(57)【要約】【課題】封止層の歩留まりを向上させて、半導体装置の製造コストを低減することのできる、半導体装置の製造方法およびそれによって製造される半導体装置を提供すること。【解決手段】光半導体装置１の製造方法は、基板２に実装され、左右方向に互いに間隔が隔てられる複数の光半導体素子３を用意する用意工程、および、粒子を含有する複数の封止層５が、各光半導体素子３に１対１で対応して左右方向に間隔が隔てられるように、複数の光半導体素子３を封止する封止工程を備える。【選択図】図１
2015082580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に実装され、第１方向に互いに間隔が隔てられる複数の半導体素子を用意する用意工程、および、
粒子を含有する複数の封止層が、各前記半導体素子に１対１で対応して前記第１方向に間隔が隔てられるように、複数の前記半導体素子を封止する封止工程
を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記用意工程では、複数の前記半導体素子を、前記第１方向に対して交差する第２方向に互いに間隔を隔てて配置し、
前記封止工程では、前記第２方向に連続する前記封止層によって、前記半導体素子を封止し、
前記封止工程の後に、複数の前記半導体素子に対応する前記封止層が前記第２方向において複数分割されるように、前記封止層および前記基板を切断する切断工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の前記半導体素子を、前記第２方向において隣接する前記半導体素子間の間隔が前記第１方向において隣接する前記半導体素子間の間隔より小さくなるように、配置する
ことを特徴とする
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記用意工程では、前記第１方向に延びる前記基板を用意する
ことを特徴とする、請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記封止工程では、シート状に予め形成された前記封止層によって、前記半導体素子を封止する
ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記粒子が、蛍光体を含有し、
前記半導体素子が、光半導体素子である
光半導体装置の製造方法である
ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法により得られることを特徴とする、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法、詳しくは、半導体装置の製造方法およびそれによって製造される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板に実装された、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体素子を、封止シートで封止して半導体装置を製造する方法が知られている。
【０００３】
例えば、長尺状の剥離シートに、長尺方向に連続するように、蛍光体やシリカなどの粒子を含有する封止樹脂層を積層した封止シートによって、長尺方向に間隔を隔てて配置される複数のＬＥＤに封止樹脂層を対向配置して、ＬＥＤを封止する、ＬＥＤ装置の製造方法が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１４２３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、特許文献１に記載される方法により得られるＬＥＤ装置において、各ＬＥＤの比較的近傍に位置する封止樹脂層（すなわち、封止領域）は、ＬＥＤの上面および側面を被覆するなどして、ＬＥＤの封止に寄与する。一方、ＬＥＤ装置において、各ＬＥＤに対して比較的遠隔に位置する封止樹脂層、具体的には、隣接するＬＥＤ間の中央（長尺方向途中）に位置する封止樹脂層（すなわち、非封止領域）は、ＬＥＤの封止に実質的に寄与しない。そのため、ＬＥＤ装置において、非封止領域の封止樹脂層は、ＬＥＤの封止において不要な領域となり、その分、上記した粒子を含有する封止樹脂層の歩留まりが低下する。その結果、ＬＥＤ装置の製造コストが増大するという不具合がある。
【０００６】
他方、ＬＥＤ装置の製造方法において、上記した非封止領域を、封止樹脂層を一旦形成した後に除去することも試案されるが、封止樹脂層は、上記した粒子の他に、樹脂や添加物を含有するので、除去した非封止領域から、粒子のみを回収して再利用することは困難である。そのため、やはり、非封止領域の形成に起因する封止樹脂層の歩留まりの低下およびそれに起因するＬＥＤ装置の製造コストの増大を防止することができないという不具合がある。
【０００７】
本発明の目的は、封止層の歩留まりを向上させて、半導体装置の製造コストを低減することのできる、半導体装置の製造方法およびそれによって製造される半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造方法は、基板に実装され、第１方向に互いに間隔が隔てられる複数の半導体素子を用意する用意工程、および、粒子を含有する複数の封止層が、各前記半導体素子に１対１で対応して前記第１方向に間隔が隔てられるように、複数の前記半導体素子を封止する封止工程を備えることを特徴としている。
