(57)【要約】【課題】基板下面に供給された液体が乾燥用気体の吐出口内に浸入することを防止しつつ、基板下面の乾燥効率を向上させる。【解決手段】基板液処理装置は、基板（Ｗ）を水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させる基板保持回転機構（３０）と、基板の下面の中央部の下方に配置されるとともに、基板の下面に向けて処理液を吐出する液体吐出口（４３ａ）が設けられた頭部（４２）を有する液体吐出部（４０）と、隙間を空けて液体吐出部の周囲を囲むとともに、上面に開口（３１ｄ）が設けられた包囲部材（３１ｃ）とを備えている。開口において液体吐出部と包囲部材との間に、乾燥用気体を、基板の下面に向けて、かつ、斜め上方外向きに吐出する気体吐出口（８２）が形成される。液体吐出部の頭部（４２）は、気体吐出口よりも外側に張り出して気体吐出口を上方から覆っている。【選択図】図３
2015231030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させる基板保持回転機構と、
前記基板保持回転機構に保持された基板の下面の中央部の下方に配置されるとともに、前記基板の下面に向けて処理液を吐出する液体吐出口が設けられた頭部を有する液体吐出部と、
隙間を空けて前記液体吐出部の周囲を囲むとともに、上面に開口が設けられた包囲部材と、
を備え、
前記開口において前記液体吐出部と前記包囲部材との間に、乾燥用気体を、基板の下面に向けて、かつ、斜め上方外向きに吐出する気体吐出口が形成され、
前記液体吐出部の頭部は、前記気体吐出口よりも外側に張り出して前記気体吐出口を上方から覆っている
ことを特徴とする基板液処理装置。
【請求項２】
前記包囲部材の内周面の上端縁により前記包囲部材の前記開口が画定され、
前記上端縁と同一の高さであって、前記液体吐出部の頭部と、前記包囲部材の内周面の上端縁との間に前記気体吐出口が形成され、
前記頭部の外周端縁は、前記気体吐出口よりも上方かつ半径方向外側に位置している
請求項１記載の基板液処理装置。
【請求項３】
前記基板保持回転機構は、基板の下方に位置して基板と対面する板状体と、前記板状体の周縁部に設けられた保持部材と、前記板状体の中央部から鉛直方向下方に延びる中空の回転軸と、前記回転軸を回転させる回転駆動部とを有しており、
前記液体吐出部は、前記頭部から下方に延びるとともに前記中空の回転軸の内部に配置された軸部を有しており、
前記板状体の内周縁部または前記回転軸の上部が前記包囲部材である、
請求項１または２記載の基板液処理装置。
【請求項４】
前記液体吐出部の頭部は、半径方向外側にゆくに従って高くなるように傾斜する斜め下方を向いた周面を有し、前記包囲部材の内周面は、半径方向外側にゆくに従って高くなるように傾斜しており、前記頭部の周面と前記包囲部材の内周面の間に形成される空間の幅Ａは、前記気体吐出口に近づくに従って小さくなっている、請求項１から３のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
【請求項５】
前記気体吐出口は、基板の中心部から半径方向外側に離れた所定領域の近傍に向けて乾燥用気体を吐出するように形成されており、前記所定領域とは、前記気体吐出口から乾燥用気体を吐出させないで、下面が濡れた基板を前記基板回転保持機構により回転させることにより前記基板の下面を乾燥させた場合に、最も乾燥が遅延する領域である、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
【請求項６】
断面で見た前記液体吐出部の頭部の外周端縁付近の輪郭が湾曲している、請求項２記載の基板液処理装置。
【請求項７】
