(57)【要約】【課題】シリコーンエラストマー層の材料による影響を受け難く、半導体発光素子と支持基板とを十分な接合強度で接合することのできる発光装置の製造方法、この製造方法により得られる信頼性の高い発光装置およびプロジェクターを提供する。【解決手段】発光装置の製造方法は、支持基板２０の表面にシリコーンエラストマー層３２を形成する工程と、半導体発光素子１０の表面にシリコーン層３１を形成する工程と、シリコーンエラストマー層３２の表面を活性化させる工程と、シリコーン層３１の表面を活性化させる工程と、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とを接合する工程とを含んでいる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にシリコーンエラストマー層を形成する工程と、
半導体発光素子にシリコーン層を形成する工程と、
前記シリコーンエラストマー層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーン層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーンエラストマー層と前記シリコーン層とを接合する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記シリコーン層を形成する工程では、化学蒸着によって前記シリコーン層を成膜する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記シリコーン層を形成する工程は、前記半導体発光素子の表面に前記シリコーン層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーン層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記シリコーンエラストマー層を形成する工程は、前記基板の表面に前記シリコーンエラストマー層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーンエラストマー層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
基板にシリコーン層を形成する工程と、
半導体発光素子にシリコーンエラストマー層を形成する工程と、
前記シリコーン層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーンエラストマー層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーン層と前記シリコーンエラストマー層とを接合する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記シリコーン層を形成する工程では、化学蒸着によって前記シリコーン層を成膜する請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記シリコーン層を形成する工程は、前記基板の表面に前記シリコーン層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーン層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有する請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記シリコーンエラストマー層を形成する工程は、前記半導体発光素子の表面に前記シリコーンエラストマー層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーンエラストマー層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有する請求項５ないし７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法によって製造されることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、を含むことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置およびプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体発光素子の開発が精力的に行われてきている。具体的な半導体発光素子としては、半導体レーザー（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）、スーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等が知られている。
半導体発光素子を備えた発光装置では、半導体発光素子は、一般的に、銅ベース等の支持基板に実装されている。このような発光装置では、例えば、半導体発光素子の駆動時の発熱や、装置がおかれている環境の変化に伴う周囲の温度の変化等により、半導体発光素子と支持基板との間の熱膨張率の差に起因して半導体発光素子に応力が生じる場合がある。半導体発光素子に応力が生じると、所望の性能が発揮できなかったり、装置の信頼性が低下したりする場合がある。このような問題に対して、例えば特許文献１に記載の発光装置では、柔らかいシリコーンエラストマー層を介して半導体発光素子と支持基板とを接合することで、半導体発光素子と支持基板との間の熱膨張率の差に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減（緩和）している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１０５９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、その製造上、シリコーンエラストマー層の材質によっては、半導体発光素子と支持基板との接合強度を十分に高めることができないという問題がある。具体的に説明すると、特許文献１に記載の発光装置では、半導体発光素子および支持基板の一方にシリコーンエラストマー層を形成し、他方とシリコーンエラストマー層とを表面活性化接合により接合している。しかしながら、シリコーンエラストマー層の材料によっては、シリコーンエラストマー層の表面（接合面）が粗くなり、前記他方との接合強度を十分に高めることができない場合がある。
本発明は、シリコーンエラストマー層の材料による影響を受け難く、半導体発光素子と支持基板とを十分な接合強度で接合することのできる発光装置の製造方法、この製造方法により得られる信頼性の高い発光装置およびプロジェクターを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光装置の製造方法は、基板にシリコーンエラストマー層を形成する工程と、
半導体発光素子にシリコーン層を形成する工程と、
前記シリコーンエラストマー層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーン層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーンエラストマー層と前記シリコーン層とを接合する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
これにより、半導体発光素子と支持基板とが十分な接合強度で接合されている発光装置を製造することができる。具体的には、基板に形成されたシリコーンエラストマー層と半導体発光素子に形成されたシリコーン層とを接合するため、すなわち、シリコーン同士を接合するため、シリコーンエラストマー層の表面が平坦な場合はもちろん、粗い場合であっても、基板と半導体発光素子とを十分な接合強度で接合することができる。また、シリコーン層および前記シリコーンエラストマー層からなる層によって、半導体発光素子と基板との間の熱膨張率の差に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減することができるため、発光装置の信頼性の低下を低減することができる。さらには、シリコーンエラストマー層とシリコーン層とを活性化接合によって接合するため、製造時において、半導体発光素子に加わる熱的な損傷および物理的な損傷を低減することができる。
【０００７】
本発明の発光装置の製造方法では、前記シリコーン層を形成する工程では、化学蒸着によって前記シリコーン層を成膜することが好ましい。
これにより、薄く均一なシリコーン膜を形成することができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記シリコーン層を形成する工程は、前記半導体発光素子の表面に前記シリコーン層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーン層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有することが好ましい。
これにより、シリコーン層を硬化させた状態で、シリコーンエラストマー層と重ね合わせることができる。そのため、例えば、シリコーン層が濡れ広がって意図しない部分に付着することや、半導体発光素子の表面からシリコーン層が局所的に消滅することを防止することができる。
【０００８】
本発明の発光装置の製造方法では、前記シリコーンエラストマー層を形成する工程は、前記基板の表面に前記シリコーンエラストマー層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーンエラストマー層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有することが好ましい。
これにより、シリコーンエラストマー層を硬化させた状態で、シリコーン層と重ね合わせることができる。そのため、例えば、シリコーンエラストマー層が濡れ広がって意図しない部分に付着することや、基板の表面からシリコーンエラストマー層が局所的に消滅することを防止することができる。
【０００９】
本発明の発光装置の製造方法は、基板にシリコーン層を形成する工程と、
半導体発光素子にシリコーンエラストマー層を形成する工程と、
前記シリコーン層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーンエラストマー層の表面を活性化させる工程と、
