(57)【要約】      （修正有）【課題】安価で優秀な特性を有する窒化ガリウム系ショットキーダイオードを提供する。【解決手段】窒化ガリウム系ダイオードは、真性窒化ガリウム系半導体層３０と、真性窒化ガリウム系半導体層と接合された第１導電型の窒化ガリウム系半導体層５０と、真性窒化ガリウム系半導体層の第１導電型の窒化ガリウム系半導体層との接合面の反対面に位置する金属材の第１電極７と、第１導電型の窒化ガリウム系半導体層の真性窒化ガリウム系半導体層との接合面の反対面に位置する第２電極６０と、第１電極の縁部と当接する真性窒化ガリウム系半導体層の一部領域に形成された第２導電型耐圧層２０と、を含む。【選択図】図１Ａ
2015029099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真性窒化ガリウム系半導体層と、
前記真性窒化ガリウム系半導体層と接合された第１導電型の窒化ガリウム系半導体層と、
前記真性窒化ガリウム系半導体層の第１導電型の窒化ガリウム系半導体層との接合面の反対面に位置する金属材の第１電極と、
前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層の前記真性窒化ガリウム系半導体層との接合面の反対面に位置する第２電極と、
前記第１電極の縁部と当接する前記真性窒化ガリウム系半導体層の一部領域に形成された第２導電型耐圧層と、
を含む窒化ガリウム系ダイオード。
【請求項２】
前記真性窒化ガリウム系半導体層は、
ＥＬＯ法により、前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層をシード層として成長させることによって形成された請求項１に記載の窒化ガリウム系ダイオード。
【請求項３】
前記第２導電型耐圧層に重なる領域で発生するＴＤを遮断するためのＴＤ遮断絶縁層をさらに含む請求項１に記載の窒化ガリウム系ダイオード。
【請求項４】
前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層は、
前記真性窒化ガリウム系半導体層上に前記ＴＤ遮断絶縁層が形成されている状態で、前記ＴＤ遮断絶縁層が覆われていない前記真性窒化ガリウム系半導体層の露出面に対して前記第１導電型にＥＬＯ成長を行って形成されたことを特徴とする請求項３に記載の窒化ガリウム系ダイオード。
【請求項５】
前記真性窒化ガリウム系半導体層は、前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層をシード層として用いたＥＬＯ成長によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系ダイオード。
【請求項６】
前記第２電極と貼り合わせられた熱伝導性材質の基板をさらに含む請求項１に記載の窒化ガリウム系ダイオード。
【請求項７】
サファイア基板上の一部領域に第２導電型の窒化ガリウム系半導体層を形成し、
前記第２導電型の窒化ガリウム系半導体層をシード層として、ＥＬＯ法で窒化ガリウム系半導体を成長させて真性窒化ガリウム系半導体層を形成し、
前記真性窒化ガリウム系半導体層上の一部領域に下部ＴＤ遮断絶縁層を形成し、
前記下部ＴＤ遮断絶縁層をＥＬＯ成長マスクとして、ＥＬＯ法で第１導電型窒化ガリウム系半導体を成長させて第１導電型窒化ガリウム系半導体層を形成し、
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び前記下部ＴＤ遮断絶縁層の上部に導電性材質の第２電極を形成し、
前記第２電極に金属材の第２基板を貼り合わせ、
前記サファイア基板を除去し、
前記サファイア基板が除去された面上の前記下部ＴＤ遮断絶縁層と重なる領域に上部ＴＤ遮断絶縁層を形成し、
前記上部ＴＤ遮断絶縁層上の一部領域に第１電極を形成すること、
を含む窒化ガリウム系ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記サファイア基板上に第２導電型の窒化ガリウム系半導体層を形成することは、
ＧａＮを＜１１−００＞方向または＜１１２−０＞方向に成長させる請求項７に記載の窒化ガリウム系ダイオードの製造方法。
【請求項９】
前記第１電極は、ＮｉまたはＡｕを蒸着して形成する請求項７に記載の窒化ガリウム系ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記第２電極は、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉのうち少なくとも一つを含む金属材またはＡｕＳｎで形成されている請求項７に記載の窒化ガリウム系ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム系ショットキーダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
