(57)【要約】【課題】半導体装置の組み立てにおける信頼性の向上を図る。【解決手段】複数のタイバー２ｆにおいて、タイバー２ｆａとタイバー２ｆｂの交差部２ｈの厚さ、吊りリード２ｃが連結された吊りリード連結部２ｆｄの厚さ、および交差部２ｈと吊りリード連結部２ｆｄとの間の第３部分２ｆｉの厚さが、それぞれ吊りリード２ｃの厚さよりも厚く形成され、かつ下面にテープが貼り付けられたリードフレーム２を用いてＱＦＮを組み立てる。これにより、交差部２ｈから端リード連結部２ｆｆに至る部分が厚く形成され、この部分の下面側に上記テープが密着した状態でモールドを行うことができ、モールド時における上記テープの剥離を低減することができる。【選択図】図９
2015060876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）平面形状が環状の枠部と、平面形状が四角形から成り、かつ、平面視において前記枠部の内側に位置する第１デバイス領域と、平面形状が四角形から成り、かつ、平面視において前記枠部の内側に位置し、かつ、平面視において前記第１デバイス領域の隣に位置する第２デバイス領域と、平面視において前記枠部の内側に位置し、かつ、第１方向にそれぞれ延在する第１タイバーと、平面視において前記枠部の内側に位置し、かつ、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延在する第２タイバーと、を備えたリードフレームを準備する工程；
ここで、
前記第２タイバーは、平面視において、前記第１デバイス領域と前記第２デバイス領域との間に設けられ、
前記第１および第２デバイス領域のそれぞれは、ダイパッドと、前記ダイパッドを支持し、かつ、前記第１および第２タイバーのそれぞれの吊りリード支持部に繋がる吊りリードと、前記第１タイバーのリード支持部に繋がる複数の第１リードと、前記第２タイバーのリード支持部に繋がる複数の第２リードと、を有し、
前記第１および第２タイバーのそれぞれにおける、前記第１タイバーと第２タイバーが交差する交差部の厚さ、前記吊りリードが連結された吊りリード連結部の厚さ、および前記交差部と前記吊りリード連結部との間の厚さは、前記吊りリードの厚さよりも厚く形成され、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、第１表面、前記第１表面に形成された複数の第１電極、および前記第１表面とは反対側の第１裏面を有する第１半導体チップを、第１接着材を介して前記第１デバイス領域における前記ダイパッド上に搭載し、第２表面、前記第２表面に形成された複数の第２電極、および前記第２表面とは反対側の第２裏面を有する第２半導体チップを、第２接着材を介して前記第２デバイス領域における前記ダイパッド上に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記リードフレームの実装面に接着層を介してテープを貼り付けた状態で、前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップおよび複数のワイヤを樹脂で封止し、一括封止体を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記リードフレームから前記テープを剥離し、前記リードフレームのうちの前記一括封止体から露出する部分にメッキ膜を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記一括封止体の表面に接着層を介してテープを貼り付けた状態で、前記第１タイバー、前記第２タイバー、前記一括封止体のうちの前記第１タイバーと重なる部分、および前記一括封止体のうちの前記第２タイバーと重なる部分を除去する工程。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１タイバーにおける前記複数の第１リードおよび前記第２タイバーにおける前記複数の第２リードのうちの最も前記吊りリード連結部に近い端リードが連結された端リード連結部の厚さ、および前記端リード連結部と前記吊りリード連結部との間の厚さは、それぞれ前記吊りリードの厚さよりも厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１タイバーおよび第２タイバーのそれぞれは、平面視において、前記交差部と、平面形状が環状の前記枠部との間に設けられた認識部を有し、
前記認識部の厚さは、前記吊りリードの厚さよりも厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１タイバーおよび第２タイバーのそれぞれは、平面視において、前記交差部と、平面形状が環状の前記枠部との間に設けられた認識部を有し、
前記認識部の厚さは、前記吊りリードの厚さよりも厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１タイバーにおける前記複数の第１リードおよび前記第２タイバーにおける前記複数の第２リードのうちの最も前記吊りリード連結部に近い端リードが連結された端リード連結部の厚さは、前記吊りリードの厚さよりも厚く、かつ前記端リード連結部と前記吊りリード連結部との間の厚さは、前記交差部の厚さよりも薄い、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程と前記（ｃ）工程の間に、前記第１半導体チップの前記複数の第１電極と、前記複数の第１および第２リードのいずれかとを前記複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続し、前記第２半導体チップの前記複数の第２電極と、前記複数の第１および第２リードのいずれかとを前記複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続するワイヤ接続工程を有し、
前記ワイヤ接続工程では、キャピラリを介して前記複数のワイヤと前記複数の第１および第２リードのそれぞれの接合部に超音波を印加する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームは、銅を主成分とする金属材によって形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームは、表面が粗化処理されている、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、例えば、テープが貼り付けられたリードフレームを用いた半導体装置の組み立てに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
モールドパッケージの製造方法において、ダムバーのダイシングで除去される部位にハーフエッチング部が存在するリードフレームを用いた製造方法が、例えば特開２００８−１８２１７５号公報（特許文献１）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１８２１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明者は、例えば上記特許文献１の図２のような、ダイパッド（アイランド部）を支持する吊りリードを例えばハーフエッチングにより薄く形成することで、半導体チップを封止する封止体（モールド樹脂）の実装面から上記吊りリードを露出させないＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）の製造について検討している。
【０００５】
そして、上記ＱＦＮの製造において、全ダイシングエリア（ダムバーとリードの連結部、ダムバーと吊りリードの連結部、各ダムバー同士の交差部を含む）を例えばハーフエッチングにより薄く形成したリードフレームを用いたところ、封止工程（モールド工程）において、リード（特に、吊りリードの隣に位置するリード）の実装面が上記封止体を構成する樹脂（回折樹脂）で覆われてしまった。
