(57)【要約】【課題】本発明の課題は、耐湿性及び耐摩耗性に優れ、十分な光透過性を有する透明導電体を提供することである。【解決手段】本発明の透明導電体は、透明基板１と、透明基板１上に設けられた透明金属層３と、透明基板１上に設けられ、硫化亜鉛と、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料とを含有する第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に設けられた透明金属層と、
前記透明基板上に設けられ、硫化亜鉛と、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料とを含有する硫化亜鉛含有層と、を備えることを特徴とする透明導電体。
【請求項２】
前記硫化亜鉛含有層が最表面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の透明導電体。
【請求項３】
前記透明金属層の両面側に設けられた高屈折率層を更に備え、
前記高屈折率層のうち少なくとも一方が、前記硫化亜鉛含有層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体。
【請求項４】
前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に設けられた硫化防止層を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電体に関する。特に、耐湿性及び耐摩耗性に優れ、十分な光透過性を有する透明導電体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。
【０００３】
透明導電体を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）等の酸化物半導体が知られている。
【０００４】
このような透明導電体として、例えば、基材上に、透明金属層としての銀層と、当該銀層の両面にＺｎＳ−ＳｉＯ２層とを備えることで、耐熱性及び耐湿性に優れた透明導電体が提供されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術によれば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層はその硬度が低いため、透明導電体がロール状に巻き取られることで擦れたり、屋外で使用される場合には砂塵等が付着したりすることによって、表面が摩耗するという問題がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ２６３ （２０１２） ５４６−５５２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、耐湿性及び耐摩耗性に優れ、十分な光透過性を有する透明導電体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、透明基板と、前記透明基板上に設けられた透明金属層と、前記透明基板上に設けられ、硫化亜鉛と、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料とを含有する硫化亜鉛含有層と、を備えることで、耐湿性及び耐摩耗性に優れ、十分な光透過性を有する透明導電体が得られることを見いだした。
すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段により解決される。
【０００９】
１．透明基板と、
前記透明基板上に設けられた透明金属層と、
前記透明基板上に設けられ、硫化亜鉛と、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料とを含有する硫化亜鉛含有層と、を備えることを特徴とする透明導電体。
【００１０】
２．前記硫化亜鉛含有層が最表面に設けられていることを特徴とする第１項に記載の透明導電体。
【００１１】
３．前記透明金属層の両面側に設けられた高屈折率層を更に備え、
前記高屈折率層のうち少なくとも一方が、前記硫化亜鉛含有層であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体。
【００１２】
４．前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に設けられた硫化防止層を更に備えることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、耐湿性及び耐摩耗性に優れ、十分な光透過性を有する透明導電体を提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
一般に、硫化亜鉛の硬度は１．６６ＧＰａ程度であるのに対し、二酸化ケイ素の硬度は４．５７ＧＰａ程度である。したがって、硫化亜鉛含有層に、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が含有されていることで、硫化亜鉛含有層が有する耐湿性及び光透過性を大きく損なうことなく、当該層の硬度を向上させることができる。これにより、硫化亜鉛含有層の耐摩耗性が向上し、結果として、簡易な構成で、耐湿性及び耐摩耗性に優れ十分な光透過性を有する透明導電体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図
【図２】本発明の透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図
【図３】本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図
【図４】透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の透明導電体は、透明基板と、前記透明基板上に設けられた透明金属層と、前記透明基板上に設けられ、硫化亜鉛と、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料とを含有する硫化亜鉛含有層と、を備えることを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項４までの各請求項に共通する又は対応する技術的特徴である。
また、本発明は、前記硫化亜鉛含有層が最表面に設けられていることが好ましい。これにより、硬度の高い硫化亜鉛含有層が透明導電体の最表面に配置され、透明導電体の耐摩耗性を確実に向上させることができる。
また、本発明は、前記透明金属層の両面側に設けられた高屈折率層を更に備え、前記高屈折率層のうち少なくとも一方が、前記硫化亜鉛含有層であることが好ましい。これにより、透明導電体の光透過性を更に向上させることができる。
また、本発明は、前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に設けられた硫化防止層を更に備えることが好ましい。これにより、金属硫化物が生成されることを抑制でき、透明導電体の光透過性を向上させることができる。
【００１６】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００１７】
１．透明導電体の層構成
本発明の透明導電体の層構成の例を図１及び図２に示す。図１及び図２に示されるように、本発明の透明導電体１００には、透明基板１の両面に、透明基板１側から、第１高屈折率層２／透明金属層３／第２高屈折率層４が設けられている。そして、本発明の透明導電体１００では、当該第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４のうちいずれか一方又は両方が、硫化亜鉛を含有するとともに、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料を含有する硫化亜鉛含有層を構成している。また、硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４と透明金属層３との間には、硫化防止層５（５ａ及び５ｂ）が設けられていることが好ましい。
図１及び図２に示される透明導電体１００においては、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４がともに硫化亜鉛を含有し、第１高屈折率層２と透明金属層３との間に第１硫化防止層５ａが設けられ、透明金属層３と第２高屈折率層４との間に第２硫化防止層５ｂが設けられている例を示している。
【００１８】
ここで、本発明において硬度とは、ナノインデンテーション法により測定された値をいうものとする。ナノインデンテーション法は、Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製Ｔｒｉｂｏｓｃｏｐｅを用い、エスアイアイナノテクノロジー製ＳＰＡ４００に装着して測定を行うことができる。この方法においては、圧子としてベルコビッチ型圧子（先端稜角１４２．３°）と呼ばれる三角錘型ダイヤモンド製圧子であって、先端曲率半径７５〜１００ｎｍのものを用いる。当該圧子をサンプルの表面に直角に当て、印加する荷重を徐々に増大させ、最大荷重到達後に荷重を０にまで徐々に戻す。この時の最大荷重Ｐを圧子接触部の投影面積Ａで除した値Ｐ／Ａを硬度として算出することができる。圧子接触部の投影面積Ａは、押し込み試験によって得られた深さ−荷重曲線のうち、除荷曲線の初期３０％を直線に近似して外挿、深さ軸と交差する点を圧子接触部の接触深さｈとし、圧子の形状よりｈの関数として求められる。
