(57)【要約】【課題】本発明は、１対の端子のそれぞれから見たときのインピーダンスの差及び抵抗の温度係数の差を低減することが可能なサーモパイルを提供することを目的とする。【解決手段】  半導体基板２０と、半導体基板２０の上に形成された複数の熱電対２１と、を有し、複数の熱電対２１は直列接続されて直列回路を構成しており、前記直列回路には外部回路と接続するための１対の端子３１、３２が設けられ、１対の端子３１、３２間に基準電位が接続されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された複数の熱電対と、を有し、
前記複数の熱電対は直列接続されて直列回路を構成しており、
前記直列回路には外部回路と接続するための１対の端子が設けられ、
前記１対の端子間に基準電位が接続されていることを特徴とするサーモパイル。
【請求項２】
前記基準電位は前記直列回路の中点に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のサーモパイル。
【請求項３】
前記半導体基板の上に前記基準電位を生成する分圧抵抗が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサーモパイル。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のサーモパイルを用いたサーモパイル式センサ。
【請求項５】
請求項４に記載のサーモパイル式センサを用いた赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーモパイル、及びそれを用いたサーモパイル式センサ並びに赤外線センサに関し、特に、１対の端子のそれぞれから見たインピーダンスの差及び抵抗の温度係数の差を低減することが可能なサーモパイル、及びそれを用いたサーモパイル式センサ並びに赤外線センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
産業機器や体温計などに用いられる温度センサや、熱分析などの各種の熱に関する物理量や流体のフロー、不純物濃度、気圧等を計測するセンサ素子として、サーモパイルを用いたものが知られている。
【０００３】
図７には、従来例のサーモパイル１１０の平面図を示す。従来例のサーモパイル１１０は、図７に示すように第１の熱電材料層１２２と第２の熱電材料層１２３とが交互に直列接続されて半導体基板１２０上に構成されている。第１の熱電材料層１２２と第２の熱電材料層１２３とは異なる材料を用いて形成されており、１対の第１の熱電材料層１２２と第２の熱電材料層１２３とで熱電対１２１を構成する。サーモパイル１１０は、複数の熱電対１２１が直列接続されて構成される。各熱電対１２１は、第１の接点１２４と第２の接点１２５との温度差に対応する熱起電力を発生し、サーモパイル１１０は、各熱電対１２１の熱起電力を合計して、同じ温度差に対してより大きな熱起電力を得ることが可能である。そして、サーモパイル１１０の熱起電力は、直列回路の両端に設けられた第１の端子１３１及び第２の端子１３２から取り出される。
【０００４】
近年、サーモパイル１１０のモバイル機器などへの搭載が検討されており、小型化が望まれている。サーモパイル１１０を小型化する場合、第１の接点１２４と第２の接点１２５との温度差が小さくなり各熱電対１２１の起電力が小さくなる傾向にある。そのため、直列接続する熱電対１２１を増やしてサーモパイル１１０の感度を上げる必要がある。しかし、この場合、熱電対１２１を多くすることにより第１の端子１３１と第２の端子１３２との間の抵抗値が増大する。
【０００５】
図８には、サーモパイル１１０の第１の端子１３１及び第２の端子１３２に計装増幅器１３５を接続したサーモパイル式センサ１１１の等価回路図を示す。図８に示すように、計装増幅器１３５の入力端子の一方には、半導体基板１２０の外部に設けられた外部抵抗１４０が接続されている。外部抵抗１４０を設けずにサーモパイル１１０と計装増幅器１３５とを接続した場合、上述のようにサーモパイル１１０が有する抵抗成分である抵抗１５０の値が大きいため、計装増幅器１３５の１対の入力端子のそれぞれから見たときのインピーダンス差が大きくなってしまう。この場合、計装増幅器１３５の出力Ｖ０ｕｔのオフセットが生じて正確なセンサ出力を得ることができなくなる。外部抵抗１４０は、計装増幅器１３５の１対の入力端子のそれぞれから見たときのインピーダンスの差を調整するために設けられており、これにより、計装増幅器１３５でのオフセットの発生を抑制してサーモパイル１１０からの熱起電力を正確に出力することができる。
