(57)【要約】  【課題】地盤材料の表面水量をリアルタイムで精度よく管理することができる方法及びシステムを提供する。  【解決手段】工事現場に継続的に供給される様々な粒径の混在する地盤材料Ｓの含水率ｗ０を連続的に計測し，供給される地盤材料Ｓの一部を所定時間ｔおきに抜き取って粒度分布Ｄを検出し，地盤材料Ｓの含水率ｗ０から粒度分布Ｄに応じて所定粒径別の含水率ｗｉを算出し，その粒径別の含水率ｗｉに基づき地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで推定する。好ましくは，地盤材料Ｓに近赤外光を照射したときの所定波長λｉの反射率又は透過率Ｓｉ，Ｒから地盤材料Ｓの含水率ｗ０を計測する。【選択図】        図１
2015105898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工事現場に継続的に供給される様々な粒径の混在する地盤材料の含水率を連続的に計測し，前記供給される地盤材料の一部を所定時間おきに抜き取って粒度分布を検出し，前記地盤材料の含水率から粒度分布に応じて所定粒径別の含水率を算出し，前記粒径別の含水率に基づき前記地盤材料の表面水量をリアルタイムで推定してなる地盤材料の表面水量管理方法。
【請求項２】
請求項１の管理方法において，前記地盤材料の含水率を，前記地盤材料に近赤外光を照射したときの所定波長の反射率又は透過率により計測してなる地盤材料の表面水量管理方法。
【請求項３】
請求項１又は２の管理方法において，前記地盤材料の含水率から粒度分布に応じて所定粒径以下の含水率を算出し，前記所定粒径以下の含水率に基づき前記地盤材料の表面水量をリアルタイムで推定してなる地盤材料の表面水量管理方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかの管理方法において，前記地盤材料の含水率を，前記所定時間における含水率の平均値として計測してなる地盤材料の表面水量管理方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れかの管理方法において，前記地盤材料の表面水量の管理基準値を定め，前記地盤材料の表面水量推定値と管理基準値とを比較して地盤材料の適否を判定してなる地盤材料の表面水量管理方法。
【請求項６】
工事現場に継続的に供給される様々な粒径の混在する地盤材料の含水率を連続的に計測する含水率計測装置，前記供給される地盤材料の一部を所定時間おきに抜き取って粒度分布を検出する粒度分布検出装置，前記地盤材料の含水率から粒度分布に応じて所定粒径別の含水率を算出する算出手段，及び前記粒径別の含水率に基づき前記地盤材料の表面水量をリアルタイムで推定する推定手段を備えてなる地盤材料の表面水量管理システム。
【請求項７】
請求項６の管理システムにおいて，前記含水率計測装置を，前記地盤材料に近赤外光を照射したときの所定波長の反射率又は透過率から当該地盤材料の含水率を計測する計測装置としてなる地盤材料の表面水量管理システム。
【請求項８】
請求項６又は７の管理システムにおいて，前記算出手段において地盤材料の含水率から粒度分布に応じて所定粒径以下の含水率を算出し，前記推定手段において所定粒径以下の含水率に基づき前記地盤材料の表面水量をリアルタイムで推定してなる地盤材料の表面水量管理システム。
【請求項９】
請求項６から８の何れかの管理システムにおいて，前記算出手段において，前記所定時間における含水率の平均値から粒度分布に応じて所定粒径別の含水率を算出してなる地盤材料の表面水量管理システム。
【請求項１０】
請求項６から９の何れかの管理システムにおいて，前記地盤材料の表面水量の管理基準値を記憶する記憶手段，及び前記地盤材料の表面水量推定値と管理基準値とを比較して地盤材料の適否を判定する判定手段を設けてなる地盤材料の表面水量管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は地盤材料の表面水量管理方法及びシステムに関し，とくに様々な粒径の混在するＣＳＧ材，セメント改良土母材，骨材等の地盤材料の表面水量又はその変動を管理する方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダム，防潮堤（堤防）等の盛土，その他の土木構造物を構築する工事において，材料・施工の合理化を図る観点から，工事現場付近の地山や河床等の採取場で調達し又は発生した様々な粒径の粒子（粘土，砂，礫等）が混在する地盤材料（以下，単に地盤材料ということがある）Ｓを用いて構造材料とすることがある。例えばＣＳＧ（Ｃｅｍｅｎｔｅｄ  Ｓａｎｄ  ａｎｄ  Ｇｒａｖｅｌ），セメント改良土等の構造材料は，現場付近の採取場等で調達した地盤材料Ｓ（ＣＳＧ材，セメント改良土母材等と呼ばれる）に水及びセメントを混合してそのまま施工するものであり，大量且つ高速な施工を可能とする利点を有する（非特許文献１参照）。現場付近で調達した地盤材料を骨材としたコンクリートを構造材料とする場合もある。
【０００３】
図７に示すように，現場付近の採取場１等で調達した地盤材料Ｓを用いた構造材料は，破砕装置１ａ等で適当に破砕することはあるものの，原則的に人為的な粒度調整を施さずに地盤材料Ｓをそのまま用いるものであり，地盤材料Ｓの粒度や含水率の変動（バラツキ）によって品質（とくに強度）の変動が生じる。そのため，ダンプトラック等の運搬機械３で工事現場に順次搬入される地盤材料Ｓの粒度，含水率を粒度試験装置８，含水率試験装置９によって適宜確認し，地盤材料Ｓに添加する水Ｗ及びセメントＣの混合量を調整して構造材料の品質を適切に管理することが求められる。
【０００４】
