(57)【要約】【課題】貫通穴の形成位置に依存せずに封止部材を小型化できるようにしたＩＣモジュール及びＩＣカードを提供する。【解決手段】表面１ａ及び裏面１ｂに開口するスルーホール３が設けられた基材１と、表面１ａに設けられ、外部端子と接触する接触端子１０と、裏面１ｂに取り付けられたＩＣチップ５５と、スルーホール３を通して、ＩＣチップ５５と接触端子１０とを電気的に接続する導電部材とを備える。導電部材は、裏面１ｂに設けられた第１の導電層２０と、スルーホール３の内壁に設けられた第２の導電層３０と、一端がＩＣチップ５５に接続し、他端が第１の導電層２０に接続するワイヤー６０とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面に開口する貫通穴が設けられた基材と、
前記表面に設けられ、外部端子と接触する接触端子と、
前記裏面に取り付けられたＩＣチップと、
前記裏面に設けられた第１の導電層と、
前記貫通穴の内壁に設けられ、前記第１の導電層と前記接触端子とに接続する第２の導電層と、
一端が前記ＩＣチップに接続し、他端が前記第１の導電層に接続する導電路とを有することを特徴とするＩＣモジュール。
【請求項２】
前記導電路の他端と前記第１の導電層との接合部は、前記裏面側において、前記ＩＣチップと前記貫通穴との間に位置することを特徴とする請求項１に記載のＩＣモジュール。
【請求項３】
前記裏面に設けられ、前記ＩＣチップ及び前記導電路と、前記第１の導電層の少なくとも一部とを封止する封止部材をさらに有し、
前記封止部材の外縁は前記貫通穴よりも前記ＩＣチップ側に位置することを特徴とする請求項２に記載のＩＣモジュール。
【請求項４】
一方の面に凹部を有するカード基材と、
前記凹部に埋設されたＩＣモジュールとを備え、
前記ＩＣモジュールは、
表面及び裏面に開口する貫通穴が設けられた基材と、
前記表面に設けられ、外部端子と接触する接触端子と、
前記裏面に取り付けられたＩＣチップと、
前記裏面に設けられた第１の導電層と、
前記貫通穴の内壁に設けられ、前記第１の導電層と前記接触端子とに接続する第２の導電層と、
一端が前記ＩＣチップに接続し、他端が前記第１の導電層に接続する導電路とを有することを特徴とするＩＣカード。
【請求項５】
前記導電路と前記第１の導電層との接合部が、前記カード基材の前記一方の面のうち外部ローラーと接触するローラー接触領域と平面視で重ならないように、前記第１の導電層のパターンが設計されていることを特徴とする請求項４に記載のＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣモジュール及びＩＣカードに関し、特に、貫通穴の形成位置に依存せずに封止部材を小型化できるようにしたＩＣモジュール及びＩＣカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、接触式のＩＣカードでは、接触端子を有するＩＣモジュール基板にＩＣチップを実装し、ＩＣチップと接触端子をワイヤーボンディング等により電気的に接続し、ＩＣチップ及びワイヤーを封止部材樹脂で封止した構造のＩＣモジュールが用いられている。このようなＩＣモジュールをカード基材に実装する場合、カード基材にＩＣモジュールを埋設するための凹部を設けておき、この凹部にＩＣモジュールを埋設する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１３は、従来例に係るＩＣモジュール４００の構成例を示す断面図である。図１３に示すＩＣモジュール４００は、接触端子２１０を有するＩＣモジュール基板２０１にＩＣチップ２５５を実装し、ＩＣチップ２５５と接触端子２１０とをボンディングホール２０３を通してワイヤー２６０で電気的に接続し、その後、ＩＣチップ２５５とワイヤー２６０とをモールド樹脂２７０で封止することにより形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１２７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図１３に示したＩＣモジュール４００において、接触端子２１０は、銅（Ｃｕ）箔２１１と、銅箔２１１上に形成された図示しないニッケル（Ｎｉ）メッキ層と、ニッケルメッキ層上に設けられた金（Ａｕ）メッキ層２１４、２２４とを有する。