(57)【要約】【課題】フレキシブルプリント配線板に電子部品等を実装する際の実装作業性を向上させる技術を提供する。【解決手段】銅箔基材と、銅箔基材上に形成された銅めっき層と、銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、樹脂基材の両主面上に、表面処理銅箔を対向させて、粗化銅めっき層が設けられた側の面が樹脂基材に接するように表面処理銅箔を貼り合わせた後、樹脂基材の両主面上から表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、表面処理銅箔と樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔基材と、
前記銅箔基材上に形成された銅めっき層と、
前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、
樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて、前記粗化銅めっき層が設けられた側の面が前記樹脂基材に接するように前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、
前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている
表面処理銅箔。
【請求項２】
前記銅めっき層は、メルカプト基を有する有機化合物が添加された銅めっき液を用いて形成されている
請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
前記銅めっき層は、厚さが０．１μｍ以上０．６μｍ以下となるように形成されている
請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
【請求項４】
前記粗化銅めっき層は、平均厚さが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下となるように形成されている
請求項１ないし３のいずれかに記載の表面処理銅箔。
【請求項５】
銅箔基材、前記銅箔基材上に形成された銅めっき層、及び前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、
前記粗化銅めっき層が設けられた側の面に接するように形成された樹脂基材と、を備え、
前記表面処理銅箔は、前記樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている
積層板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理銅箔及び積層板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話等の電子機器の配線板として用いられるフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）は、例えば、銅箔と、銅箔の少なくともいずれかの主面上に設けられるポリイミドフィルム等の樹脂基材と、を備える積層板で形成されている。積層板には、エッチング等により所定箇所の銅箔を除去することで回路パターン（銅配線）が形成されている。ＦＰＣに電子部品等が実装される際、銅箔が除去された箇所の樹脂基材を介して（銅箔が除去された箇所の樹脂基材越しに）位置決めマークを視認し、電子部品等の実装位置の位置決めが行われる。従って、ＦＰＣには、銅箔が貼り合わされて除去された後の樹脂基材の透明性（以下では、単に「樹脂基材の透明性」とも言う。）が高いことが要求されている。そこで、樹脂基材の光透過率が３０％となるように銅箔の表面粗さを調整したり、樹脂基材の光透過率が４０％以上、樹脂基材のＨＡＺＥ値（曇価）が３０％以下となるように、銅箔の表面粗さを調整することが提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１４７６８８号公報
【特許文献２】特許第５０３５２２０号公報
【特許文献３】特開２００４−９８６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＦＰＣに電子部品等が実装される際、樹脂基材と位置決めマークとは密着しておらず、所定の距離があけられている。従って、樹脂基材の光透過率、樹脂基材のＨＡＺＥ値を調整しても、ＦＰＣに電子部品等を実装する際、樹脂基材越しに位置決めマークを視認することができなかったり、視認することが難しいことがある。その結果、実装作業性が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決し、フレキシブルプリント配線板に電子部品等を実装する際の実装作業性を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、銅箔基材と、前記銅箔基材上に形成された銅めっき層と、前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて、前記粗化銅めっき層が設けられた側の面が前記樹脂基材に接するように前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている表面処理銅箔が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、銅箔基材、前記銅箔基材上に形成された銅めっき層、及び前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、前記粗化銅めっき層が設けられた側の面に接するように形成された樹脂基材と、を備え、前記表面処理銅箔は、前記樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている積層板が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、フレキシブルプリント配線板に電子部品等を実装する際の実装作業性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔を備える積層板の概略断面図である。
【図２】樹脂基材のＨＡＺＥ値の測定装置を示す概略図である。
【図３】（ａ）は樹脂基材の透明度の測定装置を示す概略図であり、（ｂ）は（ａ）に示す装置に用いられるセンサの平面概略図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔及び積層板の製造工程を示すフロー図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる積層板で形成したフレキシブルプリント配線板に電子部品等を実装する際の様子を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（発明者等が得た知見）
まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者等が得た知見について説明する。ＦＰＣ等の配線板には、銅箔基材及び銅箔基材のいずれかの主面上に設けられた粗化銅めっき層を有する表面処理銅箔と、樹脂基材と、を備える積層板（銅張積層板）が用いられている。積層板は、表面処理銅箔の粗化銅めっき層が設けられた側の面と、樹脂基材と、を貼り合わせて形成されている。例えば図５に示すように、ＦＰＣ１００に電子部品等を実装する際の電子部品等の実装位置の位置合わせは、光源１０１から光を照射しつつ、例えばＣＣＤカメラ１０２等を用い、銅配線を形成するために表面処理銅箔が除去された箇所の樹脂基材越しに、実装位置の位置決めマーク１０３を視認して行われる。このため、表面処理銅箔が除去された箇所の樹脂基材には、透明性が高いことが要求されている。しかしながら、積層板を形成する際に樹脂基材と表面処理銅箔とが貼り合わされると、粗化銅めっき層により表面処理銅箔の表面に形成された凹凸が樹脂基材に転写されてしまうため、樹脂基材の透明性が低下してしまう。そこで、表面処理銅箔を貼り合わせて除去した後の樹脂基材のＨＡＺＥ値や光透過率（以下では、これらをそれぞれ「樹脂基材のＨＡＺＥ値」や「樹脂基材の光透過率」とも言う。）が所定の値となるように、表面処理銅箔の樹脂基材に貼り合わせられる側の面の表面粗さを調整している。なお、樹脂基材のＨＡＺＥ値とは、樹脂基材を透過した全光線の光量に対する拡散透過光量（直進せずに拡散した光の量）の割合である。樹脂基材の光透過率は、光の反射や散乱を考慮せずに、平行光線で測定した値である。光の反射や散乱が多いと、樹脂基材の光透過率が低くなる。つまり、樹脂基材の光透過率は、樹脂基材を透過した全光線の光量に対する直進透過光量（拡散せずに直進した光の量）の割合と相関している。ただし、光透過率と直進透過光量とでは、測定機器及び測定方法が異なるため、光透過率の数値の絶対値と直進透過光量の割合の数値の絶対値とは一致しない。このように、樹脂基材のＨＡＺＥ値と樹脂基材の透過率とはそれぞれ、樹脂基材自体の透明性（濁り度）を示す指標であり、表裏一体の関係にある。例えば、樹脂基材のＨＡＺＥ値が大きくなると、樹脂基材の光透過率の値が小さくなり、樹脂基材のＨＡＺＥ値が小さくなると、樹脂基材の光透過率の値が大きくなる。
