(57)【要約】【課題】載置台の直動外乱による変位を抑制する変位抑制装置を提供する。【解決手段】変位抑制装置１０は、振動吸収手段によって架台に支持されたステージ１２の下面に取付けられ、上下に受け面５５が形成された受け部材５４Ｕ、５４Ｄ、１４Ｃと、受け部材５４Ｕ、５４Ｄ、１４Ｃの受け面５５Ｕ、５５Ｄと当接し、電圧を印加されて伸張し受け部材５４Ｕ、５４Ｄ、１４Ｃを押圧する押圧手段２０Ｕ、２０Ｄと、載置台１２の変位を検出して信号を出力するセンシング手段２６と、センシング手段２６からの信号に基づいて、押圧手段２０Ｕ、２０Ｄに電圧を印加させ、受け部材５４Ｕ、５４Ｄ、１４Ｃを位置決めする制御手段３６と、を有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動吸収手段に支持された載置台の下面に取付けられ、上下に受け面が形成された受け部材と、
前記受け面と当接しており、電圧を印加されて伸張し前記受け部材を押圧する押圧手段と、
前記載置台の変位を検出し、信号を出力するセンシング手段と、
前記信号に基づいて、前記押圧手段に前記電圧を印加して前記受け部材を位置決めする制御手段と、
を有する変位抑制装置。
【請求項２】
前記押圧手段は、
アーチ形状に曲げられて両端部が固定された膜型圧電セラミックスであり、
前記受け面は、
前記アーチ形状に沿った曲面、又は前記アーチ形状より曲率が小さい曲面に形成されている請求項１に記載の変位抑制装置。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記載置台の変位方向と反対方向へ、前記押圧手段を伸張させる請求項１又は２に記載の変位抑制装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変位抑制装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
超ＬＳＩや液晶ディスプレイなどの精密機器の製造装置では、嫌振機器類（以下機器類と記す。）が載せられる載置台へ、周辺機器等により生じた床振動が伝わらないように、載置台を空気バネ等で柔らかく支持している。
【０００３】
しかし、載置台を、空気バネ等で柔らかく支持した場合、直動外乱、即ち、載置台に設置された機器類の走行による重心移動や、機器類の稼動に伴い発生する衝撃力等に基づいて、載置台自身が変位したり、振動するのを防止することができない。
制振対象物の振動を抑制する技術には、例えば特許文献１がある。
【０００４】
特許文献１は、圧電素子を制振対象物に貼り付け、制振対象物自体の曲げや伸縮を、圧電素子で電気エネルギーに変換して抑制する技術である。
しかし、特許文献１の技術では、圧電素子が貼り付けられた制振対象物の変形を抑制出来ても、制振対象物自体の変位を抑制することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３５７８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事実に鑑み、載置台の直動外乱による変位を抑制する変位抑制装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係る変位抑制装置は、振動吸収手段に支持された載置台の下面に取付けられ、上下に受け面が形成された受け部材と、前記受け面と当接しており、電圧を印加されて伸張し前記受け部材を押圧する押圧手段と、前記載置台の変位を検出し、信号を出力するセンシング手段と、前記信号に基づいて、前記押圧手段に前記電圧を印加させ、前記受け部材を位置決めする制御手段と、を有することを特徴としている。
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、載置台の変位がセンシング手段により検出されると、制御手段がセンシング手段からの信号に基づいて、押圧手段に電圧を印加して伸張させ、受け部材の上下に形成された受け面を押圧して、受け部材を上下方向から位置決めする。
この結果、振動吸収手段に支持された載置台に、直動外乱が加えられても、上下方向の変位を抑制することができる。このとき、載置台の変位が大きくなる前に、変位しようとする動きを抑制できる。更に、押圧手段は、受け部材と当接されており、当接されたまま伸張するので、押圧手段が受け部材を位置決めする際に、受け部材との接触や、接触後の分離動作を必要とせず、押圧手段の位置決め動作に伴う新たな変位の発生を抑制できる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の変位抑制装置において、前記押圧手段は、アーチ形状に曲げられて両端部が固定された膜型圧電セラミックスであり、前記受け面は、前記アーチ形状に沿った曲面、又は前記アーチ形状より曲率が小さい曲面に形成されていることを特徴としている。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、アーチ形状に形成された膜型圧電セラミックスと、アーチ形状に沿った曲面、又はアーチ形状より曲率が小さい曲面に形成された受け部材が当接されている。これにより、電圧が印加されていないときには、膜型圧電セラミックスのアーチ形状が維持される。また、膜型圧電セラミックスは、柔らかく、受け部材と当接しているので、振動吸収手段の除振性能に影響を及ぼさない。