図９は，構造材料（例えばＣＳＧ）の品質管理方法の一例を示す（非特許文献１参照）。先ず，現場付近で調達する地盤材料Ｓ（ＣＳＧ材）について数多くの粒度試験を行い，粒度分布が最も粗い標本（大径粒状材の含有率が最も多い標本）と粒度分布が最も細かい標本（小径粒状材の含有率が最も多い標本）とを選定する。次いで，最粗粒標本及び最細粒標本を使用した構造材料（ＣＳＧ）について単位水量を変えながら強度試験を行い，強度不足となる下限値と施工に不向きな上限値とを検出する。そのうえで構造材料を製造する際に，最粗粒標本の粒度−強度曲線（図中の点線）と最細粒標本の粒度−強度曲線（図中の実線）と２本の許容単位水量範囲を示す縦線とで囲まれた「ひし形」（斜線部分）の範囲内となるように，地盤材料Ｓに添加する水Ｗ及びセメントＣの混合量を調整することによって構造材料の所要品質（強度）を確保する。
【０００５】
図６は，構造材料を製造する方法の流れ図を示す。先ず，１日の構造材料の製造開始前にストックヤード２（図７参照）等において，ステップＳ２０１において使用する地盤材料Ｓの粒度分布Ｄ，及び所定粒径ｉ別の密度（表乾密度ρｉ・絶乾密度Ｇｉ），吸水率Ｑｉ，含水率ｗｉ等を計測し，ステップＳ２０２において，所要品質が確保できるような単位水量（例えば図９の下限と上限との中間値）を設定する。そのうえで製造時に，ステップＳ２０３において地盤材料Ｓをホッパー４へ投入し，ステップＳ２０４において粒度分布Ｄに応じた地盤材料Ｓの表面水量Ｗを算出し，ステップＳ２０５において単位水量と表面水量と差に応じた給水量（＝単位水量−表面水量）及びセメント量を地盤材料Ｓに添加する。地盤材料Ｓの表面水量は，ステップＳ２０１で求めた粒度分布Ｄから所定粒径ｉ別の重量比Ｍｉを求め，その粒径別の重量比ＭｉとステップＳ２０１で求めた粒径別の表乾密度ρｉ，吸水率Ｑｉ，含水率ｗｉとから例えば（１）〜（３）式により計算することができる。
【０００６】
粒径別の表面水率ωｉ
＝（含水率ｗｉ−吸水率Ｑｉ）／（１＋吸水率Ｑｉ／１００）  ………………（１）
粒径別の表面水量Ｗｉ＝表乾密度ρｉ×表面水率ωｉ  ……………………………（２）
全粒径の表面水量Ｗ
＝Σ（粒径別の表面水量Ｗｉ×粒径別の重量比Ｍｉ）  …………………………（３）
【０００７】
図６のステップＳ２０６〜Ｓ２０７は，所定時間（例えば１回／１〜４時間程度）おきに地盤材料Ｓを抜き取り，地盤材料Ｓの粒度分布Ｄ及び粒度別の含水率ｗｉを計測する処理を示す。地盤材料Ｓの粒度分布Ｄ及び含水率ｗｉを適宜計測しながらステップＳ２０３〜Ｓ２０５を繰り返すことにより，ステップＳ２０４において地盤材料Ｓの表面水量Ｗの変動を把握し，その変動に応じてステップＳ２０５において給水量を調整することができる。（１）〜（３）式に示すように，地盤材料Ｓの表面水量Ｗは密度（表乾密度ρｉ・絶乾密度Ｇｉ）及び吸水率Ｑｉによっても変わりうるが，現実的にはそれらの値はほとんど変動しないので，ステップＳ２０１において１回／１日程度計測すれば足り，粒度分布Ｄ及び含水率ｗｉの所定時間おきの計測によって地盤材料Ｓの表面水量Ｗの主な変動を把握することができる。
【０００８】
一般に地盤材料Ｓの粒度分布Ｄは，粒径ｄを横軸（対数軸）とし，その粒径ｄ以下の粒状材の全体に対する通過質量百分率Ｐ（ｄ）（粒径ｄより小径の総質量／粒状材全体の総質量×１００。以下，加積通過率ということがある）を縦軸（線形軸）とした片対数グラフ，すなわち図８のような粒径加積曲線Ｐ（ｄ）によって表すことができる。図８は，図９の最粗粒標本及び最細粒標本の粒径加積曲線Ｐｒ（ｄ），Ｐｓ（ｄ）を表したものである。図８のような粒径加積曲線Ｐを作成する最も基本的な方法は篩い分けであるが（非特許文献２参照），地盤材料Ｓの篩い分けは非常に手間がかかることから，画像解析技術を用いて地盤材料Ｓの粒径加積曲線を迅速に求める方法が開発されている（特許文献１〜３参照）。画像解析法を用いれば，例えば１回／１０〜６０分程度の頻度で地盤材料Ｓの粒径加積曲線Ｐ（ｄ），すなわち粒度分布Ｄを計測することができる。また，その粒径加積曲線Ｐ（ｄ）から地盤材料Ｓの所定粒径ｉ別の通過質量百分率Ｐｉ（ｄ）を求め，更にその通過質量百分率Ｐｉ（ｄ）から所定粒径ｉ別の重量比Ｍｉを求めることができる。
【０００９】
また，地盤材料Ｓの粒度別の含水率ｗｉは，例えば１１０（±５）℃の恒温乾燥炉で乾燥したときに失われる質量から求めることができるが（非特許文献３のＪＩＳＡ１２０３を参照。以下，恒温乾燥炉法ということがある），試験結果を得るために２４時間程度を要する。このため，より迅速な方法として，地盤材料Ｓを電子レンジで乾燥させる含水率試験方法（非特許文献４の地盤工学会基準ＪＧＳ０１２２を参照。以下，電子レンジ法ということがある），及び地盤材料をフライパンで炙って直接加熱する含水率試験方法（非特許文献５参照。以下，フライパン法ということがある）が採用されている。この迅速な方法を用いれば，地盤材料Ｓの粒度別の含水率ｗｉも例えば１回／３０〜６０分程度の頻度で計測することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−０３６５３３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２４９５５３号公報
【特許文献３】特開２０１１−１６３８３６号公報
【特許文献４】特開昭５６−０４９９４５号公報
【特許文献５】特開２００９−１２１９３０号公報
【特許文献６】特公昭６１−０６１６２３号公報
【特許文献７】特開平０６−２２９９１７号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】柳川城二「ダム事業における新技術−台形ＣＳＧダム−」建設工業調査会出版，ベース設計資料，Ｎｏ．１３６土木編，２００８年３月２０日発行，インターネット（ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｋｅｎｋｏｃｈｏ．ｃｏ．ｊｐ／ｈｔｍｌ／１３６／ｓａ＿１３６．ｈｔｍｌ）
【非特許文献２】日本工業規格「土の粒度試験方法」ＪＩＳ−Ａ１２０４
【非特許文献３】社団法人地盤工学会「地盤材料試験の方法と解説」，丸善出版，２００９年１１月，ｐｐ．１０４〜１０５
【非特許文献４】社団法人地盤工学会「地盤材料試験の方法と解説」，丸善出版，２００９年１１月，ｐｐ．１０６〜１０７
