(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の貫通孔の一部を確実に閉塞すると共に、基板の表面の鍍金厚を薄くする積層基板製造方法及び積層基板。【解決手段】第１基板１４の一方の面２２に大径孔３４を非貫通で形成し、第１基板１４の他方の面２４に大径孔３４より小径の小径孔３６を大径３４孔と連通させて形成し、第１基板１４を鍍金することにより大径孔３４は閉塞せず小径孔３６を閉塞し、第１基板１４の他方の面２４に第２基板１６を積層する、積層基板製造方法及び積層基板。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の一方の面に大径孔を非貫通で形成し、
第１基板の他方の面に前記大径孔より小径の小径孔を大径孔と連通させて形成し、
前記第１基板を鍍金することにより前記大径孔は閉塞せず前記小径孔を閉塞し、
前記第１基板の前記他方の面に第２基板を積層する、
積層基板製造方法。
【請求項２】
一度の前記鍍金により、前記小径孔の閉塞と、前記大径孔の内面の被覆と、前記第１基板の表面への膜形成と、を行う請求項１に記載の積層基板製造方法。
【請求項３】
前記小径孔として断面が円形の円形孔を形成する請求項１又は請求項２に記載の積層基板製造方法。
【請求項４】
前記円形孔として、内径が０．０６ｍｍ以上０．１２ｍｍ以下で、
前記内径に対する前記円形孔の深さの比が０．８以上４．０以下である円形孔を形成する請求項３に記載の積層基板製造方法。
【請求項５】
前記円形孔として、内径が０．１２ｍｍを超え０．２０ｍｍ以下で、
前記内径に対する前記円形孔の深さの比が１．３以上４．０以下である円形孔を形成する請求項３に記載の積層基板製造方法。
【請求項６】
一方の面に形成された大径孔と、他方の面に形成され前記大径孔よりも小径の小径孔と、前記小径孔を閉塞する導電性の閉塞部と、を有する第１基板と、
前記第１基板の前記他方の面に積層された第２基板と、
を有する積層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願の開示する技術は積層基板製造方法及び積層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層プリント配線板として、大径の穴と小径の穴とを連通され、これらの穴の内面に鍍金を施した構造が知られている（たとえば特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
また、鍍金金属で封止したテーパー状スルーホールを有するプリント配線板が知られている（たとえば特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−２４３１９７号公報
【特許文献２】特開平５−３４７４８０号公報
【特許文献３】特開２０００−７７８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数の基板（単体基板）を積層した積層基板において、基板の貫通孔の一部を鍍金により塞ぐ場合に、この鍍金で基板に形成する金属膜を薄くすれば、金属膜を用いた回路パターンを細く形成できる。
【０００６】
本願の開示技術は、基板の貫通孔の一部を確実に閉塞すると共に、基板の表面の鍍金厚を薄くすることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の開示する技術では、第１基板の一方の面に大径孔を非貫通で形成し、他方の面に大径孔より小径の小径孔を大径孔と連通させて形成し、第１基板を鍍金することにより大径孔は閉塞せず小径孔を閉塞する。
【発明の効果】
【０００８】
本願の開示する技術によれば、基板の貫通孔の一部を確実に閉塞すると共に、基板の表面の鍍金厚を薄くできる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】図１Ａは第１実施形態の積層基板を示す拡大断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは第１実施形態の積層基板を図１Ａよりさらに拡大して示す拡大断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｈは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図２Ｉ】図２Ｉは第１実施形態の積層基板製造方法の工程の一部を示す拡大断面図である。
