(57)【要約】【課題】壁電極ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ドメインを安定化させるとともに、コントラストの低下を防止する。【解決手段】ＴＦＴ基板において、第１の壁５０と第２の壁５０との間に画素が形成され、第１の壁５０と第２の壁５０の間は平面部となっており、該平面部にはコモン電極２０が形成され、第１の壁５０の第２の壁５０と対向する面と、平面部の一部には画素電極４０が形成され、コモン電極２０と画素電極４０との間には絶縁膜が形成されている。第１の壁５０は壁屈曲部５１を有し、壁屈曲部５１は、紙面縦方向に画素を区画するものであり、第１の壁５０と壁屈曲部５１とは連続した壁となっている。この構成によって、逆捩れをしている液晶分子１２０は、第１の壁５０、第２の壁５０および壁屈曲部５１の界面付近にのみ存在することになり、ドメイン１３０の移動は抑えられ、かつ、光漏れも低減することが出来る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在する第１の壁と、第１の方向に延在する第２の壁が第２の方向に所定の間隔を持って配置し、前記第１の壁と前記第２の壁の間は平面部となっており、前記第１の壁と前記第２の壁との間に画素が形成され、
前記第１の壁と前記第２の壁と前記平面部にはコモン電極が形成され、
前記第１の壁の前記第２の壁と対向する面と、前記平面部の一部には画素電極が形成され、前記コモン電極と前記画素電極との間には絶縁膜が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、
前記第１の壁は前記第２の方向に壁屈曲部を有し、
前記壁屈曲部は、前記第１の方向に画素を区画するものであり、
前記第１の壁と前記壁屈曲部とは連続した壁となっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記平面部において、前記画素電極と前記絶縁膜の上には壁間絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記壁屈曲部の下には、走査線が配置し、前記走査線は、遮光膜の役割を有し、前記走査線の幅は、前記壁屈曲部に比較して、片側で０より大きく、かつ、３μｍ以下の幅大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の壁と前記第２の壁の下には映像信号線が配置し、前記映像信号線は遮光膜の役割を有し、前記映像信号線の幅は、前記第１の壁または前記第２の壁に比較して、片側で０より大きく、かつ、２μｍ以下の幅大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
第１の絶縁膜の上に、第１の方向に延在する第１の壁と、第１の方向に延在する第２の壁が第２の方向に所定の間隔を持って配置し、前記第１の壁と前記第２の壁の間は平面部となっており、前記第１の壁と前記第２の壁との間に画素が形成され、
前記第１の壁と前記第２の壁と前記平面部にはコモン電極が形成され、
前記第１の壁の前記第２の壁と対向する面と、前記平面部の一部には画素電極が形成され、前記コモン電極と前記画素電極との間には第２の絶縁膜が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、
前記第１の壁は前記第２の方向に壁屈曲部を有し、
前記壁屈曲部は、前記第１の方向に画素を区画するものであり、
前記第１の壁と前記壁屈曲部との間は、前記第１の壁の高さまたは、前記壁屈曲部の高さよりも低い高さの壁となっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記平面部において前記画素電極および前記第２の絶縁膜は壁間絶縁膜によって覆われており、前記第１の絶縁膜を基準として、前記第１の壁の高さをｈ１、前記低い高さの壁の高さをｈ２、前記壁間絶縁膜の厚さをｔとすると、ｈ１＞ｈ２＞ｔであることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記壁屈曲部の下には、走査線が配置し、前記走査線は