(57)【要約】【課題】過大なパルス電流を流すことなく、特性ばらつきの少ない焼結品を得ることが可能な焼結装置および焼結方法を提供することを提供すること。【解決手段】石英チューブの内側にカーボンフェルト１３を配置して構成した石英チャンバー１２内に装填された成形型１１の中の粉末原料を上下パンチを使用して圧縮し、パルス状電流を流して焼結させる放電プラズマ焼結手段を備え、さらに石英チャンバー１２の外側に成形ダイまたは粉末原料を高周波誘導加熱する手段として誘導加熱コイル１９を備えている。【選択図】  図１
2015209583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形ダイと該成形ダイに挿入される上パンチおよび下パンチとからなる成形型をチェンバー内に配置し、前記成形ダイの中の粉末原料を前記の上下パンチを使用して圧縮し、前記の上下パンチ間にパルス状電流を流して焼結させる放電プラズマ焼結手段を備え、前記チェンバーは石英チューブの内側に断熱材を配置して構成し、前記石英チューブの外側に前記成形ダイまたは前記粉末原料を高周波誘導加熱する手段を備えたことを特徴とする焼結装置。
【請求項２】
前記成形ダイは上下方向の中央部に絶縁体または高抵抗体からなる層状部分を有することを特徴とする請求項１に記載の焼結装置。
【請求項３】
前記成形型を上下方向に複数個積み重ねて前記チェンバー内に配置し、前記チェンバーの上方に最上部に配置された前記成形型の上パンチを押圧するサーボプレスシャフトを有するサーボプレスを設置し、前記チェンバーの下方にプレス台を設置し、該プレス台は制御により開口して前記成形型を排出することが可能なシャッター機構を有することを特徴とする請求項１または２に記載の焼結装置。
【請求項４】
粉末原料を挟んだ複数の上下パンチが成形ダイの上下方向に連続して通過可能に構成された成形型を有し、前記成形ダイは上下方向の中央部に絶縁体または高抵抗体からなる層状部分を有し、該層状部分は前記高周波誘導加熱手段により加熱される領域に位置することを特徴とする請求項１に記載の焼結装置。
【請求項５】
前記上下パンチを上下方向に複数個積み重ねて前記チェンバー内に配置し、前記チェンバーの上方に最上部に配置された上パンチを押圧するサーボプレスシャフトを有するサーボプレスを設置し、前記チェンバーの下方にプレス台を設置し、該プレス台は制御により開口して前記上下パンチを排出することが可能なシャッター機構を有することを特徴とする請求項４に記載の焼結装置。
【請求項６】
請求項３に記載の焼結装置を用い、前記サーボプレスにより前記複数個の成形型を順次下方向に送り込み、焼結する粉末原料が前記高周波誘導過熱手段により加熱される領域に位置したときに前記サーボプレスを用いて前記上下パンチにより前記粉末原料を圧縮し、その状態で前記高周波誘導加熱手段により加熱し、その後、上下パンチ間にパルス状電流を通電することにより焼結することを特徴とする焼結方法。
【請求項７】
請求項５に記載の焼結装置を用い、前記サーボプレスにより前記複数個の上下パンチを順次下方向に送り込み、焼結する粉末原料が前記高周波誘導過熱手段により加熱される領域に位置したときに前記サーボプレスを用いて前記上下パンチにより前記粉末原料を圧縮し、その状態で前記高周波誘導加熱手段により加熱し、その後、上下パンチ間にパルス状電流を通電することにより焼結することを特徴とする焼結方法。
【請求項８】
