(57)【要約】【課題】取り換え作業等を行うことなく複数種類の開口形状の半導体装置についてケース内の異物を除去し得る異物除去装置を提供する。【解決手段】吸引ヘッド１２として、一方の端部に吸引口２２が形成され他方の端部に負圧源１４からの負圧が作用する吸引用筒状部２０と、吸引口２２をケース側端部３１Ａ〜３１Ｄにて環状に囲うように吸引用筒状部２０の外周側に配置される複数の導入用筒状部３０Ａ〜３０Ｄと、が設けられている。そして、いずれか１つの導入用筒状部のケース側端部を半導体装置６０のケース６４の開口縁６６に対して環状に接触させた状態で吸引口２２を介してケース６４内の異物７０を吸引によって除去する際に、接触状態の導入用筒状部とこの導入用筒状部の内周側の筒状部とによりケース内に外気を導入する外気導入通路が１または２以上形成される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側が開口したケース（６４）内に回路基板（６２）が収容される半導体装置（６０）に対して前記ケース内の異物（７０）を除去する異物除去装置（１０）であって、
一方の端部に吸引口（２２）が形成され他方の端部に負圧源（１４）からの負圧が作用する吸引用筒状部（２０）と、
前記吸引口をケース側端部（３１）にて環状に囲うように前記吸引用筒状部の外周側に配置される複数の導入用筒状部（３０Ａ〜３０Ｄ）と、
を備え、
いずれか１つの前記導入用筒状部のケース側端部を前記ケースの開口縁（６６）に対して環状に接触させた状態で前記負圧源からの負圧が前記吸引用筒状部に作用することで前記吸引口を介して前記ケース内の異物を吸引によって除去する際に、接触状態の導入用筒状部とこの導入用筒状部の内周側の筒状部とにより前記ケース内に外気を導入する外気導入通路（４０Ａ〜４０Ｄ）が１または２以上形成されることを特徴とする異物除去装置。
【請求項２】
複数の前記外気導入通路のうちの少なくとも一部には、通路の断面積を絞る絞り部（４２Ａ〜４２Ｄ，４５Ａ〜４５Ｆ）が設けられ、
内周側の前記外気導入通路に設けられる前記絞り部ほど通路が狭くなるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
【請求項３】
前記絞り部は、前記外気導入通路のケース側開口の内周側を遮蔽するように形成されることを特徴とする請求項２に記載の異物除去装置。
【請求項４】
前記絞り部は、前記外気導入通路に対して着脱可能に形成されることを特徴とする請求項２又は請求項３のいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項５】
複数の前記外気導入通路の途中を狭くするようにそれぞれ形成される開口部（９１）と、
前記開口部を閉塞する閉塞位置とこの閉塞を解除する閉塞解除位置とを移動可能に支持される開閉部材（９２）と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
【請求項６】
前記開口部は、内周側の前記外気導入通路に設けられる開口部ほど開口面積が小さくなるように形成されることを特徴とする請求項５に記載の異物除去装置。
【請求項７】
前記開閉部材は、内周側の前記外気導入通路に設けられる開閉部材ほど当該開閉部材を移動可能に支持する支持部材（９３）との間の摩擦力が大きくなるように形成されることを特徴とする請求項５に記載の異物除去装置。
【請求項８】
前記開閉部材を前記閉塞位置に向けて付勢する付勢手段（９５）を備えることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の異物除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の異物除去装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置に圧縮空気などの気体を吹き付けることによって、基板上などに付着している異物を舞い上がらせ、舞い上がったこのような異物を吸引して除去する構成の異物除去装置が知られている。このような吸引により異物を除去する異物除去装置に関する技術として、例えば、下記特許文献１に開示される掃除機が知られている。
【０００３】
この掃除機は、空気吸込口１８及び排気噴出口１９を有する空気吸込口体１４を備え、当該空気吸込口体１４を異物除去対象（清掃面）を覆うように配置し、吸引によって異物を除去する構成となっている。また、空気吸込口体１４は、箱形を有するケース部１５と、当該ケース部１５の下部に配置される平面部２０と、を備え、空気吸込み用パイプ１６の下部が平面部２０の下部周縁に沿って形成された空気吸込口１８に連通し、排気用パイプ１７の下部が平面部２０の下部中央面に形成されている排気噴出口１９に連通する構成となっている。そして、集塵用の排気が排気噴出口１９から排出されて、空気吸込口体１４の下面と異物除去対象との間を流通し、当該排気が空気吸込口１８から吸込まれるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−４３４４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ケースの開口形状が異なる半導体装置が共通のラインで生産される量産工程において、上述した空気吸込口体１４を負圧が作用する吸引ヘッドとしてケースの開口に向けることでそのケース内の異物を除去する場合、ケースの開口形状が変わるごとに吸引ヘッドを交換すると、この交換作業のために生産効率が悪化してしまう。
【０００６】
一方、吸引ヘッドの交換作業をなくすために最大サイズのケースの開口形状に合わせた吸引ヘッドを用いる場合、比較的開口形状が小さなケースに対しては、外気がケースの外側から吸引ヘッドに直接流入してしまう。そうすると、ケース内部の空気が淀みやすくなり、異物の吸引効率が低下してしまう。また、最小サイズのケースの開口形状に合わせた吸引ヘッドを用いる場合、比較的開口形状が大きなケースに対しては、吸引ヘッドに覆われないケース内の外周付近の空気が淀みやすくなる。そうすると、ケース内の外周付近の異物の吸引が困難になってしまう。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、取り換え作業等を行うことなく複数種類の開口形状の半導体装置についてケース内の異物を除去し得る異物除去装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、
一側が開口したケース（６４）内に回路基板（６２）が収容される半導体装置（６０）に対して前記ケース内の異物（７０）を除去する異物除去装置（１０）であって、
一方の端部に吸引口（２２）が形成され他方の端部に負圧源（１４）からの負圧が作用する吸引用筒状部（２０）と、
前記吸引口をケース側端部（３１）にて環状に囲うように前記吸引用筒状部の外周側に配置される複数の導入用筒状部（３０Ａ〜３０Ｄ）と、
を備え、
いずれか１つの前記導入用筒状部のケース側端部を前記ケースの開口縁（６６）に対して環状に接触させた状態で前記負圧源からの負圧が前記吸引用筒状部に作用することで前記吸引口を介して前記ケース内の異物を吸引によって除去する際に、接触状態の導入用筒状部とこの導入用筒状部の内周側の筒状部とにより前記ケース内に外気を導入する外気導入通路（４０Ａ〜４０Ｄ）が１または２以上形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１の発明では、一方の端部に吸引口が形成され他方の端部に負圧源からの負圧が作用する吸引用筒状部と、吸引口をケース側端部にて環状に囲うように吸引用筒状部の外周側に配置される複数の導入用筒状部と、が設けられている。そして、いずれか１つの導入用筒状部のケース側端部をケースの開口縁に対して環状に接触させた状態で吸引口を介してケース内の異物を吸引によって除去する際に、接触状態の導入用筒状部とこの導入用筒状部の内周側の筒状部とによりケース内に外気を導入する外気導入通路が１または２以上形成される。
【００１０】
これにより、負圧源からの負圧が吸引用筒状部に作用すると、ケース内から吸引口へ向かう気流が発生するため、この気流によりケース内の回路基板等に付着した異物を舞い上がらせて排出することができる。
【００１１】
特に、ケースの開口縁に導入用筒状部のケース側端部を環状に接触させて、この接触した導入用筒状部（以下、接触筒状部ともいう）と、この接触筒状部よりも内側に配置される他の導入用筒状部又は吸引用筒状部とが外気導入用の壁部として機能する外気導入通路が形成される。そうすると、接触筒状部により形成される外気導入通路から導入される外気は、ケースの内周面に沿うように流れ込むため、ケース内において外周側から吸引口に向かう気流を発生させ易くなる。このため、ケース内での空気の淀みが生じることもなく、異物の吸引効率が低下することもない。また、複数ある導入用筒状部のいずれかのケース側端部に対して環状に接触する開口縁形状のケースを有する半導体装置であれば、上述のようにケース内部において外周側から吸引口に向かう気流を発生させることができる。
従って、取り換え作業等を行うことなく複数種類の開口形状の半導体装置についてケース内の異物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る異物除去装置による異物除去工程を概略的に説明する説明図である。
【図２】図２は、半導体装置を概略的に示す斜視図である。
【図３】図３は、図１の吸引ヘッドを概略的に説明する断面図である。
【図４】図４は、図３の吸引ヘッドの上面図である。
【図５】図５は、最大開口サイズの半導体装置に対して吸引ヘッドを接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。
【図６】図６は、最小開口サイズの半導体装置に対して吸引ヘッドを接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。
【図７】図７は、第１実施形態の第１変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドを示す上面図である。
