(57)【要約】【課題】補正装置５でのビーム電流分布調整を容易にし、基板処理に係るイオンビーム量の低下を防ぐ。【解決手段】断面リボン状のイオンビームＩＢの長さ方向におけるビーム電流分布調整用の補正装置５を有するイオンビーム照射装置ＩＭで、イオンビームＩＢの輸送経路で補正装置５の上流側に、イオンビームＩＢの長さ方向（Ｙ方向）でイオンビームＩＢを収束する収束レンズ４を備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面リボン状のイオンビームの長さ方向におけるビーム電流分布調整用の補正装置を有するイオンビーム照射装置で、
前記イオンビームの輸送経路で前記補正装置の上流側に、前記イオンビームの長さ方向で前記イオンビームを収束する収束レンズを備えたイオンビーム照射装置。
【請求項２】
前記収束レンズは前記イオンビームの輸送経路に沿ってギャップを隔てて配置された一組の電極からなり、前記電極の一方が他方に向けて突出している請求項１記載のイオンビーム照射装置。
【請求項３】
前記イオンビームの長さ方向で、前記収束レンズの端部領域に形成される前記ギャップが前記収束レンズの中央領域に形成される前記ギャップに比べて狭くなるように構成されている請求項２記載のイオンビーム照射装置。
【請求項４】
前記イオンビームの長さ方向で、前記電極の一方が複数に分割されていて、前記収束レンズの端部領域に形成される前記ギャップで発生する電界が前記収束レンズの中央領域に形成される前記ギャップで発生する電界に比べて強くなるように構成されている請求項２または３記載のイオンビーム照射装置。
【請求項５】
前記イオンビームの輸送経路で前記収束レンズの上流側に、電場によって前記イオンビームの進行方向を所定方向へ偏向させて、前記イオンビームから中性粒子の除去を行う静電偏向器を備えた請求項１乃至４のいずれか１項に記載のイオンビーム照射装置。
【請求項６】
前記イオンビームの輸送経路で前記静電偏向器と前記収束レンズが隣接配置されているとともに、前記イオンビームを収束させるための電界が前記静電偏向器と前記収束レンズとの間に発生される請求項５記載のイオンビーム照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、断面リボン状のイオンビームの長さ方向におけるビーム電流分布を調整する補正装置を備えたイオンビーム照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
断面リボン状（略長方形状）のイオンビームの長さ方向におけるビーム電流分布を調整する補正装置を備えたイオンビーム照射装置の一例として、特許文献１〜３に記載のイオン注入装置が知られている。
【０００３】
特許文献１では同文献の図３〜図５、図７、図８に描かれる多段電極を備えた補正装置が使用されている。この補正装置は、断面リボン状のイオンビームの短辺方向で当該イオンビームを挟むようにして配置された一対の電極が、断面リボン状のイオンビームの長さ方向に沿って多段に設けられたものであり、各電極対への印加電圧を個別に設定することで、電極対間を通過するイオンビームの進行方向を制御して、イオンビームのビーム電流分布の調整が行われる。
【０００４】
特許文献１と同様の補正装置は特許文献２の図７、図１０にも開示されている。また、特許文献２の図１１〜１３には、多段に設けられた電極対の代わりに磁極対を用いることで、磁場を用いてイオンビームのビーム電流分布の調整を行う補正装置も開示されている。
【０００５】
さらに、特許文献３の図２Ａ〜Ｃ、図５〜図７Ｂ、図８Ａにも他の特許文献と同様の補正装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−４７４５９
【特許文献２】特開２００５−３２７７１３
【特許文献３】特開２０１４−１８３０４２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１〜３からわかるように、イオンビーム照射装置の装置構成、取り扱うイオンビームには様々な種類がある。例えば、イオンビームの輸送距離が長くなる、イオンビームのエネルギーが低くなる等すると、空間電荷効果によって輸送中のイオンビームは大きく発散する。空間電荷効果によって発散したイオンビームは、イオンビームの長さ方向において、イオンビームの中央から端部に向かうにつれて発散の程度は大きくなる。
【０００８】
補正装置に入射するイオンビームが空間電荷効果によって大きく発散した場合、複数の電極対を用いた補正装置であれば、補正装置の端部に配置された電極対への印加電圧が大きくなる。
