(57)【要約】【課題】研磨パッドの表面粗さをモニターし、且つ研磨パッドの温度を制御しつつドレッシングを行うことにより、最適な研磨レートを得るための研磨パッドの表面粗さを効率よく作り上げることができるコンディショニング方法及び装置を提供する。【解決手段】研磨パッド２のドレッシング中に、算術平均粗さ（Ｒａ），二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ），粗さ曲線の最大谷深さ（Ｒｖ），粗さ曲線の最大山高さ（Ｒｐ）および最大高さ粗さ（Ｒｚ）の５つの指標のうち少なくとも１つの指標で表される研磨パッドの表面粗さを測定し、測定された表面粗さと予め設定された目標表面粗さとを比較し、比較結果に基づいて研磨パッド２を加熱又は冷却することにより研磨パッド２の表面温度を調整する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を研磨する研磨テーブル上の研磨パッドにドレッサを押し当ててドレッシングをして研磨パッドの表面粗さを調整する研磨パッドのコンディショニング方法であって、
前記研磨パッドのドレッシング中に、算術平均粗さ（Ｒａ），二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ），粗さ曲線の最大谷深さ（Ｒｖ），粗さ曲線の最大山高さ（Ｒｐ）および最大高さ粗さ（Ｒｚ）の５つの指標のうち少なくとも１つの指標で表される研磨パッドの表面粗さを測定し、測定された表面粗さと予め設定された目標表面粗さとを比較し、比較結果に基づいて前記研磨パッドを加熱又は冷却することにより研磨パッドの表面温度を調整することを特徴とする研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項２】
前記研磨パッドの表面温度を所定の温度に調整しつつ、前記測定された表面粗さが前記目標表面粗さになるまで前記研磨パッドのドレッシングを行うことを特徴とする請求項１に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項３】
前記所定の温度は、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係より、所望の研磨性能に対応する研磨パッドの表面温度であることを特徴とする請求項２に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項４】
前記研磨パッドの表面粗さが目標表面粗さに到達したら、ドレッシングを終了することを特徴とする請求項２に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項５】
前記研磨パッドの表面温度が予め定めた温度に達したら、ドレッシングを開始することを特徴とする請求項１に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項６】
前記研磨パッドの表面粗さを測定する際には、前記ドレッサを前記研磨パッドに押し当てて揺動させ、前記研磨テーブルを回転させるか、又は、前記ドレッサを前記研磨パッドから離して前記研磨テーブルの回転を止めることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項７】
前記研磨パッドの表面温度の調整は、温度調整した流体を内部に供給したパッド接触部材を前記研磨パッドに接触させることにより行うか、もしくは、温度調整した流体を前記研磨パッドに供給することにより行うことを特徴とする請求項１又２に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項８】
基板の研磨中も、前記研磨パッドの表面温度を調整しつつ、ドレッシングを行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項９】
基板を研磨する研磨テーブル上の研磨パッドにドレッサを押し当ててドレッシングをして研磨パッドの表面粗さを調整する研磨パッドのコンディショニング方法であって、
前記研磨パッドのドレッシング中に、算術平均粗さ（Ｒａ），二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ），粗さ曲線の最大谷深さ（Ｒｖ），粗さ曲線の最大山高さ（Ｒｐ）および最大高さ粗さ（Ｒｚ）の５つの指標のうち少なくとも１つの指標で表される研磨パッドの表面粗さをモニターし、
前記研磨パッドのドレッシング中に、前記研磨パッドの表面温度を所定の温度に調整することを特徴とする研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項１０】
前記所定の温度は、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係より、所望の研磨性能に対応する研磨パッドの表面温度であることを特徴とする請求項９に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項１１】
前記研磨パッドの表面温度の調整は、温度調整した流体を内部に供給したパッド接触部材を前記研磨パッドに接触させることにより行うか、もしくは、温度調整した流体を前記研磨パッドに供給することにより行うことを特徴とする請求項９に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項１２】
前記研磨パッドの表面粗さが所望の表面粗さになったら、ドレッシングを終了することを特徴とする請求項９に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項１３】
前記研磨パッドの表面粗さが所望の表面粗さになるまで、前記研磨パッドの表面温度が所定の温度を維持するように研磨パッドの表面温度を調整することを特徴とする請求項９に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項１４】
前記研磨パッド上に、研磨パッドの半径方向に複数のエリアを定義し、エリア毎に異なる温度に調整して、ドレッシングを行うことを特徴とする請求項９に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項１５】
基板の研磨中も、前記研磨パッドの表面温度を調整しつつ、ドレッシングを行うことを特徴とする請求項９に記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項１６】
基板を研磨する研磨テーブル上の研磨パッドをドレッシングして研磨パッドの表面粗さを調整する研磨パッドのコンディショニング装置であって、
