(57)【要約】【課題】金属製筐体の隙間全周を覆うことなく、金属板と金属板が重なった部分の隙間を通過した後の電磁波の電界強度を任意の値以下とすることができる金属製筐体の設計方法を提供する。【解決手段】本発明は、電磁波源が収容される金属製筐体の金属板と金属板が重なった隙間に挟まれる複数の導電体の間隔、導電体の厚み、長さを設定するものである。【選択図】図３
2015082639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製筐体の金属板と金属板が重なった部分の隙間に複数の導電体を挟み、
前記導電体の厚みがu0(cm)（ただし、u0＜w0）、前記導電体の長さがl0(cm)、前記導電体の間隔がw0(cm)である基準状態を設定し、
前記基準状態において、前記隙間を通過した後の電磁波の電界強度である基準電界強度E0(V/m)を測定し、
導電体の挟んだ隙間を通過した後の電磁波に対し、目標とする電界強度である目標電界強度Eｔ（単位：V/m）を、予め設定しておき、
導電体の厚みu(cm)、前記導電体の長さl(cm)、前記導電体の間隔w(cm)を（１）式を満たすように決定し、その後、導電体を決定された形状および／または配置とする、金属製筐体の設計方法。
【数１】
2015082639.tif 000016
但し、
λ：電磁波の波長(単位：cm)
【数２】
2015082639.tif 000017
【数３】
2015082639.tif 000018
ここで、（２）と（３）式で、
【数４】
2015082639.tif 000019
【請求項２】
請求項１に記載の金属製筐体の設計方法を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項３】
請求項１に記載の金属製筐体の設計方法により決定された形状および／または配置の導電体を備えた金属製筐体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属製筐体、特に電子機器用において、金属板と金属板が重なった部分の隙間を通過した後の電磁波の電界強度を任意の値以下とする金属製筐体の設計方法、プログラム、金属製筐体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＡ・電機製品には、製品内部に組み込まれた電子回路からの漏洩電磁波をシールドすることが求められている。これは、漏洩電磁波が他のＯＡ・電機製品を誤作動させる可能性があるだけでなく、心臓ペースメーカなどの電子機器を誤作動させて、使用している人へ影響を及ぼす可能性があるためである。
【０００３】
ＯＡ・電機製品では、鋼板やアルミ板等の金属で作製されている筐体で電磁波の発信源を囲み、電磁波の漏洩を抑制する場合が多い。しかし、一般に筐体には金属板が重なった部分が存在し、金属板が重なった部分を溶接など連続的な接合を施さない限り、隙間ができてしまい、ここから電磁波が漏洩することが問題となる。
【０００４】
この場合、一般には、電磁波シールド用ガスケットを、金属板と金属板の間に挟んで、電磁波の漏洩を抑制することが広く行われている。この電磁波シールド用ガスケットは、スポンジ状の芯材の周囲にシート状の導電性シートを覆設したもの（特許文献１）、導電性の布で弾性体を被覆したもの（特許文献２）のように、柔軟な材料の周囲を導電体で被覆するものが主流である。つまり、これら柔軟な材料でできた導電体で金属製筐体全周を覆う等、全ての隙間を導電体で塞ぐ方法が主流となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−９３２８１号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、電磁波シールド用のガスケットは製造方法が複雑で価格も高い。金属板の重なり合った部分が、曲線状や矩形状に形成されている場合では、ガスケットを、設置する場所の形状に加工したり、折り曲げて設置する必要がある。全ての隙間を塞ごうとすると、金属製筐体そのものの形状やできた隙間に応じて、ガスケットの形状や設置方法を変更しなければならない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記のような課題を解決するために、以下のような特徴を有している。