また同様に、複数の磁極対を用いた補正装置であれば、両端部に配置された磁極対に巻回されたコイルへの通電電流が大きくなる。
【０００９】
本来、補正装置はイオンビーム  の長さ方向でのビーム電流分布を所定分布（例えば、均一な分布）にするために使用されている。イオンビームが発散し、イオンビームの長さ方向の中央と端部での角度差が大きくなると、この分を考慮してビーム電流分布の調整を行うことが必要とされるので、ビーム電流分布の調整が複雑となる。
【００１０】
さらに、イオンビームの長さ方向の寸法が補正装置で調整可能な領域を超えてしまうと、この領域を超えたところでのイオンビームに対するビーム電流分布の調整が不可能となる。
ビーム電流分布が未調整のイオンビーム領域が補正装置の下流側に配置された基板（シリコーンウエハやガラス基板等）に照射されると、基板の処理不良が生じる恐れが高いので、基板処理にはビーム電流分布が未調整のイオンビーム領域の使用は避けることが望まれる。
この理由から、イオンビームの長さ方向の寸法が補正装置の調整可能領域を超えると、基板処理に適切に使用できるイオンビーム量が減少し、ひいては基板処理に係るイオンビーム照射装置の処理能力が低下してしまう。
【００１１】
本発明では、上述した問題点を一挙に解決することのできるイオンビーム照射装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るイオンビーム照射装置は、断面リボン状のイオンビームの長さ方向におけるビーム電流分布調整用の補正装置を有するイオンビーム照射装置で、前記イオンビームの輸送経路で前記補正装置の上流側に、前記イオンビームの長さ方向で前記イオンビームを収束する収束レンズを備えている。
【００１３】
上記構成であれば、補正装置に入射するイオンビームの発散をその上流側に配置された収束レンズで収束させることができるので、補正装置でのビーム電流分布調整を容易にし、基板処理に係るイオンビーム量の低下を防ぐことが可能となる。
【００１４】
収束レンズの具体的な構成としては、前記収束レンズは前記イオンビームの輸送経路に沿ってギャップを隔てて配置された一組の電極からなり、前記電極の一方が他方に向けて突出している構成が挙げられる。
【００１５】
このような収束レンズであれば、構成が簡素で用いられる電源の数も少なくて済む。
【００１６】
収束レンズでイオンビームの発散を効果的に抑制する場合、前記イオンビームの長さ方向で、前記収束レンズの端部領域に形成される前記ギャップが前記収束レンズの中央領域に形成される前記ギャップに比べて狭くなるように構成されていることが望ましい。
【００１７】
上記構成の収束レンズであれば、発散の大きいイオンビーム両端部が通過する領域に発生する電界を発散の小さいイオンビーム中央が通過する領域に発生する電界に比べて強くすることできるので、イオンビームの発散を効果的に抑制することが可能となる。
【００１８】
一方、収束レンズの構成として、次に示す構成を用いても良い。前記イオンビームの長さ方向で、前記電極の一方が複数に分割されていて、前記収束レンズの端部領域に形成される前記ギャップで発生する電界が前記収束レンズの中央領域に形成される前記ギャップで発生する電界に比べて強くなるように構成されても良い。
【００１９】
上記構成であれば、収束レンズを通過するイオンビームの端部と中央部に対する電界強度を個別に変更することが出来る。また、このような構成を用いて、発散の大きいイオンビーム両端部が通過する領域に発生する電界を発散の小さいイオンビーム中央が通過する領域に発生する電界に比べて強くするようにしているので、収束レンズでのイオンビームの発散を効果的に抑制することが可能となる。
【００２０】
また、イオンビーム照射装置は次に示す構成でも良い。前記イオンビームの輸送経路で前記収束レンズの上流側に、電場によって前記イオンビームの進行方向を所定方向へ偏向させて、前記イオンビームから中性粒子の除去を行う静電偏向器を備えている。
【００２１】
上記構成であれば、収束レンズの上流側に静電偏向器を配置しているので、静電偏向器で分離された中性粒子の基板への混入が容易に防止できる。
【００２２】
静電偏向器を備えたイオンビーム照射装置で、レンズ要素を追加せずにイオンビームの発散を抑制するには、前記イオンビームの輸送経路で前記静電偏向器と前記収束レンズが隣接配置されているとともに、前記イオンビームを収束させるための電界が前記静電偏向器と前記収束レンズとの間に発生されるように構成すれば良い。
【００２３】