前記研磨パッドに押し当てて研磨パッドのドレッシングを行うドレッサと、該ドレッサを回転させるとともに研磨パッドの表面に沿って移動させる機構とを備えたドレッシング装置と、
前記研磨パッドの表面粗さを測定する研磨パッドの表面粗さ測定手段と、
前記研磨パッドの表面温度を調整する研磨パッドの温度調整手段と、
前記ドレッシング装置、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段および前記研磨パッドの表面温度調整手段を制御する制御部とを備え、
前記研磨パッドの表面粗さ測定手段により、前記研磨パッドのドレッシング中に、算術平均粗さ（Ｒａ），二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ），粗さ曲線の最大谷深さ（Ｒｖ），粗さ曲線の最大山高さ（Ｒｐ）および最大高さ粗さ（Ｒｚ）の５つの指標のうち少なくとも１つの指標で表される研磨パッドの表面粗さを測定することを特徴とする研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項１７】
前記制御部は、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段により測定された表面粗さと予め設定された目標表面粗さとを比較し、比較結果に基づいて前記研磨パッドの温度調整手段を制御することにより研磨パッドの表面温度を調整することを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項１８】
前記制御部には、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係が蓄積されていることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項１９】
前記研磨パッドの温度調整手段は、温度調整した流体を内部に供給して下面を前記研磨パッドに接触させるパッド接触部材からなるか、もしくは、温度調整した流体を前記研磨パッドに供給するノズルからなることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項２０】
前記パッド接触部材又は前記ノズルは前記研磨パッドの半径方向に２つ以上設置され、
前記２つ以上のパッド接触部材又は前記ノズルは、各々独立して研磨パッドの表面温度を調整可能であることを特徴とする請求項１９に記載の研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項２１】
前記研磨パッドの表面粗さ測定手段は、前記ドレッサを保持するドレッサアームに取り付けられていることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項２２】
前記研磨パッドの表面粗さ測定手段は、前記研磨テーブルの回転方向に対して、前記ドレッサの下流側の箇所を測定する位置に配置されていることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項２３】
前記研磨パッドの表面粗さ測定手段は、レーザ光を投光する投光部と研磨パッドからの反射光を受光する受光部を備えることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッドのコンディショニング装置。
【請求項２４】
前記研磨パッドを貼り付ける研磨テーブルと、
請求項１６乃至２３のいずれか一項に記載の研磨パッドのコンディショニング装置を備えたことを特徴とする研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板の研磨に用いられる研磨パッドの表面粗さを調整する研磨パッドのコンディショニング方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化・高密度化に伴い、回路の配線がますます微細化し、多層配線の層数も増加している。回路の微細化を図りながら多層配線を実現しようとすると、下側の層の表面凹凸を踏襲しながら段差がより大きくなるので、配線層数が増加するに従って、薄膜形成における段差形状に対する膜被覆性（ステップカバレッジ）が悪くなる。したがって、多層配線するためには、このステップカバレッジを改善し、然るべき過程で平坦化処理しなければならない。また光リソグラフィの微細化とともに焦点深度が浅くなるため、半導体デバイスの表面の凹凸段差が焦点深度以下に収まるように半導体デバイス表面を平坦化処理する必要がある。
【０００３】
従って、半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイス表面の平坦化技術がますます重要になっている。この平坦化技術のうち、最も重要な技術は、化学的機械研磨（ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing））である。この化学的機械的研磨は、研磨装置を用いて、セリア（ＣｅＯ２）等の砥粒を含んだ研磨液を研磨パッドに供給しつつ半導体ウエハなどの基板を研磨パッドに摺接させて研磨を行うものである。
【０００４】
上述したＣＭＰプロセスを行う研磨装置は、研磨パッドを有する研磨テーブルと、半導体ウエハ（基板）を保持するためのトップリング又は研磨ヘッド等と称される基板保持装置とを備えている。このような研磨装置を用いて基板保持装置により基板を保持しつつ、この基板を研磨パッドに対して所定の圧力で押圧して、基板上の絶縁膜や金属膜等を研磨することが行われている。
【０００５】
基板の研磨を行なうと、研磨パッドの表面には砥粒や研磨屑が付着し、また、研磨パッドの特性が変化して研磨性能が劣化してくる。このため、基板の研磨を繰り返すに従い、研磨速度が低下し、また、研磨むらが生じてしまう。そこで、劣化した研磨パッドの表面状態を再生するために、研磨パッドのドレッシングを行っている。
【０００６】
研磨パッドのドレッシングを行うドレッシング装置は、揺動可能なアームと、アームの先端に固定されたドレッサを備えている。ドレッシング装置は、アームによってドレッサを研磨パッドの半径方向に揺動させ且つドレッサをその軸心を中心として回転させながら、回転する研磨テーブル上の研磨パッドにドレッサを押し付けることにより、研磨パッドに付着した砥液や研磨屑を除去するとともに、研磨パッドの平坦化及び目立てドレッシングを行なう。ドレッサは、パッド表面に接触する面（ドレッシング面）にダイアモンド砥粒が電着されたもの等が使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１５１９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、所定温度（例えば、約２０℃）の純水（ＤＩＷ）からなるドレッシング液を一定流量で研磨パッドに供給しながら、ドレッサの回転速度、荷重および揺動速度をそれぞれ一定にしてドレッシングを一定時間行っている。ドレッシング中の研磨パッドの温度管理は行われておらず、また研磨パッドの表面粗さもモニターしていない。
