(57)【要約】      （修正有）【課題】高精度な調整を可能としつつ製造タクトを低減可能な物理量検出装置を提供する。【解決手段】物理量検出装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられ、ｎ次の多項式の温度特性を有するアナログ回路と、半導体基板上に設けられる温度センサ１と、アナログ回路のアナログ信号を校正する校正手段を有するデジタル調整回路と、半導体プロセスにより作成された物理量検出素子と、を備え、校正手段は、デジタル調整回路に保存されたｎ＋１点以上の温度測定データに基づいてアナログ信号を調整し、測定データは、昇温速度が０［℃／ｓ］よりも大きくかつ半導体基板の温度時定数よりも小さい測定領域を有する温度プロファイル条件下で測定されることを特徴とする。【選択図】図１ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられ、ｎ次の多項式の温度特性を有するアナログ信号回路と、
前記半導体基板上に設けられる温度センサと、
前記半導体基板上に設けられ、前記アナログ信号回路のアナログ信号を校正する校正手段を有するデジタル演算回路と、
物理量検出素子と、を備え、
前記校正手段は、前記デジタル演算回路に保存されたｎ＋１点以上の温度測定データに基づいて前記アナログ信号を調整し、
前記測定データは、昇温速度が０［℃／ｓ］よりも大きくかつ前記半導体基板の温度時定数よりも小さい測定領域を有する温度プロファイル条件下で測定されることを特徴とする物理量検出装置。
【請求項２】
前記半導体基板上に設けられ、指数関数の温度特性を有するアナログ信号回路と、
前記半導体基板上に設けられる温度センサと、
前記アナログ信号回路のアナログ信号を校正する校正手段を有するデジタル演算回路と、
物理量検出素子と、を備え、
前記校正手段は、前記デジタル演算回路に保存された４点以上の温度測定データに基づいて前記アナログ信号を調整し、
前記測定データは、昇温速度が０よりも大きくかつ前記半導体基板の温度時定数よりも小さい測定領域を有する温度プロファイル条件下で測定されることを特徴とする物理量検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の物理量検出装置において、
前記温度プロファイルは、前記測定領域の前後に前記温度センサの出力を校正するためのデータを測定する温度安定領域を有することを特徴とする物理量検出装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の物理量検出装置において、
前記測定領域は第一の測定領域と第二の測定領域を有していて、
前記温度プロファイルは前記第一の測定領域の前と前記第二の測定領域の後と前記第一の測定領域と第二の測定領域の間に前記温度センサの出力を校正するためのデータを測定する温度安定領域を有することを特徴とする物理量検出装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載の物理量検出装置において、前記物理量検出素子と前記アナログ信号回路と前記デジタル演算回路と前記温度センサとを同一の半導体基板上に構成したことを特徴とする物理量検出装置。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れかに記載の物理量検出装置において、前記アナログ信号回路と前記デジタル演算回路と前記温度センサとを同一の半導体基板上に構成し、前記物理量検出素子は前記半導体基板とは別に構成され、
前記温度プロファイルの昇温速度は温度センサと物理量検出素子の温度時定数よりも小さく設定さていることを特徴とする物理量検出装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載の物理量検出装置において、前記温度プロファイルとなるように、熱伝達を利用した温度制御装置又は、熱伝導を利用した温度制御装置、或いは熱放射を利用した温度制御装置或いはこれらが組み合わされた温度制御装置により測定された測定データに基づいて温度特性調整された物理量検出装置。
【請求項８】
半導体基板上に設けられ、ｎ次の多項式の温度特性を有するアナログ信号回路と、前記半導体基板上に設けられる温度センサと、を有する物理量検出装置の調整方法において、
昇温速度が０［℃／ｓ］よりも大きくかつ前記半導体基板の温度時定数よりも小さい測定領域を有する温度プロファイル条件下で測定されたｎ＋１点以上の温度測定データに基づいて前記アナログ信号回路の出力信号を調整することを特徴とする物理量検出装置の調整方法。
