(57)【要約】【課題】高静電容量と高耐電圧を実現できるコンデンサ用巻回型積層体を提供することである。【解決手段】コンデンサ用巻回型積層体であって、金属層と、誘電体層とを備えてなり、前記金属層の上に、前記誘電体層が存在し、前記誘電体層を備えた金属層二枚を一対として積層巻回してなり、プラスチックフィルムを包含しないことを特徴とするものにより達成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ用巻回型積層体であって、
金属層と、誘電体層とを備えてなり、
前記金属層の上に、前記誘電体層が存在し、前記誘電体層を備えた金属層二枚を一対として積層巻回してなり、
プラスチックフィルムを包含しないことを特徴とする、コンデンサ用巻回型積層体。
【請求項２】
請求項1において、前記金属層の上に、前記誘電体層を、気層法により形成することを特徴とする、請求項１に記載のコンデンサ用巻回型積層体。
【請求項３】
請求項２において、前記金属層の上に、前記誘電体層を、電子線（ＥＢ）蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、およびエアロゾルデポジション（ＡＤ）法の中から選ばれる一種又は二種以上の方法により形成することを特徴とする、請求項２に記載のコンデンサ用巻回型積層体。
【請求項４】
前記誘電体層の層厚が、５ｎｍ以上３μｍ以下である、請求項１〜３の何れか一項に記載のコンデンサ用巻回型積層体。
【請求項５】
前記金属の層厚が０．５μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１〜４の何れか一項に記載のコンデンサ用巻回型積層体。
【請求項６】
金属層と、誘電体層とで構成されるコンデンサ素子の端部をずらして、複数のコンデンサ素子が積層された、請求項１〜５の何れか一項に記載のコンデンサ用巻回型積層体。
【請求項７】
剥離フィルムの上に、金属層と、誘電体層とを積層した製造フィルムを少なくとも二つ形成し、
前記剥離フィルムを剥離しながら、前記二つの製造フィルムを一対にして巻き取ることにより製造される、請求項１〜６の何れか一項に記載のコンデンサ用巻回型積層体。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載のコンデンサ用巻回型積層体を備えてなる、積層巻回型コンデンサ。
【請求項９】
前記コンデンサ用巻回型積層体の両端面に、外部電極をさら備えてなる、請求項８に記載の積層巻回型コンデンサ。
【請求項１０】
前記外部電極の形成が、金属溶射によって行われる、請求項８又は９に記載の積層巻回型コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【発明の分野】
【０００１】
本発明は、高静電容量のコンデンサ用巻回型積層体、及びそれを用いた積層巻回型コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサは、電極に誘電体を挟持したもので構成されてなり、電荷を蓄える性質を有するものである。コンデンサは、機器、電源、電気電子部品、自動車用部品として広く使用されている。
【０００３】
一般に、コンデンサは、図１に示すように、２枚の電極間に誘電体（絶縁物）を挟持した構造となっている。また、電極面積がＡ [ｍ2]、誘電体の誘電率がε [Ｆ／ｍ]、電極間の距離がｌ [ｍ]のコンデンサの静電容量Ｃ [Ｆ]は、下記数式１で表される。
【数１】
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【０００４】
従って、コンデンサにおいて高静電容量を得るためには、
（１） 誘電体と接する電極面積Ａを上げ、
（２） 誘電率の高い誘電体を使用し、及び／又は、
（３）電極間距離を短くする（＝誘電体の厚みを薄くする）、といった手法が有効となる。
【０００５】
