(57)【要約】【課題】入力装置を備えた表示装置において、透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させる。【解決手段】表示装置は、表示領域Ａｄで配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部にそれぞれ設けられた複数の画素電極と、平面視において複数の画素電極と重なるように設けられた駆動電極と、平面視において駆動電極と重なるように設けられた複数の検出電極ＴＤＬと、検出電極ＴＤＬと離れて設けられたダミー電極ＴＤＤとを有する。検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤは、金属層または合金層を含む。複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比が、１〜２２％である。【選択図】図２０
2015156009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
平面視において前記第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極と、
前記第１領域で、前記複数の第３電極のいずれとも離れて設けられた第４電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記第２電極と前記複数の第３電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、
前記第４電極は、第２金属層または第２合金層を含み、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第３電極および前記第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である、表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、前記第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記複数の第３電極の各々は、前記第１金属層または前記第１合金層を含む第１導電線を有し、
前記第１導電線は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第３方向に延在する、表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の表示装置において、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第３電極および前記第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜１１％である、表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、前記第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記複数の第３電極の各々は、複数の第１導電線を有し、
前記複数の第１導電線の各々は、前記第１金属層または前記第１合金層を含み、かつ、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第３方向に延在し、
隣り合う前記第１導電線のうち互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されている、表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の表示装置において、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第３電極および前記第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、２〜２２％である、表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、前記第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記複数の第３電極の各々は、
第３方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第３方向と交差する第４方向に配列された複数の第１導電線と、
前記第３方向および前記第４方向のいずれとも交差する第５方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第４方向に配列された複数の第２導電線と、
を有し、
前記複数の第１導電線の各々は、前記第１金属層または前記第１合金層を含み、
前記複数の第２導電線の各々は、第３金属層または第３合金層を含み、
前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とは、互いに交差し、
前記複数の第３電極の各々は、互いに交差した前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とにより形成されたメッシュ形状を有する、表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の表示装置において、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第３電極および前記第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、２〜２２％である、表示装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
平面視において前記第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記第２電極と前記複数の第３電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む第１導電線を有し、
前記第１導電線は、平面視において、前記第１方向および前記第２方向のいずれとも交差する第３方向に延在する部分を有し、
前記第１導電線の幅は、２〜７μｍである、表示装置。
【請求項９】
請求項８記載の表示装置において、
前記第１導電線は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第４方向に延在する、表示装置。
【請求項１０】
請求項９記載の表示装置において、
前記第１導電線の幅は、２．５〜４．５μｍである、表示装置。
【請求項１１】
請求項８記載の表示装置において、
前記複数の第３電極の各々は、複数の前記第１導電線を有し、
前記複数の第１導電線の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第４方向に延在し、
隣り合う前記第１導電線のうち互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されている、表示装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の表示装置において、
前記複数の第１導電線の各々の幅は、２．５〜４．５μｍである、表示装置。
【請求項１３】
請求項８記載の表示装置において、
前記複数の第３電極の各々は、
前記第３方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第３方向と交差する第４方向に配列された複数の前記第１導電線と、
前記第３方向および前記第４方向のいずれとも交差する第５方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第４方向に配列された複数の第２導電線と、
を有し、
前記複数の第２導電線の各々は、第２金属層または第２合金層を含み、
前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とは、互いに交差し、
前記複数の第３電極の各々は、互いに交差した前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とにより形成されたメッシュ形状を有する、表示装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の表示装置において、
前記複数の第１導電線および前記複数の第２導電線の各々の幅は、２．５〜４．５μｍである、表示装置。
【請求項１５】
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
平面視において前記第２電極とそれぞれ重なるように設けられた複数の第３電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記第２電極と前記複数の第３電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第３電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である、表示装置。
【請求項１６】
請求項１、請求項８または請求項１５記載の表示装置において、
前記複数の第３電極の各々は、可視光に対して遮光性を有する、表示装置。
【請求項１７】
請求項１、請求項８または請求項１５記載の表示装置において、
前記第１電極は、画素電極であり、
前記第２電極は、共通電極であり、
前記第３電極は、前記入力位置を検出するための検出信号が出力される検出電極であり、
前記共通電極には、前記共通電極と前記検出電極との間の静電容量を測定するための駆動信号が入力される、表示装置。
【請求項１８】
請求項２または請求項８記載の表示装置において、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、前記第２方向における前記複数の画素の配列の間隔よりも小さく、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、４５〜１８０μｍである、表示装置。
【請求項１９】
請求項８記載の表示装置において、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、前記第２方向における前記複数の画素の配列の間隔よりも小さく、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、４５〜１８０μｍであり、
隣り合う前記第１導電線同士の間隔は、５０〜２００μｍである、表示装置。
【請求項２０】
請求項１、請求項８または請求項１５記載の表示装置において、
前記第３電極の表面、または、前記第３電極上に、可視光に対して、前記第３電極の可視光に対する反射率よりも低い反射率を有する低反射層が形成されている、表示装置。
【請求項２１】
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
平面視において前記第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極と、
前記第１領域で、前記複数の第３電極のいずれとも離れて設けられた第４電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、
前記第４電極は、第２金属層または第２合金層を含み、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第３電極および前記第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である、表示装置。
【請求項２２】
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
平面視において前記第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む第１導電線を有し、
前記第１導電線は、平面視において、前記第１方向および前記第２方向のいずれとも交差する第３方向に延在する部分を有し、
前記第１導電線の幅は、２〜７μｍである、表示装置。
【請求項２３】
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
平面視において前記第２電極とそれぞれ重なるように設けられた複数の第３電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第３電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置および電子機器に関し、特に、静電容量方式の入力装置を備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の表示面側に、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置を取り付け、タッチパネルに指やタッチペンなどの入力具などを接触させて入力動作を行ったときに、入力位置を検出して出力する技術がある。このようなタッチパネルを有する表示装置は、キーボード、マウス、またはキーパッドなどの入力装置を必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話などの携帯情報端末などで、広く使用されている。
【０００３】
タッチパネルに指などが接触した接触位置を検出する検出方式の一つとして、静電容量方式がある。静電容量方式を用いたタッチパネルでは、タッチパネルの面内に、誘電層を挟んで対向配置された一対の電極、すなわち駆動電極および検出電極からなる複数の容量素子が設けられている。そして、指やタッチペンなどの入力具を容量素子に接触させて入力動作を行ったときに、容量素子の静電容量が変化することを利用して、入力位置を検出する。
【０００４】
例えば、特開２０１０−１９７５７６号公報（特許文献１）には、透明電極パターンの不可視化対策がなされたタッチパネルが記載されている。また、特開２０１１−０５９７７１号公報（特許文献２）には、少なくとも部分的に分離され、不連続部分でも非視認性に優れるメッシュパターンを有する網目状導電性パターン、ならびに、その網目状導電性パターンを含む導体層パターン付き基材およびタッチパネル部材が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１９７５７６号公報
【特許文献２】特開２０１１−０５９７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなタッチパネルなどの入力装置が取り付けられた表示装置では、検出性能を向上させるため、検出電極の電気抵抗を低減することが望ましい。検出電極の材料として、表示領域における可視光に対する透過率を確保するため、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の、可視光に対して透光性を有する導電性酸化物が用いられることがある。ところが、ＩＴＯ等の導電性酸化物の電気抵抗率は、金属または合金などの導電性材料の電気抵抗率よりも大きい。したがって、検出電極の電気抵抗を低減するためには、金属または合金などの導電性材料を用いることが望ましい。
【０００７】
しかし、金属および合金などの導電性材料は、可視光に対して遮光性を有する。すなわち、金属および合金などの導電性材料における可視光に対する透過率は、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性酸化物における可視光に対する透過率よりも小さい。そのため、タッチパネルなどの入力装置の検出電極として、金属または合金などの導電性材料からなる検出電極が用いられる場合、表示領域における可視光に対する透過率が低下するおそれがある。
【０００８】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
本発明の一態様としての表示装置は、基板と、基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極とを有する。また、当該表示装置は、平面視において複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、平面視において第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極と、第１領域で、複数の第３電極のいずれとも離れて設けられた第４電極とを有する。複数の第１電極の各々と第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、第２電極と複数の第３電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出される。複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、第４電極は、第２金属層または第２合金層を含む。そして、複数の画素のうち平面視において複数の第３電極および第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である。
【００１１】
また、他の一態様として、複数の画素は、第１領域で、第１方向および第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む第１導電線を有し、第１導電線は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第３方向に延在してもよい。このとき、複数の画素のうち平面視において複数の第３電極および第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜１１％であってもよい。
【００１２】
また、他の一態様として、複数の画素は、第１領域で、第１方向および第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、複数の第３電極の各々は、複数の第１導電線を有してもよい。複数の第１導電線の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、かつ、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第３方向に延在し、隣り合う第１導電線のうち互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されていてもよい。このとき、複数の画素のうち平面視において複数の第３電極および第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の画素の面積の総和に対する比が、２〜２２％であってもよい。
【００１３】
また、他の一態様として、複数の画素は、第１領域で、第１方向および第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列されていてもよい。また、複数の第３電極の各々は、第３方向にそれぞれ延在し、かつ、第３方向と交差する第４方向に配列された複数の第１導電線と、第３方向および第４方向のいずれとも交差する第５方向にそれぞれ延在し、かつ、第４方向に配列された複数の第２導電線とを有してもよい。さらに、複数の第１導電線の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、複数の第２導電線の各々は、第３金属層または第３合金層を含み、複数の第１導電線と複数の第２導電線とは、互いに交差し、複数の第３電極の各々は、互いに交差した複数の第１導電線と複数の第２導電線とにより形成されたメッシュ形状を有してもよい。このとき、複数の画素のうち平面視において複数の第３電極および第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の画素の面積の総和に対する比が、２〜２２％であってもよい。
【００１４】
あるいは、本発明の一態様としての表示装置は、基板と、基板の第１主面側の第１領域で、第１方向および第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列された複数の画素と、複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極とを有する。また、当該表示装置は、平面視において複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、平面視において第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極とを有する。複数の第１電極の各々と第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、第２電極と複数の第３電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出される。複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む第１導電線を有し、第１導電線は、平面視において、第１方向および第２方向のいずれとも交差する第３方向に延在する部分を有する。そして、第１導電線の幅は、２〜７μｍである。
【００１５】
また、他の一態様として、第１導電線は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第４方向に延在してもよい。このとき、第１導電線の幅は、２．５〜４．５μｍであってもよい。
【００１６】
また、他の一態様として、複数の第３電極の各々は、複数の第１導電線を有し、複数の第１導電線の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第４方向に延在し、隣り合う第１導電線のうち互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されていてもよい。このとき、複数の第１導電線の各々の幅は、２．５〜４．５μｍであってもよい。
【００１７】
また、他の一態様として、複数の第３電極の各々は、第３方向にそれぞれ延在し、かつ、第３方向と交差する第４方向に配列された複数の第１導電線と、第３方向および第４方向のいずれとも交差する第５方向にそれぞれ延在し、かつ、第４方向に配列された複数の第２導電線とを有してもよい。そして、複数の第２導電線の各々は、第２金属層または第２合金層を含み、複数の第１導電線と複数の第２導電線とは、互いに交差し、複数の第３電極の各々は、互いに交差した複数の第１導電線と複数の第２導電線とにより形成されたメッシュ形状を有してもよい。このとき、複数の第１導電線および複数の第２導電線の各々の幅は、２．５〜４．５μｍであってもよい。
【００１８】
あるいは、本発明の一態様としての表示装置は、基板と、基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極とを有する。また、当該表示装置は、平面視において複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、平面視において第２電極とそれぞれ重なるように設けられた複数の第３電極とを有する。複数の第１電極の各々と第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、第２電極と複数の第３電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出される。複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む。そして、複数の画素のうち平面視において複数の第３電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である。
【００１９】
また、他の一態様として、複数の第３電極の各々は、可視光に対して遮光性を有してもよい。あるいは、第１電極は、画素電極であり、第２電極は、共通電極であり、第３電極は、入力位置を検出するための検出信号が出力される検出電極であり、共通電極には、共通電極と検出電極との間の静電容量を測定するための駆動信号が入力されてもよい。あるいは、他の一態様として、第１方向における複数の画素の配列の間隔は、第２方向における複数の画素の配列の間隔よりも小さく、第１方向における複数の画素の配列の間隔は、４５〜１８０μｍであってもよい。また、他の一態様として、第１方向における複数の画素の配列の間隔は、第２方向における複数の画素の配列の間隔よりも小さく、第１方向における複数の画素の配列の間隔は、４５〜１８０μｍであり、隣り合う第１導電線同士の間隔は、５０〜２００μｍであってもよい。
【００２０】
また、他の一態様として、第３電極の表面、または、第３電極上に、可視光に対して、第３電極の可視光に対する反射率よりも低い反射率を有する低反射層が形成されていてもよい。
【００２１】
あるいは、本発明の一態様としての表示装置は、基板と、基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極とを有する。また、当該表示装置は、平面視において複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、平面視において第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極と、第１領域で、複数の第３電極のいずれとも離れて設けられた第４電極とを有する。複数の第１電極の各々と第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置が検出される。複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、第４電極は、第２金属層または第２合金層を含む。そして、複数の画素のうち平面視において複数の第３電極および第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である。
【００２２】
あるいは、本発明の一態様としての表示装置は、基板と、基板の第１主面側の第１領域で、第１方向および第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列された複数の画素と、複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極とを有する。また、当該表示装置は、平面視において複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、平面視において第２電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第３電極とを有する。複数の第１電極の各々と第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置が検出される。複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む第１導電線を有し、第１導電線は、平面視において、第１方向および第２方向のいずれとも交差する第３方向に延在する部分を有する。そして、第１導電線の幅は、２〜７μｍである。
【００２３】
あるいは、本発明の一態様としての表示装置は、基板と、基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極とを有する。また、当該表示装置は、平面視において複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、平面視において第２電極とそれぞれ重なるように設けられた複数の第３電極とを有する。複数の第１電極の各々と第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置が検出される。複数の第３電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む。そして、複数の画素のうち平面視において複数の第３電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態を表す説明図である。
