(57)【要約】【課題】本発明は、有機層の塗り分けを高精細に行うことが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、品質に優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、有機ＥＬ基板に、支持基材およびレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機ＥＬ基板が対向するように配置して、上記有機ＥＬ基板および上記マスク基材を密着させる密着工程と、レーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、上記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記画素電極上に有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程とを有し、上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機ＥＬ層形成工程が上記複数色の色の数分繰り返し行われることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。【選択図】図１
2015082411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板上に形成され、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極、前記画素電極を囲うように枠状に形成されたスペーサ部、前記画素領域に形成された少なくとも発光層を有する複数色の有機エレクトロルミネッセンス層、および前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された上部電極、を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、前記画素領域に、前記複数色の有機エレクトロルミネッセンス層を塗り分ける有機エレクトロルミネッセンス層塗り分け工程を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス層塗り分け工程は、前記基板上に前記画素電極および前記スペーサ部が形成された有機エレクトロルミネッセンス基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、前記レーザー吸収層および前記有機エレクトロルミネッセンス基板が対向するように配置して、前記有機エレクトロルミネッセンス基板および前記マスク基材を密着させる密着工程と、
前記複数色の中の一色の前記画素領域の前記画素電極を囲う枠状の前記スペーサ部の外周に沿って、前記マスク基材側からレーザー光を照射して前記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス基板から、前記支持基材および前記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた前記レーザー吸収層を剥離して、前記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部を介して当該色の前記画素領域の前記画素電極上に、当該色の前記発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程とを有し、
前記密着工程、前記レーザー光照射工程、前記開口部形成工程、および前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程が前記複数色の色の数分繰り返し行われることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に用いられる有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用マスク基材であって、
レーザー光を透過する支持基材と、
前記支持基材上に形成され、レーザー光を吸収するレーザー吸収層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用マスク基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク基材を用いて有機層を塗り分ける有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が広いこと等の利点が注目されている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発光方式の表示装置であるためカラーフィルタが不要である。したがって、発光の利用効率が高く消費電力を低減することができるという利点を有する。なお、以下、有機エレクトロルミネッセンスを有機ＥＬと略す場合がある。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ表示装置の製造にあたっては、色純度やコントラストが高く、消費電力が低いという観点から発光層等の有機層の塗り分けがなされている。有機層の塗り分け方式としては、例えば塗布方式や蒸着方式が知られているが、有機層を高精細に塗り分けるという観点から、開口部が設けられたメタルマスクを有機層形成面に貼りつけ、上記メタルマスクを介して有機材料を蒸着する蒸着方式が有利であると考えられている。
【０００４】
しかしながら、メタルマスクを用いて有機層の塗り分けをする場合、有機層を形成する面に貼りつけられたメタルマスクの温度が上昇することにより、メタルマスクが熱膨張して寸法変動をもたらすおそれがある。また、上述のようなメタルマスクの温度の上昇に伴い、メタルマスクと密着した有機層の形成面である基板の温度も上昇して、熱膨張および寸法変動をもたらすおそれがある。このように、メタルマスクおよび有機層を形成する基板がそれぞれ熱膨張すると、メタルマスクに設けられた開口部の位置と基板表面における有機層の形成位置との間でズレが生じ、有機層の塗り分けの精度が低下してしまうという問題がある。また、このような問題は、製造される有機ＥＬ表示装置が大面積になるにつれて顕著になる。
【０００５】
さらに、メタルマスクを用いて有機層の塗り分けをする場合においては、製造される有機ＥＬ表示装置が大面積になるにつれてメタルマスクの大きさも大きくなる。そのため、大面積の有機ＥＬ表示装置を製造するにあたっては、メタルマスクの大きさに相当する分だけメタルマスクの重量が増し、製造効率が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
上記課題に対して特許文献１では、可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を画素電極上に形成し、上記マスク用部材にレーザー光を照射して開口部を形成した後、これをマスクとして有機層を塗り分ける方法が提案されている。具体的には、次のような方法が提案されている。すなわち、図１１（ａ）に例示するように、基板１０上に画素電極２０Ｒ、２０Ｇおよび２０Ｂと上記画素電極２０Ｒ、２０Ｇおよび２０Ｂの間に絶縁層３０とを形成する。次に、図１１（ｂ）に例示するように、上記画素電極２０Ｒ、２０Ｇおよび２０Ｂ上にマスク用部材４０を形成する。続いて、図１１（ｃ）に例示するように、マスク用部材４０において画素電極２０Ｒに対応する領域にレーザー光Ｌを照射して、マスク用部材４０に開口部を形成する。その後、図１１（ｄ）に例示するように、マスク用部材４０の開口部により露出した画素電極２０Ｒ上に有機層５０Ｒを形成し、図１１（ｅ）に例示するように、マスク用部材４０を除去して、有機層５０Ｒをパターン状に形成する。次に、図１１（ｂ）〜（ｅ）に例示した有機層５０Ｒの形成方法と同様の方法により、有機５０Ｇを形成する。すなわち、図１１（ｆ）に例示するように、マスク用部材４０を形成する。続いて、図１１（ｇ）に例示するように、レーザー光Ｌを照射してマスク用部材４０において画素電極２０Ｇに対応する領域に開口部を形成する。その後、図１１（ｈ）に例示するように、マスク用部材４０の開口部により露出した画素電極２０Ｇ上に有機層５０Ｇを形成し、図１１（ｉ）に例示するように、マスク用部材４０を除去して、有機層５０Ｇをパターン状に形成する。最後に、図１１（ｂ）〜（ｉ）に例示した有機層５０Ｒおよび５０Ｇの形成方法と同様の方法により、有機層５０Ｂを形成する。すなわち、図１１（ｊ）に例示するように、マスク用部材４０を形成する。続いて、図１１（ｋ）に例示するように、レーザー光Ｌを照射してマスク用部材４０において画素電極２０Ｂに対応する領域に開口部を形成する。その後、図１１（ｌ）に例示するように、マスク用部材４０の開口部により露出した画素電極２０Ｂ上に有機層５０Ｂを形成し、図１１（ｍ）に例示するように、マスク用部材４０を除去して、有機層５０Ｂをパターン状に形成する方法である。
【０００７】
