(57)【要約】【課題】本発明は、基板収容器内に適宜不活性ガスを供給することにより、基板収容器内の雰囲気変化によるウエハへの影響を軽減することを目的とする。【解決手段】基板収容器１１０を配置する載置部１１４及び収納棚１０５のうち少なくともどちらか一方に設けた不活性ガスを供給するパージ機構と、前記パージ機構を介して前記基板収容器１１０に供給される不活性ガスの流量と予め設定された基準値とを比較し、比較した結果を示す信号を出力する監視部と、前記監視部から出力された前記信号に応じて、前記基板収容器１１０の使用を管理する管理部と、を備えた基板処理装置１００が提供される。【選択図】図１
2015029057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板収容器を配置する載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に設けられ、所定のガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部を介して前記基板収容器に供給される前記所定のガスの流量と予め設定された基準値とを比較し、比較した結果を示す信号を出力する監視部と、
前記監視部から出力された前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を管理する管理部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記監視部は、
前記所定のガスの流量が前記基準値を下回った状態で予め設定された監視時間を越えたら、前記所定のガスを供給されていた前記基板収容器を異常に指定する信号を前記管理部に出力し、
前記管理部は、
前記信号を受けると、前記異常に指定された対象の基板収容器の前記載置部及び前記収納部のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を禁止する請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
前記監視部は、
前記異常に指定された基板収容器への前記所定のガスの流量が、前記基準値を超えた状態で所定の一定時間経過すると、前記異常の指定を解消する信号を前記管理部に出力し、
前記管理部は、
前記信号を受けると、前記異常の指定から解消された基板収容器の前記載置部及び前記収納部のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を可能とする請求項２の基板処理装置。
【請求項４】
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に配置された基板収容器にガスを供給する処理と、
前記基板収容器に供給されるガスの流量と予め設定された基準値とを比較する処理と、
前記比較した結果を示す信号を出力する処理と、
前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を指定する処理と、
を有する流量監視プログラムが格納された記録媒体。
【請求項５】
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に設けられたガス供給部から所定のガスを基板収容器に供給する工程と、
前記ガス供給部を介して前記基板収容器に供給される前記所定のガスの流量と予め設定された基準値とを比較し、比較した結果を示す信号を出力する工程と、
前記出力された前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を管理する工程と、
前記搬送状態を管理された前記基板収容器の基板を処理室に搬送し処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体において、基板を収容する基板収容器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板処理装置の一種である半導体製造装置は、ＤＲＡＭやＩＣ等のデバイスの製造工程の一工程として、処理条件及び処理手順が定義されたレシピ(プロセスレシピ)に基づいて基板（以下、ウエハ）を処理する基板処理工程が実施されている。このような基板処理装置では、複数のウエハを基板保持具(以下、ボート)に移載された状態で処理炉内に装入し、所定の処理が施される。この場合、処理炉の下部に設けられる移載室にて、ウエハをボートに移載された状態で処理の開始及び終了を待つため、大気中の酸素(Ｏ２)により熱処理前または熱処理後のウエハの影響を与える場合がある。そこで、移載室内をＮ２置換する機構を設け、Ｏ２濃度を所定値より低減するように管理されている。
【０００３】
この半導体製造装置において、処理対象となる基板は、基板収容器としてのＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ）内に収納されて、載置部(以下、ロードポート)に搬入される。ＦＯＵＰが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしても、ウエハの清浄度を維持することができる。
【０００４】
しかしながら、基板収容器としてのＦＯＵＰは、密閉容器であるが、外気の流入出を完全に防ぐほどの性能は無いため、装置搬入時に理想状態(例えば、所定のＯ２濃度以下)であったとしても、装置搬出時までに時間経過と共に酸素(Ｏ２）濃度は上昇する。そのため、ＦＯＵＰ内のＯ２濃度を一定に保つには、装置内にＦＯＵＰが配置されている間は、Ｎ２ガスによるパージ処理を実施する必要がある。例えば、特許文献１によれば、ＦＯＵＰがカセット棚に載置されたときに不活性ガスを供給する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４０６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、基板収容器内に供給される不活性ガスの流量を監視することにより、基板収容器内の雰囲気変化による基板への影響を軽減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、
基板収容器を配置する載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に設けられ、所定のガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部を介して前記基板収容器に供給される前記所定のガスの流量と予め設定された基準値とを比較し、比較した結果を示す信号を出力する監視部と、
前記監視部から出力された前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を管理する管理部と、
を備えた基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様は、
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に設けられたガス供給部から所定のガスを基板収容器に供給する工程と、
前記ガス供給部を介して前記基板収容器に供給される前記所定のガスの流量と予め設定された基準値とを比較し、比較した結果を示す信号を出力する工程と、
前記出力された前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を管理する工程と、
前記搬送状態を管理された前記基板収容器の基板を処理室に搬送し処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の更に他の態様は、
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に配置された基板収容器にガスを供給する処理と、
前記基板収容器に供給されるガスの流量と予め設定された基準値とを比較する処理と、
前記比較した結果を示す信号を出力する処理と、
前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を指定する処理と、
を有する流量監視プログラムが格納された記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る基板処理装置によれば、基板収容器が装置内に搬入されたときから装置外へ搬出されるまでの間、前記基板収容器内に供給される不活性ガスの流量を監視することにより、前記基板収容器内の雰囲気変化による基板への影響を低く抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板処理装置のコントローラ構成図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る基板処理装置内に基板収容器を搬入する際のパージ設定処理を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る基板収容容器の動作(Ｐｉｃｋ動作)における不活性ガス停止タイミングを示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る基板収容容器の動作(Ｐｌａｃｅ動作)における不活性ガス供給タイミングを示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る基板処理装置のロードポート上の基板収容器の搬出動作における不活性ガス停止タイミングを示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る基板収容容器内のＮ２ガス供給量を監視する処理を示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る基板収容容器内のＮ２ガス供給量を監視する処理を示す図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置内の収納棚(または載置部)への禁止指定を示す図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置内の収納棚及び載置部への搬入禁止決定処理を示す図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る基板処理装置内の収納棚及び載置部に載置された基板収容器内に不活性ガスを供給するガス供給部を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
