(57)【要約】      （修正有）【課題】基板のエッジ部（周縁部）を保持するリテーナリングの内周面にある基板の破片等の異物を検知することにより、研磨中に基板の表面に発生するスクラッチを低減することができる研磨装置を提供する。【解決手段】研磨面を有した研磨テーブルと、基板の裏面を基板保持面で保持するとともに基板の外周縁をリテーナリング１２で保持して基板を前記研磨面に押圧するトップリング１とを備えた研磨装置であって、前記リテーナリング１２の内周面１２Ｓを撮像する撮像装置８と、前記撮像装置８で得られた画像を処理して前記リテーナリング１２の内周面１２Ｓに異物があるか否かを判定する画像処理装置９とを備えた。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面を有した研磨テーブルと、基板の裏面を基板保持面で保持するとともに基板の外周縁をリテーナリングで保持して基板を前記研磨面に押圧するトップリングとを備えた研磨装置であって、
前記リテーナリングの内周面を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置で得られた画像を処理して前記リテーナリングの内周面に異物があるか否かを判定する画像処理装置とを備えたことを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記リテーナリングの内周面に投光する照明を備えたことを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
【請求項３】
前記照明は、前記撮像装置の撮像時に点灯し、撮像後に消灯することを特徴とする請求項２記載の研磨装置。
【請求項４】
前記撮像装置は、前記リテーナリングの内周面を斜め下方から撮像する位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の研磨装置。
【請求項５】
前記トップリングは、該トップリングとの間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し位置と前記研磨面の上方の基板研磨位置との間で揺動可能なようにトップリングヘッドを介してトップリングヘッドシャフトに支持され、
前記撮像装置は前記トップリングヘッドシャフトに隣接した場所に設置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記撮像装置は、前記トップリングが前記基板受け渡し位置にあるときに撮像することを特徴とする請求項５記載の研磨装置。
【請求項７】
前記撮像装置は、前記トップリングが基板を保持していないときに前記リテーナリングの内周面を撮像することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の研磨装置。
【請求項８】
前記リテーナリングと前記基板保持面とは相対的に上下方向に移動可能であり、
前記リテーナリングの下面を前記基板保持面より下方に位置させた後に、前記撮像装置は前記リテーナリングの内周面を撮像することを特徴とする請求項７記載の研磨装置。
【請求項９】
前記トップリングは、圧力流体が供給される複数の圧力室を形成する弾性膜であるメンブレンを有し、前記複数の圧力室に圧力流体を供給することで流体圧により前記基板を前記研磨面に押圧するように構成され、
前記基板保持面を構成する前記メンブレンを前記リテーナリングに対して上昇させることにより前記リテーナリングの下面を前記基板保持面より下方に位置させることを特徴とする請求項８記載の研磨装置。
【請求項１０】
前記メンブレンを保持するキャリアと、該キャリアの上方に形成された圧力室とを有し、該圧力室を真空状態にすることにより前記キャリアを上昇させて前記メンブレンを上昇させることを特徴とする請求項９記載の研磨装置。
【請求項１１】
前記リテーナリングの上方に形成された圧力室を有し、該圧力室を大気圧にして前記リテーナリングを下降させることにより前記リテーナリングの下面を前記基板保持面より下方に位置させることを特徴とする請求項８記載の研磨装置。
【請求項１２】
前記撮像装置はＣＣＤカメラからなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の研磨装置。
【請求項１３】
前記異物は、基板の破片であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板を研磨テーブル上の研磨面に押圧して基板を研磨する研磨装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化・高密度化に伴い、回路の配線がますます微細化し、多層配線の層数も増加している。回路の微細化を図りながら多層配線を実現しようとすると、下側の層の表面凹凸を踏襲しながら段差がより大きくなるので、配線層数が増加するに従って、薄膜形成における段差形状に対する膜被覆性（ステップカバレッジ）が悪くなる。したがって、多層配線するためには、このステップカバレッジを改善し、然るべき過程で平坦化処理しなければならない。また光リソグラフィの微細化とともに焦点深度が浅くなるため、半導体デバイスの表面の凹凸段差が焦点深度以下に収まるように半導体デバイス表面を平坦化処理する必要がある。