【０００９】
この方法によれば、封止工程では、粒子を含有する複数の封止層が、各半導体素子に１対１で対応して第１方向に間隔が隔てられるように、複数の半導体素子を封止する。つまり、複数の封止層のすべては、複数の半導体素子の封止に寄与することができる。そのため、封止層を有効に利用することができる。その結果、封止層の歩留まりを向上させて、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記用意工程では、複数の前記半導体素子を、前記第１方向に対して交差する第２方向に互いに間隔を隔てて配置し、前記封止工程では、前記第２方向に連続する前記封止層によって、前記半導体素子を封止し、前記封止工程の後に、前記封止層が前記第２方向において複数分割されるように、前記封止層および前記基板を切断する切断工程をさらに備えることが好適であり、さらには、複数の前記半導体素子を、前記第２方向において隣接する前記半導体素子間の間隔が前記第１方向において隣接する前記半導体素子間の間隔より小さくなるように、配置することが好適であり、また、前記用意工程では、前記第１方向に延びる前記基板を用意することも好適である。
【００１１】
この方法によれば、用意工程では、複数の半導体素子を、第１方向および第２方向の両方において間隔を隔てて配置し、その後、封止工程によって、それら半導体素子を封止層によって封止するので、半導体装置を効率的に製造することができる。
【００１２】
また、封止工程では、第２方向に連続する封止層によって、第２方向に互いに間隔を隔てて配置された半導体素子を封止するので、半導体素子を簡単かつ効率的に封止することができる。
【００１３】
これとともに、切断工程によって、封止層が第２方向において複数分割されるように、封止層および基板を切断するので、第２方向に連続した封止層を、有効に利用することができる。
【００１４】
とりわけ、この方法では、封止層を第１方向に間隔が隔てられるように配置する一方、たとえ、封止層を第２方向に連続するように配置しても、複数の半導体素子を、第２方向において隣接する半導体素子間の間隔が第１方向において隣接する半導体素子間の間隔より小さくなるように、配置する。そうすると、切断工程によって、第２方向において複数分割されるように切断された封止層が、第２方向に隣接する半導体素子の封止に効率的に寄与することができる。そのため、封止層を有効に利用することができる。
【００１５】
また、とりわけ、用意工程では、第１方向に延びる基板を用意するので、基板を第１方向に連続して供給することができる。そのため、半導体装置を効率的に製造することができる。さらに、切断工程では、第１方向に延びる基板を、第２方向において複数分割されるように、切断するので、得られる半導体装置は、第１方向に延びるように形成される。そのため、かかる半導体装置の第１方向の長さを所望の寸法に調節して、種々の用途に用いることができる。
【００１６】
その結果、封止層の歩留まりを向上させて半導体装置の製造コストを低減することができながら、半導体装置を効率的に製造することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記封止工程では、シート状に予め形成された前記封止層によって、前記半導体素子を封止することが好適である。
【００１８】
この方法によれば、シート状に予め形成された封止層によって、半導体素子を封止するので、封止層の厚みを予め正確に調整することができ、そのため、封止の精度を向上させることができる。そのため、信頼性に優れる半導体装置を製造することができる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記粒子が、蛍光体を含有し、前記半導体素子が、光半導体素子であり、光半導体装置の製造方法であることが好適である。
【００２０】
この方法によれば、封止層の歩留まりを向上させて、光半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００２１】
また、本発明の半導体装置は、上記した半導体装置の製造方法により得られることを特徴としている。
【００２２】
この半導体装置では、封止層の歩留まりが向上されており、製造コストが低減されている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、封止層の歩留まりを向上させて、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００２４】
本発明の半導体装置では、封止層の歩留まりが向上されており、製造コストが低減されている。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態である光半導体装置の製造方法を説明する概略平面図を示す。
【図２】図２は、図１に記載の光半導体装置の製造方法を説明する、左右方向に沿う概略断面図を示す。
【図３】図３は、図１に記載の光半導体装置の製造方法を説明する、前後方向に沿う概略断面工程図であり、図３Ａおよび図３Ｂは、用意工程、図３Ｃは、封止工程、図３Ｄは、切断工程、図３Ｅは、剥離工程を示す。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態である光半導体装置の製造方法を説明する概略平面図を示す。
