(57)【要約】【課題】有機平坦化膜に開口部が形成され凹凸を有する場合であっても、コントラストの低下を抑制可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板と、ＣＦ基板と、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に狭持された液晶とを備え、横方向電界で液晶を駆動する液晶表示装置において、ＴＦＴ基板は、ＴＦＴのソース電極１２１と画素電極１２０とのコンタクト用のスルーホールが形成された有機平坦化膜１０７を有し、スルーホールの断面形状が、画素電極１２０が延在する側とその他の側とで非対称である。【選択図】図７Ｃ
2015090433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ及び配向膜を備えた第１基板と、スペーサを備えた第２基板と、前記スペーサによりギャップが規定された前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを備え、横方向電界で前記液晶を駆動する液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記ＴＦＴのソース電極と、前記横方向電界を形成する画素電極とのコンタクト用のスルーホールが形成された有機平坦化膜を有し、
前記スルーホールの断面形状が、前記画素電極が延在する側とその他の側とで前記スルーホールの中心軸に対して非対称であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記画素電極が延在する方向と、前記ＴＦＴのドレイン配線が延在する方向とは互いに平行であり、
前記画素電極が延在する方向と、前記ＴＦＴのゲート配線が延在する方向とは互いに直交することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記スペーサは、前記ＴＦＴのゲート配線が延在する方向であって、前記有機平坦化膜を介して前記ＴＦＴのドレイン配線上に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は前記スルーホール近傍で屈曲形状を有する櫛歯状であり、
前記非対称の範囲は、平面的に見て前記画素電極の櫛歯端の屈曲形状までであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記配向膜は、ラビングにより配向処理されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
ＴＦＴ及び配向膜を備えた第１基板と、スペーサを備えた第２基板と、前記スペーサによりギャップが規定された前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記第１の基板は、スルーホールが形成された有機平坦化膜を有し、
前記スルーホールは側壁上部において、前記スルーホールのテーパ部での非ラビング領域を縮小するために前記画素電極が延在する側の方がその他の側に比べてテーパ角度が小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記有機平坦化膜はフォトレジスト膜で形成されたものであり、
前記スルーホールは、前記フォトレジスト膜をハーフトーンマスクを用いて露光することにより形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記液晶は、横電界で駆動されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８記載の液晶表示装置において、
前記スルーホールは、前記ＴＦＴのソース電極と前記横電界を形成する画素電極とのコンタクト用のスルーホールであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９記載の液晶表示装置において、
前記スペーサは、前記ＴＦＴのゲート配線が延在する方向であって、前記有機平坦化膜を介して前記ＴＦＴのドレイン配線上に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記配向膜は、ラビングにより配向処理されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、ＴＶ等の大型表示装置から携帯電話やＤＳＣ（Digital Still Camera）等の小型表示装置まで色々な分野で用途が広がっている。液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板（ＣＦ基板）が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。
【０００３】