前記基板保持回転機構に保持された基板の回転数を上げるほど、前記前記気体吐出口からの乾燥用気体の吐出流量を大きくする、請求項６記載の基板液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の下面に処理液を供給して液処理を行う基板液処理装置において、基板の下面に乾燥用ガスを供給する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、半導体ウエハ等の基板を水平に保持し、鉛直軸線周りに回転させた状態で、基板の下面（例えばデバイス非形成面である基板裏面）に洗浄液（例えば洗浄用薬液またはリンス液）を供給して、当該下面に洗浄処理を施すことがある。このような液処理は、基板の上面（例えばデバイス形成面である基板表面）に対する洗浄処理と同時に行われることもある。下面の洗浄が終了した後に、基板を高速回転させることにより振り切り乾燥が行われる。このとき、乾燥促進及びウオーターマークの発生を防止するため、基板の下面側に窒素ガス等の不活性ガスが供給される。上記の一連の処理を実行するための基板液処理装置が、例えば特許文献１に記載されている。
【０００３】
特許文献１の装置に限らず、上記の処理を行うための装置では、洗浄液及び不活性ガスはともに基板の下面の中央部に吹き付けられる。このため、洗浄液の吐出口及び不活性ガスの吐出口は、いずれも基板の下面の中央部の下方に配置される。このため、洗浄液が吐出されているときに、一旦基板の下面に到達した洗浄液の一部が不活性ガスの吐出口に向けて落下し、不活性ガスの吐出口内に入り込んで当該吐出口内部を汚染する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５００５５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、基板下面に供給された液体が乾燥用気体の吐出口内に浸入することを防止しつつ、基板下面の乾燥効率を向上させることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
好適な一実施形態において、本発明は、基板を水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させる基板保持回転機構と、前記基板保持回転機構に保持された基板の下面の中央部の下方に配置されるとともに、前記基板の下面に向けて処理液を吐出する液体吐出口が設けられた頭部を有する液体吐出部と、隙間を空けて前記液体吐出部の周囲を囲むとともに、上面に開口が設けられた包囲部材と、を備え、前記開口において前記液体吐出部と前記包囲部材との間に、乾燥用気体を、基板の下面に向けて、かつ、斜め上方外向きに吐出する気体吐出口が形成され、前記液体吐出部の頭部は、前記気体吐出口よりも外側に張り出して前記気体吐出口を上方から覆っている基板液処理装置を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板下面に供給された液体が乾燥用気体の吐出口に浸入することを防止することができる。しかも、基板下面の中心部よりも半径方向外側に位置する最も乾燥し難い領域の乾燥を促進することができ、基板下面全体の乾燥効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板液処理装置の全体構成を示す概略平面図である。
【図２】図１の基板液処理装置に含まれる処理ユニットの概略縦断面図である。
【図３】図２の処理ユニットの処理液の吐出口及び乾燥用ガスの吐出口の付近を拡大して示す断面図である。
【図４】ウエハ下面の乾燥の進行について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１１】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１２】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１３】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１４】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１５】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１６】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１７】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００１８】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００１９】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２０】
