(57)【要約】【課題】発泡層の変形を抑制できる同軸ケーブルを提供する。【解決手段】中心導体と、中心導体の外周を被覆するように形成される発泡層、及び発泡層の周囲を被覆するように形成される充実層を備える絶縁層と、を備え、発泡層と充実層との界面には、外力を分散させる凸部が充実層の長手方向に沿って設けられている。【選択図】図１
2015002100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体と、
前記中心導体の外周を被覆するように形成される発泡層、及び前記発泡層の周囲を被覆するように形成される充実層を備える絶縁層と、を備え、
前記発泡層と前記充実層との界面には、外力を分散させる凸部が前記充実層の長手方向に沿って設けられている
ことを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項２】
前記絶縁層は、発泡度が７０％以上８０％以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の同軸ケーブル。
【請求項３】
前記凸部は、最も薄い箇所の厚さが１００μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の同軸ケーブル。
【請求項４】
前記凸部は、アスペクト比が０．５以上１．５以下である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の同軸ケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば移動体通信施設やマイクロ波通信施設で用いられる高周波同軸ケーブル等の同軸ケーブルは、中心導体（内部導体）と、中心導体の外周を被覆するように形成される絶縁層としての発泡層と、発泡層の周囲を被覆するように形成される外部導体と、を備えて構成されている。また、同軸ケーブルは、中心導体と、発泡層と、外部導体とが同軸構造をなすように構成されている。
【０００３】
一般的に、外部導体には、同軸ケーブルの屈曲性を向上させるためにコルゲート処理が行われる。すなわち、発泡層の周囲を被覆するように外部導体が形成された後、外部導体の外周側から例えばアニューラリング等を用いて外部導体の所定箇所を加圧して外部導体の所定箇所をへこませることで、外部導体に谷部及び山部を形成するコルゲート処理が行われる。このとき、コルゲート処理によって外部導体が加圧された箇所では、外部導体の内周に位置する発泡層まで加圧されてしまう。発泡層は密度が低い。このため、発泡層が加圧されると、発泡層の加圧箇所が潰れ、発泡層全体が変形してしまうことがあった。また、例えば、同軸ケーブルが狭い箇所に設置される場合、同軸ケーブルに外部から曲げ等の力が加わる場合がある。この場合においても、外力が加わった箇所の発泡層が潰れて、発泡層全体が変形してしまうことがあった。このように発泡層が変形すると、同軸ケーブルの特性インピーダンスが所望とする範囲（例えば５０±２Ω）から外れてしまうことがあった。このような同軸ケーブルは不良品となるため、同軸ケーブルの生産性が低下してしまう。
【０００４】
そこで、外力が加わることによる発泡層の変形を抑制するため、中心導体の周囲に、発泡層及び非発泡層である充実層により構成される絶縁層が形成された同軸ケーブルが提案されている（例えば特許文献１参照）。すなわち、このような同軸ケーブルは、発泡層と外部導体との間に、発泡層の外周を被覆するように充実層を形成して構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３０２４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
絶縁層が発泡層及び充実層により構成されることで、同軸ケーブルに外力が加わることによる発泡層の変形は抑制できる。すなわち、発泡層と外部導体との間に充実層が設けられることで、発泡層の変形は抑制できる。しかしながら、絶縁層が発泡層及び充実層により構成される場合、絶縁層が発泡層のみにより構成される場合と比べて、絶縁層の発泡度が低下してしまう。なお、絶縁層が発泡層及び充実層により構成される場合、絶縁層の発泡度とは、発泡層及び充実層を合わせた発泡度である。すなわち、絶縁層の厚さが一定であり、発泡層の発泡度が一定である場合、絶縁層が発泡層及び充実層により構成されると、充実層の分だけ、絶縁層の発泡度が低下してしまう。絶縁層の発泡度が低下すると、同軸ケーブルの誘電体損失が大きくなるため、ケーブル損失が大きくなることがあった。
