(57)【要約】【課題】隣接する台座の上端面間に中空部が生じていても、２度目の陽極接合を側面陽極接合方式で行うようにしたまま、半導体基板および台座を支障なく切り離して、複数の半導体圧力センサを得ることができるようにする。【解決手段】ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部にガラス台座ウエハ２０の厚み方向へ垂直に所定の切り残し部（ｔ＝５０μｍ以下）８が生じるようにダイシングを行うようにし、最後にガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部に残されている切り残し部８を割断するようする。【選択図】  図１
2015190790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面中央部にセンサダイアフラムが形成された半導体基板と、この半導体基板の前記センサダイアフラムを取り囲む部分を厚肉の接合部とし、この厚肉の接合部に小径とされた上端面が接合される台座と、この台座の下端面にその上端面が接合される支持部材とを備え、前記台座および前記支持部材の軸方向に前記センサダイアフラムの下面側の前記厚肉の接合部で囲まれた空間に連通する貫通孔を備える半導体圧力センサを、前記支持部材が複数作成された第１のウエハと、前記台座が複数作成された第２のウエハと、前記半導体基板が複数作成された第３のウエハとの３層のウエハ接合体から分割して複数製造する半導体圧力センサの製造方法において、
前記第１のウエハと前記第２のウエハとを前記支持部材の上端面と前記台座の下端面とを対向させて陽極接合する第１工程と、
前記第１工程によって接合された前記第１のウエハと前記第２のウエハとの接合体に対して、前記第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に前記第２のウエハの厚み方向へ垂直に所定の切り残し部が生じるようにダイシングを行う第２工程と、
前記第２工程によって前記第２のウエハの厚み方向へ前記所定の切り残し部が生じるようにダイシングされた前記第１のウエハと前記第２のウエハとの接合体と前記第３のウエハとを前記台座の上端面と前記半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて前記第２のウエハと前記第３のウエハとの間で陽極接合する第３工程と、
前記第３工程によって接合された前記第１のウエハと前記第２のウエハとの接合体と前記第３のウエハとの接合体に対して、前記第３のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部をダイシングして切り離す第４工程と、
前記第４工程によって前記第３のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部が切り離された前記第１のウエハと前記第２のウエハとの接合体と前記第３のウエハとの接合体に対して、前記第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部をダイシングして切り離す第５工程と、
前記第５工程によって前記第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部が切り離された前記第１のウエハと前記第２のウエハとの接合体と前記第３のウエハとの接合体に対して、前記第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に残されている切り残し部を割断する第６工程と
を備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体圧力センサの製造方法において、
前記第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部に前記第１のウエハの厚み方向へ垂直に途中まで溝を形成する溝入工程を備え、
前記第１工程は、
前記溝入工程によって溝が形成された前記第１のウエハと前記第２のウエハとを前記第１のウエハに形成された溝を内側にして重ね、この重ねられた第１のウエハと第２のウエハとを前記支持部材の上端面と前記台座の下端面とを対向させて陽極接合する
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された半導体圧力センサの製造方法において、
前記半導体圧力センサの台座は、
前記半導体基板の厚肉の接合部に接合される上端面だけではなく、前記支持部材の上端面に接合される下端面も小径とされている
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板と台座と支持部材とを接合した３層構造の半導体圧力センサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来の半導体圧力センサの要部を示す構成図であり、図１３（ａ）は断面図、図１３（ｂ）は平面図である。同図において、１はシリコンよりなる半導体基板であり、その上面中央部にセンサダイアフラム１ａが形成されている。２は半導体基板１のセンサダイアフラム１ａを取り囲む部分を厚肉の接合部１ｂとし、この厚肉の接合部１ｂにその上端面２ａが接合されたガラス台座である。３はガラス台座２の下端面２ｂにその上端面３ａが接合されたシリコンチューブ（支持部材）である。この半導体基板１とガラス台座２とシリコンチューブ３とで３層構造の半導体圧力センサ１００が構成されている。
【０００３】
この半導体圧力センサ１００において、ガラス台座２およびシリコンチューブ３の軸方向には、センサダイアフラム１ａの下面側の厚肉の接合部１ｂで囲まれた空間１ｃに連通する貫通孔２ｃおよび３ｃが形成されており、この貫通孔２ｃおよび３ｃを通してセンサダイアフラム１ａの下面側に圧力が加えられる。センサダイアフラム１ａの上面には、図示してはいないが、圧力検出素子として歪みゲージが設けられている。
