(57)【要約】【課題】内部電極と誘電体層間の間の剥離を抑制することが可能で、十分な信頼性を備えた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】内部電極２を備えたセラミック素体１０に、内部電極２と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極が、第１または第２の端面側からみた場合、および、第１または第２の側面側からみた場合のいずれの場合においても、山４１と谷４２が繰り返すような湾曲した状態で誘電体層１間に配設され、山と山の間隔Ｐが１００〜１５０μｍの範囲となるようにする。  隣り合う内部電極間の距離を０．７μｍ〜０．９μｍとする。  内部電極の厚みを０．６μｍ〜０．８μｍとする。  内部電極の層数を４００層以下にする。【選択図】図３
2015029152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記第１の主面から前記第２の主面に向かう方向が前記誘電体層および前記内部電極の積層方向となり、かつ、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極は、前記第１または第２の端面側からみた場合、および、前記第１または第２の側面側からみた場合のいずれの場合においても、山と谷が繰り返すような湾曲した状態で前記誘電体層間に配設されており、一の山と、前記一の山と隣り合う山との間隔が１００〜１５０μｍの範囲にあること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
隣り合う前記内部電極間の距離が０．７μｍ〜０．９μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記内部電極の厚みが０．６μｍ〜０．８μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１または２記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記内部電極の層数が４００層以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体セラミックからなる誘電体層と、誘電体層を介して積層され、誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを有するセラミック素体に、内部電極と導通する外部電極を設けた構造を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、特許文献１に開示されているような積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、図４に示すように、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）１１０の一対の端面１０３（１０３ａ，１０３ｂ）に、内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）と導通するように一対の外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）が配設された構造を有している。
【０００４】
そして、この特許文献１の積層セラミックコンデンサの場合、誘電体と焼結温度が近い亜鉛を含む酸化物を導電成分とする導電ペースト（酸化物導電ペースト）を、内部電極形成用の導電ペーストとして用いることにより、被覆率の高い内部電極を有する積層セラミックコンデンサが得られるようにしている。
【０００５】
さらに、特許文献１においては、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎのいずれかを含む亜鉛を主成分とした導電性酸化物を用いることにより、導電ペーストにおいて重要な、導電性、焼結温度、焼結挙動などを制御することができるとされている。
【０００６】
しかしながら、積層セラミックコンデンサの場合、内部電極と、誘電体層を構成する誘電体（セラミック）とでは、通常、構成材料や組成が大きく異なるため、両者の密着力が弱く、焼成した際の収縮率も異なる。
【０００７】
したがって、例えば特許文献１の方法で、被覆率の高い内部電極を形成したとしても、焼成工程における内部電極と誘電体の間の収縮率の差により、内部電極と誘電体層の間に剥離が生じてしまい、高特性の積層セラミックコンデンサを得ることができないという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−１２４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、内部電極と誘電体層間の間の剥離を抑制することが可能で、十分な信頼性を備えた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記第１の主面から前記第２の主面に向かう方向が前記誘電体層および前記内部電極の積層方向となり、かつ、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極は、前記第１または第２の端面側からみた場合、および、前記第１または第２の側面側からみた場合のいずれの場合においても、山と谷が繰り返すような湾曲した状態で前記誘電体層間に配設されており、一の山と、前記一の山と隣り合う山との間隔が１００〜１５０μｍの範囲にあること
を特徴としている。
【００１１】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、隣り合う前記内部電極間の距離が０．７μｍ〜０．９μｍの範囲にあることが好ましい。
【００１２】
本発明の積層セラミックコンデンサでは、内部電極間の距離、すなわち、内部電極間に介在する誘電体層の厚みが０．７μｍ〜０．９μｍの範囲にあることが好ましいが、これは、誘電体層の厚みが０．７μｍを下回ると、耐電圧特性が低下し、０．９μｍを上回ると、必要とされる容量を得ることが困難になることによる。
【００１３】
また、前記内部電極の厚みが０．６μｍ〜０．８μｍの範囲にあることが好ましい。
