(57)【要約】      （修正有）【課題】発光物質を使用した自己組織化光導波路の作製方法を提供する。【解決手段】光デバイスの活性部に発光性ターゲット4を配置し、その発光性ターゲット4に励起光を照射してルミネッセンス6を発生させる。ルミネッセンス6が書き込み光の役割を果たし、ＳＯＬＮＥＴのセルフアライン光導波路が形成される。形成発光性ターゲットを利用したＬＰ−ＳＯＬＮＥＴ，および発光性ターゲット・波長フィルタを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成するプロセスがある。【選択図】図３
2015001734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性部に発光性ターゲットを設けた複数個の光デバイスを，該発光性ターゲットからのルミネッセンスの照射により屈折率が増加する材料（ＰＲＩ材料）が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該発光性ターゲットに励起光を照射してルミネッセンスを発生させることにより，複数の光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成することを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【請求項２】
活性部に発光性ターゲットを設けた光デバイスと，活性部に該発光性ターゲットからのルミネッセンスを反射するような波長フィルタを設けた光デバイスを，該発光性ターゲットからのルミネッセンスの照射により屈折率が増加するＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該発光性ターゲットに励起光を照射してルミネッセンスを発生させることにより，複数の光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成することを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【請求項３】
ＰＲＩ材料に発光物質を添加し，活性部に該発光物質からのルミネッセンスを反射するような波長フィルタを設けた複数個の光デバイスを，該発光物質からのルミネッセンスの照射により屈折率が増加する該ＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該ＰＲＩ材料に励起光を照射してルミネッセンスを発生させることにより，複数の光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成することを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【請求項４】
請求項１，２，３に記載の自己組織化光導波路の作製方法において，発光性ターゲットおよび／または波長フィルタを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成することを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【請求項５】
活性部に発光性ターゲットを設けた光デバイスと書込み光を活性部から出射する光デバイスを，該書込み光と該発光性ターゲットからのルミネッセンスの照射により屈折率が増加するＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該書込み光を光デバイスから出射させてルミネッセンスを発生させることにより，光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する自己組織化光導波路の作製方法において，該発光性ターゲットを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成することを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【請求項６】
活性部に波長フィルタを設けた光デバイスと書込み光を活性部から出射する光デバイスを，該書込み光の照射により屈折率が増加するＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該書込み光を光デバイスから出射させて波長フィルタからの反射光を生じさせることにより，光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する自己組織化光導波路の作製方法において，該波長フィルタを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成することを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【請求項７】
請求項１，２，３，４，５，６に記載の自己組織化光導波路の作製方法において，活性部に設けた発光性ターゲットおよび／または波長フィルタの一部または全部を，活性部の反対側の端面に配置した発光体および／または反射体で置き換えたことを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【請求項８】
