(57)【要約】【課題】キャビティ４内の封止を接合膜により確実に行うとともに、キャビティ４内に設置する吸蔵金属膜７によりキャビティ４内のガスを吸着し、キャビティ４内の圧力変動を低減させ、電子素子５の特性劣化を抑制する。【解決手段】電子デバイス１は、基体２と、基体２との間にキャビティを形成して基体２に接合される蓋体３と、キャビティ４に収納される電子素子５と、蓋体３と基体２との接合面に設置され、蓋体３及び基体２と接する接合膜６と、蓋体３のキャビティ４側の表面に形成されるとともに、キャビティ４内に露出し、接合膜６と異なる材料で形成され、水素を吸蔵する吸蔵金属膜７と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体との間にキャビティを形成して前記基体に接合される蓋体と、
前記キャビティに収納される電子素子と、
前記蓋体と前記基体との接合面に設置され、前記蓋体及び前記基体と接する接合膜と、
前記蓋体の前記キャビティ側の表面に形成されるとともに、前記キャビティ内に露出し、前記接合膜と異なる材料で形成され、水素を吸蔵する吸蔵金属膜と、を備える電子デバイス。
【請求項２】
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方はガラス又はシリコンで形成され、
前記接合膜は、陽極接合用の接合膜で形成され、前記基体と前記蓋体とを陽極接合する請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記接合膜は、前記蓋体の前記キャビティ側の表面に設置され、
前記吸蔵金属膜は、前記接合膜の表面上に設置されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記蓋体は中央に前記キャビティを形成する凹部を有し、
前記凹部の周囲の上端面に前記接合膜が形成され、
前記凹部の底面に前記吸蔵金属膜が形成される請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記接合膜はアルミニウム、クロム又はシリコン、モリブデン、鉄合金のいずれかを含み、前記吸蔵金属膜はチタン、ジルコニウム、バナジウム、ハフニウムのいずれかを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記電子素子はＭＥＭＳである請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージに電子素子を収納する電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話や携帯情報端末機には表面実装型の電子デバイスが多く用いられている。このうち、水晶振動子などの圧電振動子やＭＥＭＳ、ジャイロ、加速度センサ等は、パッケージの内部に中空のキャビティが形成され、このキャビティに水晶振動子やＭＥＭＳ等の電子素子が封入されている。パッケージとしてガラス材料が用いられる。例えばガラス基板に電子素子が実装され、その上にガラス蓋が陽極接合により接合されて電子素子が密封される。ガラスどうしの陽極接合は気密性が高くしかも安価であるという利点がある。
【０００３】
電子デバイスにおいて、圧電振動子は、ガラスからなる基板体と、ガラスからなる蓋体と、基板体と蓋体の凹部との間に形成されるキャビティに収納される圧電振動素子から構成される。基板体には水晶片からなる圧電振動素子が片持ち状に実装される。蓋体には凹部が形成され、この凹部の周囲の上端面及び凹部の内表面の全面にはアルミニウムからなる接合用金属膜が形成される。基板体には貫通電極が形成され、キャビティ側の表面に形成される配線とキャビティ側とは反対側の表面に形成される外部端子とを電気的に接続する。蓋体は基板体に陽極接合により接合される。
【０００４】
接合用金属膜を蓋体に設けるので基板体のキャビティ側の配線とショートすることがなく、また、接合用金属膜を蓋体の凹部の側の全面に、つまり凹部の周囲の枠部の上端面及び凹部の内表面に設けるので接合用金属膜のパターニングが必要なく、容易に製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１１９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来構造では、蓋体に形成した接合用金属膜の断面が外部に露出している。接合用金属膜はアルミニウム膜からなり、その露出部は外気の水分等が付着して腐食する。腐食が進行するとアルミニウム膜は負に帯電する。すると、凹部の内表面に形成されるアルミニウム膜にも負電荷が伝達され、ガラス内部からナトリウムイオンを引き寄せる。内表面のアルミニウム膜は、表面に付着する水分と引き寄せられたナトリウムイオンが反応して腐食する。この腐食に伴ってガスが発生し、キャビティ内に実装される電子素子の特性劣化を引き起こす原因となる。特に凹部の内表面はサンドブラスト法やエッチング処理により、或いは軟化点以上での型成形により形成されるので表面が粗く、水分が付着しやすい。
