(57)【要約】【課題】容量調整が可能なコンデンサ素子において容量調整面近傍でのマイクロクラックの成長を抑制する。【解決手段】主面Ａおよび主面Ａに交わる容量調整面Ｃを有する誘電体基板１１と、誘電体基板１１の主面Ａに直交する方向に対向して容量を形成するように誘電体基板１１に設けられる容量電極１２，１３と、を備え、容量電極１３は、主面Ａに設けられ、主面Ａの外周部から離れて設けられている主電極部１４と、容量調整面Ｃとの縁に至るように主面Ａの外周部に設けられている副電極部１５と、主電極部１４と副電極部１５とを接続するように主電極部１４と副電極部１５との間に設けられており、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部１４よりも大きい接続電極部１６と、を備える、コンデンサ素子１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と前記主面に交わる容量調整面とを有する誘電体基板と、
前記誘電体基板の主面に直交する方向に互いに対向して容量を形成するように前記誘電体基板に設けられる複数の容量電極と、を備えるコンデンサ素子であって、
前記複数の容量電極のうちの一つは、前記主面に設けられており、前記主面の外周部から離れて設けられている主電極部と、前記容量調整面との縁に至るように前記主面の外周部に設けられている副電極部と、前記主電極部と前記副電極部とを接続するように前記主電極部と前記副電極部との間に設けられており、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が前記主電極部よりも大きい接続電極部と、を備える、
コンデンサ素子。
【請求項２】
前記接続電極部は、前記主電極部と前記副電極部とが並ぶ方向に対して直交する方向の幅寸法が、同方向での前記主電極部の寸法よりも狭いものである、
請求項１に記載のコンデンサ素子。
【請求項３】
前記接続電極部は、前記幅寸法が０ｍｍを超えて０．４ｍｍ以下のものである、
請求項２に記載のコンデンサ素子。
【請求項４】
前記接続電極部は、前記幅寸法が０ｍｍを超えて０．２ｍｍ以下のものである、
請求項３に記載のコンデンサ素子。
【請求項５】
前記接続電極部は、前記主電極部と前記副電極部とが並ぶ方向の中程に、前記幅寸法が部分的に拡がるはんだ滞留部を備える、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載のコンデンサ素子。
【請求項６】
前記接続電極部は、前記主電極部と前記副電極部とが並ぶ方向に延びる複数の線状部を備える、
請求項２乃至請求項５のいずれかに記載のコンデンサ素子。
【請求項７】
前記接続電極部は、表面から突出する突出部を備える、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のコンデンサ素子。
【請求項８】
前記突出部は、絶縁材料からなる、
請求項７に記載のコンデンサ素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のコンデンサ素子を備える共振器装置であって、
前記コンデンサ素子を搭載するベース基板と、
前記ベース基板に搭載される誘電体同軸共振器であって、貫通孔を有する誘電体ブロックの外面に設けられている外導体と、誘電体ブロックの貫通孔に設けられており外導体に対向する内導体と、を備える誘電体同軸共振器と、
誘電体ブロックの貫通孔に一端が挿入され、他端が貫通孔から突出して前記コンデンサ素子の前記主電極部にはんだ接続される端子具と、
を備える共振器装置。
【請求項１０】
複数の主電極部形成領域と、前記複数の主電極部形成領域の間に挟まれる副電極部形成領域と、を含む誘電体母基板に対して、前記主電極部形成領域と前記副電極部形成領域とを跨ぐ電極を両主面に形成する電極形成工程と、
前記副電極部形成領域をダイシングして、前記主電極部形成領域と前記副電極部形成領域の一部とを含む誘電体基板を切り出す基板切出工程と、
前記副電極部形成領域を再びダイシングして、前記副電極部形成領域に形成されている電極の一部を除去する調整工程と、を含むコンデンサ素子の製造方法であって、
前記電極形成工程で形成される電極は、
前記主電極部形成領域の中央部に設けられている主電極部と、
前記副電極部形成領域に設けられている副電極部と、