近年、ハイブリッド自動車（ＨＥＶ）、電気自動車（ＥＶ）の開発及び普及に伴い、モーター及びインバーター回路において、直流電流に重畳するリプル成分（電圧、電流）を除去し、平滑化するための高容量かつ高耐電圧のコンデンサが求められており、その代表的な例として、可撓性のある樹脂フィルムを誘電体として用いながら、樹脂フィルムを挟んで互いに対向するように、第１および第２の対向電極となる金属膜を樹脂フィルムの各主面に沿って配置してなる、フィルムコンデンサが提案されている（非特許文献１）。
【０００６】
Ｉ．フィルムコンデンサは、通常、上述の誘電体樹脂フィルムを巻回してなる円筒状、もしくはそれを押しつぶして端面を扁平形とした柱状の形態をなしており、当該円筒の互いに対向する第１および第２の端面上には、それぞれ、第１および第２の外部端子電極が形成されている。そして、前述した第１の対向電極は第１の外部端子電極と電気的に接続され、第２の対向電極は第２の外部端子電極と電気的に接続されている。
例えば、非特許文献２では、ポリプロピレンフィルムの片面に、二つの金属を真空蒸着させて電極を作成し、このフィルムを２枚用意して重ねて積層することにより、二つの電極の間に誘電体であるポリプロピレンフィルムが挟持されたコンデンサを提案している（図２）。また、非特許文献３では、誘電体となる高分子フィルムに金属電極を真空蒸着で形成し、このフィルムを２枚１対として重ね合わせて巻回し（図２）、その端面に金属溶射（メタリコン）をして外部電極を形成したコンデンサを提案している。
【０００７】
一方、非特許文献２及び非特許文献３に開示されている通り、フィルムコンデンサにあっては、ＨＥＶ、ＥＶに使用される場合、高耐電圧及び低損失（tanσ＝誘電正接）が要求される。誘電正接tanδが大きいと、エネルギー損失やそれに伴う発熱が生じ、高周波回路の動作が不安定となるなどの問題をもたらすためである。このような背景の下、高周波用途のフィルムコンデンサにおいては、誘電体フィルム材料として、１ｋＨｚでの誘電正接tanδが０．０５％以下と極めて小さいポリプロピレンフィルム（ＰＰ）が主流として使用されている。また、金属電極材料としては電気特性と耐蝕性とを備え、コスト面から、アルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金、銅、銅合金などを用いることが一般的である。
【０００８】
しかしながら、ポリプロピレンフィルム（ＰＰ）は、誘電率εが約２．２（１ｋＨｚ、２０℃）と極めて低く、このようなフィルムコンデンサでは、十分な静電容量を得ることは極めて困難である。また、フィルムコンデンサでは、誘電率、誘電正接が、誘電体フィルムによって一義的に定まることから、設計において、静電容量と耐電圧のコントロールは困難である。さらに、高静電容量を得るためには、ポリプロピレンフィルム（ＰＰ）を延伸して薄膜化することが必要とされるが、２μｍ以下という極薄フィルムでは耐電等により容易にブロッキング、破断等が生じ易く、高速巻き取りに向かず、また、巻き取り時において端面のずれ及び皺が発生する等、製造工程において取り扱いが容易ではない。
【０００９】
ＩＩ．また、高誘電率の誘電体層と内部電極とを交互に複数積層して構成される、積層セラミックコンデンサも従来から開発されている。
例えば、特許文献１では、比誘電率１０，０００以上という高誘電率系磁器層（高誘電率セラミック層）を有し、かつ焼成温度が比較的低い特定組成の誘電体層に用いることにより、安価で、かつ単位面積当たりの容量が大きく小型化可能な積層セラミックコンデンサが提案されている。
【００１０】
しかしながら、このような積層セラミックコンデンサは、誘電体層に使用する材料によっては、温度変化に伴う静電容量の変化が大きくなったり、電流を流した時に静電容量が低下するといった、いわゆる容量変化の問題があり、厳密な容量が求められる用途には不向きであった。またフィルムコンデンサの様に巻回せずに積層しているため、対向する一対当たりの内部電極面積は小さく、このためコンデンサ全体の静電容量は前記フィルムコンデンサと対比して必ずしも大きくすることはできなかった。
【００１１】
一方、特許文献２〜５には、セラミック誘電体よりなる未焼成のセラミック―シート上に電極を印刷し、二枚一対として巻回して製造される、巻回型セラミックコンデンサが提案されている。
