(57)【要約】【課題】コスト増加を抑制し、主面へのダメージを抑制し、かつ、スループットを向上可能な成膜技術を提供する。【解決手段】マスク部材８０が搬送される基板Ｗと処理空間Ｖとの区間に配されて基板Ｗ搬送方向（Ｙ方向）に沿って伸びる。そして、プラズマ処理部４によるプラズマ成膜を行いつつ、搬送部２によって基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗの上面の各箇所のうち、マスク部材８０と対向する第１箇所ＲＳ１には成膜が行われない一方で、マスク部材８０と対向しない第２箇所ＲＳ２には成膜が行われる。【選択図】図２
2015190059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内を通る仮想的な搬送経路面に沿って基材を搬送する搬送部と、
前記チャンバー中に規定された処理空間内でプラズマを発生させて、前記搬送経路面に沿って搬送される前記基材の一方側の主面にプラズマ成膜を行うプラズマ処理部と、
前記搬送経路面と前記処理空間との区間に配されて基材の搬送方向に沿って伸びる少なくとも１つのマスク部材と、
を備え、
前記プラズマ処理部によるプラズマ成膜を行いつつ、前記搬送部によって前記基材を前記搬送経路面に沿って搬送することにより、
前記基材の前記主面の各箇所のうち、前記マスク部材と対向する第１箇所には成膜が行われない一方で、前記マスク部材と対向しない第２箇所には成膜が行われることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ成膜装置であって、
前記搬送経路面に平行な面内で複数の前記マスク部材が前記搬送方向に沿って伸びることにより、前記複数のマスク部材の全体として前記搬送方向を長手方向とする縞模様のマスクパターンが形成され、
前記基材の前記主面には前記マスクパターンでプラズマ成膜が行われることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ成膜装置であって、
前記搬送部によって搬送される前記基材から離間する位置に前記マスク部材が配されることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ成膜装置であって、
前記搬送部によって搬送される前記基材と接触する位置に前記マスク部材が配されることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ成膜装置であって、
前記搬送経路面は水平面であり、前記主面は前記基材の上側主面であり、前記処理空間が前記搬送経路面の上方に規定され、
前記少なくとも１つのマスク部材の搬送方向上流側の端部が前記チャンバー内で前記搬送経路面から離れた位置に固定された固定端とされる一方で、搬送方向下流側の端部は自由端とされることにより、搬送される前記基材と前記マスク部材の搬送方向下流側の部分とが接触することを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマ成膜装置であって、
前記搬送経路面を視る平面視において、前記マスク部材の形状が前記搬送方向に沿って変化することを特徴とするプラズマ成膜装置
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプラズマ成膜装置であって、
前記マスク部材は、前記チャンバー内に規定された取付位置に対して着脱自在に連結されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプラズマ成膜装置であって、
複数の前記マスク部材を一体的に保持する保持体を少なくとも１つ有し、
前記保持体が前記チャンバー内に規定された取付位置に対して着脱自在に連結されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のプラズマ成膜装置であって、
前記プラズマ処理部がプラズマＣＶＤ法によって前記基材の前記主面を成膜することを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のプラズマ成膜装置であって、
前記プラズマ処理部がスパッタ法によって前記基材の前記主面を成膜することを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項１１】
チャンバー内を通る仮想的な搬送経路面に沿って基材を搬送する搬送工程と、
前記チャンバー中に規定された処理空間内でプラズマを発生させて、前記搬送経路面に沿って搬送される前記基材の一方側の主面にプラズマ成膜を行うプラズマ処理工程と、
を有し、
前記搬送経路面と前記処理空間との区間に、基材の搬送方向に沿って伸びる少なくとも１つのマスク部材が配され、
前記プラズマ成膜においては、前記基材の前記主面の各箇所のうち、前記マスク部材と対向する第１箇所には成膜が行われない一方で、前記マスク部材と対向しない第２箇所には成膜が行われることを特徴とするプラズマ成膜方法。
【請求項１２】
太陽電池の製造方法であって、
第１導電型の半導体シリコン基板の両主面のうち受光面側の第１主面側から第２導電型の不純物を導入することにより、前記基材内にｐｎ結合を形成するｐｎ接合形成工程と、
前記第１主面上に第１パッシベーション膜を成膜し、前記基材の第２主面上に第２パッシベーション膜を成膜する成膜工程と、
前記第１パッシベーション膜上に表面電極層を形成し、前記第２パッシベーション膜上に裏面電極層を形成する電極形成工程と、
前記表面電極層と前記裏面電極層とを焼成する焼成工程と、
を有し、
前記成膜工程において前記第２パッシベーション膜を成膜するのに際して、請求項１１に記載のプラズマ成膜方法を実行することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ成膜装置、プラズマ成膜方法、および太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマプロセスは、種々の電子デバイスの製造プロセスにおいて、大きな役割を果たしている。例えば特許文献１には、プラズマＣＶＤ（plasma-enhanced chemical vapor deposition）法によって基板に薄膜を形成する装置が記載されている。例えば、シリコン系の太陽電池の製造プロセスにおいては、シリコン基板を保護するパッシベーション膜（例えば、シリコン窒化膜）プラズマＣＶＤ法によって形成する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２１４７２９号公報
【特許文献２】特開２０１２−１９９５１７号公報