上記構成であれば、静電偏向器と収束レンズ間のギャップに発生した電界を用いて、イオンビームの発散を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
補正装置に入射するイオンビームの発散をその上流側に配置された収束レンズで収束させることができるので、補正装置でのビーム電流分布調整を容易にし、基板処理に係るイオンビーム量の低下を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係るイオンビーム照射装置の一構成例を示す平面図である。
【図２】図１記載の収束レンズ近傍の様子を表す斜視図である。
【図３】図２記載の収束レンズによるビーム収束作用の説明図である。
【図４】収束レンズの別の構成例を示す平面図である。
【図５】収束レンズの他の構成例を示す平面図である。
【図６】収束レンズのさらに他の構成例を示す平面図である。
【図７】本発明に係るイオンビーム照射装置の別の構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
【００２７】
図１には、本発明に係るイオンビーム照射装置の一構成例が描かれている。このイオンビーム照射装置ＩＭは、特許文献１〜３の装置と同じくイオン注入装置である。図示される各軸（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）の方向は、それぞれ後述する断面リボン状（略長方形状）のイオンビームの短辺方向、長辺方向、進行方向であり、Ｘ方向およびＺ方向はイオン源１から処理室６まで輸送されるイオンビームの経路に応じて適宜変更される。これらの座標軸については後述する各図においても同様である。なお、図１に記載の座標軸は処理室６に入射するイオンビームについてのものである。
【００２８】
イオン源１ではＢＦ３やＰＨ３等のイオン化ガスから電子衝撃によってプラズマが生成される。このプラズマから引出電極系と呼ばれる複数枚の電極を通して、図示されないイオンビームの引き出しが行われる。
【００２９】
イオン源１から引出されたイオンビームは分析マグネット２、分析スリット３を通過し、質量の違いによってイオンビームから所望するイオン種以外の不要なイオン成分が分析される。質量分析されたイオンビームは、収束レンズ４、補正装置５を通過して、Ｙ方向におけるビーム電流分布の調整が行われた後、処理室６に配置された基板Ｓに照射される。
【００３０】
基板Ｓは、処理室６内で図示されない走査機構によって、処理室６内に入射するイオンビームと交差するようにＸ方向に沿って１回または複数回走査され、基板Ｓへのイオンビームの照射処理が行われる。
【００３１】
基板Ｓにイオンビームが照射されていないとき、処理室６に入射するイオンビームは処理室６内に配置されたビーム電流計測器７に照射される。
ビーム電流計測器７は、図示されるＹ方向に沿って多段に複数のファラデーカップが配列された、多点ファラデーで構成されている。ここでの測定結果はビーム電流分布として補正装置５へフィードバックされ、この測定値をもとに補正装置５での調整が行われる。
【００３２】
図２は、図１に記載の収束レンズ４近傍の様子を表す斜視図である。イオンビームＩＢはＺ方向に垂直な面（ＸＹ平面）で切断したときの断面が略長方形状のリボンビームである。例えば、補正装置５は特許文献１〜３に記載の複数の電極対あるいは磁極対を備えた装置であり、ここに入射するイオンビームＩＢのＹ方向でのビーム電流分布を所定分布（例えば、均一な分布）に調整する機能を有している。
【００３３】
本発明のイオンビーム照射装置ＩＭは、補正装置５の上流側に収束レンズ４を備えている。例えば、この収束レンズ４は、図２に描かれているように２つの電極４１、４２で構成されたもので、電極間に電界を発生させることで、Ｙ方向に沿ってイオンビームＩＢを内側に向けて収束させる機能を有している。
なお、この明細書で言う上流側、下流側なる用語はイオンビームの輸送経路における位置関係を表すために用いられている。補正装置５の上流側とは、補正装置５から視てイオンビームの輸送経路においてイオン源１側のことを指す。
【００３４】
具体的に収束レンズ４の構成を述べると、収束レンズ４はイオンビームＩＢの輸送経路に沿ってギャップを隔てて配置された一組の電極４１、４２からなり、第一の電極４１が第二の電極４２に向けて突出している。
なお、図示される第一の電極４１と第二の電極４２は、Ｘ方向でイオンビームＩＢを挟んで２つに分離された一対の電極で構成されているが、イオンビームＩＢが通過可能な空間が確保されていれば、２つに分離された電極を一体物として構成しても良い。
