(57)【要約】【課題】  半導体チップとこの半導体チップのための複数の受動電子部品とを内蔵し、かつ小型化および放熱向上を図ることが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】  半導体装置Ａ１は、機能回路を有する半導体チップ２と、半導体チップ２の機能を補助する複数の受動電子部品３と、互いに反対側を向く主面４ａおよび裏面４ｂを有し、主面４ａに半導体チップ２および複数の受動電子部品３が搭載された基板４と、基板４の裏面４ｂに接合されたアイランド部１１Ａおよびこのアイランド部１１Ａに対してｙ方向一方側に位置する端子部１２Ａを有する主リード１Ａと、半導体チップ２、基板４および主リード１Ａのアイランド部１１Ａを覆う封止樹脂５と、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能回路を有する半導体チップと、
上記半導体チップの機能を補助する複数の受動電子部品と、
互いに反対側を向く主面および裏面を有し、上記主面に上記半導体チップおよび上記複数の受動電子部品が搭載された基板と、
上記基板の上記裏面に接合されたアイランド部およびこのアイランド部に対して第一方向一方側に位置する端子部を有する主リードと、
上記半導体チップ、上記基板および上記主リードの上記アイランド部を覆う封止樹脂と、
を備えることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記半導体チップおよび上記複数の電子部品のすべてが、上記基板に搭載されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記複数の受動電子部品は、コイルを含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記複数の受動電子部品の中で、上記コイルの発熱量が最も大である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記コイルが、上記第一方向において上記半導体チップと上記端子部との間に位置している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記複数の受動電子部品は、コンデンサを含む、請求項２ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
上記コンデンサは、上記第一方向において上記半導体チップと上記端子部との間に位置している、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記複数の受動電子部品は、複数のコンデンサを備えており、これらのコンデンサのうち最も容量が大であるものは、上記第一方向において上記端子部に最も近い位置に配置されている、請求項２ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
上記基板は、絶縁材料からなり上記主面および上記裏面を有する基材と、この基材の上記主面に形成された主面配線パターンと、を有している、請求項２ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記基板は、上記基材の上記裏面に形成された裏面配線パターンを有する、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記基板は、上記主面パターンと上記裏面配線パターンとを導通させ上記基材を貫通する貫通導電部を有する、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記裏面配線パターンを覆うレジスト層を有する、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記基材は、セラミックスからなる、請求項９ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記アイランド部は、上記基板よりも平面視において大である、請求項２ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記アイランド部および上記基板は、平面視矩形状である、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
上記基板は、上記アイランド部に対して上記第一方向において上記端子部寄りに配置されている、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
上記アイランド部のうち上記端子部が繋がる辺と上記基板の辺とが、平面視において一致している、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
上記第一方向と交差する第二方向において上記主リードの上記端子部とともに配列された端子部を各々が有する複数の副リードを備える、請求項２ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１９】
上記主リードの上記端子部が、２つの上記副リードの上記端子部に挟まれている、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
上記主リードの上記端子部が、グランド端子であり、
上記複数の副リードの端子部が、入力端子および出力端子を含む、請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
上記主リードの上記端子部は、複数の上記副リードに対して上記第二方向において最も端に配置されている、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２２】
上記主リードの上記端子部は、上記複数の受動電子部品のうち最も発熱量が大であるものに対して上記第二方向において複数の上記副リードよりも近い位置に設けられている、請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２３】
上記主リードの上記端子部が、出力端子であり、
上記複数の副リードの端子部が、入力端子およびグランド端子を含む、請求項２１または２２に記載の半導体装置。
【請求項２４】
