(57)【要約】      （修正有）【課題】負荷接続要素が、パワー半導体装置の基体から確実に電気的に絶縁され、ハウジングが、基体から確実に密封される、コンパクトなパワー半導体装置を提供する。【解決手段】導電的な負荷接続要素を有し、パワー半導体コンポーネント２３の周囲に横に延びる一体的に形成された第１のハウジング部分を有する。金属基体３は、パワー半導体コンポーネントの周囲に横に延び、領域的に、少なくとも部分的に、弾性の非電導性の一体的に形成され構造化され、パワー半導体コンポーネントの周囲に横に延びる第１のシーリング要素によって覆われる第１の主外面を有し、第１のシーリング要素の一部分は、第１のハウジング部分と基体の第１の主外面との間に配置され、第１のハウジング部分と基体の第１の主外面は、第１のシーリング要素に対して押し付けられて配置され、第１のシーリング要素は、基体の第１の主外面から第１のハウジング部分を密封する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２０）と、該基板（２０）上に配置され、該基板（２０）に接続されるパワー半導体コンポーネント（２３）と、を有するパワー半導体装置であって、
前記基板（２０）は、金属基体（３）に直接的に又は間接的に接続され、
前記パワー半導体装置（１）は、該パワー半導体装置（１）と電気的な接触を作るために導電的な負荷接続要素（７）を有し、
前記パワー半導体装置（１）は、一体的に形成された第１のハウジング部分（５）を有し、それは、前記パワー半導体コンポーネント（２３）の周囲に横に延び、
前記基体（３）は、第１の主外面（４）を有し、
それは、前記パワー半導体コンポーネント（２３）の周囲に横に延び、
領域的に、少なくとも部分的に、弾性の非電導性の一体的に形成された構造化された第１のシーリング要素（１１）によって覆われ、
それは、前記パワー半導体コンポーネント（２３）の周囲に横に延び、
前記第１のシーリング要素（１１）の一部分（５３）は、前記第１のハウジング部分（５）と、前記基体（３）の前記第１の主外面（４）の間に配置され、
前記第１のハウジング部分（５）と前記基体（３）の前記第１の主外面（４）は、前記第１のシーリング要素（１１）に対して押し付けられて配置され、
前記第１のシーリング要素（１１）は、前記基体（３）の前記第１の主外面（４）から前記第１のハウジング部分（５）を密封するパワー半導体装置。
【請求項２】
前記第１の主外面（４）の少なくとも大部分が、前記第１のシーリング要素（１１）によって、領域的に覆われていることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体装置。
【請求項３】
前記導電的な負荷接続要素（７）は、横方向に外側に向かって前記第１のハウジング部分（５）を通過し、
前記負荷接続要素（７）は、前記第１のハウジング部分（５）の外側に配置された外側接続部（７ａ）をそれぞれに有し、
前記基体（３）は、第２の外側面（１０）を有し、
前記第１のシーリング要素（１１）は、少なくとも、前記それぞれの外側接続部（７ａ）の範囲（４８）で、前記基体（３）の前記第２の外側面（１０）を覆うことを特徴とする請求項１又は２に記載のパワー半導体装置。
【請求項４】
前記基体（３）は、エアタイプのヒートシンク若しくはリキッドタイプのヒートシンクの形態、又は、エアタイプのヒートシンク若しくはリキッドタイプのヒートシンクへの接続を意図されたベースプレートの形態であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のパワー半導体装置。
【請求項５】
前記第１のシーリング要素（１１）は、前記基体（３）にも凝集的に接続されず、前記第１のハウジング部分（５）にも凝集的に接続されないことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のパワー半導体装置。
【請求項６】
前記第１のシーリング要素（１１）がエラストマーから構成されることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のパワー半導体装置。
【請求項７】
前記第１のシーリング要素（１１）は、前記パワー半導体コンポーネント（２３）の周囲に横に延びる増厚部（１６）を有し、
前記シーリング要素（１１）の前記増厚部（１６）は、
前記第１のハウジング部分（５）と前記基体（３）の前記第１の主外面（４）との間に配置され、
