(57)【要約】【課題】外部からの衝撃に対する耐性が高く、割れや欠けの発生を抑制することが可能で、かつ、割れや欠けの生じた部分からの水分の浸入がなくて耐湿性にも優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】内部電極２を備えたセラミック素体１０に、内部電極２と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサにおいて、マージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くし、かつ、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を１０〜２４％とする。  最外誘電体層１ａにおいても、誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、マージン領域を除いた他の領域におけるＳｉ含有率よりも高くする。  最外誘電体層の厚みを、マージン領域の厚みより薄くする。【選択図】図３
2015029158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記第１の主面から前記第２の主面に向かう方向が前記誘電体層および前記内部電極の積層方向となり、かつ、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記セラミック素体を前記第１または第２の端面側からみた場合における、前記複数の内部電極と、前記内部電極間に介在する前記誘電体層とにより形成される積層部と、前記セラミック素体の前記第１および第２の側面との間に位置する、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率が、他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高く、かつ、
前記マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率が１０〜２４％の範囲にあること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記複数の内部電極のうち、前記積層方向において最も外側に位置する内部電極より外側に位置する最外誘電体層においても、誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、前記マージン領域を除いた他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くしたことを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記最外誘電体層の厚みを、前記内部電極の幅方向端部から、前記幅方向端部と対向する前記セラミック素体の前記第１または第２の側面までの距離である、前記マージン領域の厚みより薄くしたことを特徴とする請求項１または２記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、詳しくは、内部電極を備えたセラミック素体に、上記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、特許文献１に開示されているような積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、図５に示すように、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）１１０の一対の端面１０３（１０３ａ，１０３ｂ）に、内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）と導通するように一対の外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）が配設された構造を有している。
そして、このような積層セラミックコンデンサは、種々の分野に広く用いられている。
【０００４】
しかしながら、上述のような積層セラミックコンデンサや、その製造工程で作製されるセラミック素体は、積層セラミックコンデンサを製造する場合に用いられる設備間の移動の際や、袋詰めされた状態で取り扱われる際などにおいて、積層セラミックコンデンサどうし、あるいは、セラミック素体どうしの衝突などによる衝撃で、割れや欠けが生じやすいという問題点がある。
また、割れや欠けが発生した部分から水分が侵入して、絶縁抵抗などの特性の劣化を招くという問題点があり、積層セラミックコンデンサとしての信頼性を低下させるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１２４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、外部からの衝撃に対する耐性が高く、割れや欠けの発生を抑制することが可能で、かつ、割れや欠けの生じた部分からの水分の浸入を招くおそれがなく、耐湿性にも優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記第１の主面から前記第２の主面に向かう方向が前記誘電体層および前記内部電極の積層方向となり、かつ、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記セラミック素体を前記第１または第２の端面側からみた場合における、前記複数の内部電極と、前記内部電極間に介在する前記誘電体層とにより形成される積層部と、前記セラミック素体の前記第１および第２の側面との間に位置する、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率が、他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高く、かつ、
前記マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率が１０〜２４％の範囲にあること
を特徴としている。
【０００８】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記複数の内部電極のうち、前記積層方向において最も外側に位置する内部電極より外側に位置する最外誘電体層においても、誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、前記マージン領域を除いた他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くすることが好ましい。
