(57)【要約】【課題】タブレットの成型時に金型への白色硬化性組成物の付着を少なくすることができ、更に外観不良が少ない成型体を得ることが可能なタブレットを得ることができる光半導体装置用白色タブレットの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法は、特定の組成を有する白色硬化性組成物を成型用金型に充填する充填工程と、前記白色硬化性組成物を光半導体装置用白色タブレットに成型する成型工程と、前記光半導体装置用白色タブレットを前記成型用金型から取り出す取出工程とを備え、前記成型工程において、前記成型工程において、前記白色硬化性組成物の成型時の温度をＴ１とし、前記白色硬化性組成物の軟化温度をＴｓとしたときに、Ｔ１−Ｔｓが−８０℃以上、５℃以下である条件で成型を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色硬化性組成物をタブレットに成型する光半導体装置用白色タブレットの製造方法であって、
白色硬化性組成物を成型用金型に充填する充填工程と、
前記白色硬化性組成物を光半導体装置用白色タブレットに成型する成型工程と、
前記光半導体装置用白色タブレットを前記成型用金型から取り出す取出工程とを備え、
前記白色硬化性組成物が、エポキシ化合物と、硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、
前記成型工程において、前記白色硬化性組成物の成型時の温度をＴ１とし、前記白色硬化性組成物の軟化温度をＴｓとしたときに、Ｔ１−Ｔｓが−８０℃以上、５℃以下である条件で成型を行う、光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項２】
前記白色硬化性組成物の軟化温度Ｔｓが、０℃以上、４０℃以下である、請求項１に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項３】
前記硬化剤が、融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤を含有する、請求項１又は２に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項４】
前記硬化剤が、酸無水物硬化剤を２０重量％以上、１００重量％以下含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項５】
前記エポキシ化合物のエポキシ当量が、３００以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項６】
前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項７】
前記白色顔料以外の充填材の平均粒径が、０．１μｍ以上、１００μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項８】
前記白色硬化性組成物を、５０℃〜９０℃で１０分〜６０分間混練した後、３０℃を超え、５０℃未満で２４時間〜２４０時間エージングを行う工程を備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項９】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる光半導体装置用白色タブレットの製造方法である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法。
【請求項１０】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、  請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法により得られる光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体。
【請求項１１】
リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、
前記成型体が、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色タブレットの製造方法により得られる光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に用いられる光半導体装置用白色タブレットの製造方法に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用白色タブレットを用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成型体が配置されている。該枠部を有する成型体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成型体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。
【０００４】
上記成型体は通常、トランスファー成型により作製される。成型体を作製するために、円筒状に成型されたタブレットが原料として用いられる。タブレットは、原材料の混練工程、混練物の冷却工程、冷却後の粉砕工程、粉砕物をタブレット化する打錠工程を経て製造される。打錠工程の際に、材料が打錠装置のタブレット成型用金型における臼や杵の表面に付着すると、所望の大きさや形のタブレットが得られず、タブレットをトランスファー成型する際の作業性が著しく低下したり、得られる成型体の外観不良が生じたりする。
【０００５】
また、打錠工程では一般に数十〜数百ｋｇの材料を連続で成型する。この連続成型時に、金型に材料が付着すると、安定して打錠を行うことができない。このため、離型性が高い材料や、離型性が高いタブレット成型用金型が求められている。
【０００６】
特許文献１には、多孔質充填剤又は吸油性を有する化合物を含む光反射用熱硬化性樹脂組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−２１３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１には、この組成物が上記多孔質充填剤又は吸油性を有する化合物を含むことによって、組成物の離型性が向上して、タブレット成型時に、組成物が金型の杵や臼の表面に付着することがなく、かつ得られるタブレットを用いることによって優れた機械的強度を有するタブレット成型体が得られることが記載されている。
【０００９】
しかし、光反射用熱硬化性樹脂組成物が多孔質充填剤又は吸油性を有する化合物を含んでいても、組成物及びタブレットの成型用金型からの離型性が不十分であるという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、タブレットの成型時に金型への白色硬化性組成物の付着を少なくすることができ、更に外観不良が少ない成型体を得ることが可能なタブレットを得ることができる光半導体装置用白色タブレットの製造方法を提供することである。
【００１１】
