(57)【要約】      （修正有）【課題】短いターンオン時間、低い静電容量、低いターンオン抵抗、信頼性の高い動作、および良好なクランプ特性をもつダイオード及び製造方法を提供する。【解決手段】ゲートをもたず、ダイオードのドープ領域間にシャロートレンチアイソレーション領域をもたないアクティブダイオード３００を製造する。アクティブダイオード３００内の伝導経路が短いことで、ターンオン時間を速くすることができ、ゲート酸化物がないことで、アクティブダイオードが極端な電圧の影響を受けにくくする。アクティブダイオードは、静電放電（ＥＳＤ）事象からの損傷を防止および低減させるように、集積回路内で実施することができる。アクティブダイオードの製造は、サリサイド化前にダイオードのドープ領域間にサリサイドブロックを堆積させることによって実現される。ドープ領域上にサリサイド層３１６、３１８が形成された後、サリサイドブロックは除去される。【選択図】図３
2015029102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板内に第１のドーパントでドープされた第１のドープ領域と、
前記基板内に、前記第１のドーパントとは反対の極性を有する第２のドーパントでドープされた第２のドープ領域と、
前記第１のドープ領域を前記第２のドープ領域から分離するドープされていない領域であって、低不純物濃度領域が前記第１のドープ領域と前記ドープされていない領域との間に実質的に配置されず、かつ低不純物濃度領域が前記第２のドープ領域と前記ドープされていない領域との間に実質的に配置されない、ドープされていない領域と、
前記第１のドープ領域上に形成され、前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間に位置決めされたサリサイドブロックマスクによって阻止されていない前記第１のドープ領域内に形成される第１のサリサイド部分と、
前記第２のドープ領域上に形成され、前記サリサイドブロックマスクによって阻止されていない前記第２のドープ領域内に形成される第２のサリサイド部分と
を含む、ダイオード。
【請求項２】
前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域との間の領域を、前記第１のドープ領域の表面および前記第２のドープ領域の表面と実質上平行に電流が伝導する、請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間にゲートが存在せず、前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間にシャロートレンチアイソレーション領域が位置しない、請求項１に記載のダイオード。
【請求項４】
前記第１のドープ領域が、第１の注入マスクによって画定され、前記第２のドープ領域が、第２の注入マスクによって画定される、請求項１に記載のダイオード。
【請求項５】
前記第１のドーパントがｐ型ドーパントであり、前記第２のドーパントがｎ型ドーパントである、請求項１に記載のダイオード。
【請求項６】
移動電話、セットトップボックス、音楽再生装置、ビデオ再生装置、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち式個人通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯型データユニット、および固定位置データユニットのうちの少なくとも１つ内に組み込まれた、請求項１に記載のダイオード。
【請求項７】
ダイオードを製造する方法であって、
第１のドープ領域と第２のドープ領域の間で第１の低不純物濃度領域の形成を防止するため、そして前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間で第２の低不純物濃度領域の形成を防止するために、前記第１のドープ領域を注入する前に、ブロック層を堆積させるステップと、
第１の注入マスクによって画定された前記第１のドープ領域を注入するステップと、
第２の注入マスクによって画定された前記第２のドープ領域を注入するステップと、
前記第２のドープ領域を注入した後、前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間の領域、前記第１のドープ領域の一部分、および前記第２のドープ領域の一部分、を部分的に覆うサリサイドブロックを堆積させるステップと、
前記サリサイドブロックを堆積させた後、前記第１のドープ領域上に第１のサリサイド部分を形成するステップであって、前記第１のサリサイド部分が前記サリサイドブロックによって阻止されていない第１のドープ領域内に形成されるステップと、
前記サリサイドブロックを堆積させた後、前記第２のドープ領域上に第２のサリサイド部分を形成するステップであって、前記第２のサリサイド部分が前記サリサイドブロックによって阻止されていない第２のドープ領域内に形成されるステップと、
前記第２のサリサイド部分を形成した後、前記サリサイドブロックを剥がすステップとを含む、方法。
【請求項８】
前記第１のドープ領域を注入するステップおよび前記第２のドープ領域を注入するステップが、ゲートを堆積しないで実行される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のドープ領域を注入する前に、アクティブマスクによって画定されたシャロートレンチアイソレーション領域間に基板への活性窓を開けるステップをさらに含み、前記第１のドープ領域および前記第２のドープ領域が前記活性窓内に位置する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のドープ領域を注入する前に、アクティブマスクによって画定されたシャロートレンチアイソレーション領域を形成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のドープ領域を注入するステップが、ｐ型領域を注入するステップを含み、前記第２のドープ領域を注入するステップが、ｎ型領域を注入するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
