(57)【要約】      （修正有）【課題】端子におけるインダクタンスを低減することができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置１は、冷却器９０と、第１半導体モジュール１０と、第２半導体モジュール２０と、を備えている。また、半導体装置１は、第１半導体モジュール１０に接続され、第１正極端子１５と、第２半導体モジュール２０に接続され、第２負極端子２５を備えている。第１正極端子１５は、第２負極端子２５に近づくように延びる第１接近部３２と、第１接近部３２から延びる第１延在部３３とを備えている。第２負極端子２５は、第１正極端子１５に近づくように延びる第２接近部４２と、第２接近部４２から延び、第１延在部４３と並行して延びている第２延在部４３とを備えている。冷却器９０は、第１接近部３２と並行して延びている金属の第１対向部７３と、第２接近部４２と並行して延びている金属の第２対向部８３とを備えている。【選択図】図１
2015208115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却器と、
前記冷却器の上側に配置された第１半導体モジュールと、
前記冷却器の下側に配置された第２半導体モジュールと、
前記第１半導体モジュールに接続され、前記第１半導体モジュールへ電力供給する高電位の第１端子と、
前記第２半導体モジュールに接続され、前記第２半導体モジュールへ電力供給する前記第１端子より低電位の第２端子と、を備え、
前記第１端子は、前記第２端子に近づくように延びる第１接近部と、前記第１接近部から延びる第１延在部とを備え、
前記第２端子は、前記第１端子に近づくように延びる第２接近部と、前記第２接近部から延び、前記第１延在部と並行して延びている第２延在部とを備え、
前記冷却器は、前記第１接近部と並行して延びる金属の第１対向部と、前記第２接近部と並行して延びる金属の第２対向部と、を備えている半導体装置。
【請求項２】
前記第１端子と前記第１対向部の間に配置された絶縁性を有する第１部分と、
前記第２端子と前記第２対向部の間に配置された絶縁性を有する第２部分と、を更に備え、
前記第１端子は、前記第１部分を介して前記第１対向部を挟持しており、
前記第２端子は、前記第２部分を介して前記第２対向部を挟持している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１延在部と前記第２延在部の間に配置された絶縁部材を備え、
前記絶縁部材は、前記第１延在部および前記第２延在部の端部から突出している、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、冷却器と、冷却器の上側に配置された上側半導体モジュールと、冷却器の下側に配置された下側半導体モジュールとを備える半導体装置が開示されている。上側半導体モジュールおよび下側半導体モジュールは、封止樹脂の外部に延びる端子をそれぞれ備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−００６５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような半導体装置では、上側半導体モジュールの端子と下側半導体モジュールの端子との距離が遠く、端子の寄生インダクタンスが十分に低減できない可能性がある。そこで本発明は、端子間の距離が近く、端子における寄生インダクタンスを低減することができる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の態様に係る半導体装置は、冷却器と、前記冷却器の上側に配置された第１半導体モジュールと、前記冷却器の下側に配置された第２半導体モジュールと、を備えている。また、半導体装置は、前記第１半導体モジュールに接続され、前記第１半導体モジュールへ電力供給する高電位の第１端子と、前記第２半導体モジュールに接続され、前記第２半導体モジュールへ電力供給する前記第１端子より低電位の第２端子とを備えている。前記第１端子は、前記第２端子に近づくように延びる第１接近部と、前記第１接近部から延びる第１延在部とを備えている。前記第２端子は、前記第１端子に近づくように延びる第２接近部と、前記第２接近部から延び、前記第１延在部と並行して延びている第２延在部とを備えている。前記冷却器は、前記第１接近部と並行して延びる金属の第１対向部と、前記第２接近部と並行して延びる金属の第２対向部と、を備えている。
【０００６】
以上の構成によれば、第１端子の第１延在部と第２端子の第２延在部の距離が近く、第１端子の第１延在部および第１接近部における寄生インダクタンスを低減できるので、第１端子における寄生インダクタンスを低減することができる。また、第２端子の第２延在部および第２接近部における寄生インダクタンスを低減できるので、第２端子における寄生インダクタンスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図１のII-II断面図である。