【０００７】
例えば、電子素子としてＭＥＭＳセンサを用いる場合は、ＭＥＭＳセンサの振動が空気抵抗によって影響を受ける。これを避けるために、キャビティ内を真空に維持する。しかし、外気に露出するアルミニウム膜の腐食が進行すると凹部の内表面側のアルミニウム膜も腐食し、表面に付着する水分が引き寄せられたナトリウムイオンと反応して水素ガスを発生する。この水素ガスがキャビティ内の真空度を低下させる。これらキャビティ内の圧力変動はＭＥＭＳセンサの振動を変動させることになり、特性劣化の原因となる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、キャビティ内の金属の腐食に伴って発生するガスにより内部に収納される電子素子の特性が劣化することを防止した電子デバイス、発信機及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子デバイスは、基体と、前記基体との間にキャビティを形成して前記基体に接合される蓋体と、前記キャビティに収納される電子素子と、前記蓋体と前記基体との接合面に設置され、前記蓋体及び前記基体と接する接合膜と、前記蓋体の前記キャビティ側の表面に形成されるとともに、前記キャビティ内に露出し、前記接合膜と異なる材料で形成され、水素を吸蔵する吸蔵金属膜と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方はガラス又はシリコンで形成され、前記接合膜は、陽極接合用の接合膜で形成され、前記基体と前記蓋体とを陽極接合してもよい。
【００１１】
また、前記接合膜は、前記蓋体の前記キャビティ側の表面に設置され、前記吸蔵金属膜は、前記接合膜の表面上に設置されてもよい。
【００１２】
また、前記蓋体は中央に前記キャビティを形成する凹部を有し、前記凹部の周囲の上端面に前記接合膜が形成され、前記凹部の底面に前記吸蔵金属膜が形成されてもよい。
【００１３】
また、前記接合膜はアルミニウム、クロム又はシリコン、モリブデン、鉄合金のいずれかを含み、前記吸蔵金属膜はチタン、ジルコニウム、バナジウム、ハフニウムのいずれかを含んでもよい。
【００１４】
また、前記電子素子はＭＥＭＳであってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電子デバイスは、キャビティ内の封止を接合膜により確実に行うとともに、吸蔵金属膜によりキャビティ内のガスを吸着し、キャビティ内の圧力変動を低減させ、電子素子の特性劣化を抑制する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの斜視図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの断面模式図である。
【図３】図２の蓋体のキャビティ側を平面視する図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの製造方法における各工程の説明図である。
【図６】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。
【図７】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの変形例の断面模式図である。
【図８】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの変形例の断面模式図である。
【図９】本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの変形例の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜電子デバイス＞
本発明に係る電子デバイスは、基体と、基体との間にキャビティを形成して基体に接合される蓋体と、キャビティに収納される電子素子と、蓋体と基体との接合面に設置され、蓋体及び基体と接する接合膜と、蓋体のキャビティ側の表面に形成されるとともに、キャビティ内に露出し、接合膜と異なる材料で形成され、水素を吸蔵する吸蔵金属膜と、を備える。吸蔵金属膜は水素吸蔵性を有し、水素を一旦吸着すると脱離し難い性質を有する。
【００１８】