【０００４】
この半導体圧力センサ１００では、半導体基板１、ガラス台座２およびシリコンチューブ３の平面形状は角形とされており、ガラス台座２の半導体基板１との接合面を円形とすることにより、すなわちガラス台座２の上端面２ａを小径（円形）とすることにより、発生する応力を分散させ、応力集中を低減し、センサダイアフラム１ａに加わる応力を緩和させるようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、この半導体圧力センサ１００において、半導体基板１とガラス台座２とシリコンチューブ３とは陽極接合によって接合されている。陽極接合は、接合部材間に第３の材料を介在させない直接的な接合方法であって、可動イオンを含むガラスとシリコンとを重ね合わせた状態で高温、高電圧を印加すると、界面に静電引力が働き、共有結合が起きて両者が接合される技術である。この技術を用いて、半導体基板１とガラス台座２とシリコンチューブ３とを接合し、３層構造の半導体圧力センサ１００を得ている。
【０００６】
〔１度目の陽極接合〕
先ず、図１４（ａ）に示すように、ガラス台座２とシリコンチューブ３とを重ね合わせ、ガラス台座２の上面をマイナス電極側、シリコンチューブ３の下面をプラス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、ガラス台座２とシリコンチューブ３とを陽極接合する。これにより、ガラス台座２とシリコンチューブ３との接合体（ガラス台座・シリコンチューブ接合体）４が形成される。
【０００７】
〔２度目の陽極接合〕
次に、図１４（ｂ）に示すように、半導体基板１とガラス台座・シリコンチューブ接合体４とを重ね合わせ、半導体基板１の上面をプラス電極側、ガラス台座・シリコンチューブ接合体４の下面（シリコンチューブ３の下面）をマイナス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、半導体基板１とガラス台座・シリコンチューブ接合体４とを陽極接合する。これにより、半導体基板１とガラス台座・シリコンチューブ接合体４との接合体（半導体基板・ガラス台座・シリコンチューブ接合体）５が形成され、３層構造の半導体圧力センサ１００が得られる。
【０００８】
ところが、この様に１度目と２度目の陽極接合を同軸方向から電圧を反対方向に印加すると、１度目の陽極接合で可動イオン（Ｎａ＋，Ｋ＋）が移動した後、ガラス台座２とシリコンチューブ３との接合面付近に可動イオン欠乏層が発生し、２度目の陽極接合で今度は欠乏層に可動イオンが集まる事により、ナトリウムなどがガラス台座２中で偏析して、ガラス台座２内にクラックが生じ、ガラス台座２の強度低下を招く。
【０００９】
これを防ぐために、通常は、図１４（ｃ）に示すように、２度目の陽極接合に際しては、半導体基板１の上面をプラス電極側とし、ガラス台座２の側面をマイナス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、半導体基板１とガラス台座・シリコンチューブ接合体４とを陽極接合するようにしている。このガラス台座２の側面を利用しての陽極接合を側面陽極接合方式と呼ぶ。これにより、ガラス台座２中の可動イオン（Ｎａ＋，Ｋ＋）が１度目の陽極接合の接合面に移動する事を防止し、ガラス台座２の強度の低下が防がれる（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
一方、半導体圧力センサ１００の製造方法としては、半導体圧力センサ１００を効率良く大量に生産するために、半導体基板１を複数作成したウエハと、ガラス台座２を複数作成したウエハと、シリコンチューブ３を複数作成したウエハとを接合して３層のウエハの接合体とし、この３層のウエハの接合体をダイシングで切断して複数の半導体圧力センサ１００を得るという方法が採用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１７０８２３号公報
【特許文献２】特開２００９−１３５１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、この半導体圧力センサ１００はガラス台座２の上端面２ａが小径とされており、このような半導体圧力センサ１００を３層のウエハの接合体から製造する場合、３層のウエハの接合体において隣接するガラス台座２の上端面２ａ間に中空部が生じるために、この中空部がネックとなってダイシングで切断することが非常に困難となる。以下、この問題について、具体的に説明する。
【００１３】
図１５に半導体圧力センサ１００の製造工程の概略を示す。同図において、１０はシリコンチューブ３が複数作成されたシリコンチューブウエハ、２０はガラス台座２が複数作成されたガラス台座ウエハ、３０は半導体基板１が複数作成されたセンサチップウエハである。
【００１４】
先ず、図１５（ａ）に示すように、シリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とを重ね合わせて、シリコンチューブウエハ１０の下面をプラス電極側、ガラス台座ウエハ２０の上面をマイナス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。これにより、シリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とが陽極接合され、２層のウエハの接合体（ガラス台座・シリコンチューブ接合体）４０が得られる。
【００１５】
次に、図１５（ｂ）に示すように、図１５（ａ）で得られたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０とセンサチップウエハ３０とを重ね合わせて、ガラス台座ウエハ２０の側面をマイナス電極側、センサチップウエハ３０の上面をプラス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。これにより、ガラス台座ウエハ２０とセンサチップウエハ３０とが陽極接合され、３層のウエハ接合体（センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体）５０が得られる。