焼結された粉末原料を保持した成形型または上下パンチを一時的に保持するため、前記シャッター機構の上方に前記シャッターの開口よりも小さな内径を有する保持用シリンダーを配置したことを特徴とする請求項３または請求項５に記載の焼結装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粉末原料の焼結装置および焼結方法に関し、特に、放電プラズマ焼結手段を用いた焼結装置および焼結方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放電プラズマ焼結は、圧縮された粉体粒子間に低電圧でパルス状の大電流を流したときに放電現象により瞬時に発生する放電プラズマを焼結に応用するものである。従来の加圧と加熱のみによる焼結方法に比べ、２００〜５００℃ほど低い温度で、しかも数分程度という短い時間で焼結できるという特徴がある。粒子表面のみの発熱による急速昇温が可能であるため、出発原料の粒成長を抑制することができ、短時間で緻密な焼結体を得ることができる。粉体の破壊を阻止できるため従来の一般的な焼結方法では難しい材料にも適用でき、熱電材料や磁性材料でも使われ始めている。
【０００３】
従来の放電プラズマ焼結装置は、成形ダイとその成形ダイに挿入される上パンチおよび下パンチとからなる成形型を真空チェンバー内に配置し、成形ダイの中の粉末原料を上下パンチにより数トンの圧力を加えて圧縮し、上下パンチと成形ダイを通じてパルス状電流を流すことにより粉末原料を焼結させるものである。従来の放電プラズマ焼結装置の一例が特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許公開２００１−３４８２７７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の放電プラズマ焼結装置では、パルス電流を流した場合、上パンチから粉末原料を経由して下パンチに流れる電流と、上パンチから成形ダイを経由して下パンチに流れる電流とが存在する。原料を経由した電流は放電プラズマ焼結に直接的に寄与し、成形ダイを経由した電流は原料温度を上げる役割をする。原料を経由する電流と成形ダイを経由する電流の割合は、粉末原料の抵抗率、成形ダイとパンチの形状によって決まるが、粉末原料の抵抗率はプレス状態で変わり、パンチの先端の形状は原料との反応などで損傷するため経時的に変形する。そのため、このように放電プラズマ焼結と加熱の両方の機能をパルス通電のみにより実現する従来の方法では、温度制御と放電プラズマ制御の両方を安定して行うことが難しく、品質にばらつきが生じていた。
【０００６】
また、従来の真空チェンバーは保温機能が無いため、パンチを経由してサーボプレスシャフトから逃げる熱と成形ダイから放熱する熱を補うために、更に余分な電力を必要とし、このため大きなパルス電流が必要となる。さらに、高温で長時間の焼結を行う場合は、パンチと成形ダイおよび焼結原料のみ温度が上がるわけではなく、パルス電流が流れる全ての部分で温度が上昇するため、余分な部分の過熱を押さえるため大掛かりな冷却システムが必要となる。また、複数個の成形型を直列に並べて複数個の焼結を行うことを実現しようとする場合、全ての成形型が温度上昇するのでパワーが足りなくなると同時に冷却も追い付かなくなる。
【０００７】
また、放電プラズマ焼結させるためには、真空あるいは不活性ガス雰囲気中で行う必要があるので、従来は大型のステンレス製の水冷チャンバーを用いてなされており、真空に到達するまでの時間が長く、連続的に生産することが困難であった。
【０００８】
そこで、本発明は、係る問題を解決するためになされたものであり、過大なパルス電流を流すことなく、特性ばらつきの少ない良好な焼結品を得ることが可能な焼結装置および焼結方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、第１の観点では、本発明の焼結装置は、成形ダイと該成形ダイに挿入される上パンチおよび下パンチとからなる成形型をチェンバー内に配置し、前記成形ダイの中の粉末原料を前記の上下パンチを使用して圧縮し、前記の上下パンチ間にパルス状電流を流して焼結させる放電プラズマ焼結手段を備え、前記チェンバーは石英チューブの内側に断熱材を配置して構成し、前記石英チューブの外側に前記成形ダイまたは前記粉末原料を高周波誘導加熱する手段を備えたことを特徴とする。このように、石英チューブと断熱材で構成されたチャンバーを用いることで従来のチェンバーよりも保温性能が向上し、さらにパルス通電による加熱に加えて高周波誘導加熱することにより、パルス電流を最小限に抑えてパルス電源を小型化することができる。また、高周波誘導加熱を併用することで必要な部分のみ集中的に温度上昇させることが可能となり、パンチと粉末原料境界での異常発熱を抑えてパンチ先端の損傷を抑えることができる。断熱材の一例としてはカーボンフェルトを用いることができる。
