(57)【要約】【課題】ステージの保持面において基板を保持するのに有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を保持する保持面を含むステージと、前記基板を前記ステージに渡す基板搬送系と、前記保持面における前記基板の保持状態に関する情報を取得する取得部と、前記基板搬送系が前記基板を前記ステージに渡す際の前記保持面上における搬送位置を決定する処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記ステージが前記保持面上における複数の位置のそれぞれで前記基板を保持したときに前記取得部によって取得される情報に基づいて、前記基板搬送系が前記基板を前記ステージに渡す前記搬送位置を決定することを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。【選択図】図１
2015082610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持する保持面を含むステージと、
前記基板を前記ステージに渡す基板搬送系と、
前記保持面における前記基板の保持状態に関する情報を取得する取得部と、
前記基板搬送系が前記基板を前記ステージに渡す際の前記保持面上における搬送位置を決定する処理を行う処理部と、を有し、
前記処理部は、前記ステージが前記保持面上における複数の位置のそれぞれで前記基板を保持したときに前記取得部によって取得される情報に基づいて、前記基板搬送系が前記基板を前記ステージに渡す前記搬送位置を決定することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記保持面を介して前記基板を真空吸着する真空ラインを更に有し、
前記取得部は、前記基板を真空吸着したときの前記真空ラインの内部の圧力値を前記情報として検出する圧力検出部を含み、
前記処理部は、前記複数の位置のそれぞれで前記基板を保持したときに前記圧力検出部によって検出される圧力値が規定値以下となる位置を、前記搬送位置として決定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記複数の位置は、前記搬送位置の候補位置として前記保持面の中心から第１方向及び前記第１方向とは反対方向の第２方向に沿って配列され、
前記処理部は、前記第１方向に沿って配列された候補位置のうち、前記圧力検出部によって検出される圧力値が前記規定値以下となる１つの第１候補位置を求め、前記第２方向に沿って配列された候補位置のうち、前記圧力検出部によって検出される圧力値が前記規定値以下となる１つの第２候補位置を求め、前記第１候補位置と前記第２候補位置との間の位置を、前記搬送位置として決定することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第１候補位置及び前記第２候補位置は、前記圧力検出部によって検出される圧力値が前記規定値以下となる候補位置のうち、前記保持面の中心から最も遠い位置の候補位置であることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記第１候補位置と前記第２候補位置との間の中間の位置を、前記搬送位置として決定することを特徴とする請求項３又は４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記取得部は、前記基板を前記保持面で保持したときの前記基板の高さを前記情報として検出する高さ検出部を含み、
前記処理部は、前記複数の位置のそれぞれで前記基板を前記ステージに渡したときに前記高さ検出部によって検出される高さが規定範囲内となる位置を、前記搬送位置として決定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記高さ検出部は、前記基板を前記保持面で吸着したときの前記基板の複数箇所の高さを検出し、
前記処理部は、前記複数の位置のうち、前記高さ検出部によって検出される前記複数箇所の高さが前記規定範囲内となる箇所の数が最も多い位置を、前記搬送位置として決定することを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
基板を保持する保持面を含むステージと、前記基板を前記ステージに渡す基板搬送系とを有するリソグラフィ装置において、前記基板搬送系が前記基板を前記ステージに渡す際の前記保持面上における搬送位置を決定する決定方法であって、
前記ステージが前記保持面上における複数の位置のそれぞれで前記基板を保持したときに、前記保持面における前記基板の保持状態に関する情報を取得する第１ステップと、
前記複数の位置のそれぞれについて前記第１ステップで取得された情報に基づいて、前記搬送位置を決定することを特徴とする決定方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、決定方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの製造技術、特に、微細加工技術の進展が著しく、それに伴い、１つの基板から取得可能なチップ数も増加傾向にある。従って、基板の周辺部のエッジショット（パーシャルショット）においても有効なチップを確保し、１つの基板から取得される有効なチップ数を多くする（即ち、歩留まりを向上させる）ための技術が必要とされている。