【０００７】
そこで、絶縁層の発泡度を高くするため、発泡層の発泡度を高くすることが考えられる。しかしながら、発泡層の発泡度を高くすると、発泡層に巨大な連続気泡（鬆）が発生することがあった。発泡層に鬆が発生した同軸ケーブルは、長尺方向のインピーダンス異常（ＶＳＷＲ異常）が発生するため不良品となる。また、絶縁層の発泡度を高くするため、充実層の厚さを薄くすることが考えられる。しかしながら、充実層の厚さを薄くすると、同軸ケーブルに外力が加わることで発泡層が変形してしまうことがあった。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決し、発泡層の変形を抑制できる同軸ケーブルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様によれば、中心導体と、前記中心導体の外周を被覆するように設けられる発泡層、及び前記発泡層の周囲を被覆するように設けられる充実層を備える絶縁層と、を備え、前記発泡層と前記充実層との界面には、外力を分散させる凸部が前記充実層の長手方向に沿って形成されている同軸ケーブルが提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、前記絶縁層は、発泡度が７０％以上８０％以下である第１の態様の同軸ケーブルが提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、前記凸部は、最も薄い箇所の厚さが１００μｍ以下である第１又は第２の態様の同軸ケーブルが提供される。
【００１２】
本発明の第４の態様によれば、前記凸部は、アスペクト比が０．５以上１．５以下である第１ないし第３の態様のいずれかの同軸ケーブルが提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明にかかる同軸ケーブルによれば、発泡層の変形を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる同軸ケーブルの概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる同軸ケーブルが備える絶縁層の概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる同軸ケーブルを製造する際に用いられる冷却管の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
【００１６】
（１）同軸ケーブルの構成
まず、本発明の一実施形態にかかる同軸ケーブルの構成について、主に図１及び図２を用いて説明する。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態にかかる同軸ケーブル１は、中心導体（内部導体）２と、発泡層３及び充実層４を備える絶縁層５と、外部導体６と、シース７とを備えて構成されている。すなわち、同軸ケーブル１は、中心導体２と、絶縁層５と、外部導体６と、シース７とが同軸構造をなすように構成されている。
【００１８】
中心導体２としては、電気又は信号を導く材料、例えば銅又は銅合金により構成されている。中心導体２としては、例えば中空パイプ状に成形された銅材（銅パイプ）や、棒状に成形された銅材等を用いることができる。この他、中心導体２として、例えば、銅やアルミニウムを含む素線である導線や、複数の素線を撚り合わせた撚線等を用いてもよい。また、中心導体２には、コルゲート処理が行われていてもよい。
【００１９】