【００１１】
実際にＦＰＣ１００に電子部品等を実装する際、樹脂基材（ＦＰＣ１００）は、位置決めマーク１０３から離間した位置に配置されている（図５参照）。つまり、実際の実装工程では、樹脂基材と位置決めマーク１０３とが密着しているわけではない。このため、実際の実装工程では、光源１０１から樹脂基材に光を照射した際、樹脂基材を透過した光の一部が散乱してしまう。その結果、樹脂基材のＨＡＺＥ値や光透過率が所定の値となるように表面処理銅箔を調整しても、実際の実装工程では、樹脂基材越しに位置決めマーク１０３を視認することが難しく、実装作業性が低下してしまうことがある。つまり、樹脂基材自身の透明性を評価する指標であり、樹脂基材を透過した光の散乱については考慮されていない樹脂基材のＨＡＺＥ値や光透過率を制御するだけでは、実装作業性を向上させることができないことがある。本発明は、発明者が見出した上記知見に基づくものである。
【００１２】
＜本発明の一実施形態＞
（１）表面処理銅箔及び積層板の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかる表面処理銅箔１を備える積層板１０の概略断面図である。
【００１３】
（表面処理銅箔）
図１に示すように、本実施形態にかかる表面処理銅箔１は、銅箔基材２と、銅箔基材２上に形成された銅めっき層３と、銅めっき層３上に形成された粗化銅めっき層４と、を備えている。また、表面処理銅箔１は、樹脂基材としての例えばポリイミド樹脂フィルムの両主面上に、表面処理銅箔１を対向させて、粗化銅めっき層４の側が樹脂基材に接するように表面処理銅箔１を貼り合わせた後、表面処理銅箔１を樹脂基材から除去したとき、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、表面処理銅箔と樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍとなるように形成されている。
【００１４】
樹脂基材のＨＡＺＥ値（曇価）とは、樹脂基材の見た目の透明性（見た目の濁り度）を評価する指標である。つまり、樹脂基材のＨＡＺＥ値とは、樹脂基材を透過した全光線の光量（全光線透過光量）に対する樹脂基材の拡散透過光の光量（拡散透過光量）の割合である。樹脂基材の両主面上に、２つの表面処理銅箔１を粗化銅めっき層４の側が樹脂基材に接するとともに、２つの表面処理銅箔１をそれぞれ対向させて貼り合わせた後、例えばエッチング等により表面処理銅箔１を除去した樹脂基材（以下では、単に「エッチング後の樹脂基材」とも言う。）のＨＡＺＥ値を測定することで、エッチング後の樹脂基材と位置決めマーク（認識マーク、アライメントマーク）とを密着させたとき、エッチング後の樹脂基材を介して（エッチング後の樹脂基材越しに）位置決めマークを視認できるか否かを評価できる。
【００１５】
ＨＡＺＥ値の測定は、例えば図２に示す測定装置２０を用いて行われる。例えば、ＨＡＺＥ値は、積分球２１と、光源２２と、検出器２３と、を備える装置で測定される。積分球２１の内周面は、光源２２から出射されて光導入口２１ａから積分球２１内に導入された光を一様に拡散（反射）させるように構成されている。積分球２１には、光源２２からの光を導入する光導入口２１ａと、光導入口２１ａに対向する位置に設けられ、光を排出する光排出口２１ｂと、が壁を貫通するように設けられている。光排出口２１ｂには、光排出口２１ｂを塞ぐ蓋体２４が設けられている。蓋体２４の積分球２１の内側に位置する面は、積分球２１内に導入された光を拡散（反射）させるように構成されている。
【００１６】
積分球２１の外側であって、光導入口２１ａと対向する位置には、光源２２が配置されている。光源２２は、例えば光源２２の光軸と光導入口２１ａの中心位置とが一致するように配置されている。光源２２は、光の出射位置と光導入口２１ａの中心位置との間の距離Ｌが、実装距離と一致するように配置されているとよい。しかしながら、光源２２は、距離Ｌと実装距離とが一致するように配置されていなくてもよい。なお、実装距離とは、後述の積層板１０に電子部品等が実装される際の樹脂基材１１と光源２２との間の距離を言う。検出器２３は、光源２２から出射されて光導入口２１ａから積分球２１内に導入された光の量を測定するように構成されている。
【００１７】
樹脂基材のＨＡＺＥ値の測定は、以下のように行う。まず、光導入口２１ａに測定対象である樹脂基材２５を配置する。例えば、積分球２１の外側から光導入口２１ａを塞ぐように、樹脂基材２５を配置する。そして、蓋体２４により光排出口２１ｂを塞いだ（閉じた）状態で、光源２２から光を照射し、樹脂基材２５を透過して積分球２１内に導入された光の量（全光線透過光量）を検出器２３で測定する。続いて、蓋体２４を外し、光排出口２１ｂを開いた状態で、光源２２から光を照射し、樹脂基材２５を透過して積分球２１内に導入された光のうち、光排出口２１ｂから排出されなかった光の量（拡散透過光量）を測定する。そして、下記（数１）から測定対象である樹脂基材２５のＨＡＺＥ値を算出する。
（数１）
ＨＡＺＥ値（％）＝（拡散透過光量／全光線透過光量）×１００  
【００１８】
透明度（ＣＬＡＲＩＴＹ）とは、樹脂基材を透過した光の指向性を評価する指標である。特に、透明度とは、樹脂基材を透過して直進した光の指向性を評価する指標である。つまり、透明度とは、樹脂基材を透過して直進した光の散乱光（狭角度散乱光）を検出することで、樹脂基材の透明度を評価するものである。エッチング後の樹脂基材の透明度を測定することで、エッチング後の樹脂基材が位置決めマークから離間した位置に配置されているとき（つまり、エッチング後の樹脂基材と位置決めマークとが密着していないとき）、エッチング後の樹脂基材を介して位置決めマークを視認できるか否かを評価できる。
【００１９】
透明度の測定は、例えば図３（ａ）に示す測定装置３０を用いて行われる。図３に示す測定装置３０は、光排出口２１ｂにセンサ３１を設けたこと以外は、図２に示すＨＡＺＥ値の測定装置２０と同一である。測定装置３０のセンサ３１は、円板状のセンターセンサ３１ａと、円環状のリングセンサ３１ｂとを備えている。図３（ｂ）に示すように、リングセンサ３１ｂは、センターセンサ３１ａの外周を囲うように設けられている。
【００２０】
樹脂基材の透明度の測定は、以下のように行う。まず、光源２２の光の出射位置に測定対象である樹脂基材２５を配置する。そして、蓋体２４を設けずに、光源２２から光を照射し、樹脂基材２５を透過して光導入口２１ａから積分球２１内に導入された光をセンターセンサ３１ａとリングセンサ３１ｂとでそれぞれ受光する。センターセンサ３１ａで受光した光量（ＩＣ）と、リングセンサ３１ｂで受光した光量（ＩＲ）と、を用い、下記（数２）から測定対象である樹脂基材２５の透明度を算出する。
（数２）
透明度（％）＝｛（ＩＣ−ＩＲ）／（ＩＣ＋ＩＲ）｝×１００  
【００２１】
ピール強度とは、樹脂基材と表面処理銅箔との間の密着性を評価する指標である。ピール強度が高いほど、密着性が高いことを示す。
【００２２】
（銅箔基材）
上述したように、本実施形態にかかる表面処理銅箔１は、銅箔基材２を備えている。銅箔基材２として、例えば圧延銅箔や電解銅箔が用いられる。銅箔基材２として、電解銅箔よりも耐屈曲性に優れ、繰り返して折り曲げても破断しにくい圧延銅箔が用いられるとよりよい。圧延銅箔の形成材料として、例えば無酸素銅（ＯＦＣ：Oxygen-Free Copper）やタフピッチ銅（ＴＰＣ：Tough-Pitch Copper）の純銅が用いられている。無酸素銅とは、ＪＩＳ  Ｃ１０２０やＪＩＳ  Ｈ３１００等に規定する純度が９９．９６％以上の銅材である。無酸素銅には、例えば数ｐｐｍ程度の酸素が含有されていてもよい。つまり、無酸素銅は、酸素含有量がゼロでなくてもよい。タフピッチ銅とは、例えばＪＩＳ  Ｃ１１００やＪＩＳ  Ｈ３１００等に規定する純度が９９．９％以上の銅材である。タフピッチ銅には、例えば１００ｐｐｍ〜６００ｐｐｍ程度の酸素が含有されていてもよい。圧延銅箔の形成材料として、無酸素銅やタフピッチ銅に、微量のスズ（Ｓｎ）や銀（Ａｇ）等の所定の添加材が添加された希薄銅合金が用いられてもよい。これにより、圧延銅箔の耐熱性等を向上させることができる。
【００２３】
（銅めっき層）
銅箔基材２のいずれかの主面上には、例えば電解めっき等により銅めっき層３が形成されている。銅めっき層３は、平滑銅めっき層であり、粗化銅めっき層４の下地層として機能する。銅めっき層３には、所定量の硫黄元素（Ｓ）が含まれている。つまり、銅めっき層３は、メルトカプト基を有する有機化合物（有機硫黄化合物）が添加された銅めっき液を用いて形成されている。以下では、銅めっき層３を形成する銅めっき液を、単に「銅めっき液」という。メルトカプト基を有する有機化合物として、例えばビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＳＰＳ）が用いられる。
【００２４】
