(57)【要約】      （修正有）【課題】共通モードで端子間インピーダンスの差をなくす高周波数用積層型共通モードフィルタを提供する。【解決手段】多数の積層体それぞれの端子部４１２、５１２が上部及び下部で磁性体６００と重畳されないようにして端子間インピーダンスの差を除去し、端子部における不必要な規制インピーダンスを除去して共通モードでノイズを除去し、ディファレンシャルモードで信号歪曲を除去するなど高周波特性を向上させる。【選択図】図５
2015106704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部磁性体、下部磁性体及び前記磁性体の間に介在される積層体を含む本体と前記本体の側面に形成される外部電極を具備する高周波数用積層型共通モードフィルタにおいて、
前記積層体は、コイル要素と前記コイル要素を前記外部電極と電気的に連結するリードが形成される第１非磁性体と前記外部電極と電気的に連結されるリードのみ形成されて前記第１非磁性体と電気的に連結される第２非磁性体が積層された単位積層体が対をなして積層されて形成され、
前記第１及び第２非磁性体のリードの外側端部に形成される端子部は、前記上部及び下部磁性体と重畳されないことを特徴とする高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項２】
前記単位積層体のうちいずれか一つの単位積層体の端子部は該当リードから折曲されて形成され、他の一つの単位積層体の端子部は該当リードから直線に延長されて形成されることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項３】
前記単位積層体それぞれの端子部は該当リードから互いに反対方向に折曲されて形成されることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項４】
前記端子部に対応する前記上部磁性体と前記下部磁性体の両側縁がそれぞれ前記第１及び第２非磁性体の両側縁より内側にオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）されて位置することで前記重畳が行われないようにすることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項５】
前記上部磁性体と前記下部磁性体で前記端子部に対応する縁部分に前記端子部を露出させる溝を形成して前記重畳が行われないようにすることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項６】
前記第１非磁性体と前記第２非磁性体はバイアホールを介して電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項７】
前記積層型共通モードフィルタは共通モードでノイズを除去し、ディファレンシャルモードで信号歪曲を除去することを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項８】
前記高周波数用積層型共通モードフィルタは、カットオフ周波数を高く形成して３ＧＨｚ以上の高周波数に適用可能であることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項９】
前記コイル要素と前記リードはグリーンシート上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１０】
前記本体の上面から下面まで前記端子部を貫通する充填溝を形成し、前記充填溝に銀（Ａｇ）ペーストを充填した後、前記充填溝が半分に切断されるように前記本体と前記積層体を垂直に切断して外部に露出された前記銀ペーストを覆うように前記外部電力が形成されることを特徴とする請求項１に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１１】
前記外部電極は前記本体の側面の高さ方向の中間から前記本体の上面に折曲されて延長されることを特徴とする請求項１０に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１２】
上部磁性体、下部磁性体及び前記磁性体の間に介在される積層体を含む本体と前記本体の側面に形成される外部電極を具備する高周波数用積層型共通モードフィルタにおいて、
前記積層体は、一面にコイル要素と前記コイル要素を前記外部電極と電気的に連結する第１非磁性体とリードが形成され、他面に前記第１リードと電気的に連結されて前記外部電極と電気的に連結される第２リードを具備する非磁性体が対をなして積層されて形成され、
前記第１及び第２リードの外側端部に形成される端子部は、前記上部及び下部磁性体と重畳されないことを特徴とする高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１３】
前記非磁性体のうちいずれか一つの非磁性体の端子部は前記第１及び第２リードから折曲されて形成され、他の一つの非磁性体の端子部は前記第１及び第２リードから直線に延長されて形成されることを特徴とする請求項１２に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１４】
前記非磁性体のそれぞれの端子部は、前記第１及び第２リードから互いに反対方向に折曲されて形成されることを特徴とする請求項１２に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１５】
