(57)【要約】      （修正有）【課題】光のクロストークが大幅に抑制された高性能かつ高発光効率の半導体発光装置を提供する。【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層２１、発光層２２及び第１の導電型とは反対導電型の第２の導電型を有する第２の半導体層２３を含む半導体構造層ＳＬと、第２の半導体層２３側から第２の半導体層２３及び発光層２２を貫通して第１の半導体層２１に電気的に接続され、半導体構造層ＳＬを複数の発光セグメントに区画する少なくとも１つの第１の電極２４と、複数の発光セグメントＳ１、Ｓ２、Ｓ３の隣接する発光セグメントとの間における第１の半導体層２１の表面に形成され、側面に光反射膜２７が形成された少なくとも１つの光反射溝２６と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び前記第１の導電型とは反対導電型の第２の導電型を有する第２の半導体層を含む半導体構造層と、
前記第２の半導体層側から前記第２の半導体層及び前記発光層を貫通して前記第１の半導体層に電気的に接続され、前記半導体構造層を複数の発光セグメントに区画する少なくとも１つの第１の電極と、
前記複数の発光セグメントの隣接する前記発光セグメントとの間における前記第１の半導体層の表面に形成され、側面に光反射膜が形成された少なくとも１つの光反射溝と、を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記光反射溝は、前記発光層に垂直な方向から見たとき、前記前記第１の電極の両側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記光反射溝は、前記第１の半導体層の表面から前記第１の電極の底部を越える深さまで形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記光反射溝は、前記第１の電極に対向する位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記光反射膜は絶縁材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記光反射膜は、異なる屈折率を有する複数の膜を積層した光学多層膜であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記光反射膜上には光吸収膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１つに記載の半導体発光素子と、
各々が前記複数の発光セグメントの各々における前記第２の半導体層上に形成された第２の電極と、
搭載基板と、
前記搭載基板上に設けられ、前記少なくとも１つの第１の電極に接続された第１の配線と、
前記搭載基板上に設けられ、前記第２の電極の各々に接続され、互いに電気的に分離された複数の第２の配線と、を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子及び当該半導体発光素子を用いた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、通常、成長用基板上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体構造層を成長し、それぞれｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電圧を印加するｎ電極及びｐ電極を形成して作製される。さらに、放熱性能の向上を図る半導体発光素子として、半導体構造層を成長用基板とは別の支持基板に接合した後、成長用基板を除去した半導体発光素子が知られている。また、例えばこの半導体発光素子を実装基板上に固定し、樹脂などで封止することによって、半導体発光装置が作製される。
【０００３】
特許文献１には、基板上に結晶成長によって形成された複数のＬＥＤからなるＬＥＤアレイを有するＬＥＤアレイチップが開示されている。特許文献２には、複数の発光素子を区分する複数の第一トレンチと、当該複数の発光素子の各々の能動層を通過する複数の第二トレンチとを含む発光装置及びその製造方法が開示されている。また、特許文献３には、第一半導体層と、第二半導体層と、第一半導体層及び第二半導体層間に設けられた活性層を含む半導体膜と、第一半導体層内に設けられた電流誘導部とを含む半導体発光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2005-73202号公報
【特許文献２】特開2012-60115号公報
【特許文献３】特開2012-151415号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、自動車用ヘッドライトにおいて、前方の状況、すなわち対向車や前走車などの有無及びその位置に応じて配光形状をリアルタイムで制御する技術が注目されている。この技術によって、例えば走行用の配光形状すなわちハイビームでの走行中に対向車を検知した際には、ヘッドライトに照射される領域のうち、当該対向車の領域のみをリアルタイムで遮光することが可能となる。従って、ドライバに対して常にハイビームに近い視界を与えることができ、その一方で対向車に眩惑光（グレア）を与えることが防止される。このような配光可変型のヘッドライトシステムは、例えば、複数の半導体発光素子をアレイ状に配置した半導体発光装置を作製し、当該半導体発光素子の各々への導通及び非導通をリアルタイムで制御することによって実現することができる。
