(57)【要約】【課題】アクチュエータ素子を接続するための導電性接着剤との電気接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板を提供する。【解決手段】本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０に設けられ、複数の配線１３と、接続構造領域３に設けられてアクチュエータ素子４４に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部１６と、を有する配線層１２と、を備えている。接続構造領域３において、金属支持層１１を貫通する金属支持層貫通孔３１と、絶縁層１０を貫通する絶縁層貫通孔３２と、を有し、配線接続部１６のアクチュエータ４４の側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔３０が設けられている。絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａは、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａに対応する位置、または、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
絶縁層と、
絶縁層のアクチュエータ素子側の面に設けられた金属支持層と、
絶縁層の他方の面に設けられ、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する配線層と、を備え、
接続構造領域において、金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔が設けられ、
絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
絶縁層貫通孔の外縁は、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
配線接続部は、絶縁層貫通孔内に入り込んでいることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
配線接続部は、金属支持層に接していることを特徴とする請求項３に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
注入孔において、配線接続部にめっき層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
めっき層の表面は、粗面化されていることを特徴とする請求項５に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
配線接続部のアクチュエータ素子側の面は、当該めっき層の粗面化に対応するように粗面化されていることを特徴とする請求項６に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
接続構造領域において、絶縁層を貫通し、金属支持層と配線接続部とを接続する導電接続部が設けられ、
注入孔において、金属支持層に、第２のめっき層が設けられていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
第２のめっき層は、粗面化されていることを特徴とする請求項８に記載のサスペンション用基板。
【請求項１０】
ベースプレートと、
ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた請求項１乃至９のいずれかに記載のサスペンション用基板と、
ベースプレートおよびロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、サスペンション用基板の接続構造領域に、注入孔に注入された導電性接着剤を介して接続されたアクチュエータ素子と、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項１１】
請求項１０に記載のサスペンションと、
サスペンションに実装されたスライダと、を有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項１２】
請求項１１に記載のヘッド付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１３】
アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
絶縁層と、絶縁層のアクチュエータ素子側の面に設けられた金属支持層と、絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、
配線層において、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、
金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔を形成する工程と、
絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔を形成する工程と、を備え、
金属支持層貫通孔と絶縁層貫通孔とにより、接続構造領域に設けられ、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔が構成され、
絶縁層貫通孔を形成する工程において、金属支持層をレジストとして絶縁層がエッチングされ、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されるように、絶縁層貫通孔が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１４】
絶縁層貫通孔を形成する工程において、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されるように、絶縁層貫通孔が形成されることを特徴とする請求項１３に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１５】
アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
金属支持層を準備する工程と、
金属支持層に、絶縁層を形成すると共に、当該絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔を形成する工程と、
絶縁層に、複数の配線と、接続構造領域に設けられ、絶縁層貫通孔に入り込み、アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する配線層を形成する工程と、
金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔を形成する工程と、を備え、
金属支持層貫通孔と絶縁層貫通孔とにより、接続構造領域に設けられ、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔が構成され、
絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１６】
金属支持層貫通孔を形成する工程において、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されて、金属支持層が配線接続部に接するように、金属支持層貫通孔が形成されることを特徴とする請求項１５に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１７】
金属支持層貫通孔を形成する工程において、金属支持層貫通孔の外縁が、絶縁層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されるように、金属支持層貫通孔が形成され、
金属支持層貫通孔を形成する工程の後、絶縁層貫通孔の外縁を広げるように、金属支持層をレジストとして絶縁層がエッチングされ、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されることを特徴とする請求項１５に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１８】
注入孔において、配線接続部にめっき層を形成する工程を、更に備えたことを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１９】
めっき層を形成した後、めっき層の表面が粗面化されることを特徴とする請求項１８に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項２０】
配線層を形成する工程において、配線接続部のアクチュエータ素子側の面は、粗面化され、
めっき層を形成する工程において、配線接続部の粗面化に対応して粗面化されためっき層が形成されることを特徴とする請求項１８に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項２１】
接続構造領域に設けられ、絶縁層を貫通し、金属支持層と配線接続部とを接続する導電接続部を形成する工程を更に備え、
めっき層を形成する工程において、注入孔における金属支持層に、第２のめっき層が形成されることを特徴とする請求項１８乃至２０のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項２２】
めっき層を形成する工程において形成される第２のめっき層の表面は、粗面化されていることを特徴とする請求項２１に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項２３】
絶縁層貫通孔を形成する工程において、絶縁層貫通孔内であって金属支持層上に、当該絶縁層の厚さよりも小さい高さを有し、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を粗面化するための粗面化形成部が形成され、
配線層を形成する工程において、配線接続部は粗面化形成部上に形成され、
金属支持層貫通孔を形成する工程の後、粗面化形成部は除去されて、配線接続部のアクチュエータ素子側の面が粗面化され、
注入孔において、配線接続部に、当該配線接続部の粗面化に対応して粗面化されためっき層が形成されることを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に係り、とりわけ、アクチュエータ素子を接続するための導電性接着剤との電気接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込みおよび読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されたサスペンション用基板を備えている。このサスペンション用基板は、金属支持層と、金属支持層に絶縁層を介して積層された複数の配線を有する配線層と、を備えており、各配線に電気信号を流すことにより、ディスクに対してデータの書き込みまたは読み取りを行うようになっている。
【０００３】
このようなハードディスクドライブにおいては、ディスク上の所望のデータトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるために、磁気ヘッドスライダを支持するアクチュエータアームを回転させるＶＣＭアクチュエータ（例えば、ボイスコイルモータ）を、サーボコントロールシステムによって制御している。
