(57)【要約】【課題】十分なデスミア処理を行うことができると共に、表面粗さの小さい絶縁層が得られる粗面化処理を行うことができる配線基板材料の製造方法および配線基板材料の製造装置を提供する。【解決手段】フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法において、前記絶縁層と前記導電層とが積層された積層体よりなる配線基板材料前駆体に付着した有機物残渣を除去するデスミア処理工程と、このデスミア処理工程を経由した配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第１物理的振動処理工程と、この第１物理的振動処理工程を経由した配線基板材料前駆体に水を噴射させる高圧洗浄処理工程と、この高圧洗浄処理工程を経由した配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第２物理的振動処理工程とを有することを特徴とする。【選択図】図３
2015090948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法において、
前記絶縁層と前記導電層とが積層された積層体よりなる配線基板材料前駆体に付着した有機物残渣を除去するデスミア処理工程と、
このデスミア処理工程を経由した配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第１物理的振動処理工程と、
この第１物理的振動処理工程を経由した配線基板材料前駆体に水を噴射させる高圧洗浄処理工程と、
この高圧洗浄処理工程を経由した配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第２物理的振動処理工程と
を有することを特徴とする配線基板材料の製造方法。
【請求項２】
フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造装置において、
前記絶縁層と前記導電層とが積層された積層体よりなる配線基板材料前駆体に付着した有機物残渣を除去するデスミア処理部と、
このデスミア処理部によってデスミア処理された配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第１物理的振動処理部と、
この第１物理的振動処理部によって振動処理された配線基板材料前駆体に水を噴射させる高圧洗浄処理部と、
この高圧洗浄処理部によって洗浄処理された配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第２物理的振動処理部と
を有することを特徴とする配線基板材料の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法および配線基板材料の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、絶縁層と導電層（配線層）とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板においては、一の導電層と他の導電層とを電気的に接続するため、１つの若しくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールやスルーホールが形成されている。
多層配線基板の製造工程においては、絶縁層と導電層とが積層されてなる積層体に、ドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去することにより、ビアホールやスルーホールが形成される。そして、ビアホールやスルーホールの形成においては、配線基板材料には絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア（残渣）が生じる。このため、当該配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。  また、絶縁層に対する導電層の接着性の向上を図るため、絶縁層に対して粗面化処理することが行われている。
【０００３】
このようなデスミア処理や粗面化処理の方法としては、従来、過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液によって処理する湿式処理方法や、紫外線および当該紫外線により生ずるオゾンや酸素ラジカルによって処理する乾式処理方法が知られている（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
従来の処理方法において、得られる絶縁層の表面の粗度は、絶縁層上に形成される導電層のライン・アンド・スペースがそれぞれ３０μｍ以上のときには問題が起きなかった。しかしながら、ライン・アンド・スペースが例えばそれぞれ１５μｍ以下である場合には、配線倒れが生じたり、高周波の信号応答性の低下が生じたりする、という問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２２３２０６号公報