【０００６】
しかし、一般に、複数の半導体発光素子が並置された半導体発光装置において、導通されている素子から放出された光の一部が非導通状態の素子に伝播してしまう場合があった。この場合、非導通状態の素子からも弱い光が放出されているような状態となり、これによって意図しない領域に光が照射されてしまう場合があった。このいわゆる光のクロストークの問題は、さらに、発光装置の照射領域と非照射領域との境界を曖昧にすることや、所望の配光形状を得られないという問題を引き起こす。複数の素子を用いる発光装置の様々な応用分野において、光のクロストークはないことが望ましい。
【０００７】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、素子領域外への光のクロストークが大幅に抑制された高性能かつ高発光効率の半導体発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体発光素子は、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは反対導電型の第２の導電型を有する第２の半導体層を含む半導体構造層と、第２の半導体層側から第２の半導体層及び発光層を貫通して第１の半導体層に電気的に接続され、半導体構造層を複数の発光セグメントに区画する少なくとも１つの第１の電極と、複数の発光セグメントの隣接する発光セグメントとの間における第１の半導体層の表面に形成され、側面に光反射膜が形成された少なくとも１つの光反射溝と、を有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は実施例１に係る半導体発光装置の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、実施例１に係る半導体発光装置の上面を模式的に示す図である。
【図２】実施例１の半導体発光装置における素子内の光の進路を示す図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１及び変形例２に係る半導体発光装置の光反射溝の詳細を示す断面図である。
【図４】実施例１の変形例３に係る半導体発光装置の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１（ａ）は、実施例１の半導体発光装置１０の構造を示す断面図である。半導体発光装置１０は、半導体発光素子２０と半導体発光素子２０を搭載する搭載部３０とを有している。半導体発光素子２０は、ｎ型（第１の導電型の）半導体層（第１の半導体層）２１、発光層２２及びｐ型（ｎ型とは反対導電型の第２の導電型の）半導体層（第２の半導体層）２３を含む半導体構造層ＳＬを有している。半導体発光装置１０は、搭載部３０上にｐ型半導体層２３、発光層２２及びｎ型半導体層２１がこの順で順次積層された構造を有している。ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３は、例えばＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有している。また、ｎ型半導体層２１の表面は複数の突起２１Ｐからなる凹凸面構造を有しており、この凹凸面は光取出し面として機能する。
【００１２】
半導体発光素子２０は、ｐ型半導体層２３側からｐ型半導体層２３及び発光層２２を貫通し、ｎ型半導体層２１に電気的に接続された複数のｎ電極（第１の電極）２４Ａ及び２４Ｂからなるｎ電極群（第１の電極群）２４を有している。ｎ電極群２４のｎ電極２４Ａ及び２４Ｂの各々は、半導体構造層ＳＬの発光層２２及びｐ型半導体層２３を複数の発光セグメントＳ１、Ｓ２及びＳ３に区画するように構成されている。ここでは、発光層２２Ａ及びｐ型半導体層２３Ａを発光セグメントＳ１と称し、同様に発光層２２Ｂ及びｐ型半導体層２３Ｂ並びに発光層２２Ｃ及びｐ型半導体層２３Ｃをそれぞれ発光セグメントＳ２及びＳ３と称する。ｎ電極２４Ａ及び２４Ｂは、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料からなる。
【００１３】
また、発光セグメントＳ１乃至Ｓ３の各々には、そのｐ型半導体層２３Ａ乃至２３Ｃの各々上にｐ電極（第２の電極）２５Ａ乃至２５Ｃからなるｐ電極群（第２の電極群）２５が形成されている。ｐ電極群２５のｐ電極２５Ａ乃至２５Ｃの各々は、例えば、ｐ型半導体層２３Ａ上に形成された透明電極層Ｍ１と、透明電極層Ｍ１を覆うように形成された反射金属層Ｍ２と、反射金属層Ｍ２を埋設するように形成されたキャップ層Ｍ３とを有している。透明電極層Ｍ１は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電材料からなる。反射金属層Ｍ２は、例えばＡｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｄやこれらの合金など、光反射性を有する材料からなる。透明電極層Ｍ１及び反射金属層Ｍ２は、発光層２２Ａから放出された光を光取出し面に向かって反射させる機能を有している。キャップ層Ｍ３は、反射金属層Ｍ２の材料のマイグレーションを防止する層であり、例えばＴｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕやこれらの合金を用いて形成されることができる。