【０００４】
ところで、近年、ディスクの高密度化により、トラックの幅が小さくなっている。このため、ＶＣＭアクチュエータによって、磁気ヘッドスライダを所望のトラックに精度良く位置合わせすることが困難な場合がある。
【０００５】
このことに対処するために、ＶＣＭアクチュエータとＰＺＴマイクロアクチュエータ（Ｄｕａｌ  Ｓｔａｇｅ  Ａｃｔｕａｔｏｒ：ＤＳＡ）とを協働させて、所望のトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるデュアル・ステージ・アクチュエータ方式のサスペンションが知られている（例えば、特許文献１参照）。このＰＺＴマイクロアクチュエータは、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる圧電素子等のピエゾ素子により構成され、電圧が印加されることにより伸縮し、磁気ヘッドスライダを微小に移動させるようになっている。このようなデュアル・ステージ・アクチュエータ方式のサスペンションにおいては、ＶＣＭアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を大まかに調整し、ＰＺＴマイクロアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を微小調整する。このようにして、磁気ヘッドスライダを、所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせするようになっている。
【０００６】
特許文献１に示すサスペンション用基板においては、圧電素子に給電するための端子部において絶縁層および配線部を貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔に対応するように、電気絶縁層の圧電素子側の面に、リング状の液止め部材が設けられ、液止め部材の内部および貫通孔に液状の導電性接着剤を注入することにより、圧電素子が端子部の配線部に接合されると共に、圧電素子のサスペンション用基板側の電極が配線部に電気的に接続されるようになっている。また、圧電素子のサスペンション用基板とは反対側の電極は、ベースプレートに電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１６５４０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１においては、配線部に形成された貫通孔内において、配線部が導電性接着剤と接するようになっている。このため、導電性接着剤と配線部との接着面積が小さくなり、導電性接着剤と配線部との間の導通抵抗が高くなるという問題がある。この場合、圧電素子との電気接続の信頼性を向上させることが困難となり、磁気ヘッドスライダの位置精度を向上させるために圧電素子の動作電圧を精度良く制御することが困難になる。
【０００９】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、アクチュエータ素子を接続するための導電性接着剤との電気接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、絶縁層と、絶縁層のアクチュエータ素子側の面に設けられた金属支持層と、絶縁層の他方の面に設けられ、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する配線層と、を備え、接続構造領域において、金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔が設けられ、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１１】
なお、上述したサスペンション用基板において、絶縁層貫通孔の外縁は、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されている、ことが好ましい。
【００１２】
また、上述したサスペンション用基板において、配線接続部は、絶縁層貫通孔内に入り込んでいる、ことが好ましい。
【００１３】
また、上述したサスペンション用基板において、配線接続部は、金属支持層に接している、ことが好ましい。
【００１４】
また、上述したサスペンション用基板において、注入孔において、配線接続部にめっき層が設けられている、ことが好ましい。
【００１５】
また、上述したサスペンション用基板において、めっき層の表面は、粗面化されている、ことが好ましい。
【００１６】
また、上述したサスペンション用基板において、配線接続部のアクチュエータ素子側の面は、当該めっき層の粗面化に対応するように粗面化されている、ことが好ましい。
【００１７】
また、上述したサスペンション用基板において、接続構造領域において、絶縁層を貫通し、金属支持層と配線接続部とを接続する導電接続部が設けられ、注入孔において、金属支持層に、第２のめっき層が設けられている、ことが好ましい。
【００１８】
また、上述したサスペンション用基板において、第２のめっき層は、粗面化されている、ことが好ましい。
【００１９】
本発明は、ベースプレートと、ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた上述したいずれかのサスペンション用基板と、ベースプレートおよびロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、サスペンション用基板の接続構造領域に、注入孔に注入された導電性接着剤を介して接続されたアクチュエータ素子と、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００２０】
本発明は、上述したサスペンションと、サスペンションに実装されたスライダと、を有することを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。
【００２１】
本発明は、上述したヘッド付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２２】
本発明は、第１の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層と、絶縁層のアクチュエータ素子側の面に設けられた金属支持層と、絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、配線層において、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔を形成する工程と、絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔を形成する工程と、を備え、金属支持層貫通孔と絶縁層貫通孔とにより、接続構造領域に設けられ、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔が構成され、絶縁層貫通孔を形成する工程において、金属支持層をレジストとして絶縁層がエッチングされ、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されるように、絶縁層貫通孔が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２３】
なお、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層貫通孔を形成する工程において、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されるように、絶縁層貫通孔が形成される、ことが好ましい。
【００２４】
本発明は、第２の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、金属支持層を準備する工程と、金属支持層に、絶縁層を形成すると共に、当該絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔を形成する工程と、絶縁層に、複数の配線と、接続構造領域に設けられ、絶縁層貫通孔に入り込み、アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する配線層を形成する工程と、金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔を形成する工程と、を備え、金属支持層貫通孔と絶縁層貫通孔とにより、接続構造領域に設けられ、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔が構成され、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２５】
なお、上述した第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、金属支持層貫通孔を形成する工程において、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されて、金属支持層が配線接続部に接するように、金属支持層貫通孔が形成される、ことが好ましい。
【００２６】
また、上述した第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、金属支持層貫通孔を形成する工程において、金属支持層貫通孔の外縁が、絶縁層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されるように、金属支持層貫通孔が形成され、金属支持層貫通孔を形成する工程の後、絶縁層貫通孔の外縁を広げるように、金属支持層をレジストとして絶縁層がエッチングされ、絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置される、ことが好ましい。
【００２７】
また、上述した第１の解決手段または第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、注入孔において、配線接続部にめっき層を形成する工程を、更に備えた、ことが好ましい。
【００２８】
また、上述した第１の解決手段または第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、めっき層を形成した後、めっき層の表面が粗面化される、ことが好ましい。
【００２９】
また、上述した第１の解決手段または第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、配線層を形成する工程において、配線接続部のアクチュエータ素子側の面は、粗面化され、めっき層を形成する工程において、配線接続部の粗面化に対応して粗面化されためっき層が形成される、ことが好ましい。
【００３０】
また、上述した第１の解決手段または第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、接続構造領域に設けられ、絶縁層を貫通し、金属支持層と配線接続部とを接続する導電接続部を形成する工程を更に備え、めっき層を形成する工程において、注入孔における金属支持層に、第２のめっき層が形成される、ことが好ましい。
【００３１】
また、上述した第１の解決手段または第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、めっき層を形成する工程において形成される第２のめっき層の表面は、粗面化されている、ことが好ましい。