そして、ワイヤー２６０はボンディングホール２０３を通して接触端子２１０に接続する。この構造では、ボンディングホール２０３の形成位置に制約があり、接触端子２１０の接続用領域の直下にボンディングホール２０３を設ける必要があった。接続用領域は、ＩＣカード読み取りリーダーライター（以下、ＲＷ）やＡＴＭ等の端子（ピン）がコンタクトする領域である。
【０００６】
また、ワイヤー２６０を封止するため、モールド樹脂２７０はボンディングホール２０３内を充填し、さらにＩＣチップ２５５から見てボンディングホール２０３の外側の領域まで覆う必要があった。このため、モールド樹脂２７０の外縁の位置はボンディングホール２０３の位置に依存していた。
ここで、接触端子の接続用領域の位置は、例えばＩＳＯ又はＪＩＳ規格で定められており、その位置を任意に変更することはできない。このため、図８に示した従来の構造では、ボンディングホール２０３の形成位置を変更することはできず、モールド樹脂を小型化することができなかった。
【０００７】
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、貫通穴の形成位置に依存せずに封止部材を小型化できるようにしたＩＣモジュール及びＩＣカードの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、基材に設けられた貫通穴を通して、基材の裏面に取り付けられたＩＣチップと、基材の裏面に設けられた第１の導電層と、基材の貫通穴の内壁に設けられ、第１の導電層と接触端子とに接続する第２の導電層と、一端がＩＣチップに接続し、他端が第１の導電層に接続する導電路とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、一端がＩＣチップに接続するワイヤーの他端は、基材の裏面に設けられた第１の導電層に接続する。そして、第１の導電層は貫通穴の内壁に設けられた第２の導電層に接続し、第２の導電層は基材の表面に設けられた接触端子に接続している。これにより、貫通穴の形成位置を変更しなくても、ワイヤーの他端と第１の導電層との接合部の配置をＩＣチップに近づけることができ、ワイヤーの一端から他端までの長さを短くすることができる。従って、貫通穴の形成位置に依存せずに、封止部材を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係るＩＣモジュール基板５０の構成例を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係るＩＣモジュール１００の構成例を示す断面図である。
【図３】第１実施形態に係るＩＣカード１５０の構成例を示す断面図である。
【図４】ＩＣモジュール１００の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】ＩＣモジュール１００の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６】ＩＣモジュール１００の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】ＩＣカード１５０における、ローラー接触領域を模式的に示す平面図である。
【図８】第２実施形態に係るＩＣモジュール基板２５０の構成例を示す断面図である。
【図９】第２実施形態に係るＩＣモジュール３００の構成例を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態に係るＩＣカード３５０の構成例を示す断面図である。
【図１１】ＩＣモジュール３００の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】ＩＣモジュール３００の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１３】従来例に係るＩＣモジュール４００の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省
