(57)【要約】【課題】パワー半導体素子に温度センサ用の特別のダイオードを組み込むことなく、パワー半導体素子の温度を計測できる温度計測装置を提供する。【解決手段】パワー半導体素子であるＭＯＳＦＥＴ１１の休止期間に、ＭＯＳＦＥＴ１１に付属して設けられたツェナーダイオードＤ１又はＤ２に順方向電流ＩＦを流し、ツェナーダイオードＤ１又はＤ２の順方向電圧ＶＦに相関するＶ１を検出し、予め測定したツェナーダイオードＤ１又はＤ２の順方向電流ＩＦと順方向電圧ＶＦの温度特性に基づいてツェナーダイオードＤ１又はＤ２の温度を算出して、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度を計測する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体素子の休止期間に、該パワー半導体素子に付属して設けられた保護ダイオードに順方向電流を流し、該保護ダイオードの順方向電圧を計測し、予め測定した前記保護ダイオードの温度と順方向電流と順方向電圧との温度特性に基づいて前記保護ダイオードの温度を算出して、前記パワー半導体素子の温度を計測するパワー半導体素子の温度計測装置。
【請求項２】
パワー半導体素子に付属して設けられた保護ダイオードの一方の電極に接続され、該保護ダイオードに順方向電流を流す電流源と、該電流源を前記パワー半導体素子の休止期間を示す信号に基づいてオンするとともに、前記保護ダイオードの順方向電圧を計測する電圧検出回路と、前記電流源により流した前記順方向電流と前記電圧検出回路により検出した前記順方向電圧に基づいて、前記保護ダイオードの温度を算出する温度演算部とを備え、該温度演算部は、前記保護ダイオードの温度と前記順方向電流と前記順方向電圧とを予め測定した前記保護ダイオードの温度特性に基づいて前記保護ダイオードの温度を算出し、これに基づいて前記パワー半導体素子の温度を計測する半導体素子の温度計測装置。
【請求項３】
前記休止期間は、前記パワー半導体素子の動作期間の直前と直後の２つの休止期間とし、該２つの休止期間において計測された前記順方向電圧の差に基づいて前記保護ダイオードの温度上昇を算出して前記パワー半導体素子の温度上昇を計測することを特徴とする請求項１又は２に記載のパワー半導体素子の温度計測装置。
【請求項４】
被検体との間で超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波振動子に超音波信号を供給する送波アンプと前記超音波振動子からの受信信号を増幅するプリアンプとを有する送受信部と、前記受信信号に基づいて超音波像を構成する画像処理部と、前記超音波像を表示する画像表示部を備える超音波診断装置において、
前記送波アンプを構成するパワー半導体素子の温度を計測する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の温度計測装置を備えてなることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項５】
前記温度計測装置により計測された前記パワー半導体素子の温度が予め定められた閾値を越えたとき、前記送波アンプの駆動を停止することを特徴とする請求項４に記載の超音波診断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体素子の温度計測装置に係り、例えば、超音波診断装置において超音波パルスを増幅して生体に送信するパワー半導体素子に好適な温度計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波診断装置の技術分野において、音響放射圧を利用して軟部組織を微少変位させて、その変位量を超音波で測定することにより、組織の硬さを測定する手法が検討されている（例えば、特許文献1参照)。このような音響放射圧を利用して生体組織の弾性を計測する超音波診断装置では、比較的持続時間の長い超音波パルスが用いられることから、送波アンプのパワー半導体素子（例えば、ＭＯＳＦＥＴ）が温度上昇して熱破壊することが問題となる。
【０００３】