通常、液晶表示装置の表示はこれら基板に挟まれた液晶層の液晶分子に電界を印加することにより液晶分子の配向方向を変化させ、それにより生じた液晶層の光学特性の変化により行われる。電界無印加時の液晶分子の配向方向は、例えば、表面にラビング処理を施した配向膜により規定されている。ラビングについては、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２５９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液晶表示装置においては広視野角や高コントラストの要求が高い。そこで、広視野角が得られる横方向電界方式の液晶表示装置を用いてコントラストの状況を検討した。図１Ａに検討した液晶表示装置の画素領域の平面図（一部透視図）を、図７Ａに図１ＡのＡ−Ａ’ラインにおける概略断面図を、図７Ｂに図１ＡのＢ−Ｂ’ラインにおける概略断面図を示す。ゲート配線１１５が走査信号線となっており、ドレイン配線１１０が映像信号線である（図１Ａ）。画素電極１２０は透明電極であるＩＴＯによって形成され、先端が閉じた櫛歯状の電極であり（図１Ａ）、有機平坦化膜１０７に設けられた開口部を介してソース電極１２１に接続されている（図７Ａ）。ソース電極１２１は半導体層１２５のソース領域に接続されている（図７Ｂ）。また、画素電極１２０との間で液晶層内に横電界を形成するコモン電極１３０が有機平坦化膜１０７の上に形成されている（図７Ａ）。なお、ソース、ドレイン等の呼称は便宜的なものであり、一方をソースとした場合、他方をドレインと呼ぶことができる。
【０００６】
ＴＦＴ基板１００の構成について説明する。ガラス基板１０１の上には第１下地膜１０２がＳｉＮによって形成され、その上には、第２下地膜１０３がＳｉＯ２によって形成されている。
【０００７】
第２下地膜１０３の上には、半導体層１２５が形成されている（図７Ｂ）。ここでは、半導体層１２５はｐｏｌｙ−Ｓｉで形成されている。ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は、最初にａ−Ｓｉ膜をＣＶＤ等によって被着し、このａ−Ｓｉ膜にレーザを照射してアニールすることによって形成する。半導体層１２５の上には第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０４が形成される。ゲート絶縁膜１０４の上には走査信号線であるゲート配線１１５が形成される（図７Ｂ）。
【０００８】
ゲート配線１１５が形成された後、半導体層１２５にリンあるいはボロン等をイオンインプランテーションによってドープし、ゲート配線１１５で覆われている部分以外の半導体層１２５に導電性を付与して導体とする。その後、ゲート配線１１５を覆って第２絶縁膜（第１層間絶縁膜）１０５を形成する。半導体層１２５のソース領域及びドレイン領域（図示せず）が露出するように第１絶縁膜１０４と第２絶縁膜の積層膜に開口部を形成後、第２絶縁膜（第１層間絶縁膜）１０５の上に、映像信号線であるドレイン配線１１０、ソース電極１２１等を形成する（図７Ａ）。映像信号線であるドレイン配線１１０、ソース電極１２１は同層で同時に形成される。
【０００９】
映像信号線１１０及びソース電極１２１を覆って、ＳｉＮによる第３絶縁膜（無機パッシベーション膜）１０６が形成される（図７Ａ）。無機パッシベーション膜１０６を覆って、有機膜による平坦化膜１０７が形成される。有機平坦化膜１０７は、膜上部を平坦とする必要があるので、１μｍから３μｍというように、厚く形成される。
【００１０】
また、有機平坦化膜１０７は、ＴＦＴを保護するパッシベーション膜としての役割も有している。有機平坦化膜１０７は感光性の膜（フォトレジスト膜）によって形成されており、更なるフォトレジスト膜の形成を行うことなく、エッチング、現像を行うことでスルーホールを形成することが出来る。
【００１１】
有機平坦化膜１０７の上には、スルーホール部分が露出するような開口を有するコモン電極１３０、更にスルーホール部分が露出するような開口を有する第４絶縁膜（第２層間絶縁膜）１０８が形成されている。その後、ソース電極１２１が露出するような開口部を第３絶縁膜に形成し、画素電極１２０、更に配向膜１０９を形成する。引き続き、ラビングによる配向プロセスにより配向膜１０９の配向方向を規定する。
【００１２】
上述のＴＦＴ基板に対向してフォトスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を積層し（図７Ａ）、これら基板間に液晶を封止し、偏光板や、必要に応じてバックライトやタッチパネル、保護ケース等を取り付けることにより、液晶表示装置を作製した。この液晶表示装置においてコントラストを評価した結果、特に画素電極とソース電極とのコンタクト用スルーホールの近傍においてコントラストが低下していることが分かった。
【００１３】
本発明の目的は、有機平坦化膜に開口部が形成され凹凸を有する場合であっても、コントラストの低下を抑制可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するための一実施形態として、ＴＦＴ及び配向膜を備えた第１基板と、スペーサを備えた第２基板と、前記スペーサによりギャップが規定された前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを備え、横方向電界で前記液晶を駆動する液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記ＴＦＴのソース電極と、前記横方向電界を形成する画素電極とのコンタクト用のスルーホールが形成された有機平坦化膜を有し、
