(57)【要約】【課題】  外周に歯車を有する基板ホルダー、外周に歯車を有するサセプタ、及び外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板が備えられた気相成長装置であって、容易に歯車の磨耗量を検知できる気相成長装置を提供する。【解決手段】  前述のような気相成長装置において、基板ホルダー、サセプタ、及び回転板から選ばれる少なくとも１個の回転物の歯車の先端部に、磨耗量を視覚的に検知するためのマークが設けられてなる気相成長装置とする。また、好ましくはこれらの回転物に設けられたマークを、外部から視認できるビューポートが備えられてなる気相成長装置とする。【選択図】  図４
2015002190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周に歯車を有する基板ホルダー、外周に歯車を有するサセプタ、及び外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板が備えられた気相成長装置であって、該基板ホルダー、該サセプタ、及び該回転板から選ばれる少なくとも１個の回転物の歯車の先端部に、磨耗量を視覚的に検知するためのマークが設けられてなることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
回転物の歯車の先端部に設けられたマークが、摩耗による回転不良が発生する摩耗位置より先端側で設定された請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
基板ホルダーに保持された基板の表面に、窒化ガリウム系化合物半導体が気相成長される請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項４】
歯車の先端部にマークが設けられてなる回転物が、カーボン系材料、セラミック系材料、またはセラミック系材料でコーティングされたカーボン系材料から構成されている請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項５】
回転物の歯車の先端部に設けられたマークを、外部から視認できるビューポートが備えられてなる請求項１に記載の気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置に関し、詳細には、外周に歯車を有する基板ホルダー、外周に歯車を有するサセプタ、及び外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板が備えられた気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶膜を基板上に成長する方法には、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等があり、基板加熱を伴うＣＶＤ法は熱ＣＶＤ法等として知られている。近年、高温（例えば１０００℃以上）で基板を加熱して行う気相成長が増加しており、青色若しくは紫外ＬＥＤ又は青色若しくは紫外レーザーダイオードを製作するためのIII族窒化物半導体の気相成長もその一つである。
例えば、III族窒化物半導体結晶膜の成長は、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、またはトリメチルアルミニウム等の有機金属ガスをIII族金属源として、アンモニアを窒素源として用い、１０００℃以上の高温に加熱されたシリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等の基板上に結晶膜を気相成長する熱ＣＶＤ法により行われることがある。
【０００３】
このような気相成長においては、気相成長中に基板を自転させることにより、基板面内で均一な膜厚及び膜質の結晶膜を成長させることができる。また、気相成長中に基板を自公転させることにより、同一基板面内だけでなく各基板間においても均一な膜厚及び膜質を得ることができる。
