(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示素子の各画素間の膜厚バラツキを改善し、発光ムラの無い有機ＥＬ表示装置とその製造方法及び製造装置を提供することである。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の画素となる画素開口部１１２に膜厚均一化処理を施されたウェットコート層１０５を形成するのに必要な成分からなるインキを前記画素開口部に塗布する工程と、前記画素開口部に塗布されたインキの一部を除去する工程とからなり、前記インキの一部を除去する工程は、除去版の支持部１１１上に前記画素開口部に対応して形成された除去版の凸部１１０を、前記画素開口部に塗布されたインキと接触させたあと引き離すことによってそのインキの一部を前記除去版の凸部に転移させることにより実施することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。【選択図】図４
2015090752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極形成工程、隔壁形成工程、発光媒体層形成工程、第二電極形成工程とを備えて構成される有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記第一電極形成工程が、画素電極としての第一電極を基板上に形成する工程であり、
前記隔壁形成工程が、第一電極を画素開口部としてその周縁を被覆するように、隔壁を形成する工程であり、
前記発光媒体層形成工程が、前記画素開口部に、単層又は複数層から成る発光媒体層を形成する工程であり、
前記第二電極形成工程が、発光媒体層上に第二電極を形成する工程であって、
前記発光媒体層のうち、少なくとも１層を形成する工程が、次の塗布工程とインキ除去工程とをこの順に有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１）前記発光媒体層の成分を含むインキを、前記画素開口部に、ウエットコーティングする塗布工程。
（２）前記画素開口部に対応して凸部を有する除去版を使用し、この除去版の凸部を画素開口部のインキに接触させ引き剥がすことにより、そのインキの一部を除去するインキ除去工程。
【請求項２】
前記凸部の表面はインキに対して親インキ処理されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記凸部が２段以上の階段状であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記凸部が２種類以上の異なる高さを持つ凸部から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記凸部の高さが前記隔壁となる絶縁層の高さより低いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記凸部の高さが５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記ウェットコーティング法が凸版印刷法であることを特徴とする、請求項１〜５いずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ照明装置。
【請求項１０】
第一電極形成手段、隔壁形成手段、発光媒体層形成手段、第二電極形成手段とを備えて構成される有機ＥＬ表示装置の製造装置において、
前記第一電極形成手段が、画素電極としての第一電極を基板上に形成する手段であり、
前記隔壁形成手段が、第一電極を画素開口部としてその周縁を被覆するように、隔壁を形成する手段であり、
前記発光媒体層形成手段が、前記画素開口部に、単層又は複数層から成る発光媒体層を形成する手段であり、
前記第二電極形成手段が、発光媒体層上に第二電極を形成する手段であって、
前記発光媒体層のうち、少なくとも１層を形成する手段が、次の塗布手段とインキ除去手段とをこの順に有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置。
（１）前記発光媒体層の成分を含むインキを、前記画素開口部に、ウエットコーティングする塗布手段。
（２）前記画素開口部に対応して凸部を有する除去版を使用し、この除去版の凸部を画素開口部のインキに接触させ引き剥がすことにより、そのインキの一部を除去するインキ除去手段。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置であって、前記インキを前記画素開口部に塗布する手段と、前記画素開口部に塗布されたインキの一部を除去する手段を備えてなり、前記インキの一部を除去する手段は、支持体上に前記画素開口部に対応して形成された凸部を前記画素開口部に塗布されたインキに接触させたのち、引き離す手段を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともＥＬ現象を呈する有機発光層を挟持してなる構造を有し、電極間に電圧が印加されると、有機発光層に正孔と電子とが注入され、この正孔と電子とが有機発光層で再結合することにより、有機発光層が発光する自発光型の表示素子である。さらに、有機ＥＬ表示素子において、発光効率を増大させるなどの目的から、陽極と有機発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層、又は、有機発光層と陰極との間に電子輸送層、電子注入層などの機能層が適宜選択して設けられている。そして、有機発光層とこれら正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの機能層を合わせて有機発光媒体層と呼ばれている。
【０００３】
有機発光媒体層を形成する有機材料には、低分子材料と高分子材料が有り、良く使用される方法として、低分子材料を真空蒸着法等により薄膜形成する方法がある。このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出にくいという問題がある。また、真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題もある。
【０００４】
そこで高分子材料や低分子材料を溶媒に溶かしてインキとし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法等がある。しかしながら、高精細にパターニングしたりＲＧＢ３色に塗り分けしたりするためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗りわけ・パターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。
【０００５】
