(57)【要約】      （修正有）【課題】装置の発光面に素子間領域に対応した暗部が形成されることを抑制し、輝度ムラが大きく改善された半導体発光装置を提供する。【解決手段】発光層２１Ｂ、２６Ｂを含む半導体構造層２１、２６からなる複数の半導体発光素子１１、１２と、複数の半導体発光素子が並置された支持基板１３と、支持基板の隣接する半導体発光素子間の領域上に形成された反射壁１７と、を有し、反射壁は、半導体発光素子の側面に沿った方向に延在し、かつ頂部が凸面形状を有する。【選択図】図１
2015082628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む半導体構造層からなる複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子が並置された支持基板と、
前記支持基板の隣接する前記半導体発光素子間の領域上に形成された反射壁と、を有し、
前記反射壁は、前記半導体発光素子の側面に沿った方向に延在し、かつ頂部が凸面形状を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記反射壁は前記発光層を越える高さを有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記半導体構造層の隣接する前記半導体発光素子に面する側面は、前記支持基板に向かって前記半導体構造層間の距離が拡大するように傾斜しており、
前記反射壁は前記半導体構造層を越えない高さを有し、
前記反射壁は隣接する前記半導体構造層間の距離よりも大きな幅を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記反射壁は、前記頂部、中間部及び底部を有し、
前記中間部は隣接する前記半導体構造層間の距離よりも大きな幅を有し、
前記底部は、前記中間部よりも大きな幅を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記底部は、前記中間部から前記底部に向かって徐々に幅が大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体素子を有する半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードなどの半導体発光素子は、通常、成長用基板上に、ｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層を成長し、それぞれｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電圧を印加するｎ電極及びｐ電極を形成して作製される。また、放熱性能の向上を図る半導体発光素子として、ｐ型半導体層上にｐ電極を形成した後、接合層を介して素子を支持基板に貼り合わせ、成長用基板を除去した構造を有するいわゆる貼り合わせ構造の半導体発光素子が知られている。また、半導体発光素子を複数個用いて支持基板上でその各々を接続し、さらに蛍光体を含む蛍光体層を素子上に形成して半導体発光装置を作製する手法が知られている。
【０００３】
特許文献１には、底面に複数の開口部を有する光ガイドと、当該開口部に設けられた側面発光ＬＥＤと、光ガイドの上壁に形成された光学的特徴体と、を有するバックライトが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2010-541154号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
自動車用ヘッドライトはその配光形状が規格によって定められている。例えば自動車用ヘッドライトに使用する光源を作製する場合、全体として当該配光形状に対応するように複数の半導体発光素子を配置した半導体発光装置を作製する。しかし、複数の半導体発光素子を用いているため、各素子間には発光部が存在しない部分が形成される。このため、全体として規格に適合した配光形状を満足することはできるものの、厳密には明るい部分と暗い部分が形成されてしまう。しかし、自動車用ヘッドライトに用いる場合のみならず、複数の素子を用いる光源装置の種々の応用分野において、輝度ムラは存在しないことが望ましい。
