(57)【要約】    【課題】  信頼性の高い電子部品内蔵基板の製造方法を提供する。    【解決手段】  第２樹脂絶縁層５５０Ｆ上の第２導体配線層５５８Ｆ上に第３樹脂絶縁層６５０Ｆａを被覆した状態でキャビティ６５１のデスミヤ処理を行うので、第２樹脂絶縁層５５０Ｆと第２導体配線層５５８Ｆとの間に隙間ができず、該第２導体配線層５５８Ｆの信頼性が低下することが無い。【選択図】  図６
2015106610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂絶縁層と、該第１樹脂絶縁層上に形成された第１導体パッドを含む第１導体配線層と、
前記第１樹脂絶縁層、前記第１導体配線層上に積層された第２樹脂絶縁層と、
前記第２樹脂絶縁層上に形成された第２導体パッドを含む第２導体配線層と、
前記第２樹脂絶縁層を貫通し、第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１ビア導体と、
前記第２樹脂絶縁層、前記第２導体配線層上に積層された第３樹脂絶縁層と
前記第２樹脂絶縁層と第３樹脂絶縁層を貫通し、形成される電子部品を内蔵するためのキャビティと、
前記キャビティに内蔵された端子を有する電子部品と、
前記第３樹脂絶縁層と前記電子部品上に積層される第４樹脂絶縁層と、
前記第４樹脂絶縁層上に形成された第３導体パッドと第４導体パッドを含む第３導体配線層と、
前記第２導体パッドと前記第３導体パッドとを接続する第２ビア導体と、
前記電子部品の端子と前記第４導体パッドとを接続する第３ビア導体と、
を備える電子部品を内蔵する電子部品内蔵基板であって、
前記第２ビア導体は第３樹脂絶縁層と第４樹脂絶縁層とを貫通し、フィルドめっきで充填されてなり、
前記第３ビア導体は第４樹脂絶縁層を貫通して、フィルドめっきで充填されてなる。
【請求項２】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記第１導体配線の一部は、前記電子部品が配置される支持導体配線層である。
【請求項３】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記キャビティはテーパー状に形成されている。
【請求項４】
請求項３の電子部品内蔵基板であって、
前記キャビティと前記電子部品との間には、前記第４樹脂絶縁層由来の樹脂が充填されている。
【請求項５】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記第４樹脂絶縁層の厚みは前記第３樹脂絶縁層の厚みよりも厚い。
【請求項６】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品の配置される支持導体配線層はグランドに接続されている。
【請求項７】
請求項２の電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品の投影面積よりも前記キャビティの底面積が広く、前記前記キャビティの底面積よりも前記支持導体配線層の面積が広い。
【請求項８】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記支持導体配線層と前記電子部品との間には接着剤が配置されている。
【請求項９】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品の厚みは、前記第２樹脂絶縁層及び前記第３樹脂絶縁層の厚みと等しい。
【請求項１０】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品には再配線層が形成されている。
【請求項１１】
請求項１の電子部品内蔵基板であって、
前記第４樹脂絶縁層の無機フィラー含有量は、前記第３樹脂絶縁層の無機フィラー含有量よりも多い。
【請求項１２】
第１樹脂絶縁層上に第１導体パッド及び電子部品配置用の支持導体配線層を含む第１導体配線層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層及び前記第１導体配線層上に第２樹脂絶縁層を積層することと、
前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体パッドに至る第１ビア導体を形成すると共に、前記第２樹脂絶縁層上に該第１ビア導体に接続される第２導体パッドを含む第２導体配線層を形成することと、
前記第２樹脂絶縁層及び前記第２導体配線層上に第３樹脂絶縁層を積層することと、
前記第３樹脂絶縁層及び前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記支持導体配線層の一部を露出させるキャビティをレーザで形成することと、