【図３】タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図５】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図６】駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図８】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図９】実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図１０】実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。
【図１１】実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【図１２】表示期間とタッチ検出期間との関係を模式的に示す図である。
【図１３】表示期間における各種の信号を示すタイミング波形図である。
【図１４】タッチ検出期間における各種の信号の波形を示すタイミング波形図である。
【図１５】実施の形態１の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す平面図である。
【図１６】実施の形態１の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す断面図である。
【図１７】実施の形態１の表示装置における検出電極の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図１８】実施の形態１の表示装置における検出電極の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図１９】実施の形態１の表示装置における検出電極の構成の他の例を模式的に示す平面図である。
【図２０】実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【図２１】実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の他の例を模式的に示す平面図である。
【図２２】実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図２３】実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図２４】実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の他の例を模式的に示す平面図である。
【図２５】実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【図２６】実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の他の例を模式的に示す平面図である。
【図２７】実施の形態１の表示装置における副画素の位置と検出電極の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【図２８】表１における検出値と面積率との関係を示すグラフである。
【図２９】表２における検出値と面積率との関係を示すグラフである。
【図３０】導電線の線幅と導電線の抵抗値との関係を示すグラフである。
【図３１】実施の形態２の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す平面図である。
【図３２】実施の形態２の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す断面図である。
【図３３】実施の形態３の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図３４】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【図３５】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【図３６】実施の形態５の電子機器の一例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。
【図３７】実施の形態５の電子機器の一例としてのデジタルカメラの外観を表す斜視図である。
【図３８】実施の形態５の電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。
【図３９】実施の形態５の電子機器の一例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である。
【図４０】実施の形態５の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。
【図４１】実施の形態５の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。
【図４２】実施の形態５の電子機器の一例としてのスマートフォンの外観を表す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っても適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００２７】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００２８】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００２９】
また、以下の実施の形態において、Ａ〜Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。
【００３０】
（実施の形態１）
初めに、実施の形態１として、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。なお、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチパネルに含まれる駆動電極および検出電極の少なくとも一方が、液晶表示装置の液晶を駆動する駆動電極として液晶表示装置に内蔵されたタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。
【００３１】
＜全体構成＞
初めに、図１を参照し、実施の形態１の表示装置の全体構成について説明する。図１は、実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【００３２】
表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部４０とを備えている。
【００３３】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを有する。液晶表示デバイス２０は、表示素子として液晶表示素子を用いた表示デバイスである。タッチ検出デバイス３０は、静電容量方式のタッチ検出デバイス、すなわち静電容量型のタッチ検出デバイスである。そのため、表示装置１は、タッチ検出機能を有する入力装置を備えた表示装置である。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを一体化した表示デバイスであり、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイス、すなわちインセルタイプのタッチ検出機能付き表示デバイスである。
【００３４】
なお、後述する実施の形態３として説明するように、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０の上に、タッチ検出デバイス３０を装着した表示デバイスであってもよい。また、液晶表示デバイス２０に代え、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示デバイスが用いられてもよい。
【００３５】
液晶表示デバイス２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、表示領域において、１水平ラインずつ順次走査を行うことにより表示を行う。タッチ検出デバイス３０は、後述するように、静電容量型タッチ検出の原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００３６】
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４およびタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。
【００３７】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００３８】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される画像信号Ｖｓｉｇの制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた副画素ＳＰｉｘ（後述する図１０参照）に、画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００３９】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた駆動電極ＣＯＭＬ（後述する図７または図８参照）に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００４０】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示デバイス１０のタッチ検出デバイス３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチ検出デバイス３０に対する指やタッチペンなどの入力具のタッチ、すなわち後述する接触または近接の状態、の有無を検出する回路である。そして、タッチ検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標、すなわち入力位置などを求める回路である。タッチ検出部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ（Analog/Digital）変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。
【００４１】
タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出デバイス３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。タッチ検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分、すなわちノイズ成分を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。
【００４２】
＜静電容量型タッチ検出の原理＞
次に、図１〜図６を参照し、本実施の形態１の表示装置１におけるタッチ検出の原理について説明する。図２は、タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態を表す説明図である。図３は、タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。図５は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図６は、駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【００４３】
図２に示すように、静電容量型タッチ検出においては、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２を有する。これらの駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により容量素子Ｃ１が形成されている。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、駆動信号源である交流信号源Ｓに接続され、容量素子Ｃ１の他端は、タッチ検出部である電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００４４】
交流信号源Ｓから容量素子Ｃ１の一端、すなわち駆動電極Ｅ１に、例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数を有する交流矩形波Ｓｇが印加されると、容量素子Ｃ１の他端、すなわち検出電極Ｅ２側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形である検出信号Ｖｄｅｔが発生する。なお、この交流矩形波Ｓｇは、例えば図６に示す駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。
【００４５】
図２に示された、指が接触および近接していない状態、すなわち非接触状態では、図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を、電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図６において、実線の波形Ｖ０で示されている。
【００４６】
一方、図４に示された、指が接触または近接した状態、すなわち接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２の影響を受け、駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により形成される容量素子は、容量素子Ｃ１の容量値よりも小さい容量値を有する容量素子Ｃ１’として作用する。そして、図５に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ１が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図６において、破線の波形Ｖ１で示されている。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることが好ましい。
【００４７】
図１に示す例では、タッチ検出デバイス３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとにタッチ検出を行う。すなわち、タッチ検出デバイス３０は、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々に対応した１つの検出ブロックごとに、図３または図５に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出信号Ｖｄｅｔを出力し、出力した検出信号Ｖｄｅｔを、タッチ検出部４０のＡ／Ｄ変換部４３に供給する。
【００４８】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００４９】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分、すなわちノイズ成分を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみを取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１つの検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する外部近接物体の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、外部近接物体の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０によるタッチ検出が行われる。
【００５０】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、タッチが検出された位置の座標、すなわちタッチパネルにおける入力位置を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００５１】
＜モジュール＞
図７および図８は、実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図７に示す例では、ＴＦＴ基板２１上に、前述した駆動電極ドライバ１４が形成されている。
【００５２】
図７に示すように、表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、駆動電極ドライバ１４と、ＣＯＧ（Chip On Glass）１９Ａと、ＴＦＴ基板２１とを有する。
【００５３】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとを有する。ここで、ＴＦＴ基板２１の主面としての表面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。また、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の駆動電極ＣＯＭＬとそれぞれ交差し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。すなわち、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、平面視において、複数の駆動電極ＣＯＭＬと交差している。なお、タッチ検出機能付き表示デバイス１０が形成されている領域は、画像が表示される表示領域Ａｄと同一の領域である。
【００５４】
図１５を用いて後述するように、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように設けられている。すなわち、１つの駆動電極ＣＯＭＬは、複数の副画素ＳＰｉｘに対して共通な電極として設けられている。したがって、駆動電極ＣＯＭＬのことを、共通電極とも称する。
【００５５】
なお、本願明細書では、「平面視において」とは、ＴＦＴ基板２１の主面としての表面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００５６】
図７に示す例では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺と、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺とを備え、矩形形状を有する。Ｙ軸方向におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０の一方の側には、フレキシブル基板などからなる端子部Ｔが設けられている。検出電極ＴＤＬは、端子部Ｔを介して、このモジュールの外部に実装されたタッチ検出部４０と接続されている。駆動電極ドライバ１４は、例えばガラス基板からなるＴＦＴ基板２１に形成されている。ＣＯＧ１９Ａは、ＴＦＴ基板２１に実装されたチップであり、図１に示した制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。
【００５７】
一方、表示装置１は、ＣＯＧに駆動電極ドライバ１４を内蔵してもよい。ＣＯＧに駆動電極ドライバ１４が内蔵された例を、図８に示す。図８に示す例では、表示装置１は、モジュールはＣＯＧ１９Ｂを有する。図８に示すＣＯＧ１９Ｂには、上述した表示動作に必要な各回路に加え、駆動電極ドライバ１４がさらに内蔵されている。
【００５８】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
次に、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の構成例を詳細に説明する。図９は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図１０は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。なお、図９では、ＴＦＴ素子Ｔｒ（図１０参照）、層間樹脂膜２３およびパッシベーション膜２３ａ（後述する図１６参照）など、ＴＦＴ基板２１と駆動電極ＣＯＭＬとの間に形成された部分の図示を省略している。
【００５９】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、画素基板２と、対向基板３と、液晶層６とを有する。対向基板３は、画素基板２の主面としての表面と、対向基板３の主面としての裏面とが対向するように、配置されている。液晶層６は、画素基板２と対向基板３との間に設けられている。
【００６０】
画素基板２は、ＴＦＴ基板２１を有する。図１０に示すように、表示領域Ａｄで、ＴＦＴ基板２１（図９参照）には、複数の走査線ＧＣＬ、複数の信号線ＳＧＬ、および、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）であるＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。なお、図９では、走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬおよびＴＦＴ素子Ｔｒの図示は、省略する。
【００６１】
図１０に示すように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＧＬは、表示領域Ａｄで、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。したがって、複数の信号線ＳＧＬの各々は、平面視において、複数の走査線ＧＣＬと交差する。このように、平面視において、互いに交差する複数の走査線ＧＣＬと複数の信号線ＳＧＬとにより、副画素ＳＰｉｘが区画され、複数の異なる色の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。すなわち、ＴＦＴ基板２１上で、表示領域Ａｄにおいて、副画素ＳＰｉｘは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。言い換えれば、副画素ＳＰｉｘは、ＴＦＴ基板２１の表面側の表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００６２】
平面視において、複数の走査線ＧＣＬの各々と複数の信号線ＳＧＬの各々とが交差する交差部には、ＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。したがって、表示領域Ａｄで、ＴＦＴ基板２１上には、複数のＴＦＴ素子Ｔｒが形成されており、これらの複数のＴＦＴ素子Ｔｒは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒが設けられている。また、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒに加え、液晶素子ＬＣが設けられている。
【００６３】
ＴＦＴ素子Ｔｒは、例えばｎチャネル型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）としての薄膜トランジスタからなる。ＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極は、走査線ＧＣＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線ＳＧＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の他方は、液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、例えば、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極に接続され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。
【００６４】
図９に示すように、画素基板２は、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、絶縁膜２４と、複数の画素電極２２とを有する。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板２１の表面側の表示領域Ａｄ（図７または図８参照）で、ＴＦＴ基板２１上に設けられている。複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々の表面を含めてＴＦＴ基板２１上には、絶縁膜２４が形成されている。表示領域Ａｄで、絶縁膜２４上には、複数の画素電極２２が形成されている。したがって、絶縁膜２４は、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とを、電気的に絶縁する。
【００６５】
図１０に示すように、複数の画素電極２２は、ＴＦＴ基板２１の表面側の表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部にそれぞれ形成されている。したがって、複数の画素電極２２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００６６】
図９に示す例では、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、ＴＦＴ基板２１と画素電極２２との間に形成されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、複数の画素電極２２と重なるように設けられている。そして、複数の画素電極２２の各々と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間に電圧が印加され、複数の副画素ＳＰｉｘの各々に設けられた液晶素子ＬＣに電圧が印加されることにより、表示領域Ａｄに画像が表示される。
【００６７】
なお、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、画素電極２２を挟んでＴＦＴ基板２１と反対側に形成されていてもよい。
【００６８】
液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード、または、ＩＰＳ（In Plane Switching）モード等の横電界モードに対応した液晶層が用いられる。すなわち、液晶表示デバイス２０として、ＦＦＳモードまたはＩＰＳモード等の横電界モードによる液晶表示デバイスが用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、および、液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が設けられていてもよい。
【００６９】
図１０に示すように、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬにより互いに接続されている。走査線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２により走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が供給される。また、Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の列に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、信号線ＳＧＬにより互いに接続されている。信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３により画素信号Ｖｐｉｘ（図１参照）が供給される。さらに、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、駆動電極ＣＯＭＬにより互いに接続されている。