【００１２】
しかしながら、これらの巻回型セラミックコンデンサは、セラミック誘電体を、離形フィルム上に湿式塗布し、乾燥後にフィルムから剥離して形成されるセラミックシートを誘電体層に使用しているため、後工程で千数百度という高温で誘電体を焼結させる必要があった。またセラミックシートの膜厚は１０μｍ程度あり、電極間距離を３μｍ以下にすることが困難であったため、近年求められている大容量で小型化可能なコンデンサを得ることはできなかった。加えて、誘電正接tanδが数％あり、ＨＥＶやＥＶでの使用に要求される、高耐電圧及び低損失の特性を得ることはできなかった。
【００１３】
以上のことから、今尚、フィルムコンデンサ及び積層セラミックコンデンサに代替できる、高静電容量と耐高電圧に優れ、かつ、小型化可能性及び製造容易性に優れた、コンデンサ用積層体及びコンデンサの開発が急務となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特許第２８２１７６８号
【特許文献２】特公昭６１−２９５２６号
【特許文献３】特公昭６１−２９５２８号
【特許文献４】特公昭６１−２９５２９号
【特許文献５】特公昭６２−６２４４７号
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】日経エレクトロニクス２０１２年９月１７日号「フィルム・コンデンサ躍進、クルマかエネルギーへ危機をメンテナンス・フリーに」
【非特許文献２】Automotive Technology 2011.7月号第１０２頁乃至第１０５頁「３μｍ以下のフィルムで大容量のコンデンサを作る」
【非特許文献３】Panasonic Technical Journal  Vol.57 No.3 Oct. 2011第５１頁乃至第５５頁「ＨＥＶ用小型・高耐電圧フィルムコンデンサ」
【発明の概要】
【００１６】
本発明者等は、本発明時に、金属層と、その上に形成される誘電体層とで構成され、かつ、プラスチックフィルムを包含しないことにより、高静電容量と高耐電圧とを実現することができ、かつ、小型化可能性及び製造容易性（ハンドリング容易性）に優れたコンデンサ用巻回型積層体及びそれを用いたコンデンサが得られるとの知見を得た。本発明はかかる知見に基づいてなされたものである。
【００１７】
本発明が提案するコンデンサ用巻回型積層体は、金属層と、誘電体層とを備えてなり、前記金属層（主として電極を意味する）の上に、前記誘電体層が存在し、前記誘電体層を備えた金属層二枚を一対として積層巻回し、プラスチックフィルムを包含しないことを特徴としたものである。
図３に示したコンデンサ用巻回型積層体は、巻回軸のまわりに巻回される互いに対向する第１および第２の金属層Ａ１およびＡ２と、第１および第２の誘電体層Ｂ１およびＢ２とを備えるとともに、第１および第２の金属層Ａ１およびＡ２にそれぞれ電気的に接続される第１および第２の外部端子電極３および４を備えている。
第１および第２の外部端子電極３および４は、上述のようにして得られた円筒状、もしくはそれを押しつぶして端面を扁平形とした柱状のコンデンサ用巻回型積層体の各端面上に、たとえば亜鉛などの金属を溶射することによって形成される。このとき第１の外部端子電極３は、第１の金属層Ａ１の露出端部と接触し、それによって第１の金属層Ａ１と電気的に接続される。他方、第２の外部端子電極４は、第２の金属層Ａ２の露出端部と接触し、それによって第２の金属層Ａ２と電気的に接続される。これにより、本発明の一例である積層巻回型コンデンサを提案することができる。
【００１８】
本発明によるコンデンサ用巻回型積層体によれば、単位面積当たりの静電容量が理論上１００倍以上となり、高静電容量を実現することができる。また誘電体層に誘電性セラミックを使用出来るため、金属層と、誘電体層との構成材料選択性及び組合せ性に自由度があることから、所望の誘電率及び誘電正接を設定することが可能となる。加えて、誘電体層を極薄プラスチックフィルムとして取り扱う必要が無いために、ハンドリング性、製造性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、コンデンサの基本概略図を示す。