前記スルーホールの断面形状が、前記画素電極が延在する側とその他の側とで前記スルーホールの中心軸に対して非対称であることを特徴とする液晶表示装置とする。
【００１５】
また、ＴＦＴ及び配向膜を備えた第１基板と、スペーサを備えた第２基板と、前記スペーサによりギャップが規定された前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記第１の基板は、スルーホールが形成された有機平坦化膜を有し、
前記スルーホールは側壁上部において、前記スルーホールのテーパ部での非ラビング領域を縮小するために前記画素電極が延在する側の方がその他の側に比べてテーパ角度が小さいことを特徴とする液晶表示装置とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、有機平坦化膜に開口部が形成され凹凸を有する場合であっても、コントラストの低下を抑制可能な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】発明者等が検討した液晶表示装置の画素部の概略平面図（一部透視図）である。
【図１Ｂ】図１Ａに示すＡ−Ａ’ラインでの有機平坦化膜の断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａに示すＢ−Ｂ’ラインでの有機平坦化膜の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の画素部の一例を示す概略平面図（一部透視図）である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すＡ−Ａ’ラインでの有機平坦化膜の断面図である。
【図２Ｃ】図２Ａに示すＢ−Ｂ’ラインでの有機平坦化膜の断面図である。
【図３】図２Ａに示すＢ−Ｂ’ラインでの有機平坦化膜の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置における有機平坦化膜を説明するための図であり、図２Ａに示すＢ−Ｂ’ラインでの断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置における有機平坦化膜を説明するための図であり、図２Ａに示すＢ−Ｂ’ラインでの断面図である。
【図６】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置における有機平坦化膜を説明するための図であり、図２Ａに示すＢ−Ｂ’ラインでの断面図である。
【図７Ａ】図１Ａ又は図２Ａに示すＡ−Ａ’ラインでの概略断面図である。
【図７Ｂ】図１Ａに示すＢ’−Ｂラインでの概略断面図である。
【図７Ｃ】図２Ａに示すＢ’−Ｂラインでの概略断面図である。
【図８Ａ】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における有機平坦化膜のコンタクト用スルーホール加工工程（有機平坦化膜塗布工程）を説明するための概略断面図である。
【図８Ｂ】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における有機平坦化膜のコンタクト用スルーホール加工工程（露光工程）を説明するための概略断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置におけるコンタクト用スルーホール有機平坦化膜の加工工程（現像工程）を説明するための概略断面図である。
【図９】ラビングによる配向プロセスを説明するための概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
作製した液晶表示装置において、画素電極とソース電極とのコンタクト用スルーホールの近傍においてコントラストが低下していることから、発明者等はコンタクト用スルーホール、特に膜厚の大半を占める有機平坦化膜に着目した。図１Ｂに図１ＡのＡ−Ａ’ラインでの有機平坦化膜の断面図、図１ＣにＢ−Ｂ’ラインでの有機平坦化膜の断面図を示す。この断面形状から、有機平坦化膜１０７はコンタクト用スルーホールのテーパ上端部からその内部に渡って非ラビング領域２５１となり光漏れが生じるためコントラスト低下が生じていることが推定された。符号２５０はラビング領域を示す。そこで液晶表示装置を黒表示としたところ、画素電極側のスルーホール周辺部が白く光る（黒輝度が高い）現象が認められた。即ち、この領域における配向膜は、ラビングによる配向プロセスで配向されていないことがわかった。この白く光る領域を遮光すると画素の開口率低下につながり好ましくないため、発明者等は他の手段で光漏れを低減することを検討した。ラビングによる配向プロセスは、図９に示すように、配向膜１０９が形成されたＴＦＴ基板１００を矢印方向４１０へ移動しながら、ラビング布が巻かれたローラー４００を矢印方向４０２に回転させて行われる。配向は、具体的には図９の拡大図に示すようにラビング布の毛４０１で配向膜を擦ることにより行われるため、スルーホールテーパ部の傾斜角αが大きいほどテーパ部では擦れ難くなるように思われた。そこで、テーパ形状、特にテーパ上端部におけるテーパ形状を制御したところ、スルーホールのテーパ上端部での傾斜角度を小さくすることにより非ラビング領域の縮小を図れることが確認された。しかしならが、スルーホールのテーパ上端部での傾斜角度を小さくすると、スルーホール全周囲が同一のテーパ角（全方向に対し、中心軸に対して線対称）となる。その場合、図７Ａに示したフォトスペーサ２１０を受け止めるＴＦＴ基板側のゲート配線方向における平坦性が損なわれるため好ましくない。特に、微細化が進むほど有機平坦化膜の幅が小さくなるため問題となる。そこで、本発明では、所望の方向のみ（例えば、画素側（図３の左側）のみ）テーパ形状を制御する。