【請求項９】
前記半導体基板上に設けられ、指数関数の温度特性を有するアナログ信号回路と、前記半導体基板上に設けられる温度センサと、を有する物理量検出装置の調整方法において、
昇温速度が０［℃／ｓ］よりも大きくかつ前記半導体基板の温度時定数よりも小さい測定領域を有する温度プロファイル条件下で測定された４点以上の温度測定データに基づいて前記アナログ信号回路の出力信号を調整することを特徴とする物理量検出装置の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量検出装置の調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
内燃機関における燃焼制御では燃料供給制御と内燃機関の吸気流量の把握が必要であり、吸気流量の把握のために流量測定装置が設置されている。
【０００３】
流量測定装置の背景技術として、吸気流路に設置した発熱抵抗体（  ホットワイヤあるいは熱線などとも呼ばれる）  と気体温度測定抵抗体（  コールドワイヤあるいは冷線などとも呼ばれる）  と２つの固定抵抗体によってブリッジ回路を構成し、前記発熱抵抗体の温度を常に一定に保ってブリッジ回路の抵抗バランスを維持するように給電制御する構成である。
【０００４】
このように構成することにより、吸気流路内の吸気流量の増加に応じて前記発熱抵抗体の放熱量が増加し、前記発熱抵抗体の温度を一定に保つために前記発熱抵抗体に供給する電流が増加するので、前記発熱抵抗体と直列接続関係にある固定抵抗体に現れる電圧に基づいて電気的に空気流量を測定することができる。
【０００５】
また、吸気流量の測定方法として、温度差を利用した方式もあり、吸気流路に流量検出素子を設置し、前記流量検出素子の発熱抵抗体の温度を所定の温度に制御し、吸気流により、前記発熱抵抗体の吸気流の流れ方向の上流側と下流側において温度差が生じる。前記温度差を感温抵抗体あるいは熱電対により検出し電気的に吸気流量を測定する方式がある。
【０００６】
電気的に測定された吸気流量を要求される空気流量対出力信号特性となるように、所定の入出力特性をもった調整演算回路で処理することにより、前記調整演算回路から吸気流量と所定の関係にある吸気流量信号として出力することができる。更に、流量測定装置として半導体技術を利用して発熱抵抗体と感温抵抗体を形成することで高速応答を可能とした流量測定装置も利用されている。
【０００７】
流量測定装置の調整演算回路は、現在、デジタル信号処理回路化することにより高精度な調整を実現している。特許文献１には、デジタル信号処理回路を使用して調整を行う調整演算回路が記載されている。調整演算回路は、アナログ信号形態の流量信号をアナログ・デジタル変換回路によってデジタル信号形態に変換した後に、デジタル演算回路による計算処理によってゼロ点，  スパン調整を行い、デジタル・アナログ変換回路によってアナログ信号形態の流量信号に変換して、所望の気体流量に対するアナログ信号形態の流量信号を出力する構成である。このデジタル演算回路において調整演算を実行するために必要な調整係数は、ＰＲＯＭなどの記憶装置に保存している。また、デジタル演算回路は、非線形な演算が容易であるために、出力の調整において、ゼロ点，  スパン調整のみならず、非線形調整を容易に行うことが可能である。この非線形調整により、調整精度は±  ２  ％  以下となる。
【０００８】
気体流量測定装置の出力特性は温度が変化しても誤差が小さい、すなわち、温度依存誤差が小さいことが望ましい。デジタル信号形態での調整方式において温度依存誤差を低減する補正として特許文献２がある。この公報には、デジタル信号形態での調整方式において、出力特性調整のための信号処理系と該信号処理系の温度依存誤差を補正する温度情報を得る温度センサ回路を１つの半導体チップに集積回路化して実装し、信号処理系において温度依存誤差を低減する補正演算を含めた調整演算を行って温度依存誤差の少ない流量信号出力特性調整について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３０７３０８９号公報
【特許文献２】特許第３７５３０５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
