(57)【要約】【課題】光偏向素子の位置及び向きを簡易な測定系を用いて調整でき、調整のための特殊な構造を有する光偏向素子を要しない波長選択スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】この波長選択スイッチの製造方法は、所定方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは所定方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させつつ、一の光入出力ポート１１から光を入力し、二以上の光入出力ポート１１に到達した光の強度を測定する光強度測定工程と、二以上の光入出力ポート１１での光の強度に基づいて、位相変調素子１７の位置及び向きを調整するアライメント工程とを備える。【選択図】図２
2015060107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光入出力ポートが所定方向に並ぶ光入出力部と、前記光入出力部と光学的に結合された波長分散素子と、各画素毎に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有し、一の前記光入出力ポートから前記波長分散素子を介して到達する波長成分光の光路を、他の前記光入出力ポートの何れかに向けて偏向する位相変調素子とを備える波長選択スイッチを製造する方法であって、
前記光入出力部、前記波長分散素子、及び前記位相変調素子を所定の光軸上に配置する配置工程と、
前記所定方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは前記所定方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを前記位相変調素子に呈示させつつ、一の前記光入出力ポートから光を入力し、前記複数の光入出力ポートのうち二以上の前記光入出力ポートに到達した光の強度を測定する光強度測定工程と、
前記二以上の前記光入出力ポートでの前記光の強度に基づいて、前記位相変調素子の位置及び向きのうち少なくとも一方を調整するアライメント工程と、
前記位相変調素子を固定する固定工程と
を備える、波長選択スイッチの製造方法。
【請求項２】
前記第１の位相変調パターンは、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターンであり、
前記光強度測定工程において、前記第１の位相変調パターンを前記位相変調素子に呈示させ、前記二以上の光入出力ポートに回折光を到達させる、請求項１に記載の波長選択スイッチの製造方法。
【請求項３】
位相変調量が前記所定方向において一定である第３の位相変調パターンを前記位相変調素子に呈示させつつ、前記一の光入出力ポートから光を入力し、該光が到達すべき第１の前記光入出力ポートにおいて光の強度を測定し、該光の強度に基づいて前記位相変調素子の位置を調整する第１の位置調整工程を、前記配置工程と前記光強度測定工程との間に更に備え、
前記光強度測定工程において、前記複数の光入出力ポートのうち前記第１の光入出力ポートを挟んで互いに対称な位置に配置されている第２及び第３の前記光入出力ポートに到達した光の強度を測定し、
前記アライメント工程において、前記第２及び第３の光入出力ポートでの前記光の強度に基づいて前記位相変調素子の向きを調整する、請求項２に記載の波長選択スイッチの製造方法。
【請求項４】
前記光強度測定工程において前記第２の位相変調パターンを前記位相変調素子に呈示させ、
前記アライメント工程において、前記二以上の光入出力ポートでの前記光の強度に基づいて、前記位相変調素子の前記所定方向を除く他の方向成分の位置、及び前記位相変調素子の向きのうち少なくとも一方を調整する、請求項１に記載の波長選択スイッチの製造方法。
【請求項５】
回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された第４の位相変調パターンを前記位相変調素子に呈示させつつ、前記一の光入出力ポートから光を入力し、少なくとも一つの前記光入出力ポートに到達した光の強度を測定し、前記所定方向における前記位相変調素子の位置を、前記少なくとも一つの光入出力ポートでの前記光の強度に基づいて調整する第２の位置調整工程を、前記アライメント工程と前記固定工程との間に更に備える、請求項４に記載の波長選択スイッチの製造方法。
【請求項６】
位相変調量が前記所定方向において一定である第３の位相変調パターンを前記位相変調素子に呈示させつつ、前記一の光入出力ポートから光を入力し、該光が到達すべき第１の前記光入出力ポートにおいて光の強度を測定し、該光の強度に基づいて前記位相変調素子の位置を調整する第１の位置調整工程を前記配置工程と前記光強度測定工程との間に更に備え、
前記アライメント工程において前記位相変調素子の向きを調整する、請求項４に記載の波長選択スイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長選択スイッチの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、波長選択型光スイッチに関する技術が開示されている。この文献に記載された波長選択型光スイッチは、入出力光学系と、分離集光光学系と、ミラーアレイとを備える。入出力光学系は、少なくとも１つの入力ポートおよび少なくとも１つの出力ポートからなる。分離集光光学系は、入力ポートから入力される入力光を波長に応じて分離し、分離された各波長の光を所定直線上の異なる位置に集光させる。ミラーアレイは、分離集光光学系によって集光される各波長の光の集光位置にそれぞれ回動可能に支持された複数のミラーを有し、各波長の光を反射して入出力光学系の任意の出力ポートに導く。ミラーアレイは、上記所定直線上に配置された非対称形状のアライメントパターンを有しており、このアライメントパターンに入射する光を検出し、そのスペクトル形状に基づいてミラーアレイのアライメントが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１０４０８１号公報
【特許文献２】特開２０１３−００７７７１号公報
【特許文献３】米国特許第７３５９０５３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
波長選択スイッチは、光入出力ポート、分光素子、及び光偏向素子が所定軸線上に並んで配置された構成を備えている。光入出力ポートは、複数の光入出力ポートを有する。分光素子は、一の光入出力ポートから入力された光を波長成分毎に分光する。光偏向素子は、各波長成分を対応する光入出力ポートへ向けて偏向する素子であり、例えば位相変調素子によって構成される。このような波長選択スイッチが製造される際には、一の光入出力ポートから入力されて分光された各波長成分の光を、各々対応する光入出力ポートに精度良く結合させるために、光偏向素子の位置および向きが調整（アライメント）される。
【０００５】
例えば、特許文献１には、光偏向素子としてのミラーアレイのアライメント方式について記載されている。しかしながら、特許文献１に記載された方式では、アライメントパターンに入射する光のスペクトル形状を測定する必要があるので、スペクトルモニタといった複雑な構成を要する。また、非対称形状のアライメントパターンを有する特殊なミラーアレイを用いる必要があるので、波長選択スイッチの製造コストが増してしまう。
【０００６】
