(57)【要約】【課題】位置合わせ用の高コントラスト膜が位置合わせ用凹部内に存在するナノインプリント用モールドを簡単な工程で製造する。【解決手段】基板上の薄膜に凹凸を形成するのに用いるナノインプリント用モールドの製造方法であって、次の（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とする。  （１）ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程  （２）前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び／又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程  （３）前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント面に、デバイスパターン用の凹凸が形成されたデバイスパターン領域と、位置合わせマーク用の位置合わせマーク領域とを有し、基板上の薄膜にデバイスパターン用凹凸を形成するのに用いるナノインプリント用モールドの製造方法であって、少なくとも次の（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
（１）ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、前記デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程
（２）前記ドライエッチング工程後、前記ドライエッチング用マスクパターン膜を除去せずに、前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び／又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程
（３）前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程
【請求項２】
前記マスクパターン膜除去工程は、前記マスクパターン膜を溶解除去し得る溶液を用い、超音波を掛けながら行うものである、請求項１に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項３】
前記マスクパターン膜がクロム、酸化クロム、ニッケル、アルミニウム、チタン、酸化チタンから選択される金属の膜である、請求項１又は２に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項４】
前記モールドが石英、サファイア、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ、ＣａＦ２、窒化ケイ素、樹脂のいずれかからなり、前記高コントラスト膜が、チタン、酸化チタン、タンタル、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、非晶質シリコン、モリブテン、ケイ化モリブテン、チタン酸ストロンチウム、銅、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、クロム、酸化クロムのいずれかからなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項５】
前記高コントラスト膜形成工程は、次の（２−１）〜（２−３）の工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
（２−１）前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺以外の前記マスクパターン膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
（２−２）前記凹部内部と、凹部周辺の前記マスクパターン膜上と、前記レジスト膜上に高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程
（２−３）前記レジスト膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上にのみ高コントラスト膜を残存させる工程
【請求項６】
前記薄膜は光硬化性樹脂からなるものである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイス、マイクロセンサなどのナノ加工品の製造に用いるナノインプリント用の高コントラスト位置合わせマークを備えたモールドの製造技術に関する。より具体的には、位置合わせ用の高コントラスト膜が位置合わせマーク領域の凹部内に存在するナノインプリント用モールドを従来技術よりも簡単な工程で製造する製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス等のナノ加工品については、微細化の一層の進展により高速動作、低消費電力動作が求められ、また、システムＬＳＩという名で呼ばれる機能の統合化などの高い技術が求められている。このような中、半導体デバイスのパターンを作製するためのリソグラフィ技術は、パターンの微細化が進むにつれ、露光装置などが極めて高価になってきており、また、それに用いるマスク価格も高価になっている。
