(57)【要約】【課題】フレア成分を抑制することができるようにする。【解決手段】固体撮像装置は、絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備える。絶縁構造体は、シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている。本開示の技術は、例えば、裏面照射型の固体撮像装置等に適用できる。【選択図】図６
2015029047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている
固体撮像装置。
【請求項２】
前記絶縁構造体は、電極パッド部の周囲に配置されたパッド周辺ガードリングである
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記絶縁構造体は、スクライブ領域の側部に配置されたチップ周辺ガードリングである
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記絶縁構造体は、反射防止膜に利用される材料、シリコン化合物、オンチップレンズに利用される共重合系の樹脂材料、または、エアギャップの少なくとも一つで形成されている
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
少なくともフォトダイオードが形成されている第１の半導体基板と、少なくともロジック回路が形成されている第２の半導体基板とを貼り合わせて形成された積層型の固体撮像装置である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記絶縁構造体は、受光面側の前記第１の半導体基板を貫通し、前記第２の半導体基板の配線層に接続するまで掘り込まれている
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記絶縁構造体は、受光面側の前記第１の半導体基板を貫通し、前記第２の半導体基板のシリコン層に接続するまで掘り込まれている
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
２つの前記絶縁構造体を有し、
２つの前記接続構造体の間に充填された接続導体が、前記第１の半導体基板の配線層と前記第２の半導体基板の配線層のいずれとも接続されるシェアコンタクト構造を有する
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
支持基板に前記シリコン層が形成された半導体基板を貼り合わせた裏面照射型の固体撮像装置である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記絶縁構造体は、前記半導体基板の前記シリコン層の下の複数の配線層のうちの最下層に接続するまで掘り込まれている
請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記絶縁構造体と接続されている配線層は、孤立されている
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
第１の基板と、フォトダイオードが形成されているシリコン層を含む第２の基板を貼り合わせた後、
前記第２の基板の受光面側から、少なくとも前記シリコン層の深さまで縦方向に掘り込み、開口された部分に、絶縁性の物質を充填する
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている
固体撮像装置
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、フレア成分を抑制することができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造工程には、ウエハ上に複数の半導体チップを形成した後、半導体チップの周囲に設けられたスクライブ領域に沿ってブレードでダイシングすることによって、個々の半導体チップに分割する工程がある。このような工程では、ダイシング時に生じるチッピングを抑制する必要がある。
【０００３】
また、半導体チップ内に形成された電極パッドにワイヤーボンディングする際や、検査工程において電極パッドにプローブする際に、誤って側壁に接触してもリークやダメージが発生しない構造とする必要がある。
【０００４】
そこで、ブレードによるダイシング時に生じるチッピングを抑制したり、ワイヤーボンディング時やプローブ時のリークやダメージを抑制するために、各種のガードリング（防止壁）を設けた固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１乃至７参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１７８４９６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１１４２６１号公報
【特許文献３】特開２０１２−２３１０２７号公報
【特許文献４】特開２０１０−２１９４２５号公報
【特許文献５】特開２０１０−２１２７３５号公報
【特許文献６】特開２０１０−１０９１３７号公報
【特許文献７】特開２００７−３２４６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術では、ガードリングの埋め込み材料として、金属材料が使用されており、ボンディングダメージによりクラックが入ってしまうと、金属が拡散してしまい、信頼性の低下が懸念される。また、特許文献２乃至７の技術では、その製造工程上、ガードリングの形状が、光入射面側から深くなるに従って径が徐々に大きくなる逆テーパ形状となっているため、入射光がガードリングに反射して、フレアが悪化する。
【０００７】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、フレア成分を抑制することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の第１の側面の固体撮像装置は、絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている。
【０００９】
本開示の第２の側面の固体撮像装置の製造方法は、第１の基板と、フォトダイオードが形成されているシリコン層を含む第２の基板を貼り合わせた後、前記第２の基板の受光面側から、少なくとも前記シリコン層の深さまで縦方向に掘り込み、開口された部分に、絶縁性の物質を充填する。
【００１０】
本開示の第３の側面の電子機器は、絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている固体撮像装置を備える。
【００１１】
本開示の第１及び第３の側面においては、絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体が設けられ、前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状とされている。
【００１２】
本開示の第２の側面においては、第１の基板と、フォトダイオードが形成されているシリコン層を含む第２の基板が貼り合わせられた後、前記第２の基板の受光面側から、少なくとも前記シリコン層の深さまで縦方向に掘り込み、開口された部分に、絶縁性の物質が充填される。
【００１３】
固体撮像装置及び電子機器は、独立した装置であっても良いし、他の装置に組み込まれるモジュールであっても良い。
【発明の効果】
【００１４】
本開示の第１乃至第３の側面によれば、フレア成分を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本開示に係る固体撮像装置の概略構成を示す図である。
【図２】固体撮像装置が形成される大判の半導体ウエハを示す図である。
【図３】固体撮像装置の上面構成を示す図である。
【図４】パッド開口部とチップ周辺ガードリング付近を拡大した図である。
【図５】パッド周辺ガードリングとチップ周辺ガードリングの機能を説明する図である。
【図６】パッド開口部付近の断面構成図である。
【図７】図６の固体撮像装置の製造方法について説明する図である。
【図８】図６の固体撮像装置の製造方法について説明する図である。
【図９】パッド周辺ガードリングの効果を説明する図である。
【図１０】パッド周辺ガードリングの絶縁材料の充填方法の変形例を示す図である。
【図１１】パッド周辺ガードリングの深さの変形例を示す図である。
【図１２】電極パッド部から電源を取り出すための配線例を示す図である。
【図１３】貫通電極を用いて外部接続する固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図１４】シェアコンタクト構造に利用した例を示す図である。
【図１５】シェアコンタクト構造の製造方法を説明する図である。
【図１６】非積層型の固体撮像装置におけるパッド開口部付近の断面構成図である。
【図１７】図１６の固体撮像装置の製造方法について説明する図である。
【図１８】図１６の固体撮像装置の製造方法について説明する図である。
【図１９】パッド周辺ガードリングの深さの変形例を示す図である。
【図２０】電極パッド部から電源を取り出すための配線例を示す図である。
【図２１】第３の実施の形態の解決課題を説明する図である。
【図２２】第３の実施の形態の掘り込み構造を説明する図である。
【図２３】第３の実施の形態の掘り込み構造の効果を説明する図である。
【図２４】第３の実施の形態の掘り込み構造をさらに説明する図である。
【図２５】第３の実施の形態の掘り込み構造のその他の例を説明する図である。
【図２６】第３の実施の形態に係るチップ周辺ガードリングの製造方法について説明する図である。
【図２７】第４の実施の形態の画素構造を示す図である。
