(57)【要約】【課題】より小さいフィーチャサイズをサポートする、集積回路におけるメタライゼーションの方法が必要である【解決手段】従来のメタライゼーションプロセスは、高密度または小さいフィーチャサイズのパターンにおいて役立たない。たとえば、ドライフィルムは、パターニング中に倒れるか、またはリフトオフして、メタライゼーションパターンにおける短絡または開放の原因となる恐れがある。集積回路のメタライゼーションのための例示的方法は、トレンチ、パッド、および面などのフィーチャを誘電体層の中に形成するステップと、誘電体層における所望のフィーチャの中にシード層を堆積させ、そのシード層を選択的に処理するステップとを含む。シード層における処理された領域は、フィーチャの中への、銅などの導電材料の無電解堆積のためのシードとして用いられ得る。シード層が触媒インクである場合には、そのシード層は、レーザで触媒インクを硬化させることによって処理され得る。【選択図】図５Ｅ
2015029133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体材料の中に複数のフィーチャを形成するステップと、
前記誘電体材料の上と、前記複数のフィーチャの中とにシード層を堆積させるステップと、
前記複数のフィーチャの中の前記シード層の一部を選択的に処理するステップと、
処理されていないシード層部分を除去するステップと、
前記複数のフィーチャを選択的に充填するために、処理されたシード層部分にめっきするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記複数のフィーチャが、トレンチ、面、およびパッドの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シード層が触媒インクを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シード層を選択的に処理するステップが、前記シード層を選択的に硬化させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記シード層を選択的に硬化させるステップが、前記シード層の選択された部分にわたってレーザをラスタライズするステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記めっきするステップが、前記複数のフィーチャの中に導電材料を無電解めっきするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットの少なくとも１つの中に前記複数のフィーチャを組み込むステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
複数の開口部を有する誘電体層と、
前記複数の開口部の底部面の上のシード層と、
前記複数の開口部を実質的に充填している導電材料と
を含む装置。
【請求項９】
前記シード層が、硬化した触媒インクを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記導電材料が、電着させた銅、および、電着させたニッケルの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記誘電体層が、シリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、酸化マグネシウム、二酸化アルミニウム、二酸化シリコン、および有機薄膜ベース材料の少なくとも１つを含む基板の上にある、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記複数の開口部が、トレンチ、面、およびパッドの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットの少なくとも１つに組み込まれた、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
誘電体材料の中に複数のフィーチャを形成するステップと、
前記誘電体材料の上と、前記複数のフィーチャの中とにシード層を堆積させるステップと、
前記複数のフィーチャの中の前記シード層の一部を選択的に処理するステップと、
処理されていないシード層部分を除去するステップと、
前記複数のフィーチャを選択的に充填するために、処理されたシード層部分にめっきするステップと
を含む方法。
【請求項１５】
