(57)【要約】【課題】熱交換器を経て供給される冷ブラインと熱交換器をバイパスして供給される温ブラインの流量を制御および混合して、ブラインの温度を制御する半導体プロセス用冷却装置を開示する。【解決手段】ブライン供給配管は半導体プロセス設備にブラインを供給し、熱交換器はブライン供給配管に装着されブラインを冷却し、ブラインバイパス配管はブライン供給配管を流れるブラインが熱交換器をバイパスするよう熱交換器の上流と下流のブライン供給配管に接続され、電動三方弁は熱交換器とブライン供給配管により接続される第１ポートと、ブラインバイパス配管が接続される第２ポートと、半導体プロセス設備とブライン供給配管により接続される第３ポートを備え、温度センサは半導体プロセス設備と電動三方弁の間のブライン供給配管にブラインの温度検出のため装着され、コントローラは温度センサから入力されるブラインの温度に基づき電動三方弁の作動を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リザーバから半導体プロセス設備にブラインを供給するように接続されているブライン供給配管と、
冷却水との熱交換によって前記ブラインを冷却できるように、前記ブライン供給配管に装着されている熱交換器と、
前記ブライン供給配管を介して流れる前記ブラインの流れが、前記熱交換器をバイパスするように、前記熱交換器の上流と下流に位置するブライン供給配管に接続されているブラインバイパス配管と、
前記ブラインの流れを制御するものとして、前記熱交換器と前記ブライン供給配管によって接続される第１ポートと、前記ブラインバイパス配管が接続される第２ポートと、前記半導体プロセス設備と前記ブライン供給配管によって接続される第３ポートとを備える電動三方弁と、
前記半導体プロセス設備と前記電動三方弁の間に位置する前記ブライン供給配管に、前記ブラインの温度を検出するように装着されている温度センサと、
前記温度センサから入力される前記ブラインの温度値に基づいて前記電動三方弁の作動を制御するように、前記温度センサと前記電動三方弁のそれぞれに接続されているコントローラと、
を備える半導体プロセス用冷却装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記温度センサから入力される前記ブラインの温度値が目標温度値より高ければ、前記第１ポートを介して供給される冷ブラインの流量が前記第２ポートを介して供給される温ブラインの流量より多く、前記電動三方弁の作動を制御するように構成されており、前記温度センサから入力される前記ブラインの温度値が目標温度値より低ければ、前記第２ポートを介して供給される温ブラインの流量が前記第１ポートを介して供給される冷ブラインの流量より少なく、前記電動三方弁の作動を制御するように構成されている
請求項１記載の半導体プロセス用冷却装置。
【請求項３】
前記熱交換器と前記電動三方弁との間に位置する前記ブライン供給配管に、前記ブラインの温度を検出して前記コントローラに入力するように、温度センサがさらに装着されており、前記コントローラは、前記熱交換器と前記電動三方弁との間の前記温度センサから入力された温度値と前記ブラインの目標温度値を比較して、前記熱交換器に供給される冷却水の流量を制御するように構成されている
請求項１または請求項２記載の半導体プロセス用冷却装置。
【請求項４】
前記リザーバに前記ブラインを加熱するヒータが装着されており、前記リザーバと前記熱交換器との間に位置する前記ブライン供給配管に、前記ブラインの温度を検出して前記コントローラに入力するように、温度センサがさらに装着されており、前記コントローラは、前記リザーバと前記熱交換器との間の前記温度センサから入力される温度値と前記ブラインの目標温度値を比較して、前記ヒータの作動を制御するように構成されている