【図２８】第４の実施の形態の固体撮像装置の製造方法について説明する図である。
【図２９】第４の実施の形態の固体撮像装置の製造方法について説明する図である。
【図３０】本開示に係る電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．固体撮像装置の全体構成
２．第１の実施の形態（積層型の裏面照射型固体撮像装置の構成例）
３．第２の実施の形態（非積層型の裏面照射型固体撮像装置の構成例）
４．第３の実施の形態（ボーイング形状を有するガードリング構造）
５．第４の実施の形態（ボーイング形状を有する画素間トレンチ部の構造）
６．電子機器への適用例
【００１７】
＜１．固体撮像装置の全体構成＞
＜固体撮像装置の概略構成例＞
図１は、本開示に係る固体撮像装置の概略構成を示している。
【００１８】
図１の固体撮像装置１は、半導体として例えばシリコン（Si）を用いた半導体基板１２に、画素２が２次元アレイ状に配列された画素アレイ部３と、その周辺の周辺回路部とを有して構成される。周辺回路部には、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、制御回路８などが含まれる。
【００１９】
画素２は、光電変換素子としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタを有して成る。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタ、及び、増幅トランジスタの４つのMOSトランジスタで構成される。
【００２０】
また、画素２は、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有される１つのフローティングディフージョン（浮遊拡散領域）と、共有される１つずつの他の画素トランジスタとから構成される。すなわち、共有画素では、複数の単位画素を構成するフォトダイオード及び転送トランジスタが、他の１つずつの画素トランジスタを共有して構成される。
【００２１】
制御回路８は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置１の内部情報などのデータを出力する。すなわち、制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路８は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６等に出力する。
【００２２】
垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線１０を選択し、選択された画素駆動配線１０に画素２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素２を駆動する。すなわち、垂直駆動回路４は、画素アレイ部３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、各画素２の光電変換部において受光量に応じて生成された信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線９を通してカラム信号処理回路５に供給する。
【００２３】
カラム信号処理回路５は、画素２の列ごとに配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。例えば、カラム信号処理回路５は、画素固有の固定パターンノイズを除去するためのCDS(Correlated Double Sampling：相関２重サンプリング)およびAD変換等の信号処理を行う。
【００２４】
水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１１に出力させる。
【００２５】
出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１１を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路７は、例えば、バファリングだけする場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理などが行われる場合もある。入出力端子１３は、外部と信号のやりとりをする。
【００２６】
以上のように構成される固体撮像装置１は、CDS処理とAD変換処理を行うカラム信号処理回路５が画素列ごとに配置されたカラムAD方式と呼ばれるCMOSイメージセンサである。
【００２７】
＜半導体ウエハの上面構成図＞
図１の固体撮像装置１は、図２に示されるような大判の半導体ウエハ２１に複数配列されている各々の固体撮像装置１を分割したものに相当する。すなわち、大判の半導体ウエハ２１のスクライブ領域LAに沿ってブレード（図示なし）を用いてダイシングされることにより、半導体ウエハ２１が各々の固体撮像装置１に分割され、図１の固体撮像装置１が形成される。
【００２８】
図３は、図２の１つの固体撮像装置１の上面構成を示す図である。
【００２９】
また、図４は、図３において一点鎖線で示されている、所定の１か所のパッド開口部PKとチップ周辺ガードリングCG付近を拡大した図である。なお、図４においては、右側に隣接する固体撮像装置１のチップ周辺ガードリングCG付近も示している。
【００３０】
固体撮像装置１は、チップ領域CAとスクライブ領域LAとを有する。また、チップ領域CAは、内側の画素領域PAと、その外側に配置された周辺領域SAを有する。画素領域PAでは、複数の画素２が水平方向と垂直方向のそれぞれに並んで配置されている。画素領域PAは図１の画素アレイ部３に対応する領域であり、周辺領域SAは図１の垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、制御回路８などが配置される周辺回路部に相当する。
【００３１】
周辺領域SAには、複数のパッド開口部PKが設けられており、各々のパッド開口部PKには、電極パッド部PADが配置されるとともに、その電極パッド部PADの周囲を囲むようにパッド周辺ガードリングPGが配置されている。
【００３２】
スクライブ領域LAは、チップ領域CAの周りを囲うように位置しており、隣接する固体撮像装置１どうしの境界に相当する。スクライブ領域LAは、上述したように、各々の固体撮像装置１を分割する際に、ブレードでダイシングされる領域である。
【００３３】
図５は、パッド周辺ガードリングPGとチップ周辺ガードリングCGの機能を説明する図である。
【００３４】
パッド周辺ガードリングPGは、図５に示されるように、電極パッド部PADにワイヤーボンディングする際や検査工程において電極パッド部PADにプローブする際に、誤って側壁に接触した場合でもリークやダメージを抑制するために設けられている。
【００３５】
また、チップ周辺ガードリングCGは、図５に示されるように、スクライブ領域LAをブレードでダイシングする際に起こり得るチッピングを抑制するために設けられている。
【００３６】
以上のように、パッド周辺ガードリングPGおよびチップ周辺ガードリングCGは、リークやダメージを抑制したり、チッピングを抑制する。さらに、固体撮像装置１のパッド周辺ガードリングPGおよびチップ周辺ガードリングCGは、フレア成分を抑制する構造を有している。以下において、パッド周辺ガードリングPGを例に、その構造について詳細に説明する。
【００３７】
＜２．第１の実施の形態＞
＜断面構成図＞
図６は、固体撮像装置１の所定の１か所のパッド開口部PK付近の構成を示す断面図である。
【００３８】
図１の半導体基板１２は、図６に示されるように、第１の半導体基板としてのセンサ基板３１と、第２の半導体基板としてのロジック基板３２を貼り合わせて形成されている。センサ基板３１には、各画素２のフォトダイオードPD等が形成されている。ロジック基板３２には、周辺回路の少なくとも一部のロジック回路が形成されている。
【００３９】
したがって、図６は、固体撮像装置１が２枚の半導体基板を貼り合わせて形成された積層型の固体撮像装置の構成例を示している。また、図６における上側が光が入射される受光面側であって半導体基板１２の裏面側であり、図６に示される固体撮像装置１は、裏面照射型の固体撮像装置である。
【００４０】
センサ基板３１とロジック基板３２は、プラズマ接合または接着剤による接合により、接合界面３３で接合されている。センサ基板３１には、接合界面３３に近い側から、絶縁層４１、多層配線層４２、及びシリコン層４３が、その順に設けられている。多層配線層４２は、複数の配線層とその間の層間絶縁膜とからなる層である。そして、シリコン層４３の画素領域PAには、画素単位にフォトダイオードPDが形成されている。
【００４１】
シリコン層４３の上面には、反射防止膜４４と絶縁膜４５が、その順に形成されている。
【００４２】
反射防止膜４４の材料としては、窒化シリコン（SiN）、酸化ハフニウム（HfO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）、酸化ジルコニウム（ZrO2）、酸化タンタル（Ta2O5）、酸化チタン（TiO2）、酸化ランタン（LA2O3）、酸化プラセオジム（Pr2O3）、酸化セリウム（CeO2）、酸化ネオジム（Nd2O3）、酸化プロメチウム（Pm2O3）、酸化サマリウム（Sm2O3）、酸化ユウロピウム（Eu2O3）、酸化ガドリニウム（Gd2O3）、酸化テルビウム（Tb2O3）、酸化ジスプロシウム（Dy2O3）、酸化ホルミウム（Ho2O3）、酸化ツリウム（Tm2O3）、酸化イッテルビウム（Yb2O3）、酸化ルテチウム（Lu2O3）、酸化イットリウム（Y2O3）などを用いることができる。
【００４３】
また、絶縁膜４５の材料としては、酸化シリコン（SiO2）、窒化シリコン（SiN）、酸窒化シリコン（SiON）、炭化シリコン（SiC）などのSi化合物を用いることができる。
【００４４】