【０００９】
最外誘電体層における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を高くすることにより、最外誘電体層に外部から衝撃が加わった場合の衝撃吸収能力を向上させることが可能になる。
その結果、マージン領域および最外誘電体層により、セラミック素体の側面および主面の合計４面から加わる衝撃を確実に吸収することが可能になり、さらに信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。
【００１０】
また、前記最外誘電体層の厚みを、前記内部電極の幅方向端部から、前記幅方向端部と対向する前記セラミック素体の前記第１または第２の側面までの距離である、前記マージン領域の厚みより薄くすることが好ましい。
【００１１】
最外誘電体層における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を高くすることで、最外誘電体層の厚みを厚くすることなく、必要な衝撃吸収性能を確保することができる。
したがって、最外誘電体層の厚みを、マージン領域の厚みより薄くした場合にも、必要な衝撃吸収性能を確保することができる。
また、最外誘電体層の厚みを薄くすることにより、積層セラミックコンデンサの高さ方向の寸法を小さくすることができる。
また、積層セラミックコンデンサの高さ方向の寸法を同じとした場合には、内部電極の積層数を増やすことが可能になる。
その結果、耐衝撃性などの信頼性を確保しつつ、積層セラミックコンデンサの高容量化を図ることが可能になる。
【発明の効果】
【００１２】
上述のように、本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くするとともに、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を１０〜２４％の範囲となるようにしているので、マージン領域の弾性率を低下させて、外力に対するセラミック素体の撓み量を小さくすることができる。
その結果、外部からの衝撃が加わった場合に割れや欠けが発生することを防止することが可能になり、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１３】
なお、Ｓｉ含有率が１０〜２４％であるとは、セラミック素体を第１または第２の端面側から、長さ方向の中央部まで研磨して露出させた露出面について、ＷＤＸにより分析した場合における、露出面の面積に対する、Ｓｉの検出された領域の面積の占める割合が１０〜２４％であることを意味している。
【００１４】
なお、Ｓｉ含有率が１０％を下回ると、マージン領域の弾性率の低下が望めず、セラミック素体に割れや欠けが生じやすくなる。
また、Ｓｉ含有率が２４％を上回ると、ガラスとしての特性が顕著に現れ、割れ/欠けが生じやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す側面断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの変形例を示す図である。
【図５】従来の積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）にかかる積層セラミックコンデンサ５０の構成を示す正面断面図、図２は積層セラミックコンデンサ５０の外観構成を示す斜視図である。  
【００１８】
この積層セラミックコンデンサ５０は、図１および２に示すように、誘電体セラミックからなる誘電体層１と、誘電体層１間の複数の界面に配設された複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備えたセラミック素体１０と、セラミック素体１０の外表面に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように配設された一対の外部電極５（５ａ，５ｂ）を備えている。
【００１９】
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）と、後述するセラミック素体１０の第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂとの間には、補助電極６（６ａ，６ｂ）が配設されている。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、隣り合う内部電極２（２ａ，２ｂ）と同電位の外部電極と導通している。ただし外部電極と導通していなくてもよい。
また、上記補助電極６（６ａ，６ｂ）を備えていない構成とすることも可能である。
【００２０】
セラミック素体１０を構成する誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系や、ＣａＺｒＯ3系のセラミック誘電体から形成されている。
また、内部電極２は、ＮｉもしくはＣｕなどの卑金属を主成分とする金属層である。
【００２１】
セラミック素体１０は、直方体形状を有しており、第１の主面１１ａおよび第１の主面１１ａと対向する第２の主面１１ｂと、第１の主面１１ａに直交する第１の端面２１ａおよび第１の端面２１ａと対向する第２の端面２１ｂと、第１の端面２１ａに直交する第１の側面３１ａおよび第１の側面３１ａと対向する第２の側面３１ｂとを備えている。
【００２２】
なお、第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂを結ぶ方向を高さ方向とした場合に、この高さ方向が誘電体層１および内部電極２（２ａ，２ｂ）の積層方向となる。
【００２３】
第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂには、複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が交互に引き出されており、第１の端面２１ａには内部電極２ａが引き出され、第２の端面２１ｂには内部電極２ｂが引き出されている。
【００２４】
また、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０において、外部電極５（５ａ，５ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）と、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）とを備えた構造とされている。
