(57)【要約】【課題】放射線検出装置の耐湿性を更に向上するための技術を提供する。【解決手段】放射線検出装置は、画素部及び画素部に電気的に接続された接続端子を有するセンサパネルと、センサパネルの画素部を覆うシンチレータ層と、シンチレータ層を覆う保護膜と、センサパネルに取り付けられた配線部材とを有する。保護膜は、シンチレータ層から近い順に、耐湿保護層と絶縁層とを有する。配線部材は、接続端子に接続されセンサパネルの縁を越えて延びる導電部材と、導電部材を支持する絶縁基材とを有する。保護膜の絶縁層と配線部材の絶縁基材とはそれぞれ、一体の絶縁部材の一部分である。【選択図】図２
2015090325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線検出装置であって、
画素部及び前記画素部に電気的に接続された接続端子を有するセンサパネルと、
前記センサパネルの前記画素部を覆うシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を覆う保護膜と、
前記センサパネルに取り付けられた配線部材とを備え、
前記保護膜は、前記シンチレータ層から近い順に、耐湿保護層と絶縁層とを有し、
前記配線部材は、前記接続端子に接続され前記センサパネルの縁を越えて延びる導電部材と、前記導電部材を支持する絶縁基材とを有し、
前記保護膜の前記絶縁層と前記配線部材の前記絶縁基材とはそれぞれ、一体の絶縁部材の一部分であることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記保護膜は、前記耐湿保護層と前記絶縁層との間に金属層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記金属層及び前記導電部材は、同一の金属膜をパターニングすることによって形成されることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記配線部材は複数の前記導電部材を備え、
前記複数の導電部材のうちの少なくとも１つは前記金属層に接続されることを特徴とする請求項２又は３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記センサパネルは、前記配線部材が取り付けられた辺とは異なる辺において、前記画素部に電気的に接続された接続端子を更に有し、
前記異なる辺の接続端子と前記金属層とが電気的に接続されることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記保護膜は、前記シンチレータ層と前記金属層との間に、前記金属層よりも反射率が高い反射層を更に含むことを特徴とする請求項２乃至５の何れか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記反射層は、粒子状の無機材料と、前記無機材料を保持する有機材料とを有することを特徴とする請求項６に記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記保護膜は、前記シンチレータ層の周囲に、前記センサパネルに対して熱圧着することによって周囲よりも厚さが薄くなったホットプレス部を含み、
前記接続端子の上に前記ホットプレス部が位置することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記センサパネルの表面に直交する方向から見て、前記接続端子と前記耐湿保護層とは重ならないことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記接続端子と前記導電部材とは異方性導電部材を介して接続されることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
前記耐湿保護層はホットメルト樹脂であることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と
