(57)【要約】【課題】良質なカラーフィルターを備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器を提供する。【解決手段】第１基板に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する素子形成工程と、素子形成工程の後、有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止膜を形成する封止膜形成工程と、封止膜形成工程の後、封止膜上にカラーフィルターを形成するカラーフィルター形成工程と、充填剤を第２基板上に塗布する塗布工程と、封止膜形成工程およびカラーフィルター形成工程の後、有機エレクトロルミネッセンス素子、封止膜およびカラーフィルターが形成された前記第１基板を、充填剤を介して第２基板に貼り合わせる貼合工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。【選択図】図１
2015201256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
第１基板に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程の後、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止膜を形成する
封止膜形成工程と、
前記封止膜形成工程の後、前記封止膜上にカラーフィルターを形成するカラーフィルタ
ー形成工程と、
充填剤を第２基板上に塗布する塗布工程と、
前記封止膜形成工程および前記カラーフィルター形成工程の後、前記有機エレクトロル
ミネッセンス素子、前記封止膜および前記カラーフィルターが形成された前記第１基板を
、前記充填剤を介して前記第２基板に貼り合わせる貼合工程と、を有する有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記塗布工程と前記貼合工程との間に、前記充填剤の粘度を３５０〜６００ｍＰａ・ｓ
の範囲に調整する第１硬化工程をさらに備える
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１硬化工程では前記充填剤の硬化率を１０〜４０％としており、
前記貼合工程の後に充填剤を硬化率９５％以上とする第２硬化工程をさらに備える
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記充填剤は遅延硬化型接着剤であり、
前記第１硬化工程は、前記充填剤に紫外線を照射する工程である
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
前記封止膜形成工程においては、無機材料、有機材料、および無機材料の三層構造から
なる前記封止膜を形成する
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に
より製造された有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器に関するもの
である。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型高精細の有機エレクトロルミネッセンス装置において、パネルの視野角特性
向上のため、封止膜上に直接カラーフィルターを形成した素子基板を有したものが知られ
ている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１２６８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のように封止膜がカラーフィルターに直接形成された素子基板では、有
機エレクトロルミネセンス素子が劣化しないように、封止膜およびカラーフィルターの構
造は、例えば１１０℃以下の温度で形成する必要がある。これにより、上記従来の素子基
板は、基板上にカラーフィルターを直接形成した場合とカラーフィルターの状態が異なっ
ている。そのため、保護基板の貼り合せ工程において、封止膜上のカラーフィルターに対
し直接充填剤を塗布すると、カラーフィルターに対して充填剤が浸透もしくは反応してし
まい、カラーフィルターの品質が低下するおそれがあった。
【０００５】
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであって、良質なカ
ラーフィルターを備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器を
提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様に従えば、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
第１基板に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成
工程の後、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止膜を形成する封止膜形成工程
と、前記封止膜形成工程の後、前記封止膜上にカラーフィルターを形成するカラーフィル
ター形成工程と、充填剤を第２基板上に塗布する塗布工程と、前記封止膜形成工程および
前記カラーフィルター形成工程の後、前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記封止
膜および前記カラーフィルターが形成された前記第１基板を、前記充填剤を介して前記第
２基板に貼り合わせる貼合工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方
法が提供される。
【０００７】
第１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、第２基板の貼
り合せ時に、カラーフィルター上に充填剤が直接塗布されることがないので、カラーフィ
ルターに充填剤が浸透する或いはカラーフィルターと充填剤とが反応することでカラーフ
ィルターの品質低下を招くといった不具合の発生を防止できる。よって、良質なカラーフ
ィルターを備えた有機エレクトロルミネッセンス装置を製造することができる。
【０００８】
上記第１態様において、前記塗布工程と前記貼合工程との間に、前記充填剤の粘度を３
５０〜６００ｍＰａ・ｓの範囲に調整する第１硬化工程をさらに備える構成としてもよい
。
この構成によれば、第１硬化工程により充填剤を所定粘度に調整するので、第２基板上
に充填剤を良好に保持した状態で第１基板および第２基板の貼り合せを行うことができる
。よって、基板の貼り合せ工程を簡便且つ高精度に行うことができる。
【０００９】
上記第１態様において、前記第１硬化工程では前記充填剤の硬化率を１０〜４０％とし
ており、前記貼合工程の後に充填剤を硬化率９５％以上とする第２硬化工程をさらに備え
る構成としてもよい。
この構成によれば、充填剤を２段階で硬化させるため、充填剤の硬化収縮時のひずみを
小さくすることができる。よって、カラーフィルターと充填剤との界面での密着性が向上
することで充填剤内にボイドが発生するのを抑制できる。
【００１０】
上記第１態様において、前記充填剤は遅延硬化型接着剤であり、前記第１硬化工程は、
前記充填剤に紫外線を照射する工程である構成としてもよい。
この構成によれば、紫外線照射といった簡便な処理により充填剤の粘度調整を行うこと
ができる。
【００１１】
上記第１態様において、前記封止膜形成工程においては、無機材料、有機材料、および