【図５】図５は、図４に記載の光半導体装置の製造方法を説明する、左右方向に沿う概略断面図を示す。
【図６】図６は、図４に記載の光半導体装置の製造方法を説明する、前後方向に沿う概略断面工程図であり、図６Ａおよび図６Ｂは、用意工程、図６Ｃは、封止工程、図６Ｄは、剥離工程を示す。
【図７】図７は、本発明の第３実施形態である光半導体装置の製造方法を説明する概略平面図を示す。
【図８】図８は、本発明の第４実施形態である光半導体装置の製造方法を説明する概略平面図を示す。
【図９】図９は、本発明の第５実施形態である光半導体装置の製造方法を説明する概略平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜第１実施形態＞
図１において、紙面右側は、前側（第１方向の一例である前後方向一方側（搬送方向下流側））、紙面左側は、後側（前後方向他方側（搬送方向上流側））、紙面上側は、右側（第２方向の一例であり、前後方向に対して直交する左右方向一方側）、紙面下側は、左側（左右方向他方側）、紙面手前側は、上側（前後方向および左右方向に対して直交する第３方向の一例である厚み方向一方側）、紙面奥側は、下側（厚み方向他方側）を示す。図１以外の図面については、図１の方向を基準とする。また、図１において、剥離シート６を、光半導体素子３および封止層５の相対配置を明確に示すため、省略している。
【００２７】
図１〜図３に示すように、本発明の第１実施形態である光半導体装置１の製造方法は、用意工程（図３Ａおよび図３Ｂ参照）および封止工程（図３Ｃ参照）を必須の工程として備える。具体的には、この光半導体装置１の製造方法は、用意工程（図３Ａおよび図３Ｂ参照）、封止工程（図３Ｃ参照）、切断工程（図３Ｄ参照）、および、剥離工程（図３Ｅ参照）を備える。以下、各工程を詳述する。なお、以下の各工程は、例えば、特開２０１３−５１２３４号公報、特開２０１２−１４２３６４号公報などに記載される光半導体製造装置を用いて、基板２（後述）を後側から前側に、つまり、搬送方向上流側から下流側に向けて搬送しながら、実施される。
【００２８】
［用意工程］
用意工程では、まず、図１、図２および図３Ａに示すように、基板２を用意する。
【００２９】
基板２は、前後方向に延びる略矩形の平帯状に形成されている。基板２は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板からなる。
【００３０】
また、基板２の上面には、次に説明する光半導体素子３の端子（図示せず）と電気的に接続するための電極（図示せず）と、それに連続する配線とを備える導体パターン（図示せず）が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。
【００３１】
また、図２に示すように、基板２は、ロール状に巻回されて準備されており、ロールから繰り出されて、光半導体製造装置（図示せず）に連続的に供される。あるいは、ロールに代えて、前後方向に延びる長尺平板状の基板２を、この光半導体製造装置（図示せず）に連続的に供することもできる。
【００３２】
基板２の平面視における寸法は、適宜選択され、具体的には、左右方向の長さ（幅）が、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、２５０ｍｍ以下、好ましくは、１５０ｍｍ以下である。基板２の厚みは、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、３０００μｍ以下である。
【００３３】
次に、図１、図２および図３Ｂに示すように、複数の光半導体素子３を、基板２に実装する。
【００３４】
具体的には、前後方向および左右方向に互いに間隔が隔てられるように、複数の光半導体素子３を基板２の上面に配置する。より具体的には、左右方向に互いに間隔を隔てて１列に配置に配置される光半導体素子３の第１素子列（左右列）４Ａが、前後方向に互いに間隔を隔てて複数列配置される。各第１素子列４Ａは、左右方向に投影したときに、複数の光半導体素子３がすべて重複するように、左右方向に沿う直線状に配置されている。また、前後方向に互いに隣接する複数の光半導体素子３の第２素子列（前後列）４Ｂが、前後方向に投影したときに、複数の光半導体素子３がすべて重複するように、前後方向に沿う直線状に配置されている。
【００３５】
光半導体素子３は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体素子であり、例えば、断面視略矩形状に形成されている。
【００３６】
光半導体素子３としては、例えば、青色光を発光する青色ＬＥＤなどのＬＥＤ（発光ダイオード素子）や、ＬＤ（レーザーダイオード）などが挙げられる。光半導体素子３の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定され、具体的には、厚みが、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。また、光半導体素子３の平面視における前後方向の長さが、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１５ｍｍ以下、好ましくは、２０ｍｍ以下であり、また、光半導体素子３の平面視における左右方向が、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、２０ｍｍ以下、好ましくは、１５ｍｍ以下である。