一方、電圧が印加されたときには、膜型圧電セラミックスは、アーチ形状のまま伸張して受け部材を固定部材の方向へ押圧することができる。
また、膜型圧電セラミックスを、アーチ形状に曲げることで、板厚が薄いにも関わらず、芯材を必要とせず自立して伸縮機能を発揮させることができる。この結果、別途芯材が不要となり、芯材を伸縮させる必要がない分、効率よく載置台を制御することができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の変位抑制装置において、前記制御手段は、前記載置台の変位の方向と反対方向へ、前記押圧手段を伸張させることを特徴としている。
【００１２】
請求項３に記載の発明によれば、制御手段により、押圧手段が載置台の振動方向と反対方向へ伸張させられる。これにより、載置台の振動の早い段階で、即ち、振動の小さい段階で、載置台の変位を抑制することができる。なお、押圧手段を伸張させるとは、押圧手段を、部材長方向に伸張させる意味を含むものとする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、上記構成としてあるので、載置台の直動外乱による変位を抑制する変位抑制装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る変位抑制装置が組み込まれたアクティブ除振台の基本構成を示す正面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る変位抑制装置の基本構成を示す正面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る変位抑制装置の基本構成を示す斜視図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも本発明の第１実施形態に係る変位抑制装置の作用を説明するための正面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る変位抑制装置の制御動作を説明するための動作説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る載置台の変位抑制装置の制御工程を示すフロー図である。
【図７】（Ａ）は本発明の第２実施形態に係る変位抑制装置の基本構成を示す正面図であり、（Ｂ）は発明の第３実施形態に係る変位抑制装置の基本構成を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
図１〜図７を用いて、第１実施形態に係る変位抑制装置１０について説明する。
図１の正面図に示すように、変位抑制装置１０は、アクティブ除振台５０の架台１６に設けられ、架台１６は、精密機器類が載せられるステージ（載置台）１２を支持している。
【００１６】
架台１６は、ステージ１２の四隅を支持する４本の脚部４４を有している。脚部４４は鋼材製とされ、脚部４４の側壁には、脚部４４同士を連結する横部材４６が固定されている。架台１６は、平面視が矩形状に形成され、上面でステージ１２を支持している。脚部４４の上下端部には、それぞれフランジ４４Ｆが取り付けられ、下部フランジ４４Ｆは、ボルト４８で床面３４に固定されている。
【００１７】
脚部４４の上部フランジ４４Ｆとステージ１２との間には、振動吸収手段としての空気ばね３２が取り付けられている。空気ばね３２は、空気が充填されてばね機能を有する振動吸収体である。空気ばね３２は、４本の脚部４４の上部にそれぞれ設けられ、ステージ１２を柔らかく支持している。これにより、床面３４からの振動が空気ばね３２で吸収され、ステージ１２への伝播を抑制している。
なお、空気ばね３２の周囲には、補助支柱４２が鉛直方向へ設けられ、アクティブ除振台５０が稼働していないときには、ステージ１２を、脚部４４に固く固定している。
【００１８】
変位抑制装置１０は、横部材４６の上面とステージ１２の下面の間に設けられ、空気ばね３２と並列に配置されている。変位抑制装置１０は、４本の横部材４６の上面に２個ずつ（合計８個）設けられ、それぞれが独立して制御される。この構成とすることにより、後述するように、変位抑制装置１０を適切に制御することにより、ステージ１２の上下方向の変位（例えば振動や傾斜など）を抑制することができる。
【００１９】
横部材４６の中央部であり変位抑制装置１０の間には、補助支柱４０が設けられている。補助支柱４０は、横部材４６とステージ１２の間に鉛直方向へ配置され、アクティブ除振台５０が稼働していないときに、ステージ１２を横部材４６に固定する。
なお、変位抑制装置１０の数量は、アクティブ除振台５０の構成により最適数量が決定されるものであり、本実施の形態の数量（８個）に限定されるものではない。
【００２０】