【０００６】
詳細に説明すると、本願発明者は、封止体の実装面からリードを露出させるために、上記リードフレームの片面（リードの実装面側に相当する面）にテープ（基材上に接着層が形成されたシート部材）を貼り付けていた。
【０００７】
このとき、ダムバー（タイバー）のうちのリードが繋がる部分（リード支持部）の近傍におけるテープとの接着強度は、その近傍に位置するリードの実装面が上記テープと接触しているため、比較的に高い。一方、ダムバーのうちの吊りリードが繋がる部分（吊りリード連結部）の近傍におけるテープとの接着強度は、その近傍に位置する吊りリードが上記テープと接触しないため、比較的に低い。換言すれば、吊りリード連結部の近傍におけるテープとの接着強度は、上記リード支持部の近傍におけるテープとの接着強度に比べて低い。
【０００８】
この結果、供給された樹脂の圧力により、ダムバーのうちの吊りリードが繋がる部分（吊りリード連結部）の近傍を基点として、テープがリードフレーム（特に、吊りリードの隣に位置するリード）から剥がれることが分かった。
【０００９】
なお、リードの実装面を覆う上記樹脂（回折樹脂）は、樹脂の一部が染み出した、所謂、レジンバリとは異なり、その厚さもレジンバリに比べて大きい。そのため、除去することは困難である。
【００１０】
そこで、本願発明者は、全ダイシングエリアを例えばハーフエッチングにより薄く形成するのではなく、例えば上記特許文献１の図１３のように、各ダムバー同士の交差部（各ダムバーの交点を含む十字部であって、ダムバーのうちの吊りリードとダムバーの連結部で囲まれる部分）は薄く形成しないリードフレーム（検討案）について検討した。
【００１１】
しかしながら、上記検討案では、テープの剥離を十分に抑制できなかった。
【００１２】
本願において開示される実施の形態の目的は、半導体装置の組み立てにおける信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１３】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、ダイパッドの周囲に設けられた複数のタイバーと、複数のタイバーにそれぞれ繋がる複数の吊りリードと、複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う吊りリード間に配置された複数のリードと、を備えたリードフレームを準備する工程を有するものである。ここで、複数のタイバーは、第１タイバーと第２タイバーとを有し、複数のタイバーにおいて、第１タイバーと第２タイバーの交差部の厚さ、吊りリードが連結された吊りリード連結部の厚さ、および交差部と吊りリード連結部との間の厚さは、それぞれ吊りリードの厚さよりも厚く形成されている。
【発明の効果】
【００１５】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の組み立てにおける信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。
【図３】図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。
【図４】図１の半導体装置の構造の一例を示す側面図である。
【図５】図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図６】図１の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図８】図６のリードフレームのＢ部を拡大して示す拡大部分平面図である。
【図９】図８のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。
【図１０】図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１２】図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１４】図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド時の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１６】図１４のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１７】図１４のＣ−Ｃ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１９】図１８に示す樹脂モールド後の実装面側の構造の一例を示す部分裏面図である。
【図２０】図１の半導体装置の組み立てにおける外装メッキ後の実装面側の構造の一例を示す部分裏面図である。
【図２１】図１の半導体装置の組み立てにおける個片化時の実装面側の構造の一例を示す部分裏面図である。
【図２２】図２１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２３】実施の形態の変形例１のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。
【図２４】変形例１のリードフレームを用いた組み立ての樹脂モールド後の実装面側の構造を示す部分裏面図である。
【図２５】変形例１の更なる変形例のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。
【図２６】実施の形態の変形例２のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。
【図２７】変形例２のリードフレームを用いた組み立ての樹脂モールド後の実装面側の構造を示す部分裏面図である。
【図２８】変形例２の更なる変形例のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。
【図２９】実施の形態の変形例３のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。
【図３０】変形例３のリードフレームを用いた組み立ての樹脂モールド後の実装面側の構造を示す部分裏面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２０】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２１】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２３】
（実施の形態）
＜半導体装置＞
図１は実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図３は図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図４は図１の半導体装置の構造の一例を示す側面図、図５は図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【００２４】
本実施の形態の半導体装置は、外部端子となる複数のリード２ａそれぞれの一部が、前記半導体装置の裏面側の周縁部に配置された周辺配置型（ペリフェラルタイプ）のものであり、ここでは、半導体チップ１等を樹脂で封止する樹脂封止型のＱＦＮ５を一例として取り上げて説明する。
【００２５】
さらに、本実施の形態のＱＦＮ５は、その組み立てのモールド工程において、後述する図６に示すリードフレーム２の複数のデバイス領域２ｓが、一括して樹脂モールドされる、所謂一括モールド方式を採用して組み立てられた半導体パッケージである。
