(57)【要約】【課題】ダイレクトレーザ工法による非貫通孔と配線パターンとの位置精度が良好で、コアレス工法においてもダイレクトレーザ工法を適用可能な支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板とこの支持基板上に積層体とを備える支持基板付き積層体であって、前記積層体が、前記支持基板上に配置された未配線パターン形成の金属箔Ｂと、この金属箔Ｂ上に配置された絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂ上に配置された未配線パターン形成の金属箔Ｃと、この金属箔Ｃ及び絶縁層Ｂを貫通して前記金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔と、このガイドマーク用非貫通孔をめっきで充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマークと、を有する支持基板付き積層体。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板とこの支持基板上に積層体とを備える支持基板付き積層体であって、
前記積層体が、前記支持基板上に配置された金属箔Ｂと、この金属箔Ｂ上に配置された絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂ上に配置された金属箔Ｃと、この金属箔Ｃ及び絶縁層Ｂを貫通して前記金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔と、このガイドマーク用非貫通孔をめっきで充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマークと、を有する支持基板付き積層体。
【請求項２】
請求項１において、
ガイドマークが、ガイドマーク用非貫通孔を個々に独立した状態で多重リング状に集合配置したドットパターンである支持基板付き積層体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
支持基板が、絶縁層Ａと金属箔Ａとを備え、
積層体が、前記金属箔Ａ上に直接配置され前記金属箔Ａよりも一回り小さい金属箔Ｂと、この金属箔Ｂよりも一回り大きい絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂ上に配置された金属箔Ｃと、この金属箔Ｃ及び絶縁層Ｂを貫通して金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔とを備える支持基板付き積層体。
【請求項４】
請求項１から３の何れかの支持基板付き積層体の製造方法であって、
支持基板の金属箔Ａ上に、この金属箔Ａよりも一回り小さい金属箔Ｂと、この金属箔Ｂよりも一回り大きい絶縁層Ｂと、金属箔Ｃとを、この順番に重ねて加熱加圧し、積層一体化する工程（ａ）と、
前記金属箔Ｃ及び絶縁層Ｂをレーザで貫通して、前記金属箔Ｃから金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を形成する工程（ｂ）と、
前記製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔にめっきを充填する工程（ｃ）と、
を有する支持基板付き積層体の製造方法。
【請求項５】
請求項４の工程（ｃ）の後、
支持基板と積層体とを分離する工程（ｄ）と、
前記分離した積層体のめっきを充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を基準として、配線パターンの位置決め用ガイド孔を形成する工程（ｅ）と、
このガイド孔を基準として、エッチングレジストを形成する工程（ｆ）と、
金属箔Ｂ又はＣをエッチングして、配線パターン形成を行なう工程（ｇ）と、
