(57)【要約】【課題】長さ方向の長さが幅方向の長さより短い積層セラミック部品において、ツームストーン現象が発生しにくい構造の積層セラミック部品を提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、第１および第２の内部電極を含む直方体状のセラミック本体１２と、セラミック本体１２の端面で内部電極に接続するとともに主面および側面に回り込む第１および第２の外部電極２４ａ，２４ｂとを含む。積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック本体１２の長さ方向（Ｌ方向）における長さが幅方向（Ｗ方向）における長さに対して０．７以下であり、それぞれの外部電極２４ａ，２４ｂの主面におけるＬ方向の長さが０．１５ｍｍ以上であり、それぞれの外部電極２４ａ，２４ｂのＴ方向の長さが０．４８ｍｍ以下であり、セラミック本体１２の主面と端面の間の稜線部における外部電極の曲率半径が４５μｍ以下に設定される。【選択図】図１
2015029142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板への実装面となる互いに対向する第１および第２の主面、前記第１および第２の主面と直交する第１および第２の端面、および前記第１および第２の主面と直交しかつ前記第１および第２の端面と直交する第１および第２の側面を有するセラミック本体、
前記セラミック本体の内部においてセラミック層を挟んで配置される内部電極、
前記第１の端面で前記内部電極と接続し、前記第１および第２の主面の一部と前記第１および第２の側面の一部を覆う第１の外部電極、
前記第２の端面で前記内部電極と接続し、前記第１および第２の主面の一部と前記第１および第２の側面の一部を覆う第２の外部電極を含み、
前記第１および第２の端面を結ぶ方向を長さ方向とし、前記第１および第２の側面を結ぶ方向を幅方向とし、前記第１および第２の主面を結ぶ方向を厚み方向としたとき、前記長さ方向における前記第１および第２の端面に形成された前記第１および第２の外部電極間の長さが前記幅方向における前記第１および第２の側面に形成された前記第１および第２の外部電極間の長さに対して０．７以下であり、
前記第１および第２の外部電極の前記第１および第２の主面における前記長さ方向の長さが０．１５ｍｍ以上であり、
前記第１および第２の外部電極の前記厚み方向の長さが０．４８ｍｍ以下であり、
前記主面と前記端面の間の稜線部における前記第１および前記第２の外部電極の曲率半径が４５μｍ以下である、積層セラミック部品。
【請求項２】
前記内部電極は、前記セラミック層を介して対向するようにして交互に配置される第１の内部電極と第２の内部電極とを含み、
前記第１の内部電極が前記第１の外部電極に接続されるとともに、前記第２の内部電極が前記第２の外部電極に接続されることにより、前記第１の外部電極と前記第２の外部電極との間に静電容量が形成された積層セラミックコンデンサが形成される、請求項１に記載の積層セラミック部品。
【請求項３】
前記セラミック層の積層数が２００枚以上である、請求項２に記載の積層セラミック部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック部品に関し、特にたとえば、セラミック層を介して内部電極が積層された基体を有する積層セラミック部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来の積層セラミック部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。この積層セラミックコンデンサ１は、セラミック本体２を含み、セラミック本体２内において、セラミック層を介して複数の内部電極が積層されている。セラミック本体２は、対向する主面と、対向する主面と直交する位置において互いに対向する側面と、主面および側面と直交する位置において互いに対向する端面とを含む直方体状に形成される。
【０００３】
隣接する内部電極は、セラミック本体２の対向する端面に引き出される。したがって、セラミック本体２の対向する２つの端面には、複数の内部電極が交互に引き出される。セラミック積層体２の対向する端面には、それぞれ外部電極３ａ，３ｂが形成され、セラミック本体２の端面に引き出された内部電極が外部電極３ａ，３ｂに接続される。このように、２つの外部電極３ａ，３ｂに、交互に内部電極が接続されることにより、外部電極３ａ，３ｂ間に静電容量が形成される。
【０００４】
