(57)【要約】【課題】希土類元素およびＰｂを用いずに紫外発光を示す酸化物の発光性化合物を提供する。【解決手段】本発明の発光性化合物は、一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、Ｔｉと少なくとも１種のアルカリ金属とが共ドープされたものである。本発明の発光性化合物はたとえば、波長３００ｎｍ以下の光励起により、励起波長から４５０ｎｍの波長範囲に発光強度のピークトップを示すことができる。本発明の発光体膜は、上記の本発明の発光性化合物を含むものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、Ｔｉと少なくとも１種のアルカリ金属とが共ドープされた発光性化合物。
【請求項２】
前記アルカリ金属として、Ｌｉ、ＮａおよびＫからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含む請求項１に記載の発光性化合物
【請求項３】
前記母体酸化物に対する前記アルカリ金属のドープ濃度が０．１〜５０質量％である請求項１または２に記載の発光性化合物。
【請求項４】
ＭがＳｒである請求項１〜３のいずれかに記載の発光性化合物。
【請求項５】
波長３００ｎｍ以下の光励起により、励起波長から４５０ｎｍの波長範囲に発光強度のピークトップを示す請求項１〜４のいずれかに記載の発光性化合物。
【請求項６】
３００〜４５０ｎｍの波長範囲にＥＬ発光のピークトップを有する請求項１〜５のいずれかに記載の発光性化合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の発光性化合物を含む発光体膜。
【請求項８】
膜厚が１０ｎｍ〜５μｍである請求項７に記載の発光体膜。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の発光性化合物の製造方法であって、
Ｍを含む化合物と、Ｓｂを含む化合物と、Ｔｉを含む化合物と、少なくとも１種のアルカリ金属塩とを含む原料混合物を用意する工程と、
前記原料混合物を大気中５００℃以上で焼成して、前記発光性化合物を生成する工程とを有する発光性化合物の製造方法。
【請求項１０】
前記アルカリ金属塩がハロゲン化物塩である請求項９に記載の発光性化合物の製造方法。
【請求項１１】
前記アルカリ金属塩が塩化物塩である請求項９または１０に記載の発光性化合物の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜８に記載の発光性化合物を備えた発光装置。
【請求項１３】
照明装置である請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記発光体膜から発光される光の変調により表示を行う表示装置である請求項１２に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光性化合物、発光体膜とその製造方法、および発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光性化合物は、ＥＬ装置、ＬＥＤ装置、およびＦＥ装置等の発光装置に用いられる。
本明細書において、ＥＬはエレクトロルミネセンス（Electroluminescence）、ＬＥＤは発光ダイオード（Light Emitting Diode）、ＦＥはフィールドエミッション（Field Emission、電界放射）の略号である。これら発光装置は、照明装置または表示装置等として利用できる。
【０００３】
可視光の波長範囲以下に光を放射する紫外発光装置は、紫外線の高エネルギー特性を活かし、殺菌、脱臭、表面改質、光洗浄、分解、および樹脂硬化など様々な用途に利用されている。
従来、紫外線領域の光源としては、低圧水銀ランプおよび重水素ランプなどのガス光源が主流である。しかしながら、低圧水銀ランプはランプ内部に含まれる水銀が環境上好ましくない。重水素ランプはガス交換が必要であり、加えて大型化が困難、低効率など実用上の課題がある。これらの欠点を補うため、固体の発光性化合物を用いた紫外発光装置の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特願2013-111457号（本件出願時において未公開）
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】仙田考祐他、信学技法、85C(4)、p.306-307(2002)
【非特許文献２】蛍光体ハンドブック、蛍光体同学会、オーム社（1987）
【非特許文献３】Li. G, et al.、Journal of Rare Earths、28(1)、p.22-25(2010).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、紫外線領域に発光を示す発光性化合物の母体結晶としては、広いエネルギーバンド幅を有するフッ化物あるいは酸化物が主に検討されている。たとえば、ＺｎＦ２：Ｇｄは、ＥＬ発光において、３１１．５ｎｍにピークトップを示すことが報告されている（非特許文献１）。
