(57)【要約】【課題】本発明は、電極パッドの大きさに合わせてコンタクト痕の大きさを調整できるプローブ装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板１２と、該基板に固定された第１コンタクトプローブ１４と、該基板に固定された第２コンタクトプローブ１８と、該基板に固定され、該第１コンタクトプローブと電気的に接続された第１信号線１６と、該基板に固定され、該第１信号線と絶縁されつつ、該第２コンタクトプローブと電気的に接続された第２信号線２０と、を備え、該基板から該第１コンタクトプローブの先端までの最短距離は、該基板から該第２コンタクトプローブの先端までの最短距離より長い。【選択図】図１
2015001448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に固定された第１コンタクトプローブと、
前記基板に固定された第２コンタクトプローブと、
前記基板に固定され、前記第１コンタクトプローブと電気的に接続された第１信号線と、
前記基板に固定され、前記第１信号線と絶縁されつつ、前記第２コンタクトプローブと電気的に接続された第２信号線と、を備え、
前記基板から前記第１コンタクトプローブの先端までの最短距離は、前記基板から前記第２コンタクトプローブの先端までの最短距離より長いことを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板に固定された第１コンタクトプローブと、
前記基板に固定された第２コンタクトプローブと、
前記基板に固定され、前記第１コンタクトプローブと電気的に接続された第１信号線と、
前記基板に固定され、前記第１信号線と絶縁されつつ、前記第２コンタクトプローブと電気的に接続された第２信号線と、を備え、
前記基板に対する前記第１コンタクトプローブの角度と、前記基板に対する前記第２コンタクトプローブの角度は異なることを特徴とするプローブ装置。
【請求項３】
前記基板から前記第１コンタクトプローブの先端までの最短距離は、前記基板から前記第２コンタクトプローブの先端までの最短距離より長いことを特徴とする請求項２に記載のプローブ装置。
【請求項４】
平面視で、前記第１コンタクトプローブと前記第２コンタクトプローブは非平行に配置されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプローブ装置。
【請求項５】
前記基板に固定されたソケットを備え、
前記第１コンタクトプローブ又は前記第２コンタクトプローブは前記ソケットに固定されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプローブ装置。
【請求項６】
前記ソケットは前記基板に対して傾斜させて設置したことを特徴とする請求項５に記載のプローブ装置。
【請求項７】
前記ソケットは前記基板に対して垂直に設置されたことを特徴とする請求項５に記載のプローブ装置。
【請求項８】
前記基板は複数の貫通孔を有し、
前記ソケットは、前記複数の貫通孔のいずれか１つを貫通したことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のプローブ装置。
【請求項９】
前記複数の貫通孔は、平面視で貫通孔間の隙間がないように並べられ、１つの貫通孔を形成していることを特徴とする請求項８に記載のプローブ装置。
【請求項１０】
前記基板は貫通孔を有し、
前記ソケットは側面に複数の溝を有し、
前記複数の溝の１つに巻きつけられた第１リングと、
前記複数の溝の、前記第１リングが巻きつけられた溝とは異なる溝に巻きつけられた第２リングとを備え、
前記ソケットが前記貫通孔を通して前記基板を貫通しつつ、前記第１リングと前記第２リングで前記基板を挟むことで、前記ソケットが前記基板に固定されたことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のプローブ装置。
【請求項１１】
前記ソケットは側面に複数の溝を有し、
前記複数の溝の１つに巻きつけられた第１リングと、
前記複数の溝の、前記第１リングが巻きつけられた溝とは異なる溝に巻きつけられた第２リングとを備え、
前記ソケットが前記複数の貫通孔のいずれかを通して前記基板を貫通しつつ、前記第１リングと前記第２リングで前記基板を挟むことで、前記ソケットが前記基板に固定されたことを特徴とする請求項８又は９に記載のプローブ装置。
【請求項１２】
前記基板は貫通孔を有し、
前記ソケットは側面に複数の凸部を有し、
前記ソケットが前記貫通孔を通して前記基板を貫通しつつ、前記複数の凸部が前記基板に接することで、前記ソケットが前記基板に固定されたことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のプローブ装置。