【図８】図８は、第１実施形態の第２変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドを示す上面図である。
【図９】図９は、図７の吸引ヘッドの断面図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図である。
【図１１】図１１は、第２実施形態における絞り部の形状の変形例を示す説明図である。
【図１２】図１２は、第３実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１２の吸引ヘッドの選択式開口部を拡大して示す断面図である。
【図１４】図１４は、図１２の吸引ヘッドの上面図である。
【図１５】図１５は、最大開口サイズの半導体装置に対して吸引ヘッドを接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。
【図１６】図１６は、最小開口サイズの半導体装置に対して吸引ヘッドを接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。
【図１７】図１７は、第３実施形態の変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドを示す上面図である。
【図１８】図１８は、第４実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図１８（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引前の状態であり、図１８（Ｂ）は、吸引ヘッドによる吸引開始時の状態である。
【図１９】図１９は、第４実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図１９（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引中の状態であり、図１９（Ｂ）は、正圧を利用して各開閉部材を閉塞位置まで移動させた状態である。
【図２０】図２０（Ａ）は、第４実施形態の第１変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２０（Ｂ）は、第４実施形態の第２変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図である。
【図２１】図２１は、第５実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２１（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引前の状態であり、図２１（Ｂ）は、吸引ヘッドによる吸引開始時の状態である。
【図２２】図２２は、第５実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２２（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引中の状態であり、図２２（Ｂ）は、正圧を利用して各開閉部材を閉塞位置まで移動させた状態である。
【図２３】図２３（Ａ）は、第５実施形態の第１変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２３（Ｂ）は、第５実施形態の第２変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図である。
【図２４】図２４は、第６実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２４（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引前の状態であり、図２４（Ｂ）は、吸引ヘッドによる吸引開始時の状態である。
【図２５】図２５は、第６実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２５（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引中の状態であり、図２５（Ｂ）は、正圧を利用して各開閉部材を閉塞位置まで移動させた状態である。
【図２６】図２６（Ａ）は、第６実施形態の第１変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２６（Ｂ）は、第６実施形態の第２変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[第１実施形態]
以下、本発明を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
本実施形態に係る異物除去装置１０は、図１に示すように、吸引状態の吸引ヘッド１２を半導体装置６０に対向するように配置することで、複数種類の開口形状の半導体装置６０についてそのケース６４内に付着した異物７０を吸引によって除去する装置である。
【００１４】
まず、異物除去装置１０の異物除去対象である半導体装置６０について説明する。
半導体装置６０は、図２に示すように、回路基板６２と、回路基板６２を収容するために一側が開口したケース６４と、を備えている。回路基板６２は、その実装面６３にＩＣやＬＳＩなどの集積回路からなる半導体チップ等の電子部品が実装されて構成されている。ケース６４は、回路基板６２の周囲を四角環状に囲み収容する側壁部６５を備え、この側壁部６５の上方の端部が四角形状（具体的には正方形状）に開口する開口縁６６として構成されている。ケース６４の裏面には、回路基板６２の放熱を促すためのヒートシンク６７が設けられている。
【００１５】
ケース６４内の除去すべき異物７０（図１等参照）としては、例えば、回路基板６２の作製時に発生する金属の屑（例えばスパッタ屑等）や、回路基板６２をケース６４に接着剤を用いて接合する際にその接着剤から生じる硬化した樹脂の屑や、半導体装置６０を取り扱う作業者の着衣から生じる埃などが想定される。そして、このような異物７０は、例えば静電気などによってケース６４内部（具体的には回路基板６２の表面上など）に付着する可能性があり、本構成の異物除去装置１０では、このような異物７０を吸引し、除去することが可能となっている。
【００１６】
次に、異物除去装置１０の詳細構成について、図面を参照して説明する。なお、図３は、図１の吸引ヘッド１２を概略的に説明する断面図である。図４は、図３の吸引ヘッド１２の上面図である。なお、便宜上、図３では、連結部の図示を省略し、図４では、各絞り部４２Ａ〜４２Ｃにクロスハッチングを付している。
異物除去装置１０は、図１に示すように、半導体装置６０を被覆するように対向して配置される吸引ヘッド１２と、この吸引ヘッド１２に作用させる負圧を発生させる負圧源１４と、を備えている。
【００１７】
吸引ヘッド１２は、図３および図４に示すように、一方の端部に吸引口２２が形成される吸引用筒状部２０と、吸引口２２をケース側端部３１Ａ〜３１Ｄにて環状に囲うように吸引用筒状部２０の外周側に配置される４つの導入用筒状部３０Ａ〜３０Ｄと、を備えている。
【００１８】
吸引用筒状部２０は、薄肉四角筒状に形成され、吸引口２２が形成される端部と異なる他方の端部に吸引ホース１５が連通するように接続されて、負圧源１４からの負圧が吸引口２２に作用するように構成されている。そして、吸引用筒状部２０は、負圧源１４からの負圧の作用を受けて、吸引口２２を介して空気を吸引するように機能する。
【００１９】
４つの導入用筒状部３０Ａ〜３０Ｄは、それぞれ大きさの異なる薄肉四角筒状に形成されている。導入用筒状部３０Ａは、吸引用筒状部２０の吸引口２２をケース側端部３１Ａにて環状に囲うように吸引用筒状部２０の外周側に配置されるように形成されている。また、導入用筒状部３０Ｂは、導入用筒状部３０Ａのケース側端部３１Ａをケース側端部３１Ｂにて環状に囲うように導入用筒状部３０Ａの外周側に配置されるように形成されている。また、導入用筒状部３０Ｃは、導入用筒状部３０Ｂのケース側端部３１Ｂをケース側端部３１Ｃにて環状に囲うように導入用筒状部３０Ｂの外周側に配置されるように形成されている。更に、導入用筒状部３０Ｄは、導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃをケース側端部３１Ｄにて環状に囲うように導入用筒状部３０Ｃの外周側に配置されるように形成されている。
【００２０】
吸引ヘッド１２には、上述したように各筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄを配置することによって、各筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄにより外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄが形成される。具体的には、吸引用筒状部２０の外周面と導入用筒状部３０Ａの内周面とによって、これら筒状部の間を空気が通過可能な外気導入通路４０Ａが形成される。同様に、導入用筒状部３０Ａの外周面と導入用筒状部３０Ｂの内周面とによって外気導入通路４０Ｂが形成され、導入用筒状部３０Ｂの外周面と導入用筒状部３０Ｃの内周面とによって外気導入通路４０Ｃが形成され、導入用筒状部３０Ｃの外周面と導入用筒状部３０Ｄの内周面とによって外気導入通路４０Ｄが形成される。
【００２１】
また、吸引ヘッド１２には、図４に示すように、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄ内において、それぞれの筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄを連結する複数の連結部がこれら筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄと一体成形されるように適所に設けられている。なお、連結部は、各筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄの上下方向全体の一部分を連結する構成であってもよいし、各筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄの上下方向全体に亘って連結部によって連結する構成であってもよい。
