(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた記録再生特性等を有する光記録媒体に用いられる錯化合物の提供。【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物と、金属と、アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種とからなる錯化合物。2015017039.tif 000019（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシル基等を表し、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基等を表し、環Ａはテトラゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環等からなる群より選ばれる。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2015017039.tif 000018
[式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、環Ａは置換基を有していてもよい複素環を表し、該複素環は、ピリミジン環、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、フタラジン環およびキナゾリン環からなる群より選ばれる]で表される化合物と、金属と、アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種と、からなる錯化合物。
【請求項２】
Ｒ５が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基または置換基を有していてもよいアリール基である請求項１に記載の錯化合物。
【請求項３】
環Ａが置換基を有していてもよいテトラゾール環、置換基を有していてもよいベンゾチアゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環である請求項１または２に記載の錯化合物。
【請求項４】
金属がコバルト、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウムまたは鉄である請求項１〜３のいずれかに記載の錯化合物。
【請求項５】
金属がコバルトである請求項１〜３のいずれかに記載の錯化合物。
【請求項６】
アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種が、アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオンである請求項１〜５のいずれかに記載の錯化合物。
【請求項７】
アミンが置換基を有していてもよい脂肪族第３アミンである請求項６に記載の錯化合物。
【請求項８】
アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種が、第４級アンモニウムイオンである請求項１〜５のいずれかに記載の錯化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の錯化合物を含有する光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体等に用いられる錯化合物等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする技術、レーザー波長λを小さくする技術等を用い、さらに超高密度記録が可能となる光記録媒体の開発が進んでいる。例えば、ＨＤＴＶ(高精細度テレビ)の映像情報を２時間以上記録するためには、ＤＶＤと同サイズで少なくとも２３ＧＢ以上の容量をもつ光記録媒体が要望されている。こういった要望に応えるために、青紫色レーザー光を使用し、対物レンズのＮＡを０．８５とし、レーザースポット径を小さくすることによって、より高密度の情報を記録する光記録媒体、いわゆるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（ＢＤ）が開発された。
例えば、特許文献１には、ヒドラジン化合物と金属原子とアミンからなる金属錯体化合物を含有する光記録媒体が開示されている。しかし、さらに優れた記録再生特性を有する光記録媒体が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１２６８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、優れた記録再生特性等を有する光記録媒体に用いられる錯化合物等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の［１］〜［９］を提供する。
［１］式（Ｉ）
【化１】
2015017039.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、環Ａは置換基を有していてもよい複素環を表し、該複素環は、ピリミジン環、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、フタラジン環およびキナゾリン環からなる群より選ばれる]で表される化合物と、金属と、アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種と、からなる錯化合物。
［２］Ｒ５が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基または置換基を有していてもよいアリール基である［１］に記載の錯化合物。
［３］環Ａが置換基を有していてもよいテトラゾール環、置換基を有していてもよいベンゾチアゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環である［１］または［２］に記載の錯化合物。
［４］金属がコバルト、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウムまたは鉄である［１］〜［３］のいずれかに記載の錯化合物。
［５］金属がコバルトである［１］〜［３］のいずれかに記載の錯化合物。
［６］アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種が、アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオンである［１］〜［５］のいずれかに記載の錯化合物。
［７］アミンが置換基を有していてもよい脂肪族第３アミンである［６］に記載の錯化合物。
［８］アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種が、第４級アンモニウムイオンである［１］〜［５］のいずれかに記載の錯化合物。
［９］［１］〜［８］のいずれかに記載の錯化合物を含有する光記録媒体。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によると、優れた記録再生特性等を有する光記録媒体に用いられる錯化合物等を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（錯化合物）
本発明の錯化合物は、下記式（Ｉ）で表される化合物と、金属と、アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種とからなる。
【化２】
2015017039.tif 000003
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、環Ａは置換基を有していてもよい複素環を表し、該複素環は、ピリミジン環、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、フタラジン環およびキナゾリン環からなる群より選ばれる。]
【０００８】
＜式（Ｉ）で表される化合物＞
以下、上記式（Ｉ）で表される化合物を化合物（Ｉ）という。他の式番号の化合物についても同様である。
式（Ｉ）の各基の定義において、アルキル基およびアルコキシル基のアルキル部分としては、例えば、直鎖または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、エイコシル基等が挙げられ、中でも、炭素数が１〜１０であるものが好ましい。
アルケニル基としては、例えば、直鎖または分岐状の炭素数２〜２０のアルケニル基が挙げられ、具体的には、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、１−エチル−２−プロペニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、エイコセニル基等が挙げられ、中でも、炭素数が２〜１０であるものが好ましい。
アラルキル基としては、例えば、炭素数７〜１５のアラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。
アリール基としては、例えば、炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基等が挙げられる。
【０００９】
脂環式炭化水素基における脂環式炭化水素としては、例えば、炭素数３〜８のシクロアルカン、炭素数３〜８のシクロアルケン、３〜８員の環が縮合した二環または三環性の脂環式炭化水素等が挙げられる。
炭素数３〜８のシクロアルカンの具体例としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンが挙げられる。
炭素数３〜８のシクロアルケンの具体例としては、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンが挙げられる。
３〜８員の環が縮合した二環または三環性の脂環式炭化水素の具体例としては、例えば、ジヒドロペンタレン、ジヒドロインデン、テトラヒドロナフタレン、ヘキサヒドロフルオレン等が挙げられる。
【００１０】
複素環基における複素環としては、芳香族複素環および脂環式複素環が挙げられる。
芳香族複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員または６員の単環性芳香族複素環、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性芳香族複素環等が挙げられ、具体的には、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、トリアジン環、テトラゾール環、チオフェン環、フラン環、チアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、プリン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環、フェナントロリン環等が挙げられる。
【００１１】
脂環式複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５〜８員の単環性脂環式複素環、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性脂環式複素環等が挙げられ、具体的には、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジヒドロベンゾフラン環、インドリン環、テトラヒドロカルバゾール環、１，８−ジアザビシクロ[５．４．０]ウンデカ−７−エン環等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００１２】