図１１（ａ）〜（ｍ）に例示する特許文献１に記載の方法では、上述のように、絶縁層３０によって画素領域が画定された基板上に直接マスク用部材４０を形成し、その後マスク用部材４０に開口部を形成して各有機層５０Ｒ、５０Ｇおよび５０Ｂをパターン状に形成することができる。そのため、画素領域が画定された基板上に、予めパターン状の開口部を有するメタルマスクを配置して各有機層を形成する場合に、メタルマスクの寸法変動により有機層の塗り分けの精度が低下してしまうという問題を解消することができる。また、大面積の有機ＥＬ表示装置を製造する場合であっても、メタルマスクを用いた従来の方法とは異なり、大面積のマスクを用いることによるマスクの重量の大幅な増加を防ぎ、それに伴った製造効率の低下を解消することができる。しかしながら、このような方法においては、図１１（ｆ）、（ｊ）に例示するように、成膜済みの有機層５０Ｒや５０Ｇ上にマスク用部材４０を直接形成するため、有機層５０Ｒや５０Ｇが損傷したり、また、図１１（ｃ）、（ｇ）および（ｋ）に例示するように、画素電極２０Ｒ、２０Ｇおよび２０Ｂ上に直接形成されたマスク用部材４０にレーザー光を照射して開口部を形成するため、除去されたマスク用部材４０の粉塵が飛散して有機ＥＬ表示装置の品質に悪影響を及ぼしたりするという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−２０７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、有機層の塗り分けを高精細に行うことが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、メタルマスクを用いずに有機層の塗り分けを行うことができ、また成膜済みの有機層の損傷を防ぎ、さらにはレーザー光を照射してマスクとして用いられる部材に開口部を形成する際に、除去されたマスクの粉塵等が飛散するのを防ぐことが可能な品質に優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、基板、上記基板上に形成され、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極、上記画素電極を囲うように枠状に形成されたスペーサ部、上記画素領域に形成された少なくとも発光層を有する複数色の有機ＥＬ層、および上記有機ＥＬ層上に形成された上部電極、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記画素領域に、上記複数色の有機ＥＬ層を塗り分ける有機ＥＬ層塗り分け工程を有し、上記有機ＥＬ層塗り分け工程は、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機ＥＬ基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機ＥＬ基板が対向するように配置して、上記有機ＥＬ基板および上記マスク基材を密着させる密着工程と、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、上記有機ＥＬ基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して当該色の上記画素領域の上記画素電極上に、当該色の上記発光層を有する有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程とを有し、上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機ＥＬ層形成工程が上記複数色の色の数分繰り返し行われることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【００１１】
本発明によれば、有機ＥＬ基板上に配置されたマスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に開口部を形成するため、上記レーザー吸収層の開口部と画素電極が形成された画素領域との位置合わせを不要とすることができる。これにより、製造効率の向上を図ることができるとともに、レーザー吸収層の開口部の位置と画素領域の位置とのズレによる有機層のパターニング精度の低下を防ぐことができ、有機層が高精細に塗り分けられた高品質な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、マスク基材がレーザー光を透過する支持基材とレーザー光を吸収するレーザー吸収層との２層を有するため、レーザー光照射工程において切り取り線を形成した後に支持基材を剥離することによって、支持基材とともに、切り取り線により囲われたレーザー吸収層を部分的に剥離することができ、レーザー吸収層に所望の開口部を容易に形成することができる。さらに、マスク基材が支持基材およびレーザー吸収層の２層を有するため、マスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成した際に、支持基材によってマスク基材と有機ＥＬ基板との間の空間を密閉状態に保つことができる。これにより、レーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が広い領域に飛散し、有機ＥＬ表示装置の表示特性が低下するという不具合を抑制することができる。さらにまた、有機ＥＬ基板にスペーサ部が形成されていることにより、成膜済みの有機ＥＬ層の表面にマスク基材が接触するのを防ぐことができるため、有機ＥＬ層の損傷による品質の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００１２】
本発明は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いられる有機ＥＬ表示装置形成用マスク基材であって、レーザー光を透過する支持基材と、上記支持基材上に形成され、レーザー光を吸収するレーザー吸収層とを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置形成用マスク基材を提供する。
【００１３】
本発明によれば、上記有機ＥＬ表示装置形成用マスク基材は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いることができるため、開口部を容易かつ高精度に形成して有機層を高精細に塗り分けることができるとともに、画素領域の汚染による表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明においては、マスク基材におけるレーザー吸収層に開口部を容易かつ高精度に形成することにより有機層を高精細に塗り分けることができるとともに、画素領域の汚染による表示特性の低下を抑制することができ、さらに有機ＥＬ層の損傷等による品質の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明における有機ＥＬ基板の一例を示す概略斜視図である。
【図３】本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。
【図４】本発明における有機ＥＬ基板の一例を示す概略平面図である。
【図５】本発明におけるレーザー吸収層に形成される切り取り線を説明する模式図である。
【図６】本発明におけるレーザー吸収層に形成される切り取り線を説明する模式図である。
【図７】本発明におけるレーザー吸収層に形成される切り取り線を説明する模式図である。
【図８】本発明におけるレーザー吸収層に形成される開口部を説明する模式図である。
【図９】本発明におけるレーザー光照射工程および開口部形成工程の一例を示す工程図である。
【図１０】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の工程順を説明する工程図である。
【図１１】従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法、および有機ＥＬ表示装置形成用マスク基材について詳細に説明する。
【００１７】
Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板、上記基板上に形成され、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極、上記画素電極を囲うように枠状に形成されたスペーサ部、上記画素領域に形成された少なくとも発光層を有する複数色の有機ＥＬ層、および上記有機ＥＬ層上に形成された上部電極、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記画素領域に、上記複数色の有機ＥＬ層を塗り分ける有機ＥＬ層塗り分け工程を有し、上記有機ＥＬ層塗り分け工程は、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機ＥＬ基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機ＥＬ基板が対向するように配置して、上記有機ＥＬ基板および上記マスク基材を密着させる密着工程と、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、上記有機ＥＬ基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して当該色の上記画素領域の上記画素電極上に、当該色の上記発光層を有する有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程とを有し、上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機ＥＬ層形成工程が上記複数色の色の数分繰り返えし行われることを特徴とする製造方法である。