(57)【要約】      （修正有）【課題】電極間の絶縁信頼性により優れる有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスを提供する。【解決手段】有機半導体材料を含む有機半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを少なくとも有する有機薄膜トランジスタであって、有機半導体材料が、一般式（Ｘ）で表される化合物を含み、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極からなる群から選択される少なくとも一つの電極に、銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が少なくとも含まれる、有機薄膜トランジスタ。2015109402.tif 000034【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料を含む有機半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを少なくとも有する有機薄膜トランジスタであって、
前記有機半導体材料が、一般式（Ｘ）で表される化合物を含み、
前記ゲート電極、前記ソース電極、および、前記ドレイン電極からなる群から選択される少なくとも一つの電極に、銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が少なくとも含まれる、有機薄膜トランジスタ。
【化１】
2015109402.tif 000027
（一般式（Ｘ）において、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、またはセレン原子を表す。Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。）
＊−Ｌ−Ｒ      一般式（Ｗ）
（一般式（Ｗ）において、＊は一般式（Ｘ）中のナフタレン環、Ａ１を含む環、またはＡ２を含む環との結合部位を表し、Ｌは、下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または、２以上の下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。Ｒは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、または、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒが水素原子を表すのは、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）または（Ｌ−８）〜（Ｌ−１０）の場合に限り、Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒに隣接するＬが下記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合に限る。）
【化２】
2015109402.tif 000028
（一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）において、波線部分はナフタレン環、Ａ１を含む環、または、Ａ２を含む環との結合部位を表し、＊は前記一般式（Ｗ）のＲとの結合部位を表す。一般式（Ｌ−８）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−８）、（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるＲ’は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。なお、一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）中のＲ’は、それぞれＬに隣接するＲと結合して縮合環を形成してもよい。）
【請求項２】
前記一般式（Ｘ）におけるＲ１およびＲ２のうち少なくとも１つが前記一般式（Ｗ）で表される置換基である、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記一般式（Ｘ）で表される化合物が、下記一般式（Ｙ）で表される化合物を含む、請求項１または２に記載の有機薄膜トランジスタ。
【化３】
2015109402.tif 000029
（一般式（Ｙ）において、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、またはセレン原子を表す。Ｒ２〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｌａは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または２以上の下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。Ｒａは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、または、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒａが水素原子を表すのは、Ｌａが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）または（Ｌ−８）〜（Ｌ−１０）の場合に限り、Ｒａが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒａに隣接するＬａが下記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合に限る。）
【化４】
2015109402.tif 000030
（一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）において、波線部分はナフタレン環、Ａ１を含む環、または、Ａ２を含む環との結合部位を表し、＊はＲａとの結合部位を表す。一般式（Ｌ−８）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−８）、（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるＲ’は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。なお、一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）中のＲ’は、それぞれＬａに隣接するＲａと結合して縮合環を形成してもよい。）
【請求項４】
前記一般式（Ｘ）で表される化合物が、下記一般式（Ｚ）で表される化合物を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【化５】
2015109402.tif 000031
（一般式（Ｚ）において、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、またはセレン原子を表す。Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ＬｂおよびＬｃは、それぞれ独立に、下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または、２以上の下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。ＲｂおよびＲｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、または、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲｂおよびＲｃが水素原子を表すのは、ＬｂおよびＬｃがそれぞれ一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）または（Ｌ−８）〜（Ｌ−１０）の場合に限り、ＲｂおよびＲｃが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｂに隣接するＬｂおよびＲｃに隣接するＬｃがそれぞれ下記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合に限る。）
【化６】
2015109402.tif 000032