また、本発明は、上記光半導体装置用白色タブレットの製造方法により得られるタブレットを用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、白色硬化性組成物をタブレットに成型する光半導体装置用白色タブレットの製造方法であって、白色硬化性組成物を成型用金型に充填する充填工程と、前記白色硬化性組成物を光半導体装置用白色タブレットに成型する成型工程と、前記光半導体装置用白色タブレットを前記成型用金型から取り出す取出工程とを備え、前記白色硬化性組成物が、エポキシ化合物と、硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、前記成型工程において、前記白色硬化性組成物の成型時の温度をＴ１とし、前記白色硬化性組成物の軟化温度をＴｓとしたときに、Ｔ１−Ｔｓが−８０℃以上、５℃以下である条件で成型を行う、光半導体装置用白色タブレットの製造方法が提供される。
【００１３】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法のある特定の局面では、前記白色硬化性組成物の軟化温度Ｔｓが、０℃以上、４０℃以下である。
【００１４】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法のある特定の局面では、前記硬化剤が、融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤を含有する。
【００１５】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法のある特定の局面では、前記硬化剤が、酸無水物硬化剤を２０重量％以上、１００重量％以下含有する。
【００１６】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法のある特定の局面では、前記エポキシ化合物のエポキシ当量が、３００以下である。
【００１７】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法のある特定の局面では、前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムである。
【００１８】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法のある特定の局面では、前記白色顔料以外の充填材の平均粒径が、０．１μｍ以上、１００μｍ以下である。
【００１９】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法のある特定の局面では、前記白色硬化性組成物を、５０℃〜９０℃で１０分〜６０分間混練した後、３０℃を超え、５０℃未満で２４時間〜２４０時間エージングを行う工程を備える。
【００２０】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる光半導体装置用白色タブレットの製造方法であることが好ましい。
【００２１】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、上述した光半導体装置用白色タブレットの製造方法により得られる光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体が提供される。
【００２２】
本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、前記成型体が、上述した光半導体装置用白色タブレットの製造方法により得られる光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法は、白色硬化性組成物を成型用金型に充填する充填工程と、上記白色硬化性組成物を光半導体装置用白色タブレットに成型する成型工程と、上記光半導体装置用白色タブレットを上記成型用金型から取り出す取出工程とを備え、上記白色硬化性組成物が、エポキシ化合物と、硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、上記成型工程において、上記白色硬化性組成物の成型時の温度をＴ１とし、上記白色硬化性組成物の軟化温度をＴｓとしたときに、Ｔ１−Ｔｓが−８０℃以上、５℃以下である条件で成型を行うので、タブレットの成型時にタブレット成型用金型への白色硬化性組成物の付着を少なくすることができる。さらに、外観不良が少ない成型体を得ることが可能な光半導体装置用白色タブレットを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法に用いられる装置を説明するための概略構成図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。
【図３】図３は、図２に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２６】
（光半導体装置用白色タブレットの製造方法及び光半導体装置用白色タブレット）
本発明に係る光半導体装置用白色タブレット（以下、白色タブレットやタブレットと略記することがある）の製造方法により得られる白色タブレットは、エポキシ化合物と、硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含む。本発明では、上記白色タブレットを得るために、白色硬化性組成物（以下、硬化性組成物や組成物と略記することがある）を用いる。この白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含む。上記白色硬化性組成物は、白色顔料を含み、白色である。上記白色タブレットは、白色顔料を含み、白色である。
【００２７】
本発明に係る白色タブレットの製造方法は、上記白色硬化性組成物を成型用金型に充填する充填工程と、上記白色硬化性組成物を白色タブレットに成型する成型工程と、上記白色タブレットを上記成型用金型から取り出す取出工程とを備える。上記成型用金型は、タブレット成型用金型である。
【００２８】
上記白色タブレットは、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために好適に用いられる。
【００２９】
本発明に係る白色タブレットの製造方法では、上記成型工程において、上記白色硬化性組成物の成型時の温度をＴ１（温度Ｔ１）とし、上記白色硬化性組成物の軟化温度をＴｓ（軟化温度Ｔｓ）としたときに、Ｔ１−Ｔｓが−８０℃以上、５℃以下である条件で成型を行う。一般に、組成物の軟化温度がきわめて低い場合は、成型用金型の温度を極端に低く制御する必要があるが、Ｔ１−Ｔｓが上記下限以上であると、組成物が効率的に軟化し、装置の負担が少なくなる。Ｔ１−Ｔｓが上記上限以下であると、成型用金型への白色硬化性組成物の付着を効果的に抑えることができる。
【００３０】
Ｔ１−Ｔｓは、好ましくは−４０℃以上、より好ましくは−３０℃以上、好ましくは０℃以下である。Ｔ１−Ｔｓが上記下限以上であると、装置の負担がより一層少なくなる。Ｔ１−Ｔｓが上記上限以下であると、成型用金型への白色硬化性組成物の付着がより一層抑えられる。
【００３１】
上記温度Ｔ１は、タブレット成型機を設置している室内環境により調節してもよいし、金型に冷凍機を埋め込むことにより調節してもよい。中でも、組成物の温度安定性を高める観点から、上記温度Ｔ１は、所定の温度に調節した室温に静置することにより調節することが好ましい。上記温度Ｔ１は、赤外線放射温度計や接触式の温度計で測定することができる。
【００３２】
上記温度Ｔ１は、特に限定されないが、好ましくは−７０℃以上、より好ましくは−５０℃以上、好ましくは７０℃以下、より好ましくは５０℃以下である。上記温度Ｔ１が上記下限以上及び上記上限以下であると、成型用金型の温度が極端に低下することによる装置への負担を抑えつつ、金型への組成物の付着をより一層抑えて、安定的にタブレットを成型することができる。
