(57)【要約】【課題】発光効率の向上を図ることができる発光装置を提供することである。【解決手段】実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子の上に設けられ、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第１の蛍光体、および、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかを有する第１の波長変換部と、前記第１の波長変換部の上に設けられ、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射し、励起スペクトルが５１０ｎｍ以下の波長域にある第３の蛍光体を有する第２の波長変換部と、を備えている。【選択図】図６
2015230903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子の上に設けられ、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第１の蛍光体、および、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかを有する第１の波長変換部と、
前記第１の波長変換部の上に設けられ、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射し、励起スペクトルが５１０ｎｍ以下の波長域にある第３の蛍光体を有する第２の波長変換部と、
を備えた発光装置。
【請求項２】
基板の上にエピタキシャル成長された後に前記基板から分離された半導体積層体を含み、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、を有する発光素子と、
前記発光素子の前記第２主面側に設けられた第１電極及び第２電極と、
前記発光素子の前記第１主面側に設けられ、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第１の蛍光体、および、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかを有する第３の波長変換部と、
前記第３の波長変換部の上に設けられ、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射し、励起スペクトルが５１０ｎｍ以下の波長域にある第３の蛍光体を有する第４の波長変換部と、
を備えた発光装置。
【請求項３】
前記第３の蛍光体は、以下の組成を有する材料を含む請求項１または２に記載の発光装置。
Ｎ２ＭＦ６；Ｍｎ４＋
ここで、Ｎは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａのいずれかである。  
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、およびＳｎのいずれかである。
【請求項４】
前記第３の蛍光体は、複フッ化物蛍光体である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の波長変換部は、第１の透光部を有し、
前記第２の波長変換部は、前記第１の透光部の屈折率よりも低い屈折率を有する第２の透光部を有する請求項１、３、４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２の透光部の屈折率は、１．０以上１．５以下である請求項５記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２の透光部は、フッ素系樹脂を含む請求項５または６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の透光部の屈折率は、１．５を超え２．０以下である請求項５〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１の透光部は、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料を含む請求項５〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第２の透光部は、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料を含む請求項５〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１１】
前記発光素子は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子と蛍光体とを用いた発光装置とすれば、励起光源としての発光素子の種類と、蛍光体の種類とを組み合わせることで様々な色の発光色を得ることができる。  
例えば、青色の光を放射する発光素子（例えば、青色発光ダイオード）と、青色と補色関係にある色の光を放射する蛍光体とを組み合わせることで白色の光を得ることができる。
また、白色の光を放射する発光装置においては、黄色の光を放射する蛍光体を含む層と、赤色の光を放射する蛍光体を含む層とを積層する技術が提案されている。  
しかしながら、複数種類の蛍光体を用いると、蛍光体において意図しない光の吸収が生じて発光効率の向上が図れなくなるおそれがある。  