無機材料の三層構造からなる前記封止膜を形成する構成としてもよい。
この構成によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を良好に封止することができる
。
【００１２】
本発明の第２態様に従えば、第１態様に係る方法で製造された有機エレクトロルミネッ
センス装置を備えた電子機器が提供される。
【００１３】
第２態様に係る電子機器によれば、良質なカラーフィルターを有する有機エレクトロル
ミネッセンス装置を備えるので、該電子機器自体も画像品質に優れた信頼性の高いものと
なる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。
【図３】サブ画素の配置を示す概略平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。
【図５】サブ画素における凸部と着色層の配置を示す概略平面図である。
【図６】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は有機ＥＬ装置の製造工程の要部工程を示す概略断面図である。
【図９】第１硬化処理における紫外線照射量と粘度との関係を示した実験結果である。
【図１０】紫外線照射に伴う硬化率の変化を示す図である。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は対向基板の貼り合せ工程を示す概略断面図である。
【図１２】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる
部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであると
は限らない。
【００１６】
はじめに本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と称す
）の製造方法を説明するに先立ち、該製造方法により製造した有機ＥＬ装置の構造につい
て、図１〜図５を参照して説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を
示す等価回路図、図２は本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３はサブ
画素の配置を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概
略断面図、図５はサブ画素における凸部と着色層の配置を示す概略平面図である。
【００１７】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、後述する製造方法により製造されたため、良質なカラー
フィルターを備えた信頼性の高いものとなっている。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線
１２及び複数のデータ線１３と、電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続さ
れる走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを
有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマト
リックス状に配置された発光画素である複数のサブ画素１８を有している。
【００１９】
サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制
御する画素回路２０とを有している。
【００２０】
有機ＥＬ素子３０は、陽極としての画素電極３１と、陰極としての対向電極３３と、画
素電極３１と対向電極３３との間に設けられた機能層３２とを有している。このような有
機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述
するが、機能層３２及び対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通な部材として形成
されている。
【００２１】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トラ
ンジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル
型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）やＭ
ＯＳトランジスターを用いて構成することができる。
【００２２】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはド
レインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用
トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画
素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている
。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されてい
る。
【００２３】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、その
ときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスタ
ー２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トラン
ジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決ま
る。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トラ
ンジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電
位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて
発光する。
【００２４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０
には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３
とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域（発光領域）Ｅ１（図中、二点鎖線で
表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。
【００２５】
実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されてい
る。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、
スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（
Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。
【００２６】
本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色
の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列
した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向を