【００３７】
各光半導体素子３間の前後方向の間隔（前後方向のピッチ）、すなわち、各第２素子列４Ｂにおける光半導体素子３間の間隔Ｌ２は、例えば、３ｍｍ以上、好ましくは、５ｍｍ以上であり、また、例えば、１５０ｍｍ以下、好ましくは、７０ｍｍ以下である。一方、各光半導体素子３間の左右方向の間隔（左右方向のピッチ）、すなわち、各第１素子列４Ａにおける光半導体素子３間の間隔Ｌ１は、例えば、各第２素子列４Ｂにおける光半導体素子３間の間隔Ｌ２に比べて、小さく（つまり、Ｌ１＜Ｌ２の関係を満足する）、具体的には、上記間隔Ｌ２に対して、例えば、８０％未満、好ましくは、５０％以下であり、また、１５％以上である。より具体的には、上記間隔Ｌ１は、例えば、０．４５ｍｍ以上、また、例えば、２．４ｍｍ以下、好ましくは、１．５ｍｍ以下である。上記間隔Ｌ１が上記間隔Ｌ２以上であれば、後述する切断工程後の封止層５の歩留まりを向上させることができない場合がある。
【００３８】
また、各光半導体素子３を、基板２に対して、例えば、フリップチップ実装する。あるいは、光半導体素子３を、基板２の電極（図示せず）とワイヤボンディング接続する。
【００３９】
これにより、光半導体素子３が実装された基板２を用意する。
【００４０】
なお、光半導体素子３が予め実装された基板２を、用意することもできる。
【００４１】
［封止工程］
封止工程は、用意工程の後に実施される。図２および図３Ｂに示すように、封止工程では、まず、複数の封止層５を用意する。
【００４２】
各封止層５は、シート状に予め形成されており、例えば、図１が参照されるように、各第１素子列４Ａに対応する、左右方向に長い（連続する）平面視略矩形状に形成されている。
【００４３】
封止層５を用意するには、まず、封止組成物を用意する。
【００４４】
封止組成物は、粒子を必須成分として含有し、具体的には、粒子および樹脂を含有する。
【００４５】
粒子としては、例えば、蛍光体、充填剤などが挙げられる。
【００４６】
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【００４７】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。蛍光体は、単独使用または併用することができる。蛍光体の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【００４８】
充填剤としては、例えば、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。また、充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。充填剤は、単独使用または併用することができる。充填剤の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【００４９】
粒子の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、８０質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。
【００５０】
樹脂としては、例えば、加熱により可塑化する熱可塑性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル樹脂、ＥＶＡ・塩化ビニル樹脂共重合体などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。樹脂としては、好ましくは、熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂などの硬化性樹脂が挙げられる。
【００５１】
硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。また、硬化性樹脂としては、例えば、２段階硬化性樹脂、１段階硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、２段階硬化性樹脂が挙げられる。
【００５２】
２段階硬化性樹脂は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（最終硬化）する。一方、１段階硬化性樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する。また、Ｂステージは、硬化性樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。
【００５３】
封止組成物を調製するには、粒子および樹脂を配合する。なお、樹脂が硬化性樹脂である場合には、配合時の樹脂は、Ａステージである。
【００５４】
続いて、この方法では、調製した封止組成物を、剥離シート６の表面に塗布する。具体的には、封止組成物を、剥離シート６の表面に、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの方法により適当な厚さで、上記したパターンで塗布して、皮膜を形成する。具体的には、図２に示すように、剥離シート６の下面に、第１素子列４Ａに対応するパターンで封止組成物の皮膜を形成する。
