(57)【要約】【課題】工程を追加することなく接着剤の流出を防止して、制御用の集積回路とセンサ素子とを積層して構成したセンサモジュールを提供する。【解決手段】絶縁保護膜２９は、集積回路２１の上面を覆うとともに、複数のワイヤボンディング用電極２６の直上に設けられた開口部２９ａと、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられた溝部２９ｂと、を形成するように部分的に除去され、センサ素子３０の下面から露出した接着剤４２が、溝部２９ｂに挟まれた絶縁保護膜２９上および溝部２９ｂの領域に留まる。【選択図】図３
2015090322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に配置された集積回路と、
前記集積回路の上に配置されたセンサ素子と、
前記集積回路と前記センサ素子との間に設けられた接着剤とを備え、
前記集積回路は、その上面に、複数の最上面配線と、複数のワイヤボンディング用電極と、絶縁保護膜と、が設けられ、
絶縁保護膜は、前記集積回路の上面を覆うとともに、前記複数のワイヤボンディング用電極の直上に設けられた開口部と、前記センサ素子と前記複数のワイヤボンディング用電極との間に位置する前記最上面配線の直上に設けられた溝部と、を形成するように部分的に除去され、
前記センサ素子の下面から露出した前記接着剤が、前記溝部に挟まれた前記絶縁保護膜上および前記溝部の領域に留まることを特徴とするセンサモジュール。
【請求項２】
前記接着剤は、塗布の際は液状であり、前記集積回路と前記センサ素子との接着後に硬化することを特徴とする請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項３】
前記センサ素子と前記複数のワイヤボンディング用電極との間に位置する前記最上面配線は、前記集積回路の電源電圧が印加され、前記集積回路の電源リングを強化するように配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセンサモジュール。
【請求項４】
前記センサ素子が、ピエゾ型センサ又は容量型センサであって、
前記最上面配線は、前記センサ素子の直下に配置されたダミー配線部を有し、前記ダミー配線部と前記ダミー配線部の直上に設けられた溝部とによって、前記集積回路の上面に凹凸が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセンサモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御用の集積回路とセンサ素子とを積層して構成したセンサモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
制御用の集積回路とセンサ素子とを上下に重ねて、ワイヤボンディング接続をしたセンサモジュールが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
図１０は、特許文献１に記載の半導体装置の断面図である。図１１は、特許文献１に記載の半導体装置の封止体内部における平面構造を示す平面図である。
【０００４】
特許文献１に記載された半導体装置１００は、１つのパッケージ内にセンサチップ１０１と制御チップ１０６とを混載することにより、センサチップ１０１と制御チップ１０６とを別々のパッケージとする場合と比較して実装面積を小さくすることができる。さらに、センサチップ１０１への応力伝達を低減する観点から、シリコンから成る制御チップ１０６の表面１０６ａ上に、接着剤１１２を介して、センサチップ１０１が搭載されている。
【０００５】
図１１に示すように、センサチップ１０１および制御チップ１０６はそれぞれ四辺形の平面形状を成し、平面視において四辺のそれぞれと対向する位置に複数のリード１０３が配置されている。複数のリード１０３にワイヤ１０４ｂが接続されている。センサチップ１０１のパッド１０１ｈは、ワイヤ１０４ａを介して制御チップ１０６のパッド１０６ｄと接続されている。
【０００６】
図１２は、特許文献２に記載されたダイパットと配線パターンの間に囲い枠を設けた半導体装置の模式図である。
【０００７】
特許文献２に記載された半導体装置は、基板２０１に半導体素子２０４を搭載するために、粘性流体の接着剤２０５を塗布して硬化させた。これによる不良を減らすため、図１２に示すように、基板２０１に接着剤２０５が流出するのを防止する囲い枠２０７が設けられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−１９５４１７号公報
