(57)【要約】【課題】  本発明では、レーザー加工性に優れるチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明のチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板１は、個片のチップ抵抗器となる個片領域を複数備えるチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板であって、セラミック基板１は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とすると共に、Ｔｉ元素をＴｉＯ２換算で０．１質量％以上含有する、ことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
個片のチップ抵抗器となる個片領域を複数備えるチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板であって、
前記セラミック基板は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とすると共に、Ｔｉ元素をＴｉＯ２換算で０．１質量％以上含有する、
チップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板。
【請求項２】
前記セラミック基板のＴｉ元素の含有量の上限は、ＴｉＯ２換算で５．０質量％である、
請求項１に記載のチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板。
【請求項３】
前記セラミック基板は、さらに、Ｓｉ元素をＳｉＯ２換算で１以上１０質量％以下、Ｍｇ元素をＭｇＯ換算で０．５以上２質量％以下、Ｃａ元素をＣａＯ換算で０．０５以上０．５質量％以下含有する、
請求項１又は２に記載のチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板。
【請求項４】
前記セラミック基板は、厚みが０．０５以上０．３ｍｍ以下である
請求項１以上３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板。
【請求項５】
請求項１以上４のいずれか１項に記載のセラミック基板をレーザー加工により形成された前記個片領域を区画する分割溝に沿って個片化した個片基板と、前記個片基板の主面に設けられた一対の電極と、前記一対の電極と連結するように前記個片基板の前記主面に設けられた抵抗体と、を備えるチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器は、特許文献１に記載のように、分割溝を備えるセラミック基板に、抵抗体、電極等を印刷後、焼成し、その後、分割溝に沿って個片化することで製造している。そして、この分割溝は、セラミック基板の製造工程において、グリーンシートを焼成してセラミック基板を得る前に、グリーンシートに刃を押し当てることで形成している。
【０００３】
一方、近年の電子部品の小型化の影響により、チップ抵抗器も小型、薄肉化が求められており、それに伴い、チップ抵抗器用のセラミック基板も薄肉化している。しかし、薄肉化したセラミック基板に前述の方法で分割溝を形成するとグリーンシートの歪みによって分割溝の深さが一定せず、さらに、焼成時の収縮によってセラミック基板が大きく変形してしまうため、焼成時やその後のチップ抵抗器製造工程において分割溝に沿って不意に割れてしまう虞がある。また、不意に割れが生じないように分割溝を浅く形成すると、分割溝に沿って割れない虞がある。そのため、特許文献２に記載のように、焼成後のセラミック基板に、レーザー加工により、分割溝を形成する方法が考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３８８０６
【特許文献２】特開平４−２４１４０１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、レーザー加工により分割溝を形成する場合、従来のチップ抵抗器用のセラミック基板はレーザーで加工しづらく、所望形状の分割溝を形成することができなかったり、分割溝を形成するのに膨大な加工時間を費やしたりする虞があった。
【０００６】
そこで、本発明では、レーザー加工性に優れるチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明のチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板は、個片のチップ抵抗器となる個片領域を複数備えるチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板であって、前記セラミック基板は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とすると共に、Ｔｉ元素をＴｉＯ２換算で０．１質量％以上含有する、ことを特徴とする。
【０００８】
このように、本発明のセラミック基板は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする共に、Ｔｉ元素を０．１質量％以上含有させることにより、レーザー加工性を向上させることができる。従って、薄肉化したチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板であっても、レーザー加工によりセラミック基板に所望形状の分割溝を容易に形成することができる。