一般に、パワー半導体素子の回路基板に温度計測用のＩＣを配置して温度又は温度上昇を計測する方法、あるいはパッケージに熱電対を装着してパッケージの温度を測定する方法が知られている。しかし、いずれの方法であっても、ＭＯＳＦＥＴの内部温度を測定することはできない。これに対して、特許文献２には、パワー半導体素子であるＩＧＢＴ等が形成された半導体チップに、温度センサとしてダイオードを形成し、ダイオードに異なる値の電流を流してそれぞれの電流値における順方向電圧を測定し、順方向電圧の差に基づいて半導体チップの温度を計測する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−４６４８４号公報
【特許文献２】特開２００６―３０２９７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２によれば、市販のパワーＭＯＳＦＥＴなどのパワー半導体素子には、温度センサ用の特別のダイオードが設置されていないから、温度センサ用のダイオードを別途設ける必要があり、チップサイズが大きくなるという問題がある。また、温度センサ用のダイオードを設けると、それ用のパッドを特別に設ける必要があるから、パッケージが複雑になるという問題がある。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、パワー半導体素子に温度センサ用の特別のダイオードを組み込むことなく、パワー半導体素子の温度を計測できる温度計測装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
通常、パワー半導体素子には、半導体素子を過電圧又は静電破壊等から保護するためにダイオード又はツェナーダイオード等の保護ダイオードが設けられている。また、超音波診断装置の送信回路に用いられる超音波増幅用のパワー半導体素子は周期的あるいは間欠的に休止される。これらのことに鑑み、本発明は、パワー半導体素子の休止期間に、同パワー半導体素子の保護ダイオードを利用して、同パワー半導体素子の温度を計測することを特徴とする。
【０００８】
すなわち、本発明は、パワー半導体素子の休止期間に、該パワー半導体素子に付属して設けられた保護ダイオードに順方向電流を流し、該保護ダイオードの順方向電圧を検出し、予め測定した前記保護ダイオードの順方向電流と順方向電圧の温度特性に基づいて前記保護ダイオードの温度を算出して、前記パワー半導体素子の温度を計測することを特徴とする。
【０００９】
周知のように、ダイオードの順方向電流と順方向電圧との関係は、ダイオードの温度に依存する。そこで、予めダイオードの順方向電流と順方向電圧との温度特性を測定しておいて、ダイオードの順方向電流と順方向電圧を検出すれば、ダイオードの温度を求めることができる。なお、本発明は、パワー半導体素子の保護ダイオードの温度を計測することにより、保護ダイオードと同じ半導体チップに組み込まれたパワー半導体素子の温度を精度よく測定することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、温度センサ用の特別のダイオードを組み込むことなく、パワー半導体素子の温度を計測できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態１の超音波診断装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態１のパワー半導体素子とその温度計測装置の実施例１の構成図を示す図である。
【図３】実施例１の温度計測装置の温度計測手順を示すフローチャートである。
【図４】ダイオードの温度特性の一例を示す図である。
【図５】本発明の温度計測装置の実施例２の構成図を示す図である。
【図６】実施例２の動作を説明するタイミングチャートである。
【図７】実施例２の温度計測装置の各部の動作を説明する図である。
【図８】本発明の実施形態２のパワー半導体素子とその温度計測装置の構成図を示す図である。
【図９】実施形態２の温度計測装置の動作を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
（実施形態１）