請求項１または請求項２記載の半導体プロセス用冷却装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体プロセス用冷却装置（冷却装置；ｃｈｉｌｌｅｒ）に関するものであり、より具体的には、熱交換器（ｈｅａｔ  ｅｘｃｈａｎｇｅｒ）を経て供給される冷ブラインと、熱交換器をバイパスして供給される温ブラインのそれぞれの流量を制御および混合して、ブラインの温度を制御できる半導体プロセス用冷却装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、シリコンウェハ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｗａｆｅｒ）の表面に、個々の素子（ｄｉｓｃｒｅｔｅ  ｄｅｖｉｃｅ）と集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ、  ＩＣ）のパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）が、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）と、蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマエッチング（ｐｌａｓｍａ  ｅｔｃｈｉｎｇ）などの一連の半導体プロセス（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｐｒｏｃｅｓｓ）によって製造される。半導体素子の品質は、ウェハの品質とプロセス制御の精度によって決定される。半導体プロセスの制御変数のうち、重要な変数の一つとして、ウェハ表面の温度がある。
【０００３】
半導体プロセス用冷却装置は、ウェハの表面を化学的または物理的に反応させる過程で発生するチャンバ（ｃｈａｍｂｅｒ）とウェハチャック（ｗａｆｅｒ  ｃｈｕｃｋ）の温度上昇を制御して、安定したプロセスの進行による良質のウェハを生産するための装置である。この冷却装置は、半導体の製造だけでなく、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）や発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）の製造工程にも多く使用されている。
【０００４】
半導体プロセス用冷却装置は、圧縮、凝縮、膨張、蒸発の過程を経る冷凍サイクル（ｒｅｆｒｉｇｅｒａｔｉｎｇ  ｃｙｃｌｅ）と、オートカスケード（ａｕｔｏ  ｃａｓｃａｄｅ）方式を用いた冷凍サイクルと、冷却水（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｏｏｌｉｎｇ  ｗａｔｅｒ）を活用した冷却サイクルを利用する。一般的に冷却装置は、温度領域に応じて、冷媒（ｒｅｆｒｉｇｅｒａｎｔ）を利用する冷凍サイクルと冷却水を利用する冷却サイクルを備えるハイブリッド方式（ｈｙｂｒｉｄ  ｆｏｒｍ）で構成される。冷却装置は、チャンバ壁（ｃｈａｍｂｅｒ  ｗａｌｌ）を３０〜８０℃、チャンバ底面（ｃｈａｍｂｅｒ  ｂｏｔｔｏｍ）を−１０〜４０℃程度の範囲で精密に制御する。
【０００５】
韓国特許登録第１０−１２６８０５５号「産業用冷却装置」は、設備、例えば、半導体プロセス設備を循環する冷媒、すなわち、ブライン（ｂｒｉｎｅ）の温度を、冷凍サイクルによって制御している。冷凍サイクルは、基本的に、蒸発器（ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）と、圧縮機（ｃｏｍｐｒｅｓｓｏｒ）と、凝縮器（ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）と、膨張弁（ｅｘｐａｎｓｉｏｎ  ｖａｌｖｅ）とを備えている。ブラインの温度は蒸発器で冷媒との熱交換によって制御される。ヒータ（ｈｅａｔｅｒ）はブラインを貯蔵する貯蔵槽に設置されている。ヒータは、貯留槽に貯蔵されているブラインを加熱して、ブラインの温度を一定に維持する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような従来の冷却装置は、蒸発器における冷媒とブラインの熱交換によりブラインを冷却する１次温度制御を実施し、ヒータの作動によりブラインを加熱する２次温度制御を実施している。したがって、ヒータの作動が必須であり、ヒータの作動による消費電力量が増加する欠点がある。半導体プロセス用冷却装置は、一般的な産業用冷却装置と違って、年中２４時間継続的に運転されるため、消費電力量が非常に大きいので、最適運転制御を介して消費電力量を下げる必要性が高まっている。また、貯留槽内のブラインに対する設定温度の偏差を制御するために、ヒータの熱によって貯蔵槽内のブライン温度を上げているので、反応速度に限界がある。
