(57)【要約】【課題】隣接する導体を通流する電流による誘導磁界の影響を除去可能な簡単な構造の電流センサを提供すること。【解決手段】  電流センサ１では、磁電変換素子１０２、導体１０１、磁電変換素子１０３、導体１１１を順に配置する。磁電変換素子１０２，１０３は、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２が同じ向き、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２が同じ向きとなるように配置されている。磁電変換素子ｌ０２，１０３は、誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生し、且つ、誘導磁界Ｈ２によって同極性の一対の出力を発生する。そして、磁電変換素子１０２，１０３の出力を差動演算することで、誘導磁界Ｈ２の影響をキャンセルする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体と第２の導体とが互いに平行な場合に、前記第１の導体の電流路を流れる電流によって発生する磁気を検出し、磁界の影響を最も大きく受ける主感度軸と当該主感度軸に対して所定の角度を持ち検出感度に影響を及ぼす感度影響軸を有する第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子を備えた電流センサであって、
前記第１の磁電変換素子は、前記第１の導体に対して前記第２の導体と反対側に設けられ、
前記第２の磁電変換素子は、前記第１の導体に対して前記第２の導体側に設けられ、
前記第１の磁電変換素子の主感度軸と、前記第２の磁電変換素子の主感度軸とが同一方向を向いており、
前記第１の磁電変換素子の感度影響軸と、前記第２の磁電変換素子の感度影響軸とが同一方向を向いている
ことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記第１の磁電変換素子の主感度軸と、前記第２の磁電変換素子の主感度軸とが同一の向きであり、
前記第１の磁電変換素子の感動影響軸と、前記第２の磁電変換素子の感動影響軸とが同一の向きである
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記第１の磁電変換素子の主感度軸と、前記第２の磁電変換素子の主感度軸とが逆向きであり、
前記第１の磁電変換素子の感動影響軸と、前記第２の磁電変換素子の感動影響軸とが逆向きである
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記第１の磁電変換素子及び前記第２の磁電変換素子は、配線基板に設けられ、
前記配線基板の法線方向と前記第１の導体を流れる電流の方向が同じであり、
前記第１の磁電変換素子と前記第２の磁電変換素子の出力の差または和を出力する演算部をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項５】
前記第１の導体及び前記第２の導体の断面の幅は、厚みより長い板状であり、
前記第１の導体及び前記第２の導体が並んでいる方向は、前記第１の導体及び前記第２の導体の厚み方向であり、
前記第１の磁電変換素子と前記第２の磁電変換素子とは、前記第２の導体を厚み方向に挟むように配置されている
ことを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の電流センサ。
【請求項６】
前記第１の導体及び前記第２の導体、前記第１の磁電変換素子、及び前記第２の磁電変換素子は、いずれも前記回路基板の表面に直交する同一平面に位置する
ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の電流センサ。
【請求項７】
前記第１の磁電変換素子と、前記第２の磁電変換素子とは、前記第１の導体の幅方向中央に位置することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項８】
前記第１の磁電変換素子に対して前記第１の導体の反対側と、前記第２の磁電変換素子に対して前記第２の導体の側とにそれぞれ磁気シールドを備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項９】
前記第１の磁電変換素子及び前記第２の磁電変換素子は、それぞれの前記主感度軸が前記第２の導体の電流路と直交し、且つ、前記それぞれの前記感度影響軸が前記主感度軸と直交し且つ前記第２の導体の電流路と直交するか同一方向を向くように配置されている
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項１０】
前記第１の導体及び前記第２の導体は、それぞれ、薄板部と、前記薄板部の両側の厚板部とを有し、
前記第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子は、前記第１の導体の薄板部を挟むように配置されたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体を流れる電流を非接触で測定可能な電流センサに関し、特に、電流により生じる磁界を検出して電流値を測定する電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
被測定電流により生じる誘導磁界に基づき、非接触で電流値を測定可能な電流センサが実用化されている。この電流センサは、誘導磁界を検出するための磁電変換素子を備えており、磁電変換素子で検出される磁界強度を基に被測定電流の電流値を算出する。磁電変換素子としては、例えば、ホール効果を利用して磁界強度を電気信号に変換するホール素子や、磁界による電気抵抗値の変化を利用する磁気抵抗効果素子などが用いられる。
【０００３】
非接触型の電流センサは、例えば、モーター駆動用のインバータを流れる電流を測定するために用いられることがある。インバータには複数相の電流が流れるので、当該用途において高い電流測定精度を実現するには、他相の電流により生じる誘導磁界の影響を適切に除去する必要がある。このような目的のため、電流路を構成する複数の導体を一つの平面内に配置すると共に、その平面に対して対称に磁気センサを配置した構成の電流センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００６／０９０７６９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の電流センサにおいて、磁気センサは、他相の電流による誘導磁界の影響を受けにくくなるように配置されているので、ある程度の電流測定精度は維持される。しかしながら、他相の電流による誘導磁界の影響を完全に取り除くためには、電流路に対して磁気センサを傾けて配置することが必要となる。しかし、一対の磁気センサを傾けて配置すると、平行に加わる地磁気の影響を除去できなくなり、電流測定精度を充分に高めることができない。