【００１６】
そして、図１５（ｃ）に示すように、図１５（ｂ）で得られたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０をダイシングで網目状に切断して、複数の半導体圧力センサ１００を得る。
【００１７】
ここで、図１５（ｂ）に示された状態において、センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０には、隣接するガラス台座２の上端面２ａ間に中空部６が生じている。センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０において、隣接するガラス台座２の上端面２ａ間に中空部６が生じていなければ、図１６（ａ）に示すように、ブレード７がぶれずに真っ直ぐにガラス台座２に入るため、ガラス台座２の切断が滑らかに行われる。しかし、センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０には、隣接するガラス台座２の上端面２ａ間に中空部６が生じていることから、ブレード７が半導体基板１からガラス台座２に入る際にぶれてしまい、半導体基板１やガラス台座２が傷ついたり、ブレード７を傷めたりしてしまう。
【００１８】
なお、シリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とを陽極接合した後に、図１７（ａ）に示すように、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部を先にダイシングして切り離すことが考えられる。しかし、このようにすると、ガラス台座ウエハ２０の側面をマイナス電極側にしても（図１７（ｂ）参照）、ガラス台座ウエハ２０中の全てのガラス台座２との導通がとれないので、ガラス台座・シリコンチューブ接合体４０とセンサチップウエハ３０との接合（２度目の陽極接合）を側面陽極接合方式で行うことができない。
【００１９】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、隣接する台座の上端面間に中空部が生じていても、２度目の陽極接合を側面陽極接合方式で行うようにしたまま、半導体基板および台座を支障なく切り離して、複数の半導体圧力センサを得ることが可能な半導体圧力センサの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
このような目的を達成するために本発明は、上面中央部にセンサダイアフラムが形成された半導体基板と、この半導体基板のセンサダイアフラムを取り囲む部分を厚肉の接合部とし、この厚肉の接合部に小径とされた上端面が接合される台座と、この台座の下端面にその上端面が接合される支持部材とを備え、台座および支持部材の軸方向にセンサダイアフラムの下面側の厚肉の接合部で囲まれた空間に連通する貫通孔を備える半導体圧力センサを、支持部材が複数作成された第１のウエハと、台座が複数作成された第２のウエハと、半導体基板が複数作成された第３のウエハとの３層のウエハ接合体から分割して複数製造する半導体圧力センサの製造方法において、第１のウエハと第２のウエハとを支持部材の上端面と台座の下端面とを対向させて陽極接合する第１工程と、第１工程によって接合された第１のウエハと第２のウエハとの接合体に対して、第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に第２のウエハの厚み方向へ垂直に所定の切り残し部が生じるようにダイシングを行う第２工程と、第２工程によって第２のウエハの厚み方向へ所定の切り残し部が生じるようにダイシングされた第１のウエハと第２のウエハとの接合体と第３のウエハとを台座の上端面と半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて第２のウエハと第３のウエハとの間で陽極接合する第３工程と、第３工程によって接合された第１のウエハと第２のウエハとの接合体と第３のウエハとの接合体に対して、第３のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部をダイシングして切り離す第４工程と、第４工程によって第３のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部が切り離された第１のウエハと第２のウエハとの接合体と第３のウエハとの接合体に対して、第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部をダイシングして切り離す第５工程と、第５工程によって第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部が切り離された第１のウエハと第２のウエハとの接合体と第３のウエハとの接合体に対して、第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に残されている切り残し部を割断する第６工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、第１工程において、支持部材が複数作成された第１のウエハと台座が複数作成された第２のウエハとが、支持部材の上端面と台座の下端面とを対向させて陽極接合される。そして、第２工程において、第１のウエハと第２のウエハとの接合体に対して、第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に所定の切り残し部が生じるようにダイシングが行われる。そして、第３工程において、第１のウエハと第２のウエハとの接合体と半導体基板が複数作成された第３のウエハとが、台座の上端面と半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて、第２のウエハと第３のウエハとの間で陽極接合される。すなわち、第２のウエハと第３のウエハとが側面陽極接合方式で接合される。この場合、第２工程において、第２のウエハは厚み方向へ所定の切り残し部が生じるようにダイシングされているので、この所定の切り残し部によって第２のウエハ中の全ての台座との導通が図られ、第２のウエハと第３のウエハとの間での陽極接合が可能となる。
