(57)【要約】【課題】光偏向素子の位置及び向きを簡易な測定系を用いて調整でき、調整のための特殊な構造を有する光偏向素子を要しない波長選択スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】第一方向Ｄ１において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターンを位相変調素子１７の第１の領域１７ｇに呈示させ、第二方向Ｄ２において周期的に位相変調量が変化する第３の位相変調パターンを位相変調素子１７の第２の領域１７ｈに呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、複数の光入出力ポートのうち第一方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに到達した光の強度、及び複数の光入出力ポートのうち第二方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに到達した光の強度をそれぞれ測定し、それらの光強度に基づいて、位相変調素子１７の設置角度を調整する。【選択図】図９
2015060108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光入出力ポートが第一方向及び該第一方向と交差する第二方向に並ぶ光入出力部と、前記光入出力部と光学的に結合された波長分散素子と、各画素毎に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有し、一の前記光入出力ポートから前記波長分散素子を介して到達する波長成分光の光路を、他の前記光入出力ポートの何れかに向けて偏向する位相変調素子とを備える波長選択スイッチを製造する方法であって、
前記光入出力部、前記波長分散素子、及び前記位相変調素子を所定の光軸上に配置する配置工程と、
前記第一方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは前記第一方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを前記位相変調素子の第１の領域に呈示させ、前記第二方向において周期的に位相変調量が変化する第３の位相変調パターン、若しくは前記第二方向において非周期的に位相変調量が変化する第４の位相変調パターンを前記位相変調素子の第２の領域に呈示させつつ、一の前記光入出力ポートから光を入力し、前記複数の光入出力ポートのうち前記第一方向に並ぶ二以上の前記光入出力ポートに到達した光の強度、及び前記複数の光入出力ポートのうち前記第二方向に並ぶ二以上の前記光入出力ポートに到達した光の強度をそれぞれ測定する光強度測定工程と、
前記光強度測定工程において得られる光強度に基づいて、前記位相変調素子の設置角度を調整するアライメント工程と、
前記位相変調素子を固定する固定工程と
を備える、波長選択スイッチの製造方法。
【請求項２】
前記第１及び第３の位相変調パターンのうち少なくとも一方は、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターンである、請求項１に記載の波長選択スイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長選択スイッチの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、波長選択型光スイッチに関する技術が開示されている。この文献に記載された波長選択型光スイッチは、入出力光学系と、分離集光光学系と、ミラーアレイとを備える。入出力光学系は、少なくとも１つの入力ポート及び少なくとも１つの出力ポートからなる。分離集光光学系は、入力ポートから入力される入力光を波長に応じて分離し、分離された各波長の光を所定直線上の異なる位置に集光させる。ミラーアレイは、分離集光光学系によって集光される各波長の光の集光位置にそれぞれ回動可能に支持された複数のミラーを有し、各波長の光を反射して入出力光学系の任意の出力ポートに導く。ミラーアレイは、上記所定直線上に配置された非対称形状のアライメントパターンを有しており、このアライメントパターンに入射する光を検出し、そのスペクトル形状に基づいてミラーアレイのアライメントが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１０４０８１号公報
【特許文献２】特開２０１３−００７７７１号公報
【特許文献３】米国特許第７３５９０５３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
波長選択スイッチは、光入出力ポート、分光素子、及び光偏向素子が所定軸線上に並んで配置された構成を備えている。光入出力ポートは、複数の光入出力ポートを有する。分光素子は、一の光入出力ポートから入力された光を波長成分毎に分光する。光偏向素子は、各波長成分を対応する光入出力ポートへ向けて偏向する素子であり、例えば位相変調素子によって構成される。このような波長選択スイッチが製造される際には、一の光入出力ポートから入力されて分光された各波長成分の光を、各々対応する光入出力ポートに精度良く結合させるために、光偏向素子の設置角度が調整（アライメント）される。
【０００５】
例えば、特許文献１には、光偏向素子としてのミラーアレイのアライメント方式について記載されている。しかしながら、特許文献１に記載された方式では、アライメントパターンに入射する光のスペクトル形状を測定する必要があるので、スペクトルモニタといった複雑な構成を要する。また、非対称形状のアライメントパターンを有する特殊なミラーアレイを用いる必要があるので、波長選択スイッチの製造コストが増してしまう。
【０００６】
本発明は、光偏向素子の設置角度を簡易な測定系を用いて調整でき、調整のための特殊な構造を有する光偏向素子を要しない波長選択スイッチの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による波長選択スイッチの製造方法は、複数の光入出力ポートが第一方向及び該第一方向と交差する第二方向に並ぶ光入出力部と、光入出力部と光学的に結合された波長分散素子と、各画素毎に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有し、一の光入出力ポートから波長分散素子を介して到達する波長成分光の光路を、他の光入出力ポートの何れかに向けて偏向する位相変調素子とを備える波長選択スイッチを製造する方法であって、光入出力部、波長分散素子、及び位相変調素子を所定の光軸上に配置する配置工程と、第一方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは第一方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを位相変調素子の第１の領域に呈示させ、第二方向において周期的に位相変調量が変化する第３の位相変調パターン、若しくは第二方向において非周期的に位相変調量が変化する第４の位相変調パターンを位相変調素子の第２の領域に呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