略する。
＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＩＣモジュール基板５０の構成例を示す断面図である。ＩＣモジュール基板５０は、ＩＣチップを実装してＩＣモジュールを構成するための基板である。図１に示すように、ＩＣモジュール基板５０は、基材１と、接触端子１０と、第１の導電層２０と、第２の導電層３０と、を有する。
【００１２】
基材１は、表（おもて）面１ａと、裏面１ｂとを有する。基材１の表面１ａと裏面１ｂとの間には、貫通穴であるスルーホール３が設けられている。基材１の裏面１ｂには、ＩＣチップを取り付けるためのＩＣ取付領域が用意されている。基材１の材質は特に限定されないが、例えば、ガラスエポキシ又はポリイミドからなる。また、基材１の厚さは、例えば８０μｍ以上、１７０μｍ以下である。
【００１３】
接触端子１０は、基材１の表面１ａに設けられている。接触端子１０は、例えば銅（Ｃｕ）箔等の導電材料に、外部端子との接触面となる貴金属メッキ層が形成された構造を有する。第１実施形態では、接触端子１０の側面１０ａ、１０ｂと接触面１０ｃが貴金属メッキ層からなる。
一例を挙げると、接触端子１０は、導電材料である銅箔１１と、銅箔１１上に形成された銅メッキ層１２と、銅メッキ層１２上に形成された図示しないニッケル（Ｎｉ）メッキ層と、ニッケルメッキ層上に形成された金（Ａｕ）メッキ層１４とを有する。金メッキ層１４は、貴金属メッキ層の一例である。第１実施形態では、接触端子１０の側面１０ａ、１０ｂ及び接触面１０ｃは金メッキ層１４からなる。
【００１４】
また、外部端子とは、例えば、ＩＣカード読み取りリーダーライターやＡＴＭ等の外部装置が有する端子のことである。図１に示すように、接触端子１０には、外部端子との接続用領域が予め設定されている。
また、第１の導電層２０は、基材１の裏面１ｂに設けられている。第１の導電層２０は、例えば接触端子１０と同じ構造を有する。一例を挙げると、第１の導電層２０は、導電材料である銅箔２１と、銅箔２１上に形成された銅メッキ層１２と、銅メッキ層１２上に形成された図示しないニッケルメッキ層と、ニッケルメッキ層上に形成された金メッキ層１４とを有する。第１の導電層２０の表面（図１では、下面）及び側面２０ａは金メッキ層１４からなる。
【００１５】
第２の導電層３０は、スルーホール３の内壁に設けられている。第２の導電層３０は、例えば、銅メッキ層１２と、銅メッキ層１２上に形成された図示しないニッケルメッキ層と、ニッケルメッキ層上に形成された金メッキ層１４とを有する。
なお、接触端子１０、第１の導電層２０及び第２の導電層３０が有する貴金属メッキ層は、金メッキ層に限定されるものではない。貴金属メッキ層は、例えば、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）等の何れか一つからなるメッキ層でもよい。
【００１６】
図２は、本発明の第１実施形態に係るＩＣモジュール１００の構成例を示す断面図である。図２に示すように、ＩＣモジュール１００は、ＩＣモジュール基板５０と、ＩＣモジュール基板５０のＩＣ取付領域に接着剤５１を介して取り付けられたＩＣチップ５５と、ＩＣチップ５５と第１の導電層２０とを電気的に接合するワイヤー６０と、ＩＣモジュール基板５０の裏面１ｂ側に設けられてＩＣチップ５５とワイヤー６０及び第１の導電層２０の一部を封止する封止部材７０と、を備える。
【００１７】
ＩＣチップ５５は、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェハーに回路を形成し、このＳｉウェハーを研磨することによりウェハーの厚みを規定の厚みとし、ダイシング装置により１つのチップとして切り離すことにより製造されたものである。接着剤５１は、例えば銀（Ａｇ）ペーストである。