【０００７】
本発明は、上記のような従来の半導体プロセス用冷却装置のさまざまな問題点を解決するためのものである。本発明の目的は、熱交換器を経て供給される冷ブラインと、ブラインバイパス配管を介して熱交換器をバイパスして供給される温ブラインのそれぞれの流量を制御して混合させることにより、ブラインの温度を制御できる新しい半導体プロセス用冷却装置を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、冷ブラインと温ブラインの混合によってブラインの温度を迅速に制御できる半導体プロセス用冷却装置を提供することである。
【０００９】
本発明のさらに他の目的は、回収されるブラインの温度がブラインの目標温度値よりも高い場合、ヒータの作動が不要であり、ヒータの消費電力量を減らすことができる半導体プロセス用冷却装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施例によれば、半導体プロセス用冷却装置が提供される。本発明に係る半導体プロセス用冷却装置は、リザーバから半導体プロセス設備にブラインを供給するように接続されているブライン供給配管と、冷却水との熱交換によってブラインを冷却できるように、ブライン供給配管に装着されている熱交換器と、ブライン供給配管を介して流れるブラインの流れが熱交換器をバイパスするように、熱交換器の上流と下流に位置するブライン供給配管に接続されているブラインバイパス配管と、ブラインの流れを制御するもので、熱交換器とブライン供給配管によって接続される第１ポートと、ブラインバイパス配管に接続される第２ポートと、半導体プロセス設備とブライン供給配管によって接続される第３ポートとを含む電動三方弁と、半導体プロセス設備と電動三方弁の間に位置するブライン供給配管にブラインの温度を検出するように取り付けられている温度センサと、温度センサから入力されたブラインの温度値に基づいて電動三方弁の作動を制御するように、温度センサと電動三方弁のそれぞれに接続されているコントローラとを備える。
【００１１】
また、コントローラは、温度センサから入力されるブラインの温度値が目標温度値より高ければ、第１ポートを介して供給される冷ブラインの流量が第２ポートを介して供給される温ブラインの流量より多く電動三方弁の作動を制御するように構成されており、温度センサから入力されるブラインの温度値が目標温度値より低ければ、第２ポートを介して供給される温ブラインの流量が第１ポートを介して供給される冷ブラインの流量より少なく電動三方弁の作動を制御するように構成されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る半導体プロセス用冷却装置は、熱交換器を経て供給される冷ブラインとブラインバイパス配管を介し、熱交換器をバイパスして供給される温ブラインのそれぞれの流量を制御して混合させることにより、ブラインの温度を迅速に制御し、反応速度を向上させることができる有用な効果がある。また、回収されるブラインの温度がブラインの目標温度値より高い場合、ヒータの作動が不要であり、ヒータの消費電力量を減らすことができるので、半導体プロセス用冷却装置を経済的に運転できる有用な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る半導体プロセス用冷却装置の構成を示す系統図
【図２】本発明に係る半導体プロセス用冷却装置の制御を説明するためのブロック図
【図３】本発明に係る半導体プロセス用冷却装置の作動を説明するためのフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のその他の目的や特定の利点と新規な特徴らは、添付図面に関する以下の詳細な説明と好ましい実施例からより明らかになるであろう。
【００１５】
以下、本発明に係る半導体プロセス用冷却装置の好ましい実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