ここで、２つの外部電極３ａ，３ｂを結ぶ方向を長さ方向（Ｌ方向）、内部電極が積層された方向を厚さ方向（Ｔ方向）、長さ方向と厚さ方向に直交する方向を幅方向（Ｗ方向）としたとき、Ｌ方向の長さがＷ方向の長さより小さくなるように形成されることにより、電流の経路を小さくすることができ、電流ループが減少してインダクタンスを小さくすることができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１７２１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような積層セラミックコンデンサなどのチップ部品は、基板のランド上に付与されたはんだペースト上に外部電極を取り付け、積層セラミックコンデンサなどの電子部品が固定された基板全体を加熱することによりはんだペーストを溶融し、その後に硬化させることにより、電子部品が基板上に実装される。このとき、ランド上のはんだ溶融のバランスが崩れ、積層セラミックコンデンサの一方の外部電極の下にはんだが回り込みフィレットが形成されると、はんだ溶融時の表面張力により、積層セラミックコンデンサなどのチップが立ち上がる、いわゆるツームストーン現象が発生する。特に、外部電極間の長さが外部電極の幅より短い積層セラミックコンデンサでは、ツームストーン現象が発生しやすいという問題がある。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、長さ方向の長さが幅方向の長さより短い積層セラミック部品において、ツームストーン現象が発生しにくい構造の積層セラミック部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、基板への実装面となる互いに対向する第１および第２の主面、第１および第２の主面と直交する第１および第２の端面、および第１および第２の主面と直交しかつ第１および第２の端面と直交する第１および第２の側面を有するセラミック本体と、セラミック本体の内部においてセラミック層を挟んで配置される内部電極と、第１の端面で内部電極と接続し、第１および第２の主面の一部と第１および第２の側面の一部を覆う第１の外部電極と、第２の端面で内部電極と接続し、第１および第２の主面の一部と第１および第２の側面の一部を覆う第２の外部電極とを含み、第１および第２の端面を結ぶ方向を長さ方向とし、第１および第２の側面を結ぶ方向を幅方向とし、第１および第２の主面を結ぶ方向を厚み方向としたとき、長さ方向における第１および第２の端面に形成された第１および第２の外部電極間の長さが幅方向にける第１および第２の側面に形成された第１および第２の外部電極間の長さに対して０．７以下であり、第１および第２の外部電極の第１および第２の主面における長さ方向の長さが０．１５ｍｍ以上であり、第１および第２の外部電極の厚み方向の長さが０．４８ｍｍ以下であり、主面と端面の間の稜線部における第１および第２の外部電極の曲率半径が４５μｍ以下である、積層セラミック部品である。
積層セラミック部品の外部電極の幅方向の長さが長さ方向の長さより長い場合にツームストーン現象は発生しやすい。また、セラミック本体の主面における第１および第２の外部電極の長さ方向の長さが短いと、積層セラミック部品を基板上に実装する際に、セラミック本体の主面における第１および第２の外部電極の端部と基板上のランドの端部との間の間隔が大きくなり、はんだ溶融により積層セラミックコンデンサを横たえる向きに働く力が大きくなる。また、ツームストーン現象は、積層セラミック部品の角部を支点として発生するため、セラミック積層体の主面と端面との間の稜線部における第１および第２の外部電極の曲率半径が小さいほうが、ツームストーン現象が発生しにくい。これらの点を考慮して、ツームストーン現象が発生しにくい条件を模索したところ、積層セラミック部品の長さ方向の長さが幅方向の長さに対して０．７以下のとき、セラミック積層体の主面におけるそれぞれの外部電極の長さ方向の長さが０．１５ｍｍ以上であり、セラミック積層体の厚み方向におけるそれぞれの外部電極の長さが０．４８ｍｍ以下であり、セラミック積層体の主面と端面との間の稜線部におけるそれぞれの外部電極の曲率半径が４５μｍ以下であるとき、ツームストーン現象は発生しにくいことがわかった。
【０００９】
このような積層セラミック部品において、内部電極は、セラミック層を介して対向するようにして交互に配置される第１の内部電極と第２の内部電極とを含み、第１の内部電極が第１の外部電極に接続されるとともに、第２の内部電極が第２の外部電極に接続されることにより、第１の外部電極と第２の外部電極との間に静電容量が形成された積層セラミックコンデンサを形成することができる。
セラミック積層体内部においてセラミック層を介して対向するように形成される第１および第２の内部電極が交互に第１および第２の外部電極に接続されることにより、積層セラミックコンデンサが形成される。このような積層セラミックコンデンサにおいても、上述のような条件を満たすことにより、ツームストーン現象が発生しにくい積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１０】
