(57)【要約】    【課題】  信頼性の高い電子部品内蔵基板の製造方法を提供する。    【解決手段】  下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ上にシード層を残した状態でキャビティ５５１のデスミヤ処理を行うので、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆと導体層５５８Ｆとの間に隙間ができず、該配線パターン５５８Ｆの信頼性が低下することが無い。【選択図】  図７
2015106611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層上に電子部品配置用の支持導体層及び配線用の配線パターンを形成することと、
前記樹脂絶縁層、前記支持導体層、前記配線パターン上に下層の樹脂絶縁層を積層することと、
前記下層の樹脂絶縁層を貫通し、前記配線パターンに至るビア用開口を形成することと、前記下層の樹脂絶縁層上及び前記ビア用開口内にシード層を形成することと、
前記シード層上に所定パターンのめっきレジストを形成することと、
前記めっきレジストから露出するシード層上に電解めっき膜を形成し、該シード層及び該電解めっき膜からなるビア導体及び配線パターンを形成することと、
前記めっきレジストを剥離することと、
前記下層の樹脂絶縁層及び前記シード層を貫通し前記支持導体層の一部を露出させるキャビティを形成することと、
前記キャビティにデスミヤ処理を加えることと、
前記シード層を除去することと、
前記下層の樹脂絶縁層上及び該下層の樹脂絶縁層上の配線パターン上に外層の樹脂絶縁層を積層することと、
前記外層の樹脂絶縁層を貫通し前記下層の樹脂絶縁層上の配線パターン、前記電子部品のパッドに至るビア用開口を形成することと、
めっきにより、前記外層の樹脂絶縁層のビア用開口にビア導体を形成すると共に、前記外層の樹脂絶縁層上に外層の配線パターンを形成することと、から成る電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記キャビティはレーザで形成する。
【請求項３】
請求項１の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記シード層を除去後、前記下層の樹脂絶縁層から露出する支持導体層、及び、外層の配線パターンの表面に粗化処理を行う。
【請求項４】
請求項３の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記シード層を除去後、粗化処理前に外層の樹脂絶縁層を硬化状態にする。
【請求項５】
請求項１の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記めっきレジストを剥離後、キャビティの形成前に、キャビティに対応する部位のシード層を除去する。
【請求項６】
請求項５の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記キャビティに対応する部位のシード層の除去は、シード層の非除去部分にエッチングレジスト層を設け、エッチングレジスト層から露出するシード層を除去することにより行う。
【請求項７】
請求項１の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記シード層がスパッタによりＴi/Ｃｕ、Ｎｉ／Ｃｕ又はＣｒ／Ｃｕで形成されている。
【請求項８】
外層の樹脂絶縁層と該外層に接する下層の樹脂絶縁層とを備え、該下層の樹脂絶縁層に形成されたキャビティに電子部品を内蔵し、
前記下層の樹脂絶縁層を貫通するビア導体と、該下層の樹脂絶縁層上の配線パターンと、前記外層の樹脂絶縁層を貫通するビア導体と、該外層の樹脂絶縁層上の配線パターンと、を備える電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品が、前記下層の樹脂絶縁層下に形成された支持導体層上に配置され、
前記下層の樹脂絶縁層を貫通するビア導体と、該下層の樹脂絶縁層上の配線パターンとがシード層と電解めっき膜から成り、
前記キャビティが前記下層の樹脂絶縁層及び前記シード層を貫通して形成され、該キャビティのデスミヤ処理が、前記シード層を前記下層の樹脂絶縁層上に残した状態で行われている。
【請求項９】
請求項８の電子部品内蔵基板であって、
前記キャビティはレーザで形成されている。
【請求項１０】
請求項８の電子部品内蔵基板であって、
前記シード層がスパッタによりＴi/Ｃｕ、Ｎｉ／Ｃｕ又はＣｒ／Ｃｕで形成されている。
【請求項１１】
請求項８の電子部品内蔵基板であって、
前記支持導体層の面積は、前記キャビティの開口面積よりも大きい。
【請求項１２】
請求項８の電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品の配置される支持導体層の表面に粗化層が設けられている。
【請求項１３】
