(57)【要約】【課題】発光素子を有するライン光源装置において、発光ラインに対する幅方向の寸法を従来よりも狭くする。【解決手段】発光素子（８）は、光取り出し面側に２つの上部電極（８ｅ）を有し、裏面側の下部電極（８ｆ）が基板（１）に形成される各導電パターン（３、４、…）にそれぞれ実装される。それぞれの導電パターンは、二股のボンディング領域（３ｂ、４ｂ、…）を有し、ボンディング領域が、隣接して実装される他の発光素子の上部電極の位置までには達しない長さを有して二股に延びるように形成される。これにより、発光素子の上部電極とボンディング領域とを接続する導電ワイヤ（１０）の配線方向を発光ラインに対して平行にし、ライン光源装置の幅方向の寸法を従来よりも狭くすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光面側の上部電極および前記発光面の裏面側に前記上部電極とは極性が異なる下部電極を有し、平面視が四角形の発光素子を複数備えるライン光源装置であって、
基板に形成され互いに電気的に絶縁された各導電パターンに、少なくとも１つの前記発光素子が、複数の前記発光素子の中心を結ぶ線として定義される発光ラインに対し当該四角形の１つの対角線が平行となるように実装され、
前記各導電パターンが、発光素子を実装する実装領域と、隣接する他の発光素子の上部電極との間でワイヤボンディングされるボンディング領域とを有し、
第１の発光素子を実装する第１の導電パターンのボンディング領域が、隣接する第２の導電パターンに実装される第２の発光素子の上部電極に向かい、かつ、前記第２の発光素子の前記上部電極の位置には達しない長さを有して延びることを特徴とする、ライン光源装置。
【請求項２】
前記各発光素子の発光面側には極性が同一の２つの上部電極が設けられ、前記２つの上部電極を結ぶ線が前記発光ラインに対し交差する向きに前記各発光素子が前記各導電パターンに実装される、請求項１に記載のライン光源装置。
【請求項３】
前記２つの上部電極を結ぶ線が前記発光ラインに対し直交する向きに前記各発光素子が前記各導電パターンに実装される、請求項１または２に記載のライン光源装置。
【請求項４】
前記２つの上部電極が、前記四角形の発光素子の前記１つの対角線とは異なる他の対角線上に設けられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のライン光源装置。
【請求項５】
前記第１の導電パターンのボンディング領域が、隣接して実装される前記第２の発光素子の２つの上部電極に向けて二股に延びて形成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のライン光源装置。
【請求項６】
前記第１の導電パターンのボンディング領域と前記第２の発光素子の上部電極との間をワイヤボンディングする配線方向が前記発光ラインと平行である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のライン光源装置。
【請求項７】
前記発光ラインの方向に見た前記各導電パターンの幅と前記各発光素子の対角線の長さが実質的に一致する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のライン光源装置。
【請求項８】
前記導電パターンの実装領域には前記発光素子の下部電極との接合に用いられる接合材に対し濡れ性がないアライメントパターンが形成され、
隣接する２つの実装領域を隔てる絶縁領域が前記アライメントパターンの一部を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のライン光源装置。
【請求項９】
基板に形成される導電パターンに発光素子がそれぞれ複数実装されてなるライン光源装置であって、
第１の発光素子を実装する第１の導電パターンのボンディング領域と、隣接する第２の導電パターンに実装される第２の発光素子の上部電極との間でワイヤボンディングされ、
複数の前記発光素子の中心を結ぶ線として定義される発光ラインの方向に見た前記各発光素子の幅により画される仮想帯域内で前記ワイヤボンディングがされることを特徴とする、ライン光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対し複数の発光ダイオード（Light Emitting Diode, LED）チップが一列に実装されてなるライン光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（以下「ＬＥＤ」と略称する。）は、高い発光効率、低い消費電力および長寿命であるという観点から、照明用装置をはじめ、光通信装置などの様々な応用製品の光源として採用されている。特にプリンタやスキャナまたはこれらを含む複合機においては、複数のＬＥＤを基板上に一列に実装したライン光源装置が用いられている。