前記シード層が触媒インクを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記シード層を選択的に処理するステップが、前記シード層を選択的に硬化させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記シード層を選択的に硬化させるステップが、前記シード層の選択された部分にわたってレーザをラスタライズするステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットの少なくとも１つに前記複数のフィーチャを組み込むステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
複数の開口部を有する、基板上の誘電体層と、
前記複数の開口部の底部面の上に配置されている、導電材料を電気めっきするための手段と、
前記複数の開口部を実質的に充填している、前記電気めっきするための手段の上の導電材料と
を含む装置。
【請求項２０】
前記基板が、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットの少なくとも１つに組み込まれている、請求項１９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して集積回路（ＩＣ）に関する。より詳細には、本開示は、集積回路のメタライゼーション（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路におけるメタライゼーションパターンは、集積回路の異なる構成要素を接続する。集積回路が複雑さと密度を増していくにつれて、集積回路の構成要素を相互に接続するためにメタライゼーションパターンも密度が増加する。たとえば、メタライゼーションパターンのフィーチャサイズは、サイズが１０マイクロメートルを下まわって小さくなっている。フィーチャサイズが小さくなり続けるにつれて、従来のメタライゼーションプロセスは役立たなくなり、集積回路における開放と短絡をもたらす恐れがある。
【０００３】
図１は、集積回路基板におけるメタライゼーションのための従来の方法を示すフローチャートである。図１のフローチャートは、従来の集積回路を示す断面図である図２Ａ〜図２Ｄとともに示す。図２Ａを参照すると、ブロック１０２において、コア基板２０２の上のプライマコートされた銅箔（図示せず）がエッチングされて、その銅箔は除去される。ブロック１０４では、エッチングされたプライマコート銅箔とは別にとどまっているプライマ層２０４の上に銅のシード層２０６が無電解めっきされる。ブロック１０６では、シード層２０６の上にドライフィルム２０８が堆積させられる。
【０００４】
図２Ｂを参照すると、ブロック１０８において、ドライフィルム２０８は、開口部２１０を形成するためにパターニングされる。ブロック１１０では、シード層２０６の上の開口部２１０の中に導電フィルム２１２が電着される。図２Ｃを参照すると、ブロック１１２において、ドライフィルム２０８が除去される。図２Ｄを参照すると、ブロック１１４において、導電フィルムフィーチャ２１２どうしの間でシード層２０６がエッチングされて導電フィルムフィーチャ２１２を電気的に絶縁する。
【０００５】
メタライゼーションラインの密度が増えるにつれて、導電フィルムフィーチャ２１２のサイズは小さくなる。さらに、図２Ｂに示されているように、ドライフィルムをパターニングした後に立っている、導電フィルムフィーチャ２１２の間のドライフィルムフィーチャのサイズが小さくなる。立っているドライフィルムフィーチャのアスペクト比が増すにつれて、ドライフィルムパターンの安定性は低くなる。たとえば、ドライフィルムパターンは役立たなくなり、メタライゼーションパターンの開放または短絡をもたらす恐れがある。
【０００６】
図３Ａは、開放の原因となる従来のメタライゼーション破壊を示す断面図である。ドライフィルムのピラー３０８のアスペクト比が大きすぎると、そのピラー３０８は倒れる可能性がある。ピラー３０８が倒れることによって、倒れたピラー３０８の少なくとも一方の側における開口部の中への導電材料の電着が妨げられる。このように、メタライゼーションパターンにおける開放は、倒れたピラー３０８に起因する場合がある。
【０００７】
図３Ｂは、短絡の原因となる従来のメタライゼーション破壊を示す断面図である。立っているドライフィルムフィーチャの幅が小さくなると、不十分な付着、アンダーカット、または他のプロセスの不具合が、立っているドライフィルムのリフトオフをまねく可能性がある。たとえば、ピラー３１０は、ドライフィルム２０８のパターニングの間にリフトオフされる場合がある。リフトオフされるピラー３１０によって、リフトオフされるピラー３１０を囲んでいる側におけるメタライゼーションラインの分離が妨げられる。このように、メタライゼーションパターンにおける短絡は、リフトオフされるピラー３１０に起因する場合がある。
【０００８】