次数の大きな温度特性を有するアナログ回路を高精度に温度補正を行うためには、温度を安定させた特性測定領域を多数必要としている。そのため、高精度に調整を行おうとすると製造タクトが長くなってしまい、量産性と計測精度との両立が困難である課題があった。特許文献１と特許文献２に記載の発明については、量産性と計測精度の両立について改良の余地が残されている。
【００１１】
本発明の目的は、高精度な調整を可能としつつ製造タクトを低減可能な物理量検出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の物理量検出装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、ｎ次の多項式の温度特性を有するアナログ回路と、前記半導体基板上に設けられる温度センサと、前記アナログ回路のアナログ信号を校正する校正手段を有するデジタル調整回路と、半導体プロセスにより作成された物理量検出素子と、を備え、前記校正手段は、前記デジタル調整回路に保存されたｎ＋１点以上の温度測定データに基づいて前記アナログ信号を調整し、前記測定データは、昇温速度が０［℃／ｓ］よりも大きくかつ前記半導体基板の温度時定数よりも小さい測定領域を有する温度プロファイル条件下で測定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高精度な調整を可能としつつ製造タクトを低減可能な物理量検出装置を提供することが可能である。そのため、計測精度の向上と量産性の向上の両立を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１ａ】吸気流量測定装置の回路概略図（Ｖｏｕｔ）
【図１ｂ】吸気流量測定装置の回路概略図（Ｆｏｕｔ）
【図２ａ】アナログ信号の温度特性調整比較図（Ｎ次多項式）
【図２ｂ】アナログ信号の温度特性調整比較図（指数関数）
【図３ａ】第一、第二実施例の温度特性測定のプロファイル条件（一定電流印加）
【図３ｂ】第一、第二実施例の温度特性測定のプロファイル条件（一定昇温速度）
【図４ａ】第三実施例（温度安定領域２箇所）の温度特性測定のプロファイル条件（一定電流印加）
【図４ｂ】第三実施例（温度安定領域２箇所）の温度特性測定のプロファイル条件（一定昇温速度）
【図５ａ】第四実施例（温度安定領域３箇所）の温度特性測定のプロファイル条件（一定電流印加）
【図５ｂ】第四実施例（温度安定領域３箇所）の温度特性測定のプロファイル条件（一定昇温速度）
【図６ａ】第五実施例のアナログ信号回路に熱電対を備えた回路外略図（Ｖｏｕｔ）
【図６ｂ】第五実施例のアナログ信号回路に熱電対を備えた回路外略図（Ｆｏｕｔ）
【図７】第六実施例の物理量検出素子と温度センサを同一の半導体基板に備えた吸気流量測定装置の回路概略図
【図８ａ】第八実施例の吸気流量測定装置の温度特性測定装置の説明図（熱伝達を利用）
【図８ｂ】第八実施例の吸気流量測定装置の温度特性測定装置の説明図（熱伝導を利用）
【図８ｃ】第八実施例の吸気流量測定装置の温度特性測定装置の説明図（熱放射を利用）
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の第一実施例について、図１から図３を用いて説明する。
【００１６】
第一実施例で示される物理量検出装置は、測定の対象となる物理量を検出するものである。測定対象として、例えば、流量、流速、温度、加速度等の物理量が検出され、検出された物理量は例えば内燃機関の制御等に用いられる。物理量検出装置として熱式気体流量測定装置を例に説明する。
【００１７】
図１に示すように、本発明の第一実施例における物理量検出装置１９は、樹脂モジュールと副通路と吸気温度センサ２２と物理量検出素子１８と半導体プロセスにより作成されたLSI１７とターミナルを備える。物理量検出装置１９は、内燃機関の吸気流路に取り付けられ、樹脂モジュールの一部が吸気流路を流れる気体に曝されるようにしている。吸気通路を流れる気体の一部は副通路内に取り込まれ、副通路内に設けられている物理量検出素子１８により、吸気流路に流れる気体の流量を測定している。物理量検出素子１８は直接吸気流路内に流れる気体に曝される構成としていないことから、耐汚損性が向上する。
【００１８】
物理量検出素子１８にはヒータ制御駆動回路１１と物理量検出回路９が配置される。ヒータ制御駆動回路１１はヒータとなる発熱抵抗体と発熱抵抗体へ供給する電流を制御するヒータ駆動回路と発熱抵抗体の温度を検出する感温抵抗体又は熱電対により構成される。物理量検出回路９は、気体流量の流れ方向の上流側と下流側の温度差を検出するよう発熱抵抗体の上下流側に設けられた感温抵抗体により構成されたブリッジ回路であり、ブリッジ回路のバランス状態により気体流量を検出する。物理量検出回路９の感温抵抗体のかわりに熱電対を用いて温度差を検出する構成でも良い。