【０００６】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、装置の発光面に素子間領域に対応した暗部が形成されることを抑制し、輝度ムラが大きく改善された半導体発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による半導体発光装置は、発光層を含む半導体構造層からなる複数の半導体発光素子と、複数の半導体発光素子が並置された支持基板と、支持基板の隣接する半導体発光素子間の領域上に形成された反射壁と、を有し、反射壁は、半導体発光素子の側面に沿った方向に延在し、かつ頂部が凸面形状を有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、実施例１の半導体発光装置の構成を示す図である。
【図２】実施例１の半導体発光装置における光の進路を説明する図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、実施例２の半導体発光装置の構造及び製造過程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本発明の好適な実施例を詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。
【実施例１】
【００１０】
図１（ａ）及び（ｂ）は、実施例１の半導体発光装置１０の構造を示す断面図である。図１（ｃ）は、半導体発光装置１０の上面を模式的に示す図である。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）は、図１（ｃ）のそれぞれＶ−Ｖ線及びＷ−Ｗ線に沿った断面図である。図１（ａ）に示すように、半導体発光装置１０は、２つの半導体発光素子１１及び１２が支持基板１３上に固定された構成を有している。なお、本実施例においては、半導体発光素子１１及び半導体発光素子１２は同様の構造を有する場合について説明する。また、本実施例においては、図１（ｂ）に示すように、半導体構造層２１及び２６が、上面視において、すなわち支持基板１３に垂直な方向から見たときに矩形形状を有する場合について説明する。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、半導体発光素子１１は、発光層２１Ｂを含む半導体構造層２１を有している。より詳細には、半導体構造層２１は、発光層２１Ｂがｎ型半導体層（第１の半導体層）２１Ａ及びｐ型半導体層（第２の半導体層）２１Ｃによって挟まれた構造を有している。半導体構造層２１は、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有するｐ型半導体層２１Ｃ、発光層２１Ｂ及びｎ型半導体層２１Ａが支持基板１２上に順次積層された構造を有している。
【００１２】
半導体構造層２１の隣接する半導体発光素子１２に面する側面２１Ｓは、支持基板１３に向かって半導体構造層間の距離が縮小するように傾斜している。すなわち、半導体発光素子１１及び１２間の距離は、半導体構造層２１の上面においてよりも下面において小さい。なお、本実施例においては、半導体構造層２１の全ての側面が傾斜している場合について説明する。
【００１３】
ｎ型半導体層２１Ａ上及びｐ型半導体層２１Ｃ上にはそれぞれｎ電極（第１の電極）２２及びｐ電極（第２の電極）２３が形成されている。本実施例においては、半導体構造層２１、ｎ電極２２及びｐ電極２３の全体を半導体発光素子１１と称する。なお、ｐ電極２３は、例えばＡｇなどの高い反射性を有する金属からなる反射層（図示せず）を含んでいてもよい。当該反射層は、発光層２１Ｂから放出された光を高効率で反射する層として機能する。
【００１４】
