(57)【要約】【課題】従来の車両用灯具システムでは、発光状態の複数個の半導体発光素子が消える場合がある。【解決手段】この発明は、３個の半導体発光素子２１〜２３と、入力電圧監視検出部４と、スイッチ素子ＳＷと、リニアＩＣ５と、を備える。入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、入力電圧監視検出部４は、第１の検出信号を、スイッチ素子ＳＷとリニアＩＣ５とに同時に出力する。スイッチ素子ＳＷは、発光状態の半導体発光素子の個数を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らす。リニアＩＣ５は、半導体発光素子への供給電流を６６７ｍＡから１０００ｍＡに増やす。この結果、この発明は、入力電圧がバッテリーの動作保証における電圧変化範囲（９Ｖ〜１６Ｖ）内であれば、半導体発光素子２１、２２の発光状態を維持することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両用灯具の点灯回路であって、
直列に接続されている複数個の半導体発光素子と、
入力電圧を監視し、かつ、前記入力電圧が所定電圧値以下に低下した時点を検出して出力する入力電圧監視検出部と、
前記入力電圧監視検出部からの前記出力により、全個が発光状態の前記半導体発光素子の個数を減らす切替手段と、
前記半導体発光素子に設定された定電流を供給し、かつ、前記入力電圧監視検出部からの前記出力により、全個が発光状態の前記半導体発光素子に供給する定電流の値に対して、発光状態の個数が減らされた前記半導体発光素子に供給する定電流の値を、増加させる定電流制御供給部と、
を備える、
ことを特徴とする車両用灯具の点灯回路。
【請求項２】
前記半導体発光素子は、ＧａＮ系のチップから構成されていて、かつ、３個直列に接続されていて、
前記切替手段は、前記入力電圧監視検出部からの前記出力により、３個が発光状態の前記半導体発光素子の個数を２個に減らす、
ことを特徴とする請求項１に記載の車両用灯具の点灯回路。
【請求項３】
直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットにおいて、
光源部と、ソケット部と、を備え、
前記光源部は、基板と、前記基板に実装されている前記請求項１または２に記載の車両用灯具の点灯回路と、を有し、
前記ソケット部は、前記光源部を保持する保持部材と、前記点灯回路に給電する給電部材と、を有する、
ことを特徴とする車両用灯具の光源ユニット。
【請求項４】
複数個の前記半導体発光素子は、前記基板に集中して実装されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の車両用灯具の光源ユニット。
【請求項５】
前記半導体発光素子は、３個前記基板に一直線上にそれぞれ位置するように集中して実装されていて、
３個が発光状態の前記半導体発光素子の個数を２個に減らす前記半導体発光素子は、中間の前記半導体発光素子である、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の車両用灯具の光源ユニット。
【請求項６】
前記半導体発光素子は、３個前記基板に正三角形の３角にそれぞれ位置するように集中して実装されていて、
３個が発光状態の前記半導体発光素子の個数を２個に減らす前記半導体発光素子は、中間の前記半導体発光素子である、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の車両用灯具の光源ユニット。
【請求項７】
灯室を区画するランプハウジングおよびランプレンズと、
前記ソケット部が前記ランプハウジングに取り付けられていて、かつ、前記光源部が前記灯室内に配置されている前記請求項３〜６のいずれか１項に記載の車両用灯具の光源ユニットと、
を備える、
ことを特徴とする車両用灯具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、車両用灯具の点灯回路であって、複数個の半導体発光素子が直列に接続されている車両用灯具の点灯回路に関するものである。また、この発明は、車両用灯具の光源ユニットであって、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットに関するものである。さらに、この発明は、車両用灯具であって、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする光源ユニットを使用する車両用灯具に関するものである。特に、この発明は、入力電圧（供給電圧）が低下しても、半導体発光素子の発光状態（点灯状態）を確実に維持することができる車両用灯具の点灯回路、車両用灯具の光源ユニット、車両用灯具（以下、総称して、あるいは、組み合わせて、あるいは、単独で、「車両用灯具システム」と称する）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の車両用灯具システムは、従来からある（たとえば、特許文献１、特許文献２、特許文献３）。従来の車両用灯具システムは、複数個の半導体発光素子（発光素子、発光ダイオード、ＬＥＤ）が直列に接続されていて、かつ、半導体発光素子に抵抗が直列に接続されているものである。半導体発光素子に順方向降下電圧（Ｖｆ）以上の電圧を加えると、半導体発光素子に電流が供給されて、半導体発光素子が発光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２４０６２７号公報
【特許文献２】特開２０１２−２４０４９２号公報
【特許文献３】特開２００８−６０６０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記の車両用灯具システムにおいては、車両に搭載したバッテリーを電源とするものである。この車両搭載バッテリーの動作保証における電圧の変化範囲（変動範囲）は、９Ｖ〜１６Ｖの範囲内である。このために、前記の車両用灯具システムにおいては、バッテリーの動作保証における電圧変化範囲内において、複数個の半導体発光素子の発光状態（点灯状態）を確実に維持することが必要である。また、近年のアイドリングストップ機能（７Ｖまで低下する）での電圧低下時でも確実に点灯維持することが求められている。
【０００５】
ところが、前記の従来の車両用灯具システムは、入力電圧がバッテリーの動作保証における電圧変化範囲内であっても、その入力電圧が直列に接続されている複数個の半導体発光素子の順方向降下電圧（Ｖｆ）以下になると、発光状態の複数個の半導体発光素子が消える場合がある。また、アイドリングストップ時の電圧低下状態ではより消える状況にある。
【０００６】
この発明が解決しようとする課題は、従来の車両用灯具では、入力電圧がバッテリーの動作保証における電圧変化範囲内であっても、発光状態の複数個の半導体発光素子が消える場合があり、また、アイドリングストップ時の急激な低下ではより顕著に消える状況にある、という点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明（請求項１にかかる発明）は、車両用灯具の点灯回路であって、直列に接続されている複数個の半導体発光素子と、入力電圧を監視し、かつ、入力電圧が所定電圧値以下に低下した時点を検出して出力する入力電圧監視検出部と、入力電圧監視検出部からの出力により、全個が発光状態の半導体発光素子の個数を減らす切替手段と、半導体発光素子に設定された定電流を供給し、かつ、入力電圧監視検出部からの出力により、全個が発光状態の半導体発光素子に供給する定電流の値に対して、発光状態の個数が減らされた半導体発光素子に供給する定電流の値を、増加させる定電流制御供給部と、を備える、ことを特徴とする。
【０００８】
この発明（請求項２にかかる発明）は、半導体発光素子が、ＧａＮ系のチップから構成されていて、かつ、３個直列に接続されていて、切替手段が、入力電圧監視検出部からの出力により、３個が発光状態の半導体発光素子の個数を２個に減らす、ことを特徴とする。
【０００９】
この発明（請求項３にかかる発明）は、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットにおいて、光源部と、ソケット部と、を備え、光源部が、基板と、基板に実装されている前記請求項１に記載の車両用灯具の点灯回路と、を有し、ソケット部が、光源部を保持する保持部材と、点灯回路に給電する給電部材と、を有する、ことを特徴とする。
【００１０】
この発明（請求項４かかる発明）は、複数個の半導体発光素子が、基板に集中して実装されている、ことを特徴とする。
【００１１】