例えば、特許文献１〜３に記載されている気相成長装置においては、複数の基板ホルダーがサセプタにより回転自在に保持され、基板ホルダー及びサセプタの回転により基板を自公転させることができる。特許文献１に記載の気相成長装置には、外周に歯車が設けられ基板ホルダーが備えられており、特許文献２に記載の気相成長装置には、外周に歯車が設けられた基板ホルダー及びサセプタが備えられており、このような歯車で外部からの回転駆動力の伝達を受けて基板ホルダーやサセプタは回転する。また、特許文献３に記載されている気相成長装置には、基板を自公転させるための基板ホルダー及びサセプタの他に、外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板も備えられている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−９９７７０号公報
【特許文献２】特許第４５３７５６６号公報
【特許文献３】特開２０１２−２２７２３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような気相成長装置においては、基板ホルダー、サセプタ、及び回転板のような回転物に設けられた歯車の磨耗が進行すると、歯車の噛み合わせに不具合が生じ、結晶膜の品質に悪影響が生じるので、磨耗が進行した歯車は、噛み合わせに不具合が生じる前に新品と交換されなくてはならない。このような回転物の歯車は、基板の加熱に伴う高温下に置かれ、反応性の原料ガスに接触することが多く、磨耗が通常の環境下よりも早く進行しやすいので、磨耗量を頻繁に測定して交換時期を見極めなければならなかった。そのため、前述のような回転物の歯車の磨耗量を容易に検知でき、交換時期に達したことを判断できる簡便な手段が求められていた。
従って、本発明が解決しようとする課題は、前述のような気相成長装置であって、容易に回転物の歯車の磨耗量を検知できる気相成長装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、気相成長装置に備えられる基板ホルダー、サセプタ、及び回転板から選ばれる少なくとも１個の回転物の歯車の先端部に、磨耗量を視覚的に検知するためのマークを設けることにより、前述の課題を解決できること等を見出し、本発明の気相成長装置に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、外周に歯車を有する基板ホルダー、外周に歯車を有するサセプタ、及び外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板が備えられた気相成長装置であって、該基板ホルダー、該サセプタ、及び該回転板から選ばれる少なくとも１個の回転物の歯車の先端部に、磨耗量を視覚的に検知するためのマークが設けられてなることを特徴とする気相成長装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の気相成長装置においては、基板ホルダー、サセプタ、及び回転板から選ばれる少なくとも１個の回転物の歯車に、磨耗量を視覚的に検知するためのマークが設けられているので、磨耗量を目視等により容易に検知でき、これらの回転物の先端部の摩耗量を直接的に測定することなく、交換時期に達したことの判断を容易に行うことができる。
また、気相成長は、通常、原料ガスが流通される容器に基板が収納されて行われ、前述のような回転物はこのような容器に収納されて用いられるので、マークを外部から視認できるビューポートを設けることにより、反応容器の開放等をしなくても磨耗量を容易に検知することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、外周に歯車を有する基板ホルダー、外周に歯車を有するサセプタ、及び外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板が備えられた気相成長装置に適用される。
以下、本発明の気相成長装置について、図１〜図７に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。尚、図１は、本発明の気相成長装置において、回転物の歯車の先端部に設けられた磨耗量を視覚的に検知するためのマークの一例を示す平面図であり、摩耗前の歯車の状態を示す図である。図２は、図１の歯車の先端部の磨耗が進行した状態を示す平面図、図３は、図２の歯車の先端部の磨耗がさらに進行した状態を示す平面図である。図４は、本発明の気相成長装置に用いられる基板ホルダーの一例を示す構成図である。図５は、図４に示す基板ホルダーの垂直断面図であり、基板及び均熱板が設置された状態を示す構成図である。図６は、本発明の気相成長装置に用いられるサセプタの一例を示す構成図である。図７は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図である。