そのため、発光効率の向上を図ることができる発光装置の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９４８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、発光効率の向上を図ることができる発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子の上に設けられ、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第１の蛍光体、および、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかを有する第１の波長変換部と、前記第１の波長変換部の上に設けられ、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域にピーク波長を有する光を放射し、励起スペクトルが５１０ｎｍ以下の波長域にある第３の蛍光体を有する第２の波長変換部と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置１を例示するための模式斜視図である。（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ｂ線断面図である。
【図２】ＣＯＢ方式の発光装置５１を例示するための模式断面図である。
【図３】比較例に係る発光装置１０１における光の放射を例示するための模式断面図である。
【図４】発光装置１０１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。
【図５】本実施の形態に係る発光装置１における光の放射を例示するための模式断面図である。
【図６】発光装置１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。
【図７】第２の実施形態に係る発光装置１０１を例示するための模式断面図ある。
【図８】第３の実施形態に係る発光装置１０１ａを例示するための模式断面図ある。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
（第１の実施形態）  
図１（ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置１を例示するための模式斜視図である。  なお、図１（ａ）においては、煩雑となるのを避けるために、波長変換部２２（第１の波長変換部の一例に相当する）、波長変換部３２（第２の波長変換部の一例に相当する）、反射部４０を省いて描いている。  
図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ｂ線断面図である。    
なお、図１（ａ）、（ｂ）に記載の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは互いに直交する三方向を表している。この場合、矢印Ｚの方向は、発光素子１３の照射面１３ｄに対して垂直な方向としている。矢印Ｙの方向は、発光素子１３の照射面１３ｄに対して平行な平面内の１つの方向としている。矢印Ｘの方向は、矢印Ｚの方向と矢印Ｙの方向とに垂直な方向としている。
【０００８】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、発光装置１には、基体である筐体１０、配線部１１、配線部１２、発光素子１３、波長変換部２２、波長変換部３２、および反射部４０が設けられている。  
筐体１０は、外観が直方体形状を呈している。ただし、筐体１０の外観は、例示をしたものに限定されるわけではない。  
筐体１０には、凹状の収納部１０ａが設けられている。収納部１０ａは、筐体１０の一方の端面に開口している。収納部１０ａは、開口側に向かうに従いＺ方向に垂直な断面の面積が漸増する形状を有している。収納部１０ａは、例えば、円錐台形状を有している。  筐体１０は、例えば、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）などの樹脂から形成することができる。  
また、筐体１０は、例えば、酸化チタンなどを含む粒子が添加された樹脂から形成することもできる。  
ただし、筐体１０の材料は例示をしたものに限定されるわけではない。筐体１０の材料は、例えば、発光素子１３において発生した熱の放熱性を考慮したものとすることもできる。筐体１０の材料は、例えば、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどのセラミックス、高熱伝導樹脂などとすることもできる。
【０００９】
配線部１１の一端は、収納部１０ａの内部に設けられている。配線部１１の一端側は、収納部１０ａの内部において露出している。配線部１１の他端は、筐体１０の外部に設けられている。配線部１１の他端側は、筐体１０の外部において露出している。  
配線部１２の一端は、収納部１０ａの内部に設けられている。配線部１２の一端側は、収納部１０ａの内部において露出している。配線部１２の他端は、筐体１０の外部に設けられている。配線部１２の他端側は、筐体１０の外部において露出している。  
配線部１１の一端と、配線部１２の一端は、収納部１０ａの内部において互いに対峙している。  