Ｙ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ
画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよ
い。
【００２７】
ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための
周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１
を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走
査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。
【００２８】
素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気
的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４
３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４
４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり
、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に
電気的に接続されている。
【００２９】
表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ
画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９などが形成さ
れている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域
Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。
【００３０】
次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、とりわけ画素電極３１の平面的な
配置について説明する。図３に示すように、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、
緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８Ｒが
Ｘ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配
列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９
として表示がなされる構成になっている。Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８
Ｒの配置ピッチは５μｍ未満である。Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサ
ブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８
Ｇ，１８Ｒの配置ピッチはおよそ１０μｍ未満である。
【００３１】
サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配
置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと呼
ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２７が形成され
ている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成され
、開口部２７ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。
開口部２７ａの平面形状もまた略矩形状となっている。
なお、図３では、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置は、Ｘ方向におい
て左側から青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順になっているが、これに限定されるもので
はない。例えば、Ｘ方向において、左側から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順であって
もよい。
【００３２】
次に、図４を参照してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造について説明する。図４
に示すように、有機ＥＬ装置１００は、本発明における第１基板としての基材１１と、基
材１１上に順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、
機能層３２、共通陰極である対向電極３３を有する。また、対向電極３３を覆う封止層（
封止層）３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６とを有する。さらに、
カラーフィルター３６を保護するために、透明樹脂層（接着剤）４２を介して配置された
対向基板（第２基板）４１を有する。素子基板１０は基材１１からカラーフィルター３６
までを含むものである。なお、図４では、素子基板１０における画素回路２０の駆動用ト
ランジスター２３などの構成について、図示を省略した。また、後述のように、機能層３
２及び対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘って連続して設けられており機能層３２及
び対向電極３３はサブ画素１８毎に区分はないが、便宜上、サブ画素１８毎に有機ＥＬ素
子３０が設けられていると説明している。さらに、反射層（第１反射層）２５は、複数の
サブ画素１８に亘って連続して形成してもよいし、サブ画素１８毎に形成してもよい。
【００３３】
有機ＥＬ装置１００は、機能層３２から発した光がカラーフィルター３６を透過して対
向基板４１側から取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、
基材１１は透明な例えばガラスなどの基板だけでなく、不透明な例えばシリコンやセラミ
ックスなどの基板を用いることができる。対向基板４１は透明な例えばガラスなどの基板
である。
【００３４】
基材１１上に形成される反射層２５は、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）、あるいは
これらの光反射性を有する金属の合金を用いることができる。本実施形態において、反射
層２５の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００３５】
透明層２６は、後に形成される画素電極３１と反射層２５との電気的な絶縁を図るもの
であって、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機絶縁膜を用いることができる。
【００３６】
サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して、透明層２６上に設けられた画素電極３１
Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  
Oxide）などの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。具体的には、青（Ｂ）