移動電話、セットトップボックス、音楽再生装置、ビデオ再生装置、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち式個人通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯型データユニット、および固定位置データユニットのうちの少なくとも１つ内に前記ダイオードを組み込むステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
ダイオードを製造する方法であって、
アクティブマスクによって画定されたシャロートレンチアイソレーション領域を形成するステップと、
第１のドープ領域と第２のドープ領域の間で第１の低不純物濃度領域の形成を防止するため、そして前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間で第２の低不純物濃度領域の形成を防止するために、前記第１のドープ領域を注入する前に、ブロック層を堆積させるステップと、
前記シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第１の注入マスクによって画定された前記第１のドープ領域を注入するステップと、
前記シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第２の注入マスクによって画定された前記第２のドープ領域を注入するステップと、
前記第２のドープ領域を注入した後、前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間の領域、前記第１のドープ領域の一部分、および前記第２のドープ領域の一部分、を部分的に覆うサリサイドブロックを堆積させるステップと、
前記サリサイドブロックを堆積させた後、前記第１のドープ領域上に第１のサリサイド部分を形成するステップであって、前記第１のサリサイド部分が前記サリサイドブロックによって阻止されていない第１のドープ領域内に形成されるステップと、
前記サリサイドブロックを堆積させた後、前記第２のドープ領域上に第２のサリサイド部分を形成するステップであって、前記第２のサリサイド部分が前記サリサイドブロックによって阻止されていない第２のドープ領域内に形成されるステップと、
前記第２のサリサイド部分を形成した後、前記サリサイドブロックを剥がすステップとを含む、方法。
【請求項１４】
前記第１のドープ領域を注入する前記ステップおよび前記第２のドープ領域を注入する前記ステップが、ポリシリコンゲートを堆積させる前記ステップなしで実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
移動電話、セットトップボックス、音楽再生装置、ビデオ再生装置、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち式個人通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯型データユニット、および固定位置データユニットのうちの少なくとも１つ内に前記ダイオードを組み込むステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
第１のドーパントでドープされた第１のドープ領域と、
前記第１のドーパントとは反対の極性を有する第２のドーパントでドープされた第２のドープ領域と、
前記第１のドープ領域を前記第２のドープ領域から分離する手段であって、低不純物濃度領域が前記第１のドープ領域と前記分離する手段との間に実質的に配置されず、かつ低不純物濃度領域が前記第２のドープ領域と前記分離する手段との間に実質的に配置されない、分離する手段と、
前記第１のドープ領域に第１のコンタクトを結合させる手段と、
前記第２のドープ領域に第２のコンタクトを結合させる手段とを含み、
前記第１の結合手段および前記第２の結合手段が各々、前記第１のドープ領域と前記第２のドープ領域の間に位置決めされたサリサイドブロックマスクによって阻止されていない第１のドープ領域内および第２のドープ領域内に形成されている、ダイオード。
【請求項１７】
前記ダイオードが、移動電話、セットトップボックス、音楽再生装置、ビデオ再生装置、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち式個人通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯型データユニット、および固定位置データユニットのうちの少なくとも１つ内に組み込まれる、請求項１６に記載のダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００９年４月２日出願のＪＡＬＩＬＩＺＥＩＮＡＬＩらの「Ｎｏ  Ｐｏｌｙ  Ｇａｔｅ  Ｄｉｏｄｅ」という名称の米国仮特許出願第６１／１６６，２０７号の利益を主張する。
【０００２】
本開示は一般に、半導体デバイスに関する。詳細には、本開示はダイオードに関する。
【背景技術】
【０００３】
集積回路（ＩＣ）は、過度の電圧によって容易に損傷し、これらの潜在的に損傷を与える電圧の一般的な原因には、静電放電（ＥＳＤ）が含まれる。ＥＳＤとは、直接接触によって、または電界が引き起こされることによって、異なる静電位の物体または表面間で静電荷が伝達されることである。
