(57)【要約】      （修正有）【課題】外光の映り込みを抑制して良好な視認性を得ることができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１００は、透光性基板３０と、透光性基板３０の一方の主面３１の上方に形成された発光デバイス素子７０と、透光性基板３０の他方の主面３２上に形成され、複数の空孔２１を有する有機材料層である多孔質層２０とを有する。多孔質層２０の透光性基板３０とは反対側の主面には、複数の空孔のうちの一部の空孔の内面２１Ｃが露出していてもよく、内面が露出している空孔内には、気体が存在していてもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、
前記透光性基板の一方の主面の上方に形成された発光デバイス素子と、
前記透光性基板の他方の主面上に形成され、複数の空孔を有する有機材料層である多孔質層と、
を有する発光装置。
【請求項２】
前記多孔質層の前記透光性基板とは反対側の主面には、前記複数の空孔のうちの一部の前記空孔の内面が露出しており、前記内面が露出している前記空孔内には、気体が存在する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記多孔質層の前記透光性基板側の部分における前記空孔の平均径は、前記多孔質層の前記透光性基板とは反対側の部分における前記空孔の平均径よりも小さい
請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記多孔質層において、前記透光性基板とは反対側の主面を含む第１多孔質層部分における前記空孔の平均径は、前記第１多孔質層部分よりも前記透光性基板側に位置する第２多孔質層部分における前記空孔の平均径よりも小さい
請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光デバイス素子は、画像表示のための光を前記透光性基板に向けて出射し、
前記多孔質層は、透光性の材料から成る
請求項１から４の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記多孔質層は、無機粒子を含まない、請求項１から５の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
支持基板と、
前記支持基板の上方に形成され、内部空間に気体が存する複数の空孔を少なくとも一部の領域に有する有機材料層である多孔質層と、
前記多孔質層の上方に形成された樹脂基板とを有する
積層基板。
【請求項８】
前記多孔質層は、無機粒子を含まない、請求項７に記載の積層基板。
【請求項９】
支持基板を用意し、
前記支持基板の上方に、複数の空孔を有する有機材料層である多孔質層を形成し、
前記多孔質層の上方に透光性基板を形成し、
前記透光性基板の上方に発光デバイス素子を形成し、
前記多孔質層の層内または前記支持基板と前記多孔質層との界面において前記多孔質層を破壊し、前記破壊された前記多孔質層の少なくとも一部が前記透光性基板に付着した状態で前記支持基板と前記透光性基板とを分離する
発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記多孔質層の破壊は、前記支持基板側から前記多孔質層に対してレーザを照射することにより行う
請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記多孔質層の破壊は、前記多孔質層に対して機械的応力を加えることにより行う
請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記破壊後の前記多孔質層は、前記透光性基板とは反対側の主面に前記複数の空孔のうちの一部の内面が露出しており、前記内面が露出している前記空孔内には、気体が存在する
請求項９から１１の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記多孔質層の前記透光性基板側の部分における前記空孔の平均径は、前記多孔質層の前記透光性基板とは反対側の部分における前記空孔の平均径よりも小さい
請求項９から１２の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記多孔質層において、前記透光性基板とは反対側の主面を含む第１多孔質層部分における前記空孔の平均径は、前記第１多孔質層部分よりも前記透光性基板側に位置する第２多孔質層部分における前記空孔の平均径よりも小さい
請求項９から１２の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記多孔質層は、内部空間に気体が存する複数の前記空孔を少なくとも一部の領域に有し、
前記透光性基板は、樹脂基板であり、  前記支持基板側からレーザ光を照射して、前記樹脂基板と前記支持基板とを分離する
請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記多孔質層は、前記樹脂基板側の部分における前記空孔の平均径が、前記支持基板側の部分における前記空孔の平均径よりも小さい
請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記多孔質層は、前記支持基板の上方に形成された第１多孔質層と、前記第１多孔質層の上方に形成された第２多孔質層を有し、前記第２多孔質層における前記空孔の平均径は、前記第１多孔質層における前記空孔の平均径よりも小さい
請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２多孔質層は、乾式法または熱蒸着により形成される
請求項１７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１多孔質層は、第１樹脂材料を塗布することにより形成され、
前記第２多孔質層は、第２樹脂材料を塗布することにより形成され、
前記第２樹脂材料の粘度は、前記第１樹脂材料の粘度よりも高い、
請求項１７に記載の発光装置の製造方法
【請求項２０】
前記多孔質層を形成した後、前記樹脂基板を形成する前の状態において、前記多孔質層の前記樹脂基板が形成される側の主面である表面には、前記複数の空孔のうちの一部の内面が露出しており、
前記多孔質層を形成した後、前記樹脂基板を形成する前に、
前記多孔質層の前記表面の前記樹脂基板を形成するための樹脂材料に対する親和性が、前記多孔質層の前記表面以外の部分の前記親和性よりも高くなるようにする親和性処理を前記多孔質層に対して行う
請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２１】
前記親和性処理は、前記多孔質層の前記表面上および前記露出した内面上に、前記多孔質層を形成する材料よりも前記親和性が低く、ＵＶ光の照射またはプラズマ処理前よりも前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理後の方が前記親和性が高くなる性質を有する材料を用いて薄膜を形成した後、前記樹脂基板が形成される側から前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理を行う
請求項２０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記薄膜は、前記多孔質層の前記表面上および前記露出した内面上に、前記多孔質層を形成する材料よりも前記親和性が低く、ＵＶ光の照射またはプラズマ処理前よりも前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理後の方が前記親和性が高くなる性質を有する材料を含む溶液を塗布して乾燥させることにより形成される
請求項２１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２３】
前記多孔質層の前記樹脂基板側の部分における前記空孔の平均径は、１μｍ以下である
請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第２多孔質層における前記空孔の平均径は、１μｍ以下である
請求項１７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２５】
前記多孔質層は、前記樹脂基板が形成される側の主面である表面に、前記空孔を有しない被覆薄層  部を有し、
前記被覆薄層部は、前記多孔質層の前記被覆薄層部以外の部分と同じ材料から形成されている
請求項１５から１９の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２６】
前記多孔質層は、無機粒子を含まない、請求項９から２５の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、積層基板、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：液晶ディスプレイ）や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイといった表示装置は、一般に、ガラス基板やプラスチック基板等の基板上に、例えば、金属薄膜から成る電極層、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層、絶縁層、発光層、外部からの水分や酸素の侵入を防ぐための封止層、カラーフィルタ、偏光板、外部からの機械的応力によるダメージを防ぐための保護層等の各種の層が積層された構造を有している（例えば、特許文献１）。
【０００３】
プラスチックフィルム（プラスチック基板）上に電子デバイス素子を形成することにより、軽い、薄い、割れにくい、曲るといった特長を有する電子デバイスを実現することができる。このような電子デバイスは、フレキシブルエレクトロニクスデバイスと総称され、近年、活発に開発が進められている。電子デバイスの例としては、ディスプレイ、フォトセンサ、ＲＦタグなどが挙げられる。
【０００４】
このようなプラスチック基板を用いた電子デバイスの製造方法は、大きく３つの方法に分類される。第１の方法は、ガラス支持基板上にプラスチックフィルムを仮固定し、電子デバイス素子を形成した後に支持基板を分離する方法である。第２の方法は、支持基板を用いずに、プラスチックフィルム上に電子デバイス素子を形成する方法である。第３の方法は、支持基板上に電子デバイス素子を形成した後、プラスチックフィルムに転写する方法である。
【０００５】
第２の方法は、ロールＴｏロール法などでフィルム上に直接形成することになるが、支持基板がないので、フィルムの寸法が変化しやすく、パターン加工の寸法とパターニングの重ね合わせの精度で課題がある。第３の方法は、ガラス支持基板上に作成した電子デバイス素子をプラスチックフィルムに転写する際に、電子デバイス素子を支えるプラスチック基板が電子デバイス素子の下地に存在しない状態が一時的にでも生じてしまうため、転写の際の電子デバイス素子の機械的強度が弱く、破損してしまう虞がある。これは、電気的な接続を得るために転写するプラスチックフィルムの外側に配置しないとならない配線部分で特に顕著である。第１の方法については、従来の電子デバイスの製造装置を用いることができるので、設備投資等を抑制することができる。また、製造工程中にガラス支持基板に固定されているので加工寸法安定性に優れ、ガラス支持基板分離後にはプラスチックフィルムがあるので機械強度が保たれる。その結果、デバイス作成を容易に行うことができるという利点がある。
【０００６】
一方、第１の方法で電子デバイスを作成する場合、電子デバイス素子を形成した後にガラス支持基板を分離する必要がある。しかしこの場合、最初にプラスチックフィルムをガラス支持基板上に仮固定した後に、電子デバイス素子が形成される過程で高温加熱工程などを経るために、プラスチックフィルムとガラス支持基板との間の密着性が高くなり、分離を容易に行うことができなくなる場合がある。
【０００７】
この問題に対し、特許文献１には、ガラス支持基板とプラスチックフィルムとの界面の密着している部分をレーザにより切断することによりガラス支持基板を分離する方法が開示されている。
また、特許文献１に開示されたレーザによりガラス支持基板を分離する方法において、分離をより安定的に行うために、アモルファスシリコンをガラス支持基板とプラスチック基板との間に挿入し、レーザ照射によりアモルファスシリコンから水素ガスを発生させて分離を促進する方法が、特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４８７０１５６号公報
【特許文献２】特許第３８０９６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の発光装置では、映り込みを抑制して良好な視認性を得ることが望まれていた。
本開示の一つの実施形態は、映り込みを抑制して良好な視認性を有する発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一つの実施形態に係る発光装置は、透光性基板と、前記透光性基板の一方の主面の上方に形成された発光デバイス素子と、前記透光性基板の他方の主面上に形成され、複数の空孔を有する有機材料層である多孔質層とを有する。
なお、包括的または具体的な実施形態は、部材、システム、または方法で実現されてもよく、部材、装置、システム、および方法の任意な組み合わせで実現されてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の一つの実施形態に係る発光装置は、映り込みを抑制して良好な視認性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図２】本実施形態に係る表示装置における多孔質層および透光性基板の断面の顕微鏡写真である。
【図３】（ａ）は、本実施形態に係る表示装置の構成がボトムエミッション型の表示装置に適用された場合における映り込みの様子を模式的に示す図である。（ｂ）は、実施形態に係る表示装置の構成がトップエミッション型の表示装置に適用された場合における映り込みの様子を模式的に示す図である。
【図４】本実施形態に係る表示装置の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、支持基板の部分断面図である。（ｂ）は、支持基板上に多孔質層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、多孔質層上に透光性基板が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、透光性基板上に封止層が形成された状態を示す部分断面図である。
【図５】図４の続きの表示装置の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、封止層上に電極層が形成された状態を示す部分断面図ある。（ｂ）は、電極層上にＴＦＴ本体層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、ＴＦＴ本体層上に有機ＥＬ素子層が形成された状態を示す部分断面図である。
【図６】図５の続きの表示装置の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、多孔質層が破壊されて支持基板が分離された状態の支持基板および表示装置を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、実施形態に係る表示装置が完成した状態を模式的に示す部分断面図である。
【図７】本実施形態に係る表示装置の製造過程を示す模式工程図である。
【図８】（ａ）は、本実施形態の変形例２に係る表示装置が支持基板上に形成された状態を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、変形例２に係る表示装置の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図９】変形例２に係る表示装置の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、支持基板上に第１多孔質層が形成された状態を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、第１多孔質層上に第２多孔質層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、第２多孔質層上に透光性基板が形成された状態を模式的に示す部分断面図である。（ｄ）は、支持基板が分離された後の多孔質層２２０および透光性基板３０の部分断面図である。
【図１０】本実施形態の変形例８に係る表示装置の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、支持基板上に多孔質層が形成された状態を模式体に示す部分断面図である。（ｂ）は、多孔質層上に薄膜が形成された状態を模式的に示す部分断面図である。
