(57)【要約】【課題】高周波増幅器を冷却するための冷媒の温度による影響を抑制することができる磁気共鳴イメージング装置を提供することである。【解決手段】磁気共鳴イメージング装置は、高周波増幅器と、検出部と、補正部とを備える。高周波増幅器は、入力された高周波信号を増幅して、被検体に高周波磁場を印加する送信コイルに出力する。検出部は、前記高周波増幅器に供給される冷媒の温度又は前記高周波増幅器から排出される冷媒の温度を検出する。補正部は、前記検出部によって検出された温度に応じて、前記高周波増幅器に入力される高周波信号の入力レベルを補正する。【選択図】図３
2015029857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された高周波信号を増幅して、被検体に高周波磁場を印加する送信コイルに出力する高周波増幅器と、
前記高周波増幅器に供給される冷媒の温度又は前記高周波増幅器から排出される冷媒の温度を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された温度に応じて、前記高周波増幅器に入力される高周波信号の入力レベルを補正する補正部と
を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
温度と、前記高周波信号の入力レベルを補正する補正値とを対応付けて記憶する記憶部を更に備え、
前記補正部は、前記記憶部を参照して、前記検出部によって検出された温度に対応する補正値を取得し、取得した補正値を前記高周波増幅器に入力される高周波信号の入力レベルに加算することで、当該入力レベルを補正することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記補正部は、温度と、前記高周波信号の入力レベルを補正する補正値との関係を表す関数を用いて、前記検出部によって検出された温度に対応する補正値を算出し、算出した補正値を前記高周波増幅器に入力される高周波信号の入力レベルに加算することで、当該入力レベルを補正することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気共鳴イメージング装置では、被検体に高周波磁場を印加する送信コイルに供給される高周波信号を増幅するために、高周波増幅器が用いられている。高周波増幅器は、入力された高周波信号を増幅して送信コイルに出力する。この高周波増幅器は、一般的に、発熱量が大きいため、チラーから冷媒が供給されることで冷却される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１１０５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、高周波増幅器から出力される高周波信号の出力レベルを安定させることができる磁気共鳴イメージング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ：Magnetic  Resonance  Imaging）装置は、高周波増幅器と、検出部と、補正部とを備える。高周波増幅器は、入力された高周波信号を増幅して、被検体に高周波磁場を印加する送信コイルに出力する。検出部は、前記高周波増幅器に供給される冷媒の温度又は前記高周波増幅器から排出される冷媒の温度を検出する。補正部は、前記検出部によって検出された温度に応じて、前記高周波増幅器に入力される高周波信号の入力レベルを補正する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、冷媒の温度と高周波信号の出力レベルとの関係の一例を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る送信部の詳細な構成例を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る補正値記憶部に記憶される情報の一例を示す図である。
【図５】図５は、補正値の決定方法について説明するための図である。
【図６】図６は、第１の実施形態に係る補正部の処理を説明するための図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置における処理の流れを示すフローチャートである。
【図８】図８は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置を説明する。
【０００８】