【特許文献３】特表２０１４−５０３９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、ＰＥＲＣ(Passivated Emitter and Rear Cell)型の太陽電池の製造においては、裏面電極とシリコン基板との導通をとる目的で、シリコン基板の裏面（裏側主面）にはパッシベーション膜の成膜された成膜箇所と、パッシベーション膜の成膜されていない非成膜箇所とを形成する必要がある。
【０００５】
このように、成膜箇所と非成膜箇所とを形成する態様としては、主面の全面に成膜した後でレーザー等により膜の一部を除去する態様（例えば、特許文献２）や、マスクで主面の一部を覆って該マスクと該主面との相対的な位置関係を固定した状態で成膜処理を行う態様（例えば、特許文献３）などが知られている。
【０００６】
しかしながら、主面の全面に成膜した後でレーザー等により膜の一部を除去する態様では、成膜工程と除去工程とを行うことにより、コストが増大する。また、レーザー等により主面に形成された膜を除去する際に、該主面にダメージを付与するおそれがある。
【０００７】
また、マスクで主面の一部を覆って該マスクと該主面との相対的な位置関係を固定した状態で成膜処理を行う態様では、処理対象となる基板の一枚一枚に対してマスクとの相対的な位置調節を要し、スループットが大幅に低下する。
【０００８】
これらの課題は、上記した一例（ＰＥＲＣ型の太陽電池の例）だけでなく、基材の主面に成膜箇所と非成膜箇所とを形成する種々の分野に共通する課題である。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、コスト増加を抑制し、主面へのダメージを抑制し、かつ、スループットを向上可能な成膜技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様にかかるプラズマ成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバー内を通る仮想的な搬送経路面に沿って基材を搬送する搬送部と、前記チャンバー中に規定された処理空間内でプラズマを発生させて、前記搬送経路面に沿って搬送される前記基材の一方側の主面にプラズマ成膜を行うプラズマ処理部と、前記搬送経路面と前記処理空間との区間に配されて基材の搬送方向に沿って伸びる少なくとも１つのマスク部材と、を備え、前記プラズマ処理部によるプラズマ成膜を行いつつ、前記搬送部によって前記基材を前記搬送経路面に沿って搬送することにより、前記基材の前記主面の各箇所のうち、前記マスク部材と対向する第１箇所には成膜が行われない一方で、前記マスク部材と対向しない第２箇所には成膜が行われることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第２の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様にかかるプラズマ成膜装置であって、前記搬送経路面に平行な面内で複数の前記マスク部材が前記搬送方向に沿って伸びることにより、前記複数のマスク部材の全体として前記搬送方向を長手方向とする縞模様のマスクパターンが形成され、前記基材の前記主面には前記マスクパターンでプラズマ成膜が行われることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第３の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかるプラズマ成膜装置であって、前記搬送部によって搬送される前記基材から離間する位置に前記マスク部材が配されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第４の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかるプラズマ成膜装置であって、前記搬送部によって搬送される前記基材と接触する位置に前記マスク部材が配されることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第５の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第４の態様にかかるプラズマ成膜装置であって、前記搬送経路面は水平面であり、前記主面は前記基材の上側主面であり、前記処理空間が前記搬送経路面の上方に規定され、前記少なくとも１つのマスク部材の搬送方向上流側の端部が前記チャンバー内で前記搬送経路面から離れた位置に固定された固定端とされる一方で、搬送方向下流側の端部は自由端とされることにより、搬送される前記基材と前記マスク部材の搬送方向下流側の部分とが接触することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第６の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかるプラズマ成膜装置であって、前記搬送経路面を視る平面視において、前記マスク部材の形状が前記搬送方向に沿って変化することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第７の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第６の態様のいずれかにかかるプラズマ成膜装置であって、前記マスク部材は、前記チャンバー内に規定された取付位置に対して着脱自在に連結されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第８の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第６の態様のいずれかにかかるプラズマ成膜装置であって、複数の前記マスク部材を一体的に保持する保持体を少なくとも１つ有し、前記保持体が前記チャンバー内に規定された取付位置に対して着脱自在に連結されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第９の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第８の態様のいずれかにかかるプラズマ成膜装置であって、前記プラズマ処理部がプラズマＣＶＤ法によって前記基材の前記主面を成膜することを特徴とする。
【００１９】
本発明の第１０の態様にかかるプラズマ成膜装置は、本発明の第１の態様ないし第８の態様のいずれかにかかるプラズマ成膜装置であって、前記プラズマ処理部がスパッタ法によって前記基材の前記主面を成膜することを特徴とする。
【００２０】