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２１】
次に、処理ユニット１６の概略構成について図２及び図３を参照して説明する。
【００２２】
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、ウエハＷを保持して回転させる基板保持回転機構３０と、処理液供給ノズルを構成する液体吐出部４０と、ウエハＷに供給された後の処理液を回収する回収カップ５０とを備える。
【００２３】
チャンバ２０は、基板保持回転機構３０、液体吐出部４０及び回収カップ５０を収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２４】
基板保持回転機構３０は、機械的なクランプ機構によりウエハＷを保持するメカニカルチャックとして構成されている。基板保持回転機構３０は、基板保持部３１、回転軸３２及び回転モータ（回転駆動部）３３を有している。
【００２５】
基板保持部３１は、円板形のベースプレート（板状体）３１ａと、ベースプレート３１ａの周縁部に設けられた複数の保持部材３１ｂを有している。保持部材３１ｂは、ウエハＷの周縁を保持する。一実施形態においては、複数の保持部材３１ｂのいくつかはウエハＷに対して進退してウエハＷの把持及び解放の切り換えを行う可動の支持部材であり、残りの保持部材３１ｂは不動の保持部材である。回転軸３２は中空であり、ベースプレート３１ａの中央部から鉛直方向下向きに延びている。回転モータ３３は回転軸３２を回転駆動し、これにより、基板保持部３１により水平姿勢で保持されたウエハＷが鉛直軸線周りに回転する。
【００２６】
液体吐出部４０は、全体として鉛直方向に延びる細長い軸状の部材として形成されている。液体吐出部４０は、鉛直方向に延びる中空円筒形の軸部４１と、頭部４２とを有している。軸部４１は、基板保持回転機構３０の回転軸３２の内部の円柱形の空洞３２ａ内に挿入されている。軸部４１と回転軸３２とは同心である。軸部４１の外周面と回転軸３２の内周面との間に円環状の断面を有する気体通路８０としての空間が形成されている。
【００２７】
液体吐出部４０の内部には、鉛直方向に延びる円柱形の空洞がある。この空洞の内部には処理液供給管４３（図３にのみ示した）が設けられている。処理液供給管４３の上端は、液体吐出部４０の頭部４２の上面４２ａで開口しており、基板保持回転機構３０に保持されたウエハＷの下面の中央部に向けて処理液を吐出する（図３の黒塗り矢印を参照）液体吐出口４３ａとなる。
【００２８】
処理液供給管４３には、ウエハＷの下面を処理するための所定の処理液が、処理液供給機構７２から供給される。処理液供給機構７２の構成の図示及び詳細な説明は省略するが、例えば、処理液供給源に接続された供給ラインと、この供給ラインに介設された開閉弁及び流量制御弁などから構成される。この処理液供給機構７２は、複数の処理液、例えば洗浄用薬液（例えばＤＨＦ）及びリンス液を切り換えて供給することができるように構成されていてもよい。
【００２９】
回収カップ５０は、基板保持回転機構３０の基板保持部３１を取り囲むように配置され、回転するウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０は、不動の下カップ体５１と、上昇位置（図２に示す位置）と下降位置との間で昇降可能な上カップ体５２とを有している。上カップ体５２は、昇降機構５３により昇降する。上カップ体５２が下降位置にあるときには、上カップ体５２の上端は、基板保持回転機構３０により保持されたウエハＷよりも低い位置に位置する。このため、上カップ体５２が下降位置にあるときに、チャンバ２０内に進入した図１に示した基板搬送装置１７の基板保持機構（アーム）と基板保持回転機構３０との間で、ウエハＷの受け渡しが可能となる。
【００３０】
下カップ体５１の底部には、排出口５４が形成されている。この排出口５４を介して、捕集された処理液及び回収カップ５０内の雰囲気が回収カップ５０から排出される。排出口５４には排出管５２が接続され、排出管５２は減圧雰囲気の工場排気系（図示せず）に接続されている。