【００７０】
駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図１参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４により駆動信号Ｖｃｏｍ（図１参照）が供給される。つまり、図１０に示す例では、同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの駆動電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。前述したように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されているため、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の走査線ＧＣＬの各々が延在する方向と平行である。ただし、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は限定されず、例えば、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の信号線ＳＧＬの各々が延在する方向と平行な方向であってもよい。
【００７１】
図１に示すゲートドライバ１２は、走査信号Ｖｓｃａｎを、図１０に示す走査線ＧＣＬを介して、各副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極に印加することにより、液晶表示デバイス２０においてマトリクス状に形成された副画素ＳＰｉｘのうちの１行、すなわち１水平ラインを表示駆動の対象として順次選択する。図１に示すソースドライバ１３は、画素信号Ｖｐｉｘを、図１０に示す信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにそれぞれ供給する。そして、１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにおいて、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じた表示が行われる。
【００７２】
図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍを印加し、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとに駆動電極ＣＯＭＬを駆動する。
【００７３】
液晶表示デバイス２０においては、ゲートドライバ１２が走査線ＧＣＬを時分割的に順次走査するように駆動することにより、副画素ＳＰｉｘが、１水平ラインずつ順次選択される。また、液晶表示デバイス２０においては、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応した駆動電極ＣＯＭＬを含む検出ブロックに対して、駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。
【００７４】
本実施の形態１の表示装置１における駆動電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作し、かつ、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作する。図１１は、実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【００７５】
タッチ検出デバイス３０は、画素基板２に設けられた複数の駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた複数の検出電極ＴＤＬとを有する。複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向と交差する方向にそれぞれ延在する。言い換えれば、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において複数の駆動電極ＣＯＭＬとそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられている。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、画素基板２に含まれるＴＦＴ基板２１の表面に垂直な方向において、駆動電極ＣＯＭＬと対向している。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２（図１参照）にそれぞれ接続されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との平面視における交差部には、静電容量が発生する。そして、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との間の静電容量に基づいて、入力位置が検出される。なお、図９を用いて前述したように、駆動電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板２１の表面に垂直な方向において、画素電極２２と対向している。
【００７６】
このような構成により、タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４により、スキャン方向Ｓｃａｎに１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックが順次選択される。そして、選択された検出ブロックにおいて、駆動電極ＣＯＭＬには、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定するための駆動信号Ｖｃｏｍが入力され、検出電極ＴＤＬから、入力位置を検出するための検出信号Ｖｄｅｔが出力される。このようにタッチ検出デバイス３０は、１検出ブロックごとにタッチ検出が行われるようになっている。つまり、１つの検出ブロックは、前述したタッチ検出の原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応している。
【００７７】
図１１に示すように、平面視において、互いに交差した複数の駆動電極ＣＯＭＬと複数の検出電極ＴＤＬは、マトリクス状に配列された静電容量式タッチセンサを形成する。よって、タッチ検出デバイス３０のタッチ検出面全体を走査することにより、指などが接触または近接した位置を検出することが可能である。
【００７８】
図９に示すように、対向基板３は、ガラス基板３１と、カラーフィルタ３２と、検出電極ＴＤＬと、偏光板３５とを有する。カラーフィルタ３２は、ガラス基板３１の一方の主面としての裏面に形成されている。検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、ガラス基板３１の他方の主面としての表面に形成されている。偏光板３５は、検出電極ＴＤＬ上に設けられている。
【００７９】
カラーフィルタ３２として、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタがＸ軸方向に配列される。これにより、図１０に示すように、Ｒ、ＧおよびＢの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘが形成され、１組の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。画素Ｐｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。また、画素Ｐｉｘがマトリクス状に配列された領域が、前述した表示領域Ａｄである。なお、カラーフィルタ３２の色の組み合わせとして、Ｒ、ＧおよびＢ以外の他の色を含む複数の色の組み合わせでもよい。また、カラーフィルタ３２は、設けられていなくてもよい。あるいは、１つの画素Ｐｉｘが、カラーフィルタ３２が設けられていない副画素ＳＰｉｘ、すなわち白色の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。
【００８０】
＜動作タイミング＞
次に、本実施の形態１の表示装置１の表示動作およびタッチ検出動作の動作タイミングを説明する。
【００８１】
図１２は、表示期間とタッチ検出期間との関係を模式的に示す図である。図１２に示すように、１フレーム期間１Ｆは、表示期間Ｐｄおよびタッチ検出期間Ｐｔにより構成される。各タッチ検出期間Ｐｔにおいて、表示装置１は、例えば表示領域Ａｄ全体でのタッチ検出、すなわち１画面分のタッチ検出を行う。なお、これに限定されるものではなく、各タッチ検出期間Ｐｔにおいて、表示装置１は、例えば表示領域Ａｄの１画面分以上のタッチ検出を行ってもよく、または、表示領域Ａｄの一部でのタッチ検出、すなわち１画面分以下のタッチ検出を行ってもよい。
【００８２】
タッチ検出動作が行われるタッチ検出期間Ｐｔでは、液晶表示デバイス２０には、例えば走査信号Ｖｓｃａｎおよび画素信号Ｖｐｉｘ（図１参照）などの表示動作を行うための各種の信号は印加されない。よって、タッチ検出期間Ｐｔにおいて、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬ（図１０参照）は、フローティング状態または直流電位が印加された状態になる。これにより、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬから検出電極ＴＤＬへ、寄生容量を介してノイズが伝わる可能性を低減することができる。すなわち、内部ノイズがタッチ検出動作に与える影響を低減することができる。
【００８３】
図１３は、表示期間における各種の信号を示すタイミング波形図である。図１３では、（ａ）は表示駆動信号Ｖｃｏｍｄの波形を示し、（ｂ）は走査信号Ｖｓｃａｎの波形を示し、（ｃ）は画素信号Ｖｐｉｘの波形を示す。
【００８４】
表示装置１は、表示期間Ｐｄにおいて、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄ、走査信号Ｖｓｃａｎおよび画素信号Ｖｐｉｘに基づいて、表示動作を行う。
【００８５】
まず、駆動電極ドライバ１４は、タイミングｔ１において、例えば複数の駆動電極ＣＯＭＬを含むある駆動信号印加ブロックに対して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄを印加し、その電圧レベルが低レベルから高レベルに変化する。これにより、１水平期間１Ｈが開始される。ゲートドライバ１２は、タイミングｔ２において、その駆動信号印加ブロックに含まれる（ｎ−１）行目の画素の走査線ＧＣＬに対して走査信号Ｖｓｃａｎを印加する。これにより、走査信号Ｖｓｃａｎ（ｎ−１）が低レベルから高レベルに変化する。また、ソースドライバ１３は、タイミングｔ３〜ｔ４の期間において、信号線ＳＧＬに対して画素信号Ｖｐｉｘを印加する。これにより、１水平ラインに対する表示を開始する。そして、ソースドライバ１３による画素信号Ｖｐｉｘの供給が終了した後、ゲートドライバ１２は、タイミングｔ５において、走査信号Ｖｓｃａｎ（ｎ−１）を高レベルから低レベルに変化させる。
【００８６】
次に、駆動電極ドライバ１４は、タイミングｔ１１において、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄの電圧レベルを高レベルから低レベルに変化させる。これにより、次の１水平期間（１Ｈ）が開始される。ゲートドライバ１２は、タイミングｔ１２において、その駆動信号印加ブロックに含まれるｎ行目の画素の走査線ＧＣＬに対して走査信号Ｖｓｃａｎを印加し、走査信号Ｖｓｃａｎ（ｎ）が低レベルから高レベルに変化する。また、ソースドライバ１３は、タイミングｔ１３〜ｔ１４の期間において、信号線ＳＧＬに対して画素信号Ｖｐｉｘを印加し、１水平ラインに対する表示を開始する。なお、この例では、表示装置１は反転駆動を行うため、ソースドライバ１３が印加する画素信号Ｖｐｉｘの極性は、一つ前の１水平期間１Ｈにおける画素信号Ｖｐｉｘの極性に対し、反転している。そして、ソースドライバ１３による画素信号Ｖｐｉｘの供給が終了した後、ゲートドライバ１２は、タイミングｔ１５において、走査信号Ｖｓｃａｎ（ｎ）を高レベルから低レベルに変化させる。
【００８７】
上述した動作をｎ＋１行目の画素の走査線ＧＣＬも含めて各行の画素の走査線ＧＣＬに対して繰り返すことにより、表示装置１は、表示領域Ａｄのうち、駆動信号印加ブロックに含まれる全ての駆動電極ＣＯＭＬについて、表示動作を行う。次に、表示装置１は、表示領域Ａｄのうち、別の駆動信号印加ブロックに含まれる全ての駆動電極ＣＯＭＬについて、表示動作を行う。同様に動作を繰り返すことにより、表示装置１は、表示期間Ｐｄにおいて、表示領域Ａｄ全体に対する表示動作を行う。
【００８８】
図１４は、タッチ検出期間における各種の信号の波形を示すタイミング波形図である。図１４では、（ａ）は駆動信号Ｖｃｏｍの波形を示し、（ｂ）は検出信号Ｖｄｅｔの波形を示す。
【００８９】
駆動電極ドライバ１４は、タッチ検出期間Ｐｔにおいて、駆動信号に基づいて、タッチ検出動作を行う。
【００９０】
まず、駆動電極ドライバ１４は、ｋ行目の駆動電極ＣＯＭＬに対して、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｋ）として、交流駆動信号ＶｃｏｍＡＣを供給する。この交流駆動信号ＶｃｏｍＡＣは、静電容量を介して検出電極ＴＤＬに伝わり、検出信号Ｖｄｅｔ（図６参照）が変化する。Ａ／Ｄ変換部４３は、交流駆動信号ＶｃｏｍＡＣに同期したサンプリングタイミングｔｓにおいて、検出信号Ｖｄｅｔが入力されたタッチ検出信号増幅部４２の出力信号をＡ／Ｄ変換する。これにより、表示領域Ａｄのうち、ｋ行目の駆動電極ＣＯＭＬが形成された領域におけるタッチ検出動作が行われる。
【００９１】
次に、駆動電極ドライバ１４は、ｋ＋１行目の駆動電極ＣＯＭＬに対して、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｋ＋１）として、交流駆動信号ＶｃｏｍＡＣを供給する。この交流駆動信号ＶｃｏｍＡＣは、静電容量を介して検出電極ＴＤＬに伝わり、検出信号Ｖｄｅｔが変化する。Ａ／Ｄ変換部４３は、交流駆動信号ＶｃｏｍＡＣに同期したサンプリングタイミングｔｓにおいて、検出信号Ｖｄｅｔが入力されたタッチ検出信号増幅部４２の出力信号をＡ／Ｄ変換する。これにより、表示領域Ａｄのうち、ｋ＋１行目の駆動電極ＣＯＭＬが形成された領域におけるタッチ検出動作が行われる。
【００９２】
上述した動作を繰り返すことにより、表示装置１は、表示領域Ａｄ全体に対するタッチ検出動作を行う。
【００９３】
＜駆動電極と画素電極との位置関係＞
次に、図１５および図１６を参照し、駆動電極と画素電極との位置関係について説明する。
【００９４】
図１５は、実施の形態１の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す平面図である。図１６は、実施の形態１の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す断面図である。図１５は、１つの副画素ＳＰｉｘの内部に設けられた１つの画素電極２２およびその周辺の構成を示す。図１６は、図１５のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図１５では、ＴＦＴ基板２１、駆動電極ＣＯＭＬ、画素電極２２、ＴＦＴ素子Ｔｒに含まれる電極、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬ以外の部分の図示を省略し、図１６では、画素電極２２よりも上方の部分の図示を省略する。
【００９５】
ＴＦＴ基板２１上には、ゲート配線として動作する走査線ＧＣＬが形成されている。前述したように、走査線ＧＣＬは、行方向（Ｘ軸方向）に延在しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の不透明な金属からなる。走査線ＧＣＬのうち、平面視において、信号線ＳＧＬと交差する交差部付近には、ゲート電極ＧＥが設けられている。
【００９６】
走査線ＧＣＬおよびゲート電極ＧＥを覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶縁膜ＧＩが形成されている。そして、平面視でゲート電極ＧＥと重なるゲート絶縁膜ＧＩ上には、例えば非晶質シリコンまたは多結晶シリコン等からなる半導体層ＳＬが形成されている。
【００９７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、例えばソース配線である信号線ＳＧＬが形成されている。前述したように、信号線ＳＧＬは、列方向（Ｙ軸方向）に延在しており、走査線ＧＣＬと同様に、例えばＡｌまたはＭｏ等の不透明な金属からなる。
【００９８】
図１５および図１６に示す例では、信号線ＳＧＬのうち、平面視において、走査線ＧＣＬと交差する交差部付近には、ソース電極ＳＥが接続されている。ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＬの表面と部分的に接触している。
【００９９】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、例えば信号線ＳＧＬと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極ＤＥが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥと近接配置されて半導体層ＳＬと部分的に接触している。
【０１００】
ゲート電極ＧＥ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体層ＳＬ、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｔｒが構成されている。
【０１０１】
さらに、信号線ＳＧＬ、ＴＦＴ素子Ｔｒおよびゲート絶縁膜ＧＩの露出部分を覆うように、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなる層間樹脂膜２３が形成されている。すなわち、ドレイン電極ＤＥを含むＴＦＴ素子Ｔｒ上には、層間樹脂膜２３が形成されている。層間樹脂膜２３は、信号線ＳＧＬ、ＴＦＴ素子Ｔｒおよびゲート絶縁膜ＧＩの露出部分を覆うとともに、信号線ＳＧＬ、ＴＦＴ素子Ｔｒおよびゲート絶縁膜ＧＩの凹凸面を平坦化する平坦化膜である。
【０１０２】
なお、層間樹脂膜２３の下層として、信号線ＳＧＬ、ＴＦＴ素子Ｔｒおよびゲート絶縁膜ＧＩの露出部分の一部または全部を覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜２３ａを形成することもできる。そして、パッシベーション膜２３ａを覆うように、層間樹脂膜２３を形成することもできる。図１６では、パッシベーション膜２３ａが形成された例を示している。
【０１０３】
層間樹脂膜２３を覆うようにして、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の可視光に対して透光性を有する導電性材料からなる駆動電極ＣＯＭＬが形成されている。本実施の形態１では、駆動電極ＣＯＭＬは、液晶層６（図９参照）を駆動する駆動電極として動作する。また、本実施の形態１では、駆動電極ＣＯＭＬには、タッチパネル検出用の駆動電圧が印加、すなわち駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定し、入力位置を検出するための駆動信号が入力されるため、駆動電極ＣＯＭＬは、タッチパネルの駆動電極としても動作する。
【０１０４】
駆動電極ＣＯＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように、Ｘ軸方向に連続して一体に設けられている。すなわち、１つの駆動電極ＣＯＭＬは、複数の副画素ＳＰｉｘに対して共通な電極として設けられている。したがって、駆動電極ＣＯＭＬのことを、共通電極とも称する。
【０１０５】
駆動電極ＣＯＭＬを覆うようにして、例えば窒化ケイ素または酸化ケイ素等からなる透明な絶縁膜２４が形成されている。そして、絶縁膜２４を覆うようにして、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の可視光に対して透光性を有する導電性材料からなる複数の画素電極２２が形成されている。複数の画素電極２２は、平面視において、複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部で、駆動電極ＣＯＭＬとそれぞれ重なるように形成されている。言い換えれば、駆動電極ＣＯＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の画素電極２２と重なるように設けられている。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘの各々で、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とは、絶縁膜２４を挟んで対向している。
【０１０６】
平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、絶縁膜２４、層間樹脂膜２３およびパッシベーション膜２３ａを貫通してＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極ＤＥに達するコンタクトホール２５が形成されている。コンタクトホール２５の底面部には、ドレイン電極ＤＥが露出している。画素電極２２は、コンタクトホール２５の側面部および底面部を含めて絶縁膜２４上に形成されており、コンタクトホール２５の底面部に露出したドレイン電極ＤＥと、電気的に接続されている。
【０１０７】
なお、各副画素ＳＰｉｘの内部に形成された画素電極２２には、例えば信号線ＳＧＬの延在方向（Ｙ軸方向）に全体として延在するスリット状開口２６が形成されていてもよい。また、スリット状開口２６は、途中で屈曲していてもよい。さらに、図２７を用いて後述するが、平面視において、複数の走査線ＧＣＬおよび複数の信号線ＳＧＬの各々と重なるように、遮光部ＢＭ１およびＢＭ２が形成されていてもよい。
【０１０８】
＜検出電極＞
次に、平面視における検出電極の形状および配置について説明する。以下では、検出電極が、いわゆるジグザグ形状を有する導電線を備える例について、説明する。
【０１０９】
図１７および図１８は、実施の形態１の表示装置における検出電極の構成の一例を模式的に示す平面図である。図１７では、複数の検出電極ＴＤＬのうち、１つの検出電極ＴＤＬを示す。また、図１８では、検出電極ＴＤＬの一部が拡大して示されている。
【０１１０】
複数の検出電極ＴＤＬの各々は、導電線ＭＬを有する。図１７に示す例では、１つの検出電極ＴＤＬは、６つの導電線ＭＬを有する。導電線ＭＬは、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてある方向に延在するジグザグ形状を有する。導電線ＭＬが、平面視において、全体として延在する方向を方向Ｄ１とし、方向Ｄ１と交差する方向を方向Ｄ２とする。このとき、導電線ＭＬは、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として方向Ｄ１に延在するジグザグ形状を有する。また、導電線ＭＬは、平面視において、方向Ｄ２に配列されている。
【０１１１】
図１８に示すように、導電線ＭＬは、複数の延在部ＥＸ１と、複数の延在部ＥＸ２とを含む。複数の延在部ＥＸ１の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図１８中左側）に傾斜して延在する。また、複数の延在部ＥＸ２の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図１７中右側）に傾斜して延在する。延在部ＥＸ１と延在部ＥＸ２とは、平面視において、方向Ｄ１に交互に配列されている。そして、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ１および延在部ＥＸ２の端部同士が結合されている。これにより、複数の延在部ＥＸ１と、複数の延在部ＥＸ２とが、導電線ＭＬとして一体化されている。
【０１１２】
図１８に示すように、導電線ＭＬは、複数の屈曲部ＢＴ１と、複数の屈曲部ＢＴ２とを含む。複数の屈曲部ＢＴ１の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図１８中左側）に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する。また、複数の屈曲部ＢＴ２の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図１８中右側）に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する。導電線ＭＬでは、屈曲部ＢＴ１と屈曲部ＢＴ２とは、平面視において、方向Ｄ１に交互に配置されている。
【０１１３】
図１８では、２つの導電線ＭＬが示されている。２つの導電線ＭＬの各々は、複数の屈曲部ＢＴ１として、屈曲部ＢＴ１１および屈曲部ＢＴ１２を含み、複数の屈曲部ＢＴ２として、屈曲部ＢＴ２１および屈曲部ＢＴ２２を含む。屈曲部ＢＴ１１は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図１８中左側）に傾斜した方向Ｄ１１に屈曲する。屈曲部ＢＴ２１は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図１８中右側）に傾斜した方向Ｄ２１に屈曲する。屈曲部ＢＴ１２は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図１８中左側）に傾斜した方向Ｄ１２に屈曲する。屈曲部ＢＴ２２は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図１８中右側）に傾斜した方向Ｄ２２に屈曲する。図１８に示す例では、方向Ｄ１２は、方向Ｄ１１と同一、すなわち平行な方向であり、方向Ｄ２２は、方向Ｄ２１と同一、すなわち平行な方向である。
【０１１４】
なお、方向Ｄ１１と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ１１とし、方向Ｄ１２と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ１２とし、方向Ｄ２１と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ２１とし、方向Ｄ２２と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ２２とする。
【０１１５】
また、図１８に示す例では、導電線ＭＬは、複数の延在部ＥＸ１として、延在部ＥＸ１１および延在部ＥＸ１２を含み、複数の延在部ＥＸ２として、延在部ＥＸ２１および延在部ＥＸ２２を含む。延在部ＥＸ１１は、平面視において、方向Ｄ１１に延在し、延在部ＥＸ２１は、平面視において、方向Ｄ２１に延在し、延在部ＥＸ１２は、平面視において、方向Ｄ１２に延在し、延在部ＥＸ２２は、平面視において、方向Ｄ２２に延在する。図１８に示す例では、前述したように、方向Ｄ１２は、方向Ｄ１１と同一、すなわち平行な方向であり、方向Ｄ２２は、方向Ｄ２１と同一、すなわち平行な方向である。したがって、延在部ＥＸ１１と延在部ＥＸ１２とは互いに平行であり、延在部ＥＸ２１と延在部ＥＸ２２とは互いに平行である。
