(57)【要約】      （修正有）【課題】金属層表面における光の反射を抑制し、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板を提供する。【解決手段】透明基材１１と、透明基材１１の少なくとも一方の面上に形成された金属層１３と、金属層１３上に湿式法により形成された黒化層１４と、を有する導電性基板１０Ａ、１０Ｂを有する。【選択図】図１
2015164030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
前記金属層上に湿式法により形成された黒化層と、を有する導電性基板。
【請求項２】
前記金属層、及び、前記黒化層がパターン化されている請求項１に記載の導電性基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の前記導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板。
【請求項４】
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層上に湿式法により黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属層、及び前記黒化層をパターニングするパターニング工程を有する請求項４に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有する積層導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の配線材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求される。
【０００３】
そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる配線材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。
【０００４】
近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高く信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。
【０００５】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば金属層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射光によるギラツキでディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【０００６】
そこで、銅等の金属箔により構成される金属層と共に、金属層表面における光の反射を抑制する黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら従来、黒化層はいずれも乾式法により成膜されており、金属箔により構成される金属層の金属光沢を十分に抑制できる膜厚の黒化層を形成するためには時間を要し、生産性が低いという問題があった。
【０００９】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明は、金属層表面における光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため本発明は、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
前記金属層上に湿式法により形成された黒化層と、を有する導電性基板を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、金属層表面における光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係るパターン化した導電性基板の構成説明図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板の構成説明図。
【図４】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、金属層上に湿式法により形成された黒化層と、を有することができる。
【００１４】
なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターン化した基板、すなわち、配線基板と、を含む。また、金属層、及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。
【００１５】
ここでまず、導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００１６】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００１７】
可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
【００１８】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
【００２０】
なお、透明基材の全光透過率はＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。
【００２１】
次に金属層について説明する。
【００２２】
金属層を構成する材料は特に限定されず、用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の金属との銅合金、または、銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
【００２３】
透明基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、透明基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と金属層との間に密着層を配置する場合には、密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００２４】
透明基材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。
【００２５】
例えば透明基材上に乾式めっき法により金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００２６】
また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。
【００２７】
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
【００２８】
ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
【００２９】
また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３０】
なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層を有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。また、後述のように、金属層に対して湿式処理や、無電解めっき法を行うことにより、形成した金属層の一部を黒化層とする場合には、黒化層を除いた、金属層として残っている部分の厚さがここでいう金属層の厚さとなる。
【００３１】
金属層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターニングすることにより配線として用いることができる。そして、金属層は従来透明導電膜として用いられていたＩＴＯよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層を設けることにより導電性基板、または透明導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。
【００３２】
次に黒化層について説明する。
【００３３】
黒化層は、金属層の上面に形成することができる。
【００３４】
特に黒化層は金属層の上面全面に渡って形成されていることが好ましい。すなわち、黒化層は金属層の上面を覆うように形成されていることが好ましい。
【００３５】
なお、金属層の上面とは、金属層の透明基材と対向する面とは反対側の面のことを意味している。
【００３６】
黒化層は湿式法により形成することができる。
【００３７】
上述のように従来の導電性基板においては黒化層もすべて乾式めっき法により形成されていた。これに対して本実施形態の導電性基板においては、黒化層を湿式法で形成することにより乾式めっき法よりも短い時間で黒化層を成膜することができ、生産性を高めることができる。また、黒化層を設けることにより、金属層の表面における光の反射を確実に抑制することができる。
【００３８】
黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法は例えば電解めっき法を用いることができる。
【００３９】
湿式めっき法により金属層の上面に新たに黒化層を積層する場合、黒化層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、黒化層は、炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【００４０】
なお、黒化層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合も、黒化層は、炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、例えばＮｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
【００４１】
なお、後述するように密着層を設ける場合、密着層と、黒化層とは同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。ただし、密着層、金属層、黒化層はエッチングによりパターニングすることができるため、エッチング液に対する反応性が、密着層、金属層、黒化層とで同程度であることが好ましく、同じであることがより好ましい。このため、密着層と、黒化層とは、同じ材料で構成されていることが特に好ましい。
【００４２】
また、黒化層を湿式法により形成する具体的な方法として、形成した金属層の表面を薬液により黒化処理（湿式処理）することにより、黒化層を形成する方法が挙げられる。すなわち、金属層の上面に対して薬液を供給し、金属層と薬液とを反応させることにより、金属層の一部を黒化層とすることができる。金属層の上面に薬液を供給する方法は特に限定されるものではなく、例えば、薬液に金属層の一部を浸漬する方法、薬液を金属層の上面に塗布又は噴霧する方法等が挙げられる。
【００４３】
金属層の上面に対して供給する薬液の種類は特に限定されるものではないが、例えば、金属層を硫化処理できる薬液を用いることができる。金属層を硫化処理する薬液としては、例えば硫化カリウム又は多硫化ナトリウムと、塩化アンモニウムと、の混合溶液等を好ましく用いることができる。
【００４４】
また、黒化層を湿式法により形成する具体的な方法として、形成した金属層の表面に対して無電解めっき法を行うことにより、黒化層を形成する方法が挙げられる。
【００４５】
ここでの無電解めっき法は、金属層の金属よりも、標準電位が貴な金属イオンを含むめっき液中に浸漬することで、金属層の金属がめっき液中に溶解し、それに代わって浴中の貴な金属イオンが金属層表面上に還元析出することを利用するめっき法である。
【００４６】
無電解めっき法により黒化層を形成する場合、黒化層を構成する材料は特に限定されないが、例えば黒化層は塩化テルルを含有していることが好ましい。
【００４７】
また、黒化層は塩化テルルにより構成することもできる。すなわち、黒化層は塩化テルル層とすることもできる。
【００４８】
なお、黒化層は後述するように密着層や、金属層をパターニングした後に形成することもできる。この場合、黒化層は、金属層の上面だけではなく側面部分にも形成することができる。
【００４９】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは黒化層の厚さが薄い場合には、金属層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように黒化層の厚さを１５ｎｍ以上とすることにより金属層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。
【００５０】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００５１】
また、本実施形態の導電性基板においては、さらに任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
【００５２】
密着層の構成例について説明する。
【００５３】
上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性は十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。
【００５４】
そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材の少なくとも一方の主平面上に密着層を形成することができる。また、後述のように透明基材の両主平面上に形成することもできる。
