界を発生させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−６７５２４号公報（または特許第３９３６４９６号）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１で使用されている磁界発生装置では、コイル（インダクタ）の電源を、スイッチ機能を有するトランジスタにて駆動させる回路であるので、単発的な磁界発生となり、妨害している時間が短いとか、または、その磁界が弱かったりして、スキミング用磁気ヘッドに対して確実に防止することが難しかった。また、磁界発生装置の磁界を強くした場合には、磁界発生の駆動を停止しても、その磁界が残留してカードリーダ本来の磁気データの読み取りに影響を及ぼすおそれがある。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、磁気記録媒体処理装置の磁気データの読み取りに及ぼす影響を低減することが可能で、かつ、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能な磁気記録媒体処理装置および磁気記録媒体処理装置の制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の観点の磁気記録媒体処理装置は、挿入口から挿入または排出するカード状磁気記録媒体を検知する検出機構部と、カード状の前記磁気記録媒体上に形成された磁気ストライプに摺動して磁気データを読み取るプリヘッドと、前記検出機構部の検出結果に応じて開閉されるシャッターと、カード状磁気記録媒体上に記録されている磁気情報を処理するカード処理部と、共振部により磁界を発生する磁界発生部および当該磁界発生部を駆動制御する駆動制御回路を含む磁気発生装置と、を有し、前記磁気発生装置の前記駆動制御回路は、駆動電圧を供給する駆動電源部と、基準電位部と、前記共振部を駆動する共振駆動部と、を含み、前記共振部は、第１のノードと第２のノードとの間にインダクタおよびキャパシタが接続された共振回路を含み、前記第１のノードに前記駆動電圧を受け、前記第２のノードが基準電位部に接続された状態で共振して磁界を発生し、前記共振駆動部は、前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との間に接続され、制御信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との接続状態、非接続状態を切り替える駆動スイッチング素子を含む。これにより、磁気記録媒体処理装置の磁気データの読み取りに及ぼす影響を低減することが可能で、かつ、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能となる。
【００１０】
好適には、前記駆動制御回路は、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との間に接続され、磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との接続状態、非接続状態を切り替える第１のスイッチング素子を含む放電駆動部を有し、磁界発生停止時には、前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替える。これにより、妨害磁界の出力を増大させることが可能となることはもとより、磁気記録媒体処理装置のプリヘッドによる磁界の誤検知を防止でき、また、シャッターの開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッターにぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。
【００１１】
前記駆動制御回路は、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との間に接続され、第１の磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との接続状態、非接続状態を切り替える第１のスイッチング素子を含む放電駆動部を有し、前記駆動電源部は、前記駆動電圧の供給源と前記共振部の前記第１のノードとの間に接続され、第２の磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記駆動電圧の供給部と前記共振部の前記第１のノードとの接続状態、非接続状態を切り替える第２のスイッチング素子を含むように構成しても良い。
そして、好適には、前記駆動制御回路は、磁界発生停止時には、前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を非導通状態に切り替えた後、前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替える。また、好適には、前記駆動制御回路は、磁界発生開始時には、前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を非導通状態に切り替えた後、前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を導通状態に切り替える。この場合も、妨害磁界の出力を増大させることが可能となることはもとより、磁気記録媒体処理装置のプリヘッドによる磁界の誤検知を防止でき、また、シャッターの開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッターにぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。
【００１２】
好適には、前記共振駆動部は、前記制御信号に応じて、前記共振部の第２のノードと前記基準電位部との接続状態および非接続状態が周期的および／または非周期的に切り替えられることにより、共振が周期的および／または非周期的に誘起されて、磁界を周期的および／または非周期的に発生するように前記共振部を駆動する。これにより、大きな磁界を所定期間にわたり継続的に発生するので、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
【００１３】
好適には、前記検出機構部の検出結果および前記プリヘッドの検出情報に応じて前記磁界発生装置を駆動制御する制御部を有し、前記制御部は、前記検出機構部で記録媒体が検出されると、前記磁界発生装置の磁界発生を停止させ、前記プリヘッドで磁気情報が検出された後、前記磁界発生装置の磁界発生を開始させる。また、好適には、前記制御部は、前記プリヘッドで磁気情報が検出され、前記磁界発生装置の磁界発生を開始させた後、前記シャッターを開いて前記磁気記録媒体を取り込ませる。この場合も、妨害磁界の出力を増大させることが可能となることはもとより、磁気記録媒体処理装置のプリヘッドによる磁界の誤検知を防止でき、また、シャッターの開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッターにぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。
【００１４】
本発明の第２の観点の磁気記録媒体処理装置の制御方法は、挿入口から挿入または排出するカード状磁気記録媒体を検知する検出機構部と、カード状の前記磁気記録媒体上に形成された磁気ストライプに摺動して磁気データを読み取るプリヘッドと、前記検出機構部の検出結果に応じて開閉されるシャッターと、カード状磁気記録媒体上に記録されている磁気情報を処理するカード処理部と、第１のノードと第２のノードとの間にインダクタおよびキャパシタが接続された共振回路を含む共振部により磁界を発生する磁界発生部および当該磁界発生部を駆動制御する駆動制御回路を含む磁気発生装置と、を有し、前記磁気発生装置の前記駆動制御回路は、駆動電圧を供給する駆動電源部と、基準電位部と、前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との間に接続され、制御信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第２のノードと前記基準電位部との接続状態、非接続状態を切り替える駆動スイッチング素子を含む共振駆動部と、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との間に接続され、磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記共振部の前記第１のノードと放電用電位部との接続状態、非接続状態を切り替える第１のスイッチング素子を含む放電駆動部と、を含む、磁気記録媒体処理装置において磁界発生停止を制御する際に、磁界発生停止時には、前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替える。好適には、前記駆動電源部が、前記駆動電圧の供給源と前記共振部の前記第１のノードとの間に接続され、第２の磁界発生停止信号に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、前記駆動電圧の供給部と前記共振部の前記第１のノードとの接続状態、非接続状態を切り替える第２のスイッチング素子を含む磁気記録媒体処理装置において磁界発生停止を制御する際に、磁界発生時には、前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を非導通状態に切り替え、前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を導通状態に切り替え、磁界発生停止時には、前記放電駆動部の前記第１のスイッチング素子を導通状態に切り替え、前記駆動電源部の前記第２のスイッチング素子を非導通状態に切り替える。これにより、磁気記録媒体処理装置の磁気データの読み取りに及ぼす影響を低減することが可能で、かつ、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、磁気記録媒体処理装置の磁気データの読み取りに及ぼす影響を低減することが可能で、かつ、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダの主要部の概略構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダのカード挿入部の概略構成を示す図である。