【０００３】
一方、半導体デバイスの微細化が進み、例えば、リソグラフィ装置の１つである露光装置においては、投影光学系が高ＮＡ化することによって、焦点深度が狭まる傾向にある。従って、露光装置には、基板の周辺部まで、所定の線幅を維持して（即ち、デフォーカスさせずに）パターンを転写することが要求されている。但し、基板チャック（保持面）による基板保持能力が低いと、基板の周辺部の形状が大きく変化してしまうため、基板の周辺部で焦点深度を確保することは、基板の中心部と比べて、より難しい傾向にある。
【０００４】
デフォーカスを最小限にするためには、基板チャックによる基板保持能力を最大限に発揮させる必要がある。従って、基板チャックに対して、基板を最適な位置関係、即ち、基板チャックの中心と基板の中心とを一致させて偏りがない状態にすることが重要となる。
【０００５】
そこで、マークが形成（パターニング）された基板を搬送し、かかる基板が基板チャックに保持された際にマークをスコープで検出し、基板チャックに保持された基板のずれ量を求めてフィードバックする技術が提案されている（特許文献１参照）。また、基板チャックに保持された基板のずれ量に関わらず、基板の表面から真空圧を与えて（即ち、機械的に押さえて）基板を基板チャックに密着させ、基板チャックに保持された基板の平坦度を向上させる技術も提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４４９３２７２号公報
【特許文献２】特公平５−０８７００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の技術は、基板に形成されたマークの位置に基づいて基板チャックと基板との位置関係を調整しているため、基板に形成されたマークの位置が設定位置からずれていた場合、基板チャックの中心と基板の中心とを一致させることができない。また、基板に形成されたマークをスコープで検出するため、かかるスコープ自身の取り付け誤差などによって検出誤差が生じてしまう可能性がある。
【０００８】
一方、特許文献２の技術のように、基板の表面から機械的に押さえつける場合には、基板に形成されたデバイスパターンを傷つけてしまったり、基板に異物を付着させてしまったりすることがある。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、ステージの保持面において基板を保持するのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を保持する保持面を含むステージと、前記基板を前記ステージに渡す基板搬送系と、前記保持面における前記基板の保持状態に関する情報を取得する取得部と、前記基板搬送系が前記基板を前記ステージに渡す際の前記保持面上における搬送位置を決定する処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記ステージが前記保持面上における複数の位置のそれぞれで前記基板を保持したときに前記取得部によって取得される情報に基づいて、前記基板搬送系が前記基板を前記ステージに渡す前記搬送位置を決定することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、ステージの保持面において基板を保持するのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す露光装置において、基板搬送系と基板ステージとの関係を示す概略図である。
【図３】従来技術における基板ステージへの基板の搬送を説明するための図である。
【図４】従来技術における基板ステージへの基板の搬送を説明するための図である。
【図５】図１に示す露光装置において、基板搬送系が基板を基板ステージに渡す際の基板チャックにおける搬送位置を決定する処理を説明するためのフローチャートである。
【図６】基板搬送系が基板を基板ステージに渡す際の基板チャックにおける位置（Ｘ軸方向）と、各位置に対応する真空ラインの内部の圧力値との関係を示す図である。
【図７】基板搬送系が基板を基板ステージに渡す際の基板チャックにおける基板の搬送位置を示す図である。
【図８】基板搬送系が基板を基板ステージに渡す際の基板チャックにおける基板の搬送位置を示す図である。
【図９】フォーカス検出部によって基板の高さが検出された有効検出数を候補位置ごとに示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、マスク（原版）のパターンを基板に転写する、即ち、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置である。露光装置１は、照明光学系１０１と、マスク１０２を保持して移動可能なマスクステージ（不図示）と、投影光学系１０３と、基板１０４を保持して移動可能な基板ステージ１０６とを有する。また、露光装置１は、真空ライン１０７と、圧力検出部１０８と、フォーカス検出部１０９と、基板搬送系１１０と、制御部１１１とを有する。