吸蔵金属膜として、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ハフニウム又はこれら材料のいずれかを含む合金を使用することができる。キャビティ側の表面に吸蔵金属膜を形成することにより、キャビティ内部に残留する水素或いは内部で発生する水素を吸着し、キャビティ内の圧力変動を低減させ、電子素子の特性を安定させることができる。
【００１９】
（第一実施形態）
図１は本発明の第一実施形態に係る電子デバイス１の斜視図である。基体２と蓋体３とは、接合膜６を介して接合される。また基体２の裏面には、外部電極１４が形成されている。本実施形態において、電子デバイス１は直方体に形成される。
【００２０】
図２は本発明の第一実施形態に係る電子デバイス１の断面模式図である。また、図３は図２の蓋体のキャビティ側を平面視した図である。
【００２１】
蓋体３は中央に凹部８を有し、凹部８の周囲の上端面には接合膜６が形成される。接合膜６は、凹部８の周囲の上端面を囲って連続的に形成されている。凹部８の底面及び内側面には吸蔵金属膜７が形成される。本実施形態において、吸蔵金属膜７は、凹部８の底面及び内側面の全体に形成されている。接合膜６は、蓋体３及び基体２の両方に接している。本実施形態において、接合膜６は、一層で形成されている。このように、凹部８の周囲の上端面に接合膜６を形成し、凹部８の底面及び内側面に吸蔵金属膜７を形成すれば、製造方法が容易となる。即ち、蓋体３の凹部８側から最初に接合膜６を堆積し、次に連続して吸蔵金属膜７を堆積し、次に上端面から吸蔵金属膜７を除去すればよい。
また、接合膜６は、キャビティ４を介して一端から他端まで連続的に形成することもできるため、陽極接合の際に接合膜６への電圧印加を確実に行うことができる。
【００２２】
本実施形態では、接合膜６は蓋体３及び基体２と接している。そのため、キャビティ４内の封止を十分に行うことができる。また、吸蔵金属膜７は接合時に放出されるガスや内部で発生するガスを吸着してキャビティ４内の圧力変動を低減し、電子素子の特性を安定させることができる。
【００２３】
すなわち、接合膜によりキャビティ４内の封止を十分に行いつつ、吸蔵金属膜７によりキャビティ４内の圧力変動を低減することで、キャビティ４内の気密封止を向上させ、電子素子の特性を安定させることができる。
【００２４】
基体２は、蓋体３側の表面に配線１１が形成され、反対側の表面には外部電極１４が形成され、板厚方向に貫通する貫通電極１３により配線１１と貫通電極１３とは電気的に接続される。基体２の蓋体３側の表面には電子素子５が実装される。電子素子５の表面には図示しない電極が形成され、電子素子５の電極と配線１１とはワイヤー１２により電気的に接続される。蓋体３は基体２に接合膜６を介して陽極接合される。基体２と蓋体３の凹部８によりキャビティ４が形成され、キャビティ４に電子素子５が収納される。従って、電子素子５の図示しない電極と外部電極１４とはワイヤー１２、配線１１及び貫通電極１３を介して電気的に接続される。
【００２５】
基体２及び蓋体３はソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、その他のガラスからなる板を使用することができる。電子素子５は、ＭＥＭＳ、水晶振動子、発光ダイオード、受光素子、その他を使用することができる。接合膜６はアルミニウム、シリコン、クロム、モリブデン、鉄合金その他の導電材料又はこれら材料のいずれかを含む複合物を使用することができる。なお、基体２及び蓋体３のいずれか一方をシリコンで形成し、他方を上記のガラスで形成することもできる。
【００２６】
この構成により、陽極接合が可能となり、接合膜６から陽極接合時に発生する水素ガスを吸蔵金属膜７で確実に吸着させることができる。
なお、陽極接合以外の接合においても、水素ガスが発生する場合があるため、その場合、上記の構成により、吸蔵金属膜７で水素ガスを吸着することが可能である。
【００２７】
吸蔵金属膜７を蓋体３のキャビティ４側の表面に露出させるように形成したので、水素を吸着するゲッタリング効果を利用することができる。蓋体３に形成した接合膜６を陽極とし基体２を陰極として高電圧を印加して陽極接合する場合、水素ガスが発生するが、吸蔵金属膜７はこの水素ガスを吸着する。また、吸蔵金属膜７は、例えば接合膜６が水分等により腐食して負に帯電する場合でも、表面に付着する水分やガラス中のナトリウムイオンによって腐食され難く、腐食に伴うガスの発生も少ない。その結果、キャビティ４内の圧力変動が低減し、電子素子５の特性が安定する。
これにより、陽極接合時に発生するガスを吸蔵金属膜７により確実に吸着することができる。
【００２８】