（一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）において、波線部分はナフタレン環、Ａ１を含む環、または、Ａ２を含む環との結合部位を表し、＊はＲｂまたはＲｃとの結合部位を表す。一般式（Ｌ−８）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−８）、（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるＲ’は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。なお、一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）中のＲ’は、それぞれＬｂに隣接するＲｂ、または、それぞれＬｃに隣接するＲｃと結合して縮合環を形成してもよい。）
【請求項５】
前記一般式（Ｘ）におけるＲ３〜Ｒ６が、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、または、置換若しくは無置換のメチルチオ基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記オニウム塩が、一般式（Ｉ）で表される化合物を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
ｃＣn+ａＡm-      一般式（Ｉ）
（一般式（Ｉ）中、Ｃn+は、ｎ価のカチオンを表す。ｎは、１〜６の整数を表す。ｎが１の場合、Ｃn+は、下記一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを表す。ｎが２〜６の場合、Ｃn+は、下記一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを同一分子内に部分構造としてｎ個有するカチオンを表す。
Ａm-は、ｍ価のアニオン（ただし、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＲA1ＣＯ3-、ＲA10ＮＨＣＯＯ-、ＳｂＦ6-、および、ＡｓＦ6-からなる群より選択されるアニオンを除く。ここで、ＲA1およびＲA10は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す。）を表す。ｍは１〜３の整数を表す。
ｃは１〜３の整数を表し、ａは１〜６の整数を表し、ｃ、ｎ、ａおよびｍは、ｃ×ｎ＝ａ×ｍの関係式を満たす。）
【化７】
2015109402.tif 000033
（一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基（ただし、ヒドロキシアルキル基を除く）を表す。ただし、Ｒ1〜Ｒ4の全てが同時に水素原子であることはない。Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
（一般式（Ｂ）中、Ｒ5は、置換基を有してもよい炭化水素基、−ＮＲ19Ｒ20、−Ｎ＝ＣＲ21Ｒ22、−ＣＲ23＝ＮＲ24、または、−ＣＲB1ＲB2−ＮＲB3ＲB4を表す。ここで、Ｒ19〜Ｒ24およびＲB1〜ＲB4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。Ｒ19およびＲ20は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ6は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
Ｒ7は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、または、−ＮＲ25Ｒ26を表す。ここで、Ｒ25およびＲ26は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表し、互いに結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ8は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲ27Ｒ28、−Ｎ＝ＣＲ29Ｒ30、または、−ＣＲ31＝ＮＲ32を表す。ここで、Ｒ27〜Ｒ32は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。Ｒ27およびＲ28は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
ただし、Ｒ7およびＲ8の両方が同時にアルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基またはメルカプト基であることはなく、Ｒ5、Ｒ7およびＲ8の全てが同時に−ＮＲ19Ｒ20、−ＮＲ25Ｒ26または−ＮＲ27Ｒ28であることはない。
Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
（一般式（Ｃ）中、Ｒ9は、置換基を有してもよい炭化水素基、または、−ＮＲC1ＲC2を表す。ここで、ＲC1およびＲC2は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
Ｒ10は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
Ｒ11は、置換基を有してもよい炭化水素、−ＣＲ33＝ＮＲ34、または、−ＮＲC3ＲC4を表す。ここで、Ｒ33、Ｒ34、ＲC3およびＲC4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
Ｒ9〜Ｒ11は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
（一般式（Ｄ）中、Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。ただし、Ｒ12〜Ｒ15の全てが同時に水素原子であることはない。Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
（一般式（Ｅ）中、Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基を表す。Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタを含む、電子ペーパー。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタを含む、ディスプレイデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタ、並びに、該有機薄膜トランジスタを含む電子ペーパーおよびディスプレイデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。
昨今、電子部品の小型化、高集積化および高性能化の要望がより一層強くなり、有機薄膜トランジスタにおいても、ソース電極、ドレイン電極、および、ゲート電極の微細化や、各電極間の狭小化が進んでいる。また、これらの電極に使用する材料としては、電気的特性の観点から、銀または銅が好ましく挙げられている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１６１３１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、銀または銅は、イオンマイグレーションが生じやすい。そのため、電極間が狭小化された有機薄膜トランジスタにおいては、銀または銅のイオンマイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）による電極間の導通などが生じやすく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性の更なる向上が求められていた。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みて、電極間の絶縁信頼性により優れる有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、特定の有機半導体材料を選択すると共に、電極にオニウム塩を配合することで、所望の効果が得られることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
【０００７】