有機硫黄化合物の添加量は、例えば５ｍｇ／Ｌ以上６０ｍｇ／Ｌ以下であるとよく、５ｍｇ／Ｌ以上４５ｍｇ／Ｌ以下であるとよりよく、５ｍｇ／Ｌ以上３０ｍｇ／Ｌ以下であるとさらによい。有機硫黄化合物の添加量が５ｍｇ／Ｌ未満であると、樹脂基材の透明性を高くしつつ、密着性の低下を抑制する効果が十分に得られないことがある。有機硫黄化合物の添加量を５ｍｇ／Ｌ以上とすることで、これを解決でき、樹脂基材の透明性を高くしつつ、密着性の低下を抑制できる。つまり、所望の樹脂基材の透明性と、所望の密着性と、を得ることができる。しかしながら、有機硫黄化合物の添加量が６０ｍｇ／Ｌを超えると、銅めっき液に対する有機硫黄化合物の溶解性が低下し、有機硫黄化合物を添加する効果を十分に得られないことがある。有機硫黄化合物は高価な原料であるため、添加量が６０ｍｇ／Ｌを超えると、表面処理銅箔の製造コストが高くなってしまう。有機硫黄化合物の添加量を６０ｍｇ／Ｌ以下とすることで、これらを解消できる。つまり、有機硫黄化合物の溶解性の低下を抑制できるとともに、製造コストの上昇を抑制できる。有機硫黄化合物の添加量を４５ｍｇ／Ｌとすることで、有機硫黄化合物の溶解性の低下をより抑制できるとともに、製造コストの上昇をより抑制できる。有機硫黄化合物の添加量を３０ｍｇ／Ｌとすることで、有機硫黄化合物の溶解性の低下をさらに抑制できるとともに、製造コストの上昇をさらに抑制できる。
【００２５】
また、銅めっき液には、界面活性剤、レベリング剤、塩化物イオン等が添加されていてもよい。
【００２６】
界面活性剤として、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシアルキレンエーテル等のいずれかが用いられる。具体的には、界面活性剤として、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシアルキレンエーテルのいずれかを主成分とする薬液が用いられる。界面活性剤として、例えば荏原ユージライト株式会社製のＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＴＨ−ＲIII（登録商標）シリーズの界面活性剤薬液が用いられる。界面活性剤の添加量は例えば１ｍｌ／Ｌ以上４ｍｌ／Ｌ以下であるとよい。
【００２７】
レベリング剤として、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト等が用いられる。具体的には、レベリング剤として、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト等を主成分とする薬液が用いられる。また、レベリング剤として、例えば荏原ユージライト株式会社製のＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＴＨ−ＲIIIシリーズ等の高分子炭化水素を主成分とするレベリング剤薬液を用いてもよい。レベリング剤としてのＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＴＨ−ＲIIIシリーズが用いられる場合、レベリング剤の添加量は例えば３ｍｌ／Ｌ以上１０ｍｌ／Ｌ以下であるとよい。
【００２８】
塩化物イオンとして、例えば塩素イオンを含む薬液（つまり塩酸、ＨＣｌ水溶液）が用いられる。塩酸の添加量は例えば０．０５ｍｌ／Ｌ以上０．３ｍｌ／Ｌ以下であるとよい。
【００２９】
銅めっき層３は、厚さが例えば０．１μｍ以上０．６μｍ以下となるように形成されているとよい。これにより、エッチング後の樹脂基材のＨＡＺＥ値をより低くするとともに、透明度をより高くできる。つまり、エッチング後の樹脂基材の透明性をより向上させることができる。銅めっき層３の厚さが０．１μｍ未満であると、銅めっき層３を設ける効果が得られず、エッチング後の樹脂基材の透明性が低下してしまう。銅めっき層３の厚さが０．６μｍを超えると、銅箔基材２として例えば圧延銅箔が用いられる場合、銅箔基材２の再結晶が妨げられてしまい、銅箔基材２の耐屈曲性が低下してしまうことがある。
【００３０】
（粗化銅めっき層）
銅めっき層３上には、粗化銅めっき層４が形成されている。これにより、アンカー効果が得られ、後述の積層板１０における表面処理銅箔１と樹脂基材１１との間の密着性（以下では、単に「密着性」とも言う。）を向上させることができる。粗化銅めっき層４は、主に複数の粗化粒で構成されている。粗化銅めっき層４は、粗化抜けが発生していない状態にあるとよい。例えば、粗化銅めっき層４を上面から見た際、銅めっき層３が露出しないように、粗化銅めっき層４が形成されているとよい。
【００３１】
粗化銅めっき層４を形成する粗化粒は、例えば銅（Ｃｕ）（つまりＣｕ単体）で形成されている。粗化粒は、例えば、Ｃｕと、鉄（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）又はタングステン（Ｗ）の少なくともいずれかの金属元素と、を含むめっき液を用いて形成されていてもよい。
【００３２】
粗化銅めっき層４は、平均厚さが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下となるように形成されているとよい。粗化銅めっき層４の平均厚さとは、粗化銅めっき層４を平均に均したときの厚さである。これにより、樹脂基材の透明性を向上させつつ、密着性を維持できる。粗化銅めっき層４の平均厚さが０．０５μｍ未満であると、粗化銅めっき層４を設けることによるアンカー効果を得ることができず、密着性が低下してしまう。粗化銅めっき層４の平均厚さが０．３０μｍを超えると、後述の積層板１０を形成する際、樹脂基材１１に転写される凹凸の大きさが大きくなる（例えば凹部の深さが深くなる）ため、樹脂基材の透明性が低下してしまう。
【００３３】
（防錆層）
粗化銅めっき層４上には、所定厚さ（例えば１ｎｍ以上７０ｎｍ以下）の防錆層（後処理めっき層）５が形成されているとよい。防錆層５は、所定のめっき液を用いて形成されている。これにより、表面処理銅箔１の耐熱性や耐薬品性等を向上させることができる。また、積層板１０を形成した後、エッチングにより表面処理銅箔１の所定箇所を除去して銅配線を形成する際、表面処理銅箔１を容易に除去できる。
【００３４】
防錆層５は、例えば、銅箔基材２の側から順に、厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるニッケル（Ｎｉ）めっき層と、厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である亜鉛（Ｚｎ）めっき層と、厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるクロメート処理層（３価のクロム化成処理層）と、厚さが非常に薄い（極薄の）シランカップリング層と、を備えているとよい。Ｎｉめっき層が設けられると、積層板１０が形成された際、表面処理銅箔１のＣｕが樹脂基材側へ拡散することを抑制できるとともに、表面処理銅箔１の耐熱性や耐薬品性等を向上させることができる。Ｚｎめっき層は、クロメート処理層やシランカップリング層を設けるための下地層として機能する。また、Ｚｎめっき層が設けられると、表面処理銅箔１の耐熱性をより向上させることができる。クロメート処理層及びシランカップリング層はそれぞれ、化成処理層（化成処理皮膜）としても機能する。シランカップリング層が設けられると、表面処理銅箔１と後述の樹脂基材１１との化学的密着性を向上させることができるため、密着性をより向上させることができる。
【００３５】
（積層板）
本実施形態にかかる積層板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）１０は、表面処理銅箔１の粗化銅めっき層４が設けられた側の面と、樹脂基材１１と、が貼り合わされて形成されている。積層板１０は、例えば、２つの表面処理銅箔１を用いて形成されていてもよい。つまり、積層板１０は、樹脂基材１１の両方の主面（両面）上に、２つの表面処理銅箔１の粗化銅めっき層４が設けられた側がそれぞれ樹脂基材１１に接するとともに、２つの表面処理銅箔１をそれぞれ対向させて貼り合わせることで形成されていてもよい。樹脂基材１１として、例えばポリイミド（ＰＩ）樹脂フィルムや、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルム、液晶ポリマ（ＬＣＰ）等が用いられる。
【００３６】
（２）表面処理銅箔及び積層板の製造方法
次に、本実施形態にかかる表面処理銅箔１、積層板１０及びこの積層板１０を用いて形成するフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）の製造方法について、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態にかかる表面処理銅箔１及び積層板１０の製造工程を示すフロー図である。
【００３７】
［表面処理銅箔形成工程（Ｓ１０）］
まず、本実施形態にかかる表面処理銅箔１の製造方法について説明する。
【００３８】
（銅箔基材形成工程（Ｓ１１））
