(57)【要約】【課題】伝送効率を低下させることなくテラヘルツ帯域の電磁波を伝送可能でかつ容易に製造することが可能な導波管およびその製造方法を提供する。【解決手段】一方および他方の遮蔽部材１０の各々においては、樹脂により形成される絶縁層１２上に導体層１３が形成される。絶縁層１２および導体層１３が折曲されることにより、第１および第２の遮蔽部材１０の各々に凹形状が形成される。一方の遮蔽部材１０と他方の遮蔽部材１０とが導電性の接着部材３０により接着される。一方の遮蔽部材１０の凹形状の導体層１３の内面と他方の遮蔽部材１０の凹形状の導体層１３の内面とにより取り囲まれる中空の導波路１が形成される。【選択図】図２
2015188146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管であって、
第１および第２の遮蔽部材と、
前記第１の遮蔽部材と前記第２の遮蔽部材とを接着する導電性の接着部材とを備え、
前記第１の遮蔽部材は、樹脂により形成される第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の一面上に形成される第１の導体層とを含み、前記第１の導体層が内側になる状態で第１の凹形状を有するように折曲され、
前記第２の遮蔽部材は、樹脂により形成される第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の一面上に形成される第２の導体層とを含み、前記第２の導体層が内側になる状態で第２の凹形状を有するように折曲され、
前記第１の遮蔽部材の前記第１の凹形状の前記第１の導体層の内面と前記第２の遮蔽部材の前記第２の凹形状の前記第２の導体層の内面とにより取り囲まれる中空の導波路が形成されるように前記第１の導体層と前記第２の導体層とが前記接着部材により接着される、導波管。
【請求項２】
前記第１の遮蔽部材は、前記第１の絶縁層の他面上に形成される第１の支持層をさらに含み、前記第１の支持層が外側になる状態で第１の凹形状を有するように折曲され、
前記第２の遮蔽部材は、前記第２の絶縁層の他面上に形成される第２の支持層をさらに含み、前記第２の支持層が外側になる状態で第２の凹形状を有するように折曲される、請求項１記載の導波管。
【請求項３】
前記第１および第２の支持層はそれぞれ金属により形成される、請求項２記載の導波管。
【請求項４】
前記第１の支持層は、線状の複数の第１の折曲部を有し、前記第１の遮蔽部材は、前記第１の折曲部に沿って第１の凹形状を有するように折曲され、
前記第２の支持層は、線状の複数の第２の折曲部を有し、前記第２の遮蔽部材は、前記第２の折曲部に沿って第２の凹形状を有するように折曲される、請求項２または３記載の導波管。
【請求項５】
前記複数の第１の折曲部は、前記第１の支持層に形成された溝を含み、前記複数の第２の折曲部は、前記第２の支持層に形成された溝を含む、請求項４記載の導波管。
【請求項６】
前記第１および第２の遮蔽部材は、それぞれフレキシブル配線回路基板により形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導波管。
【請求項７】
前記第１および第２の遮蔽部材は、互いに等しい形状および構成を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の導波管。
【請求項８】
前記接着部材の導電率は１０５Ｓ／ｍ以上である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の導波管。
【請求項９】
テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管の製造方法であって、
電磁波を遮蔽可能に構成された第１の遮蔽部材を用意するステップと、
電磁波を遮蔽可能に構成された第２の遮蔽部材を用意するステップと、
前記第１の遮蔽部材と前記第２の遮蔽部材とを導電性の接着部材により接着するステップとを含み、
前記第１の遮蔽部材を用意するステップは、
樹脂により形成される第１の絶縁層と、第１の導体層とが積層された第１の積層体を用意することと、
前記第１の積層体を折り曲げることにより前記第１の積層体に第１の凹形状を形成することとを含み、
前記第２の遮蔽部材を用意するステップは、
樹脂により形成される第２の絶縁層と、第２の導体層とが積層された第２の積層体を用意することと、
前記第２の積層体を折り曲げることにより前記第２の積層体に第２の凹形状を形成することとを含み、