を備えることを特徴とする放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線検出装置及び放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、複数の光電変換素子を基板に形成したセンサパネル上にシンチレータ層を配したデジタル放射線検出装置を記載する。この放射線検出装置は、放射線検出装置の耐湿性を向上させるために、シンチレータ層を覆う保護膜を有する。この保護膜はセンサパネルに取り付けられた配線部材を更に覆っており、配線部材を覆う位置において保護膜がセンサパネルに対して熱圧着される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、保護膜が配線部材を覆う位置において層構造が複雑になり、十分な耐湿性が得られない場合がある。具体的には、配線部材が導電体とこれを支持する絶縁基材を有するので、この導電体及び絶縁基材の上に保護膜が位置することになる。そこで、本発明は、放射線検出装置の耐湿性を更に向上するための技術を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、一部の実施形態に係る放射線検出装置は、画素部及び前記画素部に電気的に接続された接続端子を有するセンサパネルと、前記センサパネルの前記画素部を覆うシンチレータ層と、前記シンチレータ層を覆う保護膜と、前記センサパネルに取り付けられた配線部材とを備え、前記保護膜は、前記シンチレータ層から近い順に、耐湿保護層と絶縁層とを有し、前記配線部材は、前記接続端子に接続され前記センサパネルの縁を越えて延びる導電部材と、前記導電部材を支持する絶縁基材とを有し、前記保護膜の前記絶縁層と前記配線部材の前記絶縁基材とはそれぞれ、一体の絶縁部材の一部分である。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、放射線検出装置の耐湿性を更に向上するための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一部の実施形態の放射線検出装置の模式平面図。
【図２】図１の放射線検出装置の模式断面図。
【図３】図１の放射線検出装置の製造方法例を説明する図。
【図４】一部の実施形態の放射線検出装置の模式断面図。
【図５】一部の実施形態の放射線検出装置の模式平面図。
【図６】図５の放射線検出装置の模式断面図。
【図７】一部の実施形態の放射線検出装置の模式断面図。
【図８】一部の実施形態の放射線検出システムの構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
【０００９】
図１及び図２を参照して、一部の実施形態に係る放射線検出装置１００の構成例について説明する。図１（ａ）は放射線検出装置１００の模式平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の点線で囲まれた領域１０１の拡大図である。図２（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ’線模式断面図であり、図２（ｂ）は図１（ｂ）のＢ−Ｂ’線模式断面図である。理解を助けるために、図１では画素部１１２の輪郭を二点破線で示し、シンチレータ層１２０の輪郭を一点破線で示し、ホットプレス部１３４の輪郭を破線で示す。図１（ａ）に示されるように、平面視（基板１１１の表面に直交する方向から見た場合）において、画素部１１２及びシンチレータ層１２０は矩形であり、ホットプレス部１３４はシンチレータ層１２０を囲む枠形状である。また、理解を助けるために、図１（ｂ）では絶縁層１３３及び絶縁基材１４１を省略する。
【００１０】
放射線検出装置１００は、センサパネル１１０、シンチレータ層１２０、保護膜１３０及び配線部材１４０を備える。センサパネル１１０は、基板１１１と、基板１１１上に形成された画素部１１２及び接続端子１１４と、画素部１１２を覆うセンサ保護膜１１３とを有する。画素部１１２には複数の画素がアレイ状に配列されており、各画素は、シンチレータ層１２０によって放射線から変換された光を電荷に変換する光電変換素子と、この電荷を読み出すためのトランジスタとを有する。センサ保護膜１１３は画素部１１２に形成された回路素子をシンチレータ層１２０から保護する。
【００１１】
接続端子１１４は導電パターン（不図示）を介して画素部１１２に電気的に接続されている。接続端子１１４はセンサ保護膜１１３によって覆われておらず、配線部材１４０に接続されている。接続端子１１４及び配線部材１４０を介して画素部１１２からの信号が外部の回路に読み出され、又はこれらを介して外部の回路からの信号又は電力が画素部１１２に供給される。
【００１２】