【００５５】
透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。
【００５６】
また、金属層は既述のように例えば銅や銅合金により形成することができ、金属光沢を有する。このため、透明基材上に金属層を配置したのみでは、透明基材側からの光を金属層の表面で反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いる場合、反射光によるギラツキでディスプレイの視認性が低下する場合がある。
【００５７】
そこで、密着層は黒化層としても機能させることもできることから、透明基材と金属層との間に黒化層として機能する密着層を配置することで、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層表面での光の反射を特に抑制することが可能になる。
【００５８】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００５９】
密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むことができる。
【００６０】
なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【００６１】
この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
【００６２】
特に密着層により金属層表面での光の反射を抑制する場合、すなわち密着層を黒化層として機能させる場合には、密着層はＮｉ−Ｃｕ合金、またはＮｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を含んでいることが好ましい。この場合も密着層はさらに炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含むこともできる。
【００６３】
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法をより好ましく用いることができる。
【００６４】
なお、密着層が炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスや二酸化炭素ガスを、窒素を添加する場合には窒素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【００６５】
炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【００６６】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
【００６７】
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００６８】
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００６９】
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７０】
次に、導電性基板の構成例について説明する。
【００７１】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、黒化層と、を備え、透明基材上に、金属層、黒化層、がその順で積層した構成とすることができる。また、密着層を設ける場合には、透明基材上に、密着層、金属層、黒化層がその順で積層した構成とすることができる。
【００７２】
具体的な構成例について、図１を用いて以下に説明する。図１は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、密着層、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００７３】
例えば、図１（Ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に密着層１２、金属層１３と、黒化層１４と、を一層ずつその順に積層した構成とすることができる。また、図１（Ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側と、第２の主平面１１ｂ側と、にそれぞれ密着層１２Ａ、１２Ｂと、金属層１３Ａ、１３Ｂと、黒化層１４Ａ、１４Ｂと、を一層ずつその順に積層することもできる。
【００７４】
なお、密着層１２（１２Ａ、１２Ｂ）は上述のように任意の層であり、密着層１２（１２Ａ、１２Ｂ）を設けない場合には、透明基材１１上に金属層１３（１３Ａ、１３Ｂ）が直接形成されることとなる。
【００７５】
本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び黒化層はパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、及び黒化層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
【００７６】
なお、上述のように密着層を設けた場合には、密着層もパターン化されていることが好ましく、金属層等と同様に、所望の配線パターンにあわせてパターン化することができる。この際、密着層は、金属層等と同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
【００７７】
本実施形態の導電性基板においては上述のように、透明基材１１上に金属層１３（１３Ａ、１３Ｂ）と、黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）とを積層している。このため、金属層１３（１３Ａ、１３Ｂ）の、黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）を形成した面では光の反射を抑制できる。
【００７８】
また、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示した導電性基板１０Ａ、１０Ｂにおいては、透明基材１１と、金属層１３（１３Ａ、１３Ｂ）との間に密着層１２（１２Ａ、１２Ｂ）を配置している。このため、透明基材１１と、金属層１３（１３Ａ、１３Ｂ）との密着性を高めることができる。また、密着層１２（１２Ａ、１２Ｂ）が黒化層として機能できる材料により構成されている場合には、金属層１３（１３Ａ、１３Ｂ）の下面側、すなわち透明基材１１側からの光が、金属層１３（１３Ａ、１３Ｂ）表面で反射することを抑制できる。
【００７９】