前記接着するステップは、前記第１の遮蔽部材の前記第１の凹形状の前記第１の導体層の内面と前記第２の遮蔽部材の前記第２の凹形状の前記第２の導体層の内面とにより取り囲まれる中空の導波路を形成することを含む、導波管の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テラヘルツ帯域、例えば０．０５ＴＨｚ以上１０ＴＨｚ以下の周波数の電磁波を伝送する導波管およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
テラヘルツ帯域の電磁波を用いたテラヘルツ通信は、短距離超高速通信、および非圧縮・無遅延の超高精細映像伝送等の種々の用途への応用が期待されている。一般的な導波管は、矩形の断面を有する金属管からなる。
【０００３】
特許文献１には、マイクロ波またはミリ波の電気信号を伝送する導波管が記載されている。特許文献１に記載された導波管は、可撓性を有しかつ断面形状が楕円形である誘電体棒の表面に金属テープを螺旋状に巻き付けることにより構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１９５６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
テラヘルツ帯域の電磁波を伝送するためには、導波管の断面の寸法を１ｍｍ以下と極めて小さくする必要がある。そのため、テラヘルツ帯域の電磁波を伝送する導波管を金属管により製造することは困難である。一方、特許文献１の導波管においては、電磁波は導波路を構成する誘電体内を通って伝送される。そのため、誘電損失により電磁波の伝送効率が低下する。
【０００６】
本発明の目的は、伝送効率を低下させることなくテラヘルツ帯域の電磁波を伝送可能でかつ容易に製造することが可能な導波管およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る導波管は、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管であって、第１および第２の遮蔽部材と、第１の遮蔽部材と第２の遮蔽部材とを接着する導電性の接着部材とを備え、第１の遮蔽部材は、樹脂により形成される第１の絶縁層と、第１の絶縁層の一面上に形成される第１の導体層とを含み、第１の導体層が内側になる状態で第１の凹形状を有するように折曲され、第２の遮蔽部材は、樹脂により形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層の一面上に形成される第２の導体層とを含み、第２の導体層が内側になる状態で第２の凹形状を有するように折曲され、第１の遮蔽部材の第１の凹形状の第１の導体層の内面と第２の遮蔽部材の第２の凹形状の第２の導体層の内面とにより取り囲まれる中空の導波路が形成されるように第１の導体層と第２の導体層とが接着部材により接着される。
【０００８】
この導波管においては、樹脂により形成される第１の絶縁層上に形成された第１の導体層が折曲されることにより、第１の凹形状を有する第１の遮蔽部材が形成される。また、樹脂により形成される第２の絶縁層上に形成された第２の導体層が折曲されることにより、第２の凹形状を有する第２の遮蔽部材が形成される。第１の遮蔽部材と第２の遮蔽部材とが導電性の接着部材により接着される。これにより、第１の遮蔽部材の第１の凹形状の第１の導体層の内面と第２の遮蔽部材の第２の凹形状の第２の導体層の内面とにより取り囲まれる中空の導波路が形成される。
【０００９】
この構成によれば、第１の遮蔽部材の第１の凹形状および第２の遮蔽部材の第２の凹形状の断面の寸法を容易に小さくすることができる。それにより、第１の遮蔽部材の第１の凹形状の第１の導体層の内面と第２の遮蔽部材の第２の凹形状の第２の導体層の内面とにより導波路の断面の寸法を容易に小さくすることができる。したがって、導波路がテラヘルツ帯域の電磁波を伝送することができる。また、導波路は中空であるため、誘電損失が最小となる。これらの結果、伝送効率を低下させることなくテラヘルツ帯域の電磁波を伝送可能な導波管を容易に製造することができる。
【００１０】
（２）第１の遮蔽部材は、第１の絶縁層の他面上に形成される第１の支持層をさらに含み、第１の支持層が外側になる状態で第１の凹形状を有するように折曲され、第２の遮蔽部材は、第２の絶縁層の他面上に形成される第２の支持層をさらに含み、第２の支持層が外側になる状態で第２の凹形状を有するように折曲されてもよい。
【００１１】
この場合、第１の遮蔽部材において、第１の絶縁層および第１の導体層が第１の支持層により支持される。また、第２の遮蔽部材において、第２の絶縁層および第２の導体層が第２の支持層により支持される。これにより、第１および第２の遮蔽部材の強度を向上させることができる。
【００１２】