配線部材１４０は、その一端がセンサパネル１１０の接続端子１１４に接続され、そこからセンサパネル１１０の縁を越えてセンサパネル１１０の外側に向かって延びている。配線部材１４０は例えばフレキシブルケーブルである。配線部材１４０は、絶縁基材１４１、導電部材１４２及びカバー材１４３を有する。導電部材１４２は、その一端が接続端子１１４に接続され、そこからセンサパネル１１０の縁を越えてセンサパネル１１０の外側に向かって延びる線状の形態を有する。絶縁基材１４１は絶縁性を有し、導電部材１４２を保持する。カバー材１４３は絶縁性を有し、導電部材１４２のうちセンサパネル１１０の外側にある部分を覆って導電部材１４２を保護する。導電部材１４２の端部はカバー材１４３によって覆われておらず、電気接続材１５０を介して接続端子１１４に接続されている。すなわち、導電部材１４２の端部が接続部となる。電気接続材１５０は、導電部材１４２と接続端子１１４とを互いに固定するための接着剤としても機能する。
【００１３】
放射線検出装置１００の例では、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示されるように、配線部材１４０は４つの導電部材１４２を有し、センサパネル１１０は４つの接続端子１１４を有する。導電部材１４２と接続端子１１４とは１対１に対応し、対をなす導電部材１４２と接続端子１１４とは図２（ｂ）において上下方向に重なっている。電気接続材１５０は異方導電性を有しており、対をなす導電部材１４２と接続端子１１４とは電気的に接続されるが、それ以外の導電部材１４２と接続端子１１４の組は絶縁され、導電部材１４２同士も絶縁され、接続端子１１４同士も絶縁される。また、導電部材１４２のうちセンサパネル１１０に重なっている部分の周囲には高耐湿性を有する絶縁薄膜１６０が配置されている。隣接する導電部材１４２同士は絶縁薄膜１６０によっても絶縁される。
【００１４】
シンチレータ層１２０はセンサパネル１１０の画素部１１２を覆う位置に配置される。シンチレータ層１２０は放射線検出装置１００に入射した放射線を、画素部１１２の光電変換素子が検出可能な波長の光に変換する。
【００１５】
保護膜１３０はシンチレータ層１２０を覆う位置に配置される。具体的には、保護膜１３０は、シンチレータ層１２０の上面及び側面と、センサパネル１１０の表面のうちシンチレータ層１２０の周囲の部分を覆う。保護膜１３０は、シンチレータ層１２０から近い順に、耐湿保護層１３１、金属層１３２及び絶縁層１３３を有する。耐湿保護層１３１は、放射線検出装置１００の外部からの水分がシンチレータ層１２０へ到達することを防止する。耐湿保護層１３１はまた、金属層１３２とシンチレータ層１２０とを接着する接着層としても機能する。
【００１６】
金属層１３２は反射層として機能する。すなわち、金属層１３２は、シンチレータ層１２０が発した光のうちセンサパネル１１０とは反対側に進行した光を、センサパネル１１０へ向けて反射する。これにより、光の利用効率が向上する。また、金属層１３２は遮光層としても機能する。すなわち、金属層１３２は放射線検出装置１００の外部からの光を遮断することによって、画素部１１２にノイズが発生することを防止する。
【００１７】
絶縁層１３３は、金属層１３２を保護する。後述するように、金属層１３２は外部の回路から電圧が供給される場合がある。そのため、金属層１３２に他の導電体が接触してこの電圧が影響を受けることを避けるために絶縁層１３３が配置される。
【００１８】
放射線検出装置１００では、図２（ａ）に示されるように、保護膜１３０の絶縁層１３３と配線部材１４０の絶縁基材１４１とはそれぞれ、一体の絶縁部材の一部分である。従って、保護膜１３０の絶縁層１３３と配線部材１４０の絶縁基材１４１と間に継ぎ目がないので、放射線検出装置１００の耐湿性が向上する。
【００１９】
また、配線部材１４０がセンサパネル１１０に取り付けられた領域において、センサパネル１１０の縁を覆う位置では、センサパネル１１０から近い順に、電気接続材１５０と、導電部材１４２又は絶縁薄膜１６０と、絶縁基材１４１とが積層構造を形成する。また、配線部材１４０がセンサパネル１１０に取り付けられた領域以外において、センサパネル１１０の縁に近い位置では、センサパネル１１０から近い順に、耐湿保護層１３１と、金属層１３２と、絶縁層１３３とが積層構造を形成する。このように、センサパネル１１０の縁の部分では、センサパネル１１０の上に形成される積層構造は同様の構造を有する。また、センサパネル１１０の縁のどの部分でも、センサパネル１１０の上に形成される積層構造が、有機材料からなる接着材料を１層のみ含むようにすることができる。