ＤＣ／ＤＣコンバータとして機能する、請求項１ないし２３のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器において、入力された電力を内部構成要素に適した電力に変換するためのコンバータが広く用いられている。入力された直流電力をスイッチング制御によって所望の電圧あるいは電流の直流電力に変換しこれを出力するコンバータは、ＤＣ／ＤＣコンバータと称される。特許文献１には、ＤＣ／ＤＣコンバータとして構成された従来の半導体装置の一例が開示されている。この半導体装置は、機能回路を有する半導体チップと、この半導体チップが搭載されたリードと、上記半導体チップおよび上記リードを覆う封止樹脂と、を備えている。上記リードは、上記封止樹脂から突出する複数の端子部を有している。上記半導体装置は、これらの複数の端子部のいずれかから入力された直流電力を、上記半導体チップの機能によって所望の電圧または電流の直流電力に変換する。そして、変換された直流電力が、上記複数の端子部のいずれかから出力される。
【０００３】
一方、直流電力を所定の電圧に降圧させる機能を果たすコンバータの一種に、いわゆる三端子レギュレータがある。三端子レギュレータは、電圧の変化分が熱に変換されるため、変換効率が相対的に低い。このため、効率を高めることを目的として、ＬＤＯ（Low Drop Out）タイプと称される低損失タイプの三端子レギュレータが開発され、広く使用されている。そして、ＬＤＯタイプの三端子レギュレータを用いた電子機器において、さらに効率を向上させることや、使用国で新たに定められた規格に対応させること、などを目的に、ＬＤＯタイプの三端子レギュレータをＤＣ／ＤＣコンバータに置き換える需要が見込まれる。しかし、ＬＤＯタイプの三端子レギュレータをＤＣ／ＤＣコンバータに置き換えるには、ＤＣ／ＤＣコンバータのスイッチング制御を果たす半導体チップの他に、この半導体チップの機能を補助する複数の受動電子部品を搭載する必要がある。ＬＤＯタイプの三端子レギュレータが搭載された電子機器の既存の回路基板にこれらの受動電子部品を搭載することは、スペースなどに問題がある。また、上記半導体チップおよび上記複数の受動部品からの発熱が不可避であり、放熱を適切に行うことが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４１０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、半導体チップとこの半導体チップのための複数の受動電子部品とを内蔵し、かつ小型化および放熱向上を図ることが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される半導体装置は、機能回路を有する半導体チップと、上記半導体チップの機能を補助する複数の受動電子部品と、互いに反対側を向く主面および裏面を有し、上記主面に上記半導体チップおよび上記複数の受動電子部品が搭載された基板と、上記基板の上記裏面に接合されたアイランド部およびこのアイランド部に対して第一方向一方側に位置する端子部を有する主リードと、上記半導体チップ、上記基板および上記主リードの上記アイランド部を覆う封止樹脂と、を備えることを特徴としている。
【０００７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体チップおよび上記複数の電子部品のすべてが、上記基板に搭載されている。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の受動電子部品は、コイルを含む。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の受動電子部品の中で、上記コイルの発熱量が最も大である。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、コイルが、上記第一方向において上記半導体チップと上記端子部との間に位置している。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の受動電子部品は、コンデンサを含む。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記コンデンサは、上記第一方向において上記半導体チップと上記端子部との間に位置している。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数のコンデンサを備えており、これらのコンデンサのうち最も容量が大であるものは、上記第一方向において上記端子部に最も近い位置に配置されている。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、絶縁材料からなり上記主面および上記裏面を有する基材と、この基材の上記主面に形成された主面配線パターンと、を有している。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、上記基材の上記裏面に形成された裏面配線パターンを有する。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、上記主面パターンと上記裏面配線パターンとを導通させ上記基材を貫通する貫通導電部を有する。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記裏面配線パターンを覆うレジスト層を有する。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、セラミックスからなる。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記アイランド部は、上記基板よりも平面視において大である。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記アイランド部および上記基板は、平面視矩形状である。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、上記アイランド部に対して上記第一方向において上記端子部寄りに配置されている。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記アイランド部のうち上記端子部が繋がる辺と上記基板の辺とが、平面視において一致している。
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第一方向と交差する第二方向において上記主リードの上記端子部とともに配列された端子部を各々が有する複数の副リードを備える。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記主リードの上記端子部が、２つの上記副リードの上記端子部に挟まれている。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記主リードの上記端子部が、グランド端子であり、上記複数の副リードの端子部が、入力端子および出力端子を含む。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記主リードの上記端子部は、複数の上記副リードに対して上記第二方向において最も端に配置されている。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記主リードの上記端子部は、上記複数の受動電子部品のうち最も発熱量が大であるものに対して上記第二方向において複数の上記副リードよりも近い位置に設けられている。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記主リードの上記端子部が、出力端子であり、上記複数の副リードの端子部が、入力端子およびグランド端子を含む。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、ＤＣ／ＤＣコンバータとして機能する。
