(57)【要約】【課題】出力端子における寄生インダクタンスを減少させることができるインバータモジュールを提供する。【解決手段】絶縁部を挟んで積層された第１モジュール及び第２モジュールを備えたインバータモジュールであって、第１モジュールは、第１モールド樹脂部から積層方向と直交する方向に突出する第１出力端子を有し、第２モジュールは、積層方向で第１出力端子と対向するように第２モールド樹脂部から突出する第２出力端子を有し、第１絶縁層を挟んで第１出力端子と隣り合う第１壁部と、第２絶縁層を挟んで第２出力端子と隣り合う第２壁部と、第１壁部及び第２壁部を連結すると共に第１出力端子及び第２出力端子と接続する連結部と、を有する出力バスバーと、を備える。【選択図】図２
2015208149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁部を挟んで積層された第１モジュール及び第２モジュールを備えたインバータモジュールであって、
前記第１モジュールは、
第１入力電極と、
前記第１モジュール及び前記第２モジュールの積層方向において前記第１入力電極と対向するように配置され、第１半導体素子部を介して前記第１入力電極に接続された第１出力電極と、
絶縁性を有し、前記第１入力電極、前記第１出力電極、及び前記第１半導体素子部を一体化するための第１モールド樹脂部と、
前記第１出力電極に接続され、前記第１モールド樹脂部から前記積層方向と直交する方向に突出する第１出力端子と、を有し、
前記第２モジュールは、
第２入力電極と、
前記積層方向において前記第２入力電極と対向するように配置され、第２半導体素子部を介して前記第２入力電極に接続された第２出力電極と、
絶縁性を有し、前記第２入力電極、前記第２出力電極、及び前記第２半導体素子部を一体化するための第２モールド樹脂部と、
前記第２出力電極に接続され、前記積層方向で前記第１出力端子と対向するように前記第２モールド樹脂部から突出する第２出力端子と、を有し、
前記第１モールド樹脂部から突出する前記第１出力端子に沿って延在すると共に第１絶縁層を挟んで前記第１出力端子と隣り合う第１壁部と、前記第２モールド樹脂部から突出する前記第２出力端子に沿って延在すると共に第２絶縁層を挟んで前記第２出力端子と隣り合う第２壁部と、前記第１壁部及び前記第２壁部を連結すると共に前記第１出力端子及び前記第２出力端子と接続する連結部と、を有する出力バスバーと、
を備える、インバータモジュール。
【請求項２】
前記第１壁部は、前記第１出力端子のうち前記第１モールド樹脂部から突出する部位の全体にわたって沿うように形成されており、
前記第２壁部は、前記第２出力端子のうち前記第２モールド樹脂部から突出する部位の全体にわたって沿うように形成されている、請求項１に記載のインバータモジュール。
【請求項３】
前記連結部は、前記第１出力端子が差し込まれる第１差込部と、前記第２出力端子が差し込まれる第２差込部と、を有する、請求項１又は２に記載のインバータモジュール。
【請求項４】
前記第１出力端子は、前記第１出力電極に接続されると共に前記第１モールド樹脂部内で前記絶縁部に近づくように前記積層方向に沿って延在する第１延在部と、前記第１延在部に接続されると共に前記第１モールド樹脂部から前記積層方向と直交する方向に突出する第１突出部と、を有し、
前記出力バスバーは、前記第１出力端子の前記第１延在部に沿うように、前記第１壁部から前記積層方向に延在する第３壁部を有する、請求項１〜３のうち何れか一項に記載のインバータモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インバータモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
直流電力を交流電力に変換するインバータモジュールに関する技術文献として、下記の特許文献１が知られている。この特許文献１には、上相モジュール及び下相モジュールが冷却器を挟んで積層された三相インバータモジュールが記載されている。この三相インバータモジュールでは、上相モジュールのモールド樹脂から突出する出力端子と下相モジュールのモールド樹脂から突出する出力端子とが対向するように設けられている。これらの対向する出力端子には、出力バスバーが接続されており、出力バスバーを介して交流電力がモータ等に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−００６５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上相モジュール及び下相モジュールの出力端子を出力バスバーで接続するためには、各出力端子をモールド樹脂から突出させる必要がある。しかしながら、出力端子をモールドから突出させると、その分、出力端子が長くなるためインバータモジュールにおいて寄生インダクタンスの増加が生じる。
【０００５】
そこで、本発明は、出力端子における寄生インダクタンスを減少させることができるインバータモジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の態様は、絶縁部を挟んで積層された第１モジュール及び第２モジュールを備えたインバータモジュールであって、第１モジュールは、第１入力電極と、第１モジュール及び第２モジュールの積層方向において第１入力電極と対向するように配置され、第１半導体素子部を介して第１入力電極に接続された第１出力電極と、絶縁性を有し、第１入力電極、第１出力電極、及び第１半導体素子部を一体化するための第１モールド樹脂部と、第１出力電極に接続され、第１モールド樹脂部から積層方向と直交する方向に突出する第１出力端子と、を有し、第２モジュールは、第２入力電極と、積層方向において第２入力電極と対向するように配置され、第２半導体素子部を介して第２入力電極に接続された第２出力電極と、絶縁性を有し、第２入力電極、第２出力電極、及び第２半導体素子部を一体化するための第２モールド樹脂部と、第２出力電極に接続され、積層方向で第１出力端子と対向するように第２モールド樹脂部から突出する第２出力端子と、を有し、第１モールド樹脂部から突出する第１出力端子に沿って延在すると共に第１絶縁層を挟んで第１出力端子と隣り合う第１壁部と、第２モールド樹脂部から突出する第２出力端子に沿って延在すると共に第２絶縁層を挟んで第２出力端子と隣り合う第２壁部と、第１壁部及び第２壁部を連結すると共に第１出力端子及び第２出力端子と接続する連結部と、を有する出力バスバーと、を備える。