【図３】図３は第１実施形態の積層基板における小径孔の内径と深さの関係を示すグラフである。
【図４】図４は第１実施形態の積層基板において小径孔内で鍍金膜が形成される途中のプロセスを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
第１実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１Ａ及び図１Ｂには、第１実施形態の積層基板１２が示されている。図２Ａ〜図２Ｉには、第１実施形態の積層基板製造方法が順に示されている。
【００１２】
積層基板１２は、図１Ａに示す例では、第１基板１４及び第２基板１６を有する。第１基板１４及び第２基板１６は、いずれも、図１Ａに示す例では単層の基板である。ただし、第１基板１４及び第２基板１６のいずれか一方もしくは双方が多層の基板であってもよい。特に、第１基板１４は、積層基板１２の一部ではなく、単独で単層の基板（単層基板１８）として用いられてもよい。
【００１３】
第１基板１４は、絶縁性を有する材料（たとえばエポキシ樹脂やフェノール樹脂）等で形成された基材２０を有する。基材２０の一方の面である第１面２２と、他方の面である第２面２４には、配線パターン２６、２８が形成される。第１基板１４の第１面２２において、配線パターン２６のさらに外側（図１Ａでは上側）は、絶縁性を有する被覆層３０により被覆される。
【００１４】
図２Ａにも示すように、第１基板１４の基材２０には、基材２０を板厚方向に貫通する貫通孔３２が形成される。図１Ａ及び図２Ａに示す部分では、貫通孔３２は１つであるが、第１基板１４の全体では、貫通孔３２は１つでも複数でもよい。
【００１５】
貫通孔３２は、大径孔３４と、この大径孔３４よりも小径の小径孔３６とを有する。大径孔３４は、基材２０の第１面２２側に形成される。大径孔３４は、第２面２４には達しない深さで形成される。大径孔３４の深さＣ１については、後述するように、小径孔の内径Ｄ２との関係も含めて決められる。
【００１６】
小径孔３６は、第１基板１４の第２面２４側に形成される。小径孔３６は、大径孔３４と連通しており、大径孔３４と小径孔３６とで、第１基板１４を貫通する。
【００１７】
大径孔３４は、第１面２２側に位置し、一定の内径を有する円筒部３４Ａと、この円筒部３４Ａから連続し、第２面３４Ｂ側に向かうにつれて内径が漸減される円錐部３４Ｂとを有する。
【００１８】
小径孔３６は、横方向の断面が円形の孔であり、大径孔３４の円錐部３４Ｂよりも小径である。大径孔３４の中心と小径孔３６の中心は一致する。図１Ｂに示すように、小径孔３６の内径をＤ２、深さをＣ２とする。小径孔３６の深さＣ２は、大径孔３４の深さＣ１と、小径孔３６の内径Ｄ２によって決まる。すなわち、大径孔３４を深くすると、その分だけ、小径孔３６は浅くなる。だだし、大径孔３４は円錐部３４Ｂを有しているので、小径孔３６の内径Ｄ２を大きくすると、小径孔３６の深さＣ２も深くなる。
【００１９】
第１基板１４の第１面２２、第２面２４、小径孔３６及び大径孔３４には鍍金が施される。第１面２２及び第２面２４では、鍍金によって形成された金属膜３８（図２Ｂ参照）に対し、後述のパターン形成を行うことで、配線パターン２６、２８が形成される。鍍金に用いる金属としては、銅が挙げられる。大径孔３４では、鍍金によって、被覆部４０が形成される。被覆部４０は、大径孔３４の内面を被覆する。小径孔３６では、鍍金によって、閉塞部４２が形成される。閉塞部４２は、小径孔３６を閉塞する。換言すれば、基材２０の貫通孔３２が、第２面２４側（片面側）のみで閉塞される。
【００２０】
図１Ａに示すように、大径孔３４には、第１面２２側から、コネクタ４４が挿入可能である。図１Ａに示す例では、コネクタ４４は、棒状あるいは板状のコネクタ本体部４４Ａと、このコネクタ本体部４４Ａを部分的に幅広としたコネクタ幅広部４４Ｂとを有する。コネクタ幅広部４４Ｂは、大径孔３４の円筒部３４Ａの被覆部４０に内側から密着される。コネクタ幅広部４４Ｂが大径孔３４の内部で被覆部４０に密着されることで、コネクタ４４と被覆部４０とが電気的に接続されると共に、コネクタ４４が大径孔３４から抜け止めされる。すなわち、半田や接着剤を用いることなく、コネクタ４４を第１基板１４に電気的に接続した状態に維持できる。コネクタ４４を第１基板１４に接続するときに半田を用いないので、半田を溶融させるための熱源が不要であり、少ないエネルギーでコネクタ４４を第１基板１４に接続できる。
