(57)【要約】【課題】磁気センサーの抵抗値が目的の設計値からずれることを抑制する。【解決手段】磁気センサー１は、基板２と、基板２上に形成された複数の磁気抵抗効果素子２１を有するとともに、これら磁気抵抗効果素子２１を直列接続してなる複数の磁気抵抗効果素子直列体２０と、基板２上に形成され、磁気抵抗効果素子直列体２０にそれぞれ直列接続された複数のトリミング用抵抗部１１と、を備え、トリミング用抵抗部１１がトリミングされることによってトリミング用抵抗部１１の抵抗値が調整されたものである。【選択図】図１
2015105901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の磁気抵抗効果素子を有するとともに、これら磁気抵抗効果素子を直列接続してなる磁気抵抗効果素子直列体と、
前記基板上に形成され、前記磁気抵抗効果素子直列体に直列接続されたトリミング用抵抗部と、を備え、
前記トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記トリミング用抵抗部の抵抗値が調整された、
ことを特徴とする磁気センサー。
【請求項２】
互いに離間するように前記基板上に形成された第一共通電極及び第二共通電極を更に備え、
前記磁気抵抗効果素子直列体と前記トリミング用抵抗部からなる直列型合成抵抗器の数が複数であり、これら直列型合成抵抗器が前記第一共通電極と前記第二共通電極の間に並列接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサー。
【請求項３】
前記基板上に形成され、前記第一共通電極に接続された第二トリミング用抵抗部を更に備え、
前記第二トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第二トリミング用抵抗部の抵抗値が調整された、
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気センサー。
【請求項４】
前記基板上に形成され、前記第二共通電極に接続された第三トリミング用抵抗部を更に備え、
前記第三トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第三トリミング用抵抗部の抵抗値が調整された、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の磁気センサー。
【請求項５】
前記基板上に形成され、前記第一共通電極に接続された第二トリミング用抵抗部と、
前記基板上に形成され、前記第二共通電極に接続された第三トリミング用抵抗部と、を更に備え、
前記第二トリミング用抵抗部と前記第三トリミング用抵抗部は抵抗率が異なり、前記第二トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第二トリミング用抵抗部の抵抗値が調整され、前記第三トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第三トリミング用抵抗部の抵抗値が調整された、
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気センサー。
【請求項６】
前記基板上に形成されるとともに少なくとも一つが不良な複数の磁気抵抗効果素子を有するとともに、これら磁気抵抗効果素子を直列接続してなる不良磁気抵抗効果素子直列体と、
前記第一共通電極と前記第二共通電極との間に前記不良磁気抵抗効果素子直列体と直列接続された切断済みトリミング抵抗部と、を備え、
前記切断済みトリミング抵抗部がトリミングにより切断された、
ことを特徴とする請求項２から５の何れか一項に記載の磁気センサー。
【請求項７】
複数の磁気抵抗効果素子を直列接続するようこれら磁気抵抗効果素子からなる磁気抵抗効果素子直列体を基板上に形成する第一工程と、
前記磁気抵抗効果素子直列体にトリミング用抵抗部を直列接続するよう前記トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第二工程と、
前記トリミング用抵抗部をトリミングすることによって前記トリミング用抵抗部の抵抗値を調整する第三工程と、を備える、
ことを特徴とする磁気センサーの製造方法。
【請求項８】
前記第三工程では、前記磁気抵抗効果素子直列体及び前記トリミング用抵抗部の合成抵抗値を測定しながら、前記磁気抵抗効果素子直列体及び前記トリミング用抵抗部の合成抵抗値が所定の目的値に至るまで前記トリミング用抵抗部のトリミングを行う、
ことを特徴とする請求項７に記載の磁気センサーの製造方法。
【請求項９】
前記第一工程では、前記磁気抵抗効果素子直列体の数を複数とするようこれら磁気抵抗効果素子直列体を形成し、
前記第二工程では、前記トリミング用抵抗部の数を複数とするとともにこれらトリミング用抵抗部を前記磁気抵抗効果素子直列体にそれぞれ直列接続する、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の磁気センサーの製造方法。
【請求項１０】
第一共通電極及び第二共通電極を互いに離間させて前記基板上に形成する第四工程と、
前記第三工程及び前記第四工程の後に、前記磁気抵抗効果素子直列体と前記トリミング用抵抗部からなる複数の直列型合成抵抗器を前記第一共通電極と前記第二共通電極との間に並列接続させる第五工程と、を更に備える、
ことを特徴とする請求項９に記載の磁気センサーの製造方法。
【請求項１１】
第二トリミング用抵抗部を第一共通電極に接続するよう前記第二トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第六工程と、
前記第五工程及び前記第六工程後に、前記第二トリミング用抵抗部をトリミングすることによって前記第二トリミング用抵抗部の抵抗値を調整する第七工程と、を更に備える、
ことを特徴とする請求項１０に記載の磁気センサーの製造方法。
【請求項１２】
第三トリミング用抵抗部を第二共通電極に接続するよう前記第三トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第八工程と、
前記第五工程及び前記第八工程後に、前記第三トリミング用抵抗部をトリミングすることによって前記第三トリミング用抵抗部の抵抗値を調整する第九工程と、を更に備える、
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の磁気センサーの製造方法。
【請求項１３】
第二トリミング用抵抗部を第一共通電極に接続するよう前記第二トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第六工程と、
前記第二トリミング用抵抗部と抵抗率が異なる第三トリミング用抵抗部を第二共通電極に接続するよう前記第三トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第七工程と、
