(57)【要約】【課題】薄型化が可能で、反りが小さく、放熱性に優れたウェハレベル半導体装置を提供する。また、前記半導体装置を低コストで効率よく製造するための製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を封止することが可能な熱硬化性樹脂組成物層１と、配線形成が可能な熱硬化性樹脂組成物層２とを有する半導体装置製造用フィルムを用いる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を封止することが可能な熱硬化性樹脂組成物層１と、配線形成が可能な熱硬化性樹脂組成物層２とを有する半導体装置製造用フィルム。
【請求項２】
更に支持体を有し、熱硬化性樹脂組成物層１、熱硬化性樹脂組成物層２、及び支持体が、この順で設けられている請求項１に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項３】
更に熱硬化性樹脂組成物層１及び熱硬化性樹脂組成物層２が無機フィラーを含み、熱硬化性樹脂組成物層１に含まれる無機フィラーの充填量が、樹脂の固形分に対して、３０〜９５質量％であり、且つ熱硬化性樹脂組成物層２に含まれる無機フィラーの充填量が３０質量％以下である請求項１又は２に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項４】
熱硬化性樹脂組成物層１に含まれる無機フィラーの最大粒径が２０μｍ以下で、平均粒径が５μｍ以下であり、且つ熱硬化性樹脂組成物層２に含まれる無機フィラーの最大粒径が５μｍ以下で、平均粒径が１μｍ以下である請求項３に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置製造用フィルムを用いてなる半導体装置。
【請求項６】
（Ａ）支持板上に仮固定層を形成後、少なくとも１つ以上の半導体素子を、半導体素子の受動面（裏面）と仮固定層が貼り合わさるように配置する工程と、
（Ｂ）少なくとも１つ以上の半導体素子の能動面（表面）を覆うように、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置製造用フィルムで封止する工程と、
（Ｃ）支持板と仮固定層をはく離し、半導体素子の受動面（裏面）を露出させる工程と、
（Ｄ）半導体素子の能動面（表面）上の第二の絶縁層を研削し、半導体素子の能動面（表面）にまで至る開口を形成する工程と、
（Ｅ）絶縁層上にシード層を形成する工程と、
（Ｆ）シード層上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｇ）電気めっき法により配線パターンを形成し、はく離処理によりレジストパターンを除去する工程と、
（Ｈ）シード層を除去する工程と、
（Ｉ）配線パターン上に第三の絶縁層を形成し、配線パターンにまで至る開口を形成する工程と、
（Ｊ）外部接続用端子を形成する工程を、備える半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｂ）の工程における半導体装置製造用フィルムの封止温度が５０〜１４０℃であり、且つ加熱時間が１０〜３００秒間の範囲である請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）の工程における半導体装置製造用フィルムの封止圧力が０．２〜２．０ＭＰａである請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造用フィルム、これを用いた半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。より詳しくは、小型化及び薄型化の要求が高いウェハレベル半導体装置を低コストで効率よく、製造することができる製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化に伴って、半導体装置の小型化及び薄型化が進んでおり、半導体素子とほぼ同じ大きさのウェハレベルの半導体装置や、半導体装置の上に半導体装置を積むパッケージ・オン・パッケージといった実装形態も盛んに行われている。今後、ますます半導体装置の小型化及び薄型化が進むと予想される。
【０００３】
ところで、ウェハレベルの半導体装置はウェハ上に再配線層を形成し、はんだボールなどの外部接続用の端子を設けた後、ダイシングによって個片化することで得られる。端子数が数１０ピンから１００ピン程度の場合は、ウェハ上にはんだボール等の外部接続用の端子を設けることが可能である。
【０００４】
しかしながら、半導体素子の微細化が進展し、端子数が増加してくると、ウェハ上のみに再配線層を形成し、外部接続用端子を設けることが難しくなる。無理に外部接続用の端子を設けた場合、端子間のピッチが狭くなるとともに、端子高さが低くなり、半導体装置を実装した後の接続信頼性の確保が難しくなる。このため、半導体素子の微細化、つまりは外部接続端子数の増加への対応が求められている。最近では、ウェハを所定サイズに個片化し、再配置することで、半導体素子の外側にも外部接続用の端子を設けることができる半導体装置の開発が進められている（例えば特許文献１〜４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３６１６６１５号公報
【特許文献２】特開２００１−２４４３７２号公報
【特許文献３】特開２００１−１２７０９５号公報
【特許文献４】米国特許出願公開第２００７／２０５５１３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１〜４に記載されている半導体装置は、ウェハを所定サイズに個片化し、個片化した半導体装置を再配置するため、ウェハ上に再配線するよりも再配線領域を広く確保することができ、半導体素子の多ピン化に対応することが可能となる。
【０００７】
図１〜３は、従来の半導体装置の製造方法を示す図である。図３（ｎ）に示す半導体装置は、半導体素子の再配置、封止、再配線層形成、配線形成、外部接続端子の形成、個片化等の工程を経て得られる。
【０００８】
支持板の片側に仮固定用フィルムを貼り合せる（図１（ａ）参照）。次いで、半導体素子を所定の間隔で能動面（表面；回路が形成された面）が仮固定用フィルムに貼り合わさるように再配置する（図１（ｂ）参照）。次いで、半導体素子を覆うように封止材で封止する（図１（ｃ）参照）。封止後、所定の温度及び時間で後硬化を行う。次いで、所定温度に設定されたホットプレート上に載せ、支持板を取り外す（図１（ｄ）参照）。次いで、仮固定用フィルムをはく離し、半導体素子の能動面（表面）を露出させる（図１（ｅ）参照）。次いで、半導体素子の能動面に塗布型の感光性樹脂組成物をスピンコートし、ホットプレート上で乾燥させる（図２（ｆ）参照）。次いで、所定の箇所を露光・現像処理し、オーブンで後硬化する（図２（ｇ）参照）。次いで、スパッタによりシード層を形成する（図２（ｈ）参照）。上記シード層上に回路形成用レジストをラミネートし、所定の箇所を露光、現像処理する（図２（ｉ）参照）。次いで、電気めっき法により配線パターンを形成する（図２（ｊ）参照）。次いで、はく離液により回路形成用レジストを除去する（図３（ｋ）参照）。次いで、上記シード層をエッチングにより除去する（図３（ｌ）参照）。次いで、感光性樹脂組成物を再度スピンコートし、８０℃程度のホットプレート上で乾燥させ、所定の箇所を露光・現像処理した後、オーブンで後硬化する（図３（ｍ）参照）。次いで、はんだボールをリフロー搭載する。最後に、ダイシング個片化することで、半導体装置を作製することができる（図３（ｎ）参照）。
