(57)【要約】【課題】リセス構造の固体撮像装置の高品質化に有利な技術を提供する。【解決手段】固体撮像装置の製造方法は、複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有する基板を準備する第１工程と、前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に配線層及び層間絶縁膜を含む構造を形成する第２工程と、前記周辺領域に位置する前記構造の上のみに第１の配線パターンを形成する第３工程と、前記第１の配線パターンと前記構造とを覆う保護膜を形成する第４工程と、前記第１の配線パターンの上面と前記構造の上面との段差により形成された前記保護膜の凸部の上に、第２の配線パターンを、前記第１の配線パターンを前記保護膜が覆った状態で、前記第２の配線パターンの端が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する第５工程と、前記構造の上かつ前記画素領域の上に光学系を形成する第６工程と、を有する。【選択図】図１
2015060941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有する基板を準備する第１工程と、
前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に配線層及び層間絶縁膜を含む構造を形成する第２工程と、
前記周辺領域に位置する前記構造の上のみに第１の配線パターンを形成する第３工程と、
前記第１の配線パターンと前記構造とを覆う保護膜を形成する第４工程と、
前記第１の配線パターンの上面と前記構造の上面との段差により形成された前記保護膜の凸部の上に、第２の配線パターンを、前記第１の配線パターンを前記保護膜が覆った状態で、前記第２の配線パターンの端が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する第５工程と、
前記構造の上かつ前記画素領域の上に光学系を形成する第６工程と、を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第５工程の後には、前記構造の上面は、少なくとも前記画素領域の上から前記第１の配線パターンの端まで平坦になっている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第４工程の後かつ前記第５工程の前に、前記保護膜の上に、前記保護膜とは異なる材料の絶縁部材を形成した後に当該絶縁部材をエッチングして、前記保護膜の前記凸部の上に、絶縁性のパターンを、当該絶縁性のパターンの端が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する工程をさらに有し、当該工程におけるエッチングは、前記保護膜のエッチングレートが前記絶縁部材のエッチングレートよりも低い条件で行われる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第５工程では、前記第２の配線パターンを、当該第２の配線パターンの端が前記絶縁性のパターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第５工程の後かつ前記第６工程の前に、前記保護膜のうち前記画素領域の上の第１の部分を除去する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項３または４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第５工程の後かつ前記第６工程の前に、前記保護膜のうちの露出している第２の部分をエッチングにより除去する工程をさらに有し、当該工程におけるエッチングは、前記保護膜のエッチングレートが前記絶縁部材のエッチングレートよりも高い条件で行われる
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程の後かつ前記第３工程の前に、前記構造における最上の層間絶縁膜のうちの前記画素領域の上の第３の部分を除去する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記構造は、前記構造における最上の層間絶縁膜の下にエッチングストッパを有しており、前記第３の部分を除去する工程は、前記エッチングストッパの上面が露出するように行う
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第５工程の後かつ前記第６工程の前に、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンと前記保護膜とを覆うパッシベーション膜を形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第４工程の後において、前記第１の配線パターンはエッチングマスクとして用いられない
