(57)【要約】【課題】スルーホール導体がボイドを有しても、高い接続信頼性を有するプリント配線板を提供することができる。【解決手段】基板１０には貫通孔１０ｈが形成され、基板１０の両側には導体層１１、１２が形成される。貫通孔１０ｈの内部に形成されるスルーホール導体１０ｃは、貫通孔１０ｈを塞いでいる上側のシード層８１と下側のシード層８２を含む。スルーホール導体１０ｃは、導体層１１と導体層１２を電気的に接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有すると共に貫通孔を有する基板と、
前記基板の前記第１面に形成されている第１導体層と、
前記基板の前記第２面に形成されている第２導体層と、
前記貫通孔の内部に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する、スルーホール導体と、
を有するプリント配線板であって、
前記スルーホール導体は、前記貫通孔内に電解めっき膜と前記電解めっき膜を挟んでいる上側のシード層と下側のシード層を含む。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、
前記上側のシード層と前記下側のシード層は前記電解めっき膜を覆っている。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線板において、
前記上側のシード層は、前記スルーホール導体から延びていて前記第１導体層を形成していて、前記下側のシード層は、前記スルーホール導体から延びていて前記第２導体層を形成している。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板において、
前記電解めっき膜は、前記第１面側に第１空間が形成されるように前記貫通孔に形成されると共に、前記第２面側に第２空間が形成されるように、前記貫通孔内に形成されている。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記電解めっき膜内にボイドが形成されている。
【請求項６】
請求項４に記載のプリント配線板において、
前記スルーホール導体は、前記第１空間に形成されている上側の第２めっき膜と、前記第２空間に形成されている下側の第２めっき膜と、を含む。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記上側のシード層又は前記下側のシード層は、ニッケルを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ（半導体素子）を実装するための配線板として、スルーホール導体を有するコア基板とそのコア基板上に形成されているビルドアップ層とを有するプリント配線板が知られている。
【０００３】
このようなプリント配線板を製造する技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１に記載の技術では、特許文献１の図３に示されているように基板に砂時計形状の貫通孔が形成され、その貫通孔がめっきで充填される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０４１４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の技術はスルーホール導体用の貫通孔をめっきで充填することに適している。しかしながら、スルーホール導体用の貫通孔のアスペクト比（貫通孔の長さ／貫通孔の径）が大きくなるとスルーホール導体用の貫通孔をめっきで完全に充填することは難しいと考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、たとえ、スルーホール導体がボイドを有しても、高い接続信頼性を有するプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有すると共に貫通孔を有する基板と、前記基板の前記第１面に形成されている第１導体層と、前記基板の前記第２面に形成されている第２導体層と、前記貫通孔の内部に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する、スルーホール導体と、を有する。