【０００６】
また、高感度の磁電変換素子においては、感度軸に対して直交する方向に検出感度に影響を及ぼす軸（以下、「感度影響軸」という）が生じる場合がある。このような高感度の磁電変換素子を備えた電流センサにおいては、被測定電流からの誘導磁界の方向に対して感度軸が所定の角度をなすように磁電変換素子を配置した場合には、感度軸の方向から印加された誘導磁界に基づく出力信号に加えて、感度影響軸の方向から印加された誘導磁界が測定精度に影響を及ぼす場合がある。例えば、感度影響軸の方向から印加された誘導磁界により、感度軸の方向の検出感度そのものが影響を受けて感度変化する場合や、感度影響軸の方向から印加された誘導磁界による出力信号により感度変化が生じる場合がある。このような感度変化は、電流センサの検出精度を落とす要因となる。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、隣接する導体を通流する電流による誘導磁界の影響を除去可能な簡単な構造の電流センサを提供することを目的とする。
また、本発明は、磁電変換素子の感度影響軸に起因した検出精度の低下を抑制できる電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電流センサは、第１の導体と第２の導体とが互いに平行な場合に、前記第１の導体の電流路を流れる電流によって発生する磁気を検出し、磁界の影響を最も大きく受ける主感度軸と当該主感度軸に対して所定の角度を持ち検出感度に影響を及ぼす感度影響軸を有する第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子を備えた電流センサであって、前記第１の磁電変換素子は、前記第１の導体に対して対向する前記第２の導体と反対側に設けられ、前記第２の磁電変換素子は、前記第１の導体に対して対向する前記第２の導体側に設けられ、前記第１の磁電変換素子の主感度軸と、前記第２の磁電変換素子の主感度軸とが同一方向を向いており、前記第１の磁電変換素子の感度影響軸と、前記第２の磁電変換素子の感度影響軸とが同一方向を向いていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、簡単な構成で、第１の導体の電流による誘導磁界に応じた第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子の出力（出力変化）の第１の極性関係を同極性あるいは逆極性し、且つ、第２の導体の電流による誘導磁界に応じた第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子の出力（出力変化）の第２の極性関係を、上記第１の極性関係とは逆にすることが可能になる。そのため、第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子の出力を、和演算あるいは差動演算することで、第１の導体の電流による誘導磁界を強め、第２の導体の電流による誘導磁界を低減した演算結果を得ることができる。
【００１０】
好適には、本発明の電流センサは、前記第１の磁電変換素子の主感度軸と、前記第２の磁電変換素子の主感度軸とが同一の向きであり、前記第１の磁電変換素子の感動影響軸と、前記第２の磁電変換素子の感動影響軸とが同一の向きである。この構成によれば、第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子の出力を、差動演算することで、第１の導体の電流による誘導磁界を強め、第２の導体の電流による誘導磁界を低減した演算結果を得ることができる。
【００１１】
好適には、本発明の電流センサは、前記第１の磁電変換素子の主感度軸と、前記第２の磁電変換素子の主感度軸とが逆向きであり、前記第１の磁電変換素子の感動影響軸と、前記第２の磁電変換素子の感動影響軸とが逆向きである。この構成によれば、第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子の出力を、和演算することで、第１の導体の電流による誘導磁界を強め、第２の導体の電流による誘導磁界を低減した演算結果を得ることができる。
【００１２】
好適には、本発明の電流センサは、前記第１の磁電変換素子及び前記第２の磁電変換素子は、配線基板に設けられ、前記配線基板の法線方向と前記第１の導体を流れる電流の方向が同じであり、前記第１の磁電変換素子と前記第２の磁電変換素子の出力の差または和を出力する演算部をさらに有する。この構成によれば、２つの磁電変換素子が同一の配線基板に設けられることから、２つの磁電変換素子の相対的な位置精度を高くでき、測定精度を高めることができる。
【００１３】
好適には、本発明の電流センサは、前記第１の導体及び前記第２の導体の断面の幅は、厚みより長い板状であり、前記第１の導体及び前記第２の導体が並んでいる方向は、前記第１の導体及び前記第２の導体の厚み方向であり、前記第１の磁電変換素子と前記第２の磁電変換素子とは、前記第２の導体を厚み方向に挟むように配置されている。この構成によれば、磁電変換素子近傍の磁界の向きが、ほぼ直線となるので、磁電変換素子の位置が少しずれても、測定精度が悪化を防げる。
【００１４】
好適には、本発明の電流センサは、前記第１の導体及び前記第２の導体、前記第１の磁電変換素子、及び前記第２の磁電変換素子は、いずれも前記回路基板の表面に直交する同一平面に位置する。この構成によれば、第１の導体を流れる電流が発生する磁界と、第２の導体を流れる電流が発生する磁界とが同一方向となるので、双方の磁界の向きを２つの磁電変換素子の感度影響軸と直交させることができ、測定精度を向上させることができる。
【００１５】
好適には、本発明の電流センサは、前記第１の磁電変換素子と、前記第２の磁電変換素子とは、前記第１の導体の幅方向中央に位置する。この構成によれば、磁電変換素子近傍の磁界の向きが、ほぼ直線となるので、磁電変換素子の位置が少しずれても、測定精度が悪化を防げる。
【００１６】
本発明の電流センサにおいて、前記第１の磁電変換素子と対向する前記第１の導体の反対側と、前記第２の磁電変換素子と対向する前記第２の導体の側とにそれぞれ磁気シールドを備えたことが好ましい。この構成によれば、前記平面に交差する一対の磁気シールドが、前記第１の導体、前記第１の磁電変換素子、及び前記第２の磁電変換素子を挟むように配置される。よって、一対の磁気シールドによって第２の導体を通流する電流による誘導磁界の影響をさらに低減できるので、より高い電流測定精度を実現できる。