前記シリコーン層と前記シリコーンエラストマー層とを接合する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
これにより、半導体発光素子と支持基板とが十分な接合強度で接合されている発光装置を製造することができる。具体的には、基板に形成されたシリコーンエラストマー層と半導体発光素子に形成されたシリコーン層とを接合するため、すなわち、シリコーン同士を接合するため、シリコーンエラストマー層の表面が平坦な場合はもちろん、粗い場合であっても、基板と半導体発光素子とを十分な接合強度で接合することができる。また、シリコーン層および前記シリコーンエラストマー層からなる層によって、半導体発光素子と基板との間の熱膨張率の差に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減することができるため、発光装置の信頼性の低下を低減することができる。さらには、シリコーンエラストマー層とシリコーン層とを活性化接合によって接合するため、製造時において、半導体発光素子に加わる熱的な損傷および物理的な損傷を低減することができる。
【００１１】
本発明の発光装置の製造方法では、前記シリコーン層を形成する工程では、化学蒸着によって前記シリコーン層を成膜することが好ましい。
これにより、薄く均一なシリコーン膜を形成することができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記シリコーン層を形成する工程は、前記基板の表面に前記シリコーン層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーン層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有することが好ましい。
これにより、シリコーン層を硬化させた状態で、シリコーンエラストマー層と重ね合わせることができる。そのため、例えば、シリコーン層が濡れ広がって意図しない部分に付着することや、半導体発光素子の表面からシリコーン層が局所的に消滅することを防止することができる。
【００１２】
本発明の発光装置の製造方法では、前記シリコーンエラストマー層を形成する工程は、前記半導体発光素子の表面に前記シリコーンエラストマー層の前駆体を塗布する工程と、前記シリコーンエラストマー層の前駆体を熱処理によって硬化させる工程と、を有することが好ましい。
これにより、シリコーンエラストマー層を硬化させた状態で、シリコーン層と重ね合わせることができる。そのため、例えば、シリコーンエラストマー層が濡れ広がって意図しない部分に付着することや、基板の表面からシリコーンエラストマー層が局所的に消滅することを防止することができる。
【００１３】
本発明の発光装置は、本発明の発光装置の製造方法によって製造されることを特徴とする。
これにより、基板と半導体発光素子とが十分な強度で接合され、信頼性の高い発光装置が得られる。
本発明のプロジェクターは、本発明の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、を含むことを特徴とする。
これにより、信頼性の高いプロジェクターが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す発光装置が有する半導体発光素子を模式的に示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
【図１０】図９に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図９に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図９に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図９に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す発光装置が有する半導体発光素子の断面図（図３に対応する断面図）である。
【図１６】図１４に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】図１４に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】図１４に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】図１４に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の第４実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
【図２１】図２０に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】図２０に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】図２０に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】図２０に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】本発明のプロジェクターの光学系の一例を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の発光装置の製造方法、発光装置およびプロジェクターを添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
１．発光装置・発光装置の製造方法
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態に係る発光装置およびその製造方法について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置を示す断面図である。図２は、図１に示す発光装置が有する半導体発光素子を模式的に示す平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図である。図４ないし図８は、それぞれ、図１に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００１６】
≪発光装置≫
図１に示す発光装置１００は、半導体発光素子１０と、基板（以下、「支持基板」と言う。）２０と、これらを接合するシリコーン接合層３０とを有している。以下、半導体発光素子１０、支持基板２０およびシリコーン接合層３０について順次説明する。
−半導体発光素子−
半導体発光素子１０は、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）である。ＳＬＤは、例えば、半導体レーザーに比べてスペックルノイズを低減することができ、かつＬＥＤに比べて高出力化を図ることができるため、例えば、発光装置１００をプロジェクター等の光源に用いる場合に好適である。ただし、半導体発光素子１０としては、ＳＬＤに限定されず、例えば、半導体レーザー、ＬＥＤであってもよい。
【００１７】
図２および図３に示すように、半導体発光素子１０は、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１０９と、第１電極１１２と、第２電極１１４と、絶縁部１２０とが積層した構成となっている。
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。
【００１８】
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に形成されている。第１クラッド層１０４としては、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層などを用いることができる。
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有することができる。本実施形態では、活性層１０６は、光出射部１１が形成される第１側面１３１と、第１側面１３１に対して傾斜した第２側面１３２および第３側面１３３を有している。
【００１９】
活性層１０６の一部は、第１利得領域１５０、第２利得領域１６０および第３利得領域１７０を構成している。利得領域１５０、１６０、１７０は、光を発生させることができ、この光は、利得領域１５０、１６０、１７０内を、利得を受けつつ導波することができる。
第１利得領域１５０は、第２側面１３２から第３側面１３３まで設けられており、第１側面１３１に対して平行に設けられている。また、第２利得領域１６０は、第２側面１３２から第１側面１３１まで設けられており、第２側面１３２において、第１利得領域１５０と重なっている。また、第３利得領域１７０は、第３側面１３３から第１側面１３１まで設けられており、第３側面１３３において、第１利得領域１５０と重なっている。
【００２０】
利得領域１５０、１６０、１７０に発生する光において、第１側面１３１の反射率は、第２側面１３２の反射率および第３側面１３３の反射率より低い。これにより、第２利得領域１６０と第１側面１３１との接続部および第３利得領域１７０と第１側面１３１との接続部は、光出射部１１となることができる。また、側面１３２、１３３は、反射面となることができる。
【００２１】
利得領域１６０、１７０は、第１側面１３１の垂線Ｐに対して傾いて、第１側面１３１に接続されている。これにより、第２利得領域１６０の第１側面１３１における端面と、第３利得領域１７０の第１側面１３１における端面との間で、利得領域１５０、１６０、１７０に発生する光を、直接的に多重反射させないことができる。その結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、利得領域１５０、１６０、１７０に発生する光のレーザー発振を抑制または防止することができる。
利得領域１５０、１６０、１７０は、利得領域群１８０を構成することができ、半導体発光素子１０では、複数の利得領域群１８０が設けられている。本実施形態では、２つの利得領域群１８０が設けられているが、その数は特に限定されない。
【００２２】
第２クラッド層１０８は、活性層１０６上に形成されている。第２クラッド層１０８としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層などを用いることができる。例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、光を発生させ、かつ光を増幅しつつ導波させる機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能（光の漏れを抑制する機能）を有する。