【００３２】
また、上述した第２の解決手段によるサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層貫通孔を形成する工程において、絶縁層貫通孔内であって金属支持層上に、当該絶縁層の厚さよりも小さい高さを有し、配線接続部のアクチュエータ素子側の面を粗面化するための粗面化形成部が形成され、配線層を形成する工程において、配線接続部は粗面化形成部上に形成され、金属支持層貫通孔を形成する工程の後、粗面化形成部は除去されて、配線接続部のアクチュエータ素子側の面が粗面化され、注入孔において、配線接続部に、当該配線接続部の粗面化に対応して粗面化されためっき層が形成される、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、導電性接着剤が注入される注入孔において、配線接続部のアクチュエータ素子側の面が露出し、注入孔を構成する絶縁層貫通孔の外縁が、金属支持層貫通孔の外縁に対応する位置、または、金属支持層貫通孔の外縁より外方の位置に配置されている。このことにより、導電性接着剤と配線接続部との接触面積を増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部との間の導通抵抗を低減させることができる。このため、アクチュエータ素子を接続するための導電性接着剤との電気接続の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の一例を示す平面図。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンションの一例を示す平面図。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンションにおいて、ピエゾ素子の一例を示す斜視図。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンションにおいて、接続構造領域の断面を示す図。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態におけるヘッド付サスペンションの一例を示す平面図。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態におけるハードディスクドライブの一例を示す斜視図。
【図７】図７（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の変形例において、粗面化されためっき層を説明するための概略図。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の他の変形例において、粗面化されためっき層を説明するための概略図。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンションにおいて、接続構造領域の断面を示す図。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｊ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンションにおいて、接続構造領域の断面を示す図。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｉ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。
【図１４】図１４は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンションにおいて、接続構造領域の断面の変形例を示す概略図。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｊ）は、図１４に示すサスペンション用基板の製造方法を示す概略図。
【図１６】図１６は、本発明の第４の実施の形態におけるサスペンションにおいて、接続構造領域の断面を示す図。
【図１７】図１７（ａ）〜（ｊ）は、本発明の第４の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
第１の実施の形態
図１乃至図７を用いて、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について説明する。
【００３６】
図１に示すように、サスペンション用基板１は、複数の配線１３が延びている基板本体領域２と、一対のピエゾ素子（アクチュエータ素子、図３参照）４４に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域３と、を有している。このうち基板本体領域２には、後述のスライダ５２（図５参照）に接続されるヘッド端子５と、図示しない外部機器に接続される外部機器接続端子６とが設けられており、ヘッド端子５と外部機器接続端子６とは、配線１３によって接続されている。また、一対の接続構造領域３は、基板本体領域２の両側方に配置されており、連結領域４を介して基板本体領域２に連結されている。
【００３７】
図１および図４に示すように、サスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０のピエゾ素子４４の側の面（一方の面）に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられた複数の配線１３を有する配線層１２と、を備えている。このうち、配線層１２は、各接続構造領域３に設けられ、ピエゾ素子４４に導電性接着剤（例えば、銀ペースト）を介して電気的に接続される配線接続部１６を有している。各配線接続部１６は、各配線１３と同一材料により形成されている。また、複数の配線１３のうち対応する一対の配線１３は、外部機器接続端子６から連結領域４を介して接続構造領域３に延び、配線接続部１６を介してピエゾ素子４４に電気的に接続されるようになっている。なお、図示しないが、絶縁層１０と配線層１２との間に、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）からなり、約３００ｎｍ厚さを有するシード層が介在されており、絶縁層１０と配線層１２との密着性を向上させている。
【００３８】
接続構造領域３において、金属支持層１１を貫通する金属支持層貫通孔３１と、絶縁層１０を貫通する絶縁層貫通孔３２と、を有し、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔３０が設けられている。また、金属支持層１１は、各接続構造領域３に設けられ、金属支持層貫通孔３１を含む、リング状の枠体部１７を有している。各枠体部１７は、基板本体領域２における金属支持層１１と分離されて、電気的に絶縁されている。
【００３９】
図４に示すように、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａは、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている。本実施の形態においては、金属支持層貫通孔３１および絶縁層貫通孔３２は、いずれも円形状の孔であって、同心状に形成されており、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２は、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きくなっており、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａは、全周にわたって、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている。
【００４０】
注入孔３０内においては、配線接続部１６に、ニッケル（Ｎｉ）めっきおよび金（Ａｕ）めっきが順次施されて、めっき層１５が形成されている。このめっき層１５は、ニッケルめっきが施されて形成されたニッケルめっき層１５ａ（図８参照）と、金めっきが施されて形成された金めっき層１５ｂと、を有している。このことにより、露出されている配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が腐食することを防止している。このめっき層１５の厚さは、０．５μｍ〜４．０μｍであることが好ましい。
【００４１】
絶縁層１０上には、配線層１２を覆う保護層２０が設けられている。なお、図１、図２および図４においては、図面を明瞭にするために、保護層２０は省略している。また、図１に示すように、基板本体領域２において、金属支持層１１および絶縁層１０に貫通して、後述のロードビーム４３との位置合わせを行うための２つの治具孔２５が設けられている。各治具孔２５は、サスペンション用基板１の長手方向軸線（Ｘ）上に配置されている。
【００４２】
次に、各構成部材について詳細に述べる。
【００４３】
絶縁層１０の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、絶縁層１０の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。また、絶縁層１０の厚さは、５μｍ〜３０μｍ、とりわけ５μｍ〜１５μｍであることが好ましい。このことにより、金属支持層１１と各配線１３との間の絶縁性能を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての剛性が喪失されることを防止することができる。
【００４４】
各配線１３は、電気信号を伝送するための導体として構成されており、各配線１３の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。ここで、各配線１３の厚さは、例えば１μｍ〜１８μｍ、とりわけ５μｍ〜１２μｍであることが好ましい。このことにより、各配線１３の伝送特性を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての柔軟性が喪失されることを防止することができる。なお、配線接続部１６は、各配線１３と同一の材料、同一の厚みからなっている。
【００４５】
金属支持層１１の材料としては、所望の導電性、弾力性、および強度を有するものであれば特に限定されることはないが、例えば、ステンレス、アルミニウム、ベリリウム銅、またはその他の銅合金を用いることができ、好ましくはステンレスを用いることが好適である。なお、金属支持層１１の厚さは、配線１３の厚さよりも大きいことが好ましい。また、金属支持層１１の厚さは、一例として、１０μｍ〜３０μｍ、とりわけ１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００４６】
保護層２０の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミドを用いることが好適である。なお、保護層２０の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。保護層２０の厚さは、２μｍ〜３０μｍであることが好ましい。
【００４７】