【００３３】
上記軟化温度Ｔｓは、好ましくは０℃以上、より好ましくは５℃以上、好ましくは４０℃以下、より好ましくは３５℃以下である。上記軟化温度Ｔｓが上記下限以上であると、タブレットの強度がより一層高くなり、タブレットに欠けがより一層生じ難くなる。上記軟化温度Ｔｓが上記上限以下であると、特にトランスファー成型時の成型不良がより一層生じ難くなる。
【００３４】
上記軟化温度Ｔｓは、上記白色硬化性組成物を混練により得た後、上記成型用金型を用いて白色タブレットを成型する直前の白色硬化性組成物の軟化温度を表す。
【００３５】
上記軟化温度Ｔｓは、例えば、熱機械分析装置ＴＭＡ（セイコーインスツル社製「ＴＭＡ／ＳＳ６１００」）を用いて、白色硬化性組成物を２３℃から−１００℃まで冷却した後、針入れプローブにて１０ｇの圧縮荷重をかけながら昇温速度５℃／分で１００℃まで加熱する条件で、測定することができる。
【００３６】
成型体を作製する際には、タブレットが用いられることが多い。このタブレットの強度が低いと、例えば、トランスファー成型機のプランジャー部分への搬入の際に、タブレットが割れたり、欠けたりすることがある。この結果、成型体に外観不良が生じやすいという問題がある。
【００３７】
また、タブレットは、原材料の混練工程、混練物の冷却工程、冷却後の粉砕工程、粉砕物をタブレット化する打錠工程を経て得ることができる。
【００３８】
タブレット成型時の不良の主な原因として、金型への組成物の付着と白色タブレットの表面の着色との２つが挙げられる。タブレットの外観不良は、タブレットを成型用金型から取り出す取出工程で発生しやすい。本発明では、取出工程において、タブレットの外観不良を生じ難くすることができる。
【００３９】
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色タブレットの製造方法に用いられる装置を説明するための概略構成図である。
【００４０】
図１に示す金型１は、図１に略図で示す被搭載部材１１に搭載されている。金型１は、成型用金型である。金型１は、タブレット成型装置１０に備えられている。タブレット成型装置１０は、金型１と、被搭載部材１１とを備える。被搭載部材１１は、例えば、金型１を搭載している。
【００４１】
金型１は、第１の杵２と、第２の杵３と、臼４とを備える。第１の杵２と第２の杵３とは一対の杵である。臼４は、第１，第２の杵２，３を挿入可能な貫通孔４ａを有する。白色硬化性組成物を光半導体装置用白色タブレットに成型する成型工程では、白色硬化性組成物が、臼４の貫通孔４ａ内に充填された状態で、上下の第１，第２の杵２，３により圧縮成型される。タブレットを金型１から取り出す取出工程では、上側の第２の杵３が解放された状態で、タブレットが下側の第１の杵２により押し出されることにより、タブレットが臼４から排出される。
【００４２】
上記の成型工程において、金型１の臼４とタブレットには摩擦力が発生する。付着は、摩擦力にタブレットの強度が耐えられないためにタブレットが変形するとともに、タブレット表面の材料が凝集破壊し、臼４に残るために生じる。このため、付着を防ぐためには、摩擦力を低減し、またタブレットの強度を上げる必要がある。タブレットの強度は、温度に大きく依存する。タブレットが軟化点以上になると液状又は半固体状となるために、タブレットの強度が大きく低下し、打錠機に物質が付着して、不具合が生じる。即ち、成型用金型の表面に白色硬化性組成物が付着することがある。
【００４３】
トランスファー成型時の成型不良の要因としては、様々な要因が挙げられる。白色タブレットの形状に由来する成型不良の１つとして、ウェルドが挙げられる。白色硬化性組成物をトランスファー成型する際、白色硬化性組成物が粉体であると、迅速な供給が困難になるだけでなく、粉体中の隙間の空気が成型体中にたまり、ウェルドと呼ばれる成型体の充填不良が発生する。白色硬化性組成物を白色タブレットに成型することで、一般にウェルドは低減される。ウェルドを低減するためには、白色硬化性組成物の粉体を十分な圧力で押し固める必要がある。しかし、タブレットの成型時に上述の現象によりタブレットが変形すると、タブレットに空気が入り込み、ウェルドが発生しやすくなる。
【００４４】
上記のような課題に対して、本発明に係る白色タブレットの製造方法における上述した構成を採用することで、タブレットの成型時に成型用金型への白色硬化性組成物の付着を少なくすることができ、更に外観不良が少ない成型体を得ることが可能な光半導体装置用白色タブレットを得ることができる。
【００４５】
白色タブレットの成型用金型を構成する材料は、特に限定されず、セラミック系材料及び超硬合金等が挙げられる。上記成型用金型を構成する材料は、ＨＶ硬度が１１００以上ある材料であることが好ましい。中でも、白色タブレットの成型時の金型の磨耗を効率よく抑え、白色タブレットの着色を防ぐ観点からは、白色タブレットの成型用金型を構成する材料は、セラミック系材料又は超硬合金であることが好ましい。
【００４６】
白色タブレットの成型用金型の表面は、離型処理されていてもよい。離型処理としては、フッ素系樹脂コートや、金属めっき等が挙げられる。高い硬度と高い離型性を両立する観点から、離型処理として、フッ素樹脂コートと金属めっきとを併用することが好ましい。
【００４７】
上記白色タブレットは、一般的に円柱状である。白色タブレットの直径及び高さは、モールド成型工程で要求されるサイズに設定される。
【００４８】
上記白色タブレットの圧縮弾性率は、好ましくは１５０ＭＰａ以上、より好ましくは２００ＭＰａ以上、好ましくは１０００ＭＰａ以下、より好ましくは５００ＭＰａ以下である。上記圧縮弾性率が上記下限以上であると、モールド成型時のハンドリング性に優れる。上記圧縮弾性率が上記上限以下であると、白色タブレットが必要以上に固くないため、欠け等の不良が発生しにくくなる。
【００４９】
上記白色タブレットの圧縮強度は、好ましくは４００Ｎ以上、より好ましくは５００Ｎ以上、好ましくは２０００Ｎ以下、より好ましくは１０００Ｎ以下である。上記圧縮強度が上記下限以上であると、欠け等の不良が発生しにくくなる。上記圧縮強度が上記上限以下であると、打錠時における材料の圧潰性に優れるため、白色タブレット中にボイド等の外観不良が発生しにくくなる。
【００５０】
上記圧縮弾性率及び上記圧縮強度を測定する際には、３ｔの打錠荷重により成型された、直径１３ｍｍ及び高さ３０ｍｍの円柱状の白色タブレットが用いられる。
【００５１】
以下、光半導体装置用の上記白色硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。
【００５２】
［エポキシ化合物（Ａ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含む。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成型体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５３】
上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物等が挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。
【００５４】
上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。
【００５５】