、遮光膜の役割を有し、前記走査線の幅は、前記壁屈曲部に比較して、片側で０より大きく、かつ、３μｍ以下の幅大きいことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１の壁と前記第２の壁の下には映像信号線が配置し、前記映像信号線は遮光膜の役割を有し、前記映像信号線の幅は、前記第１の壁または前記第２の壁に比較して、片側で０より大きく、かつ、２μｍ以下の幅大きいことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に視野角特性が優れ、かつ、高精細画面を実現できる壁電極を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。
【０００４】
ＩＰＳ方式であっても、高精細な画面で、画素の大きさが小さくなった場合は、透過率が問題となり、画面輝度が問題となる。一方、液晶層内に突出した壁構造の壁面に形成した電極を利用して液晶層に電界を印加する壁電極IPS-LCD（In-Plane-Switching-Liquid Crystal Display)は、平面電極を用いた従来のIPS-LCDに比較して液晶層に、より平行な電界を印加可能なため、より高い透過率を実現することができる。
【０００５】
しかしながら、画素の幅が３０μｍ程度であると、壁電極を形成しても、均一な横電界を形成することは難しい。これを対策するために「特許文献１」には、壁電極間の画素の幅方向の中央付近のＴＦＴ基板と対向基板にコモン電極を形成し、これを画素の中央付近に形成された擬似壁電極として、均一な横電界を形成する構成が記載されている。また、「特許文献２」には、壁電極間の画素の幅方向の中央付近のＴＦＴ基板にコモン電極を形成した低い壁を形成することによって均一な横電界を形成する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−２２０５７５４号公報
【特許文献２】特開２０１３−１２５０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
高精細化が進み、画素幅が１９μｍ（４４０ppi）以下の製品が特に、スマートフォン等に搭載されるようになっている。画素幅が１９μｍ以下であれば、画素の幅方向中央に壁電極間に擬似壁電極あるいは小壁を形成しなくとも、実用的には横方向に均一電界を形成することが出来る。本発明は、壁電極間に擬似壁電極あるいは小壁電極を形成しなくとも動作可能な液晶表示装置に関係する。
【０００８】
画素内に液晶を早く充填するために画素の長手方向の壁を分断する方法がある。このように、壁構造を画素の長手方向に分断すると、階調を０から２５５階調に変化させた場合、画素内においてドメインが動くことが判明した。ドメインは液晶の応答に比べて遅いために応答速度が遅く見えるという問題や、中間調の明るさ制御が困難になるといった問題を引き起こす。
【０００９】
また、壁構造を画素長手方向に分断すると、分断された壁の先端部周辺で光漏れが生じて、コントラスト比が低下するという問題が生じた。この光漏れを対向基板に形成したブラックマトリクスで完全に隠そうとすると、壁構造よりも大きい面積をブラックマトリクスで隠す必要があるため、開口率が低下して液晶表示装置の透過率が低下する。
【００１０】
本発明の課題は、壁電極構造を有し、画素内の壁間において、擬似壁電極あるいは小壁を有しない構造において、階調の変化に伴うドメインの移動を抑え、かつ、コントラストの低下を抑えた液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記の課題を解決するものであり、そのための主な手段は次のとおりである。
【００１２】
