(57)【要約】      （修正有）【課題】表面に酸化被膜が形成されても、下層の錫等の酸化金属材を相手側端子接点と接触させて低抵抗で相手側端子接点と電気的に導通させる。【解決手段】母材３とめっき層５との界面１１が存在しない箇所に存在する中間金属層９の板厚が、母材３とめっき層５との界面１１に生成される両者の金属間化合物１３の層厚よりも薄いので、母材３とめっき層５との界面１１が存在する箇所よりも界面１１が存在せず中間金属層９が存在する箇所の方が、めっき層５の層厚が厚い。よって、中間金属層９が存在する箇所では、固定接点１が潰れ変形したときに、めっき層５よりも硬度が高い酸化膜７が潰れ変形に追従できず酸化膜７に亀裂７ａが入りやすくなる。よって、この亀裂７ａから固定接点１の表面（酸化膜７の表面）にめっき層５の錫（Ｓｎ）が露出して、移動接点１５と接触するオーミック点が形成され、固定端子１が移動端子１５と低抵抗で電気的に接続される。【選択図】図２
2015209566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手側端子接点と接触して電気的に接続される端子接点において、
金属製の母材と、
前記母材の表面にめっきされ、リフローによる拡散成長により前記母材との界面において該母材との金属間化合物が生成されると共に、外気との接触により金属酸化物の被膜が形成される表面に前記相手側端子接点が接触する酸化金属材と、
前記金属間化合物の層厚よりも薄い板厚の金属材で構成され、前記母材の表面のうち少なくとも前記相手側端子接点が前記金属酸化物の被膜に接触する領域に対応する表面部分において、前記母材と前記酸化金属材との間に互いに間隔をおいて複数配置され、前記母材と前記酸化金属材とを離間させる中間金属材と、
を備えることを特徴とする端子接点。
【請求項２】
前記母材は銅であり、前記酸化金属材は錫であり、前記中間金属材はニッケルであることを特徴とする請求項１記載の端子接点。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相手側の端子接点と接触して電気的に接続される端子接点に関する。
【背景技術】
【０００２】
相手側の端子接点と接触して電気的に接続される端子接点として、例えば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）の合金、ステンレス鋼等の母材の表面を、電気抵抗率が低く耐食性に優れた錫めっき層で覆って構成したものが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
この種の端子接点においては、端子接点の厚さ方向における内側よりも表面側を電流が流れる傾向が強い。しかし、錫めっきした端子接点の表面には、外気との接触により錫めっき部分よりも抵抗の高い酸化被膜が形成され易い。このため、この種の端子接点を相手側の端子接点と接触させて電気的に接続する際には、表面の酸化被膜を除去して、錫めっき層が相手側の端子接点に直接接触するオーミック点を形成する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１８９６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みなされたもので、本発明の目的は、表面に酸化被膜が形成されても、下層の錫等の酸化金属材を相手側端子接点と接触させて低抵抗で相手側端子接点と電気的に導通させることができる端子接点を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため請求項１に記載した本発明の端子接点は、
相手側端子接点と接触して電気的に接続される端子接点において、
金属製の母材と、
前記母材の表面にめっきされ、リフローによる拡散成長により前記母材との界面において該母材との金属間化合物が生成されると共に、外気との接触により金属酸化物の被膜が形成される表面に前記相手側端子接点が接触する酸化金属材と、
前記金属間化合物の層厚よりも薄い板厚の金属材で構成され、前記母材の表面のうち少なくとも前記相手側端子接点が前記金属酸化物の被膜に接触する領域に対応する表面部分において、前記母材と前記酸化金属材との間に互いに間隔をおいて複数配置され、前記母材と前記酸化金属材とを離間させる中間金属材と、
を備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項１に記載した本発明の端子接点によれば、母材と酸化金属材との間に中間金属材が存在する箇所では、母材と酸化金属材が直接接触せず両者の界面が存在しない。このため、例えばウィスカ発生を防止するために母材に酸化金属材をめっきした後にリフローを行っても、中間金属材が存在する箇所では、拡散成長による母材と酸化金属材との金属間化合物が生成されない。
【０００８】
そして、中間金属材が母材と酸化金属材との間に存在する箇所では、中間金属材の板厚が金属間化合物の層厚よりも薄いことから、母材と酸化金属材とが直接接触する界面が存在しその界面に金属間化合物が生成される箇所よりも、酸化金属材の層厚が厚くなる。したがって、端子接点に接触した相手側端子接点から端子接点に荷重が加わった場合に、母材と酸化金属材との界面に金属間化合物が生成された箇所よりも、中間金属材が母材と酸化金属材との間に存在する箇所の方が、端子接点が容易に潰れ変形する。
【０００９】
これにより、中間金属材が母材と酸化金属材との間に存在する箇所では、酸化金属材よりも硬度が高く端子接点の潰れ変形に追従できない金属酸化物の被膜に亀裂が入りやすくなる。よって、この亀裂から端子接点の表面に下層の酸化金属材が露出して、相手側端子接点と接触するオーミック点が形成される。