、複数の光入出力ポートのうち第一方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに到達した光の強度、及び複数の光入出力ポートのうち第二方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに到達した光の強度をそれぞれ測定する光強度測定工程と、光強度測定工程において得られる光強度に基づいて、位相変調素子の設置角度を調整するアライメント工程と、位相変調素子を固定する固定工程とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光偏向素子の設置角度を簡易な測定系を用いて調整でき、調整のための特殊な構造を有する光偏向素子を要しない波長選択スイッチの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る波長選択スイッチの製造方法によって好適に製造される、波長選択スイッチの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１に示された波長選択スイッチのII−II線に沿った側断面図である。
【図３】複数の光入出力ポートの配列の一例を示す図である。
【図４】位相変調素子の具体的な構成例として、ＬＣＯＳ型の位相変調素子の構成を示す断面図である。
【図５】回折格子状の位相変調パターンが変調面に呈示されたときの、偏向方向における実質的な位相変化を示すグラフである。
【図６】変調面を法線方向（光入射方向）から見た様子を示す図である。
【図７】一実施形態による製造方法を示すフローチャートである。
【図８】（ａ）位相変調パターンの位相変調量が一定である場合の位相分布を示している。（ｂ）光入出力部に到達する光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図９】光強度測定工程において位相変調領域に呈示される位相変調パターンの一例を示す図である。
【図１０】（ａ）波長選択スイッチの通常動作の際の、第一方向若しくは第二方向における変調面の位相分布を示すグラフである。（ｂ）（ａ）の位相分布が位相変調素子に呈示された場合に、光入出力部に到達する回折光の第一ポート配列方向若しくは第二ポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図１１】（ａ）光強度測定工程において用いられる第１の位相変調パターンの第一方向における位相分布を示すグラフである。（ｂ）（ａ）の位相分布が位相変調素子の第１の領域に呈示された場合に、光入出力部に到達する回折光の第一ポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図１２】第１の位相変調パターンによって生成された回折光と、複数の光入出力ポートとの結合の様子を概念的に示す図である。
【図１３】一の光入出力ポートに光源を光結合させ、第一方向に並ぶ二つの光入出力ポートにパワーモニタを光結合させた様子を示す図である。
【図１４】第二方向に並ぶ二つの光入出力ポートにパワーモニタを光結合させた様子を示す図である。
【図１５】位相変調素子の調整方法を概略的に示す図である。
【図１６】第１変形例に係る波長選択スイッチの製造方法を示すフローチャートである。
【図１７】第１変形例の光強度測定工程において用いられる角度調整用の位相変調パターンの一例を示す図である。
【図１８】（ａ）図１７に示される位相変調パターンの第一方向及び第二方向における位相分布の一例を示すグラフである。（ｂ）（ａ）の位相分布が位相変調素子に呈示された場合に、光入出力部に到達する光の第一ポート配列方向若しくは第二ポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【図１９】位相変調素子の調整方法を概略的に示す図である。
【図２０】第２変形例に係る波長選択スイッチの製造方法を示すフローチャートである。
【図２１】位相変調素子の調整方法を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明による波長選択スイッチの製造方法は、（１）複数の光入出力ポートが第一方向及び該第一方向と交差する第二方向に並ぶ光入出力部と、光入出力部と光学的に結合された波長分散素子と、各画素毎に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有し、一の光入出力ポートから波長分散素子を介して到達する波長成分光の光路を、他の光入出力ポートの何れかに向けて偏向する位相変調素子とを備える波長選択スイッチを製造する方法であって、光入出力部、波長分散素子、及び位相変調素子を所定の光軸上に配置する配置工程と、第一方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは第一方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを位相変調素子の第１の領域に呈示させ、第二方向において周期的に位相変調量が変化する第３の位相変調パターン、若しくは第二方向において非周期的に位相変調量が変化する第４の位相変調パターンを位相変調素子の第２の領域に呈示させつつ、一の光入出力ポートから光を入力し、複数の光入出力ポートのうち第一方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに到達した光の強度、及び複数の光入出力ポートのうち第二方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに到達した光の強度をそれぞれ測定する光強度測定工程と、光強度測定工程において得られる光強度に基づいて、位相変調素子の設置角度を調整するアライメント工程と、位相変調素子を固定する固定工程とを備える。
【００１１】
この波長選択スイッチの製造方法では、光強度測定工程において、位相変調素子の変調面に少なくとも２種類の位相変調パターンを異なる領域に呈示させる。すなわち、変調面の第１の領域には、複数の光入出力ポートの一の配列方向である第一方向において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターン、若しくは第一方向において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを呈示させる。また、これとは別の第２の領域には、複数の光入出力ポートの他の配列方向である第二方向において周期的に位相変調量が変化する第３の位相変調パターン、若しくは第二方向において非周期的に位相変調量が変化する第４の位相変調パターンを呈示させる。
【００１２】