前記キャビティにデスミヤ処理を加えることと、
前記支持導体配線層上に電子部品を配置することと、
前記第３樹脂絶縁層及び前記電子部品上に第４樹脂絶縁層を積層することと、
前記第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層を貫通し前記第２導体パッドに至る第２ビア用開口と、前記第４樹脂絶縁層を貫通し前記電子部品のパッドに至る第３ビア用開口を形成することと、
めっきにより、前記第２ビア用開口に第２ビア導体を、前記第３ビア用開口に第３ビア導体を形成すると共に、前記第４樹脂絶縁層上に前記第２ビア導体に接続される第３導体パッドと前記第３ビア導体に接続される第４導体パッドとを形成することと、から成る電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記デスミヤ処理後、前記キャビティから露出する支持導体配線層の表面に粗化層を形成する。
【請求項１４】
請求項１２の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記第２樹脂絶縁層及び第２導体配線層上に前記第３樹脂絶縁層を積層した後、該第３樹脂絶縁層を半硬化状態にする。
【請求項１５】
請求項１２の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記第３樹脂絶縁層上に前記第４樹脂絶縁層を積層した後、該第４樹脂絶縁層を半硬化状態にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層に設けたキャビティに電子部品を内蔵する電子部品内蔵基板、及び、電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体素子を絶縁層に埋め込んだプリント配線板を開示している。該特許文献１は、電子部品を配置する支持導体配線層上に樹脂絶縁層を積層し、積層した樹脂絶縁層にレーザで支持導体配線層に至る切れ目を入れ、切断された樹脂絶縁層を外すことで電子部品を収容するキャビティを形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１９１２０４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の製造方法で製造したプリント配線板では、電子部品の収容するキャビティを形成した樹脂絶縁層上の配線パターンの信頼性が低いという課題が明らかになった。この原因は、レーザで樹脂絶縁層を切り取った後にレーザ残滓除去のためのデスミヤ処理の際に、キャビティを形成した樹脂絶縁層の表面がえぐられ、該樹脂絶縁層と導体パターンとの間に隙間ができ、該導体パターンの信頼性が低下しているからと推測される。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、信頼性の高い電子部品内蔵基板及び該電子部品内蔵基板の製造方法を提供することにある。また、ファインピッチなパッドを内蔵電子部品上に形成できる電子部品内蔵基板及び該電子部品内蔵基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明の電子部品内蔵基板の製造方法は、第１樹脂絶縁層上に第１導体パッド及び電子部品配置用の支持導体配線層を含む第１導体配線層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層及び前記第１導体配線層上に第２樹脂絶縁層を積層することと、前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体パッドに至る第１ビア導体を形成すると共に、前記第２樹脂絶縁層上に該第１ビア導体に接続される第２導体パッドを含む第２導体配線層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層及び前記第２導体配線層上に第３樹脂絶縁層を積層することと、前記第３樹脂絶縁層及び前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記支持導体配線層の一部を露出させるキャビティをレーザで形成することと、前記キャビティにデスミヤ処理を加えることと、前記支持導体配線層上に電子部品を配置することと、前記第３樹脂絶縁層及び前記電子部品上に第４樹脂絶縁層を積層することと、前記第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層を貫通し前記第２導体パッドに至る第２ビア用開口と、前記第４樹脂絶縁層を貫通し前記電子部品のパッドに至る第３ビア用開口を形成することと、めっきにより、前記第２ビア用開口に第２ビア導体を、前記第３ビア用開口に第３ビア導体を形成すると共に、前記第４樹脂絶縁層上に前記第２ビア導体に接続される第３導体パッドと前記第３ビア導体に接続される第４導体パッドとを形成することと、から成る。