を有する多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法に関し、特には、コアレス工法においても、ダイレクトレーザ工法が適用可能な支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載する多層配線基板には、コア基板の両面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が広く用いられている。ここで、コア基板とは、ビルドアップ層の支持基板となる基板であり、絶縁層とその上の配線パターンとを有し、絶縁層としては、一般に、ガラスクロス等の補強材にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた、ある程度剛性のあるものが用いられる。また、ビルドアップ層は、このコア基板の配線パターン上に積み重ねられた、絶縁層とその上の配線パターンとを有する層をいう。近年、多層配線基板の薄型化、配線パターンの高密度化とともに、コア基板を備えない多層配線基板が提供されるようになってきた。このコア基板を備えない多層配線基板（以下、「コアレス基板」ということがある。）は、薄型化が容易であり、高密度に配線パターンを形成することができるという利点を有する。
【０００３】
このようなコアレス基板の製造方法としては、支持基板となる金属箔張り積層板の両面に、所望の層数の絶縁層と配線パターンを有する積層板を形成した後、積層板を支持基板から分離し、分離した積層板に対してその後の工程を行うことにとより多層配線基板を製造する方法が考案されている（特許文献１〜４参照）。なお、このように、製造プロセスでのみ使用され、製品となる多層配線基板自体は構成しない支持基板（「ダミーコア」ということがある。）を用いて多層配線基板を製造する工法を、以下、コアレス工法という。
【０００４】
このようなコアレス工法においては、多層配線基板の層間接続用の非貫通孔を形成する方法として、レーザ加工予定位置の金属箔に開口を設けておき、この開口を狙ってレーザを照射し、金属箔をマスクとして、その下の絶縁層を加工する方法（コンフォーマル工法）が、一般的に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３２３６１３号公報
【特許文献２】特開２００４−３５６２１９号公報
【特許文献３】特開２００５−２３６０６７号公報
【特許文献４】特許第４６６９９０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このコンフォーマル工法の場合は、図１３〜１６に示すように、レーザ加工予定位置の金属箔Ｃ８に開口３０を設ける際に、同時にレーザ加工と配線パターン形成の基準となるガイドマーク２８（例えば、リング状開口）を形成することができるので、金属箔Ｃ８の開口３０を狙ったレーザ加工は、このガイドマーク２８を基準として行い、めっき等で層間接続を形成した後の配線パターン形成も同様に、このガイドマーク２８を共通に使用するという位置合せ方法が考えられる。この方法によれば、レーザ加工により形成された非貫通孔と配線パターン（特にランド）との位置精度を確保することができる。
【０００７】
近年、薄型高密度化に加えて、コスト低減の要求が厳しくなっており、この要求に応える方法として、薄型高密度化が可能なコアレス工法を用いたうえで、層間接続用の非貫通孔を形成する方法として、レーザ加工予定位置の金属箔に開口を設けずに、直接レーザを照射して、金属箔とその下の絶縁層を加工する方法（ダイレクトレーザ工法）を適用することが考えられる。
【０００８】
しかし、図１に示すように、ダイレクトレーザ工法では、上述したコンフォーマル工法の場合のように、金属箔Ｃ８にレーザ加工予定位置の開口（窓穴）と、レーザ加工及び配線パターン形成の基準となるガイドマーク（例えば、リング状開口）とを、レーザ加工の前に予め設けることはない。このため、コンフォーマル工法の場合のように、金属箔Ｃ８に設けたガイドマークを共通の基準として、レーザ加工と配線パターン形成を行なうことはできない。また、図１に示すように、支持基板４上に、配線パターンを形成していないベタの金属箔Ｂ６と、絶縁層Ｂ７と、金属箔Ｃ８を積層一体化した支持基板付き積層体２９を用いるコアレス工法の場合には、金属箔Ｃ８の下層の金属箔Ｂ６が、まだ配線パターンが形成されていないベタの導体層であり、金属箔Ｂ６にもレーザ加工及び配線パターン形成の位置合せの基準（ガイドマーク）は設けられていない。したがって、レーザ加工で形成した非貫通孔と配線パターン（特にランド）との位置ずれが生じる可能性がある。
【０００９】
この対策としては、ダイレクトレーザ工法により形成された非貫通孔自体を基準として、配線パターンを形成する方法が考えられる。これは、ダイレクトレーザ工法により層間接続用の非貫通孔と、配線パターン形成の位置合せ基準（ガイドマーク）用の非貫通孔を形成する方法である。
【００１０】
