(57)【要約】      （修正有）【課題】バルク音響（ＢＡＷ）共振器に於いて、下部電極ので圧電層に段差が生じないように平坦面を形成する方法を提供する。【解決手段】方法は、下部電極と基板の上にエッチング停止層を形成するステップＳ３１３と、エッチング停止層上に誘電層を形成するステップＳ３１４と、下部電極の上に開口部を画定するフォトマスクを誘電層の上に形成するステップＳ３１５と、誘電層の一部をフォトマスクの開口部を通じてエッチング停止層までエッチングして、対応する開口部を誘電層に形成するステップＳ３１６と、フォトマスクを除去して、誘電層の開口部の周囲に誘電層のエッチングされていない突出部を残すステップＳ３１７と、誘電層の突出部と、下部電極の上にあるエッチング停止層の部分と、下部電極の最小限の部分とを除去して、下部電極の上面と基板の上に堆積された誘電層の（上面に）近接する上面とを含む平坦面を提供するステップＳ３１８、を含む。【選択図】図３
2015188216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルク音響（ＢＡＷ）共振器デバイスを製造する方法であって、
基板の上に下部電極を形成するステップと、
該下部電極及び該基板の上にエッチング停止層を形成するステップと、
前記下部電極及び前記基板の上の前記エッチング停止層上に誘電層を形成するステップと、
前記誘電層の上にフォトマスクを形成するステップであって、該フォトマスクは、前記下部電極の上に開口部を画定し、該開口部は前記下部電極よりもわずかに小さいことからなる、ステップと、
前記誘電層の一部を、前記フォトマスクの前記開口部を通じて前記エッチング停止層までエッチングして、前記誘電層に対応する開口部を形成するステップと、
前記フォトマスクを除去して、前記誘電層の前記開口部の周囲に前記誘電層のエッチングされていない突出部を残すステップと、
前記誘電層の前記突出部と、前記下部電極の上にある前記エッチング停止層の部分とを少なくとも除去して、前記下部電極の上面と、前記基板の上に堆積された前記誘電層の上面とから構成される平坦面を提供するステップであって、前記下部電極の前記上面と前記誘電層の前記上面は近接していることからなる、ステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記平坦面上に圧電層を形成するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記平坦面上に前記圧電層を形成することによって、前記圧電層におけるクラック及びボイドが低減する、請求項２の方法。
【請求項４】
前記平坦面上に前記圧電層を形成することによって、前記圧電層の破壊電圧が大きくなる、請求項３の方法。
【請求項５】
前記平坦面上に前記圧電層を形成することによって、前記圧電層が、より大きな静電気放電（ＥＳＤ）に耐えることができるようになる、請求項４の方法。
【請求項６】
前記圧電層は、１以上の希土類元素がドープされた窒化アルミニウムから構成される、請求項２の方法。
【請求項７】
前記１以上の希土類元素にはスカンジウム（Sc）が含まれる、請求項６の方法。
【請求項８】
前記誘電層の前記突出部及び前記エッチング停止層が研磨プロセスによって除去される、請求項１の方法。
【請求項９】
前記研磨プロセスは、シリカスラリーを用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを含む、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記バルク音響（ＢＡＷ）共振器デバイスは、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）から構成され、前記下部電極は前記基板内のキャビティの上に形成され、前記キャビティは初めのうちは犠牲材料を含んでいる、請求項１の方法。
【請求項１１】
前記バルク音響（ＢＡＷ）共振器デバイスは、ソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）から構成され、前記下部電極は、音響反射器を構成する低音響インピーダンス層の上に形成される、請求項１の方法。
【請求項１２】
前記エッチング停止層は、窒化アルミニウム（AlN）とダイヤモンドライクカーボン（DLC）のうちの一方から構成される、請求項１の方法。
【請求項１３】
前記誘電層は、ホウケイ酸ガラス（BSG）と二酸化ケイ素（SiO2）と窒化ケイ素（SiN）とのうちの１つから構成される、請求項１の方法。
【請求項１４】
前記誘電層は、ポリマー材料から構成される、請求項１の方法。
【請求項１５】
前記誘電層の厚さは、前記下部電極の第１の厚さよりも少なくとも約１０％厚い、請求項１の方法。
【請求項１６】
バルク音響（ＢＡＷ）共振器デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に形成された下部電極と、
前記基板の上に前記下部電極に近接して形成された誘電層と、
前記誘電層を前記下部電極から分離する垂直部分と、前記誘電層を前記基板から分離する水平部分とを有するエッチング停止層であって、前記下部電極の上面と、前記誘電層の上面と、前記エッチング停止層の前記垂直部分の露出した上端部とによって平坦面が形成されることからなる、エッチング停止層と、
前記平坦面上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された上部電極
を備え、
前記平坦面上に前記圧電層が形成されることによって、該圧電層の破壊電圧が大きくなることからなる、ＢＡＷ共振器デバイス。
【請求項１７】
前記圧電層は、希土類元素がドープされた窒化アルミニウム（AlN）から構成される、請求項１６のＢＡＷ共振器デバイス。
【請求項１８】
前記希土類元素は、スカンジウム（Sc）である、請求項１７のＢＡＷ共振器デバイス。
【請求項１９】
前記圧電層の厚さは、約３０００Åである、請求項１８のＢＡＷ共振器デバイス。
【請求項２０】
共振器デバイスを製造する方法であって、
基層の上に電極を形成するステップと、
前記電極及び前記基層の上にエッチング停止層を形成するステップと、
前記電極及び前記基層の上の前記エッチング停止層上に誘電層を形成するステップと、
前記誘電層の上にフォトマスクを形成するステップであって、該フォトマスクは、前記電極の上に開口部を画定し、該開口部は前記電極よりもわずかに小さいことからなる、ステップと、