絶縁膜４５の上側の画素領域PAには、R（Red）,G（Green）、またはB（Blue）のいずれかの色のカラーフィルタ（CF）４６が、画素単位に形成されている。カラーフィルタ（CF）４６の色は、例えば、ベイヤー配列となるように画素単位に配置されている。
【００４５】
画素領域PAのカラーフィルタ４６の上側には、オンチップレンズ４７が画素単位に形成されている。オンチップレンズ４７の材料には、例えば、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂等の共重合系の樹脂材料が用いられる。
【００４６】
一方、周辺領域SAでは、カラーフィルタ４６が形成されないので、絶縁膜４５の上には、オンチップレンズ４７の材料で平坦な膜４７ａが形成されている。
【００４７】
周辺領域SAのパッド開口部PKの周囲（図６では両側）には、パッド周辺ガードリングPGが、絶縁材料（非金属の材料）を用いてロジック基板３２の一部まで縦方向に貫通して埋め込まれている。パッド周辺ガードリングPGとして充填される絶縁材料は、具体的には、反射防止膜４４に利用される反射防止膜材料、絶縁膜４５に利用されるSi化合物、オンチップレンズ４７に利用される共重合系の樹脂材料のいずれかとすることができる。または、図１０を参照して後述するように、反射防止膜材料、Si化合物、樹脂材料等とエアギャップ（Air：空気、気体）の組み合わせとしてもよい。
【００４８】
第２の半導体基板であるロジック基板３２には、接合界面３３に近い側から、絶縁層５１、多層配線層５２、及びシリコン層５３が、その順に設けられている。
【００４９】
パッド開口部PKは、周辺領域SAにおいて、センサ基板３１からロジック基板３２の絶縁層５１まで縦方向（深さ方向）に開口されており、パッド開口部PKの底面となる多層配線層５２の最上層（センサ基板３１に最も近い層）に、電極パッド部PADが形成されている。
【００５０】
パッド開口部PKの周囲に設けられたパッド周辺ガードリングPGは、センサ基板３１の絶縁膜４５の層からロジック基板３２の絶縁層５１まで縦方向に形成されている。ここで、パッド周辺ガードリングPGは、図６において上側の入射面側のトップ径（トップ幅）が、電極パッド部PAD側の底部のボトム径（ボトム幅）よりも大きい順テーパ形状となっている。
【００５１】
パッド周辺ガードリングPGの下側の多層配線層５２には、配線ガードリングHGが設けられている。
【００５２】
固体撮像装置１のパッド周辺ガードリングPGは、このような構成することにより、以下の効果を奏する。
【００５３】
パッド周辺ガードリングPGは、非金属の材料（絶縁材料）を用いてセンサ基板３１の絶縁膜４５の層からロジック基板３２の絶縁層５１まで貫通して埋め込まれている。仮に、パッド周辺ガードリングPGが金属材料で形成されている場合には、ワイヤーボンディング時の側壁へのダメージにより、クラックが進行する。本開示のように、パッド周辺ガードリングPGを縦方向（上下方向）に非金属の材料で形成することで、ダメージの進行界面を分断することができ、クラックの進行を抑制することができる。
【００５４】
また、従来、ワイヤーボンディング時に側壁のシリコン層４３に接触した場合に、駆動時の電流経路（リークパス）となるおそれがあった。本開示のように、パッド周辺ガードリングPGを縦方向に非金属の材料で形成することで、電気的に絶縁することができ、リークを抑制することができる。
【００５５】
なお、図６は、パッド開口部PKの周辺に設けたパッド周辺ガードリングPGについて示したが、スクライブ領域LAの側部に配置されているチップ周辺ガードリングCGについても同様に形成されている。すなわち、チップ周辺ガードリングCGも、センサ基板３１の絶縁膜４５の層からロジック基板３２の絶縁層５１まで縦方向に貫通して非金属の材料で形成されている。
【００５６】
従来のチップ周辺ガードリングの構造では、ダイシングの荷重によりクラックが生じ、さらに進行することでチッピングとして一部が欠けてしまうことがあった。そして、欠けた部分が撮像面に飛散することでダメージが入ってしまい、撮像特性に影響を及ぼすことがあった。
【００５７】
本開示のチップ周辺ガードリングCGは、上述した構造を採用することで、クラックの進行を抑制することができ、チッピングの発生を防止することができる。
【００５８】
＜製造方法＞
次に、図７及び図８を参照して、図６の固体撮像装置１の製造方法について説明する。
【００５９】
初めに、図７Aに示されるように、それぞれ別々に製造されたセンサ基板３１とロジック基板３２が、プラズマ接合または接着剤による接合により、接合界面３３で貼り合わせられる。
【００６０】
センサ基板３１とロジック基板３２が貼り合わせられた後、図７Bに示されるように、例えば、CVD法により、反射防止膜４４と絶縁膜４５が順に形成される。
【００６１】
次に、図７Cに示されるように、例えばドライエッチング法により、パッド周辺ガードリングPGとなる部分が除去され、開口部７０が形成される。
【００６２】
そして、図８Aに示されるように、例えば、反射防止膜４４に利用した絶縁材料を用いて、CVD法により、センサ基板３１の上面全体が成膜され、パッド周辺ガードリングPGとなる部分である開口部７０にも絶縁材料が充填される。
【００６３】
そして、最上面の絶縁材料の膜がエッチバックまたはCMP（Chemical Mechanical Polishing）処理により除去されることで、図８Bに示すようにパッド周辺ガードリングPGが形成される。埋め込まれる絶縁材料は、反射防止膜４４に利用した材料の他、絶縁膜４５に利用したSi化合物、オンチップレンズ４７に利用する樹脂材料などでもよい。
【００６４】
その後、図８Cに示されるように、画素領域PAに対して、カラーフィルタ４６が形成された後、その上に、オンチップレンズ４７が形成される。
【００６５】
カラーフィルタ４６は、例えば、着色顔料とフォトレジスト樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成し、その塗膜をリソグラフィ技術によってパターン加工することにより形成することができる。
【００６６】
オンチップレンズ４７は、例えば、感光性の樹脂材料をリソグラフィ技術でパターン加工した後に、リフロー処理でレンズ形状に変形させることで形成することができる。なお、周辺領域SAの絶縁膜４５の上側は、オンチップレンズ４７の材料による平坦な膜４７ａとなる。
【００６７】
そして最後に、図８Dに示されるように、電極パッド部PADの上部のセンサ基板３１とロジック基板３２の絶縁層５１が、例えばドライエッチング法により除去され、パッド開口部PKが形成される。
【００６８】
図６の固体撮像装置１は、以上のような工程により製造することができる。
【００６９】
なお、上述した例では、センサ基板３１とロジック基板３２を貼り合わせて、反射防止膜４４と絶縁膜４５を形成した後で、パッド周辺ガードリングPGとなる開口部７０を形成するようにした。しかし、パッド周辺ガードリングPGとなる開口部７０の形成は、センサ基板３１とロジック基板３２を貼り合わせた後であればいつでもよい。例えば、センサ基板３１とロジック基板３２の貼り合わせ後であって、反射防止膜４４と絶縁膜４５を形成する前に、開口部７０を形成してもよい。この場合、開口部７０形成後、反射防止膜４４と絶縁膜４５が順に成膜されるので、開口部７０には反射防止膜４４と絶縁膜４５の２種類の材料が充填されて、パッド周辺ガードリングPGが形成される。また、開口部７０には、オンチップレンズ４７に利用される樹脂材料を含む３種類以上の材料が充填されてパッド周辺ガードリングPGが形成されてもよい。
【００７０】
スクライブ領域LAの側部に配置されているチップ周辺ガードリングCGについても、上述したパッド周辺ガードリングPGと同様の工程で形成することができる。
【００７１】
上述した工程によれば、センサ基板３１とロジック基板３２を貼り合わせた後で、裏面側（光入射面側）からパッド周辺ガードリングPGを形成することで、パッド周辺ガードリングPGは、図９Aに示されるように、トップ径（トップ幅）が、電極パッド部PAD側の底部のボトム径（ボトム幅）よりも大きい順テーパ形状となる。
【００７２】
図９Bに示されるような、トップ径がボトム径よりも小さい逆テーパ形状と比較すると、パッド周辺ガードリングPGが順テーパ形状となっていることで、入射光がパッド周辺ガードリングPGにぶつかって反射する場合に、フォトダイオードPDへの入射を抑制することができる。これにより、本開示のパッド周辺ガードリングPG及びチップ周辺ガードリングCGによれば、フォトダイオードPDに入射するフレア成分を抑制することができる。
【００７３】
上述したように、センサ基板３１とロジック基板３２を貼り合わせた後で裏面側からパッド周辺ガードリングPGを形成することで順テーパ形状とすることができるが、パターン加工等により、所望のテーパ角度（トップ径とボトム径との差に相当）に設定するように製造することも可能である。
【００７４】
上記のように、センサ基板３１とロジック基板３２を貼り合わせた後で裏面側からパッド周辺ガードリングPGを形成する場合には、貼り合わせズレによるマージンを確保する必要がない。そのため、電極パッド部PADとパッド周辺ガードリングPGとの距離（水平方向の距離）を縮小することができるので、ユニットサイズ（チップサイズ）を縮小することができる。
【００７５】
＜パッド周辺ガードリングPGとしての絶縁材料の充填方法の変形例＞
図１０は、パッド周辺ガードリングPGとしての絶縁材料の充填方法の変形例を示している。
【００７６】
図１０Aに示されるパッド周辺ガードリングPG−ａは、図８Aに示したセンサ基板３１の上面に形成された絶縁材料の膜がエッチバックまたはCMP処理されずに残存し、埋め込み部と一体とされた例を示している。なお、パッド周辺ガードリングPG−ａの材料は、上述したように、最上層の膜４７ａと同一のオンチップレンズ４７に利用する樹脂材料、反射防止膜４４に利用される反射防止膜材料、絶縁膜４５に利用されるSi化合物のいずれでもよい。