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置の構成例を示す図である。図１に示すように、ＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１、傾斜磁場コイル２、傾斜磁場電源３、寝台４、寝台制御部５、送信コイル６、送信部７、受信コイル８、受信部９、シーケンス制御部１０、及び計算機システム２０を備える。
【０００９】
静磁場磁石１は、中空の円筒形状に形成された磁石であり、内部の空間に一様な静磁場を発生する。この静磁場磁石１としては、例えば永久磁石、超伝導磁石等が使用される。
【００１０】
傾斜磁場コイル２は、中空の円筒形状に形成されたコイルであり、静磁場磁石１の内側に配置される。この傾斜磁場コイル２は、互いに直交するＸ，Ｙ，Ｚの各軸に対応する３つのコイルが組み合わされて形成されており、これら３つのコイルは、後述する傾斜磁場電源３から個別に電流供給を受けて、Ｘ，Ｙ，Ｚの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生させる。なお、Ｚ軸方向は、静磁場と同方向とする。傾斜磁場電源３は、傾斜磁場コイル２に電流を供給する。
【００１１】
ここで、傾斜磁場コイル２によって発生するＸ，Ｙ，Ｚ各軸の傾斜磁場は、例えば、スライス選択用傾斜磁場Ｇｓ、位相エンコード用傾斜磁場Ｇｅ及びリードアウト用傾斜磁場Ｇｒにそれぞれ対応する。スライス選択用傾斜磁場Ｇｓは、任意に撮像断面を決めるために利用される。位相エンコード用傾斜磁場Ｇｅは、空間的位置に応じて磁気共鳴信号の位相を変化させるために利用される。リードアウト用傾斜磁場Ｇｒは、空間的位置に応じて磁気共鳴信号の周波数を変化させるために利用される。
【００１２】
寝台４は、被検体Ｐが載置される天板４ａを備え、後述する寝台制御部５による制御のもと、被検体Ｐが載置された状態で天板４ａを傾斜磁場コイル２の空洞（撮像口）内へ挿入する。通常、この寝台４は、長手方向が静磁場磁石１の中心軸と平行になるように設置される。寝台制御部５は、制御部２６による制御のもと、寝台４を制御する装置であり、寝台４を駆動して、天板４ａを長手方向及び上下方向へ移動する。
【００１３】
送信コイル６は、傾斜磁場コイル２の内側に配置され、送信部７から高周波信号（ＲＦ（Radio  Frequency）信号）の供給を受けて、被検体Ｐに高周波磁場を印加する。
【００１４】
送信部７は、シーケンス制御部１０による制御のもと、ラーモア周波数に対応する高周波信号を送信コイル６に送信する。なお、送信部７の詳細な構成については、後述する。
【００１５】
受信コイル８は、被検体Ｐに装着されて、高周波磁場の影響によって被検体Ｐから放射される磁気共鳴信号を受信する。この受信コイル８は、磁気共鳴信号を受信すると、その磁気共鳴信号を受信部９へ出力する。
【００１６】
受信部９は、シーケンス制御部１０による制御のもと、受信コイル８から出力される磁気共鳴信号をＡ／Ｄ（Analog-to-Digital）変換することで、生データを生成する。具体的には、受信部９は、選択器や前段増幅器、位相検波器、アナログデジタル変換器などを含む。選択器は、受信コイル８から出力される磁気共鳴信号を選択的に入力する。前段増幅器は、選択器から出力される磁気共鳴信号を増幅する。位相検波器は、前段増幅器から出力される磁気共鳴信号の位相を検波する。アナログデジタル変換器は、位相検波器から出力される信号をデジタル信号に変換する。
【００１７】
ここで、受信部９によって生成される生データには、前述したスライス選択用傾斜磁場Ｇｓ、位相エンコード用傾斜磁場Ｇｅ及びリードアウト用傾斜磁場Ｇｒによって、ｋ空間におけるＰＥ（Phase  Encode）方向、ＲＯ（Read  Out）方向、ＳＥ（Slice  Encode）方向の位置を示す成分がエンコードされる。
【００１８】
シーケンス制御部１０は、計算機システム２０から送信されるシーケンス実行データにしたがって傾斜磁場電源３、送信部７及び受信部９を駆動することによって、被検体Ｐの画像を生成するためのデータ収集を行う。ここで、シーケンス実行データとは、被検体Ｐから生データを収集するためのパルスシーケンスを定義する情報である。具体的には、シーケンス実行データは、傾斜磁場電源３が傾斜磁場コイル２に供給する電源の強さや電源を供給するタイミング、送信部７が送信コイル６に送信する高周波信号のレベルや高周波信号を送信するタイミング、受信部９が磁気共鳴信号を検出するタイミングなど、データ収集を行うための手順を定義した情報である。
【００１９】
なお、シーケンス制御部１０は、傾斜磁場電源３、送信部７及び受信部９を駆動して被検体Ｐをスキャンした結果、受信部９から生データが送信されると、その生データを計算機システム２０へ転送する。