これらの有機材料を溶媒に溶解または分散させてインキとした場合、有機材料の溶解性からその濃度を１〜５％前後とする必要がある。このインキを印刷する方法としては、弾性を有するゴム版や樹脂版を用いる凸版印刷法（例えば特許文献１参照）、さらにはインクジェット法（例えば特許文献２参照）などが提案されている。
【０００６】
これら凸版印刷法やインクジェット法にて被印刷基板上に有機発光媒体層を形成する場合、その濃度が１〜５％前後のインキが大幅な濃度変化なく被印刷基板に転移される。したがって、有機発光インキをＲＧＢ三色に塗り分けする場合、有機発光インキが隣の画素まで広がってしまい、混色が生じてしまう。そのため、インキの広がりを抑えるために隔壁を設け、さらに隔壁によって仕切られた画素開口部に有機発光インキを印刷するという方法が用いられている。
【０００７】
隔壁によって仕切られた各画素開口部は一つの有機ＥＬ表示素子を形成しており、有機ＥＬ表示装置はこの有機ＥＬ表示素子をサブピクセルとして複数配置した構成となっている。有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子は、例えばＲＧＢなど３種類の発光特性を持つ構造を規則的に配置して有機ＥＬ表示装置を構成しているが、同一の構造を成す有機ＥＬ表示素子については有機ＥＬ表示装置全面において同様の発光特性を持つことが望ましく、同一構造において同様の発光特性を持つことがムラのない良好な有機ＥＬ表示装置を製造するために重要である。
【０００８】
有機ＥＬ表示素子を構成する有機発光媒体層の各層は通常数ｎｍ〜数十ｎｍの薄膜であり、また場合によっては数ｎｍの膜厚差が生じた場合においても発光特性に変化が生じる。そのため膜厚の均一性を制御することが発光ムラの無い良好な有機ＥＬ表示装置の製造にとって重要な要素となっている。
【０００９】
有機ＥＬ表示装置の製造において、凸版印刷法やインクジェット法による有機発光媒体層の塗膜形成工程は、隔壁で囲まれた画素開口部内に一定量のインキを塗布して、その塗布されたインキが画素開口部内で乾燥されることで膜を形成することになる。
【００１０】
有機ＥＬ表示装置を構成する画素開口部に全面一括で成膜した際に、各画素開口部に塗布されたインキの有機材料濃度を均一にすることは容易であるが、各画素開口部に塗布されたインキの量を均一にすることが難しく、塗布されたインキの量のバラツキが、膜厚バラツキとなり、有機ＥＬ表示装置の発光ムラになるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−３０５０７７号公報
【特許文献２】特開２００８−２１６９４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ表示素子の各画素間の膜厚バラツキを改善し、発光ムラの無い有機ＥＬ表示装置とその製造方法及び製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、画素開口部内にインキを塗布した直後に、インキを除去するための除去版に形成された凸部を、工夫して設計した凸形状パターンとし、画素開口部内に塗布されたインキと接触させることで、画素開口部に塗布されたインキの量の多さに対応したインキ量を除去できることを見出した。すなわち、インキが多い画素開口部からは多くのインキが凸部に転移し画素開口部から除去され、インキの少ない画素開口部からは少ないインキが凸部に転移し画素開口部から除去されるといった処理が可能であることを見出した。それにより、有機ＥＬ表示装置全面の画素開口部に一括でこの処理を実施することで、有機ＥＬ表示装置全面での画素開口部でのインキ量を均一にすることができ、膜厚バラツキを改善しムラの無い有機ＥＬ表示装置の製造が可能となった。
【００１４】
上記の課題を解決する手段として、請求項１に記載の発明は、第一電極形成工程、隔壁形成工程、発光媒体層形成工程、第二電極形成工程とを備えて構成される有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記第一電極形成工程が、画素電極としての第一電極を基板上に形成する工程であり、
前記隔壁形成工程が、第一電極を画素開口部としてその周縁を被覆するように、隔壁を形成する工程であり、
前記発光媒体層形成工程が、前記画素開口部に、単層又は複数層から成る発光媒体層を形成する工程であり、
前記第二電極形成工程が、発光媒体層上に第二電極を形成する工程であって、
前記発光媒体層のうち、少なくとも１層を形成する工程が、次の塗布工程とインキ除去工程とをこの順に有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１）前記発光媒体層の成分を含むインキを、前記画素開口部に、ウエットコーティングする塗布工程。
（２）前記画素開口部に対応して凸部を有する除去版を使用し、この除去版の凸部を画素開口部のインキに接触させ引き剥がすことにより、そのインキの一部を除去するインキ除去工程である。
【００１５】
また請求項２に記載の発明は、前記凸部の表面はインキに対して親インキ処理されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１６】
また請求項３に記載の発明は、前記凸部が２段以上の階段状であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１７】
また請求項４に記載の発明は、前記凸部が２種類以上の異なる高さを持つ凸部から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１８】
また請求項５に記載の発明は、前記凸部の高さが前記隔壁となる絶縁層の高さより低いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１９】
また請求項６に記載の発明は、前記凸部の高さが５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００２０】
また請求項７に記載の発明は、前記ウェットコーティング法が凸版印刷法であることを特徴とする、請求項１〜５いずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００２１】
また請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【００２２】
また請求項９に記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ照明装置である。
【００２３】
また請求項１０に記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施する製造装置である。
【００２４】
また請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置であって、前記インキを前記画素開口部に塗布する手段と、前記画素開口部に塗布されたインキの一部を除去する手段を備えてなり、前記インキの一部を除去する手段は、支持体上に前記画素開口部に対応して形成された凸部を前記画素開口部に塗布されたインキに接触させたのち、引き離す手段を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置である。