しかし、ダイレクトレーザ工法では、金属箔を直接レーザで加工するが、金属箔は本来レーザ加工のマスクとなるものであり、レーザ加工性が劣る。金属箔表面にレーザ光を吸収し易くするための表面処理（粗化処理等）を行なうことで改善されるが、レーザ加工を行なった箇所の近傍は、この表面処理（粗化処理等）が金属箔の溶融等で消失する傾向があり、レーザ光を吸収し難くなることから、金属箔に開口が連続的した形状を形成し難い。このため、ガイドマークとして一般的に用いられる、例えばリング形状のような、開口の形成が困難であることから、ダイレクトレーザ工法により形成された非貫通孔では、ガイドマークとしての読み取り性が不十分となる可能性がある。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ダイレクトレーザ工法による非貫通孔と配線パターンとの位置精度が良好で、コアレス工法においてもダイレクトレーザ工法を適用可能な支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、支持基板とこの支持基板上に積層体とを備える支持基板付き積層体であって、前記積層体が、前記支持基板上に配置された金属箔Ｂと、この金属箔Ｂ上に配置された絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂ上に配置された金属箔Ｃと、この金属箔Ｃ及び絶縁層Ｂを貫通して前記金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔と、このガイドマーク用非貫通孔をめっきで充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマークと、を有する支持基板付き積層体である。
これにより、金属箔Ｂには配線パターンが形成されていないため、支持基板上に配線パターンを形成していないベタの金属箔Ｂを配置するコアレス工法にも適用可能である。また、金属箔Ｃには配線パターンが形成されていないため、ダイレクトレーザ工法が適用できる。また、製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔は、１回のレーザ加工工程で加工することにより、同一の位置基準で形成される。さらに、ガイドマーク用非貫通孔がめっきで充填されているので、Ｘ線観察装置によってガイドマークを読み取る場合のコントラストが付き易い。また、ドットパターンのガイドマークであるため、ドットであっても、パターンとして認識することが可能となる。このため、ガイドマークの読み取り性を確保できるため、ダイレクトレーザ工法の場合の非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
【００１３】
上記において、ガイドマークが、ガイドマーク用非貫通孔を個々に独立した状態で多重リング状に集合配置したドットパターンであるのが好ましい。
これにより、ガイドマークが多重リング状に集合配置したドットパターンであるため、仮にレーザ加工により形成されるドットパターンに一部欠落が生じても、他の部分を用いて、欠落部分を補正することが可能であり、ドットの欠落による位置精度低下の影響が抑制される。
【００１４】
上記の何れかにおいて、支持基板が、絶縁層Ａと金属箔Ａとを備え、積層体が、前記金属箔Ａ上に直接配置され前記金属箔Ａよりも一回り小さい金属箔Ｂと、この金属箔Ｂよりも一回り大きい絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂ上に配置された金属箔Ｃと、この金属箔Ｃ及び絶縁層Ｂを貫通して金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔とを備えるのが好ましい。
つまり、金属箔Ｂは、支持基板の金属箔Ａとは接着しておらず、一回り大きい絶縁層Ｂと金属箔Ａとが接着し、金属箔Ｂを密閉することで、支持基板に固定されている。このため、金属箔Ｂの外周の絶縁層Ｂと金属箔Ａとが接着している部分を切断除去するだけで、支持基板と積層体とが容易に分離できるので、ダイレクトレーザ工法を用いるコアレス工法が容易になる。
【００１５】
本発明は、上記の何れかの支持基板付き積層体の製造方法であって、支持基板の金属箔Ａ上に、この金属箔Ａよりも一回り小さい金属箔Ｂと、この金属箔Ｂよりも一回り大きい絶縁層Ｂと、金属箔Ｃとを、この順番に重ねて加熱加圧し、積層一体化する工程（ａ）と、前記金属箔Ｃ及び絶縁層Ｂをレーザで貫通して、前記金属箔Ｃから金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を形成する工程（ｂ）と、前記製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔にめっきを充填する工程（ｃ）と、を有する支持基板付き積層体の製造方法である。
