(57)【要約】【課題】実施形態は、発光色の制御性に優れ、生産性の高い発光装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る発光装置は、３６０ｎｍ〜４７０ｎｍの波長範囲に発光スペクトルのピーク波長を有する発光体と、前記発光体の放射光により励起される第１蛍光体を備える。前記第１蛍光体は、化学式Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表される。【選択図】図１
2015188050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３６０ｎｍ〜４７０ｎｍの波長範囲に発光スペクトルのピーク波長を有する発光体と、
前記発光体の放射光により励起される第１蛍光体であって、化学式Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表される第１蛍光体と、
を備えた発光装置。
【請求項２】
少なくとも前記発光体の放射光により励起され、発光スペクトルのピーク波長が５５５ｎｍよりも長い第２蛍光体をさらに備えた請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
発光スペクトルのピーク波長が３６０ｎｍよりも短い発光体と、
前記発光体の放射光により励起される第１蛍光体であって、化学式Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表され、発光スペクトルのピーク波長が５００ｎｍ〜５５５ｎｍの波長範囲にある第１蛍光体と、
前記発光体の放射光により励起され、発光スペクトルのピーク波長が５５５ｎｍよりも長い第２蛍光体と、
を備えた発光装置。
【請求項４】
前記第１蛍光体および前記第２蛍光体は、前記発光体を覆う層に含まれる請求項２または３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光体の放射光により励起され、発光スペクトルのピーク波長が４３０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長範囲にある第３蛍光体をさらに備えた請求項３または４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２蛍光体は、ピーク波長が５８０ｎｍから６００ｎｍの間にある請求項２〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２蛍光体は、ストロンチウムシリケート系蛍光体を含む請求項２〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２蛍光体は、（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｙＥｕｘ）３（Ｓｉ１−ｚＧｅｚ）５（０＜ｘ≦０．１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．１）を含む請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を持ち、前記第１の面側に基板を含まない積層体であって、発光層を有する積層体と、
積層体に設けられたｐコンタクト電極及びｎコンタクト電極と、
前記第２の面側に設けられ、外部接続可能な端部を有するとともに、前記ｐコンタクト電極に接続されたｐ側引き出し電極と、
前記第２の面側に設けられ、外部接続可能な端部を有するとともに、前記ｎコンタクト電極に接続されたｎ側引き出し電極と、
前記ｐ側引き出し電極と前記ｎ側引き出し電極との間に設けられた絶縁膜と、
前記積層体の前記第１の面側に、前記積層体との間に基板を介することなく設けられた蛍光体層と、を備え、
前記蛍光体層は、化学式Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表される蛍光体を含む発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の発光体と、発光体から放射される光で励起され、励起光とは異なる波長の光を放射する蛍光体と、を組み合わせた発光装置の開発が進められている。これらの発光装置では、例えば、青色発光ダイオードと、ＹＡＧ蛍光体と、を組み合わせることにより、白色光源を実現することができる。一方、白色光源は、さまざまな用途に用いられ、その用途毎に異なる演色性が求められる。このため、発光色の制御性に優れ、且つ、生産性の高い発光装置が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１０５９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、発光色の制御性に優れ、生産性の高い発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る発光装置は、４７０ｎｍ以下の波長範囲に発光スペクトルのピーク波長を有する発光体と、前記発光体の放射光により励起される第１蛍光体と、を少なくとも備える。前記第１蛍光体は、化学式Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態に係る発光装置を表す模式断面図。
【図２】第１実施形態に係る蛍光体の特性を表すグラフ。
【図３】第１実施形態に係る蛍光体の別の特性を表すグラフ。
【図４】第１実施形態に係る別の蛍光体の特性を表すグラフ。
【図５】第１実施形態に係る発光装置の発光スペクトルを表すグラフ。
【図６】第１実施形態に係る発光装置の製造過程を表す模式断面図。
【図７】図６に続く製造過程を表す模式断面図。
【図８】図７に続く製造過程を表す模式断面図。
【図９】図８に続く製造過程を表す模式断面図。
【図１０】図９に続く製造過程を表す模式断面図。
【図１１】図１０に続く製造過程を表す模式断面図。
【図１２】図１１に続く製造過程を表す模式断面図。
【図１３】第２実施形態に係る発光装置を表す模式断面図。
【図１４】第２実施形態の変形例に係る発光装置を表す模式断面図。
