(57)【要約】【課題】高周波用途における電気信号の伝送損失を低減すると共に、厚膜であっても線膨張率が低く寸法安定性に優れた両面回路用基板を提供することを目的とする。【解決手段】上記の課題は、表面粗化処理を施していない銅箔上に下記の特定の分子構造のポリアミック酸を塗布し加熱硬化した単層銅張積層板２枚のポリイミド層を向い合せにして、その間に特定の分子構造のフッ素樹脂フィルム／ポリイミドフィルム／特定の分子構造のフッ素樹脂フィルムの積層体を挟んで熱圧着することにより解決される。【化１】2015106629.tif 000006【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）（Ａ）銅箔／（Ｂ）ポリイミド層／（Ｃ）フッ素樹脂層／（Ｄ）ポリイミド層／（Ｅ）フッ素樹脂層／（Ｆ）ポリイミド層／（Ｇ）銅箔がこの順に積層されている回路用基板において、ポリイミド層（Ｂ）及びポリイミド層（Ｆ）が、下記（ａ）〜（ｄ）成分を反応させて得られるポリアミック酸溶液を銅箔上に塗布し、乾燥後加熱硬化して得られる単層銅張基板のポリイミド層であり、ポリイミド層（Ｄ）の線膨張率が３０ｐｐｍ以下のものである高周波回路用基板。
（ａ）下記式（１）で表されるジアミン、
【化１】
2015106629.tif 000005
（式中、ｎは０もしくは１を表す。）
で表されるジアミン、
（ｂ）４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチリデン）］ビスアニリン、４，４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチリデン）］ビスアニリン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、クロル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、１，５−ジアミノナフタレン、３，３’−ジメチルベンジジン、３，３’，５，５’−テトラメチルベンジジン、３，３’−ジクロロベンジジン、２，２’−ジクロロベンジジン、３，３’，５，５’−テトラクロロベンジジン、２，４−ビス（β−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル
（ｃ）芳香族四塩基酸二無水物
【請求項２】
銅箔表面の粗さＳａが０．５μｍ以下である請求項１記載の高周波回路用基板
【請求項３】
請求項１において、フッ素樹脂層（Ｃ）及び（Ｅ）がテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）である高周波用回路用両面基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波伝送特性に優れ、かつ樹脂層との密着性が十分で、耐半田リフロー性にも優れる高周波回路用両面基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にフレキシブル基板には耐熱性と機械強度の観点から銅箔上にポリイミドの絶縁層を形成した積層体が広く用いられている。
また近年、高速伝送の普及に伴い、高速伝送時の伝送損失の小さい材料が求められている。一般にポリイミドは金属との接着力が高くないため、接着性を向上させるために金属の表面は粗化させる必要がある。しかしながら、１ギガヘルツ以上の高周波になると信号は金属の表面を伝わりやすくなることが知られており（表皮効果）、伝送線路となる金属箔表面の凹凸が大きい場合、電気信号は導体の内部ではなく凹凸部の表面を迂回して伝わるため、伝送損失が大きくなるという問題が生じる。特許文献１の実施例においては表面粗度が０．６〜０．７μｍのものが例示されている。しかしながら高周波回路においては、例えば１５ギガヘルツの場合、電気信号は金属表面から０．５μｍの深さを伝わると言われており、更に周波数が高くなるにつれて、その深度は浅くなるため、このレベルの粗度では不十分である。また、伝送損失は誘電体の誘電特性によっても影響される。ポリイミドは本来比較的誘電正接の低い樹脂であるが、誘電率は３〜４とエポキシ樹脂と同レベルで決して低くはない。またポリイミドは吸湿性が高いが、樹脂が吸湿した場合、誘電正接は高くなる傾向があるため、伝送損失を改善するためには、誘電体の吸湿性も下げる必要がある。
【０００３】
特許文献２には表面粗度の低い銅箔に特定の分子構造のポリアミック酸を塗布することにより得られる銅張積層板が記載されているが、銅箔とポリイミド層からなる単層基板に限られている。近年の電子回路の集積化に伴い、回路基板は裏表に回路を形成し、ビアホールにより両面を導通させる技術が一般化しており、単層基板では実用上不十分である。単層基板を両面化するためには、接着剤を用いて単層基板の樹脂面を張り合わせることにより得られるが、半田リフローに耐えうるエポキシ樹脂系の接着剤層は、一般的に誘電正接が高いため、高周波用途には適さない。
【０００４】