【特許文献２】特開２００７−１５８２３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、十分なデスミア処理を行うことができると共に、表面粗さの小さい絶縁層が得られる粗面化処理を行うことができる配線基板材料の製造方法および配線基板材料の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板材料の製造方法は、フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造方法において、
前記絶縁層と前記導電層とが積層された積層体よりなる配線基板材料前駆体に付着した有機物残渣を除去するデスミア処理工程と、
このデスミア処理工程を経由した配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第１物理的振動処理工程と、
この第１物理的振動処理工程を経由した配線基板材料前駆体に水を噴射させる高圧洗浄処理工程と、
この高圧洗浄処理工程を経由した配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第２物理的振動処理工程と
を有することを特徴とする。
【０００８】
配線基板材料の製造装置は、フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料の製造装置において、
前記絶縁層と前記導電層とが積層された積層体よりなる配線基板材料前駆体に付着した有機物残渣を除去するデスミア処理部と、
このデスミア処理部によってデスミア処理された配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第１物理的振動処理部と、
この第１物理的振動処理部によって振動処理された配線基板材料前駆体に水を噴射させる高圧洗浄処理部と、
この高圧洗浄処理部によって洗浄処理された配線基板材料前駆体に物理的振動を与える第２物理的振動処理部と
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、十分なデスミア処理を行うことができると共に、表面粗さの小さい絶縁層が得られる粗面化処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の製造方法によって得られる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。
【図２】図１に示す配線基板材料の製造工程を示す説明用断面図である。
【図３】本発明の配線基板材料の製造方法を実施するための製造装置の一例における構成を示す説明図である。
【図４】波長２２０ｎｍの紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の製造方法によって得られる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この配線基板材料１は、絶縁性の基板２と、この基板２の表面上に積層された、所要のパターンの導電層（配線層）３と、この導電層３を含む基板２上に積層された絶縁層４とにより構成されている。絶縁層４には、その厚み方向に伸びる、例えばビアホールなどの貫通孔５が形成されており、この貫通孔５によって、導電層３の一部が露出した状態とされている。
【００１２】
基板２および絶縁層４の各々は、例えば無機物質よりなるフィラーが含有された樹脂によって構成されている。
基板２および絶縁層４を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。
基板２中および絶縁層４中に含有される粒状フィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。フィラーの平均粒子径は、例えば０．１〜３μｍである。
基板２および絶縁層４の各々におけるフィラーの割合は、例えば２０〜６０質量％である。
導電層３を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
基板２の厚みは、例えば２０〜１６００μｍ、絶縁層４の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。導電層３の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。また、貫通孔５の径は、例えば１０〜２００μｍである。
【００１３】
本発明の製造方法においては、上記の配線基板材料１は、例えば以下のようにして製造される。
先ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性の基板２の表面上に、所要のパターンの導電層３を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、導電層３を含む基板２の表面上に絶縁層４を形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、絶縁層４における所要の箇所に、当該絶縁層４の厚み方向に貫通して伸びる貫通孔５を形成する。これにより、基板２上に、導電層３および絶縁層４が積層された積層体よりなる配線基板材料前駆体１ａが得られる。
