(57)【要約】【課題】高い精度で電極のパターンを形成可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の実現を目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの製造方法は、基板１０上に第１の絶縁層１２を形成する工程と、第１のパターニング層１３を形成する工程と、第２のパターニング層３２を形成する工程と、溝部２０を形成する工程と、前記第２のパターニング層上と前記溝部内とに電極層３４を形成する工程と、を備え、前記溝部を形成する工程において、前記溝部内に露出する前記第１のパターニング層の端部１３ａを、前記溝部内に露出する前記第２のパターニング層の端部３２ａよりも平面視で外側までエッチングを行い、前記電極層を形成する工程において、前記溝部内に形成された前記電極層と、前記溝部の周辺に形成された前記電極層とが分離する、ことを特徴とする。【選択図】図２
2015060750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形の表示領域と前記表示領域の外周を囲む額縁領域とを有する基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に第１のパターニング層を形成する工程と、
前記第１のパターニング層上に第２のパターニング層を形成する工程と、
前記額縁領域における前記第２のパターニング層及び前記第１のパターニング層の一部を除去して溝部を形成する工程と、
前記第２のパターニング層上と前記溝部内とに電極層を形成する工程と、
を備え、
前記溝部を形成する工程において、
前記溝部内に露出する前記第１のパターニング層の端部を、前記溝部内に露出する前記第２のパターニング層の端部よりも平面視で外側までエッチングを行い、
前記電極層を形成する工程において、
前記第１のパターニング層の端部よりも下側に位置し、前記溝部内に形成された前記電極層と、前記第１のパターニング層の端部の上側に位置し、前記溝部の外側に形成された前記電極層とが分離する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記基板には前記表示領域がマトリクス状に配列され、
前記溝部は平面視で前記表示領域の外周に沿って形成され、
前記電極層を形成した後に前記額縁領域を前記溝部に沿って切断することにより前記基板を複数の個片に分割する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記第１の絶縁層を形成する工程の前に、前記基板の前記額縁領域にグランドを形成する工程を有し、
前記溝部を形成する工程において前記溝部内に前記グランドを露出させ、
前記電極層を形成する工程において、前記溝部内に露出する前記グランドに前記電極層を接続させる、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
複数の前記溝部の少なくとも一部を、互いに間隔を空けて並ぶように形成し、
前記電極層を形成する工程において、
前記一部の溝部同士の間に形成された前記電極層から前記一部の溝部内に形成された前記電極層が分離することにより、前記電極層を有する端子が前記一部の溝部内に形成される、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記第２のパターニング層が画素電極層であり、前記電極層が、前記画素電極層に対向する対向電極層である、
ことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記電極層を形成する工程において、前記額縁領域の一部に対応して一方向にのみ延在する遮蔽部を有するマスクを用いて前記電極層の材料を前記第２のパターニング層上に蒸着することにより、前記額縁領域の一部に前記電極層の形成されない領域を形成する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
矩形の表示領域と前記表示領域の外周を囲む額縁領域とを有する基板と、
前記基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第１のパターニング層と、
前記第１のパターニング層上に形成された第２のパターニング層と、
前記額縁領域に形成された、前記第２のパターニング層と前記第１のパターニング層との一部が除去されてなる溝部と、
前記第２のパターニング層上と前記溝部内とに形成された電極層と、
を備え、
前記溝部内に露出する前記第１のパターニング層の端部が、前記溝部内に露出する前記第２のパターニング層の端部よりも平面視で外側に位置し、
前記第１のパターニング層の端部よりも下側に位置し、前記溝部内に形成された前記電極層が、前記第１のパターニング層の端部の上側に位置し、前記溝部の周辺に形成された前記電極層から分離されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量なディスプレイとして、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子（以下、有機ＥＬ素子とする）を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置とする）が開発されている。有機ＥＬ素子は、発光層を有する有機層が画素電極と対向電極とで挟まれた構造を有する。また、有機ＥＬ表示装置においては、画像の表示される表示領域の周辺の領域である額縁領域の狭額縁化が要求されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置を製造する際には、マスクを用いてマトリクス状の電極を表示領域内に成膜する。このようなマスクは、マトリクス状に設けられた開口と、額縁領域に対応して格子状に設けられた遮蔽部とを有している。電極を成膜した後、基板を各額縁領域に沿って切断することにより、個片化された有機ＥＬ表示装置が形成される。
【０００４】
また、その他の製造方法としては、例えば特許文献１において、レーザー加工室が付加された製造装置により成膜後の基板にレーザーを照射して所望のパターンの成膜を行う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３４２４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、有機ＥＬ表示装置の小型化に伴い、額縁領域の狭額縁化が求められている。しかし、額縁領域の狭額縁化に伴ってマスクの遮蔽部の幅が狭くなるほど、マスクは電極の成膜をする際に応力で変形しやすくなる。このため、マスクを用いた成膜により、電極のパターンの形成精度が低下するおそれが生じる。