【特許文献２】特開平６−３４２８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１のように制御チップ１０６に搭載された接着剤１１２を介して伝達されるセンサチップ１０１への応力を低減するためには、接着剤１１２に柔らかい材料を用いる必要があり、流動した接着剤１１２が制御チップ１０６のパッド１０６ｄを覆ってワイヤボンディング接続できなくなる問題を生じていた。このため、特許文献２のように、接着剤２０５が流出するのを防止する囲い枠２０７等を制御チップ１０６に追加する必要があった。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するものであり、特に、工程を追加することなく接着剤の流出を防止して、制御用の集積回路とセンサ素子とを積層して構成したセンサモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のセンサモジュールは、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された集積回路と、前記集積回路の上に配置されたセンサ素子と、前記集積回路と前記センサ素子との間に設けられた接着剤とを備え、前記集積回路は、その上面に、複数の最上面配線と、複数のワイヤボンディング用電極と、絶縁保護膜と、が設けられ、絶縁保護膜は、前記集積回路の上面を覆うとともに、前記複数のワイヤボンディング用電極の直上に設けられた開口部と、前記センサ素子と前記複数のワイヤボンディング用電極との間に位置する前記最上面配線の直上に設けられた溝部と、を形成するように部分的に除去され、前記センサ素子の下面から露出した前記接着剤が、前記溝部に挟まれた前記絶縁保護膜上および前記溝部の領域に留まることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、集積回路の上面を覆う絶縁保護膜には、センサ素子とワイヤボンディング用電極との間に、絶縁保護膜が除去されて形成された溝部が配置されているので、センサ素子を固定する接着剤が、センサ素子の下面から流出してワイヤボンディング用電極を覆うことを防止する。最上面配線および絶縁保護膜に開口部を設ける工程に追加することなく、接着剤が流出することを防止できる。特に最上面配線の直上に溝部を設けたため、溝部の周囲が最上面配線の厚み分突出させられる。更に、溝部の周囲において、絶縁保護膜の曲率が大きくなるため、接着剤に加わる表面張力が高まることから、接着剤が溝より外側に流出しにくい。
【００１３】
また、本発明のセンサモジュールにおいて、前記接着剤は、塗布の際は液状であり、前記集積回路と前記センサ素子との接着後に硬化することを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、センサ素子の応力を小さくできるので、センサモジュールの性能が安定する。
【００１５】
また、本発明のセンサモジュールにおいて、前記センサ素子と前記複数のワイヤボンディング用電極との間に位置する前記最上面配線は、前記集積回路の電源電圧が印加され、前記集積回路の電源リングを強化するように配置されることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、センサ素子を囲むように最上面配線を配置し、この最上面配線に電源電圧を印加することによって、電源リングの電圧が安定する。
【００１７】
また、本発明のセンサモジュールにおいて、前記センサ素子が、ピエゾ型センサ又は容量型センサであって、前記最上面配線は、前記センサ素子の直下に配置されたダミー配線部を有し、前記ダミー配線部と前記ダミー配線部の直上に設けられた溝部とによって、前記集積回路の上面に凹凸が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、ダミー配線部と溝部とで形成された凹凸に接着剤が保持されることにより、応力に敏感なセンサへの応力がさらに緩和される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、センサ素子とワイヤボンディング用電極との間に、絶縁保護膜が除去されて形成された溝部が配置されているので、センサ素子を固定する接着剤が、センサ素子の下面から流出してワイヤボンディング用電極を覆うことを防止する。最上面配線および絶縁保護膜に開口部を設ける工程に追加することなく、接着剤が流出することを防止できる。したがって、工程を追加することなく接着剤の流出を防止して、制御用の集積回路とセンサ素子とを積層して構成したセンサモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態のセンサモジュールを示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態のセンサモジュールにおいて、センサ素子上の部材を透視した模式平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した模式断面図である。