前記誘電層の一部を、前記フォトマスクの前記開口部を通じて前記エッチング停止層までエッチングして、前記誘電層に対応する開口部を形成するステップと、
前記フォトマスクを除去して、前記誘電層の前記開口部の周囲に前記誘電層のエッチングされていない突出部を残すステップと、
前記誘電層の前記突出部と、前記電極の上にある前記エッチング停止層の部分と、前記電極の最小限の部分とを除去して、前記電極の上面と、前記基層の上に堆積された前記誘電層の上面とから構成される平坦面を提供するステップであって、前記電極の前記上面と前記誘電層の前記上面は近接していることからなる、ステップ
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
種々の電子工学的用途において信号処理機能を実施するために、音響共振器を使用することができる。たとえば、いくつかの携帯電話や他の通信装置は、信号を送信及び／または受信するための周波数フィルタを実施するために音響共振器を使用する。たとえば、圧電薄膜共振器（FBAR）などのバルク（弾性）波（BAW）共振器、結合共振器フィルタ(coupled resonator filter：CRF)、積層型圧電薄膜共振器（stacked bulk acoustic resonator：SBAR。積層型バルク音響共振器ともいう）、二重バルク音響共振器（double bulkacoustic resonator：ＤＢＡＲ）、ソリッドマウント共振器（solidly mounted resonator：SMR）といったいくつかの異なるタイプの音響共振器を異なるそれぞれの用途に応じて使用することができる。たとえば、FBARは、キャビティの上の下部（第１）電極と上部（第２）電極の間に圧電層を備えている。BAW共振器を、携帯電話、個人用携帯型情報機器（PDA）、電子ゲーム機、ラップトップコンピューター、その他の携帯型通信装置などの種々の電子工学的用途において使用することができる。たとえば、基本共振周波数に近い周波数で動作するFBARを、モバイル機器の無線周波数（RF）フィルタ及びデュプレクサの重要な構成要素として使用することができる。
【０００２】
音響共振器は典型的には、音響スタック（acoustic stack）と呼ばれる構造をなすように２つのプレート電極間に挟まれた圧電材料の層を有している。それらの電極間に入力電気信号が印加されると、逆圧電効果によって、圧電材料の極性（分極）に応じて音響スタックが機械的に伸びたり縮んだりする。入力電気信号は時間と共に変化するので、音響スタックの伸縮によって発生する音波（または音響波）は、音響共振器を通ってさまざまな方向に伝搬して、圧電効果によって出力電気信号に変換される。音波のいくつかは、音響スタックの両端間で共振を起こし、その場合の共振周波数は、音響スタックの材料、寸法、及び動作条件などの要因によって決まる。音響共振器の上記及び他の機械的特性によってその周波数応答が決まる。
【０００３】
図１は、従来の１製造方法にしたがって製造された従来の音響共振器デバイスの断面図である。
【０００４】
図１を参照すると、音響共振器デバイス１００は、音響反射を可能にするキャビティ１１０を画定する基板１０５を備えている。下部電極１２０が、基板１０５上に、キャビティ１１０を覆って形成されている。圧電層１３０が基板１０５及び下部電極１２０上に形成されており、上部電極１４０が、下部電極１２０の上に延在する圧電層１３０の一部分の上に形成されている。下部電極１２０、下部電極１２０の上に延在する圧電層１３０の一部、及び、上部電極１４０は、音響共振器デバイス１００の活性領域を画定する。
【０００５】
とりわけ、下部電極１２０は、キャビティ１１０の外側エッジ（外縁部）を越えて延在しているが、基板１０５の（接続）エッジまでは延在していない。したがって、圧電層１３０が付加されると、該圧電層は、該圧電層の材料が、基板１０５の上面から下部電極１２０の上面へと移行する移行部分を含む２つのレベル（高さ）にわたって広がる。この構成は、下部電極１２０の厚さが比較的厚いときには特に、クラック（亀裂や割れ目など）やボイド（空隙等）などの欠陥が圧電層１３０に形成される可能性を高める。また、そのような欠陥は、圧電層１３０の破壊電圧を有効に低下させて、圧電層１３０が耐えることができる静電気放電（ＥＳＤ）の大きさを小さくしうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６１０７７２１号明細書
【図面の簡単な説明】
【０００７】
以下の詳細な説明を添付の図面と併せて読むことによって、例示的な実施形態を最良に理解することができる。様々な特徴部ないし構造は必ずしも一律の縮尺で描かれているわけではないことを強調しておく。実際に、説明をわかりやすくするために、寸法は適宜拡大または縮小されている場合がある。適用可能で実用性がある場合には、同じ参照番号は同じ要素を示す。
【図１】従来の音響共振器デバイスの断面図である。
【図２Ａ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの上面図である。
【図２Ｂ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの断面図である。
【図２Ｃ】別の代表的な実施形態による音響共振器デバイスの断面図である。
【図３】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図４Ａ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｂ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｃ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｄ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｅ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｆ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｇ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｈ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｉ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【図４Ｊ】代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの１段階を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下の詳細な説明では、本教示の完全な理解を提供するために、限定ではなく説明のために、特定の細部を開示する例示的な実施形態が説明される。しかしながら、本開示を利用できる当業者には明らかなように、本明細書に開示されている特定の細部から逸脱する本教示にしたがう他の実施形態も、依然として添付の特許請求の範囲内にある。さらに、例示的な実施形態の説明が不明瞭にならないようにするために、周知の装置および方法に関する説明は省いている場合がある。明らかなことであるが、そのような方法及び装置も本教示の範囲内にある。