【図３】図１に示すカードリーダの制御部およびその関連部分の概略構成を示す第１のブロック図である。
【図４】図１に示すカードリーダの制御部およびその関連部分の概略構成を示す第２のブロック図である。
【図５】装置外部側にスキミング用磁気ヘッド装置が取り付けられた状態を模式的に示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部および駆動制御回路を示す回路図である。
【図７】第１の実施形態に係る磁界発生装置の動作を説明するための波形図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部および駆動制御回路を示す回路図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る駆動制御回路の要部をより具体的に示す回路図であり、第２の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生停止時の動作を中心に説明するための図である。
【図１０】第２の実施形態に係る磁界発生装置の動作を説明するための波形図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部および駆動制御回路を示す回路図である。
【図１２】カード取込み時の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１３】カード取込み時の動作を説明するための図である。
【図１４】カード排出時の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１５】カード排出時の動作を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。
【００１８】
本実施形態においては、磁気記録媒体処理装置として、カード状をした記録媒体等に記録された磁気データを読み取りあるいは磁気データを記録するカードリーダを例に説明する。
【００１９】
以下では、まず、本実施形態に係るカードリーダの概略構成を説明した後、妨害磁界を発生する磁界発生装置の具体的な回路構成および動作等を説明する。そして、このカードリーダのカードの取り込みおよび排出動作を磁界発生装置の駆動タイミングと関連付けて説明する。
【００２０】
［カードリーダの概略構成］
図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダの主要部の概略構成を示す図である。
図２は、本実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダのカード挿入部の概略構成を示す図である。
【００２１】
本形態のカードリーダ１０は、カードＭＣに記録された磁気データの読み取りおよび／またはカードＭＣへの磁気データの書き込みを行うための磁気記録媒体処理装置であり、たとえば、金融機関等に設置される自動取引装置（ＡＴＭ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｔｅｌｌｅｒ  Ｍａｃｈｉｎｅ））等の所定の上位装置に搭載されて使用される。カードリーダ１０は、上位装置の筺体の前面を構成するフロントパネル２０の奥側に配置されている。
フロントパネル２０には、磁気データが記録された磁気記録媒体としてのカードＭＣが挿入または排出される開口２１が形成されている。
【００２２】
カードリーダ１０は、図１に示すように、カードＭＣに記録された磁気データの読み取りおよび／またはカードＭＣへの磁気データの書き込みを行うカード処理部３０と、カードＭＣが挿入、排出されるカード挿入口３１１が形成されるカード挿入部３１と、カードリーダ１０を制御する制御部４０と、スキミング用の磁気ヘッドでカードＭＣの磁気データの読取を阻止するための妨害磁界を発生させる磁界発生装置５０とを備えている。カードリーダ１０の内部には、カード挿入口３１１から挿入されたカードＭＣが搬送されるカード搬送路３２が形成されている。また、カードリーダ１０の各種の制御を行う制御部４０は、回路基板（図示省略）に実装されている。
【００２３】
本実施形態では、図１および図２のＸ方向（左右方向）にカードＭＣが搬送される。すなわち、Ｘ方向は、カードＭＣの搬送方向である。また、図１のＺ方向（上下方向）は、カードＭＣの厚さ方向であり、Ｘ方向とＺ方向とに直交する図１および図２のＹ方向（図１の紙面垂直方向）は、カードＭＣの幅方向（短手幅方向）である。
【００２４】
カードＭＣは、たとえば、厚さが０．７〜０．８ｍｍ程度の矩形状の塩化ビニール製のカードである。このカードＭＣには、磁気ストライプｍｐが形成されている。なお、カードＭＣには、ＩＣチップが固定されても良いし、通信用のアンテナが内蔵されても良い。また、カードＭＣは、厚さが０．１８〜０．３６ｍｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）カードであっても良いし、所定の厚さの紙カード等であっても良い。
【００２５】
カード処理部３０は、カード搬送路３２でカードＭＣを搬送するためのカード搬送機構３３と、磁気データの読取および書き込みを行う磁気ヘッド３４と、カード搬送路３２内のカードＭＣの有無を検出するためのフォトセンサ３５とを備えている。
【００２６】
カード搬送機構３３は、３個の搬送ローラ３３１〜３３３と、搬送ローラ３３１〜３３３を回転駆動する駆動用モータ３６と、駆動用モータ３６の動力を搬送ローラ３３１〜３３３に伝達する動力伝達機構（図示せず）とを備えている。また、カード搬送機構３３は、搬送ローラ３３１〜３３３にそれぞれ対向配置されるとともに搬送ローラ３３１〜３３３に向かって付勢されるパッドローラ３３４〜３３６とを備えている。３個の搬送ローラ３３１〜３３３は、カードＭＣの搬送方向で所定の間隔をあけた状態で配置されている。
【００２７】
各搬送ローラ３３１，３３２，３３３は、制御部４０の制御の下、駆動モータ３６によって回転駆動される。
【００２８】
磁気ヘッド３４は、図１に示すように、カードＭＣの搬送方向において、カード処理部３０の中央部に配置される搬送ロー３３２の回転中心と磁気ヘッド３４の中心とがＸ方向で略一致するように配置されている。また、磁気ヘッド３４には、カード搬送路３２を通過するカードＭＣに対して磁気ヘッド３４に向かう付勢力を与えるための対向ローラ３３５が対向配置されている。
【００２９】
フォトセンサ３５は、発光素子と受光素子とを有する光学式のセンサである。
本実施形態では、磁気ヘッド３４は、フォトセンサ３５１によってカードＭＣの先端が検出された直後から磁気ストライプｍｐに記録された磁気データを読み取り、フォトセンサ３５１によってカードＭＣが検出されなくなる直前に磁気データの読取を終える。すなわち、本実施形態では、フォトセンサ３５１によって磁気ヘッド３４で磁気データの読取が行われているか否かを検出することが可能である。
【００３０】
カード挿入部３１は、カード挿入口３１１からカードＭＣが挿入されたか否かを検出するための検出機構部としてのカード挿入検出機構３７と、カード搬送路３２を開閉するシャッター３８と、磁気ストライプｍｐに記録された磁気データを読み取るプリヘッド（磁気ヘッド）３９とを備えている。
【００３１】
カード挿入検出機構３７は、たとえば図２に示すように、カードＭＣの幅方向の一方の端部に接触可能なセンサレバー３７１がカードＭＣに接触しているか否かを検出するカード幅センサ（カード検出センサ）３７２を備えている。なお、センサレバー３７１は、所定の回動軸を中心に回動可能となっており、カード搬送路３２に出没可能となっている。
【００３２】
カード幅センサ３７２は、レバー部材とレバー部材に押圧される接点とを備える接点スイッチにより構成される。本実施形態では、カード挿入口３１１から挿入されたカードＭＣの幅方向の端部がセンサレバー３７１に接触すると、センサレバー３７１が回動して、カード幅センサ３７２のレバー部材に接触し、レバー部材によって接点が押圧される。すなわち、本実施形態のカード幅センサ３７２は、カード挿入口３１１から挿入されたカードＭＣがセンサレバー３７１に接触することを検出することで、カード挿入口３１１からカードＭＣが挿入されたことを検出する。
【００３３】
なお、カード幅センサ３７２は、発光素子と受光素子とを有する光学式のセンサであっても良い。また、カード挿入検出機構３７は、カードＭＣの幅方向の端部に直接、接触する接点を有する機械式の検出機構であっても良い。
【００３４】
プリヘッド３９は、カードＭＣの搬送方向において、カード挿入口３１１の近傍に配置されている。具体的には、プリヘッド３９は、カード挿入検出機構３７の近傍、たとえばセンサレバー３７１のカードＭＣとの当接部分の近傍に配置されている。本実施形態では、プリヘッド３９は、カード挿入検出機構３７によってカードＭＣの先端が検出された直後から磁気ストライプｍｐに記録された磁気データを読み取り、カード挿入検出機構３７によってカードＭＣが検出されなくなる直前に磁気データの読取を終える。すなわち、本実施形態では、カード挿入検出機構３７によってプリヘッド３９で磁気データの読み取りが行われているか否かを検出することが可能である。本形態のカード挿入検出機構３７は、プリヘッド３９で磁気データの読み取りが行われていることを検出するための読取状態検出手段として機能する。
【００３５】
なお、磁界発生装置５０は、磁界発生部としての共振部（共振回路）を含み、その駆動制御回路の構成等に特徴を有しており、その具体的な構成については、複数の実施形態を例に後で詳細に説明する。
【００３６】
［カードリーダの制御部の概略構成］
図３は、図１に示すカードリーダ１０の制御部４０およびその関連部分の概略構成を示す第１のブロック図である。図４は、図１に示すカードリーダ１０の制御部４０およびその関連部分の概略構成を示す第２のブロック図である。図３および図４は、本実施形態に係るカードリーダに設けられている、妨害磁界を発生する磁界発生装置のインダクタの構成例およびキャパシタとの接続例をあわせて示している。
【００３７】
制御部４０は、回路基板（図示省略）に実装されている。制御部４０は、カードリーダ１０の各種、各部の制御を行い、たとえば、ＣＰＵ４１を含んで構成されている。制御部４０は、その内蔵ＲＯＭ内に格納されている制御プログラムに従って、カードＭＣの搬送動作、磁気ヘッド３４による読み取り動作等を制御する。さらに、制御部４０には、フォトセンサ３５、カード検出センサ３７２、プリヘッド３９が接続されており、これらの各構成からの出力信号が入力される。また、制御部４０には、ドライバ４２を介して駆動用モータ３６が接続される。さらに、制御部４０には、エンコーダ３６１が接続されており、モータ３６の回転状態等を検出するエンコーダ３６１からの出力信号が入力される。