【０００３】
したがって、半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイス表面の平坦化がますます重要になっている。この表面の平坦化において最も重要な技術は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical  Mechanical  Polishing）である。この化学機械研磨は、シリカ（ＳｉＯ２）やセリア（ＣｅＯ２）等の砥粒を含んだ研磨液を研磨パッドの研磨面上に供給しつつウエハを研磨面に摺接させて研磨を行うものである。
【０００４】
ＣＭＰを行うための研磨装置は、研磨パッドを支持する研磨テーブルと、ウエハを保持するためのトップリングとを備えている。このような研磨装置を用いてウエハの研磨を行う場合には、トップリングによりウエハを保持しつつ、ウエハを研磨パッドに対して所定の圧力で押圧する。このとき、研磨テーブルとトップリングとを相対運動させることによりウエハが研磨パッドに摺接し、ウエハの表面が研磨される。
【０００５】
上述した研磨装置においては、研磨中にウエハと研磨パッドの間に摩擦力が発生するため、この摩擦力をリテーナリングによって受けることによりウエハがトップリングの下部から飛び出さないようにしている。また、リテーナリングにより研磨パッドを押圧することで研磨パッドを変形させ、この変形によってウエハのエッジ部（周縁部）に加わる研磨圧力を調整しエッジ部（周縁部）の研磨量を制御するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−０５０４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した研磨装置においては、トップリングスタビライズの時にウエハがリテーナリング内壁面に接触し、チッピング（欠け）が起こる場合がある。ここで、トップリングスタビライズとは、実際のプロセス研磨を開始する前に、研磨ステップを追加してトップリングのエアバック（圧力室）の圧力を安定させる操作のことである。リテーナリングはＰＥＥＫやＰＰＳ等の樹脂材料で形成されているため、ウエハのチッピングが起こると、ウエハの破片がリテーナリングの内壁に食い込んでしまう（めり込んでしまう）。ウエハの研磨枚数が増えるにつれて、リテーナリング内壁面に食い込んだウエハの破片が研磨パッド上に落下し、ウエハ表面のスクラッチの発生原因となる。
【０００８】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、基板のエッジ部（周縁部）を保持するリテーナリングの内周面にある基板の破片等の異物を検知することにより、研磨中に基板の表面に発生するスクラッチを低減することできる研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の目的を達成するため、本発明の研磨装置は、研磨面を有した研磨テーブルと、基板の裏面を基板保持面で保持するとともに基板の外周縁をリテーナリングで保持して基板を前記研磨面に押圧するトップリングとを備えた研磨装置であって、前記リテーナリングの内周面を撮像する撮像装置と、前記撮像装置で得られた画像を処理して前記リテーナリングの内周面に異物があるか否かを判定する画像処理装置とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、トップリングが基板を保持していないときに、撮像装置によりリテーナリングの内周面を撮像し、得られた画像を画像処理装置により処理し、リテーナリングの内周面に異物があるか否かを判定することができる。ウエハのチッピング等の異物を検知した場合には、警報を発報したり等の対処を行うことにより、その後に行われる研磨工程において異物の研磨面への落下に起因する基板表面のスクラッチの発生を低減できる。
【００１１】
本発明の好ましい態様によれば、前記リテーナリングの内周面に投光する照明を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、照明によりリテーナリングの内周面に投光できるため、研磨装置内が暗くても撮像装置による撮像に支障がない。
【００１２】