次に、図２乃至図４を用いて、本実施の形態におけるサスペンション４１について説明する。図２に示すサスペンション４１は、ベースプレート４２と、ベースプレート４２上に取り付けられ、サスペンション用基板１の金属支持層１１を保持するロードビーム４３と、上述のサスペンション用基板１と、ベースプレート４２およびロードビーム４３の少なくとも一方に接合されると共に、サスペンション用基板１の接続構造領域３に接続されたピエゾ素子４４と、を有している。なお、本実施の形態においては、ピエゾ素子４４は、ベースプレート４２に接合されるようになっている。また、ベースプレート４２およびロードビーム４３は、ステンレスからなっている。
【００４８】
ピエゾ素子４４は、電圧が印加されることにより伸縮する圧電素子として構成されている。各ピエゾ素子４４は、図３に示すように、互いに対向する一対の電極４４ａと、一対の電極４４ａ間に介在され、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電セラミックスからなる圧電材料部４４ｂと、を有している。一対のピエゾ素子４４の圧電材料部４４ｂは、互いに１８０°異なる分極方向となるように形成されており、所定の電圧が印加されると、一方のピエゾ素子４４が収縮すると共に、他方のピエゾ素子４４が伸長するようになっている。このようなピエゾ素子４４は、図２に示すように、長手方向軸線（Ｘ）に対して互いに線対称に配置されている。このようにして、スライダ５２のスウェイ方向への変位に対して、各ピエゾ素子４４の伸縮の影響を均等にすることができ、スライダ５２のスウェイ方向の変位を容易に調整することができ、アクチュエータ素子として機能するようになっている。また、本実施の形態においては、ピエゾ素子４４に接続される接続構造領域３が、基板本体領域２の両側方に配置されているため、ピエゾ素子４４の伸縮を効果的にスライダ５２の変位に利用することができるようになっている。
【００４９】
このようなピエゾ素子４４は、非導電性接着剤によりベースプレート４２に接合されている。また、図示しないが、ピエゾ素子４４の一方（サスペンション用基板１とは反対側）の電極４４ａは、導電性接着剤を用いて、ベースプレート４２に電気的に接続されている。
【００５０】
一方、ピエゾ素子４４の他方（サスペンション用基板１の側）の電極４４ａは、導電性接着剤を用いて、接続構造領域３に接合されると共に電気的に接続されている。すなわち、図４に示すように、接続構造領域３における注入孔３０（絶縁層貫通孔３２および金属支持層貫通孔３１）に、導電性接着剤が注入されて導電性接着部４８が形成され、ピエゾ素子４４が、導電性接着部４８を介して、接続構造領域３に接合されると共に、ピエゾ素子４４の電極４４ａが、導電性接着部４８を介して、配線接続部１６に電気的に接続されている。
【００５１】
ロードビーム４３には、サスペンション用基板１の各治具孔２５に対応して、ビーム治具孔（図示せず）が設けられており、サスペンション用基板１の基板本体領域２の金属支持層１１にロードビーム４３を実装する際に、サスペンション用基板１とロードビーム４３との位置合わせを行うことができるようになっている。
【００５２】
次に、図５により、本実施の形態におけるヘッド付サスペンション５１について説明する。図５に示すヘッド付サスペンション５１は、上述したサスペンション４１と、サスペンション用基板１のヘッド端子５に接続されたスライダ５２と、を有している。
【００５３】
続いて、図６により、本実施の形態におけるハードディスクドライブ６１について説明する。図６に示すハードディスクドライブ６１は、ケース６２と、このケース６２に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク６３と、このディスク６３を回転させるスピンドルモータ６４と、ディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク６３に対してデータの書き込みおよび読み取りを行うスライダ５２を含むヘッド付サスペンション５１と、を有している。このうちヘッド付サスペンション５１は、ケース６２に対して移動自在に取り付けられており、ケース６２にはヘッド付サスペンション５１のスライダ５２をディスク６３上に沿って移動させるボイスコイルモータ６５が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション５１は、ボイスコイルモータ６５にアーム６６を介して取り付けられている。
【００５４】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち本実施の形態によるサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、一例として、接続構造領域３の断面を示す図７を用いて、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板１を製造する方法について説明する。
【００５５】
まず、絶縁層１０と、絶縁層１０のピエゾ素子４４側の面に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられた配線層１２と、を有する積層体３５を準備する（図７（ａ）参照）。この場合、まず、金属支持層１１を準備し、この金属支持層１１上に、非感光性ポリイミドを用いた塗工方法により絶縁層１０が形成される。続いて、絶縁層１０上に、ニッケル、クロム、および銅がスパッタ工法により順次コーティングされ、シード層（図示せず）が形成される。その後、このシード層を導通媒体として、銅めっきにより配線層１２が形成される。このようにして、絶縁層１０と、金属支持層１１と、配線層１２と、を有する積層体３５が得られる。
【００５６】
続いて、配線層１２において、複数の配線１３と配線接続部１６とが形成されると共に、金属支持層１１において、金属支持層貫通孔３１が形成される（図７（ｂ）参照）。この場合、まず、配線層１２の上面および金属支持層１１の下面に、フォトファブリケーションの手法により、ドライフィルムを用いて、パターン状のレジスト（図示せず）が形成される。次に、配線層１２および金属支持層１１のうちレジストから露出された部分がエッチングされる。ここで、配線層１２および金属支持層１１をエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。とりわけ、エッチング液は、金属支持層１１の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、金属支持層１１がステンレスからなる場合には、塩化第二鉄水溶液等の塩化鉄系エッチング液を用いることができる。エッチングが行われた後、レジストは除去される。
【００５７】
次に、絶縁層１０上に、配線層１２の各配線１３および配線接続部１６を覆う保護層２０が形成される（図７（ｃ）参照）。この場合、非感光性ポリイミドが、ダイコータを用いて、絶縁層１０上にコーティングされて、これを乾燥後、部分的に除去し、イミド化させることにより、保護層２０が形成される。
【００５８】
保護層２０が形成された後、絶縁層１０において、絶縁層１０を貫通する絶縁層貫通孔３２が形成される（図７（ｄ）〜（ｆ）参照）。この場合、まず、金属支持層１１のピエゾ素子４４側の面に、パターン状のレジスト９０が形成される（図７（ｄ）参照）。このレジスト９０は、金属支持層１１のうち金属支持層貫通孔３１の近傍の部分が露出されるように、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きい直径からなる開口部９０ａを有している。続いて、金属支持層貫通孔３１において露出された絶縁層１０がエッチングされて、絶縁層貫通孔３２が形成される（図７（ｅ）参照）。この際、絶縁層１０は、金属支持層１１をレジストとしてエッチングされる。このことにより、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２を、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１と同等か、これより大きくすることができる。このようにして、金属支持層貫通孔３１と絶縁層貫通孔３２とにより構成される注入孔３０が形成され、配線接続部１６が注入孔３０内に露出される。ここで、絶縁層１０をエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。とりわけ、エッチング液は、絶縁層１０の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、絶縁層１０がポリイミド樹脂からなる場合には、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることができる。エッチングが行われた後、レジスト９０は除去される（図７（ｆ）参照）。
【００５９】
次に、注入孔３０において、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面に、めっき層１５が形成される（図７（ｇ）参照）。すなわち、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が、酸洗浄されて、電解めっき法によりニッケルめっきおよび金めっきが施されて、ニッケルめっき層１５ａおよび金めっき層１５ｂが順次形成され、０．５μｍ〜４．０μｍの厚さを有するめっき層１５が形成される。この場合、スライダ５２に接続されるヘッド端子５と、外部機器接続端子６にも、同様にしてめっきが施される。めっきの種類としては、ニッケルめっき、金めっきに限定されるものではなく、銀（Ａｇ）めっき、パラジウム（Ｐｄ）めっきを施すようにしても良い。また、本実施の形態においては、めっき用の給電が配線接続部１６に接続された配線１３を通して行われるようになっており、配線接続部１６と電気的に接続されていない金属支持層１１には、めっきは析出されないようになっている。
【００６０】
めっき層１５が形成された後、金属支持層１１が外形加工されて、枠体部１７が形成される（図７（ｇ）参照）。この場合、まず、金属支持層１１の下面に、ドライフィルムを用いて、パターン状のレジスト（図示せず）が形成される。次に、例えば、塩化鉄系エッチング液により、金属支持層１１のうちレジストから露出された部分がエッチングされ、枠体部１７が形成されると共に金属支持層１１が外形加工される。この枠体部１７は、基板本体領域２における金属支持層１１の部分と分離される。その後、レジストは除去され、本実施の形態によるサスペンション用基板１が得られる。
【００６１】
次に、このようにして得られたサスペンション用基板１を用いたサスペンションの製造方法について説明する。
【００６２】
まず、サスペンション用基板１が、ロードビーム４３（図２参照）を介して、ベースプレート４２に、溶接により取り付けられる。この場合、ロードビーム４３に設けられたビーム治具孔（図示せず）と、サスペンション用基板１に設けられた治具孔２５（図１参照）とにより、ロードビーム４３とサスペンション用基板１とのアライメントが行われて、溶接により固定される。
【００６３】
続いて、ピエゾ素子４４が、非導電性接着剤を用いてベースプレート４２に接合されると共に、導電性接着剤を用いて、ピエゾ素子４４の一方の電極４４ａが、ベースプレート４２に電気的に接続される。
【００６４】
また、金属支持層１１の枠体部１７とピエゾ素子４４の電極４４ａとの間の隙間から、注入孔３０に導電性接着剤が注入されて導電性接着部４８（図４参照）が形成され、ピエゾ素子４４の他方の電極４４ａは、導電性接着部４８を介して、サスペンション用基板１の接続構造領域３に接合されると共に電気的に接続される。
【００６５】
このようにして、サスペンション用基板１の接続構造領域３に接続されたピエゾ素子４４を含むサスペンション４１が得られる。