さらに、上述のような積層セラミックコンデンサにおいて、セラミック層の積層数を２００枚以上とすることができる。
セラミック層の積層数が２００枚以上の積層セラミックコンデンサにおいては、積層体の長さ方向の長さが幅方向の長さより短い形状とすることにより、電流ループを短くして不要なインダクタンスの発生を抑えることができる。このような積層セラミックコンデンサにおいても、上述のような条件を満たすことにより、ツームストーン現象が発生しにくい積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、基板上に実装する際に、ツームストーン現象が発生しにくい積層セラミック部品を得ることができる。
【００１２】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の積層セラミック部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサに用いられるセラミック積層体の分解斜視図である。
【図３】積層セラミックコンデンサを基板上に実装する際に発生するツームストーン現象を説明するための図解図である。
【図４】積層セラミックコンデンサを基板上に実装する際に発生するツームストーン現象を示す図解図である。
【図５】図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、セラミック本体の主面と端面との間の稜線部における外部電極のＲ量を測定する方法を示す図解図である。
【図６】従来の積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、この発明の積層セラミック部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ１０は、例えば、直方体状のセラミック本体１２を含む。セラミック本体１２は、互いに対向する第１の主面１４ａと第２の主面１４ｂ、互いに対向する第１の側面１６ａと第２の側面１６ｂ、および互いに対向する第１の端面１８ａと第２の端面１８ｂを含む。ここで、積層セラミックコンデンサ１０を基板に実装するとき、第１および第２の主面１４ａ，１４ｂの一方が実装面となる。第１および第２の主面１４ａ，１４ｂと第１および第２の側面１６ａ，１６ｂは直交するように配置され、第１および第２の端面１８ａ，１８ｂは第１および第２の主面１４ａ，１４ｂおよび第１および第２の側面と直交するように配置される。
【００１５】
セラミック本体１２の角部や稜線部は、面取り状に形成されてもよいし、丸められた形状に形成されてもよい。また、第１および第２の主面１４ａ，１４ｂや第１および第２の側面１６ａ，１６ｂには、凹凸が形成されてもよい。
【００１６】
この積層セラミックコンデンサ１０においては、第１および第２の主面１４ａ，１４ｂと第１および第２の側面との間の稜線部分に沿った方向、つまり対向する第１および第２の端面１８ａ，１８ｂ間を結ぶ方向きが長さ方向（Ｌ方向）とされる。また、第１および第２の主面１４ａ，１４ｂと第１および第２の端面１８ａ，１８ｂとの間の稜線部分に沿った方向、つまり対向する第１および第２の側面１６ａ，１６ｂ間を結ぶ方向が幅方向（Ｗ方向）とされる。さらに、第１および第２の側面１６ａ，１６ｂと第１および第２の端面１８ａ，１８ｂとの間の稜線部分に沿った方向、つまり対向する第１および第２の主面１４ａ，１４ｂ間を結ぶ方向が厚み方向（Ｔ方向）とされる。
【００１７】
セラミック本体１２は、例えば、誘電体セラミックにより形成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＺｒＯ3などを挙げることができる。セラミック本体１２には、積層セラミックコンデンサ１０に要求される特性に応じて、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、Ａｌ化合物、Ｖ化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されてもよい。
【００１８】
これらの材料を用いたセラミック層２０が、図２に示すように、セラミック本体１２の厚み方向に沿って積層される。さらに、セラミック本体１２の内部には、第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂが形成される。第１の内部電極２２ａと第２の内部電極２２ｂとは、セラミック層２０を介して互いに隣接するように配置される。したがって、第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂは、それぞれ、セラミック本体１２の長さ方向および幅方向に沿って延びる平面状に形成される。第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂは、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの金属等によって形成されることができる。ここで、セラミック層２０の積層枚数は２００枚以上であることが好ましい。