【請求項１３】
前記ソケットは側面に複数の凸部を有し、
前記ソケットが前記複数の貫通孔のいずれかを通して前記基板を貫通しつつ、前記複数の凸部が前記基板に接することで、前記ソケットが前記基板に固定されたことを特徴とする請求項８又は９に記載のプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の電気的特性を測定するプローブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、プローブボード（基板）に複数のコンタクトプローブを固定したプローブ装置が開示されている。コンタクトプローブを半導体装置の電極パッドに押圧し、半導体装置の電気的特性を測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−３０６２２８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１２２０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
大面積の電極パッドと小面積の電極パッドを備える半導体装置がある。小面積の電極パッドを十分小さくするためには、小面積の電極パッドにコンタクトプローブをあてて形成されるコンタクト痕が、大面積の電極パッドにコンタクトプローブをあてて形成されるコンタクト痕より小さくなることが好ましい。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、電極パッドの大きさに合わせてコンタクト痕の大きさを調整できるプローブ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の発明に係るプローブ装置は、基板と、該基板に固定された第１コンタクトプローブと、該基板に固定された第２コンタクトプローブと、該基板に固定され、該第１コンタクトプローブと電気的に接続された第１信号線と、該基板に固定され、該第１信号線と絶縁されつつ、該第２コンタクトプローブと電気的に接続された第２信号線と、を備え、該基板から該第１コンタクトプローブの先端までの最短距離は、該基板から該第２コンタクトプローブの先端までの最短距離より長いことを特徴とする。
【０００７】
本願の発明に係る他のプローブ装置は、基板と、該基板に固定された第１コンタクトプローブと、該基板に固定された第２コンタクトプローブと、該基板に固定され、該第１コンタクトプローブと電気的に接続された第１信号線と、該基板に固定され、該第１信号線と絶縁されつつ、該第２コンタクトプローブと電気的に接続された第２信号線と、を備え、該基板に対する該第１コンタクトプローブの角度と、該基板に対する該第２コンタクトプローブの角度は異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電極パッドの大きさに合わせてコンタクト痕の大きさを調整できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１に係るプローブ装置の正面図である。
【図２】プローブ装置を含む試験装置の斜視図である。
【図３】コンタクト痕が形成された電極パッドの平面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係るプローブ装置の正面図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係るプローブ装置の平面図である。
【図６】コンタクト痕が形成された電極パッドの平面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係るプローブ装置の正面図である。
【図８】変形例に係るプローブ装置の正面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る基板の平面図である。
【図１０】変形例に係る基板の平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態５に係るソケットの正面図である。
【図１２】本発明の実施の形態６に係るソケットの正面図である。