【図１１】図１０の続きの変形例８に係る表示装置の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、薄膜にＵＶ光が照射されている様子を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、ＵＶ照射後の薄膜の様子を模式的示す部分断面図である。（ｃ）は、ＵＶ照射後の薄膜上に透光性基板が形成された状態を模式的に示す部分断面図である。
【図１２】本開示の実施形態によらない表示装置の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図１３】（ａ）は、本開示の実施形態によらないボトムエミッション型の表示装置における映り込みの様子を模式的に示す図である。（ｂ）は、本開示の実施形態によらないトップエミッション型の表示装置における映り込みの様子を模式的に示す図である。
【図１４】（ａ）は、本開示の第２の実施形態に係る電子デバイスが支持基板上に形成された状態を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す実施形態に係る電子デバイスおよび支持基板にレーザが照射された様子を模式的に示す部分断面図である。
【図１５】本実施形態に係る電子デバイスにおける多孔質層およびプラスチック基板の断面の顕微鏡写真である。
【図１６】本実施形態に係る電子デバイスの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、支持基板の部分断面図である。（ｂ）は、支持基板上に多孔質層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、多孔質層上にプラスチック基板が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、プラスチック基板上に封止層が形成された状態を示す部分断面図である。
【図１７】図１６の続きの電子デバイスの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、封止層上に電極層が形成された状態を示す部分断面図ある。（ｂ）は、電極層上にＴＦＴ本体層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、ＴＦＴ本体層上に有機ＥＬ素子層が形成された状態を示す部分断面図である。
【図１８】図１７の続きの電子デバイスの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、支持基板が分離される前の電子デバイスおよび支持基板に対してレーザ照射されている状態を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、分離後の支持基板および電子デバイスを模式的に示す部分断面図である。
【図１９】本実施形態に係る電子デバイスの製造過程を示す模式工程図である。
【図２０】（ａ）は、試験体ＴＰ１の構成を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、試験体ＴＰ２の構成を模式的に示す部分断面図である。（ｃ）は、試験体ＴＰ３の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図２１】本実施形態に係る電子デバイスの製造方法のレーザ照射に対するダメージ抑制効果の評価結果を示す図である。
【図２２】（ａ）は、本実施形態によらない電子デバイスにおけるレーザ照射後の電極層の顕微鏡写真である。（ｂ）は、（ａ）の電極層の表面状態を模式的に示す図である。
【図２３】（ａ）は、レーザ照射後の試験体ＴＰ１の顕微鏡写真である。（ｂ）は、レーザ照射後の試験体ＴＰ２の顕微鏡写真である。（ｃ）は、レーザ照射後の試験体ＴＰ３の顕微鏡写真である。
【図２４】レーザ照射後の試験体ＴＰ１，試験体ＴＰ２，および試験体ＴＰ３の変異量の測定結果を示すグラフである。
【図２５】（ａ）は、本実施形態の変形例１に係る電子デバイスが支持基板上に形成された状態を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、本実施形態の変形例２に係る電子デバイスが支持基板上に形成された状態を模式的に示す部分断面図である。
【図２６】本実施形態の変形例６に係る電子デバイスの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、支持基板上に多孔質層が形成された状態を模式体に示す部分断面図である。（ｂ）は、多孔質層上に薄膜が形成された状態を模式的に示す部分断面図である。
【図２７】図２６の続きの変形例６に係る電子デバイスの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、薄膜にＵＶ光が照射されている様子を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、ＵＶ照射後の薄膜の様子を模式的示す部分断面図である。（ｃ）は、ＵＶ照射後の薄膜上にプラスチック基板が形成された状態を模式的に示す部分断面図である。
【図２８】（ａ）は、本実施形態によらない電子デバイスが支持基板上に形成された状態を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す本実施形態によらない電子デバイスおよび支持基板にレーザが照射された様子を模式的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本開示の基礎となった知見
表示装置では、外光（例えば、屋内では蛍光灯等の光、屋外では太陽光など）が表示面（即ち、ディスプレイの表面）で反射して映り込みとして観測されるため、ユーザはディスプレイの表示画像を視認しにくくなるという問題がある。さらに、積層構造を有する表示装置では、表示面における外光の反射のみならず、表示面から表示装置内に入射した外光が、層の界面や、１つまたは複数の層の表面や裏面で反射して表示面から出射されることによっても映り込みの問題が発生する場合がある。光の反射しやすさは、入射角度の他に、界面の両側の物質の屈折率の差にも依存する。一般に、屈折率の差が大きいほど反射しやすいため、樹脂層とガラス層といった固体層同士の界面よりも、固体層と空気との界面の方が反射しやすい。従って、一般に、積層体の最外面である表面や裏面での光の反射が、映り込みの問題に大いに関係している。
【００１４】
図１２は、本開示の実施形態によらない表示装置の一例として、有機ＥＬ表示装置である表示装置５００の構成を模式的に示す部分断面図である。図１３（ａ）は、表示装置５００の構成がボトムエミッション型の表示装置５００ａに適用された場合において映り込みが発生する様子を模式的に示す図である。図１３（ｂ）は、表示装置５００の構成がトップエミッション型の表示装置５００ｂに適用された場合において映り込みが発生する様子を模式的に示す図である。
【００１５】
図１２に示すように、表示装置５００は、アクリル樹脂等の透光性を有する樹脂やガラスから成る透光性基板５３０上に、封止層５４０、ＴＦＴ層５５０、有機ＥＬ素子層５６０がこの順に積層されて形成されている。なお、各層間に、層間絶縁層や保護層等が形成されていてもよいし、有機ＥＬ素子層５６０上に、カラーフィルタ、封止層、保護層等が形成されていてもよい。また、ＴＦＴ層５５０および有機ＥＬ素子層５６０により表示デバイス素子層５７０が構成される。
【００１６】
図１３（ａ）に示すように、本開示の実施形態によらないボトムエミッション型の表示装置５００ａの場合、外光は透光性基板５３０の表面で反射されて画像情報を表す光と一緒にユーザの目に入り、映り込みが発生する。また、図１３（ｂ）に示すように、本開示の実施形態によらないトップエミッション型の表示装置５００ｂの場合、有機ＥＬ素子層５６０から表示装置５００ｂの内部に入射した外光の一部は、有機ＥＬ素子層５６０、ＴＦＴ層５５０、封止層５４０、および透光性基板５３０を透過して透光性基板５３０の裏面に到達し、当該裏面で反射される。そして、反射された外光は、再び透光性基板５３０、封止層５４０、ＴＦＴ層５５０、および有機ＥＬ素子層５６０を透過して、画像情報を表す光と一緒にユーザの目に入り、映り込みが生じる。なお、ユーザ側の主面を表面とし、ユーザと反対側の主面を裏面とする。表示装置５００ｂの場合、表示装置５００ｂ内部に入射した外光の一部は、有機ＥＬ素子層５６０、ＴＦＴ層５５０、封止層５４０、および透光性基板５３０それぞれの界面で反射され、また他の一部は、有機ＥＬ素子層５６０やＴＦＴ層５５０の電極（不図示）や配線（不図示）等により反射および吸収される。そして、この反射および吸収が、往復でそれぞれ起こるため、映り込みを引き起こす反射光は、表示装置５００ａの場合と比較すると概して弱いものである。しかし、表示装置５００ｂにおいても、外光の入射角度や外光が表示面のどの領域から入射したかによっては、上記反射および吸収があまり発生せず、強い映り込みを引き起こす場合がある。この様な映り込みは、発光装置においても課題となる。そこで、本発明者らは、映り込みを抑制して良好な視認性を有する発光装置を提供すべく鋭意研究した。
【００１７】
本開示の一態様に係る発光装置は、透光性基板と、前記透光性基板の一方の主面の上方に形成された発光デバイス素子と、前記透光性基板の他方の主面上に形成され、複数の空孔を有する有機材料層である多孔質層とを有する。
透光性基板の発光デバイス素子が配された側とは反対側の主面上に多孔質層が配置されていることにより、発光装置がボトムエミッション型の場合には、ディスプレイ前面、即ち、透光性基板の発光デバイス素子が配された側とは反対側の主面側から入射する外光を、多孔質層により散乱させて映り込みを抑制することができる。また、トップエミッション型の場合には、ディスプレイ前面から発光装置内に入射した外光が透光性基板の発光デバイス素子が配された側とは反対側の主面である裏面で多孔質層により散乱される。これにより、発光装置内に入射した外光が、透光性基板の裏面で反射して再びディスプレイ前面から出射され、映り込みが生じるのを抑制することができる。
また、多孔質層が有機材料層であることにより、多孔質の無機材料または無機粒子とは異なり、次の効果が得られる。すなわち、多孔質層が有機材料層であることにより、柔軟性（フレキシブル性）に優れている。有機材料層は、曲げるために必要な荷重が小さいため、曲げやすい。よって、曲げ荷重を掛けたときのデバイス素子への応力が小さく、デバイス素子の損傷が発生しにくい。また、多孔質層が有機材料層であることにより、外部からの衝撃を緩和し、デバイスの損傷を防ぐことができる。また、多孔質層が有機材料層であるため、例えば、製造時に支持基板からレーザー照射によって剥離する場合、レーザー照射による周辺への熱拡散が小さい。よって、デバイス素子への熱の影響を抑制することができ、且つ、レーザーのエネルギーが効率よく無機材料層の加工に利用される。さらに、多孔質層が有機材料層であることにより、断熱効果があり、外部からの熱によるデバイス素子への影響を小さくすることができる。有機材料層としては、多孔質ポリイミド膜を用いることができる。
また、多孔質層は、無機粒子を含まなくてもよい。
【００１８】
また、前記多孔質層の前記透光性基板とは反対側の主面には、前記複数の空孔のうちの一部の前記空孔の内面が露出しており、前記内面が露出している前記空孔内には、気体が存在してもよい。
これにより、発光装置がボトムエミッション型の場合、多孔質層の透光性基板とは反対側の主面がディスプレイ面となるため、多孔質層の一部の空孔の内面が露出して形成された凹凸がディスプレイ面に存在することとなる。これにより、ディスプレイ面で外光が散乱されるため、映り込みが抑制される。加えて、ディスプレイ面で外光が散乱されるため、発光装置内部への外光の入射が抑制され、その結果、発光装置内部に入射した外光が発光装置内部で反射して再びディスプレイ面から出射されることにより生じる映り込みを抑制し、映り込み抑制効果を更に高めることができる。
【００１９】
また、前記多孔質層の前記透光性基板側の部分における前記空孔の平均径は、前記多孔質層の前記透光性基板とは反対側の部分における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
これにより、発光装置がトップエミッション型の場合、ディスプレイ面からより遠い領域で入射光の散乱が大きく発生することにより、表示画像に対する散乱光の影響を抑制することができる。
【００２０】
また、前記多孔質層において、前記透光性基板とは反対側の主面を含む第１多孔質層部分における前記空孔の平均径は、前記第１多孔質層部分よりも前記透光性基板側に位置する第２多孔質層部分における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
発光装置がボトムエミッション型の場合、ディスプレイ面に多孔質層の一部の空孔の内面が露出して凹凸が形成されるのであるが、第１多孔質層部分の空孔の平均径の方が小さいため、凹凸を小さくすることができる。これにより、見た目の印象や表示される画質の悪化を抑制することができる。加えて、タッチスクリーン型の発光装置の場合であっても、タッチスクリーン表面の凹凸が小さいため、スムーズな操作感を提供することができる。
【００２１】
また、前記発光デバイス素子は、画像表示のための光を前記透光性基板に向けて出射し、
前記多孔質層は、透光性の材料から成ってもよい。
これにより、本開示の一態様である発光装置の構成がボトムエミッション型の発光装置に適用された場合に、画像情報の光は多孔質層を透過してユーザの目に届くことができるとともに、多孔質層により外光を散乱させて映り込みを抑制することができる。
【００２２】
また、本開示の別の一態様に係る積層基板は、支持基板と、前記支持基板の上方に形成され、内部空間に気体が存する複数の空孔を少なくとも一部の領域に有する有機材料層である多孔質層と、前記多孔質層の上方に形成された樹脂基板とを有する。
本開示の別の一態様に係る積層基板の構成によると、多孔質層の少なくとも一部の領域において内部に空隙を有する複数の空孔を有するため、多孔質層は、樹脂基板よりも剛性が低い。そのため、樹脂基板の上方に電子デバイス素子やその構成部品の一部が形成された後、支持基板側からレーザ光を照射して支持基板を分離させた場合、レーザ光の照射の際に樹脂基板から発生する可能性のあるガスの圧力は、多孔質層を破壊することにエネルギーが消費される。これにより、樹脂基板へかかる応力を低減することができ、樹脂基板の変形を抑制して、樹脂基板の上方に形成される電子デバイス素子等へのダメージを抑制することができる。
また、多孔質層は、無機粒子を含まなくてもよい。
【００２３】
また、本開示の別の一態様に係る発光装置の製造方法は、支持基板を用意し、前記支持基板の上方に、複数の空孔を有する有機材料層である多孔質層を形成し、前記多孔質層の上方に透光性基板を形成し、前記透光性基板の上方に発光デバイス素子を形成し、前記多孔質層の層内または前記支持基板と前記多孔質層との界面において前記多孔質層を破壊し、前記破壊された前記多孔質層の少なくとも一部が前記透光性基板に付着した状態で前記支持基板と前記透光性基板とを分離する。
【００２４】
本開示の別の一態様に係る発光装置の製造方法によると、透光性基板の発光デバイス素子が形成された側とは反対側の主面上に多孔質層が形成される。そして、透光性基板の表示ディスプレイ素子が形成された側とは反対側の主面上に多孔質層の少なくとも一部が付着している。従って、発光装置がボトムエミッション型の場合には、ディスプレイ前面、即ち、透光性基板の発光デバイス素子が配された側とは反対側の主面側から入射する外光を、多孔質層により散乱させて映り込みを抑制することができる。また、トップエミッション型の場合には、ディスプレイ前面から発光装置内に入射した外光が透光性基板の発光デバイス素子が配された側とは反対側の主面である裏面で多孔質層により散乱される。これにより、発光装置内に入射した外光が、透光性基板の裏面で反射して再びディスプレイ前面から出射され、映り込みが生じるのを抑制することができる。
また、多孔質層が有機材料層であることにより、多孔質の無機材料または無機粒子とは異なり、次の効果が得られる。すなわち、多孔質層が有機材料層であることにより、柔軟性（フレキシブル性）に優れている。有機材料層は、曲げるために必要な荷重が小さいため、曲げやすい。よって、曲げ荷重を掛けたときのデバイス素子への応力が小さく、デバイス素子の損傷が発生しにくい。また、多孔質層が有機材料層であることにより、外部からの衝撃を緩和し、デバイスの損傷を防ぐことができる。また、多孔質層が有機材料層であるため、例えば、製造時に支持基板からレーザー照射によって剥離する場合、レーザー照射による周辺への熱拡散が小さい。よって、デバイス素子への熱の影響を抑制することができ、且つ、レーザーのエネルギーが効率よく無機材料層の加工に利用される。さらに、多孔質層が有機材料層であることにより、断熱効果があり、外部からの熱によるデバイス素子への影響を小さくすることができる。有機材料層としては、多孔質ポリイミド膜を用いることができる。