【００１９】
気体流量は前記ブリッジ回路の両端に電圧が印加されているため、気体流量Ｑ  に対応した大きさの電圧（アナログ信号形態の流量信号）Ｖｄとして測定される。また、前記ヒータ駆動回路はＬＳＩ１７上に構成しても良い。
【００２０】
内燃機関の吸気流路は環境温度の変化が大きく、吸気流路に設置される物理量検出装置１９は温度による特性変動が生じ易い。
【００２１】
この特性変動を調整する好適な回路構成を図１ａ，ｂに示す。
【００２２】
アナログ信号回路と温度センサ１とを同一の半導体基板に構成することで温度特性を高精度に調整する。
【００２３】
同一の半導体基板上に構成されるアナログ信号回路１２として、物理量検出回路９のアナログ信号をデジタル信号に変換するためのアナログ・デジタル変換回路３、ヒータ制御駆動回路のアナログ信号をデジタル信号に変換するためのアナログ・デジタル変換回路４、温度センサ１のアナログ信号をデジタル信号に変換するためのアナログ・デジタル変換回路５、温度特性を調整したデジタル信号をアナログ信号に変換するデジタル・アナログ変換回路６、基準電源２が同一の半導体基板上に構成される。
【００２４】
温度特性を調整したデジタル信号を周波数情報に変調したデジタル信号を出力する形式の物理量検出装置１９においては図１ｂに示すように、発振回路７を温度センサ１と同一の半導体基板上に構成する。
【００２５】
温度センサ１の温度を基準として、同一の半導体基板上に構成されるアナログ信号回路１２の個々のアナログ信号回路との温度差をΔＴとしたときに、半導体基板に温度勾配がある状態の温度差ΔＴ０が熱平衡状態となり熱平衡状態の温度差ΔＴａと変化したときにΔＴ０がΔＴａの９０％に到達するまでの時間を温度センサ１と前記個々のアナログ信号回路の温度時定数とする。
【００２６】
温度センサ１と同一の半導体基板に構成されたアナログ信号回路１２の温度時定数の中で最も大きい温度時定数を半導体基板の温度時定数とする。半導体基板上に発熱源となる回路が構成されている場合には発熱源により温度分布が生じるため、より好適な温度時定数は物理量検出装置１９が動作状態と等価な条件化にて評価されたものである。好適な構成として前記アナログ信号回路と温度センサ１は熱伝導の優れた基板上に実装され、温度センサ１と前記アナログ信号回路の温度時定数が小さく、温度センサ１とアナログ信号回路の温度特性の測定あるいは温度特性調整が容易になる。
【００２７】
保護回路１０はサージや過電圧や高周波ノイズが信号処理系内に侵入するのを抑制する。基準電源２は電源の電圧を回路内で使われる電源（主に３．３Ｖ）を生成する。ヒータ制御駆動回路１１はヒータの温度を所定の温度となるようにデジタル演算回路８によってフィードバック制御される。デジタル演算回路８はＣＰＵのようなデジタル信号処理回路と読み書き自在なメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）書込み可能なメモリ（ＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭなど）からなるメモリ１３とメモリ１３に調整係数を読み書きする読み書き回路を備え流量信号のデジタル信号形態で出力特性調整および温度特性調整演算を実行し調整した流量信号をデジタル信号形態で出力する。
【００２８】
Ｎ次の多項式をＮ−１点の測定データ、Ｎ点の測定データ、Ｎ＋１点の測定データにより温度に対してアナログ信号回路の出力が一定となるように温度特性調整した場合の結果例を図２ａのプロット図に示す。測定データの数がＮ−１点からＮ＋１点に増加するにつれて前記アナログ信号回路の出力は温度に対する変化量を小さく抑えられる。測定データには測定誤差が含まれるため、Ｎ＋１点よりも測定点数を増やすことにより測定誤差の影響を小さく抑えることができる。
【００２９】
図３ａ，ｂはＮ＋１点以上の測定データを取得することで温特調整の精度を向上させ、昇温速度を半導体基板の温度時定数よりも小さくし、連続的に温度を変化させることで、生産性を向上し生産性と精度を両立するのに好適なプロファイルの例である。
【００３０】
昇温速度を半導体基板の温度時定数よりも小さくすることで、連続的に温度を変化させても、前記アナログ信号回路の温度と温度センサ１の温度差を小さく抑えることができる。
【００３１】