前記端子部に対応する前記上部磁性体と前記下部磁性体の両側縁が前記非磁性体のそれぞれの両側縁より内側にオフセットされて位置することで前記重畳が行われないようにすることを特徴とする請求項１２に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１６】
前記上部磁性体と前記下部磁性体の前記端子部に対応する縁部分に前記端子部を露出させる溝を形成して前記重畳が行われないようにすることを特徴とする請求項１２に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【請求項１７】
前記コイル要素と前記リードはポリイミドフィルムの上に薄膜で形成されることを特徴とする請求項１２に記載の高周波数用積層型共通モードフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波数用積層型共通モードフィルタに関するものであり、より詳しくは、端子間のインピーダンス差を除去するか不必要な寄生インピーダンスを除去して超高周波数に適用可能な積層型共通モードフィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、市場の要求によって電子製品は膨大な量のデータを扱うようになっている。
【０００３】
過去では単に信号のみを伝送していたが、現在は自動信号方式で数多くのデータを非常に速く伝送することができるようになっている。
【０００４】
このようなデジタル電子製品の例としてコンピュータは高解像度の映像や動画を扱うようになっており、それによってより速い信号伝送体系が必要となった。
【０００５】
これがディスプレーポートのような速い信号伝送のために共通モードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｌｔｅｒ，ＣＭＦ）の常用化に対する背景となっている。
【０００６】
図１は各信号伝送回路別の有効周波数を示しているが、ＵＳＢ  ３．０ＳＳの場合には２．５ＧＨｚの超高周波数帯域を使用しているため高い周波数伝送が可能な共通モードフィルタが必要となり、その結果、共通モードフィルタでカットオフ周波数（ｃｕｔ−ｏｆｆ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を制限する要素がどこにあるのかが重要となった。
【０００７】
通常共通モードフィルタは、図２に示したように中央磁路（磁心）を中心に２つのコイルが同じ方向に回転するように構成され、両側の縁に形成された端子部と結合されるようにコイルが延長される。
【０００８】
図３（ａ）に示したように、共通モードでは一側に形成された端子部からそれぞれ印加される信号に応じて２つのコイルには同じ回転方向に信号が流れるため、磁心を基準にインピーダンス成分が互いに合わせられて高いインピーダンス成分を形成する。
【０００９】
また、図３（ｂ）に示したように、ディファレンシャルモード（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  ｍｏｄｅ）では両側に形成された端子部からそれぞれ印加される信号に応じて２つのコイルにはそれぞれ互いに異なる方向に信号が流れるようになり、磁心を基準にインピーダンス成分が互いに相殺される。言い換えると、中央磁心を基準に回転するコイルはそれぞれ互いに異なる位相で形成されるため磁束を相殺させる役割をし、端子部では互いに同じ移送の方向が形成されるため共通モードと反対の特性を示すようになる。
【００１０】
このような従来の構造において、電気的特性を向上させるために１次コイルと２次コイル間の電磁気的な結合度を増加させることが重要な課題であり、１次及び２次コイル間の電磁気的結合度を増加させるためには２つのコイル間の間隔を小さくするか、漏洩磁束が発生しないように磁路を形成すべである。
【００１１】
しかし、実装のための端子部が表面実装型で縁に傾くようになり、それによってコイル間の整合関係を形成することができない構造になりかねない。
【００１２】
図２に示したように縁に端子部が形成される場合、中央磁心構造では端子部のうちいずれか一つは０．５ターン（ｔｕｒｎ）が大きいか小さくなりかねなく、それによって端子部間の距離の差が発生して構造的に２つのコイルの端子間のインピーダンスを同じく形成することができなくなる。
【００１３】
その結果、図３（ａ）のような共通モードでは端子間インピーダンスの差を発生させ、図３（ｂ）のようなディファレンシャルモードでは不必要なインピーダンス（寄生インピーダンス）成分を発せさせるようになる。
【００１４】
よって、各製造社はコイル間のコイル回転数を補償するために多様な方法を動員してそれを補完しているが、完璧な整合関係を形成することはできないでいる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、共通モードで端子間インピーダンスの差をなくす高周波数用積層型共通モードフィルタを提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、ディファレンシャルモードで不必要なインピーダンス成分を除去し、従来より高い周波数で適用可能な積層型共通モードフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的は、上部磁性体、下部磁性体及び前記磁性体の間に介在される積層体を含む本体と前記本体の側面に形成される外部電極を具備し、前記積層体は、コイル要素と前記コイル要素を前記外部電極と電気的に連結するリードが形成される第１非磁性体とリードのみ形成されて前記第１非磁性体と電気的に連結される第２非磁性体が積層された単位積層体が対をなして積層されて形成され、前記第１及び第２非磁性体のリードの外側端部に形成される端子部は前記上部及び下部磁性体と重畳されないことを特徴とする高周波数用積層型共通モードフィルタによって達成される。