【０００９】
本明細書で使用されている用語は、特定の実施形態だけを説明するためのものであり、限定することは意図されていない。定義されている用語は、関連する文脈において一般に理解されて許容されている該用語の技術的意味、科学的意味、または通常の意味も含んでいる。
【００１０】
「１つの」、「前記」もしくは「該」という用語は、文脈上別の意味であることが明らかである場合を除いて、単一の対象と複数の対象の両方を含む。したがって、たとえば、「１つのデバイス」は、１つのデバイス及び複数のデバイスを含む。「実質的な」または「実質的に」という用語は、許容可能な限界内においてもしくは程度内においてを意味する（「実質的に」を「ほぼ」に言い換えることができる）。「約」という用語は、当業者にとって許容可能な限界内または量内にあることを意味する。「上」、「下」、「上部」、「下部」、「上側」、及び「下側」などの相対的な用語は、添付の図面に示されているような様々な要素の相互の関係を説明するために使用されている場合がある。これらの相対的な用語は、図面に示された向きに加えて、デバイス及び／又は要素の異なる向きを含むことが意図されている。たとえば、デバイスが図面の表示に対して反転された場合には、たとえば、（反転される前は）別の要素の「上」にあるものとして記述されていた要素は、今やその要素の下にあることになる。第１のデバイスが第２のデバイスに接続されるもしくは結合されると記述されている場合には、これは、１つまたは複数の介在デバイスを利用してそれら２つのデバイスを互いに接続することができる例を含んでいる。これとは対照的に、第１のデバイスが第２のデバイスに直接的に接続されるもしくは直接的に結合されると記述されている場合には、これは、電気コネクタ（例えば、ワイヤやボンディング材料など）以外の任意の介在デバイスなしにそれら２つのデバイスが互いに接続される例を含んでいる。また、物体Ａの「上に」に配置される物体Ｂ、及び、物体Ａ「上に」に配置される物体Ｂという語句は、物体Ｂが、物体Ａの上面の全体または一部を覆うように物体Ａの上に配置される形態を含むことが意図されている。
【００１１】
本教示は一般に、圧電薄膜共振器（FBAR）またはソリッドマウント共振器（SMR）などの音響共振器に関するが、便宜上、FBARに関して説明する。材料および製造方法を含む音響共振器の特定の細部は、本願と所有者が共通である次の米国特許及び米国特許出願のうちの１以上に記載されている。
・Lakinに対する米国特許第６，１０７，７２１号、
・Ruby他に対する米国特許第５，５８７，６２０号、米国特許第５，８７３，１５３号、米国特許第６，５０７，９８３号、米国特許第６，３８４，６９７号、米国特許第７，２７５，２９２号、及び米国特許第７，６２９，８６５号、
・Feng他に対する米国特許第７，２８０，００７号、
・Jamneala他に対する米国特許出願公開第２００７／０２０５８５０号、
・Ruby他に対する米国特許第７，３８８，４５４号、
・Choy他に対する米国特許出願公開第２０１０／０３２７６９７号、
・Choy他に対する米国特許出願公開第２０１０／０３２７９９４号、
・Nikkel他に対する米国特許出願第１３／６５８，０２４号、
・Burak他に対する米国特許出願第１３／６６３，４４９号、
・Burak他に対する米国特許出願第１３／６６０，９４１号、
・Burak他に対する米国特許出願第１３／６５４，７１８号、
・Ruby他に対する米国特許出願公開第２００８／０２５８８４２号、
・Kaitila他に対する米国特許第６，５４８，９４３号。
これらの特許および特許出願の全開示内容は、参照により本明細書に具体的に組み込まれるものとする。これらの特許および特許出願に記載されている構成要素、材料、及び製造方法は、代表的なものであって、当業者が理解する範囲内にある他の製造方法および材料も考慮されていることを強調しておく。
【００１２】
後述するいくつかの実施形態では、基板（及び音響反射器）の上に形成された下部電極、該下部電極上に配置された圧電層、及び該圧電層上に配置された上部電極を有する音響共振器デバイスを製造する方法が提供される。音響共振器デバイスはまた、該下部電極に近接する（または隣り合っている）、該基板の上の誘電材料で形成された平坦化層を含み、該平坦化層と該下部電極が全体として、圧電層が形成される平坦な上面を提供するようになっている。該方法は、該基板と該下部電極の上にエッチング停止層を加えて、該下部電極の上の該誘電材料をエッチングできるようにすることを含む。結合された上面を平坦にするために、該誘電材料と該下部電極の間のエッチング停止層及び該誘電材料の下のエッチング停止層を除く、該エッチング停止層の大部分及び該誘電材料の突出部が除去される。こうして形成された音響共振器デバイスの平坦化された表面は、従来の技術によって形成したときには生じうるクラック及びボイドが実質的に存在しない、構造的にかつ動作上より安定な圧電層を提供する。
【００１３】
したがって、代表的な１実施形態によれば、バルク音響（ＢＡＷ）共振器デバイスを製造するための方法が提供される。該方法は、基板の上に下部電極を形成することと、該下部電極及び該基板の上にエッチング停止層を形成することと、該下部電極及び該基板の上の該エッチング停止層上に誘電層を形成することと、該誘電層の上にフォトマスクを形成することと（該フォトマスクは該下部電極の上に開口部を画定し、該開口部は、該下部電極よりもわずかに小さい）、該フォトマスクの該開口部を通じて該エッチング停止層まで該誘電層の一部をエッチングして、該誘電層内に対応する開口部を形成することと、該フォトマスクを除去することと、該誘電層の該開口部の周囲にエッチングされなかった該誘電層の突出部を残すことと、該誘電層の該突出部、該下部電極の上にあるエッチング停止層の一部、及び、該下部電極の最小限の部分（できる限りわずかな部分）を除去して、該下部電極の上面と該基板の上に堆積された該誘電層の（該上面に）近接する（または隣り合っている）上面とからなる平坦化された表面を提供することとを含む。