また、多孔質層は、無機粒子を含まなくてもよい。
【００２５】
なお、前記多孔質層の破壊は、前記支持基板側から前記多孔質層に対してレーザを照射することにより行ってもよい。
これにより、レーザを用いて容易に支持基板を分離することができる。
【００２６】
また、前記多孔質層の破壊は、前記多孔質層に対して機械的応力を加えることにより行ってもよい。
これにより、ローラ等を用いて容易に支持基板を分離することができる。
【００２７】
また、前記破壊後の前記多孔質層は、前記透光性基板とは反対側の主面に前記複数の空孔のうちの一部の内面が露出しており、前記内面が露出している前記空孔内には、気体が存在してもよい。
これにより、発光装置がボトムエミッション型の場合、多孔質層の透光性基板とは反対側の主面がディスプレイ面となるため、多孔質層の一部の空孔の内面が露出して形成された凹凸がディスプレイ面に存在することとなる。これにより、ディスプレイ面で外光が散乱されるため、映り込みが抑制される。加えて、ディスプレイ面で外光が散乱されるため、発光装置内部への外光の入射が抑制される。その結果、発光装置内部に入射した外光が発光装置内部で反射して再びディスプレイ面から出射されることにより生じる映り込みを抑制し、映り込み抑制効果を更に高めることができる。
【００２８】
また、前記多孔質層の前記透光性基板側の部分における前記空孔の平均径は、前記多孔質層の前記透光性基板とは反対側の部分における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
これにより、発光装置がトップエミッション型の場合、ディスプレイ面からより遠い領域で入射光の散乱が大きく発生することにより、表示画像に対する散乱光の影響を抑制することができる。
【００２９】
また、前記多孔質層において、前記透光性基板とは反対側の主面を含む第１多孔質層部分における前記空孔の平均径は、前記第１多孔質層部分よりも前記透光性基板側に位置する第２多孔質層部分における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
発光装置がボトムエミッション型の場合、ディスプレイ面に多孔質層の一部の空孔の内面が露出して凹凸が形成されるのであるが、第１多孔質層部分の空孔の平均径の方が小さいため、凹凸を小さくすることができる。これにより、見た目の印象や表示される画質の悪化を抑制することができる。加えて、タッチスクリーン型の発光装置の場合であっても、タッチスクリーン表面の凹凸が小さいため、スムーズな操作感を提供することができる。
【００３０】
また、前記多孔質層は、内部空間に気体が存する複数の前記空孔を少なくとも一部の領域に有し、前記透光性基板は、前記透光性基板は樹脂基板であり、前記支持基板側からレーザ光を照射して、前記樹脂基板と前記支持基板とを分離してもよい。
【００３１】
上記製造方法においては、多孔質層の少なくとも一部の領域において内部に空隙を有する複数の空孔を有するため、多孔質層は、樹脂基板よりも剛性が低い。そのため、レーザ光の照射の際に樹脂基板から発生する可能性のあるガスの圧力は、多孔質層を破壊することにエネルギーが消費され、樹脂基板へかかる応力を低減することができる。これにより、樹脂基板の変形を抑制して、樹脂基板の上方に形成される電子デバイス素子へのダメージを抑制することができる。
【００３２】
また、前記多孔質層は、前記樹脂基板側の部分における前記空孔の平均径が、前記支持基板側の部分における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
多孔質層が上記構成を有することにより、多孔質層上に樹脂基板が形成される際に、多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に内面が露出している空孔の内部に樹脂基板の樹脂材料が入り込みにくい。従って、当該主面側の表層部分に存在する空孔内部の空隙を維持することができ、多孔質層の当該主面側の表層部分の剛性が高くなるのを抑制することができる。これにより、レーザ光の照射の際に発生するガスの圧力により多孔質層が破壊されにくくなるのを防いで、樹脂基板への応力低減効果を維持することができる。
【００３３】
ここで、レーザ光の照射により発生するガスの圧力は、多孔質層を破壊することにより低減されるのに加えて、多孔質層の空孔内に存在する気体に圧力が分散されることによっても低減される。特に、複数の空孔が連通している場合には、より高い圧力分散効果を得ることができる。多孔質層が上記構成を有することにより、多孔質層の主面側の表層部分に存在する空孔内部の空隙が保たれるため、ガス圧力分散効果を維持することができる。
【００３４】
また、前記多孔質層は、前記支持基板の上方に形成された第１多孔質層と、前記第１多孔質層の上方に形成された第２多孔質層を有し、前記第２多孔質層における前記空孔の平均径は、前記第１多孔質層における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
これにより、樹脂基板が形成される側に位置する第２多孔質層の空孔内部に樹脂基板の樹脂材料が入り込みにくいため、空孔内部の空隙が維持され、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。さらに、第２多孔質層よりも空孔の平均径が大きい第１多孔質層が、第２多孔質層の支持基板側に形成されているため、多孔質層全体としての剛性を低下させて、樹脂基板の変形を抑制することができる。
【００３５】
また、前記第２多孔質層は、乾式法または熱蒸着により形成されてもよい。
第２多孔質層が湿式法により形成された場合には、水分や溶媒が残存し、後の製造工程における加熱やレーザ照射の際にガスが発生する原因となる。第２多孔質層が乾式法または熱蒸着により形成されているため、水分や溶媒が残存せず、ガスの発生を抑制することができる。
【００３６】
また、前記第１多孔質層は、第１樹脂材料を塗布することにより形成され、前記第２多孔質層は、第２樹脂材料を塗布することにより形成され、前記第２樹脂材料の粘度は、前記第１樹脂材料の粘度よりも高くてもよい。
これにより、第１多孔層上に第２多孔質層が形成される際に、第１の多孔質層の第２多孔質層が形成される側の主面に露出している空孔内に第２樹脂材料が入り込みにくく、第１多孔質層の空孔内の空隙が維持される。従って、多孔質層全体としての剛性が樹脂基板よりも低い状態を保つことができる。
【００３７】
また、前記多孔質層を形成した後、前記樹脂基板を形成する前の状態において、前記多孔質層の前記樹脂基板が形成される側の主面である表面には、前記複数の空孔のうち一部の内面が露出していてもよい。そして、前記多孔質層を形成した後、前記樹脂基板を形成する前に、前記多孔質層の前記表面の前記樹脂基板を形成するための樹脂材料に対する親和性が、前記多孔質層の前記表面以外の部分の前記親和性よりも高くなるようにする親和性処理を前記多孔質層に対して行ってもよい。
【００３８】
これにより、多孔質層上に樹脂材料を塗布して樹脂基板を形成する場合に、多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に露出している空孔内に、樹脂材料が入り込みにくい。従って、多孔質層の空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。
【００３９】
また、前記親和性処理は、前記多孔質層の前記表面上および前記露出した内面上に、前記多孔質層を形成する材料よりも前記親和性が低く、ＵＶ光の照射またはプラズマ処理前よりも前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理後の方が前記親和性が高くなる性質を有する材料を用いて薄膜を形成した後、前記樹脂基板が形成される側から前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理を行ってもよい。
【００４０】
また、前記薄膜は、前記多孔質層の前記表面上および前記露出した内面上に、前記多孔質層を形成する材料よりも前記親和性が低く、ＵＶ光の照射またはプラズマ処理前よりも前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理後の方が前記親和性が高くなる性質を有する材料を含む溶液を塗布して乾燥させることにより形成されてもよい。
これにより、上記親和性処理を容易に行うことができる。
【００４１】
また、前記多孔質層の前記樹脂基板側の部分における前記空孔の平均径は、１μｍ以下であってもよい。
これにより、多孔質層上に樹脂基板を形成する際に、樹脂材料が多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に露出している空孔内に入り込みにくく、多孔質層の樹脂基板側の部分において空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。
【００４２】
また、前記第２多孔質層における前記空孔の平均径は、１μｍ以下であってもよい。
これにより、第２多孔質層上に樹脂基板を形成する際に、樹脂材料が第２多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に露出している空孔内に入り込みにくい。従って、第２多孔質層の樹脂基板側の部分において空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。
【００４３】
また、前記多孔質層は、前記樹脂基板が形成される側の主面である表面に、前記空孔を有しない被覆薄層部を有し、前記被覆薄層部は、前記多孔質層の前記被覆薄層部以外の部分と同じ材料から形成されていてもよい。
これにより、多孔質層上に樹脂基板を形成する際に、被覆薄層部によりブロックされて樹脂材料が多孔質層の空孔内に入り込まないため、多孔質層の空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。さらに、被覆薄層部は、それ以外の多孔質層の部分と同じ材料から形成されているため、材料の種類や工程の増加を抑制して、製造コストの抑制に資することができる。
また、多孔質層は、無機粒子を含まなくてもよい。
【００４４】
以下、本開示の実施形態および変形例について具体例を示し、構成および作用・効果を説明する。
なお、以下の説明で用いる実施形態および変形例は、本開示の一態様に係る構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例示であって、本開示は、その本質的部分以外に何ら以下の実施形態および変形例に限定を受けるものではない。
【００４５】
≪第１の実施形態≫
［１．表示装置の構成］
本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成について、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置に適用された場合を例に、図１，図２を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を模式的に示す部分断面図である。本実施形態においては、表示装置１００は、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置である。
【００４６】
図１に示すように、表示装置１００は、多孔質層２０、透光性基板３０、封止層４０、ＴＦＴ層５０、および有機ＥＬ素子層６０が、この順に積層されて成る。ＴＦＴ層５０は、電極層５１およびＴＦＴ本体層５２から構成されている。ＴＦＴ層５０および有機ＥＬ素子層６０により、表示デバイス素子層（または表示デバイス素子）７０が構成される。表示装置１００は、透光性基板３０の上面（または一方の主面）３１の上方に表示デバイス素子層７０を有し、透光性基板３０の下面（または他方の主面）３２上に多孔質層２０を有する。
【００４７】
なお、図１において、実線の円内には、表示装置１００の断面図における破線の円で囲まれた部分（すなわち、多孔質層２０の透光性基板３０とは反対側の主面およびその近傍部分）の構成を拡大して模式的に示す拡大断面図を示している。
【００４８】
（多孔質層）
多孔質層２０は、図１の実線の円内および図２に示すように、内部に多数の空孔２１を有している。なお、図２は、多孔質層２０と透光性基板３０との界面近傍の部分における断面の走査型顕微鏡写真である。図１において実線の円内に示すように、多孔質層２０の透光性基板３０とは反対側の主面２４には、一部の空孔２１の内面２１ｃが露出しており、内面２１ｃが露出した空孔２１の内部空間には、空気が存在している。
【００４９】
ここで、本実施形態においては、内面が露出しているものも露出していないものも、空孔２１の内部には空気や溶媒が気化した気体等の何らかの気体が存在している。また、空孔２１の内部空間内に、気体の他に、水や溶媒等の液体、ゴミ等の固体の異物が存在していてもよい。また、例えば、多孔質層２０の材料とは異なる光の屈折率を有する物質が充填されていてもよい。この場合、空孔の内部空間内に充填されている物質の屈折率と多孔質層２０の材料物質の屈折率との差が大きいほど望ましい。
【００５０】
なお、ここでは、空孔との用語は、完全に閉じた内部空間を有するセル状のものに限られず、セルを規定する壁の一部が欠損したものや、壁の欠損部分が層の外側に露出しているものや、複数のセルが互いの内部空間が連通した状態で連結しているものも含む概念として用いている。
また、ここでは、空孔とは、例えば、径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下、より望ましくは、１００ｎｍ以上５μｍ以下の範囲内のもの指す。ただし、複数の空孔が連結している場合には、個々の空孔の径が上記の範囲内にあればよい。
【００５１】
さらに、ここでは、空孔の径とは、層の広がる方向（層の厚み方向に直交する方向）における空孔の内部空間の長さとする。
なお、ここでは、多孔質層２０の空隙率は、具体的には、例えば、１０％以上９０％以下であるのが望ましい。
また、多孔質層２０の空隙率は、より望ましくは５０％以上９０％以下であってもよい。空隙率が５０％以上であることにより、レーザによる支持基板の分離の際に多孔質層が破壊される割合を大きくすることができ、結果として透光性基板３０にかかる圧力をより小さくすることが出来る。また、空隙率を９０％以下とすることにより、多孔質層２０においてある程度機械的な強度を確保し、たとえば、製造工程中の真空製膜時の減圧・加圧などによる機械的なストレスによる破損を抑制することができる。前記機械的なストレスによる破損とは、より具体的には、膜の剥離などである。また、空隙率が高すぎると、樹脂材料（例えば、ポリイミド）を用いて透光性基板３０を形成する際に樹脂材料が空孔の中に入り込んでしまい、結果的に多孔質層２０の強度が上がってしまうため、多孔質層２０の空隙率は、およそ９０％以下が望ましい。
【００５２】
なお、多孔質層２０の空隙率の測定方法には、たとえば、以下のような方法がある。多孔質層２０の断面を機械的な割断や収束イオンビーム加工により得たのち、走査型電子顕微鏡によって断面を観測し、断面の空隙と多孔質隔壁の比率を算出する。他の断面においても同等の比率となっていることが容易に想定されるので、その比率を体積比として空隙率とすることができる。また、面内で複数点上記の測定を行い、その平均を取ることで、より精度を上げることができる。
【００５３】
多孔質層２０の材料としては、有機材料を用いることができる。
【００５４】
多孔質層２０の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、湿式形成方法や乾式形成方法を用いることができる。多孔質層２０の形成工程における温度あるいは形成後の加熱温度は、その上に形成される各層の形成工程における温度よりも高いことが望ましい。なぜならば、多孔質層２０の形成温度よりも高温で上層の形成工程が行われた場合、多孔質層２０に変化が起こる可能性があり、望ましくないためである。例えば、多孔質層２０の空孔内や固体部分に吸着された水、溶媒、その他気体が上層の形成工程の際に脱着し、上層との間で分離を起こすなどの不良が発生する可能性がある。
【００５５】
多孔質層２０の厚みは、特に限定されるものではないが、１μｍ〜１０００μｍ程度が望ましい。
【００５６】
（透光性基板）