【００１３】
（１）基板処理システムの構成
まず、図１を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成図である。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態に係る基板処理システムは、少なくとも一台の基板処理装置１００と、この基板処理装置１００とデータ交換可能なように接続される群管理装置５００と、を備えている。基板処理装置１００は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく処理プロセスを実行するように構成されている。基板処理装置１００と群管理装置５００との間は、例えば構内回線（ＬＡＮ）や広域回線（ＷＡＮ）等のネットワーク４００により接続されている。
【００１５】
（２）基板処理装置の構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置１００の構成について、図２，図３を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。図３は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、ＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置として構成されている。
【００１６】
図２、図３に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する立ち入り機構として一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。シリコン等のウエハ（基板）２００を収納したポッド（基板収容器）１１０が、筐体１１１内外へウエハ２００を搬送するキャリアとして使用される。
【００１７】
筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、載置部としてロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。ロードポート１１４上には、ポッド１１０を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド１１０は、ＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｈｏｉｓｔ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）等の工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４上に搬送されるように構成されている。
【００１８】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、収納部としての回転式ポッド棚（基板収容器載置部）１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５上には、複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠的に回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００１９】
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、第一の搬送機構としてのポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。
【００２０】
筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。
【００２１】
各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００２２】
サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図２に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４の前方領域右端部と筐体１１１右側の端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ２００をボート（基板保持具）２１７に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）することが可能に構成さ
れている。
【００２３】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
【００２４】
図２に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
【００２５】
主に、回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８，ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５，ボート２１７及び後述の回転機構２５４により、本実施形態に係る基板搬送系が構成されている。これら回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８，ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５，ボート２１７及び回転機構２５４は、搬送コントローラ１１に電気的に接続されている。
【００２６】
ボート２１７は複数本の保持部材を備えている。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。
【００２７】
図２に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、クリーンユニット１３４が設置されている。クリーンユニット１３４は、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置（図示せず）が設置されている。
【００２８】
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。
【００２９】
なお、筐体１１１，サブ筐体１１９の外周には基板処理装置１００内への立ち入り機構として図示しない複数の装置カバーが取り付けられている。これら装置カバーは、メンテナンス作業時に取り外して保守員が基板処理装置１００内に立ち入り可能となっている。これら装置カバーと相対する筐体１１１，サブ筐体１１９の端部には、立ち入りセンサとしてのドアスイッチ１３０が設けられている。また、正面メンテナンス扉１０４と相対する筐体１１１の端部にも立ち入りセンサとしてドアスイッチ１３０が設けられている。また、ロードポート１１４上には、ポッド１１０の載置を検知する基板検知センサ１４０が設けられている。これらドアスイッチ１３０及び基板検知センサ１４０等のスイッチ，センサ類１５は、後述の基板処理装置用コントローラ２４０に電気的に接続されている。
【００３０】
（３）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１００の動作について、図２，図３を参照しながら説明する。
【００３１】
図２、図３に示すように、ポッド１１０が工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４に供給されると、基板検知センサ１４０によりポッド１１０が検知され、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。そして、ロードポート１１４の上のポッド１１０が、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。
【００３２】
筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管される。その後、ポッド１１０は、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４内にクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気である筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。
【００３３】
載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。
【００３４】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００３５】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。
【００３６】
ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理室２０１内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。
【００３７】
（４）処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図４を用いて説明する。図４は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１００の処理炉２０２の縦断面図である。
【００３８】
図４に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ２０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１内は、後述するボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。
【００３９】
プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に構成されている。ヒータ２０６は、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００４０】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等により構成されている。マニホールド２０９は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合している。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。
【００４１】
後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としての処理ガスノズル２３０ａ及びパージガスノズル２３０ｂが処理室２０１内に連通するように接続されている。処理ガスノズル２３０ａには、処理ガス供給管２３２ａが接続されている。処理ガス供給管２３２の上流側（処理ガスノズル２３０ａとの接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ａを介して、図示しない処理ガス供給源等が接続されている。また、パージガスノズル２３０ｂには、パージガス供給管２３２ｂが接続されている。パージガス供給管２３２ｂの上流側（パージガスノズル２３０ｂとの接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ｂを介して、図示しないパージガス供給源等が接続されている。
【００４２】
主に、処理ガス供給源（図示しない）、ＭＦＣ２４１ａ、処理ガス供給管２３２ａ及び処理ガスノズル２３０ａにより、本実施形態に係る処理ガス供給系が構成されている。主に、パージガス供給源（図示しない）、ＭＦＣ２４１ｂ、パージガス供給管２３２ｂ及びパージガスノズル２３０ｂにより、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。主に、処理ガス供給系及びパージガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成されている。ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂには、ガス供給コントローラ１４が電気的に接続されている。また、監視部としてのガス供給コントローラ１４は、後述するパージ機構に接続され、基板収容器１１０内にパージ用の不活性ガス供給量を監視するように構成されている。
【００４３】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されている。排気管２３１は、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、圧力検知器としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｏｒｏｌｌｅｒ）として構成された圧力調整装置２４２、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が上流側から順に接続されている。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、圧力調整装置２４２及び真空排気装置２４６により、本実施形態に係るガス排気機構が構成されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力コントローラ１３が電気的に接続されている。
【００４４】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属により構成されている。シールキャップ２１９は、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。
【００４５】
シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能に構成されている。
【００４６】
シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能に構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、搬送コントローラ１１が電気的に接続されている。
【００４７】
上述したように、基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。ボート２１７の下部には、断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、円板形状に形成されている。断熱板２１６は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。断熱板２１６は、ヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝えにくくするように構成されている。
【００４８】
プロセスチューブ２０３内には、温度検知器としての温度センサ２６３が設置されている。主に、ヒータ２０６及び温度センサ２６３により、本実施形態に係る加熱機構が構成されている。これらヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度コントローラ１２が電気的に接続されている。
【００４９】
主に、ガス排気機構、ガス供給系、加熱機構により、本実施形態に係る基板処理系が構成されている。
【００５０】
（５）処理炉の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉２０２を用いてＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について、図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。
【００５１】
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図４に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００５２】
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２（の弁の開度）がフィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検知した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００が回転させられる。
【００５３】
次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１ａにて所望の流量となるように制御された処理ガスは、ガス供給管２３２ａ内を流通してノズル２３０ａから処理室２０１内に導入される。導入された処理ガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００５４】
予め設定された処理時間が経過すると、パージガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１ｂにて所望の流量となるように制御されたパージガスが処理室２０１内に供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００５５】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７がマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド１１０内へ格納される（ウエハディスチャージ）。
【００５６】
（６）基板処理装置用コントローラの構成
（基板処理装置用コントローラ）
以下、図５を参照して、基板処理装置用コントローラとしての制御装置２４０について説明する。
【００５７】
該制御装置２４０は、主にＣＰＵ等の演算制御部２５と、処理コントローラとしての処理制御部２０と、搬送コントローラ１１としての搬送制御部２７と、メモリやＨＤＤ等からなる記憶部２８と、マウスやキーボード等の入力部２９及びモニタ等の表示部３１とから構成されている。尚、前記演算制御部２５と、前記記憶部２８と、前記入力部２９と、前記表示部３１とで各データを設定可能な操作部が構成される。
【００５８】