【００１４】
内部電極の厚みが０．６μｍを下回ると、上述のような山と谷が繰り返すような湾曲した形状とすることに起因する内部電極の破損が生じるおそれがあり、０．９μｍを上回ると山と谷が繰り返すような湾曲した形状を与えることが困難になるため、内部電極の厚みは、０．６μｍ〜０．８μｍの範囲とすることが好ましい。
【００１５】
また、前記内部電極の層数が４００層以下であることが好ましい。
【００１６】
内部電極の層数が４００層を超えるような多層化が進んだ積層セラミックコンデンサの場合、通常は誘電体層が薄く設計されることになり、内部電極に山と谷が繰り返すような湾曲した形状を与えると、耐電圧の低下を招くおそれが大きくなる。したがって、本発明は、内部電極の層数が４００層以下のものに適用することが望ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極が、第１または第２の端面側からみた場合、および、第１または第２の側面側からみた場合のいずれの場合においても、山と谷が繰り返すような湾曲した状態で誘電体層間に配設されており、かつ、一の山と隣り合う山との間隔が１００〜１５０μｍとなるように構成されているので、内部電極の山と、隣り合う誘電体層の谷が接合し、内部電極の谷と、隣り合う誘電体層の山が接合して、内部電極と誘電体層がしっかりと係合するため、内部電極と誘電体層との間における層間剥離の発生を抑制、防止して、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することが可能になる。
【００１８】
なお、本発明の積層セラミックコンデンサにおいて、一の山と隣り合う山との間隔を１００〜１５０μｍの範囲としているのは、一の山と隣り合う山との間隔が１００μｍを下回ると耐電圧が低下し、１５０μｍを上回ると内部電極と誘電体層との間における層間剥離を抑制する効果が低下することによる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す図であって、要部を拡大して示す断面図である。
【図４】従来の積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）にかかる積層セラミックコンデンサ５０の構成を示す正面断面図、図２は積層セラミックコンデンサ５０の外観構成を示す斜視図である。  
【００２２】
この積層セラミックコンデンサ５０は、図１および２に示すように、誘電体セラミックからなる誘電体層１と、誘電体層１間の複数の界面に配設された複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備えたセラミック素体１０と、セラミック素体１０の外表面に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように配設された一対の外部電極５（５ａ，５ｂ）を備えている。
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）と、後述するセラミック素体１０の第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂとの間には、補助電極６（６ａ，６ｂ）が配設されている。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、隣り合う内部電極２（２ａ，２ｂ）と同電位の外部電極と導通している。ただし外部電極と導通していなくてもよい。
また、補助電極６（６ａ，６ｂ）は、第１の主面１１ａ側のみに設けられていてもよく、第２の主面１１ｂ側のみに設けられていてもよい。
さらに、補助電極６（６ａ，６ｂ）はそれぞれ複数備えていてもよい。
また、補助電極６（６ａ，６ｂ）を備えていない構成とすることも可能である。
【００２３】
セラミック素体１０を構成する誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系のセラミック誘電体から形成されている。なお、ＢａＴｉＯ3のＴｉ１００モル部に対して、Ｄｙが１．０モル部、Ｍｇが１．３モル部となるように添加し、さらにＭｎを添加している。
なお、誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系のセラミック誘電体に限らず、ＣａＺｒＯ3系などの他のセラミック誘電体から形成されていてもよい。
また、内部電極２は、ＮｉもしくはＣｕなどの卑金属を主成分とする金属層である。
【００２４】
セラミック素体１０は、直方体形状を有しており、第１の主面１１ａおよび第１の主面１１ａと対向する第２の主面１１ｂと、第１の主面１１ａに直交する第１の端面２１ａおよび第１の端面２１ａと対向する第２の端面２１ｂと、第１の端面２１ａに直交する第１の側面３１ａおよび第１の側面３１ａと対向する第２の側面３１ｂとを備えている。
【００２５】
なお、第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂを結ぶ方向を高さ方向とした場合に、この高さ方向が誘電体層１および内部電極２（２ａ，２ｂ）の積層方向となる。
【００２６】
第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂには、複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が交互に引き出されており、第１の端面２１ａには内部電極２ａが引き出され、第２の端面２１ｂには内部電極２ｂが引き出されている。
【００２７】
また、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０において、外部電極５（５ａ，５ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）と、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）とを備えた構造とされている。
【００２８】
焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は，Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストをセラミック素体１０に塗布して焼き付けることにより形成される焼き付け電極（厚膜電極）である。なお、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の構成材料は、上述のＣｕやＮｉに限られるものではなく、さらに他の金属材料を用いることも可能である。
【００２９】
そして、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は、セラミック素体１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂから、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込むように形成されている。
なお、焼結金属層１２の厚みは、通常、０．５μｍ〜１０μｍの範囲にあることが望ましい。
ただし、焼結金属層１２の厚みは上述の範囲に限られるものではなく、他の厚みとすることも可能である。
【００３０】
めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の全体を覆うように形成されている。
【００３１】
また、この実施形態では、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）上に形成されたＮｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）と、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）上に形成されたＳｎめっき層３４（３４ａ，３４ｂ）を備えた２層構造のめっき層とされている。
【００３２】
また、この積層セラミックコンデンサ５０において、上述の補助電極６（６ａ，６ｂ）と、その外側のセラミック層（すなわち、第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂ側のセラミック層）との境界には、ＭｇとＭｎを含有した境界層が６９％以上に設けられている。また、補助電極６（６ａ，６ｂ）は、その連続性が６０％以上である。さらに、連続性が途切れている領域である欠損部の３９％以上にＳｉを含む偏析物が存在している。なお、境界層中におけるＭｇ含有量に対するＭｎ含有量のモル比Ｍｎ／Ｍｇは特に限定されるものではないが、Ｍｎ／Ｍｇ＝０．００５〜０．７の範囲にあることが、特に好ましい。
【００３３】
この補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在は以下のようにして確認した。まず、積層セラミックコンデンサを、長さ方向と厚み方向により規定される面が露出するような態様で、研磨機により研磨した。このとき、積層セラミックコンデンサの幅方向の１／２程度の深さまで研磨を行った後、研磨による内部電極のダレを除去した。
【００３４】
それから、上述のようにして研磨した研磨端面において、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中央部の位置において、内部電極２とほぼ直交する直線を引く（想定する）。そして、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界部分と上記直線とが直交する領域（境界層）を電子顕微鏡を用いて倍率１万倍で観察した。そして、この実施形態では、観察視野の幅を１０μｍとし、ＦＥ−ＷＤＸにて観察を行うことにより、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在を確認した。
【００３５】
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）の厚みは以下のようにして求めた。
まず、上記研磨端面を厚み方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。
【００３６】
そして、各領域において、最外の内部電極２を除いて、上記の直線と直交する位置の内部電極２の厚みを、それぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、内部電極の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。ただし、内部電極が欠落しているなどの理由で測定できない部分は測定対象から除いた。
【００３７】
また、誘電体層１の厚みは、上記の上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域において、上記の直線と直交する位置の誘電体層１の厚みをそれぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、誘電体層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
【００３８】
ただし、積層方向の最も外側に位置する最外層の内部電極２の外側に位置する最外誘電体層、および、内部電極が欠損していることにより２層以上の誘電体層が繋がって観察されるなどの理由により測定できない部分は測定対象から除いた。
【００３９】
また、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界部分と上記の直線とが直交する箇所の領域（境界層）を電子顕微鏡を用いて倍率１万倍で観察した。この実施形態では、観察視野の幅を１０μｍとし、ＦＥ−ＷＤＸにて観察を行った。
【００４０】
そして、この実施形態の積層セラミックコンデンサにおいては、図３に模式的に示すように、内部電極２は、第１または第２の端面２１ａ，２１ｂ（図２）側からみた場合、および、第１または第２の側面３１ａ，３１ｂ（図２）側からみた場合のいずれの場合においても、山４１と谷４２が繰り返すような湾曲した状態で誘電体層１間に配設されている。
【００４１】
そして、内部電極２の一の山４１（４１ａ）と、この一の山４１（４１ａ）と隣り合う山４１（４１ｂ）との間隔Ｐは、１００〜１５０μｍの範囲となるように構成されている。