【００３８】
また、本実施形態では、制御部４０は、不正に取り付けられたスキミング用磁気ヘッドに妨害磁界を発生する磁界発生装置５０が接続される。磁界発生装置５０は、カード検出センサ３７２のカード検出結果、プリヘッド３９の磁気検出結果等に応じて、磁界発生や磁界発生の停止等の駆動制御を行われる。
【００３９】
［磁界発生装置の概略構成］
本実施形態の磁界発生装置５０は、磁界発生部５１と、磁界発生部５１による磁界発生や磁界発生部の停止等を駆動制御する駆動制御回路（駆動制御部）５２を有している。
【００４０】
磁界発生装置５０の磁界発生部５１は、磁界を発生するためのインダクタＬ１を含んで構成されている。インダクタＬ１は、たとえば図３に示すように、コイルＣＬにより形成される。あるいは、インダクタＬ２は、図４に示すように、鉄心ＦＣにコイルＣＬを巻いて形成される。本実施形態では、磁界発生部５１は、カード挿入部３１に配置されている。本実施形態の妨害磁界発生装置５０の磁界発生部５１は、後で詳述するように、インダクタＬ１またはＬ２はキャパシタＣ１またはＣ２と接続されて共振部（並列共振回路）を形成し、インダクタのみの構成に比較して、妨害磁界を継続して発生する。また、妨害磁界の出力を増大させるように構成される。
【００４１】
磁界発生装置５０は、制御部４０により統合的に制御される駆動制御回路５２の制御の下に、コイルＣＬには交流あるいは直流電流が流される。電流が流されると、開口２１あるいはカード挿入部３１の外側部分に妨害磁界が発生するように構成され、配置される。妨害磁界の発生領域は、カード挿入部３１を介して挿入あるいは排出される磁気カードＭＣに形成されている磁気ストライプｍｐの通過領域を含む領域となるように構成されている。
【００４２】
以上の構成を有する磁界発生装置５０は、回路配置としては、図１に示すように、フロントパネル２０の内部側（裏面側）近傍に磁界発生部５１および駆動制御回路５２を、全体回路を含んで配置することができる。ただし、たとえばコイル（インダクタ）Ｌ５１およびキャパシタＣ５１により構成される磁界発生部としての共振部のみフロントパネル２０の内部側近傍に配置し、残りの回路系を他の位置、たとえば制御部４０側に配置する等、種々の態様が可能である。
【００４３】
図５は、装置外部側にスキミング用磁気ヘッド（を含むスキマー）装置が取り付けられた状態を模式的に示す図である。
【００４４】
カードリーダ１０では、カードＭＣの挿入時には、その先端をカード挿入口３１１に挿入されると同時に、カードＭＣが搬送ローラ３３１によって一定の速度で搬送される。同様に、磁気カードＭＣの排出時にも、磁気カードＭＣがカード挿入口３１１から実質的に外部に排出されるまで搬送ローラ３３１によって一定の速度で搬送される。
【００４５】
したがって、カード挿入口３１１の外部側にスキミング用磁気ヘッドおよび磁気読み取り回路を含むスキマー（不正に磁気カードのデータを読み取る装置）を取り付けた場合には、スキミング用磁気ヘッドに沿って、一定の速度でカードが移動することになる。このため、このようなカードスロットの外部側に取り付けた磁気ヘッドにより、カードの記録データを読み取ることが可能である。
【００４６】
本形態に係るカードリーダ１０においては、たとえば図５に示すように、カードスロット用開口２１が形成されているフロントパネル２０の表面に不正に磁気ヘッド６１を含むスキマー６０が取り付けられたとしても、このようなスキミング用磁気ヘッド６１によるカードＭＣの読み取り動作を、磁界発生装置５０による妨害磁界によって阻止することができる。
【００４７】
すなわち、本実施形態においては、妨害磁界の発生を継続させることが可能で、磁気データの不正取得を確実に防止することを可能とする、以下に説明するような特徴的な構成を有する磁界発生装置５０が採用されている。
【００４８】
［磁界発生装置５０の磁界発生部（共振部）５１および駆動制御５２の構成例］
次に、磁界発生装置５０の磁界発生部５１および駆動制御回路５２の具体的な回路構成および動作を複数（第１〜第３）の実施形態として詳細に説明する。以下の説明において、第１の本実施形態に係る磁界発生装置５０の磁界発生部５１としての共振部５１１は、基本的に、インダクタであるコイルＬおよびキャパシタＣを接続して形成されるＬＣ並列共振回路を有し、このＬＣ並列共振回路により磁界を継続的に発生する機能を有する。さらに、本実施形態において、この磁界発生部５１は、ＬＣ共振回路により、従来のものより強い磁界を発生させる機能を有している。これにより、磁界発生装置５０は、磁界を所定期間にわたり継続的に発生するので、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、スキミング用磁気ヘッドを用いて磁気データを不正に取得することを確実に防止することができる。
【００４９】
なお、上述したように、磁界発生装置５０では、妨害磁界の出力を増大させたので、駆動制御を停止した場合でも、強い磁界が残留し、すなわち、残留する共振エネルギーに伴う残留磁界により、プリヘッド３９での磁気データの読み取りができないおそれがある。これにより、カードリーダ１０では、異物の混入を防止するために、プリヘッド３９からの磁気データの出力信号に基づき、シャッター３８を開放しているが、プリヘッド３９で磁気データを読み取れない場合や、残留している磁界により、プリヘッド３９が誤検知する場合がある。そのため、シャッター３８の開閉制御の応答性が悪くなり、ひいてはユーザが素早くカードを挿入した場合、カードＭＣがシャッター３８にぶつかる（衝突する）といった事象の発生するおそれがある。これらを解決するために、たとえば、カードリーダ１０において、カード搬送方向におけるプリヘッド３９とシャッター３８との配置を共振エネルギーが磁気ヘッドへの影響を受けない程度になるまで減衰するまでの間隔（距離）となるように配置されている。また、共振エネルギーを減衰できる程度の出力に設定するようにしてもよい。さらに、カード搬送路３２を、カードを搬送する際に負荷がかかるようにして、シャッター３８までに届く時間をかせぐようにしてもよい。
【００５０】
第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂは、第１の実施形態の妨害磁界を発生するＬＣ共振回路における共振エネルギーを、妨害磁界の発生を停止するときに、素早く（短時間に）開放する機能を有するように構成される。この磁界発生装置５０Ｂは、妨害磁界の出力を増大させることが可能となることはもとより、プリヘッド３９による磁界の誤検知を防止でき、また、シャッター３８の開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッター３８にぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。
【００５１】
［磁界発生装置の第１の実施形態］
まず、第１の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図６は、本発明の第１の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部および駆動制御回路を示す回路図である。
【００５２】
図６の磁界発生装置５０Ａは、基本的に、磁界発生部５１Ａとしての共振部５１１、並びに、駆動制御回路５２Ａとしての駆動電源電圧ＶＣＣを供給する駆動電源部５２１、基準電位部５２２、および共振駆動部５２３を有する。
【００５３】
本実施形態においては、駆動電源部５２１が供給する駆動電源電圧（以下、駆動電圧ともいう）ＶＣＣは、２４Ｖあるいは２０Ｖに設定される。駆動電源部５２１は、駆動電圧ＶＣＣの供給源ＳＶＣＣに接続された接続ノードＮＤ５１を通して駆動電圧ＶＣＣを共振部５１１に供給する。駆動電源部５２１は、接続ノードＮＤ５１と共振部５１１の電力入力ノード（第１のノードＮＤ５２）との間に逆流防止用のダイオードＤ５１が接続されている。ダイオードＤ５１は、接続ノードＮＤ５１から共振部５１１の第１のノードＮＤ５２に向かって順方向となるように接続されている。すなわち、ダイオードＤ５１は、アノードが接続ノードＮＤ５１に接続され、カソードが共振部５１１の第１のノードＮＤ５２に接続されている。
【００５４】
基準電位部５２２は、基準電位ＶＳＳに設定される。本実施形態において、基準電位は接地電位ＧＮＤである。
【００５５】
共振部５１１は、第１のノードＮＤ５２と第２のノードＮＤ５３との間にインダクタＬ５１およびキャパシタＣ５１が接続された共振回路を含み、第１のノードＮＤ５２に駆動電圧ＶＣＣを受け、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２に電気的に接続された状態で共振し、インダクタＬ５１に流れる電流に応じた磁界を発生する。すなわち、共振部５１１は、スキミング用磁気ヘッドに対し妨害磁界を発生させて、不正に磁気データを取得することを防止するように構成されている。
【００５６】
本実施形態において、共振回路は、第１のノードＮＤ５２と第２のノードＮＤ５３との間にインダクタＬ５１およびキャパシタＣ５１並列に接続されたＬＣ並列共振回路により構成されている。インダクタＬ５１であるコイルの一端が第１のノードＮＤ５２に接続され、コイルの他端が第２のノードＮＤ５３に接続されている。キャパシタＣ５１の一方の電極（端子）が第１のノードＮＤ５２に接続され、他方の電極（端子）が第２のノードＮＤ５３に接続されている。第１のノードＮＤ５２は、駆動電源部５２１の電源電圧ＶＣＣの供給ラインに接続されている。第２のノードＮＤ５３は、共振駆動部５２３の大電力用の駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を介して基準電位部５２２に選択的に接続される。
【００５７】
ＬＣ並列共振回路においては、ＬＣの互いの電流が打消しあい、共振周波数において外部からはインピーダンスが無限大に見える。このときキャパシタＣ５１の内部に電界として蓄えられたエネルギーと、インダクタＬ５１であるコイルの内部に磁界として蓄えられたエネルギーが系の内部で互いに移動する。本実施形態では、共振部５１１は、共振駆動部５２３を通してパルス状の制御信号ＣＴＬにより周期的に共振するように制御される。なお、パルス状の制御信号ＣＬＴは非周期的に共振するように制御されても良いし、周期的と非周期的とを混合するように制御されてもよい。
【００５８】