【００１６】
照明光学系１０１は、光源からの光を用いて、マスク１０２を照明するための光学系である。マスク１０２は、基板１０４に転写すべきパターン（デバイスパターン）を有し、マスクステージに保持されて投影光学系１０３の物体面に配置される。投影光学系１０３は、照明光学系１０１によって照明されたマスク１０２のパターン（の像）を基板１０４に投影する光学系である。
【００１７】
基板ステージ１０６は、基板１０４を保持する保持面として機能する基板チャック１０５を含む。例えば、基板チャック１０５は、基板１０４を吸着することで基板１０４を保持している。基板チャック１０５には、真空ライン１０７が接続され、基板１０４の真空吸着ができるようになっている。真空ライン１０７は、その内部を減圧することによって、基板チャック１０５を介して基板１０４を真空吸着する。
【００１８】
圧力検出部１０８は、基板チャック１０５における基板１０４の保持状態に関する情報を取得する取得部として機能し、かかる情報として、基板１０４を真空吸着する際の圧力値を検出する。具体的には、圧力検出部１０８は、真空ライン１０７によって、基板チャック１０５を介して基板１０４を真空吸着したときの真空ライン１０７の内部の圧力値を検出する。
【００１９】
フォーカス検出部（高さ検出部）１０９は、基板チャック１０５における基板１０４の保持状態に関する情報を取得する取得部として機能し、かかる情報として、基板チャック１０５に保持された基板１０４の高さを検出する。具体的には、フォーカス検出部１０９は、真空ライン１０７によって、基板チャック１０５を介して基板１０４を真空吸着したときの基板１０４の高さを検出する。また、フォーカス検出部１０９は、基板チャック１０５を介して基板１０４を真空吸着したときの基板１０４の複数箇所の高さを検出することも可能である。
【００２０】
基板搬送系１１０は、露光装置１において、基板１０４を搬送する。例えば、基板搬送系１１０は、図２に示すように、マスク１０２のパターンが転写される基板１０４を搬入し、かかる基板１０４を基板ステージ１０６に渡す。図２は、基板１０４を搬送する基板搬送系１１０と、基板１０４を保持する基板ステージ１０６との関係を示す概略図である。また、基板搬送系１１０は、マスク１０２のパターンが転写された基板１０４を基板ステージ１０６から受け取り、かかる基板１０４を露光装置１の外部に搬出する。
【００２１】
制御部１１１は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１の全体（動作）を制御する。例えば、制御部１１１は、基板１０４を露光する露光処理を行う。また、制御部１１１は、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５（即ち、保持面上）における搬送位置を決定する処理も行う（処理部として機能する）。
【００２２】
ここで、基板搬送系１１０による基板１０４の搬送について詳細に説明する。従来技術では、図３に示すように、基板１０４が基板チャック１０５に保持された際に、基板１０４に形成されたマークＭをスコープ１００９で検出し、基板チャック１０５に保持された基板１０４のずれ量を求めてフィードバックしている。しかしながら、この場合、基板１０４に形成されたマークＭの位置精度（設計位置からのずれ）やスコープ１００９の公差によって、実際には、図４に示すように、基板１０４の中心と基板チャック１０５の中心とを一致させることができない。換言すれば、基板１０４と基板チャック１０５との中心位置の関係がずれ、基板チャック１０５に対して基板１０４を最適な位置関係に調整することができない。
【００２３】
そこで、本実施形態では、基板搬送系１１０が基板チャック上（保持面上）における複数の候補位置のそれぞれで基板１０４を基板ステージ１０６に渡したときに取得される基板１０４の保持状態に関する情報に基づいて、搬送位置を決定する。かかる搬送位置とは、上述したように、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック上における位置である。候補位置とは、搬送位置を求める際に基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック上の候補となる位置である。
【００２４】
基板１０４を搬送する際には、基板１０４が基板ステージ１０６から脱落することがないように、真空ライン１０７によって、基板１０４は基板チャック１０５に吸着されている。この際、真空ライン１０７の内部の圧力値（バキューム圧力値）が圧力検出部１０８によって検出され、基板１０４を吸着するのに十分な圧力値が得られている状態でなければ、シーケンスが進まないようなインターロックがかけられている。
【００２５】
本実施形態では、例えば、圧力検出部１０８によって検出される圧力値に基づいて、基板チャック１０５に対する基板１０４の搬送位置を決定（調整）し、基板チャック１０５による基板保持能力（基板矯正力）を最大限に発揮させる。具体的には、基板１０４の送り込み位置と基板ステージ１０６の基板１０４の受け取り位置との関係を変化させ、真空ライン１０７の内部の圧力値が最も変化しない基板１０４の搬送位置を、最適な搬送位置として決定する。換言すれば、基板搬送系１１０が複数の候補位置のそれぞれで基板１０４を基板ステージ１０６に渡したときに圧力検出部１０８によって検出される圧力値が既定値以下となる候補位置を、搬送位置として決定する。