（３）第１および第２の支持層はそれぞれ金属により形成されてもよい。この場合、第１および第２の支持層に形状保持性を容易に付与することができる。これにより、導波路の断面を一定形状に保持することができる。
【００１３】
（４）第１の支持層は、線状の複数の第１の折曲部を有し、第１の遮蔽部材は、第１の折曲部に沿って第１の凹形状を有するように折曲され、第２の支持層は、線状の複数の第２の折曲部を有し、第２の遮蔽部材は、第２の折曲部に沿って第２の凹形状を有するように折曲されてもよい。
【００１４】
この場合、複数の第１の折曲部に沿って第１の支持層を容易に折曲することができる。また、複数の第２の折曲部に沿って第２の支持層を容易に折曲することができる。
【００１５】
（５）複数の第１の折曲部は、第１の支持層に形成された溝を含み、複数の第２の折曲部は、第２の支持層に形成された溝を含んでもよい。
【００１６】
この場合、第１の遮蔽部材に複数の第１の折曲部を容易に形成し、第２の遮蔽部材に複数の第２の折曲部を容易に形成することができる。
【００１７】
（６）第１および第２の遮蔽部材は、それぞれフレキシブル配線回路基板により形成されてもよい。
【００１８】
この場合、フレキシブル配線回路基板の製造技術を用いて第１および第２の遮蔽部材を容易に製造することができる。また、導波管のフレキシブル性を向上させることができる。
【００１９】
（７）第１および第２の遮蔽部材は、互いに等しい形状および構成を有してもよい。
【００２０】
この場合、同一の製造工程により、第１および第２の遮蔽部材を製造することができる。これにより、導波管の製造コストを低減させることができる。
【００２１】
（８）接着部材の導電率は１０５Ｓ／ｍ以上であってもよい。この場合、電磁波の伝送効率を向上させることができる。
【００２２】
（９）第２の発明に係る導波管の製造方法は、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管の製造方法であって、電磁波を遮蔽可能に構成された第１の遮蔽部材を用意するステップと、電磁波を遮蔽可能に構成された第２の遮蔽部材を用意するステップと、第１の遮蔽部材と第２の遮蔽部材とを導電性の接着部材により接着するステップとを含み、第１の遮蔽部材を用意するステップは、樹脂により形成される第１の絶縁層と、第１の導体層とが積層された第１の積層体を用意することと、第１の積層体を折り曲げることにより第１の積層体に第１の凹形状を形成することとを含み、第２の遮蔽部材を用意するステップは、樹脂により形成される第２の絶縁層と、第２の導体層とが積層された第２の積層体を用意することと、第２の積層体を折り曲げることにより第２の積層体に第２の凹形状を形成することとを含み、接着するステップは、第１の遮蔽部材の第１の凹形状の第１の導体層の内面と第２の遮蔽部材の第２の凹形状の第２の導体層の内面とにより取り囲まれる中空の導波路を形成することを含む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、伝送効率を低下させることなくテラヘルツ帯域の電磁波を伝送可能な導波管を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る導波管の概略構成を示す模式的斜視図である。
【図２】一方向における図１の導波管の断面図である。
【図３】図１の導波管の製造工程を示す模式的断面図である。
【図４】図１の導波管の製造工程を示す模式的断面図である。
【図５】実施例１に係る導波管および比較例１，２に係る導波管の断面図である。
【図６】実施例１および比較例１，２におけるシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の一実施の形態に係る導波管およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下の説明では、０．０５ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯域をテラヘルツ帯域と呼ぶ。本実施の形態に係る導波管は、テラヘルツ帯域内の少なくとも特定の周波数を有する電磁波の伝送が可能である。
【００２６】
（１）導波管の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る導波管の概略構成を示す模式的斜視図である。図１に示すように、導波管１００は、２つの遮蔽部材１０および接着部材３０により構成され、一方向に延びる。
【００２７】