【非特許文献５】財団法人ダム技術センター「台形ＣＳＧダム施工・品質管理技術資料」，平成１９年９月，ｐｐ．４〜１９
【非特許文献６】ＪＩＳＡ１１０９  細骨材の密度及び吸水率試験方法
【非特許文献７】ＪＩＳＡ１１１０  粗骨材の密度及び吸水率試験方法
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図６のステップＳ２０６〜Ｓ２０７において，前述したように画像解析法で地盤材料Ｓの粒度分布Ｄを計測し，電子レンジ法又はフライパン法で含水率を計測すれば，地盤材料Ｓの表面水量Ｗの変動を１回／３０分程度の頻度で確認しながら給水量を調整することができる。しかし，従来の方法では，地盤材料Ｓの表面水量を連続的に確認することができない問題点がある。地盤材料Ｓを用いた大量且つ高速な施工では，例えば地盤材料Ｓの表面水量Ｗが３０分未満の短時間で想定外に変動する場合も報告されており，品質管理の観点から地盤材料Ｓの表面水量Ｗのバラツキをできるだけ細かく計測・確認することが求められている。地盤材料Ｓを用いた構造物の品質の安定性を確保するため，工事現場に継続的に供給される地盤材料Ｓの表面水量を連続的に確認して要求品質が常に満足されていることを監視できる技術の開発が望まれている。
【００１３】
そこで本発明の目的は，地盤材料の表面水量をリアルタイムで精度よく管理することができる方法及びシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は，近赤外光等を用いて含水率を連続的に計測できる技術に着目した（特許文献６，７参照）。例えば図１０に示すように，０．７μｍ〜２．５μｍ程度の波長範囲の近赤外光を含水対象物に照射すると所定波長λｉ（例えばλ１＝１．２μｍ，λ２＝１．４５μｍ，λ３＝１．９４μｍ）において吸収がおこり，その所定波長λｉの反射光又は透過光が対象中の含水率（水分量）に応じて減衰するので，その反射率又は透過率Ｓｉから対象中の含水率を求めることができる。
【００１５】
具体的には，（１１）式に示すように所定波長λｉの反射率又は透過率Ｓｉ（以下，単に反射率Ｓｉということがある）と対象中の含水率ｗ０との比例パラメタＰ（（１１）式の係数ａ，ｂ，ｃ，ｄ）を予めキャリブレーションにより検出し，計測対象の所定波長λｉの吸収量Ｓｉを（１１）式へ代入することにより含水率ｗ０を算出する。或いは，特許文献７が記載するように，水分の影響を受けにくい特定波長（参照波長）の反射率又は透過率Ｒ（以下，単に反射率Ｒということがある）を併せて求め，（１２）式に示すように所定波長λｉの反射率Ｓｉと参照波長の反射率Ｒとの差に基づき比例パラメタＰ（（１２）式の係数ａ，ｂ，ｃ，ｄ）をキャリブレーションする。なお，（１１）式及び（１２）式では３つの波長λｉの吸収量Ｓｉから含水率ｗ０を算出しているが，算出に用いる波長λｉの数は１つ，２つ，又は４つ以上としてもよい。
【００１６】
ｗ０＝ａ・Ｓ１＋ｂ・Ｓ２＋ｃ・Ｓ３＋ｄ  ………………………………………（１１）
ｗ０＝ａ・ｌｎ（Ｒ／Ｓ１）＋ｂ・ｌｎ（Ｒ／Ｓ２）
＋ｃ・ｌｎ（Ｒ／Ｓ３）＋ｄ  ……………………（１２）
【００１７】
例えば，近赤外光を用いた含水率計測装置を工事現場の地盤材料Ｓの搬送路（コンベアベルト等）に設置し，継続的に供給される地盤材料Ｓに近赤外光を照射し続ければ，その反射率Ｓｉ，Ｒから地盤材料Ｓの含水率ｗ０を連続的に計測することができる。ただし，地盤材料Ｓの表面水量は，前述した（１）〜（３）式に基づき粒度別の含水率ｗｉから粒度分布Ｄに応じて計算する必要があるのに対し，近赤外光の照射等によって連続的に計測できる含水率ｗ０は全ての粒度を対象としたものであり，全粒径範囲にわたる含水率ｗ０から表面水量を計算すると誤差が大きくなってしまう問題点がある。様々な粒径の混在する地盤材料Ｓの表面水量の変動を精度よく求めるためには，全粒径の含水率ｗ０を粒度別の含水率ｗｉに変換したうえで表面水量Ｗを計算することが必要である。本発明は，この着想に基づく研究開発の結果，完成に至ったものである。
【００１８】
図１の実施例及び図２の流れ図を参照するに，本発明による地盤材料の表面水量管理方法は，工事現場に継続的に供給される様々な粒径の混在する地盤材料Ｓの含水率ｗ０を連続的に計測し（図２のステップＳ１０６），供給される地盤材料Ｓの一部を所定時間ｔおきに抜き取って粒度分布Ｄを検出し（ステップＳ１０９），地盤材料Ｓの含水率ｗ０から粒度分布Ｄに応じて所定粒径別の含水率ｗｉを算出し（ステップＳ１１１），その粒径別の含水率ｗｉに基づき地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで推定してなるものである（ステップＳ１１２）。
【００１９】
また，図１のブロック図を参照するに，本発明による地盤材料の表面水量管理システムは，工事現場に継続的に供給される様々な粒径の混在する地盤材料Ｓの含水率ｗ０を連続的に計測する含水率計測装置２０，供給される地盤材料Ｓの一部を所定時間ｔおきに抜き取って粒度分布Ｄを検出する粒度分布検出装置３０，地盤材料Ｓの含水率ｗ０から粒度分布Ｄに応じて所定粒径別の含水率ｗｉを算出する算出手段２１，及びその粒径別の含水率ｗｉに基づき地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで推定する推定手段２４を備えてなるものである。
【００２０】
好ましくは，含水率計測装置２０を，地盤材料Ｓに近赤外光を照射したときの所定波長λｉの反射率又は透過率Ｓｉ，Ｒから地盤材料Ｓの含水率ｗ０を計測する計測装置とする。望ましい実施例では，算出手段２１において地盤材料Ｓの含水率ｗ０から粒度分布Ｄに応じて所定粒径（例えば粒径５ｍｍ）以下の含水率ｗｎを算出し，推定手段２４において所定粒径以下の含水率ｗｎに基づき地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで推定することができる。
【００２１】