図１に示すように、本発明を適用した超音波診断装置１は、被検体２内に超音波探触子３を介して超音波を送受信し、受信した反射エコー信号を用いて診断部位について二次元或いは三次元の超音波画像を生成して診断に用いるものである。超音波探触子３は、被検体２に超音波を照射するとともに、被検体２から反射する超音波を受信して反射エコー信号に変換する振動素子を備えて構成されている。したがって、超音波診断装置１は、超音波信号を送受信する超音波送受信部４と、受信した反射エコー信号に基づいて超音波画像（例えば、Ｂモード画像）を構成する超音波画像形成成部５と、超音波画像形成部５において構成された超音波画像を表示する表示部６と、これらの各部を制御する制御部７と、制御部７に指示を与えるコントロールパネル８とを有している。特に、本実施形態では、超音波送受信部４に設けられたパワー半導体素子の温度を計測する温度計測装置１００を備えて構成されている。
【００１４】
温度計測装置１００は、図２に示すように、超音波送受信部４に接続して設けられている。図２に示す超音波送受信部４は、関連する主要部のみを図示し、超音波探触子３で受波及び変換された反射エコー信号を増幅するプリアンプ１０と、超音波探触子３を介して被検体に超音波を送波する超音波パルス信号をパワー増幅する送信アンプのパワー半導体素子であるＭＯＳＦＥＴ１１を備えて構成されている。なお、プリアンプ１０とＭＯＳＦＥＴ１１との共通接続点には、図示していない送波分離回路が設けられている。ＭＯＳＦＥＴ１１は、ＰＭＯＳ５１とＮＭＯＳ６１のドレインを共通接続して超音波探触子３に接続し、ＰＭＯＳ５１のソースを正極電源ＶｐｐにＮＭＯＳ６１のソースを負極電源Ｖｎｎに接続して用いられる。また、ＭＯＳＦＥＴ１１には、ＰＭＯＳ５１のソースとゲート間に接続された静電破壊保護用のツェナーダイオードＤ１と、ＮＭＯＳ６１のソースとゲート間に接続された静電破壊保護用のツェナーダイオードＤ２が内蔵されている。さらに、それぞれのツェナーダイオードＤ１、Ｄ２に抵抗４１，４２が並列に接続されて内蔵されている。オペアンプ１４には、図示していない回路から超音波パルスの送波の駆動信号が入力され、オペアンプ１４の出力はコンデンサ３１，３２を介してＰＭＯＳ５１とＮＭＯＳ６１のゲートにそれぞれ入力されている。したがって、ＭＯＳＦＥＴ１１は、オペアンプ１４から出力される超音波パルスの駆動信号をパワー増幅して超音波探触子３を駆動するようになっている。
【００１５】
次に、本発明の特徴部である温度計測装置１００について、実施例に分けて説明する。
【００１６】
（実施例１）
実施例１の温度計測装置１００は、図２に示すように、電圧検出回路１１０と温度演算部１２０と、直流の電流源１３０と抵抗１３１とコンデンサ１３２の直列回路を備えて形成されている。温度演算部１２０は、ＣＰＵ等を備えた演算処理装置により形成されている。電流源１３０の他端は接地電位に接続されている。コンデンサ１３２の他端は、接続点１０１を介してツェナーダイオードＤ２のカソードに接続されている。また、電圧検出回路１１０には、超音波パルスの駆動信号に相当するオペアンプ１４の入力信号が入力されている。電圧検出回路１１０は、抵抗１３１とコンデンサ１３２の接続点の電圧Ｖ１を検出するようになっている。さらに、温度演算部１２０からは、オペアンプ１４の停止指令が出力されるとともに、例えば制御部７に警報が出力されるように構成されている。
【００１７】
ここで、図３に示したフローチャートに沿って、本実施例の温度測定装置１００の動作を説明する。本実施形態は、超音波診断装置１の超音波送受信部４のＭＯＳＦＥＴ１１は、超音波診断の手順に従って周期的あるいは間欠的に休止される。また、ＭＯＳＦＥＴ１１には静電破壊等から保護するためのツェナーダイオードが設けられている。図３のフローチャートは、超音波診断装置１が動作中に予め設定された温度測定周期に従って周期的に実行される。まず、電圧検出回路１１０は、ＭＯＳＦＥＴ１１が休止中か否か、オペアンプ１４に入力される駆動信号に基づいて判断する（Ｓ１）。オペアンプ１４に入力される駆動信号が休止中であることを示す信号でない場合は、ステップＳ１の処理を繰り返して待機する。ＭＯＳＦＥＴ１１が休止中であることを示す信号が入力された場合、温度測定装置１００は温度計測の処理を実行する（Ｓ２）。すなわち、ステップＳ２では、電圧検出回路１１０は電流源１３０にオン指令を送り、ツェナーダイオードＤ２に予め定めた一定の順方向電流Ｉ１を、一定時間流す。このときの電圧Ｖ１を検出して、温度演算部１２０に出力する。一定の順方向電流Ｉ１を流す時間は、安定して電圧Ｖ１を検出できる時間であればよい。