透光性基板３０の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、無アルカリガラス（ホウケイ酸ガラス）、アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英などのガラス材料や、アルミナ等の絶縁性材料等が挙げられる。また、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンスルホン酸、シリコーン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリイミド、アラミド樹脂などの樹脂材料を用いることもできる。さらには、これらのうちの２種類以上の材料が混合されて用いられてもよく、これらの材料は化学的に修飾されていてもよい。またさらに、上記の材料のうち２種類以上を組み合わせて、多層構造としてもよい。
【００５７】
表示装置１００がフレキシブルディスプレイである場合には、透光性基板３０の性質としては、曲げたときに容易に割れたり、破壊されたりしないことが必要である。この性質を備えていないと、高い柔軟性を有するディスプレイデバイスを得ることはできない。
また、表示装置１００がフレキシブルディスプレイである場合には、透光性基板３０の膜厚としては、１μｍ〜１０００μｍの範囲が望ましい。これよりも薄いと、機械的な強度が得られない。これよりも厚いと、曲げることが困難となり、高い柔軟性を有するディスプレイデバイスを得ることはできない。
【００５８】
透光性基板３０の形成方法は、透光性基板が樹脂材料から成る場合には、液体状の樹脂材料を塗布して形成してもよい。透光性基板３０が樹脂やガラス等の材料から成る場合には、すでに板状やフィルム状に形成されたものを多孔質層２０に接着してもよく、特に限定されない。すでに板状またはフィルム状に形成されたものを接着する場合は、接着材等を用いて接着するほかに、圧着により接着する方法を採用してもよい。接着材としては、シリコーン系、アクリル系など、所望の粘着力が得られるものであれば、特に限定されるものではない。透光性基板３０は、後述するプラスチック基板３３０であってもよい。
【００５９】
（封止層）
封止層４０としては、例えば、窒化シリコン膜を使用することができる。
【００６０】
（ＴＦＴ層）
ＴＦＴ層５０には、有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴが形成されている。ＴＦＴ層５０は、ＴＦＴの一部であるゲート電極から成る電極層５１および、ＴＦＴのゲート電極以外の部分であるＴＦＴ本体層５２から構成されている。
【００６１】
電極層５１は、金属材料を真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。電極層５１の材料としては、例えば、銀、アルミニウム、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金等が挙げられる。
ＴＦＴ本体層５２には、ゲート絶縁膜、ソース‐ドレイン電極、バンク、半導体層、パッシベーション膜等が含まれる。ＴＦＴは、チャネル材料にシリコンを用いたものでも、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の酸化物半導体を用いたものでも、ペンタセン等の有機半導体を用いたものでもよい。
【００６２】
（有機ＥＬ素子層）
有機ＥＬ素子層６０は、上部電極、下部電極、および上部電極と下部電極との間に挟まれた有機機能層を有する。有機機能層は、発光層を有する。有機機能層は、発光層の他に、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を適宜含んでもよい。有機ＥＬ素子層６０は、上部電極、下部電極、有機機能層の他に、隔壁層、封止層等を有してもよいし、さらに、カラーフィルタや保護層等を含んでもよい。
【００６３】
ＴＦＴ層５０および有機ＥＬ素子層６０により、表示デバイス素子層７０が構成される。
なお、本実施形態においては、ＴＦＴ層５０は電極層５１およびＴＦＴ本体層５２から構成された多層構造を有しているが、これに限られない。例えば、表示装置１００が、パッシブ型の有機ＥＬ表示装置である場合には、配線層がＴＦＴ層５０に相当する。
【００６４】
また、表示装置１００が、液晶表示装置である場合には、表示デバイス素子層７０に、ＬＣＤ素子が形成される。
【００６５】
［２．映り込み抑制］
図３（ａ）は、本実施形態に係る表示装置１００の構成がボトムエミッション型の表示装置１００ａに適用された場合における映り込み抑制の様子を模式的に示す部分断面図である。図３（ｂ）は、表示装置１００の構成がトップエミッション型の表示装置１００ｂに適用された場合における映り込み抑制の様子を模式的に示す部分断面図である。
【００６６】
図３（ａ）に示すボトムエミッション型の表示装置１００ａ場合、有機ＥＬ素子層６０の発光層から発せられた画像情報の光は、ＴＦＴ層５０，封止層４０，透光性基板３０，多孔質層２０を透過してユーザの目に入る。この場合、多孔質層２０は、透光性の材料から成る。
一方、外光は多孔質層２０の表面（ここでは、透光性基板３０とは反対側の主面）で反射され、画像情報の光と共にユーザの目に入る。これが映り込みとしてユーザに認識され、画像情報の視認性を低下させる原因となる。しかし、図１において実線の円内に示すように、多孔質層２０の表面には、多孔質層２０の一部の空孔２１の内面２１ｃが露出して凹凸が形成されている。これにより、多孔質層２０の表面において外光が散乱されるため、ユーザの目に入る反射光の量を低減させて映り込みを抑制することができる。さらに、多孔質層２０の表面を通過して多孔質層２０内部に入射した外光も、多孔質層２０内部において多孔質層２０の固体部分と空孔２１内部の気体部分との境界を通過する際に屈折や反射を経て散乱される。従って、多孔質層２０を通過して透光性基板３０へと入射する外光が低減され、その結果、透光性基板３０と封止層４０との界面における反射、封止層４０と表示デバイス素子層７０との界面における反射、および表示デバイス素子層７０を構成する各層の界面や電極等の構成部品の表面での反射が低減される。これにより、さらに映り込みが抑制される。
【００６７】
なお、図２に示すように、多孔質層２０は、透光性基板３０側の表面に厚さ１μｍ程度の空孔がない層である被覆薄層部２２が形成されている。従って、多孔質層２０上に樹脂材料を塗布して透光性基板３０が形成される場合に、空孔内部に樹脂材料が入り込んで空孔の内部空間が樹脂材料によって埋められることがない。そのため、多孔質層２０の空孔内部の空隙を保つことが出来るため、光の散乱量を大きく保つことができるという利点を有している。
【００６８】
トップエミッション型表示装置１００ｂの場合、有機ＥＬ素子層６０の有機機能層から発生した光は、有機ＥＬ素子層６０の上面側から、すなわち、上部電極を通って表示装置外に出射する。そのため、上部電極は光透過性の材料（透明導電膜）が使用される。また、近年、透明ディスプレイとして、下部電極やＴＦＴ層５０に良好な光透過性を有する材料を使用することが多い。そのため、有機ＥＬ素子層６０の光出射側、すなわち、ユーザ側から表示装置１００ｂ内に入射した外光は、有機ＥＬ素子層６０、ＴＦＴ層５０、封止層４０、透光性基板３０を透過して多孔質層２０内部へと入射する。多孔質層２０内部へと入射した光は、多孔質層２０の裏面（ユーザとは反対側の主面であり、ここでは、透光性基板３０とは反対側の主面）へと到達する。固体である多孔質層２０の外側には気体である空気が存在するため、これらの界面である多孔質層２０の裏面において外光が反射しやすいように思われる。しかし、多孔質層２０の裏面には、図１において実線の円内に示すように、多孔質層２０の一部の空孔２１の内面２１ｃが露出して凹凸が形成されているので、表示装置１００ｂの各層を通過して多孔質層２０の裏面に到達した外光は、多孔質層２０の裏面において散乱され、当該裏面における外光の反射が低減される。これにより、多孔質層２０の裏面で反射されて再び表示装置１００ｂの各層を通過し、ユーザの目に入る外光を低減して、映り込みを抑制することができる。
【００６９】
なお、図１３（ｂ）に示す本実施形態によらないトップエミッション型の表示装置５００ｂの場合、外部から表示装置に対して斜めに入射した光は表示デバイス素子層５７０中の構成部材によって反射されやすく、透光性基板５３０の裏面に到達しにくい。同様に、透光性基板５３０の裏面により反射された光も表示デバイス素子層５７０中の構成部材によって反射され、ユーザ側に出射されにくい。そのため、トップエミッション型の表示装置が用いられる場合には、透光性基板５３０の裏面によって反射してユーザ側に出射する光量が少ない。
【００７０】
しかしながら、表示装置のディスプレイ面（表示装置５００ｂでは、有機ＥＬ素子層５６０のユーザ側の主面）に対して垂直に入射した光、具体的には画素間などの透光性領域に入射した光が反射される。これにより、ユーザ側に反射光が出射されることがあり、ボトムエミッション型と同様に、像の視認性に悪影響を与える場合がある。
このような場合においても、実施形態に係る表示装置１００の構成が適用されたトップエミッション型表示装置１００ｂにより、上記において説明したように映り込みを抑制することができる。
【００７１】
また、本実施形態によらない平坦なガラス基板を用いる表示装置であれば、表示装置の角度を少し傾けることで映り込みの条件を回避できるため、視認性の改善は比較的容易である。
これに対して、基板に樹脂基板等の可撓性材料を用い、表示装置を湾曲させて用いることが出来るフレキシブル表示装置では、ユーザに対して、ディスプレイ面の反射角が連続的に存在する。このため、角度調整を行っても、映り込みが発生する角度となる箇所が移っていき、映り込みの条件を完全に回避することができる角度にすることは困難である。したがって、特に曲面ディスプレイを有するフレキシブル表示装置では、透光性基板の裏面側における光の反射を抑制することが特に重要となる。
【００７２】
この場合においても、実施形態に係る表示装置１００の構成が適用されたトップエミッション型表示装置１００ｂにより、上記において説明したように映り込みを効果的に抑制することができる。
ここで、図２に示すように、本実施形態に係る多孔質層２０は、透光性基板３０に近い部分の空孔２１ａの方が、透光性基板３０からより遠い部分の空孔２１ｂよりも概して空孔の径が小さい。即ち、空孔２１ａの平均径は、空孔２１ｂの平均径よりも小さいということができる。また、平均径とは、面積１０×１０μｍ2の領域における平均径で代表させることができ、たとえば、多孔質層２０の断面を収束イオンビーム（ＦＩＢ）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で２〜３点観測することにより、代表させることができる。
【００７３】
トップエミッション型の表示装置の場合、多孔質層２０を備えていない場合にはユーザの目に入る方向には反射されない角度の入射光が、多孔質層２０で散乱されてユーザの目に入る可能性がある。
ここで、透光性基板３０に近い部分の方が空孔２１の平均径が大きい場合、透光性基板３０に近い部分において、単位体積当たりの空孔２１の数が少ないため、当該部分において入射光が屈折および反射される回数が少なくなる。そのため、入射光があまり分散されずに光の強度が強いままユーザ側へと反射される場合がある。
【００７４】
しかし、本実施形態に係る表示装置１００においては、上記のように、多孔質層２０における透光性基板３０に近い部分の空孔２１ａの平均径が、遠い部分の空孔２１ｂの平均径よりも小さい。よって、透光性基板３０に近い部分の方が遠い部分よりも単位体積当たりの空孔２１の数が多い。従って、透光性基板３０に近い部分において、入射光が屈折および反射される回数が多くなり、入射光がより均一に分散されることとなる。その結果、透光性基板３０に近い部分において入射光がユーザ側へと反射される場合に、反射光は分散されて弱められているので、多孔質層２０による反射光の影響を抑制することができる。
【００７５】
また、ボトムエミッション型の表示装置の場合、多孔質層２０における透光性基板３０に近い部分の空孔２１ａの平均径が小さく、平均径が異なる細孔を有するため、より広い範囲の波長領域の光を散乱させることができる。これにより、可視光全域に対して効果的に散乱効果を得ることができるようになる。
【００７６】
［３．表示装置の製造方法］
本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について、図４，図５，図６，図７を参照しながら以下に説明する。図４，図５，図６は、本実施形態に係る表示装置１００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。図７は、本実施形態に係る表示装置１００の製造過程を示す模式工程図である。
【００７７】
先ず、図４（ａ）に示すように、支持基板１０を用意する（図７のステップＳ１）。支持基板１０は、その上に表示装置１００が形成され、表示装置１００形成の際の土台となる部材である。
支持基板１０の材料としては、例えば、無アルカリガラス（ホウケイ酸ガラス）、アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英などのガラス材料や、アルミナ等の絶縁性材料等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。本実施形態においては、支持基板１０として、具体的には例えば、コーニング社製ＥＡｚＬＥ２０００が用いられる。
【００７８】
支持基板１０の表面（表示装置１００が形成される側の主面）は、透光性基板３０を仮固定した後、ディスプレイデバイス素子などの薄膜デバイス素子を形成するために、平坦性が高いことが望ましい。具体的には、最大高低差１０μｍ以下、より望ましくは１μｍ以下であることが望ましい。
また、支持基板１０の表面は、次に形成される層との密着性を良くするため、清浄な状態にしておくことが望ましい。表面の洗浄方法としては、ＵＶ光照射、オゾン処理、プラズマ処理、フッ酸処理などを用いることができる。本実施形態においては、支持基板１０は、具体的には例えば、表面をエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）処理することで、表面の洗浄が行われる。
【００７９】
また、支持基板１０の表面に、その上に形成される層との密着性を改善するための層を１層設けてもよい。密着性を改善するための層としては、例えば、酸化シリコン膜を用いることができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、支持基板１０上に多孔質層２０を形成する（図７のステップＳ２）。本実施形態においては、具体的には例えば、支持基板１０上にポリイミドをスピンコート法にて塗布し、加熱温度４００℃にて８時間加熱して、膜厚１８マイクロメートルの多孔質ポリイミド層である多孔質層２０を形成する。多孔質層２０の材料として用いるポリイミドは、具体的には例えば、ユニチカ製  Ｕイミド  ワニス  タイプＢＰである。
【００８０】
続いて、図４（ｃ）に示すように、多孔質層２０上にフレキシブルディスプレイの基板となる透光性基板３０を形成する（図７のステップＳ３）。本実施形態においては、具体的には例えば、多孔質層２０の上からスピンコート法にて厚さ３０μｍのポリイミド層を形成し、フレキシブルディスプレイの基板となる透光性基板３０を形成する。透光性基板３０の材料として用いるポリイミドは、具体的には例えば、宇部興産製Ｕ−ワニスである。
【００８１】
そして、図４（ｄ）に示すように、透光性基板３０上に、封止層４０を形成する（図７のステップＳ４）。本実施形態においては、封止層４０は、具体的には例えば、膜厚１μｍの窒化シリコン膜を、容量結合型プラズマＣＶＤにて３００℃で形成する。
その後、図５（ａ）に示すように、封止層４０上に、金属薄膜を形成した後にエッチング処理を行い、電極層５１を形成する（図７のステップＳ５）。本実施形態においては、具体的には例えば、モリブデンとタングステンの合金からなる厚さ１００ｎｍの層をスパッタ法にて作成し、レジストを用いてフォトリソグラフィー法によりパターニングし、燐酸・硝酸・酢酸の混合液によってエッチング処理を行って電極層５１を形成する。
【００８２】
次に、図５（ｂ）に示すように、電極層５１上にＴＦＴ本体層５２を形成し、ＴＦＴ層５０を完成させる（図７のステップＳ６）。
続いて、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ層５０上に有機ＥＬ素子層６０を形成する（図７のステップＳ７）。これにより、支持基板１０上に表示装置１００が形成された電子デバイス体１０００を得る。
【００８３】
そして、図６（ａ）に示すように、多孔質層２０の層内において多孔質層２０を破壊して、透光性基板３０と支持基板１０とを分離し（図７のステップＳ８）、図６（ｂ）に示すように、表示装置１００を得る。
支持基板１０の分離には、例えば、支持基板１０側から電子デバイス体１０００にレーザ光を照射する方法や、ローラを用いて機械的に分離する方法を採用することができる。本実施形態においては、具体的には例えば、波長３０５ｎｍ、１回あたりのパルス幅２０ｎｓ、照射面積２０．０ｍｍｘ１．０ｍｍのエキシマーレーザーを支持基板１０側から掃引しながら照射することにより、支持基板１０を分離する。