（１）  有機半導体材料を含む有機半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを少なくとも有する有機薄膜トランジスタであって、
有機半導体材料が、後述する一般式（Ｘ）で表される化合物を含み、
ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極からなる群から選択される少なくとも一つの電極に、銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が少なくとも含まれる、有機薄膜トランジスタ。
（２）  一般式（Ｘ）におけるＲ１およびＲ２のうち少なくとも１つが後述する一般式（Ｗ）で表される置換基である、（１）に記載の有機薄膜トランジスタ。
（３）  一般式（Ｘ）で表される化合物が、後述する一般式（Ｙ）で表される化合物を含む、（１）または（２）に記載の有機薄膜トランジスタ。
（４）  一般式（Ｘ）で表される化合物が、後述する一般式（Ｚ）で表される化合物を含む、（１）〜（３）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（５）  一般式（Ｘ）におけるＲ３〜Ｒ６が、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、または、置換若しくは無置換のメチルチオ基である、（１）〜（４）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（６）  オニウム塩が、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物を含む、（１）〜（５）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（７）  （１）〜（６）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタを含む、電子ペーパー。
（８）  （１）〜（６）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタを含む、ディスプレイデバイス。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電極間の絶縁信頼性により優れる有機薄膜トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
【図２】本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の有機薄膜トランジスタの好適態様について説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明の特徴点としては、電極にオニウム塩が含まれると共に、有機半導体層に所定の有機半導体材料が含まれる点が挙げられる。より具体的に、以下では、ソース電極およびドレイン電極間の場合を例にする。まず、有機薄膜トランジスタの電極に電圧を印加すると、電界の作用により電極中の銀または銅がイオン化し、有機半導体層の中をイオンが移動（マイグレーション）することがある。このようなマイグレーションが生じると、ソース／ドレイン電極間の絶縁性が低下してしまう。
まず、電極中にオニウム塩が含まれると、電極中の銀または銅がイオン化したとしても、電極中のオニウム塩がこれをトラップし、マイグレーション自体の発生が防止される。すなわち、オニウム塩は優れたマイグレーション抑制剤（マイグレーション防止剤）として働く。また、わずかに発生した銀イオンまたは銅イオンが有機半導体層を拡散する際にも、一般式（Ｘ）で表される有機半導体材料は優れた結晶性を示すため、有機半導体層中において銀イオンまたは銅イオンの拡散経路となる結晶粒界が少なく、銀イオンまたは銅イオン自体の拡散が抑制され、その相乗効果で結果として電極間の絶縁性が担保される。
【００１１】
＜第１の実施態様＞
本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０と接するゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０側とは反対側の表面に接するソース電極４０およびドレイン電極４２と、ソース電極４０とドレイン電極４２との間のゲート絶縁膜３０の表面を覆う有機半導体層５０と、各部材を覆う封止層６０とを備える。ここで、ソース電極４０およびドレイン電極４２には、上述した銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれる。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。これらのトランジスタは、電子ペーパーやディスプレイデバイスに好適に用いることができる。
なお、図１の態様では、ソース電極４０およびドレイン電極４２のみに銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれる態様を示すがこの態様には限定されず、ソース電極４０、ドレイン電極４２およびゲート電極２０からなる群から選ばれる少なくとも１つの電極に銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれていればよい。より具体的には、ソース電極４０、ドレイン電極４２およびゲート電極２０の３つに銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれていてもよく、３つの電極の一つにのみ銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれていてもよい。
以下、まず、本発明の特徴点である有機半導体層５０について詳述する。
【００１２】
（有機半導体層）
有機半導体層は、ソース電極およびドレイン電極の間に配置される層で、両者の電極の間の電流経路となる層である。なお、図１においては、ソース電極およびドレイン電極の一部を覆い、かつ、ソース電極とドレイン電極との間のゲート絶縁膜の表面を覆うように配置されているが、この態様に限定されず、ソース電極とドレイン電極との間のゲート絶縁膜の表面を覆うように配置されていればよい。
有機半導体層には有機半導体材料が含まれ、有機半導体材料として後述する一般式（Ｘ）で表される化合物が少なくとも含まれる。一般式（Ｘ）で表される化合物については、後段で詳述する。
有機半導体層中に含まれる一般式（Ｘ）で表される化合物の含有量は特に制限されず、有機半導体層全質量に対して、２０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
なお、有機半導体材料としては、一般式（Ｘ）で表される化合物以外の他の化合物が合わせて使用されてもよい。
【００１３】
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、一般式（Ｘ）で表される化合物を含む有機半導体材料を溶媒に溶解させた有機半導体用組成物（有機半導体層形成用組成物）を塗布する方法などが挙げられる。
有機半導体用組成物には、必要に応じて、溶媒（例えば、有機溶媒）が含まれていてもよい。
有機半導体用組成物を塗布する方法は特に制限されず、例えば、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、スプレーコータ、ブレードコータ、ドクターコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファーロールコータ、エクストロージョンコータ、カーテンコータ、ディップコーター、ダイコータ、グラビアロールによる塗工法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などが挙げられる。
なお、有機半導体用組成物を塗布した後、必要に応じて、溶媒を除去するために乾燥処理を施してもよい。乾燥処理の方法としては、従来公知の方法を使用することができる。
【００１４】
以下、一般式（Ｘ）で表される化合物について詳述する。
該化合物は、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも１つが後述する一般式（Ｗ）で表される置換基を有するため、材料の溶液プロセス適性および膜中での分子配列の観点で好ましい。これにより有機薄膜トランジスタに適用できる有機薄膜の製造効率を上げ、製造コストを抑制することができる。また、電界効果移動度をはじめとする電荷輸送特性や薄膜の化学的、物理的安定性も向上する。これにより、電界効果移動度が高い有機薄膜トランジスタを得ることができる。