ワイヤー６０は、ＩＣチップ５５の図示しない電極パッドを接触端子１０へ導通させるためのものである。ワイヤー６０の一端はＩＣチップ５５の図示しない電極パッドに接合し、ワイヤー６０の他端は第１の導電層２０表面の金メッキ層１４に接合している。また、ワイヤー６０の他端と第１の導電層２０との接合部６１は、裏面１ｂ側において、ＩＣチップ５５とスルーホール３との間に位置する。ワイヤー６０の材料は例えば金である。但し、ワイヤー６０の材料は金に限定されるものではなく、例えば銅、アルミニウムなど他の材料であっても構わない。
【００１８】
封止部材７０は、例えばトランスファーモールド技術で形成されるモールド樹脂であり、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等からなる。封止部材７０の外縁は、スルーホール３よりもＩＣチップ５５側に位置する。即ち、裏面１ｂのうち、ＩＣチップから見てスルーホール３より外側の領域は、封止部材７０を設けない非封止領域となっている。
【００１９】
図３は、本発明の第１実施形態に係るＩＣカード１５０の構成例を示す断面図である。図３に示すＩＣカード１５０は、例えば接触式ＩＣカードであり、その券面８０ａに凹部８１を有するカード基材８０と、この凹部８１に埋設されたＩＣモジュール１００とを備える。この例では、ＩＣモジュール１００は、その裏面側（即ち、封止部材７０を有する側）をカード基材８０に向けた状態で凹部８１に配置されており、ＩＣモジュール１００の外周部が接着剤８３を介して凹部８１の底面に接着、固定されている。
【００２０】
また、ＩＣモジュール１００は、凹部８１に埋設された状態で、その表面（例えば、金メッキ層１４の表面）がカード基材８０の券面８０ａと面一（即ち、同じ高さ）となっている。カード基材８０の材質は特に限定されないが、例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等、絶縁性の樹脂材料からなる。
【００２１】
（製造方法）
図４〜図６は、本発明の第１実施形態に係るＩＣモジュール１００の製造方法を工程順に示す断面図である。図４（ａ）に示すように、まず始めに、基材１の表面１ａ及び裏面１ｂ（即ち、両面）にそれぞれ銅箔１１、２１がそれぞれ設けられた両面銅箔基材２を用意する。銅箔１１、２１は、例えば図示しない接着剤によって、基材１に貼付されている。
【００２２】
次に、図４（ｂ）に示すように、両面銅箔基材２に貫通穴であるスルーホール３を形成する。スルーホール３は、例えば、両面銅箔基材２をドリルで掘削する又はレーザー光を照射することで形成する。次に、スルーホール３が形成された両面銅箔基材２を例えばプラズマ雰囲気に晒して、スルーホール３の内壁を活性化する。これにより、スルーホール３の形成時に内壁に残された樹脂残渣等を除去する。
【００２３】
次に、図４（ｃ）に示すように、例えば電気メッキにより、両面銅箔基材２の表面１ａ側及び裏面１ｂ側からスルーホール３の内壁にかけて銅メッキ層１２を形成する。ここでは、電気メッキにより、導体である銅箔１１、２１の表面に銅メッキ層１２を形成すると共に、銅箔１１、２１の側面からスルーホール３の内壁に銅メッキ層１２を形成する。この銅メッキ層１２により、銅箔１１、２１はスルーホール３を通して導通した状態となる。
【００２４】
次に、図４（ｄ）に示すように、両面銅箔基材２の両面にフォトレジスト１０１、１１１をそれぞれ塗布する。そして、露光及び現像技術により、フォトレジスト１０１、１１１をそれぞれパターニングして、図５（ａ）に示すように、レジストパターン１０２、１１２をそれぞれ形成する。レジストパターン１０２の形状は、例えば、接触端子を形成する領域と、スルーホール３の上側開口端３ａとを覆い、それ以外の領域（例えば、接触端子間の短絡を防ぐスペース等）を露出した形状である。また、レジストパターン１１２の形状は、例えば、第１の導電層２０を形成する領域と、スルーホール３の下側開口端３ｂとを覆い、それ以外の領域（例えば、ＩＣ取付領域）を露出した形状である。
【００２５】
