(57)【要約】【課題】製造工程時間を短縮できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板の上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上に位置する画素電極と、前記画素電極と対向するルーフ層と、を含み、前記画素電極と前記ルーフ層の間に複数の微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）が形成されており、前記微細空間は液晶物質を含み、前記複数の微細空間の間に隔壁が形成され、前記ルーフ層はドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）により形成する。【選択図】図３
2015106153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上に位置する画素電極と、
前記画素電極と対向するルーフ層と、を含み、
前記画素電極と前記ルーフ層の間に複数の微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）が形成されており、前記微細空間は液晶物質を含み、
前記複数の微細空間の間に隔壁が形成され、前記ルーフ層はドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）により形成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ルーフ層と前記隔壁は互いに異なる物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記隔壁は、前記基板から前記ルーフ層に近いほど次第に幅が狭くなることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ルーフ層の上に位置するキャッピング層をさらに含み、前記キャッピング層は前記ルーフ層の上部面と接触することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域が位置し、前記キャッピング層は前記液晶注入口形成領域を覆うことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記微細空間と前記ルーフ層の間に位置する共通電極をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記共通電極は前記隔壁と前記ルーフ層の間に位置することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記共通電極は前記ルーフ層と接触することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極との間に絶縁層が介されている共通電極をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記ルーフ層は前記隔壁と接触することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、より詳しくは、その製造工程時間を短縮できる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入される液晶層とからなる。
【０００３】
電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００４】
液晶表示装置のうちの一つとして、ピクセル単位にキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、ここに液晶を満たしてディスプレイを実現する技術が開発されている。この技術は、下板の上に上板を形成する代わりに、有機物質などにより犠牲層を形成して、上部に支持部材を形成した後に犠牲層を除去し、犠牲層の除去によって形成された空の空間に液晶を満たしてディスプレイを製造する技術である。
しかし、このような技術は、犠牲層を除去する過程において工程時間が長くなるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、製造工程時間を短縮できる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板の上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上に位置する画素電極と、前記画素電極と対向するルーフ層と、を含み、前記画素電極と前記ルーフ層の間に複数の微細空間（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）が形成されており、前記微細空間は液晶物質を含み、前記複数の微細空間の間に隔壁が形成され、前記ルーフ層はドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）により形成する。
【０００７】
前記ルーフ層と前記隔壁は互いに異なる物質により形成される。
【０００８】
前記隔壁は、前記基板から前記ルーフ層に近いほど次第に幅が狭くなる。
【０００９】
前記ルーフ層の上に位置するキャッピング層をさらに含み、前記キャッピング層は前記ルーフ層の上部面と接触する。
【００１０】
前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域が位置し、前記キャッピング層は前記液晶注入口形成領域を覆う。
【００１１】
前記微細空間と前記ルーフ層の間に位置する共通電極をさらに含む。
【００１２】
前記共通電極は、前記隔壁と前記ルーフ層の間に位置する。
【００１３】
前記共通電極は、前記ルーフ層と接触する。
【００１４】
前記画素電極との間に絶縁層が介されている共通電極をさらに含む。
【００１５】
前記ルーフ層は、前記隔壁と接触する。
【００１６】
前記隔壁は、ドライフィルムレジストにより形成し、前記隔壁と前記ルーフ層は一体に形成された構造物である。
【００１７】
前記隔壁は、前記基板から前記ルーフ層に近いほど次第に幅が広くなる。
【００１８】
前記ルーフ層の上に位置する共通電極をさらに含む。
【００１９】
前記共通電極上に位置するキャッピング層をさらに含み、前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域が位置し、前記キャッピング層は前記液晶注入口形成領域を覆う。
【００２０】
前記共通電極と前記キャッピング層の間に位置する上部ルーフ層をさらに含む。
【００２１】
本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、キャリア基板の上に原ルーフ層を形成する段階と、前記原ルーフ層に共通電極を形成して転写構造体を形成する段階と、薄膜トランジスタを含む表示板の上に隔壁を形成する段階と、前記表示板の上に前記転写構造体を転写して、前記隔壁と前記原ルーフ層によって取り囲まれた複数の微細空間を形成する段階と、前記転写構造体から前記キャリア基板を分離する段階と、前記原ルーフ層の一部を除去して前記共通電極の一部を露出する段階と、前記露出した共通電極の一部をエッチングして、前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域を形成する段階と、前記液晶注入口形成領域を通じて前記複数の微細空間に液晶物質を注入する段階と、前記液晶注入口形成領域を満たすようにキャッピング層を形成する段階を含む。