【図３】図２をＸ方向に視た図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図５】更に他の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図６】更に他の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図７】更に他の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
以下、実施形態について添付図面を参照して説明する。図１に示すように、半導体装置１は、冷却器９０と、冷却器９０の上側（一方側）に配置された第１半導体モジュール１０と、冷却器９０の下側（他方側）に配置された第２半導体モジュール２０とを備えている。第１半導体モジュール１０と第２半導体モジュール２０は、互いに反対側において冷却器９０に固定されている。第１半導体モジュール１０および第２半導体モジュール２０は、冷却器９０を挟持している。冷却器９０と第１半導体モジュール１０の間には第１絶縁部材１１０が配置されている。冷却器９０と第２半導体モジュール２０の間には第２絶縁部材１２０が配置されている。
【０００９】
冷却器９０は、金属製のケーシング９１と、ケーシング９１の内部に配置された金属製の隔壁９２とを備えている。ケーシング９１の内部には、隔壁９２により冷媒が流れる流路９５が形成されている。ケーシング９１の内部には冷媒が流れる。冷却器９０は第１半導体モジュール１０と第２半導体モジュール２０の間に配置されている。冷却器９０は第１半導体モジュール１０と第２半導体モジュール２０を冷却することができる。
【００１０】
第１半導体モジュール１０は、互いに隣り合う第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２を備えている。また、第１半導体モジュール１０は、第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２の上側に配置された上側放熱板１３と、第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２の下側に配置された下側放熱板１４とを備えている。また、第１半導体モジュール１０には、下側放熱板１４から外部へ延びる第１正極端子１５と、上側放熱板１３から外部へ延びる第１負極端子１６が接続されている。第１正極端子１５および第１負極端子１６は、第１半導体モジュール１０へ電力供給する。また、第１半導体モジュール１０は、これらの構成を封止する封止樹脂１７を備えている。
【００１１】
第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２としては、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＦＷＤ（Free Wheeling Diode）を用いることができる。ＩＧＢＴ及びＦＷＤを用いる場合、例えば第１半導体チップ１１をＩＧＢＴとし、第２半導体チップ１２をＦＷＤとして、第１半導体チップ１１と第２半導体チップ１２を逆並列の状態で配置することができる。半導体チップがＩＧＢＴである場合、半導体チップの内部にはゲート領域、エミッタ領域、コレクタ領域等が形成されている（図示省略）。また、半導体チップがＦＷＤである場合、半導体チップの内部にはアノード領域、カソード領域等が形成されている（図示省略）。
【００１２】
第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２は、それぞれ、上側放熱板１３と下側放熱板１４に固定されている。第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２と上側放熱板１３との間には、それぞれスペーサー１８が配置されている。第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２の上面が、それぞれ、はんだ１９およびスペーサー１８を介して上側放熱板１３に固定されている。第１半導体チップ１１及び第２半導体チップ１２の下面が、それぞれ、はんだ１９を介して下側放熱板１４に固定されている。
【００１３】
上側放熱板１３、下側放熱板１４、およびスペーサー１８は、例えば銅やアルミニウム等の導電性及び熱伝導性を有する金属から形成されている。封止樹脂１７は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性を有する樹脂から形成されている。