【０００４】
シリコンなどの半導体および二酸化シリコンなどの絶縁材料を使用して構築されたＩＣは、ＥＳＤ事象中に高電圧の影響を受けると、永久的に損傷することがある。従来、ＥＳＤ事象中は、オンチップ回路でＩＣを保護している。１つの従来の保護回路は、シャロートレンチアイソレーション（ｓｈａｌｌｏｗ  ｔｒｅｎｃｈ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）（ＳＴＩ）ダイオードである。
【０００５】
図１は、従来のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）ダイオードを示す断面図である。ＳＴＩダイオード１００は、第１のドープ領域１０６（たとえば、Ｎ型領域）と、第２のドープ領域１０８（たとえば、Ｐ型領域）とを有する基板１０２を含む。第１のドープ領域１０６と第２のドープ領域１０８を、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域１０４が分離する。シャロートレンチアイソレーション領域１０４はまた、ダイオード１００の周辺部にも提供される。第１のドープ領域１０６上にはシリサイド化された部分１１６を含むシリサイド層が形成され、第２のドープ領域１０８上には第２のシリサイド化された部分１１８が形成される。ドープ領域１０６、１０８間に位置するＳＴＩ領域１０４の周りには、キャリア注入によって生じる第１のドープ領域１０６から第２のドープ領域１０８へのキャリアのための伝導経路１２０が延びる。ＳＴＩダイオードは、長い電流伝導経路１２０を有し、その結果、ターンオン時間が遅くなり、ターンオン抵抗が高くなる。
【０００６】
低雑音増幅器などの特定の回路では、高速のダイオードが、伝導の遅延による電圧の蓄積（たとえば、オーバーシュート）からＩＣ、特に入力ゲートを保護する。ゲートダイオード（ｇａｔｅｄ  ｄｉｏｄｅ）は、伝導経路の長さを低減させることによって、ＳＴＩダイオードのものより速いターンオン時間を提供する。
【０００７】
図２は、従来のゲートダイオードを示す断面図である。ゲートダイオード２００は、第１のドープ領域２０６（たとえば、Ｐ型領域）と、第２のドープ領域２０８（たとえば、Ｎ型領域）とを有する基板２０２を含む。ダイオード２００の周辺部にはシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域２０４が位置するが、ドープ領域２０６、２０８間には位置しない。第１のドープ領域２０６と第２のドープ領域２０８の間で基板２０２の表面上には、ゲートが、ゲート酸化物層２２０、ゲート電極２２２、およびスペーサ２２４を含む。第１のドープ領域２０６と第２のドープ領域２０８の間には、第１の低不純物濃度領域２１２（たとえば、低不純物濃度ドレイン（ＬＤＤ）の注入）および第２の低不純物濃度領域２１４が位置し、それぞれ第１のドープ領域２０６および第２のドープ領域２０８に隣接する。第１のドープ領域２０６上には、サリサイド部分２１６を含むサリサイド層が形成され、第２のドープ領域２０８上には、第２のサリサイド部分２１８を含むサリサイド層が形成される。同様に、ゲート電極２２２上にはシリサイド部分２２６が形成される。ゲートダイオード２００では、ドープ領域２０６、２０８間の伝導経路２４０は、ＳＴＩダイオード１００の伝導経路１２０より短い。
【０００８】
ゲートダイオード２００の薄いゲート酸化物２２０は、たとえばＥＳＤ事象中、過電圧から酸化物の破断の影響を受けやすい。ＩＣがますます小さい寸法で製造されるにつれて、ゲート酸化物２２０の厚さが低減し、ゲートダイオード２００は酸化物の破断の影響をより受けやすくなる。さらに、ゲートダイオード２００では、逆方向降伏電圧が低く、静電容量が増大される。ＳＴＩダイオード１００と比較した静電容量の増大は、ゲートとドープ領域の間の固有容量から生じる。たとえば、ゲート電極２２２から第１の低不純物濃度領域２１２へ、そしてゲート電極２２２から第２の低不純物濃度領域２１４へ、追加の静電容量が生じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、短いターンオン時間、低い静電容量、低いターンオン抵抗、信頼性の高い動作、および良好なクランプ特性をもつダイオードが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一態様によれば、ダイオードは、基板内に第１のドーパントでドープされた第１のドープ領域を含む。ダイオードはまた、基板内に第２のドーパントでドープされた第２のドープ領域を含む。第２のドーパントは、第１のドーパントとは反対の極性を有する。ダイオードはまた、第１のドープ領域上に形成された第１のサリサイド部分を含む。第１のサリサイド部分は、第１のドープ領域と第２のドープ領域の間に位置決めされたサリサイドブロックマスクによって画定される。ダイオードは、第２のドープ領域上に形成された第２のサリサイド部分をさらに含む。第２のサリサイド部分は、サリサイドブロックマスクによって画定される。
【００１１】
本開示の別の態様によれば、ダイオードを製造する方法は、第１の注入マスクによって画定された第１のドープ領域を注入するステップを含む。この方法はまた、第２の注入マスクによって画定された第２のドープ領域を注入するステップを含む。この方法は、第２のドープ領域を注入した後、第１のドープ領域と第２のドープ領域の間にサリサイドブロックを堆積させるステップをさらに含む。この方法はまた、サリサイドブロックを堆積させた後、第１のドープ領域上でサリサイドブロックによって阻止されていない領域内に第１のサリサイド部分を形成するステップを含む。この方法は、サリサイドブロックを堆積させた後、第２のドープ領域上でサリサイドブロックによって阻止されていない領域内に第２のサリサイド部分を形成するステップをさらに含む。この方法はまた、第２のサリサイド部分を形成した後、サリサイドブロックを剥がすステップを含む。