前記主電極部形成領域と前記副電極部形成領域との境界に設けられて前記主電極部と前記副電極部とを接続しており、前記境界が延びる方向の寸法が前記主電極部および前記副電極部よりも狭い接続電極部と、を備える、
コンデンサ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体基板の主面に設けた容量電極をはんだ実装に用いるコンデンサ素子と、該コンデンサ素子を共振器に接続した共振器装置と、該コンデンサ素子の製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサ素子は、誘電体基板の主面に設けた表面電極を、はんだ実装用と容量形成用に兼用するように構成されることがある。
【０００３】
該コンデンサ素子において、表面電極の面積を調整して容量値を設定するために、誘電体基板にダイシング溝が設けられることがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、該コンデンサ素子は、複数のコンデンサ素子を集合基板から一度に切り出すことで製造されることが一般的である。コンデンサ素子の切り出しの際には、容量電極が誘電体基板から部分的に剥がれることがあるので、これを防ぐために、誘電体基板の切り出し位置から容量電極の縁が離れるように、容量電極の形状が定められることがあった（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０８−２７４５０８号公報
【特許文献２】特開平０９−１３４８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の構成のように容量調整を行う場合、誘電体基板におけるダイシング溝の側面（容量調整面）と容量電極の縁とが重なることになる。このため、容量調整時には、誘電体基板における容量調整面と容量電極の縁とが重なる位置の近傍でマイクロクラックが形成される。このようなマイクロクラックは、たとえば、誘電体基板に温度変化によるストレスがかかることで成長し、次第にコンデンサ素子の容量値を低下させてしまうことがある。このため、かかるコンデンサ素子を搭載した製品では、電気特性が劣化する恐れがあった。
【０００７】
本願発明者は、上記の問題に鑑みて鋭意研究を進めた結果、マイクロクラックの成長がコンデンサ素子のはんだ実装時に大きく進行することを見出し、本願発明の創作に至った。本願発明の目的は、容量調整が可能なコンデンサ素子において、容量調整面の近傍に生じるマイクロクラックの成長を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明のコンデンサ素子は、誘電体基板と複数の容量電極とを備えている。前記誘電体基板は、主面と主面に交わる容量調整面とを有している。複数の容量電極は、誘電体基板の主面に直交する方向に互いに対向して容量を形成するように誘電体基板に設けられている。
【０００９】
ここで、複数の容量電極のうちの一つは、主面に設けられており、主電極部と副電極部と接続電極部とを備えている。主電極部は、主面の外周部から離れて設けられている。したがって、主面の外周部がダイシング等により切り出されるものであっても、主電極部の近傍には、容量に影響を与えるようなマイクロクラックが発生しない。
【００１０】
また、副電極部は、容量調整面との縁に至るように主面の外周部に設けられている。したがって、このコンデンサ素子の容量は、容量調整面をダイシング等で切り出して調整できる。ただし、容量調整面に副電極部が至るので、誘電体基板において容量調整面と副電極部の縁とが重なる位置の近傍にはマイクロクラックが生じる。
【００１１】
また、接続電極部は、主電極部と副電極部とを接続するように主電極部と副電極部との間に設けられており、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部よりも大きいものである。このため、主電極部の表面に溶融はんだが付着しても、その溶融はんだが接続電極部の表面を経由して副電極部の表面まで流動すること、即ち溶融はんだが容量調整面の近傍まで流動することが抑制される。これにより、副電極部の近傍に生じているマイクロクラックに、溶融はんだによる加熱と冷熱のストレスが作用することを防ぐことができ、はんだ実装時のマイクロクラックの成長を抑制できる。
【００１２】
前記接続電極部は、主電極部と副電極部とが並ぶ方向に対して直交する方向の幅寸法が、同方向での主電極部の寸法よりも狭いものであることが好ましい。これにより、接続電極部を、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部よりも大きいものにできる。
