(57)【要約】【課題】基材をエッチングにより加工することなく、プロービング試験の際にボンディング領域にプローブ針の針先が到達し難くなる半導体装置を提供する。【解決手段】平面２ａを有する基材２と平面２ａ上に設けられた電極パッド３とを備えた半導体装置１の電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂの間の領域において、電極パッド３のうち基材２と接触する一面とこの一面に対向する他面まで貫通する貫通穴３ｃが設けられている。貫通穴３ｃは、平面２ａに対する法線方向から見て、電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂとを区画するように形成されている。このため、プローブ針の針先がボンディング領域３ａ側に滑っても、貫通穴３ｃによる段差によりプローブ針の針先の移動が止められ、プローブ針の針先がボンディング領域３ａに到達し難くなる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面（２ａ）を有する基材（２）と、前記平面上に設けられた金属膜よりなる電極パッド（３）と、が備えられた半導体装置であって、
前記電極パッドのうち一部の領域が、ワイヤボンディング用のボンディング領域（３ａ）として構成され、前記電極パッドのうち前記ボンディング領域とは別の一部の領域が、前記ボンディング領域と電気的に接続された、プローブによる検査用の検査領域（３ｂ）として構成されており、
前記電極パッドのうち前記ボンディング領域と前記検査領域の間の領域において、前記基材の平面に対する法線方向から見て、前記電極パッドのうち前記ボンディング領域と前記検査領域とを区画するように形成された、前記電極パッドのうち前記基材と接触する一面とこの一面に対向する他面まで貫通する貫通穴（３ｃ）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電極パッドを構成する金属膜が、前記基材の平面に対する法線方向から見て、前記貫通穴の一端と該一端に対向する他端のうちの少なくともいずれかにおいて、前記ボンディング領域を含む部位と前記検査領域を含む部位とが連結された構成とされていることで、前記電極パッドのうち前記ボンディング領域と前記検査領域とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極パッドが、互いに物理的に離された２つの電極パッド（３１、３２）により構成され、前記２つの電極パッドのうち一方の電極パッド（３１）において前記ボンディング領域が構成されており、前記２つの電極パッドのうち他方の電極パッド（３２）において前記検査領域が構成されており、
前記基材の一面に下層配線（５）が設けられ、前記下層配線のうち前記基材と接触する一面に対向する他面に絶縁膜（６）が設けられ、前記絶縁膜中に複数のビア（７）が設けられた構成とされており、
前記絶縁膜のうち前記下層配線と接触する一面に対向する他面と、前記ビアと、により形成される面において、前記２つの電極パッドで構成された前記電極パッドが複数備えられた構成とされており、
前記複数のビアのうち一部のビア（７ａ）が、前記２つの電極パッドのうち一方の電極パッドと前記下層配線とを電気的に接続しており、前記２つのビアのうち残りのビア（７ｂ）が、前記２つの電極パッドのうち他方の電極パッドと前記下層配線とを電気的に接続していることで、前記ボンディング領域と前記検査領域とが電気的に接続していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極パッドが備えられた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程におけるウェハ上に半導体集積回路を作りこむ前工程とダイシング、マウント、ボンディング、仕上げなどを行う後工程との間に、半導体集積回路の機能・性能に関するテストが行われている。このテストは、半導体素子をテスタに接続して回路を動作させることで行われる。具体的には、プローバと呼ばれる駆動装置により、プローブ針の針先を検査対象の半導体素子の電極パッドに接触させて半導体素子の電気的特性の検査（プロービング試験）が行われる。そして、この電極パッド内には、一般に、ワイヤボンディング用のボンディング領域とプローブによる検査用の検査領域が設けられる。
【０００３】
ここで、半導体装置は微細であるため、プロービング試験中にプローブ針の針先が検査領域をはみ出してボンディング領域まで到達してしまうことがある。プローブ針の針先が検査領域をはみ出してボンディング領域まで到達してしまうと、電極パッドの表面が荒れ、電極パッドの構成材料（アルミニウムなど）が剥離してしまうことがある。このように損傷した電極パッドの表面にワイヤボンディングを行った際には、ボンディングワイヤ（金など）と電極パッドの構成材料（アルミニウムなど）との合金層が形成されず、ワイヤボンディングの十分な接合強度を得ることが困難となる。
【０００４】