【００１０】
本発明は、外周に歯車を有する基板ホルダー、外周に歯車を有するサセプタ、及び外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板が備えられた気相成長装置であって、基板ホルダー、サセプタ、及び回転板から選ばれる少なくとも１個の回転物の歯車の先端部に、磨耗量を視覚的に検知するためのマークが設けられてなる気相成長装置である。
【００１１】
本発明に用いられる基板ホルダー、サセプタ、及び回転板から選ばれる少なくとも１個の回転物の歯車には、例えば、図１に示すような歯車先端部の磨耗量を視覚的に検知するためのマークが設けられている。このように、最も磨耗が進行しやすい歯車先端部にマークを設けることにより、磨耗の進行を明確に検知することができる。本発明において用いられるマークは、磨耗の進行を確実に検知するために、歯車を構成するすべての歯に設けられることが好ましいが、歯車を構成する一部の歯のみに設けられてもよい。
【００１２】
本発明に用いられるマークは、高温や原料ガスとの接触により消えないように形成され、例えば、溝、段差、突起、模様、色またはそれらの組み合わせ等から構成されることが好ましいが、これらに限定されることはない。本発明において用いられるマークは、例えば、レーザ光によるマーキングにより形成することができる。また、本発明に用いられるマークは、長さを表す目盛り等が付与されたものであってもよいが、交換時期に対応して設定されたマークであれば、歯車が交換時期に達したことを容易に判断することが可能になる。例えば、図１に示すように、摩耗により回転不具合が発生する摩耗位置より先端側にマークを設け、図２に示すように、磨耗によりマークが消えかかった時点が交換時期となるように設定することによって、図３に示すような状態となり回転不良が発生する前に回転物を交換できるので、結晶膜の品質への悪影響を避けることができる。
【００１３】
このようなマークが設けられた歯車を有する回転物の例としては、図４に示すような基板ホルダー、図６に示すようなサセプタ等が挙げられる。すなわち、図４に示す基板ホルダーは、基板を空間部４に設置することにより基板６を保持できる基板ホルダーであり、外周に歯車１を有し、歯車１を介して伝達される回転駆動力により回転できるように構成されている。また、図６に示すサセプタは、基板を保持する基板ホルダーを該サセプタの空間部９に設置することにより、複数の基板を保持できるサセプタであり、外周に歯車１を有し、歯車１を介して伝達される回転駆動力により回転できるように構成されている。そして、図４、図６に示すように、回転物の歯車の先端部に、磨耗量を視覚的に検知するためのマーク２が設けられる。この他に、外周に歯車を有し外部からの回転駆動力を基板ホルダーまたはサセプタに伝達するための回転板にも、前述のようなマークを設けることができる。
【００１４】
本発明の気相成長装置において、前述のようなマークが設けられた歯車を有する回転物は、通常、基板が収納され原料ガスが流通される容器の内部に設置される。例えば、図７に示す気相成長装置においては、図４に示す基板ホルダー３、図６に示すサセプタ８、外周に歯車を有し基板ホルダー３に回転駆動力を伝達する基板ホルダー回転板２０、及び外周に歯車を有しサセプタ８に回転駆動力を伝達するサセプタ回転板２３が、基板が収納され原料ガスが原料ガス導入部１３から導入されて気相成長が行われる反応容器２７の内部に設けられている。尚、基板ホルダー３、及びサセプタ８の他に、基板ホルダー回転板２０、及びサセプタ回転板２３にも、歯車の先端部に図１に示すようなマークを設けることができる。
【００１５】
本発明の気相成長装置において、歯車先端部の磨耗量を視覚的に検知する手段は、一般的には目視であるが、光学式センサ等のセンサを用いることも可能である。また、本発明の気相成長装置は、前述のようなマークを外部から視認できることが好ましい。例えば、図７に示す気相成長装置においては、基板ホルダー３、サセプタ８、基板ホルダー回転板２０、サセプタ回転板２３の各歯車に設けられたマークを、外部から視認できるビューポート（図示しない）を、反応容器２７の１箇所または複数個所に適宜設けることができる。
