(57)【要約】【課題】過充電時のガス溜まりの発生を抑制すること。【解決手段】二次電池１０は、正極電極１７の正極活物質層２３、及び負極電極１８の負極活物質層２７の厚み内に、独立しているガス抜き通路３４を複数有し、ガス抜き通路３４のガス抜き口３５は、正極活物質層２３及び負極活物質層２７の上端縁Ｆ３に開口している。二次電池が過充電を起こした時、各活物質層２３，２７で発生したガスを、ガス抜き通路３４により各活物質層２３，２７の上端縁Ｆ３まで逃がすことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の少なくとも一方の面に活物質層を有する正極用の電極、負極用の電極、及び両者を絶縁するセパレータを積層した電極組立体と、電解液と、過電流遮断装置と、がケース内に収容された蓄電装置において、
少なくとも前記負極用の電極の前記活物質層の厚み内に、独立しているガス抜き通路を少なくとも１本有し、前記ガス抜き通路は前記活物質層の縁に開口していることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
前記活物質層において前記金属箔に接する面を第一面とし、前記活物質層において前記セパレータと対向する面を第二面とすると、
前記ガス抜き通路は、前記活物質層の厚み方向において、前記第一面よりも前記第二面に近接している請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項３】
前記正極用の電極、及び前記負極用の電極は、前記金属箔の一辺に電極タブを有し、
前記ガス抜き通路は、前記電極タブを有する前記金属箔の一辺に沿う前記活物質層の縁に開口している請求項１又は請求項２に記載の蓄電装置。
【請求項４】
前記ガス抜き通路は、前記活物質層の上端縁に開口している請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の蓄電装置。
【請求項５】
前記ガス抜き通路は、当該ガス抜き通路の軸方向が鉛直方向に延びている請求項４に記載の蓄電装置。
【請求項６】
前記ガス抜き通路は、両端が前記活物質層の縁に開口し、一端が開口する縁と他端が開口する縁は対辺となる請求項５に記載の蓄電装置。  
【請求項７】
前記蓄電装置は二次電池である請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の蓄電装置。
【請求項８】
金属箔の少なくとも一方の面に活物質層を有する正極用の電極、負極用の電極、及び両者を絶縁するセパレータを積層した電極組立体と、電解液と、過電流遮断装置と、がケース内に収容された、蓄電装置における電極の製造方法において、
前記金属箔の少なくとも一方の面に塗布された活物質ペーストの厚み内に、少なくとも一端が前記活物質ペーストの縁から露出するように棒材を設置し、前記活物質ペーストが硬化した後に前記棒材を溶かすことを特徴とする電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過電流遮断装置（ＣＩＤ）を備える蓄電装置、及び蓄電装置が備える電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＶ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）やＰＨＶ（Ｐｌｕｇ  ｉｎ  Ｈｙｂｒｉｄ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）などの車両には、走行用モーターへの供給電力を備える蓄電装置として二次電池が搭載されている。二次電池は、例えば活物質層を備える正極電極及び負極電極がセパレータによって絶縁された層状の構造を有する電極組立体と、電極組立体が収容されたケースと、を備えている。ケースには、電解液が収容されており、電極組立体が電解液に浸された状態にある。また、二次電池は、過電流遮断装置（ＣＩＤ）を備える。
【０００３】
ＣＩＤは、二次電池が過充電を起こし、ケースの内圧が予め設定された作動圧に達すると、電流を遮断する。そこで、二次電池では、過充電時にケース内に意図的にガスを発生させ、ケースの内圧を速やかに高めるようにしたものがある（特許文献１）。特許文献１では、電解液に特定の溶媒を用いることで、過充電時に速やかに電池内にガスを発生させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１５１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、過充電時にケース内で意図的にガスを発生させても、そのガスが活物質層の表面に溜まってしまうと、ガス溜まりがガス発生を妨げてしまい、ケースの内圧が上昇しにくくなってしまう。