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
複数の画素が形成された画素領域とその周辺領域とを有する基板と、
前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に配され、配線層及び層間絶縁膜を含む構造と、
前記周辺領域の上の前記構造の上のみに配された第１の配線パターンと、
前記第１の配線パターンの上に保護膜を介して配され、前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置する第２の配線パターンと、
前記構造の上かつ前記画素領域の上に配され、前記複数の画素に対応するように設けられた光学系と、を備え、
前記構造の上面は、少なくとも前記画素領域の上から前記第１の配線パターンの端まで平坦になっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
複数の画素が形成された画素領域とその周辺領域とを有する基板と、
前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に配され、配線層及び層間絶縁膜を含む構造と、
前記周辺領域の上の前記構造の上のみに配された第１の配線パターンと、
前記第１の配線パターンの上に保護膜を介して配され、前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置する第２の配線パターンと、
前記構造の上かつ前記画素領域の上に配され、前記複数の画素に対応するように設けられた光学系と、を備え、
前記第１の配線パターンの端の側面は前記保護膜に覆われ、
前記保護膜は、前記第１の配線パターンの上面と前記構造の上面との段差により形成された凸部を有し、
前記保護膜の凸部の側面は前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域側に位置する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の固体撮像装置と、
固体撮像装置からの信号を処理する処理部と、を備える
ことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、基板の上に設けられた配線パターン及び層間絶縁膜を含む部分の上面が、画素アレイの直上の領域よりもその周辺部の直上の領域の方が高いリセス構造を採り、上面に段差（高低差）を有しうる。固体撮像装置の製造工程では、この高低差によってスピンコート法で形成される膜にスジやムラ（いわゆるストリエーション）が生じうるため、このような高低差が局所的に形成されることは好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１には、上面に高低差が局所的に形成されないように、複数の段差を有する階段形状の高低差を設けたリセス構造が開示されている。特許文献１によると、基板上に配線パターン及び層間絶縁膜を形成する際には、上述の周辺部の上に、複数の配線パターンが、画素アレイとその周辺部との境界からの距離が下層よりも上層の方が大きくなるように、予め設けられる。即ち、複数の配線パターンは、下層から上層に向かって開口が大きくなるように形成される。その後、画素アレイの直上の絶縁部材についてエッチングを行ってリセス構造を形成する。当該エッチングの際には、上述の複数の配線パターンの個々がエッチングマスクとして用いられ、絶縁部材のうち各配線パターンに覆われていない部分が除去された結果、上面に階段形状の高低差を有するリセス構造が形成される。
【０００５】
しかしながら、この方法によると、各配線パターンの上面はエッチングによる損傷を受けてしまい、固体撮像装置の品質の低下をもたらしうる。
【０００６】
本発明の目的は、リセス構造の固体撮像装置の高品質化に有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置の製造方法にかかり、前記固体撮像装置の製造方法は、複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有する基板を準備する第１工程と、前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に配線層及び層間絶縁膜を含む構造を形成する第２工程と、前記周辺領域に位置する前記構造の上のみに第１の配線パターンを形成する第３工程と、前記第１の配線パターンと前記構造とを覆う保護膜を形成する第４工程と、前記第１の配線パターンの上面と前記構造の上面との段差により形成された前記保護膜の凸部の上に、第２の配線パターンを、前記第１の配線パターンを前記保護膜が覆った状態で、前記第２の配線パターンの端が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する第５工程と、前記構造の上かつ前記画素領域の上に光学系を形成する第６工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、リセス構造の固体撮像装置の高品質化に有利である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】固体撮像装置の構成例を説明する図。
