(57)【要約】【課題】端子を厚く、かつ精度良く形成することができる電子デバイス用パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法は、絶縁基板と、金属板とを用意する工程と、前記絶縁基板と、前記金属板とを貼り合せる工程と、前記金属板の一部を除去して端子を形成する工程と、を含む。また、前記端子を形成する工程では、エッチングにより金属板を除去することが好ましい。また、前記用意する工程では、前記絶縁基板の構成材料はガラスを含むことが好ましい。また、前記端子の厚さは、５０μｍ以上であることが好ましい。【選択図】図１
2015231002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、金属板とを用意する工程と、
前記絶縁基板と、前記金属板とを貼り合せる工程と、
前記金属板の一部を除去して端子を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記端子を形成する工程では、エッチングにより金属板を除去する請求項１に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記用意する工程では、前記絶縁基板の構成材料はガラスを含む請求項１または２に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁基板の一部を除去し、前記絶縁基板の前記金属板と反対側の面に開口する第１の凹部を形成する工程を含む請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁基板の一部を除去し、前記絶縁基板の前記金属板側の面に開口する第２の凹部を形成する工程を含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記金属板を曲げる工程を含む請求項５に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記金属板に厚さの異なる部位を形成する工程を含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記端子を形成する工程では、前記金属板が積層体である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記積層体を構成する少なくとも２つの層の構成材料は、互いに異なる金属材料である請求項８に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記金属板に突出した部位を形成する工程を含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記端子の厚さは、５０μｍ以上である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電子デバイス用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、キャップ部材とベース部材とを有するパッケージ（電子デバイス用パッケージ）に水晶片を収容してなる水晶振動子が記載されている。
【０００３】
また、ベース部材のキャップ部材と反対側の面には、水晶振動子を回路基板（実装基板）に実装する際に用いられ、半田等で前記回路基板に接続される端子が設けられている。この端子は、導電性ペーストを塗布し、焼成して形成される。
【０００４】
しかしながら、前記従来の端子の形成方法（電子デバイス用パッケージの製造方法）では、端子を厚く形成することは、困難であった。すなわち、導電性ペーストを塗布して焼成する工程を１回行って形成される金属層の厚さは薄く、このため、厚い端子を設けるには、前記工程を複数回行う必要があり、その複数回の工程で形成される金属層間にズレが生じ、また、焼成時に金属層が収縮するので、厚い端子を精度良く形成することができなかった。
【０００５】
なお、端子の厚さが薄いと、水晶振動子を回路基板に実装した状態では、パッケージと回路基板との熱膨張率の違いからパッケージに応力が生じ、このため、水晶振動子の振動特性（周波数特性）が変動してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２７９１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、端子を厚く、かつ精度良く形成することができる電子デバイス用パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法は、絶縁基板と、金属板とを用意する工程と、
前記絶縁基板と、前記金属板とを貼り合せる工程と、
前記金属板の一部を除去して端子を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
これにより、端子を厚く、かつ精度良く形成することができる。
そして、厚い端子を設けることにより、優れた応力緩和特性を有する電子デバイス用パッケージを提供することができる。すなわち、電子デバイスを収容した電子デバイス用パッケージが回路基板（実装基板）に実装された状態で、端子が緩衝部材として機能し、これにより、熱等による回路基板や電子デバイス用パッケージの伸縮によって電子デバイス用パッケージに生じる応力を吸収・緩和することができる。これにより、前記応力が電子デバイスに伝達され、電子デバイスの特性が変動してしまうことを抑制することができる。