【００３０】
本発明によれば、上記半導体チップおよび上記複数の受動電子部品が上記基板に搭載されている。上記基板は、たとえばリードのみによって構成された導通経路と比較して、より緻密な導通経路を構成することが可能である。したがって、上記半導体チップおよび上記複数の受動電子部品をよりコンパクトに配置することができる。また、上記基板が上記主リードの上記アイランド部に接合されていることにより、上記半導体チップおよび上記複数の受動電子部品から発せられた熱は、上記基板を介して上記アイランド部へと伝えられる。上記基板に伝えられた熱は、上記基板内において拡散され、また上記封止樹脂を介して外部へと放散される。仮に、上記半導体チップおよび上記複数の受動電子部品のいずれかの発熱量が顕著に大であっても、これからの熱が上記アイランド部において拡散される。この結果、上記基板の一部が不当に高温となってしまうことを回避することができる。以上より、上記半導体装置の小型化および放熱向上を図ることができる。
【００３１】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第一実施形態に基づく半導体装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】図１の半導体装置の基板を示す平面図である。
【図６】図１の半導体装置の基板の裏面配線パターンを示す透過平面図である。
【図７】図１の半導体装置を示す回路図である。
【図８】本発明の第二実施形態に基づく半導体装置を示す平面図である。
【図９】本発明の第三実施形態に基づく半導体装置を示す平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。
【図１２】図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図９の半導体装置の基板を示す平面図である。
【図１４】図９の半導体装置の基板の裏面配線パターンを示す透過平面図である。
【図１５】図９の半導体装置を示す回路図である。
【図１６】本発明の第四実施形態に基づく半導体装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００３４】
図１〜図４は、本発明の第一実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、主リード１Ａ、副リード１Ｂ、副リード１Ｃ、半導体チップ２、複数の受動電子部品３、基板４および封止樹脂５を備えている。
【００３５】
図１は、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。なお、図１においては、理解の便宜上、封止樹脂５を想像線で示している。また、これらの図において、ｚ方向は、基板４の厚さ方向である。ｘ方向およびｙ方向は、ｚ方向に直角であり、かつ互いに直角な方向である。
【００３６】
半導体装置Ａ１は、いわゆるＤＣ／ＤＣコンバータとして構成されている。半導体装置Ａ１の使用の一例を挙げると、入力電圧が８Ｖ〜３０Ｖ、出力電圧が１．８〜５．０Ｖ、出力電流が最大１０００ｍＡである。
【００３７】
主リード１Ａは、アイランド部１１Ａ、端子部１２Ａおよびパッド部１３Ａを有している。主リード１Ａは、金属からなり、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅなどからなる。主リード１Ａの厚さは、０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度である。
【００３８】
アイランド部１１Ａは、基板４が接合される部位であり、本実施形態においては、平面視（ｚ方向視）矩形状である。アイランド部１１Ａの大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が１２ｍｍ、ｙ方向寸法が１５．７ｍｍである。
【００３９】
端子部１２Ａは、アイランド部１１Ａからｙ方向一方側に突出しており、ｙ方向に沿って延びている。端子部１２Ａは、半導体装置Ａ１を電子機器の回路基板などに実装するために用いられる。本実施形態においては、端子部１２Ａは、グランド端子として機能する。端子部１２Ａのｘ方向寸法は、たとえば０．７ｍｍ程度である。
【００４０】
パッド部１３Ａは、端子部１２Ａの根本部分に設けられている。パッド部１３Ａは、一端が基板４に接続されたワイヤ４９の他端がボンディングされる部位である。パッド部１３Ａのｘ方向寸法はたとえば１ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法はたとえば２ｍｍ程度である。
【００４１】
副リード１Ｂは、端子部１２Ｂおよびパッド部１３Ｃを有している。副リード１Ｂは、金属からなり、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅなどからなる。副リード１Ｂの厚さは、０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度である。
【００４２】
端子部１２Ｂは、主リード１Ａの端子部１２Ａに対してｘ方向図中左方に離間して配置されており、端子部１２Ａと平行にｙ方向に沿って延びている。端子部１２Ｂは、半導体装置Ａ１を電子機器の回路基板などに実装するために用いられる。本実施形態においては、端子部１２Ｂは、入力端子として機能する。端子部１２Ｂのｘ方向寸法は、たとえば０．７ｍｍ程度である。
【００４３】
パッド部１３Ｂは、端子部１２Ｂに対してｙ方向図中上方に設けられている。パッド部１３Ｂは、一端が基板４に接続されたワイヤ４９の他端がボンディングされる部位である。パッド部１３Ｂのｘ方向寸法はたとえば４．５ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法はたとえば１．６ｍｍ程度である。
【００４４】
副リード１Ｃは、端子部１２Ｃおよびパッド部１３Ｃを有している。副リード１Ｃは、金属からなり、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅなどからなる。副リード１Ｃの厚さは、０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度である。