更に好ましくは，算出手段２１において，前記所定時間ｔにおける含水率ｗ０の平均値から粒度分布Ｄに応じて所定粒径別の含水率ｗｉ（又は所定粒径以下の含水率ｗｎ）を算出する。望ましい実施例では，地盤材料Ｓの表面水量Ｗの管理基準値Ｃを記憶する記憶手段１６を設け，地盤材料Ｓの表面水量推定値Ｗと管理基準値Ｃとを比較して地盤材料Ｓの適否を判定する判定手段２５を設けることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明による地盤材料の表面水量管理方法及びシステムは，様々な粒径の混在する地盤材料Ｓの含水率ｗ０を連続的に計測し，供給される地盤材料Ｓの一部を所定時間ｔおきに抜き取って粒度分布Ｄを検出し，地盤材料Ｓの含水率ｗ０から粒度分布Ｄに応じて所定粒径別の含水率ｗｉを算出し，その粒径別の含水率ｗｉに基づき地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで推定するので，次の効果を奏する。
【００２３】
（イ）地盤材料Ｓの含水率ｗ０の連続的な計測値を所定粒径別の含水率ｗｉに変換し，その粒径別の含水率ｗｉに基づき地盤材料Ｓの表面水量Ｗを推定するので，継続的に供給される地盤材料Ｓの表面水量Ｗを精度よく推定することができる。
（ロ）地盤材料Ｓの含水率ｗ０を連続的に計測できるＲＩ（ラジオアイソトープ）計器等を用いることも可能であるが，近赤外光を用いた含水率計測装置を用いることにより，地盤材料Ｓの搬送路（ベルトコンベア等）において含水率ｗ０をリアルタイムに且つ精度よく計測することが可能となる。
（ハ）地盤材料Ｓの含水量は，粒径の大きい部分は含水率が比較的小さく，粒径の小さい部分の含水率が支配的である特徴を有しているので，地盤材料Ｓの含水率ｗ０から所定粒径（例えば粒径５ｍｍ）以下の含水率ｗｎを算出し，その所定粒径以下の含水率ｗｎによって地盤材料Ｓの表面水量Ｗを推定することにより，簡易・迅速に表面水量Ｗを管理することができる。
【００２４】
（ニ）地盤材料Ｓの含水率ｗ０の連続的な計測値は細かく変動することもあるが，例えば粒度分布Ｄを検出する所定時間ｔにおける移動平均値を含水率ｗ０とすることにより，含水率ｗ０の計測精度の低下を抑えることができる。
（ホ）順次供給される地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで推定しつつ管理基準値Ｃと比較することにより，要求品質を満足しない地盤材料Ｓの混入を監視し，既往の技術では把握することが困難であった構造物の品質不良を減少させることができる。
（ヘ）また，地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで把握することで変動傾向を迅速に把握し，供給水の調整等の対策を早期に講じることが可能となり，ひいては土木構造物の品質の安定性を飛躍的に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
以下，添付図面を参照して本発明を実施するための形態及び実施例を説明する。
【図１】本発明の表面水量管理システムの一実施例のブロック図である。
【図２】本発明の表面水量管理方法の流れ図の一例である。
【図３】地盤材料Ｓの含水率ｗ０から所定粒径別の含水率ｗｉを算出する方法の説明図である。
【図４】地盤材料Ｓの所定時間ｔにわたる含水率ｗ０の平均値から所定粒径別の含水率ｗｉを算出する方法の説明図である。
【図５】地盤材料Ｓの含水率ｗ０と近赤外光の反射率Ｓｉとの比例パラメタＰを検出する方法の説明図である。
【図６】地盤材料Ｓを用いた構造材料を製造する従来方法の流れ図である。
【図７】地盤材料Ｓを用いた構造材料を製造する従来方法の説明図である。
【図８】地盤材料Ｓの最粗粒標本及び最細粒標本の粒径加積曲線Ｐｒ，Ｐｓを示すグラフの一例である。
【図９】従来の地盤材料Ｓを用いた工法（ＣＳＧ工法）における表面水量管理方法の説明図である。
【図１０】近赤外光を用いた含水率計測の原理を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は，工事現場付近で調達し又は発生した地盤材料Ｓを原材料として構造材料（ＣＳＧ，セメント改良土，コンクリート等）を製造する工事現場に本発明の表面水量管理システムを適用した実施例を示す。図示例のシステムは，地盤材料Ｓの全粒径範囲の含水率ｗ０を連続的に計測する含水率計測装置２０ａと，地盤材料Ｓの一部を所定時間ｔおきに抜き取って粒度分布Ｄを検出する粒度分布検出装置３０と，計測装置２０の計測値及び検出装置３０の検出値を入力して地盤材料Ｓの表面水量Ｗを推定するコンピュータ１０とを有する。
【００２７】
図６及び図７を参照して前述したように，現場付近で調達された地盤材料Ｓは運搬機械３により工事現場に順次搬入されて現場のホッパー４に投入されるが，例えば，そのホッパー４から混合装置５（ミキサー，図７参照）までの地盤材料Ｓの搬送路（例えばベルトコンベア）４１〜４３上に含水率計測装置２０ａを設置し，その搬送路４１，４３の間に搬送路４２と並行に設けた抜き取り路（例えばベルトコンベア）４５上に粒度分布検出装置３０を設置し，それらの計測値及び検出値をコンピュータ１０に入力して地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムに推定する。
【００２８】
図示例の含水率計測装置２０ａは，図１０を参照して前述したように，近赤外光を照射したときの所定波長λｉの反射率Ｓｉ，Ｒから含水率を連続的に計測する装置とすることができる。例えば所定波長範囲の近赤外光を出力する光源ランプと，その出力光を地盤材料Ｓに照射する光学系と，地盤材料Ｓからの反射光中の所定波長（及び参照波長）λｉの光量を電気信号（反射率）Ｓｉ，Ｒに変換する受光素子と，地盤材料Ｓの反射光を受光素子まで導く光学系とを備え，変換された電気信号Ｓｉ，Ｒをコンピュータ１０の算出手段２１に入力して含水率を求める。
【００２９】