［１］金属製筐体の金属板と金属板が重なった部分の隙間に複数の導電体を挟み、
前記導電体の厚みがu0(cm)（ただし、u0＜w0）、前記導電体の長さがl0(cm)、前記導電体の間隔がw0(cm)である基準状態を設定し、
前記基準状態において、前記隙間を通過した後の電磁波の電界強度である基準電界強度E0(V/m)を測定し、
導電体の挟んだ隙間を通過した後の電磁波に対し、目標とする電界強度である目標電界強度Eｔ（単位：V/m）を、予め設定しておき、
導電体の厚みu(cm)、前記導電体の長さl(cm)、前記導電体の間隔w(cm)を（１）式を満たすように決定し、その後、導電体を決定された形状および／または配置とする、金属製筐体の設計方法。
【０００８】
【数１】
2015082639.tif 000003
【０００９】
但し、
λ：電磁波の波長(単位：cm)
【００１０】
【数２】
2015082639.tif 000004
【００１１】
【数３】
2015082639.tif 000005
【００１２】
ここで、（２）と（３）式で、
【００１３】
【数４】
2015082639.tif 000006
【００１４】
［２］［１］に記載の金属製筐体の設計方法を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
［３］［１］に記載の金属製筐体の設計方法により決定された形状および／または配置の導電体を備えた金属製筐体。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属製筐体の金属板の隙間を通過する電磁波の電界強度を、所定の間隔をおいて隙間に設置する導電体の形状および／または配置を変更することにより、目標電界強度以下とできるので、金属製筐体の隙間を導電体で全て塞ぐ必要が無くなる。その為、金属製筐体の形状に応じて導電体の形状を加工する必要も無くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】導電体間の間隔w、導電体の長さl、導電体の厚さuの定義を示す図である。
【図２】導電体が複数ある場合のα０とαの求め方を示す図である。
【図３】金属製筐体の構成を示す図である。
【図４】導電体の構成を示す図である。
【図５】導電体の固定方法を示す図である。
【図６】導電体の配置例を示す図である。
【図７】導電体の間隔wの変化による、減衰量（測定値）と、減衰量（計算値）を示す図である。
【図８】導電体の厚みuの変化による減衰量（測定値）と、減衰量（計算値）を示す図である。
【図９】導電体の長さlの変化による減衰量（測定値）と、減衰量（計算値）を示す図である。
【図１０】導電体の長さlの変化による減衰量（測定値）と、減衰量（計算値）を示す図である。
【図１１】導電体の長さlの変化による減衰量（測定値）と、減衰量（計算値）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
図３は、本発明の実施の形態に係る金属製筐体を示す図である。図３（ａ）は、金属製筐体の全体を示す概要図であり、図３（ｂ）は、金属製筐体の一部を拡大した斜視図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ方向から金属製筐体を見た図である。なお、図３（ｂ）では、金属製筐体１００の奥行き方向を省略して示している。
【００１９】
金属製筐体１００は、筐体本体１及び蓋２を有している。筐体本体１及び蓋２のいずれもが金属板により構成されている。筐体本体１は、上部に開口した箱型形状を有しており、箱型形状の内部空間に、電磁波の発信源となる電子機器４が収容されている。筐体本体１の縁には、外側に張り出したフランジ部１ａが形成されている。
【００２０】
蓋２は、板状に形成されている。蓋２の外形は、筐体本体１と略同じ大きさに形成されている。蓋２は、筐体本体１の開口部を覆うように配され、フランジ部１ａと重なり合っている。ここで、金属製筐体１００の深さ方向をＺ方向とし、金属製筐体１００の底面をＸＹ平面と定義する。また、金属製筐体１００のフランジ部１ａのＸ方向の長さを幅W、Ｙ方向の長さを奥行Lとする。