【００２２】
また、各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃには、それぞれ通路の断面積を絞ることで流路抵抗を調整するための絞り部４２Ａ〜４２Ｃがケース側開口の内周側を遮蔽するように設けられている。各絞り部４２Ａ〜４２Ｃは、内周側の筒状部の外周面に沿って、対向する外周側の筒状部の内周面に向かって突出するように薄肉環状に一体成形されている。具体的には、絞り部４２Ａは、外気導入通路４０Ａのケース側開口において、吸引用筒状部２０の外周面から導入用筒状部３０Ａの内周面に向けて薄肉環状に突出するように形成されている。同様に、絞り部４２Ｂは、外気導入通路４０Ｂのケース側開口において、導入用筒状部３０Ａの外周面から導入用筒状部３０Ｂの内周面に向けて薄肉環状に突出するように形成されている。また、絞り部４２Ｃは、外気導入通路４０Ｃのケース側開口において、導入用筒状部３０Ｂの外周面から導入用筒状部３０Ｃの内周面に向けて薄肉環状に突出するように形成されている。特に、絞り部４２Ａ〜４２Ｃは、その突出長さが内周側ほど大きくなるように形成されることで、内周側の外気導入通路に設けられる絞り部ほど通路が狭くなるように構成されている。
【００２３】
負圧源１４は、図１に示すように、吸引ヘッド１２の吸引用筒状部２０が連通される吸引ホース１５に接続され、当該吸引ホース１５を介して吸引用筒状部２０の吸引口２２に負圧を作用させるように構成されている。具体的には、負圧源１４は、公知の負圧発生装置によって構成され、気体を排気する排気ポンプなどを備えている。
【００２４】
次に、異物除去装置１０を用いて半導体装置６０のケース６４内に付着した異物７０を除去する異物除去工程について説明する。なお、図５は、最大開口サイズの半導体装置６０Ｄに対して吸引ヘッド１２を接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。図６は、最小開口サイズの半導体装置６０Ａに対して吸引ヘッド１２を接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。
【００２５】
異物除去工程は、図１に示すように、一定の空気清浄度を保つクリーンエリア８０内で行われる。このクリーンエリア８０内では、複数の半導体装置６０を搬送するための固定台５０がレール機構上に設けられており、このレール機構が駆動することで、半導体装置６０が固定台５０とともに異物除去位置まで順次搬送される。そして、異物除去位置まで搬送された半導体装置６０に対して吸引ヘッド１２が対向するように配置されて吸着状態になることで、その半導体装置６０に対する異物除去処理が開始される。吸着状態の吸引ヘッド１２によって吸引された異物７０は、吸引ホース１５を介して、クリーンエリア８０外に配置される負圧源１４によって排気されて除去される。
【００２６】
以下、異物除去対象となる複数種類の開口形状の半導体装置６０に対する異物除去について、開口形状ごとに詳述する。
まず、図５を用いて、異物除去可能な最大開口サイズの半導体装置（以下、半導体装置６０Ｄという）に対する異物除去について説明する。
異物除去位置まで搬送された半導体装置６０Ｄに対して、図５に示すように、導入用筒状部３０Ｄのケース側端部３１Ｄがケース６４の開口縁６６に対して環状に接触するように、吸引ヘッド１２を配置する。なお、図５の例では、導入用筒状部３０Ｄは、「接触筒状部」の一例に相当し得る。
【００２７】
次に、負圧源１４で負圧を発生させて、吸引ヘッド１２を吸引状態にする。そうすると、吸引用筒状部２０内には吸引口２２から上方に向かう気流（図５に示す矢印Ｓ１を参照）が発生し、ケース６４内の空気は、吸引用筒状部２０及び吸引ホース１５を通って負圧源１４へと排気される。そして、ケース６４内の空気が排気されケース６４内が負圧状態となることで、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄに負圧が作用し、当該外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄからケース６４内に外気（空気）が導入されることになる。
【００２８】
このため、外気導入通路４０Ａのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図５に示す矢印Ｓ２を参照）が発生することになる。同様に、外気導入通路４０Ｂ〜４０Ｄのケース側開口からそれぞれ吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図５に示す矢印Ｓ３〜Ｓ５を参照）が発生することになる。特に、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃに設けられる絞り部４２Ａ〜４２Ｃが流路抵抗として機能することで、吸引用筒状部２０から遠い外気導入通路ほどケース６４への外気の導入量が多くなる。また、外気導入通路Ｄのケース側開口から吸引口２２に向かう気流Ｓ５は、ケース６４の側壁部６５の内周面に沿うように流れ込むため、回路基板６２の外縁から内方へ向かう気流が発生することになる。
【００２９】
このように、各気流Ｓ２〜Ｓ５がケース６４内に流れ込むことでケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０が舞い上がり、舞い上がった異物７０は、気流Ｓ１とともに吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００３０】
次に、図６を用いて、異物除去可能な最小開口サイズの半導体装置（以下、半導体装置６０Ａという）に対する異物除去について説明する。
異物除去位置まで搬送された半導体装置６０Ａに対して、図６に示すように、導入用筒状部３０Ａのケース側端部３１Ａがケース６４の開口縁６６に対して環状に接触するように、吸引ヘッド１２を配置する。なお、図６の例では、導入用筒状部３０Ａは、「接触筒状部」の一例に相当し得る。
【００３１】
そして、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１２を吸引状態にすることで、吸引用筒状部２０内に吸引口２２から上方に向かう気流（図６に示す矢印Ｓ１を参照）が発生する。そして、ケース６４内の空気が排気されケース６４内が負圧状態となることで、外気導入通路４０Ａに負圧が作用し、当該外気導入通路４０Ａからケース６４内に外気（空気）が導入されることになる。このため、外気導入通路４０Ａのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図６に示す矢印Ｓ２を参照）が発生することになる。
【００３２】
このように、気流Ｓ２がケース６４内に流れ込むことでケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０が舞い上がり、舞い上がった異物７０は、気流Ｓ１とともに吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００３３】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｂのケース側端部３１Ｂに環状に接触する半導体装置に対して異物除去を行う場合には、導入用筒状部３０Ｂのケース側端部３１Ｂを、ケース６４の開口縁６６に対して環状に接触させて、吸引ヘッド１２を吸引状態にする。これにより、外気導入通路４０Ａ，４０Ｂのケース側開口からそれぞれ吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００３４】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃに環状に接触する半導体装置に対して異物除去を行う場合には、導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃを、ケース６４の開口縁６６に対して環状に接触させて、吸引ヘッド１２を吸引状態にする。これにより、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃのケース側開口からそれぞれ吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態に係る異物除去装置１０では、吸引ヘッド１２として、一方の端部に吸引口２２が形成され他方の端部に負圧源１４からの負圧が作用する吸引用筒状部２０と、吸引口２２をケース側端部３１Ａ〜３１Ｄにて環状に囲うように吸引用筒状部２０の外周側に配置される複数の導入用筒状部３０Ａ〜３０Ｄと、が設けられている。そして、いずれか１つの導入用筒状部のケース側端部を半導体装置６０のケース６４の開口縁６６に対して環状に接触させた状態で吸引口２２を介してケース６４内の異物７０を吸引によって除去する際に、接触状態の導入用筒状部とこの導入用筒状部の内周側の筒状部とによりケース内に外気を導入する外気導入通路が１または２以上形成される。
【００３６】
これにより、負圧源１４からの負圧が吸引用筒状部２０に作用すると、ケース６４内から吸引口２２へ向かう気流が発生するため、この気流によりケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０を舞い上がらせて排出することができる。
【００３７】
特に、ケース６４の開口縁６６に導入用筒状部のケース側端部を環状に接触させて、この接触した接触筒状部（図５の例では、導入用筒状部３０Ｄ）と、この接触筒状部よりも内側に配置される他の導入用筒状部又は吸引用筒状部とが外気導入用の壁部として機能する外気導入通路（図５の例では、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄ）が形成される。そうすると、接触筒状部により形成される外気導入通路（図５の例では、外気導入通路４０Ｄ）から導入される外気は、ケース６４の側壁部６５の内周面に沿うように流れ込むため、ケース６４内において外周側から吸引口２２に向かう気流を発生させ易くなる。このため、ケース６４内での空気の淀みが生じることもなく、異物７０の吸引効率が低下することもない。また、複数ある導入用筒状部のいずれかのケース側端部に対して環状に接触する開口縁形状のケース６４を有する半導体装置６０であれば、上述のようにケース６４内部において外周側から吸引口２２に向かう気流を発生させることができる。