【００８４】
なお、図６（ａ）に示すように多孔質層２０が層内で破壊されて支持基板１０が分離され、多孔質層２０の一部が透光性基板３０に付着している態様に限られず、多孔質層２０と支持基板１０との界面で支持基板１０が多孔質層２０から分離され、多孔質層２０の全部が透光性基板３０に付着していてもよい。つまり、支持基板１０の分離後に、透光性基板３０に多孔質層２０の少なくとも一部が付着していればよい。ただし、この場合、透光性基板３０の封止層４０とは反対側の主面における全体に亘って多孔質層２０により覆われていることが望ましい。全体でない場合でも、少なくとも画像表示領域に対応する領域は、多孔質層２０で覆われていることが望ましい。
【００８５】
なお、本実施形態に係る表示装置１００においては、図２に示すように、多孔質層２０の透光性基板３０に近い部分の空孔２１ａの平均径が、透光性基板３０から遠い部分の空孔２１ｂの平均径よりも小さい。これにより、多孔質層２０の上面（透光性基板３０が形成される側の主面）の凹凸を少なくし、多孔質層２０の上方に形成される各層が前記凹凸から受ける影響を低減させて、より高品質の表示装置を得ることができる。
【００８６】
多孔質層２０の透光性基板３０側の空孔の平均径としては、具体的には、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が望ましい。多孔質層２０の支持基板１０側の空孔の平均径としては、具体的には、例えば、１００ｎｍ以上１０μｍ以下が望ましい。
上記映り込みの問題を解消するために、透光性基板中にフィラーを分散させて入射光の反射を抑制する方法も考えられる。しかし、この場合、フィラーの影響により透光性基板の上面に凹凸が形成されてしまい、その上に形成される封止層４０の封止性が低下してしまうというデメリットがある。本実施形態に係る表示装置１００の構成によると、封止層４０の封止性を低下させることなく、映り込みを抑制することができる。
【００８７】
また、映り込みを抑制するために、偏光フィルムを用いる場合、特にボトムエミッション型の場合、画像情報の光も偏光されてしまうため、ユーザの目に入る光の量が減少して、表示画面の明るさが大きく損なわれてしまうというデメリットがある。本実施形態に係る表示装置１００の構成によると、表示画面の明るさを大きく損なうことなく、映り込みを抑制することができる。
【００８８】
≪変形例≫
以上、本開示を実施形態に基づいて説明してきたが、本開示が上述の実施形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することが出来る。
【００８９】
（変形例１）
実施形態においては、多孔質層２０は被覆薄層部２２を有していたが、これに限られず、被覆薄層部２２を有しない構成としてもよい。
【００９０】
この場合、多孔質層２０の透光性基板３０側の部分における空孔の平均径が、支持基板側の部分における空孔の平均径よりも小さいことが望ましい。透光性基板３０側の部分の空孔の平均径が小さい方が、透光性基板３０を樹脂材料を用いて塗布により形成する場合、塗布された樹脂材料が空孔内に入り込みにくいため、空隙を維持することができ、多孔質層２０の透光性基板３０に近い部分における光の散乱効果を維持することができる。
【００９１】
なお、上記実施形態においては、多孔質層２０は、樹脂材料を塗布して、その後に加熱することにより形成されるが、一般に、溶媒の気泡は表面に近いほど抜けやすいため、表面に近いほど空孔の平均径が小さくなる。多孔質層２０を形成する際の加熱温度や加熱時間、樹脂材料の溶媒の種類や量を調整することにより、被覆薄層部２２が形成されないようにすることも可能である。
【００９２】
（変形例２）
上記実施形態に係る表示装置１００おいては、多孔質層２０は、単層構造であったが、これに限られない。多孔質層２０を複数の副層（ｓｕｂ−ｌａｙｅｒ）から成る多層構造としてもよい。
図８（ａ）は、変形例２に係る表示装置２００が支持基板１０上に形成された電子デバイス体２０００の構成を模式的に示す部分断面図である。図８（ｂ）は、表示装置２００の構成を模式的に示す部分断面図である。
【００９３】
図８（ａ），（ｂ）に示すように、表示装置２００は、多孔質層２２０を有し、多孔質層２２０は、第１多孔質層２２０ａと第２多孔質層２２０ｂの２つの副層から成る。
図９は、表示装置２００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。図９（ａ）は、支持基板１０上に第１多孔質層（第１多孔質層部分）２２０ａが形成された状態を模式的に示す部分断面図である。図９（ｂ）は、第１多孔質層２２０ａ上に第２多孔質層（第２多孔質層部分）２２０ｂが形成された状態を模式的に示す部分断面図である。図９（ｃ）は、第２多孔質層２２０ｂ上に透光性基板３０が形成された状態を模式的に示す部分断面図である。図９（ｄ）は、支持基板１０が分離された後の表示装置２００の多孔質層２２０および透光性基板３０の部分断面図である。図９（ｄ）においては、封止層４０、ＴＦＴ層５０、有機ＥＬ素子層６０については図示を省略している。
【００９４】
図９（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように、変形例２に係る表示装置２００においては、第１多孔質層２２０ａの空孔の平均径は、第２多孔質層２２０ｂの空孔の平均径よりも小さい。
上記変形例１の項でも述べたように、樹脂材料を塗布した後に加熱して多孔質層を形成する場合、一般に、表面に近いほど空孔の平均径が小さくなる。
【００９５】
ここで、実施形態に係る表示装置１００のように多孔質層を単層で形成する場合、多孔質層２０内の空孔の平均径があまり小さくなりすぎると、空孔の径が非常に小さく空隙率の低い部分や空孔が消滅してしまい空孔の無い部分が表面付近に形成される。すると、特にトップエミッション型の表示装置に適用された場合には、十分な光の拡散効果が得られない可能性がある。
【００９６】
一方、多孔質層２０内の空孔の平均径が大きい場合、特に、ボトムエミッション型の表示装置の場合、多孔質層２０の支持基板１０に密着していた側の部分、即ち空孔の径が大きい側の部分がユーザ側に露出することになる。このとき、空孔の径があまり大きいと、ディスプレイ表面の凹凸が大きくなり、見た目の印象や表示される画質が悪化する可能性がある。さらには、ディスプレイがタッチスクリーンとしても機能する場合、ユーザが指で触れて操作する際の触感がスムーズでなくなり、良好な操作感を提供することができない可能性がある。
【００９７】
変形例２に係る表示装置２００では、多孔質層２２０が、第１多孔質層２２０ａおよび第１多孔質層２２０ａ上に形成された第２多孔質層２２０ｂから成り、第１多孔質層２２０ａの空孔の平均径が第２多孔質層２２０ｂの空孔の平均径よりも小さい。従って、トップエミッション型の表示装置に適用された場合であっても、透光性基板３０側の第２多孔質層２２０ｂの方が空孔の平均径が大きいために、空隙率を確保して十分な光の拡散効果が得られる。また、ボトムエミッション型の表示装置に適用された場合には、図９（ｄ）に示すように、空孔の平均径が小さい第１多孔質層２２０ａがユーザ側に露出する。このため、ディスプレイ表面の凹凸が小さくなり、見た目の印象や表示される画質の悪化を抑制することができる。加えて、タッチスクリーン型の表示装置の場合であっても、タッチスクリーン表面の凹凸が小さいため、スムーズな操作感を提供することができる。
【００９８】
なお、変形例２に係る多孔質層２２０のように、透光性基板３０とは反対側の主面側の部分（この場合、多孔質層２２０ａ）における空孔の平均径が、多孔質層２２０内の所定の厚み位置（この場合、多孔質層２２０ｂの第１多孔質層２２０ａ側の部分）における空孔の平均径よりも小さいものであってもよい。
また、変形例２においては、多孔質層２２０は、２つの副層から構成されていたが、これに限られず、３つ以上の副層から構成されていてもよい。
【００９９】
（変形例３）
また、上記変形例２においては、第１多孔質層２２０ａを形成するための第１樹脂材料よりも、第２多孔質層２２０ｂを形成するための第２樹脂材料の粘度が高いことが望ましい。これにより、第２多孔質層２２０ｂを形成するための第２樹脂材料が第１多孔質層２２０ａの空孔内に入り込みにくいため、第１多孔質層２２０ａの空隙率を維持することができる。
【０１００】
（変形例４）
上記変形例２においては、第１多孔質層２２０ａの空孔の平均径が、第２多孔質層２２０ｂの空孔の平均径よりも小さい場合について説明した。しかし、これに限られず、第１多孔質層２２０ａの空孔の平均径が、第２多孔質層２２０ｂの空孔の平均径よりも大きくてもよい。
【０１０１】
この場合、空孔の平均径がより大きい第１多孔質層２２０ａにおける光の散乱効果がより大きくなる。従って、画像出射面（ここでは、有機ＥＬ素子層６０における発光層）からより遠い領域で入射光の散乱が大きく発生するため、表示画像に対する散乱光の影響を抑制することができる。
【０１０２】
（変形例５）
上記変形例２のように多孔質層２２０が第１多孔質層２２０ａと第２多孔質層２２０ｂとを有する場合、第２多孔質層２２０ｂは、化学気相成長法、スパッタ法、蒸着法のうちのいずれか一つの乾式法により形成されるものであってもよい。第２多孔質層２２０ｂが湿式法により形成される場合、第２多孔質層２２０ｂの空孔内や固体部分の内部に水分や溶媒が残存する。よって、後の製造工程における加熱工程や、支持基板１０を分離する際にレーザ照射を行う場合には、その際にガスが発生する原因となる。第２多孔質層２２０ｂが乾式法または熱蒸着により形成されている場合、水分や溶媒が残存せず、ガスの発生を抑制することができる。
【０１０３】
（変形例６）
透光性基板３０を多孔質層２０に貼り合わせる場合は、多孔質層２０と透光性基板３０との間に粘着層が設けられてもよい。粘着層は、一般に塗布にて形成されるため、多孔質層２０の透光性基板３０が形成される側の表面部分の空孔の平均径が小さい方が、空孔内に粘着層の材料が染み込みにくい。また、貼り合せの場合においても、多孔質層２０の透光性基板３０が形成される側の表面部分の空孔の平均径が小さい方が、平均径が大きい場合より透光性基板３０と密着する多孔質層２０表面の面積が大きくなり、透光性基板３０との密着性が高くなる。これにより、表示装置の製造工程中に透光性基板３０が多孔質層２０から不用意に分離してしまうことを防止することができる。
【０１０４】
（変形例７）
また、多孔質層２０の透光性基板３０側の主面近傍の部分に存在する空孔内に、透光性基板３０の樹脂材料が充填されており、多孔質層２０の透光性基板３０と反対側の部分の空孔内には気体が存在して空隙となっていてもよい。空孔内が空隙状態であるほうが、空孔の内面を光が通過する際の屈折率差が大きくなり、光の散乱が大きくなる。そのため、透光性基板３０側の部分の空孔を樹脂材料により充填し、透光性基板３０とは反対側の部分の空孔内を空隙状態に保つことで、画像出射面（ここでは、有機ＥＬ素子層６０における発光層）からより遠い領域で入射光の散乱が大きく発生する。これにより、表示画像に対する散乱光の影響を抑制することができる。
【０１０５】
（変形例８）
透光性基板３０が樹脂材料から塗布により形成される場合、多孔質層２０を形成する工程の後であって、透光性基板３０を形成する工程の前に、多孔質層２０の表面（透光性基板３０が形成される側の主面）２３（図１０（ａ）参照）の透光性基板３０の樹脂材料に対する親和性（以下、単に「樹脂親和性」という。）よりも、表面２３に露出している空孔２１の内面２１ｃの樹脂親和性が低くなるようにする親和性処理を行ってもよい。
【０１０６】
上記親和性処理の方法について、図１０および図１１を参照しながら、以下に説明する。
図１０（ａ）は、支持基板１０上に多孔質層２０が形成された状態を示す部分断面図である。同図に示すように、多孔質層２０の表面２３には、一部の空孔２１の内面２１ｃが露出している。
【０１０７】
次に、図１０（ｂ）に示すように、表面２３および内面２１ｃ上に、樹脂親和性の低い薄膜９０を形成する。薄膜９０は、例えば、樹脂親和性の低い材料を含む溶液を表面２３および内面２１ｃ上に塗布した後に乾燥させて形成してもよい。
続いて、図１１（ａ）に示すように、薄膜９０側からＵＶ光を照射する。これにより、図１１（ｂ）に示すように、薄膜９０のうち、多孔質層２０の表面２３上に形成された部分や、空孔２１の内面２１ｃのうち浅い部分や大きく開いた開口の底面に相当する領域上に形成された部分は、ＵＶ光にさらされて樹脂親和性が高められ、高樹脂親和性部分９０ａとなる。一方、空孔２１の内面２１ｃのうち奥まった部分や開口に近い部分であってもＵＶ光の照射方向に対して平行に近い傾斜となっている部分には、十分なＵＶ光が届かないためＵＶ光にさらされず、樹脂親和性が低いままの状態が保たれ、低樹脂親和性部分９０ｂとなる。
【０１０８】
ここで、本変形例においては、薄膜９０は、多孔質層２０の一部である。また、薄膜９０のうち、上記ＵＶ光にさらされる部分は、多孔質層２０の表面２３に含まれ、上記ＵＶ光にさらされない部分は、多孔質層２０の空孔２１の内面２１ｃに含まれる。
そして、図１１（ｃ）に示すように、薄膜９０の上から樹脂材料が塗布されて透光性基板３０が形成される。このとき、空孔２１の内面２１ｃには低樹脂親和性部分９０ｂが存在するため、樹脂材料が空孔内に入り込みにくく、多孔質層２０の表面近傍部分における空隙率を維持することができる。
【０１０９】
一方、表面２３上には高樹脂親和性部分９０ａが形成されているため、多孔質層２０と透光性基板３０との密着性が高く、この後に続く電子デバイスの残りの製造工程中に透光性基板３０が多孔質層２０から不用意に分離してしまうことを防止することができる。
なお、上記においては、樹脂親和性処理にＵＶ光を用いたが、これに限られない。薄膜９０の種類によっては、ＵＶ光の照射に代えて、光（可視光）照射や、プラズマ処理により親和性処理を行ってもよい。
【０１１０】
本開示の基礎となった他の知見
本開示は、電子デバイスの製造方法および積層基板に関し、特に、支持基板を分離する際の電子デバイスへのダメージを軽減することができる電子デバイスの製造方法および当該製造方法に用いられる積層基板に関する。
【０１１１】
図２８（ａ）は、本開示の実施形態によらない電子デバイスとしてアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置を例に、該電子デバイスが支持基板上に形成された状態を模式的に示す断面図である。本開示の実施形態によらない電子デバイス（ここでは、有機ＥＬ表示装置）６００が支持基板６１０上に形成されて成る電子デバイス体９０００は、ガラスから成る支持基板６１０、樹脂材料を主成分とするプラスチック基板６３０、封止層６４０、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層６５０、有機ＥＬ素子層６６０が、この順に積層形成されて成る。なお、ＴＦＴ層６５０および有機ＥＬ素子層６６０により電子デバイス素子層６７０が構成される。また、プラスチック基板６３０、封止層６４０、電子デバイス素子層６７０（ＴＦＴ層６５０および有機ＥＬ素子層６６０）により電子デバイス６００が構成される。
【０１１２】
ここで、特許文献２のようなアモルファスシリコン層を備えている場合は、上述したように、レーザ照射によって水素ガスが発生する。しかし、アモルファスシリコン層を備えていない場合であっても、支持基板６１０と密着しているプラスチック基板６３０の一部がレーザ照射により破壊されてアブレーションあるいは熱分解により比較的高圧のガスが発生する場合がある。このガスの発生により、支持基板６１０とプラスチック基板６３０との界面で、分離が進行している部位と隣り合う密着したままの部位の間で力学的な引っ張り変位が発生する。また、支持基板６１０よりもプラスチック基板６３０の方が剛性が低いため、図２８（ｂ）に示すように、発生したガスＧの圧力によりプラスチック基板６３０が上方に押し上げられるように変形する。このプラスチック基板６３０の変形により、プラスチック基板６３０の上方に配置された層や電子デバイス素子に応力が印加され、ダメージが発生しやすくなる。特に、窒化シリコンの薄膜から成る封止層６４０や金属薄膜から成る電極層を有するＴＦＴ層６５０などがダメージを受けやすい。
【０１１３】
そこで、本発明者らは、支持基板上に配置したプラスチックフィルムの上方に電子デバイス素子を形成した後に、支持基板を分離する電子デバイスの製造方法において、支持基板の分離の際にデバイスが受けるダメージを抑制すべく、鋭意研究した。
【０１１４】
本開示の一態様に係る電子デバイスの製造方法においては、支持基板と樹脂基板との間に多孔質層が形成される。当該多孔質層は、その少なくとも一部の領域において、内部空間に気体が存する複数の空孔を有する。そして、空孔内部に気体が存在する、即ち、空孔内部に空隙を有しているので、上記少なくとも一部の領域においては、多孔質層の剛性が樹脂基板よりも低く、樹脂基板よりも容易に変形され破壊される。従って、レーザ光の照射によるアブレーション等によって破壊された樹脂基板から発生するガスの圧力により、多孔質層の上記少なくとも一部の領域が変形されたり破壊されたりしてガスの圧力が緩和されるため、樹脂基板が受ける応力を低減することができる。これにより、樹脂基板の上方に形成される電子デバイス素子へのダメージを抑制することができる。