【００２５】
焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は，Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストをセラミック素体１０に塗布して焼き付けることにより形成される焼き付け電極（厚膜電極）である。なお、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の構成材料は、上述のＣｕやＮｉに限られるものではなく、さらに他の金属材料を用いることも可能である。
【００２６】
そして、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は、セラミック素体１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂから、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込むように形成されている。
なお、焼結金属層１２の厚みは、通常、０．５μｍ〜１０μｍの範囲にあることが望ましい。
ただし、焼結金属層１２の厚みは上述の範囲に限られるものではなく、他の厚みとすることも可能である。
【００２７】
めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の全体を覆うように形成されている。
【００２８】
また、この実施形態では、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）上に形成されたＮｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）と、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）上に形成されたＳｎめっき層３４（３４ａ，３４ｂ）を備えた２層構造のめっき層とされている。
【００２９】
また、この積層セラミックコンデンサ５０において、上述の補助電極６（６ａ，６ｂ）と、その外側のセラミック層（すなわち、第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂ側のセラミック層）との境界には、ＭｇとＭｎを含有した境界層が６９％以上に設けられている。また、補助電極６（６ａ，６ｂ）は、その連続性が６０％以上である。さらに、連続性が途切れている領域である欠損部の３９％以上にＳｉを含む偏析物が存在している。なお、境界層中におけるＭｇ含有量に対するＭｎ含有量のモル比Ｍｎ／Ｍｇは特に限定されるものではないが、Ｍｎ／Ｍｇ＝０．００５〜０．７の範囲にあることが、特に好ましい。
【００３０】
この補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在は以下のようにして確認した。まず、積層セラミックコンデンサを、長さ方向と厚み方向により規定される面が露出するような態様で、研磨機により研磨した。このとき、積層セラミックコンデンサの幅方向の１／２程度の深さまで研磨を行った後、研磨による内部電極のダレを除去した。
【００３１】
それから、上述のようにして研磨した研磨端面において、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中央部の位置において、内部電極２とほぼ直交する直線を引く（想定する）。そして、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界部分と上記直線とが直交する領域（境界層）を電子顕微鏡を用いて倍率１万倍で観察した。そして、この実施形態では、観察視野の幅を１０μｍとし、ＦＥ−ＷＤＸにて観察を行うことにより、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在を確認した。
【００３２】
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）の厚みは以下のようにして求めた。
まず、上記研磨端面を厚み方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。そして、各領域において、最外の内部電極２を除いて、上記の直線と直交する位置の内部電極２の厚みを、それぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、内部電極の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。ただし、内部電極が欠落しているなどの理由で測定できない部分は測定対象から除いた。
【００３３】
また、誘電体層１の厚みは、上記の上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域において、上記の直線と直交する位置の誘電体層１の厚みをそれぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、誘電体層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
【００３４】
そして、この実施形態の積層セラミックコンデンサ５０においては、図３に示すように、セラミック素体１０を第１または第２の端面側２１ａ，２１ｂ（図２）からみた場合における、複数の内部電極２と、内部電極２間に介在する誘電体層１とにより形成される積層部４０と、積層部４０とセラミック素体１０の第１および第２の側面３１ａ，３１ｂとの間に位置するマージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くするとともに、マージン領域におけるＳｉ含有率を１０〜２４％の範囲となるようにしている。
【００３５】
なお、ここでＳｉ含有率は、セラミック素体を第１または第２の端面側から、長さ方向の中央部まで研磨して露出させた露出面について、研磨ダレを除去し、ＷＤＸにより分析した場合における、露出面の面積に対してＳｉの検出された領域の面積の占める割合である。
【００３６】