【０００７】
また、特許文献１に記載の成膜方法によれば、従来の製造装置にレーザー加工室を付加する必要があるため、製造コストを抑えることが困難となる。また、電極の成膜の際にレーザー加工の工程が加わるため工程数が増加してしまい、電極のパターンの形成を容易に行うことが困難である。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高い精度で電極のパターンを形成可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、矩形の表示領域と前記表示領域の外周を囲む額縁領域とを有する基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に第１のパターニング層を形成する工程と、前記第１のパターニング層上に第２のパターニング層を形成する工程と、前記額縁領域における前記第２のパターニング層及び前記第１のパターニング層の一部を除去して溝部を形成する工程と、前記第２のパターニング層上と前記溝部内とに電極層を形成する工程と、を備え、前記溝部を形成する工程において、前記溝部内に露出する前記第１のパターニング層の端部を、前記溝部内に露出する前記第２のパターニング層の端部よりも平面視で外側までエッチングを行い、前記電極層を形成する工程において、前記第１のパターニング層の端部よりも下側に位置し、前記溝部内に形成された前記電極層と、前記第１のパターニング層の端部の上側に位置し、前記溝部の周辺に形成された前記電極層とが分離する、ことを特徴とする。
【００１０】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（１）において、前記基板には前記表示領域がマトリクス状に配列され、前記溝部は平面視で前記表示領域の外周に沿って形成され、前記電極層を形成した後に前記額縁領域を前記溝部に沿って切断することにより前記基板を複数の個片に分割されてもよい。
【００１１】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（１）または（２）において、前記第１の絶縁層を形成する工程の前に、前記基板の前記額縁領域にグランドを形成する工程を有し、前記溝部を形成する工程において前記溝部内に前記グランドを露出させ、前記電極層を形成する工程において、前記溝部内に露出する前記グランドに前記電極層を接続させてもよい。
【００１２】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（１）乃至（３）のいずれか１項において、複数の前記溝部の少なくとも一部を、互いに間隔を空けて並ぶように形成し、前記電極層を形成する工程において、前記一部の溝部同士の間に形成された前記電極層から前記一部の溝部内に形成された前記電極層が分離することにより、前記電極層を有する端子が前記一部の溝部内に形成されていてもよい。
【００１３】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（１）乃至（４）のいずれか１項において、前記第２のパターニング層が画素電極層であり、前記電極層が、前記画素電極層に対向する対向電極層であってもよい。
【００１４】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（１）乃至（５）のいずれか１項において、前記電極層を形成する工程において、前記額縁領域の一部に対応して一方向にのみ延在する遮蔽部を有するマスクを用いて前記電極層の材料を前記第２のパターニング層上に蒸着することにより、前記額縁領域の一部に前記電極層の形成されない領域を形成してもよい。
【００１５】
（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、矩形の表示領域と前記表示領域の外周を囲む額縁領域とを有する基板と、前記基板上に形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された第１のパターニング層と、前記第１のパターニング層上に形成された第２のパターニング層と、前記額縁領域に形成された、前記第２のパターニング層と前記第１のパターニング層との一部が除去されてなる溝部と、前記第２のパターニング層上と前記溝部内とに形成された電極層と、を備え、前記溝部内に露出する前記第１のパターニング層の端部が、前記溝部内に露出する前記第２のパターニング層の端部よりも平面視で外側に位置し、前記第１のパターニング層の端部よりも下側に位置し、前記溝部内に形成された前記電極層が、前記第１のパターニング層の端部の上側に位置し、前記溝部の周辺に形成された前記電極層から分離されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法によれば、マスク無しで電極層の任意の箇所を電気的に分離させることができるため、高い精度で電極層の導電パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。
【図４】図４は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＶ領域の部分拡大図である。
【図５】図５は図４に示すＶ―Ｖ切断線における概略断面図である。
【図６】図６は本発明の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の概略平面図である。
【図７】図７は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための概略平面図である。
【図８】図８は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。
【図９】図９は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。
【図１０】図１０は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。
【図１１】図１１は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。
【図１２】図１２は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。
【図１３】図１３は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。