【００１２】
本開示のさらなる態様によれば、ダイオードを製造する方法は、アクティブマスクによって画定されたシャロートレンチアイソレーション領域を形成するステップを含む。この方法はまた、シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第１の注入マスクによって画定された第１のドープ領域を注入するステップを含む。方法は、シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第２の注入マスクによって画定された第２のドープ領域を注入するステップをさらに含む。方法はまた、第２のドープ領域を注入した後、第１のドープ領域と第２のドープ領域の間にサリサイドブロックを堆積させるステップを含む。方法は、サリサイドブロックを堆積させた後、第１のドープ領域上でサリサイドブロックによって阻止されていない領域内に第１のサリサイド部分を形成するステップをさらに含む。方法はまた、サリサイドブロックを堆積させた後、第２のドープ領域上でサリサイドブロックによって阻止されていない領域内に第２のサリサイド部分を形成するステップを含む。方法は、第２のサリサイド部分を形成した後、サリサイドブロックを剥がすステップをさらに含む。
【００１３】
本開示の別の態様によれば、ダイオードは、第１のドーパントでドープされた第１のドープ領域を含む。ダイオードはまた、第２のドーパントでドープされた第２のドープ領域を含む。第２のドーパントは、第１のドーパントとは反対の極性を有する。ダイオードは、第１のドープ領域に第１のコンタクトを結合させる手段をさらに含む。ダイオードはまた、第２のドープ領域に第２のコンタクトを結合させる手段を含む。第１の結合手段および第２の結合手段は、第１のドープ領域と第２のドープ領域の間に位置決めされたサリサイドブロックマスクによって画定される。
【００１４】
以上、以下の詳細な説明をよりよく理解できるように、本開示の特徴および技術的利点についてかなり大まかに概説した。本開示の特許請求の範囲の主題を形成する追加の特徴および利点について、以下で説明する。開示される概念および特有の実施形態は、本開示の同じ目的を実施する他の構造を修正または設計するための基礎として容易に利用できることが、当業者には理解されるはずである。そのような同等の構造は、添付の特許請求の範囲に記載の本開示の技術から逸脱しないことも、当業者には理解されるはずである。本開示の特徴であると考えられる新規な特徴は、その構成と動作方法の両方に関して、さらなる目的および利点とともに、以下の説明から、添付の図と併せて考えるとよりよく理解されるであろう。しかし、それぞれの図は、例示および説明のみを目的として提供され、本開示の制限を定義しようとするものではないことが特に理解されるものとする。
【００１５】
本開示をより完全に理解するために、添付の図面と併せて以下の説明を次に参照されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来のシャロートレンチアイソレーションダイオードを示す断面図である。
【図２】従来のゲートダイオードを示す横断面図である。
【図３】一実施形態による低不純物濃度領域をもつ例示的なアクティブダイオードの断面図である。
【図４Ａ】一実施形態による低不純物濃度領域をもたない例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。
【図４Ｂ】一実施形態による低不純物濃度領域をもたない例示的なアクティブダイオードを示す上面図である。
【図５】一実施形態によるアクティブダイオードを製造する例示的なプロセスを示す流れ図である。
【図６Ａ】一実施形態によるシャロートレンチアイソレーション領域を形成した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。
【図６Ｂ】一実施形態による第１のドープ領域を注入した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。
【図６Ｃ】一実施形態による第２のドープ領域を注入した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。
【図６Ｄ】一実施形態によるサリサイドブロックを堆積させた後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。
【図６Ｅ】一実施形態によるサリサイド層を形成した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。
【図６Ｆ】一実施形態によるサリサイドブロックを除去した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。
【図７Ａ】一実施形態による例示的なアクティブマスクを示す上面図である。
【図７Ｂ】一実施形態による例示的な第１の注入マスクを示す上面図である。
【図７Ｃ】一実施形態による例示的な第２の注入マスクを示す上面図である。
【図７Ｄ】一実施形態による例示的なサリサイドブロックマスクを示す上面図である。
【図８】一実施形態を有利に用いることができる例示的な無線通信システムを示すブロック図である。
【図９】一実施形態による半導体部品の回路、配置、および論理設計に使用される設計ワークステーションを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