【０００９】
また、本発明のセラミック基板のＴｉ元素の含有量の上限は、ＴｉＯ２換算で５質量％であることが好ましい。
【００１０】
このように、Ｔｉ元素の含有量の上限を５質量％とすることにより、レーザー加工性を向上させつつ、チップ抵抗器用の基板に要求される性能を満たすことができる。
【００１１】
また、本発明のセラミック基板は、さらに、Ｓｉ元素をＳｉＯ２換算で１以上１０質量％以下、Ｍｇ元素をＭｇＯ換算で０．５以上２質量％以下、Ｃａ元素を、ＣａＯ換算で０．０５以上０．５質量％以下含有する、ことが好ましい。
【００１２】
また、本発明のセラミック基板は、厚みが０．０５以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明のチップ抵抗器は、本発明のセラミック基板をレーザー加工により形成された前記個片領域を区画する分割溝に沿って個片化した個片基板と、前記個片基板の主面に設けられた一対の電極と、前記一対の電極と連結するように前記個片基板の前記主面に設けられた抵抗体と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
このように、レーザー加工性に優れるセラミック基板に、レーザー加工で分割溝を形成し、その分割溝により個片化しているため、小型・薄肉化したチップ抵抗器であっても、容易に得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明によれば、レーザー加工性に優れるチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）本実施形態のチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板。（ｂ）（ａ）の横断面を拡大した図。
【図２】本実施形態のチップ抵抗器。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に好適となる本実施形態のチップ抵抗器複数個取り用のセラミック基板と、当該セラミック基板を用いて製造したチップ抵抗器を、図を用いて説明する。
【００１８】
＜セラミック基板１の構成＞
図１のセラミック基板１は、個片のチップ抵抗器の基板となる個片領域を複数備える。各個片領域は、レーザー加工によって形成された複数の分割溝２、３により区画される。
【００１９】
セラミック基板１はＡｌ２Ｏ３を主成分とするセラミック組成物で構成される。また、Ａｌ２Ｏ３の含有量は、セラミック組成物の全体１００質量％に対し、８０質量％以上とする事が好ましい。
尚、セラミック組成物に含まれるＡｌ２Ｏ３の結晶粒子の平均粒子径は５以上２０μ以下であることが好ましい。
【００２０】
セラミック基板１は、Ｔｉ元素を、ＴｉＯ２換算で０．１質量％以上含有する。Ｔｉ元素を０．１質量％以上含有させることにより、セラミック基板１のレーザー加工性を向上させることができる。また、Ｔｉ元素の含有量の上限は５質量％であることが好ましい。０．１質量％以上５質量％以下の範囲でＴｉ元素を含有させることで、レーザー加工性を向上させつつ、チップ抵抗器用の基板に要求される性能を満たすことができる。
【００２１】
本明細書において、セラミック基板の主成分とは、セラミック基板を構成するセラミック組成物の全成分に対して、質量％で最も多量に含んでいることを意味する。また、セラミック基板に含有する各元素の含有量とは、セラミック基板を構成するセラミック組成物の全セラミック成分に対する含有量のことを意味する。
【００２２】
セラミック基板１は、さらに、Ｓｉ元素をＳｉＯ２換算で１以上１０質量％以下、Ｍｇ元素をＭｇＯ換算で０．５以上２質量％以下、Ｃａ元素をＣａＯ換算で０．０５以上０．５質量％以下含有することが好ましい。
【００２３】
セラミック基板１は、さらにＺｒ元素（ＺｒＯ２）を含有することが好ましい。このＺｒＯ２を含有させることにより、レーザー加工性をさらに向上させることができる。
【００２４】
続いて、本実施形態のセラミック基板１の製造方法を説明する。
＜セラミック基板１の製造方法＞
セラミック基板１の製造方法は、特に限定されるものではなく周知の方法を用いることができる。例えば、上記したＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯを含有する原料に適当なバインダー、溶剤等を添加混合してスラリー状とし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によりグリーンシート化し、その後、高温（１４００℃以上１６００℃以下）で焼成するグリーンシート法によって製造することができる。また、原料粉体を成型機に充填して圧密成型した後、成型体を焼成する粉体成型法によっても製造することができる。
【００２５】
続いて、本実施形態のセラミック基板１を用いた、チップ抵抗器１１について説明する。
＜チップ抵抗器１１の構成＞
セラミック基板１を用いて製造したチップ抵抗器１１は、個片基板１２と、表面電極１３と、抵抗体１４と、裏面電極１５と、側面電極１６と、保護層１７とを、主な構成要素として備える。
【００２６】
＜個片基板１２について＞
個片基板１２は、セラミック基板１を個片化したもので、平板状であり、抵抗体１４や保護層１７が形成される主面と、主面と対向する裏面を有する。さらに、対向する一対の短側面と、対向する一対の長側面とを有する。
【００２７】
＜表面電極１３について＞
金属を主成分とする材料で構成される一対の電極である表面電極１３は、基板１２の主面に、離間して配置される。