ＣＰＵ（Central Processing Unit)２５は、基板処理装置用コントローラ２４０の中枢を構成し、図示しないＲＯＭに記憶された制御プログラムを実行し、表示部３１からの指示に従って、レシピ記憶部も構成する記憶部２８に記憶されているレシピ（例えば、基板処理レシピとしてのプロセス用レシピ等）を実行する。ＲＯＭは、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ２５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。メモリ(ＲＡＭ)は、ＣＰＵ２５のワークエリア(一時記憶部)などとして機能する。
【００５９】
ここで、基板処理レシピは、ウエハ２００を処理する処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。また、レシピファイルには、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４等に送信する設定値（制御値）や送信タイミング等が、基板処理のステップ毎に設定されている。
【００６０】
また、本発明の実施の形態にかかる基板処理装置用コントローラ２４０は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するための制御プログラムを格納した外部記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢ、外付けＨＤＤ等）から制御プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する基板処理装置用コントローラ２４０を構成することができる。
【００６１】
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、ネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
【００６２】
前記処理制御部２０は、前記処理炉２０１内にローディングされたウエハ２００に対し、所定の処理がなされる様、前記処理炉２０１内の温度や圧力、該処理炉２０１内に導入される処理ガスの流量等を制御する機能を有している。
【００６３】
前記搬送制御部２７は、図示しない駆動モータを介して前記ポッド搬送装置１０５、前記ウエハ移載機構１２５、前記ボートエレベータ１１５等の搬送機構の駆動を制御する機能を有している。
【００６４】
前記記憶部２８には、各種データ等が格納されるデータ格納領域３２と、各種プログラムが格納されるプログラム格納領域３３が形成されている。
【００６５】
前記データ格納領域３２は、前記レシピファイルに関連する各種パラメータが格納される。また、前記ポッド１１０を前記筐体１１１内に搬入する際、又前記ポッド１１０を前記筐体１１１外に搬出する際の、Ｉ／Ｏステージとしての載置台１１４上の受渡し位置の情報や、受渡し位置にキャリアローダとしての前記ポッド搬送装置１１８を移動させる際の動作順序、受渡し位置からキャリアローダ１１８を移動させる際の動作順序等の情報が格納されている。また、ポッド１１０毎に識別する情報であるキャリアＩＤやポッド１１０内のウエハ２００の種別情報を少なくとも含むキャリア情報が前記データ格納領域３２に格納される様になっている。
【００６６】
前記プログラム格納領域３３には、前記カセット３の搬入、搬出を行う為に必要な各種プログラムが格納されている。例えば、ポッド１１０の移動中を除いて、適宜ポッド１１０内に不活性ガス(例えば、Ｎ２ガス)を供給するガス供給プログラム３４、また、ガス供給プログラム３４が実行されている際、ポッド１１０内のガス供給量を監視する流量監視プログラム３５等のプログラムが格納されている。また、流量監視プログラム３５は、第一流量監視プログラムと第二流量監視プログラムに分類されて、前記プログラム格納領域３３に格納されるように構成されている。尚、ガス供給プログラム３４、流量監視プログラム３５を実行したときに生成される各種データは、前記データ格納領域３２に格納されるように構成されている。例えば、パージ指定があるポッド１１０が基板処理装置１００内に搬入されてから搬出されるまでに、ポッド１１０内に供給される不活性ガス流量と時間との関係を示すデータ、更に、不活性ガス供給量と所定の基準値とを比較した結果の比較結果信号(比較結果情報)、例えば、不活性ガス供給量が所定の基準値以下になり、流量異常を示すアラーム信号 (アラーム情報)、不活性ガス供給量が所定の基準値以下の状態が所定期間続く前に所定の基準値以上になり流量異常からの回復を示すアラーム回復信号(異常回復情報)及び基準値以下の状態が所定期間続いたときに指定される異常(異常ＦＯＵＰ指定の有無)を示す異常指定信号 (異常指定情報)、その異常(異常ＦＯＵＰ指定の有無)情報の履歴情報、異常ＦＯＵＰ指定からの回復を示す指定解除信号 (指定解除情報)等のデータが前記データ格納領域３２に格納される。
【００６７】
基板処理装置用コントローラ２４０の表示部３１には、タッチパネルが設けられている。タッチパネルは、上述の基板搬送系、基板処理系への操作コマンドの入力を受け付ける操作画面を表示するように構成されている。かかる操作画面は、基板搬送系や基板処理系の状態を確認したり、基板搬送系や基板処理系への動作指示を入力したりするための各種表示欄及び操作ボタンを備えている。なお、操作部は、パソコンやモバイル等の操作端末(端末装置)のように、少なくとも表示部３１と入力部２９を含む構成であればよい。
【００６８】
搬送コントローラ１１は、基板搬送系を構成する回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５、ボート２１７及び回転機構２５４の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。また、図示しないが基板搬送系を構成する回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８，ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５，ボート２１７及び回転機構２５４には、それぞれセンサが内蔵されている。搬送コントローラ１１は、これらのセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した際に、基板処理装置用コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
【００６９】
温度コントローラ１２は、処理炉２０２のヒータ２０６の温度を制御することで処理炉２０２内の温度を調節すると共に、温度センサ２６３が所定の値や異常な値等を示した際に、基板処理装置用コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
【００７０】
圧力コントローラ１３は、圧力センサ２４５により検知された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置２４２を制御すると共に、圧力センサ２４５が所定の値や異常な値等を示した際に、基板処理装置用コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
【００７１】
ガス供給コントローラ１４は、処理ガス供給管２３２ａ，パージガス供給管２３２ｂからのガスの供給や停止を、ガスバルブ（図示せず）を開閉させることにより制御するように構成されている。また、ガス供給コントローラ１４は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂを制御するように構成されている。ガス供給コントローラ１４は、ガスバルブ（図示せず）やＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂの備えるセンサ（図示せず）が所定の値や異常な値等を示した際に、基板処理装置用コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
【００７２】
更に、監視部としてのガス供給コントローラ１４は、ポッド１１０を配置するロードポート１１４及びポッド回転棚１０５に不活性ガスを所定の流量以上を供給するように後述するガス供給部としてのパージ機構を制御する。また、このパージ機構が備える検出部(例えば、ＭＦＭ、ＭＦＣ、流量計等)が、不活性ガスの流量を検出する。そして、ガス供給コントローラ１４は、検出部で検出された所定の値が異常な値等を示した際に、管理部としての基板処理装置用コントローラ２４０に通知するように構成されている。後述するパージ機構は、各ロードポート１１４及びポッド回転棚１０５にそれぞれ設けてもよいが、それぞれ不活性ガス(本願では、Ｎ２ガス)を供給する構成であれば、特に限定されることはない。
【００７３】
監視部としてのガス供給コントローラ１４は、不活性ガスの流量と予め設定された基準値を比較する比較部と、流量が基準値を下回った場合に異常と判定する判定部と、流量異常を含む異常を示す各種アラームを前記管理部に報告する報告部とで少なくとも構成される。各部は、第一流量監視プログラムと第二流量監視プログラムを含む流量監視プログラム３５により実現される。また、監視部としてのガス供給コントローラ１４は、ポッド１１０の移動中を除いて、適宜ポッド１１０内に不活性ガス(例えば、Ｎ２ガス)を供給するガス供給プログラム３４を実行するのは言うまでもない。
【００７４】