【図１５】第１実施形態に係る発光装置の別の発光スペクトルを表すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【０００８】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る発光装置１を例示する模式断面図である。  
発光装置１は、積層体１５と、その発光面１５ａの上に設けられる蛍光層３０と、を備える。
【０００９】
積層体１５は、例えば、ｎ形半導体層１１と、ｐ形半導体層１２と、発光層１３と、を含み、発光層１３の発光を放出する発光体として機能する。発光層１３は、ｎ形半導体層１１と、ｐ形半導体層１２と、の間に設けられる。
【００１０】
積層体１５の発光面１５ａとは反対側の面上には、樹脂層２５と、ｐ側引き出し電極４１と、ｎ側引き出し電極４３と、が設けられる。ｐ側引き出し電極４１は、樹脂層２５を貫通するように設けられ、ｐ形半導体層１１に電気的に接続される。ｎ側引き出し電極４３は、樹脂層２５を貫通するように設けられ、ｎ形半導体層１２に電気的に接続される。
【００１１】
積層体１５には、ｐ側引き出し電極４１とｎ側引き出し電極４３に電圧印加することで電流が供給される。この電流により、発光層１３が発光し、その光が積層体１５から外部に放射される。
【００１２】
蛍光層３０は、例えば、樹脂層であり、第１の蛍光体（以下、蛍光体３１）を含む。第１の蛍光体は、積層体１５の放射光により励起され、発光層１３の発光波長とは異なる波長の光を放出する。
【００１３】
発光装置１は、蛍光層３０を通過して外部に放出される積層体１５の放射光と、蛍光体３１の放射光と、を混合した光を放出する。
【００１４】
次に、図２〜図４を参照して、蛍光体３１の特性を説明する。  
図２（ａ）および（ｂ）は、第１実施形態に係る蛍光体３１の特性を表すグラフである。  
図２（ａ）は、蛍光体３１の発光スペクトルである。横軸は、発光波長であり、縦軸は、発光強度（任意単位）である。  
図２（ｂ）は、蛍光体３１の励起スペクトルである。横軸は、励起光波長であり、縦軸は、励起光の相対吸収率である。  
図３は、蛍光体３１とＹＡＧ蛍光体の発光スペクトルを比較したグラフである。横軸は、発光光波長であり、縦軸は、相対発光強度である。
【００１５】
蛍光体３１は、化学式：Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表され、カルシウムマグネシウムクロロシリケートにＥｕを添加したものであり、なお、マンガン（Ｍｎ）の比率ｙは、０≦ｙ≦０．２が望ましい（以下、ＣＭＳ蛍光体と記す）。
【００１６】
図２（ａ）は、ユーロピウム（Ｅｕ）の含有量が異なる複数のＣＭＳ蛍光体の発光スペクトルを示している。  
図２（ａ）中に示すＣＭＳ蛍光体の化学式と、その組成に対応する発光ピークの波長は、以下の通りである。  
ＣＭＳ１：Ｃａ７．８Ｅｕ０．２Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５０８．６ｎｍ
ＣＭＳ２：Ｃａ７．６Ｅｕ０．４Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５１２．３ｎｍ
ＣＭＳ３：Ｃａ７．４Ｅｕ０．６Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５１９．７ｎｍ
ＣＭＳ４：Ｃａ７．２Ｅｕ０．８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５２４．６ｎｍ
ＣＭＳ蛍光体は、その組成中のユーロピウム（Ｅｕ）の比率が増加するにつれて発光ピーク波長λｐが長波用側にシフトする。
【００１７】
図２（ｂ）は、ＣＭＳ蛍光体の励起光吸収特性（波長依存性）を表わしている。比較のために、ＹＡＧ蛍光体の励起光吸収特性も示している。
【００１８】
ＣＭＳ蛍光体は、波長４８０ｎｍ以下の光を吸収し、特に、上記組成の範囲については、およそ４５０ｎｍ以下から３７０ｎｍに掛けて励起光の吸収率が増加し、４９０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長範囲の蛍光を放射することが可能である。また、ＣＭＳ蛍光体は、自己吸収が少ないため高効率の蛍光体となる。また、図３に示すように、ＣＭＳ蛍光体の発光ピークにおける強度は、ＹＡＧ蛍光体の２倍以上が可能である。
【００１９】
更に、ＣＭＳ蛍光体は、ＹＡＧ蛍光体の励起光吸収特性と比べると、励起光の波長に対する吸収率の変化が小さい。特に、４６０ｎｍ以下の波長範囲における吸収率の変動が小さいことは顕著な特徴であり、この範囲では、励起波長の変動に対する発光強度変化が小さい。
【００２０】
図４は、第１実施形態に係る別の蛍光体３１の特性を表すグラフである。  
図４に示す蛍光体３１は、その組成中のマグネシウム（Ｍｇ）の一部をマンガン（Ｍｎ）に置き換えたＣＭＳ蛍光体である。図４中に示すＣＭＳ５〜８の化学式と、各組成に対応する発光ピークの波長は、以下の通りである。
【００２１】
ＣＭＳ５：Ｃａ７．８Ｅｕ０．２Ｍｇ０．９８Ｍｎ０．０２（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５０７．４ｎｍ
ＣＭＳ６：Ｃａ７．８Ｅｕ０．２Ｍｇ０．９５Ｍｎ０．０５（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５０８．６ｎｍ
ＣＭＳ７：Ｃａ７．８Ｅｕ０．２Ｍｇ０．９Ｍｎ０．１（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５４６．７ｎｍ
ＣＭＳ８：Ｃａ７．８Ｅｕ０．２Ｍｇ０．８Ｍｎ０．２（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２、λｐ＝５４８ｎｍ
このように、ＣＭＳ蛍光体は、マグネシウム（Ｍｇ）の一部をマンガン（Ｍｎ）に置き換えてもその発光ピーク波長を変化させることができる。
【００２２】
上記の通り、蛍光体３１は、例えば、波長４５０ｎｍの励起光を吸収し、５００ｎｍ〜５５５ｎｍの波長範囲に強度ピークを有する蛍光を放射する。光波長５５５ｎｍは、人の視感度が最大となる波長であり、蛍光体３１は、視感度が最大となる光波長よりも短波長側に発光ピークを有する。
【００２３】