【０００９】
このようにして得られた半導体装置は、小型化及び薄型化が可能であるため、高機能化・多機能化が進むスマートフォンやタブレット端末等の電子機器に好適である。しかしながら、このような方法で製造された半導体装置は、製造工程が複雑であること、半導体素子の受動面（裏面）が封止されているため反りが生じ易いこと、更なる薄型化への対応が困難であること、放熱に不向きであること、等の問題があった。
【００１０】
本発明の半導体装置製造用フィルムは、上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体装置の薄型化が可能で、低反り、高放熱対応の半導体装置を提供することを目的とする。また、本発明の半導体装置製造用フィルムを用いて、効率よく、低コストに製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、以下の、半導体装置製造用フィルム、これを用いた半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
［１］半導体素子を封止することが可能な熱硬化性樹脂組成物層１と、配線形成が可能な熱硬化性樹脂組成物層２とを有する半導体装置製造用フィルム。
［２］更に支持体を有し、熱硬化性樹脂組成物層１、熱硬化性樹脂組成物層２、及び支持体が、この順で設けられている上記［１］の半導体装置製造用フィルム。
［３］更に熱硬化性樹脂組成物層１及び熱硬化性樹脂組成物層２が無機フィラーを含み、熱硬化性樹脂組成物層１に含まれる無機フィラーの充填量が、樹脂の固形分に対して、３０〜９５質量％であり、且つ熱硬化性樹脂組成物層２に含まれる無機フィラーの充填量が３０質量％以下である、上記［１］又は［２］の半導体装置製造用フィルム。
［４］熱硬化性樹脂組成物層１に含まれる無機フィラーの最大粒径が２０μｍ以下で、平均粒径が５μｍ以下であり、且つ熱硬化性樹脂組成物層２に含まれる無機フィラーの最大粒径が５μｍ以下で、平均粒径が１μｍ以下である上記［３］の半導体装置製造用フィルム。
［５］上記［１］〜［４］のいずれか一つの半導体装置製造用フィルムを用いてなる半導体装置。
［６］（Ａ）支持板上に仮固定層を形成後、少なくとも１つ以上の半導体素子を、半導体素子の受動面（裏面）と仮固定層が貼り合わさるように配置する工程と、
（Ｂ）少なくとも１つ以上の半導体素子の能動面（表面）を覆うように、上記［１］〜［４］のいずれか一つの半導体装置製造用フィルムで封止する工程と、
（Ｃ）支持板と仮固定層をはく離し、半導体素子の受動面（裏面）を露出させる工程と、
（Ｄ）半導体素子の能動面（表面）上の第二の絶縁層を研削し、半導体素子の能動面（表面）にまで至る開口を形成する工程と、
（Ｅ）絶縁層上にシード層を形成する工程と、
（Ｆ）シード層上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｇ）電気めっき法により配線パターンを形成し、はく離処理によりレジストパターンを除去する工程と、
（Ｈ）シード層を除去する工程と、
（Ｉ）配線パターン上に第三の絶縁層を形成し、配線パターンにまで至る開口を形成する工程と、
（Ｊ）外部接続用端子を形成する工程を、備える半導体装置の製造方法。
［７］（Ｂ）の工程における半導体装置製造用フィルムの封止温度が５０〜１４０℃であり、且つ加熱時間が１０〜３００秒間の範囲である上記［６］の半導体装置の製造方法。
［８］（Ｂ）の工程における半導体装置製造用フィルムの封止圧力が０．２〜２．０ＭＰａである上記［６］の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体素子を封止する工程と、半導体素子の能動面（表面）上に絶縁層を形成する工程と、半導体素子の受動面（裏面）を容易に露出できるように加工する工程とを一括で行うことができ、薄型化が可能で、反りが小さく、放熱性に優れたウェハレベル半導体装置を低コストで効率よく提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】図１の続きを示す従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図３】図２の続きを示す従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す端面図である。
【図５】図４の続きを示す本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す端面図である。
【図６】図５の続きを示す本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す端面図である。
【図７】図６の続きを示す本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００１５】
ここでは、図４（ａ）に示す態様から、図７（ｔ）に示す半導体装置を製造する方法について説明する。なお、本実施形態の半導体装置の製造方法は、小型化及び薄型化が進むウェハレベル型半導体装置の形態において特に好適である。
【００１６】
図４〜７を参照しながら、本実施形態の半導体装置製造用フィルム、及びこれを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態の半導体装置製造用フィルムは、半導体素子を封止することが可能な熱硬化性樹脂組成物層１と、配線形成が可能な熱硬化性樹脂組成物層２とを有するものである。
また、本実施形態の半導体装置製造用フィルムは、支持体３を有していてもよく、熱硬化性樹脂組成物層１、熱硬化性樹脂組成物層２、及び支持体３が、この順で設けられていることが好ましい。
以下に、本実施形態の半導体装置製造用フィルムの製造方法について説明する。本実施形態の半導体装置製造用フィルムは、例えば、支持体３の片側に熱硬化性樹脂組成物層２を形成し、次いで熱硬化性樹脂組成物層２の上に熱硬化性樹脂組成物層１を形成することで得られる（図４（ａ）参照）。
支持体３は特に限定されるものではないが、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）板、シリコンウェハ、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ポリイミドフィルム、及び銅箔等が挙げられる。形状についても、特に限定されるものではなく、円形でも四角でも、またシートでもロール状のフィルムでも構わない。