【００２１】
なお、コネクタ幅広部４４Ｂは、大径孔３４への挿入前の状態で大径孔３４の内径よりも幅広とされ、大径孔３４に圧入する構造でもよい。さらに、コネクタ幅広部４４Ｂは、大径孔３４への挿入前の状態では大径孔３４の内径より幅狭とされ、大径孔３４に挿入後に広げられて円筒部３４Ａの被覆部４０に内側から密着される構造でもよい。いずれの構造であっても、大径孔３４内でコネクタ幅広部４４Ｂの弾性的な復元力（広がろうとする力）によって、被覆部４０への接触状態を維持できる。
【００２２】
図１Ａに示すように、第２基板１６は、絶縁性を有する材料（たとえばエポキシ樹脂やフェノール樹脂、第１基板と同一材料であっても異種材料であってもよい）で形成された基材５０を有する。基材５０の一方の面である第１面５２と、他方の面である第２面５４には、配線パターン５６、５８が形成される。第２基板１６の第２面５４において、配線パターン５８のさらに外側は、絶縁性を有する被覆層６０により被覆される。
【００２３】
第２基板１６の基材５０には、貫通孔６２が形成される。貫通孔６２では、鍍金によって、被覆部６４が形成される。被覆部６４は、貫通孔６２の内面を被覆する。さらに被覆部６４は、第１面５２の配線パターン５６の一部と、第２面５４の配線パターン５８の一部とを電気的に接続する。貫通孔６２の被覆部６４の内側には絶縁性を有する充填材６６が充填される。
【００２４】
第１基板１４と第２基板１６とは、接合シート６８により接合されて、一体化される。接合シート６８は、絶縁性及び可撓性を有する材料、たとえば樹脂によって膜状に形成される。図１Ａ及び図１Ｂから分かるように、接合シート６８は、第１基板１４の第２面２４の配線パターン２８及び、第２基板１６の第１面５２の配線パターン５６の形状に合わせて部分的に凹む。このように接合シート６８は凹むことで、配線パターン２８、５６が形成されていない箇所では、接合シート６８は、第１基板１４の第２面２４又は第２基板１６の第１面５２に密着する。
【００２５】
接合シート６８には、導電材７０が埋め込まれている。接合シート６８が第１基板１４と第２基板１６とを接合した状態で、導電材７０は、第１基板１４の第２面２４の配線パターン５６、５８の一部と、第２基板１６の第１面２２の配線パターン５６、５８の一部とを電気的に接続する。
【００２６】
図１Ａ及び図１Ｂに示す例では、第１基板１４の小径孔３６（大径孔３４）の中心と第２基板１６の貫通孔３２の中心とが、積層基板１２の法線方向（矢印Ａ１方向）で見て一致する。そして、小径孔３６と貫通孔３２の間に導電材７０が位置する。ただし、小径孔３６の直下には、導電材７０ではなく接合シート６８が位置してもよい。小径孔３６は閉塞部４２で閉塞されるので、接合シート６８や導電材７０が不用意に小径孔３６に入り込んだり変形したりすることが抑制される。
【００２７】
なお、図１Ａでは、積層基板１２を、第１基板１４と第２基板１６とを有する２層の構造としているが、積層基板は３層以上でもよい。３層以上の構造の積層基板では、たとえば、図１Ａに示す第２基板１６のさらに下側に基板を積層する。
【００２８】
図２Ａ〜図２Ｉには、第１実施形態の積層基板１２の製造方法が示されている。
【００２９】
積層基板１２を製造する場合、まず、図２Ａに示すように、第１基板１４の基材２０に、第１面２２側から大径孔３４を形成し、第２面２４側から小径孔３６を形成する。大径孔３４及び小径孔３６の形成は、たとえばドリル１０２Ｐ、１０２Ｑを用いて行うことが可能である。ドリルを用いると、ドリル１０２Ｐ、１０２Ｑの先端には傾斜部１０２Ａがあるので、大径孔３４として、円筒部３４Ａだけでなく円錐部３４Ｂを有する大径孔３４を容易に形成できる。ドリル１０２の他に、たとえばレーザの照射により大径孔３４及び小径孔３６を形成する方法でもよい。大径孔３４の形成と小径孔３６の形成とは、いずれを先に行ってもよい。
【００３０】
なお、図２Ａに示す例では、大径孔３４及び小径孔３６の形成前に、第１基板１４の第１面２２及び第２面２４に金属膜３８Ａが形成されているが、この金属膜３８Ａは無くてもよい。