本発明の第１１の態様にかかるプラズマ成膜方法は、チャンバー内を通る仮想的な搬送経路面に沿って基材を搬送する搬送工程と、前記チャンバー中に規定された処理空間内でプラズマを発生させて、前記搬送経路面に沿って搬送される前記基材の一方側の主面にプラズマ成膜を行うプラズマ処理工程と、を有し、前記搬送経路面と前記処理空間との区間に、基材の搬送方向に沿って伸びる少なくとも１つのマスク部材が配され、前記プラズマ成膜においては、前記基材の前記主面の各箇所のうち、前記マスク部材と対向する第１箇所には成膜が行われない一方で、前記マスク部材と対向しない第２箇所には成膜が行われることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１２の態様にかかる太陽電池の製造方法は、太陽電池の製造方法であって、第１導電型の半導体シリコン基材の両主面のうち受光面側の第１主面側から第２導電型の不純物を導入することにより、前記基材内にｐｎ結合を形成するｐｎ接合形成工程と、前記第１主面上に第１パッシベーション膜を成膜し、前記基材の第２主面上に第２パッシベーション膜を成膜する成膜工程と、前記第１パッシベーション膜上に表面電極層を形成し、前記第２パッシベーション膜上に裏面電極層を形成する電極形成工程と、前記表面電極層と前記裏面電極層とを焼成する焼成工程と、を有し、前記成膜工程において前記第２パッシベーション膜を成膜するのに際して、本発明の第１１の態様にかかるプラズマ成膜方法を実行することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の第１の態様ないし第１２の態様では、少なくとも１つのマスク部材が搬送経路面と処理空間との区間に配されて基材の搬送方向に沿って伸びる。そして、プラズマ処理部によるプラズマ成膜を行いつつ、搬送部によって基材を搬送経路面に沿って搬送することにより、基材の主面の各箇所のうち、マスク部材と対向する第１箇所には成膜が行われない一方で、マスク部材と対向しない第２箇所には成膜が行われる。
【００２３】
このように、本発明では、上記した除去工程を行わずに基材の主面に対して成膜箇所と非成膜箇所とを形成することができる。これにより、コスト増加を抑制し、かつ、基材の主面へのダメージを抑制することができる。
【００２４】
また、本発明では、基材を搬送しつつ成膜処理を行うことができるので、処理対象となる基材の一枚一枚に対してマスクとの相対的な位置調節を要しない。これにより、スループットを向上することができる。
【００２５】
特に、本発明の第３の態様では、搬送部によって搬送される基材から離間する位置にマスク部材が配される。マスク部材と搬送される基材とが非接触であるので、マスク部材が基材に接触することに起因した基材へのダメージ等が生じることを有効に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】プラズマ成膜装置の概略構成を示すＹＺ側面図である。
【図２】プラズマ成膜装置の概略構成を示すＸＺ側面図である。
【図３】複数の誘導結合型アンテナの配列関係を説明するための図である。
【図４】プラズマ成膜装置のうちプラズマ処理に係る部分の部分拡大図である。
【図５】マスクユニットの構成を示す斜視図である。
【図６】太陽電池の製造過程を示す図である。
【図７】太陽電池の製造過程を示す図である。
【図８】太陽電池の製造過程を示す図である。
【図９】太陽電池の製造過程を示す図である。
【図１０】太陽電池の製造過程を示す図である。
【図１１】太陽電池の製造過程を示す図である。
【図１２】プラズマ成膜装置のうちプラズマ処理に係る部分の部分拡大図である。
【図１３】プラズマ成膜装置の概略構成を示すＹＺ側面図である。
【図１４】プラズマ成膜装置の概略構成を示すＹＺ側面図である。
【図１５】キャリアの概略構成を示す上面図である。
【図１６】マスク部材の構成を示す上面図である。
【図１７】成膜後の基板の構成を示すＸＺ側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら、実施形態について説明する。
【００２８】
＜１  プラズマ成膜装置１の全体構成＞
図１は、プラズマ成膜装置１の概略構成を模式的に示すＹＺ側面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面から見た端面図であり、プラズマ成膜装置１の概略構成を模式的に示すＸＺ側面図である。なお、図面には、方向関係を明確にする目的で、Ｚ軸を鉛直方向の軸としＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標軸が適宜付されている。また、図示が煩雑になるのを防ぐ目的で、図１では後述するガス供給部６Ｃを省略して描いている。
【００２９】
プラズマ成膜装置１は、プラズマＣＶＤ（plasma-enhanced chemical vapor deposition）によって、膜付けの対象物である基板ＷにＣＶＤ膜を形成する装置である。例えば、太陽電池の製造過程において、プラズマ成膜装置１により太陽電池用の半導体基板の裏面にパッシベーション膜を形成することができる。該態様の詳細については、図８、図９を参照しつつ後述する。
【００３０】
プラズマ成膜装置１は、チャンバー１０と、チャンバー１０内を通る仮想的な搬送経路面Ｓ１に沿って基板Ｗを搬送する搬送部２と、チャンバー１０内に規定された処理空間Ｖ内でプラズマを発生させて搬送経路面Ｓ１に沿って搬送される基板Ｗの上面にプラズマ成膜を行うプラズマ処理部４と、搬送経路面Ｓ１と処理空間Ｖとの区間に配されて基板Ｗの搬送方向（Ｙ方向）に沿って伸びる複数のマスク部材８０を有するマスクユニット８と、を備える。
【００３１】
また、プラズマ成膜装置１は、処理空間Ｖの搬送方向（Ｙ方向）の幅を規定する２つの仕切り部材５Ａ、５Ｂと、処理空間Ｖにガスを供給するガス供給部６Ａ〜６Ｃと、チャンバー１０内からガスを排気する排気部７と、を備える。また、プラズマ成膜装置１は、上記の各部を制御する制御部９０を備える。
【００３２】
チャンバー１０は内部に処理空間Ｖを有する処理室である。ここで、処理空間Ｖとは後述する誘導結合型アンテナ４１によってプラズマ処理が実行される空間であり、本実施形態では仕切り部材５Ａ，５Ｂの区間に１つの処理空間Ｖが形成されている。
【００３３】
チャンバー１０の天板１１は、その下面１１１が水平姿勢となるように配置されており、当該下面１１１から下方に向けて、誘導結合型アンテナ４１および仕切り部材５Ａ，５Ｂが突設されている。
【００３４】