【００１４】
以上において、導電層３を形成する方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの種々の方法を利用することができる。
絶縁層４を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中に粒状フィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を、導電層３を含む基板２の表面上に塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、導電層３を含む基板２の表面上に、粒状フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法を利用することができる。
絶縁層４に貫通孔５を形成する方法としては、ドリル加工による方法、レーザ加工による方法を利用することができる。レーザ加工によって貫通孔５を形成する場合には、炭酸ガスレーザ装置やＹＡＧレーザ装置などを用いることができる。
このようにして得られる配線基板材料１においては、絶縁層４における貫通孔５の内壁面、絶縁層４の表面における貫通孔５の周辺領域、および貫通孔５の底部すなわち導電層３における貫通孔５によって露出した部分などには、貫通孔５を形成する際に生じたスミア６が残留している。
【００１５】
そして、本発明の製造方法においては、配線基板材料前駆体１ａに対して、配線基板材料前駆体１ａに付着した有機物残渣を除去するデスミア処理工程、配線基板材料前駆体１ａに物理的振動を与える第１物理的振動処理工程、配線基板材料前駆体１ａに水を噴射させる高圧洗浄処理工程、および配線基板材料前駆体１ａに物理的振動を与える第２物理的振動処理工程が行われる。
【００１６】
［デスミア処理工程］
デスミア処理としては、紫外線照射処理やプラズマ処理などによる乾式法、過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液中に浸漬する湿式法を利用することができる。これらの中では、紫外線照射処理を利用することが好ましい。
【００１７】
紫外線照射処理は、酸素を含む雰囲気下において行われる。紫外線照射が行われるガス雰囲気における酸素濃度は、５０〜１００体積％であることが好ましく、より好ましくは８０〜１００体積％である。酸素濃度が過小である場合には、有機物に起因するスミアや樹脂の分解に必要な活性酸素の供給量が足りなくなるので、可能な限り高い酸素濃度が望ましい。
紫外線照射処理において、配線基板材料前駆体１ａに照射される紫外線は、波長２２０ｎｍ以下、好ましくは１９０ｎｍ以下とされる。紫外線の波長が２２０ｎｍを超える場合には、有機物質に起因するスミアや絶縁層４の表層部分における樹脂を分解除去することが困難となる。
波長２２０ｎｍ以下の紫外線の光源としては、キセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）、低圧水銀灯（１８５ｎｍ輝線）、希ガス蛍光ランプなどを用いることができる。
配線基板材料前駆体１ａに照射される紫外線の照度は、例えば１０〜１０００ｍＷ／ｃｍ2 である。また、絶縁層４に対する紫外線の照射時間は、例えば１〜１８０分間である。
【００１８】
紫外線照射処理を行う際には、配線基板材料前駆体１ａを例えば８０〜２００℃に加温することができる。絶縁層４を加温する手段としては、抵抗加熱ヒーター、遠赤外線ヒーター、ハロゲンヒーター、トンネル炉などを用いることができる。
【００１９】
このデスミア処理工程においては、有機物に起因するスミアや、絶縁層４の表層部分における樹脂が分解される。無機物質に起因するスミアや、絶縁層４の表層部分におけるフィラーは分解されず、絶縁層などに残留する。
【００２０】
［第１物理的振動処理工程］
第１物理的振動処理工程は、デスミア処理を経由した配線基板材料前駆体１ａに対して行われる。この第１物理的振動処理工程における振動処理は、例えば超音波振動処理によって行うことができる。超音波振動処理における超音波の周波数は、２０〜７０ｋＨｚであることが好ましい。この周波数が７０ｋＨｚを超える場合には、無機物質に起因するスミアやフィラーを破壊して配線基板材料前駆体１ａから離脱させることが困難となる。
このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。
【００２１】
具体的に説明すると、振動媒体として水を用いる場合には、配線基板材料前駆体１ａを例えば水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。超音波の振動媒体として液体を用いる場合には、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０〜３００秒間である。
【００２２】