【００５５】
その後、必要により、樹脂が硬化性樹脂である場合には、皮膜を、加熱および／または活性エネルギー線照射する。より具体的には、樹脂が２段階硬化性樹脂を含有する場合には、加熱および／または活性エネルギー線照射によって、封止層５をＢステージ化（半硬化）させる。
【００５６】
これにより、シート状の封止層５を剥離シート６に支持されるように、形成する。
【００５７】
左右方向に延びる複数の封止層５は、剥離シート６の下面において、前後方向に互いに間隔を隔てて配置される。図１に示すように、各封止層５は、各第１素子列４Ａをまとめて被覆できるように、つまり、左右方向に連続するように、基板２の上に設けられる。
【００５８】
封止層５の寸法は、その用途および目的によって適宜調節され、具体的には、前後方向長さ（幅）が、光半導体素子３の前後方向長さ（幅）より長く、具体的には、光半導体素子３の幅に対して、例えば、１ｍｍ以上、好ましくは、２ｍｍ以上、より好ましくは、３ｍｍ以上長く、また、例えば、１０ｍｍ以下長い。また、剥離シート６の左右方向長さは、基板２の左右方向長さと同一である。前後方向に隣接する封止層５間の間隔Ｌ３の幅は、例えば、０．５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下である。
【００５９】
続いて、複数の封止層５を、各封止層５が厚み方向において各第１素子列４Ａの光半導体素子３と対向するように、配置する。
【００６０】
その後、図１、図２および図３Ｃに示すように、複数の封止層５によって、複数の光半導体素子３を封止する。具体的には、図２および図３Ｂの矢印で示すように、複数の封止層５を、基板２に対して相対的に押し下げる。これによって、複数の封止層５のそれぞれが複数の第１素子列４Ａのそれぞれに対応する複数の光半導体素子３をまとめて被覆（埋設）して封止する。
【００６１】
一方、各第２素子列４Ｂにおいては、複数の封止層５のそれぞれは、複数の光半導体素子３のそれぞれを埋設する。つまり、各第２素子列４Ｂにおいては、各封止層５は、各光半導体素子３を１対１で埋設する。また、各第２素子列４Ｂにおいては、複数の封止層５は、各光半導体素子３に対応して、左右方向に間隔が隔てられるように、複数の光半導体素子３を埋設する。
【００６２】
これによって、各光半導体素子３の上面および側面（全側面。具体的には、前側面、後側面、右側面および左側面。）は、封止層５によって被覆される。また、第１素子列４Ａに対応する（各光半導体素子３の近傍の）基板２の上面が封止層５に被覆される一方、第１素子列４Ａに対応しない（各光半導体素子３に対して遠隔に位置する、つまり、隣接する光半導体素子３間の途中に位置する）基板２の上面が封止層５から露出する。これによって、基板２には、第１素子列４Ａに対応し、封止層５が形成される封止領域７と、第１素子列４Ａに対応せず、封止層５から露出する露出領域（非封止領域）８とが形成される。
【００６３】
その後、封止層５が硬化性樹脂を含有する場合には、封止層５をＣステージ化（完全硬化）させる。
【００６４】
これによって、単数の基板２、複数の光半導体素子３、複数の封止層５および単数の剥離シート６を備える光半導体装置集合体９を得る。
【００６５】
［切断工程］
切断工程は、封止工程の後に実施される。切断工程では、図１および図３Ｄの破線で示すように、各第１素子列４Ａに対応する封止層５が左右方向において複数分割されるように、光半導体装置集合体９を切断する。すなわち、切断工程では、複数の光半導体素子３に対応する封止層５が左右方向において複数分割されるように、封止層５および基板２を切断する。光半導体装置集合体９の切断では、各第１素子列４Ａにおける複数の光半導体素子３が個片化されるように、第１素子列４Ａにおける各光半導体素子３間の封止層５および基板２を切断する。なお、各第２素子列４Ｂに対応する複数の光半導体素子３を個片化しない一方、第１素子列４Ａにおける各光半導体素子３間の封止層５および基板２を切断して、かかる光半導体素子３を個片化する。光半導体装置集合体９を切断するには、例えば、ダイシングブレードを用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置などが用いられる。
【００６６】
これによって、図９が参照されるように、基板２と、前後方向に１列に配置される複数の光半導体素子３と、複数の光半導体素子３のそれぞれを封止するように、かつ、基板２に封止領域７および露出領域８が形成されるように、設けられる封止層５と、それを支持する剥離シート６（図３Ｄ参照）とを備える、半導体装置の一例としての光半導体装置１を得る。
【００６７】
［剥離工程］
剥離工程では、図２および図３Ｅの矢印で示すように、剥離シート６を封止層５から剥離する。
【００６８】
これによって、基板２、光半導体素子３および封止層５を備える光半導体装置１を得る。
【００６９】
得られた光半導体装置１は、例えば、光学分野、具体的には、発光装置（図示せず）などに用いられる。
【００７０】
＜第１実施形態の作用効果＞