【０１１５】
本開示の別の一態様に係る積層基板においても、上記と同様の理由から、樹脂基板が受ける応力を低減することができる。これにより、樹脂基板上または樹脂基板の上方に電子デバイス素子等（電子デバイス素子やその構成部品の一部）が形成された場合に、電子デバイス素子等が受けるダメージを抑制することができる。
【０１１６】
本開示の一態様に係る電子デバイスの製造方法は、支持基板を用意し、前記支持基板の上方に、内部空間に気体が存する複数の空孔を少なくとも一部の領域に有する多孔質層を形成する。続いて、前記多孔質層の上方に樹脂基板を形成し、前記樹脂基板の上方に電子デバイス素子を形成する。そして、前記支持基板側からレーザ光を照射して、前記樹脂基板と前記支持基板とを分離する。
【０１１７】
上記製造方法においては、多孔質層の少なくとも一部の領域において内部に空隙を有する複数の空孔を有するため、多孔質層は、樹脂基板よりも剛性が低い。そのため、レーザ光の照射の際に樹脂基板から発生する可能性のあるガスの圧力は、多孔質層を破壊することにエネルギーが消費され、樹脂基板へかかる応力を低減することができる。これにより、樹脂基板の変形を抑制して、樹脂基板の上方に形成される電子デバイス素子へのダメージを抑制することができる。
【０１１８】
また、前記多孔質層は、前記樹脂基板側の部分における前記空孔の平均径が、前記支持基板側の部分における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
多孔質層が上記構成を有することにより、多孔質層上に樹脂基板が形成される際に、多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に内面が露出している空孔の内部に樹脂基板の樹脂材料が入り込みにくい。従って、当該主面側の表層部分に存在する空孔内部の空隙を維持することができ、多孔質層の主面側の表層部分の剛性が高くなるのを抑制することができる。これにより、レーザ光の照射の際に発生するガスの圧力により多孔質層が破壊されにくくなるのを防いで、樹脂基板への応力低減効果を維持することができる。
【０１１９】
ここで、レーザ光の照射により発生するガスの圧力は、多孔質層を破壊することにより低減されるのに加えて、多孔質層の空孔内に存在する気体に圧力が分散されることによっても低減される。特に、複数の空孔が連通している場合には、より高い圧力分散効果を得ることができる。多孔質層が上記構成を有することにより、多孔質層の主面側の表層部分に存在する空孔内部の空隙が保たれるため、ガス圧力分散効果を維持することができる。
【０１２０】
また、前記多孔質層は、前記支持基板の上方に形成された第１多孔質層と、前記第１多孔質層の上方に形成された第２多孔質層を有し、前記第２多孔質層における前記空孔の平均径は、前記第１多孔質層における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
これにより、樹脂基板が形成される側に位置する第２多孔質層の空孔内部に樹脂基板の樹脂材料が入り込みにくいため、空孔内部の空隙が維持され、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。さらに、第２多孔質層よりも空孔の平均径が大きい第１多孔質層が、第２多孔質層の支持基板側に形成されているため、多孔質層全体としての剛性を低下させて、樹脂基板の変形を抑制することができる。
【０１２１】
また、前記第２多孔質層は、乾式法または熱蒸着により形成されてもよい。
第２多孔質層が湿式法により形成された場合には、水分や溶媒が残存し、後の製造工程における加熱やレーザ照射の際にガスが発生する原因となる。第２多孔質層が乾式法または熱蒸着により形成されているため、水分や溶媒が残存せず、ガスの発生を抑制することができる。
【０１２２】
また、前記第１多孔質層は、第１樹脂材料を塗布することにより形成され、前記第２多孔質層は、第２樹脂材料を塗布することにより形成され、前記第２樹脂材料の粘度は、前記第１樹脂材料の粘度よりも高くてもよい。
これにより、第１多孔層上に第２多孔質層が形成される際に、第１の多孔質層の第２多孔質層が形成される側の主面に露出している空孔内に第２樹脂材料が入り込みにくく、第１多孔質層の空孔内の空隙が維持される。従って、多孔質層全体としての剛性が樹脂基板よりも低い状態を保つことができる。
【０１２３】
また、前記多孔質層を形成した後、前記樹脂基板を形成する前の状態において、前記多孔質層の前記樹脂基板が形成される側の主面である表面には、前記複数の空孔のうち一部の内面が露出していてもよい。そして、前記多孔質層を形成した後、前記樹脂基板を形成する前に、前記多孔質層の前記表面の前記樹脂基板を形成するための樹脂材料に対する親和性が、前記多孔質層の前記表面以外の部分の前記親和性よりも高くなるようにする親和性処理を前記多孔質層に対して行ってもよい。
【０１２４】
これにより、多孔質層上に樹脂材料を塗布して樹脂基板を形成する場合に、多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に露出している空孔内に、樹脂材料が入り込みにくい。従って、多孔質層の空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。
【０１２５】
また、前記親和性処理は、前記多孔質層の前記表面上および前記露出した内面上に、前記多孔質層を形成する材料よりも前記親和性が低く、ＵＶ光の照射またはプラズマ処理前よりも前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理後の方が前記親和性が高くなる性質を有する材料を用いて薄膜を形成した後、前記樹脂基板が形成される側から前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理を行ってもよい。
【０１２６】
また、前記薄膜は、前記多孔質層の前記表面上および前記露出した内面上に、前記多孔質層を形成する材料よりも前記親和性が低く、ＵＶ光の照射またはプラズマ処理前よりも前記ＵＶ光の照射またはプラズマ処理後の方が前記親和性が高くなる性質を有する材料を含む溶液を塗布して乾燥させることにより形成されてもよい。
これにより、上記親和性処理を容易に行うことができる。
【０１２７】
また、前記多孔質層の前記樹脂基板側の部分における前記空孔の平均径は、１μｍ以下であってもよい。
これにより、多孔質層上に樹脂基板を形成する際に、樹脂材料が多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に露出している空孔内に入り込みにくく、多孔質層の樹脂基板側の部分において空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。
【０１２８】
また、前記第２多孔質層における前記空孔の平均径は、１μｍ以下であってもよい。
これにより、第２多孔質層上に樹脂基板を形成する際に、樹脂材料が第２多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に露出している空孔内に入り込みにくい。従って、第２多孔質層の樹脂基板側の部分において空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。
【０１２９】
また、前記多孔質層は、前記樹脂基板が形成される側の主面である表面に、前記空孔を有しない被覆薄層部を有し、前記被覆薄層部は、前記多孔質層の前記被覆薄層部以外の部分と同じ材料から形成されていてもよい。
これにより、多孔質層上に樹脂基板を形成する際に、被覆薄層部によりブロックされて樹脂材料が多孔質層の空孔内に入り込まないため、多孔質層の空孔内の空隙を維持することができ、樹脂基板への応力低減効果を保つことができる。また、レーザ光の照射の際に発生するガス圧力の分散効果を保つことができる。さらに、被覆薄層部は、それ以外の多孔質層の部分と同じ材料から形成されているため、材料の種類や工程の増加を抑制して、製造コストの抑制に資することができる。
【０１３０】
また、本開示の別の一態様に係る積層基板は、支持基板と、前記支持基板の上方に形成され、内部空間に気体が存する複数の空孔を少なくとも一部の領域に有する多孔質層と、前記多孔質層の上方に形成された樹脂基板とを有する。
本開示の別の一態様に係る積層基板の構成によると、多孔質層の少なくとも一部の領域において内部に空隙を有する複数の空孔を有するため、多孔質層は、樹脂基板よりも剛性が低い。そのため、樹脂基板の上方に電子デバイス素子やその構成部品の一部が形成された後、支持基板側からレーザ光を照射して支持基板を分離させた場合、レーザ光の照射の際に樹脂基板から発生する可能性のあるガスの圧力は、多孔質層を破壊することにエネルギーが消費される。これにより、樹脂基板へかかる応力を低減することができ、樹脂基板の変形を抑制して、樹脂基板の上方に形成される電子デバイス素子等へのダメージを抑制することができる。
【０１３１】
また、前記多孔質層は、前記樹脂基板側の部分における前記空孔の平均径が、前記支持基板側の部分における前記空孔の平均径よりも小さくてもよい。
これにより、多孔質層上に樹脂基板が形成される際に、多孔質層の樹脂基板が形成される側の主面に内面が露出している空孔の内部に樹脂基板の樹脂材料が入り込みにくい。従って、当該主面側の表層部分に存在する空孔内部の空隙を維持することができ、多孔質層の当該主面側の表層部分の剛性が高くなるのを抑制することができる。これにより、レーザ光の照射の際に発生するガスの圧力により多孔質層が破壊されにくくなるのを防いで、樹脂基板への応力低減効果を維持することができる。
また、多孔質層の表層部分に存在する空孔内部の空隙が維持されることにより、レーザ照射により発生したガスの圧力が、空孔の空隙内部に存在する気体に分散される。これにより、ガスの圧力により樹脂基板にかかる応力を低減させることができる。
【０１３２】
以下、本開示の実施形態および変形例について具体例を示し、構成および作用・効果を説明する。
【０１３３】
なお、以下の説明で用いる実施形態および変形例は、本開示の一態様に係る構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例示であって、本開示は、その本質的部分以外に何ら以下の実施形態および変形例に限定を受けるものではない。
【０１３４】
≪第２の実施形態≫
［１．電子デバイスの構成］
本開示の第２の実施形態に係る電子デバイスの構成について、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置に適用された場合を例に、図１４，図１５，図１６を参照しながら説明する。
【０１３５】
図１４（ａ）は、本実施形態に係る電子デバイス４００が支持基板３１０上に形成された電子デバイス体４０００の構成を模式的に示す部分断面図である。本実施形態においては、電子デバイス４００は、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置である。図１４（ｂ）は、電子デバイス体４０００に対して支持基板３１０側からレーザ光が照射されている様子を模式的に示す部分断面図である。
【０１３６】
図１４（ａ）に示すように、電子デバイス体４０００は、支持基板３１０、多孔質層３２０、プラスチック基板（樹脂基板）３３０、封止層３４０、ＴＦＴ層３５０、および有機ＥＬ素子層３６０が、この順に積層されて成る。ＴＦＴ層３５０および有機ＥＬ素子層３６０により、電子デバイス素子層（電子デバイス素子）３７０が構成される。プラスチック基板３３０、封止層３４０、ＴＦＴ層３５０、有機ＥＬ素子層３６０により実施形態に係る電子デバイス４００が構成される。また、支持基板３１０、多孔質層３２０、およびプラスチック基板３３０により実施形態に係る積層基板３０１が構成される。
【０１３７】
（支持基板）
支持基板３１０の材料としては、例えば、無アルカリガラス（ホウケイ酸ガラス）、アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英などのガラス材料や、アルミナ等の絶縁性材料等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【０１３８】
支持基板３１０の表面（電子デバイス４００が形成される側の主面）は、プラスチック基板３３０を仮固定した後、ディスプレイデバイス素子などの薄膜デバイス素子を形成するために、平坦性が高いことが望ましい。具体的には、最大高低差１０μｍ以下、より望ましくは１μｍ以下であることが望ましい。
また、支持基板３１０の表面は、次に形成される層との密着性を良くするため、清浄な状態にしておくことが望ましい。表面の洗浄方法としては、ＵＶ光照射、オゾン処理、プラズマ処理、フッ酸処理などを用いることができる。また、支持基板３１０の表面に、その上に形成される層との密着性を改善するための層を１層設けてもよい。密着性を改善するための層としては、例えば、酸化シリコン膜を用いることができる。
【０１３９】
（多孔質層）
多孔質層３２０は、図１５に示すように、内部に多数の空孔を有している。なお、図１５は、多孔質層３２０とプラスチック基板３３０との界面近傍の部分における断面の走査型顕微鏡写真である。
ここで、空孔とは、内部空間の全てが液体や固体で満たされておらず、空気や溶媒が気化した気体等の何らかの気体が存在することを意味する。また、内部空間内に、気体の他に、水や溶媒等の液体、ゴミ等の固体の異物が存在していてもよい。ただし、この場合であっても、内部空間の体積の５０％以上は気体で満たされていることが望ましい。
【０１４０】
多孔質層３２０の空隙率は、少なくともプラスチック基板３３０の空隙率よりも高い。また、多孔質層３２０の少なくとも一部の剛性は、プラスチック基板３３０の剛性よりも低い。
なお、ここでは、空孔との用語は、完全に閉じた内部空間を有するセル状のものに限られず、セルを規定する壁の一部が欠損したものや、壁の欠損部分が層の外側に露出しているものや、複数のセルが互いの内部空間が連通した状態で連結しているものも含む概念として用いている。
【０１４１】
また、ここでは、空孔とは、例えば、径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下、より望ましくは、１００ｎｍ以上５μｍ以下の範囲内のもの指す。ただし、複数の空孔が連結している場合には、個々の空孔の径が上記の範囲内にあればよい。
さらに、ここでは、空孔の径とは、層の広がる方向（層の厚み方向に直交する方向）における空孔の内部空間の長さとする。
【０１４２】
なお、ここでは、多孔質層３２０の空隙率は、具体的には、例えば、１０％以上９０％以下であることが望ましい。
また、多孔質層３２０の空隙率は、より望ましくは５０％以上９０％以下であってもよい。空隙率が５０％以上であることにより、レーザによる支持基板の分離の際に多孔質層が破壊される割合を大きくすることができ、結果としてプラスチック基板にかかる圧力をより小さくすることが出来る。また、空隙率を９０％以下とすることにより、多孔質層３２０においてある程度機械的な強度を確保し、たとえば、製造工程中の真空製膜時の減圧・加圧などによる機械的なストレスによる破損を抑制することができる。前記機械的なストレスによる破損とは、より具体的には、膜の剥離などである。また、空隙率が高すぎると、プラスチック基板３３０を形成する際に樹脂材料（例えば、ポリイミド）が空孔の中に入り込んでしまい、結果的に多孔質層３２０の強度が上がってしまうため、多孔質層３２０の空隙率は、およそ９０％以下が望ましい。
【０１４３】
なお、多孔質層３２０の空隙率の測定方法には、たとえば、以下のような方法がある。多孔質層３２０の断面を機械的な割断や収束イオンビーム加工により得たのち、走査型電子顕微鏡によって断面を観測し、断面の空隙と多孔質隔壁の比率を算出する。他の断面においても同等の比率となっていることが容易に想定されるので、その比率を体積比として空隙率とすることができる。また、面内で複数点上記の測定を行い、その平均を取ることで、より精度を上げることができる。
【０１４４】
多孔質層３２０の材料としては、有機材料を用いることができる。
【０１４５】
多孔質層３２０の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、湿式形成方法や乾式形成方法を用いることができる。多孔質層３２０の形成工程における温度あるいは形成後の加熱温度は、その上に形成される各層の形成工程における温度よりも高いことが望ましい。なぜならば、多孔質層３２０の形成温度よりも高温で上層の形成工程が行われた場合、多孔質層３２０に変化が起こる可能性があり、望ましくないためである。例えば、多孔質層３２０の空孔内や固体部分に吸着された水、溶媒、その他気体が上層の形成工程の際に脱着し、上層との間で分離を起こすなどの不良が発生することが考えられる。