、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に膜厚が厚くなっている。本実施形態において、画素電極３１
の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００３７】
機能層３２は白色光が得られる有機発光層を含み、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに
跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が
得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の
発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。
【００３８】
機能層３２を覆う対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ（マグネシウム銀）合金からなり、
光透過性と光反射性とを兼ね備えるように膜厚が制御されている。本実施形態において、
対向電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、対
向電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。
【００３９】
封止層３４は、対向電極３３側から第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３
４ｃが順に積層された構造となっている。なお、封止層３４のガスバリア性としては、有
機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限
定されないが、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、水
蒸気透過率が７×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、中でも５×１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ
以下、特に５×１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の
透過率は、対向電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。
第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成されている。無機材
料としては、水分や酸素などを通し難い、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＳｉＮｘ（
窒化シリコン）、ＳｉＯｘＮｙ（酸窒化シリコン）、ＡｌｘＯｙ（酸化アルミニウム）な
どが挙げられる。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素
子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用
することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラッ
クなどが生じ難く、且つ透明性が得られるように、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは
２００ｎｍ〜４００ｎｍとなっている。
【００４０】
平坦化層３４ｂは、透明性を有し、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成すること
ができる。また、塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成してもよい。平坦
化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されて
いる。第１封止層３４ａの表面は、厚みが異なる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの影響
を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、１μｍ〜５μｍの膜厚で平坦化層３
４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィル
ター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。
【００４１】
平坦化層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃは、前述した無機材料を用いて形成されている
。
【００４２】
カラーフィルター３６は、封止層３４の上に、フォトリソグラフィー法で形成された青
（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを含んで構成されている。
着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成され
また、封止層３４上において、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの着色層３６
Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間に光透過性の凸部３５が設けられている。封止層３４上における
凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚と略等しい。凸部３５は、カラ
ーフィルター層３６から着色材料を除いた材料であり、カラーフィルター３６の主材料は
同じものを用いている。また、凸部３５の光の透過率は、対向電極３３からの射出光に対
し８０％以上であることが好ましい。
【００４３】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間で光共振器が構
成されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ
の膜厚が異なることにより、それぞれの光共振器における光学的な距離が異なっている。
これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて各色に対応した共振波
長の光が得られる構成となっている。
なお、光共振器における光学的な距離の調整方法は、これに限定されず、例えばサブ画
素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに、基材１１上における透明層２６の膜厚や透明層２６を
構成する材料を異ならせてもよい。
【００４４】
各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの光共振器から発せられた共振光は、各着色層３６
Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過して透明な対向基板４１側から射出される。カラーフィルター
３６が封止層３４上に形成されているため、カラーフィルター３６が対向基板４１側に形
成される場合に比べて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間での光漏れによる混色が低減
される。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ
，１８Ｒの平面的な大きさが小さくなる、つまり高精細になるほど混色を効果的に低減で
きる。
このように、サブ画素１８Ｒ，１８Ｂ，１８Ｇの機能層３２は白色光を放射するが、上
述のように、反射層２５と対向電極３３との光学距離が異なり共振波長がサブ画素１８毎
異なるため、対向電極３３から放出される光のスペクトルが異なる。機能層３２の内部発
光スペクトルは同じであるとも解釈できるが、共振構造を用いて放出される光のスペクト
ルが異なるため、便宜上、サブ画素１８は異なる波長領域の光を射出する、すなわち、サ
ブ画素１８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色の発光が得られると説明
している。さらに本実施形態に置いて、同色の発光が得られるサブ画素１８、あるいは、
異なる色の発光が得られるサブ画素１８とは、共振構造を用いて放出される光のスペクト
ルに応じて説明したものである。
【００４５】
有機ＥＬ装置１００は、カラーフィルター３６上に配置された透明樹脂層（充填層）４
２を介して対向基板４１が貼り付けられることで構成されている。
【００４６】
次に、封止層３４上における凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒとの関係につい
て、図５を参照して説明する。
【００４７】
図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００のカラーフィルター３６は、Ｙ方
向に同色の着色層が延在して配置されている。つまり、青（Ｂ）の着色層３６Ｂは、Ｙ方
向に配列する複数のサブ画素１８Ｂ（画素電極３１Ｂ）に跨ってストライプ状に配置され
ている。同様に、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇ（
画素電極３１Ｇ）に跨ってストライプ状に配置されている。赤（Ｒ）の着色層３６Ｒは、
Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｒ（画素電極３１Ｒ）に跨ってストライプ状に配置
されている。各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの境は、Ｘ方向に配列する隣り合うサブ画
素１８の画素電極３１の間のほぼ中央に位置している。
【００４８】
異なる色の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間には、これらの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，
３６Ｒをそれぞれ区分するように、封止層３４上に凸部３５が配置されている。したがっ
て、封止層３４上において凸部３５もＹ方向に延在するようにストライプ状（スジ状）に
配置されている。
【００４９】
図４に示したように凸部３５の断面形状は台形であって、凸部３５の底面は図５に示す
ように、隣り合うサブ画素１８の画素電極３１間に位置している。
なお、各画素電極３１の外縁は、絶縁膜２７により被覆され、絶縁膜２７に設けられた
開口部２７ａにおいて画素電極３１は機能層３２と接している。サブ画素１８において開
口部２７ａが実質的に発光に寄与する領域であるため、凸部３５の底面が開口部２７ａ以
外の画素電極３１と重なるように凸部３５を形成してもよい。
【００５０】
本実施形態において、光透過性の凸部３５は、着色材料を含まない感光性樹脂材料を用
いてフォトリソグラフィー法で形成されている。すなわち、凸部３５と着色層３６Ｂ，３
６Ｇ，３６Ｒの主材料は同じである。封止層３４上における凸部３５の幅はおよそ０．５
μｍ〜１．０μｍ（好ましくは底面の幅が０．７μｍ、頭頂部３５ａの幅が０．５μｍ）
、高さはおよそ１．１μｍである。凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの
平均膜厚と略等しくなっている。
【００５１】
なお、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚については、例えば、ホワイトバランスを
考慮し、それぞれ異ならせても良い。
【００５２】
なお、凸部３５は、図５に示すようにＹ方向に延在したストライプ状に配置されること
に限定されない。例えば、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２７ａを囲むよ
うに、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。また、着色層３６Ｒ
，３６Ｇ，３６Ｂによって凸部３５の頭頂部の少なくとも一部が覆われた構成を採用して
も良い。
【００５３】
このように本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、後述の製造工程において、対向
基板４１の貼り合せ時に、カラーフィルター３６上に透明樹脂層４２が直接塗布されるこ
とがないので、カラーフィルター３６に透明樹脂層４２が浸透する或いはカラーフィルタ
ー３６と透明樹脂層４２とが反応してしまうといった不具合の発生が防止されている。よ
って、有機ＥＬ装置１００は、良質なカラーフィルター３６を備えた信頼性の高いものと
なっている。
【００５４】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図６、図７および図８を参照し
て説明する。図６は本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図７（
ａ）〜（ｆ）は本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、図
７においては、基材１１上に画素回路２０や有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は、公
知の方法を採用することができる。したがって、図７（ａ）〜（ｆ）では、基材１１上に
おける画素回路２０の駆動用トランジスター２３など構成や反射層２５、透明層２６の表
示を省略している。図８（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置の製造工程の要部工程を示す概
略断面図である。
【００５５】
具体的に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、図７に示すように、有機Ｅ
Ｌ素子形成工程（ステップＳ１）と、封止層形成工程（ステップＳ２）と、カラーフィル
ター形成工程（ステップＳ３）と、透明樹脂材料塗布工程（ステップＳ４）と、第１硬化
処理工程（ステップＳ５）と、対向基板の貼り合せ工程（ステップＳ６）と、第２硬化処
理工程（ステップＳ７）とを備えている。
【００５６】
図６の有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）では、図７（ａ）に示すように、基材１
１上に、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）、機能層３２、対向電極３３を含む有
機ＥＬ素子３０を形成する。なお、基材１１上に有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は
、公知の方法を採用することができる。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５７】
図６の封止層形成工程（ステップＳ１）では、図７（ａ）に示すように、まず、対向電