これにより、支持基板側の金属箔Ａ上に直接配置した積層体側の金属箔Ｂとの間で、支持基板と積層体との分離が容易なので、コアレス工法が容易となる。また、金属箔Ｃから金属箔Ｂに到る製品用非貫通孔及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を形成しめっきを充填するので、ガイドマークの読み取り性を確保でき、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
【００１６】
本発明は、上記の支持基板付き積層体の製造方法の工程（ｃ）の後、支持基板と積層体とを分離する工程（ｄ）と、前記分離した積層体のめっきを充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を基準として、配線パターンの位置決め用ガイド孔を形成する工程（ｅ）と、このガイド孔を基準として、エッチングレジストを形成する工程（ｆ）と、金属箔Ｂ又はＣをエッチングして、配線パターン形成を行なう工程（ｇ）と、を有する多層配線基板の製造方法である。
これにより、分離した積層体のめっきを充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を基準として、配線パターン形成の基準となるガイド孔を形成するので、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ダイレクトレーザ工法による非貫通孔と配線パターンとの位置精度が良好で、コアレス工法においてもダイレクトレーザ工法を適用可能な支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ａを表す。
【図２】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｂを表す。
【図３】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｃを表す。
【図４】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｄを表す。
【図５】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｅを表す。
【図６】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｆを表す。
【図７】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｇを表す。
【図８】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｈを表す。
【図９】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｉを表す。
【図１０】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｊを表す。
【図１１】本実施の形態の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｋを表す。
【図１２】本実施の形態の積層体及びガイドマークの平面図を表す。
【図１３】コンフォーマル工法の場合の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ａ’を表す。
【図１４】コンフォーマル工法の場合の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｂ’を表す。
【図１５】コンフォーマル工法の場合の積層体又は多層配線基板の製造方法の工程ｃ’を表す。
【図１６】コンフォーマル工法の場合の積層体及びガイドマークの平面図を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜支持基板付き積層体＞
本実施の形態の支持基板付き積層体を、図３、図１２を用いて、以下に説明する。
【００２０】