近赤外光を用いた含水率計測装置２０ａに代えて，例えばホッパー４にＲＩ（ラジオアイソトープ）計器を設置し，地盤材料Ｓに放射線（中性子線）を照射したときの反射放射線から含水率を連続的に計測することも可能である（特許文献４，５参照）。ただし，ＲＩ計器は材料投入ホッパーなどの隅角部において含水率を計測するため，その隅角部の内側に地盤材料Ｓが閉塞又は付着しやすく，その閉塞又は付着した地盤材料Ｓの含水率が常に計測されて誤差が大きくなりうる。近赤外光を用いた含水率計測装置２０ａは，地盤材料Ｓの含水率ｗ０をリアルタイムに且つ精度よく計測できる利点を有している。
【００３０】
図示例の粒度分布検出装置３０は，抜き取った地盤材料Ｓを薄く撒き出して画像を撮影し，その撒き出し画像から画像解析技術により地盤材料Ｓの粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成するものとすることができる。例えば地盤材料Ｓの撒き出し画像Ｇを撮像装置で撮影し，その撒き出し画像をコンピュータ１０の検出手段３１に入力して粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成する。
【００３１】
好ましくは，特許文献３が開示するように，コンピュータ１０の検出手段３１において，撒き出し画像から地盤材料Ｓ中の各粒状材の輪郭を検出し，そのうち複数の所定粒径ｄｉについて地盤材料Ｓの全体面積Ｅに対するその粒径ｄｉ以上の粒状材の面積割合（＝Σｅ／Ｅ）を粒度インデクスＩｉとして算出し，その各粒径ｄｉの粒度インデクスＩｉを加積通過率Ｐ（ｄｉ）に変換して粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成する。このように粒度インデクスＩｉを加積通過率Ｐ（ｄｉ）に変換するため，コンピュータ１０の記憶手段１６に，地盤材料Ｓの複数の所定粒径ｄｉの粒度インデクスＩｉとその粒径ｄｉ以下の粒状材の加積通過率Ｐ（ｄｉ）との関係式Ｋを記憶しておく。この粒度インデクスＩｉについての詳細は特許文献３に記載されている。
【００３２】
図示例のコンピュータ１０は，キーボード等の入力装置１１と，ディスプレイ等の出力装置１２と，一次又は二次記憶装置等の記憶手段１６とを有する。記憶装置１６には，後述する地盤材料Ｓの表面水量Ｗを算出するための粒径ｉ別の密度（表乾密度ρｉ・絶乾密度Ｇｉ），吸水率Ｑｉ等を記憶し，必要に応じて前述した地盤材料Ｓの粒度インデクスＩｉを加積通過率Ｐ（ｄｉ）に変換するための関係式Ｋ等を記憶する。
【００３３】
また図示例のコンピュータ１０は，内蔵プログラムとして，入力装置１１から必要なデータを入力する入力手段１４と，地盤材料Ｓの含水率ｗ０から粒度分布Ｄに応じて所定粒径別の含水率ｗｉを算出する算出手段２１と，その粒径別の含水率ｗｉに基づき地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで推定する推定手段２４と，推定された表面水量Ｗ等を出力装置１２に表示する出力手段１５とを有する。前述したように画像解析技術により地盤材料Ｓの粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成する粒度分布検出装置３０を用いる場合は，コンピュータ１０に地盤材料Ｓの撒き出し画像から粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成する検出手段３１を含め，必要に応じて撒き出し画像から粒度インデクスＩｉを算出する算出手段３２を含めることができる。
【００３４】
図２は，図１のシステムを用いて地盤材料Ｓの表面水量Ｗを管理する方法の流れ図を示す。以下，図２の流れ図を参照して図１のシステムを説明する。図２のステップＳ１０１〜Ｓ１０４は，ストックヤード２（図７参照）等において構造材料の製造開始前（前日等）に行う地盤材料Ｓの試験を示している。先ずステップＳ１０１において，１回／１日程度の頻度で地盤材料Ｓの粒度分布Ｄ（粒径別の重量比Ｍｉ），粒径別の密度（表乾密度ρｉ・絶乾密度Ｇｉ），吸水率Ｑｉ，含水率ｗｉ等を計測し，ステップＳ１０２において，所要品質の構造材料を得るために確保すべき単位水量を設定する（図６のステップＳ２０１〜Ｓ２０２と同様）。
【００３５】
ステップＳ１０１における粒度分布Ｄの計測は，時間をかけることが可能であるから，最も基本的な篩い分け法で計測することが望ましい（非特許文献２参照）。また，ステップＳ１０１における含水率ｗｉの計測も，時間をかけることが可能であるから，恒温乾燥炉法（非特許文献３参照）で計測することが望ましいが，電子レンジ法（非特許文献４参照）又はフライパン法（非特許文献５参照）で計測することも可能である。
【００３６】
図３は，ステップＳ１０１で計測する地盤材料Ｓの計測値テーブルの一例を示す。図示例のテーブルは，地盤材料Ｓのサンプルを適当な篩い分け装置によって所定粒径範囲別（粒径８０ｍｍ以上，４０〜８０ｍｍ，２０〜４０ｍｍ，１０〜２０ｍｍ，５〜１０ｍｍ，５ｍｍ以下）の６つの粒径別材料φ１〜φ６に分割し，各粒径範囲別に粒度分布Ｄに基づく重量比Ｍｉ，表乾密度ρｉ，絶乾密度Ｇｉ，吸水率Ｑｉ，含水率ｗｉを計測したものである。計測結果は，コンピュータ１０の記憶手段１６に記憶しておく。これらの計測値から，ステップＳ１０２で確保すべき単位水量を設定することができる。また，前述した（１）〜（３）式により地盤材料Ｓの各粒径範囲別の表面水率ω及び表面水量Ｗを計算することがもできる。
【００３７】
図３のテーブルのうち，粒度分布Ｄに基づく粒径別の重量比Ｍｉは後述するステップＳ１０９において所定時間ｔ（例えば５〜１０分）おきに更新される。また，各粒径別の含水率ｗｉは後述するステップＳ１１１において連続的に更新される。なお，各粒径別の粒径範囲は図示例に限定されるわけではなく，表面水量の推定精度向上等の観点から任意に設定可能である。
【００３８】