請求項８の電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品の配置される支持導体層はグランドに接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層に設けたキャビティに電子部品を内蔵する電子部品内蔵基板、及び、電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体素子を絶縁層に埋め込んだプリント配線板を開示している。該特許文献１は、電子部品を配置する支持導体層上に樹脂絶縁層を積層し、積層した樹脂絶縁層にレーザで支持導体層に至る切れ目を入れ、切断された樹脂絶縁層を外すことで電子部品を収容するキャビティを形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１９１２０４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の製造方法で製造したプリント配線板では、電子部品の収容するキャビティを形成した樹脂絶縁層上の配線パターンの信頼性が低いという課題が明らかになった。この原因は、レーザで樹脂絶縁層を切り取った後にレーザ残滓除去のためのデスミヤ処理の際に、キャビティを形成した樹脂絶縁層の表面がえぐられ、該樹脂絶縁層と導体パターンとの間に隙間ができ、該導体パターンの信頼性が低下しているからと推測される。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、信頼性の高い電子部品内蔵基板及び該電子部品内蔵基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明の電子部品内蔵基板の製造方法は、樹脂絶縁層上に電子部品配置用の支持導体層及び配線用の配線パターンを形成することと、前記樹脂絶縁層、前記支持導体層、前記配線パターン上に下層の樹脂絶縁層を積層することと、前記下層の樹脂絶縁層を貫通し、前記配線パターンに至るビア用開口を形成することと、前記下層の樹脂絶縁層上及び前記ビア用開口内にシード層を形成することと、前記シード層上に所定パターンのめっきレジストを形成することと、前記めっきレジストから露出するシード層上に電解めっき膜を形成し、該シード層及び該電解めっき膜からなるビア導体及び配線パターンを形成することと、前記めっきレジストを剥離することと、前記下層の樹脂絶縁層及び前記シード層を貫通し前記支持導体層の一部を露出させるキャビティを形成することと、前記キャビティにデスミヤ処理を加えることと、前記シード層を除去することと、前記下層の樹脂絶縁層上及び該下層の樹脂絶縁層上の配線パターン上に外層の樹脂絶縁層を積層することと、前記外層の樹脂絶縁層を貫通し前記下層の樹脂絶縁層上の配線パターン、前記電子部品のパッドに至るビア用開口を形成することと、めっきにより、前記外層の樹脂絶縁層のビア用開口にビア導体を形成すると共に、前記外層の樹脂絶縁層上に外層の配線パターンを形成することと、から成る。
【０００７】
本願発明の電子部品内蔵基板は、外層の樹脂絶縁層と該外層に接する下層の樹脂絶縁層とを備え、該下層の樹脂絶縁層に形成されたキャビティに電子部品を内蔵し、前記下層の樹脂絶縁層を貫通するビア導体と、該下層の樹脂絶縁層上の配線パターンと、前記外層の樹脂絶縁層を貫通するビア導体と、該外層の樹脂絶縁層上の配線パターンと、を備える電子部品内蔵基板であって、前記電子部品が、前記下層の樹脂絶縁層下に形成された支持導体層上に配置され、前記下層の樹脂絶縁層を貫通するビア導体と、該下層の樹脂絶縁層上の配線パターンとがシード層と電解めっき膜から成る。そして、前記キャビティが前記下層の樹脂絶縁層及び前記シード層を貫通して形成され、該キャビティのデスミヤ処理が、前記シード層を前記下層の樹脂絶縁層上に残した状態で行われている。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明の製造方法に係る電子部品内蔵基板では、下層の樹脂絶縁層上及びビア用開口内にシード層を形成し、シード層上に所定パターンのめっきレジストを形成し、めっきレジストから露出するシード層上に電解めっき膜を形成し、該シード層及び該電解めっき膜からなるビア導体及び配線パターンを形成し、めっきレジストを剥離する。そして、下層の樹脂絶縁層及びシード層を貫通し支持導体層の一部を露出させるキャビティを形成し、キャビティにデスミヤ処理を加えた後、シード層を除去する。キャビティのデスミヤ処理が、シード層を下層の樹脂絶縁層上に残した状態で行われている。このため、下層の樹脂絶縁層表面がデスミヤの薬液に曝されないため、下層の樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の導体層との間に隙間ができず、導体層の信頼性が高い。
【０００９】
本願発明の電子部品内蔵基板は、電子部品を収容するキャビティが形成され、該キャビティのデスミヤ処理が、シード層を下層の樹脂絶縁層上に残した状態で行われている。このため、下層の樹脂絶縁層表面がデスミヤの薬液に曝されないため、下層の樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の導体層との間に隙間ができず、導体層の信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の部分拡大図。
【図２】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図１１】第１実施形態の改変例に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図１２】第１実施形態の改変例に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第１実施形態の改変例に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図１４】図１４（Ａ）は、第２実施形態の電子部品内蔵基板の断面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の部分拡大図、図１４（Ｃ）は第２実施形態の改変例の電子部品内蔵基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は第１実施形態の電子部品内蔵基板の断面を示す。