【０００７】
本願発明の電子部品内蔵基板は、第１樹脂絶縁層と、該第１樹脂絶縁層上に形成された第１導体パッドを含む第１導体配線層と、前記第１樹脂絶縁層、前記第１導体配線層上に積層された第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層上に形成された第２導体パッドを含む第２導体配線層と、前記第２樹脂絶縁層を貫通し、第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１ビア導体と、前記第２樹脂絶縁層、前記第２導体配線層上に積層された第３樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層と第３樹脂絶縁層を貫通し、形成される電子部品を内蔵するためのキャビティと、前記キャビティに内蔵された端子を有する電子部品と、前記第３樹脂絶縁層と前記電子部品上に積層される第４樹脂絶縁層と、前記第４樹脂絶縁層上に形成された第３導体パッドと第４導体パッドを含む第３導体配線層と、前記第２導体パッドと前記第３導体パッドとを接続する第２ビア導体と、前記電子部品の端子と前記第４導体パッドとを接続する第３ビア導体と、を備える電子部品を内蔵する。そして、前記第２ビア導体は第３樹脂絶縁層と第４樹脂絶縁層とを貫通し、フィルドめっきで充填されてなり、前記第３ビア導体は第４樹脂絶縁層を貫通して、フィルドめっきで充填されてなる。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明の製造方法に係る電子部品内蔵基板では、第２樹脂絶縁層及び第２導体配線層上に第３樹脂絶縁層を積層し、第３樹脂絶縁層及び第２樹脂絶縁層を貫通し支持導体配線層の一部を露出させるキャビティをレーザで形成し、キャビティにデスミヤ処理を加える。即ち、第２樹脂絶縁層上の第２導体配線層上に第３樹脂絶縁層を被覆した状態でデスミヤ処理を行うので、第２樹脂絶縁層と第２導体配線層との間に隙間ができず、該第２導体配線層の信頼性が低下することが無い。更に、第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層を貫通し第２導体配線層に至る第２ビア用開口と、第４樹脂絶縁層を貫通し電子部品のパッドに至る第３ビア用開口を形成し、第２ビア用開口に第２ビア導体を、第３ビア用開口に第３ビア導体を形成する。即ち、電子部品のパッドに接続する第３ビア導体は、第４樹脂絶縁層のみを貫通し、貫通する樹脂絶縁層が薄いため、ファインピッチなパッド（第４導体パッド）を内蔵電子部品上に形成できる。
【０００９】
本願発明の電子部品内蔵基板は、第４樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層を貫通し第２導体配線層に至る第２ビア導体と、第４樹脂絶縁層を貫通し電子部品のパッドに至る第３ビア導体を備える。即ち、電子部品のパッドに接続する第３ビア導体は、第４樹脂絶縁層のみを貫通し、貫通する樹脂絶縁層が薄いため、ファインピッチなパッド（第４導体パッド）を内蔵電子部品上に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の部分拡大図。
【図２】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程図。
【図９】図９（Ａ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の応用例を示す断面図、図９（Ｂ）は電子部品内蔵基板の平面図。
【図１０】第１実施形態の電子部品内蔵基板の応用例を示す断面図。