【図２】図２は、従来のフィルムコンデンサの概要を示す。
【図３】図３は、本願発明によるコンデンサ用巻回積層体及びそれを用いたコンデンサの概略図を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
〔積層巻回型コンデンサ〕
本発明によるコンデンサ用巻回型積層体は、金属層及び誘電体層（コンデンサ素子）を基本単位として、これらを所望の静電容量に合致させて複数積層巻回してなり、プラスチックフィルムを包含しないこと（好ましくは、完成したコンデンサ用巻回型積層体にプラスチックフィルムを包含しないこと）、を特徴とするものである。
（プラスチックフィルム）
本発明にあっては、プラスチックフィルムを包含しないことを特徴とする。
プラスチックフィルムとは、一般に、合成樹脂などの高分子成分を薄い膜状に成型したものを意味する。プラスチックフィルムの形状は、フィルムのみならず、膜、箔、シートを包含するものである。
プラスチックフィルムを構成する合成樹脂等には、熱可塑性樹脂、例えば、ポリエチレン (PE)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル(PL)、ポリプロピレン (PP)、ポリ塩化ビニル (PVC)、 ポリ塩化ビニリデン（PVDC）、ポリスチレン (PS)、ポリ酢酸ビニル (PVAC)、ポリウレタン(PUR)、ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂（ABS樹脂）、スチレンアクリロニトリルコポリマー樹脂（AS樹脂）、アクリル樹脂 (PMMA)等が挙げられる。また、熱硬化性樹脂、例えば、フェノール樹脂 (PF)、エポキシ樹脂（EP)、メラミン樹脂（MF)、尿素樹脂（ユリア樹脂、UF）、不飽和ポリエステル樹脂 (UP)、アルキド樹脂、ポリウレタン(PUR)、熱硬化性ポリイミド(PI)等が挙げられる。
本発明にあっては、上記の中でも、取り分け、誘電性のプラスチックフィルムを除外するものである。
【００２１】
（誘電体層）
誘電体層は、誘電体として機能し、一層又は複数層で構成されてよい。誘電体層を構成する材料は、酸化モリブデン、酸化亜鉛、珪酸マグネシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化シリコン等の金属酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、窒化ボロン、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化シリコン、窒化銅、窒化ジルコン等の金属窒化物、タルク、マイカ、ケイ酸カルシウム、ケイ酸カリウム、焼成クレー、硫酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等からなる一種又は二種以上の混合物が挙げられ、この他にも、モリブデン、亜鉛、カルシウム、リン、アルミニウム、カリウム、珪素、マグネシウム等からなる一種又は二種以上の元素からなる酸化物や窒化物などの化合物であってもよく、上記の化合物を複数組合せて用いてもよい。
これらの中で特に、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又は酸化チタンと酸化バリウムを主剤とし、いくつかの金属酸化物を混合して作製された複合誘電体；酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、チタン酸バリウム、フォルステライト、ニオブ酸マグネシウム酸バリウム、チタン酸ネオジウム酸バリウム等からなる一種又は二種以上のものが挙げられ、特に好ましくは、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素が利用できる。
【００２２】