銅箔基材２としての例えば圧延銅箔や電解銅箔を形成する。銅箔基材２として、例えば圧延銅箔を用いる場合、まず、無酸素銅やタフピッチ銅からなる純銅の鋳塊や、無酸素銅やタフピッチ銅を母相とし、母相中に所定量のＳｎやＡｇ等の添加剤を添加した希薄銅合金の鋳塊を鋳造する。そして、鋳造した鋳塊に対し、所定の熱間圧延処理、所定の冷間圧延処理、所定の焼鈍処理等を行い、所定厚さ（例えば１１μｍ）の圧延銅箔を形成する。このとき、圧延銅箔を再結晶させる際の加熱温度に応じて、圧延銅箔の耐熱性を調整するとよい。
【００３９】
（銅めっき層形成工程（Ｓ１２））
銅箔基材形成工程（Ｓ１１）が終了した後、まず、銅箔基材２の表面を清浄する処理を行う。そして、銅箔基材２のいずれかの主面上に、銅めっき層３を形成する銅めっき処理を行う。
【００４０】
＜清浄処理（Ｓ１２１）＞
銅箔基材形成工程（Ｓ１１）が終了したら、銅箔基材２の表面を清浄する処理を行う。例えば、銅箔基材２の表面に、清浄処理として、電解脱脂処理と酸洗処理とを行う。電解脱脂処理として、例えば、水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液を用いた陰極電解脱脂処理を行う。アルカリ溶液として、例えば、水酸化ナトリウムを２０ｇ／Ｌ以上６０ｇ／Ｌ以下含み、炭酸ナトリウムを１０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ以下含む水溶液が用いられる。酸洗処理として、例えば硫酸等の酸性水溶液に銅箔基材２を浸漬し、銅箔基材２の表面に残存するアルカリ成分を中和したり、銅酸化膜を除去する処理を行う。酸性水溶液として、硫酸を１２０ｇ／Ｌ以上１８０ｇ／Ｌ以下含む水溶液、クエン酸等を含む水溶液、銅をエッチングする銅エッチング液等が用いられる。
【００４１】
＜銅めっき処理（Ｓ１２２）＞
清浄処理（Ｓ１２１）が終了したら、銅めっき液を準備する。銅めっき液として、例えば硫酸銅及び硫酸を主成分とする水溶液（酸性銅めっき浴）を準備する。そして、銅めっき液中に、有機硫黄化合物として例えばＳＰＳを、所定量（例えば５ｍｇ／Ｌ以上６０ｍｇ／Ｌ以下）添加する。また、必要に応じて、銅めっき液中に、界面活性剤、レベリング剤、塩化物イオンを添加してもよい。銅めっき液中に、界面活性剤として例えば荏原ユージライト株式会社製のＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＴＨ−ＲIIIシリーズの界面活性剤薬液を所定量（例えば１ｍｌ／以上４ｍｌ／Ｌ以下）添加してもよい。また、銅めっき液中に、レベリング剤として例えば荏原ユージライト株式会社製のＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＴＨ−ＲIIIシリーズのレベリング剤薬液を所定量（例えば３ｍｌ／Ｌ以上１０ｍｌ／Ｌ以下）添加してもよい。また、銅めっき液中に、塩化物イオンとして例えば塩酸を所定量（例えば０．０５ｍｌ／Ｌ以上０．３ｍｌ／Ｌ以下）添加してもよい。
【００４２】
そして、銅めっき処理として、銅めっき液中で電解めっき処理を行い、銅箔基材２のいずれかの主面上に、所定厚さ（例えば０．１μｍ以上０．６μｍ以下）の銅めっき層３を形成する。銅めっき層３を形成する際の電流密度は、めっき条件における限界電流密度未満の密度とする。つまり、銅めっき液中に金属粒を析出させることがない（いわゆる「やけめっき」とはならない）電流密度とする。これにより、銅めっき層３として平滑銅めっき層を形成できる。その一方、電流密度を高くするほど、生産性を向上させることができる。従って、電流密度は、限界電流密度未満の範囲内で、できるだけ高くするとよい。
【００４３】
銅めっき処理（Ｓ１２２）では、銅めっき液の液組成、液温、電流密度、処理時間（めっき時間）等の処理条件は、例えば下記の表１に示すように設定できる。このとき、陽極としてＣｕ板を用い、銅めっき処理（Ｓ１２２）を施す対象である銅箔基材２自体を陰極とするとよい。
【表１】
2015209581.tif 000003
【００４４】
銅めっき液中の硫酸銅五水和物の添加量を５０ｇ／Ｌ以上３００ｇ／Ｌ以下とし、硫酸の添加量を３０ｇ／Ｌ以上２００ｇ／Ｌ以下とするとよりよい。表１に示すように、処理時間を１秒以上３０秒以下とすることで、銅めっき層３の厚さを０．１μｍ以上０．６μｍ以下にできる。
【００４５】
（粗化銅めっき層形成工程（Ｓ１３））
銅めっき層形成工程（Ｓ１２）が終了したら、銅めっき層３を形成した銅箔基材２を水洗した後、銅めっき層３上に所定厚さ（例えば０．０５μｍ以上０．３μｍ以下）の粗化銅めっき層４を形成する。つまり、粗化銅めっき層４を形成するめっき液（粗化銅めっき液）中で電解めっき処理を行い、粗化銅めっき層４を形成する。粗化銅めっき液として、例えば硫酸銅および硫酸を主成分とする酸性銅めっき浴が用いられる。また、粗化銅めっき液中に、例えば所定量（例えば１０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ以下）の硫酸鉄七水和物を含む水溶液を添加するとよい。
【００４６】
粗化銅めっき層４を形成する際の電流密度は、めっき条件における限界電流密度以上とする。つまり、粗化銅めっき液中に金属粒を析出させて、銅めっき層３上に粗化粒を付着させる（いわゆる「やけめっき」となる）ことができる電流密度とする。
【００４７】
粗化銅めっき層形成工程（Ｓ１３）では、粗化銅めっき液の液組成、液温、電流密度、処理時間等のめっき処理条件は、例えば下記の表２に示すように設定できる。このとき、陽極としてＣｕ板を用い、粗化銅めっき処理を施す対象である銅箔基材２自体を陰極とする。
【表２】
2015209581.tif 000004
【００４８】
表２に示すように、処理時間を０．３秒以上２．５秒以下とすることで、粗化銅めっき層４の平均厚さを０．０５μｍ以上０．３μｍ以下にできる。
【００４９】
（防錆層形成工程（Ｓ１４））
粗化銅めっき層形成工程（Ｓ１３）が終了したら、粗化銅めっき層４を形成した銅箔基材２を水洗した後、粗化銅めっき層４上に所定厚さ（例えば１ｎｍ以上７０ｎｍ以下）の防錆層５を形成する。つまり、防錆層５を形成するめっき液中で電解めっき処理を行い、防錆層５を形成する。防錆層５の厚さはめっき量と一定の関係を有する。つまり、めっき量が多くなると、防錆層５の厚さが厚くなる。従って、所定のめっき量となるように、防錆層５を形成する電解めっき処理を行うとよい。
【００５０】
防錆層形成工程（Ｓ１４）では、例えば、Ｎｉめっき層を形成するＮｉめっき処理と、Ｚｎめっき層を形成するＺｎめっき処理と、クロメート処理層を形成するクロメート処理（３価クロム化成処理）と、シランカップリング層を形成するシランカップリング処理と、を順に行う。
【００５１】
＜Ｎｉめっき処理＞
粗化銅めっき層形成工程（Ｓ１３）が終了したら、粗化銅めっき層４を形成した銅箔基材２を水洗した後、Ｎｉめっき処理を行い、粗化銅めっき層４上に所定厚さ（例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下）のＮｉめっき層を形成する。例えば、硫酸ニッケル六水和物を２８０ｇ／Ｌ以上３２０ｇ／Ｌ以下と、塩化ニッケルを４０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下と、硼酸を４０ｇ／Ｌ以上６０ｇ／Ｌ以下と、を含むめっき液（めっき浴）を用いて電解めっき処理を行うことで、Ｎｉめっき層を形成する。Ｎｉめっき層の厚さの調整は、めっき時間を調整することで行う。
【００５２】
＜Ｚｎめっき処理＞
Ｎｉめっき処理が終了したら、Ｎｉめっき層を形成した銅箔基材２を水洗した後、Ｚｎめっき処理を行い、Ｎｉめっき層上に所定厚さ（例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下）のＺｎめっき層を形成する。例えば、硫酸亜鉛を８０ｇ／Ｌ以上１２０ｇ／Ｌ以下と、硫酸ナトリウムを６０ｇ／Ｌ以上８０ｇ／Ｌ以下と、を含むめっき液を用いて電解めっき処理を行うことで、Ｚｎめっき層を形成する。Ｚｎめっき層の厚さの調整は、めっき時間を調整することで行う。
【００５３】
＜クロメート処理＞
Ｚｎめっき処理が終了したら、Ｚｎめっき層を形成した銅箔基材２を水洗した後、クロメート処理を行い、Ｚｎめっき層上に所定厚さ（例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下）クロメート処理層を形成する。例えば、処理液として３価クロムタイプの反応型クロメート液を用いて化成処理を行うことで、クロメート処理層を形成する。クロメート処理層の厚さの調整は、化成処理時間等を調整することで行う。
【００５４】
＜シランカップリング処理＞
クロメート処理が終了したら、クロメート処理層を形成した銅箔基材２を水洗した後、シランカップリング処理を行い、クロメート処理層上に、厚さが非常に薄いシランカップリング層を形成する。例えば、処理液として、シランカップリング液を用いて化成処理を行うことで、シランカップリング層を形成する。シランカップリング層の厚さの調整は、化成処理時間や処理液の濃度等を調整することで行う。以上により、本実施形態に係る表面処理銅箔１が製造される。
【００５５】
［積層板形成工程（Ｓ２０）］