【００６６】
このサスペンション４１のヘッド端子５に、スライダ５２が接続されて図５に示すヘッド付サスペンション５１が得られる。さらに、このヘッド付サスペンション５１がハードディスクドライブ６１のケース６２に取り付けられて、図６に示すハードディスクドライブ６１が得られる。
【００６７】
図６に示すハードディスクドライブ６１においてデータの書き込みおよび読み取りを行う際、ボイスコイルモータ６５によりヘッド付サスペンション５１のスライダ５２がディスク６３上に沿って移動し、スピンドルモータ６４により回転しているディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接する。このことにより、スライダ５２とディスク６３との間で、データの受け渡しが行われる。この間、サスペンション用基板１のヘッド端子５（図１参照）と外部機器接続端子６との間を延びる各配線１３により電気信号が伝送される。
【００６８】
スライダ５２を移動させる際、ボイスコイルモータ６５が、スライダ５２の位置を大まかに調整し、ピエゾ素子４４が、スライダ５２の位置を微小調整する。すなわち、サスペンション用基板１の一対の接続構造領域３の側のピエゾ素子４４の電極４４ａに所定の電圧を印加することにより、一方のピエゾ素子４４が長手方向に収縮すると共に、他方のピエゾ素子４４が伸長する（図２参照）。この場合、ベースプレート４２とロードビーム４３の一部が弾性変形し、ロードビーム４３の先端側に位置するスライダ５２がスウェイ方向（旋回方向）に移動することができる。このようにして、スライダ５２を、ディスク６３の所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせすることができる。
【００６９】
このように本実施の形態によれば、導電性接着剤が注入される注入孔３０において、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が露出し、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている。このことにより、導電性接着剤と配線接続部１６との接触面積を増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部１６との間の導通抵抗を低減させることができる。このため、ピエゾ素子４４を接続するための導電性接着剤と配線接続部１６との電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００７０】
また、本実施の形態によれば、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２が、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きくなっている。このため、注入孔３０に注入された導電性接着剤が、金属支持層貫通孔３１を越えて絶縁層貫通孔３２内に入り込むことによって導電性接着剤のアンカー効果が発揮され、サスペンション用基板１の接続構造領域３と導電性接着剤との接合強度を向上させることができる。
【００７１】
また、本実施の形態によれば、絶縁層１０が、金属支持層１１をレジストとしてエッチングされて、絶縁層１０を貫通する絶縁層貫通孔３２が形成される。このことにより、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２を、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きくすることができる。すなわち、絶縁層貫通孔３２を形成することを目的として接続構造領域３における絶縁層１０にレジストの開口（図示せず）を形成する場合には、当該レジストの金属支持層貫通孔に対する相対的位置ズレを考慮すると、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２は、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より小さくせざるを得ないが、上述したように金属支持層１１をレジストとすることにより、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２を、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１と同等か、これより大きくすることが可能となる。なお、絶縁層貫通孔３２を形成する際、エッチング時間を調整することにより、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２を所望の値にすることもできる。さらに、絶縁層１０のエッチング時のレジスト９０（図７（ｄ）、（ｅ）参照）の開口部９０ａを、金属支持層３１の直径ｄ１よりも大きくして、絶縁層１０が金属支持層１１をレジストとしてエッチングされることにより、レジスト９０の位置ずれを、ある程度許容することができる。
【００７２】
さらに、本実施の形態によれば、上述したように、絶縁層１０が、金属支持層１１をレジストとしてエッチングされて、絶縁層貫通孔３２が形成される。ここで、絶縁層１０と金属支持層１１との密着性は、絶縁層１０とレジストとの密着性よりも良いため、エッチング時に、エッチング液が絶縁層１０とレジストとの隙間に染み込むことを防止することができる。このため、絶縁層貫通孔３２の形状および寸法の精度を向上させることができる。
【００７３】
なお、本実施の形態においては、注入孔３０において、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている例、すなわち、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２が、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きい例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａに対応する位置（とりわけ、一致する位置）に配置されていても良い。言い換えると、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２と金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１とが同一であっても良い。この場合においても、導電性接着剤と配線接続部１６との接触面積を増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部１６との間の導通抵抗を低減させることができる。
【００７４】
また、本実施の形態においては、金属支持層貫通孔３１および絶縁層貫通孔３２が、円形状の孔である例について説明したが、このことに限られることはなく、任意の形状の孔とすることもできる。
【００７５】
さらに、上述した本実施の形態においては、めっき層１５の表面（ピエゾ素子４４の側の面）が、粗面化されていてもよい。すなわち、図８（ａ）に示すように、めっき層１５は、ニッケルめっきが施されて形成されたニッケルめっき層１５ａと、金めっきが施されて形成された金めっき層１５ｂと、を有しており、このうち金めっき層１５ｂのみが粗面化されていてもよい。ここで、粗面化とは、表面が、通常その材料が有している表面粗さよりも大きくなるように、表面の粗さを意識的に大きくすることを意味しており、図８および図９に示す形態においては、めっき層１５の表面の表面粗さを、Ｒａ＝０．１μｍ〜０．６μｍとすることが好ましい。なお、Ｒａとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４における算術平均粗さを表しており、Ｒａの測定には、例えば、光波干渉式表面粗さ計（ＺＹＧＯ社製、Ｎｅｗ  ｖｉｅｗ  ５０３２）、レーザマイクロスコープ（キーエンス社製、ＶＫ−９５００）などを用いることが好適である。
【００７６】
図８（ａ）に示すようなめっき層１５は、形成された金めっき層１５ｂに、例えば、レーザ光を照射、または、プラズマを照射することにより、粗面化することができる。この場合、金めっき層１５ｂの表面の表面粗さを大きく（Ｒａ＝０．２μｍ〜０．６μｍ）することができる。このことにより、図８（ｂ）に示すように、導電性接着剤を構成する銀ペーストの銀フィラー４８ａが、金めっき層１５ｂの表面の微小凹凸内に入り込むことができ、導電性接着剤と金めっき層１５ｂとの間の導通抵抗を低減させることができ、ピエゾ素子４４を接続するための導電性接着剤と配線接続部１６との電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００７７】
また、この場合、粗面化された金めっき層１５ｂの表面の微小凹凸内に、銀ペーストの樹脂４８ｂが入り込むことができる。このため、導電性接着剤とめっき層１５との接着面積を増大させることができると共に、導電性接着剤のアンカー効果を発揮させることができる。このため、サスペンション用基板１の接続構造領域３と導電性接着剤との接合強度を向上させることができる。
【００７８】
なお、めっき層１５の表面を粗面化する方法としては、レーザ光またはプラズマを照射することに限られることはなく、金めっき層１５ｂを形成する際、めっき用の給電の電流密度を通常よりも低くする（例えば、０．５Ａ／ｃｍ２〜１．０Ａ／ｃｍ２）ことにより、金めっき層１５ｂの表面を粗面化してもよい。また、金めっき層１５ｂの厚さを厚くする（例えば、１．０μｍ〜２．５μｍ）ことによっても、めっき層１５の表面を粗面化することができる。このようにして金めっき層１５ｂの表面を粗面化する場合には、金めっき層１５ｂの形成と粗面化とを同時に行うことができ、製造工程が増えることを防止することができる。
【００７９】
また、金めっき層１５ｂの表面を粗面化することを目的として、図９（ａ）に示すように、金めっき層１５ｂの表面の粗面化に対応するように、ニッケルめっき層１５ａの表面（ピエゾ素子４４の側の面）が粗面化されていてもよい。この場合、ニッケルめっき層１５ａと金めっき層１５ｂとの接合面積を増大させ、密着性を向上させることができる。このようなニッケルめっき層１５ａは、ニッケルめっき層１５ａを形成する際、めっき用の給電の電流密度を通常よりも低くする（例えば、１．５Ａ／ｃｍ２〜３．０Ａ／ｃｍ２）ことにより得られる。この場合、ニッケルめっき層１５ａの形成と粗面化とを同時に行うことができ、製造工程が増えることを防止することができる。このようにして、粗面化されたニッケルめっき層１５ａに、金めっき層１５ｂを形成することで、ニッケルめっき層１５ａの表面の粗面化に対応させて、金めっき層１５ｂの表面を粗面化することができる。
【００８０】
また、図９（ｂ）に示すように、金めっき層１５ｂの表面の粗面化に対応するように、ニッケルめっき層１５ａの表面および配線接続部１６の表面（ピエゾ素子４４の側の面）が、粗面化されていてもよい。この場合、配線接続部１６とニッケルめっき層１５ａの接合面積、および、ニッケルめっき層１５ａと金めっき層１５ｂの接合面積を増大させ、密着性を向上させることができる。このような配線接続部１６は、形成された当該配線接続部１６を部分的にエッチングすることにより得られる。このようにして、粗面化された配線接続部１６に、ニッケルめっき層１５ａおよび金めっき層１５ｂを順次形成することで、配線接続部１６の表面の粗面化に対応させて、金めっき層１５ｂの表面を粗面化することができる。
【００８１】
