(57)【要約】【課題】発光面とは反対側に位置する電極のシート抵抗を小さくするとともに、外光の反射を抑制することを可能とする構造を備える、面発光素子を提供する。【解決手段】この面発光素子１は、光を発生する発光層１３と、発光層１３の光を取り出す側に設けられ、発光層１３から発生した光の通過が可能である第１電極層１２と、発光層１３の光を取り出さない側に設けられ、発光層１３から発生した光の通過が可能である第２電極層１４と、第２電極層１４に対して、発光層１３とは反対側に設けられる金属電極層１６とを備え、金属電極層１６の第２電極層１４側の面は、反射率が３０％以下である。【選択図】図１
2015106483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生する発光層と、
前記発光層の光を取り出す側に設けられ、前記発光層から発生した光の通過が可能である第１電極層と、
前記発光層の光を取り出さない側に設けられ、前記発光層から発生した光の通過が可能である第２電極層と、
前記第２電極層に対して、前記発光層とは反対側に設けられる金属電極層と、を備え、
前記金属電極層の前記第２電極層側の面は、反射率が３０％以下である、面発光素子。
【請求項２】
前記金属電極層の前記第２電極層の面は、凹凸形状を有し、
凹凸の周期をｄ［ｎｍ］、凹凸の高さをｈ［ｎｍ］とした場合に、ｄ≦２００［ｎｍ］であり、ｈ／ｄ≧２である、請求項１に記載の面発光素子。
【請求項３】
前記金属電極層は、銀、アルミ、またはそれらの合金である、請求項１または２に記載の面発光素子。
【請求項４】
前記第２電極層と前記金属電極層との間に透明樹脂電極層をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の面発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面発光素子の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Organic  Electro  Luminescence）発光素子を利用した面発光素子が用いられるようになってきている。従来は、円偏光板と波長板とを用いることで、反射しない電極を用いていた。また、外光の映り込みを防止する構成が、特開２００６−４１１３０号公報（特許文献１）および特開２００２−１９８１８５号公報（特許文献２）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０４１１３０号公報
【特許文献２】特開２００２−１９８１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特開２００６−４１１３０号公報（特許文献１）に開示される有機ＥＬ素子においては、凹凸金属陰極を用いて反射散乱を増大させて、外光の映り込みを防止する発明が開示されている。しかし、反射散乱の増大では、今後十分な外光の映り込みを防止する効果を期待することは困難である。
【０００５】
特開２００２−１９８１８５号公報（特許文献２）に開示される発光素子においては、陰極が光を吸収する発明が開示されている。しかし、陰極材料には、金属以外にシート抵抗値の高い材料が用いられているため、陰極としてのシート抵抗値が結果的に高いものとなっている。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、発光面とは反対側に位置する電極のシート抵抗を小さくするとともに、外光の反射を抑制することを可能とする構造を備える、面発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ある実施の形態に従う面発光素子においては、光を発生する発光層と、上記発光層の光を取り出す側に設けられ、上記発光層から発生した光の通過が可能である第１電極層と、上記発光層の光を取り出さない側に設けられ、上記発光層から発生した光の通過が可能である第２電極層と、上記第２電極層に対して、上記発光層とは反対側に設けられる金属電極層とを備え、上記金属電極層の上記第２電極層側の面は、反射率が３０％以下である。
【０００８】
他の形態では、上記金属電極層の上記第２電極層の面は、凹凸形状を有し、凹凸の周期をｄ［ｎｍ］、凹凸の高さをｈ［ｎｍ］とした場合に、ｄ≦２００［ｎｍ］であり、ｈ／ｄ≧２である。
【０００９】
他の形態では、上記金属電極層は、銀、アルミ、またはそれらの合金である。
他の形態では、上記第２電極層と上記金属電極層との間に透明樹脂電極層をさらに備える。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、発光面とは反対側に位置する電極のシート抵抗を小さくするとともに、外光の反射を抑制することを可能とする構造を備える、面発光素子を提供することを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１における面発光素子の構造を示す断面図である。