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｇ）は本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図１（ａ）に例示するように、基板１上に画素電極２を形成し、赤色、緑色および青色の画素領域を形成する画素電極形成工程を行う。したがって本例では、画素電極２として、赤色の画素領域Ｒにおける赤色画素電極２、緑色の画素領域Ｇにおける緑色画素電極２および青色の画素領域Ｂにおける青色画素電極２を形成する。次に、赤色画素電極２、緑色画素電極２および青色画素電極２を囲うように枠状のスペーサ部３を形成するスペーサ部形成工程を行う。このようにして、有機ＥＬ基板１０を形成する有機ＥＬ基板形成工程を行う。続いて、図１（ｂ）に例示するように、レーザー光を透過する支持基材４ａおよびレーザー光を吸収するレーザー吸収層４ｂから構成されたマスク基材を準備し、マスク基材を有機ＥＬ基板に対向するように配置して、有機ＥＬ基板およびマスク基材を密着させる密着工程を行う。このとき、マスク基材におけるレーザー吸収層４ｂが有機ＥＬ基板側になるようにし、スペーサ部３の頂部にレーザー吸収層４ｂを接触させる。次に、図１（ｃ）に例示するように、赤色の画素領域Ｒにおける画素電極２を囲う枠状のスペーサ部３の外周に沿って上記マスク基材側からレーザー光Ｌを照射し、マスク基材におけるレーザー吸収層４ｂに枠状の切り取り線Ｘを形成するレーザー光照射工程を行う。続いて、図１（ｄ）に例示するように、有機ＥＬ基板から、支持基材４ａとともに、レーザー光照射工程にて形成された切り取り線に沿って赤色の画素領域Ｒにおける画素電極２上のレーザー吸収層４ｂを剥離し、レーザー吸収層４ｂの赤色の画素領域Ｒに開口部を形成する開口部形成工程を行う。次に、図１（ｅ）に例示するように、赤色の画素領域Ｒに形成された開口部を介して赤色の画素領域Ｒにおける画素電極２上に、少なくとも赤色発光層を有する有機ＥＬ層５Ｒを形成する有機ＥＬ層形成工程を行う。次いで、図示はしないが、赤色画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機ＥＬ基板から剥離する工程を行う。その後、図１（ｂ）〜図１（ｅ）に例示したように、赤色の画素領域Ｒに有機ＥＬ層５Ｒを形成する工程と同様に、緑色の画素領域Ｇに有機ＥＬ層５Ｇを形成し、さらに青色の画素領域Ｂに有機ＥＬ層５Ｂを形成する工程を行う。このようにして、図１（ｆ）に例示するように、各画素領域に有機ＥＬ層５Ｒ、５Ｇおよび５Ｂが塗り分けられた有機ＥＬ基板を形成する有機ＥＬ層塗り分け工程を行う。最後に、上記有機ＥＬ基板上に上部電極６を形成する上部電極形成工程を行う。これにより、本発明における有機ＥＬ表示装置１００が得られる。
【００１９】
ここで、「スペーサ部の頂部」とは、例えば図１、図３（ａ）、（ｂ）に例示するように、スペーサ部３が台形である場合にはスペーサ部３の上底面Ｈを指す。また、スペーサ部が台形以外の形状である場合には、スペーサ部の最上部を指し、有機ＥＬ基板とマスク基材とを接触させて減圧密封させる際に、スペーサ部においてマスク基材が先に接触する部分を指す。
【００２０】
本発明においては、有機ＥＬ基板上に配置されたマスク基材にレーザー光を照射して上記マスク基材におけるレーザー吸収層に開口部を形成するため、上記レーザー吸収層の開口部と画素電極が形成された画素領域との位置合わせを不要とすることができる。これにより、製造効率の向上を図ることができるとともに、レーザー吸収層の開口部の位置と画素領域の位置とのズレによる有機層のパターニング精度の低下を防ぐことができる。また、本発明においては、レーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成し、その切り取り線に沿ってパターン状にレーザー吸収層を剥離することで開口部を形成している。このように、直進性に優れたレーザー光を用いて開口部を形成することにより、高精細な開口部の形成が可能になり、上記開口部を介して形成される有機層をより高精細に形成することができる。これにより、高品質な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００２１】
また、本発明においては、マスク基材がレーザー光を透過する支持基材とレーザー光を吸収するレーザー吸収層との２層を有するため、レーザー光照射工程において切り取り線を形成した後に支持基材を剥離することによって、支持基材とともに、切り取り線により囲われたレーザー吸収層を部分的に剥離することができ、レーザー吸収層に所望の開口部を容易に形成することができる。さらに、マスク基材が支持基材およびレーザー吸収層の２層を有するため、マスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成した際に、支持基材によってマスク基材と有機ＥＬ基板との間の空間を密閉状態に保つことができる。これにより、レーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が広い領域に飛散し、有機ＥＬ表示装置の表示特性が低下するという不具合を抑制することができる。
【００２２】
さらに、本発明においては、スペーサ部が各画素電極を囲うように枠状に形成されており、レーザー光照射工程では上記スペーサ部の外周に沿ってレーザー光が照射される。すなわち、レーザー光が照射される箇所と近接する画素領域との間がスペーサ部により隔たれることになる。これにより、画素領域にレーザー吸収層の粉塵が飛散するのをより効果的に抑えることができ、表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００２３】
さらにまた、本発明においては、各画素電極を囲うように枠状のスペーサ部が形成されていることにより、有機ＥＬ基板上にマスク基材を対向させて配置した際に、マスク基材が有機ＥＬ基板の画素領域表面に接触するのを防ぐことができる。したがって、例えば図１（ａ）〜（ｇ）に例示するように、赤色の画素領域Ｒに有機ＥＬ層５Ｒを形成し、続いて緑色の画素領域Ｇおよび青色の画素領域Ｂに有機ＥＬ層５Ｇ、５Ｂを順に形成する場合であって、緑色の画素領域Ｇや青色の画素領域Ｂに有機ＥＬ層５Ｇ、５Ｂを形成するために有機ＥＬ基板上にマスク基材を配置する場合に、成膜済みの有機ＥＬ層５Ｒの表面にマスク基材が接触するのを防ぐことができる。これにより、画素領域における有機ＥＬ層の表面にマスク基材が接触することによる有機ＥＬ層の損傷や汚染を防ぐことができ、高品質な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００２４】
また、本発明において用いられるマスク基材は、メタルマスクを用いた従来の製造方法とは異なり、大面積の有機ＥＬ表示装置の製造にも好適である。また、マスク基材のロール・ツー・ロール製造技術への適用が可能になるため、製造効率の向上を図ることが可能になる。
【００２５】
ここで、本発明において「枠状のスペーサ部」とは、例えば図２（ａ）に例示するように、隣り合う各画素電極２を囲うように形成されたスペーサ部３を指す。また、図２（ｂ）に例示するように、各色の画素領域における画素電極２が画素領域の色毎に並列して形成される場合には、画素領域の色毎に並列した各画素電極を隔てるように形成されたスペーサ部を指す。なお、図２（ａ）、（ｂ）は本発明における有機ＥＬ基板の一例を示す概略斜視図であり、図２（ａ）、（ｂ）において説明していない符号については図１と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００２６】
また、「画素電極を囲う枠状のスペーサ部の外周に沿って」とは、例えば図４に例示する矢印のように、赤色の画素領域Ｒにおける画素電極２を囲う枠状のスペーサ部３と一定の距離を保ちながら進むことを指す。なお、図４は本発明における有機ＥＬ基板の一例を示す概略平面図であり、図４において説明していない符号については図１と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００２７】
さらに、「レーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成する」とは、例えば図５（ａ）に例示するように、マスク基材の支持基材４ａ側からレーザー光Ｌを照射し、その下層として配置されたレーザー吸収層４ｂにおけるレーザー光Ｌの照射箇所を除去することにより、図５（ｂ）に例示するように、レーザー吸収層４ｂにおいて開口部を形成する領域を部分的に剥離するための切り取り線Ｘを形成することを指す。
【００２８】
以下、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における各工程について説明する。
【００２９】
１．有機ＥＬ基板形成工程
本発明における有機ＥＬ基板形成工程としては、基板上に画素電極およびスペーサ部が形成された有機ＥＬ基板を形成することができる工程であれば特に限定されるものではない。本発明における有機ＥＬ基板形成工程としては、例えば、基板上に、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、上記画素電極を囲うように枠状にスペーサ部を形成するスペーサ部形成工程とを有する工程が挙げられる。
以下、具体例として画素電極形成工程およびスペーサ部形成工程について説明する。
【００３０】
（１）画素電極形成工程
本工程は、基板上に、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極を形成する工程である。