【００２０】
保護膜１３０は、シンチレータ層１２０を全周的に囲むように、ホットプレス部１３４を有する。ホットプレス部１３４とは、保護膜１３０をセンサパネル１１０へ向けて部分的に加熱加圧処理して圧着することによって、厚さが他の部分よりも薄くなった領域のことである。ホットプレス部１３４を設けることによって、放射線検出装置１００の耐湿性が更に向上する。また、センサパネル１１０のうち配線部材１４０が取り付けられた領域において、接続端子１１４の上にホットプレス部１３４が位置している。これにより、ホットプレス部１３４からセンサパネル１１０の縁までの距離を短縮でき、放射線検出装置１００を小型化できる。センサパネル１１０は、配線部材１４０が取り付けられた領域以外の領域において、ホットプレス部１３４の下に、ダミーパターン１１５を更に有する。このダミーパターン１１５は接続端子１１４と同じ層に形成され、同じ部材で形成される。ダミーパターン１１５を設けることによって、ホットプレス部１３４による耐湿性を更に向上できる。
【００２１】
続いて、図３を参照して、放射線検出装置１００の製造方法の一例を説明する。まず、図３（ａ）に示されるように、基板１１１、画素部１１２、センサ保護膜１１３、接続端子１１４及びダミーパターン１１５を有するセンサパネル１１０を準備する。このようなセンサパネル１１０は既存の方法で形成できるので、その詳細な説明を省略する。センサ保護膜１１３は例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどで形成される。
【００２２】
その後、画素部１１２を覆う位置に、シンチレータ層１２０を形成する。シンチレータ層１２０は、例えばハロゲン化アルカリを主成分とする材料であるＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌを用いて形成される。ＣｓＩ：ＴｌはＣｓＩとＴｌＩを同時に蒸着することで形成される。その後、電気接続材１５０をセンサパネル１１０の接続端子１１４の上に仮貼りする。電気接続材１５０として、異方性導電フィルムや異方性導電ペースト等の熱流動性を有する異方性導電部材を用いうる。上記の工程により、図３（ａ）に示される構成が形成される。
【００２３】
図３（ａ）の工程とは独立して、図３（ｂ）に示す構造体を形成する。まず、絶縁部材３０１の上に導電パターン３０２を形成する。この絶縁部材３０１が放射線検出装置１００の絶縁層１３３及び絶縁基材１４１となり、導電パターン３０２が放射線検出装置１００の金属層１３２及び導電部材１４２となる。そのため、まず、ポリイミド樹脂などの絶縁体材料を、絶縁層１３３及び絶縁基材１４１となる形状に成形することによって絶縁部材３０１を形成する。その後、絶縁部材３０１の上にＣｕやＡｌ等の金属で１〜１００μｍの金属膜を形成し、金属層１３２及び導電部材１４２となる形状にパターニングすることによって導電パターン３０２を形成する。
【００２４】
さらに、図１（ｂ）に示す位置になるように絶縁薄膜１６０を形成する。絶縁薄膜１６０は例えば酸化ケイ素（シリカ）・酸化アルミニウム（アルミナ）などの無機酸化膜の薄膜である。この薄膜は、物理蒸着（ＰＶＤ）法や化学蒸着（ＣＶＤ）法で形成される。ＰＶＤ法には、加熱蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法が含まれる。また、ＣＶＤ法では、原料ガスを反応させて薄膜が形成される。ＣＶＤ法のうちの１つであるプラズマＣＶＤでは、電磁波エネルギーでガスをプラズマ化し、薄膜が作成される。プラズマＣＶＤは比較的低温で成膜できるので、プラスチック基材への製膜法として有用であり、ＰＶＤ法と比べて分子の活性度が大きく、基材との間で化学結合も形成され、高いバリア性と付着力が得られる。単膜においては、例えば耐湿40℃、９０％ＲＨの条件で水蒸気透過度１ｇ／ｍ2・２４ｈ以下の高い耐湿性能の膜を形成することができる。
【００２５】
また、図１（ｂ）に示す位置になるようにカバー材１４３が形成される。カバー材１４３は例えばエポキシ樹脂、ポリイミド等の有機フィルムや樹脂を用いて、印刷塗布や貼り合せによって形成される。さらに、導電パターン３０２のうち金属層１３２に対応する部分の上に耐湿保護層１３１を形成する。耐湿保護層１３１は例えばホットメルト樹脂で形成される。
【００２６】