【００１４】
半導体発光素子２０は、発光セグメントＳ１の隣接する発光セグメントＳ２との間におけるｎ型半導体層２１の表面に形成された光反射溝２６を有し、光反射溝２６の側面には光反射膜２７が形成されている。光反射膜２７は、例えばＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁材料からなる。光反射溝２６の各々は、発光セグメント間の全域に亘って形成されている。光反射溝２６は、発光セグメントＳ１の発光層２１Ａから放出された光が隣接する他の発光セグメントである発光セグメントＳ２に漏れること、すなわちクロストークを防止する機能を有している。なお、光反射膜２７は、光反射溝２６の側面だけでなく、光反射溝２６の内壁面全体に設けられていてもよく、また、光反射溝２６に充填されていてもよい。
【００１５】
光反射溝２６は、半導体構造層ＳＬに垂直な方向から見たとき（すなわち上面視において）ｎ電極２４Ａの両側に設けられている。また、光反射溝２６は、ｎ型半導体層２１の表面からｎ電極２４Ａの底部を越える深さまで形成されている。ｎ電極２４Ａの両側に、かつｎ電極２４Ａの底部を越える深さまで光反射溝２６が形成されていることによって、発光セグメント間における光のクロストークを大幅に抑制することができる。なお、ｎ電極群２４及びｐ電極群２５間は、絶縁保護膜に２８によって絶縁されている。
【００１６】
半導体発光素子２０は、搭載部３０上に搭載されている。搭載部３０は、搭載基板３１と、搭載基板３１上に設けられ、複数のｎ側配線（第１の配線）３２Ａ及び３２Ｂからなるｎ側配線群（第１の配線群）３２と、搭載基板３１上に設けられ、複数のｐ側配線（第２の配線）３３Ａ乃至３３Ｃからなるｐ側配線群（第２の配線群）３３と、を有している。ｎ側配線３２Ａ及び３２Ｂはそれぞれｎ電極２３Ａ及び２４Ｂに接続され、ｐ側配線３３Ａ乃至３３Ｃはそれぞれｐ電極２５Ａ乃至２５Ｃに接続されている。ｎ側配線群３２及びｐ側配線群３３は搭載基板３１上において互いに離間して形成されている。
【００１７】
搭載基板３１は、例えばＳｉ、ＡｌＮ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｕＷなど、熱伝導率が高い材料からなる。また、搭載基板３１上には絶縁層（図示せず）が形成されている。ｎ側配線群３２及びｐ側配線群３３と、ｎ電極群２４及びｐ電極群とは、その互いに接することとなる表面の材料が、Ａｕ及びＳｎ、Ａｕ及びＩｎ、Ｐｄ及びＩｎ、Ｃｕ及びＳｎ、Ａｇ及びＳｎ、Ａｇ及びＩｎ並びにＮｉ及びＳｎなど、互いに融着して接合される材料の組み合わせか、又はＡｕなどの互いに拡散して接合される材料を用いて形成される。
【００１８】
次に、半導体発光装置１０の製造方法について説明する。本実施例においては、まず、成長用基板（図示せず）上に半導体構造層ＳＬを形成した後、ｐ電極群２５となる金属層を形成した。続いて、当該金属層の一部を除去し、露出したｐ型半導体層２３の表面に、ｐ型半導体層２３及び発光層２２を貫通してｎ型半導体層２１に至る貫通溝を形成した。次に、ｐ電極群２５及び当該貫通溝の全体を覆うように絶縁膜を形成した。その後、貫通溝の底部及びｐ型半導体層上の絶縁膜の一部を除去し、ｎ電極群２４及びｐ電極群２５を形成した。次に、搭載基板３１を準備し、搭載基板３１上に絶縁層を形成した後、ｎ側配線群３２及びｐ側配線群３３を形成した。続いて、ｎ電極群２４とｎ側配線群３２とを接合すると共に、ｐ電極群２５とｐ側配線群３３とを接合した。その後、成長用基板を除去し、露出したｎ型半導体層２１の表面に光反射溝及び光反射膜を形成した後、さらに複数の突起２１Ｐを形成して半導体発光素子２０を作製した。なお、図示していないが、搭載基板３１上に半導体発光素子２０を埋設するように蛍光体層を形成し、実装基板に実装することで、半導体発光装置１０を作製した。
【００１９】
本実施例においては、ｎ側配線３２Ａ及び３２Ｂは電気的に接続されており、ｐ側配線３３Ａ乃至３３Ｃの各々は電気的に分離している。従って、各発光セグメントは並列に接続されている。また、このような配線構造とすることで、発光セグメントＳ１乃至Ｓ３の各々は、ｐ側配線３３Ａ乃至３３Ｃへの導通及び非導通を制御することによって、互いに独立して発光する。
【００２０】