【００４５】
端子部１２Ｃは、主リード１Ａの端子部１２Ａに対してｘ方向図中右方に離間して配置されており、端子部１２Ａと平行にｙ方向に沿って延びている。端子部１２Ｃは、半導体装置Ａ１を電子機器の回路基板などに実装するために用いられる。本実施形態においては、端子部１２Ｃは、出力端子として機能する。端子部１２Ｃのｘ方向寸法は、たとえば０．７ｍｍ程度である。
【００４６】
パッド部１３Ｃは、端子部１２Ｃに対してｙ方向図中上方に設けられている。パッド部１３Ｃは、一端が基板４に接続されたワイヤ４９の他端がボンディングされる部位である。パッド部１３Ｃのｘ方向寸法はたとえば５．３ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法はたとえば１．６ｍｍ程度である。
【００４７】
主リード１Ａ、副リード１Ｂおよび副リード１Ｃは、ｘ方向およびｙ方向視において屈曲部などを有さない平坦な形状とされており、ｚ方向位置が互いに一致している。
【００４８】
半導体チップ２は、ＤＣ／ＤＣコンバータにおけるスイッチング制御を行う機能回路を有している。図７は、半導体装置Ａ１を示す回路図である。同図に示すように、半導体チップ２は、本実施形態においては、ＶＣＣ（入力）端子、ＢＳＴ（ブースト）端子、ＥＮ（イネーブル）端子、ＳＹＮＣ（同期）端子、ＦＢ（フィードバック）端子、ＶＣ（）端子、ＧＮＤ（グランド）端子、ＬＸ（出力）端子を有している。
【００４９】
図１に示すように、半導体チップ２は、基板４の主面４ａに搭載されており、ｙ方向図中上方寄りに配置されている。上述したＶＣＣ（入力）端子、ＢＳＴ（ブースト）端子、ＥＮ（イネーブル）端子、ＳＹＮＣ（同期）端子、ＦＢ（フィードバック）端子、ＶＣ（）端子、ＧＮＤ（グランド）端子、ＬＸ（出力）端子は、半導体チップ２のｘ方向両側方に二分して配置されている。半導体チップ２は、基板４の主面４ａに対して絶縁性ペーストあるいはＡｇペーストなどの接合剤によって接合されている。
【００５０】
複数の受動電子部品３は、半導体チップ２の機能を補助するための受動的な機能を果たす素子である。本実施形態においては、複数の受動電子部品３は、コイル３１、複数のコンデンサ３２、複数の抵抗３３およびショットキーダイオード３４を含んでいる。
【００５１】
図７に示すように、コイル３１は、ＬＸ端子と端子部１２Ｃとの間に接続されている。また、図１に示すように、コイル３１は、ｙ方向において半導体チップ２と端子部１２Ａとの間に配置されている。本実施形態においては、端子部１２Ａ、端子部１２Ｂおよび端子部１２Ｃのうち端子部１２Ｃが、コイル３１に最も近い。コイル３１は、複数の受動電子部品３において、最も発熱量が大きい部品である。また、コイル３１は、複数の受動電子部品３において、最も平面視寸法が大きい部品である。
【００５２】
複数のコンデンサ３２は、図７に示す適所に接続されており、おもにノイズ除去などの機能を果たす。特に端子部１２Ａと端子部１２Ｃとの間に接続されたコンデンサ３２ａは、その余のコンデンサ３２よりも容量が大である。図１に示すように、コンデンサ３２ａは、その余のコンデンサ３２よりもｙ方向において端子部１２Ａ寄りに配置されている。コンデンサ３２ａの容量は、たとえば１０μＦであり、その余のコンデンサ３２の容量は、たとえば０．０６８μＦ〜１．０μＦである。
【００５３】
複数の抵抗３３は、図７に示す適所に接続されており、電圧もしくは電流調整などの機能を果たす。
【００５４】
ショットキーダイオード３４は、図７に示すように、端子部１２Ａと端子部１２Ｃとの間においてコンデンサ３２ａと並列に接続されている。
【００５５】
基板４は、半導体チップ２および複数の受動電子部品３が搭載されており、基材４１、主面配線パターン４２、裏面配線パターン４３および複数の貫通導電部４４を有している。また、基板４は、互いにｚ方向反対側を向く主面４ａおよび裏面４ｂを有している。
【００５６】
本実施形態においては、基板４はｚ方向視矩形状である。基板４は、ｘ方向寸法がたとえば１０．５ｍｍ、ｙ方向寸法が１３．７ｍｍ、ｚ方向厚さがたとえば０．６３５ｍｍである。また、図１に示すように、基板４は、主リード１Ａのアイランド部１１Ａに対してｙ方向図中下方寄り（端子部１２Ａ寄り）に配置されている。また、基板４のｙ方向図中下方の辺は、アイランド部１１Ａの四辺のうち端子部１２Ａが突出する辺（ｙ方向図中下方に位置する辺）とｚ方向視において一致している。
【００５７】
基材４１は、少なくとも表面が絶縁状態である絶縁材料からなり、たとえばセラミックス、ガラスエポキシ樹脂、表面に絶縁処理が施されたアルミなどからなる。本実施形態においては、基材４１がセラミックスからなる場合を例として説明する。
【００５８】
主面配線パターン４２は、基材４１の主面４ａに形成されており、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕなどのめっき層からなる。図５は、基板４の平面図である。同図に示すように、主面配線パターン４２は、複数のパッド部４０２、パッド部４３１、パッド部４３２、パッド部４３２ａ、パッド部４３３、パッド部４３４およびパッド部４４９を有している。
【００５９】
複数のパッド部４０２は、半導体チップ２を囲むように配置されており、ワイヤ２１を介して半導体チップ２のＶＣＣ（入力）端子、ＢＳＴ（ブースト）端子、ＥＮ（イネーブル）端子、ＳＹＮＣ（同期）端子、ＦＢ（フィードバック）端子、ＶＣ（）端子、ＧＮＤ（グランド）端子、ＬＸ（出力）端子にそれぞれ接続されている。
【００６０】
２つのパッド部４３１は、ｙ方向に離間して配置されている。２つのパッド部４３１には、たとえばハンダによってコイル３１が接合されている。
【００６１】
複数のパッド部４３２は、２つずつが対になって配置されている。２つのパッド部４３２には、１つのコンデンサ３２がたとえばハンダによって接合されている。y方向においてもっとも端子部１２Ａに近い２つのパッド部４３２ａには、コンデンサ３２ａが接合されている。
【００６２】
複数のパッド部４３３は、２つずつが対になって配置されている。２つのパッド部４３３には、１つの抵抗３３がたとえばハンダによって接合されている。
【００６３】
２つのパッド部４３４は、２つのパッド部４３１に対してｙ方向図中上方に配置されており、互いにｘ方向に離間配置されている。２つのパッド部４３４には、たとえばハンダによってショットキーダイオード３４が接合されている。
【００６４】