まず、図１を参照すると、本発明に係る半導体プロセス用冷却装置１０は、冷媒にブラインを利用する冷凍サイクルと冷却水を利用する冷却サイクルを具備するハイブリッド方式で構成されている。本発明に係る半導体プロセス用冷却装置１０は、半導体プロセス設備２０のチャンバ２２に供給されるブラインの温度を冷却水との熱交換によって制御するための熱交換器３０を備える。冷却水供給配管４０が、熱交換器３０に冷却水を供給するように、熱交換器３０に接続されている。冷却水回収配管４２が、熱交換器３０から排出される冷却水を回収するように、熱交換器に接続されている。減圧弁（ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｒｅｄｕｃｉｎｇ  ｖａｌｖｅ）５０と制御弁（ｃｏｎｔｒｏｌ  ｖａｌｖｅ）５２のそれぞれが冷却水供給配管４０に装着されている。減圧弁５０は、冷却水の圧力を減圧して熱交換器に送る。制御弁５２は、冷却水供給配管４０に沿って流れる冷媒の流れを制御する。
【００１７】
本発明に係る半導体プロセス用冷却装置１０は、半導体プロセス設備２０のチャンバ２２にブラインを供給するブライン供給配管６０と、チャンバ２２からブラインを回収するブライン回収配管６２を備える。ブライン供給配管６０とブライン回収配管６２のそれぞれはブラインを貯蔵するリザーバ（ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）７０に接続されている。
【００１８】
ブライン供給配管６０は、ブラインの熱交換のために、リザーバ７０から熱交換器３０を経てチャンバ２２に接続されている。ポンプ８０が、リザーバ７０に貯蔵されているブラインをポンピング（ｐｕｍｐｉｎｇ）してチャンバ２２に送るように、ブライン供給配管６０に装着されている。ヒータ９０が、リザーバ７０に貯蔵されているブラインを加熱するように、リザーバ７０に設置されている。
【００１９】
ブラインバイパス配管（ｂｒｉｎｅ  ｂｙｐａｓｓ  ｐｉｐｅｌｉｎｅ）１００が熱交換器３０の上流と下流に位置するブライン供給配管６０に接続されている。ブラインバイパス配管１００は、熱交換器３０の上流に位置するブライン供給配管６０から枝分かれしており、熱交換器３０の下流に位置するブライン供給配管６０に再び合流している。ブライン供給配管６０に沿って流れるブラインの流れは、ブラインバイパス配管１００を介して熱交換器３０をバイパスすることになる。
【００２０】
電動三方弁（ｔｈｒｅｅ  ｗａｙ  ｍｏｔｏｒｉｚｅｄ  ｖａｌｖｅ）１１０がブラインの流れを制御するように、ブライン供給配管６０とブラインバイパス配管１００が合流する地点に装着されている。電動三方弁１１０は、第１ないし第３ポート（ｐｏｒｔ）１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと、第１〜第３ポート１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを開閉できる弁体１１４と、弁体１１４を作動させるために弁体１１４と接続されているアクチュエータ（ａｃｔｕａｔｏｒ）１１６を有する。第１ポート１１２ａは、ブライン供給配管６０を介して熱交換器３０と接続されている。第２ポート１１２ｂは、ブラインバイパス配管１００と接続されている。第３ポート１１２ｃは、ブライン供給配管６０を介して半導体プロセス設備２０のチャンバ２２と接続されている。
【００２１】
図１と図２を参照すると、本発明に係る半導体プロセス用冷却装置１０は、ブラインの温度制御のためにブラインの温度を検出する複数の温度センサ１２０、１２２、１２４、１２６を備える。第１温度センサ１２０は、ポンプ８０と熱交換器３０との間のブライン供給配管６０に装着されている。第２温度センサ１２２は、熱交換器３０と電動三方弁１１０との間のブライン供給配管６０に装着されている。第３温度センサ１２４は、チャンバ２２と電動三方弁１１０との間のブライン供給配管６０に装着されている。第４温度センサ１２６は、チャンバ２２とリザーバ７０との間のブライン回収配管６２に装着されている。
【００２２】