前述したように、本願発明者は、化学式：Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表されるＣＭＳ蛍光体の吸収率の変動が４６０ｎｍ以下の波長範囲で極めて小さいことを見出し、蛍光体３１としてこのＣＭＳ蛍光体を用いることにより、４６０ｎｍ以下の波長範囲において、励起光波長の変動に起因する発光強度変動を抑制可能なことを見出した。これは、蛍光体３１と、青色発光ダイオードと、を組み合わせた発光装置１において、製造過程における青色発光ダイオードの発光波長ばらつきを吸収して安定化した発光強度を得ることができることを意味している。即ち、これにより、発光装置の生産性や製造歩留りを向上させることが可能である。青色発光ダイオードの発光波長としては、例えば、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）による高効率発光が可能な最短波長（３６５ｎｍ）からＣＭＳ蛍光体が吸収可能な４７０ｎｍの範囲が望ましく、低温動作も考慮すると３６０ｎｍ〜４７０ｎｍの青色発光ダイオードを用いることが、高効率発光装置として望ましい。
【００２４】
次に、図５〜図１２、図１５を参照して、発光装置１の構造および製造方法について、詳細に説明する。
【００２５】
図５（ａ）は、第１実施形態に係る発光装置１の発光スペクトルを例示するグラフである。この例では、積層体１５は、波長４５０ｎｍに発光ピークを有する青色発光ダイオードである。また、蛍光層３０は、前述した蛍光体３１に加えて、積層体１５の放射光、および、場合により一部蛍光体３１の蛍光により励起される第２の蛍光体（以下、蛍光体３３）を含む。蛍光体３３は、蛍光体３１の発光ピーク波長よりも長波長に発光ピークを有する光を放射する。これにより、任意の色温度の白色光源を実現することができる。
【００２６】
図５（ａ）に示す例における蛍光体３３は、例えば、波長５８０〜６００ｎｍに発光ピークを有する橙色蛍光体とする。図５（ａ）に示す発光スペクトルでは、励起光である青色光の他、視感度のピーク波長５５５ｎｍの両側に蛍光体３１による青緑光および蛍光体３３による橙色の発光ピークが配置される。この結果、図５（ｂ）に示すように５５５ｎｍにピークを有する視感度曲線（≒等色曲線ｙ）に対し、視感度ピークの両側から視感度曲線内に入るスペクトル成分で明るさを確保し、視感度曲線よりブロードな広がりを持つ太陽光スペクトル（演色指数Ｒａ＝１００）に近い比較的ブロードな発光スペクトルを持つことで高い演色性を確保することができる。これにより、従来一般的に用いられてきた緑〜黄色に発光ピークを有する蛍光体に比し、高効率性と高演色性の両立が容易となる。また、ＣＭＳ蛍光体の蛍光効率の高い発光ピーク波長（５０８〜５２０ｎｍ）と橙色蛍光体のピーク波長（５８０〜６００ｎｍ）を組み合わせることで上記の高輝度、高演色特性を確保し易くなるだけでなく、ＣＭＳ蛍光体の高効率発光ピーク波長（５０８〜５２０ｎｍ）が等色関数ｘのスペクトルの谷間に位置しており、白色光の色度（ｘｙ座標位置）を調整する際、ＣＭＳ蛍光体を調整して輝度に寄与するｙ成分を調整してもｘ成分にあまり影響しないという特徴があり、スペクトル設計の自由度が高いという特徴も持っている。
【００２７】
従来一般的に用いられてきた緑〜黄色に発光ピークを有する蛍光体では、発光ピークが等色曲線ｙのピークに位置しており、輝度（ｙ成分）を調整するとｘ成分も変動してしまい、色度と輝度の調整自由度が少ない。このため、緑〜黄色に発光ピークを有する蛍光体では、色度を保ちつつ輝度を向上することが必ずしも両立しない問題があった。また、従来の蛍光体を用いた白色光スペクトルでは、演色性を上げるために、輝度に関与しない等色曲線y（≒視感度曲線）の範囲外のスペクトル成分が多い赤色光を必要とするが、ＣＭＳ蛍光体を用いた場合、高演色を保持しつつ、蛍光波長の大部分を視感度の高いスペクトル分布とすることが可能である。したがって、ＣＭＳ蛍光体を用いた発光装置においては、高演色かつ高効率な発光装置を得ることが可能である。
【００２８】
このように、ＣＭＳ蛍光体を使うことで、等色曲線ｙ（≒視感度曲線）の積分量を確保するとともに、等色曲線ｘとほぼ独立に等色曲線ｙの積分量を調整可能になり、輝度と演色性を高く保ったまま色度の調整が可能、即ち、高輝度、高演色で、色度を比較的自由に調整可能となる。これにより、高輝度、高演色の白色光源が得られる。
【００２９】
実施形態は、図５に示す発光スペクトルを有する発光装置１に限定される訳ではなく、蛍光体３３として、以下に例示する赤色蛍光体、黄色蛍光体、もしくは、緑色蛍光体を用いても良く、これらの複合体を用いても良い。
【００３０】
橙色乃至赤色蛍光体は、例えば、窒化物系蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ）３（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ５：Ｅｕ蛍光体あるいはそのＡｌとの固溶体、および、サイアロン系蛍光体の少なくともいずれかを含有することができる。
【００３１】
例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）３ＳｉＯ５：Ｅｕまたは（Ｂａ，Ｓｒ）３（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ５：Ｅｕの単一相結晶と、ＣＭＳ蛍光体と、を蛍光体層３０に含有させることにより、高輝度で演色性の高い発光装置１を実現することができる。
【００３２】
また、化学式（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｙＥｕｘ）３（Ｓｉ１−ｚＧｅｚ）５（０＜ｘ≦０．１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．１）で表されるストロンチウムシリケート系蛍光体を用いることができる。具体的には、波長５８０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する（Ｓｒ０．９７Ｅｕ０．０３）３Ｓｉ５、または、波長６００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する（Ｓｒ０．８４５Ｂａ０．１２５Ｅｕ０．０３０）３Ｓｉ５を例示することができる。