ドレッシングにより研磨パッドの表面が粗されるが、その表面粗さは研磨レートと相関関係がある。一方、研磨パッドの表面粗さは、従来のドレッシング条件以外にも、研磨パッドの温度によっても影響を受けると考えられる。
【０００９】
本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、研磨パッドの表面粗さをモニターし且つ研磨パッドの温度を制御しつつドレッシングを行うことにより、最適な研磨レートを得るための研磨パッドの表面粗さを効率よく作り上げることができるコンディショニング方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するため、本発明の研磨パッドのコンディショニング方法は、基板を研磨する研磨テーブル上の研磨パッドにドレッサを押し当ててドレッシングをして研磨パッドの表面粗さを調整する研磨パッドのコンディショニング方法であって、前記研磨パッドのドレッシング中に、算術平均粗さ（Ｒａ），二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ），粗さ曲線の最大谷深さ（Ｒｖ），粗さ曲線の最大山高さ（Ｒｐ）および最大高さ粗さ（Ｒｚ）の５つの指標のうち少なくとも１つの指標で表される研磨パッドの表面粗さを測定し、測定された表面粗さと予め設定された目標表面粗さとを比較し、比較結果に基づいて前記研磨パッドを加熱又は冷却することにより研磨パッドの表面温度を調整することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、研磨パッドのドレッシング中に、研磨パッドの表面粗さをモニターし、モニターした表面粗さに基づいて研磨パッドの表面温度を調整しつつ、研磨パッドのドレッシングを行う。表面粗さのモニターにより、測定表面粗さの方が目標表面粗さより大きい場合には、研磨パッドの表面温度を上げて研磨パッドの弾性率を大きくし、ドレッサにより形成される研磨パッドの表面粗さが細かくなるように制御する。逆に、測定表面粗さの方が目標表面粗さより小さい場合には、研磨パッドの表面温度を下げて研磨パッドの弾性率を小さくし、ドレッサにより形成される研磨パッドの表面粗さが粗くなるように制御する。
【００１２】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面温度を所定の温度に調整しつつ、前記測定された表面粗さが前記目標表面粗さになるまで前記研磨パッドのドレッシングを行うことを特徴とする。
本発明によれば、研磨パッドの表面温度を調整しつつ研磨パッドのドレッシングを行い、研磨パッドの測定表面粗さと予め設定された目標表面粗さとを比較して表面粗さの判定を行う。測定表面粗さが目標表面粗さに等しい場合には、研磨パッドのドレッシングを終了するとともに研磨パッドの表面温度の調整を終了する。測定表面粗さが目標表面粗さに等しくない場合には、ドレッシングを行いながら、目標表面粗さとなるように研磨パッドの表面温度を制御する工程を継続して行う。
【００１３】
本発明の好ましい態様によれば、前記所定の温度は、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係より、所望の研磨性能に対応する研磨パッドの表面温度であることを特徴とする。
本発明によれば、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係を用いて、研磨パッドの表面粗さを介して所望の研磨性能（研磨レート）を得るために調整する研磨パッドの表面温度を設定することができる。
【００１４】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面粗さが目標表面粗さに到達したら、ドレッシングを終了することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面温度が予め定めた温度に達したら、ドレッシングを開始することを特徴とする。
【００１５】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面粗さを測定する際には、前記ドレッサを前記研磨パッドに押し当てて揺動させ、前記研磨テーブルを回転させるか、又は、前記ドレッサを前記研磨パッドから離して前記研磨テーブルの回転を止めることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面温度の調整は、温度調整した流体を内部に供給したパッド接触部材を前記研磨パッドに接触させることにより行うか、もしくは、温度調整した流体を前記研磨パッドに供給することにより行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、基板の研磨中も、前記研磨パッドの表面温度を調整しつつ、ドレッシングを行うことを特徴とする。
【００１６】
本発明の第二の態様は、基板を研磨する研磨テーブル上の研磨パッドにドレッサを押し当ててドレッシングをして研磨パッドの表面粗さを調整する研磨パッドのコンディショニング方法であって、前記研磨パッドのドレッシング中に、算術平均粗さ（Ｒａ），二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ），粗さ曲線の最大谷深さ（Ｒｖ），粗さ曲線の最大山高さ（Ｒｐ）および最大高さ粗さ（Ｒｚ）の５つの指標のうち少なくとも１つの指標で表される研磨パッドの表面粗さをモニターし、前記研磨パッドのドレッシング中に、前記研磨パッドの表面温度を所定の温度に調整することを特徴とする。
本発明によれば、研磨パッドのドレッシング中に、研磨パッドの表面温度を調整することにより、最適な研磨レートを得るための研磨パッドの表面粗さを効率よく作り上げることができる。
【００１７】
本発明の好ましい態様によれば、前記所定の温度は、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係より、所望の研磨性能に対応する研磨パッドの表面温度であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面温度の調整は、温度調整した流体を内部に供給したパッド接触部材を前記研磨パッドに接触させることにより行うか、もしくは、温度調整した流体を前記研磨パッドに供給することにより行うことを特徴とする。