【００２３】
半導体発光素子１０は、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、活性層１０６に利得領域１５０、１６０、１７０を生じ、利得領域１５０、１６０、１７０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１５０、１６０、１７０内で光の強度が増幅される。そして、強度が増幅された光は、光出射部１１から光Ｌとして出射される。すなわち、半導体発光素子１０は、端面発光型の半導体発光素子である。
【００２４】
コンタクト層１０９と第２クラッド層１０８の一部とは、柱状部１２２を構成する。柱状部１２２の平面形状は、利得領域１５０、１６０、１７０の平面形状と同じである。すなわち、コンタクト層１０９の上面の平面形状は、利得領域１５０、１６０、１７０の平面形状と同じである。例えば、柱状部１２２の平面形状によって、第１、第２電極１１２、１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１５０、１６０、１７０の平面形状が決定される。
【００２５】
絶縁部１２０は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１２２の側方に設けられている。絶縁部１２０としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層を用いることができる。絶縁部１２０として上記の材料を用いた場合、第１、第２電極１１２、１１４間の電流は、絶縁部１２０を避けて、該絶縁部１２０に挟まれた柱状部１２２を流れることができる。絶縁部１２０は、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有している。この場合、絶縁部１２０を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁部１２０を形成しない部分、すなわち、柱状部１２２が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向において、利得領域１５０、１６０、１７０内に効率良く光を閉じ込めることができる。
【００２６】
第１電極１１２は、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１１２としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いることができる。
第２電極１１４は、コンタクト層１０９上に形成されている。第２電極１１４の平面形状は、例えば、利得領域１５０、１６０、１７０と平面形状と同じである。第２電極１１４としては、例えば、コンタクト層１０９側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いることができる。
半導体発光素子１０は、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などによる半導体加工技術によって形成される。
【００２７】
図１に示すように、以上のような構成の半導体発光素子１０は、ジャンクションダウンの状態で支持基板２０に実装されている。すなわち、半導体発光素子１０は、活性層１０６が、半導体発光素子１０の基板１０２よりも支持基板２０側に位置するように実装されている。
本実施形態では、半導体発光素子１０は、第２電極１１４側を支持基板２０に向けて（図３の例とは上下を逆にして）実装されている。そのため、半導体発光素子１０の表面である面１９が、支持基板２０の面２１と対向している。ここで、半導体発光素子１０の面１９は、第２電極１１４が形成される面であり、図３に示すコンタクト層１０９の上面および絶縁部１２０の面１２１で構成される面である。半導体発光素子１０は、端面発光型の半導体発光素子であるため、半導体発光素子１０の光出射部１１は、支持基板２０の面２１に対して垂直な面に設けられる。そのため、光出射部１１から出射される光Ｌは、支持基板２０の面２１に沿う方向に進行する。
【００２８】
−支持基板−
支持基板２０は、半導体発光素子１０を支持している。支持基板２０としては、例えば、板状の部材（直方体形状の部材）を用いることができる。支持基板２０としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などを用いることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層の多層構造などから、支持基板２０を構成することもできる。支持基板２０は、半導体発光素子１０で発生した熱を放散させる放熱基板として機能する。
【００２９】
支持基板２０の面２１には、第１配線２２および第２配線２４が設けられている。第１配線２２および第２配線２４は、絶縁層２６を介して、支持基板２０の面２１に設けられている。絶縁層２６は、配線２２、２４間を電気的に分離するための層である。絶縁層２６は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層である。第１配線２２および第２配線２４は、例えば、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０を駆動させるための図示しない駆動部（回路）とを接続するための配線である。
【００３０】
第１配線２２は、例えば、配線ワイヤー（ボンディングワイヤー）４０により半導体発光素子１０の第１電極１１２と電気的に接続されている。
第２配線２４は、接続部４２により、半導体発光素子１０の第２電極１１４と電気的に接続されている。第２配線２４は、第２電極１１４と対向する位置に設けられている。第２配線２４の平面形状は、例えば、第２電極１１４の平面形状と同じである。ただし、平面視において、第２配線２４の外縁の内側に第２電極１１４が形成されていてもよい。本実施形態では、第２配線２４は、複数の第２電極１１４に１対１に対応して、複数設けられている。
【００３１】
接続部４２は、第２配線２４と第２電極１１４との間に設けられている。接続部４２は、平面視において、第２電極１１４と第２配線２４とが重なる領域に設けられている。接続部４２は、第２電極１１４と第２配線２４とが重なる領域の一部に設けられていてもよいし、当該重なる領域の全部に設けられていてもよい。接続部４２は、半導体発光素子１０で生じた熱を、支持基板２０に伝えることができる。接続部４２は、シリコーンエラストマー層３２を厚さ方向に貫通する孔に設けられている。当該孔の平面形状は、例えば、第２電極１１４の平面形状と同じである。接続部４２は、複数の第２電極１１４に１対１に対応して、複数設けられている。
【００３２】
接続部４２は、例えば、導電性材料と樹脂材料とを含んで構成されている。導電性材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、炭素（Ｃ）などが挙げられる。一方、樹脂材料としては、例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール樹脂、アクリル系樹脂などが挙げられる。なお、シリコーン系樹脂は、シリコーンエラストマー層３２との相性がよいため、樹脂材料として好適である。接続部４２は、導電性材料と樹脂材料とを含む導電性ペーストを硬化させることにより形成される。接続部４２は、樹脂材料を含むため、例えば金属等の導電性材料のみからなる場合と比べて、柔らかい（弾性率が低い）。したがって、第２配線２４と第２電極１１４とを接続部４２で接続することによって、例えば、接続部４２が金属等の導電性材料のみからなる場合と比べて、半導体発光素子１０に生じる応力を低減しつつ、第２電極１１４と第２配線２４とを電気的に接続することができる。
【００３３】
−シリコーン接合層−
図１に示すように、シリコーン接合層３０は、半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置している。ここで、シリコーン接合層３０が、半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置している場合とは、シリコーン接合層３０の少なくとも一部が半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置している状態をいうことができる。すなわち、シリコーン接合層３０が半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置している場合とは、シリコーン接合層３０の一部が半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置し、シリコーン接合層３０の他の部分が、半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置していない場合も含むものとする。図示の例では、シリコーン接合層３０の全部が、半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置している。
【００３４】
このようなシリコーン接合層３０は、半導体発光素子１０の下面に形成されたシリコーン層３１と、支持基板２０の上面（絶縁層２６上）に形成されているシリコーンエラストマー層３２とを有し、シリコーン層３１の表面（下面）３１１と、シリコーンエラストマー層３２の表面（上面）３２１とが活性化接合して形成されている。ここで、活性化接合とは、例えば、プラズマや紫外線等を接合面（ここでは、シリコーン層３１の表面３１１、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１）に照射することで、接合面にダングリングボンド（原子における未結合手）を形成し、この活性化した両接合面を合わせることで接合する技術である。したがって、シリコーン層３１の表面３１１とシリコーンエラストマー層３２の表面３２１とは、他の部材（例えば接着剤等）を介さずに直接接合されている。なお、シリコーン層３１の表面３１１の全域がシリコーンエラストマー層３２の表面３２１と接合されていてもよいし、表面３１１の一部がシリコーンエラストマー層３２の表面３２１と接合されていてもよい。同様に、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１の全域がシリコーン層３１の表面３１１と接合されていてもよいし、表面３２１の一部がシリコーン層３１の表面３１１と接合されていてもよい。