図２のステップＳ１０３は，近赤外光を照射する含水率計測装置２０ａを用いる場合に，地盤材料Ｓの所定波長λｉの反射率Ｓｉ，Ｒからその地盤材料Ｓの全粒径の含水率ｗ０を算出するためのパラメタＰを検出する処理を示す。好ましい実施例では，図３の各粒径別材料φ１〜φ６の各々に近赤外光を照射し，所定波長λｉの反射率Ｓｉ，Ｒと粒径別材料φｉの含水率Ｗｉとの比例パラメタＰｉ（（１１）式又は（１２）式を満たす係数ａｉ，ｂｉ，ｃｉ，ｄｉ）を検出する。そのうえで，図５及び（２１）式に示すように，その各粒径別材料φｉの比例パラメタＰｉを，粒径別材料φｉ毎の粒径範囲に応じて重み付け（Ｉｉ）して合成パラメタＰ（図５及び（２１）式の合成パラメタΣ（Ｉｉ・ａｉ），Σ（Ｉｉ・ｂｉ），Σ（Ｉｉ・ｃｉ），Σ（Ｉｉ・ｄｉ）＝係数Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を作成する。
【００３９】
ｗ０＝Σ（Ｉｉ・ｗｉ）
＝Σ（Ｉｉ・（ａｉ・Ｓｘ＋ｂｉ・Ｓｙ＋ｃｉ・Ｓｚ＋ｄｉ）
＝Σ（Ｉｉ・ａｉ）・Ｓｘ＋Σ（Ｉｉ・ｂｉ）・Ｓｙ
＋Σ（Ｉｉ・ｃｉ）・Ｓｚ＋Σ（Ｉｉ・ｄｉ）  ……………………………（２１）
【００４０】
例えばステップＳ１０３において，各粒径別材料φｉの粒度分布Ｄに応じた重量比を重み付けＩｉとして粒径別材料φｉ毎の比例パラメタＰｉから合成パラメタＰを作成することにより，恒温乾燥炉法（或いは電子レンジ法又はフライパン法）を用いた含水率試験と高い相関性のある含水率ｗ０を求めることができる。また，重量比に代えて，粒度分布Ｄに応じた体積比，表面積比，平均粒径，その何れかと当該構成材料の吸水率との積，又はそれらの逆数を重み付けＩｉとして合成パラメタＰを作成することも可能である。このような合成パラメタＰの詳細は，本出願人の先願である特願２０１３−１５８０９３に記載されている。
【００４１】
図２のステップＳ１０４は，画像解析技術により地盤材料Ｓの粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成する粒度分布検出装置３０を用いる場合に，地盤材料Ｓの粒度インデクスＩｉとその粒径ｄｉ以下の粒状材の加積通過率Ｐ（ｄｉ）との関係式Ｋを検出する処理を示す。具体的には，先ず地盤材料Ｓのサンプル中の複数の粒径ｄｉ（例えば図３の各粒径別材料φｉの境界である５ｍｍ，１０ｍｍ，２０ｍｍ，４０ｍｍ，８０ｍｍ）について，各々の粒径ｄｉ以下の粒状材の加積通過率Ｐ（ｄｉ）を篩い分け法により求める。次いで，地盤材料Ｓのサンプルの撒き出し画像から各粒状材の輪郭を検出し，その複数の粒径ｄｉ（例えば５ｍｍ，１０ｍｍ，２０ｍｍ，４０ｍｍ，８０ｍｍ）について，それぞれ各粒径ｄｉ以上の粒状材の面積の総和Σｅを求め，撒き出し画像全体の面積Ｅに対する粒径ｄｉ以上の粒状材の面積割合（＝Σｅ／Ｅ）を各粒径ｄｉの粒度インデクスＩｉとして算出する。そのうえで，各粒径ｄｉの加積通過率Ｐ（ｄｉ）と粒度インデクスＩｉとを二次平面上にプロットし，加積通過率Ｐ（ｄｉ）を目的変数（従属変数）とし粒度インデクスＩｉを説明変数（独立変数）とする適切な回帰モデル（例えば粒度インデックスの多項式（多次元回帰モデル），対数関数，べき関数，指数関数等）を設定して関係式Ｋを検出する。検出した関係式Ｋはコンピュータ１０の記憶手段１６に記憶しておく。このような関係式Ｋの作成方法の詳細は特許文献３に記載されている。
【００４２】
なお，ステップＳ１０３〜Ｓ１０４のパラメタＰ及び関係式Ｋの検出は，必ずしも毎日行う必要はなく，例えば適当な期間毎に地盤材料Ｓのサンプルを用いて検出し，検出したパラメタＰ及び関係式Ｋを現場のコンピュータ１０に入力して記憶手段１６に記憶しておけば足りる。この場合は，ステップＳ１０３〜Ｓ１０４は省略可能であり，ステップＳ１０１に先立ってパラメタＰ及び関係式Ｋをコンピュータ１０に入力するステップを設ければ足りる。
【００４３】
図２のステップＳ１０５〜Ｓ１１２は，採取場１から現場に継続的に供給される地盤材料Ｓの表面水量Ｗをリアルタイムで連続的に求める処理を示す。先ずステップＳ１０５において現場に搬入された地盤材料Ｓをホッパー４へ投入し，ステップＳ１０６において搬送路（例えばベルトコンベア）４１〜４３上に設置した含水率計測装置２０ａにより地盤材料Ｓの含水率ｗ０を連続的に計測する。例えば，搬送路４１〜４３上を移動する地盤材料Ｓに近赤外光を照射したときの所定波長λｉの反射率Ｓｉ，Ｒを求めてコンピュータ１０の算出手段２１に入力し，算出手段２１の計測手段２２により，その反射率Ｓｉ，ＲとステップＳ１０３で求めた比例パラメタ（図５及び（２１）式の合成パラメタ）Ｐとから含水率ｗ０を算出することができる。
【００４４】
次いでステップＳ１０７において，所定時間ｔおきに地盤材料Ｓの粒度分布Ｄを検出するか否かを判断し，前回の検出から所定時間ｔが経過している場合はステップＳ１０８〜１０９へ進み，搬送路４１〜４３から抜き取り路４５へ地盤材料Ｓの一部を抜き取って粒度分布検出装置３０により粒度分布Ｄを検出する。図示例の抜き取り路４５は，地盤材料Ｓを積載する容器４６が移動可能に設けられており，その容器４６を積載位置４７ａ，起振位置４７ｂ，重量計測位置４７ｃ，撮影位置４７ｄ，返送位置４７ｅに順番に移動させる。
【００４５】
ステップＳ１０８では，先ず抜き取り路４５の積載位置４７ａにおいて，搬送路４１〜４３から抜き取った地盤材料Ｓを容器４６に積載し，起振位置４７ｂにおいて，容器４６に適当な振動を加えることにより地盤材料Ｓを敷き均して薄く撒き出す。撒き出しの厚さは，撒き出し画像から地盤材料Ｓ中の所定粒径（例えば５ｍｍ）以上の粒径が検出できるように，その所定粒径以上の粒状材が埋もれない厚さとすることが望ましい。更に重量計測位置４７ｃにおいて，撒き出した地盤材料Ｓの重量を計測し，撮影位置４７ｄにおいて，粒度分布検出装置３０により地盤材料Ｓの撒き出し画像を撮影する。撮影後の地盤材料Ｓは，返送位置４７ｅから搬送路４１〜４３に返送して構造材料の原料に戻す。
【００４６】