配線部１１および配線部１２は、導電性材料から形成することができる。配線部１１および配線部１２は、例えば、銅、アルミニウム、ニッケルなどの金属や、それらを含む合金などから形成することができる。  
配線部１１および配線部１２は、表面にニッケルや銀を含む層をさらに有するものであってもよい。
【００１０】
発光素子１３は、例えば、積層部１３ａ、電極部１３ｂ、電極部１３ｃを有するものとすることができる。  
積層部１３ａは、例えば、窒化物系半導体を含むものとすることができる。  
この場合、発光素子１３は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長域（青色領域）にピーク波長を有する光を放射する。  
発光素子１３は、例えば、青色発光ダイオードとすることができる。  
積層部１３ａは、電極部１３ｂと電極部１３ｃの間に設けられている。  
積層部１３ａは、電極部１３ｂおよび電極部１３ｃと電気的に接続されている。
【００１１】
電極部１３ｂは、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）などを含む透明電極と、金属を含むボンディングパッドとを有する。ボンディングパッドは、透明電極と電気的に接続されている。  
収納部１０ａの内部において、電極部１３ｃは配線部１２と電気的に接続されている。  電極部１３ｃは、例えば、銀ペーストなどの導電性接合材を介して、配線部１２と電気的に接続することができる。  
収納部１０ａの内部において、電極部１３ｂは配線部１１と電気的に接続されている。  ボンディングワイヤ１４の一端は、電極部１３ｂのボンディングパッドに電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１４の他端は、配線部１１に電気的に接続されている。
【００１２】
なお、積層部１３ａの一方の側に電極部１３ｂを設け、積層部１３ａの他方の側に電極部１３ｃを設ける場合を例示したがこれに限定されるわけではない。  
例えば、電極部１３ｂおよび電極部１３ｃが、積層部１３ａの同じ側に設けられていてもよい。  
電極部１３ｂおよび電極部１３ｃが、積層部１３ａの配線部側に設けられている場合には、電極部１３ｂは導電性接合材を介して配線部１１に電気的に接続され、電極部１３ｃは導電性接合材を介して配線部１２に電気的に接続される。  
電極部１３ｂおよび電極部１３ｃが、積層部１３ａの配線部側とは反対側に設けられている場合には、電極部１３ｂはボンディングワイヤを介して配線部１１に電気的に接続され、電極部１３ｃはボンディングワイヤを介して配線部１２に電気的に接続される。
【００１３】
筐体１０の外部において露出している配線部１１および配線部１２には、電圧が印加される。配線部１１および配線部１２に電圧が印加されると、電極部１３ｂおよび電極部１３ｃに電圧が印加される。  
電極部１３ｂおよび電極部１３ｃに電圧が印加されると、積層部１３ａから１次光が放射される。
【００１４】
波長変換部２２は、発光素子１３の上に設けられている。  
波長変換部２２は、発光素子１３の照射面１３ｄおよび反射部４０を覆うように設けられている。なお、波長変換部２２は、少なくとも発光素子１３の照射面１３ｄを覆うように設けられていればよい。  
波長変換部２２は、透光部２１（第１の透光部の一例に相当する）および蛍光体２０（第１の蛍光体または第２の蛍光体の一例に相当する）を有する。  
透光部２１は、蛍光体２０を保持する機能と、光を透過させる機能を有する。  
透光部２１は、屈折率が１．５を超え２．０以下であり、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料から形成することができる。  
透光部２１は、例えば、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、脂環式アクリル（ＯＺ）、メガネ用レンズ熱硬化樹脂（ＡＤＣ）、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などから形成することができる。  
この場合、透光部２１は、蛍光体２０の材料が有する屈折率に近い屈折率を有する材料から形成するのが好ましい。  
例えば、蛍光体２０の材料が有する屈折率が１．９６程度の場合には、透光部２１は、屈折率が１．５程度の材料から形成することができる。
【００１５】
蛍光体２０は、粒状を呈したものとすることができる。複数の蛍光体２０は、透光部２１の内部に分散して設けられている。  
蛍光体２０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の波長域（緑色領域）にピーク波長を有する光を放射する。  
または、蛍光体２０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長域（黄色領域）にピーク波長を有する光を放射する。
【００１６】
緑色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例えば、以下のものを例示することができる。
ただし、緑色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例示をするものに限定されるわけではない。  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、  