【図２】図１中のＩＩで囲まれた領域の部分拡大断面図である。
【図３】実施の形態２における面発光素子の構造を示す断面図である。
【図４】実施の形態３における面発光素子の構造を示す断面図である。
【図５】実施の形態４における面発光素子の構造を示す断面図である。
【図６】実施例１から実施例８および比較例１から４の評価結果を示す図である。
【図７】従来の面発光素子の構造を示す断面図である。
【図８】従来の他の面発光素子の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明に基づいた各実施の形態における面発光素子について、以下、図を参照しながら説明する。以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。各実施の形態における構成を適宜組み合わせて用いることは当初から予定されていることである。
【００１３】
（実施の形態１：面発光素子１）
図１を参照して、実施の形態１における面発光素子１の構成について説明する。図１は、本実施の形態における面発光素子１の構造を示す断面図である。実施の形態における面発光素子１は、光を発生する発光層１３と、この発光層１３の光を取り出す側（図示における上側）に設けられ、発光層１３から発生した光の通過が可能である第１電極層１２と、この第１電極層１２に対して発光層１３とは反対側に設けられる透明基板１１と、発光層１３の光を取り出さない側に設けられ、発光層１３から発生した光の通過が可能である第２電極層１４と、第２電極層１４に対して、発光層１３とは反対側に設けられる金属電極層１６とを備える。面発光素子１はいわゆるボトムエミッション型の面発光素子である。
【００１４】
透明基板１１には、可視光領域の光を良好に透過する絶縁性の部材にて構成されている。透明基板１１は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。透明基板１１としては、たとえば、ガラス基板（ＢＫ７ガラス）、プラスチック板、高分子フィルム、シリコン板またはこれらの積層板等にて構成される。ここでは、厚さ約５ｍｍ程度のＢＫ７ガラス基板を用いた。
【００１５】
第１電極層１２には、可視光領域の光を良好に透過しかつ良好な電気導電性を呈する膜にて構成されている。具体的には、第１電極層１２としては、たとえばＩＴＯ（インジウム酸化物と錫酸化物との混合体）膜、ＩＺＯ（インジウム酸化物と亜鉛酸化膜との混合体）膜、ＺｎＯ膜、ＣｕＩ、ＳｎＯ２膜等の無機導電膜、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の混合体）膜等の有機導電膜、高分子材料に銀ナノワイヤー、カーボンナノチューブ等を分散させた複合導電膜等にて構成される。第１電極層（透明陽極）１２をＩＴＯ膜にて構成する場合には、その厚みはたとえば１００ｎｍ〜１５０ｎｍ程度とされる。
【００１６】
発光層１３、有機電界発光層であり、少なくとも蛍光発光性化合物または燐光発光性化合物からなる発光層を含み、可視光領域の光を良好に透過する膜にて構成されている。発光層１３としては、たとえばＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム）に代表される有機材料を含む積層膜が好適に利用できる。
【００１７】
発光層１３の材料としては、面発光素子１の外部量子効率の向上、発光寿命の長寿命化等の観点から、有機金属錯体を用いてもよい。ここで、錯体の形成に係る金属元素としては、元素周期表のＶＩＩＩ族、ＩＸ族およびＸ族に属するいずれか１種の金属またはＡｌ、Ｚｎであることが好ましく、特にＩｒまたはＰｔ、Ａｌ、Ｚｎであることが好ましい。その厚みはたとえば２００ｎｍ程度とされる。
【００１８】
第２電極層１４には、上述の第１電極層１２と同様のＩＴＯ等の材料を用いた。第２電極層１４の厚みはたとえば２５０ｎｍ程度とされる。また、他の材料として、光の透過が可能なように薄く成膜された金属層を用いてもよい。たとえば、Ａｇの薄膜層を用いることもできる。
【００１９】
金属電極層１６には、たとえば、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｗ、およびＰｔの中から選択される１種以上の金属元素、またはそれらの合金を用いることができる。ここでは、Ａｌを用い、その厚みはたとえば３５０ｎｍ以上程度とした。
【００２０】