そして、処理空間Ｖよりも下方に、搬送部２による基板Ｗの搬送経路面Ｓ１が規定されている。チャンバー１０の±Ｙ側の側壁には、例えばゲートバルブによって開閉される搬出入口（図示省略）が設けられている。また、プラズマ成膜装置１には、搬送される基板Ｗを加熱冷却する機構がさらに設けられてもよい。
【００３５】
搬送部２は、キャリア２０を水平姿勢で保持して、チャンバー１０に形成された搬出入口を介して該キャリア２０を搬送する。キャリア２０の上面には、膜付けの対象物である複数の基板Ｗ（本実施形態では、Ｘ方向とＹ方向とで３×３の合計９個の基板Ｗ）が配設されている。
【００３６】
搬送部２は、具体的には、Ｘ方向について搬送経路面Ｓ１を挟んで対向配置された一対の搬送ローラ２１と、これらを同期させて回転駆動する駆動部（図示省略）とを含んで構成される。一対の搬送ローラ２１は、搬送経路面Ｓ１の延在方向（Ｙ方向）に沿って例えば複数組設けられる。この構成において、各搬送ローラ２１がキャリア２０の下面に当接しつつ回転することによって、キャリア２０が搬送経路面Ｓ１に沿って搬送される。その結果、キャリア２０に保持されている各基板Ｗが、誘導結合型アンテナ４１を有する処理空間Ｖに対して相対移動される。
【００３７】
プラズマ処理部４は、誘導結合タイプの高周波アンテナである誘導結合型アンテナ４１を複数（本実施形態では４個）備える。各誘導結合型アンテナ４１は、具体的には、金属製のパイプ状導体をＵ字形状に曲げたものを、石英などの誘電体で覆ったものである。
【００３８】
複数の誘導結合型アンテナ４１は、定められた方向に沿って、間隔をあけて（好ましくは等間隔で）配列されて、天板１１に対して固定される。図３は、本実施形態における複数の誘導結合型アンテナ４１の配列を示す部分拡大図である。図３に示されるように、複数の誘導結合型アンテナ４１は、各々の両端部を結ぶ線分Ｌの中心点Ｃが定められた仮想軸Ｋ上に配置されることによって、当該仮想軸Ｋに沿って一列に配列されている。ただし、この仮想軸Ｋは、基板Ｗの搬送方向（Ｙ方向）と交差する方向（特に好ましくは、図示されるように、基板Ｗの搬送方向と直交する方向（Ｘ方向））に延在する軸であることが好ましく、チャンバー１０の±Ｙ側の側壁と平行に延在する軸であることが好ましい。
【００３９】
なお、図示の例では、誘導結合アンテナ４１の両端部を結ぶ線分Ｌと仮想軸Ｋとが平行になっている（すなわち、複数の誘導結合アンテナ４１の各々が、その配列方向と平行な姿勢で配置されている）場合が例示されているが、線分Ｌと仮想軸Ｋとは必ずしも平行でなくともよい。すなわち、線分Ｌと仮想軸Ｋとがなす角度は、ゼロ以上であってもよい。例えば、線分Ｌと仮想軸Ｋとは、直交していてもよい。この場合、各誘導結合アンテナ４１が、その配列方向と直交する姿勢で配置されることになる。
【００４０】
各誘導結合型アンテナ４１の一端は、給電器４２およびマッチングボックス４３を介して、高周波電源４４に接続されている。また、各誘導結合型アンテナ４１の他端は接地されている。この構成において、高周波電源４４から各誘導結合型アンテナ４１に高周波電流（具体的には、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電流）が流されると、誘導結合型アンテナ４１の周囲の電界（高周波誘導電界）により電子が加速されて、プラズマ（誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ））が発生する。
【００４１】
上述したとおり、誘導結合型アンテナ４１は、Ｕ字形状を呈している。このようなＵ字形状の誘導結合型アンテナ４１は、巻数が１回未満の誘導結合アンテナに相当し、巻数が１回以上の誘導結合アンテナよりもインダクタンスが低いため、誘導結合型アンテナ４１の両端に発生する高周波電圧が低減され、生成するプラズマへの静電結合に伴うプラズマ電位の高周波揺動が抑制される。このため、対地電位へのプラズマ電位揺動に伴う過剰な電子損失が低減され、プラズマ電位が特に低く抑えられる。
【００４２】
仕切り部材５Ａは、ＸＺ平面に沿って配される板状体で、４個の誘導結合型アンテナ４１よりも搬送方向上流側（−Ｙ側）の位置で天板１１に対して下方に固設される。仕切り部材５Ｂは、ＸＺ平面に沿って配される板状体で、４個の誘導結合型アンテナ４１よりも搬送方向下流側（＋Ｙ側）の位置で天板１１に対して下方に固設される。
【００４３】
また、仕切り部材５Ａ，５ＢのＸ方向幅は４個の誘導結合型アンテナ４１が配されるＸ方向幅よりも長く、仕切り部材５Ａ，５ＢのＺ方向幅は４個の誘導結合型アンテナ４１が配されるＺ方向幅よりも長い。このようにＸＺ平面視において４個の誘導結合型アンテナ４１より占有面積の広い２つの仕切り部材５Ａ，５Ｂによって４個の誘導結合型アンテナ４１が挟まれた構成となっているので、プラズマ処理が行われる処理空間Ｖの搬送方向の幅（Ｙ方向幅）は仕切り部材５Ａと仕切り部材５Ｂとの区間となる。
【００４４】
ガス供給部６Ａは、材料ガスの供給源６１１と、一端が供給源６１１と接続され他端が処理空間Ｖのうち搬送方向上流側に開放した複数の吐出口６１５と接続された配管６１２と、を備える。また、配管６１２の経路途中には、バルブ６１３が介挿されている（図１）。バルブ６１３は、配管６１２を流れるガスの流量を自動調整できるバルブであることが好ましく、具体的には、例えば、マスフローコントローラ等を含んで構成することが好ましい。この構成において、バルブ６１３が開かれると、供給源６１１から供給される材料ガスが、複数の吐出口６１５より処理空間Ｖのうち搬送方向上流側に吐出される。
【００４５】
ガス供給部６Ｂもガス供給部６Ａと同様の構成である。ガス供給部６Ｂは、材料ガスの供給源６２１と、一端が供給源６２１と接続され他端が処理空間Ｖのうち搬送方向下流側に開放した複数の吐出口６２５と接続された配管６２２と、を備える。また、配管６２２の経路途中には、バルブ６２３が介挿されている（図１）。バルブ６２３は、配管６２２を流れるガスの流量を自動調整できるバルブであることが好ましく、具体的には、例えば、マスフローコントローラ等を含んで構成することが好ましい。この構成において、バルブ６２３が開かれると、供給源６２１から供給される材料ガスが、複数の吐出口６２５より処理空間Ｖのうち搬送方向下流側に吐出される。
【００４６】
ガス供給部６Ａから供給される材料ガスとガス供給部６Ｂから供給される材料ガスとは同一の組成であっても異なる組成であっても構わない。以下では、ガス供給部６Ａ、６Ｂから供給される材料ガスの組成が同一で、いずれも、シラン（ＳｉＨ4）ガスとアンモニア（ＮＨ3）ガスとを混ぜ合わせた混合ガスである場合について説明する。
【００４７】
また、図３に示すように、ガス供給部６Ａにおける複数の吐出口６１５（本実施形態では４個）とガス供給部６Ｂにおける複数の吐出口６２５（本実施形態では４個）とは、Ｙ方向に沿って複数の誘導結合型アンテナ４１（本実施形態では４個）を挟むよう対向配置されている。