本発明の好ましい態様によれば、前記照明は、前記撮像装置の撮像時に点灯し、撮像後に消灯することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記撮像装置は、前記リテーナリングの内周面を斜め下方から撮像する位置に配置されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の好ましい態様によれば、前記トップリングは、該トップリングとの間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し位置と前記研磨面の上方の基板研磨位置との間で揺動可能なようにトップリングヘッドを介してトップリングヘッドシャフトに支持され、前記撮像装置は前記トップリングヘッドシャフトに隣接した場所に設置されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の好ましい態様によれば、前記撮像装置は、前記トップリングが前記基板受け渡し位置にあるときに撮像することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記撮像装置は、前記トップリングが基板を保持していないときに前記リテーナリングの内周面を撮像することを特徴とする。
【００１５】
本発明の好ましい態様によれば、前記リテーナリングと前記基板保持面とは相対的に上下方向に移動可能であり、前記リテーナリングの下面を前記基板保持面より下方に位置させた後に、前記撮像装置は前記リテーナリングの内周面を撮像することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記トップリングは、圧力流体が供給される複数の圧力室を形成する弾性膜であるメンブレンを有し、前記複数の圧力室に圧力流体を供給することで流体圧により前記基板を前記研磨面に押圧するように構成され、前記基板保持面を構成する前記メンブレンを前記リテーナリングに対して上昇させることにより前記リテーナリングの下面を前記基板保持面より下方に位置させることを特徴とする。
【００１６】
本発明の好ましい態様によれば、前記メンブレンを保持するキャリアと、該キャリアの上方に形成された圧力室とを有し、該圧力室を真空状態にすることにより前記キャリアを上昇させて前記メンブレンを上昇させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記リテーナリングの上方に形成された圧力室を有し、該圧力室を大気圧にして前記リテーナリングを下降させることにより前記リテーナリングの下面を前記基板保持面より下方に位置させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記撮像装置はＣＣＤカメラからなることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記異物は、基板の破片であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板のエッジ部（周縁部）を保持するリテーナリングの内周面にある基板の破片等の異物を検知することにより、研磨中に基板の表面に発生するスクラッチを低減することできる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】図２は、トップリングの構造を模式的に示す断面図である。
【図３】図３はトップリングの他の構造例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、研磨装置に設置された異物検知装置を示す正面図である。
【図５】図５は図４のＶ矢視図である。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は、図２に示す構造のトップリングの動作を示す模式的断面図であり、図６（ａ）はトップリングから基板を離脱させたときの状態を示す図であり、図６（ｂ）はＣＣＤカメラにより内周面を撮像する際の状態を示す図である。
【図７】図７は、図６（ｂ）のVII矢視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の研磨装置の実施形態について図１乃至図７を参照して詳細に説明する。なお、図１から図７において同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す模式図である。図１に示すように、研磨装置は、研磨パッド２を支持する研磨テーブル３と、研磨対象物であるウエハ等の基板Ｗを保持して研磨パッド２に押圧するトップリング１とを備えている。
【００２０】
研磨テーブル３は、テーブル軸３ａを介してその下方に配置されるモータ（図示せず）に連結されており、テーブル軸３ａを中心に回転可能になっている。研磨パッド２は、研磨テーブル３の上面に貼付されており、研磨パッド２の上面が基板Ｗを研磨する研磨面２ａを構成している。研磨テーブル３の上方には研磨液供給ノズル４が設置されており、研磨液供給ノズル４によって研磨パッド２上に研磨液が供給されるようになっている。
【００２１】