【００１７】
本発明の電流センサにおいて、前記第１の導体及び前記第２の導体は、それぞれ、薄板部と、前記薄板部の両側の厚板部とを有し、前記第１の磁電変換素子及び第２の磁電変換素子は、前記第１の導体の薄板部を挟むように配置されたことが好ましい。この構成によれば、厚板部により第１の導体の電気抵抗は低下されるので、被測定電流の通流による発熱を抑制できる。その結果、より高い電流測定精度を実現可能になる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、隣接する導体を通流する電流による誘導磁界の影響を除去可能な簡単な構造の電流センサを提供できる。
また、本発明によれば、磁電変換素子の感度影響軸に起因した検出精度の低下を抑制できる電流センサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態１に係る電流センサの構成例を示す模式図である。
【図２】実施の形態１に係る電流センサの回路構成を示すブロック図である。
【図３】比較例としての電流センサの構成例を示す模式図である。
【図４】実施の形態２に係る電流センサの構成例を示す模式図である。
【図５】実施の形態３に係る電流センサの構成例を示す模式図である。
【図６】実施の形態４に係る電流センサの構成例を示す模式図である。
【図７】実施の形態５に係る電流センサの構成例を示す模式図である。
【図８】実施の形態６に係る電流センサの構成例を示す模式図である。
【図９】各構成における隣接電流の影響を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図３を参照して、比較例の電流センサの構成例を説明する。図３は、電流路を構成する複数の導体が近接して配置された電流センサ２の構成例を示す模式図である。図３Ａは、電流センサ２の構成を模式的に示す斜視図であり、図３Ｂは、電流センサ２における導体２０１，２１１と磁電変換素子２０２，２０３，２１２，２１３との位置関係を示す模式図である。
【００２１】
図３Ａに示すように、電流センサ２は、電流路を構成する導体２０１，２１１と、導体２０１を挟むように配置される磁電変換素子２０２，２０３とを備えている。磁電変換素子２０２，２０３は、導体２０１の周囲に配置される略Ｕ字状の回路基板２０５に実装されている。回路基板２０５には、磁電変換素子２０２，２０３に接続される演算部（不図示）が設けられており、磁電変換素子２０２，２０３の出力は、演算部において差動演算される。なお、導体２１１側にも、同様の構成の磁電変換素子２１２，２１３、回路基板２１５、及び演算部（不図示）が配置されている。
【００２２】
この電流センサ２は、図３Ｂに示すように、導体２０１を通流する被測定電流Ｉ１による誘導磁界Ｈ１を磁電変換素子２０２，２０３で検出して被測定電流Ｉ１に対応する電気信号（例えば、電圧）を出力する。磁電変換素子２０２，２０３は、互いの主感度軸Ｓ１が同じ方向を向くように配置されており、誘導磁界Ｈ１を受けると逆極性の一対の出力を発生する。磁電変換素子２０２，２０３の出力は、磁電変換素子２０２，２０３に接続される演算部で差動演算され、演算結果は電流センサ２の出力として出力される。
【００２３】
電流センサ２において、導体２１１に電流Ｉ２が通流されると、磁電変換素子２０２，２０３の配置位置には電流Ｉ２による誘導磁界Ｈ２が発生する。この誘導磁界Ｈ２を受けた磁電変換素子２０２，２０３は、誘導磁界Ｈ２の主感度軸方向成分Ｓ１に応じて逆極性の一対の出力（出力変化）を生じる。ここで、例えば、出力が電圧の場合、出力の極性とは、出力電圧の正負を意味し、逆極性の一対の出力（出力変化）とは、正負の反転された関係にある一対の出力電圧のことをいう。
【００２４】
電流センサ２は、磁電変換素子２０２，２０３が誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生する場合には、それらを差動演算をして演算結果を出力する。
そのため、磁電変換素子２０２，２０３が誘導磁界Ｈ２によって逆極性の一対の出力を発生してしまうと、当該誘導磁界Ｈ２に起因する逆極性の一対の出力が上記差動演算によって倍増されてしまい、演算結果に誘導磁界Ｈ２の影響が大きく生じ、電流測定精度が低下する。
【００２５】
また、高感度の磁電変換素子を備えた電流センサにおいては、主感度軸の方向から印加された誘導磁界に基づく出力信号に加えて、感度影響軸Ｔ１の方向から印加された誘導磁界が測定精度に影響を及ぼす場合がある。
【００２６】
ここで、本発明者は、磁電変換素子２０２，２０３が誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生する場合には、主感度軸Ｓ１及び感度影響軸Ｔ１の双方の方向において誘導磁界Ｈ２によって同極性の一対の出力を発生するようにできれば、誘導磁界Ｈ２等に起因する影響を差動演算によって解消（キャンセル）できると考えた。
【００２７】
また、本発明者は、磁電変換素子２０２，２０３が誘導磁界Ｈ１によって同一極性の一対の出力を発生する場合には、主感度軸及び感度影響軸の双方の方向において誘導磁界Ｈ２によって逆極性の一対の出力を発生するようにできれば、誘導磁界Ｈ２等に起因する影響を和演算によって解消（キャンセル）できると考えた
【００２８】
なお、本実施形態において、感度影響軸は、例えば、磁電変換素子において、主感度軸と略直交する方向の軸であって、磁場の影響で抵抗値が変化する（感度軸の検出感度を変化させる）方向の軸（「感度変化軸」ともいう）である。
【００２９】
すなわち、本発明の骨子は、後述する図１Ａに示すように、第１の導体１０１と第２の導体１１１とが平行であって、第１の磁電変換素子１０２は、第１の導体１０１に対して第２の導体１１１と反対側に設けられ、第２の磁電変換素子１０３は、第１の導体１０１に対して第２の導体側１１１に設けられている。
そして、後述する図１Ｂに示すように第１の磁電変換素子１０２の主感度軸Ｓ１と、第２の磁電変換素子１０３の主感度軸Ｓ２とが同一方向を向いており、第１の磁電変換素子１０２の感度影響軸Ｔ１と、第２の磁電変換素子１０３の感度影響軸Ｔ２とが同一方向を向いている。
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、電流センサの第１の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る電流センサ１の構成例を示す模式図である。図１Ａは、電流センサ１の構成を模式的に示す斜視図であり、図１Ｂは、電流センサ１における導体１０１，１１１と磁電変換素子１０２，１０３，１１２，１１３との位置関係、及び主感度軸と感度影響軸の向きを示す模式図である。
ここで、導体１０１が本発明の第１の導体の一例であり、導体１１１が本発明の第２の導体の一例である。