【図１１】図１１（Ａ）は、第２実施形態の電子部品内蔵基板の断面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）の部分拡大図、図１１（Ｃ）は第２実施形態の改変例の電子部品内蔵基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は第１実施形態の電子部品内蔵基板の断面を示す。第１実施形態の電子部品内蔵基板１０は、コア基板３０を有する。そのコア基板３０は、第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０と絶縁基板２０の第１面Ｆ上に形成されている第１面側導体配線層３４Ｆと絶縁基板２０の第２面上に形成されている第２面側導体配線層３４Ｓを有する。コア基板３０はさらに第１面側導体配線層３４Ｆと第２面側導体配線層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６はコア基板３０を貫通している貫通孔２８の内壁に形成され、スルーホール導体３６内には充填樹脂２１が充填されている。図１（Ａ）に示されているコア基板３０は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。コア基板３０の第１面側導体配線層３４Ｆ、第２面側導体配線層３４Ｓは図示しない複数の導体回路やスルーホール導体３６の周りに形成されているスルーホールランドを含む。電子部品内蔵基板及びコア基板３０の第１面とコア基板３０の第１面は同じ面であり、電子部品内蔵基板及びコア基板３０の第２面とコア基板３０の第２面は同じ面である。この例では、スルーホール導体が円筒形状であるが、貫通孔の形状やスルーホール導体の形状は、コア基板３０の第１面Ｆと第２面Ｓのそれぞれの表面に開口を有するそれぞれの開口部が中心に向かってテーパし、中心部で接続する砂時計形状であってもよい。
【００１２】
コア基板３０の第１面Ｆに上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。ビルドアップ層５５Ｆには、コア基板上と第１面側導体配線層３４Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。この樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体配線層５８Ｆが形成されている。導体配線層５８Ｆと第１面側導体配線層３４Ｆは、樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆで接続されている。樹脂絶縁層５０Ｆ上に樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。この樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体配線層１５８Ｆが形成されている。導体配線層１５８Ｆと導体配線層５８Ｆは、樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通するビア導体１６０Ｆで接続されている。樹脂絶縁層１５０Ｆ上に樹脂絶縁層２５０Ｆが形成されている。この樹脂絶縁層２５０Ｆ上に導体配線層２５８Ｆが形成されている。導体配線層２５８Ｆと導体配線層１５８Ｆは、樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通するビア導体２６０Ｆで接続されている。同様に、更に、更に４層の樹脂絶縁層３５０Ｆ、第１樹脂絶縁層４５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５５０Ｆ、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆ、導体配線層３５８Ｆ、第１導体配線層４５８Ｆ、第２導体配線層５５８Ｆ、第３導体配線層６５８Ｆ、ビア導体３６０Ｆ、ビア導体４６０Ｆ、第１ビア導体５６０Ｆ、第２ビア導体６６０Ｆが形成され、上側のビルドアップ層５５Ｆは７層のビルドアップ層から成る。
【００１３】
コア基板３０の第２面Ｓに下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。ビルドアップ層５５Ｓには、コア基板上と第２面側導体配線層３４Ｓ上に樹脂絶縁層５０Ｓが形成されている。この樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体配線層５８Ｓが形成されている。導体配線層５８Ｓと第２面側導体配線層３４Ｓは、樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体６０Ｓで接続されている。樹脂絶縁層５０Ｓ上に樹脂絶縁層１５０Ｓが形成されている。この樹脂絶縁層１５０Ｓ上に導体配線層１５８Ｓが形成されている。導体配線層１５８Ｓと導体配線層５８Ｓは、樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通するビア導体１６０Ｓで接続されている。樹脂絶縁層１５０Ｓ上に樹脂絶縁層２５０Ｓが形成されている。この樹脂絶縁層２５０Ｓ上に導体配線層２５８Ｓが形成されている。導体配線層２５８Ｓと導体配線層１５８Ｓは、樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通するビア導体２６０Ｓで接続されている。同様に、更に、更に４層の樹脂絶縁層３５０Ｓ、第１樹脂絶縁層４５０Ｓ、第２樹脂絶縁層５５０Ｓ、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｓ、導体配線層３５８Ｓ、第１導体配線層４５８Ｓ、第２導体配線層５５８Ｓ、第３導体配線層６５８Ｓ、ビア導体３６０Ｓ、ビア導体４６０Ｓ、第１ビア導体５６０Ｓ、第２ビア導体６６０Ｓが形成され下側のビルドアップ層５５Ｓは７層のビルドアップ層から成る。