【００１８】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面粗さが所望の表面粗さになったら、ドレッシングを終了することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面粗さが所望の表面粗さになるまで、前記研磨パッドの表面温度が所定の温度を維持するように研磨パッドの表面温度を調整することを特徴とする。
【００１９】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッド上に、研磨パッドの半径方向に複数のエリアを定義し、エリア毎に異なる温度に調整して、ドレッシングを行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、基板の研磨中も、前記研磨パッドの表面温度を調整しつつ、ドレッシングを行うことを特徴とする。
【００２０】
本発明の第三の態様は、基板を研磨する研磨テーブル上の研磨パッドをドレッシングして研磨パッドの表面粗さを調整する研磨パッドのコンディショニング装置であって、前記研磨パッドに押し当てて研磨パッドのドレッシングを行うドレッサと、該ドレッサを回転させるとともに研磨パッドの表面に沿って移動させる機構とを備えたドレッシング装置と、前記研磨パッドの表面粗さを測定する研磨パッドの表面粗さ測定手段と、前記研磨パッドの表面温度を調整する研磨パッドの温度調整手段と、前記ドレッシング装置、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段および前記研磨パッドの表面温度調整手段を制御する制御部とを備え、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段により、前記研磨パッドのドレッシング中に、算術平均粗さ（Ｒａ），二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ），粗さ曲線の最大谷深さ（Ｒｖ），粗さ曲線の最大山高さ（Ｒｐ）および最大高さ粗さ（Ｒｚ）の５つの指標のうち少なくとも１つの指標で表される研磨パッドの表面粗さを測定することを特徴とする。
【００２１】
本発明の好ましい態様によれば、前記制御部は、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段により測定された表面粗さと予め設定された目標表面粗さとを比較し、比較結果に基づいて前記研磨パッドの温度調整手段を制御することにより研磨パッドの表面温度を調整することを特徴とする。
【００２２】
本発明の好ましい態様によれば、前記制御部には、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係が蓄積されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの温度調整手段は、温度調整した流体を内部に供給して下面を前記研磨パッドに接触させるパッド接触部材からなるか、もしくは、温度調整した流体を前記研磨パッドに供給するノズルからなることを特徴とする。
【００２３】
本発明の好ましい態様によれば、前記パッド接触部材又は前記ノズルは前記研磨パッドの半径方向に２つ以上設置され、前記２つ以上のパッド接触部材又は前記ノズルは、各々独立して研磨パッドの表面温度を調整可能であることを特徴とする。
本発明によれば、ドレッシング中に２つ以上のパッド接触部材又は２つ以上のノズルにより研磨パッドの半径方向の異なった領域毎に温度調整を行うことができるため、研磨パッドの半径方向に表面粗さを変えることができる。このように、研磨パッドの半径方向に表面粗さが異なる領域を形成することにより、基板の研磨プロファイルの調整ができる。
【００２４】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段は、前記ドレッサを保持するドレッサアームに取り付けられていることを特徴とする。
【００２５】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段は、前記研磨テーブルの回転方向に対して、前記ドレッサの下流側の箇所を測定する位置に配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、研磨パッドの表面粗さ測定手段は、研磨テーブルの回転方向に対して、ドレッサの下流側の箇所を測定する位置に配置されているため、研磨パッドの表面粗さ測定手段は、ドレッサによりドレッシングされた直後の箇所における研磨パッドの表面粗さを測定することが可能になる。
【００２６】
本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの表面粗さ測定手段は、レーザ光を投光する投光部と研磨パッドからの反射光を受光する受光部を備えることを特徴とする。
本発明の第四の態様は、前記研磨パッドを貼り付ける研磨テーブルと、請求項１６乃至２３のいずれか一項に記載の研磨パッドのコンディショニング装置を備えたことを特徴とする研磨装置である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、以下に列挙する効果を奏する。
（１）研磨パッドの表面粗さをモニターし且つ研磨パッドの温度を制御しつつドレッシングを行うことにより、最適な研磨レートを得るための研磨パッドの表面粗さを効率よく作り上げることができる。
（２）目標とする研磨パッドの表面粗さを得ることにより、研磨レートが最適化されて生産性向上が達成でき、更には製品歩留まり向上が達成できる。
（３）効率よく研磨パッドの表面を粗すことにより、研磨パッドの寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明に係る研磨パッドのコンディショニング装置を備えた研磨装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）は、下面にダイアモンド砥粒を備えたドレッサによって研磨パッドをドレッシングしている状態を示す模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ部の拡大図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は、研磨パッドの弾性率が大きい場合における研磨パッドとダイアモンド砥粒との関係を示す図であり、図３（ａ）は、図２（ａ）のＡ部の拡大図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すダイアモンド砥粒に隣接したダイアモンド砥粒を追加して示す拡大図である。
【図４】図４は、研磨パッドの表面粗さと研磨速度との関係を示す測定データの表及びグラフである。
【図５】図５は、本発明のコンディショニング装置を示す模式図である。
【図６】図６は、本発明のコンディショニング装置の第２の態様を示す模式図である。