半導体発光素子１２は、半導体発光素子１１と同様の構造を有している。具体的には、半導体発光素子１２は半導体構造層２６、ｎ電極２７及びｐ電極２８を有しており、半導体構造層２６（ｎ型半導体層２６Ａ、発光層２６Ｂ及びｐ型半導体層２６Ｃ）は半導体構造層２１と、ｎ電極２７はｎ電極２２と、ｐ電極２８はｐ電極２３と、それぞれ同様の構成を有している。
【００１５】
半導体発光素子１１及び１２、すなわち半導体構造層２１及び２６は、支持基板１３に支持されている。具体的には、半導体発光素子１１及び１２は、支持基板１３上に一列に並置されている。また、半導体発光素子１１及び１２は、その素子間の距離が、素子間領域Ａ１において一定であるように配置されている。支持基板１３は、例えばＳｉ及びＡｌＮなどの放熱性の高い材料からなる。支持基板１３上には絶縁層１４が形成され、絶縁層１４上には互いに離間して接合層１５及び１６が形成されている。半導体発光素子１１及び１２は、それぞれ接合層１５及び１６を介して、支持基板１３に接合されている。接合層１５及び１６は、それぞれｐ電極２３及び２８に接して形成されている。
【００１６】
半導体発光素子１１及び１２間の領域Ａ１には、反射壁１７が設けられている。具体的には、反射壁１７は、支持基板１３の半導体発光素子１１及び１２間の領域Ａ１上に形成されている。反射壁１７は発光層２１Ｂ及び２６Ｂを越える高さを有している。反射壁１７は半導体発光素子１１及び１２の側面に沿った方向、すなわち素子間領域Ａ１の長手方向に延在しており、好ましくは、当該長手方向において一定の高さを有している。また、反射壁１７は、その頂部が隣接方向（素子の配列方向）に丸まった形状（ラウンド形状、ドーム形状又はアーチ形状）を有しており、頂部の断面を見た場合に円形の凸面形状を有している。反射壁１７は、例えばＡｕ又はＡｇなど、高い反射率を有する金属材料からなる。また、反射壁１７は、接合層１５及び１６の少なくとも一方から絶縁されている。この反射壁１７については、図２を用いて後述する。
【００１７】
半導体発光装置１０は、半導体発光素子１１及び１２、接合層１５及び１６並びに反射壁１７を埋設するように設けられた蛍光体層１８を有している。蛍光体層１８は、例えば、シリコン樹脂などの透光性を有する樹脂からなる。蛍光体層１８は、蛍光体層１８内に多数分散して設けられた蛍光体１８Ａを有している。蛍光体１８Ａは、発光層２１Ｂ及び２６Ｂから放出された光の波長を変換する。
【００１８】
次に、図１（ｂ）を用いて半導体発光素子１１及び１２の接続形態について説明する。図１（ｂ）は図１（ｃ）のＷ−Ｗ線に沿った断面図である。理解の容易さのため、一部の参照符合及び構成要素を省略してある。半導体発光素子１１のｎ電極２２は、外部接続配線ＯＷを介して外部電源の一端に接続されている。より具体的には、支持基板１３上には外部電源（図示せず）に接続された外部金属層ＯＭが形成されている。半導体構造層２１の側面には例えばＳｉＯ2などの絶縁材料からなる保護膜ＰＬが形成されている。ｎ電極２２は、保護膜ＰＬ上に設けられた外部接続配線ＯＷを介して接続金属層ＯＭに接続されている。また、半導体発光素子１１のｐ電極２３と半導体発光素子１２のｎ電極２７との間は、素子間接続配線ＣＷによって接続されている。より具体的には、半導体構造層２６の側面には保護膜ＰＬが設けられており、ｎ電極２７は、保護膜ＰＬ上に設けられた素子間接続配線ＣＷを介して半導体発光素子１１の接合層１５に接続されている。なお、図示していないが、半導体発光素子１２のｐ電極２８は、外部電源の他端に接続された外部接続配線ＯＷと同様の配線に接続されている。従って、半導体発光装置１０は、電源の端子間に半導体発光素子１１及び１２が直列に接続された構成を有している。
【００１９】
図１（ｃ）は、半導体発光装置１０の上面を模式的に示す図である。図１（ｃ）に示すように、半導体発光素子１１及び１２間は、２つの素子間接続配線ＣＷによって接続されている。なお、この本実施例における半導体発光装置１０の接続形態は一例に過ぎない。
【００２０】