横部材４６はＨ形鋼で形成され、横方向に配置された上下フランジ４６Ｆの間の空間には、空気ばね３２及び変位抑制装置１０を制御するための、コントローラ３６が設けられている。また、コントローラ３６の隣には、これらへ供給する電力を制御するレギュレータ３８が設けられている。なお、配線類の記載は省略している。
【００２１】
図２の正面図、図３の斜視図に示すように、変位抑制装置１０は、横部材４６とステージ１２の中間部に配置された変位制御部（受け部材）２８を有している。
変位制御部２８は、ステージ１２の下面に固定された固定板１４と、固定板１４の中央部１４Ｃの上面に固定された上側凹状台座５４Ｕ、及び、固定板１４の下面に固定された下側凹状台座５４Ｄを備えている。
【００２２】
固定板１４は、鋼板でコ字状に形成され、平板状の中央部１４Ｃが水平に設けられ、両端部の鉛直部１４Ｅは、ステージ１２の方向に折り曲げられている。鉛直部１４Ｅの上端部は、いずれもステージ１２の下面に固定されている。これにより、固定板１４は、ステージ１２と一体となって上下方向へ変位する。
【００２３】
上側凹状台座５４Ｕは、上面に受け面５５Ｕが凹状（アーチ形状）に形成され、下面は中央部１４Ｃに固定されている。下側凹状台座５４Ｄは、下面に受け面５５Ｄが凹状（アーチ形状）に形成され、上面は中央部１４Ｃに固定されている。
【００２４】
上側凹状台座５４Ｕの受け面５５Ｕには、上側膜型圧電セラミックス（押圧手段）２０Ｕが、受け面５５Ｕの全長に渡り当接されている。上側膜型圧電セラミックス２０Ｕは、電圧を印加されて伸張し、受け面５５Ｕを下方へ押圧する。
また、下側凹状台座５４Ｄの受け面５５Ｄには、下側膜型圧電セラミックス（押圧手段）２０Ｕが、受け面５５Ｄの全長に渡り当接されている。下側膜型圧電セラミックス２０Ｕは、電圧を印加されて伸張し、受け面５５Ｄを上方へ押圧する。
【００２５】
ステージ１２の下方には、側面視において、ステージ１２と、ステージ１２に固定された固定板１４とで矩形状に区画された空間が形成されている。空間の内部には、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕを固定する、固定台１８の中央部１８Ｃが挿入されている。
固定台１８は、変位制御部２８を形成し、固定台１８の中央部１８Ｃは、鋼製の平板で形成され水平に配置されている。中央部１８Ｃの両端部には脚部１８Ｅが設けられ、脚部１８Ｅの下端は、横部材４６の上面に設けられた、取付台１９の上面に固定されている。
また、取付台１９の上面には、取付台１７が固定され、取付台１７には、下側膜型圧電セラミックス２０Ｕを固定する、一対の三角台２４Ｄが取付けられている。
【００２６】
上側膜型圧電セラミックス２０Ｕは、アーチ形状に曲げられ、アーチ部を下に向けて取付けられている。上側膜型圧電セラミックス２０Ｕの両端部は、固定台１８の中央部１８Ｃの下面に取付けられた一対の三角台座２４Ｕの斜辺に、それぞれ固定されている。アーチ部の中央部は、凹状台座５４Ｕの受け面５５Ｕと、当接されている。
【００２７】
下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、アーチ形状に曲げられ、アーチ部を上に向けて取付けられている。下側膜型圧電セラミックス２０Ｄの両端部は、取付台１７の上面に取付けられた一対の三角台座２４Ｄの斜辺に、それぞれ固定されている。アーチ部の中央部は、凹状台座５４Ｄの凹状の受け面５５Ｄと、当接されている。
【００２８】
上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、図示は省略するが、膜状とされた繊維状の圧電セラミックの両側面に、電極が印刷されたポリイミドフィルムをエポキシ樹脂で接合した膜型圧電素子が使用されている。この膜型圧電素子は、圧電セラミックの両側面に取り付けられたリード線を介して、コントローラ３６から電圧を印加すれば、印加された電圧値に従った歪が圧電セラミックに生じ、膜型圧電素子を変形させることができる。
【００２９】
即ち、アーチ形状に曲げられた上側膜型圧電セラミックス２０Ｕ、及び下側膜型圧電セラミックス２０Ｄに、コントローラ３６から電圧を印加すれば、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕ、及び下側膜型圧電セラミックス２０Ｄを、それぞれ伸張させることができる。このとき、両端部が固定されているので、中央部が凹状台座５４Ｕ、５４Ｄの方向へ伸張される。この結果、凹状台座５４Ｕ、５４Ｄを伸張方向（固定板１４の中央部１４Ｃの方向）へ変位させることができる。
【００３０】
また、固定板１４には、ステージ１２の変位を検出して信号を出力するセンサ（センシング手段）２６が取り付けられている。センサ２６は、変位センサ、位置センサ等の名称は問わず、ステージ１２の変位を検出出来るものであればよい。また、センサ２６の取付位置は、固定板１４に限定されることはなく、ステージ１２でもよい。
コントローラ３６は、センサ２６からの信号に基づいて、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄに所定の電圧を印加し、予め定めた制御手順に従って、凹状台座５４Ｕ、５４Ｄを押圧し、位置決めする構成とされている。