熱硬化性樹脂組成物層２は、熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）を用いて形成される。熱硬化性樹脂組成物層２は、熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）が液状、又は溶剤で熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）を溶解又は分散させたワニスの場合、支持体３の片側に熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）を塗布する工程、及び半硬化又は乾燥する工程を経ることで形成できる。支持体３の片側に熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）を塗布する工程としては、例えば、コータを用いる方法、及び印刷法等が挙げられる。コータを用いる方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ダイコータ、コンマコータ、ディップコータ、スピンコータが使用できる。半硬化又は乾燥する工程としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートや乾燥炉を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）のフィルムを用いて、支持体３上に熱硬化性樹脂組成物層２を形成することができる。熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）のフィルムを製造する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、離型処理が施されたフィルム等に上述の方法で熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）を塗布する方法等が挙げられる。
熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）のフィルムを用いる場合、例えば、公知の真空ラミネータ、ロールラミネータ、プレス機等により、該フィルムを支持体３の片側に貼り合わせることで支持体３の片側に熱硬化性樹脂組成物層２を形成できる。該フィルムを支持体３の片側に貼り合わせた後、必要に応じ、半硬化又は乾燥を行ってもよい。熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）のフィルムを用いる場合、貼り合わせ工程におけるラミネータの圧力、温度、及び時間は特に限定されるものではないが、例えば、支持体３の片側に該フィルムを貼り合わせた際に、空気のかみこみ等が生じない条件を選択することが好ましい。また、支持体３として、ＰＥＴフィルムを用いる場合、熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）の半硬化又は乾燥の温度は、ＰＥＴフィルムが変性しない温度を選択することが好ましい。
【００１７】
次いで、熱硬化性樹脂組成物層２の上に熱硬化性樹脂組成物層１を形成することで、本実施形態の半導体装置製造用フィルムが得られる。熱硬化性樹脂組成物層１は、熱硬化性樹脂組成物（Ｉ）を用いて形成される。熱硬化性樹脂組成物層１の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物層２を形成する工程と同様の手法にて形成できる。
【００１８】
以下に、本実施形態の半導体装置製造用フィルムを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態の半導体製造方法は、
（Ａ）支持体に仮固定層を形成後、少なくとも１つ以上の半導体素子を、半導体素子の受動面（裏面）と仮固定層が貼り合わさるように配置する工程と、
（Ｂ）少なくとも１つ以上の半導体素子の能動面（表面）を覆うように、上記本実施形態の半導体装置製造用フィルムで封止する工程と、
（Ｃ）支持板と仮固定層をはく離し、半導体素子の受動面（裏面）を露出させる工程と、
（Ｄ）半導体素子の能動面（表面）上の第二の絶縁層（熱硬化性樹脂組成物層２）を研削し、半導体素子の能動面（表面）にまで至る開口を形成する工程と、
（Ｅ）絶縁層上にシード層を形成する工程と、
（Ｆ）シード層上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｇ）電気めっき法により配線パターンを形成し、はく離処理によりレジストパターンを除去する工程と、
（Ｈ）シード層を除去する工程と、
（Ｉ）配線パターン上に第三の絶縁層を形成し、配線パターンにまで至る開口を形成する工程と、
（Ｊ）外部接続用端子を形成する工程、とを備えるものである。
例えば、まず、支持板４の片側に仮固定用フィルム５を貼り合せ、仮固定層を設ける（図４（ｂ））。次いで、図４（ｃ）に示すように半導体素子６を所定の間隔で半導体素子６の受動面（裏面）が仮固定用フィルム５に貼り合わさるように再配置する。支持板４の材質は特に限定されないが、熱による寸法変化が小さいＳＵＳ板やシリコンウェハ等が好適である。同様に支持板４の厚みも特に限定されるものではないが、反りを抑制する観点からは、０．５ｍｍ以上の厚みが好適である。仮固定用フィルム５についても特に限定されるものでなく、例えば、市販されており一般に入手可能な材料を用いることできる。仮固定用フィルム５に耐熱性が必要な場合には、例えば、特開２０１０−２５４８０８号公報に記載のジアミン化合物と、芳香族多価カルボン酸化合物との重縮合反応によって得られる、アミド結合又はイミド結合を有する特定の構造を有する重合体フィルムを用いることができる。
【００１９】
次いで、図４（ａ）に示す本実施形態の半導体装置製造用フィルムを用いて、少なくとも１つ以上の半導体素子６を覆うように、かつ熱硬化性樹脂組成物層１の面が仮固定フィルム５に貼り合わさるように、半導体素子６を封止する。このとき、半導体素子６の側面部に熱硬化性樹脂組成物層１からなる第一の絶縁層（以下、第一の絶縁層と呼ぶことがある）が、半導体素子６の能動面（表面）上に熱硬化性樹脂組成物層２からなる第二の絶縁層（以下、第二の絶縁層と呼ぶことがある）が形成される。絶縁層とは、熱硬化性樹脂組成物層が硬化した状態を指す。当該工程では、公知の真空ラミネータ、ロールラミネータ、プレス機等により、半導体装置製造用フィルムを貼り合わせる工程を経ることにより、第一の絶縁層及び第二の絶縁層を形成させる。この際の封止温度は、好ましくは５０〜１４０℃であり、より好ましくは７０〜１００℃である。封止温度が５０℃以上の場合、樹脂の充填が容易となる傾向がある。他方、１４０℃以下の場合、封止後にＰＥＴ等の支持体３をはく離することが容易となる傾向がある。