【００２２】
前記原ルーフ層は、ドライフィルムレジストにより形成される。
【００２３】
前記隔壁を形成する段階は、前記液晶注入口形成領域から前記隔壁を除去する段階と、前記表示板の遮光領域に対応する部分に前記隔壁が位置するように形成する段階と、を含む。
【００２４】
前記原ルーフ層の一部を除去してルーフ層を形成し、前記ルーフ層を硬化する段階をさらに含む。
【００２５】
前記隔壁と前記ルーフ層の間に前記共通電極が位置するように形成する。
【００２６】
本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、キャリア基板の上に原ルーフ層を形成して転写構造体を形成する段階と、薄膜トランジスタを含む表示板の上に隔壁を形成する段階と、前記表示板の上に前記転写構造体を転写して、前記隔壁と前記原ルーフ層によって取り囲まれた複数の微細空間を形成する段階と、前記転写構造体から前記キャリア基板を分離する段階と、前記原ルーフ層の一部を除去して前記共通電極の一部を露出する段階と、前記露出した共通電極の一部をエッチングして、前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域を形成する段階と、前記液晶注入口形成領域を通じて前記複数の微細空間に液晶物質を注入する段階と、前記液晶注入口形成領域を満たすようにキャッピング層を形成する段階と、を含む。
【００２７】
前記原ルーフ層は、ドライフィルムレジストにより形成される。
【００２８】
前記隔壁を形成する段階は、前記液晶注入口形成領域から前記隔壁を除去する段階と、前記表示板の遮光領域に対応する部分に前記隔壁が位置するように形成する段階と、を含む。
【００２９】
前記原ルーフ層の一部を除去してルーフ層を形成し、前記ルーフ層を硬化する段階をさらに含む。
【００３０】
前記隔壁と前記ルーフ層が接触するように形成する。
【００３１】
本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、キャリア基板の上に原ルーフ層を形成する段階と、前記原ルーフ層を露光して、ルーフ層領域及び隔壁領域を含む転写構造体を形成する段階と、薄膜トランジスタを含む表示板の上に前記転写構造体を転写する段階と、前記転写構造体から前記キャリア基板を分離する段階と、前記原ルーフ層を現像して、前記ルーフ層領域と前記隔壁領域にそれぞれルーフ層及び隔壁を形成し、前記隔壁と前記ルーフ層によって取り囲まれた複数の微細空間を形成し、前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域を形成する段階と、前記ルーフ層の上に共通電極を形成する段階と、前記液晶注入口形成領域を通じて前記複数の微細空間に液晶物質を注入する段階と、前記液晶注入口形成領域満たすようにキャッピング層を形成する段階と、を含む。
【００３２】
前記原ルーフ層は、ドライフィルムレジストにより形成される。
【００３３】
前記共通電極上に光反応物質を含む上部ルーフ層を形成する段階をさらに含み、前記上部ルーフ層をマスクとして前記共通電極をパターニングする。
【００３４】
前記ルーフ層及び前記隔壁を硬化する段階をさらに含む。
【００３５】
本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、キャリア基板の上に原ルーフ層を形成する段階と、前記原ルーフ層を露光して、ルーフ層領域及び隔壁領域を含む転写構造体を形成する段階と、薄膜トランジスタを含む表示板の上に前記転写構造体を転写する段階と、前記転写構造体から前記キャリア基板を分離する段階と、前記原ルーフ層の上に共通電極を形成する段階と、前記共通電極をパターニングして、前記原ルーフ層の一部を露出する段階と、前記原ルーフ層を現像して、前記ルーフ層領域と前記隔壁領域にそれぞれルーフ層及び隔壁を形成し、前記隔壁と前記ルーフ層によって取り囲まれた複数の微細空間、及び前記複数の微細空間の間に液晶注入口形成領域を形成する段階と、前記液晶注入口形成領域を通じて前記複数の微細空間に液晶物質を注入する段階と、前記液晶注入口形成領域を満たすようにキャッピング層を形成する段階と、を含む。
【００３６】
前記原ルーフ層は、ドライフィルムレジストにより形成される。
【００３７】
前記共通電極上に光反応物質を含む上部ルーフ層を形成する段階をさらに含み、前記上部ルーフ層をマスクとして前記共通電極をパターニングしてもよい。
【００３８】
前記ルーフ層、前記隔壁、及び前記上部ルーフ層を硬化する段階をさらに含む。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の一実施形態によれば、隔壁を形成した後にドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）を隔壁の上にブリッジ（Ｂｒｉｄｇｅ）方式により転写して液晶注入口を形成することにより、犠牲層及びルーフ層の形成工程を行うことなく、キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）内に液晶を満たしてディスプレイを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【図２】図１の切断線ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図３】図１の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【図１５】図１４の切断線ＸＶ−ＸＶに沿った断面図である。
【図１６】図１４の切断線ＸＶＩ−ＸＶＩに沿った断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１８】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１９】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２０】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２１】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２２】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２３】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２４】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２５】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【図２６】図２５の切断線ＸＸＶＩ−ＸＸＶＩに沿った断面図である。
【図２７】図２５の切断線ＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩに沿った断面図である。