【００１９】
第１の内部電極２２ａはセラミック本体１２の第１の端面１８ａに引き出され、第２の内部電極２２ｂはセラミック本体１２の第２の端面１８ｂに引き出される。したがって、互いに隣接する第１の内部電極２２ａと第２の内部電極２２ｂとは、交互に第１の端面１８ａと第２の端面１８ｂに引き出される。
【００２０】
セラミック本体１２の第１の端面１８ａには第１の外部電極２４ａが形成され、第２の端面１８ｂには第２の外部電極２４ｂが形成される。第１および第２の外部電極２４ａ，２４ｂは、セラミック本体１２の端面１８ａ，１８ｂから第１および第２の主面１４ａ，１４ｂおよび第１および第２の側面１６ａ，１６ｂの一部に回り込むように形成される。第１および第２の外部電極２４ａ，２４ｂは、例えば、セラミック本体１２の第１および第２の端面１８ａ，１８ｂに形成されるＣｕを含む焼結金属層と、焼結金属層上に形成されるめっき層とで形成される。めっき層は、例えば、焼結金属層上に形成されるＮｉめっき層と、Ｎｉめっき層上に形成されるＳｎめっき層とで形成される。
【００２１】
セラミック本体１２の第１の端面においては、第１の外部電極２４ａの焼結金属層が第１の内部電極２２ａに接続され、第２の端面においては、第２の外部電極２４ｂの焼結金属層が第２の内部電極２２ｂに接続される。また、Ｎｉめっき層はバリア層として機能し、Ｓｎめっき層ははんだ付け性を向上させるように機能する。
【００２２】
このように、セラミック本体１２の第１の端面１８ａおよび第２の端面１８ｂに交互に引き出された第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂが、それぞれ、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂに接続されることにより、第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとの間に静電容量が形成される。
【００２３】
このような積層セラミックコンデンサ１０を作製するために、上述のような誘電体材料を用いて、セラミックグリーンシートが形成される。次に、セラミックグリーンシート上に、導電性ペーストを塗布することによって、第１および第２の内部電極２２ａ，２２ｂに対応する内部電極パターンが形成される。なお、導電性ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法によって行うことができる。導電性ペーストは、Ｎｉなどの導電性微粒子を含み、さらに公知のバインダや溶剤を含んでいてもよい。
【００２４】
そして、内部電極パターンが形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートと、第１の内部電極２２ａに対応した形状の内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、第２の内部電極２２ｂに対応した形状の内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートとをこの順番で積層し、プレスすることによって、マザー積層体が作製される。
【００２５】
次に、マザー積層体をカットすることによって、生のセラミック積層体が作製される。なお、マザー積層体のカットは、ダイシングや押切りなどによって行うことができる。生のセラミック積層体に対しては、バレル研磨などを施し、稜線部や角部を丸めてもよい。そして、生のセラミック積層体が焼成されることにより、セラミック層２０、第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極２２ｂが形成されたセラミック本体１２を得ることができる。
【００２６】
このようにして得られたセラミック本体１２の第１および第２の端面１８ａ，１８ｂに、ディッピングなどの方法によって導電性ペーストが塗布され、焼き付けることによって焼結金属層が形成される。さらに、焼結金増層上にＮｉめっき層およびＳｎめっき層を形成することにより、第１および第２の外部電極２４ａ，２４ｂが形成される。
【００２７】