誘電体層の層厚は、５ｎｍ以上３μｍ未満であり、好ましくは、下限値が１０ｎｍ以上であり、上限値が１μｍ以下であり、より好ましくは、下限値が２０ｎｍ以上であり、上限値が５００ｎｍ以下である。
誘電体層の層厚が５ｎｍ以上の場合、電極間での短絡が生じ難くなり、十分な絶縁性を得ることが可能となる。誘電体層の層厚が３μｍ未満であれば、高静電容量を得ることが容易となり、かつ、金属層上に誘電体層を形成後、巻回したときに誘電体層にクラックが生じることを抑制することが容易となる。
【００２３】
本願における誘電体層を金属層の上に形成する方法としては、均一かつ緻密で、極めて薄い誘電体層を得るために、気層法を用いることが好ましい。気層法は、物理蒸着（ＰＶＤ）と化学蒸着（ＣＶＤ）との何れも使用することができる。
ＰＶＤの具体的な方法としては、真空蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、イオンプレーティング法、ＩＣＢ（クラスターイオンビーム）法、スパッタ法、イオンビームデポジション、パルスレーザーデポジションなどを挙げることができ、その中でも電子線（ＥＢ）蒸着法、イオンプレーティング法およびスパッタ法の一種又は二種以上の組合せを好ましい方法として利用できる。
また、ＣＶＤの具体的な方法としては、熱ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤおよびＬＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ゾルゲル法、および原子層堆積法（ＡＬＤ）などを挙げることができ、その中でも熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、および原子層堆積法（ＡＬＤ）を好ましい方法として利用できる。
さらに、ＰＶＤ、ＣＶＤ以外に、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法も誘電体層を形成する好ましい方法として利用することができる。
【００２４】
（金属層）
本発明の金属層は、（内部）電極として機能し、一層又は複数層で構成されてよい。
金属層を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、金属箔、金属膜、金属フィルムを使用してもよく、また、離形フィルムの上に、金属成膜してもよい。金属層に用いられる金属は、アルミニウム、亜鉛、鉛、金、銀、白金、クロム、銅、ニッケル、モリブデンなどの単体、複数種の混合物、合金などが制限無く用いられるが、環境や、経済性、コンデンサ性能などを考慮するとアルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金、銅、銅合金が好ましい。
【００２５】
金属層の層厚は、０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、好ましくは、下限値が１μｍ以上であり、上限値が１３μｍ以下であり、より好ましくは、下限値が１．５μｍ以上であり、上限値が８μｍ以下である。
金属層の層厚が０．５μｍ以上の場合、ロール・トゥ・ロールで金属層上に誘電体層を形成する際、金属層に破断等が生じ難く、かつ、高速巻き取りが容易である。金属層の層厚が２０μｍ以下の場合、コンデンサにする際に小型化・軽量化を容易に達成することができ、かつ、高静電容量を得ることが可能となる。
【００２６】
金属層は、箔、膜、フィルムを使用する。また、離形フィルムの上に、金属成膜してもよく、成膜方法は、前述の物理蒸着（ＰＶＤ）と化学蒸着（ＣＶＤ）、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法の何れも使用することができる。
離形フィルムは、耐熱性に優れた高分子フィルム、例えば、ポリプロピレンフィルム（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）等が挙げられ、離形性をさらに向上させるために、シリコンを塗布したこれらのフィルムが使用される。
