(57)【要約】【課題】循環水に含まれる不純物を除去する。【解決手段】水の循環経路中に配置された生産装置１４０から排出された循環水から不純物を除去し、該除去後の循環水を生産装置１４０に供給する不純物除去システムであって、少なくとも１対の金属電極を有し、電力が金属電極に印加された場合に、生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させる銀イオン発生装置２０Ｂと、銀イオン発生装置２０Ｂからの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を生産装置１４０に供給する逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂと、生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率を検知する電気導電率センサ（＃Ｇ）と、電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０Ｂに印加する電力をＯＮ制御する制御部８０ａと、を備える。【選択図】図１
2015155085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水の循環経路中に配置された生産装置から排出された循環水から不純物を除去し、該除去後の循環水を前記生産装置に供給する不純物除去システムであって、
少なくとも１対の金属電極を有し、電力が前記金属電極に印加された場合に、前記生産装置からの循環水に金属イオンを溶解させる金属イオン発生装置と、
前記金属イオン発生装置からの前記循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を前記生産装置に供給する不純物除去装置と、
前記生産装置から排出された前記循環水の電気導電率を検知する電気導電率検知手段と、
前記電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、前記金属イオン発生装置に印加する電力をＯＮ制御する制御手段と、を備えることを特徴とする不純物除去システム。
【請求項２】
水の循環経路中に配置された生産装置から排出された循環水から不純物を除去し、該除去後の循環水を前記生産装置に供給する不純物除去システムであって、
少なくとも１対の金属電極を有し、電力が前記金属電極に印加された場合に、前記生産装置からの循環水に金属イオンを溶解させる金属イオン発生装置と、
前記生産装置からの前記循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を前記生産装置に供給する不純物除去装置と、
前記生産装置から排出された前記循環水の電気導電率を検知する電気導電率検知手段と、
前記電気導電率に基づいて、前記電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、前記金属イオン発生装置に印加する電力をＯＮ制御する制御手段と、を備えることを特徴とする不純物除去システム。
【請求項３】
前記金属イオン発生装置、及び前記不純物除去装置から夫々排出された前記循環水を貯留し、かつ貯留水を前記生産装置に供給する水槽を備え、
前記不純物除去装置は、前記水槽内に貯留された貯留水を吸引し、不純物除去後に前記水槽に戻すことを特徴とする請求項２に記載の不純物除去システム。
【請求項４】
前記電気導電率検知手段は、前記水槽内に配置されることを特徴とする請求項３に記載の不純物除去システム。
【請求項５】
前記制御手段は、前記循環水の電気導電率が所定の基準値を超えていない場合に、前記金属イオン発生装置に印加する電力をＯＦＦ制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の不純物除去システム。
【請求項６】
前記金属イオン発生装置は、当該金属イオン発生装置内の水位を検出する水位検出手段を備え、
前記制御手段は、前記水位検出手段により検知された水位が満水状態を示す場合に、前記金属イオン発生装置に印加する電力を所定時間だけＯＮ制御することを特徴とする請求項１に記載の不純物除去システム。
【請求項７】
前記生産装置と前記金属イオン発生装置の間に接続された配管に設けられ、該配管の開度を調整する第１電動弁を備え、
前記制御手段は、前記電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、前記第１電動弁を開状態に制御し、前記水位検出手段により検知された水位が満水状態を示すときに、前記第１電動弁を閉状態に制御し、且つ前記金属イオン発生装置に印加する電力をＯＮ制御することを特徴とする請求項６に記載の不純物除去システム。
【請求項８】
前記金属イオン発生装置と前記不純物除去装置の間に接続された配管に設けられ、該配管の開度を調整する第２電動弁と、
前記不純物除去装置の底部に接続された配管に設けられ、該配管の開度を調整する第３電動弁と、を備え、
前記制御手段は、必要なときに前記第２電動弁を閉状態に制御し、かつ前記第３電動弁を開状態に制御し、前記不純物除去装置の底部から前記ドレイン水を排水することを特徴とする請求項１又は２に記載の不純物除去システム。
【請求項９】
前記制御手段は、
前記電気導電率に当該電気導電率の検知日時を付加した検知データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段から取得した直近の複数の日分の検知データに基づいて、前記複数の日分の期間における検知データの降下率を算出する期間降下率算出手段と、を備え、
前記循環水の電気導電率が所定の基準値以下になった場合に、所定の基準値から前記降下率を減算した値を算出し、該算出値を所定の基準値として更新することを特徴とする請求項１、２、７の何れか１項に記載の不純物除去システム。
【請求項１０】
前記不純物除去装置は、前記フィルタの前段又は／及び後段に、不純物を捕捉する他のフィルタを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の不純物除去システム。
【請求項１１】
前記不純物除去装置は、複数極のフェライトマグネットを有するマグネットアレイを備え、
前記マグネットアレイは、前記フィルタと前記他のフィルタとの間に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の不純物除去システム。
【請求項１２】
前記フィルタは、緑色片岩を含有することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一項に記載の不純物除去システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不純物を含む循環水から不純物を除去することにより、不純物濃度を低下させた循環水を得るのに好適な不純物除去システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の冷却サイクル１００は、図１６に示すように、冷却水槽１１０、ポンプ１２０、熱交換装置１３０、室内の空気と熱交換する空調装置である生産装置１４０と、これらの各構成要素間に水を循環させるための配管ｈ１〜ｈ１１と、を備えている。この冷却サイクル１００では、ポンプ１２０からの圧力により冷却水槽１１０から冷却水を汲み上げ、熱交換装置１３０を経由して生産装置１４０に冷却水を供給するとともに、該生産装置１４０から排出された水を冷却水槽１１０に返送することにより生産装置１４０を冷却することを可能にしている。
また、通常、熱交換装置１３０の役割を果たす冷却塔（開放型・密閉型）に多量の水を使用するため、地下水や河川水などの天然水を利用して水道費を節約していることも多々ある。しかし、海や温泉に近い場所で取得した天然水は、塩化物イオン（Ｃｌ−）を高濃度で含んでいることがあり、何らかの処理を施さなければ利用できない場合もあった。
塩化物イオン濃度は、水道法の水質基準である２００ｍｇ／Ｌ以下であるが、日本冷凍空調工業会標準基準によると補給水の塩化物イオン濃度は５０ｍｇ／Ｌ以下であることが要求されている。
また、冷温水配管の密閉回路においては連続運転すると塩化物イオン濃度が数倍上がることが実証されている。
【０００３】
ところで、塩化物イオン（Ｃｌ−）を含有する被処理水から塩化物イオン（Ｃｌ−）や水を分離することにより、被処理水よりも塩化物イオン濃度の低い処理水を得る塩化物イオン除去方法としては、海水の淡水化や排水の処理などを目的として、これまでに種々の方法が提案されている。塩化物イオン除去方法としては、例えば、蒸留水や、凝集沈殿法や電気分解法や、イオン交換膜法や、逆浸透膜法などが知られている。
これらの塩化物イオン除去方法のうち、蒸留法は、被処理水を蒸発させた後に冷却させて凝縮することにより、塩化物イオン濃度が低下した被処理水（蒸留水）を得る方法である。蒸留法は、熱効率が大変悪いため、減圧して被処理水の沸点を下げることもしばしば行われているが、それでも大量のエネルギーを消費することに変わりはなく、処理コストが非常に嵩むという欠点があった。このため、水道法の水質基準を満たす水をできるだけ低コストで入手したいというような用途には蒸留法は適していなかった。
【０００４】
凝集沈殿法は、硝酸銀（ＡｇＮＯ３）などの凝集剤を被処理水に添加することにより、被処理水の塩化物イオン（Ｃｌ−）を塩化銀（ＡｇＣｌ）などの不溶化沈殿物として回収し、その上澄み液を処理水として取り出す方法である。
しかし、凝集沈殿法では、被処理水の塩化物イオン（Ｃｌ−）を低濃度まで除去しようとすると、凝集剤を大量に添加しなければならず、やはり処理コストが高くなるという欠点があった。
電気分解法は、被処理水に一対の電極を浸し、該一対の電極のうち、一方（陽極）を直流電源の正極に、他方（陰極）を直流電源の負極にそれぞれ接続することにより、被処理水中の塩化物イオン（Ｃｌ−）を陽極で酸化させ、塩素ガス（Ｃｌ２）として被処理水から分離する方法である。しかし、電気分解法は、毒性を有する塩素ガス（Ｃｌ２）を多量に発生するという欠点があった。