この発明（請求項５かかる発明）は、半導体発光素子が、３個基板に一直線上にそれぞれ位置するように集中して実装されていて、３個が発光状態の半導体発光素子の個数を２個に減らす半導体発光素子が、中間の半導体発光素子である、ことを特徴とする。
【００１２】
この発明（請求項６かかる発明）は、半導体発光素子が、３個前記基板に正三角形の３角にそれぞれ位置するように集中して実装されていて、３個が発光状態の半導体発光素子の個数を２個に減らす半導体発光素子が、中間の半導体発光素子である、ことを特徴とする。
【００１３】
この発明（請求項７にかかる発明）は、灯室を区画するランプハウジングおよびランプレンズと、ソケット部がランプハウジングに取り付けられていて、かつ、光源部が灯室内に配置されている請求項２または３に記載の車両用灯具の光源ユニットと、を備える、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この発明の車両用灯具システムは、入力電圧監視検出部と切替手段とにより、入力電圧が所定電圧値以下に低下した時点で、発光状態の半導体発光素子の個数を減らすものである。このために、直列に接続されている半導体発光素子の順方向降下電圧が、発光状態の半導体発光素子の個数を減らした分低下する。これにより、入力電圧がバッテリーの動作保証における電圧変化範囲内であれば、減らされた個数において半導体発光素子の発光状態を維持することができると共に、アイドリングストップレベルの低下状態（７Ｖ）でも発光状態を維持することができる。
【００１５】
また、この発明の車両用灯具システムは、定電流制御供給部により、入力電圧が所定電圧値以下に低下した時点で、全個が発光状態の半導体発光素子に供給する定電流の値に対して、発光状態の個数が減らされた半導体発光素子に供給する定電流の値が、増加する。このために、半導体発光素子が全個の発光状態のときの損失電力の値と、半導体発光素子が減らされた個数の発光状態のときの損失電力の値とは、さほど大きく変わらない。この結果、電力を上げることができ、その分、明るい光（高光束の光、高光度の光、高照度の光）が得られる。しかも、半導体発光素子が全個の発光状態のときの光の明るさ（光束、光度、照度）と、半導体発光素子が減らされた個数の発光状態のときの光の明るさとを、ほぼ同等にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態１を示す点灯回路の説明図である。
【図２】図２は、車両用灯具および光源ユニットを示す一部が破断されている一部側面図である。
【図３】図３は、レンズ部を除いた状態の光源ユニットを示す正面図（レンズ部を除いた状態の図２におけるＩＩＩ矢視図）である。
【図４】図４は、３個の半導体発光素子の配置を示す説明図である。
【図５】図５は、入力電圧と供給電流、損出電力、光束との相対関係を示す説明図である。
【図６】図６は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態２を示す点灯回路の説明図である。
【図７】図７は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態３を示す点灯回路の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態（実施例）のうちの３例について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１８】
（実施形態１の構成の説明）
図１〜図５は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態１を示す。以下、この実施形態１における車両用灯具システムの構成について説明する。
【００１９】
図５（Ａ）は、入力電圧と供給電流との相対関係を示す説明図である。縦軸は、半導体発光素子の供給電流を示し、単位は、ミリアンペア（ｍＡ）である。横軸は、点灯回路の入力電圧を示し、単位は、ボルト（Ｖ）である。小黒四角は、３個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。小黒丸は、２個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。
【００２０】
図５（Ｂ）は、入力電圧と損出電力との相対関係を示す説明図である。縦軸は、電力損失を示し、単位は、ワット（Ｗ）である。横軸は、点灯回路の入力電圧を示し、単位は、ボルト（Ｖ）である。小黒四角は、３個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。小黒丸は、２個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。
【００２１】
図５（Ｃ）は、入力電圧と光束との相対関係を示す説明図である。縦軸は、光源ユニットの光束を示し、単位は、ルーメン（ｌｍ）である。横軸は、点灯回路の入力電圧を示し、単位は、ボルト（Ｖ）である。小白丸は、２個および３個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。
【００２２】
（車両用灯具１００の説明）
図２において、符号１００は、この実施形態１における車両用灯具である。前記車両用灯具１００は、この例では、白色光あるいはアンバー色光を照射するランプ（デイタイムランニングランプ、バックアップランプ、クリアランスランプ、ターンシグナルランプ）である。前記車両用灯具１００は、車両（図示せず）の前部あるいは後部あるいは前後両部の左右にそれぞれ装備される。前記車両用灯具１００は、他のランプと組み合わせられる場合がある。
【００２３】
前記車両用灯具１００は、図２に示すように、ランプハウジング１０１およびランプレンズ（図示せず）と、この実施形態１における車両用灯具の光源ユニット１と、を備えるものである。
【００２４】
前記ランプハウジング１０１は、たとえば、光不透過性の部材、例えば、樹脂部材から構成されている。前記ランプハウジング１０１は、一方（後方）が開口し、他方（前方）が閉塞されている中空形状をなす。前記ランプハウジング１０１の閉塞部には、取付孔１０２が設けられている。前記取付孔１０２は、円形形状をなす。前記取付孔１０２の縁には、複数個の凹部（図示せず）と複数個のストッパ部（図示せず）とがほぼ等間隔に設けられている。
【００２５】
前記ランプレンズは、たとえば、光透過性の部材、例えば、透明樹脂部材やガラス部材から構成されている。前記ランプレンズは、一方（前方）が開口し、他方（後方）が閉塞されている中空形状をなす。前記ランプレンズの開口部の周縁部と前記ランプハウジング１０１の開口部の周縁部とは、水密に固定されている。前記ランプハウジング１０１および前記ランプレンズにより、灯室１０３が区画されている。なお、前記灯室１０３内にリフレクタ（図示せず）を配置しても良い。前記リフレクタは、前記光源ユニット１から放射される光を所定の配光パターンに配光制御する配光制御部である。
【００２６】
（光源ユニット１の説明）
前記光源ユニット１は、図２〜図４に示すように、光源部１０と、ソケット部１１と、光学部品としてのレンズ部１２と、を備える。前記光源部１０は、前記ソケット部１１の一端部に取り付けられている。前記レンズ部１２は、前記ソケット部１１の一端部に固定もしくは着脱可能に取り付けられている。前記光源部１０は、前記ソケット部１１と、キャップ形状もしくはカバー形状の前記レンズ部１２と、により覆われている。
【００２７】
前記光源ユニット１は、図２に示すように、前記車両用灯具１００に装備されている。すなわち、前記ソケット部１１が前記ランプハウジング１０１にパッキン（Ｏリング）１０４を介して着脱可能に取り付けられている。前記光源部１０および前記レンズ部１２が前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２を経て前記灯室１０３内に配置されている。
【００２８】
（光源部１０の説明）
前記光源部１０は、図１、図３、図４（Ａ）に示すように、基板２と、前記基板２に実装されているこの実施形態１における車両用灯具の点灯回路と、前記基板２に取り付けられている包囲壁部材２０および透明な封止部材２００と、を有するものである。
【００２９】
（基板２の説明）
前記基板２は、この例では、セラミック基板、一面に絶縁層が設けられている金属基板（アルミ基板）、ＦＲ４などである。前記基板２の一面には、前記点灯回路、前記包囲壁部材２０、前記封止部材２００が実装されている。なお、前記基板２の一面の実装面には、高反射塗料や高反射蒸着などの高反射面を設けても良い。前記基板２の他面は、図示しない熱伝導性媒体（熱伝導性接着剤、グリース、熱伝導性グリースなど）を介して前記ソケット部１１に密着固定されている。前記基板２は、図３に示すように、平面から見てほぼ長方形形状もしくはほぼ正方形形状をなす。