【００２６】
前記ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、図２に示す平面形状が略四角形の板状のダイパッド（チップ搭載部、タブ）２ｄと、ダイパッド２ｄを支持する（ダイパッド２ｄと連結する）複数の吊りリード２ｃと、ダイパッド２ｄの周囲に配置され、かつ複数の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う吊りリード２ｃ間に配置された複数のリード２ａとを有している。
【００２７】
さらに、ＱＦＮ５は、図５に示す表面（主面、上面、素子形成面）１ａに複数の電極パッド（ボンディングパッド、電極、端子）１ｃが形成された半導体チップ１と、半導体チップ１の複数の電極パッド１ｃと複数のリード２ａとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ３とを有している。
【００２８】
なお、半導体チップ１は、図５に示すように、表面１ａと、表面１ａとは反対側の裏面（下面）１ｂとを有しており、内部には半導体集積回路が形成されている。また、表面１ａに形成された複数の電極パッド１ｃは、図２に示すように、四角形の表面１ａの４つの辺それぞれに沿って表面１ａの周縁部に並んで配置されている。
【００２９】
さらに、半導体チップ１は、図５に示すように、その裏面１ｂがダイパッド２ｄの上面（チップ搭載面）２ｄａと対向するように、この上面２ｄａにダイボンド材（接着材）６を介して搭載されており、図２に示すように、複数の電極パッド１ｃと、これらにそれぞれ対応する複数のリード２ａとが、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００３０】
また、ＱＦＮ５は、図３〜図５に示すように、半導体チップ１、複数のワイヤ３、ダイパッド２ｄの一部、リード２ａの一部を封止する封止体４を有している。封止体４は、封止用樹脂によって形成されており、封止体４の平面形状は、図１に示すように略四角形であり、その大きさは、例えば９ｍｍ×９ｍｍ程度である。
【００３１】
さらに、ＱＦＮ５では、図３および図５に示すように、ダイパッド２ｄの上面２ｄａと反対側の下面（裏面、実装面）２ｄｂは、封止体４の下面（裏面、実装面）４ｂに露出している。すなわち、ＱＦＮ５は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体パッケージである。また、ダイパッド２ｄの上面２ｄａが半導体チップ１の表面１ａより大きく、所謂、大タブ構造となっている。ただし、大タブ構造以外のもの（例えば、小タブ構造）であってもよい。
【００３２】
また、ＱＦＮ５は、周辺配置型（ペリフェラルタイプ）であるため、リード２ａそれぞれの封止体４から露出する複数の下面（実装面）２ａｂは、図３に示すように、封止体４の下面４ｂの周縁部に並んで配置されている。
【００３３】
また、図５に示すように、各リード２ａは、外部端子として封止体４の下面４ｂに露出するアウター部２ｂと、封止体４内に埋め込まれる部分であり、かつワイヤ３が接続されるインナー部２ｅとを有している。すなわち、複数のリード２ａのそれぞれは、下面２ａｂがアウター部２ｂとして、図３に示すように封止体４の下面４ｂに露出しており、一方、図５に示すように、封止体４の内部に埋め込まれるインナー部２ｅの一部である上面２ａａは、ワイヤ接続面となっており、この上面２ａａにワイヤ３が接続されている。
【００３４】
なお、各リード２ａにおけるアウター部２ｂのダイパッド２ｄ側と反対側の一端は、図４に示すように、外側端面（リード２ａを切断することで形成される切断面）２ａｃとして封止体４の側面４ａに露出している。
【００３５】
ここで、複数のリード２ａにおけるアウター部２ｂのうち、封止体４の下面４ｂ側に露出するそれぞれの下面２ａｂには、半田メッキ膜等の外装メッキ膜１２が形成されている。
【００３６】
また、ＱＦＮ５では、図２に示すように、複数の吊りリード２ｃのそれぞれは、平面視において、ダイパッド２ｄのそれぞれの角部から封止体４のそれぞれの角部に向かって延在している。
【００３７】
すなわち、半導体チップ１が搭載された略四角形のダイパッド２ｄの４つの角部には吊りリード２ｃが連結されており、これにより、ＱＦＮ５では、ダイパッド２ｄはその対角線上に配置された４本の吊りリード２ｃによって角部で支持されている。
【００３８】
したがって、本実施の形態のＱＦＮ５では、複数のリード２ａは、互いに隣り合う２本の吊りリード２ｃの間の領域に、半導体チップ１の４つの辺それぞれに対応して並んで配置されている。
【００３９】
なお、４本の吊りリード２ｃは、その下面側がハーフエッチング加工により薄く形成されており、したがって、樹脂封止時に下面側にも樹脂が回り込むため、図３に示すように封止体４の下面４ｂには露出していない。これにより、ＱＦＮ５を実装基板等に実装する際に、吊りリード２ｃが封止体４の下面４ｂに露出していないため、吊りリード２ｃに隣接するリード２ａと吊りリード２ｃとの実装上の干渉を避けることができ、ＱＦＮ５の実装性を向上させることができる。
【００４０】
また、４本の吊りリード２ｃのそれぞれの端部（ダイパッド２ｄと繋がる端部とは反対側の端部）は、それぞれ先端側で分岐して二股形状となっており、分岐した第１部分２ｃａａと第２部分２ｃａｂが、図４に示すように封止体４の側面４ａに露出している。詳細には、図２に示すように、各吊りリード２ｃの隣の端リード２ｊの先端部と端リード２ｋの先端部を結ぶ仮想線２ｍよりも封止体４（図８に示すデバイス領域２ｓ）の角部側の領域において、隣接する封止体４の側面４ａに向かって枝分かれしている。
【００４１】
なお、ダイパッド２ｄ、各吊りリード２ｃおよび各リード２ａは、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属材料から成るものである。
【００４２】
また、ワイヤ３は、例えば金（Ａｕ）から成るが、銅（Ｃｕ）から成るワイヤ３を用いてもよい。
【００４３】
また、封止体４は、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂にシリカ等のフィラーを含有させた材料から成るものである。
【００４４】
＜半導体装置の製造方法＞
図６は図１の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図、図７は図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図８は図６のリードフレームのＢ部を拡大して示す拡大部分平面図、図９は図８のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。また、図１０は図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１２は図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す部分平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。さらに、図１４は図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド時の構造の一例を示す部分平面図、図１５は図１４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１６は図１４のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１７は図１４のＣ−Ｃ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【００４５】