そこで、プロービング試験の際にプローブ針の針先がボンディング領域に到達し難くなる構造を備えた半導体装置として、特許文献１に記載の半導体装置が提案されている。この半導体装置は、基材であるＩＣチップと電極パッド（アルミニウム）とを有する構成とされている。この基材は、半導体基板上に金属配線（銅）等が備えられていると共にその最表面に絶縁膜（二酸化シリコン膜）が備えられた構成とされており、この絶縁膜（二酸化シリコン膜）の表面において電極パッドが設けられている。電極パッド内には、ワイヤボンディング用のボンディング領域とプローブによる検査用の検査領域が設けられている。この半導体装置では、ボンディング領域と検査領域との間の領域において、ボンディング領域と検査領域との境界部分を目視により明確に確認するための溝部が設けられている。より具体的には、絶縁膜（二酸化シリコン膜）の表面のうちボンディング領域と検査領域との間の領域において、溝部が形成されている。そして、この溝に倣うように、電極パッドであるアルミニウム層の表面において溝部が形成されている。
【０００５】
なお、この特許文献１に記載の半導体装置における溝部は、製造工程において以下のように形成される。まず、半導体基板上に金属配線（銅）等が備えられた層の表面において、プラズマ化学気相成長法により絶縁膜（二酸化シリコン膜）を積層形成する。次に、この膜上にフォトリソグラフィ技術によりレジストマスクを形成した後に、このレジストマスクを用いてドライエッチングを施すことにより、絶縁膜の表面に溝部を形成する。そして、溝部が形成された絶縁膜の表面に、スパッタリング法によりアルミニウム層を積層形成することで、絶縁膜の表面に形成された溝部に倣うように、電極パッド（アルミニウム層）の表面にも溝部を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２０６１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の半導体装置では、基材の一部である絶縁膜（二酸化シリコン膜）に溝部を設けることで電極パッドに溝部を形成している。そして、この絶縁膜（二酸化シリコン膜）における溝部は、エッチングにより形成される。すなわち、この半導体装置の製造においては、電極パッドに溝部を形成するために基材をエッチングにより加工する工程が必要となる。しかしながら、エッチングを施すことができる材料には制限があり、また、エッチングにより基材中の配線に悪影響を与える等の不具合が生じることがあるため、電極パッドに溝部を形成するために基材をエッチングにより加工することは好ましくない。
【０００８】
本発明は上記点に鑑みて、電極パッドが備えられた半導体装置において、基材を加工せずに、基材の平面が維持されたままで貫通穴を形成することで、プロービング試験の際にボンディング領域にプローブ針の針先が到達し難くなる構成を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、平面（２ａ）を有する基材（２）と、この平面上に設けられた金属膜よりなる電極パッド（３）と、が備えられた半導体装置において、電極パッドのうちワイヤボンディング用のボンディング領域とプローブによる検査用の検査領域とを区画するように形成された、電極パッドのうち基材と接触する一面とこの一面に対向する他面まで貫通する貫通穴（３ｃ）が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
このような構成とされているため、プロービング試験の際に、プローブ針の針先がボンディング領域側に滑ってしまっても、貫通穴による段差によりプローブ針の針先の移動が止められる。この貫通穴の滑り止め効果により、プローブ針の針先がボンディング領域に到達し難くなる。さらに、基材を加工せずに基材の平面が維持されたままで貫通穴を形成するため、基材の材料がエッチングを施すことができる材料に制限されることや、エッチングにより基材中の配線に悪影響を与える等の不具合が生じることがない。
【００１１】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置を示す概略平面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示す半導体装置の電極パッド付近の部分（図１中の一点鎖線で囲んだ部分）の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）が示す部分のIIｂ−IIｂ概略断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第２実施形態における半導体装置の電極パッド付近の部分の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）が示す部分のIIIｂ−IIIｂ概略断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第３実施形態における半導体装置の電極パッド付近の部分の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）が示す部分のIＶｂ−IＶｂ概略断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の他の実施形態における半導体装置の電極パッド付近の部分の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）が示す部分のＶｂ−Ｖｂ概略断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の別の他の実施形態における半導体装置の電極パッド付近の部分の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）が示す部分のＶIｂ−ＶIｂ概略断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の別の他の実施形態における半導体装置の電極パッド付近の部分の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）が示す部分のＶIIｂ−ＶIIｂ概略断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の別の他の実施形態における半導体装置の電極パッド付近の部分の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）が示す部分のＶIIIｂ−ＶIIIｂ概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体装置１について図１を参照して説明する。