【００３０】
（点灯回路の説明）
前記点灯回路は、図１に示すように、複数個この例では３個の半導体発光素子２１、２２、２３（以下、「２１〜２３」と記載する場合がある）と、入力電圧監視検出部４と、切替手段としてのスイッチ素子ＳＷと、定電流制御供給部と、他の電子部品と、を備える。
【００３１】
（半導体発光素子２１〜２３の説明）
３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、ＬＥＤ、ＥＬ（有機ＥＬ）などの自発光半導体（この実施形態１ではＬＥＤ）を使用する。前記半導体発光素子２１〜２３は、図３、図４に示すように、正面方向（前記基板２の前記実装面に対して垂直方向、図２中の矢印ＩＩＩ方向、図２中の前記光源ユニット１の光軸Ｚ（Ｚ軸）方向）から見て微小な矩形（正方形もしくは長方形）形状の半導体チップ（光源チップ、ＬＥＤチップ、発光チップ、ベアチップ）からなる。
【００３２】
３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、この例では、青色の光を放射するＧａＮ系のチップから構成されている。この１個のＧａＮ系のチップの順方向降下電圧は、約３Ｖ前後である。３個の前記半導体発光素子２１〜２３には、黄色の蛍光体（図示せず）が覆われている。または、半導体発光素子２１〜２３を保護する透明な前記封止部材２００の上面にシート状の蛍光体部材（図示せず）で覆われている。この結果、前記半導体発光素子２１〜２３が青色の光を放射する場合は、青色の光が黄色の蛍光体を透過して白色光が得られる。前記半導体発光素子２１〜２３が黄色と赤色の蛍光体を透過させるとアンバー色光が得られる。
【００３３】
３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、図３、図４（Ａ）に示すように、前記基板２の前記実装面において、Ｘ軸上に、Ｙ軸に対して左右対称に、一直線上にそれぞれ配置されている。すなわち、Ｘ軸とＹ軸との交点（前記基板２の実装面の中心）に対して点対称に配置されている。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸（光軸Ｚ）は、直交座標（Ｘ−Ｙ−Ｚ直交座標系）を構成する。
【００３４】
３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、前記包囲壁部材２０中に配置されていて、透明な前記封止部材２００により封止されて保護されている。３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、前記基板２の前記実装面に実装されている面以外の一正面および一正面と４側面から光を放射する。３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、電源ラインＬ１とグランド（アース）ラインＬ２との間に直列に接続されている。
【００３５】
（入力電圧監視検出部４の説明）
前記入力電圧監視検出部４は、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に接続されている。前記入力電圧監視検出部４は、前記電源ラインＬ１および前記グランドラインＬ２に供給されている入力電圧を監視し、かつ、前記入力電圧が所定電圧値以下に低下した時点を検出して出力するものである。すなわち、前記入力電圧が所定電圧値以下に低下した時点を検出した検出信号を、第１の検出信号としてラインＬ３を介して、前記スイッチ素子ＳＷと前記定電流制御供給部とに、同時に出力するものである。
【００３６】
前記所定電圧値は、この例では、１１Ｖである。すなわち、前記所定電圧値は、図示しない車両搭載のバッテリー（電源、直流電源のバッテリー）の動作保証における電圧変化範囲（９Ｖ〜１６Ｖ）内であって、前記バッテリーの通常変動範囲（１２Ｖ〜１４．５Ｖ）以下の範囲である。具体的な数値としては、１０Ｖ〜１２Ｖの範囲であって、好ましくは１１Ｖである。
【００３７】
また、前記入力電圧監視検出部４は、前記入力電圧が車両搭載バッテリーの動作保証における電圧の変化範囲の最高電圧値（この例では、１６Ｖ）以上に上昇した時点を検出して出力するものである。すなわち、前記入力電圧が最高電圧値以上に上昇した時点を検出した検出信号を、第２の検出信号としてラインＬ４を介して、前記定電流制御供給部に、出力するものである。
【００３８】
（スイッチ素子ＳＷの説明）
切替手段としての前記スイッチ素子ＳＷは、前記半導体発光素子２３と並列に接続されている。すなわち、前記スイッチ素子ＳＷの一方の固定接点は、前記半導体発光素子２１のカソード前記半導体発光素子２３のアノードとの間に接続されている。前記スイッチ素子ＳＷの他方の固定接点は、前記半導体発光素子２３のカソードと前記半導体発光素子２２のアノードとの間に接続されている。前記スイッチ素子ＳＷの可動接点は、前記ラインＬ３に接続されている。
【００３９】
前記スイッチ素子ＳＷは、前記入力電圧が通常状態（１１Ｖを超えた状態）の場合において、前記スイッチ素子ＳＷの可動接点がＯＦＦ状態（図１に示す状態）にある。前記スイッチ素子ＳＷは、前記入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、前記入力電圧監視検出部４からの前記出力（前記ラインＬ３を介して出力される前記第１の検出信号）により、前記スイッチ素子ＳＷの可動接点がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる。この結果、前記半導体発光素子２３への電流供給が遮断されて、発光状態の前記半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に減る。このように、切替手段としての前記スイッチ素子ＳＷは、前記入力電圧監視検出部４からの前記出力により、全個が発光状態の前記半導体発光素子２１〜２３の個数を減らすものである。
【００４０】
（定電流制御供給部の説明）
前記定電流制御供給部は、前記半導体発光素子２１〜２３に設定された定電流を供給し、かつ、前記入力電圧監視検出部４からの前記出力（前記ラインＬ３を介して出力される前記第１の検出信号）により、全個（３個）が発光状態の前記半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値に対して、発光状態の個数が３個から２個に減らされた前記半導体発光素子２１、２２に供給する定電流の値を、増加させるものである。
【００４１】
全個（３個）が発光状態の前記半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値は、この例では、６６７ｍＡである。また、発光状態の個数が３個から２個に減らされた前記半導体発光素子２１、２２に供給する定電流の値は、この例では、１０００ｍＡ（１Ａ）である。
【００４２】
前記定電流制御供給部は、フロータイプのリニアＩＣ（リニア回路）５と、リニア制御用の電界効果トランジスタＦＥＴと、電流検出用の抵抗Ｒと、から構成されている。前記リニアＩＣ５は、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴのゲートは、前記リニアＩＣ５に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴのソースは、前記抵抗Ｒを介して前記グランドラインＬ２に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴのドレインは、前記半導体発光素子２２のカソードに接続されている。
【００４３】
前記入力電圧が通常状態（１１Ｖを超えた状態）の場合において、前記リニアＩＣ５は、前記抵抗Ｒからの電流検出信号に基づいて、前記電界効果トランジスタＦＥＴのゲートに供給する電圧（ゲート閾値電圧Ｖｔｈ）の値を制御して、前記電界効果トランジスタＦＥＴのドレイン・ソース間に流れる電流を６６７ｍＡに一定に保つ。これにより、３個の前記半導体発光素子２１〜２３には、６６７ｍＡの定電流が供給される。
【００４４】
前記入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、前記リニアＩＣ５は、前記入力電圧監視検出部４からの前記出力（前記ラインＬ３を介して出力される前記第１の検出信号）により、３個の前記半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値６６７ｍＡから、２個の前記半導体発光素子２１、２２に供給する定電流の値１０００ｍＡに、切り替えて増加させる。