【００１８】
温度演算部１２０は、検出された電圧Ｖ１に基づいて順方向電圧ＶＦを求める。すなわち、順方向電圧ＶＦは、Ｖｎｎ→Ｄ２→コンデンサ１３２→抵抗１３１→電流源１３０→Ｖｎｎに流れる順方向電流ＩＦに相関し、順方向電流ＩＦが流れる抵抗１３１の一端の電圧Ｖ１は順方向電圧ＶＦに相関する。したがって、予め測定したツェナーダイオードＤ２の温度特性に基づいて、順方向電流ＩＦと順方向電圧ＶＦに対応するツェナーダイオードＤ２の温度を演算により求めることができる。そして、ツェナーダイオードＤ２が隣接するＭＯＳＦＥＴ１１の温度を計測することができる。
【００１９】
ここで、図４に、ツェナーダイオードＤ２の順方向電圧ＶＦに対する順方向電流ＩＦの温度特性の一例を示す。同図は、ツェナーダイオードＤ２の温度ＴＤが１００℃、２５℃、−２５℃の場合の順方向電圧ＶＦに対する順方向電流ＩＦの温度特性を示している。図示のように、順方向電流ＩＦ=１ｍＡのとき、ＴＤ＝１００℃でＶＦ＝０．５Ｖ、ＴＤ＝２５℃でＶＦ＝０．６Ｖ、ＴＤ＝−２５℃でＶＦ＝０．７Ｖである。したがって、順方向電流ＩＦを一定とした場合に検出された電圧Ｖ１に基づいて順方向電圧ＶＦを求め、図４の温度特性に基づいて内挿又は外挿してツェナーダイオードＤ２の温度ＴＤを演算により求めることができるから、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度を計測することができる。
【００２０】
計測したＭＯＳＦＥＴ１１の温度が、予め定めた閾値温度を越えた場合は、温度異常と判断する（図３のＳ３）。そして、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度が閾値温度を越えた場合は、超音波パルスの送波停止指令をオペアンプ１４に出力して、オペアンプ１４を停止するとともに温度の警告を制御部７に出力する。ステップＳ３の判断で、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度が閾値温度を越えていなければ、ステップＳ１に戻って温度計測処理を繰り返す。なお、オペアンプ１４を停止した後、通常の温度計測周期に従って図３の処理を実行したときに、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度が閾値温度以下に低下しているときは、オペアンプ１４の停止を解除するとともに、温度警告の出力を停止するようにすることができる。
【００２１】
以上説明したように、本実施例によれば、パワー半導体素子であるＭＯＳＦＥＴ１１に温度センサ用の特別のダイオードを組み込むことなく、ＭＯＳＦＥＴ１１の休止期間に、ＭＯＳＦＥＴ１１に組み込まれた保護ダイオードであるツェナーダイオードＤ２に一定の順方向電流ＩＦを流し、そのときのツェナーダイオードＤ２の順方向電圧ＶＦに相関するＶ１を検出することにより、ツェナーダイオードＤ２の温度を求めることができる。これにより、ツェナーダイオードＤ２に隣接して設けられた、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度を計測できる。なお、本実施形態では、ツェナーダイオードＤ２を用いてＭＯＳＦＥＴ１１の温度を計測する例を説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、ツェナーダイオードＤ１に順方向電流を流し、そのときの順方向電圧を検出して、ツェナーダイオードＤ１の温度を求め、これに基づいてＭＯＳＦＥＴ１１の温度を計測するようにしてよいことは言うまでもない。
【００２２】
（実施例２）