【０１１６】
また、図１８に示す例では、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ１１同士は互いに平行であり、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ１２同士は互いに平行である。また、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ２１同士は互いに平行であり、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ２２同士は互いに平行である。
【０１１７】
なお、方向Ｄ１２は、方向Ｄ１１と異なる方向、すなわち方向Ｄ１１と交差する方向であってもよく、方向Ｄ２２は、方向Ｄ２１と異なる方向、すなわち方向Ｄ２１と交差する方向であってもよい。すなわち、延在部ＥＸ１１と延在部ＥＸ１２とは平行でなくてもよく、延在部ＥＸ２１と延在部ＥＸ２２とは互いに平行でなくてもよい。このような例を、図１９に示す。図１９は、実施の形態１の表示装置における検出電極の構成の他の例を模式的に示す平面図である。
【０１１８】
図１９に示す例では、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ１１同士は互いに平行でなく、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ１２同士は互いに平行でない。また、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ２１同士は互いに平行でなく、隣り合う導電線ＭＬに含まれる延在部ＥＸ２２同士は互いに平行でない。
【０１１９】
複数の導電線ＭＬの各々は、互いに同層に形成された金属層または合金層を含む。すなわち複数の導電線ＭＬの各々は、互いに同種の金属層または合金層を含む。したがって、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、金属層または合金層を含む。これにより、複数の導電線ＭＬの各々の導電性を向上させることができるので、検出電極ＴＤＬの検出感度または検出速度を向上させることができる。
【０１２０】
好適には、複数の導電線ＭＬの各々は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む。これにより、複数の導電線ＭＬの各々の導電性をさらに向上させることができるので、検出電極ＴＤＬによる検出感度または検出速度をさらに向上させることができる。
【０１２１】
本実施の形態１のように、表示装置１がいわゆるインセルタイプの液晶表示装置であり、前述したように、１フレーム期間１Ｆを、表示期間Ｐｄおよびタッチ検出期間Ｐｔに分割する場合、検出電極ＴＤＬによる検出速度を向上させる必要がある。したがって、複数の導電線ＭＬの各々が金属層または合金層を含む場合、複数の導電線ＭＬの各々が金属層または合金層を含まない場合に比べ、検出速度の向上により検出性能を向上させる効果が大きくなる。
【０１２２】
複数の導電線ＭＬの各々は、上記した金属層または合金層に加え、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属の酸化物、すなわち金属酸化物からなる酸化物層を含んでいてもよい。つまり、複数の導電線ＭＬの各々は、上記した金属層または合金層と、酸化物層とが積層された積層体であってもよい。
【０１２３】
あるいは、複数の導電線ＭＬの各々は、上記した金属層または合金層と、例えばＩＴＯ等の可視光に対して透光性を有する導電性酸化物からなる透光性導電層とが積層された積層体であってもよい。これにより、複数の導電線ＭＬの各々の導電性を、各導電線ＭＬが透光性導電層のみからなる場合に比べ、向上させることができる。
【０１２４】
なお、本願明細書では、「可視光に対して透光性を有する」とは、可視光に対する透過率が例えば９０％以上であることを意味し、可視光に対する透過率とは、例えば４００〜８００ｎｍの波長を有する光に対する透過率の平均値を意味する。また、透過率とは、タッチ検出機能付き表示デバイス１０（図９参照）の裏面に照射された光のうち、表示領域Ａｄにおいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の裏面と反対側の表面まで透過した光の割合を意味する。
【０１２５】
一方、複数の導電線ＭＬの各々は、可視光に対して遮光性を有するものであってもよい。つまり、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、可視光に対して遮光性を有するものであってもよい。ここで、「可視光に対して遮光性を有する」とは、可視光に対する透過率が例えば１０％以下であることを意味する。したがって、複数の導電線ＭＬの各々の可視光に対する透過率は、１０％以下であってもよい。後述するように、本実施の形態１では、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比が、１〜２２％である。このような場合、複数の導電線ＭＬ自体の可視光に対する透過率が１０％以下であっても、表示領域Ａｄ全体としての透過率、すなわち表示装置１の透過率を、９０％以上にすることができる。
【０１２６】
また、検出電極ＴＤＬが金属層または合金層を含む場合、金属層もしくは合金層の表面、または、金属層もしくは合金層の上に、可視光に対して、金属層または合金層の可視光に対する反射率よりも低い反射率を有する低反射層が形成されていてもよい。すなわち、検出電極ＴＤＬの表面、または、検出電極ＴＤＬ上に、可視光に対して、検出電極ＴＤＬの可視光に対する反射率よりも低い反射率を有する低反射層が形成されていてもよい。これにより、検出電極ＴＤＬに入射された可視光のうち、検出電極ＴＤＬで反射される可視光の割合が減少するので、検出電極ＴＤＬの可視光に対する反射率を低減することができ、表示領域Ａｄで表示される画像のぎらつきを低減することができる。
【０１２７】
金属層または合金層の表面に低反射層を形成する方法として、例えば金属層または合金層の表面を粗面化する方法が挙げられる。一方、金属層または合金層の上に低反射層を形成する方法として、例えば金属層または合金層の上に黒色を有する別の層を形成する方法が挙げられる。
【０１２８】
図１７に示す例では、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、複数の接続部ＣＮＢ１と、複数の接続部ＣＮＴ１と、接続部ＣＮＢ２と、接続部ＣＮＴ２とを含む。複数の接続部ＣＮＢ１の各々は、隣り合う導電線ＭＬの方向Ｄ１における一方の側（図１７中下側）の端部ＭＬＥ１同士を電気的に接続する。複数の接続部ＣＮＴ１の各々は、隣り合う導電線ＭＬの方向Ｄ１における一方の側と反対側（図１７中上側）の端部ＭＬＥ２同士を電気的に接続する。接続部ＣＮＢ２は、複数の接続部ＣＮＢ１同士を電気的に接続し、接続部ＣＮＴ２は、複数の接続部ＣＮＴ１同士を電気的に接続する。したがって、方向Ｄ２において隣り合う導電線ＭＬ同士が、接続部ＣＮＢ２と接続部ＣＮＴ２との間に、電気的に並列に接続される。
【０１２９】
接続部ＣＮＢ２は、検出配線ＴＤＧを介して図１に示すタッチ検出部４０に接続される。また、各検出電極ＴＤＬに含まれる複数の導電線ＭＬは、接続部ＣＮＢ１を介して接続部ＣＮＢ２と電気的に接続されている。したがって、各検出電極ＴＤＬに含まれる複数の導電線ＭＬは、接続部ＣＮＢ１、接続部ＣＮＢ２および検出配線ＴＤＧを介して図１に示すタッチ検出部４０に接続される。
【０１３０】
このように、検出電極ＴＤＬは、方向Ｄ２に配列され、互いに並列に接続された複数の導電線ＭＬからなる導電線群ＭＬＧを含むことができる。これにより、検出電極ＴＤＬの電気抵抗を低減することができるので、検出電極ＴＤＬにより検出動作を行う際に、検出感度または検出速度を向上させることができる。
【０１３１】
本実施の形態１の表示装置１は、好適には、複数のダミー電極ＴＤＤを有する。複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、表示領域Ａｄのうち、導電線ＭＬからなる導電線群ＭＬＧが形成された領域ＡＲ１以外の領域ＡＲ２、すなわち導電線群ＭＬＧが形成されていない領域ＡＲ２の内部に設けられている。言い換えれば、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、互いに離れて形成された２つの導電線ＭＬの間の表示領域Ａｄ内に、設けられている。あるいは、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、表示領域Ａｄ内で、複数の検出電極ＴＤＬのいずれとも離れて設けられている。なお、ダミー電極ＴＤＤは、複数設けられていなくてもよく、１つのみ設けられていてもよい。
【０１３２】
図１８に示すように、ダミー電極ＴＤＤは、複数の延在部ＥＸ３および複数の延在部ＥＸ４を含む。複数の延在部ＥＸ３の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図１７中左側）に傾斜して延在する。また、複数の延在部ＥＸ４の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図１７中右側）に傾斜して延在する。延在部ＥＸ３と延在部ＥＸ４とは、平面視において、方向Ｄ１に交互に配列されている。
【０１３３】
そして、ダミー電極ＴＤＤにおいては、導電線ＭＬとは異なり、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合されていない。言い換えれば、複数の延在部ＥＸ３および複数の延在部ＥＸ４は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として方向Ｄ１に延在するジグザグ形状を有する導電線ＤＬが、それぞれの屈曲部で切断されて分割されることにより形成されている。なお、図１７および図１８に示すように、複数のダミー電極ＴＤＤが、方向Ｄ２に配列されていてもよい。
【０１３４】
前述したように、導電線ＭＬは、好適には、遮光性を有する。また、後述するように、ダミー電極ＴＤＤは、好適には、導電線ＭＬに含まれる金属層または合金層と同様の金属層または合金層からなる。したがって、遮光性を有する導電線ＭＬが形成されていない領域ＡＲ２にダミー電極ＴＤＤが形成されない場合、領域ＡＲ２全体における可視光に対する透過率は、領域ＡＲ１全体における可視光に対する透過率よりも大きくなる。そして、領域ＡＲ１における明るさと領域ＡＲ２における明るさとに差が生じることにより、検出電極ＴＤＬが識別されやすくなる。
【０１３５】
一方、遮光性を有する導電線ＭＬが形成されていない領域ＡＲ２にダミー電極ＴＤＤが形成されることにより、領域ＡＲ２全体における可視光に対する透過率が、領域ＡＲ１全体における可視光に対する透過率よりも大きくなることを防止または抑制することができる。そして、領域ＡＲ１における明るさと領域ＡＲ２における明るさとに差が生じることを防止または抑制することができ、検出電極ＴＤＬが識別されることを防止または抑制することができる。
【０１３６】
好適には、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、複数の導電線ＭＬの各々と同様に、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む。すなわち、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、可視光に対して遮光性を有するものであってもよい。これにより、複数のダミー電極ＴＤＤの各々の可視光に対する透過率と、複数の導電線ＭＬの各々の可視光に対する透過率との差をより小さくすることができるので、領域ＡＲ１における明るさと領域ＡＲ２における明るさとに差が生じることをより防止または抑制することができる。
【０１３７】
複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、上記した金属層または合金層に加え、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属の酸化物、すなわち金属酸化物からなる酸化物層を含んでいてもよい。つまり、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、上記した金属層または合金層と、酸化物層とが積層された積層体であってもよい。
【０１３８】
また、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、上記した金属層または合金層と、例えばＩＴＯ等の可視光に対して透光性を有する導電性酸化物からなる透光性導電層とが積層された積層体であってもよい。
【０１３９】
好適には、複数のダミー電極ＴＤＤは、複数の導電線ＭＬと互いに同層に形成された金属層または合金層からなる。これにより、複数のダミー電極ＴＤＤと複数の導電線ＭＬとを、同一の工程により形成することができる。また、複数のダミー電極ＴＤＤの各々の可視光に対する透過率と、複数の導電線ＭＬの各々の可視光に対する透過率との差を小さくすることができるので、領域ＡＲ１における明るさと領域ＡＲ２における明るさとに差が生じることをさらに防止または抑制することができる。
【０１４０】
なお、本実施の形態１では、１つのダミー電極ＴＤＤにおいて、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合されていない。そのため、検出電極ＴＤＬにより検出動作を行う際に、指が検出電極ＴＤＬとダミー電極ＴＤＤの両方に近接した場合でも、ダミー電極ＴＤＤが、図６で示した絶対値｜ΔＶ｜に与える影響を小さくすることができる。つまり、１つのダミー電極ＴＤＤを複数の延在部ＥＸ３および複数の延在部ＥＸ４に分割し、分割された複数の延在部ＥＸ３および複数の延在部ＥＸ４の各々を互いに電気的に絶縁することにより、検出電極ＴＤＬにより検出動作を行う際に、検出される位置精度を向上させることができる。
【０１４１】
図２０は、実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【０１４２】
表示領域Ａｄ内では、複数の画素ＰｉｘがＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。複数の画素Ｐｉｘの各々は、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを含む。したがって、複数の副画素ＳＰｉｘは、表示領域Ａｄ内で、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。図２０に示す例では、画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３色の各々の色を表示する３種の副画素ＳＰｉｘを含む。したがって、画素Ｐｉｘは、Ｒ、ＧおよびＢの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘを含む。なお、副画素ＳＰｉｘが表示する色の種類は３種類に限られない。例えば、画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）およびＷ（白）の４色の各々の色を表示する４種の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。
【０１４３】
複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬ、または、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬを覆うように形成されている遮光部ＢＭ１およびＢＭ２（後述する図２７参照）は、光の透過を抑制する。
【０１４４】
したがって、表示領域Ａｄに表示される画像には、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）にそれぞれ延在し、かつ、走査線ＧＣＬが延在する方向と交差する方向（Ｙ軸方向）に配列された複数の線からなるパターン、すなわち走査線ＧＣＬのパターンが、観察される。また、表示領域Ａｄに表示される画像には、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）にそれぞれ延在し、かつ、信号線ＳＧＬが延在する方向と交差する方向（Ｘ軸方向）に配列された複数の線からなるパターン、すなわち信号線ＳＧＬのパターンが、観察される。そして、表示領域Ａｄに表示される画像には、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、検出電極ＴＤＬのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察され、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が低下するおそれがある。
【０１４５】
図２０に示す例では、導電線ＭＬが全体として延在する方向Ｄ１は、副画素ＳＰｉｘが配列された方向であるＹ軸方向と同一、すなわち平行な方向である。しかし、本実施の形態１の表示装置１では、好適には、導電線ＭＬは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向である例えば方向Ｄ１１に延在する延在部ＥＸ１１（図１８参照）を有する。そして、延在部ＥＸ１１が延在する方向Ｄ１１と、副画素ＳＰｉｘが配列される方向であるＹ軸方向とのなす角度は、角度θ１１（図１８参照）である。
【０１４６】
この角度θ１１を、０°よりも大きく、かつ、９０°よりも小さい適切な角度とする。このとき、導電線ＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向Ｄ１１に延在する部分を有することになる。これにより、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、検出電極ＴＤＬのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察されることを防止または抑制することができる。
【０１４７】
なお、図２０に示す例では、ダミー電極ＴＤＤに含まれる延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する。これにより、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、ダミー電極ＴＤＤのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察されることを防止または抑制することができる。
【０１４８】
一方、導電線ＭＬが全体として延在する方向Ｄ１は、副画素ＳＰｉｘが配列される方向であるＹ軸方向と異なる方向、すなわちＹ軸方向と交差する方向であってもよい。このような例を図２１に示す。図２１は、実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の他の例を模式的に示す平面図である。
【０１４９】
図２１に示す例では、導電線ＭＬが配列される方向Ｄ２は、副画素ＳＰｉｘが配列される方向であるＸ軸方向と異なる方向、すなわちＸ軸方向と交差する方向である。これにより、複数の副画素ＳＰｉｘの配列による色分布の周期性の方向と、複数の導電線ＭＬの配列による透過率の分布の周期性の方向とが異なることになる。したがって、遮光性を有する導電線ＭＬが配列されることにより、複数の色のうちいずれかの色を表示する画素のみが遮光されて画像の色味がばらつくことを防止または抑制することができる。
【０１５０】
また、図２１に示すように、表示領域Ａｄの一部において、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合されていてもよい。このような場合、図２０に示すように、表示領域Ａｄ全体において、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合されない場合に比べれば、検出電極ＴＤＬにより検出される位置精度が若干低くなる。しかし、表示領域Ａｄ全体において、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合される場合に比べれば、検出電極ＴＤＬにより検出される位置精度を向上させることができる。
【０１５１】
図２１に示す例では、１つのダミー電極ＴＤＤにおいて、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の端部は、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の側に位置する延在部ＥＸ４の端部と接続されている。しかし、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の端部と反対側の端部は、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の側と反対側に位置する延在部ＥＸ４の端部とは接続されていない。
【０１５２】
＜検出電極の変形例＞
次に、平面視における検出電極の形状および配置の変形例について説明する。以下では、検出電極が、いわゆるメッシュ形状を有する導電線を備える例について、説明する。
【０１５３】
図２２および図２３は、実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の構成の一例を模式的に示す平面図である。図２２では、複数の検出電極のうち、１つの検出電極ＴＤＬを示す。また、図２３では、検出電極ＴＤＬの一部が拡大して示されている。ただし、図２３に示された例は、図２２に示された例とはさらに別の例であり、６つの導電線が結合されている例である。
【０１５４】
なお、本第１変形例の検出電極に含まれる導電線は、例えば金属層または合金層を含むことなど、平面視における形状、すなわち平面形状を除いた点については、上記した検出電極ＴＤＬに含まれる導電線ＭＬと同様にすることができ、それらの説明を省略する。
【０１５５】
複数の検出電極ＴＤＬの各々は、導電線ＭＬ１と、導電線ＭＬ２とを有する。図２２に示す例では、１つの検出電極ＴＤＬは、２つの導電線ＭＬ１と、２つの導電線ＭＬ２とを有する。導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてある方向に延在するジグザグ形状を有する。本第１変形例においても、実施の形態１と同様に、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々が、平面視において、全体として延在する方向を方向Ｄ１とし、方向Ｄ１と交差する方向を方向Ｄ２とする。このとき、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として方向Ｄ１に延在するジグザグ形状を有する。そして、方向Ｄ２において隣り合う導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されている。
【０１５６】
図２３に示すように、導電線ＭＬ１は、複数の屈曲部ＢＴ５と、複数の屈曲部ＢＴ６とを含む。複数の屈曲部ＢＴ５は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する。複数の屈曲部ＢＴ６は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２２中右側）に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する。
【０１５７】
図２３に示すように、導電線ＭＬ２は、複数の屈曲部ＢＴ７と、複数の屈曲部ＢＴ８とを含む。複数の屈曲部ＢＴ７は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２３中右側）に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する。複数の屈曲部ＢＴ８は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する。
【０１５８】
導電線ＭＬ１では、屈曲部ＢＴ５と屈曲部ＢＴ６とは、平面視において、方向Ｄ１に交互に配置されている。導電線ＭＬ２では、屈曲部ＢＴ７と屈曲部ＢＴ８とは、平面視において、方向Ｄ１に交互に配置されている。
【０１５９】
図２３に示すように、導電線ＭＬ１は、複数の延在部ＥＸ５と、複数の延在部ＥＸ６とを含む。複数の延在部ＥＸ５の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜して延在する。また、複数の延在部ＥＸ６の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２３中右側）に傾斜して延在する。延在部ＥＸ５と延在部ＥＸ６とは、平面視において、方向Ｄ１に交互に配列されている。そして、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ５および延在部ＥＸ６の端部同士が結合されている。これにより、複数の延在部ＥＸ５と、複数の延在部ＥＸ６とが、導電線ＭＬ１として一体化されている。
【０１６０】
図２３に示すように、導電線ＭＬ２は、複数の延在部ＥＸ７と、複数の延在部ＥＸ８とを含む。複数の延在部ＥＸ７の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２３中右側）に傾斜して延在する。また、複数の延在部ＥＸ８の各々は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜して延在する。延在部ＥＸ７と延在部ＥＸ８とは、平面視において、方向Ｄ１に交互に配列されている。そして、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ７および延在部ＥＸ８の端部同士が結合されている。これにより、複数の延在部ＥＸ７と、複数の延在部ＥＸ８とが、導電線ＭＬ２として一体化されている。
【０１６１】
さらに、導電線ＭＬ２の複数の屈曲部ＢＴ７は、導電線ＭＬ１の複数の屈曲部ＢＴ５の各々とそれぞれ結合されている。これにより、導電線ＭＬ２と導電線ＭＬ１とが一体化されている。
【０１６２】
図２３では、３つの導電線ＭＬ１と、３つの導電線ＭＬ２とが示されている。図２３に示す例では、３つの導電線ＭＬ１の各々は、複数の屈曲部ＢＴ５として、屈曲部ＢＴ５１および屈曲部ＢＴ５２を含み、複数の屈曲部ＢＴ６として、屈曲部ＢＴ６１および屈曲部ＢＴ６２を含む。屈曲部ＢＴ５１は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜した方向Ｄ５１に屈曲する。屈曲部ＢＴ６１は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２３中右側）に傾斜した方向Ｄ６１に屈曲する。屈曲部ＢＴ５２は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜した方向Ｄ５２に屈曲する。屈曲部ＢＴ６２は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２３中右側）に傾斜した方向Ｄ６２に屈曲する。
【０１６３】
図２３に示す例では、方向Ｄ５２は、方向Ｄ５１と同一、すなわち平行な方向であり、方向Ｄ６２は、方向Ｄ６１と同一、すなわち平行な方向である。
【０１６４】