【０００７】
上記態様において、第１壁部は、第１出力端子のうち第１モールド樹脂部から突出する部位の全体にわたって沿うように形成されており、第２壁部は、第２出力端子のうち第２モールド樹脂部から突出する部位の全体にわたって沿うように形成されていてもよい。
【０００８】
上記態様において、連結部は、第１出力端子が差し込まれる第１差込部と、第ニ電極端子が差し込まれる第２差込部と、を有してもよい。
【０００９】
上記態様において、第１出力端子は、第１出力電極に接続されると共に第１モールド樹脂部内で絶縁部に近づくように積層方向に沿って延在する第１延在部と、第１延在部に接続されると共に第１モールド樹脂部から積層方向と直交する方向に突出する第１突出部と、を有し、出力バスバーは、第１延在部に沿うように、第１壁部から積層方向に延在する第３壁部を有してもよい。
【発明の効果】
【００１０】
上記態様に係るインバータモジュールによれば、出力端子における寄生インダクタンスを減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態のインバータモジュールを示す回路図である。
【図２】第１実施形態のインバータモジュールを示す断面図である。
【図３】（ａ）第１実施形態の出力バスバーを示す斜視図である。（ｂ）第１実施形態の出力バスバーを示す正面図である。（ｃ）図３（ｂ）のIIIｃ−IIIｃ線に沿った断面図である。
【図４】（ａ）第２実施形態のインバータモジュールを示す断面図である。（ｂ）第２実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。（ｃ）第２実施形態の出力バスバーを示す断面図である。
【図５】（ａ）第３実施形態のインバータモジュールを示す断面図である。（ｂ）第３実施形態の出力バスバーを示す断面図である。
【図６】（ａ）第４実施形態のインバータモジュールを示す断面図である。（ｂ）第４実施形態の出力バスバーを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、以下の説明で用いる上下左右は、インバータモジュールを基準としており、実際のインバータモジュールの配置の向きによって変化するものではない。
【００１３】
［第１実施形態］
図１に示す第１実施形態のインバータモジュール１は、例えば、ハイブリッドカー又は電気自動車に備えられ、車載のバッテリ（直流電源）Ｂから供給される直流電力を三相の交流電力に変換してモータＭに供給する電力変換装置である。なお、本発明に係るインバータモジュールは、車載用に限定されない。また、本発明に係るインバータモジュールは、直流電力を三相の交流電力に変換するものに限られず、直流電力を単相の交流電力に変換するものであってもよい。
【００１４】
図１に示されるように、第１実施形態のインバータモジュール１は、正側の母線である正側電極（第１入力電極）１１と、負側の母線である負側電極（第２入力電極）２１と、バッテリＢから印加される直流電圧を平滑化するキャパシタＣＡＰと、バッテリＢから印加される直流電力を交流電力に変換するための回路である３つの半導体モジュール１０と、を備えている。キャパシタＣＡＰ及び３つの半導体モジュール１０は、正側電極１１及び負側電極２１に対して並列に接続されている。また、３つの半導体モジュール１０は、三相交流のＵ，Ｖ，Ｗにそれぞれ対応している。３つの半導体モジュール１０は、モータＭのＵ相コイル、Ｖ相コイル及びＷ相コイルに対してそれぞれ接続されている。
【００１５】
半導体モジュール１０は、上アーム素子である上相モジュール（第１モジュール）２と、下アーム素子である下相モジュール（第２モジュール）３と、を有している。上相モジュール２は、スイッチング素子である第１トランジスタ１５と、整流素子である第１ダイオード１６と、第１出力電極１２と、第１出力端子２０と、を有している。
【００１６】
第１トランジスタ１５のコレクタＣは、正側電極１１に接続されている。第１トランジスタ１５のエミッタＥは、第１出力電極１２に接続されている。また、第１ダイオード１６のアノードは、正側電極１１に接続されている。第１ダイオード１６のカソードは、第１出力電極１２に接続されている。第１出力電極１２には、第１出力端子２０が接続されている。
【００１７】
同様に、下相モジュール３は、スイッチング素子である第２トランジスタ２５と、整流素子である第２ダイオード２６と、第２出力電極２２と、第２出力端子３０と、を有している。第２トランジスタ２５のコレクタＣは、負側電極２１に接続されている。第２トランジスタ２５のエミッタＥは、第２出力電極２２に接続されている。第２出力電極２２には、第２出力端子３０が接続されている。また、第２ダイオード２６のアノードは、負側電極２１に接続されている。第２ダイオード２６のカソードは、第２出力電極２２に接続されている。第２出力電極２２には、第２出力端子３０が接続されている。
【００１８】
第１トランジスタ１５及び第２トランジスタ２５は、例えばＩＧＢＴ［Insulated Gate Bipolar Transistor］であってもよく、ＭＯＳＦＥＴ［Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor］であってもよい。
【００１９】
上相モジュール２の第１出力端子２０と下相モジュール３の第２出力端子３０とは、出力バスバー４０によって接続されている。出力バスバー４０は、半導体モジュール１０ごとに設けられ、各相に対応する配線４０Ｕ，４０Ｖ，４０Ｗを介してモータＭに接続されている。出力バスバー４０について詳細は後述する。
【００２０】
このインバータモジュール１では、バッテリＢの直流電力が３つの半導体モジュール１０において三相の交流電力に変換される。インバータモジュール１で変換された三相の交流電力は、出力バスバー４０を介してモータＭに供給される。
【００２１】
以下、図２を参照して第１実施形態のインバータモジュール１の構成について説明する。図２は、第１実施形態のインバータモジュール１を示す断面図である。図２では、インバータモジュール１のうち、１つの半導体モジュール１０と１つの出力バスバー４０の組み合わせを示している。なお、他の半導体モジュール１０と出力バスバー４０の組み合わせも同様の構成を有している。３つの半導体モジュール１０は、例えば、図２の紙面に垂直な方向に並んで構成されている。