【００２２】
そして、第４工程において、第１のウエハと第２のウエハとの接合体と第３のウエハとの接合体（３層のウエハの接合体）に対して、第３のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部がダイシングして切り離される。この場合、第２のウエハ上の隣接する台座の境界部は所定の切り残し部が生じるように既にダイシングされているので、第２のウエハのダイシングは不要であり、第２のウエハにブレードが入り込んだとしても、既にダイシングされている溝にブレードが入り込むので、半導体基板や台座が傷ついたり、ブレードを傷めたりしてしまうことがない。
【００２３】
そして、第５工程において、第１のウエハと第２のウエハとの接合体と第３のウエハとの接合体（３層のウエハの接合体）に対して、第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部がダイシングして切り離され、第６工程において、第１のウエハと第２のウエハとの接合体と第３のウエハとの接合体（３層のウエハの接合体）に対して、第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に残されている切り残しが割断される。これにより、半導体基板と台座と支持部材とを接合した３層構造の半導体圧力センサが得られる。
【００２４】
なお、本発明において、第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部に第１のウエハの厚み方向へ垂直に途中まで溝を形成する溝入工程を設け、第１工程において、溝入工程によって溝が形成された第１のウエハと第２のウエハとを第１のウエハに形成された溝を内側にして重ね、この重ねられた第１のウエハと第２のウエハとを支持部材の上端面と台座の下端面とを対向させて陽極接合するようにしてもよい。このような方法を採用すると、ブレードの突き出し長さよりも第１のウエハの厚みが厚くても、第１工程に入る前の溝入工程で第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部に第１のウエハの厚み方向へ垂直に途中まで溝を形成しておくことにより、第５工程で第１のウエハ上の隣接する支持部材の境界部をダイシングして切り離すことが可能となる。
【００２５】
また、本発明において、半導体圧力センサの台座は、半導体基板の厚肉の接合部に接合される上端面だけではなく、支持部材の上端面に接合される下端面も小径とされていてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に第２のウエハの厚み方向へ垂直に所定の切り残し部が生じるようにダイシングを行うようにし、最後に第２のウエハ上の隣接する台座の境界部に残されている切り残し部を割断するようにしたので、隣接する台座の上端面間に中空部が生じていても、２度目の陽極接合を側面陽極接合方式で行うものとしたまま、半導体基板および台座を支障なく切り離して、複数の半導体圧力センサを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の第１の実施の形態（実施の形態１）の概略を説明する図である。
【図２】図１に続く図である。
【図３】本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の第２の実施の形態（実施の形態２）の概略を説明する図である。
【図４】図３に続く図である。
【図５】図４に続く図である。
【図６】ガラス台座の下端面も小径とした半導体圧力センサの要部を示す構成図（断面図）である。
【図７】本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の第３の実施の形態（実施の形態３）の概略を説明する図である。
【図８】図７に続く図である。
【図９】図８に続く図である。
【図１０】本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の第４の実施の形態（実施の形態４）の概略を説明する図である。
【図１１】図１０に続く図である。
【図１２】図１１に続く図である。
【図１３】従来の半導体圧力センサの要部を示す構成図（断面図および平面図）である。
【図１４】１度目および２度目の陽極接合を説明する図である。
【図１５】従来の半導体圧力センサの製造工程の概略を示す図である。
【図１６】隣接するガラス台座の上端面間に中空部が生じている場合の問題を説明する図である。
【図１７】１度目の陽極接合した後にガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座の境界部を先にダイシングして切り離すようにした場合の問題を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
〔実施の形態１〕
図１および図２は本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の第１の実施の形態（実施の形態１）の概略を説明する図である。
【００２９】
なお、図１および図２には、紙面の関係上、本発明に係る製造方法の工程全体を分割して示している。また、図１および図２において、図１５と同一符号は図１５を参照して説明した構成要素と同一或いは同等の構成要素を示し、その説明は省略する。
【００３０】