【００１５】
半導体装置１は、半導体集積回路が備えられた装置であり、平面２ａを有する基材２と、平面２ａ上に設けられた複数の電極パッド３と、が備えられた構成とされる。半導体装置１は、例えば、ＩＣチップや、ＩＣチップがセラミック等の基板に搭載された構成の装置等で構成される。
【００１６】
基材２は、半導体基板に半導体集積回路が備えられて構成されるＩＣチップであり、その表面や内層において金属配線（例えば銅）が設けられた構成とされている。
【００１７】
ここでは、図１に示されるように、半導体装置１は、シリコン半導体を用いた平板状で半導体集積回路が設けられた一般的なＩＣチップを基材２として、このＩＣチップ２の表面である平面２ａ上に複数の電極パッド３が備えられた構成とされている。
【００１８】
各電極パッド３は、スパッタリング法などの一般的な製法により形成されるアルミニウムよりなる膜であり、図２（ａ）に示されるように、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、その外形が長方形状となるように形成されている。
【００１９】
図１に示されるように、ポリイミド膜よりなる保護膜４が、ＩＣチップ２の平面２ａの全域に亘って、かつ、各電極パッド３の表面が露出するようにして形成されている。具体的には、図２（ａ）に示されるように、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の表面のうち外縁部のみを覆うように保護膜４が設けられており、この保護膜４に囲まれた長方形状の領域において各電極パッド３が露出している。
【００２０】
そして、本実施形態では、図２（ａ）に示されるように、保護膜４で囲まれた各電極パッド３の長方形状の領域のうち、一方側の領域がワイヤボンディング用のボンディング領域３ａとされ、他方側の領域がプローブによる検査用の検査領域３ｂとされている。
【００２１】
図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、各電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂの間の領域において、電極パッド３のうち基材２と接触する一面とこの一面に対向する他面まで貫通する貫通穴３ｃが設けられている。貫通穴３ｃは、基材２の平面２ａに対する法線方向から見て、電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂとを区画するように形成されている。また、貫通穴３ｃは、その外形が、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向を長手方向とする長方形状となるように形成されている。なお、この貫通穴３ｃは、例えばエッチングなどの一般的な製法により形成される。
【００２２】
図２（ａ）に示されるように、貫通穴３ｃは、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向のうち一方側および他方側の両側において、保護膜４にまで及ぶように形成されている。すなわち、本実施形態では、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向におけるボンディング領域３ａの端から端まで、および、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向における検査領域３ｂの端から端まで、貫通穴３ｃが形成されている。
【００２３】
ただし、図２（ａ）に示されるように、貫通穴３ｃは、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の外形である長方形の内側に形成されている。すなわち、本実施形態では、電極パッド３を構成する金属膜が、長方形状とされた貫通穴３ｃの長手方向の両端において、ボンディング領域３ａを含む部位と検査領域３ｂを含む部位とが連結された構成とされている。そして、本実施形態では、このように各電極パッド３のうちボンディング領域３ａを含む部位と検査領域３ｂを含む部位とが連結されていることで、各電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂとが電気的に接続されている。
【００２４】
ここで、貫通穴３ｃの大きさは、プロービング試験に用いられるプローブ針の針先の大きさを考慮して、後述する貫通穴３ｃの滑り止め効果を得るために必要な大きさとされる。ここでは、プローブ針の針先が直径５０μｍ以下であるため、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、貫通穴３ｃの外形である長方形の短手方向の長さを、プローブ針の針先の直径の１／２以上としている。なお、貫通穴３ｃの外形である長方形の長手方向の長さは、ボンディングワイヤの径を考慮した任意の長さとされ得る。また、貫通穴３ｃの深さは、電極パッド３を構成する金属膜の膜厚と同一となるため、一般的に１０μｍ以下となる。
