(57)【要約】【課題】表面側ビルドアップ層に発生したクラックが内層配線に達することを抑制する。【解決手段】コア層２０の表面２０ａに、導電性接続材１３０を介して電子部品１２１〜１２３が搭載されるランド６１が形成された表面側ビルドアップ層３０を配置し、コア層２０の裏面２０ｂに裏面側ビルドアップ層４０を配置する。そして、裏面側ビルドアップ層４０より多い枚数のガラスクロス１６０がこのガラスクロス１６０より熱伝導率の高い樹脂１７０で封止されたもので表面側ビルドアップ層３０を構成する。【選択図】図２
2015032790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（２０ａ）および前記表面と反対側の裏面（２０ｂ）を有するコア層（２０）と、
前記コア層の表面に配置され、前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に導電性接続材（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）が形成された表面側ビルドアップ層（３０）と、
前記ランドと前記コア層との間に配置された内層配線（５１、５３）と、
前記コア層の裏面に配置された裏面側ビルドアップ層（４０）と、を備え、
前記表面側ビルドアップ層は、前記裏面側ビルドアップ層より多い枚数のガラスクロス（１６０）が前記ガラスクロスより熱伝導率の高い樹脂（１７０）にて封止されたもので構成されていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記表面側ビルドアップ層は、前記裏面側ビルドアップ層よりも厚くされていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記ガラスクロスは、一方向に延び、前記一方向と垂直方向に配列された複数の第１ヤーン（１６１）と、前記垂直方向に延び、前記一方向に配列された複数の第２ヤーン（１６２）とが格子状に織り上げられたものであり、
前記複数の第１ヤーンは、それぞれ前記一方向に延びる複数の第１ガラス繊維（１６１ａ）が１纏めにされて構成され、隣接する前記第１ヤーン同士の間隔が前記第１ヤーン内における前記第１ガラス繊維同士の間隔と等しくされており、
前記複数の第２ヤーンは、それぞれ前記垂直方向に延びる複数の第２ガラス繊維（１６２ａ）が１纏めにされて構成され、隣接する前記第２ヤーン同士の間隔が前記第２ヤーン内における前記第２ガラス繊維同士の間隔より長くされており、
前記表面側ビルドアップ層には、前記裏面側ビルドアップ層、前記コア層、前記表面側ビルドアップ層の積層方向において、前記ガラスクロスが複数枚配置されており、
前記表面側ビルドアップ層において、前記積層方向に隣接する前記ガラスクロスは、一方の前記ガラスクロスにおける前記第１ヤーンが延びる方向と、他方の前記ガラスクロスにおける前記第１ヤーンが延びる方向とが垂直とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記表面側ビルドアップ層は、前記コア層側から順に積層された第１、第２ビルドアップ層（３１、３２）と、前記第１、第２ビルドアップ層の間に形成された前記内層配線（５３）と、を有し、
前記第２ビルドアップ層は、前記第１ビルドアップ層より多い枚数のガラスクロスが樹脂に封止されたもので構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１つに記載の多層基板と、
前記ランドに前記導電性接続材を介して搭載された前記電子部品と、
前記電子部品および前記ランドを封止するモールド樹脂（１５０）と、を備えることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が導電性接続材を介して搭載されるランドを有する多層基板およびこれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、この電子装置は、コア層が表面側ビルドアップ層および裏面側ビルドアップ層に挟まれ、コア層と表面側ビルドアップ層との間に内層配線が形成されている多層基板を備えている。そして、表面側ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面には、表面側ビルドアップ層に形成されたビアを介して内層配線と電気的に接続されるランドが形成され、このランド上にはんだ等の導電性接続材を介してパワー素子等を備える電子部品が搭載されている。
【０００４】
なお、表面側ビルドアップ層と裏面側ビルドアップ層は、エポキシ樹脂等の樹脂によって構成され、同様の構成とされている。
【０００５】
そして、このような電子装置は、使用環境によっては、耐環境（耐腐食）性を向上させるためのモールド樹脂によって電子部品を含む多層基板の一面側が覆われた構成とされる。また、電子部品の放熱性を向上させるため、裏面側ビルドアップ層のうちコア層側と反対側にヒートシンク等の放熱部材が備えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−２８３５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図８に示されるように、モールド樹脂Ｊ１によって電子部品Ｊ２が覆われる上記電子装置では、モールド樹脂Ｊ１とはんだ等の導電性接続材Ｊ３との密着力が弱く、モールド樹脂Ｊ１が導電性接続材Ｊ３との界面から剥離し易い。このため、表面側ビルドアップ層Ｊ４にクラックＪ６が発生する。