【００２０】
計算機システム２０は、ＭＲＩ装置１００の全体制御を行う。例えば、計算機システム２０は、上述した各部を駆動することで、データ収集や画像再構成などを行う。この計算機システム２０は、インタフェース部２１、画像再構成部２２、記憶部２３、入力部２４、表示部２５、及び制御部２６を有する。
【００２１】
インタフェース部２１は、計算機システム２０とシーケンス制御部１０との間でやり取りされる各種信号の送受信を制御する。例えば、このインタフェース部２１は、制御部２６によって生成されるシーケンス実行データをシーケンス制御部１０に送信する。また、インタフェース部２１は、シーケンス制御部１０から生データを受信し、受信した生データを被検体Ｐごとに記憶部２３に格納する。
【００２２】
画像再構成部２２は、記憶部２３によって記憶された生データに対して後処理すなわちフーリエ変換等の再構成処理を施すことで、被検体Ｐ内における所望核スピンのスペクトラムデータや画像データを生成する。また、画像再構成部２２は、生成したスペクトラムデータや画像データを記憶部２３に格納する。
【００２３】
記憶部２３は、後述する制御部２６によって実行される処理に必要な各種データや各種プログラムなどを記憶する。例えば、記憶部２３は、インタフェース部２１によって受信された生データや、画像再構成部２２によって生成されたスペクトラムデータや画像データなどを、被検体Ｐごとに記憶する。この記憶部２３は、例えば、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、フラッシュメモリ（flash  memory）などの半導体メモリ素子や、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置である。
【００２４】
入力部２４は、操作者からの各種指示や情報入力を受け付ける。この入力部２４としては、マウスやトラックボールなどのポインティングデバイス、モード切替スイッチ等の選択デバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスを適宜に利用可能である。
【００２５】
表示部２５は、制御部２６による制御のもと、スペクトラムデータあるいは画像データ等の各種の情報を表示する。この表示部２５としては、液晶表示器などの表示デバイスを利用可能である。
【００２６】
制御部２６は、図示していないＣＰＵ（Central  Processing  Unit）やメモリ等を有し、ＭＲＩ装置１００の全体制御を行う。具体的には、この制御部２６は、入力部２４を介して操作者から受け付けられた各種指示に基づいてシーケンス実行データを生成し、生成したシーケンス実行データをシーケンス制御部１０に送信することによってスキャンを制御したり、スキャンの結果としてシーケンス制御部１０から送られる生データに基づいて行われる画像の再構成を制御したりする。
【００２７】
以上、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００の構成例について説明した。このような構成のもと、ＭＲＩ装置１００は、高周波増幅器から出力される高周波信号の出力レベルを安定させることができる。
【００２８】
ここで、高周波増幅器について説明する。高周波増幅器は、送信部７の内部に設けられるデバイスの一つであり、送信部７において生成された高周波信号が入力されると、これを増幅して送信コイル６に出力する。この高周波増幅器は、一般的に、発熱量が大きいため、チラーから冷媒（例えば、冷却水）が供給されることで冷却されるが、供給される冷媒の温度によって内部素子の効率が変化し、出力される高周波信号の出力レベルが変動する場合があった。具体的には、冷媒の温度が低くなると、高周波増幅器から出力される高周波信号の出力レベルは大きくなり、冷媒の温度が高くなると、高周波増幅器から出力される高周波信号の出力レベルは小さくなる。
【００２９】
図２は、高周波増幅器に供給される冷媒の温度と高周波信号の出力レベルとの関係の一例を示す図である。図２において、横軸は、冷媒の温度［℃］を示し、縦軸は、高周波増幅器から出力される高周波信号の出力レベル［ｄＢｍ］を示す。なお、冷媒の温度は、高周波増幅器のカプラにおいて測定された冷媒の温度である。
【００３０】
図２に示すように、例えば、冷媒の温度が２０℃から２５℃に上昇すると、高周波増幅器の出力レベルは８０ｄＢｍから７９．５ｄＢｍに減少する。また、冷媒の温度が２０℃から１５℃に低下すると、高周波増幅器の出力レベルは８０ｄＢｍから８０．５ｄＢｍに増加する。このように、冷媒の温度と出力レベルとの間には相関がある。