【００１４】
別の代表的な実施形態によれば、ＢＡＷ共振器デバイスは、基板と、該基板の上に形成された下部電極と、該下部電極に近接して（または隣り合って）該基板の上に形成された誘電層と、該誘電層を該下部電極から分離する垂直部分と該誘電層を該基板から分離する水平部分とを有するエッチング停止層と（該下部電極の上面、（該上面に）近接する（または隣り合った）該誘電層の上面、及び、該エッチング停止層の該垂直部分の露出した上端部は、平坦化された表面を形成する）、該平坦化された表面上に形成された圧電層と、該圧電層上に形成された上部電極とを備える。該平坦化された表面上に該圧電層を形成することによって、該圧電層の破壊電圧が大きくなる。
【００１５】
図２Ａは、代表的な１実施形態による音響共振器２００の上面図であり、図２Ｂと図２Ｃは、線Ａ−Ａ’に沿った互いに異なる実施形態による音響共振器２００の断面図である。具体的には、図２Ｂは、音響反射器としてエアキャビティ（空気空洞。図ではキャビティ（空洞）２０８）を備える代表的なＦＢＡＲである音響共振器２００−１の断面図であり、図２Ｃは、音響反射器として音響ミラー（たとえば、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２１０）を備える代表的なＳＭＲである音響共振器２００−２の断面図である。したがって、図２Ａと図２Ｂのいずれも、ＢＡＷ共振器デバイスの例を示している。しかしながら、本教示の範囲から逸脱することなく、種々の実施形態を、他のタイプの音響共振器に組み込むことができることが理解される。
【００１６】
図２Ａを参照すると、音響共振器２００は、相互接続部２４２に電気的接続を提供するように構成された１つの接続用側部２４１を含む５つの側部を有する上部電極２４０を備えている。相互接続部２４２は、音響共振器２００の圧電層（図２Ａには示されていない）において所望の音波を励起するために、上部電極２４０に電気信号を提供する。
【００１７】
本教示の範囲から逸脱することなく、後述する一般的な構成と同じ構成を、フレームやカラーなどの種々の一体化された及び／またはアドオンの横方向構造を有する音響共振器の様々な位置において該音響共振器内に含めることができることが一般的に理解される。
【００１８】
図２Ｂを参照すると、音響共振器２００−１は基板２０５を備えており、該基板２０５は、該基板内に形成されたキャビティ２０８（たとえばエアキャビティ）を画定している。下部電極２２０は、基板２０５上に配置されてキャビティ２０８をおおっている。１実施形態では、本教示の範囲から逸脱することなく、基板２０５と下部電極２２０の間に可撓性の薄膜（不図示）を設けることができる。誘電層２２５（該誘電層を平坦化層と呼ぶ場合もある）は、下部電極２２０の隣に、かつ、基板２０５の上に形成されている。誘電層２２５は、製造プロセス（該プロセスの１例は図４Ａ〜図４Ｊを参照して後述されている）で残された薄いエッチング停止層２５０によって下部電極２２０及び基板２０５から分離されている。より具体的には、誘電層２２５は、エッチング停止層２５０の実質的に垂直な部分２５１によって（ｙ軸に沿って）下部電極２２０から分離されており、また、エッチング停止層２５０の実質的に水平な部分２５２によって（ｘ軸に沿って）基板２０５から分離されている。下部電極２２０の上面及び誘電層２２５の上面は、エッチング停止層２５０の該垂直部分２５１の露出した上端部と共に平坦化されており、これは、それらが集合的に、結合された平坦化された表面２２９を形成することを意味している（以下、平坦化された表面を平坦面ともいう）。
【００１９】
圧電層２３０は、下部電極２２０及び誘電層２２５の平坦化された表面すなわち平坦面上に配置されている。上部電極２４０は圧電層２３０上に配置されている。下部電極２２０、圧電層２３０、及び上部電極２４０は集合的に、音響共振器２００−１の音響スタック（acoustic stack）を構成している。パッシベーション層（不図示）を、上部電極２４０の上面に、並びに、圧電層２３０の上面の任意の露出した部分に配置することができ、その場合、該パッシベーション層の厚さは、環境から音響スタックの全ての層を防護する（湿気、腐食、汚染物質、くずなどから保護することを含む）のに十分なものである。
【００２０】
下部電極２２０及び誘電層２２５の結合された平坦面２２９などの平坦面上に圧電層２３０を付加すると、圧電層２３０の品質が一般的に向上する。たとえば、結合された平坦面（平坦な上面）の存在は、圧電層２３０並びに音響共振器２００−１全体の構造的及び動作上の安定性を向上させる傾向がある。平坦面２２９の存在はまた、後続の層、特に圧電層２３０、並びに、上部電極２４０及びパッシベーション層（ただし該層がある場合）の成長の品質を改善する。さらに、誘電層２２５の存在は、必要であれば、キャビティ２０８を完全には覆わないように下部電極２２０を形成できるようにする。平坦化の潜在的利益の更なる例は、Burak他に対する米国特許出願公開第２０１３／０１０６５３４号に記載されており、該米国特許出願の全内容は、参照により本明細書に組み込まれるものとする。
【００２１】
図２Ｃを参照すると、キャビティ２０８が、代表的なＤＢＲ２１０として示されている音響ミラーで置き換えられている点を除いて、音響共振器２００−２は、音響共振器２００−１と実質的に同じである（ただし、本教示の範囲から逸脱することなく他のタイプの音響反射器を組み込むことができる）。すなわち、図示の実施形態では、音響共振器２００−２は、基板２０５と、基板２０５の上面に配置されたＤＢＲ２１０と、ＤＢＲ２１０の全長にわたっては延在していない下部電極２２０とを備えている。
【００２２】
種々の実施形態において、ＤＢＲ２１０は、複数の音響反射層対を含み、それらの反射層対は、基板２０５の上面に順次に積層された代表的な第１の音響反射層対２１１及び第２の音響反射層対２１２によって示されている。第１の音響反射層対２１１は、高音響インピーダンス材料から形成された第１の高音響インピーダンス層２１１ｂ上に積層された、低音響インピーダンス材料から形成された第１の低音響インピーダンス層２１１ａを備えている。第２の音響反射層対２１２は、高音響インピーダンス材料から形成された第２の高音響インピーダンス層２１２ｂ上に積層された、低音響インピーダンス材料から形成された第２の低音響インピーダンス層２１２ａを備えている。