【００１９】
透明金属層と硫化亜鉛を含有する層とが隣接して形成されると、透明金属層を構成する金属由来の金属硫化物が生成されやすく、透明導電体の光透過性が低下しやすい。金属硫化物は、以下のように生成されると推察される。
【００２０】
硫化亜鉛含有層（第１高屈折率層）上にスパッタ法又は蒸着法等の気相成膜法で透明金属層を形成する場合、硫化亜鉛含有層中の未反応の硫黄成分が、透明金属層の材料（金属材料）によって成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。また、硫化亜鉛含有層と透明金属層とを連続的に形成する場合、硫化亜鉛含有層の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が透明金属層雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。
【００２１】
一方、透明金属層上に硫化亜鉛含有層（第２高屈折率層）を形成する場合、透明金属層中の金属が、硫化亜鉛含有層の材料によって、成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された金属と硫黄成分とが反応し、金属硫化物が透明金属層表面に堆積する。更に、透明金属層の表面と、成膜雰囲気中の硫黄成分とが接触することによっても、透明金属層表面に金属硫化物が生成する。
【００２２】
これに対し、本発明の透明導電体１００では、例えば、図１に示すように、第１高屈折率層２上に、第１硫化防止層５ａが積層される。当該構成では、第１高屈折率層２が第１硫化防止層５ａで保護されるため、透明金属層３の形成時に第１高屈折率層２中の硫黄成分が弾き出されにくい。また、第１高屈折率層２と透明金属層３とを連続的に形成したとしても、第１高屈折率層２の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が、第１硫化防止層５ａの構成成分と反応したり、第１硫化防止層５ａの構成成分に吸着されたりする。したがって、透明金属層３の成膜雰囲気には硫黄が含まれにくく、金属硫化物の生成が抑制される。
【００２３】
また、本発明の透明導電体１００では、例えば、図１に示すように、透明金属層３上に第２硫化防止層５ｂが積層される。当該構成では、透明金属層３が第２硫化防止層５ｂで保護されるため、第２高屈折率層４の形成時に透明金属層３中の金属が弾き出されにくい。また、第２高屈折率層４の成膜雰囲気中の硫黄成分が、透明金属層３の表面と接触しにくい。したがって、透明金属層３表面に金属硫化物が生成しにくい。
【００２４】
本発明の透明導電体では、図１に示すように、透明金属層３が透明基板１の全面に積層されていても良いし、図２に示されるように、透明金属層３が所望の形状にパターン化されていても良い。本発明の透明導電体において、透明金属層３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」ともいう。）である。一方、図２に示されるように、透明金属層３が含まれない領域ｂが絶縁領域である。
【００２５】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば、透明導電体１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図３に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等であり得る。
【００２６】
また、本発明の透明導電体１００には、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３、第２高屈折率層４及び硫化防止層５以外の層が設けられていても良い。例えば、透明金属層３の形成時に成長核になり得る、下地層が、透明金属層３と第１高屈折率層２との間において、透明金属層３に隣接して設けられていても良い。また、例えば、第２高屈折率層４の両面のうち透明基板１と反対側の面に、ハードコート層又は潤滑層等及びそれらを積層したものが設けられていても良い。
【００２７】
なお、以下の説明では、硫化亜鉛含有層が、第１高屈折率層又は第２高屈折率層として設けられているものとして説明するが、硫化亜鉛含有層は第１高屈折率層及び第２高屈折率層とは別個に設けられているものとしても良い。
【００２８】
以下、本発明の透明導電体１００を構成する各層及びその材料等について説明する。
【００２９】
《透明基板》
透明基板１としては、透明な基板であれば良く、従来公知の各種表示デバイスの透明基板と同様のものを用いることができる。
ここで、本発明において、透明とは、波長５５０ｎｍの光の透過率が５０％以上であることをいう。
【００３０】
透明基板１としては、例えば、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルム等が挙げられる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該透明樹脂フィルムには２種以上の樹脂が含まれていても良い。
【００３１】
透明性の観点から、透明基板１の材料としては、例えば、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムであることが好ましい。
【００３２】
透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、更に好ましくは３％以下である。
【００３３】
上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し；平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。
【００３４】
透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、更に好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。
【００３５】
透明基板１のヘイズ値は２．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．２以下である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。
【００３６】
透明基板１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板の厚さが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第１高屈折率層２の作製時に割れたり裂けたりすることを抑制できる。一方、透明基板１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。更に、透明導電体１００を用いた機器の厚さを薄くすることができる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。
【００３７】
《第１高屈折率層》
第１高屈折率層２は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層２は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていても良いが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性を確保する観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００３８】
第１高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層２の屈折率は、第１高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。
【００３９】
第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であっても良く、導電性の材料であっても良い。誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、金属酸化物を用いることができる。金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）、ＧＺＯ（酸化ガリウム亜鉛）、ＡＴＯ（酸化アンチモンスズ）、ＩＣＯ（酸化インジウムセリウム）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）等が挙げられる。第１高屈折率層２には、当該金属酸化物が１種のみ含まれていても良く、２種以上が含まれていても良い。
【００４０】
また、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、上記したとおり、硫化亜鉛を用いることができる。第１高屈折率層２に硫化亜鉛が含有されていると、透明金属層３への水分の透過を抑制し、透明金属層３の腐食を抑制することができる。第１高屈折率層２には、硫化亜鉛のみが含有されていても良いし、硫化亜鉛とともに他の材料が含有されていても良い。硫化亜鉛とともに含有される材料は、上記誘電性材料又は酸化物半導体材料として用いることができる金属酸化物やＳｉＯ２等である。硫化亜鉛とともにＳｉＯ２が含有されていると、第１高屈折率層２が非晶質になりやすく、透明導電体１００のフレキシブル性が高まりやすい。
