(57)【要約】    【課題】ファインピッチ化が可能なフレックスリジッド配線板を提供する。    【解決手段】  キャリア１２ｚ上にフレックス基板とリジッド基板とを同時に作りあげて行くので、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓが、カバーレイ８０Ｆ、８０Ｓと層間樹脂絶縁層とを貫通するのでは無く、層間樹脂絶縁層５０Ｓ、５０Ｆのみを貫通する。これにより、ビア導体のパッド部の小型化が可能になり、フレックスリジッド配線板をファインピッチに形成できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と該主面の反対側の副面とを備え、少なくとも主面側に導体パターンを有する可撓性基材と、
前記可撓性基材の水平方向に配置され、主面及び副面を備え、主面側の導体パターン及び副面側の導体パターンを有する非可撓性基材と、
前記可撓性基材の主面と前記非可撓性基材の主面、前記可撓性基材の副面と前記非可撓性基材の副面とを挟み、前記可撓性基材の少なくとも一部を露出させる一対の絶縁層とを備えるフレックスリジッド配線板であって、
前記可撓性基材の前記主面側の導体パターンと、前記非可撓性基材の前記主面側の導体パターンの一部とが連続して形成されている。
【請求項２】
請求項１のフレックスリジッド配線板であって、
前記可撓性基材の前記主面と、前記非可撓性基材の前記主面とは同一平面上にあり、前記連続して形成されている導体パターンは、前記両主面に跨る前記同一平面上にある。
【請求項３】
請求項１のフレックスリジッド配線板であって、
前記可撓性基材と前記非可撓性基材との間の隙間に樹脂が充填されている。
【請求項４】
請求項１のフレックスリジッド配線板であって、
前記可撓性基材の主面側の導体パターンの一部は被覆層により被覆され、該被覆層により被覆されない他の部分は前記絶縁層により被覆されている。
【請求項５】
請求項４のフレックスリジッド配線板であって、
前記被覆層により被覆されず、前記絶縁層により被覆されている前記導体パターンの他の部分に、該絶縁層を貫通するビアが接続されている。
【請求項６】
フレックスリジッド配線板の製造方法であって、
主面と該主面の反対側の副面とを備える可撓性基材と非可撓性基材とを水平方向に並べて配置することと、
前記可撓性基材の主面と非可撓性基材の主面との上に跨る導体パターンを形成することと、
前記可撓性基材の主面と前記非可撓性基材の主面、前記可撓性基材の副面と前記非可撓性基材の副面とを挟み、前記可撓性基材の少なくとも一部を露出させる一対の絶縁層を形成することと、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一部がフレックス基板から構成された折り曲げ可能なフレックスリジッド配線板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の一部が剛性を持ち、他の一部が可撓性を有するフレックスリジッド配線板が例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４０２１４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、形成されたフレックス基板をリジッド基板の間に挟み込むことでフレックスリジッド配線板が形成されている。フレックス基板とリジッド基板とを接続するビア導体は、フレックス基板の配線のカバー層に設けるため、リジッド基板を構成する絶縁層とカバー層とを貫通することになり、ビア導体が大型化してファインピッチに形成することが困難であった。また、該カバー層がリジッド基板に入り込むため、リジッド基板の層間のバラツキが大きくなり、また、カバー層を避けるために配線設計に制限を受けることとなった。
【０００５】
本発明の目的は、ファインピッチ化が可能なフレックスリジッド配線板、及び、該フレックスリジッド配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るフレックスリジッド配線板は、主面と該主面の反対側の副面とを備え、主面側の導体パターン及び副面側の導体パターンを有する可撓性基材と、前記可撓性基材の水平方向に配置され、前記主面及び前記副面を備え、主面側の導体パターン及び副面側の導体パターンを有する非可撓性基材と、前記可撓性基材の主面と前記非可撓性基材の主面、前記可撓性基材の副面と前記非可撓性基材の副面とを挟み、前記可撓性基材の少なくとも一部を露出させる一対の絶縁層とを備える。そして、前記可撓性基材の前記主面側の導体パターンと、前記非可撓性基材の前記主面側の導体パターンの一部とが連続して形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のフレックスリジッド配線板は、可撓性基材の主面側の導体パターンと、非可撓性基材の主面側の導体パターンの一部とが連続して形成されている。