次に、レジストパターン１０２、１１２をマスクに用いて、銅メッキ層１２及び銅箔１１、２１を順次エッチングする。これにより、図５（ｂ）に示すように、接触端子を形成する領域と、第１の導電層を形成する領域及び第２の導電層を形成する領域にそれぞれ銅メッキ層１２及び銅箔１１、２１を残し、それ以外の領域では銅メッキ層１２及び銅箔１１、２１を除去して基材１を露出させる。その後、図５（ｃ）に示すように、基材１の両面からレジストパターンを除去する。
【００２６】
次に、例えば電気メッキにより、銅メッキ層１２上に図示しないニッケルメッキ層と、金メッキ層１４とを形成する。このようにして、図６（ａ）に示すように、接触端子１０と、第１の導電層２０と、第２の導電層３０とを形成する。以上の工程を経て、図１に示したＩＣモジュール基板５０が完成する。
次に、図６（ｂ）に示すように、ＩＣモジュール基板５０のＩＣ取付領域に、Ａｇペースト等の接着剤５１を用いてＩＣチップ５５を取り付ける（実装工程）。実装工程の後、ワイヤー６０の一端をＩＣチップ５５のパッド電極に接合し、ワイヤー６０の他端を第１の導電層２０表面の金メッキ層１４に接合して、ＩＣチップ５５と第１の導電層２０とを電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。ワイヤーボンディング工程の後、基材１の裏面１ｂ側に封止部材を形成して、ＩＣチップ５５とワイヤー６０及び第１の導電層２０の一部を封止する（封止工程）。封止工程では、封止部材を例えばトランスファーモールド方法、ポッティング方法又は印刷等で形成する。以上の工程を経て、図２に示したＩＣモジュール１００が完成する。
【００２７】
続いて、ＩＣカード１５０の製造工程では、凹部８１を有するカード基材８０（例えば、図３参照。）を用意する。凹部８１は、例えばエンドミルを用いて券面８０ａを切削することにより形成する。そして、ＩＣモジュール１００、又は、凹部８１の底面の少なくとも一方に接着剤８３（例えば、図３参照。）を塗布しておき、例えばピックアップ装置等を用いて、ＩＣモジュール１００を凹部８１内に配置し、熱プレスする。以上の工程を経て、図３に示したＩＣカード１５０が完成する。
本発明の第１実施形態では、ワイヤー６０が本発明の「導電路」に対応している。また、券面８０ａが本発明の「一方の面」に対応している。
【００２８】
（第１実施形態の効果）
本発明の第１実施形態は、以下の効果を奏する。
（１）一端がＩＣチップ５５に接続するワイヤー６０の他端は、基材１の裏面１ｂに設けられた第１の導電層２０に接続する。そして、第１の導電層２０はスルーホール３の内壁に設けられた第２の導電層３０に接続し、第２の導電層３０は基材１の表面１ａに設けられた接触端子１０に接続している。これにより、スルーホール３の形成位置を変更しなくても、ワイヤー６０の他端と第１の導電層２０との接合部６１をＩＣチップ５５に近づけて配置することができ、ワイヤー６０の一端から他端までの長さを短くすることができる。従って、スルーホール３の形成位置に依存せずに、封止部材７０を小型化することができる。例えば、図２に示したように、ワイヤー６０の他端と第１の導電層２０との接合部６１は、裏面１ｂ側において、ＩＣチップ５５とスルーホール３との間に位置し、封止部材７０の外縁はスルーホール３よりもＩＣチップ５５側となる。
【００２９】
（２）また、封止部材７０を小型化できるので、封止部材の強度向上に寄与することができる（即ち、封止部材が小さいと、封止部材の一方の端部と他方の端部との間で作用する力が小さくなるため、封止部材に亀裂等が生じにくくなる。）。
（３）また、第１の導電層２０のパターンは、ワイヤー６０と第１の導電層２０との接合部６１がローラー接触領域と平面視で重ならないように設計されていることが望ましい。この点について、以下に説明する。
【００３０】