また金属層は必要に応じて、絶縁破壊が生じたときにヒューズ機能により、短絡した箇所の分割電極を切り離して絶縁を回復させる目的で、パターニングにより分割されていても良い。
【００２７】
（積層）
本発明にあっては、金属層及び誘電体層（コンデンサ素子）を基本単位として、コンデンサ素子を逐次積み重ねることで達成される。本発明の好ましい態様によれば、図３に示す通り、コンデンサ素子の端部をずらして、積み重ねることが好ましい。
【００２８】
（用途）
本発明の好ましい態様によれば、コンデンサ用巻回型積層体を用いた積層巻回型コンデンサを提案することができる。積層巻回型コンデンサは、コンデンサ用巻回型積層体、即ち、金属層と、誘電体層とを備えてなり、前記金属層（主として電極として機能）の上に、前記誘電体層が存在し、前記誘電体層を備えた金属層二枚を一対として積層巻回し、かつ、プラスチックフィルムを包含しないことを備えてなるものである。
（外部電極）
本発明にあっては、積層巻回型コンデンサの両端面に、外部電極をさら備えてなるものとすることができる。
外部電極は、金属溶射によって形成されることが好ましい。
【００２９】
（封止）
本発明にあっては、外部電極にリード等を付した後に、樹脂等を用いて封止したものとして提案することができる。
【実施例】
【００３０】
本発明の内容を以下の実施例を用いて説明するが、本発明の範囲は、これら実施例に限定して解釈されるものではない。また、前述の通り本発明はコンデンサ用巻回型積層体及びそれを用いた積層巻回型コンデンサに関するものであり、その好ましい態様は積層巻回型コンデンサの両端面に外部電極をさら備え、リード等を付した後に、樹脂等を用いて封止したものであるが、以下に述べる実施例においては、コンデンサとしての特性評価を簡素化して行うため、素子構造を単純化した簡易セルにて比較評価を行った。これらの素子構造の単純化は、あくまでも特性評価の簡素化を目的としたものであり、本発明を実施するに当たり何ら制限を与えるものではない。
【００３１】
［実施例１］
１．金属層上への誘電体層形成
金属層として、（ａ１）；住軽アルミ箔(株)製アルミニウム素箔；１Ｎ３０（箔厚６．５μｍ）を用い、（ａ１）上にＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて誘電体層を成膜した。具体的には以下のように行った。
アルバック(株)製マグネトロンスパッタ装置；ＳＸ−２００に、純度４Ｎの酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）ターゲットをカソードに設置し、到達真空度８×１０-4Ｐａまで減圧した。次いでアルゴンガスを導入し、（ａ１）基板を載せたステージを１０ｒｐｍで回転させながら、電力１０００Ｗ、成膜レート６．０ｎｍ／ｍｉｎでスパッタ時間を制御することにより、（ｂ１）；膜厚１８０ｎｍのＡｌ2Ｏ3層を成膜した。このとき、ターゲットとサンプルの距離は１２０ｍｍ、ステージの回転速度は１０ｒｐｍ、Ａｒガスの流量は１６５ｓｃｃｍであり、ガス導入後のチャンバー内の圧力は０．６７Ｐａであった。
【００３２】
２．簡易コンデンサセルの作製
１．金属層上への誘電体層形成で得られた誘電体層（Ａｌ2Ｏ3）付き金属層（アルミニウム素箔）を、７０ｍｍ×４０ｍｍの大きさに２枚切断し、一方の試験片の誘電体層側に他方の試験片の金属箔側が来るように重ね、長辺方向を互いに２０ｍｍずらして重なり部分が５０ｍｍ×４０ｍｍの大きさになるようにし、重なり部分と同じ大きさの２枚のガラス板で外側から挟み、クリップで留めて重なり部分を完全密着させた。そして各試験片の外側に出た端部を、それぞれリード電極としてインピーダンス測定装置につなげた。
【００３３】
［実施例２］
金属層として、（ａ２）；住軽アルミ箔(株)製アルミニウム素箔；８０２１（ＢＥＳＰＡ，箔厚６．５μｍ）を使用し、アルバック(株)製マグネトロンスパッタ装置；ＳＸ−２００に、純度４Ｎの酸化シリコン（ＳｉＯ2）ターゲットをカソードに設置し、電力１０００Ｗ、成膜レート１５．０ｎｍ／ｍｉｎでスパッタ時間を制御することにより、誘電体層として（ｂ２）；膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ2層を成膜した以外は、実施例１と同様にして、簡易コンデンサセルを作製した。