【０００３】
このように高価となってきたリソグラフィ技術に替わるものとして、ナノインプリント法は、装置価格や使用材料などが安価でありながら、１０ｎｍ程度の高解像度を有する微細パターン形成技術として注目されている。
【０００４】
ナノインプリント法には、熱可塑性樹脂を用いて熱により凹凸パターンを転写する熱インプリント法や、光硬化性樹脂を用いて紫外線により凹凸パターンを転写する光インプリント法などが知られている。
このようなナノインプリント法は、一度モールドを作製すれば、ナノ構造が簡単に繰り返して成型できるため高いスループットが得られて経済的であるとともに、有害な廃棄物が少ないナノ加工技術であるため、近年、半導体デバイスに限らず、さまざまな分野への応用が期待されている。
【０００５】
特に、図１に示されるような光インプリント法は、室温下の低い印加圧力でパターン転写でき、熱インプリント法のような加熱・冷却サイクルが不要でモールド（１）や樹脂（２）の熱による寸法変化が生じない。硬化前は樹脂が液状のため、位置合わせ（アライメント）工程においては基板とモールドの間に樹脂を充填した状態でアライメントを行うことができる（インリキッドアライメントと称する）。その場合モールド（１）と基板（３）とのギャップが樹脂液膜厚で決まるため、基板（３）に対するモールド（１）の平行性が良く、また、ギャップを小さくすることで焦点差が小さく光学系の精度が良い、モールドと樹脂の接触工程などが終了した最終状態で位置合わせ（アライメント）し紫外線（ＵＶ）等の光を照射するだけで動作がないため位置ずれが生じない。以上の理由により、解像性、アライメント精度、生産性などの点で優れていると言われている。
【０００６】
上述のようなナノインプリント法を用いて凹凸パターンを被転写基板に転写する際には、モールド（１）と基板（３）との位置合わせを精密に行う必要がある。一般的には、モールド（１）側に設けられている位置合わせ用マーク（アライメントマーク；４）と、被転写基板（３）に設けられている位置合わせ用マーク（４）とを、モールド側から光学的に検出することにより位置合わせを行う（図１参照）。
【０００７】
しかしながら、光透過性の位置合わせ構造を用いたモールド（１）と、ＵＶ硬化性樹脂（２）等の光硬化性樹脂とが接触し、インリキッドアライメントを行おうとすると、両者の屈折率差が小さいために、位置合わせ用マーク（４）が不鮮明になり、位置合わせが困難化するという問題点が認識された。
【０００８】
このような問題点を解決するため、光硬化性樹脂にチタン酸化物等の屈折率を変化させる添加物を含有させ、モールドと光硬化性樹脂との屈折率差を大きくする技術（特許文献１参照）、モールド面に突出したクロム系の膜を形成してアライメントマーク像のコントラストを高くする技術（特許文献２参照）が提案されている。
しかしながら、特許文献１のように、光硬化性樹脂に屈折率を変化させる添加物を含有させる場合には、高屈折率な金属を微細な粒状にして添加するため、工程のコストが増大するし、また、光硬化性樹脂の特性に変化が生じ、エッチング耐性や現像液耐性等を変化させて、フォトリソグラフィー工程等を再調整する必要性も生じる。さらに、添加物が添加された光硬化性樹脂を硬化後に製品中残存させる場合、製品物性への金属汚染などの影響も考慮する必要性が生じる。
【０００９】
また、特許文献２のように、モールド面に突出したクロム系の膜を形成する場合には、前述のような添加物が必要ないし、また、比較的簡易なプロセスで高コントラストの位置合わせマークを形成できる利点を有するものの、クロム系の膜がモールド面に突出して形成されているため、その突出段差が製品側に転写されてしまうという問題点が存在するし、また、突出した形状のため使用中の接触磨耗等により繰り返し使用性や耐久性に劣るという問題点も存在している。そのため、シリコン系の保護膜を形成することにより耐久性を改善する必要がある。
【００１０】
これらに対し、特許文献３には、次の（ａ）〜（ｆ）のような工程（図２参照）により、位置合わせマークの凹部内にのみにタンタル膜等の高コントラスト膜（２）が存在するインプリント用のテンプレート（モールド）を製造することが記載されている。
（ａ）石英基材（１）の位置合わせマーク領域（４）に凹部と、デバイスパターン領域（５）にデバイス用の複数の凹凸部とを形成する工程 
（ｂ）前記位置合わせマーク領域（４）上に高コントラスト膜（２）を堆積させる工程 
（ｃ）前記位置合わせマーク領域（４）及びデバイスパターン領域（５）上にレジスト膜（３）の層を形成する工程 
（ｄ）前記位置合わせマーク領域（４）の前記凹部内にのみ前記レジスト膜（３）の層を残存させ、それ以外のレジスト膜（３）の層を全て除去する工程 