【００２１】
筐体本体１のフランジ部１ａと蓋２が重なり合った部分には、隙間が形成されている。電子機器４を発信源とする電磁波は、このフランジ部１ａと蓋２の隙間を通過することで、金属製筐体１００の外部に漏洩する。この隙間の高さをtとする。
【００２２】
本発明では、この電磁波の通過をある値以下とするために、フランジ部１ａと蓋２の隙間に、複数の導電体（後述する）を配する。電磁波がこの隙間を通過するとき、電磁波が導電体の表面で反射することで封じ込められ、見かけ上減衰する。本発明では、この現象を利用して、フランジ部１ａと蓋２の隙間に、所定の間隔をおいて不連続に複数の導電体を配することで、通過（漏洩）する電磁波をある電界強度以下に制御している。
【００２３】
電子機器４から発信される電磁波は、フランジ１ａと蓋２の隙間に設けた導電体と導電体の間を通過（漏洩）するが、本発明では、導電体の配置間隔と形状を調整することで、この漏洩電磁波を予め定めた値以下とできるよう工夫している。
【００２４】
以下に、本願発明に係る設計方法の例について説明する。なお、冒頭の数字１）〜７）は、方法の順番を示す。
【００２５】
１）先ず、例えば、図４に示すような矩形状の導電体１２を複数個準備する。導電体１２の寸法は、長さl(cm)、幅m(cm)、厚みu(cm)とする。導電体１２のそれぞれの寸法、長さl(cm)、幅m(cm)、厚みu(cm)は、金属製筐体の形状や隙間の状態で、適宜決定すればよい。全ての寸法が同一であってもよいし、一部だけ同一でもよいし、全ての寸法が異なってもよい。また、長さl(cm)、幅m(cm)は、フランジ部１ａと蓋２との重なった部分（以下、重なり部という）に収まる任意の寸法とすればよい。
【００２６】
２）次に、準備した複数の導電体１２を、重なり部の隙間に所定の間隔w(cm)（後ほど詳細に説明する）をあけて配置する。この導電体１２を最初に配置した状態を「基準状態」（添え字「0」にて示す）と設定し、導電体１２の長さlがl0(cm)、厚みuがu0(cm)および導電体１２間の間隔wがw0(cm)である状態を指す。導電体間の所定の間隔は、金属製筐体の形状や隙間の状態で、適宜決定すればよい。全て等間隔であってもよいし、一部だけ等間隔でもよいし、全ての間隔が異なってもよい。
【００２７】
３）この基準状態において、重なり部の隙間を通過して筐体外部に漏洩する電磁波の電界強度を測定する。測定された電界強度を、基準電界強度E0(V/m)とする。
【００２８】
４）そして、最終的に許容できる程度にまで低減した電界強度を、予め目標値として設定しておく。この目標値を、目標電界強度をEｔ(V/m)とする。目標電界強度Eｔの設定は、金属製筐体の使用目的により、適宜決定すればよい。本実施の形態のように、漏洩電界強度を減衰させたい場合には、例えば、他の電子機器や人体等に悪影響を及ぼさない電界強度に設定することができる。
【００２９】
５）上記３）で測定された基準電界強度E0(V/m)が予め設定された目標電界強度Eｔ(V/m)以下であれば、導電体１２の形状および位置を、基準状態の導電体１２の形状および位置（長さl0(cm)、厚みu0(cm)および導電体１２間の間隔w0(cm)）として決定し、金属製筐体１００の設計に反映させることで工程は終了する。
【００３０】
６）一方、測定された基準電界強度E0(V/m)が目標電界強度Eｔ(V/m)より大きい場合には、導電体１２の長さl(cm)、厚みu(cm)および導電体１２間の間隔w(cm)の内、少なくとも一つを変更する。この時、下記（１）式を満たすように、導電体１２の長さl(cm)、厚みu(cm)および間隔w(cm)を決定する。
【００３１】
【数５】
2015082639.tif 000007
【００３２】
但し、
λ：電磁波の波長(単位：cm)
【００３３】
【数６】
2015082639.tif 000008
【００３４】
【数７】
2015082639.tif 000009
【００３５】
但し（２）、（３）式で、