【００１０】
第２の観点では、本発明は、前記第１の観点の焼結装置において、前記成形ダイは上下方向の中央部に絶縁体または高抵抗体からなる層状部分を有することを特徴とする。導電性粉末原料を焼結する場合には、これにより、粉末原料にほぼ集中して通電させることが可能となり、加熱を兼ねて成形ダイにも通電する場合よりもはるかに少ないパルス電流で焼結が得られるようになる。
【００１１】
第３の観点では、本発明は、前記第１または第２の観点の焼結装置において、前記成形型を上下方向に複数個積み重ねて前記チェンバー内に配置し、前記チェンバーの上方に最上部に配置された前記成形型の上パンチを押圧するサーボプレスシャフトを有するサーボプレスを設置し、前記チェンバーの下方にプレス台を設置し、該プレス台は制御により開口して前記成形型を排出することが可能なシャッター機構を有することを特徴とする。このようにプレス台とサーボプレス間に複数個の成形型を積み上げ、サーボプレスにより順次下方向に送り込み、粉末原料が高周波誘導加熱部分に位置したときに上下パンチで圧縮した後、パルス状電流を粉末原料に通電することにより、少ない電力で均質な焼結体を連続的に得ることができる。さらに、チャンバーの下端にシャッター機構を有し高荷重に耐えられるプレス台を設けたことで、シャッターを閉じた状態でプレス焼成した後、シャッターを開いて最下部の成形型のみ落下させ、次のプレス時にサーボプレスシャフトに押されて閉じられたシャッターまで成形型が移動し次の原料が同様に焼結される。これを繰り返すことで連続焼結が可能となる。
【００１２】
第４の観点では、本発明は、前記第１の観点の焼結装置において、粉末原料を挟んだ複数の上下パンチが成形ダイの上下方向に連続して通過可能に構成された成形型を有し、前記成形ダイは上下方向の中央部に絶縁体または高抵抗体からなる層状部分を有し、該層状部分は前記高周波誘導加熱手段により加熱される領域に位置することを特徴とする。このように中央部に電流を遮断する層状部分を有するように成形ダイを構成して上下パンチの形状をその成形ダイ中を通過できるようにし、導電性粉末原料が高周波誘導加熱部分に位置したときに上下パンチで圧縮した後、パルス状電流を流すことで、目的とする粉末原料のみに通電させることが可能となり、従来の加熱を兼ねたパルス通電よりはるかに少ないパルス電流で焼結が得られる。
【００１３】
第５の観点では、本発明は、前記第４の観点の焼結装置において、前記上下パンチを上下方向に複数個積み重ねて前記チェンバー内に配置し、前記チェンバーの上方に最上部に配置された上パンチを押圧するサーボプレスシャフトを有するサーボプレスを設置し、前記チェンバーの下方にプレス台を設置し、該プレス台は制御により開口して前記上下パンチを排出することが可能なシャッター機構を有することを特徴とする。成形ダイを例えば導電性材料で構成し、複数の上下パンチが挿入できるように長尺形状とし、その成形ダイに、下パンチ、粉末原料、上パンチのセットを順に複数セット装填し、各セット毎にサーボプレスにより下方向に送り込み、粉末原料が加熱部分に位置したときに上下パンチで圧縮した後パルス状電流を粉末原料に通電することにより、少ない電力で均質な焼結体を連続的に得ることができる。
【００１４】
第６の観点では、本発明の焼結方法は、前記第３の観点の焼結装置を用い、前記サーボプレスにより前記複数個の成形型を順次下方向に送り込み、焼結する粉末原料が前記高周波誘導過熱手段により加熱される領域に位置したときに前記サーボプレスを用いて前記上下パンチにより前記粉末原料を圧縮し、その状態で前記高周波誘導加熱手段により加熱し、その後、上下パンチ間にパルス状電流を通電することにより焼結することを特徴とする。