整流のために、３相交流発電機または発電機交流ブリッジ、あるいは整流器が使われている。通常、整流器は、シリコンからなるｐｎ−スイッチング部を持つ６個の半導体で構成される。これらのダイオードは作動のために、高電流（例えば、電流密度５００Ａ／ｃｍ２まで）及び高温（例えば、空乏層の温度Ｔｊ＜２２５℃まで）で設計されている。一般に順方向での電圧降下、すなわち、順電圧ＵＦは、高電流において約１ボルトである。逆方向への作動時に、非常に低い逆電流ＩＲが降伏電圧ＵＺになるまで流れる。降伏電圧ＵＺから逆電流は急激に大きく上昇する。したがって、降伏電圧ＵＺ以上の電圧上昇は阻止される。
【０００３】
約２００ないし４００ボルト間の領域の降伏電圧ＵＺを有する高遮断ダイオード（ＨＳダイオード）と、約２０ないし４０ボルト間の車両電気システム電圧に応じた遮断電圧を有するＺダイオードとに、ダイオードが区分される。高遮断ダイオード（ＨＳダイオード）は、降伏電圧では作動してはならない。Ｚダイオードも降伏電圧では、短時間に非常に高い電圧の負荷を受ける恐れがある。したがって、これらのダイオードは、負荷変動またはロードダンプの下降時に超過上昇した発電機電圧の制限のために設けられる。
【０００４】
ｐｎダイオード順電圧の周知の短所は、順方向損失及びそれによる発電機の効率低下を起こすということである。中央には、直列に連結された２つのダイオードが挿入されているため、平均順方向損失が１００Ａ発電機で約２００Ｗに達する。発電機に関するダイオード及び整流器の加熱は、高い冷却措置（冷却機、ファン）によって低減されなければならない。
【０００５】
一般に、順方向損失を低減させるために、いわゆるショットキーダイオード（ショットキーバリアダイオード、ＳＢＤ）がｐｎダイオードの代りに取り付けられる。ショットキーダイオードは、ｐｎダイオードに類似した電気的特性曲線を含む金属−半導体変換装置（metal-semiconductor conversion device）である。ｐｎダイオードとは異なり、ショットキーダイオードでは、順電圧を、金属の選択を通じて任意の限界内で自由に選択でき、さらにｐｎダイオードより小さく設定されることもできる。これにより、例えば、０．５ないし０．６Ｖ間の順電圧ＵＦが容易に具現される。金属の選択時に、いわゆる（エネルギー）バリアの高さ（ＰｈｉＢｎ）が規定される。このバリアを乗り越えられる電子のみが電流のフローに役に立つ。バリアの高さは、“バリアメタル”の適当な選択によって影響を与えられる。またバリアの高さ（ＰｈｉＢｎ）は、使われた半導体にもよる。（半導体材料：共有結合またはイオン半導体、ｎまたはｐドーピングなど）
【０００６】
ところが、一般的にショットキーダイオードは、高価の窒化ガリウム（ＧａＮ）基板で製作されるため、価格競争力が劣る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−１９９７−００７７６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、安価で優秀な特性を有するショットキーダイオードを提供することである。
【０００９】
また本発明が解決しようとする課題は、サファイア基板で製作され、かつ高耐圧特性を有するショットキーダイオードを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面による窒化ガリウム系ダイオードは、真性窒化ガリウム系半導体層と、前記真性窒化ガリウム系半導体層と接合された第１導電型の窒化ガリウム系半導体層と、前記真性窒化ガリウム系半導体層の第１導電型の窒化ガリウム系半導体層との接合面の反対面に位置する金属材の第１電極と、前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層の前記真性窒化ガリウム系半導体層との接合面の反対面に位置する第２電極と、前記第１電極の縁部と当接する前記真性窒化ガリウム系半導体層の一部領域に形成された第２導電型耐圧層と、を含む。
【００１１】
ここで、前記真性窒化ガリウム系半導体層は、ＥＬＯ法により、前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層をシード層として成長させることによって形成される。
【００１２】