【図４】図３のＡ部を拡大した模式断面図である。
【図５】図２の溝部を有していない比較例の模式平面図である。
【図６】第２実施形態のセンサモジュールにおいて、センサ素子上の部材を透視した模式平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断した模式断面図である。
【図８】図７のＢ部を拡大した模式断面図である。
【図９】第１変形例のセンサモジュールにおいて、センサ素子上の部材を透視した模式平面図である。
【図１０】特許文献１に記載の半導体装置の断面図である。
【図１１】特許文献１に記載の半導体装置の封止体内部における平面構造を示す平面図である。
【図１２】特許文献２に記載されたダイパットと配線パターンの間に囲い枠を設けた半導体装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、分かりやすいように、図面は寸法を適宜変更している。
【００２２】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態のセンサモジュール１を示す平面図である。図２は、本発明の第１実施形態のセンサモジュール１において、センサ素子３０上の部材を透視した模式平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した断面図である。図４は、図３のＡ部を拡大した模式断面図である。図５は、図２の溝部２９ｂを有していない比較例の模式平面図である。
【００２３】
本実施形態のセンサモジュール１は、集積回路２１と集積回路２１の上に配置されたセンサ素子３０とが、絶縁基板１０と蓋部材５０との間に形成された収容空間５１に配設され、ボンディングワイヤ１５、１６を介して端子１１に電気接続されている。
【００２４】
集積回路２１、センサ素子３０、および蓋部材５０は、それぞれ接着剤４１、４２、４３で固定されている。接着剤４１は絶縁基板１０に塗布され、集積回路２１を所定の位置に固定するために用いられている。接着剤４２は集積回路２１の上面に塗布され、センサ素子３０を所定の位置に固定するために用いられている。接着剤４３は絶縁基板１０に塗布され、蓋部材５０を固定するために用いられている。蓋部材５０には、貫通孔５５が設けられている。
【００２５】
センサ素子３０は、気圧センサ等のピエゾ抵抗式のセンサ部が形成された能動素子である。本実施形態では、ピエゾ抵抗式のセンサ部が真空キャビティとの隔壁に設けられた絶対圧センサである。なお、絶対圧センサ以外の気圧センサや、ピエゾ抵抗式以外のピエゾ型センサや他の検出方式のセンサであってもよい。例えば、湿度センサなどの容量型センサであってもよい。センサ素子３０の上面には、センサ部に電気接続されたセンサ電極３１が設けられている。
【００２６】
絶縁基板１０には外部に露出する端子１１が埋め込まれており、収容空間５１の側に集積回路２１のワイヤボンディング用電極２６とボンディングワイヤ１５によって接続される接続電極１１ａを備えている。
【００２７】
集積回路２１は、センサ素子３０を制御するとともにセンサ素子３０からの出力信号を処理するコンディショニング回路である。センサ素子３０は温度変化や外部からの応力の影響により出力が変化するため、例えば、集積回路２１で温度をモニタしてセンサ素子３０の出力の温度補正をおこなう。また、集積回路２１は、その上面に、複数の最上面配線２５と、複数のワイヤボンディング用電極２６と、絶縁保護膜２９と、が設けられている。最上面配線２５は、集積回路２１を構成する電気配線が複数の階層に設けられているうちの、最上面（図３のＺ１側）に形成された電気配線である。最上面配線２５は、集積回路２１を構成する能動素子、受動素子、および電極を接続するための電気配線を形成するとともに、その一部に集積回路２１の電源電圧が印加され、集積回路２１の電源リングを強化するように配置されている。
【００２８】
複数のワイヤボンディング用電極２６は、その一部が絶縁基板１０に設けられた接続電極１１ａとの間でボンディングワイヤ１５によって接続される。また、残りのワイヤボンディング用電極２６は、センサ素子３０に設けられたセンサ電極３１との間でボンディングワイヤ１６によって接続される。