【００３１】
ここで、高周波増幅器から出力される高周波信号の出力レベルを一定に保つために、チラーから供給される冷媒の温度を一定に保つことが考えられる。しかしながら、一般的に、チラーは高周波増幅器から離れた場所にあるため、温度を一定に保つことは困難である。例えば、高周波増幅器付近の温度が十分に冷えていたとしても、チラー付近の温度が上がっていれば、チラーは冷却を行うので、温度を一定に保つことは困難である。また、チラーの性能はＭＲＩ装置１００が設置される施設ごとに異なるため、あらゆる施設で冷媒の温度を一定に保つことは困難である。
【００３２】
そこで、本実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、高周波増幅器に供給される冷媒の温度に応じて、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを補正することで、高周波増幅器を冷却するための冷媒の温度による影響を抑制することができる。以下では、本実施形態に係るＭＲＩ装置１００の構成についてより詳細に説明する。
【００３３】
図３は、第１の実施形態に係る送信部７の詳細な構成例を示す図である。図３に示すように、送信部７は、補正値記憶部７１、検出部７２、送信制御部７３、生成部７４、及び高周波増幅器７５を備える。
【００３４】
補正値記憶部７１は、高周波増幅器７５に供給される冷媒の温度と、その温度における高周波信号の入力レベルを補正する補正値とを対応付けて記憶する。例えば、補正値記憶部７１は、後述の補正部７３ａによって参照される。また、補正値記憶部７１によって記憶される補正値は、ＭＲＩ装置１００の操作者、或いはＭＲＩ装置１００を設置する設置者によって予め登録される。
【００３５】
図４は、第１の実施形態に係る補正値記憶部７１に記憶される情報の一例を示す図である。図４に示すように、補正値記憶部７１は、温度と、補正値とが対応付けられた情報を記憶する。このうち、温度は、高周波増幅器７５に供給される冷媒の温度を示し、例えば、後述の検出部７２によって検出される温度である。また、補正値は、該当する冷媒の温度において、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを補正する値である。
【００３６】
図４に示すように、補正値記憶部７１は、温度「１５」と、補正値「−０．５」とが対応付けられた情報を記憶する。つまり、補正値記憶部７１は、検出部７２によって検出された冷媒の温度が１５℃であれば、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルに−０．５ｄＢｍを加算することを記憶する。また、補正値記憶部７１は、温度「１６」と、補正値「−０．４」とが対応付けられた情報を記憶する。つまり、補正値記憶部７１は、検出部７２によって検出された冷媒の温度が１６℃であれば、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルに−０．４ｄＢｍを加算することを記憶する。また、補正値記憶部７１は、温度「１７」と、補正値「−０．３」とが対応付けられた情報を記憶する。つまり、補正値記憶部７１は、検出部７２によって検出された冷媒の温度が１７℃であれば、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルに−０．３ｄＢｍを加算することを記憶する。また、補正値記憶部７１は、他の温度についても同様に、温度と、補正値とが対応付けられた情報を記憶する。
【００３７】
なお、図４の例では、補正値記憶部７１が、１５℃から２５℃までの範囲内で１℃ごとに補正値を記憶する場合を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、補正値記憶部７１は、ＭＲＩ装置１００が設置される施設において、チラーから供給される冷媒の温度が１０℃〜３０℃であれば、この範囲内の温度に対応する補正値を記憶しても良い。また、補正値記憶部７１は、０．５℃ごと、或いは２℃ごとに、補正値を記憶しても良い。また、補正値記憶部７１に記憶される補正値は、高周波増幅器７５の性能や冷媒の種類、或いはその他の環境条件等に応じて変更されて良い。
【００３８】
ここで、補正値の決定方法について説明する。図５は、補正値の決定方法について説明するための図である。図５には、高周波増幅器に供給される冷媒の温度Ｔと、高周波信号の出力レベルＹとの関係を例示する。図５において、横軸は、冷媒の温度［℃］を示し、縦軸は、高周波信号の出力レベル［ｄＢｍ］を示す。なお、図５において、Ｔ１＜Ｔ２である。
