(57)【要約】【課題】アイランドレス構造であって、さらなる小型化と薄型化を可能とした磁気センサ及び磁気センサ及び磁気センサ装置、磁気センサの製造方法を提供する。【解決手段】電極部１３ａ〜１３ｄを有するペレット１０と、ペレット１０の周囲に配置された、めっき層を有するリード端子２１〜２４と、電極部１３ａ〜１３ｄとめっき層とを電気的に接続する金属細線３１〜３４と、ペレット１０の裏面の少なくとも一部を覆う絶縁層４０と、ペレット１０、リード端子２１〜２４及び金属細線３１〜３４を覆うモールド樹脂５０と、を備える。リード端子２１〜２４の裏面の少なくとも一部、及び、絶縁層４０の少なくとも一部は、モールド樹脂５０からそれぞれ露出している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部を有するペレットと、
前記ペレットの周囲に配置された、めっき層で形成されたリード端子と、
前記電極部と前記めっき層とを電気的に接続する導線と、
前記ペレットの前記電極部を有する面の反対側の面の少なくとも一部を覆う絶縁層と、
前記ペレット、前記リード端子及び前記導線を覆う樹脂部材と、を備え、
前記リード端子の前記導線と接続する面の反対側の面の少なくとも一部、及び、前記絶縁層の少なくとも一部は、前記樹脂部材からそれぞれ露出していることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記めっき層は、ニッケルを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記めっき層は、
金又は銀を含む第一めっき層と、
前記第一めっき層の上方に形成されたニッケルを含む第三めっき層と、を有し、
前記第一めっき層の少なくとも一部が、前記樹脂部材から露出していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
さらに、前記第一めっき層と前記第三めっき層との間に形成された、パラジウムを含む第二めっき層を有することを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項５】
さらに、前記第三めっき層上に形成されたパラジウム、金又は銀を含む第四めっき層を有することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記第四めっき層と前記電極部とが前記導線で電気的に接続されていることを特徴とする請求項３から請求項５の何れか一項に記載の磁気センサ。
【請求項７】
当該磁気センサの裏面は、前記リード端子の少なくとも一部、及び、前記絶縁層の少なくとも一部が前記樹脂部材からそれぞれ露出している露出面であり、
当該磁気センサの表面及び側面は、該樹脂部材から前記リード端子及び前記絶縁層が露出していない非露出面であることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の磁気センサ。
【請求項８】
前記めっき層の厚さは、２μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載の磁気センサ。
【請求項９】
前記ペレットは、磁電変換素子であることを特徴とする請求項１から請求項８の何れか一項に記載の磁気センサ。
【請求項１０】
請求項１から請求項９の何れか一項に記載の磁気センサと、
前記磁気センサが取り付けられる配線基板と、
前記磁気センサの前記リード端子を前記配線基板の配線パターンに電気的に接続するハンダと、を備えることを特徴とする磁気センサ装置。
【請求項１１】
基材と、
前記基材の一方の面上に形成されためっき層を有するリード端子と、を備えるリードフレームを用意する工程と、
前記基材の一方の面上であって前記リード端子から離れた位置に、絶縁層を介してペレットを載置する工程と、
前記リード端子と前記ペレットが有する電極部とを導線で接続する工程と、
前記基材の一方の面上に樹脂部材を供給して、前記ペレット、前記リード端子及び前記導線を該樹脂部材で覆う工程と、
前記樹脂部材、前記リード端子及び前記絶縁層から前記基材を分離する工程と、を備えることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項１２】
前記基材を分離する工程の後で、前記樹脂部材をダイシングして個片化する工程、をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項１３】
前記基材を分離する工程では、前記基材をエッチングして除去することを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項１４】
前記基材は銅板であることを特徴とする請求項１１から請求項１３の何れか一項に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項１５】
前記樹脂部材を個片化する工程では、
該樹脂部材のうちの、隣り合う前記リード端子間をダイシングすることを特徴とする請求項１１から請求項１４の何れか一項に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項１６】
電極部を有するペレットと、
前記ペレットの周囲に配置された、めっき層のみからなるリード端子と、
前記電極部と前記めっき層とを電気的に接続する導線と、
前記ペレットの前記電極部を有する面の反対側の面の少なくとも一部を覆う絶縁層と、
前記ペレット、前記リード端子及び前記導線を覆う樹脂部材と、を備え、