本発明は、光偏向素子の位置及び向きを簡易な測定系を用いて調整でき、調整のための特殊な構造を有する光偏向素子を要しない波長選択スイッチの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による波長選択スイッチの製造方法は、複数の光入出力ポートが所定方向に並ぶ光入出力部と、光入出力部と光学的に結合された波長分散素子と、各画素毎に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有し、一の光入出力ポートから波長分散素子を介して到達する波長成分光の光路を、他の光入出力ポートの何れかに向けて偏向する位相変調素子とを備える波長選択スイッチを製造する方法であって、光入出力部、波長分散素子、及び位相変調素子を所定の光軸上に配置する配置工程と、所定方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは所定方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、複数の光入出力ポートのうち二以上の光入出力ポートに到達した光の強度を測定する光強度測定工程と、二以上の光入出力ポートでの光の強度に基づいて位相変調素子の位置及び向きのうち少なくとも一方を調整するアライメント工程と、位相変調素子を固定する固定工程とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光偏向素子の位置及び向きを簡易な測定系を用いて調整でき、調整のための特殊な構造を有する光偏向素子を要しない波長選択スイッチの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る波長選択スイッチの製造方法によって好適に製造される、波長選択スイッチの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１に示された波長選択スイッチのII−II線に沿った側断面図である。
【図３】複数の光入出力ポートの配列の一例を示す図である。
【図４】位相変調素子の具体的な構成例として、ＬＣＯＳ型の位相変調素子の構成を示す断面図である。
【図５】回折格子状の位相変調パターンが変調面に呈示されたときの、偏向方向における実質的な位相変化を示すグラフである。
【図６】変調面を法線方向（光入射方向）から見た様子を示す図である。
【図７】一実施形態による製造方法を示すフローチャートである。
【図８】一の光入出力ポートに光源を光結合させ、二以上の光入出力ポートそれぞれにパワーモニタを光結合させた様子を示す図である。
【図９】（ａ）波長選択スイッチの通常動作の際の、偏向方向における変調面の位相分布を示すグラフである。（ｂ）（ａ）の位相分布が位相変調素子に呈示された場合における、光入出力部に到達する回折光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図１０】（ａ）第１の位相変調パターンの偏向方向における位相分布を示すグラフである。（ｂ）（ａ）の位相分布が位相変調素子に呈示された場合における、光入出力部に到達する回折光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図１１】回折光と複数の光入出力ポートとの結合の様子を概念的に示す図である。
【図１２】一実施形態のアライメント工程における位相変調素子の調整方法を概略的に示す図である。
【図１３】第１変形例に係る波長選択スイッチの製造方法を示すフローチャートである。
【図１４】（ａ）位相変調パターンの位相変調量が偏向方向において一定である場合の、変調面における位相分布を示している。（ｂ）光入出力部に到達する光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図１５】第１変形例における位相変調素子の調整方法を概略的に示す図である。
【図１６】第２変形例に係る波長選択スイッチの製造方法を示すフローチャートである。
【図１７】（ａ）第２変形例の光強度測定工程において用いられる第２の位相変調パターンの、偏向方向における位相分布を示すグラフである。（ｂ）（ａ）の位相分布が位相変調素子に呈示された場合における、光入出力部に到達する光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図１８】第２変形例における位相変調素子の調整方法を概略的に示す図である。
【図１９】第３変形例に係る波長選択スイッチの製造方法を示すフローチャートである。
【図２０】第３変形例における位相変調素子の調整方法を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明による波長選択スイッチの製造方法は、（１）複数の光入出力ポートが所定方向に並ぶ光入出力部と、光入出力部と光学的に結合された波長分散素子と、各画素に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有し、一の光入出力ポートから波長分散素子を介して到達する波長成分光の光路を、他の光入出力ポートの何れかに向けて偏向する位相変調素子とを備える波長選択スイッチを製造する方法であって、光入出力部、波長分散素子、及び位相変調素子を所定の光軸上に配置する配置工程と、所定方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは所定方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、複数の光入出力ポートのうち二以上の光入出力ポートに到達した光の強度を測定する光強度測定工程と、二以上の光入出力ポートでの光の強度に基づいて位相変調素子の位置及び向きのうち少なくとも一方を調整するアライメント工程と、位相変調素子を固定する固定工程とを備える。
【００１１】
この波長選択スイッチの製造方法では、光強度測定工程において、所定方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは所定方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させる。第１の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させると、光入出力部へ向かう光が二以上の光入出力ポートに向けられる。例えば、第１の位相変調パターンが回折格子状の位相変調パターンの位相変調量を縮小した位相変調パターンである場合、−１次光、２次光、−２次光といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、二以上の光入出力ポートにそれぞれ入射する。また、第２の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させると、光入出力部へ向かう光が所定方向（複数の光入出力ポートの並び方向）に伸び、複数の光入出力ポートに跨がるように拡がるので、その結果、光が二以上の光入出力ポートに入射することとなる。アライメント工程では、その二以上の光入出力ポートに入射する光の強度を検出し、それらの検出値が大きくなるように、若しくはそれらの検出値が互いに近づくように位相変調素子の位置及び／または向きを調整することにより、位相変調素子のアライメントを好適に行うことができる。
【００１２】
このように、この波長選択スイッチの製造方法では、スペクトルモニタのような複雑な構成をアライメント工程において必要とせず、簡易な測定系を用いて光偏向素子（位相変調素子）の位置や向きを調整することができる。また、光偏向素子（位相変調素子）についても、呈示する位相変調パターンの変更のみで足り、調整のための特殊な構造を要しない。したがって、波長選択スイッチの製造コストを抑えることが可能となる。
【００１３】