図３、図１２に示すように、本実施形態の支持基板付き積層体２９は、支持基板４とこの支持基板４上に積層体９とを備える支持基板付き積層体２９であって、前記積層体９が、前記支持基板４上に配置された未配線パターン形成の金属箔Ｂ６と、この金属箔Ｂ６上に配置された絶縁層Ｂ７と、この絶縁層Ｂ７上に配置された未配線パターン形成の金属箔Ｃ８と、この金属箔Ｃ８及び絶縁層Ｂ７を貫通して前記金属箔Ｂ６に到る製品用非貫通孔２６ａ及びガイドマーク用非貫通孔２６ｂと、このガイドマーク用非貫通孔２６ｂをめっき２７で充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマーク２８と、を有する支持基板付き積層体２９である。
【００２１】
支持基板４は、ガラスエポキシ製の絶縁層Ａ２の両面に金属箔Ａ３を貼り合わせた金属箔張り積層板４を用いている。支持基板４としては、金属箔張り積層板４に限らず、製品となる積層体９を製造プロセスでの取り扱いにおいて、支持可能なものであれば特に限定なく用いることができるが、汎用性の面から、一般の多層配線基板の製造に用いられる絶縁基板又は銅箔張り積層板であるのが好ましい。
【００２２】
支持基板４上には、未配線パターン形成の金属箔Ｂ６が配置される。未配線パターン形成とは、エッチング等による配線パターン形成が行われていないことをいう。金属箔Ｂ６としては、多層配線基板の製造に用いられる銅箔を用いるのが、汎用性の点から好ましい。金属箔Ｂ６は、未配線パターン形成の金属箔のままの状態であり、ガイドマークとなる配線パターンを含めて配線パターンが形成されていない。このように、金属箔Ｂ６が未配線パターン形成であるため、支持基板４上に未配線パターン形成の金属箔Ｂ６を配置するコアレス工法にも用いることができる。
【００２３】
金属箔Ｂ６上には、絶縁層Ｂ７が配置される。絶縁層Ｂ７としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂フィルムや、ガラスクロス、ガラス不織布等のガラス基材にエポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂等の樹脂を含浸し硬化させたプリプレグが使用できる。
【００２４】
絶縁層Ｂ７上には、未配線パターン形成の金属箔Ｃ８が配置される。金属箔Ｃ８は、未配線パターン形成の状態であり、ガイドマークとなる配線パターンを含めて配線パターンが形成されていない。このように、金属箔Ｃが未配線パターン形成であるため、ダイレクトレーザ工法が適用できる。
【００２５】
金属箔Ｃ８及び絶縁層Ｂ７を貫通して金属箔Ｂ６に到る製品用非貫通孔２６ａ及びガイドマーク用非貫通孔２６ｂが形成されている。製品用非貫通孔２６ａ及びガイドマーク用非貫通孔２６ｂは、１回のレーザ加工工程で加工することにより、同一の位置基準で形成される。金属箔Ｃ８及び絶縁層Ｂ７を貫通して金属箔Ｂ６に到るこれらの非貫通孔は、ダイレクトレーザ工法を用い、金属箔Ｃ８を直接加工して形成することができる。
【００２６】
図１２に示すように、ガイドマーク用非貫通孔２６ｂをめっき２７で充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマーク２８を有している。このように、ガイドマーク用非貫通孔２６ｂがめっき２７で充填されているので、Ｘ線観察装置によってガイドマーク２８を読み取る場合のコントラストが付き易い。また、個々に独立した状態のドットであり、ドットが連続して繋がってはいないため、ドットとドットの間には間隙が確保されるので、レーザ加工によってドットの近傍の金属箔Ｃ８の表面粗化形状が消失した箇所を避けて、隣のドットが形成されるので、レーザの加工性を維持したままドットパターンを形成できる。ここで、個々に独立した状態とは、平面視において、隣接したガイドマーク用非貫通孔２６ｂ同士が重ならない状態で配置されていることをいい、電気的に独立である必要はない。さらに、ドットパターンのガイドマークであるため、ドットであっても、パターンとして認識することが可能となる。このため、ガイドマークの読み取り性を確保できるため、ダイレクトレーザ工法の場合の非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
【００２７】