【００１４】
図１（Ｂ）は、図１中の電子部品９０を内蔵する最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆ、最外層の樹脂絶縁層に接する第２樹脂絶縁層５５０Ｆを拡大して示す。
電子部品９０は、ＣＰＵ、メモリー等のＩＣチップで、表層に再配線層が設けられている。このでは、能動素子を収容する例が示されるが、チップコンデンサ、抵抗等の受動素子からなる電子部品が収容されることも可能である。
【００１５】
最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆは、第３樹脂絶縁層６５０Ｆａと第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂの２層構造である。第２樹脂絶縁層５５０Ｆと第３樹脂絶縁層６５０Ｆａとにキャビティ６５１が形成され、該キャビティに電子部品９０が収容されている。第２樹脂絶縁層５５０Ｆ下の第１樹脂絶縁層４５０Ｆ上に、電子部品を支持する支持導体配線層４５８Ｆｆが形成されている。該支持導体配線層４５８Ｆｆ上に接着剤９８を介して電子部品９０が配置されている。電子部品９０上には、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂが被覆され、電子部品９０の端子（パッド）９２と、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂ上の第４導体パッド６５８Ｆｆｐとは、該第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂを貫通する第３ビア導体６６０Ｆｆにより接続されている。第２導体配線層５５８Ｆと最外層の第３導体配線層６５８Ｆとは最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通する第２ビア導体６６０Ｆにより接続されている。
【００１６】
第２樹脂絶縁層の厚みｔ１は３０μｍで、第３樹脂絶縁層の厚みｔ２は１０μｍ、第４樹脂絶縁層の厚みｔ３は２０μｍである。電子部品９０の厚みｔ４は３５μｍで、第２樹脂絶縁層の厚みｔ１と第３樹脂絶縁層の厚みｔ２とを加えたものから、接着剤９８を含む支持導体配線層４５８Ｆｆの厚みｔ５（５μｍ）を引いたものとほぼ等しい。即ち、キャビティ６５１の深さＤ１と、電子部品９０の厚みｔ４とはほぼ等しい。
【００１７】
最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通する第２ビア導体６６０Ｆの最大径ｄ１は、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂを貫通する第３ビア導体６６０Ｆｆの最大径ｄ２よりも大きい。第２ビア導体６６０Ｆに接続される第３導体パッド６５８Ｆｐの径ｆ１は、第３ビア導体６６０Ｆｆに接続される第４導体パッド６５８Ｆｆｐの径ｆ２よりも大きい。
【００１８】
図９（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す電子部品内蔵基板の平面図である。図９（Ｂ）のＸ１−Ｘ１断面が図１（Ａ）に相当する。
最外層の樹脂絶縁層上に第３導体パッド６５８Ｆｐ、第４導体パッド６５８Ｆｆｐがそれぞれ千鳥状に配置されている。図９（Ａ）は、電子部品１９０Ａ、１９０Ｂが実装された状態を示す。電子部品１９０Ａの大径側パッド１９２Ｌが、第３導体パッド６５８Ｆｐに半田バンプ１９４Ｌを介して接続され、小径側パッド１９２Ｍが、第４導体パッド６５８Ｆｆｐに半田バンプ１９４Ｍを介して接続されている。また、図１０は、図９（Ａ）の電子部品内蔵基板にソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓが形成される。
【００１９】