また、図１８は図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す部分平面図、図１９は図１８に示す樹脂モールド後の実装面側の構造の一例を示す部分裏面図、図２０は図１の半導体装置の組み立てにおける外装メッキ後の実装面側の構造の一例を示す部分裏面図である。さらに、図２１は図１の半導体装置の組み立てにおける個片化時の実装面側の構造の一例を示す部分裏面図、図２２は図２１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【００４６】
１．基材準備
まず、図６に示すようなデバイス領域（デバイス形成部）２ｓが複数形成された薄板状のリードフレーム（基材）２を準備する。デバイス領域２ｓは、１つのＱＦＮ５が形成される領域であり、本実施の形態では、複数のデバイス領域２ｓが一括して樹脂モールドされる、所謂一括モールド方式を採用した組み立てについて説明する。
【００４７】
なお、複数のデバイス領域２ｓは、平面視において、行列状に配置されているが、一列（単列）に配置されていてもよい。
【００４８】
また、それぞれのデバイス領域２ｓは、平面形状が四角形であり、上記複数のデバイス領域２ｓが、リードフレーム２において平面形状が環状の枠部２ｔの内側に配置されている。
【００４９】
本実施の形態では、図６のＢ部に示すように２つのデバイス領域２ｓ（デバイス領域２ｓとその隣に位置する別のデバイス領域２ｓ）を代表して取り上げてＱＦＮ５の組み立てを説明するが、実際のＱＦＮ５の組み立てでは、１枚のリードフレーム２において２個以上の多数のデバイス領域２ｓに対して連続的に処理が行われることが多い。
【００５０】
また、図６に示すリードフレーム２は、２×４＝８個のデバイス領域２ｓを備えたものであるが、１枚のリードフレーム２に形成されるデバイス領域２ｓの数は、２×４＝８個に限定されるものではなく、１×４＝４個や４×８＝３２個等であってもよい。
【００５１】
また、図７に示すように、リードフレーム２には、その下面（実装面）２ｐにテープ１１が貼り付けられている。すなわち、予め下面２ｐにテープ１１が貼り付けられたリードフレーム２を準備する。なお、テープ１１は、基材１１ａ上に接着層（接着材）１１ｂが形成されたシート部材であり、リードフレーム２の下面２ｐに、接着層１１ｂを介して基材１１ａが貼り付けられている。
【００５２】
このテープ１１は、封止体４の下面４ｂから各リード２ａやダイパッド２ｄを露出させるためのものであり、リードフレーム２の下面２ｐにテープ１１を貼り付けた状態でモールドを行い、モールド後にリードフレーム２からテープ１１を剥離することで、封止体４の下面４ｂに各リード２ａやダイパッド２ｄを露出させることができる。
【００５３】
なお、本実施の形態のリードフレーム２に貼り付けられるテープ１１の接着層１１ｂは、その硬度が比較的高いものである。
【００５４】
また、本実施の形態で用いられるリードフレーム２は、上述のように複数のデバイス領域２ｓを備えたものであり、図８に示すようにそれぞれのデバイス領域２ｓには、ダイパッド２ｄと、ダイパッド２ｄの周囲に配置された複数のリード２ａと、ダイパッド２ｄの角部と繋がる複数の吊りリード２ｃとが形成されている。
【００５５】
なお、ダイパッド２ｄの周囲には、デバイス領域２ｓを区画する複数のタイバー（ダムバー）２ｆが設けられている。つまり、隣り合った２つのデバイス領域２ｓの間にはタイバー２ｆが配置されており、デバイス領域２ｓとその隣のデバイス領域２ｓとの間にタイバー２ｆが設けられている。
【００５６】
また、複数の吊りリード２ｃのそれぞれは、複数のタイバー２ｆの何れかに繋がっている。
【００５７】
さらに、複数のタイバー２ｆは、第１方向（長辺に沿った方向）７に延在するタイバー２ｆａと、第１方向７と交差（直交）する第２方向（短辺に沿った方向）８に延在するタイバー２ｆｂとを有している。
【００５８】
また、複数のリード２ａは、複数の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う吊りリード２ｃ間に配置され、かつ、複数のタイバー２ｆにそれぞれ繋がっており、さらに、複数のリード２ａから成るリード群２ｇは、タイバー２ｆａに繋がるリード群２ｇａと、タイバー２ｆｂに繋がるリード群２ｇｂとを有している。
【００５９】
なお、リード群２ｇａは、タイバー２ｆａとタイバー２ｆｂが交差して成る交差部（十字部）２ｈに最も近い端リード２ｊを有しており、一方、リード群２ｇｂは、交差部２ｈに最も近い端リード２ｋを有している。
【００６０】
また、図８に示すように、複数の吊りリード２ｃのうちの吊りリード２ｃａは、平面視において、ダイパッド２ｄから交差部２ｈに向かって延在しており、さらに、平面視において、吊りリード２ｃａと、端リード２ｊと端リード２ｋを結ぶ仮想線２ｍとの交点２ｒと交差部２ｈとの間において、タイバー２ｆａに繋がる第１部分２ｃａａと、タイバー２ｆｂに繋がる第２部分２ｃａｂに分岐されている。
【００６１】
ここで、本実施の形態で用いられるリードフレーム２における交差領域２ｉについて説明する。本実施の形態のリードフレーム２における交差領域２ｉは、各デバイス領域２ｓの端リード２ｊ，２ｋ（計４本）で囲まれる領域であり、また、端リード２ｊ，２ｋと枠部２ｔとによって囲まれる領域も交差領域２ｎとする。
【００６２】
さらに、図９を用いて本実施の形態のリードフレーム２のタイバー２ｆの各部分の定義付けについて説明する。
【００６３】
まず、タイバー２ｆａとタイバー２ｆｂとが交差する部分は、交差部２ｈである。また、タイバー２ｆにおいて吊りリード２ｃの連結を可能にする部分（領域、連結領域）は、吊りリード支持部２ｆｃである。また、タイバー２ｆにおいて吊りリード２ｃが連結された部分は、吊りリード連結部２ｆｄである。また、タイバー２ｆにおいて複数のリード２ａの連結を可能にする部分（領域、連結領域）は、リード連結部２ｆｅである。さらに、タイバー２ｆにおいて端リード２ｊ，２ｋが連結された部分は、端リード連結部２ｆｆである。
【００６４】
また、タイバー２ｆにおいてダイシング時に認識を行う際のアライメントパターンとなる部分が、認識部２ｆｇ（平面形状が四角形），２ｆｈ（平面形状が円形）である。
【００６５】
また、タイバー２ｆにおいて交差部２ｈと吊りリード連結部２ｆｄの間の部分が、第３部分２ｆｉである。また、タイバー２ｆにおいて吊りリード連結部２ｆｄと端リード連結部２ｆｆの間の部分が、第４部分２ｆｊである。また、タイバー２ｆにおいて交差部２ｈと認識部２ｆｈの間の部分が、第５部分２ｆｋである。さらに、タイバー２ｆにおいて交差部２ｈと認識部２ｆｇの間の部分が、第６部分２ｆｍである。
【００６６】
次に、上述の定義付けを用い、図９に示す本実施の形態のリードフレーム２において、ハーフエッチング加工により厚さが薄くなっている箇所について説明する。
【００６７】
図９は、リードフレーム２の下面（実装面）２ｐ側を眺めた図であるが、ハッチングが付された箇所がハーフエッチング加工によって薄く形成された箇所である。
【００６８】
本実施の形態では、交差領域２ｉに示すように、枝分かれした第１部分２ｃａａと第２部分２ｃａｂをそれぞれ含む複数の吊りリード２ｃがハーフエッチング加工によって薄くなっている。さらに、複数のタイバー２ｆのそれぞれにおいて、端リード連結部２ｆｆを除いたリード連結部２ｆｅがハーフエッチング加工によって薄くなっている。
【００６９】
また、枠部２ｔに係る交差領域２ｎに示すように、交差部２ｈと認識部２ｆｈの間の第５部分２ｆｋ、および交差部２ｈと認識部２ｆｇの間の第６部分２ｆｍがそれぞれハーフエッチング加工によって薄くなっている。すなわち、認識部２ｆｇ，２ｆｈは、ダイシング時の認識用のアライメントパターン（ターゲットマーク）として用いられるため、ハーフエッチング加工が施されずに、厚くなっている。
【００７０】