また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料前駆体１ａに吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５〜６０秒間である。
【００２３】
この第１物理的振動処理工程においては、配線基板材料前駆体１ａに付着している無機物に起因するスミアやフィラーの大部分が脱離できればよい。但し、無機物に起因するスミアやフィラーが配線基板材料前駆体１ａに強固に付着している場合には、配線基板材料前駆体１ａから離脱せずに残留する。
【００２４】
［高圧洗浄処理工程］
高圧洗浄処理工程は、第１物理的振動処理工程を経由した配線基板材料前駆体１ａに水を噴射させることによって行われる。
高圧洗浄処理における水の供給水圧は、１〜３０ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは２〜３０ＭＰａである。供給水圧が１ＭＰａ未満である場合には、絶縁層４の表層部分におけるフィラーが絶縁層４から離脱しない。一方、供給水圧が３０ＭＰａを超える場合には、基板２が変形したり、絶縁層４自体が剥がれたり、貫通孔５の形状が変形したりする。
また、高圧洗浄処理の処理時間は、例えば０．００１〜３秒間である。
【００２５】
この高圧洗浄処理工程においては、配線基板材料前駆体１ａに強固に付着した無機物に起因するスミアやフィラーが配線基板材料前駆体１ａから剥離される。但し、剥離したスミアやフィラーは、絶縁層４の表面に残留したり、貫通孔５内に進入したりすることがある。
【００２６】
［第２物理的振動処理工程］
第２物理的振動処理工程は、高圧洗浄処理工程を経由した配線基板材料前駆体１ａに対して行われる。この第２物理的振動処理工程における振動処理は、例えば超音波振動処理によって行うことができる。超音波振動処理における超音波の周波数は、２０〜７０ｋＨｚであることが好ましい。この周波数が７０ｋＨｚを超える場合には、無機物質に起因するスミアやフィラーを破壊して配線基板材料前駆体１ａから離脱させることが困難となる。
このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。
【００２７】
具体的に説明すると、振動媒体として水を用いる場合には、配線基板材料前駆体１ａを例えば水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。超音波の振動媒体として液体を用いる場合には、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０〜３００秒間である。
【００２８】
また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料前駆体１ａに吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５〜６０秒間である。
【００２９】
この第２物理的振動処理工程においては、高圧洗浄処理工程で除去することができなかったフィラーが絶縁層４の表面から除去され、さらに貫通孔５の内部に残存するスミアおよびフィラーが離脱される。
【００３０】
図３は、本発明の配線基板材料の製造方法を実施するための製造装置の一例における構成を示す説明図である。この製造装置は、配線基板材料前駆体１ａに付着した有機物残渣を除去するデスミア処理部１０を有する。このデスミア処理部１０の下流側には、当該デスミア処理部１０によってデスミア処理された配線基板材料前駆体１ａに物理的振動を与える第１物理的振動処理部２０が設けられている。この第１物理的振動処理部２０には、当該第１物理的振動処理部２０によって振動処理された配線基板材料前駆体１ａに水を噴射させる高圧洗浄処理部２５が設けられている。この高圧洗浄処理部２５の下流側には、当該高圧洗浄処理部２５によって洗浄処理された配線基板材料前駆体１ａに物理的振動を与える第２物理的振動処理部３０が設けられている。この第２物理的振動処理部３０の下流側には、当該第２物理的振動処理部３０によって振動処理された配線基板材料前駆体１ａに水を噴射するリンス処理部３５が設けられている。このリンス処理部３５の下流側には、当該リンス処理部３５によってリンス処理された配線基板材料前駆体１ａを乾燥処理する乾燥処理部４０が設けられている。
【００３１】
この例の製造装置においては、デスミア処理部１０は、その他の処理部から独立した筐体１１を有する。
また、第１物理的振動処理部２０、高圧洗浄処理部２５、第２物理的振動処理部３０、リンス処理部３５および乾燥処理部４０は、共通の筐体４５内に、配線基板材料前駆体１ａの搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。この筐体４５は、その内部に第１物理的振動処理部２０、高圧洗浄処理部２５および第２物理的振動処理部３０において用いられる水を貯蔵するタンク４７と、リンス処理部３５において用いられる水を貯蔵するタンク４８とを有する。また、筐体４５には、乾燥処理部４０側の側面に、排気口４５Ｈが設けられている。