イオン交換膜法は、水分子を透過させずに塩化物イオン（Ｃｌ−）などの陰イオンを選択的に透過させる陰イオン交換膜と、水分子を透過させずにナトリウムイオン（Ｎａ＋）などの陽イオンを選択的に透過させる陽イオン交換膜との間に被処理水を通し、両膜の外側から直流電圧を印加し、被処理水中の塩化物イオン（Ｃｌ−）を陰イオン交換膜よりも陽極側へ移動させることにより、被処理水の塩化物イオン濃度を低下させて処理水を得る方法である。
【０００５】
このイオン交換膜法は、被処理水の塩化物イオン濃度が高濃度である場合は勿論のこと、数百ｍｇ／Ｌ程度とそれ程高くない場合であっても、数十ｍｇ／Ｌ以下、あるいは数ｍｇ／Ｌ以下のレベルになるまで塩化物イオン濃度を低下させることができ、塩化物イオン（Ｃｌ−）を除去する能力という点では非常に優れている。しかし、イオン交換膜法は、それに用いるイオン交換膜が高価であるため、設備の導入コストや維持コストが嵩むという欠点があった。
逆浸透膜法は、塩化物イオン（Ｃｌ−）などの不純物を透過させずに水分子を選択的に透過させる逆浸透膜で容器内を仕切り、塩化物イオン（Ｃｌ−）を含有する被処理水を入れるとともに、水道水や純水など、塩化物イオン（Ｃｌ−）を殆ど含まない水を入れ、浸透圧を超える圧力を被処理水に加えることにより、被処理水中の水分子のみを逆浸透膜を透過させて第二室に移し、第二室の水を処理水として取り出す方法である。
上述したイオン交換膜法では、被処理水が処理水として取り出されることになる。
この逆浸透膜法は、塩化物イオン（Ｃｌ−）を除去する能力に優れていることに加えて、非イオン性の不純物も除去することができるため、イオン交換膜法によるものよりもさらに清浄な処理水を得ることができる。
【０００６】
特許文献１には、塩化物イオン除去装置を、被処理水を入れるための内槽と、内槽を浸漬する浸漬水を入れるための外槽と、外槽内の浸漬水中に配置される電極と、電極に直流電圧を印加するための電源とを備えたものとし、内槽の壁部又は底部における少なくとも一部を、ビスコースレーヨンからなるフィルムなど、塩化物イオン（Ｃｌ−）を透過して塩化銀（ＡｇＣｌ）を透過しない微多孔性フィルムによって形成するとともに、電極のうち少なくとも陽極を、銀（Ａｇ）によって形成することにより、微多孔性フィルムを通じて内槽外へ移動してきた塩化物イオン（Ｃｌ−）が、陽極で塩化銀（ＡｇＣｌ）となって浸漬水中に沈殿するようにした技術が開示されている。これにより、塩化物イオン（Ｃｌ−）を含有する被処理水から塩化物イオン（Ｃｌ−）を除去することができ、食品製造水や飲料水として利用できる処理水を低コストで得ることのできるという利点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２０７６６５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、逆浸透膜法は、使用する逆浸透膜法が高価であるため、やはり、設備の導入コストや維持コストが嵩むという欠点があった。加えて、逆浸透膜法は、塩化物イオン（Ｃｌ−）が凝縮して塩化物イオン濃縮水となった被処理水が第一室に残留するため、処理後の被処理水（塩化物イオン濃縮水）の取り扱いに困るだけでなく、加えて被処理水の全量を処理水として取り出すことができないという欠点もあった。
逆浸透膜法においては、被処理水に加える圧力をさらに高くすると、第一室に残留する被処理水の量を減らすことができるものの、この場合には、設備が大型化して導入コストや運転コストがさらに嵩んでしまうという欠点もあった。
【０００９】
以上のように、従来、様々な塩化物イオン除去法が提案されている。
しかしながら、そのいずれも、塩化物イオン（Ｃｌ−）を除去する能力が高い反面高コストであったり、そもそも塩化物イオン（Ｃｌ−）を除去する能力が低かったり、塩化物イオン濃縮水が生成されたり、加えたり被処理水の全量を処理水として取り出すことができなかったり、処理水が着色したり、塩素ガス（Ｃｌ２）が発生したりなどの欠点があった。
また、冷却サイクル１００（図１６参照）に配置された配管ｈ３、ｈ５、ｈ７、ｈ９、ｈ１１の内部では、上述したような処理水を通水したとしても、図１７（ａ）（ｂ）に示すように、レジオネラ属菌、サルモネラ菌、緑膿菌、大腸菌、黄色ブドウ球菌等の雑菌や藻類、スケールやスライムが発生することが多々あった。なお、図１７（ａ）は、冷却塔の充填材において、藻類や細菌（バクテリア）、真菌（カビ）の微生物から分泌された粘性有機物がスライムを形成した状態を示した図である。また、図１７（ｂ）は、熱交換機内のチューブにおいて、カルシウム、シリカ、鉄錆などの無機物によりスケールが形成された状態を示した図である。
このため、循環水に含まれる異物や塩化物イオン等が増大することに起因して、冷却サイクルに備えられている各装置や配管設備等に経年劣化が生じ、冷却サイクルに設けられた設備の交換サイクルが短期化するといった問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的としては、循環水に含まれる不純物を除去することができる不純物除去システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するたに、請求項１記載の発明は、水の循環経路中に配置された生産装置から排出された循環水から不純物を除去し、該除去後の循環水を前記生産装置に供給する不純物除去システムであって、少なくとも１対の金属電極を有し、電力が前記金属電極に印加された場合に、前記生産装置からの循環水に金属イオンを溶解させる金属イオン発生装置と、前記金属イオン発生装置からの前記循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を前記生産装置に供給する不純物除去装置と、前記生産装置から排出された前記循環水の電気導電率を検知する電気導電率検知手段と、前記電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、前記金属イオン発生装置に印加する電力をＯＮ制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、生産装置から排出された循環水の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置に印加する電力をＯＮ制御することで、銀イオン発生装置により生産装置からの循環水に銀イオンを溶解させ、逆浸透濾過不純物除去装置により銀イオン発生装置からの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を循環水として生産装置に供給するので、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る不純物除去システムの構成について説明するためのブロック図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は図１に示す逆浸透濾過不純物除去装置の内部構成を示す図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は図１に示す銀イオン発生装置の構成を示す図である。
【図４】天然セラミックである緑色片岩の組成表を示した図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る不純物除去システムの動作について説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る不純物除去システムの構成について説明するための斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る不純物除去システムの構成について説明するための斜視図である。
【図８】図７に示す逆浸透濾過不純物除去装置の構成を示す図である。
【図９】図７に示す銀イオン発生装置の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る不純物除去システムの構成について説明するための斜視図である。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る不純物除去システムの構成について説明するための斜視図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第６実施形態に係る不純物除去システムの動作について説明するための電気導電率κの日々の推移を示す図である。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る不純物除去システムの動作について説明するためのフローチャートである。
【図１４】銀イオン発生装置２０、２０Ｂに対して電力を通電した際の塩化物イオン濃度の測定結果を示す図である。
【図１５】（ａ）は冷却塔の充填材において、本実施形態の不純物除去システムを運転した後の状態を示す図、（ｂ）は熱交換機内のチューブにおいて、本実施形態の不純物除去システムを運用した後の状態を示す図である。
【図１６】従来の冷却サイクルの構成を示す図である。
【図１７】（ａ）は、冷却塔の充填材において、藻類や細菌（バクテリア）、真菌（カビ）の微生物から分泌された粘性有機物がスライムを形成したことを示す図、（ｂ）は、熱交換機内のチューブにおいて、カルシウム、シリカ、鉄錆などの無機物によりスケールが形成されたことを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る不純物除去システム１の構成について説明するためのブロック図である。
不純物除去システム１は、逆浸透濾過不純物除去装置１０（不純物除去装置）、銀イオン発生装置（金属イオン発生装置）２０、水中ポンプ７０、制御盤８０、冷却水槽１１０、ポンプ１２０、熱交換装置１３０、生産装置１４０を備えている。