前記第五工程、前記第六工程及び前記第七工程後に、前記第二トリミング用抵抗部及び前記第三トリミング用抵抗部のうち抵抗率の高い方をトリミングすることによってその抵抗値を調整する第八工程と、
前記八工程後に、前記第二トリミング用抵抗部及び前記第三トリミング用抵抗部のうち抵抗率の低い方をトリミングすることによってその抵抗値を調整する第九工程と、を更に備える、
ことを特徴とする請求項１０に記載の磁気センサーの製造方法。
【請求項１４】
前記第二工程の後であって前記第三工程の前に、前記磁気抵抗効果素子直列体と前記トリミング用抵抗部からなる複数の直列型合成抵抗器の抵抗値を測定することによって、前記複数の直列型合成抵抗器の中から前記磁気抵抗効果素子直列が不良であるものを選別する第十工程を更に備え、
前記第三工程では、前記第十工程で選別された前記直列型合成抵抗器の前記トリミング用抵抗部をトリミングする代わりに切断する、
ことを特徴とする請求項９から請求項１３の何れか一項に記載の磁気センサーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサー及びその製造方法に関し、特にその磁気センサーの抵抗値のばらつきを抑えることができる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサーに利用される磁気抵抗効果素子は、それに印加される磁界強度が変化すると、その抵抗値が変化するものである。磁界強度の変化に伴う磁気センサーの抵抗値の変化が極めて小さいので、磁気センサーをホイートストンブリッジ回路（例えば、特許文献１、特許文献２参照）に組み込み、磁気センサーの抵抗値の変化をブリッジ回路の対角間の電位差に変換して、ホイートストンブリッジ回路の対角間の電位差を信号として出力する。ホイートストンブリッジ回路の各辺の磁気センサーの抵抗値が等しくして、ホイートストンブリッジ回路を平衡状態とすることが好ましい。しかし、磁気センサーを製造する際の誤差により、磁気センサーの抵抗値がばらつくため、ホイートストンブリッジ回路が平衡状態とならない。
【０００３】
そのため、ホイートストンブリッジ回路を使用する際には、ホイートストンブリッジ回路の各辺の磁気センサーに補正用抵抗器を直列接続して、ホイートストンブリッジ回路を平衡状態にすることが行われる。しかし、この方法では、ホイートストンブリッジ回路の４辺の抵抗値が等しくなるわけではない。ホイートストンブリッジ回路の４辺の抵抗値が等しくないと、電源のノイズがホイートストンブリッジ回路の出力信号に顕在化したり、ホイートストンブリッジ回路の出力信号にオフセットが生じたりする。このようなノイズ及びオフセットは通常の磁気センサーでは問題ない。しかしながら、磁気センサーの感度が高く、磁気センサーによって測定する磁界強度及びその変化が超微小であると、このようなノイズ及びオフセットが測定精度を低下させる大きな原因となる。
【０００４】
そのため、磁気センサーの製造に際して誤差を最小限に抑えて、磁気センサーの抵抗値のばらつきを抑えて、磁気センサーの抵抗値が目的の設計値からずれないようにすること望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２７４９５号公報
【特許文献２】特開２００６−１７６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、磁気センサーの抵抗値が目的の設計値からずれることを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するために、請求項１に係る発明は、基板と、前記基板上に形成された複数の磁気抵抗効果素子を有するとともに、これら磁気抵抗効果素子を直列接続してなる磁気抵抗効果素子直列体と、前記基板上に形成され、前記磁気抵抗効果素子直列体に直列接続されたトリミング用抵抗部と、を備え、前記トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記トリミング用抵抗部の抵抗値が調整されたことを特徴とする磁気センサーである。
【０００８】
請求項２に係る発明は、互いに離間するように前記基板上に形成された第一共通電極及び第二共通電極を更に備え、前記磁気抵抗効果素子直列体と前記トリミング用抵抗部からなる直列型合成抵抗器の数が複数であり、これら直列型合成抵抗器が前記第一共通電極と前記第二共通電極の間に並列接続されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサーである。
【０００９】
請求項３に係る発明は、前記基板上に形成され、前記第一共通電極に接続された第二トリミング用抵抗部を更に備え、前記第二トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第二トリミング用抵抗部の抵抗値が調整されたことを特徴とする請求項２に記載の磁気センサーである。
【００１０】
請求項４に係る発明は、前記基板上に形成され、前記第二共通電極に接続された第三トリミング用抵抗部を更に備え、前記第三トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第三トリミング用抵抗部の抵抗値が調整されたことを特徴とする請求項２又は３に記載の磁気センサーである。
【００１１】
請求項５に係る発明は、前記基板上に形成され、前記第一共通電極に接続された第二トリミング用抵抗部と、前記基板上に形成され、前記第二共通電極に接続された第三トリミング用抵抗部と、を更に備え、前記第二トリミング用抵抗部と前記第三トリミング用抵抗部は抵抗率が異なり、前記第二トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第二トリミング用抵抗部の抵抗値が調整され、前記第三トリミング用抵抗部がトリミングされることによって前記第三トリミング用抵抗部の抵抗値が調整されたことを特徴とする請求項２に記載の磁気センサーである。
【００１２】
請求項６に係る発明は、前記基板上に形成されるとともに少なくとも一つが不良な複数の磁気抵抗効果素子を有するとともに、これら磁気抵抗効果素子を直列接続してなる不良磁気抵抗効果素子直列体と、前記第一共通電極と前記第二共通電極との間に前記不良磁気抵抗効果素子直列体と直列接続された切断済みトリミング抵抗部と、を備え、前記切断済みトリミング抵抗部がトリミングにより切断されたことを特徴とする請求項２から５の何れか一項に記載の磁気センサーである。
【００１３】
