(57)【要約】【課題】成膜室内に形成される不要な薄膜を除去するとともに、除去した薄膜が反応ガス供給によって飛散することを防止する構成を有するCVD装置を提供する。【解決手段】所定の圧を有する不活性ガス供給源から供給された不活性ガスを成膜室内に噴出する不活性ガス噴出部が高速度ノズルを備えることにより、成膜室の内壁あるいは誘導結合型アンテナに形成された薄膜を除去するのに必要十分なエネルギー量を有する音速乃至超音速に加速した不活性ガスを噴出することができるので、成膜室を清浄に保つことができる。  また、不活性ガス噴出部に対向した開口部より、噴出した不活性ガスによって除去した薄膜を廃棄物として回収する廃棄物回収部を備えているので、除去した薄膜が再度成膜材料ガスによって飛散することにより基板に付着するのを防止することができる。【選択図】    図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の膜を基板に成膜する成膜装置であって、
前記基板の成膜を行なう成膜室と、
前記成膜室内部に真空状態を生起する真空排気部と、
前記成膜室内部に成膜材料ガスを供給する成膜材料ガス供給部と、
前記成膜室内部で前記成膜材料ガスを電離する電離源と、
前記成膜室内部に所定の圧を有する不活性ガス供給源から供給された不活性ガスを音速乃至超音速で噴出する高速度ノズルを備えた不活性ガス噴出部と、
前記電離源を挟んで前記不活性ガス噴出部に対向して前記成膜室の壁面に形成された開口部より前記成膜室内の廃棄物を回収する廃棄物回収部と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記成膜室は、前記基板の一方の面に対する成膜処理を行なう処理空間を規定する前記成膜室底面から屹立した構造体を有し、
前記構造体に、
前記処理空間に前記成膜材料ガスを供給する前記成膜材料ガス供給部と、
前記処理空間に供給された前記成膜材料ガスを電離する前記電離源と、
前記処理空間に前記不活性ガスを音速乃至超音速で噴出する前記不活性ガス噴出部と、
前記電離源を挟んで不活性ガス噴出部に対向して前記構造体壁面に形成された開口部より前記処理空間内の廃棄物を回収する前記廃棄物回収部と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記電離源が複数配置されており、複数の前記不活性ガス噴出部が複数の前記電離源に対応して配置されていること、
を特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記成膜室壁面乃至構造体壁面に形成された前記開口部は、前記電離源の配置方向に相当する幅を有すること、
を特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記廃棄物回収部は回収した前記廃棄物を貯留する廃棄物貯留部を有すること、
を特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記廃棄物貯留部は、前記不活性ガス噴出部による前記不活性ガスの噴出時、前記真空排気部による排気を行なう廃棄物回収時排気口を備えること、
を特徴とする成膜装置。
【請求項７】
請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記基板の成膜時、前記不活性ガス噴出部を前記成膜室外部の待機位置へ移動させる待機位置移動手段を備えること、
を特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜装置であって、
前記基板の成膜前後に、前記電離源の清浄動作のため、前記不活性ガス噴出部を移動させる清浄動作移動手段を備えること、
を特徴とする成膜装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜装置であって、
高速度ノズルがコンバージェントノズルであること、
を特徴とする成膜装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の成膜装置であって、
高速度ノズルがコンバージェント・ダイバージェントノズルであること、
を特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、成膜装置に関するものであり、特にCVD処理が実行される成膜室内部に形成される不要な薄膜を除去する構成を備えた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池製造、半導体製造、あるいは液晶ディスプレイ製造の分野において、反応ガスを電離（プラズマ化）することにより、基板の表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置が一般的に使用されている。
【０００３】
プラズマCVD装置では、基板に薄膜を形成する成膜室内を低圧にし（例えば、0.05〜0.3気圧程度）、成膜材料となるシラン(SiH4)ガスなどの反応ガスを成膜室内に供給する。そして、高周波電源から高周波電流（例えば、13.56MHz程度）を電離源である誘導結合型アンテナに流すことにより、誘導結合型アンテナの周囲に形成された電界が反応ガスの電子を加速させて電離することにより、反応ガスによりプラズマが発生する。
【０００４】
反応ガスを電離したことにより発生したプラズマのラジカルやイオン等の活性種が、誘導結合型アンテナに対向した基板の表面に付着することで化学気相成長が行なわれ、基板にCVD膜が形成される。CVD膜が形成された基板は、電子デバイス用の構造体として太陽電池などの様々な電子デバイスに使用することができる。
【０００５】
しかし、プラズマCVD装置では、電離した気体による化学気相成長が基板のみならず、成膜室の他の部分においても生じるという問題がある。繰り返し成膜室内で基板に対する成膜を行なうと、基板以外の部分、すなわち成膜室の内壁や誘導結合型アンテナにも不要な薄膜が形成されてしまう。
【０００６】
成膜室内壁や誘導結合型アンテナに形成された薄膜が剥離して成膜室下部に蓄積されると、反応ガスの供給で飛散することがあり、成膜中の基板に付着して電子デバイスの品質を低下させるという問題が生じる。また、薄膜が誘導結合型アンテナに形成されると、電界形成能力が低下するため、プラズマCVD装置の性能を低下させるという問題も生じる。
【０００７】
成膜室内部に形成された不要な薄膜の除去は、成膜室内を手作業でクリーニングする手法や、成膜室内に三窒化フッソ（NF3）ガスを流入することによりクリーニングを行なう手法が存在する。