【００３５】
また、図２に図示されているように個別電源Ｖ１、Ｖ２を用いて、第一の電極４１、第二の電極４２への印加電圧を個別に設定できるように構成しておいても良い。一方、いずれかの電極の電位を接地電位に固定しておく場合には、接地されていない方の電極にのみ電源を接続しておけば良い。
【００３６】
図３にはＹＺ平面でイオンビームＩＢが図２記載の収束レンズ４によって収束される様子が描かれている。この図に基づいて、収束レンズ４でのイオンビームＩＢの発散抑制作用について説明する。
【００３７】
輸送されるイオンビームＩＢのエネルギーが低い、イオン源１から補正装置５までの輸送距離が十分に長い等の理由で、補正装置５に入射するイオンビームＩＢは空間電荷効果の影響を受けて発散する。このようなイオンビームＩＢに対して、図示されるように補正装置５の上流側に収束レンズ４を配置しておくことで、発散成分が抑制されたイオンビームＩＢを補正装置５に入射させることが可能となる。
【００３８】
例えば、イオンビームＩＢは正の電荷を有するイオンビームである。また、各電極４１、４２には−数ｋＶ〜＋数ｋＶの電圧が印加され、第一の電極４１よりも第二の電極４２の電位が高くなるように構成されている。
このような構成のもと、イオンビームＩＢが第一の電極４１と第二の電極４２との間に形成されたギャップＧを通過すると、図示される実線のようにイオンビームＩＢの発散が抑制される。
なお、図示される実線は、断面リボン状のイオンビームで特定の場所（イオンビーム中央、両端、中央と両端の間）を通過するイオンビームの軌道を代表的に描いたもので、各軌道間にもイオンビームは存在している。ここで説明したイオンビームの軌道については、後述する図４〜６についても同様である。
【００３９】
本来、補正装置５はイオンビームＩＢのＹ方向でのビーム電流分布を所定分布（例えば、均一な分布）にするために使用されている。イオンビームＩＢが発散し、Ｙ方向でイオンビームの中央と端部との角度差が大きくなると、この角度差を考慮してビーム電流分布の調整を行うことが必要とされるので、ビーム電流分布の調整が複雑になる。
【００４０】
しかしながら、図３に描かれているように補正装置５の上流側に収束レンズ４を配置して、補正装置５に入射するイオンビームＩＢの発散を抑制することで、補正装置５で行われるビーム電流分布の調整への影響を少なくすることができる。これにより、補正装置５でのビーム電流分布の調整が容易となる。
【００４１】
また、図３で収束レンズ４が設けられていない場合、イオンビームＩＢは破線で描かれているように発散し続ける。この時、Ｙ方向のイオンビームＩＢの寸法が補正装置５で調整可能領域な領域を超えてしまうと、この領域を超えたイオンビームのビーム電流分布の調整は不可能となる。
ビーム電流分布が未調整のイオンビーム領域が補正装置５の下流側に配置された基板（シリコーンウエハやガラス基板等）に照射されると、基板の処理不良が生じる恐れが高いので、基板処理にはビーム電流分布が未調整のイオンビーム領域の使用は避けることが望ましい。
【００４２】
本発明では補正装置５の上流側に収束レンズ４を配置しているので、補正装置５に入射するイオンビームＩＢの全域を補正装置５に入射させることも可能となる。その結果、イオンビームＩＢの利用効率が向上され、ひいてはイオンビーム照射装置の処理能力を向上させることも可能となる。
【００４３】
図４には、本発明に係る収束レンズ４の別の構成例が描かれている。図３の構成例では、収束レンズ４を構成する第一の電極４１が第二の電極４２の上流側に配置されていたが、図４に示す構成例のように各電極の配置を逆にしても良い。つまり、第二の電極４２が第一の電極４１の上流側に配置されていても良い。
図４の構成例でも第一の電極４１は第二の電極４２に向けて突出していて、例えば、イオンビームＩＢは正の電荷を有するイオンビームだと仮定すると、各電極４１、４２には−数ｋＶ〜＋数ｋＶの電圧が印加され、電位の関係が第一の電極４１よりも第二の電極４２の方が大きくなるように構成されている。このような構成でも、図３の構成例と同等の効果を奏することが可能である。
【００４４】
また、収束レンズ４の構成については、図５に示す構成例を用いても良い。図５の構成例は図４の構成例と同じく第二の電極４２が第一の電極４１の上流側に配置されている。図５の構成例と図４の構成例との違いは、第一の電極４１と第二の電極４２の間に形成されるギャップＧの寸法にある。
【００４５】