前記第１のシーリング要素（１１）の前記増厚部（１６）は、前記基体（３）の前記第１の主外面（４）から前記第１のハウジング部分（５）を密封することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のパワー半導体装置。
【請求項８】
前記第１のハウジング部分（５）は、ねじ結合（４７）によって、前記基体（３）に接続され、
前記第１のハウジング部分（５）と前記基体（３）の前記第１の主外面（４）は、前記第１のハウジング部分（５）と前記基体（３）をお互いに向かってを押し付ける前記ねじ結合（４７）の効力によって、前記第１のシーリング要素（１１）に対して押し付けられて配置されることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載のパワー半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項にしたがって設計される第１及び第２のパワー半導体装置（１，１’）を有するパワー半導体装置システムであって、
前記第２のパワー半導体装置（１’）の前記基体（３’）は、第２の主外面（３１’）を有し、それは、前記第２のパワー半導体装置（１’）の前記基体（３’）の前記第１の主外面（４’）の反対の位置に配置され、
第２のシーリング要素（２８）は、前記第２のパワー半導体装置（１’）の前記基体（３’）の前記第２の主外面（４’）と前記第１のパワー半導体装置（１）の前記第１のハウジング部分（５）との間に配置され、前記第１のパワー半導体装置（１）の前記第１のハウジング部分（５）から前記第２のパワー半導体装置（１’）の前記基体（３’）の前記第２の主外面（４’）を密封するパワー半導体装置システム。
【請求項１０】
前記第２のシーリング要素（２８）がシーリングリングの形態であることを特徴とする請求項９に記載のパワー半導体装置システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術から知られているパワー半導体装置の場合、例えば、パワー半導体スイッチやダイオードのようなパワー半導体コンポーネントは、一般に、基板上に配置され、基板の伝導層、ボンディングワイヤ及び／又は複合フィルムによって、相互に導電的に接続される。一般的に、この場合におけるパワー半導体スイッチは、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）やサイリスタの形態のような、トランジスタの形態である。基板は、一般的にヒートシンク又はベースプレートの形態であり、ヒートシンクに接続のために意図される金属基体に直接的に又は間接的に、一般的に、接続される。
【０００３】
この場合、基板上に配置されたパワー半導体コンポーネントは、単一の又は複数のいわゆるハーフブリッジ回路を形成するために、たいてい電気的に相互接続され、それは、例えば、電圧や電流を調整し、反転するために使用される。
【０００４】
当業者に一般に行われているパワー半導体装置は、負荷電流を案内するための負荷接続要素（load connection elements）を有し、その負荷接続要素により、パワー半導体装置は、外部コンポーネントに導電的に接続される。この場合、一般的に、負荷電流は、パワー半導体スイッチを作動するために使用される電流を制御するのとは対照的に、例えば高電流強度を有する。負荷接続要素は、一般的に、パワー半導体装置のハウジングを介する（通過させる）必要がある。この場合、パワー半導体装置は、たいてい、散水（spraywater）から保護される必要性の要求を受け、例えば、その結果、第１に、負荷接続要素は、パワー半導体装置のハウジングから密封される（sealed off）必要があり、第２に、パワー半導体装置のハウジングは、パワー半導体装置の金属基体から密封される必要がある。
【０００５】
負荷接続要素は、一般的に、パワー半導体装置の基体に比べて、異なった電位を有するので、十分に長い漏電部（electrical leakage parts）と、負荷接続要素とパワー半導体装置の基体の間のエアギャップとは、十分な電気絶縁を確保するために、備えられる必要がある。この要求は、パワー半導体装置をコンパクトにする一般の技術的な要求に反対の立場にある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、負荷接続要素が、パワー半導体装置の基体から確実に電気的に絶縁され、ハウジングが、基体から確実に密封される、コンパクトなパワー半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、基板を有し、基板上に配置され、基板に接続されたパワー半導体コンポーネントを有するパワー半導体装置であって、