このため、ビアを介さずにリジッド配線板の導体パターンとフレックス配線板の導体パターンとを直結させることができ、配線経路を短くすることができる。ビアの接続パッド等を必要とせず、高密度配線が可能になる。また、被覆層により被覆されず、絶縁層により被覆されている導体パターンの他の部分に、該絶縁層を貫通するビアが接続される構成を採用できる。即ち、ビアが、被覆層と絶縁層とを貫通するのでは無く、絶縁層のみを貫通するため、ビアの小型化が可能になり、フレックスリジッド配線板をファインピッチに形成できる。被覆層を貫通せず、ビアが絶縁層のみを貫通するので、被覆層がリジッド基板に大きく入り込まなくなり、リジッド基板の層間のバラツキが小さくなり、また、被覆層を避けるため配線設計に制限を受けることが少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図３】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図４】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図５】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図６】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図７】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図８】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図９】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図１０】第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程図
【図１１】図１１（Ａ）は第１実施形態のフレックスリジッド配線板の平面図、図１１（Ｂ）は底面図
【図１２】本発明の第２実施形態に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態のフレックスリジッド配線板の断面図である。
フレックスリジッド配線板は、可撓性を備えない第１リジッド基板（剛性基板）１０Ａと、可撓性を備えない第２リジッド基板（剛性基板）１０Ｂと、第１リジッド基板１０Ａと第２リジッド基板１０Ｂとを接続する可撓性を備えるフレックス基板（可撓性基板）１０Ｃとから成り、第１リジッド基板１０Ａと第２リジッド基板１０Ｂとは、フレックス基板１０Ｃを介して折り曲げ可能である。第１リジッド基板１０Ａと第２リジッド基板１０Ｂとは、任意の回路パターンが形成される。また、必要に応じて、例えば、半導体チップなどの電子部品が接続される。
【００１０】
第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂは、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３４Ｓと第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているビア導体３６とで形成されているコア基板３０を有する。絶縁基板はガラスクロスや有機繊維などの補強材を有する。ここでは、ビア導体が設けられているが、この代わりに、スルーホール導体、導体バンプが設けられてもよい。
【００１１】
コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。上側のビルドアップ層は少なくとも最上の層間樹脂絶縁層２５０Ｆと最上の層間樹脂絶縁層上の最上の導体層２５８Ｆと最上の層間樹脂絶縁層を貫通し最上の導体層と中層の導体層１５８Ｆを電気的に接続している最上のビア導体２６０Ｆとを有する。上側のビルドアップ層は、更に、中層の層間樹脂絶縁層１５０Ｆと中層の層間樹脂絶縁層上の中層の導体層１５８Ｆと中層の層間樹脂絶縁層を貫通し中層の導体層と上側の導体層５８Ｆを電気的に接続している中層のビア導体１６０Ｆとを有する。上側のビルドアップ層は、更に、中層の層間樹脂絶縁層とコア基板の間に上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆと上側の層間樹脂絶縁層上の上側の導体層５８Ｆと上側の層間樹脂絶縁層を貫通し上側の導体層とコア基板の第１導体層３４Ｆを接続する上側のビア導体６０Ｆを有している。
【００１２】