共振部５１１は、共振駆動部５２３を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との接続状態および非接続状態が切り替えられることにより、共振が誘起されて、妨害磁界を発生するように制御される。また、共振部５１１は、共振駆動部５２３を通して、カード挿入口３１１にカードＭＣが挿入され、カード検出センサ３７２がカードＭＣを検出してから、発生した磁界が妨害磁界としての機能を保持できない程度となる、あるいは発生した磁界がなくなるまで、上述した周期より長い時間、妨害磁界を発生しないように制御（磁界発生停止制御）される。この妨害磁界の発生が停止された所定期間にプリヘッド３９で磁気が検出されたか否かの判断が制御部４０で行われる。ここでいう周期とは、共振作用が誘起されて磁界を発生した後、共振エネルギーの減衰に伴い磁界が減衰するが、この減衰する磁界が妨害磁界としての機能を保持している間に、共振を誘起することができる期間をいう。
【００５９】
共振駆動部５２３は、制御部４０による制御信号ＣＴＬに応じて、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との接続状態および非接続状態が切り替えられることにより、共振が誘起されて、妨害磁界を発生するように制御する。共振駆動部５２３は、制御信号ＣＴＬに応じて、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２とが非接続状態に周期的または/および非周期的に切り替えられることにより、発生した磁界が妨害磁界としての機能を保持できない程度となる上述した周期より長い時間、妨害磁界を発生しないように制御する。
【００６０】
本実施形態の共振駆動部５２３は、たとえばバイポーラ等のトランジスタにより形成される大電力用の駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を含んで構成される。この駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１は、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との間に接続され、制御信号ＣＴＬに応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との接続状態、非接続状態を切り替える。
【００６１】
共振駆動部５２３は、制御信号ＣＴＬをたとえばアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を導通状態に駆動する。共振駆動部５２３は、制御信号ＣＴＬを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を非導通状態に駆動する。
【００６２】
次に、第１の実施形態に係る磁界発生装置５０Ａの動作を、図７に関連付けて説明する。
図７は、第１の実施形態に係る磁界発生装置の動作を説明するための波形図である。図７は、図１の磁気カードリーダ１０に図６の磁界発生装置５０Ａを搭載した場合のシミュレーション結果の波形を示している。図７（ａ）は制御信号ＣＴＬを示す図、図７（ｂ）は妨害磁界ＤＭＧを示す図である。
【００６３】
まず、妨害磁界を発生させていない状態で、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、妨害磁界を発生するように、制御信号ＣＴＬが制御部４０から磁界発生装置５０Ａにおける駆動制御回路５２Ａの共振駆動部５２３に供給される。この場合、制御信号ＣＴＬがアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。
【００６４】
これにより、共振部５１１において、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２１から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。すなわち、共振部５１１は、共振駆動部５２３を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との接続状態に切り替えられることにより、共振機能が誘起されて、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる電流が増大し、妨害磁界を発生するように制御される。
【００６５】
ここで、制御信号ＣＴＬは非アクティブのローレベル（Ｌ）で切り替えられ、共振駆動部５２３に供給される。共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が非導通状態に駆動される。
【００６６】
このとき、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に切り離されることになるが、共振部５１１は誘起された共振エネルギーによりコイル（インダクタ）Ｌ５１の電流ＩＬが減衰しながら流れ、これに伴い、妨害磁界も減衰しながらもその発生が継続された状態となっている。
【００６７】
ここで、制御部４０は、たとえばパルス状の制御信号ＣＴＬを共振駆動部５２３に供給することにより、共振部５１１で共振作用が誘起されて磁界が発生した後、共振エネルギーの減衰に伴い磁界が減衰するが、この減衰する磁界が妨害磁界としての機能を保持している間に、共振を誘起することができるように、前回の出力（供給）から一定の周期または／および非周期（ランダム）で制御信号ＣＴＬをアクティブのハイレベル（Ｈ）で共振駆動部５２３に供給する。
【００６８】
すなわち、上述したと同様に、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、再度妨害磁界を発生するように、制御信号ＣＴＬが制御部４０から駆動制御回路５２Ａの共振駆動部５２３にアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。
【００６９】
これにより、共振部５１１において、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２１から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。すなわち、共振部５１１は、共振駆動部５２３を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との接続状態に切り替えられることにより、共振機能が再度誘起されて、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる電流が増大し、妨害磁界を発生するように制御される。
【００７０】
ここで、パルス状の制御信号ＣＴＬは非アクティブのローレベル（Ｌ）で切り替えられ、共振駆動部５２３に供給される。共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が非導通状態に駆動される。
【００７１】
このとき、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に切り離されることになるが、共振部５１１は誘起された共振エネルギーによりコイル（インダクタ）Ｌ５１の電流が減衰しながら流れ、これに伴い、妨害磁界も減衰しながらもその発生が継続された状態となっている。
【００７２】
以上の動作が妨害磁界を発生する期間に繰り返し行われる。
【００７３】
このように、第１の実施形態の磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、カード挿入口３１１に不正に取り付けられたスキミング用磁気ヘッド装置に対し、妨害磁界を発生させることにより、磁気データが読み取られることを防止することができる。
【００７４】
ところで、第１の実施形態の磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、妨害磁界を共振部（共振回路）５１１によって発生させている場合において、カード検出センサ（本例ではカード幅センサ）３７２でカードが検出されると、プリヘッド３９により磁気検知を行う必要があることから、妨害磁界の発生を停止する必要がある。したがって、磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、カード検出センサ３７２でカードを検出したことをトリガとして、妨害磁界の発生を停止すべく、制御部４０は、周期的または／および非周期的な制御信号ＣＴＬの駆動制御回路５２Ａの共振駆動部５２３に対する出力を停止するように構成されている。このように、磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、カード検出センサ（カード幅センサ）３７２がカードを検出したことをトリガに妨害磁界発生のための制御信号ＣＴＬの出力を停止するが、このとき、数ｍｓの間、共振によって、磁界が残る傾向にある。上述したように、プリヘッド３９により磁気検知を行っているが、磁界が残っているとカードの磁気データなのか妨害磁界の残りなのか区別がつかなくなるおそれがある。そこで、磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、発生させた磁界が妨害磁界としての機能を保持できない程度となる、あるいは発生した磁界がなくなるまでの時間を想定して、この想定時間が経過するまで、シャッター３８を開けないように制御している。
【００７５】
たとえば、カードリーダ１０において、カード搬送方向におけるプリヘッド３９とシャッター３８との配置を共振エネルギーが磁気ヘッドへの影響を受けない程度になるまで減衰するまでの間隔（距離）となるように配置されている。また、共振エネルギーを減衰できる程度の出力に設定するようにしてもよい。さらに、カード搬送路３２を、カードＭＣを搬送する際に負荷がかかるようにして、シャッター３８までに届く時間をかせぐようにしてもよい。
【００７６】
以上のようにして、第１の本実施形態に係る磁界発生装置５０Ａにおいては、基本的に、インダクタであるコイルＬ５１およびキャパシタＣ５１を接続して形成されるＬＣ並列共振回路を有し、このＬＣ並列共振回路により大きな磁界を共振エネルギーの保持特性により所定期間継続的に発生するので、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。すなわち、不正行為者が、カードＭＣの磁気データを読み取るために、上位装置のフロントパネル２０の外部側に、カードリーダ１０のカード挿入口３１１に、スキミング用磁気ヘッド（と磁気読み取り回路を含む）装置６０を取り付けていたとしても、強い磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