前記リード端子の前記導線と接続する面の反対側の面の少なくとも一部、及び、前記絶縁層の少なくとも一部は、前記樹脂部材からそれぞれ露出していることを特徴とする磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサ及び磁気センサ装置、磁気センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホール効果を利用した磁気センサとして、例えば、磁気（磁界）を検出してその大きさに比例したアナログ信号を出力するホール素子や、磁気を検出してデジタル信号を出力するホールＩＣが知られている。例えば特許文献１には、リードフレームと、ペレット（即ち、磁気センサチップ）及び金属細線を備えた磁気センサが開示されている。この磁気センサにおいて、リードフレームは外部との電気的接続を得るために四隅に配置された端子を有し、ペレットはリードフレームのアイランドに搭載されている。そして、ペレットが有する電極とリードフレームが有する各端子とが金属細線で接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−９５７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では電子機器の小型化等に伴い、磁気センサの小型、薄型化も進展している。例えば、磁気センサのパッケージング後の大きさ（即ち、パッケージサイズ）は、縦１．６ｍｍ、横０．８ｍｍ、厚さ０．３８ｍｍを実現している。また、ペレットをさらに薄くすることによって、パッケージサイズの厚さを０．３０ｍｍとすることも可能である。また、磁気センサの小型、薄型化をさらに進展させるために、アイランドを省いた構造（即ち、アイランドレス構造）も考えられる。
【０００５】
図１２は、本発明の比較形態に係る磁気センサ４００の構成例を示す概念図である。図１２に示すように、磁気センサ４００はアイランドレス構造を有し、ペレット３１０はモールド樹脂３５０で固定される。また、ペレット３１０の電極部は、金線３３１、３３２等を介して、ペレット３１０の周囲に配置されたリードフレームからなるリード端子部３２５、３２７に接続される。アイランドレス構造は、アイランドが無い分厚みを薄くできるので、磁気センサを十分に小型、薄型化することができる。
【０００６】
しかしながら、今後も電子機器の小型化や、電子機器内での各部品等の高密度実装化が進展するであろうことを予想すると、磁気センサについても、図１２に示す比較形態からさらに、小型、薄型化を進展させる必要がある。
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、アイランドレス構造であって、さらなる小型化と薄型化を可能とした磁気センサ及び磁気センサ装置、磁気センサの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る磁気センサは、電極部を有するペレットと、前記ペレットの周囲に配置された、めっき層を有するリード端子と、前記電極部と前記めっき層とを電気的に接続する導線と、前記ペレットの前記電極部を有する面の反対側の面の少なくとも一部を覆う絶縁層と、前記ペレット、前記リード端子及び前記導線を覆う樹脂部材と、を備え、前記リード端子の前記導線と接続する面の反対側の面の少なくとも一部、及び、前記絶縁層の少なくとも一部は、前記樹脂部材からそれぞれ露出していることを特徴とする。本発明において、「めっき層」とは、めっき法で形成された導電層を意味する。めっき法としては、例えば、電解めっき法、無電解めっき法、蒸着法が挙げられる。即ち、本発明において、めっき層は電解めっき法で形成してもよく、無電解めっき法で形成してもよく、蒸着法で形成してもよく、又は、これらの方法を組み合わせて形成してもよい。
【０００８】
また、上記の磁気センサにおいて、前記めっき層は、ニッケルを含むことを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサにおいて、前記めっき層は、金又は銀を含む第一めっき層と、前記第一めっき層の上方に形成されたニッケルを含む第三めっき層と、を有し、前記第一めっき層の少なくとも一部が、前記樹脂部材から露出していることを特徴としてもよい。
【０００９】
また、上記の磁気センサにおいて、さらに、前記第一めっき層と前記第三めっき層との間に形成された、パラジウムを含む第二めっき層を有することを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサにおいて、さらに、前記第三めっき層上に形成されたパラジウム、金又は銀を含む第四めっき層を有することを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサにおいて、前記第四めっき層と前記電極部とが前記導線で電気的に接続されていることを特徴としてもよい。
【００１０】
また、上記の磁気センサにおいて、当該磁気センサの裏面は、前記リード端子の少なくとも一部、及び、前記絶縁層の少なくとも一部が前記樹脂部材からそれぞれ露出している露出面であり、当該磁気センサの表面及び側面は、該樹脂部材から前記リード端子及び前記絶縁層が露出していない非露出面であることを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサにおいて、前記めっき層の厚さは、２μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴としてもよい。
【００１１】
また、上記の磁気センサにおいて、前記ペレットは、磁電変換素子であることを特徴としてもよい。
本発明の一態様に係る磁気センサ装置は、上記の磁気センサと、前記磁気センサが取り付けられる配線基板と、前記磁気センサの前記リード端子を前記配線基板の配線パターンに電気的に接続するハンダと、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様に係る磁気センサの製造方法は、基材と、前記基材の一方の面上に形成されためっき層で形成されたリード端子と、を備えるリードフレームを用意する工程と、前記基材の一方の面上であって前記リード端子から離れた位置に、絶縁層を介してペレットを載置する工程と、前記リード端子と前記ペレットが有する電極部とを導線で接続する工程と、前記基材の一方の面上に樹脂部材を供給して、前記ペレット、前記リード端子及び前記導線を該樹脂部材で覆う工程と、前記樹脂部材、前記リード端子及び前記絶縁層から前記基材を分離する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、上記の磁気センサの製造方法において、前記基材を分離する工程の後で、前記樹脂部材をダイシングして個片化する工程、をさらに備えることを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサの製造方法において、前記基材を分離する工程では、前記基材をエッチングして除去することを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサの製造方法において、前記基材は銅板であることを特徴としてもよい。