次に、図２を用いて、反射壁１７について説明する。図２は、図１（ａ）の破線で囲まれた部分を拡大した部分拡大断面図である。なお、図の明確さのため、一部のハッチングを省略してある。反射壁１７は、支持基板１３上の領域Ａ１から、側面視において、すなわち半導体構造層２１及び２６に平行な方向から見たとき、発光層２１Ｂ及び２６Ｂを越える高さＨで形成されている。これによって、発光層２１Ｂと発光層２６Ｂとの間の最も短い光路を遮断する。従って、発光層２１Ｂから放出された光が隣接する半導体発光素子１２の半導体構造層２６内に入射して、外部に取出される光の強度が低減されることを抑制することができる。また、反射壁１７の頂部１７Ａは凸面形状を有している。従って、発光層２１Ｂ及び２６Ｂから放出された光を、素子間領域Ａ１、すなわち素子間領域Ａ１上の蛍光体層１８の領域に導くことができる。また、発光層２１Ｂ及び２６Ｂから放出され、蛍光体層１８の蛍光体１８Ａによって反射されて素子側に戻ってきた光を、素子間領域Ａ１上の蛍光体層１８の領域に導くことができる。
【００２１】
より詳細には、例えば、発光層２６Ｂから反射壁１７に向かって放出された光Ｌ１は、反射壁１７によって、素子間の発光しない領域Ａ１に向かって反射される。また、発光層２１Ｂから放出され、蛍光体層１８に入射し、蛍光体１８Ａによって反射壁１７に向かって反射された光Ｌ２は、反射壁１７によって素子間領域Ａ１に向かって反射される。反射壁１７の頂部１７Ａが断面において凸面形状を有していることによって、光Ｌ１及びＬ２のように反射壁１７によって反射されて素子間領域Ａ１に進む光が増加する。従って、素子間領域Ａ１からも多くの光を取出すことが可能となり、素子間領域である発光層の存在しない領域によって生ずる発光面の暗部の形成が抑制される。
【００２２】
また、反射壁１７の頂部１７Ａは、反射壁１７のうち、側面視において発光層２１Ｂよりも支持基板１３側の部分であり、換言すれば、反射壁１７は、その発光層２１Ｂ及び２６Ｂよりも支持基板１３側の部分から凸面形状が形成されている。従って、発光層から隣接する発光層に向かう光、例えば発光層２１Ｂから発光層２６Ｂに向かって放出された光が素子間領域Ａ１上の蛍光体層１８の領域に向かう可能性が高くなる。
【００２３】
なお、反射壁１７は、半導体構造層２１及び２６の表面を越えない高さを有していることが好ましい。反射壁１７が半導体構造層２１及び２６の表面を越える高さで形成されている場合、素子間領域に対応した暗部が形成されることが助長されるのみならず、反射壁１７が半導体構造層に接して導通不良が発生するなど、信頼性が低下する可能性があるからである。
【００２４】
次に、図３（ａ）〜（ｄ）を参照して、半導体発光装置１０の製造方法について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、半導体発光装置１０の製造方法を示す断面図である。本実施例においては、まず、図３（ａ）に示すように、成長用基板２９としてサファイア基板を準備した。次に、成長用基板２９上に半導体構造層２１及び２６となる半導体層を成長した。次に、当該半導体層上にフォトリソグラフィ法によってマスクパターンを形成し、スパッタ法によって、ｐ電極２３及び２８としてコンタクト電極、反射層及びキャップ層を形成した。次に、当該半導体層にマスクパターンを形成し、エッチングを行うことによって、当該半導体層を半導体構造層２１及び２６に分割した。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、支持基板１３としてＳｉ基板を準備し、支持基板１３上に絶縁層１４を形成した。次に、絶縁層１４上にフォトリソグラフィ法によってマスクパターンを形成し、スパッタ法によって、接続金属層ＯＭ、接合層１５及び１６としてＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ及びＡｕＳｎを形成した。次に、絶縁層１４上にフォトリソグラフィ法によってマスクパターンを形成し、後に反射壁１７となるベース構造体１７Ｐとして、接合層１５及び１６間にＴｉ、Ａｕ及びＲｈを形成した。