【図２】固体撮像装置の製造方法の一例を説明する図。
【図３】固体撮像装置の製造方法の他の例を説明する図。
【図４】固体撮像装置の製造方法の他の例を説明する図。
【図５】固体撮像装置の製造方法の他の例を説明する図。
【図６】固体撮像装置の他の構成例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
図１及び図２を参照しながら、第１実施形態の固体撮像装置Ｉ１の製造方法を説明する。図１は、固体撮像装置Ｉ１の断面構造の例を模式的に示している。固体撮像装置Ｉ１は、画素領域Ｒ１および周辺領域Ｒ２を有する基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢの上に設けられた構造ＳＴ１と、構造ＳＴ１の上に設けられた構造ＳＴ２および光学系ＯＰと、を備えうる。
【００１１】
画素領域Ｒ１には、複数の画素が配列された画素アレイが形成されている。ここでは、各画素の構成要素として、光電変換部１０１と、光電変換部１０１で発生して蓄積された電荷を画素信号として読み出すためのトランジスタ（のゲート）１０２と、を例示している。以下、各画素の構成要素は、基板ＳＵＢに設けられた素子を示す。周辺領域Ｒ２は画素領域Ｒ１の周辺の領域であり、例えば、各画素を駆動するための駆動部や、各画素から読み出された画素信号を処理するための処理部が配されうる。
【００１２】
ここで、周辺領域Ｒ２は、基板ＳＵＢにおいて画素領域Ｒ１の外側に位置し、周辺領域Ｒ２の上に設けられる配線パターンの層数は、画素領域Ｒ１の上に設けられる配線パターンの層数よりも多い。画素領域Ｒ１と周辺領域Ｒ２との境界Ｋは、例えば、画素領域Ｒ１よりも層数が多い配線パターンの端で決めることができる。また、周辺領域Ｒ２は、例えば、光が入射可能な有効画素よりも遮光のための配線パターン（遮光パターン）が多く設けられたオプティカルブラック画素領域を含んでもよい。
【００１３】
構造ＳＴ１は、配線層および層間絶縁膜を含む。ここでは、層間絶縁膜１０３、１０５及び１０７と、層間絶縁膜１０３と１０５との間に設けられた配線パターン１０４を含む第１配線層と、層間絶縁膜１０５と１０７との間に設けられた配線パターン１０６を含む第２配線層と、を例示している。
【００１４】
構造ＳＴ２は、周辺領域Ｒ２の上方に設けられ、配線パターン１０８及び１１０と、配線パターン１０８と１１０との間に設けられた絶縁部材１０９（層間絶縁膜）とを含みうる。配線パターン１１０は、平面視における画素領域Ｒ１と周辺領域Ｒ２との境界Ｋからの端部の距離が、配線パターン１０８よりも大きい。また、上述の構造ＳＴ１及びＳＴ２の上には、これらを覆うパッシベーション膜１１１が設けられうる。
【００１５】
光学系ＯＰは、画素領域Ｒ１の上方に設けられ、第１の平坦化膜１１２と、カラーフィルタ１１３と、第２の平坦化膜１１４と、マイクロレンズ１１５とを含みうる。平坦化膜１１２及び１１４は、その後に形成される部材（カラーフィルタ１１３やマイクロレンズ１１５）の形成工程を有利に行うように、平坦な上面を形成するための膜である。カラーフィルタ１１３は、例えばベイヤ配列にしたがって各画素（の光電変換部１０１）に対応して設けられる。また、マイクロレンズ１１５は、各画素に対応して設けられる。
【００１６】
以上のように、固体撮像装置Ｉ１は、基板ＳＵＢの上に設けられた配線パターン（１０４等）及び層間絶縁膜（１０３等）を含む部分の上面が、画素領域Ｒ１の直上の部分よりも周辺領域Ｒ２の直上の部分の方が高い、いわゆるリセス構造を採る。この構造によると、画素領域Ｒ１と周辺領域Ｒ２との境界Ｋ付近では、当該構造の上面の高低差は、複数の段差を有する階段形状に形成されており、局所的には形成されない。よって、この構造によると、例えば、その後に為される光学系ＯＰの形成工程等においてスピンコート法で膜を形成する際には、当該膜に生じうるスジやムラ（いわゆるストリエーション）が防止されうる。
【００１７】
以下、図２を参照しながら、固体撮像装置Ｉ１の製造方法について述べる。固体撮像装置Ｉ１は、公知の半導体プロセスを用いて製造することができる。
【００１８】