【００１５】
第７の観点では、本発明の焼結方法は、前記第５の観点の焼結装置を用い、前記サーボプレスにより前記複数個の上下パンチを順次下方向に送り込み、焼結する粉末原料が前記高周波誘導過熱手段により加熱される領域に位置したときに前記サーボプレスを用いて前記上下パンチにより前記粉末原料を圧縮し、その状態で前記高周波誘導加熱手段により加熱し、その後、上下パンチ間にパルス状電流を通電することにより焼結することを特徴とする。
【００１６】
第８の観点では、本発明の焼結装置は、前記第３または第５の観点の焼結装置において、焼結された粉末原料を保持した成形型または上下パンチを一時的に保持するため、前記シャッター機構の上方に前記シャッターの開口よりも小さな内径を有する保持用シリンダーを配置したことを特徴とする。焼結が終了後、最下部の焼結体を保持した成形型または上下パンチはシャッターの上部に設けられた保持用シリンダーに一時的に保持され、その後シャッターを開いて下方の収納ボックスなどに収納される。これによりシャッターが開いても成形型または上下パンチは保持用シリンダーで一旦保持されるので、１個ずつ下方に送出できる。最下部より上の部分は、次のプレス時にサーボプレスシャフトに押されてシャッターが閉じたプレス台まで移動し、焼結位置に到達した次の原料が焼結される。これを繰り返すことで連続焼結された焼結体が収納可能となる。保持用シリンダーの材料の一例としてはシリコーンなどがある。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明では、過大なパルス電流を流すことなく、特性ばらつきの少ない焼結品を得ることが可能な焼結装置および焼結方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例１に係る焼結装置の焼結炉の概略を示す模式的な断面図。
【図２】成形型の構成を示す断面図。
【図３】実施例２に係る焼結装置の焼結炉の概略を示す模式的な断面図。
【図４】実施例３に係る焼結装置の焼結炉の概略を示す模式的な断面図。
【図５】石英チャンバーの内部に成形ダイおよび複数の上下パンチを挿入した状態を示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の焼結装置および焼結方法を実施例により詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一符号を付し、その重複した説明を省略する。
【実施例１】
【００２０】
図１は実施例１に係る焼結装置の焼結炉の概略を示す模式的な断面図である。本実施例の焼結装置は、電気制御盤と焼結炉１とから成り、図１は焼結炉１を示している。焼結炉１は放電プラズマ焼結手段と高周波誘導加熱手段の両方を備え、電気制御盤は、放電プラズマ焼結のためにパルス電流を発生するインバーター制御パルス電源と、高周波誘導加熱のための高周波発振器電源と、サーボプレス電源とで構成されている。焼結炉１は、内側に断熱材としてカーボンフェルト１３を配置した石英チューブからなる石英チャンバー１２と、石英チャンバー１２の下部、上部にそれぞれ配置されたベースチャンバー１４、トップチャンバー１５と、石英チャンバー１２の内部に挿入される原料を保持した成形型１１に圧力を加えるためのシャフト１７を備えたサーボプレス１６、石英チャンバー１２内の気体を排出するための真空ポンプ１８、その他、図示を省略するが、アルゴンガスの導入部および流量計などを備えている。また、高周波誘導加熱のための誘導加熱コイル１９を備えている。トップチャンバー１５は石英チャンバー１２を密閉可能で、シャフト１７を石英チャンバー１２内に挿入するときに開放可能となる構造を有している。また、成形型の下側には圧力を支えるプレス台、またはその代わりになるプレス台シャフトなどを配置し、焼結後にそのプレス台等を取り外して焼結体を取り出す構成である。
【００２１】