このように、マージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、他の領域よりも高くし、かつ、マージン領域におけるＳｉ含有率を１０〜２４％とすることにより、外部からの衝撃が加わった場合に割れや欠けが発生することを防止することが可能になり、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００３７】
なお、マージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を他の領域よりも高くする方法としては、例えば、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートにＳｉ成分を含有させておくことで、焼成工程でＳｉを偏析させ、焼成後にマージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率が、他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くなるようにする方法などが挙げられる。
また、所定のセラミックグリーンシートにＳｉＯ2含有材料を別途添加するように構成することも可能である。
【００３８】
また、この積層セラミックコンデンサ５０においては、図４に示すように、マージン領域ＭのＳｉ含有率を高くするとともに、複数の内部電極２のうち、積層方向において最も外側に位置する内部電極２の外側に位置する最外誘電体層１ａにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、マージン領域Ｍを除いた他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くするように構成することも可能である。
なお、最外誘電体層１ａにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率と、マージン領域ＭのＳｉ含有率とを異ならせてもよい。
【００３９】
なお、最外誘電体層１ａにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を高くすることにより、最外誘電体層１ａに外部から衝撃が加わった場合の衝撃吸収能力を向上させることが可能になる。その結果、マージン領域Ｍおよび最外誘電体層１ａにより、セラミック素体１０の第１および第２の側面３１ａ，３１ｂ、および、第１および第２の主面１１ａ，１１ｂの合計４面から加わる衝撃をより確実に吸収することが可能になる。
【００４０】
また、最外誘電体層１ａの厚みｔ１は、マージン領域Ｍの厚みｔＭより薄くなるように構成されていることが望ましい。
【００４１】
マージン領域Ｍの厚みｔＭは、図３および４に示すように、内部電極２の幅方向端部２ｘａまたは２ｘｂから、幅方向端部２ｘａ，２ｘｂと対向するセラミック素体１０の第１または第２の側面３１ａ，３１ｂまでの距離である。
【００４２】
最外誘電体層１ａの厚みｔ１を、マージン領域Ｍの厚みｔＭより薄くした場合、積層セラミックコンデンサの高さ方向の寸法を同じにすると、内部電極の積層数を増やすことが可能になり、耐衝撃性などの信頼性を確保しつつ、積層セラミックコンデンサの高容量化を図ることができる。
【００４３】
この実施形態では、積層セラミックコンデンサ５０として、
（ａ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：１．０ｍｍ、幅（Ｗ）：０．５ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．５ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｂ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．６ｍｍ、幅（Ｗ）：０．３ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｃ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．４ｍｍ、幅（Ｗ）：０．２ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．２ｍｍの積層セラミックコンデンサと
を作製した。
【００４４】
ただし、本発明は上述のような寸法の積層セラミックコンデンサに限られるものではなく、異なる寸法の積層セラミックコンデンサにも適用することが可能である。
【００４５】
次に、この積層セラミックコンデンサ５０の製造方法について説明する。
まず、ＢａＴｉＯ3もしくはＣａＺｒＯ3を主成分とする誘電体セラミック粉末にバインダーと溶剤を配合して分散させたセラミック原料スラリーを、ＰＥＴフィルムなどの樹脂フィルム上に薄く伸ばしてシート状に成形することにより、セラミックグリーンシートを作製する。
【００４６】
それから、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方法を用いて、導電ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００４７】
それから、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシート（外層用セラミックグリーンシート）を、所定の順序で、所定枚数積み重ねる。
【００４８】
そして、得られた積層ブロックを、プレスして、各セラミックグリーンシートを圧着する。積層ブロックをプレスするにあたっては、例えば、圧着ブロックを樹脂フィルムで挟み、静水圧プレスなどの方法によりプレスを行う。
【００４９】
その後、プレスされた積層圧着体を、押切り、切削などの方法を用いて、直方体形状のチップ（個片）に分割し、バレル研磨を行う。
【００５０】
バレル研磨を行ったチップ（焼成後にセラミック素体１０（図１）となる個片）を、所定の温度に加熱してバインダーを除去した後、例えば、９００〜１０００℃で本焼成を行い、直方体形状のセラミック素体を得る。
【００５１】
なお、本発明の積層セラミックコンデンサの場合、セラミックグリーンシートとして、例えば、内部電極パターンと同時に焼成する（コファイアーする）ことが可能で、かつ、Ｓｉを含むセラミックグリーンシートを用い、コファイアーの工程で、Ｓｉをマージン領域Ｍに偏析させることにより、マージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、他の領域よりも高くなるように構成することができる。
【００５２】