【００４５】
前記入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下の状態の場合において、前記リニアＩＣ５は、前記と同様に、前記抵抗Ｒからの電流検出信号に基づいて、前記電界効果トランジスタＦＥＴのゲートに供給する電圧（ゲート閾値電圧Ｖｔｈ）の値を制御して、前記電界効果トランジスタＦＥＴのドレイン・ソース間に流れる電流を１０００ｍＡに一定に保つ。これにより、２個の前記半導体発光素子２１、２２には、１０００ｍＡの定電流が供給される。
【００４６】
前記入力電圧が最高電圧値（１６Ｖ）以上に上昇すると、前記リニアＩＣ５は、前記入力電圧監視検出部４からの前記出力（前記ラインＬ４を介して出力される前記第２の検出信号）により、前記電界効果トランジスタＦＥＴのゲートへの電圧供給を遮断し、または、前記電界効果トランジスタＦＥＴのゲートと前記ラインＬ２との間をスイッチ素子（図示せず）で遮断して、前記電界効果トランジスタＦＥＴのドレイン・ソース間の電流の流れを遮断する。これにより、３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、消灯する。
【００４７】
（他の電子部品の説明）
前記他の電子部品は、２個のコンデンサＣ１、Ｃ２と、ダイオードＤと、ツエナーダイオードＺＤと、から構成されている。２個の前記コンデンサＣ１、Ｃ２は、ノイズ吸収用であって、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記ダイオードＤは、逆接防止用であって、前記電源ラインＬ１に接続されている。前記ダイオードＤのアノードは、（＋）電源（給電部材３０）に接続されている。前記ダイオードＤのカソードは、前記半導体発光素子２１のアノードに接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤは、ＥＳＤ保護用（静電気吸収用）であって、前記ツエナーダイオードＺＤのカソードは、前記電源ラインＬ１、前記半導体発光素子２３のアノードに接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤのアノードは、前記半導体発光素子２２のカソード、前記電界効果トランジスタＦＥＴのドレインに接続されている。
【００４８】
（包囲壁部材２０の説明）
前記包囲壁部材２０は、絶縁性部材たとえば樹脂、この例では、反射率を上げた樹脂から構成されている。前記包囲壁部材２０は、図３、図４（Ａ）に示すように、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、配線素子の一部を包囲する円環状形状をなすものである。すなわち、前記包囲壁部材２０は、中央部が中空部であり、かつ、周囲部が壁部であり、４角が湾曲（Ｒ、もしくは、４分の１円の円弧）した長方形形状をなすものである。前記包囲壁部材２０の前記壁部の肉厚（前記壁部の内周面から外周面までの厚さ）は、ほぼ均一（均等）である。
【００４９】
前記包囲壁部材２０は、前記半導体発光素子２１〜２３および前記配線素子の高さよりも十分な高さを有する。前記包囲壁部材２０は、前記封止部材２００を充填（注入、モールド、モールディング）する容量（範囲）を小容量に規制する部材（土手、ダム）である。前記包囲壁部材２０の前記壁部の一端面は、前記基板２の前記実装面に、嵌合接着により、固定されかつ位置決めされている。なお、前記包囲壁部材２０は、デイスペンス方式の樹脂（デイスペンス後硬化）で形成しても良い。
【００５０】
前記包囲壁部材２０の前記壁部の内周面には、前記半導体発光素子２１〜２３（特に、前記半導体発光素子２１〜２３の４側面）から放射される光（図示せず）を所定の方向（たとえば、前記半導体発光素子２１〜２３の一正面から放射される光の方向とほぼ同方向）に反射させる反射面が設けられている。
【００５１】
４角が湾曲した長方形形状をなす前記包囲壁部材２０は、構造や製造が簡単であり、製造コストを安価にすることができる。前記包囲壁部材２０は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３を包囲するものであるから、包囲体積が小さい。この結果、前記封止部材２００の封止量が少なくて済む。その分、前記包囲壁部材２０が長方形形状をなすものであっても、前記封止部材２００による歪量が少なくなり、３個の前記半導体発光素子２１〜２３から放射される光に対する影響が小さく何ら問題がない。
【００５２】
（他の包囲壁部材２４、２５の説明）
なお、図４（Ｂ）に示す楕円状形状もしくは長円状形状の包囲壁部材２４、あるいは、図４（Ｃ）に示す円環状形状の包囲壁部材２５を使用しても良い。
【００５３】
長円状形状の前記包囲壁部材２４においては、長方形形状をなす前記包囲壁部材２０と同様に、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が、図４（Ｂ）に示すように、前記基板２の前記実装面において、Ｘ軸上に、Ｘ軸に対して上下対称に、かつ、Ｙ軸に対して左右対称に、配置されている。すなわち、Ｘ軸とＹ軸との交点に対して点対称に配置されている。長円状形状の前記包囲壁部材２４は、長方形形状をなす前記包囲壁部材２０よりも、包囲体積が小さいので、その分、前記封止部材２００による歪軽減することができる。
【００５４】
円環状形状の前記包囲壁部材２５においては、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が、図４（Ｃ）に示すように、Ｙ軸に対して左右対称に配置されていて、かつ、左右２個の前記半導体発光素子２１、２２の上辺がＸ軸上に位置するように配置されている。すなわち、３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、正三角形の３角にそれぞれ位置する。
【００５５】
なお、円環状形状の前記包囲壁部材２５においては、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が、前記基板２の前記実装面のほぼ中心からほぼ等距離位置にかつほぼ等中心角位置に集中して実装されていて、また、Ｙ軸に対して左右対称に配置されていても良い。この場合であっても、３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、正三角形の３角にそれぞれ位置する。この配置は、図４（Ｃ）に示す３個の前記半導体発光素子２１〜２３の配置に対して、下方にずれる。すなわち、左右２個の前記半導体発光素子２１、２２の上辺がＸ軸から下方にずれる。
【００５６】
円環状形状の前記包囲壁部材２５においては、図４（Ａ）に示す長方形形状の包囲壁部材２０、図４（Ｂ）に示す楕円状形状もしくは長円状形状の包囲壁部材２４と比較して、前記封止部材２００による歪をさらに軽減することができる。
【００５７】
ここで、発光状態の前記半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に減らす場合は、前記のように配置されている３個の前記半導体発光素子２１〜２３のうち、Ｙ軸上の中間の前記半導体発光素子２３が減らされる。
【００５８】
（封止部材２００の説明）
前記封止部材２００は、光透過性部材、たとえば、エポキシ系樹脂またはシリコン系樹脂から構成されている。前記封止部材２００は、前記基板２の前記実装面に、前記半導体発光素子２１〜２３が実装され、かつ、ワイヤがボンディング配線された後に、前記基板２に実装された前記包囲壁部材２０の前記中空部中であって、前記基板２の前記実装面と前記包囲壁部材２０の前記壁部の内周面とにより区画されている空間中に充填される。前記封止部材２００が硬化することにより、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、前記配線素子の一部が前記封止部材２００により封止されることとなる。
【００５９】
前記封止部材２００は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、前記配線素子の一部を外からの影響、たとえば、他のものが接触したり、塵埃が付着したりするのを防ぎ、かつ、紫外線や硫化ガスやＮＯｘや水から保護するものである。すなわち、前記封止部材２００は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３などを外乱から保護するものである。
【００６０】
（ソケット部１１の説明）