アミノ基の置換基としては、例えば、１個または２個のアルキル基等が挙げられる。ここで、アルキル基は、前記と同義である。アミノ基が置換基として２個のアルキル基を有するとき、該２個のアルキル基は同一でも異なっていてもよい。
【００１３】
アルキル基およびアルコキシル基の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい１〜５個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、アルコキシル基、アルコキシアルコキシル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、複素環基等が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、アルコキシル基および複素環基は、それぞれ前記と同義である。アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基およびアルコキシカルボニル基のアルキル部分は、それぞれ前記のアルキル基と同義である。アルコキシアルコキシル基の２つのアルコキシ部分は、それぞれ前記のアルコキシル基と同義である。アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基およびアリールオキシカルボニル基のアリール部分は、それぞれ前記のアリール基と同義である。
【００１４】
アラルキル基、アリール基および脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい１〜５個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アルケニル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、脂環式炭化水素基、複素環基等が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アルケニル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、脂環式炭化水素基および複素環基は、それぞれ前記と同義である。
【００１５】
アルケニル基の置換基としては、例えば、アルキル基の置換基として前記に挙げた基、置換基を有してもよいアリール基等が挙げられる。ここで、置換基を有してもよいアリール基は、前記と同義である。
【００１６】
複素環基の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい１〜５個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、オキソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、複素環基等が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基および複素環基は、それぞれ前記と同義である。
【００１７】
環Ａが表す複素環の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい１〜５個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、オキソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基等が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基および置換基を有していてもよい複素環基は、それぞれ前記と同義である。アルカノイル基の置換基としては、例えば、アルキル基の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。アロイル基の置換基としては、例えば、アラルキル基の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。
【００１８】
テトラゾール環の置換基としては、同一または異なっていてもよい１〜２個の置換基、具体的には、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基等が挙げられる。
ここで、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基および置換基を有していてもよい複素環基は、それぞれ前記と同義である。
環Ａがテトラゾール環であるときの環Ａで表される基の具体例としては、置換基を有していてもよい５−テトラゾリル基等が挙げられる。ここで、５−テトラゾリル基の置換基としては、例えば、テトラゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。
【００１９】
ベンゾオキサゾール環の置換基としては、同一または異なっていてもよい１〜５個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基等が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基および置換基を有していてもよい複素環基は、それぞれ前記と同義である。
環Ａがベンゾオキサゾール環であるときの環Ａで表される基の具体例としては、置換基を有していてもよい２−ベンゾオキサゾリル基等が挙げられる。ここで、２−ベンゾオキサゾリル基の置換基としては、例えば、ベンゾオキサゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。
【００２０】
ベンゾチアゾール環の置換基としては、同一または異なっていてもよい１〜５個の置換基、具体的には、ベンゾオキサゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。
環Ａがベンゾチアゾール環であるときの環Ａで表される基の具体例としては、置換基を有していてもよい２−ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。ここで、２−ベンゾチアゾリル基の置換基としては、例えば、ベンゾチアゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。
【００２１】
化合物（Ｉ）の各基において、
Ｒ１、Ｒ３およびＲ４としては、水素原子が好ましい。
Ｒ２としては、置換基を有していてもよいアミノ基または置換基を有していてもよいアルコキシル基が好ましく、置換基を有していてもよいアルコキシル基がより好ましい。
Ｒ５としては、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基または置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
環Ａとしては、置換基を有していてもよいテトラゾール環、置換基を有していてもよいベンゾチアゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環が好ましく、置換基を有していてもよいテトラゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環がより好ましく、置換基を有していてもよいアリール基を置換基として有するテトラゾール環が特に好ましい。
化合物（Ｉ）としては、上記で示した好ましいＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５および環Ａがそれぞれ組み合わされた化合物が好ましい。
【００２２】
＜金属＞
金属としては、例えば、コバルト、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウム、鉄等が挙げられ、中でも、コバルトが好ましい。
【００２３】
＜アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種＞
アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種としては、アミンに１つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、または第４級アンモニウムイオンが好ましく、第４級アンモニウムイオンがより好ましい。
【００２４】
アミンに１つまたはそれ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン（以下、アミンの陽イオンという）におけるアミンとしては、塩基性の窒素原子を１個有するもの（モノアミン）または塩基性の窒素原子を２個以上有するもの（ポリアミン）を使用することができる。
アミンの具体例としては、例えば、置換基を有していてもよい脂肪族第１アミンで炭素数１〜３０のもの（例えば、ブチルアミン、エタノールアミン、エチレンジアミン等）、置換基を有していてもよい脂肪族第２アミンで炭素数２〜３０のもの（例えば、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジエタノールアミン等）、置換基を有していてもよい脂肪族第３アミンで炭素数３〜３０のもの（例えば、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロピルエチルアミン等）、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の脂環式アミン、置換基を有していてもよい芳香族アミン、置換基を有していてもよい塩基性の含窒素複素環化合物（例えば、ピリジン、キノリン、インドール、ベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、１，８−ジアザビシクロ[５．４．０]ウンデカ−７−エン等）、ケイ素を含有するアミン（例えば、ヘプタメチルジシラザン等）等が挙げられる。これらの中でも、置換基を有していてもよい脂肪族第３アミンが好ましい。
【００２５】
脂環式アミンとしては、例えば、３〜８員の単環性脂環式炭化水素環を有し、塩基性の窒素原子上に脂肪族鎖を有していてもよく、塩基性の窒素原子と該単環性脂環式炭化水素環との間に脂肪族鎖を有していてもよいアミン等が挙げられる。ここで、塩基性の窒素原子上に有していてもよい脂肪族鎖としては、例えば、アルキル基として前記に挙げた基が例示される。塩基性の窒素原子と該単環性脂環式炭化水素環との間に有していてもよい脂肪族鎖としては、例えば、アルキル基として前記に挙げた基から炭素上の水素原子を1個除くことに生じるアルキレン基等が例示される。脂環式アミンの具体例としては、例えば、シクロヘキシルアミン、（シクロへキシルメチル）アミン等が挙げられる。
【００２６】