トップリング１はトップリングシャフト５に接続されており、トップリングシャフト５は、トップリングヘッド６に設置された上下動機構（図示せず）により上下動するようになっている。このトップリングシャフト５の上下動により、トップリングヘッド６に対してトップリング１の全体を矢印で示すように昇降させ、位置決めするようになっている。さらに、トップリングシャフト５は、トップリングヘッド６内に設置された回転機構（図示せず）により回転するようになっている。したがって、トップリング１は、トップリングシャフト５の回転に伴って、矢印で示すように自身の軸心を中心に回転する。トップリングヘッド６は、フレーム（図示せず）に回転可能に支持されたトップリングヘッドシャフト７によって支持されている。
【００２２】
トップリング１は、その下面に基板Ｗを保持できるようになっている。トップリングヘッド６はトップリングヘッドシャフト７を中心として旋回可能に構成されており、下面に基板Ｗを保持したトップリング１は、トップリングヘッド６の旋回により基板受け渡し位置（プッシャ）から研磨テーブル３の上方の基板研磨位置に移動される。そして、トップリング１を下降させて基板Ｗを研磨パッド２の研磨面２ａに押圧する。このとき、トップリング１および研磨テーブル３をそれぞれ回転させ、研磨テーブル３の上方に設けられた研磨液供給ノズル４から研磨パッド２上に研磨液を供給する。このように、研磨パッド２と基板Ｗとの間に研磨液が存在した状態で基板Ｗを研磨パッド２の研磨面２ａに摺接させて基板Ｗの表面を研磨する。基板Ｗの研磨が終了したら、トップリングヘッド６をトップリングヘッドシャフト７を中心として旋回させ、トップリング１を基板受け渡し位置（プッシャ）に位置させ、研磨後の基板Ｗをトップリング１から離脱（リリース）させる。
【００２３】
次に、トップリング１の構造について図２および図３を参照して説明する。
図２は、トップリング１の構造を模式的に示す断面図である。図２に示すように、トップリング１は、トップリングシャフト５の下端に連結されている。トップリング１は、略円盤状のトップリング本体１１と、トップリング本体１１の下部に配置されたリテーナリング１２とを備えている。トップリング本体１１はエンジニアリングプラスチック（例えば、ＰＥＥＫ）などの樹脂やセラミックス等の強度および剛性が高い材料から形成されている。また、リテーナリング１２は、ＰＥＥＫやＰＰＳ等の剛性の高い樹脂材料から形成されている。
【００２４】
トップリング本体１１およびリテーナリング１２の内側に形成された空間内には、トップリング本体１１に固定された弾性膜からなる環状の加圧シート１３と、加圧シート１３に保持された概略円盤状のキャリア１４とが収容されている。キャリア１４の下面には、基板Ｗの裏面に当接するメンブレン（弾性膜）１５が取り付けられている。メンブレン１５の下面が基板保持面１５ａを構成する。メンブレン１５は同心状の複数の隔壁１５ｂを有しており、これらの隔壁１５ｂにより、メンブレン１５とキャリア１４との間に４つの圧力室、すなわち、センター室２０、リプル室２１、アウター室２２およびエッジ室２３が形成されている。各圧力室２０，２１，２２，２３には、それぞれ流体路３１，３２，３３，３４を介して加圧空気等の加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。中央の圧力室であるセンター室２０は円形であり、他の圧力室であるリプル室２１、アウター室２２、エッジ室２３は環状である。これらの圧力室２０〜２３は、同心上に配列されている。
【００２５】
各圧力室２０，２１，２２，２３の内部圧力は圧力調整部により互いに独立して変化させることが可能であり、これにより、基板Ｗの４つの領域、すなわち、中央部、内側中間部、外側中間部、および周縁部に対する押圧力を独立に調整することができる。また、トップリング１の全体を昇降させることにより、リテーナリング１２を所定の押圧力で研磨パッド２に押圧できるようになっている。キャリア１４とトップリング本体１１との間には圧力室２５が形成され、この圧力室２５には流体路３５を介して加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。これにより、キャリア１４およびメンブレン（弾性膜）１５の全体が上下方向に動くことができる。
【００２６】
図２に示すように、基板Ｗの周縁部はリテーナリング１２により囲まれており、研磨中に基板Ｗがトップリング１から飛び出さないようになっている。アウター室２２を構成する、メンブレン１５の部位には開口ｈが形成されており、アウター室２２に真空を形成することにより基板Ｗがトップリング１に吸着保持されるようになっている。また、このアウター室２２に窒素ガス、乾燥空気、圧縮空気等を供給することにより、基板Ｗがトップリング１からリリースされるようになっている。
【００２７】