【００３３】
上記のストロンチウムシリケート系蛍光体は、ＣＭＳ蛍光体の発光を吸収しない。したがって、ＣＭＳ蛍光体の発光を吸収する窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕを用いる場合よりも、発光効率および演色性の高い光源を実現できる。
【００３４】
図１５は、ストロンチウムシリケート系蛍光体と、ＣＭＳ蛍光体と、を用いた発光装置１の発光スペクトルＥＢを示すグラフである。図１５中には、ＹＡＧ蛍光体を用いた比較例に係る発光装置の発光スペクトルＣＥ、および、暗所視の視感度曲線ｙｄを合わせて示している。
【００３５】
図１５中に示す発光スペクトルＥＢは、波長４５０ｎｍの青色光、波長５１２ｎｍにピークを有するＣＭＳ蛍光体の発光、および、波長５８０ｎｍにピークを有するストロンチウムシリケート系蛍光体の発光を含む。発光スペクトルＥＢを有する発光装置１のＲａは、９０である。発光スペクトルＣＥは、波長４５０ｎｍの青色光と、波長５３０ｎｍ〜６２０ｎｍの範囲にブロードなピークを有するＹＡＧ蛍光体の発光を含む。発光スペクトルＣＥを有する発光装置のＲａは、８０である。すなわち、ストロンチウムシリケート系蛍光体と、ＣＭＳ蛍光体と、を組み合わせた発光装置１の方が、ＹＡＧ蛍光体を用いた発光装置よりも演色性が高い。
【００３６】
また、図１５中に示す視感度曲線ｙｄは、波長５０７ｎｍに視感度のピークを有する。そして、ＣＭＳ蛍光体の発光ピークは、視感度曲線ｙｄのピークの近傍に位置する。すなわち、ＣＭＳ蛍光体を用いることにより、暗視野において明るく感じる発光装置を実現することができる。このような発光装置は、例えば、街灯やトンネル内の照明に有利である。
【００３７】
サイアロン系蛍光体は、例えば、化学式：（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１で表わされる。ここで、Ｍは、Ｓｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、ＣａもしくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、例えば、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、次の関係を満たす。  
０＜ｘ≦１、
０．６＜ａ１＜０．９５、
２＜ｂ１＜３．９、
０．２５＜ｃ１＜０．４５、
４＜ｄ１＜５．７
【００３８】
橙色乃至赤色蛍光体は、上記の例に限らず、例えば、ＣａＳ：Ｅｕ２＋、ＬｉＥｕＷ２Ｏ８、ＳｒＯ：Ｅｕ２＋、３．５Ｍｇ・０．５ＭｇＦ２・Ｇｅ２：Ｍｎ等も用いることができる。
【００３９】
黄色蛍光体は、例えば、ＹＡＧ蛍光体、シリケート系蛍光体（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｌａ３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ３＋蛍光体、Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ、ＢＯＳＥ蛍光体（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕの少なくともいずれかを含有することができる。
【００４０】
例えば、化学式（Ｙ１−ｘＡｘ）３（Ａｌ１−ｘＢｙ）５（Ｏ１−ｚＣｚ）１２（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表されるＹＡＧ蛍光体と、ＣＭＳ蛍光体（例えば、λｐ＝５１２）と、を組み合わせ、波長４５０ｎｍの青色光で励起することにより、Ｒａ＝８２、色温度５０００Ｋの発光装置を得ることができる。ここで、Ａは、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＣａおよびＭｇからなる群から選択される元素である。Ｂは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、ＰおよびＧａからなる群から選択される元素である。Ｃは、Ｆ、Ｃｌ、Ｎ、Ｓからなる群から選択される元素である。また、組成比ｘ、ｙおよびｚは、０≦ｘ＜１、０．０１≦ｙ＜０．２、０．００１≦ｚ＜０．２の範囲にあることが望ましい。
【００４１】
緑色蛍光体は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２：Ｅｕ、シリケート蛍光体（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＹＡＧ蛍光体Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＬＡＧ蛍光体Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、サイアロン系蛍光体の少なくともいずれかを含有することができる。
【００４２】
例えば、化学式（Ｌｕ１−ｘＡｘ）３（Ａｌ１−ｘＢｙ）５（Ｏ１−ｚＣｚ）１２（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表されるＬＡＧ蛍光体と、窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ（例えば、λｐ＝６４０ｎｍ）と、ＣＭＳ蛍光体（例えば、λｐ＝５１２ｎｍ）と、を組み合わせ、波長４５０ｎｍの青色光で励起することにより、Ｒａ＝８１、色温度５０００Ｋの発光装置を得ることができる。ここで、Ａは、Ｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＣａおよびＭｇからなる群から選択される元素である。Ｂは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、ＰおよびＧａからなる群から選択される元素である。Ｃは、Ｆ、Ｃｌ、ＮおよびＳからなる群から選択される元素である。組成比ｘ、ｙおよびｚは、０≦ｘ＜１、０．０１≦ｙ＜０．２、０．００１≦ｚ＜０．２の範囲にあることが望ましい。
【００４３】
