(57)【要約】【課題】透明度に優れるとともに、インセル位相差板としても使用可能な高い耐熱性を有する位相差板を提供すること。【解決手段】メソゲン基を含むシルセスキオキサン構造を有する液晶化合物を含む液晶組成物から形成された位相差層を有する位相差板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
メソゲン基を含むシルセスキオキサン構造を有する液晶化合物を含む液晶組成物から形成された位相差層を有する位相差板。
【請求項２】
前記液晶化合物は重合性基を有し、かつ
前記位相差層は前記液晶組成物に重合処理を施し形成された層であり、該層において前記液晶化合物が配向固定化されている請求項１に記載の位相差板。
【請求項３】
前記シルセスキオキサン構造は、完全かご型シルセスキオキサン構造または不完全かご型シルセスキオキサン構造である請求項１または２に記載の位相差板。
【請求項４】
前記位相差層は、前記液晶化合物がスメクチック相を発現し配向固定化されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項５】
前記位相差層は、正のＡプレートである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項６】
前記液晶化合物は、下記一般式（１）：
［ＲＳｉＯ3/2］n …（１）
で表され、Ｒは置換基を表し、少なくとも１つのＲはＭ−Ｌ1−で表される置換基を表し、Ｌ1は単結合または二価の連結基を表し、Ｍはメソゲン基を表し、ｎは８、１０または１２を表す液晶化合物である請求項１〜５のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項７】
前記液晶化合物は、下記一般式（３）：
（Ｒ1ＳｉＯ3/2）n1−（Ｒ1（Ｒ2）2ＳｉＯ1/2）m1  …（３）
で表され、Ｒ1は置換基を表し、少なくとも１つのＲ1はＭ11−Ｌ11−で表される置換基を表し、Ｌ11は単結合または二価の連結基を表し、Ｍ11はメソゲン基を表し、Ｒ2はアルキル基またはフェニル基を表し、ｎ１は８、１０、１２または１４を表し、ｍ１は０、２、４または６を表す液晶化合物である請求項１〜５のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項８】
インセル位相差板である請求項１〜７のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項９】
基板と、請求項８に記載の位相差板と、を有する液晶セル基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の液晶セル基板と、液晶層と、を有する液晶セル。
【請求項１１】
ＶＡモードまたはＩＰＳモード液晶セルである請求項１０に記載の液晶セル。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の位相差板を有する液晶表示装置。
【請求項１３】
前記位相差板を含む液晶セルを有する請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
ＶＡモードまたはＩＰＳモード液晶表示装置である、請求項１２または１３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相差板に関するものであり、詳しくは、高い透明度および良好な耐熱性を示すことのできる位相差板に関するものである。
更に本発明は、上記位相差板を含む液晶セル基板、液晶セル、および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、液晶テレビや、パソコン、携帯電話、デジタルカメラなどの液晶パネル等の用途で広く用いられている。また、液晶表示装置の視野角の拡大、画像着色の改良、コントラストの向上のため、液晶表示装置に位相差板を配置することが行われている（例えば特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表平１１−５１３０１９号公報
【特許文献２】特開２００５−２８９９８０号公報
【特許文献３】特開２０１３−１６４５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶表示装置の構成部材が透明度に劣るものであると、高輝度かつ高コントラストの画像を表示することは困難となる。そのため位相差板において、液晶化合物を高秩序かつ均一な状態に配向させることにより高い透明度を実現することが望ましい。液晶化合物は、棒状液晶化合物と円盤状液晶化合物に大別されるが、高秩序相の均一配向の実現可能性の観点からは、円盤状液晶化合物に比べ棒状液晶化合物が有利である。この点に関し、上記特許文献１〜３には、位相差板の作製に用いられる棒状液晶化合物が提案されているが、従来の棒状液晶化合物から形成される位相差板の透明度は必ずしも十分なものではなく、更なる改善が求められていた。
【０００５】
ところで、近年、液晶セルの内側に位相差板（いわゆるインセル位相差板）を配置することが提案されているが、インセル位相差板には、液晶セルの製造工程で必要とされる２３０℃前後での熱処理においても、位相差機能が大きく変化することのない高い耐熱性を有することが求められる。
【０００６】
そこで本発明の目的は、透明度に優れるとともに、インセル位相差板としても使用可能な高い耐熱性を有する位相差板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、従来、位相差板作製のための液晶化合物の構造として用いられることのなかったシルセスキオキサン構造にメソゲン基を導入した液晶化合物により、高い透明度を有し、しかも高温処理前後の位相差変化の少ない、高い耐熱性を有する位相差板の作製が可能になることを新たに見出した。更に驚くべきことに、シルセスキオキサン構造にメソゲン基を導入した液晶化合物は、重合性基を導入することにより耐熱性が格段に向上することも、本発明者の鋭意検討の結果、判明した。
本発明は、以上の知見に基づき完成された。
【０００８】
本発明の一態様は、
メソゲン基を含むシルセスキオキサン構造を有する液晶化合物を含む液晶組成物から形成された位相差層を有する位相差板、