（１）第１の方向に延在する第１の壁と、第１の方向に延在する第２の壁が第２の方向に所定の間隔を持って配置し、前記第１の壁と前記第２の壁の間は平面部となっており、前記第１の壁と前記第２の壁との間に画素が形成され、前記第１の壁と前記第２の壁と前記平面部にはコモン電極が形成され、前記第１の壁の前記第２の壁と対向する面と、前記平面部の一部には画素電極が形成され、前記コモン電極と前記画素電極との間には絶縁膜が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、前記第１の壁は前記第２の方向に壁屈曲部を有し、前記壁屈曲部は、前記第１の方向に画素を区画するものであり、前記第１の壁と前記壁屈曲部とは連続した壁となっていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１３】
（２）前記平面部において、前記画素電極と前記絶縁膜の上には壁間絶縁膜が形成されていることを特徴とする（１）に記載の映像信号線。
【００１４】
（３）前記壁屈曲部の下には、走査線が配置し、前記走査線は、遮光膜の役割を有し、前記走査線の幅は、前記壁屈曲部に比較して、片側で０より大きく、かつ、３μｍ以下の幅大きいことを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（４）前記第１の壁と前記第２の壁の下には映像信号線が配置し、前記映像信号線は遮光膜の役割を有し、前記映像信号線の幅は、前記第１の壁または前記第２の壁に比較して、片側で０より大きく、かつ、２μｍ以下の幅大きいことを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１６】
（５）第１の絶縁膜の上に、第１の方向に延在する第１の壁と、第１の方向に延在する第２の壁が第２の方向に所定の間隔を持って配置し、前記第１の壁と前記第２の壁の間は平面部となっており、前記第１の壁と前記第２の壁との間に画素が形成され、前記第１の壁と前記第２の壁と前記平面部にはコモン電極が形成され、前記第１の壁の前記第２の壁と対向する面と、前記平面部の一部には画素電極が形成され、前記コモン電極と前記画素電極との間には第２の絶縁膜が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、前記第１の壁は前記第２の方向に壁屈曲部を有し、前記壁屈曲部は、前記第１の方向に画素を区画するものであり、前記第１の壁と前記壁屈曲部との間は、前記第１の壁の高さまたは、前記壁屈曲部の高さよりも低い高さの壁となっていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
（６）前記平面部において前記画素電極および前記第２の絶縁膜は壁間絶縁膜によって覆われており、前記第１の絶縁膜を基準として、前記第１の壁の高さをｈ１、前記低い高さの壁の高さをｈ２、前記壁間絶縁膜の厚さをｔとすると、ｈ１＞ｈ２＞ｔであることを特徴とする（５）に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ドメインが画素を囲む壁の周囲にのみ形成され、階調の変化に伴うドメインの移動がなくなるので、応答速度の劣化を生ぜず、かつ、コントラストの低下を防止した、高精細の液晶表示装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施例１における画素の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】実施例１の液晶分子の配向状態とドメインを示す平面図である。
【図４】比較例の画素の平面図である。
【図５】比較例における壁分断部における電気力線を示す模式図である。
【図６】比較例の液晶分子の配向状態とドメインを示す平面図である。
【図７】実施例２における画素の平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ’断面図である。
【図９】図４のＤ−Ｄ’断面図である。
【図１０】図７のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１１】図４のＥ−Ｅ’断面図である。
【図１２】実施例２の液晶分子の配向状態とドメインを示す平面図である。
【図１３】図１０における液晶分子の配向状態を示す断面図である。
【図１４】図１１における液晶分子の配向状態を示す断面図である。
【図１５】実施例３を示す平面図である。
【図１６】図１５の一部拡大図である。
【図１７】実施例４を示す平面図である。