【００３６】
【数８】
2015082639.tif 000010
【００３７】
７）上記６）で決定された導電体１２の長さl(cm)、導電体１２の厚みu(cm)および導電体１２間の間隔w(cm)を、導電体の形状および／または位置として、金属製筐体１００の設計に反映させる。
【００３８】
上記６）において、（１）式を満たすように、導電体１２の長さl(cm)、導電体１２の厚みu(cm)および導電体１２間の間隔w(cm)を決定する方法は、特に限定されない。少なくとも次の２つ方法が、可能である。
（Ａ）導電体１２の長さl(cm)、導電体１２の厚みu(cm)および導電体１２間の間隔w(cm)の内２つ以上を変更して（３）式のαを算出し、（１）式を満たさなければ、再度、導電体１２の長さl(cm)、導電体１２の厚みu(cm)および導電体１２の間隔wを変更してαを算出して比較する。この処理を、（１）式を満たすまで繰り返す。
（Ｂ）導電体１２の長さl、導電体１２の厚みuおよび導電体１２間の間隔wの内、いくつかの値（例えば、長さlと厚みu）を予め決めた値に固定しておき（例えば、基準状態の長さl0と厚みu0と同じとする）、（１）式に当てはめて逆算することで残りの導電体１２間の間隔wを決定する。
【００３９】
どちらの場合も、挟む導電体１２の個数は、基準状態から変化してもよいし変化しなくてもよい。
【００４０】
本発明の設計にあたり、導電体間の間隔（w）、導電体の長さ（l）、導電体の厚み（u）について、説明する。
【００４１】
まず、最も基本となるとなる隣り合った２つの導電体１２Ａ，１２Ｂの場合について説明する。図１（ａ）に、２つの導電体１２Ａ，１２Ｂにおける、導電体間の間隔（w）、導電体の長さ（l）を示し、図１（ｂ）に、導電体の厚み（u）を示す。
【００４２】
ａ）隣り合って並んだ２つの導電体１２Ａと導電体１２Ｂの中心同士を結ぶ線分Cと導電体１２Ａと導電体１２Ｂそれぞれの外周が交わる点の間の距離を、導電体１２間の間隔wとする。
【００４３】
ｂ）導電体１２Ａに対し、導電体１２Ａと１２Ｂの中心同士を結ぶ線分Cと垂直でかつ導電体１２Ａの中心ＯＡを通る直線が、導電体１２Ａの外周と交わる２点間の距離を、導電体１２Ａの長さlＡとする。同様に、導電体１２Ｂに対しても導電体１２Ｂの長さlＢを求める。そして、lＡとlＢの内短いほう（図１（ａ）の例ではlＢ）をこれら導電体１２Ａおよび１２Ｂの長さlとする。
【００４４】
ｃ）そして、２つの導電体１２Ａおよび１２Ｂの厚みの平均値（図１の例では、ｕ＝（ｕＡ＋ｕＢ）／２）を、導電体１２Ａおよび１２Ｂの厚み（u）とする。
【００４５】
次に、導電体が３個以上（導電体１２１、１２２、１２３、…、１２（ｎ＋１）、…、１２（ｍ＋１）、ｎとｍは整数）ある場合について説明する。図２に、複数の導電体を配置した例を示す。図中の黒丸は、導電体である。図２（ａ）が基準状態、図２（ｂ）が導電体の配置を変えたある時点の状態を示す。
【００４６】
図２（ａ）の基準状態においては、（ｎ＋１）個の導電体１２を任意のｎ個の導電体１２間の間隔ｗ０１、ｗ０２、ｗ０３、…、ｗ０ｋ、ｗ０ｎをあけてそれぞれ配置する。そうすると、隣り合った導電体１２０１と導電体１２０２の組ができ、この２つの導電体１２０１と１２０２により長さl０１と厚みu０１が決まる。すると、この一対の導電体１２０１と１２０２に対し、導電体間の間隔ｗ０１と導電体の長さl０１と導電体の厚みu０１とを用いて、（２）式からα０１が算出できる。同様のことを、２つの導電体１２０２と１２０３、導電体１２０３と１２０４（図示せず）、…、導電体１２０ｋ（図示せず）と１２０（ｋ＋１）、…、導電体１２０ｎ（図示せず）と１２０（ｎ＋１）について行い、ｎ対の導電体１２に対し、ｎ個のα０（α０１、α０２、α０３、…α０ｋ、α０ｎ）を算出する。そして、得られたｎ個のα０の内、最も値の大きいものを基準状態のα０とする。つまり、
【００４７】
【数９】
2015082639.tif 000011
【００４８】
とする。
【００４９】