本実施の形態では、先ず、図１（ａ）に示すように、シリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とを重ね合わせて、すなわちシリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とをシリコンチューブ３の上端面３ａとガラス台座２の下端面２ｂとを対向させて、シリコンチューブウエハ１０の下面をプラス電極側、ガラス台座ウエハ２０の上面をマイナス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。これにより、シリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とが陽極接合され、２層のウエハの接合体（ガラス台座・シリコンチューブ接合体）４０が得られる。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、図１（ａ）での陽極接合（１度目の陽極接合）で接合されたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０に対して、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部にガラス台座ウエハ２０の厚み方向へ垂直に所定の切り残し部８が生じるように、ブレード７を用いてダイシングを行う。
【００３２】
なお、９−１は、このブレード７を用いてのダイシングによってガラス台座ウエハ２０に生じる溝である。また、後述する実施の形態２〜４を含めて全ての実施の形態において、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部に残す所定の切り残し部８の厚みｔは５０μｍ以下とする。
【００３３】
そして、図１（ｃ）に示すように、図１（ｂ）で所定の切り残し部８が生じるようにダイシングされたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０とセンサチップウエハ３０とを重ね合わせて、すなわちガラス台座２の小径の上端面２ａと半導体基板１の厚肉の接合部１ｂとを対向させて、ガラス台座ウエハ２０の側面をマイナス電極側、センサチップウエハ３０の上面をプラス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。
【００３４】
これにより、ガラス台座ウエハ２０とセンサチップウエハ３０とが陽極接合され、３層のウエハ接合体（センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体）５０が得られる。この場合、ガラス台座ウエハ２０は厚み方向へ所定の切り残し部８が生じるようにダイシングされているので、この所定の切り残し部８によってガラス台座ウエハ２０中の全てのガラス台座４との導通が図られ、ガラス台座ウエハ２０とセンサチップウエハ３０との間での側面陽極接合方式による陽極接合が可能となる。
【００３５】
そして、図２（ａ）に示すように、図１（ｃ）での陽極接合（２度目の陽極接合）で接合されたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、センサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部をブレード７を用いてダイシングして切り離す。９−２はこのダイシングによって生じる溝である。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すように、図２（ａ）でセンサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部をブレード７を用いてダイシングして切り離す。９−３はこのダイシングによって生じる溝である。
【００３７】
そして、図２（ｃ）に示すように、図２（ｂ）でシリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部に残されている切り残し部８をエキスパンドなどで割断する。これにより、溝９−１，９−２，９−３が離れ、複数の半導体圧力センサ１００が得られる。
【００３８】
〔実施の形態２〕
実施の形態１では、図２（ｂ）に示す工程で、ブレード７を用いて、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部をダイシングして切り離すことができるものとした。すなわち、ブレード７の突き出し長さよりもシリコンチューブウエハ１０の厚みが薄いものとした。
【００３９】
しかし、シリコンチューブ３の厚みが厚く、ブレード７の突き出し長さよりもシリコンチューブウエハ１０の厚みが厚い場合がある。この場合、図２（ｂ）に示す工程では、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部をダイシングして切り離すことができない。
【００４０】
そこで、実施の形態２では、先ず、図３（ａ）に示すように、シリコンチューブウエハ１０の単体で、このシリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部に、シリコンチューブウエハ１０上の厚み方向へ垂直に途中まで溝を入れる。この例では、ブレード７の突き出し長さ一杯までダイシングを行って、シリコンチューブ３の境界部にシリコンチューブウエハ１０上の厚み方向へ垂直に途中まで溝９−３を形成する。
【００４１】
そして、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）で溝９−３が形成されたシリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とをシリコンチューブウエハ１０に形成された溝９−３を内側にして重ね、この重ねられたシリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とを陽極接合する。