なお、図９のリードフレーム２において、ハッチングが付されていない部分（例えば、ダイパッド２ｄ、各リード２ａ、枠部２ｔ等）の厚さは、上述のハーフエッチング加工が施された部分よりも厚さが厚いことは言うまでもない。
【００７１】
したがって、本実施の形態のリードフレーム２では、複数のタイバー２ｆのそれぞれにおいて、交差部２ｈの厚さ、吊りリード２ｃが連結された吊りリード連結部２ｆｄの厚さ、および交差部２ｈと吊りリード連結部２ｆｄとの間の第３部分２ｆｉの厚さは、それぞれ吊りリード２ｃの厚さよりも厚く形成されている。すなわち、交差部２ｈ、吊りリード連結部２ｆｄおよび第３部分２ｆｉは、ハーフエッチング加工されていないため、ハーフエッチング加工された吊りリード２ｃに比べて厚くなっている。
【００７２】
また、複数のタイバー２ｆのそれぞれにおいて、複数のリード２ａのうちの最も吊りリード連結部２ｆｄに近い端リード２ｊ，２ｋが連結された端リード連結部２ｆｆの厚さ、および端リード連結部２ｆｆと吊りリード連結部２ｆｄとの間の第４部分２ｆｊの厚さは、それぞれ吊りリード２ｃの厚さよりも厚い。
【００７３】
さらに、複数のタイバー２ｆのそれぞれにおいて、交差部２ｈと環状の枠部２ｔとの間の部分には認識部２ｆｇ（２ｆｈ）が設けられており、この認識部２ｆｇ（２ｆｈ）の厚さは、吊りリード２ｃの厚さよりも厚くなっている。
【００７４】
つまり、本実施の形態のリードフレーム２では、それぞれのタイバー２ｆにおいて、交差部２ｈ、第３部分２ｆｉ、吊りリード連結部２ｆｄ、第４部分２ｆｊ、端リード連結部２ｆｆおよび認識部２ｆｇ（２ｆｈ）は、ハーフエッチング加工されずに吊りリード２ｃより厚くなっている。言い換えると、それぞれのタイバー２ｆにおいて、交差部２ｈから吊りリード２ｃの近くの端リード連結部２ｆｆまでをハーフエッチング加工せずに厚くしている。
【００７５】
これにより、下面（実装面）２ｐに貼り付けられたテープ１１との間で、特に、交差領域２ｉや交差領域２ｎ等の各デバイス領域２ｓの角部付近（交差部２ｈ付近）に対するリードフレーム２とテープ１１との接着強度が高められている。
【００７６】
なお、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）は、個片化工程でダイシングが行われる図２１のダイシングエリア（ダイシングライン）１６の延長線上にアライメントパターンとして設けられているものである。すなわち、ダイシング時には、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）を認識して上述のダイシングエリア１６を導き出し、その導き出した結果に基づいてダイシングを行う。
【００７７】
したがって、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）は、ハーフエッチング加工せずに厚く残しておく代わりに、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）の周囲はハーフエッチング加工を行って薄くしている。つまり、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）が孤立したパターンに見えるように、各タイバー２ｆの交差部２ｈや吊りリード２ｃの第１部分２ｃａａ（第２部分２ｃａｂ）とは同じ厚さの状態で繋がらないようにしている（認識部２ｆｇ（２ｆｈ）の周囲はハーフエッチング加工によって段差が付くようにされている）。
【００７８】
これにより、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）を認識し易くすることができる。
【００７９】
また、認識部２ｆｇの平面形状は、四角形であり、一方、認識部２ｆｈの平面形状は、円形である。これは、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）の配列方向（第１方向７、第２方向８）に応じて認識部２ｆｇ（２ｆｈ）の平面形状を種類分けしたものであり、これにより、リードフレーム２の向き（方向）を判別することができる。
【００８０】
ただし、ダイシングエリア１６を特定することのみを目的とした場合は、認識部２ｆｇと認識部２ｆｈの平面形状は、同じ形状でもよい。
【００８１】
また、本実施の形態のリードフレーム２は、各リード２ａ、各吊りリード２ｃおよび各タイバー２ｆ等のリードパターンの加工は、例えばエッチング（化学的作用）加工によって行われたものである。
【００８２】
さらに、リードフレーム２は、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属材から成るものである。
【００８３】
また、本実施の形態のリードフレーム２は、その表面（少なくとも図７に示す上面２ｑと下面２ｐ）が、粗化処理されている（図示せず）。例えば、リードフレーム２の上記表面は、図５に示す半導体チップ１の裏面（研磨面）１ｂに比べて平坦度が低い。
【００８４】
これにより、ダイパッド２ｄ、各リード２ａおよび各吊りリード２ｃ等と封止体４（封止用樹脂）との接着強度（密着性）が高められている。
【００８５】
２．ダイボンド
ダイボンド工程では、図１０および図１１に示すように、ダイボンド材６を介して半導体チップ１をダイパッド２ｄの上面２ｄａに搭載する。すなわち、テープ１１が貼り付けられたリードフレーム２を準備した後、複数の電極パッド１ｃが形成された表面１ａと裏面１ｂとを有する半導体チップ１を、ダイボンド材６を介してダイパッド２ｄ上に搭載する。
【００８６】
３．ワイヤボンド
ワイヤボンド工程では、図１２および図１３に示すように、半導体チップ１の複数の電極パッド１ｃと複数のリード２ａを、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。詳細には、キャピラリ１３を介して複数のワイヤ３と複数のリード２ａの接合部に超音波１４を印加し、さらにステージ（図示せず）から上記接合部に熱を印加してワイヤボンドを行う。
【００８７】
ここで、ワイヤボンド時に印加する超音波１４とリードフレーム２に貼り付けられたテープ１１との関係について説明する。
【００８８】
近年、半導体装置の小型化および低コスト化を考慮して、使用するワイヤ３の径は、従来品に比べて細くなってきている。一方、ワイヤボンド工程では、ワイヤ３の接合強度を確保するために、ワイヤ３の接合部に、熱だけでなく超音波１４を印加している。そして、超音波がワイヤ３の接合部に対してより伝わり易くするために、リードフレーム２の片面（下面２ｐ、実装面）に貼り付けるテープ１１についても、従来よりも高い硬度のものを用いることが好ましい。
【００８９】
この時、テープ１１（接着層１１ｂ）の硬度が高いと、テープ１１とリードフレーム２の密着性が低下して、リードフレーム２からテープ１１が剥がれ易くなるという課題が発生する。
【００９０】
しかしながら、本実施の形態では、リードフレーム２のそれぞれのタイバー２ｆにおいて、交差部２ｈから吊りリード２ｃの近くの端リード連結部２ｆｆまでをハーフエッチング加工することなく厚く形成しており、これにより、リードフレーム２における交差領域２ｉや交差領域２ｎ等の各デバイス領域２ｓの角部付近（交差部２ｈ付近）に対してテープ１１との接着強度が高められている。
【００９１】
すなわち、本実施の形態のリードフレーム２は、そのタイバー２ｆのうちの吊りリード２ｃが繋がる部分（吊りリード連結部２ｆｄ）の近傍において、テープ１１との接着強度が高められているため、ワイヤボンド時に超音波１４や熱が印加されてもテープ１１のリードフレーム２からの剥離を抑える、または防止することができる。
【００９２】
また、硬度が高いテープ１１を採用することにより、ワイヤボンド時の超音波１４をワイヤ３の接合部に伝わり易くすることができ、径が小さいワイヤ３を使用した半導体装置の組み立てであっても、ワイヤ３の接合強度を確保することができる。