に関する。
【０００９】
一態様では、液晶化合物は重合性基を有し、かつ位相差層は液晶組成物に重合処理を施し形成された層であり、層内で液晶化合物が配向固定化（配向状態で重合固定化）されている。
【００１０】
一態様では、シルセスキオキサン構造は、完全かご型シルセスキオキサン構造または不完全かご型シルセスキオキサン構造である。
【００１１】
一態様では、位相差層において、液晶化合物はスメクチック相を発現し配向固定化されている。
なお本発明および本明細書において、配向固定化された状態とは、その配向が保持された状態、より具体的には、液晶組成物に流動性が無く、また、電場、磁場などの外場や外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定化された配向形態を安定に保ち続けることができる状態を意味するものである。通常の条件下で使用される用途では、０℃〜５０℃の温度範囲で配向を保持することが好ましく、より過酷な条件下で使用される用途では、−３０℃〜７０℃の温度範囲で配向を保持することが好ましい。なお、配向状態が最終的に固定化され位相差板が形成された際には、液晶組成物は液晶性を示さなくてもよい。例えば、液晶化合物として重合性基を有する化合物を用いる場合、
熱、光等で反応により重合が進行し、液晶化合物は配向状態で重合固定化されるが、高分子量化して、液晶性を失っていることが一般的である。
【００１２】
一態様では、上記位相差層は、正のＡプレートである。
【００１３】
一態様では、液晶化合物は、下記一般式（１）：
［ＲＳｉＯ3/2］n …（１）
で表され、Ｒは置換基を表し、少なくとも１つのＲはＭ−Ｌ1−で表される置換基を表し、Ｌ1は単結合または二価の連結基を表し、Ｍはメソゲン基を表し、ｎは８、１０または１２を表す液晶化合物である。
【００１４】
一態様では、液晶化合物は、下記一般式（３）：
（Ｒ1ＳｉＯ3/2）n1−（Ｒ1（Ｒ2）2ＳｉＯ1/2）m1  …（３）
で表され、Ｒ1は置換基を表し、少なくとも１つのＲ1はＭ11−Ｌ11−で表される置換基を表し、Ｌ11は単結合または二価の連結基を表し、Ｍ11はメソゲン基を表し、Ｒ2はアルキル基またはフェニル基を表し、ｎ１は８、１０、１２または１４を表し、ｍ１は０、２、４または６を表す液晶化合物である。
【００１５】
一態様では、上記位相差板は、インセル位相差板として用いられる。
【００１６】
本発明の更なる態様は、
基板と、上記位相差板と、を有する液晶セル基板、
に関する。
【００１７】
本発明の更なる態様は、
上記液晶セル基板と、液晶層と、を有する液晶セル、
に関する。上記液晶セルには、インセル位相差板として、上述の位相差板が含まれる。
【００１８】
一態様では、上記液晶セルは、ＶＡモード液晶セルである。
【００１９】
他の一態様では、上記液晶セルは、ＩＰＳモード液晶セルである。
【００２０】
本発明の更なる態様は、
上記位相差板を有する液晶表示装置、
に関する。
【００２１】
一態様では、上記液晶表示装置は、上述の位相差板を含む液晶セルを有する。
【００２２】
一態様では、上記液晶表示装置は、ＶＡモード液晶表示装置である。
【００２３】
他の一態様では、上記液晶表示装置は、ＩＰＳモード液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、透明度および耐熱性に優れ、液晶表示装置の位相差板として好適な、中でもインセル位相差板として好適な位相差板、これを含む液晶セルおよび液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本発明および本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００２６】
なお、本発明および本明細書において、特記しない限り、記載されている基は置換基を有してもよく無置換であってもよい。ある基が置換基を有する場合の置換基としては、アルキル基（例えば炭素数１〜６のアルキル基）、水酸基、アルコキシル基（例えば炭素数１〜６のアルコキシル基）、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子）、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、アシル基、カルボキシル基等を挙げることができる。また、置換基を有する基について炭素（原子）数とは、置換基を含めた部分の炭素（原子）数を意味するものとする。
【００２７】
［位相差板］
本発明の一態様は、メソゲン基を含むシルセスキオキサン構造を有する液晶化合物（以下、「シルセスキオキサン系液晶化合物」とも記載する。）を含む液晶組成物から形成された位相差層を有する位相差板に関する。位相差板作製のための液晶化合物に用いられることのなかったシルセスキオキサン構造にメソゲン基を導入し得られた液晶化合物によれば、透明度に優れ、しかも高温加熱前後の位相差変化の少ない、高い耐熱性を有する位相差板の提供が可能になる。
以下、上記位相差板について、更に詳細に説明する。
【００２８】
（シルセスキオキサン系液晶化合物）
位相差板の作製に用いられる液晶化合物は、メソゲン基を含むシルセスキオキサン構造を有する。シルセスキオキサン構造とは、主骨格にＳｉ−Ｏ結合を含むシロキサン重合体であり、組成式［ＸＳｉＯ3/2］ａ（Ｘは置換基、ａは繰り返し単位数を表す。）で表される構造を含む。シルセスキオキサン構造としては、完全に閉じた多面体構造であるかご型、多面体の一部が開裂した不完全かご型（かご型開裂）、ラダー型、ランダム型などの各種構造が知られている。位相差板作製のためのシルセスキオキサン系液晶化合物としては、いずれの構造を有するものも使用可能である。より高い耐熱性を実現する観点からは、かご型または不完全かご型構造を有するものが好ましい。
【００２９】
シルセスキオキサン系液晶化合物は、重合性基を有していてもよく、有していなくてもよい。前述のように、シルセスキオキサン系液晶化合物は、重合性基の導入により耐熱性が顕著に向上するという従来まったく得られていなかった新たな知見が、本発明者の検討の結果、判明した。したがって、より高い耐熱性を有する位相差板を得る観点からは、重合性基を有するシルセスキオキサン系液晶化合物を用いて、重合処理を経て位相差板を作製することが好ましい。