【００２２】
図２に示されるように、半導体モジュール１０は、上相モジュール２と、下相モジュール３と、絶縁部４と、を有している。上相モジュール２及び下相モジュール３は、絶縁部４を挟んで積層されている。上相モジュール２及び下相モジュール３の積層方向Ｌを図２に矢印で示す。
【００２３】
絶縁部４は、上相モジュール２と下相モジュール３とを絶縁する部位である。第１実施形態の絶縁部４は、冷却器５と、上相側絶縁物６と、下相側絶縁物７と、を有している。冷却器５は、例えば、冷却水の循環によりインバータモジュール１で生じた熱を吸収する水冷式の冷却器である。絶縁部４に含まれる冷却器５は、冷却水の流路の一部を構成している。なお、冷却器５は空冷式であってもよい。
【００２４】
上相側絶縁物６及び下相側絶縁物７は、例えば、高熱伝導性及び絶縁性を有する樹脂から成るシート状の部材である。上相側絶縁物６及び下相側絶縁物７の材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３又はＡｌＮ等の絶縁性の高放熱フィラー材を混合したエポキシ樹脂を用いることができる。また、上相側絶縁物６及び下相側絶縁物７としては、ポリエチレンテレフタラート又はポリエステル等からなる絶縁フィルムを用いることもできる。その他、上相側絶縁物６及び下相側絶縁物７として、絶縁性のセラミック溶射皮膜（例えば、Ａｌ２Ｏ３）を用いてもよい。
【００２５】
上相側絶縁物６及び下相側絶縁物７は、積層方向Ｌで冷却器５を挟むように設けられている。上相側絶縁物６は上相モジュール２に接するように設けられ、下相側絶縁物７は下相モジュール３に接するように設けられている。なお、絶縁部４は、必ずしも冷却器５を備える必要はない。絶縁部４は、例えば、一つの絶縁物（例えば絶縁性の板部材）から構成されていてもよい。
【００２６】
次に、上相モジュール２の構成について説明する。上相モジュール２は、正側電極１１と、第１出力電極１２と、第１モールド樹脂部１３と、第１半導体素子部１４と、第１出力端子２０と、を有している。正側電極１１及び第１出力電極１２は、例えば、平板状の金属板として形成される。正側電極１１及び第１出力電極１２としては、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ又はＡｌ等の金属板、或いは、これらの金属板の表面にＡｇ又はＡｕ等のメッキ処理を施したものを用いることができる。正側電極１１及び第１出力電極１２は、積層方向Ｌで対向するように配置されている。
【００２７】
正側電極１１は、３つの半導体モジュール１０で共有される電極である。正側電極１１は、例えばＰ電極を用いることができる。正側電極１１は、第１出力電極１２と対向する内面１１ａと、絶縁部４の上相側絶縁物６に当接する外面１１ｂと、を有している。第１出力電極１２は、第１モールド樹脂部１３から露出する外面１２ａと、正側電極１１の内面１１ａと対向する内面１２ｂと、を有している。正側電極１１の内面１１ａと第１出力電極１２の内面１２ｂの間に、第１半導体素子部１４が配置されている。
【００２８】
第１モールド樹脂部１３は、正側電極１１、第１出力電極１２、及び第１半導体素子部１４を封止するための樹脂部材である。第１モールド樹脂部１３は、絶縁性を有する樹脂から形成されている。第１モールド樹脂部１３としては、例えば、エポキシ樹脂にＳｉＯ２等のフィラー材を含む熱硬化性樹脂を用いることができる。第１モールド樹脂部１３は、内部の第１半導体素子部１４を封止するように形成されている。第１モールド樹脂部１３は、側面１３ａ及び上面１３ｂを有している。
【００２９】
第１半導体素子部１４は、上述した第１トランジスタ１５及び第１ダイオード１６を有している。第１トランジスタ１５のコレクタＣは、ハンダＨを介して正側電極１１の内面１１ａに接続されている。第１トランジスタ１５のエミッタＥは、ハンダＨ及びスペーサ１８を介して第１出力電極１２の内面１２ｂに接続されている。また、第１トランジスタ１５のベースには、外部の電子制御ユニットと接続された信号端子１７がワイヤー１７ａを介して接続されている。第１トランジスタ１５は、信号端子１７からの入力信号によって電流の流れを切り替えるスイッチング素子として機能する。なお、スペーサ１８は、必ずしも設ける必要はない。
【００３０】
また、第１ダイオード１６のアノードは、ハンダＨを介して正側電極１１の内面１１ａに接続されている。第１ダイオード１６のカソードは、ハンダＨ及びスペーサ１９を介して第１出力電極１２の内面１２ｂに接続されている。第１ダイオード１６は、逆流時の第１トランジスタ１５への悪影響を抑制する還流ダイオードとして機能する。
【００３１】
なお、第１半導体素子部１４が第１トランジスタ１５及び第１ダイオード１６を有する場合について説明したが、第１半導体素子部１４としてスイッチング素子とダイオードが一体となった半導体素子を採用してもよい。後述する第２半導体素子部２４においても同様である。第１半導体素子部１４及び第２半導体素子部２４として、スイッチング素子とダイオードが一体となった半導体素子を採用することは、インバータモジュール１の小型化に有利である。
【００３２】
第１出力端子２０は、第１出力電極１２に接続され、第１モールド樹脂部１３の外へ延びる端子である。第１出力端子２０は、第１モールド樹脂部１３の側面１３ａから側方（積層方向Ｌに直交する方向）に突出している。第１出力端子２０は、第１延在部２０ａと、第１突出部２０ｂと、第１先端部２０ｃと、を有している。
【００３３】
第１延在部２０ａは、第１出力電極１２に接続されると共に、第１モールド樹脂部１３内で絶縁部４に近づくように積層方向に沿って延在する部位である。第１延在部２０ａは、例えば、第１出力電極１２から離れるにつれて絶縁部４に近づくように傾斜している。第１突出部２０ｂは、第１延在部２０ａに接続され、第１モールド樹脂部１３から側方へ突出する部位である。第１突出部２０ｂは、例えば、側方へ向かって真っ直ぐに延びている。第１先端部２０ｃは、第１モールド樹脂部１３の外へ突出した第１突出部２０ｂの先端の部位である。
【００３４】
