(57)【要約】【課題】基板保持部の位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】このリソグラフィ装置は、基板を保持して可動の基板保持部と、第１参照部材を含み、基板保持部の高さを計測する第１計測器と、基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する第２計測器とを含む計測ステーションと、第２参照部材を含み、基板保持部の高さを計測する第３計測器を含み、第２計測器の出力に基づいて、基板保持部に保持された基板に対してパターン形成が行われるパターン形成ステーションと、制御部とを有する。ここで、パターン形成ステーションは、基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する第４計測器を含む。そして、制御部は、基板保持部に保持された基板に関する第２計測器の出力と第４計測器の出力とに基づいて、第１計測器および第３計測器の少なくとも一方から得られる出力に係る補正値を得る（Ｓ１０６）。【選択図】図６
2015032800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターン形成を行うリソグラフィ装置であって、
基板を保持して可動の基板保持部と、
第１参照部材を含み、前記基板保持部の高さを計測する第１計測器と、前記基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する第２計測器とを含む計測ステーションと、
第２参照部材を含み、前記基板保持部の高さを計測する第３計測器を含み、前記第２計測器の出力に基づいて、前記基板保持部に保持された基板に対してパターン形成が行われるパターン形成ステーションと、
制御部と、を有し、
前記パターン形成ステーションは、前記基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する第４計測器を含み、
前記制御部は、前記基板保持部に保持された基板に関する前記第２計測器の出力と前記第４計測器の出力とに基づいて、前記第１計測器および前記第３計測器の少なくとも一方から得られる出力に係る補正値を得る、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２計測器の出力と前記第４計測器の出力との差に基づいて、前記補正値を得る、ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板保持部に保持された基板の表面の同一目標箇所に関する前記第２計測器の出力と前記第４計測器の出力とに基づいて、前記補正値を得る、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第１計測器と前記第２計測器とをそれぞれ複数有し、
前記制御部は、複数の前記第１計測器および複数の前記第２計測器の少なくとも一方から得られる出力に係る補正値を得る、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基板保持部に保持された基板に関する前記第２計測器の出力と前記第４計測器の出力とに基づいて、エラーに係る出力を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記第２計測器は、前記基板保持部に設けられた基準面に対する前記基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記パターン形成ステーションは、原版のパターンを前記基板に投影する投影系を含み、
前記第４計測器は、前記投影系を介して、前記基板保持部に設けられた基準面に対する前記基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１参照部材および前記第２参照部材のそれぞれは、ミラーまたはスケールを含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記基板保持部を複数有し、
前記パターン形成ステーションでの第１基板に対するパターン形成と、前記計測ステーションでの第２基板に対する計測とが並行して行われる、ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターン形成を行う工程と、
前記工程でパターン形成を行われた基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの製造工程に含まれるリソグラフィ工程において、原版（レチクルなど）のパターンを介して基板（表面にレジスト層が形成されたウエハやガラスプレートなど）を露光する装置である。この露光装置では、前記パターンの像を基板上に形成する投影光学系のＮＡ（開口数）の増大に伴い、基板ステージによるフォーカスおよびレベリング調整に非常に高い精度が要求される。例えば、露光時に確保できる焦点深度は、ＮＡ＝０．９３の走査露光装置で、約２００[ｎｍ]である。ここで、フォーカスおよびレベリング調整に割り振ることができる制御の精度について考える。このとき、当該精度は、当該焦点深度から像面湾曲や、レチクル要因のデフォーカス量、像面のキャリブレーション（計測）の誤差等の誤差要因などを取り除くと、一般的にその１０％(約２０[ｎｍ])程度である。そのため、従来、フォーカス（Ｚ軸)およびレベリング（ωｘ、ωｙ）の計測には、ステージの上面（天板面）と投影光学系が固定された定盤との距離が計測可能で、かつ直線性が良く分解能の高いレーザー干渉計を含む計測器が採用されている。
【０００３】