前記ソケット部１１は、図２、図３に示すように、保持部材３と、２本の給電部材３０、３１とを有するものである。前記ソケット部１１は、前記保持部材３と２本の前記給電部材３０、３１とを、絶縁部材（図示せず）を介して一体に構成したものである。前記保持部材３は、前記光源部１０を保持する。前記給電部材３０、３１は、前記点灯回路に給電する。
【００６１】
（保持部材３の説明）
前記保持部材３は、一端部の嵌合部３２と、中間部の円形形状の鍔部３３と、他端部のコネクタ嵌合部３４と、から一体に構成されている。前記保持部材３は、熱伝導性樹脂、たとえば、炭素繊維（短炭素繊維）、あるいは、炭素顆粒、あるいは、炭素平板、あるいは、前記素材の混合物を含有する樹脂から構成されている。前記保持部材３は、この例では、少なくとも炭素繊維を含有する樹脂の射出成形品から構成されている。なお、前記保持部材３は、たとえば、熱伝導性なお導電性をも有するアルミダイカストから構成されているものであっても良い。
【００６２】
前記嵌合部３２は、外径が前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２の内径より若干小さいほぼ円筒形状をなす。前記嵌合部３２の内周面および円形の底面には、前記基板２が密着固定されている。この結果、前記光源部１０は、前記ソケット部１１の前記保持部材３に保持される。なお、前記保持部材３に前記基板２を金属体（図示せず）を介して密着固定しても良い。
【００６３】
前記嵌合部３２の一端部の外周面には、複数個この例では４個の凸部３５が、前記ランプハウジング１０１の前記凹部と対応させて、かつ、前記鍔部３３と対向して、一体に設けられている。前記コネクタ嵌合部３４には、電源側のコネクタ（図示せず）が挿入する挿入凹部３６が設けられている。
【００６４】
前記鍔部３３および４個の前記凸部３５は、前記光源ユニット１を前記車両用灯具１００に取り付けるものである。すなわち、前記保持部材３の前記嵌合部３２および前記凸部３５を前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２および前記凹部中に図２中の矢印ＩＩＩ方向と反対方向に挿入する。その状態で、前記保持部材３を前記Ｚ軸回りに回転させて、前記凸部３５を前記ランプハウジング１０１の前記ストッパ部に当てる。この時点において、前記凸部３５と前記鍔部３３とが前記パッキン１０４を介して前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２の縁部を上下から挟み込む（図２参照）。
【００６５】
この結果、前記光源ユニット１の前記ソケット部１１は、図２に示すように、前記車両用灯具１００の前記ランプハウジング１０１に前記パッキン１０４を介して着脱可能にあるいは固定的に取り付けられる。この時点において、図２に示すように、前記ソケット部１１のうち前記ランプハウジング１０１から外側に突出している部分（図２中の前記ランプハウジング１０１よりも下側の部分）が前記ソケット部１１のうち前記灯室１０３内に収納されている部分（図２中の前記ランプハウジング１０１よりも上側の部分）よりも大である。
【００６６】
（給電部材３０、３１の説明）
前記給電部材３０、３１は、導電性部材から構成されている。前記給電部材３０、３１は、細長い長方形形状（短冊形状）をなすものである。前記給電部材３０、３１の中間部は、前記絶縁部材を介して前記保持部材３に一体に設けられている。前記給電部材３０、３１の一端部は、前記基板２に機械的に取り付けられていて、かつ、前記配線素子に電気的に接続されている。
【００６７】
前記給電部材３０、３１の他端部は、細長い長方形形状（短冊形状）のターミナル部を形成する。前記給電部材３０、３１の他端部は、前記コネクタ嵌合部３４の前記挿入凹部３６中に位置する。前記保持部材３の一部の前記コネクタ嵌合部３４および前記給電部材３０、３１の他端部は、コネクタ部を構成する。前記コネクタ部には、電源側のコネクタ（図示せず）が機械的に着脱可能にかつ電気的に断続可能に取り付けられている。前記コネクタは、ハーネス（図示せず）およびスイッチ（図示せず）を介して前記バッテリーに接続されている。前記コネクタ部および前記コネクタは、防水構造をなす。
【００６８】
（レンズ部１２の説明）
前記レンズ部１２は、光透過性部材からなる光学部品でかつカバー部材である。前記レンズ部１２は、図２に示すように、前記光源部１０をカバーするように、前記ソケット部１１に着脱可能にまたは固定的に取り付けられている。前記レンズ部１２と前記ソケット部１１とには、誤組付部（図示せず）が設けられている。
【００６９】
前記レンズ部１２には、前記半導体発光素子２１〜２３から放射される光を光学制御して出射させるプリズムなどの光学制御部（図示せず）が設けられている。前記レンズ部１２は、前記封止部材２００と共に、前記半導体発光素子２１〜２３を外からの影響、たとえば、他のものが接触したり、塵埃が付着したりするのを防ぎ、かつ、紫外線や硫化ガスやＮＯｘや水から保護するものである。すなわち、前記レンズ部１２は、前記半導体発光素子２１〜２３を外乱から保護するものである。また、前記レンズ部１２は、前記半導体発光素子２１〜２３以外に、制御素子および前記配線素子および前記導電性接着剤をも外乱から保護するものである。
【００７０】
（実施形態１の作用の説明）
この実施形態１における車両用灯具システム（この実施形態１における車両用灯具の点灯回路、この実施形態１における車両用灯具の光源ユニット１、この実施形態１における車両用灯具１００）は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。
【００７１】
まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図１中の実線矢印に示すように流れる。すなわち、ダイオードＤからの電流は、電源ラインＬ１を介して、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。３個の半導体発光素子２１〜２３から放射される光は、レンズ部１２を透過して配光制御され、かつ、ランプレンズを透過して配光制御され、所定の配光パターンで外部に照射される。
【００７２】
点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上から最高電圧値（１６Ｖ）未満までの電圧が入力されているときは、切替手段のスイッチ素子ＳＷは、ＯＦＦ状態にある。このために、電流は、電源ラインＬ１から３個の半導体発光素子２１〜２３を通ってグランドラインＬ２に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。
【００７３】
このとき、定電流制御供給部のリニアＩＣ５、電界効果トランジスタＦＥＴ、抵抗Ｒの作用により、全個（３個）が発光状態にある半導体発光素子２１〜２３には、６６７ｍＡの一定の電流（定電流）が供給されている（図５（Ａ）中の小黒四角を参照）。また、このときの電力損失は、図５（Ｂ）中の小黒四角に示すように、約７．４Ｗ〜約１０．７Ｗである。さらに、このときの光源ユニット１の光束（すなわち、３個の半導体発光素子２１〜２３が点灯発光状態のときの光束）は、図５（Ｃ）中の小白丸に示すように、約５００ｌｍでほぼ一定である。
【００７４】
ここで、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、入力電圧監視検出部４から第１の検出信号がラインＬ３を介して、スイッチ素子ＳＷとリニアＩＣ５とに同時に出力される。これにより、スイッチ素子ＳＷは、ＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる。この結果、電流は、半導体発光素子２１を通り、かつ、半導体発光素子２３を通らずにスイッチ素子ＳＷを通り、さらに、半導体発光素子２２を通る。これにより、１個の半導体発光素子２３は、消灯して、残りの２個の半導体発光素子２１、２２は、発光を続けている。すなわち、図５（Ａ）、（Ｂ）中の実線両矢印に示すように、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３（図５（Ａ）、（Ｂ）中の小黒四角を参照）から２個２１、２２（図５（Ａ）、（Ｂ）中の小黒丸を参照）に切り替わって減る。
【００７５】