【００３１】
ＦＦＵ２１からの清浄空気のダウンフローは、回収カップ５０（上カップ体５２）の上部開口を介して回収カップ５０内に引き込まれ、排出口５４から排気される。このため、回収カップ５０内には、矢印Ｆで示す気流が生じる。
【００３２】
処理ユニット１６はさらに、基板保持回転機構３０により保持されたウエハＷの上面に処理液（洗浄用薬液あるいはリンス液）を供給する少なくとも１つの処理液供給ノズル６１を備えていてもよい。処理ユニット１６はさらに、ウエハＷの上面をスクラブ洗浄するブラシ６２を備えていてもよい。
【００３３】
次に、図２及び図３を参照して、ウエハＷ下面への液体及び気体の供給に関与する部分について詳細に説明する。なお、特に説明の無い限り、図３に現れている全ての部材は、幾何学的用語としての回転体に該当する。
【００３４】
液体吐出部４０の上側部分（頭部４２及びその付近）の周囲は、包囲部材により包囲されている。図示された実施形態において、基板保持部３１（特にベースプレート３１ａ）の内周縁部３１ｃ及び回転軸３２の上部が、上記包囲部材に該当する。液体吐出部４０の上側部分と包囲部材との間には円環状の隙間があり、この隙間が気体吐出路８１となっている。
【００３５】
ベースプレート３１ａの中央部の上面には、開口３１ｄが設けられている。この開口３１ｄの近傍において、ベースプレート３１ａの内周縁部３１ｃの内周面３１ｅは、傾斜面となっている。内周縁部３１ｃの内周面３１ｅの上端縁３１ｆにより、開口３１ｄが画定されていることになる。
【００３６】
液体吐出部４０の頭部４２は、外周端縁４２ｂ有している。この外周端縁４２ｂは、頭部４２のうち、最も半径方向外側に位置する部分である。上記開口３１ｄを画定する上端縁３１ｆと同一の高さであって、液体吐出部４０の頭部４２とベースプレート３１ａの上端縁３１ｆとの間の隙間に、円環状の気体吐出路８１を流れる気体をウエハＷの下方空間８３（ウエハＷとベースプレート３１ａとの間の空間）に吐出する円環状の気体吐出口８２が形成される。
【００３７】
前述した液体吐出部４０の軸部４１と回転軸３２との間の気体通路８０には、乾燥用気体としての不活性ガス、ここでは窒素（Ｎ２）ガスが、乾燥用気体供給機構７４から供給される。乾燥用気体供給機構７４の構成の図示及び詳細な説明は省略するが、例えば、乾燥用気体供給源に接続された供給ラインと、この供給ラインに介設された開閉弁及び流量制御弁等から構成される。
【００３８】
乾燥用気体供給機構７４から、気体通路８０に供給された窒素ガスは、気体吐出路８１に流入し、気体吐出口８２からウエハＷの下面に向けて吐出される。頭部４２及びベースプレート３１ａの内周縁部３１ｃ（包囲部材）は、気体吐出口８２から吐出される窒素ガスが、気体吐出口８２から斜め上方に向けて吐出される（図３の白抜き矢印を参照）ように形成されている。
【００３９】
窒素ガスを気体吐出口８２から斜め上方に向けて吐出させるために、頭部４２は、半径方向外側にゆくに従って高くなるように傾斜する斜め下方を向いた周面４２ｃを有し、また、内周縁部３１ｃは、半径方向外側にゆくに従って高くなるように傾斜する斜め上方を向いた、周面４２ｃと対面する内周面３１ｅを有している。また、気体吐出口８２から噴射されるガスの勢いを増すために、気体吐出路８１の幅Ａは気体吐出口８２に近づくに従って小さくなっている。
【００４０】
なお、気体吐出口８２近傍の頭部４２及び内周縁部３１ｃの形状は、さまざまなものが考えられ、図３に示した形状に限定されるものではない。例えば、気体吐出口８２近傍の頭部４２及び内周縁部３１ｃの形状次第では、コアンダ効果によりガスの噴射方向が変化する。例えば断面でみて、頭部４２の外周端縁４２ｂ付近の輪郭が湾曲している場合、ガスの噴射方向が、図３の白抜き矢印よりも上向きになり、ガスがウエハＷの中心側により届きやすくなる。これにより、ウエハＷの中心付近の乾燥を促進させることができる。
【００４１】