【００３１】
次に、図２Ｂに示すように、第１基板１４に鍍金を施す。この鍍金の具体的方法な特に限定されない。たとえば、ノズルから鍍金液を噴射し、基材２０に塗布する方法により行うことが可能である。鍍金液を基材２０に噴射する方法では、基材２０の表面（第１面２２及び第２面２４）では鍍金液の流速が早いが、小径孔３６の内部では、鍍金液が入り込みにくいため、流速が遅くなることがある。
【００３２】
このように、基材２０の表面と、小径孔３６の内部とで、鍍金液の流速が異なることが想定される場合は、抑制剤や促進剤を用いてもよい。抑制剤として、分子量が大きい（高分子の）抑制剤を用いると、小径孔３６には入りにくいので、鍍金膜の形成を抑制する効果は、基材２０の表面で相対的に高くなる。これに対し、促進剤として分子量の小さい促進剤を用いると、小径孔３６内に促進剤が入り込みやすいので、小径孔３６での鍍金膜の成長を促進できる。
【００３３】
基材２０に対する鍍金は、鍍金の金属が大径孔３４を閉塞せず、小径孔３６を閉塞するまで行う。すなわち、鍍金により、小径孔３６は閉塞部４２で閉塞される。また、大径孔３４の内面には被覆部４０が形成される。さらに、第１基板１４の第１面２２及び第２面２４にも、金属膜３８が形成される（すでに金属膜３８Ａが形成されている場合には、膜の厚みが増す）。
【００３４】
このように、第１基板１４に一度の鍍金を施すことで、閉塞部４２の形成、被覆部４０の形成および金属膜３８の形成を行うことができる。この「一度の鍍金」には、鍍金の工程の途中に、基材２０に対する加工や、形成途中の金属膜３８の加工・処理などを行わない趣旨である。したがって、基材２０に対する金属膜の形成（たとえば鍍金液の噴射）を複数回に分けて行う鍍金方法を含む。
【００３５】
そして、図２Ｃに示すように、金属膜３８に、ドライフィルムレジスト１０４をラミネートする。ドライフィルムレジスト１０４は、第１面２２側では、大径孔３４の開口部分を覆う。
【００３６】
さらに、図２Ｄに示すように、第１面２２側及び第２面２４側の両面から、ドライフィルムレジスト１０４にガラスマスク１０６を配置し、紫外線等を用いてドライフィルムレジスト１０４を露光する。ガラスマスク１０６には、配線パターン２６、２８に応じて紫外線を透過させる透過パターン１０６Ａが形成されている。
【００３７】
ドライフィルムレジスト１０４の露光後に、図２Ｅに示すようにドライフィルムレジスト１０４を現像すると、紫外線が照射された部分のドライフィルムレジスト１０４は除去されず、紫外線が照射されていない部分のドライフィルムレジスト１０４は除去される。すなわち、ドライフィルムレジスト１０４は、配線パターン２６、２８の形状で金属膜３８を覆っている。
【００３８】
そして、図２Ｆに示すように、金属膜３８をエッチングすることで、ドライフィルムレジスト１０４に覆われていない金属膜３８が第１基板１４から除去される。なお、ドライフィルムレジスト１０４は、大径孔３４の開口部分を第１面２２側で覆い、小径孔３６の部分を第２面２４側で覆っているので、被覆部４０や閉塞部４２が不用意に除去されることはない。
【００３９】
その後、図２Ｇに示すように、ドライフィルムレジスト１０４を剥離することで、第１基板１４の第１面２２に配線パターン２６を、第２面２４に配線パターン２８をそれぞれ形成する。
【００４０】
さらに、図２Ｈに示すように、第１面２２には被覆層３０を形成し、第１面２２の配線パターン２６を保護する。以上により、第１基板１４が得られる。ただし、被覆層３０の形成は、第１基板１４と第２基板１６とを積層した後でもよい。なお、第１基板１４を単層基板１８として用いる場合は、たとえば、第２面２４にも被覆層３０を形成し、配線パターン２８を保護すればよい。
【００４１】
また、第２基板１６（図１Ａ参照）も、上記した第１基板１４の製造と同時に、あるいは前後して製造行う。具体的には、第２基板１６の基材２０には、貫通孔６２を形成し、第１面５２及び第２面４に、配線パターン５６、５８を形成した後、第２面２４に被覆層６０を形成する。ただし、被覆層６０の形成は、第１基板１４と第２基板１６とを積層した後でもよい。なお、第２基板１６では、貫通孔６２の中心部分に絶縁性の充填材６６を充填する。
【００４２】