上記エポキシ化合物（Ａ）は無色であるか、又は無色に近い色であることが好ましい。このため、上記エポキシ化合物（Ａ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ジグリシジルイソシアヌレート又はトリグリシジルイソシアヌレートであることが好ましい。
【００５６】
光半導体装置から発せられる光の明るさをより一層低下し難くする観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）として、耐熱性に優れたエポキシ化合物を用いることが好ましい。このため、脂環式エポキシ化合物又はトリグリシジルイソシアヌレートが好ましく、トリグリシジルイソシアヌレートがより好ましい。
【００５７】
過酷な環境下での使用による光半導体装置の品質の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。
【００５８】
上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、３００以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、特に、上記エポキシ当量が３００以下であると、上記硬化性組成物の連続成型性、及び成型体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。
【００５９】
上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成型体の耐熱性がより一層高くなる。
【００６０】
［硬化剤（Ｂ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含む。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤を含有することが好ましい。該酸無水物硬化剤の使用によって、成型体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成型体の成型むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６１】
上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。
【００６２】
好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００６３】
上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００６４】
上記硬化性組成物に含まれる上記硬化剤１００重量％中、酸無水物硬化剤の含有量は、好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化剤の全量が、酸無水物硬化剤であってもよい。上記硬化剤１００重量％中、酸無水物硬化剤の含有量は、４０重量％以上であってもよく、５０重量％以上であってもよい。
【００６５】
トランスファー成型性を高める観点からは、上記硬化剤は、融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤１００重量％中、上記融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤の含有量は、好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化剤の全量が、上記融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤であってもよい。上記硬化剤１００重量％中、上記融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤の含有量は、４０重量％以上であってもよく、５０重量％以上であってもよい。
【００６６】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）の含有量及び上記酸無水物硬化剤の含有量はそれぞれ、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下、特に好ましくは１００重量部以下である。
【００６７】
上記硬化性組成物中で、上記エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）全体の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜３：１であることが好ましく、１．３：１〜２：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成型体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。
【００６８】
［白色顔料（Ｃ）］
上記硬化性組成物は上記白色顔料（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成型体を得ることができる。また、上記白色顔料（Ｃ）の使用によって、上記白色顔料（Ｃ）以外の充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成型体が得られる。上記白色顔料（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６９】
上記白色顔料（Ｃ）は特に限定されない。上記白色顔料（Ｃ）として従来公知の白色顔料を使用可能である。
【００７０】
上記白色顔料（Ｃ）としては、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン及び酸化マグネシウム等が挙げられる。
【００７１】
成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。この好ましい白色顔料を用いる場合に、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化ジルコニウムの中で、１種又は２種以上の白色顔料を用いることができる。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン又は酸化亜鉛であることが好ましく、酸化チタンであることが好ましく、酸化亜鉛であることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化ジルコニウムであってもよい。
【００７２】
上記酸化チタンは、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなり、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。
【００７３】
上記酸化チタンは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなる。
【００７４】
上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−５８」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「Ｒ−６３０」等が挙げられる。
【００７５】
上記酸化亜鉛は、表面処理された酸化亜鉛であることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化亜鉛は、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００７６】