ターンオン時間がより速く、高電圧の影響を受けにくくしたアクティブダイオードを製造することができる。一実施形態によれば、ゲート構造をもたず、ドープ領域間にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域が配置されないダイオードが製造される。ゲート構造がないため、ゲート酸化物は存在せず、したがってダイオードが高電圧の影響を受けにくくなる。さらに、ダイオードのドープ領域間にＳＴＩ領域がないため、ドープ領域間でより短い電流伝導経路が利用可能になる。これにより、ダイオードのターンオン時間を低減させ、より速い動作を可能にする。
【００１８】
図３は、一実施形態による低不純物濃度領域をもつ例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。アクティブダイオード３００は、第１のドープ領域３０６（たとえば、Ｐ＋型領域）と、第２のドープ領域３０８（たとえば、Ｎ＋型領域）とを有する基板３０２を含む。第１のドープ領域３０６と第２のドープ領域３０８の間には、第１の低不純物濃度領域３１２が位置し、第１のドープ領域３０６に隣接する。第１のドープ領域３０６と第２のドープ領域３０８の間には、第２の低不純物濃度領域３１４（たとえば、低不純物濃度ドレイン（ＬＤＤ））が位置し、第２のドープ領域３０８に隣接する。第１のドープ領域３０６上には、第１のサリサイド部分３１６を含むサリサイド層が形成され、また第２のドープ領域３０８上には、第２のサリサイド部分３１８を含むサリサイド層が形成される。アクティブダイオード３００内では、第１のドープ領域３０６と第２のドープ領域３０８の間を、基板３０２の表面と実質上平行な経路に沿って電流が伝導する。周辺部では、ＳＴＩ領域３０４が提供される。第１のドープ領域３０６と第２のドープ領域３０８の間にＳＴＩ領域がないため、電流伝導は、従来のＳＴＩダイオードの場合より短い経路３３０に沿って行われる。
【００１９】
図４Ａは、一実施形態による低不純物濃度領域をもたない例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。図４Ｂは、一実施形態による低不純物濃度領域をもたない例示的なアクティブダイオードを示す上面図である。アクティブダイオード４００は、第１のドープ領域３０６および第２のドープ領域３０８を含む。しかし、第１のドープ領域３０６と第２のドープ領域３０８の間に、低不純物濃度領域は位置しない。一実施形態によれば、第１のドープ領域３０６および第２のドープ領域３０８の形成中に基板３０２上に注入ブロック層を堆積させることによって、第１のドープ領域３０６と第２のドープ領域３０８の間に低不純物濃度領域が形成されるのを防止する。サリサイド部分３１８へのコンタクト３４０は、外部の構成要素（図示せず）への電気結合を提供する。同様に、サリサイド部分３１６へのコンタクト３４２は、外部の構成要素（図示せず）への電気結合を提供する。周辺部では、ＳＴＩ領域３０４が提供される。
【００２０】
図５は、一実施形態によるアクティブダイオードを製造する例示的なプロセスを示す流れ図である。流れ図５００は、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域を形成するブロック５０５から開始する。図６Ａは、一実施形態によるシャロートレンチアイソレーション領域を形成した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域６０４は、基板６０２内に形成される。基板６０２は、たとえば、シリコン、ガラス（ＳｉＯ２）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）とすることができる。一実施形態によれば、ＳＴＩ領域６０４は、アクティブマスクをもつ基板６０２内にトレンチ（図示せず）をエッチングし、トレンチの側壁および底部を覆う酸化物（図示せず）を熱成長させ、次いで酸化物などの絶縁材料を堆積させることによって形成される。
【００２１】
図７Ａは、一実施形態による例示的なアクティブマスクを示す上面図である。アクティブマスク７００は、第１の領域７０２および第２の領域７０４を含む。第１の領域７０２と第２の領域７０４は、反対の極性である。すなわち、第１の領域７０２が不透明である場合、第２の領域７０４は透明である。第２の領域７０４は、基板６０２上に活性窓を画定し、この活性窓内に、ドープ領域を形成することができる。一実施形態によれば、注入領域はどちらも、第２の領域７０４によって画定された活性窓内に形成される。アクティブマスク７００は、択一的に、フォトレチクル、位相シフトマスク、またはステンシルマスクとすることができる。
【００２２】
流れ図５００は、第１のドープ領域を注入するブロック５１０へ進む。図６Ｂは、一実施形態による第１のドープ領域を注入した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。基板６０２内に、第１のドープ領域６０６および第１の低不純物濃度領域６１２が形成される。一実施形態によれば、第１のドープ領域６０６は、ＳＴＩ領域６０４のうちの１つに隣接する。第１のドープ領域６０６には、たとえばホウ素などのｐ型ドーパントを注入することができる。一実施形態によれば、第１のドープ領域６０６は、基板６０２上にたとえばフォトレジストなどの犠牲層（図示せず）を堆積させ、犠牲層に第１の注入マスクでパターン形成し、基板６０２のうち犠牲層でパターン形成されていない領域を注入し、犠牲層を除去することによって形成される。
【００２３】