【図２８】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２９】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３０】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３１】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３２】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３３】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３４】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３５】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３６】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３７】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３８】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【図３９】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【図４０】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【図４１】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【図４２】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【図４３】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【図４４】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
添付した図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、他の形態に具体化もできる。むしろ、ここで紹介する実施形態は、開示された内容が徹底して、かつ完全なものとなるようにし、また、当業者に本発明の思想が十分に伝達されるために提供されるものである。
【００４２】
図面において、層及び領域の厚さは明確性を期するために誇張して示した。また、層が他の層または基板の「上」にあると言及される場合、それは他の層または基板の上に直接形成されるか、またはそれらの間に第３の層が介される。明細書の全体にわたって同一の参照番号により表示された部分は、同一の構成要素を意味する。
【００４３】
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。図２は、図１の切断線ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。図３は、図１の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【００４４】
図１乃至図３を参照すれば、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電極線１３１が形成される。ゲート線１２１はゲート電極１２４を含む。維持電極線１３１は、主に横方向に延在して、共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧を伝達する。維持電極線１３１は、ゲート線１２１と実質的に垂直に延在した一対の縦部１３５ａ、及び一対の縦部１３５ａの端部を互いに接続する横部１３５ｂを含む。維持電極１３５ａ、１３５ｂは画素電極１９１を取り囲む構造を有する。
【００４５】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の上にゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に位置する半導体層１５１、ソース／ドレイン電極の下部及び薄膜トランジスタＴＲのチャネル部分に位置する半導体層１５４が形成される。
【００４６】
各半導体層１５１、１５４の上の、データ線１７１、ソース／ドレイン電極の間には、複数のオーミックコンタクト部材が形成されてもよいが、図面においては省略する。
【００４７】
各半導体層１５１、１５４及びゲート絶縁膜１４０の上に、ソース電極１７３、ソース電極１７３と接続するデータ線１７１、及びドレイン電極１７５を含むデータ導電体１７１、１７３、１７５が形成される。
【００４８】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は半導体層１５４と共に薄膜トランジスタＴＲを形成し、薄膜トランジスタＴＲのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体層部分１５４に形成される。
【００４９】
データ導電体１７１、１７３、１７５及び露出した半導体層１５４部分の上には第１保護層１８０ａが形成される。第１保護層１８０ａは、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）とシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んで形成される。
【００５０】
第１保護層１８０ａの上にはカラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０が形成される。
【００５１】
先ず、遮光部材２２０は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子構造になっており、光が透過できない物質により形成される。遮光部材２２０の開口部にはカラーフィルタ２３０が形成される。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と平行な方向に沿って形成された横遮光部材２２０ａ、及びデータ線１７１と平行な方向に沿って形成された縦遮光部材２２０ｂを含む。
【００５２】
カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示する。しかし、赤色、緑色、及び青色の三原色に制限されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色のうちの一つを表示してもよい。カラーフィルタ２３０は、隣接する画素ごとに互いに異なる色を表示する物質により形成される。
【００５３】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、これを覆う第２保護層１８０ｂが形成される。第２保護層１８０ｂは、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）とシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んで形成される。図２の断面図とは異なり、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０の厚さの差によって段差が生じた場合には、第２保護層１８０ｂが有機絶縁物を含み、段差の低減あるいは除去を可能にする。
【００５４】
カラーフィルタ２３０、遮光部材２２０、及び保護層１８０ａ、１８０ｂには、ドレイン電極１７５を露出するコンタクトホール１８５が形成される。
【００５５】
第２保護層１８０ｂの上には画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質により形成される。
【００５６】