（ｅ）前記位置合わせマーク領域（４）から前記高コントラスト膜（２）の一部を除去して、高コントラスト膜（２）を前記位置合わせマーク領域（４）の前記凹部内にのみに残存させる工程 
（ｆ）前記位置合わせマーク領域（４）の前記凹部内のレジスト膜（３）の残存部分を除去して、前記位置合わせマーク領域（４）の前記凹部内に残存する高コントラスト膜（２）を露出させる工程 
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１２−２８５３６号公報
【特許文献２】特開２０１３−３０５２２号公報
【特許文献３】特表２０１３−５１９２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前記特許文献３に記載された製造方法により製造されたモールドでは、位置合わせマーク領域（４）の凹部内にのみに高コントラスト膜（２）が存在するので、前述のような添加物は必要ないし、また、繰り返し使用性や耐久性に優れていることが予想される。
しかしながら、前述の工程（ａ）〜（ｆ）を含む製造方法は、非常に複雑なプロセスとなっているという問題点が存在する。
また、工程（ｄ）においては、位置合わせマーク領域（４）の凹部内にのみ正確にレジスト膜（３）の層を残存させるための工程制御が困難であるという問題点も存在している。例えば、凹部が浅い場合や凹部の形状が以前のものと異なる場合などでは、凹部内にのみ選択的にレジスト膜（３）を残留させるための加工量（時間）等の正確な制御が困難である。
【００１３】
したがって、本発明の課題は、位置合わせ用の高コントラスト膜が位置合わせマーク領域の凹部内に存在するナノインプリント用モールドを特許文献３に記載されたような従来技術よりも簡単な工程で製造できるナノインプリント用モールドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
一般的なナノインプリント用モールドの製造工程に用いるクロム膜は、モールド基材のドライエッチング用のマスクであり、薄膜であるためリフトオフマスクとして使用することは、不可能と考えられていたためか、全く想定されて来なかった。このためドライエッチングマスク用のクロム膜をリフトオフマスクとして利用する試みは少なくともナノインプリントのモールド作製においては報告されていない。
本発明者は、位置合わせ用の高コントラスト膜が位置合わせマーク領域の凹部内に存在するナノインプリント用モールドを製造するための様々な工程についての試験研究過程において、モールド基材ドライエッチングマスク用のクロム膜をエッチング等で除去する際に、該クロム膜がその膜上に形成されたチタン膜等の高コントラスト膜を意外にもリフトオフできることを知見した。
【００１５】
本発明は、前述のような知見に基づいて完成したものであり、本件により次のような発明が提供される。
＜１＞インプリント面に、デバイスパターン用の凹凸が形成されたデバイスパターン領域と、位置合わせマーク用の位置合わせマーク領域とを有し、基板上の薄膜にデバイスパターン用凹凸を形成するのに用いるナノインプリント用モールドの製造方法であって、少なくとも次の（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
（１）ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、前記デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程
（２）前記ドライエッチング工程後、前記ドライエッチング用マスクパターン膜を除去せずに、前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び／又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程
（３）前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程
＜２＞前記マスクパターン膜除去工程は、前記マスクパターン膜を溶解除去し得る溶液を用い、超音波を掛けながら行うものである、＜１＞に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
＜３＞前記マスクパターン膜がクロム、酸化クロム、ニッケル、アルミニウム、チタン、酸化チタンから選択される金属の膜である、＜１＞又は＜２＞に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
＜４＞前記モールドが石英、サファイア、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ、ＣａＦ2、窒化ケイ素、樹脂のいずれかからなり、前記高コントラスト膜が、チタン、酸化チタン、タンタル、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、非晶質シリコン、モリブテン、ケイ化モリブテン、チタン酸ストロンチウム、銅、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、クロム、酸化クロムのいずれかからなる、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