【００１１】
［適用例２］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記端子を形成する工程では、エッチングにより金属板を除去することが好ましい。
これにより、簡単にかつ優れた寸法精度で端子を形成することができる。
【００１２】
［適用例３］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記用意する工程では、前記絶縁基板の構成材料はガラスを含むことが好ましい。
これにより、簡単に絶縁基板を加工することができる。
【００１３】
［適用例４］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記絶縁基板の一部を除去し、前記絶縁基板の前記金属板と反対側の面に開口する第１の凹部を形成する工程を含むことが好ましい。
これにより、凹部を電子デバイスを収容する空間として用いることができる。
【００１４】
［適用例５］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記絶縁基板の一部を除去し、前記絶縁基板の前記金属板側の面に開口する第２の凹部を形成する工程を含むことが好ましい。
【００１５】
これにより、電子デバイス用パッケージの柔軟性が増し、優れた応力緩和特性を有する電子デバイス用パッケージを提供することができる。また、例えば、半田等を用いて実装する際に生じる熱を第２の凹部から逃がすことができる。
【００１６】
［適用例６］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記金属板を曲げる工程を含むことが好ましい。
【００１７】
これにより、曲がった端子が形成され、例えば、半田等を用いて実装した際、アンカー効果により、剥がれ難くなる。
【００１８】
［適用例７］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記金属板に厚さの異なる部位を形成する工程を含むことが好ましい。
【００１９】
これにより、厚さの異なる部位を有する端子が形成され、例えば、半田等を用いて実装した際、アンカー効果により、剥がれ難くなる。
【００２０】
［適用例８］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記端子を形成する工程では、前記金属板が積層体であることが好ましい。
これにより、種々の形状の端子を簡単に形成することができる。
【００２１】
［適用例９］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記積層体を構成する少なくとも２つの層の構成材料は、互いに異なる金属材料であるすることが好ましい。
これにより、種々の形状の端子を簡単に形成することができる。
【００２２】
［適用例１０］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記金属板に突出した部位を形成する工程を含むことが好ましい。
【００２３】
これにより、突出した部位を有する端子が形成され、例えば、半田等を用いて実装した際、アンカー効果により、剥がれ難くなる。
【００２４】
［適用例１１］
本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法では、前記端子の厚さは、５０μｍ以上であることが好ましい。
【００２５】
これにより、優れた応力緩和特性を有する電子デバイス用パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す振動子が有する振動素子を示す平面図である。
【図４】図１に示す振動子を回路基板に実装した状態を示す断面図である。
【図５】図１に示す振動子の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図１に示す振動子の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図１に示す振動子の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１に示す振動子の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図１に示す振動子の外部接続端子の厚さと、ベース基板に生じる最大応力との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【図１３】図１２に示す電子デバイス用パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１２に示す電子デバイス用パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１２に示す電子デバイス用パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第５実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【図１７】本発明の第６実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【図１８】振動子を備えるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１９】振動子を備える携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図２０】振動子を備えるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図２１】振動子を備える移動体を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１に示す振動子が有する振動素子を示す平面図である。