本実施の形態においては、各遮蔽部材１０は、フレキシブル配線回路基板である。２つの遮蔽部材１０は、接着部材３０により接着される。２つの遮蔽部材１０の間に一方向に沿って延びる導波路１が形成される。導波路１は矩形または多角形の断面を有する。図１および図２では、導波路１の断面が六角形に描かれている。導波路１の幅方向の長さＤ３および厚み方向の長さＤ４は、３０μｍ以上５７００μｍ以下であることが好ましい。本例では、導波路１の幅方向の長さＤ３および厚み方向の長さＤ４は、それぞれ８６４μｍおよび４３２μｍである。
【００２８】
接着部材３０は導電性を有する。接着部材３０の導電率は１０５Ｓ／ｍ以上であることが好ましい。この場合、テラヘルツ帯域における電磁波の伝送効率を向上させることができる。本例においては、接着部材３０は、例えば導電性接着剤である。接着部材３０は、例えば導電性テープであってもよいし、導電性ペーストであってもよい。
【００２９】
図２は、一方向における図１の導波管の断面図である。図２に示すように、各遮蔽部材１０は、支持層１１、絶縁層１２および導体層１３が積層された構造を有する。支持層１１は、折曲可能でかつ形状保持性を有する材料により形成され、例えば金属により形成される。本実施の形態では、支持層１１はステンレス鋼により形成される。支持層１１は、銅またはアルミニウム等の他の金属または合金により形成されてもよい。
【００３０】
絶縁層１２は、例えば樹脂により形成される。本実施の形態では、絶縁層１２はポリイミドにより形成される。絶縁層１２は、アクリルまたはポリテトラフルオロエチレン等の他の樹脂により形成されてもよい。導体層１３は、例えば銅により形成される。導体層１３は、銀、金（Ａｕ）、ステンレス鋼またはアルミニウム等の他の金属または合金により形成されてもよい。あるいは、導体層１３が２種類以上の金属の積層膜であってもよい。
【００３１】
遮蔽部材１０が折り曲げ加工されることにより、遮蔽部材１０に２つの平坦部１０ａおよび凹状部１０ｂが形成される。各平坦部１０ａは、平坦に形成され、一方向に沿って延びる。凹状部１０ｂは、一方向に沿って延びるように２つの平坦部１０ａの間に配置される。
【００３２】
一方の遮蔽部材１０の２つの平坦部１０ａにおける導体層１３と他方の遮蔽部材１０の２つの平坦部１０ａにおける導体層１３とが接着部材３０によりそれぞれ接着される。これにより、一方の遮蔽部材１０の凹状部１０ｂにおける導体層１３と他方の遮蔽部材１０の凹状部１０ｂにおける導体層１３とにより取り囲まれた導波路１が形成される。導波路１は、２つの遮蔽部材１０の凹状部１０ｂにおける導体層１３により遮蔽される。
【００３３】
（２）導波管の製造方法
図１の導波管１００の製造工程について説明する。図３は、図１の導波管１００の製造工程を示す模式的断面図である。図３は、一方向における導波管１００の断面に相当する部分の断面を示す。
【００３４】
まず、図３（ａ）に示すように、支持層１１と絶縁層１２とが積層された略矩形状の積層体Ｌ０を用意する。支持層１１の厚みは、例えば０．２μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。厚みが０．２μｍ以上である場合、電磁波の伝送効率を大きくすることができる。また、厚みが１０００μｍ以下である場合、遮蔽部材１０のフレキシブル性を高くすることができる。本例では、支持層１１の厚みは、例えば５０μｍである。
【００３５】
絶縁層１２の厚みは、例えば１μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。本例では、絶縁層１２の厚みは、例えば２０μｍである。これにより、遮蔽部材１０を軽量化するとともに、遮蔽部材１０にフレキシブル性を付与することができる。
【００３６】
次に、積層体Ｌ０の絶縁層１２上に導体層１３を形成することにより、図３（ｂ）に示すように、支持層１１、絶縁層１２および導体層１３からなる積層体Ｌ１を形成する。導体層１３は、金属蒸着またはスパッタリング等の薄膜製造技術を用いて形成される。このように、積層体Ｌ１は、フレキシブル配線回路基板の製造技術を用いて製造することができる。
【００３７】
導体層１３の厚みは、例えば０．２μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。厚みが０．２μｍ以上である場合、電磁波の伝送効率を大きくすることができる。また、厚みが１０００μｍ以下である場合、遮蔽部材１０のフレキシブル性を高くすることができる。さらに、電磁波は表皮効果により所定の厚み以上導体層１３の内部に侵入しないため、厚みを１０００μｍよりも大きくする必要がない。本例では、導体層１３の厚みは、例えば１６μｍである。
【００３８】