【００２９】
絶縁保護膜２９は、集積回路２１の上面を覆うとともに、部分的に除去されている。開口部２９ａは、複数のワイヤボンディング用電極２６の直上に設けられ、ボンディングワイヤ１５、１６の接続をおこなうための空間である。また、溝部２９ｂは、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられている。例えば、絶縁保護膜２９の膜厚は２μｍである。また、開口部２９ａの開口寸法は６５μｍ×６５μｍであり、溝部２９ｂの溝幅は３５μｍである。最上面配線２５や、ワイヤボンディング用電極２６の厚みに沿って、絶縁保護膜２９の上面の一部が突出する。この為、開口部２９ａや、溝部２９ｂの周囲の絶縁保護膜２９が突出している。
【００３０】
接着剤４２は、集積回路２１とセンサ素子３０との接着後にゲル状に硬化するが、このような接着材料を塗布する際は液状であり、塗布直後の流動によって集積回路２１の上面の絶縁保護膜２９上を、平面視で拡がってしまう。このとき、比較例として図５に示すように、ワイヤボンディング用電極３２６の直上に設けられた開口部３２９ａを接着剤３４２が塞いでしまうと、ボンディングワイヤの接続を妨害する。そのため、接着剤３４２が、所望の範囲より外方へ拡がるのを防ぐ必要がある。本実施形態においては、図２〜図４に示すように、流動によってセンサ素子３０の下面から露出した接着剤４２が溝部２９ｂに挟まれた絶縁保護膜２９上および溝部２９ｂの領域に留まる、いわゆるダムとして溝部２９ｂが機能する。ダムとして溝部２９ｂが機能する理由は、溝部２９ｂの周囲が最上面配線２５の厚み分突出していることと、溝部２９ｂの周囲において、絶縁保護膜２９の曲率が大きくなるため、接着剤４２に加わる表面張力が高まるためである。図４では、溝部２９ｂの側壁の上端において、絶縁保護膜２９を鋭角に描いている。微視的には、角度が小さいほど曲率の大きな曲線となる。
【００３１】
また、センサ素子３０は外部からの応力の影響により出力が変化する。外部からの応力を緩和するために、絶縁基板１０に固定するのでなく、集積回路２１の上面に固定するようにしている。さらに、センサ素子３０を固定する接着剤４２の硬化後の特性も重要である。本実施形態では、信越化学工業製のＳＨＩＮ−ＥＴＳＵ  ＳＩＦＥＬ（登録商標）からなる液状樹脂を塗布しており、硬化後もゲル状の柔軟性を有している。このため、集積回路２１からの応力が伝播することを緩和するとともに、接着剤４２自体によって発生する応力がきわめて小さくなっている。
【００３２】
このように、開口部２９ａを形成する工程で、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に溝部２９ｂを形成することが、本実施形態の特徴である。溝部２９ｂは、集積回路２１のワイヤボンディング用電極２６の直上に開口部２９ａを形成する工程で同時に形成されるため、別工程を追加する必要がない。従来、液状樹脂の流動を制限する目的で形成された囲い枠（例えば、図１２に示す特許文献２の囲い枠２０７）は、これを形成する工程を追加する必要があるため、製造設備や原材料等が多く必要となって、コストアップを招いていた。これに対し、本実施形態のセンサモジュール１は、工程を追加することなく接着剤４２の流出を防止することができる。なお、溝部２９ｂの側壁は、略垂直な壁面が形成されており、とくに製造条件を変更する必要はなかった。
【００３３】
とくに、集積回路２１の電源電圧が印加された最上面配線２５を、集積回路２１の主要な回路ブロックの周囲を囲むように延設して、平面視でセンサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に、リング状に配置することが好ましい。そして、このリング状の最上面配線２５の直上に、リング状に溝部２９ｂを形成することが好ましい。こうすれば、接着剤４２の流出を防止できるとともに、集積回路２１の電源リングを強化して、回路動作をより安定させることができる。
【００３４】
本実施形態では、センサ素子３０を接着剤４２で固定した後、ボンディングワイヤ１５、１６の接続をおこない、続いて、収容空間５１に露出しているセンサ素子３０及びボンディングワイヤ１５、１６を覆うゲル状の樹脂が塗布されている。さらに、蓋部材５０は、接着剤４３によって絶縁基板１０に固定されている。
【００３５】
以下、本実施形態としたことによる効果について説明する。
【００３６】