本実施形態においては、蓋体３は中央部に凹部８を有する。凹部８の周囲の上端面に接合膜６が形成される。凹部８の底面及び内側面に吸蔵金属膜７が形成される。基体２は、板厚方向に貫通する２つの貫通電極１３を有し、キャビティ４側の表面には２つの配線１１が形成され、キャビティ４とは反対側の表面には２つの外部電極１４が形成される。各配線１１は貫通電極１３を介して外部電極１４にそれぞれ電気的に接続される。基体２のキャビティ４側の表面には電子素子５が実装される。電子素子５はその上面に図示しない電極が形成され、ワイヤー１２を介して配線１１に電気的に接続される。これにより、２つの外部電極１４から駆動電力や駆動信号をキャビティ４内の電子素子５に供給することができる。
【００２９】
なお、本実施形態において電子素子５と配線１１との間をワイヤー１２により電気的に接続したが、これに代えて電子素子５を基体２に面実装することができる。例えば電子素子５として音叉型の水晶振動子を使用する場合には、音叉型の基部を配線１１に片持ち状に接合し、キャビティ４内を真空に引いて基体２と蓋体３とを陽極接合する。このとき、吸蔵金属膜７の表面がキャビティ４に露出するので、陽極接合の際に水素ガスが発生しキャビティ４内に残留しても、その残留酸素ガスは吸蔵金属膜７により吸着され、キャビティ４内は所定の真空度に維持される。そのため音叉型の水晶振動子の振動を劣化させることがない。また、接合膜６の断面が外部に露出し、その端面が腐食して吸蔵金属膜７が負に帯電した場合でも、吸蔵金属膜７は腐食され難く、また、ガスが発生したときは吸蔵金属膜７により吸着されるので、キャビティ４内を所定の真空度に長期間維持することができる。
【００３０】
また、本実施形態では蓋体３に凹部８を形成し、この凹部８の底面に接合膜６と電気的に接続する吸蔵金属膜７を形成したが、これに代えて、基体に凹部を形成し、基体と蓋体の間にキャビティを形成し、蓋体を平坦な板とすることができる。基体の凹部に電子素子を収納し、平坦な板からなる蓋体を凹部の上端面に陽極接合する。この場合も、蓋体のキャビティ側の表面には吸蔵金属膜７を設ける。
【００３１】
＜電子デバイスの製造方法＞
図４及び図５は本発明の第一実施形態に係る電子デバイス１の製造方法を説明するための図である。図４は製造工程を表し、図５は同時に複数個の電子デバイスを製造する各工程の説明図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３２】
図５（ａ）は実装工程Ｓ１を表し、基体２に電子素子５を実装した断面模式図である。ここで、基体２はソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、又はその他のガラスからなるウエハーを使用し、電子素子５としてＭＥＭＳを用いる。まず、基体２の各電子デバイス１に対応する領域に２つの貫通孔を形成する。基体２を軟化点以上の温度に加熱し型に押圧する型成形により複数の貫通孔を同時に形成することができる。また、基体２の表面にマスクを設置し、ガラスエッチング法やサンドブラスト法により複数の貫通孔を同時に形成することができる。次に、貫通孔に電極を埋め込んで貫通電極１３を形成する。例えば貫通孔に金属棒を埋め込み接着剤により固定する、また、貫通孔に印刷法等により導電性接着剤を充填し固化する、或いは、貫通孔に無電解メッキ法により金属材料を堆積し充填する、などの方法により貫通電極１３を形成することができる。次に、基体２の実装側の表面を研磨して平坦面とする。
【００３３】
次に蒸着法やスパッタリング法等により基体２の表面に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により配線１１を形成する。導電膜としてアルミニウム、金、クロム、モリブデン、鉄合金等の材料を使用することができる。次に、電子素子５としてのＭＥＭＳセンサを実装する。次に、電子素子５と配線１１とをワイヤー１２で接合する。なお、水晶振動子などの電子素子５の場合、配線上に導電性接着剤または金バンプを形成し、その上に電子素子５を実装する。
【００３４】
図５（ｂ）は凹部形成工程Ｓ２を表し、蓋体３に凹部８を形成する。蓋体３はソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、又はその他のガラスからなるウエハーを使用する。凹部８は蓋体３を軟化点以上の温度に加熱し型成形により複数同時に形成することができる。あるいは、ウエハーの表面に凹部形成領域が開口するマスクを設置し、ガラスエッチング法やサンドブラスト法等により凹部形成領域のガラスを除去して凹部８を複数同時に形成することができる。なお、凹部８の内側面を傾斜面とし、型成形の際の離型性を向上させている。
【００３５】