【００７７】
図１０Bに示されるパッド周辺ガードリングPG−ｂは、パッド周辺ガードリングPGの開口部７０の全体が絶縁材料で埋め込まれるのではなく、開口部７０の界面（表面）のみが絶縁材料で覆われ、開口部７０の中央部がエアで充填されている例を示している。
【００７８】
図１０Cに示されるパッド周辺ガードリングPG−ｃは、図１０と同様にパッド周辺ガードリングPGの開口部７０の全体が絶縁材料で埋め込まれていない例であるが、開口部７０の上面が絶縁材料で塞がれて、開口部７０の内部がエアで充填されている例を示している。
【００７９】
図１０B及び図１０Cのパッド周辺ガードリングPGは、１種類の絶縁材料とエアの組み合わせにより充填されて構成された例であるが、２種類以上の絶縁材料とエアの組み合わせでもよい。２種類以上の絶縁材料とエアの組み合わせでパッド周辺ガードリングPGを組み合わせる場合、絶縁材料の積層順は、反射防止膜４４に利用される反射防止膜材料、絶縁膜４５に利用されるSi化合物、オンチップレンズ４７に利用される樹脂材料、Si化合物の順とし、いずれか１種類以上の膜形成をスキップすることができる。
【００８０】
図１０Dに示されるパッド周辺ガードリングPG−ｄは、開口部７０に絶縁材料が埋め込まれずにエアギャップ（空洞）となっている例を示している。換言すれば、図１０Dは、開口部７０にエアのみが充填されてパッド周辺ガードリングPG−ｄが形成された例を示している。
【００８１】
＜パッド周辺ガードリングPGの深さの変形例＞
図１１は、パッド周辺ガードリングPGの深さの変形例を示している。
【００８２】
図６に示した実施の形態では、パッド周辺ガードリングPGが、センサ基板３１の絶縁膜４５の層からロジック基板３２の絶縁層５１までの深さで形成されていたが、パッド周辺ガードリングPGの深さ（縦方向の長さ）としては、少なくともセンサ基板３１のシリコン層４３まで掘り込まれていればよい。
【００８３】
図１１Aは、センサ基板３１のシリコン層４３だけを開口して絶縁材料を埋め込むことでパッド周辺ガードリングPG−ｅを形成した例を示している。パッド周辺ガードリングPG−ｅの下には、配線ガードリングHG−ｅが設けられている。
【００８４】
図１１Bは、センサ基板３１のシリコン層４３と多層配線層４２の一部までを開口して絶縁材料を埋め込むことでパッド周辺ガードリングPG−ｆを形成し、多層配線層４２の残りの一部には、配線ガードリングHG−ｆを設けた例を示している。なお、多層配線層４２のどの層までをパッド周辺ガードリングPG−ｆとするかは任意に設計することができる。
【００８５】
図１１A及び図１１Bに示したような構成では、接合界面３３に対してはストッパーの機能を果たすことができないため、接合界面３３のクラックに対しては弱くなる。しかし、パッド周辺ガードリングPG−ｅまたはPG−ｆの深さが浅いため、PID（Plasma Induced Damage）を小さくすることができる。また、電極パッド部PADから電源を取り出すための配線の自由度が大きい。
【００８６】
図１１Cは、センサ基板３１からロジック基板３２の多層配線層５２の一部までを開口して絶縁材料を埋め込むことでパッド周辺ガードリングPG−ｇを形成し、多層配線層５２の残りの一部には、配線ガードリングHG−ｇを設けた例を示している。
【００８７】
図１１Dは、センサ基板３１からロジック基板３２のシリコン層５３の一部までを開口して絶縁材料を埋め込むことでパッド周辺ガードリングPG−ｈを形成した例を示している。
【００８８】
図１１C及び図１１Dに示したような構成では、接合界面３３に対してもストッパーの機能を果たすことができるため、接合界面３３のクラックの進行を抑制することができる。その反面、PIDが大きくなる可能性があり、また、電極パッド部PADから電源を取り出すための配線の自由度が小さくなる。
【００８９】
＜電源取り出し配線の例＞
図１２は、電極パッド部PADから電源を取り出すための配線の例を示している。
【００９０】
図１２Aは、図６に示したパッド周辺ガードリングPGにおける電源取り出し配線の例を示している。すなわち、絶縁材料をロジック基板３２の絶縁層５１まで充填したパッド周辺ガードリングPGの電源取り出し配線の例を示している。
【００９１】
なお、図１２Aでは、電極パッド部PADの左側のパッド周辺ガードリングPGと、右側のパッド周辺ガードリングPGとで異なる２つの電源の取り出し方の例が示されている。
【００９２】
図１２Aの左側の例は、電極パッド部PADを延長して配線ガードリングHGと接続することにより、配線ガードリングHGを介して電極パッド部PADから電源を取り出すようにした例を示している。
【００９３】
一方、図１２Aの右側の例は、パッド周辺ガードリングPGの下に孤立パッド８１を設け、電極パッド部PADと接続する電源取り出し配線８２を別に設けることにより、電極パッド部PADから電源を取り出すようにした例を示している。この場合、孤立パッド８１は、電極パッド部PADや多層配線層５２の他の配線から孤立しているため、PIDを防止することができる。なお、孤立パッド８１は省略することも可能である。
【００９４】
図１２Bは、図１１Cに示したパッド周辺ガードリングPG−ｇにおける電源取り出し配線の例を示している。すなわち、絶縁材料をロジック基板３２の多層配線層５２まで充填したパッド周辺ガードリングPG−ｇの電源取り出し配線の例を示している。
【００９５】
図１２Bにおいても、電極パッド部PADの左側のパッド周辺ガードリングPG−ｇと、右側のパッド周辺ガードリングPG−ｇとで異なる２つの電源の取り出し方の例が示されている。
【００９６】
図１２Bの左側の例は、電極パッド部PADと配線ガードリングHG−ｇを接続することにより、配線ガードリングHG−ｇを介して電極パッド部PADから電源を取り出すようにした例を示している。
【００９７】
一方、図１２Bの右側の例は、パッド周辺ガードリングPG−ｇの下に孤立パッド８１を設け、電極パッド部PADと接続する電源取り出し配線８２を別に設けることにより、電極パッド部PADから電源を取り出すようにした例を示している。この場合、PIDを防止することができる。
【００９８】
図１２Cは、図１１Dに示したパッド周辺ガードリングPG−ｈにおける電源取り出し配線の例を示している。すなわち、絶縁材料をロジック基板３２のシリコン層５３の一部まで充填したロパッド周辺ガードリングPG−ｈの電源取り出し配線の例を示している。
【００９９】
図１２Cにおいても、電極パッド部PADの左側のパッド周辺ガードリングPG−ｈと、右側のパッド周辺ガードリングPG−ｈとで異なる２つの電源の取り出し方の例が示されている。
【０１００】
図１２Cの左側の例は、パッド周辺ガードリングPG−ｈの内側（電極パッド部PAD側）と外側に貫通電極（TSV：Through-Silicon Via）を設けて接続することにより、電極パッド部PADから電源を取り出すようにした例を示している。すなわち、パッド周辺ガードリングPG−ｈの内側に設けた貫通電極TSV１と外側に設けた貫通電極TSV２とを接続電極８３で接続し、さらに貫通電極TSV２を配線層８４と接続することで、電極パッド部PADから電源が取り出されている。
【０１０１】
一方、図１２Bの右側の例は、ロジック基板３２のシリコン層５３を用いて電源を取り出すようにした例を示している。すなわち、ロジック基板３２のシリコン層５３に電源取り出し用の半導体領域８５を形成し、電極パッド部PADに接続した電源取り出し配線８６と接続することで、電極パッド部PADから電源が取り出されている。
【０１０２】
＜電極パッド部からTSVで外部接続する例＞
図１３は、電極パッド部PADに対して、ワイヤーボンディングではなく貫通電極を用いて外部接続する固体撮像装置１の構成例を示している。
【０１０３】
すなわち、図１３では、電極パッド部PADの上部が開口されておらず、パッド開口部PKが存在しない代わりに、電極パッド部PADの下側に、貫通電極TSV３が設けられている。この場合、配線ガードリングHGは、貫通電極TSV３の金属材料の熱膨張によるクラックの進行を抑制することができる。
【０１０４】
＜シェアコンタクト構造の例＞
図１４は、パッド周辺ガードリングPGと同様の製造方法で貫通ビアを形成し、シェアコンタクト構造に利用した例を示している。
【０１０５】
図１４において、図６と対応する部分については同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
【０１０６】
図１４においては、貫通ビアVia１とVia２が、パッド周辺ガードリングPGと同様の製造方法でセンサ基板３１のシリコン層４３を貫通して形成されている。
【０１０７】
そして、貫通ビアVia１とVia２の間には、接続導体９１が埋め込まれている。接続導体９１は、センサ基板３１の多層配線層４２の最上層の配線層９２ａ及び９２ｂと、ロジック基板３２の最上層の配線層９３のいずれとも接続されるシェアコンタクト構造を有している。接続導体９１は、例えば、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Al）、銅（Cu）などの金属材料で形成することができる。
【０１０８】
＜シェアコンタクト構造の製造方法＞
図１５は、図１４に示したシェアコンタクト構造の製造方法を説明する図である。
【０１０９】
初めに、図１５Aに示されるように、それぞれ別々に製造されたセンサ基板３１とロジック基板３２が接合界面３３で貼り合わせられた後、パッド周辺ガードリングPGと同様の製造方法で、貫通ビアVia１とVia２が形成される。センサ基板３１とロジック基板３２を貼り合わせた後に貫通ビアVia１とVia２を形成するので、貫通ビアVia１とVia２は順テーパ形状となる。
【０１１０】