第１又は第３の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させると、光入出力部へ向かう光は、第一方向又は第二方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに向けられる。例えば、第１又は第３の位相変調パターンが回折格子状の位相変調パターンの位相変調量を縮小した位相変調パターンである場合、−１次光、２次光、−２次光といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、第一方向又は第二方向に並ぶ二以上の光入出力ポートにそれぞれ入射する。また、第２又は第４の位相変調パターンを位相変調素子に呈示させると、光入出力部へ向かう光が第一方向又は第二方向に伸び、複数の光入出力ポートに跨がるように拡がるので、その結果、第一方向又は第二方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに光が入射することとなる。アライメント工程では、その二以上の光入出力ポートに入射する光の強度を検出し、それらの検出値が大きくなるように、若しくはそれらの検出値が互いに近づくように位相変調素子の設置角度を調整することにより、位相変調素子のアライメントを好適に行うことができる。
【００１３】
このように、この波長選択スイッチの製造方法では、スペクトルモニタのような複雑な構成をアライメント工程において必要とせず、簡易な測定系を用いて光偏向素子（位相変調素子）の設置角度を調整することができる。また、光偏向素子（位相変調素子）についても、呈示する位相変調パターンの変更のみで足り、調整のための特殊な構造を要しない。したがって、波長選択スイッチの製造コストを抑えることが可能となる。
【００１４】
（２）上記の製造方法において、第１及び第３の位相変調パターンのうち少なくとも一方は、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターンであることが好ましい。この場合、少なくとも一方の位相変調パターンによる回折光では、−１次光、２次光、−２次光といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、二以上の光入出力ポートにそれぞれ入射することができる。従って、これらの光の強度が大きくなるように、若しくはそれらの光強度が互いに近づくように位相変調素子の設置角度を調整することにより、位相変調素子のアライメントを好適に行うことができる。
【００１５】
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態にかかる波長選択スイッチの製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係る波長選択スイッチの製造方法によって好適に製造される、波長選択スイッチ１Ａの構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示された波長選択スイッチ１ＡのII−II線に沿った側断面図である。理解の容易のため、図１及び図２にはＸＹＺ直交座標系が示されている。波長選択スイッチ１Ａは、ＹＺ平面に沿った上面及び底面と、Ｘ軸方向に沿った４つの側面とを有する略直方体状を呈している。
【００１７】
図１及び図２に示されるように、この波長選択スイッチ１Ａは、光入出力部１０を備える。光入出力部１０は、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｇを有する。複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｇには、外部から波長選択スイッチ１Ａに光を入力する光入出力ポート１１ａと、波長選択スイッチ１Ａの外部へと光を出力する複数（図２では６つの場合を例示）の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｇとが含まれている。
【００１８】
光入出力ポート１１ａには、複数の波長成分を含む光Ｌ１が波長選択スイッチ１Ａの外部から入力される。光Ｌ１は、例えば波長多重光通信における信号光である。波長選択スイッチ１Ａは、光入出力ポート１１ａに入力された光Ｌ１を波長成分毎に分光して、各波長成分光を、複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｇのそれぞれから出力する。図１では一例として３つの波長成分光Ｌ２１、Ｌ２２及びＬ２３が図示されている。３つの波長成分光Ｌ２１、Ｌ２２及びＬ２３それぞれは、６つの光入出力ポート１１ｂ〜１１ｇのうち３つの光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｃ，１１ｄ及び１１ｅ）それぞれから出力される。
【００１９】
図３は、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｇの配列の一例を示す図であって、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｇをＺ軸方向から見た様子を示している。複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｇのうち、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅは、第一方向に一列に並んで配置されている。第一方向は、例えばＸ軸方向である。以下の説明において、Ｘ軸方向を第一ポート配列方向と称することがある。図３に示されるように、本実施形態では、光を入力する光入出力ポート１１ａが配列の中央に配置されている。また、光入出力ポート１１ａ、１１ｆ及び１１ｅは、第二方向に一列に並んで配置されている。第二方向は、例えばＹ軸方向である。以下の説明において、Ｙ軸方向を第二ポート配列方向と称することがある。光入出力ポート１１ａ〜１１ｇは、例えば光ファイバといった光導波部材によって好適に構成される。
【００２０】
再び図１及び図２を参照する。波長選択スイッチ１Ａは、更に、コリメータレンズ１３と、アナモルフィック光学系１４と、波長分散素子１５と、集光レンズ１６と、光偏向素子としての位相変調素子１７と、制御部２０とを備えている。
【００２１】
コリメータレンズ１３は、光入出力ポート１１ａと光学的に結合されている。コリメータレンズ１３は、光入出力ポート１１ａから入力された光Ｌ１を平行化（コリメート）する。更に、コリメータレンズ１３は、複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｇと光学的に結合されている。コリメータレンズ１３は、分光後の各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を、各々に対応する光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅ）に向けて集光する。
【００２２】