図３ａに示すプロファイルは温調装置の出力を一定にした場合のプロファイルである。このように温調装置を制御した場合、一般的に高温になるにつれて昇温速度が低下する。昇温速度を低下させず生産性を向上するプロファイルとしては、図３ｂに示すように昇温速度が一定となるように温調装置の出力を制御する方式により生産性の向上を図ることが可能である。図３ａ，ｂのプロファイルでは環境温度を昇温する方向について示しているが、降温する方向に環境温度を変化させても良く、その場合、降温速度は半導体基板の温度時定数よりも小さくする必要がある。
【００３２】
本発明の第二実施例について図２ｂを用いて説明する。なお、第一実施例と同様の構成については説明を省略する。本発明の第二実施例におけるアナログ信号回路は、指数関数の温度特性を有する。図２ｂに指数関数をＮ次の多項式で近似した場合の近似精度についてプロット図を示す。Ｎ次の多項式の次数を大きくすることで誤差が小さくなり近似精度が良くなっている。
【００３３】
特にＮ＞２次の多項式について近似精度が良くなっている。つまり、指数関数の温度特性を有するアナログ信号回路の温度調整では前記プロファイルにおける測定データ点数を３点よりも大きくすることで、つまり３＜Ｎ＋１点以上の測定データを取得することにより温度特性調整を精度良く行うことが可能である。
【００３４】
本発明の第三実施例について図４ａ及び図４ｂを用いて説明する。なお、第一実施例或いは第二実施例と同様の構成については説明を省略する。
【００３５】
半導体基板上に主に抵抗体により構成される温度センサ１は半導体プロセスによる抵抗ばらつきを持っており、高精度に温度特性を調整するためには温度センサ１の温度校正が必要となる。アナログ信号回路の温度特性調整と温度センサ１の温度校正を行うための温度特性測定データ３５を生産性、精度を両立可能な、図４ａ，ｂに示すプロファイル３２により測定する。
【００３６】
抵抗体の温度特性は１次関数として近似することができ、抵抗体により構成される温度センサ１の校正には温度特性測定データが２点必要である。本発明の第一実施例或いは第二実施例に示した測定領域の前後に、温度センサ１の出力を校正するためのデータを測定する温度安定領域３３，３４を設けることで、アナログ信号回路の温度特性調整と温度センサ１の温度校正を行うことが可能である。図４ａには温調装置の出力を一定にした場合のプロファイルを示し、図４ｂには温調装置の出力を昇温速度が一定となるように制御した場合のプロファイルを示す。温調装置の出力を一定とする場合、装置の構成が簡便となりコストアップすることなく温度特性の調整を行うことが可能となる。温調装置の出力を昇温速度が一定となるように制御する場合、精度よくデータを取ることができるため、より高精度に温度特性の調整を行うことが可能となる。
【００３７】
本発明の第四実施例について図５ａ及び図５ｂを用いて説明する。図５ａには温調装置の出力を一定にした場合のプロファイルを示し、図５ｂには温調装置の出力を昇温速度が一定となるように制御した場合のプロファイルを示す。なお、第三実施例と同様の構成については説明を省略する。
【００３８】
より好適に温度センサ１の温度特性を校正するために、本発明の第四実施例では実施例３に加えてさらに温度安定領域３６を設け、合計３点の温度特性測定データを得る構成としている。すなわち、温度プロファイルは、第一の測定領域３７と第二の測定領域３８を有していて、第一の測定領域３７の前に温度安定領域３３を設け、第二の測定領域３８の後に温度安定領域３４を設け、第一の測定領域３７と第二の測定領域３８の間に温度安定領域３６を設けている。第四実施例の温度プロファイルによれば、アナログ信号回路の温度特性調整と温度センサ１の温度校正を行うことが可能である。本発明の第四実施例によれば温度センサ１の温度特性を２次関数で校正することが可能となり、さらなる温度特性調整精度の向上が可能である。
【００３９】
本発明の第五実施例について図６ａ及び図６ｂを用いて説明する。なお、第一実施例或いは第二実施例と同様の構成については説明を省略する。
【００４０】
アナログ信号回路の隣接する位置又はアナログ信号回路内に熱電対３９を備え、温度センサ１とアナログ信号回路の温度差を検出しアナログ信号回路の温度特性調整に用いる。同一の半導体基板上に温度センサ１とアナログ信号回路を構成しても、半導体基板上に発熱源が存在した場合、温度分布が生じてしまう。更に、温度センサとアナログ信号回路が離れて構成されている場合温度分布が大きくなり温度特性調整の誤差となる。本発明の第五実施例によれば、温度センサ１とアナログ信号回路の温度差を検出して温度特性の調整に用いていることから、上述した温度分布による誤差の影響を低減でき、より高精度な温度特性調整を可能とする