画素電極１９１は、全体的な形状が四角形であり、横幹部１９１ａ及びこれと交差する縦幹部１９１ｂからなる十字状幹部を含む。また、横幹部１９１ａと縦幹部１９１ｂによって四つの副領域に分かれ、各副領域は複数の微細枝部１９１ｃを含む。また、本実施形態において画素電極１９１の外郭を取り囲む外郭幹部をさらに含んでもよい。
【００５７】
画素電極１９１の微細枝部１９１ｃは、ゲート線１２１または横幹部と４０°乃至４５°の角をなす。また、隣接する二つの副領域の微細枝部は互いに直交する。また、微細枝部の幅は次第に広くなるか、または微細枝部１９１ｃ間の間隔が異なってもよい。
【００５８】
画素電極１９１は、縦幹部１９１ｂの下端に接続し、縦幹部１９１ｂより広い面積を有する延長部１９７を含み、延長部１９７においてコンタクトホール１８５によってドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。
【００５９】
以上説明した薄膜トランジスタＴＲ及び画素電極１９１に関する説明は一つの例示であり、側面視認性を向上させるために薄膜トランジスタ構造及び画素電極のデザインを変更できる。
【００６０】
画素電極１９１の上には下部配向膜１１が形成されており、下部配向膜１１は垂直配向膜である。下部配向膜１１は、ポリアミド酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃａｃｉｄ）、ポリシロキサン（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）、またはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの液晶配向膜であって、一般に用いられる物質のうちの少なくとも一つまたは光配向物質を含んで形成される。
【００６１】
下部配向膜１１と対向する部分に上部配向膜２１が位置し、下部配向膜１１と上部配向膜２１の間には微細空間３０５が形成される。上部配向膜２１は、下部配向膜１１と同一物質により形成される。微細空間３０５には、液晶分子３０１を含む液晶物質が注入されており、微細空間３０５は液晶注入口３０７を有する。微細空間３０５は、画素電極１９１の列方向、つまり縦方向に沿って形成される。本実施形態において、配向膜１１、２１を形成する配向物質、及び液晶分子３０１を含む液晶物質は、毛管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）を利用して微細空間３０５に注入される。
【００６２】
微細空間３０５は、ゲート線１２１と重なる部分に位置する複数の液晶注入口形成領域３０７ＦＰによって縦方向に分かれ、また、ゲート線１２１が延在する方向に沿って複数形成される。複数形成された微細空間３０５それぞれは画素領域の一つまたは二つ以上に対応し、画素領域は画面を表示する領域に対応する。
【００６３】
上部配向膜２１の上には共通電極２７０が位置する。共通電極２７０は、共通電圧の印加を受けて、データ電圧が印加された画素電極１９１と共に電界を生成して、二つの電極の間の微細空間３０５に位置する液晶分子３０１が傾く方向を決定する。共通電極２７０は画素電極１９１とキャパシタを形成して、薄膜トランジスタがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）された後にも印加された電圧を維持する。共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質により形成される。
【００６４】
共通電極２７０の上にルーフ層（Ｒｏｏｆ  Ｌａｙｅｒ）３６０が位置する。ルーフ層３６０は、画素電極１９１と共通電極２７０の間の空間である微細空間３０５が維持されるように支持する支持部材の役割を果たす。ルーフ層３６０はドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）により形成する。ドライフィルムレジストは、フィルム化された感光性レジストであり、主にプリント配線基板の回路形成のために使用される材料として製造されている。ドライフィルムレジストは接着力及び平坦度に優れて、本発明の一実施形態による液晶表示装置においてルーフ層３６０として使用するのに適合する。
【００６５】
ルーフ層３６０の上にキャッピング層３９０が位置する。本実施形態においてキャッピング層３９０は、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを満たしながら、液晶注入口形成領域３０７ＦＰによって露出した微細空間３０５の液晶注入口３０７を覆う。キャッピング層３９０は有機物質または無機物質を含む。ここで、有機物質は、例えばアクリル系、ポリイミド系、シロキサン系、スチレン系の物質であり、無機物質は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、またはシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）である。
【００６６】
本実施形態においてキャッピング層３９０は、ルーフ層３６０の側面及び上部面と接触する。
【００６７】
本実施形態においては図３に示したように、横方向に隣接する微細空間３０５の間に隔壁３６０ＰＷが形成される。隔壁３６０ＰＷは、データ線１７１が延在する方向に沿って形成され、隔壁３６０ＰＷとルーフ層３６０の間に共通電極２７０が介される。本実施形態において共通電極２７０は、複数の微細空間３０５の上にわたって位置し、隔壁３６０ＰＷの上にも位置する。このとき、隔壁３６０ＰＷの上に位置する共通電極２７０は、微細空間３０５の上に位置する共通電極と実質的に同一の平面上に位置する。本実施形態において隔壁３６０ＰＷは、共通電極２７０によってルーフ層３６０と接触せず、隔壁３６０ＰＷの幅は、基板１１０からルーフ層３６０に近いほど次第に狭くなる。隔壁３６０ＰＷは、従来の液晶表示装置においてセルギャップを維持するための構成要素であるカラムスペーサ（Ｃｏｌｕｍｎ  Ｓｐａｃｅｒ）に用いられる透明な有機物質または無機物質を含んで形成される。ここで、無機物質は、例えば金属材料のブラックマトリックス、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）である。
【００６８】
隔壁３６０ＰＷは、複数の微細空間３０５を区切る即ち定義する。本実施形態においては微細空間３０５の間に隔壁３６０ＰＷが形成されているため、基板１１０が曲がっても、発生するストレスが少なく、セルギャップ（Ｃｅｌｌ  Ｇａｐ）の変動が著しく減少する。
【００６９】
以下、図４乃至図１３を参照して、図１乃至図３において説明した液晶表示装置を製造する方法に対する一実施形態について説明する。
【００７０】
図４乃至図１３は、図１乃至３に示した本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。図４乃至図１３は、図１に示したように、全体の画素領域のうちの一部分である単位領域ＵＲを示している。
【００７１】
図４及び図５を参照すれば、キャリア基板３１０の上に原ルーフ層３６０Ｍを形成し、原ルーフ層３６０Ｍの上に共通電極２７０を形成する。原ルーフ層３６０Ｍは、フィルム化された感光性レジストのようなドライフィルムレジストにより形成する。共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質により形成される。
【００７２】
図６を参照すれば、共通電極２７０の上に保護フィルム３５０を形成して、転写構造体４００を形成する。