本実施の形態において、金属電極層１６の第２電極層１４側の面は、外光に対する反射率が３０％以下となるように設けられている。ここでの反射率は、正反射率および散乱反反射率のいずれの反射率も含むものである。
【００２１】
金属電極層１６の第２電極層１４側の面の外光に対する反射率を３０％以下とする方法として、様々な方法が挙げられるが、たとえば、凹凸形状を形成する方法が挙げられる。具体的には、図２に示すように、円錐状の凹凸を形成し、凹凸の周期をｄ［ｎｍ］、凹凸の高さをｈ［ｎｍ］とした場合に、ｄ≦２００［ｎｍ］であり、ｈ／ｄ≧２であるような凹凸を形成することが好ましい。より好ましくは、１００［ｎｍ］≦ｄ≦２００［ｎｍ］であれば、反射率を、約９％以上３０％以下の範囲に設定することができる。
【００２２】
本実施の形態の面発光素子１の製造方法としては、透明基板１１の上に順に、第１電極層１２、発光層１３、第２電極層１４を成膜する。その後、フォトリソグラフィ法により、第２電極層１４の表面に、上述の円錐状の凹凸を形成する。その後、第２電極層１４の上に、金属電極層１６を成膜する。
【００２３】
以上、本実施の形態における面発光素子１によれば、金属電極層１６の外光に対する反射率を低減させるとともに、吸収させることが可能となる。金属電極層１６の反射率を下げることにより、外光の反射を大きく抑制することが可能となる。また、第２電極層１４と金属電極層１６との積層電極構造を採用することで、電極層としてのシート抵抗値を、金属電極層１６に用いたアルミにより大きく下げ、大面積による電圧降下を抑制することが可能となる。
【００２４】
金属電極層１６に形成される凹凸は、上記したように、ｄ≦２００［ｎｍ］であり、ｈ／ｄ≧２であるような凹凸を形成することが好ましい。よって、仮にｄ＝２００［ｎｍ］の場合には、第２電極層１４の膜厚さを４００［ｎｍ］以上とすることで、金属電極層１６に形成される凹凸が、第２電極層１４の層を貫通（リーク）することはない。
【００２５】
可視光線（外光）は４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域を持つが、利用波長よりも十分短い周期で、かつ、高さが周期に対して十分高ければ金属への吸収効果が大きくなる。
【００２６】
さらに、光を取り出さない側の金属電極層１６として反射率が、３０％以下の反射率が低い金属を使うことにより、外光の反射がほとんどなくなり映り込みを軽減できる。さらに、電極としての電気伝導性が高く大面積にしても電圧降下が起きず輝度ムラも発生しにくくなる。
【００２７】
また、金属電極層１６の凹凸の高さｈが周期ｄの２倍以上の凹凸形状にすることで広範囲の斜め角度、広範囲の波長領域にて反射を軽減することができる。さらに、金属電極層１６に用いる材料としては、電気伝導性が高く、金属電極としての実績も多い材料を用いることで高い電気伝導性と耐久性を実現することができる。
【００２８】
（実施の形態２：面発光素子２）
図３を参照して、実施の形態２における面発光素子２の構成について説明する。図３は、本実施の形態における面発光素子２の構造を示す断面図である。本実施の形態における面発光素子２の上記面発光素子１との相違点は、第２電極層１４と金属電極層１６との間に透明樹脂電極層２５がさらに設けられている。透明樹脂電極層２５としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の混合体）等が挙げられる。この透明樹脂電極層２５の第２電極層１４とは反対側の面に、実施の形態１の場合と同様に凹凸が形成される。
【００２９】
この実施の形態２における面発光素子２においても、実施の形態１の面発光素子１と同等の作用効果を得ることができる。また、実施の形態１の場合、第２電極層１４に凹凸形状を形成する必要があったが、本実施の形態の場合、よりパターニングに優れた、透明樹脂電極層２５に凹凸形状を形成することができる。
【００３０】
（実施の形態３：面発光素子３）
図４を参照して、実施の形態３における面発光素子３の構成について説明する。図４は、本実施の形態における面発光素子３の構造を示す断面図である。本実施の形態における面発光素子３の上記面発光素子２との相違点は、第２電極層１４に代わり、厚さが１０ｎｍ程度の光透過性を有する銀薄膜３４を用いている点にある。また、上記面発光素子２では、金属電極層１６にアルミを用いていたが、本実施の形態では、金属電極層３６として銀を用いている。この構成によっても、上記実施の形態２と同様の作用効果を得ることができる。
【００３１】
（実施の形態４：面発光素子４）
図５を参照して、実施の形態４における面発光素子４の構成について説明する。図５は、本実施の形態における面発光素子４の構造を示す断面図である。実施の形態１における面発光素子１は、いわゆるボトムエミッション型の面発光素子であったが、本実施の形態における面発光素子４は、トップエミッション型の面発光素子である。