【００３１】
ここで、図４（Ａ）に示す、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄを例に取り、位置決めについて説明する。上側膜型圧電セラミックス２０Ｕでも、同様に作用する。
下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、アーチ形状に曲げられたアーチ部を上に向けて取付けられ、受け部材である凹状台座５４Ｄの受け面５５Ｄと当接されている。また、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄの両端部は、一対の三角台座２４Ｄの斜辺にそれぞれ固定されている。
【００３２】
これにより、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄに電圧が印加されていないときには、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄのアーチ形状が、受け面５５Ｄと当接されることで維持される。また、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、柔らかく、受け面５５Ｄと当接されているので、空気ばね３２の除振性能に影響を及ぼさない。
【００３３】
一方、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄに電圧が印加されたときには、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、アーチ形状のまま伸張し、凹状台座５４Ｄの受け面５５Ｄを、矢印ＰＡで示す上方へ押し上げる。この結果、破線で示すように、凹状台座５４Ｄを持ち上げることができる。
【００３４】
また、図４（Ｂ）に示すように、凹状台座５４Ｄは、両端部が、三角台座２４Ｄの内側の壁面と、距離ｄ（１ｍｍ〜５ｍｍ程度）だけ隙間を開けて設けられている。これにより、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄに電圧が印加されてなく、ステージ１２が矢印ＰＢで示す下方へ変位したときは、破線で示すように、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄを変形させて、凹状台座５４Ｄの受け面５５Ｄが降下する。
センサ２６は、ステージ１２の降下が所定量に達したとき、変位の検出結果をコントローラ３６へ出力する。
【００３５】
図４（Ｃ）に示すように、コントローラ３６は、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄへ電圧を印加し、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄを伸張させて凹状台座５４Ｄを押し上げ、所定の位置まで戻す。コントローラ３６は、印加電圧を調整しながら、ステージ１２が所定の変位範囲に入るよう、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄを位置決めする。
【００３６】
次に、図５、図６を用いて制御方法について説明する。
図６は、ステージ１２の上面を作業機器が、例えば距離０．８ｍ離れた場所まで移動して、移動先で定められた作業を行い、作業後、元の位置まで戻る場合における、移動時間とステージ位置の関係を示している。
【００３７】
図６の横軸は経過時間（ｓ）を示し、縦軸はステージ位置（ｍ）を示している。また、実線Ｈがステージ１２の上の作業機器の移動経路を示している。なお、ハッチングした範囲が作業機器の作業時間帯を示し、白抜きの範囲が作業機器の移動時間帯を示している。
【００３８】
作業機器の移動時間帯（例えば時間ｔ０〜ｔ１、ｔ２〜ｔ３等）においては、ステージ１２を空気ばね３２で柔らかく支持した場合、作業機器の移動でステージ１２の重心がずれて、ステージ１２に変位が発生する。また、この時間帯は作業機器が移動中であり、精密な作業は行われていない。従って、この時間帯は、床面３４からの振動の伝播を抑制するより、移動後の精密作業に備えて、ステージ１２が、自身の動作で生じた変位が増大しないように、発生した変位を、早い段階で抑制する必要がある。
【００３９】
一方、作業機器の作業時間帯（例えば時間ｔ１〜ｔ２、ｔ３〜ｔ４等）においては、精密な作業が行われるため、作業機器の作業に支障が生じないように、ステージ１２を柔らかく支持して、床面からの振動の伝播を遮断する必要がある。
このため、図７に示す各工程を実行して、空気ばね３２で柔らかくステージ１２を支持する状態と、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄと上側膜型圧電セラミックス２０Ｕでステージ１２の変位を抑制する状態をスムーズに切り替えている。
【００４０】
先ず、変位検出工程６６を実行する。作業機器等の移動によりステージ１２に変位が発生したとき、ステージ１２に固定された固定板１４が、ステージ１２と一体となって変位する。固定板１４が下方へ、又は上方へ変位したとき、センサ２６で変位が検出され、検出結果がコントローラ３６に出力される（図４（Ｂ）参照）。