請求項７に係る発明は、複数の磁気抵抗効果素子を直列接続するようこれら磁気抵抗効果素子からなる磁気抵抗効果素子直列体を基板上に形成する第一工程と、前記磁気抵抗効果素子直列体にトリミング用抵抗部を直列接続するよう前記トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第二工程と、前記トリミング用抵抗部をトリミングすることによって前記トリミング用抵抗部の抵抗値を調整する第三工程と、を備えることを特徴とする磁気センサーの製造方法である。
【００１４】
請求項８に係る発明は、前記第三工程では、前記磁気抵抗効果素子直列体及び前記トリミング用抵抗部の合成抵抗値を測定しながら、前記磁気抵抗効果素子直列体及び前記トリミング用抵抗部の合成抵抗値が所定の目的値に至るまで前記トリミング用抵抗部のトリミングを行うことを特徴とする請求項７に記載の磁気センサーの製造方法である。
【００１５】
請求項９に係る発明は、前記第一工程では、前記磁気抵抗効果素子直列体の数を複数とするようこれら磁気抵抗効果素子直列体を形成し、前記第二工程では、前記トリミング用抵抗部の数を複数とするとともにこれらトリミング用抵抗部を前記磁気抵抗効果素子直列体にそれぞれ直列接続することを特徴とする請求項７又は８に記載の磁気センサーの製造方法である。
【００１６】
請求項１０に係る発明は、第一共通電極及び第二共通電極を互いに離間させて前記基板上に形成する第四工程と、前記第三工程及び前記第四工程の後に、前記磁気抵抗効果素子直列体と前記トリミング用抵抗部からなる複数の直列型合成抵抗器を前記第一共通電極と前記第二共通電極との間に並列接続させる第五工程と、を更に備えることを特徴とする請求項９に記載の磁気センサーの製造方法である。
【００１７】
請求項１１に係る発明は、第二トリミング用抵抗部を第一共通電極に接続するよう前記第二トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第六工程と、前記第五工程及び前記第六工程後に、前記第二トリミング用抵抗部をトリミングすることによって前記第二トリミング用抵抗部の抵抗値を調整する第七工程と、を更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の磁気センサーの製造方法である。
【００１８】
請求項１２に係る発明は、第三トリミング用抵抗部を第二共通電極に接続するよう前記第三トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第八工程と、前記第五工程及び前記第八工程後に、前記第三トリミング用抵抗部をトリミングすることによって前記第三トリミング用抵抗部の抵抗値を調整する第九工程と、を更に備えることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の磁気センサーの製造方法である。
【００１９】
請求項１３に係る発明は、第二トリミング用抵抗部を第一共通電極に接続するよう前記第二トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第六工程と、前記第二トリミング用抵抗部と抵抗率が異なる第三トリミング用抵抗部を第二共通電極に接続するよう前記第三トリミング用抵抗部を前記基板上に形成する第七工程と、前記第五工程、前記第六工程及び前記第七工程後に、前記第二トリミング用抵抗部及び前記第三トリミング用抵抗部のうち抵抗率の高い方をトリミングすることによってその抵抗値を調整する第八工程と、前記八工程後に、前記第二トリミング用抵抗部及び前記第三トリミング用抵抗部のうち抵抗率の低い方をトリミングすることによってその抵抗値を調整する第九工程と、を更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の磁気センサーの製造方法である。
【００２０】
請求項１４に係る発明は、前記第二工程の後であって前記第三工程の前に、前記磁気抵抗効果素子直列体と前記トリミング用抵抗部からなる複数の直列型合成抵抗器の抵抗値を測定することによって、前記複数の直列型合成抵抗器の中から前記磁気抵抗効果素子直列が不良であるものを選別する第十工程を更に備え、前記第三工程では、前記第十工程で選別された前記直列型合成抵抗器の前記トリミング用抵抗部をトリミングする代わりに切断することを特徴とする請求項９から請求項１３の何れか一項に記載の磁気センサーの製造方法である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、トリミング用抵抗部の抵抗値がトリミングによって調整されるので、磁気センサーの抵抗値が目的の設定値からずれることを防止することができる。つまり、磁気センサーの抵抗値のばらつきを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気センサーの平面図である。
【図２】同磁気センサーの製造する際の途中工程における同磁気センサーの中間製造物の平面図である。
【図３】図２に係る工程の後の工程における同磁気センサーの中間製造物の平面図である。
【図４】図３に係る工程の後の工程における同磁気センサーの中間製造物の平面図である。
【図５】レーザートリミング装置の概略構成図である。
【図６】図４に係る工程の後の工程における同磁気センサーの中間製造物の平面図である。
【図７】同磁気センサーが組み込まれたホイートストンブリッジ回路の回路図である。
【図８】同磁気センサーが組み込まれたホイートストンブリッジ回路の回路図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る磁気センサーの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されている。そのため、本発明の技術的範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００２４】
〔第１の実施の形態〕
図１は、磁気センサー１の平面図である。
図１に示すように、この磁気センサー１は基板２、端子３，４、トリミング用抵抗部５，６、共通電極７，８、複数の接続用導体９，９，…、複数の磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…、複数の接続用導体１０，１０，…及び複数のトリミング用抵抗部１１，１１，…を備える。
【００２５】
基板２はシリコン基板、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、電気絶縁性基板、半導体基板その他の基板である。
【００２６】
端子３，４は磁気センサー１の端子である。これら端子３，４は、基板２上に形成された導体薄膜である。端子３，４は露出しており、導電性リード（例えばリードフレームのインナーリード、ボンディングワイヤー等）を端子３，４にボンディング可能なようにこれら端子３，４には金メッキが施されている。端子３，４が形成された位置は基板２の一方の面上の角近傍ある。
【００２７】