なお、透明導電体１００が、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４と別個に設けられた硫化亜鉛含有層を備えていない場合には、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４のうち少なくともいずれか一方に、硫化亜鉛とともに、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が含有されているものである。
【００４１】
第１高屈折率層２に硫化亜鉛とともに他の材料が含有されている場合、硫化亜鉛の含有量は、第１高屈折率層２を構成する全材料の総モル数に対して、０．１〜９５質量％であることが好ましく、より好ましくは５０〜９０質量％、更に好ましくは６０〜８５質量％である。硫化亜鉛の含有量が大きいとスパッタ速度が速くなり、第１高屈折率層２の形成速度が速くなる。一方、硫化亜鉛以外の成分が多く含有されていると、第１高屈折率層２の非晶質性が高まり、第１高屈折率層２の割れが抑制される。
【００４２】
第１高屈折率層２の層厚は、１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第１高屈折率層２の層厚が１５ｎｍ以上であると、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１高屈折率層２の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下しにくい。第１高屈折率層２の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００４３】
第１高屈折率層２は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成することができる。第１高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成されることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。
【００４４】
また、第１高屈折率層２が所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。
【００４５】
（アモルファス化金属材料）
第１高屈折率層２には、硫化亜鉛を含有させることが好ましいが、アモルファス化金属材料を更に含有させることがより好ましい。第１高屈折率層２に硫化亜鉛とともに、アモルファス化金属材料を含有させることで、硫化亜鉛をアモルファス化させることができる。これにより、透明導電体１００の屈曲耐性を向上させることができるとともに、第１高屈折率層２の光透過性を向上させることができる。
【００４６】
アモルファス化金属材料としては、例えば、金属酸化物又は金属窒化物等を用いることができる。アモルファス化金属材料としては、硫化亜鉛に対して１〜５０質量％混合させることで硫化亜鉛のアモルファス化を達成することができ、５〜２０質量％混合させることが好ましい。また、アモルファス化金属材料の含有量を適宜調整することで、光の屈折率が変更可能である。そのため、光の透過度を所望のものにすることができる。具体的には、第１高屈折率層２に、例えば、硫化亜鉛よりも屈折率の高い透明材料であるＴｉＯ２やＮｂ２Ｏ５をアモルファス化金属材料として含有させることで、アモルファス化していない、すなわち結晶性の硫化亜鉛単体からなる第１高屈折率層と比べて、反射帯域を柔軟に調整することができる。これにより、透明導電体１００の光学特性の調整が容易になる。
【００４７】
また、アモルファス化金属材料を用いてアモルファス化した硫化亜鉛は、より良好な耐久性を有する。そのため、透明金属層３の保護をより確実に行うことができる。したがって、例えば、第１高屈折率層２に硫化亜鉛とともにアモルファス化金属材料としてＳｉ３Ｎ４やＡｌ２Ｏ３等を含有させることで、透明導電体１００の擦傷性を改善させることが可能になる。
【００４８】
アモルファス化金属材料として用いられる金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ５、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＴＯ（ＩｎＳｎＯ）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）、ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＡｌＳｎＯ）、ＩＣＯ（ＩｎＣｅＯ）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ＧａＩｎＯ）、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等が挙げられる。
【００４９】
これらの中でも、ＳｉＯ２及びＴｉＯ２が好ましい。ＳｉＯ２を用いる場合、その含有量が少量でも、硫化亜鉛のアモルファス化が可能である。そのため、ＳｉＯ２を含有させることで、硫化亜鉛のアモルファス化後に、高い密着性（耐剥離性）や高い耐久性（例えば耐湿性等）を特に良好に奏させることができる。また、ＴｉＯ２、ＳnＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５は透明材料の中でも特に高屈折率を示すため、これらを用いることで、反射特性を柔軟に調整することができる。更にその中でもＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５はスパッタレートが高いため生産性が高く好適である。
【００５０】
更に、アモルファス化金属材料として用いられる金属窒化物としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が挙げられる。これらの中でも、Ｓｉ３Ｎ４が好ましい。Ｓｉ３Ｎ４は硬度が高いため、Ｓｉ３Ｎ４を用いることで、第１高屈折率層２の耐擦傷性を向上させることができる。
【００５１】
なお、これらのアモルファス化金属材料は単独で用いられても良いし、二種以上が任意の比率及び組み合わせで用いられても良い。
【００５２】
アモルファス化硫化亜鉛を得るために、結晶性の硫化亜鉛に対して含有させるアモルファス化金属材料の量に特に制限はない。例えば、アモルファス化金属材料の種類によっても異なるため一概にはいえないものの、アモルファス化金属材料としてＳｉＯ２を用いる場合、結晶性の硫化亜鉛に対して、通常１質量％以上、より好ましくは５質量％以上であって、通常９９質量％以下、より好ましくは９５質量％以下のＳｉＯ２を含有させることで、アモルファス化硫化亜鉛とすることができる。
【００５３】
（二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料）
本発明においては、硫化亜鉛が含有される層に、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が更に含有されている。これにより、当該層の硬度を向上させることができ、透明導電体の耐摩耗性を向上させることができる。
【００５４】
二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料としては、上記アモルファス化金属材料として挙げられた材料のうち、ナノインデンテーション法により測定された物質固有の硬度が二酸化ケイ素よりも高いものを挙げることができる。
【００５５】
二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料の具体例としては、例えば、ＳｉＣ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ５、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＴＯ（ＩｎＳｎＯ）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）、ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＡｌＳｎＯ）、ＩＣＯ（ＩｎＣｅＯ）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ＧａＩｎＯ）、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ＢｅＯ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＧａＡｓ等が挙げられる。
【００５６】
これらの中でも、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ及びＳｉ３Ｎ４が好ましい。これらは透明材料の中でも特に高硬度を示すため、これらの材料を用いることで、特に硫化亜鉛含有層の耐摩耗性を高めることが可能となる。
また、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２及びＴａ２Ｏ５が好ましい。これらは透明材料の中でも特に高屈折率を示すため、これらの材料を用いることで、反射特性を柔軟に調整することができる。
【００５７】