【０００３】
従来、ＬＥＤは、ＩＩＩ−Ｖ族であるＡｌＧａＡｓやＧａＡｓＰなどの３元合金混晶の化合物半導体を中心に高輝度化および高効率化等が図られてきた。近年では、ＧａＮ系化合物を用いた青色ＬＥＤの実用化を端緒として、４元合金以上の多元合金の結晶製造技術や接合技術の研究および実用化が進められ、紫外から赤外領域までの広い波長範囲で発光色の制御が可能となっている。
【０００４】
一般に、ＬＥＤは、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層（発光層）を挟んで接合されている。現在主流とされる白色ＬＥＤは、波長のピークが４５０ｎｍ前後の青色ＬＥＤと、その青色光を５５０ｎｍ前後の波長に変換する黄色蛍光体との組み合わせに基づいて、単一の発光素子（シングルチップ）のみによる白色光が実現されている。またスキャナ、インク硬化、パネル貼り合わせ等多くの分野で、１つの直線上に紫外光や可視光のような所望の波長の光を照射するライン光源装置が用いられており、発光素子がこの紫外光や可視光の光源として用いられている。
【０００５】
ライン光源装置などに実装される発光素子は、たとえばｐ型およびｎ型の半導体層をエピタキシャル成長させ、その後に導電体からなるｐ電極およびｎ電極をそれぞれ対応する半導体層に接合させた基本構造を有している。垂直構造の発光素子を例にとると、半導体層の光取り出し面側にはｎ電極（カソード）が設けられ、半導体層の裏面にｐ電極（アノード）が設けられる。発光素子は、半導体層の裏面のｐ電極が、半田または導電性ペーストを介して基板に形成した導電パターンに接合することでダイボンドされる。そして、光取り出し面側のｎ電極を基板のボンディング領域との間でワイヤボンディングすることにより、発光素子と基板とが電気的に接続される。
【０００６】
従来のライン光源装置は、ＬＥＤが配列される方向である発光ラインに対して直交する方向に、電流を供給するボンディングワイヤが引き出される構造を有している（たとえば特許文献１および２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−００６５８３号公報
【特許文献２】特開２００６−３４４５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来のライン光源装置によれば、発光ラインに対して直交する方向にワイヤボンディングするため、導電パターンのボンディング領域を発光ラインから一定の距離を隔てて形成しなければならなかった。そのため、ライン光源装置の幅寸法を狭くするには限界があった。
【０００９】
本発明は、かかる従来の課題にかんがみてなされたものであり、発光ラインに対する幅方向の寸法を従来よりも狭くすることができるライン光源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、発光面側の上部電極および前記発光面の裏面側に前記上部電極とは極性が異なる下部電極を有し、平面視が四角形の発光素子を複数備えるライン光源装置であって、基板に形成され互いに電気的に絶縁された各導電パターンに、少なくとも１つの前記発光素子が、複数の前記発光素子の中心を結ぶ線として定義される発光ラインに対し当該四角形の１つの対角線が平行となるように実装され、前記各導電パターンが、発光素子を実装する実装領域と、隣接する他の発光素子の上部電極との間でワイヤボンディングされるボンディング領域とを有し、第１の発光素子を実装する第１の導電パターンのボンディング領域が、隣接する第２の導電パターンに実装される第２の発光素子の上部電極に向かい、かつ、前記第２の発光素子の前記上部電極の位置には達しない長さを有して延びることを特徴とする、ライン光源装置である。
【００１１】