【０００８】
すなわち、モールド樹脂Ｊ１が導電性接続材Ｊ３から剥離することによって生じる応力が表面側ビルドアップ層Ｊ４に伝播して表面側ビルドアップ層Ｊ４にクラックＪ６が発生する。
【０００９】
また、モールド樹脂Ｊ１が剥離することにより、モールド樹脂Ｊ１にてランドＪ５の変位を抑制できなくなるため、使用環境に応じてランドＪ５の膨張および収縮が可能となる。そして、ランドＪ５と表面側ビルドアップ層Ｊ４とは線膨張係数が異なるため、表面側ビルドアップ層Ｊ４に熱応力が印加される。特に、低温使用環境では、ランドＪ５が収縮することにより、表面側ビルドアップ層Ｊ４のうちランドＪ５との界面の端部に多大な引張応力が印加され、表面側ビルドアップ層Ｊ４にクラックＪ６が発生する。
【００１０】
そして、表面側ビルドアップ層Ｊ４に発生したクラックＪ６が内層配線に到達すると、当該クラックＪ６に水等の異物が浸入した場合、ランドＪ５と内層配線とがショートするという問題が発生する。
【００１１】
本発明は上記点に鑑みて、表面側ビルドアップ層に発生したクラックが内層配線に達することを抑制できる多層基板およびこれを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本願発明者らは鋭意検討を行った。そして、表面側ビルドアップ層としてガラスクロスが樹脂で封止されたプレプレグを用い、表面側ビルドアップ層にクラックが発生した場合に当該クラックをガラスクロスに沿って伸展させることにより、クラックが内層配線に達することを抑制できることを見出した。しかしながら、ガラスクロスは、通常、表面側ビルドアップ層および裏面側ビルドアップ層を構成する樹脂よりも熱伝導率が低い。このため、表面側ビルドアップ層と裏面側ビルドアップ層を同様の構成とすると、裏面側ビルドアップ層の伝熱性が低下することによって多層基板の他面からの放熱性が低下してしまう。
【００１３】
このため、請求項１に記載の発明では、表面（２０ａ）および表面と反対側の裏面（２０ｂ）を有するコア層（２０）と、コア層の表面に配置され、コア層と反対側の一面（３０ａ）に導電性接続材（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）が形成された表面側ビルドアップ層（３０）と、ランドとコア層との間に配置された内層配線（５１、５３）と、コア層の裏面に配置された裏面側ビルドアップ層（４０）とを備え、表面側ビルドアップ層は、裏面側ビルドアップ層より多い枚数のガラスクロス（１６０）が当該ガラスクロスより熱伝導率の高い樹脂（１７０）にて封止されたもので構成されていることを特徴としている。
【００１４】
これによれば、表面側ビルドアップ層に裏面側ビルドアップ層のガラスクロスと同じ枚数のガラスクロスが配置される場合と比較して、表面側ビルドアップ層に発生したクラックが内層配線に達することを抑制できる。また、裏面側ビルドアップ層に表面側ビルドアップ層のガラスクロスと同じ枚数のガラスクロスが配置されている場合と比較して、裏面側ビルドアップ層の伝熱性が低下することを抑制できる。つまり、請求項１に記載の発明によれば、表面側ビルドアップ層に発生したクラックが内層配線に達することを抑制しつつ、多層基板の他面からの放熱性が低下することを抑制できる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明では、表面側ビルドアップ層を裏面側ビルドアップ層よりも厚くしている。
【００１６】
これによれば、ガラスクロスは樹脂より線膨張係数が小さいが、表面側ビルドアップ層の全体の線膨張係数を高くでき、裏面側ビルドアップ層の全体の線膨張係数に近づけることができる。このため、多層基板が反ることを抑制できる。
【００１７】
そして、請求項５に記載の発明では、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の多層基板と、ランドに導電性接続材を介して搭載された電子部品と、電子部品およびランドを封止するモールド樹脂（１５０）とを備えることを特徴としている。
【００１８】
このように、多層基板にモールド樹脂を備える電子装置とした場合、請求項１に記載の発明と同様に、クラックが内層配線に達することを抑制しつつ、多層基板の他面からの放熱性が低下することを抑制できる。
【００１９】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。
【図２】図１中の領域Ａの拡大図である。
【図３】図２に示すガラスクロスの平面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施形態におけるガラスクロスのうち表面側ビルドアップ層におけるコア層側のガラスクロスの平面図である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施形態におけるガラスクロスのうち表面側ビルドアップ層におけるコア層側と反対側のガラスクロスの平面図である。