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、  
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、  
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、  
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ、  
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、  
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、  
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、  
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、  
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、  
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、  
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ、  
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、  
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、  
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、  
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、  
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、  
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、  
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、  
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、  
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、  
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ
【００１７】
黄色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例えば、以下のものを例示することができる。
ただし、黄色の光を放射する蛍光体２０の材料は、例示をするものに限定されるわけではない。  
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
【００１８】
なお、波長変換部２２には、緑色の光を放射する第１の蛍光体、および黄色の光を放射する第２の蛍光体の少なくともいずれかが設けられているようにすることができる。  
例えば、波長変換部２２には、第１の蛍光体、または第２の蛍光体が設けられているようにすることができる。また、波長変換部２２には、第１の蛍光体および第２の蛍光体が混合された状態で設けられているようにすることもできる。
【００１９】
波長変換部３２は、波長変換部２２の上に設けられている。  
波長変換部３２は、透光部３１（第２の透光部の一例に相当する）および蛍光体３０（第３の蛍光体の一例に相当する）を有する。  
透光部３１は、蛍光体３０を保持する機能と、光を透過させる機能を有する。  
透光部３１は、屈折率が１．０以上１．５以下であり、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率が９０％以上の材料から形成することができる。  
透光部３１の材料の屈折率は、透光部２１の材料の屈折率よりも低い。  
この場合、透光部３１は、蛍光体３０の材料が有する屈折率に近い屈折率を有する材料から形成するのが好ましい。  
例えば、蛍光体３０の材料が有する屈折率が１．３程度の場合には、透光部３１は、屈折率が１．３程度の材料から形成することができる。  
屈折率が１．３程度の材料は、例えば、フッ素系樹脂などである。
【００２０】
蛍光体３０は、粒状を呈したものとすることができる。複数の蛍光体３０は、透光部３１の内部に分散して設けられている。  
蛍光体３０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域（赤色領域）にピーク波長を有する光を放射する。  
また、蛍光体３０の発光スペクトル３０ａは、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲にある（図６を参照）。  
また、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂは、５１０ｎｍ以下の波長域にある（図６を参照）。
【００２１】