芳香族アミンとしては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族炭化水素環を有し、塩基性の窒素原子上に脂肪族鎖を有していてもよく、塩基性の窒素原子と該芳香族炭化水素環との間に脂肪族鎖を有していてもよいアミン等が挙げられる。ここで、塩基性の窒素原子上に有していてもよい脂肪族鎖は前記と同義である。塩基性の窒素原子と該芳香族炭化水素環との間に有していてもよい脂肪族鎖としては、例えば、塩基性の窒素原子と該単環性脂環式炭化水素環との間に有していてもよい脂肪族鎖として前記に挙げた基等が例示される。芳香族アミンの具体例としては、例えば、アニリン、ナフチルアミン、ベンジルアミン、トリベンジルアミン等が挙げられる。
【００２７】
脂肪族第１アミン、脂肪族第２アミンおよび脂肪族第３アミンの置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい置換数１〜５の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、アルコキシル基、アルコキシアルコキシル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、アルコキシル基、アルコキシアルコキシル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基およびアルコキシカルボニル基は、それぞれ前記と同義である。
【００２８】
脂環式アミンおよび芳香族アミンの置換基のうち、脂環式アミンにおける環および芳香族アミンにおける環の置換基としては、例えば、脂肪族第１アミン、脂肪族第２アミンおよび脂肪族第３アミンの置換基として前記に挙げた基、置換基を有していてもよいアルキル基等が例示される。ここで、置換基を有していてもよいアルキル基は前記と同義である。脂環式アミンおよび芳香族アミンが脂肪族鎖を有するときの該脂肪族鎖の置換基としては、例えば、脂肪族第１アミン、脂肪族第２アミンおよび脂肪族第３アミンの置換基として前記に挙げた基等が例示される。
【００２９】
塩基性の含窒素複素環化合物の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい１〜５個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、オキソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基およびアリールオキシカルボニル基は、それぞれ前記と同義である。
【００３０】
第４級アンモニウムイオンとしては、例えば、式（Ｕ）
【化３】
2015017039.tif 000004
(式中、Ｌ１は、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基または置換基を有していてもよいアロイル基を表し、１０個のＬ１は、それぞれ同一または異なっていてもよく、隣接する炭素原子上の２つのＬ１とそれらが隣接するＣ＝Ｃとが一緒になって置換基を有していてもよいベンゼン環を形成してもよい)で表されるイオン、式（Ｖ）
【化４】
2015017039.tif 000005
(式中、ｒは、１〜６の整数を表し、Ｌ２およびＬ３は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基または置換基を有していてもよいアロイル基を表し、６つのＬ２および２つのＬ３は、それぞれ同一または異なっていてもよく、隣接する炭素原子上の２つのＬ２とそれらが隣接するＣ＝Ｃとが一緒になって置換基を有していてもよいベンゼン環を形成してもよく、隣接する炭素原子上の１つのＬ２と１つのＬ３とそれらが隣接するＣ＝Ｃとが一緒になって置換基を有していてもよいベンゼン環を形成してもよく、２つのＬ３とそれらが隣接するＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとが一緒になって置換基を有していてもよいベンゼン環を形成してもよい)で表されるイオン、式（Ｗ）
【化５】
2015017039.tif 000006
(式中、ｓは、１〜１０の整数を表し、Ｌ４は、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基または置換基を有していてもよいアロイル基を表す)で表されるイオン、式（Ｘ）
【化６】
2015017039.tif 000007
(式中、ｔは、１または２を表し、Ｌ５は、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基または置換基を有していてもよいアロイル基を表す)で表されるイオン、式（Ｙ）
【化７】
2015017039.tif 000008
(式中、Ｌ６は、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基または置換基を有していてもよいアロイル基を表す)で表されるイオン等が挙げられる。
【００３１】
ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基および置換基を有していてもよいアロイル基は、それぞれ前記と同義である。アリールオキシ基およびベンゼン環の置換基としては、例えば、アラルキル基の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。
【００３２】
式（Ｕ）において、Ｌ１は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましい。
【００３３】
式（Ｖ）において、Ｌ２は、水素原子であるのが好ましく、Ｌ３は、水素原子を表すかまたは２つのＬ３とそれらが隣接するＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとが一緒になって置換基を有していてもよいベンゼン環を形成することが好ましく、ｒは、２〜４の整数であるのが好ましい。
【００３４】
式（Ｗ）において、Ｌ４は、同一または異なっていてもよい、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましく、ｓは、２〜１０の整数であるのが好ましい。
【００３５】
式（Ｘ）において、Ｌ５は、同一または異なっていてもよい、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましい。
【００３６】
式（Ｙ）において、Ｌ６は、同一または異なっていてもよい、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましい。
【００３７】
第４級アンモニウムイオンの具体例を以下に示す。
【化８】
2015017039.tif 000009
【００３８】
化合物（Ｉ）と、金属と、アミンの陽イオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種と、からなる錯化合物としては、例えば、式（Ｚ）
【化９】
2015017039.tif 000010
(式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５および環Ａは、それぞれ前記と同義であり、Ｍは金属を表し、Ｑｎ＋はアミンの陽イオン、アンモニウムイオンおよび第４級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる１種を表し、ｎは１〜３の整数を表す)で表される化合物等が挙げられる。ここで、金属、アミンおよび第４級アンモニウムイオンは、それぞれ前記と同義である。ｎは１または２であるのが好ましい。
【００３９】
＜化合物（Ｉ）の製造方法＞
次に、化合物（Ｉ）の製造法について例を挙げて説明する。
化合物（Ｉ）は、例えば、反応式（１）
【化１０】
2015017039.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５および環Ａは、それぞれ前記と同義である）に従って製造することができる。具体的には、化合物（ＩＩ）と化合物（ＩＩＩ）とを、溶媒中、１０℃〜１００℃で、０．１時間〜３０時間反応させて化合物（Ｉ）を製造することができる。
化合物（ＩＩ）の使用量は、化合物（ＩＩＩ）に対して０．５倍モル〜５倍モル量であるのが好ましい。
【００４０】
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、オクタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、デカン、テトラデカン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メトキシベンゼン、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド等の含硫黄系溶媒、アセトニトリル等が挙げられる。
【００４１】
化合物（ＩＩ）のうち、Ｒ５が置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基であるものは、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、「Ｂｉｏｏｒｇａｎｉｃ  ＆  Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ」，２０１１年，第２１巻，第１０号，ｐ．２８５５−２８５９、「Ｂｕｌｌｅｔｉｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ」，２００５年，第７８巻，第２号，ｐ．２８４−２８７、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ」，１９８５年，第１０７巻，第８号，ｐ．２５７１−２５７３等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。
【００４２】
化合物（ＩＩ）のうち、Ｒ５が水素原子であるものは、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、「Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ」，１９９３年，第４９巻，第１９号，ｐ．４０１５−４０３４、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，２０１０年，第７５巻，第１３号，ｐ．４５９６−４５９９等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。
【００４３】
化合物（ＩＩＩ）は、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、社団法人日本化学会編，「実験化学講座（第２０巻）」，第４版，丸善株式会社，１９９１年，ｐ．３０−４６，ｐ．１１２−１８５，ｐ．２７９−２９０，ｐ．３３８−３４２、社団法人日本化学会編，「実験化学講座（第１３巻）」，第５版，丸善株式会社，１９９１年，ｐ．３７４−４１６、社団法人日本化学会編，「実験化学講座（第１４巻）」，第５版，丸善株式会社，２００３年，ｐ．２８９−３２０、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＆  Ｐｅａｒｓｏｎ編，「Ｓｕｒｖｅｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ(第１巻)」，Ｗｉｌｅｙ-Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ，１９７０年，ｐ．４１１−５１２、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＆  Ｐｅａｒｓｏｎ編，「Ｓｕｒｖｅｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ(第２巻)」，Ｗｉｌｅｙ-Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ，１９７７年，ｐ．８１２−８５３、Ｓａｕｌ  Ｐａｔａｉ編，「Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  ａｍｉｎｏ  ｇｒｏｕｐ」，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，１９６８年，ｐ．２７７−３４７、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｙ」，１９９９年，第６４巻，ｐ．５６４４−５６４９等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。