基板は、金属基体に直接的に又は間接的に接続され、
パワー半導体装置は、パワー半導体装置と電気的な接触を作るために、導電的な負荷接続要素を有し、
パワー半導体装置は、一体的に形成された第１のハウジング部分を有し、それは、パワー半導体コンポーネントの周囲に横に延び、
基体は、第１の主外面を有し、それは、パワー半導体コンポーネントの周囲に横に延び、領域的に、少なくとも部分的に、弾性の非電導性の一体的に形成され構造化された第１のシーリング要素によって覆われ、
第１のシーリング要素の一部分は、第１のハウジング部分と基体の第１の主外面との間に配置され、
第１のハウジング部分と基体の第１の主外面は、第１のシーリング要素に対して押し付けられて配置され、
第１のシーリング要素は、基体の第１の主外面から第１のハウジング部分を密封する、パワー半導体装置によって達成される。
【０００８】
本発明の有利な展開は、従属クレームに示される。
【０００９】
少なくとも、第１の主外面の大部分が、第１のシーリング要素によって、領域的に（areally）覆われる場合、この場合特に、パワー半導体装置の基体からの、負荷接続要素の確かな電気絶縁が達成されるので、有利であることが分かっている。
【００１０】
さらに、導電的な負荷接要素が、横方向に外側に向かって、第１のハウジング部分を通過する場合、負荷接続要素が、第１ハウジング部分の外側に配置される外側接続部を、それぞれに有し、基体が、第２の外側面を有し、第１のシーリング要素が、少なくとも、それぞれの外側接続部の領域で、基体の第２の外側面を覆うことが、有利であることが分かっている。結果として、パワー半導体装置の基体からの負荷接続要素の確かな電気絶縁もまた、第１のハウジング部分の外側に達成される。
【００１１】
加えて、基体が、エアタイプのヒートシンク若しくはリキッドタイプのヒートシンクの形態であり、又はベースプレートの形態であり、それがエアタイプのヒートシンク又はリキッドタイプのヒートシンクへの接続のために意図される場合、有利であることが分かっている。基体の言及される設計は、従来の設計である。
【００１２】
さらに、第１のシーリング要素が、基体に凝集的に（cohesively）接続もされず、第１のハウジング部分に凝集的に接続もされない場合、有利であることが分かっている。したがって、第１のシーリング要素は、故障の場合には、容易に置き換えられる。
【００１３】
さらに、第１のシーリング要素は、エラストマーから構成される場合、この場合第１のシーリング要素が特に長い寿命を有するので、有利であることが分かっている。
【００１４】
さらに、第１のシーリング要素が、パワー半導体コンポーネントの周囲に横に延びる増厚部を有し、シーリング要素の増厚部が、第１のハウジング部分と基体の第１の主外面との間に配置され、第１のシーリング要素の増厚部が、第１のハウジング部分を、基体の第１の主外面から密封する場合、有利でることが分かっている。結果として、特に、基体から第１のハウジング部分の確かな密封が達成される。
【００１５】
さらに、第１ハウジング部分が、ねじ結合によって、基体に接続され、第１のハウジング部分と基体の第１の主外面が、第１のハウジング部分と基体をお互いに向かって押し付けるねじ結合の効力によって、第１のシーリング要素に対して押し付けられて配置される場合、有利であることが分かっている。ねじ結合の効力によって、第１に、第１のハウジング部分が基体に接続され、第２に、第１のハウジング部分と基体が、ねじ結合によって、お互いに向かって押される。
【００１６】
さらに、本発明によれば、第１のパワー半導体装置及び第２のパワー半導体装置を有するパワー半導体装置システムであって、第２のパワー半導体装置の基体が、第２の主外面を有し、それが、第２のパワー半導体装置の基体の第１の主外面に対向して配置され、第２のシーリング要素が、第２のパワー半導体装置の基体の第２の主外面と第１のパワー半導体装置の第１のハウジング部分との間に配置され、第２のパワー半導体装置の基体の第２の主外面を、第１のパワー半導体装置の第１のハウジング部分から密封するパワー半導体装置システムを使用することが成功したことが分かっている。結果として、特に、コンパクトなパワー半導体装置システムが提供される。
【００１７】