また、本発明は、基板に形成される導電パターンに発光素子がそれぞれ複数実装されてなるライン光源装置であって、第１の発光素子を実装する第１の導電パターンのボンディング領域と、隣接する第２の導電パターンに実装される第２の発光素子の上部電極との間でワイヤボンディングされ、複数の前記発光素子の中心を結ぶ線として定義される発光ラインの方向に見た前記各発光素子の幅により画される仮想帯域内で前記ワイヤボンディングがされることを特徴とする、ライン光源装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のライン光源装置によれば、複数の発光素子が個々に実装される導電パターンのそれぞれのボンディング領域が発光ラインに近い位置に集約される。これにより、ライン光源装置の幅寸法を従来よりも狭くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のライン光源装置の第１の実施形態を示す平面図である。
【図２】図１のライン光源装置に備えられる基板の平面図である。
【図３】図１のライン光源装置に備えられる発光素子の断面構造を示す模式図である。
【図４】図１のライン光源装置の基板の導電パターンを説明するための図である。
【図５】本発明のライン光源装置の第２の実施形態を示す平面図である。
【図６】本発明のライン光源装置の第３の実施形態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明のライン光源装置の好適な実施形態を図面を参照しながら説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は本発明のライン光源装置の第１の実施形態を示す平面図である。また、図２はそのライン光源装置に備えられる基板１の平面図であり、発光素子が実装されていない状態で導電パターン２、３、４、５が示される。図１に示されるライン光源装置は、基板１に形成される導電パターン２、３、４、５上に各発光素子８、８、…がそれぞれ実装されて配列されている。
【００１６】
基板１は、ガラスエポキシ樹脂、またはアルミナからなるセラミックなどのように絶縁性を有する板状の材料からなる。基板１の表面には、導電パターン２、３、４、５、および、電極パターン６、７などが電解メッキ法およびエッチング法などの周知のプリント技術により、たとえば銅などの導電体として形成されている。図１および図２において、電極パターン６はライン光源装置のアノード電極（陽極）であり、電極パターン７はカソード電極（陰極）である。また、基板１に島状に形成される導電パターン２、３、４、５は、絶縁領域１ａを介してそれぞれ互いに電気的に絶縁されている。ここで、絶縁領域とは、基板１に導電体が形成されていない領域のことであり、また後述する接合材に対し濡れ性がない非濡れ性領域でもある。
【００１７】
各導電パターン２、３、４、５に実装される発光素子８は、平面視において四角形を有している。ここで、図３には、発光素子８の断面構造が模式的に示される。発光素子８は、たとえば窒化物系化合物半導体（一般式がＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１））のＧａＮ系の青色ＬＥＤからなる。また、発光素子８は、他のたとえばＺｎＳｅ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＡｌＩｎＧａＰ系などの化合物半導体からなるものであってもよい。
【００１８】
発光素子８は、たとえば有機金属化学気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）法によって、サファイアなどの成長用基板上にｎ型半導体層８ｄ、活性層８ｃ、ｐ型半導体層８ｂを順次積層し、さらにｐ型半導体層側に支持基板８ａを貼り付けた後、サファイア基板を除去し、また活性層からみてｎ型半導体層側にｎ電極８ｅおよびｐ型半導体層側にｐ電極８ｆを形成するなどして得ることができる。
【００１９】
発光素子８の上部電極であるｎ電極８ｅは、ｎ型半導体層８ｄに電気的に接合して設けられる。図１にも示されるように、ｎ電極８ｅは、発光素子８の四角形の上面（光取り出し面）において対角の２箇所に設けられている。すなわち、２箇所のｎ電極８ｅ、８ｅは、極性が同一である。一方、下部電極としてのｐ電極８ｆは、支持基板８ａに電気的に接合して、発光素子８の裏面（接合面）に設けられている。ｎ電極８ｅおよびｐ電極８ｆは、Ａｕなどの電気抵抗が小さく耐食性に優れた金属材料をたとえば蒸着して形成される。上部電極であるｎ電極８ｅは、ワイヤボンディングを容易にするためにパッド状に形成することが好ましい。また、下部電極であるｐ電極８ｆは、導電パターンとの接合力を得るために発光素子８の裏面の略全面にわたり形成されることが好ましい。
【００２０】