【００４１】
次に、電圧出力工程６７を実行し、センサ２６からの信号に基づいて、コントローラ３６が印加電圧を発生させる。このとき、ステージ１２が下方へ変位したときは、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄへ出力し、ステージ１２が上方へ変位したときは上側膜型圧電セラミックス２０Ｕへ出力する。
【００４２】
次に、伸張工程６８を実行し、ステージ１２が下方へ変位したときは、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、印加電圧に従って伸張され、凹状台座５４Ｄの受け面５５Ｄを、上方へ押し上げる（図４（Ｃ）参照）。これにより、ステージ１２を上方へ移動させ、所定の位置（変位のない位置）で維持することができる。
一方、ステージ１２が上方へ変位したときは、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕは、印加電圧に従って伸張され、凹状台座５４Ｕの受け面５５Ｕを、下方へ押し下げる。これにより、ステージ１２を下方へ移動させることができる。
【００４３】
次に、変位抑制工程７０を実行する。具体的には、固定板１４の変位を、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄ、又は上側膜型圧電セラミックス２０Ｕによる上下方向からの力で、順次抑制する。ステージ１２の、いずれの方向の変位も抑制されるまで繰り返す。
【００４４】
次に、変位停止検出工程７１を実行し、ステージ１２の変位がセンサ２６で検出されなくなったことを確認する。ステージ１２の変位がセンサ２６で検出されなくなった時を作業機器の移動終了と判断し、判断結果をコントローラ３６に出力する。
【００４５】
最後に、変形解除工程７３を実行し、コントローラ３６が、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄ、及び上側膜型圧電セラミックス２０Ｕへの電圧供給を解除する。ステージ１２は、引き続いて空気ばね３２で支持させる。
【００４６】
これにより、作業機器がステージ１２の上を移動しても、ステージ１２に生じる変位を効果的に抑制することができる。作業機器類が異なる方向に移動して作業をする場合や、移動する距離が異なる場合も、同じ考えで制御すればよい。
【００４７】
なお、上記の制御方法のみでなく、他の方法で制御してもよい。
例えば、上方向への変位が検出されたとき、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕを制御して、凹状台座５４Ｕの受け面５５Ｕを、下方へ押し下げる。続いて、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄにも電圧を印加して、両者で固定板１４Ｃを、変位の生じない所定位置で挟む方法でもよい。
これにより、片側から押圧することによるオーバーシュートを生じさせることなく、短時間で変位を抑制することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、凹状台座５４Ｕ、５４Ｄの方向を、同一方向としたが、これに限定されることはなく、例えば、固定板１４の中央部１４Ｃを挟んで、凹状台座５４Ｕ、５４Ｄのいずれか一方を、平面視で９０度回転させて、凹状台座５４Ｕ、５４Ｄが互いに直交する構成でもよい。
これにより、凹状台座５４Ｕ、５４Ｄの配置の自由度が高くなる。
【００４９】
本構成によれば、上述したように、センサ２６がステージ１２の上下方向の変位を検出すると、コントローラ３６がセンサ２６からの信号に基づいて、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕ、又は下側膜型圧電セラミックス２０Ｄに電圧を印加して伸張させ、凹状台座５４の上下に形成された受け面５４Ｕを押圧して、固定板（受け部材）１４Ｃを上下方向に位置決めする。即ち、ステージ１２が上下方向に変位しようとする動きを抑制できる。この結果、ステージ１２の上下方向の変位を抑制することができる。
【００５０】
更に、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、上側受け面５５Ｕ及び下側受け面５５Ｄと常に当接され、当接したまま電圧印加で伸張させる。これにより、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄが、固定板１４の中央部１４Ｃを位置決めする際に、上側受け面５５Ｕ及び下側受け面５５Ｄとの接触や、接触後の分離動作を必要としない。この結果、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄの、位置決め動作に伴う新たな振動の発生を抑制できる。
【００５１】