【００１４】
また、上記の磁気センサの製造方法において、前記樹脂部材を個片化する工程では、該樹脂部材のうちの、隣り合う前記リード端子間をダイシングすることを特徴としてもよい。
本発明の別の態様に係る磁気センサは、電極部を有するペレットと、前記ペレットの周囲に配置された、めっき層のみからなるリード端子と、前記電極部と前記めっき層とを電気的に接続する導線と、前記ペレットの前記電極部を有する面の反対側の面の少なくとも一部を覆う絶縁層と、前記ペレット、前記リード端子及び前記導線を覆う樹脂部材と、を備え、前記リード端子の前記導線と接続する面の反対側の面の少なくとも一部、及び、前記絶縁層の少なくとも一部は、前記樹脂部材からそれぞれ露出していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様によれば、アイランドレス構造の磁気センサであって、さらなる小型化と薄型化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気センサ１００の構成例を示す図。
【図２】リード端子２１の構成例を示す図。
【図３】リードフレーム１２０の構成例を示す図。
【図４】リードフレーム１２０の製造方法を工程順に示す図。
【図５】磁気センサ１００の製造工程を示す図。
【図６】磁気センサ１００の製造工程を示す図。
【図７】第１実施形態に係る磁気センサ装置２００の構成例を示す図。
【図８】第１実施形態の効果（４）を説明するための図。
【図９】第１実施形態の変形例に係る磁気センサ１００Ａの構成例を示す図。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る磁気センサ３００の構成例を示す図。
【図１１】磁気センサ３００の製造工程を示す図。
【図１２】本発明の比較形態に係る磁気センサ４００の構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。
＜第１実施形態＞
（構造）
図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気センサ１００の構成例を示す平面図と、短辺側から見た側面図、長辺側から見た側面図、裏面図及び斜視図である。なお、図１（ａ）〜（ｃ）では、磁気センサ１００の内部の構成を分かり易く説明するために、モールド樹脂を透視した状態を仮想して示している。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｅ）に示すように、磁気センサ１００は、アイランドレス構造であり、ペレット１０と、めっき層を有するリード端子２１〜２４と、複数の金属細線３１〜３４と、絶縁層４０と、モールド樹脂５０とを備える。
ペレット１０は、例えば磁電変換素子（ホール素子）である。ペレット１０は、例えば半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１と、このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（即ち、受感部）１２と、活性層１２に電気的に接続する電極部１３ａ〜１３ｄとを有する。活性層１２は、例えば平面視で十字（クロス）型であり、クロスの４つの先端部上にそれぞれ電極部１３ａ〜１３ｄが設けられている。平面視で向かい合う一対の電極部１３ａ、１３ｃがホール素子に電流を流すための入力端子であり、電極部１３ａ、１３ｃを結ぶ線と平面視で直交する方向で向かい合う他の一対の電極部１３ｂ、１３ｄがホール素子から電圧を出力するための出力端子である。ペレット１０の平面視による形状（以下、平面形状）は例えば正方形であり、一辺の長さは例えば０．１２ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下である。また、ペレット１０の厚さは、例えば０．０９ｍｍである。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、リード端子２１〜２４は、ペレット１０の周囲（例えば、ペレット１０の四隅近傍であって、該ペレット１０から離れた位置）にそれぞれ配置されている。ここで、上述したように、各リード端子２１〜２４は、例えばめっき層のみからなる。なお、各リード端子２１〜２４の平面形状は、どのような形状であってもよい。
図２は、リード端子２１の構成例を示す断面図である。リード端子２１は、例えばめっき層のみからなる。また、図２に示すように、このめっき層は例えば積層構造を有する。一例を挙げると、リード端子２１を構成するめっき層は、金又は銀を含む第一めっき層２６と、第一めっき層２６上に形成されたパラジウムを含む第二めっき層２７と、第二めっき層２７上に形成されたニッケルを含む第三めっき層２８と、第三めっき層２８上に形成されたパラジウム、金又は銀を含む第四めっき層２９とを有する。そして、第四めっき層２９と図１（ａ）に示した電極部１３ａとが金属細線３１で電気的に接続されている。
【００２０】
第一めっき層２６と第二めっき層２７は、磁気センサ装置において、磁気センサが取り付けられる配線基板の配線パターンに電気的に接続するハンダと、磁気センサのリード端子との濡れ性を良くする効果がある。第二めっき層２７は、第三めっき層２８の拡散をバリアーする層であり、第二めっき層２７があることにより第一めっき層２６を薄くできる効果もある。
【００２１】