サイアロン系蛍光体は、例えば、化学式：（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２で表わされる。ここで、Ｍは、Ｓｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、Ｃａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、例えば、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。  
０＜ｘ≦１、
０．９３＜ａ２＜１．３、
４．０＜ｂ２＜５．８、
０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１
【００４４】
また、別の例として、積層体１５の放射光のピーク波長を、３６０ｎｍよりも短波長としても良い。この場合も、蛍光体３１と、視感度のピーク波長５５５ｎｍよりも長波長側に発光ピークを有する蛍光体を配置することが好ましい。
【００４５】
また、励起光が４３０ｎｍよりも短波長の場合、発光装置１の発光スペクトルに青色成分が不足するため、４３０〜４８０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する青色蛍光体（第３蛍光体）を加えることが望ましい。青色蛍光体には、例えば、酸化物系蛍光体ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、または、Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ等を用いることができる。
【００４６】
また、３６０ｎｍよりも短い波長において励起効率の良い、赤色蛍光体、黄色蛍光体および緑色蛍光体を用いることが好ましい。
【００４７】
赤色蛍光体として、例えば、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ，Ｍｎ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、ＬｉＥｕＷ２Ｏ８を用いることができる。
【００４８】
また、黄色蛍光体として、例えば、（Ｃａ，Ｓｒ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｚｎ２ＧｅＯ４：Ｍｎ等を用いることができる。
【００４９】
緑色蛍光体として、例えば、（Ｃａ，Ｓｒ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ，Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、ＬａＡｌ（ＳｉＡｌ）６Ｎ９Ｏ：Ｃｅ、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ，Ｍｎ、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ等を用いることができる。
【００５０】
次に、図６（ａ）〜図１２（ｂ）を参照して、実施形態の発光装置の製造方法について説明する。図６〜図１２は、第１実施形態に係る発光装置の製造過程を表す模式断面図である。
【００５１】
図６（ａ）に示すように、例えば、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法により、基板１０の主面上に、ｎ形半導体層１１（第１半導体層）、発光層１３およびｐ形半導体層１２（第２半導体層）を順にエピタキシャル成長する。これにより、基板１０の上に、ｎ形半導体層１１、発光層１３およびｐ形半導体層１２を含む半導体層１１５が形成される。半導体層１１５において、基板１０側の面が第１の面（発光面）１５ａであり、その反対側の面が第２の面１５ｂである。
【００５２】
基板１０は、例えば、シリコン基板である。または、基板１０はサファイア基板やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板であってもよい。積層体１５は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む窒化物半導体層である。
【００５３】
ｎ形半導体層１１は、例えば、基板１０の主面上に設けられたバッファ層と、バッファ層上に設けられたｎ型ＧａＮ層とを含む。ｐ形半導体層１２は、例えば、発光層１３の上に設けられたｐ型ＡｌＧａＮ層と、その上に設けられたｐ型ＧａＮ層とを含む。発光層１３は、例えば、ＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。発光層１３は、例えば、３６０ｎｍ〜４７０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する。また、発光層１３は、例えば、３６０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有するものでも構わない。
【００５４】
図６（ｂ）は、ｐ形半導体層１２および発光層１３を選択的に除去した状態を表している。例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、ｐ形半導体層１２及び発光層１３を選択的にエッチングし、ｎ形半導体層１１を露出させる。
【００５５】
次に、図７（ａ）に示すように、ｎ形半導体層１１を選択的に除去し、溝９０を形成する。基板１０の主面上で、溝９０によって半導体層１１５は複数の積層体１５に分離される。積層体１５は、発光層１３を含む発光体として機能する。溝９０は、基板１０上に、例えば、格子状にアレイとして形成される（図示しない）。
【００５６】
溝９０は、半導体層１１５を貫通し、基板１０に達する。エッチング条件によっては、基板１０の主面もエッチングされ、溝９０の底面が、基板１０と半導体層１１５との界面よりも下方に後退しても良い。なお、溝９０は、ｐコンタクト電極１６およびｎコンタクト電極１７を形成した後に形成してもよい。
【００５７】
図７（ｂ）に示すように、ｐ形半導体層１２の表面にｐコンタクト電極１６が形成される。また、ｐ形半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去された部分のｎ形半導体層１１の表面に、ｎコンタクト電極１７が形成される。
【００５８】