【０００６】
本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、過充電時のガス溜まりの発生を抑制することができる蓄電装置、及び電極の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する蓄電装置は、金属箔の少なくとも一方の面に活物質層を有する正極用の電極、負極用の電極、及び両者を絶縁するセパレータを積層した電極組立体と、電解液と、過電流遮断装置と、がケース内に収容された蓄電装置において、少なくとも前記負極用の電極の前記活物質層の厚み内に、独立しているガス抜き通路を少なくとも１本有し、前記ガス抜き通路は前記活物質層の縁に開口している。
【０００８】
上記によれば、蓄電装置が過充電を起こした時、活物質層で発生したガスを、ガス抜き通路により活物質層の縁まで逃がすことができる。結果、活物質層の表面でのガス溜りの発生を抑制することができ、活物質層でのガス発生が妨げられることが抑制される。
【０００９】
上記蓄電装置について、前記活物質層において前記金属箔に接する面を第一面とし、前記活物質層において前記セパレータと対向する面を第二面とすると、前記ガス抜き通路は、前記活物質層の厚み方向において、前記第一面よりも前記第二面に近接しているとよい。
【００１０】
上記によれば、ガスは活物質層の第二面側でより発生しやすい。このため、ガス抜き通路が第二面に近接していると、発生したガスがガス抜き通路に入り込みやすく、ガス抜き通路により、発生したガスを活物質層の縁まで逃がすことができる。したがって、より効果的に過充電時のガス溜まりの発生を抑制することができる。
【００１１】
上記蓄電装置において、前記正極用の電極、及び前記負極用の電極は、前記金属箔の一辺に電極タブを有し、前記ガス抜き通路は、前記電極タブを有する前記金属箔の一辺に沿う前記活物質層の縁に開口していると良い。
【００１２】
上記によれば、ガスは活物質層の電極タブの近傍でより発生しやすい。このため、電極タブを有する金属箔の一辺に沿ってガス抜き通路が開口していると、発生したガスがガス抜き通路を通過する距離を短くして活物質層の縁まで逃がすことができる。したがって、より効果的に過充電時のガス溜まりの発生を抑制することができる。
【００１３】
上記蓄電装置において、前記ガス抜き通路は、前記活物質層の上端縁に開口していると良い。
上記によれば、蓄電装置が過充電を起こした時に発生するガスを、ガスが自然に移動する先で開口したガス抜き通路から逃がすことができる。したがって、より効果的に過充電時のガス溜まりの発生を抑制することができる。
【００１４】
上記蓄電装置において、前記ガス抜き通路は、当該ガス抜き通路の軸方向が鉛直方向に延びていると良い。
上記によれば、ガス抜き通路が屈曲していたり、斜めに延びている場合と比べると、発生したガスがガス抜き通路を通過する距離を短くすることができる。したがって、さらに効果的に過充電時のガス溜まりの発生を抑制することができる。
【００１５】
上記蓄電装置において、前記ガス抜き通路は、両端が前記活物質層の縁に開口し、一端が開口する縁と他端が開口する縁は対辺となると良い。
上記によれば、例えば、ガス抜き通路が活物質層の途中から延びている場合と比べて、ガス抜き通路を容易に形成することができる。
【００１６】
上記蓄電装置において、蓄電装置の好適な例としては、二次電池を挙げることができる。
上記電極の製造方法において、金属箔の少なくとも一方の面に活物質層を有する正極用の電極、負極用の電極、及び両者を絶縁するセパレータを積層した電極組立体と、電解液と、過電流遮断装置と、がケース内に収容された、蓄電装置における電極の製造方法において、前記金属箔の少なくとも一方の面に塗布された活物質ペーストの厚み内に、少なくとも一端が前記活物質ペーストの縁から露出するように棒材を設置し、前記活物質ペーストが硬化した後に前記棒材を溶かす。
【００１７】