【００３５】
このように、半導体発光素子１０の下面に形成されたシリコーン層３１と、支持基板２０の上面に形成されたシリコーンエラストマー層３２とを接合することによって、半導体発光素子１０と支持基板２０とをより確実に強固に接合することができる。具体的に説明すると、従来のように、支持基板２０にシリコーンエラストマー層を形成し、このシリコーンエラストマー層と半導体発光素子１０の下面とを活性化接合する方法であると、半導体発光素子１０の表面の状態（凹凸の有無、材質）や、シリコーンエラストマー層の表面の状態（凹凸の有無、粗さ等）によっては、十分な接合強度を得ることができない場合があった。これに対して、本実施形態の接合方法によれば、シリコーンエラストマー層３２をシリコーン層３１と接合させるため、シリコーンエラストマー層３２の表面の状態に影響を受けることなく、十分な接合強度を得ることができる。
【００３６】
また、シリコーン接合層３０（特にシリコーンエラストマー層３２）は、ＡｕＳｎ等の半田と比べて、柔らかいため、発光装置１００では、半導体発光素子１０が変形しようとした場合に、半導体発光素子１０の変形を妨げず、半導体発光素子１０と半田とが接合されている場合と比べて、半導体発光素子１０に応力が生じることを抑制することができる。したがって、発光装置１００によれば、半導体発光素子１０に接合されている部材に起因して半導体発光素子１０に生じる応力を低減することができる。そのため、半導体発光素子１０の駆動時の発熱や、装置がおかれている環境の変化に伴う周囲の温度の変化等によって装置に温度変化が生じた場合に、例えば、所望の性能が発揮できなかったり、装置の信頼性が低下したりすることがなく、高い信頼性を有することができる。
【００３７】
また、本実施形態の接合方法によれば、接合時に加わる熱および荷重が比較的少ないため、製造工程において、半導体発光素子１０に加わる熱的な損傷および物理的な損傷を低減することができる。例えば、半導体発光素子を、サブマウントにＡｕＳｎなどの半田で接合した場合、接合に３００℃以上の熱が必要となるため、この熱により半導体発光素子が損傷を受ける場合があった。
【００３８】
このようなシリコーン接合層３０の膜厚としては、特に限定されないが、例えば、２μｍ以上、５０μｍ以下程度であることが好ましい。これにより、半導体発光素子１０と支持基板２０との十分な接合強度を維持しつつ、シリコーン接合層３０を十分に薄くすることができる。そのため、半導体発光素子１０で発生した熱が支持基板２０に伝わりやすくなり、半導体発光素子１０の冷却効果が高まる。
このようなシリコーン接合層３０に含まれるシリコーン層３１は、例えば、シリコーンを含んで構成されている層である。なお、シリコーン層３１は、シリコーンのみで構成されていてもよい。シリコーン層３１の材質は、例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリシルセスキオキサンなどである。
【００３９】
このようなシリコーン層３１は、化学蒸着すなわちＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成することが好ましい。これにより、シリコーン層３１を均質な薄膜として形成することができ、シリコーンエラストマー層３２とより強固に接合することができる。また、例えば、半導体発光素子１０の下面に段差等が形成されていても、ＣＶＤによれば、半導体発光素子１０の下面に均質なシリコーン層３１を形成することができる点でも有効である。このようなＣＶＤの他にも、半導体発光素子１０の下面にシリコーン材料（シリコーン層３１の前駆体）を塗布し、塗布したシリコーン材料を熱処理によって硬化させてシリコーン層３１を形成してもよい。このような方法によれば、簡単にシリコーン層３１を形成することができる。なお、このようなシリコーン層３１の厚さ（平均厚さ）としては、特に限定されず、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度とすることができる。
【００４０】
一方、シリコーン接合層３０に含まれるシリコーンエラストマー層３２は、例えば、シリコーンエラストマーを含んで構成される層である。なお、シリコーンエラストマー層３２は、シリコーンエラストマーのみで構成されていてもよい。ここで、シリコーンエラストマーとは、分子中に−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−結合を持ち、過酸化物や白金化合物などの硬化触媒を加えることによりゴム状に硬化したり、部分結晶化により硬化したりするシリコーンである。具体的には、シリコーンエラストマー層３２の材質は、例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリシルセスキオキサンなどである。シリコーンエラストマー層３２として、例えば、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、品番ＴＳＥ３２２１Ｓのシリコーンを用いることができる。
【００４１】
このようなシリコーン層３１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、支持基板２０の上面にシリコーンエラストマー（シリコーンエラストマー層３２の前駆体）を塗布し、塗布したシリコーンエラストマーを熱処理によって硬化させてシリコーンエラストマー層３２を形成することが好ましい。このような方法によれば、簡単にシリコーンエラストマー層３２を形成することができる。なお、このようなシリコーンエラストマー層３２の厚さ（平均厚さ）としては、特に限定されず、例えば、２〜５０μｍ程度とすることができる。
【００４２】
以上、発光装置１００の構成について説明した。上述した構成では、シリコーン接合層３０が半導体発光素子１０に設けられたシリコーン層３１と、支持基板２０に設けられたシリコーンエラストマー層３２とを有しているが、反対に、シリコーン接合層３０が半導体発光素子１０に設けられたシリコーンエラストマー層３２と、支持基板２０に設けられたシリコーン層３１とを有していてもよい。このような構成によっても、本実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００４３】
また、上述した構成では、シリコーン層３１が半導体発光素子１０の下面に直接形成されているが、これに限定されず、例えば、半導体発光素子１０とシリコーン層３１との間に下地層等が設けられていてもよい。下地層としては、半導体発光素子１０とシリコーン層３１の密着性を高めるプライマー層等が挙げられる。同様に、上述した構成では、シリコーンエラストマー層３２が絶縁層２６を介して支持基板２０上に形成されているが、これに限定されず、例えば、シリコーンエラストマー層３２が支持基板２０に直接形成されていてもよい。
【００４４】
≪発光装置の製造方法≫
次に、発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
発光装置１００の製造方法は、支持基板２０にシリコーンエラストマー層３２を形成する第１工程と、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成する第２工程と、シリコーンエラストマー層３２の表面を活性化させる第３工程と、シリコーン層３１の表面を活性化させる第４工程と、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とを接合する第５工程と、個片化する第６工程とを含んでいる。
【００４５】
［第１工程］
まず、図４（ａ）に示すように、複数の支持基板２０を含んでいるベース２０Ａを用意し、ベース２０Ａの上面に絶縁層２６および配線２２、２４を各支持基板２０に対応させて形成する。絶縁層２６は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより形成される。第１配線２２および第２配線２４は、例えば、導電層（金属層）を成膜した後、リソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて導電層をパターニングすることにより形成される。なお、予め絶縁層２６および配線２２、２４が形成されたベース２０Ａを用いてもよいし、予め個片化されている支持基板２０を用いてもよい。
【００４６】
次に、図４（ｂ）に示すように、ベース２０Ａ（絶縁層２６上および配線２２、２４上）にシリコーンエラストマー層３２の前駆体３２ａを塗布する。前駆体３２ａは、シリコーンエラストマー層３２を形成するための原料となる液体であり、シリコーンエラストマー層３２を構成する材料を含む。前駆体３２ａの塗布は、例えばスピンコート法により行うことができる。これにより、前駆体３２ａを絶縁層２６上および配線２２、２４上に均一に塗布することができる。また、スピンコート法を用いることで、シリコーンエラストマー層３２の膜厚の制御を容易に行うことができる。したがって、例えば、シリコーンエラストマー層３２を薄膜化することができる。次に、熱処理により、前駆体３２ａを硬化させてシリコーンエラストマー層３２を得る。前記熱処理は、例えば、前駆体３２ａが塗布されたベース２０Ａをベーク炉に入れ、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えることにより行うことができる。
【００４７】
次に、図４（ｃ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２上にマスクＭを形成する。マスクＭは、レジストをシリコーンエラストマー層３２上に塗布して硬化した後、露光、現像処理によってパターニングすることで形成することができる。
次に、マスクＭを介してシリコーンエラストマー層３２をエッチングし、その後、マスクＭを除去する。これにより、図４（ｄ）に示すように、所望の形状にパターニングされたシリコーンエラストマー層３２が得られる。シリコーンエラストマー層３２は、例えば、第１配線２２および第２配線２４が露出するようにパターニングされる。このパターニングによってシリコーンエラストマー層３２に孔３２２が形成され、孔３２２から第２配線２４が露出している。シリコーンエラストマー層３２のエッチングは、例えば、ドライエッチングを用いて行われる。