図４は、図１に示す振動子を回路基板に実装した状態を示す断面図である。図５〜図８は、それぞれ、図１に示す振動子の製造方法を説明するための断面図である。図９は、図１に示す振動子の外部接続端子の厚さと、ベース基板３に生じる最大応力との関係を示すグラフである。なお、以下の説明では、図１中の紙面手前側および図２中の上側を「上」と言い、図１中の紙面奥側および図２中の下側を「下」と言う（他の実施形態の図２に対応する図も同様）。
【００２９】
≪振動子≫
まず、電子デバイス用パッケージを用いた振動子について説明する。
【００３０】
図１および図２に示すように、振動子１は、パッケージ（電子デバイス用パッケージ）２と、パッケージ２に収容されている振動素子（電子部品）５と、を有している。また、パッケージ２は、凹部３ａを有するキャビティ状のベース基板３と、凹部３ａの開口を塞ぐようにしてベース基板３に接合されているリッド（蓋体）４と、を有している。
【００３１】
−振動素子−
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、振動素子５は、平面視形状が長方形（矩形）の板状をなす水晶基板５１と、水晶基板５１の表面に形成されている１対の導体層５２、５３と、を有している。なお、図３（ａ）は、振動素子５を上方から見た平面図であり、同図（ｂ）は、振動素子５を上方から見た透過図である。
【００３２】
水晶基板５１は、ＡＴカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶基板である。また、導体層５２は、水晶基板５１の上面に形成された励振電極５２ａと、水晶基板５１の下面に形成されたボンディングパッド５２ｂと、励振電極５２ａとボンディングパッド５２ｂとを電気的に接続する配線５２ｃと、を有している。同様に、導体層５３は、水晶基板５１の下面に形成された励振電極５３ａと、水晶基板５１の下面に形成されたボンディングパッド５３ｂと、励振電極５３ａおよびボンディングパッド５３ｂを電気的に接続する配線５３ｃと、を有している。このような構成の振動素子５は、励振電極５２ａ、５３ａ間に交番電圧が印加されることで、励振電極５２ａ、５３ａに挟まれた振動領域が厚み滑り振動する。
【００３３】
以上、振動素子５について説明したが、振動素子５の構成は、上記の構成に限定されず、例えば、振動領域が厚肉になっているメサ型のＡＴカット水晶振動素子であってもよいし、反対に、振動領域が薄肉になっている逆メサ型のＡＴカット水晶振動素子であってもよい。また、ＡＴカットに替えてＢＴカットの水晶基板５１を用いてもよい。また、一対の振動腕が屈曲振動する音叉型の振動素子であってもよい。また、水晶基板５１に替えて、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウムや五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）などの圧電体材料を積層させて構成された積層圧電基板や、圧電セラミック基板を用いてもよい。また、シリコン基板に圧電素子を配置し、通電によって圧電素子を伸縮させることで励振させる非圧電振動素子であってもよい。
【００３４】
−パッケージ−
図１および図２に示すように、パッケージ２は、その上面に開放する凹部（第１の凹部）３ａを有するベース基板３と、凹部３ａの開口を塞ぐリッド４と、ベース基板３の下面に配置されている配線層３２と、ベース基板３の凹部３ａ内に配置されている配線層３４と、を有している。このようなパッケージ２では、リッド４により塞がれた凹部３ａの内側が前述した振動素子５を収容する収容空間Ｓとして機能する。
【００３５】
ベース基板３は、絶縁材料、例えば、ガラス材料で構成されたガラス基板であり、後述する製造方法で説明するように、絶縁基板３０（図５（ａ）参照）を加工して得られるものである。
【００３６】
ベース基板３のガラス材料としては特に限定されず、例えば、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、ソーダガラス（ソーダ石灰ガラス）、カリウムガラス、無アルカリガラス等を用いることができる。なお、ベース基板３の構成材料としては、ガラスを含んでいればよい。
【００３７】
また、ベース基板３の下面には導電性を有する配線層３２が配置されており、この配線層３２は、一対の外部接続端子３２１、３２２を有している。また、ベース基板３の凹部３ａ内には導電性を有する配線層３４が配置されており、この配線層３４は、一対の内部接続端子３４１、３４２を有している。また、これら接続端子のうち、外部接続端子３２１と内部接続端子３４１は、ベース基板３を貫通するビア（貫通電極）３５１を介して電気的に接続されており、外部接続端子３２２と内部接続端子３４２は、ベース基板３を貫通するビア３５２を介して電気的に接続されている。なお、外部接続端子３２１、３２２、内部接続端子３４１、３４２およびビア３５１、３５２の構成材料としてはそれぞれ導電性を有していれば特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属材料を用いることができる。但し、外部接続端子３２１、３２２、は、金属材料のうちの柔らかいものを用いることが好ましい。これにより、後述する優れた応力緩和特性を有するパッケージ２を提供することができる。また、外部接続端子３２１、３２２、内部接続端子３４１、３４２は、単層であってもよく、複数の層を積層してなる積層体であってもよい。