デスミア処理部１０と第１物理的振動処理部２０との間には、デスミア処理部１０から第１物理的振動処理部２０に配線基板材料前駆体１ａを運搬する運搬ロボット５０が設けられている。この運搬ロボット５０は、配線基板材料前駆体１ａを吸着して保持する吸着アーム５１を有する。
また、筐体４５内には、基板２を搬送する搬送機構４６が設けられている。
【００３２】
［デスミア処理部］
デスミア処理部１０においては、配線基板材料前駆体１ａに紫外線を照射することにより、当該配線基板材料前駆体１ａのデスミア処理が行われる。
デスミア処理部１０における筐体１１内には、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を放射する複数のエキシマランプ１５が収容されたランプ収容室Ｓ１が設けられている。このランプ収容室Ｓ１の下方には、例えば合成石英ガラスよりなる紫外線透過窓部材１２を介して、絶縁層が形成された配線基板材料前駆体１ａが搬入される処理室Ｓ２が設けられている。  処理室Ｓ２内には、配線基板材料前駆体１ａが載置されるステージ１３が設けられている。このステージ１３には、処理室Ｓ２内に処理ガスを導入するガス導入口１４ａおよび処理室Ｓ２からガスを排出するガス排出口１４ｂが形成されている。
また、ステージ１３には、ヒーターが内蔵されている。このヒーターによって、ステージ１３上に載置された配線基板材料前駆体１ａを例えば８０〜２００℃に加熱することができる。
【００３３】
図４は、デスミア処理部１０におけるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
このエキシマランプ１５は、両端が気密に封止されて内部に放電空間Ｓが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器１６を備えている。この放電容器１６の内部には、放電用ガスとして、例えばキセノンガスや、アルゴンと塩素とを混合したガスが封入されている。
放電容器１６は、真空紫外光を良好に透過するシリカガラス、例えば合成石英ガラスよりなり、誘電体としての機能を有する。
【００３４】
放電容器１６における長辺面の外表面には、一対の格子状の電極、すなわち、高電圧供給電極として機能する一方の電極１７ａおよび接地電極として機能する他方の電極１７ｂが長尺な方向に伸びるよう対向して配置されており、これにより、一対の電極１７ａ，１７ｂ間に誘電体として機能する放電容器１６が介在された状態とされている。
このような電極は、例えば、金属よりなる電極材料を放電容器１６にペースト塗布することにより、あるいは、プリント印刷や蒸着することによって形成することができる。
【００３５】
このエキシマランプ１５においては、一方の電極１７ａに点灯電力が供給されると、誘電体として機能する放電容器１６の壁を介して両電極１７ａ，１７ｂ間に放電が生成される。これにより、放電容器１６内にエキシマ分子が形成されると共に、このエキシマ分子から真空紫外光が放射されるエキシマ放電が生ずる。このエキシマ放電によって発生する真空紫外光を効率良く利用するために、放電容器１６の内表面に、シリカ粒子とアルミナ粒子とからなる紫外線反射膜１９が設けられている。ここに、放電用ガスとしてキセノンガスを用いた場合は、波長１７２ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出され、放電用ガスとしてアルゴンと塩素とを混合したガスを用いた場合には、波長１７５ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出される。
【００３６】
紫外線反射膜１９は、例えば、放電容器１６における長辺面の、高電圧供給電極として機能する一方の電極１７ａに対応する内表面領域とこの領域に連続する短辺面の内表面領域の一部にわたって形成されており、放電容器１６における長辺面の、接地電極として機能する他方の電極１７ｂに対応する内表面領域において紫外線反射膜１９が形成されていないことによって光出射部（アパーチャ部）１８が構成されている。
紫外線反射膜１９の膜厚は、例えば１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００３７】
紫外線反射膜１９は、シリカ粒子およびアルミナ粒子それ自体が高い屈折率を有する真空紫外光透過性を有するものであることから、シリカ粒子またはアルミナ粒子に到達した真空紫外光の一部が粒子の表面で反射されると共に他の一部が屈折して粒子の内部に入射され、さらに、粒子の内部に入射される光の多くが透過され（一部が吸収）、再び、出射されるに際して屈折される、このような反射、屈折が繰り返し起こる「拡散反射」させる機能を有する。
また、紫外線反射膜１９は、シリカ粒子およびアルミナ粒子、すなわちセラミックスにより構成されていることにより、不純ガスを発生させず、また、放電に耐えられる特性を有する。
【００３８】
紫外線反射膜１９を構成するシリカ粒子は、例えばシリカガラスを粉末状に細かい粒子としたものなどを用いることができる。