中心導体２の外周には、中心導体２の外周を被覆するように絶縁層５が形成されている。絶縁層５は、中心導体２の側から順に、発泡層３と非発泡層である充実層４とを備えて構成されている。発泡層３は、中心導体２の外周に例えば押出機等を用いて押出被覆された絶縁材料を発泡させることで形成される。また、発泡層３の外周には、発泡層３の外周を被覆するように充実層４が形成されている。図２に示すように、発泡層３と充実層４との界面（すなわち充実層４の内周面）には、凸部８が設けられている。凸部８は、充実層４の長手方向に沿って直線状に設けられている。なお、凸部８は、充実層４の円周方向に沿って所定間隔で複数本設けられているとよい。
【００２０】
これにより、同軸ケーブル１に外力が加わることで絶縁層５（発泡層３及び充実層４）に外力が加わる際、発泡層３に加わる外力を種々の方向に分散させることができる。すなわち、例えば、後述する外部導体６にコルゲート処理が行われることで絶縁層５に外力が加わった際や、同軸ケーブル１が曲げられる（屈曲される）ことで絶縁層５に外力が加わった際、外力は、充実層４を介して発泡層３に加わる。このとき、充実層４に凸部８が設けられることで、発泡層３に外力が加わった際、外力は種々の方向に分散される。従って、発泡層３に外力が加わった際、主に発泡層３の凸部、すなわち主に充実層４の凹部に位置する発泡層３の箇所が潰れて変形するだけである。つまり、発泡層３全体が潰れてしまい、発泡層３全体が変形してしまうことを抑制できる。例えば、発泡層３の変形率を１０％以下にできる。
【００２１】
また、このように凸部８を設け、発泡層３に加わる外力を種々の方向に分散させることで、充実層４の厚さを薄くしても発泡層３の変形を抑制できる。これにより、絶縁層５に占める充実層４の割合を小さくできる。従って、絶縁層５の発泡度の低下を抑制できる。すなわち、絶縁層５の発泡度を、７０％以上８０％以下、好ましくは７３％以上７７％以下、より好ましくは７５％にできる。なお、絶縁層５の発泡度とは、発泡層３と充実層４とを合わせた際の発泡度である。従って、例えば発泡層３の発泡度が一定である場合、充実層４の厚さが薄くなるほど、発泡層５の発泡度を大きくできる。これにより、同軸ケーブル１の誘電体損失を低減できる。なお、絶縁層５の発泡度が７０％未満であると、同軸ケーブル１の誘電体損失が大きくなる。また、絶縁層５の発泡度が８０％を超えると、絶縁層５を構成する発泡層３の発泡度を高くする必要があり、発泡層３に鬆が発生してしまうことがある。
【００２２】
充実層４は、最も薄い箇所の厚さ（以下では「最薄厚さ」とも言う。）ｔ１が１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上１００μｍ以下であるとよい。なお、充実層４の最薄厚さｔ１は、充実層４の凸部８以外の箇所の厚さ、すなわち充実層４の凹部の厚さである。これにより、絶縁層５に占める充実層４の割合が小さくなるため、絶縁層５の発泡度をより低下させることができる。
【００２３】
また、充実層４の最薄厚さｔ１と、最も厚い箇所の厚さ（以下では「最厚厚さ」とも言う。）ｔ２との層厚比は、最薄厚さｔ１：最厚厚さｔ２＝１：２〜１：４であるとよい。なお、充実層４の最厚厚さｔ２は、充実層４の凸部８の厚さであり、充実層４の凸部８の高さと一致する。これにより、発泡層３の変形をより抑制しつつ、同軸ケーブル１の誘電体損失をより低減できる。最薄厚さｔ１：最厚厚さｔ２＝１：２未満であると、凸部８の厚さが薄い、すなわち凸部８の高さが低いため、発泡層３に加わる外力を分散させる効果が低くなる。従って、発泡層３が変形することがある。また、最薄厚さｔ１：最厚厚さｔ２＝１：４を超えると、凸部８の厚さが厚い、すなわち凸部８の高さが高いため、絶縁層５に占める充実層４の割合が大きくなるため、絶縁層５の発泡度が低下し、同軸ケーブル１の誘電体損失が大きくなる場合がある。
【００２４】
凸部８は、アスペクト比（凸部８の高さ／凸部８の幅）が０．５以上１．５以下、好ましくは０．５以上１．０以下となるように形成されているとよい。これにより、外力が加わることによる発泡層３の変形をより抑制しつつ、同軸ケーブル１の誘電体損失をより低減できる。アスペクト比が０．５未満であると、凸部８の高さが低くなるため、発泡層３に加わる外力を分散させる効果が低くなる。このため、発泡層３が変形することがある。また、アスペクト比が１．５を超えると、凸部８の高さが高くなりすぎるため、絶縁層５に占める充実層４の割合が大きくなる。すなわち、絶縁層５に占める発泡層３の割合が小さくなる。このため、絶縁層５の発泡度が低くなる（例えば７０％未満になる）場合があり、同軸ケーブル１の誘電体損失が大きくなる場合がある。