また、第一めっき層２６と第二めっき層２７と第三めっき層２８は、後述の製造工程における基材を分離する工程において、基材をエッチングして除去する際に、即ち、エッチング液で前記基材を溶解する際に、基材と異なり、溶解耐性を有することで、リード端子にダメージを受けることなく、基材と分離する効果がある。また、第三めっき層２８は、比較的安価な材料で、リード端子自体の強度を増す効果がある。また、第四めっき層２９は、金属細線で熱圧着接続する際の相性の良い材料が選定される。
【００２２】
また、第一めっき層２６の少なくとも一部が、モールド樹脂５０から露出している。図２では、第１実施形態の一例として、磁気センサが取り付けられる配線基板の配線パターンにハンダを使用し電気的に接続する第一めっき層２６の全てがモールド樹脂５０の外側に配置されており（即ち、モールド樹脂５０から露出しており、）且つ、第二めっき層２７、第三めっき層２８と第四めっき層２８の全てがモールド樹脂５０の内側に配置されている（即ち、モールド樹脂５０で覆われている）場合を示している。
【００２３】
また、図２では、第１実施形態の一例として、第四めっき層２９と電極部１３ａ（図１参照）とが金属細線３１で電気的に接続されている場合を示している。
本実施形態において、リード端子は、その金属細線と接続する面（例えば、表面）の反対側の面（例えば、裏面）の少なくとも一部がモールド樹脂５０から露出していればよく、モールド樹脂５０から裏面の少なくとも一部が飛び出た形態であってもよいし、モールド樹脂５０に埋め込まれて裏面の少なくとも一部が露出している形態であってもよい。
【００２４】
磁気センサ１００は、磁性体であるＮｉ膜をリード端子２１に使用しているが、ペレット１０への磁気の影響は小さい。これは、Ｎｉめっき膜をリード端子２１に使用しているが、リード端子２１は磁気の影響を受けやすいペレット裏面から離れた位置であり、さらに、ペレット受感部から低い位置に配置されているからである。そのため、ペレット１０は磁性体であるＮｉからの磁気的な影響を受け難い。
【００２５】
めっき層のみからなるリード端子２１の総厚みＴ２は、磁電変換素子の感度（出力）のリニアリティの観点から、例えば２μｍ以上、５０μｍ以下であり、より好ましくは、５μｍ以上、３５μｍ以下である。
また、めっき層のみからなるリード端子２１のうち、モールド樹脂５０から露出している部分の厚さｔ２は、例えば、０μｍ以上、１０μｍ以下である。
【００２６】
なお、図２では、モールド樹脂５０から、リード端子２１のうちの第一のめっき層２６と第二のめっき層２７の厚み分が露出している形態を図示しているが、断面においてめっき層の厚み分がモールド樹脂５０から外側へ突出していない形態であっても（ｔ２＝０）、第一のめっき層２６の厚み分だけがモールド樹脂５０から露出している形態であっても（ｔ２＝第一のめっき層２６の厚み）、第三のめっき層２８の一部が露出するまでめっき層の厚み分がモールド樹脂５０から外側へ突出している形態（ｔ２＞第一のめっき層２６と第二のめっき層２７の厚み）であってもよい。
【００２７】
また、めっき層の断面形状は、長方形状であっても、平行四辺形状であっても、台形であっても、凹形状、又は、凸形状であってもよい。
さらに、第一めっき層２６、第二めっき層２７、第三めっき層２８及び第四めっき層２９のうち、ニッケルを含む第三めっき層２８の厚みを最も厚くしてもよい。これにより、リード端子２１を安価に形成することができる。なお、図示しないが、リード端子２２〜２４も、図２に示したリード端子２１と同じ構造で、同じ厚みを有する。
【００２８】
図１に戻って、金属細線３１〜３４は、ペレット１０が有する電極部１３ａ〜１３ｄと、リード端子２１〜２４をそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば金（Ａｕ）からなる。図１（ｂ）に示すように、金属細線３１はリード端子２１と電極部１３ａとを電気的に接続し、金属細線３２はリード端子２２と電極部１３ｂとを電気的に接続している。また、金属細線３３はリード端子２３と電極部１３ｃとを電気的に接続し、金属細線３４はリード端子２４と電極部１３ｄとを電気的に接続している。
【００２９】
絶縁層４０は、ペレット１０の電極部１３ａ〜１３ｄを有する面（即ち、表面）の反対側の面（即ち、裏面）の少なくとも一部、好ましくは全面を覆っている。図１（ｄ）では、第１実施形態の一例として、絶縁層４０がペレット１０の裏面全体を覆っている場合を示している。
絶縁層４０は、その成分として、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂と、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂と、バインダ樹脂とを含む。絶縁層４０のうち、ペレット１０の裏面を覆っている部分の絶縁層４０の厚さは、例えば２μｍ以上、５０μｍ以下で、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。
【００３０】
モールド樹脂５０は、ペレット１０と、めっき層のみからなるリード端子２１〜２４の少なくとも表面側（即ち、金属細線と接続する面側）及び金属細線３１〜３４を覆って保護（即ち、樹脂封止）している。モールド樹脂５０は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。磁気センサ１００の裏面側（即ち、配線基板に実装する側）では、リード端子２１〜２４の裏面（金属細線と接続する面の反対側の面）の少なくとも一部、及び、絶縁層４０の少なくとも一部が、モールド樹脂５０からそれぞれ露出している。図１（ｄ）では、第１実施形態の一例として、リード端子２１〜２４の裏面、及び、絶縁層４０の裏面が、モールド樹脂５０からそれぞれ露出している場合を示している。
【００３１】
図１（ｅ）に示すように、モールド樹脂５０の樹脂封止後の形状（即ち、パッケージングの形状）は、例えば直方体である。図１（ａ）〜（ｅ）に示すように、磁気センサ１００の長辺方向の長さをＬ１とし、短辺方向の長さ（即ち、幅）をＷ１とし、磁気センサ１００の厚みをＴ１としたとき、長さＬ１は例えば０．６ｍｍ以上、１．６ｍｍ以下、幅Ｗ１は例えば０．３ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下、厚みＴ１は例えば０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下である。特に、厚みＴ１は、０．２ｍｍ以下（実際は、０．２ｍｍよりも小さい、０．１８ｍｍ以下）という薄型化を実現している。