そして、前記スルーホール導体は、前記貫通孔内に電解めっき膜と前記電解めっき膜を挟んでいる上側のシード層と下側のシード層を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、スルーホール導体の内部に存在しているボイドの移動を抑制することができる。このため、スルーホール導体がボイドを有しても、高い接続信頼性を有するプリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係るプリント配線板を説明するための図
【図２】貫通孔に形成されているめっき膜の積層状態を説明するための図
【図３】基板を準備する工程を説明するための図
【図４】貫通孔を形成する工程を説明するための図
【図５】第１シード層を形成する工程を説明するための図
【図６】第２めっき膜を形成する工程を説明するための図
【図７】第２シード層を形成する工程を説明するための図
【図８】第２めっき膜を形成する工程を説明するための図
【図９】エッチングレジストを形成する工程を説明するための図
【図１０】基板上のめっき膜をエッチングする工程を説明するための図
【図１１】エッチングレジストを剥離する工程を説明するための図
【図１２】基板の両面に絶縁層を形成する工程を説明するための図
【図１３】開口を形成する工程を説明するための図
【図１４】無電解銅めっき膜を形成する工程を説明するための図
【図１５】めっきレジストを形成する工程を説明するための図
【図１６】電解めっき膜を形成する工程を説明するための図
【図１７】絶縁層上のめっき膜をエッチングする工程を説明するための図
【図１８】改変例１に係る配線板を説明するための図
【図１９】改変例２に係る配線板を説明するための図
【図２０】改変例３に係る配線板を説明するための図
【図２１】改変例４に係る配線板を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態が、図面を参照して説明される。図中の矢印Ｚ１、Ｚ２それぞれは、配線板の厚み方向を指す。以降、Ｚ１方向は配線板の上側を示し、Ｚ２方向は配線板の下側を示す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２それぞれは、配線板の積層方向に直交する方向を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００１１】
ボイドを含むスルーホール導体に高電流が流れると、ボイドがスルーホール導体の内部を移動することがある。そして、そのボイドが、導体回路やビア導体に移動すると、導体の体積が減少するので、抵抗が高くなる。そのため、プリント配線板に実装されるＩＣに誤動作が起こることがある。また、プリント配線板の接続信頼性が低下する。１２μｍ以下の幅の導体回路にボイドが到達すると、導体回路が断線する可能性がある。
【００１２】
＜プリント配線板の構成＞
本実施形態に係るプリント配線板１００は、図１に示されるように、配線板１０００と、ビルドアップ層２と、ビルドアップ層４と、を有する。
【００１３】
配線板１０００は、第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２を有する基板１０と、基板１０の第１面Ｆ１上に形成されている第１導体層１１と、基板１０の第２面Ｆ２上に形成されている第２導体層１２と、基板１０を貫通し第１導体層１１と第２導体層１２を接続しているスルーホール導体１０ｃと、を有する。
【００１４】
スルーホール導体１０ｃは、基板１０を貫通するスルーホール導体用の貫通孔１０ｈの内部に形成されていて、ボイドＶ１を有する。本実施形態のスルーホール導体１０ｃは、貫通孔１０ｈの内壁に形成されている筒状のスルーホール導体とその筒状のスルーホール導体の内部に充填されている樹脂で形成されているスルーホール構造を含まない。
【００１５】