この様な、発光スペクトル３０ａおよび励起スペクトル３０ｂを有する蛍光体３０としては、例えば、複フッ化物蛍光体を例示することができる。  
蛍光体３０が複フッ化物蛍光体である場合には、例えば、以下の組成を有する材料から形成されたものとすることができる。
【００２２】
Ｎ２ＭＦ６；Ｍｎ４＋
ここで、Ｎは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａのいずれかとすることができる。  
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、およびＳｎのいずれかとすることができる。  
なお、蛍光体３０に関する詳細は後述する。
【００２３】
反射部４０は、収納部１０ａの側壁面１０ａ１、および収納部１０ａの底面１０ａ２を覆うようにして設けられている。  
なお、反射部４０は、側壁面１０ａ１および底面１０ａ２の少なくともいずれかを覆うように設けられていればよい。  
また、反射部４０は、必ずしも必要ではなく、省略することもできる。  
ただし、反射部４０を設けるようにすれば、光の取り出し効率をさらに向上させることができる。  
反射部４０は、４２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の波長の光に対する反射率が高い材料から形成することができる。  
反射部４０は、例えば、白色の樹脂や、酸化チタンを含む粒子が分散している樹脂などから形成することができる。
【００２４】
また、以上においては、基体が筐体１０である場合を例示したが、基体は基板などであってもよい。  
例えば、板状の基板５０に発光素子１３を直接実装するＣＯＢ（Chip On Board）方式の発光装置５１や、フィルム状の基板に発光素子１３を直接実装するＣＯＦ（Chip On Film）方式の発光装置、ガラス基板に発光素子１３を直接実装するＣＯＧ(Chip on Glass）方式の発光装置などにも適用が可能である。
【００２５】
図２は、ＣＯＢ方式の発光装置５１を例示するための模式断面図である。  
図２に示すように、発光装置５１には、基体である基板５０、配線部５１、配線部５２、発光素子１３、波長変換部２２、および波長変換部３２が設けられている。  
基板５０は、板状を呈し、ガラスエポキシ樹脂やセラミックスなどから形成されている。
配線部５１および配線部５２は、基板５０一方の面に設けられている。配線部５１および配線部５２は、例えば、基板５０の表面に形成されたパターン配線などとすることができる。  
発光素子１３は、配線部５１および配線部５２に電気的に接続されている。  
波長変換部２２は、少なくとも発光素子１３の照射面１３ｄを覆うように設けられている。  
波長変換部３２は、波長変換部２２の上に設けられている。  
以上は、ＣＯＢ方式の発光装置５１の場合であるが、基板５０が薄く柔軟なフィルム基板であれば、ＣＯＦ方式の発光装置とすることができる。  
また、基板５０がガラス基板であれば、ＣＯＧ方式の発光装置とすることができる。
【００２６】
次に、波長変換部３２に設けられる蛍光体３０についてさらに説明する。  
まず、比較例に係る発光装置１０１について説明する。  
図３は、比較例に係る発光装置１０１における光の放射を例示するための模式断面図である。  
図４は、発光装置１０１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。
【００２７】
図３に示すように、発光装置１０１には、前述した発光装置１と同様に、筐体１０、配線部１２、発光素子１３、波長変換部２２、および波長変換部１３２が設けられている。  また、発光装置１０１には、前述した配線部１１および反射部４０を設けることができる。  
すなわち、発光装置１０１には、前述した波長変換部３２に代えて、波長変換部１３２が設けられている。  
また、波長変換部１３２の配設位置が、波長変換部３２の配設位置とは異なるものとなっている。  
すなわち、本実施の形態に係る発光装置１においては、発光素子１３の上に波長変換部２２が設けられ、波長変換部２２の上に波長変換部３２が設けられている。  
一方、比較例に係る発光装置１０１においては、発光素子１３の上に波長変換部１３２が設けられ、波長変換部１３２の上に波長変換部２２が設けられている。
【００２８】
波長変換部１３２は、透光部３１および蛍光体１３０を有する。  
蛍光体１３０は、粒状を呈したものとすることができる。複数の蛍光体１３０は、透光部３１の内部に分散して設けられている。  
蛍光体１３０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域（赤色領域）にピーク波長を有する光を放射する。  
蛍光体１３０は、例えば、ＳｒＣａＳｉＮ：Ｅｕ３＋などの窒化物蛍光体や、Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋などの酸化物蛍光体である。
【００２９】
蛍光体１３０が窒化物蛍光体の場合には、蛍光体１３０の発光スペクトル１３０ａは、図４に示すものとなる。  
また、蛍光体１３０の励起スペクトル１３０ｂは、図４に示すものとなる。  
また、蛍光体２０がＬｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８などの黄色の光を放射するものの場合には、蛍光体２０の発光スペクトル２０ａは、図４に示すものとなる。  