【００９３】
４．モールド
モールド工程では、図１４〜図１７に示すように、樹脂封止金型１５を用いて半導体チップ１および複数のワイヤ３を樹脂封止する。本実施の形態のモールドは、図９に示すリードフレーム２の複数のデバイス領域２ｓを一括して樹脂モールドする、所謂一括モールド方式であるため、図１５に示す樹脂封止金型１５の上型１５ａの１つのキャビティ１５ｃによって、リードフレーム２の複数のデバイス領域２ｓを覆った状態でモールドを行い、これにより、図１８に示すような一括封止体４ｃを形成する。
【００９４】
詳細には、図１５および図１６に示すように、まず、上型１５ａと下型１５ｂを有する樹脂封止金型１５を準備し、さらに下型１５ｂ上にリードフレーム（基材）２を配置する。この時、下型１５ｂ上に、テープ１１を介してリードフレーム２が配置されるようにリードフレーム２を搭載する。
【００９５】
その後、上型１５ａと下型１５ｂとにより、リードフレーム２の枠部２ｔをクランプし、このクランプ状態でキャビティ１５ｃ内に樹脂を供給して封止を行う。すなわち、各タイバー２ｆは上型１５ａと下型１５ｂでクランプせず、リードフレーム２の下面（実装面）２ｐにテープ１１を貼り付けた状態で、半導体チップ１および複数のワイヤ３を樹脂で封止して一括封止体４ｃを形成する。
【００９６】
なお、図１５〜図１７は、モールド時のリードフレーム２の各部分の断面を示したものであり、図１５は、主に各リード２ａとリード連結部２ｆｅ、さらにダイパッド２ｄの断面を示したものである。図１５に示すように、各リード２ａとダイパッド２ｄは、ハーフエッチング加工されていない厚い部分であるため、それぞれの下面２ａｂ，２ｄｂにテープ１１が貼り付けられた状態となっており、この状態でモールドが行われる。
【００９７】
また、図１６は、主にタイバー２ｆａ（２ｆ）の断面を示したものである。図１６に示すように、本実施の形態のリードフレーム２では、タイバー２ｆａの交差部２ｈ、吊りリード連結部２ｆｄ、端リード連結部２ｆｆ、第３部分２ｆｉおよび第４部分２ｆｊ（交差部２ｈから端リード連結部２ｆｆに至る部分）がハーフエッチング加工されていない厚い部分であるため、それぞれの下面側にもテープ１１が貼り付けられた状態となっている。また、認識部２ｆｈもハーフエッチング加工されていない厚い部分であるため、この下面側にもテープ１１が貼り付けられており、この状態でモールドが行われる。
【００９８】
しかしながら、認識部２ｆｈと交差部２ｈの間の第５部分２ｆｋとリード連結部２ｆｅは、それぞれ下面側がハーフエッチング加工されているため、テープ１１との間に隙間Ｐ，Ｑが形成された状態となっている。
【００９９】
また、図１７は、主に吊りリード２ｃの断面を示したのである。図１７に示すように、吊りリード２ｃはその下面側がハーフエッチング加工されているため、テープ１１との間に隙間Ｒが形成された状態となっており、この状態でモールドが行われる。
【０１００】
図１５〜図１７に示す状態で上型１５ａのキャビティ１５ｃ内に樹脂を供給してモールドを行う。この時、本実施の形態のリードフレーム２は、そのタイバー２ｆ同士の交差部２ｈから端リード連結部２ｆｆに至る部分がハーフエッチング加工されていない厚い部分であり、下面側にテープ１１が密着した状態であるため、リード２ａ（特に端リード２ｊ，２ｋ）の下面２ａｂを覆うような樹脂（回折樹脂）を発生させることなくモールドを行うことができる。
【０１０１】
次に、キャビティ１５ｃ内への樹脂の充填完了後、樹脂の仮硬化を行い、その後、上型１５ａと下型１５ｂのクランプを解放し、離型を行う。この時、リードフレーム２の上面２ｑには、図１８に示すような複数のデバイス領域２ｓを一括して覆う一括封止体４ｃが形成されている。
【０１０２】
その後、リードフレーム２からテープ１１を剥離し、剥離後、一括封止体４ｃの本硬化を行う。
【０１０３】
ここで、リードフレーム２の表面に施す粗化処理と封止用の樹脂との密着性について説明する。
【０１０４】
本実施の形態のリードフレーム２は、その材料として、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする材料を用いている。一方、封止体（半導体チップ１を封止するもの）４は、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂に、シリカ等のフィラーを含有させたものから成る。そのため、リードフレーム２と封止体４の接着強度（密着性）は、例えばシリコンから成る半導体チップ１と封止体４の接着強度（密着性）よりも低い。
【０１０５】
そこで、本実施の形態では、リードフレーム２の表面（少なくともチップ搭載面（上面２ｑ）と実装面（下面２ｐ）の両面）を、鏡面仕上げとするのではなく、粗化処理により粗らしており（平坦度を低下させている）、これにより、樹脂との接着強度を高めている。
【０１０６】
ところが、リードフレーム２はその表面が粗化処理されているため、リードフレーム２とテープ１１の密着性が低下してテープ１１が剥がれ易くなるという課題が発生する。
【０１０７】
しかしながら、本実施の形態では、リードフレーム２のそれぞれのタイバー２ｆにおいて、交差部２ｈから吊りリード２ｃの近くの端リード連結部２ｆｆまでをハーフエッチング加工することなく厚く形成しており、これにより、リードフレーム２における交差領域２ｉや交差領域２ｎ等の各デバイス領域２ｓの角部付近（交差部２ｈ付近）に対してテープ１１との接着強度が高められている。
【０１０８】
すなわち、本実施の形態のリードフレーム２は、そのタイバー２ｆ同士の交差部２ｈから端リード連結部２ｆｆに至る部分が厚い部分であり、この部分の下面側にテープ１１が密着した状態でモールドが行われるため、例えリードフレーム２の表面に粗化処理が施されていた場合であっても、リード２ａの下面２ａｂを覆うような回折樹脂を発生させることなくモールドを行うことができる。
【０１０９】
図１９に示すように、モールド後のリードフレーム２の実装面側の構造においては、端リード２ｊ，２ｋを含む複数のリード２ａの下面（実装面）２ａｂ上に回折樹脂が形成されることなく、全てのリード２ａの下面２ａｂ（図１５参照）およびダイパッド２ｄの下面２ｄｂ（図１５参照）、さらに認識部２ｆｇ（２ｆｈ）を一括封止体４ｃの実装面から露出させることができる。
【０１１０】
その結果、ＱＦＮ５の組み立てにおける信頼性の向上を図ることができる。
【０１１１】
５．外装メッキ
外装メッキ工程では、図２０に示すように、リードフレーム２における一括封止体４ｃから露出する部分に外装メッキ膜１２を形成する。
【０１１２】
本実施の形態の外装メッキ膜１２は、例えば電解メッキ方法によって形成された半田材から成るメッキ膜である。なお、本実施の形態で使用する上記半田材は、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、または錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）などである。
【０１１３】
ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances)指令の基準として定められている。
【０１１４】
６．個片化
個片化工程では、図２１および図２２に示すように、回転刃であるブレード９を用いたダイシングによって個片化を行う。ここでは、一括封止体４ｃの表面４ｄにダイシングテープ１０を貼り付けた状態で、複数のタイバー２ｆ、および一括封止体４ｃのうちの複数のタイバー２ｆのそれぞれと重なる部分を除去する。
【０１１５】