一方、特許文献１は、スループットの向上のために、１つの装置内に基板ステージを複数含む露光装置を開示している。この露光装置では、例えば、定盤上に２つの領域、すなわち露光を行う第１の領域（露光ステーション）と、露光前に基板に対する計測（アライメント計測）を行う第２の領域（計測ステーション）とがある。この構成によれば、計測ステーションにある一方の基板ステージに保持された第２の基板に対して計測を実施している間に、露光ステーションにある他方の基板ステージに保持された第１の基板に対して露光を実施することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】平１０−１６３０９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の露光装置は、レーザー干渉計による計測に用いられる平面鏡（参照部材）の１つとして、ＺＸバーミラーを備える。ＺＸバーミラーは、露光ステーションおよび計測ステーションそれぞれの定盤（投影光学系または計測器を支持する定盤）に、基板ステージと対向するように設置されている。よって、露光ステーションと計測ステーションとでは、互いに異なるＺＸバーミラーを参照することになるため、２つのＺＸバーミラー間に相対的な形状誤差があると、露光ステーションにおいてフォーカス誤差が生じ得る。また、レベリング（特にωｙ）についても、互いに異なるＺＸバーミラーによる計測値に基づくため、同様に誤差が生じ得る。
【０００６】
このようなＺＸバーミラーの相対的な形状誤差は、加工や組み立て、設置などに起因する装置運用前に補正することができる誤差と、装置運用後に現れる経時的誤差とに大別される。このうち、前者については、両ステーション間のＺＸバーミラーの形状誤差を計測し、それに対応する補正値をメモリーに記憶しておくことで、補正することができる。一方、後者については、まず、ＺＸバーミラー全体がＺ軸方向へシフトしている、またはＺＸバーミラー全体が傾いているなどのＺ−Ｘ平面におけるＸに関して２次未満の形状誤差の成分は、両ステーション間の原点合わせにより補正され得る。ここで、上記の２次未満の形状誤差の成分とは、Ｚ＝ｆ（Ｘ）におけるＸに関して０次および１次の成分をいう。しかしながら、例えば弓形のような２次以上の形状誤差の成分は、原点合わせによっては補正できない。よって、２つのＺＸバーミラー間の相対的な形状誤差の２次以上の成分の経時変化は、位置決め精度の低下をもたらし、投影像の片ぼけ（基板面と像面との間の相対的な傾きによるぼけ）を含むデフォーカス等の原因となり得る。
【０００７】
本発明は、例えば、基板保持部の位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板にパターン形成を行うリソグラフィ装置であって、基板を保持して可動の基板保持部と、第１参照部材を含み、基板保持部の高さを計測する第１計測器と、基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する第２計測器とを含む計測ステーションと、第２参照部材を含み、基板保持部の高さを計測する第３計測器を含み、第２計測器の出力に基づいて、基板保持部に保持された基板に対してパターン形成が行われるパターン形成ステーションと、制御部と、を有し、パターン形成ステーションは、基板保持部に保持された基板の表面の高さを計測する第４計測器を含み、制御部は、基板保持部に保持された基板に関する第２計測器の出力と第４計測器の出力とに基づいて、第１計測器および第３計測器の少なくとも一方から得られる出力に係る補正値を得る、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、基板保持部の位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。
【図２】第１焦点位置計測部の構成を示す図である。
【図３】第２焦点位置計測部の構成を示す図である。
【図４】ウエハステージの位置計測系の配置を示す図である。
【図５】ウエハ上に設定されたフォーカスの計測点を示す図である。
【図６】バーミラー形状誤差の補正工程を示すフローチャートである。
【図７】各焦点位置計測部による計測結果とその差分とを示すグラフである。
【図８】各位置計測系による計測値のデータ処理工程を示すフローチャートである。
【図９】エラー処理工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１２】
まず、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の構成について説明する。リソグラフィ装置は、ウエハなどの基板にパターンを形成する装置であり、以下、本実施形態に係るリソグラフィ装置は、一例として露光装置であるものとして説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置１の構成を示す概略図である。なお、図１では、後述する投影光学系４の光軸（本実施形態では鉛直方向）に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で露光時のウエハＷの走査方向にＹ軸を取り、Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取っている。露光装置１は、一例として、半導体デバイスの製造工程に使用され、ステップ・アンド・スキャン方式にてレチクルＲに形成されているパターンをウエハＷ上（基板上）に露光する投影型とする。ここで、ステップ・アンド・スキャン方式とは、露光エリアを細長いスリット状にし、この露光エリアをレチクルＲとウエハＷとを同期させながら走査する方式をいう。また、露光装置１は、ＮＡ≧１．０の投影光学系４に対応するため、ウエハＷと投影光学系４の最終レンズとの間を局所的に純水などの液体で満たす液浸型とする。なお、ウエハＷ上に液体を供給する供給ノズルや、露光後に液体を排出する排出ノズルなどは不図示としている。さらに、露光装置１は、装置内にウエハＷを保持するステージを複数有するウエハステージ６を含み、特に本実施形態では、一例として２つのウエハステージ６を含む、いわゆるツインステージ型とする。まず、露光装置１は、露光ステーション１００と、計測ステーション２００と、制御部３００と、ウエハ搬送系４００とを備える。
【００１３】
露光ステーション（パターン形成ステーション）１００は、照明系２と、レチクルステージ３と、投影光学系４と、第１焦点位置計測部５とを含む。照明系２は、光源２ａより射出された光を所定のビーム形状に整形し、レチクルステージ３に保持されているレチクルＲに照射する。光源２ａは、複数の波長帯域の光、例えば、水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザーなどの光を露光光として出力する。レチクルＲは、例えば、微細な回路パターンが形成されたガラス製の原版である。投影光学系（投影系）４は、レチクルＲの回路パターンの像を所定の縮小倍率で縮小し、ウエハＷ上に設定されているショットに結像投影する。