【００３８】
また、外部接続端子３２１、３２２は、後述する製造方法で説明するように、金属板３２０（図５（ｃ）参照）を加工して得られるものである。このため、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔ（図２参照）は、容易に、厚く、かつ精度良く形成することができる。そして、厚い外部接続端子３２１、３２２を設けることにより、優れた応力緩和特性を有するパッケージ２を提供することができる。すなわち、振動子１が回路基板に実装された状態で、外部接続端子３２１、３２２が緩衝部材として機能し、これにより、熱等による回路基板やパッケージ２の伸縮によってパッケージ２に生じる応力を吸収・緩和することができる。これにより、その応力が振動素子５に伝達され、振動素子５の振動特性（周波数特性）が変動してしまうことを抑制することができる。
【００３９】
また、外部接続端子３２１、３２２、内部接続端子３４１、３４２およびビア３５１、３５２の寸法は、それぞれ、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔ（図２参照）は、５０μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上、２００μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以上、２００μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００４０】
外部接続端子３２１、３２２の厚さｔが前記下限値よりも小さいと、他の条件によっては、前記応力緩和特性が劣化する。
【００４１】
また、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔが前記上限値よりも大きくても、前記応力緩和特性の向上は見込めない。
【００４２】
なお、本実施形態では、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔは、一定であるが、一定でなくてもよい。
【００４３】
また、ベース基板３には、その上面（外部接続端子３２１、３２２（金属板）と反対側の面）に開口する凹部３ａが設けられており、この凹部３ａに振動素子５が収容されている。また、凹部３ａ内には内部接続端子３４１、３４２が位置している。言い換えると、リッド４が設けられていない状態で、内部接続端子３４１、３４２が凹部３ａから外部に露出している。そして、導電性接着剤６１、６２によって振動素子５がベース基板３に固定されると共に、導電性接着剤６１、６２によって内部接続端子３４１、３４２とボンディングパッド５２ｂ、５３ｂとが電気的に接続されている。
以上、ベース基板３について説明した。
【００４４】
リッド４は、平板状をなしており、凹部３ａの開口を塞ぐようにベース基板３の上面に接合されている。これにより、ベース基板３の内側に気密な収容空間Ｓが画成され、この収容空間Ｓに振動素子５が収容される。なお、収容空間Ｓの環境は、振動素子５の構成によっても異なるが、例えば、減圧状態（好ましくは、真空状態）となっていてもよく、また、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されていてもよい。このようなリッド４の構成材料としては特に限定されず、例えば、各種セラミック、各種金属、各種ガラス、水晶、シリコン等を用いることができる。また、リッド４とベース基板３との接合方法は、リッド４の構成材料によっても異なり、例えば、接着剤、低融点ガラス、金属層等の接合層を介して接合してもよいし、陽極接合、界面活性化接合等によって接合してもよい。
【００４５】
以上、振動子１について説明した。このような振動子１では、優れた応力緩和（吸収）機能を発揮することができる。具体的には、図４に示すように、半田Ｈ１、Ｈ２を用いて振動子１を回路基板（プリント配線基板）９に実装した状態では回路基板９とパッケージ２との熱膨張率の違いから、ベース基板３に熱応力が加わるが、前述したように、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔを厚くすることにより、外部接続端子３２１、３２２において、前記熱応力を緩和・吸収することができる。そのため、前記熱応力がベース基板３を介して振動素子５に伝達されてしまうことが抑制され、振動素子５の振動特性（周波数特性）の変動を防止または低減することができる。
【００４６】
また、前記振動子１では、優れた加工性を有している。具体的には、ベース基板３には凹部３ａが形成されているが、ベース基板３は、ガラスで構成されており、例えば、フォトリソグラフィー技法とエッチング技法とを用いるパターニング処理に対して相性がよく、よって、簡単に、凹部３ａを形成することができる。
【００４７】