基板１０のＺ１方向の主面が第１面Ｆ１であり、Ｚ２方向の主面が第２面Ｆ２である。基板１０の第１面Ｆ１と配線板１０００の第１面は同じ面であり、基板１０の第２面Ｆ２と配線板１０００の第２面は同じ面である。
【００１６】
第１導体層１１は、基板１０の第１面Ｆ１に形成されるスルーホール導体１０ｃの周りの導体とスルーホール導体１０ｃ上の導体で形成されるランド１１ｃを含む。同様に、第２導体層１２は、基板１０の第２面Ｆ２に形成されるスルーホール導体１０ｃの周りの導体とスルーホール導体１０ｃ下の導体で形成されるランド１２ｃを含む。図２に示されるように、スルーホール導体１０ｃは貫通孔１０ｈの内部に形成されている導体である。
ランド１１ｃ、１２ｃはスルーホール導体１０ｃに繋がっていて貫通孔１０ｈの外に形成されている導体である。ランド１１ｃ、１２ｃの形状は、Ｘ−Ｙ平面において、概ね円又は楕円である。ランド１１ｃ、１２ｃは、スルーホール導体１０ｃより大きく、スルーホール導体１０ｃを覆っている。
【００１７】
ビルドアップ層２は、配線板１０００の第１面Ｆ１上に形成されている層間樹脂絶縁層２０と、層間樹脂絶縁層２０上に形成されている導体層２１と、導体層２１上に形成されている層間樹脂絶縁層３０と、層間樹脂絶縁層３０上に形成されている導体層３１と、を有する。層間樹脂絶縁層２０には、層間樹脂絶縁層２０を貫通して導体層１１と導体層２１を接続するビア導体２０ｃが形成されている。層間樹脂絶縁層３０には、層間樹脂絶縁層３０を貫通して導体層２１と導体層３１を接続するビア導体３０ｃが形成されている。
【００１８】
ビルドアップ層４は、配線板１０００の第２面Ｆ２上に形成されている層間樹脂絶縁層４０と、層間樹脂絶縁層４０上に形成されている導体層４１と、導体層４１上に形成されている層間樹脂絶縁層５０と、層間樹脂絶縁層５０上に形成されている導体層５１と、を有する。層間樹脂絶縁層４０には、層間樹脂絶縁層４０を貫通して導体層１２と導体層４１を接続するビア導体４０ｃが形成されている。層間樹脂絶縁層５０には、層間樹脂絶縁層５０を貫通して導体層４１と導体層５１を接続するビア導体５０ｃが形成されている。
【００１９】
層間樹脂絶縁層２０、３０、４０、５０は、樹脂とシリカなどの無機粒子で形成されている。
【００２０】
ビルドアップ層２、４上には、ソルダーレジスト層が形成される。ビルドアップ層２上の上側のソルダーレジスト層は、開口を有する。ビルドアップ層２上の上側のソルダーレジスト層の開口から露出する導体層３１やビア導体３０ｃは、Ｃ４パッドとして機能する。ビルドアップ層４上の下側のソルダーレジスト層も、開口を有する。ビルドアップ層４上の下側のソルダーレジスト層の開口から露出する導体層５１やビア導体５０ｃはＢＧＡパッドとして機能する。Ｃ４パッド上にはＣ４バンプが形成され、Ｃ４バンプを介してプリント配線板１００とＩＣチップが接続される。ＢＧＡパッド上にＢＧＡバンプが形成され、ＢＧＡバンプを介してプリント配線板１００とマザーボードが接続される。
【００２１】
基板１０はプリント配線板１００のコア基板である。基板１０はガラスクロス等の補強材とエポキシ樹脂などの樹脂を含む絶縁基板である。基板１０の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。基板１０の厚みが０．１ｍｍ未満であると、基板１０の強度が小さいため、基板１０の反り等が発生しやすくなり、スルーホール導体１０ｃの信頼性が低下する。基板１０の厚みが０．７ｍｍを越えると、スルーホール導体１０ｃ内に、大きなボイドが発生したり、ボイドの数が増加したりするため、スルーホール導体１０ｃの信頼性が低下する。
【００２２】
貫通孔１０ｈの形状は、ストレート形状であっても、砂時計形状であっても良い。図１では、基板１０に砂時計型の貫通孔１０ｈが形成されている。貫通孔１０ｈは、基板１０の両面にレーザー光を照射することにより形成される。
【００２３】
図２に示されるように、貫通孔１０ｈは、基板１０の第１面Ｆ１に第１開口１０１ｈを有し、基板１０の第２面Ｆ２に第２開口１０２ｈを有する。第１開口１０１ｈは第１面Ｆ１に含まれ、第２開口１０２ｈは第２面Ｆ２に含まれる。第１開口１０１ｈの径と第２開口１０２ｈの径の内、大きい方の径が貫通孔１０ｈの径である。
【００２４】