これと同時に、定電流制御供給部のリニアＩＣ５、電界効果トランジスタＦＥＴ、抵抗Ｒの作用により、定電流の値が、６６７ｍＡから１０００ｍＡに切り替えられて増加する。そして、２個が発光状態にある半導体発光素子２１、２２には、１０００ｍＡの一定の電流（定電流）が供給されている（図５（Ａ）中の小黒丸を参照）。また、このときの電力損失は、図５（Ｂ）中の小黒丸に示すように、約１１．０Ｗ〜約０．０Ｗである。さらに、このときの光源ユニット１の光束（すなわち、２個の半導体発光素子２１、２２が点灯発光状態のときの光束）は、図５（Ｃ）中の小白丸に示すように、入力電圧が９Ｖ〜１１Ｖの範囲においては約５００ｌｍでほぼ一定であり、入力電圧が５Ｖ〜９Ｖの範囲においては約０ｌｍ〜約５００ｌｍである。
【００７６】
ここで、入力電圧が最高電圧値（１６Ｖ）以上に上昇すると、入力電圧監視検出部４から第２の検出信号がラインＬ４を介して、リニアＩＣ５に出力される。これにより、リニアＩＣ５は、電界効果トランジスタＦＥＴのゲートへの電圧供給を遮断し、または、前記電界効果トランジスタＦＥＴのゲートと前記ラインＬ２との間をスイッチ素子（図示せず）で遮断して、電界効果トランジスタＦＥＴのドレイン・ソース間の電流の流れを遮断する。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、消灯する（図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照）。
【００７７】
入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）を超えると、前記の通り、発光状態の半導体発光素子が２個２１、２２から３個２１〜２３に増える。また、入力電圧が最高電圧値（１６Ｖ）未満になると、前記の通り、消灯状態の３個の半導体発光素子２１〜２３が点灯発光する。
【００７８】
（実施形態１の効果の説明）
この実施形態１における車両用灯具システムは、入力電圧監視検出部４と切替手段としてのスイッチ素子ＳＷとにより、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下した時点で、発光状態の半導体発光素子の個数を減らすものである。すなわち、図５（Ａ）、（Ｂ）中の実線両矢印に示すように、発光状態の半導体発光素子の個数を３個２１〜２３（図５（Ａ）、（Ｂ）中の小黒四角を参照）から２個２１、２２（図５（Ａ）、（Ｂ）中の小黒丸を参照）に減らすものである。このために、直列に接続されている半導体発光素子の順方向降下電圧が、発光状態の半導体発光素子の個数を減らした分低下する。
【００７９】
たとえば、ＧａＮ系のチップから構成されている１個の半導体発光素子の順方向降下電圧は、約３Ｖ前後である。このために、３個の半導体発光素子２１〜２３の順方向降下電圧は、約９Ｖ前後になる。これに対して、２個の半導体発光素子２１、２２の順方向降下電圧は、約６Ｖ前後になる。このように、直列に接続されている半導体発光素子の順方向降下電圧が、発光状態の半導体発光素子の個数を減らした分約３Ｖ前後低下する。
【００８０】
これにより、入力電圧がバッテリーの動作保証における電圧変化範囲（９Ｖ〜１６Ｖ）内であれば、減らされた個数においてすなわち２個の半導体発光素子２１、２２の発光状態を維持することができる。これと共に、図５（Ｃ）に示すように、アイドリングストップレベルの低下状態（７Ｖ）でも発光状態を維持することができる。
【００８１】
また、この実施形態１における車両用灯具システムは、定電流制御供給部のリニアＩＣ５、電界効果トランジスタＦＥＴ、抵抗Ｒの作用により、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下した時点で、全個（３個）が発光状態の半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値（６６７ｍＡ）に対して、発光状態の個数が３個から２個に減らされた半導体発光素子２１、２２に供給する定電流の値（１０００ｍＡ）が、増加する（図５（Ａ）中の実線両矢印を参照）。
【００８２】
このために、図５（Ｂ）に示すように、全個（３個）の半導体発光素子２１〜２３が発光状態のときの損失電力の値（約７．４Ｗ〜約１０．７Ｗ）と、個数が２個に減らされた半導体発光素子２１、２２の発光状態のときの損失電力の値（約１１．０Ｗ〜約０．０Ｗ）とは、さほど大きく変わらない。すなわち、入力電圧が１６Ｖのときの全個（３個）の半導体発光素子２１〜２３の損失電力の値（約１０．７Ｗ）と、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下した時点の２個の半導体発光素子２１、２２の損失電力の値（約１１．０Ｗ）とは、さほど大きく変わらない。
【００８３】
この結果、電力を上げることができ、その分、明るい光（高光束の光、高光度の光、高照度の光）が得られる。しかも、半導体発光素子が全個（３個）の発光状態のときの光の明るさ（光束、光度、照度）と、半導体発光素子が減らされた個数（２個）の発光状態のときの光の明るさとを、ほぼ同等にすることができる。
【００８４】
このように、この実施形態１における車両用灯具システムは、図５（Ｃ）に示すように、約５００ｌｍのほぼ一定の光束が得られる。この結果、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に逆に２個２１、２２から３個２１〜２３に切り替わることによる光束の変化（変動）の煩わしさを軽減することができる。
【００８５】
この実施形態１における車両用灯具システムは、３個の半導体発光素子２１〜２３を基板２に集中して実装するものである。このために、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に逆に２個２１、２２から３個２１〜２３に切り替わっても、光束は多少変化するが、配光パターン（形状やバランスなど）の変化は小さい。
【００８６】
この実施形態１における車両用灯具システムは、半導体発光素子２１〜２３が、ＧａＮ系のチップから構成されていて、かつ、３個直列に接続されていて、切替手段のスイッチ素子ＳＷが、入力電圧監視検出部４からの出力により、３個が発光状態の半導体発光素子の個数を２個に減らすものである。この結果、この実施形態１における車両用灯具システムは、車両に搭載するシステムとして最適である。
【００８７】
この実施形態１における車両用灯具システムは、３個の半導体発光素子２１〜２３を基板２に集中して実装するものである。このために、基板２すなわち光源ユニット１の小型化を図ることができる。
【００８８】
この実施形態１における車両用灯具システムは、半導体発光素子が、３個２１〜２３基板２に一直線上（Ｘ軸上）にそれぞれ位置するように集中して実装されていて、３個が発光状態の半導体発光素子の個数を２個に減らす半導体発光素子が、中間の半導体発光素子２３である。この結果、３個の半導体発光素子２１〜２３が発光状態の配光パターンと、２個の半導体発光素子２１、２２が発光状態の配光パターンとは、配光パターンの中央部分の光度（照度、光量）が変化するが、配光パターン全体がさほど変わらない。このような２種類の配光パターンを切り替えることができるので、車両に搭載するシステムとして適している。
【００８９】
この実施形態１における車両用灯具システムは、半導体発光素子が、３個２１〜２３基板２に正三角形の３角にそれぞれ位置するように集中して実装されていて、３個が発光状態の半導体発光素子の個数を２個に減らす半導体発光素子が、中間の半導体発光素子２３である。この結果、３個の半導体発光素子２１〜２３が発光状態の配光パターンと、２個の半導体発光素子２１、２２が発光状態の配光パターンとは、配光パターンの上部分の光度（照度、光量）が変化し、かつ、配光パターンの上部分の形状が変化する。このような２種類の配光パターンを切り替えることができるので、車両に搭載するシステムとして適している。
【００９０】
この実施形態１における車両用灯具システムは、ソケット部１１の保持部材３が熱伝導性樹脂から構成されているので、光源部１０において発生する熱を外部に効率良く放出（放射）することができる。
【００９１】
（実施形態２の構成の説明）
図６は、この発明にかかる車両用灯具の実施形態２を示す。以下、この実施形態２にかかる車両用灯具システムの構成について説明する。図中、図１〜図５と同符号は、同一のものを示す。
【００９２】
この実施形態２の車両用灯具システムは、図１に示す点灯回路に対して図６に示す点灯回路を使用するものである。すなわち、図１の点灯回路の入力電圧監視検出部４として、具体的な１例の電子部品（ツエナーダイオードＺＤ２、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２）を使用する。また、図１の点灯回路の切替手段としてのスイッチ素子ＳＷの代わりに、電界効果トランジスタＦＥＴ１を使用する。なお、図１の点灯回路のツエナーダイオードＺＤ、抵抗Ｒ、電界効果トランジスタＦＥＴの符号を、ツエナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、電界効果トランジスタＦＥＴ２の符号に、変える。