【００２６】
図５を参照して、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置を決定する処理について説明する。かかる処理は、上述したように、制御部１１１が露光装置１の各部を統括的に制御することで行われる。また、複数の候補位置は、基板チャック１０５の中心からＸ軸プラス方向（第１方向）及びＸ軸マイナス方向（第１方向とは反対方向の第２方向）に沿って配列されているものとする。
【００２７】
Ｓ５０２では、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として、設計位置（例えば、基板チャック１０５の中心）を設定する。
【００２８】
Ｓ５０４では、基板搬送系１１０によって基板１０４を搬送し、かかる基板１０４を基板ステージ１０６に渡す。この際、基板搬送系１１０は、Ｓ５０２で設定された設計位置又はＳ５１２で設定された候補位置で基板１０４を基板ステージ１０６に渡す。そして、基板ステージ１０６は、基板搬送系１１０から渡された基板１０４を基板チャック１０５で真空吸着する（保持する）。
【００２９】
Ｓ５０６では、基板チャック１０５が基板１０４を真空吸着した状態において、圧力検出部１０８によって真空ライン１０７の内部の圧力値を検出する。換言すれば、基板チャック１０５が基板１０４を真空吸着したときの真空ライン１０７の内部の圧力値を検出する。
【００３０】
Ｓ５０８では、Ｓ５０６において検出された圧力値を、Ｓ５０２で設定された設計位置又はＳ５１２で設定された候補位置と対応付けて記憶する。かかる圧力値は、制御部１１１のメモリなどに記憶してもよいし、露光装置１に設けられたその他の記憶部に記憶してもよい。また、基板搬送系１１０によって、基板ステージ１０６から基板１０４を回収する。
【００３１】
Ｓ５１０では、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として、Ｘ軸プラス方向に配列された全ての候補位置を設定したかどうかを判定する。Ｘ軸プラス方向に配列された全ての候補位置を設定した場合には、Ｓ５１４に移行する。また、Ｘ軸プラス方向に配列された全ての候補位置を設定していない場合には、Ｓ５１２に移行する。
【００３２】
Ｓ５１２では、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として、Ｘ軸プラス方向に配列された複数の候補位置から１つの候補位置を設定し、Ｓ５０４に移行する。
【００３３】
Ｓ５１４では、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として、Ｘ軸マイナス方向に配列された複数の候補位置から１つの候補位置を設定する。
【００３４】
Ｓ５１６では、基板搬送系１１０によって基板１０４を搬送し、かかる基板１０４を基板ステージ１０６に渡す。この際、基板搬送系１１０は、Ｓ５１４で設定された候補位置で基板１０４を基板ステージ１０６に渡す。そして、基板ステージ１０６は、基板搬送系１１０から渡された基板１０４を基板チャック１０５で真空吸着する（保持する）。
【００３５】
Ｓ５１８では、基板チャック１０５が基板１０４を真空吸着した状態において、圧力検出部１０８によって真空ライン１０７の内部の圧力値を検出する。
【００３６】
Ｓ５２０では、Ｓ５１８において検出された圧力値を、Ｓ５１４で設定された候補位置と対応付けて記憶する。また、基板搬送系１１０によって、基板ステージ１０６から基板１０４を回収する。
【００３７】
Ｓ５２２では、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として、Ｘ軸マイナス方向に配列された全ての候補位置を設定したかどうかを判定する。Ｘ軸マイナス方向に配列された全ての候補位置を設定した場合には、Ｓ５２４に移行する。また、Ｘ軸プラス方向に配列された全ての候補位置を設定していない場合には、Ｓ５１４に移行する。
【００３８】
Ｓ５２４では、Ｓ５０８及びＳ５２０で記憶された圧力値に基づいて、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置を決定する。ここで、設計位置及び候補位置、即ち、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における位置（Ｘ軸方向）に対して、各位置に対応する真空ライン１０７の内部の圧力値をプロットすると、図６（ａ）に示す図が得られる。この結果から、真空ライン１０７の内部の圧力値が最も変化しない位置を、基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として決定する。例えば、真空ライン１０７の内部の圧力値が最も変化しない位置は、搬送位置を変化させた際に、真空ライン１０７の内部の圧力値が変化しない領域の中間位置と考えることができる。