上記によれば、棒材が溶けると、棒材のあった位置に、活物質層の少なくとも一端縁に開口した空洞を活物質層に形成することができる。その空洞により蓄電装置が過充電を起こした時に発生するガスを逃がすガス抜き通路を、活物質層の厚み内に形成することができる。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、過充電時のガス溜まりの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態における二次電池の断面図。
【図２】電極組立体の分解斜視図。
【図３】電極組立体及び電解液を模式的に示す断面図。
【図４】負極電極の断面図。
【図５】負極電極の平面図。
【図６】二次電池が過充電を起こした場合の負極電極の様態図。
【図７】電極製造装置を模式的に示す図。
【図８】棒材設置工程（ステップＳ２）を模式的に示す図。
【図９】棒材溶解工程（ステップＳ６）を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図１〜図９に従って、蓄電装置を二次電池１０に具体化した実施形態について説明する。
図１及び図２に示すように、蓄電装置としての二次電池１０はケース１１を備え、ケース１１には、電極組立体１２と、電解液１３とが収容されている。電解液１３は、有機溶媒に溶質としてリチウム塩を溶解させたものである。また、有機溶媒には、添加剤が添加されている。添加剤としてフェニル基に隣接する第３級炭素を有するシクロアルキルベンゼン誘導体が用いられている。シクロアルキルベンゼン誘導体として、シクロヘキシルベンゼンが選択される。この添加剤は、二次電池１０が過充電した場合に、ガス発生を促進させるものでもある。
【００２１】
ケース１１は、四角箱状の本体部材１４と、本体部材１４に電極組立体１２を挿入する開口部１４ａを閉塞する矩形平板状の蓋部材１５とからなる。充放電要素としての電極組立体１２は、絶縁シート１６によってケース１１と絶縁されている。また、電極組立体１２は電解液１３に浸されている。
【００２２】
電極組立体１２は、正極用の電極としての正極電極１７と、負極用の電極としての負極電極１８と、正極電極１７と負極電極１８との間を絶縁するセパレータ１９とを備えている。正極電極１７、負極電極１８、及びセパレータ１９はそれぞれ長方形状のシート状である。そして、電極組立体１２は、正極電極１７と負極電極１８の間に、セパレータ１９を挟んだ状態で正極電極１７と負極電極１８が交互に積層方向Ｔに沿って重なることで層状となる。
【００２３】
正極電極１７は、長方形状の正極金属箔２０（本実施形態ではアルミニウム）を備えている。正極金属箔２０は、その一辺としての上辺に電極タブとしての正極タブ２１を有する。そして、正極金属箔２０は、当該正極金属箔２０の両面の全体に、正極活物質２２を含む長方形状の正極活物質層２３を備えている。正極活物質層２３は、積層方向Ｔに厚みを有している。
【００２４】
負極電極１８は、長方形状の負極金属箔２４（本実施形態では銅）を備えている。負極金属箔２４は、その一辺としての上辺に電極タブとしての負極タブ２５を有する。そして、負極金属箔２４は、当該負極金属箔２４の両面の全体に、負極活物質２６を含む長方形状の負極活物質層２７を備えている。負極活物質層２７は、積層方向Ｔに厚みを有している。
【００２５】
電極組立体１２は、正極タブ２１が集められた正極タブ群２１ａを有している。正極タブ群２１ａは、電極組立体１２の上部に位置しているとともに、蓋部材１５に対向している。また、電極組立体１２は、負極タブ２５が集められた負極タブ群２５ａを有している。負極タブ群２５ａは、電極組立体１２の上部に位置しているとともに、蓋部材１５に対向している。そして、正極タブ群２１ａと、負極タブ群２５ａとは、異なる場所で積層されている。
【００２６】
二次電池１０は、正極端子２８、及び負極端子２９を備えている。正極端子２８は、正極導電部材３０を介して、電極組立体１２の正極タブ群２１ａと電気的に接続されている。また、負極端子２９は、負極導電部材３１を介して電極組立体１２の負極タブ群２５ａと電気的に接続されている。そして、正極端子２８、及び負極端子２９は、絶縁リング３２によって絶縁された状態で、ケース１１の蓋部材１５を貫通している。
【００２７】
ケース１１には、過電流遮断装置３３が配設されている。過電流遮断装置３３は、電極組立体１２の正極タブ群２１ａ及び負極タブ群２５ａを有する面と、本体部材１４及び蓋部材１５の内面との間に位置している。過電流遮断装置３３は、図示しない接続部材を介して正極導電部材３０に電気的に接続されている。そして、過電流遮断装置３３は、電極組立体１２等の異常に起因して過電流が流れる場合に、その電流を遮断する。なお、本実施形態における二次電池１０はリチウムイオン電池である。