【００２３】
第１及び第２の低音響インピーダンス層２１１ａ及び２１２ａ、並びに、第１及び第２の高音響インピーダンス層２１１ｂ及び２１２ｂのそれぞれを、たとえば、音響共振器２００−２の固有共振（固有振動）周波数の４分の１波長に相当（ないし合致）する厚さを有するように形成することができる。一般に、ＤＢＲ２１０によって提供される音響分離（acoustic isolation）の大きさ（ないし程度）は、隣接する音響インピーダンス層の音響インピーダンスの差違、及びＤＢＲ２１０を形成する層の総数に依存し、その差異が大きいほど、及び、層の総数が多いほど、より良好な音響分離が生じる。いくつかの実施形態では、ＤＢＲ２１０は、異なる（もしくは対照的な）音響インピーダンスを有する誘電材料の対から形成される。代替の実施形態では、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層との一方または両方を、異なる（もしくは対照的な）音響インピーダンスを有する金属材料から形成することができる。
【００２４】
図示の代表的な実施形態では、ＤＢＲ２１０は、音響インピーダンス層の２つの対、すなわち、第１の音響反射層対２１１及び第２の音響反射層対２１２から構成されている。第１の音響反射層対２１１の第１の低音響インピーダンス層２１１ａは、（比較的柔軟な材料とすることができる）比較的低い音響インピーダンスを有する材料から形成される。たとえば、第１の低音響インピーダンス層２１１ａを、ホウケイ酸ガラス（boron silicate glass：BSG。ボロンシリケートガラスともいう）、テトラエトキシシラン（tetra-ethyl-ortho-silicate：TEOS。テトラエチルオルソシリケートともいう）、酸化ケイ素（SiOx）、窒化ケイ素（SiNx）（ｘは整数）、カーボンドープ酸化シリコン（carbon-doped silicon oxide：CDO）、化学蒸着法炭化ケイ素（chemical vapor deposition silicon carbide：CVD SiC）、プラズマ化学気相成長法SiC（plasmaenhanced CVD SiC：PECVDSiC）、ニオブモリブデン（niobium molybdenum：NbMo）、チタン（Ti）、またはアルミニウムから形成することができる。第１の音響反射層対２１１において、第１の低音響インピーダンス層２１１ａと対にされる第１の高音響インピーダンス層２１１ｂは、（比較的硬い材料とすることができる）比較的高い音響インピーダンスを有する材料から形成される。たとえば、第１の高音響インピーダンス層２１１ｂを、タングステン（W）、モリブデン（Mo）、イリジウム（Ir）、酸化ハフニウム（HfO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）、ダイヤモンド、またはダイヤモンドライクカーボン（diamond-like carbon：DLC）から形成することができる。同様に、第２の音響反射層対２１２の第２の低音響インピーダンス層２１２ａは、比較的低い音響インピーダンスを有する材料から形成され、第２の音響反射層対２１２において、第２の低音響インピーダンス層２１２ａと対にされる第２の高音響インピーダンス層２１２ｂは、比較的高い音響インピーダンスを有する材料から形成される。
【００２５】
もちろん、本教示の範囲から逸脱することなく、たとえば特定の設計目標を達成するために、種々の実施形態において、ＤＢＲ２１０は、他の数の音響反射層対を含むことができる。音響ミラーの様々な製造技術の例が、Larson III他に対する米国特許第７，３５８，８３１号（2008年４月15日）に記載されており、該米国特許の全内容は、参照により本明細書に組み込まれるものとする。また、種々の実施形態において、第１及び第２の低音響インピーダンス層２１１ａ、２１２ａは互いに同じ材料から形成され、第１及び第２の高音響インピーダンス層２１１ｂ、２１２ｂは互いに同じ材料から形成される。しかしながら、本教示の範囲から逸脱することなく、代替の実施形態において、第１及び第２の低音響インピーダンス層２１１ａ、２１２ａを互いに異なる材料から形成することができ、及び／または、第１及び第２の高音響インピーダンス層２１１ｂ、２１２ｂを互いに異なる材料から形成することができる。
【００２６】
下部電極２２０はＤＢＲ２１０上に配置されており、誘電層２２５は、ＤＢＲ２１０の上に（たとえばＤＢＲ２１０を覆って）かつ下部電極２２０の隣に形成されている。より具体的には、下部電極２２０は、第２の低音響インピーダンス層２１２ａの上面上に配置されており、誘電層２２５は、第２の低音響インピーダンス層２１２ａの上面の上に（たとえば該上面を覆って）かつ下部電極２２０の隣に形成されている。誘電層２２５は、製造プロセスで残されたエッチング停止層２５０によって下部電極２２０及び（上記のように基板２０５とは対照的に）ＤＢＲ２１０から分離されている。より具体的には、誘電層２２５は、エッチング停止層２５０のほぼ垂直な部分２５１によって下部電極２２０から分離されており、かつ、エッチング停止層２５０のほぼ水平な部分２５２によってＤＢＲ２１０から分離されている。下部電極２２０の上面及び誘電層２２５の上面は、エッチング停止層２５０の該垂直部分２５１の露出した上端部と共に平坦化されており、これは、それらが集合的に、結合された平坦面２２９を形成することを意味している。
【００２７】
圧電層２３０は、下部電極２２０及び誘電層２２５の平坦面２２９上に配置されている。上部電極２４０は圧電層２３０上に配置されている。下部電極２２０、圧電層２３０、及び上部電極２４０は集合的に、音響共振器２００−２の音響スタックを構成している。上記したように、パッシベーション層（不図示）を、上部電極２４０の上面上、並びに、圧電層２３０の上面の任意の露出した部分に配置することができる。
【００２８】
種々の実施形態によれば、音響共振器デバイス２００−１及び２００−２を、半導体プロセスに適合する種々の技術を用いて製造することができる。代表的な音響共振器２００−１用の製造プロセスの非限定的な１例が、図３、及び図４Ａ〜図４Ｊを参照して後述されている。とりわけ、当業者には明らかなように、基板２０５内にキャビティ２０８を形成するためのステップが省かれる一方で、基板２０５上にＤＢＲ２１０を形成するためのステップが含められる点を除いて、実質的に同じプロセスが代表的な音響共振器２００−２の製造に適用される。ＤＢＲ２１０を形成するための種々の材料及び適用ないし付加の順番については、図２Ｃに関して上述されている。