ホットメルト樹脂は、水や溶剤を含まず、室温で固体であり、１００％不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂と定義されるものである（Thomas.P.Flanagan, Adhesive Age,  9,  No3,  28(1966)）。ホットメルト樹脂は、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化するものである。また、ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態で、他の有機材料及び無機材料に接着性を有し、常温で固体状態となり接着性を有しないものである。また、ホットメルト樹脂は極性溶媒、溶剤及び水を含んでいない。そのため、潮解性を有するシンチレータ層１２０（例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体）に接触してもシンチレータ層１２０を溶解しないため、耐湿保護層１３１として使用されうる。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なる。またエポキシ等に代表される化学反応によって形成される化学反応型の接着性樹脂とも異なる。
【００２７】
ホットメルト樹脂材料は主成分であるベースポリマー（ベース材料）の種類によって分類され、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等を用いることができる。耐湿保護層１３１は、耐湿性が高く、またシンチレータ層１２０から発生する可視光線を透過するように光透過性が高い性質を有しうる。そこで、耐湿保護層１３１として用いられるホットメルト樹脂として、耐湿性が高く、光透過性の高いポリオレフィン系樹脂を用いてもよい。特に、吸湿率が低いポリオレフィン樹脂を用いてもよい。
【００２８】
その後、図３（ｃ）に示されるように、図３（ａ）で形成された構造体の上に、図３（ｂ）で形成された構造体を重ね合わせて仮止めする。その後、保護膜１３０に対して真空熱プレスを施すことによって、耐湿保護層１３１（ホットメルト樹脂）をシンチレータ層１２０の表面及び側面並びにセンサパネル１１０の表面に接着する。この真空熱プレスにおいてホットメルト樹脂の流動性を高めすぎると、ホットメルト樹脂がシンチレータ層１２０の柱間に浸入してしまい、放射線検出装置１００の解像度が低下してしまう。そのため、ホットメルト樹脂をシンチレータ層１２０に接着させつつ、ホットメルト樹脂をシンチレータ層１２０の柱間に浸入させないように、真空熱プレスの温度及び圧力が制御される。従って、真空熱プレスを行っただけでは、ホットメルト樹脂とセンサパネル１１０との間に外部からの水分の浸入を防止するだけの充分な接着力は確保されないことがある。そこで、放射線検出装置１００では、保護膜１３０をセンサパネル１１０に対してホットプレス（加熱加圧処理）を行う。これにより、ホットプレス部１３４が形成され、放射線検出装置１００が形成される。
【００２９】
上述のホットプレスでは、具体的に、センサパネル１１０の４つの辺のそれぞれに沿って、熱加圧ヘッド３０３を用いて、保護膜１３０をセンサパネル１１０に対してホットプレスを行う。このホットプレスによって、配線部材１４０が取り付けられた領域以外の領域では、センサパネル１１０と熱加圧ヘッド３０３との間に、耐湿保護層１３１、金属層１３２及び絶縁層１３３が挟まれる。従って、このホットプレスによって、耐湿保護層１３１のホットメルト樹脂が流動化してセンサパネル１１０と保護膜１３０とが圧着される。また、配線部材１４０が取り付けられた領域では、センサパネル１１０と熱加圧ヘッド３０３との間に、電気接続材１５０、導電部材１４２及び絶縁基材１４１が挟まれる。従って、このホットプレスによって、電気接続材１５０が流動してセンサパネル１１０と配線部材１４０とが接着される。電気接続材１５０が異方性導電部材である場合に、接続端子１１４と導電部材１４２とが重なる部分の上からホットプレスを行うことによって、接続端子１１４と導電部材１４２とが電気的に接続される。すなわち、センサパネル１１０のうち配線部材１４０が取り付けられた辺では、１回のホットプレスによって、接続端子１１４と導電部材１４２との電気的接続と、保護膜１３０のセンサパネル１１０に向けた熱圧着とを同時に行うことができる。これに加えて、接続端子１１４と導電部材１４２との電気的接続を行うための圧着処理を別途行ってもよい。
【００３０】