【００１４】
図２は、第１焦点位置計測部５の構成および計測原理を説明する概略図である。第１焦点位置計測部（第４計測器）５は、例えば、図２に示すようなＴＴＬ(Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｔｈｅ  Ｌｅｎｓ）方式の画像検出系とし得る。光源１０から射出された光束は、露光用の照明系２に入射し、露光光と非露光光とに分けられる。ここで分けられた光のうちの非露光光は、光ファイバー、レンズやミラーなどから構成される引き回し系１１を介して、第１焦点位置計測部５の照明系に導かれる。この照明系から発せられた光は、投影光学系４の開口絞り面、いわゆる瞳面とほぼ共役な位置に設けられた斜入射開口絞りで光束を制限される。斜入射開口絞りは、光軸からＹ軸方向へシフトした位置にスリット状の開口を有し、対物レンズを通過した計測光は、この入射角で面位置計測用マークに斜入射する。なお、面位置計測用マークは、レチクル基準プレート１２上に形成されており、計測光を透過する部分と、計測光を反射（遮光）する部分とを含む。面位置計測用マークで透過された光（ウエハ反射光）は、投影光学系４を通過してウエハステージ６上のウエハＷに入射し、ウエハＷ上で反射され、再び投影光学系４を通過した後、撮像素子１３にて受光される。一方、面位置計測用マークで反射された光（レチクル反射光）は、対物レンズ１４を通過した後、撮像素子１３に受光される。これにより、撮像素子１３上には、レチクル反射光とウエハ反射光とのラインパターンが結像される。このラインパターンは、レチクル反射光とウエハ反射光とが一致せず、ΔＹだけズレが生じている。このズレは、斜入射開口絞り上の開口のシフト量およびウエハステージ６のＺ軸方向の駆動量に依存する値である。本実施形態では、開口のシフト量を一定としているので、ズレ量ΔＹは、Ｚ軸方向にのみ依存する量と考えられる。第１焦点位置計測部５は、ウエハステージ６がＹ軸方向にスキャンまたはステップ駆動している間に、面位置計測用マークを照明しながら、一定間隔ごとにレチクル反射光とウエハ反射光とを撮像する。ウエハＷの表面は、完全な平面ではなく凹凸を有する。したがって、第１焦点位置計測部５の計測点におけるウエハＷの表面位置は、この凹凸に応じてＺ軸方向にΔＺだけ微小変化する。この微小変化ΔＺは、撮像素子１３の検出面上のウエハ反射光の微小シフトΔＹｄとして検出される。このとき、レチクルステージ３は、駆動（移動）していないので、撮像素子１３の検出面上のレチクル反射光のシフトは発生しない。したがって、第１焦点位置計測部５は、レチクル反射光を基準として微小シフトΔＹｄを特定することができ、この微小シフトΔＹｄから微小変化ΔＺを特定することができる。そして、第１焦点位置計測部５は、微小変化ΔＺに基づくウエハＷの表面位置の変位に合わせたウエハステージ６のフォーカス方向（Ｚ軸）およびレベリング方向（特にωｙ方向）の移動により、焦点位置を計測することができる。
【００１５】
計測ステーション２００は、オフアクシススコープ（ＯＡＳ）２０と、第２焦点位置計測部２１とを含む。ＯＡＳ２０は、アライメントマークを検出し、計測軸上におけるＸ軸およびＹ軸方向の位置ずれ量を計測する。具体的には、ＯＡＳ２０は、ウエハステージ６に載置されているウエハＷ上のアライメントマークと、後述するウエハステージ６（微動ステージ４１）上の基準マーク５５との相対位置および姿勢関係を、ウエハステージ６の設計座標値に対する移動中に計測する。
【００１６】
図３は、第２焦点位置計測部２１の構成および計測原理を説明する概略図である。第２焦点位置計測部（第２計測器）２１は、ウエハＷの表面上の複数点の焦点位置を計測することで、ウエハＷの表面形状（表面全体のフォーカスマップ情報）を計測し得る。第２焦点位置計測部２１は、例えば、複数の光束を高入射角度（角度θ）でウエハＷ上に投光する投光系２２と、ウエハＷにて反射した光を受光する受光系２３と、信号処理部２４とを含む。投光系２２は、光源２５と、パターン板２６と、結像レンズ２７と、ミラー２８とを含む。なお、図３に示す例では、パターン板２６を均一な照度分布で照明するためのレンズ類や色収差を補正するためのレンズ類などは、不図示としている。光源２５は、ＬＥＤやハロゲンランプなどであり、波長λ１の光でパターン板２６を照明する。パターン板２６は、遮光部に３つの矩形（長手方向がＸ軸方向）のスリットパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３が形成されており、各スリットパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３を通過した光は、結像レンズ２７とミラー２８とを介してウエハＷ上に投影結像する。一方、受光系２３は、ミラー２９と、レンズ３０と、２次元撮像素子３１とを含む。ウエハＷで反射した光（パターン像）は、ミラー２９と、レンズ３０とを介して、例えばＣＭＯＳセンサーである２次元撮像素子３１で受光される（再結像される）。ここで、ウエハステージ６の駆動によりウエハＷが上下方向（Ｚ軸方向）に移動すると、パターン板２６のパターン像は、２次元撮像素子３１の撮像面でＹ軸方向に移動する。したがって、第２焦点位置計測部２１は、そのパターン像の位置を信号処理部２４で導き出すことにより、ウエハＷの表面位置を計測点ごとに検出することができる。また、ウエハＷの表面位置のＺ軸方向の変位Ｚに対する２次元撮像素子３１の撮像面での各スポットの変位量Ｙは、受光系２３の光学倍率をＭ、ウエハＷへの入射角度をθとすると、Ｙ＝（２Ｍｓｉｎθ）×Ｚで表される。すなわち、変位Ｚは、Ｚ＝Ｙ／（２Ｍｓｉｎθ）と表される。そして、第２焦点位置計測部２１は、変位Ｚに基づくウエハＷの表面位置の変位に合わせたウエハステージ６のフォーカスおよびレベリング方向での移動により、焦点位置を計測することができる。
【００１７】