なお、本実施形態では、ベース基板３がガラスで構成されているが、ベース基板３の構成材料としては、ガラスに替えて、シリコン（単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン）または水晶、セラミック等を用いてもよい。この場合、ベース基板３をシリコンや水晶で構成しても、ガラスで構成した場合と同様の効果（すなわち、優れた寸法精度）を発揮することができる。したがって、ガラス、シリコンまたは水晶が好ましい。また、ベース基板３は、所定の２つ以上の層が積層した構成となっていてもよい。
【００４８】
また、本実施形態では、外部接続端子３２１、３２２と、内部接続端子３４１、３４２とは、ビア３５１、３５２で電気的に接続されているが、これに限らず、例えば、外部接続端子３２１、３２２と、内部接続端子３４１、３４２とは、パッケージ２の外側を通る配線で電気的に接続されていてもよい。
【００４９】
≪振動子（パッケージ）の製造方法≫
次に、振動子１（ベース基板３）の製造方法について説明する。
【００５０】
振動子１（パッケージ２）の製造方法は、複数の個片化領域Ｓ１を有する絶縁基板３０と、金属板３２０とを用意（準備）する工程と、絶縁基板３０と、金属板３２０とを貼り合せる貼り合せ工程と、金属板３２０の一部を除去して外部接続端子３２１、３２２を含む配線層３２を絶縁基板３０の下面上に形成する配線層形成工程と、絶縁基板３０の一部を除去し、絶縁基板３０にその上面（絶縁基板３０の金属板３２０と反対側の面）に開口する凹部３ａを形成する凹部形成工程と、凹部３ａ内に内部接続端子３４１、３４２を含む配線層３４を形成する配線層形成工程と、凹部３ａ内に振動素子５を搭載する振動素子搭載工程と、リッド４を接合するリッド接合工程と、個片化領域Ｓ１毎に個片化して複数の振動子１を得る個片化工程と、を含む。
【００５１】
［配線層形成工程］
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス材料で構成され、複数の個片化領域Ｓ１をマトリックス状に有する絶縁基板３０を用意するとともに、金属板３２０を用意する（図５（ｃ））。そして、絶縁基板３０に、ビア３５１、３５２用の貫通孔３１１、３１２を形成する。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁基板３０の貫通孔３１１、３１２内に、ビア３５１、３５２を形成する。
【００５３】
次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁基板３０と、金属板３２０とを貼り合せる。絶縁基板３０と、金属板３２０とを貼り合せる方法は、特に限定されず、例えば、接着剤、低融点ガラス、金属層等の接合層を介して貼り合せてもよいし、陽極接合、界面活性化接合等によって貼り合せてもよい。
【００５４】
次に、図６（ａ）に示すように、金属板３２０の下面に、外部接続端子３２１、３２２を含む配線層３２に対応する形状のマスクＭ１を形成する。
【００５５】
次に、図６（ｂ）に示すように、金属板３２０の下面側からこのマスクＭ１を介してドライエッチングして外部接続端子３２１、３２２を含む配線層３２を形成する。このように、エッチング処理を用いることで、所望の寸法の外部接続端子３２１、３２２を簡単かつ精度よく形成することができる。なお、エッチング方法としては、ドライエッチングに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよい。
【００５６】
次に、図６（ｃ）に示すように、マスクＭ１を除去する。
［凹部形成工程］
次に、個片化領域Ｓ１毎に凹部３ａを形成する。具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、絶縁基板の上面に、凹部３ａに対応する開口を有するマスクＭ２を形成する。
【００５７】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁基板３０の上面側からこのマスクＭ２を介してウエットエッチングして凹部３ａを形成する。このように、エッチング処理を用いることで、所望の寸法の凹部３ａを簡単かつ精度よく形成することができる。なお、エッチング方法としては、ウエットエッチングに限定されず、ドライエッチングを用いてもよい。
【００５８】
次に、マスクＭ２を除去する（図７（ｃ）参照）。
［配線層形成工程］
次に、図７（ｃ）に示すように、凹部３ａの底面に、内部接続端子３４１、３４２（配線層３４）を形成する。内部接続端子３４１、３４２の形成方法は、特に限定されないが、例えば、凹部３ａの底面に金属層を成膜し、この金属層をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで形成することができる。
【００５９】
［振動素子搭載工程・リッド接合工程］
次に、図８（ａ）に示すように、導電性接着剤６１、６２（導電性接着剤６１は、不図示）を用いて各凹部３ａ内に振動素子５を搭載した後、絶縁基板３０の上面にリッド４０を接合して、凹部３ａの開口を塞ぐ。なお、図示しないが、絶縁基板３０には、収容空間Ｓの内外を連通する封止孔が形成されており、絶縁基板３０にリッド４０を接合した後、前記封止孔を介して収容空間Ｓ内を減圧とし、Ａｕ−Ｇｅ系合金等で封止孔を封止することで、収容空間Ｓ内を減圧状態に維持することができる。
【００６０】
［個片化工程］
最後に、ダイシングソー等を用いて、絶縁基板３０を個片化領域Ｓ１毎に個片化することで、図８（ｂ）に示すように、複数の振動子１（パッケージ２）が得られる。このように、複数の振動子１（パッケージ２）を一体形成した後に個片化することで、振動子１（パッケージ２）の製造効率が向上する。ただし、個片化工程の順番は、上記の順番に限定されず、例えば、内部配線層形成工程、振動素子搭載工程およびリッド接合工程のいずれかに先立って行ってもよい。