ここで、前記第２導電型耐圧層に重なる領域で発生するＴＤを遮断するためのＴＤ遮断絶縁層をさらに含む。
【００１３】
ここで、前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層は、前記真性窒化ガリウム系半導体層上に前記ＴＤ遮断絶縁層が形成されている状態で、前記ＴＤ遮断絶縁層が覆われていない前記真性窒化ガリウム系半導体層の露出面に対して前記第１導電型にＥＬＯ成長を行って形成される。
【００１４】
ここで、前記真性窒化ガリウム系半導体層は、前記第１導電型の窒化ガリウム系半導体層をシード層として用いたＥＬＯ成長によって形成される。
【００１５】
ここで、前記第２電極と貼り合わせられた熱伝導性材質の基板をさらに含む。
【００１６】
本発明の他の側面による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法は、サファイア基板上の一部領域に第２導電型の窒化ガリウム系半導体層を形成し、前記第２導電型の窒化ガリウム系半導体層をシード層として、ＥＬＯ法で窒化ガリウム系半導体を成長させて真性窒化ガリウム系半導体層を形成し、前記真性窒化ガリウム系半導体層上の一部領域に下部ＴＤ遮断絶縁層を形成し、前記下部ＴＤ遮断絶縁層をＥＬＯ成長マスクとして、ＥＬＯ法で第１導電型窒化ガリウム系半導体を成長させて第１導電型窒化ガリウム系半導体層を形成し、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び前記下部ＴＤ遮断絶縁層の上部に導電性材質の第２電極を形成し、前記第２電極に金属材の第２基板を貼り合わせ、前記サファイア基板を除去し、前記サファイア基板が除去された面上の前記下部ＴＤ遮断絶縁層と重なる領域に上部ＴＤ遮断絶縁層を形成し、前記上部ＴＤ遮断絶縁層上の一部領域に第１電極を形成すること、を含む。
【００１７】
ここで、前記サファイア基板上に第２導電型の窒化ガリウム系半導体層を形成することは、ＧａＮを＜１１−００＞方向または＜１１２−０＞方向に成長させる。
【００１８】
ここで、前記第１電極は、ＮｉまたはＡｕを蒸着して形成する。
【００１９】
ここで、前記第２電極は、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉのうち少なくとも一つを含む金属材またはＡｕＳｎで形成されている。
【発明の効果】
【００２０】
前述した構成の本発明の窒化ガリウム系ダイオードを行えば、安価で優秀な特性を有するショットキーダイオードを提供できる。
【００２１】
また本発明は、サファイア基板で製作され、かつ高耐圧特性を有するショットキーダイオードを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による窒化ガリウム系ダイオードの構造を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による窒化ガリウム系ダイオードの構造を示す平面図である。
【図２Ａ】図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードがフローティング状態である時に形成された空乏層を示す断面図である。
【図２Ｂ】図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードが逆方向バイアス状態である時に形成された空乏層を示す断面図である。
【図３Ａ】図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードがフローティング状態である時に形成された空乏層のポテンシャルバリアを示すグラフである。
【図３Ｂ】図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードが順方向バイアス状態である時に形成された空乏層のポテンシャルバリアを示すグラフである。
【図３Ｃ】図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードが逆方向バイアス状態である時に形成された空乏層のポテンシャルバリアを示すグラフである。