【図７】図７は、研磨パッドの半径方向内側と外側で表面粗さが違う状態を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明に係る研磨パッドのコンディショニング方法の手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明に係る研磨パッドのコンディショニング方法及び装置の実施形態について図１乃至図８を参照して詳細に説明する。なお、図１から図８において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００３０】
図１は、本発明に係る研磨パッドのコンディショニング装置を備えた研磨装置の全体構成を示す模式図である。図１に示すように、研磨装置は、研磨テーブル１と、研磨対象物である半導体ウエハ等の基板Ｗを保持して研磨テーブル上の研磨パッドに押圧するトップリング１０とを備えている。研磨テーブル１は、テーブル軸１ａを介してその下方に配置される研磨テーブル回転モータ（図示せず）に連結されており、テーブル軸１ａの回りに回転可能になっている。研磨テーブル１の上面には研磨パッド２が貼付されており、研磨パッド２の表面が基板Ｗを研磨する研磨面２ａを構成している。研磨パッド２には、ダウケミカル社（Dow  Chemical  Company）製のＳＵＢＡ８００、ＩＣ１０００、ＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００（二層クロス）等が用いられている。ＳＵＢＡ８００は繊維をウレタン樹脂で固めた不織布である。ＩＣ１０００は硬質の発泡ポリウレタンであり、その表面に多数の微細な孔（ポア）を有したパッドであり、パーフォレートパッドとも呼ばれている。研磨テーブル１の上方には供給ノズル３が設置されており、この供給ノズル３によって研磨テーブル１上の研磨パッド２に研磨液（スラリ）が供給されるようになっている。
【００３１】
トップリング１０は、トップリングシャフト１１に接続されており、トップリングシャフト１１は、トップリングヘッド１２に対して上下動するようになっている。トップリングシャフト１１の上下動により、トップリングヘッド１２に対してトップリング１０の全体を上下動させ位置決めするようになっている。トップリングシャフト１１は、トップリング回転モータ（図示せず）の駆動により回転するようになっている。トップリングシャフト１１の回転により、トップリング１０がトップリングシャフト１１の回りに回転するようになっている。
【００３２】
トップリング１０は、その下面に半導体ウエハなどの基板Ｗを保持できるようになっている。トップリングヘッド１２はトップリングヘッドシャフト１３を中心として旋回可能に構成されており、下面に基板Ｗを保持したトップリング１０は、トップリングヘッド１２の旋回により基板の受取位置から研磨テーブル１の上方に移動可能になっている。トップリング１０は、下面に基板Ｗを保持して基板Ｗを研磨パッド２の表面（研磨面）に押圧する。このとき、研磨テーブル１およびトップリング１０をそれぞれ回転させ、研磨テーブル１の上方に設けられた研磨液供給ノズル３から研磨パッド２上に研磨液を供給する。研磨液には砥粒としてシリカ（ＳｉＯ２）やセリア（ＣｅＯ２）等を含んだ研磨液が用いられる。このように、研磨液を研磨パッド２上に供給しつつ、基板Ｗを研磨パッド２に押圧して基板Ｗと研磨パッド２とを相対移動させて基板上の絶縁膜や金属膜等を研磨する。絶縁膜としてはＳｉＯ２が挙げられる。金属膜としてはＣｕ膜、Ｗ膜、Ｔａ膜、Ｔｉ膜が挙げられる。
【００３３】
図１に示すように、研磨装置は、研磨パッド２をドレッシングするドレッシング装置２０を備えている。ドレッシング装置２０は、ドレッサアーム２１と、ドレッサアーム２１の先端に回転自在に取り付けられたドレッサ２２と、ドレッサアーム２１の他端に連結される揺動軸２３とを備えている。ドレッサ２２の下部はドレッシング部材２２ａにより構成され、ドレッシング部材２２ａは円形のドレッシング面を有しており、ドレッシング面には硬質な砥粒が電着等により固定されている。この硬質な砥粒としては、ダイアモンド砥粒やセラミック砥粒などが挙げられる。ドレッサ２２は、図示しないモータによって回転するようになっている。揺動軸２３は図示しないモータによって回転し、揺動軸２３を中心にドレッサアーム２１を揺動させてドレッサ２２を揺動させるようになっている。
【００３４】
本発明者らは、図１に示すようなドレッサ２２を用いて研磨パッド２のドレッシングを行うことにより、以下のような知見を得たものである。
研磨パッドは、温度により弾性率が変わる。すなわち、研磨パッドは、温度が高いと弾性率が大きくなり、温度が低いと弾性率が小さくなる。研磨パッドの弾性率は、研磨パッドをドレッシングした時の研磨パッドの表面粗さに影響を及ぼす。
【００３５】
１）研磨パッドの弾性率が小さい場合
図２（ａ）は、下面にダイアモンド砥粒ＤＡを備えたドレッサ２２によって研磨パッド２をドレッシングしている状態を示す模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ部の拡大図である。図２（ａ），（ｂ）ではダイアモンド砥粒ＤＡは拡大して図示している。図２（ａ）の矢印で示すように、ドレッシング中、ドレッサ２２は軸心の回りに回転しつつ研磨パッド２の表面に沿って移動する。ドレッシングの際にダイアモンド砥粒ＤＡは、図２（ｂ）に示すように、ドレッサ荷重により研磨パッド２の表面に喰い込む。このとき、研磨パッドの弾性率が小さい場合、研磨パッドが硬く、ドレッサ２２のダイアモンド砥粒ＤＡが研磨パッド２を押す力が逃げず、ダイアモンド砥粒ＤＡで押しつける力を研磨パッド２がきちんと受ける。図２（ｂ）において、ダイアモンド砥粒ＤＡが研磨パッド２を押す力は実線矢印Ｆで示し、この力Ｆを研磨パッド２が実線矢印で示すようにきちんと受ける。したがって、砥粒は、荷重をかけた分、研磨パッド２を削り取ることになり、研磨パッド２の表面粗さは粗くなる傾向にある。
【００３６】
２）研磨パッドの弾性率が大きい場合
図３（ａ），（ｂ）は、研磨パッドの弾性率が大きい場合における研磨パッドとダイアモンド砥粒ＤＡとの関係を示す図である。図３（ａ）は、図２（ａ）のＡ部の拡大図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すダイアモンド砥粒ＤＡに隣接したダイアモンド砥粒ＤＡを追加して示す拡大図である。
