(57)【要約】【課題】電子ビーム蒸着法を用いてもシワなく蒸着が出来、絶縁層シートと２２０℃のプレス条件やのラミネート条件で張り合わせた後に剥離でき、作製できるような表面粗さが小さい銅箔を提供する。【解決手段】フィルムの一方の面に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層の上に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、該剥離層はフィルム側から金属層および炭素層がこの順に形成され、該銅層は表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムの一方の面に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層の上に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、該剥離層はフィルム側から金属層および炭素層がこの順に形成され、該銅層は表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔。
【請求項２】
該金属層は、アルミニウム、亜鉛、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項３】
該炭素層は、厚みが０．０５〜０．５０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項４】
該銅層は、厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下であり、大きさが５μｍ以上のピンホール数が１平方ｍあたり１個以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項５】
該フィルムは、厚みが２５μｍ以上１５０μｍ以下であり、剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、１２０℃、３０分で熱処理した後の熱収縮率がＭＤ方向（長手方向）、ＴＤ方向（幅方向）いずれも２．０％以下であり、かつ、融点が２２０℃以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント配線板用途に好適に使用される離型フィルム付銅箔に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（以下、「半導体素子」）は、近年、高性能化、多機能化が進んでいる。このため、半導体素子の端子間ピッチは狭ピッチ化が求められており、半導体素子が搭載されるプリント配線板であるパッケージ基板等も配線パターンの微細化が求められている。
【０００３】
プリント配線板の配線パターンを形成する方法は、銅張積層板の銅層をエッチング加工することにより製造されてきた。エッチングによる加工法は、例えばサブトラクティブ法がある。サブトラクティブ法は銅張積層板から不要な銅層部分を取り除いて回路を形成する方法であり、配線として残したい部分にインクや塗料を塗布して覆い、金属腐食性の薬品で銅層をエッチングして必要な回路を形成する方法である。
【０００４】
近年の小型軽量化の図られた電子機器等に搭載するプリント配線板は、部品実装密度を向上させ狭小領域に配置されるため、ファインピッチ回路を形成することが求められてきた。
【０００５】
配線材料には銅箔が好適に用いられ、この要求に応えるために銅箔の厚みを小さくすることが求められていた。ところが、薄い銅箔を使用するほど銅箔のハンドリングが困難となり、シワ等の欠陥が発生しやすくなる。銅箔にシワやピンホールがあると、プレス成型時に銅箔のシワ部分から亀裂が発生し、流動化したプリプレグ中の樹脂が亀裂からしみ出し、銅張積層板の表面が汚染されたり、銅箔の平坦度を損ねたりするおそれがある。これら銅張積層板の欠陥は、その後のプリント配線板製造工程において形成される配線回路のショートや断線等をおこす原因となる。  
【０００６】
またフレキシブルタイプの銅張積層板を製造する場合のロールラミネート、キャスティング法等のプレス加工とは異なる方法を用いた場合でも銅箔に存在したシワは、銅張積層板の状態になった以降もその表面に凹凸として残り、同様の問題をおこす。
【０００７】
この問題を解決するため様々な提案がなされている。例えば、銅箔をキャリアとして用いたキャリア箔付銅箔が提案されている（例えば、特許文献１）。銅箔のようなキャリア箔にグラファイト構造を有するカーボン層を接合界面層として、この接合界面層上にスパッタリング法により銅膜を形成した後、この銅膜上に電解めっき法により銅層を形成する方法である。この銅膜の表面粗さは、キャリア箔に依存することとなり、表面粗さＲａが０．２０μｍ程度の銅箔が得られる。
【０００８】
また、キャリアに有機フィルムを用いたものがある（例えば、特許文献２）。プラスチックフィルムを支持体として、離型層を水溶性セルロース樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、水溶性アクリル樹脂のいずれかを用い、物理蒸着法によって銅を形成する方法である。この方法では表面粗さがプラスチックフィルムに依存するため、表面粗さＲａが０．０９μｍ以下のものが得られる。
【０００９】
また、極薄銅箔のピンホールを良好に低減するような提案がなされている（例えば特許文献３）。キャリア箔に積層された中間層をニッケル−リン合金またはニッケル−コバルト合金とクロムをこの順に積層することによって極薄銅箔のピンホールを低減したものであり、ピンホール数は５〜１０個／ｄｍ２の銅箔が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−２５５４６２号公報
【特許文献２】特開２００９−２３１７９０号公報
【特許文献３】特開２０１３−１６６９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、近年、回路システムにおける高速動作を実現するために、高周波信号を伝送可能な配線基板が要求されている。一般に、配線基板の導体層に高周波信号を伝送させる場合は、導体表面の近傍に電流が集中する表皮効果が生じ、周波数が高くなるほど表皮効果の影響によって導体損失が増加していく。そして、導体層の表面が粗い場合は表皮効果により電流が導体表面の凹凸部分を集中的に流れることになるため、導体損失の増加が顕著となる。したがって高周波信号を伝送可能な配線基板を作製するためには表面粗さＲａが０．１０μｍ以下の平滑な銅箔である必要がある。
【００１２】