なお、方向Ｄ５１と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ５１とし、方向Ｄ５２と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ５２とし、方向Ｄ６１と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ６１とし、方向Ｄ６２と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ６２とする。
【０１６５】
また、図２３に示す例では、３つの導電線ＭＬ２の各々は、複数の屈曲部ＢＴ７として、屈曲部ＢＴ７１および屈曲部ＢＴ７２を含み、複数の屈曲部ＢＴ８として、屈曲部ＢＴ８１および屈曲部ＢＴ８２を含む。屈曲部ＢＴ７１は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２３中右側）に傾斜した方向Ｄ７１に屈曲する。屈曲部ＢＴ８１は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜した方向Ｄ８１に屈曲する。屈曲部ＢＴ７２は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側と反対側（図２３中右側）に傾斜した方向Ｄ７２に屈曲する。屈曲部ＢＴ８２は、平面視において、方向Ｄ１に対して、方向Ｄ２における一方の側（図２３中左側）に傾斜した方向Ｄ８２に屈曲する。
【０１６６】
図２３に示す例では、方向Ｄ７２は、方向Ｄ７１と同一、すなわち平行な方向であり、方向Ｄ８２は、方向Ｄ８１と同一、すなわち平行な方向である。
【０１６７】
なお、方向Ｄ７１と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ７１とし、方向Ｄ７２と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ７２とし、方向Ｄ８１と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ８１とし、方向Ｄ８２と方向Ｄ１とのなす角度を角度θ８２とする。
【０１６８】
また、図２３に示す例では、導電線ＭＬ１は、複数の延在部ＥＸ５として、延在部ＥＸ５１および延在部ＥＸ５２を含み、複数の延在部ＥＸ６として、延在部ＥＸ６１および延在部ＥＸ６２を含む。延在部ＥＸ５１は、平面視において、方向Ｄ５１に延在し、延在部ＥＸ６１は、平面視において、方向Ｄ６１に延在し、延在部ＥＸ５２は、平面視において、方向Ｄ５２に延在し、延在部ＥＸ６２は、平面視において、方向Ｄ６２に延在する。図２３に示す例では、前述したように、方向Ｄ５２は、方向Ｄ５１と同一、すなわち平行な方向であり、方向Ｄ６２は、方向Ｄ６１と同一、すなわち平行な方向である。したがって、延在部ＥＸ５１と延在部ＥＸ５２とは互いに平行であり、延在部ＥＸ６１と延在部ＥＸ６２とは互いに平行である。
【０１６９】
さらに、図２３に示す例では、導電線ＭＬ２は、複数の延在部ＥＸ７として、延在部ＥＸ７１および延在部ＥＸ７２を含み、複数の延在部ＥＸ８として、延在部ＥＸ８１および延在部ＥＸ８２を含む。延在部ＥＸ７１は、平面視において、方向Ｄ７１に延在し、延在部ＥＸ８１は、平面視において、方向Ｄ８１に延在し、延在部ＥＸ７２は、平面視において、方向Ｄ７２に延在し、延在部ＥＸ８２は、平面視において、方向Ｄ８２に延在する。図２３に示す例では、前述したように、方向Ｄ７２は、方向Ｄ７１と同一、すなわち平行な方向であり、方向Ｄ８２は、方向Ｄ８１と同一、すなわち平行な方向である。したがって、延在部ＥＸ７１と延在部ＥＸ７２とは互いに平行であり、延在部ＥＸ８１と延在部ＥＸ８２とは互いに平行である。
【０１７０】
このような場合、図２３に示すように、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２が一体化されて形成された導電線群ＭＬＧは、延在部ＥＸ５１、延在部ＥＸ６１、延在部ＥＸ７１および延在部ＥＸ８１により形成された菱形形状を有する。また、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２が一体化されて形成された導電線群ＭＬＧは、延在部ＥＸ５２、延在部ＥＸ６２、延在部ＥＸ７２および延在部ＥＸ８２により形成された菱形形状を有する。
【０１７１】
なお、方向Ｄ５２は、方向Ｄ５１と異なる方向、すなわち方向Ｄ５１と交差する方向であってもよく、方向Ｄ６２は、方向Ｄ６１と異なる方向、すなわち方向Ｄ６１と交差する方向であってもよい。すなわち、延在部ＥＸ５１と延在部ＥＸ５２とは平行でなくてもよく、延在部ＥＸ６１と延在部ＥＸ６２とは互いに平行でなくてもよい。あるいは、方向Ｄ７２は、方向Ｄ７１と異なる方向、すなわち方向Ｄ７１と交差する方向であってもよく、方向Ｄ８２は、方向Ｄ８１と異なる方向、すなわち方向Ｄ８１と交差する方向であってもよい。すなわち、延在部ＥＸ７１と延在部ＥＸ７２とは平行でなくてもよく、延在部ＥＸ８１と延在部ＥＸ８２とは互いに平行でなくてもよい。このような例を、図２４に示す。図２４は、実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の他の例を模式的に示す平面図である。
【０１７２】
このように、導電線ＭＬ１と導電線ＭＬ２とが結合されて一体化することにより、例えば導電線ＭＬ１のうち一部が断線した場合でも、導電線ＭＬ２を迂回して電流を流すことができ、検出電極ＴＤＬによる検出を行うことができる。あるいは、導電線ＭＬ２のうち一部が断線した場合でも、導電線ＭＬ１を迂回して電流を流すことができ、検出電極ＴＤＬによる検出を行うことができる。そのため、導電線ＭＬ１または導電線ＭＬ２のうち一部が断線することによる検出電極ＴＤＬによる検出感度の低下を防止または抑制することができる。
【０１７３】
あるいは、図２３に示す例では、延在部ＥＸ５１を方向Ｄ５１に延在する導電線ＭＬ３とし、延在部ＥＸ８１および延在部ＥＸ５２を一体として方向Ｄ８１および方向Ｄ５２と同一の方向Ｄ５１に延在する導電線ＭＬ３とし、延在部ＥＸ８２を方向Ｄ８２と同一の方向Ｄ５１に延在する導電線ＭＬ３とすることができる。一方、延在部ＥＸ７１を方向Ｄ７１に延在する導電線ＭＬ４とし、延在部ＥＸ６１および延在部ＥＸ７２を一体として方向Ｄ６１および方向Ｄ７２と同一の方向Ｄ７１に延在する導電線ＭＬ４とし、延在部ＥＸ６２を方向Ｄ６２と同一の方向Ｄ７１に延在する導電線ＭＬ４とすることができる。
【０１７４】
このとき、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、方向Ｄ５１にそれぞれ延在し、かつ、方向Ｄ５１と交差する方向Ｄ１に配列された複数の導電線ＭＬ３と、方向Ｄ５１および方向Ｄ１のいずれとも交差する方向Ｄ７１にそれぞれ延在し、かつ、方向Ｄ１に配列された複数の導電線ＭＬ４とを含む。複数の導電線ＭＬ３と複数の導電線ＭＬ４とは、平面視において、互いに交差する。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、平面視において、互いに交差した複数の導電線ＭＬ３と複数の導電線ＭＬ４とにより形成されたメッシュ形状を有する。
【０１７５】
例えば、複数の導電線ＭＬ３を形成し、その後、複数の導電線ＭＬ４を形成してもよい。このとき、好適には、複数の導電線ＭＬ３の各々は、実施の形態１における導電線ＭＬと同様に、金属層または合金層を含み、複数の導電線ＭＬ４の各々は、実施の形態１における導電線ＭＬと同様に、金属層または合金層を含む。また、平面視において、複数の導電線ＭＬ３の各々と複数の導電線ＭＬ４の各々とが交差する交差部では、好適には、複数の導電線ＭＬ３の各々と複数の導電線ＭＬ４の各々とが電気的に接続されている。したがって、複数の導電線ＭＬ４の各々に含まれる金属層または合金層のそれぞれは、複数の導電線ＭＬ３の各々に含まれる金属層または合金層と同層に形成されたものでもよく、複数の導電線ＭＬ３の各々に含まれる金属層または合金層の例えば直上の層に形成されたものでもよい。
【０１７６】
図２２に示す例では、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、複数の接続部ＣＮＢ１と、複数の接続部ＣＮＴ１と、接続部ＣＮＢ２と、接続部ＣＮＴ２とを含む。複数の接続部ＣＮＢ１の各々は、隣り合う導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の方向Ｄ１における一方の側（図２２中下側）の端部ＭＬＥ１同士を電気的に接続する。複数の接続部ＣＮＴ１の各々は、隣り合う導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の方向Ｄ１における一方の側と反対側（図２２中上側）の端部ＭＬＥ２同士を電気的に接続する。接続部ＣＮＢ２は、複数の接続部ＣＮＢ１同士を電気的に接続し、接続部ＣＮＴ２は、複数の接続部ＣＮＴ１同士を電気的に接続する。
【０１７７】
接続部ＣＮＢ２は、検出配線ＴＤＧを介して図１に示すタッチ検出部４０に接続される。また、各検出電極ＴＤＬに含まれる導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２は、接続部ＣＮＢ１を介して接続部ＣＮＢ２と電気的に接続されている。したがって、各検出電極ＴＤＬに含まれる導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２は、接続部ＣＮＢ１、接続部ＣＮＢ２および検出配線ＴＤＧを介して図１に示すタッチ検出部４０に接続される。
【０１７８】
このように、検出電極ＴＤＬは、方向Ｄ２に配列された導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２からなる導電線群ＭＬＧを含むことができる。これにより、検出電極ＴＤＬの電気抵抗を低減することができるので、検出電極ＴＤＬにより検出動作を行う際に、検出感度または検出速度を向上させることができる。
【０１７９】
本第１変形例の表示装置１も、実施の形態１の表示装置１と同様に、好適には、複数のダミー電極ＴＤＤを有する。複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、表示領域Ａｄのうち、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２からなる導電線群ＭＬＧが形成された領域ＡＲ１以外の領域ＡＲ２、すなわち導電線群ＭＬＧが形成されていない領域ＡＲ２の内部に設けられている。言い換えれば、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、互いに離れて形成された導電線ＭＬ１と導電線ＭＬ２の間の表示領域Ａｄ内に、設けられている。あるいは、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、表示領域Ａｄ内で、複数の検出電極ＴＤＬのいずれとも離れて設けられている。なお、ダミー電極ＴＤＤは、複数設けられていなくてもよく、１つのみ設けられていてもよい。また、ダミー電極ＴＤＤの形状および材料については、実施の形態１の表示装置１のダミー電極ＴＤＤの形状および材料と同様にすることができ、その説明を省略する。
【０１８０】
本第１変形例の表示装置１でも、遮光性を有する導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２が形成されていない領域ＡＲ２にダミー電極ＴＤＤが形成されることにより、領域ＡＲ２全体における可視光に対する透過率が、領域ＡＲ１全体における可視光に対する透過率よりも大きくなることを防止または抑制することができる。そして、領域ＡＲ１における明るさと領域ＡＲ２における明るさとに差が生じることを防止または抑制することができ、検出電極ＴＤＬが識別されることを防止または抑制することができる。
【０１８１】
図２５は、実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【０１８２】
本第１変形例でも、実施の形態１と同様に、表示領域Ａｄ内では、複数の画素ＰｉｘがＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。図２５に示す例では、画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘを含む。したがって、複数の副画素ＳＰｉｘは、表示領域Ａｄ内で、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。なお、副画素ＳＰｉｘが表示する色の種類は３種類に限られない。例えば、画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）およびＷ（白）の４色の各々の色を表示する４種の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。
【０１８３】
複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬ、または、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬを覆うように形成されている遮光部ＢＭ１およびＢＭ２（後述する図２７参照）は、光の透過を抑制する。したがって、表示領域Ａｄに表示される画像には、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、検出電極ＴＤＬのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察され、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が低下するおそれがある。
【０１８４】
図２５に示す例では、導電線ＭＬが全体として延在する方向Ｄ１は、副画素ＳＰｉｘが配列された方向であるＹ軸方向と同一、すなわち平行な方向である。しかし、本実施の形態１の第１変形例の表示装置１では、好適には、導電線ＭＬ１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向である例えば方向Ｄ５１に延在する延在部ＥＸ５１（図２３参照）を有する。また、導電線ＭＬ２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向である例えば方向Ｄ７１に延在する延在部ＥＸ７１（図２３参照）を有する。そして、延在部ＥＸ５１の延在する方向Ｄ５１と、副画素ＳＰｉｘが配列される方向であるＹ軸方向とのなす角度は、角度θ５１であり、延在部ＥＸ７１の延在する方向Ｄ７１と、副画素ＳＰｉｘが配列される方向であるＹ軸方向とのなす角度は、角度θ７１である。
【０１８５】
この角度θ５１および角度θ７１を、０°よりも大きく、かつ、９０°よりも小さい適切な角度とする。このとき、導電線ＭＬ１は、平面視において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向Ｄ５１に延在する部分を有し、導電線ＭＬ２は、平面視において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向Ｄ７１に延在する部分を有することになる。これにより、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、検出電極ＴＤＬのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察されることを防止または抑制することができる。
【０１８６】
一方、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々が全体として延在する方向Ｄ１は、副画素ＳＰｉｘが配列される方向であるＹ軸方向と異なる方向、すなわちＹ軸方向と交差する方向であってもよい。このような例を図２６に示す。図２６は、実施の形態１の第１変形例の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の他の例を模式的に示す平面図である。
【０１８７】
図２６に示す例では、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２が配列される方向Ｄ２は、副画素ＳＰｉｘが配列される方向であるＸ軸方向と異なる方向、すなわちＸ軸方向と交差する方向である。これにより、副画素ＳＰｉｘの配列による色分布の周期性の方向と、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の配列による透過率の分布の周期性の方向とが異なることになる。したがって、遮光性を有する導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２が配列されることにより、複数の色のうちいずれかの色を表示する画素のみが遮光されて画像の色味がばらつくことを防止または抑制することができる。
【０１８８】
また、図２６に示すように、表示領域Ａｄの一部において、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合されていてもよい。このような場合、図２５に示すように、表示領域Ａｄ全体において、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合されない場合に比べれば、検出電極ＴＤＬにより検出される位置精度が若干低くなる。しかし、表示領域Ａｄ全体において、方向Ｄ１において隣り合う延在部ＥＸ３および延在部ＥＸ４の端部同士が結合される場合に比べれば、検出電極ＴＤＬにより検出される位置精度を向上させることができる。
【０１８９】
図２６に示す例では、１つのダミー電極ＴＤＤにおいて、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の端部は、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の側に位置する延在部ＥＸ４の端部と接続されている。しかし、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の端部と反対側の端部は、延在部ＥＸ３の方向Ｄ１における一方の側と反対側に位置する延在部ＥＸ４の端部とは接続されていない。
【０１９０】
＜検出電極およびダミー電極の面積率＞
図２７は、実施の形態１の表示装置における副画素の位置と検出電極の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【０１９１】
図２７に示すように、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる副画素ＳＰｉｘについて考える。Ｘ軸方向における副画素ＳＰｉｘの幅を幅ＷＤ１とし、Ｙ軸方向における副画素ＳＰｉｘの長さを長さＬＮ１とする。また、Ｘ軸方向における副画素ＳＰｉｘの幅ＷＤ１は、Ｙ軸方向における副画素ＳＰｉｘの長さＬＮ１よりも小さいものとする。このとき、１つの副画素ＳＰｉｘの面積Ｓ１は、下記式（１）
Ｓ１＝ＷＤ１×ＬＮ１                      （１）
により示される。
【０１９２】
一方、１つの副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分ＰＲＴ１の面積を面積Ｓ２とし、副画素ＳＰｉｘの面積Ｓ１に対する面積Ｓ２の比を比率Ｒ１とする。このとき、比率Ｒ１は、下記式（２）
Ｒ１＝Ｓ２／Ｓ１                          （２）
により示される。
【０１９３】
なお、図２７に示すように、表示装置１は、複数の遮光部ＢＭ１と、複数の遮光部ＢＭ２とを有する。複数の遮光部ＢＭ１の各々は、平面視において、走査線ＧＣＬ（図１５参照）と重なるように形成されており、Ｘ軸方向に延在し、可視光に対して遮光性を有する。複数の遮光部ＢＭ２の各々は、平面視において、信号線ＳＧＬ（図１５参照）と重なるように形成されており、Ｙ軸方向に延在し、可視光に対して遮光性を有する。複数の遮光部ＢＭ１と複数の遮光部ＢＭ２とは、平面視において互いに交差し、平面視において互いに交差した複数の遮光部ＢＭ１と複数の遮光部ＢＭ２とは、格子形状を有する。そして、平面視において互いに交差し、格子形状を有する複数の遮光部ＢＭ１と複数の遮光部ＢＭ２とにより、複数の副画素ＳＰｉｘがそれぞれ区画されている。したがって、副画素ＳＰｉｘの面積Ｓ１とは、遮光部ＢＭ１および遮光部ＢＭ２により囲まれた領域の面積を意味し、遮光部ＢＭ１の面積および遮光部ＢＭ２の面積を含まない。
【０１９４】
また、複数の検出電極ＴＤＬのいずれとも重ならず、かつ、複数のダミー電極ＴＤＤのいずれとも重ならない副画素ＳＰｉｘにおいては、面積Ｓ２が０になる。したがって、上記式（２）により示される比率Ｒ１は、０になる。
【０１９５】
表示領域Ａｄ全体において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の面積Ｓ１の総和を面積Ｓ３とする。そして、表示領域Ａｄ全体において、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分ＰＲＴ１の面積の総和を面積Ｓ４とし、面積Ｓ３に対する面積Ｓ４の比を面積率Ｒ２とする。このとき、面積率Ｒ２は、下記式（３）
Ｒ２＝Ｓ４／Ｓ３                          （３）
により示される。
【０１９６】
本実施の形態１の表示装置１では、上記式（３）に示す面積率Ｒ２が、１〜２２％である。すなわち、本実施の形態１の表示装置１では、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比が、１〜２２％である。これにより、前述したように、複数の導電線ＭＬ自体の可視光に対する透過率が１０％以下であっても、表示領域Ａｄ全体としての透過率、すなわち表示装置１の透過率を、９０％以上にすることができる。また、検出信号Ｖｄｅｔ（図６参照）の検出値が小さくなることを、防止または抑制することができる。したがって、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０１９７】
なお、表示領域Ａｄ内で、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられていてもよい。このとき、面積Ｓ２は、１つの副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬのいずれかと重なる部分ＰＲＴ１の面積であり、面積Ｓ４は、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬのいずれかと重なる部分ＰＲＴ１の面積の総和である。また、面積率Ｒ２は、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比である。そして、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられる場合においても、同様に、面積率Ｒ２は、１〜２２％である。すなわち、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲は、検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤが設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲と同様である。
【０１９８】
＜実施の形態１の表示装置における面積率＞
次に、実施の形態１の表示装置１の場合、すなわち検出電極がジグザグ形状を有する導電線を有する場合の面積率の好適な範囲について説明する。ここでは、面積率Ｒ２が０．４９〜２４．５８％の範囲になるように、複数の表示装置を用意した。そして、各表示装置を用いて、表示領域Ａｄにおける透過率、検出信号の検出値、および、視認性の評価を行った。
【０１９９】
面積率Ｒ２が１％未満の場合を比較例１〜３とし、面積率Ｒ２が１〜２２％の場合を実施例１〜２５とし、面積率Ｒ２が２２％を超える場合を、比較例４〜６とした。そして、視認性の評価として、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤで可視光が反射されることにより、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性に問題が発生せず良好であるか否か、すなわち反射見栄えが良いか否かを評価した。
【０２００】
具体的には、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合には、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤで可視光が反射されることにより、表示領域Ａｄに表示される画像に、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤがスジ状に、すなわち線状に見えるか否か、すなわち反射スジが観察されるか否かを評価した。その評価結果を、表１に示す。また、表１における面積率と検出値との関係を、図２８のグラフに示す。図２８の横軸は、面積率Ｒ２を示し、図２８の縦軸は、検出値を示す。
【０２０１】
【表１】
2015156009.tif 000003
【０２０２】
表１では、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察されず、画像の視認性が良好である場合を、「◎」により表記した。また、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察されるが、この反射スジが目立たないものであり、画像の視認性が許容できる場合を、「〇（反射スジ）」により表記した。さらに、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、その反射スジが目立つものであり、画像の視認性が許容できない場合を、「△（反射スジ）」により表記した。
【０２０３】
表１に示すように、面積率Ｒ２が０．４９〜２４．５８％の場合（比較例１〜３、実施例１〜２５および比較例４〜６）、面積率Ｒ２の増加に伴って、表示領域Ａｄにおける透過率が減少する。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比が増加するのに伴って、表示領域Ａｄにおける透過率が減少する。一方、表示領域Ａｄにおける透過率が９０％以上であることが望ましい。したがって、好適には、面積率Ｒ２は２２％以下である。
【０２０４】
また、表１および図２８に示すように、面積率Ｒ２が１．２〜２４．５８％の場合（実施例３〜２５および比較例４〜６）、検出値は、面積率Ｒ２に依存せず、一定である。これは、面積率Ｒ２が１．２〜２４．５８％の場合、導電線ＭＬと駆動電極ＣＯＭＬとの間の静電容量における、タッチの有無による差分が、面積率Ｒ２に依存せず、一定であるためと考えられる。
【０２０５】
ところが、面積率Ｒ２が１．０％以上１．２％未満の場合（実施例１および２）、面積率Ｒ２の減少に伴って、検出値が減少し始め、さらに面積率Ｒ２が０．４９％以上１．０％未満の場合（比較例１〜３）、面積率Ｒ２の減少に伴って、検出値が急激に減少する。これは、面積率Ｒ２が減少することにより、導電線ＭＬと駆動電極ＣＯＭＬとの間の静電容量が減少し、検出信号Ｖｄｅｔの強度が小さくなるためと考えられる。
【０２０６】
さらに、表１に示すように、面積率が０．４９〜５％の場合（比較例１〜３および実施例１〜１２）、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジは観察されず、視認性は良好である。また、面積率が５％を超え１１％以下の場合（実施例１３〜１９）、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察されるが、反射スジは目立たず、画像の視認性は許容できる。そして、面積率が１１％を超える場合（実施例２０〜２５および比較例４〜６）、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、反射スジが目立ち、画像の視認性は許容できない。