【０００８】
しかし、手作業によるクリーニングは成膜室を大気開放して行なうため、H2Oの吸着などによる成膜室内の汚染の問題を解決する必要があり、三窒化フッソガスによるクリーニングはその後に成膜室内のシーズニング処理が必須であるため、クリーニング後に成膜を再開するまでに時間がかかるという欠点が存在する。
【０００９】
そこで、成膜室内部に反応性が低い窒素ガスを噴出する構造を備えることにより、成膜室内部に形成された不要な薄膜を除去する発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開2011-60899
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に記載の発明では、窒素ガス供給源および複数のガス噴出口を備えた供給管を設けた薄膜太陽電池製造装置を開示しており、供給管のガス噴出口から噴出された窒素ガスが成膜室内の各所に付着した副生成物を吹き飛ばして成膜室内の所望の位置（例えば、底面）に副生成物を移動させることができるので、基板に対して連続的に成膜を行っても副生成物が基板の被成膜面に付着するのを防止することができるという作用効果を得ている。
【００１２】
しかし、成膜室内部や誘導結合型アンテナに形成された薄膜は、表面処理が行なわれていないために剥離することもあるが、化学気相成長によって形成されたものであるため、窒素ガスを単に噴出するだけでは除去することができないことも多い。
【００１３】
また、特許文献１に記載の発明では、重力方向と略並行な状態で成膜される二枚の基板間に位置するカソードユニットの周縁部に沿って複数形成されている排気口から回収できなかった副生成物は成膜室の下部へ移動させていることから、成膜室側面下部に備えられた貫通孔に設けられた排気管周辺に移動した副生成物は回収されるものの、成膜室底面全体に滞留した副生成物を回収する構成を有しておらず、成膜ガスの供給によって成膜室底面全体に滞留した副生成物が飛散することを防止することはできない。
【００１４】
従って、本願発明の目的は、成膜室内に形成される不要な薄膜を除去するとともに、除去した薄膜が反応ガス供給によって飛散することを防止する構成を有する成膜装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
かかる課題の少なくとも一部を解決する為、本発明は以下の形態、あるいは適用例を取ることができる。
［適用例１］
【００１６】
所望の膜を基板に成膜する成膜装置であって、前記基板の成膜を行なう成膜室と、前記成膜室内部に真空状態を生起する真空排気部と、前記成膜室内部に成膜材料ガスを供給する成膜材料ガス供給部と、前記成膜室内部で前記成膜材料ガスを電離する電離源と、前記成膜室内部に所定の圧を有する不活性ガス供給源から供給された不活性ガスを音速乃至超音速で噴出する高速度ノズルを備えた不活性ガス噴出部と、前記電離源を挟んで前記不活性ガス噴出部に対向して前記成膜室の壁面に形成された開口部より前記成膜室内の廃棄物を回収する廃棄物回収部と、を有する。
［適用例２］
【００１７】
成膜装置であって、前記成膜室は、前記基板の一方の面に対する成膜処理を行なう処理空間を規定する前記成膜室底面から屹立した構造体を有し、前記構造体に、前記処理空間に前記成膜材料ガスを供給する前記成膜材料ガス供給部と、前記処理空間に供給された前記成膜材料ガスを電離する前記電離源と、前記処理空間に前記不活性ガスを音速乃至超音速で噴出する前記不活性ガス噴出部と、前記電離源を挟んで不活性ガス噴出部に対向して前記構造体壁面に形成された開口部より前記処理空間内の廃棄物を回収する前記廃棄物回収部と、を有する。
［適用例３］
【００１８】
成膜装置であって、前記電離源が複数配置されており、複数の前記不活性ガス噴出部が複数の前記電離源に対応して配置されている。
［適用例４］
【００１９】
成膜装置であって、前記廃棄物回収部壁面乃至構造体壁面に形成された前記開口部は、前記電離源の配置方向に相当する幅の開口を有する。
［適用例５］
【００２０】
成膜装置であって、前記廃棄物回収部が回収した前記廃棄物を貯留する廃棄物貯留部を有する。
［適用例６］
【００２１】
成膜装置であって、前記廃棄物貯留部は、前記不活性ガス噴出部による前記不活性ガスの噴出時、排気を行なう廃棄物回収時排気口を備える。
［適用例７］
【００２２】
成膜装置であって、前記基板の成膜時、前記不活性ガス噴出部を前記成膜室外部の待機位置へ移動させる待機位置移動手段を備える。
［適用例８］
【００２３】
成膜装置であって、前記基板の成膜前後に、前記電離源の清浄動作のため、前記不活性ガス噴出部を移動させる清浄動作移動手段を備える。
［適用例９］
【００２４】
成膜装置であって、前記不活性ガス噴出部の高速度ノズルが、コンバージェントノズルである。
［適用例１０］
【００２５】
成膜装置であって、前記不活性ガス噴出部の高速度ノズルが、コンバージェント・ダイバージェントノズルである。
【発明の効果】
【００２６】
所定の圧を有する不活性ガス（例えば、窒素ガス）供給源から供給された不活性ガスを成膜室内に噴出する不活性ガス噴出部が高速度ノズルを備えることにより、成膜室の内壁あるいは誘導結合型アンテナに形成された薄膜を除去するのに必要十分なエネルギー量を有する音速乃至超音速に加速した不活性ガスを噴出することができるので、成膜室を清浄に保つことができる。
【００２７】
また、不活性ガス噴出部に対向した開口部より、噴出した不活性ガスによって薄膜を廃棄物として回収する廃棄物回収部を備えているので、除去した薄膜が再度成膜材料ガスによって飛散することにより基板に付着するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマCVD装置１００の概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態における構造体５を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態における窒素ガス噴出部７の備える高速度ノズルを説明するための図である。
【図４】本発明の実施の形態における廃棄物回収部８の構成を説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるプラズマCVD装置１００の動作を説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態における窒素ガス噴出部７の待機位置への移動を説明するための図である。
【図７】本発明の実施の形態における窒素ガス噴出部７の移動による清浄を説明するための図である。