【００９３】
前記ツエナーダイオードＺＤ２と前記抵抗Ｒ２、Ｒ３とは、電源ラインＬ１とグランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記抵抗Ｒ６と前記トランジスタＴｒ１とは、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記抵抗Ｒ４、Ｒ５と前記トランジスタＴｒ２とは、前記半導体発光素子２１のカソードと前記半導体発光素子２３のアノードとの間と、前記グランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤ２および前記抵抗Ｒ２、Ｒ３と、前記抵抗Ｒ６および前記トランジスタＴｒ１と、前記抵抗Ｒ４、Ｒ５および前記トランジスタＴｒ２とは、並列に接続されている。
【００９４】
前記ツエナーダイオードＺＤ２のカソードは、前記電源ラインＬ１に接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤ２のアノードは、前記抵抗Ｒ２、Ｒ３を介して前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒ１のエミッタは、前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒ１のベースは、前記抵抗Ｒ２と前記抵抗Ｒ３との間に接続されている。前記トランジスタＴｒ１のコレクタは、前記抵抗Ｒ６を介して前記電源ラインＬ１と、直接前記トランジスタＴｒ２のベースとに、それぞれ接続されている。前記トランジスタＴｒ２のエミッタは、前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒ２のコレクタは、前記抵抗Ｒ５、Ｒ４を介して前記半導体発光素子２１のカソードと前記半導体発光素子２３のアノードとの間に接続されている。
【００９５】
前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートは、前記抵抗Ｒ４と前記抵抗Ｒ５との間に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のソースは、半導体発光素子２３のアノードに接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のドレインは、前記半導体発光素子２３のカソードに接続されている。
【００９６】
リニアＩＣ５内部には、基準回路部（図示せず）の電位を切り替える電位切替部５１が設けられている。
【００９７】
（実施形態２の作用の説明）
まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図６中の実線矢印に示すように流れる。すなわち、ダイオードＤからの電流は、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。
【００９８】
点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、電流がツエナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れる。一方、電圧がトランジスタＴｒ２のベースに加えられていないので、トランジスタＴｒ２はＯＦＦ（オフ）状態にある。このために、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートに加えられていないので、電界効果トランジスタＦＥＴ１はＯＦＦ（オフ）状態にある。この結果、電源ラインＬ１の電流は、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。このとき、定電流制御供給部のリニアＩＣ５、電界効果トランジスタＦＥＴ２、抵抗Ｒ１の作用により、全個（３個）が発光状態にある半導体発光素子２１〜２３には、６６７ｍＡの一定の電流（定電流）が供給されている。
【００９９】
ここで、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、具体的な１例の電子部品（ツエナーダイオードＺＤ２、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２）から構成される入力電圧監視検出部から第１の検出信号がラインＬ３を介して、電界効果トランジスタＦＥＴ１とリニアＩＣ５とに同時に出力される。
【０１００】
すなわち、電流がツエナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードに流れなくなり、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れなくなる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態からＯＦＦ（オフ）状態に切り替わり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れなくなる。一方、電圧がトランジスタＴｒ２のベースに加えられるので、トランジスタＴｒ２はＯＮ（オン）状態にある。このために、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートに加えられるので、電界効果トランジスタＦＥＴ１はＯＮ（オン）状態にある。
【０１０１】
この結果、電源ラインＬ１の電流は、半導体発光素子２１を通り、かつ、半導体発光素子２３を通らずに、電界効果トランジスタＦＥＴ１のソース・ドレインの間を通り、さらに、半導体発光素子２２を通る。これにより、１個の半導体発光素子２３は、消灯して、残りの２個の半導体発光素子２１、２２は、発光を続ける。すなわち、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に切り替わって減る。
【０１０２】
これと同時に、定電流制御供給部のリニアＩＣ５の作用（リニアＩＣ５内部の基準回路部の電位を電位切替部５１で切り替える作用）、電界効果トランジスタＦＥＴ２の作用、抵抗Ｒ１の作用により、定電流の値が、６６７ｍＡから１０００ｍＡに切り替えられて増加する。そして、２個が発光状態にある半導体発光素子２１、２２には、１０００ｍＡの一定の電流（定電流）が供給される。
【０１０３】
（実施形態２の効果の説明）
この実施形態２の車両用灯具システムは、以上のごとき構成作用からなるので、前記の実施形態１の車両用灯具システムとほぼ同様の効果を達成することができる。
【０１０４】
（実施形態３の構成の説明）
図７は、この発明にかかる車両用灯具の実施形態３を示す。以下、この実施形態３にかかる車両用灯具システムの構成について説明する。図中、図１〜図６と同符号は、同一のものを示す。
【０１０５】
この実施形態３の車両用灯具システムは、図１に示す点灯回路に対して図７に示す点灯回路を使用するものである。すなわち、図１の点灯回路の入力電圧監視検出部４として、具体的な１例の電子部品（ツエナーダイオードＺＤ２、抵抗Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、トランジスタＴｒ）を使用する。また、図１の点灯回路の切替手段としてのスイッチ素子ＳＷの代わりに、電界効果トランジスタＦＥＴ１１を使用する。さらに、図１の点灯回路のフロータイプのリニアＩＣ（リニア回路）５の代わりにシンクタイプのリニアＩＣ（リニア回路）６を使用する。なお、図１の点灯回路のツエナーダイオードＺＤ、抵抗Ｒ、電界効果トランジスタＦＥＴの符号を、ツエナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１１、電界効果トランジスタＦＥＴ１２の符号に、変える。
【０１０６】
前記ツエナーダイオードＺＤ２と前記抵抗Ｒ１２、Ｒ１３とは、電源ラインＬ１とグランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記抵抗Ｒ１４と前記トランジスタＴｒとは、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤ２および前記抵抗Ｒ１２、Ｒ１３と、前記抵抗Ｒ１４および前記トランジスタＴｒとは、並列に接続されている。
【０１０７】