図３〜図５に描かれているように、Ｙ方向でのイオンビームＩＢの発散角度は中央から端部に向かうにつれて大きくなる傾向にある。Ｙ方向におけるイオンビームＩＢの発散の度合いを同程度にするには、収束レンズ４を通過するイオンビームＩＢの両端部は中央に比べて大きな発散抑制効果を得ることが必要となる。
【００４６】
これを効果的に実現すべく、図５の構成例では第一の電極４１と第二の電極４２との間に形成されるギャップＧがＹ方向でイオンビームＩＢの両端部が通過する領域ほど狭く、イオンビームの中央部が通過する領域ほど広くなるように形成されている。つまり、各電極の対向面の曲率を異ならせることで、ギャップＧがＹ方向でイオンビームＩＢの中央から端部に向かうのにつれて減少するように構成されている。
【００４７】
図５に示す構成例を用いることで、収束レンズ４を通過するイオンビームＩＢの両端部ほど強い電界が作用して、イオンビームＩＢの発散が大きく抑制される。このような構成を用いることで、イオンビームＩＢの発散抑制を効果的に行うことが可能となる。なお、収束レンズ４を構成する各電極への印加電圧の例は、図４の構成例と同じものが使用される。
【００４８】
一方、イオンビームＩＢの発散抑制を効果的に行うために、図６に示す構成例を用いても良い。図６の構成例では、収束レンズ４を構成する第二の電極４２がＹ方向に沿って３つに分割されている。
【００４９】
図６の構成例も、図４や図５の構成例と同じく、第二の電極４２の電位が第一の電極４１の電位よりも高くなるように各電極の電位設定がなされている。３分割された上電極４２ａ、中央電極４２ｂ、下電極４２ｃの電位をそれぞれＶａ、Ｖｂ、Ｖａとし、第１の電極４１の電位をＶｃとするならば、Ｖａ＞Ｖｂ＞Ｖｃの関係を満たすように各電極には所定電圧が印加されている。このようにして各電極の電位設定を行うことで、イオンビームＩＢの両端を中央に比べて大きく偏向させることが可能となる。
【００５０】
図６では、Ｙ方向でイオンビームＩＢの両端部を同程度偏向させるために、上電極４２ａと下電極４２ｃの電位が同電位（Ｖａ）になるように設定されていたが、本発明はこのような構成に限らない。例えば、上電極４２ａを通過するイオンビームＩＢと下電極４２ｃを通過するイオンビームＩＢの発散の程度を比べて、下電極４２ｃを通過するイオンビームの方がより発散する場合には、下電極４２ｃの電位を上電極４２ａの電位に比べて高くしておく。このような構成を用いることで、下電極４２ｃを通過するイオンビームを、上電極４２ａを通過するイオンビームに比べて大きく偏向させることが可能となる。
【００５１】
また、電極の分割数は３分割以上であれば良く、４分割や５分割といったように電極分割数を増加させて、収束レンズ４を通過するイオンビームＩＢの発散抑制を細かく行えるようにしても良い。
さらに、分割される電極は第一の電極４１であっても良く、図３の構成例のように第一の電極４１を第二の電極４２の上流側に配置しても良い。そのうえ、図５の構成例で説明した、第一の電極４１と第二の電極４２の間に形成されるギャップＧがイオンビームＩＢの中央から端部に向かうにつれて狭くなる構成を、図６の構成例と組み合わせて使用しても良い。
【００５２】
図７には本発明に係るイオンビーム照射装置ＩＭの別の構成例が描かれている。図１の構成例との違いは、静電偏向器Ｅを備えている点にある。この静電偏向器Ｅはここに入射するイオンビームを加速あるいは減速し、所定方向へ偏向させる機能を有するもので、例えば、特許文献３に開示されているように、イオンビームの輸送経路に沿って配置された複数の静電レンズで構成されている。
【００５３】
このような静電偏向器Ｅを本発明のイオンビーム照射装置ＩＭに設ける場合には、図７に描かれているように収束レンズ４の上流側に配置されることが望ましい。このような構成であれば、静電偏向器Ｅで分離された中性粒子の基板Ｓへの混入が容易に防止できる。
この理由は、中性粒子の分離が行われる静電偏向器Ｅが基板Ｓから十分に遠い位置に配置されているからである。なお、図７の構成例で述べた静電偏向器Ｅは、ビーム偏向機能に加えて加減速機能を備えたものであったが、加減速機能を備えることは必須ではない。
【００５４】
また、図７の構成例において、隣接配置される静電偏向器Ｅと収束レンズ４との基準電位を異ならせることで、部材間に生じる電界の作用で両部材間を通過するイオンビームを収束させても良い。このような構成を用いれば、レンズ要素の追加なしにイオンビームを収束させることが可能となる。
【００５５】
収束レンズ４を構成する各電極４１、４２への印加電圧は、予め行われた実験結果に基づいて、常に特定の値が使用される構成でもいいが、特定条件下で印加電圧の値が変更されるように構成しておいても良い。
【００５６】