また、伝送損失は、基板の樹脂層の厚さにも影響される。ミリ波と呼ばれる６０〜８０ＧＨｚといった高周波においては通常のフレキシブル基板の樹脂層の厚さ（２５〜５０μｍ）では、銅箔の粗度や誘電特性を改善させるだけでは、伝送損失を十分下げることは困難であり、樹脂層を５０〜２００μｍ程度まで厚くすることが求められる場合もある。低粗度銅箔の片面に低誘電正接のポリアミック酸を塗工し、硬化させた片面基板の樹脂面を特定の分子構造を有するフッ素樹脂フィルムで貼りあわせることにより、低伝送損失のフレキシブル基板は調製することが出来るが、ポリアミック酸を塗布・硬化させる場合、３０μｍ以上に厚塗りすることはボイドなどの発生により困難である。ポリアミック酸を薄く塗工し、代わりにフッ素樹脂フィルムを厚くした場合、フッ素樹脂の線膨張率が１３０ｐｐｍと高いため、樹脂層全体の線膨張率が高くなり、回路基板の寸法安定性が悪化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２４６２０１号公報
【特許文献２】特許第４４１２７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、ミリ波帯においても電気信号の伝送損失を十分低減することができると同時に、金属箔と樹脂との密着性が高く、線膨張率の低い両面回路基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、特定の分子構造のポリアミック酸溶液を、表面粗度が低い銅箔上に塗布し、高温化にて溶剤を乾燥させ、イミド化反応することにより得られる単層基板の樹脂面をフッ素樹脂フィルム、及び特定の分子構造を有するポリイミドフィルムを積層して熱圧着することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
即ち本発明は、
（１）（Ａ）銅箔／（Ｂ）ポリイミド層／（Ｃ）フッ素樹脂層／（Ｄ）ポリイミド層／（Ｅ）フッ素樹脂層／（Ｆ）ポリイミド層／（Ｇ）銅箔がこの順に積層されている回路用基板において、ポリイミド層（Ｂ）及びポリイミド層（Ｆ）が、下記（ａ）〜（ｄ）成分を反応させて得られるポリアミック酸溶液を銅箔上に塗布し、乾燥後加熱硬化して得られる単層銅張基板のポリイミド層であり、ポリイミド層（Ｄ）の線膨張率が３０ｐｐｍ以下のものである高周波回路用基板、
（ａ）下記式（１）で表されるジアミン、
【０００９】
【化１】
2015106629.tif 000002
【００１０】
（式中、ｎは０または１を表す。）
【００１１】
で表されるジアミン
（ｂ）４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチリデン）］ビスアニリン、４，４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチリデン）］ビスアニリン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、クロル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、１，５−ジアミノナフタレン、３，３’−ジメチルベンジジン、３，３’，５，５’−テトラメチルベンジジン、３，３’−ジクロロベンジジン、２，２’−ジクロロベンジジン、３，３’，５，５’−テトラクロロベンジジン、２，４−ビス（β−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル
から選ばれる１種以上
（ｃ）芳香族四塩基酸二無水物
（２）銅箔表面の粗さＳａが０．５μｍ以下である上記（１）記載の高周波回路用両面基板、
（３）上記（１）において、フッ素樹脂層（Ｃ）及び（Ｅ）がテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）である高周波用回路用両面基板、
に関する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の高周波用回路用両面基板は、高周波帯においても伝送損失が極めて少なく、更に厚膜でありながら線膨張率が低く、寸法安定性に優れる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明において用いられる銅箔としては、表面粗度（Ｓａ）が０．５μｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．２μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。表面粗度が０．５μｍを超えると伝送損失が大きくなり、実用性能を満足しないことがある。銅箔の種類には電解箔と圧延箔があるが、どちらでも構わない。銅箔の厚さとしては通常５〜５０μｍであり、好ましくは８〜４０μｍである。表面粗度は従来線状二次元における凹凸の算術平均であるＲａが一般的に用いられてきたが、現実の表面が三次元的広がりを持っているため正確な値とは言い難い。これに対し、Ｓａはレーザー顕微鏡による三次元空間における凹凸の算術平均であり精度が高い。
【００１４】