【０１４６】
多孔質層３２０の厚みは、特に限定されるものではないが、１μｍ〜１０００μｍ程度が望ましい。
また、本実施形態では、図１５に示すように多孔質層３２０は、プラスチック基板３３０側の表面に厚さ１μｍ程度の空孔がない層である被覆薄層部３２２が形成されている。被覆薄層部３２２が形成されていることにより、多孔質層３２０上にプラスチック基板３３０を形成するための樹脂材料が塗布された際に空孔内部に樹脂材料が入り込んで空孔の内部空間が樹脂材料によって埋められることがない。これにより、口述する多孔質層３２０のガス圧力緩和効果を良好に維持することができる。
【０１４７】
なお、ここでは、樹脂材料との用語は、樹脂ポリマーおよび溶媒を含む意味で用いている。また、樹脂ポリマーおよび溶媒は、それぞれ複数種類を混合して用いてもよい。
ここで、多孔質層３２０の形成過程において、多孔質層３２０を形成するための樹脂材料が加熱される際に、樹脂材料中の溶媒が気泡となることにより空孔が形成されると考えられる。このとき、表面付近の気泡は比較的容易に表面から大気中へと抜けることができるため、時間の経過とともに表面付近には気泡が無くなり、その結果、被覆薄層部３２２が形成されると考えられる。
【０１４８】
（プラスチック基板）
プラスチック基板３３０の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンスルホン酸、シリコーン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリイミド、アラミド樹脂などが挙げられる。また、これらのうちの２種類以上の材料が混合されて用いられてもよく、これらの材料は化学的に修飾されていてもよい。さらには、これらの材料のうち２種類以上を組み合わせて、多層構造の積層フィルムとしてもよい。
【０１４９】
プラスチック基板３３０の性質としては、曲げたときに容易に割れたり、破壊されたりしないことが必要である。この性質を備えていないと、高い柔軟性を有するディスプレイデバイスを得ることはできない。
プラスチック基板３３０の膜厚としては、１μｍ〜１０００μｍの範囲が望ましい。これよりも薄いと、機械的な強度が得られない。これよりも厚いと、曲げることが困難となり、高い柔軟性を有するディスプレイデバイスを得ることはできない。
【０１５０】
プラスチック基板３３０の形成方法は、液体状の樹脂材料を塗布して形成してもよいし、すでにフィルムとして形成されたものを圧着してもよく、特に限定されない。すでにフィルムとして形成されたものを圧着する場合においては、接着層をフィルムと多孔質層との間に形成してもよい。接着層としては、シリコーン系、アクリル系など、所望の粘着力が得られるものであれば、特に限定されるものではない。プラスチック基板３３０は、上述した透光性基板３０であってもよい。
【０１５１】
（封止層）
封止層３４０としては、例えば、窒化シリコン膜を使用することができる。
（ＴＦＴ層）
ＴＦＴ層３５０には、有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴが形成されている。ＴＦＴ層３５０は、ＴＦＴの一部であるゲート電極から成る電極層３５１および、ＴＦＴのゲート電極以外の部分であるＴＦＴ本体層３５２から構成されている。
【０１５２】
電極層３５１は、金属材料を真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。電極層３５１の材料としては、例えば、銀、アルミニウム、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金等が挙げられる。
ＴＦＴ本体層３５２には、ゲート絶縁膜、ソース‐ドレイン電極、バンク、半導体層、パッシベーション膜等が含まれる。ＴＦＴは、チャネル材料にシリコンを用いたものでも、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の酸化物半導体を用いたものでも、ペンタセン等の有機半導体を用いたものでもよい。
【０１５３】
（有機ＥＬ素子層）
有機ＥＬ素子層３６０は、陰極、陽極、および陰極と陽極との間に挟まれた発光層を有する。また、有機ＥＬ素子層３６０は、上記に加えて電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、隔壁層、封止層等を有してもよい。有機ＥＬ素子層３６０は、さらに、カラーフィルタや保護層等を含んでもよい。
【０１５４】
ＴＦＴ層３５０および有機ＥＬ素子層３６０により、電子デバイス素子層３７０が構成される。
なお、本実施形態においては、ＴＦＴ層３５０は電極層３５１およびＴＦＴ本体層３５２から構成された多層構造を有しているが、これに限られない。例えば、電子デバイス４００が、パッシブ型の有機ＥＬ表示装置である場合には、配線層がＴＦＴ層３５０に相当する。
【０１５５】
また、電子デバイス４００が、液晶表示装置である場合には、電子デバイス素子層３７０に、ＬＣＤ素子が形成される。電子デバイス４００が、フォトセンサである場合には、電子デバイス素子層３７０に、光電変換素子が形成される。
【０１５６】
［２．電子デバイスと支持基板との分離］
支持基板３１０と電子デバイス４００とを分離するために、レーザ光を支持基板３１０側から照射する。これにより、支持基板３１０と多孔質層３２０との界面、または多孔質層３２０中、または多孔質層３２０とプラスチック基板３３０の界面において、多孔質層３２０の一部が破戒されることで、支持基板３１０から電子デバイス４００を分離することが出来る。
【０１５７】
ここで、図２８（ａ）に示す本実施形態によらない電子デバイス体９０００の場合、支持基板６１０の直上にプラスチック基板６３０が形成されており、レーザの照射時の力学的ストレスを緩和できず、図２８（ｂ）に示すように、顕著にプラスチック基板６３０の変形が起こる。具体的には、プラスチック基板６３０の変形は、伸びであり、レーザ照射前の伸び状態をｄ、レーザ照射後の伸び状態をｄ＋Δｄとすると、変化率は［（ｄ＋Δｄ）／ｄ］-1で表される。例えば、一般的に封止膜として用いられている窒化シリコンの無機膜を有するプラスチック基板の場合、バリアが破壊される限界変化率は０．５％〜１．０％程度であり、微小な変化によっても上層がダメージを受けることが分かる。この変形の原因は、レーザ照射によって、プラスチック基板６３０がレーザを吸収し、アブレーションが起こる際、高圧のガスが発生するが、支持基板６１０側に圧力が逃げることが出来ないため、プラスチック基板６３０の変形にエネルギーが費やされるためである。
【０１５８】
一方、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法においては、支持基板３１０とプラスチック基板３３０との間に多孔質層３２０が形成されている。
ここで、多孔質層３２０は、空隙を内部に包含する形状を有していることより、支持基板３１０やプラスチック基板３３０よりもその剛性が低くなっている。そのため、図１４（ｂ）に示すように、レーザ照射の際のアブレーションや熱分解によって発生する高圧のガスＧは、多孔質層３２０が破壊変形されることでエネルギーが費やされ、また、多孔質層３２０の空隙により圧力が緩和されることにより、プラスチック基板３３０の変形が抑制される。そしてさらに、プラスチック基板３３０の上方に配置された各層の変形を抑制することができる。
【０１５９】
さらには、複数の空孔同士が連通している場合には、樹脂基板から発生する気体が互いに連通した複数の空孔内に分散されて圧力が緩和されることによっても樹脂基板が受ける応力を低減することができる。
加えて、多孔質層３２０が機械的にもろく、壊れることによって、多孔質層３２０内の原子または分子間の結合力を失うか、あるいは、プラスチック基板３３０と多孔質層３２０との間の結合力を失うことによって、安定的かつ容易に支持基板３１０からプラスチック基板３３０の分離を行うことができる。
【０１６０】
なお、多孔質層３２０が形成されることにより、分離プロセスの効率向上を図るため、レーザ光の強度を上げた場合であっても、プラスチック基板３３０の変形を抑制することができる。また多孔質層３２０は、機械的に破壊されやすいため、密着力を維持する面積比が小さく、安定的に分離プロセスを行うことが出来る。
以上説明したように、本開示の一態様である実施形態の構成によって、支持基板分離の際に電子デバイスが受けるダメージを抑制（軽減）することができる。さらに、支持基板３１０の分離を安定的且つ容易に行うことができる。
【０１６１】
［３．電子デバイスの製造方法］
本開示の一態様である実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図１６，図１７，図１８，図１９を参照しながら以下に説明する。図１６，図１７，図１８は、実施形態に係る電子デバイス４００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。図１９は、実施形態に係る電子デバイス４００の製造過程を示す模式工程図である。
【０１６２】
先ず、図１６（ａ）に示すように、支持基板３１０を用意する（図１９のステップＳ１１）。支持基板３１０は、表面をエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）処理することで、表面の洗浄が行われる。
次に、図１６（ｂ）に示すように、支持基板３１０上に多孔質層３２０を形成する（図１９のステップＳ１２）。
【０１６３】
続いて、図１６（ｃ）に示すように、多孔質層３２０上にフレキシブルディスプレイの基板となるプラスチック基板３３０を形成する（図１９のステップＳ１３）。これにより、積層基板３０１を得る。
そして、図１６（ｄ）に示すように、プラスチック基板３３０上に、封止層３４０を形成する（図１９のステップＳ１４）。
【０１６４】
その後、図１７（ａ）に示すように、封止層３４０上に、金属薄膜を形成した後にエッチング処理を行い、電極層３５１を形成する（図１９のステップＳ１５）。
次に、図１７（ｂ）に示すように、電極層３５１上にＴＦＴ本体層３５２を形成し、ＴＦＴ層３５０を完成させる（図１９のステップＳ１６）。なお、パッシブマトリクス方式のディスプレイを形成する場合は、ＴＦＴ層の形成は不要であり、配線層のみで足りる。
【０１６５】
続いて、図１７（ｃ）に示すように、ＴＦＴ層３５０上に有機ＥＬ素子層３６０を形成する（図１９のステップＳ１７）。これにより、電子デバイス体４０００を得る。
そして、図１８（ａ）に示すように、支持基板３１０側から電子デバイス体４０００にレーザ光Ｌを照射する（図１９のステップＳ１８）。
図１８（ｂ）に示すように、レーザ照射により、支持基板３１０および多孔質層３２０をプラスチック基板３３０から分離させ、電子デバイス４００を得る（図１９のステップＳ１９）。
【０１６６】
なお、支持基板３１０および多孔質層３２０の分離後に、プラスチック基板３３０に多孔質層３２０の一部が付着していてもよい。
【０１６７】
［４．ダメージ抑制効果］
本開示の一態様である実施形態に係る電子デバイスの製造方法における電子デバイスへのダメージ抑制効果について、検証試験を行った。当該検証試験は、多孔質層３２０の厚さの異なる２種類の試験体ＴＰ１，ＴＰ２と、比較例として多孔質層３２０を備えない試験体ＴＰ３を用いて行った。試験体ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３は、ＴＦＴ本体層３５２および有機ＥＬ素子層３６０については形成せずにレーザ照射を行い、電極層３５１の表面状態を観察および測定して検証試験を行った。
【０１６８】
（試験体ＴＰ１）
試験体ＴＰ１の具体的な製造方法および製造条件について、以下に説明する。
先ず、支持基板３１０を用意した（図１６（ａ），図１９のステップＳ１１）。支持基板３１０として、コーニング社製ＥＡｚＬＥ２０００を用い、支持基板３１０の表面をエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）処理することで、表面の洗浄を行った。
【０１６９】
次に、支持基板３１０上にポリイミドをスピンコート法にて塗布し、加熱温度４００℃にて８時間加熱して、膜厚１８マイクロメートルの多孔質ポリイミド層である多孔質層３２０を形成した（図１６（ｂ），図１９のステップＳ１２）。多孔質層３２０の材料として用いたポリイミドは、具体的には、ユニチカ製  Ｕイミド  ワニス  タイプＢＰである。
続いて、多孔質層３２０の上からスピンコート法にて厚さ３０μｍのポリイミド層を形成し、フレキシブルディスプレイの基板となるプラスチック基板３３０を形成した（図１６（ｃ），図１９のステップＳ１３）。プラスチック基板３３０の材料として用いたポリイミドは、具体的には、宇部興産製Ｕ−ワニスである。
【０１７０】
そして、プラスチック基板３３０上に、封止層３４０として、膜厚１μｍの窒化シリコン膜を、容量結合型プラズマＣＶＤにて３００℃で形成した（図１６（ｄ），図１９のステップＳ１４）。
続いて、封止層３４０上に、モリブデンとタングステンの合金からなる厚さ１００ｎｍの層をスパッタ法にて作成し、レジストを用いてフォトリソグラフィー法によりパターニングし、燐酸・硝酸・酢酸の混合液によってエッチング処理を行って、電極層３５１を形成し（図１７（ａ），図１９のステップＳ１５）、試験体ＴＰ１を得た。試験体ＴＰ１の模式断面図を図２０（ａ）に示す。
【０１７１】
（試験体ＴＰ２）
多孔質層３２０として、スピンコートの速度を落として膜厚１１７μｍの多孔質ポリイミドを形成した以外は、試験体ＴＰ１と同じ工程を実施し、試験体ＴＰ２を得た。試験体ＴＰ２の模式断面図を図２０（ｂ）に示す。
（試験体ＴＰ３）
多孔質層３２０を形成しないことを除いては、試験体ＴＰ１と同じ製造工程を実施し、比較例としての試験体ＴＰ３を得た。試験体ＴＰ３の模式断面図を図２０（ｃ）に示す。
【０１７２】
試験体ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３をそれぞれ少なくとも４つずつ用意し、各試験体に対して４種類の異なるレーザ照射パワー密度でレーザ光を照射して、プラスチック基板３３０，封止層３４０，電極層３５１から成るフィルム３０２と支持基板３１０（および多孔質層３２０）を分離させた。そして、各試験体について下記の３つの評価を行った。なお、レーザ照射は、波長３０５ｎｍ、１回あたりのパルス幅２０ｎｓ、照射面積２０．０ｍｍ×１．０ｍｍのエキシマーレーザを、支持基板３１０側から掃引しながら照射することにより行った。
【０１７３】
（１）プラスチック基板３３０が支持基板３１０から分離できるかどうかについて評価を行った。素手でほとんど抵抗なく分離できる場合を分離可とした。なお、支持基板３１０との密着性が高く、素手での分離が困難な場合、ローラーなどにより力を加えて分離する手法が考えられるが、力を加えた場合、プラスチック基板３３０が変形し、上層に形成された封止層３４０や電極層３５１がダメージを受けるため、望ましくない。
【０１７４】
（２）一つのレーザの照射パワー密度に対して、素手でほとんど抵抗なく分離できるようになるまで、レーザを繰り返し照射し、その照射回数を工程の処理速度の指標として評価を行った。
（３）支持基板３１０を分離した後の電極層３５１表面を顕微鏡にて確認し、電極層３５１の割れなどの異常がないか、確認した。
【０１７５】
上記３つの評価の結果を、図２１に示す。
試験体ＴＰ３では、レーザ照射エネルギー密度が１４０ｍＪ／ｃｍ2の場合は、レーザパワーが低すぎ、ポリイミドをアブレーションするエネルギー密度の閾値に至っていないため、レーザの照射回数を増やしても分離できなかった。レーザ照射エネルギー密度が１８０ｍＪ／ｃｍ2以上の場合は、レーザ照射の際にアブレーションにより高圧のガス（ポリイミドの分解物）が発生し、プラスチック基板３３０を変形させるため、プラスチック基板３３０上に形成されたモリブデンタングステン合金からなる電極層３５１がダメージを受けた様子が観察された。
【０１７６】
図２２（ａ）は、レーザ照射後の試験体ＴＰ３の電極層３５１の表面の顕微鏡写真であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）の顕微鏡写真における電極層３５１表面の様子をわかりやすく模式的に示した図である。図２２（ａ），（ｂ）に示すように、レーザ照射後の試験体ＴＰ３の電極層３５１の表面には、葉脈状のひび割れのような筋状部３５１ａや、貫通孔または凹部のように見える点欠陥部３５１ｂが複数観測された。
【０１７７】
電極層３５１の下地の封止層３４０がプラスチック基板３３０の変形に伴って変形することにより、その上部に形成された電極層３５１も破壊されると考えられる。多孔質層３２０を備えない試験体ＴＰ３では、レーザ照射エネルギー密度が１６０ｍＪ／ｃｍ2の場合において、分離が可能で且つ電極割れが発生しない条件が得られた。ただし、この条件では、素手で安定的に分離するためには、２０回以上のレーザ照射が必要であり、例えば、第４世代の大きなガラス基板上でのプロセスを考えた場合、全面をレーザ処理するために５時間以上の長い時間を要することとなり、生産効率上、現実的ではない。