図７は、カード基材８０の券面８０ａにおいて、外部ローラー（例えば、ＲＷやＡＴＭ等の外部装置において、ＩＣカード挿抜のためのローラー）と接触するローラー接触領域を模式的に示す平面図である。図７（ａ）はＩＣカード１５０の全体を示し、図７（ｂ）は図７（ａ）の破線で囲んだ部分を拡大して示した図である。なお、図７（ｂ）に示すＩＣモジュール１００において、Ｖｃｃは回路電圧供給用の接続用領域、ＧＮＤはグランド電位供給用の接続用領域、ＲＳＴはリセット信号入力用の接続用領域、Ｖｐｐは書込み電圧供給用の接続用領域、ＣＬＫはクロック信号入力用の接続用領域、Ｉ／Ｏはデータ信号入出力用の接続用領域、ＲＦＵは将来利用（即ち、予備）の接続用領域を意味する。
【００３１】
例えば、図７（ａ）に示すように、ＩＣカード１５０において、ローラー接触領域がＩＣモジュール１００と重なる場合を想定する。このような場合は、例えば図７（ｂ）に示すように、第１の導電層２０のレイアウトを変更して、接合強度が比較的弱いと考えられるワイヤー６０と第１の導電層２０との接合部を、ローラー接触領域から外れるように調整する。これにより、ワイヤー６０と第１の導電層２０との接合部が外部ローラーで押圧されることを回避することができるので、上記接合部の信頼性を高く保持することができる。
【００３２】
（４）また、仮にワイヤー６０と第１の導電層２０との接合部６１がローラー接触領域と重なる場合でも、ワイヤー６０と第１の導電層２０との接合部６１は基材１の裏面１ｂ側に配置されており、該接合部６１は基材１を介して外部ローラーで押圧されることとなる。このため、上記接合部６１が基材１の表面１ａ側に配置される場合と比べて、接合の信頼性は高い。
【００３３】
＜第２実施形態＞
上記の第１実施形態では、接触端子の側面が貴金属メッキ層からなる場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。接触端子の側面は、例えば、接触端子のベース材料（例えば、銅）であってもよい。第２実施形態では、この点について説明する。
【００３４】
（構成）
図８は、本発明の第２実施形態に係るＩＣモジュール基板２５０の構成例を示す断面図である。図９は、本発明の第２実施形態に係るＩＣモジュール３００の構成例を示す断面図である。図１０は、本発明の第２実施形態に係るＩＣカード３５０の構成例を示す断面図である。
【００３５】
図８〜図１０に示すように、第２実施形態に係るＩＣモジュール基板２５０、ＩＣモジュール３００及びＩＣカード３５０において、第１実施形態に係るＩＣモジュール基板５０、ＩＣモジュール１００及びＩＣカード１５０と異なる点は、接触端子１０の側面１０ａ及び、第１の導電層２０の側面１０ａが貴金属メッキ層から露出している点である。例えば、接触端子１０の側面１０ａ及び、第１の導電層２０の側面１０ａは金メッキ層１４ではなく、銅箔１１、２１の各側面であり、銅からなる。これ以外の構成は、第２実施形態は第１実施形態と同じである。
【００３６】
（製造方法）
図１１及び図１２は、本発明の第２実施形態に係るＩＣモジュール３００の製造方法を工程順に示す断面図である。図１１（ａ）に示すように、銅メッキ層１２及び銅箔１１、２１を部分的にエッチングし、その後レジストを除去する工程までは、第１実施形態と同じである。
【００３７】
次に、図１１（ｂ）に示すように、基材１の表面１ａの銅箔１１下から露出している領域にレジストパターン１０３を形成する。また、レジストパターン１０３の形成と前後して、基材１の裏面１ｂの銅箔２１下から露出している領域にレジストパターン１１３を形成する。レジストパターン１０３は、例えば、接触端子を形成する領域と、スルーホール３の上側開口端３ａとを露出し、それ以外の領域（例えば、スペース等）を覆う形状である。また、レジストパターン１１３は、第１の導電層を形成する領域と、スルーホール３の下側開口端３ｂとを露出し、それ以外の領域（例えば、ＩＣ取付領域）を覆う形状である。レジストパターン１０３、１１３の形成方法は、例えばレジスト材料の印刷（オフセット印刷、スクリーン印刷）、又は、レジスト材料の塗布と露光及び現像技術である。
【００３８】
次に、例えば電気メッキにより、ニッケルメッキ層と、金メッキ層１４とを形成する。図１１（ｃ）に示すように、接触端子１０の側面１０ａはレジスト１０３で覆われており、第１の導電層２０の側面２０ａはレジスト１１３で覆われているため、これらの各側面１０ａ、２０ａにはニッケルメッキ層と、金メッキ層１４は形成されない。つまり、各側面１０ａ、２０ａは、銅からなる。次に、図１２（ａ）に示すように、基材１からレジスト１０３、１１３を除去する。これにより、図８に示したＩＣモジュール基板２５０が完成する。