【図１３】本発明の実施の形態６に係る基板の斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態６に係るソケットの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施の形態に係るプローブ装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係るプローブ装置の正面図である。プローブ装置１０は絶縁体で形成された基板１２を備えている。基板１２は上面１２ａと下面１２ｂを備えている。基板１２には第１コンタクトプローブ１４が固定されている。第１コンタクトプローブ１４は接続部１４ａを備えている。接続部１４ａは、基板１２の上面１２ａに固定された第１信号線１６と電気的に接続されている。
【００１２】
第１コンタクトプローブ１４は、接続部１４ａに接続された設置部１４ｂを備えている。設置部１４ｂは例えば接着剤により基板１２に固定されている。設置部１４ｂにはたわみ部１４ｃが接続されている。たわみ部１４ｃは第１コンタクトプローブ１４の大部分を占める部分である。このたわみ部１４ｃは外部から力を受けるとたわむ。たわみ部１４ｃには先端部１４ｄが接続されている。先端部１４ｄは先端１４ｅを含む部分を指す。先端部１４ｄは絞り加工が施されて針状の形状となっている。第１コンタクトプローブ１４は全体が導電体で形成されている。
【００１３】
基板１２には第２コンタクトプローブ１８が固定されている。第２コンタクトプローブ１８は、接続部１８ａ、設置部１８ｂ、たわみ部１８ｃ、先端部１８ｄ、及び先端１８ｅを備えている。これらの各要素の意義は、第１コンタクトプローブ１４の接続部１４ａ、設置部１４ｂ、たわみ部１４ｃ、先端部１４ｄ、及び先端１４ｅと同様である。第２コンタクトプローブ１８は全体が導電体で形成されている。
【００１４】
接続部１８ａは、基板１２の上面１２ａに固定された第２信号線２０と電気的に接続されている。第２信号線２０は第１信号線１６と絶縁されている。第１信号線１６と第２信号線２０は外部の計測装置と電気的に接続される。なお、第１信号線１６と第１コンタクトプローブ１４の接続、及び第２信号線２０と第２コンタクトプローブ１８の接続には例えば電線又は半田を利用することができるが、これらに限定されない。
【００１５】
第１コンタクトプローブ１４と第２コンタクトプローブ１８はカンチレバー式のコンタクトプローブである。図１の破線で示すように、基板１２から第１コンタクトプローブ１４の先端１４ｅまでの最短距離Ｚ１（以後、第１最短距離Ｚ１と称する）は、基板１２から第２コンタクトプローブ１８の先端１８ｅまでの最短距離Ｚ２（以後、第２最短距離Ｚ２と称する）より長くなっている。
【００１６】
第１コンタクトプローブ１４と第２コンタクトプローブ１８は、例えばタングステン又はベリリウム銅などの金属材料により作製できるが、これらに限定されない。なお、先端１４ｅ、１８ｅを含む先端部１４ｄ、１８ｄを例えば金、パラジウム、タンタル、又はプラチナで被覆して導電性と耐久性を高めてもよい。
【００１７】
図２は、プローブ装置を含む試験装置の斜視図である。試験装置は前述の基板１２を任意方向に移動するためのアーム３０を備えている。試験装置は更に、チャックステージ３２を備えている。チャックステージ３２は、半導体装置３４を例えば真空吸着又は静電吸着により保持するものである。半導体装置３４は例えば複数の半導体チップが形成されたウエハである。なお、アーム３０でプローブ装置を移動させずに、チャックステージ３２を移動する機構を採用してもよい。
【００１８】
図３は、半導体装置の電気的特性の測定後に半導体装置３４の電極パッドに形成されたコンタクト痕を示す平面図である。半導体装置３４には第１電極パッド５０と第２電極パッド５２が形成されている。プローブ装置１０を半導体装置３４に近づけると、まず、第１コンタクトプローブ１４の先端１４ｅが第１電極パッド５０に機械的に接触しコンタクト痕５４ａが形成される。プローブ装置１０をさらに半導体装置３４に近づけると、第２コンタクトプローブ１８の先端１８ｅが第２電極パッド５２に機械的に接触しコンタクト痕５６ａが形成される。
【００１９】
プローブ装置１０をさらに半導体装置３４に近づけると、第１コンタクトプローブ１４のたわみ部１４ｃがたわんでコンタクト痕５４ａの右側にコンタクト痕が伸びていく。最終的にコンタクト痕５４ａの右側にコンタクト痕５４ｂが形成される。同時に、第２コンタクトプローブ１８のたわみ部１８ｃがたわんでコンタクト痕５６ａの左側にコンタクト痕が伸びていく。最終的にコンタクト痕５６ａの左側にコンタクト痕５６ｂが形成される。このように、たわみ部１４ｃ、１８ｃがたわむことで、第１コンタクトプローブ１４と第１電極パッド５０の接続、及び第２コンタクトプローブ１８と第２電極パッド５２の接続を確実なものとする。
【００２０】