載置棚１１４及び収納棚１０５のそれぞれにガス供給部(Ｎ２パージ機構)が設けられる。例えば、全ての載置棚１１４及び収納棚１０５に、ガス供給部(Ｎ２パージ機構)が設けられる。そして、ガス供給部は検出部を少なくとも有する。検出部として全てのガス供給部に流量制御器(ＭＦＣ)等が接続されてよい。例えば、載置棚１１４に設けられたガス供給部には、検出部として流量制御器(ＭＦＣ)が接続され、収納棚１０５に設けられたガス供給部には、検出部として流量測定器(ＭＦＭ)が接続されるように構成してもよい。また、載置棚１１４及び収納棚１０５にそれぞれ設けられたガス供給部は、検出部としてガス流量を計測する流量計または所定ガスの流量を測定する流量測定器(ＭＦＭ)、酸素濃度を計測する濃度計、湿度を計測する湿度計及び露点計、所定ガスの流量を制御する流量制御器(ＭＦＣ)のうちいずれか一つが接続されるか、または、これらの組合せが接続されてもよい。
【００７５】
（不活性ガスを供給してパージするための機構）
先ず、図１４を用いて、このガス供給部としてのパージ機構に関して説明する。図示されているように、基板収容器としてのポッド１１０を配置するロードポート１１４及びポッド回転棚１０５に不活性ガスによるパージを行うためのパージ機構が設けられている。パージ機構は、検出部５１とバルブ５２を少なくとも備えている。各ポッド１１０が、全てのロードポート１１４及び全てのポッド回転棚１０５のいずれかに載置されると、突起部としての位置センサ５３をポッド１１０が押すような構成になっている。この位置センサ５３からの信号を受信するとガス供給コントローラ１４が、バルブ５２を開にし、図示しないＮ２ガス源から不活性ガスを供給され、図示しないガス排気部から不活性ガスが排気されるように構成されている。尚、各ロードポート１１４及び各ポッド回転棚１０５に一つずつ個別に設ける必要はなく、各ロードポート１１４及び各ポッド回転棚１０５に所定量の不活性ガス(本実施の形態ではＮ２ガス)を供給可能に構成されていればよい。尚、検出部５１は、ガス流量を計測する流量計、酸素濃度を計測する濃度計、湿度を計測する湿度計及び露点計、所定ガスの流量を制御する流量制御器(ＭＦＣ)、所定ガスの流量を測定する流量測定器(ＭＦＭ)のうちいずれか一つであるのが好ましい。
【００７６】
また、検出部５１として、流量を測定することができるものでなくてもよい。例えば、流量が所定の基準値に到達した場合に信号を出力するように構成されている流量スイッチのようなものでもよい。但し、この場合、所定の基準値の設定を適切にする必要がある。この所定の基準値は、使用される流量検出部の仕様で必然的に決定する場合が多い。
【００７７】
（Ｎ２パージ指定の設定）
次に、図６を用いて、基板収容器搬入時のＮ２パージ設定処理について説明する。
【００７８】
ＦＯＵＰとしてのポッド１１０の形状やウエハ２００の種別により、不活性ガスの供給が不要な場合があるため、ポッド１１０内に不活性ガスを供給するかは、前記基板処理装置１００へのポッド１１０搬入指示時に、Ｎ２パージ(不活性ガスの供給)の有無指定により指示する。例えば、ホストコンピュータ等の上位コンピュータからのポッド１１０の搬入指示データには、ポッド１１０の識別情報としてのキャリア識別子(ＣＩＤ)、ポッド１１０内に収納されているウエハ２００の基板種別情報としての種別(Ｔｙｐｅ)、パージ指定(Ｎ２Ｐｕｒｇｅ)の有無で少なくとも構成されている。この構成に特に限定されず、例えば、プロセスレシピとしての基板処理レシピ、クリーニングレシピとしてのメンテナンスレシピなどが設定されていてもよい。また、搬入指示データに後述する流量基準値情報、供給監視時間及び異常回復時間の情報を含めてもよい。
【００７９】
基板処理装置用コントローラ２４０は、ポッド１１０がロードポート１１４に到着時に、搬入指示データを受け付け、ポッド１１０内に不活性ガスを供給するためのパージ指定の有無を確認する。また、表示部３１に設けられた操作画面上に搬入指示データを表示するように構成しても良い。更に操作画面に表示された搬入指示データを編集できるように構成してもよい。例えば、ポッド１１０のパージ指定の有無を設定できるように構成するのが好ましい。空のポッド１１０がロードポート１１４に到着時受け付けた搬入指示データにパージ指定が有である場合に、操作画面上で、パージ指定を有から無に設定変更することができる。これにより、不要な空のポッド１１０に誤って不活性ガスが供給されることが抑えられる。また、ダミー基板を収納したポッド１１０の搬入指示データのパージ指定が有である場合にも、同様に、パージ指定を有から無に設定変更できる。言い換えると、製品基板を収納したポッド１１０の搬入指示データのパージ指定が無である場合、パージ指定を無から有に設定変更可能である。
【００８０】
ロードポート１１４での不活性ガスパージは、ガス供給コントローラ１４により実行される。また、先述の搬入指示データ内のパージ指定が有で搬入指示されたポッド１１０がロードポート１１４に到着した時点で、基板処理装置用コントローラ２４０が、搬入指示されたポッド１１０とロードポート１１４上に載置されたポッド１１０が同一であると確認し、前記ガス供給コントローラ１４によりポッド１１０内のＮ２パージが開始され、載置部としてのロードポート１１４上のポッド１１０内に所定量のＮ２ガスが供給される。
【００８１】
ここで指定したパージ指定の有無情報はポッド１１０毎にキャリア情報として管理され、以降のＮ２パージ動作は、このパージ指定の有無情報に従い実行される。ロードポート１１４上でガス供給中のポッド１１０は、基板処理装置コントローラ２４０から搬送コントローラ１１へ搬入動作開始指示により、ポッドオープナ１２１または回転式ポッド棚１０５へとポッド                                                                                                                                                                                                                                                                                                                          搬送装置１１８による移動が開始される。尚、ポッド１１０の識別子情報やウエハ２００の種別情報と共にパージ有無情報を含むキャリア情報は、記憶部２８に格納される。
【００８２】
（Ｐｉｃｋ動作におけるガス供給）
図７は、本発明の一実施形態に係る基板収容器の動作(Ｐｉｃｋ動作)における不活性ガスを停止するタイミングを示す図である。
【００８３】
図７に示すように、基板収容器としてのポッド１１０の移動は、搬送コントローラ１１の指示に従いキャリアローダとしてのポッド搬送装置１１８が行う。ここで、キャリアローダ１１８がロードポート１１４からポッド１１０を取り上げる動作(Ｐｉｃｋ動作)に連動して、ガス供給コントローラ１４はガス供給を停止する。
【００８４】
ポッド１１０が、ロードポート１１４または収納棚としての回転式ポッド棚１０５に載置された状態で、ガス供給コントローラ１４によりガス供給が行われている。このとき、キャリアローダ１１８が搬送コントローラ１１からの搬送開始位置移動指示を受けつける。
【００８５】
そして、キャリアローダ１１８がＰｉｃｋ開始位置への移動が終了するまで、ポッド１１０は、ロードポート１１４または回転式ポッド棚１０５に載置された状態であり、ガス供給コントローラ１４によりガス供給が行われている。
【００８６】
次に、ガス供給コントローラ１４によるガス供給が停止され、基板処理装置用コントローラ２４０は、Ｎ２停止確認後、搬送コントローラ１１への動作開始(Ｐｉｃｋ動作開始)を指示し、搬送コントローラ１１からのＰｉｃｋ動作開始指示に従い、キャリアローダ１１８は、ポッド１１０を取上げる。
【００８７】
（Ｐｌａｃｅ動作におけるＮ２供給）
図８は、本発明の一実施形態に係る基板収容器の動作における不活性ガスを供給するタイミングを示す図である。
【００８８】
図８のように、ロードポート１１４または回転式ポッド棚１０５からの搬出時には、キャリアローダ１１８がＦＯＵＰ１１０をロードポート１１４に置く動作(Ｐｌａｃｅ動作)に連動して、ガス供給コントローラ１４は不活性ガスの供給を開始する。  
【００８９】
図８で示されるように、ポッド１１０がキャリアローダ１１８により搬送されている場合、ロードポート１１４または回転式ポッド棚１０５には、ガス供給は停止される。
【００９０】
そして、Ｐｌａｃｅ動作が開始され、ポッド１１０がキャリアローダ１１８からロードポート１１４または回転式ポッド棚１０５への載置(Ｐｌａｃｅ動作)が完了後、ガス供給コントローラ１４により、ガス供給が開始される。
【００９１】
このように、載置部としてのロードポート１１４及び収納部としての回転式ポッド棚１０５及び移載部としてのポッドオープナ１２１に対するポッド１１０の移動は全てキャリアローダ１１８を介して実行するため、各載置部および各収納棚へポッド１１０のＰｌａｃｅ動作と連動してガス供給が開始され、Ｐｉｃｋ動作と連動してＮ２供給が停止される。
【００９２】
以上の制御により、基板処理装置１００内へのポッド１１０搬入から搬出までの間、ポッド１１０の移動動作中を除き常時不活性ガス(例えば、Ｎ２ガス)パージの実行が可能となる。
【００９３】
（ロードポート上からの搬出動作におけるＮ２供給）
図９は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置のロードポート１１４上の基板収容器１１０の搬出動作における不活性ガスを停止するタイミングを示す図である。
【００９４】
ロードポート１１４上のポッド１１０搬出動作が開始されると、ガス供給コントローラ１４によるガス供給が停止される。
【００９５】
（Ｎ２ガス流量監視による異常検知と異常ＦＯＵＰ指定処理）
図１０は、本発明の一実施形態に係る基板収容器内のガス供給量を監視する処理を説明するための図示例である。また、図１０は、流量監視プログラム(第一流量監視プログラム)が実行されたときのガス供給量と監視時間との関係をグラフ化した一実施例であり、本グラフ(生データ)は、表示部３１に表示されるように構成されている。