反応後、必要に応じて、化合物（Ｉ）を有機合成化学で通常用いられる方法（例えば、各種クロマトグラフィー法、再結晶法、蒸留法等）で精製してもよい。
【００４４】
＜錯化合物の製造方法＞
次に、本発明の錯化合物の製造法について、例を挙げて説明する。
化合物（Ｉ）とコバルトとアミンの陽イオンとからなる錯化合物は、例えば、化合物（Ｉ）と、コバルトの塩または有機コバルト化合物と、アミンとを、溶媒中、酸素の存在下、０℃〜１２０℃で、０．５時間〜３０時間反応させることにより製造することができる（以下、この方法を製造法１という）。
【００４５】
コバルトの塩としては、例えば、酢酸コバルト（ＩＩ）、塩化コバルト（ＩＩ）、臭化コバルト（ＩＩ）、ヨウ化コバルト（ＩＩ）、フッ化コバルト（ＩＩ）、フッ化コバルト（ＩＩＩ）、炭酸コバルト（ＩＩ）、シアン化コバルト（ＩＩ）、これらの水和物等が挙げられる。
有機コバルト化合物としては、例えば、トリス（カルボネート）コバルト（ＩＩＩ）酸ナトリウム、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート水和物、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネート等が挙げられる。
【００４６】
アミンは、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、社団法人日本化学会編，「実験化学講座(第２０巻)  有機化合物の合成と反応ＩＩ」，第１版，丸善株式会社，１９５６年，ｐ．３９１−５８２、社団法人日本化学会編，「新実験化学講座(第１４巻)  有機化合物の合成と反応ＩＩＩ」，第２版，丸善株式会社，１９７８年，ｐ．１３３２−１３９９、社団法人日本化学会編，「新実験化学講座(第２０巻)  有機合成ＩＩ」，第４版，丸善株式会社，１９９２年，ｐ．２９９−３１３、社団法人日本化学会編，「新実験化学講座(第１４巻)  有機化合物の合成ＩＩ」，第５版，丸善株式会社，２００５年，ｐ．３５１−３７７、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＆  Ｐｅａｒｓｏｎ編，「Ｓｕｒｖｅｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ(第１巻)」，Ｗｉｌｅｙ-Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ，１９７０年，ｐ．４１１−５１２、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＆  Ｐｅａｒｓｏｎ編，「Ｓｕｒｖｅｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ(第２巻)」，Ｗｉｌｅｙ-Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ，１９７７年，ｐ．３９１−４５９、Ｓａｕｌ  Ｐａｔａｉ編，「Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  ａｍｉｎｏ  ｇｒｏｕｐ」，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，１９６８年，ｐ．３７−６９、Ｂａｒｔｏｎ  ＆  Ｏｌｌｉｓ編，「Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｔｈｅ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ(第２巻)」，Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ，１９７９年，ｐ．１−１８１、Ｋａｔｒｉｔｚｋｙ  ＆  Ｒｅｅｓ編，「Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ，１９８４年，ｐ．５２５−５２８等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。
【００４７】
化合物（Ｉ）の使用量は、コバルトの塩または有機コバルト化合物におけるコバルト原子に対して０．３倍モル〜４倍モル量であるのが好ましい。
塩基性の窒素原子をｍ個有するアミンを使用するとき、該アミンの使用量は、コバルトの塩または有機コバルト化合物におけるコバルト原子に対して０．３／ｍ〜２０／ｍ倍モル量であるのが好ましい。
【００４８】
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、アセトニトリル、これらの混合溶媒等が挙げられる。
【００４９】
反応後、必要に応じて、有機合成化学で通常用いられる方法（例えば、各種カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、溶媒による洗浄等）で得られた錯化合物を精製してもよい。
コバルトの塩または有機コバルト化合物の代わりに、コバルト以外の金属の塩または有機金属化合物であって金属がコバルト以外であるものを用いる以外は、製造法１と同様に操作して、化合物（Ｉ）とコバルト以外の金属（例えば、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウム、鉄等）とアミンの陽イオンとからなる錯化合物を製造することができる（以下、この方法を製造法２という）。
【００５０】
コバルト以外の金属の塩または有機金属化合物であって金属がコバルト以外であるものとしては、例えば、ロジウムの塩、有機ロジウム化合物、イリジウムの塩、有機イリジウム化合物、アルミニウムの塩、有機アルミニウム化合物、ガリウムの塩、有機ガリウム化合物、鉄の塩、有機鉄化合物等が挙げられる。
【００５１】
ロジウムの塩としては、例えば、酢酸ロジウム（ＩＩ）二量体、塩化ロジウム（ＩＩＩ）、これらの水和物等が挙げられる。
有機ロジウム化合物としては、例えば、ロジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、ロジウム（ＩＩ）ヘキサノネート等が挙げられる。
イリジウムの塩としては、例えば、塩化イリジウム（ＩＩＩ）、臭化イリジウム（ＩＩＩ）、これらの水和物等が挙げられる。
有機イリジウム化合物としては、例えば、イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート等が挙げられる。
アルミニウムの塩としては、例えば、酢酸アルミニウム（ＩＩＩ）、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）＝テトラヒドロフラン錯体、臭化アルミニウム（ＩＩＩ）、ヨウ化アルミニウム（ＩＩＩ）、水酸化アルミニウム（ＩＩＩ）、これらの水和物等が挙げられる。
有機アルミニウム化合物としては、例えば、アルミニウム（ＩＩＩ）トリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム（ＩＩＩ）トリス（エチルアセトアセトネート）、アルミニウム（ＩＩＩ）イソプロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）エチルアセトアセトネート＝ジイソプロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）イソプロポキシド、アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、アルミニウムエトキシド等が挙げられる。
ガリウムの塩としては、例えば、塩化ガリウム（ＩＩＩ）、臭化ガリウム（ＩＩＩ）、ヨウ化ガリウム（ＩＩＩ）、これらの水和物等が挙げられる。
有機ガリウム化合物としては、例えば、ガリウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート等が挙げられる。
鉄の塩としては、例えば、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、フッ化鉄（ＩＩ）、フッ化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩ）、これらの水和物等が挙げられる。
有機鉄化合物としては、例えば、鉄（ＩＩ）アセチルアセトネート、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、鉄（ＩＩＩ）エトキシド等が挙げられる。
アミンの代わりにアンモニアを用いる以外は、製造法１と同様に操作して、本発明の錯化合物のうち、化合物（Ｉ）とコバルトとアンモニウムイオンとからなる錯化合物を製造することができる。
アミンの代わりにアンモニアを用いる以外は、製造法２と同様に操作して、化合物（Ｉ）とコバルト以外の金属とアンモニウムイオンとからなる錯化合物を製造することができる。
【００５２】
化合物（Ｉ）と金属と第４級アンモニウムイオンとからなる錯化合物は、例えば、化合物（Ｉ）と金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物と、対応する第４級アンモニウム塩とを溶媒中、０℃〜１２０℃で、０．５時間〜３０時間反応させることにより製造することができる。ここで、化合物（Ｉ）と金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物は、製造法１または２に準じて製造することにより得ることができる。
【００５３】
第４級アンモニウム塩における陰イオンとしては、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、酢酸イオン等が挙げられる。
第４級アンモニウム塩は、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、Ｓａｕｌ  Ｐａｔａｉ編，「Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  ａｍｉｎｏ  ｇｒｏｕｐ」，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，１９６８年，ｐ．１６１−１９９、Ｋａｔｒｉｔｚｋｙ  ＆  Ｒｅｅｓ編，「Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ，１９８４年，ｐ．９９−１６４およびｐ．５１５−５２８、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，２００６年，第１６巻，ｐ．３４５−３４７、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ」，２００９年，第１３１巻，ｐ．９９３１−９９３３等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。