ブラインの圧力を検出するための圧力計１３０が、第３温度センサ１２４と隣接するようにチャンバ２２と電動三方弁１１０との間のブライン供給配管６０に装着されている。ブラインの流量を検出するための流量計１３２が、第４温度センサ１２６と隣接するようにチャンバ２２とリザーバ７０との間のブライン回収配管６２に装着されている。
【００２３】
図２に示すように、本発明に係る半導体プロセス用冷却装置１０は、コントローラ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を備える。コントローラ１４０は、制御弁５２、ポンプ８０、ヒータ９０、電動三方弁１１０のアクチュエータ１１６、温度センサ１２０、１２２、１２４、１２６、圧力計１３０、および流量計１３２のそれぞれに接続されている。コントローラ１４０は、温度センサ１２０、１２２、１２４、１２６のそれぞれから入力された温度値に基づいて電動三方弁１１０の作動を制御する。コントローラ１４０は、電動三方弁１１０の作動を比例、積分、および微分制御する（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｇｒａｌ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  ｃｏｎｔｒｏｌ、ＰＩＤ  ｃｏｎｔｒｏｌ）マイクロコンピュータ（ｍｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ）で構成されている。
【００２４】
以下、このような構成を有する本発明に係る半導体プロセス用冷却装置の作用を説明する。
【００２５】
（ステップＳ１００）図１と図３を参照すると、ポンプ８０の作動により、リザーバ７０からポンピングされるブラインは、半導体プロセス設備２０のチャンバ２２に供給され、チャンバ２２の温度を制御する。（ステップＳ１０２）第４温度センサ１２６は、半導体プロセス設備２０のチャンバ２２から排出されるブラインの温度を検出して、コントローラ１４０に入力する。コントローラ１４０は、第４温度センサ１２６から入力される温度値に基づいて、半導体プロセス設備２０の冷却の程度を算出することができる。（ステップＳ１０４）ブラインは、第４温度センサ１２６を経てリザーバ７０に送られ、貯蔵される。
【００２６】
次に、ポンプ８０の作動により、リザーバ７０からポンピングされるブラインは、第１温度センサ１２０を経て、ブライン供給配管６０に沿って熱交換器３０に送られる。（ステップＳ１０６）第１温度センサ１２０は、ブラインの第１温度値を検出して、コントローラ１４０に入力する（ステップＳ１０８）コントローラ１４０は、第１温度センサ１２０の作動によって検出される第１温度値Ｔ１があらかじめ設定されている第１制御値（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｖａｒｉａｂｌｅ）ＰＶ１と一致するか否かを判断する（Ｔ１＝ＰＶ１）。第１制御値ＰＶ１は、目標温度値（Ｓｅｔｔｉｎｇ  Ｖａｌｕｅ）ＳＶと第１残留偏差Ｏｆｆｓｅｔ、Ｏｆｆｓｅｔ１の和である（ＰＶ１＝ＳＶ＋Ｏｆｆｓｅｔ１）。（ステップＳ１１０）第１温度値Ｔ１が第１制御値ＰＶ１より小さければ（Ｔ１＜ＳＶ＋Ｏｆｆｓｅｔ１）、コントローラ１４０の制御によりヒータ９０が作動され、ブラインを加熱する。（ステップＳ１１２）第１温度値Ｔ１が第１制御値ＰＶ１より大きければ（Ｔ１＞ＳＶ＋Ｏｆｆｓｅｔ１）、コントローラ１４０の制御によりヒータ９０の作動が停止される。つまり、回収されるブラインの温度がブラインの目標温度値より高い場合、ヒータ９０の作動が不要であり、ヒータ９０の消費電力量を減少させることができる。
【００２７】
熱交換器３０においてブラインと冷却水の熱交換により、ブラインの温度が下げられる。（ステップＳ１１４）第２温度センサ１２２は、熱交換器３０を経たブラインの第２温度値を検出し、コントローラ１４０に入力する。（ステップＳ１１６）コントローラ１４０は、第２温度センサ１２２の作動によって検出される第２温度値Ｔ２があらかじめ設定されている第２制御値ＰＶ２と一致するか否かを判断する（Ｔ２＝ＰＶ２）。第２制御値ＰＶ２は、目標温度値ＳＶから第２残留偏差Ｏｆｆｓｅｔ２を引いた値である（ＰＶ２＝ＳＶ−Ｏｆｆｓｅｔ２）。（ステップＳ１１８）第２温度値Ｔ２が第２制御値ＰＶ２より大きければ（Ｔ２＞ＳＶ−Ｏｆｆｓｅｔ２）、コントローラ１４０の制御によって制御弁５２が作動され、冷却水の流量を増加させることにより、ブラインの冷却量を増加させる。（ステップＳ１２０）第２温度値Ｔ２が第２制御値ＰＶ２より小さければ（Ｔ２＜ＳＶ−Ｏｆｆｓｅｔ２）、コントローラ１４０の制御によって制御弁５２が作動され、冷却水の流量を減少させることにより、ブラインの冷却量を減少させる。