【００１３】
前記接続電極部は、前記幅寸法が０ｍｍを超えて０．４ｍｍ以下のものであることが好ましい。特には、前記幅寸法が０ｍｍを超えて０．２ｍｍ以下のものであることが好ましい。接続電極部の幅寸法が細いほど、溶融はんだの流動に対する抵抗を大きくできる。
【００１４】
前記接続電極部は、主電極部と副電極部とが並ぶ方向の中程に、前記幅寸法が部分的に拡がるはんだ滞留部を備えることが好ましい。これにより、主電極部から接続電極部に溶融はんだが流動してきても、その溶融はんだをはんだ滞留部に留めることができ、副電極部まで溶融はんだが流動することを、より確実に防ぐことができる。
【００１５】
前記接続電極部は、主電極部と副電極部とが並ぶ方向に延び、互いに平行する複数の線路部を備えることが好ましい。これにより、幅寸法の狭い線路部が設けられていても、この容量電極の等価直列抵抗を低減することができる。
【００１６】
または、前記接続電極部は、主電極部の表面よりも突出する突出部を備えることが好ましい。これにより、接続電極部を、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部よりも大きいものにできる。
【００１７】
前記突出部は、絶縁材料からなることが好ましい。これにより、副電極部まで溶融はんだが流動することを、より確実に防ぐことができる。
【００１８】
本発明の共振器装置は、上述のコンデンサ素子と、ベース基板と、誘電体同軸共振器と、端子具と、を備えている。誘電体同軸共振器は、貫通孔を有する誘電体ブロックと、誘電体ブロックの外面に設けられている外導体と、前記誘電体ブロックの貫通孔に設けられており外導体に対向する内導体と、を備える。端子具は、誘電体ブロックの貫通孔に挿入される一端部と、貫通孔から突出して設けられる他端部とを備えている。コンデンサ素子は、ベース基板に搭載されるとともに、前記容量調整用電極に端子具の他端部がはんだ接続されている。これにより、容量が安定なコンデンサ素子を用いて、共振器特性が所望のものから劣化することを防ぐことができる。
【００１９】
本発明のコンデンサ素子の製造方法は、複数の主電極部形成領域と複数の主電極部形成領域の間に挟まれる副電極部形成領域とを含む誘電体母基板に対して、主電極部形成領域と副電極部形成領域とを跨ぐ電極を両主面に形成する電極形成工程と、電極が形成された誘電体母基板をダイシングして、主電極部形成領域と副電極部形成領域の一部とを含む誘電体基板を切り出す基板切出工程と、誘電体基板の副電極部形成領域を再びダイシングして、副電極部形成領域に形成されている電極の一部を除去する調整工程と、を含み、前記電極形成工程で形成される電極は、主電極部形成領域の中央部に設けられている主電極部と、副電極部形成領域に設けられている副電極部と、主電極部形成領域と副電極部形成領域との境界に設けられて主電極部と副電極部とを接続しており、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部よりも大きい接続電極部と、を備えている。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、容量調整が可能なコンデンサ素子において、容量調整面の近傍に生じるマイクロクラックの成長を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るコンデンサ素子を示す斜視図および平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るコンデンサ素子のはんだ実装状態を例示する平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るコンデンサ素子の製造方法を説明する平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るコンデンサ素子を示す斜視図および平面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係るコンデンサ素子を示す斜視図および平面図である。
【図６】実施形態に係るコンデンサ素子の備える容量電極の変形例を示す平面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係るコンデンサ素子を示す斜視図である。