二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料の含有量については、上記アモルファス化金属材料の含有量と同様である。例えば、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料として、Ａｌ２Ｏ３を用いる場合、結晶性の硫化亜鉛に対して、通常１質量％以上、好ましくは５質量％以上であって、通常９９質量％以下、好ましくは９５質量％以下含有させることで、硫化亜鉛をアモルファス化することができるとともに、目的の耐摩耗性を得ることができる。
【００５８】
なお、これらは一種が単独で用いられても良く、二種以上が任意の比率及び組み合わせで用いられても良い。
また、本発明においては、硫化亜鉛含有層に、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が含有されていれば良く、例えば、これに加えて更に、アモルファス化金属材料として二酸化ケイ素が含有されているものとしても良い。
【００５９】
《第１硫化防止層》
第１高屈折率層２が硫化亜鉛を含有する場合、図１に示すように、第１高屈折率層２と透明金属層３との間に第１硫化防止層５ａが設けられることが好ましい。第１硫化防止層５ａは、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていても良いが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性を確保する観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００６０】
当該第１硫化防止層５ａの材料としては、例えば、金属酸化物、金属窒化物等又は亜鉛を用いることができる。第１硫化防止層５ａには、これらが一種のみ含まれていても良いし、二種以上含まれていても良い。ただし、第１高屈折率層２と、第１硫化防止層５ａと、透明金属層３とが連続的に形成される場合には、第１硫化防止層は、硫黄と反応可能な化合物や、硫黄を吸着可能な化合物を含有していることが好ましい。第１硫化防止層に含有されている材料が、硫黄と反応する化合物である場合、当該硫黄との反応生成物は可視光透過率が高いことが好ましい。例えば、Ｚｎ又はＧａが含有されていることが好ましい。これらはＡｇとの相互作用が高く、耐湿特性を悪化させない。
【００６１】
金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ＩＧＺＯ、Ｍ３（登録商標、メルクジャパン社製、酸化アルミニウムと酸化ランタンとの混合物）、Ｉｎ２Ｏ５等を挙げることができる。
金属窒化物としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等を挙げることができる。
中でも、第１硫化防止層５ａを構成する材料としては、金属酸化物が好ましく、特に、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＺＴＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｙ２Ｏ３及びＭ３が好ましい。これにより、第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４に含まれる硫化亜鉛との密着性を高めることができ、耐久性をより向上させることができる。更に好ましくはＺｎ又はＧａ含有の材料であり、特に好ましくはＩＧＺＯ、ＺｎＯ又はＧＺＯである。
【００６２】
ここで、第１硫化防止層５ａの層厚は、後述する透明金属層３の形成時の衝撃から、第１高屈折率層２の表面を保護可能な層厚であることが好ましい。一方で、第１高屈折率層に含有され得る硫化亜鉛は、透明金属層３に含有される金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層５ａの層厚が非常に薄く、第１高屈折率層２の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属層が成長し、透明金属層３が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、更に好ましくは１〜３ｎｍである。第１硫化防止層５ａの層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００６３】
第１硫化防止層５ａは、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成することができる。
【００６４】
第１硫化防止層５ａが、所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１硫化防止層５ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。
【００６５】
《透明金属層》
透明金属層３は、透明導電体１００において電気を導通させるための層である。透明金属層３は、前述のように、透明基板１の全面に形成されていても良いし、所望の形状にパターン化されていても良い。
【００６６】
透明金属層３に含有される金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば、銀、銅、金、白金族、チタン、クロム、パラジウム、ルテニウム、ビスマス、タンタル等を用いることができる。透明金属層３には、これらの金属が１種のみ含有されていても良いし、２種以上含有されていても良い。
【００６７】
高い導電性を得る観点から、透明金属層は、銀、又は、銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。
銀と組み合わされる金属としては、例えば、亜鉛、金、銅、白金、ルテニウム、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、タンタル、クロム、インジウム、チタン等を用いることができる。中でも、ビスマス、パラジウム又は銅が好ましい。透明金属層３には、銀の単体又は化合物と、ビスマス、パラジウム又は銅の単体又は化合物とが併存していても良いし、銀とこれらの金属のうち少なくとも一つとの合金の形態で含まれていても良いが、合金の形態で含まれていることが好ましい。また、透明金属層３を構成する材料の全てが、銀とこれらの金属のうち少なくとも一つとの合金であることが好ましい。透明金属層３にこれらの金属のうち少なくとも一つが含まれることで、透明導電体１００の耐久性や耐剥離性等をより向上させることができる。
また、例えば、透明金属層３が銀と亜鉛との合金を含有する場合、透明金属層３の耐硫化性を向上させることができる。また、例えば、透明金属層３が銀と金との合金を含有する場合、透明金属層３の耐塩（ＮａＣｌ）性を向上させることができる。更に、例えば、透明金属層３が銀と銅との合金を含有する場合、透明金属層３の耐酸化性を向上させることができる。
【００６８】
透明金属層３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【００６９】
透明金属層３の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ形成する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ形成する。
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして、各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００７０】
透明金属層３の層厚は、１０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜９ｎｍであり、更に好ましくは５〜８ｎｍである。透明金属層３の層厚が１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層３の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００７１】
透明金属層３は、いずれの形成方法で形成されたものであっても良いが、透明金属層の平均透過率を高める観点から、スパッタ法で形成された層であることが好ましく、また、後述する下地層上に形成された層であることが好ましい。
【００７２】
スパッタ法では、形成時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく、透明金属層３の光透過性を向上させることができる。また、透明金属層３がスパッタ法により形成された層であると、透明金属層３が高温かつ低湿度な環境においても腐食しにくくなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等を用いることができる。透明金属層３は、特に、対向スパッタ法で形成された層であることが好ましい。透明金属層３が、対向スパッタ法で形成された層であると、透明金属層３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属層３の表面電気抵抗をより低減させることができ、光の透過率も向上させることができる。
【００７３】
一方、透明金属層３が後述する下地層上に形成された層である場合、透明金属層３の形成時に下地層が成長核となるか、又は透明金属に対して濡れ性が高くなるため、透明金属層３が平滑な層になりやすい。その結果、透明金属層３が薄くとも、プラズモン吸収が生じにくくなる。この場合、透明金属層３の形成方法は特に制限されず、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法を用いることができる。
【００７４】