コンタクト痕５４ａの中心からコンタクト痕５４ｂの中心までの距離ｘ１は、コンタクト痕５６ａの中心からコンタクト痕５６ｂの中心までの距離ｘ２より長くなっている。第１コンタクトプローブ１４によるコンタクト痕の幅ｘ３は、第２コンタクトプローブ１８によるコンタクト痕の幅ｘ４より長くなっている。また、第１コンタクトプローブ１４によるコンタクト痕５４の面積は、第２コンタクトプローブ１８によるコンタクト痕５６の面積より大きくなっている。コンタクト痕５４の面積がコンタクト痕５６の面積より大きくなるのは、第１最短距離Ｚ１が第２最短距離Ｚ２より長いためである。
【００２１】
このように、本発明の実施の形態１に係るプローブ装置によれば、第１最短距離Ｚ１と第２最短距離Ｚ２を調整することで、電極パッドに対し、面積の異なる複数のコンタクト痕を形成できる。従って、電極パッドのサイズを所望の大きさにして、その電極パッド内に収まるようにコンタクト痕を形成することができる。
【００２２】
例えば、測定対象の半導体装置がパワー半導体である場合、数百アンペア程度の大電流を流す大面積電極パッドと、ゲート電極に相当する小面積電極パッドが混在する。この場合、大面積電極パッドには複数本のコンタクトプローブを接触させ、小面積電極パッドには１本のコンタクトプローブを接触させるのが一般的である。そして、本発明の実施の形態１に係るプローブ装置を用いれば、大面積電極パッドに第１コンタクトプローブ１４を当てて大きなコンタクト痕を形成しつつ、小面積電極パッドに第２コンタクトプローブ１８を当てて小さなコンタクト痕を形成することができる。よって、小面積電極パッドを十分に小さい面積で形成しつつ、小面積電極パッド内に収まるようにコンタクト痕を形成できる。小面積電極パッドの面積を小さくすることで、チップサイズの縮小、及び半導体装置の低コスト化ができる。
【００２３】
第１コンタクトプローブ１４と第２コンタクトプローブ１８の形状は特に限定されない。例えば、先端部１４ｄ、１８ｄがたわみ部１４ｃ、１８ｃに対して傾斜した形状ではなく、多段式クランク形状を採用してもよい。また、基板１２に固定されるコンタクトプローブの数は２本以上であれば特に限定されない。なお、これらの変形は以下の実施の形態に係るプローブ装置にも応用できる。
【００２４】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係るプローブ装置は、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。図４は、本発明の実施の形態２に係るプローブ装置の正面図である。第１コンタクトプローブ６０は、接続部６０ａ、設置部６０ｂ、たわみ部６０ｃ、先端部６０ｄ、及び先端６０ｅを備えている。第１コンタクトプローブ６０の長さはＬ１である。第２コンタクトプローブ６２は、接続部６２ａ、設置部６２ｂ、たわみ部６２ｃ、先端部６２ｄ、及び先端６２ｅを備えている。第２コンタクトプローブ６２の長さは、前述のＬ１より短いＬ２である。
【００２５】
基板１２に対する第１コンタクトプローブ６０の角度θ１は、基板１２に対する第２コンタクトプローブ６２の角度θ２と異なる。具体的には、角度θ１は角度θ２より小さい。第１最短距離Ｚ１と第２最短距離Ｚ２は等しい。
【００２６】
本発明の実施の形態２に係るプローブ装置を用いた場合、前述の図３と同じコンタクト痕が形成される。つまり、第１コンタクトプローブ６０によってコンタクト痕５４が形成され、第２コンタクトプローブ６２によってコンタクト痕５６が形成される。コンタクト痕の長さ及び面積に差がでるのは、角度θ１が角度θ２より小さいことによりたわみ部６０ｃのたわみ量がたわみ部６２ｃのたわみ量より大きくなるためである。
【００２７】
たわみ部６０ｃのたわみ量とたわみ部６２ｃのたわみ量の差を調整するために、たわみ部の太さ、硬さ、又は材料を変更しても良い。本発明の実施の形態２では第１最短距離Ｚ１と第２最短距離Ｚ２を同じ値としたが、第１最短距離Ｚ１を第２最短距離より長くして、コンタクト痕の面積差を大きくしても良い。
【００２８】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係るプローブ装置は、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。図５は、本発明の実施の形態３に係るプローブ装置の平面図である。第１コンタクトプローブ１４と第２コンタクトプローブ１８の基板１２の下面側の部分は破線で示す。また信号線は省略した。
【００２９】
平面視で、第１コンタクトプローブ１４は第２コンタクトプローブ１８と非平行となっている。図６は、本発明の実施の形態３に係るプローブ装置を用いた後に、電極パッドに形成されたコンタクト痕を示す半導体装置の平面図である。半導体装置３４には第１電極パッド７０と第２電極パッド７２が形成されている。第１電極パッド７０には第１コンタクトプローブ１４でコンタクト痕７４が形成されている。第２電極パッド７２には第２コンタクトプローブ１８でコンタクト痕７６が形成されている。