【００１８】
好ましくは、前記単位積層体のうちいずれか一つの単位積層体の端子部は該当リードから折曲されて形成され、他の一つの単位積層体の端子部は該当リードから直線に延長されて形成されるか、前記単位積層体それぞれの端子部は該当リードから互いに反対方向に折曲されて形成される。
【００１９】
好ましくは、前記端子部に対応する前記上部磁性体と前記下部磁性体の両側縁がそれぞれ第１及び第２非磁性体の両側縁より内側にオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）されて位置することで前記重畳が行われないようにしてもよい。
【００２０】
好ましくは、前記上部磁性体と下部磁性体で前記端子部に対応する縁部分に前記端子部を露出させる溝を形成して前記重畳が行われないようにしてもよい。
【００２１】
好ましくは、前記第１非磁性体と前記第２非磁性体はバイアホールを介して電気的に連結される。
【００２２】
好ましくは、前記積層型共通モードフィルタは共通モードでノイズを除去し、ディファレンシャルモードで信号歪曲を除去する。
【００２３】
好ましくは、前記高周波数用積層型共通モードフィルタは、カットオフ周波数を高く形成して３ＧＨｚ以上の高周波数に適用可能である。
【００２４】
好ましくは、前記コイル要素と前記リードはグリーンシートの上に形成される。
【００２５】
好ましくは、前記端子部に対応して前記積層体を貫通するように前記本体の上面から下面に充填溝を形成し、前記充填溝に銀（Ａｇ）ペーストを充填した後、前記充填溝を垂直に切断して外部に露出された前記銀ペーストに前記外部電極が形成される。
【００２６】
好ましくは、前記外部電極は前記本体の側面の高さ方向の中間から前記本体の上面に折曲されて延長される。
【００２７】
前記目的は、上部磁性体、下部磁性体及び前記磁性体の間に介在される積層体を含む本体と前記本体の側面に形成される外部電極を具備し、前記積層体は、一面にコイル要素と前記コイル要素を前記外部電極と電気的に連結するリードが形成されて他面に前記第１リードと電気的に連結されて前記外部電極と電気的に連結される第２リードを具備する非磁性体が対をなして積層されて形成され、前記第１及び第２リードの外側端部に形成される端子部は前記上部及び下部磁性体と重畳されないことを特徴とする高周波数用積層型共通モードフィルタによって達成される。
【００２８】
好ましくは、前記コイル要素と前記リードはポリイミドフィルムの上に薄膜で形成される。
【発明の効果】
【００２９】
上述した構成によると、端子間インピーダンスの差をなくし、端子部における不必要な寄生インピーダンスを除去して共通モードでノイズを除去し、ディファレンシャルモードで信号歪曲を除去するなど高周波特性を向上させることができるため、従来より高い周波数に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来の信号伝送回路別の有効周波数を示す例示図である。
【図２】従来の共通モードフィルタを示す図である。
【図３】(ａ)は従来の共通モードフィルタの共通モードを示す図で、(ｂ)は従来の共通モードフィルタのディファレンシャルモードを示す図である。
【図４】本発明の一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタを示す外観図である。
【図５】一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタを示す平面図である。
【図６】一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層体を示す分解斜視図である。
【図７】一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層斜視図である。
【図８】一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの周波数特性を示すグラフである。
【図９ａ】従来の共通モードフィルタの端子間インピーダンスの差を示すグラフである。
【図９ｂ】本発明の共通モードフィルタの端子間インピーダンスを示すグラフである。
【図１０】本発明の他の実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層斜視図である。
【図１１】他の実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付の図面を参照して本発明の高周波数用積層型共通モードフィルタの好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３２】
図４は本発明の一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタを示す外観図であり、図５は一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタを示す平面図であり、図６は一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層体を示す分解斜視図であり、図７は一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層斜視図である。