導電体の配置を変えたある時点の状態でも、同様にして設定する。図２（ｂ）の導電体の配置を変えたある時点の状態においては、（ｍ＋１）個の導電体１２を任意のｍ個の導電体１２間の間隔ｗ１、ｗ２、ｗ３、…、ｗｋ、…、ｗｍをあけてそれぞれ配置する。そうすると、隣り合った導電体１２１と導電体１２２の組ができ、この２つの導電体１２１と１２２により長さl１と厚みu１が決まる。すると、この一対の導電体１２１と１２２に対し、導電体間の間隔ｗ１と導電体の長さl１と導電体の厚みu１とを用いて、（３）式からα１が算出できる。同様のことを、２つの導電体１２２と１２３、…、導電体１２ｋ（図示せず）と１２（ｋ＋１）、…、導電体１２ｍと１２（ｍ＋１）について行い、ｍ対の導電体１２に対し、ｍ個のα（α１、α２、α３、…、αｋ、…、αｍ）を算出する。そして、得られたｍ個のαの内、最も値の大きいものを導電体の配置を変えたある時点のαとする。つまり、
【００５０】
【数１０】
2015082639.tif 000012
【００５１】
とする。
【００５２】
αまたはα0が最大値ということは、それらαまたはα0の導電体の対と間隙箇所での電磁波の減衰量が最小であることを示している。導電体が３個以上の場合、フランジ部１ａの隙間全体における減衰量は、この最も減衰量が少ない箇所にて決まる。そこで本発明においては、複数のαまたはα0がある場合は、最大のαまたはα0をフランジ部１ａの隙間全体の代表値として取り扱うことにした。
【００５３】
前述では、図４のように導電体１２が矩形であるとして説明したが、導電体１２の形状は、任意の形状とすることができる。例えば、導電体１２の形状は、楕円、円、角が曲線の矩形、複数の図形の組合せ等、が可能である。導電体１２の形状は、重なり部の隙間の形状、金属製筐体の形状または金属製筐体の使用目的等に合わせて、適宜決めればよい。また、複数の導電体１２は、全て同じ形状でなくてもよい。
【００５４】
本実施の形態において、金属製筐体１００の中に電磁波源の電子機器４を収容した例について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、（あ）逆に特定範囲の電磁波源から遮断したい機器、（い）特定範囲の電磁波から遮断したい物品、等を収容しても同様の効果が得られる。
【００５５】
本発明は、上記のような金属製筐体の設計方法に限られず、この方法をコンピュータに実行させるためのプログラムや、金属製筐体の設計方法により配された導電体を有する金属製筐体として実施することもできる。
【００５６】
次に、本発明の効果について検証した。図３に示した金属製筐体１００を用い、挟まれている導電体１２の長さl、導電体１２の厚みuおよび導電体１２間の間隔wから得られるαの値と、フランジ部１ａの隙間を通過した電磁波の電界強度Eの測定値との関係を後述する減衰量を用いて調べた。その際、フランジ部１ａの隙間を通過した後の電磁波の電界強度Eの減衰量が、導電体の長さl、厚みuおよび導電体間の間隔wに対し、どのように変化するかを調べた。
【００５７】
［フランジ部１ａの隙間を通過した後の電磁波の減衰量の測定方法およびαの減衰量の算出方法］
図３に示した金属製筐体１００を用い、フランジ部１ａの隙間を通過した後の電磁波の電界強度の減衰量を測定する方法と、αの減衰量を計算により算出する方法について説明する。この測定方法および算出方法では、電子機器４としてループアンテナを用いた。
【００５８】
金属製筐体１００内のループアンテナから電磁波を発信して、金属製筐体１００の外部で電磁波の電界強度E(V/m)を測定する。測定は電波暗室で３ｍ法にしたがって測定した。
【００５９】
基準状態で測定された電磁波の電界強度を基準電界強度E0とする。この状態から、導電体の配置および／または形状を変更して測定された電磁波の電界強度を、電界強度（配置変更）Eとして、次式によって減衰量（測定値）を求める。
【００６０】
【数１１】
2015082639.tif 000013
【００６１】
また、基準状態のα0と、基準状態から導電体の配置を変化させたときのαから、減衰量（計算値）を次式で求める。
【００６２】
【数１２】
2015082639.tif 000014
【００６３】