詳細には、まず、それぞれデバイス領域２ｓ（図９参照）の外側に配置され、かつ対向して配置された２つの認識部（アライメントマーク）２ｆｇ（認識部２ｆｈでもよい）を認識することにより、図２１に示すダイシングエリア（ダイシングライン）１６を特定する。なお、図１９や図２０に示す部分拡大図には、デバイス領域２ｓの外側の一方の辺側の認識部２ｆｇ（２ｆｈ）しか表されていないが、図６に示す１枚のリードフレーム２には、デバイス領域２ｓの外側の対向する他方の辺側にも同様に認識部２ｆｇ（２ｆｈ）が形成されており、認識部２ｆｇ（２ｆｈ）は、リードフレーム２の長辺および短辺のそれぞれの両側に設けられている。
【０１１６】
その後、ダイシングエリア１６に沿って回転するブレード９をリードフレーム２の一方の辺側から他方の辺（対向する辺）に向かって走行させて切断を行う。
【０１１７】
なお、一例として、リードフレーム２のタイバー２ｆの幅は、０．１２ｍｍであり、この場合、ブレード９は、幅０．３０ｍｍ程度のものを用いることが好ましい。また、ブレード９は、その幅がダイシングエリア１６の幅と同じものを使用してもよいが、位置ずれを考慮すると、ダイシングエリア１６の幅よりも小さい幅から成るブレード９を使用することが好ましい。
【０１１８】
＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１１９】
（変形例１）
図２３は実施の形態の変形例１のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図、図２４は変形例１のリードフレームを用いた組み立ての樹脂モールド後の実装面側の構造を示す部分裏面図、図２５は変形例１の更なる変形例のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。本変形例１のリードフレーム２と、上記実施の形態のリードフレーム２（図９参照）との相違点は、以下の通りである。
【０１２０】
すなわち、各タイバー２ｆにおいて、端リード連結部２ｆｆと吊りリード連結部２ｆｄの間の第４部分２ｆｊの厚さが交差部２ｈの厚さよりも薄く形成されている。
【０１２１】
換言すれば、本変形例１の図２３のリードフレーム２は、上記実施の形態の図９のリードフレーム２に比べて、タイバー２ｆにおける第４部分２ｆｊをハーフエッチング加工することで、この第４部分２ｆｊの厚さを交差部２ｈの厚さよりも薄く形成したものであり、それ以外の構造は、図９のリードフレーム２と全く同じである。
【０１２２】
言い換えると、各タイバー２ｆにおいて、交差部２ｈから吊りリード連結部２ｆｄまで（リード２ａの実装面における長辺の長さと同じ長さの部分、もしくはリード２ａの実装面におけるダイパッド側の端部と同じ位置の部分まで）がハーフエッチング加工されずに厚く形成されている構造のものである。
【０１２３】
これにより、リードフレーム２における各デバイス領域２ｓの角部付近におけるテープ１１の接着強度が、上記実施の形態のリードフレーム２（図９参照）に比べて僅かに低下するものの、交差部２ｈ、交差部２ｈから吊りリード連結部２ｆｄの間の第３部分２ｆｉ、吊りリード連結部２ｆｄ、さらには、端リード連結部２ｆｆのそれぞれの厚さが厚く形成されているため、テープ１１の剥離を抑制する効果は十分に得ることができる。
【０１２４】
さらに、各タイバー２ｆにおける第４部分２ｆｊがハーフエッチング加工されて薄くなっているため、個片化工程において切断するタイバー２ｆの量（切断量）を低減することができ、ブレード９に掛かる負荷を減らす、さらには、ダイシングにより発生する異物の発生量を低減することができる。この結果、実施の形態の図９のリードフレーム２に比べてブレード９の長寿命化を図ることができる。
【０１２５】
なお、上記のように、各タイバー２ｆにおける第４部分２ｆｊは、ハーフエッチング加工により薄く形成されているため、モールド工程を行った後は、この第４部分２ｆｊが樹脂で覆われ、図２４に示すように露出しない。
【０１２６】
また、本変形例１では、リード連結部２ｆｆと吊りリード連結部２ｆｄの間の第４部分２ｆｊに対してハーフエッチング加工を施すことについて説明しているが、図２５に示すように、少なくとも第４部分２ｆｊの一部（図２５では、第４部分２ｆｊの長さの半分）のみに対して、ハーフエッチング加工を施しても良い。
【０１２７】
（変形例２）
図２６は実施の形態の変形例２のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図、図２７は変形例２のリードフレームを用いた組み立ての樹脂モールド後の実装面側の構造を示す部分裏面図、図２８は変形例２の更なる変形例のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図である。
【０１２８】
本変形例２のリードフレーム２（図２６参照）は、変形例１のリードフレーム２（図２３参照）に対して、各タイバー２ｆにおいて、さらに端リード連結部２ｆｆの厚さを交差部２ｈの厚さよりも薄く形成したものである。
【０１２９】
すなわち、端リード連結部２ｆｆと第４部分２ｆｊがハーフエッチング加工されて薄く形成され、交差部２ｈの厚さよりも薄くなっている。
【０１３０】
これにより、リードフレーム２における各デバイス領域２ｓの角部付近におけるテープ１１の接着強度が、上記変形例１のリードフレーム２（図２３参照）に比べて僅かに低下するものの、交差部２ｈ、交差部２ｈから吊りリード連結部２ｆｄの間の第３部分２ｆｉ、さらには、吊りリード連結部２ｆｄのそれぞれの厚さが厚く形成されているため、テープ１１の剥離を抑制する効果は十分に得ることができる。
【０１３１】
さらに、各タイバー２ｆにおける第４部分２ｆｊと端リード連結部２ｆｆがハーフエッチング加工されて薄くなっているため、上記変形例１に比べて、個片化工程において切断するタイバー２ｆの量（切断量）をさらに低減することができる。そのため、上記変形例１に比べてブレード９に掛かる負荷を減らす、さらには、ダイシングにより発生する異物の発生量を低減することができ、この結果、上記変形例１のリードフレーム２に比べてブレード９の長寿命化を図ることができる。
【０１３２】
なお、上記のように、各タイバー２ｆにおける第４部分２ｆｊと端リード連結部２ｆｆは、ハーフエッチング加工により薄く形成されているため、モールド工程を行った後は、この第４部分２ｆｊと端リード連結部２ｆｆが樹脂で覆われ、図２６に示すように露出しない。
【０１３３】
また、本変形例２では、リード連結部２ｆｆと吊りリード連結部２ｆｄの間の第４部分２ｆｊに対してハーフエッチング加工を施すことについて説明しているが、図２８に示すように、少なくとも第４部分２ｆｊの一部（図２８では、第４部分２ｆｊの長さの半分）のみに対して、ハーフエッチング加工を施しても良い。
【０１３４】
（変形例３）
図２９は実施の形態の変形例３のリードフレームにおけるハーフエッチング領域を示す部分平面図、図３０は変形例３のリードフレームを用いた組み立ての樹脂モールド後の実装面側の構造を示す部分裏面図である。
【０１３５】
本変形例３のリードフレーム２（図２９参照）は、変形例２のリードフレーム２（図２６参照）に対して、それぞれのタイバー２ｆにおいて、さらに吊りリード連結部２ｆｄの厚さを交差部２ｈの厚さよりも薄く形成したものである。
【０１３６】
すなわち、交差領域２ｉ，２ｎ付近では、端リード連結部２ｆｆと第４部分２ｆｊと吊りリード連結部２ｆｄがハーフエッチング加工されて薄く形成され、交差部２ｈの厚さよりも薄くなっている。言い換えると、交差部２ｈから吊りリード連結部２ｆｄの内側の部分までがハーフエッチング加工されずに厚くなっている。
【０１３７】
これにより、モールド時、この第４部分２ｆｊと端リード連結部２ｆｆと吊りリード連結部２ｆｄは樹脂で覆われ、モールド後は図３０に示すように露出しない。その結果、上記変形例１（図２３参照）、上記変形例１の変形例（図２５参照）、上記変形例２（図２６参照）および上記変形例２の変形例（図２８参照）の各リードフレーム２に比べて、個片化工程でダイシングを行う際のタイバー２ｆの切断量をさらに低減してブレード９に掛かる負荷をさらに減らすことができ、各リードフレーム２（図２３、図２５、図２６、図２８参照）に比べてさらにブレード９の長寿命化を図ることができる。