特許文献１のようなキャリアシート付銅箔の場合では、主に銅箔などの金属箔に電解めっき法で銅層を作製するため、表面粗さを小さくすることは難しく、銅箔の表面粗さＲａは０．２０μｍ以上のものとなってしまう。めっき液のレベリング性を向上して平滑な銅層を作製するように組成を変更しても表面粗さＲａが０．１０μｍ以下の極薄銅箔を作製することは難しい。また、キャリア箔に蒸着によって銅層を設けようとしても、蒸着時にキャリア箔にかかる熱により熱膨張が生じシワ等が発生してしまう。シワの発生なく蒸着するためには厚みが限られる。実際に蒸着法のみを用いてロールトゥロールでシワなく銅層を設けるにはアルミ箔や銅箔の場合、０．２μｍ以上の厚みを成膜することは困難であるし、熱膨張の小さいモリブデン箔を用いたとしても０．５μｍ以上の厚みの成膜は困難である。ここでキャリアシートと銅箔を剥離する剥離層は金属層と炭素層が用いられているが、選択される金属層はカーボンと安定的に結合可能な金属が採用されており、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、ニッケル、クロム、チタン、鉄、ケイ素、モリブデン、バナジウム、タングステンが挙げられている。しかし、スパッタリング法などの物理蒸着法で金属層を作製する場合、金属種によってスパッタレートが異なる。実際にケイ素、バナジウム、タンタル、タングステンはスパッタレートが低いため、層を形成するためには搬送速度を遅くしたり、スパッタ出力を増大したりする必要があるため困難である。
【００１３】
また蒸着で銅層を形成する場合、表面状態は基材の表面に依存するため、基材の表面粗さが小さい基材を選定すれば結果として表面粗さの小さい銅層を形成することが出来る。しかし、蒸着で作製した銅層はピンホールを生じ、ピンホールが存在すると回路パターンを作製した時に断線などに繋がってしまう。そこで、実績としてピンホール数が少ない蒸着法として電子ビーム蒸着法が選ばれる。実際、抵抗加熱蒸着法、誘導加熱蒸着法などの他の真空蒸着法と比べると、電子ビーム蒸着法の１平方メートルあたりの５．０μｍ以上のピンホール数は１オーダー以上少ない。また、生産効率がよく、他の真空蒸着法の５倍以上の成膜速度が実現できるのも電子ビーム蒸着法の優れた点である。
【００１４】
特許文献２のような金属膜付フィルムの場合、表面粗さＲａは０．０９μｍ以下となり、高周波用途に適した金属膜を作製することができる。しかし、ピンホールが少ない金属膜を作製しようとしたり、より生産効率を高めたりしようとすると電子ビーム蒸着法でないと実現が難しい。ここで、特許文献２のように離型層を水溶性セルロース樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、水溶性アクリル樹脂のいずれかを選択した場合、１００℃以上の熱処理を行うと離型層とプラスチックフィルムが剥がれなくなってしまう。この原因は蒸着する金属に電子ビームが照射されるときに生じる２次電子によって離型層、プラスチックフィルムが電子線崩壊したり、離型層とプラスチックフィルムが界面で結合したりすることにある。絶縁層と貼りあわせるためには１００℃以上の熱処理は必要であり、熱処理によってプラスチックフィルムは剥がれなくなってしまう。
【００１５】
また特許文献３のような中間層を離型層として用いた場合、めっき法で銅層を作製する場合においてはピンホールを低減できるかもしれないが、作製された銅膜のピンホール数は５個／ｄｍ２以上であり、プリント配線板用途として用いるにはかなり多い。ピンホール数を少なくするために電子ビーム蒸着法によって銅膜を作製しようとするとキャリアとして箔を用いているため、上述の特許文献１の場合と同じ理由で０．２μｍ以上の厚みを成膜することは困難であるし、熱膨張の小さいモリブデン箔を用いたとしても０．５μｍ以上の厚みの成膜は困難である。
【００１６】
そこで本発明では、電子ビーム蒸着法を用いて銅層を作製し、プレスやラミネートによる熱処理を行った後、銅層と離型付フィルムを剥離することができ、かつ高周波信号を伝送可能な配線基板を作製できるような離型フィルム付銅箔を作製することを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、表面粗さが低い有機フィルムに炭素層を離型層として選択し、炭素層と有機フィルムの間に金属層を設けることによって、電子ビーム蒸着法を用いて銅層を形成し、プレスやラミネートの熱処理温度で使用される１６０〜２２０℃の加熱処理を行っても銅層と離型付フィルムが剥離可能な離型フィルム付銅箔を得るに至った。
【００１８】
すなわち、本発明は、フィルムの一方の面に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層の上に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、該剥離層はフィルム側から金属層および炭素層がこの順に形成され、該銅層は表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
【００１９】
好ましい態様は、該金属層は、アルミニウム、亜鉛、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
【００２０】
好ましい態様は、該炭素層は、厚みが０．０５〜０．５０ｎｍであることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
【００２１】
好ましい態様は、該銅層は、厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下であり、大きさが５μｍ以上のピンホール数が１平方ｍあたり１個以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
【００２２】
好ましい態様は、該フィルムは、厚みが２５μｍ以上１５０μｍ以下であり、剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、１２０℃、３０分で熱処理した後の熱収縮率がＭＤ方向（長手方向）、ＴＤ方向（幅方向）いずれも２．０％以下であり、かつ、融点が２２０℃以上であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の離型フィルム付銅箔は厚みが薄くその表面が平滑なものであり、また真空熱プレスや真空ラミネートなどの熱処理で使用される１６０℃〜２２０℃の加熱処理後でも剥離可能であり、この離型フィルム付銅箔と絶縁層シートとを張りあわせることで銅層表面が平滑な銅張積層板が得られる。この銅張積層板はエッチングすることで配線上に欠点が少なく良好な回路パターンのプリント配線板を得ることが出来る。またこの銅張積層板は高周波用途にも好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】離型フィルム付銅箔の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明について以下詳細に説明する。
【００２６】
本発明の離型フィルム付銅箔は、フィルムの一方の面に金属層、炭素層、銅層がこの順に形成されているものである。このうち金属層と炭素層を合わせて剥離層としている。