以下、本工程において用いられる部材、および具体的な画素電極形成工程について説明する。
【００３１】
（ａ）基板
本工程における基板は、後述する画素電極、スペーサ部、有機ＥＬ層および上部電極を支持するものである。
【００３２】
本発明において用いられる基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。このような基板の材料としては、例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。なお、基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
【００３３】
基板の厚みとしては、基板の材料および有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択され、具体的には０．００５ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
【００３４】
（ｂ）画素電極
本工程における画素電極は、基板上にパターン状に形成されるものである。このような画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよい
【００３５】
画素電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
画素電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属；酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
【００３６】
また、画素電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
【００３７】
画素電極の厚みとしては、画素電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度にすることができ、好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。
【００３８】
また、隣り合う画素電極の間隔としては、各画素電極を囲うように枠状のスペーサ部を形成することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的には、１μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。なお、隣り合う画素電極および補助電極の間隔とは、図１（ａ）に示した距離ｄを指す。
【００３９】
（ｃ）画素電極形成工程
本工程は、基板上に画素電極を形成することができれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、蒸着法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。
【００４０】
（２）スペーサ部形成工程
本工程は、上記画素電極を囲うように枠状にスペーサ部を形成する工程である。
以下、本工程において形成されるスペーサ部、および具体的なスペーサ部形成工程について説明する。
【００４１】
（ａ）スペーサ部
本工程において形成されるスペーサ部は、上記画素電極を囲うように枠状に形成されたものであれば特に限定されるものではない。
【００４２】
このようなスペーサ部の縦断面形状としては、上述したスペーサ部の機能を発揮することができるものであれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。後述する上部電極を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。
【００４３】
また、本工程において形成されるスペーサ部は、隣接するスペーサ部の頂部が互いに接触しなければ特に限定されるものではない。例えば、図３（ａ）、（ｂ）に例示するように、隣接するスペーサ部３の頂部Ｈが接触しておらず、隣接するスペーサ部３の頂部Ｈの間に所定の幅ｗを有するように形成される。隣接するスペーサ部の頂部の間の幅ｗとしては、０．１μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。隣接するスペーサ部の頂部の間の幅が上記範囲内であることにより、後述する減圧密封工程において有機ＥＬ基板にマスク基材を対向させた際に、隣接するスペーサ部とマスク基材とで囲われた空間を十分に確保することができる。これにより、有機ＥＬ基板とマスク基材との間の空間を減圧した際に、有機ＥＬ基板とマスク基材との接触面での密着性を向上させ、後述するレーザー光照射工程においてレーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が飛散するのを抑制することができる。なお、図３（ｂ）に例示するように、スペーサ部３が絶縁層１１上に形成される場合については、後述する「（３）その他の工程」の項にて説明するため、ここでの記載は省略する。
【００４４】
また、各画素電極に対応して形成されるスペーサ部は、いずれも同じ高さに形成される。なお、ここでの「同じ高さ」とは、各画素電極に対応するスペーサ部の高さが、いずれも同程度の高さを有することを指す。具体的には、各スペーサ部の高さの差が、少なくとも±１μｍの範囲内、中でも±０．５μｍの範囲内、特に±０．２μｍの範囲内であることを指す。本工程において形成される各スペーサ部の高さの差が上記範囲内であることにより、後述する減圧密封工程において有機ＥＬ基板とマスク基材を対向させて、スペーサ部の頂部とマスク基材とが接触するように配置した際に、各スペーサ部の頂部とマスク基材とが均一な力で密着し、有機ＥＬ基板とマスク基材との間の空間を均一に減圧密封することが可能になる。
【００４５】
上記スペーサ部の高さとしては、後述する減圧密封工程において、有機ＥＬ基板およびマスク基材を対向させた際に、スペーサ部の頂部とマスク基材とが接触するように配置することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的なスペーサ部の高さとしては、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも０．５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。スペーサ部の高さが上記範囲内であることにより、後述する減圧密封工程において有機ＥＬ基板にマスク基材を対向させた際に、隣接するスペーサ部とマスク基材とで囲われた空間の体積を十分に確保することができる。これにより、有機ＥＬ基板とマスク基材との間の空間を減圧した際に、マスク基材を介して外気から進入してくる気体や、後述するレーザー光照射工程においてレーザー光により発生するガス等による圧力の上昇を十分に抑えることができ、有機ＥＬ基板とマスク基材との接触面での密着性を維持することができる。
なお、スペーサ部の高さとは、図３（ａ）、（ｂ）に例示するように、スペーサ部３の下底面から頂部までの高さｈを指す。
【００４６】
このようなスペーサ部に用いられる材料としては、本発明により得られる有機ＥＬ表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような材料であれば特に限定されるものではないが、絶縁性材料を用いることが好ましい。画素電極のエッジ部分を覆うようにスペーサ部を形成することにより、画素電極のエッジ部分からのリーク電流による不具合を防ぐことができ、絶縁層としての機能を発揮することができる。具体的には、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。
【００４７】
（ｂ）スペーサ部形成工程
本工程は、各画素電極を囲うように枠状にスペーサ部を形成する工程を有する。スペーサ部の形成方法としては、ラミネーション法、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。また、鋳型等を用いてスペーサ部を別途形成し、画素領域を囲うように接着剤等を用いてスペーサ部を貼り合わせる方法を挙げることができる。
【００４８】
（３）その他の工程
本発明においては、有機ＥＬ基板形成工程が上述した画素電極形成工程およびスペーサ部形成工程以外にもその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、絶縁層形成工程が挙げられる。
以下、絶縁層形成工程において形成される絶縁層、および具体的な絶縁層形成工程について説明する。
【００４９】
（ａ）絶縁層
本発明が絶縁層形成工程を有する場合、図３（ｂ）に例示するように、基板１上に形成された画素電極２のエッジ部分を覆うように絶縁層１１が形成され、上記絶縁層１１上にスペーサ部３が形成される。
【００５０】
このような絶縁層は、画素電極のエッジ部分を覆うように形成されるため、画素電極の配列に応じて適宜形成される。例えば、格子状に形成することができる。なお、絶縁層により画素領域が画定される。
【００５１】
絶縁層の材料としては、有機ＥＬ表示装置における一般的な絶縁層の材料を用いることができ、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、無機材料等を挙げることができる。
【００５２】