発光素子８は、ｐ電極８ｆからｎ電極８ｅへ順方向の電流が供給されることにより活性層８ｃにキャリア（正孔および電子）が移動して閉じ込められ、そこでキャリアの再結合が効率良く起こり光が放出される。このため、活性層８ｃは発光層ともいわれる。
【００２１】
図４に示されるように、本実施形態のライン光源装置は、基板１に形成され互いに電気的に絶縁された各導電パターン２、３、４、５に、少なくとも１つの発光素子８が、発光ラインＬに対し、四角形の１つの対角線が平行となるように実装される。ここで、「発光ライン」とは、複数の発光素子（複数実装される発光素子）８、８、…の中心を結ぶ仮想の線として定義される。
【００２２】
図４の例では、上述したように極性を同じくする２つの上部電極であるｎ電極８ｅ、８ｅが各発光素子８の上面（光取り出し面）側の対角の位置に設けられている。これら２つのｎ電極８ｅ、８ｅを結ぶ線が発光ラインＬに対し交差する向きに、各発光素子８が基板１上に配列されている。特に、２つのｎ電極８ｅ、８ｅを結ぶ線が発光ラインＬに対し直交する向きに各発光素子８が配列されていることが好ましい。すなわち、発光素子８の１つの対角線（発光ラインＬに対し平行となる対角線）とは異なる他の対角線上に２つのｎ電極８ｅ、８ｅがそれぞれ設けられていることが好ましい。
【００２３】
次に、各導電パターン２、３、４、５は、発光素子８の下部電極であるｐ電極８ｆが電気的に接合される実装領域２ａ、３ａ、４ａ、５ａと、隣接する他の発光素子の上部電極であるｎ電極８ｅとの間でワイヤボンディングされるボンディング領域２ｂ、３ｂ、４ｂ、５ｂとを有している。
【００２４】
第１の実施形態による導電パターンは、特に図２で参照されるように、第１の発光素子を実装するたとえば第１の導電パターン３のボンディング領域３ｂ、３ｂが、隣接する第２の導電パターン２に実装される第２の発光素子８の上部電極であるｎ電極８ｅ、８ｅに向かい、かつ、前記第２の発光素子８のｎ電極８ｅ、８ｅの位置にまでは達しない長さを有して延びている。
【００２５】
より詳細に説明すると、たとえば第１の導電パターン３のボンディング領域３ｂ、３ｂが、それと隣接して実装される第２の発光素子８の２つのｎ電極８ｅ、８ｅに向けて二股に延びて形成されている。第１の導電パターン３のボンディング領域３ｂ、３ｂと、隣接する第２の導電パターン２に実装される発光素子８のｎ電極８ｅ、８eとの間は、導電ワイヤ１０によりワイヤボンディングされる。このような導電パターンと発光素子との配置関係では、発光ラインＬに対して導電ワイヤ１０の配線方向が平行となる。
【００２６】
他の導電パターン１、４、５も第１の導電パターン３と同様の形態を有して基板１上に形成される。これらの導電パターンに実装される発光素子８においても、ワイヤボンディングする配線方向が発光ラインＬに対し平行となっている。
【００２７】
なお、図１および図２などに示されるように、各導電パターン２、３、４、５の実装領域２ａ、３ａ、４ａ、５ａには、発光素子８を接合時に自己整列（セルフアライメント）させるためのアライメントパターン９ｃ、９ｃ、…が形成されている。これらのアライメントパターン９ｃ、９ｃ、…は、発光素子８の下部電極（ｐ電極８ｆ）との接合に用いられる接合材に対し濡れ性がないか、または低減されている非濡れ性領域として形成されており、具体的には基板１に導電体が形成されていない絶縁領域である。アライメントパターン９ｃ、９ｃ、…は、発光素子８の下部電極である四角形のｐ電極８ｆに適合して、これらの四辺に対応する態様で基板１に形成されている。
【００２８】
より詳細には、アライメントパターン９ｃ、９ｃは、発光素子８の四方でその側辺に向かって突出する突出部と発光素子８の側辺に対しては平行な平行部とが結合されて概ねＴ字状を有している。発光素子８の四方の角部近くの基板箇所にはアライメントパターンが形成されていない。また、図１および図２などに示されるように、隣接する２つの実装領域（たとえば３ａ、４ａ）を隔てる絶縁領域１ａがアライメントパターン９ｃ、９ｃの一部を含んでいる。勿論、図示はしていないが、発光素子８の４つの側辺近くにＴ字状で同一形状のアライメントパターン９ｃ、９ｃ、…が配置される構成であってもよい。
【００２９】
リフローなどによって発光素子８を実装領域２ａ、３ａ、４ａ、５ａに実装する際、アライメントパターン９ｃ、９ｃ、…で囲まれる中央部分に予め塗布された接合材（たとえば溶融温度の低い紫外線硬化型樹脂または導電性接着材）が発光素子８の下部電極に接触し、その接合材の一部がアライメントパターン９ｃ、９ｃ、…が形成されていない４つの角部から外側に向けて流出する。接合材の流出に伴い、発光素子８の４つの角部が十字方向に均等に引っ張られ、結果として発光素子８の向きが自己整列されることとなる。