【００３８】
従って、異なる種類の吸引ヘッド１２への取り換え作業等を行うことなく、複数種類の開口形状の半導体装置６０について、ケース６４内部において外周側から吸引口２２に向かう気流を発生させる構成とすることができる。そして、ケース６４内での空気の淀みが生じることなく、異物７０の吸引効率が低下することもなくケース６４内の異物７０を除去することができる。
【００３９】
また、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃには、通路の断面積を絞る絞り部４２Ａ〜４２Ｃがそれぞれ設けられ、内周側の外気導入通路に設けられる絞り部ほど通路が狭くなるように構成されている。そのため、図５に例示するように、複数の外気導入通路（４０Ａ〜４０Ｄ）からケース６４内に外気を導入する構成では、吸引用筒状部２０に近い外気導入通路ほど外気の通過に対する流路抵抗が大きくなり、ケース６４への外気の導入量が少なくなる。これにより、外周側から導入される外気を優先的に吸引口２２へと誘導することができる。従って、ケース６４内において側壁部６５側（より詳しくは、開口縁６６側）から吸引口２２に向かう気流を発生させ易くなり、ケース６４内における空気の淀みの発生をより抑制し易くなる。
【００４０】
また、絞り部４２Ａ〜４２Ｃは、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃのケース側開口の内周側を遮蔽するように形成されている。そのため、例えば、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃに環状に接触する半導体装置に対して異物除去を行う場合には、外気導入通路４０Ｃを流れる気流が絞り部４２Ｃの外周側からケース６４内に導入される。これにより、より多くの気流がケース６４の側壁部６５の内周面に沿うように流れ込むので、ケース６４内において外周側から吸引口２２に向かう気流を確実に発生させることができる。
【００４１】
図７は、第１実施形態の第１変形例に係る異物除去装置１０の吸引ヘッド１２を示す上面図である。図８は、第１実施形態の第２変形例に係る異物除去装置１０の吸引ヘッド１２を示す上面図である。図９は、図７の吸引ヘッドの断面図である。
吸引ヘッド１２は、各導入用筒状部３０Ａ〜３０Ｄが吸引用筒状部２０を中心に外周方向に順次広がるように配置されることに限らず、各筒状部の周囲を構成する壁の一部が一体化されてもよい。
【００４２】
例えば、第１実施形態の第１変形例に係る異物除去装置１０として、図７に示すように、吸引ヘッド１２は、各筒状部の周囲を構成する四方の壁のうち二方の壁が一体化されるように形成されてもよい。また、第１実施形態の第２変形例に係る異物除去装置１０として、図８に示すように、吸引ヘッド１２は、各筒状部の周囲を構成する四方の壁のうち一方の壁が一体化されるように形成されてもよい。
【００４３】
このような構成であっても、図９に示すように、複数ある導入用筒状部３０Ａ〜３０Ｄのいずれかのケース側端部３１Ａ〜３１Ｄに対して環状に接触する開口縁形状のケース６４を有する半導体装置６０に対して、ケース６４内部において外周側から吸引口２２に向かう気流を発生させて異物７０を除去することができる。なお、図９では、最小開口サイズの半導体装置６０Ａを実線にて示し、最大開口サイズの半導体装置６０Ｄを破線にて示す。
【００４４】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る異物除去装置について、図１０、図１１を用いて説明する。なお、図１０は、第２実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッド１２の一部を示す断面図である。図１１は、第２実施形態における絞り部の形状の変形例を示す説明図である。
本第２実施形態の異物除去装置１０は、吸引ヘッド１２の各絞り部の構成が第１実施形態と異なり、それ以外は第１実施形態と同一である。そのため、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４５】
本実施形態では、外気導入通路の断面積を絞ることで流路抵抗を調整する絞り部が、対応する外気導入通路に対して着脱可能に形成されている。具体的には、図１０に示すように、各筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄのケース側開口に、絞り部４２Ａ〜４２Ｄの下面外縁の少なくとも一部を下方から支持するための支持部４４が設けられている。そして、支持部４４上に、対応する絞り部４２Ａ〜４２Ｄをそれぞれ配置することで、この絞り部４２Ａ〜４２Ｄが外気導入通路を流れる気流に対してその流路抵抗を調整するように機能する。
【００４６】
このような構成により、吸引ヘッド１２全体を設計し直すことなく、各外気導入通路からの外気の導入量を所望の量に容易に変更することができる。また、絞り部の絞り形状を当該異物除去装置１０が用いられる使用環境にあわせて交換できるため、絞り部を除く吸引ヘッドの部品共通化を図ることができる。
【００４７】
特に、図１０に示すように、内周側の外気導入通路に設けられる絞り部ほど通路が狭くなるように絞り部の形状をそれぞれ変えて配置することで、外周側から導入される外気を優先的に吸引口２２へと誘導することができる。
【００４８】
また、絞り部の絞り形状は、使用環境等に応じて様々な形状に形成することができる。例えば、絞り部を、筒状部の内周面および筒状部の外周面と連結部とにより矩形状に仕切られる外気導入通路の途中に配置する場合には、図１１（Ａ）に示す絞り部４５Ａのように、中央部を開口するように形成することもできる。この開口幅は、図１１（Ｂ）示す絞り部４５Ｂのように比較的小さく設定されてもよいし、比較的大きく設定されてもよい。また、図１１（Ｃ）に示す絞り部４５Ｃのように、円形に開口するように形成されてもよいし、図１１（Ｄ）に示す絞り部４５Ｄのように、矩形状に開口するように形成されてもよい。また、開口部分は複数形成されてもよい。例えば、図１１（Ｅ）に示す絞り部４５Ｅのように、円形状の開口が複数形成されてもよいし、図１１（Ｆ）に示す絞り部４５Ｆのように、矩形状の開口が複数形成されてもよい。
【００４９】
上述した絞り部の形状は、上記第１実施形態にて述べたように各筒状部に一体成形される絞り部に適用されてもよい。
【００５０】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る異物除去装置について、図１２〜図１６を用いて説明する。なお、図１２は、第３実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッド１６を示す断面図である。図１３は、図１２の吸引ヘッド１６の選択式開口部９０を拡大して示す断面図である。図１４は、図１２の吸引ヘッド１６の上面図である。図１５は、最大開口サイズの半導体装置６０Ｄに対して吸引ヘッド１６を接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。図１６は、最小開口サイズの半導体装置６０Ａに対して吸引ヘッド１６を接触させた際の気流の流れを説明する断面図である。
本第３実施形態の異物除去装置１０は、各外気導入通路に対して絞り部に代えて選択式開口部を設ける点が第１実施形態と異なり、それ以外は第１実施形態と同一である。そのため、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５１】
図１２〜図１４に示すように、本実施形態に係る異物除去装置１０の吸引ヘッド１６は、上述した吸引ヘッド１２と異なり、筒状部２０，３０Ａ〜３０Ｄを連結する複数の連結部により、外気導入通路４０Ａが複数の断面矩形状の通路（以下、矩形状通路ともいう）に区分けされ、他の外気導入通路４０Ｂ〜４０Ｄもそれぞれ複数の矩形状通路に区分けされている。なお、上述した第１，２実施形態等においても、外周側の筒状部の内周面と内周側の筒状部の外周面とにより形成される外気導入通路が、複数の連結部により複数の矩形状通路に区分けされる吸引ヘッドを採用することができる。
【００５２】
特に、本実施形態では、各矩形状通路の途中に、選択式開口部９０がそれぞれ設けられている。この選択式開口部９０は、図１３に示すように、矩形状通路の途中を狭くするように形成される開口部９１と、この開口部９１の開口を閉塞可能な開閉部材９２と、この開閉部材９２を移動可能に支持する支持部材９３とを備えている。なお、開口部９１の開口および開閉部材９２は、全ての矩形状通路において共通の形状に形成されている。
【００５３】
支持部材９３は、筒状部の外周面に連結される基部９３Ａとこの基部９３Ａの端部から矩形状通路の長手方向に沿うように下方に延出する断面矩形状の規制部９３Ｂとを備えている。そして、開閉部材９２の中央に形成される矩形状の貫通穴に規制部９３Ｂが挿通されることで、開閉部材９２の移動方向が矩形状通路の長手方向に沿う方向に制約される。また、規制部９３Ｂに設けられる大径部９４Ａ，９４Ｂにより、開閉部材９２の移動が規制される。
【００５４】
開閉部材９２は、その貫通穴にて規制部９３Ｂと摩擦接触しており、その摩擦力により規制部９３Ｂに対する相対位置が保持されている。すなわち、開閉部材９２を、開口部９１の開口を閉塞させる位置まで移動させた場合や、開口部９１の開口の閉塞を解除する位置（具体的には、大径部９４Ｂにより移動が規制される位置）まで移動させた場合には、吸引ヘッド１６を用いた異物除去工程中、その位置が維持される。
【００５５】
次に、このように構成される吸引ヘッド１６を用いて、異物除去可能な最大開口サイズの半導体装置６０Ｄに対する異物除去について説明する。