次に、図１５Bに示されるように、貫通ビアVia１とVia２の間のシリコン層４３、反射防止膜４４、及び絶縁膜４５が、例えばドライエッチング法により除去される。このとき、貫通ビアVia１とVia２がエッチングストッパとなるので、シリコン層４３等の除去が容易となる。
【０１１１】
さらに、図１５Cに示されるように、センサ基板３１の配線層９２ａと配線層９２ｂの間に位置する絶縁層４１及び多層配線層４２並びにロジック基板３２の絶縁層５１が、例えばドライエッチング法により除去される。これにより、接続導体９１となる金属材料を充填する開口部９４が形成される。
【０１１２】
そして、図１５Dに示されるように、開口部９４に、例えば、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Al）、銅（Cu）などの金属材料を埋め込むことにより、接続導体９１が形成される。
【０１１３】
以上のように、接続導体９１の両脇の貫通ビアVia１とVia２を、パッド周辺ガードリングPGと同様の製造方法により光入射面側（裏面側）から形成することで、貼り合わせズレによるマージンを確保する必要がなく、ユニットサイズの縮小が可能となる。
【０１１４】
また、貫通ビアVia１とVia２を、パッド周辺ガードリングPGと同様の製造方法により光入射面側（裏面側）から形成するので、貫通ビアVia１とVia２は順テーパ形状となり、フォトダイオードPDに入射するフレア成分を抑制することができる。
【０１１５】
さらに、貫通ビアVia１とVia２の間のシリコン層４３等をエッチングする際、貫通ビアVia１とVia２がエッチングストッパとなるので、エッチングが容易となる。
【０１１６】
以上説明したように、第１の実施の形態の固体撮像装置１は、少なくとも受光面側のシリコン層４３を貫通するように縦方向に掘り込み、絶縁性の物質、即ち、反射防止膜材料、Si化合物、共重合系の樹脂材料、エアの少なくとも一つを充填した絶縁構造体であるパッド周辺ガードリングPGを備える。このパッド周辺ガードリングPGは、シリコン層４３の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている。これにより、フォトダイオードPDに入射するフレア成分を抑制することができる。
【０１１７】
＜３．第２の実施の形態＞
＜非積層型の固体撮像装置の例＞
上述した第１の実施の形態では、本開示のパッド周辺ガードリングPGを、２枚の半導体基板を貼り合わせた積層型の固体撮像装置に適用した例について説明したが、従来からある非積層型の裏面照射型の固体撮像装置にも適用可能である。
【０１１８】
図１６は、固体撮像装置１が非積層型の裏面照射型の固体撮像装置である場合の、固体撮像装置１の所定の１か所のパッド開口部PK付近の構成を示す断面図である。
【０１１９】
図１６では、第１の半導体基板である支持基板１００と、第２の半導体基板であるシリコン基板１０１の多層配線層１０２が、接合界面１０３で接合されている。
【０１２０】
シリコン基板１０１の多層配線層１０２の上側にはシリコン層１０４が設けられ、シリコン層１０４の画素領域PAには、フォトダイオードPDが画素単位で形成されている。
【０１２１】
シリコン層１０４の上面には、反射防止膜１０５と絶縁膜１０６が、その順に形成されている。反射防止膜１０５や絶縁膜１０６の材料としては、図６を参照して説明した各種の材料を採用することができる。
【０１２２】
画素領域PAの絶縁膜１０６の上側には、R,G、またはBのいずれかの色のカラーフィルタ（CF）１０７が、画素単位に形成されている。カラーフィルタ１０７の色は、例えば、ベイヤー配列で配置されている。
【０１２３】
画素領域PAのカラーフィルタ１０７の上側には、オンチップレンズ１０８が画素単位に形成されている。オンチップレンズ１０８の材料は、例えば、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂等の共重合系の樹脂材料とすることができる。
【０１２４】
一方、周辺領域SAでは、カラーフィルタ１０７が形成されないので、絶縁膜１０６の上に、オンチップレンズ１０８の材料で平坦な膜１０８ａが形成されている。
【０１２５】
周辺領域SAにおいて、パッド開口部PKが、裏面側の界面から多層配線層１０２の最下層の配線層まで縦方向に開口されており、多層配線層１０２の最下層の配線層に、電極パッド部PADが形成されている。
【０１２６】
パッド開口部PKの周囲（図１６では両側）には、パッド周辺ガードリングPGが、絶縁材料（非金属の材料）を用いて多層配線層１０２の最下層の配線層に位置する孤立パッド１０９まで貫通して埋め込まれている。仮に、パッド周辺ガードリングPGが金属材料で形成されている場合には、ワイヤーボンディング時の側壁へのダメージにより、クラックが進行する。本開示のように、パッド周辺ガードリングPGを縦方向に絶縁材料で形成することで、ダメージの進行界面を分断することができ、クラックの進行を抑制することができる。
【０１２７】
また、ワイヤーボンディング時に側壁のシリコン層１０４に接触した場合、駆動時の電流経路（リークパス）となるおそれがあるが、図１６のパッド周辺ガードリングPGは、絶縁材料で形成されているので、電気的に絶縁することができ、リークを抑制することができる。
【０１２８】
図１６は、パッド開口部PKの周辺に設けたパッド周辺ガードリングPGの例であるが、スクライブ領域LAの側部に配置されているチップ周辺ガードリングCGについても同様に形成されている。これにより、クラックの進行を抑制することができ、チッピングの発生を防止することができる。
【０１２９】
＜製造方法＞
図１７及び図１８を参照して、図１６の固体撮像装置１の製造方法について説明する。
【０１３０】
初めに、図１７Aに示されるように、保持基板１３１上のシリコン層１０４にフォトダイオードPDが形成された後、シリコン層１０４の上に、電極パッド部PADおよび孤立パッド１０９を含む多層配線層１０２が形成される。
【０１３１】
そして、図１７Bに示されるように、多層配線層１０２の上側に、プラズマ接合または接着剤による接合により、支持基板１００が貼り合わせられる。支持基板１００と多層配線層１０２の境界が接合界面１０３となる。
【０１３２】
次に、図１７Cに示されるように、支持基板１００を含む基板全体が反転された後、反転後に上側となる保持基板１３１が剥離される。
【０１３３】
保持基板１３１を剥離した後、図１７Dに示されるように、最も上側（裏側）となるシリコン層１０４の上面に、反射防止膜１０５と絶縁膜１０６が、その順で形成される。
【０１３４】
次に、図１８Aに示されるように、例えばドライエッチング法により、パッド周辺ガードリングPGとなる部分が除去され、開口部１１１が形成される。
【０１３５】
そして、図１８Bに示されるように、絶縁材料を用いて、例えばCVD法によりシリコン基板１０１の上面全体が成膜され、パッド周辺ガードリングPGとなる部分である開口部１１１にも絶縁材料が充填される。
【０１３６】
そして、シリコン基板１０１の最上面の絶縁材料がCMP処理により除去されることで、図１８Cに示されるように、パッド周辺ガードリングPGが形成される。
【０１３７】
なお、この例では、反射防止膜４４に利用される材料、絶縁膜４５に利用されるSi化合物、オンチップレンズ４７に利用される樹脂材料のいずれか１種類の絶縁材料が開口部１１１に充填されることによりパッド周辺ガードリングPGが形成されるが、上述したように、エアギャップと組み合わせたり、エアギャップのみで形成されてもよい。
【０１３８】
その後、図１８Dに示されるように、画素領域PAに対して、カラーフィルタ４６とオンチップレンズ４７が形成される。また、周辺領域SAでは、電極パッド部PADの上部の多層配線層１０２、シリコン層１０４、反射防止膜１０５、絶縁膜１０６、および膜１０８ａが、例えばドライエッチング法により除去され、パッド開口部PKが形成される。
【０１３９】
図１６の固体撮像装置１は以上のようにして製造することができる。
【０１４０】
なお、スクライブ領域LAの側部に配置されているチップ周辺ガードリングCGについても、上述したパッド周辺ガードリングPGと同様の工程で形成することができる。
【０１４１】
上述した製造方法によれば、支持基板１００とシリコン基板１０１を貼り合わせた後で、裏面側（光入射面側）から開口して絶縁材料を充填することによりパッド周辺ガードリングPGを形成するので、パッド周辺ガードリングPGは、図１６において上側となる光入射面側のトップ径が電極パッド部PAD側のボトム径よりも大きい順テーパ形状となる。
【０１４２】
パッド周辺ガードリングPGが順テーパ形状となっていることで、入射光がパッド周辺ガードリングPGにぶつかって反射する場合に、フォトダイオードPDへの入射を抑制することができる。これにより、本開示のパッド周辺ガードリングPGによれば、フォトダイオードPDに入射するフレア成分を抑制することができる。
【０１４３】
＜パッド周辺ガードリングPGの深さの変形例＞
図１９は、非積層型の固体撮像装置１におけるパッド周辺ガードリングPGの深さの変形例を示している。
【０１４４】
非積層型の固体撮像装置１においても、パッド周辺ガードリングPGの深さとしては、少なくともシリコン層１０４まで掘り込まれていればよい。
【０１４５】
図１９Aは、シリコン層１０４だけを開口して絶縁材料を埋め込むことでパッド周辺ガードリングPG−ｅを形成し、パッド周辺ガードリングPG−ｅの下には配線ガードリングHG−ｅを設けた例を示している。
【０１４６】
図１９Bは、シリコン層１０４と多層配線層１０２の一部までを開口して絶縁材料を埋め込むことでパッド周辺ガードリングPG−ｆを形成し、多層配線層１０２の残りの一部に配線ガードリングHG−ｆを設けた例を示している。
【０１４７】
＜電源取り出し配線の例＞
図２０は、非積層型の固体撮像装置１において電極パッド部PADから電源を取り出すための配線の例を示している。
【０１４８】