【００２７】
本発明で用いられるフィルムとは、合成樹脂などの高分子を薄い膜状に成型したものである。
【００２８】
本発明における銅層は、かかる高分子からなるフィルムの上に物理蒸着法における真空蒸着法により形成されることが好ましく例示される。真空蒸着法には誘導加熱蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、レーザービーム蒸着法などがある。ここで、銅層にピンホールが存在すると回路パターンを作製した時にピンホールが存在した部分は断線などを生じてしまう場合がある。ピンホールは５μｍ以上の蒸着膜の欠損部のことであり、回路パターンを加工するためにはこのピンホールが少ないほどよい。かかる銅層のピンホール数を少なくするためには電子ビーム蒸着法が好適に利用される。実際、５μｍ以上のピンホール数が１平方ｍあたり１個以下とするためには電子ビーム蒸着法が好ましく用いられる。かかる銅層は電子ビーム蒸着法を単独で用いて形成しても構わないし、電子ビーム蒸着法で銅層を形成した後にその他の蒸着法で銅層を形成した２層以上の層になっても構わない。また、蒸着中は基材の温度が上昇しないようにキャリアを冷却しながら蒸着を行ってもよい。
【００２９】
蒸着で作製した銅層のピンホールはフィルム状の汚れによって生じるが、他にも蒸着機の搬送によっても生じる。搬送ロール中にキズ、汚れがあると搬送でフィルムが通過した際に銅層が破れてピンホールとなる。銅層の搬送におけるピンホールは銅層が硬い方が生じにくいため、銅層は硬い方が好ましい。具体的にはナノインデンターで測定した時の硬さが１．４０ＧＰａ以上である方が好ましい。より好ましくは１．５０ＧＰａ以上である。ナノインデンターの測定方法は膜厚の１／１０以下まで針を侵入することで値を得ることが出来る。
【００３０】
また、かかる銅層は耐表面酸化の観点から銅層の表面に金属層による酸化防止層を設けてもよいし、クロメート処理やベンゾトリアゾールなどの防錆処理を施してもよい。
【００３１】
また、かかる銅層の厚みは０．３μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。３．０μｍを超えると銅層自体の反りにより、基材から自然に剥離してしまうおそれがある。また蒸着時に基材にかかる熱量も大きくなり、基材に熱変形が生じてしまうおそれがある。厚みが０．３μｍ未満であると銅層中のピンホールやボイドが増えてしまう。より好ましくは０．４μｍ以上３．０μｍ以下、さらに好ましくは０．４μｍ以上２．０μｍ以下である。
【００３２】
本発明では電子ビームによってロールトゥロールでフィルム上に銅層を形成することが好ましく例示される。その場合、フィルムは蒸着時に熱に曝される。フィルムは裏面に接している冷却ロールにより冷却されるが、このときフィルムの耐熱温度が低かったり、フィルムの熱収縮が大きかったりすると、フィルムの変形に伴って冷却ロールから浮いてしまい、冷却が十分にされず溶融により穴が空いてしまったりする。よって耐熱温度が高く、また、熱収縮が小さい方が好まれる。電子ビーム法によって銅層を形成するときの蒸着時のフィルム上の温度は１００〜１２０℃程度であると想定される。このため耐熱温度が１２０℃以上あり、１２０℃での熱収縮率がフィルムのＭＤ方向、ＴＤ方向のいずれも２．０％以下であることが好ましい。２．０％を超えると張力変更やロールの冷却によってフィルムの変形を制御することが難しく、上記銅層の厚みを形成しようとすると基材がロールから離れてフィルムの温度が上昇し溶融して穴が空いてしまう。より好ましくは熱収縮率が１．８％以下、さらに好ましくは１．５％以下である。フィルムの熱収縮率は所定の温度で３０分間処理した前後の寸法変化率より得ることが出来る。
【００３３】
本発明で得られる離型フィルム付銅箔は、プリプレグなどの絶縁層シートと張り合わせる工程において熱で処理する工程を有するため、耐熱性が要求される。ここでプリプレグなどの絶縁層シートはエポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂を含んでおり、張り合わせ時に樹脂を硬化させる必要があるため、真空熱プレス等を必要とする。この温度条件は絶縁層シートの種類によって様々であるが微細配線を必要とする箇所では２２０℃程度の温度条件を必要とする。よってフィルムの融点は２２０℃以上であることが好ましい。さらに好ましくは２３０℃以上である。
【００３４】
実際にフィルムを構成するポリマーはポリイミド、ポリエステル、ポリエステルのなかでもポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートやポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、芳香族ポリアミドフィルム、変性ポリフェニレンエーテルフィルム、フッ素系フィルム、液晶ポリマーフィルムが好ましく用いることができる。これらのフィルムは単独で用いても構わないし、複合されたものを用いても構わない。また該張り合わせ工程の温度条件を満たせば表面に樹脂等をコーティングしたものを用いても構わない。
【００３５】
またかかる高分子フィルムの厚みは２５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。フィルムの厚みが２５μｍ未満であると蒸着中に生じる応力によってフィルムが変形したり破れたりしてしまう可能性がある。また１５０μｍを超えるとフィルムを張力で制御できなくなり巻きズレ等をおこしてしまう可能性がある。また一度の蒸着で投入できる量が減ってしまい生産性を悪くしてしまう。より好ましくは３５μｍ以上１２５μｍ以下である。
【００３６】
本発明では、フィルムの一面に剥離層が設けられており、フィルムと剥離層を含めて離型フィルムとしている。剥離層は、かかる剥離層の上に銅層が形成できればよく、また、銅層形成後に絶縁層シートと離型フィルム付銅箔の銅箔面を張り合わせた後、フィルムと銅箔を引き剥がすことができればよい。このとき剥離層のうちの炭素層はフィルムと銅箔のどちらに付いていても構わないが金属層はフィルム側に付いている必要がある。
【００３７】
また、本発明において上記の通り電子ビーム法を用いて蒸着を行うと、フィルムや剥離層は電子線の影響を受ける。電子線によって分子鎖が切断したり、また切断した分子同士が架橋したりすると想定される。このためフィルム自体が劣化することや、フィルムと剥離層が化学的に結合してしまい剥離できなくなってしまうことが生じる。よって結合数が多い炭素層が好適に用いられる。
【００３８】
また、かかる剥離層の形成方法は蒸着による方法や有機溶媒中から炭素膜を電気的に析出させる方法がある。蒸着による方法では、アークイオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法、高周波プラズマＣＶＤ法、パルス方式直流プラズマＣＶＤ法、イオン化蒸着法、プラズマイオン注入成膜法などが例示される。比較的簡易に装置化出来るマグネトロンスパッタリング蒸着法が好ましく用いられる。