気体吐出口８２から気体吐出路８１及び気体通路８０内に液体（液体吐出口４３ａから吐出されてウエハＷ下面に到達した後に落下してくる処理液）が侵入することを防止するため、頭部４２は、ベースプレート３１ａの開口３１ｄを画定する内周面３１ｅの上端縁３１ｆよりも半径方向外側に張り出し、上方からの平面視で気体吐出口８２を完全に覆っている。一方、上端縁３１ｆよりも半径方向外側の部分は水平面であるので、上端縁３１ｆよりも半径方向外側に液体が落ちても、気体吐出路８１及び気体通路８０内に浸入することはない。なお、液体吐出口４３ａから液体が吐出されているときには基板保持部３１は回転しているため、上端縁３１ｆよりも半径方向外側に比較的多くの量の液体が落ちたとしても、この液体は遠心力により外側に移動し、気体吐出路８１及び気体通路８０内に浸入することはない。
【００４２】
次に、処理ユニット１６で行われるウエハＷに対する処理について簡単に説明する。
【００４３】
まず、上カップ体５２が下降位置にある状態で、基板搬送装置１７の基板保持機構（アーム）がチャンバ２０内に進入し、ウエハＷを基板保持回転機構３０の保持部３１に渡す。その後、基板保持機構（アーム）がチャンバ２０から退出し、上カップ体５２が上昇位置に上昇する。
【００４４】
次に、基板保持回転機構３０が、ウエハＷを回転させる。この状態で、ウエハＷに対して所定の液処理が施される。液処理の一例を以下に述べる。所定時間の間、処理液供給ノズル６１から洗浄用薬液（例えばＤＨＦ）がウエハＷの上面（デバイスが形成されたウエハＷの表面）に供給され、これと同時に、処理液供給管４３の液体吐出口４３ａから洗浄用薬液（例えばＤＨＦ）がウエハの下面（デバイスが形成されていないウエハＷの裏面）の中央部（ほぼ中心）に供給され、これによりウエハＷの上面及び下面に薬液洗浄処理が施される。
【００４５】
次に、引き続きウエハＷを回転させたまま、所定時間の間、処理液供給ノズル６１からウエハＷの上面にリンス液（例えば純水（ＤＩＷ））が供給されると同時に、液体吐出口４３ａからウエハＷの下面中央部にリンス液（例えば純水（ＤＩＷ））が供給され、ウエハＷの上面及び下面にリンス処理が施される。これにより、ウエハＷの上面及び下面に残留する薬液及び薬液洗浄処理により生じた反応生成物がリンス液により洗い流される。
【００４６】
次に、ウエハＷの上面及び下面への液体の供給を停止し、引き続きウエハＷを回転させたまま（好ましくはウエハの回転速度を増大させ）、ウエハＷの上面及び下面を乾燥させる。このとき、気体吐出口８２からウエハＷの下面に向けて窒素ガスを吐出し、乾燥を促進する。窒素ガスは低湿度であるためウエハＷ下面とベースプレート３１ａとの間の空間内の雰囲気が低湿度となり、乾燥が促進される。
【００４７】
気体吐出口８２から、ウエハＷ下面に向けて吐出されるガスの主流は、ウエハＷの中心ではなく、ウエハＷの中心から所定距離、例えば４０〜６０ｍｍ程度（１２インチウエハの場合）離れた領域に向かうようになっている。このようにすることにより、ウエハＷの下面を均一に乾燥させることができる。これに関連して、発明者が行った実験及び考察について以下に説明する。
【００４８】
図１に示すものと同じ構成を有する処理ユニットを用いて、ウエハＷの下面に対して、リンス処理を行った後に、窒素ガスの供給を行わずに乾燥処理を行う実験を行った。実験は、乾燥処理時に、ウエハの回転速度を２０００ｒｐｍ、２５００ｒｐｍまたは３０００ｒｐｍに増加させ、その回転数を所定時間維持することにより行った。ウエハＷの回転速度に関わらず、十分に長時間ウエハＷの回転を継続すれば、ウエハＷ下面は問題無く全面均一に乾燥した。このとき、回転時間を短くすると、乾燥残りが生じた。
【００４９】
２０００ｒｐｍでウエハを回転させたときの、乾燥残りの形態は、図４に示すようなものであった。このとき、２０００ｒｐｍでウエハＷを４９秒間回転させるとウエハＷが完全に乾燥した。ウエハＷを約３０秒間回転させて停止させたとき、ウエハＷの下面には直径約１３０〜１５０ｍｍの円形の乾燥残り１００が確認された（図４（ａ）を参照）。ウエハＷを約４０秒間回転させて停止させたとき、ウエハＷの下面には直径約６０〜８０ｍｍのリング状の乾燥残り１００が確認された（図４（ｂ）を参照））。ウエハＷを約４７秒間回転させて停止させたときには、一部が欠けたリング状の乾燥残り１００が確認された（図４（ｃ）を参照）。他の回転速度における実験でも、リング状の乾燥残り１００が生じる位置がやや変化し完全乾燥に至るまでの時間は異なったが、同様の傾向が確認された。このことから、最も乾燥し難い部分は、ウエハＷの中心部ではなく、ウエハの中心部から離れたリング状の領域であることがわかった。