この方法によれば、封止工程では、粒子を含有する複数の封止層５が、各第２素子列４Ｂの光半導体素子３に１対１で対応して前後方向に間隔が隔てられるように、複数の半導体素子３を封止する。つまり、封止領域７に対応する複数の封止層５のすべては、複数の半導体素子３の封止に寄与することができる。そのため、封止層５を有効に利用することができる。その結果、封止層５の歩留まりを向上させて、光半導体装置１の製造コストを低減することができる。
【００７１】
また、この方法によれば、用意工程では、複数の光半導体素子３を、前後方向および左右方向の両方において間隔を隔てて基板２に配置し、その後、封止工程によって、それら光半導体素子３を封止層５によって封止するので、光半導体装置１を効率的に製造することができる。
【００７２】
また、封止工程では、左右方向に連続する封止層５によって、左右方向に互いに間隔を隔てて配置された光半導体素子３を封止するので、光半導体素子３を簡単かつ効率的に封止することができる。
【００７３】
これとともに、切断工程によって、封止層５が左右方向において複数分割されるように、封止層５および基板２を切断するので、左右方向に連続した封止層５を、有効に利用することができる。
【００７４】
とりわけ、この方法では、封止層５を前後方向に間隔が隔てられるように配置する一方、たとえ、封止層５を左右方向に連続するように配置しても、複数の光半導体素子３を、左右方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ１が前後方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ２よりも小さくなるように、配置する。そうすると、切断工程によって、左右方向において複数分割されるように切断された封止層５を、左右方向に隣接する光半導体素子３の封止に有効に寄与することができる。そのため、封止層５を効率的に利用することができる。
【００７５】
また、とりわけ、用意工程では、前後方向に延びる基板２を用意するので、基板２を前後方向に連続して供給することができる。そのため、光半導体装置１を効率的に製造することができる。さらに、切断工程では、前後方向に延びる基板２を、前後方向において複数分割されるように、切断するので、得られる光半導体装置１は、前後方向に延びるように形成される。そのため、かかる光半導体装置１の左右方向の長さを所望の寸法に調整して、種々の用途、具体的には、前後方向に長い発光装置（図示せず）に好適に用いることができる。
【００７６】
その結果、封止層５の歩留まりを向上させて光半導体装置１の製造コストを低減することができながら、光半導体装置１を効率的に製造することができる。
【００７７】
また、この方法によれば、シート状に予め形成された封止層５によって、光半導体素子３を封止するので、封止層５の厚みを予め正確に調整することができ、そのため、封止の精度を向上させることができる。そのため、信頼性に優れる光半導体装置１を製造することができる。
【００７８】
また、この方法によれば、封止層５の歩留まりを向上させて、光半導体装置１の製造コストを低減することができる。
【００７９】
この光半導体装置１では、封止層５の歩留まりが向上されており、製造コストが低減されている。
【００８０】
＜第１実施形態の変形例＞
第１実施形態では、シート状に予め形成された封止層５によって光半導体素子３を埋設して封止しているが、例えば、封止組成物からなるワニスを、基板２および光半導体素子３に対して、上記したパターンとなるように、直接塗布することもできる。
【００８１】
この方法によれば、剥離シート６を用意する必要がない。そのため、剥離工程を実施することなく、光半導体装置１を得ることができる。その結果、工数を低減して、簡便な工程で、低コストで、光半導体装置１を製造することができる。
【００８２】
上記した説明では、封止層５を単層から形成しているが、封止層５を、種類の異なる複数の層を厚み方向に積層して形成することもできる。その場合には、封止層５を構成する複数の層のうち、いずれか一の層に粒子が必須成分として含まれていればよい。言い換えれば、封止層５を構成する複数の層のうち、残部の層を、粒子を含有しない層として構成することもできる。
【００８３】
また、本発明における半導体素子として光半導体素子３を一例として説明しているが、例えば、図示しないが、それらを、電子素子とすることもできる。
【００８４】
電子素子は、電気エネルギーを、光以外のエネルギー、具体的には、信号エネルギーなどに変換する半導体素子であって、具体的には、トランジスタ、ダイオードなどが挙げられる。電子素子の寸法は、用途および目的によって適宜選択される。
【００８５】
この場合、封止層５に含まれる充填剤としては、さらに、カーボンブラックなどの黒色顔料などが挙げられる。充填剤の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、９９質量部以下、好ましくは、９５質量部以下である。
【００８６】
また、封止層５の物性（具体的には、圧縮弾性率など）は、上記した第１実施形態のそれと同一である。
【００８７】
また、上記した実施形態では、図１および図３Ｄの破線で示すように、切断工程において、各第１素子列４Ａにおける複数（７個）の光半導体素子３を個片化、つまり、１つずつの光半導体素子３となるように、光半導体装置集合体９を切断している。しかし、例えば、図示しないが、各第１素子列４Ａにおける光半導体素子３の数より小さい数（具体的には、２〜６個）の光半導体素子３の集合体を構成するように、光半導体装置集合体９を切断することもできる。その場合には、切断された光半導体装置集合体９において、１つの集合体における複数の光半導体素子３間の左右方向の間隔は、例えば、０．５ｍｍ以上、例えば、３ｍｍ以下である。