【図４Ａ】図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｂ】図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｃ】図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｄ】図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｅ】図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｆ】図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｇ】図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明のいくつかの実施形態を、添付した図面を参照して説明する。図面に示された線の厚さや構成要素のサイズなどは、説明の明瞭性及び便宜のため誇張して示されている。
【００２４】
また、後述する用語は、本発明での機能に鑑みて定義された用語であり、これらはユーザの意図または慣例によって変わる。したがって、これらの用語に関する定義は、本明細書の全般的な内容に基づいて下されねばならない。
【００２５】
例えば、本明細書である層が他の層または基板“上”にあると述べられる場合、それは他の層または基板上に直接形成されるか、またはこれらの間に第３の層が介在される可能性があるということを示す。また、本明細書で上、上側、上部、上側面などの表現は、素子を引っくり返した時に下、下側、下部、下側面などの意味と理解される。すなわち、空間的な方向の表現は相対的であると理解されねばならず、絶対的な方向を意味すると限定的に理解されてはならない。
【００２６】
さらに、下記の実施形態は本発明の権利範囲を限定するものではなく、本発明の請求範囲に提示された構成要素の例示的な事項に過ぎず、本発明の明細書全般にわたる技術思想に含まれ、特許請求の範囲の構成要素で均等物として置換可能な構成要素を含む実施形態は、本発明の権利範囲に含まれる。
【００２７】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の一実施形態による窒化ガリウム系ダイオードの構造を示す。該窒化ガリウム系ダイオードは、真性窒化ガリウム系半導体層３０と、真性窒化ガリウム系半導体層３０と接合されるｎ＋型窒化ガリウム系半導体層５０と、真性窒化ガリウム系半導体層３０の接合面の反対面に位置する金属材の第１電極７と、第１導電型の窒化ガリウム系半導体層５０のショットキー接合面の反対面に位置する第２電極６０と、第１電極７の縁部と当接する真性窒化ガリウム系半導体層の一部領域に形成されているｐ型耐圧層２０と、を含む。
【００２８】
第１電極７は、一種のショットキーメタル機能を有している。第１電極７とｎ＋型窒化ガリウム系半導体層５０とは、真性窒化ガリウム系半導体層３０を介してショットキーバリアを形成する。すなわち、真性窒化ガリウム系半導体層３０は、ショットキーメタルである第１電極７とｎ＋型窒化ガリウム系半導体層５０との間の空乏層が形成されるエピ層として機能する。
【００２９】
ｎ＋型窒化ガリウム系半導体層５０は、順方向バイアス状態で電子を真性窒化ガリウム系半導体層３０に伝達し、真性窒化ガリウム系半導体層３０をショットキーバリア構造上のエピ層として機能させる。
【００３０】
他の具現例では、真性窒化ガリウム系半導体層３０の代わりに、ｎ＋型窒化ガリウム系半導体層より低濃度でドーピングされたｎ−型窒化ガリウム系半導体層を形成する。
【００３１】
図示する窒化ガリウム系ダイオードは、前述した積層構造の中心領域及びｐ型耐圧層２０に重なる領域に貫通転位（Ｔｈｒｅａｄｉｎｇ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ、ＴＤ）遮断のためのＴＤ遮断絶縁層１０、４０を備える。ＴＤ遮断絶縁層１０、４０は、真性窒化ガリウム系半導体層３０とｎ＋型窒化ガリウム系半導体層５０との接合面上に形成される下部ＴＤ遮断絶縁層４０、及び真性窒化ガリウム系半導体層３０と第１電極７との接合面上に形成される上部ＴＤ遮断絶縁層１０で形成される。
【００３２】
ＴＤ遮断絶縁層１０、２０は、比較的安価のサファイア基板上にＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）法で窒化ガリウム系半導体を成長させる方式を用いた、本実施形態による窒化ガリウム系ショットキーダイオードを製造する時に生成されるＴＤによる副作用を最大限抑制するためのものである。
【００３３】
前述した積層構造の中心領域にもＴＤが形成される。示したように上／下部ＴＤ遮断絶縁層１０、２０を形成してこれを遮断している。
【００３４】
ｐ型耐圧層２０は、金属材の第１電極７と共に、真性窒化ガリウム系半導体層に対応するショットキー接合領域を形成する。ｐ型耐圧層２０の存在によって、ショットキー接合領域がトレンチに類似した形状を有することで、さらに順方向電流密度を高められる。ｐ型耐圧層２０も、ＴＤが集中している領域である第１電極７の縁部（ｅｄｇｅ）の下方に形成し、前述したＴＤ遮断絶縁層１０、４０と共に高耐圧化特性の獲得に寄与する。