複数のパッド部４４９は、基板４のｙ方向図中下方端付近に設けられている。本実施形態においては、２つずつのパッド部４４９が隣接して配置されている。そして、端子部１２Ａ、端子部１２Ｂおよび端子部１２Ｃそれぞれに隣接するように２つずつのパッド部４４９が配置されている。２つずつのパッド部４４９からは、図１に示すワイヤ４９がパッド部１３Ａ、パッド部１３Ｂおよびパッド部１３Ｃへとそれぞれ延びている。
【００６５】
図６は、基板４を主面４ａ側から見た透過平面図であり、基材４１および主面配線パターン４２を透過して裏面配線パターン４３を実線で示している。裏面配線パターン４３は、基板４の裏面４ｂに形成されており、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕなどのめっき層からなる。
【００６６】
裏面配線パターン４３は、経路４３ａ、経路４３ｂ、経路４３ｃ、経路４３ｄ、経路４３ｅおよび経路４３ｆを有している。経路４３ａは、ｚ方向視において主面配線パターン４２のパッド部４３１およびパッド部４３２ａと重なっており、かつ主面配線パターン４２の他の部位と重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｂは、主面配線パターン４２のパッド部４３１、パッド部４３２、パッド部４０２と重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｃは、ｚ方向視において主面配線パターン４２のパッド部４０２およびパッド部４３２と重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｄは、パッド部４３３および主面配線パターン４２の他の部位と平面視において重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｅは、パッド部４３２、パッド部４３３およびパッド部４４９と平面視において重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｆは、平面視においてパッド部４０２、パッド部４３２ａ、パッド部４３３、パッド部４３２、パッド部４３４およびパッド部４４９と重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。
【００６７】
複数の貫通導電部４４は、図２〜図４に示すように、各々が基材４１を貫通しており、主面配線パターン４２の適所と裏面配線パターン４３の適所とを導通させている。貫通導電部４４の材質は、たとえば主面配線パターン４２および裏面配線パターン４３の材質と同じ材質である。
【００６８】
レジスト層４５は、裏面配線パターン４３を覆っており、絶縁性樹脂からなる。レジスト層４５は、基板４の裏面４ｂ全体を覆っていてもよいし、裏面配線パターン４３全体を含む裏面４ｂの一部の領域を覆っていてもよい。
【００６９】
基板４は、裏面４ｂがアイランド部１１Ａに対して接合層４８を介して接合されている。接合層４８は、絶縁性接着層でもよいし、導電性接着層であってもよい。基板４から主リード１Ａへの熱伝導を高めるためには、金属を主成分とするものが好ましい。
【００７０】
封止樹脂５は、主リード１Ａ、副リード１Ｂ、副リード１Ｃの一部ずつと、半導体チップ２、複数の受動電子部品３および基板４を覆っている。封止樹脂５は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。本実施形態においては、封止樹脂５は、アイランド部１１Ａのり面全体を覆っている。
【００７１】
次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。
【００７２】
本実施形態によれば、半導体チップ２および複数の受動電子部品３が基板４に搭載されている。基板４は、リードのみによって構成された導通経路と比較して、より緻密な導通経路を構成することが可能である。したがって、半導体チップ２および複数の受動電子部品３をよりコンパクトに配置することができる。また、基板４が主リード１Ａのアイランド部１１Ａに接合されていることにより、半導体チップ２および複数の受動電子部品３から発せられた熱は、基板４を介してアイランド部１１Ａへと伝えられる基板４に伝えられた熱は、基板４内において拡散され、また封止樹脂５を介して外部へと放散される。仮に、半導体チップ２および複数の受動電子部品３のいずれかの発熱量が顕著に大であっても、これからの熱がアイランド部１１Ａにおいて拡散される。この結果、基板４の一部が不当に高温となってしまうことを回避することができる。以上より、半導体装置Ａ１の小型化および放熱向上を図ることができる。
【００７３】
電子機器の効率向上や使用国などにおける規格への対応などを目的として、ＬＤＯタイプの三端子レギュレータを備えた電子機器の既存の回路基板に、上記三端子レギュレータに代えて半導体装置Ａ１を実装することができる。半導体装置Ａ１は、半導体チップ２のみではなく、コイル３１やコンデンサ３２ａを含む複数のコンデンサ３２を備えている。このため、上記回路基板に、半導体装置Ａ１に加えてコイルや入力側および出力側の
コンデンサを実装する必要がない。これにより、より簡便な作業でＬＤＯタイプの三端子レギュレータを半導体装置Ａ１に交換することができる。
【００７４】
半導体チップ２および複数の受動電子部品３のすべてが基板４に実装されていることにより、これらを導通させる導通経路をより緻密に構成することができる。
【００７５】
最も発熱量が大きいコイル３１を端子部１２Ａ寄りに設けることにより、コイル３１からの熱を端子部１２Ａから外部へとより速やかに逃すことができる。また、コイル３１を半導体チップ２と端子部１２Ｃとの間に配置することにより、半導体チップ２からコイル３１を経由する経路における損失を縮小することができる。
【００７６】
最も容量が大きいコンデンサ３２ａを端子部１２Ａと端子部１２Ｂとに近接して設けることにより、コンデンサ３２ａの容量を過大に設定することなく、ノイズ除去などの機能を適切に発揮させることができる。
【００７７】
基板４が主面配線パターン４２、裏面配線パターン４３および複数の貫通導電部４４を備えることにより、ｚ方向視において一部どうしが重なる導通経路を構成することができる。これは、ｚ方向視における半導体チップ２および複数の受動電子部品３をよりコンパクトに配置するのに適している。
【００７８】
基材４１がセラミックスからなることにより、半導体チップ２および複数のコイル３１からの熱をより速やかにアイランド部１１Ａへと伝えることができる。また、基材４１は、熱膨張が比較的小さく、使用時の変形が少ないという利点がある。
【００７９】
図１に示すように、基板４のｙ方向図中端の辺とアイランド部１１Ａのｙ方向図中下端に位置する端子部１２Ａが突出する辺とが一致することにより、基板４とパッド部１３Ａ、パッド部１３Ｂおよびパッド部１３Ｃとを接続するワイヤ４９の長さを短縮することができる。これは、低抵抗化に寄与する。
【００８０】