さらに、第２のシーリング要素がシーリングリングの形態である場合、有利であることが分かっている。シーリングリングとしての第２のシーリング要素の設計が、シーリングにとって、特に簡単な設計である。
【００１８】
本発明の代表的な実施形態は、図面に示され、以下にさらに詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るパワー半導体装置の斜視断面図を示す。
【図２】第１のシーリング要素を有しないで、今のところ、不完全に示された本発明に係るパワー半導体装置の斜視図を示す。
【図３】第１のシーリング要素を示す。
【図４】パワー半導体装置の基体上に配置された第１のシーリング要素を有する本発明に係る、今のところ、完全に示されていないパワー半導体装置の斜視図を示す。
【図５】本発明に係るパワー半導体装置の斜視図を示す。
【図６】本発明に係るパワー半導体装置システムの斜視図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明に係るパワー半導体装置１の斜視断面図を示す。パワー半導体装置は、基板２０を有し、その上に、パワー半導体コンポーネント２３が配置され、基板２０に接続されている。それぞれのパワー半導体コンポーネント２３は、好ましくは、パワー半導体スイッチ又はダイオードの形態である。この場合、パワー半導体スイッチは、一般的に、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）若しくはＭＯＳＦＥＴｓ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）のようなトランジスタの形態又はサイリスタの形態である。基板２０は、絶縁体２１（例えば、セラミック体）と、導電的な構造化された第１の伝導層を有し、それは、絶縁体２１の第１の面上に配置され、絶縁体２１に接続され、それは、代表的な実施形態の範囲内で、その構造のために導体トラック２２を形成する。好ましくは、基板２０は、導電的な、好ましくは構造化されていない第２の伝導層を有し、絶縁体２１は、構造化された第１の伝導層と第２の伝導層の間に配置される。基板２０は、代表的な実施形態のように、例えば、直接銅結合基板（ＤＣＢ基板）の形態、又は絶縁金属基板（ＩＭＳ）の形態であり得る。例えば、基板の導体トラックもまた、例えば非導電的なフィルムのような絶縁体上に配置される導電的なリードフレームによって、形成され得る。このようにして、リードフレームと非導電的なフィルムは、基板を形成する。パワー半導体コンポーネント２３は、好ましくは、導体トラック２２に、凝集的に（例えば、はんだ層又は焼結層によって）接続される。図１において、明確の理由のために、パワー半導体コンポーネント２３を導体トラック２２に凝集的に接続するはんだ層は、示されていない。代替的又は追加的に、例えば、パワー半導体コンポーネント２３は、例えば、導体トラック２２の方向にパワー半導体コンポーネント２３上に加えられる圧力の効力による圧力接続によって導体トラック２２に接続され得る。
【００２１】
パワー半導体コンポーネント２３は、例えば、ボンディングワイヤ及び／又は複合フィルムによって、基板２０から離れたそれらの側に相互に、導電的に接続され、そして、パワー半導体装置１を実施することを意図する適切な電気回路に対応する基板２０の導体トラック２２に、導電的に接続されるということが言及される。明確の理由のため、これらの電気的な接続は、図１に示されない。
【００２２】
基板２０は、金属基体３に直接的に又は間接的に接続される。代表的な実施形態の範囲の以内で、金属基体３は、パワー半導体コンポーネント２３の周囲に延びるフレーム要素３ａと、フレーム要素に凝集的に（例えば、溶接接続によって）接続される基部要素３ｂと、を有する。代表的な実施形態の範囲の以内で、金属基体３は、リキッドタイプのヒートシンクである。金属基体３は、好ましくは、例えば冷却フィン及び／又は冷却ピンを有するエアタイプのヒートシンクの形態でもあり得て、また、エアタイプのヒートシンク又はリキッドタイプのヒートシンクに接続を意図されるベースプレートの形態でもあり得る。代表的な実施形態の範囲内で、金属基体３は、冷却液（例えば、水）が流れる水路２７を形成する。冷却液は、図２に示されるように、開口１８を介して水路２７に流れ込み又は通り過ぎる。代表的な実施形態の範囲内で、基板２０は、水路２７の中に突き出る冷却ピン２６を備えられた冷却プレート２５上に配置され、前記冷却プレートに接続される。冷却プレート２５は、金属基体３の開口４５のためのカバーを形成し、金属基体３に接続される。したがって、基板２０は、冷却プレート２５を介して金属基体３に間接的に接続される。あるいは、基板２０は、例えば、金属基体３上に配置され、金属基体３に接続される基板２０の効力によって、金属基体３に直接的に接続もされる。