実施例１ではツェナーダイオードＤ１の温度を計測する例を説明した。これに対し、本実施例２はツェナーダイオードＤ１の温度上昇を計測する点が相違する。図４に示した例のように、一般に、ダイオードの順方向電圧ＶＦは、順方向電流ＩＦが一定のとき、温度変化に対して負の温度係数ＫＴ＝−２ｍＶ／℃を持つ。そこで、本実施例では、順方向電圧ＶＦの変化分ΔＶＦからダイオードの温度上昇ΔＴＤを計測するものである。つまり、本実施例は、ＭＯＳＦＥＴ１１を駆動して超音波パルスを送波した期間におけるＭＯＳＦＥＴ１１の温度上昇分を計測する。
【００２３】
本実施例２の温度計測装置１００は、図５に示すように、電圧検出回路２１０及び温度演算部２２０の構成が実施例１と異なる。その他の点は、実施例１と同一であることから同一の符号を付して説明を省略する。本実施例２の特徴は、図６のタイミングチャートに示すように、超音波パルスの送波の開始前に順方向電流Ｉ１をツェナーダイオードＤ２に流して電圧V１１を予め測定して記憶する。次いで、送波終了直後に、再び順方向電流Ｉ１をツェナーダイオードＤ２に流し、電圧V１２を計測する。これらの電圧の変化分（＝Ｖ１２−Ｖ１１）と温度係数ＫＴから、ツェナーダイオードＤ２の温度上昇ΔＴＤを求める。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度上昇を計測することができる。なお、ツェナーダイオードＤ２に代えてツェナーダイオードＤ１を用いる場合も、Ｄ１に順方向電流を流して同様に測定することができる。
【００２４】
ここで、コンデンサ１３２は、ＮＭＯＳ６１のソース電圧は通常負の高電圧（例えば、−１００V程度）になっているため、その直流高電圧をカットするためのものである。また、電流源１３０からオペアンプ１４に交流電流が流れないようにするため、コンデンサ３３のインピーダンスが高く設定される。
【００２５】
図７を参照して、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度上昇を計測する動作を説明する。電圧検出回路２１０は、例えばオペアンプ１４の入力を監視し、超音波パルスの駆動信号が休止している送波の開始前に電流源１３０をオンすると、振幅０Ｖから１０Ｖの矩形波が印加される（図７（ａ））。これにより、電圧検出回路２１０は、図７（ｂ）の破線で示すＶ１１を検出する。この矩形波は、コンデンサ１３２でＤＣ成分がカットされるので、ツェナーダイオードＤ２のカソード側では、図７（ｃ）の破線で示すように、Ｖｎｎ＋５Ｖを中心に、振幅Ｖｎｎ＋１０ＶからＶｎｎの電圧となる。しかし、Ｖｎｎ＋５ＶからＶｎｎの電圧はツェナーダイオードＤ２の逆バイアスであるからツェナーダイオードＤ２はオフされる。ここで、電流源１３０によりＶｎｎ＋１０ＶからＶｎｎ＋５Ｖの電圧がツェナーダイオードＤ２印加されると、一定の順方向電流が流れて順方向電圧を検出できる。Ｖｎｎは−１００Ｖ程度であるが、コンデンサ１３２でＤＣ成分がカットされるので、電圧検出回路２１０で検出される電圧Ｖ１１は１０Ｖ程度となり、計測が容易になる（図７（ｂ））。このときのツェナーダイオードＤ２の順方向電圧はＶＦ１である（図７（ｂ））。
【００２６】
次に、電圧検出回路２１０は、例えばオペアンプ１４の入力に基づいて超音波パルスの送波が開始され後は、電圧検出動作を停止する。そして、超音波パルスの駆動信号が再び休止したとき、すなわち超音波パルスの送波の終了直後に電流源１３０を再び一定期間オンする。そして、電圧検出回路２１０はＭＯＳＦＥＴ１１の動作直後のＶ１２を検出する（図７（ｂ）の実線）。超音波パルスを増幅することによりＭＯＳＦＥＴ１１の温度が上昇し、ツェナーダイオードＤ２の温度が高くなると、順方向電圧は下がる傾向となる(図７（ｂ）)。電圧検出回路２１０は、そのときのＶ１２を検出する。そして、温度演算部２２０は、順方向電圧ＶＦの変化ΔＶＦ＝電圧Ｖ１１−Ｖ１２を求める。これに基づいて、温度演算部２２０は、順方向電圧ＶＦの変化ΔＶＦと温度係数ＫＴから、ツェナーダイオードＤ２の温度上昇ΔＴＤ２を求めて、ＭＯＳＦＥＴ１１の温度上昇を測定する。例えば、順方向電圧の変化分が−１００ｍＶのとき、温度上昇は５０℃である。  
【００２７】
（実施形態２）