【００２８】
次に、負極電極１８について詳細に説明する。
図３及び図４に示すように、負極活物質層２７は、負極金属箔２４と接している第一面Ｆ１と、セパレータ１９と対向している第二面Ｆ２と、を有している。また、負極活物質層２７の上端縁Ｆ３は、負極タブ２５を有する負極金属箔２４の上辺に平行である。負極活物質層２７の下端縁Ｆ４は、負極タブ２５を有する負極金属箔２４の上辺の対辺側に位置している。そして、負極活物質層２７の２つの側縁Ｆ５は互いに平行であり、それぞれ上端縁Ｆ３及び下端縁Ｆ４の両端をつないでいる。
【００２９】
負極活物質層２７は、厚み内にガス抜き通路３４を複数有している。ガス抜き通路３４は、第一面Ｆ１及び第二面Ｆ２と平行に延びている。また、ガス抜き通路３４は、積層方向Ｔに直交し、かつ鉛直方向に延びている。そして、ガス抜き通路３４は、積層方向Ｔに沿った負極活物質層２７の厚み方向において、第一面Ｆ１よりも、第二面Ｆ２に近接している。
【００３０】
ガス抜き通路３４は、上端縁Ｆ３で開口するガス抜き口３５を軸方向一端に有している。また、ガス抜き通路３４は、下端縁Ｆ４で開口する連通口３６を軸方向他端に有している。すなわち、ガス抜き通路３４は、両端が負極活物質層２７の縁（上端縁Ｆ３と下端縁Ｆ４）に開口し、一端のガス抜き口３５が開口する上端縁Ｆ３と、軸方向他端の連通口３６が開口する下端縁Ｆ４は、負極活物質層２７の対辺となっている。
【００３１】
図４及び図５に示すように、複数のガス抜き通路３４は、一方の側縁Ｆ５から他方の側縁Ｆ５に向かって一定の間隔を空けて配置される。そして、ガス抜き通路３４は、それぞれ独立しており、互いに交差、または分岐しない。
【００３２】
尚、図２及び図３に示すように、正極活物質層２３は、負極活物質層２７と同様の構造をとっている。そして、正極活物質層２３は、第一面Ｆ１、第二面Ｆ２、上端縁Ｆ３、下端縁Ｆ４、側縁Ｆ５を有している。また、正極活物質層２３は、厚み内にガス抜き通路３４を有し、ガス抜き通路３４は、ガス抜き口３５及び連通口３６で開口している。
【００３３】
次に、本実施形態の作用を説明する。
図６に示すように、二次電池１０が過充電を起こした場合、負極電極１８において、電解液１３に添加している過充電添加剤と、負極活物質層２７の負極活物質２６とが反応して、負極活物質２６の表面からガスＰが発生する。このとき、発生したガスＰは、ガス抜き通路３４に入り込みそのままガス抜き通路３４を上昇して、ガス抜き口３５から負極活物質層２７の外へ逃げるため、ガスＰが負極活物質２６の表面に溜まりにくくなる。そして、ガスＰの発生が続くとケース１１の内圧が上昇する。同様の反応は、正極活物質２２でも起きる。そして、ケース１１の内圧が過電流遮断装置３３の作動圧に達すると該装置が作動し過電流を遮断する。
【００３４】
次に負極電極１８の製造方法について、電極製造装置３７と共に詳細に説明する。電極の製造方法は、塗布工程（ステップＳ１）と、棒材設置工程（ステップＳ２）と、乾燥工程（ステップＳ３）と、プレス工程（ステップＳ４）と、打ち抜き工程（ステップＳ５）と、棒材溶解工程（ステップＳ６）とを有する。
【００３５】
まず、図７に示すように、電極製造装置３７が備える供給機構部３８から長手方向に搬送されるシート状の負極金属箔２４の一方の面に、電極製造装置３７が備える塗布装置３９を用いて負極活物質ペースト４０を層状に塗布する塗布工程を行う（ステップＳ１）。負極活物質ペースト４０は、負極の活物質、負極の導電材、負極のバインダ、及び負極の溶媒を混練したものである。塗布装置３９は、付着装置３９ｃによりコーティングロール３９ｂの表面に、タンク３９ａに貯留された負極活物質ペースト４０を一定の厚みで付着させる。そして、塗布装置３９は、負極金属箔２４を搬送しながら、バッキングロール３９ｄを接触位置と離間位置に交互に移動させ、コーティングロール３９ｂの表面に付着した負極活物質ペースト４０を負極金属箔２４に間欠的に転写させる。この際、電極製造装置３７が備えるダンサーロール４１が、搬送される負極金属箔２４の張力を調節して、負極金属箔２４の緩みを防止する。
【００３６】