また、透明金属層３が所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された膜であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。
【００７５】
《第２硫化防止層》
第２高屈折率層４が硫化亜鉛を含有する場合、図１に示すように、透明金属層３と第２高屈折率層４との間に第２硫化防止層５ｂが設けられることが好ましい。
第２硫化防止層５ｂは、上記第１硫化防止層５ａと同様に構成されているため、共通する点について説明を省略し、第１硫化防止層５ａと異なっている点についてのみ以下に説明する。
【００７６】
第２硫化防止層５ｂの層厚は、第２高屈折率層４の形成時の衝撃から、透明金属層３の表面を保護可能な層厚であることが好ましい。透明金属層３に含有される金属と、第２高屈折率層４に含有され得る硫化亜鉛は、親和性が高い。そのため、第２硫化防止層５ｂの層厚が非常に薄く、透明金属層３の一部が僅かに露出していると、透明金属層３や第２硫化防止層５ｂと第２高屈折率層４との密着性が高まりやすい。したがって、第２硫化防止層５ｂの具体的な層厚は０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、更に好ましくは１〜３ｎｍである。第２硫化防止層５ｂの層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００７７】
《第２高屈折率層》
第２高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。
第２高屈折率層４は、上記第１高屈折率層２と同様に構成されているため、共通する点について説明を省略し、第１高屈折率層２と異なっている点についてのみ以下に説明する。
【００７８】
上記したとおり、第２高屈折率層４には硫化亜鉛が含有されていても良く、第２高屈折率層４に硫化亜鉛が含有されていると、透明金属層３への水分の透過を抑制し、透明金属層３の腐食を抑制することができる。
【００７９】
第２高屈折率層４は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成することができるが、第２高屈折率層４の透湿性を低減する観点から、第２高屈折率層４はスパッタ法で形成されることが特に好ましい。
【００８０】
《その他の機能層》
本発明の透明導電体は、更に、以下に説明するハードコート層、潤滑層、下地層等を備えていても良い。
【００８１】
（ハードコート層）
本発明の透明導電体１００は、更にハードコート層（図示略）を備えていても良い。透明導電体１００がハードコート層を備えていることで、透明導電体１００の耐摩耗性を更に向上させることができる。
【００８２】
ハードコート層は、透明導電体の構成層として採用され得る従来公知のハードコート層と同様に構成されていれば良い。すなわち、本発明に係るハードコート層は、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹脂、有機シリケート化合物、シリコーン系樹脂等で構成されている。特に、硬度及び耐久性等の観点から、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂で構成されていることが好ましい。更に、硬化性、可撓性及び生産性の観点から、活性エネルギー線硬化型のアクリル系樹脂又は熱硬化型のアクリル系樹脂で構成されていることが好ましい。なお、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で構成されたハードコート層や、蒸着等により成膜されたＳｉＯ２コート、シリカ粒子等の高硬度粒子を含みバインダーとして樹脂を用いたハードコート層等を選択することも可能である。
【００８３】
活性エネルギー線硬化型のアクリル系樹脂又は熱硬化型のアクリル系樹脂は、重合硬化成分として多官能アクリレート、アクリルオリゴマー又は反応性希釈剤を含む組成物である。その他に、必要に応じて光開始剤、光増感剤、熱重合開始剤又は改質剤等を含有していても良い。
【００８４】
アクリルオリゴマーとしては、アクリル系樹脂骨格に反応性のアクリル基が結合されたものを始めとして、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレート等であり、また、メラミンやイソシアヌール酸等の剛直な骨格にアクリル基を結合したもの等を用いることもできる。
【００８５】
また、反応性希釈剤としては、塗工剤の媒体として塗工工程での溶剤の機能を担うとともに、それ自体が一官能性又は多官能性のアクリルオリゴマーと反応する基を有し、塗膜の共重合成分となるものである。
【００８６】
市販されている多官能アクリル系硬化塗料としては、例えば、三菱レイヨン株式会社製の「ダイヤビームシリーズ」、長瀬産業株式会社製の「デナコールシリーズ」、新中村株式会社製の「ＮＫエステルシリーズ」、ＤＩＣ株式会社製の「ＵＮＩＤＩＣシリーズ」、東亞合成株式会社製の「アロニックスシリーズ」、日本油脂株式会社製の「ブレンマーシリーズ」、日本化薬株式会社製の「ＫＡＹＡＲＡＤシリーズ」、共栄社化学株式会社製の「ライトエステルシリーズ」、「ライトアクリレートシリーズ」等を挙げることができる。
【００８７】
本発明に係るハードコート層には、本発明の効果が損なわれない範囲で、更に各種の添加剤を必要に応じて含有させることができる。例えば、酸化防止剤、光安定剤、ＵＶ吸収剤などの安定剤、界面活性剤、レベリング剤及び帯電防止剤などを用いることができる。
【００８８】
レベリング剤は、特に、ハードコート層を塗工する際、表面凹凸低減に効果的である。レベリング剤としては、例えば、シリコーン系レベリング剤として、ジメチルポリシロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体（例えば、東レ・ダウコーニング（株）製ＳＨ１９０）を好適に用いることができる。
【００８９】
ハードコート層の形成方法については特に制限はないが、例えば、ダイコーター法、グラビアロールコーター法、スピンコーティング法、スプレー法、ブレードコーティング法、エアーナイフコート法、ディップコート法、転写法等のウエットコーティング法、蒸着法等のドライコーティング法により形成することが好ましい。
【００９０】
（潤滑層）
本発明の透明導電体１００は、更に潤滑層（図示略）を備えていても良い。透明導電体１００が潤滑層を備えていることで、透明導電体１００の耐摩耗性を更に向上させることができる。
潤滑層は、潤滑油に代表される潤滑液、固体又は半固体潤滑材、撥水撥油剤等により構成されているが、光学特性への影響及び均質性の観点から撥水撥油剤であることが好ましい。撥水撥油剤の具体例としては、例えば、メルク社製の撥水剤ＳｕｂｓｔａｎｃｅＷＲ１等を挙げることができる。
また、潤滑層の形成方法としては、材料によっても異なるが、蒸着法や塗布法等の従来公知の層形成方法を用いることができる。
【００９１】
（下地層）
前述のように、透明導電体１００は、透明金属層３の形成時に成長核となる下地層（図示略）を更に備えていても良い。下地層は、透明金属層３の透明基板１側に隣接して設けられ、具体的には、第１高屈折率層２と透明金属層３との間、又は、第１硫化防止層５ａと透明金属層３との間に設けられる。下地層は、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成されていることが好ましいが、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されていても良い。
【００９２】
透明導電体１００が下地層を備えていると、透明金属層３の層厚が薄くとも、透明金属層３の表面の平滑性を高めることができる。
【００９３】
ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ、インジウム、又はこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えば、硫化亜鉛）が含まれていることが好ましい。中でも、パラジウム又はモリブデンが含まれていることが特に好ましい。また、下地層には、窒素含有有機化合物等が含まれていても良い。下地層には、これらが一種のみ含まれていても良いし、二種以上が含まれていても良い。
【００９４】
下地層に、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと他の金属との合金が含まれている場合、当該他の金属としては、特に制限されないが、例えば、パラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等を用いることができる。
【００９５】
下地層が所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。
【００９６】
２．透明導電体の光学アドミッタンスについて
透明導電体の導通領域ａの表面（透明導電体１００において透明基板１とは反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥとから定まる。ここで、光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材又は環境であって、有機樹脂からなる部材、又は環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹＥとの関係は以下の式で表される。
【００９７】
【数１】
2015178196.tif 000003