【００３９】
図５に示すように、冷媒の温度がＴ１〜Ｔ２の場合に、冷媒の温度Ｔと高周波信号の出力レベルＹとの間に相関があるとすると、出力レベルＹは近似式「Ｙ＝Ｆ（Ｔ）」で表すことができる。ここで、Ｔ１とＴ２の平均値（Ｔ１＋Ｔ２）／２を基準の温度とし、この温度からの差分を用いて補正値を決定する。すなわち、温度Ｔのときの補正値Ｃは、下記の式（１）で表すことができる。
【００４０】
Ｃ＝Ｆ｛（Ｔ１＋Ｔ２）／２｝−Ｆ（Ｔ）・・・（１）
【００４１】
例えば、ＭＲＩ装置１００の据付時において、一定時間、冷媒の温度の変動と出力レベルとの間の関係を測定した場合に、図２の関係が得られた場合を説明する。この場合、基準の温度は、「１５＋２５／２＝２０」より、２０℃である。このため、例えば、冷媒の温度が１５℃の場合の補正値は、「８０−８０．５」より、−０．５と算出される。また、冷媒の温度が２５℃の場合の補正値は、「８０−７９．５」より、０．５と算出される。このように、補正値は、例えば、ＭＲＩ装置１００の据付時に、ＭＲＩ装置１００が設置される施設における冷媒の温度の変動と、出力レベルとの間の関係を測定した上で、決定される。
【００４２】
図３の説明に戻る。検出部７２は、高周波増幅器７５に供給される冷媒の温度を検出する。例えば、検出部７２は、高周波増幅器７５に冷媒を供給するカプラ７５ａに設置された温度センサから、そのカプラ７５ａにおける現在の冷媒の温度を検出する。この冷媒は、例えば、ＭＲＩ装置１００から離れた場所に設置されたチラー２００から供給される。検出部７２は、検出した現在の冷媒の温度を後述の補正部７３ａに出力する。
【００４３】
送信制御部７３は、波形情報を生成部７４に送る。この波形情報は、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを示すデジタルデータである。
【００４４】
例えば、送信制御部７３は、シーケンサ制御部１０から送信指示を受け付ける。この送信指示は、高周波信号を送信コイル６に送信するタイミングと、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルとを含む。送信制御部７３は、高周波信号を送信コイル６に送信するタイミングになると、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを波形情報として生成部７４に送る。
【００４５】
また、第１の実施形態に係る送信制御部７３は、補正部７３ａを有する。補正部７３ａは、検出部７２によって検出された温度に応じて、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを補正する。
【００４６】
例えば、補正部７３ａは、高周波信号を送信コイル６に送信するタイミングになると、補正値記憶部７１を参照し、検出部７２によって検出された現在の冷媒の温度に対応する補正値を取得する。そして、補正部７３ａは、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルと、取得した補正値とを加算することで、高周波信号の入力レベルを補正する。
【００４７】
図６は、第１の実施形態に係る補正部７３ａの処理を説明するための図である。図６には、冷媒の温度と、補正後の入力レベルである補正入力レベルとの関係を例示する。図６において、横軸は、冷媒の温度［℃］を示し、縦軸は、補正入力レベル［ｄＢｍ］を示す。なお、図６に示す例では、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルは、１０ｄＢｍである。
【００４８】
図６に示すように、補正部７３ａは、検出部７２から取得した冷媒の温度が１５℃であれば、補正値記憶部７１を参照し、補正値「−０．５」を取得する。そして、補正部７３ａは、「１０＋（−０．５）」より、補正入力レベル「９．５」を算出する。そして、補正部７３ａは、算出した補正入力レベル「９．５」を示すデジタルデータを波形情報として生成部７４に送る。
【００４９】
また、例えば、補正部７３ａは、検出部７２から取得した冷媒の温度が２５℃であれば、補正値記憶部７１を参照し、補正値「０．５」を取得する。そして、補正部７３ａは、「１０＋０．５」より、補正入力レベル「１０．５」を算出する。そして、補正部７３ａは、算出した補正入力レベル「１０．５」を示すデジタルデータを波形情報として生成部７４に送る。
【００５０】