【００８８】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態である光半導体装置１の製造方法を、図４〜図６を参照して説明する。
【００８９】
図４〜図６において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９０】
第１実施形態では、複数の封止層５を、左右方向に長く延び、前後方向に互いに間隔を隔てて基板２に配置しているが、第２実施形態では、複数の封止層５を、前後方向に長く延び、左右方向に互いに間隔を隔てて基板２に配置することもできる。
【００９１】
この光半導体装置１の製造方法は、用意工程（図６Ａおよび図６Ｂ参照）、封止工程（図６Ｃ参照）、切断工程（図４および図５参照）、および、剥離工程（図６Ｄ参照）を備える。
【００９２】
［封止工程］
封止工程は、用意工程の後に実施される。封止工程では、まず、図５および図６Ｂに示すように、複数の封止層５を用意する。
【００９３】
各封止層５は、シート状に予め形成されており、図４に示すように、例えば、各第２素子列４Ｂに対応する、前後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。各封止層５の左右方向長さは、例えば、第１実施形態における各封止層５の前後方向長さと同様である。また、左右方向に隣接する封止層５間の間隔は、第１実施形態において前後方向に隣接する封止層５の間隔Ｌ３と同様である。
【００９４】
［切断工程］
切断工程では、図４および図５に示すように、各第２素子列４Ｂに対応する封止層５が前後方向において複数分割されるように、光半導体装置集合体９を切断する。すなわち、切断工程では、複数の光半導体素子３に対応する封止層５が前後方向において複数分割されるように、封止層５および基板２を切断する。光半導体装置集合体９の切断では、各第２素子列４Ｂにおける複数の光半導体素子３が個片化されるように、第２素子列４Ｂにおける各光半導体素子３間の封止層５および基板２を切断する。
【００９５】
＜第２実施形態の作用効果＞
第２実施形態によれば、第１実施形態と異なり、封止工程では、前後方向に連続する封止層５によって、前後方向に互いに間隔を隔てて配置された光半導体素子３を封止するので、前後方向に隣接配置される光半導体素子３を簡単かつ効率的に封止することができる。
【００９６】
これとともに、切断工程によって、封止層５が前後方向において複数分割されるように、封止層５および基板２を切断するので、前後方向に連続する基板２を有効に利用することができる。
【００９７】
一方、左右方向長さが同一である封止層５および基板２を備える、複数の光半導体装置１を効率的に製造することができる。
【００９８】
他方、複数の光半導体素子３を、左右方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ１が前後方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ２よりも小さくなるように、配置する場合（つまり、Ｌ１＜Ｌ２の関係を満足する場合）には、切断工程によって、前後方向に連続していた封止層５を、前後方向において複数分割されるように切断すれば、各光半導体素子３の上記した間隔によって、左右方向における光半導体素子３に対する封止層５のマージン（つまり、光半導体素子３の左右方向両外側部分）の面積は、第１実施形態の前後方向における光半導体素子３に対する封止層５のマージン（つまり、光半導体素子３の前後方向両外側部分）の面積に比べて、広い。そのため、第１実施形態は、第２実施形態に比べて、封止層５の歩留まりがより一層良好である。
【００９９】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態である光半導体装置１の製造方法を、図７を参照して説明する。
【０１００】
図７において、第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１０１】
第１実施形態および第２実施形態では、図１および図４が参照されるように、用意工程において、複数の光半導体素子３を、左右方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ１が前後方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ２よりも小さくなるように、つまり、Ｌ１＜Ｌ２の関係を満足するように、配置している。しかしながら、第３実施形態では、図７に示すように、用意工程において、複数の光半導体素子３を、左右方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ１が前後方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ２よりも大きくなるように、つまり、Ｌ１＞Ｌ２の関係を満足するように、配置する。
【０１０２】