まず、図１５に示すように、外気導入通路４０Ｄを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように開閉部材９２を移動させるとともに、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞状態とするように開閉部材９２を移動させる。その後、異物除去位置まで搬送された半導体装置６０Ｄに対して、導入用筒状部３０Ｄのケース側端部３１Ｄがケース６４の開口縁６６に対して環状に接触するように、吸引ヘッド１６を配置する。
【００５６】
そして、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、吸引用筒状部２０内に吸引口２２から上方に向かう気流（図１５に示す矢印Ｓ１を参照）が発生する。そして、ケース６４内の空気が排気されケース６４内が負圧状態となることで、各矩形状通路の選択式開口部９０が閉塞解除状態の外気導入通路４０Ｄに負圧が作用し、当該外気導入通路４０Ｄからケース６４内に外気（空気）が導入されることになる。一方、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃは選択式開口部９０が閉塞状態であるため、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃから気流が導入されることもない。このため、外気導入通路４０Ｄのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図１５に示す矢印Ｓ５を参照）が発生することになる。
【００５７】
このように、気流Ｓ５がケース６４内に流れ込むことでケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０が舞い上がり、舞い上がった異物７０は、気流Ｓ１とともに吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００５８】
次に、図１６を用いて、異物除去可能な最小開口サイズの半導体装置６０Ａに対する異物除去について説明する。
まず、図１６に示すように、外気導入通路４０Ａを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように開閉部材９２を移動させるとともに、外気導入通路４０Ｂ〜４０Ｄを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞状態とするように開閉部材９２を移動させる。その後、異物除去位置まで搬送された半導体装置６０Ａに対して、導入用筒状部３０Ａのケース側端部３１Ａがケース６４の開口縁６６に対して環状に接触するように、吸引ヘッド１６を配置する。
【００５９】
そして、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、吸引用筒状部２０内に吸引口２２から上方に向かう気流（図１６に示す矢印Ｓ１を参照）が発生する。そして、ケース６４内の空気が排気されケース６４内が負圧状態となることで、各矩形状通路の選択式開口部９０が閉塞解除状態の外気導入通路４０Ａに負圧が作用し、当該外気導入通路４０Ａからケース６４内に外気（空気）が導入されることになる。一方、外気導入通路４０Ｂ〜４０Ｄは選択式開口部９０が閉塞状態であるため、外気導入通路４０Ｂ〜４０Ｄから気流が導入されることもない。このため、外気導入通路４０Ａのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図１６に示す矢印Ｓ２を参照）が発生することになる。
【００６０】
このように、気流Ｓ２がケース６４内に流れ込むことでケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０が舞い上がり、舞い上がった異物７０は、気流Ｓ１とともに吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００６１】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｂのケース側端部３１Ｂに環状に接触する半導体装置に対して異物除去を行う場合には、外気導入通路４０Ｂを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように開閉部材９２を移動させるとともに、外気導入通路４０Ａ，４０Ｃ，４０Ｄを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞状態とするように開閉部材９２を移動させる。そして、導入用筒状部３０Ｂのケース側端部３１Ｂを、ケース６４の開口縁６６に対して環状に接触させて、吸引ヘッド１６を吸引状態にする。これにより、外気導入通路４０Ｂのケース側開口からそれぞれ吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００６２】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃに環状に接触する半導体装置に対して異物除去を行う場合には、外気導入通路４０Ｃを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように開閉部材９２を移動させるとともに、外気導入通路４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｄを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞状態とするように開閉部材９２を移動させる。そして、導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃを、ケース６４の開口縁６６に対して環状に接触させて、吸引ヘッド１６を吸引状態にする。これにより、外気導入通路４０Ｃのケース側開口からそれぞれ吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態に係る異物除去装置１０では、ケース６４内の空気が排気されケース６４内が負圧状態となることで、外気導入通路各矩形状通路の選択式開口部９０が閉塞解除状態の外気導入通路のケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流が発生することになる。一方、選択式開口部９０が閉塞状態となる他の外気導入通路から外気が導入されることがない。
【００６４】
これにより、ケース６４の開口縁６６が接触する導入用筒状部（接触筒状部）のみの選択式開口部９０を閉塞解除状態とすることで、異なる種類の吸引ヘッド１６への取り換え作業等を行うことなく、複数種類の開口形状の半導体装置６０について、ケース６４内部において外周側から吸引口２２に向かう気流を発生させる構成とすることができる。そして、ケース６４内での空気の淀みが生じることなく、異物７０の吸引効率が低下することもなくケース６４内の異物７０を除去することができる。
【００６５】
特に、閉塞解除状態の外気導入通路のみからケース６４内へ外気が導入されるため、他の内周側の外気導入通路が閉塞解除状態である場合と比較して、外気の導入量を多くすることができ、異なる外気導入通路から導入される気流同士が干渉することもない。従って、接触筒状部によって形成される外気導入通路から吸引口２２に向かう気流が弱められることがなく、ケース６４内の開口縁付近での淀みの発生を防ぎ、異物７０の吸引効率を向上させることができる。
【００６６】
図１７は、第３実施形態の変形例に係る異物除去装置１０の吸引ヘッド１６を示す上面図である。選択式開口部９０は、開口部９１の開口形状が矩形状に形成されることに限らず、他の開口形状に形成されてもよい。具体的には、例えば、図１７に例示するように、開口部９１の開口形状を円形状にすることができる。この場合、開閉部材９２の形状は、開口部９１の開口を閉塞可能な形状であれば、円板状や、矩形板状であってもよい。
【００６７】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係る異物除去装置について、図１８，図１９を用いて説明する。なお、図１８は、第４実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図１８（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引前の状態であり、図１８（Ｂ）は、吸引ヘッドによる吸引開始時の状態である。図１９は、第４実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図１９（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引中の状態であり、図１９（Ｂ）は、正圧を利用して各開閉部材を閉塞位置まで移動させた状態である。
本第４実施形態の異物除去装置１０は、負圧源１４の負圧作用を用いて開閉部材９２を閉塞解除位置に移動させる構成であって、各外気導入通路に設けられる開口部の開口面積の差によって閉塞解除状態にする外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄが選択される点が第３実施形態と異なり、それ以外は第３実施形態と同一である。そのため、第３実施形態と同様の構成については第３実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６８】
本実施形態に係る異物除去装置１０の吸引ヘッド１６は、第３実施形態に係る異物除去装置１０の吸引ヘッドと異なり、内周側の外気導入通路に設けられる開口部９１ほど開口面積が小さくなるように形成され、内周側の外気導入通路に設けられる開口部ほど通路が狭くなるように構成されている。具体的には、外気導入通路４０Ｄの開口部９１、外気導入通路４０Ｃの開口部９１、外気導入通路４０Ｂの開口部９１、外気導入通路４０Ａの開口部９１の順に開口面積が小さくなるように形成されている。また、内周側の外気導入通路に設けられる開閉部材９２ほど板面の面積が小さくなるように形成されている。具体的には、外気導入通路４０Ｄの開閉部材９２、外気導入通路４０Ｃの開閉部材９２、外気導入通路４０Ｂの開閉部材９２、外気導入通路４０Ａの開閉部材９２の順に板面積が小さくなる構成である。また、各開閉部材９２は、それぞれ貫通穴にて規制部９３Ｂと摩擦接触しており、開閉部材９２が規制部９３Ｂに沿って移動するために必要な最大静止摩擦力Ｆｓが等しくなるように形成されている。