図７Ｂは、一実施形態による例示的な第１の注入マスクを示す上面図である。第１の注入マスク７１０は、第１の領域７１２および第２の領域７１４を含む。第１の領域７１２と第２の領域７１４は、反対の極性を有する。すなわち、処理中に使用されるフォトレジストの極性に応じて、第１の領域７１２が不透明である場合、第２の領域７１４は透明であり、または逆も同様である。第１の注入マスク７１０は、択一的に、フォトレチクル、位相シフトマスク、またはステンシルマスクとすることができる。
【００２４】
一実施形態によれば、第１のドーパント領域の注入は、第１の低不純物濃度領域６１２を形成しないで実行することができる。たとえば、犠牲層のパターン形成中、第１の低不純物濃度領域６１２の位置の上に注入ブロックを形成して第１の低不純物濃度領域６１２の形成を防止するように、プロセスパラメータを調整することができる。別の例では、第１の注入マスク７１０の第１の領域７１２および第２の領域７１４は、第１の低不純物濃度領域６１２の位置の上に注入ブロックを形成して第１の低不純物濃度領域６１２の形成を防止するように調整される。
【００２５】
流れ図５００は、第２のドープ領域を注入するブロック５１５へ進む。図６Ｃは、一実施形態による第２のドープ領域を注入した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。基板６０２内に、第２のドープ領域６０８および第２の低不純物濃度領域６１４が形成される。一実施形態によれば、第２のドープ領域６０８は、ＳＴＩ領域６０４のうちの１つに隣接する。第２のドープ領域６０８には、たとえばリンまたはヒ素などのｎ型ドーパントを注入することができる。一実施形態によれば、第２のドープ領域６０８は、第２の注入マスクとともに形成される。
【００２６】
図７Ｃは、一実施形態による例示的な第２の注入マスクを示す上面図である。第２の注入マスク７２０は、第１の領域７２２および第２の領域７２４を含む。第１の領域７２２と第２の領域７２４は、反対の極性を有する。すなわち、処理中に使用されるフォトレジストの極性に応じて、第１の領域７２２が不透明である場合、第２の領域７２４は透明であり、または逆も同様である。第２の領域７２４は、第２のドープ領域６０８を作るように位置決めすることができる。第２の注入マスク７２０は、択一的に、フォトレチクル、位相シフトマスク、またはステンシルマスクとすることができる。
【００２７】
流れ図５００は、サリサイドブロックを堆積させるブロック５２０へ進む。図６Ｄは、一実施形態によるサリサイドブロックを堆積させた後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。サリサイドブロック６３０は、基板６０２上で、実質上第１のドープ領域６０６と第２のドープ領域６０８の間に堆積される。サリサイドブロック６３０は、基板６０２のうちサリサイドブロック６３０によって覆われた領域上のサリサイドの形成を防止する。一実施形態によれば、サリサイドブロック６３０は、第１のドープ領域６０６と第２のドープ領域６０８の間の領域、第１のドープ領域６０６の一部分、および第２のドープ領域６０８の一部分を部分的に覆う。サリサイドブロック６３０は、たとえばフォトレジストとすることができる。一実施形態によれば、サリサイドブロック６３０は、サリサイドブロックマスクとともに形成される。
【００２８】
図７Ｄは、一実施形態による例示的なサリサイドブロックマスクを示す上面図である。サリサイドブロックマスク７３０は、第１の領域７３２および第２の領域７３４を含む。第１の領域７３２と第２の領域７３４は、処理中に使用されるフォトレジストの極性に応じて反対の極性を有し、または逆も同様である。すなわち、第１の領域７３２が不透明である場合、第２の領域７３４は透明である。サリサイドブロックマスク７３０は、択一的に、フォトレチクル、位相シフトマスク、またはステンシルマスクとすることができる。
【００２９】
流れ図５００は、サリサイド層を形成するブロック５２５へ進む。図６Ｅは、一実施形態によるサリサイド層を形成した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。第１のドープ領域６０６上には、第１のサリサイド部分６１６を含むサリサイド層が形成され、また第２のドープ領域６０８上には、第２のサリサイド部分６１８を含むサリサイド層が形成される。一実施形態によれば、サリサイド部分６１６、６１８は、基板６０２上に金属などの導電材料（図示せず）を堆積させ、基板６０２の温度を上昇させてドープ領域６０６、６０８内へ金属を拡散させて合金にし、ドープ領域６０６、６０８で合金にならなかった金属をエッチングすることによって形成される。サリサイド部分６１６、６１８は、たとえばコバルトシリサイド、ニッケルシリサイド、またはタングステンシリサイドとすることができる。
【００３０】
流れ図５００は、サリサイドブロックを除去するブロック５３０へ進む。図６Ｆは、一実施形態によるサリサイドブロックを除去した後の部分的な例示的なアクティブダイオードを示す断面図である。サリサイドブロック６３０は、基板６０２から除去される。一実施形態によれば、サリサイドブロック６３０は、湿式エッチングを使用して基板６０２から剥がされる。
【００３１】
ドープ領域間のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域およびゲートをもたないアクティブダイオードは、従来のＳＴＩトランジスタと比較すると、改善されたターンオン時間を有する。さらに、これらのアクティブダイオードは、ゲート酸化物をもたない。したがって、アクティブダイオードは、高電圧およびＥＳＤ事象に対して増大された耐性を有する。アクティブダイオードはまた、ゲートをもたず、したがってドープ領域の静電容量へのゲートをもたないため、より低い静電容量を有する。ターンオン抵抗がより低く、伝導経路の長さがより短く、また静電容量がより低いことで、アクティブダイオードは、ゲートダイオードより良好なクランプ特性を有することができる。上述のアクティブダイオードは、静電放電（ＥＳＤ）保護回路内で使用することができる。