【００３２】
基板４１の上に、金属電極層１６、第２電極層１４、発光層１３、および、第１電極層１２が順次形成されている。発光層１３から発光した光は、第１電極層１２の表面から取り出される。基板４１には、金属フォイル等が用いられる。
【００３３】
このように、ボトムエミッション型に限定されず、トップエミッション型の面発光素子４であっても、金属電極層１６の外光に対する反射率を低減させるとともに、吸収させることが可能となる。金属電極層１６の反射率を下げることにより、外光の反射を大きく抑制することが可能となる。また、第２電極層１４と金属電極層１６との積層電極構造を採用することで、電極層としてのシート抵抗値を、金属電極層１６に用いたアルミにより大きく下げ、大面積による電圧降下を抑制することが可能となる。
【００３４】
金属電極層１６に形成される凹凸は、上記したように、ｄ≦２００［ｎｍ］であり、ｈ／ｄ≧２であるような凹凸を形成することが好ましい。よって、仮にｄ＝２００［ｎｍ］の場合には、第２電極層１４の膜厚さを４００［ｎｍ］以上とすることで、金属電極層１６に形成される凹凸が、第２電極層１４の層を貫通（リーク）することはない。
【００３５】
可視光線（外光）は４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域を持つが、利用波長よりも十分短い周期で、かつ、高さが周期に対して十分高ければ金属への吸収効果が大きくなる。
【００３６】
さらに、光を取り出さない側の金属電極層１６として反射率が、３０％以下の反射率が低い金属を使うことにより、外光の反射がほとんどなくなり映り込みを軽減できる。さらに、電極としての電気伝導性が高く大面積にしても電圧降下が起きず輝度ムラも発生しにくくなる。
【００３７】
また、金属電極層１６の凹凸の高さｈが周期ｄの２倍以上の凹凸形状にすることで広範囲の斜め角度、広範囲の波長領域にて反射を軽減することができる。さらに、金属電極層１６に用いる材料としては、電気伝導性が高く、金属電極としての実績も多い材料を用いることで高い電気伝導性と耐久性を実現することができる。
【００３８】
（実施例）
以下、実施例１から８および比較例１から４の、外光写り込み可否の評価、および、大面積可否の評価について、図６を参照しながら説明する。
【００３９】
（実施例１）
実施例１は、図１に示す構造において、第２電極層１４にＩＴＯを用い、金属電極層１６にアルミを用いた面発光素子であり、実施の形態１に示す面発光素子１と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、２００［ｎｍ］である。
【００４０】
実施例１の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は８４％、反射率は１６％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００４１】
（実施例２）
実施例２は、図３に示す構造において、透明樹脂電極層２５を有し、第２電極層１４にＩＴＯを用い、金属電極層１６にアルミを用いた面発光素子であり、実施の形態２に示す面発光素子２と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、２００［ｎｍ］である。
【００４２】
実施例２の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は８５％、反射率は１５％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００４３】
（実施例３）
実施例３は、図４に示す構造において、透明樹脂電極層２５を有し、第２電極層３４に薄膜銀を用い、金属電極層３６に銀を用いた面発光素子であり、実施の形態３に示す面発光素子３と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、２００［ｎｍ］である。
【００４４】
実施例３の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は８２％、反射率は１８％、シート抵抗は、０．０２［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００４５】
（実施例４）
実施例４は、図５に示す構造（トップエミッション型）において、第２電極層１４にＩＴＯを用い、金属電極層１６にアルミを用いた面発光素子であり、実施の形態１に示す面発光素子１と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、２００［ｎｍ］である。