【００３０】
シルセスキオキサン系液晶化合物に含まれる重合性基の種類は特に制限されず、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられる。ラジカル重合性基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基などが挙げられる。カチオン重合性基としては、ビニルエーテル基、オキシラニル基、オキセタニル基などが挙げられる。なお、（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基およびメタアクリロイル基の両方を含む概念である。シルセスキオキサン系液晶化合物に含まれる重合性基の数は特に制限されず、１分子中に１つでも、複数（２つ以上）であってもよい。重合性基は、メソゲン基に含まれていてもよい。
【００３１】
シルセスキオキサン系液晶化合物は、必須の置換基としてメソゲン基を含む。シルセスキオキサン構造にメソゲン基を導入することで、液晶性を発現することができ、好ましくは棒状液晶を形成することができる。メソゲン基とは、液晶形成に寄与する液晶分子の主要骨格を示す基である。液晶分子は、結晶状態と等方性液体状態の中間の状態（メソフェーズ）である液晶性を示す。メソゲン基については特に制限はなく、例えば、「Ｆｌｕｓｓｉｇｅ Ｋｒｉｓｔａｌｌｅ ｉｎ Ｔａｂｅｌｌｅｎ ＩＩ」（ＶＥＢ Ｄｅｕｔｓｃｈｅ Ｖｅｒｌａｇ ｆｕｒ Ｇｒｕｎｄｓｔｏｆｆ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅ，Ｌｅｉｐｚｉｇ、１９８４年刊）、特に第７頁〜第１６頁の記載、および、液晶便覧編集委員会編、液晶便覧（丸善、２０００年刊）、特に第３章の記載、を参照することができる。
【００３２】
シルセスキオキサン系液晶化合物が有するメソゲン基の具体例としては、アゾメチン、アゾキシベンゼン、ビフェニル、フェニルエステル、安息香酸エステル、シクロヘキサンカルボン酸フェニル、フェニルシクロヘキサン、フェニルピリミジン、フェニルジオキサン、コレステロールを挙げることができる。これらは、重合性基によって置換されていてもよい。重合性基については、先に記載した通りである。
【００３３】
ところで、位相差板の作製に用いる液晶化合物として、配向秩序度の高いスメクチック相を発現する液晶化合物を用いることは、光学的に高い透明度を有する位相差板を得るうえで好ましい。中でも、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）モードのような高コントラストが求められる表示モードでは、スメクチック相で配向固定化された位相差板が望ましいが、従来の実用上使用可能な棒状液晶化合物は、スメクチック相ではなくネマチック相を発現するものであった。ネマチック相で配向固定化された棒状液晶を含む位相差板は、液晶の揺らぎによりコントラストが低下してしまうため、ＩＰＳモードやＶＡモードの表示モードへの適用は困難とされていた。これに対し、シルセスキオキサン構造にメソゲン基を導入した液晶化合物は、棒状液晶でありながらスメクチック相を発現し得る。この点でも、上記シルセスキオキサン系液晶化合物は、位相差板作製のために好ましい液晶化合物である。スメクチック相を発現するシルセスキオキサン系液晶化合物を得るうえで好ましいメソゲン基としては、ビフェニル、安息香酸エステル、フェニルピリミジン、コレステロールを挙げることができ、ビフェニル、二環以上のフェニル基を有する安息香酸エステル、コレステロールがより好ましい。
【００３４】
シルセスキオキサン構造では、先に示した組成式から明らかなように、ケイ素原子に置換基が置換する。したがって、メソゲン基および重合性基は、それぞれ直接または連結基を介してケイ素原子に置換する。連結基としては、後述の二価の連結基を挙げることができる。ただし、ケイ素原子に置換する置換基はメソゲン基および重合性基に限定されるものではなく、一部のケイ素原子に、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基）、アリール基（例えばフェニル基）等が置換していてもよい。より好ましい液晶化合物は、ケイ素原子すべてにメソゲン基および重合性基からなる群から選ばれる置換基が直接または連結基を介して置換し、分子量分布および分子構造が制御されたシルセスキオキサン系液晶化合物である。更に好ましくは、ケイ素原子すべてに重合性基を有するメソゲン基が置換しているシルセスキオキサン系液晶化合物である。
【００３５】
（ｉ）シルセスキオキサン系液晶化合物の具体的態様（その１）
シルセスキオキサン系液晶化合物の好ましい一態様は、完全かご型シルセスキオキサン構造を有するものである。完全かご型シルセスキオキサン構造を有するシルセスキオキサン系液晶化合物は、下記一般式（１）で表すことができる。
［ＲＳｉＯ3/2］n …（１）
【００３６】
一般式（１）中、Ｒは置換基を表し、少なくとも１つのＲはＭ−Ｌ1−で表される置換基（メソゲン基含有置換基）であり、Ｌ1は単結合または二価の連結基を表し、Ｍはメソゲン基を表し、ｎは８、１０または１２を表す。一般式（１）中、複数存在するＲは、同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、重合性シルセスキオキサン系液晶化合物は、複数存在するＲの１つ以上がメソゲン基含有置換基であり、１つ以上が重合性基であるか、または重合性基を含み、任意に、メソゲン基含有置換基および重合性基以外の１種または２種以上の置換基を含み得る。また、Ｒとして複数のメソゲン基含有置換基が含まれる場合、これらは同一であっても異なっていてもよい。重合性基についても同様である。
【００３７】
一般式式（１）中のｎが８、１０または１２である完全かご型構造を有するシルセスキオキサン系液晶化合物の具体的な構造としては、下記式（５）、（６）および（７）に示すかご型構造体が挙げられる。なお下記式中、Ｒは一般式（１）と同義である。
【００３８】
【化１】
2015105986.tif 000002
【００３９】