【００４２】
次に、図３（ｃ）に示すように、図３（ｂ）で陽極接合（１度目の陽極接合）されたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０に対して、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部にガラス台座ウエハ２０の厚み方向へ垂直に所定の切り残し部８が生じるように、ブレード７を用いてダイシングを行う。
【００４３】
そして、図４（ａ）に示すように、図３（ｃ）で所定の切り残し部８が生じるようにダイシングされたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０とセンサチップウエハ３０とを重ね合わせて、ガラス台座ウエハ２０とセンサチップウエハ３０とを側面陽極接合方式で接合し、３層のウエハ接合体（センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体）５０を得る。
【００４４】
そして、図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）での陽極接合（２度目の陽極接合）で接合されたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、センサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部をブレード７を用いてダイシングして切り離す。
【００４５】
次に、図４（ｃ）に示すように、図４（ａ）でセンサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部をブレード７を用いてダイシングして切り離す。
【００４６】
この場合、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部には、図３（ａ）に示した最初の工程で溝９−３が途中まで形成されているので、この溝９−３をブレード７を用いてダイシングにより貫通させるようにして、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部を切り離す。
【００４７】
そして、図５に示すように、図４（ｃ）でシリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部に残されている切り残し部８をエキスパンドなどで割断する。これにより、溝９−１，９−２，９−３が離れ、複数の半導体圧力センサ１００が得られる。
【００４８】
〔実施の形態３〕
実施の形態１において、半導体圧力センサ１００のガラス台座２は、半導体基板１の厚肉の接合部１ｂに接合される上端面２ａだけを小径（円形）とした。これに対して、実施の形態３における半導体圧力センサでは、図６に示すように、ガラス台座２の上端面２ａだけではなく、シリコンチューブ３の上端面３ａに接合される下端面２ｂも小径（円形）とする。このようにすることにより、ガラス台座２の上端面２ａ側だけではなく、下端面２ｂ側でも、発生する応力を分散させ、センサダイアフラム１ａに加わる応力を更に緩和させるようにすることができるようになる。
【００４９】
図７および図８に実施の形態３の半導体圧力センサ１０１の製造工程を示す。この実施の形態３の半導体圧力センサ１０１の製造工程は、実施の形態１の半導体圧力センサ１００の製造工程と基本的に同じであるが、より実際の製造工程に近い。
【００５０】
実施の形態３では、先ず、図７（ａ）に示すように、シリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とを重ね合わせて、すなわちシリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とをシリコンチューブ３の上端面３ａとガラス台座２の小径の下端面２ｂとを対向させて、シリコンチューブウエハ１０の下面をプラス電極側、ガラス台座ウエハ２０の上面をマイナス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。これにより、シリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とが陽極接合され、２層のウエハの接合体（ガラス台座・シリコンチューブ接合体）４０が得られる。
【００５１】
次に、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）での陽極接合（１度目の陽極接合）で接合されたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０に対して、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部にガラス台座ウエハ２０の厚み方向へ垂直に所定の切り残し部８が生じるように、ブレード７−１を用いてダイシングを行う。なお、１１はダイシングテープである。
【００５２】
そして、図７（ｃ）に示すように、図７（ｂ）で所定の切り残し部８が生じるようにダイシングされたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０とセンサチップウエハ３０とを重ね合わせて、すなわちガラス台座２の小径の上端面２ａと半導体基板１の厚肉の接合部１ｂとを対向させて、ガラス台座ウエハ２０の側面をマイナス電極側、センサチップウエハ３０の上面をプラス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。これにより、ガラス台座ウエハ２０とセンサチップウエハ３０とが陽極接合され、３層のウエハ接合体（センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体）５０が得られる。
【００５３】