本実施形態のセンサモジュール１は、集積回路２１の上に配置されたセンサ素子３０と、集積回路２１とセンサ素子３０との間に設けられた接着剤４２とを備え、集積回路２１は、その上面に、複数の最上面配線２５と、複数のワイヤボンディング用電極２６と、絶縁保護膜２９と、が設けられている。そして、絶縁保護膜２９は、集積回路２１の上面を覆うとともに、複数のワイヤボンディング用電極２６の直上に設けられた開口部２９ａと、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられた溝部２９ｂと、を形成するように部分的に除去されている。
【００３７】
これにより、センサ素子３０の下面から露出した接着剤４２が、溝部２９ｂに挟まれた絶縁保護膜２９上および溝部２９ｂの領域に留まる。この構成によれば、集積回路２１の上面を覆う絶縁保護膜２９には、センサ素子３０とワイヤボンディング用電極２６との間に、絶縁保護膜２９が除去されて形成された溝部２９ｂが配置されているので、センサ素子３０を固定する接着剤４２が、センサ素子３０の下面から流出してワイヤボンディング用電極２６を覆うことを防止する。したがって、最上面配線２５および絶縁保護膜２９に開口部２９ａを設ける工程に別工程を追加することなく、接着剤４２が流出することを防止できる。
【００３８】
また、本実施形態のセンサモジュール１において、接着剤４２は、塗布の際は液状であり、集積回路２１とセンサ素子３０との接着後に硬化する。この構成によれば、センサ素子３０の応力を小さくできるので、性能が安定する。
【００３９】
また、本実施形態のセンサモジュール１において、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５は、集積回路２１の電源電圧が印加され、集積回路２１の電源リングを強化するように配置される。この構成によれば、センサ素子３０を囲むように最上面配線２５を配置し、この最上面配線２５に電源電圧を印加することによって、電源リングの電圧が安定する。
【００４０】
［第２実施形態］
第２実施形態のセンサモジュール２は、上記の集積回路２１を集積回路２２に置き換えた構成になっている。図６は、第２実施形態のセンサモジュール２において、集積回路２２上の部材を透視した模式平面図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断した模式断面図である。図８は、図７のＢ部を拡大した模式断面図である。なお、第２実施形態のセンサモジュール２を構成する各材質は第１実施形態と同じであり、詳細な説明は省略する。
【００４１】
集積回路２２は、センサ素子３０を制御するとともにセンサ素子３０からの出力信号を処理するコンディショニング回路である。センサ素子３０は温度変化や外部からの応力の影響により出力が変化するため、例えば、集積回路２２で温度をモニタしてセンサ素子３０の出力の温度補正をおこなう。また、集積回路２２は、その上面に、複数の最上面配線２５と、複数のワイヤボンディング用電極２６と、絶縁保護膜２９と、が設けられている。最上面配線２５は、集積回路２２を構成する電気配線が複数の階層に設けられているうちの、最上面（図３のＺ１側）に形成された電気配線である。最上面配線２５は、集積回路２２を構成する能動素子、受動素子、および電極を接続するための電気配線を形成するとともに、その一部に集積回路２１の電源電圧が印加され、集積回路２２の電源リングを強化するように配置されている。
【００４２】
絶縁保護膜２９は、集積回路２２の上面を覆うとともに、部分的に除去されている。開口部２９ａは、複数のワイヤボンディング用電極２６の直上に設けられ、ボンディングワイヤ１５、１６の接続をおこなうための空間である。また、溝部２９ｂは、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられている。
【００４３】
最上面配線２５は、センサ素子３０を配置する平面位置に形成されたダミー配線部２８を、さらに有している。絶縁保護膜２９は、集積回路２２の上面を覆うとともに、複数のワイヤボンディング用電極２６の直上に設けられた開口部２９ａと、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられた溝部２９ｂと、ダミー配線部２８の直上に設けられた溝部２９ｃと、を形成するように部分的に除去されている。例えば、絶縁保護膜２９の膜厚は２μｍである。また、開口部２９ａの開口寸法は６５μｍ×６５μｍであり、溝部２９ｂの溝幅は３５μｍであり、溝部２９ｃの溝幅は３５μｍである。最上面配線２５（ダミー配線部２８を含む）や、ワイヤボンディング用電極２６の厚みに沿って、絶縁保護膜２９の上面の一部が突出する。この為、開口部２９ａや、溝部２９ｂ、２９ｃの周囲の絶縁保護膜２９が突出している。
【００４４】