続いて、図４を参照して、一部の実施形態に係る放射線検出装置４００の構成例について説明する。図４（ａ）は図２（ａ）に対応する部分の断面図であり、図４（ｂ）は図２（ｂ）に対応する部分の断面図である。放射線検出装置４００の全体の平面図は図１（ａ）と同様であるので省略する。放射線検出装置４００は、絶縁薄膜１６０の代わりに絶縁薄膜４６０を有する点で放射線検出装置１００とは異なり、それ以外の点は同様である。絶縁薄膜４６０は絶縁層１３３の全面にわたって形成されている。保護膜１３０は絶縁層１３３と金属層１３２との間に絶縁薄膜４６０を更に有し、配線部材１４０は絶縁薄膜４６０を介して絶縁基材１４１によって導電部材１４２が支持される。絶縁薄膜４６０の材料及び製法は絶縁薄膜１６０のものと同様である。
【００３１】
放射線検出装置４００の製造方法では絶縁薄膜４６０を生成するために選択的に膜付けを行う必要がなく、放射線検出装置１００の絶縁薄膜１６０と比較して安価に制作することができる。また、保護膜１３０が金属層１３２と絶縁薄膜４６０との２層を有するので、これらの形成時に発生する可能性があるピンホールを互いに補完でき、耐湿性を向上できる。
【００３２】
続いて、図５及び図６を参照して、一部の実施形態に係る放射線検出装置５００の構成例について説明する。図５（ａ）は放射線検出装置５００の模式平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の点線で囲まれた領域５０１の拡大図である。図６（ａ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ’線模式断面図であり、図６（ｂ）は図５（ｂ）のＢ−Ｂ’線模式断面図である。理解を助けるために、図５では画素部１１２の輪郭を二点破線で示し、シンチレータ層１２０の輪郭を一点破線で示し、ホットプレス部１３４の輪郭を破線で示す。図５（ａ）に示されるように、平面視（基板１１１の表面に直交する方向から見た場合）において、画素部１１２及びシンチレータ層１２０は矩形であり、ホットプレス部１３４はシンチレータ層１２０を囲む枠形状である。また、理解を助けるために、図５（ｂ）では絶縁層１３３及び絶縁基材１４１を省略する。
【００３３】
放射線検出装置５００のセンサパネル５１０は、センサパネル５１０のうち配線部材１４０が取り付けられた辺とは反対側の辺における構造（領域５０１における構造）が放射線検出装置１００のセンサパネル１１０とは異なり、それ以外の点は同様である。具体的に、センサパネル５１０は、配線部材１４０が取り付けられた辺とは反対側の辺に、接続端子５１４及び共通線５１５を更に有する。図６に示されるように、接続端子５１４はセンサ保護膜１１３に覆われておらず、耐湿保護層１３１にも覆われていない。接続端子５１４は画素部１１２に電気的に接続されている。
【００３４】
また、放射線検出装置５００は、接続端子５１４と金属層１３２とを電気的に接続するための電気接続材５５０を更に有する。電気接続材５５０の材料は電気接続材１５０のものと同じであってもよい。図１（ｂ）を参照して説明したように、導電部材１４２の１つは金属層１３２に接続されるとともに、接続端子１１４とも電気的に接続されている。さらに、金属層１３２は接続端子５１４にも電気的に接続されている。そのため、導電部材１４２から供給される電気信号は、接続端子１１４と接続端子５１４との両方に供給され、画素部１１２の両側から供給される。金属層１３２は画素部１１２全体に配される大きな面積を有するので、センサパネル５１０に配する導電線よりも抵抗値が低い。そのため、センサパネル５１０の片側にのみ配線部材１４０が取り付けられた放射線検出装置５００であっても、画素部１１２の両側から高品質な電気信号を供給できる。接続端子１１４及び接続端子５１４を通じて画素部１１２に供給される電気信号は、例えば各回路素子の共通電位である接地電位や光電変換素子のバイアス電位など固定電位である。
【００３５】
センサパネル５１０は共通線５１５を更に有する。共通線５１５は接続端子５１４に接続されており、センサパネル５１０の辺に沿って延びている。センサパネル５１０の画素部１１２は、画素列ごとに導電線に接続されており、この導電線が共通線５１５に接続される。このような構成によって、接続端子５１４から供給された電気信号は、個別の画素列ごとに供給される。
【００３６】