このように、補正部７３ａは、冷媒の温度に応じて、高周波信号の入力レベルを補正する。すなわち、第１の実施形態に係る送信制御部７３は、補正部７３ａによって補正された補正入力レベルのデジタルデータを、波形情報として生成部７４に送る。この結果、高周波増幅器７５には、補正部７３ａによって補正された補正入力レベルの高周波信号が入力されることとなる。
【００５１】
生成部７４は、例えば、波形情報をＤ／Ａ（Digital-to-Analog）変換することで、アナログの高周波信号を生成する。ここで、生成される高周波信号のレベルは、補正部７３ａによって補正された補正入力レベルに対応する。例えば、生成部７４は、補正入力レベル「１０ｄＢｍ」の波形情報を送信制御部７３から受け付けると、これをＤ／Ａ変換することで１０ｄＢｍの高周波信号を生成する。そして、生成部７４は、生成した高周波信号を高周波増幅器７５に出力する。
【００５２】
高周波増幅器７５は、送信コイル６に供給される高周波信号が入力され、高周波信号を増幅して出力する。例えば、高周波増幅器７５は、生成部７４によって生成された高周波信号にゲインを加算することで高周波信号を増幅し、増幅した高周波信号を送信コイル６へ出力する。なお、ゲインは、高周波増幅器７５において高周波信号が増幅される値であり、例えば、操作者又は設置者によって予め設定される。
【００５３】
ここで、２０℃における高周波増幅器７５のゲインが７０ｄＢｍである場合を説明する。高周波増幅器７５は、１０ｄＢｍの高周波信号が生成部７４によって入力されると、冷媒の温度が２０℃であれば、入力された高周波信号を８０ｄＢｍに増幅する。そして、高周波増幅器７５は、増幅した高周波信号を送信コイル６へ出力する。
【００５４】
図７は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００における処理の流れを示すフローチャートである。図７に示すように、補正部７３ａは、シーケンサ制御部１０から送信指示を受け付けると（ステップＳ１０１肯定）、現在の冷媒の温度を検出部７２から取得する（ステップＳ１０２）。そして、補正部７３ａは、補正値記憶部７１を参照し、取得した冷媒の温度に対応する補正値を取得する（ステップＳ１０３）。なお、補正部７３ａは、シーケンサ制御部１０から送信指示を受け付けるまで（ステップＳ１０１否定）、待機状態である。
【００５５】
続いて、補正部７３ａは、取得した補正値を用いて、高周波信号の入力レベルを補正する（ステップＳ１０４）。例えば、補正部７３ａは、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルと、取得した補正値とを加算することで、高周波信号の入力レベルを補正する。この結果、送信制御部７３は、補正部７３ａによって補正された補正入力レベルのデジタルデータを、波形情報として生成部７４に送る。
【００５６】
そして、生成部７４は、ＲＦ波形情報をＤ／Ａ変換することで、高周波信号を生成する（ステップＳ１０５）。そして、高周波増幅器７５は、生成部７４によって生成された高周波信号にゲインを加算することで、高周波信号を増幅する（ステップＳ１０６）。そして、高周波増幅器７５は、増幅した高周波信号を送信コイル６に出力する（ステップＳ１０７）。
【００５７】
上述してきたように、本実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、冷媒の温度に応じて、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを補正する。このため、ＭＲＩ装置１００は、高周波増幅器を冷却するための冷媒の温度による影響を抑制することができる。
【００５８】
図８は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００の効果を説明するための図である。図８には、温度［℃］、入力レベル［ｄＢｍ］、補正値［ｄＢｍ］、補正入力レベル［ｄＢｍ］、ゲイン［ｄＢ］、及び出力レベル［ｄＢｍ］の関係を示す。なお、図８において、温度は、例えば、高周波増幅器７５のカプラ７５ａにおいて測定された冷媒の温度を示す。入力レベルは、高周波増幅器７５に入力される高周波信号のレベルを示す。補正値は、図４に例示の補正値記憶部７１に記憶された、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを補正する値である。補正入力レベルは、補正部７３ａによって補正された高周波信号の入力レベルを示す。ゲインは、高周波増幅器７５において高周波信号が増幅される値を示す。出力レベルは、高周波増幅器７５から出力される高周波信号のレベルを示す。なお、図８では、２０℃における高周波増幅器７５のゲインが７０［ｄＢ］である場合を例示する。また、図８では、入力レベルが１０ｄＢｍである場合を例示する。