また、磁電変換素子１０２が本発明の第１の磁電変換素子の一例であり、磁電変換素子１０３が本発明の第２の磁電変換素子の一例である。
【００３１】
図１Ａに示すように、電流センサ１は、電流路を構成する導体１０１及び導体１１１を備えている。導体１０１，１１１は、共に第１の方向（Ｘ軸方向）に延びており、互いに平行な平板形状を有している。この導体１０１，１１１は、第１の方向と直交する第２の方向（Ｙ軸方向）において所定の厚みを有すると共に、第１の方向及び第２の方向と直交する第３の方向（Ｚ軸方向）において所定の幅を有する。
【００３２】
この導体１０１に近接して、略Ｕ字状の平面形状を有する回路基板１０５が配置されている。回路基板１０５は、凹状の切り欠き部１０６を有しており、切り欠き部１０６の両側において第３の方向に延びる一対の腕部１０７，１０８を備えている。回路基板１０５の切り欠き部１０６内には、導体１０１が位置付けられている。また、回路基板１０５は、主表面である表面Ａ１が導体１０１の延びる第１の方向（すなわち、電流路の方向）と直交するように配置されている。
【００３３】
一対の腕部１０７，１０８の表面Ａ１側には、導体１０１を挟むように磁電変換素子１０２及び磁電変換素子１０３がそれぞれ配置されている。具体的には、磁電変換素子１０２は、導体１０１の主表面（ＸＺ平面に平行な表面）Ｂ１の一方側、すなわち導体１０１に対して導体１１１と反対側に配置されている。また、磁電変換素子１０３は、主表面Ｂ１の他方側、すなわち導体１０１に対して導体１１１側に配置されている。
【００３４】
図１Ｂに示すように、磁電変換素子１０２，１０３は、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２が回路基板１０５の表面Ａ１に平行な平面内において同じ向きとなる配置されている。さらに、磁電変換素子１０２，１０３は、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２が導体１０１の主表面Ｂ１に対して略平行な方向を向くように配置されている。
【００３５】
また、図１Ｂに示すように、磁電変換素子１０２，１０３は、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２が回路基板１０５の表面Ａ１に平行な平面内において同じ向きとなるように配置されている。
【００３６】
導体１０１に被測定電流Ｉ１が通流されると、磁電変換素子１０２，１０３には、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して互いに逆向きの誘導磁界Ｈ１が加わることになる。すなわち、磁電変換素子２０２，２０３が誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生する。
また、導体１０１に被測定電流Ｉ１が通流されると、磁電変換素子１０２，１０３には、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して直交する方向に誘導磁界Ｈ１が加わることになる。
【００３７】
一方、導体１１１に被測定電流Ｉ２が通流されると、磁電変換素子１０２，１０３には、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して互いに同じ向きの誘導磁界Ｈ２が加わることになる。
また、導体１１１に被測定電流Ｉ２が通流されると、磁電変換素子１０２，１０３には、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して同じ向きに誘導磁界Ｈ２が加わることになる。すなわち、磁電変換素子２０２，２０３が、主感度軸Ｓ１，Ｓ２及び感度影響軸Ｔ１，Ｔ２の双方の方向において誘導磁界Ｈ２によって同極性の一対の出力を発生する。
【００３８】
電流センサ１では、図１Ａ，図１Ｂに示すように、磁電変換素子１０２、導体１０１、磁電変換素子１０３、導体１１１を順に配置することで、磁電変換素子ｌ０２，１０３が、誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生し、且つ、誘導磁界Ｈ２によって同極性の一対の出力を発生するようにできる。すなわち、後述するように、磁電変換素子１０２，１０３の出力を差動演算することで、誘導磁界Ｈ２の影響をキャンセルできる。
【００３９】
この磁電変換素子１０２，１０３は、導体１０１，１１１の幅（第３の方向Ｚの長さ）を二等分する中央位置を結ぶ直線上に配置されている。すなわち、図１Ｂに示すように、磁電変換素子１０２，１０３は、導体１０１，１１１の幅方向の中央位置を含む仮想平面（平面）Ｐに沿って配置されている。この仮想平面Ｐは、ＸＹ平面に対して平行な平面であり、回路基板１０５の表面Ａ１に対して直交されている。このため、磁電変換素子１０２，１０３の主感度軸方向は、仮想平面Ｐに対して直交される。
【００４０】
図２は、電流センサ１の回路構成を示すブロック図である。図２に示すように、磁電変換素子１０２，１０３の後段には、演算部１０４が接続されている。この演算部１０４は、回路基板１０５に実装されており、磁電変換素子１０２，１０３の出力を差動演算して演算結果を出力する。
そのため、電流センサ２では、誘導磁界Ｈ１による磁電変換素子１０２，１０３からの逆極性の出力を差動演算により倍増することができる。
また、磁電変換素子１０２，１０３からの同極性の出力（出力変化）の影響は、演算部１０４の差動演算により弱められる。すなわち、磁電変換素子１０２，１０３のそれぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して同じ向きに加えられる磁界（例えば、誘導磁界Ｈ２や地磁気など）の影響は差動演算により弱められ、電流測定精度は高く維持される。
また、同時に、磁電変換素子１０２，１０３のそれぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して同じ向きに加えられる磁界（例えば、誘導磁界Ｈ２や地磁気など）の影響は差動演算により弱められ、電流測定精度は高く維持される。
【００４１】
なお、導体１１１側にも、同様の構成の磁電変換素子１１２，１１３、回路基板１１５、及び演算部１１４が配置されている。つまり、導体１１１に近接して、凹状の切り欠き部１１６を有する回路基板１１５が配置されており、この回路基板１１５の一対の腕部１１７，１１８の表面Ａ２側には、導体１１１を挟むように磁電変換素子１１２，１１３がそれぞれ配置されている。磁電変換素子１１２は、導体１１１の主表面Ｂ２の一方側に配置されており、磁電変換素子１１３は、主表面Ｂ２の他方側に配置されている。また、磁電変換素子１１２，１１３の後段には、演算部１１４が接続されている。ただし、電流センサ１は、導体１１１側の構成を含まなくとも良い。