【００３０】
コンタクト痕７６から分かるように、第２コンタクトプローブ１８のすべり方向はｘ成分とｙ成分を有している。そのため、コンタクト痕７６のｘ方向の長さ（ｘ２、ｘ４）は、コンタクト痕７４のｘ方向の長さ（ｘ１、ｘ３）と比べて非常に短くなっている。従って電極パッド７２はｘ方向に短く形成することができる。
【００３１】
このように、第１コンタクトプローブ１４と第２コンタクトプローブ１８を非平行に配置すると、電極パッドの形状の自由度を高めることができる。なお、実施の形態２に係る第１コンタクトプローブ６０と第２コンタクトプローブ６２を平面視で非平行に配置してもよい。
【００３２】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係るプローブ装置は、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。図７は、本発明の実施の形態４に係るプローブ装置の正面図である。本発明の実施の形態４に係るプローブ装置は、基板１２に固定されたソケット１００を備えたことを特徴とする。
【００３３】
ソケット１００は、例えば銅、又はアルミニウムなどの金属で形成されている。ソケット１００と基板１２は接着剤で接着しても良いし、基板１２に形成した貫通孔にソケット１００を貫通させてもよいが、ソケット１００を基板１２に固定する方法は特に限定されない。ソケット１００の接続部１００ａが第２信号線２０に接触している。
【００３４】
ソケット１００は、基板１２に対して傾斜させて設置されている。ソケット１００は、第２コンタクトプローブ１８の設置部１８ｂと接続されている。第２コンタクトプローブ１８は、特に限定されないが、ネジ止め、ピン止め、又は嵌め合いによってソケット１００に固定されている。第２コンタクトプローブ１８は、ソケット１００を介して第２信号線２０に接続され、かつソケット１００に着脱自在に固定されている。
【００３５】
第２コンタクトプローブ１８は着脱自在にソケット１００に固定されているので、破損した第２コンタクトプローブ１８を交換できる。また、第２コンタクトプローブ１８のソケット１００に対する挿入深さを調整することで、容易に第２最短距離Ｚ２を調整できる。
【００３６】
図８は、本発明の実施の形態４に係るプローブ装置の変形例を示す正面図である。ソケット１１０は基板１２に対して垂直に設置されている。そして、ソケットにはクランク型の第２コンタクトプローブ１０４が挿入されている。第１コンタクトプローブ１０２もクランク型のコンタクトプローブで形成されている。
【００３７】
図９は、本発明の実施の形態４に係る基板の変形例を示す平面図である。基板１２は複数の貫通孔１２ｃを有している。そして前述のソケット１００又はソケット１１０は、複数の貫通孔１２ｃのいずれか１つを貫通し基板１２に固定されている。ソケット１００又はソケット１１０が貫通する貫通孔を変えることで、様々な電極パッドの配置に対応できる。
【００３８】
図１０は、本発明の実施の形態４に係る基板の変形例を示す平面図である。複数の貫通孔１２ｄは、平面視で貫通孔間の隙間がないように並べられ１つの貫通孔を形成している。ある貫通孔とその貫通孔の隣の貫通孔との距離が非常に近いので、ソケットの位置の微調整ができる。
【００３９】
なお、本発明の実施の形態４では、第２コンタクトプローブをソケットに固定したが、第１コンタクトプローブをソケットに固定して第１最短距離Ｚ１を調整しても良い。
【００４０】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係るプローブ装置は、実施の形態４との共通点が多いので実施の形態４との相違点を中心に説明する。図１１は、本発明の実施の形態５に係るソケットの正面図である。
【００４１】
基板１２は、破線で示す貫通孔１２ｅを有している。ソケット２００は、この貫通孔１２ｅを通して基板１２を貫通している。ソケット２００の上端２００ａは基板１２の上面１２ａ側にある。ソケット２００の下端２００ｂは基板１２の下面１２ｂ側にある。
【００４２】
ソケット２００は側面に複数の溝２００ｃを有している。複数の溝２００ｃは、環状に形成された溝がソケット２００の長手方向に連なるものである。複数の溝２００ｃの１つには第１リング２０２が巻きつけられている。複数の溝２００ｃの、第１リング２０２が巻きつけられた溝とは異なる溝に第２リング２０４が巻きつけられている。第１リング２０２と第２リング２０４は例えばゴムなどの弾力のある樹脂材料で形成されている。
【００４３】
第１リング２０２と第２リング２０４で基板１２を挟むことで、ソケット２００が基板１２に固定されている。そして、ソケット２００の下端２００ｂ側から第２コンタクトプローブ１８が挿入されている。