【００４６】
実施例４の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は８５％、反射率は１５％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００４７】
（実施例５）
実施例５は、図１に示す構造において、第２電極層１４にＩＴＯを用い、金属電極層１６にアルミを用いた面発光素子であり、実施の形態１に示す面発光素子１と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が２００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、４００［ｎｍ］である。
【００４８】
実施例５の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は８７％、反射率は１３％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００４９】
（実施例６）
実施例６は、図１に示す構造において、第２電極層１４にＩＴＯを用い、金属電極層１６にアルミを用いた面発光素子であり、実施の形態１に示す面発光素子１と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、３００［ｎｍ］である。
【００５０】
実施例６の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は９０％、反射率は１０％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００５１】
（実施例７）
実施例７は、図１に示す構造において、第２電極層１４にＩＴＯを用い、金属電極層１６にアルミを用いた面発光素子であり、実施の形態１に示す面発光素子１と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１５０［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、３００［ｎｍ］である。
【００５２】
実施例７の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は７０％、反射率は３０％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００５３】
（実施例８）
実施例８は、図１に示す構造において、第２電極層１４にＩＴＯを用い、金属電極層１６にアルミを用いた面発光素子であり、実施の形態１に示す面発光素子１と同じ構造である。凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、４００［ｎｍ］である。
【００５４】
実施例７の構成においては、金属電極層１６における外光の吸収率は９１％、反射率は９％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。また、大面積可否の評価も、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００５５】
（比較例１）
図７に比較例１における面発光素子５の構成を示す。この面発光素子５は、光を発生する発光層５３と、この発光層５３の光を取り出す側（図示における上側）に設けられ、発光層５３から発生した光の通過が可能である第１電極層５２と、この第１電極層５２に対して発光層５３とは反対側に設けられる透明基板５１と、発光層５３の光を取り出さない側に設けられ、発光層５３から発生した光の通過が可能である第２電極層５２と、第２電極層５２に対して、発光層５３とは反対側に設けられる金属電極層５６とを備える。面発光素子５はいわゆるボトムエミッション型の面発光素子である。
【００５６】
透明基板５１には、厚さ約５ｍｍ程度のＢＫ７ガラス基板を用いた。第１電極層５２には、実施の形態１の第１電極層１２と同様のＩＴＯ膜を用いた。発光層５３には、実施の形態１の発光層１３と同様の有機電界発光層（Ａｌｑ３）を用いた。金属電極層５６には、実施の形態１の金属電極層１６と同様のＡｌを用いた。ここで、金属電極層５６の発光層５３の面には、周期が約１００ｎｍ、高さが約１０ｎｍのランダムな凹凸を設けた。
【００５７】
この比較例１の構成においては、金属電極層５６における外光の吸収率は２５％、反射率は７５％であった。上記の凹凸の場合、金属電極層５６における外光の正反射成分を低減させ散乱反射成分を増加させることができる。しかし、外光の反射を抑制するという観点では、散乱反射成分が大きく残り、外光反射抑制効果は限定的となる。そのため、上記各実施例のような吸収においても反射を抑制する方法に対しては、劣る結果となる。その結果、外光の映り込み評価は、不合格の評価「Ｆ」となった。