【００１０】
このため、表面に金属酸化物の被膜が形成されても、下層の酸化金属材を相手側端子接点と接触させて低抵抗で相手側端子接点と電気的に導通させることができる。
【００１１】
なお、請求項１に記載した本発明の端子接点において、前記母材を銅とし、前記酸化金属材を錫とし、前記中間金属材をニッケルとすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、表面に酸化被膜が形成されても、下層の錫等の酸化金属材を相手側端子接点と接触させて低抵抗で相手側端子接点と電気的に導通させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る固定接点の表面側部分を示す説明図である。
【図２】図１に示す移動接点からの荷重が加わった場合の固定接点の状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態では、雌コネクタに収容された移動接点と接触する雄コネクタの固定接点に本発明を適用した場合を例に取って説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る固定接点を示す説明図である。図１に示す本実施形態の固定接点１（請求項中の端子接点に相当）は、母材３の表面３ａをめっき層５（請求項中の酸化金属材に相当）で覆って構成されており、不図示の雄コネクタハウジングに収容されている。めっき層５の表面５ａには、外気との接触により酸化膜７（金属酸化物の被膜に相当）が形成される。この酸化膜７には、不図示の雌コネクタに収容された移動接点１５（請求項中の相手側端子接点に相当）が接触する。
【００１６】
母材３の表面３ａのうち、少なくともめっき層５の表面５ａの酸化膜７に移動接点１５が接触する領域に対応する表面部分には、複数の中間金属層９（請求項中の中間金属材に相当）が配置されている。母材３とめっき層５とは中間金属層９によって離間されており、このため、中間金属層９が存在する箇所では、母材３とめっき層５との界面１１が存在しない。
【００１７】
なお、母材３は、例えば銅（Ｃｕ）の板材で構成されており、めっき層５は、例えば錫（Ｓｎ）を母材３の表面にめっきして形成されている。また、中間金属層９はニッケル（Ｎｉ）の薄板で構成されている。
【００１８】
めっき層５は、中間金属層９及び隣り合う中間金属層９，９間に露出した母材３の表面３ａを覆うようにめっきされており、めっき層５をめっきした後の固定接点１には、ウィスカの発生を防止するためにリフロー処理が施されている。このリフロー処理により、母材３とめっき層５とが直接接触する界面１３には、銅（Ｃｕ）の錫（Ｓｎ）への拡散成長による金属間化合物（Ｃｕ−Ｓｎ）１３が、中間金属層９の板厚よりも厚い層厚で生成されている。
【００１９】
本実施形態の端子接点１において、母材３とめっき層５との間に中間金属層９が存在する箇所では、母材３とめっき層５とが直接接触せず両者の界面１１が存在しない。このため、めっき層５にリフロー処理を施しても、中間金属層９が存在する箇所では、母材３とめっき層５との金属間化合物１３が生成されない。
【００２０】
一方、母材３とめっき層５との間に中間金属層９が存在しない箇所では、母材３とめっき層５とが直接接触して界面１１が形成されるので、母材３とめっき層５との間に両者の金属間化合物１３が生成される。
【００２１】
そして、金属間化合物１３の層厚よりも中間金属層９の板厚が薄いことから、母材３とめっき層５との界面１１が存在せず両者間に中間金属層９が存在する箇所では、母材３とめっき層５との界面１１が存在しそこに金属間化合物１３が生成される箇所よりも、めっき層５の層厚が厚くなる。
【００２２】
したがって、図２に示すように、固定接点１に接触した移動接点１５から固定接点１に荷重Ｆが加わった場合に、母材３とめっき層５との界面１１に金属間化合物１３が生成された箇所よりも、母材３とめっき層５との間に中間金属層９が存在する箇所の方が、固定接点１が容易に潰れ変形する。
【００２３】
これにより、母材３とめっき層５との間に中間金属層９が存在する箇所では、移動接点１５の接触により固定接点１が潰れ変形したときに、めっき層５よりも硬度が高い酸化膜７が潰れ変形に追従できず酸化膜７に亀裂７ａが入りやすくなる。よって、この亀裂７ａから固定接点１の表面（酸化膜７の表面）に下層のめっき層５の錫（Ｓｎ）が露出して、移動接点１５と接触するオーミック点が形成される。
【００２４】
このため、固定接点１の表面（めっき層５の表面５ａ）に酸化膜７が形成されても、下層のめっき層５の錫（Ｓｎ）を移動接点１５と接触させて低抵抗で移動接点１５と固定接点１とを電気的に導通させることができる。
【００２５】
なお、本発明は、めっき層５の硬度が母材３との金属間化合物１３や中間金属層９の硬度よりも低ければ、本実施形態で説明した材料以外の金属材を用いて固定接点１を構成する場合にも適用可能である。また、本発明は、移動接点１５側にも適用可能である。勿論、固定接点１と移動接点１５との両方に本発明を適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、相手側端子接点と接触して電気的に接続される端子接点に適用して極めて有用である。
【符号の説明】
【００２７】
１  固定接点
３  母材
３ａ  母材表面
５  めっき層（酸化金属材）
５ａ  めっき層表面（酸化金属材の表面）
７  酸化膜（金属酸化物の被膜）
７ａ  亀裂
９  中間金属層（中間金属材）
１１  母材とめっき層との界面
１３  金属間化合物
１５  移動接点
Ｆ  荷重
【図１】
2015209566.tif 000003
【図２】
2015209566.tif 000004