銅箔表面は、無処理の銅箔表面であっても、また該表面が金属メッキ処理、例えばニッケル、鉄、亜鉛、金、銀、アルミニウム、クロム、チタン、パラジウムまたは錫より選ばれる１種以上の金属でメッキ処理されていても、また無処理の銅箔表面もしくは前記金属メッキ処理された銅箔表面にシランカップリング剤などの薬剤で表面処理されていてもよい。好ましい金属メッキ処理としてはニッケル、鉄、亜鉛、金またはアルミニウムより選ばれる１種以上の金属メッキ処理であり好ましい金属メッキ処理としてはニッケル、鉄、亜鉛、金又はアルミニウムより選ばれる１種以上の金属メッキ処理であり、より好ましくはニッケル又はアルミニウムでの金属メッキ処理である。また、場合によりニッケル、鉄、亜鉛、金又は錫より選ばれる１種以上の金属メッキ処理が好ましい。
【００１５】
本発明において使用するポリアミック酸は、下記式（１）
【００１６】
【化２】
2015106629.tif 000003
【００１７】
（式中、ｎは０または１を表す。）
で表されるジアミン並びに下記特定の芳香族ジアミン、芳香族四塩基酸二無水物を共重合して得られる。
【００１８】
式（１）のジアミン以外の芳香族ジアミンとしては、１つ以上の芳香族環にアミノ基が２つ結合した化合物であれば特に制限はなく、例えば４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，４’−ジアミノジフェニルプロパン等のジアミノジフェニルプロパン類；４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチリデン）］ビスアニリン、４，４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチリデン）］ビスアニリン等のビスアニリン類；ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、クロル−ｐ−フェニレンジアミン等のフェニレンジアミン類；４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，４’−ジアミノジフェニルメタン等のジアミノジフェニルメタン類；４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド等のジアミノジフェニルスルフィド類；４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン等のジアミノジフェニルスルフォン類；１，５−ジアミノナフタレン；等のジアミノナフタレン類；３，３’−ジメチルベンジジン、３，３’，５，５’−テトラメチルベンジジン、３，３’−ジクロロベンジジン、２，２’−ジクロロベンジジン、３，３’，５，５’−テトラクロロベンジジン等のベンジジン類；２，４−ビス（β−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル等を挙げることができる。これら他の芳香族ジアミンは単独で、もしくは２種以上を併用することができる。他の芳香族ジアミンは、アミン成分中で他の芳香族ジアミンが、５０モル％以上占める割合で使用する。
【００１９】
芳香族四塩基酸二無水物としては、芳香族環に４つのカルボキシル基が結合した構造の化合物の二無水物であれば特に制限はないが、例えばピロメリット酸二無水化物；２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水化物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水化物等のナフタレンテトラカルボン酸二無水化物；３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水化物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水化物等のビフェニルテトラカルボン酸二無水化物；２，３，４，５−チオフェンテトラカルボン酸二無水化物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン酸二無水化物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルフォン酸二無水化物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水化物等を挙げることができ、ビフェニルテトラカルボン酸二無水化物が好ましい。これら芳香族四塩基酸二無水物は単独で、もしくは２種以上を併用することができる。
【００２０】
ポリアミック酸の固形分濃度を下げずにワニス粘度を下げるために、芳香族四塩基酸二無水物の一部を前記芳香族四塩基酸二無水物に対応する芳香族四塩基酸の炭素数１〜１０のジアルキルエステルもしくは芳香族四塩基酸として用いてもよい。芳香族四塩基酸のジ（Ｃ１〜Ｃ１０）アルキルエステルを得るには、ジメチルアミノエタノール等を触媒とし、芳香族四塩基酸二無水物とメタノール、エタノール、１−プロパノール等の所望するアルキル基に対応したアルコール類を反応させればよい。また芳香族四塩基酸を得るには、同様の触媒を用いて、芳香族四塩基酸二無水物と水を反応させればよい。この際の触媒の使用量は、アルコール類もしくは水の１〜１０モル％程度であり、アルコール類もしくは水の使用量は、通常、芳香族四塩基酸二無水物の２．４〜４．０倍モルである。反応温度は通常７０〜１００℃、反応時間は通常２〜５時間である。前記芳香族四塩基酸二無水物と芳香族四塩基酸ジアルキルエステルもしくは芳香族四塩基酸との使用割合は、モル比で前者０．６〜０．９０に対して後者が通常０．１０〜０．４である。