【図１８】図１７の一部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は本発明の画素構造を示す平面図であり、縦方向に配列した２画素が記載されている。図１において、画素の両側には壁５０が形成され、画素の短辺方向には、壁屈曲部５１が形成されている。壁屈曲部５１は、画素を紙面縦方向に区画するものであるが、屈曲部５１は画素短辺方向を完全には塞がない。この短辺部の壁５１が無い部分から液晶が画素内に侵入し、液晶が画素内に充填される。図１において、画素の壁５０の一方に沿って画素電極４０が形成され、他の部分にはコモン電極２０が形成されている。画素電極４０は、図１では見えていないが、壁５０の側面にも形成されている。画素電極４０はスルーホール８０を介して図示しないＴＦＴのソース電極と接続しており、画素電極４０に映像信号が供給される。図１において、画素電極４０以外はすべてコモン電極２０によって覆われている。
【００２２】
図２は図１のＡ−Ａ’断面図である。図２において、ＴＦＴ基板側にAl合金、Mo合金等によって映像信号線９０が形成されている。ＴＦＴ基板側におけるガラス基板およびＴＦＴ層等は図２において省略されている。映像信号線９０を覆ってSiNあるいはSiO2等によって第１層間絶縁膜１０がプラズマCVD等によって形成されている。映像信号線９０の上方で第１層間絶縁膜１０の上に第１の壁５０と第２の壁５０が形成されている。第１の壁５０と第２の壁５０は画素を紙面横方向に区画している。
【００２３】
壁５０はアクリル等の有機絶縁材料をスピンコート、スリットコート等によって塗布し、その後、フォトリソグラフィによってパターニングする。壁５０および壁５０と壁５０の間の第１層間絶縁膜１０を覆ってコモン電極２０がITO等によって形成されている。コモン電極２０を覆ってSiN等による第２層間絶縁膜３０がプラズマCVD等によって形成されている。
【００２４】
第１の壁５０の第２の壁側と、画素領域の平面部の中央付近まで画素電極４０が覆っている。したがって、画素電極４０は第２層間絶縁膜３０を介してコモン電極２０とオーバーラップしている。壁５０と壁５０の間には壁間絶縁膜６０が形成されている。壁間絶縁膜６０はスピンコートやスリットコート等によって塗布し、フォトリソグラフィによって所定の領域にパターニングする。壁間絶縁膜６０は熱処理することによって平坦化することが出来る。壁間絶縁膜６０は一般には有機材料で形成されるが、SiN等の無機材料をプラズマCVD等によって形成することも出来る。壁間絶縁膜６０は、壁５０を形成する材料とは別な材料であることが望ましい。
【００２５】
壁間絶縁膜６０、画素電極４０および壁上面に形成された第２層間絶縁膜３０を覆って配向膜７０が形成されている。この配向膜７０はいわゆる光配向処理を受けている。光配向は、偏光紫外線を用いることによって有機膜の主鎖を分断し、配向膜に一軸異方性を与える方法が一般的である。
【００２６】
図２において、対向基板側には、ガラス基板上にブラックマトリクス２００がＴＦＴ基板の壁に対応する部分に形成されている。ＴＦＴ基板において壁５０に接する領域は画素の大部分の領域とは異なり、液晶分子は逆捩れの状態となっている。したがって、この部分からバックライトからの光が漏れ、コントラストを低下させるので、対向基板に形成されたブラックマトリクス２００によって遮光する。
【００２７】
図２において、ブラックマトリクス２００間あるいはブラックマトリクス２００を覆ってカラーフィルタ２１０が形成され、カラーフィルタ２１０を覆ってオーバーコート膜２２０が形成されている。図２において、ＴＦＴ基板と対向基板との間には液晶層１００が挟持されている。対向基板にも液晶と接する面には、配向膜が形成されているが、図２では、この配向膜は省略されている。
【００２８】
図２において、壁５０の上面と対向基板との間には間隔が存在しているが、この間隔はゼロの場合もある。この場合、壁５０がＴＦＴ基板と対向基板との間隔を規定するスペーサの役割を有する。
【００２９】
図２において、壁５０の幅ｗは３乃至４μｍ、壁間絶縁膜６０と対向基板との間で規定される液晶層１００の層厚は３μｍ程度、壁間絶縁膜６０の厚さは１乃至３μｍである。また、壁間ピッチ、すなわち、横方向の画素ピッチは１９μｍあるいはそれ以下である。