【００４８】
なお、パターニングされたシリコーンエラストマー層３２を得る方法としては、上述した方法に限定されず、例えば、インクジェットやディスペンサーを用いる方法を用いることもできる。具体的には、まず、配線２２、２４を避けるようにして、前駆体３２ａをシリコーンエラストマー層３２の形成領域にのみ選択的に塗布し、その後、上述したように前駆体３２ａをベーク炉に入れて硬化させることで、パターニングされたシリコーンエラストマー層３２が得られる。また、例えば、シリコーンエラストマー層３２の形成領域以外の領域にフッ素系ガスを吹き付けて撥液処理し、その後、ベース２０Ａの上方に前駆体３２ａをスピンコート法により塗布し、その後、上述したように前駆体３２ａをベーク炉に入れて硬化させることで、パターニングされたシリコーンエラストマー層３２が得られる。このような方法によれば、硬化後のパターニング工程が不要となるため、製造プロセスを簡略化することができる。
【００４９】
［第２工程］
まず、図５（ａ）に示すように、半導体発光素子１０を用意する。次に、図５（ｂ）に示すように、半導体発光素子１０の面１９上にシリコーン層３１をＣＶＤ法によって成膜する。これにより、面１９の形状等によらず均質なシリコーン層３１を形成することができる。なお、シリコーン層３１を成膜する際、シリコーン層３１が第２電極１１４上に形成されないように、第２電極１１４をメタルマスクなどでマスキングした状態で行うことが好ましい。もちろん、一旦、第２電極１１４を覆うように面１９の全域にシリコーン層３１を成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてシリコーン層３１をパターニングし、第２電極１１４を露出させてもよい。シリコーン層３１の膜厚は、１００〜２００ｎｍ程度とすることができる。
【００５０】
なお、シリコーン層３１の形成は、ＣＶＤ法を用いた方法に限定されない。シリコーン層３１は、例えば、前述したシリコーンエラストマー層３２と同様の方法を用いて形成することもできる。
すなわち、まず、図６（ａ）に示すように、半導体発光素子１０の面１９上にシリコーン層３１の前駆体３１ａを塗布する。前駆体３１ａは、シリコーン層３１を形成するための原料となる液体であり、シリコーン層３１を構成する材料を含んでいる。次に、図６（ｂ）に示すように、熱処理により、前駆体３１ａを硬化させてシリコーン層３１を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、シリコーン層３１上にマスクＭ１を形成し、マスクＭ１を介してシリコーン層３１をエッチングし、その後、マスクＭ１を除去する。これにより、図６（ｄ）に示すように、所望の形状にパターニングされたシリコーン層３１が得られる。シリコーン層３１は、第２電極１１４が露出するようにパターニングされる。このパターニングによってシリコーン層３１に孔３１２が形成され、孔３１２から第２電極１１４が露出している。シリコーン層３１のエッチングは、例えば、ドライエッチングを用いて行われる。
【００５１】
［第３工程、第４工程］
次に、図７（ａ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１を活性化処理する。活性化処理は、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１を、例えば、大気圧でプラズマ処理することによって行うことができる。本実施形態では、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１にそれぞれプラズマＰＬを照射することによってプラズマ処理を行っている。この他、活性化の方法としては、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１に紫外線を照射することによって活性化処理を行ってもよい。ここで、活性化処理とは、表面３２１、３１１の酸化膜や付着物等を除去し、表面原子の結合手（ダングリングボンド）を露出した状態を作ることをいう。
【００５２】
次に、図７（ｂ）に示すように、導電性ペースト４２ａを孔３２２に塗布することによって、導電性ペースト４２ａを第２配線２４上に配置する。また、例えば、予め所望の形状にパターニングされた導電性ペーストを第２配線２４上に転写することによって、導電性ペースト４２ａを第２配線２４上に配置してもよい。この導電性ペースト４２ａは、例えば、導電性材料と樹脂材料とを含んで構成されている。具体的には、前記導電性材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、炭素（Ｃ）などが挙げられ、前記樹脂材料としては、例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール樹脂、アクリル系樹脂などが挙げられる。
【００５３】
［第５工程］
次に、図７（ｃ）に示すように、ベース２０Ａ上に半導体発光素子１０を載置する。この状態では、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１とシリコーン層３１の表面３１１とが接触し、かつ、半導体発光素子１０の第２電極１１４とベース２０Ａ上の第２配線２４とが導電性ペースト４２ａを介して接続されている。すなわち、半導体発光素子１０は、第２電極１１４を支持基板２０側に向けたジャンクションダウンの状態で、フリップチップ実装されている。半導体発光素子１０の載置は、例えば、フリップチップボンダー装置等を用いて行われる。
【００５４】
シリコーンエラストマー層３２の表面３２１とシリコーン層３１の表面３１１とを接触させることによって、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とが活性化接合によって接合される。なお、ベース２０Ａ上に半導体発光素子１０を載置した後に、半導体発光素子１０に荷重（接合荷重）を加えてもよい。すなわち、シリコーン層３１をシリコーンエラストマー層３２に押しつけてもよい。さらには、ベース２０Ａ上に半導体発光素子１０を載置した後に、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えてもよい。これにより、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１との接合強度をより高めることができる。
【００５５】
次に、半導体発光素子１０を載置したベース２０Ａをベーク炉に入れ、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えることにより、図８（ａ）に示すように、導電性ペースト４２ａを硬化させて接続部４２を形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、第１配線２２と半導体発光素子１０の第１電極１１２とを、配線ワイヤー４０により接続する。本工程は、例えばワイヤーボンディングなどにより行われる。
［第６工程］
次に、図８（ｃ）に示すように、ベース２０Ａを個片化することで複数の発光装置１００が得られる。
【００５６】
以上、発光装置１００の製造方法について説明した。このような製造方法によれば、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とを活性化接合によって接合しているため、これらを実質的に熱を加えることなく常温で接合することができる。さらに、これらを低荷重で接合することができる。したがって、製造工程において、半導体発光素子１０に加わる損傷を低減することができる。
【００５７】
また、上記の製造方法によれば、第２電極１１４と第２配線２４とを導電性材料と樹脂材料とを含む接続部４２によって接続しているため、半導体発光素子１０に生じる応力を低減しつつ、第２電極１１４と第２配線２４とを電気的に接続することができる。加えて、半導体発光素子１０がジャンクションダウンの状態で支持基板２０に実装されているため、発熱源である活性層１０６を支持基板２０に近づけることができ、放熱性を高めることができる。
【００５８】
また、上記の製造方法によれば、硬化したシリコーンエラストマー層３２上に半導体発光素子１０（シリコーン層３１）を載置することができるため、シリコーン層３１とシリコーンエラストマー層３２とを接合する際に、シリコーンエラストマー層３２の前駆体３２ａが、半導体発光素子１０の光出射部１１に付着することを防ぐことができる。したがって、発光装置１００では、半導体発光素子１０として端面発光型の半導体発光素子を用いたとしても、例えば、異物によって光Ｌの強度が低下したり、光Ｌの形状に異常が生じたりするという問題を生じさせないことができる。
なお、上記の製造方法では、第１工程、第２工程、第３工程、第４工程の順で行っているが、これら４つの工程の順番はこれに限定されない。例えば、第１工程、第３工程、第２工程、第４工程の順で行ってもよいし、第２工程、第４工程、第１工程、第３工程の順で行ってもよい。
【００５９】
また、上記の製造方法では、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成し、支持基板２０にシリコーンエラストマー層３２を形成する方法について説明したが、これとは逆に、半導体発光素子１０にシリコーンエラストマー層３２を形成し、支持基板２０にシリコーン層３１を形成してもよい。このような場合であっても、上記と同様の効果を発揮することができる。また、このような場合の発光装置１００の製造方法は、シリコーン層３１およびシリコーンエラストマー層３２を形成する対象が逆転する以外は、上記の製造方法と同様であるため、その説明を省略する。
【００６０】
＜第２実施形態＞
図９は、本発明の第２実施形態に係る発光装置を示す断面図である。図１０ないし図１３は、それぞれ、図９に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
以下、第２実施形態の発光装置について前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の発光装置は、主に、サブマウント基板としてのシリコン基板を有すること以外は、前述した第１実施形態の発光装置と同様である。なお、図９では、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００６１】
≪発光装置≫