【０２０７】
比較例１〜３、実施例１〜２５および比較例４〜６の結果から、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比、すなわち面積率Ｒ２は、好適には、１〜２２％である。
【０２０８】
面積率Ｒ２が１％未満の場合、検出信号Ｖｄｅｔの検出値が極めて小さくなるおそれがある。また、面積率Ｒ２が２２％を超える場合、表示領域Ａｄにおける透過率が９０％未満となるおそれがある。一方、面積率Ｒ２が１〜２２％であることにより、検出信号Ｖｄｅｔの検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができる。したがって、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０２０９】
また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する導電線ＭＬを有する場合、より好適には、面積率Ｒ２は、１〜１１％である。これにより、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、画像の視認性が低下することを、防止または抑制することができる。
【０２１０】
そして、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する導電線ＭＬを有する場合、さらに好適には、面積率Ｒ２は、１．２〜５％である。これにより、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、画像の視認性が低下することを、さらに防止または抑制することができる。
【０２１１】
なお、実施例１〜２５および比較例１〜６では、検出電極ＴＤＬの面積とダミー電極ＴＤＤの面積との比率を１：２とした状態で、面積率Ｒ２を変化させた。一方、検出電極ＴＤＬの面積とダミー電極ＴＤＤの面積との比率を各種の値に変えた場合でも、上記の結果と同様の結果が得られた。また、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられた場合でも、上記の結果と同様の結果が得られた。したがって、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲も、検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤが設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲と同様である。
【０２１２】
また、上記した面積率Ｒ２の好適な範囲が、透過率、視認性および検出値に及ぼす効果は、Ｘ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ１（図２０参照）が４５〜１８０μｍであるときに、より顕著であった。ここで、Ｘ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ１（図２０参照）は、Ｙ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ２（図２０参照）よりも小さい。したがって、例えば実施の形態５で後述するスマートフォンなど、副画素ＳＰｉｘの配列間隔が比較的小さい電子機器に本実施の形態１の表示装置１が適用される場合に、上記した範囲の面積率Ｒ２を有する場合の視認性に及ぼす効果が極めて大きくなる。
【０２１３】
＜実施の形態１の第１変形例の表示装置における面積率＞
次に、実施の形態１の第１変形例の表示装置１の場合、すなわち検出電極がメッシュ形状を有する導電線を有する場合の面積率の好適な範囲について説明する。ここでは、面積率Ｒ２が０．４９〜２４．５８％の範囲になるように、複数の表示装置を用意した。そして、各表示装置を用いて、表示領域Ａｄにおける透過率、検出信号の検出値、および、視認性についての評価を行った。
【０２１４】
面積率Ｒ２が１％未満の場合を比較例７〜９とし、面積率Ｒ２が１〜２２％の場合を実施例２６〜５０とし、面積率Ｒ２が２２％を超える場合を、比較例１０〜１２とした。そして、視認性の評価として、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤで可視光が反射されることにより、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性に問題が発生せず良好であるか否か、すなわち反射見栄えが良いか否かを評価した。
【０２１５】
具体的には、検出電極がメッシュ形状を有する場合には、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤで可視光が反射されることにより、反射スジは観察されないものの、表示領域Ａｄに表示される画像が光って見えるか否か、すなわちギラツキが観察されるか否かを評価した。その評価結果を、表２に示す。また、表２における面積率と検出値との関係を、図２９のグラフに示す。図２９の横軸は、面積率Ｒ２を示し、図２９の縦軸は、検出値を示す。
【０２１６】
【表２】
2015156009.tif 000004
【０２１７】
表２では、表示領域Ａｄに表示される画像にギラツキが観察されず、画像の視認性が良好である場合を、「◎」により表記した。また、表示領域Ａｄに表示される画像にギラつきが観察されるが、このギラツキが目立たないものであり、画像の視認性が許容できる場合を、「〇（ギラツキ）」により表記した。
【０２１８】
表２に示すように、面積率Ｒ２が０．４９〜２４．５８％の場合（比較例７〜９、実施例２６〜５０および比較例１０〜１２）、面積率Ｒ２の増加に伴って、表示領域Ａｄにおける透過率が減少する。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比が増加するのに伴って、表示領域Ａｄにおける透過率が減少する。一方、表示領域Ａｄにおける透過率が９０％以上であることが望ましい。したがって、好適には、面積率Ｒ２は２２％以下である。
【０２１９】
また、表２および図２９に示すように、面積率Ｒ２が２．５〜２４．５８％の場合（実施例３４〜５０および比較例１０〜１２）、検出値は、面積率Ｒ２に依存せず、一定である。これは、面積率Ｒ２が２．５〜２４．５８％の場合では、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々と駆動電極ＣＯＭＬとの間の静電容量における、タッチの有無による差分が、面積率Ｒ２に依存せず、一定であるためと考えられる。
【０２２０】
ところが、面積率Ｒ２が２．０％以上２．５％未満の場合（実施例３２および３３）、面積率Ｒ２の減少に伴って、検出値が減少し始める。また、面積率Ｒ２が１．０％以上２．０％未満の場合（実施例２６〜３１）、面積率Ｒ２の減少に伴って、検出値が徐々に減少する。そして、さらに面積率Ｒ２が０．４９％以上１．０％未満の範囲（比較例７〜９）では、面積率Ｒ２の減少に伴って、検出値が急激に減少する。これは、面積率Ｒ２が減少することにより、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々と駆動電極ＣＯＭＬとの間の静電容量が減少し、検出信号Ｖｄｅｔの強度が小さくなるためと考えられる。
【０２２１】
さらに、表２に示すように、面積率が０．４９〜１１％の場合（比較例７〜９および実施例２６〜４４）、表示領域Ａｄに表示される画像にギラツキは観察されず、視認性は良好である。また、面積率が１１％を超え２４．５８％以下の場合（実施例４５〜５０および比較例１０〜１２）、表示領域Ａｄに表示される画像にギラツキが観察されるが、ギラツキは目立たず、画像の視認性は許容できる。これは、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する場合、反射スジが観察されないため、画像の視認性が比較的許容されやすいためと考えられる。
【０２２２】
比較例７〜９、実施例２６〜５０および比較例１０〜１２の結果から、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比、すなわち面積率Ｒ２は、好適には、１〜２２％である。
【０２２３】
面積率Ｒ２が１％未満の場合、検出信号Ｖｄｅｔの検出値が極めて小さくなるおそれがある。また、面積率Ｒ２が２２％を超える場合、表示領域Ａｄにおける透過率が９０％未満となるおそれがある。一方、面積率Ｒ２が１〜２２％であることにより、検出信号Ｖｄｅｔの検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができる。したがって、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０２２４】
また、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する導電線を有する場合、より好適には、面積率Ｒ２は、２〜２２％である。これにより、検出信号Ｖｄｅｔの検出値をより大きくすることができる。
【０２２５】
そして、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する導電線を有する場合、さらに好適には、面積率Ｒ２は、２．５〜１１％である。これにより、表示領域Ａｄに表示される画像にギラツキが観察され、画像の視認性が低下することを、防止または抑制することができる。
【０２２６】
なお、実施例２６〜５０および比較例７〜１２では、検出電極ＴＤＬの面積とダミー電極ＴＤＤの面積との比率を１：２とした状態で、面積率Ｒ２を変化させた。また、検出電極ＴＤＬの面積とダミー電極ＴＤＤの面積との比率を各種の値に変えた場合でも、上記の結果と同様の結果が得られた。また、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられた場合でも、上記の結果と同様の結果が得られた。したがって、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲も、検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤが設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲と同様である。
【０２２７】
また、上記した面積率Ｒ２の好適な範囲が、透過率、視認性および検出値に及ぼす効果は、Ｘ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ１（図２５参照）が４５〜１８０μｍであるときに、より顕著であった。ここで、Ｘ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ１（図２５参照）は、Ｙ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ２（図２５参照）よりも小さい。したがって、例えば実施の形態５で後述するスマートフォンなど、副画素ＳＰｉｘの配列間隔が比較的小さい電子機器に本第１変形例の表示装置１が適用される場合に、上記した範囲の面積率Ｒ２を有する場合の視認性に及ぼす効果が極めて大きくなる。
【０２２８】
＜導電線の幅＞
次に、実施の形態１の表示装置１の場合、すなわち検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する導電線ＭＬを含む場合の導電線ＭＬの線幅ＬＷ１の範囲について説明する。ここでは、線幅ＬＷ１が１〜７．５μｍの範囲になるように、複数の表示装置を用意した。そして、各表示装置を用いて、導電線の抵抗値、および、視認性の評価を行った。
【０２２９】
線幅ＬＷ１が２μｍ未満の場合を比較例１３および１４とし、線幅ＬＷ１が２〜７μｍの場合を実施例５１〜５７とし、線幅ＬＷ１が７μｍを超える場合を、比較例１５とした。また、比較例１３、１４、実施例５１〜５７および比較例１５の各々の表示装置について、導電線ＭＬの間隔を４５〜２０６μｍの範囲で９通りに変化させた表示装置を用意した。そして、視認性の評価として、モアレまたは導電線ＭＬが観察されず、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性に問題が発生せず良好であるか否かを評価した。その評価結果を、表３に示す。
【０２３０】
【表３】
2015156009.tif 000005
【０２３１】
なお、図１８に示すように、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１とは、導電線ＭＬの幅方向における導電線ＭＬの配列間隔を意味する。したがって、図１８に示すように、平面視において、方向Ｄ２における導電線ＭＬの配列間隔を配列間隔ＤＡ１とし、平面視において、延在部ＥＸ１１が延在する方向Ｄ１１が方向Ｄ１に対してなす角を角度θ１１とするとき、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１は、下記式（４）
ＤＳ１＝ＤＡ１×ｃｏｓθ１１              （４）
により示される。
【０２３２】
また、表３では、表示領域Ａｄに表示される画像にモアレおよび導電線ＭＬのいずれも観察されず、画像の視認性が良好である場合を、「◎」により表記した。また、表示領域Ａｄに表示される画像にモアレが観察されるが、このモアレが濃くないものであり、画像の視認性が許容できる場合を、「〇（モアレ）」により表記した。そして、表示領域Ａｄに表示される画像にモアレが観察され、そのモアレが濃いものであり、画像の視認性が許容できない場合を、「△（モアレ）」により表記した。
【０２３３】
また、表示領域Ａｄに表示される画像に導電線ＭＬが観察されるが、この導電線ＭＬが線として識別されないものであり、画像の視認性が許容できる場合を、「〇（導電線）」により表記した。そして、表示領域Ａｄに表示される画像に導電線ＭＬが観察され、その導電線ＭＬが線として識別されるものであり、画像の視認性が許容できない場合を、「△（導電線）」により表記した。
【０２３４】
一方、比較例１３、１４、実施例５１〜５７および比較例１５についての導電線ＭＬの線幅ＬＷ１と導電線ＭＬの抵抗値との関係を、図３０のグラフに示す。図３０の横軸は、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１を示し、図３０の縦軸は、導電線ＭＬの抵抗値を示す。ここでは、導電線ＭＬの抵抗値として、導電線ＭＬを構成する延在部ＥＸ１またはＥＸ２（例えば図１８参照）１個当たりの抵抗値（Ω／ｕｎｉｔ）を示す。
【０２３５】
図３０に示すように、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が２〜７．５μｍの場合（実施例５１〜５７および比較例１５）、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１の減少に伴って導電線ＭＬの抵抗値は徐々に増加するが、その変化は緩やかである。特に、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が２．５〜７．５μｍの場合（実施例５２〜５７および比較例１５）、線幅ＬＷ１が２μｍ以上２．５μｍ未満の場合（実施例５１）に比べ、導電線ＭＬの抵抗値は小さい。一方、図３０に示すように、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が２μｍ未満の場合（比較例１３および１４）、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１の減少に伴って導電線ＭＬの抵抗値は急激に増加する。
【０２３６】
また、表３に示すように、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が７μｍを超える場合（比較例１５）、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１が４５〜２０６μｍのうち１８６μｍの場合を除いたいずれの場合でも、表示領域Ａｄに表示される画像において、モアレまたは導電線が観察され、画像の視認性が許容できない。したがって、図３０の結果と合わせると、好適には、導電線ＭＬの幅は、２〜７μｍである。
【０２３７】
また、表３に示すように、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が４．５μｍを超え７μｍ以下の場合（実施例５４〜５７）、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１が５０〜２００μｍの範囲では、モアレまたは導電線ＭＬが観察されるが、モアレが濃くないか、または、導電線ＭＬが線として識別されない状態である。そのため、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１が５０〜２００μｍの範囲では、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性は、許容できる。一方、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１が５０μｍ未満の範囲では、モアレが濃くなり、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性は、許容できないときがある。また、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１が２００μｍを超える範囲では、導電線ＭＬが線として識別され、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性は、許容できない。
【０２３８】
さらに、表３に示すように、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が２〜４．５μｍの場合（実施例５１〜５３）、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１の減少に伴って、モアレおよび導電線ＭＬのいずれも観察されず、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が良好になるような導電線ＭＬの間隔ＤＳ１の範囲が、広がる。すなわち、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１の減少に伴って、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が向上する。特に、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１が８０〜１８０μｍの場合、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が極めて良好である。
【０２３９】
表３に示される導電線ＭＬの間隔ＤＳ１の依存性については、以下のように考えられる。すなわち、同一の線幅ＬＷ１を有する導電線ＭＬであっても、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１の増加に伴って、肉眼により線として識別されやすくなると考えられる。また、同一の線幅ＬＷ１を有する導電線ＭＬであっても、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１の減少に伴って、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１と副画素ＳＰｉｘの配列間隔の差により発生するモアレが濃くなると考えられる。
【０２４０】
比較例１３、１４、実施例５１〜５７および比較例１５の結果から、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が２μｍ未満の場合、導電線ＭＬの抵抗値が増加するおそれがある。また、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が７μｍを超える場合、表示領域Ａｄに表示される画像にモアレまたは導電線が観察されることにより、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が低下するおそれがある。
【０２４１】
または、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が２μｍ未満の場合、導電線ＭＬを製造する際に、導電線ＭＬの抵抗値が大きくなるか、または、導電線ＭＬが切断されるおそれがある。あるいは、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１が７μｍを超える場合、モアレが観察されやすくなるか、または、導電線ＭＬが肉眼により線として識別されやすくなり、導電線ＭＬが観察されやすくなる。
【０２４２】
一方、本実施の形態１では、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、好適には、２〜７μｍである。これにより、導電線ＭＬの抵抗値を小さくすることができ、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性を向上させることができる。また、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０２４３】
また、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１は、好適には、５０〜２００μｍである。これにより、モアレまたは導電線が観察されることはあるものの、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が許容できるものとなる。
【０２４４】
さらに好適には、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、２．５〜４．５μｍである。これにより、表示領域Ａｄに表示される画像にモアレおよび導電線ＭＬのいずれも観察されにくくなり、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性がより良好になる。特に、導電線ＭＬの間隔ＤＳ１が、８０〜１８０μｍのとき、表示領域Ａｄに表示される画像にモアレおよび導電線ＭＬのいずれも観察されず、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性が極めて良好になる。
【０２４５】
なお、ダミー電極ＴＤＤの線幅についても、導電線ＭＬ１の線幅ＬＷ１と同様に、好適には、２〜７μｍであり、より好適には、２．５〜４．５μｍである。
【０２４６】
また、実施の形態１の第１変形例の表示装置１の場合、すなわち検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２を含む場合の導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々の線幅についても、実施の形態１の表示装置１と同様に、好適には、２〜７μｍであり、より好適には、２．５〜４．５μｍである。さらに、実施の形態１の第１変形例におけるダミー電極ＴＤＤの線幅についても、好適には、２〜７μｍであり、より好適には、２．５〜４．５μｍである。
【０２４７】
また、上記した導電線ＭＬの線幅ＬＷ１または間隔ＤＳ１の好適な範囲が、視認性および抵抗値に及ぼす効果は、Ｘ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ１（図２０参照）が４５〜１８０μｍであるときに、より顕著であった。ここで、Ｘ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ１（図２０参照）は、Ｙ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ２（図２０参照）よりも小さい。したがって、例えば実施の形態５で後述するスマートフォンなど、副画素ＳＰｉｘの配列間隔が比較的小さい電子機器に実施の形態１または実施の形態１の第１変形例の表示装置１が適用される場合に、上記した範囲の導電線ＭＬの線幅を有する場合の視認性に及ぼす効果が極めて大きくなる。
【０２４８】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態１および実施の形態１の第１変形例では、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比、すなわち面積率Ｒ２は、好適には、１〜２２％である。また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合、面積率Ｒ２は、より好適には、１〜１１％であり、さらに好適には、１．２〜５％である。一方、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する場合、面積率Ｒ２は、より好適には、２〜２２％であり、さらに好適には、２．５〜１１％である。
【０２４９】
これにより、例えば検出信号の検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができる。また、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０２５０】
一方、本実施の形態１および実施の形態１の第１変形例では、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、好適には、２〜７μｍである。また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、より好適には、２．５〜４．５μｍである。さらに、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する場合、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、より好適には、２．５〜４．５μｍである。これにより、導電線ＭＬの抵抗値を小さくすることができ、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性を向上させることができる。また、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０２５１】
本実施の形態１および実施の形態１の第１変形例では、表示領域Ａｄで複数の副画素ＳＰｉｘがマトリクス状に配列されている例について説明した。しかし、複数の副画素ＳＰｉｘは、マトリクス状に配列されていなくてもよく、例えば線状に配列されていてもよい。このような場合、線状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部に画素電極２２がそれぞれ設けられ、平面視において複数の画素電極２２と重なるように１つの駆動電極ＣＯＭＬのみが設けられ、平面視において駆動電極ＣＯＭＬとそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて複数の検出電極ＴＤＬが設けられる。そして、１つの駆動電極ＣＯＭＬと複数の検出電極ＴＤＬの各々との静電容量に基づいて、線状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの配列方向における入力位置が検出される。
【０２５２】
このような場合でも、前述した面積率Ｒ２の好適な範囲、または、前述した線幅ＬＷ１の好適な範囲を満たすことにより、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性を低下させることなく、検出信号の検出値を増加させることができる。また、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０２５３】