冷却水槽１１０の貯留水は、ポンプ１２０により吸引されて配管ｈ３、ｈ５を経由して熱交換装置１３０に供給され、更に配管ｈ９から生産装置１４０、配管ｈ１１、ｈ１３から冷却水槽１１０に戻される。
配管ｈ３、ｈ５、ｈ９、ｈ１１、ｈ１３はループを構成する循環経路本体を構成している。
次に、逆浸透濾過不純物除去装置１０は、上記循環経路本体から外れた経路に配置されて貯留水槽１１０から汲み上げた貯留水に対する不純物除去処理を個別に施した上で貯留水槽１１０に対して処理済みの水を戻す手段である。
また、銀イオン発生装置２０は、配管ｈ１１の途中から配管ｈ１５を経由して取り出した循環水を殺菌処理し、処理後の水を冷却水槽１１０に戻す。
【００１４】
逆浸透濾過不純物除去装置１０は、冷却水槽１１０からの汲み上げ用の配管ｈ２１と、冷却水槽１１０への排出用の配管ｈ２３との間に配置され、筐体内部に緑色片岩等の任意の濾材を含有する１次フィルタ１１、２次フィルタ１３、３次フィルタ１４を備える。フィルタ１１、１３、１４に順次循環水を通過させる過程で、循環水に含まれる不純物をこれらのフィルタに捕捉させて水を濾過する。
逆浸透濾過不純物除去装置１０は、冷却水槽１１０内に貯留された貯留水を水中ポンプ７０により吸引し、不純物除去後に冷却水槽１１０に戻す。
生産装置１４０の下流に設けられた銀イオン発生装置２０は、配管ｈ１１からの循環水を取り出す配管ｈ１５と、処理後の循環水を冷却水槽１１０に戻すための配管ｈ１７との間に配置される。銀イオン発生装置２０は、自らの水槽内に少なくとも１対の金属電極を有し、電力が両方の金属電極に印加された場合に、生産装置１４０から排出された水の一部を銀イオン発生装置２０の水槽内に一時的に貯留し銀イオンを溶解した後に冷却水槽１１０に放出する。
水中ポンプ７０は、配管ｈ２１に接続され、冷却水槽１１０内に貯水された水を逆浸透濾過不純物除去装置１０に圧送する。
【００１５】
制御盤８０は、制御部８０ａ、センサツマミ８０ｂ、タイマツマミ８０ｃ、電気導電率κの時間変化を示すグラフを表示するＬＣＤ部８０ｄを備えている。制御部８０ａは、内部にＲＯＭ、ＲＡＭ及びＣＰＵを有し、ＲＯＭからオペレーティングシステムＯＳを読み出してＲＡＭ上に展開してＯＳを起動し、ＯＳ管理下において、ＲＯＭからプログラムを読み出し、各種処理を実行する。例えば、制御部８０ａは、センサツマミ８０ｂの設定導電率、タイマツマミ８０ｃの設定時間に基づいて、電動弁（＃Ａ）〜（＃Ｆ）の開閉状態を制御することで、銀イオン発生装置２０に対して水位制御、ポンプに対して運転／停止制御等を行う。
冷却水槽１１０は、銀イオン発生装置２０、及び逆浸透濾過不純物除去装置１０から夫々排出された循環水を貯留し、かつ貯留水を熱交換装置１３０を経由して生産装置１４０に供給する。
銀イオン発生装置２０から配管ｈ１７を経由して冷却水槽１１０に供給される銀イオンが溶解した水を貯留することで、冷却水槽１１０内の貯留水の銀イオン濃度が上昇する。さらに、冷却水槽１１０は、水中ポンプ７０が冷却水槽１１０内の水を吸引して配管ｈ２１を経由して逆浸透濾過不純物除去装置１０に送水し、逆浸透濾過不純物除去装置１０により濾過された水が配管ｈ２３を経由して冷却水槽１１０に戻ることで、冷却水槽１１０内の貯留水が濾過される。
【００１６】
ポンプ１２０は、配管ｈ３、ｈ５の間に配置され、冷却水槽１１０から水を吸引して熱交換装置１３０に圧送する。なお、ポンプ１２０のＯＮ／ＯＦＦ制御は、生産装置１４０側に備えられた生産制御盤（図示しない）により行うこととする。
熱交換装置１３０は、配管ｈ５、ｈ９の間に配置され、冷却水槽１１０と生産装置１４０の間に介在し、生産装置１４０の冷却に必要な水温の循環水を配管ｈ９を経由して生産装置１４０に供給するための水温調整の役割を果たす。なお、熱交換装置１３０に対する熱交換制御は、生産装置１４０側に備えられた生産制御盤（図示しない）により行うこととする。なお、熱交換装置１３０に接続された配管ｈ２１、ｈ２３は、冷却水槽１１０から送水された水の温度を所定の温度範囲内に維持するための所定温度水を熱交換装置１３０に供給するために設けられている。
生産装置１４０は、クリーンルームや建物内の水の循環経路中に配置された空調装置などの熱交換機であり、所定の温度範囲内に収まった温度の冷水を必要とする装置を示す。生産装置１４０は、配管ｈ９、ｈ１１の間に配置されている。
【００１７】
電動弁（＃Ａ）は、配管ｈ１５の途中に配置され、銀イオン発生装置２０へのバイパス流入弁の役割を果たす。
電動弁（＃Ｂ）は、配管ｈ１７の途中に配置され、銀イオン発生装置２０の流出弁の役割を果たす。
ゲート弁（＃Ｃ）は、配管ｈ１５、ｈ１３の間に配置され、銀イオン発生装置２０に流入するメイン配管の水の一部を冷却水槽１１０に流入するように逃がす流入弁の役割を果たす。
ゲート排水弁（＃Ｄ）は、配管ｈ１９の途中に配置され、銀イオン発生装置２０の排水弁の役割を果たす。
電動弁（＃Ｅ）は、配管ｈ２１の途中に配置され、冷却水槽１１０から逆浸透濾過不純物除去装置１０に流入する水の流入弁の役割を果たす。
電動弁（＃Ｆ）は、配管ｈ２５の途中に配置され、逆浸透濾過不純物除去装置１０の排水を排出する排出弁の役割を果たす。
なお、電動弁（＃Ａ）〜（＃Ｆ）は、配管の途中に介在するように接続され、制御部８０ａからの制御信号に応じて、開度を調整することにより全開状態から閉状態に段階的に変化する。
電気導電率センサ（＃Ｇ）は、冷却水槽１１０に配置され、冷却水槽１１０に貯水されている水の電気導電率を検知するセンサである。
【００１８】
図２は、図１に示す逆浸透濾過不純物除去装置１０の内部構成を示す図であり、（ａ）は全面透視図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は上面図、（ｄ）はマグネットを示す図である。
逆浸透濾過不純物除去装置１０は、図２（ａ）に示すように、循環経路を構成する管体の途中に配置される中空の筐体１５と、筐体１５内部に配置された１次フィルタ１１、マグネットアレイ１２、２次フィルタ１３、３次フィルタ１４を下方（紙面）から上方に向かって備えている。
逆浸透濾過不純物除去装置１０は、最下方に給水配管に接続された給水口５が設けられ、給水口５から水が供給されると、１次フィルタ１１、マグネットアレイ１２、２次フィルタ１３、３次フィルタ１４の順に下方から上方に向かって水位が上昇していき、出水口８から排出される。
１次フィルタ１１は、下方から１段目に設けられたフィルタであり、細目タイプのフィルタ１１ａと祖目タイプのフィルタ１１ｂをステンレスパンチング（ＳＵＳ−３０４・放射線状孔）１１ｃ、１１ｄで挟み込み、水に含有されている有機物／無機物等の異物を吸着して濾過する。
【００１９】
マグネットアレイ１２は、下方から２段目に設けられ、孔１２ｃを有する円盤状のフィライト製マグネット（図２（ｄ））（１個／５００ガウス）１２ｂが例えば３３個１列に保持棒材１２ａに保持されている構成を有し、水に含まれている鉄分を吸着する。マグネットアレイ１２の総磁力は、
１列３３個×２列６６個＝６６×５００＝３３，０００Ｇ（ガウス）
となる。
マグネットアレイ１２は、図２（ｄ）に示すように、複数極のフェライトマグネットを有することで、循環水に含まれている鉄分を吸着することができる。
２次フィルタ１３は、下方から３段目に設けられ、細目タイプのフィルタ１３ａと祖目タイプのフィルタ１３ｄとの間に緑色片岩（堆積岩）で構成される層１３ｂ、１３ｃを挟み、異物の吸着能力を高めたものである。
【００２０】
３次フィルタ１４は、下方から４段目に設けられ、１次フィルタ１１と同様の構成を有し、１次フィルタ１１〜２次フィルタ１３により捕捉できなかった異物を最終的に捕捉する。
なお、２次フィルタ１３、３次フィルタ１４は、１次フィルタ１１と同様に細目タイプのフィルタと祖目タイプのフィルタをステンレスパンチング（ＳＵＳ−３０４・放射線状孔）で挟み込む構成を有している。
また、上述したステンレスパンチングは、ＳＵＳ−３０４製が放射線状に広がった孔パンチングで構成され、挟み水の流れを不規則にして異物に対する捕捉能力及びフィルタの吸着飽和点が長くなるように構成している。
フィルタ１３の前段又は／及び後段に、不純物を捕捉する他のフィルタ１１、１４を備えていることで、水に含有されている有機物／無機物等の異物を吸着して濾過することができる。
【００２１】
図３は、図１に示す銀イオン発生装置２０の構成を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
図３に示す銀イオン発生装置２０は、金属イオン水を貯水するための貯水タンク２１を備えている。
図３（ｂ）に示すように、貯水タンク２１の側面の中間高さ位置には給水口２２が設けられている。この給水口２２には配管ｈ１５が取り付けられている。なお、配管ｈ１５には後述する制御盤（制御手段）８０により開閉制御が行われる電動弁（＃Ａ）が取り付けられている。
また貯水タンク２１の側面上方には、オーバーフロー管２５が設けられている。オーバーフロー管２５は、貯水タンク２１内の水位が所定の高さに達しても給水が止まらなかったときに、貯水タンク２１から水が溢れ出るのを防止するための管である。
【００２２】
また貯水タンク２１の下方（底面）には、貯水タンク２１内において発生した金属イオン水を配水するための配水口２６が設けられている。この配水口２６には、イオン配水管ｈ１７が取り付けられている。この場合、イオン配水管ｈ１７の一端は、貯水タンク２１の下方に取り付けられている沈殿物遮蔽板２８の上方に位置するように配置される。また、イオン配水管ｈ１７の他端は、ポンプを介して、電動弁（＃Ｂ）へと配管されている。なお、ポンプは、制御盤８０により駆動が制御される。
貯水タンク２１の配水口２６は、沈殿物遮蔽板２８より上方に設けることが好ましい。
ヒータ挿入口３９は、電気ヒータの挿入口であり、寒冷地で冬季使用時に銀イオン発生装置２０のイオン水の水温を上げるために用いる。