【００４２】
このように、本実施の形態の電流センサ１は、図１Ａに示すように、磁電変換素子１０２、導体１０１、磁電変換素子１０３及び導体１１１を配置しているので、導体１１１を通流する電流Ｉ２による誘導磁界Ｈ２の影響をセンサ出力から取り除くことができる。この場合、導体１０１，１１１に対して磁電変換素子を傾けて配置する必要はなくなるので、高い電流測定精度を簡単な構成で実現できる。
具体的には、電流センサ１では、磁電変換素子ｌ０２，１０３が、主感度軸Ｓ１，Ｓ２の方向において誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生し、且つ、主感度軸Ｓ１，Ｓ２及び感度影響軸Ｔ１，Ｔ２の方向において誘導磁界Ｈ２によって同極性の一対の出力を発生するようにできる。そのため、磁電変換素子１０２，１０３の出力を差動演算することで、誘導磁界Ｈ２の影響をキャンセルできる。
【００４３】
また、導体１０１，１１１は、それぞれの幅方向が仮想平面Ｐに直交する平板形状を有し、幅方向の中央位置が仮想平面Ｐに沿うように配置されているので、導体１０１の中央位置付近において、導体１１１を通流する電流Ｉ２による誘導磁界Ｈ２の方向は変化されにくくなる。このため、磁電変換素子１０２，１０３の配置位置が多少ばらついても、磁電変換素子１０２，１０３の受ける誘導磁界Ｈ２の方向は略等しくなるので、主感度軸Ｓ１，Ｓ２及び感度影響軸Ｔ１，Ｔ２の双方において誘導磁界Ｈ２の影響を適切に取り除くことができる。
このように、電流センサ１に対する導体１１１、及び磁電変換素子１０２，１０３（導体１０１を含む場合もある）の配置位置は、仮想平面Ｐに沿っていなくとも良い。
【００４４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、電流センサの第２の形態について説明する。
図４は、電流センサ１ａにおける導体１０１，１１１と磁電変換素子１０２ａ，１０３ａ，１１２ａ，１１３ａとの位置関係、及び主感度軸と感度影響軸の向きを示す模式図である。
なお、本実施の形態の電流センサ１ａの構成の多くは、実施の形態１に係る電流センサ１の構成と共通している。このため、電流センサ１と共通する構成には共通の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４５】
図４に示すように、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａは、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２が回路基板１０５の表面Ａ１に平行な平面内において逆向きとなる配置されている。さらに、磁電変換素子１０２，１０３は、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２が導体１０１の主表面Ｂ１に対して略平行な方向を向くように配置されている。
【００４６】
また、図４に示すように、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａは、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２が回路基板１０５の表面Ａ１に平行な平面内において逆向きとなるように配置されている。
【００４７】
導体１０１に被測定電流Ｉ１が通流されると、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａには、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して互いに逆向きの誘導磁界Ｈ１が加わることになる。
このとき、主感度軸Ｓ１とＳ２とは逆向きであるため、それに応じた出力は同一極性となる。
また、導体１０１に被測定電流Ｉ１が通流されると、磁電変換素子１０２，１０３には、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して直交する方向に誘導磁界Ｈ１が加わることになる。
【００４８】
一方、導体１１１に被測定電流Ｉ２が通流されると、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａには、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して互いに同じ向きの誘導磁界Ｈ２が加わることになる。このとき、主感度軸Ｓ１とＳ２とは逆向きであるため、それに応じた出力は逆極性となる。
また、導体１１１に被測定電流Ｉ２が通流されると、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａには、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して同じ向きに誘導磁界Ｈ２が加わることになる。このとき、感度影響軸Ｔ１とＴ２とは逆向きであるため、それに応じた出力は逆極性となる。
【００４９】
電流センサ１ａでは、図２に示す回路構成において、演算部１０４は、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａの出力を和演算して演算結果を出力する。
そのため、電流センサ２では、誘導磁界Ｈ１による磁電変換素子１０２ａ，１０３ａからの同一極性の出力を和演算により倍増することができる。
また、磁電変換素子１０２，１０３からの逆極性の出力（出力変化）の影響は、演算部１０４の和演算により弱められる。すなわち、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａのそれぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して逆向きに加えられる磁界（例えば、誘導磁界Ｈ２や地磁気など）の影響は和演算により弱められ、電流測定精度は高く維持される。
また、同時に、磁電変換素子１０２，１０３のそれぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して逆向きに加えられる磁界（例えば、誘導磁界Ｈ２や地磁気など）の影響は和演算により弱められ、電流測定精度は高く維持される。
【００５０】
上述したように、電流センサ１ａでは、磁電変換素子ｌ０２ａ，１０３ａが、主感度軸Ｓ１，Ｓ２の方向において誘導磁界Ｈ１によって同一極性の一対の出力を発生し、且つ、主感度軸Ｓ１，Ｓ２及び感度影響軸Ｔ１，Ｔ２の方向において誘導磁界Ｈ２によって逆極性の一対の出力を発生するようにできる。そのため、磁電変換素子１０２ａ，１０３ａの出力を和演算することで、誘導磁界Ｈ２の影響をキャンセルできる。