【０００６】
特許文献１には、サーモパイルやボロメータなどの感熱抵抗素子を用いた赤外線検出器について開示されている。特許文献１の赤外線検出器において、感熱抵抗素子の自己発熱に伴うオフセットの発生を調整するための外部回路が接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２２１２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来例のサーモパイル式センサ１１１においては、図８に示すように外部抵抗１４０を設けてインピーダンス差を調整する必要があるため、小型化を阻害する要因となる。さらに、サーモパイル１１０の有する抵抗成分である抵抗１５０と同等の抵抗値を有する外部抵抗１４０を設けなければならず、外部抵抗１４０の材料選択性やサーモパイル式センサ１１１の設計自由度が小さくなる。
【０００９】
また、サーモパイル１１０の抵抗１５０と外部抵抗１４０とは異なる温度係数を有しており、一致させることは困難である。そのため、使用環境の温度変化が生じた場合、サーモパイル１１０の抵抗１５０と外部抵抗１４０との抵抗値に変化が生じて、計装増幅器１３５から見たときの入力インピーダンスの差が大きくなってしまう。この場合、計装増幅器１３５からの出力Ｖｏｕｔにドリフトが発生して、正確なセンサ出力を得ることができないという課題が生じる。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決して、１対の端子のそれぞれから見たときのインピーダンスの差及び抵抗の温度係数の差を低減することが可能なサーモパイル、及びそれを用いたサーモパイル式センサ並びに赤外線センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のサーモパイルは、半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された複数の熱電対と、を有し、前記複数の熱電対は直列接続されて直列回路を構成しており、前記直列回路には外部回路と接続するための１対の端子が設けられ、前記１対の端子間に基準電位が接続されていることを特徴とする。
【００１２】
これによれば、複数の熱電対から構成される直列回路は、基準電位が接続された箇所において抵抗値が分割される。分割された熱電対をそれぞれ第１の熱電対群、第２の熱電対群とすると、１対の端子から見たときの抵抗値は、それぞれ第１の熱電対群の抵抗値、第２の熱電対群の抵抗値となる。したがって、従来例のサーモパイルと比較して１対の端子のそれぞれから見たときのインピーダンス差を小さくすることができる。また、第１の熱電対群と第２の熱電対群とは同じ材料で形成された熱電対から構成されているため、同じ温度係数を有している。したがって、１対の端子のそれぞれから見たときの抵抗の温度係数の差を低減することが可能であり、温度変化が生じた場合においても従来例のサーモパイルと比較してインピーダンスの差を低減できる。
【００１３】
本発明のサーモパイルによれば、１対の端子のそれぞれから見たときのインピーダンスの差及び抵抗の温度係数の差を低減することが可能である。
【００１４】
本発明のサーモパイルにおいて、前記基準電位は前記直列回路の中点に接続されていることが好適である。これによれば、直列回路において、一対の端子のそれぞれから見たときのインピーダンス、及び抵抗の温度係数を等しくすることできる。また、本発明のサーモパイルを用いてサーモパイル式センサとしたときに、インピーダンス調整のために外部抵抗を設ける必要がないため小型化が可能である。さらに、温度係数のずれによるドリフトの発生も抑制でき正確な出力を得ることができる。
【００１５】
本発明のサーモパイルは、前記半導体基板の上に前記基準電位を生成する分圧抵抗が形成されていることが好適である。これによれば、分圧抵抗についても各熱電対と同様に薄膜プロセスで形成することができるため、半導体基板の外部に分圧抵抗（外部抵抗）を設ける場合に比べて、高精度に抵抗値制御を行うことが可能であり、また、センサの小型化も可能となる。