【図８】本発明の変形例を説明するための第１の図である。
【図９】本発明の変形例を説明するための第２の図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を利用しながら、本発明を実施形態について、説明を行なう。
【００３０】
〈第１の実施形態〉
図１は、本発明に関わるプラズマCVD装置１００を説明するための概略構成図である。プラズマCVD装置１００は、プラズマCVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition)によって、例えば太陽電池用の半導体基板として使用される基板１０に対してCVD膜を形成する装置である。
【００３１】
プラズマCVD装置１００は、内部に処理空間Spを形成する成膜室１と、キャリア１１に載置された基板１０を所定の搬送方向（ここでは+Y方向）に搬送する基板搬送部２と、搬送される基板１０を加熱する加熱部３と、処理空間Spにプラズマを発生させる電離源４と、処理空間Spを規定する構造体５を備えている。
【００３２】
また、プラズマCVD装置１００は、処理空間Spに成膜を行なうための成膜材料ガスを供給する成膜材料ガス供給部６と、処理空間Spに面する構造体５内部の構成を清浄する窒素ガスを噴出する窒素ガス噴出部７と、窒素ガス噴出によって飛ばされた不要な薄膜等を廃棄物として回収する廃棄物回収部８と、成膜室１から成膜材料ガスあるいは窒素ガスを排気する排気部９を備える。
【００３３】
さらに、プラズマCVD装置１００は、上記の各構成要素を制御する制御部１２を備える。
【００３４】
成膜室１は、内部に処理空間Spを有する中空部材である。処理空間Spは後述する電離源４の誘導結合型アンテナ４１によってプラズマCVD処理が実行される空間であり、本実施形態では構造体５によって１つの処理空間Spが形成されている。
【００３５】
成膜室１の底板１ａは、その上面１ａ１が水平姿勢となるように配置され、当該上面１ａ１から処理空間Spに向けて誘導結合型アンテナ４１および構造体５（いずれも後述する）が突設されている。成膜室１の天板付近には、基板搬送部２に沿うように加熱部３が配置され、搬送される基板１０を加熱する。また、成膜室１の±Y側の側壁には、例えばゲートバルブによって開閉される基板搬入口および基板搬出口（いずれも図示省略）が備えられている。
【００３６】
基板搬送部２は、キャリア１１を水平姿勢で保持して、成膜室１に形成された搬送経路に沿って、基板搬入口および基板排出口へと搬送する。キャリア１１は枠状の構造を有し、成膜対象である基板１０が載置されると基板１０の一方の面がプラズマCVD処理を行なう処理空間Spに露出し、誘導結合型アンテナ４１と対向するようになっている。
【００３７】
基板搬送部２は、搬送経路を挟んで対向配置された一対の搬送ローラ２ａと、これらを同期させて回転駆動する図示しない駆動部によって構成されている。一対の搬送ローラ２ａは、搬送経路の延在方向（図示Y方向）に沿って複数設けられ、各搬送ローラ２ａがキャリア１１の下面に当接しつつ回転することで、キャリア１１が搬送経路に沿って搬送されることにより、キャリア１１に載置された基板１０が、誘導結合型アンテナ４１を有する処理空間Spに対して相対移動する。基板搬送部２は、基板１０に対するプラズマCVD処理実行時、構造体５の底面部５ａに対向する位置で基板１０の搬送を一旦停止して処理空間Spに対向させる。
【００３８】
なお、基板搬送部２の構成は、上記に限定されることはない。例えば、キャリア１１の搬送は、複数配置された一対の搬送ローラ２ａおよび図示しない駆動部ではなく、リニアモータで行なわれるようにしてもよい。あるいは、基板搬送部２は、枚葉状の基板１０ではなくウェブ状の基板であってもよい。その場合、キャリア１１は必要とされず、基板１０は複数配置された一対の搬送ローラ２ａおよび図示しない駆動部によって直接搬送される。
【００３９】
加熱部３は、基板搬送部２によって搬送される基板１０を加熱する。基板搬送部２の上部に備えられた加熱部３は、例えばセラミックヒータにより構成され、加熱部３下部を通過する基板１０に対して加熱処理を行なう。
【００４０】
電離源４は、後述する成膜材料ガス供給部６から供給される成膜材料ガスを電離して、処理空間Spにプラズマを発生させる。誘導結合タイプの高周波アンテナである誘導結合型アンテナ４１を複数（本実施形態では４個）備える。各誘導結合型アンテナ４１は、具体的には、金属製のパイプ状導体をＵ字形状に曲げたものを、石英などの誘電体で覆ったものである。
【００４１】
複数の誘導結合型アンテナ４１は、定められた方向に沿って、間隔をあけ（好ましくは等間隔で）配列され、底板１ａに対して固定されている（図２参照）。誘導結合型アンテナ４１の基板搬送部２側の一部（Ｕ字形状の底部分を含む部分）は、構造体５の底面部５ａから基板搬送部２側に突出している。複数の誘導結合型アンテナ４１は、基板１０の搬送方向に直交する方向に沿って配列されることが好ましい。
【００４２】
また、ここでは、誘導結合型アンテナ４１が４個設けられているが、誘導結合型アンテナ４１の個数は必ずしも４個である必要はなく、処理チャンバー１の寸法等に応じて、適宜その個数を選択することができる。また、誘導結合型アンテナ４１は、マトリクス状、あるいは、千鳥状に配列されてもよい。また、成膜室１の寸法等に応じて１つの誘導結合型アンテナ４１が設けられてもよい。
【００４３】
各誘導結合型アンテナ４１の一端は、給電器４２およびマッチングボックス４３を介して、高周波電源４４に接続されている。また、各誘導結合型アンテナ４１の他端は接地されている。この構成において、高周波電源４４から各誘導結合型アンテナ４１に高周波電流（具体的には、例えば、13.56MHzの高周波電流）が流されると、誘導結合型アンテナ４１の周囲の電界（高周波誘導電界）により電子が加速されて、プラズマ（誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ICP））が発生する。
【００４４】
上述のとおり、誘導結合型アンテナ４１は、Ｕ字形状を呈している。このようなＵ字形状の誘導結合型アンテナ４１は、巻数が１回未満の誘導結合アンテナに相当し、巻数が１回以上の誘導結合アンテナよりもインダクタンスが低いため、誘導結合型アンテナ４１の両端に発生する高周波電圧が低減され、生成するプラズマへの静電結合に伴うプラズマ電位の高周波揺動が抑制される。このため、対地電位へのプラズマ電位揺動に伴う過剰な電子損失が低減され、プラズマ電位が特に低く抑えられる。なお、このような誘導結合タイプの高周波アンテナは、特許第3836636号公報、特許第3836866号公報、特許第4451392号公報、特許第4852140号公報に開示されている。