【００２３】
基板２０の金属基体３への直接接続又は間接接続は、例えば（例えば、単一の又は複数のはんだ層又は焼結層によって）凝集され得る。代替的又は追加的に、例えば金属基体３への基板２０の直接接続又は間接接続は、例えば金属基体３の方向に基板上に加えられる圧力の効力による圧力接続によって、行われ得る。しかしながら、他の接続のタイプも、もちろん可能である。
【００２４】
さらに、パワー半導体装置１は、パワー半導体コンポーネント２３の周囲に横に延びる一体的に形成された第１のハウジング部分５を有する。第１のハウジング部分５は、パワー半導体コンポーネント２３が配置される同じプレーン上にパワー半導体コンポーネント２３の周囲に横に、必ずしも延びないが、パワー半導体コンポーネント２３のわずかに上にパワー半導体コンポーネント２３の周囲に横にも延び得るということがここでは言及される。第１のハウジング部分５は、好ましくはプラスチックから構成される。
【００２５】
例えば、導電的なレールやケーブルのようなパワー半導体装置１と外部電線装置の間の電気的な接触をもたらすために、パワー半導体装置１は、導電的な負荷接続要素７を有する。負荷接続要素７は、負荷電流を伝導するために、使用される。この場合、一般的に、パワー半導体コンポーネントがパワー半導体スイッチの形態であるとき、負荷接続要素７を流れる負荷電流は、例えばパワー半導体コンポーネントを作動するために使用される制御電流と比較して、高電流強度を有する。負荷接続要素７は、第１のハウジング部分５の外側に配置された外側接続部７ａと、パワー半導体装置１の第１のハウジング部分５の内部に配置された内部接続部７ｂと、をそれぞれに有する。さらに、パワー半導体装置１は、導電的な接続要素６を有し、それは、基板２０を、より明確には、基板２０の第１の伝導層を導電的な負荷接続要素７に接続する。負荷接続要素７もまた、それぞれ関連した接続要素６と一体的に形成され得る。
【００２６】
基体３は、図２，３，４に示すように、パワー半導体コンポーネント２３の周囲に横に延びる第１の主外面４であって、弾性の、非電導性の、一体的に形成され、構造化された第１のシーリング要素１１によって、領域的に、少なくとも部分的に覆われる、第１の主外面４を有する。第１のシーリング要素１１は、パワー半導体コンポーネント２３が配置される同じプレーン上にパワー半導体コンポーネント２３の周囲に横に、必ずしも延びないが、パワー半導体コンポーネント２３のわずかに下又は上に、パワー半導体コンポーネント２３の周囲に横にも延び得るということがここでは言及される。第１のシーリング要素１１の一部分５３は、第１のハウジング部分５と基体３の第１の主外面４との間に配置される。第１のシーリング要素１１の更なる一部分５４は、第１のハウジング部分５と基体３の第１の主外面４との間に配置されていないが、第１のハウジング部分５の内部に配置されている。主外面４は、好ましくは一つのプレーン上に延びる。主外面４は、複数の主外面の一部分４ａ，４ｂを有し、それは、例えば基体３の中の少なくとも一つの溝３５によってお互いから分離される。第１のシーリング要素１１は、好ましくは、基体３の少なくとも一つの溝３５を覆う。
【００２７】
第１のシーリング要素１１は、好ましくは、例えば、シリコーンやエチレン・プロピレン・ジエンゴムのようなエラストマーから構成される。シリコーンは、好ましくは、架橋液体シリコーンゴムの形態又は架橋固体シリコーンゴムの形態である。
【００２８】
第１のシーリング要素１１は、好ましくは、基体３に凝集的に接続されも、第１のハウジング部分５に凝集的に接続されもせず、そのため、好ましくは、基体３から取外し可能である個別部品の形態である。あるいは、第１のシーリング要素１１は、基体３に凝集的に接続され得る。第１のシーリング要素１１は、構造化され、その構造のために、好ましくは、単一の又は複数の切欠１４又は切欠３７を有する。個々の又は複数の切欠１４の内壁は、パワー半導体コンポーネント２３の周囲に延びる。さらに、第１のシーリング要素１１は、好ましくは、図３に示すように、第１のシーリング要素１１の主面１２から突き出る構造要素１５を有する。
【００２９】