シリカ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば０．０１〜２０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜１０μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜３μｍであるものである。
また、中心粒径を有するシリカ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。
【００３９】
紫外線反射膜１９を構成するアルミナ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば０．１〜１０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜３μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜１μｍであるものである。
また、中心粒径を有するアルミナ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。
【００４０】
デスミア処理部１０の仕様の一例を挙げると、以下の通りである。
エキシマランプ１５は、発光長が７００ｍｍ、外径が４０ｍｍ、入力が５００Ｗで、エキシマランプ１５の数は５本である。
紫外線透過窓部材１２の寸法は、５５０ｍｍ×５５０ｍｍ×５ｍｍである。
ステージ１３の寸法は、６５０ｍｍ×６５０ｍｍ×２０ｍｍである。
処理ガスは、酸素ガス（１００％）で、処理ガスの流量は１Ｌ／ｍｉｎである。
【００４１】
［第１物理的振動処理部］
第１物理的振動処理部２０においては、配線基板材料前駆体１ａに対して超音波処理を施すことにより、当該配線基板材料前駆体１ａに物理的振動処理が行われる。
第１物理的振動処理部２０は、水槽２１を有する。水槽２１内には、振動板２２が設けられている。また、水槽２１には、排水口２１Ｈが設けられている。
水槽２１には、ポンプ２３によって、タンク４７内に貯蔵された水が、フィルター２４を介して供給される。また、排水口２１Ｈから排出された水は、タンク４７に回収される。これにより、水槽２１内の水を、フィルター２４を介して循環させることができる。
【００４２】
振動板２２の表面から水面までの距離は、５０〜２００ｍｍであることが好ましい。この距離が５０ｍｍ未満である場合には、超音波の反射によって、振動板２２自体の寿命が短くなることがある。一方、この距離が２００ｍｍを超える場合には、電力密度が低下する。
【００４３】
第１物理的振動処理部２０において、配線基板材料前駆体１ａに対する物理的振動処理は、当該配線基板材料前駆体１ａを、搬送機構４６によって搬送しながら行うことができる。配線基板材料前駆体１ａの搬送速度は、処理時間や水槽２１の寸法などを考慮して設定されるが、例えば０．５ｍ／ｍｉｎである。
【００４４】
第１物理的振動処理部２０の仕様の一例を示すと、以下の通りである。
水槽２１の縦横の寸法が、７００ｍｍ×８００ｍｍである。
振動板２２の縦横の寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍで、振動板２２の駆動電力が２ｋＷである。
【００４５】
［高圧洗浄処理部］
高圧洗浄処理部２５においては、配線基板材料前駆体１ａに水を噴射することにより、当該配線基板材料前駆体１ａの高圧洗浄処理が行われる。この高圧洗浄処理は、搬送機構４６によって配線基板材料前駆体１ａを搬送しながら行うことができる。
高圧洗浄処理部２５は、絶縁層に水を噴射するスプレーノズル２６を有する。このスプレーノズル２６には、ポンプ２７によって、タンク４７に貯蔵された水がフィルター２８を介して供給される。スプレーノズル２６から噴射された水は、タンク４７に回収される。これにより、高圧洗浄処理に用いられる水を、フィルター２８を介して循環して使用することができる。
【００４６】
配線基板材料前駆体１ａに対するスプレー角度（配線基板材料前駆体１ａの表面の法線方向に対する噴射される水の方向の角度）は、３０°以下であることが好ましい。このスプレー角度が過大である場合には、配線基板材料前駆体１ａに噴射される水の水圧が小さくなる。
配線基板材料前駆体１ａの表面とスプレーノズル２６との距離は、例えば３０〜１５０ｍｍである。
また、スプレー角度が小さい場合（例えば０°）や、場合には、配線基板材料前駆体１ａの表面とスプレーノズル２６との距離が小さい場合には、配線基板材料前駆体１ａの表面全体に水が噴射されるように、配線基板材料前駆体１ａを、搬送方向だけでなく、搬送方向に垂直な方向に移動させることが好ましい。
【００４７】
配線基板材料前駆体１ａに噴射される水の水圧が高い場合には、配線基板材料前駆体１ａが曲がるおそれが生じる。このため、図示のように、配線基板材料前駆体１ａの上方位置および下方位置の各々に、スプレーノズル２６を互いに対向するよう配置したり、搬送機構４６における搬送ローラーによって配線基板材料前駆体１ａが支持されるよう構成したりすることが好ましい。
【００４８】
高圧洗浄処理部２５の仕様の一例を挙げると、以下の通りである。