図２は成形型１１の構成を示す断面図である。成形型１１は成形ダイ４１と成形ダイ４１に挿入される上パンチ４２および下パンチ４３とからなる。放電プラズマ焼結では、成形ダイ４１の中の粉末原料４４をサーボプレス１６のシャフト１７により上下パンチ４２、４３間に圧力を加えて圧縮し、その後上下パンチ４２、４３間にパルス状電流を流して焼結させる。
【００２２】
次に、本実施例の焼結装置を用いてＭｇ２Ｓｉ（マグネシウムシリサイド）を焼結する場合について詳細に説明する。この場合、成形型１１は、外径３９ｍｍ、内径２０ｍｍ、高さ６８ｍｍの成形ダイ４１と、外径２０ｍｍ、高さ３５ｍｍの先端部と外径５０ｍｍ、高さ８ｍｍの基部を炭素材で一体に形成した上パンチ４２、およびそれと同一の下パンチ４３とで構成した。
【００２３】
切削粉状のＭｇ（マグネシウム）とＳｉ（シリコン）を所定の比率で３ｇ秤量し、この粉末原料を成形型１１の成形ダイ４１に充填して本装置で焼結を行った。
【００２４】
まず、粉末原料４４を充填した成形型１１を本焼結装置の焼結炉１にセットして、真空ポンプ１８で１Ｐａ以下に排気した後Ａｒガスで置換する。Ａｒガスを５ｌ／ｍｉｎ流した状態で、サーボプレス１６で加圧し、圧縮圧力を２０ＭＰａ／ｃｍ２に維持した。この状態で、高周波誘導加熱電源を入れ４ＫＷで３０秒加熱して４５０℃まで温度を上げた。その後、高周波誘導加熱電源の出力を３ＫＷとし、放電プラズマ焼結のパルス通電を、電流８００Ａ、パルス幅１５０ｍｓｅｃのＯＮ状態と、電流０Ａ、パルス幅１０ｍｓｅｃのＯＦＦ状態との繰り返しで８５０℃まで昇温させて３分間保持した。その後、加圧を開放して電源を切った。
【００２５】
上記のようなパルス通電と高周波誘導加熱による焼結により、外径２０ｍｍ、高さ５ｍｍのＭｇ２Ｓｉ焼結体が得られた。得られた焼結体は密度が９６%以上であった。同様な条件で、放電プラズマ焼結のパルス通電のみで実施した場合は得られた焼結体の密度は９２％となり、高周波誘導加熱だけでは焼結体の密度は８０％程しか得られなかった。この結果、パルス通電と高周波誘導加熱の両方を用いた本発明の効果が確認できた。
【実施例２】
【００２６】
図３は実施例２に係る焼結装置の焼結炉の概略を示す模式的な断面図である。本実施例の焼結装置は、電気制御盤と焼結炉２とから成り、図３は焼結炉２を示している。本実施例の焼結装置の基本的な構成は実施例１と同様であるが、本実施例の焼結炉２は、成形型１１を上下方向に複数個積み重ねて石英チェンバー１２内に配置する構成であり、ベースチェンバー１４の下側にプレス台２０を設置し、プレス台２０は制御により開口して成形型１１を排出することが可能なシャッター機構を有している。さらに、成形型１１を一時的に保持するため、プレス台２０の上方にシャッターの開口よりも小さな内径を有する保持用シリンダーとしてシリコンシリンダー２１を配置している。また、焼結体を保持した成形型を収納するため、プレス台２０の下部に収納ポケット２２を備えている。
【００２７】
このようにプレス台２０とサーボプレス１６の間に複数個の成形型１１を積み上げ、サーボプレス１６により順次下方向に送り込み、粉末原料が高周波誘導加熱部分に位置したときに上下パンチで圧縮した後、パルス状電流を粉末原料に通電する。シャッターを閉じた状態でプレス焼成した後、シャッターを開き、シャフト１７に押されて次の成形型１１が高周波誘導加熱部分に移動する。このときシリコンシリンダー２１で保持された最下部の成形型のみ落下させる。これを繰り返すことで連続焼結が可能となる。また、シャッターが開いても成形型１１はシリコンシリンダー２１で一旦保持されるので連続して収納ポケット２２には落下しない。
【００２８】
次に、本実施例の焼結装置を用いてＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）を焼結する場合について詳細に説明する。この場合、成形型１１は、外径３９ｍｍ、内径２０ｍｍ、高さ６８ｍｍの成形ダイ４１と、外径２０ｍｍ、高さ３５ｍｍの先端部と外径５０ｍｍ、高さ８ｍｍの基部を炭素材で一体に形成した上パンチ４２および下パンチ４３とで構成した。