代替の解決策の１つは、パターントレンチのビルドアッププロセスを用いることである。このビルドアッププロセスの間に、誘電体層の中に開口部がパターニングされ、その開口部の中にシード層が堆積される。このシード層は、導電フィルムを電着およびオーバめっきするために用いられる。オーバめっきされた導電材料は、平坦化プロセスを通じて除去される。しかし、平坦化は、メタライゼーションプロセスのスループットを低下させ、またインフラコストを増やす場合がある。さらに、平坦化は、誘電体層の表面を傷つける恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、より小さいフィーチャサイズをサポートする、集積回路におけるメタライゼーションの方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施形態では、誘電体材料の中に複数のフィーチャを形成することを含む方法が開示される。シード層は、誘電体材料の上と、フィーチャの中とに堆積される。シード層の一部は、フィーチャの中で選択的に処理され、処理されていないシード層部分は除去される。処理されたシード層部分は、フィーチャを選択的に充填するためにめっきされる。
【００１１】
別の実施形態では、複数の開口部を有する誘電体層を有する装置が開示される。開口部の底部面の上にはシード層があり、導電材料が開口部を実質的に充填している。
【００１２】
任意選択的に、代替実施形態では、誘電体材料の中に複数のフィーチャを形成するステップと、誘電体材料の上と、フィーチャの中とにシード層を堆積させるステップとを有する方法が開示される。次に、フィーチャの中のシード層の一部が選択的に処理される。さらに、処理されていないシード層部分は除去される。処理されたシード層部分は、フィーチャを選択的に充填するためにめっきされる。
【００１３】
別の実施形態では、装置は基板上の誘電体層を含む。この装置は、複数の開口部と、導電材料を電気めっきするための手段とを含む。電気めっきするための手段は、開口部の底部面の上に配置されている。電気めっきするための手段の上の導電材料は、開口部を実質的に充填している。
【００１４】
これは、以下の詳細な説明がさらに良く理解され得るように、本開示の特徴および技術的利点をむしろ広く概説している。本開示のさらなる特徴および利点について以下に説明する。本開示の同じ目的を実行するために他の構造を変更または設計するための基礎として本開示が容易に利用され得ることは、当業者によって理解されるはずである。また、そのような等価の構成は、添付の特許請求の範囲に明記されている本開示の教示から逸脱しないことが、当業者によって認識されるはずである。構成および動作方法の両方に関して本開示の特徴であると考えられる新規性のある特徴は、添付の図面とともに考慮されると、さらなる目的および利点とともに以下の説明からより良く理解されよう。しかし、それぞれの図面は、例示および説明の目的のみに与えられており、本開示における限定の定義として考えられていないことを明確に理解されたい。
【００１５】
本開示におけるより十分な理解のために、次に添付図面に関して行われる以下の説明に言及する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】集積回路におけるメタライゼーションのための従来の方法を示すフローチャートである。
【図２Ａ】集積回路におけるメタライゼーションのための従来の方法を示す断面図である。
【図２Ｂ】集積回路におけるメタライゼーションのための従来の方法を示す断面図である。
【図２Ｃ】集積回路におけるメタライゼーションのための従来の方法を示す断面図である。
【図２Ｄ】集積回路におけるメタライゼーションのための従来の方法を示す断面図である。
【図３Ａ】従来の集積回路におけるメタライゼーション破壊を示す断面図である。
【図３Ｂ】従来の集積回路におけるメタライゼーション破壊を示す断面図である。
【図４】一実施形態による、集積回路におけるメタライゼーションのための例示的方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】一実施形態による、集積回路における例示的メタライゼーションを示す断面図である。
【図５Ｂ】一実施形態による、集積回路における例示的メタライゼーションを示す断面図である。
【図５Ｃ】一実施形態による、集積回路における例示的メタライゼーションを示す断面図である。
【図５Ｄ】一実施形態による、集積回路における例示的メタライゼーションを示す断面図である。
【図５Ｅ】一実施形態による、集積回路における例示的メタライゼーションを示す断面図である。
【図６】本開示の実施形態を有利に用いることができる例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図である。
【図７】一実施形態による、半導体部品の回路設計、レイアウト設計、およびロジック設計に用いられる設計用ワークステーションを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