【００３３】
図４を参照すると、本発明による高周波数用積層型共通モードフォルタは本体５０と本体５０の互いに対向する側面に対をなして形成される外部電極６０で形成される。
【００３４】
本体は通常ＬＴＣＣ（低温同時塑性セラミック）材質で構成され、内部に上部磁性体６００と下部磁性体１００及びそれらの間に介在されて積層される積層体で形成される。
【００３５】
図６は積層型共通モードフィルタの積層体のみを示す分解斜視図であって、積層体は、コイルパターン３２０，４２０とコイルパターン３２０，４２０と一緒に形成されて外部と電気的に連結されるリードパターン３１０，４１０が形成される非磁性体３００，４００と、外部と電気的に連結されるリードパターン２０１，５１０のみ形成されて非磁性体３００，４００のコイルパターン３２０，４２０と電気的に連結される非磁性体２００，５００が積層された単位積層体ＡとＢが対をなして形成される。
【００３６】
各リードパターン２１０，３１０，４１０，５１０の縁に隣接する部分は折曲されて端子部２１２，３１２，４１２，５１２を形成し、互いに離隔された端子部の対を構成する。即ち、各非磁性体２００，３００，４００，５００で形成される積層体は互いに反対方向の縁に互いに離隔された対で形成されて外部に露出される端子部２１２，３１２，４１２，５１２を具備する。
【００３７】
図４のように、端子部２１２，３１２，４１２，５１２は本体５０の側面に形成される外部電極６０と電気的に連結される。
【００３８】
好ましくは、本体５０の上面から下面まで端子部２１２，３１２，４１２，５１２を貫通するように充填溝を形成し、この充填溝に銀（Ａｇ）ペーストを充填した後、充填溝を、例えば半分程度垂直に切断されるように本体５０と積層体を切断すると、充填された銀ペーストが外部に露出される。
【００３９】
露出された銀ペーストを覆うように外部電力６０を形成することで、外部電極６０と端子部２１２，３１２，４１２，５１２間の優秀な接着が行われる。
【００４０】
このような構成で外部電極６０を形成する場合、図１のように積層体を構成する非磁性体２００，３００，４００，５００のうち最下部の非磁性体２００から本体５０の上面にわたって折曲される形態に外部電極６０が形成される。
【００４１】
よって、従来端子部での塑性過程のうち本体のガラス成分が銀ペーストを覆って外部電極と端子部間に点接触をなしてから使用中に途切れる現象を確実に防止することができる。
【００４２】
非磁性体２００，３００，４００，５００の中央部分には磁性体のコアである磁心２３０，３３０，４３０，５３０が設けられが、例えば中央部分に貫通孔を形成して磁性体ペーストを充填し硬化することで形成する。
【００４３】
非磁性体２００には磁心２３０に隣接する位置から始まるリードパターン２２０が一側縁２０４まで延長され、縁２０４に隣接して折曲されて端子部２１２を形成する。
【００４４】
非磁性体３００には非磁性体２００の開始位置に対応する位置に形成されるバイアホール３０２を介してリードパターン２２０の電気的に連結されて磁心３３０を囲むように巻かれたコイルパターン３２０が形成され、コイルパターン３２０に一体に形成されたリードパターン３１０が他側縁３０６まで延長されて縁３０６に隣接して折曲されて端子部３１２を形成する。
【００４５】
非磁性体４００には非磁性体３００のコイルパターン３２０と同じターン数と方向に磁心４３０を囲むように巻かれたコイルパターン４２０が形成され、コイルパターン４２０に一体に形成されたリードパターン４１０が他側縁４０６まで延長されて縁４０６に隣接して折曲されて端子部４１２を形成する。
【００４６】
ここで、非磁性体４００の端子部４１２は非磁性体３００の端子部３１２と反対方向に折曲されることで、端子部４１２と端子部３１２は一定間隔に離隔される。
【００４７】
非磁性体４００の開始位置にはバイアホール４０２が形成され、非磁性体５００のリードパターン５１０はバイアホール４０２を介して非磁性体４００のコイルパターン４２０と電気的に連結されて一側縁５０４まで延長され、縁５０４にと隣接して折曲されて端子部５１２を形成する。
【００４８】
ここで、非磁性体５００の端子部５１２は非磁性体２００の端子部２１２と反対方向に折曲されることで、端子部５１２と端子部２１２は一定間隔に離隔される。
【００４９】
非磁性体２００，３００，４００，５００は例えばグリーンシートで構成され、その上にコイルパターン３２０，４２０とリードパターン２１０，３１０，４１０，５１０を形成するが、コイルパターンを基準に互いに反対方向にリードパターンを延長する構造であるため、一つのコイルパターンに対して非磁性体を積層して単位積層体ＡとＢを形成することで全て４枚の非磁性体シートを必要とする。
【００５０】
しかし、それに限らずに非磁性体としてポリイミドフィルムを適用する場合、ポリイミドフィルムの両面に薄膜のコイルパターンとリードパターンを形成することで２枚のポリイミドフィルムで積層体を構成してもよい。
【００５１】
また、本実施例では端子部２１２，３１２，４１２，５１２がふちに隣接して折曲されることを例に挙げているが、同じ側面に延長して対をなす端子部２１２，５１２と３１２，４１２それぞれにおいていずれか一つの端子部は折曲されずに縁まで直線に延長されてもよく、他の一つの端子部に長さを調節して端子部間の間隔を調節してもよい。
【００５２】
本発明によると、リード２１０，３１０，４１０，５１０の外側端部に形成される端子部２１２，３１２，４１２，５１２は上部及び下部磁性体１００，６００と重畳されない。