図９に示す発光装置１００は、半導体発光素子１０と、基板（以下、「サブマウント基板」と言う。）５０と、支持基板２０と、半導体発光素子１０とサブマウント基板５０とを接合するシリコーン接合層３０と、サブマウント基板５０と支持基板２０とを接合する接合層６０とを有している。すなわち、本実施形態の発光装置１００は、前述した第１実施形態の発光装置１００の半導体発光素子１０と支持基板２０との間にサブマウント基板５０を追加した構成となっている。
【００６２】
サブマウント基板５０は、例えば、シリコン基板で構成されている。そして、本実施形態では、このサブマウント基板５０の上面に第１、第２配線２２、２４が形成されている。第１配線２２は、例えば、配線ワイヤー４０により、半導体発光素子１０の第１電極１１２と電気的に接続されている。第２配線２４は、接続部４２により、半導体発光素子１０の第２電極１１４と電気的に接続されている。なお、第１、第２配線２２、２４のうちの第１配線２２は、支持基板２０上に設けられていてもよい。
【００６３】
そして、このようなサブマウント基板５０が、シリコーン接合層３０を介して半導体発光素子１０と接合されている。シリコーン接合層３０は、半導体発光素子１０に形成されているシリコーン層３１と、サブマウント基板５０の上面に形成されているシリコーンエラストマー層３２とを有し、シリコーン層３１の表面（接合面）３１１と、シリコーンエラストマー層３２の表面（接合面）３２１とが活性化接合して形成されている。
一方で、サブマウント基板５０は、接合層６０を介して支持基板２０と接合されている。接合層６０は、例えば、半田等のろう材、銀ペースト、エポキシ系、シリコーン系の各種接着材等で構成することができる。
【００６４】
以上、本実施形態の発光装置１００について説明した。このような発光装置１００によれば、次のような効果を発揮することができる。すなわち、サブマウント基板５０（シリコン基板）の熱膨張係数と半導体発光素子１０の熱膨張率の差は、支持基板２０の熱膨張係数と半導体発光素子１０の熱膨張率の差に比べて小さい。したがって、本実施形態の発光装置１００によれば、半導体発光素子１０と支持基板２０との間の熱膨張率の差に起因して半導体発光素子１０に生じる応力を、さらに低減することができる。
【００６５】
≪発光装置の製造方法≫
次に、発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
発光装置１００の製造方法は、サブマウント基板５０にシリコーンエラストマー層３２を形成する第１工程と、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成する第２工程と、シリコーンエラストマー層３２の表面を活性化させる第３工程と、シリコーン層３１の表面を活性化させる第４工程と、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とを接合する第５工程と、サブマウント基板５０と支持基板２０とを接合する第６工程と、個片化する第７工程とを含んでいる。
【００６６】
［第１工程］
まず、図１０（ａ）に示すように、複数のサブマウント基板５０を含んでいるシリコン基板５０Ａを用意し、シリコン基板５０Ａの上面に第１、第２配線２２、２４を各サブマウント基板５０に対応させて形成する。第１、第２配線２２、２４は、例えば、導電層（金属層）を成膜した後、リソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて導電層をパターニングすることにより形成される。なお、予め第１、第２配線２２、２４が形成されたシリコン基板５０Ａを用いてもよいし、予め個片化されたサブマウント基板５０を用いてもよい。
【００６７】
次に、図１０（ｂ）に示すように、シリコン基板５０Ａの上方（すなわち第１、第２配線２２、２４上）にシリコーンエラストマー層３２の前駆体３２ａを塗布する。次に、熱処理により、前駆体３２ａを硬化させてシリコーンエラストマー層３２を得る。前記熱処理は、例えば、前駆体３２ａが塗布されたシリコン基板５０Ａをベーク炉に入れ、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えることにより行うことができる。
【００６８】
次に、図１０（ｃ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２上にマスクＭ２を形成する。次に、図１０（ｄ）に示すように、マスクＭ２を介してシリコーンエラストマー層３２をエッチングし、その後、マスクＭ２を除去する。これにより、シリコーンエラストマー層３２は、第１、第２配線２２、２４が露出するようにパターニングされる。パターニングによってシリコーンエラストマー層３２に孔３２２が形成され、孔３２２から第２配線２４が露出している。シリコーンエラストマー層３２のエッチングは、例えば、ドライエッチングを用いて行われる。
【００６９】
なお、パターニングされたシリコーンエラストマー層３２を得る方法としては、上述した方法に限定されず、例えば、インクジェットやディスペンサーを用いる方法を用いることもできる。具体的には、まず、第１、第２配線２２、２４を避けるようにして、前駆体３２ａをシリコーンエラストマー層３２の形成領域にのみ選択的に塗布し、その後、上述したように前駆体３２ａをベーク炉に入れて硬化させることで、パターニングされたシリコーンエラストマー層３２が得られる。また、例えば、シリコーンエラストマー層３２の形成領域以外の領域にフッ素系ガスを吹き付けて撥液処理し、その後、シリコン基板５０Ａの上方に前駆体３２ａをスピンコート法により塗布し、その後、上述したように前駆体３２ａをベーク炉に入れて硬化させることで、パターニングされたシリコーンエラストマー層３２が得られる。このような方法によれば、硬化後のパターニング工程が不要となるため、製造プロセスを簡略化することができる。
【００７０】
［第２工程］
前述した第１実施形態の第２工程と同様であるため、その説明を省略する。
［第３工程、第４工程］
次に、図１１（ａ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１を活性化処理する。具体的には、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１を、例えば、大気圧でプラズマ処理することで活性化処理を行う。
次に、図１１（ｂ）に示すように、導電性ペースト４２ａを孔３２２に塗布することによって、導電性ペースト４２ａを第２配線２４上に配置する。また、例えば、予め所望の形状にパターニングされた導電性ペーストを第２配線２４上に転写することによって、導電性ペースト４２ａを第２配線２４上に配置してもよい。
【００７１】
［第５工程］
次に、図１１（ｃ）に示すように、シリコン基板５０Ａ上に半導体発光素子１０を載置する。この状態では、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１とシリコーン層３１の表面３１１とが接触し、かつ、半導体発光素子１０の第２電極１１４とシリコン基板５０Ａ上の第２配線２４とが導電性ペースト４２ａを介して接続されている。すなわち、半導体発光素子１０は、第２電極１１４を支持基板２０側に向けたジャンクションダウンの状態で、フリップチップ実装されている。半導体発光素子１０の載置は、例えば、フリップチップボンダー装置等を用いて行われる。
【００７２】
シリコーンエラストマー層３２の表面３２１とシリコーン層３１の表面３１１とを接触させることによって、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とが活性化接合によって接合される。なお、シリコン基板５０Ａ上に半導体発光素子１０を載置した後に、半導体発光素子１０に荷重（接合荷重）を加えてもよい。すなわち、シリコーン層３１をシリコーンエラストマー層３２に押しつけてもよい。さらには、シリコン基板５０Ａ上に半導体発光素子１０を載置した後に、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えてもよい。これにより、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１との接合強度をより高めることができる。
【００７３】
次に、半導体発光素子１０を載置したシリコン基板５０Ａをベーク炉に入れ、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えることにより、図１２（ａ）に示すように、導電性ペースト４２ａを硬化させて接続部４２を形成する。次に、図１２（ｂ）に示すように、シリコン基板５０Ａを個片化する。これにより、サブマウント基板５０に半導体発光素子１０が搭載された中間製造物１００’が得られる。
【００７４】
［第６工程］
次に、図１３（ａ）に示すように、複数の支持基板２０を含んでいるベース２０Ａを用意し、用意したベース２０Ａに中間製造物１００’を各支持基板２０に対応するように接合層６０を用いて接合する。次に、図１３（ｂ）に示すように、第１配線２２と半導体発光素子１０の第１電極１１２とを、配線ワイヤー４０により接続する。本工程は、例えばワイヤーボンディングなどにより行われる。
［第７工程］
次に、図１３（ｃ）に示すように、ベース２０Ａを個片化する。これにより、発光装置１００が得られる。
【００７５】
なお、上記の製造方法では、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成し、サブマウント基板５０にシリコーンエラストマー層３２を形成する方法について説明したが、これとは逆に、半導体発光素子１０にシリコーンエラストマー層３２を形成し、サブマウント基板５０にシリコーン層３１を形成してもよい。このような場合であっても、上記と同様の効果を発揮することができる。また、このような場合の発光装置１００の製造方法は、シリコーン層３１およびシリコーンエラストマー層３２を形成する対象が逆転する以外は、上記の製造方法と同様であるため、その説明を省略する。また、上記の製造方法では、中間製造物１００’をベース２０Ａに接合した後、ベース２０Ａを個片化する方法について説明したが、予め個片化された支持基板２０に中間製造物１００’を接合してもよい。
【００７６】
＜第３実施形態＞
図１４は、本発明の第３実施形態に係る発光装置を示す断面図である。図１５は、図１４に示す発光装置が有する半導体発光素子の断面図（図３に対応する断面図）である。図１６ないし図１９は、それぞれ、図１４に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