【００２５】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置１は、各電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂの間の領域において、電極パッド３のうち基材２と接触する一面とこの一面に対向する他面まで貫通する貫通穴３ｃが設けられた構成とされている。貫通穴３ｃは、基材２の平面２ａに対する法線方向から見て、電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂとを区画するように形成されている。
【００２６】
このため、本実施形態に係る半導体装置１では、プロービング試験の際に、プローブ針の針先がボンディング領域３ａ側に滑ってしまっても、貫通穴３ｃによる段差によりプローブ針の針先の移動が止められる。この貫通穴３ｃの滑り止め効果により、本実施形態に係る半導体装置１では、プローブ針の針先がボンディング領域３ａに到達し難くなる。なお、基材であるＩＣチップ２の平面２ａが、電極パッド３を構成する金属膜よりも硬く崩れにくい材料である酸化膜などで構成されている場合には、この酸化膜などが貫通穴３ｃの内部で露出している部分の滑り止め効果によりプローブ針がさらに移動し難くなる。
【００２７】
さらに、本実施形態係る半導体装置１では、基材であるＩＣチップ２を加工せずに、ＩＣチップ２の平面２ａが維持されたままで貫通穴３ｃを形成している。
【００２８】
このため、本実施形態係る半導体装置１では、基材の材料がエッチングを施すことができる材料に制限されることや、エッチングにより基材中の配線に悪影響を与える等の不具合が生じることがない。
【００２９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、各電極パッド３における貫通穴３ｃが設けられた領域を変更したものあり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３０】
第１実施形態では、図２（ａ）に示されるように、貫通穴３ｃを、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向のうち一方側および他方側の両側において、保護膜４にまで及ぶように形成していた。しかしながら、本実施形態に係る半導体装置１では、図３（ａ）に示されるように、貫通穴３ｃを、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向のうち一方側および他方側の両側において、保護膜４にまで及ばないように形成している。ただし、プローブ針の針先が電極パッド３の表面のうち保護膜４と貫通穴３ｃとの間の領域を移動できない程度の距離だけ保護膜４から離すようにして貫通穴３ｃを形成している。ここでは、プローブ針の針先を直径５０μｍ以下としているため、プローブ針の針先の直径の１／２未満の距離だけ保護膜４から離すようにして貫通穴３ｃを形成している。
【００３１】
なお、ここでは、上述したようにプローブ針の針先が直径５０μｍ以下であるため、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、貫通穴３ｃの外形である長方形の短手方向の長さを、プローブ針の針先の直径の１／２以上としている。なお、貫通穴３ｃの外形である長方形の長手方向の長さは、第１実施形態と同様、ボンディングワイヤの径を考慮した任意の長さとされ得る。また、貫通穴３ｃの深さも、第１実施形態と同様、電極パッド３を構成する金属膜と同一となるため、一般的に１０μｍ以下となる。
【００３２】
上記構成としていることで、本実施形態でも第１実施形態と同様、プロービング試験の際に、プローブ針の針先がボンディング領域３ａ側に滑ってしまっても、貫通穴３ｃによる段差によりプローブ針の針先の移動が止められる。この貫通穴３ｃの滑り止め効果により、プローブ針の針先がボンディング領域３ａに到達し難くなる。なお、貫通穴３ｃを、プローブ針の針先が移動できない程度の距離だけ保護膜４から離して形成しているため、プローブ針の針先が電極パッド３の表面のうち保護膜４と貫通穴３ｃとの間の領域を移動してボンディング領域３ａに到達することは防止される。
【００３３】
さらに、本実施形態では第１実施形態と異なり、貫通穴３ｃを、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向のうち一方側および他方側の両側において保護膜４にまで及ばないように形成している。このため、第１実施形態では、製造工程においてエッチングにより貫通穴３ｃを形成する際に、貫通穴３ｃが形成された領域付近の保護膜４が、貫通穴３ｃ内に垂れてしまう可能性があるのに対して、本実施形態ではそのような不具合が生じ難い。
【００３４】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、各電極パッド３において貫通穴３ｃが設けられた領域を変更すると共に、各電極パッド３とＩＣチップ（基材）２との間に下層配線５等が設けられた構成に変更したものである。その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３５】