【００１６】
前述のような回転物は、基板の加熱に伴う高温下に置かれ、反応性の原料ガスに接触することが多いので、耐熱性及び耐食性を有する材質で構成される。例えば、窒化ガリウム系化合物半導体が成長される気相成長装置は、基板が高温（例えば１０００℃以上）に加熱される他に、アンモニア等の反応性の原料ガスが流通されるので、前述のような回転物は、このような条件下で耐熱性及び耐食性を発揮する材料から構成され、カーボン系材料、セラミック系材料、またはセラミック系材料でコーティングされたカーボン系材料等から構成される。尚、本発明の気相成長装置を用いて製造される窒化ガリウム系化合物半導体は、ガリウム、インジウム、アルミニウムから選ばれる１種または２種以上の金属と、窒素との化合物からなる窒化物半導体である。
【００１７】
本発明において用いられる歯車を構成するカーボン系材料の例としては、カーボン、パイオロリティックグラファイト（ＰＧ）、グラッシカーボン（ＧＣ）等が挙げられるが、これらに限定されることはない。また、セラミック系材料の例としては、アルミナ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化ホウ素（ＢＮ）等が挙げられるが、これらに限定されることはない。
【００１８】
次に、図７の気相成長装置を詳細に説明する。図７の気相成長装置において、結晶膜を生成するための気相成長反応は反応容器２７の内部で行われる。反応容器２７の内部には、結晶膜を気相成長させるための基板６、基板６を保持する基板ホルダー３、複数の基板ホルダー３に回転駆動力を伝達する基板ホルダー回転板２０、均熱板７を介して基板６を加熱するヒータ１１、複数の基板ホルダー３及び基板ホルダー回転板２０をベアリングボール２４により回転自在に保持する円盤状のサセプタ８、ベアリングボール２４によりサセプタ８を回転自在に保持するリング状の基台２６が備えられており、これらの部材は外形が円盤状の反応容器２７の中に収められて密閉されている。サセプタ８は、サセプタの対面１０とともに反応炉１２を形成し、気相成長反応は反応炉１２において行われる。基板６は結晶膜の成長が行われる成長面を下向きにして配置されているが、本発明は下向きの配置に限定されることはなく、例えば、基板は上向き又は横向きに配置されてもよい。また、本発明は、反応炉の中央部から原料ガスを供給し、周辺部から外部に排出する気相成長装置に限定されることはなく、例えば反応炉の一端から原料ガスを供給し、反応後のガスを他の一端から外部に排出する気相成長装置に適用することもできる。
【００１９】
サセプタ８により回転自在に保持された基板ホルダー３は、基板ホルダー回転駆動器１６からの回転駆動力を受けて回転する。すなわち、基板ホルダー回転駆動器１６からの回転駆動力は、まず、磁性流体シール等の手段により反応容器２７に対して回転自在に封止された基板ホルダー回転駆動軸１７に伝達される。基板ホルダー回転駆動軸１７は、基板ホルダー回転駆動軸１７を上下動できるように、蛇腹等を介して反応容器２７に設置されている。基板ホルダー回転駆動軸１７のツメ１８が基板ホルダー回転板２０の差込口１９に差し込まれることによって、サセプタ８により回転自在に保持された基板ホルダー回転板２０に回転駆動力が伝達される。そして、基板ホルダー回転板２０の外周に設けられた歯車と各基板ホルダー３の外周に設けられた歯車が噛み合わさることにより、各基板ホルダー３に回転駆動力が伝達され、各基板６は自転する。
【００２０】
また、基板６は自転に加えて公転によって回転する。基台２６により回転自在に保持されたサセプタ８は、サセプタ回転駆動器２１からの回転駆動力を受けて回転する。すなわち、サセプタ回転駆動器２１からの回転駆動力が、磁性流体シール等の手段により反応容器２７の密封性を損なわないように回転自在にシールされたサセプタ回転駆動軸２２を介して、サセプタ回転駆動軸２２のサセプタ側先端に固定されたサセプタ回転板２３に伝達される。そして、サセプタ８の外周、及びサセプタ回転板２３の外周には歯車が設けられており、これらが噛み合わさることによりサセプタ回転駆動器２１からの回転駆動力はサセプタ８に伝達されて、各基板６は公転する。
【００２１】