なお、第１出力端子２０は、必ずしも第１延在部２０ａを有する必要はない。第１出力端子２０は、例えば、傾斜部分や屈曲部分を有さず、真っ直ぐ側方にのみ突出する態様であってもよい。後述する第２出力端子３０も同様である。また、側方（積層方向Ｌに直交する方向）に突出するとは、第１出力端子２０が側方にのみ突出することを限定するものではない。側方を含む斜め方向に突出している場合も含まれる。
【００３５】
続いて、下相モジュール３の構成について説明する。なお、下相モジュール３の構成において、上相モジュール２の説明と重複する箇所は省略する。下相モジュール３は、負側電極２１と、第２出力電極２２と、第２モールド樹脂部２３と、第２半導体素子部２４と、第２出力端子３０と、を有している。負側電極２１及び第２出力電極２２は、例えば、正側電極１１及び第１出力電極１２と同様の形状及び材料を用いることができる。負側電極２１及び第２出力電極２２は、積層方向Ｌで対向するように配置されている。
【００３６】
負側電極２１は、３つの半導体モジュール１０で共有される電極である。負側電極２１は、例えばＮ電極を用いることができる。なお、正側電極１１にＮ電極を用いて、負側電極２１にＰ電極を用いてもよい。負側電極２１は、第２出力電極２２と対向する内面２１ａと、絶縁部４の上相側絶縁物６に当接する外面２１ｂと、を有している。第２出力電極２２は、第２モールド樹脂部２３から露出する外面２２ａと、負側電極２１の内面２１ａと対向する内面２２ｂと、を有している。負側電極２１の内面２１ａと第２出力電極２２の内面２２ｂの間に、第２半導体素子部２４が配置されている。
【００３７】
第２モールド樹脂部２３は、負側電極２１、第２出力電極２２、及び第２半導体素子部２４を一体化するための樹脂部材である。第２モールド樹脂部２３は、絶縁性を有する樹脂から形成されている。第２モールド樹脂部２３としては、例えば、エポキシ樹脂にＳｉＯ２等のフィラー材を含む熱硬化性樹脂を用いることができる。第２モールド樹脂部２３は、内部の第２半導体素子部２４を封止するように形成されている。第２モールド樹脂部２３は、側面２３ａ及び下面２３ｂを有している。
【００３８】
第２半導体素子部２４は、上述した第２トランジスタ２５及び第２ダイオード２６を有している。第２トランジスタ２５のコレクタＣは、ハンダＨを介して負側電極２１の内面２１ａに接続されている。第２トランジスタ２５のエミッタＥは、ハンダＨ及びスペーサ２８を介して第２出力電極２２の内面２２ｂに接続されている。また、第２トランジスタ２５のベースには、外部の電子制御ユニットと接続された信号端子２７がワイヤー２７ａを介して接続されている。また、第２ダイオード２６のアノードは、ハンダＨを介して負側電極２１の内面２１ａに接続されている。第２ダイオード２６のカソードは、ハンダＨ及びスペーサ２９を介して第２出力電極２２の内面２２ｂに接続されている。
【００３９】
第２出力端子３０は、第２出力電極２２に接続され、第２モールド樹脂部２３の外へ延びる端子である。第２出力端子３０は、第２モールド樹脂部２３の側面２３ａから側方（積層方向Ｌに直交する方向）に突出している。第２出力端子３０は、積層方向Ｌで第１出力端子２０と対向するように第２モールド樹脂部２３から突出している。第２出力端子３０は、第１出力端子２０と同様の第２延在部３０ａ、第２突出部３０ｂ、第２先端部３０ｃを有している。
【００４０】
第２延在部３０ａは、第２出力電極２２に接続されると共に、第２モールド樹脂部２３内で絶縁部４に近づくように積層方向に沿って延在する部位である。第２延在部３０ａは、例えば、第２出力電極２２から離れるにつれて絶縁部４に近づくように傾斜している。第２突出部３０ｂは、第２延在部３０ａに接続され、第２モールド樹脂部２３から側方へ突出する部位である。第２突出部３０ｂは、例えば、側方へ向かって真っ直ぐに延びている。第２先端部３０ｃは、第２モールド樹脂部２３の外へ突出した第２突出部３０ｂの先端の部位である。
【００４１】
次に、出力バスバー４０について説明する。出力バスバー４０は、半導体モジュール１０に対して、第１出力端子２０及び第２出力端子３０に被さるように取り付けられるキャップ構造の部材である。出力バスバー４０は、第１出力端子２０及び第２出力端子３０に被さるように取り付けられることで、第１出力端子２０及び第２出力端子３０と接続される。また、出力バスバー４０は、配線を通じてモータＭに接続されている。出力バスバー４０の材料としては、例えば、銅又は銅合金を用いることができる。
【００４２】
図３（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の出力バスバー４０を示す図である。図２及び図３（ａ）〜（ｃ）に示されるように、出力バスバー４０は、第１壁部４１と、第２壁部４２と、連結部４３と、配線接続部４４と、を有している。第１壁部４１、第２壁部４２、及び連結部４３は、コの字形状（チャネル形状）を成すように形成されている。第１壁部４１及び第２壁部４２は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第１出力端子２０及び第２出力端子３０を積層方向Ｌで挟むように配置される。
【００４３】
第１壁部４１は、第１モールド樹脂部１３から突出した第１出力端子２０に沿って延在する板状の部位である。第１壁部４１は、外面４１ａと、第２壁部４２と対向する内面４１ｂと、を有している。第１壁部４１は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第１出力端子２０に近接して配置される。この場合、第１壁部４１は、第１出力端子２０と接触しない。また、第１壁部４１は、インバータモジュール１の出力のための電流経路を構成するものではない。
【００４４】
第１壁部４１は、第１出力端子２０のうち第１モールド樹脂部１３から突出する部位（第１突出部２０ｂのうち第１モールド樹脂部１３から突出する部位）の全体にわたって沿うように形成されている。第１壁部４１の先端部Ｅ１は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第１モールド樹脂部１３の側面１３ａに当接する。
【００４５】