そして、図２Ｉに示すように、第１基板１４の第２面２４と第２基板１６の第１面５２との間に接合シート６８を配置し、第１基板１４と第２基板１６とを、矢印Ｆ１で示すように、互いに接近する方向に加熱圧着する。これにより、図１Ａに示す積層基板１２が得られる。
【００４３】
本実施形態では、第１基板１４（単層基板１８）の貫通孔３２が、大径孔３４と、この大径孔３４に連通する小径孔３６とを有している。貫通孔３２が小径孔３６を有しているので、貫通孔３２の一部を鍍金により閉塞するときに、小径孔３６が閉塞される（閉塞部４２が形成される）が、大径孔３４は閉塞されない。そして、小径孔３６を閉塞すれば鍍金厚としては十分であるため、第１基板１４の第１面２２及び第２面２４に形成される金属膜３８の膜厚（鍍金厚）を薄くできる。
【００４４】
第１基板１４の第１面２２及び第２面２４に形成する金属膜３８は薄いので、貫通孔３２の全体を鍍金で閉塞する場合と比較して、鍍金に要する時間は短い。
【００４５】
第１面２２及び第２面２４に形成する金属膜３８を薄くすると、この金属膜３８を用いて形成する配線パターンの細密化を図ることができる。
【００４６】
そして、膜厚の薄い金属膜３８に配線パターン２６、２８を形成するので、たとえば、配線パターン２６、２８以外の金属膜３８の除去が容易になり、配線パターン２６、２８の形成が容易である。
【００４７】
積層基板１２としても、上記したように、第１基板１４の金属膜３８が薄い。そして、積層基板１２の配線パターン２６、２８が細密化されている。
【００４８】
本実施形態では、第１基板１４に厚い鍍金を施さないので、鍍金厚のバラつきを抑制できる。第１基板１４の第１面２２及び第２面２４の鍍金厚を薄くするため、一旦形成した鍍金膜を、エッチング等による薄くするという工程が必要ない。
【００４９】
貫通孔３２の小径孔３６を閉塞部４２により閉塞した状態で、大径孔３４の内面には被覆部４０が形成されるが、大径孔３４は閉塞されない。大径孔３４が閉塞されないので、図１Ａに示すように、大径孔３４にコネクタ４４を挿入し、コネクタ４４と被覆部４０とを電気的に接続できる。特に、コネクタ４４のコネクタ幅広部４４Ｂを被覆部４０に密着させることで、コネクタ４４の大径孔３４からの抜けを抑制でき、コネクタ４４と被覆部４０とが電気的に接続された状態を維持できる。
【００５０】
本実施形態では、第１基板１４に一度の鍍金を施すことで、閉塞部４２の形成、被覆層３０の形成および金属膜３８の形成を行う。したがって、閉塞部４２の形成、被覆層３０の形成および金属膜３８の形成を、複数回の（別々の）鍍金で行う方法と比較して、第１基板１４（積層基板１２）の製造が容易である。
【００５１】
本実施形態では、第１基板１４と第２基板１６との間には、図１Ａ及び図２Ｉに示すように、接合シート６８を配置する。第１基板１４と第２基板１６との間に接合シート６８を配置しない方法と比較して、第１基板１４と第２基板１６との接合強度が高くなる。そして、第１基板１４の小径孔３６、すなわち、接合シート６８が接触する第２面２４側の孔が閉塞部４２により閉塞されているので、接合シート６８の一部、あるいは導電材７０が不用意に貫通孔３２の内部に入り込むことがない。
【００５２】
本実施形態では、大径孔３４の水平断面（図１Ａにおける横方向の断面）の形状は円形であり、小径孔３６の断面の形状も円形である。すなわち、貫通孔３２の水平断面の形状は円形である。貫通孔３２の断面形状は円形に限定されないが、円形であれば、図２Ａに示すように、大径孔３４及び小径孔３６をドリルで形成することで、大径孔３４及び小径孔３６を形成できる。
【００５３】
しかも、本実施形態では、大径孔３４を鍍金により閉塞せず、大径孔３４の箇所に絶縁性の樹脂を埋め込む必要がない。大径孔３４を鍍金により閉塞すると、鍍金は大径孔３４の内面から中心へと徐々に成長するため、中心部分にボイド（気泡あるいは残存鍍金液）の発生する懸念があるが、本実施形態では、ボイドの発生を抑制できる。また、ボイドの発生を防ぐために、大径孔３４に他の埋込部材（絶縁樹脂など）を埋め込む必要もない。
【００５４】
加えて、大径孔を鍍金により閉塞した構造や、埋込部材を埋め込んだ構造において、大径孔の内部にドリルを用いて孔を穿つ場合には、すでに形成されている大径孔の中心にドリルの中心を合わせる必要がある。また、大径孔の内部でコネクタと電気的接続を得るためには、埋込部材を完全に削り取る必要がある。すなわち、大径孔を鍍金により閉塞した構造や、埋込部材を埋め込んだ構造では、ドリルで孔を穿つ場合に高い位置精度が求められたり、加工に時間を要したりする。本実施形態では、鍍金により被覆部４０を形成した大径孔３４に対しドリルによって孔を穿つ必要がないので、第１基板１４の製造が容易であり、加工時間も短い。