なお、駆動電極ＣＯＭＬに、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定するための駆動信号が入力され、検出電極ＴＤＬから、入力位置を検出するための検出信号が出力される場合には、限定されない。したがって、後述する実施の形態４で説明するように、検出電極ＴＤＬに、検出電極ＴＤＬの静電容量を測定するための駆動信号が入力され、検出電極ＴＤＬから、入力位置を検出するための検出信号が出力されてもよい。
【０２５４】
（実施の形態２）
実施の形態１および実施の形態１の第１変形例では、表示領域において、液晶およびタッチパネルを駆動する駆動電極が設けられていた。一方、実施の形態２では、実施の形態１と同様のインセルタイプの液晶表示装置ではあるものの、表示領域において、タッチパネルを駆動するが液晶を駆動しない駆動電極が、液晶を駆動する駆動電極と離れて設けられている。
【０２５５】
本実施の形態２の表示装置のうち、例えば平面視における検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤの形状および配置など、駆動電極以外の各部分については、実施の形態１および実施の形態１の第１変形例の表示装置のうち、駆動電極以外の各部分と同一であるため、それらの説明を省略する。
【０２５６】
＜駆動電極と画素電極との位置関係＞
図３１は、実施の形態２の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す平面図である。図３２は、実施の形態２の表示装置における駆動電極を画素電極とともに示す断面図である。図３１は、１つの副画素ＳＰｉｘの内部に設けられた１つの画素電極２２およびその周辺の構成を示す。図３２は、図３１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図３１では、ＴＦＴ基板２１、駆動電極ＣＯＭＬ１、駆動電極ＣＯＭＬ２、ＴＦＴ素子Ｔｒに含まれる電極、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬ以外の部分の図示を省略し、図３２では、画素電極２２および駆動電極ＣＯＭＬ２よりも上方の部分の図示を省略する。
【０２５７】
ＴＦＴ基板２１、ＴＦＴ素子Ｔｒなど、ＴＦＴ基板２１から層間樹脂膜２３までの各層の構造については、図１５を用いて説明した実施の形態１の表示装置における各層の構造と同様にすることができる。
【０２５８】
本実施の形態２では、層間樹脂膜２３を覆うようにして、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透光性を有する導電性材料からなる駆動電極ＣＯＭＬ１が形成されている。本実施の形態２では、駆動電極ＣＯＭＬ１は、液晶層６（図９参照）を駆動する駆動電極として動作する。
【０２５９】
駆動電極ＣＯＭＬ１は、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように、Ｘ軸方向に連続して一体に設けられている。すなわち、１つの駆動電極ＣＯＭＬ１は、複数の副画素ＳＰｉｘに対して共通な電極として設けられている。したがって、駆動電極ＣＯＭＬ１のことを、共通電極とも称する。
【０２６０】
駆動電極ＣＯＭＬ１を覆うようにして、例えば窒化ケイ素または酸化ケイ素等からなる透明な絶縁膜２４が形成されている。そして、絶縁膜２４を覆うようにして、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透光性を有する導電性材料からなる複数の画素電極２２が形成されている。複数の画素電極２２は、平面視において、複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部で、駆動電極ＣＯＭＬ１とそれぞれ重なるように形成されている。言い換えれば、駆動電極ＣＯＭＬ１は、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の画素電極２２と重なるように設けられている。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘの各々で、駆動電極ＣＯＭＬ１と画素電極２２とは、絶縁膜２４を挟んで対向している。
【０２６１】
平面視において、ドレイン電極ＤＥと重なる位置に、絶縁膜２４、層間樹脂膜２３およびパッシベーション膜２３ａを貫通してＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極ＤＥに達するコンタクトホール２５が形成されている。コンタクトホール２５の底面部には、ドレイン電極ＤＥが露出している。画素電極２２は、コンタクトホール２５の側面部および底面部を含めて絶縁膜２４上に形成されており、コンタクトホール２５の底面部に露出したドレイン電極ＤＥと、電気的に接続されている。
【０２６２】
なお、各副画素ＳＰｉｘの内部に形成された画素電極２２にスリット状開口２６が形成されていてもよいのは、実施の形態１と同様である。
【０２６３】
本実施の形態２では、実施の形態１と異なり、駆動電極ＣＯＭＬ２が形成されている。駆動電極ＣＯＭＬ２は、表示領域Ａｄ（図７または図８参照）内で、駆動電極ＣＯＭＬ１と離れて設けられており、平面視において、複数の画素電極２２のいずれとも重ならないように設けられている。したがって、駆動電極ＣＯＭＬ２は、各副画素ＳＰｉｘにおいて液晶層６（図９参照）を駆動しない。一方、駆動電極ＣＯＭＬ２には、タッチパネル検出用の駆動電圧が印加、すなわち駆動電極ＣＯＭＬ２と検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定し、入力位置を検出するための駆動信号が入力されるため、駆動電極ＣＯＭＬ２は、タッチパネルの駆動電極として動作する。
【０２６４】
駆動電極ＣＯＭＬ２は、駆動電極ＣＯＭＬ１と同様に、Ｘ軸方向に延在する。そして、駆動電極ＣＯＭＬ１と駆動電極ＣＯＭＬ２とは、例えばＹ軸方向に交互に配列されている。
【０２６５】
このように、駆動電極ＣＯＭＬ２は、平面視において、画素電極２２と重ならない領域で、絶縁膜２４上に形成されている。そのため、駆動電極ＣＯＭＬ２は、平面視において、走査線ＧＣＬと重なる場合がある。しかし、駆動電極ＣＯＭＬ２を絶縁膜２４上に形成することにより、駆動電極ＣＯＭＬ２を、駆動電極ＣＯＭＬ１よりも上方に形成することができる。
【０２６６】
これにより、ＴＦＴ基板２１の表面に垂直な方向における駆動電極ＣＯＭＬ２と走査線ＧＣＬとの間隔ＧＡＰ２を、ＴＦＴ基板２１の表面に垂直な方向における駆動電極ＣＯＭＬ１と走査線ＧＣＬとの間隔ＧＡＰ１よりも大きくすることができる。そのため、駆動電極ＣＯＭＬ２が、平面視において、走査線ＧＣＬと重なる場合でも、駆動電極ＣＯＭＬ２と走査線ＧＣＬとの間の静電容量が大きくなることを防止または抑制することができる。特に、駆動電極ＣＯＭＬ１の一部が走査線ＧＣＬと重なる場合と比べると、駆動電極ＣＯＭＬ１と走査線ＧＣＬとの間の静電容量を大幅に低減することができる。
【０２６７】
なお、隣り合う駆動電極ＣＯＭＬ１と駆動電極ＣＯＭＬ２とは、タッチ検出期間Ｐｔにおいて、同じタイミングで駆動信号が入力されてもよい。したがって、隣り合う駆動電極ＣＯＭＬ１と駆動電極ＣＯＭＬ２とは、例えばＸ軸方向における駆動電極ＣＯＭＬ１の端部と、Ｘ軸方向における駆動電極ＣＯＭＬ２の端部とが配線等により接続されることなどにより、電気的に接続されてもよい。あるいは、隣り合う駆動電極ＣＯＭＬ１と駆動電極ＣＯＭＬ２とは電気的に接続されなくてもよく、駆動電極ＣＯＭＬ１に駆動信号が入力されるタイミングと異なるタイミングで、駆動電極ＣＯＭＬ２に駆動信号が入力されてもよい。
【０２６８】
本実施の形態２では、複数の検出電極ＴＤＬ（例えば図２０参照）の各々は、平面視において、例えばＹ軸方向に交互に配列された複数の駆動電極ＣＯＭＬ１および複数の駆動電極ＣＯＭＬ２と交差する。また、複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、平面視において、例えばＹ軸方向に交互に配列された複数の駆動電極ＣＯＭＬ１および複数の駆動電極ＣＯＭＬ２と交差する。
【０２６９】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態２でも、実施の形態１および実施の形態１の第１変形例と同様に、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比、すなわち面積率Ｒ２は、好適には、１〜２２％である。また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合、面積率Ｒ２は、より好適には、１〜１１％であり、さらに好適には、１．２〜５％である。一方、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する場合、面積率Ｒ２は、より好適には、２〜２２％であり、さらに好適には、２．５〜１１％である。
【０２７０】
これにより、例えば検出信号の検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができるなど、実施の形態１または実施の形態１の第１変形例と同様の効果が得られる。
【０２７１】
また、本実施の形態２でも、実施の形態１および実施の形態１の第１変形例と同様に、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、好適には、２〜７μｍである。また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、より好適には、２．５〜４．５μｍである。一方、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する場合、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、より好適には、２．５〜４．５μｍである。これにより、導電線ＭＬの抵抗値を小さくすることができ、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性を向上させることができるなど、実施の形態１または実施の形態１の第１変形例と同様の効果が得られる。
【０２７２】
一方、本実施の形態２では、駆動電極ＣＯＭＬ２が、表示領域Ａｄ内で、駆動電極ＣＯＭＬ１と離れて設けられている。また、駆動電極ＣＯＭＬ２は、遮光部ＢＭ１および遮光部ＢＭ２（図２７参照）が形成された領域内、すなわち副画素ＳＰｉｘの外部に形成される。
【０２７３】
ここで、例えば駆動電極ＣＯＭＬ２を、駆動電極ＣＯＭＬ１よりも上方に形成する場合には、駆動電極ＣＯＭＬ２が設けられず、かつ、駆動電極ＣＯＭＬ１の一部が走査線ＧＣＬと重なる場合と比べると、駆動電極ＣＯＭＬ１と走査線ＧＣＬとの間の静電容量を大幅に低減することができる。
【０２７４】
あるいは、例えば駆動電極ＣＯＭＬ１と駆動電極ＣＯＭＬ２とが電気的に接続される場合には、駆動電極ＣＯＭＬ２が設けられない場合に比べ、タッチパネルの駆動電極として動作する電極の面積を増加させることができる。そのため、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性を低下させることなく、検出信号の検出値を増加させることができる。また、駆動電極ＣＯＭＬ１と走査線ＧＣＬとの間の静電容量が大きくなることを防止または抑制することができる。
【０２７５】
なお、本実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、複数の副画素ＳＰｉｘは、マトリクス状に配列されていなくてもよく、例えば線状に配列されていてもよい。このような場合、線状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部に画素電極２２がそれぞれ設けられ、平面視において複数の画素電極２２と重なるように１つの駆動電極ＣＯＭＬ１と１つの駆動電極ＣＯＭＬ２のみが設けられる。また、平面視において駆動電極ＣＯＭＬ１および駆動電極ＣＯＭＬ２とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて複数の検出電極ＴＤＬが設けられる。そして、１つの駆動電極ＣＯＭＬ２と複数の検出電極ＴＤＬの各々との静電容量に基づいて、線状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの配列方向における入力位置が検出される。
【０２７６】
このような場合でも、実施の形態１で前述した面積率Ｒ２の好適な範囲、または、前述した線幅ＬＷ１の好適な範囲を満たすことにより、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性を低下させることなく、検出信号の検出値を増加させることができる。また、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０２７７】
（実施の形態３）
実施の形態１および実施の形態２では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。それに対して、実施の形態３では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。なお、オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチパネルに含まれる駆動電極および検出電極のいずれもが、液晶表示装置に内蔵されていないタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。
【０２７８】
なお、本実施の形態３の表示装置は、液晶表示装置を始めとして、有機ＥＬ表示装置などの各種の表示装置に入力装置が備えられたオンセルタイプの表示装置に適用することができる。
【０２７９】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
図３３は、実施の形態３の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【０２８０】
本実施の形態３の表示装置のうち、対向基板の断面構造およびタッチパネル基板以外の各部分、例えば平面視における検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤの形状および配置など、については、実施の形態１および実施の形態１の第１変形例の表示装置のうち、対向基板の断面構造以外の各部分と同様であるため、それらの説明を省略する。したがって、以下では、図３３を参照し、実施の形態１で図９および図１０を用いて説明した部分と異なる部分を、主として説明する。
【０２８１】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、画素基板２と、対向基板３と、液晶層６とを有する。対向基板３は、画素基板２の主面としての表面と、対向基板３の主面としての裏面とが対向するように、配置されている。液晶層６は、画素基板２と対向基板３との間に設けられている。
【０２８２】
本実施の形態３では、画素基板２は、実施の形態１における複数の駆動電極ＣＯＭＬに代え、駆動電極ＣＯＭＬ３を有する。駆動電極ＣＯＭＬ３は、液晶表示デバイス２０（図１参照）の駆動電極として動作するが、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の駆動電極としては動作しない。したがって、実施の形態１と異なり、駆動電極ＣＯＭＬ３は、複数設けられていなくてもよく、例えば実施の形態１の駆動電極ＣＯＭＬが結合して一体化した１つの駆動電極ＣＯＭＬ３が設けられていてもよい。
【０２８３】
本実施の形態３の表示装置における画素基板２および液晶層６のうち駆動電極ＣＯＭＬ３以外の部分については、実施の形態１の表示装置における画素基板２および液晶層６の各部分と同様であり、それらの説明を省略する。また、実施の形態３の表示装置の複数の画素に対応した回路図については、駆動電極ＣＯＭＬに代え駆動電極ＣＯＭＬ３が設けられている点を除き、図１０に示した実施の形態１の表示装置の複数の画素に対応した回路図と同様である。そのため、実施の形態３の表示装置のうち、実施の形態１において図１０を用いて説明した部分と同様の部分の説明を省略する。
【０２８４】
本実施の形態３では、対向基板３は、ガラス基板３１と、カラーフィルタ３２と、偏光板３５とを有する。カラーフィルタ３２は、ガラス基板３１の一方の主面としての裏面に形成されている。偏光板３５は、ガラス基板３１の他方の主面としての表面に形成されている。
【０２８５】
本実施の形態３では、実施の形態１と異なり、対向基板３を挟んで画素基板２と反対側に、タッチパネル基板７が設けられている。すなわち、本実施の形態３では、実施の形態１と異なり、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０（図１参照）の上に、タッチ検出デバイス３０（図１参照）を装着した表示デバイスである。
【０２８６】
タッチパネル基板７は、ガラス基板７１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬ４と、複数の検出電極ＴＤＬとを有する。複数の駆動電極ＣＯＭＬ４は、タッチ検出デバイス３０の駆動電極であり、ガラス基板７１の一方の主面としての裏面に形成されている。複数の検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、ガラス基板７１の他方の主面としての表面に形成されている。
【０２８７】
平面視における駆動電極ＣＯＭＬ３の形状および配置については、平面視における実施の形態１の駆動電極ＣＯＭＬの形状および配置と同様にすることができる。また、平面視における駆動電極ＣＯＭＬ４の形状および配置については、平面視における実施の形態１の駆動電極ＣＯＭＬの形状および配置と同様にすることができる。
【０２８８】
なお、ガラス基板７１の他方の主面としての表面には、ダミー電極ＴＤＤ（例えば図２０参照）が形成されていてもよい。平面視におけるダミー電極ＴＤＤの形状および配置については、平面視における実施の形態１のダミー電極ＴＤＤの形状および配置と同様にすることができる。
【０２８９】
本実施の形態３では、駆動電極ＣＯＭＬ３は、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作するが、タッチ検出デバイス３０の駆動電極としては動作しない。駆動電極ＣＯＭＬ４は、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作するが、液晶表示デバイス２０の駆動電極としては動作しない。このため、駆動電極ＣＯＭＬ３により表示動作を行う表示期間と、駆動電極ＣＯＭＬ４によりタッチ検出動作を行うタッチ検出期間とを分け、タッチ検出期間にのみ駆動信号Ｖｃｏｍが印加されるようにしなくてもよい。つまり、駆動電極ＣＯＭＬ３による表示動作と、駆動電極ＣＯＭＬ４によるタッチ検出動作とを、独立に並行して行うことができる。
【０２９０】
なお、駆動電極ＣＯＭＬ４は、駆動電極ＣＯＭＬ３と電気的に接続されていてもよく、駆動電極ＣＯＭＬ３と電気的に接続されていなくてもよい。ただし、駆動電極ＣＯＭＬ４が駆動電極ＣＯＭＬ３と電気的に接続される場合には、駆動電極ＣＯＭＬ３により表示動作を行う表示期間と、駆動電極ＣＯＭＬ４によりタッチ検出動作を行うタッチ検出期間とを分ける必要がある。
【０２９１】
本実施の形態３では、実施の形態１と同様に、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、平面視において、複数の駆動電極ＣＯＭＬ４と交差する。また、本実施の形態３では、実施の形態１と同様に、複数のダミー電極ＴＤＤ（例えば図２０参照）の各々は、平面視において、複数の駆動電極ＣＯＭＬ４と交差する。
【０２９２】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態３でも、実施の形態１および実施の形態１の第１変形例と同様に、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比、すなわち面積率Ｒ２は、好適には、１〜２２％である。また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合、面積率Ｒ２は、より好適には、１〜１１％であり、さらに好適には、１．２〜５％である。一方、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する場合、面積率Ｒ２は、より好適には、２〜２２％であり、さらに好適には、２．５〜１１％である。
【０２９３】
これにより、例えば検出信号の検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができるなど、実施の形態１または実施の形態１の第１変形例と同様の効果が得られる。
【０２９４】
また、本実施の形態３でも、実施の形態１および実施の形態１の第１変形例と同様に、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、好適には、２〜７μｍである。また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、より好適には、２．５〜４．５μｍである。一方、検出電極ＴＤＬがメッシュ形状を有する場合、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１は、より好適には、２．５〜４．５μｍである。これにより、導電線ＭＬの抵抗値を小さくすることができ、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性を向上させることができるなど、実施の形態１または実施の形態１の第１変形例と同様の効果が得られる。
【０２９５】
さらに、本実施の形態３では、入力装置としてのタッチパネルがオンセルタイプの表示装置に設けられている。これにより、駆動電極ＣＯＭＬ３により表示動作を行う表示期間と、駆動電極ＣＯＭＬ４によりタッチ検出動作を行うタッチ検出期間とを分割する必要がなくなるので、見かけ上タッチ検出の検出速度を向上させることができるなど、タッチ検出の検出性能を向上させることができる。
【０２９６】
（実施の形態４）
＜自己容量方式のタッチ検出機能＞
実施の形態１では、表示装置に備えられたタッチパネルとして、駆動電極として動作する共通電極と、検出電極とが設けられた、相互容量方式のタッチパネルを適用した例について説明した。しかし、表示装置に備えられたタッチパネルとして、検出電極のみが設けられた、自己容量方式のタッチパネルを適用することもできる。
【０２９７】
図３４および図３５は、自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【０２９８】
自己容量方式におけるタッチパネルでは、図３４に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１から切り離され、電源Ｖｄｄと電気的に接続された時に、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬに電荷量Ｑ１が蓄積される。次に、図３５に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが電源Ｖｄｄから切り離され、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１と電気的に接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２を検出する。
【０２９９】
ここで、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接した場合、指による容量により、検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘが変化し、検出電極ＴＤＬが検出回路ＳＣ１と接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２も変化する。したがって、流れ出る電荷量Ｑ２を検出回路ＳＣ１により測定して検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接したか否かを判定することができる。
【０３００】
例えば本実施の形態４の表示装置が、実施の形態１または実施の形態１の第１変形例の表示装置を、自己容量方式のタッチ検出機能を備えた表示装置に適用したものである場合を考える。このとき、表示装置は、Ｙ軸方向（図７参照）にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向（図７参照）に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬに加え、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬを有する。このような場合でも、Ｙ軸方向に延在する複数の検出電極ＴＤＬの各々の静電容量Ｃｘの変化、および、Ｘ軸方向に延在する複数の検出電極ＴＤＬの各々の静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、入力位置を二次元的に検出することができる。このとき、駆動電極ＣＯＭＬ（図７参照）は、液晶表示デバイス２０（図１参照）の駆動電極としては動作するが、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の駆動電極としては動作しない。
【０３０１】
また、このような場合でも、例えば検出信号の検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができるなど、実施の形態１または実施の形態１の第１変形例と同様の効果が得られる。
【０３０２】
あるいは、本実施の形態４の表示装置が、実施の形態３の表示装置を、自己容量方式のタッチ検出機能を備えた表示装置に適用したものであってもよく、このような場合でも、例えば検出信号の検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができるなど、実施の形態１の表示装置または実施の形態１の第１変形例を適用した場合と同様の効果が得られる。
【０３０３】
（実施の形態５）
次に、図３６〜図４２を参照して、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４で説明した表示装置の適用例としての電子機器について説明する。実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４の各々の表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置またはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４の各々の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０３０４】
＜テレビジョン装置＞
図３６は、実施の形態５の電子機器の一例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１３を有している。そして、映像表示画面部５１３は、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０３０５】
＜デジタルカメラ＞
図３７は、実施の形態５の電子機器の一例としてのデジタルカメラの外観を表す斜視図である。このデジタルカメラは、例えば、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有している。そして、表示部５２２は、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０３０６】