第２壁部４２は、第２モールド樹脂部２３から突出した下相モジュール３の第２出力端子３０に沿って延在する板状の部位である。第２壁部４２は、外面４２ａと、第１壁部４１の内面４１ｂと対向する内面４２ｂと、を有している。第２壁部４２は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第２出力端子３０に近接して配置される。この場合、第２壁部４２は、第２出力端子３０と接触しない。また、第２壁部４２は、インバータモジュール１の出力のための電流経路を構成するものではない。
【００４６】
第２壁部４２は、第２出力端子３０のうち第２モールド樹脂部２３から突出する部位（第２突出部３０ｂのうち第２モールド樹脂部２３から突出する部位）の全体にわたって沿うように形成されている。また、第２壁部４２の先端部Ｅ２は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第２モールド樹脂部２３の側面２３ａに当接する。出力バスバー４０は、第１壁部４１及び第２壁部４２が積層方向Ｌで対向するように、半導体モジュール１０（第１出力端子２０及び第２出力端子３０）に対して取り付けられる。
【００４７】
なお、第１壁部４１及び第２壁部４２の形状は、板状に限られず、ブロック形状であってもよく、柱状であってもよい。また、第１壁部４１及び第２壁部４２は、複数の部材から構成されていてもよい。また、第１壁部４１及び第２壁部４２は、各出力端子の周りを囲むように形成されていてもよい。
【００４８】
連結部４３は、第１壁部４１及び第２壁部４２を連結する板状の部位である。連結部４３は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、積層方向Ｌに延在している。連結部４３は、外面４３ａと、第１出力端子２０及び第２出力端子３０と接続する内面４３ｂと、を有している。
【００４９】
また、連結部４３は、第１出力端子２０の第１先端部２０ｃが差し込まれる第１差込部Ｈ１と、第２出力端子３０の第２先端部３０ｃが差し込まれる第２差込部Ｈ２と、を有している。第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２は、内面４３ｂに形成された凹部である。第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２は、第１出力端子２０の第１先端部２０ｃ及び第２出力端子３０の第２先端部３０ｃを適切に位置決めできる形状となるように形成されている。なお、第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２は、凹部ではなく、内面４３ｂから外面４３ａへ貫通した孔部であってもよい。
【００５０】
出力バスバー４０は、第１出力端子２０及び第２出力端子３０がそれぞれ第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２に差し込まれる（嵌合される）ことで、第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２が存在しない場合と比べて、半導体モジュール１０に対する取付けが容易になると共に、取付け精度を高めることができる。なお、連結部４３は、必ずしも第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２を有する必要はない。連結部４３は、例えば、内面４３ｂに対して第１出力端子２０及び第２出力端子３０がハンダ等により接続される態様であってもよい。
【００５１】
配線接続部４４は、配線を介してモータＭに接続される部位である。配線接続部４４は、連結部４３の外面４３ａから側方に突出して形成されている。配線接続部４４は、連結部４３の外面４３ａのほぼ中央に形成されている。なお、配線接続用の孔等の図示は省略している。
【００５２】
続いて、出力バスバー４０の内側に形成された第１絶縁層４５、第２絶縁層４６、及び第３絶縁層４７について説明する。第１絶縁層４５、第２絶縁層４６、及び第３絶縁層４７としては、例えば、エポキシ樹脂を採用することができる。エポキシ樹脂には、放熱性を向上させるため、Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ等の絶縁性の高放熱フィラー材を混合させてもよい。また、第１絶縁層４５、第２絶縁層４６、及び第３絶縁層４７としては、ポリエチレンテレフタラート又はポリエステル等からなる絶縁フィルムを採用することもできる。その他、第１絶縁層４５、第２絶縁層４６、及び第３絶縁層４７として、絶縁性のセラミック溶射皮膜（例えば、Ａｌ２Ｏ３）を採用してもよい。
【００５３】
第１絶縁層４５は、出力バスバー４０の第１壁部４１の内面４１ｂに沿って形成された絶縁性の樹脂層である。第１絶縁層４５は、第１壁部４１と第１出力端子２０とを近接させつつも第１壁部４１と第１出力端子２０との接触を防ぐため、第１壁部４１の内面４１ｂと第１出力端子２０とを離間させるように形成されている。
【００５４】
第１絶縁層４５は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、出力バスバー４０の第１壁部４１と第１出力端子２０との間に配置される。第１絶縁層４５は、第１差込部Ｈ１に差し込まれた第１先端部２０ｃを除き、第１モールド樹脂部１３から突出する第１出力端子２０の全体にわたって積層されるように形成されている。第１絶縁層４５は、第１モールド樹脂部１３の側面１３ａから出力バスバー４０の連結部４３の内面４３ｂまで至るように形成されている。
【００５５】
同様に、第２絶縁層４６は、出力バスバー４０の第２壁部４２の内面４２ｂに沿って形成された絶縁性の樹脂層である。第２絶縁層４６は、第２壁部４２と第２出力端子３０とを近接させつつも第２壁部４２と第１出力端子２０との接触を防ぐため、第２壁部４２の内面４２ｂと第２出力端子３０とを離間させるように形成されている。
【００５６】
第２絶縁層４６は、出力バスバー４０が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、出力バスバー４０の第２壁部４２と第２出力端子３０との間に配置される。第２絶縁層４６は、第２差込部Ｈ２に差し込まれた第２先端部３０ｃを除き、第２モールド樹脂部２３から突出する第２出力端子３０の全体にわたって積層されるように形成されている。第２絶縁層４６は、第２モールド樹脂部２３の側面２３ａから出力バスバー４０の連結部４３の内面４３ｂまで至るように形成されている。
【００５７】