スプレーノズル２６の数が２本（フラットタイプノズル３０個）で、スプレーノズルの長さが５５０ｍｍで、スプレー角度が１５°である。
配線基板材料前駆体１ａの表面からスプレーノズル２６までの距離が１００ｍｍ、スプレーノズル２６から噴射される水の水圧が６ＭＰａ、水の流量が１５０Ｌ／ｍｉｎである。
【００４９】
［第２物理的振動処理部］
第２物理的振動処理部３０においては、配線基板材料前駆体１ａに対して超音波処理を施すことにより、当該配線基板材料前駆体１ａに物理的振動処理が行われる。
第２物理的振動処理部３０は、水槽３１を有する。水槽３１内には、振動板３２が設けられている。また、水槽３１には、排水口３１Ｈが設けられている。
水槽３１には、ポンプ３３によって、タンク４７内に貯蔵された水が、フィルター３４を介して供給される。また、排水口３１Ｈから排出された水は、タンク４７に回収される。これにより、水槽３１内の水を、フィルター３４を介して循環させることができる。
【００５０】
振動板３２の表面から水面までの距離は、５０〜２００ｍｍであることが好ましい。この距離が５０ｍｍ未満である場合には、超音波の反射によって、振動板３２自体の寿命が短くなることがある。一方、この距離が２００ｍｍを超える場合には、電力密度が低下する。
【００５１】
第２物理的振動処理部３０において、配線基板材料前駆体１ａに対する物理的振動処理は、当該配線基板材料前駆体１ａを、搬送機構４６によって搬送しながら行うことができる。配線基板材料前駆体１ａの搬送速度は、処理時間や水槽３０の寸法などを考慮して設定されるが、例えば０．５ｍ／ｍｉｎである。
【００５２】
第２物理的振動処理部３０の仕様の一例を示すと、以下の通りである。
水槽３１の縦横の寸法が、７００ｍｍ×８００ｍｍである。
振動板３２の縦横の寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍで、振動板３２の駆動電力が２ｋＷである。
【００５３】
［リンス処理部］
リンス処理部３５においては、配線基板材料前駆体１ａに水を噴射することにより、当該絶縁層のリンス処理が行われる。このリンス処理は、搬送機構４６によって配線基板材料前駆体１ａを搬送しながら行うことができる。
リンス処理部３５は、配線基板材料前駆体１ａに水を噴射するスプレーノズル３６を有する。このスプレーノズル３６には、ポンプ３７によって、タンク４８に貯蔵された水がフィルター３８を介して供給される。スプレーノズル３６から噴射された水は、タンク４８に回収される。これにより、リンス処理に用いられる水を、フィルター３８を介して循環して使用することができる。
また、スプレーノズル３６から噴射される水の水圧は、例えば０．１〜０．５ＭＰａである。
【００５４】
［乾燥処理部］
乾燥処理部４０においては、配線基板材料前駆体１ａにエアーを噴射することにより、当該配線基板材料前駆体１ａの乾燥処理が行われる。この乾燥処理は、搬送機構４６によって配線基板材料前駆体１ａを搬送しながら行うことができる。
乾燥処理部４０は、絶縁層にエアーを噴射するスリットノズル４１を有する。このスリットノズル４１には、ブロワー４２によって、フィルター４３を介してエアーが供給される。スリットノズル４１から噴射されたエアーは、排気口４５Ｈを介して、筐体４５の外部に排出される。
【００５５】
以上のように、本発明によれば、配線基板材料前駆体１ａに対して、デスミア処理工程、第１物理的振動処理工程、高圧洗浄処理工程および第２物理的振動処理工程をこの順で行うことにより、十分なデスミア処理を行うことができると共に、表面粗さの小さい絶縁層が得られる粗面化処理を行うことができる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５７】
〈実施例１〉
縦横の寸法が３０ｍｍ×４０ｍｍ、厚みが０．４ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂よりなる基板上に、厚みが３５μｍの銅よりなる導電層を形成した。この導電層を含む基板上に、厚みが３０μｍの絶縁層を形成した。ここで、絶縁層は、エポキシ樹脂中に、平均粒径が０．３μｍのシリカ粒子が５０質量％の割合で含有されてなるものである。その後、絶縁層に対して、炭酸ガスレーザ装置によってレーザ加工を施すことにより、当該絶縁層に径が５０μｍの貫通孔を形成し、これにより、配線基板材料前駆体を製造した。
そして、上記の配線基板材料前駆体を用い、図３に示す構成の製造装置によって、以下のようにして配線基板材料を製造した。
【００５８】
（１）デスミア処理工程
ランプ：キセノンエキシマランプ，有効発光長＝３００ｍｍ、本数＝１本
紫外線透過窓の外面における紫外線照度＝１００Ｗ／ｃｍ2 
紫外線透過窓と絶縁層との離間距離＝０．５ｍｍ
紫外線照射時間＝５分間
処理ガス：酸素ガス（１００％），流量＝１Ｌ／ｍｉｎ
ステージの温度：１２０℃
【００５９】
（２）第１物理的振動処理工程
振動板：寸法＝４００ｍｍ×３２０ｍｍ
振動板の表面から水面までの距離：１３０ｍｍ
配線基板材料前駆体の表面から水面までの距離：２０ｍｍ
電力密度：４８Ｗ／Ｌ（１００％）
周波数：２５ｋＨｚ
処理時間：３０秒間