上記酸化ジルコニウムは、表面処理された酸化ジルコニウムであることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化ジルコニウムは、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００７７】
上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。
【００７８】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）の含有量及び上記酸化チタンの含有量はそれぞれ、好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは７重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。
【００７９】
［充填材（Ｄ）］
上記充填材（Ｄ）は、白色顔料以外の充填材である。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）とは異なる。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８０】
上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料である酸化チタンではなく、白色顔料である酸化亜鉛ではなく、白色顔料である酸化ジルコニウムではない。
【００８１】
上記硬化性組成物の成型性、並びに成型体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材（Ｄ）はシリカを含むことが好ましく、シリカであることがより好ましい。
【００８２】
上記充填材（Ｄ）の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、上記硬化性組成物の成型性がより一層良好になる。上記平均粒径が上記上限以下であると、成型体の外観不良がより一層生じ難くなる。
【００８３】
上記充填材（Ｄ）における平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ  Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ  １３  ３２０」等が挙げられる。
【００８４】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなる。
【００８５】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性及び成型体の光の反射率がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が５０重量％以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。
【００８６】
［硬化促進剤（Ｅ）］
上記硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含む。上記硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成型体の耐熱性を高めることができる。上記硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８７】
上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【００８８】
上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。
【００８９】
上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
【００９０】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００９１】
上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。
【００９２】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。
【００９３】
上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００９４】
上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成型体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。
【００９５】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。
【００９６】
［離型剤（Ｆ）］
上記硬化性組成物は、離型剤（Ｆ）を含まないか又は含む。但し、連続成型性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいてもよい。上記離型剤（Ｆ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９７】
上記離型剤（Ｆ）は特に限定されない。上記離型剤（Ｆ）として、従来公知の離型剤を使用可能である。上記離型剤（Ｆ）としては、脂肪酸エステル系ワックス、酸化又は非酸化ポリオレフィン系ワックス、パラフィン系ワックス、エステル系ワックス、カルナバワックス及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記シリコーン化合物としては、シリコーンオイル及び変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００９８】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）の含有量は０重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下である。上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいなくてもよい。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記下限以上であると、連続成型性がより一層高くなる。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記上限以下であると、密着対象物と成型体との密着性がより一層高くなる。
【００９９】
密着対象物と成型体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか、上記硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）を２重量％以下で含むことが特に好ましい。
【０１００】
［他の成分］
上記硬化性組成物は、必要に応じて、カップリング剤、酸化防止剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
【０１０１】
上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤等が挙げられる。
【０１０２】
上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【０１０３】
上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。
【０１０４】
（光半導体装置用白色タブレットの他の詳細及び光半導体装置用成型体）