第３絶縁層４７は、出力バスバー４０の連結部４３の内面４３ｂに沿って形成された絶縁性の樹脂層である。第３絶縁層４７は、第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２を除いて、連結部４３の内面４３ｂを覆うように形成されている。なお、第３絶縁層４７は、必ず設ける必要はない。
【００５８】
以上説明した第１実施形態に係るインバータモジュール１によれば、第１出力端子２０及び第２出力端子３０に電流が流れることで第１壁部４１及び第２壁部４２の表面（外面４１ａ，４２ａ、内面４１ｂ，４２ｂ等）に渦電流が生じ、この渦電流が磁束の変化を妨げる方向に流れるので、第１出力端子２０及び第２出力端子３０における寄生インダクタンスを減少させることができる。しかも、このインバータモジュール１によれば、第１壁部４１及び第２壁部４２を出力バスバー４０が有する構成（例えば、キャップ構造）とすることで、第１壁部４１及び第２壁部４２を出力バスバーと別部材とする場合に比べて、インバータモジュール１の構成の簡素化することができ、低コスト化に有利である。更に、このインバータモジュール１では、出力バスバー４０を取り付けるだけで、第１壁部４１及び第２壁部４２を設けることができるので、インバータモジュール１の製造工程を増やすことなく、寄生インダクタンスを減少させることができる。
【００５９】
更に、このインバータモジュール１によれば、第１壁部４１が第１出力端子２０のうち第１モールド樹脂部１３から突出する部位の全体にわたって沿うように形成されているので、第１モールド樹脂部１３から突出する第１出力端子２０に第１壁部４１が沿わない部位がある場合と比べて、寄生インダクタンスの減少効果を大きくさせることができる。第２壁部４２においても同様である。
【００６０】
また、このインバータモジュール１によれば、第１出力端子２０の第１先端部２０ｃが差し込まれる第１差込部Ｈ１と、第２出力端子３０の第２先端部３０ｃが差し込まれる第２差込部Ｈ２とを出力バスバー４０の連結部４３が有しているので、第１出力端子２０及び第２出力端子３０がそれぞれ第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２に差し込まれる（嵌合される）ことで、第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２が存在しない場合と比べて、半導体モジュール１０に対する出力バスバー４０の位置決めが確実となり、半導体モジュール１０に対する取り付け（組み付け）が容易になる。
【００６１】
［第２実施形態］
図４（ａ）〜（ｃ）に示す第２実施形態のインバータモジュール５０は、半導体モジュールの第１モールド樹脂部及び第２モールド樹脂部の形状と出力バスバーの形状のみが、第１実施形態と比べて異なっている。
【００６２】
ここで、図４（ａ）は、第２実施形態のインバータモジュール５０の一部を示す断面図である。図４（ａ）では、第１実施形態と同じ構成の部分の図示を省略している。また、図４（ｂ）は、第２実施形態の半導体モジュール５１を示す断面図である。
【００６３】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示されるように、第２実施形態のインバータモジュール５０の第１モールド樹脂部５２は、出力バスバー６０の第１壁部６１の先端部Ｅ１が嵌め込まれる第１嵌合部Ｈ３を有している。第１嵌合部Ｈ３は、第１モールド樹脂部５２の側面５２ａに形成された凹部である。第１嵌合部Ｈ３は、第１モールド樹脂部５２に対して第１壁部６１の先端部Ｅ１を適切な精度で位置決めできるように形成されている。
【００６４】
同様に、第２実施形態の第２モールド樹脂部５３は、出力バスバー６０の第２壁部６２の先端部Ｅ２が嵌め込まれる第２嵌合部Ｈ４を有している。第２嵌合部Ｈ４は、第２モールド樹脂部５３の側面５３ａに形成された凹部である。第２嵌合部Ｈ４は、第２モールド樹脂部５３に対して第２壁部６２の先端部Ｅ２を適切な精度で位置決めできるように形成されている。
【００６５】
図４（ｃ）は、第２実施形態の出力バスバー６０を示す断面図である。図４（ｃ）に示されるように、第２実施形態の出力バスバー６０の第１壁部６１は、外面６１ａと、第１絶縁層６５が形成された内面６１ｂと、を有している。第１壁部６１の内面６１ｂには、第１嵌合部Ｈ３に嵌め込まれる先端部Ｅ１を除いて第１絶縁層６５が形成されている。同様に、第２壁部６２は、外面６２ａと、第２絶縁層６６が形成された内面６２ｂと、を有している。第２壁部６２の内面６２ｂには、第２嵌合部Ｈ４に嵌め込まれる先端部Ｅ２を除いて第２絶縁層６６が形成されている。なお、連結部６３及び配線接続部６４は、第１実施形態の連結部４３及び配線接続部４４と同じ構成を有している。連結部６３の内面６３ｂには、必ずしも第３絶縁層６７を形成する必要はない。
【００６６】
以上説明した第２実施形態のインバータモジュール５０によれば、半導体モジュール５１の第１出力端子２０及び第２出力端子３０が出力バスバー６０の第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２にそれぞれ差し込まれると共に、出力バスバー６０の先端部Ｅ１，Ｅ２が半導体モジュール５１の嵌合部Ｈ３、Ｈ４にそれぞれ嵌合されるので、半導体モジュール１０に対する出力バスバー６０の位置決めを更に精度良く行うことができる。しかも、このインバータモジュール５０によれば、半導体モジュール１０に対して出力バスバー６０の第１壁部６１の先端部Ｅ１及び第２壁部６２の先端部Ｅ２が嵌合されるので、外力により出力バスバー６０の位置ずれ又は変形が生じることを抑えることができる。従って、このインバータモジュール５０によれば、出力バスバー６０の位置ずれ又は変形で第１壁部６１が第１出力端子２０から離れ、寄生インダクタンスの減少効果が劣化することを抑制できる。このことは、インバータモジュール５０の信頼性の向上に有利である。
【００６７】
［第３実施形態］
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第３実施形態のインバータモジュール７０は、出力バスバーの形状のみが第１実施形態と比べて異なっている。図５（ａ）は、第３実施形態のインバータモジュール７０を示す断面図である。図５（ｂ）は、第３実施形態の出力バスバー８０を示す断面図である。