【００２３】
水位計４０は、貯水タンク２１内の水位を計測するための長手形状の水位棒４０ａ〜４０ｃの先端に夫々にスイッチが設けられており、水位に応じて各スイッチのスイッチ状態が変化する。なお、本実施形態では、水位棒４０ａのスイッチが最低水位を示し、水位棒４０ｂのスイッチが最低水位に近い状態を示し、水位棒４０ｃのスイッチが満水位を示す。水位計４０の各スイッチ状態は制御部２１ａに出力される。
貯水タンク２１の内部には、図３（ｂ）に示すように、金属電極として、直線状に延びる複数の銀電極棒（陽極）２９と複数の銅電極棒（陰極）３０が並行に離間して取り付けられ、各電極は電気的に分離されている。これら銀電極棒２９及び銅電極棒３０には、図示しないケーブルを介して直流電圧が印加されている。
なお、銀電極棒２９及び銅電極棒３０は、貯水タンク２１の貯水量が所定量のときに水面下となるような高さに配置されている。
【００２４】
なお、本実施形態では、金属電極として、銀電極棒２９と銅電極棒３０という異なる２種類の電極棒を配置する場合を例に挙げて説明したが、これはあくまでも一例であり、銀電極棒または銅電極棒の何れか１種類の金属電極を配置するようにしても良い。
金属電極として、銀電極棒または銅電極棒の何れか１種類の金属電極を配置した場合は金属電極から銀イオンまたは銅イオンの何れかを発生させることができる。また、銀電極棒２９と銅電極棒３０を配置した場合は、銀イオンと銅イオンの両方を発生させることが可能になる。
【００２５】
ケーブル接続箱３１は、貯水タンク２１の貯水量が所定量のときに水面より高い位置に配置され、各銀電極棒２９と各銅電極棒３０に接続されているケーブルと当該銀イオン発生装置２０の制御を行う制御盤８０からの電力ケーブルとを接続するための接続箱である。
各銀電極棒２９と各銅電極棒３０の両側には、複数の６極フェライトマグネット３２が直線状に配置されている。６極フェライトマグネット３２は、例えば図２（ｄ）に示すフェライトマグネット１２ｂと同様に円盤形状上にＮ極とＳ極が交互に形成されている。
本実施形態では、各銀電極棒２９と各銅電極棒３０の両側に各銀電極棒２９と各銅電極棒３０を挟んでＮ極・Ｎ極／Ｓ極・Ｓ極が対向するように６極フェライトマグネット３２が配置されている。
６極フェライトマグネット３２を配置すると、後述する水分子構造を微細化させる働きに加えて、各銀電極棒２９と各銅電極棒３０に結晶体が固着するのを抑制することができるという利点がある。
なお、６極フェライトマグネット３２の個数は、マグネット自体の大きさや装置の大きさや、各電極間の間隔、本数等の条件により適宜設定すれば良い。
【００２６】
貯水タンク２１の内部には、図３（ｂ）に示すように、天然セラミックである緑色片岩を収納した天然セラミック収納部３３が設けられている。
天然セラミック収納部３３の内部には、天然セラミックである緑色片岩３４が収納されている。緑色片岩３４は、断層粘土の集合体で三波川変成岩に属し、図４に示すような組成の物質である。なお、緑色片岩３４の殺菌機能については後述する。
貯水タンク２１の下方には、金属イオン発生時に塩素と化学反応して生成する酸化物を貯水タンク２１の底部の酸化物沈殿槽３５に誘導して遮蔽する沈殿物遮蔽板２８が取り付けられている。
また、酸化物沈殿槽３５には、沈殿槽内の沈殿物を排水するための沈殿物排水配管３６と、酸化物沈殿槽３５の内部を洗浄するための洗浄配管３８が設けられている。
【００２７】
貯水タンク２１の下方に金属イオン発生時に生成される酸化物を沈殿させる酸化物沈殿槽３５と、この酸化物沈殿槽３５に酸化物を誘導して遮蔽する沈殿物遮蔽板２８とを設けるように構成する。これにより、金属イオン発生時に生成する酸化物を酸化物沈殿槽に沈殿させることができるので、配水する金属イオン水に酸化物が含まれるのを防止することが可能になる。
また、酸化物沈殿槽３５に沈殿物排水配管３６と洗浄配管３８を設けることで、酸化物沈殿槽３５の洗浄を容易に行うことが可能になる。
【００２８】
次に、本実施形態に係る銀イオン発生装置２０の殺菌／殺藻機能について説明する。
本実施形態の銀イオン発生装置２０に設けられている銀電極棒２９では、銀Ａｇを水中で電気分解することにより銀イオンを生成させ、銀イオンを細菌に接触させることにより細菌を不活性化させ死滅させる。細菌は体面の細胞膜と細胞壁との間の呼吸を司る呼吸連鎖酵母が存在し、様々な役割を持つ組織から成り立っている。これらの呼吸鎖酵母のうち、−ＳＨ基を有する酵素は、酵素のタンパク質構造の維持、酵素活性などの大変重要な役割をしている。
また銀イオンは細菌の細胞酵素をブロッキングして短時間で死滅させ、有機物を減少させる。これに伴い、原生動物や水中懸濁物も減少し濁度は澄んだ状態になる。銅イオンは銀イオンより殺菌作用は若干劣るが、銅イオンは藻類に強く吸着し生育を阻害し死滅させる。レジオレネラ族菌群は藻類やアメーバと共生し増殖するために、その根源の藻類に有効に作用する銅イオンを活用し相乗効果を引き出すようにしている。
ここに、銀イオンが置換反応し、−ＳＡｇ基に変質することにより、これらの酵母の活性が失われ細菌は不活性化する。−ＳＨ基の他に−ｓ−ｓ（システィン結合）を持つものが存在するが、銀イオンは同様の効果を発揮し殺菌する。
陽極である銀電極棒２９では、Ａｇ→Ａｇ＋＋ｅ−、Ａｇ＋＋Ｃｌ−→ＡｇＣｌ、という化学反応が生じる。
【００２９】
一方、陰極である銅電極棒３０では、銅を水中で電気分解することにより銅イオンを生成させ、銅イオンを細菌に接触させることにより細菌を不活性化させ死滅させる。理論は上記銀と同じである。銅イオンが０．０４ｐｐｍ（４０ｐｐｂ）達すると大腸菌群の大半は生存できなくなり死滅する。大腸菌群以外の菌でも同様であると推定されている。
陰極である銅電極棒３０では、２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−→Ｈ２＋＋２ＯＨ−という化学反応により水酸化イオンが発生する。
また、
Ｎａ＋＋ＯＨ−→ＮａＯＨ、Ｋ＋＋ＯＨ−→ＫＯＨ、Ｍｇ＋＋＋２ＯＨ−→Ｍｇ（ＯＨ）２
Ｃａ＋＋＋２ＯＨ−→Ｃａ（ＯＨ）２
という化学反応により、スケールについてはＣａ、Ｍｇの堆積分に水酸化イオンが結合し、水酸化化合物として除去する。一方、スライムについては粘土、泥の無機物生物の分泌物の粘液を多孔質の緑色片岩で除去する。
【００３０】
図４は、天然セラミックである緑色片岩の組成を示した図である。
天然セラミックである緑色片岩の機能としては、緑色片岩は、その表面は負又は正の電荷を持っているため、水中のイオンとイオン交換を素早く行うことができる。また緑色片岩は負の状態が多いため、陽イオン（カルシウム、マグネシウム等）を引きつける。これによって、逆浸透濾過不純物除去装置１０や銀イオン発生装置２０へのスライムやスケールの付着を抑止することができ、水中イオンが減少すると、電気導電率も低下する。
また緑色片岩は、水を保持する力が強く、表面張力が小さいので物質が吸着しやすい状態になっており、吸着飽和点に達する時間が長期間維持される連続多孔質（特殊ランダム層）という形態にある。このため、表面積が大きくその分、吸着能力に優れ、この高い吸着力によって水中の金属化合物やトリハロメタンなどを吸着補足することができる。
【００３１】
さらに緑色片岩は、遠赤外線放射力により水の分子構造を置換、浸透性・洗浄性を向上させるので、強固なスケールやスライムを徐々に剥離溶質し、正常な設備部材面を復活させることができる。
さらにまた、緑色片岩には、酸化と還元のバランスを保つ鉄塩の２価鉄と３価鉄が３：１の割合で含有しており、水中の酸素によって酸化還元反応が起こり、微弱電流が発生しイオン化を促進する。
また緑色片岩自身からマイナスイオンが発生し、酸化度を示す指標となる酸化還元電位を低下させる働きをする。すなわち、緑色片岩を用いることにより、還元性が強くなって冷却装置内の部材や配管内壁のスケール等を剥離溶質し易くするという作用が生じる。
【００３２】
図５は、本発明の実施形態に係る不純物除去システム１の動作について説明するためのフローチャートである。
図１に示すように、既存の装置として、冷却水槽１１０、ポンプ１２０、熱交換装置１３０、室内の空気と熱交換する空調装置である生産装置１４０を備えている。
この冷却サイクルでは、冷却水槽１１０内の貯留水をポンプ１２０により吸引して配管ｈ５から熱交換装置１３０に供給し、熱交換装置１３０により熱交換後の循環水が配管ｈ９を経由して生産装置１４０に供給される。さらに、生産装置１４０において熱交換された循環水が配管ｈ１１に排出される。生産装置１４０から配管ｈ１１を経由して排出された循環水は、全開状態に制御されている電動弁（＃Ｃ）を経由し、さらに、配管ｈ１３を経由して冷却水槽１１０に返送することにより、生産装置１４０を冷却することを可能にしている。
【００３３】
このような冷却サイクルに対して、逆浸透濾過不純物除去装置１０、銀イオン発生装置２０、制御盤８０を備えた不純物除去システム１が取り付けられている。
制御盤８０に設けられたパワースイッチ（図示しない）が投入されると、電源ユニット（図示しない）から直流電力が制御部８０ａに供給される。制御部８０ａでは、ＣＰＵがＲＯＭからオペレーティングシステムＯＳを読み出してＲＡＭ上に展開してＯＳを起動し、ＯＳ管理下において、ＲＯＭから制御プログラムをＲＡＭ上に読み出し、図５に示すフローチャートで表されたプログラムによる処理を実行する。
まず、タイマ制御による通常運転をスタートする。ステップＳ５では、制御部８０ａは、冷却水槽１１０に備えた電気導電率センサ（＃Ｇ）から現在の電気導電率κをサンプリング周期（例えば、１分間隔）において入力する。このとき制御部８０ａは、現在の電気導電率κをＬＣＤ部８０ｄに出力し、ＬＣＤ部８０ｄは、電気導電率κの時間変化を示すグラフを表示する（図１１（ａ）参照）。
ここで、電気導電率について説明する。
面積Ｓｃｍ２の２枚の電極を水中に距離Ｌｃｍを隔てて配置し、その間に電圧Ｖ（Ｖ）を印加したときの電流の強さをＩ（Ａ）、抵抗をＲ（Ω）とすると、オームの法則によりＶ＝ＩＲとなる。