【００１６】
本発明のサーモパイル式センサは、上記のいずれかのサーモパイルを用いたことを特徴とする。これによれば、サーモパイルの１対の端子のそれぞれから見たときのインピーダンスの差及び抵抗の温度係数の差が小さいため、計装増幅器などの外部回路を接続した場合にインピーダンス調整が容易に行うことができ、または、インピーダンス調整が不要となる。さらに、温度変化が生じた場合にもインピーダンス差を低減できるため、ドリフトの発生を抑制して正確なセンサ出力を得ることができる。
【００１７】
本発明の赤外線センサは、上記のサーモパイル式センサを用いたことを特徴とする。これによれば、サーモパイルの１対の端子からそれぞれ見たときのインピーダンスの差及び抵抗の温度係数の差を小さくすることにより、オフセットや温度ドリフトの発生を抑制して赤外線センサの測定精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のサーモパイルによれば、複数の熱電対から構成される直列回路は、基準電位が接続された箇所において抵抗値が分割される。分割された熱電対をそれぞれ第１の熱電対群、第２の熱電対群とすると、１対の端子から見たときの抵抗値は、それぞれ第１の熱電対群の抵抗値、第２の熱電対群の抵抗値となる。したがって、従来例のサーモパイルと比較して１対の端子から見たときのインピーダンス差を小さくすることができる。また、第１の熱電対群と第２の熱電対群とは同じ材料で形成された熱電対から構成されているため、同じ温度係数を有している。したがって、１対の端子のそれぞれから見たときの抵抗の温度係数の差を低減することが可能であり、温度変化が生じた場合においても従来例のサーモパイルと比較してインピーダンスの差を低減できる。
【００１９】
本発明のサーモパイルによれば、１対の端子のそれぞれから見たときのインピーダンスの差及び抵抗の温度係数の差を低減することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態におけるサーモパイルの平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線で切断したときのサーモパイルの断面図である。
【図３】本実施形態のサーモパイルの等価回路図である。
【図４】本発明の実施形態におけるサーモパイル式センサの等価回路図である。
【図５】サーモパイルの変形例、及びそれを用いたサーモパイル式センサを示す等価回路図である。
【図６】本発明の赤外線センサの断面図である。
【図７】従来例のサーモパイルの平面図である。
【図８】従来例のサーモパイル式センサの等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明をする。図１には、本実施形態におけるサーモパイル１０の平面図を示す。また、図２には、図１のＩＩ−ＩＩ線で切断したときのサーモパイル１０の断面図を示す。
【００２２】
図１に示すように、サーモパイル１０は、直列に接続された複数の熱電対２１を有して構成されている。各熱電対２１は、第１の熱電材料層２２と第２の熱電材料層２３とが第１の接点２４で接続されて構成されている。また、複数の熱電対２１どうしは、第２の接点２５で接続されている。これにより、複数の熱電対２１が直列に接続されて直列回路を構成する。複数の熱電対２１には、第１の端子３１、及び第２の端子３２が接続されており、外部回路と接続可能となっている。
【００２３】
第１の熱電材料層２２と第２の熱電材料層２３とは互いに異なる材料を用いて形成されており、本実施形態において第１の熱電材料層２２としてポリシリコンを用い、第２の熱電材料層２３としてアルミニウムを用いて形成されている。第１の熱電材料層２２及び第２の熱電材料層２３は、スパッタ法などの薄膜法で成膜されて、フォトリソグラフィによってパターニングされる。これにより、図１に示すような、直列接続された熱電対２１が形成される。
【００２４】