具体的には、Ｘ軸プラス方向に沿って配列された候補位置のうち、圧力検出部１０８によって検出される圧力値が規定値以下となる１つの第１候補位置、例えば、基板チャック１０５の中心から最も遠い第１候補位置Ｘ１を求める。同様に、Ｘ軸マイナス方向に沿って配列された候補位置のうち、圧力検出部１０８によって検出される圧力値が規定値以下となる１つの第２候補位置、例えば、基板チャック１０５の中心から最も遠い第１候補位置Ｘ２を求める。そして、第１候補位置Ｘ１と第２候補位置Ｘ２との間の中間の位置Ｘ０（＝（Ｘ１＋Ｘ２）／２）を、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として決定する。ここで、真空ライン１０７の内部の圧力値の規定値とは、基板１０４の吸着圧力が下がり、基板１０４が基板ステージ１０６から落下することがない圧力値である。
【００３９】
また、第１候補位置Ｘ１と第２候補位置Ｘ２との間の中間の位置Ｘ０ではなく、第１候補位置Ｘ１と第２候補位置Ｘ２との間の位置を、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として決定してもよい。搬送位置としては候補位置に限られず、真空ライン１０７の内部の圧力値の規定値以下となる範囲内の位置を搬送位置として決定することができる。また、圧力検出部１０８によって検出される圧力値が規定値以下となる候補位置を、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として決定してもよい。
【００４０】
Ｙ軸方向についても同様に、基板チャック１０５の中心からＹ軸プラス方向及びＹ軸マイナス方向に沿って複数の候補位置を配列させ、Ｓ５０２乃至Ｓ５２４の処理を行えばよい。これにより、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における位置（Ｙ軸方向）に対して、各位置に対応する真空ライン１０７の内部の圧力値をプロットすると、図６（ｂ）に示す散布図が得られる。従って、第１候補位置Ｙ１と第２候補位置Ｙ２との間の中間の位置Ｙ０（＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２）を、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置として決定することができる。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置を最適な位置に調整することが可能であり、基板チャック１０５による基板保持能力を最大限に発揮させることができる。また、基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置が決定されると、かかる搬送位置は、制御部１１１のメモリなどに記憶され、次回の基板搬送時から反映される。
【００４２】
また、図７（ａ）乃至図７（ｃ）に示すように、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置をＸ軸プラス方向に変更しながら、圧力検出部１０８によって真空ライン１０７の内部の圧力値を検出してもよい。この際、基板チャック１０５における搬送位置のＸ軸プラス方向への変更は、真空ライン１０７の内部の圧力値が規定値以下となる位置と、真空ライン１０７の内部の圧力値が規定値よりも大きくなる位置とが検出されるまで繰り返す。同様に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置をＸ軸マイナス方向に変更しながら、圧力検出部１０８によって真空ライン１０７の内部の圧力値を検出する。この際、基板チャック１０５における搬送位置のＸ軸マイナス方向への変更は、真空ライン１０７の内部の圧力値が規定値以下となる位置と、真空ライン１０７の内部の圧力値が規定値よりも大きくなる位置とが検出されるまで繰り返す。
【００４３】
また、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置が、図７（ｃ）、図７（ｂ）、図７（ａ）、図８（ａ）、図８（ｂ）に示す状態に順になるように、基板チャック１０５における搬送位置を変更してもよい。換言すれば、Ｘ軸プラス方向とＸ軸マイナス方向とをわけることなく、基板チャック１０５における搬送位置をＸ軸方向に連続的に変更してもよい。
【００４４】
また、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５におけるＸ軸方向の搬送位置とＹ軸方向の搬送位置とは、完全に独立して求めることが可能であり、互いの結果に影響を受けない。
【００４５】
また、複数の候補位置のピッチを細かくすることで、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置をより高精度に決定することができる。
【００４６】