上記白色タブレットは、上述したようにして、白色硬化性組成物を成型することにより得られる。
【０１０５】
上記白色タブレットは、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために好適に用いられる。上記白色タブレットは、金型を用いて上記枠部を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。上記白色タブレットは、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成型体を得るために用いられることが好ましい。上記白色タブレットは、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１０６】
上記白色タブレットは、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる白色タブレットであることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成型体は、光半導体装置用成型体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。
【０１０７】
光の反射率が高い成型体が得られるので、上記白色タブレットは、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１０８】
光の反射率が高い成型体が得られるので、上記光半導体装置用白色タブレットは、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成型体を得るために用いられることが好ましい。上記成型体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成型体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成型体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成型体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。
【０１０９】
上記白色タブレットは、複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、該分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。上記白色硬化性組成物は、複数の成型体がリードフレームを介して連なった分割前成型体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１１０】
上記白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と白色顔料（Ｃ）と白色顔料以外の充填材（Ｄ）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記白色硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜６０分間混練することがより好ましく、５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが更に好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが特に好ましい。
【０１１１】
成型体の外観をより一層良好にする観点からは、本発明に係る白色タブレットの製造方法は、上記白色硬化性組成物を、５０℃〜９０℃で１０分〜６０分間混練した後、３０℃を超え、５０℃未満で２４時間〜２４０時間エージングを行う工程を備えることが好ましい。上記エージングにおける温度が３０℃を超えることで、エージングによる反応が適度に進行し、タブレット強度がより一層高くなり、タブレットの欠けがより一層生じ難くなる。上記エージングにおける温度が５０℃未満であることで、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）との相溶性がより一層良好になる。
【０１１２】
上記光半導体装置用成型体（成型体と略記することがある）は、上述した白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。また、上記白色硬化性組成物を用いて上記白色タブレットは形成される。上記白色硬化性組成物タブレットは所定の形状に成型される。上記成型体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。
【０１１３】
上記白色タブレットを用いて上記成型体を得る方法としては、圧縮成型法、トランスファー成型法、積層成型法、射出成型法、押出成型法及びブロー成型法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成型法が好ましい。上記白色硬化性組成物タブレットは、トランスファーモールド成型によって上記成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１１４】
トランスファー成型法では、例えば、成型温度１００〜２００℃、成型圧力５〜２０ＭＰａ及び成型時間６０〜３００秒の条件で、上記白色タブレットをトランスファー成型することにより、成型体が得られる。
【０１１５】
複数の光半導体装置を得るために、後に複数のリードフレームに分割される分割前リードフレーム上に、成型体を配置した後、分割前リードフレームを分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。さらに、複数の光半導体装置を得るために、リードフレーム上に、後に複数の成型体に分割される分割前成型体を配置した後、分割前成型体を分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。
【０１１６】
（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備える。上記光半導体装置における上記成型体が、上記光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色タブレットは、上記白色硬化性組成物を用いて形成される。
【０１１７】
本発明に係る光半導体装置では、上記成型体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【０１１８】
図２（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。
【０１１９】
本実施形態の光半導体装置３１は、リードフレーム３２と光半導体素子３３と第１の成型体３４と第２の成型体３５とを有する。光半導体素子３３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成型体３４と第２の成型体３５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成型体３４と第２の成型体３５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成型体３４は、枠部である。第２の成型体３５は、底部である。光半導体装置３１では、成型体は、枠部（第１の成型体３４）と、底部（第２の成型体３５）とを有する。第１の成型体３４である枠部は、外壁部である。第１の成型体３４である枠部は、環状である。