【００３０】
図２において、画素電極４０とコモン電極２０との間に電圧が印加されると液晶層１００に横方向の電気力線が発生し、この電界によって液晶分子が捩れ、画素を透過する光の量を制御する。
【００３１】
壁の側壁に形成された画素電極４１と平坦部の第２層間絶縁膜３０の上に形成された画素電極４２とは導通している。平坦部に形成された画素電極４２付近の電気力線は必ずしも横方向のみでなく、縦方向の成分も多く含まれている。図２においては、出来るだけ横方向の電界のみを使用して液晶分子を制御するようにするために、平面に形成された画素電極４０の上に壁間絶縁膜６０を１乃至３μｍ形成し、この部分において、液晶層が存在しないようにしている。
【００３２】
図３は、図１に示す実施例１において、画素電極４０とコモン電極２０との間に電圧を印加した場合の液晶分子の捩れを表している。図３の左側の図は、液晶分子の初期配向の向きを液晶分子の順捩れ１１０と逆捩れ１２０の定義を表している。
【００３３】
図３において、画素内の液晶分子１１０は画素電極４０とコモン電極２０間の電界によって順方向に捩れている。この捩れの大きさは電界によって変化する。図３において、壁５０に接する部分における液晶分子１２０は、逆方向にねじれている。したがって、図３の壁５０の側壁に沿ってドメイン１３０が生じている。ドメイン１３０は電圧無印加時に光漏れの原因になるが、図３のドメイン１３０は、壁５０界面付近に限定された領域に形成され、かつ、画素電極４０とコモン電極２０間の電圧の変化によって動くことは無く、安定している。
【００３４】
図４は、本発明に対する比較例を示す平面図である。図４が図１と異なる点は、画素の縦方向に延在する壁５０が、壁屈曲部５１付近において分断されている壁分断部５２が存在することである。壁５０が分断されていることにより、壁の分断部５２から液晶が画素内に入りやすくなり、液晶の充填速度を上げることが出来る。
【００３５】
しかし、このような壁分断部５２が存在することにより、次のような問題が生ずる。図５は壁分断部５２の詳細図であり、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は平面図である。図５（ａ）において、壁５０全面はコモン電極２０によっておおわれ、壁５０の側面の一方には画素電極４０が形成されている。画素電極４０とコモン電極２０の間には図示しない第２層間絶縁膜３０が形成されている。
【００３６】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極４０とコモン電極２０の間に電圧を印加すると、図に示すような電気力線が発生する。この電気力線の向きは、画素の他の部分において発生している電気力線とは向きが逆になる領域がある。そうすると、画素内の順方向に整列した液晶と、逆方向に整列した液晶の間に暗線、所謂ドメイン１３０が発生する。
【００３７】
図６はこのようなメカニズムによって発生したドメイン１３０を示す平面図である。図６において、液晶分子１１０が順方向に整列した領域においても、壁分断部５２に近い領域においては、液晶分子に対する電界が他の部分におけるよりも強くなっているために、ドメイン１３０が順方向に整列した領域にまで発生している。さらに、図５に示す逆方向の電界強度と通常の順方向の捩れを生じさせる電界強度の関係は、画素電極４０とコモン電極２０との間に印加される電圧によって変化するために、ドメイン１３０の位置が移動するという現象を生ずる。
【００３８】
ドメイン１３０の移動の速度は、液晶分子の応答速度に比較して遅いために、画面全体の応答速度が遅くなったように見えるという問題を生ずる。つまり、図４等に示す比較例においては、ドメイン１３０によるコントラストの低下と画面の応答速度が遅く見えるという二つの問題を生ずる。
【００３９】
これに対して、本発明は、液晶分子の逆捩れを生ずる領域は、壁５０との界面のみに限定され、画素の大部分において、液晶分子を順方向に捩じることが出来るので、コントラストの大幅な低下を防止することが出来る。また、本発明では、ドメイン１３０が動かないので、画面の応答が遅く見えるという現象は生じない。さらに、後の実施例で述べるように、液晶分子１２０の逆捩れの領域は壁との界面付近に限定されるので、この部分を遮光することによってコントラストの低下を抑えることが出来る。