【００７３】
図７を参照すれば、転写構造体４００とは別に、基板１１０の上に薄膜トランジスタを含む表示板１０００を用意する。表示板１０００の製造方法については、図１乃至図３をさらに参照して簡略に説明する。
【００７４】
図１乃至図３を参照すれば、基板１１０の上に一般に知られているスイッチング素子を形成するために、横方向に延在するゲート線１２１を形成し、ゲート線１２１の上にゲート絶縁膜１４０を形成し、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体層１５１、１５４を形成し、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５を形成する。このとき、ソース電極１７３と接続されたデータ線１７１は、ゲート線１２１と交差して、縦方向に延在するように形成する。
【００７５】
ソース電極１７３、ドレイン電極１７５、及びデータ線１７１を含むデータ導電体１７１、１７３、１７５、及び露出した半導体層１５４部分の上には、第１保護層１８０ａを形成する。
【００７６】
第１保護層１８０ａの上に画素領域に対応する位置にカラーフィルタ２３０を形成し、カラーフィルタ２３０の間に遮光部材２２０を形成する。
【００７７】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上に、これを覆う第２保護層１８０ｂを形成し、第２保護層１８０ｂは、画素電極１９１とドレイン電極１７５を電気的、物理的に接続するコンタクトホール１８５を有するように形成する。
【００７８】
次に、第２保護層１８０ｂの上に画素電極１９１を形成する。
【００７９】
さらに図７を参照すれば、表示板１０００の上に隔壁３６０ＰＷを形成する。隔壁３６０ＰＷは、遮光領域に対応する縦遮光部材２２０ｂと重なるように形成する。隔壁３６０ＰＷは、画素領域に対応する第１領域Ｐに画素領域の幅ほど離隔して複数形成してもよく、以後図１１において説明する液晶注入口形成領域３０７ＦＰに対応する第２領域Ｑから除去されるように形成してもよい。
【００８０】
図８を参照すれば、ラミネート工程などを利用して、図６において説明した転写構造体４００を表示板１０００の上に転写する。転写される前に、転写構造体４００の保護フィルム３５０を除去し、共通電極２７０を表示板１０００の隔壁３６０ＰＷの上に積み上げる。転写する段階において、熱または圧力を加える。このとき、隔壁３６０ＰＷと原ルーフ層３６０Ｍによって取り囲まれた複数の微細空間３０５が形成される。
【００８１】
図９を参照すれば、キャリア基板３１０を転写構造体４００から分離する。
【００８２】
図１０を参照すれば、フォト工程において、図７において説明した第２領域Ｑに位置する原ルーフ層３６０Ｍを除去して、共通電極２７０の一部を露出する。このとき、第２領域Ｑに位置する原ルーフ層３６０Ｍが除去されて、図７において説明した第１領域Ｐにルーフ層３６０が形成される。
【００８３】
図１１を参照すれば、露出した共通電極２７０部分をエッチングして除去する。ここで、図７において説明した表示板１０００の第２領域Ｑに液晶注入口形成領域３０７ＦＰが形成される。液晶注入口形成領域３０７ＦＰは複数の微細空間３０５の間に位置する。
【００８４】
図１２を参照すれば、ルーフ層３６０を硬化してルーフ層３６０の耐久性を向上させる。このとき、硬化する温度は、摂氏１５０度乃至摂氏２５０度である。次に、液晶注入口形成領域３０７ＦＰに液晶物質を滴下して、微細空間３０５の入口部に位置する液晶注入口３０７を通じて液晶物質を微細空間３０５内に注入する。液晶物質の注入に先立って配向物質を微細空間３０５に注入する。
【００８５】
図１３を参照すれば、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを満たすようにキャッピング層３９０を形成する。図示していないが、基板１１０の下端とキャッピング層３９０上端に偏光板を付着する。
【００８６】
図１４は、本発明の第２の実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。図１５は、図１４の切断線ＸＶ−ＸＶに沿った断面図である。図１６は、図１４の切断線ＸＶＩ−ＸＶＩに沿った断面図である。
【００８７】
図１４乃至図１６を参照すれば、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる基板１１０の上にゲート線１２１が形成される。ゲート線１２１は、ゲート電極１２４、及び他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などにより形成される。しかし、ゲート線１２１は、物理的性質が異なる少なくとも二つの導電膜を含む多重膜構造を有してもよい。
【００８８】
ゲート線１２１の上にはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０は、物理的性質が異なる少なくとも二つの絶縁層を含む多層膜構造を有する。ゲート絶縁膜１４０の上にはデータ線１７１の下部に位置する半導体層１５１、ソース／ドレイン電極の下部及び薄膜トランジスタＴＲのチャネル部分に位置する半導体層１５４が形成される。半導体層１５４は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどにより形成されてもよく、または酸化物半導体により形成されてもよい。
【００８９】
各半導体層１５１、１５４の上の、データ線１７１、ソース／ドレイン電極の間には複数のオーミックコンタクト部材が形成されてもよいが、図面においては省略する。
【００９０】
各半導体層１５１、１５４及びゲート絶縁膜１４０の上に、ソース電極１７３、ソース電極１７３と接続するデータ線１７１、及びドレイン電極１７５を含むデータ導電体１７１、１７３、１７５が形成される。データ線１７１は、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１と交差する。
【００９１】
ソース電極１７３は、データ線１７１の一部であり、データ線１７１と同一線上に配置される。ドレイン電極１７５は、ソース電極１７３と平行に延在するように形成される。したがって、ドレイン電極１７５はデータ線１７１の一部と平行である。このようなソース電極１７３及びドレイン電極１７５の構造は変更されてもよい。
【００９２】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は半導体層１５４と共に薄膜トランジスタＴＲを形成し、薄膜トランジスタＴＲのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体層部分１５４に形成される。
【００９３】
データ線１７１とドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）、またはこれらの合金により形成されるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）の下部膜と、アルミニウム（合金）上部膜との二重膜、モリブデン（合金）下部膜と、アルミニウム（合金）中間膜と、モリブデン（合金）上部膜との三重膜が挙げられる。
【００９４】
データ導電体１７１、１７３、１７５及び露出した半導体層１５４部分の上には第１保護層１８０ａが形成される。第１保護層１８０ａは、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）とシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んで形成される。