【０１２０】
なお、成型体は、底部を有さない成型体であってもよい。上記タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる枠部を有する成型体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成型体は、枠部のみの枠状の成型体であってもよい。上記底部材は、成型体であってもよい。
【０１２１】
リードフレーム３２上に、光半導体素子３３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム３２上に、第１の成型体３４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム３２間とリードフレーム３２の下方とには、第２の成型体３５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成型体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成型体３４の内側に光半導体素子３３が配置されている。光半導体素子３３の側方に第１の成型体３４が配置されており、光半導体素子３３を取り囲むように第１の成型体３４が配置されている。第１，第２の成型体３４，３５（枠部及び底部を有する成型体）は、上述した光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。従って、第１の成型体３４は、光反射性を有し、内面３４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成型体３４の内面３４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３３の周囲は、第１の成型体３４の光反射性を有する内面３４ａにより囲まれている。第１の成型体３４のみが、上述した光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られていてもよい。
【０１２２】
第１の成型体３４（枠部）は、光半導体素子３３から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成型体３４，３５は、白色であることが好ましい。第１の成型体３４の内面３４ａは、内面３４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３３から発せられた光のうち、内面３４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面３４ａにより反射され、光半導体素子３３の前方側に進行する。
【０１２３】
光半導体素子３３は、リードフレーム３２上に、ダイボンド材３６を用いて接続されている。ダイボンド材３６は、導電性を有する。光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２とが、ボンディングワイヤー３７により電気的に接続されている。光半導体素子３３及びボンディングワイヤー３７を封止するように、第１の成型体３４の内面３４ａで囲まれた領域内には、封止剤３８が充填されている。
【０１２４】
光半導体装置３１では、光半導体素子３３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置３１では、光半導体素子３３からリードフレーム３２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成型体３４の内面３４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置３１から取り出される光の明るさは明るい。
【０１２５】
なお、上記白色タブレットを用いた成型体は、リードフレーム付き成型体の形態で提供することができる。例えば、リードフレーム３２と成型体（第１の成型体３４と第２の成型体３５）とを備えるリードフレーム付き成型体を予め用意して、光半導体装置３１を作製してもよい。
【０１２６】
図３に、図２に示す光半導体装置３１の変形例を示す。図２に示す光半導体装置３１と図３に示す光半導体装置４１とでは、ダイボンド材３６，４２及びボンディングワイヤー３７，４３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置３１におけるダイボンド材３６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置４１はダイボンド材４２を有し、ダイボンド材４２は導電性を有さない。光半導体装置３１では、光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２（図２（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー３７により電気的に接続されている。光半導体装置４１は、ボンディングワイヤー３７に加えて、ボンディングワイヤー４３を有する。光半導体装置４１では、光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２（図３において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー３７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２（図３において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー４３により電気的に接続されている。
【０１２７】
図４に、図３に示す光半導体装置４１の変形例を示す。図４に示す光半導体装置５１は、図２に示す光半導体装置３１の変形例でもある。図３に示す光半導体装置４１と、図４に示す光半導体装置５１とでは、第１，第２の成型体３４，３５及び成型体５２の構造のみが異なる。光半導体装置４１では、第１，第２の成型体３４，３５が用いられており、第１の成型体３４は、リードフレーム３２上に配置されており、第２の成型体３５は、複数のリードフレーム３２間とリードフレーム３２の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置５１では、１つの成型体５２が用いられている。成型体５２は、リードフレーム３２上に配置された枠部５２ａと、複数のリードフレーム３２間に配置された充填部５２ｂとを有する。枠部５２ａと充填部５２ｂとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有していればよい。リードフレームの下方に、成型体は配置されていなくてもよい。成型体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。
【０１２８】
なお、図２〜４に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成型体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１２９】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【０１３０】
（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＥＨＰＥ３１５０（脂環骨格を有するエポキシ樹脂、ダイセル社製、エポキシ当量１７７）