＜５＞前記高コントラスト膜形成工程は、次の（２−１）〜（２−３）の工程を含む、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
（２−１）前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺以外の前記マスクパターン膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
（２−２）前記凹部内部と、凹部周辺の前記マスクパターン膜上と、前記レジスト膜上に高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程
（２−３）前記レジスト膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上にのみ高コントラスト膜を残存させる工程
＜６＞前記薄膜は光硬化性樹脂からなるものである、＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【００１６】
本発明は、次のような実施態様を含むことができる。
＜７＞前記高コントラスト膜の材料と、前記薄膜の材料及び／又は前記モールドの材料とは、次の（ア）、（イ）のうちの少なくとも１つが該当するものである、＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
（ア）可視光、赤外光の範囲内の所定波長光に対する屈折率ｎにおいて屈折率差が０．１５以上相違する。
（イ）可視光、赤外光の範囲内の所定波長光に対して高コントラスト膜の材料が光吸収のある材質の場合、モールド材質と高コントラスト材による反射率が０．２％以上となる組み合わせ。
＜８＞前記マスクパターン膜は、その膜厚が5〜50nmである、＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
＜９＞前記高コントラスト膜は、その膜厚が2〜30nmである、＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、位置合わせ用の高コントラスト膜が位置合わせマーク領域の凹部内に存在するナノインプリント用モールドを、特許文献３に記載の発明等の従来技術に比べて製造工程を大幅に簡略化することができる。
特許文献３に記載の発明では、凹部内にのみ正確にレジスト膜の層を残存させるための工程制御が困難であり、それに伴い、高コントラスト膜を凹部に即した正確な形状の膜とするのも困難である。そのため、高コントラスト膜は、凹部外にも存在する形状や、逆に、凹部内の一部だけに存在する形状となり、その位置決め精度や耐久性に問題が生じる可能性がある。これに対し、本発明のナノインプリント用モールドの製造方法では、デバイスパターン用の凹凸の形成に使用し、該形成後に残存するインプリント面のマスクパターン膜（クロム膜）の除去を、凹部外の高コントラスト膜の除去に利用するため、レジストパターンの精度や凹部内部の形状に依らず、凹部内部のみに正確に高コントラスト膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ナノインプリント法及びインリキッドアライメントを説明する模式図。
【図２】先行特許文献３に記載された、位置合わせマークの凹部内にのみに高コントラスト膜が存在するインプリント用モールドの製造工程を模式的に示す図面。
【図３】本発明の実施例の製造工程を模式的に説明する図面。
【図４】本発明の実施例の製造工程（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）後における製造中のモールド表面の顕微鏡写真。（ア）は図３の（ｆ）工程後、（イ）は（ｇ）工程後、（ウ）は（ｈ）工程後をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
本発明により製造されるナノインプリント用モールドは、基板上の薄膜にデバイスパターン用凹凸を形成するのに用いる。該凹凸が形成される薄膜の材料としては、高い加工精度が得られる光硬化性樹脂が好ましいが、熱可塑性樹脂等であっても良い。
【００２０】
該ナノインプリント用モールドは、石英、サファイア、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ、ＣａＦ2、窒化ケイ素、樹脂等の基材から形成されたもので、位置合わせのための光や、光硬化のための紫外線を透過させるものを用いる。
該ナノインプリント用モールドは、インプリント面にデバイスパターン用の凹凸が形成されたデバイスパターン領域と、位置合わせマーク用の位置合わせマーク領域とを有し、位置合わせマーク用の凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させている。高コントラスト膜は、位置合わせマーク用凹部の内部にのみ存在するので、繰り返し使用性や耐久性に優れている。