また、この際の封止時間は、好ましくは１０〜３００秒間であり、より好ましくは３０〜１２０秒間である。封止時間が１０秒間以上の場合、充分に樹脂が充填する傾向がある。他方、３００秒間以下の場合、良好な生産性が得られる。また、封止圧力は、好ましくは０．２〜２．０ＭＰａであり、より好ましくは、０．２〜１．０ＭＰａである。封止圧力が０．２ＭＰａ以上の場合、充分に樹脂が充填する傾向がある。他方、２．０ＭＰａ以下の場合、半導体素子６の能動面（表面）上に、充分な厚みの絶縁層を形成できる傾向がある。次いで、所定の温度及び時間で熱硬化性樹脂組成物の後硬化を行う。後硬化温度は特に限定するものではないが、好ましくは１２０〜２００℃であり、より好ましくは１５０〜１８０℃である。後硬化時間についても特に限定するものではないが、好ましくは１５〜１８０分間であり、より好ましくは３０〜１２０分間である。
【００２０】
半導体素子６の厚みＴ３と第一の絶縁層１の厚みＴ１の差（Ｔ３−Ｔ１）は１０μｍ以下であることが好ましい（図４（ｄ）参照）。（Ｔ３−Ｔ１）が１０μｍ以下の場合、第二の絶縁層２の平滑性が良好となる傾向がある。また、Ｔ３よりもＴ１を小さくすることで、半導体素子６の能動面（表面）が熱硬化性樹脂組成物層２に達することができ、配線形成が容易となる。
【００２１】
第二の絶縁層２の厚みＴ２は、好ましくは５〜５０μｍの範囲であり、より好ましくは１０〜３０μｍの範囲である（図４（ｄ）参照）。Ｔ２が５μｍ以上の場合、半導体素子６上に平滑性が良好な絶縁層を形成しやすい。他方、５０μｍ以下の場合、研削により微細な開口径を設けることが容易となる傾向がある。
【００２２】
次いで、図５（ｅ）、及び（ｆ）に示すように、所定温度に設定されたホットプレート上に載せ、支持板４、及び仮固定用フィルム５を取り外し半導体素子の受動面（裏面）を露出させる。ホットプレートの温度は特に限定するものではなく、仮固定用フィルム５の特性に合った温度を選択することができる。
【００２３】
次いで、図５（ｇ）に示すように、アルカリ処理により、第二の絶縁層２を研削し、第二の絶縁層２に、半導体素子６に至るまでの開口を設ける。使用するアルカリ処理液は特に限定するものではなく、デスミア処理液やレジストはく離液等を用いることができる。開口径に応じて、ｐＨを調整することもできる。デスミア処理は、例えば、過マンガン酸ナトリウム液、水酸化ナトリウム液、過マンガン酸カリウム液、クロム液、硫酸等の混合液に被処理基板を浸漬することによって実施できる。具体的には、熱湯や所定の膨潤液を用いて被処理基板を膨潤処理した後、過マンガン酸ナトリウム液等で残渣等を除去し、還元（中和）を行った後、水洗、湯洗、乾燥を行う。１回の処理を行っても充分な粗化及び残渣除去の効果が得られない場合は複数回処理を行ってもよい。なお、デスミア処理は上記のものに限定されない。また、デスミア処理後に、再度、熱硬化性樹脂組成物の熱硬化を行ってもよい。再度の熱硬化は、用いる熱硬化性樹脂によっても効果は異なるが、熱硬化を充分に行い、未反応物を減少させること、ガラス転移温度を上げることができるだけでなく、低熱膨張化を図ることができるからである。
【００２４】
次いで、図５（ｈ）に示すように、第二の絶縁層上に無電解銅めっき処理などによりシード層７を設ける。シード層７の厚みは特に制限はないが、通常０．１〜１．０μｍが好ましく使用される。シード層７の形成は、無電解銅めっき法の他に、スパッタ法を用いても良く、銅を蒸着する前にＴｉを蒸着する等、形成層を種々選択することができる。
【００２５】
次いで、シード層７上に回路形成用レジスト８をラミネートし、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより、回路形成用レジスト８の所定部分を露光し、露光部の回路形成用レジスト８を光硬化させる露光処理と、未露光部に現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する。活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができるが、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を放射するものを使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。露光量は使用する装置や回路形成用レジスト８の組成によって異なるが、好ましくは１０〜６００ｍＪ／ｃｍ２であり、より好ましくは２０〜４００ｍＪ／ｃｍ２である。露光量が１０〜６００ｍＪ／ｃｍ２であると、良好な光硬化が得られ、回路形成用レジスト８の開口形状を安定して得られる傾向がある。回路形成用レジスト８は液状、フィルム状のいずれも用いることができる。液状の場合は、印刷機を用いて塗布することができる。フィルム状の場合はロールラミネータや真空ラミネータを用いて貼り付けることができる。
【００２６】
次いで、現像により露光部以外の回路形成用レジスト８を除去することで、図５（ｉ）に示すようにレジストパターンを形成する（現像処理）。このときに用いる現像液としては、例えば、２０〜５０℃の炭酸ナトリウムの希薄溶液（１〜５質量％水溶液）のアルカリ現像液が用いられ、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により現像する。
【００２７】
次いで、図６（ｊ）に示すように、電気めっき法により、シード層７上に銅の配線パターン９を形成する。配線パターン９は１〜２０μｍの厚みが好ましい。次いで、図６（ｋ）に示すように、はく離液により、回路形成用レジスト（レジストパターン）８をはく離し除去する。
【００２８】
次いで、図６（ｌ）に示すように、エッチング液により第一の絶縁層１表面に露出しているシード層７を除去する。
【００２９】
次いで、図６（ｍ）に示すように、配線パターン９上に熱硬化性樹脂組成物からなる第三の絶縁層１０を形成し、図７（ｎ）に示すように、アルカリ処理を施すことにより、配線パターン９にまで至る開口を形成する。第三の絶縁層１０及びその形成方法については、特に限定されるものではないが、例えば、第一の絶縁層１と同様の手法を用いることができる。アルカリ処理についても、特に限定されるものではなく、例えば、前述のアルカリ処理の手法を用いることができる。
【００３０】
次いで、図７（ｏ）に示すように第三の絶縁層１０に設けた開口から露出した配線パターン９上に無電解ニッケルめっきと金めっき１１を行うことができる。特にめっき厚みは限定するものではないが、例えば、ニッケルめっき厚みは１〜１０μｍ、金めっき厚みは０．１μｍ程度が好ましい。
【００３１】
次いで、図７（ｐ）に示すように、第三の絶縁層１０の開口部に外部接続用端子１２としての導電材料を形成する。導電材料は、特に限定されるものではないが、環境保全の観点から、Ｓｎ−Ａｇ系やＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだを使用することが好ましい。回路形成用レジストを用いて、Ｃｕポストを形成してもよい。
【００３２】
次いで、ダイサーを用いてダイシング個片化することで、図７（ｑ）に示す半導体装置を得ることができる。
【００３３】
このようにして得られた本発明の半導体装置の製造方法で得られる半導体装置は、小型化及び薄型化が進むウェハレベルの半導体装置において特に好適である。
【００３４】
次に、本実施形態の半導体装置製造用フィルムに用いられる熱硬化性樹脂組成物について説明するが、本発明はこれらの樹脂組成に限定されるものではない。