また、真空ライン１０７の内部の圧力値の代わりに、フォーカス検出部１０９によって検出される基板１０４の高さに基づいて、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置を決定することも可能である。具体的には、複数の候補位置のそれぞれで基板１０４を基板ステージ１０６に渡し、フォーカス検出部１０９によって、基板チャック１０５に吸着された基板１０４の高さを検出する。フォーカス検出部１０９が基板１０４の高さを検出可能なレンジ（検出レンジ）は、数十μｍ程度である。従って、基板１０４が基板チャック１０５に十分に吸着されていない状態では、フォーカス検出部１０９の検出レンジ内に基板１０４の表面がない箇所が発生することになる。換言すれば、フォーカス検出部１０９によって高さが計測できる箇所（有効検出数）が多いほど、基板１０４は平坦な状態で基板チャック１０５に保持されていると考えることができる。そこで、複数の候補位置のそれぞれで基板１０４を基板ステージ１０６に渡したときにフォーカス検出部１０９によって検出された高さが規定範囲内となる候補位置を、基板チャック１０５における搬送位置として決定する。また、フォーカス検出部１０９が基板１０４の複数箇所の高さを検出する場合には、複数の候補位置のうち、検出された複数箇所の高さが規定範囲内となる箇所の数が最も多い候補位置を、基板チャック１０５における搬送位置として決定してもよい。
【００４７】
図９（ａ）は、複数の候補位置をＸ軸方向に４ｍｍピッチで設定し、フォーカス検出部１０９によって基板１０４の高さを検出した場合に、８インチ基板における有効検出数を候補位置ごとに示す図である。図９（ｂ）は、複数の候補位置をＹ軸方向に４ｍｍピッチで設定し、フォーカス検出部１０９によって基板１０４の高さを検出した場合に、８インチ基板における有効検出数を候補位置ごとに示す図である。この場合、候補位置ＰｏｓＸ５を、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５におけるＸ軸方向の搬送位置として決定する。また、候補位置ＰｏｓＹ７を、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５におけるＹ軸方向の搬送位置として決定する。
【００４８】
また、複数の候補位置のそれぞれで基板１０４を基板ステージ１０６に渡し、それぞれの状態で基板１０４を露光して、その露光結果（フォーカス精度）が最も良好な候補位置を、基板チャック１０５における搬送位置として決定することも可能である。この際、ＣＤ（線幅）の均一性でフォーカス精度を確認してもよいし、デフォーカス量が直接的に把握可能なマスクを用いて面内のフォーカス精度を確認してもよい。
【００４９】
また、基板１０４の反り量（形状）が異なる場合には、基板１０４のそれぞれに対する最適な搬送位置（即ち、基板１０４を十分に吸着保持できる位置）が異なる可能性がある。このような場合には、例えば、デバイスのレシピ単位やロット単位で、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置を決定してもよい。具体的には、露光装置１で初めて処理するデバイスでは、初回レシピ実行時に、自動的に基板チャック１０５における搬送位置を決定し、レシピ単位やロット単位で基板チャック１０５における搬送位置を変更可能とする。
【００５０】
露光装置１による露光処理について説明する。光源から発せられた光は、照明光学系１０１を介して、マスク１０２を照明する。マスク１０２を通過してパターンを反映する光は、投影光学系１０３を介して、基板ステージ１０６に保持された基板１０４に結像される。本実施形態では、基板搬送系１１０が基板１０４を基板ステージ１０６に渡す際の基板チャック１０５における搬送位置が最適な位置に決定されているため、基板チャック１０５による基板保持能力を最大限に発揮させることができる。これにより、基板ステージ１０６は、基板１０４を落下させたり、基板１０４を傷つけたりすることなく、基板１０４を保持することができる。従って、露光装置１は、基板１０４の周辺部まで、所定の線幅を維持して（即ち、デフォーカスさせずに）パターンを転写することができ、高いスループットで経済性よく高品位なデバイスななどの物品を提供することができる。
【００５１】
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１を用いて、感光剤が塗布された基板にパターンを形成する工程と、パターンを形成された基板を処理（例えば、現像）する工程を含む。また、上記形成工程につづけて、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、リソグラフィ装置は、露光装置に限定されるものではなく、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線（電子線やイオンビームなど）で基板に描画を行ってパターンを基板に形成する描画装置であってもよい。また、リソグラフィ装置は、基板の上のインプリント材（樹脂など）を型（モールド）により成形（成型）してパターンを基板に形成するインプリント装置であってもよい。更に、本発明は、リソグラフィ装置だけではなく、基板を吸着して保持するステージを有し、基板の平面度が装置性能に影響を与える装置にも適用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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