【００３２】
図１（ｄ）に示したように、磁気センサ１００の裏面は、各リード端子２１〜２４の裏面、及び、絶縁層４０の裏面がモールド樹脂５０からそれぞれ露出している露出面である。また、磁気センサ１００の表面及び側面は、モールド樹脂５０から各リード端子２１〜２４及び絶縁層４０が露出していない非露出面である。
【００３３】
（動作）
上記の磁気センサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合は、例えば、リード端子２１を電源電位（＋）に接続すると共に、リード端子２３を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子２１からリード端子２３に電流を流す。そして、リード端子２２、２４間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。ホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。
【００３４】
（製造方法）
次に、上述した磁気センサ１００の製造方法について説明する。
（１）リードフレームの準備工程
まず始めに、めっき層のみからなるリード端子２１〜２４が形成されたリードフレーム１２０を用意する。
図３は、リードフレーム１２０の構成例を示す平面図である。図３に示すように、リードフレーム１２０は、基材として例えば銅板１２１と、銅板１２１の一方の面（例えば、表面）１２１ａ上に形成された複数のリード端子２１〜２４とを有する。例えば、銅板１２１の表面１２１ａ上には複数のペレット載置領域が設定されており、各ペレット載置領域を平面視で囲むように一組のリード端子２１〜２４がそれぞれ形成されている。即ち、銅板１２１の表面１２１ａ上にリード端子２１〜２４が多面付けで形成されている。
【００３５】
図４（ａ）〜（ｅ）は、リードフレーム１２０の製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｅ）の各断面は、図３に示したリードフレーム１２０をＸ−Ｘ´線で切断した断面に対応している。
基材上に、めっき層を設ける工程としては、以下の各工程を用いることができる。例えば、基材として銅板１２１を用意する工程（図４（ａ））、銅板１２１の両面にレジストフィルム１２３を形成し、銅板１２１表面のレジストフィルム１２３を露光・現像等により、めっき層のリード端子を形成するレジストパターン１２４を形成する工程（図４（ｂ））、レジストパターン１２４が形成された銅板１２１をアルカリ性や酸性の液で前処理する工程（図４（ｃ））、順にＡｕやＰｄ、Ｎｉ、Ｐｄ等のめっきを行ってめっき層２１を形成する工程（図４（ｄ））、銅板１２１からレジストフィルム１２３及びレジストパターン１２４を除去する工程（図４（ｅ））等が挙げられる。めっき層２１と封止樹脂との密着性やアンカー効果を向上させるため、めっき層２１に粗面や柱状構造を形成してもよい。
【００３６】
（２）ペレットのピックアップ工程
上述したようにリードフレーム１２０を用意した後、このリードフレーム１２０のペレット載置領域にペレットを取り付けるために、半導体ウエーハをダイシングしてペレットをピックアップする。
図５（ａ）〜（ｃ）は、磁気センサ１００の製造工程のうちの、ペレットのピックアップ工程を示す模式図である。図５（ａ）に示すように、まず、ダイアタッチフィルム１４０を用意する。ダイアタッチフィルム１４０は、フィルム基材１３５と、フィルム基材１３５の一方の面上に配置された粘着性のある絶縁層４０とを有する。このダイアタッチフィルム１４０の粘着性のある絶縁層４０に、複数のペレット１０が作り込まれた半導体ウエーハ１６０の裏面（即ち、活性層１２及び電極部１３ａ〜１３ｄを有する面の反対側の面）を接触させて接着する（即ち、ウエーハマウントを行う）。
【００３７】
なお、この第１実施形態では、粘着性のある絶縁層４０の粘着力を調整する処理を行っても良い。その理由は、後述する図５（ｂ）の工程では粘着性のある絶縁層４０によるペレット１０とフィルム基材１３５との接着を維持しつつ、図５（ｃ）の工程では粘着性のある絶縁層４０がフィルム基材１３５から剥がれ易くするためである。この粘着力を調整する処理は、ウエーハマウントを行うタイミング又はその前後のタイミングで行う。
【００３８】
例えば、ウエーハマウントを行う際に、ダイアタッチフィルム１４０をステージを介して加熱して、粘着性のある絶縁層４０の成分の一つであるバインダ樹脂成分の粘着力を高め、半導体ウエーハ１６０と粘着性のある絶縁層４０をより強く粘着する方向に調整してもよい。また、ウエーハマウントを行った後で、ダイアタッチフィルム１４０の粘着性のある絶縁層４０を有する面の反対側から、該ダイアタッチフィルム１４０に向けてＵＶを照射して、粘着性のある絶縁層４０の成分の一つであるＵＶ硬化型樹脂成分を硬化させ、固くなることによりダイシングが容易になる方向に、またダイボンド時にフィルム基材１３５と粘着性のある絶縁層４０との粘着力を小さくする方向に調整してもよい。上記のように、ステージを介した加熱又はＵＶ照射の少なくとも一方を行うことにより、粘着性のある絶縁層４０の粘着力を高めたり、多少硬化させて、その粘着力を小さくする方向に調整することが可能である。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に示すように、例えばブレード１７０を用いて半導体ウエーハ１６０をダイシングして、半導体ウエーハ１６０に作り込まれた複数のペレット１０を個片化する。ここでは、半導体ウエーハ１６０のみならず粘着性のある絶縁層４０も一緒にダイシングする。
次に、図５（ｃ）に示すように、針状の突き上げピン１８０でペレット１０の裏面を押し上げると共に、ペレット１０の表面をコレット１９０で吸着して持ち上げる（即ち、ピックアップする）。なお、ダイアタッチフィルム１４０の粘着性のある絶縁層４０は、上述したように、例えば加熱又はＵＶ照射の少なくとも一方を行うことによってフィルム基材１３５との粘着力を小さくする方向に予め調整されている。このため、ペレット１０をピックアップする工程では、粘着性のある絶縁層４０はペレット１０の裏面に接着した状態で、フィルム基材１３５から剥離する。