【００３５】
熱硬化性樹脂組成物（Ｉ）及び熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）は、熱硬化性樹脂を含むものである。熱硬化性樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、及びポリアミドイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。
【００３６】
エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル等のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノールジグリシジルエーテル等のビキシレノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びそれらの二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂などが挙げられえる。これらは単独で用いて、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
市販のエポキシ樹脂としては、ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＸＡ４７００（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、日本化薬株式会社製、商品名：ＮＣ−７０００（ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のナフタレン型エポキシ樹脂；日本化薬株式会社、商品名：ＥＰＰＮ−５０２Ｈ（トリスフェノールエポキシ樹脂（「ＥＰＰＮ」は、登録商標。））等のフェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−７２００Ｈ（ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂（「ＥＰＩＣＬＯＮ」は、登録商標。））等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂；日本化薬株式会社製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ６６０、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ６９０、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＯＣＮ−１０４Ｓ（「ＥＯＣＮ」は、登録商標。）等のノボラック型エポキシ樹脂；日産化学工業株式会社製、商品名：ＴＥＰＩＣ（「ＴＥＰＩＣ」は、登録商標。）等のトリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート、ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ８６０、ＥＰＩＣＬＯＮ９００−ＩＭ、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ―４８１６、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８２２、旭化成イーマテリアルズ株式会社製、商品名：アラルダイトＡＥＲ２８０（「アラルダイト」は、登録商標。）、新日化エポキシ製造株式会社製、商品名：エポトートＹＤ−１３４（「エポトート」は、登録商標。）、三菱化学株式会社製、商品名：ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ８７２（「ｊＥＲ」は、登録商標。）、住友化学株式会社製、商品名：ＥＬＡ−１３４等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４０３２等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−７４０等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールとサリチルアルデヒドの縮合物のエポキシ樹脂；日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−５００シリーズなどが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は各々単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記エポキシ樹脂の中でも、銅との密着性や絶縁性に優れる点で、日本化薬株式会社製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が好ましく、また、架橋密度が高く高Ｔｇが得られる点で、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−５００シリーズを用いることがより好ましい。
上記エポキシ樹脂の含有量は、無機フィラー成分を除く樹脂成分１００質量部に対して、３０〜９０質量部であることが好ましく、４０〜８０質量部であることがより好ましい。
【００３８】
エポキシ樹脂と組み合わせる硬化剤としては、従来公知の各種エポキシ樹脂硬化剤もしくはエポキシ樹脂硬化促進剤を配合することができる。例えば、フェノール樹脂、イミダゾール化合物、酸無水物、脂肪族アミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第３級アミン、ジシアンジアミド、グアニジン類、又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもののほか、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム、テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物・有機ホウ素系化合物、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（４．５．０）ウンデセン−７）もしくはその誘導体など、硬化剤もしくは硬化促進剤の如何に拘らず、公知慣用のものを単独であるいは２種以上組み合わせて使用することができる。エポキシ樹脂の硬化を進行させれば特に限定されないが、具体的には、４，４´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４´−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、３，３´−ジメチル−４，４´−ジアミノビフェニル、２，２´−ジメチル−４，４´−ジアミノビフェニル、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、３，４´−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、９，９´−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンを例示でき、単独、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３９】