アナモルフィック光学系１４は、コリメータレンズ１３を介して光Ｌ１を受ける。アナモルフィック光学系１４は、光軸に対して垂直な光Ｌ１の断面を、上述した所定方向（本実施形態ではＸ軸方向）と交差する方向（例えばＹ軸方向）に延びる偏平形状となるよう変換する。なお、以下の説明において、Ｙ軸方向を分光方向と称することがある。アナモルフィック光学系１４は、例えばプリズム１４ａ，１４ｂによって好適に構成される。アナモルフィック光学系１４は、Ｙ軸方向に光Ｌ１の幅が大きくなるように光Ｌ１の幅を拡大するので、光軸に対して垂直な光Ｌ１の断面は、Ｙ軸方向に延びる偏平形状となる。また、アナモルフィック光学系１４は、その一方の面がコリメータレンズ１３を介して複数の光入出力ポート１１ｂ〜１１ｇと光学的に結合されており、他方の面が、後述する位相変調素子１７の変調面１７ａと光学的に結合されている。アナモルフィック光学系１４は、変調面１７ａにおいて反射した各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３のＹ軸方向の幅を、各々に対応する光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅに向けて縮小する。また、アナモルフィック光学系１４は、一または複数の、Ｘ軸方向またはＹ軸方向の一方にのみ光パワーを有する光学部品（例えばシリンドリカルレンズ）によって構成されてもよい。また、アナモルフィック光学系１４は、Ｙ軸方向に光Ｌ１の幅が大きくなるように拡大するように構成されてもよいし、Ｘ軸方向に光Ｌ１の幅が小さくなるように縮小するように構成されてもよい。
【００２３】
波長分散素子（分光素子）１５は、光入出力ポート１１ａから入力された光Ｌ１を受けて、その光Ｌ１を各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３に分光する。本実施形態の波長分散素子１５は、コリメータレンズ１３及びアナモルフィック光学系１４を介して光Ｌ１を受ける。波長分散素子１５は、例えば表面に回折格子が形成された板状部材によって好適に構成される。波長分散素子１５によって分光された光Ｌ１の各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３は、それぞれ異なる光軸方向に進む。本実施形態では、各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３は、上述した分光方向（Ｙ軸方向）に分光される。
【００２４】
集光レンズ１６は、波長分散素子１５と位相変調素子１７との間の光路上に配置されており、波長分散素子１５と位相変調素子１７とを光学的に結合している。集光レンズ１６は、波長分散素子１５を通過した各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を、位相変調素子１７の変調面１７ａに向けて集光する。また、集光レンズ１６は、変調面１７ａによって偏向された各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を、波長分散素子１５に向けてコリメートする。
【００２５】
位相変調素子１７は、各画素毎に印加される制御電圧に応じて位相変調を行う複数の画素を有する。位相変調素子１７は、位相変調量が周期的に変化する位相変調パターン（例えば回折格子状の位相変調パターン）を変調面１７ａに呈示することにより、光入出力ポート１１ａから波長分散素子１５等を介して到達した波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３の光路を偏向する。このときの偏向角は、波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３それぞれで互いに異なる。これらの偏向角は、各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が所望の光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅ）に入射するように設定される。このような位相変調パターンを呈示するための制御電圧パターンは、制御部２０から位相変調素子１７に提供される。
【００２６】
図４は、位相変調素子１７の具体的な構成例として、ＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）型の位相変調素子１７の構成を示す断面図である。図４に示されるように、位相変調素子１７は、シリコン基板１７１と、シリコン基板１７１の主面上に設けられた複数の画素電極１７２とを有する。複数の画素電極１７２は、シリコン基板１７１の主面に沿って格子状に配列されている。シリコン基板１７１の主面上には、液晶層１７３、透明電極１７４、及びカバーガラス１７５が順に配置されている。透明電極１７４と複数の画素電極１７２との間に形成される電界の大きさに応じて、液晶層１７３に入射した波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３の位相が変調される。この位相変調量は、各画素電極１７２毎に異なる大きさの電界が形成されることにより、各画素毎に異なる大きさとなる。前述した変調面１７ａは、複数の画素電極１７２、液晶層１７３及び透明電極１７４によって主に構成される。図４には、変調面１７ａに回折格子状の位相変調パターンを呈示したときの各画素毎の位相変調量が、グラフＧ１１として概念的に示されている。
【００２７】
図５は、回折格子状の位相変調パターンが変調面１７ａに呈示されたときの、偏向方向における実質的な位相変化を示すグラフである。先の図４に概念的に示されたように、変調面１７ａでは、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加し、２π（ｒａｄ）に達すると、再び０（ｒａｄ）に戻り、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加する。このような位相変調パターンにより、図５に示されるような階段状に単調増加する回折格子状の位相変調パターンが実質的に実現される。そして、このような位相変調パターンが呈示された変調面１７ａに波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が入射すると、回折格子の周期に応じた出射角θでもって波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が回折される。
【００２８】
図６は、変調面１７ａを法線方向（光入射方向）から見た様子を示す正面図である。変調面１７ａは、Ｙ軸方向（分光方向）に沿って並ぶ複数の位相変調領域１７ｂ〜１７ｅを含んでおり、これらの位相変調領域１７ｂ〜１７ｅに対し、波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３が選択的に入射する。図６に示された例では、位相変調領域１７ｃ，１７ｄ及び１７ｅそれぞれに対して波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３それぞれが入射している。そして、位相変調領域１７ｃ〜１７ｅは、互いに異なる周期の回折格子を呈示することによって、波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３を各々に対応する光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅへ向けて回折する。こうして位相変調素子１７により反射された各波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３は、集光レンズ１６によって平行化されたのち、アナモルフィック光学系１４及びコリメータレンズ１３を経て、それぞれ対応する光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅに到達する。