【００６８】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示されるように、第３実施形態のインバータモジュール７０の出力バスバー８０は、第１壁部８１、第２壁部８２、連結部８３、配線接続部８４、第３壁部８５、及び第４壁部８６を備えている。第１壁部８１、第２壁部８２、連結部８３、及び配線接続部８４は、第１実施形態の第１壁部４１、第２壁部４２、連結部４３、及び配線接続部４４と同じ構成を有している。また、第１壁部８１の内面８１ｂには、第１実施形態と同じ第１絶縁層４５が形成されている。第２壁部８２の内面８２ｂには、第１実施形態と同じ第２絶縁層４６が形成されている。連結部８３の内面８３ｂには、第１実施形態と同じ第３絶縁層４７が形成されている。なお、第３絶縁層４７は必ずしも形成する必要はない。
【００６９】
第３壁部８５は、第１壁部８１の先端部Ｅ１に接続された板状の部位である。第３壁部８５は、第１モールド樹脂部１３の側面１３ａに沿って積層方向Ｌに延在している。第３壁部８５の内面８５ａは、第１モールド樹脂部１３の側面１３ａに当接している。第３壁部８５は、積層方向Ｌにおいて、第１壁部８１の先端部Ｅ１から側面１３ａの端部（側面１３ａと上面１３ｂとの境界部分）に至るまで延在している。
【００７０】
また、第３壁部８５は、第１出力端子２０のうち、第１モールド樹脂部１３内で積層方向Ｌに沿って延在する第１延在部２０ａに沿うように延在している。第３壁部８５は、積層方向Ｌと直交する方向で第１モールド樹脂部１３内の第１延在部２０ａと対向するように形成されている。第３壁部８５は、第１モールド樹脂部１３内の第１延在部２０ａと接触しない。また、第３壁部８５は、インバータモジュール７０の電流経路を構成するものではない。
【００７１】
同様に、第４壁部８６は、第２壁部８２の先端部Ｅ２に接続された板状の部位である。第４壁部８６は、第２モールド樹脂部２３の側面２３ａに沿って積層方向Ｌに延在している。第４壁部８６の内面８６ａは、第２モールド樹脂部２３の側面２３ａに当接している。第４壁部８６は、積層方向Ｌにおいて、第２壁部８２の先端部Ｅ２から側面２３ａの端部（側面２３ａと下面２３ｂとの境界部分）に至るまで延在している。
【００７２】
また、第４壁部８６は、第２出力端子３０のうち、第２モールド樹脂部２３内で積層方向Ｌに沿って延在する第２延在部３０ａに沿うように延在している。第４壁部８６は、積層方向Ｌと直交する方向で第２モールド樹脂部２３内の第２延在部３０ａと対向するように形成されている。第４壁部８６は、第２モールド樹脂部２３内の第２延在部３０ａと接触しない。また、第４壁部８６は、インバータモジュール７０の電流経路を構成するものではない。
【００７３】
なお、第３壁部８５は、必ずしも積層方向Ｌにおいて側面１３ａの端部に至るまで延在する必要はない。また、第３壁部８５は、必ずしも第１壁部８１の先端部Ｅ１に接続されている必要はなく、第１壁部８１の途中から積層方向Ｌに突出する態様であってもよい。この場合、第１壁部８１の先端部Ｅ１は、第２実施形態のように第１モールド樹脂部５２の嵌合部Ｈ３に嵌合させてもよい。また、第３壁部８５の形状は、板状に限られず、ブロック形状であってもよく、柱状であってもよい。また、第３壁部８５は、複数の部材から構成されていてもよい。また、第３壁部８５は、第１モールド樹脂部１３の上面１３ｂに回り込むように形成されてもよい。なお、第３実施形態では、第３壁部８５を第１モールド樹脂部１３の上面１３ｂに回り込ませない態様とすることで、第１モールド樹脂部１３の上面１３ｂに冷却器を組付け可能としている。上述した点は、第４壁部８６においても同様である。また、出力バスバー８０は、第４壁部８６を備えず、第３壁部８５のみ備えていてもよい。或いは、出力バスバー８０は、第３壁部８５を備えず、第４壁部８６のみ備えていてもよい。
【００７４】
以上説明した第３実施形態のインバータモジュール７０によれば、第１出力端子２０及び第２出力端子３０に電流が流れることで、第１延在部２０ａ及び第２延在部３０ａにそれぞれ対応する第３壁部８５及び第４壁部８６の表面（内面８５ａ、８６ａを含む面）に渦電流が生じ、この渦電流が磁束の変化を妨げる方向に流れるので、第１出力端子２０及び第２出力端子３０における寄生インダクタンスを減少させることができる。従って、このインバータモジュール７０によれば、第１壁部８１及び第２壁部８２に加えて、第３壁部８５及び第４壁部８６における渦電流発生の効果により、第１出力端子２０及び第２出力端子３０における寄生インダクタンスをより一層減少させることができる。
【００７５】
［第４実施形態］
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す第４実施形態のインバータモジュール９０は、出力バスバーの形状のみが第１実施形態と比べて異なっている。図６（ａ）は、第４実施形態のインバータモジュール９０を示す断面図である。図６（ｂ）は、第４実施形態の出力バスバー１００を示す断面図である。
【００７６】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第４実施形態のインバータモジュール９０の出力バスバー１００は、第１壁部１０１、第２壁部１０２、連結部１０３、配線接続部１０４を備えている。第１壁部１０１及び第２壁部１０２は、出力バスバー１００が半導体モジュール１０に取付けられた状態において、第１出力端子２０及び第２出力端子３０の間に入り込むように配置される。
【００７７】
第１壁部１０１は、外面１０１ａと、第２壁部１０２と対向する内面１０１ｂと、を有している。第１壁部１０１は、出力バスバー１００が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第１出力端子２０に近接して配置される。この場合、第１壁部１０１は、第１出力端子２０と接触しない。また、第１壁部１０１は、インバータモジュール１の電流経路を構成するものではない。
【００７８】
第１壁部１０１は、第１出力端子２０のうち第１モールド樹脂部１３から突出する部位（第１突出部２０ｂのうち第１モールド樹脂部１３から突出する部位）の全体にわたって沿うように形成されている。第１壁部１０１の先端部Ｅ１は、出力バスバー１００が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第１モールド樹脂部１３の側面１３ａに当接する。