極３３を覆う第１封止層３４ａを形成する。第１封止層３４ａを形成する方法としては、
例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第１封止層３４ａの膜厚はお
よそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
次に、第１封止層３４ａを覆う平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂの形成方法
としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を
用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより、エポキシ樹脂か
らなる平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、
この場合、３μｍとした。
【００５８】
なお、平坦化層３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定さ
れず、前述したように、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成する
ことによって、平坦化層３４ｂとして膜厚がおよそ３μｍの酸化シリコン膜を形成しても
よい。
続いて、平坦化層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃを形成する。第２封止層３４ｃの形成
方法は、第１封止層３４ａと同じであって、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法
が挙げられる。第２封止層３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして
、ステップＳ３へ進む。
【００５９】
図６のカラーフィルター形成工程（ステップＳ３）において、カラーフィルター３６は
フォトリソ工程により形成される。
まず、封止層３４上に凸部３５を形成する。凸部３５の形成方法としては、着色材料を
含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布してプレベークすることにより、
膜厚がおよそ１μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂材料はポジタイプでもネ
ガタイプでもよい。フォトリソグラフィー法を用いて、感光性樹脂層を露光・現像するこ
とにより、図７（ｂ）に示すように、封止層３４上に凸部３５を形成する。露光及び現像
条件を調整して、底面の幅がおよそ０．７μｍとなるように台形状の凸部３５を形成する
。基材１１上における凸部３５の形成位置は、隣り合う異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８
Ｇ，１８Ｒに対応する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの間である。
【００６０】
そして、図７（ｃ）に示すように、凸部３５が形成された封止層３４の表面に、緑色の
着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥
させて感光性樹脂層５０ｇを形成する。感光性樹脂層５０ｇを露光・現像することにより
、図７（ｄ）に示すように、画素電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間を埋める着色層
３６Ｇを形成する。
次に、着色層３６Ｇが形成された封止層３４の表面に、青色の着色材料を含む感光性樹
脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて感光性樹脂層５０
ｂを形成する。感光性樹脂層５０ｂを露光・現像することにより、着色層３６Ｂを形成す
る。
次に、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが形成された封止層３４の表面に、赤色の着色材
料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて
感光性樹脂層５０ｒを形成する。感光性樹脂層５０ｒを露光・現像することにより、着色
層３６Ｒを形成する。
【００６１】
これにより、図７（ｅ）に示すように、画素電極３１Ｂの上方に位置する凸部３５間に
着色層３６Ｂが形成され、画素電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｇが
形成され、画素電極３１Ｒの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｒが形成される。以
上の工程により素子基板１０が形成される。そして、ステップＳ４以降へ進む。
【００６２】
ステップＳ４以降では、図４に示したように、透明樹脂層４２を介して素子基板１０を
対向基板４１に貼り合せることで有機ＥＬ装置１００を形成する。
【００６３】
ところで、本実施形態において、カラーフィルター３６および封止層３４の下層には有
機材料からなる機能層３２が形成されている。そのため、カラーフィルター３６および封
止層３４の形成工程は、該機能層３２の劣化を防止すべく、例えば１１０℃以下の温度で
行う必要がある。
【００６４】
一方、例えば、対向基板上にカラーフィルターを直接形成する構造の場合、上述のよう
な温度制約が必要とならない。そのため、本実施形態のように封止層３４上に直接形成さ
れたカラーフィルター３６は、温度制約が無い状態で基板上に直接形成されたカラーフィ
ルターとは状態（表面の膜質や特性等）が異なっている。
【００６５】
そのため、素子基板１０および対向基板４１を貼り合せるための透明樹脂層４２の形成
材料をカラーフィルター３６に直接塗布すると、カラーフィルター３６に該形成材料が浸
透したり、反応してしまうおそれがある。すると、カラーフィルター３６が変質すること
で品質劣化を招き、ひいては有機ＥＬ装置１００の表示品質を低下させるといった問題を
生じてしまう。
【００６６】
これに対し、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法では、図６の透明樹脂材料塗
布工程（ステップＳ４）において、透明樹脂層４２の形成材料を対向基板４１側に塗布す
るようにしている。
【００６７】
図６の透明樹脂材料塗布工程（ステップＳ４）では、まず、図８（ａ）に示すように、
石英ガラスを分断することで対向基板４１を用意する。続いて、対向基板４１の上に透明
樹脂層４２の形成材料を塗布する。透明樹脂層４２の形成材料の塗布方法としては、従来
公知の方法を用いることができる。
【００６８】
そして、図８（ｂ）に示すように、対向基板４１上に塗布した透明樹脂層４２の形成材
料４２ａを所定時間放置する。これにより、形成材料４２ａは内部に残留している気泡が
除去される。
【００６９】
本実施形態では、透明樹脂層４２の形成材料４２ａとして紫外線硬化型接着剤、具体的
に遅延硬化型接着剤を用いた。すなわち、透明樹脂層４２は、形成材料４２ａに対して光
（紫外線）を照射することで形成されることから有機ＥＬ素子３０に対する熱の影響を考
慮する必要が無い。
【００７０】
接着剤は、光カチオン重合性化合物と光カチオン重合開始剤とを含有し、光照射により
硬化反応が開始し、光を遮断した後にも暗反応で硬化反応が進行する封止用接着剤である
。上記光カチオン重合性化合物は、芳香族エポキシ樹脂であることが好ましい。また、光