共通電極７，８は基板２上に形成された導体薄膜である。共通電極７が基板２の一方の面上の一辺の縁寄りに形成され、共通電極８が反対側の辺の縁寄りに形成されており、これら共通電極７，８が互いに離間する。また、これら共通電極７，８がそれら対辺に沿って帯状に延在する。
【００２８】
トリミング用抵抗部５，６は基板２上に形成された膜状の抵抗器（例えば、金属皮膜抵抗器、金属薄膜抵抗器、金属酸化皮膜抵抗器、金属酸化薄膜抵抗器、炭素薄膜抵抗器、炭素皮膜抵抗器、ソリッド薄膜抵抗器、ソリッド皮膜抵抗器等）である。トリミング用抵抗部５が端子３と共通電極７の間に形成されており、トリミング用抵抗部５の一端が端子３に接続され、トリミング用抵抗部５の他端が共通電極７に接続されている。トリミング用抵抗部６が端子４と共通電極８の間に形成されており、トリミング用抵抗部６の一端が端子４に接続され、トリミング用抵抗部６の他端が共通電極８に接続されている。
【００２９】
トリミング用抵抗部５，６は、レーザートリミング法によって電気抵抗値が調整されたものである。つまり、トリミング用抵抗部５，６は、成膜工程（例えば、気相成長法（スパッタリング法、蒸着法等）、塗布法等）、マスク工程（例えば、フォトリソグラフィー法、マスク蒸着法、メタルマスク法）及び膜形状加工工程（例えば、エッチング法、リフトオフ法）等の工程を経てパターニングされた後に、レーザートリミング法によって部分的に除去されることによってその形状（長さ、幅又は膜厚）が調整されたものである。ここでいう「長さ」とは、端子３から共通電極７までのトリミング用抵抗部５の経路に沿うトリミング用抵抗部５の長さであり、「幅」とは、トリミング用抵抗部５の経路に直交する方向のトリミング用抵抗部５の長さをいう。トリミング用抵抗部６の長さ及び幅についても同様である。
【００３０】
トリミング用抵抗部５，６の電気抵抗率は端子３，４、共通電極７，８、接続用導体９，９，…及び接続用導体１０，１０，…の電気抵抗率よりも十分に大きい。
また、トリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６は電気抵抗率が異なる。つまり、トリミング用抵抗部５の電気抵抗率がトリミング用抵抗部６の電気抵抗率よりも大きい。そのため、トリミング用抵抗部５，６をレーザートリミング法によって同じように同じ分量（長さ、幅、厚さ）だけ部分的に除去した場合には、トリミング用抵抗部５の抵抗値の変化量がトリミング用抵抗部６の抵抗値の変化量よりも大きい。
【００３１】
共通電極７，８の間の領域には複数の磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…が形成されており、これら磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…は共通電極７，８の長手方向に並列されている。磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…は複数の磁気抵抗効果素子２１，２１，…を有し、何れの磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…もそれぞれが有する磁気抵抗効果素子２１の数が等しい。これら磁気抵抗効果素子２１，２１，…は共通電極７，８の間において共通電極７，８の長手方向に直交する方向に沿って配列されており、更に磁気抵抗効果素子２１，２１，…が直列接続されている。
【００３２】
何れの磁気抵抗効果素子２１，２１，…もトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）又は巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）であって、磁気抵抗効果を発揮する。つまり、磁気抵抗効果素子２１，２１，…に印加される外部磁界の強度と磁気抵抗効果素子２１，２１，…の抵抗値が相関関係にあり、外部の磁界強度が変化すると磁気抵抗効果素子２１，２１，…の抵抗値が変化する。
【００３３】
磁気抵抗効果素子２１，２１，…には磁気抵抗効果が最も高く発現する向き（以下、感応の向きいう。）がある。つまり、何れの向きの磁界強度の変化量及びその初期値が等しいものとした場合、感応の向きの磁界強度が変化したときの磁気抵抗効果素子２１の抵抗値の変化量は他の向きの磁界強度が変化した場合の磁気抵抗効果素子２１の抵抗値の変化量と比較しても最も大きい。何れの磁気抵抗効果素子２１，２１，…も感応の向きが平行であって同一向きである。これら磁気抵抗効果素子２１，２１，…の感応の向きは基板２に対して平行であってもよいし、基板２に対して直交してもよい。
【００３４】
磁気抵抗効果素子直列体２０の中で最も共通電極７の近くに配置された一方の端の磁気抵抗効果素子２１は、接続用導体９によって共通電極７に接続されている。何れの磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…についても同様である。
【００３５】
これら接続用導体９，９，…は基板２上に形成された導体薄膜である。接続用導体９，９，…は共通電極７に接続されているとともに、図１の最左端の磁気抵抗効果素子２１，２１，…にそれぞれ接続されている。
【００３６】
磁気抵抗効果素子直列体２０の中で最も共通電極８の近くに配置された端の磁気抵抗効果素子２１には、トリミング用抵抗部１１が接続され、更にそのトリミング用抵抗部１１が接続用導体１０によって共通電極８に接続されている。これは、何れの磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…についても同様である。
【００３７】
トリミング用抵抗部１１，１１，…は、基板２上に形成された膜状の抵抗器（例えば、金属皮膜抵抗器、金属薄膜抵抗器、金属酸化皮膜抵抗器、金属酸化薄膜抵抗器、炭素薄膜抵抗器、炭素皮膜抵抗器、ソリッド薄膜抵抗器、ソリッド皮膜抵抗器等）である。トリミング用抵抗部１１，１１，…が図１の最右端の磁気抵抗効果素子２１，２１，…と接続用導体１０，１０，…の間にそれぞれ形成されており、トリミング用抵抗部１１，１１，…の一端が最右端の磁気抵抗効果素子２１，２１，…にそれぞれ接続され、トリミング用抵抗部１１，１１，…の他端が接続用導体１０，１０，…にそれぞれ接続されている。
【００３８】
トリミング用抵抗部１１，１１，…は、レーザートリミング法によって電気抵抗値が調整されたものである。つまり、トリミング用抵抗部１１，１１，…は、成膜工程（例えば、スパッタリング法、蒸着法その他の気相成長法等）、マスク工程（例えば、フォトリソグラフィー法、マスク蒸着法、メタルマスク法）及び膜形状加工工程（例えば、エッチング法、リフトオフ法）等の工程を経てパターニングされた後に、レーザートリミング法によって部分的に除去されることによってその形状（長さ、幅又は膜厚）が調整されたものである。
【００３９】