空間電荷効果によるイオンビームの発散はイオンビームのエネルギーに関連している。例えば、イオンビームのエネルギーに応じて、収束レンズ４を構成する各電極に印加される設定電圧の組を複数設けておき、イオンビーム照射装置の運転開始時に設定されるイオンビームのエネルギーのデータに基づいて、適切な設定電圧の選択が行われるように構成しても良い。また、イオンビームのエネルギーが所定値よりも低い場合には収束レンズ４を機能させ、それ以外の場合には収束レンズ４を機能させないように構成しておいても良い。
【００５７】
図１や図７の構成例に示されているように、処理室６内にビーム電流計測器７を配置しておき、ここでの計測結果に基づいて、収束レンズ４を構成する電極に所定電圧が印加されるように構成しても良い。
また、図１や図７の構成例に代えて、ビーム電流計測器７での測定を基板位置で行うようにしても良い。この場合、例えば、ビーム電流計測器７を図示されない駆動機構に連結し、基板Ｓにイオンビームが照射される位置でＹ方向に沿って移動可能となるように構成しておく。
【００５８】
さらに、ビーム電流計測器７とは別にＹ方向の各場所でのビーム角度計測ができるエミッタンス測定器を設けておき、エミッタンス測定器で得た測定結果を用いて、収束レンズ４を構成する各電極での設定電圧を決定するようにしても良い。この場合、エミッタンス測定器は、上述したビーム電流計測器７と同様に駆動機構を用いてＹ方向に移動可能な構成にすることが考えられる。さらに、ビーム電流計測器７とエミッタンス測定器で得られたそれぞれの測定結果を考慮して、収束レンズ４を構成する各電極への印加電圧を決定するようにしても良い。
【００５９】
上述した収束レンズ４を構成する各電極への設定電圧の選択、収束レンズ４のオン・オフの切り替え、収束レンズ４への測定値のフィードバックについては、自動化できるように図示されない制御装置を設けておき、これを利用するようにしても良い。また、装置のオペレーターが測定結果やイオンビーム照射装置の運転条件を確認し、手動にて印加電圧の選択や収束レンズのオン・オフに係る切り替えができるように構成しておいても良い。
【００６０】
その他、これまでに述べた実施形態では、第一の電極４１と第二の電極４２から構成される収束レンズ４を用いるものであったが、補正装置５をイオンビームの輸送経路に沿って２つ並べて配置し、上流側に配置された補正装置５を収束レンズ４として使用するようにしても良い。
ただし、複数の電極対や磁極対を備える補正装置５には多数の電源が必要となることから、装置構成が複雑であり、装置価格も高価になる。これらの点から、収束レンズとしては図２乃至図６に記載の構成を用いる方が望ましい。
【００６１】
また、イオンビーム照射装置の例としてイオン注入装置の構成をもとに説明したが、イオン注入装置に限らず、イオンビーム配向装置やイオンビームミリング装置等、イオンビームを用いて基板処理を行う他の装置に本発明を適用しても良い。
【００６２】
さらに、上記実施形態で述べた収束レンズと補正装置とを一つの組として、これをイオンビームの輸送経路に沿って複数設けるようにしても良い。
【００６３】
また、図５に記載の実施形態において、ギャップＧは収束レンズの中央から端部に向かうにつれて徐々に狭くなる構成のものであったが、本発明の構成はこれに限れない。
例えば、収束レンズの中央近傍を通過するイオンビームがほとんど発散しない場合には、収束レンズ中央近傍の領域に係るギャップＧを一定にしておき、この領域よりも端部側へ向かうにつれて、ギャップが徐々に狭くなるように構成しておいても良い。つまり、Ｙ方向において収束レンズ４の端部領域に形成されたギャップが収束レンズの中央領域に形成されたギャップよりも小さいものであれば良い。
【００６４】
前述した以外に、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００６５】
ＩＭ    イオンビーム照射装置
ＩＢ    イオンビーム
Ｅ      静電偏向器
４      収束レンズ
４１    第一の電極
４２    第二の電極
５      補正装置
【図１】
2015164142.tif 000003
【図２】
2015164142.tif 000004
【図３】
2015164142.tif 000005
【図４】
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【図５】
2015164142.tif 000007
【図６】
2015164142.tif 000008
【図７】
2015164142.tif 000009