一般に、発光性化合物の発光波長の範囲は用いるドーパントに依存しており、紫外線領域に発光を示すドーパントとして、上記のＧｄの他、ＣｅおよびＰｂがよく知られている（非特許文献２）。しかしながら、Ｐｂは環境負荷削減の観点から使用は望ましくなく、ＧｄおよびＣｅは希土類であり高コストである。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、希土類元素およびＰｂを用いずに紫外発光を示す酸化物の発光性化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光性化合物は、一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、Ｔｉと少なくとも１種のアルカリ金属とが共ドープされたものである。
【０００９】
本発明の発光体膜は、上記の本発明の発光性化合物を含むものである。
本発明の発光装置は、上記の発光性化合物を備えたものである。
発光装置としては具体的には、照明装置、および前記無機発光体膜から発光される光の変調により表示を行う表示装置が挙げられる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、希土類元素およびＰｂを用いずに紫外発光を示す酸化物の発光性化合物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る第１実施形態の発光装置の模式断面図である。
【図２】本発明に係る第２実施形態の発光装置の模式断面図である。
【図３Ａ】本発明に係る第３実施形態の発光装置の全体模式断面図である。
【図３Ｂ】本発明に係る第３実施形態の発光装置の部分拡大模式断面図である。
【図４】実施例１で得られた焼結体のＸＲＤパターンである。
【図５】実施例１および比較例１で得られた焼結体のＰＬスペクトルである。
【図６】実施例２で得られた焼結体のＰＬスペクトルである。
【図７】実施例３で得られた焼結体のＰＬスペクトルである。
【図８】実施例４で得られた膜のＰＬスペクトルである。
【図９】実施例４で得られたＥＬ素子における印加電圧と発光輝度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
「発光性化合物」
一般的に無機結晶の発光性化合物は、母体結晶のみか、ドーパントを母体結晶へドープしたものである。ドーパントを用いる場合、ドーパントが母体結晶へ固溶する際に生じる空孔欠陥が発光特性を低下させる原因になることから、空孔欠陥を電気的に補償するためドーパントと別の元素を共ドープすることがある。  
一方で、母体結晶を構成する元素と共ドープする元素との組み合わせによっては、共ドープした元素が母体結晶中に固溶することで結晶構造が歪み、発光特性が変化することがある。
非特許文献３には、Ｙ３Ａｌｌ５Ｏ１２：ＣｅにＬｉあるいはＮａなどのアルカリ金属を共ドープすることで、Ｙ３Ａｌｌ５Ｏ１２の結晶構造を縮小させて発光波長を短波長シフト（いわゆるブルーシフト）できること、また発光強度が増加することが報告されている。
本発明者らは、先の出願である特許文献１（本件出願時において未公開）において、青色発光を示す酸化物ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉを開示している。本発明者らは、この酸化物においても、Ｔｉ以外の元素を共ドープすることで発光特性を制御できるのではないかと考えた。特に母体結晶中でＳｒは大きなイオン半径（イオン半径＝１．４４Å）を有しており、Ｓｒサイトをイオン半径が小さい元素で置換することで結晶構造を大きく縮小させ、発光波長を紫外線領域へ短波長シフトできると推測した。
Ｓｒよりイオン半径が小さく、また低融点であり母体結晶に固溶し易い元素として、Ｌｉ、ＮａおよびＫなどのアルカリ金属が挙げられる。実際に、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉに少なくとも１種のアルカリ金属を共ドープしたところ、発光波長の短波長シフトによる紫外発光と発光強度の増大が見られた。
ＳｒＳｂ２Ｏ６中のＳｒサイトについては、他のアルカリ土類金属でもよい。また、ドーパントとしては発光を阻害しなければ、アルカリ金属以外の元素を更に加えてもよい。
本発明者は、以上の知見から、本発明を完成した。
【００１３】
本発明の発光性化合物は、
一般式ＭＳｂ２Ｏ６（ここで、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。）で表される母体酸化物に、Ｔｉと少なくとも１種のアルカリ金属とが共ドープされたものである。
【００１４】