【図１４】図１４は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＸＩＶ−ＸＩＶ切断線に対応する概略断面図である。
【図１５】図１５は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するためのＸＩＶ−ＸＩＶ切断線に対応する概略断面図である。
【図１６】図１６は図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための、母基板上にマスクを配置した状態を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１ａについて図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１９】
図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１ａの概略平面図である。有機ＥＬ表示装置１ａは、基板１０と、フレキシブル配線基板２と、第１の端子４と、後述する薄膜トランジスタ１１と、第１の絶縁層１２と、第１のパターニング層１３と、有機ＥＬ素子３０と、封止膜４０と、対向基板５０と、を有している。
【００２０】
基板１０は、その上面１０ａに対向して対向基板５０が配置される部材である。基板１０は、平面視形状が矩形の表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外周Ｄ１を囲むように位置する額縁領域Ｅとを有している。
【００２１】
図１に示すように、基板１０の上面１０ａのうち、対向基板５０が配置されていない領域にはフレキシブル配線基板２と複数の第１の端子４とが設けられている。フレキシブル配線基板２は、有機ＥＬ表示装置１ａの外部から、第１の端子４に接続される図示しないＩＣチップ（Integrated Circuit）に画像データを供給するための部材である。
【００２２】
第１の端子４はフレキシブル配線基板２やＩＣチップなどの外部機器に電気的に接続される電子部品である。本実施形態における第１の端子４は図示しないＩＣチップと基板１０との接続領域に設けられている。また、第１の端子４と同じ構成の第２の端子５が、フレキシブル配線基板２と基板１０との接続領域に設けられている。
【００２３】
第１の端子４及び第２の端子５はそれぞれ複数形成されており、互いに間隔を空けて配置されている。第１の端子４は画像データを外部から供給されることにより、図示しないＩＣチップを介して、各画素に印加される電圧信号を、後述する有機ＥＬ素子３０に供給する。
【００２４】
図２は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａのＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。なお、図２においては、特に表示領域Ｄと額縁領域Ｅの境界Ｄ１付近の断面を示している。以下、説明の便宜上、表示領域Ｄと額縁領域Ｅそれぞれの構成について、その詳細を順に説明する。
【００２５】
表示領域Ｄは有機ＥＬ素子３０が形成される、画像を表示する領域である。基板１０の表示領域Ｄ上には、薄膜トランジスタ１１が形成されており、薄膜トランジスタ１１上には、第１の絶縁層１２と、第１のパターニング層１３と、有機ＥＬ素子３０と、封止膜４０と、が順に形成されている。
【００２６】
薄膜トランジスタ１１は、有機ＥＬ素子３０を駆動するために形成されている。薄膜トランジスタ１１は基板１０上に画素Ｐごとに設けられており、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、層間絶縁膜１１ｅから構成されている。
【００２７】
第１の絶縁層１２は例えば有機材料からなる絶縁層であり、後述する有機ＥＬ素子３０の形成される領域を平坦化するために薄膜トランジスタ１１上を覆うように設けられている。表示領域Ｄにおける第１の絶縁層１３は、薄膜トランジスタ１１と有機ＥＬ素子３０の間に設けられることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機ＥＬ素子３０の間が、電気的に絶縁される。
【００２８】
表示領域Ｄにおける第１のパターニング層１３は、パッシベーション膜として機能する。第１のパターニング層１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなり、第１の絶縁層１２上を覆うように形成されている。
【００２９】
また、表示領域Ｄにおける第１のパターニング層１３には、薄膜トランジスタ１１と有機ＥＬ素子３０を電気的に接続するコンタクトホール１２ａが、各有機ＥＬ素子３０に応じて形成されている。
【００３０】
第１のパターニング層１３上の各画素Ｐに対応する領域には、図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜は、有機ＥＬ素子３０から出射した光を対向基板５０側へ向けて反射するために設けられている。反射膜は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。
【００３１】
第１のパターニング層１３上には、複数の有機ＥＬ素子３０が、各画素Ｐに対応するように形成されている。有機ＥＬ素子３０は、画素電極層（第２のパターニング層）３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように積層された対向電極層（電極層）３４とを有することにより、発光源として機能する。
【００３２】
表示領域Ｄにおける第２のパターニング層３２は、有機層３３に駆動電流を注入する画素電極層として機能する。以下、表示領域Ｄにおける第２のパターニング層３２を、画素電極層１３２とする。画素電極層１３２は、基板１０の表示領域Ｄ上に、画素Ｐ毎に形成される。画素電極層１３２は第１コンタクトホール１２ａに接続している。これにより画素電極層１３２は薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて、薄膜トランジスタ１１から駆動電流を供給される。
【００３３】
画素電極層１３２（第２のパターニング層３２）は導電性を有する材料からなる。画素電極層１３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、画素電極層１３２に接触する構成の場合、反射膜は画素電極層１３２の一部として機能する。
【００３４】
隣接する各画素電極層１３２同士の間には、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は、隣接する画素電極層１３２同士の接触と、画素電極層１３２と対向電極層３４の間の漏れ電流を防止する機能と、を有する。画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。