【０１７８】
ここで、図１５に示すように、実施形態に係る多孔質層３２０は、プラスチック基板３３０に近い部分の空孔３２１ａの方が、プラスチック基板３３０からより遠い部分（支持基板３１０側の部分）の空孔３２１ｂよりも概して空孔の径が小さい。即ち、空孔３２１ａの平均径は、空孔３２１ｂの平均径よりも小さいということができる。また、平均径とは、面積１０×１０μｍ2における平均径で代表させることができ、たとえば、多孔質層３２０の断面を収束イオンビーム（ＦＩＢ）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で２〜３点観測することにより、代表させることができる。
【０１７９】
図２１に示す試験体ＴＰ１およびＴＰ２のレーザ分離結果を見ると、多孔質層３２０がない試験体ＴＰ３に対して、２つの特長がある。１つ目は、高エネルギー密度領域（１８０、２００ｍＪ／ｃｍ2）において、電極層３５１の割れが確認されないことである。これは、レーザによるアブレーションや熱分解により発生するガスのエネルギーが、プラスチック基板３３０側を変形させることに使われずに、多孔質層３２０を破壊することに費やされるという本開示の効果が発揮されたためである。また、多孔質層３２０の下方領域（支持基板３１０側の領域）では、空孔の孔径が大きいことより、空隙率を高くすることができ、プラスチック基板３３０から発生したガスの応力を多孔質層３２０でより吸収しやすくすることができる。
【０１８０】
図２３（ａ），（ｂ），（ｃ）に、エネルギー密度１８０ｍＪ／ｃｍ2でレーザを照射した後の試験体ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３の電極層３５１表面の顕微鏡写真をそれぞれ示す。これらの写真では、レーザ照射の影響をより明確にするために、意図的にレーザを全面照射しておらず、線状にレーザを照射した後の写真である。図２３（ａ），（ｂ），（ｃ）において、矢印の範囲が、レーザが照射された範囲を示している。
【０１８１】
図２４は、図２３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示したレーザ照射後の試験体ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３の電極層３５１表面の厚み方向における変位量を触針型段差計で測定した結果を示す。図２４において、矢印で示した領域がレーザを照射した領域に対応する。
図２３（ａ），（ｂ），（ｃ）および図２４に示すように、試験体ＴＰ３では、電極層３５１の分離がはっきりと確認された。レーザ照射によるアブレーション現象で発生する高圧のガスによりプラスチック基板３３０が押し上げられ、電極層３５１が大きく変位していることが確認された。試験体ＴＰ１およびＴＰ２では、試験体ＴＰ３と比較して電極層３５１の変位が小さかった。また、試験体ＴＰ２では、試験体ＴＰ１よりも電極層３５１の変位が小さかった。図２４に示すように、試験体ＴＰ３では、電極層３５１の変位は、およそ４μｍ程度であるのに対し、試験体ＴＰ１ではおよそ１．５μｍ以下、試験体ＴＰ２ではおよそ１μｍ以下であった。
【０１８２】
２つ目は、エネルギー密度１６０ｍＪ／ｃｍ2で比較した場合、分離可能となるまでの
レーザ照射の回数が、試験体ＴＰ１およびＴＰ２は、試験体ＴＰ３と比較して大幅に少ない点である。これは、多孔質層３２０は、空隙率が高く、その分密着力を維持する面積が小さいため、１回のレーザ照射によって分離が進みやすいためであると考えられる。
この２つの効果によって、高エネルギー密度の照射条件を適用することができ、レーザ照射回数が減らせるため、大基板の全面を処理する場合においても、支持基板の分離処理に要する時間を短くすることができ、生産上のメリットが大きい。
【０１８３】
なお、多孔質層３２０のプラスチック基板３３０側の空孔の平均径としては、具体的には、例えば、１０ｎｍ以上１μｍ以下が望ましい。多孔質層３２０の支持基板３１０側の空孔の平均径としては、具体的には、例えば、１００ｎｍ以上１０μｍ以下が望ましい。
【０１８４】
≪変形例≫
以上、本開示を実施形態に基づいて説明してきたが、本開示が上述の実施形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することが出来る。
【０１８５】
（変形例１）
実施形態においては、多孔質層３２０は被覆薄層部３２２を有していたが、これに限られず、被覆薄層部３２２を有しない構成としてもよい。
この場合、多孔質層３２０のプラスチック基板３３０側の部分における空孔の平均径が、支持基板側の部分における空孔の平均径よりも小さいことが望ましい。プラスチック基板３３０側の部分の空孔の平均径が小さい方が、プラスチック基板３３０を形成する際に塗布された樹脂材料が空孔内に入り込みにくいため、多孔質層３２０の空隙率を維持して、アブレーションによるガスの圧力緩和効果を維持することができる。
【０１８６】
なお、多孔質層３２０は、樹脂材料を塗布して、その後に加熱することにより形成されるが、一般に、溶媒の気泡は表面に近いほど抜けやすいため、表面に近いほど空孔の平均径が小さくなる。多孔質層３２０を形成する際の加熱温度や加熱時間、樹脂材料の溶媒の種類や量を調整することにより、被覆薄層部３２２が形成されないようにすることも可能である。
【０１８７】
（変形例２）
プラスチック基板３３０を多孔質層３２０に貼り合わせる場合は、図２５（ａ）に示す変形例２に係る電子デバイス体５０００のように、多孔質層３２０とプラスチック基板３３０との間に粘着層３８０が設けられてもよい。粘着層３８０は、一般に塗布にて形成されるため、多孔質層３２０のプラスチック基板３３０が形成される側の表面部分の空孔の平均径が小さい方が、空孔内に粘着層の材料が染み込みにくい。また、貼り合せの場合においても、多孔質層３２０のプラスチック基板３３０が形成される側の表面部分の空孔の平均径が小さい方が、平均径が大きい場合よりプラスチック基板３３０と密着する多孔質層３２０表面の面積が大きくなり、プラスチック基板３３０との密着性が高くなる。これにより、電子デバイスの製造工程中にプラスチック基板３３０が多孔質層３２０から不用意に分離してしまうことを防止することができる。
【０１８８】
また、支持基板３１０，多孔質層３２０，粘着層３８０，およびプラスチック基板３３０により、変形例２に係る積層基板５００１が構成される。
【０１８９】
（変形例３）
また、多孔質層が２以上の層から構成されていてもよい。図２５（ｂ）は、変形例３に係る電子デバイス体３０００の部分断面図である。図２５（ｂ）に示すように、電子デバイス体３０００においては、多孔質層３０２０は、支持基板３１０上に形成された第１多孔質層３０２０ａと、第１多孔質層３０２０ａ上に形成された第２多孔質層３０２０ｂとから構成されている。この場合、第２多孔質層３０２０ｂにおける空孔の平均径は、第１多孔質層３０２０ａにおける空孔の平均径よりも小さいものであるのが望ましい。第２多孔質層３０２０ｂ上にプラスチック基板３３０が塗布により形成される場合は、第２多孔質層３０２０ｂの空孔の平均径が小さい方が、空孔内に樹脂材料が入り込みにくいため、第２多孔質層３０２０ｂの空隙率を維持することができる。これにより、レーザ照射の際のアブレーションによるガスの圧力を緩和してプラスチック基板の変形を抑制し、デバイスのダメージを抑制することができる。
【０１９０】
なお、多孔質層が複数層で構成される場合（例えば、本変形例における多孔質層３０２０）においても、単層で構成される場合（例えば、第２の実施形態における多孔質層３２０）においても、多孔質層の厚みの少なくとも１／２以上の厚みにおいて、プラスチック基板３３０の樹脂材料が空孔内に充填されていないことが望ましい。
また、支持基板３１０と第１多孔質層３０２０ａとの間および／または第１多孔質層３０２０ａと第２多孔質層３０２０ｂとの間に、さらに別の層が形成されていてもよい。
【０１９１】
そして、支持基板３１０，多孔質層３０２０，およびプラスチック基板３３０により、変形例３に係る積層基板３００１が構成される。
【０１９２】
（変形例４）
上記変形例３のように多孔質層３０２０が第１多孔質層３０２０ａと第２多孔質層３０２０ｂとを有する場合、第２多孔質層３０２０ｂは、化学気相成長法、スパッタ法、蒸着法のうちのいずれか一つの乾式法により形成されるものであってもよい。第２多孔質層３０２０ｂが湿式法により形成される場合、第２多孔質層３０２０ｂの空孔内や固体部分の内部に水分や溶媒が残存し、後の製造工程における加熱やレーザ照射の際にガスが発生する原因となる。第２多孔質層３０２０ｂが乾式法または熱蒸着により形成されている場合、水分や溶媒が残存せず、ガスの発生を抑制することができる。
【０１９３】
（変形例５）
また、第１多孔質層３０２０ａを形成するための第１樹脂材料よりも、第２多孔質層３０２０ｂを形成するための第２樹脂材料の粘度が高いことが望ましい。これにより、第２多孔質層３０２０ｂを形成するための第２樹脂材料が第１多孔質層３０２０ａの空孔内に入り込みにくいため、第１多孔質層３０２０ａの空隙率を維持することができる。
【０１９４】
（変形例６）
多孔質層３２０を形成する工程の後であって、プラスチック基板３３０を形成する工程の前に、多孔質層３２０の表面（プラスチック基板３３０が形成される側の主面）のプラスチック基板３３０の樹脂材料に対する親和性（以下、単に「樹脂親和性」という。）よりも、表面に露出している空孔３２１の内面の樹脂親和性が低くなるようにする親和性処理を行ってもよい。
【０１９５】
上記親和性処理の方法について、図２６および図２７を参照しながら、以下に説明する。
図２６（ａ）は、支持基板３１０上に多孔質層３２０が形成された状態を示す部分断面図である。同図に示すように、多孔質層３２０の表面３２３には、一部の空孔３２１の内面３２１ｃが露出している。
【０１９６】
次に、図２６（ｂ）に示すように、表面３２３および内面３２１ｃ上に、樹脂親和性の低い薄膜３９０を形成する。薄膜３９０は、例えば、樹脂親和性の低い材料を含む溶液を表面３２３および内面３２１ｃ上に塗布した後に乾燥させて形成してもよい。
続いて、図２７（ａ）に示すように、薄膜３９０側からＵＶ光を照射する。これにより、図２７（ｂ）に示すように、薄膜３９０のうち、多孔質層３２０の表面３２３上に形成された部分や、空孔３２１の内面３２１ｃのうち浅い部分や大きく開いた開口の底面に相当する領域上に形成された部分は、ＵＶ光にさらされて樹脂親和性が高められ、高樹脂親和性部分３９０ａとなる。一方、空孔３２１の内面３２１ｃのうち奥まった部分や開口に近い部分であってもＵＶ光の照射方向に対して平行に近い傾斜となっている部分には、十分なＵＶ光が届かないためＵＶ光にさらされず、樹脂親和性が低いままの状態が保たれ、低樹脂親和性部分３９０ｂとなる。
【０１９７】
ここで、本変形例においては、薄膜３９０は、多孔質層３２０の一部である。また、薄膜３９０のうち、上記ＵＶ光にさらされる部分は、多孔質層３２０の表面３２３に含まれ、上記ＵＶ光にさらされない部分は、多孔質層３２０の空孔３２１の内面３２１ｃに含まれる。
そして、図２７（ｃ）に示すように、薄膜３９０の上から樹脂材料が塗布されてプラスチック基板３３０が形成される。このとき、空孔３２１の内面３２１ｃには低樹脂親和性部分３９０ｂが存在するため、樹脂材料が空孔内に入り込みにくく、多孔質層３２０の表面近傍部分における空隙率を維持することができる。
【０１９８】
一方、表面３２３上には高樹脂親和性部分３９０ａが形成されているため、多孔質層３２０とプラスチック基板３３０との密着性が高く、この後に続く電子デバイスの残りの製造工程中にプラスチック基板３３０が多孔質層３２０から不用意に分離してしまうことを防止することができる。
なお、上記においては、樹脂親和性処理にＵＶ光を用いたが、これに限られない。薄膜３９０の種類によっては、ＵＶ光の照射に代えて、光（可視光）照射や、プラズマ処理により親和性処理を行ってもよい。
【０１９９】
（変形例７）
なお、多孔質層３２０は、プラスチック基板３３０側の空孔の平均径が、支持基板３１０側の空孔の平均径よりも大きくてもよい。この場合、プラスチック基板３３０を形成するための樹脂材料は空孔内に入り込みやすくなるものの、プラスチック基板３３０に近い側の剛性が低くなるため、レーザ光を照射した際に生じる高圧ガスによる応力をより吸収しやすくなるという利点を有する。
【０２００】
以上、本開示に係る表示パネル装置及びその製造方法について、実施形態および変形例（以下、「実施形態等」という。）に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施形態等に限定されるものではない。第１の実施形態、第２の実施形態およびこれらの変形例は、適宜、組み合わせることができる。上記実施形態等に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で実施形態等における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
また、実施形態及び変形例では、積層基板を表示装置に用いた形態について説明を行ったが、あくまで一例であり、この形態に限定されるものではない。例えば、積層基板を表示装置以外の電子デバイス、特に、少なくとも一部から光が発せられる発光装置（例えば、照明装置、電子広告等）に適用した場合であっても、外光の映り込みを抑制することができる。なお、実施形態中において表示装置は表示デバイス素子を有するものとして説明を行ったが、発光装置の場合は、表示デバイス素子を発光デバイス素子に置き換えてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２０１】
本開示によって実現されるフレキシブルディスプレイは、例えば、テレビ、タブレットやスマートフォンなどの携帯端末、ウォッチ型のウェアラブル端末、車内装などの曲面にフィットさせるデザイン性に優れるディスプレイなどに応用することができる。
【符号の説明】
【０２０２】
１０    支持基板
２０    多孔質層
２１    空孔
２１ｃ  内面
３０    透光性基板
３１    上面（一方の主面）
３２    下面（他方の主面）
７０    表示デバイス素子層（表示デバイス素子）
１００，１００ａ，１００ｂ，２００    表示装置
２２０ａ    第１多孔質層（第１多孔質層部分）
２２０ｂ    第２多孔質層（第２多孔質層部分）
３０１    積層体
３１０    支持基板
３２０    多孔質層
３２１    空孔
３２１ｃ    内面
３２２    被覆薄層部
３２３    表面
３３０    プラスチック基板（樹脂基板）
３７０    電子デバイス素子層（電子デバイス素子）
３９０    薄膜
４００    電子デバイス
３０２０ａ    第１多孔質層
３０２０ｂ    第２多孔質層
【図１】
2015156371.tif 000003
【図３】
2015156371.tif 000004
【図４】
2015156371.tif 000005
【図５】
2015156371.tif 000006
【図６】
2015156371.tif 000007
【図７】
2015156371.tif 000008
【図８】
2015156371.tif 000009
【図９】
2015156371.tif 000010
【図１０】
2015156371.tif 000011
【図１１】
2015156371.tif 000012
【図１２】
2015156371.tif 000013
【図１３】
2015156371.tif 000014
【図１４】
2015156371.tif 000015
【図２４】
2015156371.tif 000016
【図２５】
2015156371.tif 000017
【図２６】
2015156371.tif 000018
【図２７】
2015156371.tif 000019
【図２８】
2015156371.tif 000020
【図２】
2015156371.tif 000021
【図１５】
2015156371.tif 000022
【図１６】
2015156371.tif 000023
【図１７】
2015156371.tif 000024
【図１８】
2015156371.tif 000025
【図１９】
2015156371.tif 000026
【図２０】
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【図２１】
2015156371.tif 000028
【図２２】
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【図２３】
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