第１実施形態の電子部品内蔵基板は、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通し下層の第２導体配線層５５８Ｆに至る第２ビア導体６６０Ｆと、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂを貫通し電子部品９０のパッド９２に至る第３ビア導体６６０Ｆｆを備える。即ち、電子部品のパッドに接続する第３ビア導体６６０Ｆｆは、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆの第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂのみを貫通し、貫通する樹脂絶縁層が薄いため、ファインピッチな第４導体パッド６５８Ｆｆｐを内蔵電子部品上に形成できる。
【００２０】
第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂの無機フィラー含有量は、第３樹脂絶縁層６５０Ｆａの無機フィラー含有量よりも多い。このため、熱膨張率がシリコンから成る電子部品９０に近く、該電子部品と第４樹脂絶縁層との界面でクラックが発生し難い。
【００２１】
[第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法]
第１実施形態の電子部品内蔵基板１０の製造方法が図２〜図８に示される。
（１）第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する絶縁基板２０と、その両面に積層されている銅箔２２、２２からなる銅張積層板２０zが準備される（図２（Ａ））。銅張積層板２０として住友ベークライト社製のＥＬＣ４７８５ＴＨ−Ｇを用いることができる。
【００２２】
絶縁基板２０の絶縁層は樹脂と補強材で形成されていて、その補強材として例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。樹脂としてエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。
【００２３】
（２）絶縁基板２０にスルーホール導体３６、第１面側導体配線層３４Ｆ、第２面側導体配線層３４Ｓが、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で形成されコア基板３０が完成する（図２（Ｂ））。
【００２４】
（３）コア基板３０の第１面、第２面上に無機繊維に無機フィラーを含有する樹脂を含浸することで構成された樹脂絶縁層が積層され、さらに、加熱プレスすることで樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓが形成される（図２（Ｃ））。ここで、樹脂絶縁層５０Ｓは、無機フィラーと樹脂から構成される絶縁層を用いることもできる。
【００２５】
（４）ＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが、樹脂絶縁層５０Ｓにビア導体用の開口５１Ｓが形成される（図２（Ｄ））。
【００２６】
（５）樹脂絶縁層表面と開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される（図３（Ａ））。
【００２７】
（６）無電解銅めっき層５２上にめっきレジスト５４が形成される（図３（Ｂ））。
【００２８】
（５）めっきレジスト５４から露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される（図３（Ｃ））。
【００２９】
（７）めっきレジスト５４が除去される。電解銅めっき層５６間の無電解銅めっき層５２がエッチングで除去されることで、導体配線層５８Ｆ、５８Ｓ及びビア導体６０Ｆ、６０Ｓが形成される（図３（Ｄ））。
【００３０】
（８）図２（Ｃ）〜図３（Ｄ）の工程が更に５回繰り返され、コア基板３０の第１面Ｆ側に樹脂絶縁層１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆ、第１樹脂絶縁層４５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５５０Ｆ、導体配線層１５８Ｆ、２５８Ｆ、３５８Ｆ、第１導体配線層４５８Ｆ、第２導体配線層５５８Ｆ、ビア導体１６０Ｆ、２６０Ｆ、３６０Ｆ、４６０Ｆ、第１ビア導体５６０Ｆが形成される。また、コア基板３０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層１５０Ｓ、２５０Ｓ、３５０Ｓ、第１樹脂絶縁層４５０Ｓ、第２樹脂絶縁層５５０Ｓ、導体配線層１５８Ｓ、２５８Ｓ、３５８Ｓ、第１導体配線層４５８Ｓ、第２導体配線層５５８Ｓ、ビア導体１６０Ｓ、２６０Ｓ、３６０Ｓ、４６０Ｓ、第１０ビア導体５６０Ｓが形成される（図４）。ここで、第２樹脂絶縁層５５０Ｆ下の第１樹脂絶縁層４５０Ｆ上には、第１導体配線層４５８Ｆと同時に、電子部品を載置する支持導体配線層４５８Ｆｆが形成されている。