本発明の第六実施例について図７を用いて説明する。なお、第一実施例或いは第二実施例と同様の構成については説明を省略する。
【００４１】
図７に示す、物理量検出素子１８と前記アナログ信号回路と前記デジタル演算回路８と前記温度センサ１とを同一の半導体基板上に構成した物理量検出装置１９について説明する。物理量検出素子１８を前記温度センサ１と同一の半導体基板上に構成することで、前記物理量検出素子１８の温度特性も調整することが可能となる。物理量検出素子１８と温度センサ１の温度時定数を含めた、温度センサと同一の半導体基板に構成されたアナログ信号回路の温度時定数の中で最も大きい温度時定数が半導体基板の温度時定数となり前記半導体基板の温度時定数よりも昇温速度を小さくすることで温度特性調整を可能とする。
【００４２】
実施例１〜７に記載の構成の物理量検出装置１９は、上述した温度プロファイルとなるように、図８ａに示される熱伝達を利用した温度制御装置、又は、図８ｂに示される熱伝導を利用した温度制御装置、又は、図８ｃに示される熱放射を利用した温度制御装置、又は、これらが組み合わされた温度制御装置により温特特性が測定される。測定された測定データに基づいて物理量検出装置の温度特性を調整する。
【符号の説明】
【００４３】
１  温度センサ
２  基準電源
３  アナログ・デジタル変換回路
４  アナログ・デジタル変換回路
５  アナログ・デジタル変換回路
６  特性調整後のデジタル信号のデジタル・アナログ変換回路
７  発振回路
８  デジタル演算回路
９  物理量検出回路
１０  保護回路
１１  ヒータ制御駆動回路
１２  同一の半導体基板上に構成されるアナログ信号回路
１３  メモリ（ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ）
１４  物理量検出装置の電源ＶＣＣ
１５  物理量検出装置の出力Ｖｏｕｔ
１６  物理量検出装置の回路
１７  ＬＳＩ
１８  物理量検出素子
１９  物理量検出装置
２５  Ｎ次の多項式をＮ−１点の温度特性データから補正した結果
２６  Ｎ次の多項式をＮ点の温度特性データから補正した結果
２７  Ｎ次の多項式をＮ＋１点の温度特性データから補正した結果
２８  指数関数の底が２．５の関数をＮ次の多項式で近似した近似誤差
２９  指数関数の底が３の関数をＮ次の多項式で近似した近似誤差
３０  指数関数の底が４の関数をＮ次の多項式で近似した近似誤差
３１  Ｎ＋１点の温度特性測定データ
３２  温度特性測定プロファイル
３３  温度センサの温度特性校正のためのプロファイルの前に設けた温度安定領域
３４  温度センサの温度特性校正のためのプロファイルの後に設けた温度安定領域
３５  温度センサの温度特性校正のための温度特性測定データ
３６  温度センサの温度特性校正のためのプロファイルの中に設けた温度安定領域
３７  温度プロファイルの第一の温度特性測定領域
３８  温度プロファイルの第二の温度特性測定領域
３９  アナログ信号回路に隣接又はアナログ信号回路内に構成される熱電対
４０  温度調整設備
４１  加熱用温調器
４２  冷却用温調器
４３  物理量検出装置（チップ）
４４  温度調整設備の温度センサ
４５  温度調整プレート
４６  熱放射装置
４７  熱放射
４８  熱放射吸収プレート
【図１ａ】
2015155810.tif 000003
【図１ｂ】
2015155810.tif 000004
【図２ａ】
2015155810.tif 000005
【図２ｂ】
2015155810.tif 000006
【図３ａ】
2015155810.tif 000007
【図３ｂ】
2015155810.tif 000008
【図４ａ】
2015155810.tif 000009
【図４ｂ】
2015155810.tif 000010
【図５ａ】
2015155810.tif 000011
【図５ｂ】
2015155810.tif 000012
【図６ａ】
2015155810.tif 000013
【図６ｂ】
2015155810.tif 000014
【図７】
2015155810.tif 000015
【図８ａ】
2015155810.tif 000016
【図８ｂ】
2015155810.tif 000017
【図８ｃ】
2015155810.tif 000018