カチオン重合開始剤は、下記式（１）で表されるボロン酸を対イオンとする塩であること
上記が好ましい。
【００７１】
【化１】
2015201256.tif 000003
【００７２】
さらに、上記光カチオン重合開始剤は、分子内に少なくとも１つの水酸基を有しかつ光
照射により酸を発生する化合物と、分子内に水酸基と反応する官能基を２つ以上有する化
合物との反応生成物であること上記が好ましく、分子内に２つ以上の水酸基を有しかつ光
照射により酸を発生する化合物と、無水カルボン酸又はジカルボン酸との反応生成物であ
ることがより好ましい。
【００７３】
上記光カチオン重合性接着剤は、水酸基を有する脂肪族炭化水素及び／又はポリエーテ
ル化合物を含有することが好ましく、充填剤を含有することが好ましく、酸と反応するア
ルカリ性充填剤及び／又は酸を吸着するイオン交換樹脂を含有することが好ましく、乾燥
剤を含有することが好ましい。
【００７４】
ところで、透明樹脂層４２の形成材料４２ａを硬化させる場合、硬化処理を一回（一段
階）で行うと、有機ＥＬ装置１００の信頼性試験（例えば、後述の冷熱サイクル試験）に
投入した後、透明樹脂層４２のボイドが発生し、発行時にボイド発生部の透過率が変わる
ことで表示不良を引き起こすおそれがあった。ボイドは、カラーフィルター３６端部で発
生して実表示領域Ｅ１の内部に進行する。このようなボイドの発生原因の一つとしては、
カラーフィルター３６と透明樹脂層４２との界面での密着性が弱いことが考えられる。
【００７５】
このようなボイドの発生といった課題に対し、本実施形態では、透明樹脂層４２の形成
材料４２ａを第１硬化処理および第２硬化処理の二段階で硬化させるようにしている。こ
れにより、透明樹脂層４２の硬化収縮時のひずみを抑制し、透明樹脂層４２とカラーフィ
ルター３６との界面での密着性を向上させ、透明樹脂層４２におけるボイドの発生を防止
するようにしている。
【００７６】
具体的に、本実施形態では、対向基板４１上に塗布した透明樹脂層４２の形成材料４２
ａを所定時間放置した後、第１硬化処理（ステップＳ５）へ進む。本実施形態では、後述
のように、第１硬化処理後、対向基板の貼り合せ工程を行い、続けて第２硬化処理工程を
行う。
【００７７】
図６の第１硬化処理（ステップＳ５）では、図８（ｃ）に示すように紫外線を照射（Ｕ
Ｖ照射）することで形成材料４２ａの粘度を調整する。
【００７８】
図９は、第１硬化処理における紫外線照射と紫外線照射後の形成材料４２ａの粘度との
関係を示した実験結果である。本実験では、紫外線照射量（単位：ｍＪ／ｃｍ２）を５０
、１００、３００、５００、６００、１０００、１５００、２０００、２５００、３００
０、４０００、５０００とし、各紫外線照射量に対応した粘度を測定するとともに合わせ
て冷熱サイクル試験による判定も行った。
【００７９】
なお、冷熱サイクル試験は、有機ＥＬ装置を室温（２０℃）に３０分放置した後、−３
０℃の環境に移動させて１時間放置し、再び室温環境下に戻す第１ステップと、有機ＥＬ
装置を室温に３０分放置した後、８０℃の環境に移動させて１時間放置し、再び室温環境
下に戻す第２ステップとを含むサイクルを繰り返すことが行われる。
【００８０】
図９に示されるように、実験例１では、紫外線照射量が５０ｍＪ／ｃｍ２と小さいと照
射量のコントロールが難しくなるとともに紫外線照射後の粘度も小さく（３００ｍＰａ・
ｓ）なることが確認できた。実験例１では、冷熱サイクル試験による結果の信頼性が得ら
れないことから判定結果を不可（×）とした。
【００８１】
また、実験例２〜実験例５では、冷熱サイクル試験１００サイクル後までボイドが発生
しないことを確認できた。すなわち、第１硬化処理時の紫外線照射量を１００、３００、
４００、６００ｍＪ／ｃｍ２に設定すれば、紫外線照射後の粘度として十分な値（３６０
、４５０、５００、５５０ｍＰａ・ｓ）が得られるため、透明樹脂層４２の硬化収縮時の
ひずみが抑制され、透明樹脂層４２とカラーフィルター３６との界面での密着性が向上す
ることでボイドの発生を抑制できることが確認された。よって、これら実験例２〜５では
、冷熱サイクル試験による判定結果を良（○）とした。
【００８２】
また、実験例６および実験例７では、冷熱サイクル試験２０サイクル後までボイドが発
生しないことを確認できた。すなわち、第１硬化処理時の紫外線照射量を１０００、１５
００ｍＪ／ｃｍ２に設定すれば、紫外線照射後の粘度として十分な値（６００ｍＰａ・ｓ
）が得られるため、透明樹脂層４２の硬化収縮時のひずみが抑制され、透明樹脂層４２と
カラーフィルター３６との界面での密着性が向上することでボイドの発生を抑制できるこ
とが確認された。一方、これら実験例６、７では、透明樹脂層４２およびカラーフィルタ
ー３６の界面での密着強度の固体差が発生する場合がある事もあった。そこで、実験例６
、７では、冷熱サイクル試験による判定結果を可（△）とした。
【００８３】
また、実験例８〜実験例１０では、冷熱サイクル試験１０サイクルまでボイドが発生し
ないことを確認できた。すなわち、冷熱サイクル試験１０サイクル以上になるとボイドが
発生してしまうこと、および、透明樹脂層４２およびカラーフィルター３６の界面での密
着強度の固体差が発生することを確認できた。よって、これら実験例８〜１０では、冷熱
サイクル試験による判定結果を不可（×）とした。
【００８４】
また、実験例１１、１２では、形成材料４２ａの粘度が高くなり過ぎるため、対向基板
４１の貼り合せ工程を行うことができないことを確認できた。すなわち、これら実験例１
１、１２では、紫外線照射量が多すぎるため、有機ＥＬ装置を製造することが難しいこと
から冷熱サイクル試験を行うこと無く、判定結果を不可（×）とした。
【００８５】
本発明者は、上記図９に示した実験結果に基づき、第１硬化処理後における形成材料４
２ａの粘度が透明樹脂層４２の硬化収縮時のひずみ量に影響を及ぼすとの知見を得た。す
なわち、第１硬化処理後における形成材料４２ａの粘度を最適化することで、透明樹脂層
４２およびカラーフィルター３６の界面における密着性を向上させ、ボイドの発生を抑制
することができるとの知見を得た。
【００８６】
本実施形態では、上記知見に基づき、第１硬化処理（ステップＳ５）において、形成材
料４２ａの粘度を３５０〜６００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは３５０〜５５０Ｐａ・ｓの
範囲に調整するようにした。これにより、第１硬化処理（ステップＳ５）では、形成材料
４２ａの硬化率を１０〜４０％まで上昇させる。なお、第１硬化処理（ステップＳ５）に
おいては、紫外線照射量が１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲、好ましくは１００〜６
００ｍＪ／ｃｍ２の範囲とするのが好ましい。本実施形態では、紫外線照射量を１００〜
５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲とした。
【００８７】
図１０は紫外線照射に伴う形成材料４２ａにおける硬化率の変化を示す図である。図１
０において、横軸は紫外線照射時間を示し、縦軸は硬化率を示している。また、図１０に
おいて、時間０〜ｔ１の区間は、第１硬化処理工程に対応し、時間ｔ１〜ｔの区間は、対
向基板４１の貼り合せ後の保持時間を規定し、時間ｔ〜ｔ２の区間は、第２硬化処理工程
に対応する。
【００８８】
図１０に示すように、第１硬化処理（ステップＳ５）において、形成材料４２ａの硬化
率を４０％まで上昇させた後、ステップＳ６へ進む。
【００８９】
図６の対向基板４１の貼り合せ工程（ステップＳ６）では、形成材料４２ａを塗布した