【図５】表面側ビルドアップ層におけるランド近傍の拡大断面図であり、表面側ビルドアップ層におけるコア層側のガラスクロスは図４Ａ中のV−V断面に相当しており、表面側ビルドアップ層におけるコア層側と反対側のガラスクロスは図４Ｂ中のV−V断面に相当している。
【図６】本発明の第３実施形態における電子装置の断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態における電子装置の断面図である。
【図８】多層基板にクラックが発生した様子を示す電子装置の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００２２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。
【００２３】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００２４】
多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面側ビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面側ビルドアップ層４０とを備える積層基板である。
【００２５】
そして、コア層２０と表面側ビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０と裏面側ビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。なお、本実施形態では、内層配線５１が本発明の内層配線に相当している。
【００２６】
また、表面側ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３（以下では、単に表層配線６１〜６３という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。
【００２７】
同様に、裏面側ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。
【００２８】
なお、表面側ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、表面側ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、裏面側ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、裏面側ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６３、表層配線７１、７２は、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
【００２９】
内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。
【００３０】
また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１とは、表面側ビルドアップ層３０および裏面側ビルドアップ層４０を適宜厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、表面側ビルドアップ層３０および裏面側ビルドアップ層４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。
【００３１】
なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。
【００３２】
そして、表面側ビルドアップ層３０および裏面側ビルドアップ層４０の各表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。
【００３３】
電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。
【００３４】
なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。また、本実施形態では、はんだ１３０が本発明の導電性接続材に相当しているが、導電性接続材として導電性接着剤等を用いてもよい。
【００３５】
モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
【００３６】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス７３等を介してヒートシンク等の放熱部材７４が備えられている。
【００３７】
以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点である表面側ビルドアップ層３０および裏面側ビルドアップ層４０の構成について説明する。
【００３８】