請求項１，２，３，４，５，６に記載の自己組織化光導波路の作製方法において，光デバイスの活性部が光ファイバのコア部，光デバイス内の光導波路コア部，光デバイス内の発光部，光デバイス内の受光部から選ばれたものであることを特徴とする自己組織化光導波路の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は，発光物質を使用した自己組織化光導波路（ＳＯＬＮＥＴ）の作製方法に係り，特に，活性部に発光性ターゲットを設けた複数個の光デバイスを，発光性ターゲットからのルミネッセンスの照射により屈折率が増加する材料（ＰＲＩ材料）を挟んで設置し，発光性ターゲットに励起光を照射して光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する方法，活性部に発光性ターゲットを設けた光デバイスと活性部に波長フィルタを設けた光デバイスをＰＲＩ材料を挟んで設置し，発光性ターゲットに励起光を照射して光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する方法，活性部に波長フィルタを設けた複数個の光デバイスを，発光物質を添加したＰＲＩ材料を挟んで設置し，ＰＲＩ材料に励起光を照射して光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する方法，発光性ターゲットおよび／または波長フィルタを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成して光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する方法，活性部に設けた発光性ターゲットおよび／または波長フィルタの一部または全部を，活性部の反対側の端面に配置した発光体および／または反射体で置き換えて光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来のＳＯＬＮＥＴでは，セルフアライン光導波路を形成する際に，光デバイスから書込み光を出射させる必要がある。この場合，書込み光を光デバイスから出射できないような構造ではセルフアライン光導波路の形成が不可能になるという問題がある。また，光デバイス活性部への発光ターゲットや波長フィルタの形成は，光デバイス作製プロセスの一環として，フォトリソプロセスにより行うことが知られている。さらなる低コスト化のためには，より簡便な方法が望まれる．また，光デバイス活性部への発光ターゲットや波長フィルタの形成が困難である場合，セルフアライン光導波路の形成が不可能になるという問題がある。
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】  本発明の一つの目的は，発光性ターゲットからのルミネッセンスを書込み光として用いることにより，書込み光を光デバイスから出射できないような構造でもセルフアライン光導波路の形成を可能にすることにある。また，本発明の他の目的は，活性部からの出射光を利用することにより，活性部への発光性ターゲットや波長フィルタの形成をより簡便にすることにある。また，本発明の他の目的は，活性部への発光ターゲットや波長フィルタの形成を行わなくても，セルフアライン光導波路の形成を可能にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】  本発明に係るＳＯＬＮＥＴの作製方法は，活性部に発光性ターゲットを設けた複数個の光デバイスを，該発光性ターゲットからのルミネッセンスの照射により屈折率が増加するＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該発光性ターゲットに励起光を照射してルミネッセンスを発生させることを特徴とする。これにより，光デバイスからの書込み光なしで，光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成することができる。
【０００５】  本発明に係るもう一つのＳＯＬＮＥＴの作製方法は，活性部に発光性ターゲットを設けた光デバイスと，活性部に該発光性ターゲットからのルミネッセンスを反射するような波長フィルタを設けた光デバイスを，該発光性ターゲットからのルミネッセンスの照射により屈折率が増加するＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該発光性ターゲットに励起光を照射してルミネッセンスを発生させることを特徴とする。これにより，光デバイスからの書込み光なしで，光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成することができる。
【０００６】  本発明に係るもう一つのＳＯＬＮＥＴの作製方法は，ＰＲＩ材料に発光物質を添加し，活性部に該発光物質からのルミネッセンスを反射するような波長フィルタを設けた複数個の光デバイスを，該発光物質からのルミネッセンスの照射により屈折率が増加する該ＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該ＰＲＩ材料に励起光を照射してルミネッセンスを発生させることを特徴とする。これにより，光デバイスからの書込み光なしで，光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成することができる。
【０００７】  本発明に係るもう一つのＳＯＬＮＥＴの作製方法は，発光性ターゲットおよび／または波長フィルタを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成することを特徴とする。これにより，活性部への発光ターゲットや波長フィルタの形成をより簡便にすることができる。
【０００８】  本発明に係るもう一つのＳＯＬＮＥＴの作製方法は，活性部に発光性ターゲットを設けた光デバイスと書込み光を活性部から出射する光デバイスを，該書込み光と該発光性ターゲットからのルミネッセンスの照射により屈折率が増加するＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該書込み光を光デバイスから出射させてルミネッセンスを発生させることにより，光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する自己組織化光導波路の作製方法において，該発光性ターゲットを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成することを特徴とする。これにより，活性部への発光ターゲットの形成をより簡便にすることができる。