図２０Aは、図１６における電極パッド部PADを延長してパッド周辺ガードリングPG下の孤立パッド１０９と接続したものを電極パッド部PAD１とし、電源取り出し配線と兼用した例を示している。
【０１４９】
図２０Bは、パッド周辺ガードリングPGを多層配線層１０２の下から２番目の配線層までとして孤立パッド１２１を設け、多層配線層１０２の最下層においては、図１６における電極パッド部PADを延長して電極パッド部PAD２とし、電源取り出し配線と兼用した例を示している。図１６の孤立パッド１０９や図２０Bの孤立パッド１２１のように、パッド周辺ガードリングPGと接続される配線層は孤立させることで、PIDを防止することができる。
【０１５０】
以上説明したように、第２の実施の形態の固体撮像装置１は、少なくとも受光面側のシリコン層１０４を貫通するように縦方向に掘り込み、絶縁性の物質、即ち、反射防止膜材料、Si化合物、共重合系の樹脂材料、エアの少なくとも一つを充填した絶縁構造体であるパッド周辺ガードリングPGを備える。このパッド周辺ガードリングPGは、シリコン層１０４の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている。これにより、フォトダイオードPDに入射するフレア成分を抑制することができる。
【０１５１】
＜４．第３の実施の形態＞
＜ガードリング構造＞
上述した例では、パッド周辺ガードリングPGとチップ周辺ガードリングCGを、受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状とする構造について説明した。以下では、パッド周辺ガードリングPGとチップ周辺ガードリングCGのその他の構造について説明する。
【０１５２】
パッド周辺ガードリングPGやチップ周辺ガードリングCGは、図２１に示されるように、半導体基板２０１に対して高アスペクト比の開口部２０２をドライエッチングにより形成し、スピンコート法によって塗布系材料２０３を回転塗布することで、開口部２０２内を塗布系材料２０３で充填して形成することができる。
【０１５３】
しかしながら、開口部２０２の形状によっては、スピンの遠心力により、図２１に示されるように、開口部２０２上部の塗布系材料２０３が放出されることがあった。開口部２０２上部の塗布系材料２０３が放出され、塗布系材料２０３がない箇所が発生すると、その上に成膜される材料との密着性が低下し、膜剥がれ等の原因になり得る。
【０１５４】
そこで、第３の実施の形態では、パッド周辺ガードリングPGやチップ周辺ガードリングCGとなる開口部２１２が、図２２に示されるように形成される。すなわち、開口部２１２は、その全体の深さDP３のうちの上部がボーイング形状となるように半導体基板２１１に対して形成されている。ここで、ボーイング形状とは、開口部２１２の最大径DA２を有する深さ位置DP１から上方向または下方向にいくに従って開口部２１２の径が最大径DA２よりも小さく狭められた形状をいう。従って、開口部２１２の最上面の径DA１は、最大径DA２よりも小さくなっている。なお、開口部２１２の下部の径DA３は、最上面の開口部２１２の径DA１と同一でもよい。
【０１５５】
このように、上部がボーイング形状となるように半導体基板２１１に対して開口部２１２を形成することにより、図２３に示されるように、スピンコート法によって塗布系材料２０３を回転塗布した場合、塗布系材料２０３が開口部２１２上面で跳ね返り、開口部２１２内に滞留する。従って、開口部２１２が高アスペクト比の場合であっても、塗布系材料２０３の埋め込み性を向上させることができる。高アスペクト比の開口部２１２に対する塗布系材料２０３の埋め込み性が向上すれば、その上に成膜される材料との密着性が確保され、膜剥がれの発生を抑制することができる。
【０１５６】
また、半導体基板２１１上面に形成された塗布系材料２０３が画素領域PAにおいて平坦化膜として使用される場合、膜厚を維持したまま開口部２１２を塗布系材料２０３で充填できるため、集光特性を保持することができる。さらに、スピンコート法で塗布系材料２０３を開口部２１２に充填することができるので、パッド周辺ガードリングPGやチップ周辺ガードリングCGを、低温で形成することができる。
【０１５７】
図２４は、上述の効果を奏するためのボーイング形状部の配置を説明する図である。
【０１５８】
外側に膨らんだ形状のボーイング形状部は、最大径DA２を有する部分の深さ位置DP１が、半導体基板２１１の最上面から、開口部２１２全体の深さDP３の１／２までの深さの範囲内にあり、かつ、ボーイング形状部の最上部の深さ位置DP２が、半導体基板２１１の最上面から、開口部２１２全体の深さDP３の１／５までの深さの範囲内にあればよい。
【０１５９】
例えば、図２４に示される開口部２１２A乃至２１２Cは、最大径DA２の深さ位置DP１が、半導体基板２１１の最上面から、開口部２１２全体の深さDP３の１／２までの深さの範囲内にあり、ボーイング形状部の最上部の深さ位置DP２が、半導体基板２１１の最上面から、開口部２１２全体の深さDP３の１／５までの深さの範囲内にある。そのため、図２３で説明した効果を奏することができる。なお、開口部２１２A及び２１２Bのボーイング形状部の最上部の深さ位置DP２は、半導体基板２１１の最上面に等しい。
【０１６０】
一方、図２４に示される開口部２１２Dは、最大径DA２の深さ位置DP１が、開口部２１２全体の深さDP３の１／２よりも深い位置にあり、ボーイング形状部の最上部の深さ位置DP２も、開口部２１２全体の深さDP３の１／５よりも深い位置にあるため、図２３で説明した効果を奏することができない。
【０１６１】
なお、塗布系材料２０３の放出を防止するためには、上述したボーイング形状の他、例えば、図２５に示される開口部２１３のような庇形状でもよい。開口部２１３の庇形状は、最上面において内側方向に張り出した庇部２１３Aを設けることによって、最上面の径DA１が、庇部２１３A下の最大径DA２よりも小さく狭められ、最大径DA２の深さ位置DP１が半導体基板２１１の深部にある形状をいう。この場合も、庇形状の最上部の深さ位置DP２が、半導体基板２１１の最上面から、開口部２１３全体の深さDP３の１／５までの深さの範囲内にあればよい。庇形状では、最大径DA２を有する部分の深さ位置DP１は、庇形状の最上部の深さ位置DP２と同じとなる。したがって、庇形状の最上部の深さ位置DP２が、深さDP３の１／５までの深さの範囲内にあれば、最大径DA２を有する部分の深さ位置DP１も、深さDP３の１／２までの深さの範囲内に存在することになる。
【０１６２】
なお、庇形状の開口部２１３において、最大径DA２の深さ位置DP１より下側の径は、図２５に示されるように、断面形状が直線的に変化するものでもよいし、曲線的に変化するものでもよい。
【０１６３】
＜チップ周辺ガードリングCGの製造方法＞
図２６を参照して、ボーイング形状を有するチップ周辺ガードリングCGの製造方法について説明する。
【０１６４】
初めに、図２６Aに示されるように、第１の半導体基板である支持基板２４１と、第２の半導体基板であるシリコン基板２４３に形成された多層配線層２４２が貼り合わされた後、シリコン基板２４３が薄肉化される。シリコン基板２４３の画素領域PAには、フォトダイオードPDが画素単位で形成されているが、図２６に示される領域は、チップ周辺ガードリングCGが形成される周辺領域SAであるため、フォトダイオードPDは形成されていない。図２６Aの状態は、例えば、上述した図１７Cの状態に対応する。
【０１６５】
次に、図２６Bに示されるように、リソグラフィ技術によって、シリコン基板２４３の上面に、レジスト２４４がパターニングされる。
【０１６６】
そして、図２６Cに示されるように、例えばドライエッチング法により、シリコン基板２４３のチップ周辺ガードリングCGとなる部分が除去され、ボーイング形状を有する開口部２１２が形成される。ボーイング形状を有する開口部２１２を形成するためのドライエッチングのプロセス条件は、例えば、ガス種SF6で流量200sccm、圧力100mTorr、バイアス電圧300Vとすることができる。なお、このプロセス条件はあくまで一例であり、その他の条件で形成することもできる。
【０１６７】
なお、チップ周辺ガードリングCGを、ボーイング形状ではなく、図２５に示した庇形状とする場合には、図２６Dに示されるように、ドライエッチング法により、庇形状を有する開口部２１３がシリコン基板２４３に対して形成される。
【０１６８】
次に、シリコン基板２４３上面のレジスト２４４が除去された後、図２６Eに示されるように、スピンコート法によって塗布系材料２４５が回転塗布される。これにより、開口部２１２内に塗布系材料２４５が充填されることで、チップ周辺ガードリングCGが形成される。また、シリコン基板２４３上面にも、塗布系材料２４５が平坦化膜として形成される。
【０１６９】
この塗布工程において、開口部２１２がボーイング形状となっていることにより、塗布系材料２４５が開口部２１２上面で跳ね返り、開口部２１２内に滞留する。従って、開口部２１２が高アスペクト比の場合であっても、塗布系材料２４５を充填することが可能となる。塗布系材料２４５の粘度は、例えば、１ないし３mPa・s（パスカル秒）とすることができる。
【０１７０】
最後に、図２６Fに示されるように、塗布系材料２４５により形成された平坦化膜の上面に、オンチップレンズ材料２４６が成膜される。
【０１７１】
図１６に示したように、画素領域PAでは、オンチップレンズ材料２４６が画素単位にレンズ形状に成形されるが、周辺領域SAでは、オンチップレンズ材料２４６が平坦に成膜される。なお、図２６では、周辺領域SAにカラーフィルタが形成されない構成としているが、周辺領域SAにもカラーフィルタを形成しても勿論よい。
【０１７２】
＜５．第４の実施の形態＞
＜画素間トレンチ部への適用例＞
ボーイング形状または庇形状に成形して基板深さ方向に掘り込む構造は、上述したパッド周辺ガードリングPGやチップ周辺ガードリングCG等のガードリング以外に、フォトダイオードPDを分離する画素間トレンチ部にも適用することができる。