また、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄへの印加電圧を制御することにより、外乱の大きさに応じて抵抗力を制御することができるため、従来技術のように、単に剛性を高め、直動外乱に対抗するものと比較して、より高精度な位置決め制御が可能となる。
【００５２】
更に、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、上側凹状台座５４Ｕ、及び下側凹状台座５４Ｄとアーチ形状に当接されている。これにより、電圧が印加されていないときには、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、空気ばね３２の除振性能に影響しない程度の剛性が維持される。一方、電圧が印加されたとき、アーチ形状のまま伸張して、凹状台座５４Ｕ、５４Ｄを固定板１４Ｃの方向へ押圧することができる。
【００５３】
また、上側膜型圧電セラミックス２０Ｕと下側膜型圧電セラミックス２０Ｄは、アーチ形状とされているので、板厚が薄いにも関わらず、芯材を必要とせず自立して形状を維持させることができる。この結果、別途芯材が不要となり、芯材を伸縮させる必要がない分、効率よくステージ１２を制御できる。
【００５４】
（第２実施形態）
図７（Ａ）を用いて、本発明の第２実施形態に係る変位抑制装置６２について説明する。変位抑制装置６２の変位制御部６４には、下側受け面５７Ｄの曲率が、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄの曲率より小さくされた、下側凹状台座５６Ｄが設けられている点において、第１実施形態と相違する。相違点を中心に説明する。
【００５５】
図７（Ａ）に示すように、下側凹状台座５６Ｄの下側受け面５７Ｄの曲率が、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄの曲率より小さくされている。このとき、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄのアーチ形状とされた頂部が、下側受け面５７Ｄと当接されている。
これにより、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄのアーチ形状に沿った曲率の曲線部を有し、曲線部の全長に渡り、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄと当接させた、第１実施形態の受け面５５Ｄの場合より、ステージ１２を柔らかく支持することができる。
【００５６】
この結果、除振性能を、より損なわないように支持することができる。なお、上側凹状台座５４Ｕも、下側凹状台座５４Ｄと同じ構成とされている。
他の構成は、第１実施形態と同じであり説明は省略する。
【００５７】
（第３実施形態）
図７（Ｂ）を用いて、本発明の第３実施形態に係る変位抑制装置７４について説明する。変位抑制装置７４の変位制御部７６には、アーチ形状の曲率が異なる下側膜型圧電セラミックス６０Ｄが設けられている点において、第１実施形態と相違する。相違点を中心に説明する。
【００５８】
図７（Ｂ）に示すように、下側膜型圧電セラミックス６０Ｄのアーチ形状の曲率が、第１実施形態で説明した下側膜型圧電セラミックス２０Ｄの曲率より大きくされている。また、下側膜型圧電セラミックス６０Ｄのアーチ形状とされた頂部が、下側凹状台座５４Ｄの下側受け面５５Ｄと当接されている。
これにより、下側膜型圧電セラミックス２０Ｄのアーチ形状に沿った曲率の曲線部を有し、曲線部の全長に渡り、下側受け面５５Ｄと当接させた下側膜型圧電セラミックス２０Ｄの場合より、ステージ１２を柔らかく支持することができる。
なお、この場合には、一対の三角台座２４Ｄの内側間の距離Ｌ２は、図７（Ａ）に示した三角台座２４Ｄの内側間の距離Ｌ１より、小さく（距離Ｌ２＜距離Ｌ１）する必要がある。
【００５９】
この結果、除振性能を、より損なわないように支持することができる。なお、上側膜型圧電セラミックス６０Ｕも、下側膜型圧電セラミックス６０Ｄと同じ構成とされている。
また、本実施形態において、下側凹状台座５４Ｄに替えて、第３実施形態で説明した、下側凹状台座５６Ｄを採用してもよい。
他の構成は、第１実施形態と同じであり説明は省略する。
【符号の説明】
【００６０】
１０、６２、７４  変位抑制装置
１２  ステージ（載置台）
１４  固定板（受け部材）
１６  架台
２０  膜型圧電セラミックス（押圧手段）
２０Ｕ  上側膜型圧電セラミックス（押圧手段）
２０Ｄ、６０Ｄ  下側膜型圧電セラミックス（押圧手段）
２６  センサ（センシング手段）
２８  変位制御部
３２  空気ばね（振動吸収手段）
３６  コントローラ（制御手段）
５４Ｕ  上側凹状台座（受け部材）
５４Ｄ、５６Ｄ  下側凹状台座（受け部材）
５５  受け面
５５Ｕ  上側受け面
５５Ｄ、５７Ｄ  下側受け面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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