【００６９】
次に、図１８，図１９を用いて、異物除去可能な最大開口サイズの半導体装置６０Ｄに対する異物除去について説明する。
まず、図１８（Ａ）に示すように、全ての開閉部材９２を閉塞位置に位置させた後に、導入用筒状部３０Ｄのケース側端部３１Ｄがケース６４の開口縁６６に対して環状に接触するように、吸引ヘッド１６を配置する。このとき、各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄにおいて、開閉部材９２の開口部９１から露出する面（以下、上面という）、及び開閉部材９２のケース６４側の面（以下、下面という）に大気圧が作用するため、各開閉部材９２には下方に移動させるような力が及ぼされない。
【００７０】
次に、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、吸引用筒状部２０内に吸引口２２から上方に向かう気流を発生させる。これにより、ケース６４内の空気が排気されてケース６４内の気圧が大気圧よりＰＡ（Ｐａ）低い負圧状態となることで、図１８（Ｂ）に示すように、各開閉部材９２には、上面に作用する圧力と下面に作用する圧力との圧力差に起因する外力Ｆ１〜Ｆ４がそれぞれ下方に作用することとなる。このとき、開閉部材９２の上面に加わる圧力は、開閉部材９２の上面で大気と接する面積、即ち開口部９１の開口面積に依存するため、外力Ｆ１，外力Ｆ２，外力Ｆ３，外力Ｆ４の順に値が大きくなる。
【００７１】
そして、最も大きな外力Ｆ４のみが最大静止摩擦力Ｆｓよりも大きくなる圧力状態になると（Ｆ４＞Ｆｓ＞Ｆ３＞Ｆ２＞Ｆ１）、図１９（Ａ）に示すように、外力Ｆ４が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ｄを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。
【００７２】
これにより、外気導入通路４０Ｄからケース６４内に外気が導入されて、ケース６４内の気圧がＰＡ（Ｐａ）よりも高いＰＢ（Ｐａ）に上がるため、各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃの開閉部材９２に作用する外力が、それぞれ外力Ｆ１，外力Ｆ２，外力Ｆ３よりも低い外力Ｆ１’，外力Ｆ２’，外力Ｆ３’となる。従って、外力Ｆ１’〜Ｆ３’が作用する開閉部材９２は閉塞位置から移動することがなく、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０は閉塞状態を維持することになり、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃから外気が導入されることがない。このため、外気導入通路４０Ｄのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図１９（Ａ）に示す矢印Ｓ５を参照）が発生することになる。このような気流がケース６４内に流れ込むことでケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０が舞い上がり、舞い上がった異物７０は、気流とともに吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００７３】
そして、同じ開口形状の半導体装置６０に対して順次異物除去を実施する場合には、上述のように外気導入通路４０Ｄの開閉部材９２のみが閉塞解除位置に移動した状態の吸引ヘッド１６を使用することができる。
【００７４】
一方、異なる開口形状の半導体装置６０に対して異物除去を実施する場合には、図１９（Ｂ）に示すように、全ての開閉部材９２を閉塞位置に移動させる。具体的には、負圧源１４が正圧を発生可能に構成されており、当該負圧源１４から吸引用筒状部２０を介して空気をケース６４内に導入することで、外気導入通路４０Ｄ内にケース側端部から上方に向かう気流（図１９（Ｂ）に示す矢印Ｓ５’を参照）を発生させる。この気流が閉塞解除位置に位置していた開閉部材９２を上方に押圧することで、全ての開閉部材９２を閉塞位置まで移動させることができる。
【００７５】
そして、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃに環状に接触する半導体装置６０に対して異物除去を行う場合には、全ての開閉部材９２を閉塞位置まで移動させた後、吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、外気導入通路４０Ｄの開閉部材９２を除く他の外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃの開閉部材９２に外力Ｆ１〜Ｆ３がそれぞれ下方に作用する。そして、最も大きな外力Ｆ３のみが最大静止摩擦力Ｆｓよりも大きくなる圧力状態になると（Ｆ３＞Ｆｓ＞Ｆ２＞Ｆ１）、外力Ｆ３が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ｃを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。このため、外気導入通路４０Ｃのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００７６】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｂのケース側端部３１Ｂに環状に接触する半導体装置６０に対して異物除去を行う場合には、全ての開閉部材９２を閉塞位置まで移動させた後、吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、外気導入通路４０Ｃ，４０Ｄの開閉部材９２を除く他の外気導入通路４０Ａ，４０Ｂの開閉部材９２に外力Ｆ１，Ｆ２がそれぞれ下方に作用する。そして、最も大きな外力Ｆ２のみが最大静止摩擦力Ｆｓよりも大きくなる圧力状態になると（Ｆ２＞Ｆｓ＞Ｆ１）、外力Ｆ２が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ｂを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。このため、外気導入通路４０Ｂのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００７７】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ａのケース側端部３１Ａに環状に接触する半導体装置６０に対して異物除去を行う場合には、全ての開閉部材９２を閉塞位置まで移動させた後、吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、外気導入通路４０Ｂ〜４０Ｄの開閉部材９２を除く外気導入通路４０Ａの開閉部材９２に外力Ｆ１が下方に作用する。そして、外力Ｆ１が最大静止摩擦力Ｆｓよりも大きくなる圧力状態になると（Ｆ１＞Ｆｓ）、外力Ｆ１が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ａを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。このため、外気導入通路４０Ａのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００７８】
以上説明したように、本実施形態に係る異物除去装置１０では、異物除去時に吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、各開閉部材９２に作用する圧力差を利用して、接触筒状部により形成される外気導入通路（図１８，図１９の例では、外気導入通路４０Ｄ）の各矩形状通路の選択式開口部９０が閉塞解除状態となる。
【００７９】
これにより、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１６を吸引状態にする前に、接触筒状部により形成される外気導入通路の選択式開口部９０のみを閉塞解除状態とするように、予め開閉部材９２を移動させておく作業を省略することができる。また、内周側の外気導入通路の開口部９１ほど開口面積を小さくするという簡易な構成で、最も外側の外気導入通路の選択式開口部９０のみを圧力差に応じて閉塞解除状態にする構成を実現することができる。そして、上記第３実施形態と同様に、接触筒状部により形成される外気導入通路のみから外気を導入することで、当該外気導入通路から吸引口２２に向かう気流が弱められることなく、ケース６４内の開口縁付近での淀みの発生を防ぎ、異物７０の吸引効率を向上させることができる。
【００８０】
図２０（Ａ）は、第４実施形態の第１変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２０（Ｂ）は、第４実施形態の第２変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図である。なお、図２０（Ａ）（Ｂ）に示す付勢手段９５は、便宜上二点鎖線で示している。
上記第４実施形態の吸引ヘッド１６の構成（図１８（Ａ）参照）において、更に、選択式開口部９０が、各開閉部材９２を閉塞位置に向けて付勢する付勢手段９５を備える構成であってもよい。例えば、図２０（Ａ）に示すように、コイルばねとして構成された付勢手段９５にて各開閉部材９２の上面を閉塞方向（上方向）に付勢するように構成されてもよい。また、図２０（Ｂ）に示すように、コイルばねとして構成された付勢手段９５にて各開閉部材９２の下面を閉塞方向に付勢するように構成されてもよい。