【０１７３】
図２７は、画素間トレンチ部にボーイング形状を有する掘り込み構造を適用した裏面照射型の画素構造の断面図を示している。
【０１７４】
固体撮像装置１は、シリコン基板３１１と、その表面側（図中下側）に形成された多層配線層３３１と、支持基板３３２とを備える。
【０１７５】
シリコン基板３１１は、例えば、P型（第１導電型）のシリコン基板で形成されている。シリコン基板３１１では、N型（第２導電型）の半導体領域３１２が、画素３１０ごとに形成されることにより、フォトダイオードPDが画素単位に形成されている。
【０１７６】
各画素２に形成されたフォトダイオードPDどうしの間には、ボーイング形状を有する画素間トレンチ部３１３が形成されている。
【０１７７】
画素間トレンチ部３１３の内壁面とシリコン基板３１１上面には、ピニング膜３１４が成膜されている。ピニング膜３１４は、シリコン基板３１１との界面部分において正電荷（ホール）蓄積領域が形成されて暗電流の発生が抑制されるように、負の固定電荷を有する高誘電体を用いて形成されている。ピニング膜３１４は、シリコン基板３１１上面においては、反射防止膜の機能も有する。
【０１７８】
ピニング膜３１４は、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）を用いて形成される。また、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）などを用いて、ピニング膜３１４を形成してもよい。
【０１７９】
ピニング膜３１４で被膜された画素間トレンチ部３１３の内部には、透明絶縁材料３１５が埋め込まれている。また、透明絶縁材料３１５がシリコン基板３１１のピニング膜３１４上部の裏面側全面に形成されることにより、透明絶縁膜３１５Aが形成されている。透明絶縁材料３１５としては、シリコン基板３１１の屈折率よりも小さい屈折率をもつ材料が採用される。これにより、図２７に示されるように、入射光が画素間トレンチ部３１３で反射されるので、隣接する画素３１０からの入射光の漏れ込みによる混色、フレア、ブルーミングを抑制することができる。
【０１８０】
透明絶縁膜３１５Aの上面には、例えば、LTO(Low Temperature Oxide)膜、プラズマTEOS膜などによる酸化膜３１６が形成されている。
【０１８１】
酸化膜３１６上の画素境界部には、遮光膜３１７が形成されている。遮光膜３１７の材料としては、光を遮光する材料であればよく、例えば、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）などを用いることができる。
【０１８２】
遮光膜３１７を含む酸化膜３１６の上側全面には、絶縁膜３１８が形成されている。絶縁膜３１８の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることができる。
【０１８３】
そして、絶縁膜３１８の上面には、平坦化膜３１９が形成され、その平坦化膜３１９の上側には、Red（赤）、Green（緑）、またはBlue（青）のカラーフィルタ３２０が画素ごとに形成される。カラーフィルタ３２０では、Red、Green、Blueの各色が、例えばベイヤー配列により配置されることとするが、その他の配列方法で配置されてもよい。
【０１８４】
カラーフィルタ３２０の上側には、オンチップレンズ３２１が画素３１０ごとに形成されている。オンチップレンズ３２１は、例えば、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン−アクリル共重合系樹脂、またはシロキサン系樹脂等の樹脂系材料で形成される。オンチップレンズ３２１は入射光を集光し、オンチップレンズ３２１によって集光された入射光はカラーフィルタ３２０を介してフォトダイオードPDに効率良く入射される。
【０１８５】
第４の実施の形態の固体撮像装置１の画素構造は、以上のように構成することができる。
【０１８６】
なお、図２７の画素構造では、画素間トレンチ部３１３の深さがシリコン基板３１１の一部までとされている。しかし、画素間トレンチ部３１３の深さをシリコン基板３１１を貫通する深さとしてもよいし、画素間トレンチ部３１３が、シリコン基板３１１の下の多層配線層３３１まで掘り込まれていてもよい。
【０１８７】
＜製造方法＞
図２８及び図２９を参照して、図２７の固体撮像装置１の製造方法について説明する。
【０１８８】
初めに、図２８Aに示されるように、第１の半導体基板である支持基板３３２と、第２の半導体基板であるシリコン基板３１１の多層配線層３３１が貼り合わされた後、シリコン基板３１１が薄肉化される。シリコン基板３１１の薄肉化により、シリコン基板３１１内に画素ごとに形成されたフォトダイオードPDが、シリコン基板３１１の裏面側界面近くの位置となる。
【０１８９】
次に、図２８Bに示されるように、リソグラフィ技術によって、シリコン基板３１１の上面に、レジスト３５１がパターニングされる。
【０１９０】
そして、図２８Cに示されるように、例えばドライエッチング法により、シリコン基板３１１のフォトダイオードPDとフォトダイオードPDの間に、ボーイング形状を有する開口部３５２が形成される。ボーイング形状を有する開口部３５２を形成するためのドライエッチングのプロセス条件は、例えば、ガス種SF6で流量500sccm、圧力100mTorr、バイアス電圧300Vとすることができる。なお、このプロセス条件はあくまで一例であり、その他の条件で形成することもできる。
【０１９１】
次に、シリコン基板３１１上面のレジスト３５１が除去された後、図２８Dに示されるように、開口部３５２の内壁面と、シリコン基板３１１上面に、ピニング膜３１４が成膜される。
【０１９２】
次に、透明絶縁材料３１５がスピンコート法によって回転塗布されることにより、図２８Eに示されるように、開口部３５２の内部に透明絶縁材料３１５が充填され、画素間トレンチ部３１３が形成されるとともに、ピニング膜３１４上面に透明絶縁膜３１５Aが形成される。この塗布工程において、開口部３５２がボーイング形状となっていることにより、図２３を参照して説明したように、透明絶縁材料３１５が開口部３５２上面で跳ね返り、開口部３５２内に滞留する。従って、開口部３５２が高アスペクト比の場合であっても、透明絶縁材料３１５を充填することが可能となる。透明絶縁材料３１５の粘度は、例えば、１ないし３mPa・sとすることができる。
【０１９３】
その後、図２９Aに示されるように、シリコン基板３１１のピニング膜３１４上面に形成された透明絶縁膜３１５Aが、所定の高さまでエッチバックされる。
【０１９４】
そして、図２９Bに示されるように、透明絶縁膜３１５A上面に、酸化膜３１６が形成され、図２９Cに示されるように、酸化膜３１６上の画素境界部分に、遮光膜３１７が形成される。
【０１９５】
その後、図２９Dに示されるように、絶縁膜３１８、平坦化膜３１９、カラーフィルタ３２０、及び、オンチップレンズ３２１が、順に形成される。
【０１９６】
以上のように、第４の実施の形態の固体撮像装置１の製造方法では、画素間トレンチ部３１３となる開口部３５２がボーイング形状で形成され、透明絶縁材料３１５がスピンコート法によって開口部３５２の内部に埋め込まれる。画素間トレンチ部３１３となる開口部３５２がボーイング形状に成形されていることにより、塗布された透明絶縁材料３１５が開口部３５２の上面で跳ね返り、開口部３５２内に滞留する。従って、開口部３５２が高アスペクト比の場合であっても、透明絶縁材料３１５を充填することが可能となり、埋め込み不良に起因する不具合を低減させることができる。
【０１９７】
以上説明したように、第３及び第４の実施の形態に係る固体撮像装置では、半導体基板の最上面よりも下の位置に最大径を有する部分を有し、半導体基板の最上面の径が最大径よりも小さい絶縁性構造体を、ガードリングや画素間トレンチ部として設けることができる。このような絶縁性構造体の構造を採用することで、内部に埋め込む絶縁性材料の埋め込み性を向上させることができる。
【０１９８】
なお、第３及び第４の実施の形態における支持基板２４１または３３２は、ロジック回路が形成されたロジック基板とすることもできる。換言すれば、上述した第３及び第４の実施の形態は、第２の実施の形態と同様の非積層型の裏面照射型の固体撮像装置の例であるが、本開示の掘り込み構造は、第１の実施の形態と同様の積層型の固体撮像装置にも適用可能である。
【０１９９】
＜６．電子機器への適用例＞
＜電子機器の構成例＞
さらに本開示の技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではない。即ち、本開示の技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
【０２００】
図３０は、本開示に係る電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【０２０１】
図３０の撮像装置４００は、レンズ群などからなる光学部４０１、図１の固体撮像装置１の構成が採用される固体撮像装置（撮像デバイス）４０２、およびカメラ信号処理回路であるDSP(Digital Signal Processor)回路４０３を備える。また、撮像装置４００は、フレームメモリ４０４、表示部４０５、記録部４０６、操作部４０７、および電源部４０８も備える。DSP回路４０３、フレームメモリ４０４、表示部４０５、記録部４０６、操作部４０７および電源部４０８は、バスライン４０９を介して相互に接続されている。
【０２０２】
光学部４０１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置４０２の撮像面上に結像する。固体撮像装置４０２は、光学部４０１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この固体撮像装置４０２として、図１の固体撮像装置１、例えば、フレア成分を抑制した固体撮像装置を用いることができる。