上記アルカリ金属としては、Ｌｉ、ＮａおよびＫからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素が好ましい。
【００１５】
母体酸化物が同じでＴｉのみをドープした発光性化合物は青色発光を示すが（特許文献１および後記比較例１を参照）、母体酸化物が同じでＴｉとアルカリ金属とを共ドープした本発明の発光性化合物はピークトップの短波長シフトが見られ、発光強度も増大する。
本発明の発光性化合物は、たとえば波長３００ｎｍ以下の光励起により、励起波長から４５０ｎｍの波長範囲に発光強度のピークトップを有する発光を示すことができる。
本発明の発光性化合物は、３００〜４５０ｎｍの波長範囲にＥＬ発光のピークトップを有することができる。
【００１６】
本発明によれば、Ｔｉとアルカリ金属との共ドープによってＰＬ（フォトルミネセンス、Photoluminescence）量子収率を高めることができ、高効率で紫外発光を示す発光性化合物を提供できる。
【００１７】
本発明によれば、希土類元素およびＰｂを用いずに紫外発光を示す酸化物の発光性化合物を提供することができる。
本発明の発光性化合物は、希土類元素を必須としないので、低コストである。
本発明の発光性化合物は、Ｐｂを必須としないので、環境面で優れる。
本発明の発光性化合物は、酸化物であるので焼成時の雰囲気制御が不必要であり、窒化物およびフッ化物に比べて材料コストが低く耐久性にも優れる。
【００１８】
本発明の発光性化合物は、バルク体、粉体、および発光体膜等の任意の形態で使用できる。
これら形態においては、本発明の発光性化合物の他に、一般式ＭＳｂ２Ｏ４で表される酸化物、一般式ＭＳｂ２Ｏ５で表される酸化物、またはこれらに上記ドーパントがドープされた酸化物が含まれていてもよい。ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、２種類以上が含まれていてもよい。また、発光が阻害されなければ、Ｔｉとアルカリ金属以外の成分が含まれていてもよい。
本発明の発光性化合物を用いたバルク体、粉体、および発光体膜等は、公知方法により製造することができる。製造方法の具体例については、後記[実施例]の項を参照されたい。
【００１９】
発光性化合物の合成に使用される原料は特に制限されるものではなく、Ｍ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素）、Ｓｂ、Ｔｉ、およびアルカリ金属を含む複数種の原料を用いることができる。
原料としては、
酸化物；
ハロゲン化物；
金属カルボン酸塩、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属アンモニウム塩、および金属エステル塩等の金属塩；
金属アルコキシド；
酸化物を酸、塩基、または有機物で修飾したもの；
および有機金属錯体などが挙げられる。
【００２０】
原料組成におけるＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素）とＳｂの比率は、その後の成膜あるいは焼成等による組成比率の変化を考慮して決定される。すなわち最終的な発光性化合物においてＳｂ／Ｍ＝２となるように調整することが望ましい。
【００２１】
Ｔｉの添加量は母体であるＭＳｂ２Ｏ６によって異なるが、低濃度では充分に発光せず、また高濃度で濃度消光を起こすため、通常母体に対して０．００１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは０．０１〜５ｍｏｌ％である。
【００２２】
アルカリ金属の添加量は母体であるＭＳｂ２Ｏ６によって異なるが、低濃度では発光特性の変化（発光の短波長シフト）が充分に見られず、また高濃度では不純物量の増大により発光強度が低下するため、通常母体に対して０．１〜５０質量％、好ましくは１〜１０質量％である。
【００２３】
各元素の原料を混合し、必要に応じて成型または成膜し、焼成することで発光性組成物を得ることができる。原料を混合する際、その均一性を高めるために溶媒あるいは分散媒を使用することもできる。使用される溶媒または分散媒も特に限定されるものではなく、水等の無機材料と有機材料のいずれも用いることができ、２種以上を用いることも可能である。溶媒／分散媒としては、上記原料を溶解／分散を維持できるものが好ましい。
【００２４】
本発明の発光性化合物は、好ましくは発光体膜等の形態で使用できる。発光体膜の適正な膜厚は用途によって異なるが、膜厚が小さいと発光が不充分となり、また膜厚が大きいと熱処理時の内部応力によってクラックが発生し易くなることから、通常１０ｎｍ〜５μｍである。
【００２５】
発光体膜の形成方法は特に限定されるものではなく、スパッタリング、ＥＢ蒸着、およびＣＶＤなどの気相法、スピンコート、ディップコート、バーコート、およびスプレー塗工などの液相法等が挙げられる。
【００２６】