コア基板３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。下側のビルドアップ層は少なくとも最下の層間樹脂絶縁層２５０Ｓと最下の層間樹脂絶縁層上の最下の導体層２５８Ｓと最下の層間樹脂絶縁層を貫通し最下の導体層と中層の導体層１５８Ｓを電気的に接続している最下のビア導体２６０Ｓとを有する。下側のビルドアップ層は、更に、中層の層間樹脂絶縁層１５０Ｓと中層の層間樹脂絶縁層上の中層の導体層１５８Ｓと中層の層間樹脂絶縁層を貫通し中層の導体層と下側の導体層５８Ｓを電気的に接続している中層のビア導体１６０Ｓとを有する。下側のビルドアップ層は、更に、中層の層間樹脂絶縁層１５８Ｓとコア基板３０の間に下側の層間樹脂絶縁層５０Ｓと下側の層間樹脂絶縁層上の下側の導体層５８Ｓと下側の層間樹脂絶縁層を貫通し下側の導体層と第２導体層を接続する下側のビア導体６０Ｓを有している。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じであり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００１３】
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆは最上の導体層や最上のビア導体を露出する開口７１Ｆを有し、ソルダーレジスト層７０Ｓは最下の導体層や最下のビア導体を露出する開口７１Ｓを有する。それらの開口により露出する導体部分はパッド７１ＦＰ、７１ＳＰとして機能する。
【００１４】
フレックス基板１０Ｃは、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有するポリイミドシートから成る基材２０と、基材２０の第１面側に設けられた接着層２２Ｆを介して形成された第１配線層２４Ｆと、基材２０の第２面側に設けられた接着層２２Ｓを介して形成された第２配線層２４Ｓとを備える。第１配線層２４Ｆ上には接着層８２Ｆを介してカバーレイ（被覆層）８０Ｆが被覆されている。カバーレイ８０Ｆ上にはソルダーレジスト層８４Ｆが形成されている。第２配線層２４Ｓ上には接着層８２Ｓを介してカバーレイ（被覆層）８０Ｓが被覆されている。カバーレイ８０Ｓ上にはソルダーレジスト層８４Ｓが形成されている。カバーレイ８０Ｆ、８０Ｓは、ポリイミド等の絶縁膜から構成される。
【００１５】
カバーレイ８０Ｆ、８０Ｓは、第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂにｄ１（５０μｍ以上）程度、入り込んでいる。一方、基材２０は、第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂにｄ２（１００μｍ以上）、入り込んでいる。第２配線層２４Ｓは、第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂにｄ３（１５０μｍ以上）、入り込んでいる。カバーレイ８０Ｆ、８０Ｓの第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂへの入り込み量ｄ１は、フレックス基板に応力が加わった際に、第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂからカバーレイ８０Ｆ、８０Ｓが外れない必要最小量である。基材２０の端部２０ｅと絶縁基板２０ｚの端部２０Ｚｅとの間には隙間があり、隙間には樹脂５０ｆが充填されている。
【００１６】
図１１（Ａ）はフレックスリジッド配線板１０の平面図である。
第１配線層２４Ｆは、第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂの上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆに形成されるビア導体６０Ｆの接続されるパッド部２４Ｆｐと、両端のパッド部２４Ｆｐ−パッド部２４Ｆｐを接続するライン部２４Ｆｌとから成る。第１配線層２４Ｆは、カバーレイ８０Ｆの端部８０Ｆｅから長さｄ２’分露出されている。長さｄ２’は、パッド部２４Ｆｐの直径分とライン部２４Ｆｌの一部に相当する。
【００１７】
図１１（Ｂ）はフレックスリジッド配線板１０の底面図である。
第２配線層２４Ｓは、第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂの下側の層間樹脂絶縁層５０Ｓに形成されるビア導体６０Ｓの接続されるパッド部２４Ｓｐと、両端のパッド部２４Ｓｐ−パッド部２４Ｓｐを接続するライン部２４Ｓｌとから成る。第２配線層２４Ｓは、基材２０の端部２０ｅから長さｄ３’分露出されている。長さｄ３’は、パッド部２４Ｓｐの直径分とライン部２４Ｓｌの一部に相当する。
【００１８】
第１実施形態のフレックスリジッド配線板では、第１配線層２４Ｆのパッド部２４Ｆｐはカバーレイ８０Ｆから露出し、上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆが該パッド部２４Ｆｐに接続される。また、第２配線層２４Ｓのパッド部２４Ｓｐはカバーレイ８０Ｓから露出し、コア基板に設けられたビア導体３６が該パッド部２４Ｓｐに接続される。即ち、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓが、カバーレイと層間樹脂絶縁層とを貫通するのでは無く、層間樹脂絶縁層のみを貫通するため、ビア導体のパッド部の小型化が可能になり、フレックスリジッド配線板をファインピッチに形成できる。カバーレイを貫通せず、ビア導体が層間樹脂絶縁層のみを貫通するので、カバーレイがリジッド基板に大きく入り込まなくなり、リジッド基板の層間のバラツキが小さくなり、また、カバーレイを避けるため配線設計に制限を受けることが少なくなる。