【００２１】
本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、少なくとも次の（１）〜（３）の工程を含んでいる。
（１）ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、前記デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程
（２）前記ドライエッチング工程後、前記ドライエッチング用マスクパターン膜を除去せずに、前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び／又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程
（３）前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程
【００２２】
ドライエッチング用マスクパターン膜の材料は、公知のものが使用できるが、好ましくは、クロム、酸化クロム、ニッケル、アルミニウム、チタン、酸化チタンであり、より好ましくは、クロムである。
ドライエッチング用マスクパターン膜の厚さは、通常使用される範囲、例えば5〜50nmとすることができ、好ましくは7〜30nm、より好ましくは8〜15nmである。
【００２３】
ドライエッチング用マスクパターン膜は、例えば、次の（ａ）〜（ｃ）のような工程により形成されるとともに、モールド基材に対し、デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成する際に使用される。
（ａ）モールド基材にマスク材料の膜を製膜する。
（ｂ）マスク材料膜上にレジスト膜を形成した後、電子線（EB）描画、レーザー描画、光リソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ等により、位置合わせマーク領域とデバイスパターン領域とに、レジスト膜のパターンを形成する。
（ｃ）形成されたレジスト膜のパターンをマスクとして、マスク材料膜と石英基材とのドライエッチングを順次行い、そのドライエッチング工程中において、マスクパターン膜が形成され、該マスクパターン膜をマスクとして、デバイスパターン領域にデバイス用凹凸と、位置合わせマーク領域に位置合わせマーク用の凹部を形成する。
【００２４】
なお、前記（ｃ）のドライエッチング工程では、マスク材料膜やモールド基材を順次ドライエッチングする際、マスク材料膜（マスクパターン膜）上のレジスト膜は、薄くなったり、無くなったりすることもあるが、残存することもある。マスクパターン膜上にレジスト膜が残存する場合、該レジスト膜を除去する。
【００２５】
一般的なナノインプリント用のモールド製造工程では、ここでマスクパターン膜を除去するのが通常であるが、本発明では、マスクパターン膜を除去せずに、上記（２）、（３）の工程において、位置合わせマーク領域の凹部内に高コントラスト膜を形成するのに利用する。
上記（２）の高コントラスト膜形成工程は、前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、高コントラスト膜を形成することが可能であればどのような工程でも良いが、例えば、次のような工程を採用することができる。
（２−ａ）再度のレジスト膜の形成と、電子線（EB）描画、レーザー描画、光リソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ等により、位置合わせ用パターンの領域（すなわち、凹部内部と凹部周辺）を露出するようにレジストパターンを形成する。
（２−ｂ）レジストパターン形成後の表面に高コントラスト膜をスパッタリング等によって製膜すると、位置合わせ用凹部内では、高コントラスト膜がモールド基材に直接接触する形態で形成され、位置合わせマーク領域の凹部周辺では、高コントラスト膜がマスクパターン膜上に形成され、それ以外の部分では、レジスト膜上に高コントラスト膜が形成される。
（２−ｃ）高コントラスト膜形成後、レジスト膜を溶剤で除去すると、レジスト膜上の高コントラスト膜はリフトオフされ、前記凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上にのみ高コントラスト膜が残存する。
【００２６】
高コントラスト膜は、後述のマスクパターン膜を溶解する溶液に耐えて残存するものであって、ナノインプリント用のモールドを用いて基板上の薄膜にナノインプリントを施す際の薄膜の材料及び／又はモールドの材料に対し高コントラストとなる材料から形成される。具体的には、高コントラスト膜の材料と、前記薄膜の材料及び／又は前記モールドの材料とが、次の（ア）、（イ）のうちの少なくとも１つが該当するような高コントラスト膜の材料を選択する。