【００３５】
有機層３３は、有機材料により形成された、少なくとも発光層を有する層であり、画素電極層３２上に接するように形成されている。有機層３３は、画素Ｐ毎に形成されていてもよく、また、表示領域Ｄ上のうち画素Ｐの配置される領域全面を覆うように形成されていてもよい。有機層３３は光を発する層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。
【００３６】
有機層３３は、例えば、画素電極層３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
【００３７】
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものが用いられてもよい。
【００３８】
対向電極層３４は、表示領域Ｄ全体の有機層３３上を覆うように形成されている。このような構成を有することにより、対向電極層３４は表示領域Ｄにおいて、複数の有機ＥＬ素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００３９】
対向電極層３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。対向電極層３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
【００４０】
対向電極層３４の上面は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、基板１０全体を覆うことにより有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の浸透を防ぐ、絶縁材料からなる透明の層である。
【００４１】
封止膜４０の上面は、例えば無機材料からなる充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は、基板１０に対向するように配置されている。対向基板５０は例えば絶縁性の基板からなり、その構成は特に限定されない。
【００４２】
次いで、額縁領域Ｅにおける有機ＥＬ表示装置１ａの構成について説明する。額縁領域Ｅとは、図１、２に示すように、表示領域Ｄの外周Ｄ１の周辺の領域である。なお、以下、説明の便宜上、額縁領域Ｅの外周を外周Ｆとする。
【００４３】
額縁領域Ｅにおいては、有機ＥＬ素子３０が形成されておらず、かつ、溝部（第１の溝部）２０が形成されている点が、少なくとも表示領域Ｄと異なっている。以下、第１の溝部２０よりも表示領域Ｄ側の領域を予備領域Ｅ１、第１の溝部２０の形成された領域を第１の溝部領域Ｅ２、第１の溝部領域Ｅ２の周辺の領域のうち、外周Ｆ側を第１の周辺領域Ｅ３とする。なお、説明の便宜上、第１の溝部領域Ｅ２の構成については後述する。
【００４４】
予備領域Ｅ１は、表示領域Ｄと第１の溝部領域Ｅ２との間の領域である。予備領域Ｅ１は、表示領域Ｄと第１の溝部領域Ｅ２との間の段差を解消するために設けられている。
【００４５】
予備領域Ｅ１においては、基板１０上にゲート絶縁層１１ｂ、グランド１１１、層間絶縁膜１１ｅ、第１の絶縁層１２、第１のパターニング層１３、画素分離膜１４、第２のパターニング層３２、電極層（対向電極層）３４及び封止膜４０がこの順に積層されている。なお、有機層３３の端部は、表示領域Ｄの外周Ｄ１から、予備領域Ｅ１と第１の溝部領域Ｅ２との境界の間に位置している。
【００４６】
第１の周辺領域Ｅ３は、表示領域Ｄから電気的に分離される領域である。第１の周辺領域Ｅ３においては、第１のパターニング層１３と第２のパターニング層３２との間に画素分離膜１４が形成されていない点が予備領域Ｅ１と異なっている。
【００４７】
次いで、第１の溝部領域Ｅ２について説明する。第１の溝部２０は、後述する第１のオーバーハング構造Ｏ１とともに電極パターンを形成するために設けられた溝であり、例えば表示領域Ｄの外周Ｄ１に沿うように形成されている。なお、第１の溝部２０の形成される箇所は、上記の例に限定されず、平面視形状が矩形の外周Ｄ１のうち、対向する２辺のみに沿うように設けられていてもよい。
【００４８】
第１の溝部領域Ｅ２においては、例えば基板１０上にゲート絶縁層１１ｂと層間絶縁膜１１ｅが積層されている。層間絶縁膜１１ｅの上面は第１の溝部２０の底面２１ａを構成している。また、底面２１ａ上には電極層３４及び封止膜４０が積層されている。
【００４９】
第１の溝部２０は、少なくとも第２のパターニング層３２と第１のパターニング層１３との一部が除去されてなる。第１の溝部２０の深さは特に限定されないが、その底面２１ａの基板１０の上面１０ａからの高さが少なくとも、上面１０ａから第１の絶縁層１２の上面１２ａまでの高さよりも低ければよい。本実施形態における第１の溝部２０は、例えば第２のパターニング層３２と第１のパターニング層１３と第１の絶縁層１２とが除去されてなる。
【００５０】
また、第１の溝部２０の底面２１ａにおいてはグランド１１１ｄが露出していることが好ましい。グランド１１１ｄは第１の溝部２０内に形成された電極層３４の電位を一定に保つために設けられており、第１の溝部２０内の電極層３４と図示しない配線とに接続されている。本実施形態におけるグランド１１１ｄは例えば、表示領域Ｄにおけるソース・ドレイン電極１１ｄと同じ材料からなり、かつ、同層に形成されているが、その構成は特に限定されない。
【００５１】
次いで、第１の溝部２０内におけるオーバーハング構造（第１のオーバーハング構造）Ｏ１について説明する。第１のオーバーハング構造Ｏ１は、表示領域Ｄにおける電極層３４と、第１の周辺領域Ｅ３における電極層３４（電極膜３３４）とを電気的に分離するための、第１のパターニング層１３の端部１３ａと第２のパターニング層３２の端部３２ａとが成す段差構造である。
【００５２】
第１のオーバーハング構造Ｏ１が形成されていることにより、予備領域Ｅ１に形成された電極層３４（電極膜１３４）と、第１の溝部領域Ｅ２に形成された電極層３４（電極膜２３４）とは分断される。これにより、表示領域Ｄにおける電極層３４及び予備領域Ｅ１における電極膜１３４は、第１の溝部領域Ｅ２における電極膜２３４から電気的に分離される。
【００５３】
同様に、第１の溝部領域Ｅ２における電極膜２３４と、第１の周辺領域Ｅ３に形成された電極層３４（電極膜３３４）とは、第１のオーバーハング構造Ｏ１が形成されていることにより、分断される。このため、第１の周辺領域Ｅ３における電極膜３３４は、第１の溝部領域Ｅ２における電極膜２３４から電気的に分離される。
【００５４】