【００９５】
第１保護層１８０ａの上にはカラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０が形成される。
【００９６】
先ず、遮光部材２２０は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子構造になっており、光が透過できない物質により形成される。遮光部材２２０の開口部にはカラーフィルタ２３０が形成される。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と平行な方向に沿って形成された横遮光部材２２０ａ、及びデート線１７１と平行な方向に沿って形成された縦遮光部材２２０ｂを含む。
【００９７】
カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示する。しかし、赤色、緑色、及び青色の三原色に制限されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。カラーフィルタ２３０は、隣接する画素ごとに互いに異なる色を表示する物質により形成される。
【００９８】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、これを覆う第２保護層１８０ｂが形成される。第２保護層１８０ｂは、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）とシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んで形成される。図１５の断面図とは異なり、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０の厚さの差によって段差が生じた場合には、第２保護層１８０ｂが有機絶縁物を含み、段差の低減あるいは除去を可能にする。
【００９９】
カラーフィルタ２３０、遮光部材２２０、及び保護層１８０ａ、１８０ｂには、ドレイン電極１７５を露出するコンタクトホール１８５が形成される。
【０１００】
第２保護層１８０ｂの上には共通電極２７０が位置する。共通電極２７０は面状（ｐｌａｎａｒ  ｓｈａｐｅ）で、基板１１０の全面上に板状に形成され、ドレイン電極１７５の周辺に対応する領域に配置されている開口部１３８を有する。つまり、共通電極２７０は板状の平面形態を有する。
【０１０１】
隣接する画素に位置する共通電極２７０は互いに接続して、表示領域外部から供給される一定の大きさの共通電圧の伝達を受ける。
【０１０２】
共通電極２７０の上には層間絶縁層１８０ｃが位置する。層間絶縁層１８０ｃは、有機絶縁物質または無機絶縁物質などにより形成される。
【０１０３】
層間絶縁層１８０ｃの上には画素電極１９１が位置する。画素電極１９１は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質により形成される。画素電極１９１は、複数の切開部９１を有し、隣接する切開部の間に位置する複数の枝電極１９２を含む。
【０１０４】
第１保護層１８０ａ、第２保護層１８０ｂ、及び層間絶縁層１８０ｃには、ドレイン電極１７５を露出するコンタクトホール１８５が形成される。画素電極１９１はコンタクトホール１８５によってドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続して、ドレイン電極１７５から電圧の印加を受ける。
【０１０５】
共通電極２７０は第１電界生成電極または第１電極であり、画素電極１９１は第２電界生成電極または第２電極である。画素電極１９１と共通電極２７０は水平電界を形成する。電界生成電極の画素電極１９１と共通電極２７０は電界を生成することにより、二つの電界生成電極１９１、２７０の上に位置する液晶分子３０１は電界の方向と平行な方向に回転する。このように決定された液晶分子の回転方向により、液晶層を通過する光の偏光が変化する。
【０１０６】
図示した実施形態による液晶表示装置によれば、共通電極２７０が面状の平面形態を有し、画素電極１９１が複数の枝電極１９２を有するが、本発明の他の一実施形態による液晶表示装置によれば、画素電極１９１が面状の平面形態を有し、共通電極２７０が複数の枝電極を有する。
【０１０７】
本発明は二つの電界生成電極が基板１１０の上に絶縁層を介して重なり、絶縁層の下に形成される第１電界生成電極が面状の平面形態を有し、絶縁層の上に形成される第２電界生成電極が複数の枝電極を有する全ての他の場合に適用可能である。
【０１０８】
画素電極１９１の上には下部配向膜１１が形成されており、下部配向膜１１は、ポリアミド酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃ  ａｃｉｄ）、ポリシロキサン（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）またはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの液晶配向膜であって、一般に用いられる物質のうちの少なくとも一つまたは光配向物質を含んで形成される。
【０１０９】
下部配向膜１１と対向する部分に上部配向膜２１が位置し、下部配向膜１１と上部配向膜２１の間には微細空間３０５が形成される。上部配向膜２１は、下部配向膜１１と同一物質により形成される。微細空間３０５には液晶分子３０１を含む液晶物質が注入されており、微細空間３０５は液晶注入口３０７を有する。
【０１１０】
微細空間３０５は画素電極１９１の列方向、つまり、縦方向に沿って形成される。本実施形態において、配向膜１１、２１を形成する配向物質と液晶分子３０１を含む液晶物質は、毛管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）を利用して微細空間３０５に注入される。
【０１１１】
微細空間３０５は、ゲート線１２１と重なる部分に位置する複数の液晶注入口形成領域３０７ＦＰによって縦方向に分かれ、また、ゲート線１２１が延在する方向に沿って複数形成される。複数形成された微細空間３０５それぞれは画素領域の一つに対応し、画素領域は画面を表示する領域に対応する。
【０１１２】
上部配向膜２１の上にはルーフ層（Ｒｏｏｆ  Ｌａｙｅｒ）３６０が位置する。ルーフ層３６０は、微細空間３０５が維持されるように微細空間３０５を支持する支持部材の役割を果たす。ルーフ層３６０は、ドライフィルムレジストにより形成する。ドライフィルムレジストは、フィルム化された感光性レジストであり、主にプリント配線基板の回路形成のために使用される材料として製造されている。ドライフィルムレジストは接着力及び平坦度に優れて、本発明の一実施形態による液晶表示装置においてルーフ層３６０として使用するのに適合する。
【０１１３】
ルーフ層３６０の上にキャッピング層３９０が位置する。本実施形態においてキャッピング層３９０は、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを満たしながら、液晶注入口形成領域３０７ＦＰによって露出した微細空間３０５の液晶注入口３０７を覆う。キャッピング層３９０は有機物質または無機物質を含む。
【０１１４】
本実施形態においてキャッピング層３９０は、ルーフ層３６０の側面及び上部面と接触する。
【０１１５】