【００２１】
本発明において、アミン成分の使用割合は、前記芳香族四塩基酸二無水物もしくは前記芳香族四塩基酸二無水物と後記芳香族四塩基酸ジアルキルエステルもしくは前記芳香族四塩基酸二無水物と後記芳香族四塩基酸の合計モル数１モルに対してアミン成分が通常０．９５〜１．０５モル、好ましくは０．９８〜１．０３モルである。この範囲を外れると、モル比のバランスがくずれたことに起因する特性の低下を招くことがある一方、粘度にも影響し、ハンドリングを困難にする場合がある。
【００２２】
本発明のポリアミック酸は、例えば以下のようにして調製することができる。
まず、芳香族四塩基酸二無水物とアルコール類もしくは水から前記のようにして溶剤中で芳香族四塩基酸ジアルキルエステルもしくは芳香族四塩基酸を調製する。ついでこの反応混合物を室温まで冷却後、窒素気流下前記ジアミン成分を加え、７０〜８０℃まで加熱して完全に溶解させる。次いで、５５℃以下まで冷却し、そこに所定量の芳香族四塩基酸二無水物と溶剤を加え、７０〜８０℃まで加熱し、この温度で２〜５時間反応させる。得られたポリアミック酸を含む溶液から溶媒を除去すれば本発明のポリアミック酸を得ることができる。なお、固形分濃度を下げる必要がない場合は芳香族四塩基酸ジアルキルエステルの調製工程は必要ない。
【００２３】
ポリアミック酸を製造する際の溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン、テトラメチレンスルホキシド、ジメチルイミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホルアミド等の非プロトン性極性溶媒が適している。これらの溶媒は単独あるいは二種以上混合して用いることが出来る。溶媒の使用量は、反応が進行する程度であれば特に制限はないが、ワニスとしての用途を考慮に入れると、下記する本発明のポリアミック酸組成物中の固形分濃度が通常２〜５０重量％程度となるように用いるのがよい。
【００２４】
本発明のポリアミック酸組成物は、本発明のポリアミック酸と溶剤を含有する。溶剤としては、前記溶剤を使用することができる。本発明のポリアミック酸組成物は、種々の添加剤を加えることができ、例えば、有機又は無機顔料、染料、レベリング剤、カブリ防止剤、退色防止剤、ハレーション防止剤、蛍光増白剤、界面活性剤、可塑剤、難燃剤、酸化防止剤、充填剤、静電防止剤、消泡剤、流動調整剤、γ−ブチロラクトンとピ  リジン、γ−バレロラクトンとピリジン等のイミド化触媒、安息香酸、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、ｐ−ヒドロキシフェニル酢酸、ｐ−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、イソキノリン等のイミド化促進剤、トルエン、オルトジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、無水酢酸／ピリジン等の（共沸）脱水剤、遅延剤、光安定剤、光触媒、防かび剤、抗菌剤、低誘電体、導電体、磁性体、層状鉱物や、熱分解性化合物等が挙げられ、特に触媒（及びイミド化促進剤）や脱水剤を入れておけば、後のイミド化が促進され、比較的温和な条件でポリイミドフィルムが得られる。
【００２５】
本発明に用いられる単層銅張積層板は、所望の膜厚、通常１０〜１００μｍになるように銅箔上に上記のポリアミック酸溶液を塗布し、５０〜１５０℃で５〜１８０分間加熱して溶剤を乾燥させた後、窒素気流下２００〜５００℃で０．５〜５時間熱的処理することにより得ることができる。
【００２６】
上記により得られた２枚の単層基板のポリイミド層側にフッ素樹脂フィルム／ポリイミドフィルム／フッ素樹脂フィルムの積層体を挟んで熱圧着することにより本発明の高周波用両面基板を得ることが出来る。フッ素樹脂フィルムの種類としては、本発明に用いられるポリイミドに対して高い接着性を有するものであれば特に制限はないが、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）が好ましい。フッ素樹脂フィルムの表面は、接着性を高めるためにコロナ処理、プラズマ処理などが施されていてもよい。フッ素樹脂フィルの厚さとしては１０〜５０μｍである。またフッ素樹脂フィルム／ポリイミドフィルム／フッ素樹脂フィルム積層体中に用いられるポリイミドフィルムとしてはカプトン、ユーピレックス、アピカルなど市販のものを用いることが出来る。ポリイミドフィルムの厚さとしては１０〜１００μｍである。熱圧着は通常２５０〜４００℃の範囲内で、１〜３０分間、０．１〜１０メガパスカルの圧力で行うことが出来る。熱圧着はフィルム間の空気の挟み込みなどを防ぐために、真空プレス機を使用することが好ましい。
【００２７】
本発明の高周波回路基板にスルーホールを形成する方法としては、ドリルによる加工法や、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどのレーザーによる加工法を採用することができる。