【００１９】
以下、本発明について実施例により詳細に説明する。なお、同一符号は同一構成要素を示す。
【実施例１】
【００２０】
本発明の第１の実施例について図２Ａ〜図２Ｃ、図４〜図６、図７Ａ、７Ｃ、図８Ａ〜図８Ｃを用いて説明する。
【００２１】
図２Ａは本実施例に係る液晶表示装置の画素部の概略平面図（一部透視図）、図２Ｂは図２ＡのＡ−Ａ’ラインでの有機平坦化膜の概略断面図、図２Ｃは図２ＡのＢ−Ｂ’ラインでの有機平坦化膜の概略断面図を示す。フォトスペーサが配置されるＡ−Ａ’ライン方向ではスルーホールのテーパ角はテーパ上端部まで維持されている。一方、画素が配置されるＢ−Ｂ’ラインのＢ側ではスルーホールのテーパ角がテーパ上端部で小さくなるように形成されている。これにより、ラビングによる配向プロセスにおいてより広範囲のテーパ領域Ｌが配向されるため（図２Ａ、図２Ｃ）非ラビング領域２５１を低減することができる。
【００２２】
次に、スルーホールのテーパ角を方向により非対称とする方法について図８Ａ〜図８Ｃを用いて説明する。まず、ＴＦＴ等が形成された下地１５０上に約３μｍの感光性の有機平坦化膜（フォトレジスト膜）を形成する（図８Ａ）。次いで、傾斜角を小さくしたい方向のテーパ部に対応する領域の露光光の透過率を変化させたフォトマスク（ハーフトーンマスク）３１０を用いて露光光３２０により感光性の有機平坦化膜を露光する（図８Ｂ）。引き続き、現像・洗浄等の処理を行うことによりスルーホールが形成される（図８Ｃ）。テーパ制御部１６０とハーフトーンマスクとの位置関係は図８Ｃに示す通りである。テーパ形状を制御する範囲はスルーホールから画素電極１２０の屈曲部分（図２Ａ参照）を基準とし、表示に影響が無い領域に限定する。本実施例ではポジ型のフォトレジストを用いたが、これに限定されない。なお、傾斜角を小さくしたい方向のテーパ部に対応する領域において露光光の透過率を変化させることにより、有機平坦化膜の所望の領域における感光量を変えることができるため、図３に示した形状だけでなく、図４〜図６に示したような形状にすることもできるが、図３に示した構造が製造し易い。テーパ形状の深さについては、配向プロセスの条件によって異なるが、当該条件に合わせて任意に調整することができる。
【００２３】
次に図７Ａ、図７Ｃを用いて本実施例に係る液晶表示装置のコンタクト用スルーホール部の構成について説明する。図７Ａは図２ＡのＡ−Ａ’ラインでの概略断面図、図７Ｃは図２Ａに示すＢ’−Ｂラインでの概略断面図である。
【００２４】
ガラス基板１０１の上には第１下地膜１０２がＳｉＮによって形成され、その上には、第２下地膜１０３がＳｉＯ２によって形成されている。第１下地膜１０２、第２下地膜１０３ともに、ＴＦＴの半導体層１２５をガラスから析出する不純物から保護するために形成されている。
【００２５】
第２下地膜１０３の上には、半導体層１２５が形成されている（図７Ｃ）。本実施例では半導体層１２５はｐｏｌｙ−Ｓｉで形成されている。ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は、最初にａ−Ｓｉ膜をＣＶＤ等によって被着し、このａ−Ｓｉ膜にレーザを照射してアニールすることによって形成する。半導体層１２５の上には第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０４が形成される。ゲート絶縁膜１０４の上には走査信号線であるゲート配線１１５が形成される（図７Ｃ）。
【００２６】
ゲート配線１１５が形成された後、半導体層１２５にリンあるいはボロン等をイオンインプランテーションによってドープし、ゲート配線１１５で覆われている部分以外の半導体層１２５に導電性を付与して導体とする。その後、ゲート配線１１５を覆って第２絶縁膜（第１層間絶縁膜）１０５を形成する。半導体層１２５のソース領域及びドレイン領域（図示せず）が露出するように第１絶縁膜１０４と第２絶縁膜の積層膜に開口部を形成後、第２絶縁膜（第１層間絶縁膜）１０５の上に、映像信号線であるドレイン配線１１０、ソース電極１２１等を形成する（図７Ａ）。映像信号線であるドレイン配線１１０、ソース電極１２１は同層で同時に形成される。
【００２７】
映像信号線１１０及びソース電極１２１を覆って、ＳｉＮによる第３絶縁膜（無機パッシベーション膜）１０６が形成される（図７Ａ）。無機パッシベーション膜１０６の役割は、ＴＦＴを保護することである。無機パッシベーション膜１０６を覆って、有機膜による平坦化膜１０７が形成される。有機平坦化膜１０７は、コモン電極１３０あるいは画素電極１２０の平坦性を保つために形成される。有機平坦化膜１０７は、膜上部を平坦とする必要があるので、１μｍから３μｍというように、厚く形成される。