抵抗Ｒは電極の面積Ｓに反比例し、電極間の距離Ｌに比例することから、Ｒ＝ρＬ／Ｓ（ρは比例定数）となる。比例定数ρ（Ωｃｍ）は、１ｃｍの距離を隔てて平行に配置された面積１ｃｍ２の電極間内の１ｃｍ３の水の示す抵抗であり、電気抵抗率を表す。この電気抵抗率ρの逆数が電気導電率κであり、単位Ｓ／ｃｍ：ジーメンス／センチメートルで表す。
κ＝１／ρ＝Ｌ／ＲＳ
【００３４】
次いで、ステップＳ１０では、制御部８０ａは、冷却水槽１１０内の現在の電気導電率κが、基準値κｔｈよりも高い値で検知されたか否かを判断する。冷却水槽１１０内の現在の電気導電率κが、基準値κｔｈ以下の範囲に収まっている場合は、冷却水槽１１０内のイオン濃度が低いこと、不純物が少ないことを表しているため、ステップＳ５に戻る。なお、基準値κｔｈは、図１に示す制御盤８０の操作パネルに設けられたセンサツマミ８０ｂにより回転する軸と同軸上に設けられた可変抵抗器ＶＲにより例えば５０〜１５００（Ｓ／ｃｍ）の範囲において可変自在に設定される。このため、生産装置１４０の運用水準（仕様）に応じてイオン濃度の基準となる想定値を適切な値に設定することができる。
一方、冷却水槽１１０内の現在の電気導電率κが、基準値κｔｈよりも高い値である場合は、ステップＳ１５に進む。ステップＳ１５では、制御部８０ａは、冷却水戻り電動弁（＃Ａ）に開制御信号を送信することにより開制御する。同時に、制御部８０ａは、電動弁（＃Ｂ）に閉制御信号を送信することにより閉制御する。
このとき、生産装置１４０の給排水を担うポンプ１２０は、生産装置１４０における温度制御に依存しており、制御盤８０における制御とは独立して運転されている。
生産装置１４０から配管ｈ１１を経由して排出された循環水の一部が、配管ｈ１５の途中に配置されている電動弁（＃Ａ）を介して銀イオン発生装置２０に流入される。なお、電動弁（＃Ｃ）は常時全開状態とすることで、生産装置１４０から配管ｈ１１を経由して排出された循環水の一部が電動弁（＃Ｃ）、配管ｈ１３を経由して冷却水槽１１０に流入される。
【００３５】
次いで、ステップＳ２０では、制御部８０ａは、銀イオン発生装置２０に設けられた水位計４０から各スイッチ状態を取得する。
次いで、ステップＳ２５では、制御部８０ａは、水位計４０から取得された満水位置に設けられたスイッチのスイッチ状態がＯＮ状態となり、循環水が満水状態であるか否かを判断する。循環水が満水状態に到達していない場合には、ステップＳ２５に戻り、上述した処理を繰り返す。
銀イオン発生装置２０内の循環水が満水状態に到達した場合には、ステップＳ２７に進む。ステップＳ２７では、制御部８０ａは閉制御信号を電動弁（＃Ａ）に出力して電動弁（＃Ａ）を閉状態（ＯＦＦ）に設定する。
次いで、ステップＳ３０では、制御部８０ａは、タイマツマミ８０ｃの設定時間Ｔｓ１（５〜３０ｍｉｎ）に基づいてタイマ制御を開始する。このとき、生産装置１４０から配管ｈ１１を経由して排出された循環水の一部が電動弁（＃Ｃ）（常時全開状態）、配管ｈ１３を経由して冷却水槽１１０に流入されている。
【００３６】
ステップＳ３５では、制御部８０ａは、銀イオン発生装置２０に銀イオン水を生成させるためにＯＮ制御信号を送信する。即ち、制御部８０ａは銀イオン発生装置２０に設けられた各銀電極棒２９と各銅電極棒３０に電力を印加するように制御する。この結果、制御盤８０からケーブルを介してケーブル接続箱３１、さらに各銀電極棒２９と各銅電極棒３０に電力が印加され、各銀電極棒２９から銀イオンが水中に発生され、各銅電極棒３０から銅イオンが水中に発生される。
銀イオン発生装置２０は、水中に金属イオンを発生する金属電極棒と、銀イオン発生装置内の水位を検出する水位計と、を備え、制御部８０ａは、水位計が満水状態を示す場合に、金属電極棒に所定時間だけ電力を印加することで、金属イオンを発生することができる。
次いで、ステップＳ４０では、制御部８０ａは、タイマが設定時間Ｔｓに到達し、タイマがＯＦＦ状態になるまで待ち処理を継続する。制御部８０ａは、タイマが設定時間Ｔｓに到達（タイマＯＦＦ）した場合にステップＳ４５に進む。
【００３７】
次いで、ステップＳ４５では、制御部８０ａは、銀イオン発生装置２０に銀イオン水の生成を停止させるためにＯＦＦ制御信号を送信する。即ち、制御部８０ａは銀イオン発生装置２０に設けられた各銀電極棒２９と各銅電極棒３０に電力の印加を停止するように制御する。この結果、制御盤８０からケーブルを介してケーブル接続箱３１、さらに各銀電極棒２９と各銅電極棒３０に印加されていた電力が停止される。
次いで、ステップＳ５０では、制御部８０ａは、電動弁（＃Ｂ）に開制御信号を送信することにより開制御する。同時に、制御部８０ａは、電動弁（＃Ａ）に閉制御信号を送信することにより閉制御する。これにより、銀イオン発生装置２０において生成された銀イオン水を配管ｈ１７を経由して冷却水槽１１０に送水する。
【００３８】
次いで、ステップＳ６０では、制御部８０ａは、冷却水槽１１０内の水中ポンプ７０にＯＮ制御信号を送信する。同時に、制御部８０ａは、電動弁（＃Ｅ）に開制御信号を送信することにより開制御する。これにより、冷却水槽１１０内の循環水が水中ポンプ７０に吸引されて配管ｈ２１を経由して電動弁（＃Ｅ）を経由して逆浸透濾過不純物除去装置１０へ送水され、さらに、逆浸透濾過不純物除去装置１０において不純物が濾過された循環水が配管ｈ２３を経由して冷却水槽１１０に送水される。次いで、ステップＳ５に戻る。
次いで、ステップＳ６５では、制御部８０ａは、タイマから現在の時刻を読み出し、予め設定された指定時刻か否かを判断する。現在の時刻が指定時刻ではない場合にステップＳ５に戻り処理を繰り返す。一方、現在の時刻が指定時刻である場合にはステップＳ１０５に進む。
このような制御を行うことで、一日の運転期間の大部分はステップＳ５〜Ｓ６５（Ｎｏ）に示す処理を繰り返すことになる。
【００３９】
現在の時刻が指定時刻である場合に、ステップＳ１０５では、制御部８０ａは、電動弁（＃Ｅ）に閉制御信号を送信することにより閉制御し、電動弁（＃Ｆ）に開制御信号を送信することにより開制御する。同時に、制御部８０ａは、タイマに例えば設定時間Ｔｓ２（１ｍｉｎ）の計時動作を開始させ間隔タイマ制御を行う。これにより、冷却水槽１１０内の貯留水が水中ポンプ７０に吸引されて配管ｈ２１を経由して電動弁（＃Ｅ）から逆浸透濾過不純物除去装置１０へ送水され、さらに、逆浸透濾過不純物除去装置１０において堆積されていた不純物を含む循環水が電動弁（＃Ｆ）、配管ｈ２５を経由して排水され、産業廃棄物として処分される。
これにより、必要なときに逆浸透濾過不純物除去装置１０の底部からドレイン水を排水するので、不要になった不純物を排出することができる。
次いで、ステップＳ１１０では、制御部８０ａは、タイマが設定時間Ｔｓ２（１ｍｉｎ）に到達し、タイマがＯＦＦ状態になるまで待ち処理を継続する。制御部８０ａは、タイマが設定時間Ｔｓ２（１ｍｉｎ）に到達（タイマＯＦＦ）した場合にステップＳ１１５に進む。
次いで、ステップＳ１１５では、制御部８０ａは、電動弁（＃Ｅ）に開制御信号を送信することにより開制御し、電動弁（＃Ｆ）に閉制御信号を送信することにより閉制御する。これにより、逆浸透濾過不純物除去装置１０から電動弁（＃Ｆ）、配管ｈ２５を経由した排水処理が停止される。次いで、ステップＳ５に戻る。
【００４０】
生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０に印加する電力をＯＮ制御することで、銀イオン発生装置２０により生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させ、逆浸透濾過不純物除去装置１０により生産装置１４０からの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を冷却水槽１１０内に貯留し、冷却水槽１１０内の貯留水をポンプ１２０により吸引して配管ｈ５から熱交換装置１３０に供給し、熱交換装置１３０により熱交換後の循環水が配管ｈ９を経由して生産装置１４０に供給される。このため、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
また、冷却水槽１１０内の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、冷却水槽１１０内に貯留された貯留水を水中ポンプ７０により吸引して逆浸透濾過不純物除去装置１０に供給し、逆浸透濾過不純物除去装置１０において不純物を除去した後の循環水を冷却水槽１１０に戻すことで、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
また、循環水の電気導電率が所定の基準値を超えていない場合に、銀イオン発生装置２０をＯＦＦ制御するので、循環水の電気導電率が低下したときに銀イオンの生成を停止することができ、所定の基準値まで循環水の電気導電率を低下することができる。
【００４１】
＜第２実施形態＞
図６は、本発明の第２実施形態に係る不純物除去システム２００の構成について説明するための斜視図である。
第１実施形態では、水温調整手段として熱交換装置１３０を用いた構成例を例示したが、本発明は熱交換装置１３０に限定するものではなく、例えば密閉式冷却塔１３０Ａを利用することが可能である。
第２実施形態に係る不純物除去システム２００は、冷却水槽１１０、生産装置１４０を含む循環水の循環経路本体（ｈ１１、ｈ１３、ｈ３、ｈ５、ｈ９）の途中に密閉式冷却塔１３０Ａを介挿した点において、循環経路本体中に熱交換器を配置した第１実施形態と異なっている。逆浸透濾過不純物除去装置１０と、銀イオン発生装置２０は、何れも循環経路本体の傍系として冷却水槽１１０と接続されている。
水温調整手段としての密閉式冷却塔１３０Ａは、間接冷却を行うように構成されており、循環水は銅管コイル内を通し散布水により間接冷却されるため、負荷側への水質的影響を与えない。ただし、散布水は外気と直接接触するため、散布水側の水処理が必要となる。