【００２８】
一方、ブラインは、熱交換器３０と第２温度センサ１２２を経て電動三方弁１１０の第１ポート１１２ａに送られる。ブライン供給配管６０に沿って流れるブラインの中、一部はブラインバイパス配管１００を介して電動三方弁１１０の第２ポート１１２ｂに送られる。ブラインは、電動三方弁１１０の第３ポート１１２ｃを介して電動三方弁１１０から排出された後、第３温度センサ１２４と圧力計１３０を経て、チャンバ２２に送られる。
【００２９】
（ステップＳ１２２）第３温度センサ１２４は、ブラインの第３温度値Ｔ３を検出し、コントローラ１４０に入力する。（ステップＳ１２４）コントローラ１４０は、第３温度センサ１２４の作動によって検出される第３温度値Ｔ３があらかじめ設定されている目標温度値ＳＶと一致するか否かを判断する（Ｔ３＝ＳＶ）。（ステップＳ１２６）第３温度値Ｔ３が目標温度値ＳＶより大きければ（Ｔ３>ＳＶ）、コントローラ１４０は、電動三方弁１１０の作動を制御して、第１ポート１１２ａを介して供給されるブラインの流量を増加させ、第２ポート１１２ｂを介して供給されるブラインの流量を減少させることにより、第３温度値Ｔ３と目標温度値ＳＶが一致するようにする。つまり、第３温度値Ｔ３が高ければ、熱交換器３０を経て、ライン供給配管６０を介して電動三方弁１１０に供給される冷ブラインの流量が、ブラインバイパス配管１００を介して電動三方弁１１０に供給される温ブラインの流量より大きくする。多い流量の冷ブラインと少ない流量の温ブラインが電動三方弁１１０で混合されて、半導体プロセス設備２０のチャンバ２２に供給されるブラインの温度があらかじめ設定されている温度で供給される。
【００３０】
（ステップＳ１２８）第３温度値Ｔ３が目標温度値ＳＶより小さければ（Ｔ３<ＳＶ）、コントローラ１４０は、電動三方弁１１０の作動を制御して、第１ポート１１２ａを介して供給されるブラインの流量を減少させ、第２ポート１１２ｂを介して供給されるブラインの流量を増加させることにより、第３温度値Ｔ３と目標温度値ＳＶが一致するようにする。つまり、第３温度値Ｔ３が低ければ、ブラインバイパス配管１００を介して電動三方弁１１０に供給される温ブラインの流量が、ブライン供給配管６０を介して電動三方弁１１０に供給される冷ブラインの流量より大きくする。多い流量の温ブラインと少ない流量の冷ブラインが電動三方弁１１０で混合されて、半導体プロセス設備２０のチャンバ２２に供給されるブラインの温度があらかじめ設定されている温度で供給される。このように、冷ブラインと温ブラインの流量を制御して電動三方弁１１０で混合させることにより、ブラインの温度を迅速に制御することができ、ヒータ９０の消費電力量を低減できる。
【００３１】
以上で説明した実施例は、本発明の好適な実施例を例示したに過ぎず、本発明の権利範囲は、説明された実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想と特許請求の範囲内で、この分野の当業者によって種々の変更、変形または置換が可能であり、それらの実施例は、本発明の範囲に属するものと理解されるべきである。
【符号の説明】
【００３２】
１０  半導体プロセス用冷却装置、２０  半導体プロセス設備、２２  チャンバ、３０  熱交換器、４０  冷却水供給配管、４２  冷却水回収配管、６０  ブライン供給配管、６２  ブライン回収配管、７０  リザーバ、８０  ポンプ、９０  ヒータ、１００  ブラインバイパス配管、１１０  電動三方弁、１２０  第１温度センサ、１２２  第２温度センサ、１２４  第３温度センサ、１２６  第４温度センサ、１４０  コントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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