次に、図７及び図８に示すように、負極金属箔２４に塗布された負極活物質ペースト４０が硬化する前に、負極活物質ペースト４０の厚み内に、棒材４３を設置する棒材設置工程を行う（ステップＳ２）。棒材４３は、特定の溶剤に溶ける材質であるとともに、負極活物質ペースト４０には、影響を及ぼさない。棒材４３は、負極金属箔２４の塗布面２４ａに平行に、かつ軸方向が負極金属箔２４の長手方向と垂直に設置される。また、棒材４３は、負極金属箔２４の長手方向に延びる一対の対辺の間に跨って設置されるとともに、棒材４３の両端が負極活物質ペースト４０の両端縁から露出するように設置される。
【００３７】
次に、負極活物質ペースト４０が塗布された負極金属箔２４は、電極製造装置３７が備える乾燥装置４２内に搬送される。そして、乾燥装置４２内で、負極金属箔２４の塗布面２４ａに形成された負極活物質ペースト４０を乾燥させる乾燥工程を行う（ステップＳ３）。
【００３８】
次に、乾燥させ硬化させた負極活物質ペースト４０を有した負極金属箔２４は、電極製造装置３７が備えるプレスローラ４４まで搬送される。そして、一対のプレスローラ４４により負極活物質ペースト４０を所定の厚みまで圧縮させるプレス工程を行う（ステップＳ４）。そして、プレス工程後の負極金属箔２４は、電極製造装置３７が備える巻取用リール４５に巻き取られる。
【００３９】
次に、負極金属箔２４のもう片面にも、同様の手順で負極活物質層２７を形成する。
次に、巻取用リール４５に巻き取られた負極金属箔２４を引出ながら、図示しない金型を用いて打ち抜く打ち抜き工程を行う（ステップＳ５）。
【００４０】
次に、打ち抜かれた負極金属箔２４を溶剤に浸し、棒材４３を溶解させる棒材溶解工程を行う（ステップＳ６）。棒材４３が、溶けた後、負極金属箔２４を溶剤から取り出す。結果、図９に示すように、棒材４３のあった位置に、空洞が形成され、その空洞によりガス抜き通路３４が形成される。また、負極金属箔２４の塗布面２４ａに面する負極活物質層２７の面が、第一面Ｆ１となる。そして、負極金属箔２４の塗布面２４ａに対向する負極活物質層２７の面が、第二面Ｆ２となる。上記ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６を経て、負極電極１８が製造される。
【００４１】
上記手段を用いて、正極電極１７も製造される。正極電極１７の製造において、正極金属箔２０の塗布面２０ａに、正極活物質ペースト４６を塗布することのみが、負極電極１８の場合と異なる。正極活物質ペースト４６は、正極の活物質、正極の導電材、正極のバインダ、及び正極の溶媒を混練したものである。そして、上記ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５、Ｓ６を経て、正極電極１７が完成される。
【００４２】
そして、正極電極１７と負極電極１８の間に、両極を絶縁するセパレータ１９を挟んだ状態で、正極電極１７と負極電極１８を交互に積層して電極組立体１２を形成する。そして、ケース１１に電極組立体１２、電解液１３、及び過電流遮断装置３３を収容し、二次電池１０を形成する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態によれば以下に示す効果を得ることができる。
（１）二次電池１０が過充電を起こした時、各活物質層２３，２７で発生したガスＰを、ガス抜き通路３４により各活物質層２３，２７の縁まで逃がすことができる。結果、各活物質層２３，２７の表面でのガス溜りの発生を抑制することができ、ガス発生が妨げられることが抑制される。
【００４４】
（２）過充電添加剤は各活物質層２３，２７の表面で反応しやすいことから、ガスＰは各活物質層２３，２７の第二面Ｆ２側でより発生しやすい。このため、ガス抜き通路３４が、第二面Ｆ２に近接していると、ガスＰはガス抜き通路３４に入り込みやすく、ガス抜き通路３４によりガスＰを各活物質層２３，２７の縁まで逃がすことができる。
【００４５】
（３）ガスＰは各活物質層２３，２７の各タブ２１，２５の近傍でより発生しやすい。このため、ガス抜き口３５が各タブ２１，２５を有する各金属箔２０，２４の上辺に向かって開口していると、ガスＰがガス抜き通路３４を通過する距離を短くして、ガス抜き口３５からガスＰを逃がすことができる。
【００４６】
（４）ガス抜き口３５が、各活物質層２３，２７の上端縁Ｆ３に開口していると、ガスＰが自然に移動する方向に開口したガス抜き口３５から逃がすことができる。