【００２９】
切削粉状のＡｌ（アルミニウム）を３ｇ秤量し、この粉末原料を成形型１１の成形ダイ４１に充填して本装置で焼結を行った。
【００３０】
まず、粉末原料４４を充填した１個の成形型１１を本焼結装置の焼結炉２にセットして高周波誘導加熱部分に配置し、真空ポンプ１８で１Ｐａ以下に排気した後Ａｒガスで置換する。Ａｒガスを５ｌ／ｍｉｎ流した状態で、サーボプレス１６で加圧し、圧縮圧力を２０ＭＰａ／ｃｍ２に維持した。この状態で、高周波誘導加熱電源を入れ４ＫＷで３０秒加熱して４５０℃まで温度を上げた。その後、高周波誘導加熱電源の出力を４ＫＷとし、放電プラズマ焼結のパルス通電を、電流８００Ａ、パルス幅１５０ｍｓｅｃのＯＮ状態と、電流０Ａ、パルス幅１０ｍｓｅｃのＯＦＦ状態との繰り返しで１２００℃まで昇温させて３分間保持した。その後、加圧を開放して電源を切った。
【００３１】
上記のようなパルス通電と高周波誘導加熱による焼結により、外径２０ｍｍ、高さ３ｍｍのＡｌ２Ｏ３焼結体が得られた。得られた焼結体は密度が７７%であった。
【００３２】
焼結終了後は次の成形型１１をトップチャンバー１５を開けて挿入し、サーボプレスにより下方向に送り込み、高周波誘導加熱部分に移動させる。このとき焼結後の成形型１１はシリコンシリンダー２１で保持される。すでにシリコンシリンダー２１に保持されている成形型がある場合は、それが落下して収納ポケット２２に収納される。また、放電プラズマ焼結のパルス通電は未焼結の原料を保持した成形型の上パンチから一番下の焼結済みの原料を保持した成形型の下パンチを通して行われる。圧縮された未焼結の原料にのみプラズマ放電が生ずる。
【実施例３】
【００３３】
図４は実施例３に係る焼結装置の焼結炉の模式的な断面図である。本実施例の焼結装置は、電気制御盤と焼結炉３とから成り、図４は焼結炉３を示している。図５は石英チャンバーの内部に成形ダイおよび複数の上下パンチを挿入した状態を示す拡大断面図である。本実施例の焼結装置の基本的な構成は実施例２と同様であるが、本実施例の焼結炉３は、粉末原料を挟んだ複数の上パンチ５２および下パンチ５３が長尺の成形ダイ５１の上下方向に連続して通過可能に構成された成形型を有し、成形ダイ５１は上下方向の中央部に絶縁体または高抵抗体からなる層状部分である絶縁層５５を有し、絶縁層５５は高周波誘導加熱手段により加熱される領域に位置している。ベースチェンバー１４の下側にプレス台５０を設置し、プレス台５０は制御により開口して上下パンチ５２、５３を排出することが可能なシャッター機構を有している。さらに、上下パンチ５２、５３を一時的に保持するため、プレス台５０の上方にシャッターの開口よりも小さな内径を有する保持用シリンダーとしてシリコンシリンダー５６を配置している。また、焼結体を保持した上下パンチ５２、５３を収納するため、プレス台５０の下部に収納ポケット５７を備えている。
【００３４】
このようにプレス台５０とサーボプレス１６間にそれぞれ粉末原料４４を挟んだ複数個の上下パンチ５２、５３を積み上げ、サーボプレスにより順次下方向に送り込み、粉末原料が高周波誘導加熱部分に位置したときに上下パンチで圧縮した後、パルス状電流を粉末原料に通電する。シャッターを閉じた状態でプレス焼成した後、シャッターを開き、サーボプレスシャフトに押されて次の上下パンチ５２、５３が高周波誘導加熱部分に移動する。このときシリコンシリンダー５６で保持された最下部の上下パンチのみ落下させる。これを繰り返すことで連続焼結が可能となる。また、シャッターが開いても上下パンチはシリコンシリンダー５６で一旦保持されるので連続して収納ポケット５７には落下しない。
【００３５】
また、本実施例の成形ダイ５１は絶縁層５５があるので、これにより導電性粉末原料を焼結する場合には、粉末原料にほぼ集中して通電させることが可能となり、加熱を兼ねて成形ダイにも通電する場合よりもはるかに少ないパルス電流で焼結が得られる。
【００３６】