絶縁層の厚みとしては、画素領域を画定し、画素電極を絶縁することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではないが、例えば、０．３μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、中でも０．５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５３】
（ｂ）絶縁層形成工程
本工程は、画素電極のエッジ部分を覆うように絶縁層を形成する工程を有する。絶縁層の形成方法としては、一般的な絶縁層の形成方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、バーコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
【００５４】
２．有機ＥＬ層塗り分け工程
本発明における有機ＥＬ塗り分け工程としては、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機ＥＬ基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機ＥＬ基板が対向するように配置して、上記有機ＥＬ基板および上記マスク基材を密着させる密着工程と、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、上記有機ＥＬ基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して当該色の上記画素領域の上記画素電極上に、当該色の上記発光層を有する有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程とを有し、上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機ＥＬ層形成工程が上記複数色の色の数分繰り返えし行われる工程である。
以下、本工程を構成する上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機ＥＬ層形成工程について説明する。
【００５５】
（１）密着工程
本発明における密着工程としては、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機ＥＬ基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機ＥＬ基板が対向するように配置して、上記有機ＥＬ基板および上記マスク基材を密着させる工程である。
以下、本工程において用いられるマスク基材、および具体的な密着工程について説明する。
【００５６】
（ａ）マスク基材
本工程において用いられるマスク基材は、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されるものである。
以下、支持基材およびレーザー吸収層について説明する。
【００５７】
（ｉ）支持基材
マスク基材を構成する支持基材は、レーザー光を透過するものである。
【００５８】
ここで、支持基材が「レーザー光を透過する」とは、後述するレーザー光照射工程において用いられるレーザー光を透過することができれば特に限定されるものではないが、例えば、波長３５５ｎｍにおける光透過率が８０％以上であることが好ましい。
【００５９】
なお、波長３５５ｎｍにおける支持基材の光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ−３６００により測定することができる。
【００６０】
このような支持基材の材料としては、レーザー光を透過するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、樹脂材料、ガラス等が挙げられる。中でも、樹脂材料であることが好ましい。具体的な樹脂材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。ポリエチレンテレフタレートからなる樹脂フィルムは、他の材料からなる樹脂フィルムに比べて酸素透過度が低いため、例えば、密着工程として次のような方法を用いた際に有利である。すなわち、真空空間のチャンバー内においてマスク基材と有機ＥＬ基板とを対向させるように配置し、上記チャンバー内からマスク基材および有機ＥＬ基板を常圧空間に取り出して、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材と有機ＥＬ基板とを密着させる方法である。上記方法では、支持基材としてポリエチレンテレフタレート等の酸素透過度が低い樹脂フィルムを用いることにより、後述するレーザー光照射工程の際に、マスク基材において有機ＥＬ基板と対向する側とは反対側の面から、有機ＥＬ基板とマスク基材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。そのため、レーザー光照射工程においても、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間とその外周の空間との圧力の差を維持して、マスク基材および有機ＥＬ基板を十分に密着させることができる。
なお、具体的な密着工程については後述するため、ここでの記載は省略する。
【００６１】
（ｉｉ）レーザー吸収層
マスク基材を構成するレーザー吸収層は、レーザー光を吸収するものである。
【００６２】
このようなレーザー吸収層に用いられる材料としては、レーザー光を吸収するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、樹脂材料、薄い金属箔等が挙げられる。中でも樹脂材料であることが好ましい。具体的な樹脂材料としては、ポリイミドが挙げられる。
【００６３】
レーザー吸収層の厚みとしては、後述するレーザー光照射工程において照射されるレーザー光によりレーザー吸収層に切り取り線を形成することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではなく、レーザー光の種類やエネルギーにより適宜調整されるものである。レーザー吸収層の厚みとしては、例えば、１μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００６４】
（ｉｉｉ）マスク基材の形成方法
上述した支持基材およびレーザー吸収層を有するマスク基材の形成方法としては特に限定されるものではない。例えば、支持基材上にレーザー吸収層を配置してマスク基材を形成してもよく、支持基材およびレーザー吸収層をラミネートしてマスク基材を形成してもよく、さらには支持基材およびレーザー吸収層を容易に剥離することが可能な易接着層により接着させてマスク基材を形成してもよい。
【００６５】
支持基材およびレーザー吸収層を易接着層により接着させてマスク基材を形成する際に用いられる易接着層としては、支持基材およびレーザー吸収層を容易に剥離することが可能な接着力により接着させることができるものであれば特に限定されるものではない。なお、ここでの「容易に剥離することが可能な接着力」とは、後述する開口部形成工程においてレーザー吸収層から支持基材を剥離することができる程度の接着力を指す。
【００６６】
易接着層に用いられる材料としては、後述するレーザー光照射工程において照射されるレーザー光を透過する材料であれば特に限定されるものではない。易接着層がレーザー光を透過することにより、易接着層を介して支持基材側からレーザー吸収層にレーザー光を照射することができるからである。なお、具体的な易接着層の材料については、一般的に使用されている材料を用いることができるためここでの記載は省略する。
【００６７】
（ｂ）密着工程
上記有機ＥＬ基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機ＥＬ基板が対向するように配置して、上記有機ＥＬ基板および上記マスク基材を密着させる法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。すなわち、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材および有機ＥＬ基板を密着させる方法や、あるいは、有機ＥＬ基板上に配置されたマスク基材上に、後述するレーザー光照射工程において用いられるレーザー光を透過する重量物を配置して、マスク基材および有機ＥＬ基板を密着させる方法等が挙げられる。本発明においては、中でも前者に挙げた方法を用いることが好ましい。
以下、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材および有機ＥＬ基板を密着させる方法について具体的に説明する。
【００６８】
まず、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設ける方法としては、例えば、減圧された空間にてマスク基材および有機ＥＬ基板を密着させ、その後、マスク基材および有機ＥＬ基板を常圧空間にさらす方法や、減圧された空間にてマスク基材および有機ＥＬ基板を密着させ、その後、マスク基材および有機ＥＬ基板の外周を加圧する方法が挙げられる。なお、マスク基材および有機ＥＬ基板を常圧空間にさらす場合における上記「常圧空間」としては、有機ＥＬ基板の劣化を抑制するという観点から、例えば酸素濃度および水分濃度が少なくとも１ｐｐｍ以下であり、窒素やアルゴン等の不活性ガスで充填された空間であることが好ましい。
【００６９】