【００１５】
【化１】
2015109402.tif 000002
【００１６】
一般式（Ｘ）において、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、またはセレン原子を表す。Ａ１およびＡ２は、硫黄原子または酸素原子が好ましい。また、Ａ１およびＡ２は互いに同一であっても異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。
【００１７】
一般式（Ｘ）において、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも１つが後述する一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（Ｗ）で表される置換基以外のその他の置換基を有していてもよい。
一般式（Ｘ）のＲ１〜Ｒ６が採りうるその他の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよびヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）２）、スルファト基(−ＯＳＯ３Ｈ)、その他の公知の置換基が挙げられる。
これらの中でもハロゲン原子、アルキル基およびアリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数２〜３のアルキニル基、炭素数２〜３のアルケニル基、炭素数１〜２のアルコキシ基、メチルチオ基、フェニル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、または、置換若しくは無置換のメチルチオ基が特に好ましい。
一般式（Ｘ）で表される化合物中において、Ｒ１〜Ｒ６のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基以外のその他の置換基の個数は０〜４であることが好ましく、０〜２であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。
また、これら置換基は、さらに上記置換基を有していてもよい。
なかでも、Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、または、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。
【００１８】
次に、一般式（Ｗ）で表される置換基について説明する。
＊−Ｌ−Ｒ      一般式（Ｗ）
一般式（Ｗ）において、Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または、２以上の下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。
【００１９】
【化２】
2015109402.tif 000003
【００２０】
一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）において、波線部分はナフタレン環、Ａ１を含む環、または、Ａ２を含む環との結合位置を示し、＊は一般式（Ｗ）のＲとの結合位置を示す。一般式（Ｌ−８）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−８）、（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるＲ’は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）中のＲ’は、それぞれＬに隣接するＲと結合して縮合環を形成してもよい。
【００２１】
Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した連結基を形成する場合、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基の結合数は２〜４であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。
特に、上記の一般式（Ｌ−８）〜（Ｌ−１０）においては、＊とＲの間にさらに一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかが挿入されて、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した連結基を形成することも好ましい。
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−８）、（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）中の置換基Ｒ’としては、上記の一般式（Ｘ）のＲ１〜Ｒ６が採りうるその他の置換基として例示したものを挙げることができる。
一般式（Ｌ−８）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）におけるｍは２を表す。
【００２２】
Ｌは、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２）、（Ｌ−５）〜（Ｌ−８）、（Ｌ−９）若しくは（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましく、化学的安定性、電荷輸送性の観点から一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）、（Ｌ−８）、（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または、これらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることがより好ましく、一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−８）のいずれかで表される２価の連結基であることが特に好ましい。
【００２３】
一般式（Ｗ）において、Ｒは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、オキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、または、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。
ただし、Ｒが水素原子を表すのは、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）または（Ｌ−８）〜（Ｌ−１０）の場合に限る。
【００２４】
一般式（Ｗ）におけるＲが置換または無置換のアルキル基の場合、炭素数は２〜１８であることが好ましく、３〜１２であることが化学的安定性、電荷輸送性の観点からより好ましく、４〜１０であることがさらに好ましい。
一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（Ｗ）で表される基にアルキル基が含まれる場合、Ｒが表すアルキル基の炭素数が上記範囲の下限値以上であると電界効果移動度が高くなる。また、ＬがＲに隣接する一般式（Ｌ−１）を含む場合は、一般式（Ｌ−１）で表されるアルキレン基およびＲで表されるアルキル基が結合して形成されるアルキル基の炭素数が上記範囲の下限値以上であると電界効果移動度が高くなる。
Ｒが採りうるアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、直鎖アルキル基であることが電界効果移動度を高める観点から好ましく、炭素数１〜１２の直鎖アルキル基であることがより好ましく、炭素数３〜１２の直鎖アルキル基であることがさらに好ましく、炭素数４〜１０の直鎖アルキル基であることが特に好ましい。Ｒが置換基を有するアルキル基である場合の該置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒがフッ素原子を有するアルキル基である場合は該アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。
【００２５】