以上、振動子１の製造方法について説明した。
【００６１】
次に、前述した振動子１において、外部接続端子３２１、３２２の厚さが、１０μｍ、５０μｍ、７０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍ、３００μｍ、５００μｍ、７００μｍ、１０００μｍのものを前述した製造方法で製造し、それぞれを回路基板に実装し、ベース基板３に生じる最大応力を求めた。その結果は、図９に示す通りである。
【００６２】
図９に示すように、外部接続端子３２１、３２２の厚さが５０μｍ以上であると、ベース基板３に生じる最大応力が格段に減少することが判る。
【００６３】
＜第２実施形態＞
図１０は、本発明の第２実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【００６４】
以下、第２実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００６５】
図１０に示すように、第２実施形態では、パッケージ２のベース基板３は、その下面（外部接続端子３２１、３２２（金属板）側の面）に開放する凹部（第２の凹部）３ｂを有している。
【００６６】
これにより、ベース基板３の柔軟性が増し、優れた応力緩和特性を有するパッケージ２を提供することができる。また、振動子１が回路基板に半田等を用いて実装する際に生じる熱を凹部３ｂから逃がすことができる。
【００６７】
また、外部接続端子３２１、３２２は、その凹部３ｂ側の部位が、塑性変形で下側に曲がっている。なお、弾性変形していてもよい。
【００６８】
これにより、振動子１が回路基板に半田等を用いて実装された際、アンカー効果により、剥がれ難くなる。
【００６９】
また、この振動子１では、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの最大値（最大厚さ）ｔｍａｘが、第１実施形態で説明した外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの好適範囲内に設定されていることが好ましい。
【００７０】
次に、振動子１（パッケージ２）の製造方法について説明する。
振動子１（ベース基板３）の製造方法は、さらに、絶縁基板３０にその下面（絶縁基板３０の金属板３２０側の面）に開口する凹部３ｂを形成する凹部形成工程と、金属板３２０を曲げて外部接続端子３２１、３２２を形成する工程とを含む。凹部３ｂの形成は、例えば、凹部３ａの形成と同様に行う。
【００７１】
なお、前記金属板３２０を曲げて外部接続端子３２１、３２２を形成する工程は、換言すれば、金属板３２０に厚さの異なる部位を形成する工程、または、金属板３２０に突出した部位を形成する工程とも言うことができる。
【００７２】
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７３】
＜第３実施形態＞
図１１は、本発明の第３実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【００７４】
以下、第３実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７５】
図１１に示すように、第３実施形態では、外部接続端子３２１は、その両端部に、下側に向かって突出する凸部３２１１、３２１２を有し、外部接続端子３２２は、その両端部に、下側に向かって突出する凸部３２２１、３２２２を有している。
【００７６】
これにより、振動子１が回路基板に半田等を用いて実装された際、アンカー効果により、剥がれ難くなる。
【００７７】
また、この振動子１では、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの最大値（最大厚さ）ｔｍａｘが、第１実施形態で説明した外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの好適範囲内に設定されていることが好ましい。
【００７８】
次に、振動子１（パッケージ２）の製造方法について説明する。
振動子１（ベース基板３）の製造方法は、さらに、金属板３２０に、下側に向かって突出する凸部（突出した部位）３２１１、３２１２、３２２１、３２２２を形成する工程を有している。凸部３２１１、３２１２、３２２１、３２２２の形成は、例えば、金属板３２０の下面に、凸部３２１１、３２１２、３２２１、３２２２に対応する形状のマスクを形成し、金属板３２０の下面側からこのマスクを介してドライエッチングする。なお、エッチング方法としては、ドライエッチングに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよい。
【００７９】
なお、前記凸部３２１１、３２１２、３２２１、３２２２を形成する工程は、換言すれば、金属板３２０に厚さの異なる部位を形成する工程とも言うことができる。
【００８０】
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８１】
＜第４実施形態＞
図１２は、本発明の第４実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。図１３〜図１５は、それぞれ、図１２に示す電子デバイス用パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【００８２】