【００９６】
基板処理装置用コントローラ２４０は、流量監視プログラムを実行して、ポッド１１０に対するガス供給中に、なんらかの異常によりガス供給が停止した場合、異常状態の監視処理へと移行する。ここで、異常状態の検知はポッド１１０内に供給されるガス流量の監視で行われる。ガス供給コントローラ１４は、ガス流量が基準値を下回った場合に異常と判定し、流量異常を示すアラームを基板処理装置用コントローラ２４０に報告する。また、その異常の詳細内容及びアラームの内容を表示部３１に表示させるように構成してもよい。
【００９７】
ガス流量の異常状態が別途パラメータにて指定する監視時間を経過した場合は、当該ポッド１１０を異常ＦＯＵＰとして扱う(異常ＦＯＵＰ指定)。具体的には、基板処理装置用コントローラ２４０が、異常ＦＯＵＰに指定する。尚、ポッド１１０が移動中の時間は、ガス供給停止時間として扱わない。
【００９８】
（第一流量監視プログラム）
基板処理装置用コントローラ２４０が流量監視プログラムを実行すると、ポッド１１０内のガス流量と予め設定された基準値(Ｎ２流量基準値)が比較される。図１０における(１)または（３）の状態は、正常な状態である。次に、図１０における（２）の状態は、検知された流量が基準値より低くなり異常を示すアラームを出力し、その基準値より低い状態を別のパラメータで予め設定された監視時間(供給監視時間)までに、流量が基準値に到達し、アラームが回復した状態である。一方、図１０における（４）の状態は、流量が基準値より下回り、アラームが発生された後、その基準値より低い状態が予め設定された監視時間(供給監視時間)継続した結果、該当するポッド１１０が異常ＦＯＵＰに指定された状態である。最後に、図１０における（５）は、異常ＦＯＵＰに指定されると、復旧不可能として、生産での使用を禁止された状態である。
【００９９】
【表１】
2015029057.tif 000003
【０１００】
表１は、図１０で示される第一流量監視プログラムを実行した際、記憶部２８に格納されるデータの一実施例を示したものである。表１の縦軸は第一監視時間(供給監視時間)、横軸は格納されるデータ項目である。格納されるデータは、異常検知状態を示すデータと、ＦＯＵＰ状態を示すデータと、異常ＦＯＵＰ指定された履歴を示すデータと、を少なくとも含む。ここで、流量の異常を検知した結果を示す異常検知状態データは、未検知(正常)、検知中(異常)の２つの状態データを有し、ＦＯＵＰ状態を示すデータも同様に、正常、異常の２つの状態データを有し、異常ＦＯＵＰ指定された履歴を示すデータは、有り、無しの２つの状態データを有する。
【０１０１】
格納されるデータとして、上述の３つのデータに限定されないはいうまでもない。また、第一監視時間は、一例として１５秒である。尚、第一監視時間は、設定変更可能に構成されていてもよい。
【０１０２】
（第二流量監視プログラム）
また、第二流量監視プログラムは、上記第一流量監視プログラムを改良したものである。第一流量監視プログラムは、異常ＦＯＵＰ指定されると、ポッド１１０の使用を禁止する処理を行ってプログラムが終了してしまっていたため、ポッド１１０内の基板が未処理のまま放置されてしまい、処理されずに廃棄されてしまう。そこで、できる限り基板処理を継続するのが望ましいという観点で、異常ＦＯＵＰ指定後、所定の条件をクリアすると、又、異常を回復できる処理を追加したものである。
【０１０３】
図１１において、第二流量監視プログラムについて説明する。まず、状態（１）〜状態（５）までは、第一流量監視プログラムと同じであるので説明を省略する。
【０１０４】
図１１の状態（６）は、異常ＦＯＵＰ指定後も、ガス供給コントローラ１４によるガス供給量の監視及び基板処理装置用コントローラ２４０による管理を行い、基準値を超えた状態が、予め設定された第二監視時間(異常回復時間)の間継続し、異常ＦＯＵＰ指定が解除された状態である。図１１の状態（７）は、状態（１）と同じ、正常状態である。但し、プログラム実行中に、異常ＦＯＵＰ指定となった履歴は残される。
【０１０５】
【表２】
2015029057.tif 000004
【０１０６】
表２は、図１１で示される第二流量監視プログラムを実行した際、記憶部２８に格納されるデータの一実施例を示したものである。ここで、縦軸及び横軸は、表１と同様である。また、記憶部２８に格納されるデータも表１と同様である。尚、第二監視時間(異常回復時間)は、一例として６０秒である。
【０１０７】
以上、本実施の形態によれば、異常ＦＯＵＰと指定したポッド１１０の扱いは、２つの上記流量監視プログラム運用に合せて以下の制御を選択可能である。
【０１０８】
（１）当該ＦＯＵＰを使用禁止にする場合、指定時間を経過したポッド１１０は復旧不可能となり、生産での使用を禁止とする。
【０１０９】
（２）ガス供給の継続により回復する場合、異常検知により使用禁止となるが、ガス供給が基準値を上回り、供給状態が一定時間(異常回復時間)経過することで再度使用可能とする。回復した場合にも、使用禁止となった履歴はＦＯＵＰ毎に確認可能とする。
【０１１０】
尚、上述の実施形態は、一実施例に過ぎず、上述の２つの制御を選択するだけでなく、上述の２つの制御を両方共に実行可能に構成されていてもよいのはいうまでも無い。また、第一流量監視プログラム及び第二流量監視プログラムは、載置棚及び収納棚の各々個別に実行されるように構成してもよい。
【０１１１】
（異常ＦＯＵＰの搬出処理）
収納棚としての回転式ポッド棚１０５またはロードポート１１４において、ガス流量が異常状態のままポッド１１０が搬出された場合は、以降、当該位置へのポッド１１０の搬入は禁止する。これは、ガス供給が異常となる可能性があるまま、次のポッド１１０を搬入し、異常となることを防ぐためである。
【０１１２】
図１２は、収納棚としての回転式ポッド棚１０５を使用禁止にする処理を示すフローである。ＦＯＵＰ１１０のＰｉｃｋ動作開始時に、対象のＦＯＵＰ１１０が、異常ＦＯＵＰ指定かどうかを確認し、異常ＦＯＵＰの場合、使用禁止にする処理を行った後、Ｐｉｃｋ動作を終了するように構成されている。
【０１１３】
（ＦＯＵＰの搬出処理）
図１３は、ＦＯＵＰ１１０搬入時に、どの棚に配置するかを決定する配置決定処理を示すフローである。棚にＦＯＵＰが有るか、キャリア種別が一致しているかの処理に加え、棚にＦＯＵＰ１１０がない場合に棚が使用禁止に指定されていないかを確認する処理を追加している。これにより、無駄にエラーが発生することを抑えられる。
【０１１４】
＜本発明の一実施形態における効果＞
このように、本実施の形態においては、ポッド１１０に不活性ガスパージを実行することにより、ポッド内の雰囲気変化によるウエハへの影響を軽減することができる。また、ガス流量の監視により、異常状態のまま生産を実行することを防ぐことができる。本実施の形態においては、故障等によりＮ２の供給が停止した場合、また、十分なＮ２が供給されない場合、ポッド１１０内のＯ２濃度が高くなる恐れが無いポッド１１０のガス監視方法が提供される。更に、ポッド１１０内の濃度が高くなるなどして、ポッド１１０へのＮ２供給状態の異常を検知し、一定時間以上、異常状態が継続した場合には、そのポッド１１０の使用を禁止することができる。これにより、Ｎ２異常が発生したポッド１１０を識別でき、処理結果の確認基準として運用することができる。
【０１１５】
また、流量計を用いれば、各棚にＭＦＣを設けた場合に比べ低コストで不活性ガスパージを実行することができる。更に、本実施の形態において、ガス流量を監視することにより、例えば、ガス供給用のバルブが開けられている場合でも、ガスが供給されなかったり、供給量が不足していたりしてもすぐに把握できる。また、このようなガス流量の不具合が生じたポッド１１０を使用しないことで、基板の品質の低下を抑えられる。
【０１１６】
＜本発明の他の実施形態＞
本実施の形態では、ガス供給量に関して詳述したが、これに限定されることは無く、例えば、Ｏ２濃度の場合でも、本発明は適用できる。これにより、故障等により不活性ガスの供給が停止した場合、また、十分なガスが供給されない場合、ポッド１１０内のＯ２濃度が高くなる心配のないポッド１１０内のガス流量の監視方法が提供される。また、ポッド１１０内のＯ２濃度が高くなるなどして、ポッド１１０へのガス供給状態の異常を検知し、一定時間以上、異常状態が継続した場合には、そのポッド１１０の使用を禁止することができる。
【０１１７】
また、本実施の形態では、不活性ガスとして窒素ガス(Ｎ２ガス)を例に挙げて詳述したが、不活性ガスとして、ヘリウムガス(Ｈｅガス)、ネオンガス(Ｎｅガス)、アルゴンガス(Ａｒガス)などでもよい。
【０１１８】
なお、本実施形態では、基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えば、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
【０１１９】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１２０】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１２１】
（付記１）
本発明の一態様によれば、
基板収容器を配置する載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に設けられ、所定のガスを供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部を介して前記基板収容器に供給される前記所定のガスの流量と予め設定された基準値とを比較し、比較した結果を示す信号を出力する監視部と、前記監視部から出力された前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を管理する管理部と、