接続用導体１０，１０，…は基板２上に形成された導体薄膜である。接続用導体１０，１０，…は共通電極８に接続されているとともに、トリミング用抵抗部１１，１１，…にそれぞれ接続されている。
【００４０】
以上のように、共通電極７と共通電極８の間には、磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１が直列接続されている。また、磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１とからなる直列型合成抵抗器３１が複数あり、それら直列型合成抵抗器３１，３１，…の合成抵抗値が互いに等しい。そして、それら直列型合成抵抗器３１が共通電極７と共通電極８の間に並列接続されて、並列型合成抵抗器３０が構成される。その並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６が端子３と端子４の間に直列接続されており、その合成抵抗値が磁気センサー１の抵抗値となる。
【００４１】
磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…の抵抗値にばらつきがあり、それらの抵抗値が設計値からずれて誤差があったものとしても、磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…が並列されているので、磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…の抵抗値の誤差が磁気センサー１の抵抗値に及ぼす影響が小さくなる。つまり、磁気抵抗効果素子直列体２０の抵抗値の誤差を磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…の数で除して得られた値だけしか、磁気センサー１の抵抗値に影響を及ばさない。同様に、トリミング用抵抗部１１，１１，…が並列されているので、トリミング用抵抗部１１，１１，…の抵抗値が磁気センサー１の抵抗値に及ぼす影響が小さくなる。
【００４２】
磁気センサー１の製造方法について説明する。
まず、図２に示すように、複数の磁気抵抗効果素子２１，２１，…を基板２上に格子状に配列するようにしてこれらの複数の磁気抵抗効果素子２１，２１，…を形成することによって、複数列の磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…を形成する。これら磁気抵抗効果素子２１，２１，…の形成工程には、半導体装置の製造技術若しくはプリント基板の製造技術又はこれらの両方を利用する。つまり、所定の成膜法（例えば、気相成長法、メッキ法、塗布法）、所定のマスク法（例えば、フォトリソグラフィー法、マスク蒸着法、メタルマスク法）、膜形状加工法（例えば、エッチング法、リフトオフ法）及び印刷法等を適宜行うことによって、複数の磁気抵抗効果素子２１，２１，…を基板２上にパターニングする。
【００４３】
次に、図３に示すように、端子３，４及び共通電極７，８を形成するとともに、トリミング用抵抗部５，６及びトリミング用抵抗部１１，１１，…を形成する。端子３，４、共通電極７，８及びトリミング用抵抗部５，６を形成するに際しては、トリミング用抵抗部５を共通電極７と端子３との間に接続し、トリミング用抵抗部６を共通電極８と端子４との間に接続する。トリミング用抵抗部１１，１１，…を形成するに際しては、トリミング用抵抗部１１，１１，…を磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…の磁気抵抗効果素子２１，２１，…にそれぞれ接続する。
端子３，４のパターニング法は、サブトラクト法、アディティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法その他の印刷法である。トリミング用抵抗部５，６及びトリミング用抵抗部１１，１１，…のパターニング法は各種の印刷法である。或いは、成膜工程（例えば、気相成長法（スパッタリング法、蒸着法等）、塗布法等）、マスク工程（例えば、フォトリソグラフィー法、マスク蒸着法、メタルマスク法）及び膜形状加工工程（例えば、エッチング法、リフトオフ法）等の工程を経て、トリミング用抵抗部５，６及びトリミング用抵抗部１１，１１，…をパターニングしてもよい。
端子３，４、共通電極７，８、トリミング用抵抗部５，６及びトリミング用抵抗部１１，１１，…の形成順序は問わない。例えば、端子３，４及び共通電極７，８を同時にパターニングしてもよいし、順次パターニングしてもよい。トリミング用抵抗部５，６及びトリミング用抵抗部１１，１１，…を同時にパターニングしてもよいし、順次パターニングしてもよい。
【００４４】
次に、磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１からなる直列型合成抵抗器３１の合成抵抗値を測定しながら、トリミング用抵抗部１１にレーザー光を照射することによってトリミング用抵抗部１１を少しずつ除去する。そして、その測定している合成抵抗値が目的値になったらレーザー光の照射を停止して、トリミング用抵抗部１１の除去を停止する。他のトリミング用抵抗部１１，１１，…についても同様にしてレーザー光によってトリミングする（図４参照）。ここで、何れの直列型合成抵抗器３１，３１，…も合成抵抗値が等しくなるように、トリミング用抵抗部１１，１１，…をトリミングする。
【００４５】
図５は、トリミング用抵抗部１１，１１，…をトリミングするための装置５０の概略断面図である。このレーザートリミング装置５０は箱体５１、温調型ＸＹステージ５２、プローブ５３，５４及びレーザー装置５５等を備える。
【００４６】
箱体５１には磁気シールドが施されている。つまり、パーマロイ等の強磁性体が箱体５１の内面若しくは外面又はこれら両方に形成されており、好ましくはその内面及び外面の全体に形成されている。箱体５１の天板には開口が形成され、その開口の上にレーザー装置５５が設置されている。このレーザー装置５５は箱体５１の開口に向けてレーザー光を発するものである。
【００４７】
箱体５１の内部空間には温調型ＸＹステージ５２及びプローブ５３，５４が収容されている。温調型ＸＹステージ５２は箱体５１内の底に設置され、その温調型ＸＹステージ５２上に基板２が設置される。温調型ＸＹステージ５２はモーター等によって水平方向に沿って移動する。温調型ＸＹステージ５２には温度調節素子（電気抵抗ヒーター、ペルチェ素子等）及び温度センサーが内蔵されている。基板２及び温調型ＸＹステージ５２は一定の温度に維持される。つまり、温度調節素子によって基板２及び温調型ＸＹステージ５２を加熱又は冷却しつつ、温度センサーによって基板２及び温調型ＸＹステージ５２の温度を測定し、その測定温度に基づいて温度調節素子をフィードバック制御することによって温度調節素子により基板２及び温調型ＸＹステージ５２の温度を目的の温度（例えば、室温又はそれに近い温度）に維持するよう定温度制御する。プローブ５３，５４が配線等を介して箱体５１の外部の抵抗測定装置に接続されている。プローブ５３，５４にはカンチレバー（接触子）が設けられており、プローブ５３，５４のカンチレバーが磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１とからなる直列型合成抵抗器の両端に接触することによって、その直列型合成抵抗器の抵抗値が抵抗測定装置によって測定される。