図５（ｃ）は導電膜堆積工程Ｓ３を表す。まず、凹部８の周囲の上端面を鏡面に研磨する。この場合、凹部８の底面は研磨されないので粗面の状態が維持される。次に、蓋体３の凹部８が形成される側の表面に接合膜６、吸蔵金属膜７の順に堆積する。吸蔵金属膜７としてチタン膜を、接合膜６としてアルミニウム膜をそれぞれスパッタリング法や蒸着法により連続して堆積する。吸蔵金属膜７の材料として、チタンの他にジルコニウム、バナジウム、ハフニウム又はこれら材料のいずれかを含む合金を使用することができる。接合膜６の材料として、アルミニウムの他にシリコン、クロム、モリブデン、鉄合金その他の導電材料又はこれら材料のいずれかを含む複合物を使用することができる。吸蔵金属膜７と接合膜６は各凹部の周囲の上端面や底面、及び上端面と底面の間の内側面の全面に堆積する。例えばチタン膜とアルミニウム膜をそれぞれ５０ｎｍ〜１５０ｎｍ形成する。
【００３６】
図５（ｄ）はパターン形成工程Ｓ４を表し、各凹部８の上端面に堆積した吸蔵金属膜７を除去し、接合膜６の表面を露出させる。フォトリソグラフィ及びエッチング法により吸蔵金属膜７を上端面から除去し、凹部８の底面及び内側面に吸蔵金属膜７を残す。このとき、吸蔵金属膜７は、凹部内に露出した状態である。
【００３７】
図５（ｅ）は接合工程Ｓ５を表し、凹部８に電子素子５を収納するように蓋体３を基体２の表面に載置し、真空中において蓋体３を基体２に接合する。本実施形態では、蓋体３と基体２は、陽極接合される。陽極接合は、基体２及び蓋体３を２００℃以上の温度に加熱し、蓋体３に堆積した接合膜６を陽極に基体２を陰極にして数百Ｖの電圧を印加し、接合膜６を介して基体２の電子素子５側の表面と蓋体３の上端面とを接合する。この陽極接合の際に発生する酸素ガスがキャビティ４内に残留する場合でも、吸蔵金属膜７のゲッタリング効果により酸素ガスが吸蔵金属膜７に吸着され、所定の真空度に維持される。次に、基体２の蓋体３とは反対側の表面に印刷法により外部電極１４を形成する。外部電極１４は貫通電極１３に電気的に接続する。また、印刷法に代えてメッキ法、蒸着法又はスパッタリング法等により外部電極１４を形成することができる。
【００３８】
本実施形態では、吸蔵金属膜７を接合面から除去して、接合膜６は蓋体３及び基体２と接している。そのため、キャビティ４内の封止を十分に行うことができる。
【００３９】
図５（ｆ）は切断工程Ｓ６を表し、ダイシングブレードやダイシングソー等を用いて、或いはガラス表面にスクライブ線を刻印し、スクライブ線に沿って割断して個々の電子デバイス１ａ、１ｂに分離する。この分離した電子デバイス１ａ、１ｂの接合膜６は外部に露出する。外気の水分が接合膜６に付着して腐食が始まると、接合膜６には負電荷が帯電する。しかし、吸蔵金属膜７は腐食し難く、表面に付着する水分や引き寄せられるナトリウムイオンと反応せず、これに伴うガスの発生もない。さらに、仮に吸蔵金属膜７の腐食に伴って水素ガスが発生した場合でも、水素ガスは吸蔵金属膜７により吸着されるので、キャビティ４内は所定の真空度に長期間維持される。
【００４０】
なお、導電膜堆積工程及びパターン形成工程において、接合膜６は、蓋体３に接するとともに、蓋体３と接する面と反対の表面を露出するように形成していればよい。また、吸蔵金属膜７は、接合膜６の表面に堆積するのではなく、蓋体３に接して、蓋体３と接する面を露出するように形成されてもよい。
【００４１】
図６は、本発明の第一実施形態に係る電子デバイス１の製造方法を説明するための工程図であり、上記第二実施形態の具体例である。同一の工程には同一の符号を付している。
【００４２】
基体２に実装する電子素子５は振動や加速度を検出するＭＥＭＳである。蓋体形成工程Ｓ２０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ２１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、凹部形成工程Ｓ２において、各電子デバイス１が形成される領域の中央部に加熱プレスの型成形により凹部８を形成する。次に、研磨工程Ｓ２２において、凹部８の周囲の上端面を平坦な鏡面に研磨加工する。次に、導電膜堆積工程Ｓ３において、蓋体３の凹部８を形成した表面にスパッタリング法又は蒸着法により例えばチタンからなる吸蔵金属膜７とアルミニウムからなる接合膜６をそれぞれ５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで連続して堆積する。次に、パターン形成工程Ｓ４において、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、凹部８の上端面から吸蔵金属膜７を除去する。このようにしてガラスウエハーからなる蓋体３を形成する。
【００４３】
電子素子作成工程Ｓ３０を説明する。ＭＥＭＳプロセスを用いて、ＭＥＭＳ材料をフォトリソグラフィ及びエッチング法によりＭＥＭＳの外形形状に加工する。また、ＭＥＭＳ材料に電極を形成し、電子素子を作成する。
【００４４】