スルーホール導体１０ｃは、貫通孔１０ｈの内壁に形成されている第１シード層６０と、第１シード層６０上の第１めっき膜７０と、第１めっき膜７０上の上側の第２シード層８１と、第１めっき膜７０上の下側の第２シード層８２と、第２シード層８１、８２上の第２めっき膜９１、９２と、を含む。
【００２５】
第１シード層６０は、無電解めっき膜やスパッタ膜や蒸着膜である。第１めっき膜７０は、本実施形態においては電解めっき膜であるが、無電解めっき膜であってもよい。電解めっき膜や無電解めっき膜などのめっき膜は、銅で形成されていることが好ましい。
【００２６】
第１めっき膜７０内には、ボイドＶ１が形成されている。例えば、貫通孔１０ｈのアスペクト比が大きい場合やめっきの成長が早い場合や貫通孔１０ｈの内壁の凹凸が大きい場合、第１めっき膜７０内にボイドＶ１が発生する。
【００２７】
図２に示されているように、スルーホール導体１０ｃを形成している第１めっき膜７０上のＺ１側に第２シード層８１が形成され、Ｚ２側に第２シード層８２が形成されている。第２シード層８１は、第１めっき膜７０の上面に形成されている。第２シード層８２は、第１めっき膜７０の下面に形成されている。すなわち、第１めっき膜７０は、上側の第２シード層８１（上側のシード層）と下側の第２シード層８２（下側のシード層）により挟まれている。
【００２８】
第１めっき膜７０が電解めっき膜であるのに対し、第２シード層８１、８２は無電解めっき膜やスパッタ膜や蒸着膜や電解めっき膜や導電性ペースト膜である。第２シード層８１、８２と第１めっき膜７０が、異なる膜なので、第１めっき膜７０を形成している金属の移動が、第２シード層８１、８２と第１めっき膜７０の界面で抑制されると考えられる。そのため、ボイドＶ１の移動が抑制されると考えられる。
【００２９】
製造の観点から、第２シード層８１、８２は無電解めっき膜であることが好ましい。もしくは、第２シード層８１、８２は、導電性ペースト膜であることが好ましい。導電性ペースト膜は金属粒子以外に樹脂を含むので、樹脂がボイドＶ１の移動を抑制すると考えられる。
【００３０】
第２シード層８１、８２と第１めっき膜７０を異なる方法で形成することもできる。例えば、第１めっき膜７０は電解めっきにより形成され、第２シード層８１、８２は無電解めっきやスパッタや蒸着や印刷により形成される。ただし、第２シード層８１、８２は、無電解めっきにより形成されることが好ましい。第２シード層８１、８２と第１めっき膜７０が異なる方法で形成されるため、第１めっき膜７０の金属の配向と第２シード層８１、８２の金属の配向が異なると考えられる。もしくは、第１めっき膜７０と第２シード層８１、８２間にバリア層が形成されると考えられる。これらにより、ボイドＶ１の移動が抑制されると考えられる。
【００３１】
また、第２シード層８１、８２を形成している金属粒子の径Ｌ１（平均粒子径）は、第１めっき膜７０を形成している金属粒子の径Ｌ２（平均粒子径）よりも小さいことが好ましい。具体的には、式（１）により、得られる値Ｐ０は０．０１〜０．１であることが好ましい。これにより、ボイドＶ１の移動が抑制されると考えられる。
【００３２】
Ｐ０＝Ｌ１／Ｌ２・・・（１）
【００３３】
また、第１めっき膜７０の主成分と第２シード層８１、８２の主成分が同じであり、第２シード層８１、８２に含まれる副成分の量が第１めっき膜７０に含まれる副成分の量より多いことが好ましい。第２シード層８１、８２の副成分により、第１めっき膜７０の主成分の移動が抑制され、結果的に、ボイドＶ１の移動が抑制されると考えられる。第１めっき膜７０および第２シード層８１、８２の主成分が銅の場合、第２シード層８１、８２の副成分は、樹脂やニッケルやコバルトのいずれであってもよいが、ニッケルであることが好ましい。
【００３４】
基板１０の第１面Ｆ１上に形成されているランド１１ｃは、銅箔１３と、銅箔１３上の第１シード層６０と、第１シード層６０上の第１めっき膜７０と、第１めっき膜７０上の第２シード層８１と、第２シード層８１上の第２めっき膜９１で形成される。
【００３５】
基板１０の第２面Ｆ２上に形成されているランド１２ｃは、銅箔１４と、銅箔１４上の第１シード層６０と、第１シード層６０上の第１めっき膜７０と、第１めっき膜７０上の第２シード層８２と、第２シード層８２上の第２めっき膜９２で形成される。