【図８】本発明の第５の実施形態に係るコンデンサ素子を示す斜視図である。
【図９】本発明の第６の実施形態に係る共振器装置を示す側面図および平面図である。
【図１０】本発明の第６の実施形態に係る共振器装置の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は、第１の実施形態に係るコンデンサ素子１を示す斜視図である。
【００２３】
コンデンサ素子１は、誘電体基板１１と容量電極１２，１３とを備えている。誘電体基板１１は、例えば誘電体セラミックスからなり、平面視した外形（平面形状）が矩形で厚みが薄い薄板状に構成されている。すなわち、誘電体基板１１は、厚み方向に対向する上面Ａおよび下面Ｂと、上下面Ａ，Ｂに交わる側面Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを有している。詳細な説明は後述するが、本実施形態において誘電体基板１１の下面Ｂが基板実装面である。また、誘電体基板１１の上面Ａが主面であり、他部品の端子がはんだ実装される。また、誘電体基板１１の側面Ｃが容量調整面であり、コンデンサ素子１の容量調整のためにルータやダイサー等によって研削量を調整しながら切り出される。なお、誘電体基板１１は、誘電体材料であれば誘電体セラミックスの他の材料で構成されていてもよく、例えば絶縁性樹脂で構成されていてもよい。
【００２４】
容量電極１２は、誘電体基板１１の下面Ｂに設けられている。容量電極１３は、誘電体基板１１の上面Ａに設けられている。容量電極１２と容量電極１３とは誘電体基板１１を介して対向しており、これにより、容量電極１２と容量電極１３との間に容量が得られるように構成されている。なお、ここでは２つの容量電極１２，１３を対向させているが、２よりも多くの容量電極を対向させるようにしてもよい。
【００２５】
図１（Ｂ）は、コンデンサ素子１を示す下面Ｂ側の平面図である。
【００２６】
容量電極１２は、銀等の導電性材料で構成されており、誘電体基板１１の下面Ｂの全面を覆うように平面視して概略矩形状に設けられている。
【００２７】
図１（Ｃ）は、コンデンサ素子１を示す上面（主面）Ａ側の平面図である。
【００２８】
容量電極１３は、主電極部１４と副電極部１５と接続電極部１６とを備えている。主電極部１４は、銀等の導電性材料で構成されており、上面（主面）Ａの外周部から離れるように、即ち、上面（主面）Ａにおける側面Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆとの縁から離れるように、平面視して概略矩形状（正方形状）に設けられている。したがって、側面Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆがダイシング等により切り出されるものであっても、主電極部１４の近傍では、容量に影響を与えるようなマイクロクラックが誘電体基板１１と主電極部１４間に発生しない。
【００２９】
副電極部１５は、平面視して概略矩形状（長方形状）であり、上面（主面）Ａにおける側面（容量調整面）Ｃとの縁に沿って延びる長辺を有し、その長辺が側面（容量調整面）Ｃとの縁に至る（交わる）ように上面（主面）Ａの外周部に設けられている。したがって、このコンデンサ素子１の容量は、側面（容量調整面）Ｃをダイシング等で切り出して調整できる。ただし、側面（容量調整面）Ｃの近傍では、副電極部１５が設けられているので誘電体基板１１と副電極部１５との間にマイクロクラック（不図示）が生じている。
【００３０】
接続電極部１６は、主電極部１４と副電極部１５とが並ぶ方向に延びる線路状であり、主電極部１４と副電極部１５とを接続するように主電極部１４と副電極部１５との間に設けられている。接続電極部１６が延びる方向に対して直交する方向での、接続電極部１６の幅寸法は、同方向での主電極部１４の幅寸法よりも狭いものである。これにより、接続電極部１６を、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部１４よりも大きいものにできる。このため、主電極部１４の表面に溶融はんだが付着しても、その溶融はんだが接続電極部１６の表面を経由して副電極部１５の表面まで流動すること、即ち溶融はんだが側面（容量調整面）Ｃの近傍まで流動することが抑制される。これにより、副電極部１５の近傍に生じているマイクロクラック（不図示）に、溶融はんだによる加熱と冷熱のストレスが作用することを防ぐことができ、はんだ実装時のマイクロクラック（不図示）の成長を抑制できる。