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光の反射率（正反射率）は３０％未満であることが好ましく、２０％未満であることがより好ましく、１０％未満であることが特に好ましい。波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光の反射率が３０％未満の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
【００８０】
反射率の測定は、黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）に光を照射するようにして測定を行うことができる。
【００８１】
具体的には例えば図１（Ａ）のように透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に密着層１２、金属層１３、黒化層１４の順に積層した場合、黒化層１４に光を照射するように、黒化層１４の表面１４ａに上方側から光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率とすることができる。
【００８２】
なお、黒化層として機能する密着層を形成した場合には、密着層１２に光を照射するように、透明基材の第２の主平面１１ｂ側から同様に光を照射して、密着層１２を設けた側の面における反射率も測定できる。
【００８３】
本実施形態の導電性基板においては、黒化層表面で測定した光の反射率が上記範囲であることが好ましい。また、黒化層として機能する密着層を形成した場合、密着層表面及び黒化層表面における光の反射率がいずれも上記範囲を満たすことがより好ましい。
【００８４】
また、本実施形態の導電性基板においては上述のように金属層を設けていることから、導電性基板の表面抵抗を小さくすることができる。表面抵抗は、０．２Ω／□未満であることが好ましく、０．１５Ω／□未満であることがより好ましい。表面抵抗の測定方法は特に限定されないが、例えば、４探針法により測定することができ、導電性基板の表面、すなわち黒化層に探針が接触するようにして測定を行うことが好ましい。
【００８５】
ここまで本実施形態の導電性基板について説明したが、導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板とすることもできる。導電性基板を積層する場合、導電性基板に含まれる金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は上述のようにパターニングされていることが好ましい。
【００８６】
特にタッチパネルの用途に用いる場合、導電性基板、または、積層導電性基板は、後述のようにメッシュ状の配線を備えていることが好ましい。
【００８７】
ここで、２枚の導電性基板を積層してメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を形成する場合を例に、積層前の導電性基板に形成する金属層、及び黒化層のパターンの形状の構成例について図２を用いて説明する。なお、図２では透明基材と金属層との間に密着層も形成した例を示している。
【００８８】
図２（Ａ）は、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を構成する２枚の導電性基板のうち、一方の導電性基板について、導電性基板２０を上面側、すなわち、透明基材１１の主平面と垂直な方向から見た図である。また、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ´線における断面図を示している。
【００８９】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように導電性基板２０において、透明基材１１上のパターン化された密着層２２、金属層２３、及び黒化層２４は、同じ形状を有している。例えばパターン化された黒化層２４は図２（Ａ）中に示した直線形状の複数のパターン（黒化層パターン２４Ａ〜２４Ｇ）を有し、係る複数の直線形状のパターンは図中Ｙ軸に平行に、かつ、図中Ｘ軸方向に互いに離隔して配置できる。この際、図２（Ａ）に示したように透明基材１１が四角形状を有する場合、透明基材１１の一辺と平行になるように、黒化層のパターン（黒化層パターン２４Ａ〜２４Ｇ）は配置されることが好ましい。
【００９０】
なお、上述のように、パターン化された金属層２３もパターン化された黒化層２４と同様にパターニングされており、直線形状の複数のパターン（金属層パターン）を有し、係る複数のパターンは互いに平行に離隔して配置される。パターン化された密着層２２についても同様である。このため、パターン間では透明基材１１の第１の主平面１１ａが露出することとなる。
【００９１】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示した、パターン化された密着層２２、金属層２３、及び黒化層２４のパターン形成方法は特に限定されない。例えば、黒化層２４を形成後、黒化層２４上に形成するパターンに対応した形状を有するマスクを配置後、エッチングすることによりパターン形成できる。用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、密着層、金属層、及び黒化層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に密着層、金属層、及び黒化層をエッチングすることもできる。
【００９２】
そして、金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層がパターン化された２枚の導電性基板を積層することにより、積層導電性基板を形成することができる。積層導電性基板について、図３を用いて説明する。図３（Ａ）は、積層導電性基板３０を上面側、すなわち、２枚の導電性基板の積層方向に沿った上面側から見た図を示しており、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＢ−Ｂ´線における断面図を示している。
【００９３】
積層導電性基板３０は、図３（Ｂ）に示すように導電性基板２０１と、導電性基板２０２と、を積層して得られたものである。なお、導電性基板２０１、２０２は共に、透明基材１１１（１１２）上に、パターン化された密着層２２１（２２２）、金属層２３１（２３２）、及び黒化層２４１（２４２）が積層されている。導電性基板２０１、２０２のパターン化された密着層２２１（２２２）、金属層２３１（２３２）、及び黒化層２４１（２４２）は、いずれも上述した導電性基板２０と同様に直線形状の複数のパターンを有するようにパターン化されている。
【００９４】
そして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層されている。
【００９５】
なお、一方の導電性基板２０１の上下を逆にして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。この場合、後述する図４と同様の配置となる。