接着剤４２は、集積回路２２とセンサ素子３０との接着後にゲル状に硬化するが、このような接着材料を塗布する際は液状であり、塗布直後の流動によって集積回路２２の上面の絶縁保護膜２９上を、平面視で拡がってしまう。本実施形態においては、図６〜図８に示すように、流動によってセンサ素子３０の下面から露出した接着剤４２が溝部２９ｂに挟まれた絶縁保護膜２９上および溝部２９ｂの領域に留まる、いわゆるダムとして溝部２９ｂが機能する。ダムとして溝部２９ｂが機能する理由は、溝部２９ｂの周囲が最上面配線２５の厚み分突出していることと、溝部２９ｂの周囲において、絶縁保護膜２９の曲率が大きくなるため、接着剤４２に加わる表面張力が高まるためである。
【００４５】
また、センサ素子３０は外部からの応力の影響により出力が変化する。外部からの応力を緩和するために、絶縁基板１０に固定するのでなく、集積回路２２の上面に固定するようにしている。さらに、センサ素子３０を固定する接着剤４２の硬化後の特性も重要である。本実施形態では、信越化学工業製のＳＨＩＮ−ＥＴＳＵ  ＳＩＦＥＬ（登録商標からなる液状樹脂を塗布しており、硬化後もゲル状の柔軟性を有している。このため、集積回路２２からの応力が伝播することを緩和するとともに、接着剤４２自体によって発生する応力がきわめて小さくなっている。
【００４６】
本実施形態では、さらに、センサ素子３０を配置する平面位置に、ダミー配線部２８と溝部２９ｃとが網目状に形成されている。接着剤４２は、センサ素子３０を配置するときに、センサ素子３０を配置する平面位置より外方に拡がるのに十分な量が塗布されている。この構成によれば、センサ素子３０の直下に配置されたダミー配線部２８と溝部２９ｃとで形成された凹凸に接着剤４２が保持されることにより、塗布された接着剤４２がセンサ素子３０の直下に留まるので、応力に敏感なセンサ素子３０への応力がさらに緩和され、性能が安定する。
【００４７】
このように、開口部２９ａを形成する工程で、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に溝部２９ｂおよび溝部２９ｃを形成することが、本実施形態の特徴である。溝部２９ｂは、集積回路２２のワイヤボンディング用電極２６の直上に開口部２９ａを形成する工程で同時に形成されるため、別工程を追加する必要がない。従来、液状樹脂の流動を制限する目的で形成された囲い枠（例えば、図１２に示す特許文献２の囲い枠２０７）は、これを形成する工程を追加する必要があるため、製造設備や原材料等が多く必要となって、コストアップを招いていた。これに対し、本実施形態のセンサモジュール２は、工程を追加することなく接着剤４２の流出を防止することができる。なお、溝部２９ｂの側壁は、略垂直な壁面が形成されており、とくに製造条件を変更する必要はなかった。
【００４８】
とくに、集積回路２２の電源電圧が印加された最上面配線２５を、集積回路２２の主要な回路ブロックの周囲を囲むように延設して、平面視でセンサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に、リング状に配置することが好ましい。そして、このリング状の最上面配線２５の直上に、リング状に溝部２９ｂを形成することが好ましい。こうすれば、接着剤４２の流出を防止できるとともに、集積回路２２の電源リングを強化して、回路動作をより安定させることができる。
【００４９】
以下、本実施形態としたことによる効果について説明する。
【００５０】
本実施形態のセンサモジュール２は、集積回路２２の上に配置されたセンサ素子３０と、集積回路２２とセンサ素子３０との間に設けられた接着剤４２とを備え、集積回路２２は、その上面に、複数の最上面配線２５と、複数のワイヤボンディング用電極２６と、絶縁保護膜２９と、が設けられている。そして、絶縁保護膜２９は、集積回路２２の上面を覆うとともに、複数のワイヤボンディング用電極２６の直上に設けられた開口部２９ａと、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられた溝部２９ｂと、を形成するように部分的に除去されている。
【００５１】
これにより、センサ素子３０の下面から露出した接着剤４２が、溝部２９ｂに挟まれた絶縁保護膜２９上および溝部２９ｂの領域に留まる。この構成によれば、集積回路２２の上面を覆う絶縁保護膜２９には、センサ素子３０とワイヤボンディング用電極２６との間に、絶縁保護膜２９が除去されて形成された溝部２９ｂが配置されているので、センサ素子３０を固定する接着剤４２が、センサ素子３０の下面から流出してワイヤボンディング用電極２６を覆うことを防止する。したがって、最上面配線２５および絶縁保護膜２９に開口部２９ａを設ける工程に別工程を追加することなく、接着剤４２が流出することを防止できる。