２）ＴＥＰＩＣ−Ｓ（トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学社製、エポキシ当量１００）
【０１３１】
（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＭＨ（４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製、融点−３０℃）
２）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製、融点３３℃）
３）リカシッドＴＨ（テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製、融点１０１℃）
【０１３２】
（白色顔料（Ｃ））
１）ＣＲ−５８（酸化チタン、ルチル型、Ａｌにより表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、石原産業社製）
２）ＵＴ−７７１（酸化チタン、ルチル型、Ａｌ、Ｚｒにより表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、有機物処理されている、石原産業社製）
３）酸化亜鉛Ｉ種（酸化亜鉛、平均粒径１μｍ、堺化学工業社製）
【０１３３】
（充填材（Ｄ））
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＡＡ（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
３）Ｂ−５５（破砕充填材である硫酸バリウム、平均粒径１．２μｍ、堺化学工業社製）
【０１３４】
（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジオネート、日本化学工業社製）
【０１３５】
（離型剤（Ｆ））
１）セリダスト３７１５（ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン社製）
２）Ｍ−９６７６（ステアリン酸ステアリル、日油社製）
【０１３６】
（実施例１〜１１及び比較例１〜１１）
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量で配合（配合単位は重量部）し、混合機（東洋精機製作所社製「ラボプラストミルＲ−６０」）にて、７０℃で２０分間混練した。続いて、表１，２に示す温度及び時間の条件（エージング工程）でエージングを行い又はエージングを行わずに、得られた白色硬化性組成物を粉砕して、粉末状の白色硬化性組成物を得た。
【０１３７】
得られた粉末状の白色硬化性組成物０．５ｇを板状に圧縮成型し、ＴＭＡに設置した。ＴＭＡに直径１ｍｍの針入れプローブを取り付け、−１００℃まで冷却した。その後、昇温速度５℃／分で１００℃まで加熱した。測定したＴＭＡ曲線において、針入れプローブが侵入を始めるよりも低温側に認められる直線部分を高温側に延長し、侵入速度が最大となる部分の接線の低温側への延長線との交点を軟化温度Ｔｓとした。
【０１３８】
次に、得られた粉末状の白色硬化性組成物を、樹脂との接触面が超硬合金である杵型と臼型との一対の型から構成されたタブレットの成型用金型を用いて、表１に記載の白色硬化性組成物の成型時の温度Ｔ１にて、タブレット成型荷重３ｔ（打錠圧）の条件で成型して、直径１３ｍｍ及び高さ３０ｍｍの円柱状の白色タブレットを作製した。
【０１３９】
（評価）
（１）タブレット成型性
得られた粉末状の白色硬化性組成物を用いて、白色タブレットを５００回作製した。このとき、２０回、５００回作製した後の白色タブレットの成型用金型を目視により検査し、タブレット成型性を下記の基準で判定した。
【０１４０】
［タブレット成型性の判定基準］
○：成型用金型に白色硬化性組成物が、５００回作製後でも付着していない
△：成型用金型に白色硬化性組成物が、２０回作製後では付着していなかったが、５００回作製後では付着している
×：成型用金型に白色硬化性組成物が、２０回作製後でも付着している
【０１４１】
（２）タブレット外観
上記（１）タブレット成型性の評価で、５００回作製した５００回目の白色タブレットの外観を観察した。タブレットの外観を下記の基準で判定した。
【０１４２】
［タブレット外観の判定基準］
○：タブレットの上面、下面及び側面のいずれも平滑である
△：タブレットの上面及び下面は平滑であったが、側面に凹凸がある
×：タブレットの上面、下面及び側面のいずれにも凹凸がある
【０１４３】
（３）タブレットの圧縮弾性率
得られた白色タブレットを用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１８１に準拠して、２３℃で、圧縮弾性率を測定した。５個の白色タブレットの圧縮弾性率を測定し、相加平均値を採用した。
【０１４４】
（４）タブレットの圧縮強度
得られたタブレットを用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１８１に準拠して、２３℃で、圧縮強度を測定した。圧縮強度は、降伏点がみられた場合については降伏点での荷重を採用し、明確な降伏点が見られない場合については、５％圧縮時の荷重を採用した。５個の白色タブレットの圧縮強度を測定し、平均値を採用した。
【０１４５】
（５）トランスファー成型性
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、リードフレーム（銀めっき表面、厚み０．２ｍｍ）を得た。
【０１４６】
トランスファー成型用金型として、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成型用金型を用意した。キャビティサイズは、１個当たり４ｍｍ×２ｍｍ、深さ１ｍｍとした。金型クリーニング材（日本カーバイド社製「ニカレットＲＣＣ」）を用いて、上記トランスファー成型用金型を３回クリーニングした後、金型離型回復材（日本カーバイド社製「ニカレットＥＣＲ−Ｃ  ＫＵ」）を用いて、トランスファー成型用金型を離型処理した。
【０１４７】
離型処理されたトランスファー成型用金型を用いて、得られたタブレットのトランスファー成型を行い、光半導体装置搭載用基板を得た。得られた光半導体装置搭載用基板を目視により検査した。トランスファー成型性を下記の基準で判定した。
【０１４８】
［トランスファー成型性の判定基準］
○：成型体に充填不良による欠け及びウェルドなどの外観異常がない
△：成型体に充填不良による欠け及びウェルドなどの外観異常が僅かにある
×：成型体に充填不良による欠け及びウェルドなどの明らかな外観異常がある
【０１４９】
組成及び結果を下記の表１，２に示す。
【０１５０】
【表１】
2015178565.tif 000003
【０１５１】
【表２】
2015178565.tif 000004
【符号の説明】
【０１５２】
１…金型
２…第１の杵
３…第２の杵
４…臼
４ａ…貫通孔
１０…タブレット成型装置
１１…被搭載部材
３１…光半導体装置
３２…リードフレーム
３３…光半導体素子
３４…第１の成型体
３４ａ…内面
３５…第２の成型体
３６…ダイボンド材
３７…ボンディングワイヤー
３８…封止剤
４１…光半導体装置
４２…ダイボンド材
４３…ボンディングワイヤー
５１…光半導体装置
５２…成型体
５２ａ…枠部
５２ｂ…充填部
【図１】
2015178565.tif 000005
【図２】
2015178565.tif 000006
【図３】
2015178565.tif 000007
【図４】
2015178565.tif 000008