【００５８】
なお、上記各実施例と同等であり、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。よって、大面積可否の評価は、合格の評価「Ａ」が得られた。
【００５９】
（比較例２）
図８に比較例２における面発光素子６の構成を示す。この面発光素子６は、光を発生する発光層６３と、この発光層６３の光を取り出す側（図示における上側）に設けられ、発光層６３から発生した光の通過が可能である第１電極層６２と、この第１電極層６２に対して発光層６３とは反対側に設けられる透明基板６１と、発光層６３の光を取り出さない側に設けられる電極層６６とを備える。面発光素子６はいわゆるボトムエミッション型の面発光素子である。
【００６０】
透明基板６１には、厚さ約５ｍｍ程度のＢＫ７ガラス基板を用いた。第１電極層６２には、実施の形態１の第１電極層１２と同様のＩＴＯ膜を用いた。発光層６３には、実施の形態１の発光層１３と同様の有機電界発光層（Ａｌｑ３）を用いた。電極層６６には、吸収電極としてカーボン（黒鉛）を用いた。電極層６６の発光層６３の面には、凹凸は設けられていない。
【００６１】
この比較例２の構成においては、電極層６６における外光の吸収率は９２％、反射率は８％であった。電極層６６にカーボン（黒鉛）を用いることで、カーボンの吸収特性が大きく生かされ、凹凸を設けることなく外光反射を大きく抑制することが可能となる。その結果、外光の映り込み評価は、合格の評価「Ａ」となった。
【００６２】
一方、カーボン（黒鉛）を用いた電極層６６の場合、抵抗値が金属よりも悪いため、シート抵抗は、１３．７［Ω／□］であった。よって、電極層６６にカーボン（黒鉛）を用いた場合には、上記各実施例に比べ、シート抵抗の値が大きく異なるため、大面積可否の評価は、不合格の評価「Ｆ」であった。
【００６３】
（比較例３）
比較例３は、図７に示す構造において、凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が２２０［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、３００［ｎｍ］である。
【００６４】
比較例３の構成においては、金属電極層５６における外光の吸収率は６０％、反射率は４０％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、不合格の評価「Ｆ」となった。大面積可否の評価は、合格の評価「Ａ」であった。
【００６５】
（比較例４）
比較例４は、図７に示す構造において、凹凸の周期ｄ［ｎｍ］が１００［ｎｍ］、凹凸の高さｈ［ｎｍ］が、１５０［ｎｍ］である。
【００６６】
比較例４の構成においては、金属電極層５６における外光の吸収率は５９％、反射率は３９％、シート抵抗は、０．０６［Ω／□］であった。その結果、外光の映り込み評価は、不合格の評価「Ｆ」となった。大面積可否の評価は、合格の評価「Ａ」であった。
【００６７】
このように、実施例１〜実施例８および比較例１〜比較例４の結果に基づけば、金属電極層の凹凸を設けることで、外光反射を抑制することができる。さらに、電気特性は金属特有の低抵抗値を生かすことが可能となり、大面積素子でも電圧降下による輝度低下を招くことがない。
【００６８】
一方、本実施例によれば、金属電極層に大きい凹凸を形成し外光の吸収を増大させることで、金属特有の低抵抗値と外光反射抑制のための反射低減の両立が可能となる。また、利用最短波長よりも十分短い周期で凹凸を構成することで、白色対応も可能となる。
【００６９】
以上、本発明の各実施の形態における面発光素子について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。したがって、本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７０】
１，２，３，４  面発光素子、１１  透明基板、１２  第１電極層、１３  発光層、１４  第２電極層、１６  金属電極層、２５  透明樹脂電極層、３４  銀薄膜（第２電極層）、３６  金属電極層。
【図１】
2015106483.tif 000003
【図２】
2015106483.tif 000004
【図３】
2015106483.tif 000005
【図４】
2015106483.tif 000006
【図５】
2015106483.tif 000007
【図６】
2015106483.tif 000008
【図７】
2015106483.tif 000009
【図８】
2015106483.tif 000010