（２）上記の製造方法において、第１の位相変調パターンは、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターンであり、光強度測定工程において、第１の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させ、二以上の光入出力ポートに回折光を到達させることが好ましい。この場合、第１の位相変調パターンによる回折光では、−１次光、２次光、−２次光といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、二以上の光入出力ポートにそれぞれ入射することができる。従って、これらの光の強度が大きくなるように、若しくはそれらの光強度が互いに近づくように位相変調素子の位置及び／または向きを調整することにより、位相変調素子のアライメントを好適に行うことができる。
【００１４】
（３）上記の製造方法は、位相変調量が所定方向において一定である第３の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、該光が到達すべき第１の光入出力ポートにおいて光の強度を測定し、該光の強度に基づいて位相変調素子の位置を調整する第１の位置調整工程を、配置工程と光強度測定工程との間に更に備え、光強度測定工程において、複数の光入出力ポートのうち第１の光入出力ポートを挟んで互いに対称な位置に配置されている第２及び第３の光入出力ポートに到達した光の強度を測定し、アライメント工程において、第２及び第３の光入出力ポートでの光の強度に基づいて位相変調素子の向きを調整することが好ましい。このように、まず位相変調素子の位置を調整し、その後に位相変調素子の向きを調整することによって、位相変調素子のアライメントを短時間で且つ精度良く行うことができる。
【００１５】
（４）上記の製造方法では、光強度測定工程において第２の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させ、アライメント工程において、二以上の光入出力ポートでの光の強度に基づいて、位相変調素子の所定方向を除く他の方向成分の位置、及び位相変調素子の向きのうち少なくとも一方を調整するとよい。第２の位相変調パターンでは、光入出力部へ向かう光が所定方向に伸びるように拡がるので、所定方向の調整は難しくなる。この場合、上記のように、所定方向を除く他の方向成分の位置及び／又は向きを調整し、所定方向の位置調整に関しては、例えば他の位相変調パターンや他の方法を用いて行うとよい。
【００１６】
（５）上記の製造方法は、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された第４の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、少なくとも一つの光入出力ポートに到達した光の強度を測定し、所定方向における位相変調素子の位置を、少なくとも一つの光入出力ポートでの光の強度に基づいて調整する第２の位置調整工程を、アライメント工程と固定工程との間に更に備えることが好ましい。上記の製造方法がこのような第２の位置調整工程を更に備えることによって、所定方向の位置調整を追加して好適に行うことができる。
【００１７】
（６）上記の製造方法は、位相変調量が所定方向において一定である第３の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、該光が到達すべき第１の光入出力ポートにおいて光の強度を測定し、該光の強度に基づいて位相変調素子の位置を調整する第１の位置調整工程を配置工程と光強度測定工程との間に更に備え、アライメント工程において位相変調素子の向きを調整することが好ましい。このように、まず位相変調素子の位置を調整し、その後に位相変調素子の向きを調整することによって、位相変調素子のアライメントを短時間で且つ精度良く行うことができる。
【００１８】
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態にかかる波長選択スイッチの製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係る波長選択スイッチの製造方法によって好適に製造される、波長選択スイッチ１Ａの構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示された波長選択スイッチ１ＡのII−II線に沿った側断面図である。理解の容易のため、図１及び図２にはＸＹＺ直交座標系が示されている。波長選択スイッチ１Ａは、ＹＺ平面に沿った上面及び底面と、Ｘ軸方向に沿った４つの側面とを有する略直方体状を呈している。
【００２０】
図１及び図２に示されるように、この波長選択スイッチ１Ａは、光入出力部１０を備える。光入出力部１０は、複数の光入出力ポート１１を有する。複数の光入出力ポート１１には、外部から波長選択スイッチ１Ａに光を入力する光入出力ポート１１ａと、波長選択スイッチ１Ａの外部へと光を出力する複数（図２では４つの場合を例示）の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｅとが含まれている。
【００２１】
光入出力ポート１１ａには、複数の波長成分を含む光Ｌ１が波長選択スイッチ１Ａの外部から入力される。光Ｌ１は、例えば波長多重光通信における信号光である。波長選択スイッチ１Ａは、光入出力ポート１１ａに入力された光Ｌ１を波長成分毎に分光して、各波長成分光を、複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｅのそれぞれから出力する。図１では一例として３つの波長成分光Ｌ２１、Ｌ２２及びＬ２３が図示されている。３つの波長成分光Ｌ２１、Ｌ２２及びＬ２３それぞれは、４つの光入出力ポート１１ｂ〜１１ｅのうち３つの光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｃ，１１ｄ及び１１ｅ）それぞれから出力される。
【００２２】
複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅは、所定方向に一列に並んで配置されている。所定方向は、例えばＸ軸方向である。なお、以下の説明において、Ｘ軸方向をポート配列方向と称することがある。図３は、複数の光入出力ポート１１の配列の一例を示す図であって、複数の光入出力ポート１１をＺ軸方向から見た様子を示している。図３に示されるように、本実施形態では、光を入力する光入出力ポート１１ａが配列の中央に配置されている。波長成分光を出力する複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｅの一部である光入出力ポート１１ｂ及び１１ｃは、光入出力ポート１１ａに対してポート配列方向における一方の側に配列されている。複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｅの残部である光入出力ポート１１ｄ及び１１ｅは、光入出力ポート１１ａに対してポート配列方向における他方の側に配列されている。光入出力ポート１１ａ〜１１ｅは、例えば光ファイバといった光導波部材によって好適に構成される。
【００２３】
再び図１及び図２を参照する。波長選択スイッチ１Ａは、更に、コリメータレンズ１３と、アナモルフィック光学系１４と、波長分散素子１５と、集光レンズ１６と、光偏向素子としての位相変調素子１７と、制御部２０とを備えている。
【００２４】
コリメータレンズ１３は、光入出力ポート１１ａと光学的に結合されている。コリメータレンズ１３は、光入出力ポート１１ａから入力された光Ｌ１を平行化（コリメート）する。更に、コリメータレンズ１３は、複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｅと光学的に結合されている。コリメータレンズ１３は、分光後の各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を、各々に対応する光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅ）に向けて集光する。