本実施形態で用いる熱硬化性樹脂組成物の熱硬化性ポリイミド樹脂としては、分子構造中に少なくとも２個の不飽和Ｎ−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物を含有することが好ましい。具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ´−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ´−ヘキサメチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ´−（１，３−フェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ´−［１，３−（２−メチルフェニレン）］ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ´−［１，３−（４−メチルフェニレン）］ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ´−（１，４−フェニレン）ビスマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、ビス（４−マレイミドフェニル）スルフィド、ビス（４−マレイミドフェニル）ケトン、ビス（４−マレイミドシクロヘキシル）メタン、１，４−ビス（４−マレイミドフェニル）シクロヘキサン、１，４−ビス（マレイミドメチル）シクロヘキサン、１，４−ビス（マレイミドメチル）ベンゼン、１，３−ビス（４−マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ベンゼン、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，４−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（４−マレイミドフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］ケトン、２，２´−ビス（４−マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス（４−マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エーテル、１，���−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、ポリフェニルメタンマレイミドが挙げられ、これらのマレイミド化合物は、単独で用いても２種類以上を混合して用いてもよい。
【００４０】
上記マレイミド化合物の重合触媒は、公知のビスマレイミド樹脂組成物の重合触媒を使用すればよく特に限定しないが、イミダゾール類、第３級アミン類、第４級アンモニウム塩類、三弗化ホウ素アミン錯体、オルガノホスフィン類、オルガノホスホニウム塩等のイオン触媒及び有機過酸化物、ヒドロペルオキシド、アゾイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤が挙げられる。重合触媒の添加量は目的に応じて決定すればよいが、ビスマレイミド樹脂組成物の安定性の面から全樹脂成分に対して０．０１〜３質量％とすることが望ましい。
【００４１】
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物（Ｉ）及び熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）は、無機フィラーを含むことが好ましい。
無機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の体質顔料や、銅、錫、亜鉛、ニッケル、銀、パラジウム、アルミニウム、鉄、コバルト、金、白金等の金属粉体が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
シリカフィラーを用いる場合、凝集を抑制し、樹脂中に分散させるため、シランカップリング剤を用いることも好ましい。シランカップリング剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシランが挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。
【００４３】
熱硬化性樹脂組成物（Ｉ）は、最大粒径が２０μｍ以下で、平均粒径が５μｍ以下の無機フィラーを含むことが好ましく、最大粒径が１０μｍ以下で、平均粒径が３μｍ以下の無機フィラーを含むことがより好ましい。
【００４４】
熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）は、最大粒径が５μｍ以下で、平均粒径が１μｍ以下の無機フィラーを含むことが好ましく、最大粒径が１μｍ以下で、平均粒径が３００ｎｍ以下の無機フィラーを含むことがより好ましい。
なお、ここでいう無機フィラーの最大粒径及び平均粒径は、日機装株式会社製の動的光散乱式ナノトラック粒度分布計、商品名：ＵＰＡ−ＥＸ１５０（日機装株式会社製（「ナノトラック」は、登録商標。））又はレーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計、商品名：ＭＴ−３１００（日機装株式会社製（「マイクロトラック」は、登録商標。））を用いて測定した値を意味する。
熱硬化性樹脂組成物（Ｉ）に含まれる無機フィラーの充填量は、樹脂の固形分に対して、好ましくは３０〜９５質量％であり、より好ましくは５５〜９０質量％である。無機フィラーの充填量が３０質量％以上の場合、半導体装置の反りが小さくなる傾向がある。無機フィラーの充填量が９５質量％以下の場合、適度な樹脂の流動性が得られ、半導体素子を封止しやすい傾向がある。
【００４５】
熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）に含まれる無機フィラーの充填量は、樹脂の固形分に対して、好ましくは３０質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。無機フィラーの充填量が３０質量％以下の場合、無機フィラーの脱粒が生じにくく、めっきの接着性が良好となる傾向がある。
【００４６】
以上、本発明に係る半導体装置の製造方法及び熱硬化樹脂組成物の実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
【実施例】
【００４７】
＜熱硬化性樹脂組成物（Ｉ）の製造＞
半導体装置の第一の絶縁層を形成する熱硬化性樹脂組成物（Ｉ）として、以下の熱硬化性樹脂組成物Ａ〜Ｃを調製した。