【００５４】
化合物（Ｉ）と金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物（ここで、アミンの陽イオンにおけるアミンは、塩基性の窒素原子をｍ個有する）と、ｎ価の第４級アンモニウム塩とを反応させて、化合物（Ｉ）と金属とｎ価の第４級アンモニウムイオンとからなる錯化合物を製造するとき、使用するｎ価の第４級アンモニウム塩に含まれる第４級アンモニウムイオンと、使用する化合物（Ｉ）と金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物に含まれるアミンの陽イオンとのモル比は、０．３ｍ／ｎ〜１０ｍ／ｎ（第４級アンモニウムイオン／アミンの陽イオン）であるのが好ましい。
【００５５】
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、これらの混合溶媒等が挙げられる。
反応後、必要に応じて、有機合成化学で通常用いられる方法（例えば、各種カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、溶媒による洗浄等）で得られた錯化合物を精製してもよい。
【００５６】
以下に、化合物（Ｉ）の具体例を例示する。
【化１１】
2015017039.tif 000012
【００５７】
本発明の錯化合物の具体例を、表１に示す。
表１中、陽イオンは、アミンの陽イオンまたは第４級アンモニウムイオンを表し、モル比は、本発明の錯化合物中における各成分のモル比［化合物（Ｉ）：金属：陽イオン]を表す。
表１中、Ａ１およびＡ２は以下のアミンの陽イオンを表す。式中、Ｅｔはエチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表し、ｉ−Ｂｕはイソブチル基を表す。Ｂ１〜Ｂ１２は上記例示した第４級アンモニウムイオンを表す。
【化１２】
2015017039.tif 000013
【００５８】
【表１】
2015017039.tif 000014
【００５９】
本発明の錯化合物は、光記録媒体用色素、紫外線吸収剤、３次元記録材料としての二光子吸収用色素、短波長レーザー（例えば、青紫色レーザー等）光対応の増感色素等として使用することができる。
本発明の錯化合物は、優れた溶解性、優れた塗膜性、優れた耐光性、優れた耐湿熱性、優れた耐水性等の特性を有する。
【００６０】
（光記録媒体）
本発明の光記録媒体は、本発明の錯化合物を含有し、優れた耐光性、優れた耐湿熱性、優れた記録再生特性等を有する。
本発明の光記録媒体としては、例えば、基板、反射層、記録層、透明保護層およびカバー層を備えているもの等が挙げられ、基板上に、反射層、記録層、透明保護層およびカバー層がこの順に設けられているものが好ましい。
【００６１】
本発明の光記録媒体としては、例えば、本発明の錯化合物を含有する記録層を有するもの等が挙げられる。本発明の錯化合物を用いて該記録層を形成するとき、本発明の錯化合物は、単独でまたは２種以上を混合して用いてもよい。
本発明の錯化合物と他の色素とを併用して用いてもよい。他の色素としては、記録用のレーザー光の波長域に吸収を有するものが好ましい。また、情報記録（記録層、反射層または透明保護層、およびカバー層における熱的変形によりレーザー照射箇所に形成される記録マーク等）の形成が阻害されないようなものを他の色素として用いることが好ましい。他の色素としては、例えば、本発明の錯化合物以外の含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を混合して用いてもよい。他の色素のうち７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの近赤外レーザー光、６２０ｎｍ〜６９０ｎｍの赤色レーザー光等のレーザー光を用いた記録に適する色素と本発明の錯化合物とを併用して、複数の波長域のレーザー光での記録が可能である光記録媒体を作製することもできる。
【００６２】
記録層は、必要に応じてバインダーを含有してもよい。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を混合して用いてもよい。
【００６３】
また、記録層は、該記録層の安定性および耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーや記録感度向上剤等を含有してもよい。
一重項酸素クエンチャーとしては、遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトネート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等と遷移金属とのキレート化合物等）等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を混合して用いてもよい。
記録感度向上剤としては、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものをいい、例えば、エチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトネート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体等の有機金属化合物等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を混合して用いてもよい。
【００６４】
本発明の光記録媒体の記録層の厚さは、１ｎｍ〜５μｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１５ｎｍ〜６０ｎｍであるのがさらに好ましい。
記録層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の公知の薄膜形成法で形成することができるが、量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。スピンコート法により記録層を形成する場合、適切な膜厚を得るために、本発明の錯化合物の濃度を０．３質量％〜２．５質量％に調製した溶液を用いることが好ましく、回転数を５００ｒｐｍ〜１０，０００ｒｐｍにするのが好ましい。スピンコート法により溶液を塗布した後、加熱、減圧乾燥、溶媒蒸気への曝露等の処理を行ってもよい。
【００６５】
溶液を塗布することにより記録層を形成する場合（例えば、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等）に用いる溶液の溶媒としては、基板および記録層を塗布する前に基板上に形成した層（例えば、反射層等）を侵さない溶媒であればよく、特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を混合して用いてもよい。
【００６６】
本発明の光記録媒体の基板は、レーザー光による記録再生のため、表面上に螺旋状に形成される案内溝が形成されているものが好ましい。基板としては、狭トラックピッチである微細な溝を形成しやすいものが好ましく、具体的には、ガラス、プラスチック等が挙げられる。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性等の点からポリカーボネート樹脂であるのが好ましい。
基板は前記のプラスチックを射出成形して作製するのが好ましい。射出成形により基板を作製する方法としては、案内溝が形成されたＮｉ等の金属からなるスタンパーを用いる方法等が挙げられる。
前記スタンパーを作製するための原盤は、例えば、以下のようにして作製される。円盤状のガラス基板の表面を平滑になるよう研磨する。その基板上に所望の溝深さに応じて厚さを調整したフォトレジストを塗布する。次いで青紫色レーザー光よりも短い波長のレーザー光または電子ビームを用いてフォトレジストを露光し、現像を行うことにより、案内溝が形成された原盤を作製する。
次いで、この原盤表面にＮｉ等の導電膜を真空製膜し、メッキ工程を経て、案内溝が形成されたＮｉ等の金属からなるスタンパーを作製する。このスタンパーを用いて前記のプラスチックを射出成形することにより、表面上に案内溝が形成された基板を作製する。
該案内溝としては、凹凸の頂点面と底辺面の高低差（溝深さ）が１５ｎｍ〜８０ｎｍであるのが好ましく、２５ｎｍ〜５０ｎｍであるのがより好ましい。凸部と凹部の幅の比率としては４０％：６０％〜６０％：４０％（凸部：凹部）の範囲であるのが好ましい。
【００６７】
反射層は金属であるのが好ましい。金属としては、例えば、金、銀、アルミニウムまたはそれらの合金等が挙げられるが、５５０ｎｍ以下の波長のレーザー光に対する反射率や表面の平滑性の点から、銀または銀を主成分とする合金が好ましい。該銀を主成分とする合金は銀を９０％程度以上含むものが好ましく、銀以外の成分としてＣｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、ＢｉおよびＭｏの群から選ばれる１種類以上を含むものが好ましい。反射層は、例えば、蒸着法、スパッタリング法（例えば、ＤＣスパッタリング法等）、イオンプレーティング法等によって基板上に形成することができる。記録再生特性を向上させるため、または反射率を調整する等の目的で、反射層と記録層との間に中間層を設けてもよい。中間層としては、具体的には、金属、金属酸化物、金属窒化物等が挙げられる。反射層の厚さは５ｎｍ〜３００ｎｍであるのが好ましく、２０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましい。
【００６８】
透明保護層としては、記録再生時に使用するレーザー光に対して吸収を有しないか、わずかな吸収しか有しないものが好ましく、屈折率の実数部が比較的大きく、１．５〜２．０前後の値を有するものが好ましい。透明保護層としては、具体的には、金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物またはこれらの混合物等が挙げられる。
透明保護層の厚さは、５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが好ましい。透明保護層の厚さが５ｎｍ以上の場合には、記録層に変形を生じさせて形成した記録マークがこの記録マーク間の未記録部分と明確に分離できるためより良好な信号が得られる。また、透明保護層の厚さが５０ｎｍ以下の場合には、透明保護層の変形が生じやすいためより良好な信号が得られる。透明保護層はスパッタリング法（例えば、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法等）等によって記録層の上に形成することができる。透明保護層をスパッタリング法で形成する際に用いるターゲット材としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等が挙げられる。
【００６９】