次いでステップＳ１０９において，地盤材料Ｓの撒き出し画像Ｇをコンピュータ１０の検出手段３１に入力し，地盤材料Ｓの粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成して粒度分布Ｄを検出する。例えば，検出手段３１の粒度インデクス算出手段３２により，撒き出し画像から複数の粒径ｄｉの粒度インデクスＩｉを算出し，その粒度インデクスＩｉを関係式Ｋにより加積通過率Ｐ（ｄｉ）に変換し，変換した加積通過率Ｐ（ｄｉ）を粒径ｄｉ別にプロットして連結することにより粒径加積曲線Ｐ（ｄ）を作成する。この粒径加積曲線Ｐ（ｄ）から，図３に示す各粒径範囲別の重量比Ｍｉを求めて更新することができる。ステップＳ１０８〜Ｓ１０９のように地盤材料Ｓの抜き取り及び撒き出し画像の撮影を自動化することにより，例えば１回／５〜１０分程度の頻度で地盤材料Ｓの粒度分布Ｄ，すなわち粒径別の重量比Ｍｉを計測・更新することが可能となる。
【００４７】
ステップＳ１１０は，ステップＳ１０９において作成した地盤材料Ｓの粒径加積曲線Ｐ（ｄ）をコンピュータ１０の判定手段２５へ入力し，粒径加積曲線Ｐ（ｄ）が正常であるか否かを判定する処理を示す。例えば，図８を参照して前述した最粗粒標本及び最細粒標本の粒径加積曲線Ｐｒ（ｄ），Ｐｓ（ｄ）と地盤材料Ｓの粒径加積曲線Ｐ（ｄ）とを比較することにより，地盤材料Ｓが想定された基準（「ひし形」）の範囲内にあるか否かを判定し，範囲内にない場合はステップＳ１０１へ戻り，単位水量の設定からやり直すことができる。なお，粒径加積曲線Ｐ（ｄ）の判定処理の詳細も特許文献３に記載されている。粒径加積曲線Ｐ（ｄ）が正常であるときは，ステップＳ１１０からステップＳ１１１へ進む。ステップＳ１０７において地盤材料Ｓの粒度分布Ｄを検出しない場合も，ステップＳ１１１へ進む。
【００４８】
図２のステップＳ１１１は，コンピュータ１０の算出手段２１により，地盤材料Ｓの含水率ｗ０から粒度分布Ｄに応じて所定粒径別の含水率ｗｉを算出する処理を示す。前述したように，ステップＳ１０６において含水率計測装置２０ａにより連続的に計測される地盤材料Ｓの含水率ｗ０は全粒径を対象としたものであるのに対し，地盤材料Ｓの表面水量を計算するためには粒径別の含水率ｗｉが必要である。本発明者は，例えばステップＳ１０９で検出された粒径別の重量比Ｍｉを用いることにより，全粒径の含水率ｗ０と粒径別の含水率ｗｉとの間に（３１）式に示す関係が成立することに着目した。すなわち，全粒径の含水率ｗ０は，粒径別材料φｉの含水率ｗｉを，粒径別材料φｉ毎の重量比Ｍｉにより重み付けして合算したものと考えることができる。
【００４９】
ｗ０＝Σ（Ｍｉ・ｗｉ）
＝Ｍ１・ｗ１＋Ｍ２・ｗ２＋Ｍ３・ｗ３＋Ｍ４・ｗ４
＋Ｍ５・ｗ５＋Ｍ６・ｗ６  ……………………（３１）
【００５０】
（３１）式において，全粒径の含水率ｗ０の変動は，一般的に粒径の最も小さい粒径別材料φ６（粒径５ｍｍ以下）の含水率ｗ６の影響が支配的であり，それより粒径の大きい粒径別材料φ１〜φ５の含水率ｗ１〜ｗ５の影響は相対的に小さい。すなわち，全粒径の含水率ｗ０の変動は，主に粒径別材料φ６（粒径５ｍｍ以下）の含水率ｗ６に変化に起因する場合が多い。この場合はステップＳ１１１において，（３１）式の含水率ｗ１〜ｗ５を変動しない（一定値）と仮定したうえで，ステップＳ１０６で連続的に計測される全粒径の含水率ｗ０と，図３の計測値テーブルの含水率ｗ１〜ｗ５と，ステップＳ１０９で検出した各粒径の重量比Ｍｉを代入することにより，含水率ｗ６を算出することができる。表面水量の変動の主な要因である粒径別材料φ６の含水率ｗ６に基づいて，ステップＳ１１２においてコンピュータ１０の推定手段２４により（１）〜（３）式から地盤材料Ｓの表面水量を算出すれば，不所望に変動する地盤材料Ｓの表面水量をリアルタイムで精度よく推定することができる。
【００５１】
また，（３１）式において，粒径別材料φ６の含水率ｗ６だけでなく，粒径別材料φ５（粒径５〜１０ｍｍ）の含水率ｗ５の影響も無視できない場合がある。この場合はステップＳ１１１において，（３１）式の含水率ｗ１〜ｗ４が変化しない（一定値）と仮定したうえで，全粒径の含水率ｗ０と，図３の計測値テーブルの含水率ｗ１〜ｗ４と，各粒径の重量比Ｍｉとを代入することにより，含水率ｗ６及び含水率ｗ５の合計（Ｍ５・ｗ５＋Ｍ６・ｗ６）を算出することができる。ステップＳ１１２において，表面水量の変動に影響を与える含水率ｗ５，ｗ６に基づいて地盤材料Ｓの表面水量を算出することにより，地盤材料Ｓの表面水量の推定精度を高めることが期待できる。
【００５２】
なお（３１）式は，各粒径の重量比Ｍｉを重み付けとして，地盤材料Ｓの粒径別の含水率ｗｉから全粒径の含水率ｗ０を求めているが，重量比Ｍｉに代えて前述した（２１）式の合成パラメタの重み付けを用いることも可能である。すなわち，重量比に代えて，粒度分布Ｄに応じた体積比，表面積比，平均粒径，その何れかと当該構成材料の吸水率との積，又はそれらの逆数を重み付けＩｉとして，粒径別の含水率ｗｉから全粒径の含水率ｗ０を求めることもできる。地盤材料Ｓにおいて適当な重み付けＩｉを選択することにより，ステップＳ１１２における表面水量の推定精度を高めることが期待できる。
【００５３】
図２のステップＳ１１１では，ステップＳ１０６で連続的に計測される地盤材料Ｓの含水率ｗ０を直接的に（３１）式へ代入するのではなく，算出手段２１の平準化手段２３に入力して所定時間ｔにおける含水率ｗ０の平均値（＝Σｗ０／ｔ）を求め，所定時間ｔの含水率ｗ０の平均値（＝Σｗ０／ｔ）を（３１）式に代入して粒径別の含水率ｗｉを算出している。様々な粒径が混在する地盤材料Ｓは計測部位によって含水率ｗ０の計測値のバラツキが避けられず，例えば従来の含水率試験では一定量以上の地盤材料Ｓを対象とすることで計測値のバラツキの影響を避けている。近赤外光を照射する含水率計測装置２０ａを用いた場合も，図４に示すように，近赤外光の照射部位によって含水率ｗ０の計測値に大きなバラツキが生じうる。連続的に計測される地盤材料Ｓの含水率ｗ０の計測値を平準化手段２３において所定時間ｔの移動平均又は区間平均とし，その平均値（＝Σｗ０／ｔ）を用いて粒径別の含水率ｗｉを算出して表面水量を推定することにより，計測値のバラツキの影響を避けることができる。