【００９６】
２枚の導電性基板を積層する際、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すように、一方の導電性基板２０１のパターン化された金属層２３１と、他方の導電性基板２０２のパターン化された金属層２３２と、が交差するように積層することができる。具体的には例えば、図３（Ａ）において、一方の導電性基板２０１のパターン化された金属層２３１はそのパターンの長さ方向が図中のＸ軸方向と平行になるように配置できる。そして、他方の導電性基板２０２のパターン化された金属層２３２はそのパターンの長さ方向が図中のＹ軸方向と平行になるように配置することができる。
【００９７】
なお、図３（Ａ）は上述のように積層導電性基板３０の積層方向に沿って見た図のため、各導電性基板２０１、２０２の最上部に配置されたパターン化された黒化層２４１、２４２を示している。パターン化された金属層２３１、２３２もパターン化された黒化層２４１、２４２と同じパターンとなっているため、パターン化された金属層２３１、２３２もパターン化された黒化層２４１、２４２と同様にメッシュ状となる。
【００９８】
積層した２枚の導電性基板の接着方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等により接着、固定することができる。
【００９９】
以上に説明したように一方の導電性基板２０１と、他方の導電性基板２０２と、を積層することにより、図３（Ａ）に示したように、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板３０とすることができる。
【０１００】
ここでは、２枚の導電性基板を積層することによりメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする例を用いて説明したが、メッシュ状の配線を備えた（積層）導電性基板とする方法は係る形態に限定されるものではない。例えば図１（Ｂ）に示した、透明基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに密着層１２Ａ、１２Ｂ、金属層１３Ａ、１３Ｂ、黒化層１４Ａ、１４Ｂを積層した導電性基板１０Ｂからもメッシュ状の配線を備えた導電性基板を形成できる。
【０１０１】
この場合、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に積層した、密着層１２Ａ、金属層１３Ａ、及び黒化層１４Ａを、図１（Ｂ）中のＹ軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。また、透明基材１１の第２の主平面１１ｂ側に積層した、密着層１２Ｂ、金属層１３Ｂ、及び黒化層１４Ｂを図１（Ｂ）中のＸ軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。パターン化は上述のように例えばエッチングにより実施できる。これにより、図４に示したように、透明基材１１を挟んで、透明基材の第１の主平面１１ａ側に形成したパターン化された金属層４３Ａと、第２の主平面１１ｂ側に形成したパターン化された金属層４３Ｂと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。
【０１０２】
なお、図３（Ａ）、（Ｂ）においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。図４に示した導電性基板の場合でも同様である。
【０１０３】
以上に説明した（積層）導電性基板によれば、パターン化された金属層はその上面にパターン化された黒化層が配置されている。このため、パターン化された金属層表面での光の反射を抑制できる。
【０１０４】
また、金属層を配置しているため、電気抵抗値を小さくすることができる。さらに、上述のように黒化層は湿式法により形成されるため生産性良く製造することができる。
（導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び、積層導電性基板の構成例について説明する。
【０１０５】
本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。  
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。  
金属層上に湿式法により黒化層を形成する黒化層形成工程。  
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板、積層導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
【０１０６】
金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
【０１０７】
次に金属層形成工程について説明する。
【０１０８】
金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
【０１０９】
金属薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法、蒸着法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【０１１０】
湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。
【０１１１】
次に、黒化層形成工程について説明する。
【０１１２】
黒化層形成工程においては、湿式法により黒化層を形成することができる。黒化層を湿式法で形成することにより、従来の乾式法のみで黒化層を形成していた場合と比較して、導電性基板を生産性良く製造できる。
【０１１３】
また、従来のように乾式法により黒化層を成膜する場合、例えば湿式法で金属めっき層を成膜後、湿式法の成膜装置から被成膜体を取り出し、被成膜体を乾燥させた上で乾式法の装置にセットする必要があり生産性が低下していた。これに対して本実施形態の導電性基板の製造方法においては、黒化層も湿式法で形成するため、湿式法の装置で金属めっき層と黒化層とを連続して形成でき、特に生産性を高めることができる。
【０１１４】
黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法は例えば電解めっき法を用いることができる。。
【０１１５】
また、黒化層を湿式法により形成する具体的な方法として、形成した金属層の表面を薬液により黒化処理（湿式処理）することにより、黒化層を形成する方法が挙げられる。すなわち、金属層の上面に対して薬液を供給し、金属層と薬液とを反応させることにより、金属層の一部を黒化層とすることができる。金属層の上面に薬液を供給する方法は特に限定されるものではなく、例えば、薬液に金属層の一部を浸漬する方法、薬液を金属層の上面に塗布又は噴霧する方法等が挙げられる。