図３は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。なお、説明の便宜上、図３においては、対向基板５０、封止剤４５及び封止膜４０の図示を省略する。図２、３に示すように、溝部２０内に露出する第１のパターニング層１３の端部１３ａは、第２のパターニング層３２の端部３２ａよりも平面視で外側に位置している。このため、第１のパターニング層１３の端部１３ａは、電極層３４と接することはない。
【００５５】
これにより、第１の溝部２０内（第１の溝部領域Ｅ２）に形成された、第１のパターニング層１３の端部１３ａよりも下側に位置する電極層３４は、第１の溝部２０の周辺（予備領域Ｅ１及び第１の周辺領域Ｅ３）に形成された、第１のパターニング層１３の端部１３ａの上側に位置する電極層３４から分離される。
【００５６】
このような構成を有することにより、第１の溝部領域Ｅ２に形成された電極層３４は、表示領域Ｄ及び予備領域Ｅ１に形成された電極層３４から電気的に分離される。また、これにより、表示領域Ｄにおける電極層３４は、第１の周辺領域Ｅ３における電極層３４から電気的に分離される。
【００５７】
なお、第１のパターニング層１３の端部１３ａは、少なくとも第２のパターニング層３２の端部３２ａよりも平面視で外側に位置していればよいが、図２に示すように、第１のパターニング層１３の端部１３ａは、第１の溝部２０の内周面２１よりも平面視で外側に位置している。このような構成を有することにより、本構成を有さない有機ＥＬ表示装置１ａと比べ、電極層３４は第１のオーバーハング構造Ｏ１を挟んでより確実に分離される。
【００５８】
本実施形態における有機ＥＬ表示装置１ａは、第１のオーバーハング構造Ｏ１の形成箇所において第２のパターニング層（画素電極層）３２や電極層（対向電極層）３４が分離される。このため、マスクを用いて成膜された電極層を有する従来の有機ＥＬ表示装置と比べ、電極層３４のパターンの精度向上及び微細化を実現することができる。
【００５９】
また、オーバーハング構造Ｏ１を挟んで電極層３４の電流経路が分断されるため、電流経路の分断箇所のパターンの精度も向上する。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａの狭額縁化と信頼性向上を実現することができる。
【００６０】
また、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１ａは、第１の溝部領域Ｅ１において、有機材料からなる第１の絶縁層１２と有機層３３が形成されていないことにより、本構成を有さない有機ＥＬ表示装置と比べ、第１の周辺領域Ｅ３側から水分が浸透しても、第１の溝部領域Ｅ１において水分の浸透が防がれる。このため、表示領域Ｄ側への水分拡散を防ぐことができる。
【００６１】
なお、オーバーハング構造の形成箇所は上記の例に限られず、第１の端子４及び第２の端子５の周囲をそれぞれ囲むように形成されていてもよい。図４は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａのＩＶ領域の部分拡大図であり、図５は図４に示すＶ―Ｖ切断線における概略断面図である。以下、第１の端子４の周辺の領域についてその詳細を説明する。
【００６２】
第１の端子４は、互いに間隔を空けて並ぶ複数の溝部（第２の溝部）１２０内にそれぞれ形成されている。第２の溝部１２０は、後述する第２のオーバーハング構造Ｏ２を構成するために設けられた溝である。以下、説明の便宜上、第２の溝部１２０の周辺の領域を第２の周辺領域Ｅ４とし、第２の溝部１２０が形成された領域を第２の溝部領域Ｅ５とする。
【００６３】
第２の周辺領域Ｅ４においては、基板１０上に第１の絶縁層１２、第１のパターニング層１３、第２のパターニング層３２及び電極層３４がこの順に積層されている。
【００６４】
第２の溝部領域Ｅ５における第２の溝部１２０は、後述する第２のオーバーハング構造Ｏ２を構成するために設けられた溝である。第２の溝部領域Ｅ５は例えば第２のパターニング層３２と第１のパターニング層１３と第１の絶縁層１２とが除去されてなり、その底面において基板１０を露出させている。
【００６５】
第２の溝部１２０内には第１の端子４と、第２のオーバーハング構造Ｏ２とが形成されている。第１の端子４は例えば、配線層４ａと、第１の端子４上を覆う第１の端子電極層４ｂと、第１の端子電極層４ｂ上を覆う第２の端子電極層３４ｃと、を有している。
【００６６】
配線層４ａは例えばアルミニウムなどの金属からなる、第１の端子４の基材となる層である。第１の端子電極層４ｂは、例えばＩＴＯからなる第１の端子電極層４ｂからなる。また、第２の端子電極層３４ｃは表示領域Ｄにおける電極層３４と同層の電極層である。第１の端子電極層４ｂと第２の端子電極層３４ｃは、配線層４ａ上に積層されることにより、配線層４ａに電気的に接続される。これにより、配線層４ａは第１の端子電極層４ｂと第２の端子電極層３４ｃを介してＩＣチップ３に電気的に接続される。
【００６７】
第２のオーバーハング構造Ｏ２は、第２の溝部領域Ｅ５における第２の端子電極層３４ｃと、第２の周辺領域Ｅ４における電極層３４とを電気的に分離するための、第１のパターニング層１３の端部１３ｂと第２のパターニング層３２の端部３２ｄとが成す段差構造である。
【００６８】
図４、５に示すように、第２の溝部１２０内に露出する第１のパターニング層１３の端部１３ｂは、第２の溝部１２０内に露出する第２のパターニング層３２の端部３２ｄよりも平面視で外側に位置している。このような構成を有することにより、第１のパターニング層１３の端部１３ｂは、第２の周辺領域Ｅ４において第２のパターニング層３２上を覆う電極層３４によって覆われることなく第２の溝部１２０内において露出する。
【００６９】
このように、第１のパターニング層１３の端部１３ｂが第２のパターニング層３２の端部３２ｄよりも平面視で外側に形成されていることにより、第２の溝部１２０内（第１の溝部領域Ｅ２）に形成された、第１のパターニング層１３の端部１３ｂよりも下側に位置する電極層３４（第２の端子電極層３４ｃ）は、第２の溝部１２０の周辺（第２の周辺領域Ｅ４）に形成された、第１のパターニング層１３の端部１３ｂの上側に位置する電極層３４から分離される。
【００７０】
このような構成を有することにより、第２の溝部１２０内に形成された電極層３４（第２の端子電極層３４ｃ）は、第２の周辺領域Ｅ４に形成された電極層３４から電気的に分離される。
【００７１】
本実施形態における有機ＥＬ表示装置１ａは、高い精度で第２のオーバーハング構造Ｏ２が形成されるため、微細な第１の端子４であっても第２の周辺領域Ｅ４における電極層３４から電気的に分離することができる。