続いて、図３（ｃ）に示すように、積層体Ｌ１の支持層１１に感光性のドライフィルムレジスト１４を形成する。その後、図３（ｄ）に示すように、ドライフィルムレジスト１４を露光および現像することにより、支持層１１に所定のパターンを有するフォトレジストマスク１４ａを形成する。
【００３９】
次に、塩化鉄溶液等を用いて支持層１１をハーフエッチングすることにより、図３（ｅ）に示すように、支持層１１に複数の（本例では４つ）の線状の浅い溝部Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４を形成する。溝部Ｇ１〜Ｇ４は、図３（ｃ），（ｄ）の工程に代えて、例えばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザを用いて形成されてもよい。溝部Ｇ１〜Ｇ４が形成された積層体Ｌ１の部分がそれぞれ折曲部Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４となる。
【００４０】
続いて、図４（ａ）に示すように、折曲部Ｆ１〜Ｆ４の各々において、積層体Ｌ１を所定の角度で折り曲げる。これにより、２つの平坦部１０ａおよび凹状部１０ｂを有する遮蔽部材１０が完成する。各平坦部１０ａは一方向に沿って延び、凹状部１０ｂは一方向に沿って延びるように２つの平坦部１０ａの間に配置される。
【００４１】
図３（ａ）〜（ｅ）および図４（ａ）の工程で、他の１つの遮蔽部材１０が形成される。その後、図４（ｂ）に示すように、一方の遮蔽部材１０の２つの平坦部１０ａにおける導体層１３と他方の遮蔽部材１０の２つの平坦部１０ａにおける導体層１３とを接着部材３０により接着する。これにより、導波路１を有する導波管１００が完成する。
【００４２】
（３）効果
この導波管１００においては、支持層１１、絶縁層１２および導体層１３からなる積層体Ｌ１が折曲されることにより、凹形状を有する遮蔽部材１０が形成される。２つの遮蔽部材１０が導電性の接着部材３０により接着される。これにより、一方の遮蔽部材１０の凹形状の導体層１３の内面と他方の遮蔽部材１０の凹形状の導体層１３の内面とにより取り囲まれる中空の導波路１が形成される。
【００４３】
この構成によれば、２つの遮蔽部材１０の凹形状の断面の寸法を容易に小さくすることができる。それにより、一方の遮蔽部材１０の凹形状の導体層１３の内面と他方の遮蔽部材１０の凹形状の導体層１３の内面とにより導波路１の断面の寸法を容易に小さくすることができる。したがって、導波路１がテラヘルツ帯域の電磁波を伝送することができる。また、導波路１は中空であるため、誘電損失が最小となる。これらの結果、伝送効率を低下させることなくテラヘルツ帯域の電磁波を伝送可能な導波管１００を容易に製造することができる。
【００４４】
（４）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、導波管１００の２つの遮蔽部材１０は、互いに同一の形状および構成を有するが、これに限定されない。２つの遮蔽部材１０は、互いに異なる形状および構成を有してもよい。
【００４５】
（ｂ）上記実施の形態において、支持層１１に溝部Ｇ１〜Ｇ４が形成されることにより折曲部Ｆ１〜Ｆ４がそれぞれ形成されるが、これに限定されない。支持層１１に線状の印等が形成されることにより折曲部Ｆ１〜Ｆ４が形成されてもよい。あるいは、折曲部Ｆ１〜Ｆ４で支持層１１、絶縁層１２および導体層１３を折曲可能であれば、支持層１１に特に何も形成されなくてもよい。
【００４６】
（ｃ）上記実施の形態において、各遮蔽部材１０は支持層１１を含むが、これに限定されない。各遮蔽部材１０の絶縁層１２および導体層１３が十分な強度および形状保持性を有する場合、各遮蔽部材１０は支持層１１を含まなくてもよい。
【００４７】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００４８】
上記実施の形態においては、導波路１が導波路の例であり、導波管１００が導波管の例であり、遮蔽部材１０が第１および第２の遮蔽部材の例であり、接着部材３０が接着部材の例である。絶縁層１２が第１および第２の絶縁層の例であり、導体層１３が第１および第２の導体層の例であり、支持層１１が第１および第２の支持層の例である。折曲部Ｆ１〜Ｆ４が第１および第２の折曲部の例であり、溝部Ｇ１〜Ｇ４が溝の例であり、積層体Ｌ１が第１および第２の積層体の例である。
【００４９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００５０】
（６）実施例
種々の構造を有する導波管についての電磁波の伝送効率をシミュレーションにより解析した。図５は、実施例１に係る導波管１００および比較例１，２に係る導波管の断面図である。図５は、図２の一方向における導波管１００の断面図に相当する。図５（ａ）は実施例１に係る導波管１００を示し、図５（ｂ），（ｃ）はそれぞれ比較例１，２に係る導波管を示す。