【００２５】
充実層４は、充実層４の長手方向と直交する方向における断面において、凸部８の幅ｄ１と、隣接する凸部８，８間の距離ｄ２との比が１：１．２以上１：３以下であるとよい。これにより、外力が加わることによる発泡層３の変形をより抑制できる。凸部８の幅ｄ１と、隣接する凸部８，８間の距離ｄ２との比が１：１．２未満であると、隣接する凸部８，８間の距離ｄ２が短すぎるため、外力を分散させる効果が低下するとともに、絶縁層５に占める充実層４の割合が多くなり、絶縁層５の発泡度が高くなる場合がある。また、凸部８の幅ｄ１と、隣接する凸部８，８間の距離ｄ２との比が１：１．２を超えると、隣接する凸部８，８間の距離ｄ２が長くなり、外力を分散させる効果が低下する。
【００２６】
充実層４は、所定の材料を例えば押出機等により押出被覆することで形成される。充実層４を形成する材料として、発泡層３を形成する材料の粘度よりも高い粘度を有する樹脂が用いられるとよい。充実層４を形成する材料としては、例えばポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。すなわち、充実層４を形成する材料としては、例えば、ＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）、ＨＤＰＥ（高密度ポリエチレン）、ＬＬＤＰＥ（直鎖状低密度ポリエチレン）、ＭＤＰＥ（中密度ポリエチレン）、ＵＨＭＷＰＥ（超高分子量ポリエチレン）等の各種ポリエチレンを単独又は複数種類混合して用いることができる。
【００２７】
また、発泡層３の発泡度は、例えば７０％以上８０％以下であるとよい。これにより、絶縁層５の発泡度を７０％以上８０％以下にしやすくなり、同軸ケーブル１の誘電体損失をより低減できる。なお、発泡層３の発泡度が７０％未満であると、同軸ケーブル１の誘電体損失が大きくなる。また、発泡層３の発泡度が８０％を超えると、発泡層３に鬆が発生してしまうことがある。
【００２８】
発泡層３を形成する絶縁材料としては、例えば誘電率が低い樹脂等を用いることができる。発泡層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂を用いることができる。ポリオレフィン系樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、インプラント型ＴＰＯ、エチレン−プロピレン−ブテン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−ペンテン共重合体が挙げられる。ポリエチレンとしては、ＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）、ＨＤＰＥ（高密度ポリエチレン）、ＬＬＤＰＥ（直鎖状低密度ポリエチレン）、ＭＤＰＥ（中密度ポリエチレン）、ＵＨＭＷＰＥ（超高分子量ポリエチレン）等の各種ポリエチレンを単独又は複数種類混合して用いることができる。例えば、絶縁材料として、ＭＤＰＥとＬＤＰＥとを７０／３０〜９０／１０の割合で混合したものを用いることができる。
【００２９】
絶縁材料を発泡させる方法としては、物理的な発泡方法（物理発泡）と化学的な発泡方法（化学発泡）とがある。物理発泡とは、例えば大気圧より高い圧力（高圧）下の押出機内で絶縁材料中に発泡ガスを注入（圧入）して、絶縁材料中に発泡ガスを溶解させた後、このような絶縁材料を大気圧下で開放させることで発泡させる方法である。発泡ガスとしては、例えば二酸化炭素（ＣＯ２）ガスや、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを用いることができる。このとき、発泡ガスの注入圧力は、発泡層３の発泡度や、絶縁材料の種類等に応じて適宜調整できる。なお、絶縁材料を物理発泡により発泡させる場合、絶縁材料中に発泡核剤が添加されているとよい。化学発泡とは、絶縁材料中に化学発泡剤を押出機を用いて混合して分散させた状態で、混練時に絶縁材料に分散された化学発泡剤を、化学発泡剤の分解温度以上に加熱することで化学発泡剤の分解反応を発生させ、化学発泡剤の分解により発生するガスを利用して発泡させる方法である。なお、化学発泡剤としては、特に限定されるものではなく、公知の種々のものを用いることができる。