まず、図２の（Ａ）に例示されるように、基板ＳＵＢを準備し、基板ＳＵＢの上に構造ＳＴ１を形成する。基板ＳＵＢは、シリコン基板等の半導体基板に各素子（光電変換部１０１やトランジスタ１０２等）を形成して準備してもよいし、既に各種素子が形成されたものを用意してもよい。構造ＳＴ１について、ここでは配線パターン１０４及び１０６を含む２層の配線層を含む構造を例示するが、この構造に限られるものではなく、後に形成される構造ＳＴ２の基台となり得ればよい。また、その後、構造ＳＴ１の上に、画素領域Ｒ１を含む領域に開口を有するフォトレジストパターン１１６ａを形成する。
【００１９】
なお、構造ＳＴ１において、層間絶縁膜は絶縁性の材料で構成されればよく、例えば高密度プラズマ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）ＣＶＤ法で形成されうる。層間絶縁膜は、例えばＮＳＧ（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  ＳＧ）膜、及びＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  ＳＧ）膜を含みうる。また、各配線層の配線パターンには、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＣｕ、ＴｉＮ、Ｔｉ等の金属材料が用いられ、各配線パターンは単層で形成されてもよいし積層で形成されてもよい。以下、構造ＳＴ２を形成するための各工程においても同様である。
【００２０】
次に、図２の（Ｂ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ａを用いて、構造ＳＴ１の層間絶縁膜１０７のエッチングを行う。これにより、層間絶縁膜１０７のうち画素領域Ｒ１の上方の一部が除去される。なお、当該一部は、例えば膜厚０．２５μｍ程度の層間絶縁膜１０７が残るように除去されればよい。その後、フォトレジストパターン１１６ａを除去する。
【００２１】
次に、図２の（Ｃ）に例示されるように、構造ＳＴ１の層間絶縁膜１０７の上に金属材料を堆積して金属部材１０８ａを形成し、さらにフォトレジストパターン１１６ｂを形成する。
【００２２】
その後、図２の（Ｄ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ｂを用いて、金属部材１０８ａのエッチングを行う。これにより、周辺領域Ｒ２の上方に配線パターン１０８が形成される。その後、フォトレジストパターン１１６ｂを除去する。
【００２３】
次に、図２の（Ｅ）に例示されるように、配線パターン１０８と構造ＳＴ１とを覆うように絶縁部材１０９を形成し、さらにフォトレジストパターン１１６ｃを形成する。フォトレジストパターン１１６ｃは、境界Ｋからの端部の距離が、フォトレジストパターン１１６ｂよりも大きい。
【００２４】
その後、図２の（Ｆ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ｃを用いて、絶縁部材１０９の一部を除去する。なお、当該一部は、例えば膜厚０．２５μｍ程度の絶縁部材１０９が残るように除去されればよい。当該絶縁部材１０９は、後の配線パターン１１０を形成する工程において、配線パターン１０８を保護する保護膜として機能する。その後、フォトレジストパターン１１６ｃを除去する。ここで、該保護膜は、配線パターン１０８の上面と構造ＳＴ１の上面との段差を覆うことによって形成された凸部を有し、凸部の側面は第１の配線パターンの端よりも画素領域側に位置する。つまり、凸部の側面は、境界Ｋからの距離が第１の配線パターンの端よりも小さい。
【００２５】
次に、図２の（Ｇ）に例示されるように、絶縁部材１０９の上に金属材料を堆積して金属部材１１０ａを形成し、さらにフォトレジストパターン１１６ｄを形成する。フォトレジストパターン１１６ｄは、境界Ｋからの端部の距離が、フォトレジストパターン１１６ｂ及び１１６ｃよりも大きい。
【００２６】
その後、図２の（Ｈ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ｄを用いて、金属部材１１０ａのエッチングを行う。これにより、絶縁部材１０９のうちの配線パターン１０８の上面と構造ＳＴ１の上面との段差によって形成された凸部の上に配線パターン１１０が形成される。配線パターン１１０は、境界Ｋからの端部の距離が、配線パターン１０８よりも大きい。その後、フォトレジストパターン１１６ｄを除去する。
【００２７】
以上のようにして構造ＳＴ２が形成されうる。上述の製造方法によると、配線パターン１０８が絶縁部材１０９で覆われているため、各工程における配線パターン１０８への損傷が防止される。そして、構造ＳＴ１における最上の層間絶縁膜１０７をエッチングする際には、当該配線パターン１０８がエッチングマスクとして用いられることもない。その結果、層間絶縁膜１０７の上面は、配線パターン１０８の端の近傍では平坦になっている。当該端の近傍は、少なくとも当該端から画素領域Ｒ１の側に広がる領域を含めばよく、当該端の画素領域Ｒ１に対して内側の近傍の他、当該端の画素領域Ｒ１に対して外側の近傍を含んでもよい。また、配線パターン１０８がエッチングマスクとして用いられないため、配線パターン１０８へのダメージを低減することができる。