【００７７】
［磁界発生装置の第２の実施形態］
次に、第２の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図８は、本発明の第２の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部および駆動制御回路を示す回路図である。図９は、本発明の第２の実施形態に係る駆動制御回路の要部をより具体的に示す回路図であり、第２の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生停止時の動作を中心に説明するための図である。
【００７８】
本第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂが上述した第１の実施形態に係る磁界発生装置５０Ａと異なる点は、次の通りである。第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂは、第１の実施形態の妨害磁界を発生するＬＣ並列共振回路における共振エネルギーを、妨害磁界の発生を停止するときに、素早く（短時間に）開放する機能を有するように構成される。この構成を採用した理由を述べる。
【００７９】
前述したように、第１の実施形態の磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、カード検出センサ（本例ではカード幅センサ）３７２でカードＭＣを検出したことをトリガとして、妨害磁界の発生を停止すべく、制御部４０は、周期的または／および非周期的な制御信号ＣＴＬの駆動制御回路５２Ａの共振駆動部５２３に対する出力を停止するように構成されている。このように、第１の実施形態の磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、カード検出センサ（カード幅センサ）がカードＭＣを検出したことをトリガに妨害磁界発生のための制御信号ＣＴＬの出力を停止するが、数ｍｓの間、共振によって、磁界が残る傾向にある。上述したように、プリヘッド３９により磁気検知を行っているが、磁界が残っているとカードＭＣの磁気データなのか妨害磁界の残りなのか区別がつかなくなるおそれがある。そこで、第１の実施形態の磁界発生装置５０Ａを搭載したカードリーダ１０においては、発生させた磁界が妨害磁界としての機能を保持できない程度となる、あるいは発生した磁界がなくなるまでの時間を想定して、この想定時間が経過するまで、シャッター３８を開けないように制御している。
【００８０】
ところが、この制御方法を採用すると、シャッター３８が開くまでの時間が長くなる傾向にあるため、素早くカードを挿入すると、カードがシャッター３８にぶつかる（衝突する）といった事象が発生するおそれがある。そこで、本第２の実施形態の磁界発生装置５０Ｂにおいては、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２に放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２を接続して共振エネルギーの放出経路（放電経路、逃げ道）を確保している。ここで、第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２は、本実施形態では、たとえばバイポーラ等のトランジスタにより形成される大電力のスイッチングが可能なトランジスタにより形成したが、これ以外のトランジスタ、たとえばＦＥＴにより形成してもよい。
【００８１】
また、本第２の実施形態の磁界発生装置５０Ｂにおいては、駆動電源部５２１Ｂの電源電圧ＶＣＣの共振部５１１Ｂへの供給ラインに妨害磁界発生停止時に電源電圧ＶＣＣの共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２への供給を停止させる第２のスイッチング素子ＳＷ５１を接続している。
【００８２】
後述するように、本第２の実施形態の磁界発生装置５０Ｂは、共振部５１１Ｂの共振を停止して共振エネルギーを開放させる場合、駆動電源部５２１Ｂの第２のスイッチング素子ＳＷ５１（たとえば、トランジスタＴＲ２）を非導通状態（ＯＦＦ状態）にして駆動電圧ＶＣＣの供給を停止してから、放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２（たとえば、としてのトランジスタＴＲ１）を導通状態（ＯＮ状態）にして共振エネルギーを開放するように構成される。
また、本第２の実施形態の駆動制御回路５２Ｂは、磁界発生開始（再開）時には、放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２を非導通状態に切り替えた後、第２のスイッチング素子ＳＷ５１を導通状態に切り替えるように構成される。
【００８３】
以下、本第２の実施形態の磁界発生装置５０Ｂの具体的な構成を、図６の構成に追加された部分を中心に詳細に説明する。磁界発生装置５０Ｂにおいては、駆動制御回路５２Ｂに放電駆動部５２４が追加され、さらに駆動電源部５２１Ｂの構成が第１の実施形態の駆動制御回路５２Ａと異なる。
【００８４】
放電駆動部５２４は、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２と放電用電位部、たとえば基準電位部５２２との間に接続され、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２と放電用電位部である基準電位部５２２との接続状態、非接続状態を切り替える大電力対応の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１を含んで構成されている。放電駆動部５２４は、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２に放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１を接続して共振エネルギーの放出経路（放電経路）を形成している。
【００８５】
本実施形態の放電駆動部５２４は、図９に示すように、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２と放電用電位部、たとえば基準電位部５２２との間に放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１が接続されている。トランジスタＴＲ１は、たとえば大電力対応の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのｎｐｎ型のバイポーラトンジスにより形成されている。
【００８６】
第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２を構成するトランジスタＴＲ１は、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２と基準電位部５２２との間に接続され、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２と基準電位部５２２との接続状態、非接続状態を切り替える。トランジスタＴＲ１は、コレクタ（Ｃ）が共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２に接続され、エミッタ（Ｅ）が基準電位部５２２に接続され、ベース（Ｂ）が第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１の供給ラインに接続されている。
【００８７】
放電駆動部５２４は、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１をたとえばアクティブのハイレベルで受けると、第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２であるトランジスタＴＲ１を導通状態に駆動する。放電駆動部５２４は、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１を非アクティブのローレベルで受けると、第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２であるトランジスタＴＲ１を非導通状態に駆動する。
【００８８】
駆動電源部５２１Ｂは、駆動電圧ＶＣＣの供給源ＳＶＣＣと共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２との間に接続され、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、駆動電圧の供給源ＳＶＣＣと共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２との接続状態、非接続状態を切り替える第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２を含んで構成されている。本第２の実施形態の駆動電源部５２１Ｂにおいては、第２のスイッチング素子ＳＷ５１により、妨害磁界発生停止時に電源電圧ＶＣＣの共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２への供給を停止させる。
【００８９】
本実施形態の駆動電源部５２１Ｂは、図９に示すように、駆動電圧ＶＣＣの供給源ＳＶＣＣと共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２との間に第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２が接続されている。トランジスタＴＲ２は、たとえばｎｐｎ型バイポーラトンジスにより形成されている。
【００９０】