【００３９】
かかる炭素層の厚みは０．０５ｎｍ以上０．５０ｎｍ以下であることが好ましい。０．０５ｎｍ未満であると炭素層が薄いため金属層を含むフィルムと銅がうまく剥離できない。層が薄く電子ビームの影響によって複数の結合が切断されたときに、分子鎖が切断されやすくなる。また、０．５０ｎｍを超えると炭素層と銅層の剥離力が弱くなってしまい、蒸着中に自然剥離をおこしてしまうおそれがある。より好ましくは０．１０ｎｍ以上０．４０ｎｍ以下である。
【００４０】
かかる炭素層の厚みは直接測定することが困難であるが透過率から後述するランバート・ベールの法則
【００４１】
【数１】
2015157472.tif 000003
【００４２】
を用いて算出することが出来る。ここでＩ０は薄膜通過前の光量、Ｉは薄膜通過後の光量、αは吸光係数、Ｚは膜厚、ｋは消衰係数、λは波長である。
【００４３】
また、蒸着中の電子線の影響でフィルムおよび炭素層の分子鎖が切断されたとき、フィルムと炭素層の切断された分子鎖が熱影響などにより界面で結合するのを防止するために金属層を設ける必要がある。
【００４４】
金属層を設ける方法としては、例えば物理蒸着法であれば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法が挙げられる。ここで金属層、炭素層、銅層を１つのラインで形成するとすればスペースが制限されるため、スパッタリング法が好ましく用いられる。
【００４５】
かかる金属層の種類は、スパッタリング法で金属層を形成するのであればスパッタレートが高い金属を選定することが好ましい。また、熱プレス等の熱処理中に炭素層、フィルム層に拡散しない金属を選択することが好ましく、炭素原子、銅原子がかかる金属層中に拡散しない金属であることが好ましい。具体的にはアルミニウム、亜鉛、クロム、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛が選ばれる。
【００４６】
かかる金属層の厚みは切断されたフィルムの分子鎖と炭素層の分子鎖が界面で結合されるのを防ぐことが出来れば十分であり、１ｎｍ以上あればよい。１ｎｍ未満であるとかかる界面の結合を十分に防ぐことが出来ない。また金属層の厚みを厚くするためにはスパッタ出力を増大し、かつ搬送速度を遅くしてしまうため生産効率が悪化してしまう。よって好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。金属層の厚みも炭素層と同様にランバート・ベールの法則を用いて透過率から算出することが出来る。
【００４７】
本発明の離型フィルム付銅箔は、剥離層と接していない面の銅層の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが好ましい。０．１０μｍを超えると表面が粗いことによって表皮効果の影響により導体損失が増加してしまい、高周波用途に用いることが難しくなる。より好ましくは０．０５μｍ以下、さらに好ましくは０，０３μｍ以下である。
【００４８】
また本発明で得られる離型フィルム付銅箔の銅層はフィルムの表面粗さに依存する。かかる理由からフィルムについても少なくとも剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが望ましい。より望ましくは０．０５μｍ以下、さらに望ましくは０，０３μｍ以下である。
【００４９】
本発明の離型フィルム付銅箔は、常態から１２０℃までの該離型フィルムと銅層との剥離力が０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ未満であると銅層が自然剥離してしまうおそれがある。また、９．８×１０−２Ｎ／ｍｍを超えると剥離力が強く剥離が困難となる。よって離型フィルムと銅箔との剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．８×１０−２Ｎ／ｍｍ以下が好ましい。より好ましくは０．５×１０−２Ｎ／ｍｍ以上４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ以下である。  本発明で得られた銅箔は真空熱プレスや真空ラミネートなどの２２０℃までの熱処理後も剥離可能であり、絶縁層シートと張りあわせることで銅層表面が平滑な銅張積層板が得られる。この銅張積層板はエッチングすることで配線上に欠点が少なく良好な回路パターンのプリント配線板を得ることが出来る。またこの銅張積層板は高周波用途にも好適に用いることができる。
【００５０】
また本発明で得られた銅箔は回路用途が主であるがこれに限らず、例えば、電磁波などのシールド用途、タッチパネルなどの転写箔の用途などに用いることができる。
【００５１】
なお、本発明は、以上に説明した各構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００５３】
（表面粗さの測定）
表面粗さＲａはJIS B 0601-1994に定義される算術平均粗さのことであり、粗さ曲線からその平均線の方向に基準粗さ（ｌ）だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、X軸と直行する方向にY軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）であらわしたときに、次の式によって求められる値である。  
【００５４】
【数２】
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【００５５】
フィルムおよび離型フィルム付銅箔を２０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルはレーザー顕微鏡（キーエンス製、VK-X200）を用いて表面観察を行いJIS B0601-1994に準拠して行った。解析は株式会社キーエンス製の解析アプリケーションソフトVK-H1XAを用い、カットオフ値は０．２５μｍとした。該ソフトにおいて、「計測」、「表面粗さ」の順に選択し、１００μｍの長さを指定して表面粗さＲａを求めた。測定はサンプルのある一方向とその垂直な方向で測定して値の大きな方を表面粗さＲａとした。
【００５６】
（ピンホールの測定）
暗室中で民生用の写真用バックライトを光源にして目視で５μｍ以上のピンホールの数を測定した。測定は５平方ｍ以上の面積を行い、１平方ｍあたりの数に換算した。
【００５７】
（炭素層膜厚の換算）
フィルムに成膜した炭素層の透過率を透過率計で測定し、得られた値からランバート・ベールの法則
【００５８】
【数３】
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【００５９】
から膜厚を算出した。ここでＩ０は薄膜通過前の光量、Ｉは薄膜通過後の光量、αは吸光係数、Ｚは膜厚、ｋは消衰係数、λは波長である。Ｉ／Ｉ０を透過率として波長632.8nmのときの消衰係数2.19の値を採用し、炭素層の膜厚とした。