【００４８】
＜熱硬化性樹脂組成物Ａ＞
エポキシ樹脂としては、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ（日本化薬株式会社製）７０質量部を用いた。
硬化剤の合成例１：温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積２リットルの反応容器に、ビス（４−アミノフェニル）スルホン：２６．４０ｇと、２，２´−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン：４８４．５０ｇと、ｐ−アミノ安息香酸：２９．１０ｇ、及びジメチルアセトアミド：３６０．００ｇを入れ、１４０℃で５時間反応させて分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和Ｎ−置換マレイミド基を有する硬化剤（Ａ−１）の溶液を得た。本硬化剤を３０質量部配合した。
【００４９】
無機フィラー成分としては、平均粒径が５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したシリカフィラーを用いた。なお、無機フィラー成分は、樹脂の固形分に対し、３０質量％になるように配合した。分散状態は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計、商品名：ＵＰＡ−ＥＸ１５０（日機装株式会社製）、及びレーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計、商品名：ＭＴ−３１００（日機装株式会社製）を用いて測定し、最大粒径が１μｍ以下となっていることを確認した。
【００５０】
＜熱硬化性樹脂組成物Ｂ＞
エポキシ樹脂としては、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ（日本化薬株式会社製）７０質量部を用いた。
硬化剤の合成例２：ジアミン化合物としてワンダミンＨＭ（ＷＨＭ）［（４，４´−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタン、新日本理化株式会社製、商品名（「ワンダミン」は、登録商標。）］５２．７ｇ、反応性官能基を有するジアミンとして３，３´−ジヒドロキシ−４，４´−ジアミノビフェニル６ｇ、トリカルボン酸無水物として無水トリメリット酸（ＴＭＡ）１０８ｇ及び非プロトン性極性溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１２８１ｇを入れ、フラスコ内の温度を８０℃に設定して３０分間攪拌した。攪拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン１９２ｇを更に添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に昇温して２．５時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水及びトルエンを除去しながら、フラスコ内の温度を１８０℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。フラスコ内の溶液を６０℃まで冷却した後、長鎖炭化水素鎖骨格（炭素原子数約５０）を有するジカルボン酸として水添α，ω−ポリブタジエンジカルボン酸（日本曹達株式会社製、商品名：ＣＩ−１０００）３０９．５ｇを入れ、１０分間攪拌した。攪拌終了後、ジイソシアネートとして４，４´−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）１１９．７ｇを添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に上昇させて２時間反応させ、樹脂溶液を得た。このポリアミドイミド樹脂溶液の重量平均分子量（Ｍｗ）をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、４７０００であった。ポリアミドイミド１分子あたりの平均反応性官能基数Ｎは４．４であった。本硬化剤を３０質量部配合した。無機フィラー成分としては、熱硬化性樹脂組成物Ａと同様のものを用いた。
【００５１】
＜半導体装置製造用フィルムの製造＞
熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）のワニスを、以下に示すように調製した。
【００５２】
フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド（日本化薬株式会社製、商品名：ＢＰＡＭ−１５５）１．５ｇに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を１３．５ｇ配合した後、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ）１０ｇ、ノボラック型フェノール樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＴＤ−２０９０）３．６ｇ、硬化促進剤として２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名：２ＰＺ）０．１ｇを、ヒュームドシリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名：Ｒ９７２）０．９ｇを添加した後、ＤＭＡｃ及びメチルエチルケトンからなる混合溶剤で希釈した（固形分濃度約２５質量％）。その後、分散機（吉田機械興業株式会社製、商品名：ナノマイザー（「ナノマイザー」は、登録商標。））を用いて、熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）の樹脂ワニスを得た。
【００５３】
得られた熱硬化性樹脂組成物（ＩＩ）の樹脂ワニスを、支持体３である厚み１６μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：Ｇ２−１６）上に塗布し、その後、熱風対流式乾燥機を用いて１８０℃で約１０分間乾燥することによって支持体３上に熱硬化性樹脂組成物層２を得た。
次いで、熱硬化性樹脂組成物Ａ又はＢのワニスを、支持体３上に設けられた熱硬化性樹脂組成物層２の上にバーコータを用いて塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、半導体装置製造用フィルムを得た（図４（ａ）参照）。この際、熱硬化性樹脂組成物層１、熱硬化性樹脂組成物層２、及び支持体３が、この順で設けられように熱硬化性樹脂組成物Ａ又はＢを塗布した。また、熱硬化性樹脂組成物層１の膜厚は６０〜４１０μｍのものを準備した。
【００５４】
次いで、半導体装置製造用フィルムに埃等が付着しないように、支持体３と接している側とは反対側の表面上にポリエチレンフィルム（タマポリ株式会社製、商品名：ＮＦ−１５）を保護フィルムとして貼り合わせた。
【００５５】
＜仮固定用フィルム付き支持板の準備＞