【００１４】
第２半導体モジュール２０は、互いに隣り合う第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２を備えている。また、第２半導体モジュール２０は、第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２の上側に配置された上側放熱板２３と、第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２の下側に配置された下側放熱板２４とを備えている。また、第２半導体モジュール２０には、上側放熱板２３から外部へ延びる第２負極端子２５と、下側放熱板２４から外部へ延びる第２正極端子２６が接続されている。第２負極端子２５および第２正極端子２６は、第２半導体モジュール２０へ電力供給する。また、第２半導体モジュール２０は、これらの構成を封止する封止樹脂２７を備えている。
【００１５】
第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２としては、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＦＷＤ（Free Wheeling Diode）を用いることができる。ＩＧＢＴ及びＦＷＤを用いる場合、例えば第３半導体チップ２１をＩＧＢＴとし、第４半導体チップ２２をＦＷＤとして、第３半導体チップ２１と第４半導体チップ２２を逆並列の状態で配置することができる。半導体チップがＩＧＢＴである場合、半導体チップの内部にはゲート領域、エミッタ領域、コレクタ領域等が形成されている（図示省略）。また、半導体チップがＦＷＤである場合、半導体チップの内部にはアノード領域、カソード領域等が形成されている（図示省略）。
【００１６】
第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２は、それぞれ、上側放熱板２３と下側放熱板２４に固定されている。第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２と上側放熱板２３との間には、それぞれスペーサー２８が配置されている。第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２の上面が、それぞれ、はんだ２９およびスペーサー２８を介して上側放熱板２３に固定されている。第３半導体チップ２１及び第４半導体チップ２２の下面が、それぞれ、はんだ２９を介して下側放熱板２４に固定されている。
【００１７】
上側放熱板２３、下側放熱板２４、およびスペーサー２８は、例えば銅やアルミニウム等の導電性及び熱伝導性を有する金属から形成されている。封止樹脂２７は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性を有する樹脂から形成されている。
【００１８】
第１正極端子１５は、例えば銅やアルミニウム等の導電性及び熱伝導性を有する金属から形成されている。第１正極端子１５は第１半導体モジュール１０の下側放熱板１４に固定されている。第１正極端子１５は下側放熱板１４から側方に延びている。第１正極端子１５は、板状の屈曲した部材である。第１正極端子１５には、下側放熱板１４に接続された第１引出部３１と、第１引出部３１に接続された第１接近部３２と、第１接近部３２に接続された第１延在部３３が形成されている。
【００１９】
第１半導体モジュール１０の第１正極端子１５は、Ｐ側の端子である。第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２としてＩＧＢＴを用いる場合、第１正極端子１５は、第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２のコレクタ領域に接続されている。また、第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２としてＦＷＤを用いる場合、第１正極端子１５は、第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２のアノード領域に接続されている。第１正極端子１５は、第１半導体モジュール１０への電圧印加時に、第１負極端子１６より高電位になる。
【００２０】
第１正極端子１５の第１引出部３１は、下側放熱板１４から封止樹脂１７の外部に向かって延びている。第１引出部３１は封止樹脂１７から外部に引き出されている。第１接近部３２は、第１引出部３１から第２負極端子２５に向かって延びている。第１接近部３２は、第２負極端子２５に近づくように延びている。第１接近部３２は、第１引出部３１と第１延在部３３の間に形成されている。第１延在部３３は、第１接近部３２から側方に延びている。第１延在部３３は、冷却器９０から離れる方向に延びている。