ｐ形半導体層１２の上に形成されるｐコンタクト電極１６は、発光層１３の放射光を反射する反射膜を含む。例えば、ｐコンタクト電極１６は、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、ｐコンタクト電極１６は、硫化、酸化防止のため、金属保護膜（バリアメタル）を含んでも良い。
【００５９】
次に、図８（ａ）に表すように、基板１０の上に設けられた構造体を覆うように絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８は、積層体１５の第２の面、ｐコンタクト電極１６及びｎコンタクト電極１７を覆う。また、絶縁膜１８は、積層体１５の第１の面１５ａに続く側面１５ｃを覆う。さらに、絶縁膜１８は、溝９０の底面の基板１０の表面上にも形成される。
【００６０】
絶縁膜１８は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。絶縁膜１８には、例えば、レジストマスクを用いたウェットエッチングにより、図８（ｂ）に示すように第１の開口１８ａと第２の開口１８ｂが形成される。第１の開口１８ａはｐコンタクト電極１６に連通し、第２の開口１８ｂはｎコンタクト電極１７に連通する。なお、第１の開口１８ａは、より大きな１つの開口でも良い。
【００６１】
次に、図８（ｂ）に示すように、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内面（側壁および底面）、および第２の開口１８ｂの内面（側壁および底面）に、下地金属膜６０を形成する。
【００６２】
図９（ａ）に示すように、下地金属膜６０は、アルミニウム膜６１と、チタン膜６２と、銅膜６３とを有する。アルミニウム膜６１は反射膜として機能し、銅膜６３はめっきのシード層として機能する。アルミニウム及び銅の両方に対するぬれ性に優れたチタン膜６２は、密着層として機能する。下地金属膜６０は、例えば、スパッタ法により形成される。
【００６３】
次に、下地金属膜６０上に、図９（ｂ）に示すレジストマスク９１を選択的に形成した後、下地金属膜６０の銅膜６３をシード層として用いた電解銅めっき法により、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２及び金属膜５１を形成する。
【００６４】
ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａ内にも形成され、ｐコンタクト電極１６と電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、第２の開口１８ｂ内にも形成され、ｎコンタクト電極１７と電気的に接続される。
【００６５】
次に、レジストマスク９１を、例えば、溶剤もしくは酸素プラズマを使って除去した後、図１０（ａ）に示すレジストマスク９２を選択的に形成する。あるいは、レジストマスク９１を除去せずに、レジストマスク９２を形成してもよい。
【００６６】
レジストマスク９２を形成した後、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２をシード層として用いた電解銅めっき法により、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を形成する。
【００６７】
ｐ側金属ピラー２３は、ｐ側配線層２１上に形成される。ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とは同じ銅材料で一体化される。ｎ側金属ピラー２４は、ｎ側配線層２２上に形成される。ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とは同じ銅材料で一体化される。
【００６８】
レジストマスク９２は、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを使って除去される。この時点で、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２は下地金属膜６０を介してつながっている。また、ｐ側配線層２１と金属膜５１も下地金属膜６０を介してつながり、ｎ側配線層２２と金属膜５１も下地金属膜６０を介してつながっている。
【００６９】
そこで、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の下地金属膜６０、ｐ側配線層２１と金属膜５１との間の下地金属膜６０、およびｎ側配線層２２と金属膜５１との間の下地金属膜６０をエッチングにより除去する。
【００７０】
これにより、図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との電気的接続、ｐ側配線層２１と金属膜５１との電気的接続、およびｎ側配線層２２と金属膜５１との電気的接続が分断される。
【００７１】
ｐ側配線層２１およびｐ側金属ピラー２３は、ｐ側引き出し電極４１を構成する。ｎ側配線層２２およびｎ側金属ピラー２４は、ｎ側引き出し電極４３を構成する。積層体１５の側面１５ｃの周囲の領域に形成された金属膜５１は、電気的にはフローティングであり、電極として機能せず、反射膜として機能する。金属膜５１は、少なくともアルミニウム膜６１を含めば、反射膜としての機能は確保される。
【００７２】
このように、ｐ側引き出し電極４１及びｎ側引き出し電極４３の材料として、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性および絶縁材料に対する密着性を向上させることができる。また、実施形態は、この例に限定されず、ｐ側引き出し電極４１及びｎ側引き出し電極４３の材料として、例えば、金、ニッケル、銀などを用いても良い。
【００７３】
次に、図１０（ｂ）に示す構造体の上に、図１１（ａ）に示す樹脂層２５を形成する。樹脂層２５は、ｐ側引き出し電極４１及びｎ側引き出し電極４３を覆う。また、樹脂層２５は、金属膜５１を覆う。樹脂層２５は、ｐ側引き出し電極４１及びｎ側引き出し電極４３とともに、積層体１５を支持する支持体１００を構成する。
【００７４】
樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えば、エポキシ樹脂を主に含む樹脂、シリコーン樹脂を主に含む樹脂、フッ素樹脂を主に含む樹脂等を挙げることができる。また、樹脂層２５のベースとなる樹脂に遮光材（光吸収剤、光反射剤、光散乱剤など）を添加し、発光層１３の発光に対して遮光性を有することが望ましい。これにより、支持体１００の側面及び実装面側からの光漏れを抑制することができる。
【００７５】
次に、基板１０を除去する。複数の積層体１５は、支持体１００により支持され、ウェーハ形状が保持される。例えば、シリコン基板である基板１０は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去できる。あるいは、基板１０がサファイア基板の場合には、レーザーリフトオフ法により除去することができる。
【００７６】
基板１０上にエピタキシャル成長された積層体１５は、大きな内部応力を含む場合がある。また、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５は、例えばＧａＮ系材料の積層体１５に比べて柔軟な材料である。したがって、エピタキシャル成長時の内部応力が基板１０の剥離時に一気に開放されたとしても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５は、その応力を吸収する。このため、基板１０を除去する過程における積層体１５の破損を回避することができる。
【００７７】
基板１０の除去により、図１１（ｂ）に示すように、積層体１５の第１の面１５ａが露出される。露出された第１の面１５ａには、微小凹凸を形成する。例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。このエッチングでは、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いが生じる。このため、第１の面１５ａに凹凸を形成することができる。第１の面１５ａに微小凹凸を形成することにより、発光層１３の放射光の取り出し効率を向上させることができる。
【００７８】
第１の面１５ａ上には、図１２（ａ）に示すように、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の絶縁膜１９を介して蛍光層３０を形成する。蛍光層３０は、少なくとも前述した蛍光体３１を含む。また、蛍光層３０は、前述した蛍光体３３、および、他の蛍光体を含んでも良い。
【００７９】
蛍光層３０は、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法により形成される。絶縁膜１９は、積層体１５と蛍光層３０との密着性を高める。また、蛍光層３０として、蛍光体を結合材を介して焼結させた焼結蛍光体や樹脂に蛍光体を分散してシート化したシート蛍光体を、絶縁膜１９を介して蛍光層３０として接着してもよい。
【００８０】
また、蛍光層３０は、積層体１５の側面１５ｃの周辺の領域の上にも形成される。積層体１５の側面１５ｃの周辺の領域にも樹脂層２５が設けられている。その樹脂層２５の上に、絶縁膜１８及び１９を介して、蛍光層３０が形成される。
【００８１】
蛍光層３０を形成した後、樹脂層２５の表面（図１２（ａ）における下面）を研削し、図１２（ｂ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を樹脂層２５から露出する。ｐ側金属ピラー２３の露出面はｐ側外部端子２３ａとなり、ｎ側金属ピラー２４の露出面はｎ側外部端子２４ａとなる。
【００８２】
次に、複数の積層体１５を分離した前述の溝９０が形成された領域をダイシングして個片化する。すなわち、蛍光層３０、絶縁膜１９、絶縁膜１８、および樹脂層２５が切断される。これらは、例えば、ダイシングブレード、またはレーザ光により切断すれば良い。積層体１５は、ダイシング領域に存在しないためダイシングによるダメージを受けない。
【００８３】
個片化される前の前述した各工程は、多数の積層体１５を含むウェーハ状態で行われる。ウェーハは、少なくとも１つの積層体１５を含む発光装置として個片化される。なお、発光装置は、ひとつの積層体１５を含むシングルチップ構造でも良いし、複数の積層体１５を含むマルチチップ構造であっても良い。
【００８４】
実施形態に係る発光装置１は、積層体１５と、蛍光層３０と、を含むチップサイズパッケージの超小型デバイスである。個片化される前の上記の各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、製造コストを大幅に低減することが可能である。
【００８５】
また、発光装置１を実装基板に実装する場合は、樹脂層２５から露出したｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを、例えば、はんだ等の導電性の接合材を介して、基板側のランドパターンに接合する。この実装過程における熱サイクルにより積層体１５に加わる応力を、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５が吸収し緩和する。これにより、発光装置１の発光特性の劣化を防ぎ、また、その信頼性を向上させることができる。
【００８６】
［第２実施形態］
図１３は、第２実施形態に係る発光装置２を表す模式断面図である。  
発光装置２は、積層体１５と、その発光面１５ａの上に設けられる蛍光層１３０と、を備える。本実施形態では、蛍光層１３０の形状が発光装置１とは異なる。
【００８７】
積層体１５の第２の面側には、ｐ側引き出し電極４１と、ｎ側引き出し電極４３と、樹脂層２５と、を含む支持体１００が設けられている。積層体１５、ｐコンタクト電極１６およびｎコンタクト電極１７を含む発光素子（ＬＥＤチップ）は、第２の面側に設けられた支持体１００によって支持されている。
【００８８】
蛍光層１３０は、例えば、粒子状の蛍光体３１および３３を含む。蛍光体３１、３３は、発光層１３の放射光により励起され、その放射光とは異なる波長の光を放射する。蛍光体３１、３３は、結合材３５により一体化される。結合材３５は、発光層１３の放射光および蛍光体３１の放射光を透過する。ここで「透過」とは、透過率が１００％であることに限らず、光の一部を吸収する場合も含む。
【００８９】