集積回路のメタライゼーションパターンを形成するための方法は、メタライゼーションパターンにおける短絡または開放の原因となり得るドライフィルムパターニングとリフトオフ（すなわち、除去）のプロセスを除くことによって、より高い密度と、より小さいサイズとを達成することができる。一実施形態によれば、メタライゼーションのための誘電体における開口部の底部面に残るように、シード層が堆積されて選択的に処理される。処理されたシード層は、メタライゼーションのための開口部の中に導電材料を電着させるためのシード層として用いられ得る。誘電体層の中に導電材料が電着される場合にはリフトオフプロセスは用いられず、それによって短絡および開放につながるアスペクト比の問題が低減する。さらに、導電材料が無電解堆積される場合には、導電材料が誘電体層に対して実質的に平らになり、オーバめっきは生じない。
【００１８】
図４は、一実施形態による、集積回路におけるメタライゼーションのための例示的方法を示すフローチャートである。ブロック４０２では、基板上の誘電体層の中にフィーチャが形成される。図５Ａは、一実施形態による、開口部のパターニング後の例示的メタライゼーションを示す断面図である。基板５０２の上の誘電体層５０４は、フィーチャ５２０を含む。フィーチャ５２０は、フィーチャ５２０Ａ、５２０Ｂにおけるようにトレンチでもよく、かつ／または、フィーチャ５２０Ｃにおけるように面もしくはパッドでもよい。基板５０２は、シリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、酸化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、または有機薄膜型材料などの好適な基板材料の種類でもよい。
【００１９】
ブロック４０４では、誘電体層の上にシード層が堆積される。図５Ｂは、一実施形態による、シード層の堆積後の例示的メタライゼーションを示す断面図である。シード層５０６は、誘電体層５０４の上と、フィーチャ５２０の中に堆積される。このシード層５０６は、たとえば、コロラド州デンバーのＭａｃＤｅｒｍｉｄ，  Ｉｎｃ．より入手可能なＭｉｃｒｏＣａｔなどの触媒インクでもよい。
【００２０】
ブロック４０６ではシード層が選択的に処理される。図５Ｃは、一実施形態による、シード層の選択的な処理後の例示的メタライゼーションを示す断面図である。シード層５０６は、領域５０８において選択的に処理される。領域５０８の処理によって、シード層５０６の残り部分が領域５０８から分かれて除去されることが可能となる。たとえば、シード層５０６は、領域５０８の化学特性を変えるために、領域５０８にレーザを選択的にラスタライズ（ｒａｓｔｅｒｉｚｅ）することによって硬化させることができる。一実施形態によれば、シード層５０６は触媒インクであり、領域５０８は、処理後には特定の化学エッチング液に溶解しない。
【００２１】
ブロック４０８では、処理されていないシード層の領域が除去される。図５Ｄは、一実施形態による、処理されていないシード層の除去後の例示的メタライゼーションを示す断面図である。シード層５０６は、誘電体層５０４から除去される。一実施形態によれば、残っているシード層５０６である処理された領域５０８は、誘電体層５０４におけるフィーチャ５２０の底部面上に位置している。
【００２２】
ブロック４１０では、フィーチャを実質的に充填するために導電材料が堆積される。図５Ｅは、一実施形態による、導電材料の堆積後の例示的メタライゼーションを示す断面図である。導電材料５１０は、処理された領域５０８をシード層として用いて、フィーチャ５２０の中に堆積される。一実施形態によれば、導電材料５１０は無電解堆積される。この導電材料５１０は、例えば銅またはニッケルでよい。誘電体層５０４の中のフィーチャ５２０の底部面上に、処理された領域５０８が配置されていることによって、誘電体層５０４の上にオーバめっきすることなく、導電材料５１０をフィーチャ５２０の中に堆積することが可能となる。誘電体層５０４の上にオーバめっきが生じないため、導電材料５１０の表面は、導電材料５１０を平坦化しなくても、誘電体５０４の表面に対して実質的に平行となり得る。
【００２３】
導電材料の堆積のために、シード層を選択的に処理するステップを伴うメタライゼーションプロセスによって、ドライフィルムパターニングおよびリフトオフのプロセスを用いないメタライゼーションが可能となる。したがって、このメタライゼーションプロセスは、より小さいサイズ、および、より高い密度の相互接続にスケール変更することができる。トレンチ、パッド、および面などのフィーチャを無電解堆積によって選択的にめっきすることによって、導電材料のオーバめっきが減り、それにより製造プロセスが簡略化される。このよりシンプルな製造プロセスは、フィーチャを取り囲む誘電体層への損傷を低減する。たとえば、フィーチャを充填している導電材料は、追加の平坦化プロセスを用いることなく誘電体層に対して実質的に平らとなる。