＜ノート型パーソナルコンピュータ＞
図３８は、実施の形態５の電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１、文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有している。そして、表示部５３３は、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０３０７】
＜ビデオカメラ＞
図３９は、実施の形態５の電子機器の一例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１、この本体部５４１の前面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、表示部５４４は、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０３０８】
＜携帯電話機＞
図４０および図４１は、実施の形態５の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。図４１は、図４０に示す携帯電話機が折りたたまれた状態を示す。この携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６およびカメラ５５７を有している。そして、ディスプレイ５５４またはサブディスプレイ５５５は、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４の各々のタッチ検出機能付き表示装置等により構成されている。
【０３０９】
＜スマートフォン＞
図４２は、実施の形態５の電子機器の一例としてのスマートフォンの外観を表す正面図である。このスマートフォンは、例えば、筐体５６１とタッチスクリーン５６２とを有している。タッチスクリーン５６２は、例えば入力装置としてのタッチパネルと表示部としての液晶パネルとで構成されており、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０３１０】
タッチスクリーン５６２のタッチパネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０に設けられたタッチ検出デバイス３０である。ユーザが指又はタッチペンを用いてタッチパネルにタッチ操作やドラッグ操作などのジェスチャー操作をすると、タッチスクリーン５６２のタッチパネルは、このジェスチャー操作に対応する位置の座標を検出して図示しない制御部に出力する。
【０３１１】
タッチスクリーン５６２の液晶パネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０に設けられた液晶表示デバイス２０である。また、表示装置１からなるタッチスクリーン５６２の液晶パネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１の駆動電極ドライバ１４を有する。駆動電極ドライバ１４は、例えばマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ（図１０参照）の各々の内部に設けられた画素電極２２（図９参照）に、それぞれ一定のタイミングで画像信号としての電圧を印加することで、表示を実行させる。
【０３１２】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態５では、上記した各種の電子機器に備えられる表示装置として、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４の各々の表示装置を用いることができる。これにより、上記した各種の電子機器に備えられた表示装置において、例えば表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができることなど、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４で説明したそれぞれの効果と同様の効果が得られる。したがって、上記した各種の電子機器の性能を向上させることができる。
【０３１３】
また、実施の形態１で前述したように、面積率Ｒ２、または、導電線ＭＬの線幅ＬＷ１または間隔ＤＳ１（図１８参照）が、透過率、視認性、検出値および抵抗値に及ぼす効果は、Ｘ軸方向における複数の副画素ＳＰｉｘの配列間隔ＤＰ１（図２０参照）が４５〜１８０μｍであるときに、より顕著であった。したがって、実施の形態１、実施の形態１の第１変形例、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４の各々の表示装置が、本実施の形態５で上記したスマートフォンなど、副画素ＳＰｉｘの配列間隔が比較的小さい電子機器に適用される場合に、上記した範囲の導電線ＭＬの線幅を有する場合の視認性に及ぼす効果が極めて大きくなる。
【０３１４】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０３１５】
また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。
【０３１６】
本発明の各実施の形態として上述した表示装置および電子機器を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置および電子機器も、本発明の効果を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０３１７】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０３１８】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０３１９】
また、前述の各実施の形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【０３２０】
本発明は少なくとも以下の実施の形態を含む。
【０３２１】
〔付記１〕
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
前記第１領域で、前記第２電極と離れて設けられた第３電極と、
平面視において前記第３電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第４電極と、
前記第１領域で、前記複数の第４電極のいずれとも離れて設けられた第５電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記第３電極と前記複数の第４電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第４電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、
前記第５電極は、第２金属層または第２合金層を含み、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第４電極および前記第５電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である、表示装置。
【０３２２】
〔付記２〕
付記１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、前記第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記複数の第４電極の各々は、前記第１金属層または前記第１合金層を含む第１導電線を有し、
前記第１導電線は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第３方向に延在する、表示装置。
【０３２３】
〔付記３〕
付記２記載の表示装置において、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第４電極および前記第５電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜１１％である、表示装置。
【０３２４】
〔付記４〕
付記１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、前記第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記複数の第４電極の各々は、複数の第１導電線を有し、
前記複数の第１導電線の各々は、前記第１金属層または前記第１合金層を含み、かつ、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第３方向に延在し、
隣り合う前記第１導電線のうち互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されている、表示装置。
【０３２５】
〔付記５〕
付記４記載の表示装置において、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第４電極および前記第５電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、２〜２２％である、表示装置。
【０３２６】
〔付記６〕
付記１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、前記第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記複数の第４電極の各々は、
第３方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第３方向と交差する第４方向に配列された複数の第１導電線と、
前記第３方向および前記第４方向のいずれとも交差する第５方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第４方向に配列された複数の第２導電線と、
を有し、
前記複数の第１導電線の各々は、前記第１金属層または前記第１合金層を含み、
前記複数の第２導電線の各々は、第３金属層または第３合金層を含み、
前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とは、互いに交差し、
前記複数の第４電極の各々は、互いに交差した前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とにより形成されたメッシュ形状を有する、表示装置。
【０３２７】
〔付記７〕
付記６記載の表示装置において、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第４電極および前記第５電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、２〜２２％である、表示装置。
【０３２８】
〔付記８〕
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
前記第１領域で、前記第２電極と離れて設けられた第３電極と、
平面視において前記第３電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第４電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記第３電極と前記複数の第４電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第４電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含む第１導電線を有し、
前記第１導電線は、平面視において、前記第１方向および前記第２方向のいずれとも交差する第３方向に延在する部分を有し、
前記第１導電線の幅は、２〜７μｍである、表示装置。
【０３２９】
〔付記９〕
付記８記載の表示装置において、
前記第１導電線は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第４方向に延在する、表示装置。
【０３３０】
〔付記１０〕
付記９記載の表示装置において、
前記第１導電線の幅は、２．５〜４．５μｍである、表示装置。
【０３３１】
〔付記１１〕
付記８記載の表示装置において、
前記複数の第４電極の各々は、複数の前記第１導電線を有し、
前記複数の第１導電線の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体として第４方向に延在し、
隣り合う前記第１導電線のうち互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されている、表示装置。
【０３３２】
〔付記１２〕
付記１１記載の表示装置において、
前記複数の第１導電線の各々の幅は、２．５〜４．５μｍである、表示装置。
【０３３３】
〔付記１３〕
付記８記載の表示装置において、
前記複数の第４電極の各々は、
前記第３方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第３方向と交差する第４方向に配列された複数の前記第１導電線と、
前記第３方向および前記第４方向のいずれとも交差する第５方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第４方向に配列された複数の第２導電線と、
を有し、
前記複数の第２導電線の各々は、第２金属層または第２合金層を含み、
前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とは、互いに交差し、
前記複数の第４電極の各々は、互いに交差した前記複数の第１導電線と前記複数の第２導電線とにより形成されたメッシュ形状を有する、表示装置。
【０３３４】
〔付記１４〕
付記１３記載の表示装置において、
前記複数の第１導電線および前記複数の第２導電線の各々の幅は、２．５〜４．５μｍである、表示装置。
【０３３５】
〔付記１５〕
基板と、
前記基板の第１主面側の第１領域で配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
平面視において前記複数の第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
前記第１領域で、前記第２電極と離れて設けられた第３電極と、
平面視において前記第３電極とそれぞれ重なるように設けられた複数の第４電極と、
を有し、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記第３電極と前記複数の第４電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出され、
前記複数の第４電極の各々は、第１金属層または第１合金層を含み、
前記複数の画素のうち平面視において前記複数の第４電極のいずれかと重なる部分の面積の総和の、前記複数の画素の面積の総和に対する比が、１〜２２％である、表示装置。
【０３３６】
〔付記１６〕
付記１、付記８または付記１５記載の表示装置において、
前記複数の第４電極の各々は、可視光に対して遮光性を有する、表示装置。
【０３３７】
〔付記１７〕
付記１、付記８または付記１５記載の表示装置において、
前記第１電極は、画素電極であり、
前記第２電極は、共通電極であり、
前記第４電極は、前記入力位置を検出するための検出信号が出力される検出電極であり、
前記第３電極には、前記第３電極と前記検出電極との間の静電容量を測定するための駆動信号が入力される、表示装置。
【０３３８】
〔付記１８〕
付記２または付記８記載の表示装置において、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、前記第２方向における前記複数の画素の配列の間隔よりも小さく、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、４５〜１８０μｍである、表示装置。
【０３３９】
〔付記１９〕
付記８記載の表示装置において、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、前記第２方向における前記複数の画素の配列の間隔よりも小さく、
前記第１方向における前記複数の画素の配列の間隔は、４５〜１８０μｍであり、
隣り合う前記第１導電線同士の間隔は、５０〜２００μｍである、表示装置。
【０３４０】
〔付記２０〕
付記１、付記８または付記１５記載の表示装置において、
前記第４電極の表面、または、前記第４電極上に、可視光に対して、前記第４電極の可視光に対する反射率よりも低い反射率を有する低反射層が形成されている、表示装置。
【０３４１】
〔付記２１〕
付記１記載の表示装置において、
前記第３電極は、前記第１領域で、平面視において前記複数の第１電極のいずれとも重ならないように設けられている、表示装置。
【０３４２】
〔付記２２〕
付記２１記載の表示装置において、
前記第３電極は、前記第２電極と電気的に接続され、
複数の第４電極は、平面視において前記第２電極と重なるように設けられている、表示装置。
【０３４３】
〔付記２３〕
付記１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、平面視において、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記第３電極は、平面視において、前記第１方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第２方向に配列された複数の第６電極を有し、
前記複数の第４電極の各々は、前記第１金属層または前記第１合金層を含む第１導電線を有し、
前記第１導電線は、
平面視において、第３方向に対して、前記第３方向と交差する第４方向における第１の側にそれぞれ傾斜して延在する複数の第１延在部と、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側と反対側にそれぞれ傾斜して延在する複数の第２延在部と、
を含み、
前記第１延在部と前記第２延在部とは、前記第３方向に交互に配列され、
前記第３方向において隣り合う前記第１延在部および前記第２延在部の端部同士が結合され、
前記第５電極は、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側にそれぞれ傾斜して延在する複数の第３延在部と、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側と反対側にそれぞれ傾斜して延在する複数の第４延在部と、
を含む、表示装置。
【０３４４】
〔付記２４〕
付記１記載の表示装置において、
前記複数の画素は、平面視において、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向にマトリクス状に配列され、
前記第３電極は、平面視において、前記第１方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第２方向に配列された複数の第６電極を有し、
前記複数の第４電極の各々は、
前記第１金属層または前記第１合金層を含む第１導電線と、
第３金属層または第３合金層を含む第２導電線と、
を含み、
前記第１導電線は、
平面視において、第３方向に対して、前記第３方向と交差する第４方向における第１の側に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する複数の第１屈曲部と、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側と反対側に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する複数の第２屈曲部と、
を含み、
前記第２導電線は、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側と反対側に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する複数の第３屈曲部と、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側に傾斜した方向にそれぞれ屈曲する複数の第４屈曲部と、
を含み、
前記第１屈曲部と前記第２屈曲部とは、前記第３方向に交互に配置され、
前記第３屈曲部と前記第４屈曲部とは、前記第３方向に交互に配置され、
前記第２導電線の前記複数の第３屈曲部は、前記第１導電線の前記複数の第１屈曲部の各々とそれぞれ結合され、
前記第５電極は、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側にそれぞれ傾斜して延在する複数の第１延在部と、
平面視において、前記第３方向に対して、前記第４方向における前記第１の側と反対側にそれぞれ傾斜して延在する複数の第２延在部と、
を含む、表示装置。
【０３４５】
〔付記２５〕
付記１、付記８または付記１５記載の表示装置を備えた電子機器。
【産業上の利用可能性】
【０３４６】
本発明は、表示装置に適用して有効である。
【符号の説明】
【０３４７】
１  表示装置
１Ｆ  フレーム期間
１Ｈ  水平期間
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
７  タッチパネル基板
１０  タッチ検出機能付き表示デバイス
１１  制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
１９Ａ、１９Ｂ  ＣＯＧ
２０  液晶表示デバイス
２１  ＴＦＴ基板
２２  画素電極
２３  層間樹脂膜
２３ａ  パッシベーション膜
２４  絶縁膜
２５  コンタクトホール
２６  スリット状開口
３０  タッチ検出デバイス
３１  ガラス基板
３２  カラーフィルタ
３２Ｂ、３２Ｇ、３２Ｒ  色領域
３５  偏光板
４０  タッチ検出部
４２  タッチ検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
７１  ガラス基板
５１１  フロントパネル
５１２  フィルターガラス
５１３  映像表示画面部
５２２  表示部
５２３  メニュースイッチ
５２４  シャッターボタン
５３１  本体
５３２  キーボード
５３３  表示部
５４１  本体部
５４２  レンズ
５４３  スタート／ストップスイッチ
５４４  表示部
５５１  上側筐体
５５２  下側筐体
５５３  連結部（ヒンジ部）
５５４  ディスプレイ
５５５  サブディスプレイ
５５６  ピクチャーライト
５５７  カメラ
５６１  筐体
５６２  タッチスクリーン
Ａｄ  表示領域
ＡＲ１、ＡＲ２  領域
ＢＭ１、ＢＭ２  遮光部
ＢＴ１、ＢＴ１１、ＢＴ１２、ＢＴ２、ＢＴ２１、ＢＴ２２  屈曲部
ＢＴ５、ＢＴ５１、ＢＴ５２、ＢＴ６、ＢＴ６１、ＢＴ６２  屈曲部
ＢＴ７、ＢＴ７１、ＢＴ７２、ＢＴ８、ＢＴ８１、ＢＴ８２  屈曲部
Ｃ１、Ｃ１’  容量素子
Ｃ２、Ｃｒ１、Ｃｘ  静電容量
ＣＮＢ１、ＣＮＢ２、ＣＮＴ１、ＣＮＴ２  接続部
ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬ１〜ＣＯＭＬ４  駆動電極
Ｄ  誘電体
Ｄ１、Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ２、Ｄ２１、Ｄ２２  方向
Ｄ５１、Ｄ５２、Ｄ６１、Ｄ６２、Ｄ７１、Ｄ７２、Ｄ８１、Ｄ８２  方向
ＤＡ１、ＤＰ１、ＤＰ２  配列間隔
ＤＥ  ドレイン電極
ＤＥＴ  電圧検出器
ＤＬ  導電線
ＤＰ１、ＤＰ２  配列間隔
ＤＳ１  間隔
Ｅ１  駆動電極
Ｅ２  検出電極
ＥＸ１、ＥＸ１１、ＥＸ１２、ＥＸ２、ＥＸ２１、ＥＸ２２  延在部
ＥＸ３、ＥＸ４  延在部
ＥＸ５、ＥＸ５１、ＥＸ５２、ＥＸ６、ＥＸ６１、ＥＸ６２  延在部
ＥＸ７、ＥＸ７１、ＥＸ７２、ＥＸ８、ＥＸ８１、ＥＸ８２  延在部
ＧＡＰ１、ＧＡＰ２  間隔
ＧＣＬ  走査線
ＧＥ  ゲート電極
ＧＩ  ゲート絶縁膜
ＬＣ  液晶素子
ＬＮ１  長さ
ＬＷ１  線幅
ＭＬ、ＭＬ１〜ＭＬ４  導電線
ＭＬＥ１、ＭＬＥ２  端部
ＭＬＧ  導電線群
Ｐｄ  表示期間
Ｐｉｘ  画素
ＰＲＴ１  部分
Ｐｔ  タッチ検出期間
Ｑ１、Ｑ２  電荷量
Ｒｅｓｅｔ  期間
Ｓ  交流信号源
ＳＣ１  検出回路
Ｓｃａｎ  スキャン方向
ＳＥ  ソース電極
Ｓｇ  交流矩形波
ＳＧＬ  信号線
ＳＬ  半導体層
ＳＰｉｘ  副画素
Ｔ  端子部
ｔ１、ｔ１１〜ｔ１５  、ｔ２〜ｔ５  タイミング
ＴＤＤ  ダミー電極
ＴＤＧ  検出配線
ＴＤＬ  検出電極
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
ｔｓ  サンプリングタイミング
Ｖｃｏｍ  駆動信号
Ｖｃｏｍｄ  表示駆動信号
Ｖｄｄ  電源
Ｖｄｅｔ  検出信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｏｕｔ  信号出力
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
Ｖｓｉｇ  画像信号
ＷＤ１  幅
【図１】
2015156009.tif 000006
【図２】
2015156009.tif 000007
【図３】
2015156009.tif 000008
【図４】
2015156009.tif 000009
【図５】
2015156009.tif 000010
【図６】
2015156009.tif 000011
【図７】
2015156009.tif 000012
【図８】
2015156009.tif 000013
【図９】
2015156009.tif 000014
【図１０】
2015156009.tif 000015
【図１１】
2015156009.tif 000016
【図１２】
2015156009.tif 000017
【図１３】
2015156009.tif 000018
【図１４】
2015156009.tif 000019
【図１５】
2015156009.tif 000020
【図１６】
2015156009.tif 000021
【図１７】
2015156009.tif 000022
【図１８】
2015156009.tif 000023
【図１９】
2015156009.tif 000024
【図２０】
2015156009.tif 000025
【図２１】
2015156009.tif 000026
【図２２】
2015156009.tif 000027
【図２３】
2015156009.tif 000028
【図２４】
2015156009.tif 000029
【図２５】
2015156009.tif 000030
【図２６】
2015156009.tif 000031
【図２７】
2015156009.tif 000032
【図２８】
2015156009.tif 000033
【図２９】
2015156009.tif 000034
【図３０】
2015156009.tif 000035
【図３１】
2015156009.tif 000036
【図３２】
2015156009.tif 000037
【図３３】
2015156009.tif 000038
【図３４】
2015156009.tif 000039
【図３５】
2015156009.tif 000040
【図３６】
2015156009.tif 000041
【図３７】
2015156009.tif 000042
【図３８】
2015156009.tif 000043
【図３９】
2015156009.tif 000044
【図４０】
2015156009.tif 000045
【図４１】
2015156009.tif 000046
【図４２】
2015156009.tif 000047