【発明の効果】
【００２５】
有機ＥＬ表示装置全面の画素開口部に一括で本発明の製造方法を実施することで、有機ＥＬ表示装置全面での画素開口部内のインキ量を均一にすることができ、膜厚バラツキを改善し発光ムラの無い有機ＥＬ表示装置の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子の一例を示す断面概略図である。
【図２】本発明のアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子の一例を示す上面概略図である。
【図３】従来の有機ＥＬ表示素子の作製工程の一例を示す断面図であり、（ａ）は画素開口部にインキを塗布した直後の状況、（ｂ）は塗布したインキの乾燥後の状況、をそれぞれ示している。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示素子の作製工程の一例を示す断面図であり、（ａ）は画素開口部にインキを塗布した直後の状況、（ｂ）は画素開口部のインキを除去するための除去版の構成、（ｃ）は画素開口部に塗布された直後のインキに除去版の凸部を接触させた状況、（ｄ）は（ｃ）のあと、除去版を引き離した状況であり、除去版の凸部に画素開口部から転移したインキと画素開口部に残留したインキの量が均一化した状況、（ｅ）は（ｄ）のあとインキを乾燥させることで形成された均一化処理層の状況、をそれぞれ示している。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示素子の作製工程の一例を示す断面図であり、除去版の凸部の形状が異なる場合の例を示している。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示素子の作製工程の一例を示す断面図であり、除去版の凸部の構成が異なる（３つに分離し、中央の凸部が最も高く、両サイドの凸部は中央より低い同じ高さ）場合の例を示している。
【図７】本発明の有機ＥＬ表示素子の作製工程の部材位置関係の一例を示す上面図であり、（ａ）は画素開口部と除去版の凸部が上面から見た場合に矩形である図４または図５の除去版の場合の、画素開口部と塗布されたインキと除去版の凸部の配置関係の一例を示す上面図、（ｂ）は（ａ）において除去版の凸部が画素開口部の長手方向に３つに分離した図６の除去版の場合の上面図、をそれぞれ示している。
【図８】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置で使用する凸版印刷装置の一例を示す説明図である。
【図９】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置で使用する凸版印刷装置と膜厚均一化処理ユニットの一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、ここでは、有機ＥＬ表示装置に適用される、図１に示すアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ表示素子１０をボトムエミッション型として本発明に適用した場合について説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、パッシブマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子に適用することも可能であり、また、第１電極側から光を取り出すボトムエミッション型及び第２電極側から光を取り出すトップエミッション型の双方の型で実施することが可能である。
【００２８】
図１は、本発明のアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子１０の概略断面図の一例である。図２は、本発明のアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子１０の概略上面図の一例である。以下、本発明の有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子１０について、図１、図２を参照して説明する。
【００２９】
図１及び図２に示すアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ表示素子１０は、画素ごとに設けられる薄膜トランジスタＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０１と、第１電極１０２（一例として陽極）と、第１電極１０２の周端を覆うように設けられ画素開口部１１２を形成する絶縁層１０３と、画素開口部１１２内で第１電極１０２上に形成される発光媒体層１０４と、発光媒体層１０４上に形成される第２電極１０７（一例として陰極）とを備える。
【００３０】
発光媒体層１０４は１層以上の層構成を持つ有機発光層と、正孔輸送層、正孔注入層、インターレイヤ層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層などの機能層を少なくとも１層以上持った構成となっており、発光媒体層１０４の少なくとも１層以上がウェットコーティング法により形成されたウェットコート層１０５となる。
【００３１】
また、ウェットコート層１０５の少なくとも1層以上について、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法である塗布されたインキの一部を取り除く工程により膜厚均一化処理を施した均一化処理層１０６となる。本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法である、塗布されたインキの一部を取り除く工程について図３〜図７を参照して説明する。ここでインキは、例えば、有機発光層と正孔輸送層をウェットコート層とする場合は、それぞれの層を形成するのに必要な成分からなるものである。
【００３２】
図３は従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法の説明図である。図３（ａ）はウェットコート層１０５を形成するために、インキを画素開口部１１２に塗布した直後の状態を現した概念図であり、インキはまだ乾燥しておらず、塗布直後のインキ１０８はウェットな状態で画素開口部１１２中に入っている。インキを塗布した際に、図３（ａ）の中央の画素が両サイドの画素よりもインキ量が多くなっているように、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子の各画素間の塗布直後のインキ１０８のインキ量にバラツキが生じることがある。
【００３３】
図３（ｂ）は塗布されたインキの乾燥後の概念図である。図３（ｂ）のように、塗布直後のインキ１０８は乾燥してウェットコート層１０５を形成することになるが、画素開口部１１２内の塗布直後のインキ１０８のインキ量の違いに応じて、形成されるウェットコート層１０５に膜厚差が生じることになる。