【００２４】
図６は、本開示の実施形態を有利に用いることができる例示的なワイヤレス通信システム６００を示すブロック図である。例示のために、図６は、３つの遠隔ユニット６２０、６３０および６５０、ならびに２つの基地局６４０を示している。より多くの遠隔ユニットおよび基地局をワイヤレス通信システムが有してもよいことが認識されよう。遠隔ユニット６２０、６３０および６５０は、ＩＣデバイス６２５Ａ、６２５Ｃおよび６２５Ｂを含み、これらは開示されたメタライゼーションパターンを含む。また、基地局、スイッチングデバイス、およびネットワーク機器を含む、ＩＣを含む任意のデバイスも、本明細書で開示されたメタライゼーションパターンを含み得ることが認識されよう。図６は、基地局６４０から遠隔ユニット６２０、６３０、および６５０への順方向リンク信号６８０、ならびに、遠隔ユニット６２０、６３０、および６５０から基地局６４０への逆方向リンク信号６９０を示す。
【００２５】
図６では、遠隔ユニット６２０は携帯電話として示され、遠隔ユニット６３０はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット６５０はワイヤレスローカルループシステム内の固定ロケーション遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、携帯電話、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、個人情報端末などのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り機器などの固定ロケーションデータユニット、または、データもしくはコンピュータ命令の記憶もしくは取り出しを行う任意の他のデバイス、または、それらの任意の組合せであってもよい。図６は、本開示の教示による遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの、示された例示的なユニットに限定されない。本開示の実施形態は、メタライゼーションパターンを含む任意のデバイスにおいて好適に使用され得る。
【００２６】
図７は、上記で開示されたメタライゼーションパターンを含む、半導体コンポーネントの回路設計、レイアウト設計、および論理設計のために用いられる設計用ワークステーションを示すブロック図である。この設計用ワークステーション７００は、オペレーティングシステムのソフトウェア、支援ファイル、および、ＣａｄｅｎｃｅまたはＯｒＣＡＤなどの設計用ソフトウェアを含むハードディスク７０１を含む。また、設計用ワークステーション７００は、回路７１０の設計、または、メタライゼーションパターンを有するパッケージングされた集積回路などの半導体コンポーネント７１２の設計を容易にするためにディスプレイを含む。記憶媒体７０４は、回路設計７１０または半導体コンポーネント７１２を有形に記憶するために提供される。回路設計７１０または半導体コンポーネント７１２は、ＧＤＳＩＩまたはＧＥＲＢＥＲなどのファイルフォーマットで記憶媒体７０４に記憶されてもよい。記憶媒体７０４は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適切なデバイスであってもよい。さらに、設計用ワークステーション７００は、記憶媒体７０４からの入力を受け、または記憶媒体７０４に出力を書き込むための駆動装置７０３を含む。
【００２７】
記憶媒体７０４に記録されるデータによって、論理回路構成、フォトリソグラフィのマスクのためのパターンデータ、または、電子ビームリソグラフィなどの連続書込ツールのためのマスクパターンデータが指定されてもよい。データはさらに、論理シミュレーションに関連するタイミングダイヤグラムまたはネット回路などの論理検証データを含み得る。記憶媒体７０４にデータを提供することによって、半導体ウェハを設計するためのプロセスの数が減少することにより、回路設計７１０または半導体コンポーネント７１２の設計が容易になる。
【００２８】
ファームウェアおよび／またはソフトウェアの実装形態の場合、これらの方法は、本明細書で説明された機能を実行するモジュール（たとえば、プロシージャ、関数など）によって実装されてもよい。本明細書で説明された方法を実施する際には、命令を有形に具現化する任意の機械可読媒体が用いられてもよい。たとえば、ソフトウェアコードがメモリに記憶され、プロセッサユニットによって実行されてもよい。メモリは、プロセッサユニットの中に実装されてもよく、またはプロセッサユニットの外部に実装されてもよい。本明細書で用いられる場合には、「メモリ」という用語は、長期メモリ、短期メモリ、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、または他のメモリのいずれかの種類を指し、いかなる特定の種類のメモリ、またはメモリの数、またはメモリが記憶される媒体の種類に限定されない。