一般式（１）において、Ｌ1は、単結合または二価の連結基を表す。二価の連結基としては、好ましくは、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ100−、アルキレン基、置換アルキレン基およびそれらの２つ以上の組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基である。
Ｒ100は、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ100で表されるアルキル基の炭素原子数は、１〜６が好ましく、１〜３がさらに好ましい。
置換アルキレン基の置換基は、ハロゲン原子（例、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基およびアルコキシ基（例、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基）からなる群より選ばれる一価の基であることが好ましい。
【００４０】
Ｌ1は、−ＡＬ−、−ＡＬ−Ｏ−、−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−ＡＬ−ＮＲ100−ＣＯ−、−ＡＬ−ＣＯ−ＮＲ100−、−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−、−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＡＬ−ＮＲ100−ＣＯ−、−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−ＮＲ100−、−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−ＮＲ100−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−ＣＯ−ＮＲ100−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＮＲ100−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−ＮＲ100−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＲ100−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−、−ＮＲ100−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−ＮＲ100−ＣＯ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＲ100−ＣＯ−ＡＬ−ＮＲ100−ＣＯ−、−ＮＲ100−ＣＯ−ＡＬ−ＣＯ−ＮＲ100−、−ＮＲ100−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ100−ＡＬ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ100−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ100−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ100−ＡＬ−ＮＲ100−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ100−ＡＬ−ＣＯ−ＮＲ100−、−ＣＯ−ＮＲ100−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＮＲ100−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−ＮＲ100−または−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−であることが、より好ましい。
【００４１】
上記において、ＡＬは、アルキレン基または置換アルキレン基を表す。アルキレン基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１５、更に好ましくは１〜１０である。
【００４２】
シルセスキオキサン系液晶化合物が有するメソゲン基含有置換基の好ましい一態様としては、下記一般式（２）で表される置換基を挙げることができる。一般式（２）において、＊は、シルセスキオキサン構造のケイ素原子との結合位置を表す。
【００４３】
【化２】
2015105986.tif 000003
【００４４】
一般式（２）において、Ｌ2は、一般式（１）におけるＬ1と同義であり、その好ましい範囲も同一である。
【００４５】
Ｌ3およびＬ4は、それぞれ独立に、一般式（１）におけるＬ1と同義である。
【００４６】
Ｌ3およびＬ4は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＲ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ−、または−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、または−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−であることがさらに好ましく、単結合または−ＣＯ−Ｏ−であることが特に好ましい。
【００４７】
一般式（２）において、Ｒ101は、水素原子または置換基を表す。Ｒ101で表される置換基としては、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基が好ましく、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボニルオキシ基がさらに好ましく、シアノ基、アルキル基、カルボニルオキシ基が特に好ましい。アルキル基、アルコキシ基の炭素原子数は、１〜１２が好ましく、１〜８がさらに好ましく、１〜６が特に好ましい。アルケニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基の炭素原子数は、２〜１２が好ましく、２〜９がさらに好ましく、２〜７が特に好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基が、さらに、重合性基で置換されていることも好ましい態様である。重合性基は、ラジカル重合性基（例、エチレン性不飽和基）または開環重合性基（例、エポキシ基、オキセタン基）が好ましく、ラジカル重合性基がさらに好ましく、エチレン性不飽和基が特に好ましく、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基であることが最も好ましい。