【００４８】
ガス供給部６Ｃは、不活性ガス（本実施形態では窒素ガス）の供給源６３１と、一端が供給源６３１と接続され他端が処理空間Ｖのうち複数の誘導結合型アンテナ４１の上方に位置する複数の吐出部材６３５と接続された配管６３２と、を備える。また、配管６３２の経路途中には、バルブ６３３が介挿されている（図２）。バルブ６３３は、配管６３２を流れるガスの流量を自動調整できるバルブであることが好ましく、具体的には、例えば、マスフローコントローラ等を含んで構成することが好ましい。
【００４９】
複数の吐出部材６３５は、間隔をあけて一列に配列されて、チャンバー１０の天板１１の下面１１１に固定される。具体的には、例えば、複数の吐出部材６３５は、誘導結合型アンテナ４１と対応する位置（例えば、仮想軸Ｋ上であって、Ｕ字形状の誘導結合型アンテナ４１の両端部の真ん中の位置（すなわち、中心点Ｃ））に各々配置されて、天板１１に対して気密に取り付けられる。ただし、各吐出部材６３５の、下面１１１からの突出寸法は、誘導結合型アンテナ４１の、下面１１１からの突出寸法に比べて十分に小さいものとされる。
【００５０】
この構成において、バルブ６３３が開かれると、供給源６３１から供給される窒素ガスが、各吐出部材６３５より各誘導結合型アンテナ４１に向けて吐出される。この結果、各誘導結合型アンテナ４１周辺の雰囲気が窒素ガスによって満たされるため、処理空間Ｖにてプラズマ成膜処理を行ったとしても各誘導結合型アンテナ４１にＣＶＤ膜が成膜されることを防止できる。これにより、各誘導結合型アンテナ４１の表面にＣＶＤ膜が形成されることに起因したアンテナ性能の低下を抑止することができる。
【００５１】
図４は、プラズマ成膜処理の様子を示すプラズマ成膜装置１の部分拡大図である。図５は、マスクユニット８の構成を示す斜視図である。なお、図４における黒色塗りつぶし部分は、基板Ｗの上面のうちプラズマ成膜処理によって膜付けが行われる箇所（後述する第２箇所ＲＳ２）を示す。
【００５２】
マスクユニット８は、チャンバー１０内に規定された取付位置（本実施形態では、仕切り部材５Ａ、５Ｂの下面）に対して着脱自在に連結される２つの保持体８２と、２つの保持体８２によって一体的に保持される１５個のマスク部材８０と、を有し、搬送経路面Ｓ１と処理空間Ｖとの区間に配される部材である。
【００５３】
保持体８２はＸ方向を長手方向とする矩形断面の棒状部材であり、２つの保持体８２は同一高さでＹ方向に所定間隔だけ離間して設けられる。該間隔は、仕切り部材５Ａと仕切り部材５Ｂとの間隔と略同一である。このため、種々の連結部材（例えば、ネジなど）を用いることで、仕切り部材５Ａ、５Ｂの下面に２つの保持体８２の上面を連結することができる。
【００５４】
各マスク部材８０は、２つの保持体８２の間をＹ方向に沿って架設される。具体的には、マスクユニット８が取付位置に連結された状態で搬送される各基板Ｗの直上に５個のマスク部材８０が位置するように、合計１５個のマスク部材８０がＹ方向に沿って設けられる（図２、図４）。その結果、キャリア２０によってＹ方向に搬送される各基板の上面には、マスク部材８０と対向する第１箇所ＲＳ１と、マスク部材８０と対向しない第２箇所ＲＳ２と、が存在することになる（図２、図４）。
【００５５】
プラズマ成膜処理は、マスクユニット８が取付位置に連結された状態で実行される。既述の通り処理空間Ｖと搬送経路面Ｓ１との間には各マスク部材８０が存在するため、該マスク部材８０上に成膜が行われることによって、各基板Ｗの上面のうちマスク部材と対向する第１箇所ＲＳ１には成膜が行われない。その一方で、搬送される各基板Ｗの上面のうちマスク部材８０と対向しない第２箇所ＲＳ２には成膜が行われる。
【００５６】
本実施形態では、各マスク部材８０が搬送経路面Ｓ１と平行な面内でＹ方向に沿って伸びることにより、１５個のマスク部材８０全体としてＹ方向を長手方向とする縞模様のマスクパターンが形成されている。このため、基板Ｗの上面には第１箇所ＲＳ１と第２箇所ＲＳ２とが交互配列されて（図２）、基板Ｗの上面に上記した縞模様のマスクパターンでプラズマ成膜が行われる（図４）。
【００５７】
例えば、基板Ｗの上面に縞模様のパターンで膜を形成する態様としては、基板Ｗの上面の全面に成膜をした後、レーザーやエッチングによって部分的に膜を除去して縞模様のパターンで膜を形成する態様が考えられる。上記した本実施形態の態様では、レーザーやエッチングによる処理が不要であるので、低コストでパターン成膜を行うことができる。また、本実施形態の態様では、レーザーやエッチングによる基板Ｗへのダメージが生ずることもない。
【００５８】
基板Ｗの上面に縞模様のパターンで膜を形成する別の態様として、基板Ｗの上面を縞模様のマスクパターンで覆った後、基板Ｗとマスクとの位置関係が相対的に固定された状態で成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）を行うことで、縞模様のマスクパターンで膜を形成する態様が考えられる。上記した本実施形態の態様では、基板Ｗを搬送しつつ成膜を行うことができるので、新たな基板Ｗに処理を行う度にマスクと基板Ｗとの位置調整を行うことが不要であり、スループットを向上できる。
【００５９】
本実施形態のプラズマ成膜を用いたデバイスの製造（一例として、太陽電池の製造）については、図６〜図１１を参照しつつ後述する。
【００６０】
排気部７は、高真空排気系であり、具体的には、例えば、真空ポンプ７１と、排気配管７２と、排気バルブ７３と備える。排気配管７２は、一端が真空ポンプ７１に接続され、他端が処理空間Ｖに連通接続される。また、排気バルブ７３は、排気配管７２の経路途中に設けられる。排気バルブ７３は、具体的には、例えば、マスフローコントローラ等を含んで構成され、排気配管７２を流れるガスの流量を自動調整できるバルブである。この構成において、真空ポンプ７１が作動された状態で、排気バルブ７３が開放されると、処理空間Ｖが排気される。
【００６１】
制御部９０は、プラズマ成膜装置１が備える各構成要素と電気的に接続され（図１では簡略的に図示）、これら各要素を制御する。制御部９０は、具体的には、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、プログラム等を記憶するＲＯＭ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、プログラムや各種のデータファイルなどを記憶するハードディスク、ＬＡＮ等を介したデータ通信機能を有するデータ通信部等がバスラインなどにより互いに接続された、一般的なコンピュータにより構成される。また、制御部９０は、各種表示を行うディスプレイ、キーボードおよびマウスなどで構成される入力部等と接続されている。プラズマ成膜装置１においては、制御部９０の制御下で、基板Ｗに対して定められた処理が実行される。