【００３０】
このような第１の実施形態のライン光源装置によれば、発光ラインＬの方向に見た各導電パターン２、３、４、５の幅と各発光素子８の対角線の長さを実質的に一致させることができる。これにより、各導電パターン２、３、４、５のボンディング領域２ｂ、３ｂ、４ｂ、５ｂを発光ラインＬに近い位置に集約することができる。
【００３１】
また、発光ラインＬの方向に見た各発光素子８の幅により画される仮想帯域内（図４参照）でワイヤボンディングがされる。これにより、ライン光源装置の幅寸法を従来よりも狭くすることができる。
【００３２】
また、それぞれの導電ワイヤ１０が発光ラインＬ上で交差しないようにすることができる。また、全ての発光素子８に対し発光ラインＬの方向に沿う一方向に導電ワイヤ１０が配線されるので、ワイヤボンディング工程を従来よりも簡素化することができる。
【００３３】
また、たとえば第１の導電パターン３の実装領域３ａの角部が、隣接する第３の導電パターン４の二股に延びる各ボンディング領域４ｂ、４ｂの間に進入するように形成されている。このように、発光ラインＬの方向において、導電パターン２、３、４、５の間隔を狭めることにより、各発光素子８の配置を密にし、より連続的なライン状の発光源を得ることができる。特に、隣接する２つの実装領域（たとえば３ａ、４ａ）を隔てる絶縁領域１ａが実装領域（たとえば３ａ）のアライメントパターン９ｃ、９ｃの平行部を兼ねることで、導電パターンの配列をより密にすることができる。
【００３４】
また、２つのｎ電極８ｅ、８ｅは、各発光素子８の光取り出し面の角部に設けられることから、上述したｎ型半導体層８ｄを流れる電子の均一化が可能となる。特に、発光ラインＬを挟んで２つのｎ電極８ｅ、８ｅが対称位置に配置されることで、ラインに沿った光源の均一化の向上を図ることもできる。
【００３５】
（第２の実施形態）
次に、第１の実施形態の変形例である第２の実施形態のライン光源装置を図５を参照して説明する。図５は本発明のライン光源装置の第２の実施形態を示す平面図である。
【００３６】
第２の実施形態によるライン光源装置においても、たとえば第１の導電パターン４１のボンディング領域４１ｂ、４１ｂが、隣接する第２の導電パターン３１に実装される近いほうの発光素子８２の上部電極であるｎ電極８２ｅ、８２ｅに向かい、かつ、発光素子８２のｎ電極８２ｅ、８２ｅの位置にまでは達しない長さを有して二股に延びている。図５に示される導電パターンに実装される発光素子の個数は２つであるが、導電パターンに２個以上の発光素子が配置されてもよい。
【００３７】
また、各導電パターン２１、３１、４１、５１に実装された２つの発光素子８１、８２が、各発光素子の中心を結ぶ仮想線である発光ラインに対し、四角形の１つの対角線が平行となるように実装される。また発光素子８１、８２の２つの上部電極であるｎ電極８１ｅ、８１ｅを結ぶ線および２つのｎ電極８２ｅ、８２ｅを結ぶ線が発光ラインに対し交差する向きに、各発光素子８１、８２が基板１上に配列される。特に、図５に示されるように、２つのｎ電極８１ｅ、８１ｅを結ぶ線および２つのｎ電極８２ｅ、８２ｅを結ぶ線が発光ラインに対し直交する向きに各発光素子８１、８２が配列されることが好ましい。すなわち、発光ラインに対し平行ではない、発光素子８１の他の対角線上に２つのｎ電極８１ｅ、８１ｅがそれぞれ設けられ、同様に発光ラインに対し平行ではない他の対角線上に発光素子８２の２つのｎ電極８２ｅ、８２ｅがそれぞれ設けられることが好ましい。
【００３８】
各導電パターン３１、４１、…は、発光素子８１、８２の下部電極が電気的に接合される実装領域と、隣接する他の発光素子８２のｎ電極８２ｅ、８２ｅとの間でワイヤボンディングされるボンディング領域３１ｂ、３１ｂ、４１ｂ、４１ｂ…とを有している。この第２の実施形態による導電パターンにおいても、たとえば第１の導電パターン４１のボンディング領域４１ｂ、４１ｂが、隣接する第２の導電パターン３１に実装される、近いほうの発光素子８２の上部電極であるｎ電極８２ｅ、８２ｅに向かい、かつ、発光素子８２の上部電極の位置にまでは達しない長さを有して二股に延びている。このような導電パターンと発光素子８１、８２との配置関係により、発光ラインに対して導電ワイヤ１０の配線方向が平行となる。
【００３９】
また、各導電パターン３１、４１、…に実装される発光素子８１、８２を並列接続する導電ワイヤ１１も、発光ラインＬに対し平行となる。