カバー層は、例えば、表面に記録再生レーザー光に対して透明、かつ、粘着力のある接着層を有する厚さ約０．１ｍｍのポリカーボネート樹脂製のシートを用い、接着層を介してシートを透明保護層に加圧接着することにより、透明保護層の上に形成することができる。接着層としては、情報記録の際に記録層および透明保護層の変形を阻害しないものが好ましい。カバー層は紫外線硬化樹脂を用いて形成することもでき、該紫外線硬化樹脂としては、接着層と同様に、情報記録の際に記録層および透明保護層の変形を阻害しないものが好ましい。
カバー層の上にハードコートを形成することが好ましい。
【００７０】
本発明の光記録媒体は本発明の錯化合物を含有することから、記録時に使用するレーザー光の波長は３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであるのが好ましい。一般的に、記録時に使用するレーザー光の波長が短いほど高密度な記録が可能となる。
レーザー光の具体例としては、例えば、中心波長が４０５ｎｍ、４１０ｎｍ等である青紫色レーザー光、中心波長が５１５ｎｍである青緑色の高出力半導体レーザー光等が挙げられ、中でも、中心波長が４０５ｎｍである青紫色の高出力半導体レーザー光が好ましい。
基本発振波長が７４０ｎｍ〜９６０ｎｍである連続発振可能な半導体レーザー光、半導体レーザー光によって励起されかつ基本発振波長が７４０ｎｍ〜９６０ｎｍである連続発振可能な固体レーザー光等を、第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによって得られる光を用いてもよい。ＳＨＧとしては、反射対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ（ＫＨ２ＰＯ４）、ＡＤＰ（ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４）、ＢＮＮ（Ｂａ２ＮａＮｂ５Ｏ１５）、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ５）、化合物半導体等が好ましい。
ＳＨＧにより波長変換することによって得られる光（第二高調波）の具体例としては、基本発振波長が８６０ｎｍである半導体レーザー光を波長変換した４３０ｎｍ光、基本発振波長が８６０ｎｍである半導体レーザー励起の固体レーザー光を波長変換した４３０ｎｍ光等が挙げられる。
【００７１】
本発明の光記録媒体は、ＢＤであるのが好ましい。ＢＤは波長４０５ｎｍの青紫色レーザーを使用し、対物レンズのＮＡを０．８５とすることによりレーザースポット径を小さくして、より高密度の情報を記録する光記録媒体である。ＢＤ−Ｒでは基板上に反射層と、記録層と、透明保護層と、基板よりも薄いカバー層とが順次積層されている。カバー層側から青紫色レーザー光を照射して記録再生を行う。
【実施例】
【００７２】
以下、合成例、実施例および試験例により、本発明をさらに具体的に説明する。
略号の説明を、以下に示す。
ＴＦＰ：２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
【００７３】
［化合物（Ｉ）の原料の製造］
「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｙ」，１９９９年，第６４巻，ｐ．５６４４−５６４９に記載の方法に準じて、５−クロロ−１−フェニル−１Ｈ−テトラゾールとヒドラジン水化物とを反応させることにより５−ヒドラジノ−１−フェニル−１Ｈ−テトラゾールを得た。
５−ヒドラジノ−１−フェニル−１Ｈ−テトラゾールの製造方法と同様にして、２−ヒドラジノベンゾオキサゾールを得た。
【００７４】
［第４級アンモニウム塩の製造］
「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ」，１９５０年，第７２巻，ｐ．２０４０−２０４４に記載の方法に準じて、キノリンと１，５−ジブロモペンタンとを反応させることにより１−［５−（１−キノリニウミル）ペンチル］キノリニウムジブロミドを得た。
１−［５−（１−キノリニウミル）ペンチル］キノリニウムジブロミドの製造方法と同様にして、２−［５−（２−イソキノリニウミル）ペンチル］イソキノリニウムジブロミド、および３，５−ジメチル−１−｛４−［（３，５−ジメチル−１−ピリジニウムイル）メチル］ベンジル｝ピリジニウムジクロリドを得た。
【００７５】
「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，２００６年，第１６巻，ｐ．３４５−３４７に記載の方法に準じて、１，１’−ビス（２，４−ジニトロフェニル）−４，４’−ビピリジニウムジクロリドと４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリンとを反応させることにより１，１’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビピリジニウムジクロリドを得た。
【００７６】
「Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒｓ」，２００７年，第９巻，ｐ．３４９５−３４９８に記載の方法に準じて、１，２−ジメチルイミダゾールとα，α’−ジクロロ−ｏ−キシリレンとを反応させることにより１，２−ジメチル−３−｛２−［（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）メチル］ベンジル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジクロリドを得た。
１，２−ジメチル−３−｛２−［（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）メチル］ベンジル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジクロリドの製造方法と同様にして、１−（２−シアノエチル）−２−メチル−３−｛４−［１−（２−シアノエチル）−２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］ブチル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジブロミド、１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−３−｛４−［１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］ブチル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジブロミド、４，４’−ビス［（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）メチル］−１，１’−ビフェニルジクロリド、４，４’−ビス｛［１−（２−シアノメチル）−２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］メチル｝−１，１’−ビフェニルジクロリド、１，４−ビス｛［１−（２−シアノメチル）−２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］メチル｝ベンゼンジクロリド、および１，２−ジメチル−３−［４−（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）ブチル］−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジブロミドを得た。
【００７７】
「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ」，２００９年，第１３１巻，ｐ．９９３１−９９３３に記載の方法に準じて、２，２’−ビピリジンと１，３−ジブロモプロパンとを反応させることにより７，８−ジヒドロ−６Ｈ−ジピリド［１，２−ａ：２’，１’−ｃ］［１，４］ジアゼピンジイウムジブロミドを得た。
【００７８】
［化合物（Ｉ）の製造］
合成例１：化合物（Ｉ−１）の製造
４−（ジエチルアミノ）サリチルアルデヒド１０．００ｇ、５−ヒドラジノ−１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール９．１１ｇおよびメタノール１００ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却して、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより化合物（Ｉ−１）１７．１３ｇ（収率９４％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９７（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），３．２８−３．３４（４Ｈ，ｍ），６．０３−６．１６（２Ｈ，ｍ），６．９４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．５５−７．６５（５Ｈ，ｍ），８．１５（１Ｈ，ｓ），１０．１６（１Ｈ，ｓ），１１．１１（１Ｈ，ｓ）．
【００７９】
合成例２：化合物（Ｉ−２）の製造
４−メトキシサリチルアルデヒド６．００ｇ、５−ヒドラジノ−１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール６．９５ｇおよびメタノール６０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却して、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより化合物（Ｉ−２）１１．７５ｇ（収率９６％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：３．７２（３Ｈ，ｓ），６．３４−６．３９（２Ｈ，ｍ），７．０２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．５５−７．６５（５Ｈ，ｍ），８．２４（１Ｈ，ｓ），１０．４０（１Ｈ，ｓ），１１．３９（１Ｈ，ｓ）．
【００８０】
合成例３：化合物（Ｉ−３）の製造
４−メトキシサリチルアルデヒド３．００ｇ、２−ヒドラジノ−ベンゾオキサゾール２．９４ｇおよびエタノール６０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却して、析出した固体を濾取し、エタノールで洗浄後、乾燥することにより化合物（Ｉ−３）５．４２ｇ（収率９７％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：３．７６（３Ｈ，ｓ），６．４７−６．５２（２Ｈ，ｍ），７．０５−７．４８（５Ｈ，ｍ），８．３５（１Ｈ，ｓ），１０．９１（１Ｈ，ｓ），１１．９３（１Ｈ，ｓ）．
【００８１】
[錯化合物の製造］
（実施例１）
−錯化合物（１）の製造−