【００７２】
以上、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１ａについて説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、第１のオーバーハング構造Ｏ１及び第２のオーバーハング構造Ｏ２の形成される箇所は上記の例に限られず、電極層３４を電気的に分離したい箇所を適宜選択すればよい。
【００７３】
また、グランドは第１のオーバーハング構造Ｏ１の形成箇所以外に形成されていてもよい。図６は本発明の変形例に係る有機ＥＬ表示装置１ｂの概略平面図である。有機ＥＬ表示装置１ｂは、上述の有機ＥＬ表示装置１ａに加え、導電層コンタクトポイント１３４ｄと金属フレーム１３６と導電テープ１３８とを有している。
【００７４】
導電層コンタクトポイント１３４ｄは、導電テープ１３８を介して金属フレーム１３６に電気的に接続する部分である。導電層コンタクトポイント１３４ｄは金属フレーム１３６に接続することにより、グランドとして機能する。金属フレーム１３６は、有機ＥＬ表示装置１ｂを支持する枠状のフレームである。
【００７５】
このような構成を有することにより、額縁領域Ｅにおける導電層３４の電位は一定に保たれる。また、導電テープ１３８を介して導電層３４から金属フレーム１３６に熱が拡散することにより、本構成を有さない有機ＥＬ表示装置と比べて導電層３４の蓄熱が抑えられる。このため、有機ＥＬ表示装置１ｂの信頼性を向上することができる。
【００７６】
次いで、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法について図面を用いて説明する。
【００７７】
本実施形態における有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法は、基板１０上の額縁領域Ｅに配線層４ａを形成する工程と、表示領域Ｄに薄膜トランジスタ１１を形成する工程と、薄膜トランジスタ１１上に第１の絶縁層１２を形成する工程と、第１の絶縁層１２上に第１のパターニング層１３を形成する工程と、第１のパターニング層１３上に第２のパターニング層３２を形成する工程と、溝部２０を形成する工程と、有機ＥＬ発光素子３０を形成する工程と、を有している。
【００７８】
図７は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するための概略平面図である。まず初めに、絶縁性の基板（母基板）１１０を用意する。母基板１１０は、複数の基板１０が連なったものに相当する。また、母基板１１０のうち、基板１０となる領域にはそれぞれ矩形の表示領域Ｄと各表示領域Ｄの外周Ｄ１の周囲を囲む額縁領域Ｅとがそれぞれ設けられている。なお、額縁領域Ｅの外周Ｆは切断線Ｌに対応しており、母基板１１０はこの切断線Ｌに沿って切断されることにより個片化して複数の基板１０となる。次いで、額縁領域Ｅに配線層４ａを形成するが、この工程の詳細については、説明の便宜上後述する。
【００７９】
図８は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。なお、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線は、図１のＩＩ−ＩＩ切断線に対応している。
【００８０】
次いで、母基板１１０の基板１０に対応する領域（基板１０）の表示領域Ｄ上に、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃの層、ソース・ドレイン電極１１ｄの層、層間絶縁膜１１ｅのそれぞれを積層するとともにパターニングを行う。これにより、薄膜トランジスタ１１が画素Ｐごとに形成される。
【００８１】
また、これらの工程において、額縁領域Ｅにおいてもゲート絶縁層１１ｂ、ソース・ドレイン電極１１ｄの層、層間絶縁膜１１ｅを積層することにより、ソース・ドレイン電極１１ｄと同層にグランド１１１が形成される。
【００８２】
次いで、表示領域Ｄの薄膜トランジスタ１１上及び額縁領域Ｅ上を覆うように、例えば有機材料からなる第１の絶縁層１２を形成する。
【００８３】
図９は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。次いで、表示領域Ｄ上及び額縁領域Ｅ上の第１の絶縁層１２を覆うように、例えばＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁材料からなる第１のパターニング層１３を積層する。
【００８４】
次いで、薄膜トランジスタ１１に接続する、第１のパターニング層１３及び第１の絶縁層１２を貫通するコンタクトホール１２ａを画素Ｐ毎に形成する。この後、金属膜からなる図示しない反射膜を第１のパターニング層１３上の各画素Ｐに対応する領域に形成してもよい。
【００８５】
次いで第１のパターニング層１３上の各画素Ｐに対応する領域に有機ＥＬ素子３０を形成する。有機ＥＬ素子３０を形成する工程は、第１のパターニング層１３上に第２のパターニング層３２（画素電極層１３２）を形成する工程と、第２のパターニング層３２上に少なくとも発光層を有する有機層３３を形成する工程と、電極層（対向電極層）３４を形成する工程と、を有する。   
【００８６】
まず、第１のパターニング層１３を覆うように、第２のパターニング層３２を形成する。第２のパターニング層３２は、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる。以下、表示領域Ｄに形成された第２のパターニング層３２を、画素電極層１３２とする。
【００８７】
画素電極層１３２を画素Ｐ毎に形成することにより、画素電極層１３２は、コンタクトホール１２ａを介して、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続される。なお、金属からなる反射膜の上面に接するように画素電極層１３２を形成した場合、反射膜は画素電極層１３２の一部となる。
【００８８】
図１０は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。次いで、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素分離膜１４を形成する。なお、画素分離膜１４を、第２のパターニング層３２として用いてもよい。
【００８９】
図１１は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。次いで、額縁領域Ｅに溝部（第１の溝部）２０を、例えば平面視で表示領域Ｄの外周Ｄ１に沿って形成する。
【００９０】