【００２８】
＜抵抗体１４について＞
所望の抵抗値が得られる材料で構成される抵抗体１４は、基板１２の主面の中央部付近に配置され、一対の表面電極１３と連結し、電気的に接続する。
【００２９】
＜裏面電極１５について＞
金属を主成分とする材料で構成される一対の電極である裏面電極１５は、基板１２の裏面に離間して配置される。そして、対応する位置にある表面電極１３と裏面電極１５はそれぞれ同極であり、これら同極の電極同士は、後記する側面電極１６によって電気的に接続する。
【００３０】
＜側面電極１６について＞
金属を主成分とする材料で構成される一対の電極である側面電極１６は、基板１２の短側面に対向して形成され、同極の表面電極１３と裏面電極１５とを連結し、電気的に接続する。
【００３１】
＜保護層１７について＞
絶縁膜からなる保護層１７は、抵抗体１４を保護するため、抵抗体１４を覆うように形成される。保護層１７を構成する絶縁膜は、ガラスや樹脂等の材料から構成される。
【００３２】
続いて、本実施形態のセラミック基板１を用いたチップ抵抗器１１の製造方法を説明する。
＜チップ抵抗器１１の製造方法＞
＜セラミック基板１への分割溝２、３の形成＞
セラミック基板１の主面及び／又は裏面に、縦方向の分割溝２と横方向の分割溝３とを、ＹＶＯ４レーザー、ＹＡＧレーザー、グリーンレーザー、ＵＶレーザー等のレーザーを連続的に照射して直線状に形成するか、又は、レーザーを断続的に照射してミシン目状に形成する。
尚、分割溝２、３の深さは、不意な分割が生じなく、かつ分割が容易な深さとする。
【００３３】
＜電極、抵抗体の形成＞
次いで、縦方向の分割溝２を挟んで複数対の表面電極１３、裏面電極１５を印刷、焼成し、次いで、表面電極１３の間に抵抗体１４を印刷、焼成する。この抵抗体１４をトリミングして抵抗値を調整した後、その上に保護膜１７を印刷、焼成することにより、セラミック基板１上に複数の抵抗器が並設された基板となる。次いで、この基板を、縦方向の分割溝２に沿って短冊状に分割し、その分割面にスパッタや導電性ペースト等により側面電極１６を形成する。
【００３４】
側面電極１６を形成後、短冊状の基板を横方向の分割溝３に沿って分割、個片化して、図２に示すチップ抵抗器１１を得る。
【００３５】
分割溝２、３は、上記実施形態では電極１３、１５、１６、抵抗体１４の形成工程前に形成したが、電極１３、１５、１６、抵抗体１４の形成工程後に、形成してもよい。
また、チップ抵抗器１１は、上記実施形態では分割溝２、３に沿って分割、個片化したが、レーザー加工によってセラミック基板１を切断して個片化してもよい。
【実施例】
【００３６】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。
【００３７】
＜セラミック基板の製造＞
原料粉末として、Ａｌ２Ｏ３粉末（純度９９．９％以上）、ＴｉＯ２粉末（純度９９．９％以上）、タルク粉末、炭酸マグネシウム粉末、炭酸カルシウム粉末を用いた。そして以下の表１（実施例１〜４、比較例１）に示す組成となるように原料粉末を配合し、更にバインダーとしてのポリビニルブチラール及び可塑剤としてのフタル酸ジブチルを添加し溶媒と共に混合してスラリーとした後、ドクターブレード装置にてテープ成形し、グリーンシートを製造した。
【００３８】
このグリーンシートを所定形状に切断し、大気雰囲気中２００℃で脱脂した後、大気雰囲気中１６００℃で焼成することによって、セラミック基板を製造した。
【００３９】
得られたセラミック基板は、厚さ０．２ｍｍであった。
【００４０】
＜セラミック基板の性能評価＞
以下の方法により、実施例１〜４、及び、比較例１の各セラミック基板における、レーザー加工性を評価した。その結果を以下の表２に示す。
（１）レーザー加工性の評価
実施例１〜４、及び、比較例１の各セラミック基板に、ＹＶＯ４レーザー（波長１０６４ｎｍ）を下記のテスト条件で使用して溝を形成した後、溝の深さをデジタルマイクロスコープによって測定した。
＜テスト条件＞
レーザーの種類：ＹＶＯ４レーザー
レーザー出力：１３（Ｗ）
走査速度：２０ｍｍ／秒
走査回数：２回
【００４１】
【表１】
2015082540.tif 000003
【００４２】
【表２】
2015082540.tif 000004
【００４３】
表２に示すように、実施例のセラミック基板は、比較例に比べ溝の深さが深くなっており、レーザー加工性が優れていた。
【００４４】
また、実施例のセラミック基板について、チップ抵抗器の基板に要求される種々の性能を測定したところ、要求される性能を全て満すことが判明した。
【００４５】
従って、本実施例のセラミック基板によれば、レーザー加工性が優れると共に、チップ抵抗器の基板に要求される性能を満たすチップ抵抗器用のセラミック基板を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のチップ抵抗器用のセラミック基板は、薄肉化したチップ抵抗器用のセラミック基板に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００４７】
１      セラミック基板
２      縦方向の分割溝
３      横方向の分割溝
１１    チップ抵抗器
１２    個片基板
１３    表面電極
１４    抵抗体
１５    裏面電極
１６    側面電極
１７    保護層
【図１】
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【図２】
2015082540.tif 000006