【００２５】
アナモルフィック光学系１４は、コリメータレンズ１３を介して光Ｌ１を受ける。アナモルフィック光学系１４は、光軸に対して垂直な光Ｌ１の断面を、上述した所定方向（本実施形態ではＸ軸方向）と交差する方向（例えばＹ軸方向）に延びる偏平形状となるよう変換する。なお、以下の説明において、Ｙ軸方向を分光方向と称することがある。アナモルフィック光学系１４は、例えばプリズム１４ａ，１４ｂによって好適に構成される。アナモルフィック光学系１４は、Ｙ軸方向に光Ｌ１の幅が大きくなるように光Ｌ１の幅を拡大するので、光軸に対して垂直な光Ｌ１の断面は、Ｙ軸方向に延びる偏平形状となる。また、アナモルフィック光学系１４は、その一方の面がコリメータレンズ１３を介して複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｅと光学的に結合されており、他方の面が、後述する位相変調素子１７の変調面１７ａと光学的に結合されている。アナモルフィック光学系１４は、変調面１７ａにおいて反射した各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３のＹ軸方向の幅を、各々に対応する光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅに向けて縮小する。また、アナモルフィック光学系１４は、一または複数の、Ｘ軸方向またはＹ軸方向の一方にのみ光パワーを有する光学部品（例えばシリンドリカルレンズ）によって構成されてもよい。また、アナモルフィック光学系１４は、Ｙ軸方向に光Ｌ１の幅が大きくなるように拡大するように構成されてもよいし、Ｘ軸方向に光Ｌ１の幅が小さくなるように縮小するように構成されてもよい。
【００２６】
波長分散素子（分光素子）１５は、光入出力ポート１１ａから入力された光Ｌ１を受けて、その光Ｌ１を各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３に分光する。本実施形態の波長分散素子１５は、コリメータレンズ１３及びアナモルフィック光学系１４を介して光Ｌ１を受ける。波長分散素子１５は、例えば表面に回折格子が形成された板状部材によって好適に構成される。波長分散素子１５によって分光された光Ｌ１の各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３は、それぞれ異なる光軸方向に進む。本実施形態では、各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３は、上述した分光方向（Ｙ軸方向）に分光される。
【００２７】
集光レンズ１６は、波長分散素子１５と位相変調素子１７との間の光路上に配置されており、波長分散素子１５と位相変調素子１７とを光学的に結合している。集光レンズ１６は、波長分散素子１５を通過した各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を、位相変調素子１７の変調面１７ａに向けて集光する。また、集光レンズ１６は、変調面１７ａによって偏向された各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を、波長分散素子１５に向けてコリメートする。
【００２８】
位相変調素子１７は、各画素毎に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有する。位相変調素子１７は、位相変調量がＸ軸方向に周期的に変化する位相変調パターン（例えば回折格子状の位相変調パターン）を変調面１７ａに呈示することにより、光入出力ポート１１ａから波長分散素子１５等を介して到達した波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３の光路をＸＺ平面内で偏向する。なお、以下の説明において、Ｘ軸方向を偏向方向と称することがある。このときのＸＺ平面内における偏向角は、波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３それぞれで互いに異なる。これらの偏向角は、各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が所望の光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅ）に入射するように設定される。このような位相変調パターンを呈示するための制御電圧パターンは、制御部２０から位相変調素子１７に提供される。
【００２９】
図４は、位相変調素子１７の具体的な構成例として、ＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）型の位相変調素子１７の構成を示す断面図である。図４に示されるように、位相変調素子１７は、シリコン基板１７１と、シリコン基板１７１の主面上に設けられた複数の画素電極１７２とを有する。複数の画素電極１７２は、シリコン基板１７１の主面に沿って格子状に配列されている。シリコン基板１７１の主面上には、液晶層１７３、透明電極１７４、及びカバーガラス１７５が順に配置されている。透明電極１７４と複数の画素電極１７２との間に形成される電界の大きさに応じて、液晶層１７３に入射した波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３の位相が変調される。この位相変調量は、各画素電極１７２毎に異なる大きさの電界が形成されることにより、各画素毎に異なる大きさとなる。前述した変調面１７ａは、複数の画素電極１７２、液晶層１７３および透明電極１７４によって主に構成される。図４には、変調面１７ａに回折格子状の位相変調パターンを呈示したときの各画素毎の位相変調量が、グラフＧ１１として概念的に示されている。
【００３０】
図５は、回折格子状の位相変調パターンが変調面１７ａに呈示されたときの、偏向方向における実質的な位相変化を示すグラフである。先の図４に概念的に示されたように、変調面１７ａでは、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加し、２π（ｒａｄ）に達すると、再び０（ｒａｄ）に戻り、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加する。このような位相変調パターンにより、図５に示されるような階段状に単調増加する回折格子状の位相変調パターンが実質的に実現される。そして、このような位相変調パターンが呈示された変調面１７ａに波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が入射すると、回折格子の周期に応じた出射角θでもって波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が回折される。
【００３１】