【００３４】
図４は本発明の有機ＥＬ素子の作製工程の一例の説明図である。図４（ａ）は図３（ａ）と同様にインキを画素開口部１１２に塗布した直後の状態を示した概念図であり、塗布直後のインキ１０８のインキ量が多い画素を含んでいる。図４（ｂ）に除去版の凸部１１０を有する除去版１０９の概念図を示す。図４（ｃ）に塗布直後のインキ１０８に対して除去版の凸部１１０を接触させた際の概念図を示す。図４（ｄ）に塗布直後のインキ１０８と除去版の凸部１１０を接触後に離れた際に、除去版の凸部１１０に転移し除去されたインキ１１３の概念図を示す。図４（ｅ）に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法である塗布されたインキの一部を取り除く工程により膜厚均一化処理を施した後、塗布直後のインキ１０８が乾燥して形成された均一化処理層１０６の概念図を示す。
【００３５】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について図４を用いて詳細を説明する。まず図４（ａ）に示すように画素開口部１１２内にインキを塗布した後、図４（ｂ）に示した除去版１０９を用いて、図４（ｃ）に示すように除去版の凸部１１０と塗布直後のインキ１０８を接触させる。この際、除去版の凸部１１０を絶縁層１０３と接触しないように画素開口部１１２に配置することで、絶縁層１０３には除去版の支持部１１１のみが接触点となる。その結果、除去版の凸部１１０と第一電極１０２からの距離が絶縁層１０３と除去版の凸部の１１０高さで一意的に決まることになり、基板面内で均一に除去版の凸部１１０と第一電極１０２と距離を設定することができる。また、除去版の凸部１１０は画素開口部１１２より小さいことが必要である。そのようにすることで、除去版の凸部１１０が絶縁層１０３と干渉することを避けることが可能となる。除去版の凸部１１０の高さや形状を適切に設計することで、塗布直後のインキ１０８のインキ量に応じて除去版の凸部１１０と塗布直後のインキ１０８との接触面積などの接触の度合いが変わり、除去版の凸部１１０に転移する除去されたインキ１１３の量を変化させることになり、画素開口部１１２に残留するインキの量を一定の量に規定する様に機能する。すなわち、塗布直後のインキ１０８の分量が多い画素開口部１１２については、除去版の凸部１１０に転移する除去されたインキ１１３の量も多くなり、逆に塗布直後のインキ１０８の分量が少ない画素開口部１１２については除去されたインキ１１３の量も少なくなる。その結果、画素開口部１１２中のインキ量を均一化することができ、乾燥後に膜厚が有機ＥＬ表示装置の全面で均一化した均一化処理層１０６を得ることが出来る。
【００３６】
図４を用いて説明した実施の形態については絶縁層１０３と除去版の支持部１１１を接触させるとしたため、除去版の凸部１１０の高さについては絶縁層１０３よりも低いことが望ましく、また絶縁層１０３は通常５μｍ以下であることから、除去版の凸部１１０の高さは５μｍ以下であることが望ましい。
【００３７】
また、除去版の凸部１１０と塗布直後のインキ１０８の相互の位置を精密に制御するということも可能である。その場合は、除去版の凸部１１０の高さについては、絶縁層１０３の高さより低くする必要は必ずしも無く、画素開口部１１２内の塗布直後のインキに接触できる高さであれば構わない。
【００３８】
図５に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例として、図４とは異なる形状の除去版の凸部１１０を使用した例について説明する。図５（ａ）に示すような除去版の凸部１１０が階段状の段差を形成して山型の除去版である場合には、図５（ｂ）のように除去版の凸部１１０と塗布直後のインキ１０８が接触した際に、塗布直後のインキ１０８のインキ量の違いに応じて、山型の除去版の凸部１１０の高さ（図５（ａ）に、凸部高さ、と記載）の違いにより接触する面積を変化させることが可能であり、その結果、図５（ｃ）のように除去版の凸部１１０に転移する除去されたインキ１１３の量も変化することとなる。また左右対称の山型ではなく、２段以上の階段状であっても同様である。重要なことは、除去版の凸部１１０が画素開口部１１２内のインキとどの程度接触するかによって、すなわち、接触の度合いによって、更に具体的には、除去版の凸部１１０の表面積がどの程度画素開口部内のインキと接触するかによって、除去版の凸部１１０に転移するインキの量が変わる。その接触面積が増えるほど除去版の凸部１１０に転移するインキの量も増加する。
【００３９】
また図６に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例として、図４、図５とは異なる形状の除去版の凸部１１０を使用した例について説明する。図６（ａ）に示すような除去版の凸部１１０が、隣り合う凸部が異なる高さの２つ以上に分離した凸部で構成される場合についても、図５（ｂ）のように除去版の凸部１１０と塗布直後のインキ１０８が接触した際に、塗布直後のインキ１０８のインキ量の違いに応じて、除去版の凸部１１０の高さの違いにより接触する面積を変化させることが可能であり、その結果、図６（ｃ）のように除去版の凸部１１０に転移し除去されるインキ１１３の量も変化することとなる。隣り合う凸部の高さが異なる２つ以上に分離した凸部で構成される場合の一例として、図６（ａ）には、３つに分離し、中央の凸部が最も高く、隣接する左右の凸部がそれより低く、同じ高さの例を示した。これに限定する必要はなく、凸部の高さが単調に高くなったり、逆に低くなったりしても良い。除去版の凸部１１０と画素開口部１１２内のインキとの接触の度合いによって、そのインキと接触する除去版の凸部１１０の表面積が変化することによって、除去版の凸部１１０に転移するインキの量が変化する。
【００４０】
図４、図５、図６にいくつかの形状の除去版の凸部１１０の例を示したが、その形状についてはこの限りではない。除去版の凸部１１０の高さや形状に関しては、ＴＦＴ基板側の絶縁層の高さや画素開口部の設計、狙い膜厚、インキ粘度、塗布されたインキの量などのファクターに応じて適切に設計することで、より効果の大きい膜厚均一化処理が可能となる。
【００４１】
図７に画素開口部１１２と塗布直後のインキ１０８と除去版の凸部１１０の配置関係の一例として有機ＥＬ表示素子の上面図を示す。図７（ａ）は例として除去版の凸部１１０が図４や図５のような矩形の形状を持つ場合の画素開口部１１２と塗布直後のインキ１０８と除去版の凸部１１０の配置関係を表した上面図である。図７（ｂ）は例として除去版の凸部１１０が図６のような画素開口部１１２の長手方向に一列に並んで複数の矩形に分離した形状を持つ場合の画素開口部１１２と塗布直後のインキ１０８と除去版の凸部１１０の配置関係を表した上面図である。図７（ａ）、（ｂ）に示すように除去版の凸部１１０が画素開口部１１２中に入っていればよく、面積や配置関係などはこの限りではない。