すると、蛍光体２０の発光スペクトル２０ａと、蛍光体１３０の励起スペクトル１３０ｂとが重なる領域Ａが生ずることになる。  
そのため、蛍光体１３０は、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢだけではなく、蛍光体２０から放射された黄色の光ＬＹの一部をも吸収し、赤色の光ＬＲを放射することができる。
【００３０】
図３に示すように、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢの一部は、蛍光体１３０に入射し、蛍光体１３０から赤色の光ＬＲが放射される。  
発光素子１３から放射された青色の光ＬＢの一部は、蛍光体２０に入射し、蛍光体２０から黄色の光ＬＹが放射される。  
そのため、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢと、蛍光体１３０から放射された赤色の光ＬＲと、蛍光体２０から放射された黄色の光ＬＹとが混ざることで白色の光が発光装置１０１から放射される。
【００３１】
ところが、蛍光体２０からは蛍光体１３０側に向けても黄色の光ＬＹが放射される。そして、黄色の光ＬＹが蛍光体１３０に吸収されると、赤色の光ＬＲが蛍光体１３０から放射されることになる。  
つまり、蛍光体２０から蛍光体１３０側に向け放射された黄色の光ＬＹの一部は、反射による取り出しを行うことができず、赤色の光ＬＲに変換されてしまうことになる。  
そのため、発光効率が低下するおそれがある。  
また、赤色の光ＬＲの量が増え、黄色の光ＬＹの量が減るため、蛍光体の量に基づいて所望の色味を得るのが困難となる。  
この場合、蛍光体２０の量を増やせば、発光装置１０１から放射される黄色の光ＬＹの量を増やすことができる。ところが、黄色の光ＬＹを放射する蛍光体２０の発光効率は低いため、蛍光体２０の量を増やせば発熱量が増加して発光装置１０１の温度が上昇するおそれがある。  
なお、以上のことは、蛍光体２０が緑色の光を放射するものの場合も同様である。  
また、蛍光体１３０が酸化物蛍光体の場合も同様である。
【００３２】
また、黄色の光を放射する蛍光体２０の屈折率は、１．９６程度である。  
緑色の光を放射する蛍光体２０の屈折率は、２．０程度である。  
赤色の光を放射する蛍光体１３０の屈折率は、１．３４程度である。  
そのため、外気に接する波長変換部２２の屈折率は、波長変換部１３２の屈折率よりも高くなる。  
その結果、発光装置１０１の光の放射部分（波長変換部２２）の屈折率と、外気（空気）の屈折率との差が大きくなり、界面における反射が増加する。界面における反射が増加すると、光の取り出し効率が悪くなる。
【００３３】
図５は、本実施の形態に係る発光装置１における光の放射を例示するための模式断面図である。  
図６は、発光装置１におけるスペクトル分布を例示するためのグラフ図である。  
図６に示すように、蛍光体３０は、発光素子１３から放射された光を吸収して、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長域（赤色領域）にピーク波長を有する光を放射する。  
また、蛍光体３０の発光スペクトル３０ａは、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲にある。
【００３４】
ここで、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂは、５１０ｎｍ以下の波長域にある。  
そのため、蛍光体２０の発光スペクトル２０ａと、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂとが重なる領域Ａが生ずることがない。  
なお、蛍光体２０が緑色の光を放射するものの場合には、蛍光体２０の発光スペクトルと、蛍光体３０の励起スペクトル３０ｂとが重なる領域が生じる場合がある。  
しかしながら、重なる領域を小さくすることができる。
【００３５】
つまり、蛍光体３０は、発光素子１３から放射された青色の光ＬＢを吸収し、赤色の光ＬＲを放射する。そして、蛍光体２０が黄色の光を放射するものであっても、蛍光体３０は、蛍光体２０から放射された黄色ＬＹを吸収することはない。蛍光体２０から放射された黄色ＬＹは、蛍光体３０を透過して外部に放出される。  
また、蛍光体２０が緑色の光を放射するものの場合には、蛍光体２０から放射された緑色の光が蛍光体３０に吸収されるのを抑制することができる。  
そのため、発光効率の向上を図ることができる。  
本実施の形態に係る発光装置１とすれば、比較例に係る発光装置１０１の場合と比べて、発光効率を１５％程度向上させることができた。
【００３６】
また、赤色の光ＬＲの量は、蛍光体３０の量により制御することができる。  
黄色の光ＬＹの量は、蛍光体２０の量により制御することができる。  
そのため、所望の色味を得るのが容易となる。  
この場合、発光効率が低い蛍光体２０の量を抑制することができるので、発光装置１の温度が上昇するのを抑制することもできる。
【００３７】
また、赤色の光を放射する蛍光体３０の屈折率は、１．３４程度である。  
そのため、外気に接する波長変換部３２の屈折率は、波長変換部２２の屈折率よりも低くなる。  