図６は、変調面１７ａを法線方向（光入射方向）から見た様子を示す図である。変調面１７ａは、Ｙ軸方向（分光方向）に沿って並ぶ複数の位相変調領域１７ｂ〜１７ｅを含んでおり、これらの位相変調領域１７ｂ〜１７ｅに対し、波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が選択的に入射する。図６に示された例では、位相変調領域１７ｃ，１７ｄ及び１７ｅそれぞれに対して波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３それぞれが入射している。そして、位相変調領域１７ｃ〜１７ｅは、互いに異なる周期の回折格子を呈示することによって、波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を各々に対応する光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅへ向けて回折する。こうして位相変調素子１７により反射された各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３は、集光レンズ１６によって平行化されたのち、アナモルフィック光学系１４及びコリメータレンズ１３を経て、それぞれ対応する光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅに到達する。
【００３２】
続いて、波長選択スイッチ１Ａの製造方法について説明する。ここでは特に、位相変調素子１７のアライメント方法について詳細に説明する。図７は、本実施形態による製造方法を示すフローチャートである。
【００３３】
この製造方法では、まず、光入出力部１０、コリメータレンズ１３、アナモルフィック光学系１４、波長分散素子１５、集光レンズ１６、及び位相変調素子１７を、筐体内における所定の光軸上の各規定位置に配置する（配置工程Ｓ１１）。このとき、位相変調素子１７は、筐体に固定されない。
【００３４】
次に、光強度測定工程Ｓ１２を行う。まず、図８に示されるように、一の光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ａ）に光源３１を光結合させ、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅのうち二以上の光入出力ポート（図８では光入出力ポート１１ｂ，１１ｅを例示）それぞれにパワーモニタ（光検出器）３２を光結合させる。光源３１は、単一波長のレーザダイオードであることが好ましいが、複数の波長成分を含む広帯域光源であってもよい。そして、光源３１から上記一の光入出力ポート１１ａに調整用の光Ｌ３１を入力する。光Ｌ３１は、コリメータレンズ１３、アナモルフィック光学系１４、波長分散素子１５、及び集光レンズ１６を経て、位相変調素子１７の変調面１７ａに到達する。
【００３５】
このとき、位相変調素子１７のアライメントのための位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させる。本実施形態では、Ｘ軸方向において周期的に位相変調量が変化する位相変調パターン（第１の位相変調パターン）を呈示させる。
【００３６】
ここで、第１の位相変調パターンについて更に詳細に説明する。図９（ａ）は、波長選択スイッチ１Ａの通常動作の際の、偏向方向における変調面１７ａの位相分布を示すグラフである。この位相分布グラフは、先に図４に示されたグラフＧ１１と同一のものであって、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加し、２π（ｒａｄ）に達すると、再び０（ｒａｄ）に戻り、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加する。このような位相変調パターンにより、図５に示されるような階段状に単調増加する回折格子状の位相変調パターンが実質的に実現される。
【００３７】
図９（ｂ）は、図９（ａ）の位相分布が位相変調素子１７に呈示された場合における、光入出力部１０に到達する回折光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。変調面１７ａに呈示される位相変調量が偏向方向において高精度に回折格子状を成している場合、図９（ｂ）に示されるように、１次光Ａ１の光強度が大きくなり、他の回折光（０次光Ａ０、２次光Ａ２、−１次光Ａ−１、−２次光Ａ−２など）の光強度が微小となる。そして、図６に示された位相変調領域１７ｃ〜１７ｅの回折格子の周期は、変調面１７ａに入射した波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３の１次光Ａ１が各光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅに入射するように設定される。
【００３８】
図１０（ａ）は、本実施形態の光強度測定工程Ｓ１２において用いられる第１の位相変調パターンの、偏向方向における位相分布を示すグラフである。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の位相分布が位相変調素子１７に呈示された場合における、光入出力部１０に到達する回折光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【００３９】
図１０（ａ）に示されるように、第１の位相変調パターンでは、図９（ａ）に示された回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小されている。具体的には、０（ｒａｄ）から３π／２（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加し、３π／２（ｒａｄ）に達すると、再び０（ｒａｄ）に戻り、０（ｒａｄ）から３π／２（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加している。このように、通常の偏向動作に用いられる回折格子の形状を崩すことにより、図１０（ｂ）に示されるように、１次光Ａ１以外の回折光（０次光Ａ０、２次光Ａ２、−１次光Ａ−１、−２次光Ａ−２など）の光強度が大きくなる。
【００４０】
また、図１１は、回折光と複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅとの結合の様子を概念的に示す図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）には、光入出力部１０に到達した回折光のポート配列方向における光強度分布と、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅの位置とが併せて示されている。
【００４１】
例えば、図１１（ａ）に示される状態では、１次光Ａ１が光入出力ポート１１ｃに結合されている。このとき、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅが等間隔で配置されていれば、２次光Ａ２は光入出力ポート１１ｂに結合され、−１次光Ａ−１は光入出力ポート１１ｄに結合され、−２次光Ａ−２は光入出力ポート１１ｅに結合される。勿論、０次光Ａ０は光入出力ポート１１ａに結合される。従って、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅのうち少なくとも２つの光入出力ポートにおいて光強度を検出し、その光強度値を最大化することにより、位相変調素子１７の位置および向きの調整を行うことができる。
【００４２】
また、図１１（ｂ）に示される状態では、１次光Ａ１が光入出力ポート１１ｅに結合されている。このとき、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅが等間隔で配置されていれば、−１次光Ａ−１は光入出力ポート１１ｂに結合される。勿論、０次光Ａ０は光入出力ポート１１ａに結合される。従って、光入出力ポート１１ａ，１１ｂ，１１ｅのうち少なくとも２つの光入出力ポートにおいて光強度を検出し、その光強度値を最大化することにより、位相変調素子１７の位置および向きの調整を行うことができる。
【００４３】