【０１３８】
ただし、上記実施の形態および上記変形例１、上記変形例１の変形例、上記変形例２および上記変形例２の変形例に比べて、モールド時に端リード２ｊ，２ｋの実装面がテープ１１から剥がれる可能性は、さらに高くなる。
【０１３９】
（変形例４）
上記実施の形態では、半導体装置（ＱＦＮ５）がダイパッド露出型（タブ露出型）である場合を取り上げて説明したが、上記半導体装置は、ダイパッド２ｄが封止体４の内部に埋め込まれたダイパッド内蔵型であってもよい。この場合、ダイパッド２ｄの裏面側がハーフエッチング加工されて薄く形成されたことによるダイパッド内蔵型であってもよいし、あるいは、吊りリード２ｃがオフセット加工（アップセット加工）されたことによるダイパッド内蔵型であってもよい。
【０１４０】
（変形例５）
上記実施の形態の半導体装置の組み立てでは、予めテープ１１が貼り付けられたリードフレーム２を準備し、このリードフレーム２を用いてＱＦＮ５を組み立てる場合を説明したが、まず、テープ１１が貼り付けられていないリードフレーム２のみを準備し、ダイボンド工程の前に、リードフレーム２の下面２ｐにテープ１１を貼り付ける製造方法を適用してもよい。
【０１４１】
（変形例６）
上記実施の形態では、リードフレーム２のリードパターンの加工が、エッチング（化学的作用）加工によって行われた場合を説明したが、リードフレーム２の加工は、ダイシングブレードや切断金型等による機械的作用（機械加工）で行ったものであってもよい。
【０１４２】
（変形例７）
上記実施の形態では、リードフレーム２が、銅（Ｃｕ）を主成分とする金属材から成る場合を説明したが、リードフレーム２は、鉄（Ｆｅ）もしくは鉄を主成分とする金属材から成るものであってもよい。
【０１４３】
（変形例８）
上記実施の形態では、外装メッキ工程において電解メッキ方法によりリード２ａやダイパッド２ｄにメッキ膜が形成される場合を説明したが、上記メッキ膜は、無電解メッキ方法によって形成されるものであってもよい。
【０１４４】
（変形例９）
上記実施の形態では、外装メッキ工程においてリード２ａやダイパッド２ｄに形成される外装メッキ膜１２が半田材から成るメッキ膜であり、上記半田材は、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、鉛フリー半田の場合を説明したが、上記半田材は、鉛を含む半田材であってもよい。ただし、環境汚染問題を考慮すれば、上記鉛フリー半田からなる半田材の使用が好ましい。
【０１４５】
（変形例１０）
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【０１４６】
その他、実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
（項１）
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のタイバーと、前記ダイパッドを支持し、かつ前記複数のタイバーにそれぞれ繋がる複数の吊りリードと、前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う吊りリード間に配置され、かつ、前記複数のタイバーにそれぞれ繋がる複数のリード群と、を備えたリードフレームを準備する工程；
ここで、
前記複数のタイバーは、第１方向に延在する第１タイバーと、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２タイバーと、を有し、
前記複数のリード群は、前記第１タイバーに繋がる第１リード群と、前記第２タイバーに繋がる第２リード群と、を有し、
前記複数の吊りリードのうちの第１吊りリードは、平面視において、前記ダイパッドから前記第１タイバーと第２タイバーの交差部に向かって延在しており、
前記第１リード群は、前記交差部に最も近い第１端リードを有し、
前記第２リード群は、前記交差部に最も近い第２端リードを有し、
前記第１吊りリードは、平面視において、前記第１吊りリードと、前記第１端リードと前記第２端リードを結ぶ仮想線との交点と前記交差部との間において、前記第１タイバーに繋がる第１部分と、前記第２タイバーに繋がる第２部分に分岐され、
前記複数のタイバーのそれぞれにおいて、前記交差部の厚さ、および前記吊りリードが連結された吊りリード連結部と前記交差部との間の厚さは、それぞれ前記吊りリードの厚さよりも厚く形成され、
前記複数のタイバーのそれぞれは、平面視において、前記交差部と、平面形状が環状の枠部との間に設けられた認識部を有し、
前記認識部の厚さは、前記吊りリードの厚さよりも厚く形成され、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、接着材を介して前記ダイパッド上に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記リードフレームの実装面に接着層を介してテープを貼り付けた状態で、前記半導体チップおよび複数のワイヤを樹脂で封止し、一括封止体を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記リードフレームから前記テープを剥離し、前記リードフレームのうちの前記一括封止体から露出する部分にメッキ膜を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記一括封止体の表面に接着層を介してテープを貼り付けた状態で、前記複数のタイバー、および前記一括封止体のうちの前記複数のタイバーのそれぞれと重なる部分を除去する工程。
【符号の説明】
【０１４７】
１  半導体チップ
１ａ  表面（上面、主面、素子形成面）
１ｂ  裏面（下面）
１ｃ  電極パッド（ボンディングパッド、電極、端子）
２  リードフレーム
２ａ  リード
２ａａ  上面
２ａｂ  下面（実装面）
２ａｃ  外側端面
２ｂ  アウター部
２ｃ，２ｃａ  吊りリード
２ｃａａ  第１部分
２ｃａｂ  第２部分
２ｄ  ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
２ｄａ  上面（チップ搭載面）
２ｄｂ  下面（裏面、実装面）
２ｅ  インナー部
２ｆ，２ｆａ，２ｆｂ  タイバー
２ｆｃ  吊りリード支持部
２ｆｄ  吊りリード連結部
２ｆｅ  リード連結部
２ｆｆ  端リード連結部
２ｆｇ，２ｆｈ  認識部（アライメントパターン）
２ｆｉ  第３部分
２ｆｊ  第４部分
２ｆｋ  第５部分
２ｆｍ  第６部分
２ｇ，２ｇａ，２ｇｂ  リード群
２ｈ  交差部
２ｉ  交差領域
２ｊ，２ｋ  端リード
２ｍ  仮想線
２ｎ  交差領域
２ｐ  下面（実装面）
２ｑ  上面
２ｒ  交点
２ｓ  デバイス領域
２ｔ  枠部
３  ワイヤ
４  封止体
４ａ  側面
４ｂ  下面（裏面、実装面）
４ｃ  一括封止体
４ｄ  表面
５  ＱＦＮ（半導体装置）
６  ダイボンド材（接着材）
７  第１方向（長辺方向）
８  第２方向（短辺方向）
９  ブレード
１０  ダイシングテープ
１１  テープ
１１ａ  基材
１１ｂ  接着層
１２  外装メッキ膜
１３  キャピラリ
１４  超音波
１５  樹脂封止金型
１５ａ  上型
１５ｂ  下型
１５ｃ  キャビティ
１６  ダイシングエリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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