図１３に表すように、蛍光層１３０は、その側面３０ｂが、積層体１５の第１の面１５ａおよび蛍光層１３０の上面１３０ａに対して傾斜するように設けられる。蛍光層１３０の側面１３０ｂは、第１の面１５ａとの間で鈍角を形成する。すなわち、第１の面１５ａと、蛍光層１３０の側面１３０ｂと、の間の内角θが９０°よりも大きい。
【００９０】
言い換えれば、蛍光層１３０では、第１の面１５ａ側から蛍光体層１３０の上面１３０ａ側にかけて徐々に平面サイズが大きくなる。蛍光層１３０の側面１３０ｂは、支持体１００の側面（樹脂層２５の側面）よりも第１の面１５ａの面方向の外側に位置する。このような形状の蛍光層１３０は、例えば、先端がＶ字状に加工されたブレードを使ってウェーハをハーフカットすることにより形成できる。
【００９１】
蛍光層１３０の側面１３０ｂには、光散乱効果により光取り出し効率を向上させるようなサイズ及び密度の凹凸が意図的に形成されず、蛍光層１３０の側面１３０ｂは実質平坦面である。このため、図１３中に破線矢印で表すように、蛍光層１３０の側面１３０ｂに向かって進む光（発光層１３の放射光、蛍光体３１の放射光）の側面１３０ｂに対する入射角が大きくなり、側面１３０ｂと空気層との界面で上面１３０ａ側へと全反射する成分が増加する。これにより、蛍光層１３０の上面１３０ａから取り出される光量を増加させることが可能である。また、蛍光体層１３０から積層体１５への戻り光を低減し、積層体１５、金属、絶縁膜、樹脂材料における光の吸収損失を抑えることができる。また、蛍光層１３０の側面から漏れる光を低減することにより、色割れや色ムラを抑制することができる。
【００９２】
図１４は、第２実施形態の変形例に係る発光装置３を表す模式断面図である。  
図１４（ａ）は、発光装置３の模式斜視図である。  
図１４（ｂ）は、発光装置３を基板３１０上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
【００９３】
上記の実施形態は、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すサイドビュータイプの発光装置３にも適用することができる。発光装置３は、外部との接続を担う金属ピラー２３、２４の露出面が発光装置２と異なり、他の構成は同じである。
【００９４】
ｐ側金属ピラー２３の一部の側面は、積層体１５の第１の面１５ａおよびその反対側の第２の面１５ｂとは異なる面方位の第３の面２５ｂで、樹脂層２５から露出している。その露出面は、外部の基板３１０に実装するためのｐ側外部端子２３ｂとして機能する。
【００９５】
例えば、第３の面２５ｂは、積層体１５の第１の面１５ａおよび第２の面１５ｂに対して略垂直な面である。樹脂層２５は、例えば、矩形状の４つの側面を有し、そのうちのひとつの側面が第３の面２５ｂである。
【００９６】
その同じ第３の面２５ｂにおいて、ｎ側金属ピラー２４の一部の側面が樹脂層２５から露出している。その露出面は、外部の基板３１０に実装するためのｎ側外部端子２４ｂとして機能する。
【００９７】
ｐ側金属ピラー２３において、第３の面２５ｂに露出しているｐ側外部端子２３ｂ以外の部分は、樹脂層２５に覆われている。また、ｎ側金属ピラー２４において、第３の面２５ｂに露出しているｎ側外部端子２４ｂ以外の部分は、樹脂層２５に覆われている。
【００９８】
図１４（ｂ）に示すように、発光装置３は、第３の面２５ｂを基板３１０の実装面３０１に向けた姿勢で実装される。第３の面２５ｂに露出しているｐ側外部端子２３ｂおよびｎ側外部端子２４ｂは、それぞれ、実装面３０１に設けられたパッド３０２に、はんだ３０３を介して接合される。基板３１０の実装面３０１には、例えば、外部回路につながる配線パターンが設けられ、パッド３０２はその配線パターンに接続されている。
【００９９】
第３の面２５ｂは、光の主な出射面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面２５ｂを実装面３０１側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面３０１に対して、平行な横方向または傾いた方向に向く。すなわち、サイドビュータイプの発光装置は、実装面３０１に平行な横方向または斜めの方向に光を放出する。
【０１００】
なお、図１４（ａ）及び（ｂ）には第２実施形態の蛍光層１３０を例示しているが、第１実施形態に示す蛍光層３０を適用しても良い。
【０１０１】
なお、本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶でもかまわない。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０１０２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０３】
１、２、３・・・発光装置、  １０・・・基板、  １１・・・ｎ形半導体層、  １２・・・ｐ形半導体層、  １３・・・発光層、  １５・・・積層体、  １５ａ・・・第１の面（発光面）、  １５ｂ・・・第２の面、  １５ｃ・・・側面、  １６・・・ｐコンタクト電極、  １７・・・ｎコンタクト電極、  １８、１９・・・絶縁膜、  １８ａ、１８ｂ・・・開口、  ２１・・・ｐ側配線層、  ２２・・・ｎ側配線層、  ２３・・・ｐ側金属ピラー、  ２３ａ、２３ｂ・・・ｐ側外部端子、  ２４・・・ｎ側金属ピラー、  ２４ａ、２４ｂ・・・ｎ側外部端子、  ２５・・・樹脂層、  ２５ｂ・・・第３の面、  ３０、１３０・・・蛍光層、  １３０ａ・・・上面、  ３０ｂ、１３０ｂ・・・側面、  ３１、３３・・・蛍光体、  ３５・・・結合材、  ４１・・・ｐ側引き出し電極、  ４３・・・ｎ側引き出し電極、  ５１・・・金属膜、  ６０・・・下地金属膜、  ６１・・・アルミニウム膜、  ６２・・・チタン膜、  ６３・・・銅膜、  ９０・・・溝、  ９１、９２・・・レジストマスク、  １００・・・支持体、  １１５・・・半導体層、  ３０１・・・実装面、  ３０２・・・パッド、  ３１０・・・基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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