化合物（Ｉ−１）５．００ｇ、ジイソブチルアミン３．６８ｇおよびメタノール５０ｍｌの混合物に酢酸コバルト（ＩＩ）４水和物１．７７ｇを加え、混合物を５０℃で４時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１）５．０９ｇ（収率８１％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８９．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９３−１．００（２４Ｈ，ｍ），１．９２−１．９９（２Ｈ，ｍ），２．７４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．１８−３．２０（８Ｈ，ｍ），５．６８−５．９５（４Ｈ，ｍ），７．１４−７．３１（４Ｈ，ｍ），７．５４−７．５８（４Ｈ，ｍ），７．９９−８．０８（６Ｈ，ｍ），８．４２（２Ｈ，ｓ）．
【００８２】
（実施例２）
−錯化合物（２）の製造−
錯化合物（１）１．００ｇ、１−［５−（１−キノリニウミル）ペンチル］キノリニウムジブロミド０．３０ｇおよびメタノール１５ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（２）１．０３ｇ（収率９９％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８８．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９２−０．９５（２４Ｈ，ｍ），１．４５−１．６６（２Ｈ，ｍ），１．９６−２．００（４Ｈ，ｍ），３．１９−３．１９（１６Ｈ，ｍ），４．９６−４．９９（４Ｈ，ｍ），５．６６−５．９３（８Ｈ，ｍ），７．１４−７．２９（８Ｈ，ｍ），７．５１−７．５５（８Ｈ，ｍ），７．９８−８．１８（１４Ｈ，ｍ），８．４１−８．５０（８Ｈ，ｍ），９．２１−９．４４（４Ｈ，ｍ）．
【００８３】
（実施例３）
−錯化合物（３）の製造−
錯化合物（１）１．００ｇ、２−［５−（２−イソキノリニウミル）ペンチル］イソキノリニウムジブロミド０．３０ｇおよびメタノール１５ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（３）１．０２ｇ（収率９８％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８８．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９４−０．９７（２４Ｈ，ｍ），１．３３−１．４４（２Ｈ，ｍ），２．０２−２．０６（４Ｈ，ｍ），３．１３−３．１７（１６Ｈ，ｍ），４．６５−４．６８（４Ｈ，ｍ），５．６６−５．９４（８Ｈ，ｍ），７．１３−７．３０（８Ｈ，ｍ），７．５３−７．５７（８Ｈ，ｍ），８．０４−８．０６（１０Ｈ，ｍ），８．２３−８．７４（１４Ｈ，ｍ），９．９９（２Ｈ，ｓ）．
【００８４】
（実施例４）
−錯化合物（４）の製造−
錯化合物（１）１．００ｇ、３，５−ジメチル−１−｛４−［（３，５−ジメチル−１−ピリジニウムイル）メチル］ベンジル｝ピリジニウムジクロリド０．２４ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（４）１．０２ｇ（収率９８％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８８．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９２−０．９５（２４Ｈ，ｍ），２．３５（１２Ｈ，ｓ），３．０９−３．１８（１６Ｈ，ｍ），５．６４−５．９３（１２Ｈ，ｍ），７．１２−７．２９（８Ｈ，ｍ），７．５１−７．５５（１２Ｈ，ｍ），８．０３−８．４３（１４Ｈ，ｍ），８．８６（４Ｈ，ｓ）．
【００８５】
（実施例５）
−錯化合物（５）の製造−
錯化合物（１）１．００ｇ、１，２−ジメチル−３−｛２−［（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）メチル］ベンジル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジクロリド０．２３ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（５）０．９７ｇ（収率９４％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８８．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９２−０．９７（２４Ｈ，ｍ），２．３３（６Ｈ，ｓ），３．０５−３．１６（１６Ｈ，ｍ），３．６４（６Ｈ，ｓ），５．５２−５．９２（１２Ｈ，ｍ），６．６４−６．６６（２Ｈ，ｍ），７．１２−７．６１（２２Ｈ，ｍ），８．０２−８．０４（８Ｈ，ｍ），８．４４（４Ｈ，ｓ）．
【００８６】
（実施例６）
−錯化合物（６）の製造−
錯化合物（１）１．００ｇ、１，１’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビピリジニウムジクロリド０．３１ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（６）１．０６ｇ（収率９７％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８６．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９２−０．９５（２４Ｈ，ｍ），１．３６（１８Ｈ，ｍ），３．１３−３．１７（１６Ｈ，ｍ），５．６５−５．８９（８Ｈ，ｍ），７．１１−７．２９（８Ｈ，ｍ），７．５２−８．２３（２４Ｈ，ｍ），８．４３（４Ｈ，ｓ），８．９１−９．５６（８Ｈ，ｍ）．
【００８７】
（実施例７）
−錯化合物（７）の製造−
化合物（Ｉ−２）１１．００ｇ、ジイソブチルアミン９．１６ｇおよびメタノール９０ｍｌの混合物に酢酸コバルト（ＩＩ）４水和物４．４１ｇを加え、混合物を５０℃で６時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（７）１１．７８ｇ（収率８３％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７３．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：０．９３（１２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），１．９１−１．９８（２Ｈ，ｍ），２．７３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．５５（６Ｈ，ｓ），６．０５−６．０７（４Ｈ，ｍ），７．２８−７．３３（４Ｈ，ｍ），７．５４−７．５８（４Ｈ，ｍ），８．０５−８．０７（６Ｈ，ｍ），８．５９（２Ｈ，ｓ）．
【００８８】
（実施例８）
−錯化合物（８）の製造−
錯化合物（７）０．５０ｇ、１，２−ジメチル−３−｛２−［（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）メチル］ベンジル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジブロミド０．１２ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（８）０．４６ｇ（収率９０％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７３．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：２．４１（６Ｈ，ｓ），３．４９（１２Ｈ，ｓ），３．７２（６Ｈ，ｓ），５．４５−５．５５（４Ｈ，ｍ），５．９９−６．０６（８Ｈ，ｍ），６．７２−６．７５（２Ｈ，ｍ），７．２８−７．６６（２２Ｈ，ｍ），８．０４−８．０６（８Ｈ，ｍ），８．６１（４Ｈ，ｓ）．
【００８９】
（実施例９）
−錯化合物（９）の製造−
錯化合物（７）０．５０ｇ、１−（２−シアノエチル）−２−メチル−３−｛４−［１−（２−シアノエチル）−２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］ブチル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジブロミド０．１７ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（９）０．４４ｇ（収率８５％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７２．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：１．６８−１．７５（４Ｈ，ｍ），２．６４（６Ｈ，ｓ），３．０９−３．１２（４Ｈ，ｍ），３．５５（１２Ｈ，ｓ），４．１３−４．１８（４Ｈ，ｍ），４．４４−４．４７（４Ｈ，ｍ），６．０５−６．０７（８Ｈ，ｍ），７．２８−７．７２（２０Ｈ，ｍ），８．０５−８．０６（８Ｈ，ｍ），８．５９（４Ｈ，ｓ）．
【００９０】
（実施例１０）
−錯化合物（１０）の製造−
錯化合物（７）０．５０ｇ、１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−３−｛４−［１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］ブチル｝−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジブロミド０．２１ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１０）０．５１ｇ（収率９１％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７２．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：１．４６−１．５２（４Ｈ，ｍ），３．００−３．０３（４Ｈ，ｍ），３．５４（１２Ｈ，ｓ），３．８１−３．９０（４Ｈ，ｍ），４．２０−４．２３（４Ｈ，ｍ），６．０５−６．０７（８Ｈ，ｍ），７．２８−７．３３（８Ｈ，ｍ），７．５４−８．０７（３０Ｈ，ｍ），８．５９（４Ｈ，ｓ）．
【００９１】
（実施例１１）
−錯化合物（１１）の製造−
錯化合物（７）０．５０ｇ、７，８−ジヒドロ−６Ｈ−ジピリド［１，２−ａ：２’，１’−ｃ］［１，４］ジアゼピンジイウムジブロミド０．１２ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１１）０．４４ｇ（収率９２％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７３．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：２．６９−２．８０（２Ｈ，ｍ），３．５５（１２Ｈ，ｓ），４．９７−５．００（４Ｈ，ｍ），６．０５−６．０８（８Ｈ，ｍ），７．２８−７．５８（１６Ｈ，ｍ），８．０５−８．４８（１２Ｈ，ｍ），８．５９（４Ｈ，ｓ），８．９０−９．３３（４Ｈ，ｍ）．
【００９２】
（実施例１２）
−錯化合物（１２）の製造−