図５（ａ）に示されるように、接続端子５１４の上にホットプレス部１３４が形成されている。そのため、電気接続材５５０を用いた接続端子５１４と金属層１３２との電気的接続も、保護膜１３０の圧着のためのホットプレスと同一の工程で行うことができる。上述の例では、センサパネル５１０は、配線部材１４０が取り付けられた辺の反対側の辺に接続端子５１４を有するが、それ以外の辺に接続端子５１４を有し、金属層１３２に電気的に接続されてもよい。
【００３７】
続いて、図７を参照して、一部の実施形態に係る放射線検出装置７００の構成例について説明する。図７は図２（ａ）に対応する部分の断面図である。放射線検出装置７００の全体の平面図は図１（ａ）と同様であるので省略する。放射線検出装置７００は、保護膜７３０が反射層７３４を更に有する点で放射線検出装置１００とは異なり、それ以外の点は同様である。
【００３８】
金属層１３２は導電部材１４２と同じ材料で形成されるので、上述した反射層としての機能を十分に果たさない場合がある。そこで、放射線検出装置７００は、シンチレータ層１２０を全体的に覆う位置にあり、金属層１３２とシンチレータ層１２０との間に、金属層７２０よりも反射率の高い保護膜７３０を有する。図７に示される例では、反射層７３４は耐湿保護層１３１に埋め込まれている。反射層７３４を更に有することによって、放射線検出装置７００の感度が向上する。
【００３９】
反射層７３４は、例えば有機材料のバインダ樹脂に粒子状の無機材料を含むものを使用できる。ここで無機粒子は、二酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、二酸化珪素酸化チタン粒子等であり、高反射層１４はバインダ樹脂にこの無機粒子を練り込み、シート形状に加工したものが用いられる。一般的には、液晶用バックライトの反射板用途で白色フィルムや白色ＰＥＴとして市販されているものを反射層７３４として使用できる。より具体的には、東レ株式会社製のルミラー（登録商標）Ｅ２０や、株式会社きもと製のレフホワイト、三井化学株式会社製ホワイトレフスター（登録商標）等を反射層７３４として使用できる。これに代えて、反射率が高い金属であるＡｌを使用できる。例えばポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系のホットメルト樹脂や、ゴム系接着剤、アクリル系接着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体系接着剤、シリコーン系接着剤なども使用できる。
【００４０】
上述の説明では放射線検出装置７００の構成を放射線検出装置１００の構成に基づいて説明したが、放射線検出装置７００の構成は放射線検出装置４００や放射線検出装置５００とも組み合わせることが可能である。また、上述の各実施形態に係る放射線検出装置は何れも金属層１３２を有していたが、金属層１３２を有していなくてもよい。さらに、上述の各実施形態に係る放射線検出装置は何れもホットプレス部１３４を有していたが、ホットプレス部１３４を有していなくてもよい。
【００４１】
図８は上述の実施形態に係る放射線検出装置のＸ線診断システム（放射線検出システム）への応用例を示した図である。Ｘ線チューブ６０５０（放射線源）で発生した放射線としてのＸ線６０６０は、被験者又は患者６０６１の胸部６０６２を透過し、上述の放射線検出装置の何れかである検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され信号処理部となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示部となるディスプレイ６０８０で観察できる。なお、放射線検出システムは、検出装置と、検出装置からの信号を処理する信号処理部とを少なくとも有する。
【００４２】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理部により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示部となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録部に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録部となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【図８】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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