【００４０】
（３）ペレットの取付け〜ダイシング工程
図６（ａ）〜（ｅ）は、磁気センサ１００の製造工程のうちの、ペレットの取付けからダイシング工程までを示す断面図である。なお、図６（ａ）〜（ｅ）の各断面は、図３に示したリードフレーム１２０をＸ−Ｘ´線で切断した断面に対応している。
図６（ａ）に示すように、まず、銅板１２１の表面１２１ａ上であって、リード端子２１〜２４で囲まれたペレット載置領域に、ペレット１０を載置する（即ち、ダイボンディングを行う。）。ここでは、ペレット１０の裏面を粘着性のある絶縁層４０を介して、銅板の表面１２１ａのペレット載置領域にコレット１９０で一定の加重をかけて載せる。この載置後、熱処理（キュア）を実施し、粘着性のある絶縁層４０の成分（例えば、エポキシ樹脂系の熱効果型樹脂成分）を硬化させて、ペレット１０の裏面と銅板１２１ａとを十分な強度で接着させた絶縁層４０を得る。
【００４１】
次に、図６（ｂ）に示すように、金属細線３１〜３４の一端をリード端子２１〜２４にそれぞれ接続し、金属細線３１〜３４の他端をペレット１０表面の電極部１３ａ〜１３ｄにそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う。）。そして、図６（ｃ）に示すように、モールド樹脂５０を形成する（即ち、樹脂封止を行う。）。この樹脂封止は、例えばトランスファーモールド技術を用いて行う。
【００４２】
例えば図６（ｃ）に示すように、リードフレーム１２０が配置される下金型９１とモールド樹脂が充填され磁気センサ本体となる上金型９２とを備えるモールド金型９０を用意し、このモールド金型９０のキャビティ内にワイヤーボンディング後のリードフレーム１２０を配置する。
一方、銅板１２１自体をリードフレームにする場合がある。この場合では、下金型、上金型のトータルのキャビティの深さが磁気センサ本体の厚さとなる。モールド樹脂を充填する際、樹脂が注入されるゲートは、上金型に形成されるので、磁気センサ本体の厚さを薄くしたい場合、ゲートの厚さは、下金型の深さ分、薄くなり、支障を来すことになる。例えば、リードフレームの厚さが０．１２５ｍｍで、磁気センサ本体の厚さに０．２ｍｍを狙った場合、上金型の厚さが０．０７５ｍｍとなり、ゲートが０．１ｍｍ以下となるとモールド樹脂５０の注入が困難になり、モールド樹脂の未充填部分が発生する。第一実施形態においては、上金型のキャビティ深さが磁気センサ本体の厚さとなるので、０．１ｍｍ以上の厚さのゲートを形成でき、問題は回避できる。
【００４３】
次に、キャビティ内であって、銅板１２１の表面１２１ａ上に溶融したモールド樹脂５０を注入し、充填する。これにより、ペレット１０と、リード端子２１〜２４及び金属細線３１〜３４を樹脂封止する。冷却によりモールド樹脂５０が硬化したら、該モールド樹脂５０が成型されたリードフレーム１２０をモールド金型９０から取り出す。上金型９２のキャビティの深さがそのままモールド樹脂５０の厚み、即ち、図１（ｃ）に示した磁気センサ１００の厚みＴ１となる。なお、樹脂封止後は任意の工程で、モールド樹脂５０の表面に例えば符号等（図示せず）をマーキングしてもよい。
【００４４】
次に、図６（ｄ）に示すように、モールド樹脂５０、リード端子２１〜２４及び絶縁層４０から銅板１２１を分離する。この銅板１２１を分離する工程では、例えば、銅板１２１をその裏面（即ち、表面１２１ａの反対側の面）１２１ｂ側からエッチングして除去する。これにより、銅板１２１をモールド樹脂５０、リード端子２１〜２４及び絶縁層４０から分離する。銅板１２１のエッチングには、例えば塩化第２銅を含むエッチング液、又は、塩化第２鉄を含むエッチング液等、リード端子２１〜２４に対してエッチング耐性のあるエッチング液等を使用する。
【００４５】
次に、図６（ｅ）に示すように、モールド樹脂５０のリード端子２１〜２４を有する面の反対側の面（即ち、表面）にダイシングテープ９３を貼付する。そして、ブレードの厚さに応じた図３のカーフ幅と示した幅で、モールド樹脂５０に対してブレードを相対的に移動させて、モールド樹脂５０を切断する（即ち、ダイシングを行う）。このダイシングでは、モールド樹脂５０のカーフ幅に相当する領域をブレードで切削して除去し、磁気センサ本体に個片化する。以上の各工程を経て、図１（ａ）〜（ｅ）に示した磁気センサ１００が完成する。
【００４６】
（４）配線基板への取付工程
図７は、本発明の第１実施形態に係る磁気センサ装置２００の構成例を示す断面図である。磁気センサ１００が完成した後は、例えば図７に示すように配線基板２５０を用意し、この配線基板２５０の一方の面に磁気センサ１００を実装する。この実装工程では、例えば、各リード端子２１〜２４のうち、モールド樹脂５０から露出している裏面を、ハンダ７０を介して配線基板２５０の配線パターン２５１に接続する。このハンダ付けは、例えばリフロー方式で行うことができる。リフロー方式は、配線パターン２５１上にハンダペーストを塗布（即ち、印刷）し、その上にリード端子２１〜２４がそれぞれ重なるように配線基板２５０上に磁気センサ１００を載置し、この状態でハンダペーストに熱を加えてハンダを溶かす方法である。実装工程を経て、図７に示すように、磁気センサ１００と、磁気センサ１００が取り付けられる配線基板２５０と、磁気センサ１００の各リード端子２１〜２４を配線基板２５０の配線パターン２５１に電気的に接続するハンダ７０と、を備えた磁気センサ装置２００が完成する。
第１実施形態では、金属細線３１〜３４が本発明の「導線」に対応し、粘着性のある絶縁層４０が本発明の「絶縁層」に対応している。また、モールド樹脂５０が本発明の「樹脂部材」に対応している。
【００４７】
（第１実施形態の効果）
本発明の第１実施形態は、以下の効果を奏する。
（１）各リード端子２１〜２４は、例えばめっき層のみからなる。これにより、リード端子２１〜２４の厚みをリードフレームと比べて薄くすることができる。例えば、銅板等からなるリードフレームの厚みは数百μｍであるのに対し、めっき層は２〜５０μｍという極めて薄い厚みに形成することができる。