【００６２】
＜２  処理の流れ＞
続いて、プラズマ成膜装置１において実行される処理の流れについて主として図１を参照しつつ説明する。
【００６３】
チャンバー１０の搬出入口を介して、基板Ｗが配設されたキャリア２０がチャンバー１０の内部に搬入されると、搬送部２が当該キャリア２０を保持する。また、排気部７がチャンバー１０内の気体を排気して、チャンバー１０を真空状態とする。また、定められたタイミングで、搬送部２がキャリア２０を搬送経路面Ｓ１に沿って搬送する（搬送工程）。
【００６４】
チャンバー１０の内部が真空状態となると、ガス供給部６Ａ，６Ｂが処理空間Ｖ内に材料ガスを供給する。また、ガス供給部６Ｃが各誘導結合型アンテナ４１に向けて不活性ガスを供給する。これにより、処理空間Ｖのうち各誘導結合型アンテナ４１の周辺雰囲気は該不活性ガスで満たされる。
【００６５】
これらのガス供給が開始されるのと同時に、高周波電源４４から各誘導結合型アンテナ４１に、高周波電流（具体的には、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電流）が流される。すると、誘導結合型アンテナ４１の周囲の高周波誘導電界により電子が加速されて、誘導結合プラズマが発生する。プラズマが発生すると、処理空間Ｖ内の材料ガス（本実施形態では、シランガスとアンモニアガスとの混合ガス）がプラズマ分解されて、搬送される基板Ｗの上面で化学気相成長が行われる（プラズマ処理工程）。
【００６６】
本実施形態では、各マスク部材８０が処理空間Ｖと搬送経路面Ｓ１との間でＹ方向に沿って伸びることにより、１５個のマスク部材８０全体としてＹ方向を長手方向とする縞模様のマスクパターンが形成されている。このため、基板Ｗの上面にはプラズマ成膜が行われない第１箇所ＲＳ１とプラズマ成膜が行われる第２箇所とが交互配列されて（図２）、基板Ｗの上面には上記した縞模様のマスクパターンでプラズマ成膜が行われる（図４）。
【００６７】
プラズマ成膜が行われた後もキャリア２０によって各基板Ｗを搬送経路面Ｓ１に沿って＋Ｙ方向に搬送する。そして、チャンバー１０の搬出入口を介して、９個の基板Ｗが配設されたキャリア２０がチャンバー１０の外部に搬出される。こうして主面に縞模様のプラズマＣＶＤ膜（本実施形態では、シリコン窒化膜）が形成された基板Ｗは、電子デバイス用の構造体として太陽電池など種々の電子デバイスに用いることができる。
【００６８】
また、所定枚数の基板Ｗに対してプラズマ成膜処理を行った後（或いは、所定時間プラズマ成膜処理を行った後）には、マスクユニット８を装置の取付位置から取り外し、洗浄する。これにより、マスクユニット８に堆積したＣＶＤ膜を除去することができる。
【００６９】
＜３  太陽電池の製造方法の一例＞
以下では、主として図６〜図１１を参照しつつ、太陽電池の製造過程の一部においてプラズマ成膜装置１を用いる態様について説明する。図６〜図１１は太陽電池の製造における一例を示す側面図である。また、以下では、太陽電池２００（図１１）を製造する過程における電子デバイス用の構造体を構造体１００（図６〜図１０）と称する。
【００７０】
まず、ｐ型の半導体シリコン基板１０１を準備し、該シリコン基板１０１の両主面のうち受光面側の第１主面１１０に反射防止構造の凹凸構造であるテクスチャーを形成する。太陽電池の場合、インゴットからスライスしたままの基板をシリコン基板１０１として用いることが多い。この場合、スライスに用いたワイヤーソー等の傷による基板表面のダメージおよびウエハスライス工程による基板表面の汚染を取り除くために、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液あるいは弗酸と硝酸の混合液などを用いて、およそ１０〜２０μｍ程度、基板表面をエッチングする。さらに、基板表面に付着した鉄など重金属類の除去のために、塩酸と過酸化水素の混合液で洗浄する工程を付加してもよい。その後、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液等を用いて反射防止構造であるテクスチャーを形成する。図６は、このテクスチャーを第１主面１１０に形成した状態のシリコン基板１０１を示す。
【００７１】
次に、図７に示すように、ｐ型のシリコン基板１０１の第１主面１１０にｎ型不純物（例えば、オキシ塩化リン）を熱拡散させ、導電型を反転させたｎ型半導体層１０５を形成する。この結果、シリコン基板１０１内にｐ型半導体層１０３とｐ型半導体層１０３上に形成されるｎ型半導体層１０５とのｐｎ結合が形成される（ｐｎ接合形成工程）。なお、本明細書では、ｐ型を第１導電型としｎ型を第２導電型とする場合について説明するが、これらは逆でもかまわない。
【００７２】
ｐｎ接合形成工程としては、種々のｐｎ接合方法を採用することができるが、その典型例について説明する。まず、ｎ型半導体層１０５がシリコン基板１０１の全面に形成される。ｎ型半導体層１０５の深さは、拡散温度や拡散時間を処理条件として制御することができる。続いて、シリコン基板１０１の第１主面１１０側に形成されたｎ型半導体層１０５をレジストにより保護した後、第１主面１１０上のみにｎ型拡散層を残すようにエッチング処理する。処理後の残存レジストは、有機溶剤等を用いて除去される。なお、この方法とは別に、リンが含まれる液体塗布材料、例えばＰＳＧ（Phospho−Silicate−Glass）などをシリコン基板１０１の第１主面１１０のみにスピンコート等を用いて塗布して、適当な条件でアニールする拡散方法を用いることもできる。
【００７３】
次に、図８および図９に示すように、シリコン基板１０１の第１主面１１０側に第１パッシベーション膜１２０を、第２主面１５０側に第２パッシベーション膜１６０を成膜する（成膜工程）。
【００７４】
成膜工程では、まず、シリコン基板１０１の第１主面１１０に反射防止性を有する保護膜として第１パッシベーション膜１２０（例えば、窒化シリコンを主要素とする膜）を成膜する。これにより、太陽電池２００の入射光に対する表面反射率が低減し、太陽電池２００の発生電流を増加させることが可能となる。
【００７５】