【００４２】
また、内部電極２における、山４１の頂きから谷４２の底部までの距離Ｈは、  １〜１０μｍとなるように構成されている。
【００４３】
この実施形態においては、誘電体層を介して互いに隣り合う内部電極２間の距離は、０．７μｍ〜０．９μｍの範囲となるように構成されている。
【００４４】
また、内部電極の厚みは、０．６μｍ〜０．８μｍの範囲となるように構成されている。
【００４５】
さらに、この実施形態の積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極２の層数が４００層以下となるように構成されている。
【００４６】
なお、本発明における内部電極の態様、すなわち、第１または第２の端面２１ａ，２１ｂ側からみた場合、および、第１または第２の側面３１ａ，３１ｂ（図２）側からみた場合のいずれの場合においても、山４１と谷４２が繰り返すような湾曲した状態で誘電体層１間に配設されている態様は、例えば、積層セラミックコンデンサの厚み方向と幅方向で規定される面を、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中央部まで研磨し、ＳＥＭにより観察することで確認することができる。
【００４７】
さらに、厚み方向と長さ方向で規定される面を、積層セラミックコンデンサの幅方向の中央部まで研磨し、ＳＥＭにより観察することで確認することができる。複数の山のうち、各々の山と山の間隔は一定であることが望ましいが、必ずしも一定でなくてもよい。ただし、少なくとも２つの山の間隔が、１００〜１５０μｍの範囲となるように構成されていることが好ましい。また、必ずしも全ての内部電極で湾曲した状態である必要はなく、内部電極の中央部に比較的多く、山が存在していてもよい。
【００４８】
このような構成とすることにより、内部電極２の山４１と、隣り合う誘電体層１の谷４２が接合し、内部電極２の谷４２と、隣り合う誘電体層１の山４１が接合して、内部電極２と誘電体層１が確実に係合する。その結果、内部電極２と誘電体層１との間における層間剥離の発生を抑制、防止することが可能になり、信頼性の高い積層セラミックコンデンサ５０を得ることができる。
【００４９】
なお、この実施形態では、積層セラミックコンデンサ５０として、
（ａ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：１．０ｍｍ、幅（Ｗ）：０．５ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．５ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｂ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．６ｍｍ、幅（Ｗ）：０．３ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｃ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．４ｍｍ、幅（Ｗ）：０．２ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．２ｍｍの積層セラミックコンデンサと
を作製した。
【００５０】
ただし、本発明は上述のような寸法の積層セラミックコンデンサに限られるものではなく、異なる寸法の積層セラミックコンデンサにも適用することが可能である。
【００５１】
次に、この積層セラミックコンデンサ５０の製造方法について説明する。
まず、ＢａＴｉＯ3もしくはＣａＺｒＯ3を主成分とする誘電体セラミック粉末にバインダーと溶剤を配合して分散させたセラミック原料スラリーを、ＰＥＴフィルムなどの樹脂フィルム上に薄く伸ばしてシート状に成形することにより、セラミックグリーンシートを作製する。
【００５２】
それから、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方法を用いて、導電ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００５３】
次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシート（外層用セラミックグリーンシート）を、所定の順序で、所定枚数積み重ねる。
【００５４】
図３に示すように、内部電極２が、第１または第２の端面２１ａ，２１ｂ側からみた場合、および、第１または第２の側面３１ａ，３１ｂ（図２）側からみた場合のいずれの場合においても、山４１と谷４２が繰り返すような湾曲した構造を実現するにあたっては、例えば、セラミックグリーンシートを積層する工程で、セラミックグリーンシートを吸引保持する吸引ヘッドとして、吸着面に山と谷が繰り返すような湾曲した形状を有する吸引ヘッドを用い、セラミックグリーンシートを順次に吸引ヘッドで吸引保持して積層する方法などを適用することが可能である。
【００５５】
ただし、内部電極２に上述のような山４１と谷４２が繰り返すような湾曲した構造を持たせるための方法は、上記の方法に限られるものではない。
【００５６】
そして、得られた積層ブロックを、プレスして、各セラミックグリーンシートを圧着する。積層ブロックをプレスするにあたっては、例えば、圧着ブロックを樹脂フィルムで挟み、静水圧プレスなどの方法によりプレスを行う。
【００５７】
その後、プレスされた積層圧着体を、押切り、切削などの方法を用いて、直方体形状のチップ（個片）に分割し、バレル研磨を行う。
【００５８】
バレル研磨を行ったチップ（焼成後にセラミック素体１０（図１）となる個片）を、所定の温度に加熱してバインダーを除去した後、例えば、９００〜１０００℃で本焼成を行い、直方体形状のセラミック素体を得る。
【００５９】
それから、このセラミック素体の他方端面側を保持し、Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストを定盤上に塗布することにより形成した導電ペースト層に、セラミック素体の一方端面を浸漬することで、セラミック素体の一方端面に、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００６０】