【００２８】
なお、構造ＳＴ２において、ここでは配線パターン１０８及び１１０の２層の配線層を含む構成を例示したが、本発明は、この構成に限られるものではなく、３層以上の配線層を含む場合も同様である。
【００２９】
最後に、図２の（Ｉ）に例示されるように、前述のパッシベーション膜１１１と光学系ＯＰとを形成して、固体撮像装置Ｉ１が得られる。ここで、パッシベーション膜１１１の成膜および光学系ＯＰを構成する各部材の成膜は、スピンコート法によって為されうる。しかし、上述の製造方法によると、上面の高低差は、複数の段差を有する階段形状に形成されており、局所的には形成されないため、各膜は均一に形成されうる。
【００３０】
以上のようにして上述のリセス構造が形成され、境界Ｋ付近における当該構造の上面の高低差は、複数の段差を有する階段形状に形成される。上述の製造方法によると、複数の段差の個々の大きさは、局所的な段差（例えば１つの大きな段差）を形成した場合に比べて小さくなる。また、上述の製造方法によると、配線パターン１０８と１１０との間の絶縁部材１０９において、さらに段差を形成することもできる。よって、その後、スピンコート法で膜を形成する際に生じうるストリエーションを防止するのに有利である。ここで、上述の製造方法によると、配線パターン１０８が、保護膜として機能する絶縁部材１０９で覆われているため、配線パターン１０８の損傷を防止することが可能である。よって、本実施形態によると、リセス構造の固体撮像装置の高品質化に有利である。
【００３１】
（第２実施形態）
図３を参照しながら、第２実施形態を説明する。前述の第１実施形態では、構造ＳＴ２の形成工程において、層間絶縁膜である絶縁部材１０９を配線パターン１０８の保護膜として形成した。しかしながら、本発明はこの態様に限られるものではなく、本実施形態のように保護膜と層間絶縁膜とが個別に設けられてもよい。
【００３２】
まず、図３の（Ａ）に例示されるように、基板ＳＵＢを準備し、基板ＳＵＢの上に構造ＳＴ１２を形成する。本実施形態では、構造ＳＴ１２は、最上の層間絶縁膜１０７の下（配線パターン１０６を含む配線層と層間絶縁膜１０７との間）に、後述の保護膜ＰＲＴと同じ材料を用いて構成されたエッチングストッパＳＴＰを有する。エッチングストッパＳＴＰには、例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられうる。また、その後、構造ＳＴ１２の上に、画素領域Ｒ１を含む領域に開口を有するフォトレジストパターン１１６ａを形成する。
【００３３】
その後、図３の（Ｂ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ａを用いて、層間絶縁膜１０７のエッチングを行う。これにより、層間絶縁膜１０７のうち画素領域Ｒ１の上方の部分が除去される。当該部分は、本実施形態では構造ＳＴ１２がエッチングストッパＳＴＰを有するため、エッチングストッパＳＴＰの上面が露出するように除去されればよい。その後、フォトレジストパターン１１６ａを除去する。
【００３４】
次に、図３の（Ｃ）に例示されるように、構造ＳＴ１２の層間絶縁膜１０７の上に金属材料を堆積して金属部材１０８ａを形成し、さらにフォトレジストパターン１１６ｂを形成する。
【００３５】
その後、図３の（Ｄ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ｂを用いて、金属部材１０８ａのエッチングを行う。これにより、周辺領域Ｒ２の上方に配線パターン１０８が形成される。その後、フォトレジストパターン１１６ｂを除去する。
【００３６】
次に、図３の（Ｅ）に例示されるように、配線パターン１０８と構造ＳＴ１２とを覆うように保護膜ＰＲＴを形成し、当該保護膜ＰＲＴを覆うように絶縁部材１０９を形成し、さらにフォトレジストパターン１１６ｃを形成する。保護膜ＰＲＴには、例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられうる。保護膜ＰＲＴは、後の配線パターン１１０を形成する工程において、配線パターン１０８を保護する保護膜として機能する。
【００３７】
その後、図３の（Ｆ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ｃを用いて、絶縁部材１０９の一部を除去し、絶縁性のパターン１０９’を形成する。その後、フォトレジストパターン１１６ｃを除去する。
【００３８】