なお、第１焦点位置計測部５および第２焦点位置計測部２１は、図では表現されていないが、図１に示す配置例で言えば、Ｘ軸方向に複数個ずつ並んでいる。これは、各ステーション１００、２００にて各焦点位置計測部５、２１が１つずつしかないと、フォーカス方向の計測結果しか得ることができないので、レベリング方向（Ｚ軸方向に対して水平な面の傾き）の計測結果をも得るための処置である。また、この場合、第１焦点位置計測部５と第２焦点位置計測部２１との計測像高を同じ座標とするために、それぞれＸ軸方向への取り付け間隔（並べる間隔）を等しくすることが望ましい。そして、上記の構成で第１焦点位置計測部５によるフォーカス計測と第２焦点位置計測部２１によるフォーカス計測とをウエハステージ６を走査しながら実施することは、フォーカスマップ情報の計測にかかる時間を短縮する上で望ましい。
【００１８】
ウエハステージ（基板保持部）６は、チャック７を介して、ウエハＷを例えば吸着保持して可動である。特に本実施形態では、ツインステージ型の露光装置１を例示しており、この場合、２つのウエハステージ６（第１ウエハステージ（第１基板保持部）６Ａ、第２ウエハステージ（第２基板保持部）６Ｂ）が存在する。これらのウエハステージ６は、それぞれが露光ステーション１００における露光位置と、計測ステーション２００におけるアライメント計測位置とに移動（位置を交互に切り替え）可能である。ウエハステージ６によれば、例えば、露光ステーション１００にて第１ウエハステージ６Ａ上の第１ウエハ（第１基板）Ｗ１に対する露光と、計測ステーション２００にて第２ウエハステージ６Ｂ上の第２ウエハ（第２基板）Ｗ２に対する計測とを並行して行い得る。
【００１９】
図４は、ウエハステージ６の構成と、各ステーション１００、２００に設置しているウエハステージ６の位置を計測する位置計測系（距離を測定して位置を特定するので、以下「測長機構」という。）とを示す概略斜視図である。なお、ウエハステージ自体の構成は、第１ウエハステージ６Ａ、第２ウエハステージ６Ｂともに同一である。ウエハステージ６は、ＸＹ平面を移動可能とする粗動ステージ４０と、粗動ステージ４０上に搭載され、ウエハＷを直接保持するチャック７（図４では不図示）を設置し、Ｚ軸、ωｚ方向のチルト補正のために６軸で動作可能な微動ステージ４１とを含む。
【００２０】
まず、微動ステージ４１のＸＹの各軸方向の位置は、測長機構としてのレーザー干渉計であるＸ軸方向用干渉計（Ｘ干渉計）４２およびＹ軸方向用干渉計（Ｙ干渉計）４３により計測される。Ｘ干渉計４２は、微動ステージ４１のＹ軸方向側面に延設されたＸバーミラー（平面鏡）４４にレーザーを照射し反射させて、Ｘ軸方向の位置を計測する。一方、Ｙ干渉計４３は、微動ステージ４１のＸ軸方向側面に延設された不図示のＹバーミラーにレーザーを照射し反射させて、Ｙ軸方向の位置を計測する。Ｘ干渉計４２およびＹ干渉計４３に合わせて、Ｘ軸、Ｙ軸の両方またはいずれか一方の側には、それぞれ水平方向に離間して、レーザー干渉計であるＸ軸ヨー方向用干渉計（Ｘヨー干渉計）４４およびＹ軸ヨー方向用干渉計（Ｙヨー干渉計）４５が設置される。微動ステージ４１のＸＹ平面内における回転方向のずれ量ωｚは、これらＸヨー干渉計４４およびＹヨー干渉計４５により計測される。また、微動ステージ４１のＸ軸周りの回転ωｘは、Ｙ干渉計４３に対して、鉛直方向に間隔Δｚをおき、かつ水平方向に位置ずれなく並んで設置されるレーザー干渉計であるチルト干渉計４７により計測される。
【００２１】
さらに、微動ステージ４１のＺ軸方向の位置は、測長機構としてのレーザー干渉計である、Ｚ軸方向用第１干渉計（第１Ｚ干渉計）４８と、Ｚ軸方向用第２干渉計（第２Ｚ干渉計）５１とにより計測される。これら２つの干渉計の組は、既出の第２計測器および第４計測器に対して、計測ステーション２００側のものを第１計測器、一方、露光ステーション１００側のものを第３計測器と見ることもできる。このうち、第１Ｚ干渉計４８は、Ｘ干渉計４２側に設置されている干渉計である。第１Ｚ干渉計４８から照射されたレーザーは、微動ステージ４１のＹ軸方向側面に伸びたＺＹバーミラー４９で＋Ｚ方向（Ｚ軸方向上方）に進行方向を変えて反射される。この進行方向が変化したレーザーは、鏡筒定盤６５（図１参照）に設置されているＺＸバーミラー（参照部材としての平面鏡）５０にて−Ｚ方向（Ｚ軸方向下方）に反射され、再度第１Ｚ干渉計４８に戻る。ここで、第１Ｚ干渉計４８で得られたフォーカス方向の成分をＺＲとする。同様に、微動ステージ４１を基準として第１Ｚ干渉計４８の反対側には、第２Ｚ干渉計５１、ＺＹバーミラー５２、およびＺＸバーミラー（参照部材としての平面鏡）５３が設置される。ここで、第２Ｚ干渉計５１で得られたフォーカス方向の成分をＺＬとする。なお、計測ステーション２００側の各ＺＸバーミラー５０、５３を第１参照部材とし、これに対して、露光ステーション１００側の各ＺＸバーミラー５０、５３を第２参照部材として見ることができる。このように、２つのＺ干渉計４８、５１を用いてＸＹ平面の全面でＺ軸方向の位置を計測し、その平均値をとることで、微動ステージ４１のＺ軸方向の位置Ｚｐｏｓを正確に計測することができる。この場合、位置Ｚｐｏｓは、Ｚｐｏｓ＝（ＺＬ＋ＺＲ）／２の関係から求めることができる。また、ωｙ方向の成分ωｙｐｏｓも、ＺＬとＺＲとの差分をとり、ωｙｐｏｓ＝(ＺＬ−ＺＲ)／Ｌの関係から求めることができる。ただし、Ｌは、ＺＹバーミラー４９にレーザーが当たっている点からＺＹバーミラー５２にレーザーが当たっている点までのＸ軸方向の距離である。
【００２２】