図１（ｂ）は、半導体発光装置１０の上面を模式的に示す図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。理解の容易さのため、図１（ｂ）においては、各発光セグメント、ｎ電極群２４及び光反射溝２６を示しており、ｎ電極群２４にはハッチングを施している。本実施例においては、半導体発光素子２０は、９つの発光セグメントＳ１乃至Ｓ９を有しており、全体として矩形の発光部を形成している。具体的には、ｎ電極群２４は、半導体構造層ＳＬに垂直な方向から見たとき、全体として格子状に形成された４つのｎ電極２４Ａ乃至２４Ｄからなる。ｎ電極２４Ａ乃至２４Ｄの各々は直線状に設けられ、ｎ電極群２４によって半導体構造層ＳＬが矩形の９つの発光セグメントに区画されている。また、複数の発光セグメントが上面視においてマトリクス状に設けられた構成となっている。また、４つのｎ電極２４Ａ乃至２４Ｄの各々はその交点において接続されており、１つの共通のｎ電極として機能する。
【００２１】
次に、図２を用いて半導体発光装置１０の半導体発光素子２０内における光の進路について説明する。なお、図２は、図１（ａ）と同様の断面図であるが、一部のハッチングを省略してある。ここで、クロストークが発生する可能性のある光は、主に発光セグメントから発光層２２に平行な方向に近い方向に進む光である。ここでは、このような光の半導体発光素子２０内における進路について図２を用いて説明する。なお、他の光すなわち発光セグメントから光取出し面に向かって放出された光は、光取出し面の凹凸面を通過して外部に取出される。
【００２２】
まず、発光セグメントＳ１から光反射溝２６に向かって放出された光Ｌ１は、光反射溝２６の光反射膜２７によって反射され、発光セグメントＳ１上の光取出し面から外部に取出される。従って、発光セグメントＳ１から放出された光が隣接する発光セグメントＳ２上の領域に漏れることが抑制される。
【００２３】
次に、発光セグメントＳ１から、ｎ型半導体層２１内におけるｎ電極２４Ａと光反射溝２６との間の領域に向かって放出された光Ｌ２は、ｎ電極２４Ａによって反射され、発光セグメントＳ１及びＳ２間において外部に取出される。これは、ｎ電極群２４が反射性を有しているため、クロストークを防止する層として機能すること、及びｎ電極２４Ａがｎ型半導体層２１を貫通していないことに起因する。
【００２４】
本実施例においては、ｎ電極２４Ａは完全にｎ型半導体層２１を貫通しておらず、半導体発光素子２０のｎ型半導体層２１は発光セグメント間においても完全に分離されていない。すなわち、光反射溝２６間の領域上、すなわちｎ電極２４Ａ上（ｎ電極群２４上）にはｎ型半導体層２１の一部が形成されている。従って、光反射溝２６及びｎ電極２４Ａ間におけるｎ型半導体層２１内の領域を通過する一部の光、すなわち光Ｌ２のような光が光反射溝２６間における光取出し面から取出されることとなる。
【００２５】
なお、複数の発光セグメントによって発光装置を構成する場合、発光セグメント間には発光しない領域が形成されてしまう。従って、例えば全ての発光セグメントを発光させた場合であっても、その照射像にはわずかな暗部（暗線）が形成されてしまう。従って、この暗部の形成を抑制するためには、発光セグメント間の距離は小さいことが好ましい。
【００２６】
これに対し、本実施例においては、まずｎ型半導体層２１がｎ電極群２４上にも形成されており、ｎ電極群２４が各発光セグメントに共通のｎ電極として機能する。このため、ｎ型半導体層を分離して複数の発光素子とし、当該複数の発光素子を搭載基板上に並置する場合に比べ、発光領域間の距離を小さくすることができる。具体的には、複数の発光素子を搭載基板上に並置する場合、発光素子を独立して駆動するためにはある程度の間隙を素子間に設ける必要がある。しかし、本実施例においてはｎ電極群を形成する領域を設けるだけでよいため、発光領域間の距離が小さくなる。
【００２７】
また、上記したように、光Ｌ２のように、発光セグメント間からも光を取り出すことが可能な構成としたため、発光セグメント間の領域に対応した暗部の形成を抑制することができる。なお、よりクロストーク防止効果及び光取出し効率を向上させることを考慮すると、図示したように、ｎ電極群２４のｎ電極の各々の形成面は、ｎ型半導体層２１に向かってテーパ形状をなしていることが望ましい。
【００２８】
さらに、本実施例においては、ｎ電極群２４によって半導体構造層ＳＬを発光セグメントに区画している。従って、発光セグメント上の領域にｎ電極を形成する場合に比べ、光の進路を阻む金属層などがなくなり、また発光セグメント内の発光層を除去することが不要となる。従って、発光セグメント内においても暗部の形成を抑制することができる。
【００２９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１及び２に係る半導体発光装置の光反射溝の詳細を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、変形例１に係る半導体発光装置の光反射溝２６の側面には、第１の光反射膜ＲＬ１及び第２の光反射膜ＲＬ２からなる光学多層膜構造を有する光反射膜２７Ａが形成されている。第１の光反射膜ＲＬ１は、例えばＳｉＯ2などの絶縁材料からなる。第２の光反射膜ＲＬ２は、例えばＴｉＯ2などの酸化膜からなる。すなわち、本変形例においては、光反射膜２７Ａは、異なる屈折率を有する複数の膜が積層された光学多層膜である。従って、より光の反射率が高くなり、クロストークが大きく抑制される。
【００３０】