【００４５】
なお、誘導結合型アンテナ４１に代えて、巻数が一周以上のコイル状の誘導結合型アンテナが採用されてもよい。また、電離源４として、誘導結合型アンテナ４１に代えて、互いに対向する平行電極間で容量結合型プラズマを発生させるプラズマ発生機構が採用されてもよい。また、プラズマ発生機構として、成膜室１の外部に巻回されたコイル状のアンテナに高周波電力を供給して、処理空間Spに誘導結合プラズマを発生させる構成が採用されてもよい。
【００４６】
構造体５は、基板１０の搬送経路に対向するように、底板１ａに対して固定されている。構造体５は、底面部５ａと互いに対向する一対のサイドシールド５ｂと、を備えて構成されている。
【００４７】
底面部５ａには、基板搬送部２の搬送経路に直交する方向に、誘導結合型アンテナ４１が突設されている。底面部５ａは、後述する窒素ガス噴出により落下した廃棄物を廃棄物回収部８に回収することを妨げないよう、誘導結合型アンテナ４１などのプラズマCVD処理に必要な構成を除いて凹凸を設けない構造にするのが望ましい。
【００４８】
所定の厚さを有する一対のサイドシールド５ｂはアースされており、基板１０の搬送経路に直交する方向（Ｘ方向）に延在する板状の部材であって、それぞれのＸ軸における両端部は、成膜室１のＸ軸における両端の壁部に接続されている。一対のサイドシールド５ｂのそれぞれの先端の高さは、誘導結合型アンテナ４１の先端（Ｕの字形状の底部）よりも高く、かつ、互いに略等しい高さに設定されている。
【００４９】
また、-Y方向のサイドシールド５ｂは、後述する成膜材料ガス供給部６および窒素ガス噴出部７を構成する配管６３および７３が貫通し、ノズル６２および高速度ノズル７２が固定されている。一方、Y方向のサイドシールド５ｂの下部は、誘導結合型アンテナ４１の平行方向（X方向）における配置幅と略同じ長さで、後述する廃棄物回収部８の開口部８１が接するよう開放されている。
【００５０】
成膜材料ガス供給部６は、基板１０に対して成膜を行なうための成膜材料ガスを供給する。成膜材料ガス供給部６は、成膜材料ガス供給源６１と、処理空間Spのうち誘導結合型アンテナ４１の上方に位置するノズル６２と、供給源６１とノズル６２とを接続する配管６３および配管６３の経路途中に設けられたバルブ６４とを備えている。
【００５１】
成膜材料ガス供給源６１から延びる配管６３は、例えば、マスフローコントローラ等を含んで構成することによりガスの流量を自動調整できるバルブ６４を経て、サイドシールド５ｂを貫通し、その最先端に構造体５内部の処理空間Spに成膜材料ガスを供給するノズル６２が備えられている。ノズル６２は、配管６３から分岐することにより、複数の誘導結合型アンテナ４１に対応した複数のノズル６２を備えるようにしてもよい。
【００５２】
ノズル６２からは、成膜材料ガスとして、例えば、シラン（ＳｉＨ４）ガス等が供給される。成膜材料ガスとともに、成膜材料ガスを運ぶ不活性ガスをキャリアガスとして、成膜材料ガス供給源６１から供給するようにしてもよい。
【００５３】
窒素ガス噴出部７は、成膜室１、特に構造体５で規定される処理空間Sp内部に窒素ガスを噴出する。窒素ガス噴出部７は、所定の圧、例えば0.4MPaで窒素ガスを蓄積した窒素ガス供給源７１と、窒素ガスを高速で噴出するための高速度ノズル７２と、窒素ガス供給源７１と高速度ノズル７２とを接続する配管７３および配管７３の経路途中に設けられ例えばマスフローコントローラ等を含んで構成することによりガスの流量を自動調整できるバルブ７４とを備えている。
【００５４】
窒素ガス供給源７１から延びる配管７３は、バルブ７４を経て、サイドシールド５ｂを貫通し、その最先端に構造体５内部の処理空間Spに窒素ガスを噴出する高速度ノズル７２が備えられている。高速度ノズル７２は、配管７３から分岐することにより、複数の誘導結合型アンテナ４１の高さと略同じ高さに複数配設されている（図２参照）。
【００５５】
廃棄物回収部８は、窒素ガス噴出部７による窒素ガス噴出により吹き飛ばされた薄膜などの廃棄物を回収する。廃棄物回収部８は、Y方向のサイドシールド５ｂ下部の開放部分に接する開口部８１と、窒素ガス噴出によって吹き飛ばされた廃棄物を貯留し取り外し可能な廃棄物貯留部８２を備え、後述する排気部９から分岐する排気配管が接続されている。
【００５６】
排気部９は、高真空排気系であり、真空ポンプ９１と、排気配管９２と、排気バルブ９３とを備える。排気配管９２は、一端が真空ポンプ９１に接続され、三方弁である排気バルブ９３を介して、一方の他端が処理空間Spに連通接続され、もう一方の他端が廃棄物回収部８に連通接続される。
【００５７】
排気バルブ９３で分岐された排気配管９２ａは、成膜室１に連通接続されており、排気バルブ９３が排気配管９２ａ側を開放した状態で真空ポンプ９１を作動すると成膜室１からの排気が実行され、処理空間Spの高真空状態(0.05〜0.3Pa)を実現する。
【００５８】
一方、排気バルブ９３で分岐された排気配管９２ｂは、廃棄物回収部８の廃棄物貯留部８２に連通接続されており、排気バルブ９３が排気配管９２ｂ側を開放した状態で真空ポンプ９１を作動すると廃棄物貯留部８２からの排気が実行され、後述するプロセスにおける廃棄物回収処理を実現する。
【００５９】
制御部１２は、プラズマCVD装置１００が備える各構成要素と電気的に接続され（図１では簡略的に図示）、これら各要素を制御する。
【００６０】
制御部１２は、具体的には、例えば、各種演算処理を行うCPU、プログラム等を記憶するROM、演算処理の作業領域となるRAM、プログラムや各種のデータファイルなどを記憶するハードディスク、LAN等を介したデータ通信機能を有するデータ通信部等がバスラインなどにより互いに接続された、一般的なコンピュータにより構成されている。
【００６１】
また、制御部１２は、各種表示を行うディスプレイ、キーボードおよびマウスなどで構成される入力部等と接続されている。プラズマCVD装置１００においては、制御部１２の制御下で、基板１０に対して定められた処理が実行される。
【００６２】
なお、ここでは、構造体５の-Y軸方向に窒素ガス噴出部７、+Y軸方向に廃棄物回収部８を備えるように説明を行なってきたが、-Y軸方向に廃棄物回収部８、+Y軸方向に窒素ガス噴出部７を備えるようにしてもよい。
【００６３】
続いて、プラズマCVD装置１００において実行される処理の流れについて説明する。以下に説明する処理は、制御部１２の制御下で実行される。
【００６４】