反応炉１２の中心部には原料ガス配管１５が設けられ、原料ガスは原料ガス導入部１３から放射状に吹き出し、基板６の結晶成長面に対して水平に供給される。気相成長反応は、反応炉１２において、ヒータ１１により均熱板７を介して基板６を加熱しながら、原料ガス導入部１３から原料ガスを供給することにより行われ、基板６の結晶成長面には結晶膜が形成される。気相成長反応に用いられた原料ガスは、そのまま反応ガスとして反応ガス排出部１４から排出される。
【００２２】
気相成長中、基板６は、基板ホルダー３及びサセプタ８の回転により常時自転及び公転することが好ましい。基板ホルダー３及びサセプタ８の回転方向及び回転速度は、それぞれ、基板ホルダー回転駆動器１６及びサセプタ回転駆動器２１の回転方向及び回転速度を変化させることにより、任意に設定することができる。各基板間において均一な膜厚及び膜質を得るために、各基板ホルダー１は、原料ガス導入部１３を中心とする同一円周上に配置され、原料ガス導入部１３からの距離を等しくすることが好ましいが、そのような構成に限定されることはない。
【００２３】
反応容器２７を構成する材質には、金属又は合金が挙げられるが、これらの材質に限定されることはない。基板ホルダー３、均熱板７、サセプタ８、サセプタの対面１０、基板ホルダー回転板２０、及びサセプタ回転板２３は、カーボン系材料、セラミック系材料、またはセラミック系材料でコーティングされたカーボン系材料から構成されることが好ましいが、そのような材質に限定されることはない。基板ホルダー回転駆動軸１７及びサセプタ回転駆動軸２２は、金属、合金、カーボン系材料、セラミック系材料、セラミック系材料でコーティングされたカーボン系材料、またはこれらの組み合わせが好ましいが、そのような材質に限定されることはない。ヒータ１１はカーボンヒータ又はセラミックヒータが好ましいが、これらのヒータに限定されることはない。ベアリングボール２４は、セラミック系材料であることが好ましいが、セラミック系材料に限定されることはない。
【００２４】
ここで、金属の例には、アルミニウム等があるが、アルミニウムに限定されることはなく、合金の例には、ステンレス又はインコネル等があるが、これらに限定されることはない。カーボン系材料の例には、カーボン、パイオロリティックグラファイト（ＰＧ）、グラッシカーボン（ＧＣ）等があるが、これらに限定されることはない。セラミック系材料の例には、アルミナ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化ホウ素（ＢＮ）等があるが、これらに限定されることはない。
【００２５】
反応容器２７を構成する材質はステンレスが特に好ましい。基板ホルダー３、均熱板７、サセプタ８、サセプタの対面１０、基板ホルダー回転板２０、及びサセプタ回転板２３は、ＳｉＣコートカーボン、ヒータ１１はカーボンヒータ、サセプタ回転駆動軸２２はステンレス、ベアリングボール２４はアルミナであることが特に好ましい。基板ホルダー回転駆動軸２２は、強度を確保するために基板ホルダー回転駆動器側部分をインコネル製とし、基板ホルダー回転板２０との噛み合わせを取る際の破損等を防止するために基板ホルダー回転板側部分をカーボン製とし、ネジ等で両者を固定することにより一体化したものが好ましい。
【実施例】
【００２６】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
（気相成長装置の製作）
ステンレス製の反応容器２７の内部に、基板ホルダー３（ＳｉＣコートカーボン製、３インチの基板を１枚保持可能）５個、円板状のサセプタ８（ＳｉＣコートカーボン製、直径６００ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、基板ホルダー３を５個保持可能）、冷媒を流通する流路２８を備えたサセプタの対面１０（カーボン製）、ヒータ１１（カーボンヒータ）、原料ガス導入部１３（カーボン製）、反応ガス排出部１４、基板ホルダー回転板２０（ＳｉＣコートカーボン製）、サセプタ回転板２３（ＳｉＣコートカーボン製）等を設けて、図７に示すような気相成長装置を製作した。尚、冷媒を流通する流路２８として、配管１本を中心部から周辺部に向かって渦巻き状に配置した。
【００２７】
各基板ホルダー３、サセプタ８、基板ホルダー回転板２０、及びサセプタ回転板２３のそれぞれの外周には、円周方向に６ｍｍ突出した歯から構成される歯車を設けた。各歯車のすべての歯の先端部には、円周方向に０．８ｍｍの幅を有する図１に示すようなマークをレーザ光によりマーキングした。尚、各歯車は、先端部の磨耗量が円周方向で１ｍｍ以下であれば噛み合わせが維持されるように噛み合わせた。尚、各々の歯車の先端部が外から目視できるように、反応容器２７に透明石英ガラス製のビューポート（図示しない）を設けた。