【００２１】
第１負極端子１６は、例えば銅やアルミニウム等の導電性及び熱伝導性を有する金属から形成されている。第１負極端子１６は第１半導体モジュール１０の上側放熱板１３に固定されている。第１負極端子１６は上側放熱板１３から側方に延びている。第１負極端子１６は、板状の屈曲した部材である。
【００２２】
第１負極端子１６は、Ｎ側の端子である。第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２としてＩＧＢＴを用いる場合、第１負極端子１６は、第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２のエミッタ領域に接続されている。また、第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２としてＦＷＤを用いる場合、第１負極端子１６は、第１半導体チップ１１又は第２半導体チップ１２のカソード領域に接続されている。
【００２３】
第２負極端子２５は、例えば銅やアルミニウム等の導電性及び熱伝導性を有する金属から形成されている。第２負極端子２５は第２半導体モジュール２０の上側放熱板２３に固定されている。第２負極端子２５は上側放熱板２３から側方に延びている。第２負極端子２５は、板状の屈曲した部材である。第２負極端子２５には、上側放熱板２３に接続された第２引出部４１と、第２引出部４１に接続された第２接近部４２と、第２接近部４２に接続された第２延在部４３が形成されている。
【００２４】
第２負極端子２５は、Ｎ側の端子である。第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２としてＩＧＢＴを用いる場合、第２負極端子２５は、第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２のエミッタ領域に接続されている。また、第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２としてＦＷＤを用いる場合、第２負極端子２５は、第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２のカソード領域に接続されている。
【００２５】
第２負極端子２５の第２引出部４１は、上側放熱板２３から封止樹脂２７の外部に向かって延びている。第２引出部４１は封止樹脂２７から外部に引き出されている。第２接近部４２は、第２引出部４１から第１半導体モジュール１０の第１正極端子１５に向かって延びている。第２接近部４２は、第１半導体モジュール１０の第１正極端子１５に近づくように延びている。第２接近部４２は、第２引出部４１と第２延在部４３の間に形成されている。第２延在部４３は、第２接近部４２から側方に延びている。第２延在部４３は、冷却器９０から離れる方向に延びている。
【００２６】
第２正極端子２６は、例えば銅やアルミニウム等の導電性及び熱伝導性を有する金属から形成されている。第２正極端子２６は第２半導体モジュール２０の下側放熱板２４に固定されている。第２正極端子２６は下側放熱板２４から側方に延びている。第２正極端子２６は、板状の屈曲した部材である。
【００２７】
第２正極端子２６は、Ｐ側の端子である。第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２としてＩＧＢＴを用いる場合、第２正極端子２６は、第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２のコレクタ領域に接続されている。また、第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２としてＦＷＤを用いる場合、第２正極端子２６は、第３半導体チップ２１又は第４半導体チップ２２のアノード領域に接続されている。第２正極端子２６は、第２半導体モジュール２０への電圧印加時に、第２負極端子２５より高電位になる。
【００２８】
第１正極端子１５の第１延在部３３と第２負極端子２５の第２延在部４３は、向かい合って並行して延びている。第１延在部３３と第２延在部４３は、接近して隣り合っている。第１正極端子１５は、電圧印加時に、第２負極端子２５より高電位になる。第２負極端子２５は、電圧印加時に、第１正極端子１５より低電位になる。
【００２９】
第１正極端子１５と第２負極端子２５の間には、第３絶縁部材５０が配置されている。第３絶縁部材５０は、第１正極端子１５の表面に塗布された絶縁膜および第２負極端子２５の表面に塗布された絶縁膜により形成されている。第３絶縁部材５０は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性を有する樹脂から形成されている。第３絶縁部材５０は、第１正極端子１５と第２負極端子２５の間を絶縁している。