また、第２実施形態は、補給水槽２１０を配置した構成が特徴的である。補給水槽２１０に対しては、外部から上水が供給される配管ｈ１、外部から工水が供給される配管ｈ５１がそれぞれ接続されており、補給水ポンプ２１３をＯＮ制御することにより補給水槽２１０から配管ｈ５３、補給水ポンプ２１３、配管ｈ５５を介して密閉式冷却塔１３０Ａに循環水を補給するように構成されている。
【００４２】
生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０に印加する電力をＯＮ制御することで、銀イオン発生装置２０により生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させ、逆浸透濾過不純物除去装置１０により生産装置１４０からの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、濾過後の濾過水を冷却水槽１１０内に貯留させる。冷却水槽１１０内の貯留水をポンプ１２０により吸引して配管ｈ５から密閉式冷却塔１３０Ａに供給し、密閉式冷却塔１３０Ａにより熱交換後の循環水が配管ｈ９を経由して生産装置１４０に供給される。このため、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
また、冷却水槽１１０内の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、冷却水槽１１０内に貯留された貯留水を水中ポンプ７０により吸引して逆浸透濾過不純物除去装置１０に供給し、逆浸透濾過不純物除去装置１０において不純物を除去した後の循環水を冷却水槽１１０に戻すことで、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
また、循環水の電気導電率が所定の基準値を超えていない場合に、銀イオン発生装置２０をＯＦＦ制御するので、循環水の電気導電率が低下したときに銀イオンの生成を停止することができ、所定の基準値まで循環水の電気導電率を低下することができる。
【００４３】
＜第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態に係る不純物除去システム３００の構成について説明するための斜視図である。
本実施形態では、第１及び第２実施形態に用いた冷却水槽１１０をシステム構成（循環経路本体ｈ１１、ｈ６３、ｈ５、ｈ９）から除外した簡易な構成を提供する。更に、本実施形態では、銀イオン発生装置２０Ｂ、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂを直列接続した循環ルート（ｈ５７、ｈ５９、ｈ６１）を傍系として循環経路本体の適所に接続した構成が特徴的である。
即ち、本実施形態では、生産装置１４０から配管ｈ１１に排出される循環水を電動弁（＃Ｃ）、配管ｈ６３、ポンプ１２０を経由して密閉式冷却塔１３０Ａに供給する構成になる。
さらに、電気導電率センサ（＃Ｇ）により検出された電気導電率κが基準値κｔｈよりも高い値である場合には、銀イオン発生装置２０Ｂにおいて銀イオン水を生成させ、生成された銀イオン水を電動弁（＃Ｂ）、配管ｈ５９を経由して逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂへ送水させ、逆浸透濾過不純物除去装置１０から排出された浄化水を配管ｈ６１を経由してポンプ１２０、密閉式冷却塔１３０Ａに供給する。
【００４４】
次いで、図８（ａ）（ｂ）に示す断面図を参照して、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂの構成について説明する。
逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂは、第１実施形態において用いた逆浸透濾過不純物除去装置１０を小型化した構成であり、同一部材には同一符号を付加しており、その説明を省略する。
逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂは、循環経路を構成する管体の途中に配置される中空の筐体１５Ｂと、筐体１５Ｂ内部に配置された１次フィルタ１１、マグネットアレイ１２、２次フィルタ１３、３次フィルタ１４を下方から上方に向かって備えている。
筐体１５Ｂの底部（紙面下方）には、不純物を含むドレイン水を廃棄するための開口部を中央部に設けられたフランジ１６を備え、フランジ１６の中央部に設けられた開口部が手動ボール弁６を経由して排水管７に接続されている。筐体１５Ｂとフランジ１６は、ボルト１６ａとナット１６ｂによりボルト止めされている。
筐体１５Ｂの上部（紙面上方）には、空気やメタンガスを含むエアーを外部に排気するための開口部を中央部に設けられたフランジ１７を備え、フランジ１７の中央部に設けられた開口部が手動ボール弁１８ａを経由してエアー抜き管１８に接続されている。筐体１５Ｂとフランジ１７は、ボルト１７ａとナット１７ｂによりボルト止めされている。
逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂは、筐体１５Ｂの下方から冷却水を通水し、フィルタ１１〜１４、マグネットアレイ１２によりカビ、雑菌、管体からの錆等を捕捉させ、異物除去後の冷却水を上方から排出する。必要な時に、ドレイン水を筐体１５Ｂの下方に設けられた排水管７から廃棄することができる。
【００４５】
次いで、図９（ａ）（ｂ）に示す断面図を参照して、銀イオン発生装置２０Ｂの構成について説明する。
銀イオン発生装置２０Ｂは、第１実施形態において用いた銀イオン発生装置２０を小型化した構成であり、同一部材には同一符号を付加しており、その説明を省略する。
逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂは、循環経路を構成する管体の途中に配置される中空の筐体２１Ｂと、筐体２１Ｂ内部に配置された銀電極棒２９と銅電極棒３０を備えている。
筐体２１Ｂの両側部（紙面右方および左方）には、開口部を中央部に設けられたフランジ４１ａ、４１ｂ、フランジ４１ａに接続されるフランジ体４２、フランジ４１ｂに接続されるフランジ体４３を備えている。
フランジ体４２は、配管ｈ５７に設けられたフランジｈ５７ａに接続するため配管ｈ５７と略同一内径を有するフランジ４２ａ、フランジ４２ａの内径からフランジ４２ｂの内径まで形状を拡大することにより筐体２１Ｂに設けられたフランジ４１ａに接続するフランジ４２ｂを備えている。フランジ４１ａとフランジ４２ｂは、ボルト４４ａとナット４４ｂによりボルト止めされている。さらに、フランジ４２ａとフランジｈ５７ａは、ボルト４４ａとナット４４ｂによりボルト止めされている。
フランジ体４３は、フランジ体４２と同様の構成を有するため、その説明を省略する。
【００４６】
銀イオン発生装置２０Ｂは、銀イオンによる循環水の浄化装置であり、冷却水の循環経路内に配置された中空の筐体２１Ｂと、筐体２１Ｂ内に配置された銀製の電極２９と、筐体２１Ｂ内に配置された銅製の電極３０と、この電極に対して所定の電力を供給する給電手段（制御盤８０）と、を備えている。筐体２１Ｂ内に冷却水を通水した状態で、銀電極２９、銅電極３０に通電することにより、銀電極から放出された銀イオンが冷却水中の雑菌を死滅させる。
銀イオン発生装置２０Ｂと逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂを冷却水の循環経路内に配置することにより、循環水からカビ、細菌、錆、その他の異物を除去することができ、循環経路内に配置された配管やクーリングタワーの通水部分に生じる腐食を防止することができる。
生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０Ｂに印加する電力をＯＮ制御することで、銀イオン発生装置２０Ｂにより生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させ、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂにより銀イオン発生装置２０Ｂからの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水をポンプ１２０により吸引して配管ｈ５から密閉式冷却塔１３０Ａに供給し、密閉式冷却塔１３０Ａにより熱交換後の循環水が配管ｈ９を経由して生産装置１４０に供給される。これにより、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
【００４７】
＜第４実施形態＞
図１０は、本発明の第４実施形態に係る不純物除去システム４００の構成について説明するための斜視図である。
本実施形態では、第３実施形態と同様に、第１及び第２実施形態に用いた冷却水槽１１０をシステム構成（循環経路本体ｈ１１、ｈ６３、ｈ５、ｈ９）から除外した簡易な構成を提供する。更に、本実施形態では、銀イオン発生装置２０Ｂ、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂを直列に接続したルートを傍系として循環経路本体に接続した構成が特徴的である。
さらに、本態実施形態では、冷温水発生機１５０、空調機やファンコイルユニット等の熱交換機１７０を備えている。
【００４８】
本実施形態によれば、不純物除去システム４００は、銀イオン発生装置２０と逆浸透濾過不純物除去装置１０の間に接続された配管ｈ５９に設けられ、該配管ｈ５９の途中に設けられた第２電動弁（＃Ｂ）により開度を調整する。逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂの底部に接続された配管ｈ６０に設けられ、該配管ｈ６０の途中に設けられた第３電動弁（＃Ｆ）により開度を調整する。制御部８０ａは、必要なときに第２電動弁（＃Ｂ）を閉状態に制御し、かつ第３電動弁（＃Ｆ）を全開状態に制御し、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂの底部からドレイン水を排水する。