【００２８】
原料ガス導入部１３は、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板状の仕切り（カーボン製）２個により上下方向に仕切られた３個のガス噴出口を形成し、上層の噴出口からアンモニア、中層の噴出口からトリメチルガリウムを含むガス、下層の噴出口から窒素を供給できる構成とした。原料ガス供給部の各々のガス流路には、マスフローコントローラー等を介して、所望の流量及び濃度の各ガスが供給できるように配管を接続した。
次に、３インチサイズのサファイアよりなる基板を、各基板ホルダー３に１枚ずつ計５枚セットしたところ、ガスの噴出口の先端と基板との水平面の距離は３２．４ｍｍであった。
【００２９】
（気相成長実験）
このようにして製作した気相成長装置を用いて、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長する気相成長実験を行なった。
すなわち、原料ガス導入部１３から水素を流しながら基板６の温度を１０５０℃まで昇温させ、基板６のアニールを行った。続いて、基板６の温度を５１０℃まで下げて、原料ガスとしてトリメチルガリウムとアンモニア、キャリアガスとして水素を用いて、サファイア基板６の上にＧａＮからなるバッファー層の成長を行い、バッファー層成長後に、トリメチルガリウムのみ供給を停止し、基板６の温度を１０５０℃まで上昇させた。
【００３０】
その後、原料ガス供給部１３の上層の噴出口からアンモニア（流量：３０Ｌ／ｍｉｎ）、中層の噴出口からトリメチルガリウム（流量：６０ｃｃ／ｍｉｎ）と水素（流量：３０Ｌ／ｍｉｎ）、下層の噴出口から窒素（流量：４０Ｌ／ｍｉｎ）を供給して、窒化ガリウム膜を２時間成長させた。気相成長終了後、各基板ホルダー３、サセプタ８、基板ホルダー回転板２０、及びサセプタ回転板２３のそれぞれが有する歯車に設けられたマークを、透明石英ガラス製のビューポートから目視で確認した。
このような気相成長を５回繰り返した結果、基板ホルダー回転板２０が有する歯車の明らかな磨耗が目視により確認され、さらに５回繰り返した後は摩耗が大きくなったことが目視により確認された。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、基板上に結晶膜を成長するために用いられる気相成長装置であり、特に、窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の気相成長装置において、回転物の歯車の先端部に設けられた磨耗量を視覚的に検知するためのマークの一例を示す平面図
【図２】図１の歯車の先端部の磨耗が進行した状態を示す平面図
【図３】図２の歯車の先端部の磨耗がさらに進行した状態を示す平面図
【図４】本発明の気相成長装置に用いられる基板ホルダーの一例を示す構成図
【図５】図４に示す基板ホルダーの垂直断面図
【図６】本発明の気相成長装置に用いられるサセプタの一例を示す構成図
【図７】本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図
【符号の説明】
【００３３】
１  歯車
２  マーク
３  基板ホルダー
４  空間部
５  基板支持部
６  基板
７  均熱板
８  サセプタ
９  空間部
１０  サセプタの対面
１１  ヒータ
１２  反応炉
１３  原料ガス導入部
１４  反応ガス排出部
１５  原料ガス配管
１６  基板ホルダー回転駆動器
１７  基板ホルダー回転駆動軸
１８  ツメ
１９  差込口
２０  基板ホルダー回転板
２１  サセプタ回転駆動器
２２  サセプタ回転駆動軸
２３  サセプタ回転板
２４  ベアリングボール
２５  ベアリング溝
２６  基台
２７  反応容器
２８  冷媒を流通する流路
【図１】
2015002190.tif 000003
【図２】
2015002190.tif 000004
【図３】
2015002190.tif 000005
【図４】
2015002190.tif 000006
【図５】
2015002190.tif 000007
【図６】
2015002190.tif 000008
【図７】
2015002190.tif 000009