【００２９】
ファームウェアおよび／またはソフトウェアで実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つもしくは複数の命令またはコードとして記憶されてもよい。この例には、データ構造を用いて符号化されたコンピュータ可読媒体、および、コンピュータプログラムを用いて符号化されたコンピュータ可読媒体が含まれる。コンピュータ可読媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされ得る任意の利用可能な媒体であってもよい。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、または他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、所望のプログラムコードを命令もしくはデータ構造の形態で記憶するのに用いられ、またコンピュータによってアクセスされ得る任意の他の媒体を含むことができる。本明細書で用いられるディスク（ｄｉｓｋおよびｄｉｓｃ）には、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピィーディスク、およびブルーレイディスクが含まれ、このうち、ディスク（ｄｉｓｋ）は通常、データを磁気的に再生し、ディスク（ｄｉｓｃ）はデータをレーザによって光学的に再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。
【００３０】
命令および／またはデータは、コンピュータ可読媒体上に記憶されるだけでなく、通信装置に含まれる伝送媒体上の信号として提供されてもよい。たとえば、通信装置は、命令およびデータを示す信号を有する送受信機を含み得る。命令およびデータは、本特許請求の範囲において概説される機能を１つまたは複数のプロセッサに実施させるように構成されている。
【００３１】
特定の回路が説明されたが、本開示を実施するために、開示された回路のすべてが必要とされるわけではないことが当業者には理解されよう。さらに、本開示に対する焦点を維持するために、いくつかの公知の回路は説明されていない。
【００３２】
本開示およびその利点が詳細に説明されたが、添付の特許請求の範囲によって定義されている本開示の技術から逸脱することなく、本明細書において様々な変更、代用および改変がなされ得ることを理解されたい。たとえば、「上」および「下」などの関係語は、基板または電子デバイスに対して使用される。当然ながら、その基板または電子デバイスが逆転した場合には、上は下になり、また下は上になる。さらに、横向きの場合、上および下は、基板または電子デバイスの側面を指す場合がある。さらに、本出願の範囲は、本明細書で説明されたプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、およびステップにおける特定の実施形態に限定されるように考えられていない。当業者には本開示から容易に理解されるように、本明細書で説明された対応する実施形態と実質的に同じ機能を実行する、または実質的に同じ結果を実現する、現在ある、または今後開発されるプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、またはステップが、本開示に従って利用されてもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、またはステップを、その特許請求の範囲の中に含むように考えられている。
【符号の説明】
【００３３】
５０２  基板
５２０  フィーチャ
５２０Ａ  フィーチャ
５２０Ｂ  フィーチャ
５２０Ｃ  フィーチャ
５０４  誘電体層
５０６  シード層
５０８  領域
５１０  導電材料
【図１】
2015029133.tif 000003
【図２Ａ】
2015029133.tif 000004
【図２Ｂ】
2015029133.tif 000005
【図２Ｃ】
2015029133.tif 000006
【図２Ｄ】
2015029133.tif 000007
【図３Ａ】
2015029133.tif 000008
【図３Ｂ】
2015029133.tif 000009
【図４】
2015029133.tif 000010
【図５Ａ】
2015029133.tif 000011
【図５Ｂ】
2015029133.tif 000012
【図５Ｃ】
2015029133.tif 000013
【図５Ｄ】
2015029133.tif 000014
【図５Ｅ】
2015029133.tif 000015
【図６】
2015029133.tif 000016
【図７】
2015029133.tif 000017
【外国語明細書】
2015029133000001.pdf