【００１９】
第２配線層２４Ｓは、基材２０の端部２０ｅから長さｄ３’分露出（延在）されているため、コア基板３０に設けられたビア導体３６により、第２配線層２４Ｓのパッド部２４Ｓｐへ直接接続することができる。このため、第２配線層２４Ｓと第１リジッド基板１０Ａ、第２リジッド基板１０Ｂの第１面側との配線長を短縮することができる。ここで、第１配線層２４Ｆを第２配線層２４Ｓと同様に、基材２０の端部２０ｅから延在させてもよい。
【００２０】
図２〜図１０に第１実施形態のフレックスリジッド配線板の製造工程が示される。
フレックスリジッド配線板１０の製造方法が以下に説明される。
（１）絶縁基材１２の両面に銅箔１４が積層された両面銅張積層板からなるキャリア１２ｚの銅箔上に銅箔１６が積層される（図１（Ａ））。
【００２１】
（２）銅箔１６上にめっき層を設け、図示しないレジストマスクを形成してパターニングを行い、図１１（Ｂ）に示された第２配線層２４Ｓ及び第２導体層３４Ｓが形成される（図１（Ｂ））。
【００２２】
（３）該第２導体層３４Ｓ中央部上に接着層２２Ｆ、２２Ｓを両面に設けた基材２０が配置され、絶縁基材１２の両端部上に第１リジッド基板のコア基板を構成するプリプレグから成る絶縁基板２０ｚが配置され、更に、銅箔３２が配置され（図２（Ｃ））、これらが積層される（図３（Ａ））。この工程で、第２配線層２４Ｓ及び第２導体層３４Ｓが、接着層２２Ｓ、絶縁基板２０ｚに埋設される。
【００２３】
（４）絶縁基板２０ｚの所定位置にレーザでビア用の開口３１が形成される（図３（Ｂ））。
（５）無電解めっき処理により、銅箔３２上及び開口３１内に無電解めっき膜３３が形成される（図４（Ａ））。
【００２４】
（６）無電解めっき膜３３上に所定パターンのめっきレジスト３５が形成される（図４（Ｂ））。
（７）電解めっき処理により、めっきレジスト３５の非形成部に電解めっき膜３７が形成され、開口３１内に電解めっき膜によりビア導体３６が形成される（図５（Ａ））。
【００２５】
（８）めっきレジストが剥離される（図５（Ｂ））。
（９）キャリア１２ｚから絶縁基板２０ｚ、基材２０からなる中間体１１０が分離される（図５（Ｃ））。
【００２６】
（１０）エッチングによって、第１面Ｆ側で電解めっき膜３７から露出する無電解めっき膜３３及び銅箔３２が除去され、電解めっき膜３７、無電解めっき膜３３、銅箔３２から成る第１配線層２４Ｆ及び第１導体層３４Ｆが形成される。また、第２面Ｓ側で銅箔１６が除去され、第２配線層２４Ｓ及び第２導体層３４Ｓが露出される（図６（Ａ））。第１配線層２４Ｆ及び第１導体層３４Ｆは、絶縁基板２０ｚ、接着層２２Ｆから露出している。第２配線層２４Ｓ及び第２導体層３４Ｓは、絶縁基板２０ｚ、接着層２２Ｓに埋設されている。
【００２７】
（１２）第１配線層２４Ｆの中央部位に接着層８２Ｆを介してカバーレイ８０Ｆが積層され、第２配線層２４Ｓの中央部位に接着層８２Ｓを介してカバーレイ８０Ｓが積層され、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側及び第１配線層２４Ｆの端部にプリプレグからなる層間樹脂絶縁層５０Ｆが積層され、絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ側及び第２配線層２４Ｓの端部にプリプレグからなる層間樹脂絶縁層５０Ｓが積層され、更に、銅箔５１Ｆ、５１Ｓが積層される（図６（Ｂ））。基材２０の端部２０ｅと絶縁基板２０ｚの端部２０Ｚｅとの間の隙間には層間樹脂絶縁層５０Ｆから染み出す樹脂５０ｆが充填される。
【００２８】
（１３）層間樹脂絶縁層５０Ｆの所定位置にレーザでビア用の開口３１Ｆが形成され、層間樹脂絶縁層５０Ｓに開口３１Ｓが形成され、（５）〜（１０）と同様な工程で、無電解めっき膜が形成され、めっきレジストが形成され、めっきレジストの非形成部に電解めっき膜が形成され、めっきレジストの剥離後、電解めっき膜非形成部の無電解めっき膜、銅箔が除去され、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓ、導体層５８Ｆ、５８Ｓが形成される（図６（Ｃ））。
【００２９】
（１４）カバーレイ８０Ｆ上にソルダーレジスト層８４Ｆが形成され、更に、ソルダーレジスト層８４Ｆ上に剥離層８６Ｆが形成される。同様に、カバーレイ８０Ｓ上にソルダーレジスト層８４Ｓが形成され、更に、ソルダーレジスト層８４Ｓ上に剥離層８６Ｓが形成される（図７（Ａ））。
【００３０】
（１５）ソルダーレジスト層８４Ｆ、剥離層８６Ｆの水平方向に層間樹脂絶縁層１５０Ｆが設けられ、ソルダーレジスト層８４Ｓ、剥離層８６Ｓの水平方向に層間樹脂絶縁層１５０Ｓが設けられ、層間樹脂絶縁層上に銅箔１５１Ｆ、１５１Ｓが積層される（図７（Ｂ））。