【００３４】
［実施例３］
金属層として、（ａ３）；三井金属鉱業(株)製キャリア付き極薄銅箔；Ｍｉｃｒｏ  Ｔｈｉｎ  ＭＴ１８Ｅｘ（箔厚２μｍ、キャリア厚１８μｍ）を使用し、実施例１でスパッタ時間を制御することにより、誘電体層として（ｂ３）；膜厚６０ｎｍのＡｌ2Ｏ3層を成膜し、成膜後にキャリアを剥がしてセルを作製した以外は、実施例１と同様にして、簡易コンデンサセルを作製した。
【００３５】
［比較例１］
膜厚３μｍの延伸ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム上に、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのアルミニウムを成膜した。これを実施例１と同様にして、簡易コンデンサセルを作製した。
【００３６】
＜評価試験＞
実施例及び比較例で作製した簡易コンデンサセルをサンプルとして以下の評価を行った。その結果は、下記表１に記載した通りであった。
１．コンデンサ特性評価
インピーダンス測定装置を用いて簡易コンデンサセルサンプルの特性評価を行った。
インピーダンス測定装置は、(株)東陽テクニカ製ＳＯＬＡＲＴＲＯＮ  １２５５Ｂ  ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ  ＲＥＳＰＯＮＳＥ  ＡＮＡＬＹＳＥＲと、同(株)東陽テクニカ製ＳＯＬＡＲＴＲＯＮ  ＳＩ１２８７  ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＩＮＴＥＲＦＡＣＥをつなげ、解析ソフトウェアはＺＰｌｏｔを使用した。評価は室温（ ２５ ℃ ）下で、周波数１ＭＨｚでの静電容量、誘電正接tanδを測定し、比誘電率を算出した。
【００３７】
２．高温耐電圧性試験
簡易コンデンサセルサンプルの高温耐電圧性試験を以下の手順で行った。
先ず、予め素子を試験温度（１１０℃）にて１時間予熱した後、試験前の初期の電気容量を１．と同様にして、インピーダンス測定装置を用いて評価した。次に、１１５℃の高温槽中にて、高圧電源を用い、簡易コンデンサセルに直流１．３ＫＶの電圧を１分間負荷した。電圧負荷を終えた後の簡易コンデンサセルの容量をインピーダンス測定装置で測定し、電圧負荷前後の容量変化率を算出した。次に、素子を再度高温槽内に戻し、２回目の電圧負荷を行い、２回目の容量変化（累積）を求め、これを４回繰り返した。４回目の容量変化率を評価に用いた。４回目の電気容量変化率が、−２０％以下が実用上好ましいといえる。
【００３８】
＜評価結果＞
以上の結果、表１に示すような結果が得られた。何れの実施例においても、ポリプロピレンフィルムを誘電体とした既存のフィルムコンデンサ（比較例１）に比べ、静電容量ならびに高温耐電圧特性の点で大きく改善される結果が得られた。
また、誘電正接tanδの値が０．０５％以下と極めて小さいことから、エネルギー損失やそれに伴う発熱による高周波回路の動作不良などの問題発生は、既存のポリプロピレンフィルムを誘電体としたフィルムコンデンサと同様に低いことが理解される。
【００３９】
【表１】
2015164188.tif 000004
【００４０】
表１中の記載内容の説明は以下の通りである。
[金属層]
（ａ１）；住軽アルミ箔(株)製アルミニウム素箔；１Ｎ３０（箔厚６．５μｍ）
（ａ２）；住軽アルミ箔(株)製アルミニウム素箔；８０２１（ＢＥＳＰＡ，箔厚６．５μｍ）
（ａ３）；三井金属鉱業(株)製キャリア付き極薄銅箔；Ｍｉｃｒｏ  Ｔｈｉｎ  ＭＴ１８Ｅｘ（箔厚２μｍ、キャリア厚１８μｍ）
[誘電体層]
（ｂ１）；Ａｌ2Ｏ3層（膜厚１８０ｎｍ）
（ｂ２）；ＳｉＯ2層（膜厚１５０ｎｍ）
（ｂ３）；Ａｌ2Ｏ3層（膜厚１２０ｎｍ）
【図１】
2015164188.tif 000005
【図２】
2015164188.tif 000006
【図３】
2015164188.tif 000007