【００３１】
図２は、本実施形態に係るコンデンサ素子の実機におけるはんだ実装状態を例示する平面図である。図２（Ａ）は、コンデンサ素子１Ａのはんだ実装前の上面（主面）Ａ側の平面図とはんだ実装後の上面（主面）Ａ側の平面図である。図２（Ｂ）は、コンデンサ素子１Ｂのはんだ実装前の上面（主面）Ａ側の平面図とはんだ実装後の上面（主面）Ａ側の平面図である。
【００３２】
コンデンサ素子１Ａは、主電極部１４および副電極部１５の幅寸法（接続電極部１６が延びる方向に対して直交する寸法）を１．６ｍｍとし、接続電極部１６の幅寸法をその１／４の０．４ｍｍとしたものである。
【００３３】
コンデンサ素子１Ｂは、主電極部１４および副電極部１５の幅寸法（容量調整面と平行な方向の寸法）をコンデンサ素子１Ａと同じ１．６ｍｍとし、接続電極部１６の幅寸法をその１／８の０．２ｍｍとしたものである。
【００３４】
このようなコンデンサ素子１Ａ，１Ｂをそれぞれ１２０台、用意し、主電極部１４に適量のはんだペーストをのせ、はんだペースト上に端子具３を当接させた状態でリフローによって２２０℃に加熱した後に冷却した。なお、はんだペーストとしては、溶融した状態での粘度が０．００６Ｐａ・ｓ（２２０℃）程度となるような、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ粉末とロジン系のフラックスとを混成したものを用いた。なお、はんだペーストは、溶融した状態での粘度が０．００１〜０．０２０Ｐａ・ｓ（２２０℃）となるようなものであれば、どのようなものを用いてもよい。
【００３５】
すると、コンデンサ素子１Ａでは１２０台中の１０９台（９０．８％）で副電極部１５へのはんだの流動が防止され、残りの１１台（９．２％）で副電極部１５へのはんだの流動が発生した。一方、コンデンサ素子１Ｂでは１２０台中の１２０台（１００％）で副電極部１５へのはんだの流動が防止され、副電極部１５へのはんだの流動が発生することはなかった。
【００３６】
このように、接続電極部１６の幅寸法が細いほど、溶融はんだの流動に対する抵抗を大きくでき、接続電極部１６の幅寸法が０ｍｍを超えて０．４ｍｍ以下であっても副電極部１５へのはんだの流動を抑制でき、特に幅寸法が０．２ｍｍ以下であると効果的であることが確認できた。
【００３７】
次に、コンデンサ素子１の製造方法の概略について説明する。
【００３８】
図３は、コンデンサ素子１の製造過程での状態を示す上面（主面）Ａ側の平面図である。コンデンサ素子１の製造工程では、まず、図３（Ａ）に示す誘電体母基板１０１を用意する。誘電体母基板１０１は、複数のコンデンサ素子１の誘電体基板１１を切り出すことが可能な面積を有している。誘電体母基板１０１は、複数の主電極部形成領域ＭＡと、複数の主電極部形成領域ＭＡの間に挟まれる副電極部形成領域ＳＡとを含んでいる。主電極部形成領域ＭＡは、後の工程で主電極部１４が形成される領域である。副電極部形成領域ＳＡは、後の工程で副電極部１５が形成される領域である。
【００３９】
コンデンサ素子１の製造工程では、次に、電極形成工程を実施する。電極形成工程では、図３（Ｂ）に示すように誘電体母基板１０１の上面（主面）Ａに複数の切出前電極１０２を形成するとともに、誘電体母基板１０１の図示していない下面Ｂの全面に、電極（不図示）を形成する。切出前電極１０２は、主電極部形成領域ＭＡと副電極部形成領域ＳＡとのそれぞれで平面視して略矩形状に設けられ、主電極部形成領域ＭＡと副電極部形成領域ＳＡとを跨ぐように設けられている。
【００４０】
コンデンサ素子１の製造工程では、次に、基板切出工程を実施する。基板切出工程は、図３（Ｃ）に示すカットラインＣＬ１，ＣＬ２に沿って、誘電体母基板１０１をダイシングして、主電極部形成領域ＭＡと副電極部形成領域ＳＡの一部とを含む誘電体基板１１を切り出す。カットラインＣＬ１は、主電極部形成領域ＭＡと副電極部形成領域ＳＡとが並ぶ方向に対して直交する方向に延びており、主電極部形成領域ＭＡの切出前電極１０２の縁から確実に離れる位置に設定される。カットラインＣＬ２は、主電極部形成領域ＭＡと副電極部形成領域ＳＡとが並ぶ方向に延びており、隣接する切出前電極１０２同士の間の切出前電極１０２の縁から確実に離れる位置に設定される。
【００４１】