【００３１】
（９）第２樹脂絶縁層５５０Ｆ、５５０Ｓ及び第２導体配線層５５８Ｆ、５５８Ｓ上に最外層の樹脂絶縁層の一部をなす１０μｍの内層側の樹脂絶縁層（第３樹脂絶縁層）６５０Ｆａ、６５０Ｓａが積層され、半硬化状態にされる（図５（Ａ））。
【００３２】
（１０）第３樹脂絶縁層６５０Ｆａ及び第２樹脂絶縁層５５０Ｆに支持導体配線層４５８Ｆｆに至る切れ目がレーザで形成され、切断された第３樹脂絶縁層６５０Ｆａ及び第２樹脂絶縁層５５０Ｆ部位が取り除かれ、キャビティ６５１が形成される（図５（Ｂ））。キャビティ６５１にはテーパーが付けられている。第３樹脂絶縁層６５０Ｆａが半硬化状態なのでレーザ加工の形状性に優れる。
【００３３】
（１１）デスミヤ処理が行われ、支持導体配線層４５８Ｆｆ上のレーザ切断による残滓が除去される（図６（Ａ））。この際、第２樹脂絶縁層５５０Ｆ上の第２導体配線層５５８Ｆ上に第３樹脂絶縁層６５０Ｆａを被覆した状態でデスミヤ処理を行うので、第２樹脂絶縁層５５０Ｆと第２導体配線層５５８Ｆとの間に隙間ができず、該第２導体配線層５５８Ｆの信頼性が低下することが無い。支持導体配線層４５８Ｆｆに粗化処理を行うことも可能である。
【００３４】
（１２）支持導体配線層４５８Ｆｆ上に接着剤９８を介して電子部品９０が配置される（図６（Ｂ））。
【００３５】
（１３）第１面側で電子部品９０及び第３樹脂絶縁層６５０Ｆａ上に２０μｍの第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂが積層され、キャビティ６５１内と電子部品９０間に第４樹脂絶縁層由来の樹脂６５０が充填される。この際に、キャビティにテーパが付けられているので、樹脂の充填が容易である。第２面側で第３樹脂絶縁層６５０Ｓａ上に２０μｍの第４樹脂絶縁層６５０Ｓｂが積層される（図７（Ａ））。ここで、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂ、６５０Ｓｂは、第３樹脂絶縁層６５０Ｆａ、６５０Ｓａよりも厚みが厚く、また、無機フィラー量が多い。その後、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂ、６５０Ｓｂが半硬化状態にされる（図７（Ｂ））。
【００３６】
（１４）第１面側で、レーザにより最外層の樹脂絶縁層（第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層）６５０Ｆを貫通し第２導体配線層５５８Ｆに至る第３開口６５１Ｆが、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂを貫通し電子部品のパッド９２に至る第４開口７５１Ｆｆが形成される。第２面側でレーザにより最外層の樹脂絶縁層（第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層）６５０Ｓを貫通し第２導体配線層５５８Ｓに至る第３開口６５１Ｓが形成される（図８（Ａ））。第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂ、６５０Ｓｂが半硬化状態なので、レーザ加工の形状性に優れる。
【００３７】
（１５）第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂ、６５０Ｓｂ上、第３開口６５１Ｆ、６５１Ｓ、第２開口６５１Ｆｆ内壁に無電解銅めっき層６５２が形成される（図８（Ｂ））。
【００３８】
（１６）図３（Ｂ）〜図３（Ｄ）の工程が更に繰り返され、第１面側の最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆに第２ビア導体６６０Ｆ、第３ビア導体６６０Ｆｆ、第３導体配線層６５８Ｆが形成される。第２面側の最外層の樹脂絶縁層６５０Ｓに第２ビア導体６６０Ｓ、第３導体配線層６５８Ｓが形成される（図１）。これにより電子部品内蔵基板が完成する。
【００３９】
なお、最外層の樹脂絶縁層上にソルダーレジスト層を形成することもできる。また、第３導体配線層６５８Ｆ、６５８Ｓ上に表面処理を施すもともできる。表面処理は、ニッケル−金層（Ni/Au）、Ｓnめっき、ニッケル−パラジウム−金層（Ni/Pd/Au）、Pd/Agめっき、OＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜が形成されてもよい。
【００４０】