【００４２】
除去版の凸部１１０の表面については、塗布直後のインキ１０８との接触により、インキの一部を除去版の凸部１１０に転移させるために、インキをその凸部上に保持しやすい親インキ性を持っていることがより好ましい。但し、除去版の凸部１１０と塗布直後のインキ１０８とを接触させた際に、塗布直後のインキ１０８のインキ量に応じて除去版の凸部１１０に転移される除去されたインキ１１３の量が変化すればよく、その表面のインキとの塗れ性については、親インキ性に限定しない。
【００４３】
＜基板＞
本発明で用いることのできるＴＦＴ基板１０１（図１参照）としては、ＴＦＴ基板１０１に積層される電極や発光媒体層１０４を支持することができればよい。さらに、ＴＦＴ基板１０１には、有機発光媒体層１０４や電極の劣化を防ぐために、水分や酸素の透過率の低い材料や、透過を防ぐ処理を施してあることが好ましい。有機ＥＬ表示装置をアクティブマトリクス駆動とする場合には基板として薄膜トランジスタを形成したＴＦＴ基板１０１を用いることができるが、アクティブマトリクス駆動しない場合は、ＴＦＴ基板１０１ではなく、単純マトリクス用の電極パターンが形成された基板を使用することができる。
【００４４】
ＴＦＴ基板１０１やそれ以外の基板の材料としては、ステンレスや鉄などの金属、ガラス、プラスチックのフィルムまたはシートを用いることができる。０．２〜１．０ｍｍの薄いガラス基板を用いれば、水分や酸素に対するバリア性が非常に高い薄型の有機ＥＬ素子を作製することができる。第一電極１０２側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子とする場合には、ガラスやプラスチック等の透光性を備えている基板を用いる。
【００４５】
可撓性のあるプラスチック製のフィルムを用いれば、巻き取りにより連続的に有機ＥＬ素子の製造が可能であり、安価に素子を提供することができる。基板として用いることのできるプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート等を用いることができる。また、第一電極１０２を形成しない側にセラミック蒸着フィルムやポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物等の他のガスバリア性フィルムを積層すれば、よりバリア性が向上し、寿命の長い有機ＥＬ素子とすることができる。
【００４６】
＜第一電極＞
第一電極１０２には、透明または半透明の電極を形成することのできる導電性物質を好適に使用することができる。
【００４７】
第一電極１０２が陽極である場合、例えば、インジウムと錫の複合酸化物（以下、ＩＴＯと略す）、インジウムと亜鉛の複合酸化物（以下、ＩＺＯと略す）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等が挙げられる。特に、低抵抗であること、耐溶剤性があること、透明性が高い等からＩＴＯを好ましく用いることができ、前記基板１０１上に蒸着またはスパッタリング法などにより成膜することができる。
【００４８】
また、オクチル酸インジウムやアセトンインジウムなどの前駆体を基板１０１上に塗布後、熱分解により酸化物を形成する塗布熱分解法等により形成することもできる。あるいは、金属としてアルミニウム、金、銀等の金属を半透明状に蒸着することもできる。あるいはポリアニリン等の有機半導体も用いることができる。
【００４９】
第一電極１０２は、必要に応じてエッチング等によりパターニングを行うことができる。また、ＵＶ処理、プラズマ処理などにより表面の活性化を行うこともできる。
【００５０】
＜絶縁層＞
次に、絶縁層１０３を形成する方法について説明する。絶縁層１０３は、画素電極である第１電極１０２の周端を覆うことにより、単位画素に対応した発光領域を絶縁層１０３で区画するように画素開口部１１２形成する。
【００５１】
絶縁層１０３の形成方法としては、従来と同様、ＴＦＴ基板１０１上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基板１０１上に感光性樹脂を積層し、フォトリソグラフィ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。絶縁層１０３及び絶縁層１０３に使用する材料は任意であるが、絶縁層１０３には無機材料や感光性樹脂を使用することがより望ましい。絶縁層１０３の膜厚は０．５μｍ以上５μｍ以下が好ましい。
【００５２】
＜発光媒体層＞
次に、発光媒体層１０４について説明する。発光媒体層１０４は１層以上の層構成を持つ有機発光層と、正孔輸送層、正孔注入層、インターレイヤ層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層などの機能層を少なくとも１層以上持った構成となっており、機能層の１層以上がウェットコーティング法により形成されたウェットコート層１０５となる。また、ウェットコート層１０５の少なくとも１層について、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法である塗布されたインキの一部を取り除く工程により膜厚均一化処理を施した、均一化処理層１０６となっている。ウェットコート層１０５は有機発光層よりも第１電極１０２側に形成されていることがより好ましい。発光媒体層１０４の一例として、正孔注入層、インターレイヤ、有機発光層、電子輸送層が順次設けられる構成が挙げられ、正孔注入層、インターレイヤ層がウェットコート層１０５となり、有機発光層が均一化処理層１０６となるといった構成が考えられる。
【００５３】
正孔注入層は第一電極１０２から正孔を注入する機能を有する。正孔注入層の物性値としては、第一電極１０２の仕事関数と同等以上の仕事関数を有することが好ましい。これは画素電極である第一電極１０２からインターレイヤへ効率的に正孔注入を行うためである。画素電極の材料により異なるが４．５ｅＶ以上６．５ｅＶ以下を用いることができ、画素電極がＩＴＯやＩＺＯの場合、５．０ｅＶ以上６．０ｅＶ以下が好適に用いることが可能である。正孔注入層の比抵抗に関しては、膜厚３０ｎｍ以上の状態で、１×１０３〜２×１０６Ω・ｍであることが好ましく、より好ましくは５×１０３〜１×１０６Ω・ｍである。また、ボトムエッション構造では画素電極側から放出光を取り出すため、光透過性が低いと取り出し効率が低下してしまうため、可視光波長領域の全平均で７５％以上が好ましく、８５％以上ならばより好適に用いることが可能である。
【００５４】
正孔注入層を構成する材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物等の高分子材料を用いることができる。この他にも、導電率が１０−２Ｓ／ｃｍ以上１０−６Ｓ／ｃｍ以下である導電性高分子を好ましく用いることができる。高分子材料は、湿式法による成膜工程に使用可能である。このため、正孔注入層を形成する際に高分子材料を用いることが好ましい。このような高分子材料は、水又は溶剤によって分散或いは溶解され、分散液又は溶液として使用される。