第２の実施の形態
次に、図１０および図１１により、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について説明する。
【００８２】
図１０および図１１に示す第２の実施の形態においては、枠体部と配線接続部とが導電接続部によって電気的に接続され、注入孔における金属支持層に第２のめっき層が設けられている点が主に異なり、他の構成は、図１乃至図７に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図１０および図１１において、図１乃至図７に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００８３】
図１０に示すように、接続構造領域３において、絶縁層１０を貫通し、金属支持層１１の枠体部１７と、配線接続部１６とを電気的に接続する導電接続部（ビア）７０が設けられている。この導電接続部７０は、絶縁層１０を貫通する絶縁層導電接続孔７１、配線接続部１６を貫通する配線層導電接続孔７２、および、保護層２０を貫通する保護層導電接続孔７３に、ニッケルめっきを施すことにより形成されている。
【００８４】
注入孔３０において、配線接続部１６には、ニッケルめっきおよび金めっきが順次施されためっき層１５が形成されている。また、注入孔３０において、金属支持層１１の枠体部１７には、ニッケルめっきおよび金めっきが順次施された第２のめっき層７５が設けられている。第２のめっき層７５は、めっき層１５と同様の方法により形成することができ、めっき層１５および第２のめっき層７５の厚さは、それぞれ、０．５μｍ〜４．０μｍであることが好ましい。なお、本実施の形態においては、第２のめっき層７５は、枠体部１７の内縁から、露出されている枠体部１７の上面および下面の一部に延びている。
【００８５】
次に、図１１を用いて、本実施の形態によるサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、一例として、接続構造領域３の断面を示す図１１を用いて、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板１を製造する方法について説明する。
【００８６】
まず、絶縁層１０と、絶縁層１０のピエゾ素子４４の側の面に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられた配線層１２とを有する積層体３５を準備する（図１１（ａ）参照）。
【００８７】
続いて、配線層１２において、複数の配線１３と、配線接続部１６とが形成されると共に、金属支持層１１において、金属支持層貫通孔３１が形成される（図１１（ｂ）参照）。この際、配線接続部１６に、配線層導電接続孔７２が形成される。
【００８８】
次に、絶縁層１０上に、配線層１２の各配線１３および配線接続部１６を覆う保護層２０が形成される（図１１（ｃ）参照）。この際、保護層２０に、配線層導電接続孔７２に対応するように保護層導電接続孔７３が形成される。
【００８９】
保護層２０が形成された後、絶縁層１０において、絶縁層１０を貫通する絶縁層貫通孔３２が形成される（図１１（ｄ）〜（ｆ）参照）。この際、絶縁層１０に、配線層導電接続孔７２に対応するように絶縁層導電接続孔７１が形成される。
【００９０】
次に、絶縁層導電接続孔７１、配線層導電接続孔７２および保護層導電接続孔７３に、ニッケルめっきが施されて、導電接続部７０が形成される（図１１（ｇ）参照）。この場合、保護層２０上に、ドライフィルムを用いて、保護層導電接続孔７３が露出するようなパターン状のレジスト（図示せず）が形成されて、電解めっき法によりニッケルめっきが施される。この際、めっき浴には、標準的なスルファミン酸ニッケルめっき浴を用い、電解浸漬めっき（０．２Ａ、１４分）を行う。導電接続部７０が形成された後、レジストは除去される。
【００９１】
その後、注入孔３０において、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面に、めっき層１５が形成されると共に、金属支持層１１に、第２のめっき層７５が形成される（図１１（ｈ）〜（ｊ）参照）。
【００９２】
この場合、配線接続部１６と金属支持層１１が電気的に接続されているため、金属支持層１１の全面にめっきが析出することになる。そこで、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面の全面にめっき層１５を形成し、かつ金属支持層１１の第２めっき層７５以外の部分にはめっきが付かないようにするためには、金属支持層を１１レジストで覆う必要がある。具体的には、まず、金属支持層１１の下面に、ドライフィルムを用いて、パターン状のレジスト９１が形成される（図１１（ｈ）参照）。このレジスト９１は、位置ずれした場合であっても、金属支持層貫通孔３１内にレジスト９１が形成されることを防止するために、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１よりも大きな直径からなる開口部９１ａを有している。
【００９３】
続いて、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面、および、金属支持層１１のうちレジスト９１から露出されている面が、酸洗浄されて、ストライクめっきが施される。この場合、例えば、塩酸系のめっき浴を用いて、ストライクめっきをすることができる。このようにして、ストライクめっきが施されることにより、とりわけ金属支持層１１の表面に形成されていた不動態膜を除去して、めっきの密着性を向上させることができる。なお、ストライクめっきを行う前に酸洗浄の代わりとして、アルカリ洗浄若しくは塩酸浸漬させて、または、両方を併用して、めっきが施される面を洗浄してもよい。なお、本実施の形態においては、めっき用の給電が金属支持層１１を通して行われ、金属支持層１１と配線接続部１６とが、導電接続部７０によって電気的に接続されているため、金属支持層１１および配線接続部１６に、めっきが析出されるようになっている。
【００９４】
次に、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面、および、金属支持層１１の露出されている面に、電解めっき法によりニッケルめっきおよび金めっきが順次施されて、０．５μｍ〜４．０μｍの厚さを有するめっき層１５および第２のめっき層７５がそれぞれ形成される（図１１（ｉ）参照）。この場合、スライダ５２に接続されるヘッド端子５と、外部機器接続端子６にも、同様にしてめっきが施される。めっきの種類としては、ニッケルめっき、金めっきに限定されるものではなく、銀（Ａｇ）めっき、パラジウム（Ｐｄ）めっきを施すようにしても良い。
【００９５】
その後、レジスト９１が除去されて、金属支持層１１が外形加工されて、枠体部１７が形成される（図１１（ｊ）参照）。このようにして、本実施の形態におけるサスペンション用基板１が得られる。
【００９６】
このように本実施の形態によれば、導電性接着剤が注入される注入孔３０において、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が露出し、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている。このことにより、導電性接着剤と配線接続部１６との接触面積を増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部１６との間の導通抵抗を低減させることができる。とりわけ、本実施の形態においては、配線接続部１６と枠体部１７とが導電接続部７０によって電気的に接続され、枠体部１７に第２のめっき層７５が形成されている。このことにより、導電性接着剤と配線接続部１６との接着面積をより一層増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部１６との間の導通抵抗をより一層低減させることができる。このため、ピエゾ素子４４を接続するための導電性接着剤と配線接続部１６との電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００９７】
また、本実施の形態によれば、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２が、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きくなっている。このため、注入孔３０に注入された導電性接着剤が、金属支持層貫通孔３１を越えて絶縁層貫通孔３２内に入り込むことによってアンカー効果が発揮され、サスペンション用基板１の接続構造領域３と導電性接着剤との接合強度を向上させることができる。とりわけ、本実施の形態においては、枠体部１７に、第２のめっき層７５が形成されているため、導電性接着剤のアンカー効果を増大させることができる。また、絶縁層貫通孔３１の外縁３１ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａに対応する位置に配置されている場合（すなわち、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２と金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１とが同一である場合）であっても、導電性接着剤のアンカー効果を発揮させることができる。この結果、サスペンション用基板１の接続構造領域３と導電性接着剤との接合強度をより一層向上させることができる。
【００９８】
なお、本実施の形態においては、第２のめっき層７５が、枠体部１７の内縁から、露出されている枠体部１７の上面および下面の一部に延びている例について説明したが、このことに限られることはなく、第２のめっき層７５は、枠体部１７の内縁のみに形成されていてもよい。
【００９９】
また、金属支持層１１の枠体部１７に形成された第２のめっき層７５の表面を、粗面化してもよい。この場合、例えば、図８および図９を用いて説明したように、第２のめっき層７５の金めっき層（図示せず）を形成する際、めっき用の給電の電流密度を、通常よりも低くすることにより、当該金めっき層の表面を粗面化してもよい。あるいは、第２のめっき層７５のニッケルめっき層（図示せず）を形成する際、めっき用の給電の電流密度を、通常よりも低くすることにより、当該ニッケルめっき層の表面を粗面化してもよい。このようにして第２のめっき層７５を粗面化した場合、導電性接着剤と配線接続部１６との接着面積を増大させて、導通抵抗をより一層低減させることができると共に、サスペンション用基板１の接続構造領域３と導電性接着剤との接合強度をより一層向上させることができる。
【０１００】
第３の実施の形態
次に、図１２および図１３により、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について説明する。
【０１０１】
図１２および図１３に示す第３の実施の形態においては、配線接続部が、絶縁層貫通孔内の全体にわたって入り込み、枠体部に接している点が主に異なり、他の構成は、図１０および図１１に示す第２の実施の形態と略同一である。なお、図１２および図１３において、図１０および図１１に示す第２の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１０２】