【００９８】
上記の式に基づけば、｜Ｙｅｎｖ−ＹＥ｜が０に近い程、透明導電体（導通領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。
【００９９】
前記媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常、媒質の屈折率ｎｅｎｖと同一である。一方、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥは、導通領域ａを構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば、透明導電体（導通領域ａ）が一層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹＥは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。
【０１００】
一方、透明導電体（導通領域ａ）が積層体からなる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１  Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され、具体的には以下の式（１）又は式（２）にて求められる。
【０１０１】
・ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合
【０１０２】
【数２】
2015178196.tif 000004
【０１０３】
上記式において、δ＝２πｎｄ／λであり、ｙ＝ｎ（ｘ層目の膜のアドミッタンス）、ｄはｘ層目の層の層厚である。
【０１０４】
・ｘ層目が理想金属層である場合
【０１０５】
【数３】
2015178196.tif 000005
【０１０６】
上記式において、γ＝（２π／λ）ｋｄ、ｄはｘ層目の層の層厚、ｋは層の屈折率（虚部）である。
【０１０７】
そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹＥとなる。
【０１０８】
図４に、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＩＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部、つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部、つまり当該式におけるｙである。なお、第１硫化防止層（ＩＴＯ）は層厚が十分に薄いため、その光学アドミッタンスは無視するものとする。
【０１０９】
図４において、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥである。そして、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標Ｙｅｎｖ（ｎｅｎｖ，０）（図示略）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。
【０１１０】
ここで、本発明の透明導電体では、透明金属層の高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ１＋ｉｙ１）とし、透明金属層の中間層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ２＋ｉｙ２）とした場合に、ｘ１及びｘ２のうちいずれか一方、又は両方が１．６以上であることが好ましい。ｘ１又はｘ２のうちいずれか一方が、１．６以上であると透明導電体の光透過性が高まりやすい。その理由を以下に説明する。
【０１１１】
透明導電体を構成する各層どうしの界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。
【０１１２】
【数４】
2015178196.tif 000006
【０１１３】
上記関係式に基づけば、透明金属層表面の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（ｘ１及びｘ２）が大きくなれば、透明金属層の電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。すなわち、透明導電体の光透過性が十分に高まる。
【０１１４】
したがって、上記ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方、又は両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、更に好ましくは２．０以上である。ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方が１．６以上であれば良いが、特にｘ１が１．６以上であることが好ましい。また、ｘ１及びｘ２は、７．０以下であることが好ましく、５．５以下であることがより好ましい。ｘ１は、第１高屈折率層の屈折率や、第１高屈折率層の層厚等で調整される。ｘ２は、ｘ１の値や透明金属層の屈折率、透明金属層の層厚等によって調整される。例えば、第１高屈折率層の屈折率が高い場合や、第１高屈折率層の層厚がある程度厚い場合には、ｘ１及びｘ２の値が大きくなりやすい。また、ｘ１とｘ２との差の絶対値（｜ｘ１−ｘ２｜）は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、更に好ましくは０．８以下である。
【０１１５】
また、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡は、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましい。アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称であると、特定波長以外の波長（例えば、４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹＥの座標が、一定になりやすく、いずれの波長においても、反射率Ｒが小さくなる。したがって、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ２が、ｙ１×ｙ２≦０を満たすことが好ましい。更に、｜ｙ１＋ｙ２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、更に好ましくは０．３以下である。
【０１１６】
更に、前述のｙ１が十分に大きいことが好ましい。前述のように、透明金属層の光学アドミッタンスは虚部の値が大きく、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。そのため、ｙ１が十分に大きければ、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が適切な範囲に収まりやすく、アドミッタンス軌跡が線対称になりやすい。ｙ１は０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、更に好ましくは０．３〜１．０である。一方、前述のｙ２は、−０．３〜−２．０であることが好ましく、より好ましくは−０．６〜−１．５である。
【０１１７】
一方、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、透明導電体の第２高屈折率層側の表面と接する部材又は環境（媒質）の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｎｅｎｖ，０）との距離（（ｘＥ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙＥ）２）０．５）は、０．５未満であることが好ましく、更に好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、導通領域ａの表面の反射率Ｒａが十分に小さくなり、導通領域ａの光の透過性が高まる。
【０１１８】
更に、透明金属層３がパターン化されている場合には、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、絶縁領域ｂの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（（ｘｂ，ｙｂ）で表す）との距離、（（ｘＥ−ｘｂ）２＋（ｙＥ−ｙｂ）２）０．５）が０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥの座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンスＹｂの座標とが十分に近くなると、これらのパターンが視認されにくくなる。また更に、｜（ｘｅｎｖ−ｘｂ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙｂ）２−（ｘｅｎｖ−ｘＥ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙＥ）２｜が０．１以下であることが好ましい。当該値を満たすと、導通領域ａ及び絶縁領域ｂがいずれも視認されにくくなる。
【０１１９】
３．透明導電体の物性について
本発明の透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても７５％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。上記波長範囲における平均透過率が７５％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