つまり、各光半導体素子３間の左右方向の間隔（左右方向のピッチ）Ｌ１は、例えば、３ｍｍ以上、好ましくは、５ｍｍ以上であり、また、例えば、１５０ｍｍ以下、好ましくは、７０ｍｍ以下である。一方、各光半導体素子３間の前後方向の間隔（前後方向のピッチ）Ｌ２は、例えば、各光半導体素子３間の左右方向の間隔（左右方向のピッチ）Ｌ１に比べて、小さく（つまり、Ｌ１＞Ｌ２の関係を満足する）、具体的には、上記間隔Ｌ１に対して、例えば、８０％未満、好ましくは、５０％以下であり、また、１５％以上である。より具体的には、上記間隔Ｌ２は、例えば、０．４５ｍｍ以上、また、例えば、２．４ｍｍ以下、好ましくは、１．５ｍｍ以下である。上記間隔Ｌ２が上記間隔Ｌ１以上であれば、後述する切断工程後の封止層５の歩留まりを向上させることができない場合がある。
【０１０３】
＜第３実施形態の作用効果＞
この第３実施形態では、用意工程において、複数の光半導体素子３を、左右方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ１が前後方向において隣接する光半導体素子３間の間隔Ｌ２よりも大きくなるように、つまり、Ｌ１＞Ｌ２の関係を満足するように、配置するので、その後の切断工程において、前後方向に連続していた封止層５を、前後方向において複数分割されるように切断すれば、各光半導体素子３の上記した間隔によって、左右方向における光半導体素子３に対する封止層５のマージン（つまり、光半導体素子３の左右方向両外側部分）の面積は、上記した第２実施形態の左右方向における光半導体素子３に対する封止層５のマージン（つまり、光半導体素子３の前後方向両外側部分）の面積に比べて、広い。そのため、第３実施形態は、第２実施形態に比べて、封止層５の歩留まりがより一層良好である。
【０１０４】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態である光半導体装置１の製造方法を、図８を参照して説明する。
【０１０５】
図８において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１０６】
第１実施形態では、封止層５を、各第１素子列４Ａの複数の光半導体素子３に対応するパターンで形成し、また、第２実施形態では、封止層５を、各第２素子列４Ｂの複数の光半導体素子３に対応するパターンで形成しているが、例えば、図８に示すように、単数（１つ）の光半導体素子３に対応するパターンで、複数配置することもできる。
【０１０７】
［封止工程］
各封止層５は、各光半導体素子３に対応しており、具体的には、平面視において、各光半導体素子３を含む平面視略矩形状に形成されている。また、複数の封止層５は、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置される。
【０１０８】
一方、露出領域８は、平面視において、封止領域７を囲む略碁盤目状に形成される。
【０１０９】
［切断工程］
切断工程では、例えば、光半導体素子３が個片化されるように、基板２を切断する。
【０１１０】
あるいは、複数個の光半導体素子３がユニットとなるように、基板２を切断して、複数の光半導体素子３を有する光半導体装置１を得ることもできる。
【０１１１】
＜第４実施形態の作用効果＞
そして、この方法では、切断工程において、封止層５を切断することなく、基板２のみを切断するので、封止層５の切断に伴う封止層５の損傷などを防止することができる。
【０１１２】
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態である光半導体装置１の製造方法を、図９を参照して説明する。
【０１１３】
図９において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１４】
第１実施形態では、複数の光半導体素子３を、第１素子列４Ａおよび第２素子列４Ｂが形成されるように、基板２に配置しているが、例えば、図９に示すように、第２素子列４Ｂのみが形成されるように、基板２に配置することもできる。
【０１１５】
すなわち、複数の光半導体素子３は、基板２に対して、前後方向に間隔を隔てて、左右方向に１列（縦列）に配置されている。
【０１１６】
この第５実施形態の方法は、第１実施形態で説明した切断工程を備えない。つまり、封止工程後の剥離シート６を、剥離工程において、封止層５から剥離して、光半導体装置１を得る。
【０１１７】
＜第５実施形態の作用効果＞
そして、この方法は、切断工程を備えないので、工数を低減することができ、簡易な工程で、かつ、製造コストを低減しながら、光半導体装置１を製造することができる。
【符号の説明】
【０１１８】
１     光半導体装置
２     基板
３     光半導体素子
５     封止層
Ｌ１   左右方向において隣接する光半導体素子間の間隔
Ｌ２   前後方向において隣接する光半導体素子間の間隔
【図１】
2015082580.tif 000003
【図２】
2015082580.tif 000004
【図３】
2015082580.tif 000005
【図４】
2015082580.tif 000006
【図５】
2015082580.tif 000007
【図６】
2015082580.tif 000008
【図７】
2015082580.tif 000009
【図８】
2015082580.tif 000010
【図９】
2015082580.tif 000011