【００２９】
続いて、波長選択スイッチ１Ａの製造方法について説明する。ここでは特に、位相変調素子１７のアライメント方法について詳細に説明する。図７は、本実施形態による製造方法を示すフローチャートである。
【００３０】
この製造方法では、まず、光入出力部１０、コリメータレンズ１３、アナモルフィック光学系１４、波長分散素子１５、集光レンズ１６、及び位相変調素子１７を、筐体内における所定の光軸上の各規定位置に配置する（配置工程Ｓ１１）。このとき、位相変調素子１７は、筐体に固定されない。
【００３１】
次に、位置調整工程Ｓ１２及びＳ１３を行う。まず、工程Ｓ１２において、位相変調素子１７のアライメントのための位相変調パターンとして、位相変調量が一定である位置調整用の位相変調パターンを呈示させる。ここで、図８（ａ）は、位相変調パターンの位相変調量が一定である場合の、変調面１７ａにおける位相分布を示している。また、図８（ｂ）は、光入出力部１０に到達する光のポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。図８（ａ）に示されるように、変調面１７ａに呈示される位相変調量が一定である場合には、図８（ｂ）に示されるように、０次光Ａ０のみが光入出力部１０に到達する。
【００３２】
そして、工程Ｓ１２では、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｇのうち一のポートに光源を光結合させるとともに、０次光Ａ０が入射する光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ａ）にパワーモニタ（光検出器）を光結合させる。光源は、複数の波長成分を含む広帯域光源であることが好ましい。そして、光源から上記一のポートに調整用の光を入力する。この光は、コリメータレンズ１３、アナモルフィック光学系１４、波長分散素子１５、及び集光レンズ１６を経て、位相変調素子１７の変調面１７ａに到達する。そして、その０次光のみが反射し、光入出力ポート１１ａ付近に戻る。光入出力ポート１１ａにおいて光の強度を測定したのち、続く工程Ｓ１３において、該光の強度に基づいて位相変調素子１７の位置（Ｘ軸方向位置、Ｙ軸方向位置及びＺ軸方向位置）を調整する。
【００３３】
続いて、光強度測定工程Ｓ１４を行う。まず、位相変調素子１７の角度調整用の位相変調パターンを、位相変調素子１７の位相変調領域に呈示させる。ここで、図９は、光強度測定工程Ｓ１４において位相変調領域に呈示される位相変調パターンの一例を示す図である。なお、図９において、各画素１７ｆの色の濃淡は位相値を表している。また、図９に示される第一方向Ｄ１は光入出力ポート１１ａ〜１１ｅの配列方向に対応する方向であり、第二方向Ｄ２は光入出力ポート１１ａ、１１ｆ及び１１ｇの配列方向に対応する方向である。
【００３４】
図９に示されるように、本実施形態の位相変調素子１７は、第１の領域１７ｇ及び第２の領域１７ｈを変調面１７ａに含んでいる。なお、図９では第１の領域１７ｇ及び第２の領域１７ｇが第一方向Ｄ１に沿って並んで配置されているが、第１の領域１７ｇ及び第２の領域１７ｇの相互位置関係はこれに限られず、任意の位置関係とすることができる。
【００３５】
第１の領域１７ｇには、第一方向Ｄ１（すなわち、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅの配列方向）において周期的に位相変調量が変化する位相変調パターン（第１の位相変調パターン）が呈示される。また、第２の領域１７ｈには、第二方向Ｄ２（すなわち、光入出力ポート１１ａ、１１ｆ及び１１ｇの配列方向）において周期的に位相変調量が変化する位相変調パターン（第３の位相変調パターン）が呈示される。
【００３６】
ここで、第１及び第３の位相変調パターンについて更に詳細に説明する。図１０（ａ）は、波長選択スイッチ１Ａの通常動作の際の、第一方向Ｄ１若しくは第二方向Ｄ２における変調面１７ａの位相分布を示すグラフである。この位相分布グラフは、先に図４に示されたグラフＧ１１と同一のものであって、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加し、２π（ｒａｄ）に達すると、再び０（ｒａｄ）に戻り、０（ｒａｄ）から２π（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加する。このような位相変調パターンにより、図５に示されるような階段状に単調増加する回折格子状の位相変調パターンが実質的に実現される。
【００３７】
図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の位相分布が位相変調素子１７に呈示された場合における、光入出力部１０に到達する回折光の第一ポート配列方向若しくは第二ポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。変調面１７ａに呈示される位相変調量が高精度に回折格子状を成している場合、図１０（ｂ）に示されるように、１次光Ａ１の光強度が大きくなり、他の回折光（０次光Ａ０、２次光Ａ２、−１次光Ａ−１、−２次光Ａ−２など）の光強度が微小となる。そして、図６に示された位相変調領域１７ｃ〜１７ｅの回折格子の周期は、変調面１７ａに入射した波長成分光Ｌ２１〜Ｌ２３の１次光Ａ１が各光入出力ポート１１ｃ〜１１ｅに入射するように設定される。
【００３８】
図１１（ａ）は、本実施形態の光強度測定工程Ｓ１４において用いられる第１の位相変調パターンの第一方向Ｄ１における位相分布を示すグラフである。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の位相分布が位相変調素子１７の領域１７ｇに呈示された場合における、光入出力部１０に到達する回折光の第一ポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。なお、第３の位相変調パターンの第二方向Ｄ２における位相分布は、図１１（ａ）と同様である。また、第３の位相変調パターンが位相変調素子１７の領域１７ｈに呈示された場合における、光入出力部１０に到達する回折光の第二ポート配列方向における光強度分布は、図１１（ｂ）と同様である。
【００３９】
図１１（ａ）に示されるように、第１及び第３の位相変調パターンでは、図１０（ａ）に示された回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小されている。具体的には、０（ｒａｄ）から３π／２（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加し、３π／２（ｒａｄ）に達すると、再び０（ｒａｄ）に戻り、０（ｒａｄ）から３π／２（ｒａｄ）にかけて位相変調量が階段的に増加している。このように、通常の偏向動作に用いられる回折格子の形状を崩すことにより、図１１（ｂ）に示されるように、１次光Ａ１以外の回折光（０次光Ａ０、２次光Ａ２、−１次光Ａ−１、−２次光Ａ−２など）の光強度が大きくなる。