（フィルムの厚み、熱収縮率の測定）
フィルムの厚みを膜厚計DIGMICRO MFC-101を用いて測定した。またJIS K 7133に準じて１２０℃、３０ｍｉｎの条件で加熱前の寸法Ｌ、加熱後の寸法Ｌ０から寸法変化率
ΔＬ＝（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０×１００
を算出した。測定はフィルムのＭＤ方向およびＴＤ方向で行い、値の大きな方を熱収縮率とした。
【００６０】
（剥離力の測定）
離型フィルム付銅箔を１５０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルの銅層面を両面テープ（ナイスタック強力タイプ）でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を１８０°ピールで剥離して得られた値を１ｃｍ当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ未満の範囲を良好な範囲で◎とし、４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ以上１０．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
【００６１】
（プレス試験）
離型フィルム付銅箔３４０ｍｍ×３４０ｍｍの大きさにカットして、プリプレグHL-832NXAとの張り合わせを行った。張り合わせは１１０℃、３０ｍｉｎ、０．５ＭＰａの後、所定の温度で１０５ｍｉｎ、３．０ＭＰａの条件で真空プレスを行った。真空条件は１６ｔｏｒｒとした。ここで所定の温度は１６０〜２２０℃まで１０℃ごとの範囲とした。１６０〜２２０℃までのすべての温度条件で剥離可能であったものを◎とした。
また、張り合わせた銅張品を１５０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルのプリプレグ面を両面テープ（ナイスタック強力タイプ）でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を１８０°ピールで剥離して得られた値を１ｃｍ当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．０×１０−２Ｎ／ｍｍ未満の範囲を良好な範囲で◎とし、９．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．８×１０−２Ｎ／ｍｍ以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
【００６２】
（実施例１）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９９．１％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．２ｎｍであった。
【００６３】
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００６４】
（実施例２）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でチタン層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
チタン層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、チタン層のみでの透過率は９３．２％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．２１ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９８．３％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．４ｎｍであった。
【００６５】
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は１．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたが少し剥離が重たかった。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は８．７×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００６６】
（実施例３）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でアルミニウム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
アルミニウム層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、アルミニウム層のみでの透過率は６２．９％であり換算式から算出した金属層膜厚は３．９０ｎｍであった。
【００６７】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．０４ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．２個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は６．０×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたが少し剥離が重たかった。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は８．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００６８】
（実施例４）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
【００６９】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて６ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９４．９％であり換算式から算出した炭素層膜厚は１．２ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は５．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。剥離しなかった部分を用いてこの離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．３×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．３×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００７０】