図３（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る半導体発光装置においては、光反射溝２６の内壁には光反射膜２６が形成され、光反射膜２６上には光吸収膜２９が形成されている。光吸収膜２９は、例えば、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、など、発光層からの放出光を吸収する材料からなる。本変形例においては、光反射溝２６内に光反射膜２６のみならず光吸収膜２９が形成されている。従って、例えば、一度光取出し面から放出された後に蛍光体層（図示せず）や封止材料（図示せず）を介してｎ型半導体層２１内に戻って来た迷光などが光吸収膜２９によって吸収、減衰する。従って、クロストークがさらに抑制される。なお、光吸収膜２９は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。
【００３１】
なお、本実施例においては、第１の導電型（又は導電極性）がｎ型の導電型であり、第２の導電型がｎ型とは反対の導電型のｐ型である場合について説明したが、第１の導電型がｐ型であり、第２の導電型がｎ型であっていてもよい。また、第１の導電型及び第２の導電型のいずれかが真性導電型であってもよい。すなわち、第１の半導体層及び第２の半導体層のいずれかが真性半導体層（ｉ層）であってもよい。また、光取出し面である半導体構造層の表面が複数の突起からなる凹凸構造面である場合について説明したが、半導体構造層の表面は平坦であってもよい。また、各発光セグメントが並列に接続された場合について説明したが、各発光セグメントは、互いに直列に接続されていてもよく、また、互いに電気的に分離されていてもよい。
【００３２】
また、光反射溝がｎ電極を挟むように形成されている場合について説明したが、光反射溝は、発光セグメント間に形成されていれば一定のクロストーク防止効果を得ることができる。例えば、図４に示すように、光反射溝は、ｎ型半導体層２１の表面におけるｎ電極２４Ａ及び２４Ｂの各々に対向する位置に形成されていてもよい（光反射溝２６Ａ、変形例３）。また、光反射溝がｎ電極の底部を越える深さで形成されている場合について説明したが、光反射溝の深さはこれに限定されるものではない。
【００３３】
また、ｎ電極群が複数のｎ電極からなる場合について説明したが、ｎ電極群は少なくとも１つのｎ電極からなっていればよい。つまり、ｐ型半導体層側からｐ型半導体層及び発光層を貫通してｎ型半導体層に電気的に接続され、半導体構造層を複数の発光セグメントに区画する少なくとも１つのｎ電極が形成されていればよい。また、光反射溝の個数は、例えばｎ電極の個数に対応して適宜決定することができる。
【００３４】
また、区画された発光セグメントのうち、最も外側の発光セグメントにおける他の発光セグメントに隣接しない部分においては、光反射溝及び光反射膜は形成されていてもよく、形成されていなくてもよい。当該最外部は発光部の外縁に対応する部分であるが、例えば、装置の照射像の輪郭を明確にすることが要求される用途においては、光反射溝及び光反射膜が形成されていることが望ましい。
【００３５】
本実施例においては、第２の半導体層上において第２の半導体層及び発光層を貫通して第１の半導体層に電気的に接続され、半導体構造層を複数の発光セグメントに区画する少なくとも１つの第１の電極と、複数の発光セグメントの隣接する発光セグメントとの間における第１の半導体層の表面に形成され、側面に光反射膜が形成された少なくとも１つの光反射溝と、を有している。従って、半導体発光素子の発光セグメントから放出された光が自身の光取出し面以外の領域から外部に放出されることが大きく抑制される。従って、光のクロストークが大幅に抑制された半導体発光素子及び半導体発光装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１０  半導体発光装置
２０  半導体発光素子
２１  ｎ型半導体層（第１の半導体層）
２２  発光層
２３  ｐ型半導体層（第２の半導体層）
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ９  発光セグメント
２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ  ｎ電極（第１の電極）
２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ  ｐ電極（第２の電極）
２６  光反射溝
２７  光反射膜
２９  光吸収膜
３１  搭載基板
３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ  ｎ側配線（第１の配線）
３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃ  ｐ側配線（第２の配線）
【図１】
2015156431.tif 000003
【図２】
2015156431.tif 000004
【図３】
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【図４】
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