図２に示されるように、コア層２０、表面側ビルドアップ層３０、裏面側ビルドアップ層４０は、それぞれガラスクロス１６０がエポキシ樹脂等の樹脂１７０によって封止されたプリプレグで構成されている。そして、表面側ビルドアップ層３０には、裏面側ビルドアップ層４０より多い枚数のガラスクロス１６０が配置されている。具体的には、本実施形態では、表面側ビルドアップ層３０には、裏面側ビルドアップ層４０、コア層２０、表面側ビルドアップ層３０の積層方向（以下では、単に積層方向という）に２枚のガラスクロス１６０が配置されている。これに対し、裏面側ビルドアップ層４０には、１枚のガラスクロス１６０のみが配置されている。
【００３９】
なお、コア層２０には、積層方向に３枚のガラスクロス１６０が配置されている。また、特に限定されるものではないが、コア層２０、表面側ビルドアップ層３０、裏面側ビルドアップ層４０には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の線膨張係数を制御するフィラーが混入されていてもよい。
【００４０】
本実施形態のガラスクロス１６０は、図３に示されるように、複数の第１、第２ヤーン１６１、１６２が格子状に編み込まれたものが用いられている。具体的には、所定の面方向における一方向を第１方向（図３中紙面左右方向）、第１方向と垂直方向を第２方向（図３中紙面上下方向）とすると、第１方向に延びる複数の第１ヤーン１６１と、第２方向に延びる複数の第２ヤーン１６２とが格子状に編み込まれている。本実施形態では、複数の第１ヤーン１６１は、それぞれ第１方向に延びる複数本の第１ガラス繊維１６１ａ（フィラメント）が１纏めとされて構成され、隣接する第１ヤーン１６１同士の間隔が第１ヤーン１６１内における第１ガラス繊維１６１ａ同士の間隔よりも長くされている。同様に、複数の第２ヤーン１６２は、それぞれ第２方向に延びる複数本の第２ガラス繊維１６２ａ（フィラメント）が１纏めとされて構成され、隣接する第２ヤーン１６２同士の間隔が第２ヤーン１６２内における第２ガラス繊維１６２ａ同士の間隔よりも長くされている。
【００４１】
また、表面側ビルドアップ層３０は、裏面側ビルドアップ層４０より厚くされている。具体的には、上記のように、表面側ビルドアップ層３０には、裏面側ビルドアップ層４０より多い枚数のガラスクロス１６０が配置されており、ガラスクロス１６０は、樹脂１７０よりも熱伝導率が小さい。このため、表面側ビルドアップ層３０は、全体の線膨張係数が裏面側ビルドアップ層４０の全体の線膨張係数に近づくように、厚くされている。つまり、表面側ビルドアップ層３０は、裏面側ビルドアップ層４０より樹脂１７０の量が多くされている。以上が本実施形態における電子装置の構成である。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、表面側ビルドアップ層３０には、ガラスクロス１６０が配置されている。このため、表面側ビルドアップ層３０に、図８に示されるようなクラックＪ６が発生した場合、クラックＪ６がガラスクロス１６０に沿って伸展するため、当該クラックＪ６が内層配線５１に達することを抑制できる。
【００４３】
また、表面側ビルドアップ層３０には、裏面側ビルドアップ層４０より多い枚数のガラスクロス１６０が配置されている。このため、表面側ビルドアップ層３０に裏面側ビルドアップ層４０のガラスクロス１６０と同じ枚数のガラスクロス１６０が配置されている場合と比較して、各ガラスクロス１６０によってクラックＪ６の伸展を抑制できる。さらに、裏面側ビルドアップ層４０に表面側ビルドアップ層３０と同じ枚数のガラスクロス１６０が配置されている場合と比較して、裏面側ビルドアップ層４０の全体の伝熱性が小さくなることを抑制できる。つまり、上記電子装置では、クラックＪ６が内層配線５１に達することを抑制しつつ、多層基板１０の他面１０ｂからの放熱性が低下することを抑制できる。
【００４４】
そして、表面側ビルドアップ層３０は、裏面側ビルドアップ層４０より厚くされている。このため、表面側ビルドアップ層３０の全体の線膨張係数が裏面側ビルドアップ層４０の全体の線膨張係数に近くなり、多層基板１０が反ることを抑制できる。
【００４５】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してガラスクロス１６０を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４６】
図４Ａおよび図４Ｂに示されるように、本実施形態では、第１ヤーン１６１は、隣接する第１ヤーン１６１同士の間隔が第１ヤーン１６１内における第１ガラス繊維１６１ａ同士の間隔と等しくされている。つまり、第１ガラス繊維１６１ａは、第１ガラス繊維１６１ａ同士の間隔が全て等しくされている。そして、このような第１ヤーン１６１に対して、第２ヤーン１６２が編み込まれることにより、ガラスクロス１６０が構成されている。
【００４７】
また、表面側ビルドアップ層３０では、図４Ａ、図４Ｂおよび図５に示されるように、コア層２０側のガラスクロス１６０における第１ヤーン１６１（第２ヤーン１６２）が延びる方向と、コア層２０と反対側のガラスクロス１６０における第１ヤーン１６１（第２ヤーン１６２）が延びる方向とが垂直とされている。つまり、コア層２０側のガラスクロス１６０と、コア層２０と反対側のガラスクロス１６０とが９０°回転した状態で配置されている。
【００４８】
なお、本実施形態のガラスクロス１６０では、第１、第２ガラス繊維１６１ａ、１６２ａは第１、第２方向と垂直となる方向に２層ずつ配置されている。