第１実施形態の電子部品内蔵基板１０は、コア基板３０を有する。そのコア基板３０は、第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０と絶縁基板２０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板３０はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６はコア基板３０を貫通している貫通孔２８の内壁に形成され、スルーホール導体３６内には充填樹脂２１が充填されている。図１（Ａ）に示されているコア基板３０は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。コア基板３０の導体層は図示しない複数の導体回路やスルーホール導体３６の周りに形成されているスルーホールランドを含む。電子部品内蔵基板及びコア基板３０の第１面とコア基板３０の第１面は同じ面であり、電子部品内蔵基板及びコア基板３０の第２面とコア基板３０の第２面は同じ面である。この例では、スルーホール導体が円筒形状であるが、貫通孔の形状やスルーホール導体の形状は、コア基板３０の第１面Ｆと第２面Ｓのそれぞれの表面に開口を有するそれぞれの開口部が中心に向かってテーパーし、中心部で接続する砂時計形状であってもよい。
【００１２】
コア基板３０の第１面Ｆに上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。ビルドアップ層５５Ｆには、コア基板上と第１導体層３４Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。この樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆは、樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆで接続されている。樹脂絶縁層５０Ｆ上に樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。この樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体層１５８Ｆが形成されている。導体層１５８Ｆと導体層５８Ｆは、樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通するビア導体１６０Ｆで接続されている。樹脂絶縁層１５０Ｆ上に樹脂絶縁層２５０Ｆが形成されている。この樹脂絶縁層２５０Ｆ上に導体層２５８Ｆが形成されている。導体層２５８Ｆと導体層１５８Ｆは、樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通するビア導体２６０Ｆで接続されている。同様に、更に、更に４層の樹脂絶縁層３５０Ｆ、４５０Ｆ、５５０Ｆ、６５０Ｆ、導体層３５８Ｆ、４５８Ｆ、５５８Ｆ、６５８Ｆ、ビア導体３６０Ｆ、４６０Ｆ、５６０Ｆ、６６０Ｆが形成され、上側のビルドアップ層５５Ｆは７層のビルドアップ層から成る。
【００１３】
コア基板３０の第２面Ｓに下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。ビルドアップ層５５Ｓには、コア基板上と第２導体層３４Ｓ上に樹脂絶縁層５０Ｓが形成されている。この樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓは、樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体６０Ｓで接続されている。樹脂絶縁層５０Ｓ上に樹脂絶縁層１５０Ｓが形成されている。この樹脂絶縁層１５０Ｓ上に導体層１５８Ｓが形成されている。導体層１５８Ｓと導体層５８Ｓは、樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通するビア導体１６０Ｓで接続されている。樹脂絶縁層１５０Ｓ上に樹脂絶縁層２５０Ｓが形成されている。この樹脂絶縁層２５０Ｓ上に導体層２５８Ｓが形成されている。導体層２５８Ｓと導体層１５８Ｓは、樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通するビア導体２６０Ｓで接続されている。同様に、更に、更に４層の樹脂絶縁層３５０Ｓ、４５０Ｓ、５５０Ｓ、６５０Ｓ、導体層３５８Ｓ、４５８Ｓ、５５８Ｓ、６５８Ｓ、ビア導体３６０Ｓ、４６０Ｓ、５６０Ｓ、６６０Ｓが形成され下上側のビルドアップ層５５Ｓは７層のビルドアップ層から成る。
【００１４】
図１（Ｂ）は、図１中の電子部品９０を内蔵する最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆ、最外層の樹脂絶縁層に接する下層の樹脂絶縁層５５０Ｆを拡大して示す。
電子部品９０は、ＣＰＵ、メモリー等のＩＣチップで、表層に再配線層が設けられている。このでは、能動素子を収容する例が示されるが、チップコンデンサ、抵抗等の受動素子からなる電子部品が収容されることも可能である。
【００１５】