【００４８】
一般式（２）において、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ1、Ｙ2またはＹ3で表される置換基としては、ハロゲン原子（例、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、アルキル基（例、メチル、エチル、イソプロピル）、アルケニル基またはアルコキシ基（例、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基）であることが好ましい。アルキル基およびアルコキシ基の炭素原子数は、１〜１２が好ましく、１〜８がさらに好ましく、１〜６がより好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、２〜１２が好ましく、２〜８がさらに好ましく、２〜６が最も好ましい。
【００４９】
一般式（２）において、ｎ１１、ｎ１２およびｎ１３は、それぞれ独立に、０〜４の範囲の整数である。ｎ１１、ｎ１２およびｎ１３は、それぞれ独立に、０、１または２であることが好ましく、０または１であることがさらに好ましく、０であることが最も好ましい。
【００５０】
一般式（２）において、ｍは０〜４の範囲の整数である。ｍは、０、１、２または３であることが好ましく、０、１または２であることがさらに好ましく、０または１であることが特に好ましい。
ｍが２、３または４である場合、複数存在する（Ｙ12)ｎ１２およびＬ4は、互いに異なっていてもよい。
【００５１】
（ｉｉ）シルセスキオキサン系液晶化合物の具体的態様（その２）
シルセスキオキサン系液晶化合物の他の好ましい一態様は、不完全かご型シルセスキオキサン構造（かご型開裂シルセスキオキサン構造）を有するものである。不完全かご型シルセスキオキサン構造を有するシルセスキオキサン系液晶化合物は、下記一般式（３）で表すことができる。
（Ｒ1ＳｉＯ3/2）n1−（Ｒ1（Ｒ2）2ＳｉＯ1/2）m1  …（３）
【００５２】
一般式（３）中、Ｒ1は置換基を表し、少なくとも１つのＲ1はＭ11−Ｌ11−で表される置換基を表し、Ｌ11は単結合または二価の連結基を表し、Ｍ11はメソゲン基を表し、Ｒ2はアルキル基またはフェニル基を表し、ｎ１は８、１０、１２または１４を表し、ｍ１は０、２、４または６を表す。一般式（３）中、複数存在するＲ1、Ｒ2は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００５３】
一般式（３）において、Ｒ1は、一般式（１）におけるＲと同義であり、詳細については、一般式（１）中のＲについて記載した通りである。
【００５４】
ｎ１は８、１０、１２または１４を示し、ｍ１は０、２、４または６を示す。
【００５５】
一般式（３）で表される不完全かご型シルセスキオキサン構造を有するシルセスキオキサン系液晶化合物としては、以下のような化合物が挙げられる。
【００５６】
【化３】
2015105986.tif 000004
【００５７】
シルセスキオキサン系液晶化合物の合成は、公知の方法で行うことができる。例えば、シルセスキオキサン化合物にメソゲン基を導入することにより、シルセスキオキサン系液晶化合物を得ることができる。シルセスキオキサン化合物の合成方法の好ましい一例としては、特開２０１０−９６８４８号公報段落００２５〜００３６に記載の方法を挙げることができる。また、メソゲン基の導入については、例えば、シルセスキオキサン化合物と末端不飽和メソゲンを、適当な触媒の存在下でヒドロシリル化反応に付すことにより、シルセスキオキサン化合物にメソゲン基を導入し、所望のシルセスキオキサン系液晶化合物を得ることができる。メソゲン基の導入方法については、例えばMakromol. Chem., Macrumol. Symp. 50, 215-228(1991)を参照できる。また、重合性基を有するシルセスキオキサン系液晶化合物を得るための反応も、公知の方法で行うことができる。所望のシルセスキオキサン系液晶化合物が得られたことは、1Ｈ−ＮＭＲ、29Ｓｉ−ＮＭＲ等の公知の同定方法により確認することができる。
【００５８】
以下に、シルセスキオキサン系液晶化合物の具体例を挙げるが、本発明は以下の具体例に限定されるものではない。
【００５９】
【表１】
2015105986.tif 000005
【００６０】
【表２】
2015105986.tif 000006
【００６１】
以上説明したシルセスキオキサン系液晶化合物は、１種のみ使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、シルセスキオキサン系液晶化合物と他の液晶化合物を併用してもよい。併用可能な液晶化合物としては、例えば特表平１１−５１３０１９号公報の請求項１に記載の棒状液晶化合物、特開２００５−２８９９８０号公報段落００２６〜００９８に記載の棒状液晶化合物、特開２００８−２７３９２５号公報の請求項１に記載の棒状液晶化合物、特開２０１３−４１２１３号公報段落００４１〜００４９に記載の棒状液晶化合物等を挙げることができる。シルセスキオキサン系液晶化合物以外の液晶化合物を併用する場合、併用する液晶化合物は、全液晶化合物の５０質量％以下とすることが好ましく、３０質量％以下とすることがより好ましく、シルセスキオキサン系液晶化合物による効果を良好に得る観点からは、併用しないことが更に好ましい。
【００６２】