図８に、本発明の実施形態２の主要部の構成を示す。本実施形態は、本実施形態の温度計測装置３００を、超音波診断装置１の超音波送受信部４のパワー半導体素子であるＭＯＳＦＥＴの温度測定に適用したものである。図示のように、送波アンプ用高電圧パルサは、図示のように、ＰＭＯＳ５２とＮＭＯＳ６２からなるＭＯＳＦＥＴ、ツェナーダイオード２３、２４及び抵抗４６，４７を備えて形成されている。ロジック入力は、抵抗４４を介して静電破壊保護用のダイオードＤ３、Ｄ４の直列接続点に入力されている。ダイオードＤ３のカソードはＶｄｄに接続され、保護ダイオードＤ４のアノードは接地されている。ダイオードＤ３、Ｄ４の直列接続点は、それぞれレベルシフタ１５、１６を介してＰＭＯＳ５２とＮＭＯＳ６２のゲートに接続されている。本実施形態の本質的な特長は、送波アンプ用高電圧パルサの温度上昇を検出するために、ロジック入力ピンの静電破壊保護用のダイオードＤ３又はＤ４を使用した点にある。本実施形態においても、ダイオードＤ３又はＤ４のうちどちらを使用してもよいが、本実施形態ではダイオードＤ４を使用する場合について説明する。温度計測装置３００は、ダイオードＤ４のカソードに抵抗４５と交流電流源１３を接続して形成されている。電圧検出回路３１０は、ダイオードＤ４のカソードの電圧Ｖ２を検出するようになっており、検出した電圧Ｖ２は温度演算部３２０に入力されている。
【００２８】
このように構成される実施形態の動作について、図９を参照して説明する。本実施形態は実施形態１の実施例２と同様に、送波アンプ用高電圧パルサの温度上昇を計測する。つまり、図６に示したと同様、超音波パルスの送波開始前に、保護ダイオードＤ４に順方向電流Ｉ２１を流して、そのときの順方向電圧Ｖ２１を予め測定して記憶しておく。そして、超音波パルスの送波終了直後に、再び順方向電流Ｉ２２を保護ダイオードＤ４に流して、順方向電圧Ｖ２２を計測する。順方向電圧の変化分（ΔＶＦ＝Ｖ２１−Ｖ２２）と温度係数ＫＴから、保護ダイオードＤ４の温度上昇ΔＴＤ４が求まり、送波アンプ用高電圧パルサの温度計測が可能である。
【００２９】
電流源３３０により印加される矩形波電圧が−３Ｖから０Ｖであるとすると、Ｖｄｄ＝３．３Ｖであれば、ダイオードＤ３は逆バイアスとなるから電流は流れず、ダイオードＤ４のみに順方向電流が流れる。このとき、保護ダイオードＤ４の順方向電圧Ｖ２の変化分を測定する（図９）。温度が高くなると順方向電圧は下がる傾向にある。したがって、実施形態１の実施例２の場合と同様に、順方向電圧と温度係数の関係から、温度上昇がわかる。ダイオードＤ３を用いる場合は、Ｄ３に順方向電圧を流すために、入力波形は３．３Ｖ以上とし、振幅３Ｖ程度で、同様に測定する。またどのロジック入力ピンを使用してもよい。
【００３０】
以上、本発明を実施形態及び実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の主旨の範囲で変形又は変更された形態で実施することが可能であることは、当業者にあっては明白なことであり、そのような変形又は変更された形態が本願の特許請求の範囲に属することは当然のことである。例えば、本発明は超音波診断装置のパワー半導体素子の温度測定装置に限定されるものではなく、一般に集積回路のパワー半導体素子の温度測定装置に適用できることは明白である。
【００３１】
本発明によれば、パワー半導体素子に内蔵された保護ダイオードを温度検知に使用しているので、特別に検出素子を設ける必要がない。また、内蔵してある保護ダイオードを温度検知に使用しているので、特別に検出素子を設ける必要がなく、チップサイズを小さくできる。さらに、内蔵してある保護ダイオードを温度検知に使用しているので、特別に検出素子用のパッドを設ける必要がなく、パッケージが簡単となる。
【符号の説明】
【００３２】
４  超音波送受信部
１０  プリアンプ
１１  ＭＯＳＦＥＴ
１４  オペアンプ
５１，５２  ＰＭＯＳ
６１，６２  ＮＭＯＳ
１００，３００  温度計測装置
１１０、２１０，３１０  電圧検出回路
１２０、２２０，３２０  温度演算回路
１３０、３３０  電流源
１３１，３３１  抵抗
１３２  コンデンサ
Ｄ１，Ｄ２  ツェナーダイオード
Ｄ３，Ｄ４  保護ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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