【０００９】  本発明に係るもう一つのＳＯＬＮＥＴの作製方法は，活性部に波長フィルタを設けた光デバイスと書込み光を活性部から出射する光デバイスを，該書込み光により屈折率が増加するＰＲＩ材料が中間領域の一部または全部を満たすように設置し，該書込み光を光デバイスから出射させて反射光を発生させることにより，光デバイス間にセルフアライン光導波路を形成する自己組織化光導波路の作製方法において，該波長フィルタを，活性部からの出射光を利用してセルフアライン的に形成することを特徴とする。これにより，活性部への波長フィルタの形成をより簡便にすることができる。
【００１０】  本発明に係るもう一つのＳＯＬＮＥＴの作製方法は，活性部に設けた発光性ターゲットおよび／または波長フィルタの一部または全部を，活性部の反対側の端面に配置した発光体および／または反射体で置き換えたことを特徴とする。これにより，活性部への発光ターゲットや波長フィルタの形成を行わなくても，セルフアライン光導波路の形成を可能にすることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】  以下に，本実施の形態を，図面を参照して説明する。各図において，同一の符号をふされたものは同様の要素を示しており，重複した説明は省略される。以下の記載は本発明が適用可能な実施形態を説明するものであって，本発明の範囲がこの記載に限定されるものではない。説明の明確化のため，以下の記載は，適宜，省略および簡略化がなされている。また，当業者であれば，以下の実施形態の各要素を，本発明の範囲において容易に変更，追加，変換することが可能であろう。
【００１２】  図１は，従来型のＲｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ＳＯＬＮＥＴ（Ｒ−ＳＯＬＮＥＴ）ｗｉｔｈ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｔａｒｇｅｔの原理図である。２つの光デバイス１と２がＰＲＩ材料３を挟むような形で対峙している。一方の光デバイスの活性部には，発光性ターゲット４が配置されている。光デバイスの例としては，光ファイバ，光導波路，光変調器，光スイッチ，可変波長フィルタ，レーザダイオード（ＬＤ），面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ），フォトディテクタ（ＰＤ）などが挙げられる。ここで，図では，導波路コアや発光部に相当する光デバイスの活性部のみを図示した．光デバイスのその他の部分は省略してある。活性部は，光ファイバ・光導波路・光変調器・光スイッチ・可変波長フィルタの場合は端面の導波路コア部に，ＬＤ・ＶＣＳＥＬの場合は発光部に，また，ＰＤの場合は受光部に対応する。
【００１３】  ＰＲＩ材料は，書込み光が照射されると屈折率が増加するという特性を持つ。フォトポリマ，光硬化性樹脂，感光性ガラス，フォトリフラクティブ結晶などがその例である。書込み光５を光デバイス１からＰＲＩ材料に入射させると，発光性ターゲットがそれを吸収しルミネッセンス６を発生する．書込み光とルミネッセンスが重なる領域で屈折率がより大きく増加し，セルフフォーカスが生じる。最終的に光デバイスをつなぐＳＯＬＮＥＴ７のセルフアライン光導波路が形成される．光デバイス間にある程度の位置ずれ，角度ずれ，モードサイズの差異があっても許容されるため，光はんだの機能が実現できる。
【００１４】  ＰＲＩ材料の感度スペクトルの一例を図２に模式的に示した。ここでは色素増感ＰＲＩ材料の例を示してある。短波長側の母体吸収による感度ピークとともに，長波長側の色素吸収による感度ピークが現れている。書込み光を母体で，ルミネッセンスを色素で吸収することにより，両者に対する感度バランスを適正にすることができる。場合によっては，書込み光とルミネッセンスを共に色素で吸収することもできる。また，色素増感を施さないＰＲＩ材料でも使用可能である。この場合は，書込み光，ルミネッセンスともに，母体の光吸収を利用する。
【００１５】  図３（ａ）は，本発明によるＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ  ＳＯＬＮＥＴ（ＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ）Ｉの原理図である。図１のＳＯＬＮＥＴ  ｗｉｔｈ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｔａｒｇｅｔにおいて，すべての光デバイスの活性部に発光性ターゲットを配置したものである。これらの発光性ターゲットに励起光８を照射し，ルミネッセンスを発生させる。ルミネッセンスが書込み光の役目を果たし，ＳＯＬＮＥＴのセルフアライン光導波路が形成される。
【００１６】  ここで，励起光は，発光性ターゲットに局所的に照射することが望ましい。これにより励起光によるＰＲＩ材料の屈折率変動を抑えることができる。一方，図４に示すように，ＰＲＩ材料に増感を施し，感度スペクトルに低感度波長領域の窓を形成するとともに，発光性ターゲットの光吸収スペクトルと発光スペクトルを適正に設計することにより，励起光を全体に照射することが可能となる。すなわち，発光性ターゲットの光吸収帯がＰＲＩ材料の低感度波長領域にかかるようにし，かつルミネッセンスが感度スペクトルの長波長側ピークにかかるようにすることにより，励起光に対しては低感度，ルミネッセンスに対しては高感度という状況を作り出すことができ，励起光の全面照射が可能となる。