第２のスイッチング素子ＳＷ５１を構成するトランジスタＴＲ２は、接続ノードＮＤ５１とダイオードＤ５１のアノード（さらには共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２）との間に接続され、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２に応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、接続ノードＮＤ５１と共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２との接続状態、非接続状態を切り替える。トランジスタＴＲ２は、エミッタ（Ｅ）が接続ノードＮＤ５１（さらに駆動電圧ＶＣＣの供給源ＳＶＣＣ）に接続され、コレクタ（Ｃ）がダイオードＤ５１のアノードに接続され、ベース（Ｂ）が第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２の供給ラインに接続されている。
【００９１】
駆動電源部５２１Ｂは、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２をたとえばアクティブのローレベルで受けると、第２のスイッチング素子ＳＷ５１であるトランジスタＴＲ２を非導通状態に駆動し、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２を非アクティブのハイレベルで受けると、第２のスイッチング素子ＳＷ５１であるトランジスタＴＲ２を導通状態に駆動する。
【００９２】
本第２の実施形態の駆動制御回路５２Ｂに供給される第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１および第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２は、基本的に、相補的なレベルをとるように制御部４０において生成される。すなわち、基本的に、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１がハイレベルに設定される場合、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２はローレベルに設定され、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１がローレベルに設定される場合、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２はハイレベルに設定される。
【００９３】
本実施形態においては、磁界発生時、すなわち、スキミング用磁気ヘッドに対して妨害磁界を発生させる時には、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１がローレベルに設定され、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２はハイレベルに設定される。その結果、放電駆動部５２４の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１は非導通状態に切り替えられ、駆動電源部５２１Ｂの第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２は導通状態に切り替えられる。
【００９４】
磁界発生停止時には、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１がハイレベルに設定され、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２はローレベルに設定される。その結果、放電駆動部５２４の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１は導通状態に切り替えられ、駆動電源部５２１Ｂの第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２は非導通状態に切り替えられる。この場合、効率的な共振エネルギーの放出（放電）を行うために、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２がローレベルに設定されて第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２が非導通状態に切り替えられた後、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１がハイレベルに切り替えられて、第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてはトランジスタＴＲ１が導通状態に切り替えられる。
【００９５】
磁界発生開始（再開）時には、効率的な電力供給を行うために、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１がローレベルに設定されて第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１が非導通状態に切り替えられた後、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２がハイレベルに切り替えられて、第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてはトランジスタＴＲ２が導通状態に切り替えられる。
【００９６】
以上の構成を有する磁界発生装置５０Ｂは、回路配置としては、上述した第１実施形態の磁界発生装置５０Ａと同様に、図１に示すように、フロントパネル２０の内部側（裏面側）近傍に磁界発生装置５０Ｂを、全体回路を含んで配置することができるが、たとえばコイル（インダクタ）Ｌ５１およびキャパシタＣ５１のみフロントパネル２０の内部側近傍に配置し、残りの回路系を他の位置、たとえば制御部４０側に配置する等、種々の態様が可能である。
【００９７】
この磁界発生装置５０Ｂは、妨害磁界の出力を増大、継続させることが可能となることはもとより、プリヘッド３９による磁界の誤検知を防止でき、また、シャッター３８の開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッター３８にぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。
【００９８】
次に、第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂの動作を、図９および図１０に関連付けて説明する。図９は、第２の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生停止時の動作を中心に説明するための図である。図１０は、第２の実施形態に係る磁界発生装置の動作を説明するための波形図である。図１０は、図１のカードリーダに図８および図９の磁界発生装置５０Ｂを搭載した場合のシミュレーション結果の波形を示している。図１０（ａ）制御信号ＣＴＬを示す図、図１０（ｂ）は第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２を示す図、図１０（ｃ）は第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１を示す図、図１０（ｄ）は妨害磁界ＤＭＧを示す図である。
【００９９】
以下では、第１の実施形態における動作説明と重複する部分もあるが、まず通常の妨害磁界発生開始の動作を説明した後、カード検出後の共振エネルギーの放出（放電）処理を伴う妨害磁界発生停止動作について説明する。
【０１００】
［妨害磁界発生動作］
磁界発生装置５０Ｂが磁界を発生する場合、すなわち、スキミング用磁気ヘッドに対して妨害磁界を発生させる場合、共振エネルギーの放出（放電）は行わず、かつ、駆動電圧ＶＣＣが共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２に供給され、さらに、共振部５１１Ｂの第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２に接続されている必要がある。
【０１０１】
これを踏まえて、まず、共振エネルギーの放出（放電）が行われないように、図９（Ａ）に信号波形で示すように、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１が非アクティブのローレベル（Ｌ）で制御部４０から駆動制御回路５２Ｂの放電駆動部５２４に供給される。放電駆動部５２４では、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１を非アクティブのローレベルで受けると、第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２であるトランジスタＴＲ１が非導通状態に駆動される。これにより、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２からの共振エネルギーの放出（放電）は行われない状態となる。
【０１０２】
これと並行して、駆動電圧ＶＣＣが共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２に供給されるように、図９（Ａ）の信号波形で示すように、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２が非アクティブのハイレベル（Ｈ）で制御部４０から駆動制御回路５２Ｂの駆動電源部５２１Ｂに供給される。
駆動電源部５２１Ｂでは、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２を非アクティブのハイレベル（Ｈ）で受けると、第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ１が導通状態（ＯＮ状態）となる。
トランジスタＴＲ１が導通状態に遷移したことに伴い、駆動電源部５２１Ｂからの駆動電圧ＶＣＣが共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２に供給された状態となる。
【０１０３】
そして、たとえば（妨害）磁界を発生させていない状態で、図１０（ａ）に示すように、妨害磁界を発生するように、制御信号ＣＴＬが制御部４０から駆動制御回路５２Ａの共振駆動部５２３に供給される。
この場合、制御信号ＣＴＬがアクティブのハイレベル（Ｈ）でパルス状に供給される。
共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。
【０１０４】