位相差層を形成するための液晶組成物は、上記液晶化合物を必須成分として含み、添加剤、溶媒等の任意成分を含むことができる。添加剤としては、例えば、液晶化合物の配向を促進するための配向制御剤等の位相差板の作製に使用可能な公知の添加剤を、何ら制限なく使用することができる。また、液晶化合物が重合性基を有する場合、重合性基の種類に応じた重合開始剤（光重合開始剤、熱重合開始剤等）が通常用いられ、増感剤を使用することもできる。溶媒としては、公知の溶媒の１種または２種以上を用いることができる。液晶組成物中の溶媒量は、例えば１質量％〜９０質量％、好ましくは５質量％〜８０質量％の範囲である。
【００６３】
（位相差板の作製）
位相差層は、上記液晶組成物から形成される。シルセスキオキサン系液晶化合物として、重合性基を有する化合物（重合性シルセスキオキサン系液晶化合物）を用いる場合には、重合性基の種類に応じた光照射、加熱等の重合処理を経て、位相差層が形成される。
【００６４】
位相差板の作製工程の一態様は、例えば、液晶化合物を配向させる配向工程、および、配向状態を固定する固定化工程を含む。配向状態の固定化は、冷却、重合反応の進行等により行うことができる。また、シルセスキオキサン系液晶化合物を用いて形成された位相差層は、優れた耐熱性を示すことができるため、位相差層を形成した後、さらに熱に曝す処理やスパッタリング処理等の過酷な条件で進行させる処理が必要な光学部材の作製においても、処理前後の位相差変化が少なく好ましい。特に、先に記載した通り、シルセスキオキサン系液晶化合物は、重合性基を導入することによる耐熱性向上が顕著である。
【００６５】
次に、位相差板の作製方法の具体的態様の一例を説明するが、本発明は下記具体的態様に限定されるものではない。
【００６６】
必須成分であるシルセスキオキサン系液晶化合物および添加剤を溶媒と混合し、液晶組成物を調製する。
次に、調製した液晶組成物を被塗布表面に塗布して、液晶相転移温度以上に維持して、液晶化合物を配向させる。液晶組成物の塗布は、公知の方法（例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
【００６７】
液晶化合物が均一に配向した状態を実現するためには、被塗布表面は、ラビング処理などの配向処理が施されていることが好ましく、被塗布面が配向膜のラビング処理面であることが好ましい。但し、棒状液晶化合物の光軸方向を膜面の法線方向と一致する方向に配向（ホメオトロピック配向）させる態様では、配向膜がなくても均一な配向状態を達成できる。また、添加剤の種類を選択することでも、配向膜がなくても、均一な配向状態を達成できる場合がある。
【００６８】
配向膜は、ポリビニルアルコールやポリイミドなどを主成分として含む膜の表面をラビング処理することで作製することができる。ラビング処理は、一般にはポリマー層の表面を、紙や布で一定方向に数回擦ることにより実施することができる。ラビング処理の好ましい一例としては、液晶便覧（丸善（株））に記載されている方法を挙げることができる。その他、配向膜として、無機化合物の斜方蒸着による方法、マイクログルーブを有する層を形成する方法、およびラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例、ω−トリコサン酸、ステアリル酸メチル）の累積等の方法により作製された配向膜を挙げることもできる。さらに、電場の付与、磁場の付与または光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
配向膜の厚さは、０．０１〜１０μｍの範囲であることが好ましく、０．０５〜３μｍの範囲であることがさらに好ましい。
【００６９】
次に、液晶組成物に光照射して、重合反応を開始させ、配向状態を固定して位相差層を作製する。重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、１０ｍＪ〜５０Ｊ／ｃｍ2であることが好ましく、５０ｍＪ〜８００ｍＪ／ｃｍ2であることがさらに好ましい。
【００７０】
光重合反応の進行時の温度条件については特に制限はない。反応を促進するためには、加熱条件下で光照射を実施するのが好ましい場合もある。他方、生産性の観点からは、光照射および重合反応の進行を室温で行うことも好ましい。
【００７１】
位相差層の厚さは、用途などに応じて異なるが、一般的には、０．１〜２０μｍの範囲であることが好ましく、０．２〜１５μｍの範囲であることがより好ましい。
【００７２】
なお、位相差板には、位相差層に加えて、公知の保護フィルム等の任意の層が一層以上含まれていてもよい。
【００７３】
上記位相差層は、シルセスキオキサン系液晶化合物が配向固定化されていることにより、正のＡプレートとしての特性を満足し得る。正のＡプレートは、一般的には、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの光学特性を満足するものと理解されているが、本発明および本明細書では、Ｒｅ（５５０）が２０〜３００ｎｍ程度であり、Ｎｚ値（但し、Ｎｚ＝Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｅ（５５０）＋０．５）が０．９〜１．１程度の特性を示すものは、正のＡプレートの範囲に含まれるものとする。本発明の一態様にかかる位相差板は、正のＡプレートである位相差層を含むことができるので、従来用いられていたＡプレートの代替として、液晶表示装置に配置することができる。
【００７４】
本発明および本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。測定波長λｎｍの選択にあたっては、波長選択フィルタをマニュアルで交換するか、または測定値をプログラム等で変換して測定することができる。
【００７５】
測定されるフィルムが１軸または２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は、Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
【００７６】
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
なお、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（１１）及び式（１２）よりＲｔｈを算出することもできる。
【００７７】
【数１】
2015105986.tif 000007
【００７８】