（実施例５）
厚さ５０μｍの２軸配向ポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商標名”カプトン”タイプ：２００ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
【００７１】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて６ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９９．１％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．２ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３３．０ｍ／ｍｉｎで０．２μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は５．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたがピンホールから樹脂が染み出し剥離が重たい箇所が生じた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００７２】
（実施例６）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でクロム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
クロム層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、クロム層のみでの透過率は８１．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は２．４１ｎｍであった。
【００７３】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９９．１％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．２ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．１ｍ／ｍｉｎで６．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。
【００７４】
剥離しなかった部分を用いてこの離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．４×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．４×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００７５】
（実施例７）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法で白金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
白金層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、白金層のみでの透過率は８５．２％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．９５ｎｍであった。
【００７６】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９８．３％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．４ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１３．２ｍ／ｍｉｎで０．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は３．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたがピンホールから樹脂が染み出し剥離が重たい箇所が生じた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００７７】
（実施例８）
厚さ２０μｍの２軸配向ポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商標名”カプトン”タイプ：８０ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法で金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
金層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、金層のみでの透過率は８４．５％であり換算式から算出した金属層膜厚は２．７７ｎｍであった。
【００７８】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９８．３％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．４ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１６．５ｍ／ｍｉｎで０．４μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は一部シワの発生があったが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。シワが発生しなかった部分を用いて真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００７９】
（実施例９）
厚さ１８８μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｔ６０）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
【００８０】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９８．３％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．４ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着はフィルムの厚みが厚く巻きズレが一部発生したが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。シワが発生しなかった部分を用いて真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例１０）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でタンタル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