【００４８】
そして、ペレット１０の表面と各リード端子２１〜２４表面の高低差を大きくすることができる。これにより、金属細線３１〜３４を低ループ化する（即ち、金属細線３１〜３４のペレット１０表面からの高さを低くする）ことができ、モールド樹脂５０の厚みを薄くすることができる。従って、アイランドレス構造の磁気センサについて、さらなる小型化と薄型化（即ち、低背化）が可能となる。
【００４９】
（２）また、金属細線３１〜３４を低ループ化できるので、モールド金型９０を用いてモールド樹脂５０を形成する際に、キャビティの上面と金属細線３１〜３４との間にマージンを容易に確保することができる。これにより、溶融したモールド樹脂をキャビティへ導入することが容易となる。さらに、リード端子２１〜２４が薄いため、上金型のキャビティ深さが磁気センサ本体の厚さとなるので、０．１ｍｍ以上の厚さのゲートを形成でき、リード端子２１〜２４で囲まれているペレット１０の周囲にモールド樹脂５０を未充填無く注入することが容易となる。
【００５０】
（３）また、銅板１２１を分離する工程では、この銅板１２１をエッチングしてモールド樹脂５０、リード端子２１〜２４及び絶縁層４０から分離する。つまり、銅板１２１に物理的な力を加えて引き剥がすのではなく、化学的に分離する。これにより、銅板１２１を分離する際に、銅板１２１と共に絶縁層４０がペレット１０裏面から剥がれたり、銅板１２１と共にリード端子２１〜２４がモールド樹脂５０から剥がれたりすることを防ぐことができる。従って、磁気センサの歩留まりの向上に寄与することができる。
【００５１】
（４）また、アイランドレス構造の磁気センサにおいて、ペレット１０の裏面の少なくとも一部（より好ましくは、ペレット１０の裏面全体）は絶縁層４０で覆われている。これにより、磁気センサ１００を配線基板２５０に取り付ける際に、例えば図８に示すように、電源に接続されるリード端子２１下からペレット１０の下方までハンダ７０がはみ出した場合でも、ペレット１０とハンダ７０との間には絶縁層４０が介在する。このため、ペレット（半導体）とハンダ（金属）との間でショットキー接合が形成されることを防ぐことができ、該ショットキー接合の順方向（即ち、金属から半導体に向かう方向）に電流が流れることを防ぐことができる。従って、アイランドレス構造の磁気センサにおいてペレットを薄型化した場合でも、リーク電流の増大を防止することができる。
【００５２】
（５）また、ハンダ７０等と電気的に接続する第一めっき層２６は、金又は銀を含む。さらに、金属細線３１〜３４と電気的に接続する第四めっき層がパラジウム、金又は銀を含む。これにより、ハンダ７０とリード端子２１〜２４との接合強度、及び、リード端子２１〜２４と金属細線３１〜３４との接合強度をそれぞれ高くすることができる。
（６）また、ワイヤーボンディング工程では、金属細線３１〜３４の一端が接合されるペレット１０、及び、金属細線３１〜３４の他端が接合されるリード端子２１〜２４は、銅板１２１の表面１２１ａ上にそれぞれ配置されている。銅板１２１を下地に金属細線３１〜３４の接合が行われるので、ワイヤーボンディングのフォース（荷重）や超音波パワーが分散することを抑制でき、接合を安定に行うことができる。
【００５３】
（７）また、モールド樹脂５０をカーフ幅に沿って切削するダイシング工程では、モールド樹脂５０のみを切断すればよい。即ち、従来技術ではモールド樹脂とリードフレームのタイバーとを一緒に切削する必要があったが、本発明ではダイシングの際に銅板１２１を既に分離、除去しているため、モールド樹脂５０のみを切削すればよい。従って、本発明では、カーフ幅はタイバーの幅（例えば、０．２ｍｍ）に依存せず、カーフ幅を従来よりも小さい値（例えば、０．２ｍｍ未満）に設定することができる。これにより、ダイシングでの切削面積を減らすことができ、モールド樹脂の無駄を減らすことができるので、磁気センサの生産効率を高めることができる。
また、本発明では、ダイシング工程でモールド樹脂のみを切削すればよい。材質が異なるモールド樹脂とダイバーとを重ねた状態で切削する必要はないので、ダイシング工程の容易化に寄与することができる。
【００５４】
（変形例）
（１）上記の第１実施形態では、図６（ｄ）に示した銅板の分離工程で、銅板をエッチングして除去する場合について説明した。しかしながら、本発明において、銅板の分離方法はエッチングに限定されるものではない。例えば、銅板の分離はエッチングのような化学的方法ではなく、銅板をモールド樹脂等から引き剥がす等の物理的方法であってもよい。このような方法であっても、図１（ａ）〜（ｅ）に示した磁気センサ１００を形成することができる。また、その場合、銅板以外にも、ＳＵＳ板等も使用できる。
【００５５】
（２）また、上記の第１実施形態では、図１（ａ）及び（ｄ）に示したように、めっき層のみからなるリード端子２１〜２４の平面形状が長方形の場合について説明した。しかしながら、本発明において、リード端子の平面形状は長方形に限定されるものではない。本発明において、リード端子の平面形状は、長方形以外の多角形等どのような形状であってもよい。
【００５６】
図９（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態の変形例に係る磁気センサ１００Ａの構成例を示す平面図と、短辺側から見た側面図、長辺側から見た側面図、裏面図及び斜視図である。なお、図９（ａ）〜（ｃ）では、磁気センサ１００Ａの内部の構成を分かり易く説明するために、モールド樹脂を透視した状態を仮想して示している。図９（ａ）及び（ｄ）に示すように、めっき層のみからなるリード端子２１〜２４の平面形状は、例えば五角形でもよい。
【００５７】
また、ペレット１０の平面形状が矩形（即ち、正方形又は長方形）の場合、各リード端子２１〜２４の平面形状は、ペレット１０の外周のうち該リード端子２１〜２４と対向する辺に平行な一辺を有する形状であることが好ましい。例えば図９（ａ）〜（ｅ）に示す変形例では、ペレット１０の平面形状は略正方形であり、リード端子２１の平面形状は、ペレット１０の外周のうち該リード端子２１と対向する辺１０ａに平行な一辺２１ａを有する五角形である場合を示している。また、リード端子２２〜２４についても、リード端子２１と同様の五角形である場合を示している。