【００４０】
また、図１２は、第１の位相変調パターンによって生成された回折光と、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅとの結合の様子を概念的に示す図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）には、光入出力部１０に到達した回折光の第一ポート配列方向における光強度分布と、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅの位置とが併せて示されている。
【００４１】
例えば、図１２（ａ）に示される状態では、１次光Ａ１が光入出力ポート１１ｃに結合されている。このとき、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅが等間隔で配置されていれば、２次光Ａ２は光入出力ポート１１ｂに結合され、−１次光Ａ−１は光入出力ポート１１ｄに結合され、−２次光Ａ−２は光入出力ポート１１ｅに結合される。勿論、０次光Ａ０は光入出力ポート１１ａに結合される。従って、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅのうち少なくとも２つの光入出力ポートにおいて光強度を検出し、その光強度値を最大化若しくは均一化することにより、位相変調素子１７の設置角度（特にＹ軸周りの角度）の調整を行うことができる。
【００４２】
また、図１２（ｂ）に示される状態では、１次光Ａ１が光入出力ポート１１ｅに結合されている。このとき、光入出力ポート１１ａ〜１１ｅが等間隔で配置されていれば、−１次光Ａ−１は光入出力ポート１１ｂに結合される。勿論、０次光Ａ０は光入出力ポート１１ａに結合される。従って、光入出力ポート１１ａ，１１ｂ，１１ｅのうち少なくとも２つの光入出力ポートにおいて光強度を検出し、その光強度値を最大化若しくは均一化することにより、位相変調素子１７の設置角度の調整を行うことができる。
【００４３】
なお、第３の位相変調パターンによって生成された回折光と、光入出力ポート１１ａ、１１ｆ及び１１ｇとの結合に関しても、図１２と同様の態様によって行われる。従って、光入出力ポート１１ａ、１１ｆ及び１１ｇのうち少なくとも２つの光入出力ポートにおいて光強度を検出し、その光強度値を最大化若しくは均一化することにより、位相変調素子１７の設置角度（特にＸ軸周りの角度）の調整を行うことができる。
【００４４】
図１３は、一の光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ａ）に光源３１を光結合させ、第一方向に並ぶ二つの光入出力ポート（例えば光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ）にパワーモニタ（光検出器）３２，３３を光結合させた様子を示す図である。光源３１は、単一波長のレーザダイオードであることが好ましいが、複数の波長成分を含む広帯域光源であってもよい。そして、光源３１から上記一の光入出力ポート１１ａに調整用の光Ｌ３１を入力する。光Ｌ３１は、コリメータレンズ１３、アナモルフィック光学系１４、波長分散素子１５、及び集光レンズ１６を経て、位相変調素子１７の変調面１７ａに到達する。光Ｌ３１の一部は、上述した第１の位相変調パターンが呈示されている第１の領域１７ｇに入射する。そして、第１の領域１７ｇに入射した光Ｌ３１の１次光Ａ１や２次光Ａ２といった正の高次光が被測定光Ｌ３２として光入出力ポート１１ｂに入射し、−１次光Ａ−１や−２次光Ａ−２といった負の高次光が被測定光Ｌ３３として光入出力ポート１１ｂに入射する。これらの光の強度は、パワーモニタ３２，３３によって測定される。
【００４５】
また、図１４は、第二方向に並ぶ二つの光入出力ポート１１ｆ，１１ｇにパワーモニタ（光検出器）３４，３５を光結合させた様子を示す図である。光源３１から光入出力ポート１１ａに入力された光Ｌ３１の他の一部は、上述した第３の位相変調パターンが呈示されている第２の領域１７ｈに入射する。そして、第２の領域１７ｈに入射した光Ｌ３１の１次光Ａ１や２次光Ａ２といった正の高次光が被測定光Ｌ３４として光入出力ポート１１ｇに入射し、−１次光Ａ−１や−２次光Ａ−２といった負の高次光が被測定光Ｌ３５として光入出力ポート１１ｆに入射する。これらの光の強度は、パワーモニタ３４，３５によって測定される。
【００４６】
そして、続くアライメント工程Ｓ１５（図７）において、パワーモニタ３２〜３５における光強度の検出値に基づき、位相変調素子１７の角度調整を行う。
【００４７】
図１５（ａ）〜図１５（ｆ）は、本実施形態の工程Ｓ１２〜Ｓ１５における、位相変調素子１７の調整方法を概略的に示す図である。図１５（ａ）〜図１５（ｆ）には、一例として、Ｚ軸方向から見た５つの光入出力ポート１１ａ、１１ｂ及び１１ｅ〜１１ｇと、これらの光入出力ポート１１ａ，１１ｂ及び１１ｅ〜１１ｇに入射すべき被測定光Ｌ３２〜Ｌ３６とが重ねて示されている。なお、図中の破線Ａ１は光入出力ポート１１ａ〜１１ｅの第一ポート配列方向に沿った直線であり、×印Ｂ１は光入出力ポート１１ａ〜１１ｇの位置基準点である。図中の破線Ａ２は、位相変調素子１７の第１の領域１７ｇにおける偏向方向に沿った直線であり、×印Ｂ２は基準点Ｂ１に対応する回折光の位置基準点である。
【００４８】
いま、図１５（ａ）に示されるように、破線Ａ１に対して破線Ａ２が傾斜しており、基準点Ｂ１に対して基準点Ｂ２の位置がずれている状態を想定する。位置調整工程Ｓ１２及びＳ１３では、この状態から、位相変調素子１７をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ａでの０次光Ｌ３６の光強度が極大となる位置を探索し、図１５（ｂ）に示されるように基準点Ｂ２を基準点Ｂ１に近づける。
【００４９】
次の光強度測定工程Ｓ１４では、位相変調素子１７に呈示させる位相変調パターンを角度調整用の位相変調パターンに切り替える。これにより、図１５（ｃ）に示されるように、０次光Ｌ３６に加えて、正の高次光である被測定光Ｌ３２，Ｌ３４や、負の高次光である被測定光Ｌ３３，Ｌ３５が発現する。アライメント工程Ｓ１５では、この状態から、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を調整しながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ〜１１ｇでの光強度が極大となる角度を探索し、図１５（ｄ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きに近づける。続いて、位相変調素子１７のＹ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｂでの光Ｌ３２の光強度と光入出力ポート１１ｅでの光Ｌ３３の光強度とを互いに近づける（図１５（ｅ））。また、位相変調素子１７のＸ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｇでの光Ｌ３４の光強度と光入出力ポート１１ｆでの光Ｌ３５の光強度とを互いに近づける（図１５（ｆ））。