【００２９】
図３は、代表的な１実施形態による、音響共振器デバイスを製造する１方法を示すフローチャートである。図４Ａ〜図４Ｊは、代表的な１実施形態による音響共振器デバイスの製造プロセスの各段階を示す断面図であり、図３に示す処理に実質的に対応している。
【００３０】
とりわけ、説明を簡単にするために、図４Ａ〜図４Ｊには、音響共振器（たとえば音響共振器２００−１）を提供するための単一のダイが示されている。しかしながら、当業者には明らかように、図３の製造ステップ、及び図４Ａ〜図４Ｊの対応する断面図（に示す製造ステップ）を、ウェーハ形態の複数のダイにおいて同時に実行して、対応する音響共振器デバイス（たとえば、該デバイスの各々が本例の音響共振器２００−１と同じである）を製造プロセス中に形成して完了時に分離（すなわちダイシングする）できることが理解される。
【００３１】
図３のステップＳ３１１において、図４Ａに示すように、キャビティ２０８が基板２０５内に形成される。キャビティ２０８を、たとえば、ボッシュプロセス（Bosch process）や従来のフッ素または塩素または臭素ベースのプロセスなどのドライエッチングプロセスによって形成することができる。ただし、本教示の範囲から逸脱することなく、種々の代替のエッチング技術を利用することができる。キャビティ２０８は、初めのうちは、リンケイ酸ガラス（ＰＳＧ：phosphosilicateglass）などの犠牲材料２０９で充填されている。平坦化された上面を形成するために、基板２０５及び犠牲材料２０９に化学機械研磨（ＣＭＰ）を適用することができる。最終的には、図４Ｊを参照して後述するように、上部電極２４０の形成後に、たとえば、キャビティ２０８内の犠牲材料がエッチングにより除去されてエアキャビティ（空洞）が残される。基板内にキャビティを形成するための種々の製造技術の例が、Grannen他に対する米国特許第７，３４５，４１０（２００８年３月１８日）に記載されている。該米国特許の全内容は参照により本明細書に組み込まれるものとする。
【００３２】
基板２０５を、シリコン（Si）、ガリウムヒ素（GaAs）、リン化インジウム（InP）などの半導体プロセスに適合する種々のタイプの半導体材料から形成することができ、該基板は、接続部と電子回路系を一体化することによってサイズ及びコストを低減するのに有用である。種々の実施形態において、基板２０５を、ガラス、サファイア、アルミナなどの絶縁材料で形成することができ、または、基板２０５は該絶縁材料を含むことができる。
【００３３】
図３のステップＳ３１２において、図４Ｂに示すように、下部電極２２０が、基板２０５上、及び、犠牲材料２０９を含むキャビティ２０８上に形成される。下部電極２２０を、たとえばスパッタ堆積（sputter deposition。またはスパッタ蒸着。以下同じ）や化学蒸着法（ＣＶＤ）によって、タングステン（W）、モリブデン（Mo）、銅（Cu）、アルミニウム（Al）などの１以上の導電性の金属材料から形成することができる。種々の構成において、下部電極２２０を、単一の材料層として形成することができ、または、下部電極２２０を、異なる音速及び音響インピーダンスを有する金属などの２つ以上の異なる導電材料で形成された複合電極とすることができる。下部電極２２０が複合電極である場合には、該下部電極は、一体化された低速フレーム（low velocity frame）または一体化された高速フレーム（highvelocity frame）などの種々の横方向構造を含むことができる。種々の一体化横方向構造が、たとえば、Burak他に対する米国特許出願第１３／６６０，９４１号（２０１２年１０月２５日付け提出）に記載されており、該米国特許出願の全開示内容は参照により本明細書に組み込まれるものとする。下部電極２２０を、たとえば、約１０００オングストローム（Å）〜約２００００オングストローム（Å）の範囲内の第１の厚さを有するように形成することができる。
【００３４】
ステップＳ３１３において、図４Ｃに示すように、エッチング停止層２５０が、基板２０５上及び下部電極２２０上に形成される。エッチング停止層２５０を、たとえばスパッタ堆積やプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって、窒化アルミニウム（AlN）やダイヤモンドライクカーボン（DLC）などの耐エッチング材料から形成することができる。エッチング停止層２５０は、下部電極２２０よりも薄い。たとえば、エッチング停止層２５０を、約３００Åの厚さを有するように形成することができる。
【００３５】
ステップＳ３１４において、図４Ｄに示すように、誘電層２２５がエッチング停止層２５０上に形成される。誘電層２２５を、たとえばスパッタ堆積やＰＥＣＶＤによって、ホウケイ酸ガラス（BSG）、二酸化ケイ素（SiO2）、窒化ケイ素（SiN）、またはポリマー材料（または高分子材料）などの１以上の誘電材料から形成することができる。誘電層２２５を第２の厚さを有するように形成することができ、該第２の厚さを、下部電極２２０の該第１の厚さよりも厚くすることができる。たとえば、誘電層２２５を、約２０００Å〜約２３０００Åの範囲内の第２の厚さで形成することができる。一般的に、該第２の厚さは、該第１の厚さよりも少なくとも（該第１の厚さの）約１０％厚い。代替の構成では、エッチング停止層２５０の厚さなどの種々の要因に応じて、誘電層２２５の第２の厚さを、下部電極２２０の第１の厚さと同じかまたはそれより薄くすることができる。
【００３６】
ステップＳ３１５において、フォトマスク２６０が誘電層２２５の上に形成される。より具体的には、フォトレジスト層が、誘電層２２５の上面に加えられ、その後、パターン形成されて、図４Ｅに示すように、フォトレジストパターンすなわちフォトマスク２６０が提供される。当業者には明らかなように、フォトマスク２６０を、半導体プロセスに適合する任意のフォトレジストを用いて形成することができる。フォトマスク２６０を、フォトレジスト層を機械加工することによってまたはフォトリソグラフィーを用いて化学的にエッチングすることによって形成することができるが、本教示の範囲から逸脱することなく種々の代替の技術を利用することができる。生成されたフォトマスク２６０は、下部電極２２０のほぼ中央領域の上に配置された、下部電極２２０よりもわずかに小さい開口部２６５を有している。すなわち、開口部２６５は、溝が形成されないようにするのに十分なだけ、下部電極２２０の縁部とわずかにオーバーラップしている。
【００３７】