次に、図３の（Ｇ）に例示されるように、絶縁性のパターン１０９’および保護膜ＰＲＴの上に金属材料を堆積して金属部材１１０ａを形成し、さらにフォトレジストパターン１１６ｄを形成する。
【００３９】
その後、図３の（Ｈ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ｄを用いて、金属部材１１０ａのエッチングを行う。これにより、絶縁性のパターン１０９’の上に配線パターン１１０が形成される。配線パターン１１０は、境界Ｋからの端部の距離が、配線パターン１０８よりも大きい。その後、フォトレジストパターン１１６ｄを除去する。
【００４０】
以上のようにして構造ＳＴ２２が形成されうる。上述の製造方法によると、配線パターン１０８が保護膜ＰＲＴで覆われているため、各工程における配線パターン１０８への損傷が防止される。そして、構造ＳＴ１における最上の層間絶縁膜１０７をエッチングする際に、当該配線パターン１０８がエッチングマスクとして用いられることもない。その結果、構造ＳＴ１における最上の層間絶縁膜１０７は、その上面が、配線パターン１０８の端の近傍（少なくとも当該端から画素領域Ｒ１の側に広がる領域）では平坦になっている。
【００４１】
最後に、図３の（Ｉ）に例示されるように、前述のパッシベーション膜１１１と光学系ＯＰとを形成して、固体撮像装置Ｉ２が得られる。
【００４２】
以上、本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、上面が複数の段差を有する階段形状のリセス構造が形成される。ここで、上述の製造方法によると、配線パターン１０８が保護膜ＰＲＴで覆われているため、配線パターン１０８の損傷を防止することが可能である。よって、本実施形態によると、リセス構造の固体撮像装置の高品質化に有利である。
【００４３】
（第３実施形態）
図４を参照しながら、第３実施形態を説明する。前述の第２実施形態では、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴが画素領域Ｒ１の上方に残存する態様を例示した。しかしながら、本発明はこの態様に限られるものではなく、所定の工程を経た後は、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴは、適宜、除去されてもよい。図４の（Ａ）〜（Ｇ）は、図３と同様であるため説明を省略する。
【００４４】
次に、図４の（Ｈ）に例示されるように、絶縁性のパターン１０９’の上に配線パターン１１０を形成した後、さらにフォトレジストパターン１１６ｅを形成する。フォトレジストパターン１１６ｅは、少なくとも画素領域Ｒ１の上方に開口を有していればよい。
【００４５】
その後、図４の（Ｉ）に例示されるように、フォトレジストパターン１１６ｅを用いて、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴをエッチングによって除去する。なお、このエッチングは、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴのエッチングレートが層間絶縁膜よりも高くなるように選択比の条件を設定して為されればよい。
【００４６】
最後に、図４の（Ｊ）に例示されるように、前述のパッシベーション膜１１１と光学系ＯＰとを形成して、固体撮像装置Ｉ３が得られる。
【００４７】
以上、本実施形態によっても、第１〜第２実施形態と同様に、上面が複数の段差を有する階段形状のリセス構造が形成される。ここで、上述の製造方法によると、光学系ＯＰを形成する前にエッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴのうちの画素領域Ｒ１の上方の部分が除去される。そのため、光学系ＯＰと基板ＳＵＢとの距離を、上述の各実施形態よりも小さくすることができ、また、これらの各層において生じうる光散乱を防止することができる。よって、本実施形態によると、第１〜第２実施形態と同様の効果が得られる他、固体撮像装置Ｉ３の光感度を向上させることも可能である。
【００４８】
なお、ここでは、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴに同一の材料を用いて、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴの両方を除去する態様を例示したが、本発明はこの形態に限られるものではない。例えば、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴには互いに異なる材料が用いられてもよいし、また、図４の（Ｉ）の工程で、エッチングストッパＳＴＰを残しつつ保護膜ＰＲＴを除去してもよい。
【００４９】
（第４実施形態）