【００５４】
平準化手段２３において移動平均又は区間平均を求める所定時間ｔは，例えばステップＳ１０７〜１０９において地盤材料Ｓの一部を抜き取って粒度分布Ｄを検出する期間（例えば５〜１０分）と一致させることができる。図４に示すように，地盤材料Ｓの含水率ｗ０を平準化する時間と，地盤材料Ｓの粒度分布Ｄを検出する時間とを一致させることにより，図３の計測値テーブルにおいて各粒径の粒度分布Ｄと粒径別の含水率ｗｉとの更新のタイミングを一致させ，それらに基づき推定する地盤材料Ｓの表面水量の精度を高めることが期待できる。ただし，含水率ｗ０を平準化時間は粒度分布Ｄの検出時間と一致させることに限定されず，例えば平準化手段２３によって地盤材料Ｓの１０ｍ３ないし１００ｍ３当たりの平均値として含水率ｗ０を算出し，その１ｍ３当たりの含水率Ｗと１０ｍ３ないし１００ｍ３当たりの含水率Ｗとの両者を同時に出力装置１２へ出力・表示することにより，地盤材料Ｓの含水率ｗ０の長期的変動傾向と短期的変動傾向との両者を同時に確認し，その両面から地盤材料Ｓの品質を管理，監視することも可能である。
【００５５】
ステップＳ１１３は，ステップＳ１１２でリアルタイムに推定された地盤材料Ｓの表面水量Ｗをコンピュータ１０の判定手段２５へ入力し，表面水量Ｗを管理基準値Ｃと比較して正常か否か（地盤材料Ｓの品質）を判定する処理を示す。このような管理基準値Ｃとして，例えば図９を参照して前述したように，表面水量Ｗの異なる地盤材料Ｓを用いて構築した土木構造物が所要品質（強度）を満足する表面水量Ｗの下限値及び上限値をステップＳ１０１において記憶手段１６に登録しておくことができる。強度だけでなく，構造材料の密度，施工性（トラフィカビリティなど）等に基づき管理基準値Ｃを設定することも可能である。
【００５６】
ステップＳ１１３において地盤材料Ｓの表面水量Ｗが管理基準値Ｃの範囲内であると判定された場合はステップＳ１１５へ進み，ステップＳ１０２において設定された単位水量と表面水量Ｗと差に応じた給水量（＝単位水量−表面水量）及びセメント量を混合装置５（ミキサー）に投入して地盤材料Ｓに添加する。ステップＳ１１３において地盤材料Ｓの表面水量Ｗが管理基準値Ｃから外れたときは，例えばステップＳ１１４において構造材料を得るために添加すべき単位水量を再設定したうえでステップＳ１１５へ進む。
【００５７】
ステップＳ１１５において，必要に応じて推定された表面水量Ｗをコンピュータ１０の記憶手段１６に累積記憶したのち，ステップＳ１１６において，地盤材料Ｓの表面水量の管理を継続するか否かを判断する。継続する場合はステップＳ１０５へ戻り，継続的に供給される地盤材料Ｓについて前述したステップＳ１０５〜Ｓ１１５を繰り返す。ステップＳ１１５においてリアルタイムで連続的に推定される地盤材料Ｓの表面水量Ｗを記憶手段１６に累積記憶しておくことにより，次回以降のステップＳ１１３の判定処理において，判定手段２４により供給材料Ｎの表面水量Ｗの経時的変化（移動平均又は区間平均）を判定し，地盤材料Ｓの品質の変化を迅速に把握することが可能となる。
【００５８】
こうして本発明の目的である「地盤材料の表面水量をリアルタイムで精度よく管理することができる方法及びシステム」の提供を達成できる。
【符号の説明】
【００５９】
１…採取場（地山）                  １ａ…破砕装置
２…ストックヤード                  ３…運搬装置
４…母材ホッパー                    ５…混合装置
６…セメント供給装置                ７…水供給装置
８…粒度試験装置                    ９…含水率試験装置
１０…コンピュータ                  １１…入力装置
１２…出力装置                      １４…入力手段
１５…出力手段                      １６…記憶手段
２０…含水率計測装置                ２１…（粒径別含水率）算出手段
２２…（含水率）計測手段            ２３…平滑化手段
２４…（表面水量）推定手段          ２５…判定手段
３０…粒度分布計測装置              ３１…（粒度分布）検出手段
３２…（粒度インデクス）算出手段
４１，４２，４３，４４…搬送ベルトコンベア
４５…起振装置付きベルトコンベア    ４６…撒き出し容器
４７ａ…積載位置                    ４７ｂ…起振位置
４７ｃ…重量計測位置                ４７ｄ…撮影位置
４７ｅ…返送位置
Ｃ…セメント                        Ｗ…水
Ｍ…重量比                          ρ…表関密度
Ｇ…絶乾密度                        Ｑ…吸水率
ｗ…含水率                          ω…表面水率
Ｗ…表面水量                        Ｃ…管理基準値
Ｋ…関係式                          Ｅ…面積
Ｉ…粒度インデクス                  ｔ…所定時間
Ｄ…粒度分布                        Ｐ（ｄ）…粒径加積曲線
Ｓ…地盤材料                        Ｓｉ，Ｒ…反射率
Ｐ…パラメタ
【図１】
2015105898.tif 000003
【図２】
2015105898.tif 000004
【図３】
2015105898.tif 000005
【図５】
2015105898.tif 000006
【図６】
2015105898.tif 000007
【図７】
2015105898.tif 000008
【図４】
2015105898.tif 000009
【図８】
2015105898.tif 000010
【図９】
2015105898.tif 000011
【図１０】
2015105898.tif 000012