【００３９】
そして、これ以降の工程は、第１実施形態と同じである。即ち、図１２（ｂ）に示すように、ＩＣチップ５５の実装工程と、ワイヤーボンディング工程と、封止工程とを順次行う。以上の工程を経て、図９に示したＩＣモジュール３００が完成する。
第２実施形態における本発明との対応関係は、第１実施形態と同じである。
（第２実施形態の効果）
本発明の第２実施形態は、第１実施形態の効果（１）〜（４）と同様の効果を奏する。
【００４０】
＜その他＞
上記の各実施形態では、ＩＣモジュール基板、ＩＣモジュール及びＩＣカードを接触式ＩＣカードに適用する場合について説明した。しかしながら、本発明の適用は接触式に限定されるものではなく、例えば、接触ＩＣチップと非接触ＩＣチップとを一枚のカードに搭載したハイブリッドカード、１つのＩＣチップが接触式及び非接触式の双方として機能するデュアルカード、デュアルカードにアンテナコイル等が設けられた電磁結合デュアルカードなど、ＩＣモジュール構造が適用されるモジュール構造全般に適用してもよい。このような場合であっても、実施形態の効果を奏する。
また、本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
【実施例】
【００４１】
本発明者は、実施形態の効果（３）を検証する試験を行った。
（試験サンプル）
図３に示したＩＣカード１５０を３枚用意した（ｎ＝３）。また、比較用として、Ａ社製ＩＣカード（ｎ＝３）と、Ｂ社製ＩＣカード（ｎ＝３）を用意した。
（試験内容）
各ＩＣカードをＡＴＭ搬送を模擬した装置に繰り返し通し（搬送試験）、各ＩＣカードが規定回数に到達する度にＡＴＲ  （Ａｎｓｗｅｒ  Ｔｏ  Ｒｅｓｅｔ）の確認を行った。規定回数は、１０００回、２０００回、３０００回、４０００回、５０００回とした。
【００４２】
また、各ＩＣカードにおけるＡＴＲは、以下のステップ（１）〜（４）で行った。
（１）端末へのカードの挿入、接点の接続およびアクティベーション        
（２）カードのリセット、端末とカード間の通信の確立（ＡＴＲシーケンス）
（３）トランザクションの実行
（４）接点のディアクティベーション、カードの抜去
【００４３】
（試験結果）
試験結果を表１に示す。
【表１】
2015082185.tif 000003
【００４４】
ＡＴＲが正常の場合は○、異常の場合はワイヤーが断線したとみなして×とした。
また、搬送試験は各ＩＣカードについて１０００回ずつ回数を増やし、途中で×になった場合は、残りのＩＣカードで試験を続けた。Ｂ社製ＩＣカードでは、搬送試験の回数（即ち、試験回数）２０００回で１枚が×になったので３０００回以降は２枚について試験を行った。
表１に示すように、本実施形態のＩＣカード１５０は３枚とも、試験回数５０００回を超えてもＡＴＲは正常であることを確認した。この結果から、ワイヤーが断線していないことを確認した。
【符号の説明】
【００４５】
１  基材
１ａ  表面
１ｂ  裏面
２  両面銅箔基材
３  スルーホール
３ａ  上側開口端
３ｂ  下側開口端
１０  接触端子
１０ａ  側面
１０ｃ  接触面
１１、２１  銅箔
１２  銅メッキ層
１４、２１  金メッキ層
２０  第１の導電層
２０ａ  側面
３０  第２の導電層
５０  モジュール基板
５１  接着剤
５５  ＩＣチップ
６０  ワイヤー
６１  接合部
７０  封止部材
８０  カード基材
８０ａ  券面
８１  凹部
８３  接着剤
１００  ＩＣモジュール
１０１、１１１フォトレジスト
１０２、１０３、１１２、１１３  レジストパターン
１５０  ＩＣカード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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