【００４８】
このレーザートリミング装置５０を使用する際には、まず基板２を温調型ＸＹステージ５２上に設置する。そして、温調型ＸＹステージ５２により基板２を平行移動させて、トリミング用抵抗部１１を箱体５１の開口及びレーザー装置５５の下に位置させる。そして、温調型ＸＹステージ５２によって基板２を目的の温度に定温度制御する。また、プローブ５３，５４のカンチレバーを磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１とからなる直列型合成抵抗器の両端に接触させて、その直列型合成抵抗器の抵抗値を抵抗測定装置によって測定する。その際、磁気抵抗効果素子２１の感応の向きに対してプローブ５３，５４のカンチレバーを平行にする。定温度制御及び抵抗値測定をした状態で、箱体５１の開口を通じてレーザー装置５５によってレーザー光５６をトリミング用抵抗部１１に照射して、トリミング用抵抗部１１を部分的に除去する。レーザー光５６を照射しながら、測定抵抗値が目的値になるまで、温調型ＸＹステージ５２により基板２を平行移動させることによってトリミング用抵抗部１１を少しずつ除去する。なお、レーザー装置５５の上部を中心にしてレーザー装置５５を前後左右に振ったり、レーザー装置５５と温調型ＸＹステージ５２との間に設けられた光学素子を前後左右に振ったりすることによってレーザー光５６を振り、それによりトリミング用抵抗部１１を少しずつ除去してもよい。
【００４９】
磁気抵抗効果素子２１は非常に微小な磁界にも反応して、その抵抗値が変化する。更に、外部の電波や振動等が磁気抵抗効果素子２１の抵抗値の外乱因子となる。そのため、箱体５１に磁気シールドが施されていることによって、そのような外乱因子に基づく磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１の合成抵抗値の測定誤差を最小限に抑えることができる。
また、基板２が定温度制御されることによって、温度変化に基づく磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１の抵抗値の測定誤差を最小限に抑えることができる。
また、磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１の抵抗値を測定する際には、プローブ５３，５４のカンチレバーに流れる電流によってカンチレバーの周方向の磁界が発生する。プローブ５３，５４のカンチレバーが磁気抵抗効果素子２１の感応の向きに対して平行であるから、カンチレバーの回りの磁界の向きは磁気抵抗効果素子２１の感応の向きに対して直交する。そのため、カンチレバーの電流に基づく磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１の抵抗値の測定誤差を最小限に抑えることができる。
【００５０】
次に、図６に示すように、接続用導体９，９，…及び接続用導体１０，１０，…を形成する。接続用導体９，９，…を形成するに際しては、接続用導体９，９，…を磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…の磁気抵抗効果素子２１，２１，…と共通電極７との間に接続する。接続用導体１０，１０，…を形成するに際しては、接続用導体９，９，…をトリミング用抵抗部１１，１１，…と共通電極８との間に接続する。接続用導体９，９，…及び接続用導体１０，１０，…のパターニング法は、サブトラクト法、アディティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法その他の印刷法である。
【００５１】
次に、並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６とからなる直列型合成抵抗器の抵抗値を測定しながら、トリミング用抵抗部５にレーザー光を照射することによってトリミング用抵抗部５を少しずつ除去する。そして、その直列型合成抵抗器の測定抵抗値が目的値に至ったら、トリミング用抵抗部５のトリミングを停止する。トリミング用抵抗部５のトリミングには、図４に示すレーザートリミング装置５０を利用する。レーザートリミング装置５０を用いてトリミング用抵抗部５をトリミングする手順は、レーザートリミング装置５０を用いてトリミング用抵抗部１１をトリミングする手順と同様である。但し、抵抗値の測定に際しては、プローブ５３，５４のカンチレバーを端子３，４に接触させる。
【００５２】
ここで、トリミング用抵抗部５の抵抗率が比較的大きいので、トリミング用抵抗部５を部分的に除去すると、トリミング用抵抗部５の抵抗値が比較的大きく変化する。つまり、トリミング用抵抗部５をトリミングすることによって、並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６とからなる直列型合成抵抗器の抵抗値を荒調整することができる。例えば、荒調整前のトリミング抵抗部５の抵抗値は、並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６とからなる直列型合成抵抗器の目的抵抗値に対して１％程度であり、トリミング用抵抗部５のトリミングによってその直列合成抵抗器の目標抵抗値の０．１％の精度でその直列合成抵抗器の抵抗値を荒調整することができる。
【００５３】
次に、並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６とからなる直列型合成抵抗器の測定抵抗値が目的値に至るまで、トリミング用抵抗部６をレーザー光により少しずつ除去する。トリミング用抵抗部６のトリミング手順はトリミング用抵抗部５のトリミング手順と同様である。
【００５４】
ここで、トリミング用抵抗部６の抵抗率がトリミング用抵抗部５の抵抗率よりも低いので、トリミング用抵抗部６を部分的に除去すると、トリミング用抵抗部６の抵抗値の変化が小さい。つまり、トリミング用抵抗部６をトリミングすることによって、並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６とからなる直列型合成抵抗器の抵抗値を微調整することができる。例えば、微調整前のトリミング抵抗部６の抵抗値は、並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６とからなる直列型合成抵抗器の目的抵抗値に対して０．１％程度であり、トリミング用抵抗部６のトリミングによってその直列合成抵抗器の目標抵抗値の０．０１％の精度でその直列合成抵抗器の抵抗値を微調整することができる。