このとき、ベース構造体１７Ｐが接合層１５及び１６よりも大きな層厚を有するように、かつ半導体構造層２１及び２６の側面間に延在するように形成した。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、ｐ電極２３及び２８をそれぞれ接合層１５及び１６に加熱及び圧着することによって、支持基板１３に半導体構造層２１及び２６を接合した。続いて、レーザリフトオフ法によって、成長用基板２９を除去した。具体的には、成長用基板２９にレーザ光ＬＢを照射した。このとき、半導体構造層２１及び２６の表面のみならず、成長用基板２９を介してレーザ光ＬＢをベース構造体１７Ｐに照射した。レーザ光ＬＢがベース構造体１７Ｐに照射されることによって、ベース構造体１７Ｐが熱によって凝集し、変形する。具体的には、ベース構造体１７Ｐは、その幅が小さくなるとともに、高さが大きくなり、さらに頂部の断面が丸まった凸面形状となる。このようにして、成長用基板２９を除去すると共に、反射壁１７を形成した。
【００２７】
次に、半導体構造層２１及び２６をエッチングによって傾斜させ、その側面に保護膜ＰＬを形成し、半導体構造層２１及び２６上にそれぞれｎ電極２２及び２７を形成した。また、保護膜ＰＬ上に外部接続配線ＯＷ及び素子間接族配線ＣＷを形成し、半導体構造層２１及び２６を直列に接続された。続いて、各配線、接合層１５及び１６、反射壁１７、並びに半導体発光素子１１及び１２を埋設するように蛍光体層１８を形成した。これにより、図３（ｄ）に示すように半導体発光装置１０を作製した。
【００２８】
なお、本実施例においては、２つの半導体発光素子によって半導体発光装置を構成する場合について説明したが、半導体発光素子を３つ以上用いて半導体発光装置が形成されていてもよい。例えば３つの半導体発光素子を一列に並置する場合、２つの隣接する半導体発光素子間の領域の各々に１つ、合計２つの反射壁が形成される。また、４つの半導体発光素子を用いて、各辺が２つの半導体発光素子によって形成されるように並置した全体として矩形の配光形状を有する半導体発光装置を作製する場合、各辺における素子間領域の各々、合計４つの反射壁が形成される。
【００２９】
また、本実施例においては、成長用基板を除去するのと同時に反射壁を形成する場合について説明したが、反射壁は、支持基板にベース構造体を作製した直後にベース構造体にレーザ光を照射することによって、半導体構造層の接合前に形成することも可能である。レーザ光による熱凝縮を利用して反射壁を形成する場合について説明したが、反射壁は、ベース構造体を加熱するなど、ベース構造体に熱を加えることが可能な他の手段によって反射壁を形成してもよい。また、反射壁及びベース構造体の材料は、熱によって凝集する特性を有する材料であることが好ましく、例えばＡｕ、Ａｇ及びＣｕを用いることが好ましい。特にＡｕは凝集しやすく、かつ化学的に安定しているため反射壁の材料としては好ましい。
【実施例２】
【００３０】
図４（ａ）は、半導体発光装置３０の構造を示す断面図である。なお、半導体発光装置３０は半導体発光装置１０と同様に蛍光体層１８を有しているが、図の明確さのため、蛍光体層１８を省略してある。半導体発光装置３０は、支持基板１３上に、３つの半導体発光素子３１、３２及び３３が一列に配置された構造を有している。半導体発光装置３０は、半導体発光素子の構造及び反射壁３６の構造が半導体発光装置１０とは異なる。まず、半導体発光素子３１の構造について説明する。半導体発光素子３１は、半導体発光素子１１の半導体構造層２１と同様の構成を有し、半導体発光素子３２及び３３は半導体発光素子３１と同様の半導体構造層４１を有している。具体的には、半導体構造層４１のｎ型半導体層４１Ａ、発光層４１Ｂ及びｐ型半導体層４１Ｃは、半導体構造層２１のｎ型半導体層２１Ａ、発光層２１Ｂ及びｐ型半導体層２１Ｃと同様の構造を有している。
【００３１】