図８〜図１６は、本発明の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００８１】
図８は、本発明の第二実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態のＡ２においては、主リード１Ａの端子部１２Ａが、副リード１Ｂの端子部１２Ｂおよび副リード１Ｃの端子部１２Ｃに対してｘ方向図中右端に配置されている。また、端子部１２Ａは、複数の受動電子部品３において発熱量が最大であるコイル３１に対してｘ方向において最も近い位置に配置されている。
【００８２】
本実施形態においては、端子部１２Ｃがグランド端子として機能し、端子部１２Ｂが入力端子として機能し、端子部１２Ａが出力端子として機能する。これら以外の半導体装置Ａ２の構成は、上述した半導体装置Ａ１と共通である。
【００８３】
このような実施形態によっても、半導体装置Ａ２の小型化および放熱向上を図ることができる。また、アイランド部１１Ａに繋がる端子部１２Ａが端子部１２Ｂおよび端子部１２Ｃよりもコイル３１に近い位置に配置されている。これにより、最も発熱量が大であるコイル３１からの熱を、端子部１２Ａを介して外部へとより速やかに逃すことができる。
【００８４】
図９〜図１２は、本発明の第三実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ３は、主リード１Ａ、副リード１Ｂ、副リード１Ｃ、半導体チップ２、複数の受動電子部品３、基板４および封止樹脂５を備えている。
【００８５】
図９は、半導体装置Ａ３を示す平面図である。図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図９のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。なお、図９においては、理解の便宜上、封止樹脂５を想像線で示している。また、これらの図において、ｚ方向は、基板４の厚さ方向である。ｘ方向およびｙ方向は、ｚ方向に直角であり、かつ互いに直角な方向である。
【００８６】
半導体装置Ａ３は、いわゆるＤＣ／ＤＣコンバータとして構成されている。半導体装置Ａ３の使用の一例を挙げると、入力電圧が８Ｖ〜３０Ｖ、出力電圧が１２Ｖ、出力電流が最大１０００ｍＡである。
【００８７】
主リード１Ａは、アイランド部１１Ａ、端子部１２Ａおよびパッド部１３Ａを有している。主リード１Ａは、金属からなり、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅなどからなる。主リード１Ａの厚さは、０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度である。
【００８８】
アイランド部１１Ａは、基板４が接合される部位であり、本実施形態においては、平面視（ｚ方向視）矩形状である。アイランド部１１Ａの大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が１２ｍｍ、ｙ方向寸法が１５．７ｍｍである。
【００８９】
端子部１２Ａは、アイランド部１１Ａからｙ方向一方側に突出しており、ｙ方向に沿って延びている。端子部１２Ａは、半導体装置Ａ３を電子機器の回路基板などに実装するために用いられる。本実施形態においては、端子部１２Ａは、グランド端子として機能する。端子部１２Ａのｘ方向寸法は、たとえば０．７ｍｍ程度である。
【００９０】
パッド部１３Ａは、端子部１２Ａの根本部分に設けられている。パッド部１３Ａは、一端が基板４に接続されたワイヤ４９の他端がボンディングされる部位である。パッド部１３Ａのｘ方向寸法はたとえば１ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法はたとえば２ｍｍ程度である。
【００９１】
副リード１Ｂは、端子部１２Ｂおよびパッド部１３Ｃを有している。副リード１Ｂは、金属からなり、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅなどからなる。副リード１Ｂの厚さは、０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度である。
【００９２】
端子部１２Ｂは、主リード１Ａの端子部１２Ａに対してｘ方向図中左方に離間して配置されており、端子部１２Ａと平行にｙ方向に沿って延びている。端子部１２Ｂは、半導体装置Ａ３を電子機器の回路基板などに実装するために用いられる。本実施形態においては、端子部１２Ｂは、入力端子として機能する。端子部１２Ｂのｘ方向寸法は、たとえば０．７ｍｍ程度である。
【００９３】
パッド部１３Ｂは、端子部１２Ｂに対してｙ方向図中上方に設けられている。パッド部１３Ｂは、一端が基板４に接続されたワイヤ４９の他端がボンディングされる部位である。パッド部１３Ｂのｘ方向寸法はたとえば４．５ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法はたとえば１．６ｍｍ程度である。
【００９４】
副リード１Ｃは、端子部１２Ｃおよびパッド部１３Ｃを有している。副リード１Ｃは、金属からなり、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅなどからなる。副リード１Ｃの厚さは、０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度である。
【００９５】
端子部１２Ｃは、主リード１Ａの端子部１２Ａに対してｘ方向図中右方に離間して配置されており、端子部１２Ａと平行にｙ方向に沿って延びている。端子部１２Ｃは、半導体装置Ａ３を電子機器の回路基板などに実装するために用いられる。本実施形態においては、端子部１２Ｃは、出力端子として機能する。端子部１２Ｃのｘ方向寸法は、たとえば０．７ｍｍ程度である。
【００９６】
パッド部１３Ｃは、端子部１２Ｃに対してｙ方向図中上方に設けられている。パッド部１３Ｃは、一端が基板４に接続されたワイヤ４９の他端がボンディングされる部位である。パッド部１３Ｃのｘ方向寸法はたとえば５．３ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法はたとえば１．６ｍｍ程度である。
【００９７】
主リード１Ａ、副リード１Ｂおよび副リード１Ｃは、ｘ方向およびｙ方向視において屈曲部などを有さない平坦な形状とされており、ｚ方向位置が互いに一致している。
【００９８】
半導体チップ２は、ＤＣ／ＤＣコンバータにおけるスイッチング制御を行う機能回路を有している。図７は、半導体装置Ａ３を示す回路図である。同図に示すように、半導体チップ２は、本実施形態においては、ＢＯＯＴ（ブート）端子、ＶＩＮ（入力）端子、ＥＮ（イネーブル）端子、ＡＧＮＤ（グランド）端子、ＦＢ（フィードバック）端子、ＣＯＭＰ（比較電圧）端子、ＰＧＮＤ（グランド）端子およびＳＷ（スイッチング）端子を有している。