コンデンサ素子１の製造工程では、次に、調整工程を実施する。調整工程は、図３（Ｄ）に示すように、誘電体基板１１の副電極部形成領域をカットラインＣＬ３に沿って再びダイシングして、副電極部形成領域ＳＡに形成されている切出前電極１０２の一部を除去する。これにより、残る主電極部形成領域ＭＡおよび副電極部形成領域ＳＡの一部が、容量調整がなされた容量電極１２，１３を備えるコンデンサ素子１となる。
【００４２】
≪第２の実施形態≫
図４（Ａ）は、第２の実施形態に係るコンデンサ素子１Ｃを示す斜視図である。図４（Ｂ）は、コンデンサ素子１Ｃを示す下面Ｂ側の平面図である。図４（Ｃ）は、コンデンサ素子１Ｃを示す上面（主面）Ａ側の平面図である。
【００４３】
コンデンサ素子１Ｃは、第１の実施形態で示したものと同じ誘電体基板１１および容量電極１３を備えているが、第１の実施形態で示したものと異なる容量電極１２Ｃを備えている。容量電極１２Ｃは、誘電体基板１１の下面Ｂに設けられており、誘電体基板１１の上面Ａに設けられている容量電極１３と外形状が一致するようにパターニングされている。すなわち、容量電極１２Ｃは、容量電極１３と同様、主電極部１４と副電極部１５と接続電極部１６とを備えている。
【００４４】
コンデンサ素子１Ｃのように、本発明のコンデンサ素子は上面および下面の容量電極の形状が一致してもよく、これにより、コンデンサ素子１Ｃの上面Ａと下面Ｂのいずれを基板実装面としても、他部品の端子がはんだ実装される主面の容量電極において、容量調整面の近傍まで溶融はんだが流動することを防ぐことができる。
【００４５】
≪第３の実施形態≫
図５（Ａ）は、第３の実施形態に係るコンデンサ素子１Ｄを示す斜視図である。図５（Ｂ）は、コンデンサ素子１Ｄを示す下面Ｂ側の平面図である。図５（Ｃ）は、コンデンサ素子１Ｄを示す上面（主面）Ａ側の平面図である。
【００４６】
コンデンサ素子１Ｄは、第１の実施形態で示したものと同じ誘電体基板１１および容量電極１３を備えているが、第１の実施形態で示したものと異なる容量電極１２Ｄを備えている。容量電極１２Ｄは、誘電体基板１１の下面Ｂに設けられており、誘電体基板１１の上面Ａに設けられている容量電極１３と同様、側面（容量調整面）Ｃとの縁を除く他の側面Ｄ，Ｅ，Ｆとの縁から電極の縁が離れるように形成されている。ただし、容量電極１３とは異なり、接続電極部１６のような幅寸法の細い部分を有しておらず、一様な幅寸法を有している。このコンデンサ素子１Ｄのように、本発明のコンデンサ素子は構成されていてもよい。
【００４７】
≪変形例≫
図６は、第１乃至第３の実施形態に係るコンデンサ素子における上面Ａ側の容量電極の変形例を示す平面図である。
【００４８】
図６（Ａ）に示す容量電極１３Ｅは、主電極部１４および副電極部１５と接続電極部１６Ｅとを備えている。接続電極部１６Ｅは、主電極部１４と副電極部１５とが並ぶ方向に対して直交する方向に並び、それぞれ主電極部１４と副電極部１５とが並ぶ方向に延びる２つの線路部からなる。これにより、接続電極部１６Ｅに、幅寸法の狭い線路部が設けられていても、容量電極１３Ｅの等価直列抵抗を低減することができる。なお、容量電極１３Ｅにおいて、２よりも多くの線路部を設けるようにしても良い。
【００４９】
図６（Ｂ）に示す容量電極１３Ｆは、主電極部１４および副電極部１５と接続電極部１６Ｆとを備えている。接続電極部１６Ｆは、主電極部１４と副電極部１５とが並ぶ方向に延びるとともに、当該方向の中程に、幅寸法が局所的に太いはんだ滞留部１９Ｆを備えている。これにより、容量電極１３Ｅに対して他部品の端子をはんだ実装する際に、主電極部１４から接続電極部１６Ｆに、溶融はんだの流動が生じても、溶融はんだの大部分が、幅寸法の太いはんだ滞留部１９Ｆに滞留することになり、接続電極部１６Ｆから副電極部１５への溶融はんだの流動が生じ難くなる。したがって、副電極部１５の近傍に生じているマイクロクラックに、溶融はんだによる加熱と冷熱のストレスが作用することを防ぐことができ、はんだ実装時のマイクロクラックの成長を抑制できる。
【００５０】
なお、図６（Ａ）に示した容量電極１３Ｅのように、はんだ滞留部１９Ｆを備える容量電極１３Ｆにおいても、複数の線路部を設けるようにしてもよい。
【００５１】
図６（Ｃ）に示す容量電極１３Ｇは、主電極部１４および副電極部１５Ｇ１，１５Ｇ２と接続電極部１６Ｇ１，１６Ｇ２とを備えている。副電極部１５Ｇ１と接続電極部１６Ｇ１とは、主電極部１４よりも側面Ｃ側に設けられており、副電極部１５Ｇ２と接続電極部１６Ｇ２とは、主電極部１４よりも側面Ｄ側に設けられている。なお、この構成では、側面Ｃと側面Ｄのいずれもが容量調整面となっている。この容量電極１３Ｇを備えるように、本発明のコンデンサ素子は構成されていてもよい。