半導体構造層３１の隣接する半導体発光素子３２に面する側面４１Ｓは、支持基板１３に向かって半導体構造層間の距離が拡大するように傾斜している。すなわち、半導体発光素子３１及び３２間の距離は、半導体構造層４１の上面においてよりも下面において小さい。なお、本実施例においては、半導体構造層４１の全ての側面が傾斜している場合、すなわち半導体構造層４１が支持基板１３に向かってテーパ形状をなしている場合について説明する。
【００３２】
図４（ａ）に示すように、ｎ電極４２は、半導体構造層４１の支持基板１３側の表面、すなわちｐ型半導体層４１Ｃの表面からｐ型半導体層４１Ｃ及び発光層４１Ｂを貫通し、ｎ型半導体層４１Ａに接続されている。ｐ型半導体層４１Ｃ上にはｐ電極４３として、コンタクト電極４３Ａ及びコンタクト電極４３Ａを覆うように形成された反射金属層４３Ｂが形成されている。ｎ電極４２とｐ電極４３は、絶縁層３５によって互いに絶縁されている。また、支持基板１３上には接合層３４が形成されている。接合層３４は、半導体発光素子３１、３２及び３３の各々の直下で互いに離間して形成されており、当該離間した接合層の一方がｎ電極４２に接続され、他方が接続電極ＣＭを介してｐ電極４３に接続されている。接合層３４は、隣接する素子のうち、一方の素子のｐ電極と、他方の素子のｎ電極とを接続し、これによって各素子が直列に接続された構成となっている。また、支持基板１３と半導体発光素子３１、３２及び３３との間には、接合層３４に接合された接合領域ＢＡが形成されている。
【００３３】
次に、図４（ａ）を用いて、半導体発光装置３０の製造方法について説明する。まず、実施例１の半導体発光装置１０と同様に、成長用基板（図示せず）上に半導体構造層４１を成長し、ｐ型半導体層４１Ｃ上に、ｐ電極４３として、コンタクト電極４３Ａ及び反射金属層４３Ｂを形成した。なお、反射金属層４３Ｂ上において、反射金属層４３Ｂの金属材料のマイグレーションを防止するキャップ層（図示せず）を形成してもよい。キャップ層は、反射金属層４３Ｂの全体を覆うように設けられる。なお、このとき、ｐ型半導体層４１Ｃの一部の表面にはｐ電極４３が形成されないようにした。次に、ｐ電極４３の表面を含むｐ型半導体層４１Ｃの表面全体を覆うように絶縁層３５を形成した。次にｐ電極４３が形成されていないｐ型半導体層４１Ｃ上の絶縁層３５の領域上に、絶縁層３５、ｐ型半導体層４１Ｃ及び発光層４１Ｂを貫通し、ｎ型半導体層４１Ａに至る開口部を形成し、当該開口部にｎ電極４２を形成した。次に、ｐ電極４３が形成されたｐ型半導体層４１Ｃ上の領域に開口部を形成し、当該開口部に接続電極ＣＭを形成した。その後、支持基板１３を準備し、支持基板１３上に接合層３４を互いに離間するように形成した。次に、接合層３４上に、後に反射壁３６となるベース構造体３６Ｐ（図４（ｃ））を形成した。続いて、絶縁層３５上に接合層（図示せず）を形成した後、当該接合層を接合層３４に熱圧着することによって、半導体発光素子３１、３２及び３３を支持基板１３に接合した。その後、レーザリフトオフ法によって成長用基板を除去すると共に、反射壁３６を形成した。続いて、ｎ型半導体層４１Ａの表面にウェットエッチングを行うによって、ｎ型半導体層４１Ａの表面に凹凸構造（図示せず）を形成した。次に、蛍光体層を形成して半導体発光装置３０を作製した。
【００３４】
次に、図４（ｂ）を用いて、本実施例における反射壁３６について説明する。図４（ｂ）は、図４（ａ）の破線で囲まれた部分を拡大した部分拡大断面図である。反射壁３６は、反射壁１７と同様に、支持基板１３の各素子間の領域上に形成されている。また、反射壁３６は、反射壁１７と同様の材料で形成されており、反射壁１７と同様の高さ及び頂部形状（凸面形状）を有している。反射壁３６は、側面視において、発光層４１Ｂを越え、半導体構造層４１を越えない高さを有しており、かつ隣接する半導体構造層４１間の距離Ｄ１よりも大きな幅を有している。
【００３５】