【００５１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、電流センサの第３の形態について説明する。図５は、本実施の形態に係る電流センサ１ｂの構成例を示す模式図である。図５Ａは、電流センサ１ｂの構成を模式的に示す斜視図であり、図５Ｂは、電流センサ１ｂにおける導体１０１，１１１と磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂ，１１２ｂ，１１３ｂとの位置関係、及び主感度軸Ｓ１、Ｓ２と感度影響軸Ｔ１，Ｔ２の向きを示す模式図である。
【００５２】
図５Ａに示すように、電流センサ１ｂは、実施の形態１と同様に、電流路を構成する導体１０１及び導体１１１を備えている。導体１０１，１１１は、共に第１の方向（Ｘ軸方向）に延びており、互いに平行な平板形状を有している
【００５３】
この導体１０１の両側に平板の回路基板１０５ｂ，１０５ｃが配置されている。
磁電変換素子１０２ｂと導体１０１との間に回路基板１０５ｂが位置するように、回路基板１０５ｂの一つの平面に磁電変換素子１０２ｂが配置されている。
また、導体１０１と回路基板１０５ｃとの間に磁電変換素子１０３ｂが位置するように、回路基板１０５ｃの一つの平面に磁電変換素子１０３ｂが配置されている。
【００５４】
電流センサ１ｂでは、図５Ａ，図５Ｂに示すように、磁電変換素子１０２ｂ、導体１０１、磁電変換素子１０３ｂ、導体１１１を順に配置することで、磁電変換素子ｌ０２ｂ，１０３ｂが、誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生し、且つ、誘導磁界Ｈ２によって同極性の一対の出力を発生するようにできる。すなわち、後述するように、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂの出力を差動演算することで、誘導磁界Ｈ２の影響をキャンセルできる。
【００５５】
図５Ｂに示すように、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂは、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２が同一平面（図５Ｂの紙面）内において同じ向きとなる配置されている。さらに、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂは、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２が導体１０１の主表面Ｂ１に対して略平行な方向を向くように配置されている。
【００５６】
また、図５Ｂに示すように、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂは、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２が上記平面と直交する方向で同じ向きとなるように配置されている。
【００５７】
導体１０１に被測定電流Ｉ１が通流されると、実施の形態１と同様に、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂには、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して互いに逆向きの誘導磁界Ｈ１が加わることになる。このとき、主感度軸Ｓ１とＳ２とは同じ向きであるため、それに応じた出力は逆極性となる。
【００５８】
一方、導体１１１に被測定電流Ｉ２が通流されると、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂには、それぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して互いに同じ向きの誘導磁界Ｈ２が加わることになる。このとき、主感度軸Ｓ１とＳ２とは同じ向きであるため、それに応じた出力は同一極性となる。
また、導体１１１に被測定電流Ｉ２が通流されると、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂには、それぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して同じ向きに誘導磁界Ｈ２が加わることになる。このとき、感度影響軸Ｔ１とＴ２とは同じ向きであるため、それに応じた出力は同一極性となる。
【００５９】
電流センサ１ｂにおいても、実施の形態１と同様に、図２に示す演算部１０４は、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂの出力を差動演算して演算結果を出力する。
そのため、電流センサ２では、誘導磁界Ｈ１による磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂからの逆極性の出力を差動演算により倍増することができる。
また、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂからの同極性の出力（出力変化）の影響は、演算部１０４の差動演算により弱められる。すなわち、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂのそれぞれの主感度軸Ｓ１，Ｓ２に対して同じ向きに加えられる磁界（例えば、誘導磁界Ｈ２や地磁気など）の影響は差動演算により弱められ、電流測定精度は高く維持される。
また、同時に、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂのそれぞれの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２に対して同じ向きに加えられる磁界（例えば、誘導磁界Ｈ２や地磁気など）の影響は差動演算により弱められ、電流測定精度は高く維持される。
【００６０】
上述したように、電流センサ１ｂでは、磁電変換素子ｌ０２ｂ，１０３ｂが、主感度軸Ｓ１，Ｓ２の方向において誘導磁界Ｈ１によって逆極性の一対の出力を発生し、且つ、主感度軸Ｓ１，Ｓ２及び感度影響軸Ｔ１，Ｔ２の方向において誘導磁界Ｈ２によって同一極性の一対の出力を発生するようにできる。そのため、磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂの出力を差動演算することで、誘導磁界Ｈ２の影響をキャンセルできる。
【００６１】
なお、図５Ｂに示す磁電変換素子１０２ｂ，１０３ｂの感度影響軸Ｔ１，Ｔ２の向きは、同一方向であれば逆（紙面裏から表）向きでもよい。