間隔wと基準状態の間隔w0がそれぞれ２個以上ある場合のαとα0を算出する際には、先に説明したとおり、全てのαまたはα0を算出し、その内の最大のαまたはα0を上記（１０）式に用いるαまたはα0とする。導電体の長さlと厚みuが全ての導電体１２に対して同じ場合は、（１）式または（２）式より導き出せるが、最も大きな間隔wまたはw0の箇所が最大のαまたはα0となる。
【００６４】
［導電体間の間隔（w）による減衰量の変化］
図３に示す金属製筐体１００を用いて、導電体間の間隔wの変化による減衰量の変化を調べた。
【００６５】
金属製筐体１００は、フランジ部１ａの幅Wが25cm、奥行Lが5cmである。フランジ部１ａと蓋２の隙間の高さtは0.5cmである。フランジ部１ａと蓋２の隙間に、フランジ部１ａと同じ寸法（幅25cm，長さ5cm）で板厚0.1cmの銅板をさらに4枚挟み、隙間の高さtが0.1cmとなるようにした。この隙間には、４〜１２個の導電体１２を配した。具体的な配置は、後ほど説明する。用いた導電体１２の形状は、図４に示す通りであり、幅mが0.5cm、長さlが1cm、厚みuが0.1cmからなる直方体である。複数の導電体１２は、全てが同一寸法である。導電体１２の材質は銅である。図５に示すアクリル製の導電体固定ジグで、導電体１２付近のフランジ部１ａを挟んで導電体を固定した。電磁波の周波数（f＝v/λ、v：電磁波の速さ[m/s]、λ：波長[m]）は1，2，3GHzとする。
【００６６】
図６（ａ）に、６個の導電体１２の配置例を示す。フランジ部１ａの中心部の導電体間の間隔をwc、残りを等間隔に分割することで得られる導電体間の間隔を他方の導電体間の間隔w'とする。間隔がwc>w’となるようにし、かつ分割数をn（整数）とすると、中心部の導電体間の間隔wcと他方の導電体間の間隔w’の関係は、w’(cm)＝[12.5−wc/2−0.5(n+1)]/nとなる。分割数nを1≦n≦5の範囲で変化させた場合の、中心部の導電体間の間隔wcと他方の導電体間の間隔w’との関係を、表１に示す。
【００６７】
【表１】
2015082639.tif 000015
【００６８】
中心部の導電体間の間隔wcと他方の導電体間の間隔w'を表１に沿って変化させた場合に対し、フランジ部１ａを通過する電磁波の減衰量の変化を測定および計算した。基準状態として、基準状態における導電体の長さl0は1cm、導電体の厚みu0は0.1cm、中心部の間隔w0は20cmとした。本検討においては、導電体の長さlと厚みuが全ての導電体１２において同じであり、かつ表１の設定だと常にwc＞w'であるので、（２）式または（３）式より、αとα0の計算には中心部の間隔wcの値を用いればよい。中心部の導電体間の間隔wcの変化による、減衰量（測定値）と減衰量（計算値）を図７に示す。測定値と計算値は、良い一致を示していることが分かる。即ち、（１）〜（５）式に従えば、隙間を通過する電磁波の電界強度を、設定した任意の値以下にできることが分かった。
【００６９】
［導電体厚み（u）による減衰量の変化］
図３に示す金属製筐体１００を用いて、導電体間の厚みuの変化による減衰量の変化を調べた。
【００７０】
用いた金属製筐体１００は、フランジ部１ａの幅Wが25cm、奥行Lが5cmである。フランジ部１ａと蓋２の隙間の高さtは0.5cmである。この隙間には、４個の導電体１２１〜１２４を配した。具体的な配置は、前述した導電体間の間隔wの変化を調べた場合に準じ、図６（ｂ）に示す通りである。中心部の導電体間の間隔wcは10cm、他方の間隔はw’は全て6.5cm、分割数は１、に固定した。用いた導電体１２１〜１２４は、図４に示す通りであり、幅mが0.5cm、長さlが1cmからなる直方体である。４個の導電体１２は、全てが同一寸法である。導電体１２の材質は銅である。図５に示すアクリル製の導電体固定ジグで、導電体１２付近のフランジ部１ａを挟んで導電体を固定した。電磁波の周波数（f＝v/λ）は1，2，3GHzとする。
【００７１】