【０１２０】
一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても７０％以上であることが好ましく、より好ましくは７５％以上、更に好ましくは８０％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば、太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。
【０１２１】
一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下、更に好ましくは１０％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても２５％以下であることが好ましく、より好ましくは２０％以下、更に好ましくは１５％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下、更に好ましくは５％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。
【０１２２】
上記平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での平均透過率及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わされて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。また、透明導電体の実質の透過率を測定するために、最表面での反射を計算上で除去する補正を行っても良い。必要に応じて透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定することができる。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【０１２３】
また、透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、導通領域ａの透過率及び絶縁領域ｂの透過率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感透過率と、絶縁領域ｂの視感透過率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、更に好ましくは１％以下、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、更に好ましくは１％以下である。視感透過率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１２４】
また、透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、±５以内であることがより好ましく、±３．０以内であることが更に好ましく、±２．０以内であることが特に好ましい。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【０１２５】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、３０Ω／□以下であることが更に好ましい。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の層厚等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えば、ＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１２６】
４．透明導電体の用途
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１２７】
このとき、透明導電体の表面は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられていても良い。この場合には、前述のように、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
【０１２８】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
【実施例】
【０１２９】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１３０】
《透明導電体１の作製》
透明基板としてのシクロオレフィンポリマー（日本ゼオン社製、商品名：ゼオノアＺＦ−１４、厚さ５０μｍ、巾手１３００ｍｍ）からなるフィルムに、下記の方法で、透明金属層（Ａｇ）及び高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）をこの順に下記の方法で積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターン化した。各層の層厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０１３１】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１４Å／ｓでＡｇを対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。形成された透明金属層の層厚は７ｎｍであった。
【０１３２】
（高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／ｓでＺｎＳ−ＴｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。硫化亜鉛の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３７であり、高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３７とした。形成された高屈折率層の層厚は４０ｎｍであった。
【０１３３】
（積層体のパターン化）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に形成し、透明基板以外の各層を図３に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬製）でパターン化した。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。このようなパターン化を透明基板の両面に対して施した。
【０１３４】
《透明導電体２の作製》
透明導電体１の作製において、高屈折率層の材料をＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３に変更した以外は同様にして、透明導電体２を作製した。
【０１３５】
《透明導電体３の作製》
透明基板としてのシクロオレフィンポリマーからなるフィルムに、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３）、透明金属層（Ａｇ）及び第２高屈折率層（ＩＧＺＯ）をこの順に下記の方法で積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターン化した。各層の層厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０１３６】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／ｓでＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。硫化亜鉛の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３７であり、第１高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３７とした。形成された第１高屈折率層の層厚は４０ｎｍであった。
【０１３７】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１．３ｋＷ、成膜レート１４Å／ｓでＡｇを対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。形成された透明金属層の層厚は７ｎｍであった。
【０１３８】
（第２高屈折率層（ＩＧＺＯ）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート０．５Å／ｓでＩＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。形成された第２高屈折率層の層厚は４０ｎｍであった。
【０１３９】
《透明導電体４の作製》
透明導電体３の作製において、第１高屈折率層と第２高屈折率層の形成順序を入れ替え、第１高屈折率層としてＩＧＺＯからなる層を形成した後、透明金属層を形成し、更に、第２高屈折率層としてＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３からなる層を形成した以外は同様にして、透明導電体４を作製した。
【０１４０】
《透明導電体５の作製》