再び図８を参照する。前述したように、光入出力ポート１１ｂ，１１ｅにはパワーモニタ３２，３３が結合されている。光入出力ポート１１ｂ，１１ｅには、位相変調素子１７から到達した光Ｌ３２，Ｌ３３がそれぞれ入射する。図１１（ａ）に示された例では、光Ｌ３２は２次光Ａ２であり、光Ｌ３３は−２次光Ａ−２である。また、図１１（ｂ）に示された例では、光Ｌ３２は−１次光Ａ−１であり、光Ｌ３３は１次光Ａ１である。パワーモニタ３２は、光入出力ポート１１ｂにおける光Ｌ３２の光強度を検出する。パワーモニタ３３は、光入出力ポート１１ｅにおける光Ｌ３３の光強度を検出する。そして、続くアライメント工程Ｓ１３（図７）において、これらのパワーモニタ３２，３３における光強度の検出値に基づき、位相変調素子１７の位置および向きの調整を行う。
【００４４】
図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は、本実施形態のアライメント工程Ｓ１３における、位相変調素子１７の調整方法を概略的に示す図である。図１２（ａ）〜図１２（ｆ）には、一例として、Ｚ軸方向から見た２つの光入出力ポート１１ｂ及び１１ｅと、これらの光入出力ポート１１ｂ及び１１ｅに入射すべき回折光（光Ｌ３２，Ｌ３３）とが重ねて示されている。なお、図中の破線Ａ１は光入出力ポート１１ａ〜１１ｅのポート配列方向に沿った直線であり、×印Ｂ１は光入出力ポート１１ａ〜１１ｅの位置基準点である。図中の破線Ａ２は位相変調素子１７の偏向方向に沿った直線であり、×印Ｂ２は基準点Ｂ１に対応する回折光の位置基準点である。
【００４５】
いま、図１２（ａ）に示されるように、破線Ａ１に対して破線Ａ２が傾斜しており、基準点Ｂ１に対して基準点Ｂ２の位置がずれている状態を想定する。光強度測定工程Ｓ１２では、この状態から、位相変調素子１７をＸ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅでの光強度が極大となる位置を探索し、図１２（ｂ）に示されるように基準点Ｂ２のＸ軸方向位置を基準点Ｂ１のＸ軸方向位置に近づける。次に、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を調整しながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅでの光強度が極大となる角度を探索し、図１２（ｃ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きに近づける。
【００４６】
続いて、位相変調素子１７をＹ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅでの光強度が極大となる位置を探索し、図１２（ｄ）に示されるように基準点Ｂ２のＹ軸方向位置を基準点Ｂ１のＹ軸方向位置に近づける。そして、位相変調素子１７のＹ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｂでの光Ｌ３２の光強度と光入出力ポート１１ｅでの光Ｌ３３の光強度とを互いに近づける。最後に、図１２（ｅ）に示されるように、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を再調整し、図１２（ｆ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きにより精度良く近づける。
【００４７】
再び図７を参照する。アライメント工程Ｓ１３ののち、波長選択スイッチ１Ａの筐体に位相変調素子を固定する（固定工程Ｓ１４）。その後、例えば筐体の真空封止を行うことにより、波長選択スイッチ１Ａが完成する。
【００４８】
以上に説明した本実施形態の波長選択スイッチ１Ａの製造方法によって得られる効果について説明する。この波長選択スイッチ１Ａの製造方法では、光強度測定工程Ｓ１２において、所定方向（Ｘ軸方向）において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させる。このような位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させると、光入出力部１０へ向かう光が、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅのうち二以上のポートに向けられる。例えば、本実施形態のように回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小されたもの（図１０（ａ）を参照）を用いる場合、上述したように、−１次光Ａ−１、２次光Ａ２、−２次光Ａ−２といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、二以上の光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ）にそれぞれ入射する。アライメント工程Ｓ１３では、それらの光入出力ポート１１ｂ，１１ｅに入射する光Ｌ３２，Ｌ３３の強度を検出し、それらの検出値が大きくなるように、若しくはそれらの検出値が互いに近づくように位相変調素子１７の位置及び向きを調整することにより、位相変調素子１７のアライメントを好適に行うことができる。
【００４９】
このように、本実施形態による波長選択スイッチ１Ａの製造方法では、スペクトルモニタのような複雑な構成を必要とせず、簡易な測定系を用いて位相変調素子１７の位置や向きを調整することができる。また、位相変調素子１７についても、呈示する位相変調パターンの変更のみで足り、調整のための特殊な構造を要しない。したがって、波長選択スイッチ１Ａの製造コストを抑えることが可能となる。
【００５０】
また、本実施形態のように、第１の位相変調パターンは、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターン（図１０（ａ）を参照）であることが好ましく、光強度測定工程Ｓ１２において、その第１の位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させ、二以上の光入出力ポート１１に回折光を到達させることが好ましい。上述したように、この場合、第１の位相変調パターンによる回折光では、−１次光、２次光、−２次光といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、二以上の光入出力ポート１１ｂ，１１ｅにそれぞれ入射することができる。従って、これらの光の強度が大きくなるように、若しくはこれらの光強度が互いに近づくように位相変調素子１７の位置及び／または向きを調整することにより、位相変調素子１７のアライメントを好適に行うことができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、アライメント工程Ｓ１３において位相変調素子１７の位置および向きの双方を調整しているが、この工程では、必要に応じて位置および向きのうちいずれか一方のみが調整されてもよい。
【００５２】
（第１の変形例）
図１３は、上記実施形態の第１変形例に係る波長選択スイッチ１Ａの製造方法を示すフローチャートである。本変形例と上記実施形態との相違点は、第１の位置調整工程Ｓ２１及びＳ２２を配置工程Ｓ１１と光強度測定工程Ｓ１２との間に備える点、およびアライメント工程Ｓ２３において位相変調素子１７の向きのみを調整する点である。
【００５３】
具体的には、第１の位置調整工程Ｓ２１において、位相変調素子１７のアライメントのための位相変調パターンとして、位相変調量がＸ軸方向（偏向方向）において一定である位相変調パターン（第３の位相変調パターン）を呈示させる。ここで、図１４（ａ）は、位相変調パターンの位相変調量が偏向方向において一定である場合の、変調面１７ａにおける位相分布を示している。また、図１４（ｂ）は、光入出力部１０に到達する光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。図１４（ａ）に示されるように、変調面１７ａに呈示される位相変調量が偏向方向において一定である場合には、図１４（ｂ）に示されるように、０次光Ａ０のみが光入出力部１０に到達する。