【００５５】
正孔注入材料として無機材料を用いる場合、無機材料としては、Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，ＦｅＯｘ（ｘ≧０．１）ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｐｒ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＭｏＯ２，Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２，ＴｈＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ
２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＭｎＯ２などを用いて真空蒸着法やスパッタ法により形成する。ただし材料はこれらに限定されるものではない。
【００５６】
正孔注入層を形成した後、インターレイヤを形成する。このインターレイヤを形成する際に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種ウェットコーティング法や凸版印刷法やインクジェット法などの各種印刷法を用いて形成される。また無機材料では、Ｃｕ２Ｏ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｐｒ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＭｏＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＭｎＯ２等の遷移金属酸化物およびこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物が挙げられる。ただし、本発明はこれらに限定されるわけではない。
【００５７】
インターレイヤを形成した後、有機発光層を形成する。この有機発光層は、電流を流すことにより発光する層であり、有機発光層を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ‘−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが、本発明ではこれらに限定されるわけではない。
【００５８】
これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
【００５９】
上述した高分子材料に加え、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラ−トシル）アミノキノリン］亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。
【００６０】
有機発光層の形成法としては、ウェットコーティング法が好ましく、インクジェット法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの既存の成膜法を用いることができる。
【００６１】
ここで、本発明の実施の形態では、発光媒体層１０４の一例として正孔注入層、インターレイヤ、有機発光層を形成したが、これらの層構成は、使用する材料等に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、さらに、有機発光層と陰極としての第２電極１０７との間に、電子輸送層及び電子注入層の両方又は何れか一方を設けるようにしてもよい。
【００６２】
＜印刷法による発光媒体層の形成方法＞
発光媒体層１０４を形成する方法としては蒸着法やスパッタ法などの真空成膜とウェットコーティング法がある。ウェットコーティング法にて塗りわけを行う場合の印刷法としては、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法などの有版印刷法や、インクジェット法、ノズル印刷法等の無版印刷法を用いることができる。
【００６３】
特に凸版印刷法は、塗布するインキの粘性特性が良好な粘度範囲で、ＴＦＴ基板１０１を傷つけることなく印刷することができ、塗布するインキの利用効率が良いため好ましい。
【００６４】
発光媒体層１０４のウェットコート層１０５を塗布形成する方法の一例として凸版印刷法により形成する場合には、図８に示すような、発光媒体層１０５の材料を有する塗布されたインキを、画素電極等が形成された被印刷基板２０１上に直接塗布する凸版印刷装置２００を用いることが出来る。なお、ウェットコート層１０５の形成方法はこれに限るものではない。
【００６５】
凸版印刷装置２００は、インキタンク２０２、インキチャンバ２０３、アニロックスロール２０４、凸版が設けられた印刷版２０６がマウントされた版胴２０７を有している。インキタンク２０２には、ウェットコート層１０５の材料を有するインキ２０５が収容されており、インキチャンバ２０３にはインキタンク２０２よりインキ２０５を送り込むことができる。アニロックスロール２０４はインキチャンバ２０３のインキ供給部に接して回転可能に支持されている。インキ供給部はインキ溜まりにアニロックスロールが浸かるインキ壷、又はアニロックスロール上にインキを吐出するダイコーターを用いることが出来る。
【００６６】
アニロックスロール２０４の回転に伴い、アニロックスロール２０４の表面に供給されたインキ２０５は均一なインキ量にて形成される。このインキ２０５はアニロックスロール２０４に近接して回転駆動される版胴２０７にマウントされた印刷版２０６の凸部に転移する。
【００６７】
移動定盤２０８には、被印刷基板２０１が印刷版２０６の凸部による印刷版接触位置にまで図示していない搬送手段によって搬送されるようになっている。そして、印刷版２０６の凸部にあるインキ２０５は被印刷基板２０１に印刷される。
【００６８】
印刷完了後、乾燥工程を経ることで、被印刷基板２０１上に、好適にウェットコート層１０５を成膜することができる。
【００６９】
凸版が設けられた印刷版２０６は、感光性樹脂凸版が好ましい。感光性樹脂凸版は、露光した樹脂版を現像する際に用いる現像液が有機溶剤である溶剤現像タイプのものと現像液が水である水現像タイプのものがあるが、溶剤現像タイプのものは水系のインキに対し耐性を示し、水現像タイプのものは有機溶剤系のインキに耐性を示す。ウェットコート層１０５の材料を有する塗布されたインキの特性に従い、溶剤現像タイプ、水現像タイプを好適に選ぶことができる。
【００７０】
ウェットコート層１０５の中で、膜厚を均一にする処理を施した均一化処理層１０６を形成する方法の一例として、回転駆動する版胴３０１と版胴３０１にマウントされた凸部パターンを持つ除去版３０２で構成された、膜厚均一化処理ユニット３００を、図９に示すような、前述した凸版印刷装置２００と同じ移動定盤２０８上に備えることによって実施することができる。
【００７１】