【００５５】
小径孔３６の内径Ｄ２及び深さＣ２は、上記したように、第１基板１４を鍍金するときに、大径孔３４は鍍金により閉塞せず、小径孔３６は鍍金により閉塞されるように設定されていればよい。
【００５６】
表１には、小径孔３６の内径Ｄ２と、深さＣ２との関係が示されている。表２には、小径孔３６の内径Ｄ２と、アスペクト比との関係が示されている。さらに、図３には、小径孔３６の内径Ｄ２に対する深さＣ２の関係が、小径孔３６を鍍金による閉塞する場合の上限、下限及び好ましい範囲として示されている。アスペクト比は、小径孔３６の深さＣ２を、小径孔３６の内径Ｄ２で除した値である。したがって、アスペクト比が小さいほど小径孔３６は扁平な形状であり、アスペクト比が大きいほど小径孔３６は細長い形状であるといえる。図３のグラフでは、アスペクト比の下限値は、直線Ｌ１、Ｌ２の傾きとして、上限値は直線Ｌ３の傾きとしてそれぞれ表れる。
【表１】
2015106655.tif 000003
【表２】
2015106655.tif 000004
【００５７】
図４には、小径孔３６内で、鍍金による金属膜４８の成長により閉塞部４２が形成される途中のプロセスが示されている。
【００５８】
小径孔３６があまりに扁平になると、鍍金が小径孔３６の内面から成長しても、小径孔３６の中心部分Ｎ１（図１Ａの矢印Ａ１方向に平面視したときの円の中心部分）に達しづらくなる。すなわち、小径孔３６を鍍金により閉塞するためには、鍍金層４８を厚くすることになる。また、中心部分Ｎ１にボイドが発生する可能性も高くなる。表１において、小径孔３６の深さＣ２の下限の値は、かかる観点から、鍍金を過度に厚くすることなく、小径孔３６を確実に閉塞できる値である。
【００５９】
これに対し、小径孔３６があまりに細長くなると、鍍金の成分が小径孔３６の内部に入りにくくなったり、深さ方向の中央部分Ｎ２に達しづらくなったりするおそれがある。表１において、小径孔３６の深さＣ２の上限の値は、かかる観点から、小径孔３６の内部、特に深さ方向の中央部分Ｎ２まで確実に鍍金を行き渡らせることが可能な値である。
【００６０】
そして、表１における深さの好ましい範囲は、鍍金を過度に厚くすることなく、小径孔３６を確実に閉塞できる、という観点での、好ましい範囲である。
【００６１】
表２及び図３のグラフから、アスペクト比の下限については、小径孔３６の内径が０．０６ｍｍ以上０．１２ｍｍ以下の場合は、アスペクト比の下限が０．８である。そして、小径孔３６の内径が０．１２ｍｍを超えて０．２０ｍｍ以下の場合は、アスペクト比の下限が１．３である。また、アスペクト比の好ましい範囲の下限については、小径孔３６の内径が０．０６ｍｍ以上０．１０ｍｍ以下の場合は１．０であり、小径孔３６の内径が０．１０ｍｍを超えて０．１５ｍｍ以下の場合は１．３であり、小径孔３６の内径が０．１５ｍｍを超えて０．２０ｍｍ以下の場合は、２．０である。すなわち、小径孔３６の内径が小さいと、アスペクト比が小さくても小径孔３６を鍍金により閉塞できる。これは、小径孔３６の内径が小さいと、基材２０の表面（特に第２面２４）と小径孔３６の内部での鍍金の流速差が生じやすくなるためである。
【００６２】
また、アスペクト比の上限については、小径孔３６の内径が０．０６ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下の範囲では４．０であり、好ましい範囲の上限は３．０である。
【００６３】
本実施形態では、大径孔３４として、円筒部３４Ａと円錐部３４Ｂを形成する。大径孔３４の円筒部３４Ａは、深さ方向に一定の内径を有している。したがって、第１面２２に向かって内径が広がる形状の孔と比較して、コネクタ４４（図１Ａ参照）のコネクタ幅広部４４Ｂを確実に密着させて、コネクタ４４の抜けを抑制することが可能である。
【００６４】
大径孔３４の円筒部３４Ａは、被覆部４０によって被覆されている。したがって、被覆部４０の一部にコネクタ４４の一部が接触することで、コネクタ４４と被覆部４０とを電気的に接続できる。たとえば、図１Ａに示す構造では、被覆部４０が第１面２２の配線パターン２６、２８と連続しているので、コネクタ４４と第１面２２の配線パターン２６、２８とを電気的に接続した構造を実現できる。