第１の溝部２０を形成する工程は、額縁領域Ｅにおける第２のパターニング層３２の一部を除去する工程と、第２のパターニング層３２をマスクとしてエッチングを行い第１のパターニング層１３の一部と第１の絶縁層１２の一部とを除去する工程と、を有する。
【００９１】
まず、図１１に示すように、額縁領域Ｅにおける第２のパターニング層３２の一部を除去する。説明の便宜上、額縁領域Ｅにおいて第２のパターニング層３２が除去される領域を第１の溝部領域Ｅ２とし、第１の溝部２０よりも表示領域Ｄ側の領域を予備領域Ｅ１とし、第１の溝部領域Ｅ２の周辺の領域のうち、外周Ｆ側を第１の周辺領域Ｅ３とする。本実施形態においては、表示領域Ｄの外周Ｄ１と切断線Ｌに沿って第１の溝部領域Ｅ２を形成する。
【００９２】
図１２は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。次いで、第２のパターニング層３２をマスクとしてエッチングを行うことにより、表示領域Ｄの外周Ｄ１と切断線Ｌに沿って延在する第１の溝部２０を形成する。
【００９３】
この第１の溝部２０の形成においては、基板１０の上面１０ａから第１の溝部２０の底面２１ａまでの高さが、少なくとも上面１０ａから第１の絶縁層１２の上面１２ａまでの高さよりも低くなるよう、エッチング条件を調整すればよい。本実施形態においては、例えば、第１の溝部領域Ｅ２における第１のパターニング層１３と第１の絶縁層１２とを除去することにより、層間絶縁膜１１ｅ及びグランド１１１を溝部２０の底面２１ａにおいて露出させる。
【００９４】
また、このエッチングにおいては、溝部２０内に露出する第１のパターニング層１３の端部１３ａが、溝部２０内に露出する第２のパターニング層３２の端部３２ａよりも平面視で外側となるように、エッチング条件を調整する。具体的には例えば、第１のパターニング層１３の材料として、第２のパターニング層３２よりもエッチングレートの低い材料を用いる方法が挙げられる。また、このエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、その方法は制限されない。
【００９５】
このような条件下でエッチングを行うことにより、第２のパターニング層３２よりも第１のパターニング層１３の方が多く除去される。これにより、第１のパターニング層１３の端部１３ａと第２のパターニング層３２の端部３２ａとが成す段差構造である第１のオーバーハング構造Ｏ１が形成される。
【００９６】
図１３は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線に対応する概略断面図である。次いで、表示領域Ｄ上を覆うように、発光層を有する有機層３３を形成する。具体的には例えば、有機層３３は、画素電極層３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することにより形成される。
【００９７】
次いで、図２に示すように、表示領域Ｄ上と額縁領域Ｅ上とを覆うように、例えばＩＴＯなどの透光性の導電材料を蒸着することにより、電極層３４を形成する。これにより、表示領域Ｄに形成された電極層３４は、画素電極層３２に対向する対向電極層として機能する。以上により、表示領域Ｄに有機ＥＬ素子３０が形成される。
【００９８】
また、この導電材料の蒸着により、額縁領域Ｅにおいては、電極層３４は、第２のパターニング層３２上と溝部２０内とを覆うように形成される。額縁領域Ｅにおいては、第１のオーバーハング構造Ｏ１が形成されていることにより、予備領域Ｅ１に形成された電極層３４（電極膜１３４）と、第１の溝部領域Ｅ２に形成された電極層３４（電極膜２３４）とは分断される。
【００９９】
また、第１の溝部領域Ｅ２における電極膜２３４と、第１の周辺領域Ｅ３に形成された電極層３４（電極膜３３４）も分断される。そして、第１のパターニング層１３の端部１３ａよりも下側である溝部２０内に形成された電極層３４と、端部１３ａよりも上側である、予備領域Ｅ１の第２のパターニング層３２上に形成された電極層３４とは、分離して形成される。
【０１００】
また、電極層３４を形成する工程において、第１の溝部２０内に露出するグランド１１１は電極層３４により覆われる。これにより、グランド１１１は電極層３４に電気的に接続する。
【０１０１】
次いで、表示領域Ｄ上と額縁領域Ｅ上を覆うように封止膜４０を形成する。次いで、封止膜４０上に充填材４５を介して対向基板５０を配置した後、溝部２０に沿って額縁領域Ｅの切断線Ｌを切断する。これにより、各基板１０が個片化される。以上により、図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａが形成される。
【０１０２】
本実施形態における有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法は、第１のオーバーハング構造Ｏ１を形成することにより、マスクを用いることなく、第１のオーバーハング構造Ｏ１が形成された箇所に応じて電極層３４を分離させることができる。また、第１のオーバーハング構造Ｏ１はフォトリソグラフィを用いて形成されるため、マスクを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法と比べ、高い精度で電極層３４の導電パターンを形成することができる。
【０１０３】
また、電極層３４のパターンを高い精度で形成することができるため、本構成を有さない製造方法と比べ、小型で狭縁の有機ＥＬ表示装置１ａを製造することができる。
【０１０４】
また、マスクを用いることなく電極層３４をパターニングできるため、マスクの変形による電極のパターンの形成精度が低下しない。このため、マスクを用いた製造方法と比べて、歩留りを向上することができる。また、マスクを用いないため、工程を簡略化することができる。
【０１０５】
また、本実施形態においては、画素電極層を第２のパターニング層３２として用いることにより、工程を増やすことなく、電極層３４を任意の箇所で分離させることができる。
【０１０６】
また、本実施形態においては、溝部２０に沿って額縁領域Ｅを切断することにより、電極層３４の分離箇所に沿って基板１０を個片化することができる。このため、マスクを用いて電極層３４のパターンを形成する方法と比べ、歩留りを向上することができる。
【０１０７】
また、本実施形態においては、溝部２０内に形成された電極層３４をグランド１１１に接続させることにより、溝部２０内に形成する電極層３４の電位を一定に保つことが可能な有機ＥＬ１ａを製造することができる。
【０１０８】