ステップＳ３１６において、誘電層２２５の一部が、エッチングによってフォトマスク２６０の開口部２６５を通じてエッチング停止層２５０まで除去されて、図４Ｆに示すように、誘電層２２５内に対応する開口部２２６が形成される。このエッチングを、たとえばフッ素プラズマエッチング（fluorine plasma etch）を用いて実行することができるが、たとえば誘電層２２５の誘電材料に依存して、他のタイプのエッチングを利用することができる。たとえば、誘電材料が有機材料である場合には、エッチングプロセスは酸素プラズマエッチング（oxygen plasma etch）を含むことができる。誘電層２２５を貫通する開口部２２６も同様に、下部電極２２０よりもわずかに小さく、これによって、後述するように、下部電極２２０の外縁部が誘電層２２５のエッチングされていない部分（及びエッチング停止層２５０）によって依然として覆われるようになっている。また、開口部２２６は、実質的に平行な側壁を有するものとして図示されているが、種々の実施形態は、実質的に円錐形状の開口部２２６を提供するための先細り形状の側壁などの任意の形状の側壁を有することができることが理解される。
【００３８】
ステップＳ３１７において、図４Ｇに示すように、フォトマスク２６０が除去されて、エッチング停止層２５０と誘電層２２５のエッチングされていない部分とが残される。フォトマスク２６０を、たとえば、剥離用溶剤（たとえばＨＦエッチング液）や酸素プラズマを用いて、化学的に除去もしくはエッチングすることができる。しかしながら、本教示の範囲から逸脱することなく、他の種々の技術によってフォトマスク２６０を除去することができる。誘電層２２５のエッチングされていない部分は、誘電層２２５のエッチングされていない突出部２２７及び２２８を含んでおり、それらの突出部は、下部電極２２０の外縁部の近く（誘電層２２５の開口部２２６の周辺部）に配置されている。
【００３９】
ステップＳ３１８において、誘電層２２５の突出部２２７及び２２８、下部電極２２０の上にあるエッチング停止層２５０の部分、並びに、状況によっては（下部電極が依然として該第１の厚さを実質的に有するように）下部電極２２０の最小限の部分（できる限りのわずかの部分）、が除去されて、平坦面２２９が提供される。突出部２２７及び２２８，下部電極２２０の上にあるエッチング停止層２５０の部分、及び、下部電極２２０の最小限の部分を、たとえばシリカスラリー（silica slurry）を用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスなどの研磨プロセス（または研磨加工。以下同じ）によって除去することができる。もちろん、本教示の範囲から逸脱することなく、他の種々の技術を利用することができる。たとえば、下部電極２２０の上に配置されているエッチング停止層２５０を、別の酸素プラズマエッチングステップで除去することができる。その結果得られた平坦面２２９は、図４Ｈに示すように、下部電極２２０の上面と、これに近接（または隣合う）残された誘電層２２５の上面とを有している。この時点で、誘電層２２５を平坦化層ということができる。さらに、平坦面２２９は、エッチング停止層２５０の垂直部分２５１の露出した上端部を有している。すなわち、研磨プロセスを受けなかったエッチング停止層２５０の部分は音響共振器２００−１内に留まる。たとえば、上記したように、残された垂直部分２５１は、下部電極２２０を近接する（または隣にある）誘電層２２５から分離し、エッチング停止層２５０の残された水平部分２５２は、誘電層２２５を基板２０５から分離する。
【００４０】
ステップＳ３１９において、図４Ｉに示すように、圧電層２３０が平坦面２２９上に形成される。平坦面２２９は非常に滑らか（ないし平坦）であって、圧電層２３０の効率的な成長を促進する。圧電層２３０を、たとえば、窒化アルミニウム（AlN）、酸化亜鉛（ZnO）、ジルコン酸チタン酸塩（PZT）などの半導体プロセスに適合する任意の圧電材料のスパッタ堆積によって形成することができる。もちろん、本教示の範囲から逸脱することなく、他の材料を圧電層２３０に組み込むことができる。また、種々の実施形態において、圧電層２３０に、たとえば、スカンジウム（Sc）、イットリウム（Y）、ランタン（La）、またはエルビウム（Er）などの１以上の希土類元素（または１以上の種類の希土類元素）を「ドープ」することができる。電気機械結合係数Kt2を改善するために、圧電層に１以上の（または１以上の種類の）希土類元素をドープする例は、たとえば、Bradley他に対する米国特許出願第１３／６６２，４２５号（２０１２年１０月２７日付け提出）、及び、Grannen他に対する米国特許出願第１３／６６２，４６０号（２０１２年１０月２７日付け提出）に記載されている。尚、これらの米国特許出願の全内容は、参照により本明細書に組み込まれるものとする。
【００４１】
圧電層２３０を（たとえば、図１に示されているような変化のある表面上ではなく）平坦面２２９上に形成することは、大きな利益をもたらす。たとえば、平坦面２２９上に圧電層２３０を形成することによって、圧電層２３０におけるクラック及びボイドが低減し、これによって、圧電層２３０並びに音響共振器２００−１全体の構造的及び動作上の完全性（integrity）が向上する。また、クラック及びボイドが低減すると、平坦面２２９上に形成された圧電層２３０の破壊電圧が大きくなるので、圧電層２３０がより大きな静電気放電（ＥＳＤ）ストレスに耐えられるようになる。圧電層２３０を、たとえば、約３０００Å〜約２５０００Åの範囲内の厚さを有するように形成することができる。とりわけ、平坦面２２９上に圧電層２３０を形成することによって、上記のように、希土類元素がドープされた圧電材料が組み込まれているときには特に、より薄い圧電層２３０を形成することが可能になる。たとえば、圧電層２３０が約５原子百分率のスカンジウム（Sc）をドープされているときには、圧電層２３０の厚さを約３０００Åにすることができるが、これは、従来方式のドープされた（またはドープされない）圧電層よりも薄い。
【００４２】