図１２に示すように、配線層１２の配線接続部１６は、絶縁層貫通孔３２内に入り込んでいる。ここでは、配線接続部１６は、絶縁層貫通孔３２の全体にわたって入り込むように形成されて、金属支持層１１の枠体部１７に接している。このようにして、本実施の形態においては、導電性接着剤は、注入孔３０を構成する金属支持層貫通孔３１のみに注入されるようになっている。
【０１０３】
次に、図１３を用いて、本実施の形態によるサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、配線接続構造領域３の断面を示す図１３を用いて、一例として、アディティブ法によりサスペンション用基板１を製造する方法について説明する。
【０１０４】
まず、金属支持層１１を準備する（図１３（ａ）参照）。
【０１０５】
続いて、金属支持層１１上に、非感光性材料からなる絶縁層１０が形成されると共に、絶縁層１０を貫通する絶縁層貫通孔３２が形成される。この場合、まず、金属支持層１１上に、非感光性ポリイミドを用いた塗工方法により絶縁層１０が形成される（図１３（ｂ）参照）。続いて、絶縁層１０上に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成され、絶縁層１０のうちレジストから露出された部分がエッチングされて絶縁層貫通孔３２が形成される（図１３（ｃ）参照）。本実施の形態においては、絶縁層貫通孔３２は、円錐状に形成される。なお、絶縁層１０は、感光性材料を用いて形成してもよい。
【０１０６】
次に、絶縁層１０上に、シード層（図示せず）が形成される。この場合、絶縁層貫通孔３２内にも、シード層が形成される。
【０１０７】
その後、絶縁層１０上に、複数の配線１３と、絶縁層貫通孔３２内に入り込み、ピエゾ素子４４に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部１６と、を有する配線層１２が形成される（図１３（ｄ）参照）。この場合、まず、絶縁層１０上に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成され、レジストの開口部に、電解銅めっき法により、配線１３および配線接続部１６が形成される。その後、レジストは除去される。
【０１０８】
配線層１２が形成された後、絶縁層１０上に、各配線１３および配線接続部１６を覆う保護層２０が形成される（図１３（ｅ）参照）。
【０１０９】
続いて、金属支持層１１において、金属支持層１１を貫通する金属支持層貫通孔３１が形成される（図１３（ｆ）参照）。この場合、金属支持層１１に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成され、このレジストの開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により金属支持層１１がエッチングされる。このことにより、金属支持層１１において、金属支持層貫通孔３１が形成される。この際、金属支持層貫通孔３１は、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されて、金属支持層１１の枠体部１７が配線接続部１６に接するように、形成される。その後、レジストは除去される。
【０１１０】
その後、図１３（ｇ）〜（ｉ）に示すようにして、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面にめっき層１５が形成されると共に、注入孔３０における金属支持層１１に第２のめっき層７５が形成される。なお、これら図１３（ｇ）〜（ｉ）に示す工程は、第２の実施の形態において説明した図１１（ｈ）〜（ｊ）に示す工程と略同一であるため、ここでは詳細な説明は省略する。その後、金属支持層１１が外形加工されて枠体部１７が形成される。
【０１１１】
このように本実施の形態によれば、導電性接着剤が注入される注入孔３０において、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が露出し、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている。このことにより、導電性接着剤と配線接続部１６との接触面積を増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部１６との間の導通抵抗を低減させることができる。とりわけ、本実施の形態においては、配線接続部１６が絶縁層貫通孔３２に入り込み、金属支持層１１の枠体部１７に接している。このことにより、導電性接着剤と配線接続部１６との接触面積をより一層増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部１６との間の導通抵抗をより一層低減させることができる。このため、ピエゾ素子４４を接続するための導電性接着剤と配線接続部１６との電気接続の信頼性を向上させることができる。
【０１１２】
なお、本実施の形態においては、めっき層１５のピエゾ素子４４の側の面および配線接続部１６のめっき層１５の側の面が、図１４に示すように、粗面化されていてもよい。図１４および図１５に示す形態においては、粗面化された面には、１μｍ〜３μｍの深さの凹凸が形成されていることが好ましい。このようにめっき層１５および配線接続部１６を粗面化する方法について、図１５を用いて説明する。
【０１１３】
まず、金属支持層１１を準備し（図１５（ａ）参照）、この金属支持層１１上に、絶縁層１０が形成される（図１５（ｂ）参照）。
【０１１４】
続いて、絶縁層１０上に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成され、絶縁層１０のうちレジストから露出された部分がエッチングされて絶縁層貫通孔３２が形成される（図１５（ｃ）参照）。この際、絶縁層貫通孔３２内において、金属支持層１１上に、絶縁層１０の厚さよりも小さい高さ（例えば、１μｍ〜３μｍ）を有し、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面を粗面化するための粗面化形成部８０が形成される。この粗面化形成部８０は、例えば、平面視で、複数の島状に形成されてもよく、あるいは、格子状に形成されてもよく、その平面形状は限定されるものではない。なお、このような粗面化形成部８０は、例えば、感光性ポリイミドを用いて形成された絶縁層１０に、ハーフトーンマスクを用いて露光、現像、イミド化することによって形成することができる。
【０１１５】
次に、絶縁層１０上に、シード層（図示せず）を介して、複数の配線１３と、絶縁層貫通孔３２に入り込み、ピエゾ素子４４に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部１６と、を有する配線層１２が形成される（図１５（ｄ）参照）。この際、配線接続部１６は、粗面化形成部８０上に形成される。
【０１１６】
配線層１２が形成された後、絶縁層１０上に、各配線１３および配線接続部１６を覆う保護層２０が形成され（図１５（ｅ）参照）、金属支持層１１において、金属支持層１１を貫通し、導電性接着剤が注入される注入孔３０を構成する金属支持層貫通孔３１が形成される（図１５（ｆ）参照）。
【０１１７】
次に、粗面化形成部８０が除去される（図１５（ｇ）参照）。この場合、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることにより、粗面化形成部８０を除去することができる。このことにより、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が粗面化される。
【０１１８】
その後、図１５（ｈ）〜（ｊ）に示すようにして、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面にめっき層１５が形成されると共に、注入孔３０における金属支持層１１に第２のめっき層７５が形成される。この場合、配線接続部１６には、当該配線接続部１６の粗面化に対応して粗面化されためっき層１５が形成される。なお、これら図１５（ｈ）〜（ｊ）に示す工程は、第２の実施の形態において説明した図１１（ｈ）〜（ｊ）に示す工程と略同一であるため、ここでは詳細な説明は省略する。その後、金属支持層１１が外形加工されて、枠体部１７が形成される。
【０１１９】
このように、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面を粗面化することにより、めっき層１５の表面を粗面化して、導電性接着剤とめっき層１５との接触面積を増大させることができる。また、配線接続部１６の粗面化の程度、すなわち、粗面化形成部８０の微細度によっては、その表面の微小凹凸内に導電性接着剤を構成する銀ペーストの銀フィラー４８ａを入り込ませることができる。このことにより、導電性接着剤と金めっき層１５ｂとの間の導通抵抗を低減させることができ、ピエゾ素子４４を接続するための導電性接着剤と配線接続部１６との電気接続の信頼性を向上させることができる。
【０１２０】
また、この場合、粗面化された金めっき層１５ｂの表面の微小凹凸内に、銀ペーストの樹脂４８ｂが入り込むことができる。このため、導電性接着剤とめっき層１５との接着面積を増大させることができると共に、導電性接着剤のアンカー効果を発揮させることができる。このため、サスペンション用基板１の接続構造領域３と導電性接着剤との接合強度を向上させることができる。
【０１２１】
第４の実施の形態
次に、図１６および図１７により、本発明の第４の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について説明する。
【０１２２】
図１６および図１７に示す第４の実施の形態においては、配線接続部が、絶縁層貫通孔内の一部にわたって入り込んでいる点が主に異なり、他の構成は、図１２および図１３に示す第３の実施の形態と略同一である。なお、図１６および図１７において、図１２および図１３に示す第３の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１２３】
図１６に示すように、配線層１２の配線接続部１６は、絶縁層貫通孔３２内の一部、すなわち、中心部に入り込んでいる。なお、本実施の形態においては、配線接続部１６は、金属支持層１１の枠体部１７には接していない。
【０１２４】
次に、図１７を用いて、本実施の形態によるサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、配線接続構造領域３の断面を示す図１７を用いて、一例として、アディティブ法によりサスペンション用基板１を製造する方法について説明する。なお、図１７（ａ）〜（ｅ）に示す工程は、第３の実施の形態において説明した図１３（ａ）〜（ｅ）に示す工程と略同一であるため、ここでは詳細な説明は省略する。
【０１２５】
図１７（ｅ）に示すように保護層２０が形成された後、金属支持層１１を貫通する金属支持層貫通孔３１が形成される（図１７（ｆ）参照）。この際、金属支持層貫通孔３１は、その外縁３１ａが、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａより外方の位置に配置されるように、形成される。
【０１２６】