前述した方法で印刷版２０６の凸部にあるインキ２０５を被印刷基板２０１に対して印刷した直後に、移動定盤２０８は膜厚均一化処理ユニット３００に移動し、被印刷基板２０１上にあるインキ２０５の一部を除去版３０２に転移することで、被印刷基板２０１面内で乾燥後に均一な膜厚となるようにインキ量を均一化することが出来る。
【００７２】
膜厚均一化処理ユニット３００の一例として、回転駆動する版胴３０１を備えた構成について説明を行ったが、本発明の効果を得ることができれば除去版３０２を保持する方法についてはこの限りではなく、例えば平板上などに保持するといった方法で、インキと除去版の凸部を接触させるといった構成でも構わない。
【００７３】
除去版３０２の凸部は樹脂や金属など任意に選択することが出来る。より好ましくはインキ２０５に対して親インキ性を持つことが望ましい。
【００７４】
＜第二電極＞
第二電極１０７を陰極とする場合には、発光媒体層１０５への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。具体的にはＭｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体層１０５と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。
【００７５】
第二電極１０７の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。
【００７６】
＜封止体＞
有機ＥＬ素子に周囲の雰囲気が浸入しないようにするために通常は、外部と遮断するために封止材と樹脂層とを有する封止体を設けることができる。あるいはキャップ状の封止材と接着剤を用いて密閉封止した封止体の構成としても良い。
【００７７】
封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、封止材の材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００７８】
樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミネート法、溶融・ホットメルト法カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬ素子の大きさや形状により任意に決定されるが、５μｍ〜５００μｍが望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ＥＬ素子側に形成することもできる。
【００７９】
最後に、有機ＥＬ素子と封止体との貼り合わせを行う。封止体を、封止材と樹脂層の２層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。
【００８０】
こうして本発明による有機ＥＬ素子を製造することができる。本発明の課題を解決し、効果を得ることができるかぎり、他の構成要素は任意に置き換えが可能である。以上、ＴＦＴ基板１０１を基板として用いた場合について説明してきたが、ＴＦＴ基板１０１に限定するものではない。
有機ＥＬ素子としては、単一の第一電極と第二電極を対向するように配置し、全面を発光させる単純な構造の他、情報表示可能なディスプレイ用途に向く駆動方式として、第一電極と第二電極を互いに直交するストライプ状に形成し、交点への電流の印加によって発光させるパッシブマトリクス型の有機ＥＬ素子とすることも、一方の電極を複数の画素に区画し、それぞれの画素にトランジスタを形成し個別に電流のオン−オフを可能としたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子とすることもできる。
また、本明細書では光の取り出し方向が基板側であるボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子について主に説明したが、第二電極及び封止方法を透光性のものとし、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造とすることもできる。また、第一電極を陰極とし、第二電極を陽極とし、有機発光媒体層の積層順を逆とすることもできる。
【実施例】
【００８１】
以下に本発明の実施例及び比較例を示す。
（実施例１）
【００８２】
基板として、支持体上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、その上方に形成された画素電極とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。基板のサイズは３００ｍｍ×３００ｍｍでその中に対角１０．４インチ、画素数は１０２４×７６８のディスプレイが中央に配置されている。
【００８３】
画素用の電極としてＩＴＯを用いた。ＩＴＯはスパッタリングにより形成し、膜厚は４０ｎｍとし、そのＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ法と酸溶液によるエッチングによってパターニングを行った。
【００８４】
次に、基板上に設けられた画素電極の周端を被覆し画素発光領域となるように開口部を絶縁層により形成した。この絶縁層は、ポジレジストを用いて、スピンコーター法にて基板全面に厚み２μｍで形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングして形成した。画素を構成するサブピクセルの開口部の開口は４２μｍ×１４２μｍの長方形パターンとした。
【００８５】
次に、電極と絶縁層の表面上に、正孔注入材料として、厚さ１０ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、真空蒸着法により積層させ、正孔注入層を形成した。蒸発源と基板との距離は３００ｍｍ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記基板表面の法線方向とのなす角度が０度となる位置に設置した。
【００８６】
次に、正孔輸送材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度１．５重量％になるようにアニソールに溶解させたインキを用いて、上述した正孔注入層まで形成した基板を被印刷基板として、凸版印刷装置にセッティングし、絶縁層に挟まれた開口部の真上にそのラインパターンに合わせて正孔輸送層を凸版印刷法にて成膜し、ベークにより架橋させ膜を形成した。
【００８７】
印刷、ベーク乾燥後の正孔輸送層について、接触式膜厚計を用いて、基板面内のエリアを２５分割して各エリア３画素について膜厚を測定し、測定結果の平均値を算出した。その結果、画素中央部膜厚は基板面内２５点で平均２５ｎｍとなった。