これにより、必要なときに逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂの底部からドレイン水を排水するので、不要になった不純物を排出することができる。
【００４９】
＜第５実施形態＞
図１１は、本発明の第５実施形態に係る不純物除去システム５００の構成について説明するための斜視図である。
本実施形態では、第３実施形態と同様に、第１及び第２実施形態に用いた冷却水槽１１０をシステム構成（循環経路本体ｈ１１、ｈ６３、ｈ５、ｈ９）から除外した簡易な構成を提供する。即ち、循環経路本体であるｈ１１、ｈ６３、ｈ５、ｈ９中に冷却水槽１１０を配置していない。
更に、本実施形態では、銀イオン発生装置２０Ｂと逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂを、循環経路本体の傍系として並列に接続した構成が特徴的である。
さらに、本実施形態では、冷温水発生機１５０、空調機やファンコイルユニット等の熱交換機１７０を備えている。
即ち、第５実施形態に係る不純物除去システム５００は、熱交換機１７０、冷温水発生機１５０を含む循環水の循環経路本体の途中に並列状に銀イオン発生装置２０Ｂ、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂを配置した構成が第３実施形態との相違点の一つである。
【００５０】
即ち、図１１に示すように、熱交換機１７０から排水された循環水が配管ｈ１１から電動弁（＃Ａ）を経由して銀イオン発生装置２０Ｂに流入するように構成し、さらに配管ｈ１１から逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂにも流入するように構成する。かつ銀イオン発生装置２０Ｂから排水された銀イオンを含む循環水を配管ｈ６２を経由して配管ｈ５に流出するように構成し、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂから排水された循環水を配管ｈ６１を経由して配管ｈ５に流出するように構成してもよい。
このような場合でも、生産装置銀イオン発生装置２０Ｂから排水された銀イオン水と、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂから排出される濾過後の循環水が、配管ｈ６３内で合流して混合され、システム内の循環経路を１周した後に、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂにおいて不純物が捕捉される。
【００５１】
＜第６実施形態＞
図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第６実施形態に係る不純物除去システムの動作について説明するための電気導電率κの日々の推移を示す図である。
第１実施形態にあっては、電気導電率の基準値をセンサツマミ８０ｂにより操作できるようにしていた。このため、不純物除去システム１の運用担当員が、電気導電率を日々監視しながらセンサツマミ８０ｂを操作する必要があった。
図１２（ａ）は、不純物除去システム１の運用開始時にセンサツマミ８０ｂを一度設定（電気導電率κの基準値＝一定）した場合での電気導電率κの日々の推移を示すグラフ図である。図１２（ａ）に示すように、経過日数が経過した後（ｔ１）は、電気導電率κが一定値の上下を微動している様子を確認することができる。ＬＣＤ部８０ｄには、電気導電率κの時間変化を示すグラフが表示される。
この原因は、電気導電率κの基準値が一定値に設定してあるためである。そこで、電気導電率κが基準値以下に低下した後も、適切に電気導電率κの基準値を低くすることが望まれる場合を考える。
【００５２】
図１３は、本発明の第６実施形態に係る不純物除去システムの動作について説明するためのフローチャートである。なお、図１３に示すフローチャートは、第１実施形態に係る不純物除去システム１の制御部８０ａの動作を示すフローチャート（図５）を一部変更したものである。
まず、ステップＳ５では、制御部８０ａは、冷却水槽１１０に備えた電気導電率センサ（＃Ｇ）から現在の電気導電率κをサンプリング周期（例えば、１分間隔）において入力する。
次いで、ステップＳ２１０では、制御部８０ａは、タイマから検知日時ｔｊ（ＹＹ：ＭＭ：ＤＤ：ＨＨ：ｍｍ）を取得する。なお、検知日時ｔｊ（ＹＹ：ＭＭ：ＤＤ：ＨＨ：ｍｍ）は、（年：月：日：時：分）を表すこととする。
次いで、ステップＳ２１５では、制御部８０ａは、電気導電率センサ（＃Ｇ）により検知された電気導電率κに検知日時ｔｊ（ＹＹ：ＭＭ：ＤＤ：ＨＨ：ｍｍ）を付加してＲＡＭに記憶する。
次いで、ステップＳ２２０では、制御部８０ａは、ＲＡＭから直近のｎ日分の電気導電率κと検知日時ｔを読み出して取得し、直近のｎ日分の電気導電率と検知日時に基づいて、電気導電率についての日毎の１日当たりの平均降下率ＡＤＲ（Average decreasing rate）を算出する。
なお、日毎の１日当たりの平均降下率ＡＤＲは、ある１日のサンプル数ｍの中央数ｍ／２前後の例えば１０サンプルについて平均化して平均降下率ＡＤＲを求めてもよい。これによりサンプルによるバラツキを平均化することができる。
【００５３】
次いで、ステップＳ２２５では、制御部８０ａは、ｎ日分の日毎の平均降下率ＡＤＲを加算することにより期間降下率ＴＳＤＲ（Time span decreasing rate）を算出する。
次いで、ステップＳ１０では、制御部８０ａは、冷却水槽１１０内の現在の電気導電率κが、基準値κｔｈよりも高い値で検知されたか否かを判断する。冷却水槽１１０内の現在の電気導電率κが、基準値κｔｈ以下の範囲に収まっている場合は、冷却水槽１１０内のイオン濃度が低いこと、不純物が少ないことを表しているため、ステップＳ２３０に進む。
次いで、ステップＳ２３０では、制御部８０ａは、冷却水槽１１０内の貯留水の電気導電率が基準値κｔｈ以下になった場合に、基準値κｔｈから期間降下率ＴＳＤＲを減算した値（κｔｈ−ＴＳＤＲ）を算出する。次いで、ステップＳ２３５では、制御部８０ａは、この算出値（κｔｈ−ＴＳＤＲ）を所定の基準値κｔｈとして更新する。次いで、ステップＳ５に戻り、処理を繰り返す。
【００５４】
図１３（ｂ）は、不純物除去システム１の運用開始時にセンサツマミ８０ｂを一度設定（電気導電率κの基準値κｔｈ＝一定）した場合での電気導電率κの日々の推移を示すグラフ図である。図１３（ｂ）に示すように、経過日数が経過した後（ｔ１）も、基準値κｔｈが徐々に降下するので、基準値κｔｈの降下に応じて電気導電率κも降下している様子を確認することができる。ＬＣＤ部８０ｄには、この電気導電率κの時間変化を示すグラフが表示される。
貯留水の電気導電率κがセンサツマミ８０ｂにより操作設定した基準値κｔｈ以下に低下した後も、適切に電気導電率κの基準値κｔｈを低くすることが可能になり、センサツマミ８０ｂに対する操作忘れがあった場合にも適切な基準値κｔｈを設定することができる。
これにより、循環水の電気導電率が所定の基準値以下になった場合に、所定の基準値から降下率を減算した値を算出し、該算出値を所定の基準値として更新することで、基準値以下に低下した後も、適切かつ徐々に電気導電率の基準値を低くすることが可能になり、適切な基準値を設定することができる。
【００５５】
＜第１〜第６実施形態による効果＞
図１４に示す図、及び図１５に示す図を参照して、第１〜第６実施形態による効果について説明する。
図１４は、銀イオン発生装置２０、２０Ｂに対して電力を通電した際の塩化物イオン濃度の測定結果を示す図である。従来の処理水（検体水）を水槽（６０Ｌ）に収容しておき、水槽に銀電極と銅電極を取り付けて通電したときの塩化物イオンの濃度を測定した例である。
図１４に示すように、塩化物イオンの濃度が原水時に約３．５ｍｇ／Ｌあった状態から４時間後に約１．８ｍｇ／Ｌに低減したことが確認できる。
【００５６】
従来の技術にあっては、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、レジオネラ属菌、サルモネラ菌、緑膿菌、大腸菌、黄色ブドウ球菌等の雑菌や藻類、スケールやスライムが発生することが多々あった。
これに対して、図１５（ａ）は、冷却塔の充填材において、藻類や細菌（バクテリア）、真菌（カビ）の微生物から分泌された粘性有機物がスライムを一旦形成した後に、本実施形態の不純物除去システムを運転した後の状態を示している。また、図１５（ｂ）は、熱交換機内のチューブにおいて、カルシウム、シリカ、鉄錆などの無機物によりスケールが一旦形成された後に、本実施形態の不純物除去システムを運用した後の状態を示している。
【００５７】
本実施形態によれば、不純物除去システムにより得られる処理水の塩化物イオン濃度を水道法の水質基準である２００ｍｇ／Ｌ以下にするだけなく、導入コストや維持コストを抑えることができ、加えた被処理水の全量に相当する量の水を処理水として取り出すことができ塩化物イオン濃縮水が排出されず、塩素ガス（Ｃｌ２）が大量に発生せず、処理水が着色しない不純物除去システムを提供することができる。
銀イオン発生装置２０と逆浸透濾過不純物除去装置１０を冷却水の循環経路内に配置して運用することにより、冷却水からカビ、細菌、錆、その他の異物を除去することができ、循環経路内に配置された配管やクーリングタワーの通水部分に生じる腐食を防止することができる。
【００５８】
＜本発明の実施態様例と効果＞
＜第１態様＞