この積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック本体１２の長さ方向の寸法が幅方向の寸法より短いため、第１および第２の外部電極２４ａ，２４ｂ間で電流の流れる長さが短くなり、不要なインダクタンスの発生を抑制することができる。特に、セラミック層２０の積層数が２００枚以上になると、インダクタンスが発生しやすくなるが、第１および第２の外部電極２４ａ，２４ｂ間の間隔が短いため、積層枚数が多くなっても、インダクタンスが発生しにくい。
【００２８】
積層セラミックコンデンサ１０を基板上に実装する場合、基板に形成されたランドにはんだペーストが付与され、このはんだペースト上に積層セラミックコンデンサ１０が取り付けられる。そして、積層セラミックコンデンサ１０が取り付けられた基板全体を加熱することにより、はんだペーストが溶融し、それが硬化することにより、ランド上に積層セラミックコンデンサが実装される。
【００２９】
ここで、図３に、基板３０に形成されたランド３２上に積層セラミックコンデンサ１０を実装するときに働く力が示される。図３では、一方の外部電極２４ａの近傍における力が示されているが、他方の外部電極２４ｂの近傍においても、同様の力が働いている。
【００３０】
図３において、はんだは図示されていないが、Ｌは積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向の長さを示し、Ｔは厚み方向の長さを示し、ｅはセラミック本体１２の主面１４ａ，１４ｂに形成された各外部電極２４ａ，２４ｂの長さ方向の長さを示している。また、ｔは積層セラミックコンデンサ１０の第２の主面１４ｂと基板３０との間の間隔を示し、Ｒ量はセラミック本体１２の主面と端面の間の稜線部における外部電極２４ａ，２４ｂの曲率半径を示す。さらに、ｒ１は積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向における外部電極２４ａ，２４ｂの端部とランド３２の外側端部との間の距離を示し、ｒ２はセラミック本体１２の主面１４ａ，１４ｂにおける各外部電極２４ａ，２４ｂの内側端部とランド３２の内側端部との間の距離を示す。
【００３１】
積層セラミックコンデンサ１０は、上述のように、リフローにより基板３０のランド３２に接続される。ランド３２上のはんだが溶融し、外部電極２４ａ，２４ｂの下にはんだの回り込みフィレットが形成されると、はんだの表面張力により図３に示すような力Ｍ１およびＭ３が働く。力Ｍ１は外部電極２４ａ，２４ｂの端面と積層セラミックコンデンサ１０の外側にあるランド３２との間に働く力であり、力Ｍ３は積層セラミックコンデンサ１０の主面１４ａ，１４ｂに形成された外部電極２４ａ．２４ｂと積層セラミックコンデンサ１０の下側にあるランド３２との間に働く力である。
【００３２】
ここで、基板３０と積層セラミックコンデンサ１０の主面１４ａ，１４ｂとが平行に配置されている場合、ツームストーン現象により積層セラミックコンデンサ１０が立ち上がるとき、セラミック本体１２の主面１４ａ，１４ｂと端面１８ａ，１８ｂとの間の稜線部における外部電極２４ａ，２４ｂ部分が支点となって、積層セラミックコンデンサ１０が立ち上がる。したがって、支点となる外部電極２４ａ，２４ｂ部分のＲ量、すなわち曲率半径が大きくなると、ツームストーン現象が発生しやすくなる。
【００３３】
なお、積層セラミックコンデンサ１０の第１および第２の外部電極２４ａ，２４ｂは、同様にランド３２上にはんだ付けされるはずであるが、両方のランド３２上ではんだ溶融のバランスがくずれ、どちらか一方の外部電極のみにはんだ回り込みフィレット形成が生じた場合に、図４に示すように、はんだ３４によってツームストーン現象が発生する。
【００３４】
このような積層セラミックコンデンサ１０において、長さ方向の長さが幅方向の長さより短いほうが、ツームストーン現象が発生しやすいという課題がある。そこで、そのような積層セラミックコンデンサとして、長さ方向の長さが幅方向の長さに対して０．７以下である積層セラミックコンデンサ１０について、ツームストーン現象が発生しにくい条件について考察した。その結果、次のようなことがわかった。
【００３５】
上述のように、ツームストーン現象は、はんだ溶融により積層セラミックコンデンサ１０に働く引っ張りモーメントＭ１およびＭ３によって発生する。このとき、回転の支点部分のＲ量（曲率半径）が大きくなると回転しやすくなる。積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向の長さが幅方向の長さに対して０．７以下であるものについては、セラミック本体１２の主面と端面との間の稜線部における外部電極２４ａ，２４ｂのＲ量（曲率半径）が４５μｍ以下となるように設計することにより、ツームストーン現象の発生を抑えることができる。
【００３６】