具体的には、半導体構造層４１は、支持基板１３に向かって隣接する半導体構造層との距離が拡大するように形成されている。従って、半導体構造層４１間の距離は、その上面における距離Ｄ１よりも下面における距離Ｄ２の方が大きい。ここでは、説明上、距離Ｄ１を半導体構造層４１間の距離と称し、距離Ｄ２を接合領域ＢＡ間の距離と称する。反射壁３６は、図４（ｂ）に示すように、頂部３６Ａ、中間部３６Ｂ及び底部３６Ｃからなる。また、反射壁３６の中間部３６Ｂの幅Ｗ１は、隣接する半導体構造層４１間の距離Ｄ１よりも大きく、隣接する接合領域ＢＡ間の距離Ｄ２よりも小さく形成されている。また、反射壁３６は、中間部３６Ｂから底部３６Ｃに向かって徐々に幅が大きくなるように形成されている。反射壁３６の底部３６Ｃの幅Ｗ２は、中間部３６Ｂの幅Ｗ１よりも大きい。
【００３６】
反射壁３６は、図４（ｃ）に示すように、反射壁１７と同様に、ベース構造体３６Ｐを形成した後、レーザ光ＬＢを照射して熱凝集を起こさせることによって形成することができる。図４（ｃ）は、支持基板１３に素子を接合した後、成長用基板２９を除去する際のレーザ光ＬＢの照射開始直後のベース構造体３６Ｐの形状を示す断面図である。反射壁３６のベース構造体３６Ｐを形成する際には、その幅が半導体構造層間距離Ｄ１よりも大きくかつ接合領域間距離Ｄ２よりも小さくなるように形成しておく。このように形成されたベース構造体３６Ｐは、半導体構造層４１に垂直な方向から見たとき、隣接方向（短手方向）の側部が半導体構造層４１と重なる。従って、当該幅方向の端部にはレーザ光が直接照射されず、一部の二次的なレーザ光に照射されるのみとなる。従って、他のレーザ光が直接照射される部分よりも熱による凝集速度が小さく、底部２６Ｃにおいては幅が小さくなりにくく、上記したような構造の反射壁３６が形成される。
【００３７】
反射壁３６は、隣接する半導体構造層４１間の距離Ｄ１よりも大きな幅Ｗ１を有する中間部３６Ｂを有している。従って、半導体構造層４１に垂直な方向から見たとき、隣接する半導体構造層４１間の領域全てに反射壁３６が形成されている。従って、反射壁３６の頂部３６Ａによって素子間領域に光が導かれる確率がさらに大きくなり、素子間の暗部の形成が大きく抑制され、全体として均一かつ輝度ムラのない配光形状を実現することができる。また、反射壁３６の底部３６Ｃの幅Ｗ２は、中間部３６Ｂの幅Ｗ１よりも大きい。従って、底部３６Ｃによってより多くの光を蛍光体層、すなわち光取出し面に向かって反射させることが可能となり、光取出し効率を向上させることができる。また、反射壁３６の底部３６Ｃは、中間部３６Ｂから底部３６Ｃに向かって徐々に幅が大きくなるように形成されている。底部３６Ｃがこのような形状を有していると、底部３６Ｃによって光が蛍光体層１８の方向に向かって反射されやすくなり、さらに光取出し効果が向上する。
【００３８】
なお、上記した実施例においては、第１の半導体層及び第２の半導体層がそれぞれｎ型半導体層及びｐ型半導体層である場合について説明したが、第１及び第２の半導体層の導電型はこれに限るものではない。第１及び第２の半導体層はそれぞれ上記した実施例とは反対の導電型を有していても良い。また、半導体発光素子の構造は上記した実施例の場合に限定されるものではない。例えば、成長用基板上に第１の半導体層、発光層及び第２の半導体層を成長し、成長用基板を支持基板上に固定した構造を有していても良い。さらに、配線などが施された実装基板上に支持基板を固定し、実装基板上の配線を介して半導体発光素子間が接続された構成を有していてもよい。
【００３９】
上記したように、反射壁は、半導体発光素子の側面に沿った方向に延在し、かつ頂部が凸面形状を有する。従って、複数の半導体発光素子を用いた半導体発光装置において、発光面に暗部が形成されることを抑制し、輝度ムラが大きく改善された半導体発光装置を提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００４０】
１０  半導体発光装置
１１、１２  半導体発光素子
１３  支持基板
１７、３６  反射壁
１７Ａ、３６Ａ  頂部
３６Ｂ  中間部
３６Ｃ  底部
２１、２６、４１  半導体構造層
２１Ｂ、２６Ｂ、４１Ｂ  発光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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