図１２に示すように、ガイドマーク２８が、ガイドマーク用非貫通孔２６ｂを個々に独立した状態で多重リング状に集合配置したドットパターンであるのが好ましい。金属箔Ｃ８の表面には、レーザ加工性を改善するため、レーザ光を吸収し易くするための表面処理（粗化処理等）を行なうが、レーザ加工を行なった箇所の近傍は、この表面処理（粗化処理等）が金属箔Ｃ８の溶融等で消失する傾向があり、レーザ光を吸収し難くなることから、レーザ加工によるドットの形成が不完全になる場合がある。しかし、ガイドマーク２８が、多重リング状に集合配置したドットパターンであることにより、仮にレーザ加工による形成されるドットパターンに一部欠落が生じても、他の部分を用いて、欠落部分を補正することが可能であり、ドットの欠落による位置精度低下の影響が抑制される。
【００２８】
図３に示すように、支持基板４が、絶縁層Ａ２と金属箔Ａ３とを備え、積層体９が、前記金属箔Ａ３上に直接配置され前記金属箔Ａ３よりも一回り小さい金属箔Ｂ６と、この金属箔Ｂ６よりも一回り大きい絶縁層Ｂ７と、この絶縁層Ｂ７上に配置された金属箔Ｃ８と、この金属箔Ｃ８及び絶縁層Ｂ７を貫通して金属箔Ｂ６に到る製品用非貫通孔２６ａ及びガイドマーク用非貫通孔２６ｂとを備えるのが好ましい。つまり、金属箔Ｂ６は、支持基板４の金属箔Ａ３とは接着しておらず、一回り大きい絶縁層Ｂ７と金属箔Ａ３とが接着し、金属箔Ｂ６を密閉することで、支持基板４に固定されている。このため、金属箔Ｂ６の外周の絶縁層Ｂと金属箔Ａ３とが接着している部分を切断除去するだけで、支持基板４と積層体９とが容易に分離できるので、ダイレクトレーザ工法を用いるコアレス工法が容易になる。
【００２９】
＜支持基板付き積層体の変形例＞
本実施形態の支持基板付き積層体２９の変形例としては、支持基板４として、ガラスエポキシ製の絶縁層Ａ２の両面に、図１における金属箔Ａ３及び金属箔Ｂ６の代わりに、物理的に引き剥がし可能な状態で２層以上の金属箔が張り合わされた複合金属箔を貼り合わせた金属箔張り積層板４を用いてもよい。このような複合金属箔として、支持層となるキャリア銅箔と、一般に配線パターンの形成に用いられる極薄銅箔とを備える、いわゆるキャリア銅箔付き銅箔（又はピーラブル銅箔）が挙げられる。キャリア銅箔としては、一般に厚さ９〜７０μｍ程度の銅箔が用いられ、極薄銅箔としては、厚さ１〜９μｍ程度の銅箔が用いられる。この複合金属箔を用い、複合金属箔のキャリア銅箔側を絶縁層Ａ２側に向けて張り合わせる。このように複合金属箔を張り合わせた金属箔張り積層板４を用いた場合、図１において、キャリア銅箔が金属箔Ａ３に対応し、極薄銅箔が金属箔Ｂ６に対応する。このため、金属箔Ｂ６は不要となる。また、複合金属箔のキャリア銅箔と極薄銅箔との間で剥離することで、支持基板付き積層体２９の積層体９と支持基板４とを分離することができる。
【００３０】
＜支持基板付き積層体の製造方法＞
本実施の形態の支持基板付き積層体の製造方法を、図１〜図３を用いて、以下に説明する。
【００３１】
図１〜図３に示すように、本実施の形態の支持基板付き積層体２９の製造方法は、支持基板４の金属箔Ａ３上に、この金属箔Ａ３よりも一回り小さい金属箔Ｂ６と、この金属箔Ｂ６よりも一回り大きい絶縁層Ｂ７と、金属箔Ｃ８を、この順番に重ねて加熱加圧し、積層一体化する工程（ａ）（図１）と、前記金属箔Ｃ８及び絶縁層Ｂ７をレーザで貫通して、前記金属箔Ｃ８から金属箔Ｂ６に到る製品用非貫通孔２６ａ及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔２６ｂを形成する工程（ｂ）（図２）と、前記製品用非貫通孔２６ａ及びガイドマーク用非貫通孔２６ｂにめっき２７を充填する工程（ｃ）（図３）と、を有する。これにより、支持基板４側の金属箔Ａ３上に直接配置した積層体９側の金属箔Ｂ６との間で、支持基板４と積層体９との分離が容易なので、コアレス工法が容易となる。また、金属箔Ｃ８から金属箔Ｂ６に到る製品用非貫通孔２６ａ及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔２６ｂを形成しめっき２７を充填するので、ガイドマーク２８の読み取り性を確保でき、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔２６と配線パターンとの位置精度を確保できる。
【００３２】
＜多層配線基板の製造方法＞
本実施の形態の多層配線基板の製造方法を、図１〜図１１を用いて、以下に説明する。
【００３３】