これにより、共振部５１１Ｂにおいて、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に接続状態となる。上述したように、共振部５１１Ｂにおいては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２１から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。
すなわち、共振部５１１Ｂは、共振駆動部５２３を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との接続状態に切り替えられることにより、共振機能が誘起されて、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる電流が増大し、スキミング用磁気ヘッドに対して妨害磁界を発生するように制御される。
【０１０５】
ここで、制御信号ＣＴＬは非アクティブのローレベル（Ｌ）に切り替えられ、共振駆動部５２３に供給される。
共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が非導通状態に駆動される。
【０１０６】
このとき、共振部５１１Ｂの第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に切り離されることになるが、共振部５１１Ｂは誘起された共振エネルギーによりコイル（インダクタ）Ｌ５１の電流が減衰しながら流れ、これに伴い、妨害磁界も減衰しながらもその発生が継続された状態となっている。
【０１０７】
ここで、制御部４０は、パルス状の制御信号ＣＴＬを共振駆動部５２３に供給したことにより、共振部５１１Ｂで共振作用が誘起されて磁界が発生した後、共振エネルギーの減衰に伴い磁界が減衰するが、この減衰する磁界が妨害磁界としての機能を保持している間に、共振を誘起することができるように、前回の出力（供給）から一定の周期または／および非周期（ランダム）で制御信号ＣＴＬをアクティブのハイレベル（Ｈ）で共振駆動部５２３に供給する。
【０１０８】
すなわち、上述したと同様に、図１０（ａ）に示すように、再度妨害磁界を発生するように、制御信号ＣＴＬが制御部４０から駆動制御回路５２Ｂの共振駆動部５２３にアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。
共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。
【０１０９】
これにより、共振部５１１Ｂにおいて、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２１から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。
すなわち、共振部５１１Ｂは、共振駆動部５２３を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２２との接続状態に切り替えられることにより、共振機能が再度誘起されて、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる電流が増大し、妨害磁界を発生するように制御される。
【０１１０】
ここで、制御信号ＣＴＬは非アクティブのローレベル（Ｌ）で切り替えられ、共振駆動部５２３に供給される。
共振駆動部５２３では、制御信号ＣＴＬを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が非導通状態に駆動される。
【０１１１】
このとき、共振部５１１Ｂの第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２２と電気的に切り離されることになるが、共振部５１１Ｂは誘起された共振エネルギーによりコイル（インダクタ）Ｌ５１の電流が減衰しながら流れ、これに伴い、妨害磁界も減衰しながらもその発生が継続された状態となっている。
【０１１２】
以上の動作が妨害磁界を発生する期間に繰り返し行われる。
【０１１３】
このように、第２の実施形態の磁界発生装置５０Ｂを搭載したカードリーダ１０においては、カード挿入口３１１に不正に取り付けられたスキミング用磁気ヘッド（読み取り回路を含め）装置に対し、妨害磁界を発生させることにより、磁気データが読み取られることを防止することができる。
【０１１４】
［妨害磁界発生停止動作］
次に、カード検出センサ（本例ではカード幅センサ）３７２によるカード検出後の共振エネルギーの放出（放電）処理を伴う妨害磁界発生停止動作について説明する。
制御部４０は、カード検出センサ３７２がカードを検出したことを示す信号を受けると、制御部４０において、共振エネルギーの放出（放電）を行い、発生し残留している可能性の高い妨害磁界を素早く消失させるような駆動制御が行われる。
この場合、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２が放電用電位である基準電位部５２２に電気的に接続され、また、望ましくは共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２への駆動電圧ＶＣＣの供給が停止される必要がある。
【０１１５】
これを踏まえて、共振エネルギーの放出が効率良く行われるように、駆動電圧ＶＣＣが共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２への供給が停止されるよう、図９（Ｂ）に信号波形で示すように、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２がアクティブのローレベル（Ｌ）で制御部４０から駆動制御回路５２Ｂの駆動電源部５２１Ｂに供給される。
駆動電源部５２１Ｂでは、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２をアクティブのローレベル（Ｌ）で受けると、第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２が非導通状態（ＯＦＦ状態）となる。
トランジスタＴＲ２が非導通状態に遷移したことに伴い、駆動電源部５２１からの駆動電圧ＶＣＣの共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２への供給が停止された状態となる。
【０１１６】
これと並行して、共振部５１１Ｂの共振エネルギーの放出（放電）が行うように、図９（Ｂ）に信号波形で示すように、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１が非アクティブのローレベル（Ｌ）からアクティブのハイレベル（Ｈ）に切り替えられて制御部４０から駆動制御回路５２Ｂの放電駆動部５２４に供給される。
放電駆動部５２４では、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１をアクティブのハイレベルで受けると、第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２であるトランジスタＴＲ１が導通状態に駆動される。
これにより、共振部５１１Ｂにおいて、第１のノードＮＤ５２が基準電位部５２２と電気的に接続状態となり、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２からの共振エネルギーの放出（放電）が行われる状態となり、共振部５１１Ｂにおける共振エネルギーが速やかに（素早く）、放出（放電）される。
【０１１７】
このような共振エネルギーの放出が終了し、シャッター３８を開ける等の処理を行ってから、再度妨害磁界を発生する場合には、基本的に、上述した磁界発生動作で説明した動作と同様の動作が行われる。
ただし、効率的な切り替えおよび動作電圧の電力供給を行うために、磁界発生再開時には、図９（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１がローレベルに設定されて第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１が非導通状態に切り替えられた後、第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２がハイレベルに切り替えられて、第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてはトランジスタＴＲ１が導通状態に切り替えられる。
【０１１８】
以上のように、第２の実施形態の磁界発生装置５０Ｂは、妨害磁界の出力を増大、継続させることが可能となることはもとより、プリヘッド３９による磁界の誤検知を防止でき、また、シャッター３８の開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッター３８にぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。
【０１１９】
［磁界発生装置の第３の実施形態］
次に、第３の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図１１は、本発明の第３の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部および駆動制御回路を示す回路図である。
【０１２０】
本第３の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｃが上述した第２の実施形態に係る図９の磁界発生装置５０Ｂと異なる点は、次の通りである。
磁界発生装置５０Ｃの駆動制御回路５２Ｃにおいては、図９において、放電駆動部の大電力のバイポーラトランジスタで形成したｎｐｎ型トランジスタを、ｎチャネルの電界効果トランジスタ（ＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ１Ｎにより形成している。
同様に、駆動制御回路５２Ｃにおいては、図９において、駆動電源部のｎｐｎ型トランジスタで形成したトランジスタをｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ２ｎにより形成している。
【０１２１】
その他の構成は、第２の実施形態と同様であり、本第３の実施形態によれば、上述した第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２２】
［カードリーダのカード取り込みおよび排出動作］