図５を参照しながら、第４実施形態を説明する。前述の第３実施形態では、フォトレジストパターン１１６ｅを用いてエッチングによってエッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴを除去する態様を例示した。しかしながら、本発明はこの態様に限られるものではなく、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴは、他の方法によっても除去されうる。図５の（Ａ）〜（Ｇ）は、図３及び図４と同様であるため説明を省略する。
【００５０】
次に、図５の（Ｈ）に例示されるように、絶縁性のパターン１０９’の上に配線パターン１１０を形成した後、図５の（Ｉ）に例示されるように、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴのうち露出している部分をエッチングにより除去する。このエッチングは、エッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴのエッチングレートが層間絶縁膜よりも高くなるように選択比の条件を設定して為されればよい。
【００５１】
最後に、図５の（Ｊ）に例示されるように、前述のパッシベーション膜１１１と光学系ＯＰとを形成して、固体撮像装置Ｉ４が得られる。
【００５２】
以上、本実施形態によっても、第１〜第３実施形態と同様に、上面が複数の段差を有する階段形状のリセス構造が形成される。ここで、上述の製造方法によると、光学系ＯＰを形成する前にエッチングストッパＳＴＰ及び保護膜ＰＲＴのうちの画素領域Ｒ１の上方の部分が除去されるため、光学系ＯＰと基板ＳＵＢとの距離を、上述の各実施形態よりも小さくすることができる。よって、本実施形態によると、第３実施形態と同様の効果が得られる。
【００５３】
（第５実施形態）
図６（ａ）を参照しながら第５実施形態を説明する。第５実施形態では、配線パターン１１０の下に絶縁部材１０９が設けられている。配線パターン１１０は、平面視において、境界Ｋからの端部の距離が、絶縁部材１０９の端部よりも大きい。そして、図６（ａ）に示された２つの絶縁部材１０９の端部の間にマイクロレンズ１１５が設けられている。このような構成によっても、第１〜第４実施形態と同様に、上面が複数の段差を有する階段形状のリセス構造を形成することが可能である。
【００５４】
（第６実施形態）
図６（ｂ）を参照しながら第６実施形態を説明する。第６実施形態では、第５実施形態の構造に、配線パターン１１０の下に保護膜１１０１がさらに設けられている。保護膜１１０１は、平面視における境界Ｋからの端部の距離が、絶縁部材１０９の端部よりも大きく、配線パターン１１０よりも小さい。このような構成によっても、第１〜第５実施形態と同様に、上面が複数の段差を有する階段形状のリセス構造を形成することが可能である。
【００５５】
（第７実施形態）
図６（ｃ）を参照しながら第７実施形態を説明する。第７実施形態では、第６実施形態の構造において、絶縁部材１０９および絶縁部材１０７の一部が除去され、絶縁部材１０９の端部と絶縁部材１０７の端部とが同一面内に位置している。このような構成によっても、第１〜第６実施形態と同様に、上面が複数の段差を有する階段形状のリセス構造を形成することが可能である。
【００５６】
（第８実施形態）
図６（ｄ）を参照しながら第８実施形態を説明する。第８実施形態では、第７実施形態の構造において、更に、絶縁部材１０９の一部が除去され、絶縁部材１０９が、境界Ｋからの距離が異なる２つの端部を有する。このような構成によっても、第１〜第７実施形態と同様に、上面が複数の段差を有する階段形状のリセス構造を形成することが可能である。
【００５７】
以上の複数の実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途及び機能その他の仕様に応じて、適宜、変更が可能であり、他の実施形態によっても為されうる。
【００５８】
（撮像システム）
また、以上の実施形態は、カメラ等に代表される撮像システムに含まれる固体撮像装置について述べた。撮像システムの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。撮像システムは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。この処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器、および、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。
【図１】
2015060941.tif 000003
【図２】
2015060941.tif 000004
【図３】
2015060941.tif 000005
【図４】
2015060941.tif 000006
【図５】
2015060941.tif 000007
【図６】
2015060941.tif 000008