図１〜図１１に示すように、本実施の形態の多層配線基板１の製造方法は、上記の支持基板付き積層体２９の製造方法の工程（ｃ）（図３）の後、支持基板４と積層体９とを分離する工程（ｄ）（図４）と、前記分離した積層体９のめっき２７を充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔２６ｂを基準として、配線パターンの位置決め用ガイド孔２４を形成する工程（ｅ）（図５）と、このガイド孔２４を基準として、エッチングレジスト２５を形成する工程（ｆ）（図６）と、金属箔Ｂ６又はＣ８をエッチングして、配線パターン形成を行なう工程（ｇ）（図７）と、を有する。これにより、分離した積層体９のめっき２７を充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔２６ｂを基準として、配線パターン形成の基準となるガイド孔２４を形成するので、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔（ここでは、製品用非貫通孔２６ａ、ガイドマーク用非貫通孔２６ｂ）と配線パターン（ここでは、配線パターンＣ１１）との位置精度を確保できる。
【実施例】
【００３４】
以下に、図１〜図１２を用いて、本発明の実施例を説明するが、本発明は本実施例に限定されない。
【００３５】
まず、支持基板４として、ガラスエポキシ材（絶縁層Ａ２）に厚さ１２μｍの銅箔Ａ３を貼り合わせた銅箔張り積層板（金属箔張り積層板４、日立化成株式会社製  ＭＣＬ−Ｅ−６７、「ＭＣＬ」は登録商標。）を準備した。
【００３６】
次に、図１に示すように、支持基板４の両側に、その銅箔張り積層板４の銅箔Ａ３よりも一回り小さい厚さ１２μｍの銅箔Ｂ６（三井金属鉱業株式会社製  ３ＥＣ−ＶＬＰ−１２）の光沢面が銅箔張り積層板４の銅箔Ａ３に対向するように配置した。その外側に絶縁層Ｂ７として、プリプレグ（日立化成株式会社製  ＧＥＡ−６７９ＦＧ）と、その外側に厚さ１２μｍの銅箔Ｃ８（三井金属鉱業株式会社製  ３ＥＣ−ＶＬＰ−１２）を、銅箔Ｃ８の粗化面（マット面）が絶縁層Ｂ７と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、支持基板付き積層板２９を形成した。このとき、絶縁層Ｂ７の厚みは２０〜６０μｍであった
【００３７】
次に、この支持基板付き積層板２９の両外側の銅箔Ｃ８を、厚さ７μｍとなるまでエッチングした後、銅箔Ｃ８の表面を、ＨＩＳＴ７１００（日立化成株式会社製、商品名）を用いて、酸化銅厚みが２μｍ以上となるよう粗化した。
【００３８】
次に、図２に示すように、粗化処理を行った銅箔Ｃ８の表面側から、炭酸ガスレーザ加工装置（日立ビアメカニクス株式会社製）を用い、ダイレクトレーザ工法によるレーザ加工を行い、銅箔Ｃ８及び絶縁層Ｂ７を貫通して銅箔Ｂ６に到る製品用非貫通孔２６ａ及びガイドマーク用非貫通孔２６ｂを形成した。このとき、これらの非貫通孔２６ａ、２６ｂの孔径は８０μｍであり、孔の深さ（絶縁層Ｂ７の厚み）は２０〜７０μｍであった。また、図１２に示すように、ガイドマーク用非貫通孔２６ｂは、個々に独立した状態で３重リング状に集合配置したドットパターンのガイドマーク２８を形成するようにした。ドットパターンの３重リングの外周は３，２５０μｍ、内周は２，７５０μｍであり、それぞれのドットは、１２０〜１４０μｍのピッチで形成され、４０〜６０μｍの間隙を有している。このように、ドット間に４０μｍ以上の間隙を有することにより、ダイレクトレーザ工法によるレーザ加工を行うことで、非貫通孔（ドット）近傍の銅箔Ｃ８表面の粗化形状がダメージを受けても、その影響を受け難くなり、レーザ加工性を確保することができる。
【００３９】
次に、銅箔Ｃ８の表面側から２μｍ程度エッチングし、銅箔Ｃ８の表面に残留した銅箔Ｃ８の加工残渣及び粗化形状を除去した。
【００４０】
次に、図３に示すように、製品用非貫通孔２６ａ及びガイドマーク用非貫通孔２６ｂに対して、デスミア処理、めっき前処理（脱脂、触媒付与、薄付け無電解銅めっき）、電解フィルドビアめっきを行い、めっき２７を充填して層間接続ＢＣを形成した。フィルドビアめっきにより、層間接続ＢＣ１０を形成する際に、銅箔Ｃ８上に生じるめっき２７の厚さは２１〜２４μｍであった。
【００４１】
次に、銅箔Ｃ８上のめっき層側から５μｍ程度エッチングを行い、全体の導体厚みを減少させた後、さらに、バフ研磨を行い、表面を平滑化した。
【００４２】
次に、図４に示すように、銅箔Ｂ６の外周の少し内側の切断位置１５ａで、支持基板付き積層体２９の銅箔Ｂ６の外周部を切断除去することにより、支持基板４と上下各１枚の積層体９とをそれぞれ分離位置２３で分離し、２枚の積層体９を得た。以下、支持基板４から分離して得た積層体９のうち、上側の積層体９のみを取り上げて説明する。