本態様の不純物除去システム３００は、水の循環経路中に配置された生産装置１４０から排出された循環水から不純物を除去し、該除去後の循環水を生産装置１４０に供給する不純物除去システムであって、少なくとも１対の金属電極を有し、電力が金属電極に印加された場合に、生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させる銀イオン発生装置２０Ｂと、銀イオン発生装置２０Ｂからの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を生産装置１４０に供給する逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂと、生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率を検知する電気導電率センサ（＃Ｇ）と、電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０Ｂに印加する電力をＯＮ制御する制御部８０ａと、を備えることを特徴とする。
本態様によれば、生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０Ｂに印加する電力をＯＮ制御することで、銀イオン発生装置２０Ｂにより生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させ、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂにより銀イオン発生装置２０Ｂからの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を循環水として生産装置１４０に供給するので、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
【００５９】
＜第２態様＞
本態様の不純物除去システム１は、水の循環経路中に配置された生産装置１４０から排出された循環水から不純物を除去し、該除去後の循環水を生産装置１４０に供給する不純物除去システムであって、少なくとも１対の金属電極を有し、電力が金属電極に印加された場合に、生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させる銀イオン発生装置２０と、生産装置１４０からの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を生産装置に供給する逆浸透濾過不純物除去装置１０と、生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率を検知する電気導電率センサ（＃Ｇ）と、電気導電率に基づいて、電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０に印加する電力をＯＮ制御する制御部８０ａと、を備えることを特徴とする。
本態様によれば、生産装置１４０から排出された循環水の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、銀イオン発生装置２０に印加する電力をＯＮ制御することで、銀イオン発生装置２０により生産装置１４０からの循環水に銀イオンを溶解させ、逆浸透濾過不純物除去装置１０により生産装置１４０からの循環水に含まれる不純物をフィルタにより捕捉し、該濾過後の濾過水を生産装置１４０に供給するので、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
【００６０】
＜第３態様＞
本態様の不純物除去システム１は、銀イオン発生装置２０、及び逆浸透濾過不純物除去装置１０から夫々排出された循環水を貯留し、かつ貯留水を生産装置１４０に供給する冷却水槽１１０を備え、逆浸透濾過不純物除去装置１０は、冷却水槽１１０内に貯留された貯留水を吸引し、不純物除去後に冷却水槽１１０に戻すことを特徴とする。
本態様によれば、冷却水槽１１０内に貯留された貯留水を吸引し、不純物除去後に冷却水槽１１０に戻すことで、循環水に含まれる不純物を除去することができる。
【００６１】
＜第４態様＞
本態様の不純物除去システム１は、電気導電率センサ（＃Ｇ）は、冷却水槽１１０内に配置されることを特徴とする。
本態様によれば、冷却水槽１１０内の電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、冷却水槽１１０内の不純物を除去し、冷却水槽１１０内の電気導電率を所定の基準値まで低減することができる。
【００６２】
＜第５態様＞
本態様の不純物除去システム１は、制御部８０ａは、循環水の電気導電率が所定の基準値を超えていない場合に、銀イオン発生装置２０に印加する電力をＯＦＦ制御することを特徴とする。
本態様によれば、循環水の電気導電率が所定の基準値を超えていない場合に、銀イオン発生装置２０をＯＦＦ制御するので、循環水の電気導電率が低下したときに銀イオンの生成を停止することができ、所定の基準値まで循環水の電気導電率を低下することができる。
【００６３】
＜第６態様＞
本態様の銀イオン発生装置２０は、当該銀イオン発生装置２０内の水位を検出する水位計４０を備え、制御部８０ａは、水位計４０により検知された水位が満水状態を示す場合に、銀イオン発生装置２０に印加する電力を所定時間だけＯＮ制御することを特徴とする。
本態様によれば、銀イオン発生装置２０内の水位が満水状態になった場合に、金属イオンを発生することができる。
【００６４】
＜第７態様＞
本態様の不純物除去システム１は、生産装置１４０と銀イオン発生装置２０の間に接続された配管ｈ１５に設けられ、該配管ｈ１５の開度を調整する電動弁（＃Ａ）を備え、制御部８０ａは、電気導電率が所定の基準値を超えている場合に、電動弁（＃Ａ）を開状態に制御し、水位計４０により検知された水位が満水状態を示すときに、電動弁（＃Ａ）を閉状態に制御し、且つ銀イオン発生装置２０に印加する電力をＯＮ制御することを特徴とする。
本態様によれば、銀イオン発生装置２０内の水位が満水状態になった場合に、金属イオンを発生することができる。
【００６５】
＜第８態様＞
本態様の不純物除去システム４００は、銀イオン発生装置２０と逆浸透濾過不純物除去装置１０の間に接続された配管ｈ５９に設けられ、該配管ｈ５９の開度を調整する第２電動弁（＃Ｂ）と、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂの底部に接続された配管ｈ６０に設けられ、該配管ｈ６０の開度を調整する第３電動弁（＃Ｆ）と、を備え、制御部８０ａは、必要なときに第２電動弁（＃Ｂ）を閉状態に制御し、かつ第３電動弁（＃Ｆ）を開状態に制御し、逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂの底部からドレイン水を排水することを特徴とする。
本態様によれば、必要なときに逆浸透濾過不純物除去装置１０Ｂの底部からドレイン水を排水するので、不要になった不純物を排出することができる。
【００６６】
＜第９態様＞
本態様の不純物除去システム１は、制御部８０ａは、電気導電率に当該電気導電率の検知日時を付加した検知データを記憶するＲＡＭと、ＲＡＭから取得した直近の複数の日分の検知データに基づいて、複数の日分の期間における検知データの降下率を算出し、循環水の電気導電率が所定の基準値以下になった場合に、所定の基準値から降下率を減算した値を算出し、該算出値を所定の基準値として更新することを特徴とする。
本態様によれば、循環水の電気導電率が所定の基準値以下になった場合に、所定の基準値から降下率を減算した値を算出し、該算出値を所定の基準値として更新することで、基準値以下に低下した後も、適切かつ徐々に電気導電率の基準値を低くすることが可能になり、適切な基準値を設定することができる。
【００６７】
＜第１０態様＞
本態様の逆浸透濾過不純物除去装置１０は、フィルタ１３の前段又は／及び後段に、不純物を捕捉する他のフィルタ１１、１４を備えていることを特徴とする。
本態様によれば、フィルタ１３の前段又は／及び後段に、不純物を捕捉する他のフィルタ１１、１４を備えていることで、水に含有されている有機物／無機物等の異物を吸着して濾過することができる。
【００６８】
＜第１１態様＞
本態様の逆浸透濾過不純物除去装置１０は、複数極のフェライトマグネットを有するマグネットアレイを備え、マグネットアレイ１２は、フィルタ１１と他のフィルタ１４との間に配置されていることを特徴とする。
本態様によれば、マグネットアレイ１２は、複数極のフェライトマグネットを有することで、水に含まれている鉄分を吸着することができる。
＜第１２態様＞
本態様のフィルタ１１、１３、１４は、緑色片岩を含有することを特徴とする。
本態様によれば、フィルタ１１、１３、１４は、緑色片岩を含有することで、不純物を捕捉することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１…不純物除去システム、３…給水配管、５…給水口、６…手動ボール弁、７…排水口、８…出水口、１０…逆浸透濾過不純物除去装置、１０Ｂ…逆浸透濾過不純物除去装置、１１…１次フィルタ、１２…マグネットアレイ、１３…２次フィルタ、１４…３次フィルタ、２０…銀イオン発生装置、２０Ｂ…銀イオン発生装置、２１…貯水タンク、ｈ１５…配管、２５…オーバーフロー管、２６…配水口、２７…イオン配水管、２８…沈殿物遮蔽板、２９…銀電極棒、３０…銅電極棒、３１…ケーブル接続箱、３２…６極フェライトマグネット、３３…天然セラミック収納部、３４…緑色片岩、３５…酸化物沈殿槽、３６…沈殿物排水配管、３８…洗浄配管、３９…ヒータ挿入口、４０…水位計、…ポンプ、５４…圧力計、７０…水中ポンプ、８０…制御盤、１３０…熱交換装置、１３０Ａ…密閉式冷却塔、１５０…冷温水発生機、１７０…熱交換機、２１０…補給水槽
【図１】
2015155085.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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