【００３０】
第３絶縁部材５０は、端子絶縁部５３、第１部分５１および第２部分５２を備えている。端子絶縁部５３は、第１正極端子１５の第１延在部３３と第２負極端子２５の第２延在部４３の間に配置されている。端子絶縁部５３は、第１延在部３３と第２延在部４３の間を絶縁している。端子絶縁部５３は、第１延在部３３および第２延在部４３に沿って延びている。端子絶縁部５３は、第１延在部３３および第２延在部４３と並行して延びている。端子絶縁部５３の長さは第１延在部３３と第２延在部４３の長さより長い。端子絶縁部５３の先端部５３１は第１延在部３３の先端部３３１および第２延在部４３の先端部４３１より側方へ突出している。端子絶縁部５３の先端部５３１は、冷却器９０から離れる方向へ突出している。第１部分５１は、第１正極端子１５と冷却器９０のケーシング９１との間に配置されている。第１部分５１は端子絶縁部５３から上側に張り出している。第１部分５１は、ケーシング９１と第１正極端子１５を絶縁している。第２部分５２は、第２負極端子２５と冷却器９０のケーシング９１との間に配置されている。第２部分５２は端子絶縁部５３から下側に張り出している。第２部分５２は、ケーシング９１と第２負極端子２５を絶縁している。
【００３１】
冷却器９０のケーシング９１は、上側に配置された板状の第１天板部７１、板状の第１接続部７２、および板状の第１対向部７３を備えている。またケーシング９１は、下側に配置された板状の第２天板部８１、板状の第２接続部８２、および板状の第２金属部材８３を備えている。第１天板部７１、第１接続部７２、および第１対向部７３と、第２天板部８１、第２接続部８２、および第２対向部８３とは、互いに対向する位置に形成されている。第１天板部７１、第１接続部７２、第１対向部７３、第２天板部８１、第２接続部８２、および第２対向部８３は、一体的に形成されている。第１正極端子１５および第２負極端子２５は、第３絶縁部材５０の第１部分５１および第２部分５２を介してケーシング９１の第１対向部７３および第２対向部８３を挟持している。第１正極端子１５は、第１部分５１を介して第１対向部７３を挟持している。第２負極端子２５は、第２部分５２を介して第２対向部８３を挟持している。
【００３２】
上側の第１天板部７１は、第１半導体モジュール１０と向かい合っている。第１天板部７１の上には、第１絶縁部材１１０が配置されている。第１絶縁部材１１０は、第１半導体モジュール１０と冷却器９０に接している。第１絶縁部材１１０の上に第１半導体モジュール１０が配置されている。第１絶縁部材１１０は、第１半導体モジュール１０と冷却器９０を絶縁している。第１半導体モジュール１０は第１絶縁部材１１０を介して冷却器９０に接している。第１絶縁部材１１０は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性を有する樹脂から形成されている。
【００３３】
第１接続部７２は、第１天板部７１と第１対向部７３を接続している。第１対向部７３は、第１正極端子１５の第１接近部３２と向かい合っている。第１対向部７３は第１接近部３２と隣接している。第１対向部７３は第１接近部３２と並行して延びている。第１対向部７３は第１接近部３２に沿って形成されている。第１対向部７３は導電性を有している。第１対向部７３と第１接近部３２の間には、第３絶縁部材５０の第１部分５１が配置されている。第１部分５１は、第１対向部７３と第１接近部３２を絶縁している。第１部分５１は、第１対向部７３を覆っている。第１部分５１は、第１対向部７３を保持している。第１部分５１は、第１対向部７３の先端部７３１を覆っている。
【００３４】
下側の第２天板部８１は、第２半導体モジュール２０と向かい合っている。第２天板部８１の下には、第２絶縁部材１２０が配置されている。第２絶縁部材１２０は、第２半導体モジュール２０と冷却器９０に接している。第２絶縁部材１２０の下に第２半導体モジュール２０が配置されている。第２絶縁部材１２０は、第２半導体モジュール２０と冷却器９０を絶縁している。第２半導体モジュール２０は第２絶縁部材１２０を介して冷却器９０に接している。第２絶縁部材１２０は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性を有する樹脂から形成されている。
【００３５】
第２接続部８２は、第２天板部８１と第２対向部８３を接続している。第２対向部８３は、第２負極端子２５の第２接近部４２と向かい合っている。第２対向部８３は第２接近部４２と隣接している。第２対向部８３は第２接近部４２と並行して延びている。第２対向部８３は第２接近部４２に沿って形成されている。第２対向部８３は導電性を有している。第２対向部８３と第２接近部４２の間には、第３絶縁部材５０の第２部分５２が配置されている。第２部分５２は、第２対向部８３と第２接近部４２を絶縁している。第２部分５２は、第２対向部８３を覆っている。第２部分５２は、第２対向部８３を保持している。第２部分５２は、第２対向部８３の先端部８３１を覆っている。