本実施形態においては図１６に示したように、横方向に隣接する微細空間３０５の間に隔壁３６０ＰＷが形成される。隔壁３６０ＰＷは、データ線１７１が延在する方向に沿って形成され、隔壁３６０ＰＷはルーフ層３６０と接触する。隔壁３６０ＰＷの幅は、基板１１０からルーフ層３６０に近いほど次第に狭くなる。隔壁３６０ＰＷは、従来の液晶表示装置においてセルギャップを維持するための構成要素であるカラムスペーサ（Ｃｏｌｕｍｎ  Ｓｐａｃｅｒ）に用いられる透明な有機物質を含んで形成される。
【０１１６】
隔壁３６０ＰＷは、複数の微細空間３０５を区切るか、または定義する。本実施形態においては微細空間３０５の間に隔壁３６０ＰＷが形成されているため、基板１１０が曲がっても、発生するストレスが少なく、セルギャップ（Ｃｅｌｌ  Ｇａｐ）の変動が著しく減少する。
【０１１７】
以下、図１７乃至図２４を参照して、図１４乃至図１６において説明した液晶表示装置を製造する方法について説明する。
【０１１８】
図１７乃至図２４は、本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。
【０１１９】
図１７及び図１８を参照すれば、キャリア基板３１０の上に原ルーフ層３６０Ｍを形成し、原ルーフ層３６０Ｍの上に保護フィルム３５０を形成して転写構造体５００を形成する。原ルーフ層３６０Ｍは、フィルム化された感光性レジストのようなドライフィルムレジストにより形成する。
【０１２０】
図１９を参照すれば、転写構造体５００とは別に、基板１１０の上に薄膜トランジスタを含む表示板１０００を用意する。表示板１０００の製造方法については、図１４乃至図１６をさらに参照して簡略に説明する。
【０１２１】
図１４乃至図１６を参照すれば、基板１１０の上に一般に知られたスイッチング素子を形成するために、横方向に延在するゲート線１２１を形成し、ゲート線１２１の上にゲート絶縁膜１４０を形成し、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体層１５１、１５４を形成し、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５を形成する。このとき、ソース電極１７３と接続されたデータ線１７１はゲート線１２１と交差して、縦方向に延在するように形成する。
【０１２２】
ソース電極１７３、ドレイン電極１７５、及びデータ線１７１を含むデータ導電体１７１、１７３、１７５、及び露出した半導体層１５４部分の上には第１保護層１８０ａを形成する。
【０１２３】
第１保護層１８０ａの上に画素領域に対応する位置にカラーフィルタ２３０を形成し、カラーフィルタ２３０の間に遮光部材２２０を形成する。
【０１２４】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上に、これを覆う第２保護層１８０ｂを形成し、第２保護層１８０ｂは、画素電極１９１とドレイン電極１７５を電気的、物理的に接続するコンタクトホール１８５を有するように形成する。
【０１２５】
次に、第２保護層１８０ｂの上に面状の共通電極２７０を形成する。共通電極２７０は、ゲート線１２１またはデータ線１７１と重なる一部分に位置する開口部１３８を有するが、隣接する画素において互いに接続するように形成してもよい。共通電極２７０の上に層間絶縁層１８０ｃを形成し、層間絶縁層１８０ｃの上に画素電極１９１を形成する。層間絶縁層１８０ｃは第１保護層１８０ａ及び第２保護層１８０ｂと共に、画素電極１９１とドレイン電極１７５を電気的、物理的に接続するコンタクトホール１８５を有するように形成する。
【０１２６】
画素電極１９１は、複数の切開部９１を有し、隣接する切開部９１の間に位置する複数の枝電極１９２を含むように形成する。
【０１２７】
さらに図１９を参照すれば、表示板１０００の上に隔壁３６０ＰＷを形成する。隔壁３６０ＰＷは、遮光領域に対応する縦遮光部材２２０ｂと重なるように形成する。隔壁３６０ＰＷは、画素領域に対応する第１領域Ｐに画素領域の幅ほど離隔して複数形成してもよく、以後図２２において説明する液晶注入口形成領域３０７ＦＰに対応する第２領域Ｑにおいて除去されるように形成してもよい。
【０１２８】
図２０を参照すれば、ラミネート工程などを利用して、図１８において説明した転写構造体５００を表示板１０００の上に転写する。転写される前に、転写構造体５００の保護フィルム３５０を除去し、原ルーフ層３６０Ｍを表示板１０００の隔壁３６０ＰＷの上に積み上げる。転写する段階において熱または圧力を加える。このとき、隔壁３６０ＰＷと原ルーフ層３６０Ｍによって取り囲まれた複数の微細空間３０５が形成される。
【０１２９】
図２１を参照すれば、キャリア基板３１０を転写構造体５００から分離する。
【０１３０】
図２２を参照すれば、フォト工程によって図１９において説明した第２領域Ｑに位置する原ルーフ層３６０Ｍを除去して、図１９において説明した第１領域Ｐにルーフ層３６０が形成される。ここで、図１９において説明した表示板１０００の第２領域Ｑに液晶注入口形成領域３０７ＦＰが形成される。液晶注入口形成領域３０７ＦＰは複数の微細空間３０５の間に位置する。
【０１３１】
図２３を参照すれば、ルーフ層３６０Ｍを硬化してルーフ層３６０の耐久性を向上させる。このとき、硬化する温度は、摂氏１５０度乃至摂氏２５０度である。次に、液晶注入口形成領域３０７ＦＰに液晶物質を滴下して、微細空間３０５の入口部に位置する液晶注入口３０７を通じて液晶物質を微細空間３０５内に注入する。液晶物質の注入に先立って配向物質を微細空間３０５に注入する。
【０１３２】
図２４を参照すれば、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを満たすようにキャッピング層３９０を形成する。図示していないが、基板１１０の下端とキャッピング層３９０の上端に偏光板を付着する。
【０１３３】
図２５は、本発明の第３の実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。図２６は、図２５の切断線ＸＸＶＩ−ＸＸＶＩに沿った断面図である。図２７は、図２５の切断線ＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩに沿った断面図である。
【０１３４】
図２５乃至図２７において説明する実施形態は、図１乃至図３において説明した実施形態と大部分同様である。以下、本実施形態と図１乃至図３の実施形態との間に差がある部分について説明する。
【０１３５】
図２５乃至図２７を参照すれば、上部配向膜２１の上にルーフ層３６０が位置し、ルーフ層３６０の上に共通電極２７０が位置する。共通電極２７０の上に上部ルーフ層３６２が位置する。上部ルーフ層３６２は、共通電極２７０を保護する役割を果たし、ルーフ層３６０と同一物質により形成するか、またはドライフィルムレジストでない有機物質を含むフォトレジストにより形成する。上部ルーフ層３６２の上にキャッピング層３９０が位置する。
【０１３６】
図２７を参照すれば、本実施形態において隔壁３６０ＰＷとルーフ層３６０はドライフィルムレジストにより形成し、隔壁３６０ＰＷとルーフ層３６０とは一体に形成された構造物である。隔壁３６０ＰＷの幅は、基板１１０からルーフ層３６０に近いほど次第に広くなる。
【０１３７】
上述した差異点を除いて、図１乃至図３において説明した内容は本実施形態に全て適用可能である。
【０１３８】
以下、図２８乃至図３７を参照して、図２５乃至図２７において説明した液晶表示装置を製造する方法について説明する。
【０１３９】