そして、図８（ａ）に示すように、図７（ｃ）での陽極接合（２度目の陽極接合）で接合されたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、センサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部をブレード７−２を用いてダイシングして切り離す。
【００５４】
次に、図８（ｂ）に示すように、図８（ａ）でセンサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部をブレード７−３を用いてダイシングして切り離す。
【００５５】
そして、図８（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１１をエキスパンドテープ１２に張り替えて、この張り替えたエキスパンドテープ１２を左右に拡げる（図９（ａ））。このエキスパンドテープ１２の拡張は、チップ間隔を広げ、チップのピックアップを容易とするために行うが、この時、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部に残されている切り残し部８が自然と割断される（図９（ｂ））。そして、この割断された個片（チップ）をピックアップして、すなわちエキスパンドテープ１２から個片（チップ）を剥がして、複数の半導体圧力センサ１０１を得る（図９（ｃ））。
【００５６】
〔実施の形態４〕
実施の形態４では、先ず、図１０（ａ）に示すように、シリコンチューブウエハ１０の単体で、このシリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部に、シリコンチューブウエハ１０上の厚み方向へ垂直に途中まで溝を入れる。この例では、ブレード７−３の突き出し長さ一杯までダイシングを行って、シリコンチューブ３の境界部にシリコンチューブウエハ１０上の厚み方向へ垂直に途中まで溝９−３を形成する。
【００５７】
そして、図１０（ｂ）に示すように、図１０（ａ）で溝９−３が形成されたシリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とをシリコンチューブウエハ１０に入れられた溝９−３を内側にして重ね、この重ねられたシリコンチューブウエハ１０とガラス台座ウエハ２０とを陽極接合する。
【００５８】
次に、図１０（ｃ）に示すように、図１０（ｂ）での陽極接合（１度目の陽極接合）で接合されたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０に対して、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部にガラス台座ウエハ２０の厚み方向へ垂直に所定の切り残し部８が生じるように、ブレード７−１を用いてダイシングを行う。
【００５９】
そして、図１１（ａ）に示すように、図１０（ｃ）で所定の切り残し部８が生じるようにダイシングされたガラス台座・シリコンチューブ接合体４０とセンサチップウエハ３０とを重ね合わせて、ガラス台座ウエハ２０とセンサチップウエハ３０とを側面陽極接合方式で接合し、３層のウエハ接合体（センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体）５０を得る。
【００６０】
そして、図１１（ｂ）に示すように、図１１（ａ）での陽極接合（２度目の陽極接合）で接合されたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、センサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部をブレード７−２を用いてダイシングして切り離す。
【００６１】
次に、図１１（ｃ）に示すように、図１１（ｂ）でセンサチップウエハ３０上の隣接する半導体基板１の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体５０に対して、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部をブレード７−３を用いてダイシングして切り離す。
【００６２】
この場合、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部には、図１０（ａ）に示した最初の工程で途中まで溝９−３が形成されているので、この溝９−３をブレード７−３を用いてダイシングにより貫通させるようにして、シリコンチューブウエハ１０上の隣接するシリコンチューブ３の境界部を切り離す。
【００６３】
そして、図１２（ａ）に示すように、ダイシングテープ１１をエキスパンドテープ１２に張り替えて、この張り替えたエキスパンドテープ１２を左右に拡げる（図１２（ｂ））。これにより、ガラス台座ウエハ２０上の隣接するガラス台座２の境界部に残されている切り残し部８が割断され（図１２（ｂ））、複数の半導体圧力センサ１０１が得られる（図１２（ｃ））。
【００６４】
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１…半導体基板、１ａ…センサダイアフラム、１ｂ…厚肉の接合部、１ｃ…空間、２…ガラス台座、２ａ…上端面、２ｂ…下端面、２ｃ…貫通孔、３…シリコンチューブ、３ａ…上端面、３ｂ…下端面、３ｃ…貫通孔、６…中空部、７、７−１〜７−３…ブレード、８…切り残し部、９−１〜９−３…溝、１０…シリコンチューブウエハ、２０…ガラス台座ウエハ、３０…センサチップウエハ、４０…２層のウエハの接合体（ガラス台座・シリコンチューブ接合体）、５０…３層のウエハ接合体（センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体）、１００，１０１…半導体圧力センサ。
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図１５】
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