次に、セラミック素体の他方端面についても、同様の方法で、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００６１】
それから、上述のようにして付与したセラミック素体の一方端部および他方端部の導電ペーストを焼き付けることにより、焼結金属層を形成する。
【００６２】
その後、焼結金属層上に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの順でめっきを行い、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成する。
これにより、図１〜３に示すような構造を備えた本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０が得られる。
【００６３】
＜試験＞
本発明の効果を確認するため、外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．６ｍｍ、幅（Ｗ）：０．３ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサであって、内部電極が上述のような山と谷を備えた湾曲した構造を有し、かつ、山と山の間隔Ｐ（図３）を５０μｍ〜２００μｍの範囲で異ならせた、試料番号１〜６の積層セラミックコンデンサ（試料）を作製した。
なお、内部電極における山４１の頂きから谷４２の底部までの距離Ｈ（図３）は、１〜１０μｍとなるようにした。
【００６４】
山と山の間隔Ｐ（図３）は、例えば、積層セラミックコンデンサの厚み方向と幅方向で規定される面を、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中央部まで研磨し、ＳＥＭにより観察する方法により調べた。
【００６５】
また、比較試料として、山と谷を設けていない内部電極を備えた積層セラミックコンデンサを作製した。
【００６６】
そして、上述のようにして作製した各試料について、容量増加率、耐電圧の低下割合、および内部電極の剥離強度を調べた。なお、各試料について試料数はいずれも２０個とした。
【００６７】
（ａ）容量増加率
試料番号１〜６の試料（積層セラミックコンデンサ）と、山と谷を設けていない内部電極を備えた積層セラミックコンデンサ（比較試料）において取得される容量の大きさを調べ、試料番号１〜６の試料において取得される容量の大きさＡの、比較試料において取得される容量の大きさＢに対する割合（容量増加率）（％）（（Ａ／Ｂ）×１００）を求めた。
なお、各試料の容量は、容量測定機で求めた。
【００６８】
（ｂ）耐電圧の低下割合（試料番号１〜６の試料の耐電圧値の、比較試料の耐電圧値に対する割合）
試料番号１〜６の試料と、山と谷を設けていない内部電極を備えた積層セラミックコンデンサ（比較試料）の耐電圧値を求め、試料番号１〜６の試料の耐電圧値Ａの、比較試料の耐電圧値Ｄに対する割合（耐電圧の低下割合）（％）（（Ｃ／Ｄ）×１００）を求めた。
なお、各試料の耐電圧値は、電圧を変化させて印加し、絶縁抵抗値が規定より落ちた際の電圧を耐電圧として求めた。
【００６９】
（ｃ）各試料の内部電極の剥離強度
表面切削試験により、各試料の内部電極の剥離強度を求めた。
その結果を、表１に示す。
【００７０】
【表１】
2015029152.tif 000003
【００７１】
表１において試料番号に＊を付した試料番号１，２および６の試料は、山と山の間隔が本発明の範囲内にはない試料であり、他の試料（試料番号３，４および５の試料）は本発明の要件を備えた試料である。
【００７２】
山と山の間隔が１００μｍ未満の試料番号１，２の試料の場合、耐電圧の低下の割合が大きく、必要とする耐電圧性能を満足することができないことが確認された。
【００７３】
また、山と山の間隔を２００μｍとした試料番号６の試料の場合、内部電酷の剥離強度が低下し、好ましくないことが確認された。
【００７４】
これに対し、山と山の間隔を１００〜１５０μｍとした試料番号３，４および５の試料の場合、容量および耐電圧性能が良好で、内部電極の剥離強度も十分に大きいことが確認された。
【００７５】
上記結果から、本発明によれば、内部電極と誘電体層間の間の剥離を抑制することが可能で、十分な耐電圧性能を備えた、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供できることがわかる。
【００７６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１                誘電体層
１ａ              最外誘電体層
２（２ａ，２ｂ）  内部電極
５（５ａ，５ｂ）  外部電極
６（６ａ、６ｂ）  補助電極
１０              セラミック素体
１１ａ            セラミック素体の第１の主面
１１ｂ            セラミック素体の第２の主面
１２（１２ａ，１２ｂ）    焼結金属層
２１ａ            セラミック素体の第１の端面
２１ｂ            セラミック素体の第２の端面
３１ａ            セラミック素体の第１の側面
３１ｂ            セラミック素体の第２の側面
３２（３２ａ，３２ｂ）    めっき層
３３（３３ａ，３３ｂ）    Ｎｉめっき層
３４（３４ａ，３４ｂ）    Ｓｎめっき層
４１（４１ａ）    山（一の山）
４１（４１ｂ）    一の山と隣り合う山  
５０              積層セラミックコンデンサ
Ｈ                山の頂きから谷の底部までの距離
Ｐ                山と山の間隔
Ｌ                積層セラミックコンデンサの長さ
Ｔ                積層セラミックコンデンサの高さ
Ｗ                積層セラミックコンデンサの幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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