図３はトップリング１の他の構造例を模式的に示す断面図である。この例では、キャリア１４は設けられておらず、メンブレン１５はトップリング本体１１の下面に取り付けられている。また、キャリア１４とトップリング本体１１との間の圧力室２５も設けられていない。これに代えて、リテーナリング１２とトップリング本体１１との間には弾性バッグ２７が配置されており、弾性バッグ２７の内部には圧力室２６が形成されている。リテーナリング１２はトップリング本体１１に対して相対的に上下動可能となっている。圧力室２６には流体路３６が連通しており、加圧空気等の加圧流体が流体路３６を通じて圧力室２６に供給されるようになっている。圧力室２６の内部圧力は圧力調整部により調整可能となっている。したがって、基板Ｗに対する押圧力とは独立してリテーナリング１２の研磨パッド２に対する押圧力を調整することができる。他の構成および動作は、図２に示すトップリングの構成と同一である。本発明では、図２および図３のいずれのタイプのトップリングも用いることができる。
【００２８】
図２および図３に示すように構成されたトップリング１において、メンブレン１５の基板保持面１５ａによりウエハ等の基板Ｗを保持し、メンブレン１５を膨らませ、基板Ｗの下面（被研磨面）を研磨パッド２の研磨面２ａに当接させ、研磨テーブル３とトップリング１とを回転させることにより、基板Ｗの表面が所定の状態になるまで研磨する。この研磨工程中には、基板Ｗの周縁部がリテーナリング１２の内周面に接触し、チッピング（欠け）が起こる場合がある。リテーナリング１２はＰＥＥＫやＰＰＳ等の樹脂材料で形成されているため、基板のチッピングが起こると、基板の破片がリテーナリング１２の内壁に食い込んでしまう（めり込んでしまう）。基板の研磨枚数が増えるにつれて、リテーナリングの内周面に食い込んだ基板の破片が研磨パッド２上に落下し、基板表面のスクラッチの発生原因となる。
【００２９】
そこで、本発明においては、リテーナリング１２の内周面に食い込んだ基板の破片やリテーナリング１２の内周面に固着した砥粒等の異物を検知する異物検知装置を備えている。
図４は、研磨装置に設置された異物検知装置を示す正面図である。図５は図４のＶ矢視図である。図４および図５に示すように、トップリングヘッド６を支持するトップリングヘッドシャフト７に隣接した場所、例えばトップリングヘッドシャフト７が設置されている床部には、撮像装置を構成するＣＣＤカメラ８が固定されている。ＣＣＤカメラ８はリテーナリング１２の内周面１２Ｓが撮像できるように、ＣＣＤカメラ８の光軸８ｘはリテーナリング１２の内周面１２Ｓに向かって斜め上方に延びている。ＣＣＤカメラ８は画像処理装置９に接続されており、また画像処理装置９にはモニター１０が接続されている。トップリング１の下方には、リテーナリング１２の内周面１２Ｓに投光する照明１６が設置されている。尚、ＣＣＤカメラ８の設置場所は、トップリングシャフト７に隣接した場所に限らず、トップリングの下方からリテーナリング内周面を撮像できる場所であればよい。例えば、研磨テーブルが設けられている床部、基板受け渡し部が設けられている床部、研磨テーブルと基板受け渡し位置の間の床部でもよい。
【００３０】
図４および図５に示すように構成された異物検知装置は、以下のように動作する。
図４に示すように、トップリング１が基板受け渡し位置にあってトップリング１が基板Ｗを保持していないときに、ＣＣＤカメラ８はリテーナリング１２の内周面１２Ｓを撮像する。研磨装置内は暗いため、撮像時には照明１６を点灯してリテーナリング１２の内周面１２Ｓにスポットライトを当てる。スポットライトは可視光であってもよいし、赤外線であってもよい。撮像後に照明１６を消灯する。
尚、特に、基板上に露出した銅などの金属の酸化を抑制するために、研磨装置内を遮光している場合には、スポットライトと共に、さらに研磨装置内（特に研磨テーブル３とトップリング１とを備えた研磨部内）の照明が必要になる。照明をつけるタイミングは、研磨後の基板が受渡位置から搬出された後が望ましい。
【００３１】
図６（ａ），（ｂ）は、図２に示す構造のトップリング１の動作を示す模式的断面図であり、図６（ａ）はトップリング１から基板Ｗを離脱させたときの状態を示す図であり、図６（ｂ）はＣＣＤカメラ８によりリテーナリング１２の内周面１２Ｓを撮像する際の状態を示す図である。図６（ａ）に示すように、トップリング１から基板Ｗを離脱させたときには基板保持面１５ａはリテーナリング１２の下面よりやや突出した状態にある。ＣＣＤカメラ８による撮像時には、トップリング１の圧力室２５を真空源（図示せず）に接続して圧力室２５を真空状態にすることにより、図６（ｂ）に示すように、キャリア１４を上昇させて基板保持面１５ａを構成するメンブレン１５を上昇させる。これにより、図６（ｂ）に示すように、リテーナリング１２の下面を基板保持面１５ａより下方に位置させてリテーナリング１２の内周面１２Ｓを露出させ、ＣＣＤカメラ８により内周面１２Ｓの撮像ができる状態とする。また、図３に示すトップリング１にあっては、圧力室２６を大気圧のフリーの状態にしてリテーナリング１２を自重で下降させ、リテーナリング１２の下面を基板保持面１５ａより下方に位置させてリテーナリング１２の内周面１２Ｓを露出させ、ＣＣＤカメラ８により内周面１２Ｓの撮像ができる状態とする。こうして、内周面１２Ｓにある基板（ウエハ）のチッピング等の異物が見えるようにする。
【００３２】