図２に示すように、サーモパイル１０は、半導体基板２０を有して構成されており、半導体基板２０には上下に開口する貫通孔２８が形成されている。本実施形態において、半導体基板２０としてシリコン基板を用いることができ、貫通孔２８は、半導体基板２０の下面からエッチングすることにより形成することができる。半導体基板２０の上面には貫通孔２８を覆うように薄膜で形成された絶縁膜２７が設けられており、絶縁膜２７の上面に複数の熱電対２１が形成されている。図１に示すように、複数の熱電対２１は貫通孔２８を囲むように形成されており、第１の接点２４は貫通孔２８と重なる位置に、また、第２の接点２５は半導体基板２０の厚肉部と重なる位置に形成されている。
【００２５】
絶縁膜２７として、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等を用いることができる。また、本実施形態において半導体基板２０に貫通孔２８が形成されているが、この態様に限られず、半導体基板２０の上面または下面にエッチングによりキャビティを形成した構成であっても良い。
【００２６】
図１及び図２に示すように、第１の接点２４は熱容量が小さい貫通孔２８に位置する絶縁膜２７上に形成され、また、第２の接点２５は熱容量が大きい半導体基板２０の厚肉部に位置する絶縁膜２７上に形成されている。これにより、第１の接点２４と第２の接点２５との間に温度差が生じた場合、ゼーベック効果により熱電対２１に熱起電力が発生する。図１に示すように、サーモパイル１０は複数の熱電対２１が直列に接続されており、各熱電対２１の起電力の総和がサーモパイル１０の出力として第１の端子３１及び第２の端子３２から取り出される。
【００２７】
各熱電対２１の起電力は小さいものであり、また、サーモパイル１０を小型化する場合第１の接点２４と第２の接点２５との間の温度差を大きくすることが困難であり、各熱電対の起電力は小さくなる傾向にある。そこで、サーモパイル１０の出力を大きくするために、通常数十〜数百の熱電対２１を直列接続することにより、熱電対２１の起電力の総和を大きくしている。そのため、複数の熱電対２１の抵抗値の総和も増大する。本実施形態のサーモパイル１０においては、図１に示すように、第１の端子３１と第２の端子３２との中点３４から引出配線層２６が引き出され、基準電位接続端子３３に接続されている。複数の熱電対２１から構成される直列回路の中点３４には、基準電位接続端子３３を介して基準電位が接続されている。
【００２８】
図３には、本実施形態のサーモパイル１０の等価回路図を示す。ここで、図１に示す第１の端子３１と中点３４との間における複数の熱電対２１を第１の熱電対群２１ａとして、中点３４と第２の端子３２との間の複数の熱電対２１を第２の熱電対群２１ｂとする。図３に示すように、中点３４から引き出された基準電位接続端子３３には基準電位Ｖｒｅｆが接続されて、複数の熱電対２１は中点３４において第１の熱電対群２１ａと第２の熱電対群２１ｂとに分割される。
【００２９】
これにより、第１の端子３１及び第２の端子３２から見たときの抵抗値は、それぞれ、第１の熱電対群２１ａの抵抗成分である抵抗５０と第２の熱電対群２１ｂの抵抗成分である抵抗５１となる。各熱電対２１は、同一の半導体基板２０の上に同一の工程で形成されて、バラツキは非常に小さいため、第１の熱電対群２１ａの抵抗５０と第２の熱電対群２１ｂの抵抗５１とはほぼ等しい抵抗値となる。したがって、第１の端子３１及び第２の端子３２から見たときのインピーダンスをほぼ等しくすることができる。これにより、第１の端子３１と第２の端子３２とに外部回路を接続してセンサとした場合に、端子間のインピーダンス差の影響を低減してセンサ出力のオフセットの発生を抑制することができる。
【００３０】
また、第１の熱電対群２１ａと第２の熱電対群２１ｂとは同じ材料から形成されていることから、第１の熱電対群２１ａの抵抗５０と第２の熱電対群２１ｂの抵抗５１との温度係数をほぼ等しくすることができる。したがって、第１の端子３１及び第２の端子３２から見たときのインピーダンスの温度係数についても等しくなり、温度変化が生じた場合のインピーダンスの差の発生を抑えることが可能である。これにより、サーモパイル１０を用いてセンサとした場合に、温度変化によるドリフトの発生を抑制して正確なセンサ出力を得ることが可能となる。
【００３１】