また、微動ステージ４１は、その表面上（ステージ天板上）に、Ｘ軸方向に間隔を空けて配置されている２つのＬＩＰＳセンサー５４と、基準マーク５５とをそれぞれ含む、２つのセンサーユニット５６を有する。露光装置１では、ウエハステージ６が各ステーション間を移動した後には、レチクルＲに予めレチクルデザインとして描画されているＬＩＰＳマーク（不図示）とＬＩＰＳセンサー５４との間で露光照射光を通過させることで位置合わせが行われる。この位置合わせにより、フォーカスおよびレベリング方向のオフセットずれが補正される。以下、この補正原理について詳説する。計測ステーション２００にて計測された、例えば第１ウエハステージ６Ａ上のウエハＷ（第１ウエハＷ１）のフォーカスマップ情報は、ＬＩＰＳセンサー５４の基準面に対する相対的なＺ、ωｙ成分の差分値として記憶される。第１ウエハＷ１のフォーカスマップ情報の取得およびＸＹアライメント計測を終えた第１ウエハステージ６Ａは、露光ステーション１００側にある第２ウエハステージ６Ｂと交換され、露光ステーション１００（投影光学系４の真下の露光位置）に送られる。次に、レチクルＲのＬＩＰＳマークと第１ウエハステージ６Ａ上の２つのＬＩＰＳセンサー５４との間で、ＬＩＰＳマークの空中像計測が行われ、第１ウエハステージ６ＡのＸ、Ｙ、Ｚ、ωｚ、ωｙ軸成分の原点の位置合わせが行われる。次に、予めレシピとして定義されている露光順序やショット配列、計測ステーション２００で得られたアライメント計測結果およびフォーカスマップ情報に基づいて、所望のショット位置に位置決めされる。そして、さらにそれらに基づいてフォーカスおよびレベリング方向のオフセットずれを補正した上で、露光が実施される。
【００２３】
制御部３００は、露光装置１に含まれる各種計測部や駆動部などの動作制御や、フォーカスマップ情報およびアライメント計測結果を処理して露光中のステージ目標軌道の演算処理などを実行し得る。制御部３００は、例えばコンピューターなどで構成され、露光装置１の各構成要素に回線を介して接続されて、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。また、制御部３００は、露光装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、露光装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００２４】
上記各構成要素のうち、照明系２、およびレチクルステージ３を支持するレチクルステージ用ベース定盤６２は、床面に設置されたベース定盤６０からＺ軸方向に延設される支持体６１により支持される。レチクルステージ用ベース定盤６２は、レチクルＲの荷重を受け、レチクル駆動で生じる反力は、不図示のカウンターマスの駆動により相殺される。投影光学系４は、ダンパー（防振部材）６３により振動的に絶縁されつつベース定盤６０から支持柱６４を介して支持される鏡筒定盤６５に支持される。また、図４を用いて説明したウエハステージ６の位置計測系としての各種レーザー干渉計、ならびにＺＸバーミラー５０、５３も、鏡筒定盤６５に支持される。ウエハステージ６は、ベース定盤６０上に敷設された不図示のウエハステージ定盤に支持され、そのウエハステージ定盤上で各ステーション間を移動する。
【００２５】
ウエハ搬送系４００は、処理対象であるウエハＷを収容するＦＯＵＰ７０を載置可能であり、ＦＯＵＰ７０からウエハＷを計測ステーション２００にあるウエハステージ６に搭載するための第１ハンド７１と、回収するための第２ハンド７２とを備える。また、露光装置１は、液浸型であるので、ウエハ搬送系４００は、ウエハステージ６上にウエハＷが供給されない場合でも露光ステーション１００で液膜が維持できるようにする蓋ウエハ７３と、蓋ウエハ７３を収容するメンテナンスキャリア７４を搭載している。
【００２６】
ここで、図４を用いて説明したウエハステージ６のフォーカスおよびレベリング方向の位置合わせでは、測長機構に含まれる各ＺＸバーミラー５０、５３の形状に変形が生じていないことが前提である。しかしながら、各ＺＸバーミラー５０、５３は、経時的にまたは環境温度の変化に相関し、微小量であるが変形する。このような変形は、露光ステーション１００側と計測ステーション２００側とで各種レーザー干渉計による計測値に差異を引き起こし得る。このことは、結果的にフォーカスおよびレベリング方向の位置合わせに差異が生じさせ、この差異は、露光結果の片ぼけおよびデフォーカスの要因となり得る。そこで、本実施形態では、以下のように各ステーション１００、２００での各ＺＸバーミラー５０、５３の形状変化（相対的な形状誤差）に起因するウエハステージ６の移動誤差を補正し、露光装置１としての性能保証や自己補正機能を実現する。
【００２７】
次に、露光装置１における各ＺＸバーミラー５０、５３の形状変化に起因するウエハステージ６の移動誤差を補正する作用（露光方法）について説明する。まず、補正工程の具体的な説明の前に、第１焦点位置計測部５および第２焦点位置計測部２１が計測対象（同一目標箇所）とするウエハＷ上の計測点ＭＰの配置例について説明する。
【００２８】
図５は、ウエハＷ上に設定されたフォーカスを計測する位置である計測点ＭＰを例示する平面図である。各ＺＸバーミラー５０、５３の形状の相対的な誤差は、ウエハステージ６がＸ軸方向に移動するときに生じ得る。これは、第１Ｚ干渉計４８および第２Ｚ干渉計５１からのレーザーの各ＺＸバーミラー５０、５３で反射される位置が、ウエハステージ６の移動とともにＸ軸方向に移動することに起因する。なお、ウエハステージ６がＹ軸方向に移動するときには、第１Ｚ干渉計４８および第２Ｚ干渉計５１からのレーザーは、各ＺＸバーミラー５０、５３上の１点で反射されるため、各ＺＸバーミラー５０、５３の形状が計測値に影響を与えることはない。このことから、図５としての以下の５つの例示では、すべてＸ軸方向に計測点ＭＰが並んでいる。
【００２９】
図５（ａ）は、ウエハＷの表面上の中心点を通る一直線上に計測点ＭＰを配置させた図である。各ＺＸバーミラー５０、５３の形状誤差を計測したい場合には、ウエハステージ６がＸ軸方向に移動するので、計測点ＭＰの配列は、このような単純なものとなる。この配列によれば、Ｘ軸方向で可能な限り長い距離を計測することができる。なお、１列の計測点群を１回計測しただけでは、第１焦点位置計測部５および第２焦点位置計測部２１による計測誤差の影響を受ける可能性がある。そこで、同一のウエハＷを複数回計測する、または同一の計測点ＭＰを複数回計測することで、統計学的に精度を上げて計測結果の標準偏差を小さくし、計測誤差を低減させてもよい。
【００３０】
図５（ｂ）は、ウエハＷの表面全体に等間隔に計測点ＭＰを配置させた図である。この配列によれば、ウエハＷの表面全体を計測することができるので、図５（ａ）の配置例よりも平均化効果で計測誤差を低減させることができる。なお、このときの計測間隔は、そのとき要求される条件により、適宜変更し得る。例えば、計測間隔を狭くすることで、より細かな情報を得ることができるが、反対に計測間隔を広くすれば、粗い情報しか得られないものの、計測時間を短くすることができるという利点がある。