以下、第３実施形態の発光装置について前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７７】
第３実施形態の発光装置は、主に、半導体発光素子の搭載状態が異なること以外は、前述した第１実施形態の発光装置と同様である。なお、図１４では、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００７８】
前述した第１実施形態の発光装置１００では、図１に示すように、半導体発光素子１０がジャンクションダウンの状態で支持基板２０に実装されていた。これに対して、本実施形態の発光装置１００では、図１４に示すように、半導体発光素子１０がジャンクションアップの状態で支持基板２０に実装されている。すなわち、半導体発光素子１０は、活性層１０６が半導体発光素子の基板１０２の支持基板２０側とは反対側に位置するように実装されている。
【００７９】
本実施形態の発光装置１００では、半導体発光素子１０は、片面電極構造を有しており、半導体発光素子１０の一方の面側（図１４の上面側）に第１、第２電極１１２、１１４が形成されている。半導体発光素子１０を片面電極構造とするためには、例えば、図１５に示すように、第１クラッド層１０４と基板１０２との間に第２コンタクト層１１６を設け、ドライエッチングなどにより第２電極１１４側から第２コンタクト層１１６を露出させ、第１電極１１２を第２コンタクト層１１６上に設けることにより、片面電極構造を得ることができる。第２コンタクト層１１６としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。このような構成は、基板１０２が絶縁体で構成されている場合などに有効となる。
【００８０】
支持基板２０の面２１には絶縁層２６を介して第１、第２配線２２、２４が設けられている。そして、第１、第２配線２２、２４は、配線ワイヤー４０により、第１、第２電極１１２、１１４と電気的に接続されている。なお、図示の例では、半導体発光素子１０には、第２電極１１４が１つ設けられているが、第２電極１１４が複数設けられてもよい。また、複数の第２電極１１４の各々に対して、配線ワイヤー４０および第２配線２４が設けられていてもよい。
【００８１】
シリコーン接合層３０は、半導体発光素子１０と支持基板２０との間に位置し、半導体発光素子１０（基板１０２）に形成されているシリコーン層３１と、支持基板２０に形成されているシリコーンエラストマー層３２とを有している。そして、シリコーン層３１の表面（接合面）３１１と、シリコーンエラストマー層３２の表面（接合面）３２１とが活性化接合により接合されている。
なお、本実施形態では、半導体発光素子１０にシリコーン層３１が形成され、支持基板２０にシリコーンエラストマー層３２が形成されているが、これとは逆に、半導体発光素子１０にシリコーンエラストマー層３２を形成し、支持基板２０にシリコーン層３１を形成してもよい。
【００８２】
≪発光装置の製造方法≫
次に、発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
発光装置１００の製造方法は、支持基板２０にシリコーンエラストマー層３２を形成する第１工程と、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成する第２工程と、シリコーンエラストマー層３２の表面を活性化させる第３工程と、シリコーン層３１の表面を活性化させる第４工程と、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とを接合する第５工程と、個片化する第６工程とを含んでいる。
【００８３】
［第１工程］
まず、図１６（ａ）に示すように、複数の支持基板２０を含んでいるベース２０Ａを用意し、ベース２０Ａの面２１に絶縁層２６および第１、第２配線２２、２４を各支持基板２０に対応させて形成する。なお、予め個片化されている支持基板２０を用いてもよい。次に、図１６（ｂ）に示すように、ベース２０Ａにシリコーンエラストマー層３２の前駆体３２ａを塗布する。次に、熱処理により、前駆体３２ａを硬化させてシリコーンエラストマー層３２を得る。前記熱処理は、例えば、前駆体３２ａが塗布されたベース２０Ａをベーク炉に入れ、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えることにより行うことができる。次に、図１６（ｃ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２上にマスクＭ３を形成する。次に、マスクＭ３を介してシリコーンエラストマー層３２をエッチングし、その後、マスクＭ３を除去する。これにより、図１６（ｄ）に示すように、所望の形状にパターニングされたシリコーンエラストマー層３２が得られる。
【００８４】
［第２工程］
まず、図１７（ａ）に示すように、半導体発光素子１０を用意する。次に、図１７（ｂ）に示すように、半導体発光素子１０の表面（基板１０２上）にシリコーン層３１をＣＶＤ法によって成膜する。基板１０２上には、電極が配置されていないため、前述した第１実施形態のようなメタルマスクを配置する必要がなく、本工程をより簡単に行うことができる。なお、シリコーン層３１の形成は、ＣＶＤ法を用いた方法に限定されない。シリコーン層３１は、例えば、前述したシリコーンエラストマー層３２と同様の方法を用いて形成することもできる。
［第３工程、第４工程］
次に、図１８（ａ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１を大気圧でプラズマ処理することで活性化処理する。
【００８５】
［第５工程］
次に、図１８（ｂ）に示すように、ベース２０Ａ上に半導体発光素子１０を載置し、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１とシリコーン層３１の表面３１１とを接触させる。これにより、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とが活性化接合によって接合される。なお、ベース２０Ａ上に半導体発光素子１０を載置した後に、半導体発光素子１０に荷重（接合荷重）を加えてもよし、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えてもよい。これにより、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１との接合強度をより高めることができる。
次に、図１９（ａ）に示すように、第１、第２配線２２、２４と半導体発光素子１０の第１、第２電極１１２、１１４とを、配線ワイヤー４０により接続する。本工程は、例えばワイヤーボンディングなどにより行われる。
【００８６】
［第６工程］
次に、図１９（ｂ）に示すように、ベース２０Ａを個片化することで複数の発光装置１００が得られる。
なお、上記の製造方法では、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成し、支持基板２０にシリコーンエラストマー層３２を形成する方法について説明したが、これとは逆に、半導体発光素子１０にシリコーンエラストマー層３２を形成し、支持基板２０にシリコーン層３１を形成してもよい。このような場合であっても、上記と同様の効果を発揮することができる。また、このような場合の発光装置１００の製造方法は、シリコーン層３１およびシリコーンエラストマー層３２を形成する対象が逆転する以外は、上記の製造方法と同様であるため、その説明を省略する。
【００８７】
＜第４実施形態＞
図２０は、本発明の第４実施形態に係る発光装置を示す断面図である。図２１ないし図２４は、それぞれ、図２０に示す発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
以下、第４実施形態の発光装置について前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態の発光装置は、主に、サブマウント基板としてのシリコン基板を有すること以外は、前述した第３実施形態の発光装置と同様である。なお、図２０では、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００８８】
≪発光装置≫
図２０に示す発光装置１００は、半導体発光素子１０（第３実施形態で示した片面電極構造の半導体発光素子）と、基板（以下、「サブマウント基板」と言う。）５０と、支持基板２０と、半導体発光素子１０とサブマウント基板５０とを接合するシリコーン接合層３０と、サブマウント基板５０と支持基板２０とを接合する接合層６０とを有している。すなわち、本実施形態の発光装置１００は、前述した第３実施形態の発光装置１００の半導体発光素子１０と支持基板２０との間にサブマウント基板５０を追加した構成となっている。
【００８９】
本実施形態では、支持基板２０上に絶縁層２６を介して第１、第２配線２２、２４が形成されている。そして、第１、第２配線２２、２４は、配線ワイヤー４０により、第１、第２電極１１２、１１４と電気的に接続されている。なお、図示の例では、半導体発光素子１０には、第２電極１１４が１つ設けられているが、第２電極１１４が複数設けられてもよい。また、複数の第２電極１１４の各々に対して、配線ワイヤー４０および第２配線２４が設けられていてもよい。
【００９０】
≪発光装置の製造方法≫
次に、発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
発光装置１００の製造方法は、サブマウント基板５０にシリコーンエラストマー層３２を形成する第１工程と、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成する第２工程と、シリコーンエラストマー層３２の表面を活性化させる第３工程と、シリコーン層３１の表面を活性化させる第４工程と、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とを接合する第５工程と、サブマウント基板５０と支持基板２０とを接合する第６工程と、個片化する第７工程とを含んでいる。
【００９１】
［第１工程］