また、マージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、他の領域よりも高くする他の方法としては、セラミックグリーンシートのマージン領域となる部分に、Ｓｉ含有セラミックスラリーを塗布する方法などを用いることも可能である。
【００５３】
また、最外誘電体層における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を高くする方法としても、マージン領域Ｍにおける誘電体セラミック中のＳｉ含有率を高くする場合と同様に、Ｓｉを偏析させる方法、Ｓｉ成分を別途添加する方法などを用いることができる。
【００５４】
それから、このセラミック素体の他方端面側を保持し、Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストを定盤上に塗布することにより形成した導電ペースト層に、セラミック素体の一方端面を浸漬することで、セラミック素体の一方端面に、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００５５】
次に、セラミック素体の他方端面についても、同様の方法で、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００５６】
それから、上述のようにして付与したセラミック素体の一方端部および他方端部の導電ペーストを焼き付けることにより、焼結金属層を形成する。
【００５７】
その後、焼結金属層上に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの順でめっきを行い、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成する。
これにより、図１および２に示すような構造を備えた本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０が得られる。
【００５８】
＜試験＞
本発明の効果を確認するため、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を他の領域よりも高くするとともに、表１に示すように、マージン領域におけるＳｉ含有率を異ならせた試料番号１〜５の積層セラミックコンデンサ（試料）を作製した。
【００５９】
なお、積層セラミックコンデンサとしては、外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．６ｍｍ、幅（Ｗ）：０．３ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．３ｍｍのものを作製した。
【００６０】
そして、これらの積層セラミックコンデンサをステージに固定し、５．０ｇの重りを、高さ方向に２０ｍｍ離れた位置から落下させ、割れおよび欠けの発生した試料の数を調べた。なお、試料数は１０個とした。その結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
2015029158.tif 000003
【００６２】
表１に示すように、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を１０〜２４％とした試料番号２〜４の試料の場合、それぞれ１０個の試料のいずれにおいても割れおよび欠けの発生は認められなかった。
【００６３】
一方、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を８％とした試料番号１の試料の場合、および、誘電体セラミック中のＳｉ含有率を３０％とした試料番号５の試料の場合、１０個の試料中、２個の試料において、割れおよび欠けの発生が認められた。
【００６４】
なお、試料番号２〜４の試料については、積層セラミックコンデンサを第１または第２の端面側から、長さ方向の中央部まで研磨して露出させた露出面について、ＷＤＸにより分析し、シリコン含有率が設計どおりになっていることを確認した。
【００６５】
以上の結果より、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を、他の領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率よりも高くするとともに、マージン領域における誘電体セラミック中のＳｉ含有率を１０〜２４％の範囲とすることにより、外部からの衝撃に対する耐性が高く、割れや欠けの発生を抑制することが可能で、かつ、割れや欠けの生じた部分からの水分の浸入がなく、耐湿性にも優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
【００６６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１                  誘電体層
１ａ                最外層誘電体
２（２ａ，２ｂ）    内部電極
２ｘａ，２ｘｂ      内部電極の幅方向端部
５（５ａ，５ｂ）    外部電極
６（６ａ、６ｂ）    補助電極
１０                セラミック素体
１１ａ              セラミック素体の第１の主面
１１ｂ              セラミック素体の第２の主面
１２（１２ａ，１２ｂ）    焼結金属層
２０                内部電極の厚み増大部
２１ａ              セラミック素体の第１の端面
２１ｂ              セラミック素体の第２の端面
３１ａ              セラミック素体の第１の側面
３１ｂ              セラミック素体の第２の側面
３２（３２ａ，３２ｂ）    めっき層
３３（３３ａ，３３ｂ）    Ｎｉめっき層
３４（３４ａ，３４ｂ）    Ｓｎめっき層
５０                積層セラミックコンデンサ
Ｌ                  積層セラミックコンデンサの長さ
Ｔ                  積層セラミックコンデンサの高さ
Ｗ                  積層セラミックコンデンサの幅
Ｍ                  マージン領域
ｔ１                最外誘電体層
ｔＭ                マージン領域の厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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