研磨パッドの弾性率が大きい場合、研磨パッドが軟らかく、図３（ａ）に示すように、ダイアモンド砥粒ＤＡが研磨パッド２を押す力が左右に逃げてしまい、ダイアモンド砥粒ＤＡで押しつける力を研磨パッド２で十分に受けない。図３（ａ）において、ダイアモンド砥粒ＤＡが研磨パッド２を押す力は実線矢印Ｆで示し、この力Ｆを研磨パッド２が実線矢印で示すように受けるが、一部の力が点線矢印で示すように逃げる。したがって、砥粒は、研磨パッド２を削りにくく、研磨パッド２の表面粗さは細かくなる傾向にある。そして、図３（ｂ）のＢ部に示すように、隣接する砥粒間の研磨パッド２の盛り上がりにより、研磨パッド２の削られ方に影響があり、この点からも研磨パッド２の表面粗さは細かくなる傾向にある。
【００３７】
上記１）および２）から分かるように、研磨パッドの弾性率によって、ドレッシングした時の研磨パッドの削られ方が異なり、その結果、研磨パッドの表面粗さが異なってくる。また、上述したように、研磨パッドの弾性率は温度によって異なり、温度が高いと弾性率が大きくなり、温度が低いと弾性率が小さくなる。このように、ドレッシング時における研磨パッドの温度と、ドレッシングされた研磨パッドの表面粗さとの間には、相関関係があることが分かる。
【００３８】
次に、研磨パッドの表面粗さと研磨性能（研磨速度）の関係を図４に示す。
図４は、表面粗さの算術平均粗さ（Ｒａ）と研磨速度（ＲＲ）との関係を示す測定データの表及びグラフである。研磨速度の単位はｎｍ／ｍｉｎである。図４のグラフに示すデータは、表面粗さと研磨速度の相関係数が０．９６となる強い相関関係を示す研磨パッド領域を選択して表面粗さを求めた場合のデータである。図４の表に示すデータは、４種類の研磨速度で研磨するときの、研磨パッド表面の表面粗さ及び標準化した表面粗さである。図４から明らかなように研磨パッドの表面粗さが大きくなるほど研磨速度が向上し、表面粗さが１．１の付近で研磨速度は最大値をとっている。このように研磨パッドの表面粗さは、研磨性能と強い関連性を示すことが分かる。
【００３９】
上述したように、研磨パッドの表面粗さは表面温度及び研磨性能と相関関係を有しているため、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの表面温度との関係と、研磨パッドの表面粗さと研磨性能との関係とから、所望の研磨性能に対応するドレッシング時の研磨パッドの表面温度を求めることができる。
具体的には、達成したい研磨性能があるときにその研磨性能に対応する研磨パッドの表面粗さ（目標）を求め、その求めた表面粗さに対応する研磨パッドの表面温度になるように温度調整しながら、そのパッド温度とパッド表面粗さに対するドレッシング条件で研磨パッドをドレッシングする。ドレッシング中、研磨パッドの表面粗さをモニターし、研磨パッドの表面粗さが目標表面粗さに到達したら、ドレッシング終了とする。一定時間経過しても研磨パッドの表面粗さが目標表面粗さにならない場合には、目標表面粗さとモニターした表面粗さ（または測定した表面粗さ）とを比較し、目標表面粗さとモニターした表面粗さの差に基づいて研磨パッド温度を上げるか、または研磨パッド温度を下げるように調整する。
【００４０】
上記知見に基づいて、本発明は、研磨パッド２のドレッシング中に、研磨パッド２の表面粗さをモニターし、モニターした表面粗さに基づいて研磨パッド２の表面温度を調整しつつ、研磨パッド２のドレッシングを行うようにしたものである。
そのため、本発明のコンディショニング装置は、ドレッシング装置２０に加えて、研磨パッドの表面粗さを測定する測定ユニットおよび研磨パッドの温度を調整する温度調整ユニットを備えている。
【００４１】
図５は、本発明のコンディショニング装置１５を示す模式図である。図５に示すように、本発明のコンディショニング装置１５は、ドレッシング装置２０に加えて、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０および研磨パッドの温度調整ユニット４０を備えている。
【００４２】
図５に示すように、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット（表面粗さ測定手段）３０は、研磨パッド２にレーザ光を投光する投光部３１と、投光部３１から投光されて研磨パッド２の表面で反射散乱した光を受光する受光部３２を備えている。受光部３２は、ＣＣＤセンサ，ＣＭＯＳセンサ等から構成されている。本実施形態においては、投光部３１および受光部３２はドレッシング装置２０のドレッサアーム２１に支持されており、ドレッサアーム２１の揺動により、投光部３１および受光部３２は、研磨パッド２の上方で移動して研磨パッド２上の多数の箇所に光を投光し多数の箇所で反射散乱した光を受光するようになっている。受光部３２は制御部６０に接続されている。制御部６０は、受光部３２で受光した光を画像化して処理し研磨パッド２の表面粗さを算出するように構成されている。制御部６０で得られるパッド表面粗さの指標は、算術平均粗さ；Ｒａ、二乗平均平方根粗さ；Ｒｑ、粗さ曲線の最大谷深さ；Ｒｖ、粗さ曲線の最大山高さ；Ｒｐ、最大高さ粗さ；Ｒｚが挙げられる。これらパッド表面粗さの指標は研磨性能（研磨レート）と強い関連性を示す指標である。研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０および制御部６０は、ドレッサ２２による研磨パッド２のドレッシング中に、上記指標で表される表面粗さを測定し、測定値をモニター（監視）するように構成されている。研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０は、研磨テーブル１の回転方向に対して、ドレッサ２２の下流側の箇所を測定する位置に配置することが好ましい。この配置により、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０は、ドレッサ２２によりドレッシングされた直後の箇所における研磨パッド２の表面粗さを測定することが可能になる。
【００４３】
図５に示すように、研磨パッドの温度調整ユニット（温度調整手段）４０は、研磨パッド２の表面に接触するパッド接触部材４１と、研磨パッド２の表面温度を非接触で測定するサーモグラフ又は放射温度計４４と、パッド接触部材４１に温度調整された液体を供給する液体供給システム４５とを備えている。パッド接触部材４１は、内部に熱媒体としての液体が流れる流路を有し、下面が研磨パッド２の表面に接触して研磨パッド２を加熱又は冷却するように構成されている。パッド接触部材４１は、支持アーム４２を介して支持軸４３により支持されている。パッド接触部材４１は、研磨パッド２と接触する接触位置と該接触位置の上方の上昇位置との間で昇降可能に構成されるとともに、研磨テーブル１の半径方向に移動可能に構成されている。
【００４４】