【０２０３】
表示部４０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(Electro Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置４０２で撮像された動画または静止画を表示する。記録部４０６は、固体撮像装置４０２で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。
【０２０４】
操作部４０７は、ユーザによる操作の下に、撮像装置４００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部４０８は、DSP回路４０３、フレームメモリ４０４、表示部４０５、記録部４０６および操作部４０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
【０２０５】
上述したように、固体撮像装置４０２として、上述した各実施の形態に係る固体撮像装置１を用いることで、フレア成分を抑制することができる。従って、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置４００においても、撮像画像の高画質化を図ることができる。
【０２０６】
また、本開示は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やＸ線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置や、広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置（物理量分布検知装置）全般に対して適用可能である。
【０２０７】
本開示の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０２０８】
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている
固体撮像装置。
（２）
前記絶縁構造体は、電極パッド部の周囲に配置されたパッド周辺ガードリングである
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記絶縁構造体は、スクライブ領域の側部に配置されたチップ周辺ガードリングである
前記（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記絶縁構造体は、反射防止膜に利用される材料、シリコン化合物、オンチップレンズに利用される共重合系の樹脂材料、または、エアギャップの少なくとも一つで形成されている
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（５）
少なくともフォトダイオードが形成されている第１の半導体基板と、少なくともロジック回路が形成されている第２の半導体基板とを貼り合わせて形成された積層型の固体撮像装置である
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（６）
前記絶縁構造体は、受光面側の前記第１の半導体基板を貫通し、前記第２の半導体基板の配線層に接続するまで掘り込まれている
前記（５）に記載の固体撮像装置。
（７）
前記絶縁構造体は、受光面側の前記第１の半導体基板を貫通し、前記第２の半導体基板のシリコン層に接続するまで掘り込まれている
前記（５）に記載の固体撮像装置。
（８）
２つの前記絶縁構造体を有し、
２つの前記接続構造体の間に充填された接続導体が、前記第１の半導体基板の配線層と前記第２の半導体基板の配線層のいずれとも接続されるシェアコンタクト構造を有する
前記（５）に記載の固体撮像装置。
（９）
支持基板に前記シリコン層が形成された半導体基板を貼り合わせた裏面照射型の固体撮像装置である
前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１０）
前記絶縁構造体は、前記半導体基板の前記シリコン層の下の複数の配線層のうちの最下層に接続するまで掘り込まれている
前記（９）に記載の固体撮像装置。
（１１）
前記絶縁構造体と接続されている配線層は、孤立されている
前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１２）
第１の基板と、フォトダイオードが形成されているシリコン層を含む第２の基板を貼り合わせた後、
前記第２の基板の受光面側から、少なくとも前記シリコン層の深さまで縦方向に掘り込み、開口された部分に、絶縁性の物質を充填する
固体撮像装置の製造方法。
（１３）
絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている
固体撮像装置
を備える電子機器。
（１）
半導体基板を深さ方向に掘り込み、その内部に絶縁性材料を埋め込んだ絶縁性構造体を備え、
前記絶縁性構造体は、前記半導体基板の最上面よりも下の位置に最大径を有する部分を有し、前記半導体基板の最上面の径は前記最大径よりも小さい
固体撮像装置。
（２）
前記絶縁性材料は、スピンコート法によって回転塗布される塗布系材料である
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記絶縁性構造体の上部は、ボーイング形状を有する
前記（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記絶縁性構造体の上部は、前記半導体基板の最上面において内側方向に張り出した庇部を有する庇形状を有する
前記（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（５）
前記絶縁性材料は、前記半導体基板の上面に形成される平坦化膜の形成と同時に、前記絶縁構造体に埋め込まれる
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（６）
前記絶縁性構造体は、ガードリングである
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（７）
前記絶縁性構造体は、前記半導体基板において画素単位で形成されるフォトダイオードを分離する画素間トレンチ部である
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（８）
半導体基板を深さ方向に掘り込み、前記半導体基板の最上面よりも下の位置に最大径を有する部分をもつ絶縁性構造体を形成し、
形成された前記絶縁性構造体の内部に、スピンコート法により、前記絶縁性材料を埋め込む
固体撮像装置の製造方法。
（９）
半導体基板を深さ方向に掘り込み、その内部に絶縁性材料を埋め込んだ絶縁性構造体を備え、
前記絶縁性構造体は、前記半導体基板の最上面よりも下の位置に最大径を有する部分を有し、前記半導体基板の最上面の径は前記最大径よりも小さい
固体撮像装置
を備える電子機器。
【符号の説明】
【０２０９】
１  固体撮像装置，  PA  画素領域，  SA  周辺領域，  CA  チップ領域，  LA  スクライブ領域，  PK  パッド開口部，  PAD  電極パッド部，  PG  パッド周辺ガードリング，  CG  チップ周辺ガードリング，  ３１  センサ基板，  ３２  ロジック基板，  ３３  接合界面，  PD  フォトダイオード，  ４２  多層配線層，  ４３  シリコン層，  ５２  多層配線層，  ５３  シリコン層，  ７０  開口部，  ８１  孤立パッド，  ９１  接続導体，  １００  支持基板，  １０１  シリコン基板，  １０２  多層配線層，  １０３  接合界面，  １０４  シリコン層，  １０９  孤立パッド，  １１１  開口部，  ２００  撮像装置，  ２０２  固体撮像装置
【図１】
2015029047.tif 000003
【図２】
2015029047.tif 000004
【図３】
2015029047.tif 000005
【図４】
2015029047.tif 000006
【図５】
2015029047.tif 000007
【図６】
2015029047.tif 000008
【図７】
2015029047.tif 000009
【図８】
2015029047.tif 000010
【図９】
2015029047.tif 000011
【図１０】
2015029047.tif 000012
【図１１】
2015029047.tif 000013
【図１２】
2015029047.tif 000014
【図１３】
2015029047.tif 000015
【図１４】
2015029047.tif 000016
【図１５】
2015029047.tif 000017
【図１６】
2015029047.tif 000018
【図１７】
2015029047.tif 000019
【図１８】
2015029047.tif 000020
【図１９】
2015029047.tif 000021
【図２０】
2015029047.tif 000022
【図２１】
2015029047.tif 000023
【図２２】
2015029047.tif 000024
【図２３】
2015029047.tif 000025
【図２４】
2015029047.tif 000026
【図２５】
2015029047.tif 000027
【図２６】
2015029047.tif 000028
【図２７】
2015029047.tif 000029
【図２８】
2015029047.tif 000030
【図２９】
2015029047.tif 000031
【図３０】
2015029047.tif 000032