【００３６】
第１めっき膜７０は、第１空間７１１ｈと、第２空間７２１ｈと、を有する。第１空間７１１ｈは、第１面Ｆ１側に形成されている凹部であり、第１面Ｆ１から第２面Ｆ２に向かってテーパーしている。第２空間７２１ｈは、第２面Ｆ２側に形成されている凹部であり、第２面Ｆ２から第１面Ｆ１に向かってテーパーしている。
このように、第１空間７１１ｈの底部は第１面Ｆ１よりも基板１０の内部側に形成され、第２空間７２１ｈの底部は第２面Ｆ２よりも基板１０の内部側に形成される。
このため、第１めっき膜７０により貫通孔１０ｈの内部が完全に充填されない。そのため、本実施形態では、貫通孔１０ｈに形成される第１めっき膜７０の体積が小さくなる。従って、第１めっき膜７０内のボイドＶ１を小さくすることができる。
【００３７】
第２シード層８１（上側のシード層）は、第１空間７１１ｈを覆うように形成される。そのため、第２シード層８１も、第１空間７１１ｈと同様の第３空間８１１ｈを有する。第２シード層８２（下側のシード層）は、第２空間７２１ｈを覆うように形成される。そのため、第２シード層８２も、第２空間７２１ｈと同様の第４空間８２１ｈを有する。
【００３８】
第２めっき膜（上側の第２めっき膜）９１は、第３空間８１１ｈに充填されていて、第２めっき膜（下側の第２めっき膜）９２は、第４空間８２１ｈに充填されている。貫通孔１０ｈのアスペクト比が大きくても、めっき膜により、第３空間８１１ｈや第４空間８２１ｈの深さは浅くなっているので、第３空間８１１ｈや第４空間８２１ｈを、電解めっき膜などのめっき膜で充填することができる。また、第３空間８１１ｈや第４空間８２１ｈの壁面は第２シード層８１、８２の上面なので、凹凸が小さい。そのため、第３空間８１１ｈや第４空間８２１ｈをめっき膜で充填することができる。第３空間８１１ｈや第４空間８２１ｈが基板１０のＺ方向の中心に向かってテーパーしているので、第３空間８１１ｈや第４空間８２１ｈをめっき膜で充填することができる。第３空間８１１ｈに充填されるめっき膜の形状や第４空間８２１ｈに充填されるめっき膜の形状は略円錐である。ボイドＶ１を含まない第２めっき膜９１、９２で第３空間８１１ｈや第４空間８２１ｈが充填される。第２めっき膜（上側の第２めっき膜）９１及び第２めっき膜（下側の第２めっき膜）９２は、電解めっき膜であることが好ましい。
【００３９】
本実施形態に係るプリント配線板１００では、ボイドＶ１を含む第１めっき膜７０の両端に第２シード層８１、８２が形成されている。このため、スルーホール導体１０ｃの内部のボイドＶ１の移動が抑制される。
【００４０】
ボイドＶ１の移動のメカニズムはエレクトロマイグレーションまたはストレスマイグレーションと推察される。本実施形態では、第１めっき膜７０の両端に第２シード層８１、８２が形成されているので、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションが抑えられると考えられる。ボイドＶ１は、第１めっき膜７０内に留まると推察される。そのため、本実施形態では、スルーホール導体１０ｃのランド１１ｃ、１２ｃ上に形成されているビア導体２０ｃ、４０ｃや、スルーホール導体１０ｃのランド１１ｃ、１２ｃに繋がっている導体回路の断線が抑えられると推察される。
【００４１】
第２シード層８１、８２は、主成分として銅を含んでおり、副成分として、例えば、ニッケルのような酸化しやすい金属を含んでいる。第２シード層８１、８２が銅より酸化しやすい金属を含むことで、マイグレーションが抑えられると推察される。そのため、第１めっき膜７０内にボイドＶ１が留ると考えられる。
【００４２】
＜プリント配線板１００の製造方法＞
続いて、図３〜１７を参照しつつ、プリント配線板１００の製造方法が説明される。
【００４３】
まず、図３に示されるように、出発材料として両面銅張積層板が準備される。両面銅張積層板は、基板１０と、基板１０の第１面Ｆ１上に積層されている銅箔１３と、基板１０の第２面Ｆ２上に積層されている銅箔１４と、で形成されている。
【００４４】