【００７９】
同様に、第２壁部１０２は、第２モールド樹脂部２３から突出した下相モジュール３の第２出力端子３０に沿って延在する板状の部位である。第２壁部１０２は、外面１０２ａと、第１壁部１０１の内面１０１ｂと対向する内面１０２ｂと、を有している。第２壁部１０２は、出力バスバー１００が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第２出力端子３０に近接して配置される。この場合、第２壁部１０２は、第２出力端子３０と接触しない。また、第２壁部１０２は、インバータモジュール１の電流経路を構成するものではない。
【００８０】
第２壁部１０２は、第２出力端子３０のうち第２モールド樹脂部２３から突出する部位（第２突出部３０ｂのうち第２モールド樹脂部２３から突出する部位）の全体にわたって沿うように形成されている。また、第２壁部１０２の先端部Ｅ２は、出力バスバー１００が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、第２モールド樹脂部２３の側面２３ａに当接する。
【００８１】
なお、第１壁部１０１及び第２壁部１０２の形状は、第１実施形態の第１壁部４１及び第２壁部４２と同様に、様々な形状を採用することができる。また、第１壁部１０１の先端部Ｅ１及び第２壁部１０２の先端部Ｅ２は、第２実施形態のように、半導体モジュール１０側に形成した嵌合部Ｈ３，Ｈ４にそれぞれ嵌め合わされる態様であってもよい。
【００８２】
連結部１０３は、第１壁部１０１及び第２壁部１０２を連結する板状の部位である。連結部１０３は、出力バスバー１００が半導体モジュール１０に取り付けられた状態において、積層方向Ｌに延在している。連結部１０３は、外面１０３ａと、第１出力端子２０及び第２出力端子３０と接続する内面１０３ｂと、を有している。内面１０３ｂには、第１壁部１０１及び第２壁部１０２も接続されている。第１壁部１０１、第２壁部１０２、及び連結部１０３は、その内面１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂがコの字状（チャネル形状）を成すように構成されている。
【００８３】
連結部１０３は、第１壁部１０１よりも積層方向Ｌに張り出した第１張出部１０３ｃと、第２壁部１０２よりも積層方向Ｌに張り出した第２張出部１０３ｄと、を有している。第１張出部１０３ｃの内面１０３ｂには、第１差込部Ｈ１が形成されている。また、第２張出部１０３ｄの内面１０３ｂには、第２差込部Ｈ２が形成されている。
【００８４】
第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２には、第１出力端子２０の第１先端部２０ｃ及び第２出力端子３０の第２先端部３０ｃがそれぞれ差し込まれる。第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２は、第１実施形態と同じ構成のため説明を省略する。なお、連結部１０３は、必ずしも第１差込部Ｈ１及び第２差込部Ｈ２を有する必要はない。配線接続部１０４は、第１実施形態の配線接続部４４と同じ構成のため説明を省略する。
【００８５】
次に、第１絶縁層１０５及び第２絶縁層１０６について説明する。第１絶縁層１０５は、出力バスバー１００の第１壁部１０１の外面１０１ａに沿って形成された絶縁性の樹脂層である。第１絶縁層１０５は、第１壁部１０１と第１出力端子２０とを近接させつつも第１壁部１０１と第１出力端子２０との接触を防ぐため、第１壁部１０１の外面１０１ａと第１出力端子２０とを離間させるように形成されている。第１絶縁層１０５は、第１差込部Ｈ１に差し込まれた第１先端部２０ｃを除き、第１モールド樹脂部１３から突出する第１出力端子２０の全体にわたって積層されるように形成されている。
【００８６】
同様に、第２絶縁層１０６は、出力バスバー１００の第２壁部１０２の内面１０２ｂに沿って形成された絶縁性の樹脂層である。第２絶縁層１０６は、第２壁部１０２と第２出力端子３０とを近接させつつも第２壁部１０２と第１出力端子２０との接触を防ぐため、第２壁部１０２の内面１０２ｂと第２出力端子３０とを離間させるように形成されている。第２絶縁層１０６は、第２差込部Ｈ２に差し込まれた第２先端部３０ｃを除き、第２モールド樹脂部２３から突出する第２出力端子３０の全体にわたって積層されるように形成されている。
【００８７】
以上説明した第４実施形態のインバータモジュール９０によれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、各実施形態の構成を適宜組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００８９】
１，５０，７０，９０…インバータモジュール、２…上相モジュール（第１モジュール）、３…下相モジュール（第２モジュール）、４…絶縁部、５…冷却器、６…上相側絶縁物、７…下相側絶縁物、１０，５１…半導体モジュール、１１…正側電極（第１入力電極）、１２…第１出力電極、１３，５２…第１モールド樹脂部、１４…第１半導体素子部、１５…第１トランジスタ、１６…第１ダイオード、２０…第１出力端子、２０ａ…第１延在部、２０ａ…第１延在部、２０ｂ…第１突出部、２０ｃ…第１先端部、２１…負側電極（第２入力電極）、２２…第２出力電極、２３，５３…第２モールド樹脂部、２４…第２半導体素子部、２５…第２トランジスタ、２６…第２ダイオード、３０…第２出力端子、３０ａ…第２延在部、３０ｂ…第２突出部、３０ｃ…第２先端部、４０…出力バスバー、４１，６１，８１，１０１…第１壁部、４２，６２，８２，１０２…第２壁部、４３，６３，８３，１０３…連結部、４４，６４，８４，１０４…配線接続部、４５，６５，１０５…第１絶縁層、４６，６６，１０６…第２絶縁層、４７，６７…第３絶縁層、Ｂ…バッテリ、ＣＡＰ…キャパシタ、Ｅ１，Ｅ２…先端部、Ｈ１…第１差込部、Ｈ２…第２差込部、Ｈ３…第１嵌合部、Ｈ４…第２嵌合部、Ｌ…積層方向、Ｍ…モータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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