【００９９】
図９に示すように、半導体チップ２は、基板４の主面４ａに搭載されており、ｙ方向図中上方寄りに配置されている。上述したＢＯＯＴ（ブート）端子、ＶＩＮ（入力）端子、ＥＮ（イネーブル）端子、ＡＧＮＤ（グランド）端子、ＦＢ（フィードバック）端子、ＣＯＭＰ（比較電圧）端子、ＰＧＮＤ（グランド）端子およびＳＷ（スイッチング）端子は、半導体チップ２の四辺に沿って環状に配置されている。半導体チップ２は、基板４の主面４ａに対して絶縁性ペーストあるいはＡｇペーストなどの接合剤によって接合されている。
【０１００】
複数の受動電子部品３は、半導体チップ２の機能を補助するための受動的な機能を果たす素子である。本実施形態においては、複数の受動電子部品３は、コイル３１、複数のコンデンサ３２および複数の抵抗３３を含んでいる。
【０１０１】
図１５に示すように、コイル３１は、ＢＯＯＴ端子およびＳＷ端子と端子部１２Ｃとの間に接続されている。また、図９に示すように、コイル３１は、ｙ方向において半導体チップ２と端子部１２Ａとの間に配置されている。本実施形態においては、端子部１２Ａ、端子部１２Ｂおよび端子部１２Ｃのうち端子部１２Ｃが、コイル３１に最も近い。コイル３１は、複数の受動電子部品３において、最も発熱量が大きい部品である。また、コイル３１は、複数の受動電子部品３において、最も平面視寸法が大きい部品である。
【０１０２】
複数のコンデンサ３２は、図１５に示す適所に接続されており、おもにノイズ除去などの機能を果たす。特に端子部１２Ａと端子部１２Ｃとの間に接続されたコンデンサ３２ａは、その余のコンデンサ３２よりも容量が大である。図９に示すように、コンデンサ３２ａは、その余のコンデンサ３２よりもｙ方向において端子部１２Ａ寄りに配置されている。コンデンサ３２ａの容量は、たとえば２２μＦであり、その余のコンデンサ３２の容量は、たとえば０．０６８μＦ〜１．０μＦである。
【０１０３】
複数の抵抗３３は、図１５に示す適所に接続されており、電圧もしくは電流調整などの機能を果たす。
【０１０４】
基板４は、半導体チップ２および複数の受動電子部品３が搭載されており、基材４１、主面配線パターン４２、裏面配線パターン４３および複数の貫通導電部４４を有している。また、基板４は、互いにｚ方向反対側を向く主面４ａおよび裏面４ｂを有している。
【０１０５】
本実施形態においては、基板４はｚ方向視矩形状である。基板４は、ｘ方向寸法がたとえば１０．５ｍｍ、ｙ方向寸法が１３．７ｍｍ、ｚ方向厚さがたとえば０．６３５ｍｍである。また、図９に示すように、基板４は、主リード１Ａのアイランド部１１Ａに対してｙ方向図中下方寄り（端子部１２Ａ寄り）に配置されている。また、基板４のｙ方向図中下方の辺は、アイランド部１１Ａの四辺のうち端子部１２Ａが突出する辺（ｙ方向図中下方に位置する辺）とｚ方向視において一致している。
【０１０６】
基材４１は、少なくとも表面が絶縁状態である絶縁材料からなり、たとえばセラミックス、ガラスエポキシ樹脂、表面に絶縁処理が施されたアルミなどからなる。本実施形態においては、基材４１がセラミックスからなる場合を例として説明する。
【０１０７】
主面配線パターン４２は、基材４１の主面４ａに形成されており、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕなどのめっき層からなる。図１３は、基板４の平面図である。同図に示すように、主面配線パターン４２は、複数のパッド部４０２、パッド部４３１、パッド部４３２、パッド部４３２ａ、パッド部４３３およびパッド部４４９を有している。
【０１０８】
複数のパッド部４０２は、半導体チップ２を囲むように配置されており、ワイヤ２１を介して半導体チップ２のＢＯＯＴ（ブート）端子、ＶＩＮ（入力）端子、ＥＮ（イネーブル）端子、ＡＧＮＤ（グランド）端子、ＦＢ（フィードバック）端子、ＣＯＭＰ（比較電圧）端子、ＰＧＮＤ（グランド）端子およびＳＷ（スイッチング）端子にそれぞれ接続されている。
【０１０９】
２つのパッド部４３１は、ｙ方向に離間して配置されている。２つのパッド部４３１には、たとえばハンダによってコイル３１が接合されている。
【０１１０】
複数のパッド部４３２は、２つずつが対になって配置されている。２つのパッド部４３２には、１つのコンデンサ３２がたとえばハンダによって接合されている。y方向においてもっとも端子部１２Ａに近い２つのパッド部４３２ａには、コンデンサ３２ａが接合されている。
【０１１１】
複数のパッド部４３３は、２つずつが対になって配置されている。２つのパッド部４３３には、１つの抵抗３３がたとえばハンダによって接合されている。
【０１１２】
複数のパッド部４４９は、基板４のｙ方向図中下方端付近に設けられている。本実施形態においては、２つずつのパッド部４４９が隣接して配置されている。そして、端子部１２Ａ、端子部１２Ｂおよび端子部１２Ｃそれぞれに隣接するように２つずつのパッド部４４９が配置されている。２つずつのパッド部４４９からは、図９に示すワイヤ４９がパッド部１３Ａ、パッド部１３Ｂおよびパッド部１３Ｃへとそれぞれ延びている。
【０１１３】
図１４は、基板４を主面４ａ側から見た透過平面図であり、基材４１および主面配線パターン４２を透過して裏面配線パターン４３を実線で示している。裏面配線パターン４３は、基板４の裏面４ｂに形成されており、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕなどのめっき層からなる。
【０１１４】
裏面配線パターン４３は、経路４３ａ、経路４３ｂ、経路４３ｃおよび経路４３ｄを有している。経路４３ａは、ｚ方向視において主面配線パターン４２のパッド部４３１およびパッド部４３２と重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｂは、主面配線パターン４２のパッド部４０２、パッド部４３２およびパッド部４４９と重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｃは、ｚ方向視において主面配線パターン４２のパッド部４３２、パッド部４３２ａ、パッド部４３３およびパッド部４４９と重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。経路４３ｄは、パッド部４３１、パッド部４３３およびパッド部４３２ａと平面視において重なっており、貫通導電部４４を介してこれらを導通させている。
【０１１５】
複数の貫通導電部４４は、図１０〜図１２に示すように、各々が基材４１を貫通しており、主面配線パターン４２の適所と裏面配線パターン４３の適所とを導通させている。貫通導電部４４の材質は、たとえば主面配線パターン４２および裏面配線パターン４３の材質と同じ材質である。
【０１１６】