【００３０】
発泡層３を形成する絶縁材料中には、発泡剤（化学発泡剤）の他、例えば、酸化防止剤、粘度調整剤、増粘剤、補強剤、充填剤、可塑剤（軟化剤）、加硫剤、加硫促進剤、架橋剤、架橋助剤、発泡助剤、加工助剤、老化防止剤、耐熱安定剤、対候安定剤、帯電防止剤、滑剤、その他の添加剤等が添加されていても良い。
【００３１】
絶縁層５の外周、すなわち充実層４の外周には、充実層４の外周表面を覆うように外部導体６が設けられている。外部導体６としては、例えば円筒状に成形された銅材（銅管）を用いることができる。なお、外部導体６には、コルゲート処理が行われるとよい。これにより、同軸ケーブル１の屈曲性を向上させることができる。
【００３２】
外部導体６の外周には、外部導体６の外周表面を被覆するようにシース（外被）７が設けられている。シース７は、例えばポリエチレン（ＰＥ）、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリウレタン等の樹脂を押出成形することで形成されている。
【００３３】
（２）同軸ケーブルの製造方法
続いて、本発明の一実施形態にかかる同軸ケーブル１の製造方法について説明する。
【００３４】
（中心導体形成工程）
まず、中心導体２として、例えばパイプ状に成形された銅材（銅パイプ）を準備する。そして、中心導体２に山部及び谷部を形成するように、コルゲート処理を行う。なお、コルゲート処理は行わなくてもよい。
【００３５】
（絶縁層形成工程）
中心導体形成工程が終了したら、中心導体２の外周を被覆するように、中心導体２の側から順に発泡層３と充実層４とを形成して絶縁層５を形成する。
【００３６】
［発泡層形成工程］
まず、中心導体２の外周を被覆するように、発泡層３を形成する絶縁材料を例えば押出機等を用いて押出被覆して発泡層３を形成する。例えば、まず、押出機内を大気圧より高い圧力（高圧）となるように調整し、このような高圧下で、押出機内の絶縁材料中に発泡ガスを注入する。これにより、発泡ガスは絶縁材料中に溶解する。そして、絶縁材料中に発泡ガスを注入しつつ、例えば送出機等から送り出される中心導体２の外周を被覆するように、発泡ガスが溶解した絶縁材料を押出被覆する。中心導体２の外周に押出被覆された絶縁材料が高圧下から大気圧に開放されると、絶縁材料中に溶解している発泡ガスが過飽和となることで気体となる。これにより、絶縁材料が発泡して、発泡層３が形成される。
【００３７】
［充実層形成工程］
発泡層形成工程が終了したら、発泡層３の外周を被覆するように、充実層４を形成する材料を例えば押出機等により押出被覆して充実層４を形成する。その後、例えば発泡層３及び充実層４を形成した中心導体２が冷却管（サイジングダイ）内を通過することで、充実層４の外径を整えつつ、発泡層３及び充実層４を冷却して固めて絶縁層５を形成する。
【００３８】
例えば図３に示すように、冷却管９には、所定温度（例えば１０℃〜１５℃程度）の水が通過する水路１０と、所定温度（例えば４０℃〜５０℃程度）の温水が通過する温水路１１とが、冷却管９の円周方向に沿って交互に設けられているとよい。このとき、水路１０と温水路１１との間には、断熱材が設けられているとよい。これにより、冷却管９の周方向で冷却速度を異ならせることができる。その結果、発泡層３と充実層４との界面（すなわち充実層４の内周面）に凸部８を形成できる。
【００３９】