次に、ＣＯ２レーザーが出発材料の両面銅張積層板の両面に照射される。これにより、図４に示されるように、貫通孔１０ｈが形成される。なお、レーザー光の照射は、片面ずつ行われる。
【００４５】
次に、基板１０の表面に無電解めっきが行われる。これにより、図５に示されるように、銅を主成分とする無電解めっき膜が銅箔１３、１４の表面と貫通孔１０ｈの内壁に形成される。この無電解めっき膜は、第１シード層６０である。
【００４６】
次に、第１シード層６０の表面に電解めっきが行われる。これにより、図６に示されるように、銅を主成分とする電解めっき膜（電解銅めっき膜）が第１シード層６０上に形成される。この電解めっき膜は、第１めっき膜７０である。ただし、第１めっき膜７０の主成分は、ニッケルや、チタン、クロム等であってもよい。第１めっき膜７０の内部にボイドＶ１が形成されている。
【００４７】
例えば、アスペクト比（貫通孔１０ｈの長さ／貫通孔１０ｈの径）が２以上であると、第１めっき膜７０にボイドＶ１が発生しやすい。特に、アスペクト比は２以上であって、基板１０の厚みＤ１０が０．２ｍｍ以上であると、ボイドＶ１を含まないめっき膜を形成することは難しい。
【００４８】
図６に示されているように、第１めっき膜７０上の上側に第１空間７１１ｈと、下側に第２空間７２１ｈが形成されている。式（２）に示されるように、第１空間７１１ｈの深さＤ７１１を、基板１０の厚みＤ１０で割ることで得られる値Ｐ１は、０．２５から０．４であることが好ましい。同様に、式（３）に示されるように、第２空間７２１ｈの深さＤ７２１を、基板１０の厚みＤ１０で割ることで得られる値Ｐ２は、０．２５から０．４であることが好ましい。これにより、ボイドＶ１の量が減ったり、ボイドＶ１の大きさが小さくなったりすると考えられる。
【００４９】
Ｐ１＝Ｄ７１１／Ｄ１０・・・（２）
Ｐ２＝Ｄ７２１／Ｄ１０・・・（３）
【００５０】
本実施形態においては、貫通孔１０ｈの内部に形成される第１シード層６０の厚みと第１めっき膜７０の厚みのバランスが良いので、第１めっき膜７０に大きなボイドや多数のボイドが形成されない。また、第１めっき膜７０に大きな電流が流れても、ボイドＶ１が第１めっき膜７０内に留まる。
【００５１】
次に、電解めっき膜７０の表面に無電解めっきが行われる。これにより、図７に示されるように、第２シード層（無電解めっき膜）８１、８２が形成される。例えば、第２シード層８１、８２は、無電解銅めっき膜である。
【００５２】
次に、無電解めっき膜８１、８２の表面に電解めっきが行われる。これにより、図８に示されるように、第２めっき膜（電解めっき膜）９１、９２が形成される。例えば、第２めっき膜９１、９２は、電解銅めっき膜である。
【００５３】
次に、図９に示されるように、第２めっき膜９１、９２にエッチングレジスト１８、１９が形成される。
【００５４】
次に、図１０に示されるように、エッチングレジスト１８から露出している銅箔１３と第１シード層６０、第１めっき膜７０、第２シード層８１、第２めっき膜９１が、エッチングにより、除去される。同様に、エッチングレジスト１９から露出している銅箔１４と第１シード層６０、第１めっき膜７０、第２シード層８２、第２めっき膜９２が、エッチングにより、除去される。
【００５５】
次に、図１１に示されるように、エッチングレジスト１８、１９が除去される。これにより、スルーホール導体１０ｃと、ランド１１ｃを含む第１導体層１１と、ランド１２ｃを含む第２導体層１２と、が形成される。これにより、配線板１０００が完成する。
【００５６】
次に、図１２に示されるように、配線板１０００の両面に層間樹脂絶縁層２０、４０と銅箔２２、４２が形成される。
【００５７】
次に、図１３に示されるように、層間樹脂絶縁層２０、４０に、開口２０ｈ、４０ｈが形成される。
【００５８】
図１４に示されるように、銅箔２２、４２上、及び開口２０ｈ、４０ｈ内に、無電解銅めっき膜２３、４３が形成される。
【００５９】
図１５に示されるように、無電解銅めっき膜２３、４３上に、めっきレジスト２４、４４が形成される。
【００６０】
その後、図１６に示されるように、めっきレジスト２４、４４から露出する無電解銅めっき膜２３、４３上に電解めっき膜２５、４５が形成される。