【００５２】
なお、側面Ｄではなく側面Ｅや側面Ｆも容量調整面となるように、容量電極１３ＧをＬ字状の構成やＴ字状の構成、十字状の構成などにしてもよい。また、図６（Ａ）に示した容量電極１３Ｅのように、容量電極１３Ｇにおいても、複数の線路部を設けるようにしてもよい。また、図６（Ｂ）に示した容量電極１３Ｆのように、容量電極１３Ｇにおいても、はんだ滞留部を設けるようにしてもよい。
【００５３】
≪第４の実施形態≫
図７は、本発明の第４の実施形態に係るコンデンサ素子１Ｈの斜視図である。
【００５４】
コンデンサ素子１Ｈは、誘電体基板１１と容量電極１２，１３Ｈとを備えている。誘電体基板１１は、厚み方向に対向する上面Ａおよび下面Ｂと、上下面Ａ，Ｂに交わる側面Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを有している。本実施形態においても、誘電体基板１１の下面Ｂが基板実装面である。また、誘電体基板１１の上面Ａが主面であり、他部品の端子がはんだ実装される。また、誘電体基板１１の側面Ｃが容量調整面であり、コンデンサ素子１Ｈの容量調整のためにルータやダイサー等によって研削量を調整しながら切り出される。
【００５５】
容量電極１２は、誘電体基板１１の下面Ｂに設けられており、誘電体基板１１の下面Ｂの全面を覆うように平面視して概略矩形状に設けられている。
【００５６】
容量電極１３Ｈは、誘電体基板１１の上面Ａに設けられており、容量電極１２と誘電体基板１１を介して対向し、容量を得るように構成されている。この容量電極１３Ｈは、主電極部１４と副電極部１５と接続電極部１６Ｈとを備えている。
【００５７】
接続電極部１６Ｈは、その表面に突出部１９Ｈが設けられた部分である。突出部１９Ｈは、主電極部１４と副電極部１５とが並ぶ方向に対して直交する方向に延びる線路状に、接続電極部１６Ｈの表面から突起するものである。これにより、接続電極部１６Ｈを、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部１４よりも大きいものにできる。このため、主電極部１４の表面に溶融はんだが付着しても、その溶融はんだが突出部１９Ｈを超えて、副電極部１５の表面まで流動すること、即ち溶融はんだが側面（容量調整面）Ｃの近傍まで流動することが抑制される。これにより、副電極部１５の近傍に生じているマイクロクラック（不図示）に、溶融はんだによる加熱と冷熱のストレスが作用することを防ぐことができ、はんだ実装時のマイクロクラック（不図示）の成長を抑制できる。
【００５８】
なお、突出部１９Ｈの材質は、容量電極１３と同様の導電性材料であってもよいが、溶融はんだに対する濡れ性の低い、絶縁性樹脂等の材料であってもよい。また、第１乃至第３の実施形態で示した構成でも、本実施形態のように突出部をさらに設けるようにしてもよい。
【００５９】
≪第５の実施形態≫
図８は、本発明の第５の実施形態に係るコンデンサ素子１Ｊの斜視図である。
【００６０】
コンデンサ素子１Ｈは、第１の実施形態と殆ど同じ構成であるが、ダイシング溝１９Ｊが設けられた誘電体基板１１Ｊを備えている。ダイシング溝１９Ｊは、副電極部１５にかかる位置に設けられており、このダイシング溝１９Ｊを設けることによりコンデンサ素子１Ｊの容量調整がなされている。この場合、ダイシング溝１９Ｊにおける副電極部１５の縁と交わる側面が、誘電体基板１１の容量調整面となっている。
【００６１】
このような構成でも、やはり、接続電極部１６で、表面に付着する溶融はんだの流動に対する抵抗が主電極部１４よりも大きいので、主電極部１４の表面に溶融はんだが付着しても、その溶融はんだが接続電極部１６を超えて、副電極部１５の表面まで流動すること、即ち溶融はんだがダイシング溝１９Ｊの近傍まで流動することが抑制される。これにより、ダイシング溝１９Ｊの近傍に生じるマイクロクラック（不図示）に、溶融はんだによる加熱と冷熱のストレスが作用することを防ぐことができ、はんだ実装時のマイクロクラック（不図示）の成長を抑制できる。
【００６２】
≪第６の実施形態≫
以下、本発明の第６の実施形態に係る共振器装置を、携帯通信システムで利用される基地局や中継局の周波数回路に利用されるフィルタ装置とする例を説明する。なお、本発明に係る共振器装置は、基地局や中継局の他、携帯通信端末や、携帯通信システム以外で利用されるものであってもよい。