【００５２】
また、本実施形態のセンサモジュール２において、接着剤４２は、塗布の際は液状であり、集積回路２２とセンサ素子３０との接着後に硬化する。この構成によれば、センサ素子３０の応力を小さくできるので、性能が安定する。
【００５３】
また、本実施形態のセンサモジュール２において、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５は、集積回路２２の電源電圧が印加され、集積回路２２の電源リングを強化するように配置される。この構成によれば、センサ素子３０を囲むように最上面配線２５を配置し、この最上面配線２５に電源電圧を印加することによって、電源リングの電圧が安定する。
【００５４】
また、本実施形態のセンサモジュール２において、最上面配線２５は、センサ素子３０を配置する平面位置に形成されたダミー配線部２８を、さらに有している。絶縁保護膜２９は、集積回路２２の上面を覆うとともに、複数のワイヤボンディング用電極２６の直上に設けられた開口部２９ａと、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられた溝部２９ｂと、ダミー配線部２８の直上に設けられた溝部２９ｃと、を形成するように部分的に除去されている。この構成によれば、センサ素子３０の直下に配置されたダミー配線部２８と溝部２９ｃとで形成された凹凸に接着剤４２が保持されることにより、塗布された接着剤４２がセンサ素子３０の直下に留まるので、応力に敏感なセンサ素子３０への応力がさらに緩和され、性能が安定する。
【００５５】
以上のように、本発明の第１実施形態のセンサモジュール１および第２実施形態のセンサモジュール２を具体的に説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能である。例えば次のように変形して実施することができ、これらも本発明の技術的範囲に属する。
【００５６】
（第１変形例）
第１変形例のセンサモジュール３は、第２実施形態のセンサモジュール２の集積回路２２を集積回路２３に置き換えた構成になっている。図９は、第１変形例のセンサモジュール３において、センサ素子３０上の部材を透視した平面図である。
【００５７】
溝部２９ｂは、センサ素子３０と複数のワイヤボンディング用電極２６との間に位置する最上面配線２５の直上に設けられている。しかし、集積回路２３の主要な回路ブロックの周囲を囲むリング状に配置するのでなく、ワイヤボンディング用電極２６が配置されている方向に直線状に配置されている。この態様であっても、センサ素子３０とワイヤボンディング用電極２６との間に、絶縁保護膜２９が除去されて形成された溝部２９ｂが配置されているので、センサ素子３０を固定する接着剤４２が、センサ素子３０の下面から流出してワイヤボンディング用電極２６を覆うことを防止する。
【００５８】
集積回路２２の電源リングを強化する必要がなければ、最上面配線２５がリング状に配置されていなくてもよい。最上面配線２５がリング状に配置されている場合でも、図９のように溝部２９ｂを直線状に配置してもよい。
【００５９】
（第２変形例）
本発明の第２実施形態において、センサ素子３０の直下に配置されたダミー配線部２８と溝部２９ｃとを網目状に形成しているが、これに限らず、種々のパターン形成が可能である。例えば、比較的大きな面積の矩形状パターンを１個だけ配置した態様としてもよい。
【００６０】
（第３変形例）
本発明の各実施形態において、絶縁基板１０の外観を矩形の箱状としているが、これに限らず、種々の外形に適用可能である。例えば、端子１１が接続用コネクタの形状であって、側方に突出する態様であってもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１、２、３  センサモジュール
１０    絶縁基板
１１    端子
１１ａ  接続電極
１５、１６  ボンディングワイヤ
２１、２２、２３  集積回路
２５    最上面配線
２６    ワイヤボンディング用電極
２８    ダミー配線部
２９    絶縁保護膜
２９ａ  開口部
２９ｂ、２９ｃ  溝部
３０    センサ素子
３１    センサ電極
４１、４２、４３  接着剤
５０    蓋部材
５１    収容空間
５５    貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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