ここで、上記「減圧された空間にてマスク基材および有機ＥＬ基板を密着」させる方法としては、所定の真空度に設定された真空チャンバー内において、外周部にシール剤が形成された有機ＥＬ基板とマスク基材とを対向させて配置し、有機ＥＬ基板とマスク基材とを接触させて、有機ＥＬ基板とマスク基材との間の空間を密封する方法や、真空チャンバー内において、治具等を用いて有機ＥＬ基板とマスク基材との間の空間を密封する方法が挙げられる。
なお、上記「治具」としては、例えば、磁性体および上記磁性体と磁力により密着する金属層が挙げられる。具体的には、有機ＥＬ基板の基板側およびマスク基材の支持基材側における外周部に、磁性体および上記磁性体と磁力により密着する金属層を形成することにより、有機ＥＬ基板とマスク基材とを密着させることができる。
【００７０】
上記「減圧された空間」の具体的な真空度としては、マスク基材および有機ＥＬ基板を常圧空間にさらした際や、マスク基材および有機ＥＬ基板の外周を加圧した際に、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間とマスク基材および有機ＥＬ基板の外周の空間との圧力に差を設け、上記マスク基材および上記有機ＥＬ基板を十分に密着させることにより、後述するレーザー光照射工程においてレーザー光により除去されるレーザー吸収層の粉塵が画素領域に飛散するのを防ぐことができれば特に限定されるものではない。具体的には、常圧に比べて真空度の値ができるだけ大きいこと、すなわち、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間の圧力の間が常圧に比べてできるだけ小さいことが好ましい。中でも、本工程においては、有機ＥＬ基板とマスク基材との間の空間が真空空間であることが好ましく、例えば、１×１０−５Ｐａ〜１×１０４Ｐａの範囲内であることが好ましく、中でも１×１０−５Ｐａ〜１×１０３Ｐａの範囲内であることが好ましく、特に１×１０−５Ｐａ〜１×１０２Ｐａの範囲内であることが好ましい。
【００７１】
（２）レーザー光照射工程
本発明におけるレーザー光照射工程としては、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成する工程である。なお、密着工程として、例えば、上述したように、減圧された真空チャンバー内にてマスク基材および有機ＥＬ基板を密着させ、その後、真空チャンバー内に気体を流入させて加圧し、マスク基材および有機ＥＬ基板を密着させる方法を用いる場合には、例えば次のような方法により本工程を行うことができる。すなわち、ガラス等の透光性基材から構成される真空チャンバーに設置されたレーザー光透過窓等を介してレーザー光を照射し、レーザー吸収層に切り取り線を形成する方法である。
以下、本工程において用いられるレーザー光、本工程においてレーザー吸収層に形成される切り取り線および具体的なレーザー光照射工程について説明する。
【００７２】
（ａ）レーザー光
本工程に用いられるレーザー光としては、マスク基材の支持基材側からレーザー光を照射した際に上記支持基材を透過してレーザー吸収層を除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。レーザー光が有する波長域としては、本発明において用いられるマスク基材における支持基材を透過し、レーザー吸収層を効率的に除去することができる波長域であれば特に限定されるものではないが、例えば、紫外線領域であることが好ましい。具体的な紫外線領域としては、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも３２０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に３４０ｎｍ〜３６０ｎｍの範囲内であることが好ましい。このような波長域を有するレーザー光としては、例えば、ＹＡＧ、ＹＶＯ４等の固体レーザー、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマーレーザーや半導体レーザー等が挙げられる。
【００７３】
（ｂ）切り取り線
本工程において形成される切り取り線としては、上述したレーザー吸収層にレーザー光を照射することにより形成されるものであり、後述する開口部形成工程において支持基材とともに剥離されるレーザー吸収層、すなわち開口部を画定するものである。
【００７４】
本工程において、赤色の画素領域、緑色の画素領域、青色の画素領域がランダムに配置されている場合には、例えば図５（ａ）、（ｂ）に例示するように、レーザー吸収層４ｂにおいて赤色の画素領域Ｒに対応する位置に開口部を形成するために、赤色の画素領域Ｒに形成された画素電極２を囲う枠状のスペーサ部の外周に沿って切り取り線Ｘが形成される。なお、図５（ａ）、（ｂ）では、レーザー吸収層４ｂにおいて赤色の画素領域Ｒに対応する位置に開口部を形成する場合の一例であり、図示はしないが、レーザー吸収層において緑色の画素領域、あるいは青色の画素領域に対応する位置に開口部を形成する場合も同様である。また、図５（ａ）では、説明の簡単のためにスペーサ部について省略している。
【００７５】
また、本工程において、赤色の画素領域、緑色の画素領域、青色の画素領域が一列に配置されている場合には、例えば図６（ａ）、（ｂ）に例示するように、レーザー吸収層４ｂにおいて赤色の画素領域Ｒに対応する位置に開口部を形成するために、一列に配置された赤色の画素領域Ｒにおける複数の画素電極２を囲う枠状のスペーサ部の外周に沿って切り取り線Ｘを形成してもよい。図６（ａ）、（ｂ）では、レーザー吸収層４ｂにおいて赤色の画素領域Ｒに対応する位置に一括して開口部を形成する場合の一例であり、図示はしないが、緑色の画素領域Ｇ、あるいは青色の画素領域Ｂが一列に配置されている場合であって、レーザー吸収層において緑色の画素領域、あるいは青色の画素領域に対応する位置に一括して開口部を形成する場合も同様である。また、図６（ａ）では、説明の簡単のためにスペーサ部について省略している。さらに、図６（ａ）、（ｂ）において説明していない符号については図１（ａ）〜（ｇ）と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００７６】
本工程において形成される切り取り線としては、後述する開口部形成工程にて、支持基材とともに切り取り線により画定されたレーザー吸収層の一部を剥離することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば図７（ａ）に例示するように、レーザー光を連続して照射することによりストライプ状に切り取り線Ｘを形成してもよく、あるいは図７（ｂ）に例示するように、レーザー光をショットとして照射することによりドット状に切り取り線Ｘを形成してもよい。
【００７７】
（ｃ）レーザー光照射工程
上述したレーザー光をマスク基材に照射してマスク基材におけるレーザー吸収層に切り取り線を形成する方法としては、開口部を形成する領域を画定するように切り取り線を形成することができる方法であれば特に限定されないが、複数の開口部を形成する場合には、開口部の数に応じて形成される切り取り線を、複数のレーザー光を用いて一括して形成することが好ましい。製造効率の向上を図ることができるからである。
【００７８】
（３）開口部形成工程
本発明における開口部形成工程は、上記有機ＥＬ基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する工程である。
以下、本工程において形成される開口部および具体的な開口部形成工程について説明する。
【００７９】
（ａ）開口部
本工程において形成される開口部は、上記有機ＥＬ基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離することにより形成されるものである。
【００８０】
図８（ａ）は、レーザー光照射工程にて図５（ｂ）に例示するように切り取り線Ｘを形成した場合に、本工程においてレーザー吸収層４ｂに開口部Ｐが形成された場合の一例を示す概略平面図である。また、図８（ｂ）は、レーザー光照射工程にて図６（ｂ）に例示するように切り取り線Ｘを形成した場合に、本工程においてレーザー吸収層４ｂに開口部Ｐが形成された場合の一例を示す概略平面図である。このように、本工程において形成される開口部の形状は、上述したレーザー光照射工程において形成される切り取り線に応じて適宜選択されるものであり、特に限定されるものではない。
【００８１】
（ｂ）開口部形成工程
本工程は、有機ＥＬ基板から支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離することにより、レーザー吸収層に開口部を形成することができる方法であれば特に限定されるものではない。
【００８２】
本工程では、有機ＥＬ基板から支持基材を剥離する際に、切り取り線により囲われたレーザー吸収層の一部が支持基材とともに剥離される。そのため、支持基材と切り取り線により囲われたレーザー吸収層の一部とが所定の密着性を有することが好ましい。支持基材と切り取り線により囲われたレーザー吸収層の一部との間に所定の密着性を付与する方法としては、例えば、支持基材とともに剥離するレーザー吸収層の一部に所定のエネルギーを有するレーザー光を照射して、レーザー吸収層の一部を支持基材に溶着させる方法が挙げられる。具体的には、まず、図９（ａ）に例示するように、マスク基材の支持基材４ａ側からレーザー光Ｌを照射してレーザー吸収層４ｂに切り取り線Ｘを形成する。なお、図９（ａ）は、赤色の画素領域Ｒにおける画素電極２を囲うように形成された枠状のスペーサ部３の外周に沿って切り取り線Ｘを形成する場合を示す一例である。次に、図９（ｂ）に例示するように、マスク基材の支持基材４ａ側から、切り取り線Ｘにより囲われた赤色の画素領域Ｒに対応する領域のレーザー吸収層４ｂに、図９（ａ）において用いられたレーザー光Ｌよりも弱いエネルギーを有するレーザー光Ｌｓを照射する。これにより、赤色の画素領域Ｒに対応する領域のレーザー吸収層４ｂが支持基材４ａに溶着し、図９（ｃ）に例示するように、有機ＥＬ基板から支持基材４ａを剥離する際に、赤色の画素領域Ｒに対応する領域のレーザー吸収層４ｂを支持基材４ａとともに有機ＥＬ基板から容易に剥離することが可能になる。なお、図９（ａ）〜（ｃ）において説明していない符号については、図１と同様とすることができるためここでの説明は省略する。