【００３２】
図８は、本開示の一実施形態を有利に用いることができる例示的な無線通信システム８００を示す。例示を目的として、図８は、３つの遠隔ユニット８２０、８３０、および８５０および２つの基地局８４０を示す。無線通信システムは、さらに多くの遠隔ユニットおよび基地局を有することができることが理解されるであろう。遠隔ユニット８２０、８３０、および８５０は、それぞれダイオード８２５Ａ、８２５Ｃ、８２５Ｂを含む。ダイオード８２５Ａ、８２５Ｃ、８２５Ｂは、上記で論じた実施形態である。図８は、基地局８４０から遠隔ユニット８２０、８３０、および８５０への前方向リンク信号８８０、ならびに遠隔ユニット８２０、８３０、および８５０から基地局８４０への逆方向リンク信号８９０を示す。
【００３３】
図８では、遠隔ユニット８２０を移動電話として示し、遠隔ユニット８３０を携帯型コンピュータとして示し、遠隔ユニット８５０を無線ローカルループシステム内のコンピュータとして示す。たとえば、遠隔ユニットは、携帯電話、移動電話、コンピュータ、セットトップボックス、音楽再生装置、ビデオ再生装置、娯楽ユニット、手持ち式個人通信システム（ＰＣＳ）ユニット、個人データアシスタントなどの携帯型データユニット、または計測機器などの固定位置データユニットとすることができる。図８は、本開示の教示による遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの例示的な図示のユニットに限定されるものではない。本開示は、ダイオードを含む任意のデバイス内で適切に用いることができる。
【００３４】
図９は、半導体部品、たとえば上記で開示したダイオードの回路、配置、および論理設計に使用される設計ワークステーションを示すブロック図である。設計ワークステーション９００は、オペレーティングシステムソフトウェア、サポートファイル、およびＣａｄｅｎｃｅまたはＯｒＣＡＤなどの設計ソフトウェアを含むハードディスク９０１を含む。設計ワークステーション９００はまた、上記で論じたダイオードなどの回路９１０または半導体部品９１２の設計を容易にするために、ディスプレイを含む。回路設計９１０または半導体部品９１２を有形に記憶するために、記憶媒体９０４が提供される。回路設計９１０または半導体部品９１２は、ＧＤＳＩＩまたはＧＥＲＢＥＲなどのファイル形式で記憶媒体９０４上に記憶することができる。記憶媒体９０４は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適当なデバイスとすることができる。さらに、設計ワークステーション９００は、記憶媒体９０４からの入力を受け入れ、または記憶媒体９０４への出力を書き込むための駆動装置９０３を含む。
【００３５】
記憶媒体９０４上に記録されたデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスクに対するパターンデータ、または電子ビームリソグラフィなどのシリアル書込みツールに対するマスクパターンデータを指定することができる。このデータは、論理シミュレーションに関連するタイミング図またはネット回路などの論理検証データをさらに含むことができる。記憶媒体９０４上にデータを提供すると、半導体ウェーハを設計するプロセスの数を低減させることによって、回路設計９１０または半導体部品９１２の設計を容易にする。
【００３６】
本明細書に記載の方法論は、適用分野に応じて様々な構成要素によって実施することができる。たとえば、これらの方法論は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはこれらの任意の組合せ内で実施することができる。ハードウェアの実装の場合、処理ユニットは、１つまたは複数の特定用途向けの集積回路（ＡＳＩＣ）、デジタル信号処理装置（ＤＳＰ）、デジタル信号処理デバイス（ＤＳＰＤ）、プログラム可能論理デバイス（ＰＬＤ）、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、処理装置、制御装置、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、電子デバイス、本明細書に記載の機能を実行するように設計された他の電子ユニット、またはこれらの組合せとともに実施することができる。
【００３７】
ファームウェアおよび／またはソフトウェアの実装の場合、方法論は、本明細書に記載の機能を実行するモジュール（たとえば、手順、機能など）とともに実施することができる。本明細書に記載の方法論を実施する際、命令を有形に実施する任意の機械可読媒体を使用することができる。たとえば、メモリ内にソフトウェアコードを記憶して、処理装置ユニットによって実行することができる。メモリは、処理装置ユニット内で、または処理装置ユニットの外部で実施することができる。本明細書では、「メモリ」という用語は、任意のタイプの長期的、短期的、揮発性、不揮発性、または他のメモリを指し、いかなる特定のタイプのメモリもしくはメモリ数、またはメモリが記憶される媒体のタイプにも限定されるものではない。
【００３８】