続いて、表面処理銅箔１を用いて積層板１０を形成する。まず、表面処理銅箔１を所定の大きさに裁断する。また、いずれかの主面上に熱可塑性層が形成された樹脂基材（例えばポリイミド（ＰＩ）樹脂フィルム）１１を準備する。そして、２つの表面処理銅箔１がそれぞれ対向するとともに、各表面処理銅箔１の粗化銅めっき層が設けられた側の面と、樹脂基材１１の熱可塑性層と、が接するように、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを配置する。続いて、例えば真空プレス機等を用い、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを所定温度（例えば１５０℃以上３５０℃以下）に加熱しつつ、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とに所定圧力（例えば０．５ＭＰａ以上３．０ＭＰａ以下）を所定時間（例えば１分以上１２０分以下）加えることで、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせて、積層板１０として２層ＣＣＬを形成する。
【００５６】
表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせる際の加熱により、最終の冷間圧延処理により加工硬化している銅箔基材２（圧延銅箔）の再結晶が起こり、圧延銅箔が軟化する。つまり、表面処理銅箔１と樹脂基材１１との貼り合わせを行いつつ、銅箔基材２の再結晶焼鈍処理を行う。圧延銅箔が再結晶することで、圧延銅箔が再結晶組織を有するようになり、圧延銅箔の耐屈曲性が向上する。また、このときの加熱により、銅めっき層３の少なくとも一部も銅箔基材２とともに再結晶する。
【００５７】
［ＨＡＺＥ値検査工程（Ｓ３０）］
続いて、樹脂基材１１のＨＡＺＥ値を測定する。まず、例えばエッチングにより、積層板１０から少なくとも一部（例えばＨＡＺＥ値及び後述の透明度の測定に必要な面積分）の表面処理銅箔１を除去して樹脂基材１１を露出させる。そして、積分球２１の光導入口２１ａを塞ぐように、測定対象である樹脂基材１１（積層板１０の樹脂基材１１が露出した部分）を配置する（図２参照）。蓋体２４により光排出口２１ｂを閉じた状態で、光源２２から光を照射し、検出器２３で全光線透過光量を測定する。続いて、蓋体２４を外して光排出口２１ｂを開いた状態で、光源２２から光を照射し、検出器２３で拡散透過光量を測定する。そして、上記（数１）から、表面処理銅箔１を除去した箇所の樹脂基材１１のＨＡＺＥ値を算出する。樹脂基材１１のＨＡＺＥ値が８０％以下であった場合、表面処理銅箔１を合格と判定する。樹脂基材１１のＨＡＺＥ値が８０％を超えた場合、表面処理銅箔１を不良品と判定する。
【００５８】
［透明度検査工程（Ｓ４０）］
ＨＡＺＥ値検査工程（Ｓ３０）で測定したＨＡＺＥ値が８０％以下であった場合、積層板１０から表面処理銅箔１を除去した箇所の樹脂基材１１の透明度を測定する。まず、光源２２の光の出射位置に樹脂基材１１を配置する（図３（ａ）参照）。続いて、蓋体２４を外した状態で、光源２２から光を照射し、センターセンサ３１ａとリングセンサ３１ｂとでそれぞれ、樹脂基材１１を透過して光導入口２１ａから積分球２１内に導入された光の光量を測定する。そして、センターセンサ３１ａで受光した光量（ＩＣ）とリングセンサ３１ｂで受光した光量（ＩＲ）とを用い、上記（数２）から樹脂基材１１の透明度を算出する。樹脂基材１１の透明度が７０％以上であった場合、表面処理銅箔１を合格と判定する。樹脂基材１１の透明度が７０％未満であった場合、表面処理銅箔１を不良品と判定する。そして、積層板１０の製造工程を終了する。
【００５９】
（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００６０】
（ａ）本実施形態によれば、樹脂基材の両主面上に、表面処理銅箔１を対向させて、粗化銅めっき層４の側が樹脂基材に接するように表面処理銅箔１を貼り合わせた後、樹脂基材の両主面上から表面処理銅箔１を除去したとき、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となるように、表面処理銅箔１を形成している。これにより、エッチング後の樹脂基材と位置合わせマークとが密着している場合はもちろん、エッチング後の樹脂基材が位置合わせマークと離間した位置に配置されている場合であっても、エッチング後の樹脂基材越しに、位置合わせマークを視認しやすくなる。従って、表面処理銅箔１を用いて形成した積層板１０で形成したＦＰＣに電子部品等を実装する際、実装位置の位置決めを容易に行うことができ、実装作業性を向上させることができる。
【００６１】
つまり、エッチング後の樹脂基材のＨＡＺＥ値を８０％以下にすることで、エッチング後の樹脂基材と位置合わせマークとが密着している際に、エッチング後の樹脂基材越しに、位置合わせマークを視認できる。また、エッチング後の樹脂基材の透明度を７０％以上にすることで、エッチング後の樹脂基材が位置合わせマークと離間した位置に配置されている場合であっても、エッチング後の樹脂基材越しに位置合わせマークを視認できる。従って、本実施形態は、例えばＦＰＣを搬送させつつ電子部品等の実装が行われる場合であっても、実装位置の位置決めを精度よく、容易に行うことができる。このように、本実施形態は、ＦＰＣを搬送させつつ電子部品等の実装が行われる場合に特に有効である。
【００６２】
（ｂ）表面処理銅箔１と樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように、表面処理銅箔１を形成することで、積層板１０を形成した際の表面処理銅箔１が樹脂基材１１から剥がれることを抑制できる。例えば、積層板１０から所定箇所の表面処理銅箔１を除去することで所定形状の銅配線が形成された場合であっても、表面処理銅箔１が樹脂基材１１から剥がれることを抑制できる。つまり、ＦＰＣの信頼性を向上させることができる。
【００６３】
（ｃ）銅めっき層３を、メルカプト基を有する有機化合物が添加された銅めっき液を用いて形成することで、密着性を低下させることなく、エッチング後の樹脂基材の透明性の低下を抑制できる。具体的には、通常、光沢剤として用いられるメルトカプト基を有する有機化合物を、光沢剤として用いる場合の適正量（例えば１．５ｍｇ／Ｌ以下）よりも多くすることで、密着性を低下させることなく、透明性の低下を抑制できる。つまり、通常、光沢剤として用いられるメルトカプト基を有する有機化合物添加剤の他の用途を見出した。その結果、上記（ａ）（ｂ）の効果をより得ることができる。
【００６４】
一般的に、樹脂基材の透明性と密着性とは表裏一体の関係にあり、例えばエッチング後の樹脂基材の透明性が高くなるほど、密着性が低下してしまう。樹脂基材の透明性を高くするためには、粗化銅めっき層を形成する粗化粒の大きさを小さくする必要がある。しかしながら、粗化粒の大きさを小さくすると、得られるアンカー効果が少なくなるため密着性が低下してしまう。これに対し、メルカプト基を有する有機化合物が添加された銅めっき液を用いて銅めっき層３を形成することで、樹脂基材の透明性を高くしつつも密着性の低下を抑制できる。この作用因子等については、鋭意研究中である。
【００６５】
（ｄ）銅めっき層３を、厚さが０．１μｍ以上０．６μｍ以下となるように形成することで、上記（ａ）（ｂ）の効果をより得ることができる。また、銅箔基材２を再結晶させる際、銅めっき層３を銅箔基材２（圧延銅箔）と共に再結晶させることができる。
【００６６】
（ｅ）粗化銅めっき層４を、厚さが０．０５μｍ以上０．３μｍ以下となるように形成することで、樹脂基材の透明性の低下を抑制しつつ、密着性を維持できる。つまり、上述の（ａ）（ｂ）の効果をより得ることができる。また、粗化銅めっき層４を形成する際の処理時間（めっき時間）が不必要に長くなってしまうことを抑制でき、生産性を向上させることができる。
【００６７】
（ｆ）表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせて積層板１０を形成する際の加熱により、銅箔基材２の再結晶焼鈍処理を行うことで、表面処理銅箔１が変形することを低減できる。つまり、銅箔基材２として例えば圧延銅箔が用いられる場合、再結晶焼鈍処理が行われる前の銅箔基材２は硬化した状態である。従って、積層板１０が形成されるまでの間に表面処理銅箔１を搬送する際に、表面処理銅箔１が破断したり、伸びたり、折れたり、表面処理銅箔１にしわが入ること等を低減できる。これにより、表面処理銅箔１の製造が中断されることを低減できるため、生産性を向上させることができる。また、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせる際、変形が生じていない表面処理銅箔１に樹脂基材１１を貼り合わせることができる。
【００６８】
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００６９】