続いて、図１７（ｃ）において形成された絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２を広げるように、絶縁層１０がエッチングされる（図１７（ｇ）〜（ｉ）参照）。この場合、第１の実施の形態において説明した図７（ｄ）〜（ｆ）と同様にして、金属支持層１１に、開口部９２ａを有するパターン状のレジスト９２が形成され（図１７（ｇ）参照）、金属支持層貫通孔３１において露出された絶縁層１０がエッチングされて、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きな直径からなる絶縁層貫通孔３２が得られる（図１７（ｈ）参照）。その後、レジスト９２は除去される（図１７（ｉ）参照）。
【０１２７】
次に、第１の実施の形態において説明した図７（ｇ）と同様にして、注入孔３０において、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面に、めっき層１５が形成される（図１７（ｊ）参照）。その後、金属支持層１１が外形加工されて枠体部１７が形成される。
【０１２８】
このように本実施の形態によれば、導電性接着剤が注入される注入孔３０において、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が露出し、絶縁層貫通孔３２の外縁３２ａが、金属支持層貫通孔３１の外縁３１ａより外方の位置に配置されている。このことにより、導電性接着剤と配線接続部１６との接触面積を増大させることができ、導電性接着剤と配線接続部１６との間の導通抵抗を低減させることができる。このため、ピエゾ素子４４を接続するための導電性接着剤と配線接続部１６との電気接続の信頼性を向上させることができる。
【０１２９】
また、本実施の形態によれば、絶縁層貫通孔３２の直径ｄ２が、金属支持層貫通孔３１の直径ｄ１より大きくなっている。このため、注入孔３０に注入された導電性接着剤が、金属支持層貫通孔３１を越えて絶縁層貫通孔３２内に入り込むことによって導電性接着剤のアンカー効果が発揮される。とりわけ、本実施の形態においては、配線接続部１６が、絶縁層貫通孔３２の中心部のみに入り込んでいるため、この入り込んだ部分が導電性接着剤により囲まれ、導電性接着剤のアンカー効果をより一層向上させることができる。このため、サスペンション用基板１の接続構造領域３と導電性接着剤との接合強度をより一層向上させることができる。
【０１３０】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明によるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、これらの実施の形態を、適宜組み合わせることも可能である。
【０１３１】
また、上述した実施の形態においては、サスペンション用基板１は、一対のピエゾ素子４４に接続可能なように、基板本体領域２の両側方に配置された一対の接続構造領域３を有している例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、一対のピエゾ素子４４と同等の機能を有する一体化されたピエゾ素子（図示せず）に接続可能なように単一の接続構造領域を有するサスペンション用基板１に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【０１３２】
１      サスペンション用基板
２      基板本体領域
３      接続構造領域
４      連結領域
５      ヘッド端子
６      外部機器接続端子
１０    絶縁層
１１    金属支持層
１２    配線層
１３    配線
１５    めっき層
１５ａ  ニッケルめっき層
１５ｂ  金めっき層
１６    配線接続部
１７    枠体部
２０    保護層
２５    治具孔
３０    注入孔
３１    金属支持層貫通孔
３１ａ  外縁
３２    絶縁層貫通孔
３２ａ  外縁
３５    積層体
４１    サスペンション
４２    ベースプレート
４３    ロードビーム
４４    ピエゾ素子
４４ａ  電極
４４ｂ  圧電材料部
４８    導電性接着部
４８ａ  銀フィラー
４８ｂ  樹脂
５１    ヘッド付サスペンション
５２    磁気ヘッドスライダ
６１    ハードディスクドライブ
６２    ケース
６３    ディスク
６４    スピンドルモータ
６５    ボイスコイルモータ
６６    アーム
７０    導電接続部
７１    絶縁層導電接続孔
７２    配線層導電接続孔
７３    保護層導電接続孔
７５    第２のめっき層
８０    粗面化形成部
９０〜９２  レジスト
９０ａ〜９２ａ  開口部
【図１】
2015156250.tif 000003
【図２】
2015156250.tif 000004
【図３】
2015156250.tif 000005
【図４】
2015156250.tif 000006
【図５】
2015156250.tif 000007
【図６】
2015156250.tif 000008
【図７】
2015156250.tif 000009
【図８】
2015156250.tif 000010
【図９】
2015156250.tif 000011
【図１０】
2015156250.tif 000012
【図１１】
2015156250.tif 000013
【図１２】
2015156250.tif 000014
【図１３】
2015156250.tif 000015
【図１４】
2015156250.tif 000016
【図１５】
2015156250.tif 000017
【図１６】
2015156250.tif 000018
【図１７】
2015156250.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
絶縁層と、
絶縁層のアクチュエータ素子側の面に設けられた金属支持層と、
絶縁層の他方の面に設けられ、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する配線層と、を備え、
配線接続部にめっき層が設けられ、
めっき層は、当該めっき層の表面を構成する金めっき層を有し、
金めっき層の表面は、粗面化されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
めっき層は、金めっき層と配線接続部との間に設けられたニッケルめっき層を更に有し、
ニッケルめっき層のアクチュエータ素子側の面は、金めっき層の表面の粗面化に対応するように粗面化されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
配線接続部のアクチュエータ素子側の面は、金めっき層の表面の粗面化に対応するように粗面化されていることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
金めっき層の厚さは、１．０μｍ〜２．５μｍであることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
金めっき層の表面の算術平均粗さは、０．１μｍ〜０．６μｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
ベースプレートと、
ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた請求項１乃至５のいずれかに記載のサスペンション用基板と、
ベースプレートおよびロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、サスペンション用基板の接続構造領域に、導電性接着剤を介して接続されたアクチュエータ素子と、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項７】
請求項６に記載のサスペンションと、
サスペンションに実装されたスライダと、を有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項８】
請求項７に記載のヘッド付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項９】
アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
絶縁層と、絶縁層のアクチュエータ素子側の面に設けられた金属支持層と、絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、
配線層において、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、
配線接続部に、めっき層であって、当該めっき層の表面を構成する金めっき層を有するめっき層を形成する工程と、を備え、
めっき層を形成する工程において、金めっき層の表面は、粗面化されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１０】
アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
金属支持層を準備する工程と、
金属支持層に、絶縁層を形成すると共に、当該絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔を形成する工程と、
絶縁層に、複数の配線と、接続構造領域に設けられ、絶縁層貫通孔に入り込み、アクチュエータ素子に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する配線層を形成する工程と、
配線接続部に、めっき層であって、当該めっき層の表面を構成する金めっき層を有するめっき層を形成する工程と、を備え、
めっき層を形成する工程において、金めっき層の表面は、粗面化されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１１】
めっき層を形成する工程において、金めっき層の表面は、当該表面にレーザ光またはプラズマを照射することにより粗面化されることを特徴とする請求項９または１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１２】
めっき層を形成する工程において、金めっき層の表面は、当該金めっき層がめっき用の給電の電流密度を０．５Ａ／ｃｍ２〜１．０Ａ／ｃｍ２にして形成されることにより粗面化されることを特徴とする請求項９または１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１３】
めっき層を形成する工程において、金めっき層が形成される前に配線接続部のアクチュエータ素子側の面にニッケルめっき層が形成され、ニッケルめっき層のアクチュエータ素子側の面は、当該ニッケルめっき層がめっき用の給電の電流密度を１．５Ａ／ｃｍ２〜３．０Ａ／ｃｍ２にして形成されることにより粗面化され、これにより、金めっき層の表面が、ニッケルめっき層の表面の粗面化に対応するように粗面化されることを特徴とする請求項９または１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１４】
配線層を形成する工程において、配線接続部のアクチュエータ素子側の面は、当該面を部分的にエッチングすることにより粗面化され、
めっき層を形成する工程において、金めっき層が形成される前に配線接続部のアクチュエータ素子側の面にニッケルめっき層が形成され、これにより、ニッケル層のアクチュエータ素子側の面および金めっき層の表面が、配線接続部のアクチュエータ素子側の面の粗面化に対応するように粗面化されることを特徴とする請求項９または１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。