図４には、本実施形態のサーモパイル１０に計装増幅器３５を接続したサーモパイル式センサ１１の等価回路図を示す。図４に示すように第１の端子３１及び第２の端子３２は、それぞれ計装増幅器３５の入力端子対に接続されている。サーモパイル１０の中点３４には基準電位Ｖｒｅｆが接続されて、各熱電対２１は第１の熱電対群２１ａと第２の熱電対群２１ｂとに分割されている。これにより、計装増幅器３５の一方の入力端子には、基準電位Ｖｒｅｆを基準とした第１の熱電対群２１ａの熱起電力が入力され、他方の入力端子には基準電位Ｖｒｅｆを基準とした第２の熱電対群２１ｂの熱起電力が入力される。そして、入力端子対に入力された電圧が増幅されて出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。
【００３２】
図４に示すサーモパイル式センサ１１において、サーモパイル１０の第１の端子３１及び第２の端子３２から見たときのインピーダンスはほぼ等しくなることから、計装増幅器３５の各入力端子から見たときのインピーダンスはほぼ等しい値となる。
【００３３】
これにより、入力インピーダンスの差に起因して発生する出力電圧Ｖｏｕｔのオフセットの発生を抑制することができ、正確なセンサ出力を得ることができる。また、インピーダンスの調整が不要であるため、図８の従来例のサーモパイル式センサ１１１で示したような、インピーダンス調整用の外部抵抗１４０を半導体基板１２０の外部に接続する必要がないことから、サーモパイル式センサ１１の小型化が可能である。
【００３４】
また、計装増幅器３５の各入力端子から見たときのインピーダンスの温度係数も等しくすることができるため、温度変化が生じた場合にも入力端子対のそれぞれから見たインピーダンスのバラツキの発生を防止することができる。これにより、温度変化が生じたときに発生する出力電圧Ｖｏｕｔのドリフトの発生を抑制して、正確なセンサ出力を得ることが可能である。
【００３５】
本実施形態に示すサーモパイル１０及びこれを用いたサーモパイル式センサ１１において、複数の熱電対２１から構成される直列回路の中点３４、つまり、第１の端子３１と第２の端子３２との中点３４に基準電位Ｖｒｅｆが接続された構成を示しているが、これに限定されるものではない。第１の端子３１と第２の端子３２との間のいずれかの箇所に基準電位接続端子３３を設けて基準電位Ｖｒｅｆを接続した構成であっても良い。
【００３６】
この場合であっても、従来例のサーモパイル１１０、及びサーモパイル式センサ１１１に比べて、サーモパイル１０の第１の端子３１及び第２の端子３２から見たときのインピーダンス差を小さくすることができる。これにより、サーモパイル式センサ１１とした場合に、入力端子間のインピーダンス差の調整が容易になり、外部抵抗を設ける場合にも材料選択性が拡がり、サーモパイル式センサ１１の設計自由度を高めることができる。また、各熱電対２１はそれぞれ同じ温度係数を有しているため、サーモパイル１０の第１の端子３１及び第２の端子３２から見たときの温度係数の差を小さくすることが可能である。したがって、サーモパイル式センサ１１とした場合に、温度変化によるドリフトの発生を抑制して、正確なセンサ出力を得ることができる。
【００３７】
図５には、本実施形態のサーモパイル１０の変形例、及びこれを用いたサーモパイル式センサ１１の等価回路図を示す。本変形例のサーモパイル１０において、基準電位Ｖｒｅｆを生成するための分圧抵抗４１と分圧抵抗４２とが形成されている。図５に示すように、分圧抵抗４１と分圧抵抗４２とは直列に接続されて、その一端には供給電圧Ｖｓが印加され、他端にはＧＮＤが接続されて接地されている。そして、分圧抵抗４１と分圧抵抗４２との間から基準電位が取り出されて、基準電位接続端子３３に接続されている。分圧抵抗４１の抵抗値をＲ１、分圧抵抗４２の抵抗値をＲ２としたとき、基準電位ＶｒｅｆとしてＶｒｅｆ＝Ｖｓ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）が印加される。分圧抵抗４１及び分圧抵抗４２を適切に設定することにより、基準電位Ｖｒｅｆを精度良く設定することができる。例えば、分圧抵抗４１と分圧抵抗４２とを同じ抵抗値になるように形成すれば、供給電圧Ｖｓの１／２の値が基準電位Ｖｒｅｆとして印加される。
【００３８】
また、本変形例において分圧抵抗４１及び分圧抵抗４２は、図２に示す半導体基板２０の上に形成されていることが好ましい。これによれば、各熱電対２１と同様に、分圧抵抗４１及び分圧抵抗４２を薄膜プロセスで形成することができ、レーザーなどのトリミングによって抵抗値の調整を容易に、かつ正確に行うことが可能となる。したがって、高精度に抵抗値を制御して基準電位Ｖｒｅｆを設定することができる。