次に、本実施例の焼結装置を用いてＭｇ２Ｓｉ（マグネシウムシリサイド）を焼結する場合について詳細に説明する。成形ダイの形状は外径３９ｍｍ、内径２２ｍｍ、高さ６８０ｍｍである。上下パンチはそれぞれ外径２２ｍｍ、高さ３５ｍｍであり、炭素材で形成した。
【００３７】
粉末原料をチャージすることが難しいのと、成形時に横方向に押しつぶされてダイ５１内で詰まることがあるため、切削粉状のＭｇとＳｉを所定の比率で３ｇ秤量し、この粉末原料を黒鉛シートで覆った状態で外径２１ｍｍ、厚さ７ｍｍ程度の形状になるよう予め成形プレスした原料ペレット５４を準備し、ダイ５１内の上下パンチ間に充填して本装置で焼結を行った。
【００３８】
まず、原料ペレット５４を充填した１個目の上下パンチ５２、５３を本焼結装置の焼結炉３の成形ダイ５１中にセットして、真空ポンプ１８で１Ｐａ以下に排気した後Ａｒガスで置換する。Ａｒガスを５ｌ／ｍｉｎ流した状態で、サーボプレス１６で加圧し、圧縮圧力を２０ＭＰａ／ｃｍ２に維持した。この状態で、高周波誘導加熱電源を入れ４ＫＷで３０秒加熱して４５０℃まで温度を上げた。その後、高周波誘導加熱電源の出力を３ＫＷとし、放電プラズマ焼結のパルス通電を、電流８００Ａ、パルス幅１５０ｍｓｅｃのＯＮ状態と、電流０Ａ、パルス幅１０ｍｓｅｃのＯＦＦ状態との繰り返しで８５０℃まで昇温させて３分間保持した。その後、加圧を開放して電源を切って１個目の焼結を終了した。
【００３９】
次に、成形型の温度が４００℃まで下がるのに１０分程待ち、サーボプレス１６のシャフト１７をトップチャンバーから抜いて上下パンチ間に原料ペレットを挟んだ次のセットをトップチャンバーのシャフト穴から挿入した。下部のシャッターを開けてから、サーボプレスのシャフト１７を挿入し、原料ペレット５４が絶縁層５５と同じ位置となる所定の位置まで上下パンチを下げた。このとき、シリコンシリンダー５６に保持された一番下の上下パンチが収納ポケット５７に落下し、焼結を終了した上下パンチが途中に配置された上下パンチの外径より少し小さいシリコンシリンダー５６に留まる。そこでプレス台５０のシャッターを閉じ、トップチャンバー１５を閉じ、真空引きから前述の１個目と同じ条件の工程で２個目の焼結を行った。
【００４０】
上記の通電焼結により、外径２０ｍｍ、高さ５ｍｍの焼結体が２個得られた。得られた2個の焼結体は密度が９６%以上であった。
【００４１】
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではないことは言うまでもなく、目的とする焼結体の種類や形状などに応じて変更可能である。例えば、実施例１及び実施例２においても、実施例３で使用したような絶縁層を挟んだ成形ダイを用いることができる。断熱材の材料としてはカーボンフェルト以外にもグラスファイバー、アルミナフェルト、ジルコニアフェルトなどを用いることができる。焼結装置の各部の構造、形状、材質なども目的とする焼結体の種類や形状に合わせて変更可能である。また、焼結体の種類や使用する焼結装置の各部の構造や形状などによって、温度などの焼結条件も最適化することが望ましい。
【符号の説明】
【００４２】
１、２、３    焼結炉
１１      成形型
１２      石英チャンバー
１３      カーボンフェルト
１４      ベーチャンバー
１５      トップチャンバー
１６      サーボプレス
１７      シャフト
１８      真空ポンプ
１９      誘導加熱コイル
２０、５０    プレス台
２１、５６    シリコンシリンダー
２２、５７    収納ポケット
４１、５１    成形ダイ
４２、５２    上パンチ
４３、５３    下パンチ
４４      粉末原料
５４      原料ペレット
５５      絶縁層
【図１】
2015209583.tif 000003
【図２】
2015209583.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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