その結果、発光装置１の光の放射部分（波長変換部３２）の屈折率と、外気（空気）の屈折率との差が小さくなり、界面における反射を抑制することができる。界面における反射を減少させることができれば、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００３８】
この場合、透光部２１の屈折率は、蛍光体２０の屈折率になるべく近くなるようにすることが好ましい。  
また、透光部３１の屈折率は、蛍光体３０の屈折率になるべく近くなるようにすることが好ましい。  
その様にすれば、光の取り出し効率をさらに向上させることができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る発光装置１０１を例示するための模式断面図ある。  
図７に示すように、発光装置１０１には、発光素子１１３、波長変換部２２（第３の波長変換部の一例に相当する）、波長変換部３２（第４の波長変換部の一例に相当する）、接着層１０３、反射層１０６、第１電極１０７ａ、第２電極１０７ｂ、第１金属ポスト１０８ａ、第２金属ポスト１０８ｂ、絶縁層１０９、封止層１１０、第１金属層１１１ａ、および第２金属層１１１ｂが設けられている。
【００４０】
発光素子１１３は、第１半導体層１１３ａ、第２半導体層１１３ｂ、及び活性層１１３ｃを有する半導体積層体と、第１電極１０７ａと、第２電極１０７ｂとを有する。  
第２半導体層１１３ｂおよび活性層１１３ｃは、第１半導体層１１３ａよりも面積が小さい。  
活性層１１３ｃは、第１半導体層１１３ａおよび第２半導体層１１３ｂにより挟まれている。  
半導体積層体（第１半導体層１１３ａ、第２半導体層１１３ｂ、及び活性層１１３ｃ）は、例えば、基板の上にエピタキシャル成長された後に、基板から分離されたものとすることができる。
【００４１】
第１半導体層１１３ａは、例えば、ｎ形半導体層である第１クラッド層である。第２半導体層１１３ｂは、例えば、ｐ形半導体層である第２クラッド層である。ただし、これら各層の導電形は、任意である。つまり、第１半導体層１１３ａがｐ形で、第２半導体層１１３ｂがｎ形であってもよい。
【００４２】
発光素子１１３は、第１主面Ｍ１と、第１主面Ｍの反対面である第２主面Ｍ２とを有する。  
第１主面Ｍ１は第１半導体層１１３ａの上面である。第２主面Ｍ２は、第１半導体層１１３ａの下面及び第２半導体層１１３ｂの下面であり、途中に段差を有している。つまり、第１半導体層１１３ａ、第２半導体層１１３ｂ及び活性層１１３ｃを有する半導体積層体は、第１主面Ｍ１と、これとは反対側の第２主面Ｍ２とを有する。そして、半導体積層体の第２主面Ｍ２の側に、第１電極１０７ａと第２電極１０７ｂとが設けられている。
【００４３】
波長変換部２２は、接着層１０３を介して、発光素子１１３の第１主面Ｍ１側に設けられている。  
波長変換部３２は、波長変換部２２の上に設けられている。
【００４４】
反射層１０６は、ＡｇやＡｌ等の金属により形成されている。反射層１０６の厚みは、例えば、０．３マイクロメータである。反射層１０６は、第２半導体層１１３ｂの下面の全領域に設けられている。
【００４５】
第１電極１０７ａは、例えば、Ｎｉ／Ａｕなどの積層膜とすることができる。第１電極１０７ａの厚みは、例えば、０．２マイクロメータである。第１電極１０７ａは、例えば、第１半導体層１１３ａの下面の露出領域に直径１００マイクロメータの円形状に設けられている。
【００４６】
各第２電極１０７ｂも、例えば、Ｎｉ／Ａｕなどの積層膜とすることができる。各第２電極１０７ｂの厚みは、例えば、０．２マイクロメータである。第２電極１０７ｂは、反射層１０６の下面に、例えば、直径１００マイクロメータの円形状に２００マイクロメータのピッチで設けられている。
【００４７】
第１金属ポスト１０８ａは、例えば、Ｃｕ等の金属により円柱状に形成されている。第１金属ポスト１０８ａの高さは、例えば、１００マイクロメータ程度であり、その直径は、例えば、１００マイクロメータである。第１金属ポスト１０８ａは、第１電極１０７ａに導通している。なお、第１電極１０７ａ及び第１金属ポスト１０８ａの形状は、適宜変更可能である。
【００４８】
各第２金属ポスト１０８ｂは、例えば、それぞれＣｕ等の金属により円柱状に形成されている。第２金属ポスト１０８ｂの高さは、例えば、１００マイクロメータであり、その直径は、例えば、１００マイクロメータである。第２金属ポスト１０８ｂは、第２電極１０７ｂに導通している。各第２金属ポスト１０８ｂは、各第２電極１０７ｂの配置と同様に、例えば、２００マイクロメータのピッチで設けられている。なお、第２電極１０７ｂ及び第２金属ポスト１０８ｂの形状も、適宜変更可能である。
【００４９】
絶縁層１０９は、例えば、ＳｉＯ２などの絶縁材料により形成されており、パッシベーション膜（保護膜）として機能する。絶縁層１０９の厚みは、例えば、０．３マイクロメータである。絶縁層１０９は、発光素子１１３をその端部まで完全に覆っており、第１電極１０７ａ及び各第２電極１０７ｂを除いて外部との導通を防止している。これにより、実装用はんだの這い上がりによるショート等を防ぐことができる。
【００５０】
封止層１１０は、例えば、熱硬化性樹脂により形成されている。封止層１１０の厚みは各金属ポスト１０８ａ、１０８ｂと同様に１００マイクロメータ程度である。封止層１１０は、第１金属ポスト１０８ａの端部及び各第２金属ポスト１０８ｂの端部を露出させて第１金属ポスト１０８ａ及び各第２金属ポスト１０８ｂを封止するように絶縁層１０９の全面に設けられている。これにより、第１金属ポスト１０８ａ及び各第２金属ポスト１０８ｂの周面は、封止層１１０により完全に覆われている。  