成膜室１の搬入口を介して、基板１０が載置されたキャリア１１が成膜室１の内部に搬入されると、基板搬送部２が当該キャリア１１を保持する。また、排気部９が成膜室１内の気体を排気して、成膜室１を真空状態とする。また、定められたタイミングで、基板搬送部２がキャリア１１の搬送を開始し（搬送ステップ）、加熱部３がキャリア１１に載置された基板１０の加熱を開始する。
【００６５】
成膜室１の内部が真空状態となると、成膜材料ガス供給源６がノズル６２により処理空間Spへの成膜材料ガスの供給を開始する（成膜材料ガス供給ステップ）。
【００６６】
また、成膜材料ガス供給が開始されるのと同時に、高周波電源４４から各誘導結合型アンテナ４１に、高周波電流（具体的には、例えば、13.56MHzの高周波電流）が流される。すると、誘導結合型アンテナ４１の周囲の高周波誘導電界により電子が加速されて、誘導結合プラズマが発生する（プラズマ発生ステップ）。プラズマが発生すると、処理空間Sp内の成膜材料ガスがプラズマ化されて、原料ガスのラジカルやイオンなどの活性種が生じ、搬送される基板１０上で化学気相成長が行われる。
【００６７】
この時、基板１０のみならず、成膜室１内部、特に誘導結合型アンテナ４１や、該アンテナに面する構造体５のサイドシールド５ｂにおいても化学気相成長が行なわれ、不要な薄膜が形成される。
【００６８】
表面処理が施された基板１０と異なり、誘導結合型アンテナ４１やサイドシールド５ｂに形成された薄膜は剥離して底面部５ａに蓄積されるので、放置しておくと成膜材料ガス供給ステップにおける成膜材料ガスの供給により飛散して、基板１０に付着することがある。
【００６９】
また、誘導結合型アンテナ４１に形成された薄膜をそのままにしておくと、誘導結合型アンテナ４１が形成する電界が弱くなり、結果としてプラズマCVD処理の効率が低下する。
【００７０】
図２は、本発明の実施形態における構造体５を説明するための図である。プラズマCVD処理装置１００は、図２に示す構造体５のような構成を有することにより、不要な薄膜が形成されることによる問題を解決する。
【００７１】
図２では、成膜室１内に備えられた構造体を+Z軸の方向から図示している。また説明のため、加熱部３、基板搬送部２、基板１０、キャリア１１、成膜材料ガス供給部６、および底面１ａについては図示を省略している。
【００７２】
構造体５は、図１においても説明したとおり、その内部に底面部５ａから誘導結合型アンテナ４１が突出するように備えられている。ここでは、基板搬送部２の搬送経路に直交する方向（X軸方向）に４つの誘導結合型アンテナ４１が備えられている。
【００７３】
構造体５は、４つの誘導結合型アンテナ４１に対応して、窒素ガスを噴出する高速度ノズル７２が４つ備えられている。高速度ノズル７２は、-Y軸方向のサイドシールド５ｂに固定されており、サイドシールド５ｂを貫通した配管７３を経て窒素ガス供給源７１から供給された窒素ガスを噴出することにより、構造体５内部の清浄を行なう。
【００７４】
なお、ここでは高速度ノズル７２を４つとしているが、高速度ノズル７２の数はこれに限定されることはない。
【００７５】
廃棄物回収部８は、誘導結合型アンテナ４１を挟んで、高速度ノズル７２が備えられたサイドシールド５ｂに対向する+Y軸方向のサイドシールド５ｂ下部の開放部分に開口部８１を接続するように配置されている。廃棄物回収部８の開口部８１は、４つの誘導結合型アンテナ４１の平行方向の配置幅と略同幅の開口を備え、高速度ノズル７２からの窒素ガスの噴出に合わせて廃棄物貯留部８２に連通した排気配管９２ｂを介して排気ポンプ９１を動作させることにより、各誘導結合型アンテナ４１から剥離した薄膜を廃棄物として回収する。
【００７６】
図３は、本発明の実施形態における高速度ノズル７２の構造を説明するための図である。窒素ガス供給源７１から配管７３を介して供給された窒素は、窒素ガス供給源７１における窒素ガスの蓄積圧力（例えば0.4MPa）と低圧（例えば0.05〜0.3Pa）の構造体５との圧力差により、高速で噴出する。
【００７７】
その際に、窒素ガスの噴出速度をさらに高速化するため、また誘導結合型アンテナ４１に窒素ガスの噴流を当てるため、窒素ガス供給部７は高速度ノズル７２を備えている。
【００７８】
図３(a)は、高速度ノズル７２が、コンバージェントノズルである場合を示すための図である。コンバージェントノズルである高速度ノズル７２は、配管７３に接続するノズル筐体７２ａの管径raに対してノズル口７２ｂの口径rbが小さくなるように構成されており、流体である窒素ガスがノズル筐体７２ａからノズル口７２ｂの方向へ進むにつれ、加速していく。
【００７９】
すなわち、窒素ガス供給源７１の圧力P1と構造体５の圧力P2との圧力差が1.899KPaを越えると、窒素ガス供給源７１から構造体５に流出する窒素ガスは高速度ノズル７２における管径の最も狭い部分、すなわちノズル口７２ｂに到達した窒素ガスは限界速度である音速に達する。
【００８０】
音速に達した窒素ガスは、ノズル口７２ｂから噴出した時点で音速を越える。この時の窒素ガスの速度は、例えば、
窒素ガス供給源圧力：0.2MPa(=200KPa)
構造体５内部圧力：0.05Pa(≒0KPa)
ノズル径：0.1mm
とした場合、ノズル断面積が0.007853982mm2となり、窒素ガスの最大流量Ｑは、
Ｑ＝0.113×0.007853982×(200+101.325)＝0.267426(L/min)
となり、流量÷ノズル面積＝流速から、
Ｖ＝(0.267426/1000)÷60／(0.007853982÷1000000)≒567.5(m/s)
となり、音速を越えることになる。
【００８１】
図３(b)は、高速度ノズル７２がコンバージェント・ダイバージェントノズルである場合を示すための図である。コンバージェント・ダイバージェントノズルである高速度ノズル７２は、配管７３に接続するノズル筐体７２ａの管径raに対してチョーク部７２ｃの管径rcが小さくなりノズル口７２ｂの口径rbがチョーク部７２cの管径rcよりも大となるように構成されており、窒素ガスがノズル筐体７２ａからチョーク部７２ｃの方向へ進むにつれて加速し、チョーク部７２ｃで限界速度である音速に達する。チョーク部７２ｃを越えた窒素ガスは管径が拡がるにつれて膨張することにより、やはり音速を越えた速度でノズル口７２ｂから構造体５内部に噴出する。
【００８２】
図３(a)ないし(b)に示すような高速度ノズル７２を窒素ガス供給部７が備えるのは、構造体５内部の清浄に必要以上の気体を供給しないようにするためである。すなわち、成膜室１内部はプラズマCVD処理を行なうため高真空状態を維持することが好ましく、清浄のため大量の窒素ガスを供給した場合、排気部９による成膜室１の排気に多大の時間を要することになる。