【００４０】
このような第２の実施形態のライン光源装置によれば、発光ラインの方向に見た各導電パターン２１、３１、４１、５１の幅と各発光素子８１、８２の対角線の長さを実質的に一致させることができる。これにより、各導電パターンのボンディング領域３１ｂ、４１ｂ、…を発光ラインに近い位置に集約することができる。
【００４１】
また、発光ラインの方向に見た各発光素子８１、８２の幅により画される仮想帯域内でワイヤボンディングがされることにより、ライン光源装置の幅寸法を従来よりも狭くすることができる。
【００４２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態によるライン光源装置を図６を参照して説明する。図６は本発明のライン光源装置の第３の実施形態を示す平面図である。
【００４３】
第３の実施形態において用いられる発光素子８３は、上述した実施形態と同様に平面視において四角形を有している。ただし発光素子８３の上部電極としてのｎ電極８３ｅは、発光素子８３の四角形の上面（光取り出し面）における１箇所の角部に設けられている。一方、下部電極としてのｐ電極（図示略）は、発光素子８３の裏面（接合面）の略全面にわたり設けられている。
【００４４】
図６に示されるように、第３の実施形態における各導電パターン２２、３２、４２、５２は、それぞれ同一面積であって概ね二等辺三角形の形状を有している。各導電パターンは、ライン光源装置の基板上において、各発光素子８３の中心を結ぶ仮想線である発光ラインに沿って、当該発光ラインを中心に上下に反転する向きに交互に配置されている。各導電パターン２２、３２、４２、５２のそれぞれの二等辺三角形の底辺が、発光ラインを中心に上下に平行に配置され、これにより、ある幅を有する仮想帯域が画成されている。
【００４５】
発光素子８３は、導電パターン２２、３２、４２、５２の中央で、上部電極（ｎ電極８３ｅ）が形成された角部と導電パターンの二等辺三角形の頂部とが対応する向きに実装される。すなわち、各導電パターン２２、３２、４２、５２に実装された各発光素子８３が、発光ラインに対し、四角形の１つの対角線が平行であり他の対角線が直交する向きに実装される。
【００４６】
第３の実施形態によるライン光源装置においても、たとえば第１の導電パターン３２のボンディング領域３２ｂが、隣接する第２の導電パターン２２に実装される発光素子８３の上部電極であるｎ電極８３ｅに向かい、かつ、その上部電極の位置にまでは達しない長さを有している。このような導電パターンと発光素子８３との配置関係により、発光ラインに対して導電ワイヤ１０の配線方向が平行となる。
【００４７】
このような第３の実施形態のライン光源装置によれば、発光ラインの方向に見た各導電パターン２２、３２、４２、５２の幅と各発光素子８３の対角線の長さを実質的に一致させることができる。これにより、各導電パターンのボンディング領域２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂを発光ラインに近い位置に集約することができる。
【００４８】
また、発光ラインの方向に見た各発光素子８３の幅により画される仮想帯域または各導電パターン２２、３２、４２、５２の三角形の高さにより画される仮想帯域内でワイヤボンディングがされることにより、ライン光源装置の幅寸法を従来よりも狭くすることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１  基板
１ａ  絶縁領域
３、４、５、６  導電パターン（第１の実施形態）
３ａ、４ａ、５ａ、６ａ  実装領域
３ｂ、４ｂ、５ｂ、６ｂ  ボンディング領域
６  電極パターン（アノード）
７  電極パターン（カソード）
８  発光素子
８ａ  支持基板
８ｂ  ｐ型半導体層
８ｃ  活性層
８ｄ  ｎ型半導体層
８ｅ  ｎ電極（上部電極）
８ｆ  ｐ電極（下部電極）
９ｃ  アライメントパターン
１０、１１  導電ワイヤ
３１、４１  導電パターン（第２の実施形態）
２２、３２、４２、５２  導電パターン（第３の実施形態）
Ｌ  発光ライン
【図１】
2015032869.tif 000003
【図２】
2015032869.tif 000004
【図３】
2015032869.tif 000005
【図４】
2015032869.tif 000006
【図５】
2015032869.tif 000007
【図６】
2015032869.tif 000008