【００３６】
上記の構成を備える半導体装置１によれば、第１半導体モジュール１０の第１正極端子１５と第１負極端子１６の間に電圧を印加すると、第１正極端子１５と第１負極端子１６の間に電流が流れる。また、第２半導体モジュール２０の第２負極端子２５と第２正極端子２６の間に電圧を印加すると、第２負極端子２５と第２正極端子２６の間に電流が流れる。正極端子とは、半導体モジュールへの電圧印加時に高電位となる端子であり、負極端子とは、半導体モジュールへの電圧印加時に低電位となる端子である。第１半導体モジュール１０の第１正極端子１５と第２半導体モジュール２０の第２負極端子２５の極性が反対であるので、図１に矢印で示すように、第１正極端子１５と第２負極端子２５には反対の電流が流れる。したがって、互いに向かい合う第１正極端子１５の第１延在部３３と第２負極端子２５の第２延在部４３には反対の電流が流れる。
【００３７】
第１半導体モジュール１０の第１正極端子１５および第２半導体モジュール２０の第２負極端子２５では、電流が流れることにより磁場が生じる。このとき、互いに向かい合う第１正極端子１５の第１延在部３３と第２負極端子２５の第２延在部４３では、反対の電流が流れているので反対の磁場が生じる。このため、第１延在部３３の電流により生じる磁場と第２延在部４３の電流により生じる磁場が互いに打ち消し合う。したがって、第１延在部３３および第２延在部４３におけるインダクタンスを低減することができる。
【００３８】
また、第１正極端子１５の第１接近部３２では、図２に示すように、第１正極端子１５に電流が流れることにより、第１接近部３２に向かい合う第１対向部７３に作用する磁場Ｂが生じる。すると、第１接近部３２に向かい合う第１対向部７３では、図３に示すように、第１接近部３２で生じた磁場Ｂに起因する渦電流Ｃが生じる。この渦電流Ｃは、第１正極端子１５の近傍では、第１正極端子１５に流れる電流Ａと反対方向に流れる。このため、第１正極端子１５の近傍の渦電流Ｃにより生じる磁場と第１正極端子１５の電流Ａにより生じる磁場が互いに磁場が打ち消し合う。これにより、第１接近部３２におけるインダクタンスを低減することができる。また同様に、第２負極端子２５においても、互いに向かい合う第２接近部４２と第２対向部８３では、反対の磁場が生じることにより、互いに磁場が打ち消し合う。これにより、第２負極端子２５の第２接近部４２におけるインダクタンスを低減することができる。
【００３９】
以上より、第１正極端子１５の第１延在部３３および第１接近部３２におけるインダクタンスを低減できるので、第１正極端子１５におけるインダクタンスを低減することができる。また、第２負極端子２５の第２延在部４３および第２接近部４２におけるインダクタンスを低減できるので、第２負極端子２５におけるインダクタンスを低減することができる。
【００４０】
また、第１正極端子１５と第２負極端子２５が、第３絶縁部材５０の第１部分５１および第２部分５２を介して冷却器９０の第１対向部７３および第２対向部８３を挟持している。これにより、第１半導体モジュール１０および第２半導体モジュール２０と冷却器９０との位置ずれを抑制することができる。その結果、第１半導体モジュール１０および第２半導体モジュール２０と冷却器９０との接触面積を確保することができ、冷却器９０による第１半導体モジュール１０および第２半導体モジュール２０の冷却効率が低下することを抑制できる。
【００４１】
また、第３絶縁部材５０の端子絶縁部５３の先端部５３１が、第１正極端子１５の第１延在部３３の先端部３３１および第２負極端子２５の第２延在部４３の先端部４３１から突出しているので、第１延在部３３と第２延在部４３との沿面距離を長くすることができる。これにより、第１正極端子１５と第２負極端子２５が短絡することを抑制できる。
【００４２】
以上、一実施形態について説明したが、具体的な態様は上記実施形態に限定されるものではない。以下の説明において、上述の説明における構成と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４３】
［第２実施形態］
上記の実施形態では、冷却器９０のケーシング９１が金属製であったが、この構成に限定されるものではない。第２実施形態では、図４に示すように、冷却器９０のケーシング９１が、樹脂製の側壁９３を備えている。側壁９３は、第１天板部７１と第２天板部８１の間に配置されている。側壁９３は、第１天板部７１と第２天板部８１に固定されている。側壁９３は、第１天板部７１と第２天板部８１に密着している。両端部の側壁９３と側壁９３の間には、金属製の隔壁９２と、樹脂製の隔壁９４が配置されている。ケーシング９１の内部には、隔壁９２および隔壁９４により冷媒が流れる流路９５が形成されている。