本発明の発光性化合物を用いた発光体膜は、照明装置、あるいは無機発光体膜から発光される光の変調により表示を行う表示装置等の発光装置に用いることができる。
【００２７】
「第１実施形態の発光装置」
図面を参照して、本発明に係る第１実施形態の発光装置の構造について説明する。
図１は模式断面図である。
【００２８】
図１に示す発光装置１は、無機ＥＬ装置である。
本明細書において、「ＥＬ」は、ＥＬはエレクトロルミネセンス（Electroluminescence）の略号である。
【００２９】
発光装置１は、基板１１０上に、下部電極（第１の電極）１２０と無機発光体膜１４０と上部電極（第２の電極）１６０とを順次備えている。
【００３０】
基板１１０側から光を取り出す場合、基板１１０としては、ガラス基板等の透光性基板が用いられる。
上部電極１６０側から光を取り出す場合、基板１１０としては、ガラス基板等の透光性基板を用いてもよいし、金属基板等の非透光性基板を用いてもよい。
【００３１】
下部電極１２０と上部電極１６０の材料としては公知の導電材料が使用できる。下部電極１２０と上部電極１６０の少なくとも一方（光を取り出す側）は、透光性を有する導電材料からなる。
透光性を有する導電材料としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＦＴＯ(フッ素添加酸化錫)、ＳｎＯ２、ＰＥＤＯＴ(ポリエチレンジオキシチオフェン)、およびＣＮＴ（カーボンナノチューブ）等が挙げられる。
透光性を有さない導電材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属、およびこれらの組合せが挙げられる。
【００３２】
下部電極１２０と無機発光体膜１４０との間には、バリア層（下部絶縁体層）１３０を設けてもよい。バリア層１３０を設けることで、下部電極１２０の成分が無機発光体膜１４０に拡散し、発光を不活性にすることを抑止できる。
無機発光体膜１４０と上部電極１６０との間には、キャップ層（上部絶縁体層）１５０を設けてもよい。キャップ層１５０を設けることで、無機発光体膜１４０の表面における材料の脱着を抑止し、無機発光体膜１４０の組成を均一にすることができ、発光特性を向上できる。
バリア層１３０およびキャップ層１５０の材料としては、
ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、およびＡｌ２Ｏ３などの酸化物；
Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、およびＴｉＮなどの窒化物；
ＳｉＯＮ、およびＡｌＯＮなどの酸窒化物；
およびこれらの組み合わせ等が挙げられる。
無機発光体膜１４０は、上記の本発明の発光性化合物を含む。
【００３３】
本実施形態の発光装置１は、紫外発光を示す照明装置（ＥＬ光源）として用いることができる。本発明の発光性化合物を用いることにより、発光強度が高く、低コストな紫外光の発光装置１を提供できる。
【００３４】
「第２実施形態の発光装置」
図面を参照して、本発明に係る第２実施形態の発光装置の構造について説明する。
図２は、模式断面図である。
【００３５】
図２に示す発光装置２は、ＬＥＤチップを用いた面発光ＬＥＤ光源（ＬＥＤ装置、照明装置）である。
本明細書において、「ＬＥＤ」は発光ダイオード（Light Emitting Diode）の略号である。
【００３６】
発光装置２は、図示下方より、反射板２１０と、紫外光を発光する複数のＬＥＤチップ２２１が搭載されたＬＥＤユニット２２０と、無機発光体膜２３０と、拡散板２４０とを順次備えている。
【００３７】
個々のＬＥＤチップ２２１は、ｎ型電極と、ｎ型半導体膜およびｐ型半導体膜を含む発光体膜と、ｐ型電極との接合構造を有している（図示略）。ｎ型半導体膜とｐ型半導体膜との接合界面（ｐｎ界面）で発光が起こる。
ＬＥＤチップ２２１としてはたとえば、ＡｌＮにＧａが添加されたＡｌＧａＮを発光体膜とする量子井戸構造のＬＥＤチップ（ＡｌＧａＮ系ＬＥＤチップ）等が挙げられる。
各ＬＥＤチップ２２１は、好ましくはドーム状に成型された被覆材２２２で被覆されている。本実施形態において、被覆材２２２は光の色変換を行う必要はなく、材料はＬＥＤチップ２２１を保護し、ＬＥＤチップ２２１から発光される光に対して透光性を有していればよい。被覆材２２２の材料としては、シリコーン樹脂およびエポキシ樹脂等の透光性樹脂が挙げられる。
【００３８】
反射板２１０の材料としては、アルミニウム基板等が挙げられる。
拡散板２４０の材料としては、（メタ）アクリル樹脂等が挙げられる。
無機発光体膜２３０は、上記の本発明の発光性化合物を含み、ＬＥＤチップ２２１から発光された紫外光等を所望の波長に変換する。
無機発光体膜２３０から出射された紫外光は拡散板２４０で拡散されて、使用者側に出射される。本発明の発光性化合物を用いることにより、発光強度が高く、低コストで、放電ランプと同様にブロードなスペクトル形状を有する紫外光の発光装置２を提供できる。
【００３９】