式（１２）：Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ
【００７９】
上記のＲｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値を表す。
ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘおよびｎｙに直交する方向の屈折率を表す。ｄは膜厚である。
【００８０】
測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ  ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は、Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値は  ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：  セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ、ｎｙ、ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）が更に算出される。
【００８１】
本発明および本明細書では、測定波長について特に付記がない場合は、測定波長は５５０ｎｍである。例えば、単にＲｅと記載されているときは、Ｒｅ（５５０）を示す。また、本発明および本明細書において、等方相とは、面内レターデーション（Ｒｅ（５５０））の絶対値が１０ｎｍ以下、かつ、厚み方向レターデーション（Ｒｔｈ）の絶対値が１０ｎｍ以下であることを意味する。レターデーションが実質的に０でないとは、Ｒｅが１０ｎｍより大きいことを意味する。
また、本発明および本明細書において、角度については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±１０°未満の範囲内であることを意味し、厳密な角度との誤差は、５°以下であることが好ましく、３°以下であることがより好ましい。さらに、レターデーションが実質的に０とは、Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍかつＲｔｈ（５５０）≦１０ｎｍ、好ましくはＲｅ（５５０）≦５ｎｍ以下かつＲｔｈ（５５０）≦５ｎｍであることを意味する。
【００８２】
［液晶セル基板および液晶セル］
本発明の更なる態様は、
基板と、上記位相差板と、を含む液晶セル基板；
上記液晶セル基板と、液晶層と、を含む液晶セル、
に関する。
【００８３】
上記液晶セル基板では、基板として液晶セル用のガラス基板やプラスチックフィルムを用い、基板上に、上記位相差板が設けられる。例えば、基板の上に配向膜を設け、配向膜上に位相差層を作製することで、インセル位相差板として上記位相差板を有する液晶セル基板を得ることができる。位相差層と基板との間、または位相差層の上に、カラーフィルタをさらに有していてもよい。また、位相差層の上に、ＩＴＯ膜等の導電性膜や、液晶層の配向を制御するポリイミド膜等からなる配向膜を有していてもよい。
【００８４】
液晶セルの駆動モードについては特に制限はなく、ツイステットネマチック（ＴＮ）、スーパーツイステットネマチック（ＳＴＮ）、バーティカルアライメント（ＶＡ）、インプレインスイッチング（ＩＰＳ）、オプティカリーコンペンセイテットベンドセル（ＯＣＢ）等の種々のモードを利用することができる。液晶セルは、ＶＡモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、またはＴＮモードであることが好ましいが、これらに限定されるものではない。先に記載した通り、前述のシルセスキオキサン系液晶化合物は、スメクチック相を発現する棒状液晶となり得る点で、ＶＡモードおよびＩＰＳモードに好適に使用可能である。
【００８５】
一態様では、上記液晶セルは、一対の基板と、その間に液晶層を有する液晶表示セルであって、一対の基板の少なくとも一方の内面に、前述の位相差板を含むことができる。このように、液晶セル内に配置される位相差板（インセル位相差板）は、セルプロセスにおいて高温にさらされるため、高い耐熱性を有することが求められる。この点に関し、前述のシルセスキオキサン系液晶化合物から形成される位相差層を有する位相差板は高い耐熱性を示すことができるため、インセル位相差板として好適である。
【００８６】
［液晶表示装置］
本発明の更なる態様は、上記位相差板を有する液晶表示装置に関する。一態様では、上記液晶表示装置は、前述の位相差板を含む液晶セルを有する。即ち、一態様では、液晶表示装置は、インセル位相差板として前述の位相差板を含む。ただしもちろん、基板の外側に、前述の位相差板を有する液晶表示装置も、本発明の範囲に含まれる。本発明の一態様にかかる液晶表示装置については、前述の位相差板を含む点以外、公知技術を何ら制限なく適用することができる。インセル位相差板を備えた液晶表示装置の詳細については、例えば特開２００６−６４８５８号公報および特開２０１０−１６３５０５号公報を参照できる。
【実施例】
【００８７】
以下に実施例に基づき本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００８８】
下記の相転移温度の測定および液晶相の評価は、偏光顕微鏡によるテクスチャー観察によって行った。
【００８９】
[実施例１]
[位相差板１０１の作製]
日産化学製の配向膜作製用塗布液ＳＥ−１５０を、１００ｍｍ×１００ｍｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて膜厚０．０８０μｍとなるように塗布し、２３０℃のオーブンにて１時間焼成した。そしてラビング装置を用いて基板上に配向膜を形成した。
【００９０】
次に、以下に示す組成の液晶組成物を調製した。
【００９１】
＜液晶組成物の組成＞
化合物ＳＱ−１（結晶相  １２８℃  スメクチックＡ相  １５７℃  等方相）
１００質量部
配向制御剤Ｐ−１                                                ０．１質量部
溶媒（プロピレングリコールエチルエーテルアセテート）            ４４０質量部