【００５４】
そして、第１の位置調整工程Ｓ２１では、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅのうち一のポートに光源を光結合させるとともに、０次光Ａ０が入射する光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ａ）にパワーモニタ（光検出器）を光結合させる。光源は、単一波長のレーザダイオードであることが好ましいが、複数の波長成分を含む広帯域光源であってもよい。そして、光源から上記一のポートに調整用の光を入力する。この光は、コリメータレンズ１３、アナモルフィック光学系１４、波長分散素子１５、及び集光レンズ１６を経て、位相変調素子１７の変調面１７ａに到達する。そして、その０次光のみが反射し、光入出力ポート１１ａ付近に戻る。
【００５５】
続く工程Ｓ２２では、光が到達すべき光入出力ポート１１ａ（第１の光入出力ポート）において光の強度を測定し、該光の強度に基づいて位相変調素子１７の位置（Ｘ軸方向位置およびＹ軸方向位置、Ｚ軸方向位置）を調整する。
【００５６】
その後、光強度測定工程Ｓ１２において、上記実施形態と同様に、一の光入出力ポートに光源３１を光結合させ、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅのうち二以上の光入出力ポートそれぞれにパワーモニタ３２を光結合させる（図８を参照）。但し、本変形例では、第１の位置調整工程Ｓ２１において０次光Ａ０が入射した光入出力ポート１１ａを挟んで互いに対称な位置に配置されている入出力ポート（例えば、入出力ポート１１ｂ及び１１ｅ。本変形例における第２及び第３の光入出力ポート）に到達する光の強度を測定することが好ましい。そして、アライメント工程Ｓ２３において、これらのパワーモニタ３２，３３における光強度の検出値に基づき、位相変調素子１７の向きの調整を行う。
【００５７】
図１５（ａ）〜図１５（ｅ）は、本変形例の工程Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ１２，及びＳ２３における、位相変調素子１７の調整方法を概略的に示す図である。図１５（ａ）〜図１５（ｆ）には、一例として、Ｚ軸方向から見た３つの光入出力ポート１１ａ，１１ｂ及び１１ｅと、これらの光入出力ポート１１ａ，１１ｂ及び１１ｅに入射すべき光（０次光Ｌ３４及び回折光Ｌ３２，Ｌ３３）とが重ねて示されている。なお、破線Ａ１，Ａ２及び基準点Ｂ１，Ｂ２の定義は上記実施形態と同じである。
【００５８】
いま、図１５（ａ）に示されるように、破線Ａ１に対して破線Ａ２が傾斜しており、基準点Ｂ１に対して基準点Ｂ２の位置がずれている状態を想定する。第１の位置調整工程Ｓ２１及びＳ２２では、この状態から、位相変調素子１７をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ａでの光強度が極大となる位置を探索し、図１５（ｂ）に示されるように基準点Ｂ２を基準点Ｂ１に近づける。
【００５９】
次の光強度測定工程Ｓ１２では、位相変調素子１７に呈示させる位相変調パターンを第３の位相変調パターンから第１の位相変調パターンに切り替える。これにより、図１５（ｃ）に示されるように、０次光である光Ｌ３４に加えて、２次光や−２次光といった光Ｌ３２，Ｌ３３が発現する。そして、アライメント工程Ｓ２３では、まず、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を調整しながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅでの光強度が極大となる角度を探索し、図１５（ｄ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きに近づける。続いて、位相変調素子１７のＹ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｂでの光Ｌ３２の光強度と光入出力ポート１１ｅでの光Ｌ３３の光強度とを互いに近づける（図１５（ｅ））。
【００６０】
再び図１３を参照する。アライメント工程Ｓ２３ののち、波長選択スイッチ１Ａの筐体に位相変調素子を固定する（固定工程Ｓ１４）。その後、例えば筐体の真空封止を行うことにより、波長選択スイッチ１Ａが完成する。
【００６１】
本変形例では、まず第１の位置調整工程Ｓ２１，Ｓ２２において位相変調素子１７の位置を調整し、その後に光強度測定工程Ｓ１２及びアライメント工程Ｓ２３において位相変調素子１７の向きを調整している。このような方法によって、位相変調素子１７のアライメントを短時間で且つ精度良く行うことができる。
【００６２】
（第２の変形例）
図１６は、上記実施形態の第２変形例に係る波長選択スイッチ１Ａの製造方法を示すフローチャートである。本変形例と上記実施形態との相違点は、光強度測定工程Ｓ１２及びアライメント工程Ｓ１３に代えて光強度測定工程Ｓ３１及びアライメント工程Ｓ３２を備える点、および第２の位置調整工程Ｓ３３，Ｓ３４をアライメント工程Ｓ３２と固定工程Ｓ１４との間に更に備える点である。
【００６３】
本変形例の光強度測定工程Ｓ３１では、光強度測定工程Ｓ１２の第１の位相変調パターンとは異なる第２の位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させる。図１７（ａ）は、本変形例の光強度測定工程Ｓ３１において用いられる第２の位相変調パターンの、偏向方向における位相分布を示すグラフである。また、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の位相分布が位相変調素子１７に呈示された場合における、光入出力部１０に到達する光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【００６４】
図１７（ａ）に示されるように、第２の位相変調パターンでは、偏向方向において非周期的に位相変調量が変化している。ここで、非周期的とは、ランダムな周期でもって位相値が変化することをいう。このような第２の位相変調パターンが位相変調素子１７に呈示されると、図１７（ｂ）に示されるように、−１次光や２次光といった高次光が減少し、フロアノイズが増大する。これにより、光入出力部１０へ向かう光がポート配列方向に伸び、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅに跨がるように拡散する。その結果、光が二以上の光入出力ポートに入射することとなる。本変形例では、該二以上の光入出力ポートにおける光強度に基づいて、アライメント工程Ｓ３２における位相変調素子１７の位置および向きの調整を行う。
【００６５】
また、アライメント工程Ｓ３２では、位相変調素子１７のポート配列方向（すなわちＸ軸方向。偏向方向ともいう）を除く他の方向成分の位置、及び位相変調素子１７の向きを調整する。
【００６６】
また、第２の位置調整工程Ｓ３３，Ｓ３４では、上記実施形態の光強度測定工程Ｓ１２及びアライメント工程Ｓ１３と同様に、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターン（第４の位相変調パターン。第４の位相変調パターンは、第１の位相変調パターンと異なってもよく、同一であってもよい。）を位相変調素子１７に呈示させつつ、一の光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ａ）から光を入力し、少なくとも一つの光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｅ）に到達した光の強度を測定し、Ｘ軸方向における位相変調素子１７の位置を、その光強度に基づいて調整する。