【００２８】
また、有機平坦化膜１０７は、ＴＦＴを保護するパッシベーション膜としての役割も有している。有機平坦化膜１０７はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の感光性の膜によって形成され、別途レジスト層の形成を行うことなく、スルーホールを形成することが出来る。スルーホールは、図８Ａ〜図８Ｃを用いて説明したように形成されており、画素電極方向でスルーホールのテーパ上端部の角度が他の方向に比べて小さくなる非対称形状を有する。
【００２９】
有機平坦化膜１０７の上には、前記スルーホールが露出するような開口を有するコモン電極１３０、更に前記スルーホールが露出するような開口を有する第４絶縁膜（第２層間絶縁膜）１０８が形成されている。第２層間絶縁膜１０８は、コモン電極１３０と画素電極１２０の絶縁を保つために形成される。その後、ソース電極１２１が露出するような開口部を第３絶縁膜に形成し、櫛歯状の画素電極１２０、更に配向膜１０９を形成する。引き続き、ラビングによる配向プロセスにより配向膜１０９の配向方向を規定する。有機平坦化膜のスルーホールは、画素電極が延在する側においてスルーホールのテーパ上端部の角度をその他の側に比べて小さくしたため、領域Ｌ（図７Ｃ）だけ非ラビング領域を低減することができた。また、図２ＡのＡ−Ａ’ライン方向（走査信号線であるゲート配線に沿う方向）ではスルーホールのテーパ角度が大きいため、有機平坦化膜の上面を広い範囲で平らにでき、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とのギャップを保持するフォトスペーサをＴＦＴ基板上の平坦な領域に配置することができた。
【００３０】
上述のＴＦＴ基板に対向してフォトスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を積層し（図７Ａ）、これら基板間に液晶を封止し、偏光板や、バックライト、タッチパネル、保護ケース等を取り付けることにより、液晶表示装置を作製した。この液晶表示装置においてコントラストを評価した結果、画素電極とソース電極とのコンタクト用スルーホールの近傍において光漏れが低減し、黒輝度が低減し、コントラストの低下を抑制することができた。また、横方向電界方式とすることで広視野角が得られた。
【００３１】
以上、本実施例によれば、有機平坦化膜に開口部が形成され凹凸を有する場合であっても、画素電極方向において開口部のテーパ上端部の角度を他の方向に比べて小さくすることにより、コントラストの低下を抑制可能な液晶表示装置を提供することができる。また、ゲート配線方向において開口部のテーパ上端部の角度を画素電極方向に比べて大きくすることにより、フォトスペーサをＴＦＴ基板の平坦な領域に配置することができる。
【実施例２】
【００３２】
本発明の第２の実施例について、図４を用いて説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。本実施例では、有機平坦化膜として図４に示す構造を用いた。
【００３３】
有機平坦化膜の構造以外は実施例１と同様の構成とした結果、有機平坦化膜のスルーホールは、画素電極が延在する方向においてスルーホールのテーパ上端部の角度をその他の方向に比べて小さくしたため、非ラビング領域を低減することができた。また、走査信号線であるゲート配線に沿う方向ではスルーホールのテーパ角度が大きいため、有機平坦化膜の上面を広い範囲で平らにでき、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とのギャップを保持するフォトスペーサをＴＦＴ基板上の平坦な領域に配置することができた。また、画素電極方向において、スルーホールのテーパ部を高角度傾斜と低角度傾斜の２段階構成とすることにより傾斜角度が連続して変化する構成を有する実施例１に比べ、ラビング領域２５０と非ラビング領域２５１との境界の変動を小さくすることができた。
【００３４】
上述のＴＦＴ基板に対向してフォトスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を積層し（図７Ａ）、これら基板間に液晶を封止し、偏光板や、バックライト、タッチパネル、保護ケース等を取り付けることにより、液晶表示装置を作製し、コントラストを評価した結果、画素電極とソース電極とのコンタクト用スルーホールの近傍において光漏れが低減し、黒輝度が低減し、コントラストの低下を抑制することができた。また、横方向電界方式とすることで広視野角が得られた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。また、実施例１に比べ非ラビング領域の変動を低減することができる。
【実施例３】
【００３５】
本発明の第３の実施例について、図５を用いて説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。本実施例では、有機平坦化膜として図５に示す構造を用いた。