第１のシーリング要素１１は、好ましくは、基体３の第１の主外面４の大部分（５０％より大きい）を覆い、特に、基体３の第１の主外面４を完全にも覆う。第１のハウジング部分５と基体３の第１の主外面４は、第１のシーリング要素１１に対して押し付けられて配置され、その結果、第１のシーリング要素１１は、第１のハウジング部分５を基体３の第１の主外面４から密封する。そのため、第１のシーリング要素１１は、本発明にしたがって、２つに機能を有する。第１に、第１のシーリング要素１１は、パワー半導体装置１のハウジングがパワー半導体装置１の基体３から確実に密封されるように、第１のハウジング部分５を基体３から確実に密封する。第２に、第１のハウジング部分５内の第１のシーリング要素１１は、漏電部と、負荷接続要素７とパワー半導体装置１の基体３との間のエアギャップとを引き伸ばし（広げ）、その結果、パワー半導体装置１の物理的な大きさは、縮小されるので、パワー半導体装置１は、コンパクト設計を有し、それにも関わらず、確かな電気絶縁のために要求される漏電路（electrical leakage paths）とエアギャップが達成される。
【００３０】
好ましくは、第１のハウジング部分５は、ねじ結合によって基体３に接続され、第１のハウジング部分５と基体３の第１の主外面４は、代表的な実施形態の範囲内で、第１のハウジング部分５と基体３をお互いに向かって押し付けるねじ結合の効力によって、第１のシーリング要素１１に対して押し付けられて配置される。ねじ結合を達成するために、代表的な実施形態の範囲内で、好ましくは、基体３は、図２に示すように、高所１９に配置され、雌ねじを備えられる穴４６を有し、第１のハウジング部分５は、くぼ地の底に備えられるそれぞれの穴を有するくぼ地３２を有し、そのくぼ地を通り抜けて、ねじ４７のシャフトが通され、穴４６の雌ねじにねじで取り付けられる。明確の理由のため、一つのねじ４７だけが図１に示されるということが言及される。第１のシーリング要素１１の構造要素１５は、好ましくは、高所１９を囲む。高所１９は、好ましくは、円錐台の形態である。
【００３１】
好ましくは、第１のシーリング要素１１は、増厚部１６を有し、それは、パワー半導体コンポーネント２３の周囲に横に延び、第１のシーリング要素１１の増厚部１６は、第１のハウジング部分５と基体３の第１の主外面４との間に配置され、第１のシーリング要素１１の増厚部１６が、基体３の第１の主外面４から第１のハウジング部分５を特に確実に密封する。増厚部１６は、好ましくは、第１のハウジング部分５の方向に形成された第１のバルジ及び／又は基体３の方向に形成された第２のバルジを形成する。
【００３２】
代表的な実施形態の範囲内で、導電的な負荷接続要素７は、第１のハウジング部分５を通って外部に横方向に延び、負荷接続要素７は、外側接続部７ａをそれぞれに有し、それは、第１のハウジング部分５の外側に配置され、基体３は、図２に示すように、第２の外側面１０を有し、第１のシーリング要素１１は、少なくとも、それぞれの外側接続部７ａの範囲４８で基体３の第２の外側面１０を覆う。それぞれの外側接続部７ａは、好ましくは、第１のハウジング部分５の横方向外側上に配置される。明確の理由のため、一つの範囲４８だけが図１に示される。負荷接続要素７は、好ましくは、第１のハウジング部分５の中で切欠１７を通って延び、シール５０が、シーリング（sealing）の目的のために、負荷接続要素７と第１のハウジング部分５との間に配置され、前記シールが切欠１７を閉じる。好ましくは、第１のシーリング要素１１は、基体３の第２の外側面１０の大部分（５０％より大きい）、特に基体３の第２の外側面１０の全てを覆う。第２の外側面１０は、好ましくは、基体３の主外面４に垂直に延びる。この手段の効力によって、第１のシーリング要素１１もまた、漏電路と、負荷接続要素７とパワー半導体装置１の基体３との間のエアギャップとを第１のハウジング部分５の外側に延ばし、その結果、パワー半導体装置１の物理的な大きさが縮小されるので、パワー半導体装置１は、特にコンパクトになり、それにも関わらず、確かな電気絶縁のために要求される漏電路とエアギャップは、達成される。
【００３３】
図２は、図３に示される第１のシーリング要素１１を有しないで、