【００８３】
（４）有機ＥＬ層形成工程
本発明における有機ＥＬ層形成工程は、上記開口部を介して上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極上に、少なくとも当該色の上記発光層を有する有機ＥＬ層を形成する工程である。
以下、本工程において形成される有機ＥＬ層および具体的な有機ＥＬ層形成工程について説明する。
【００８４】
（ａ）有機ＥＬ層
有機ＥＬ層を構成する有機層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
以下、有機ＥＬ層を構成する各有機層について説明する。
【００８５】
（ｉ）発光層
本工程においては、複数色の発光層が形成される。発光色の種類としては、製造する有機ＥＬ表示装置の用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば、赤色、緑色、青色の３色の発光層を形成してもよく、赤色、緑色、青色、白色の４色の発光層を形成してもよい。
【００８６】
発光層に用いられる発光材料としては、蛍光もしくは燐光を発するものであればよく例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等を挙げることができる。なお、具体的な色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料については、一般的に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。
【００８７】
発光層の厚みとしては、電子および正孔の再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度にすることができる。
【００８８】
（ｉｉ）正孔注入輸送層
本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
【００８９】
正孔注入輸送層に用いられる材料としては、発光層への正孔の注入、輸送を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的な材料を用いることができる。
【００９０】
正孔注入輸送層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００９１】
（ｉｉｉ）電子注入輸送層
本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
【００９２】
電子注入層に用いられる材料としては、発光層への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではない。
電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。
【００９３】
電子注入輸送層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００９４】
（ｂ）有機ＥＬ層形成工程
本工程は、上述した有機ＥＬ層を画素電極上に形成する工程を有する。なお、ここでは有機ＥＬ層が、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の順で積層される場合について説明する。
【００９５】
正孔注入輸送層の形成方法としては、少なくとも画素電極上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、上述したマスク基材を用いた真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。
【００９６】
次に、発光層の形成方法としては、上述したマスク基材を用いた真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。
【００９７】
次に、電子注入輸送層の形成方法としては、上記発光層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた電子注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、上述したマスク基材を用いた真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。
【００９８】
（５）有機ＥＬ層塗り分け工程
本発明における有機ＥＬ層塗り分け工程においては、次にような工程順により、各有機層を塗り分ける方法が挙げられる。例えば、レーザー吸収層の第１の色の画素領域に開口部を形成して、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層等の複数の有機層を形成し、その後、新たなマスク基材を用いてレーザー吸収層の第２の色の画素領域に開口部を形成し、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層等の複数の有機層を形成する工程を、画素領域の色の数分繰り返すことにより各有機層を塗り分ける方法や、また、レーザー吸収層の第１の色の画素領域に開口部を形成して正孔注入輸送層を形成し、次いで、レーザー吸収層の第２の色の画素領域に開口部を形成して正孔注入輸送層を形成する工程を画素領域の色の数分繰り返し、その後、同様の方法により発光層および電子注入輸送層を形成する工程を行うことにより、各有機層を塗り分ける方法が挙げられる。本発明においては、前者に示す工程順により各有機層を塗り分けることが、製造効率の観点から好ましい。
【００９９】
また、有機ＥＬ層塗り分け工程においては、第１の色の画素領域に有機ＥＬ層を形成するために、上述した密着工程、レーザー光照射工程、開口部形成工程、および有機ＥＬ層形成工程を行った後には、第１の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機ＥＬ基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行い、その後に、第２の色の画素領域に有機ＥＬ層を形成するための各工程が繰り返し行われる。したがって、例えば図１（ｅ）に示すように、赤色の画素領域Ｒに開口部を有するレーザー吸収層４ｂを用いた工程を終えた後には、当該赤色の画素領域Ｒに開口部を有するレーザー吸収層４ｂを有機ＥＬ基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行い、その後に、緑色または青色の画素領域に開口部を形成して有機ＥＬ層を形成する工程に移る。
【０１００】
有機ＥＬ基板からレーザー吸収層を剥離する方法としては特に限定されるものではなく、例えば、レーザー吸収層に粘着層を有する基材を貼りつけて有機ＥＬ基板からレーザー吸収層を剥離する方法や、ピーラー等を用いた物理的手法により有機ＥＬ基板からレーザー吸収層を剥離する方法等が挙げられる。また、マスク基材および有機ＥＬ基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材と有機ＥＬ基板とを減圧密封して密着させた場合には、レーザー吸収層剥離工程として次のような方法が挙げられる。すなわち、レーザー吸収層の所定の位置にレーザー光を照射して貫通孔を形成し、上記貫通孔より減圧密封されたレーザー吸収層と有機ＥＬ基板との間に気体を流入させて、レーザー吸収層および有機ＥＬ基板の間の空間とその外周の空間との圧力の差を解消することにより、有機ＥＬ基板からレーザー吸収層を剥離する方法が挙げられる。なお、上記貫通孔は、例えば、図１（ｅ）、図８（ａ）に示すように、赤色の画素領域Ｒに開口部を有するレーザー吸収層４ｂの場合には、緑色の画素領域Ｇおよび青色の画素領域Ｂに対応するレーザー吸収層４ｂに形成される。
【０１０１】
具体的には、次のような工程順により有機ＥＬ層塗り分け工程を行うことができる。
以下、本発明における有機ＥＬ層塗り分け工程の具体例について図を参照しながら説明する。