以下、第４実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００８３】
また、本実施形態では、製造方法の説明において、複数の個片化領域のうちの１つのみを図示して説明する。
【００８４】
図１２に示すように、第４実施形態では、外部接続端子３２１は、第１層３２１ａの下側に、第２層３２１ｂおよび３２１ｃを積層してなる積層体で構成され、外部接続端子３２２は、第１層３２２ａの下側に、第２層３２２ｂおよび３２２ｃを積層してなる積層体で構成されている。
【００８５】
第１層３２１ａは、その両端部に、下側に向かって突出する凸部３２１１、３２１２を有し、凸部３２１１の下面に、第２層３２１ｂが接合され、凸部３２１２の下面に、第２層３２１ｃが接合されている。
【００８６】
同様に、第１層３２２ａは、その両端部に、下側に向かって突出する凸部３２２１、３２２２を有し、凸部３２２１の下面に、第２層３２２ｂが接合され、凸部３２２２の下面に、第２層３２２ｃが接合されている。
【００８７】
これにより、振動子１が回路基板に半田等を用いて実装された際、アンカー効果により、剥がれ難くなる。
【００８８】
また、第１層３２１ａと、第２層３２１ｂ、３２１ｃの構成材料は、互いに異なる金属材料である。同様に、第１層３２２ａと、第２層３２２ｂ、３２２ｃの構成材料は、互いに異なる金属材料である。
【００８９】
これにより、エッチングで外部接続端子３２１、３２２を形成するにあたり、金属材料やエッチングの処理ガスや処理液等を選択することで、種々の形状の外部接続端子３２１、３２２を簡単に形成することができる。
【００９０】
また、この振動子１では、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの最大値（最大厚さ）ｔｍａｘが、第１実施形態で説明した外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの好適範囲内に設定されていることが好ましい。
【００９１】
次に、振動子１（パッケージ２）の製造方法について説明する。
振動子１（ベース基板３）の製造方法では、金属板３２０として、第１層（第１基板）３２０ａと第２層（第２基板）３２０ｂとを積層してなる積層体を用いる。第１層３２０ａと第２層３２０ｂの構成材料は、互いに異なる金属材料である。そして、振動子１（ベース基板３）の製造方法は、さらに、金属板３２０に突出した部位を形成する工程を含む。
【００９２】
まず、図１３（ａ）に示すように、絶縁基板３０と、金属板３２０とを貼り合せる。
次に、図１３（ｂ）に示すように、金属板３２０の下面に、第２層３２１ｂ、３２１ｃ、３２２ｂ、３２２ｃに対応する形状のマスクＭ３を形成する。
【００９３】
次に、図１３（ｃ）に示すように、金属板３２０の下面側からこのマスクＭ１を介してドライエッチングして第２層３２１ｂ、３２１ｃ、３２２ｂ、３２２ｃを形成する。次に、マスクＭ３を除去する。
【００９４】
次に、図１４（ａ）に示すように、中央部のみ開口を有するマスクＭ４を形成する。
次に、図１４（ｂ）に示すように、下面側からこのマスクＭ４を介してウエットエッチングする。次に、マスクＭ４を除去する。
【００９５】
次に、図１５（ａ）に示すように、マスクＭ５を形成する。
次に、図１５（ｂ）に示すように、下面側からこのマスクＭ５を介してウエットエッチングする。次に、マスクＭ５を除去する。
以上により、外部接続端子３２１、３２２が形成される。
【００９６】
以上のような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９７】
なお、第１層３２０ａと第２層３２０ｂの構成材料は、同じ金属材料であってもよい。すなわち、第１層３２１ａと、第２層３２１ｂ、３２１ｃの構成材料は、同じ金属材料でよく、また、第１層３２２ａと、第２層３２２ｂ、３２２ｃの構成材料は、同じ金属材料であってもよい。
【００９８】
＜第５実施形態＞
図１６は、本発明の第５実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【００９９】
以下、第５実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１００】
図１６に示すように、第５実施形態では、外部接続端子３２１は、第１層３２１ａの下側に、第２層３２１ｂを積層してなる積層体で構成され、外部接続端子３２２は、第１層３２２ａの下側に、第２層３２２ｂを積層してなる積層体で構成されている。
【０１０１】
第１層３２１ａおよび３２２ａとしては、例えば、第１実施形態の外部接続端子３２１、３２２と同様の金属材料を用いる。
【０１０２】
また、第２層３２１ｂおよび３２２ｂは、例えば、半田（共晶合金）を用いる。また、第２層３２１ｂおよび３２２ｂとしては、反応して半田になる（共晶合金化する）２種以上の金属層を用いてもよい。
これにより、実装の際、別途半田を設ける手間を省くことができる。
【０１０３】
また、この振動子１では、外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの最大値（最大厚さ）ｔｍａｘが、第１実施形態で説明した外部接続端子３２１、３２２の厚さｔの好適範囲内に設定されていることが好ましい。
【０１０４】