すなわち、発泡層３及び充実層４を形成した中心導体２が、水路１０と温水路１１とが交互に設けられた冷却管９内を通過すると、水路１０が設けられている部分を通る充実層４は、温水路１１が設けられている部分を通る充実層４よりも早く冷却されて固まる。すなわち、温水路１１が設けられている部分を通る充実層４は、水路１０が設けられている部分を通る充実層４よりも固まる速度が遅い。従って、温水路１１が設けられている部分を通る充実層４が、水路１１が設けられている部分に向かって周方向に引っ張られる。このとき、充実層４の外周は、冷却管９の内周と接している。このため、水路１１が設けられている部分を通る充実層４は、水路１１が設けられている部分に向かって周方向に引っ張られる際、充実層４の内周側に引っ張られる。その結果、充実層４の内周面に凸部８を形成できる。なお、温水路１１内を流れる温水の温度や、水路１０及び温水路１１の幅をそれぞれ変更することで、充実層４の最薄厚さｔ１や、最厚厚さｔ２、凸部８の幅ｄ１、隣接する凸部８，８間の距離ｄ２、アスペクト比をそれぞれ調整できる。
【００４０】
（外部導体形成工程）
続いて、中心導体２及び絶縁層５と同軸構造をなすように、絶縁層５の外周を被覆するように外部導体６を設ける。外部導体６として、例えば円筒状に成形された銅材（銅管）を用いることができる。そして、外部導体６に、例えばアニューラリング等を用いて、外部導体６の所定箇所を加圧して外部導体６の所定箇所をへこませることで、外部導体６に谷部及び山部を形成するコルゲート処理を行う。なお、コルゲート処理は行わなくてもよい。
【００４１】
（シース形成工程）
外部導体６の周囲を被覆するように、例えばポリエチレン（ＰＥ）等の樹脂を押出成形してシース７を形成し、同軸ケーブル１を形成する。これにより、本実施形態にかかる同軸ケーブル１の製造工程を終了する。
【００４２】
（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００４３】
（ａ）本実施形態によれば、中心導体２の外周を被覆するように、中心導体２の側から順に、発泡層３と充実層４とを備える絶縁層５が形成されている。そして、発泡層３と充実層４との界面には、凸部８が充実層４の長手方向に沿って設けられている。このように凸部８が設けられることにより、同軸ケーブル１に外力が加わることで発泡層３に加えられる外力を種々の方向に分散させることができる。従って、発泡層３が潰れて発泡層３全体が変形することを抑制できる。すなわち、発泡層３に外力が加わった場合であっても、主に発泡層３の凸部、すなわち主に充実層４の凹部に位置する発泡層３の箇所が潰れるだけにとどめることができる。
【００４４】
（ｂ）本実施形態によれば、上述したように、発泡層３と充実層４との界面に、凸部８を充実層４の長手方向に沿って設け、発泡層３に加わる外力を種々の方向に分散させている。これにより、充実層４の厚さを薄くしても発泡層３の変形を抑制できる。従って、絶縁層５に占める充実層４の割合を小さくでき、絶縁層５の発泡度の低下を抑制できる。すなわち、絶縁層５の発泡度を７０％以上８０％以下にできる。その結果、同軸ケーブル１の誘電体損失を低減できる。
【００４５】
（ｃ）本実施形態によれば、凸部８は、アスペクト比が０．５以上１．５以下である。これにより、外力が加わることによる発泡層３の変形をより抑制しつつ、同軸ケーブル１の誘電体損失をより低減できる。すなわち、同軸ケーブル１に外力が加わった際、外力を分散させて発泡層３の変形を抑制できるとともに、絶縁層５に占める充実層４の割合が小さくなることによる絶縁層５の発泡度の低下を抑制でき、同軸ケーブル１の誘電体損失をより低減できる。
【００４６】
（ｄ）本実施形態によれば、凸部８は、最も薄い箇所の厚さが１００μｍ以下である。これにより、絶縁層５に占める充実層４の割合が小さくなるため、絶縁層５の発泡度をより低下させることができる。従って、同軸ケーブル１の誘電体損失をより低減できる。
【００４７】
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４８】
上述の実施形態では、凸部８が充実層４の長手方向に沿って直線状に設けられる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、凸部８は、充実層４の内周面に波状に設けられていてもよい。また、例えば、凸部８は、充実層４の内周面に、充実層４の中心軸を軸とする螺旋状に設けられていてもよい。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５０】
（実施例１）