【００３１】
図５（ｃ）は、ウエハＷの表面上の特定位置にのみ多くの計測点ＭＰを配置させた図である。このような配列が適用されるのは、例えば、経時的な変化や熱膨張による変化などにより、予め各ＺＸバーミラー５０、５３の特定部分が変形することが分かっている場合である。この配列によれば、特定位置の計測間隔を細かくすることで、特定位置へのウエハステージ６の位置合わせが多く行われる。そして、この位置合わせ時には、ＺＸバーミラー５０、５３の形状が逐一参照されるため、特定部分の変形の様子が詳しく観察されることになる。なお、特定位置以外の計測点については、各ＺＸバーミラー５０、５３の変形が小さいと想定して、図５（ｂ）の配置例よりも計測間隔を広くしてよい。または、その他の部分の各ＺＸバーミラー５０、５３の形状がほぼ変化していないと想定できるのであれば、特定位置以外の計測点はなくてもよい。すなわち、この図５（ｃ）に示す配置例は、フォーカス計測の計測間隔をウエハＷ上で適宜変化させることで各ＺＸバーミラー５０、５３の計測間隔を粗密にして、より計測時間の短縮を図るものといえる。
【００３２】
ここで、図５(ａ)〜図５(ｃ)の各配置例を適用する場合には、計測時にはウエハＷの表面上の任意の計測点ＭＰを計測することから、計測対象となるウエハＷとしては、下地パターンなどの凹凸が極力ないベアシリコンウエハを用いることが望ましい。また、計測点ＭＰを計測するときには、ウエハＷ上にパターンが現像されていないことが望ましい。なお、定期的なメンテナンスでは、ベアシリコンウエハとして、ウエハ搬送系４００内のメンテナンスキャリア７４に収容されている蓋ウエハ７３を用いるようにしてもよい。
【００３３】
図５（ｄ）および図５（ｅ）は、ともに計測対象となるウエハＷをベアシリコンウエハではなく、実際の処理対象となるプロセスウエハとする場合で、ウエハＷ上に予め設定されているショット配列に合わせて計測点ＭＰを配置させた図である。特に、図５（ｄ）に示す配置例は、１つのショット内に９点の計測点ＭＰを配置しており、一方、図５（ｅ）に示す配置例は、１つのショット内に１点の計測点ＭＰを配置している。上記のとおり、ウエハステージ６のフォーカスおよびレベリング方向の位置合わせは、ショットごとにショット配列内の相対的に同一の位置での計測に基づいて行われる。このように計測されなければ、ウエハＷの表面に既に現像された回路パターンの凹凸の影響を受けて計測値が変化してしまうからである。これらの配列によれば、回路パターンの凹凸の影響を抑えることができる。
【００３４】
なお、図５の各配置例では、計測点ＭＰをウエハＷの表面上に設定しているが、計測点は、ウエハＷ外にあってもよい。例えば、図４では、微動ステージ４１の表面上（ステージ天板上）に設置されている鏡面部材５７を例示している。鏡面部材５７は、この場合の計測対象となるウエハＷに換わるものであり、これを用いることで、ウエハＷの表面上に設定した計測点ＭＰだけでは計測できなかった部分の各ＺＸバーミラー５０、５３の形状変化を知ることができるなどの利点がある。
【００３５】
図６は、本実施形態における測長機構に含まれる各ＺＸバーミラー５０、５３の形状（平面度）の変化（形状誤差）を補正する補正工程を示すフローチャートである。ここで、この補正工程は、各ウエハステージ６Ａ、６Ｂに対してそれぞれ個別に必要となるが、図６に示す一連の流れは、１つのウエハステージ６に対して行われるものである。また、この補正工程は、予め定められた枚数（規定枚数）のウエハＷが処理されるごと、または予め定められた時間（規定時間）が経過するごとに行われる。ただし、補正工程が行われるタイミングは、これらに限られず、例えば、電源投入直後や、露光装置１がアイドル状態のときなどに自動で行われてもよい。さらに、規定枚数または規定時間ごとに補正が実施される場合には、一方のウエハステージ６にて処理対象のウエハＷを露光しつつ、他方のウエハステージ６にて補正工程を行うようにしてもよい。
【００３６】
まず、制御部３００は、計測ステーション２００にて、ウエハステージ６の原点位置合わせ（ステージアライメント）を実施させる（ステップＳ１０１）。具体的には、制御部３００は、ＯＡＳ２０にウエハステージ６（例えば第１ウエハステージ６Ａ、以下同様）上の２カ所の基準マーク５５を検出させ、この検出結果に基づいて、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙが原点の値になるようにウエハステージ６の位置を調整する。
【００３７】
次に、制御部３００は、計測ステーション２００にて、ウエハＷの表面形状を計測し、フォーカスマップ情報（焦点位置計測情報としての第２の位置）を取得する（ステップＳ１０２）。具体的には、制御部３００は、第１ウエハステージ６Ａをフォーカスレベリング軸の目標値を一定の値に保持したままＸ軸、Ｙ軸方向に移動させつつ、第２焦点位置計測部２１に計測点ＭＰのフォーカス計測（およびレベリング計測）を実施させる。ここで、第２焦点位置計測部２１により得られた焦点位置計測情報は、ウエハＷのＸＹポジションごとの基準マーク５５からのＺ、ωｙ軸の相対変位量に換算されて、制御部３００内に記憶される。
【００３８】
次に、制御部３００は、第１ウエハステージ６Ａを、計測ステーション２００から露光ステーション１００へと移動（ステージスワップ）させる（ステップＳ１０３）。なお、第１ウエハステージ６Ａ上のウエハＷは、チャック７により吸着保持されているので、ステージスワップ時に、基準マーク５５（およびＬＩＰＳセンサー５４）とウエハＷとの相対位置関係がずれることはない。
【００３９】
次に、制御部３００は、露光ステーション１００にて、ステージアライメントを実施させる（ステップＳ１０４）。このステージアライメントは、レチクルＲにあるＬＩＰＳマークに露光照明光が照射され、その像を第１ウエハステージ６Ａ上のＬＩＰＳセンサー５４が検出することで得られる、ＬＩＰＳマークとＬＩＰＳセンサー５４との相対位置関係を参照して実施される。
【００４０】