【００８１】
このような構成によって、負圧源１４による負圧の発生が停止して圧力差に起因する外力がなくなると、閉塞解除位置に位置している各開閉部材９２が付勢手段９５の付勢によって閉塞位置に向けて移動するので、１つの半導体装置６０の異物除去を終えるごとに全ての選択式開口部９０を閉塞状態にすることができる。
【００８２】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態に係る異物除去装置について、図２１，図２２を用いて説明する。なお、図２１は、第５実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２１（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引前の状態であり、図２１（Ｂ）は、吸引ヘッドによる吸引開始時の状態である。図２２は、第５実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２２（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引中の状態であり、図２２（Ｂ）は、正圧を利用して各開閉部材を閉塞位置まで移動させた状態である。
本第５実施形態の異物除去装置１０は、負圧源１４の負圧作用を用いて各開閉部材９２を閉塞解除位置に移動させる構成であって、規制部９３Ｂと摩擦接触する開閉部材９２の最大静止摩擦力の差によって閉塞解除状態にする外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄを選択する点が第３実施形態と異なり、それ以外は第３実施形態と同一である。そのため、第３実施形態と同様の構成については第３実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８３】
本実施形態に係る異物除去装置１０の吸引ヘッド１６は、第３実施形態に係る異物除去装置１０の吸引ヘッドと異なり、開閉部材９２が、内周側の外気導入通路に設けられる開閉部材ほど当該開閉部材を移動可能に支持する支持部材９３との間の最大静止摩擦力Ｆｓが大きくなるように形成されている。具体的には、内周側の外気導入通路に設けられる開閉部材９２ほど最大静止摩擦力Ｆｓが大きくなるように構成されている。即ち、支持部材９３との接触により各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄの開閉部材９２に作用する最大静止摩擦力Ｆｓを、それぞれＦｓ１，Ｆｓ２，Ｆｓ３，Ｆｓ４とするとき、その大小関係はＦｓ１＞Ｆｓ２＞Ｆｓ３＞Ｆｓ４となっている。なお、各開閉部材９２間の最大静止摩擦力Ｆｓの差は、例えば、規制部９３Ｂの太さを変え、開閉部材９２との接触面積を変えることで生じさせることができる。
【００８４】
次に、図２１，図２２を用いて、異物除去可能な最大開口サイズの半導体装置６０Ｄに対する異物除去について説明する。
まず、図２１（Ａ）に示すように、全ての開閉部材９２を閉塞位置に位置させた後に、導入用筒状部３０Ｄのケース側端部３１Ｄがケース６４の開口縁６６に対して環状に接触するように、吸引ヘッド１６を配置する。このとき、各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄにおいて、開閉部材９２の上面及び下面に大気圧が作用するため、各開閉部材９２には下方に移動させるような力が及ぼされない。
【００８５】
次に、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、吸引用筒状部２０内に吸引口２２から上方に向かう気流を発生させる。これにより、ケース６４内の空気が排気されてケース６４内の気圧が大気圧よりＰＡ（Ｐａ）低い負圧状態となることで、図２１（Ｂ）に示すように、各開閉部材９２には、上面に作用する圧力と下面に作用する圧力との圧力差に起因する同じ大きさの外力Ｆがそれぞれ下方に作用することとなる。
【００８６】
そして、外力Ｆが最大静止摩擦力Ｆｓ１〜Ｆｓ３よりも小さく最大静止摩擦力Ｆｓ４よりも大きくなる圧力状態になると（Ｆｓ１＞Ｆｓ２＞Ｆｓ３＞Ｆ＞Ｆｓ４）、図２２（Ａ）に示すように、最大静止摩擦力Ｆｓ４が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ｄを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。
【００８７】
これにより、外気導入通路４０Ｄからケース６４内に外気が導入されて、ケース６４内の気圧がＰＡ（Ｐａ）よりも高いＰＢ（Ｐａ）に上がるため、各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃの開閉部材９２に作用する外力が、外力Ｆよりも低い外力Ｆ’となる。従って、外力Ｆ’が作用する開閉部材９２は閉塞位置から移動することがなく、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０は閉塞状態を維持することになり、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃから外気が導入されることがない。このため、外気導入通路４０Ｄのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図２２（Ａ）に示す矢印Ｓ５を参照）が発生することになる。このような気流がケース６４内に流れ込むことでケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０が舞い上がり、舞い上がった異物７０は、気流とともに吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００８８】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｃのケース側端部３１Ｃに環状に接触する半導体装置６０に対して異物除去を行う場合には、図２２（Ｂ）に示すように気流Ｓ５’を利用して全ての開閉部材９２を閉塞位置まで移動させた後、吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、外気導入通路４０Ｄの開閉部材９２を除く他の外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃの開閉部材９２に外力Ｆがそれぞれ下方に作用する。そして、外力Ｆが最大静止摩擦力Ｆｓ１，Ｆｓ２よりも小さく最大静止摩擦力Ｆｓ３よりも大きくなる圧力状態になると（Ｆｓ１＞Ｆｓ２＞Ｆ＞Ｆｓ３）、最大静止摩擦力Ｆｓ３が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ｃを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。このため、外気導入通路４０Ｃのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００８９】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ｂのケース側端部３１Ｂに環状に接触する半導体装置６０に対して異物除去を行う場合には、全ての開閉部材９２を閉塞位置まで移動させた後、吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、外気導入通路４０Ｃ，４０Ｄの開閉部材９２を除く他の外気導入通路４０Ａ，４０Ｂの開閉部材９２に外力Ｆがそれぞれ下方に作用する。そして、外力Ｆが最大静止摩擦力Ｆｓ１よりも小さく最大静止摩擦力Ｆｓ２よりも大きくなる圧力状態になると（Ｆｓ１＞Ｆ＞Ｆｓ２）、最大静止摩擦力Ｆｓ２が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ｂを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。このため、外気導入通路４０Ｂのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００９０】
また、ケース６４の開口縁６６が導入用筒状部３０Ａのケース側端部３１Ａに環状に接触する半導体装置６０に対して異物除去を行う場合には、全ての開閉部材９２を閉塞位置まで移動させた後、吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、外気導入通路４０Ｂ〜４０Ｄの開閉部材９２を除く外気導入通路４０Ａの開閉部材９２に外力Ｆ１が下方に作用する。そして、外力Ｆが最大静止摩擦力Ｆｓ１よりも大きくなる圧力状態になると（Ｆ＞Ｆｓ１）、最大静止摩擦力Ｆｓ１が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ａを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように移動する。このため、外気導入通路４０Ａのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流が発生し、ケース６４内の異物７０が吸引用筒状部２０を介して排出される。
【００９１】
以上説明したように、本実施形態に係る異物除去装置１０では、異物除去時に吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、各開閉部材９２間の最大静止摩擦力Ｆｓの差を利用して、接触筒状部により形成される外気導入通路（図２１，図２２の例では、外気導入通路４０Ｄ）の各矩形状通路の選択式開口部９０が閉塞解除状態となる。
【００９２】