実施例１では、中心導体として、中空パイプ状に成形され、直径が１３．５ｍｍである銅材（銅パイプ）を用いた。
【００５１】
次に、まず、押出機内を大気圧よりも高い圧力となるように調整し、このような高圧下で、押出機内の発泡層を形成する絶縁材料中に、所定量の発泡ガスを注入して、発泡ガスを絶縁材料中に溶解させた。そして、絶縁材料中に発泡ガスを注入しつつ、中心導体の外周を被覆するように、発泡ガスが溶解した絶縁材料を押出被覆した。その後、中心導体の外周に押出被覆された絶縁材料を高圧下から大気圧に開放して絶縁材料中に溶解している発泡ガスを気体とすることで、絶縁材料を発泡させて、発泡度が７６．３５％である発泡層を形成した。
【００５２】
次に、押出機を用いて、充実層を形成する材料を発泡層の外周に押出被覆して充実層を形成した。その後、発泡層及び充実層を形成した中心導体を、水が通過する水路と温水が通過する温水路とが周方向に沿って交互に設けられ、内周の直径が３３．５ｍｍである冷却管内を通過させた。このとき、充実層の最薄厚さｔ１が５０μｍとなり、最厚厚さｔ２が２００μｍとなるように、水路には１０℃の水を通過させ、温水路には５０℃の温水を通過させた。これにより、充実層の内周面にアスペクト比が０．５である凸部を形成しつつ、発泡層及び充実層を冷却して固め、外径が３３．５ｍｍであり、発泡度が７５％である絶縁層を形成した。そして、中心導体を抜き取り、中心導体を抜き取った絶縁層を実施例１の試料とした。
【００５３】
（実施例２）
実施例２では、押出機内で発泡層を形成する絶縁材料中に注入する発泡ガスの量を調整して、発泡度が７５．８１％である発泡層を形成し、充実層の最薄厚さｔ１が１００μｍとなり、最厚厚さｔ２が２００μｍとなるように、水路には３０℃の水を通過させ、温水路には５０℃の温水を通過させ、充実層の内周面にアスペクト比が１である凸部を形成した。この他は、上述の実施例１と同様にして、中心導体の外周に絶縁層を形成した。そして、中心導体を抜き取り、中心導体を抜き取った絶縁層を実施例２の試料とした。
【００５４】
（実施例３）
実施例３では、押出機内で発泡層を形成する絶縁材料中に注入する発泡ガスの量を調整して、発泡度が７５．７４％である発泡層を形成し、充実層の最薄厚さｔ１が５０μｍとなり、最厚厚さｔ２が２００μｍとなるように、水路には１０℃の水を通過させ、温水路には５０℃の温水を通過させ、充実層の内周面にアスペクト比が０．２５である凸部を形成した。この他は、上述の実施例１と同様にして、中心導体の外周に絶縁層を形成した。そして、中心導体を抜き取り、中心導体を抜き取った絶縁層を実施例３の試料とした。
【００５５】
（実施例４）
実施例４では、押出機内で発泡層を形成する絶縁材料中に注入する発泡ガスの量を調整して、発泡度が７６．８％である発泡層を形成し、充実層の最薄厚さｔ１が５０μｍとなり、最厚厚さｔ２が２００μｍとなるように、水路には１０℃の水を通過させ、温水路には５０℃の温水を通過させ、充実層の内周面にアスペクト比が２である凸部を形成した。この他は、上述の実施例１と同様にして、中心導体の外周に絶縁層を形成した。そして、中心導体を抜き取り、中心導体を抜き取った絶縁層を実施例４の試料とした。
【００５６】
（比較例１）
比較例１では、押出機内で発泡層を形成する絶縁材料中に注入する発泡ガスの量を調整して、中心導体の外周に発泡度が７５％である発泡層を形成した。その後、発泡層を形成した中心導体を、内周の直径が３３．５ｍｍである冷却管内を通過させて、発泡層を冷却して固めた。このとき、冷却管として、円周方向に温度差を生じさせない、すなわち、周方向で冷却速度が均一であるものを用いた。この他は、実施例１と同様にして、中心導体の外周に発泡層からなる絶縁層を形成した。そして、中心導体を抜き取り、中心導体を抜き取った絶縁層を比較例１の試料とした。
【００５７】
（比較例２）
比較例２では、押出機内で発泡層を形成する絶縁材料中に注入する発泡ガスの量を調整して、中心導体の外周に発泡度が７７．１９％である発泡層を形成した。そして、発泡層の外周に厚さが２００μｍである充実層を形成した。このとき、冷却管として、円周方向に温度差を生じさせない、すなわち、周方向で冷却速度が均一であるものを用いた。これにより、中心導体の外周に、発泡層と凸部が形成されていない充実層とを備える絶縁層を形成した。そして、中心導体を抜き取り、中心導体を抜き取った絶縁層を比較例２の試料とした。