対向基板４１を素子基板１０に押圧して貼り合せる。図１１（ａ）〜（ｅ）は、対向基板
４１の貼り合せ工程を示す概略断面図である。
【００９０】
対向基板４１の貼り合せ工程では、まず、図１１（ａ）に示す貼り合せ治具７０を用意
する。貼り合せ治具７０は、内面が階段状となっており、第１保持面７１と、該第１保持
面７１よりも上方に設けられた第２保持面７２と、貫通孔７３と、突き上げ部材７４と、
を備える。第１保持面７１は、対向基板４１の裏面（形成材料４２ａが塗布された面と反
対面）を支持するものである。第２保持面７２は、素子基板１０の表面側（カラーフィル
ター３６等が形成された面側）を支持するものである。貫通孔７３は、突き上げ部材７４
を挿通させるためのものである。
【００９１】
そして、図１１（ｂ）に示すように、貼り合せ治具７０の第１保持面７１に形成材料４
２ａを塗布した対向基板４１をセットするとともに、貼り合せ治具７０の第２保持面７２
に素子基板１０をセットする。本実施形態では、上記第１硬化処理により形成材料４２ａ
の粘度が所定範囲に調整されているので、形成材料４２ａを良好に保持した状態で対向基
板４１を貼り合せ治具７０にセットすることができる。
【００９２】
続いて、図１１（ｃ）に示すように、突き上げ部材７４は貫通孔７３を挿通することで
上方に対向基板４１を突き上げる。これにより、対向基板４１は、形成材料４２ａを介し
て素子基板１０に押圧される。
【００９３】
そして、突き上げ部材７４は、図１０に示した時間ｔ１〜ｔの間（例えば、最短で１０
分以上）、対向基板４１を素子基板１０側に押圧した状態を保持する。これにより、素子
基板１０および対向基板４１は、形成材料４２ａを介して仮接着された状態となる。
【００９４】
続いて、図１１（ｄ）に示すように、突き上げ部材７４は、形成材料４２ａを介して仮
接着された素子基板１０および対向基板４１（接着体）を貼り合せ治具７０の内部から上
方へと持ち上げる。そして、不図示のロボットハンド等は、接着体を受け取った後、該接
着体を貼り合せ治具７０から取り出す。そして、ステップＳ７へ進む。
【００９５】
図６の第２硬化処理工程（ステップＳ７）では、図１１（ｅ）に示すように紫外線を照
射（ＵＶ照射）することで形成材料４２ａを硬化させる。第２硬化処理（ステップＳ７）
においては、紫外線照射量を３０００ｍＪ／ｃｍ２以上とし、６０℃以上で３０分以上加
熱することで図１０に示したように形成材料４２ａの硬化率を９５％以上まで上昇させて
透明樹脂層４２を介して素子基板１０および対向基板４１を接着する。
【００９６】
この後に、図２に示したように、透明樹脂層４２を介して接着された素子基板１０の不
図示の端子部にＦＰＣ４３を実装して、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【００９７】
以上のように、本実施形態によれば、対向基板４１の貼り合せ時に、カラーフィルター
３６上に透明樹脂層４２の形成材料４２ａが直接塗布されることがないため、カラーフィ
ルター３６に形成材料４２ａが浸透する或いはカラーフィルター３６と形成材料４２ａと
が反応することでカラーフィルター３６の品質低下を招くといった不具合の発生を防止で
きる。よって、良質なカラーフィルター３６を備えた有機ＥＬ装置１００を製造すること
ができる。
【００９８】
また、本実施形態では、第１硬化工程により形成材料４２ａを所定粘度に調整するので
、対向基板４１上に形成材料４２ａを良好に保持した状態で素子基板１０および対向基板
４１の貼り合せを行うことができる。よって、基板の貼り合せ工程を簡便且つ高精度に行
うことができる。
【００９９】
また、本実施形態では、透明樹脂層４２の形成材料４２ａを二段階で硬化させるため、
形成材料４２ａの硬化収縮時のひずみを小さくすることができる。よって、カラーフィル
ター３６と透明樹脂層４２との界面での密着性が向上することで透明樹脂層４２内にボイ
ドが発生するのを抑制できる。
【０１００】
（電子機器）
次に、本実施形態の電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２は、電子機
器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図１２に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（Ｈ
ＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部３０１を有している。観
察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ３００を眼鏡のように頭部に装着することにより、
表示部３０１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部３
０１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１０１】
表示部３０１には、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が搭載されている。すなわち、
良質なカラーフィルター３６を備えるとともに透明樹脂層４２内におけるボイドおｎ発生
が抑制された有機ＥＬ装置１００を備えている。
したがって、優れた表示品質を有した信頼性の高いヘッドマウントディスプレイ３００
を提供することができる。
【０１０２】
ヘッドマウントディスプレイ３００は、２つの表示部３０１を有することに限定されず
、左右のいずれかに対応させた１つの表示部３０１を備える構成としてもよい。
【０１０３】
なお、上記有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ
３００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲー
ター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられ
る。
【０１０４】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変
更を伴う有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置の製造方法ならびに該有機ＥＬ装置を適用する
電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な
変形例が考えられる。
【符号の説明】
【０１０５】
１１…基材（第１基板）、３０…有機ＥＬ素子、３４…封止層（封止膜）、３６…カラー
フィルター、４１…対向基板（第２基板）、４２…透明樹脂層（充填層）、１００…有機
ＥＬ装置、３００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ。
【図１】
2015201256.tif 000004
【図２】
2015201256.tif 000005
【図３】
2015201256.tif 000006
【図４】
2015201256.tif 000007
【図５】
2015201256.tif 000008
【図６】
2015201256.tif 000009
【図７】
2015201256.tif 000010
【図８】
2015201256.tif 000011
【図９】
2015201256.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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