第１パッシベーション膜１２０は、減圧熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などに代表される真空蒸着法を用いて成膜することができる。例えば、上記したプラズマ成膜装置１を用いてシリコン基板１０１の第１主面１１０に第１パッシベーション膜１２０を成膜することができる。この場合、まず、プラズマ成膜装置１の取付位置からマスクユニット８を取り外す。そして、シリコン基板１０１うち成膜される側の主面（第１主面１１０）が処理空間Ｖと対向する状態で搬送部２によってシリコン基板１０１を搬送する（搬送工程）。この状態で、処理空間Ｖにガス供給をし、高周波電源４４から各誘導結合型アンテナ４１に高周波電流を流す（プラズマ処理工程）。これにより、搬送されるシリコン基板１０１の第１主面１１０に第１パッシベーション膜１２０が成膜される。
【００７６】
成膜工程では、次に、シリコン基板１０１の第２主面１５０側に第２パッシベーション膜１６０（例えば、窒化シリコンを主要素とする膜）を成膜する（図９）。これにより、第２パッシベーション膜１６０のシリコン原子や水素原子によってシリコン基板１０１の第２主面１５０側のダングリングボンドなどの再結合中心が終端される。その結果、シリコン基板１０１の第２主面１５０側での再結合速度を十分に低下させることができ、光電変換効率が上昇する。
【００７７】
第２パッシベーション膜１６０も、第１パッシベーション膜１２０の成膜方法と同様、減圧熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などに代表される真空蒸着法を用いて成膜することができる。例えば、上記したプラズマ成膜装置１を用いてシリコン基板１０１の第２主面１５０に第２パッシベーション膜１６０を成膜することができる。この場合、まず、プラズマ成膜装置１の取付位置にマスクユニット８を連結させる。そして、シリコン基板１０１うち成膜される側の主面（第２主面１５０）が処理空間Ｖと対向する状態で搬送部２によってシリコン基板１０１を搬送する（搬送工程）。この状態で、処理空間Ｖにガス供給をし、高周波電源４４から各誘導結合型アンテナ４１に高周波電流を流す（プラズマ処理工程）。これにより、搬送されるシリコン基板１０１の第２主面１５０のうち第１箇所ＲＳ１には成膜が行われず第２箇所ＲＳ２には成膜が行われることによって、該第２主面１５０に縞模様のマスクパターンで第２パッシベーション膜１６０が成膜される。
【００７８】
次に、図１０に示すように、第１パッシベーション膜１２０上に表面電極層１３０を、第２パッシベーション膜１６０上に裏面電極層１７０を形成する（電極形成工程）。
【００７９】
具体的には、第１パッシベーション膜１２０のシリコン基板１０１とは反対側の主面に表面電極層１３０の電極材料（例えば、銀を主成分とするペースト）を、第２パッシベーション膜１６０のシリコン基板１０１とは反対側の主面に裏面電極層１７０の電極材料（例えば、アルミニウムを主成分とするペースト）を、スクリーン印刷法を用いて層状に塗布して乾燥させる。この結果、表面電極層１３０および裏面電極層１７０が形成される。
【００８０】
そして、表面電極層１３０および裏面電極層１７０が形成されると、次に焼成が行なわれる（焼成工程）。焼成工程では、構造体１００を６５０℃以上で数秒から数分間焼成する。
【００８１】
表面電極層１３０の電極材料には低融点のガラスフリットが含まれている。このため、該電極材料は、焼成によって溶融し、第１パッシベーション膜１２０の一部を貫通してｎ型半導体層１０５まで到達する。その結果、表面電極１３０ａが形成され、表面電極１３０ａとｎ型半導体層１０５とが導通される。
【００８２】
また、焼成による表面電極層１３０の電極材料の貫通深さは、図１１に示すように、ｎ型半導体層１０５まで到達するもののｐ型半導体層１０３までは到達しない貫通深さとなるよう制御される。この貫通深さは、焼成の温度や焼成時間などの処理条件を制御することによって調整される。
【００８３】
一方、裏面電極層１７０の電極材料は、焼成によって溶融し、隣り合う第２パッシベーション膜１６０の間隙を通じてシリコン基板１０１の第１箇所ＲＳ１からｐ型半導体層１０３まで拡散する。その結果、裏面電極１７０ａが形成され、裏面電極１７０ａとｐ型半導体層１０３とが導通される。さらに、ｐ型半導体層１０３のうち裏面電極層１７０の電極材料が拡散した部分には、ｐ型半導体層１０３よりも高いｐ型不純物濃度を有するｐ＋型半導体層１８０が形成される。以上の各工程を実行することで、太陽電池２００（図１１）が製造される。
【００８４】
また、裏面電極層１７０の電極材料（アルミニウムを主成分とする材料）が拡散することによってｐ＋型半導体層１８０が形成されるので、ｐ型半導体層１０３とｐ＋型半導体層１８０との間で生じる電界によりキャリアの再結合速度が低下し、光電変換効率をさらに向上させることができる（ＢＳＦ効果）。
【００８５】
＜４  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
【００８６】
図１２は、変形例にかかるプラズマ成膜装置１Ａの部分拡大図である。なお、図１２における黒色塗りつぶし部分は、基板Ｗの上面のうちプラズマ成膜処理によって膜付けが行われる箇所（第２箇所）を示す。
【００８７】
上記実施形態では、複数のマスク部材８０の搬送上流側の端部と搬送下流側の端部との両方が保持体８２を介して取付位置に固定された固定端であり、マスク部材８０が搬送される基板Ｗと離間して配される態様について説明したが、これに限られるものでない。
【００８８】
例えば、搬送経路面Ｓ１が水平面であり処理空間Ｖが搬送経路面Ｓ１の上方に規定される装置において、マスク部材８０Ａの搬送方向上流側の端部が前記チャンバー内で搬送経路面Ｓ１から離れた位置に固定された固定端とされる一方で、搬送方向下流側の端部は自由端とされることにより、搬送される基板Ｗとマスク部材８０Ａの搬送方向下流側の部分とが接触する態様であっても構わない（図１２）。
【００８９】
該態様においては、搬送方向（Ｙ方向）に移動される基板Ｗとの摩擦によって各マスク部材８０ＡがＹ方向に伸びることとなるので、上記実施形態のように各マスク部材８０をＹ方向に沿って緻密に延設することが不要である。他方、上記実施形態では、各マスク部材８０と搬送される基板Ｗとが非接触であるので、マスク部材が基板Ｗに接触することに起因した基板Ｗへのダメージ等が生じることを有効に防止できる。
【００９０】
図１３は、変形例にかかるプラズマ成膜装置１Ｂの側面図である。
【００９１】
上記実施形態では、マスク部材８０が保持体８２に固定保持される態様について説明したが、これに限られるものではない。
【００９２】
例えば、複数のマスク部材８０（可撓性の線状部材）が巻出しローラ８５、巻取りローラ８６、および補助ローラ（図示せず）に巻かれており、両ローラ８５，８６の区間に張られた複数のマスク部材８０が搬送方向（Ｙ方向）に沿って搬送経路面Ｓ１と処理空間Ｖとの区間に配される態様でも構わない。
【００９３】