【００５９】
図８に示す例では、ＭＲＩ装置１００は、冷媒の温度が２０℃である場合に、１０ｄＢｍの高周波信号が入力されると、この高周波信号に７０ｄＢｍを加算することで、送信コイル６に８０ｄＢｍの高周波信号が供給される。このとき、補正は不要であるので、補正値は０ｄＢｍである。
【００６０】
一方、ＭＲＩ装置１００は、冷媒の温度が１５℃である場合には、１０ｄＢｍの高周波信号に補正値−０．５ｄＢｍを加算して、補正入力レベル９．５ｄＢｍの高周波信号を高周波増幅器７５に入力する。このとき、高周波増幅器７５におけるゲインは７０．５ｄＢｍであるので、結果として、送信コイル６に８０ｄＢｍの高周波信号が供給される。
【００６１】
また、ＭＲＩ装置１００は、冷媒の温度が２５℃である場合には、１０ｄＢｍの高周波信号に補正値０．５ｄＢｍを加算して、補正入力レベル１０．５ｄＢｍの高周波信号を高周波増幅器７５に入力する。このとき、高周波増幅器７５におけるゲインは６９．５ｄＢｍであるので、結果として、送信コイル６に８０ｄＢｍの高周波信号が供給される。
【００６２】
このように、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、冷媒の温度に応じて、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを補正するので、高周波増幅器を冷却するための冷媒の温度による影響を抑制することができる。この結果、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、冷媒の温度が変動しても所望のフリップ角を得ることができるので、例えば、高コントラストのＭＲ画像を生成することが可能となる。
【００６３】
なお、上述した補正値記憶部７１は、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリなどの半導体メモリ素子や、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置である。また、上述した検出部７２及び補正部７３ａは、例えば、ＣＰＵ及び当該ＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現される。
【００６４】
（他の実施形態）
なお、上記の実施形態では、高周波増幅器７５に供給される冷媒の温度を検出する場合を説明したが、実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、ＭＲＩ装置１００において、検出部７２は、高周波増幅器から排出される冷媒の温度を検出しても良い。この場合、補正部７３ａは、検出部７２によって検出された、高周波増幅器から排出される冷媒の温度に応じて、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルを補正する。
【００６５】
また、上記の実施形態では、補正値記憶部７１が、冷媒の温度と補正値とを対応付けて記憶する場合を説明したが、実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、補正部７３ａは、冷媒の温度と、その温度において高周波信号の入力レベルを補正する補正値との関係を表す関数を用いて、補正値を算出しても良い。なお、この場合、送信部７は、補正値記憶部７１を備えていなくても良い。
【００６６】
具体的には、ＭＲＩ装置１００において、補正部７３ａは、検出部７２によって検出された温度を関数に入力することで、その温度に対応する補正値を算出する。そして、補正部７３ａは、算出した補正値と、高周波増幅器７５に入力される高周波信号の入力レベルとを加算することで、高周波信号の入力レベルを補正する。
【００６７】
以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、高周波増幅器を冷却するための冷媒の温度による影響を抑制することができる。
【００６８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６９】
１００  ＭＲＩ装置
７      送信部
７１    補正値記憶部
７２    検出部
７３    送信制御部
７３ａ  補正部
７５    高周波増幅器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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