最後に、一例として、カードリーダ１０のカードＭＣの取り込みおよび排出動作を磁界発生装置５０Ｂの駆動タイミングと関連付けて説明する。
【０１２３】
まず、取り込み動作を図１２および図１３に関連付けて説明する。
図１２は、カード取込み時の動作を説明するためのフローチャートである。
図１３は、カード取込み時の動作を説明するための図である。
【０１２４】
ここでは、制御部４０による制御の下、磁界発生装置５０Ｂの駆動制御回路５２Ｂが駆動されてスキミング用磁気ヘッドに対して妨害磁界が発生されている状態で（ステップＳＴ１）、利用者がカードＭＣをカード挿入口３１１に挿入すると（ステップＳＴ２）、カード検出センサ３７２によって挿入されたカードが検出される（ステップＳＴ３）。この検出情報は制御部４０に供給される。
制御部４０は、カードＭＣの挿入が検出されると、次にプリヘッド３９がカードＭＣに形成された磁気ストライプｍｐを摺動し、磁気ストライプｍｐ上に書き込まれている磁気データを読み取る。このとき、制御部４０は、プリヘッド３９がカードＭＣの磁気データを読み取る、磁気検出が行われる際に、残留妨害磁界が磁気検出に影響を与えないように、上述した動作と同様に、磁界発生を停止させ、駆動制御回路５２Ｂの共振部５１１Ｂの共振エネルギーを放出（放電）させるべく、第１の磁界発生停止信号ＳＴＰ１および第２の磁界発生停止信号ＳＴＰ２をアクティブで出力する（ステップＳＴ４、ＳＴ５）。
この状態で、挿入されたカードＭＣに形成されている磁気ストライプがカード挿入検出用のプリヘッド３９によって検出される（ステップＳＴ６）。
そして、このプリヘッド３９による検出信号により、制御部４０は、磁界発生装置５０Ｂの駆動制御回路５２Ｂを所定時間駆動して、妨害磁界を発生させる（ステップＳＴ７）。
そして、妨害磁界を発生した状態で、制御部４０は、シャッター３８を開き（ステップＳＴ８）、駆動モータ３８を起動して（ステップＳＴ９）、取込みローラ対３３１を含む搬送系を駆動する。
【０１２５】
この結果、カードＭＣを内部に取込み可能になる。
カードＭＣがシャッター３８の位置を超えて奥まで挿入されると、その先端が取込み排出ローラ３３１にくわえ込まれて、カードＭＣの取込み動作が開始される（ステップＳＴ１０）。
【０１２６】
ここで、本例では、カードＭＣの取り込みが開始された後は、たとえばカードＭＣの後端がカード挿入口３１１から突出している状態の間は、磁界発生装置５０Ｂにより妨害磁界を発生させ、その後、妨害磁界の発生を停止するようにしている（ステップＳＴ１１）。
妨害磁界の発生時間は、カード挿入検出用のプリヘッド３９による検出時点からの経過時間やカード検出センサ３７等によって管理できる。
【０１２７】
次に、カードＭＣを読み取り用の磁気ヘッド３１の位置まで取り込んだ後は、磁気ヘッド３４により、カードＭＣの読み取り動作あるいは書き込み動作を行う（ステップＳＴ１２）。
【０１２８】
このように、本例のカードＭＣの取込み動作においては、カードＭＣの後端がカード挿入口３１１から突出している時点で、妨害磁界を発生させるようにしている。
この結果、たとえば、図１３において想像線で示すように、カード挿入口３１１の外部側位置、たとえば、上位装置のフロントパネル２０の表面にスキミング用磁気ヘッド装置６１が取り付けられていたとしても、妨害磁界の発生により、挿入されるカードＭＣの磁気データをスキミング用磁気ヘッド６１によっては完全に読み取ることはできない。
よって、このようなスキミング用磁気ヘッド６１による磁気データの不正な読み取りを阻止できる。
【０１２９】
次に、排出動作を図１４および図１５に関連付けて説明する。
図１４は、カード排出時の動作を説明するためのフローチャートである。
図１５は、カード排出時の動作を説明するための図である。
【０１３０】
この場合、ローラ３３１，３３２，３３３によってカードＭＣの排出動作を開始し（ステップＳＴ２１）、排出されるカードＭＣの排出方向の先端がカード検出センサ３７によって検出されると（ステップＳＴ２２）、磁界発生装置５０Ｂが駆動され、妨害磁界が発生される（ステップＳＴ２３）。
【０１３１】
この後は、フォトセンサ３５２によって排出されるカードＭＣの後端が検出されると（ステップＳＴ２４）、駆動モータ３６を停止して（ステップＳＴ２５）、カード排出動作を終了する。
この後、制御部４０は、磁界発生装置５０の駆動制御回路５２Ｂの駆動を止め、妨害磁界の発生を停止させる（ステップＳＴ２６）。
【０１３２】
カード排出動作が終了した時点では、カードＭＣの後端が搬送ローラ３３１にくわえ込まれた状態にある。
利用者が軽くカードＭＣを引っ張ることにより、カード挿入口３１１からカードＭＣを取り出すことができる。
なお、利用者がカードＭＣを取り出すことを忘れた場合には、所定の時間経過後に、搬送ローラ対３６を駆動して、カードＭＣを内部に回収できるようになっている。
【０１３３】
このように、本例のカードリーダ１０では、カードの排出時においても、その排出側の先端部分がカード挿入口３１１から外部の突き出た状態で、一時的に妨害磁界を発生させるようにしている。
したがって、フロントパネル表面にスキミング用磁気ヘッド６１装置が取り付けられていたとしても、このスキミング用磁気ヘッド６１装置によって排出されるカードＭＣの磁気データが読み取られてしまうことを阻止できる。
【０１３４】
なお、本例では、一例であって、磁界発生装置５０Ｂの駆動を、カード挿入時および排出時に所定の期間にわたり１回だけ駆動しているが、２回以上に亘り間欠的に駆動してもよく、種々の態様が可能である。
【０１３５】
［実施形態の効果］
上述したように、本実施形態においては、以下の効果を得ることができる。
本実施形態においては、基本的に、インダクタであるコイルＬおよびキャパシタＣを接続して形成されるＬＣ並列共振回路を有し、このＬＣ並列共振回路により強い磁界を共振エネルギーの保持特性により所定期間継続的に発生するので、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、不正行為者が、カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、スキミング用磁気ヘッドと磁気読み取り回路を含むいわゆるスキミング用磁気ヘッド装置（スキマー）６０を取り付けていたとしても、強い磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
【０１３６】
また、本実施形態によれば、磁界発生装置５０Ｂにおいて、共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２に放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１を接続して共振エネルギーの放出経路（放電経路、逃げ道）を確保している。
また、磁界発生装置５０Ｂにおいては、駆動電源部５２１Ｂの電源電圧ＶＣＣの共振部５１１Ｂへの供給ラインに妨害磁界発生停止時に電源電圧ＶＣＣの共振部５１１Ｂの第１のノードＮＤ５２への供給を停止させる第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２を接続している。
その結果、本実施形態によれば、妨害磁界の出力を増大、継続させることが可能となることはもとより、プリヘッド３３−２による磁界の誤検知を防止でき、また、シャッターの開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッターにぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。
【０１３７】
磁界発生装置５０Ｂは、共振部５１１Ｂの共振を停止して共振エネルギーを開放させる場合、駆動電源部５２１Ｂの第２のスイッチング素子ＳＷ５１としてのトランジスタＴＲ２を非導通状態（ＯＦＦ状態）にして駆動電圧ＶＣＣの供給を停止してから、放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１を導通状態（ＯＮ状態）にして共振エネルギーを開放するように構成される。
その結果、効率良く共振エネルギーの放出（放電）を行うことができる。
【０１３８】
また、本第２の実施形態の磁界発生装置５０Ｂは、磁界発生開始（再開）時には、放電用の第１のスイッチング素子ＤＳＷ５２としてのトランジスタＴＲ１を非導通状態に切り替えた後、第２のスイッチング素子ＳＷ５５としてのトランジスタＴＲ２を導通状態に切り替えるように構成される。
その結果、効率良く磁界発生を開始または再開させることができる。
【０１３９】
また、本実施形態に係る磁界発生装置によれば、不正行為者が、カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、スキミング用磁気ヘッドと磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマーを取り付けていたとしても、磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大、継続させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
また、本実施形態では、妨害磁界の発生磁気を、カードの挿入時および排出時としているので、磁気遮蔽板等を設けなくとも、内部の記録・再生用の磁気ヘッドによる動作が阻害されることがない。
【符号の説明】
【０１４０】
１０・・・カードリーダ（磁気記録媒体理装置）、２０・・・フロントパネル、２１・・・開口、３０・・・カード処理部、３１・・・磁気ヘッド、３１１・・・カード挿入口、３７・・・カード挿入検出機構、３７２・・・カード検出センサ、３８・・・シャッター、３９・・・プリヘッド、４０・・・制御部、５０，５０Ａ〜５０Ｃ・・・磁界発生装置、５１・・・磁界発生部、５１１，５１１Ａ，５１１Ｂ・・・共振部、５２，５２Ａ，５２Ｂ・・・駆動制御回路、５２１，５２１Ｂ・・・駆動電源部、５２２・・・基準電位部、５２３・・・共振駆動部、５２４，５２４Ｂ・・・放電駆動部、ＮＤ５１・・・接続ノード、ＮＤ５２・・・第１のノード、ＮＤ５３・・・第３のノード、Ｌ５１・・・インダクタ、Ｃ５１・・・キャパシタ、ＤＳＷ５１・・・駆動スイッチング素子、ＤＳＷ５２・・・第１のスイッチング素子、ＳＷ５１・・・第２のスイッチング素子、ＭＣ・・・カード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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