ファームウェアおよび／またはソフトウェア内で実施される場合、機能は、１つまたは複数の命令またはコードとしてコンピュータ可読媒体上に記憶することができる。例には、データ構造で符号化されたコンピュータ可読媒体およびコンピュータプログラムで符号化されたコンピュータ可読媒体が含まれる。コンピュータ可読媒体には、物理的なコンピュータ記憶媒体が含まれる。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスできる任意の利用可能な媒体とすることができる。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、または他の光ディスク記憶域、磁気ディスク記憶域、もしくは他の磁気記憶デバイス、ならびに命令またはデータ構造の形式で所望のプログラムコードを記憶するために使用でき、コンピュータによってアクセスできる任意の他の媒体を含むことができる。本明細書では、ディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）には、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザディスク（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスク（ｄｉｓｋ）、およびブルーレイディスク（ｄｉｓｃ）が含まれ、ディスク（ｄｉｓｋ）は通常、データを磁気的に再現し、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザによってデータを光学的に再現する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるはずである。
【００３９】
コンピュータ可読媒体上の記憶に加えて、命令および／またはデータは、通信装置内に含まれる伝送媒体上で信号として提供することができる。たとえば、通信装置は、命令およびデータを示す信号を有する送受信器を含むことができる。命令およびデータは、１つまたは複数の処理装置に特許請求の範囲で概説する機能を実施させるように構成される。
【００４０】
本開示およびその利点について詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲によって規定される本開示の技術から逸脱することなく、様々な変更、置換え、および交換を本明細書に加えることができることを理解されたい。たとえば、「上（ａｂｏｖｅ）」および「下（ｂｅｌｏｗ）」などの関係を示す用語が、基板または電子デバイスに関して使用される。もちろん、基板または電子デバイスを逆にした場合、上が下になり、また逆も同様である。さらに、横向きの場合、上および下は、基板または電子デバイスの側面を指すこともできる。さらに、本出願の範囲は、本明細書に記載のプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、およびステップの特定の実施形態に限定されるものではない。本開示から当業者には容易に理解されるように、本開示によれば、本明細書に記載の対応する実施形態と実質上同じ機能を実行し、または実質上同じ結果を実現する、現在存在するまたは将来開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップを利用することができる。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップを範囲内に含むものとする。
【符号の説明】
【００４１】
３００  アクティブダイオード
３０２  基板
３０４  ＳＴＩ領域
３０６  第１のドープ領域
３０８  第２のドープ領域
３１２  第１の低不純物濃度領域
３１４  第２の低不純物濃度領域
３１６  第１のサリサイド部分
３１８  第２のサリサイド部分
３３０  経路
３４０  コンタクト
３４２  コンタクト
４００  アクティブダイオード
６０２  基板
６０４  シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域
６０６  第１のドープ領域
６０８  第２のドープ領域
６１２  第１の低不純物濃度領域
６１４  第２の低不純物濃度領域
６１６  第１のサリサイド部分
６１８  第２のサリサイド部分
６３０  サリサイドブロック
７００  アクティブマスク
７０２  第１の領域
７０４  第２の領域
７１０  第１の注入マスク
７１２  第１の領域
７１４  第２の領域
７２０  第２の注入マスク
７２２  第１の領域
７２４  第２の領域
７３０  サリサイドブロックマスク
７３２  第１の領域
７３４  第２の領域
８００  無線通信システム
８２０  遠隔ユニット
８２５Ａ  ダイオード
８２５Ｂ  ダイオード
８２５Ｃ  ダイオード
８３０  遠隔ユニット
８４０  基地局
８５０  遠隔ユニット
８８０  前方向リンク信号
８９０  逆方向リンク信号
９００  設計ワークステーション
９０１  ハードディスク
９０３  駆動装置
９０４  記憶媒体
９１０  回路、回路設計
９１２  半導体部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2015029102.tif 000007
【図５】
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【図６Ａ】
2015029102.tif 000009
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
2015029102.tif 000013
【図６Ｆ】
2015029102.tif 000014
【図７Ａ】
2015029102.tif 000015
【図７Ｂ】
2015029102.tif 000016
【図７Ｃ】
2015029102.tif 000017
【図７Ｄ】
2015029102.tif 000018
【図８】
2015029102.tif 000019
【図９】
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【外国語明細書】
2015029102000001.pdf