次に、制御部３００は、露光ステーション１００にて、第１焦点位置計測部５にウエハＷの表面位置の光軸方向における位置（焦点位置計測情報としての第１の位置）の計測を実施させる(ステップＳ１０５)。このときの計測点ＭＰのＸ座標、Ｙ座標は、ステップＳ１０２にて実施された第２焦点位置計測部２１による焦点位置計測と同じウエハＷ内の座標位置とする。
【００４１】
次に、制御部３００は、ステップＳ１０２で得られた焦点位置計測情報と、ステップＳ１０５で得られた焦点位置計測情報とに基づいて、フォーカス方向（およびレベリング方向）の差分をそれぞれ求める（ステップＳ１０６）。ここで求められる差分が、露光ステーション１００側の各ＺＸバーミラー５０、５３と、計測ステーション２００側の各ＺＸバーミラー５０、５３との相対的な形状誤差であり、以下でいう補正量（補正値）である。なお、形状誤差が発生していない場合には、差分はゼロとなる。一方、各ＺＸバーミラー５０、５３の１次成分とシフト成分とは、ステップＳ１０１およびステップＳ１０４での各ステーションにおけるステージアライメントにより、すでに補正されている。したがって、ここで差分が生じているということは、高次（２次成分以上）の形状誤差が生じていると考えられる。なお、差分値は、同じ計測点ＭＰで計測せずに、計測点ＭＰからスプライン関数などを用いて曲面を生成することで得られる補間点で代替し求めてもよい。
【００４２】
図７は、露光ステーション１００側（ステップＳ１０５での計測）と計測ステーション２００側（ステップＳ１０２での計測）とにおける各計測結果と、それらの結果から求められた差分（補正量）の一例を示すグラフである。図７では、計測点ＭＰをＸ軸およびＹ軸でそれぞれ２ｍｍ間隔とし、ウエハＷの中心を(０，０)とした座標系でＹ＝０となる位置を抜き出している。すなわち、横軸は、ウエハＷのＸ座標（ｎｍ）であり、縦軸は、Ｙ軸におけるベストフォーカス値からのずれ量（ｎｍ）である。
【００４３】
次に、制御部３００は、ステップＳ１０６で求められた差分（今回差分値）と、この前の補正工程にて求められた差分（前回差分値）とのさらなる差分が、形状の経時変化の許容範囲内にあるかどうかを判断する（ステップＳ１０７）。ここで、制御部３００が許容範囲内であると判断した場合には（ＹＥＳ）、以下のステップＳ１０８に移行する。一方、制御部３００が許容範囲内にないと判断した場合には（ＮＯ）、以下の図７に示すエラー処理工程に移行する。
【００４４】
次に、制御部３００は、ステップＳ１０６にて差分が生じているとして求められた高次の形状誤差を、補正パラメーターまたは補正テーブル（後述）を用いて補正する（ステップＳ１０８）。このとき、露光ステーション１００側および計測ステーション２００側で計測された各焦点位置計測情報には、それぞれ各ＺＸバーミラー５０、５３の形状誤差が含まれている。これに対して、露光ステーション１００側の各ＺＸバーミラー５０、５３の絶対的な形状（個々の形状自体）については、フォーカスレベリング性能計測用のテストパターンの露光結果に基づいて、予めキャリブレーションが実施されている。そこで、ここでの形状誤差の補正は、計測ステーション２００側の各ＺＸバーミラー５０、５３の形状を、すでにキャリブレーション済みである露光ステーション１００側の各ＺＸバーミラー５０、５３の形状に合わせるものとする。
【００４５】
ステップＳ１０８における具体的な形状誤差の第１の補正方法として、例えば、ステップＳ１０６にて得られた差分から回帰分析を行い、最適な近似関数のパラメーター（以下「補正パラメーター」という。）を決定し利用する方法がある。第１の方法は、経時的な各ＺＸバーミラー５０、５３の変形形状が分かっている場合に適用可能である。このような場合には、例えば、自重変形や接着部分の変化により各ＺＸバーミラー５０、５３の中心部がフォーカス方向に下がり、各ＺＸバーミラー５０、５３全体が弓形になるように変形しやすい。この弓形に代表される緩やかな変形は、比較的低次のＮ次関数で近似できるので、ステップＳ１０６にて得られた差分をＮ次関数で近似する補正パラメーターを決定し利用することが好適となる。また、各ＺＸバーミラー５０、５３の形状が環境温度の変化により高次成分で近似されるような変形をしている場合でも、上記と同様に、差分からその近似関数を導出して補正パラメーターを決定し利用することができる。また、ステップＳ１０８における具体的な形状誤差の第２の補正方法として、例えば、ステップＳ１０６にて得られた計測点ＭＰごとの差分からバーミラー形状補正テーブル（以下、単に「補正テーブル」という。）を作成し利用する方法がある。なお、この補正テーブルは、補正対象軸ごとのパラメーター列分、準備されている。
【００４６】
図８は、本実施形態における測長機構により得られた計測値のデータ処理を示すフローチャートである。まず、制御部３００は、図４を用いて説明した測長機構に含まれる各干渉計４２、４３、４５、４６、４７、４８、５１のそれぞれから計測値を得る（ステップＳ２０１）。ここで得られた計測値は、抽象座標軸のように直交化された状態で得られたものではない。そこで、制御部３００は、次に、ステップＳ２０１で得られた計測値を直交成分（Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚ成分）へ変換する処理（モード分離処理）を実行する（ステップＳ２０２）。次に、制御部３００は、モード分離された計測値に、バーミラー（各ＺＸバーミラー５０、５３）形状（平面度）の変化に起因した形状誤差の補正処理を実行する（ステップＳ２０３）。ここで、制御部３００は、上記の第１および／または第２の補正方法などを用いて形状誤差を補正することになり、具体的には、モード分離された計測値に、補正パラメーターまたは補正テーブルを加算する。次に、制御部３００は、形状誤差の補正処理が施された計測値にアッベ補正処理を実行する（ステップＳ２０４）。アッベ補正とは、各干渉計の計測光軸が傾いていたり、各バーミラーが設計値に対して傾いて取り付けられていたりすることにより発生し得る低次の誤差成分を関数的に補正するものである。具体的には、制御部３００は、アッベ補正パラメーターや直交度補正パラメーターを予め準備し、形状誤差の補正処理が施された計測値に適用する。ここでアッベ補正処理を施された計測値は、補正後のフォーカス（Ｚ軸）方向の現在位置となる。以後、制御部３００は、Ｚ目標値と補正後の現在位置との値に基づいて、実際にウエハステージ６を目標位置に移動させるのに必要な移動量に反映される。なお、レベリング(ωｙ)方向の形状誤差に関しても、図７に示したフォーカス成分の補正方法と同様に補正することができ、同様の制御が実行される。