第１実施形態では、図２（ａ）に示されるように、貫通穴３ｃを、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、各電極パッド３の外形である長方形の内側に形成していた。しかしながら、本実施形態に係る半導体装置１では、図４（ａ）に示されるように、貫通穴３ｃを、各電極パッド３の外形である長方形の短手方向における端から端まで設けた構成としている。すなわち、本実施形態に係る半導体装置１では、各電極パッド３が、互いに物理的に離された２つの電極パッド３１、３２により構成されるようにしている。そして、本実施形態に係る半導体装置１では、一方の電極パッド３１においてボンディング領域３ａが構成されており、他方の電極パッド３２において検査領域３ｂが構成されている。
【００３６】
本実施形態では、図４（ｂ）に示されるように、ＩＣチップ２の一面に下層配線５が設けられ、下層配線５のうちＩＣチップ２と接触する一面に対向する他面に絶縁膜６が設けられ、絶縁膜６中にビア７が設けられた構成としている。そして、本実施形態に係る半導体装置１では、絶縁膜６のうち下層配線５と接触する一面に対向する他面と、ビア７と、により形成される面において、２つの電極パッド３１、３２で構成された電極パッド３が複数備えられた構成としている。
【００３７】
ビア７は、２つのビア７ａ、７ｂで構成され、本実施形態では、それぞれのビア７ａ、７ｂが、絶縁膜６のうち下層配線５と接触する一面から該一面に対向する他面まで貫通するように絶縁膜６中に設けられている。本実施形態では、一方のビア７ａが、電極パッド３１（ボンディング領域３ａ）と下層配線５とを電気的に接続しており、他方のビア７ｂが、電極パッド３２（検査領域３ｂ）と下層配線５とを電気的に接続している。すなわち、本実施形態では、この２つのビア７ａ、７ｂと下層配線５により、ボンディング領域３ａと検査領域３ｂとを電気的に接続している。
【００３８】
なお、ここでは、プローブ針の針先が直径５０μｍ以下であるため、ＩＣチップ２の平面２ａに対する法線方向から見て、貫通穴３ｃの外形である長方形の短手方向の長さを、プローブ針の針先の直径の１／２以上としている。なお、貫通穴３ｃの外形である長方形の長手方向の長さは、ボンディングワイヤの径を考慮した任意の長さとされ得る。また、貫通穴３ｃの深さは、電極パッド３を構成する金属膜の膜厚と同一となるため、一般的に１０μｍ以下となる。
【００３９】
上記構成としていることで、本実施形態でも第１実施形態と同様、プロービング試験の際に、プローブ針の針先がボンディング領域３ａ側に滑ってしまっても、貫通穴３ｃによる段差によりプローブ針の針先の移動が止められる。この貫通穴３ｃの滑り止め効果により、プローブ針の針先がボンディング領域３ａに到達し難くなる。
【００４０】
（他の実施形態）
上記第１実施形態では、図２（ａ）に示されるように、電極パッド３を構成する金属膜を、長方形状とされた貫通穴３ｃの長手方向の両端において、ボンディング領域３ａを含む部位と検査領域３ｂを含む部位とが連結された構成としていた。しかしながら、図５（ａ）、（ｂ）に示されるように、電極パッド３を構成する金属膜を、長方形状とされた貫通穴３ｃの長手方向の一端のみにおいて、ボンディング領域３ａを含む部位と検査領域３ｂを含む部位とが連結された構成としてもよい。この場合は、この一端における連結により、各電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂとが電気的に接続される。
【００４１】
また、上記実施形態では、図２〜５に示されるように、電極パッド３のうち基材２と接触する一面とこの一面に対向する他面まで貫通する貫通穴３ｃが設けられていることにより、貫通穴３ｃの内部において基材２が露出した構成としていた。しかしながら、上記実施形態において、貫通穴３ｃの内部に、電極パッド３のうち基材２と接触する一面を超えないように保護膜４が充填された構成としてもよい。例えば、第１実施形態において、この構成とした場合は図６に示されるような構成となり、第２実施形態において、この構成とした場合は図７に示されるような構成となり、第３実施形態において、この構成とした場合は図８に示されるような構成となる。
【００４２】
これらの場合でも、貫通穴３ｃが形成されていることによって、電極パッド３のうち基材２と接触する一面に対向する他面と、貫通穴３ｃに充填された保護膜４とにより、電極パッド３のうちボンディング領域３ａと検査領域３ｂの間の領域において段差が形成される。そして、この段差によりプローブ針の針先の移動が止められるため、この場合でも、上記実施形態のようなプローブ針に対する滑り止め効果を得られる。
【符号の説明】
【００４３】
１      半導体装置
２      基材
２ａ    平面
３      電極パッド
３ａ    ボンディング領域
３ｂ    検査領域
３ｃ    貫通穴
４      保護膜
５    下層配線
７      ビア
【図１】
2015032670.tif 000003
【図２】
2015032670.tif 000004
【図３】
2015032670.tif 000005
【図４】
2015032670.tif 000006
【図５】
2015032670.tif 000007
【図６】
2015032670.tif 000008
【図７】
2015032670.tif 000009
【図８】
2015032670.tif 000010