【００８３】
そのようなことを防ぐため、高速で窒素ガスを噴出することにより、窒素ガスの流量が少量であったとしても、誘導結合型アンテナ４１に形成された薄膜を除去することができる。また、窒素ガス噴流により、底面部５ａに蓄積していた剥離した薄膜を廃棄物回収部８へと送り込むことができる。[mt1]
【００８４】
図４は、本発明の実施態様における廃棄物回収部８の構成を説明するための図である。図４(a)は、廃棄物回収部８の外部斜視図であり、図４(b)は図４(a)に示した廃棄物回収部８における破線Ｄの部分の断面図である。
【００８５】
図４(a)に示す廃棄物回収部８は、開口部８１が誘導結合型アンテナ４１の配置幅と略同幅であることから、開口部８１が突出した略円筒状の形状を有しており、一端に取り外し可能な廃棄物貯留部８２を備えている。
【００８６】
開口部８１は、開口付近に、開口部８１から流入した窒素ガスの噴流を構造体５内部に逆流させないようにするための逆流防止フィン８３を備えている。窒素ガスの噴流は音速乃至超音速に達しているため、開口部８１から侵入した窒素ガス噴流が廃棄物回収部８の内壁に当たって反射することにより、構造体５に窒素ガスが吹き戻されてしまうと、回収した廃棄物が構造体５内部に再度散乱してしまう。そのようなことを防止するため、逆流防止フィン８３がは廃棄物回収部８内部方向へ向けられている。
【００８７】
廃棄物貯留部８２は、排気配管９２ｂを取り外し可能に連通する排気口８２ａを備えている。排気配管９２ｂを排気口８２ａから取り外してから廃棄物貯留部８２を廃棄物回収部８から取り外すことにより、成膜室１を大気開放せずとも、回収した廃棄物の処理を容易に行なうことができる。
【００８８】
図４(b)に示す廃棄物回収部８は、その内部に廃棄物流送フィン８４を備えている。廃棄物流送フィン８４は、廃棄物回収部８内部に備えられ、窒素ガスの噴流を構造体５内部に逆流させない機能を有するとともに、回収した廃棄物を窒素ガスの噴流および排気部９による排気によって生じた気流によって廃棄物貯留部８２へ運送するためのフィンである。図４(b)において、３つの廃棄物流送フィン８４が、廃棄物回収部８内部に+X軸方向に延伸するように螺旋状に形成されており、開口部８１から流入した窒素ガスの噴流を逆流させない方向にフィンが立てられている。廃棄物流送フィン８４の螺旋の向きを廃棄物貯留部８２の方向とすることにより、窒素ガスの噴流の方向が+Y軸方向から+X軸方向に変更されるので、窒素ガスの噴流によって吹き飛ばされた廃棄物は廃棄物貯留部８２へと移送される。一方、排気部９による排気が行なわれると廃棄物貯留部８２に連通された排気配管９２ｂから廃棄物回収部８内の気体が排気されるので、これによっても気体の流れが起き、廃棄物が廃棄物貯留部８２へと移送される。
【００８９】
ここでは、廃棄物流送フィン８４の数を３つとしたが、廃棄物流送フィン８４の数はこれに限定されることはない。
【００９０】
図５は、プラズマCVD装置１００の成膜室１において行なわれる窒素ガス噴出による清浄動作を説明するための図である。
【００９１】
図５(a)は、プラズマCVD装置１００がプラズマCVD処理を行なった後の成膜室１の状態を示すための図である。成膜材料ガス供給部６から供給された成膜材料ガスのプラズマ化が行なわれ基板１０に対する成膜が行なわれると、成膜室１の構造体５に備えられた誘導結合型アンテナ４１やサイドシールド５ｂに意図しない薄膜Pが形成される。また、誘導結合アンテナ４１やサイドシールド５ｂから剥離した薄膜Pが底面部５ａに散乱している。なお、説明のため、ここでは薄膜Pのサイズを実際よりも大きく図示している。
【００９２】
図５(b)は、プラズマCVD処理前の成膜室１の状態を説明するための図である。プラズマCVD処理前の清浄を行なうため、窒素ガス噴出部７は構造体５内部に窒素ガスを噴出する。
【００９３】
所定の圧を有する窒素ガス供給源７１から高速度ノズル７２に供給された窒素ガスは、高真空状態の構造体５内部に対して音速乃至超音速で噴出する。窒素ガスの噴流BLは、誘導結合アンテナ４１に吹き付けられ、該アンテナ表面に形成された薄膜Pを除去する。また、誘導結合アンテナ４１の間隙を通過した噴流BLの一部は高速度ノズル７２に対向するサイドシールド５ｂに衝突し、該サイドシールドに形成された薄膜Pを除去する。サイドシールド５ｂに衝突した噴流BLの一部は反射して、高速度ノズル７２を固定したサイドシールド５ｂに衝突し、やはり薄膜Pを除去する。除去した薄膜P、あるいは底面部５ａに散乱していた薄膜Pは、噴流BLの一部により、高速度ノズル７２に対向して備えられた廃棄物回収部８の開口部８１に吹き込まれる。
【００９４】
一方、排気部９は、排気配管９２ｂと排気ポンプ９１が接続するように排気バルブ９３を開放する。これにより、廃棄物貯留部８２に連通接続された排気配管９２ｂによる排気が行なわれ、廃棄物回収部８に回収された薄膜Pは廃棄物貯留部８２に貯留される。
【００９５】
窒素ガス供給部７による窒素ガス噴出が終了した後、所定の時間排気部９による排気を行なうことにより、構造体５の内部に供給された窒素ガスが排気され、さらに薄膜Pの回収が行なわれる。
【００９６】
その後、排気バルブ９３を排気配管９２ａ方向に開放して排気ポンプ９１を運転することにより、成膜室１の真空度がプラズマCVD処理に適したものとなる。
【００９７】
図５(c)は、プラズマCVD処理が実行されている成膜室１の状態を説明するための図である。前述のとおり、基板搬送部２によって搬送された基板１０が構造体５の上部に位置し、電離源４が成膜材料ガス供給部６から供給された成膜材料ガスをプラズマ化することにより、基板１０に対してプラズマCVD処理が行なわれる。この時、再び誘導結合アンテナ４１やサイドシールド５ｂの表面に薄膜Pが形成され、あるいは剥離した薄膜Pが底面部５ａに散乱する。
【００９８】
図５(c)に示したプラズマCVD処理が行なわれた後の成膜室１は、図５(a)と同様の状態を示す。従って、プラズマCVD処理が行なわれた後の成膜室１に対しては、図５(b)に示すような構造体５内部の清浄処理を実行する。
【００９９】
このように、プラズマCVD装置１００の成膜室１の構造体５において、制御部１２が制御する、所定の圧を有する窒素ガス供給源７から供給された窒素ガスを成膜室１内に噴出する窒素ガス噴出部７が高速度ノズル７２を備えることにより、プラズマCVD処理前後に、成膜室１のサイドシールド５ｂあるいは誘導結合型アンテナ４１に形成された薄膜Pを除去するのに必要十分なエネルギー量を有する音速乃至超音速に加速した窒素ガスを噴出することができるので、成膜室１を清浄に保つことができる。