これにより、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１６を吸引状態にする前に、接触筒状部により形成される外気導入通路の選択式開口部９０のみを閉塞解除状態とするように、予め開閉部材９２を移動させておく作業を省略することができる。また、内周側の外気導入通路に設けられる開閉部材９２ほど支持部材９３との間の摩擦力を大きくするという簡易な構成で、最も外側の外気導入通路の選択式開口部９０のみを最大静止摩擦力Ｆｓの差に応じて閉塞解除状態にする構成を実現することができる。そして、上記第３実施形態と同様に、接触筒状部により形成される外気導入通路のみから外気を導入することで、当該外気導入通路から吸引口２２に向かう気流が弱められることなく、ケース６４内の開口縁付近での淀みの発生を防ぎ、異物７０の吸引効率を向上させることができる。
【００９３】
図２３（Ａ）は、第５実施形態の第１変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２３（Ｂ）は、第５実施形態の第２変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図である。なお、図２３（Ａ）（Ｂ）に示す付勢手段９５は、便宜上二点鎖線で示している。
上記第５実施形態の吸引ヘッド１６の構成（図２１（Ａ）参照）において、更に、図２３（Ａ）（Ｂ）に示すように、第４実施形態の第１，第２変形例と同様の構成で、選択式開口部９０が、各開閉部材９２を閉塞位置に向けて付勢する付勢手段９５を備える構成であってもよい。この構成によって、第４実施形態の第１，第２変形例と同様の効果を奏することができる。
【００９４】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態に係る異物除去装置について、図２４，図２５を用いて説明する。なお、図２４は、第６実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２４（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引前の状態であり、図２４（Ｂ）は、吸引ヘッドによる吸引開始時の状態である。図２５は、第６実施形態に係る異物除去装置の吸引ヘッドを最大開口サイズの半導体装置に接触させた際の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２５（Ａ）は、吸引ヘッドによる吸引中の状態であり、図２５（Ｂ）は、正圧を利用して各開閉部材を閉塞位置まで移動させた状態である。
本第６実施形態の異物除去装置１０は、各開閉部材９２の傾動に応じて外気が導入される外気導入通路が選択される点が第５実施形態と異なり、それ以外は第５実施形態と同一である。そのため、第５実施形態と同様の構成については第５実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００９５】
本実施形態に係る異物除去装置１０の吸引ヘッド１６は、第５実施形態に係る異物除去装置１０の吸引ヘッドと異なり、図２４（Ａ）に示すように、開閉部材９２は、開口部９１の下面に設けられる支持部９６にて傾動可能に支持されている。また、支持部材９３の規制部９３Ｂは、大径部９４Ａから筒状部の外周面にかけて円弧状となるように形成されており、矩形状の貫通穴にて挿通している開閉部材９２の傾動方向をその円弧方向に制約する。また、支持部材９３との接触により各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄの開閉部材９２に作用する最大静止摩擦力Ｆｓ１〜Ｆｓ４は、上記第５実施形態と同様に、Ｆｓ１＞Ｆｓ２＞Ｆｓ３＞Ｆｓ４となっている。
【００９６】
次に、図２４，図２５を用いて、異物除去可能な最大開口サイズの半導体装置６０Ｄに対する異物除去について説明する。
まず、図２４（Ａ）に示すように、全ての開閉部材９２を閉塞位置に位置させた後に、導入用筒状部３０Ｄのケース側端部３１Ｄがケース６４の開口縁６６に対して環状に接触するように、吸引ヘッド１６を配置する。このとき、各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄにおいて、各開閉部材９２の上面及び下面に大気圧が作用するため、各開閉部材９２には下方に移動させるような力が及ぼされない。
【００９７】
次に、負圧源１４で負圧を発生させて吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、吸引用筒状部２０内に吸引口２２から上方に向かう気流を発生させる。これにより、ケース６４内の空気が排気されてケース６４内の気圧が大気圧よりＰＡ（Ｐａ）低い負圧状態となることで、図２４（Ｂ）に示すように、各開閉部材９２には、上面に作用する圧力と下面に作用する圧力との圧力差に起因する同じ大きさの外力Ｆがそれぞれ下方に作用することとなる。
【００９８】
そして、外力Ｆが最大静止摩擦力Ｆｓ１〜Ｆｓ３よりも小さく最大静止摩擦力Ｆｓ４よりも大きくなる圧力状態になると（Ｆｓ１＞Ｆｓ２＞Ｆｓ３＞Ｆ＞Ｆｓ４）、図２５（Ａ）に示すように、最大静止摩擦力Ｆｓ４が作用する開閉部材９２のみが、外気導入通路４０Ｄを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態とするように支持部９６を基準に傾動する。
【００９９】
これにより、外気導入通路４０Ｄからケース６４内に外気が導入されて、ケース６４内の気圧がＰＡ（Ｐａ）よりも高いＰＢ（Ｐａ）に上がるため、各外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃの開閉部材９２に作用する外力が、外力Ｆよりも低い外力Ｆ’となる。従って、外力Ｆ’が作用する開閉部材９２は閉塞位置から移動することがなく、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃを構成する各矩形状通路の選択式開口部９０は閉塞状態を維持することになり、外気導入通路４０Ａ〜４０Ｃから外気が導入されることがない。このため、外気導入通路４０Ｄのケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流（図２５（Ａ）に示す矢印Ｓ５を参照）が発生することになる。このような気流がケース６４内に流れ込むことでケース６４内の回路基板６２等に付着した異物７０が舞い上がり、舞い上がった異物７０は、気流とともに吸引用筒状部２０を介して排出される。
【０１００】
そして、開口形状の異なる半導体装置６０に対して異物除去を実施する場合には、図２５（Ｂ）に示すように気流Ｓ５’を利用して全ての開閉部材９２を閉塞位置まで傾動させた後、吸引ヘッド１６をいずれかの導入用筒状部のケース側端部にてケース６４の開口縁６６に環状に接触させて吸引状態にする。これにより、最も外側の外気導入通路の選択式開口部９０のみを最大静止摩擦力Ｆｓの差に応じて閉塞解除状態にして、この外気導入通路のケース側開口から吸引用筒状部２０の吸引口２２に向かう気流を発生させて、ケース６４内の異物７０を吸引用筒状部２０を介して排出することができる。
【０１０１】
以上説明したように、各開閉部材９２を傾動可能に支持する構成であっても、異物除去時に吸引ヘッド１６を吸引状態にすることで、上記第５実施形態と同様に、各開閉部材９２間の最大静止摩擦力Ｆｓの差を利用して、接触筒状部により形成される外気導入通路の各矩形状通路の選択式開口部９０を閉塞解除状態にすることができる。
【０１０２】
図２６（Ａ）は、第６実施形態の第１変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図であり、図２６（Ｂ）は、第６実施形態の第２変形例に係る異物除去装置の吸引ヘッドの一部を示す断面図である。なお、図２６（Ａ）（Ｂ）に示す付勢手段９５は、便宜上二点鎖線で示している。
上記第６実施形態の吸引ヘッド１６の構成（図２４（Ａ）参照）において、更に、第４実施形態の第１，第２変形例と同様に、選択式開口部９０が、各開閉部材９２を閉塞位置に向けて付勢する付勢手段９５を備える構成であってもよい。この構成によって、第４実施形態の第１，第２変形例と同様の効果を奏することができる。
【０１０３】
［他の実施形態]
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１０４】
上記各実施形態において、吸引ヘッド１２，１６は、吸引用筒状部２０の吸引口２２をケース側端部３１Ａ〜３１Ｄにて環状に囲うように吸引用筒状部２０の外周側に配置される４つの導入用筒状部３０Ａ〜３０Ｄを備える構成に限らず、吸引ヘッド１２，１６が４つ以外の複数の導入用筒状部を備える構成であってもよい。例えば、吸引ヘッド１２，１６が６つの導入用筒状部を備える構成であってもよい。このような構成によって、異なる種類の吸引ヘッド１２，１６への取り換え作業等を行うことなく、複数種類の開口形状の半導体装置６０について、ケース６４内部において外周側から吸引口２２に向かう気流を発生させる構成とすることができる。
【０１０５】
また、上記各実施形態において、吸引用筒状部２０および各導入用筒状部（３０Ａ〜３０Ｄ）は、薄肉四角筒状に形成される構成に限らず、その他の断面形状を有する筒状に形成される構成であってもよい。例えば、吸引用筒状部２０および各導入用筒状部が、薄肉円筒状に形成される構成であってもよい。このような構成によっても、ケース６４内において外周側から吸引口２２に向かう気流を発生させることができる。
【０１０６】
また、上記第４〜第６実施形態の選択式開口部９０の構成を組み合わせた構成を採用してもよい。例えば、第４実施形態と第５実施形態を組み合わせて、各外気導入通路に設けられる開口部の開口面積に差を設けると共に、規制部９３Ｂと摩擦接触する各開閉部材９２の最大静止摩擦力に差を設けることで、閉塞解除状態にする外気導入通路４０Ａ〜４０Ｄを選択する構成としてもよい。
【符号の説明】
【０１０７】
１０…異物除去装置
１４…負圧源
２０…吸引用筒状部
２２…吸引口
３０Ａ〜３０Ｄ…導入用筒状部
３１Ａ〜３１Ｄ…ケース側端部
６０，６０Ａ，６０Ｄ…半導体装置
６４…ケース  ６６…開口縁
７０…異物
９０…選択式開口部  ９１…開口部  ９２…開閉部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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