なお、本実施形態においては、表示領域Ｄに対向電極層３４を形成するまでの工程において、額縁領域Ｅに電極層３４を有する第１の端子４を形成する。図１４は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＸＩＶ−ＸＩＶ切断線に対応する概略断面図である。
【０１０９】
具体的には例えば、まず、配線層４ａを形成する工程において、額縁領域Ｅのうち、第１の端子４を形成する箇所に、配線層４ａを互いに間隔を空けて延設する。次いで、配線層４ａを覆うように、例えばＩＴＯなどの透光性の導電材料からなる第１の端子電極層４ｂを形成する。
【０１１０】
次いで、図１１で示したように、額縁領域Ｅにおける第２のパターニング層３２の一部を除去する工程において、図１４に示すように、配線層４ａ上に対応する領域の第２のパターニング層３２の一部を、例えばエッチングにより除去する。以下、説明の便宜上、このエッチングにより第２のパターニング層３２が除去された領域を第２の溝部領域Ｅ５とし、隣接する第２の溝部領域Ｅ５同士の間の領域を第２の周辺領域Ｅ４とする。
【０１１１】
図１５は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するためのＸＩＶ−ＸＩＶ切断線に対応する概略断面図である。次いで、図１２で示したように第１の溝部２０を形成する工程において、図１４に示すように、第２の周辺領域Ｅ４における第２のパターニング層３２をマスクとして、第１の端子電極層４ｂが露出するまでエッチングを行う。これにより、第２の溝部領域Ｅ５に、互いに間隔を空けて並ぶ複数の溝部（第２の溝部）１２０が形成される。
【０１１２】
この第２の溝部１２０の形成においては、第２のパターニング層３２よりも第１のパターニング層１３の方が多く除去されるようにエッチング条件を調整する。これにより、第２の溝部１２０内に露出する第１のパターニング層１３の端部１３ｂは、第２の溝部１２０内に露出する第２のパターニング層３２の端部３２ｄよりも平面視で外側となる。これにより、第１のパターニング層１３の端部１３ｂと第２のパターニング層３２の端部３２ｄとが成す段差構造であるオーバーハング構造Ｏ２が形成される。
【０１１３】
次いで、図２に示すように、表示領域Ｄ上と額縁領域Ｅ上とを覆うように電極層３４を形成する工程において、図５に示すように、第２の周辺領域Ｅ４と第２の溝部領域Ｅ５を覆うように電極層３４を形成する。この際、第２の溝部１２０内にオーバーハング構造Ｏ２が形成されていることにより、電極層３４は第１のパターニング層１３の端部１３ｂを覆うことなく、第２の周辺領域Ｅ４の第２のパターニング層３２上と、第２の溝部領域Ｅ５の端子電極層４ｂとを覆うように形成される。
【０１１４】
これにより、第１のパターニング層１３の端部１３ｂよりも下側である、第２の溝部領域Ｅ５の第２の溝部１２０内に形成された電極層３４（第２の端子電極層３４ｃ）と、端部１３ｂよりも上側である、第２の周辺領域Ｅ４の第２のパターニング層３２上に形成された電極層３４とは、分離して形成される。
【０１１５】
以上により、第２の溝部１２０内に、第２の周辺領域Ｅ４における電極層３４から電気的に分離された第１の端子４が形成される。
【０１１６】
本実施形態における有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法は、本構成を有さない有機ＥＬ表示装置の製造方法と比べて高い精度で電極層３４の導電パターンを形成できるため、第１の端子４を精密なパターンで形成することができる。
【０１１７】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【０１１８】
例えば、電極層３４を形成する工程においては、一部のみにマスクを用いたパターニングを行ってもよい。図１６は図１に示す有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法を説明するための、母基板１１０上にマスク６０を配置した状態を示す概略平面図である。
【０１１９】
具体的には例えば、電極層３４を形成する工程において、額縁領域Ｅの一部に対応して一方向Ｘにのみ延在する遮蔽部６２と、複数の表示領域Ｄにわたって設けられた開口６４とを有するマスク６０を用いて電極層３４の材料を第２のパターニング層３２上に蒸着する。本実施形態においては、第１の端子４の形成される領域に対応するように、遮蔽部６２を配置する。これにより、額縁領域Ｅの一部（第１の端子４の形成領域）に電極層３４の形成されない領域が形成される。
【０１２０】
本実施形態における有機ＥＬ表示装置１ａの製造方法は、遮蔽部６２が一方向Ｘにのみ延在するマスク６０を用いて電極層３４を形成するため、格子状のマスクを用いる方法と比べ、マスク６０の変形が抑えられる。このため、額縁領域Ｅの幅を小さくしても、電極層３４のパターンの形成の精度低下を防ぐことができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１ａ，１ｂ  有機ＥＬ表示装置、２  フレキシブルプリント基板、４  端子、１０  基板、１１  薄膜トランジスタ、１１１  グランド、１２  第１の絶縁層、１３  第１のパターニング層、１３ａ，１３ｂ  端部、１４  画素分離膜、２０  第１の溝部、２１  内周面、２１ａ  底面、３０  有機ＥＬ素子、３２  第２のパターニング層、３２ａ  端部、３４  電極層、３４ｂ  端部、３４ｃ  第２の端子電極層、４０  封止膜、４５  封止剤、５０  対向基板、１１０  母基板、１２０  第２の溝部、Ｄ  表示領域、Ｄ１  外周、Ｅ  額縁領域、Ｅ１  予備領域、Ｅ２  第１の溝部領域、Ｅ３  第１の周辺領域、Ｅ４  第３の周辺領域、Ｅ５  第２の溝部領域、Ｏ１  第１のオーバーハング構造、Ｏ２  第２のオーバーハング構造。
【図１】
2015060750.tif 000003
【図２】
2015060750.tif 000004
【図３】
2015060750.tif 000005
【図４】
2015060750.tif 000006
【図５】
2015060750.tif 000007
【図６】
2015060750.tif 000008
【図７】
2015060750.tif 000009
【図８】
2015060750.tif 000010
【図９】
2015060750.tif 000011
【図１０】
2015060750.tif 000012
【図１１】
2015060750.tif 000013
【図１２】
2015060750.tif 000014
【図１３】
2015060750.tif 000015
【図１４】
2015060750.tif 000016
【図１５】
2015060750.tif 000017
【図１６】
2015060750.tif 000018