タンタル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、タンタル層のみでの透過率は９５．８％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．０２ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９８．３％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．４ｎｍであった。
【００８１】
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は２．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたが少し剥離が重たかった。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は９．７×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【００８２】
（比較例１）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．０４ｎｍであった。
【００８３】
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は１．４×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ２００℃まではなんとか剥離することができたが２００℃を超えるとフィルムから剥離出来なかった。
【００８４】
（比較例２）
厚さ５０μｍのアルミ箔（東海東洋アルミ製）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。アルミ箔の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
【００８５】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９９．１％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．２ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製したが、蒸着は巻きズレ、シワが発生し巻き取ることは出来なかった。ただし評価のサンプルはシワの発生があるが取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は１．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．３９μｍであった。この離型アルミ箔付銅箔を剥離したところ、剥離力は１．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところシワの影響でうまく張りあわせることができなかった。
【００８６】
（比較例３）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｔ６０）に、グラビアコータ法で水溶性セルロース樹脂を１．１μｍの厚さにコーティングし、剥離層をもつフィルムを作成した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は１．０％であった。この離型フィルムの水溶性セルロース樹脂形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度１０μｍ／ｍｉｎ、ライン速度５．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．４個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は２．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。また真空プレス条件は１２０℃以上で銅層とフィルムが固着してしまい剥離することが出来なかった。
【００８７】
（比較例４）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。このフィルムのニッケル層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。このフィルム付銅箔を剥離したところ、剥離できなかった。また、真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも剥離できなかった。
【００８８】
（比較例５）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、グラビアコータ法でシリカをフィラーとして加えたポリイミド樹脂を１．０μｍの厚さにコーティングし、このフィルムにマグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．７１μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
【００８９】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、炭素層のみでの透過率は９９．１％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．２ｎｍであった。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中はロールとの密着性が悪くシワが多発したが、評価するためのサンプルだけは取ることができた。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．７２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離しようとしたところ、剥離がかなり重く剥離困難であった。剥離力は２２．１×１０−２Ｎ／ｍｍであった。また、真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃いずれの条件でも剥離しようとするとフィルムが破れてしまい、剥離出来なかった。
【００９０】
【表１】
2015157472.tif 000006
【００９１】
【表２】
2015157472.tif 000007
【符号の説明】
【００９２】
（１）  フィルム
（２）  剥離層
（３）  銅層
（４）  金属層
（５）  炭素層
【図１】
2015157472.tif 000008