【００８８】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンピニレン誘導体を濃度２重量％になるようにアニソールに溶解させた有機発光インキを用い、上述した正孔輸送層までを形成したアクティブマトリックス基板を被印刷基板として、凸版印刷装置にセッティングし、開口部の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光インキを凸版印刷法で塗布した。
【００８９】
次に、凸版印刷法で塗布した直後に、先ほどインキを塗布した凸版印刷装置と並列に設置された、回転駆動する版胴と版胴にマウントされた凸部パターンを持つ除去版を有した膜厚均一化処理ユニットにて、成膜した全ての画素について、塗布したインキと除去版の凸部を接触させることで画素内に塗布されたインキの量を均一化する処理を行った。この際、１つのサブピクセル画素に対応する凸部のパターン形状は、正方形で寸法１５μｍ、高さ１．０μｍの凸パターンを１つと、正方形で寸法１５μｍ、高さ０．７μｍのパターンを２つと、正方形で寸法１５μｍ、高さ０．４μｍの凸パターンを２つ配置した。
【００９０】
印刷、ベーク乾燥後の有機発光層について、接触式膜厚計を用いて基板面内のエリアを２５分割して各エリア３画素について膜厚を測定し、測定結果の平均値および標準偏差を算出した。その結果、画素中央部膜厚は、基板面内２５点での平均値は５５．３ｎｍ、最大値と最小値の差は６．１ｎｍ、標準偏差は１．９となった。
【００９１】
次に、対向電極として真空蒸着法でＢａ膜を、メタルマスクを用いて膜厚４ｎｍに成膜した後、Ａｌ膜を真空蒸着法によりメタルマスクを用いて膜厚２５０ｎｍに成膜した。そして、キャップ型封止ガラスと接着剤を、発光領域をカバーするように載せ、約９０℃、１時間接着剤を熱硬化して密閉封止し、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００９２】
このようにして作製したアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬ表示装置は発光させた状態にて目視検査で発光ムラは見えなかった。
【００９３】
（比較例１）
基板として、支持体上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、その上方に形成された画素電極とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。基板のサイズは３００ｍｍ×３００ｍｍでその中に対角１０．４インチ、画素数は１０２４×７６８のディスプレイが中央に配置されている。
【００９４】
画素用の電極としてＩＴＯを用いた。ＩＴＯはスパッタリングにより形成し、膜厚は４０ｎｍとし、そのＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ法と酸溶液によるエッチングによってパターニングを行った。
【００９５】
次に、基板上に設けられた画素電極の周端を被覆し画素発光領域となるように開口部を絶縁層により形成した。この絶縁層は、ポジレジストを用いて、スピンコーター法にて基板全面に厚み２μｍで形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングして形成した。開口部の開口は４２μｍ×１４２μｍの長方形パターンとした。
【００９６】
次に、電極と絶縁層の表面上に、正孔注入材料として、厚さ１０ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、真空蒸着法により積層させ、正孔注入層を形成した。蒸発源と基板との距離は３００ｍｍ、前記基板表面中心から前記蒸着源方向と前記基板表面の法線方向とのなす角度が０度となる位置に設置した。
【００９７】
次に、正孔輸送材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度１．５重量％になるようにアニソールに溶解させたインキを用いて、上述した正孔注入層まで形成した基板を被印刷基板として、凸版印刷装置にセッティングし、絶縁層に挟まれた開口部の真上にそのラインパターンに合わせて正孔輸送層を凸版印刷法にて成膜し、ベークにより架橋させ膜を形成した。
【００９８】
印刷、ベーク乾燥後の正孔輸送層について、接触式膜厚計を用いて基板面内のエリアを２５分割して各エリア３画素について膜厚を測定し、測定結果の平均値を算出した。その結果、画素中央部膜厚は平均２５ｎｍとなった。
【００９９】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度１．５重量％になるようにアニソールに溶解させた有機発光インキを用い、上述した正孔輸送層までを形成した基板を被印刷基板として、凸版印刷装置にセッティングし、第２絶縁層に挟まれた第２開口部の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光層を凸版印刷法で印刷した。
【０１００】
印刷、ベーク乾燥後の有機発光層について、接触式膜厚計を用いて基板面内のエリアを２５分割して各エリア３画素について膜厚を測定し、測定結果の平均値を算出した。その結果、画素中央部膜厚は、基板面内２５点での平均値は５５．４ｎｍ、最大値と最小値の差は１４．４ｎｍ、標準偏差は４．１となった。
【表１】
2015090752.tif 000003
【０１０１】
次に、対向電極として真空蒸着法でＢａ膜を、メタルマスクを用いて膜厚４ｎｍに成膜した後、Ａｌ膜を真空蒸着法によりメタルマスクを用いて膜厚２５０ｎｍに成膜した。そして、キャップ型封止ガラスと接着剤を、発光領域をカバーするように載せ、約９０℃、１時間接着剤を熱硬化して密閉封止し、有機ＥＬ表示素子を作成した。
【０１０２】
このようにして作成したアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬ表示装置は発光させた状態にて目視検査で発光ムラが確認された。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  ：有機ＥＬ表示素子
１０１：ＴＦＴ基板
１０２：第１電極
１０３：絶縁層
１０４：発光媒体層
１０５：ウェットコート層
１０６：均一化処理層
１０７：第２電極
１０８：塗布直後のインキ
１０９：除去版
１１０：除去版の凸部
１１１：除去版の支持部
１１２：画素開口部
１１３：除去されたインキ
２００：凸版印刷装置
２０１：被印刷基板
２０２：インキタンク
２０３：インキチャンバ
２０４：アニロックスロール
２０５：塗布されたインキ
２０６：印刷版
２０７：版胴
２０８：移動定盤
３００：膜厚均一化処理ユニット
３０１：版胴
３０２：除去版
【図１】
2015090752.tif 000004
【図２】
2015090752.tif 000005
【図３】
2015090752.tif 000006
【図４】
2015090752.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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