上述の実施形態では、光源２２の光の出射位置と積分球２１の光導入口２１ａの中心位置との間の距離Ｌが実装距離と一致するように、積分球２１と光源２２とをそれぞれ配置したが、これに限定されない。つまり、光源２２の光の出射位置と光導入口２１ａの中心位置との間の距離Ｌが実装距離よりも長くなるように、積分球２１と光源２２とをそれぞれ配置してもよい。この場合、測定対象である樹脂基材１１（２５）の透明度を測定する際、光源２２の光軸上であって、測定対象である樹脂基材１１と光導入口２１ａとの間の距離が実装距離となる位置に、樹脂基材１１を配置すればよい。また、樹脂基材１１と光導入口２１ａとの間の距離が実装距離よりも長くなる位置に、樹脂基材１１を配置してもよい。つまり、光源２２と光導入口２１ａとの間の距離や、樹脂基材１１と光導入口２１ａとの間の距離は任意の距離に設定でき、実装距離と一致していなくてもよい。
【００７０】
上述の実施形態では、有機硫黄化合物と、界面活性剤と、レベリング剤と、をそれぞれ別々に添加したが、これに限定されない。例えば、有機硫黄化合物、界面活性剤、レベリング剤等のうちの２種以上が予め配合された添加剤を用いてもよい。このような添加剤は、単独で用いてもよく、上述の実施形態で記載した有機硫黄化合物、界面活性剤、レベリング剤と組み合わせて用いてもよい。
【００７１】
上述の実施形態では、防錆層５を設けたが、これに限定されない。つまり、表面処理銅箔１の用途や目的等に応じて、防錆層５を設けなくてもよい。また、上述の実施形態では、防錆層５を、Ｎｉめっき層と、Ｚｎめっき層と、クロメート処理層と、シランカップリング層とで構成したが、これに限定されるものではない。つまり、防錆層５の層構成は、表面処理銅箔１の用途や目的等に応じて、適宜変更してもよい。また、Ｎｉめっき層は、Ｃｏ等の他の金属元素を含むＮｉ合金で形成されていてもよい。Ｚｎめっき層は、他の金属を含むＺｎ合金で形成されていてもよい。
【００７２】
上述の実施形態では、粗化銅めっき層４上のみに防錆層５を形成する場合について説明したが、これに限定されない。例えば、表面処理銅箔１が備える銅箔基材２の、粗化銅めっき層４が設けられた側とは反対側の主面（以下では、便宜上、表面処理銅箔１（銅箔基材２）の裏面とも言う。）上にも防錆層が設けられていてもよい。つまり、銅箔基材２の裏面に、銅箔基材２の側から順に、防錆層として、例えば、Ｎｉめっき層と、Ｚｎめっき層と、クロメート処理層とが設けられていてもよい。これにより、表面処理銅箔１の耐熱性や耐薬品性をより向上させることができる。
【００７３】
上述の実施形態では、樹脂基材１１の両面に表面処理銅箔１が設けられた積層板１０について説明したが、これに限定されない。つまり、樹脂基材１１のいずれかの主面に表面処理銅箔１が設けられていればよい。
【００７４】
上述の実施形態では、表面処理銅箔１と樹脂基材１１との貼り合わせを、接着剤を用いることなく行ったが、これに限定されない。例えば、表面処理銅箔１と樹脂基材とを接着剤を介して貼り合わせてもよい。つまり、積層板１０として３層ＣＣＬを形成してもよい。
【００７５】
例えば、粗化銅めっき層形成工程では、銅めっき層３上に粗化粒を付着させた後、さらにカプセル銅めっき処理を行うことで粗化銅めっき層４を形成してもよい。つまり、カプセル銅めっき層（いわゆる被せめっき層）によって、銅めっき層３上に付着した粗化粒を覆ってもよい。これにより、粗化粒をコブ状の突起へと成長させることができる。つまり、粗化粒の大きさをより大きくできる。なお、カプセル銅めっき処理を行う場合は、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となるように行う。
【００７６】
上述の実施形態では、銅めっき層形成工程で電解脱脂処理と酸洗処理とを行う清浄工程を行ったが、これに限定されない。例えば、清浄工程として、電解脱脂処理又は酸洗処理のいずれかを行ってもよい。また、清浄工程で、電解脱脂処理及び酸洗処理に加えて、他の処理を行ってもよい。また、清浄工程は省略してもよい。
【００７７】
上述の実施形態では、粗化銅めっき層４上のみに防錆層５を設けたが、これに限定されない。例えば、銅箔基材２の粗化銅めっき層４が設けられた側とは反対側の主面上にも防錆層（以下では、裏面防錆層とも言う。）を設けてもよい。この場合、防錆層５と裏面防錆層とを同時に設けるとよい。また、防錆層５と裏面防錆層とを別々に設けてもよい。例えば、防錆層５を形成する工程を行った後に、裏面防錆層を形成する工程を行ってもよい。裏面防錆層の層構成は、防錆層５と同一の構成であってもよく、防錆層５と異なる構成であってもよい。例えば、裏面防錆層は、シランカップリング層を備えていなくてもよい。
【００７８】
上述の実施形態では、表面処理銅箔１と樹脂基材とを貼り合わせつつ、表面処理銅箔１が備える銅箔基材２の再結晶焼鈍処理を行ったが、これに限定されない。つまり、表面処理銅箔１及び樹脂基材の貼り合わせと、銅箔基材２の再結晶焼鈍処理と、をそれぞれ別の工程で行ってもよい。
【００７９】
上述の実施形態では、表面処理銅箔１がＦＰＣに用いられる場合について説明したが、これに限定されない。本実施形態にかかる表面処理銅箔１は、リチウムイオン二次電池の負極集電銅箔、プラズマディスプレイ用電磁波シールド、ＩＣカードのアンテナ等にも用いることができる。
【実施例】
【００８０】
次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８１】
＜試料の作製＞
まず、試料１〜２１の各試料となる表面処理銅箔を作製した。
【００８２】
（試料１）
試料１では、まず、銅箔基材として、無酸素銅（ＯＦＣ）で形成され、厚さが１１μｍの圧延銅箔を準備した。この銅箔基材に電解脱脂処理と酸洗処理とを行い、銅箔基材の表面の清浄を行った。まず、水酸化ナトリウムを４０ｇ／Ｌと、炭酸ナトリウムを２０ｇ／Ｌと、を含む水溶液を用いて電解脱脂処理を行った。このとき、液温を４０℃とし、電流密度を１０Ａ／ｄｍ２とし、処理（めっき）時間を１０秒間とした。電解脱脂処理が終了した後、銅箔基材を水洗した。その後、硫酸を１５０ｇ／Ｌ含み、液温が２５℃である水溶液中に、銅箔基材を１０秒間浸漬して酸洗処理を行った。酸洗処理が終了した後、銅箔基材を水洗した。
【００８３】
次に、銅箔基材のいずれかの主面上に銅めっき層を形成した。まず、銅めっき液として、硫酸銅五水和物を１７０ｇ／Ｌと、硫酸を７０ｇ／Ｌと、有機硫黄化合物としてのＳＰＳの粉末試薬を３０ｍｇ／Ｌと、界面活性剤として、荏原ユージライト株式会社製のＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＴＨ−ＲIIIシリーズの界面活性剤薬液を４ｍｌ／Ｌと、レベリング剤として、荏原ユージライト株式会社製のＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＴＨ−ＲIIIシリーズのレベリング剤薬液を５ｍｌ／Ｌと、塩化物イオンとしての塩酸（ＨＣｌ水溶液）を０．１５ｍｌ／Ｌと、を含む水溶液を作製した。そして、銅めっき液の液温を３５℃とし、電流密度を７Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を１０秒間として、電解めっき処理を行い、厚さが０．１μｍである銅めっき層を形成した。
【００８４】
銅めっき層を形成した後、銅めっき層を形成した銅箔基材を水洗した。その後、銅めっき層上に、粗化銅めっき層を形成した。粗化銅めっき液として、硫酸銅五水和物を１００ｇ／Ｌと、硫酸を７０ｇ／Ｌと、硫酸鉄七水和物を２０ｇ／Ｌと、を含む水溶液を作製した。そして、粗化銅めっき液の液温を３０℃とし、電流密度を６０Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を０．５秒間として、主に粗化粒で形成され、厚さが０．０５μｍである粗化銅めっき層を形成した。つまり、粗化銅めっき層を平均に均したときの厚さ（平均厚さ）が０．０５μｍ相当となるようにめっき条件を設定して、粗化銅めっき層を形成した。
【００８５】
粗化銅めっき層を形成した後、粗化銅めっき層を形成した銅箔基材を水洗した。その後、粗化銅めっき層上に防錆層を形成した。具体的には、まず、硫酸ニッケル六水和物を３００ｇ／Ｌと、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌと、硼酸を５０ｇ／Ｌと、を含む水溶液（Ｎｉめっき液）を作製した。そして、Ｎｉめっき液の液温を５０℃とし、電流密度を２Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を５秒間として、粗化銅めっき層上に厚さが２５ｎｍであるＮｉめっき層を形成した。Ｎｉめっき層を形成した後、銅箔基材を水洗した。その後、硫酸亜鉛を９０ｇ／Ｌと、硫酸ナトリウムを７０ｇ／Ｌと、を含む水溶液（Ｚｎめっき液）を作製した。そして、Ｚｎめっき液の液温を３０℃とし、電流密度を１．５Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を４秒間として、Ｎｉめっき層上に厚さが７ｎｍであるＺｎめっき層を形成した。Ｚｎめっき層を形成した後、銅箔基材を水洗した。続いて、３価クロム化成処理を行って、Ｚｎめっき層上に厚さが５ｎｍであるクロメート処理層を形成した。クロメート処理層を形成した後、銅箔基材を水洗した。そして、３−アミノプロピルトリメトキシシランの濃度が５％であり、液温が２５℃であるシランカップリング液中に、クロメート処理層を形成した銅箔基材を５秒間浸漬した後、直ちに２００℃の温度で乾燥することで、クロメート処理層上に、ごく薄い厚さのシランカップリング処理層を形成した。