錯化合物（７）０．５０ｇ、４，４’−ビス［（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）メチル］−１，１’−ビフェニルジクロリド０．１５ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１２）０．４８ｇ（収率９０％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７３．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：２．６０（６Ｈ，ｓ），３．５４（１２Ｈ，ｓ），３．７４（６Ｈ，ｓ），５．４３（４Ｈ，ｓ），６．０５−６．０７（８Ｈ，ｍ），７．２８−７．７２（２８Ｈ，ｍ），８．０５−８．０６（８Ｈ，ｍ），８．５９（４Ｈ，ｓ）．
【００９３】
（実施例１３）
−錯化合物（１３）の製造−
錯化合物（７）０．５０ｇ、４，４’−ビス｛［１−（２−シアノメチル）−２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］メチル｝−１，１’−ビフェニルジクロリド０．１８ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１３）０．５０ｇ（収率９０％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７３．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：２．７０（６Ｈ，ｓ），３．１４（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），３．５４（１２Ｈ，ｓ），４．４７（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），５．４７（４Ｈ，ｓ），６．０５−６．０７（８Ｈ，ｍ），７．２８−７．８１（２８Ｈ，ｍ），８．０５−８．０６（８Ｈ，ｍ），８．５９（４Ｈ，ｓ）．
【００９４】
（実施例１４）
−錯化合物（１４）の製造−
錯化合物（７）０．５０ｇ、１，４−ビス｛［１−（２−シアノメチル）−２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル］メチル｝ベンゼンジクロリド０．１５ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１４）０．５０ｇ（収率９４％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３７３．０ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：２．６５（６Ｈ，ｓ），３．１２（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），３．５４（１２Ｈ，ｓ），４．４６（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），５．４２（４Ｈ，ｓ），６．０５−６．０７（８Ｈ，ｍ），７．２８−７．５８（２０Ｈ，ｍ），７．７３−８．０６（１２Ｈ，ｍ），８．５９（４Ｈ，ｓ）．
【００９５】
（実施例１５）
−錯化合物（１５）の製造−
化合物（Ｉ−３）２．００ｇ、ジイソプロピルエチルアミン１．８２ｇおよびメタノール２０ｍｌの混合物に酢酸コバルト（ＩＩ）４水和物０．８８ｇを加え、混合物を５０℃で６時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１５）２．３５ｇ（収率８９％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８０．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：１．２１−１．２６（１５Ｈ，ｍ），３．０８−３．１７（２Ｈ，ｍ），３．５３（６Ｈ，ｓ），３．５６−３．６２（２Ｈ，ｍ），５．９７−６．０２（４Ｈ，ｍ），６．５２−７．２６（１０Ｈ，ｍ），８．１４（１Ｈ，ｓ），８．５０（２Ｈ，ｓ）．
【００９６】
（実施例１６）
−錯化合物（１６）の製造−
錯化合物（１５）０．５０ｇ、１，２−ジメチル−３−［４−（１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−３−イウム−３−イル）ブチル］−１Ｈ−イミダゾール−３−イウムジブロミド０．１５ｇおよびメタノール１０ｍｌを混合し、５０℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物（１６）０．４８ｇ（収率９６％）を得た。
吸収極大波長（ＴＦＰ）：３８０．５ｎｍ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）ｐｐｍ：１．６０−１．７３（４Ｈ，ｍ），２．５３（６Ｈ，ｓ），３．５３（１２Ｈ，ｓ），３．７１（６Ｈ，ｓ），４．０１−４．１６（４Ｈ，ｍ），５．９８−６．０２（８Ｈ，ｍ），６．５２−７．５９（２４Ｈ，ｍ），８．５１（４Ｈ，ｓ）．
【００９７】
（試験例１）
−溶解性試験−
２０ｍｇの錯化合物（１）〜（１６）のそれぞれに９８０ｍｇのＴＦＰを加え、室温で３０分間超音波振動を加えた。２０ｍｇの錯化合物（１）〜（１６）がＴＦＰ  ９８０ｍｇに完全に溶解していることを目視により確認した。
【００９８】
（試験例２）
−塗膜性試験−
２０ｍｇの錯化合物（１）〜（１６）のそれぞれを９８０ｍｇのＴＦＰに溶解し、テフロン（登録商標）製フィルター（Ｗｈａｔｍａｎ社製、孔径０．２０μｍ）で濾過し、錯化合物（１）〜（１６）の溶液をそれぞれ得た。基板としてポリカーボネート樹脂製の板（太佑機材社製；直径２インチ、厚さ１ｍｍ）を用いて、ミカサ社製１Ｈ−ＳＸを用いてスピンコート法（３，０００ｒｐｍ、３０秒間、溶液の使用量；０．２５ｇ〜０．３０ｇ）にて該溶液を基板上に塗布し、該基板を７０℃で３０分間オーブン中にて乾燥して、錯化合物の薄膜をそれぞれ得た。得られた錯化合物（１）〜（１６）の薄膜にはむらがなく、均質に製膜されていることを目視により確認した。
【００９９】
（試験例３）
−耐湿熱性試験−
塗膜性試験と同様にして、錯化合物（２）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）の薄膜をそれぞれ得た。サタケ化学機械工業社製恒温恒湿槽ＫＨＷＩＩ−４０ＨＰを用いて、該薄膜を温度８０℃、相対湿度８０％の雰囲気に１００時間曝露した。耐湿熱性試験の前後の薄膜において、分光光度計を用いて、紫外可視吸収スペクトルを測定した。耐湿熱性試験前の吸収極大波長における吸光度（Ｉａ０）に対する耐湿熱性試験後の吸収極大波長における吸光度（Ｉａ）の比（Ｉａ／Ｉａ０）、および耐湿熱性試験前後の吸収極大波長の変化［Δλｍａｘ（ａ）］を表２に示す。
ここで、耐湿熱性試験後の吸収極大波長は、耐湿熱性試験後の吸収スペクトルにおける吸収極大波長を表す。比（Ｉａ／Ｉａ０）が１に近いほど、また、Δλｍａｘ（ａ）が小さいほど、優れた耐湿熱性を有することを表す。
錯化合物（２）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）の薄膜は、それぞれ優れた耐湿熱性を有していることがわかった。
【０１００】
【表２】
2015017039.tif 000015
【０１０１】
（試験例４）
−耐水性試験−
塗膜性試験と同様にして、錯化合物（２）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）の薄膜をそれぞれ得た。該薄膜を２５℃の水に３０分間浸した。耐水性試験の前後の薄膜において、分光光度計を用いて紫外可視吸収スペクトルを測定した。耐水性試験前の吸収極大波長における吸光度（Ｉｂ０）に対する耐水性試験後の吸収極大波長における吸光度（Ｉｂ）の比（Ｉｂ／Ｉｂ０）、および耐水性試験前後の吸収極大波長の変化［Δλｍａｘ（ｂ）］を表３に示す。
ここで、耐水性試験後の吸収極大波長は、耐水性試験後の吸収スペクトルにおける吸収極大波長を表す。比（Ｉｂ／Ｉｂ０）が１に近いものほど、また、Δλｍａｘ（ｂ）が小さいものほど、優れた耐水性を有することを表す。
錯化合物（２）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）の薄膜は、それぞれ優れた耐水性を有していることがわかった。
【０１０２】
【表３】
2015017039.tif 000016
【０１０３】
（実施例１７）
−光記録媒体の製造−
基板として、中央に貫通孔を有し、かつ表面にトラックピッチ０．３２μｍの案内溝を有する外径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート樹脂製の円盤を用いた。該基板の案内溝が形成された面の上に、スパッタリング法により４０ｎｍ〜６０ｎｍの厚さのＡｇ合金の反射層を形成した。
２０ｍｇの錯化合物（２）を１，９８０ｍｇのＴＦＰに溶解し、テフロン（登録商標）製フィルター（Ｗｈａｔｍａｎ社製、孔径０．２０μｍ）で濾過して、錯化合物（２）の溶液を得た。該溶液をミカサ社製１Ｈ−ＳＸを用いてスピンコート法（１，２００ｒｐｍ〜５，０００ｒｐｍ、１０秒間、溶液の使用量；１ｍｌ）により該反射層の上に塗布し、７０℃、３０分間オーブン中にて該基板を乾燥して、記録層を形成した。次いで、該記録層の上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（組成比；ＺｎＳ／ＳｉＯ２＝８０質量％／２０質量％）をターゲット材として用いたＲＦスパッタリング法により、１０ｎｍ〜２０ｎｍの厚さの透明保護層を形成した。次いで、該透明保護層の上に、リンテック社製カバーフィルム貼付装置（Ｏｐｔｅｒｉａ  ＭＯＤＥＬ３００ｍ／ＳＴ）を用い、同社製カバーフィルム（Ｄ−９００）を貼付けることにより、光記録媒体（２）を製造した。
錯化合物（２）を用いる代わりに、錯化合物（３）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）を用いる以外は、光記録媒体（２）の製造法と同様にして、光記録媒体（３）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）をそれぞれ製造した。
【０１０４】
（試験例５）
−光記録媒体の記録再生特性評価試験−
光記録媒体（２）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）について、記録再生装置（パルステック工業社製、ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録用レーザー光の記録パワーが３ｍＷ〜８ｍＷの範囲で、記録パワーにおけるジッタの依存性を測定した［測定条件：波長４０５ｎｍ、開口数ＮＡ  ０．８５、記録速度９．８４ｍ／ｓ（２倍速）］。
得られた記録パワーにおけるジッタの依存性において、記録パワーが３ｍＷ〜８ｍＷの範囲で最小のジッタをボトムジッタとした。得られたボトムジッタ、およびボトムジッタ値における記録パワーを表４に示す。ボトムジッタ、および記録パワーが小さいほど優れた記録再生特性を有することを表す。
光記録媒体（２）〜（６）、（８）〜（１４）、および（１６）は、それぞれ優れた記録再生特性を有することがわかった。中でも、光記録媒体（９）、（１０）、（１２）、（１３）および（１４）は、特に優れた記録再生特性を有することがわかった。
【０１０５】
【表４】
2015017039.tif 000017
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明により、優れた記録再生特性等を有する光記録媒体に用いられる錯化合物等を提供できる。