以上のような第５実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１０５】
＜第６実施形態＞
図１７は、本発明の第６実施形態に係る電子デバイス用パッケージの製造方法により製造された電子デバイス用パッケージを用いた振動子を示す断面図である。
【０１０６】
以下、第６実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１０７】
図１７に示すように、第６実施形態では、リッド４が凹部４ａを有している。そして、このパッケージ２では、ベース基板３により塞がれた凹部４ａの内側が振動素子５を収容する収容空間Ｓとして機能する。
【０１０８】
以上のような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１０９】
次に、振動子１を備えた電子機器について説明する。
図１８は、振動子を備えたモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には発振器として振動子１が内蔵されている。
【０１１０】
図１９は、振動子を備えた携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には発振器として振動子１が内蔵されている。
【０１１１】
図２０は、振動子を備えたディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１１２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１１３】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、発振器として振動子１が内蔵されている。
【０１１４】
なお、振動子を備える電子機器は、図１８のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１９の携帯電話機、図２０のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１１５】
次に、振動子１を備えた移動体について説明する。
図２１は、振動子を備えた移動体を示す斜視図である。自動車（移動体）１５００には、振動子１が搭載されている。振動子１は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【０１１６】
以上、本発明の電子デバイス用パッケージの製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や工程が付加されていてもよい。
【０１１７】
また、前述した実施形態では、パッケージ（電子デバイス用パッケージ）は、ベース基板と、リッド（蓋体）を有しているが、これに限定されず、例えば、リッドが省略されていてもよい。
【０１１８】
また、前述した実施形態では、電子部品として振動素子を収容しているが、電子部品としては、振動素子に限定されず、例えば、ＩＣ等の各種回路（回路基板）であってもよい。
【符号の説明】
【０１１９】
１……振動子
２……パッケージ
３……ベース基板
３ａ、３ｂ……凹部
３０……絶縁基板
３１１、３１２……貫通孔
３２……配線層
３２０……金属板
３２０ａ……第１層
３２０ｂ……第２層
３２１、３２２……外部接続端子
３２１１、３２１２、３２２１、３２２２……凸部
３２１ａ、３２２ａ……第１層
３２１ｂ、３２１ｃ、３２２ｂ、３２２ｃ……第２層
３４……配線層
３４１、３４２……内部接続端子
３５１、３５２……ビア
４……リッド
４ａ……凹部
４０……リッド
５……振動素子
５１……水晶基板
５２、５３……導体層
５２ａ、５３ａ……励振電極
５２ｂ、５３ｂ……ボンディングパッド
５２ｃ、５３ｃ……配線
６１、６２……導電性接着剤
９……回路基板
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
Ｈ１、Ｈ２……半田
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５……マスク
Ｓ……収容空間
Ｓ１……個片化領域
【図１】
2015231002.tif 000003
【図２】
2015231002.tif 000004
【図３】
2015231002.tif 000005
【図４】
2015231002.tif 000006
【図５】
2015231002.tif 000007
【図６】
2015231002.tif 000008
【図７】
2015231002.tif 000009
【図８】
2015231002.tif 000010
【図９】
2015231002.tif 000011
【図１０】
2015231002.tif 000012
【図１１】
2015231002.tif 000013
【図１２】
2015231002.tif 000014
【図１３】
2015231002.tif 000015
【図１４】
2015231002.tif 000016
【図１５】
2015231002.tif 000017
【図１６】
2015231002.tif 000018
【図１７】
2015231002.tif 000019
【図１８】
2015231002.tif 000020
【図１９】
2015231002.tif 000021
【図２０】
2015231002.tif 000022
【図２１】
2015231002.tif 000023