【００９２】
【化４】
2015105986.tif 000008
【００９３】
調製した液晶組成物の塗布液を、先に用意した配向膜付きガラス基板上に、配向後の位相差層の厚みが２．０μｍになるように、スピンコーティングした。
次に、１４０℃で３分間加熱し配向処理した後、室温まで冷却して、位相差板１０１を作製した。次いで、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ 王子計測機器（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍの面内位相差Ｒｅを測定したところ１２５ｎｍの正のＡ−プレートであった。
【００９４】
[実施例２]
[位相差板１０２の作製]
実施例１で使用した液晶化合物ＳＱ−１を、ＳＱ−１２（結晶相  １２７℃  スメクチックＡ相  ＞３００℃  等方相)に変更した点以外は実施例１と同様にして、位相差板１０２を作製した。配向後の位相差層の厚みは２．０μｍであり、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ 王子計測機器（株）製）を用いて測定した、波長５５０ｎｍの面内位相差Ｒｅは、１２０ｎｍの正のＡ−プレートであった。
【００９５】
[実施例３]
[位相差板１０３の作製]
実施例１で調製した液晶組成物の組成を、以下の重合性液晶組成物に変更した。
【００９６】
＜重合性液晶組成物の組成＞
化合物ＳＱ−８（重合性液晶化合物）                    １００質量部
光重合開始剤ＩＮ−１                                      ３質量部
増感剤Ｓ−１                                              １質量部
配向制御剤Ｐ−１                                      ０．１質量部
溶媒（プロピレングリコールエチルエーテルアセテート）  ４４０質量部
【００９７】
【化５】
2015105986.tif 000009
【００９８】
調製した重合性液晶組成物の塗布液を、実施例１で用意した配向膜付きガラス基板上に、配向後の位相差層の厚みが２．０μｍになるように、スピンコーティングした。
【００９９】
次に、１５０℃で３分間加熱し配向処理した後、室温にて超高圧水銀灯を有する紫外線照射装置により紫外線を４０ｍＷ／ｃｍ2で１０秒照射して、位相差板１０３を作製した。次いで、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ 王子計測機器（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍの面内位相差Ｒｅを測定したところ１４０ｎｍの正のＡ−プレートであった。
【０１００】
[実施例４]
[位相差板１０４の作製]
実施例３で使用した重合性液晶化合物ＳＱ−８を、ＳＱ−１５に変更した点以外は実施例３と同様にして、位相差板１０４を作製した。配向後の位相差層の厚みは２．０μｍであり、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ 王子計測機器（株）製）を用いて測定した、波長５５０ｎｍの面内位相差Ｒｅは、１４０ｎｍの正のＡ−プレートであった。
【０１０１】
［比較例１］
[位相差板２０１の作製]
実施例３で使用した重合性液晶化合物ＳＱ−８を、下記ＬＣ−１に変更した点以外は実施例３と同様にして重合性液晶組成物を調製した。
【０１０２】
【化６】
2015105986.tif 000010
重合性棒状液晶ＬＣ１（結晶相  ８０℃  ネマチック相  １２５℃  等方相）
【０１０３】
調製した重合性液晶組成物の塗布液を、実施例１で用意した配向膜付きガラス基板上に、配向後の位相差層の厚みが１．０μｍになるように、スピンコーティングした。
【０１０４】
次に、１００℃で３分間加熱し配向処理した後、室温にて超高圧水銀灯を有する紫外線照射装置により紫外線を４０ｍＷ／ｃｍ2で１０秒照射して、位相差板２０１を作製した。次いで、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ 王子計測機器（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍの面内位相差Ｒｅを測定したところ１３０ｎｍの正のＡ−プレートであった。
【０１０５】
＜耐熱性の評価＞
実施例、比較例で作製した位相差板を、２３０℃のオーブンで１８０分間焼成した後、前述と同様の方法で波長５５０ｎｍにおける面内位相差Ｒｅを測定した。それらの結果を、下記表３に示す。
【０１０６】
＜外観の評価＞
実施例、比較例で作製した位相差板の外観を評価した。外観の評価は、位相差フィルムの両面に偏光板（商品名：ＨＣＬ２−５６１８ＨＣＳ，サンリッツ社製）をクロスニコル配置となるように貼り合わせ、貼り合わせた部材を液晶用バックライトに設置し、部材正面の白濁の程度を暗室下にて目視で観察した。白濁の程度が少ない場合を“Ａ”とし、白濁の程度が高い場合を“Ｂ”とした。結果を下記表３に示す。
【０１０７】
【表３】
2015105986.tif 000011
【０１０８】
上記表に示す結果から、実施例１〜４の位相差板は、白濁がなく透明性が高いことが分かる。さらに、実施例１〜４で用いたシルセスキオキサン棒状液晶は、従来の棒状液晶と同等以上の耐熱性を有し、しかも重合性基を有するシルセスキオキサン棒状液晶は、加熱後も位相差の低下がほとんどなく、きわめて優れた耐熱性を示すことが理解できる。
【０１０９】
［実施例５］
［液晶表示装置の作製］
配向膜を上記実施例１で作製した配向膜に変更し、この配向膜上に上記実施例３と同様の方法で正のＡプレートを作製した点以外は、特開２００６−６４８５８号公報に記載の実施例１と同様の方法で、インセル位相差板を有するＶＡモードの液晶セルを作製した。
作製した液晶セルを組み込み液晶表示装置を作製し、高輝度かつ高コントラストの画像を表示可能であることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、液晶表示装置の製造分野において有用である。