上記実験結果より、上記リング状の領域（ウエハＷの半径に対して、中心から約２０％〜３０％の領域）の乾燥を促進することが、ウエハＷ下面全体の乾燥時間の短縮につながることがわかった。また、ウエハＷの下面中心部に向けて乾燥用気体を吹き付ける必要性は低いことがわかった。
【００５０】
図１〜図３に示した実施形態における気体吐出口８２は、上記ウエハＷ上のリング状の領域よりも少し内側である、中心から約４０ｍｍの位置に気体を吹きつけるよう配置されている。これにより、吹き付けられたガスはウエハＷの下面に沿って半径方向外向きに流れ、上記リング状の領域の乾燥促進により寄与する。ただし、吹き付ける位置には限らず、上記リング状の領域の近傍であれば良い。
【００５１】
上記の吹きつけ位置を考慮すると同時に、気体吐出口８２は、ウエハＷの中心部の真下から可能な限り離れた場所に位置させる。これにより、液体吐出口４３ａから吐出されてウエハＷ下面に到達した後に落下してくる処理液が気体吐出口８２内に入り込む可能性が大幅に低減される。しかも、頭部４２が、ベースプレート３１ａの内周縁部３１ｃの開口３１ｄの輪郭線となる上端縁３１ｆよりも半径方向外側に張り出し、上方からの平面視で開口３１ｄ（気体吐出口８２）を完全に覆っているので、処理液が気体吐出口８２内に入り込む可能性がさらに低減される。
【００５２】
すなわち、上記の実施形態によれば、ウエハＷ下面の乾燥効率を向上させることができるとともに、乾燥用気体の吐出口および当該吐出口に繋がる吐出路内に処理液が浸入して吐出口及び吐出路を汚染することを防止することができる。
【００５３】
上述のように、ウエハＷの回転速度が変化するとリング状の乾燥残り１００が現れる場所が変化するが、乾燥残り１００を狙って乾燥用気体を吹き付けたい場合には、乾燥用気体の吐出流量を変化させることにより、気体吐出口からの乾燥用気体の吐出角度を変化させることも可能である。例えば、頭部４２及び内周縁部３１ｃの形状がコアンダ効果を生じさせるものである場合、乾燥用気体の吐出流量を上げるほど、気体吐出口からの乾燥用気体の吐出角度は、よりウエハＷ側に傾いて基板中心側の面に乾燥用気体が届きやすくなる。一方、乾燥残り１００が現れる場所は、回転速度が大きくなるほど中心に寄ってくるという性質がある。したがって、制御装置４は、ウエハＷの回転数が大きいほど、乾燥用気体の吐出流量を大きくするという制御を行うことが好ましい。
【００５４】
上述したように、気体吐出口８２内に液体が入り込む可能性は非常に低いのであるが、より確実に気体吐出口８２内に液体が入り込むことを防止するために、乾燥処理を行っていないときに（例えば、液処理を行っているときに）、気体吐出口８２からパージガスとしての不活性ガス（窒素ガス）を乾燥時よりも少ない微小流量で吹き出させるように乾燥用気体供給機構７４の供給流量を切り替え制御するようにしても構わない。
【００５５】
上記実施形態においては、ウエハＷ上面に対して、処理液ノズル６１から供給された洗浄用薬液により薬液洗浄を行ったが、これに限定されず、ブラシ６２によりスクラブ洗浄を行ってもよい。ウエハＷ下面に対して上述した処理を行っている間に、ウエハＷ上面に対して任意の処理を行うことが可能であるが、ウエハＷ上面に対して何ら処理を行わなくてもよい。
【００５６】
処理対象の基板は半導体ウエハ（ウエハＷ）に限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の他の種類の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
３０  基板保持回転機構  
３１ｃ  包囲部材（ベースプレート３１ａの内周縁部）
３１ｄ  開口
３１ｆ  包囲部材の内周面の上端縁
４０  液体吐出部
４２  頭部
４２ｂ  液体吐出部の頭部の外周端縁
４３ａ  液体吐出口
８２  気体吐出口
【図１】
2015231030.tif 000003
【図２】
2015231030.tif 000004
【図３】
2015231030.tif 000005
【図４】
2015231030.tif 000006