【００１７】  図３（ｂ）は，ＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  ＩＩの原理図である。図３（ａ）のＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉにおいて，光デバイスの活性部に配置された発光性ターゲットを，一部波長フィルタ９で置き換えたものである。波長フィルタには，ルミネッセンスは反射し，信号光は透過するという特性を持たせる。発光性ターゲットに励起光を照射し，ルミネッセンスを発生させると，波長フィルタがそれを反射し，ルミネッセンスと反射光１０でＳＯＬＮＥＴのセルフアライン光導波路が形成される。
【００１８】  図３（ｃ）は，ＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  ＩＩＩの原理図である。発光物質添加ＰＲＩ材料１１を使用する。光デバイスの活性部には，波長フィルタが設置されている。ＰＲＩ材料に励起光を照射し，ルミネッセンスを発生させると，波長フィルタがそれを反射し，反射光でＳＯＬＮＥＴのセルフアライン光導波路が形成される。
【００１９】  材料としては，例えば，ＰＲＩ材料は，日産化学工業製の有機／無機ゾルゲル材料ＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴ，Ｎｏｒｌａｎｄ社製の光学接着剤ＮＯＡシリーズ，その他各種感光性材料など，増感材料はｃｒｙｓｔａｌ  ｖｉｏｌｅｔ（ＣＶ），ｂｒｉｌｌｉａｎｔ  ｇｒｅｅｎ（ＢＧ）などの色素，また，発光物質は，クマリン系やスチルベン系などの有機材料，ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（Ａｌｑ３）などの有機金属錯体，その他各種材料を用いることができる．
【００２０】  上記のＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉ，ＩＩ，およびＩＩＩにおいて，発光性ターゲットおよび波長フィルタは，通常，光デバイス作製プロセスの一環として，フォトリソグラフィーを用いて光デバイス活性部に選択的に形成することができる。本発明では，さらに簡便な作製プロセスを提供する。
【００２１】  図５（ａ）は発光性ターゲット作製プロセスの例である。光導波路をもつ光デバイス２０の端面に，コア２１を覆うように感光性の発光物質添加材料２２をディッピング法などでコーティングする。コアを通して光２３を照射し，コア部にある感光性の発光物質添加材料を選択的に硬化させる。有機溶剤などにより，未露光部分を除去し，硬化部２４を残す．これが発光性ターゲット２５となる．図５（ｂ）は波長フィルタ作製プロセスの例である。光導波路をもつ光デバイス２０の端面に，コア２１を覆うようにフォトレジスト２６をディッピング法などでコーティングする。コアを通して光を照射し，コア部にあるフォトレジストを選択的に露光し，露光部２７を現像液などでエッチングし，窓とする。つぎに，誘電体多層膜などの波長フィルタ膜２８をデポした後，周りのフォトレジストをリフトオフプロセスにより除去して，波長フィルタ２９が得られる。以上のような，光デバイスの活性部に蛍光体ターゲットや波長フィルタを形成する手法は，ＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩのみならず，従来のＲ−ＳＯＬＮＥＴ  ｗｉｔｈ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｔａｒｇｅｔやＲ−ＳＯＬＮＥＴ  ｗｉｔｈ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｆｉｌｔｅｒにも適用することができる。また，上記のようなプロセスは，導波路コアを通した光のかわりに，発光デバイスからの発光そのものを用いて実行することもできる．
【００２２】  具体的な実施例を以下に記す。光デバイス１および２として，マルチモード光ファイバを用いる．ＰＲＩ材料にはＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴを用いる。また，発光性ターゲットには，Ｃｏｕｍａｒｉｎ４８１を添加したＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴを用いる。一方の光ファイバ（ファイバＢ）の端面に，Ｃｏｕｍａｒｉｎ４８１を添加したＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴをディッピングによりコーティングする。光ファイバの反対側から高圧水銀灯の光をコアに入射させ，伝搬した光によりコアの位置にあるＣｏｕｍａｒｉｎ４８１添加のＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴを硬化させる。有機溶媒により未露光部分を除去し，発光性ターゲットを形成する。光ファイバＢともう一方の光ファイバ（ファイバＡ）を対向させてＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴ中に配置し，ファイバＡから波長４４８ｎｍの光を出射させた結果，光ファイバＡのコアと光ファイバＢのコアを結ぶＳＯＬＮＥＴのセルフアライン光導波路が形成された。２つのファイバ間の結合効率は９５％以上であった。ＰＬ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉ，ＩＩ，およびＩＩＩについても，４４８ｎｍの光を励起光として用いることにより，同様の材料・プロセスを適用することができる。