まず、図２１（ａ）に示すように、複数のサブマウント基板５０を含んでいるシリコン基板５０Ａを用意する。なお、本工程では、予め個片化されたサブマウント基板５０を用いてもよい。次に、図２１（ｂ）に示すように、シリコン基板５０Ａの上面にシリコーンエラストマー層３２の前駆体３２ａを塗布する。次に、熱処理により、前駆体３２ａを硬化させてシリコーンエラストマー層３２を得る。前記熱処理は、例えば、前駆体３２ａが塗布されたシリコン基板５０Ａをベーク炉に入れ、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えることにより行うことができる。次に、図２１（ｃ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２上にマスクＭ４を形成する。次に、図２１（ｄ）に示すように、マスクＭ４を介してシリコーンエラストマー層３２をエッチングし、その後、マスクＭ４を除去する。これにより、所望の形状にパターニングされたシリコーンエラストマー層３２が得られる。
【００９２】
［第２工程］
前述した第３実施形態の第２工程と同様であるため、その説明を省略する。
［第３工程、第４工程］
次に、図２２（ａ）に示すように、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１およびシリコーン層３１の表面３１１を大気圧でプラズマ処理することで活性化処理する。
【００９３】
［第５工程］
次に、図２２（ｂ）に示すように、シリコン基板５０Ａ上に半導体発光素子１０を載置し、シリコーンエラストマー層３２の表面３２１とシリコーン層３１の表面３１１とを接触させる。これにより、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１とが活性化接合によって接合される。なお、シリコン基板５０Ａ上に半導体発光素子１０を載置した後に、半導体発光素子１０に荷重（接合荷重）を加えてもよいし、１５０℃〜１８０℃程度の熱を加えてもよい。これにより、シリコーンエラストマー層３２とシリコーン層３１との接合強度をより高めることができる。次に、図２２（ｃ）に示すように、シリコン基板５０Ａを個片化する。これにより、サブマウント基板５０に半導体発光素子１０が搭載された中間製造物１００’が得られる。
【００９４】
［第６工程］
次に、図２３（ａ）に示すように、複数の支持基板２０を含んでいるベース２０Ａを用意し、用意したベース２０Ａに絶縁層２６を介して第１、第２配線２２、２４を形成する次に、図２３（ｂ）に示すように、中間製造物１００’を各支持基板２０に対応するように接合層６０を用いて接合する。次に、図２４（ａ）に示すように、第１、第２配線２２、２４と半導体発光素子１０の第１、第２電極１１２、１１４とを、配線ワイヤー４０により接続する。
［第７工程］
次に、図２４（ｂ）に示すように、ベース２０Ａを個片化する。これにより、発光装置１００が得られる。
【００９５】
なお、上記の製造方法では、半導体発光素子１０にシリコーン層３１を形成し、サブマウント基板５０にシリコーンエラストマー層３２を形成する方法について説明したが、これとは逆に、半導体発光素子１０にシリコーンエラストマー層３２を形成し、サブマウント基板５０にシリコーン層３１を形成してもよい。このような場合であっても、上記と同様の効果を発揮することができる。また、このような場合の発光装置１００の製造方法は、シリコーン層３１およびシリコーンエラストマー層３２を形成する対象が逆転する以外は、上記の製造方法と同様であるため、その説明を省略する。また、上記の製造方法では、中間製造物１００’をベース２０Ａに接合した後、ベース２０Ａを個片化する方法について説明したが、予め個片化された支持基板２０に中間製造物１００’を接合してもよい。
【００９６】
２．プロジェクター
次に、本発明のプロジェクターについて説明する。ただし、以下に示す構成は、一例であって、本発明のプロジェクターの構成は、以下の構成に限定されない。
図２５に示すように、プロジェクター５００は、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、青色光源１００Ｂを含む。これら光源１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂとして上述した発光装置１００を用いることができる。
プロジェクター５００は、さらに、レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）５０８とを有している。
【００９７】
光源１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂに入射する。レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂの入射面は、例えば、光源１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから出射される光の光軸に対して、所定の角度で傾斜している。これにより、光源１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから出射された光の光軸を変換することができる。したがって、例えば、光源１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから出射された光を、液晶ライトバルブ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂの照射面に対して、直交させることができる。特に、図２に示すように、半導体発光素子１０の利得領域１６０、１７０が第１側面１３１に対して傾いて設けられている場合、発光装置１００から出射される光は、第１側面１３１の垂線Ｐに対して傾いて進行するため、レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂの入射面は、所定の角度で傾斜していることが望ましい。
【００９８】
レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂは、液晶ライトバルブ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ側に凸曲面を有している。これにより、レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂの入射面において光軸が変換された光は、凸曲面によって、集光される（または拡散角を小さくされることができる）。したがって、均一性よく液晶ライトバルブ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂを照射することができる。このように、レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂは、光源１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから出射される光の光軸を制御して、当該光を集光させることができる。
【００９９】
各レンズアレイ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。
各液晶ライトバルブ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム５０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム５０６は、例えば、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成される。
【０１００】
クロスダイクロイックプリズム５０６によって合成された光は、投射光学系である投射レンズ５０８に入射する。投射レンズ５０８は、液晶ライトバルブ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂによって形成された像を拡大して、スクリーン（表示面）５１０に投射する。これにより、スクリーン５１０上に所望の映像が映し出される。
以上、プロジェクター５００について説明した。
【０１０１】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを、光源からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
【０１０２】
以上、本発明の発光装置の製造方法、発光装置およびプロジェクターについて、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
１０……半導体発光素子  １１……光出射部  １９……面  ２０……支持基板  ２０Ａ……ベース  ２１……面  ２２……第１配線  ２４……第２配線  ２６……絶縁層  ３０……シリコーン接合層  ３１……シリコーン層  ３１ａ……前駆体  ３２……シリコーンエラストマー層  ３２ａ……前駆体  ４０……配線ワイヤー  ４２……接続部  ４２ａ……導電性ペースト  ５０……サブマウント基板  ５０Ａ……シリコン基板  ６０……接合層  １００’……中間製造物  １００……光源装置  １００Ｂ……青色光源  １００Ｇ……緑色光源  １００Ｒ……赤色光源  １０２……基板  １０４……第１クラッド層  １０６……活性層  １０８……第２クラッド層  １０９……コンタクト層  １１２……第１電極  １１４……第２電極  １１６……第２コンタクト層  １２０……絶縁部  １２１……上面  １２２……柱状部  １３１……第１側面  １３２……第２側面  １３３……第３側面  １５０……第１利得領域  １６０……第２利得領域  １７０……第３利得領域  １８０……利得領域群  ３１１……表面  ３１２……孔  ３２１……表面  ３２２……孔  ５００……プロジェクター  ５０２Ｒ、５０２Ｇ、５０２Ｂ……レンズアレイ  ５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ……液晶ライトバルブ  ５０６……クロスダイクロイックプリズム  ５０８……投射レンズ  ５１０……スクリーン  Ｌ……光  Ｍ、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４……マスク  Ｐ……垂線  ＰＬ……プラズマ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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