ステップＳ３２０において、図４Ｊに示すように、上部電極２４０が圧電層２３０上に形成され、犠牲材料２０９がキャビティ２０８から除去されてエアキャビティが残され、これによって、代表的な音響共振器２００−１が提供される。当業者には明らかなように、犠牲材料２０９を、たとえば、ＨＦエッチングを用いてエッチング除去することができる。上部電極２４０を、たとえばスパッタ堆積やＰＥＣＶＤによって、タングステン（W）、モリブデン（Mo）、銅（Cu）、アルミニウム（Al）などの１以上の導電性の金属材料から形成することができる。下部電極２２０に関して上記したように、種々の構成において、上部電極２４０を単一の材料層として形成することができ、または、上部電極２４０を、互いに異なる音速及び音響インピーダンスを有する金属などの互いに異なる２つ以上の導電材料で形成された複合電極とすることができる。上部電極２４０が複合電極であるときには、該上部電極は、一体化された低速フレームまたは一体化された高速フレームなどの種々の横方向構造を含むことができる。上部電極の厚さを、たとえば、約１０００Å〜約２００００Åの範囲内の厚さとすることができるが、上部電極２４０は、下部電極２２０と同じかまたは異なる厚さを有することができる。同様に、上部電極２４０は、下部電極２２０と同じかまたは異なる組成を有することができる。たとえば、下部電極２２０と上部電極２４０を同じ材料または異なる材料で形成することができ、及び／または、下部電極２２０と上部電極２４０の一方もしくは両方を、１以上の一体化された横方向構造を有する複合電極とすることができる。
【００４３】
オプションとして、パッシベーション層（不図示）を、音響共振器２００−１の上に形成して、露出した表面（たとえば、上部電極２４０及び圧電層２３０の露出した上面）を整合的に被覆することができる。パッシベーション層を、たとえば、ホウケイ酸ガラス（BSG）、二酸化ケイ素（SiO2）、窒化ケイ素（SiN）または、ポリシリコンから形成することができる。
【００４４】
上記したように、図３及び図４Ａ〜図４Ｊは、代表的な音響共振器２００−１の製造に向けられた説明のためのものである。しかしながら、それらのステップの大部分を、平坦化層を有する他のタイプの音響共振器を形成する際に組み込むことができる。たとえば、図２Ｃに示されている代表的な音響共振器２００−２を製造するために、ステップＳ３１１は省かれることになる。なぜなら、基板２０５にはキャビティ（キャビティ２０８）は含められないからである。むしろ、このステップは、基板２０５上に音響反射器（たとえばＤＢＲ２１０）を形成するステップで置き換えられるであろう。すなわち、ＤＢＲ２１０は、第１の音響反射層対２１１上に積層された第２の音響反射層対２１２から構成される。したがって、ＤＢＲ２１０を形成するために、たとえばスパッタ堆積によって、第１の高音響インピーダンス層２１１ｂが基板２０５上に形成され、第１の低音響インピーダンス層２１１ａが第１の高音響インピーダンス層２１１ｂ上に形成され、第２の高音響インピーダンス層２１２ｂが第１の低音響インピーダンス層２１１ａ上に形成され、第２の低音響インピーダンス層２１２ａが第２の高音響インピーダンス層２１２ｂ上に形成される。次に、（図４Ｂ及び図４Ｃに示されているように）下部電極２２０とエッチング停止層２５０の一部とが第２の低音響インピーダンス層２１２ａ上に（該層２１２ａを挟んで基板２０５の上面に対向する関係で）形成される。（図４Ｄ〜図４Ｊに示されている）残りのステップは、実質的に同じままである（ただし、キャビティから犠牲材料を除去する必要はない）。
【００４５】
上記したように、図４Ａ〜図４Ｊに図示した製造ステップを、同時に複数のダイを形成するためにウェーハに対して（またはウェーハ上で）実行することができる。この場合、隣接する音響共振器２００−１を、該ウェーハから切断または分離して、図２Ｂ、図２Ｃ、及び図４Ｊに示されている代表的な音響共振器２００−１などの単一の（個別化された）ダイを複数個形成する。それらのダイを、たとえばスクライブ（scribe）及びブレーク（break）技術などの半導体製造プロセスに適合する種々の技術を用いて分離することができる。
【００４６】
とりわけ、それらの種々の実施形態は、圧電層をその上に形成するための、下部電極及び誘電層を含む平坦面を提供することに限定されない。むしろ、それらの技術を任意の平坦化された上面を提供するために適用することができる。たとえば、ＤＢＡＲやＳＢＡＲの場合には、上部電極及び誘電層を含む平坦面が、該平坦面上に別の共振器や他の電子デバイスを形成するために必要とされる場合がある。同様に、平坦面は、該平坦面に音響ミラーの低音響インピーダンス層及び／または高音響インピーダンス層を形成するために必要とされる場合がある。
【００４７】
必要な製造ステップは、平坦面を提供する材料を半導体基板以外の基層（base layer。ベース層）の上に形成できる点を除いて、上記したものと実質的に同じである。たとえば、ＤＢＡＲまたはＳＢＡＲを形成するために、電極を圧電層の上に形成し、エッチング停止層を該電極及び該圧電層の上に形成し、誘電層を、該電極及び該圧電層の上の該エッチング停止層上に形成する。電極を露出させるために、該誘電層の上にフォトマスクを形成して、該電極の上に開口部を画定し（該開口部は該電極よりもわずかに小さい）、該誘電層の一部を該フォトマスクの開口部を通じて該エッチング停止層までエッチングして、対応する開口部を該誘電層に形成する。該フォトマスクを除去すると、該誘電層の該開口部の周囲に該誘電層のエッチングされなかった突出部が残る。それらの突出部を、該電極の上にある該エッチング停止層の部分及び該電極の最小限の部分と共に除去して、該電極の上面と、該圧電層の上に堆積された（該上面に近接したまたは隣にある）該誘電層の上面と、該エッチング停止層の露出した上部とから構成される平坦面を提供する。該電極を露出させる必要がない場合には、（たとえばＣＭＰを用いた）平坦化処理を、該フォトマスク及びエッチングステップなしで実行することができる。
【００４８】
当業者には明らかなように、種々の実施例の任意の特定の状況に固有の利益をもたらすために、または、種々の実施例の用途固有の設計要件を満たすために、種々の実施形態において、種々の層の厚さ及び／または材料を変えることができる。
【００４９】
種々の構成要素、材料、構造及びパラメータが実例として含まれているが、それらは例示に過ぎず、それらには限定されない。本開示に照らして、当業者は、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、自身の用途、並びに、それらの用途を実施するために必要な構成要素、材料、構造及び装備を決定する際に本教示を実施することができる。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
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【外国語明細書】
2015188216000001.pdf