【０１００】
また、窒素ガス噴出部７に対向して、噴出した窒素ガスによって薄膜Pを廃棄物として回収する廃棄物回収部８を備えているので、除去した薄膜Pが再度成膜材料ガスによって飛散することにより基板１０に付着するのを防止することができる。
【０１０１】
〈第２の実施形態〉
【０１０２】
これまでの説明では、窒素ガス供給部７から供給された高速度ノズル７２が構造体５のサイドシールド５ｂに固定された態様について説明を行なってきた。しかし、基板１０に対するプラズマCVD処理時に高速度ノズル７２は使用されないので、構造体５内部に高速度ノズル７２を固定すると、高速度ノズル７２自体にも薄膜が形成されるため、所望の清浄処理が行なえないという問題が生じる。
【０１０３】
そこで、プラズマCVD装置１００は、清浄処理を行なうときだけ高速度ノズル７２を構造体５内部に移動させ、プラズマCVD処理時は高速度ノズル７２を待機位置に移動させる構成を備えることが望ましい。
【０１０４】
図６は、高速度ノズル７２を待機位置から使用位置へと移動可能な構成を備えた構造体５を説明するための図である。
【０１０５】
図６に示す構造体５は、高速度ノズル７２を備えたノズルユニット７５、およびノズルユニット７５を構造体５の外部にある待機位置から構造体５内部の使用位置の間を移動させるユニット移動機構７６を備えている。
【０１０６】
ノズルユニット７５は、複数の高速度ノズル７２を誘導結合型アンテナ４１と略同じ高さで固定するためプレート７５ａ、後述するユニット移動機構７６による移動を補助するためのベアリング７５ｂ、ノズルユニット７５が待機位置に移動した後、構造体５の側面を閉止する閉止板７５ｃを備えている。
【０１０７】
ノズルユニット７５を待機位置から使用位置の間を移動させるユニット移動機構７６は、二つのエアシリンダで構成されている。エアシリンダの一方の端部は図示しない成膜室１のーX軸方向の側壁に固定され、もう一方の端部はノズルユニット７５に固定されている。ユニット移動機構７６のエアシリンダが待機位置にあるノズルユニット７５を押し込むと構造体５内部の使用位置にノズルユニット７５が移動し、エアシリンダが使用位置にあるノズルユニット７５を引き込むと構造体５外部の待機位置にノズルユニット７５が待機位置に移動する。
【０１０８】
ノズルユニット７５は、プラズマCVD装置１００の停止時、あるいはプラズマCVD装置１００によるプラズマCVD処理の実行時、構造体５の側方にある待機位置に移動している。図５（ｂ）に示す構造体５の清浄処理を行なうに際して、制御部１２の制御に基づいて、ユニット移動機構７６はエアシリンダを駆動し、ノズルユニット７５を構造体５内部の使用位置に移動させる。ベアリング７５ｂは底面５ａとの摩擦を低減するので、ノズルユニット７５はスムーズに移動する。
【０１０９】
使用位置に移動したノズルユニット７５は、清浄処理を行なうため、プレート７５ａに固定された高速度ノズル７２から窒素ガスを噴出し、構造体５内部に形成された薄膜を除去する。
【０１１０】
清浄処理終了後、ユニット移動機構７６はエアシリンダを駆動して、ノズルユニット７５を構造体５外部の待機位置に移動させる。ノズルユニット７５が待機位置に移動すると、閉止板７５ｃが構造体５に接する成膜室１の図示しない側壁とほぼ一体化するので、構造体５に供給する成膜材料ガスが成膜室１外部に流れ出すようなことはない。
【０１１１】
なお、ユニット移動機構７６の構成については、エアシリンダに限定されることはない。例えば、ユニット移動機構７６を実現するに際して、コグドベルト、ボールネジなど、所望の水平移動機構を使用することができる。
【０１１２】
また、ここでは、ノズルユニット７５の移動方向を構造体５に対して水平方向としたが、構造体５に対してノズルユニット７５が垂直方向に移動するようにしてもよい。
【０１１３】
このような第２の実施形態においても、成膜室１の内壁５ｂあるいは誘導結合型アンテナ４１に形成された薄膜Pを除去するのに必要十分なエネルギー量を有する音速乃至超音速に加速した窒素ガスを噴出することができるので、成膜室１を清浄に保つことができる。
【０１１４】
また、窒素ガス噴出部７に対向して、噴出した窒素ガスによって薄膜Pを廃棄物として回収する廃棄物回収部８を備えているので、除去した薄膜Pが再度成膜材料ガスによって飛散することにより基板１０に付着するのを防止することができる。
【０１１５】
さらに、プラズマCVD処理時に高速度ノズル７２を退避位置へ移動させるので、高速度ノズル７２自体に薄膜が形成されるのを防止し、所望の清浄処理実行を期待することができる。
【０１１６】
〈第３の実施形態〉
【０１１７】
これまでの説明では、複数の誘導結合型アンテナ４１に対応する複数の高速度ノズル７２から窒素ガスを噴出することにより、構造体５内部の清浄処理を実行するように説明を行なってきた。しかし、移動可能なノズルユニット７５を採用したプラズマCVD処理装置１００では、清浄のための高速度ノズル７２の数を削減することができる。
【０１１８】
図７は、高速度ノズル７２の数を減らした構造体５を説明するための図である。図７に示すノズルユニット７５では、プレート７５ａが一つの高速度ノズル７２を誘導結合型アンテナ４１と略同じ高さで固定している以外は、図６に示したノズルユニット７５と同様の構成を有している。
【０１１９】
制御部１２は、構造体５の清浄処理を実行するに際して、ユニット移動機構７６のエアシリンダを駆動し、ノズルユニット７５を待機位置から移動させる。
【０１２０】
制御部１２は、複数備えられた誘導結合アンテナ４１のうち誘導結合アンテナ４１ａに形成された薄膜を除去するため、噴出位置Ｂａでノズルユニット７５を停止する。停止後、ノズルユニット７５に備えられた高速度ノズル７２が窒素ガスを噴出し、誘導結合アンテナ４１ａに形成された薄膜を除去する。高速度ノズル７２が所定時間窒素ガスを噴出した後、制御部１２は窒素ガス噴出を停止し、誘導結合アンテナ４１ｂに形成された薄膜を除去するため、ユニット移動機構７６を駆動してノズルユニット７５を移動させる。ノズルユニット７５移動後、制御部１２は高速度ノズル７２から窒素ガスを噴出し、誘導結合アンテナ４１ｂに形成された薄膜を除去する。
【０１２１】
以降、誘導結合アンテナ４１ｃ、４１ｄに形成された薄膜を除去するため、ノズルユニット７５は移動を行ない、高速度ノズル７２による窒素ガス噴出を行なう。全ての誘導結合アンテナ４１の薄膜を除去し終わったならば、制御部１２は、ユニット駆動機構７６を駆動してノズルユニット７５を待機位置へ移動させる。
【０１２２】