を備えた基板処理装置。
【０１２２】
（付記２）
好ましくは、付記１の基板処理装置において、
前記監視部は、
前記所定のガスの流量が前記基準値を下回った状態で予め設定された監視時間を越えたら、前記所定のガスを供給されていた前記基板収容器を異常に指定する信号(異常指定信号)を前記管理部に出力し、
前記管理部は、
前記信号(異常指定信号)を受けると、前記異常に指定された対象の基板収容器の前記載置部及び前記収納棚のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を禁止する基板処理装置が提供される。
【０１２３】
（付記３）
更に好ましくは、付記２の基板処理装置において、
前記監視部は、
前記異常に指定された基板収容器への前記所定のガスの流量が、前記基準値を超えた状態で所定の一定時間経過すると、前記異常の指定を解消する信号(指定解除信号)を前記管理部に出力し、
前記管理部は、
前記信号(指定解除信号)を受けると、前記異常の指定から解消された基板収容器の前記載置部及び前記収納棚のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を可能とする基板処理装置が提供される。
【０１２４】
（付記４）
好ましくは、付記１の基板処理装置において、
前記監視部は、前記所定のガスの流量が基準値を下回り、流量異常を示すアラーム信号を前記管理部に出力した後、予め指定された監視時間経過前に前記ガスの流量が前記基準値を上回ると、前記異常が回復したことを示す回復信号を前記管理部に出力する基板処理装置が提供される。
【０１２５】
（付記５）
好ましくは、付記１の基板処理装置であって、
前記監視部は、前記ガスの流量と予め設定された基準値を比較する比較部と、前記流量が前記基準値を下回った場合に異常と判定する判定部と、前記流量異常を含む異常を示す各種アラームを前記管理部に報告する報告部と、を少なくとも構成される基板処理装置が提供される。
【０１２６】
（付記６）
好ましくは、付記１の基板処理装置であって、
前記ガス供給部は、少なくとも前記ガスを供給するためのバルブと、前記ガスの流量を検出する検出部と、を少なくとも有する基板処理装置が提供される。
【０１２７】
（付記７）
好ましくは、付記６の基板処理装置であって、
前記検出部は、ガス流量を計測する流量計または流量測定器(ＭＦＭ)、酸素濃度を計測する濃度計、湿度を計測する湿度計及び露点計、所定ガスの流量を制御する流量制御器(ＭＦＣ)のうちいずれか一つである基板処理装置が提供される。
【０１２８】
（付記８）
好ましくは、付記６の基板処理装置であって、
前記検出部は、流量スイッチである基板処理装置が提供される。
【０１２９】
（付記９）
好ましくは、付記１の基板処理装置であって、
前記管理部は、前記基板収容器に収納された基板の種別に応じて前記載置部及び前記収納棚のうち少なくともどちらか一方に配置された状態で前記基板収容器に不活性ガスを供給する指示を前記監視部に出力する基板処理装置が提供される。
【０１３０】
（付記１０）
好ましくは、付記１の基板処理装置であって、
前記管理部は、前記基板収容器に収納された基板の種別が製品基板であれば前記基板収容器に不活性ガスを供給する指示を出力するように構成され、前記基板収容器に収納された基板の種別がダミー基板であれば前記基板収容器に不活性ガスを供給しないように構成されている基板処理装置が提供される。
【０１３１】
（付記１１）
本発明の他の態様によれば、
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に配置された基板収容器に供給されるガスの流量と予め設定された基準値とを比較する処理と、
前記比較した結果を示す信号(比較結果信号)に応じて、前記流量異常を指定する信号(アラーム信号)、前記流量異常の回復を指定する信号(アラーム回復信号)、前記基板収容器の搬送状態を指定する信号(異常指定信号、指定解除信号)から選択される一つの信号を出力する処理と、
を有する流量監視プログラム及び流量監視プログラムが格納された記録媒体が提供される。
【０１３２】
（付記１２）
好ましくは、付記１１の流量監視プログラム及び流量監視プログラムが格納された記録媒体において、
基板収容器内が前記載置部及び前記収納棚に載置された状態で供給されるガス流量を検出し、予め設定された基準値と比較する処理と、
比較した結果、前記基準値より低い場合にアラームを出力する処理と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を継続するか監視する処理と、
前記所定の監視時間を越えた場合に、前記基板収容器を異常(異常ＦＯＵＰ)に指定する処理と、
前記異常(異常ＦＯＵＰ)に指定された前記基板収容器及び前記基板収容器内の基板の搬送を禁止する処理と、
を有する第一流量監視プログラムが提供される。
【０１３３】
（付記１３）
好ましくは、付記１１の流量監視プログラム及び流量監視プログラムが格納された記録媒体において、
基板収容器内が前記載置部及び前記収納棚に載置された状態で供給されるガス流量を検出し、予め設定された基準値と比較する処理と、
比較した結果、前記基準値より低い場合にアラームを出力する処理と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を継続するか監視する処理と、
前記所定の監視時間を越えた場合に、前記基板収容器を異常(異常ＦＯＵＰ)に指定する処理と、
前記異常(異常ＦＯＵＰ)に指定された基板収容器内のガス流量が前記基準値を超えた状態で、所定の回復時間を越えた場合に、前記異常の指定(異常ＦＯＵＰ指定)を解除する処理と、
を有する第二流量監視プログラムが提供される。
【０１３４】
（付記１４）
更に、好ましくは、付記１２の第一流量監視プログラムまたは付記１３の第二流量監視プログラムにおいて、
前記所定の監視時間の間に、前記ガス流量が前記基準値に到達すると前記アラームを回復する信号を出力する処理を有する。
【０１３５】
（付記１５）
本発明の更に他の態様によれば、
基板収容器内が前記載置部及び前記収納部のうち少なくとも一方に載置された状態で供給されるガス流量と予め設定された基準値とを比較した結果、前記基準値を下回った場合に、流量異常を示す信号(アラーム信号)を出力する工程と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を越えると、前記基板収容器を異常に指定する信号(異常指定信号)を出力する処理を行う異常指定工程と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を越えないで、前記ガス流量が前記基準値より高くなると、前記異常回復を示す信号(アラーム回復信号)を出力する工程と、
を有する流量監視方法。
【０１３６】
（付記１６）
好ましくは、付記１２の流量監視方法において、
前記異常指定工程後、前記ガス流量が前記基準値より高い状態で、所定の監視時間を超えると、前記基板収容器に指定された前記異常を解除する信号(指定解除信号)を出力する工程と、
を有する流量監視方法。
【０１３７】
（付記１７）
本発明の更に他の態様によれば、
基板収容器内が載置部及び収納棚に載置された状態で供給されるガス流量が、所定の基準値より低い状態で、所定の監視時間を越えると、前記基板収容器を異常に指定する工程と、
前記異常に指定された前記基板収容器の搬送を禁止する工程と、
を有する搬送管理方法が提供される。
【０１３８】
（付記１８）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を収容する基板収容器を載置部と収納部の間で搬送する基板搬送工程と、
前記基板収容器を載置部または収納部に載置する載置工程と、を有する基板搬送方法であって、
前記載置工程は、
前記基板収容器内に供給されるガス流量が、所定の基準値より低い状態で、所定の監視時間を越えると、前記基板収容器を異常に指定する工程と、
前記異常に指定された前記基板収容器(及び前記基板処理装置内の基板)の搬送を禁止する工程と、
を有する基板搬送方法が提供される。
【０１３９】
（付記１９）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を収容する基板収容器を載置部と収納部の間で搬送する基板搬送工程と、前記基板収容器を載置部または収納部に載置する載置工程を有する基板搬送工程と、
基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
基板を保持した前記基板保持具を処理炉内に挿入して、前記基板を処理する処理工程と、を有する半導体装置の製造方法であって
前記載置工程は、
前記基板収容器内に供給されるガス流量が、所定の基準値より低い状態で、所定の監視時間を越えると、前記基板収容器を異常に指定する工程と、
前記異常に指定された前記基板収容器(及び前記基板処理装置内の基板)の搬送を禁止する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１４０】
（付記２０）
本発明の更に他の態様によれば、
基板収容器を載置する載置部及び収納棚に所定のガスを供給するガス供給部と、
前記基板収容器を前記載置部及び前記収納棚間で搬送する基板収容器搬送機構(第一搬送機構)と、
前記基板収容器を前記載置部に搬入する際、前記基板収容器内にガスを供給する指定の有無を少なくとも含む情報に基づいてガス供給指定の有無を確認し、前記基板収容器への前記ガスの供給を指示する管理部と、