【００５１】
図５（ａ）に示すように、実施例１に係る導波管１００においては、２つの遮蔽部材１０が接着部材３０により接着されることにより、導体層１３の内部に一方向に延びる導波路１が形成される。一方向における導波路１の長さは１ｍｍである。
【００５２】
導波路１の外側の幅方向の長さＤ１は９７８μｍであり、導波路１の外側の厚み方向の長さＤ２は５４６μｍである。導波路１の内側の幅方向の長さＤ３は８６４μｍであり、導波路１の内側の幅方向の長さＤ４は４３２μｍである。
【００５３】
支持層１１は、ステンレス鋼により形成される。支持層１１の導電率は１．４×１０６Ｓ／ｍであり、支持層１１の厚みｔ１は１６μｍである。絶縁層１２はポリイミドにより形成される。絶縁層１２の厚みｔ２は２５μｍである。導体層１３は、銅により形成される。
【００５４】
導体層１３の導電率は５．８×１０７Ｓ／ｍであり、導体層１３の厚みｔ３は１６μｍである。接着部材３０は、導電性接着剤により形成される。接着部材３０の導電率は１０５Ｓ／ｍである。接着部材３０の厚みｔ４（２つの遮蔽部材１０間の隙間）は１５μｍである。
【００５５】
比較例１に係る導波管は、以下の点を除いて実施例１に係る導波管１００と同様の構成を有する。図５（ｂ）に示すように、比較例１に係る導波管においては、２つの遮蔽部材１０における２つの支持層１１が一体的に形成され、２つの絶縁層１２が一体的に形成され、２つの導体層１３が一体的に形成される。そのため、導波管には接着部材３０が設けられない。比較例１に係る導波管は、シミュレーション上で構成される。
【００５６】
図５（ｃ）に示すように、比較例２に係る導波管においては、一方向に延びる矩形状の導体層５０が形成され、導体層５０の内部に導波路１が形成される。比較例２に係る導波管は、矩形状の断面を有する筒体であり、金属導波管をシミュレーション上で小型にした構成を有する。比較例２に係る導波管においては、長さＤ１は１１１４μｍであり、長さＤ２は６８２μｍである。
【００５７】
導体層５０の導電率は５．８×１０７Ｓ／ｍであり、導体層５０の厚みｔ５は１２５μｍである。比較例２に係る一方向における導波路１の長さは、実施例１に係る一方向における導波路１の長さと同様である、また、導波管の長さＤ３，Ｄ４は実施例１に係る導波管の長さＤ３，Ｄ４とそれぞれ同様である。
【００５８】
実施例１に係る導波管１００および比較例１，２に係る導波管を１００ＧＨｚ以上４００ＧＨｚ以下のテラヘルツ帯域の電磁波が伝送するときの伝送特性を表わすＳ２１（透過係数）をシミュレーションにより評価した。図６は、実施例１および比較例１，２におけるシミュレーション結果を示す図である。図６（ａ）〜（ｃ）の縦軸は電磁波の伝送特性Ｓ２１［ｄＢ］を示し、横軸は電磁波の周波数［ＧＨｚ］を示す。図６（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ実施例１および比較例１，２におけるシミュレーション結果である。
【００５９】
図６（ａ）に示すように、実施例１に係る導波管１００においては、１００ＧＨｚ以上１７０ＧＨｚ以下の周波数帯域では、周波数が高くなるにつれて伝送特性Ｓ２１が指数的に０に近づいた。また、１７０ＧＨｚより大きい周波数帯域では、伝送特性Ｓ２１がほぼ０になった。
【００６０】
図６（ｂ），（ｃ）に示すように、比較例１，２に係る導波管においては、実施例１に係る導波管１００と略同一のシミュレーション結果が得られた。実施例１と比較例１，２との比較結果から、実施例１に係る導波管１００は比較例１，２に係る導波管と同様に、テラヘルツ帯域の電磁波をほとんど減衰させずに伝送する機能を有することが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、テラヘルツ帯域の周波数を有する電磁波の伝送に利用することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１  導波路
１０  遮蔽部材
１０ａ  平坦部
１０ｂ  凹状部
１１  支持層
１２  絶縁層
１３，５０  導体層
１４  ドライフィルムレジスト
１４ａ  フォトレジストマスク
３０  接着部材
１００  導波管
Ｆ１〜Ｆ４  折曲部
Ｇ１〜Ｇ４  溝部
Ｌ０，Ｌ１  積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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