【００６２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、電流センサの第４の形態について説明する。図６は、本実施の形態に係る電流センサ１ｃの構成例を示す模式図である。図６Ａは、電流センサ１ｃの構成を模式的に示す斜視図であり、図６Ｂは、電流センサ１ｃにおける導体１０１，１１１、磁電変換素子１０２，１０３，１１２，１１３、及び磁気シールド（磁気ヨーク）１２１，１２２，１２３の位置関係を示す模式図である。なお、本実施の形態の電流センサ１ａの構成の多くは、実施の形態１に係る電流センサ１の構成と共通している。このため、電流センサ１と共通する構成には共通の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６３】
図６Ａに示すように、本実施の形態の電流センサ１ｃは、磁電変換素子１０２の外側（導体１０１の反対側）の位置、及び磁電変換素子１０３の外側（導体１０１の反対側）の位置に、それぞれ、高透磁率の材料で構成される薄板状の磁気シールド（磁気ヨーク）１２１，１２２が設けられている。すなわち、磁気シールド１２１，１２２は、磁電変換素子１０２，１０３、及び導体１０１を挟むように配置されている。また、図６Ｂに示すように、磁気シールド１２１，１２２は、仮想平面Ｐと交差するように配置されている。
【００６４】
このような高透磁率の材料で構成される磁気シールド１２１，１２２を配置されると、磁気シールド１２１，１２２の周辺の磁束は磁気シールド１２１，１２２に集中される。このため、図６Ｂに示すように、導体１１１を通流する電流Ｉ２による誘導磁界Ｈ２の影響は、磁電変換素子１０２と磁電変換素子１０３とでバランスされて、差動演算でより適切にキャンセルできるようになる。
【００６５】
なお、導体１１１側にも、同様の構成の磁気シールド１２３が配置されている。つまり、磁電変換素子１１３の外側（導体１１１の反対側）の位置にも磁気シールド１２３が設けられており、磁電変換素子１１２，１１３、及び導体１１１は、磁気シールド１２２，１２３により挟まれている。また、磁気シールド１２３は、仮想平面Ｐと交差するように配置されている。ただし、電流センサ１ａは、導体１１１側の構成を含まなくとも良い。
【００６６】
このように、本実施の形態の電流センサ１ｃは、一対の磁気シールド１２１，１２２によって導体１１１を通流する電流Ｉ２による誘導磁界Ｈ２の影響をさらに低減できるので、より高い電流測定精度を実現できる。本実施の形態において示される構成は、他の実施の形態において示される構成と適宜組み合わせて実施することができる。
【００６７】
なお、実施の形態４において、磁電変換素子１０２，１０３として、前述した磁電変換素子１０２ａおよび磁電変換素子１０３ａ、あるいは磁電変換素子１０２ｂおよび磁電変換素子１０３ｂを用いてもよい。
【００６８】
（実施の形態５）
本実施の形態では、電流センサの第５の形態について説明する。図７は、本実施の形態に係る電流センサ１ｄの構成例を示す模式図である。図７Ａは、電流センサ１ｄの構成を模式的に示す斜視図であり、図７Ｂは、電流センサ１ｄにおける導体１０１，１１１、磁電変換素子１０２，１０３，１１２，１１３、及び磁気シールド１３１，１３２，１３３，１３４の位置関係を示す模式図である。なお、本実施の形態の電流センサ１ｄの構成の多くは、実施の形態１に係る電流センサ１の構成と共通している。このため、電流センサ１と共通する構成には共通の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６９】
図７Ａに示すように、本実施の形態の電流センサ１ｄも、磁電変換素子１０２の外側（導体１０１の反対側）の位置、及び磁電変換素子１０３の外側（導体１０１の反対側）の位置に、それぞれ、高透磁率の材料で構成される薄板状の磁気シールド（磁気ヨーク）１３１，１３２を備えている。すなわち、磁気シールド１３１，１３２は、磁電変換素子１０２，１０３、及び導体１０１を挟むように配置されている。また、図７Ｂに示すように、磁気シールド１３１，１３２は、仮想平面Ｐと交差するように配置されている。
【００７０】
このような高透磁率の材料で構成される磁気シールド１３１，１３２を配置されると、磁気シールド１３１，１３２の周辺の磁束は磁気シールド１３１，１３２に集中される。このため、図７Ｂに示すように、導体１１１を通流する電流Ｉ２による誘導磁界Ｈ２の影響は、磁電変換素子１０２と磁電変換素子１０３とでバランスされて、差動演算でより適切にキャンセルできるようになる。
【００７１】
なお、導体１１１側にも、同様の構成の磁気シールド１３３，１３４が配置されている。つまり、磁電変換素子１１２の外側（導体１１１の反対側）の位置に磁気シールド１３３が設けられており、磁電変換素子１１３の外側（導体１１１の反対側）の位置に磁気シールド１３４が設けられている。磁電変換素子１１２，１１３、及び導体１１１は、磁気シールド１３３，１３４により挟まれている。また、磁気シールド１３３，１３４は、仮想平面Ｐと交差するように配置されている。ただし、電流センサ１ｂは、導体１１１側の構成を含まなくとも良い。
【００７２】
このように、本実施の形態の電流センサ１ｄは、一対の磁気シールド１３１，１３２によって導体１１１を通流する電流Ｉ２による誘導磁界Ｈ２の影響をさらに低減できるので、より高い電流測定精度を実現できる。また、本実施の形態の電流センサ１ｂは、各磁電変換素子１０２，１０３，１１２，１１３に対応するように磁気シールド１３１，１３２，１３３，１３４が配置されているので、磁電変換素子１０２，１０３，１１２，１１３に対して磁気シールド１３１，１３２，１３３，１３４を十分に近接させることができる。このため、実施の形態４の電流センサ１ｃと比較して、さらに高い電流測定精度を実現できる。本実施の形態において示される構成は、他の実施の形態において示される構成と適宜組み合わせて実施することができる。
【００７３】
なお、実施の形態５において、磁電変換素子１０２，１０３として、前述した磁電変換素子１０２ａおよび磁電変換素子１０３ａ、あるいは磁電変換素子１０２ｂおよび磁電変換素子１０３ｂを用いてもよい。
【００７４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、電流センサの第６の形態について説明する。図８は、本実施の形態に係る電流センサ１ｅの構成例を示す模式図である。なお、本実施の形態の電流センサ１ｅの構成の多くは、実施の形態１に係る電流センサ１の構成と共通している。このため、電流センサ１と共通する構成には共通の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７５】