【００４９】
これによれば、積層方向において、第１方向に延びる第１ガラス繊維１６１ａと第２方向に延びる第２ガラス繊維１６２ａとが垂直となる。このため、表面側ビルドアップ層３０に図８に示されるようなクラックＪ６が発生した際、クラックＪ６が第１方向と平行な方向に延びる面状のクラックＪ６の場合には、当該クラックＪ６と第２ガラス繊維１６２ａが垂直となる。同様に、クラックＪ６が第２方向と平行な方向に延びる面上のクラックＪ６の場合には、当該クラックＪ６と第１ガラス繊維１６１ａとが垂直となる。したがって、クラックＪ６は当該クラックＪ６と垂直となる第１ガラス繊維１６１ａまたは第２ガラス繊維１６２ａによって伸展が抑制されるため、さらにクラックＪ６が内層配線５１に達することを抑制できる。
【００５０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して表面側ビルドアップ層３０および裏面側ビルドアップ層４０の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５１】
図６に示されるように、本実施形態では、表面側ビルドアップ層３０は、ガラスクロス１６０が樹脂１７０で封止された第１、第２ビルドアップ層３１、３２がコア層２０側から順に積層された構成とされている。そして、第１、第２ビルドアップ層３１、３２との間には、パターニングされた表面側内層配線５３（以下では、単に内層配線５３という）が形成されている。この内層配線５３は、ランド６１とフィルドビア９１を介して電気的および熱的に接続されていると共に、図６とは別断面において、内層配線５１とフィルドビアを介して適宜電気的および熱的に接続されている。
【００５２】
なお、本実施形態では、内層配線５３が本発明の内層配線に相当している。また、図６は、図１中の領域Ａの拡大図に相当している。
【００５３】
同様に、裏面側ビルドアップ層４０は、ガラスクロス１６０が樹脂１７０で封止された第３、第４ビルドアップ層４１、４２がコア層２０側から順に積層された構成とされている。そして、第３、第４ビルドアップ層４１、４２との間に、パターニングされた裏面側内層配線５４（以下では、単に内層配線５４という）が形成されている。この内層配線５４は、図６とは別断面において、内層配線５２とフィルドビアを介して電気的および熱的に接続されていると共に、表層配線７１とフィルドビアを介して電気的および熱的に接続されている。
【００５４】
そして、第２ビルドアップ層３２には、２枚のガラスクロス１６０が厚さ方向に積層して配置され、第１、第３、第４ビルドアップ層３１、４１、４２には、それぞれ１枚のガラスクロス１６０が配置されている。つまり、ランド６１が形成される（クラックＪ６が形成される）第２ビルドアップ層３２には、他のビルドアップ層３１、４１、４２よりも枚数の多いガラスクロス１６０が配置されている。
【００５５】
以上説明したように、表面側ビルドアップ層３０および裏面側ビルドアップ層４０を複数のビルドアップ層で構成した多層基板１０に本発明を適用することもできる。そして、このような多層基板１０では、第２ビルドアップ層３２にクラックＪ６が形成されるが、第２ビルドアップ層３２には、第１、第３、第４ビルドアップ層３１、４１、４２よりも多い枚数のガラスクロス１６０が配置されているため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５７】
例えば、上記各実施形態において、図７に示されるように、裏面側ビルドアップ層４０にガラスクロス１６０が配置されていなくてもよい。この場合、表面側ビルドアップ層３０のガラスクロス１６０は、一枚でもよい。また、表面側ビルドアップ層３０に裏面側ビルドアップ層４０より多い枚数のガラスクロス１６０が配置されるのであれば、枚数は何枚でもよい。
【００５８】
上記各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、上記第２実施形態と上記第３実施形態を組み合わせ、第２ビルドアップ層３２内のガラスクロス１６０を上記第２実施形態のガラスクロス１６０で構成し、各ガラスクロス１６０を９０°回転して配置してもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１０            多層基板
２０            コア層
２０ａ          表面
２０ｂ          裏面
３０            表面側ビルドアップ層
３０ａ          一面
４０            裏面側ビルドアップ層
５１、５３      内層配線
１２１〜１２３  電子部品
１３０          はんだ
【図１】
2015032790.tif 000003
【図２】
2015032790.tif 000004
【図３】
2015032790.tif 000005
【図４Ａ】
2015032790.tif 000006
【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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