【００６７】
図１８（ａ）〜図１８（ｆ）は、本変形例の工程Ｓ３１〜Ｓ３４における、位相変調素子１７の調整方法を概略的に示す図である。図１８（ａ）〜図１８（ｆ）には、一例として、Ｚ軸方向から見た２つの光入出力ポート１１ｂ及び１１ｅと、これらの光入出力ポート１１ｂ及び１１ｅに入射すべき光（第２の位相変調パターンによって生じる光Ｌ３５、及び第４の位相変調パターンによって生じる回折光Ｌ３２，Ｌ３３）とが重ねて示されている。なお、破線Ａ１，Ａ２及び基準点Ｂ１，Ｂ２の定義は上記実施形態と同じである。
【００６８】
図１８（ａ）では、第２の位相変調パターンが呈示されており、破線Ａ２が破線Ａ１に対して傾斜しており、基準点Ｂ１に対して基準点Ｂ２がずれている状態を想定する。光強度測定工程Ｓ３１及びアライメント工程Ｓ３２では、まず、この状態から、位相変調素子１７をＹ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ｂでの光強度と光入出力ポート１１ｅでの光強度とを互いに近づけ、図１８（ｂ）に示されるように基準点Ｂ２を基準点Ｂ１に近づける。次に、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を調整しながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅでの光強度が極大となる角度を探索し、図１８（ｃ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きに近づける。続いて、位相変調素子１７のＹ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｂでの光Ｌ３５の光強度と光入出力ポート１１ｅでの光Ｌ３５の光強度とを互いに近づける（図１８（ｄ））。
【００６９】
続いて、第２の位置調整工程Ｓ３３，Ｓ３４を行うために、位相変調素子１７に呈示するパターンを第４の位相変調パターンに切り替える。このとき、光入出力部１０には、図１８（ｅ）に示されるように、少なくとも一つの回折光（図では光Ｌ３２を代表して示す）が入射する。そこで、第２の位置調整工程Ｓ３３，Ｓ３４では、位相変調素子１７をＸ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ｂでの光強度が極大となる位置を探索し、図１８（ｆ）に示されるように基準点Ｂ２のＸ軸方向位置を基準点Ｂ１に近づける。最後に、Ｚ軸の微調整を行っても良い。
【００７０】
本変形例では、光強度測定工程Ｓ３１において第２の位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させているが、第２の位相変調パターンでは、光入出力部１０へ向かう光がＸ軸方向に伸びるように拡がるので、Ｘ軸方向の調整は難しくなる。この場合、本変形例のように、光強度測定工程Ｓ３１及びアライメント工程Ｓ３２においてＸ軸方向を除く他の方向成分の位置を調整しておき、Ｘ軸方向の位置調整に関しては、他の位相変調パターンや他の方法（例えば、第２の位置調整工程Ｓ３３，Ｓ３４）を用いて行うとよい。
【００７１】
（第３の変形例）
図１９は、第３変形例に係る波長選択スイッチ１Ａの製造方法を示すフローチャートである。本変形例に係る製造方法は、前述した第２変形例に加えて、第１変形例と同様の第１の位置調整工程Ｓ２１及びＳ２２を、配置工程Ｓ１１と光強度測定工程Ｓ３１との間に備える。また、本変形例に係る製造方法では、前述した第２変形例の第２の位置調整工程Ｓ３３，Ｓ３４が省略されている。更に、本変形例に係る製造方法は、第２変形例のアライメント工程Ｓ３２に代えて、アライメント工程Ｓ３５を備える。アライメント工程Ｓ３５では、アライメント工程Ｓ３２とは異なり、位相変調素子１７の向きのみを調整する。
【００７２】
図２０（ａ）〜図２０（ｅ）は、本変形例の工程Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ３１及びＳ３５における、位相変調素子１７の調整方法を概略的に示す図である。図２０（ａ）〜図２０（ｅ）には、一例として、Ｚ軸方向から見た２つの光入出力ポート１１ａ及び１１ｂと、これらの光入出力ポート１１ａ及び１１ｂに入射すべき光（第３の位相変調パターンによって生じる０次光Ｌ３４、及び第２の位相変調パターンによって生じる光Ｌ３５）とが重ねて示されている。なお、破線Ａ１，Ａ２及び基準点Ｂ１，Ｂ２の定義は上記実施形態と同じである。
【００７３】
いま、図２０（ａ）に示されるように、破線Ａ１に対して破線Ａ２が傾斜しており、基準点Ｂ１に対して基準点Ｂ２の位置がずれている状態を想定する。第１の位置調整工程Ｓ２１及びＳ２２では、この状態から、位相変調素子１７をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ａでの光強度が極大となる位置を探索し、図２０（ｂ）に示されるように基準点Ｂ２を基準点Ｂ１に近づける。
【００７４】
次に、光強度測定工程Ｓ３１及びアライメント工程Ｓ３５を行うために、位相変調素子１７に呈示するパターンを第２の位相変調パターンに切り替える。このとき、光入出力部１０には、図２０（ｃ）に示されるように、偏向方向に伸びる光Ｌ３５が入射する。この状態から、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を調整しながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅでの光強度が極大となる角度を探索し、図２０（ｄ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きに近づける。続いて、位相変調素子１７のＹ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｂでの光Ｌ３５の光強度と光入出力ポート１１ｅでの光Ｌ３５の光強度とを互いに近づける（図２０（ｅ））。
【００７５】
本変形例では、まず第１の位置調整工程Ｓ２１，Ｓ２２において位相変調素子１７の位置を調整し、その後に光強度測定工程Ｓ３１及びアライメント工程Ｓ３５において位相変調素子１７の向きを調整している。このような方法によって、位相変調素子１７のアライメントを短時間で且つ精度良く行うことができる。また、光強度測定工程Ｓ３１において第２の位相変調パターンを用いる場合であっても、第１の位置調整工程Ｓ２１，Ｓ２２においてＸ軸方向の位置調整を好適に行うことができる。
【００７６】
本発明による波長選択スイッチの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態及び第２変形例では、アライメント工程において位相変調素子の位置および向きの双方を調整しているが、アライメント工程では、必要に応じて位相変調素子の位置および向きのうち一方のみを調整してもよい。
【符号の説明】
【００７７】
１Ａ…波長選択スイッチ、１０…光入出力部、１１，１１ａ〜１１ｅ…光入出力ポート、１３…コリメータレンズ、１４…アナモルフィック光学系、１５…波長分散素子、１６…集光レンズ、１７…位相変調素子、１７ａ…変調面、２０…制御部、３１…光源、３２，３３…パワーモニタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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