この状態で、４個全ての導電体の厚みuを、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5cmと変化させた場合の減衰量を調べた。なお、フランジ部１ａと同じ寸法（幅25cm，長さ5cm）で板厚0.1cmの銅板を1枚ずつ挟むことで、導電体の厚みuに合わせてフランジ部１ａの隙間の高さtも0.1、0.2、0.3、0.4、0.5cmとなるようにした。基準状態における導電体の長さl0は1cm、導電体の厚みu0は0.5cm、中心部の間隔w0は10cmとした。本検討においては、導電体の長さlと厚みuが全ての導電体１２に対して同じであり、かつ表１の設定だと常にwc＞w'であるので、（２）式または（３）式より、αとα0の計算には中心部の間隔wcの値を用いればよい。導電体の厚みuの変化による、減衰量（測定値）と減衰量（計算値）を図８に示す。測定値と計算値は、良い一致を示していることが分かる。そのため、導電体１２の厚みuを変化させた場合であっても、（１）〜（５）式に従えば、隙間を通過する電磁波の電界強度を設定した任意の値以下にできることが分かった。
【００７２】
［導電体の長さ（l）による減衰量の変化］
図３に示す金属製筐体１００を用いて、導電体の長さlの変化による減衰量の変化を調べた。用いた金属製筐体１００は、フランジ部１ａの幅Wが25cm、奥行Lが5cmである。フランジ部１ａと蓋２の隙間の高さtは0.5cmである。フランジ部１ａと蓋２の隙間に、フランジ部１ａと同じ寸法（幅25cm，長さ5cm）で板厚0.1cmの銅板をさらに4枚挟み、隙間の高さtが0.1cmとなるようにした。この隙間には、４個または８個の導電体を配した。具体的な配置は、前述した導電体間の間隔wの変化を調べた場合と同様に、図６（ａ）に準じる次のｉ）〜ｉｉｉ）の３通りとする。
【００７３】
ｉ）中心部の導電体間の間隔wcは4cm、他方の間隔はw’は全て2.8cm、分割数は３、導電体１２は８個、とする。
【００７４】
ｉｉ）中心部の導電体間の間隔wcは10cm、他方の間隔はw’は全て6.5cm、分割数は１、導電体１２は４個、とする。
【００７５】
ｉｉｉ）中心部の導電体間の間隔wcは20cm、他方の間隔はw’は全て1.5cm、分割数は１、導電体１２は４個、とする。
【００７６】
用いた導電体１２は、幅mが0.5cm、厚みuが0.1cmからなる直方体で、４個または８個全てが同一寸法である。図４にその形状を示す。導電体１２の材質は銅である。図５に示すアクリル製の導電体固定ジグで、導電体１２付近のフランジ部１ａを挟んで導電体を固定した。電磁波の周波数（f＝v/λ）は1，2，3GHzとする。
【００７７】
この状態で、４個または８個全ての導電体の長さlを、0.5、1.0、2.0、3.0、4.0、5.0cmと変化させた場合の減衰量を調べた。基準状態における導電体の長さl0は0.5cm、導電体の厚みu0は0.1cm、そして間隔w0は、上記ｉ）においてはwcが4cm、w'が2.8cm、上記ｉｉ）においてはwcが10cm、w'が6.5cm、上記ｉｉｉ）においてはwcが20cm、w'が1.5cm、とした。本検討においては、導電体の長さlと厚みuが全ての導電体１２に対して同じであり、かつ表１の設定だと常にwc＞w'であるので、（２）式または（３）式より、αとα0の計算には中心部の間隔wcの値を用いればよい。導電体の厚みuの変化による、減衰量（測定値）と減衰量（計算値）を図９〜１１に示す。図９はｉ）中心部の間隔wcを4cm、図１０はｉｉ）中心部の間隔wcを10cm、図１１はｉｉｉ）中心部の間隔wcを20cmとした場合の、導電体の長さlの変化による減衰量（測定値）と、減衰量（計算値）を示す図である。測定値と計算値は、良い一致を示していることが分かる。そのため、導電体１２の長さlを変化させた場合であっても、（１）〜（５）式に従えば、隙間を通過する電磁波の電界強度を設定した任意の値以下にできることが分かった。
【符号の説明】
【００７８】
１００  金属製筐体
１  筐体本体
１ａ  フランジ部
２  蓋
４  電子機器
１２  導電体
１２Ａ、１２Ｂ  導電体
１２０１〜１２０ｋ、１２０ｎ  導電体
１２１〜１２ｋ、１２ｍ  導電体
１２１、１２２、１２３、１２４  導電体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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