液体供給システム４５は、液体供給タンク４６と、液体供給タンク４６とパッド接触部材４１とを連結する供給ライン４７および戻りライン４８とを備えている。熱媒体としての液体は、液体供給タンク４６から供給ライン４７を通じてパッド接触部材４１に供給され、パッド接触部材４１から戻りライン４８を通じて液体供給タンク４６に戻される。このように、液体は、液体供給タンク４６とパッド接触部材４１との間を循環する。液体供給タンク４６は、液体を加熱するヒータ（図示せず）を備えており、液体はヒータにより所定の温度に加熱される。すなわち、液体供給タンク４６は温調機として機能する。
【００４５】
液体供給システム４５は、さらに、供給ライン４７を流れる液体の流量を調整する流量調整弁５０と、流量調整弁５０を制御する温調コントローラ５１とを備えている。なお、供給ライン４７には冷水ライン５４が接続され、冷水ライン５４から供給ライン４７に冷水が供給可能になっている。冷水ライン５４には工場のユーティリティ又はチラーから冷水が供給されるようになっている。また、戻りライン４８には排水ライン５５が接続され、戻りライン４８を流れる液体を排水可能になっている。
【００４６】
サーモグラフ又は放射温度計４４は、研磨パッド２の表面温度を測定し、その測定値を制御部６０に送信するようになっている。制御部６０は、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０により測定された研磨パッド２の表面粗さ（測定表面粗さ）と、予め設定された目標とする研磨パッドの表面粗さ（目標表面粗さ）とを比較し、粗さの比較結果と、サーモグラフ又は放射温度計４４で測定された研磨パッド２の表面温度（測定表面温度）とから研磨パッド２の制御されるべき表面温度（制御目標温度）を演算する。制御部６０は、演算した研磨パッド２の制御目標温度を温調コントローラ５１に送信する。温調コントローラ５１は研磨パッド２の制御目標温度に基づいて流量調整弁５０を制御し、パッド接触部材４１に供給される液体の流量を制御する。研磨パッド２の表面温度は、パッド接触部材４１を流れる液体と研磨パッド２との間での熱交換により調整される。
【００４７】
研磨パッド２の表面温度は、パッド接触部材４１に供給される、温度制御された液体の流量を調整することにより制御される。パッド接触部材４１に供給される液体（熱媒体）としては、水が使用される。水の温度は、液体供給タンク４６のヒータにより、例えば約８０℃に加熱されて温水とされる。パッド接触部材４１に温水と冷水とを切替えて供給可能とするために、供給ライン４７，戻りライン４８，冷水ライン５４，排水ライン５５にはバルブＶ１〜Ｖ４が設けられている。すなわち、供給ライン４７にはバルブＶ１が設置されており、温水はバルブＶ１を介してパッド接触部材４１に供給されるようになっている。冷水ライン５４にはバルブＶ２が設置されており、冷水はバルブＶ２を介してパッド接触部材４１に供給されるようになっている。戻りライン４８には、バルブＶ３が設置されており、パッド接触部材４１に供給された温水はバルブＶ３を介して液体供給タンク４６に戻るようになっている。戻りライン４８を流れる冷水はバルブＶ４を介して排水可能になっている。パッド接触部材４１に温水を供給する際には、バルブＶ１，Ｖ３を開、バルブＶ２，Ｖ４を閉とする。パッド接触部材４１に冷水を供給する際には、バルブＶ１，Ｖ３を閉、バルブＶ２，Ｖ４を開とする。
【００４８】
次に、図５に示すように構成されたコンディショニング装置１５の動作を説明する。
制御部６０には、ＣＭＰプロセスにより定まる目標となる研磨パッドの表面粗さ（目標表面粗さ）が予め設定されている。また、ドレッシング条件として、ドレッサ荷重、ドレッサ回転速度、ドレッシング時間、研磨テーブルの回転速度、を一定とし、研磨パッドの温度を変えてドレッシングをし、その時の研磨パッドの表面粗さを測定することにより、研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの温度との関係を予め求めておき、この求めた研磨パッドの表面粗さと研磨パッドの温度との関係を制御部６０に蓄積させてある。なお、ドレッサの揺動速度を一定とするというドレッシング条件を加えてもよい。この関係はテーブルの形式等で蓄積させてある。
【００４９】
コンディショニング装置１５は、１枚の基板又は所定枚数の基板を研磨した後などのように、研磨パッド２のドレッシングが必要になったときに動作を開始し、ドレッサ２２による研磨パッド２のドレッシングを開始するとともに研磨パッドの温度調整ユニット４０による研磨パッド２の表面温度の調整を開始する。ドレッシング工程中、供給ノズル３からドレッシング液として、例えば、純水（ＤＩＷ）を研磨パッド２に供給する。そして、ドレッサ２２による研磨パッド２のドレッシング工程中、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０の投光部３１から研磨パッド２にレーザ光を投光し研磨パッド２で反射散乱した光を受光部３２で受光し、受光部３２で受光した光を制御部６０で画像化して処理し、研磨パッド２の表面粗さを算出する。制御部６０で得られるパッド表面粗さの指標は、研磨性能（研磨レート）と相関のある指標であって、算術平均粗さ；Ｒａ、二乗平均平方根粗さ；Ｒｑ、粗さ曲線の最大谷深さ；Ｒｖ、粗さ曲線の最大山高さ；Ｒｐ、最大高さ粗さ；Ｒｚが挙げられる。制御部６０は、これら５つの指標のうち少なくとも一つの指標を得る。
【００５０】
ドレッシング工程中、制御部６０には、サーモグラフ又は放射温度計４４から研磨パッド２の表面温度（測定表面温度）が入力される。制御部６０は、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０により測定された研磨パッド２の表面粗さ（測定表面粗さ）と、予め設定された目標とする研磨パッドの表面粗さ（目標表面粗さ）とを比較し、粗さの比較結果と、サーモグラフ又は放射温度計４４で測定された研磨パッド２の表面温度（測定表面温度）とから研磨パッド２の制御されるべき表面温度（制御目標温度）を演算する。制御部６０は、演算した研磨パッド２の制御目標温度を温調コントローラ５１に送信する。温調コントローラ５１は研磨パッド２の制御目標温度に基づいて流量調整弁５０を制御し、研磨パッドの表面温度を制御する。
【００５１】
より具体的には、制御部６０は、測定表面粗さと目標表面粗さとを比較し、測定表面粗さの方が目標表面粗さより大きい場合には、研磨パッド２の測定表面温度より高い制御目標温度を温調コントローラ５１に送信し、測定表面粗さの方が目標表面粗さより小さい場合には、研磨パッド２の測定表面温度より低い制御目標温度を温調コントローラ５１に送信する。温調コントローラ５１は研磨パッド２の制御目標温度に基づいて流量調整弁５０を制御し、研磨パッドの表面温度を制御する。研磨パッド２の表面温度は、パッド接触部材４１に供給される温水又は冷水の流量を流量調整弁５０により制御することにより、所望の値に制御することができる。
【００５２】