なお、この説明では、ユニット移動機構７６によるノズルユニット７５の移動を断続的に行ない、高速度ノズル７２からの窒素ガス噴出を間欠的に行なうよう説明を行ったが、ノズルユニット７５の移動を連続的に行ない、高速度ノズル７２からの窒素ガス噴出を連続的に行なうようにしてもよい。
【０１２３】
このような第３の実施形態においても、成膜室１の内壁５ｂあるいは誘導結合型アンテナ４１に形成された薄膜Pを除去するのに必要十分なエネルギー量を有する音速乃至超音速に加速した窒素ガスを噴出することができるので、成膜室１を清浄に保つことができる。
【０１２４】
また、窒素ガス噴出部７に対向して、噴出した窒素ガスによって薄膜Pを廃棄物として回収する廃棄物回収部８を備えているので、除去した薄膜Pが再度成膜材料ガスによって飛散することにより基板１０に付着するのを防止することができる。
【０１２５】
さらに、プラズマCVD処理時に高速度ノズル７２を退避位置へ移動させるので、高速度ノズル７２自体に薄膜が形成されるのを防止できるとともに、窒素ガス噴出部７の配管７３を複雑に分岐させることなく、所望の清浄処理実行を期待することができる。
【０１２６】
〈第４の実施形態〉
【０１２７】
これまでの説明では、誘導結合アンテナ４１に対応した高速度ノズル７２について、誘導結合アンテナ４１と略同じ高さに位置するものとして説明を行なってきたが、誘導結合アンテナ４１よりも低い位置に高速度ノズル７２を追加する構成を取ってもよい。
【０１２８】
図８は、構造体５において、一つの誘導結合アンテナ４１に対して、二つの高速度ノズル７２が備えられた構成を説明するための図である。図示しているように、高速度ノズル７２ａはこれまでの説明と同様、誘導結合アンテナ４１と略同じ高さに位置しているが、高速度ノズル７２ｂは誘導結合アンテナ４１よりも低く位置している。
【０１２９】
制御部１２は、誘導結合アンテナ４１に形成された薄膜を除去するため、最初に高速度ノズル７２ａから窒素ガスを噴出する。除去された薄膜は、高速度ノズル７２ａの噴出が停止すると底面５ａに落下する。
【０１３０】
その後、高速度ノズル７２ｂから窒素ガスを噴出する。高速度ノズル７２ｂからの窒素ガス噴出は、誘導結合アンテナ４１に形成された薄膜を除去するとともに、底面５ａに落下した薄膜を廃棄物回収部８の開口部８１へ吹き込む噴流として働く。
【０１３１】
このような第４の実施形態においても、成膜室１の内壁５ｂあるいは誘導結合型アンテナ４１に形成された薄膜Pを除去するのに必要十分なエネルギー量を有する音速乃至超音速に加速した窒素ガスを噴出することができるので、成膜室１を清浄に保つことができる。
【０１３２】
また、廃棄物回収部８に薄膜を吹き込む噴流を生じさせるための高速度ノズルを備えているので、除去した薄膜Pが再度成膜材料ガスによって飛散することにより基板１０に付着するのを防止することができる。
【０１３３】
〈第５の実施形態〉
【０１３４】
ここまでの説明では、誘導結合アンテナ４１の配置方向に直交するように窒素ガス噴出部７、および廃棄物回収部８を備えるものとして説明を行なってきた。しかし、プラズマCVD処理による不要な薄膜の形成は、成膜材料ガスを電離させる誘導結合アンテナ４１に最も影響を与えるのに対してサイドシールド５ｂに形成される薄膜は、プラズマCVD処理そのものにはそれほど影響を与えないので、誘導結合アンテナ４１に対して窒素ガス噴出部７、および廃棄物回収部８が平行に配置されるようにしてもよい。
【０１３５】
図９は、基板１０の搬送方向に直交して配置された誘導結合アンテナ４１に対して、窒素ガス噴出部７および廃棄物回収部８を平行に配置した構造体５を説明するための図である。図示しているように、複数の誘導結合アンテナ４１に対して、高速度ノズル７２が１つ備えられている。窒素ガス噴出部７による窒素ガスの噴出は、誘導結合アンテナ４１に対して平行な噴流を生じ、これにより誘導結合アンテナ４１に形成された薄膜が除去される。
【０１３６】
このような第５の実施形態においても、成膜室１の内壁５ｂあるいは誘導結合型アンテナ４１に形成された薄膜Pを除去するのに必要十分なエネルギー量を有する音速乃至超音速に加速した窒素ガスを噴出することができるので、成膜室１を清浄に保つことができる。
【０１３７】
また、廃棄物回収部８に薄膜を吹き込む噴流を生じさせるための高速度ノズルを備えているので、除去した薄膜Pが再度成膜材料ガスによって飛散することにより基板１０に付着するのを防止することができる。
【０１３８】
また、窒素ガス噴出部７の配管７３を複雑に分岐させることがなく、噴流の方向が誘導結合アンテナ４１に平行であることから、誘導結合アンテナ４１に対して必要以上の衝撃を与えることなく、所望の清浄処理実行を期待することができる。
【０１３９】
〈変形例〉
【０１４０】
これまでの説明では、廃棄物回収部８の開口部８１と廃棄物貯留部８２とが一体となった構成を図示しているが、廃棄物回収部８は、開口部８１から所定長の管路を経て廃棄物貯留部８２が接続されるような構成を有していてもよい。
【０１４１】
これまでの説明では、構造体５の内部を清浄するのに窒素ガスを噴出することを説明してきたが、他の種類の不活性ガス、例えばアルゴン(Ar)を使用してもよい。
【０１４２】
これまでの説明では、窒素ガスの噴出のみによる構造体５の清浄を説明してきたが、NF3などのいわゆるクリーニングガスを併用してのクリーニングを行なうようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１４３】
１  成膜室
２  基板搬送部
４  電離部
５  構造体
５ａ  底面部
５ｂ  サイドシールド
７  窒素ガス供給部
８  廃棄物回収部
９  排気部
１０  基板
４１  誘導結合アンテナ
７１  窒素ガス供給源
７２  高速度ノズル
７３  配管
７５  ノズルユニット
７６  ユニット移動機構
８１  開口部
８２  廃棄物貯留部
８３  逆流防止フィン
８４  廃棄物流送フィン
９１  排気ポンプ
９２  排気配管
９３  排気バルブ
１００  プラズマCVD装置
【図１】
2015190057.tif 000003
【図２】
2015190057.tif 000004
【図３】
2015190057.tif 000005
【図４】
2015190057.tif 000006
【図５】
2015190057.tif 000007
【図６】
2015190057.tif 000008
【図７】
2015190057.tif 000009
【図８】
2015190057.tif 000010
【図９】
2015190057.tif 000011