（ア）可視光、赤外光の範囲内の所定波長光（すなわち、位置合わせマークの検出に用いる光）に対する屈折率ｎにおいて屈折率差が０．１５以上相違する。好ましくは、より安定的に位置合わせマークの検出を行うには０．４以上相違する。
（イ）可視光、赤外光の範囲内の所定波長光（すなわち、位置合わせマークの検出に用いる光）に対して高コントラスト膜の材料が光吸収のある材質の場合、モールド材質と高コントラスト材による反射率が０．２％以上となる組み合わせ。好ましくは、より安定的に位置合わせマークの検出を行うには５％以上となる組み合わせ。
例えば石英とチタンの場合には反射率を求めるＲ＝｛（ｎ0−ｎ）2＋ｋ2｝／｛（ｎ0＋ｎ）2＋ｋ2｝のフレネル式より、ある光源の波長６５０ｎｍにおいて、石英の屈折率ｎ0＝１．４５、チタンの屈折率ｎ＝２．２２、チタンの消衰係数ｋ＝２．９９を代入すると反射率Ｒは４２．５４１％と算出される。
高コントラスト膜の膜厚は、限定するものではないが、通常2〜30nm、好ましくは4〜20nm、より好ましくは6〜15nmである。
【００２７】
レジスト膜の除去後、上記（３）の工程において、高コントラスト膜は実質的に溶解しないがマスクパターン膜を溶解する溶液（例えば、エッチング液等）でマスクパターン膜を除去すると、マスクパターン膜上の高コントラスト膜はリフトオフされる。その際、高コントラスト膜が効果的にリフトオフされるように、超音波を掛けながらマスクパターン膜の除去を行うことが望ましい。
このように、マスクパターン膜上の高コントラスト膜はリフトオフにより除去されるので、高コントラスト膜は、レジストパターンに依らずに、位置合わせマーク用の凹部内部のみに正確に形成できる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明は、このような実施例に限定されない。
【００２９】
本発明の実施例を、図３に示された各工程（ａ）〜（ｈ）の模式図と、工程（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）後の位置合わせマーク領域の実際の顕微鏡写真を示す図４（ア）〜（ウ）に基づいて説明する。
まず、石英基材（２）に厚さ10nmのドライエッチング用マスク材料膜としてのクロム膜（１）を製膜した〔図３（ａ）〕。該クロム膜（１）上にレジスト膜（３）を形成した後、レーザー描画により、位置合わせマーク領域（６）とデバイスパターン領域（７）とに、レジスト膜（３）のパターンを形成した〔図３（ｂ）〕。形成されたレジスト膜（３）のパターンをマスクとして、クロム膜（１）と石英基材（２）のドライエッチングを行い、デバイスパターン領域（７）にデバイス用凹凸と、位置合わせマーク領域（６）に位置合わせマーク用の凹部を形成した〔図３（ｃ）〕。その際、ドライエッチング用マスク材料膜としてのクロム膜（１）は、ドライエッチング用マスクパターン膜としてのクロム膜（１′）となる。なお、クロム膜（１）や石英基材（２）を順次ドライエッチングする際、レジスト膜（３）は、薄くなったり、無くなったりする可能性があるが、本実施例では残存した。ドライエッチング工程後、石英基材（２）上のレジスト膜（３）を除去した〔図３（ｄ）〕。ここで、ドライエッチング用マスクパターン膜としてのクロム膜（１′）を除去するのが一般的なナノインプリント用のモールド製造工程であるが、本発明ではクロム膜（１′）を取り除かず、再び、レジスト膜（４）の形成とレーザー描画によりレジスト膜(４)をパターニングしてアライメントマーク（位置合わせ用パターン）の領域を露出するようにレジスト膜（４）のパターンを形成した〔図３（ｅ）〕。レジストパターン形成後の表面に高コントラスト膜としての厚さ8nm のチタン膜（Ｔｉ；５）をスパッタリング製膜した〔図３（ｆ）、図４（ア）〕。レジスト膜（４）をアセトンで除去することでレジスト膜（４）上のチタン膜（Ｔｉ；５）を同時に除去(リフトオフ)し〔図３（ｇ）、図４（イ）〕、続いてクロム膜（Ｃｒ；１）をクロムエッチング液で超音波を掛けながら除去することでクロム膜（Ｃｒ；１′）上のチタン膜（Ｔｉ；５）を同時に除去(リフトオフ)した〔図３（ｈ）、図４（ウ）〕。
このような本発明の工程によれば、チタン膜（Ｔｉ；５）の形成領域は、工程（ｅ）におけるレジストパターンに依らずに、位置合わせマーク用の凹部内部のみに正確に形成できる〔図４（ウ）参照〕。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明の製造方法により製造されたナノインプリント用モールドは、光インプリント法に用いるのが最も好適であるが、熱インプリント法などの他のナノインプリント法にも使用することができる。
本発明の製造方法により製造されたナノインプリント用モールドは、半導体デバイス、マイクロセンサ等だけでなく、様々な分野の微細凹凸パターンの形成にも幅広く使用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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