例えば、図１０（ａ）に例示するような工程順により有機ＥＬ層塗り分け工程を行うことができる。すなわち、有機ＥＬ基板形成工程後に密着工程を行い、次いでレーザー光照射工程を行うことにより、レーザー吸収層において第１の色の画素領域に対応する領域を囲うように切り取り線を形成して、その後、支持基材および切り取り線で囲われたレーザー吸収層の一部を剥離することにより開口部を形成する開口部形成工程を行う。このようにして得られた第１の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を用いて、第１の色の画素領域に正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層を順に形成する。最後に、第１の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機ＥＬ基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。第１の色の画素領域への有機ＥＬ層の形成方法と同様に、密着工程、レーザー光照射工程、開口部形成工程を行うことにより、第２の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を形成し、上記レーザー吸収層を用いて第２の色の画素領域に正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層を順に形成する。最後に、第２の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機ＥＬ基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。図１０（ａ）の矢印に示すように、画素領域の種類に応じて上述した工程を繰り返し行うことにより正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の塗り分けを行い、最後に後述する上部電極形成工程を行うことにより、本発明における有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【０１０２】
その他にも、図１０（ｂ）に例示するような工程順により有機ＥＬ層塗り分け工程を行うことができる。すなわち、有機ＥＬ基板形成工程を行い、得られた有機ＥＬ基板上に正孔注入輸送層を形成する正孔注入輸送層形成工程を行う。その後、密着工程を行い、次いでレーザー光照射工程を行うことにより、レーザー吸収層において第１の色の画素領域に対応する領域を囲うように切り取り線を形成して、その後、支持基材および切り取り線で囲われたレーザー吸収層の一部を剥離することにより開口部を形成する開口部形成工程を行う。このようにして得られた第１の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を用いて、第１の色の画素領域に発光層を形成する。最後に、第１の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機ＥＬ基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。第１の色の画素領域への発光層の形成方法と同様に、密着工程、レーザー光照射工程、開口部形成工程を行うことにより、第２の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を形成し、上記レーザー吸収層を用いて第２の色の画素領域に発光層を形成する。最後に、第２の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機ＥＬ基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。図１０（ｂ）の矢印に示すように、画素領域の種類に応じて上述した工程を繰り返し行うことにより発光層の塗り分けを行い、最後に後述する上部電極形成工程を行うことにより、本発明における有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【０１０３】
３．上部電極形成工程
本発明における上部電極形成工程は、上記有機ＥＬ層が形成された上記有機ＥＬ基板上に上部電極を形成することができれば特に限定されるものではない。
以下、本工程において形成される上部電極および具体的な上部電極形成工程について説明する。
【０１０４】
（１）上部電極
本工程における上部電極は、有機ＥＬ層が形成された有機ＥＬ基板上に形成されるものである。このような上部電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよい
【０１０５】
上部電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
上部電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属；酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
【０１０６】
また、上部電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
【０１０７】
（２）上部電極形成工程
上部電極の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、またはＣＶＤ法等を挙げることができる。
【０１０８】
４．その他の工程
本発明においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、有機ＥＬ表示装置を封止基板により封止する封止工程が挙げられる。
以下、封止基板について説明する。
【０１０９】
封止基板は光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。また、封止基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。
【０１１０】
封止基板の材料としては、一般的に封止基板に用いらる材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、石英、ガラス等の無機材料や、アクリル樹脂、ＣＯＰと称されるシクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂が挙げられる。
また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
【０１１１】
封止基板の厚みとしては、封止基板の材料および有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。具体的に、封止基板の厚みは０．００１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
【０１１２】
Ｂ．有機ＥＬ表示装置形成用マスク基材
本発明の有機ＥＬ表示装置形成用マスク基材は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いられるものであって、レーザー光を透過する支持基材と、上記支持基材上に形成され、レーザー光を吸収するレーザー吸収層とを有することを特徴とするものである。なお、以下、有機ＥＬ表示装置形成用マスク基材をマスク基材と略す場合がある。
【０１１３】
本発明のマスク基材は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法に用いることができる。したがって、次のような効果を得ることができる。すなわち、本発明においては、マスク基材がレーザー光を透過する支持基材とレーザー光を吸収するレーザー吸収層との２層を有するため、レーザー光照射工程において切り取り線を形成した後に支持基材を剥離することによって、支持基材とともに、切り取り線により囲われたレーザー吸収層を部分的に剥離することができ、レーザー吸収層に所望の開口部を容易に形成することができる。さらに、マスク基材が支持基材およびレーザー吸収層の２層を有するため、マスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成した際に、支持基材によってマスク基材と有機ＥＬ基板との間の空間を密閉状態に保つことができる。これにより、レーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が広い領域に飛散し、有機ＥＬ表示装置の表示特性が低下するという不具合を抑制することができる。
【０１１４】
上記マスク基材については、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置の製造方法  ２．有機ＥＬ層塗り分け工程  （１）密着工程  （ａ）マスク基材」の項に記載したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０１１５】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１１６】
１    …  基板
２    …  画素電極
３    …  スペーサ部
４ａ  …  支持基材
４ｂ  …  レーザー吸収層
５    …  有機ＥＬ層
６    …  上部電極
１０  …  有機ＥＬ基板
１００…  有機ＥＬ表示装置
Ｘ    …  切り取り線
Ｐ    …  開口部
【図１】
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【図２】
2015082411.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015082411.tif 000009
【図８】
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【図９】
2015082411.tif 000011
【図１０】
2015082411.tif 000012
【図１１】
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