【００５０】
再び図７を参照する。アライメント工程Ｓ１５ののち、波長選択スイッチ１Ａの筐体に位相変調素子を固定する（固定工程Ｓ１６）。その後、例えば筐体の真空封止を行うことにより、波長選択スイッチ１Ａが完成する。
【００５１】
以上に説明した本実施形態の波長選択スイッチ１Ａの製造方法によって得られる効果について説明する。この波長選択スイッチ１Ａの製造方法では、光強度測定工程Ｓ１４において、位相変調素子１７の変調面１７ａの異なる領域に、少なくとも２種類の位相変調パターンを呈示させる。すなわち、変調面１７ａの第１の領域１７ｇには、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅの配列方向（第一ポート配列方向）に対応する第一方向Ｄ１において周期的に位相変調量が変化する第１の位相変調パターンを呈示させる。また、これとは別の第２の領域１７ｈには、複数の光入出力ポート１１ａ，１１ｆ及び１１ｇの配列方向（第二ポート配列方向）に対応する第二方向Ｄ２において周期的に位相変調量が変化する第３の位相変調パターンを呈示させる。
【００５２】
第１又は第３の位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させると、光入出力部へ向かう光は、第一方向Ｄ１又は第二方向Ｄ２に並ぶ二以上の光入出力ポートに向けられる。例えば、第１の位相変調パターン（或いは第３の位相変調パターン）が回折格子状の位相変調パターンの位相変調量を縮小した位相変調パターンである場合、上述したように、−１次光、２次光、−２次光といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、二以上の光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ（或いは光入出力ポート１１ｆ，１１ｇ）にそれぞれ入射する。アライメント工程Ｓ１５では、それらの光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ（或いは光入出力ポート１１ｆ，１１ｇ）に入射する光Ｌ３２，Ｌ３３（光Ｌ３４，Ｌ３５）の強度を検出し、それらの検出値が大きくなるように、若しくはそれらの検出値が互いに近づくように位相変調素子１７の設置角度を調整することにより、位相変調素子１７のアライメントを好適に行うことができる。
【００５３】
このように、この波長選択スイッチ１Ａの製造方法では、スペクトルモニタのような複雑な構成をアライメント工程において必要とせず、簡易な測定系を用いて光偏向素子（位相変調素子１７）の設置角度を調整することができる。また、光偏向素子（位相変調素子１７）についても、呈示する位相変調パターンの変更のみで足り、調整のための特殊な構造を要しない。したがって、波長選択スイッチ１Ａの製造コストを抑えることが可能となる。
【００５４】
また、本実施形態のように、第１及び第３の位相変調パターンは、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターン（図１１（ａ）を参照）であることが好ましく、光強度測定工程Ｓ１４において、その位相変調パターンを位相変調素子１７に呈示させ、二以上の光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ（若しくは１１ｆ，１１ｇ）に回折光を到達させることが好ましい。上述したように、この場合、第１の位相変調パターンによる回折光では、−１次光、２次光、−２次光といった１次光以外の回折光成分の光強度が大きくなるので、ｎ次光（ｎ＝０，±１，±２・・・）のうち二つ以上の光が、二以上の光入出力ポート１１ｂ，１１ｅにそれぞれ入射することができる。従って、これらの光の強度が大きくなるように、若しくはこれらの光強度が互いに近づくように位相変調素子１７の設置角度を調整することにより、位相変調素子１７のアライメントを好適に行うことができる。
【００５５】
なお、本実施形態では、第１及び第３の位相変調パターンの双方に、回折格子状の位相変調パターンの位相変調量が縮小された位相変調パターンを適用している。このような位相変調パターンが第１及び第３の位相変調パターンのうち一方のみに適用された場合であっても、本実施形態の効果を好適に奏することができる。また、第１及び第３の位相変調パターンとしては、測定可能な高次光が発生するパターンであれば、他に様々な位相変調パターンを適用することができる。
【００５６】
（第１の変形例）
図１６は、上記実施形態の第１変形例に係る波長選択スイッチ１Ａの製造方法を示すフローチャートである。本変形例と上記実施形態との相違点は、光強度測定工程Ｓ１４及びアライメント工程Ｓ１５に代えて、光強度測定工程Ｓ２１及びアライメント工程Ｓ２２を備える点である。
【００５７】
本変形例の光強度測定工程Ｓ２１では、光強度測定工程Ｓ１２の第１及び第３の位相変調パターンとはそれぞれ異なる第２及び第４の位相変調パターンを、位相変調素子１７の第１及び第２の領域１７ｇ，１７ｈに呈示させる。図１７は、本変形例の光強度測定工程Ｓ２１において用いられる角度調整用の位相変調パターンの一例を示す図である。なお、図１７において、各画素１７ｆの色の濃淡は位相値を表している。また、図１８（ａ）は、図１７に示される位相変調パターンの第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２における位相分布の一例を示すグラフである。また、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）の位相分布が位相変調素子１７に呈示された場合における、光入出力部１０に到達する光の第一ポート配列方向若しくは第二ポート配列方向における光強度分布を示すグラフである。
【００５８】
図１８（ａ）に示されるように、第２及び第４の位相変調パターンでは、偏向方向において非周期的に位相変調量が変化している。ここで、非周期的とは、ランダムな周期でもって位相値が変化することをいう。このような第２又は第４の位相変調パターンが位相変調素子１７に呈示されると、図１８（ｂ）に示されるように、−１次光や２次光といった高次光が減少し、フロアノイズが増大する。これにより、光入出力部１０へ向かう光が第一ポート配列方向若しくは第二ポート配列方向に伸び、複数の光入出力ポート１１ａ〜１１ｅ（若しくは光入出力ポート１１ａ、１１ｆ及び１１ｇ）に跨がるように拡散する。その結果、第一ポート配列方向若しくは第二ポート配列方向に並ぶ二以上の光入出力ポートに光が入射することとなる。本変形例では、該二以上の光入出力ポートにおける光強度に基づいて、アライメント工程Ｓ３２における位相変調素子１７の角度調整を行う。
【００５９】