（５）ガス抜き通路３４が、鉛直方向に延びていると、例えば各タブ２１，２５の近傍以外の場所で発生したガスＰがガス抜き通路３４を通過する距離を短くしてガスＰを各活物質層２３，２７の上端縁Ｆ３から逃がすことができる。
【００４７】
（６）ガス抜き通路３４は、各活物質層２３，２７の上端縁Ｆ３にガス抜き口３５を有し、上端縁Ｆ３の対辺である下端縁Ｆ４に連通口３６を有している。結果、ガス抜き通路３４が各活物質層２３，２７の途中から延びている場合と比べて、ガス抜き通路３４を容易に形成することができる。
【００４８】
（７）各金属箔２０，２４の塗布面２０ａ，２４ａに塗布された各活物質ペースト４０，４６の厚み内に、棒材４３を、その両端が各活物質ペースト４０，４６の縁から露出するように設置し、各活物質ペースト４０，４６が硬化した後に棒材４３を溶剤で溶かしてガス抜き通路３４を形成した。よって、例えば、針等で各活物質層２３，２７に孔を空けることなく、ガス抜き通路３４を形成できる。
【００４９】
尚、本実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
○  ガス抜き通路３４は、連通口３６を有していなくても良い。つまり、ガス抜き通路３４は、各活物質層２３，２７の軸方向一端のガス抜き口３５のみで開口していても良い。
【００５０】
○  ガス抜き通路３４は、鉛直方向に延びていなくてもよい。例えば、各活物質層２３，２７内に、ガス抜き通路は斜めに延びていたり、屈曲していたりしてもよい。
○  ガス抜き口３５は、各活物質層２３，２７の上端縁Ｆ３に開口していなくても良い。例えば、ガス抜き口３５は、各活物質層２３，２７の側縁Ｆ５に開口していても良い。
【００５１】
○  ガス抜き口３５は、各タブ２１，２５を有する各金属箔２０，２４の一辺に向かって開口していなくても良い。例えば、側縁Ｆ５が各タブ２１，２５を有する各金属箔２０，２４の一辺側に位置している場合、ガス抜き口３５は、各活物質層２３，２７の上端縁Ｆ３に開口していても良い。
【００５２】
○  ガス抜き通路３４は、各活物質層２３，２７の第一面Ｆ１よりも第二面Ｆ２に近接していなくても良い。例えば、ガス抜き通路３４は、各活物質層２３，２７の厚み方向において第一面Ｆ１と第二面Ｆ２の中間に位置していても良いし、第二面Ｆ２よりも第一面Ｆ１に近接していても良い。
【００５３】
○  ガス抜き通路３４は、複数でなくても良い。例えば、ガス抜き通路３４は、１本であっても良い。
○  負極電極１８がガス抜き通路３４を有していれば、正極電極１７はガス抜き通路３４を有していなくても良い。
【００５４】
○  過電流遮断装置３３は、本実施形態の配置に限定されない。例えば、蓋部材１５と一体的に形成されていても良い。
○  本実施形態では、添加剤としてフェニル基に隣接する第３級炭素を有するシクロアルキルベンゼン誘導体が用いられ、シクロアルキルベンゼン誘導体として、シクロヘキシルベンゼンが選択される。しかし、添加剤は該物質に限定されない。例えば、添加剤は、フェニル基に隣接する第３級炭素を有するアルキルベンゼン誘導体またはシクロアルキルベンゼン誘導体が含有されたものでも良い。そして、アルキルベンゼン誘導体は、例えばクメン、1，３−ジイソプロピルベンゼンが挙げられる。また、シクロアルキルベンゼン誘導体は、例えば、シクロペンチルベンゼンが挙げられる。
【００５５】
○  正極金属箔２０及び負極金属箔２４は、片面のみに活物質層２３，２７を有していても良い。
○  棒材４３は、溶剤以外の手段で溶かしても良い。例えば、加熱する過程で溶かしても良い。
【００５６】
○  本実施形態の蓄電装置は、二次電池１０であったが、これに限らず、他の蓄電装置であっても良い。例えば、キャパシタが挙げられる。
【符号の説明】
【００５７】
１０…二次電池、１１…ケース、１２…電極組立体、１３…電解液、１７…正極電極、１８…負極電極、１９…セパレータ、２０…正極金属箔、２１…正極タブ、２３…正極活物質層、２４…負極金属箔、２５…負極タブ、２７…負極活物質層、３３…過電流遮断装置、３４…ガス抜き通路、４０…負極活物質ペースト、４３…棒材、４６…正極活物質ペースト、Ｆ１…第一面、Ｆ２…第二面、Ｆ３…上端縁、Ｆ４…下端縁。
【図１】
2015032389.tif 000003
【図２】
2015032389.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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