【００８６】
粗化銅めっき層上の防錆層の形成と併行して（粗化銅めっき層上への防錆層の形成と同時に）、銅箔基材の粗化銅めっき層が設けられた側とは反対側の主面に、防錆層（裏面防錆層）として、銅箔基材の側から順に、Ｎｉめっき層と、Ｚｎめっき層と、クロメート処理層と、を形成した。なお、Ｎｉめっき層、Ｚｎめっき層、クロメート処理層の形成方法は、粗化銅めっき層上に設けた防錆層としてのＮｉめっき層、Ｚｎめっき層、クロメート処理層と同様である。これにより、表面処理銅箔を作製し、これを試料１とした。
【００８７】
（試料２〜３）
試料２〜３ではそれぞれ、銅めっき層の厚さを表３に示す通りに変更した。この他は、試料１と同様にして表面処理銅箔を作製した。
【００８８】
（試料４〜６）
試料４では、粗化銅めっき層の平均厚さを０．１１μｍとした。つまり、粗化銅めっき層を形成する際のめっき処理条件を変更し、粗化粒の大きさを小さくした。この他は、試料１と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料５〜６ではそれぞれ、銅めっき層の厚さを表３に示す通りに変更した。この他は、試料４と同様にして表面処理銅箔を作製した。
【００８９】
（試料７〜９）
試料７では、粗化銅めっき層の平均厚さを０．３μｍとした。つまり、粗化銅めっき層を形成する際のめっき処理条件を変更し、粗化粒の大きさを大きくした。この他は、試料１と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料８〜９ではそれぞれ、銅めっき層の厚さを表３に示す通りに変更した。この他は、試料７と同様にして表面処理銅箔を作製した。
【００９０】
（試料１０〜１１）
試料１０では、粗化銅めっき層の平均厚さを０．０３μｍとした。この他は、試料２と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料１１では、銅めっき層を、有機硫黄化合物としてのＳＰＳを添加していない銅めっき液を用いて形成した。この他は、試料１０と同様にして表面処理銅箔を作製した。
【００９１】
（試料１２〜１３）
試料１２では、粗化銅めっき層を、硫酸鉄七水和物を添加していない粗化銅めっき液を用いて形成した。この他は、試料１０と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料１３では、銅めっき層を形成しなかった。この他は、試料１２と同様にして表面処理銅箔を作製した。
【００９２】
（試料１４〜１６）
試料１４では、粗化銅めっき層の平均厚さを０．３５μｍとした。この他は、試料２と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料１５では、銅めっき層を、有機硫黄化合物としてのＳＰＳを添加していない銅めっき液を用いて形成した。この他は、試料１４と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料１６では、粗化銅めっき層を、硫酸鉄七水和物を添加していない粗化銅めっき液を用いて形成した。この他は、試料１４と同様にして表面処理銅箔を作製した。
【００９３】
（試料１７〜２１）
試料１７では、銅めっき層を、有機硫黄化合物としてのＳＰＳを添加していない銅めっき液を用いて形成した。この他は、試料５と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料１８では、粗化銅めっき層を、硫酸鉄七水和物を添加していない粗化銅めっき液を用いて形成した。この他は、試料５と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料１９では、銅めっき層を形成しなかった。この他は、試料１と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料２０では、銅めっき層を形成しなかった。この他は、試料４と同様にして表面処理銅箔を作製した。試料２１では、銅めっき層を形成しなかった。この他は、試料７と同様にして表面処理銅箔を作製した。
【００９４】
【表３】
2015209581.tif 000005
【００９５】
＜積層板の作製＞
試料１〜２１の各表面処理銅箔を用いて、積層板として両面ＦＣＣＬ（Flexible Copper Clad Laminate）をそれぞれ作製した。樹脂基材として、厚さが２５μｍであるポリイミド樹脂フィルム（株式会社カネカ製のピクシオ（登録商標））を用いた。試料１〜２１の各表面処理銅箔と樹脂基材とを、所定の大きさ（縦１００ｍｍ×横６０ｍｍ）に裁断した。そして、樹脂基材の両面上にそれぞれ、所定形状に裁断した各試料である表面処理銅箔を積層した。このとき、各試料である表面処理銅箔の粗化銅めっき層が設けられた側の面が樹脂基材と接するように各試料を積層した。その後、真空プレス機を用いて、３００℃、５ＭＰａ、１５分間の条件下で各試料である表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて、両面ＦＣＣＬを作製した。なお、真空プレス機による貼り合わせ条件は、各試料である表面処理銅箔が再結晶されて再結晶組織を有することとなる熱量を表面処理銅箔に付与するとともに、ポリイミド樹脂フィルムメーカの推奨条件を満たし、表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせることができるように設定した。  
【００９６】
＜透明性の評価＞
試料１〜２１の各表面処理銅箔を用いて形成した積層板について、樹脂基材の透明性の評価を行った。樹脂基材の透明性の評価として、積層板から各試料である表面処理銅箔を除去した後の樹脂基材のＨＡＺＥ値及び透明度の測定を行った。具体的には、各試料を用いて作製した積層板に対し、塩化第二鉄を用いてスプレーエッチング処理を行うことで、積層板から表面処理銅箔を全て除去した。つまり、樹脂基材の両面（両主面）の全面を露出させた状態とした。そして、表面処理銅箔が除去された樹脂基材のそれぞれについて、ＢＹＫ製のhaze-gard plusを用いてＨＡＺＥ値及び透明度の測定を行った。
【００９７】
＜密着性の評価＞
試料１〜２１の各表面処理銅箔を用いて形成した積層板の密着性は、表面処理銅箔を樹脂基材から剥離する際のピール強度を測定することで評価した。ピール強度の測定は、以下のように行った。まず、試料１〜２１の各表面処理銅箔を用いて形成した積層板のそれぞれの一方の主面（表面処理銅箔の樹脂基材と接する側とは反対側の面）上に、幅が１ｍｍで、所定長さのマスキングテープを貼った。また、各積層板の他方の主面の全面にマスキングテープを貼った。そして、マスキングテープを貼った各積層板に対し、塩化第二鉄を用いてスプレーエッチング処理を行うことで、積層板から表面処理銅箔の所定箇所（マスキングテープが貼られていない箇所）を除去した。その後、マスキングテープを除去した。続いて、表面処理銅箔３１を樹脂基材３２から引き剥がした際の強度を測定した。具体的には、エッチングされて１ｍｍ幅となった表面処理銅箔を、樹脂基材から９０°の角度で（引き剥がされた表面処理銅箔と樹脂基材との為す角が９０°となるように）、表面処理銅箔を樹脂基材から引き剥がしたときに要する力をピール強度として測定した。このように測定したピール強度の値が大きいほど、密着性が高いといえる。
【００９８】
＜評価結果＞
試料１〜２１について、樹脂基材の透明性（ＨＡＺＥ値、透明度）、表面処理銅箔と樹脂基材との密着性の評価結果を表３にそれぞれ示す。
【００９９】
試料１〜９から、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下であり、樹脂基材の透明度が７０％以上であると、試料１〜９の表面処理銅箔を用いて形成したＦＰＣに電子部品等を実装する際の実装作業性が向上することを確認した。つまり、電子部品等を実装する際、樹脂基材越しに、電子部品等の実装位置を決める位置決めマークを容易に確認できる。具体的には、樹脂基材と位置決めマークとが密着している場合であっても、樹脂基材が位置決めマークと離間した位置に配置されている場合であっても、樹脂基材越しに位置決めマークを容易に確認できる。
【０１００】
試料１と試料１９との比較、試料４と試料２０との比較、試料７と試料２１との比較、試料１２と試料１３との比較から、銅めっき層を形成すると、樹脂基材の透明性を向上させることができることを確認した。つまり、樹脂基材のＨＡＺＥ値をより低くでき、樹脂基材の透明度をより高くできることを確認した。
【０１０１】
試料５と試料１７との比較、試料１０と試料１１との比較から、有機硫黄化合物を含む銅めっき液で銅めっき層を形成すると、樹脂基材の透明性を向上させることができることを確認した。
【０１０２】