【００５５】
本実施形態によれば、トリミング用抵抗部５，６及びトリミング用抵抗部１１をトリミングしたので、磁気センサー１の抵抗値を精度良く好適な目的値に調整することができる。よって、磁気センサー１の抵抗値のばらつきを抑えることができる。
【００５６】
トリミング用抵抗部１１，１１，…をトリミングすることによって直列型合成抵抗器３１，３１，…及び並列型合成抵抗器３０の合成抵抗値を調整したので、トリミング用抵抗部５，６のトリミングよる磁気センサー１の抵抗値の調整幅を小さくすることができる。
【００５７】
また、図７に示すように、抵抗値が互いに等しい三つの固定抵抗器Ｒと磁気センサー１によってホイートストンブリッジ回路を組む場合、磁気センサー１の製造時に磁気センサー１の抵抗値を固定抵抗器Ｒの抵抗値に等しくすることができる。そのため、従来必要であった補正用抵抗器（ホイートストンブリッジ回路の各辺の磁気センサー或いは固定抵抗器に直列接続されたもの）を用いずとも、図７に示すホイートストンブリッジ回路を平衡状態にすることができ、図７に示すホイートストンブリッジ回路では、ノイズ（例えば電源から混入するノイズ）の発生を非常に低く抑えることができる。よって、磁気センサー１によって測定する外部の磁界強度及びその変化が超微小であっても、その測定精度が低下することを抑制することができる。
【００５８】
図８に示すように、４つの磁気センサー１によってホイートストンブリッジ回路を組む場合も、これらの磁気センサー１の製造時にこれら磁気センサー１の抵抗値のばらつきがなく、これら磁気センサー１の抵抗値を互いに等しくすることができ、超微小な磁界強度及びその変化の測定精度の低下を抑えることができる。
【００５９】
〔第２の実施の形態〕
図９は、本発明の第２実施形態に係る磁気センサー１Ａの平面図である。第２実施形態の磁気センサー１Ａと第１実施形態の磁気センサー１との間で互いに対応する部分に同一の符号を付す。第２実施形態の磁気センサー１Ａと第１実施形態の磁気センサー１との間で互いに対応する部分が一致して同一に設けられている場合には、それらの説明を可能な限り省略する。以下では、第２実施形態の磁気センサー１Ａと第１実施形態の磁気センサー１の間で相違する部分について主に説明する。
【００６０】
第２実施形態の磁気センサー１Ａの基板２、端子３，４、トリミング用抵抗部５，６、共通電極７，８、接続用導体９，９，…及び接続用導体１０，１０，…は、第１実施形態の磁気センサー１の基板２、端子３，４、トリミング用抵抗部５，６、共通電極７，８、接続用導体９，９，…及び接続用導体１０，１０，…とそれぞれ同じである。
【００６１】
第２実施形態の磁気センサー１Ａの磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…も第１実施形態の磁気センサー１の磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…と同じである。但し、第２実施形態では、これら磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…のうち少なくとも一つが不良品である。磁気抵抗効果素子直列体２０，２０，…のうち不良品の符号を２０Ａとし、正常品の符号を２０Ｂとする。
【００６２】
不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａに含まれる少なくとも一つの磁気抵抗効果素子２１が不良であり（以下、不良な磁気抵抗効果素子２１の符号を２１Ａとし、正常な磁気抵抗効果素子２１の符号を２１Ｂとする）、不良な磁気抵抗効果素子２１Ａの抵抗値が正常な磁気抵抗効果素子２１Ｂの抵抗値よりも十分に高いか、又は低い。そのため、不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａの抵抗値は正常な磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂの抵抗値よりも十分に高いか、又は低い。
【００６３】
第１実施形態の場合と同様に、正常な磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂの右端の磁気抵抗効果素子２１Ｂと接続用導体１０との間には、レーザートリミング法によってトリミングされることによって抵抗値が調整されたトリミング用抵抗部１１が接続されている。
【００６４】
一方、不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａの右端の磁気抵抗効果素子２１と接続用導体１０との間には、レーザートリミング法によって断線された切断済みトリミング抵抗部１１Ａが設けられている。具体的には、切断済みトリミング抵抗部１１Ａは、トリミング用抵抗部１１を切断したものである。つまり、切断済みトリミング抵抗部１１Ａは、成膜工程（例えば、気相成長法（スパッタリング法、蒸着法等）、塗布法等）、マスク工程（例えば、フォトリソグラフィー法、マスク蒸着法、メタルマスク法）及び膜形状加工工程（例えば、エッチング法、リフトオフ法）等の工程を経てパターニングされた後に、レーザートリミング法によって切断されたものである。
【００６５】
ここで、第２実施形態では、共通電極７と共通電極８の間には、正常な磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂとトリミング用抵抗部１１が直列接続されている。また、正常な磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂとトリミング用抵抗部１１とからなる直列型合成抵抗器３１が複数あり、それら直列型合成抵抗器３１，３１，…の合成抵抗値が互いに等しい。そして、それら直列型合成抵抗器３１が共通電極７と共通電極８の間に並列接続されて、並列型合成抵抗器３０が構成される。並列型合成抵抗器３０には、不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａが含まれていない。その並列型合成抵抗器３０とトリミング用抵抗部５とトリミング用抵抗部６が端子３と端子４の間に直列接続されており、その合成抵抗値が磁気センサー１Ａの抵抗値となる。
【００６６】
不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａに電流が流れないので、この磁気センサー１Ａの性能低下や損傷（短絡等）を防止することができる。
【００６７】
続いて、第２実施形態の磁気センサー１Ａの製造方法について説明する。
第１実施形態の場合と同様に、複数の磁気抵抗効果素子２１，２１，…を形成する（図２参照）。その後、端子３，４及び共通電極７，８を形成するとともに、トリミング用抵抗部５，６及びトリミング用抵抗部１１，１１，…を形成する（図３参照）。