【００３５】
第１電極７は、ダイオードのアノード電極としての機能を有し、第２電極６０は、ダイオードのカソード電極としての機能を有する。
【００３６】
第１電極７は、ショットキー接合を構成するショットキーメタルとしての機能を有するため、金属材で形成される。例えば、Ｎｉ／Ａｕを蒸着して第１電極７を形成する。
【００３７】
第２電極６０は導電性材質で形成される。窒化ガリウム系ショットキーダイオードの用途及放熱処理が重要な場合に、第２電極６０は、優秀な熱伝導性を有する金属材で形成してもよい。例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕを蒸着するか、またはＡｕＳｎを用いることで第２電極を形成する。いくつかの具体例では、第２電極６０は、放熱のための熱伝導性基板に貼り合わせられてもよいし、または回路構成のための構造（ビアホール／引き出しライン）の一部になってもよい。
【００３８】
図２Ａは、図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードがフローティング状態である時に形成された空乏層ＤＡを示すものであり、図２Ｂは、図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードが逆方向バイアス状態である時に形成された空乏層ＤＡを示す。
【００３９】
図３Ａは、図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードがフローティング状態である時に形成された空乏層のポテンシャルバリアを示すグラフであり、図３Ｂは、図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードが順方向バイアス状態である時に形成された空乏層のポテンシャルバリアを示すグラフであり、図３Ｃは、図１Ａの窒化ガリウム系ダイオードが逆方向バイアス状態である時に形成された空乏層のポテンシャルバリアを示すグラフである。
【００４０】
図２Ａ及び図３Ａに示したように、本実施形態の窒化ガリウム系ショットキーダイオードにおいて、フローティング状態におけるアノードとカソードとの間の電荷キャリアの移動を遮断するためのポテンシャルバリアが、金属とｎ型窒化ガリウム系半導体との接合面に形成される。
【００４１】
一方、アノードとカソードとの間に順方向バイアスが印加されれば、図３Ｂに示したように、ポテンシャルバリアが下方に移動し、電流に沿った電荷キャリアのフローが順方向に流れる。
【００４２】
一方、アノードとカソードとの間に逆方向バイアスが印加されれば、図２Ｂ及び図３Ｃに示したように、電荷キャリアの移動を遮断するためのポテンシャルバリアが高くなって、電荷のフローを遮断する。
【００４３】
図４Ａないし図４Ｇは、図１Ａの構成による窒化ガリウム系ダイオードの製造方法を示す。
【００４４】
図４Ａに示したように、サファイア基板１上に所定厚さにｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−１を形成する。例えば、Ｍｇをドーパントとして２μｍの厚さにｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−１を形成する。他の具体例では、ｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−１の代わりに真性窒化ガリウム系半導体層を形成する。
【００４５】
図示したように、ｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−１は、ＧａＮ構造上＜１１−００＞方向に成長させる方式で形成される。他の具体例では、ｐ型窒化ガリウム系半導体層は、ＧａＮ構造上＜１１２−０＞方向に成長させる。
【００４６】
次いで、図４Ｂに示したように、図４Ａのｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−１をエッチングし、シードｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−２を形成する。たとえ図示されていないとしても、エッチングのためのフォトリソグラフィなどの細部工程が含まれていることは明らかである。エッチングによってサファイア基板１も一部エッチングされたということが分かる。
【００４７】