図１９（ａ）〜図１９（ｆ）は、本変形例の工程Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ２１及びＳ２２における、位相変調素子１７の調整方法を概略的に示す図である。図１９（ａ）〜図１９（ｆ）には、一例として、Ｚ軸方向から見た５つの光入出力ポート１１ａ、１１ｂ、１１ｅ〜１１ｇと、これらの光入出力ポート１１ａ、１１ｂ、１１ｅ〜１１ｇに入射すべき光（０次光Ｌ３６、第２の位相変調パターンによって生じる光Ｌ３７、及び第４の位相変調パターンによって生じる光Ｌ３８）とが重ねて示されている。なお、破線Ａ１，Ａ２及び基準点Ｂ１，Ｂ２の定義は上記実施形態と同じである。
【００６０】
図１９（ａ）では、破線Ａ２が破線Ａ１に対して傾斜しており、基準点Ｂ１に対して基準点Ｂ２がずれている状態を想定する。位置調整工程Ｓ１２及びＳ１３では、上記実施形態と同様に、位相変調素子１７をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ａでの０次光Ｌ３６の光強度が極大となる位置を探索し、図１９（ｂ）に示されるように基準点Ｂ２を基準点Ｂ１に近づける。
【００６１】
次の光強度測定工程Ｓ２１では、位相変調素子１７に呈示させる位相変調パターンを角度調整用の位相変調パターン（図１７）に切り替える。これにより、図１９（ｃ）に示されるように、第２の位相変調パターンによって生成される光Ｌ３７と、第４の位相変調パターンによって生成される光Ｌ３８とが光入出力部１０に出現する。続いて、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を調整しながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ〜１１ｇでの光強度が極大となる角度を探索し、図１９（ｄ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きに近づける。続いて、位相変調素子１７のＹ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｂでの光Ｌ３７の光強度と光入出力ポート１１ｅでの光Ｌ３７の光強度とを互いに近づける（図１９（ｅ））。また、位相変調素子１７のＸ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｇでの光Ｌ３８の光強度と光入出力ポート１１ｆでの光Ｌ３８の光強度とを互いに近づける（図１９（ｆ））。
【００６２】
再び図１６を参照する。アライメント工程Ｓ２２ののち、波長選択スイッチ１Ａの筐体に位相変調素子１７を固定する（固定工程Ｓ１６）。その後、例えば筐体の真空封止を行うことにより、波長選択スイッチ１Ａが完成する。
【００６３】
本変形例では、変調面の第１の領域に、第一方向Ｄ１において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを呈示させている。また、これとは別の第２の領域に、第二方向Ｄ２において非周期的に位相変調量が変化する第４の位相変調パターンを呈示させている。このような形態であっても、上記実施形態と同様の効果を好適に奏することができる。
【００６４】
（第２の変形例）
図２０は、上記実施形態の第２変形例に係る波長選択スイッチ１Ａの製造方法を示すフローチャートである。本変形例と上記実施形態との相違点は、位置調整工程Ｓ１２及びＳ１３が省略されている点、並びに、光強度測定工程Ｓ１４及びアライメント工程Ｓ１５に代えて、光強度測定工程Ｓ３１及びアライメント工程Ｓ３２を備える点である。
【００６５】
本変形例の光強度測定工程Ｓ３１では、第１の変形例と同様の位相変調パターン（例えば図１７及び図１８（ａ）を参照）を、位相変調素子１７に呈示させる。また、本変形例のアライメント工程Ｓ３２では、位相変調素子１７の設置角度の調整に加えて、位相変調素子１７の位置調整も行う。
【００６６】
図２１（ａ）〜図２１（ｆ）は、本変形例の光強度測定工程Ｓ３１及びアライメント工程Ｓ３２における、位相変調素子１７の調整方法を概略的に示す図である。図２１（ａ）〜図２１（ｆ）には、一例として、Ｚ軸方向から見た５つの光入出力ポート１１ａ、１１ｂ、１１ｅ〜１１ｇと、これらの光入出力ポート１１ａ、１１ｂ、１１ｅ〜１１ｇに入射すべき光Ｌ３７及びＬ３８とが重ねて示されている。なお、破線Ａ１，Ａ２及び基準点Ｂ１，Ｂ２の定義は上記実施形態と同じである。
【００６７】
図２１（ａ）では、破線Ａ２が破線Ａ１に対して傾斜しており、基準点Ｂ１に対して基準点Ｂ２がずれている状態を想定する。工程Ｓ３１及びＳ３２では、まず、位相変調素子１７をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動させながら光入出力ポート１１ａでの光強度が極大となる位置を探索し、図２１（ｂ）に示されるように基準点Ｂ２を基準点Ｂ１に近づける。次に、位相変調素子１７のＺ軸周りの傾斜角を調整しながら光入出力ポート１１ｂ，１１ｅ〜１１ｇでの光強度が極大となる角度を探索し、図２１（ｃ）に示されるように破線Ａ２の傾きを破線Ａ１の傾きに近づける。続いて、位相変調素子１７のＹ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｂでの光Ｌ３７の光強度と光入出力ポート１１ｅでの光Ｌ３７の光強度とを互いに近づける（図２１（ｄ））。また、位相変調素子１７のＸ軸周りの傾斜角を調整しながら、光入出力ポート１１ｇでの光Ｌ３８の光強度と光入出力ポート１１ｆでの光Ｌ３８の光強度とを互いに近づける（図２１（ｅ））。
【００６８】
本変形例では、変調面の第１の領域に、第一方向Ｄ１において非周期的に位相変調量が変化する第２の位相変調パターンを呈示させている。また、これとは別の第２の領域に、第二方向Ｄ２において非周期的に位相変調量が変化する第４の位相変調パターンを呈示させている。更に、０次光を用いた位置調整工程を省略している。このような形態であっても、上記実施形態と同様の効果を好適に奏することができる。
【００６９】
本発明による波長選択スイッチの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態及び各変形例では、アライメント工程において位相変調素子のＸ軸方向周り、Ｙ軸方向周りおよびＺ軸方向周りの設置角度を調整しているが、アライメント工程では、必要に応じて何れかの一軸又は二軸周りの角度のみを調整してもよい。また、上記実施形態では、位置調整工程Ｓ１２，Ｓ１３の全部又は一部の工程が省略されてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１Ａ…波長選択スイッチ、１０…光入出力部、１１ａ〜１１ｇ…光入出力ポート、１３…コリメータレンズ、１４…アナモルフィック光学系、１５…波長分散素子、１６…集光レンズ、１７…位相変調素子、１７ａ…変調面、１７ｇ…第１の領域、１７ｈ…第２の領域、２０…制御部、３１…光源、３２〜３５…パワーモニタ、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図９】
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【図１７】
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