図２８乃至３７は、本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す斜視図である。図２８乃至図３７は、図２５に示したように、全体の画素領域の中の一部分である単位領域ＵＲを示している。
【０１４０】
図２８及び図２９を参照すれば、キャリア基板３１０の上に原ルーフ層３６０Ｍを形成し、原ルーフ層３６０Ｍが以後の現像段階において点線により示したパターン形状を有するように原ルーフ層３６０Ｍを露光する。原ルーフ層３６０Ｍが点線により示したパターン形状を有するようにするために、各領域別に露光量を異なるようにする。例えば、隔壁が形成される領域を第１領域Ｘ１とし、ルーフ層が形成される領域を第２領域Ｘ２とし、液晶注入口形成領域が形成される領域を第３領域Ｘ３とするとき、スリットマスクまたはハーフトーンマスクなどを用いて第１領域Ｘ１は光を遮断し、第３領域Ｘ３は、第２領域Ｘ２に比べて露光量が多いように光を照射する。ポジティブレジストを基準に、光が多く照射された第３領域Ｘ３が最も多く除去され、第２領域Ｘ２はルーフ層の厚さほど残り、光が遮断された第１領域Ｘ１は隔壁形状を有する。
【０１４１】
原ルーフ層３６０Ｍは、フィルム化された感光性レジストのようなドライフィルムレジストにより形成する。
【０１４２】
図３０を参照すれば、露光した原ルーフ層３６０Ｍの上に保護フィルム３５０を形成して、転写構造体６００を形成する。
【０１４３】
図３１を参照すれば、転写構造体６００とは別に、基板１１０の上に薄膜トランジスタを含む表示板１０００を用意する。表示板１０００の製造方法については、上記の図１乃至図３を参照して説明した内容と同様なので省略する。
【０１４４】
図３２を参照すれば、ラミネート工程などを利用して、図３０において説明した転写構造体６００を表示板１０００の上に転写する。転写される前に、転写構造体６００の保護フィルム３５０を除去し、隔壁が形成される第１領域Ｘ１が表示板１０００の縦遮光部材２２０ｂと対応するように配置する。転写する段階において熱または圧力を加える。
【０１４５】
図３３を参照すれば、キャリア基板３１０を転写構造体６００から分離し、原ルーフ層３６０Ｍを現像してルーフ層３６０、隔壁３６０ＰＷ、及び液晶注入口形成領域３０７ＦＰを形成する。ルーフ層３６０と隔壁３６０ＰＷによって取り囲まれた複数の微細空間３０５が形成される。
【０１４６】
図３４を参照すれば、ルーフ層３６０を硬化して、ルーフ層３６０の耐久性を向上させる。このとき、硬化する温度は、摂氏１５０度乃至摂氏２５０度である。
【０１４７】
図３５を参照すれば、ルーフ層３６０の上に共通電極２７０を形成する。このとき、液晶注入口形成領域３０７ＦＰにも共通電極２７０が形成される。
【０１４８】
図３６を参照すれば、共通電極２７０の上に上部ルーフ層３６２を形成し、上部ルーフ層３６２をマスクにして液晶注入口形成領域３０７ＦＰに形成された共通電極２７０を除去する。次に、液晶注入口形成領域３０７ＦＰに液晶物質を滴下して、微細空間３０５の入口部に位置する液晶注入口３０７を通じて液晶物質を微細空間３０５内に注入する。液晶物質注入に先立って配向物質を微細空間３０５に注入する。
【０１４９】
図３７を参照すれば、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを満たすようにキャッピング層３９０を形成する。図示していないが、基板１１０の下端とキャッピング層３９０の上端に偏光板を付着する。
【０１５０】
以下、図３８乃至図４４を参照して、図２５乃至図２７において説明した液晶表示装置を製造するその他の方法について説明する。
【０１５１】
図３８乃至図４４は、本発明の第３の実施形態による液晶表示装置のその他の製造方法を示す斜視図である。
【０１５２】
図３８乃至図４４において説明する実施形態は、図２８乃至図３７において説明した実施形態と大部分同様である。以下、本実施形態と図２８乃至図３７において説明した実施形態との間に差がある部分について説明する。
【０１５３】
図３８を参照すれば、本実施形態による液晶表示装置の製造方法は、上記の図２８乃至図３３による説明と同様に、点線により示したパターン形状を有するように露光した原ルーフ層３６０Ｍを含む転写構造体を、薄膜トランジスタを含む表示板１０００の上に転写する。次に、原ルーフ層３６０Ｍの上に共通電極２７０を形成する。
【０１５４】
図３９乃至図４１を参照すれば、共通電極２７０の上に上部ルーフ層３６２を形成する。上部ルーフ層３６２をパターニングして、液晶注入口形成領域が形成される第３領域Ｘ３に対応する部分において共通電極２７０を露出する。次に、露出した共通電極２７０をエッチングして、液晶注入口形成領域が形成される第３領域Ｘ３において原ルーフ層３６０Ｍを露出する。
【０１５５】
図４２を参照すれば、原ルーフ層３６０Ｍを現像してルーフ層３６０、隔壁３６０ＰＷ、及び液晶注入口形成領域３０７ＦＰを形成する。ルーフ層３６０と隔壁３６０ＰＷによって取り囲まれた複数の微細空間３０５が形成され、複数の微細空間３０５の間に液晶注入口形成領域３０７ＦＰが形成される。
【０１５６】
図４３を参照すれば、ルーフ層３６０及び上部ルーフ層３６２を硬化して、ルーフ層３６０及び上部ルーフ層３６２の耐久性を向上させる。このとき、硬化する温度は、摂氏１５０度乃至摂氏２５０度である。次に、液晶注入口形成領域３０７ＦＰに液晶物質を滴下し、微細空間３０５の入口部に位置する液晶注入口３０７を通じて液晶物質を微細空間３０５内に注入する。液晶物質注入に先立って配向物質を微細空間３０５に注入する。
【０１５７】
図４４を参照すれば、液晶注入口形成領域３０７ＦＰを満たすようにキャッピング層３９０を形成する。図示していないが、基板１１０の下端とキャッピング層３９０の上端に偏光板を付着する。
【０１５８】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲において定義する本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【０１５９】
１１  下部配向膜
２１  上部配向膜
１１０  基板
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１３１  維持電極線
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４  半導体層
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１８０ａ  第１保護層
１８０ｂ  第２保護層
１８０ｃ  層間絶縁層
１８５  コンタクトホール
１９１  画素電極
１９２  枝電極
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２７０  共通電極
３０１  液晶分子
３０５  微細空間（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）
３０７  液晶注入口
３０７ＦＰ  液晶注入口形成領域
３１０  キャリア基板
３５０  保護フィルム
３６０  ルーフ層
３６０Ｍ  原ルーフ層
３６０ＰＷ  隔壁
３６２  上部ルーフ層
３９０  キャッピング層
４００、５００、６００  転写構造体
１０００  表示板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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