下層の樹脂絶縁層５５０にキャビティ５５１が形成され、該キャビティに電子部品９０が収容されている。下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ下の樹脂絶縁層４５０Ｆ上に、電子部品を支持する支持導体層４５８Ｆｆが形成されている。該支持導体層４５８Ｆｆ上に接着剤９８を介して電子部品９０が配置されている。電子部品９０上には、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆが被覆され、電子部品９０の端子（パッド）９２と、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆ上の第２パッド６５８Ｆｆｐとは、該最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通する第２ビア導体６６０Ｆｆにより接続されている。下層の導体層５５８Ｆと最外層の導体層６５８Ｆとは最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通する第１ビア導体６６０Ｆにより接続されている。
【００１６】
最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆの無機フィラー含有量は、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆの無機フィラー含有量よりも多い。このため、熱膨張率がシリコンから成る電子部品９０に近く、該電子部品と最外層の樹脂絶縁層との界面でクラックが発生し難い。
【００１７】
[第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法]
第１実施形態の電子部品内蔵基板１０の製造方法が図２〜図１０に示される。
（１）第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する絶縁基板２０と、その両面に積層されている銅箔２２、２２からなる銅張積層板２０zが準備される（図２（Ａ））。銅張積層板２０として住友ベークライト社製のＥＬＣ４７８５ＴＨ−Ｇを用いることができる。
【００１８】
絶縁基板２０の絶縁層は樹脂と補強材で形成されていて、その補強材として例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。樹脂としてエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。
【００１９】
（２）絶縁基板２０にスルーホール導体３６、第１導体層３４Ｆ、第２導体層３４Ｓが、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で形成されコア基板３０が完成する（図２（Ｂ））。
【００２０】
（３）コア基板３０の第１面、第２面上に無機繊維に無機フィラーを含有する樹脂を含浸することで構成された樹脂絶縁層が積層され、さらに、加熱プレスすることで樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓが形成される（図２（Ｃ））。ここで、樹脂絶縁層５０Ｓは、無機フィラーと樹脂から構成される絶縁層を用いることもできる。
【００２１】
（４）ＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが、樹脂絶縁層５０Ｓにビア導体用の開口５１Ｓが形成される（図２（Ｄ））。
【００２２】
（５）層間樹脂絶縁層表面と開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される（図３（Ａ））。
【００２３】
（６）無電解銅めっき層５２上にめっきレジスト５４が形成される（図３（Ｂ））。
【００２４】
（５）めっきレジスト５４から露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される（図３（Ｃ））。
【００２５】
（７）めっきレジスト５４が除去される。電解銅めっき層５６間の無電解銅めっき層５２がエッチングで除去されることで、導体層５８Ｆ、５８Ｓ及びビア導体６０Ｆ、６０Ｓが形成される（図３（Ｄ））。
【００２６】
（８）図２（Ｃ）〜図３（Ｄ）の工程が更に４回繰り返され、コア基板３０の第１面Ｆ側に樹脂絶縁層１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆ、４５０Ｆ、導体層１５８Ｆ、２５８Ｆ、３５８Ｆ、４５８Ｆ、ビア導体１６０Ｆ、２６０Ｆ、３６０Ｆ、４６０Ｆが形成される。また、コア基板３０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層１５０Ｓ、２５０Ｓ、３５０Ｓ、４５０Ｓ、導体層１５８Ｓ、２５８Ｓ、３５８Ｓ、４５８Ｓ、ビア導体１６０Ｓ、２６０Ｓ、３６０Ｓ、４６０Ｓが形成される。ここで、樹脂絶縁層４５０Ｆ上には、導体層４５８Ｆと同時に、電子部品を載置する支持導体層４５８Ｆｆが形成されている（図４（Ａ））。
【００２７】
（９）樹脂絶縁層４５０Ｆ、４５０Ｓ、導体層４５８Ｆ、４５８Ｓ上に下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓが積層され、半硬化状態にされる（図４（Ｂ））。
【００２８】
（１０）レーザで下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓにビア用開口５５１Ｆ、５５１が形成される。その後、スパッタでＴｉ／Ｃｕシード層５５２が形成される（図５（Ａ））。ここでは、スパッタでＴｉ／Ｃｕ層を形成したが、この代わりに、スパッタでＮｉ／Ｃｕ又はＣｒ／Ｃｕ層を形成することも、無電解銅めっきでシード層を形成することもできる。
【００２９】