今のところ不完全に示された、本発明に係るパワー半導体装置１の斜視図を示す。代表的な実施形態の範囲内で、パワー半導体装置１は、パワー半導体モジュール９を有し、それは、そのパワー半導体モジュールのハウジング５１の内部に、図１に例として示された基板２０とパワー半導体コンポーネント２３を、それぞれに、有する。それぞれのパワー半導体モジュール９は、制御接続要素１２を有し、それは、代表的な実施形態に関して、パワー半導体スイッチの形態であるパワー半導体コンポーネント２３を作動させるために使用される。さらに、パワー半導体装置１は、駆動回路を有し、好ましくは、パワー半導体スイッチを作動させるために、前記駆動回路は、プリント回路基板２４上に配置される。代表的な実施形態の範囲内で、パワー半導体装置１と３つのパワー半導体モジュール９によって、直流電圧が、三相交流電圧に変換され、又は三相交流電圧が、直流電圧に変換されるということが言及される。
【００３４】
最初の実装工程に関して、図３に例として示された第１のシーリング要素１１は、図４に示された装置（構成）が製造されるように、基体３の第１の主外面４上に配置される。代表的な実施形態の範囲内で、第１のシーリング要素１１は、基体３の第１の主外面４の大部分（５０％より大きい）を覆う。代表的な実施形態に関して、主外面４の比較的小さな主外面の一部分４ａは、第１のシーリング要素１１によって覆われないままであり、好ましくは、そのすぐ周辺に、どの負荷接続要素７も配置されない。
【００３５】
したがって、第１のハウジング部分５は、第１のシーリング要素１１上に配置され、ねじ結合によって基体３に接続され、そのため、第１のハウジング部分５と基体３の第１の主外面４とは、一度それらがねじで共締めされると、第１のシーリング要素１１に対して押し付けられて配置される。図５は、本発明に係る完全に取り付けられたパワー半導体装置１の斜視図を示す。
【００３６】
図１と図５に例として示されるように、好ましくはシーリングリングの形態の第２のシーリング要素２８は、好ましくは、基体３の第１の主外面４から離れた第１のハウジング部分５のその側５２上に配置される。第２のシーリング要素２８は、第２のハウジング部分に関してシーリングを提供し、それは、好ましくは、第１のハウジング部分５のためのカバーの形態であり、又は第１のハウジング部分５のためのカバーの役割を果たす。第２のシーリング要素又はシーリングリングは、例えば、第１のハウジング部分５の遠隔側５２から取外し可能である個別部品、又は第１のハウジング部分５の遠隔側５２に凝集的に接側される要素の形態であり得る。第２のシーリング要素又はシーリングリングは、例えば、第１のハウジング部分５の遠隔側５２上に形成され得る。カバーは、上部で、パワー半導体装置１を閉じる。第２のハウジング部分もまた、第１のハウジング部分  ５と一体的に形成され得、その結果、本発明に係るパワー半導体装置１のハウジングもまた、第１のハウジング部分から構成されるだけということがここでは言及される。さらに、本発明に係るパワー半導体装置１のハウジングもまた、第１のハウジング部分と第２のハウジング部分より多いハウジング部分を有するということが言及される。
【００３７】
下記のように、本発明に係る複数のパワー半導体装置が、パワー半導体装置システムを形成するために連続して相互に隣接して配置され、あるパワー半導体装置の基体が、直接隣接したパワー半導体装置の第１のハウジング部分のためのカバーを形成する場合、特に有利である。
【００３８】
図６は、例として、本発明に係る第１のパワー半導体装置１と、本発明に係る第２のパワー半導体装置１’とを有するパワー半導体装置システム３０を示す。第２のパワー半導体装置１’の基体３’は、第２の主外面３１’を有し、それは、第２のパワー半導体装置１’の基体３’の第１の主外面４’の反対の位置に配置され、第２のシーリング要素２８は、第２のパワー半導体装置１’の基体３’の第２の主外面３１’と、第１のパワー半導体装置１の第１のハウジング部分５との間に配置され、第２のシーリング要素２８が、第２のパワー半導体装置１’の基体３’の第２の主外面３１’を第１のパワー半導体装置１の第１のハウジング部分５から密封する。
【００３９】
パワー半導体装置システム３０は、もちろん、本発明に係る更なるパワー半導体装置をも有し、それらは、第１のパワー半導体装置１と第２のパワー半導体装置１’と同様の方法で、相互に隣接して配置される。
【００４０】
本発明の種々の代表的な実施形態の特徴は、特徴が相互に両立する限り、もちろん、必要に応じて相互に組合わせられるということがこの際に言及される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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