「第３実施形態の発光装置」
図面を参照して、本発明に係る第３実施形態の発光装置の構造について説明する。
図３Ａは全体模式断面図であり、図３Ｂは部分拡大模式断面図である。図３Ａでは、図３Ｂで示されている一部の構成部材の図示を省略または簡素化してある。また、これらの図においては、視認しやすくするため、各構成部材の縮尺等は図ごとに適宜異ならせてある。
【００４０】
図３Ａおよび図３Ｂに示す発光装置３は、ＦＥＤ（ＦＥ装置、表示装置）である。
本明細書において、「ＦＥ」はフィールドエミッション（Field Emission、電界電子放出）の略号であり、ＦＥＤはフィールドエミッションディスプレイ（Field Emission Display、電界電子放出ディスプレイ）の略号である。
【００４１】
発光装置３は、
基板本体３１０とカソード電極とを有するカソード基板３００と、
基板本体４１０とアノード電極とを有するアノード基板４００とを備えている。
基板本体３１０、４１０としては、ガラス基板等が用いられる。
【００４２】
本実施形態において、カソード電極は、基板本体３１０の内面に形成され、導電体からなる複数の平面カソード電極３２１と、その上に形成されたエミッタ３２２により構成されている。本実施形態において、エミッタは、基板面に対して交差方向に立って形成された複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）からなるＣＮＴ電極である。
ＣＮＴ電極は、複数のＣＮＴと溶媒とを含むＣＮＴ溶液を塗布し、溶媒を除去することで、簡易に作製できる。
エミッタ３２２としては、略円錐状電極を用いることもできる。
【００４３】
平面カソード電極３２１の上には複数の絶縁性凸部３３１からなる絶縁体層３３０が形成されており、上記複数のＣＮＴは複数の絶縁性凸部３３１の間隙に形成されている。
複数の絶縁性凸部３３１からなる絶縁体層３３０の上には、複数の絶縁性凸部３３１の間隙の対向部分に開口部を有する複数の導電性のゲート電極３４０が形成されている。
平面カソード電極３２１およびゲート電極３４０はモリブデン等の導電体からなり、絶縁体層３３０は酸化ケイ素等の絶縁体からなる。
平面視において、複数の平面カソード電極３２１および複数のゲート電極３４０は互いに交差する方向に延びたストライプ状パターンで形成されている。平面カソード電極３２１とゲート電極３４０とは駆動回路を介して電気的に接続されている。
【００４４】
アノード電極は、基板本体４１０の内面のほぼ全面に形成され、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電体からなる平面アノード電極４２０により構成されている。
カソード電極とアノード電極との間には電圧が印加されるようになっている。
【００４５】
平面アノード電極４２０の内面には、上記の本発明の発光性化合物を含む蛍光体層４３０が形成されている。
【００４６】
カソード基板３００とアノード基板４００との間にはスペーサ５００が設けられ、カソード基板３００とアノード基板４００との間の空間は高真空になっている。
【００４７】
カソード基板３００のエミッタ３２２から放射される電子線により蛍光体層４３０が励起され、アノード基板４００の上面から紫外光が放射される。
【００４８】
本発明の発光性化合物を用いることにより、紫外光の発光強度が高く、低コストな発光装置３を提供することができる。
【実施例】
【００４９】
以下に実施例および比較例を挙げて本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００５０】
（実施例１）
ＳｒＯ粉末、Ｓｂ２Ｏ５粉末、ＴｉＯ２粉末およびＬｉＣｌ粉末を、エタノール溶媒を用いて湿式混合した。溶媒を乾燥除去した後、混合粉末を金型に充填し、一軸プレス機を用いて３５ＭＰａで５分間圧縮成型して、成型体（ペレット）を得た。これを大気中１３００℃で５時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ，Ｌｉセラミック焼結体を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量を０．７ｍｏｌ％、Ｌｉの添加量を１．０質量％とした。
得られた焼結体について、ＸＲＤパターンを図４に示す。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
得られた焼結体に２５４ｎｍの紫外光を照射した。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図５に示す。後記比較例１と比べてピークトップは短波長シフトしており、４１０ｎｍに発光強度のピークトップを有する発光が見られた。ＰＬ量子収率は９０％以上であり、後記比較例１に対して発光強度の増大が見られた。
【００５１】
（実施例２）