【００５３】
図７を参照すると、本実施例では上部磁性体６００と下部磁性体１００の両側縁がそれぞれ非磁性体２００，３００，４００，５００の両側縁より内側にオフセットされて位置する。言い換えると、上部磁性体６００と下部磁性体１００の大きさを非磁性体２００，３００，４００，５００の大きさより小さく形成するのである。
【００５４】
よって、図５と図７に示したように、各非磁性体２００，３００，４００，５００の端子部２１２，３１２，４１２，５１２は上部磁性体６００及び下部磁性体１００によって覆われずに外部に露出される。
【００５５】
このように積層された状態で本体５０を構成し、本体５０の側面に露出された端子部２１２，３１２，４１２，５１２には外部電極６０が電気的に連結される。
【００５６】
このような構造によると、図５に示したように共通モードで非磁性体２００，５００の端子部２１２，５１２と非磁性体３００，４００の端子部３１２，４１２との間に距離の差があっても上部と下部にそれぞれ磁性体が重畳（積層）されないため、距離の差によるインピーダンス差が発生しない。また、ディファレンシャルモードでも同じ原理によって不必要な寄生インピーダンスが発生しない。
【００５７】
これは図８と図９ａ及び図９ｂを参照するとより明らかになる。図８は一実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの周波数特性を示すグラフであり、図９ａは従来の共通モードフィルタの端子間インピーダンスの差を示すグラフであり、図９ｂは本発明の共通モードフィルタの端子間インピーダンスを示すグラフである。
【００５８】
図８を参照すると、点線が本発明の共通モードフィルタの周波数特性を示し、実線が従来の共通モードフィルタの周波数特性を示す。
【００５９】
グラフを見ると、−３ｄＢでの減衰（ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ）として定義されるカットオフ周波数が従来の場合７．５１ＧＨｚで形成されたことに比べ、本発明の場合−３ｄＢまで減衰が現れないことが確認された。
【００６０】
また、グラフを見ると、本発明の高周波数用積層型共通モードフィルタはカットオフ周波数を高く形成して３ＧＨｚ以上の高周波数に適用可能であることが分かる。
【００６１】
結論的に、本発明のように端子部と重畳される磁性体をなくすことでカットオフ周波数を上向調整可能であることが確認された。結局、はるかに高い高周波数まで適用可能になり、高周波数用共通モードフィルタの設計が可能になる。
【００６２】
また、図９ａと図９ｂに示したように、図９ａは従来の共通モードフィルタの端子間インピーダンスの差を示し、図９ｂは本発明の共通モードフィルタの端子間インピーダンスを示す。
【００６３】
グラフを見ると、本発明のように端子部と重畳される磁性体を除去することで端子間インピーダンスの差を大きく改善することができることが分かる。
【００６４】
図１０は本発明の他の実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層斜視図であり、図１１は他の実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタの積層模式図である。
【００６５】
この実施例による高周波数用積層型共通モードフィルタによると、下部磁性体１００と上部磁性体６００の両側縁において、積層体２００，５００の端子部２１２，５１２の対と積層体３００，４００の端子部３１２，４１２の対にそれぞれ対応する部分に内側に掘られた溝１１０，６１０が形成されて端子部２１２，３１２，４１２，５１２が外部に露出される。
【００６６】
言い換えると、下部磁性体１００と上部磁性体６００の両側縁から溝１１０，６１０を除く残りの部分は各非磁性体２００，３００，４００，５００の両側縁と正確に一致するように形成する。
【００６７】
この実施例の場合でも、上述した一実施例に対する図８と図９ａ及び図９ｂの周波数特性と端子間インピーダンスの差が同じく適用される。
【００６８】
結論的に、前記のように構成すると端子間インピーダンスの差をなくすことができ、端子部における不必要な寄生インピーダンスを除去して共通モードでノイズを除去し、ディファレンシャルモードで信号歪曲を除去するなど高周波特性を向上させることができるため、従来より高い周波数に適用可能である。
【００６９】
上述したような内容の本発明が属する技術分野における当業者は、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更することなく他の具体的な形態に実施可能であることを理解できるはずである。よって、上述した実施例は全ての面で例示されたものであって限定的なものではないと理解すべきである。
【００７０】
本発明の範囲は上述した詳細な説明よりは後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその等価概念から導出される全ての変更又は変形された形態が本発明の範囲に含まれると解析されるべきである。
【図１】
2015106704.tif 000003
【図２】
2015106704.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015106704.tif 000009
【図８】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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