前記ツエナーダイオードＺＤ２のカソードは、前記電源ラインＬ１に接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤ２のアノードは、前記抵抗Ｒ１２、Ｒ１３を介して前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒのエミッタは、前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒのベースは、前記抵抗Ｒ１２と前記抵抗Ｒ１３との間に接続されている。前記トランジスタＴｒのコレクタは、前記抵抗Ｒ１４を介して前記電源ラインＬ１と、直接前記電界効果トランジスタＦＥＴ１１のゲートとに、それぞれ接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１１のソースは、前記グランドラインＬ２に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１１のドレインは、前記半導体発光素子２２のカソードと前記半導体発光素子２３のアノードとの間に接続されている。
【０１０８】
前記電界効果トランジスタＦＥＴ１２のゲートは、前記リニアＩＣ６に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１２のソースは、ダイオードＤのカソードに接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１２のドレインは、前記抵抗Ｒ１１に接続されている。
【０１０９】
リニアＩＣ６内部には、基準回路部（図示せず）の電位を切り替える電位切替部６１が設けられている。
【０１１０】
（実施形態３の作用の説明）
この実施形態３の車両用灯具システムは、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。
【０１１１】
まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図７中の実線矢印に示すように流れる。点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、電流がツエナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒのベースからエミッタに流れる。このために、トランジスタＴｒはＯＮ（オン）状態にあり、電流がトランジスタＴｒのコレクタからエミッタに流れる。一方、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１１のゲートに加えられていないので、電界効果トランジスタＦＥＴ１１はＯＦＦ（オフ）状態にある。この結果、電源ラインＬ１の電流は、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。このとき、定電流制御供給部のリニアＩＣ６、電界効果トランジスタＦＥＴ１２、抵抗Ｒ１１の作用により、全個（３個）が発光状態にある半導体発光素子２１〜２３には、６６７ｍＡの一定の電流（定電流）が供給されている。
【０１１２】
ここで、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、具体的な１例の電子部品（ツエナーダイオードＺＤ２、抵抗Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、トランジスタＴｒ）から構成される入力電圧監視検出部から第１の検出信号がラインＬ３を介して、電界効果トランジスタＦＥＴ１１とリニアＩＣ６とに同時に出力される。
【０１１３】
すなわち、電流がツエナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードに流れなくなり、かつ、トランジスタＴｒのベースからエミッタに流れなくなる。このために、トランジスタＴｒはＯＮ（オン）状態からＯＦＦ（オフ）状態に切り替わり、電流がトランジスタＴｒのコレクタからエミッタに流れなくなる。一方、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１１のゲートに加えられるので、電界効果トランジスタＦＥＴ１１はＯＮ（オン）状態にある。
【０１１４】
この結果、電源ラインＬ１の電流は、２個の半導体発光素子２１、２２を通って、１個の半導体発光素子２３を通らずに、電界効果トランジスタＦＥＴ１１のドレイン・ソースの間を通ってグランドラインＬ２に流れる。これにより、１個の半導体発光素子２３は、消灯して、残りの２個の半導体発光素子２１、２２は、発光を続ける。すなわち、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に切り替わって減る。
【０１１５】
これと同時に、定電流制御供給部のリニアＩＣ６の作用（リニアＩＣ６内部の基準回路部の電位を電位切替部５１で切り替える作用）、電界効果トランジスタＦＥＴ１２の作用、抵抗Ｒ１１の作用により、定電流の値が、６６７ｍＡから１０００ｍＡに切り替えられて増加する。そして、２個が発光状態にある半導体発光素子２１、２２には、１０００ｍＡの一定の電流（定電流）が供給される。
【０１１６】
（実施形態３の効果の説明）
この実施形態３の車両用灯具システムは、以上のごとき構成作用からなるので、前記の実施形態１、２の車両用灯具システムとほぼ同様の効果を達成することができる。
【０１１７】
（実施形態１〜３以外の例の説明）
なお、前記の実施形態１〜３においては、３個の半導体発光素子２１〜２３を使用するものである。ところが、この発明においては、半導体発光素子を２個、もしくは、４個以上使用しても良い。
【０１１８】
また、前記の実施形態１〜３においては、図１、図６、図７に示す構成の点灯回路を使用するものである。ところが、この発明においては、図１、図６、図７に示す構成以外の構成の点灯回路を使用しても良い。
【０１１９】
さらに、前記の実施形態１〜３においては、基板２が、セラミック基板、一面に絶縁層が設けられている金属基板（アルミ基板）、ＦＲ４などから構成されたものであって、一枚の板形状をなすものである。ところが、この発明においては、基板として、フレキシブル基板を使用して、Ｌ字形状に（垂直にもしくはほぼ垂直に）に折り曲げたものを使用しても良い。
【０１２０】
さらにまた、前記の実施形態１〜３においては、光源ユニット１が、レンズ部１２を使用するものである。ところが、この発明においては、レンズ部１２を使用せずに半導体発光素子からの光を導光部材で所定の位置に導くように構成しても良い。
【０１２１】
さらにまた、前記の実施形態１〜３においては、定電流制御供給部が、半導体発光素子２１〜２３に設定された定電流を供給し、かつ、入力電圧監視検出部４からの出力により、全個（３個）が発光状態の半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値に対して、発光状態の個数が３個から２個に減らされた半導体発光素子２１、２２に供給する定電流の値を、増加させるものである。ここで、全個（３個）が発光状態の半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流、および、発光状態の個数が３個から２個に減らされた２１、２２に供給する定電流には、ＰＷＭ制御により制御された電流も含まれる。
【符号の説明】
【０１２２】
１００  車両用灯具
１０１  ランプハウジング
１０２  取付孔
１０３  灯室
１０４  パッキン
１  光源ユニット
１０  光源部
１１  ソケット部
１２  レンズ部
２  基板
２０、２４、２５  包囲壁部材
２１、２２、２３  半導体発光素子
２００  封止部材
３  保持部材
３０、３１  給電部材
３２  嵌合部
３３  鍔部
３４  コネクタ嵌合部
３５  凸部
３６  挿入凹部
４  入力電圧監視検出部
５、６  リニアＩＣ（定電流制御供給部）
５１、６１  電位切替部
Ｃ１、Ｃ２  コンデンサ
Ｄ  ダイオード
ＦＥＴ、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２、ＦＥＴ１１、ＦＥＴ１２  電界効果トランジスタ
Ｌ１  電源ライン
Ｌ２  グランドライン
Ｌ３、Ｌ４  ライン
Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４  抵抗
ＳＷ  スイッチ素子（切替手段）
Ｔｒ、Ｔｒ１、Ｔｒ２  トランジスタ
Ｘ  Ｘ軸
Ｙ  Ｙ軸
Ｚ  光軸（Ｚ軸）
ＺＤ、ＺＤ１、ＺＤ２  ツエナーダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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