【０１１６】
金属層の上面に対して供給する薬液の種類は特に限定されるものではないが、例えば、金属層を硫化処理できる薬液を用いることができる。金属層を硫化処理する薬液としては、例えば硫化カリウム又は多硫化ナトリウムと、塩化アンモニウムと、の混合溶液等を好ましく用いることができる。
【０１１７】
また、黒化層を湿式法により形成する具体的な方法として、形成した金属層の表面に対して無電解めっき法を行うことにより、黒化層を形成する方法が挙げられる。
【０１１８】
黒化層形成工程において、上述の無電解めっき法により黒化層を形成する場合、黒化層を構成する材料は特に限定されはないが、例えば黒化層は塩化テルルを含有する層であることが好ましい。また、黒化層は塩化テルルにより構成された層とすることもできる。
【０１１９】
黒化層を無電解めっき法で形成することにより、従来の乾式法のみで黒化層を形成していた場合と比較して、導電性基板を生産性良く製造できる。
【０１２０】
本実施形態の導電性基板の製造方法においては、上述の工程に加えてさらに任意の工程を実施することもできる。
【０１２１】
例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程では、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材を用いて該密着層上に金属薄膜層を形成することができる。
【０１２２】
密着層は図１（Ａ）に示したように、透明基材１１の少なくとも一方の主平面、例えば第１の主平面１１ａ上に形成することができる。また、図１（Ｂ）に示すように透明基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に密着層１２Ａ、１２Ｂを形成することもできる。透明基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に密着層を形成する場合には、両主平面に同時に密着層を形成してもよい。また、いずれか一方の主平面に密着層を形成後に他方の主平面に密着層を形成してもよい。
【０１２３】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１２４】
密着層の成膜方法は特に限定されないが、例えば上述のように、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法をより好ましく用いることができる。
【０１２５】
なお、密着層が炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスや二酸化炭素ガスを、窒素を添加する場合には窒素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【０１２６】
炭素、酸素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【０１２７】
スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、透明基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【０１２８】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
【０１２９】
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【０１３０】
本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる、金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層及び、黒化層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
【０１３１】
なお、密着層を設けた場合には、密着層もパターン化されていることが好ましく、金属層等と同様に、所望の配線パターンにあわせてパターン化することができる。この際、密着層は、金属層等と同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
【０１３２】
このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層、及び黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。なお、密着層を設けた場合には、パターニング工程において、密着層もパターニングすることができる。例えば図１（Ａ）のように透明基材１１上に密着層１２、金属層１３、黒化層１４が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず黒化層１４上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施する。次いで、黒化層１４の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
【０１３３】
エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、金属層、及び黒化層、そして密着層を設けた場合にはさらに密着層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、及び黒化層、そして密着層を設けた場合にはさらに密着層をエッチングすることもできる。
【０１３４】
エッチング工程で形成するパターンは特に限定されない。例えば金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層を、直線形状の複数のパターンとなるようにパターニングすることができる。直線形状の複数のパターンにパターニングした場合、例えば図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、パターン化された密着層２２、金属層２３、及び黒化層２４は互いに平行に、かつ、離隔するようなパターンとすることができる。
【０１３５】
また、図１（Ｂ）のように透明基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに密着層１２Ａ、１２Ｂ、金属層１３Ａ、１３Ｂ、黒化層１４Ａ、１４Ｂを積層した導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば、黒化層１４Ａ、１４Ｂ上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施できる。次いで、黒化層１４Ａ、１４Ｂの上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