【００５８】
（比較例３）
比較例３では、押出機内で発泡層を形成する絶縁材料中に注入する発泡ガスの量を調整して、中心導体の外周に発泡度が７５．５４％である発泡層を形成した。そして、発泡層の外周に厚さが５０μｍである充実層を形成した。この他は、比較例２と同様にして、中心導体の外周に、発泡層と凸部が形成されていない充実層とを備える絶縁層を形成した。そして、中心導体を抜き取り、中心導体を抜き取った絶縁層を比較例３の試料とした。
【００５９】
これらの実施例１〜４及び比較例１〜３の各試料について、変形率を測定して評価した。変形率の測定は、以下に記載する方法で行った。すなわち、まず、実施例１〜４及び比較例１〜３の各試料からそれぞれ、長さが５０ｍｍのサンプルを切り出した。次に、各試料から切り出した各サンプルに、幅が２５ｍｍである銅テープを１周巻きつけた。その後、銅テープの一端を固定し、他端を２５０Ｎの力で引っ張り、引張試験を行った。そして、引張試験を行う前の各サンプルの断面積と、引張試験を行った後の各サンプルの断面積とを測定し、下記の（式１）から変形率を算出した。なお、本実施例では、変形率が１０％以下のものを発泡層の変形が抑制されたものと判定した。
（式１）
変形率（％）＝（（引張試験前のサンプルの断面積−引張試験後のサンプルの断面積）／引張試験前のサンプルの断面積）×１００
実施例１〜４及び比較例１〜３の各試料について測定した、変形率の測定結果を、表１にまとめて示す。
【００６０】
【表１】
2015002100.tif 000003
【００６１】
表１から、実施例１〜４の各試料から、充実層に凸部を設けた場合、充実層の最薄厚さを１００μｍ以下としても、発泡層の変形を抑制できることを確認した。すなわち、発泡層に加わる外力が凸部によって分散されて、発泡層の変形を抑制できることを確認した。また、発泡層の発泡度を７５．７４％〜７６．８％とし、絶縁層の発泡度を７５％にできることを確認した。すなわち、絶縁層が発泡層のみで構成され、充実層が形成されていない比較例１の発泡層と同程度まで、発泡層の発泡度を低下させることができることを確認した。なお、比較例２から、充実層に凸部が設けられていない場合、変形率を１０％以下とするには、充実層の厚さを２００μｍとする必要があることが分かった。このため、絶縁層の発泡度を７５％にするには、発泡層の発泡度を７７．１９％にする必要があることを確認した。発泡層の発泡度が高くなると、発泡層に鬆が発生することを確認した。また、比較例３から、充実層に凸部が設けられていない場合、充実層の厚さ（すなわち、充実層の最薄厚さ）を１００μｍ以下、すなわち５０μｍにすると、発泡層の変形率が１０％より高くなることを確認した。
【００６２】
また、実施例１〜２から、凸部のアスペクト比が０．５〜１．５であると、発泡層の変形率を７％以下とより低くできるとともに、発泡層に鬆が発生しないことを確認した。なお、実施例４は発泡層の変形率が３％と低くできたが、発泡層に鬆が発生してしまった。
【００６３】
以上の結果から、絶縁層を発泡層及び充実層により構成し、充実層の内周面に、凸部が前記充実層の長手方向に沿って設けられていると、発泡層に加わる外力が凸部によって分散されて、発泡層の変形を抑制できることを確認した。また、充実層の最薄厚さを薄くできるため、絶縁層に占める充実層の割合を低減できるため、発泡層の発泡度が高くなることを抑制できることを確認した。その結果、このような絶縁層を備えて形成される同軸ケーブルは、誘電体損失が低減する。
【符号の説明】
【００６４】
１          同軸ケーブル
２          中心導体
３          発泡層
４          充実層
５          絶縁層
６          外部導体
７          シース
８          凸部
【図１】
2015002100.tif 000004
【図２】
2015002100.tif 000005
【図３】
2015002100.tif 000006