【００６３】
図９（Ａ）は、第６の実施形態に係る共振器装置９の側面図である。図９（Ｂ）は、共振器装置９の平面図である。
【００６４】
共振器装置９は、３つのコンデンサ素子１と３つの誘電体同軸共振器４と３つの端子具３とベース基板５と６つのキャパシタ部品７と２つのインダクタ部品６とを備えている。
【００６５】
ベース基板５は、各コンデンサ素子１と各誘電体同軸共振器４と各キャパシタ部品７と各インダクタ部品６とを搭載している。
【００６６】
コンデンサ素子１は、第１の実施形態で示したものであり、下面の容量電極がベース基板５の電極にはんだ実装されている。キャパシタ部品７およびインダクタ部品６もベース基板５の電極にはんだ実装されている。
【００６７】
誘電体同軸共振器４は、貫通孔を有する誘電体ブロックの外面に外導体４２を設け、誘電体ブロックの貫通孔内に内導体４３を設けてなる。外導体４２は、誘電体ブロックの外面のうち、正面を除く五面それぞれの全面に設けられている。この誘電体同軸共振器４は、底面の外導体４２でベース基板５の電極にはんだ実装されている。
【００６８】
端子具３は、誘電体同軸共振器４の貫通孔に取り付けられる。端子具３は、銅やアルミなどの素材からなり、一端が筒状で他端が舌状で一体の金属板から構成されている。端子具３の筒状の一端は、誘電体同軸共振器４の貫通孔に挿入され、内導体４３にはんだ付けされている。端子具３の舌状の他端は、誘電体同軸共振器４の貫通孔から突出して、コンデンサ素子１の上面の容量電極の主電極部にはんだ付けされている。
【００６９】
図１０は、共振器装置９の等価回路図である。
【００７０】
３つの誘電体同軸共振器４は、それぞれコンデンサ素子１と直列に接続して直列共振回路を構成し、それぞれ入出力ラインとグランドとの間に接続されている。入出力ラインにおける隣り合う直列共振回路の接続点の間には、インダクタ部品６によるインダクタンスが挿入されており、これにより、共振回路間が誘導性結合している。また、入出力ラインにおける各共振回路の接続点は、キャパシタ部品７によるキャパシタンスを介して接地されている。
【００７１】
このように、共振器装置９において、コンデンサ素子１と誘電体同軸共振器４と端子具３とキャパシタ部品７とインダクタ部品６とは、ベース基板５の電極を介して接続されており、３段の互いに誘導性結合する直列共振回路からなる帯域阻止型のフィルタ回路（ＢＥＦ回路）を構成している。なお、共振器装置９は、ＢＥＦ回路に限らず、コンデンサ素子１を用いるならば別の回路構成であってもよい。例えば、異なる段数の共振器を備えても良い。また、帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）や、高域通過フィルタ（ＨＰＦ）、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）、発振回路などであってもよい。
【００７２】
以上の各実施形態で示したような構成で、本発明は実施することができるが、その他にも、特許請求の範囲に記載する範囲の多様な構成でも本発明は実施することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｈ，１Ｊ…コンデンサ素子
Ａ…上面
Ｂ…下面
Ｃ…容量調整面
Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ…側面
１１，１１Ｊ…誘電体基板
１２，１３，１２Ｃ，１２Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ，１３Ｇ，１３Ｈ…容量電極
１４…主電極部
１５，１５Ｇ１，１５Ｇ２…副電極部
１６，１６Ｅ，１６Ｆ，１６Ｇ１，１６Ｇ２，１６Ｈ…接続電極部
１９Ｆ…滞留部
１９Ｈ…突出部
１９Ｊ…ダイシング溝
１０１…誘電体母基板
１０２…切出前電極
ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３…カットライン
ＭＡ…主電極部形成領域
ＳＡ…副電極部形成領域
２…はんだ
３…端子具
４…誘電体同軸共振器
５…ベース基板
６…インダクタ部品
７…キャパシタ部品
９…半導体装置
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図２】
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