【００４４】
本発明の実施の形態５に係るプローブ装置によれば、第１リング２０２と第２リング２０４の巻きつけ位置を変更することで、第２最短距離Ｚ２を調整できる。なお、ソケット２００を図９の複数の貫通孔１２ｃ又は図１０の複数の貫通孔１２ｄのいずれかを通して基板１２を貫通させつつ、第１リング２０２と第２リング２０４で基板１２を挟むことで、ソケット２００を図９の基板１２又は図１０の基板１２に固定してもよい。
【００４５】
実施の形態６．
本発明の実施の形態６に係るプローブ装置は、実施の形態４との共通点が多いので実施の形態４との相違点を中心に説明する。図１２は、本発明の実施の形態６に係るソケットの正面図である。
【００４６】
基板１２は破線で示す貫通孔１２ｅを有している。ソケット３００は、この貫通孔１２ｅを通して基板１２を貫通している。ソケット３００の上端３００ａは基板１２の上面１２ａ側にある。ソケット３００の下端３００ｂは基板１２の下面１２ｂ側にある。ソケット３００は側面３００ｃに複数の凸部を有している。複数の凸部は凸部３００ｄ、３００ｅ、３００ｆ、３００ｇを備えている。
【００４７】
そして、凸部３００ｄ、３００ｅ、３００ｆ、３００ｇが基板１２に接することで、ソケット３００が基板１２に固定されている。具体的には、凸部３００ｄ、３００ｅと凸部３００ｆ、３００ｇの間隔を基板１２の厚みに合わせて、凸部３００ｄ、３００ｅ、３００ｆ、３００ｇで基板１２を挟むことで、ソケット３００を基板１２に固定する。
【００４８】
図１３は基板１２の斜視図である。貫通孔１２ｅの一部には凸状の切り欠き１２ｆ、１２ｇが形成されている。図１４は、ソケット３００の斜視図である。ソケット３００は基板１２の貫通孔１２ｅを貫通できる太さで形成されている。ソケットの凸部が切り欠き１２ｆ、１２ｇを通過するようにしてソケット３００を基板１２に貫通させ、所望の位置で、ソケット３００又は基板１２を回転させることで、図１２に示されるようにソケット３００を基板１２に固定する。
【００４９】
ソケット３００の凸部はソケット３００の長手方向に複数設けられているので、基板１２を挟む凸部を選択することで第２最短距離Ｚ２を調整できる。なお、ソケット３００を図９の複数の貫通孔１２ｃ又は図１０の複数の貫通孔１２ｄのいずれかを通して基板１２を貫通させつつ、凸部を基板１２に接触させることで、ソケット３００を図９の基板１２又は図１０の基板１２に固定してもよい。
【００５０】
なお、本発明の実施の形態５、６では、第２コンタクトプローブ１８をソケット３００に固定したが、第１コンタクトプローブ１４をソケット３００に固定して第１最短距離Ｚ１を調整しても良い。
【００５１】
ここまでに説明した各実施の形態の特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。また、本発明は、最適化された電極パッドの大きさに合わせてコンタクト痕の大きさを調整するものである。この特徴を逸脱しない範囲において様々な変形をなしうる。
【符号の説明】
【００５２】
１０  プローブ装置、  １２  基板、  １２ａ  上面、  １２ｂ  下面、  １２ｃ,１２ｄ  複数の貫通孔、  １２ｅ  貫通孔、  １４  第１コンタクトプローブ、  １６  第１信号線、  １８  第２コンタクトプローブ、  ２０  第２信号線、  ３２  チャックステージ、  ３４  半導体装置、  ５０  第１電極パッド、  ５２  第２電極パッド、  ５４,５６  コンタクト痕、  ６０  第１コンタクトプローブ、  ６２  第２コンタクトプローブ、  １００,１１０,２００,３００  ソケット、  １０２  第１コンタクトプローブ、  １０４  第２コンタクトプローブ、  ２０２  第１リング、  ２０４  第２リング
【図１】
2015001448.tif 000003
【図２】
2015001448.tif 000004
【図３】
2015001448.tif 000005
【図４】
2015001448.tif 000006
【図５】
2015001448.tif 000007
【図６】
2015001448.tif 000008
【図７】
2015001448.tif 000009
【図８】
2015001448.tif 000010
【図９】
2015001448.tif 000011
【図１０】
2015001448.tif 000012
【図１１】
2015001448.tif 000013
【図１２】
2015001448.tif 000014
【図１３】
2015001448.tif 000015
【図１４】
2015001448.tif 000016