また、はんだ溶融時における力Ｍ１は、積層セラミックコンデンサ１０の厚み方向の長さが長くなるほど大きくなる。ここで、長さ方向の長さが幅方向の長さに対して０．７以下であるものに対しては、厚み方向の長さを０．４８ｍｍ以下となるように設計することにより、ツームストーン現象の発生を抑えることができる。
【００３７】
また、はんだ溶融時における力Ｍ３は、外部電極２４ａ，２４ｂの長さ方向の寸法が小さいほど大きくなる。ここで、長さ方向の長さが幅方向の長さに対して０．７以下であるものに対しては、外部電極２４ａ，２４ｂの長さ方向の寸法を０．１５ｍｍ以上となるように設計することにより、ツームストーン現象の発生を抑えることができる。
【実施例１】
【００３８】
図３の長さ方向の寸法Ｌ、幅方向の寸法Ｗ、厚み方向の寸法Ｔ、セラミック本体の主面にける外部電極の長さ方向の寸法ｅ、およびセラミック本体の主面と端面との間の稜線部における外部電極のＲ量（曲率半径）を表１に示すように導電性ペーストへのディッピング速度や導電性ペーストの粘度、セラミック本体稜線部へ施すバレル研磨の条件を制御して、積層セラミックコンデンサを作製した。
【００３９】
また、長さ方向における第１および第２の外部電極間の長さは、積層セラミックコンデンサの第１の主面または第２の主面をＮＩＫＯＮ製のＭＭ−６０にて２０倍の倍率を投影し、第１の主面における第１の外部電極の先端の幅方向中央部と第２の外部電極の先端の幅方向中央部とを結ぶ線分の距離を測定することで確認できる。
【００４０】
また、第１および第２の外部電極の第１および第２の主面における長さ方向の長さは、積層セラミックコンデンサの第１の主面または第２の主面をＮＩＫＯＮ製のＭＭ−６０にて２０倍の倍率を投影し、第１の端面から第１の主面または第２の主面における第１の外部電極の先端の幅方向中央部とを結ぶ線分および第２の端面から第１の主面または第２の主面における第２の外部電極の先端の幅方向中央部とを結ぶ線分を測定することで確認できる。
【００４１】
また、前記第１および第２の外部電極の前記厚み方向の長さは、第１の側面または第２の側面をＮＩＫＯＮ製のＭＭ−６０にて２０倍の倍率を投影し、第１および第２の外部電極における第１の主面から第２の主面を結ぶ線分を測定することで確認できる。
【００４２】
また、Ｒ量を測定するために、図５（Ａ）に示すように、セラミック本体の主面と端面との間の稜線部分において研磨を行い、その部分の外部電極の円弧部を観察し、円弧の始点Ｐ１と終点Ｐ２とを指定した。その後、円弧の始点Ｐ１と終点Ｐ２との中間点Ｐ３を指定した。次に、図５（Ｂ）に示すように、円弧の始点Ｐ１、中間点Ｐ３、終点Ｐ２を通る円Ｑを作画し、円Ｑの半径を測定してＲ量を算出した。
【００４３】
このような寸法を有するそれぞれの積層セラミックコンデンサをリフローにより基板上に実装し、１００００個の積層セラミックコンデンサについて、ツームストーン現象の発生数を評価した。そして、その結果を表１に示した。
【００４４】
【表１】
2015029142.tif 000003
【００４５】
表１からわかるように、寸法Ｌが寸法Ｗに対して０．７以下である積層セラミックコンデンサにおいて、試料番号７、８、１５、１６に示すように、寸法Ｔが０．４８ｍｍを超える場合、ツームストーン現象が発生した。また、試料番号９、１７に示すように、寸法ｅが０．１５ｍｍ未満の場合、ツームストーン現象が発生した。また、試料番号３、４、１４に示すように、Ｒ量が４５μｍを超える場合、ツームストーン現象が発生した。
【００４６】
それに対して、この発明の範囲内の積層セラミックコンデンサでは、ツームストーン現象の発生は見られなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
この発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、積層セラミックインダクタなどのような他の積層セラミック部品に適用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０            積層セラミックコンデンサ
１２            セラミック本体
１４ａ，１４ｂ  第１および第２の主面
１６ａ，１６ｂ  第１および第２の側面
１８ａ，１８ｂ  第１および第２の端面
２０            セラミック層
２２ａ，２２ｂ  第１および第２の内部電極
２４ａ，２４ｂ  第１および第２の外部電極
２４ｃ，２４ｄ  第３および第４の外部電極
【図１】
2015029142.tif 000004
【図２】
2015029142.tif 000005
【図３】
2015029142.tif 000006
【図４】
2015029142.tif 000007
【図５】
2015029142.tif 000008
【図６】
2015029142.tif 000009