透明導電体３の作製において、第２高屈折率層を、第１高屈折率層（ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３）と同じように形成した以外は同様にして、透明導電体５を作製した。
【０１４１】
《透明導電体６の作製》
透明導電体５の作製において、透明金属層の材料をＡＰＣ（ＡｇにＰｄ及びＣｕを添加した合金）に変更した以外は同様にして、透明導電体６を作製した。
【０１４２】
《透明導電体７の作製》
透明導電体５の作製において、第１高屈折率層と透明金属層の間に第１硫化防止層を設け、透明金属層と第２高屈折率層との間に第２硫化防止層を設けた以外は同様にして、透明導電体７を作製した。第１硫化防止層及び第２硫化防止層は以下のように形成した。
【０１４３】
（第１硫化防止層（ＺｎＯ）及び第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．６Å／ｓでＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。形成された第１硫化防止層の層厚は３ｎｍであった。
【０１４４】
《透明導電体８〜１２の作製》
透明導電体７の作製において、第１硫化防止層及び第２硫化防止層の材料を表１に記載のとおりに変更した以外は同様にして、透明導電体８〜１２を作製した。
なお、表１中、ＡＺＯは、ＺｎＯにＡｌを５ａｔｍ％含有させたものを示しており、ＧＺＯは、ＺｎにＧａ２Ｏ５を５．７質量％含有させたものを示しており、ＩＧＺＯはＺｎにＩｎを１４．３ａｔｍ％、Ｇａを１４．３ａｔｍ％、更にＯを５７．１ａｔｍ％含有させたものを示しており、ＺＴＯは、ＺｎにＳｎを１０ａｔｍ％含有させたものを示している。
【０１４５】
《透明導電体１３の作製》
透明導電体７の作製において、透明金属層の材料をＡＰＣに変更した以外は同様にして、透明導電体１３を作製した。
【０１４６】
《透明導電体１４〜１８の作製》
透明導電体１３の作製において、第１硫化防止層及び第２硫化防止層の材料を表１に記載のとおりに変更した以外は同様にして、透明導電体１４〜１８を作製した。
【０１４７】
《透明導電体１９の作製》
透明導電体７の作製において、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の材料をＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３に変更した以外は同様にして、透明導電体１９を作製した。
【０１４８】
《透明導電体２０〜３０の作製》
透明導電体１９の作製において、透明金属層、第１硫化防止層及び第２硫化防止層の材料を表１に記載のとおりに変更した以外は同様にして、透明導電体２０〜３０を作製した。
【０１４９】
《透明導電体３１の作製》
透明導電体１９の作製において、第２高屈折率層上に更に、ハードコート層を以下の方法で形成した以外は同様にして透明導電体３１を作製した。
【０１５０】
（ハードコート層の形成）
ＤＩＣ社製のＵＮＩＤＥＣＶ４０００−ＢＡを、第一理科株式会社製バーコーター（Ｎｏ．０２）を用いて厚さ５μｍの厚さに塗布し、ＵＳＨＩＯ製スポットキュアＳＰ−Ｘを用いて２００Ｗで１秒間ＵＶ照射を行った。このようにして、ハードコート層を形成した。形成されたハードコート層の層厚は、１０μｍであった。
【０１５１】
《透明導電体３２の作製》
透明導電体１９の作製において、第２高屈折率層上に更に、潤滑層を以下の方法で形成した以外は同様にして透明導電体３２を作製した。
【０１５２】
（潤滑層の形成）
真空蒸着法により、メルク社製の撥水剤ＳｕｂｓｔａｎｃｅＷＲ１を用いて潤滑層を形成した。上記撥水剤をタングステン製抵抗加熱ボートに入れ、１２０Ａの電流で加熱を行い、背圧が上昇した時点で加熱を中止した。このようにして、潤滑層を形成した。潤滑層の層厚は測定不可能であるが、単分子程度の層厚と考えられる。
【０１５３】
《透明導電体３３の作製》
透明導電体１９の作製において、第２高屈折率層上に更に、ハードコート層及び潤滑層をこの順に形成した以外は同様にして、透明導電体３３を作製した。ハードコート層は透明導電体３１と同様に形成し、潤滑層は透明導電体３２と同様に形成した。
【０１５４】
《透明導電体３４の作製》
透明導電体１の作製において、高屈折率層の材料をＺｎＳ−ＳｉＯ２に変更した以外は同様にして、透明導電体３４を作製した。
【０１５５】
《透明導電体３５の作製》
透明導電体５の作製において、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の材料をＺｎＳ−ＳｉＯ２に変更した以外は同様にして、透明導電体３５を作製した。
【０１５６】
《透明導電体１〜３５の評価》
上記のようにして作製した透明導電体１〜３５について下記の評価を行った。評価結果を表１に示す。
【０１５７】
（１）耐湿性の評価
透明導電体１〜３５の耐久性を評価するために、耐久性の一種である耐湿性（透明導電体がどの程度の湿度に耐えられるか）を評価した。耐湿性の評価は、以下のようにして行った。すなわち、作製した透明導電体を６５℃９５％（相対湿度）の環境下に１００時間静置し、その後、透明導電体を目視することにより、下記の基準にしたがって評価した。なお、下記の基準において、耐湿性の評価結果が「△」以上であれば、十分な耐湿性を示しているものといえる。
◎◎：外観でクラックや変色等が認められず、透過率の減少も認められない
◎：外観でクラックや変色等が認められない。
○：外観でクラックや変色等が殆ど認められない
△：外観でクラックや変色等が少し認められる
×：外観でクラックや変色等が多数認められる
【０１５８】
（２）耐摩耗性の評価
（株）本光製作所製、消しゴム摩耗試験機の先端に、＃００００のスチールウールを固定し、１００ｇｆの荷重をかけて、透明導電体１〜３５の表面上を１０回往復摩擦した後の表面の傷を目視で観察し、下記の基準で評価した。
◎◎：傷なし
◎：傷１〜３本
○：傷４〜１０本
△：傷１１〜２０本
×：傷２０本以上
【０１５９】
（３）光透過性の評価
透明導電体１〜３５の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて、その平均透過率を測定した。平均透過率は、分光光度計Ｕ４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を使用してＶ−Ｗ法により測定した。４５０−８００ｎｍの平均透過率を下記の基準で評価した。
◎◎：９３％以上
◎：９０％以上９３％未満
○：８５％以上９０％未満
△：８０％以上８５％未満
×：８０％未満
【０１６０】
【表１−１】
2015178196.tif 000007
【０１６１】
【表１−２】
2015178196.tif 000008
【０１６２】
（４）まとめ
表１に示した結果から明らかなように、硫化亜鉛とともに、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が含有された層を有している本発明の透明導電体１〜３３は、耐湿性及び耐摩耗性に優れ、十分な光透過性を有していることが分かる。
また、透明導電体３は、硫化亜鉛とともに二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が含有された層（第１高屈折率層）が透明金属層よりも透明基板側に設けられているが、比較例よりも良好な耐摩耗性を示している。これは、例えば押圧がかかった際に表面側の層の変形を第１高屈折率層が抑えることにより、表面側の層の破壊剥離が阻止されるためと推定される。
特に、硫化亜鉛とともに、二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が含有された層が、透明金属層よりも最表面側に設けられている透明導電体４は、当該層が透明金属層よりも透明基板側に設けられている透明導電体３よりも、耐摩耗性に優れている。
また、硫化亜鉛とともに二酸化ケイ素よりも硬度の高い材料が含有された層が、透明金属層の両面側に設けられている透明導電体５〜３３は、更に高い耐湿性を有していることが分かる。
また、硫化防止層が設けられている透明導電体７〜３３は、更に高い光透過性を有していることが分かる。硫化防止層が設けられていることで、硫化金属の生成が抑制されるためと考えられる。
更に、ハードコート層及び潤滑層が設けられている透明導電体３１〜３３は、特に耐摩耗性や光透過性に優れていることが分かる。
【０１６３】
これに対し、比較例の透明導電体３４、３５は、それぞれ透明金属層の片面側又は両面側に硫化亜鉛と二酸化ケイ素とが含有された高屈折率層を備えており、本発明の透明導電体１、５と同程度の優れた耐湿性を示している。しかしながら、透明導電体３４、３５は、高屈折率層に硫化亜鉛とともに二酸化ケイ素が含有されており、当該層の硬度が十分ではない。このため、比較例の透明導電体３４、３５は耐摩耗性が低い結果となっている。
【符号の説明】
【０１６４】
１      透明基板
２      第１高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
３      透明金属層
４      第２高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
５ａ    第１硫化防止層
５ｂ    第２硫化防止層
１００  透明導電体
ａ      導通領域
ｂ      絶縁領域
【図１】
2015178196.tif 000009
【図２】
2015178196.tif 000010
【図３】
2015178196.tif 000011
【図４】
2015178196.tif 000012