レジスト層４５は、裏面配線パターン４３を覆っており、絶縁性樹脂からなる。レジスト層４５は、基板４の裏面４ｂ全体を覆っていてもよいし、裏面配線パターン４３全体を含む裏面４ｂの一部の領域を覆っていてもよい。
【０１１７】
基板４は、裏面４ｂがアイランド部１１Ａに対して接合層４８を介して接合されている。接合層４８は、絶縁性接着層でもよいし、導電性接着層であってもよい。基板４から主リード１Ａへの熱伝導を高めるためには、金属を主成分とするものが好ましい。
【０１１８】
封止樹脂５は、主リード１Ａ、副リード１Ｂ、副リード１Ｃの一部ずつと、半導体チップ２、複数の受動電子部品３および基板４を覆っている。封止樹脂５は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。本実施形態においては、封止樹脂５は、アイランド部１１Ａのり面全体を覆っている。
【０１１９】
次に、半導体装置Ａ３の作用について説明する。
【０１２０】
本実施形態によれば、半導体チップ２および複数の受動電子部品３が基板４に搭載されている。基板４は、リードのみによって構成された導通経路と比較して、より緻密な導通経路を構成することが可能である。したがって、半導体チップ２および複数の受動電子部品３をよりコンパクトに配置することができる。また、基板４が主リード１Ａのアイランド部１１Ａに接合されていることにより、半導体チップ２および複数の受動電子部品３から発せられた熱は、基板４を介してアイランド部１１Ａへと伝えられる基板４に伝えられた熱は、基板４内において拡散され、また封止樹脂５を介して外部へと放散される。仮に、半導体チップ２および複数の受動電子部品３のいずれかの発熱量が顕著に大であっても、これからの熱がアイランド部１１Ａにおいて拡散される。この結果、基板４の一部が不当に高温となってしまうことを回避することができる。以上より、半導体装置Ａ３の小型化および放熱向上を図ることができる。
【０１２１】
電子機器の効率向上や使用国などにおける規格への対応などを目的として、ＬＤＯタイプの三端子レギュレータを備えた電子機器の既存の回路基板に、上記三端子レギュレータに代えて半導体装置Ａ３を実装することができる。半導体装置Ａ３は、半導体チップ２のみではなく、コイル３１やコンデンサ３２ａを含む複数のコンデンサ３２を備えている。このため、上記回路基板に、半導体装置Ａ３に加えてコイルや入力側および出力側の
コンデンサを実装する必要がない。これにより、より簡便な作業でＬＤＯタイプの三端子レギュレータを半導体装置Ａ３に交換することができる。
【０１２２】
半導体チップ２および複数の受動電子部品３のすべてが基板４に実装されていることにより、これらを導通させる導通経路をより緻密に構成することができる。
【０１２３】
最も発熱量が大きいコイル３１を端子部１２Ａ寄りに設けることにより、コイル３１からの熱を端子部１２Ａから外部へとより速やかに逃すことができる。また、コイル３１を半導体チップ２と端子部１２Ｃとの間に配置することにより、半導体チップ２からコイル３１を経由する経路における損失を縮小することができる。
【０１２４】
最も容量が大きいコンデンサ３２ａを端子部１２Ａと端子部１２Ｂとに近接して設けることにより、コンデンサ３２ａの容量を過大に設定することなく、ノイズ除去などの機能を適切に発揮させることができる。
【０１２５】
基板４が主面配線パターン４２、裏面配線パターン４３および複数の貫通導電部４４を備えることにより、ｚ方向視において一部どうしが重なる導通経路を構成することができる。これは、ｚ方向視における半導体チップ２および複数の受動電子部品３をよりコンパクトに配置するのに適している。
【０１２６】
基材４１がセラミックスからなることにより、半導体チップ２および複数のコイル３１からの熱をより速やかにアイランド部１１Ａへと伝えることができる。また、基材４１は、熱膨張が比較的小さく、使用時の変形が少ないという利点がある。
【０１２７】
図９に示すように、基板４のｙ方向図中端の辺とアイランド部１１Ａのｙ方向図中下端に位置する端子部１２Ａが突出する辺とが一致することにより、基板４とパッド部１３Ａ、パッド部１３Ｂおよびパッド部１３Ｃとを接続するワイヤ４９の長さを短縮することができる。これは、低抵抗化に寄与する。
【０１２８】
図１６は、本発明の第四実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態のＡ４においては、主リード１Ａの端子部１２Ａが、副リード１Ｂの端子部１２Ｂおよび副リード１Ｃの端子部１２Ｃに対してｘ方向図中右端に配置されている。また、端子部１２Ａは、複数の受動電子部品３において発熱量が最大であるコイル３１に対してｘ方向において最も近い位置に配置されている。
【０１２９】
本実施形態においては、端子部１２Ｃがグランド端子として機能し、端子部１２Ｂが入力端子として機能し、端子部１２Ａが出力端子として機能する。これら以外の半導体装置Ａ４の構成は、上述した半導体装置Ａ３と共通である。
【０１３０】
このような実施形態によっても、半導体装置Ａ４の小型化および放熱向上を図ることができる。また、アイランド部１１Ａに繋がる端子部１２Ａが端子部１２Ｂおよび端子部１２Ｃよりもコイル３１に近い位置に配置されている。これにより、最も発熱量が大であるコイル３１からの熱を、端子部１２Ａを介して外部へとより速やかに逃すことができる。
【０１３１】
本発明に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【０１３２】
Ａ１〜Ａ４      半導体装置
１Ａ      主リード
１１Ａ      アイランド部
１２Ａ      端子部
１３Ａ      パッド部
１Ｂ      副リード
１３Ｂ      パッド部
１２Ｂ      端子部
１Ｃ      副リード
１３Ｃ      パッド部
１２Ｃ      端子部
２      半導体チップ
２１      ワイヤ
３      受動電子部品
３１      コイル
３２      コンデンサ
３２ａ      コンデンサ
３３      抵抗
３４      ショットキーダイオード
４      基板
４ａ      主面
４ｂ      裏面
４１      基材
４２      主面配線パターン
４３      裏面配線パターン
４４      貫通導電部
４５      レジスト層
４８      接合層
４９      ワイヤ
５      封止樹脂
４０２  パッド部
４３１  パッド部
４３２  パッド部
４３２ａ  パッド部
４３３  パッド部
４３４  パッド部
４４９  パッド部
４３ａ〜４３ｆ  経路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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