該態様においては、所定枚数の基板Ｗに対してプラズマ成膜処理を行った後（或いは、所定時間プラズマ成膜処理を行った後）に、プラズマ成膜されたマスク部材８０を巻取りローラ８６によって巻き取りつつ、巻出しローラ８５から新たなマスク部材８０を巻き出すことで、マスク部材８０の洗浄をすることなく成膜処理を続行することができる。その結果、装置のスループットが向上する。なお、巻出しローラ８５に巻き回されていたマスク部材８０の全てにプラズマ成膜されると、該マスク部材８０を装置から取外して洗浄することとなる。
【００９４】
図１４は、変形例にかかるプラズマ成膜装置１Ｃの側面図である。図１５は、キャリア２０Ａの構造を示す上面図である。
【００９５】
上記実施形態では、プラズマ成膜装置１が１つの処理空間Ｖを有する態様について説明したが、これに限られるものではない。
【００９６】
例えば、図１４に示すように、変形例に係るプラズマ成膜装置１Ｃは、搬送上流側（−Ｙ側）で搬送経路面Ｓ１よりも上方に処理空間Ｖ１を有し、搬送下流側（＋Ｙ側）で搬送経路面Ｓ１よりも上方に処理空間Ｖ２を有し、搬送下流側（＋Ｙ側）で搬送経路面Ｓ１よりも下方に処理空間Ｖ３を有する。また、処理空間Ｖ１と搬送経路面Ｓ１との区間および処理空間Ｖ２と搬送経路面Ｓ１との区間には、それぞれマスクユニット８が配される。
【００９７】
また、該変形例では、プラズマ成膜装置１Ｃで用いられるキャリア２０Ａが、９つの中空部２６を有するキャリア本体２５と、各中空部２６においてキャリア本体２５から中空部２６に向けて水平方向に伸びる複数の保持部材２７と、を有する。水平面視において、基板Ｗの面積は中空部２６の面積よりも小さく、保持部材２７の内側端部を結んだ面積よりも大きい。このため、各中空部２６における複数の保持部材２７に基板Ｗを載置することで、９枚の基板Ｗをその上面および下面が下方した状態でキャリア２０Ａによって保持することができる。
【００９８】
本変形例においては、基板Ｗを搬送方向に沿って搬送しつつ各処理空間Ｖ１〜Ｖ３で材料ガスの供給とプラズマ発生とを行うことで、各基板Ｗの上面には縞模様のパターンで２層からなる成膜を行い、各基板Ｗの下面には全面に一層からなる成膜を行うことができる。例えば、プラズマ成膜装置１Ｃを用いて太陽電池の成膜工程を行えば、一回の搬送によって、第１主面１１０の全面にシリコン窒化膜を成膜し、第２主面１５０に縞模様のパターンでアルミナ膜とシリコン窒化膜とを成膜することができる。
【００９９】
図１６は、変形例にかかるマスク部材８０Ｂの上面図である。図１７は、マスク部材８０Ｂを用いて成膜が行われた基板Ｗ構造を示す側面図である。
【０１００】
上記実施形態では、上面視（搬送経路面Ｓ１を視る平面視）においてマスク部材８０が搬送方向に沿って同一形状である態様について説明したがこれに限られるものではない。
【０１０１】
図１６に示すように、マスク部材８０Ｂが搬送方向に沿って幅が狭くなる先細り形状である場合、搬送される基板Ｗの上面のうちマスク部材８０Ｂと対向する第１箇所には成膜が行われずマスク部材８０Ｂと対向しない第２箇所には成膜が行われることによって、基板Ｗ上にテーパ面１９１を有する膜１９０が成膜される。なお、マスク部材の形状が搬送方向に沿って変化する態様としては、該変形例の他にも種々の態様を採用しうる。
【０１０２】
また、上記実施形態では、ＰＥＲＣ(Passivated Emitter and Rear Cell)型の太陽電池の成膜工程で本発明に係るプラズマ成膜装置を利用する態様について説明したが、これに限られるものではない。Ｈｉｔ（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）型の太陽電池の成膜工程でも本発明に係るプラズマ成膜装置を利用することができる。より一般にいうと、本発明に係るプラズマ成膜装置は、搬送される基材の表面に非成膜箇所（マスク部材と対向しない第１箇所）と成膜箇所（マスク部材と対向しない第２箇所）とを形成する種々の態様に利用することができる。
【０１０３】
また、上記実施形態では、仮想軸Ｋに沿って誘導結合型アンテナ４１が４個設けられているが、仮想軸Ｋに沿って配列される誘導結合型アンテナ４１の個数は必ずしも４個である必要はなく、チャンバー１０の寸法等に応じて、適宜その個数を選択することができる。また、誘導結合型アンテナ４１は、マトリクス状、あるいは、千鳥状に配列されてもよい。同様に他の各部の個数（例えば、マスク部材８０の数）や、他の各部の配置も設計変更可能である。
【０１０４】
また、上記実施形態では、吐出部材６３５から不活性ガス（窒素ガス）を吐出し、誘導結合型アンテナ４１の周辺雰囲気を不活性ガスで満たすことで誘導結合型アンテナ４１にＣＶＤ膜が形成されることを防止する態様について説明したが、これに限られるものではない。吐出部材６３５から吐出されるガスは、プラズマＣＶＤ処理における材料ガスであってもよいし、添加ガスであってもよい。また、吐出部材６３５からはガスを吐出させない態様であっても構わない。
【０１０５】
また、上記実施形態では、プラズマＣＶＤ法によって基板Ｗの主面に成膜を行う態様について説明したが、これに限られるものではない。例えば、スパッタ法によって基板Ｗの主面に成膜を行っても良い。また、基板ではなく、可撓性の基材に対して成膜を行っても良い。本明細書において、基板は剛性の大きい基材を意味し、基材は基板を含む概念である。
【０１０６】
また、上記実施形態では保持体８２が取付位置に対して着脱自在に連結される態様について説明したが、これに限られるものではない。各マスク部材８０が個別に取付位置に対して着脱自在に連結される態様でも構わない。
【０１０７】
以上、実施形態およびその変形例に係るプラズマ成膜装置、プラズマ成膜方法、および太陽電池の製造方法について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【０１０８】
１、１Ａ〜１Ｃ  プラズマ成膜装置
２  搬送部
４  プラズマ処理部
５Ａ，５Ｂ  仕切り部材
６Ａ〜６Ｃ  ガス供給部
７  排気部
８  マスクユニット
４１  誘導結合型アンテナ
４４  高周波電源
８０、８０Ａ、８０Ｂ  マスク部材
８２  保持体
９０  制御部
Ｓ１  搬送経路面
Ｖ、Ｖ１〜Ｖ３  処理空間
Ｗ  基板
【図１】
2015190059.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2015190059.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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