図７は、図６（ｂ）のVII矢視図である。図７に示すように、リテーナリング１２の内周面１２Ｓにはウエハチッピングが食い込んでいる状態が見えている。ＣＣＤカメラ８による撮像中に、トップリング１を一回転させ、リテーナリング１２の内周面１２Ｓの全周を撮像する。撮像タイミングは、フォトコロージョンを考慮して、基板（ウエハ）が装置内に無い、ダミーディスペンス時に行う。ここで、ダミーディスペンスとは、研磨していない待機状態の時、トップリングや研磨パッドなどが乾燥しないように定期的に純水を吐出することである。また、洗浄配管のバクテリア発生防止やスラリラインの固着を防止するためにも純水を定期的に吐出している。
【００３３】
このようにしてＣＣＤカメラ８により得られた内周面１２Ｓの全周の画像を画像処理装置９により処理する。内周面１２Ｓに基板（ウエハ）のチッピング等の異物がある場合には、画像中では、異物は、所定の明るさの背景の中に、より明るい領域又はより暗い領域となって映り、背景より明るい領域又は暗い領域を画像処理装置９により判別することにより、異物を検知することができる。また、色のコントラストでウエハのチッピングとリテーナリングとを判別することもできる。すなわち、リテーナリングを白色とするとウエハは黒っぽい色なので色のコントラストでチッピングを検知できる。チッピングをＣＣＤカメラで確認する前に、リテーナリング内面に純水等を吹き付けてリテーナリング内面洗浄を行っていて基本的にはごみは洗い流しているので、これにより、リテーナリング内面に付着したゴミをチッピングと誤検知することを防止する。リテーナリング内面は、水滴が残るが、使用しているスラリも白色であり多少固着していても黒くないので、誤検知することはない。但し水滴などの影で誤検知の可能性があるので、チッピングの個数（たとえば、水滴の影の個数分を見込んで、警報を出すチッピングの個数（水滴などの影も含んだ個数）を決める）や、面積（たとえば、サイズの異なるチッピングが重なっている時は１個と判断してしまうので、チッピングの総面積が所定面積（ｍｍ２）以上になったら）などを規定して警報を出すようにする。
【００３４】
画像処理装置９は、基板（ウエハ）の破片等の異物を検知した時は警報を出す。ダミーディスペンス状態になった最初にチッピング等の異物検知を行ない、異物を検知したら警報を発報する。警報発報後もダミーディスペンスの動作はそのまま継続する。異物の検知条件は、上述したように、ウエハ破片等の異物の個数、ウエハ破片等の異物の面積など、運用による。異物検知後に異物の状態をモニター１０にて確認後にリセットできるようにする。
【００３５】
フォトコロージョンに影響が無いプロセスのときは基板毎または基板枚数を指定して異物検査を行うことができる。プロセス中に異物を検知した場合は、プロセスインターロックとする。ＣＣＤカメラ８が錆びないようにカバーで囲いＮ２パージをする。カバーが汚れて撮像に影響がでないように常にカバーに純水をかけて汚れないようにし、撮像時に純水の供給を止めてＮ２ガスをカバーに吹きかけて水滴を無くす。なお、カバーは浸水処理又は撥水処理して水滴による誤感知を無くす。照明１６も同様にカバーで囲いＮ２パージをする。カバーが汚れて照明が暗くならないように常にカバーに純水をかけて汚れないようにし、撮像時に純水の供給を止めてＮ２ガスをカバーに吹きかけて水滴を無くす。なお、カバーは浸水処理又は撥水処理して水滴による光の拡散を無くす。図７に示すように、溝つきのリテーナリング１２の場合には、画像処理により溝を除外して異物検査を行うことが可能である。
【００３６】
これまで本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術思想の範囲内において、種々の異なる形態で実施されてよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００３７】
１  トップリング
２  研磨パッド
３  研磨テーブル
３ａ  テーブル軸
４  研磨液供給ノズル
５  トップリングシャフト
６  トップリングヘッド
７  トップリングヘッドシャフト
８  ＣＣＤカメラ
８ｘ  光軸
９  画像処置装置
１０  モニター
１１  トップリング本体
１２  リテーナリング
１２Ｓ  内周面
１３  加圧シート
１４  キャリア
１５  メンブレン（弾性膜）
１５ａ  基板保持面
１５ｂ  隔壁
１６  照明
２０  センター室
２１  リプル室
２２  アウター室
２３  エッジ室
２５  圧力室
２６  圧力室
２７  弾性バッグ
３１  流体路
３２  流体路
３３  流体路
３４  流体路
３５  流体路
３６  流体路
【図１】
2015188955.tif 000003
【図２】
2015188955.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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