（１１）シード層５５２上に所定パターンのめっきレジスト５５５Ｆ、５５５Ｓが形成され、シード層を介して電流が流され、めっきレジスト非形成部に電解銅めっき膜５５４が形成される（図５（Ｂ））。
【００３０】
（１２）めっきレジストが剥離され、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓ上にシード層を残した状態で、シード層５５２、電解銅めっき膜５５４からなるビア導体５６０Ｆ、導体層５５８Ｆが形成される（図６）。
【００３１】
（１３）レーザでシード層５５２及び下層の樹脂絶縁層５５０Ｆに支持導体層４５８Ｆｆに至る切れ目が形成され、切断された下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ部位が取り除かれ、キャビティ５５１が形成される（図７（Ａ））。キャビティ５５１にはテーパーが付けられている。下層の樹脂絶縁層５５０Ｆを半硬化状態にするため、レーザ加工の形状性に優れる。
【００３２】
（１４）デスミヤ処理が行われ、支持導体層４５８Ｆｆ上のレーザ切断による残滓が除去される（図７（Ｂ））。この際、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ上をシード層５５２が被覆した状態でデスミヤ処理を行うので、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆと導体層５５８Ｆとの間に隙間ができず、該配線パターン５５８Ｆの信頼性が低下することが無い。特に、シード層として無電解銅めっき膜よりも密着性の高いスパッタＴｉ／Ｃｕ層が形成されるため、保護性が高い。
【００３３】
（１５）シード層が選択エッチで除去される（図８（Ａ））。ここで、シード層がＴｉ／Ｃｕ層からなるため、Ｔｉ膜除去にＣｕを溶解しないエッチング液を用いることで、この選択エッチングの際に、導体層５５８Ｆ、５５８Ｓに対する影響を最小にできる。その後、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓが完全に硬化した状態にされる（図８（Ｂ））。
【００３４】
（１６）ＣＺ処理により、導体層５５８Ｆ、５５８Ｓ、及び、支持導体層４５８Ｆｆの表面に粗化層５５８αが形成される（図９（Ａ））。下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓを完全に硬化させてからＣＺ粗化処理を行うため、樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓへの影響が小さい。
【００３５】
（１７）支持導体層４５８Ｆｆ上に接着剤９８を介して電子部品９０が配置される（図９（Ｂ））。
【００３６】
（１８）第１面側で電子部品９０及び下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ上に最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆが積層され、キャビティ５５１内と電子部品９０間に最外層の樹脂絶縁層由来の樹脂６５０が充填される。この際に、キャビティにテーパーが付けられているので、樹脂の充填が容易である。第２面側で下層の樹脂絶縁層５５０Ｓ上に最外層の樹脂絶縁層６５０Ｓが積層される（図１０（Ａ））。ここで、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆ、６５０Ｓは、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓよりも無機フィラー量が多い。その後、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆ、６５０Ｓが半硬化状態にされる。
【００３７】
（１９）第１面側で、レーザにより最外層の層間樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通し導体層５６０Ｆに至る第１開口６５１Ｆが、電子部品のパッド９２に至る第２開口７６１Ｆｆが形成される。第２面側でレーザにより最外層の層間樹脂絶縁層６５０Ｓを貫通し導体層５６０Ｓに至る第１開口６５１Ｓが形成される（図１０（Ｂ））。最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆ、６５０Ｓが半硬化状態なので、レーザ加工の形状性に優れる。
【００３８】
（２０）図３（Ｂ）〜図３（Ｄ）の工程が更に繰り返され、第１面側の最外層の層間樹脂絶縁層６５０Ｆに第１ビア導体６６０Ｆ、第２ビア導体６６０Ｆｆ、導体層６５８Ｆが形成される。第２面側の最外層の層間樹脂絶縁層６５０Ｓに第１ビア導体６６０Ｓ、導体層６５８Ｓが形成される（図１）。これにより電子部品内蔵基板が完成する。
【００３９】
なお、最外層の樹脂絶縁層上にソルダーレジスト層を形成することもできる。また、導体層６５８Ｆ、６５８Ｓ上に表面処理を施すもともできる。表面処理は、ニッケル−金層（Ni/Au）、Ｓnめっき、ニッケル−パラジウム−金層（Ni/Pd/Au）、Pd/Agめっき、OＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜が形成されてもよい。
【００４０】
第１実施形態の製造方法では、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆをシード層が被覆した状態でデスミヤ処理を行うので、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆと導体層５５８Ｆとの間に隙間ができず、該配線パターン５５８Ｆの信頼性が低下することが無い。