次いで、図４Ｃに示したように、シードｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−２をシード層として、ＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ、エピタキシャルラテラル成長）法で、窒化ガリウム系半導体を成長させて真性窒化ガリウム系半導体層３０を形成する。真性窒化ガリウム系半導体層３０上に下部ＴＤ遮断絶縁層４０を形成する。下部ＴＤ遮断絶縁層４０は、例えば、ＳｉＯ２材質で蒸着された後、フォトリソグラフィなどのエッチング工程によって、図４Ｃに示したような形状に形成される。
【００４８】
ＥＬＯ成長によって、シードｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−２も一部成長して、図１Ａのｐ型耐圧層２０の形状を持つようになる。
【００４９】
下部ＴＤ遮断絶縁層４０は、ＴＤの発生しやすいシードｐ型窒化ガリウム系半導体層２０−２の上部領域、及び全体ＥＬＯ成長構造上の中心領域に選択的に形成する。
【００５０】
次いで、図４Ｄに示したように、下部ＴＤ遮断絶縁層４０をＥＬＯ成長マスクとして、ＥＬＯ法によりｎ＋型窒化ガリウム系半導体を成長させてｎ＋型窒化ガリウム系半導体層５０を形成する。
【００５１】
次いで、図４Ｅに示したように、ｎ＋型窒化ガリウム系半導体層５０及び下部ＴＤ遮断絶縁層４０の上部に導電性材質の第２電極６０を形成する。金属材で形成された第２基板２は、第２電極６０に貼り合わされる。第２電極６０は、非金属導電性材質の導電層で形成されてもよいが、ショットキーダイオードの使用分野及び特性のため放熱が重要であるので、Ｔｉ／Ａｌ／ＡｕやＮｉ／Ａｕなどの金属層やＡｕＳｎで形成することが望ましい。第２基板２も、物理的強度を確保できる非金属材で形成してもよいが、放熱の目的上Ｍｏ／Ｓｉなどの金属材で形成することが望ましい。
【００５２】
また、図４Ｅの積層構造を反転させて、サファイア基板１を除去する工程が処理される。例えば、レーザーリフトオフ工程でサファイア基板１が除去されてもよい。具現例によって、リフトオフ工程でダメージを受けた表面を除去するためにドライエッチングが処理されてもよい。
【００５３】
次いで、図４Ｆに示したように、サファイア基板１が除去された面の上部に、下部ＴＤ遮断絶縁層４０と重なる位置に上部ＴＤ遮断絶縁層１０を形成する。上部ＴＤ遮断絶縁層１０は、例えば、ＳｉＯ２を用いて蒸着された後、フォトリソグラフィなどのエッチング工程によって図４に示したような形状に形成される。
【００５４】
次いで、図４Ｇに示したように、上部ＴＤ遮断絶縁層１０の上部の一部領域に、ショットキーメタルとして金属材の第１電極７を形成する。例えば、Ｎｉ／Ａｕを蒸着することによって第１電極７が形成される。ｐ型耐圧層２０が第１電極７の縁部の下方に位置するように、第１電極７がｐ型耐圧層２０の上部領域の一部（半分ほど）のみを覆う方法で形成される。
【００５５】
本発明は、以上で説明したように望ましい実施形態を挙げて図示して説明したが、上記の実施形態に限定されず、本発明の思想を逸脱しない範囲内で当業者によって多様な変更、置換、修正が可能であり、このような変更、置換、修正などは本発明の特許請求の範囲に属するといえる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、窒化ガリウム系ショットキーダイオード関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００５７】
２：第２基板
７：第１電極
１０：上部ＴＤ遮断絶縁層
２０：ｐ型耐圧層
３０：真性窒化ガリウム系半導体層
５０：ｎ＋型窒化ガリウム系半導体層
６０：第２電極
【図１Ａ】
2015029099.tif 000003
【図１Ｂ】
2015029099.tif 000004
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2015029099.tif 000008
【図３Ｃ】
2015029099.tif 000009
【図４Ａ】
2015029099.tif 000010
【図４Ｂ】
2015029099.tif 000011
【図４Ｃ】
2015029099.tif 000012
【図４Ｄ】
2015029099.tif 000013
【図４Ｅ】
2015029099.tif 000014
【図４Ｆ】
2015029099.tif 000015
【図４Ｇ】
2015029099.tif 000016
【外国語明細書】
2015029099000001.pdf