ＳｒＯ粉末、Ｓｂ２Ｏ５粉末、ＴｉＯ２粉末およびＮａＣｌ粉末を、エタノール溶媒を用いて湿式混合した。溶媒を乾燥除去した後、混合粉末を金型に充填し、一軸プレス機を用いて３５ＭＰａで５分間圧縮成型して、成型体（ペレット）を得た。これを大気中１３００℃で５時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ，Ｎａセラミック焼結体を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量を０．７ｍｏｌ％、Ｎａの添加量を１．０質量％とした。
得られた焼結体について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例１と同様、母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図６に示す。後記比較例１と比べてピークトップは短波長シフトしており、４１０ｎｍに発光強度のピークトップを有する発光が見られた。ＰＬ量子収率は９０％以上であり、後記比較例１に対して発光強度の増大が見られた。
【００５２】
（実施例３）
ＳｒＯ粉末、Ｓｂ２Ｏ５粉末、ＴｉＯ２粉末およびＫＣｌ粉末を、エタノール溶媒を用いて湿式混合した。溶媒を乾燥除去した後、混合粉末を金型に充填し、一軸プレス機を用いて３５ＭＰａで５分間圧縮成型して、成型体（ペレット）を得た。これを大気中１３００℃で５時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ，Ｋセラミック焼結体を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量は０．７ｍｏｌ％、Ｋの添加量を１．０質量％とした。
得られた焼結体について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例１と同様、母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図７に示す。後記比較例１と比べてピークトップは短波長シフトしており、４３０ｎｍに発光強度のピークトップを有する発光が見られた。ＰＬ量子収率は５０％以上であり、後記比較例１に対して発光強度の増大が見られた。
【００５３】
（実施例４）
スパッタ法により、１２５μｍ厚の焼結ＢａＴｉＯ３セラミック基板（絶縁体層を兼ねる）上にバリア層として２００ｎｍ厚のＳｉＯＮ層を成膜した。
上記基板上に、ＳｒＯ、Ｓｂ２Ｏ５およびＬｉＣｌの混合物とＴｉＯ２とを蒸着源として用い、２源ＥＢ蒸着法により７００ｎｍ厚の膜を成膜した。得られた膜を大気中９００℃で焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ，Ｌｉ発光体膜を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量を０．７ｍｏｌ％、Ｌｉの添加量を１．０質量％とした。
次に、スパッタ法により、上記発光体膜上に、絶縁体層として１００ｎｍ厚のＳｉＯＮ層を成膜し、さらにＩＴＯ上部電極を成膜した。また、基板の反対側の面に、真空蒸着法により金属Ａｌ下部電極を成膜した。
以上のようにして、ＥＬ素子を作製した。
発光体膜を形成したＢａＴｉＯ３セラミック基板についてＸＲＤ分析を実施したところ、基板のＢａＴｉＯ３のピークと共に、実施例１と同様、母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図８に示す。実施例１と同様に、４１０ｎｍに発光強度のピークトップを有する発光が見られ、ＰＬ量子収率は１.５％以上であった。
得られたＥＬ素子を１０ｋＨｚの正弦波交流電圧で駆動した。印加電圧と発光輝度との関係を図９に示す。電圧約３００ＶからＥＬ発光が開始し、電圧の増加に伴い輝度の急激な上昇が見られた。
【００５４】
（実施例５）
石英ガラス基板上に、ＳｒＯ、Ｓｂ２Ｏ５およびＬｉＣｌの混合物とＴｉＯ２とを蒸着源として用い、２源ＥＢ蒸着法により４００ｎｍ厚の膜を成膜した。得られた膜を大気中９００℃で焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ，Ｌｉ発光体膜を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量を０．７ｍｏｌ％、Ｌｉの添加量を１．０質量％とした。
得られた発光体膜について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例１と同様、母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルにおいて、実施例１と同様に、４１０ｎｍに発光強度のピークトップを有する発光が見られ、ＰＬ量子収率は１.５％以上であった。
【００５５】
（比較例１）