【００３１】
（１６）図６（Ｃ）を参照した工程と同様に、層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓ上に導体層１５８Ｆ、１５８Ｓが、また、層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓを貫通するビア導体１６０Ｆ、１６０Ｓが形成される。剥離層８６Ｆ、８６Ｓ上には、端部に銅箔１５１Ｆを露出させた状態で剥離用導体１５８Ｆｆ、１５８Ｓｓが形成される（図８（Ａ））。
【００３２】
（１７）層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓ上、剥離用導体１５８Ｆｆ、１５８Ｓｓ上に層間樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓ、銅箔２５１Ｆ、２５１Ｓが積層される（図８（Ｂ））。
【００３３】
（１８）レーザにより層間樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓの所定位置にレーザでビア用の開口２５２Ｆ、２５２Ｓが形成され、同時に、剥離用導体１５８Ｆｆ、１５８Ｓｓの外周の銅箔１５１Ｆに至る平面視で４角形状になる切断開口２５３Ｆ、２５３Ｓが形成される（図９（Ａ））。
【００３４】
（１９）図６（Ｃ）を参照した工程と同様に、層間樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓ上に導体層２５８Ｆ、２５８Ｓが、また、層間樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓを貫通するビア導体２６０Ｆ、２６０Ｓが形成される。切断開口２５３Ｆ、２５３Ｓの下端の銅箔１５１Ｆが除去され、剥離層８６Ｆ、８６Ｓが露出される（図９（Ｂ））。
【００３５】
（２０）ソルダーレジスト層８４Ｆ、８４Ｓ上の剥離層８６Ｆ、８６Ｓ及び層間樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓが除去される（図１０（Ａ））。
【００３６】
（２１）上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図１０（Ｂ））。ソルダーレジスト層７０Ｆは最上の導体層や最上のビア導体を露出する開口７１Ｆを有し、ソルダーレジスト層７０Ｓは最下の導体層や最下のビア導体を露出する開口７１Ｓを有する。開口７１Ｆ、７１Ｓ内には、ニッケルめっき層、金めっき層が形成される（図示せず）。ニッケル−金層以外にも、ニッケル−パラジウム−金層、ＯＳＰ被膜が形成されてもよい。
【００３７】
第１実施形態では、従来技術のように完成したフレックス基板をリジッド基板の層間樹脂絶縁層で挟むのではなく、キャリア１２ｚ上にフレックス基板とリジッド基板とを同時に作りあげて行くので、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓが、カバーレイと層間樹脂絶縁層とを貫通するのでは無く、層間樹脂絶縁層のみを貫通する構成を取ることが出来る。これにより、ビア導体のパッド部の小型化が可能になり、フレックスリジッド配線板をファインピッチに形成できる。カバーレイを貫通せず、ビア導体が層間樹脂絶縁層のみを貫通するので、カバーレイがリジッド基板に大きく入り込まなくなり、リジッド基板の層間のバラツキが小さくなり、また、カバーレイを避けるため配線設計に制限を受けることが少なくなる。
【００３８】
[第２実施形態]
図１２は、本発明の第２実施形態に係るフレックスリジッド配線板の断面図である。
第２実施形態では、カバーレイ８０Ｆ、８０Ｓがフレックス基板１０Ｃ全体を覆っている。第２実施形態では、基材２０の導体パターン２４Ｓと、リジッド基板１０Ａ、１０Ｂの導体パターン３４Ｓの一部とが連続して形成されている。このため、ビアを介さずにリジッド配線板の導体パターンとフレックス配線板の導体パターンとを直結させることができ、配線経路を短くすることができる。ビアの接続パッド等を必要とせず、高密度配線が可能になる。
【符号の説明】
【００３９】
１０  フレックスリジッド配線板
１０Ａ  第１リジッド基板
１０Ｂ  第２リジッド基板
１０Ｃ  フレックス基板
２０  基材２０
２０ｚ  絶縁基板
２４Ｆ  第１配線層
２４Ｓ  第２配線層
３０  コア基板
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
５０Ｆ、５０Ｓ  層間樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  導体層
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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