【０１３６】
エッチング工程において例えば、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に積層した、密着層１２Ａ、金属層１３Ａ、及び黒化層１４Ａを、図１（Ｂ）中のＹ軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。また、透明基材１１の第２の主平面１１ｂ側に積層した、密着層１２Ｂ、金属層１３Ｂ、及び黒化層１４Ｂを図１（Ｂ）中のＸ軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。これにより、図４に示したように、透明基材１１を挟んで、透明基材の第１の主平面１１ａ側に形成したパターン化された金属層４３Ａと、第２の主平面１１ｂ側に形成したパターン化された金属層４３Ｂと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。
【０１３７】
なお、パターニング工程は上述した黒化層形成工程の前に実施することもできる。上述のように本実施形態の導電性基板の製造方法においては、黒化層を形成する方法として、無電解めっき法や、形成した金属層の表面を薬液により黒化処理（湿式処理）する方法等を用いることができる。これらの方法によれば、黒化層を形成する際に金属層に電流を供給する必要がないため、金属層、場合によってはさらに密着層をパターニングした後に黒化層を形成することもできる。特にパターニング工程を実施した後に、黒化層形成工程を実施することにより、パターニングされた金属層の上面だけではなく、側面にも黒化層を形成することができる。このため、金属層表面における反射を特に抑制することが可能になり、好ましい。
【０１３８】
パターニング工程を黒化層形成工程の前に実施する場合、上述したマスク配置工程では、金属層の上面に所望のパターンを有するマスクを配置することとなる。また、エッチング工程では、金属層の上面にエッチング液を供給することとなる。
【０１３９】
そして、ここまで説明した導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板を製造することもできる。積層導電性基板の製造方法は、上述した導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有することができる。
【０１４０】
積層工程では例えば、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示したパターン化された導電性基板を複数枚積層することができる。具体的には、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示したように、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層することにより実施できる。
【０１４１】
積層後、２枚の導電性基板２０１、２０２は例えば接着剤等により固定することができる。
【０１４２】
なお、一方の導電性基板２０１の上下を逆にして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。
【０１４３】
メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする場合、積層工程では、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示したように、一方の導電性基板２０１に予め形成したパターン化された金属層２３１と、他方の導電性基板２０２に予め形成したパターン化された金属層２３２と、が交差するように積層できる。
【０１４４】
図３（Ａ）、（Ｂ）においては、直線形状にパターン化された金属層を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。配線パターンを構成する配線、すなわちパターン化された金属層の形状は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１４５】
以上の本実施形態の導電性基板の製造方法及び積層導電性基板の製造方法により得られる導電性基板及び積層導電性基板によれば、金属層を設けたため、電気抵抗値が小さくできる。また、黒化層を設けたため金属層表面での光の反射を抑制できる。さらに、黒化層を湿式法により形成できるため生産性良く製造することができる。
【実施例】
【０１４６】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
【０１４７】
（正反射率）
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社  島津製作所製  型式：ＵＶ−２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。
【０１４８】
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面に対して、入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して正反射率を測定し、その平均値を正反射率とした。
【０１４９】
そして、正反射率が１０％未満の試料を◎、３０％未満の試料を〇、３０％以上の試料を×と評価した。
【０１５０】
（表面抵抗）
低抵抗率計（株式会社ダイアインスツルメンツ製  型番：ロレスターＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０）を用いて、以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の表面抵抗を測定した。測定は４探針法により行い、黒化層に探針が接触するようにして測定を行った。
【０１５１】
そして、表面抵抗が０．２０Ω／□未満の試料を○、０．２０Ω／□以上の試料を×と評価した。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
（密着層形成工程）
縦５００ｍｍ×横５００ｍｍ、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材の一方の主平面上に密着層を成膜した。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。
【０１５２】
密着層形成工程では、Ｎｉ−１７重量％Ｃｕ合金のターゲットを装着したスパッタリング装置により、密着層として酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ合金層を成膜した。以下に密着層の成膜手順について説明する。