（１７）第１面側の導体配線層６５０Ｆにより形成される第３導体パッド６５８Ｆｐ、第４導体パッド６５８Ｆｆｐに、電子部品内蔵基板に電子部品１９０Ａ、１９０Ｂが実装される。電子部品１９０Ａの大径側パッド１９２Ｌが、第３導体パッド６５８Ｆｐに半田バンプ１９４Ｌを介して接続され、小径側パッド１９２Ｍが、第４導体パッド６５８Ｆｆｐに半田バンプ１９４Ｍを介して接続される。
【００４１】
第１実施形態の製造方法では、第２樹脂絶縁層５５０Ｆ上の第２導体配線層５５８Ｆ上に第３樹脂絶縁層６５０Ｆａを被覆した状態でデスミヤ処理を行うので、第２樹脂絶縁層５５０Ｆと第２導体配線層５５８Ｆとの間に隙間ができず、該第２導体配線層５５８Ｆの信頼性が低下することが無い。
【００４２】
更に、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通し第２導体配線層５５８Ｆに至る第２ビア用開口６５１Ｆと、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂを貫通し電子部品９０のパッド９０に至る第３ビア用開口６５１Ｆｆを形成し、第２ビア用開口に第２ビア導体６５０Ｆを、第３ビア用開口に第３ビア導体６５０Ｆｆを形成する。即ち、電子部品のパッドに接続する第３ビア導体は、最外層の樹脂絶縁層の第４樹脂絶縁層のみを貫通し、貫通する樹脂絶縁層が薄いため、ファインピッチなパッド（第４導体パッド）を内蔵電子部品上に形成できる。
【００４３】
[第２実施形態]
図１１（Ａ）は第２実施形態の電子部品内蔵基板を示し、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）の部分拡大図である。
第２実施形態の電子部品内蔵基板は、第１樹脂絶縁層４５０Ｆと、第２樹脂絶縁層５５０Ｆと、最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆとの３層構造のコア基板を備えないビルドアップ式の積層基板である。
【００４４】
最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆは、第３樹脂絶縁層６５０Ｆａと第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂの２層構造である。第２樹脂絶縁層５５０Ｆと第３樹脂絶縁層６５０Ｆａとにキャビティ６５１が形成され、該キャビティに電子部品９０が収容されている。第２樹脂絶縁層５５０Ｆ下の第１樹脂絶縁層４５０Ｆ上に、電子部品を支持する支持導体配線層４５８Ｆｆが形成されている。該支持導体配線層４５８Ｆｆ上に接着剤９８を介して電子部品９０が配置されている。電子部品９０上には、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂが被覆され、電子部品９０の端子（パッド）９２と、第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂ上の第４導体パッド６５８Ｆｆｐとは、該第４樹脂絶縁層６５０Ｆｂを貫通する第３ビア導体６６０Ｆｆにより接続されている。下層の第２導体配線層５５８Ｆと最外層の第３導体配線層６５８Ｆとは最外層の樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通する第２ビア導体６６０Ｆにより接続されている。第１樹脂絶縁層４５０Ｆ上には第１導体配線層４５８Ｆが形成され、表層のパッド３４Ｆに、ビア導体４６０Ｆを介して接続されている。
【００４５】
[第２実施形態の改変例]
図１１（Ｃ）は第２実施形態の改変例に係る電子部品内蔵基板を示す。第２実施形態の改変例の電子部品内蔵基板では、支持導体配線層４５８Ｆｆとアース用パッド３４Ｆｅとがアース用ビア導体４６０Ｆｅを介して接続されている。第２実施形態の改変例では、接着剤９８に導電性のあるものが用いられている。
【符号の説明】
【００４６】
１０  電子部品内蔵基板
３０  コア基板
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  導体配線層
６０Ｆ  ビア導体
９０  電子部品
４５０Ｆ  第１樹脂絶縁層
４５８Ｆｆ  支持導体配線層
５５０Ｆ  第２樹脂絶縁層
５５８Ｆ  第２導体配線層
６５０Ｆ  最外層の樹脂絶縁層
６５０Ｆａ  第３樹脂絶縁層
６５９Ｆｂ  第４樹脂絶縁層
６６０Ｆ  第２ビア導体
６６０Ｆｆ  第３ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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