【００３９】
分圧抵抗４１、４２に用いられる材料は、特に限定されるものではないが、第１の熱電材料層２２または第２の熱電材料層２３と同じ材料を用いて形成することができる。本変形例において、例えばポリシリコンを用いて分圧抵抗４１及び分圧抵抗４２を形成することができる。この場合、分圧抵抗４１及び分圧抵抗４２と、サーモパイル１０の熱電対２１とを同じ工程で形成することが可能であり製造コストを低減することが可能となる。
【００４０】
また、分圧抵抗４１、４２を半導体基板２０の上に形成することにより、一つのセンサチップ１２として各熱電対２１と分圧抵抗４１、４２とを構成することができ、基準電位Ｖｒｅｆを生成するために外部抵抗を設ける必要がない。したがって、サーモパイル式センサ１１の小型化を実現することができる。
【００４１】
図６には、本発明のサーモパイル式センサ１１を用いた赤外線センサ１３の断面図を示す。本実施形態の赤外線センサ１３において、サーモパイル式センサ１１はパッケージに収納される。図６には、本実施形態の赤外線センサ１３に用いられるサーモパイル１０の断面図を示す。
【００４２】
図６に示すように、赤外線センサ１３において、絶縁膜２７及び各熱電対２１に亘って赤外線吸収膜２９が形成されている。赤外線吸収膜２９は、貫通孔２８と重なる熱容量が小さい位置に形成されており、熱電対２１の第１の接点２４と重なるように、また、第２の接点２５とは重ならないように形成されている。
【００４３】
赤外線センサ１３に赤外線が照射されると、赤外線吸収膜２９が赤外線を吸収して温度が上昇する。これにより、熱電対２１の第１の接点２４の温度が上昇する。一方、第２の接点２５は、熱容量が大きい半導体基板２０の厚肉部上に形成されており、半導体基板２０の厚肉部がヒートシンクとして機能するため、第２の接点２５の温度は上昇しない。このようにして、赤外線の照射により第１の接点２４と第２の接点２５との間に温度差が生じ、ゼーベック効果により各熱電対２１に起電力が発生する。この起電力の総和が赤外線センサ１３の出力となり、起電力の変化によって赤外線を検出することができる。
【００４４】
本実施形態の赤外線センサ１３において、図４または図５に示したサーモパイル式センサ１１が用いられている。この場合においても、計装増幅器３５の各入力端子から見たときのインピーダンスをほぼ等しくすることができるため、インピーダンス調整用の外部抵抗を半導体基板２０の外部に設ける必要がない。したがって、赤外線センサ１３の小型化が可能となる。
【００４５】
また、計装増幅器３５の各入力端子から見たときの第１の熱電対群２１ａと第２の熱電対群２１ｂとの温度係数はほぼ等しくなる。したがって、赤外線の吸収に伴い熱電対２１の温度が上昇した場合において、温度変化によるドリフトの発生を抑制して、高精度な赤外線センサ１３の出力を得ることができる。
【００４６】
なお、本実施形態において、サーモパイル式センサ１１を用いて赤外線センサ１３を構成する場合を示したが、これに限定されるものではない。例えば、温度センサや流量センサとして応用することが可能であり、また、特定のガスに反応する触媒層を設けてガスセンサとした場合等においても同様の効果を奏する。
【符号の説明】
【００４７】
１０  サーモパイル
１１  サーモパイル式センサ
１３  赤外線センサ
２０  半導体基板
２１  熱電対
２１ａ  第１の熱電対群
２１ｂ  第２の熱電対群
２２  第１の熱電材料層
２３  第２の熱電材料層
２４  第１の接点
２５  第２の接点
２６  引出配線層
２７  絶縁膜
２８  貫通孔
２９  赤外線吸収膜
３１  第１の端子
３２  第２の端子
３３  基準電位接続端子
３４  中点
３５  計装増幅器
４１、４２  分圧抵抗
５０、５１  抵抗
【図１】
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【図２】
2015155797.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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