【００６０】
（３）高圧洗浄処理工程
スプレーノズル：１本（フラットタイプノズル２個）
水圧：６ＭＰａ
水の流量：１０Ｌ／ｍｉｎ
スプレー角度：１５°
スプレーノズルと絶縁層との距離：１００ｍｍ
配線基板材料前駆体の搬送速度：０．５ｍｍ／ｍｉｎ
【００６１】
（４）第２物理的振動処理工程
振動板：寸法＝４００ｍｍ×３２０ｍｍ
振動板の表面から水面までの距離：１３０ｍｍ
配線基板材料前駆体の表面から水面までの距離：２０ｍｍ
電力密度：４８Ｗ／Ｌ（１００％）
周波数：２５ｋＨｚ
処理時間：３０秒間
【００６２】
［評価］
得られた配線基板材料における絶縁層の表面粗さＲａを測定した。このＲａは、ＡＦＭ（株式会社キーエンス製、ナノスケールハイブリッド顕微鏡  ＶＮ−８０１０）を利用し、５０μｍ×３８μｍの範囲を観察して測定した。
また、得られた配線基板材料について、絶縁層の貫通孔の底部を走査型電子顕微鏡で観察し、スミアの残留状態を下記の基準で評価を行った。
○：スミアの残留が認められないもの
×：多量にスミアの残留が認められるもの
以上、結果を下記表１に示す。
【００６３】
〈実施例２〉
第１物理的振動処理における電力密度を４８Ｗ／Ｌから２４Ｗ／Ｌに変更し、処理時間を３０秒間から１５秒間に変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６４】
〈比較例１〉
高圧洗浄処理工程および第２物理的振動処理工程を行わず、第１物理的振動処理の処理時間を３０秒間から６０秒間に変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６５】
〈比較例２〉
第１物理的振動処理工程および第２物理的振動処理工程を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
〈比較例３〉
第２物理的振動処理工程を行わず、第１物理的振動処理の処理時間を３０秒間から６０秒間に変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
〈比較例４〉
第１物理的振動処理工程を行わず、第２物理的振動処理の処理時間を３０秒間から６０秒間に変更したこと以外は、実施例１と同様にして配線基板材料を製造し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６８】
【表１】
2015090948.tif 000003
【００６９】
表１の結果から明らかなように、実施例１および実施例２によれば、スミアが十分に除去され、しかも、表面粗さの小さい絶縁層が得られることが確認された。
これに対して、比較例１においては、高圧洗浄処理工程および第２物理的振動処理工程を行わなかったため、絶縁層に強固に付着したスミアやフィラーが除去されず、表面粗さの小さい絶縁層が得られなかった。
また、比較例２においては、第１物理的振動処理工程および第２物理的振動処理工程を行わなかったため、スミアやフィラーが絶縁層の表面に残留し、表面粗さの小さい絶縁層が得られず、また、貫通孔内にスミアやフィラーが残留した。
また、比較例３においては、第２物理的振動処理工程を行わなかったため、スミアやフィラーが絶縁層の表面に残留し、表面粗さの小さい絶縁層が得られず、また、貫通孔内にスミアやフィラーが残留した。
また、比較例４においては、第１物理的振動処理工程を行わなかったため、スミアやフィラーが絶縁層の表面に残留し、表面粗さの小さい絶縁層が得られなかった。
【符号の説明】
【００７０】
１    配線基板材料
１ａ  配線基板材料前駆体
２    基板
３    導電層
４    絶縁層
５    貫通孔
６    スミア
７    有機物スミア
８    無機物スミア
１０  デスミア処理部
１１  筐体
１２  紫外線透過窓部材
１３  ステージ
１４ａ  ガス導入口
１４ｂ  ガス排出口
１５  エキシマランプ
１６  放電容器
１７ａ  一方の電極（高電圧供給電極）
１７ｂ  他方の電極（接地電極）
１８  光出射部（アパーチャ部）
１９  紫外線反射膜
２０  第１物理的振動処理部
２１  水槽
２１Ｈ  排水口
２２  振動板
２３  ポンプ
２４  フィルター
２５  高圧洗浄処理部
２６  スプレーノズル
２７  ポンプ
２８  フィルター
３０  第２物理的振動処理部
３１  水槽
３１Ｈ  排水口
３２  振動板
３３  ポンプ
３４  フィルター
３５  リンス処理部
３６  スプレーノズル
３７  ポンプ
３８  フィルター
４０  乾燥処理部
４１  スリットノズル
４２  ブロワー
４３  フィルター
４５  筐体
４５Ｈ  排気口
４６  搬送機構
４７，４８  タンク
５０  運搬ロボット
５１  吸着アーム
Ｓ    放電空間
Ｓ１  ランプ収容室
Ｓ２  処理室
【図１】
2015090948.tif 000004
【図２】
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【図３】
2015090948.tif 000006
【図４】
2015090948.tif 000007