図８に示すように、本実施の形態の電流センサ１ｅは、実施の形態１に係る電流センサ１とは異なる形状の導体（第１の導体）１４１及び導体（第２の導体）１５１を有している。導体１４１，１５１は、共に第１の方向（Ｘ軸方向）に延びてており、それぞれ薄板部１４２，１５２と、その両側の厚板部１４３，１４４，１５３，１５４とで構成されている。
【００７６】
薄板部１４２，１５２の第２の方向Ｙにおける厚みは、厚板部１４３，１４４，１５３，１５４の第２の方向Ｙにおける厚みより薄くなっている。一方、薄板部１４２，１５２の第３の方向Ｚにおける幅は、厚板部１４３，１４４，１５３，１５４の第３の方向Ｚにおける幅と略等しくなっている。薄板部１４２，１５２は、回路基板１０５の切り欠き部１０６内に位置付けられており、導体１４１の薄板部１４２は、磁電変換素子１０２，１０３（図８において、磁電変換素子１０３は不図示）で挟まれるようになっている。
【００７７】
厚板部１４３，１４４，１５３，１５４には、第１の方向（Ｘ軸方向）に延びる導体１４５，１４６，１５５，１５６がそれぞれ接続されている。導体１４５，１４６，１５５，１５６は、ＸＹ平面に平行な平板形状を有している。なお、電流センサ１ｅは、導体１４５，１４６，１５５，１５６を含まなくとも良い。
【００７８】
このように、本実施の形態の電流センサ１ｅは、磁電変換素子１０２，１０３の配置される薄板部１４２の両側に厚板部１４３，１４４を有する導体１４１を備えている。このため、回路基板１０５（及び回路基板１０５の収容される筐体）を厚板部１４３，１４４で挟みこむように配置すれば、導体１４１に対して磁電変換素子１０２，１０３をより適切に位置付けることができる。また、厚板部１４３，１４４により、導体１４１の電気抵抗は低下されるので、被測定電流Ｉ１の通流による発熱を抑制できる。これらの結果、より高い電流測定精度を実現可能である。また、厚板部１４３，１４４を端子台とすることで、薄板部１４２に対して、厚み方向と幅方向が入れ替わっている導体１４５，１４６を用意に取り付けることが可能となる。本実施の形態において示される構成は、他の実施の形態において示される構成と適宜組み合わせて実施することができる。
なお、実施の形態６において、磁電変換素子１０２，１０３として、前述した磁電変換素子１０２ａおよび磁電変換素子１０３ａ、あるいは磁電変換素子１０２ｂおよび磁電変換素子１０３ｂを用いてもよい。
【００７９】
（実施例）
上記実施の形態に示す電流センサの有効性を確認するために行った実施例について説明する。ただし、本発明の構成は、実施例の記載に限定されるものではない。
【００８０】
実施の形態１の電流センサ１（図１参照）、及び実施の形態３の電流センサ１ｂ（図５参照）と同様の構成の電流センサについて、隣接電流による測定誤差の影響を算出した（それぞれ、実施例１，２）。また、比較のため、図３に示す電流センサ２について、隣接電流による測定誤差の影響を算出した（比較例）。実施例１，２及び比較例において、被測定電流の通流する導体（導体１０１，２０１に相当）、及び隣接電流の通流する導体１１１，２１１に相当）には、断面形状（ＹＺ平面に平行な断面の形状）が長方形状（１０ｍｍ×２ｍｍ）の導体を用いた。また、被測定電流の通流する導体と隣接電流の通流する導体との中心間距離を１５ｍｍとした。
【００８１】
図９は、各構成における隣接電流の影響を示す図である。図９において、縦軸は、隣接電流による測定誤差を、隣接電流の電流値に対する百分率で示している。図９から、例えば、隣接電流が１００Ａの場合、比較例では約１２Ａの誤差が生じるのが分かる。これに対し、実施例１の誤差は約５Ａであり、実施例２の誤差は１Ａ以下である。つまり、実施例１の隣接電流の影響は、比較例の１／２以下に抑えられている。また、実施例２において、隣接電流の影響は極めて小さく抑えられている。このように、上記実施の形態に示す電流センサは、隣接電流の影響を抑制することができる。
【００８２】
なお、本発明は上記実施の形態及び実施例の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、略Ｕ字状の回路基板に磁電変換素子を配置する構成としているが、電流の通流する導体に対して磁電変換素子を適切に配置できるのであれば、回路基板の形状等は特に限られない。また、上記実施の形態では、被測定電流の通流する導体に対して別の１個の導体が近接される場合を例示しているが、被測定電流の通流する導体には複数の導体が近接されていても良い。また、上記実施の形態における各構成の接続関係、位置、大きさ、範囲などは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、適宜変更して実施することができる。
なお、本実施の形態において、「同じ方向」、「同じ向き」、「逆向き」、「平行」等の用語は、完全一致のみを示すのではなく、本発明の作用・効果を生じる範囲において、方向や向きが多少ずれている場合を含む概念である。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明の電流センサは、例えば、モーター駆動用のインバータを通流する電流を測定する際に有用である。
【符号の説明】
【００８４】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ  電流センサ  
１０１  導体（第１の導体）
１１１  導体（第２の導体）
１０２，１０２ａ，１０２ｂ，１１２，１１２ａ，１１２ｂ  磁電変換素子（第１の磁電変換素子）
１０３，１０３ａ，１０３ｂ，１１３，１１３ａ，１１３ｂ  磁電変換素子（第２の磁電変換素子）
１０４，１１４  演算部
１０５，１１５  回路基板
１０６，１１６  切り欠き部
１０７，１０８，１１７，１１８  腕部
１２１，１２２，１２３，１３１，１３２，１３３，１３４  磁気シールド
１４１  導体（第１の導体）
１５１  導体（第２の導体）
１４２，１５２  薄板部
１４３，１４４，１５３，１５４  厚板部
１４５，１４６，１５５，１５６  導体
Ａ１，Ａ２  表面
Ｂ１，Ｂ２  主表面
Ｈ１，Ｈ２  誘導磁界
Ｉ１  被測定電流
Ｉ２  電流
Ｐ  仮想平面（平面）
Ｓ１，Ｓ２  主感度軸 
Ｔ１，Ｔ２  感度影響軸
【図１】
2015090316.tif 000003
【図２】
2015090316.tif 000004
【図３】
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【図４】
2015090316.tif 000006
【図５】
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【図６】
2015090316.tif 000008
【図７】
2015090316.tif 000009
【図８】
2015090316.tif 000010
【図９】
2015090316.tif 000011