【００４１】
[第１実施形態の改変例]
図１１〜図１３は、第１実施形態の改変例に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示す。
第１実施形態の図６と同様に、めっきレジストが剥離され、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓ上にシード層を残した状態で、シード層５５２、電解銅めっき膜５５４からなるビア導体５６０Ｆ、導体層５５８Ｆが形成される（図１１（Ａ））。
【００４２】
キャビティの開口に対応する開口５５６ａを有するエッチングレジスト層５５６が形成され（図１１（Ｂ））、開口５５６ａにより露出されるシード層が選択エッチングで除去され（図１２（Ａ））、エッチングレジスト層が剥離され、シード層５５２にキャビティの開口に対応する開口５５２ａが形成される（図１２（Ｂ））。
【００４３】
シード層５５２の開口５５２ａに沿ってレーザで下層の樹脂絶縁層５５０Ｆに支持導体層４５８Ｆｆに至る切れ目が形成され、切断された下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ部位が取り除かれ、キャビティ５５１が形成される（図１３）。キャビティ５５１にはテーパーが付けられている。シード層５５２に開口５５２ａを設け、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆを半硬化状態にするため、レーザ加工の形状性に優れる。ここでは、図１２（Ｂ）に示されるようにエッチングレジスト層が剥離された後、レーザでキャビティを形成したが、エッチングレジスト層を残した状態でキャビティを形成し、その後、エッチングレジスト層が剥離されても良い。また、レーザの代わりに、ザグリ加工でキャビティを形成することも可能である。以降の工程は、第１実施形態と図７（Ｂ）以降と同様であるため、説明は省略される。
【００４４】
[第２実施形態]
図１４（Ａ）は第２実施形態の電子部品内蔵基板を示し、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）の部分拡大図である。
第２実施形態の電子部品内蔵基板は、最下層の樹脂絶縁層４５０Ｆと、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆと、最外層の層間樹脂絶縁層６５０Ｆとの３層構造のコア基板を備えないビルドアップ式の積層基板である。
【００４５】
下層の樹脂絶縁層５５０にキャビティ５５１が形成され、該キャビティに電子部品９０が収容されている。下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ下の樹脂絶縁層４５０Ｆ上に、電子部品を支持する支持導体層４５８Ｆｆが形成されている。該支持導体層４５８Ｆｆ上に接着剤９８を介して電子部品９０が配置されている。電子部品９０上には、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆが被覆され、電子部品９０の端子（パッド）９２と、最外層の樹脂絶縁層上の第２パッド６５８Ｆｆｐとは、該最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通する第２ビア導体６６０Ｆｆにより接続されている。下層の導体層５５８Ｆと最外層の導体層６５８Ｆとは最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通する第１ビア導体６６０Ｆにより接続されている。最下層の樹脂絶縁層４５０Ｆ上には導体層４５８Ｆが形成され、表層のパッド３４Ｆに、ビア導体４６０Ｆを介して接続されている。
【００４６】
この第２実施形態においても、電子部品９０を収容するキャビティ６５１がレーザで形成され、該キャビティのデスミヤ処理が、シード層５５２を下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ上に残した状態で行われている。このため、下層の樹脂絶縁層表面がデスミヤの薬液に曝されないため、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆと該樹脂絶縁層上の導体層５５８Ｆとの間に隙間ができず、下層の樹脂絶縁層５５０Ｆ上の導体層５５８Ｆの信頼性が高い。
【００４７】
[第２実施形態の改変例]
図１４（Ｃ）は第２実施形態の改変例に係る電子部品内蔵基板を示す。第２実施形態の改変例でも、第２実施形態と同様にキャビティ６５１が下層の樹脂絶縁層５５０Ｆにシード層５５２を残した状態で製造される。第２実施形態の改変例の電子部品内蔵基板では、支持導体層４５８Ｆｆとアース用パッド３４Ｆｅとがアース用ビア導体４６０Ｆｅを介して接続されている。第２実施形態の改変例では、接着剤９８に導電性のあるものが用いられている。
【符号の説明】
【００４８】
１０  電子部品内蔵基板
３０  コア基板
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  導体層
６０Ｆ  ビア導体
９０  電子部品
４５８Ｆｆ  支持導体層
５５２  シード層
５５０Ｆ  下層の樹脂絶縁層
５５８Ｆ  下層の導体層
６５０Ｆ  最外層の樹脂絶縁層
６６０Ｆ  第１ビア導体
６５０Ｆｆ、第２ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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