【００６５】
図１Ａから分かるように、本実施形態では、被覆部４０と閉塞部４２も連続している。したがって、被覆部４０の一部にコネクタ４４が接触することで、コネクタ４４と閉塞部４２とを、被覆部４０を解して電気的に接続できる。さらに、本実施形態において、図１Ａに示す例では、閉塞部４２は、第２面２４の配線パターン５６、５８と連続しているので、コネクタ４４と第２面２４の配線パターン５６、５８とを電気的に接続した構造を実現できる。
【００６６】
さらに、被覆部４０は第１面２２の配線パターン２６、２８と連続しているので、第１面２２の配線パターン２６から被覆部４０及び閉塞部４２を介して第２面２４の配線パターン２８を電気的に接続できる。
【００６７】
以上、本願の開示する技術の実施形態について説明したが、本願の開示する技術は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。
【００６８】
本明細書は、以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
第１基板の一方の面に大径孔を非貫通で形成し、
第１基板の他方の面に前記大径孔より小径の小径孔を大径孔と連通させて形成し、
前記第１基板を鍍金することにより前記大径孔は閉塞せず前記小径孔を閉塞し、
前記第１基板の前記他方の面に第２基板を積層する、
積層基板製造方法。
（付記２）
一度の前記鍍金により、前記小径孔の閉塞と、前記大径孔の内面の被覆と、前記第１基板の表面への膜形成と、を行う付記１に記載の積層基板製造方法。
（付記３）
前記膜に配線パターンを形成する付記２に記載の積層基板製造方法。
（付記４）
前記第１基板と前記第２基板の間に、第１基板と第２基板とを接合する接合シートを配置する付記１〜付記３のいずれか１つに記載の積層基板製造方法。
（付記５）
前記小径孔として断面が円形の円形孔を形成する付記１〜付記４のいずれか１つに記載の積層基板製造方法。
（付記６）
前記円形孔として、内径が０．０６ｍｍ以上０．１２ｍｍ以下で、
前記内径に対する前記円形孔の深さの比が０．８以上４．０以下である円形孔を形成する付記５に記載の積層基板製造方法。
（付記７）
前記円形孔として、内径が０．１２ｍｍを超え０．２０ｍｍ以下で、
前記内径に対する前記円形孔の深さの比が１．３以上４．０以下である円形孔を形成する付記５に記載の積層基板製造方法。
（付記８）
前記大径孔に、長手方向に沿って内径が一定の円筒部を形成する付記１〜付記７のいずれか１つに記載の積層基板製造方法。
（付記９）
一方の面に形成された大径孔と、他方の面に形成され前記大径孔よりも小径の小径孔と、前記小径孔を閉塞する導電性の閉塞部と、を有する第１基板と、
前記第１基板の前記他方の面に積層された第２基板と、
を有する積層基板。
（付記１０）
前記大径孔の内面を被覆する導電性の被覆部を有する付記９に記載の積層基板。
（付記１１）
前記閉塞部と前記被覆部とが連続している付記１０に記載の積層基板。
（付記１２）
前記小径孔が、断面が円形の円形孔である付記９〜付記１１のいずれか１つに記載の積層基板。
【符号の説明】
【００６９】
１２  積層基板
１４  第１基板
１６  第１基板
２２  第１面（一方の面）
２４  第２面（他方の面）
２６、２８  配線パターン
３４  大径孔
３４Ａ      円筒部
３６  小径孔
４０  被覆部
４２  閉塞部
６８  接合シート
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2015106655.tif 000008
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2015106655.tif 000010
【図２Ｅ】
2015106655.tif 000011
【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図３】
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【図４】
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