またさらに、封止層１１０は、発光素子１１３の側面も覆っている。すなわち、発光素子１１３の第１主面Ｍ１と第２主面Ｍ２との間にある側面は、絶縁層１０９を介して、封止層１１０により覆われている。封止層１１０を、発光素子１１３から放射される光に対して遮光性の材料により形成した場合、発光素子１１３の側面を封止層１１０で覆うことによって、発光素子１１３の側面からの光の漏れを防ぐことができる。
【００５１】
なお、絶縁層１０９は、発光素子１１３をその端部まで完全に覆うように設けられているが、これに限られるものではない。例えば、封止層１１０が絶縁層１０９にかわって発光素子１１３をその端部まで完全に覆うように設けられてもよい。この場合でも、第１電極１０７ａ及び各第２電極１０７ｂを除いて外部との導通が防止されるので、実装用はんだの這い上がりによるショート等を防ぐことができる。
【００５２】
第１金属層１１１ａ及び各第２金属層１１１ｂは、例えば、Ｎｉ／Ａｕなどの積層膜とすることができる。第１金属層１１１ａは、第１金属ポスト１０８ａの端部、すなわち露出部分に設けられている。各第２金属層１１１ｂは、それぞれ各第２金属ポスト１０８ｂの端部、すなわち露出部分に設けられている。なお、第１金属層１１１ａは第１電極１０７ａと同じ円形状となり、第２金属層１１１ｂは第２電極１０７ｂと同じ円形状となる。
【００５３】
発光装置１０１では、第１金属ポスト１０８ａ及び各第２金属ポスト１０８ｂに電圧が印加されると、第１金属ポスト１０８ａから第１半導体層１１３ａに電位が与えられ、各第２金属ポスト１０８ｂから第２半導体層１１３ｂに電位が与えられ、第１半導体層１１３ａと第２半導体層１１３ｂとに挟まれた活性層１１３ｃから光が放射される。放射された光の一部は、そのまま表面から放出され、他の一部は、反射層１０６により反射されて表面から放出される。
【００５４】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る発光装置１０１ａを例示するための模式断面図ある。  
図８に示すように、発光装置１０１ａには、発光素子１１３、波長変換部２２（第３の波長変換部の一例に相当する）、波長変換部３２（第４の波長変換部の一例に相当する）、接着層１０３、反射層１０６、第１電極１０７ａ、第２電極１０７ｂ、第１金属ポスト１０８ａ、第２金属ポスト１０８ｂ、絶縁層１０９、封止層１１０、第１金属層１１１ａ、第２金属層１１１ｂ、および透光層１０５が設けられている。
本実施の形態に係る発光装置１０１ａは、前述した発光装置１０１に透光層１０５をさらに加えたものである。  
【００５５】
透光層１０５は、発光素子１１３から放射される光に対する透光性を有する。透光層１０５は、無機材料や有機材料により形成されている。無機材料としては、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウムなどの各種の酸化物、窒化シリコンなどの各種の窒化物、フッ化マグネシウムなどの各種のフッ化物などを挙げることができる。有機材料としては、例えば、アクリル、エポキシ、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂などを挙げることができる。
【００５６】
透光層１０５の厚みは、例えば、２００マイクロメータ程度とすることができる。透光層１０５の材料は、透明材料に限られるものではなく、発光素子１１３から放射される光を透過させるものであればよい。すなわち、透光層１０５の材料は、発光素子１１３から放射される光を完全に吸収あるいは反射するものでなければよい。
【００５７】
透光層１０５を設けることにより、第１半導体層１１３ａの屈折率と空気の屈折率との差が緩和されるので、光の取り出し効率を上げることができる。すなわち、第１半導体層１１３ａの屈折率と、空気の屈折率と、の中間の屈折率を有する透光層１０５とすることで、発光素子１１３から放射された光が発光素子１１３の光取り出し面において全反射されることを抑制できる。その結果として、発光素子１１３から放射された光を外部（空気中）に取り出す効率を向上させることができる。  
この観点からは、透光層１０５は、屈折率が１〜２の範囲にある透光材料により形成することが望ましい。
【００５８】
透光層１０５は、例えば、レンズ作用や屈折作用などの光の進行方向を変化させる作用を有することもできる。これにより、発光素子１１３から放射された光の放射角を調整することができる。
【００５９】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１  発光装置、１ａ  発光装置、１ｂ  発光装置、１０  筐体、１１  配線部、１２  配線部、１３  発光素子、２０  蛍光体、２１  透光部、２２  波長変換部、３０  蛍光体、３１  透光部、３２  波長変換部、４０  反射部、５０  基板、５１  発光装置、１１３  発光素子、１０７ａ  第１電極、１０７ｂ  第２電極、１１３ａ  第１半導体層、１１３ｂ  第２半導体層、１１３ｃ  活性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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