まず、支持板４として直径２２０ｍｍ、厚み１．５ｍｍのＳＵＳ板を準備した。次に、ＳＵＳ板の片側に仮固定用フィルム５を、ラミネータを用いて貼り付けた（図４（ｂ）参照）。
【００５６】
ＳＵＳ板からはみ出した仮固定用フィルム５については、カッターナイフで切り離した。
【００５７】
＜半導体素子の配置＞
次いで、図４（ｃ）に示すように、７．３ｍｍ×７．３ｍｍの半導体素子６（株式会社ウォルツ製、商品名：ＣＣ８０−０１０１ＪＹ）を半導体素子６の受動面（裏面）と仮固定用フィルム５が貼り合わさるように格子状に配置した。半導体素子６の搭載数は１９３個、ピッチは縦方向、横方向ともに９．６ｍｍとした。半導体素子６の配置にはダイソーター（キヤノンマシナリー株式会社製、商品名：ＣＡＰ３５００）を用いた。配置時の荷重は半導体素子１個当り１ｋｇｆとした。
【００５８】
得られた半導体装置製造用フィルムの保護フィルムを剥がし、半導体素子６の能動面（表面）と熱硬化性樹脂組成物層１が接するように載置した。プレス式真空ラミネータ（株式会社名機製作所製、商品名：ＭＶＬＰ−５００（「ＭＶＬＰ」は、登録商標。））を用いて半導体素子６の能動面（表面）上、及び複数の半導体素子６間に第一の絶縁層となる熱硬化性樹脂組成物層１を充填するとともに、半導体素子６の能動面（表面）上に配線形成可能な第二の絶縁層を形成した。プレス条件は、プレス熱板温度５０〜８０℃、真空引き時間２０秒間、ラミネートプレス時間５〜３０秒間、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．１〜０．４ＭＰａとした。次いで、クリーンオーブンで１２０〜１７０℃、３０分間〜１時間の熱硬化を行った。
【００５９】
実施例における半導体装置の仕様及び製造時における封止条件を表１に示す。
【００６０】
【表１】
2015090926.tif 000003
【００６１】
その後、図５（ｅ）及び（ｆ）に示すように、支持板４、及び仮固定用フィルム５を２００℃のホットプレート上ではく離した。次いで、図５（ｇ）に示すように、表２に示す条件でデスミア処理を施し、絶縁層の研削を行い、第二の絶縁層２に、半導体素子６に至る開口部を設けた。その後、図５（ｈ）に示すように、無電解銅めっき法により、熱硬化性樹脂組成物からなる第二の絶縁層２上に１μｍの厚みのシード層７を形成した。
【００６２】
【表２】
2015090926.tif 000004
【００６３】
次いで、図５（ｉ）に示すように、回路形成用レジスト８（日立化成株式会社製、商品名：Ｐｈｏｔｅｃ  ＲＹ−３５２５）をロールラミネータで熱硬化性樹脂組成物層２上に貼着し、パターンを形成したフォトツールを密着させ、株式会社オーク製作所製、商品名：ＥＸＭ−１２０１型露光機を使用して、１００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光を行った。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、９０秒間スプレー現像を行い、回路形成用レジストパターンを形成した。次いで、図６（ｊ）に示すように、電気めっき法により、シード層７上に、５μｍの厚みの銅の配線パターン９を形成した。次いで、図６（ｋ）に示すように、はく離液により回路形成用レジスト８をはく離した後、図６（ｌ）に示すように、第二の絶縁層２表面に露出しているシード層７をエッチング液により除去した。
【００６４】
次いで、配線パターン９及び第二の絶縁層２上に、第三の絶縁層１０を形成し（図６（ｍ）参照）、表２のデスミア処理を施し、第三の絶縁層１０に、配線パターン９に至る開口部を設けた（図７（ｎ）参照）。第三の絶縁層の熱硬化性樹脂組成物は第一の絶縁層と同様の熱硬化性樹脂組成物を用い、厚みは２０μｍのものを用いた。その後、市販の無電解ニッケル／金めっき液を用いて、ニッケルめっき厚み３μｍ、金めっき厚み０．１μｍとなるように配線パターン上にめっき処理を行った（図７（ｏ）参照）。次いで、無電解ニッケル／金めっき１１上に外部接続用端子１２となるＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだボールをリフロー搭載した（図７（ｐ）参照）。次いで、ダイシング（ブレード幅０．３ｍｍ）により、９．３ｍｍ×９．３ｍｍの大きさに個片化し、図７（ｑ）に示す半導体装置を得た。
【００６５】
第一及び第二の絶縁層を形成し、所定の熱硬化を行った後の成形物の反りについては、直径２００ｍｍの範囲を室温下（２５℃）で測定し、以下の基準に基づいて評価した。
○：反り量が１ｍｍ未満。
△：反り量が１ｍｍ以上、２ｍｍ未満。
×：反り量が２ｍｍ以上。
【００６６】
第一及び第二の絶縁層を形成し、所定の熱硬化を行った後の熱硬化性樹脂組成物の埋め込み性については、目視で確認して以下の基準に基づいて評価した。
○：半導体素子間に充分に樹脂が埋め込まれており、未充填部がないもの。
×：半導体素子間に未充填部があるもの。
【００６７】
第一及び第二の絶縁層を形成し、所定の熱硬化を行った後の半導体素子の能動面（表面）側の熱硬化性樹脂組成物の平滑性については、表面粗さ計を用いて半導体素子の能動面の段差を測定し、以下の基準に基づいて評価した。
○：熱硬化性樹脂組成物の表面の段差が２μｍ未満。
△：熱硬化性樹脂組成物の表面の段差が２μｍ以上、５μｍ未満。
×：熱硬化性樹脂組成物の表面の段差が５μｍ以上。
【００６８】
第二の絶縁層の開口部の壁面平滑性については、電子顕微鏡で観察して以下の基準に基づいて評価した。
○：壁面が平滑なもの。
×：壁面に段差があるもの。
【００６９】
これらの測定、観察結果を表３に纏めて示した。本処理はウェハレベル半導体装置に限定するものでなく、パッケージ・オン・パッケージの再配線プロセス等、小型化及び薄型化が必要な全ての半導体装置、部品内蔵基板に適用することができる。
【００７０】
【表３】
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【００７１】
表１及び３から明らかなように、本発明の実施例では、反り、埋め込み性、平滑性、開口性、及び平滑性が良好な絶縁層を有する半導体装置が得られる。本発明の半導体装置製造用フィルム、これを用いた半導体装置の製造方法によれば、薄型化が可能で、反りが小さく、放熱性に優れたウェハレベル半導体装置を低コストで効率よく提供することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１  第一の熱硬化性樹脂組成物層（絶縁層）
２  第二の熱硬化性樹脂組成物層（絶縁層）
３  支持体
４  支持板
５  仮固定用フィルム
６  半導体素子
７  シード層
８  回路形成用レジスト（レジストパターン）
９  配線パターン
１０  第三の熱硬化性樹脂組成物  （絶縁層）
１１  無電解ニッケル／金めっき
１２  外部接続用端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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