【００４０】
表１は、透過率とコントラストについて、本実施例と比較例を比較した表である。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
本実施例では、液晶分子の逆捩れの領域が壁界面付近の狭い領域に限定されるので、比較例に比し、透過率で１０％、コントラストで１３％向上させることが出来る。
【実施例２】
【００４３】
図７は、本発明の第２の実施例を示す平面図である。図７が実施例１の図１と異なる点は、図７において縦方向に延在する壁５０が、上側画素と区画するための壁屈曲部５１付近において、高さが低くなっている部分が存在することである。別な言い方をすると、比較例を示す図４において、壁分断部５２に相当する部分が、図７においては、完全に分断されるのではなく、低い壁５４によってつながっているということである。
【００４４】
図８は図７のＢ−Ｂ’断面図である。図８において、壁屈曲部５１に隣接する壁５４の高さｈ２は、他の部分の壁５３の高さｈ１よりも低くなっている。すなわち、この部分においても液晶は存在しているが、他の部分に比較して液晶の層厚は薄くなっている。なお、この低くなっている部分の壁５４の高さｈ２は、壁間絶縁膜６０の厚さｔよりも大きい。
【００４５】
本実施例では、この壁屈曲部５１に隣接する縦方向の壁が低くなっているために、この部分から液晶が画素内に侵入できるので、実施例１の場合に比較して液晶の充填スピードを上げることが出来る。
【００４６】
図９は比較例を示す図４のＤ−Ｄ’断面である。すなわち、比較例において、本実施例の図８のＢ−Ｂ’断面に対応する断面図である。図９において、壁分断部５２には壁間絶縁膜６０のみが存在している。つまり、比較例においては、この部分の液晶の層厚は、他の部分と同じである。
【００４７】
図１０は、図７のＣ−Ｃ’断面図である。図１０は、液晶の層厚は画素部分ではｄ２であるのに対し、壁が薄くなっている部分５４ではｄ１のように薄くなっていることを示している。図１１は、比較例を示す図４のＥ−Ｅ’断面図である。すなわち、図１１は、比較例において、本実施例のＣ−Ｃ’断面に相当する断面である。図１１における比較例では、液晶の層厚が薄くなっている部分は存在せず、液晶の層厚は壁５０に接するまで、ｄ２で一定である。
【００４８】
図１２は、本実施例における液晶分子の配向状態を示す平面図である。図１２において、画素領域においては、液晶分子１１０は順方向に捩れているのに対し、壁との界面では、液晶分子１２０は逆方向に捩れている。ここで重要な点は、壁屈曲部５１付近において壁が低くなっている部分５４においても、液晶分子は、壁の他の部分５３におけると同様に逆方向に捩れているということである。
【００４９】
したがって、本実施例においても、ドメイン１３０が壁に沿って安定して形成される。つまり、画素電極４０とコモン電極２０との間の電圧が変化してもドメイン１３０が動くことは無い。したがって、画面の応答速度が見かけ上遅くなるという現象もない。また、液晶分子の逆捩れは壁５０に沿った部分にのみ限定されるので、コントラストの大幅な低下を防止することが出来る。
【００５０】
図１３は、本実施例を示す図７のＣ−Ｃ’断面において、画素電極４０とコモン電極２０の間に電圧を印加した場合の液晶分子の捩れの状態を示す断面図である。図１３において、液晶分子は、壁に沿った部分においては、逆方向捩れ１２０となっているが、他の部分では順方向捩れ１１０となっている。図１３においては、壁の高さは２段に変化しているために、各々の段部における液晶分子の逆捩れ１２０の影響による光漏れは小さいので、コントラストの低下も小さく抑えることが出来る。
【００５１】
図１４は、比較例を示す図４のＥ−Ｅ’断面において、液晶の配向状態を示す断面図である。つまり、図１４は、壁分断部５２における液晶の配向状態を示す断面図である。図１４において、壁分断部５２における液晶の層厚は他の部分と同様であるから、この部分における光漏れは、本実施例における光漏れに比較して大きい。したがって、比較例では、本実施例よりもコントラストが低下することになる。