【００６８】
次に、磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１からなる直列型合成抵抗器３１の合成抵抗値を測定し、その測定値が下閾値から上閾値（上閾値＞下閾値）までの範囲内であるか否かを判定する。他の直列型合成抵抗器３１，３１，…についても同様のことを行う。
ここで、磁気抵抗効果素子直列体２０が不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａであり、その磁気抵抗効果素子直列体２０Ａが十分に高い場合には、直列型合成抵抗器３１の測定抵抗値が上閾値を超える。磁気抵抗効果素子直列体２０が不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａであり、その磁気抵抗効果素子直列体２０Ａの抵抗値が十分に低い場合には、直列型合成抵抗器３１の測定抵抗値が下閾値未満になる。磁気抵抗効果素子直列体２０が正常な磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂであり、その磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂの抵抗値が正常な範囲に収まれば、直列型合成抵抗器３１の測定抵抗値が下閾値から上閾値までの範囲内に収まる。
以上により、複数の直列型合成抵抗器３１，３１，…の中から、不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａを有するものと、正常な磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂを有するものとを選別する。
【００６９】
次に、不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａに接続されたトリミング用抵抗部１１を切断する。つまり、そのトリミング用抵抗部１１にレーザー光を照射して、トリミング用抵抗部１１を切断すると、それが断線された切断済みトリミング抵抗部１１Ａである。
【００７０】
一方、第１実施形態の場合と同様に、正常な磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂに接続されたトリミング用抵抗部１１をトリミングする。つまり、磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂとトリミング用抵抗部１１からなる直列型合成抵抗器３１の合成抵抗値を測定しながら、その測定抵抗値が目的値になるまでトリミング用抵抗部１１をレーザー光によりトリミングする。この目的値は以下に示す式で表せる。
【００７１】
Ｓ２＝Ｓ１×（Ｎ―Ｍ）／Ｎ
【００７２】
ここで、Ｎは、磁気抵抗効果素子直列体２０の数である。Ｍは、不良な磁気抵抗効果素子直列体２０Ａの数である。Ｓ２は、第２実施形態においての、磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂとトリミング用抵抗部１１からなる直列型合成抵抗器３１の合成抵抗値の目的値である。Ｓ１は、第１実施形態においての、磁気抵抗効果素子直列体２０とトリミング用抵抗部１１からなる直列型合成抵抗器３１の合成抵抗値の目的値である。また、第２実施形態の磁気抵抗効果素子直列体２０の数が第１実施形態における磁気抵抗効果素子直列体２０の数に等しく、第２実施形態の磁気抵抗効果素子直列体２０に含まれる磁気抵抗効果素子２１の数が第１実施形態における磁気抵抗効果素子直列体２０の数に等しいものとする。
【００７３】
磁気抵抗効果素子直列体２０Ｂとトリミング用抵抗部１１からなる直列型合成抵抗器３１の合成抵抗値を目的値Ｓ２にすれば、第２実施形態の並列型合成抵抗器３０の合成抵抗値が第１実施形態の並列型合成抵抗器３０の合成抵抗値に等しくなる。
【００７４】
全てのトリミング用抵抗部１１，１１，…をトリミング又は切断したら、第１実施形態の場合と同様に、接続用導体９，９，…及び接続用導体１０，１０，…を形成する。
次に、第１実施形態の場合と同様に、トリミング用抵抗部５をトリミングし、その後、トリミング用抵抗部６をトリミングする。
【００７５】
〔変形例〕
本発明の適用可能な実施形態は上述の実施形態に限るものではなく、上述の実施形態から変更してもよい。以下の変形例の組み合わせが可能であれば、それらを組み合わせて適用してもよい。
【００７６】
（１）  トリミング用抵抗部５を設けず、端子３を共通電極７に直接接続する。
【００７７】
（２）  トリミング用抵抗部６を設けず、端子４を共通電極８に直接接続する。
【００７８】
（３）  磁気抵抗効果素子直列体２０、接続用導体９，１０及びトリミング用抵抗部１１の数が１であってもよい。
【００７９】
（４）  何れのトリミング用抵抗部１１も設けず、磁気抵抗効果素子直列体２０の数を１とし、磁気抵抗効果素子直列体２０の一端（磁気抵抗効果素子直列体２０の中で最も共通電極７の近くに配置された磁気抵抗効果素子２１）を直接又は接続用導体９を介して共通電極７に接続し、磁気抵抗効果素子直列体２０の他端（磁気抵抗効果素子直列体２０の中で最も共通電極８の近くに配置された磁気抵抗効果素子２１）を直接又は接続用導体１０を介して共通電極７に接続する。この場合、トリミング抵抗部５，６が磁気抵抗効果素子直列体２０に直列接続されていることになる。
【００８０】
〔応用例〕
磁気センサー１，１Ａは、特に微小な磁場を測定する測定装置に利用することができる。例えば、磁気センサー１，１Ａは、人体から発せられる生体磁場（脳磁場、心磁場、脊椎磁場、眼球磁場等）を測定することに利用することができる。また、磁気センサー１，１Ａは、溶接欠陥或いは金属疲労等を検査するための装置、電流検出装置（磁気センサー１，１Ａによって測定された磁場から電流を検出する）、微少角度検出センサー等にも利用することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１，１Ａ  磁気センサー
２  基板
３，４  端子
５  トリミング用抵抗部（第二トリミング用抵抗部）
６  トリミング用抵抗部（第三トリミング用抵抗部）
７  共通電極（第一共通電極）
８  共通電極（第二共通電極）
９，１０  接続用導体
１１  トリミング用抵抗部
１１Ａ  切断済みトリミング用抵抗部
２０  磁気抵抗効果素子直列体
２１  磁気抵抗効果素子
３１  直列型合成抵抗器
３０  並列型合成抵抗器
【図１】
2015105901.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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