ＳｒＯ粉末、Ｓｂ２Ｏ５粉末およびＴｉＯ２粉末を、エタノール溶媒を用いて湿式混合した。溶媒を乾燥除去した後、混合粉末を金型に充填し、一軸プレス機を用いて３５ＭＰａで５分間圧縮成型して、成型体（ペレット）を得た。これを大気中１３００℃で５時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉセラミック焼結体を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量は０．７ｍｏｌ％とした。
得られた焼結体について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例１と同様、母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
得られた焼結体に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、特許文献１の実施例６と同様に青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルを図５に示す。特許文献１の実施例６と同様に４５０ｎｍ付近にピークトップが見られ、ＰＬ量子収率は３７％であった。
【００５６】
（比較例２）
ＳｒＯ粉末、Ｓｂ２Ｏ５粉末、ＴｉＯ２粉末およびＢｉ２Ｏ３粉末を、エタノール溶媒を用いて湿式混合した。溶媒を乾燥除去した後、混合粉末を金型に充填し、一軸プレス機を用いて３５ＭＰａで５分間圧縮成型して、成型体（ペレット）を得た。これを大気中１３００℃で５時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ，Ｂｉセラミック焼結体を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量を０．７ｍｏｌ％、Ｂｉの添加量を１．０質量％とした。
得られた焼結体について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例１と同様、母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
得られた焼結体に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、比較例１と同様に青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルにおいて、比較例１と同様に４５０ｎｍ付近にピークトップが見られ、比較例１に対する発光強度の増加は見られなかった。
【００５７】
（比較例３）
ＳｒＯ粉末、Ｓｂ２Ｏ５粉末、ＴｉＯ２粉末およびＨ３ＢＯ３粉末を、エタノール溶媒を用いて湿式混合した。溶媒を乾燥除去した後、混合粉末を金型に充填し、一軸プレス機を用いて３５ＭＰａで５分間圧縮成型して、成型体（ペレット）を得た。これを大気中１３００℃で５時間焼成して、ＳｒＳｂ２Ｏ６：Ｔｉ，Ｂセラミック焼結体を得た。母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６に対して、Ｔｉの添加量を０．７ｍｏｌ％、Ｂの添加量を１．０質量％とした。
得られた焼結体について、ＸＲＤ分析を実施したところ、実施例１と同様、母体酸化物であるＳｒＳｂ２Ｏ６の回折ピークが見られた。
得られた焼結体に２５４ｎｍの紫外光を照射したところ、比較例１と同様に青色の発光（蛍光）が確認された。励起波長２５４ｎｍにおけるＰＬスペクトルにおいて、比較例１に対して発光強度の増加が認められたが、比較例１と同様に４５０ｎｍ付近にピークトップが見られ、ピークトップの短波長シフトは確認されなかった。
【００５８】
実施例１〜５および比較例１〜３の主な製造条件と評価結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の発光性化合物は、照明装置または表示装置等の発光装置に用いられる無機発光体膜等に好ましく適用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１  発光装置（ＥＬ装置）
２  発光装置（面発光ＬＥＤ光源）
３  発光装置（ＦＥＤ）
１１０  基板
１２０  下部電極
１３０  バリア層
１４０  無機発光体膜
１５０  キャップ層
１６０  上部電極
２１０  反射板
２２０  ＬＥＤユニット
２２１  ＬＥＤチップ
２２２  被覆材
２３０  無機発光体膜
２４０  拡散板
３００  カソード基板
３１０  基板本体
３２１  平面カソード電極
３２２  エミッタ
３３０  絶縁体層
３３１  絶縁性凸部
３４０  ゲート電極
４００  アノード基板
４１０  基板本体
４２０  平面アノード電極
４３０  蛍光体層
４４０  ブラックマトリクス
５００  スペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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