このように、研磨パッド２のドレッシング中に、研磨パッド２の表面粗さをモニターし、モニターした表面粗さに基づいて研磨パッド２の表面温度を調整しつつ、研磨パッド２のドレッシングを行う。表面粗さのモニターにより、測定表面粗さの方が目標表面粗さより大きい場合には、研磨パッド２の表面温度を測定表面温度より上げて研磨パッド２の弾性率を大きくし、ドレッサ２２により形成される研磨パッド２の表面粗さが細かくなるように制御する。逆に、測定表面粗さの方が目標表面粗さより小さい場合には、研磨パッド２の表面温度を測定表面温度より下げて研磨パッド２の弾性率を小さくし、ドレッサ２２により形成される研磨パッド２の表面粗さが粗くなるように制御する。
【００５３】
図５においては、研磨パッドの温度調整ユニット４０として、温水又は冷水をパッド接触部材４１に供給し、パッド接触部材４１の下面を研磨パッド２の表面に接触させることにより研磨パッド２の表面温度を制御するユニットを図示したが、温度制御された流体を研磨パッド２の表面に吹き付ける少なくとも１つのノズルを備えた研磨パッドの温度調整ユニット（温度調整手段）としてもよい。また、ドレッシング時に供給ノズル３から研磨パッド２に供給されるドレッシング液（例えば、純水）を所定の温度に制御するようにした研磨パッドの温度調整ユニット（温度調整手段）としてもよい。
【００５４】
図６は、本発明のコンディショニング装置１５の第２の態様を示す模式図である。第２の態様におけるコンディショニング装置１５がドレッシング装置２０、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０、研磨パッドの温度調整ユニット４０および制御部６０で構成されることは、第１の態様のコンディショニング装置１５と同様であるが、第２の態様においては、研磨パッドの温度調整ユニット４０は、２つのパッド接触部材４１−１，４１−２と、２つのサーモグラフ又は放射温度計４４−１，４４−２とを備えている。パッド接触部材４１−１は支持アーム４２−１を介して支持軸４３−１により支持されている。パッド接触部材４１−２は支持アーム４２−２を介して支持軸４３−２により支持されている。
【００５５】
パッド接触部材４１−１およびパッド接触部材４１−２に液体を供給する液体供給タンク４６は、１台であり、１台の液体供給タンク４６から流量調整弁５０−１，５０−２を介して温度制御された液体をパッド接触部材４１−１，４１−２に個別に供給することができるようになっている。また、図示していない冷水ラインからパッド接触部材４１−１，４１−２に個別に温度制御された冷水を供給できるようになっている。なお、バルブ類は図示を省略している。第２の態様のその他の構成は、第１の態様と同様である。
【００５６】
図６に示すように構成されたコンディショニング装置１５によれば、ドレッシング中に２つのパッド接触部材４１−１，４１−２により研磨パッド２の半径方向の異なった領域毎に温度調整を行うことができ、したがって、研磨パッド２の半径方向に表面粗さを変えることができる。このように、研磨パッド２の半径方向に表面粗さが異なる領域を形成することにより、基板の研磨プロファイルの調整ができる。
【００５７】
図７は、図６に示すコンディショニング装置１５によりコンディショニングされた研磨パッドを示す図であり、研磨パッドの半径方向内側の領域と外側の領域とで表面粗さが異なる状態を示す平面図である。図７に示すように、研磨パッド２の半径方向内側の領域２Ａの表面粗さは粗く、外側の領域２Ｂの表面粗さは細かい。
【００５８】
図８は、本発明に係る研磨パッドのコンディショニング方法の手順を示すフローチャートである。図８に示すように、ドレッシング装置２０による研磨パッド２のドレッシングを開始するとともに研磨パッドの温度調整ユニット４０による研磨パッド２の表面温度の調整を開始する。なお、先に研磨パッドの温度調整ユニット４０による研磨パッド２の表面温度の調整を開始し、研磨パッド２の表面温度が予め定めた温度に達したら、ドレッサ２２によるドレッシングを開始してもよい。レシピで入力した研磨パッドの温度に到達したら、研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０による研磨パッド２の表面粗さの測定結果を制御部６０へ送信する。研磨パッドの表面粗さ測定ユニット３０により研磨パッド２の表面粗さを測定する際には、ドレッサ２２を研磨パッド２に押し当てて研磨テーブル１を回転させるか、又は、ドレッサ２２を研磨パッド２から離して研磨テーブル１の回転を止める。
【００５９】
次に、制御部６０において、測定表面粗さと予め設定された目標表面粗さとを比較して表面粗さの判定を行う。測定表面粗さが目標表面粗さに等しい場合には、研磨パッド２のドレッシングを終了するとともに研磨パッド２の表面温度の調整を終了する。測定表面粗さが目標表面粗さに等しくない場合には、ドレッシングを行いながら、目標表面粗さとなるように温調コントローラ５１で研磨パッド２の表面温度を制御する。このように、ドレッシングを行いながら目標表面粗さとなるように研磨パッド２の表面温度を制御する表面粗さモニターを継続して行い、測定表面粗さが目標表面粗さに到達したら、研磨パッド２のドレッシングを終了するとともに研磨パッド２の表面温度の調整を終了する。
【００６０】
これまで本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術思想の範囲内において、種々の異なる形態で実施されてよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００６１】
１    研磨テーブル
１ａ  テーブル軸
２    研磨パッド
２ａ  研磨面
３    供給ノズル
１０    トップリング
１１    トップリングシャフト
１２    トップリングヘッド
１３    トップリングヘッドシャフト
１５    コンディショニング装置
２０    ドレッシング装置
２１    ドレッサアーム
２２    ドレッサ
２２ａ  ドレッシング部材
２３    揺動軸
３０    研磨パッドの表面粗さ測定ユニット
３１    投光部
３２    受光部
４０    研磨パッドの温度調整ユニット
４１，４１−１，４１−２    パッド接触部材
４２，４２−１，４２−２    支持アーム
４３，４３−１，４３−２    支持軸
４４，４４−１，４４−２    サーモグラフ又は放射温度計
４５    液体供給システム
４６    液体供給タンク
４７    供給ライン
４８    戻りライン
５０，５０−１，５０−２    流量調整弁
５１    温調コントローラ
５４    冷水ライン
５５    排水ライン
６０    制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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