【００４７】
図９は、図６のステップＳ１０７にて差分が形状の経時変化の許容範囲内にない（ＮＯ）と判断された場合に引き続き実行されるエラー処理工程を示すフローチャートである。エラー発生後、まず、制御部３００は、前回の補正工程におけるステップＳ１０７で許容範囲内にあると判断されてから今回のステップＳ１０７での判断に至るまでに露光が行われたロットに不具合がある可能性をオンラインホストに報告する（ステップＳ３０１）。次に、制御部３００は、ＺＸバーミラーの形状誤差を記録した形状誤差テーブルを参照し、形状誤差の変動量が大か小か、すなわち補正テーブルなどに対するフィードバック補正でリカバー可能であるかどうかを判断する（ステップＳ３０２）。ここで、制御部３００は、変動量が小さくリカバー可能であると判断した場合には（変動小）、以下のステップＳ３０３に移行する。そして、制御部３００は、補正テーブルや、アッベ補正パラメーター、直交度補正パラメーターなどに対する補正（変動量の反映）を行い（ステップＳ３０３）、後続のロットに対する露光を開始する。一方、制御部３００は、ステップＳ３０２にて変動量が大きくリカバー不可能であると判断した場合には（変動大）、エラー（およびエラー元のバーミラー位置など）を表示する（ステップＳ３０４）。その後、制御部３００は、オンラインホストにエラー状況を報告するなどして処理を停止し、マニュアルアシスト待ちの状態とする。
【００４８】
なお、上記の説明では、各ＺＸバーミラー５０、５３の形状の差分が計測された、すなわち形状誤差が発生していた場合には、補正テーブルや補正パラメーターを用いて制御的に計測誤差を補正するものとしている。しかしながら、本発明は、これに限らず、局所的に温度を変化させたりすることで、各ＺＸバーミラー５０、５３の形状を物理的に変化（直接変形）させてもよい。また、第１焦点位置計測部５または第２焦点位置計測部２１の計測値全体にバラツキがあり、そのバラツキが許容値よりも大きい場合には、各焦点位置計測部自体に不具合が生じている可能性がある。同様に、各ステーション１００、２００内の空調環境の調整に不都合が生じている可能性もある。このような場合についても、制御部３００は、その旨を知らせるエラーを発生（表示）させ、想定外の原因による形状誤差の変動量の自動反映を抑止する処理を実行してもよい。
【００４９】
このように、露光装置１は、例えば経時的な事由で各ＺＸバーミラー５０、５３に２次成分以上の相対的な形状誤差が発生しているかどうかを装置稼働中に認識し、無視できない形状誤差が発生している場合には各ウエハステージ６の現在位置に反映させる。従来、このような形状誤差は、プロセスウエハもしくはフォーカス性能検査用ウエハを露光した後、露光装置の稼働を一旦停止し、計測結果を検証した上で補正されていた。これに対して、露光装置１は、自己検証機能として定期的なメンテナンスもしくはプロセスウエハジョブと並行して自己計測することができる。したがって、露光装置１は、形状誤差を効率良く、すなわちスループットの低下を抑えつつ補正することができるので、結果的にウエハステージ６のフォーカスおよびレベリング方向の位置決め精度に影響を及ぼし得る移動誤差を効率良く補正することができる。
【００５０】
以上のように、本実施形態によれば、ウエハを保持し移動可能なウエハステージの位置決め精度の低下を抑えるのに有利な露光装置および露光方法を提供することができる。
【００５１】
なお、上記の実施形態では、各ウエハステージ６の位置を計測する位置計測系（測長機構）としてレーザー干渉計を用いるものとしたが、レーザー干渉計に換えて、２次元エンコーダを用いて相対距離から各ウエハステージ６の位置を計測するものとしてもよい。ただし、この場合には、参照部材は、例えば複数のスリットを有するスケールとなり、上記説明での１次元のＺＸバーミラー用の補正テーブルのインデックスは、２次元に拡張される必要がある。
【００５２】
また、上記の実施形態では、リソグラフィ装置として原版のパターンを投影光学系により基板に投影する露光装置を例示した。しかしながら、リソグラフィ装置は、それに限らず、例えば、電子線等の荷電粒子線で基板にパターン形成を行うものであってもよいし、未硬化樹脂（インプリント材）を型により成形してパターン形成を行うインプリント装置であってもよい。
【００５３】
（物品製造方法）  物品（半導体集積回路素子、液晶表示素子、記録媒体、光学素子等）の製造方法は、上述したリソグラフィ装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターン形成を行う工程を含む。さらに、当該製造方法は、パターン形成を行われた基板に対して現像およびエッチングの少なくとも一方を行う工程を含み得る。当該製造方法は、パターン形成を行われた基板を加工する他の処理（加工工程）を含み得る。
【００５４】
以上、実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１      露光装置
５      第１焦点位置計測部
６Ａ    第１ウエハステージ
６Ｂ    第２ウエハステージ
２１    第２焦点位置計測部
４８    第１Ｚ干渉計
５０    ＺＸバーミラー
５１    第２Ｚ干渉計
５３    ＺＸバーミラー
１００  露光ステーション
２００  計測ステーション
３００  制御部
Ｗ      ウエハ
【図１】
2015032800.tif 000003
【図２】
2015032800.tif 000004
【図３】
2015032800.tif 000005
【図４】
2015032800.tif 000006
【図５】
2015032800.tif 000007
【図６】
2015032800.tif 000008
【図７】
2015032800.tif 000009
【図８】
2015032800.tif 000010
【図９】
2015032800.tif 000011