これにより、ペレット１０と各リード端子２１〜２４との離間距離を大きくすることができるので、リード端子２１〜２４にニッケル等の安価な磁性体を用いた場合でも、該磁性体がペレット１０に与える磁気の影響をさらに低減することができる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
上記の第１実施形態では、ペレット１０の裏面を覆う絶縁層として、ダイアタッチフィルム（即ち、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）の粘着性のある絶縁層４０を用いる場合について説明した。しかしながら、本発明において、絶縁層はダイアタッチフィルムの粘着性のある絶縁層に限定されるものではない。絶縁層として、例えば絶縁ペーストを用いてもよい。第２実施形態では、この点について説明する。
【００５９】
（構成）
図１０（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気センサ３００の構成例を示す平面図と、短辺側から見た側面図、長辺側から見た側面図、裏面図及び斜視図である。なお、図１０（ａ）〜（ｅ）では、磁気センサ３００の内部の構成を分かり易く説明するために、モールド樹脂を透視した状態を仮想して示している。
【００６０】
図１０（ａ）〜（ｅ）に示すように、磁気センサ３００は、ペレット１０と、リードフレーム１２０と、複数の金属細線３１〜３４と、ペレット１０の電極部１３ａ〜１３ｄを有する面の反対側の面（即ち、表面）の少なくとも一部を覆う絶縁ペーストと、モールド樹脂５０とを備える。
これらの中で、絶縁ペースト２４０は、その成分として例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、フィラーとしてシリカ（ＳｉＯ２）を含む。第２実施形態では、この絶縁ペースト２４０によって、例えば、ペレット１０の裏面（即ち、活性層１２を有する面の反対側の面）全体が覆われている。絶縁ペースト２４０のうち、ペレット１０の裏面を覆っている部分の厚さは、フィラーサイズで決まり、例えば５μｍ以上である。なお、磁気センサ３００の、絶縁ペースト２４０以外の構成は、例えば第１実施形態で説明した磁気センサ１００と同じである。また、磁気センサ３００の動作も、磁気センサ１００と同じである。
【００６１】
（製造方法）
次に、磁気センサ３００の製造方法について説明する。
図１１（ａ）〜（ｃ）は、磁気センサ３００の製造工程を示す平面図である。第２実施形態では、第１実施形態と同様の方法で、図１１（ａ）に示すようなリードフレーム１２０を準備する。
次に、図１１（ｂ）に示すように、銅板１２１の表面１２１ａのうち、リード端子２１〜２４で囲まれた領域に絶縁ペースト２４０を塗布する。ここでは、完成後の磁気センサ３００において、例えば、ペレット１０の裏面の一部がモールド樹脂５０から露出することがないように、絶縁ペースト２４０の塗布条件（例えば、塗布する範囲、塗布する厚さ等）を調整する。
【００６２】
次に、第１実施形態と同様の方法で、ペレットのピックアップ工程を行う。そして、図１１（ｃ）に示すように、銅板１２１の表面１２１ａのうち、絶縁ペースト２４０が塗布された領域にペレット１０を載置する（即ち、ダイボンディングを行う。）。さらに、ボンディング後に熱処理（即ち、キュア）を行って、絶縁ペースト２４０を硬化させる。これ以降の工程は、第１実施形態と同じである。
【００６３】
即ち、図６（ｂ）に示したようにワイヤーボンディングを行い、図６（ｃ）に示したように樹脂封止を行う。次に、図６（ｄ）に示したように、絶縁ペースト２４０及びモールド樹脂５０から銅板１２１を分離する。そして、図６（ｅ）に示したように、モールド樹脂５０を第１実施形態と同様にダイシングする。このような工程を経て、図１０（ａ）〜（ｅ）に示した磁気センサ３００が完成する。
第２実施形態では、絶縁ペースト２４０が本発明の「絶縁層」に対応している。その他の対応関係は第１実施形態と同じである。
【００６４】
（第２実施形態の効果）
第２実施形態は、第１実施形態の効果（１）〜（７）と同様の効果を奏する。
（変形例）
第１実施形態で説明した変形例（１）（２）は、第２実施形態にも適用してよい。
＜その他＞
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えてもよく、また、各実施形態を任意に組み合わせてもよく、そのような変更が加えられた態様も本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６５】
１０  ペレット
１１  ＧａＡｓ基板
１２  活性層
１３ａ〜１３ｄ  電極部
２１  リード端子（例えば、電源端子）
２２、２３  リード端子
２４  リード端子（例えば、接地端子）
２６  第一めっき層
２７  第二めっき層
２８  第三めっき層
２９  第四めっき層
３１〜３４  金属細線
４０  粘着性のある絶縁層、絶縁層
５０  モールド樹脂
７０  ハンダ
９０  モールド金型
９１  下金型
９２  上金型
９３  ダイシングテープ
１００、１００Ａ、３００  磁気センサ
１２０  リードフレーム
１２１  銅板
１２１ａ  表面
１２１ｂ  裏面
１２３  レジストフィルム
１２４  レジストパターン
１３５  フィルム基材
１４０  ダイアタッチフィルム
１５０  配線基板
１６０  半導体ウエーハ
１７０  ブレード
１８０  ピン
１９０  コレット
２００  磁気センサ装置
２４０  絶縁ペースト
２５０  配線基板
２５１  配線パターン
【図１】
2015090350.tif 000003
【図２】
2015090350.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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