前記ガス供給指定が有る場合、前記指示に基づき前記基板収容器が前記載置部及び前記収納棚に配置された状態で前記ガス供給部を介して前記ガスを供給しつつ、前記ガスの流量が所定の基準値以上であるかを監視すると共に、前記第一搬送機構が前記基板収容器を支持した状態で前記ガスの供給を停止する監視部と、
を備えた基板処理装置が提供される。
【０１４１】
（付記２１）
好ましくは、付記２０の基板処理装置であって、前記管理部は、
ガス流量が基準値を下回った状態で予め指定された監視時間を越えた前記基板収容器を、異常(異常ＦＯＵＰ)に指定し、前記異常(異常ＦＯＵＰ)に指定された前記基板収容器は、前記載置部及び前記収納棚のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を禁止する基板処理装置が提供される。
【０１４２】
（付記２２）
好ましくは、付記２１の基板処理装置であって、前記管理部は、
前記異常に指定(異常ＦＯＵＰ指定)された前記基板収容器へのガス供給量が前記基準値を超えた状態で一定時間経過すると、前記異常ＦＯＵＰ指定(異常の指定)を解消し、前記載置部及び前記収納棚のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を可能とする基板処理装置が提供される。
【０１４３】
（付記２３）
好ましくは、付記２０の基板処理装置であって、
前記監視部は、前記ガスの流量が基準値を下回り、異常と判断し、前記異常を示す信号(アラーム信号)を前記管理部に出力した後、予め指定された監視時間経過前に前記ガスの流量が基準値を上回ると、前記異常が回復したことを示す信号(アラーム回復信号)を前記管理部に出力する基板処理装置が提供される。
【０１４４】
（付記２４）
本発明の他の態様によれば、
基板収容器を配置する載置部及び収納棚のうち少なくともどちらか一方に所定のガスを供給するガス供給部と、
前記基板収容器が前記載置部及び収納棚のうち少なくともどちらか一方に配置された状態で前記ガス供給部を介して前記所定のガスを供給し、前記ガス供給部を介して供給される前記所定のガスの流量が予め設定された基準値以上であるかを監視する監視部と、
前記所定のガスの流量が前記基準値を下回った状態で予め指定された監視時間を越えた前記基板収容器を異常(異常ＦＯＵＰ)に指定し、異常ＦＯＵＰに指定された前記基板収容器は、前記載置部及び前記収納棚のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を禁止する管理部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１４５】
（付記２５）
更に、好ましくは、付記２４の基板処理装置において、前記管理部は、
前記異常(異常ＦＯＵＰ)に指定された前記基板収容器へのＮ２ガス供給量が、前記基準値を超えた状態で所定の一定時間経過すると、異常の指定(異常ＦＯＵＰ指定)を解消し、前記載置部及び前記収納棚のうち少なくともどちらか一方への搬入及び搬出を可能とする基板処理装置が提供される。
【０１４６】
（付記２６）
更に、好ましくは、付記２４または付記２５の基板処理装置において、前記管理部は、
前記基板収容器を前記載置部に搬入する際、識別情報及び基板種別情報を含む情報のうち少なくとも前記所定のガスを供給する指定の有無情報を確認し、前記監視部に前記基板収容器内にガスを供給させる基板処理装置が提供される。
【０１４７】
（付記２７）
本発明の更に他の態様によれば、
基板収容器内が前記載置部及び前記収納棚に載置された状態で供給されるガス流量を検出し、所定の基準値と比較する処理と、
比較した結果、前記基準値より低い場合にアラームを発生する処理と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を継続するか監視する処理と、
前記所定の監視時間を越えた場合に、前記基板収容器を異常(異常ＦＯＵＰ指定)に指定する処理と、
を有する第一流量監視プログラム及び第一流量監視プログラムが格納された記録媒体が提供される。
【０１４８】
（付記２８）
本発明の更に他の態様によれば、
基板収容器内が前記載置部及び前記収納棚に載置された状態で供給されるガス流量を検出し、所定の基準値と比較する処理と、
比較した結果、前記基準値より低い場合にアラームを発生する処理と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を継続するか監視する処理と、
前記所定の監視時間を越えた場合に、前記基板収容器を異常(異常ＦＯＵＰ指定)に指定する処理と、
前記異常に指定(異常ＦＯＵＰ指定)された基板収容器内のガス流量が前記基準値を超えた状態で、所定の回復時間を越えた場合に、前記異常ＦＯＵＰ指定を解除する処理と、
を有する第二流量監視プログラム及び第一流量監視プログラムが格納された記録媒体が提供される。
【０１４９】
（付記２９）
本発明の更に他の態様によれば、
基板収容器を配置する載置部及び収納棚のうち少なくともどちらか一方にガスを供給するガス供給部と、
前記基板収容器を前記載置部と前記収納棚の間で搬送する第一搬送機構と、
前記基板収容器を前記載置部に搬入する際、少なくともパージ指定の有無情報を確認し、識別情報及び基板種別情報に前記基板収容器内にガスを供給するパージ指定の有無を含む情報を管理する管理部と、
前記情報の内容に基づいて、前記基板収容器が前記載置部及び収納棚のうち少なくともどちらか一方に配置された状態で前記ガス供給部を介して前記所定のガスを供給し、前記ガス供給部を介して供給される前記ガスの流量が予め設定された基準値以上であるかを監視する監視部と、を有し、
前記管理部は、前記パージの指定有の場合、
前記流量が基準値を下回った状態で予め指定された監視時間を越えた前記基板収容器は、異常(異常ＦＯＵＰ)に指定され、異常(異常ＦＯＵＰ)に指定された前記基板収容器は、前記載置部及び前記収納棚への搬入及び搬出が禁止される第一の制御と、
更に、前記第一の制御が実行された後、前記異常(異常ＦＯＵＰ)に指定された前記基板収容器へのガス流量が、前記基準値を超えた状態で所定の一定時間経過すると、前記異常の指定(異常ＦＯＵＰ指定)が解消され、前記載置部及び前記収納棚への搬入及び搬出が可能となる第二の制御と、
を選択可能としている基板処理装置が提供される。
【０１５０】
（付記３０）
本発明の更に他の態様によれば、
基板収容器内が前記載置部及び前記収納部に載置された状態で供給されるガス流量と予め設定された基準値とを比較した結果、前記基準値を下回った場合に、流量異常を示す信号を出力する工程と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を越えると、前記基板収容器を異常に指定する信号を出力する処理を行う異常指定工程と、
前記基準値より低い状態で、所定の監視時間を越えないで、前記ガス流量が前記基準値より高くなると、前記異常回復を示す信号を出力する工程と、
を有する流量監視方法。
【０１５１】
（付記３１）
本発明の更に他の態様によれば、
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に設けられたガス供給部から所定のガスを基板収容器に供給する工程と、
前記ガス供給部を介して前記基板収容器に供給される前記所定のガスの流量と予め設定された基準値とを比較し、比較した結果を示す信号を出力する工程と、
前記出力された前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を管理する工程と、
前記搬送状態を管理された前記基板収容器の基板を処理室に搬送し処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１５２】
（付記３２）
本発明の更に他の態様によれば、
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に配置された基板収容器に供給されるガスの流量と予め設定された基準値とを比較する処理と、
前記比較した結果を示す信号に応じて、前記流量異常を指定する信号、前記流量異常の回復を指定する信号、前記基板収容器の搬送状態を指定する信号から選択される一つの信号を出力する処理と、
を有する流量監視プログラムが格納された記録媒体が提供される。
【０１５３】
（付記３３）
本発明の更に他の態様によれば、
載置部及び収納部のうち少なくともどちらか一方に配置された基板収容器にガスを供給する処理と、
前記基板収容器に供給されるガスの流量と予め設定された基準値とを比較する処理と、
前記比較した結果を示す信号を出力する処理と、
前記信号に応じて前記基板収容器の搬送状態を指定する処理と、
を有する流量監視プログラムが格納された記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１５４】
１００  基板処理装置
２００  ウエハ（基板）
５００  管理装置
【図１】
2015029057.tif 000005
【図２】
2015029057.tif 000006
【図３】
2015029057.tif 000007
【図４】
2015029057.tif 000008
【図５】
2015029057.tif 000009
【図６】
2015029057.tif 000010
【図７】
2015029057.tif 000011
【図８】
2015029057.tif 000012
【図９】
2015029057.tif 000013
【図１０】
2015029057.tif 000014
【図１１】
2015029057.tif 000015
【図１２】
2015029057.tif 000016
【図１３】
2015029057.tif 000017
【図１４】
2015029057.tif 000018