試料２と試料１０との比較から、粗化銅めっき層の平均厚さが０．０５μｍ未満であると、樹脂基材の透明性を向上させることはできるが、密着性が低下する傾向にあることを確認した。また、試料８と試料１４との比較から、粗化銅めっき層の平均厚さが０．３０μｍより厚くなると、密着性を向上させることはできるが、樹脂基材の透明性が低下してしまうことを確認した。試料１４、１５から、粗化銅めっき層の平均厚さが厚すぎると（０．３０μｍより厚くなると）、有機硫黄化合物を含む銅めっき液で銅めっき層を形成したか否かに関わらず、密着性を向上させることはできるが、樹脂基材の透明性を向上させる効果を発揮できないことを確認した。
【０１０３】
試料５と試料１８との比較、試料１０と試料１２との比較から、銅めっき層を有機硫黄化合物を含む銅めっき液を用いて形成し、粗化銅めっき層を硫酸鉄七水和物を添加した粗化銅めっき液を用いて形成すると、粗化銅めっき層を構成する粗化粒の成長が抑制され、粗化粒の大きさの均一化を図れることを確認した。その結果、樹脂基材の透明性が向上することを確認した。また、試料１４と試料１６との比較から、粗化銅めっき層の平均厚さが厚すぎると、銅めっき層を有機硫黄化合物を含む銅めっき液を用いて形成し、粗化銅めっき層を硫酸鉄七水和物を添加した粗化銅めっき液を用いて形成しても、樹脂基材の透明性を向上させる効果を発揮できないことを確認した。
【０１０４】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１０５】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
銅箔基材と、
前記銅箔基材上に形成された銅めっき層と、
前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、
樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて、前記粗化銅めっき層が設けられた側の面が前記樹脂基材に接するように前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている表面処理銅箔が提供される。
【０１０６】
［付記２］
付記１の表面処理銅箔であって、好ましくは、
前記銅めっき層は、メルカプト基を有する有機化合物が添加された銅めっき液を用いて形成されている。
【０１０７】
［付記３］
付記２の表面処理銅箔であって、好ましくは、
前記銅めっき液中には、前記メルトカプト基を有する有機化合物が５ｍｇ／Ｌ以上６０ｍｇ／Ｌ以下含まれている。
【０１０８】
［付記４］
付記１ないし３のいずれかの表面処理銅箔であって、好ましくは、
前記銅めっき層は、厚さが０．１μｍ以上０．６μｍ以下となるように形成されている。
【０１０９】
［付記５］
付記１ないし４のいずれかの表面処理銅箔であって、好ましくは、
前記粗化銅めっき層は、平均厚さが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下となるように形成されている。
【０１１０】
［付記６］
本発明の他の態様によれば、
銅箔基材、前記銅箔基材上に形成された銅めっき層、及び前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、
前記粗化銅めっき層が設けられた側の面に接するように形成された樹脂基材と、を備え、
前記表面処理銅箔は、前記樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている積層板が提供される。
【符号の説明】
【０１１１】
１    表面処理銅箔
２    銅箔基材
３    銅めっき層
４    粗化銅めっき層
【図１】
2015209581.tif 000006
【図２】
2015209581.tif 000007
【図３】
2015209581.tif 000008
【図４】
2015209581.tif 000009
【図５】
2015209581.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月28日(2014.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔基材と、
前記銅箔基材上に形成された銅めっき層と、
前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、
ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて、前記粗化銅めっき層が設けられた側の面が前記樹脂基材に接するように前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、
前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成され、
前記粗化銅めっき層の平均厚さが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下となるように形成されている
表面処理銅箔。
【請求項２】
前記銅めっき層は、メルカプト基を有する有機化合物が添加された銅めっき液を用いて形成されている
請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
前記銅めっき層は、厚さが０．１μｍ以上０．６μｍ以下となるように形成されている
請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
【請求項４】
銅箔基材、前記銅箔基材上に形成された銅めっき層、及び前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、
前記粗化銅めっき層が設けられた側の面に接するように形成されたポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂基材と、を備え、
前記表面処理銅箔は、前記樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、
前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となり、
前記粗化銅めっき層の平均厚さが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下となるように形成されている
積層板。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔基材と、
前記銅箔基材上に形成された銅めっき層と、
前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、
前記銅めっき層は、メルカプト基を有する有機化合物が添加された銅めっき液を用いて形成され、
ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて、前記粗化銅めっき層が設けられた側の面が前記樹脂基材に接するように前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、
前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、
前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となるように形成され、
前記粗化銅めっき層の平均厚さが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下となるように形成されている
表面処理銅箔。
【請求項２】
前記銅めっき層は、厚さが０．１μｍ以上０．６μｍ以下となるように形成されている
請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
銅箔基材、前記銅箔基材上に形成された銅めっき層、及び前記銅めっき層上に形成された粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、
前記粗化銅めっき層が設けられた側の面に接するように形成されたポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂基材と、を備え、
前記銅めっき層は、メルカプト基を有する有機化合物が添加された銅めっき液を用いて形成され、
前記表面処理銅箔は、前記樹脂基材の両主面上に、前記表面処理銅箔を対向させて前記表面処理銅箔を貼り合わせた後、前記樹脂基材の両主面上から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下、透明度が７０％以上となり、
前記表面処理銅箔と前記樹脂基材との間のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上となり、
前記粗化銅めっき層の平均厚さが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下となるように形成されている
積層板。