基体形成工程Ｓ４０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ４１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、貫通電極形成工程Ｓ４２において加熱プレスの型成形により、或いは表面にマスクを設置後にエッチング処理あるいはサンドブラスにより研削してガラスウエハーの板厚方向に貫通孔を形成する。次に、この貫通孔に導電体を充填して貫通電極１３を形成し、貫通電極１３の両端部及びガラスウエハーの両面を研磨して平坦化する。次に、配線電極形成工程Ｓ４３において、スパッタリング法あるいは蒸着法により基体２の表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により配線１１にパターニングする。
【００４５】
次に、実装工程Ｓ１において、ＭＥＭＳを基体２の表面に実装する。実装の際に、基体２の配線１１とＭＥＭＳとをワイヤボンディングにより接続する。これにより、貫通電極１３とＭＥＭＳの電極とを電気的に接続する。このように多数のＭＥＭＳが実装されるガラスウエハーからなる基体２を形成する。
【００４６】
次に、重ね合わせ工程Ｓ１１において、蓋体３の各凹部８に各圧電振動片が収納されるように蓋体３を基体２の上に載置し、上下方向から押圧する。次に、接合工程Ｓ５において、基体２及び蓋体３を２００℃以上の温度に加熱し、蓋体３の接合膜６を陽極にし、基体２を陰極にして数百Ｖの電圧を印加し、接合膜６を介して基体２と蓋体３とを接合する。接合の際には周囲を真空に保持する。次に、外部電極形成工程Ｓ１２において、基体２の蓋体３とは反対側の表面に印刷法により外部電極１４を形成する。次に、切断工程Ｓ６において、接合体の表面にスクライブ線を設け、切断刃を押し当てて割断する、あるいはダイシングブレードやダイシングソーを用いて分割し、個々の電子デバイス１を得る。電気特性検査工程Ｓ１３において、電子デバイス１の特性を測定して検査する。
【００４７】
図７乃至図９を用いて、本実施形態に係る電子デバイス１の変形例について説明する。  図７乃至図９は、本実施形態に係る電子デバイス１の変形例の断面模式図である。なお、図１と同一の構成については、説明を省略する。
【００４８】
図７において、吸蔵金属膜７が蓋体３の凹部８の底面及び内側面に設置されている。すなわち、接合膜６は、凹部８の底面及び内側面に設置されず、これらの面から除去されている。
【００４９】
図８において、吸蔵金属膜７が蓋体３の凹部８の底面に設置されている。すなわち、接合膜６は、凹部８の底面及び内側面に設置されず、これらの面から除去されている。さらに、吸蔵金属膜７は、凹部８の内側面に形成されない。
【００５０】
図９において、吸蔵金属膜７が蓋体３の凹部８の内側面に設置されている。すなわち、接合膜６は、凹部８の底面及び内側面に設置されず、これらの面から除去されている。さらに、吸蔵金属膜７は、凹部８の底面に形成されない。
【００５１】
図７乃至図９における吸蔵金属膜７は、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、不要箇所を除去して形成される。
本実施形態において、接合膜６は、キャビティ４内部に形成されない。これにより、接合膜６が腐食したとしても、接合膜６の腐食はキャビティ４内部に進行しない。そのため、キャビティ４内部でのガスの発生を抑制することができる。
【００５２】
＜ＭＥＭＳセンサ＞
本発明の電子デバイスを用いたＭＥＭＳセンサについて説明する。ＭＥＭＳセンサは、例えば、加速度又は振動を検出する。ＭＥＭＳセンサは、電子素子としてＭＥＭＳを使用し、第四実施形態と同様に上記第二又は第三実施形態において説明した製造方法により製造した電子デバイスを組み込んでいる。ＭＥＭＳセンサは、基板と、この基板上に設置した電子デバイスと、信号処理回路とを備えている。電子デバイスは、加速度を検出し、検出した加速度を電気信号に変換し、電気信号を信号処理回路に送る。信号処理回路は、電気信号を増幅、調整など信号処理して出力する。本発明の電子デバイスは、高信頼性でかつ小型に形成することができるので、ＭＥＭＳセンサの全体をコンパクトに構成することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１、１ａ、１ｂ  電子デバイス
２  基体
３  蓋体
４  キャビティ
５  電子素子
６  接合膜
７  吸蔵金属膜
８  凹部
１１  配線
１２  ワイヤー
１３  貫通電極
１４  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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