【００２３】  ＳＯＬＮＥＴを固定化するためには，ＳＯＬＮＥＴコア周辺のＰＲＩ材料を有機溶剤などで除去する。ＳＯＬＮＥＴコアの硬化が不十分な場合は，ポストベークや露光により，硬化を進める。さらにＳＯＬＮＥＴコアをクラッド材料で覆うこともできる。
【００２４】  ＰＬ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩでは，図４に示すようなスペクトルの位置関係で実施することがより望ましい。そのために，増感色素などをＰＲＩ材料に添加し，ＰＲＩ材料の増感を行うことが有効である。具体的な実施例を以下に記す。光デバイス１および２として，マルチモード光ファイバを用いる．ＰＲＩ材料にはＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴを用いる。また，発光性ターゲットには，Ｃｏｕｍａｒｉｎ４８１を添加したＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴを用いる。一方の光ファイバ（ファイバＢ）の端面に，Ｃｏｕｍａｒｉｎ４８１を添加したＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴをディッピングによりコーティングする。光ファイバの反対側から高圧水銀灯の光をコアに入射させ，伝搬した光によりコアの位置にあるＣｏｕｍａｒｉｎ４８１添加のＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴを硬化させる。有機溶媒により未露光部分を除去し，発光性ターゲットを形成する。光ファイバＢともう一方の光ファイバ（ファイバＡ）を対向させてＣＶを０．１ｗｔ％添加したＳＵＮＣＯＮＮＥＣＴ中に配置し，ファイバＡから波長４４８ｎｍの光を出射させた結果，光ファイバＡのコアと光ファイバＢのコアを結ぶＳＯＬＮＥＴのセルフアライン光導波路が形成された。ＰＬ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉ，ＩＩ，およびＩＩＩについても同様の材料・プロセスを適用することができる。
【００２５】  具体的なもう一つの実施例を以下に記す。光デバイス１および２として，マルチモード光ファイバを用いる．ＰＲＩ材料にはＮＯＲＬＡＮＤ社の光学接着剤ＮＯＡ８１とＮＯＡ６５を重量比２：１で混合した材料を用いる。この中に，増感分子として，ＣＶ０．１ｗｔ％を添加した。Ａｌｑ３からなる発光性ターゲットを光ファイバＢの端面に形成した。光ファイバＡと光ファイバＢを対向させてＰＲＩ材料中に配置し，ファイバＡから波長４０５ｎｍの光を出射させた結果，光ファイバＡとＢを結ぶＳＯＬＮＥＴのセルフアライン光導波路が形成された。
【００２６】  上記のような多成分系のＰＲＩ材料を用いた場合は，そのまま全面露光，ベーキングなどによりＳＯＬＮＥＴを固定化できる。場合によっては，ＳＯＬＮＥＴコア周辺のＰＲＩ材料を有機溶剤などで除去する。ＳＯＬＮＥＴコアの硬化が不十分な場合は，ポストベークや露光により，硬化を進める。さらにＳＯＬＮＥＴコアをクラッド材料で覆うこともできる。
【００２７】  図６は，光デバイス活性部の発光性ターゲット，波長フィルタのかわりに，コア反対側に発光体１２，波長フィルタ１３，あるいは反射体１４を置いて代用させた例である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】  従来型のＲｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ＳＯＬＮＥＴ（Ｒ−ＳＯＬＮＥＴ）ｗｉｔｈ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｔａｒｇｅｔの原理図である。
【図２】  ＰＲＩ材料の感度スペクトルの一例である。
【図３】  （ａ）本発明によるＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉの原理図である。（ｂ）本発明によるＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  ＩＩの原理図である。（ｃ）本発明によるＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  ＩＩＩの原理図である。
【図４】  本発明によるＬＡ−ＳＯＬＮＥＴ  Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩに用いるＰＲＩ材料の感度スペクトル，発光体の光吸収スペクトル・発光スペクトルの望ましい形の一例を表す模式図である。
【図５】  （ａ）本発明による，発光性ターゲット作製プロセスの例である。（ｂ）本発明による，波長フィルタ作製プロセスの例である。
【図６】  本発明による，発光性ターゲット，波長フィルタのかわりに，コア反対側に発光体，波長フィルタ，反射体を置いて代用させた例である。
【符号の説明】  光デバイス１，光デバイス２，ＰＲＩ材料３，発光性ターゲット４，書込み光５，ルミネッセンス６，ＳＯＬＮＥＴ７，励起光８，波長フィルタ９，反射光１０，発光物質添加ＰＲＩ材料１１，発光体１２，波長フィルタ１３，反射体１４，光デバイス２０，コア２１，発光物質添加材料２２，光２３，硬化部２４，発光性ターゲット２５，フォトレジスト２６，露光部２７，波長フィルタ膜２８，波長フィルタ２９
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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