【００４３】
次に、図１２に示すように、３重リング状に集合配置したドットパターンをガイドマーク２８を基準として、これをＸ線観察装置付きのドリルマシン（株式会社モトロニクス製）を用いて読み取り、図５に示すように、中心を狙ってガイド孔２４をドリルで形成した。
【００４４】
次に、図６に示すように、積層体９の両面（銅箔Ｃ８上のめっき２７表面及び銅箔Ｂ６表面）に、ＳＬ−１３２９（日立化成株式会社、商品名）を用いてエッチングレジストを形成した。エッチングレジストの露光の際の位置合せは、ガイド孔２４を基準として行った。
【００４５】
次に、図７に示すように、積層体９の両面に、エッチング法により所定の配線パターンを有する配線パターンＢ１６及び配線パターンＣ１１を形成した。
【００４６】
次に、得られた配線パターンＣ１１の表面を粗化処理液マルチボンドＭＢ−１００（日本マクダーミッド株式会社製、商品名）で粗化した。
【００４７】
次に、図８に示すように、絶縁層Ｃ１２としてプリプレグ（日立化成株式会社製  ＧＥＡ−６７９ＦＧ）と、その外側に厚さ５μｍの極薄銅箔Ｄ１３に厚さ１８μｍのキャリア銅箔（図示しない。）が貼り合わされたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業株式会社製  ＭＴ１８ＳＤＨ５）を、５μｍの極薄銅箔Ｄ１３の粗化面が絶縁層Ｃ１２と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、１８μｍのキャリア銅箔（図示しない。）を剥がすことで積層体９を形成した。
【００４８】
次に、図９に示すように、積層体９に層間接続用の孔（図示しない。）を設け、フィルドめっきにより、銅箔Ｄ１３と配線パターンＣ１１を層間接続する層間接続ＣＤ１４を形成した後、エッチング法により配線パターンＤ１７の配線パターンを形成した。
【００４９】
次に、配線パターンＤ１７を形成した積層体９の上下両側に、絶縁層Ｄ１８としてプリプレグ（日立化成株式会社製  ＧＥＡ−６７９ＦＧ）と、その外側に厚さ５μｍの極薄銅箔Ｅ１９に厚さ１８μｍのキャリア銅箔（図示しない。）が貼りあわされたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業株式会社製  ＭＴ１８ＳＤＨ５）を、５μｍの極薄銅箔Ｅ１９の粗化面が絶縁層Ｄ１８と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、１８μｍのキャリア銅箔（図示しない。）を剥がすことで積層体９を形成した。
【００５０】
次に、図１０に示すように、積層体９に層間接続用の孔を設け、フィルドめっきにより、銅箔Ｅ１９と配線パターンＤ１７を層間接続する層間接続ＤＥ２０を形成した後、エッチング法により配線パターンＥ２２の配線パターンを形成した。
【００５１】
次に、図１１に示すように、積層体９の切断位置１５ｂで切断し、ガイドマーク用非貫通孔によりガイドマーク２８を形成した領域を除去することで、多層配線基板１を得た。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法は、ダイレクトレーザ工法による非貫通孔と配線パターンとの位置精度が良好で、コアレス工法においてもダイレクトレーザ工法を適用可能であるため、産業上有効である。
【符号の説明】
【００５３】
１：多層配線基板
２：絶縁層Ａ
３：金属箔Ａ又は銅箔Ａ
４：支持基板又は金属箔張り積層板又は銅箔張り積層板
６：金属箔Ｂ又は銅箔Ｂ
７：絶縁層Ｂ
８：金属箔Ｃ又は銅箔Ｃ
９：積層体
１０：層間接続ＢＣ
１１：配線パターンＣ
１２：絶縁層Ｃ
１３：金属箔Ｄ又は銅箔Ｄ
１４：層間接続ＣＤ
１５ａ：（支持基板と積層体とをそれぞれ分離位置で分離する際の）切断位置
１５ｂ：（ガイドマークを形成した領域を除去する際の）切断位置
１６：配線パターンＢ
１７：配線パターンＤ
１８：絶縁層Ｄ
１９：金属箔Ｅ又は銅箔Ｅ
２０：層間接続ＤＥ
２１：層間接続ＢＥ
２２：配線パターンＥ
２３：分離位置
２４：ガイド孔
２５：エッチングレジスト
２６：非貫通孔
２６ａ：製品用非貫通孔
２６ｂ：ガイドマーク用非貫通孔
２７：めっき
２８：ガイドマーク
２９：支持基板付き積層体
３０：開口（窓孔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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