【０１５３】
予め６０℃まで加熱して水分を除去した上述の透明基材を、スパッタリング装置のチャンバー内に設置した。
【０１５４】
次に、チャンバー内を１×１０−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。なお、この際チャンバー内の雰囲気は体積比で３０％が酸素、残部がアルゴンとしている。
【０１５５】
そして係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、透明基材の一方の主平面上に密着層を厚さが２０ｎｍになるように成膜した。
（金属層形成工程）
金属層形成工程では、金属薄膜層形成工程と、金属めっき層形成工程と、を実施した。
【０１５６】
まず、金属薄膜層形成工程について説明する。
【０１５７】
金属薄膜層形成工程では、基材として密着層形成工程で透明基材上に密着層を成膜したものを用い、密着層上に金属薄膜層として銅薄膜層を形成した。
【０１５８】
金属薄膜層は、銅のターゲットを用いた点と、基材をセットしたチャンバー内を排気した後、アルゴンガスを供給してアルゴン雰囲気とした点以外は、密着層の場合と同様にしてスパッタリング装置により成膜した。
【０１５９】
金属薄膜層である銅薄膜層は膜厚が１５０ｎｍとなるように成膜した。
【０１６０】
次に、金属めっき層形成工程においては、金属めっき層として銅めっき層を形成した。銅めっき層は、電解めっき法により銅めっき層の厚さが２．０μｍになるように成膜した。
（黒化層形成工程）
密着層、金属層を形成した透明基材を、硫化カリウム濃度３．０ｇ／リットル、塩化アンモニウム濃度９．０ｇ／リットルの混合溶液に、２５℃で１２０秒間浸漬し、金属層表面の硫化を行った。なお、硫化カリウム溶液と塩化アンモニウム溶液との混合溶液への浸漬時間を以下硫化時間とも記載する。これにより、金属層の上面、すなわち、金属層の密着層と対向する面と反対側の面に黒化層を形成した。
【０１６１】
得られた導電性基板について、上述の正反射率、表面抵抗を評価した。結果を表１に示す。
［実施例２］
黒化層形成工程において、硫化時間を６０秒間とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
【０１６２】
得られた導電性基板について、上述の正反射率、表面抵抗を評価した。結果を表１に示す。
［比較例１］
黒化層形成工程を実施しなかった点以外は、実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
【０１６３】
得られた導電性基板について、上述の正反射率、表面抵抗を評価した。結果を表１に示す。
［比較例２］
第２の硫化工程において、硫化時間を３００秒間とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
【０１６４】
得られた導電性基板について、上述の正反射率、表面抵抗を評価した。結果を表１に示す。
【０１６５】
【表１】
2015164030.tif 000003
表１の結果から、実施例１、２については、正反射率の評価が◎または〇であり、かつ、表面抵抗の評価が〇となっており、金属層を設けたことによる金属層表面での反射を抑制しつつも、電気抵抗値が小さい導電性基板が得られていることが確認できた。また、実施例１、２においては黒化層を湿式法により形成しているため、生産性良く製造できることも確認できた。
【０１６６】
これに対して、比較例１においては、黒化層が形成されていないため正反射率が６３．０％と非常に高くなっており、金属層表面での反射を抑制できていないことが確認できた。
【０１６７】
また、比較例２においては、正反射率は０．３％と非常に低く、評価は◎となったものの、表面抵抗が０．２５Ω／□となり、表面抵抗が非常に高くなることが確認できた。これは、黒化層形成工程において、硫化時間が長かったため、金属層がすべて黒化層に変化したためと考えられる。
［実施例３］
実施例１と同様にして透明基材上に密着層、金属層を形成した後、以下の手順により黒化層を形成した。
（黒化層形成工程）
密着層、金属層を形成した透明基材を、塩化テルル無電解めっき液に、３０℃で１２０秒間浸漬し、金属層表面に塩化テルルを析出させた。これにより、金属層の上面、すなわち、金属層の密着層と対向する面と反対側の面に黒化層を形成した。
【０１６８】
得られた導電性基板について、上述の正反射率、表面抵抗を評価した。結果を表２に示す。
［実施例４］
黒化層形成工程において、無電解めっき液への浸漬時間を３０秒間とした点以外は実施例３と同様にして導電性基板を作製した。
【０１６９】
得られた導電性基板について、上述の正反射率、表面抵抗を評価した。結果を表２に示す。
［比較例３］
黒化層形成工程を実施しなかった点以外は、実施例３と同様にして導電性基板を作製した。
【０１７０】
得られた導電性基板について、上述の正反射率、表面抵抗を評価した。結果を表２に示す。
【０１７１】
【表２】
2015164030.tif 000004
表２の結果から、実施例３、４については、正反射率の評価が◎であり、かつ、表面抵抗の評価が〇となっており、金属層を設けたことによる金属層表面での反射を抑制しつつも、電気抵抗値が小さい導電性基板が得られていることが確認できた。また、実施例３、４においては黒化層を無電解めっき法により形成しているため、生産性良く製造できることも確認できた。
【０１７２】
これに対して、比較例３においては、黒化層が形成されていないため正反射率が６３．０％と非常に高くなっており、金属層表面での反射を抑制できていないことが確認できた。
【符号の説明】
【０１７３】
１０Ａ、１０Ｂ、２０、２０１、２０２、４０                  導電性基板
１１、１１１、１１２                                        透明基材
１１ａ、１１１ａ、１１２ａ                                  第１の主平面
１１ｂ、１１１ｂ、１１２ｂ                                  第２の主平面
１２、１２Ａ、１２Ｂ、２２、２２１、２２２、４２Ａ、４２Ｂ  密着層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、２３、２３１、２３２、４３Ａ、４３Ｂ  金属層
１４、１４Ａ、１４Ｂ、２４、２４１、２４２、４４Ａ、４４Ｂ  黒化層
３０                                                        積層導電性基板
【図１】
2015164030.tif 000005
【図２】
2015164030.tif 000006
【図３】
2015164030.tif 000007
【図４】
2015164030.tif 000008