【００４４】
また、上記の実施形態では、ケーシング９１の第１天板部７１と第１対向部７３が第１接続部７２により接続されている構成であったが、この構成に限定されるものではない。第２実施形態では、図４に示すように、第１天板部７１と第１対向部７３が、第１接続部７２を介さずに直接接続されている。第１天板部７１と第１対向部７３は一体的に形成されている。第１対向部７３が第１天板部７１に固定されている。また同様に、上記の実施形態では、ケーシング９１の第２天板部８１と第２対向部８３が第２接続部８２により接続されている構成であったが、この構成に限定されるものではない。第２実施形態では、図４に示すように、第２天板部８１と第２対向部８３が、第２接続部８２を介さずに直接接続されている。第２天板部８１と第２対向部８３は一体的に形成されている。第２対向部８３が第２天板部８１に固定されている。
【００４５】
［第３実施形態］
第２実施形態では、図５に示すように、第１天板部７１と第１対向部７３が直接的に接続されており、第１対向部７３が第２対向部８３に向かって延びている。また、第２天板部８１と第２対向部８３が直接的に接続されており、第２対向部８３が第１対向部７３に向かって延びている。第１対向部７３と第２対向部８３は、結合しており、一体的に形成されている。
【００４６】
［第４実施形態］
上記の実施形態では、第３絶縁部材５０が第１部分５１と第２部分５２を備える構成であったが、この構成に限定されるものではない。第４実施形態では、図６に示すように、第３絶縁部材５０が端子絶縁部５３を備えているが、第１部分５１と第２部分５２を備えていない。第４実施形態では、第１絶縁部材１１０が第１部分５１を備えており、第２絶縁部材１２０が第２部分５２を備えている。
【００４７】
上記の実施形態では、第３絶縁部材５０の端子絶縁部５３の一方の先端部５３１が冷却器９０から離れる方向に突出する構成であったが、この構成に限定されるものではない。第４実施形態では、図６に示すように、端子絶縁部５３の他方の先端部５３２が冷却器９０に近づく方向に突出している。端子絶縁部５３の先端部５３２は、第１接近部３２と第１延在部３３の接続部分および第２接近部４２と第２延在部４３の接続部分から側方へ突出している。
【００４８】
［第５実施形態］
第５実施形態では、図７に示すように、第１絶縁部材１１０が第１部分５１を備えており、第２絶縁部材１２０が第２部分５２を備えている。また、第１絶縁部材１１０および第２絶縁部材１２０が、冷却器９０のケーシング９１を覆っている。
【００４９】
また、ケーシング９１の第１接続部７２および第２接続部８２が屈曲している。第１接続部７２は第３絶縁部材５０の上側に延びている。第２接続部８２は第３絶縁部材５０の下側に延びている。第１接続部７２と第２接続部８２の間に端子絶縁部５３の先端部５３２が配置されている。
【００５０】
上記実施形態では、第１半導体モジュール１０の第１正極端子１５と第２半導体モジュール２０の第２負極端子２５が互いに接近する構成であったが、この構成に限定されるものではない。第１半導体モジュール１０の第１負極端子１６と、第２半導体モジュール２０の正極端子２６が互いに接近する構成であってもよい。また、第１半導体モジュール１０と第２半導体モジュール２０は、互いに入れ替え可能である。
【００５１】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００５２】
１；半導体装置
１０；第１半導体モジュール
１１；第１半導体チップ
１２；第２半導体チップ
１３；上側放熱板
１４；下側放熱板
１５；第１正極端子
１６；第１負極端子
１７；封止樹脂
１８；スペーサー
１９；はんだ
２０；第２半導体モジュール
２１；第３半導体チップ
２２；第４半導体チップ
２３；上側放熱板
２４；下側放熱板
２５；第２負極端子
２６；第２正極端子
２７；封止樹脂
２８；スペーサー
２９；はんだ
３１；第１引出部
３２；第１接近部
３３；第１延在部
４１；第２引出部
４２；第２接近部
４３；第２延在部
５０；第３絶縁部材
５１；第１部分
５２；第２部分
５３；端子絶縁部
７１；第１天板部
７２；第１接続部
７３；第１対向部
８１；第２天板部
８２；第２接続部
８３；第２対向部
９０；冷却器
９１；ケーシング
９２；隔壁
９３；側壁
９４；隔壁
９５；流路
１１０；第１絶縁部材
１２０；第２絶縁部材
３３１；先端部
４３１；先端部
５３１；先端部
５３２；先端部
７３１；先端部
８３１；先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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