【００６１】
その後、所定の剥離液を用いて、めっきレジスト２４、４４が除去される。また、エッチング処理により、不要な無電解銅めっき膜２３、４３、及び銅箔２２、４２が除去される。これにより、図１７に示されるように、ランド２１ｃ、４１ｃを含む導体層２１、４１と、ビア導体２０ｃ、４０ｃと、が形成される。
【００６２】
その後、同様の処理を繰り返すことにより、図１に示されるように、ランド３１ｃ、５１ｃを含む導体層３１、５１と、ビア導体３０ｃ、５０ｃを形成することで、配線板１０００の上側と下側に、ビルドアップ層２、４が形成される。
【００６３】
以上の工程により、本実施形態に係るプリント配線板１００が完成する。その後、ビルドアップ層２、４上にソルダーレジスト層を形成することができる。
【００６４】
＜改変例１＞
図１８に示されるように、無電解めっき膜等の第２シード層８１、８２の厚みを厚くすることで、第２めっき膜９１、９２を削除することができる。めっき膜７０の両端に第２シード層８１、８２が形成されているので、図１８に示される配線板１０００は図２に示される配線板１０００と同様な効果を有する。
【００６５】
＜改変例２＞
図１９に示される配線板１０００は、第２シード層８１と第２めっき膜９１の間に、第３めっき膜９３と第３シード層８３を有する。改変例２の配線板１０００は、図２に示される配線板１０００と同様な効果を有する。
【００６６】
＜改変例３＞
上記実施形態に係る貫通孔１０ｈ及びスルーホール導体１０ｃの形状は砂時計型の形状である。貫通孔１０ｈ及びスルーホール導体１０ｃの形状は、例えば図２０に示されるように、略円柱状でもよい。この場合、レーザーは出発材料の一方の面から照射される。
【００６７】
＜改変例４＞
図１では、スルーホール導体１０ｃのランド１１ｃ上に１個のビア導体２０ｃが形成されている。例えば、図２１に示されるように、複数のビア導体２０ｃをスルーホール導体１０ｃのランド１１ｃ上に形成することができる。これにより、複数の経路から第１めっき膜７０に電流が入るので、第１めっき膜７０内の電流密度が均一化される。その結果として、ボイドＶ１の移動を抑制することができると考えられる。
また、ランド１１ｃ上に複数のビア導体２０ｃが形成されているので、ボイドＶ１がランド１１ｃ上の一部のビア導体２０ｃに移動したとしても、残りのビア導体２０ｃにより、ビア導体２０ｃとスルーホール導体１０ｃ間の電気的接続が行われる。このため、ビア導体２０ｃとスルーホール導体１０ｃの間の接続信頼性が低下しにくい。
【００６８】
＜改変例５＞
第１めっき膜（電解めっき膜）７０に複数のボイドＶ１が含まれていてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
２、４  ビルドアップ層
１０  基板
１０ｃ  スルーホール導体
１０ｈ  貫通孔
１１  第１導体層
１１ｃ、１２ｃ、２１ｃ、３１ｃ、４１ｃ、５１ｃ  ランド
１２  第２導体層
１３、１４、２２、４２  銅箔
１８、１９  エッチングレジスト
２０、３０、４０、５０  層間樹脂絶縁層
２０ｃ、３０ｃ、４０ｃ、５０ｃ  ビア導体
２０ｈ、４０ｈ  開口
２１、３１、４１、５１  導体層
２３、４３  無電解銅めっき膜
２４、４４  めっきレジスト
２５、４５  電解めっき膜
６０  第１シード層
７０  第１めっき膜
８１  第２シード層（上側のシード層）
８２  第２シード層（下側のシード層）
８３  第３シード層
９１  第２めっき膜（上側の第２めっき膜）
９２  第２めっき膜（下側の第２めっき膜）
９３  第３めっき膜
１００  プリント配線板
１０１ｈ  第１開口
１０２ｈ  第２開口
７１１ｈ  第１空間
７２１ｈ  第２空間
８１１ｈ  第３空間
８２１ｈ  第４空間
１０００  配線板
Ｄ１０  厚み
Ｄ７１１、Ｄ７２１  深さ
Ｆ１  第１面
Ｆ２  第２面
Ｖ１  ボイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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