【実施例３】
【００５２】
図１に示す実施例１、図７に示す実施例２では、壁５０に沿って液晶分子が逆捩れするので、この部分において光漏れが生ずる。上下方向に画素を区画する壁屈曲部５１付近は、複雑な構造となっているので、他の部分におけるよりも光漏れが生じやすい。したがって、この部分をＴＦＴ基板側において遮光するとコントラストが大幅に向上する。
【００５３】
壁屈曲部５１付近においては、走査線が延在しているので、この走査線３００を遮光膜として利用すると効果的である。走査線３００は、Al合金または、Al合金とMo合金あるいはCr合金の積層体で形成される場合が多い。図１５は壁屈曲部５１およびその周辺を走査線３００によって遮光していることを示す平面図である。
【００５４】
壁屈曲部５１における光漏れは、壁面から１乃至２μｍ程度まで生じている。壁屈曲部５１においても、壁面から３μｍ離れると液晶分子の捩れ１２０は通常の順捩れ方向１１０となる。したがって、壁屈曲部５１付近において、壁面から３μｍ程度まで遮光すると、コントラストを大幅に向上させることが出来る。
【００５５】
図１６は、壁屈曲部５１付近に走査線３００を延在させた構成を示す拡大平面図である。走査線３００の幅は壁屈曲部５１の幅よりも片側で０より大きく、かつ、３μｍ以下広くなっている。なお、遮光膜３００を形成したことによって、透過率は低下するが、画素信号とは関係の無い光を遮光するので、画面における有効透過率が低下するわけではない。
【実施例４】
【００５６】
図１に示す実施例１、図７に示す実施例２では、壁５０に沿って液晶分子が逆捩れするので、この部分において光漏れが生ずる。本実施例は、実施例１の図３、実施例２の図１２に示すような、縦方向に延在する壁５０の界面に沿っての液晶分子の逆捩れ１２０に起因する光漏れを対策するものである。
【００５７】
画素を横方向に区画する縦方向に延在する壁５０の付近には映像信号線９０が存在している。この映像信号線９０を遮光膜３１０として利用すると効果的である。しかし、画素を横方向に区画する壁５０は所定の角度を持って画素毎に屈曲している。したがって、本実施例においては、壁５０の屈曲に合わせて映像信号線３１０を屈曲させる。映像信号線３１０は、Al合金または、Al合金とMo合金あるいはCr合金の積層体で形成される場合が多い。
【００５８】
壁５０が縦方向に延在している部分は形状が単純であるために、液晶分子の逆捩れ１２０に起因する光漏れの範囲は、壁の界面から２μｍ以内の領域である。したがって、映像信号線３１０による遮光は、壁面から２μｍまで行えばよい。
【００５９】
図１８は、映像信号線３１０によって、縦方向に延在する壁５０付近を遮光している状態を示す平面図である。映像信号線３１０の幅は、壁５０の幅に対して片側で、０より大きくかつ、２μｍ以下の範囲で大きくなっている。この構成によって、画面のコントラストを大幅に向上させることが出来る。
【符号の説明】
【００６０】
１０…第１層間絶縁膜、  ２０…コモン電極、  ３０…第２層間絶縁膜、  ４０…画素電極、  ４１…壁電極、  ４２…平面電極、  ５０…壁、  ５１…壁屈曲部、  ５２…壁分断部、  ５３…壁高さｈ１、  ５４…壁高さｈ２、  ６０…壁間絶縁膜、  ７０…配向膜、  ８０…スルーホール、  ９０…映像信号線、  １００…液晶層、  １１０…順方向捩れ液晶分子、  １２０…逆方向ねじれ液晶分子、  １３０…ドメイン、  １４０…電気力線、  ２００…ブラックマトリクス、  ２１０…カラーフィルタ、  ２２０…オーバーコート膜、  ３００…走査線による遮光膜、  ３１０…映像信号線による遮光膜、  ＰＬ…平行部、  ＤＭ１…第１のドメイン、  ＤＭ２…第２のドレイン、  ＢＰ…屈曲部、  ＤＢ…ドメイン境界、  ＬＣＰ…液晶パネル、  ＬＣＭ…液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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