【００３６】
有機平坦化膜の構造以外は実施例１と同様に製造した結果、有機平坦化膜のスルーホールは、画素電極の延在する方向においてスルーホールのテーパ上端部の角度をその他の方向に比べて小さくしたため、非ラビング領域を低減することができた。また、走査信号線であるゲート配線に沿う方向ではスルーホールのテーパ角度が大きいため、有機平坦化膜の上面を広い範囲で平らにでき、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とのギャップを保持するフォトスペーサをＴＦＴ基板上の平坦な領域に配置することができた。また、画素電極が延在する方向において、スルーホールのテーパ部を高角度傾斜と低角度傾斜の略２段階構成とすることにより傾斜角度が連続して変化する構成を有する実施例１に比べ、ラビング領域２５０と非ラビング領域２５１との境界の変動を小さくすることができた。
【００３７】
上述のＴＦＴ基板に対向してフォトスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を積層し（図７Ａ）、これら基板間に液晶を封止し、偏光板や、バックライト、タッチパネル、保護ケース等を取り付けることにより、液晶表示装置を作製し、コントラストを評価した結果、画素電極とソース電極とのコンタクト用スルーホールの近傍において光漏れが低減し、黒輝度が低減し、コントラストの低下を抑制することができた。また、横方向電界方式とすることで広視野角が得られた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。また、実施例１に比べ非ラビング領域の変動を低減することができる。
【実施例４】
【００３８】
本発明の第４の実施例について、図６を用いて説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。本実施例では、有機平坦化膜として図６に示す構造とした。
【００３９】
有機平坦化膜の構造以外は実施例１と同様に製造した結果、有機平坦化膜のスルーホールは、画素電極が延在する方向においてスルーホールのテーパ上端部の角度をその他の方向に比べて小さくしたため、非ラビング領域を低減することができた。また、走査信号線であるゲート配線に沿う方向ではスルーホールのテーパ角度が大きいため、有機平坦化膜の上面を広い範囲で平らにでき、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とのギャップを保持するフォトスペーサをＴＦＴ基板上の平坦な領域に配置することができた。また、画素電極が延在する方向において、スルーホールのテーパ部を高角度傾斜と低角度傾斜の略２段階構成とすることにより傾斜角度が連続して変化する構成を有する実施例１に比べ、ラビング領域２５０と非ラビング領域２５１との境界の変動を小さくすることができた。
【００４０】
上述のＴＦＴ基板に対向してフォトスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を積層し（図７Ａ）、これら基板間に液晶を封止し、偏光板や、バックライト、タッチパネル、保護ケース等を取り付けることにより、液晶表示装置を作製し、コントラストを評価した結果、画素電極とソース電極とのコンタクト用スルーホールの近傍において光漏れが低減し、黒輝度が低減し、コントラストの低下を抑制することができた。また、横方向電界方式とすることで広視野角が得られた。
以上本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。また、実施例１に比べ非ラビング領域の変動を低減することができる。
【００４１】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。例えば、実施例では無機パッシベーション膜１０６を設けているが、設けない構造であってもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１００…ＴＦＴ基板、１０１…ガラス基板、１０２…第１下地膜、１０３…第２下地膜、１０４…第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、１０５…第２絶縁膜（第１層間絶縁膜）、１０６…第３絶縁膜（無機パッシベーション膜）、１０７…有機平坦化膜、１０８…第４絶縁膜（第２層間絶縁膜）、１０９…配向膜、１１０…映像信号線（ドレイン配線）、１１５…ゲート配線（走査信号線）、１２０…画素電極、１２１…ソース電極、１２５…半導体層、１３０…コモン電極、１５０…下地、１６０…テーパ制御部、２００…ＣＦ基板（対向基板）、２１０…フォトスペーサ、２５０…ラビング領域、２５１…非ラビング領域、３１０…フォトマスク（ハーフトーンマスク）、３２０…露光光、４００…ローラー、４０１…ラビング布の毛、４０２…ローラーの回転方向、４１０…基板の移動方向。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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