【００２８】
また、本発明の高周波回路基板のスルーホールにめっきを施す方法としては、従来周知の方法を採用することができ、無電解銅めっきと電解銅めっきによるパターンめっきおよび／またはパネルめっきを順次施せばよい。
【００２９】
本発明において高周波回路とは、単に高周波信号のみを伝送する回路からなるものだけでなく、高周波信号を低周波信号に変換して、生成された低周波信号を外部へ出力する伝送路や、高周波対応部品の駆動のために供給される電源を供給するための伝送路等、高周波信号ではない信号を伝送する伝送路も同一平面上に併設された回路も含まれる。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明を実施例、比較例により更に詳細に説明する。なお、本発明がこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３１】
（銅箔表面の粗度と凹凸間隔の測定方法）
レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製）
を用い、測定倍率倍で銅箔の表面粗度（Ｓａ）を測定した。
【００３２】
（誘電率、誘電正接の測定方法）
作成した両面基板の銅箔をエッチングした後、空洞共振器（関東電子応用開発株式会社製）により１ＧＨｚにて測定し、ネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー株式会社製、型式８７１９ＥＴ）にて解析した。
【００３３】
（伝送損失の測定方法）
エッチングにより、長さ１０ｃｍのマイクロストリップラインを作成し、ネットワークアナライザーを用いて４０ＧＨｚにおける伝送損失を測定した。
【００３４】
（粘度の測定方法）
東機産業社製回転粘度計（ＴＶ−２０形粘度計）により、２５℃で測定した。
【００３５】
合成例１
乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、撹拌機を備えた三口フラスコにジメチルアセトアミド（以下ＤＭＡｃ）１３２６ｇを量りとり３０℃で、ｐ−フェニレンジアミン（以下ＰＤＡ）８１ｇと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（以下ＴＰＥ−Ｒ）７３ｇを加え、いったん７５℃まで加熱して溶解させた。その後５５℃まで放冷し、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下ＢＰＤＡ）２８８ｇを加えて再び７５℃まで加熱した。この温度で２時間加熱撹拌したのち、室温まで放冷した。窒素加圧下、ポリ（テトラフルオロエチレン）（以下ＰＴＦＥ）メンブラン（３μｍ）で濾過し、固形分濃度重量％の赤褐色透明なワニス（ポリアミック酸組成物）１６８１ｇ（収率９５．１％）を得た。このワニスの２５℃での粘度は、１５３００ｍＰａ・ｓであった。
【００３６】
製造例１
合成例１で得られたポリアミック酸溶液を乾燥後の膜厚が１２．５μｍになるよう厚さ１２μｍの表面粗度Ｓａが０．１１μｍである電解銅箔の片面に塗布・乾燥し、その後窒素気流下２００〜３５０℃で加熱処理し、ポリアミック酸のイミド化反応を行い、本発明に用いられる単層基板を調製した。銅箔とポリイミド間の引きはがし強さを測定したところ、１．１Ｎ／ｍｍであった。
【００３７】
実施例１
製造例１で得られた単層基板２枚ポリイミド面の間に厚さ２５μｍのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルム（ダイキン株式会社製  製品名ＡＦ−００２５）および厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  製品名ユーピレックス）を単層基板／ＰＦＡフィルム／ポリイミドフィルム／ＰＦＡフィルム／単層基板の構成で積層し、真空プレス機を用い、３２０℃で１０分間熱プレスすることにより、本発明の両面銅張基板１を作成した。
【００３８】
比較例１
製造例１で得られた単層基板２枚ポリイミド面の間に厚さ７５μｍのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルム（ダイキン株式会社製  製品名ＡＦ−００７５）を単層基板／ＰＦＡフィルム／単層基板の構成で積層し、真空プレス機を用い、３２０℃で１０分間熱プレスすることにより、比較例１としての両面銅張基板２を作成した。
【００３９】
上記両面基板１〜２を用い、銅箔をエッチング除去した樹脂層の１ＧＨｚにおける誘電率、誘電正接、及び線膨張率を測定した。また、マイクロストリップラインを加工し４０ＧＨｚでの１０ｃｍにおける伝送損失を測定した。また、銅箔を片面だけ全面エッチングした場合のカールの発生有無を観察した。以上の結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
2015106629.tif 000004
【００４１】
本発明によれば、伝送損失が少なく、寸法安定性に優れた高周波回路基板が得られるので、高速伝送用の各種高周波回路基板として有用である。