一般式（Ｗ）におけるＲがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴエチレンオキシ基の場合、Ｒが表す「オリゴエチレンオキシ基」とは本明細書中、−（ＣＨ２ＣＨ２）ｘＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｘは２以上の整数を表し、末端のＹは水素原子または置換基を表す）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｘは２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましい。オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１〜３のアルキル基で封止されること、すなわちＹが炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基やエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
【００２６】
一般式（Ｗ）におけるＲがケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２〜４であることが好ましく、２〜３であることがさらに好ましい。また、Ｓｉ原子には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基または水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。
Ｒに隣接するＬが一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合に限り、Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基をとり得る。Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基の場合、Ｓｉ原子に結合するアルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒが置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の該置換基としては、特に制限はない。
【００２７】
一般式（Ｘ）で表される化合物中において、Ｒ１〜Ｒ６のうち、一般式（Ｗ）で表される置換基の個数は１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、２であることが特に好ましい。
【００２８】
本発明では、一般式（Ｘ）において、Ｒ１およびＲ２のうち少なくとも１つが上記一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
一般式（Ｘ）における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、ＨＯＭＯ準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、一般式（Ｘ）において、Ｒ１およびＲ２の２箇所を一般式（Ｗ）で表される置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
【００２９】
一般式（Ｘ）で表される化合物は、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性がより優れる点で、下記一般式（Ｙ）で表される化合物であることが好ましい。
【００３０】
【化３】
2015109402.tif 000004
【００３１】
一般式（Ｙ）において、Ａ１、Ａ２、およびＲ２〜Ｒ６の定義は、上述した一般式（Ｘ）中における定義と同義である。
【００３２】
一般式（Ｙ）において、Ｌａは上記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または、２以上の上記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。Ｌａの好ましい範囲は、一般式（Ｗ）におけるＬの好ましい範囲と同様である。なお、Ｌａで表される一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）中の＊はＲａとの結合部位を表す。また、一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）中のＲ’は、それぞれＬａに隣接するＲａと結合して縮合環を形成してもよい。
一般式（Ｙ）において、Ｒａは水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、または、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す（ただし、Ｒａが水素原子を表すのは、Ｌａが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）または（Ｌ−８）〜（Ｌ−１０）の場合に限り、Ｒａが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒａに隣接するＬａが下記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合に限る。）。Ｒａの好ましい範囲は、一般式（Ｗ）におけるＲの好ましい範囲と同様である。
【００３３】
一般式（Ｘ）で表される化合物は、本発明の効果がより優れる点で、一般式（Ｚ）で表される化合物であることが好ましい。
【００３４】
【化４】
2015109402.tif 000005
【００３５】
一般式（Ｚ）において、Ａ１、Ａ２、およびＲ３〜Ｒ６の定義は、上述した一般式（Ｘ）中における定義と同義である。
一般式（Ｚ）において、ＬｂおよびＬｃは、それぞれ独立に、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基、または、２以上の一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。ＬｂおよびＬｃの好ましい範囲は、一般式（Ｗ）におけるＬの好ましい範囲と同様である。また、ＬｂおよびＬｃは互いに同一であることが好ましい。なお、ＬｂまたはＬｃで表される一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）中の＊は、それぞれＬｂまたはＬｃとの結合部位を表す。なお、一般式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）中のＲ’は、それぞれＬｂに隣接するＲｂ、または、それぞれＬｃに隣接するＲｃと結合して縮合環を形成してもよい。
【００３６】
一般式（Ｚ）において、ＲｂおよびＲｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、または、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す（ただし、ＲｂおよびＲｃが水素原子を表すのは、ＬｂおよびＬｃがそれぞれ一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）または（Ｌ−８）〜（Ｌ−１０）の場合に限り、ＲｂおよびＲｃが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｂに隣接するＬｂおよびＲｃに隣接するＬｃがそれぞれ下記一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合に限る。）。ＲｂおよびＲｃの好ましい範囲は、一般式（Ｗ）におけるＲの好ましい範囲と同様である。また、ＲｂおよびＲｃは互いに同一であることが好ましい。
【００３７】
一般式（Ｙ）または（Ｚ）において、Ｒａ、Ｒｂ、およびＲｃの全てが置換または無置換のアルキル基であることが好ましく、置換または無置換の直鎖のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１２の直鎖のアルキル基であることがさらに好ましく、炭素数３〜１２の直鎖アルキル基であることがよりさらに好ましく、炭素数４〜１０の直鎖アルキル基であることがより特に好ましい。
一般式（Ｙ）または（Ｚ）において、Ｌａ、Ｌｂ、およびＬｃの全て（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）、（Ｌ−８）、（Ｌ−９）、または（Ｌ−１０）のいずれかで表される２価の連結基であることが好ましく、化学的安定性、電荷輸送性の観点から一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−３）、（Ｌ−８）、または（Ｌ−１０）のいずれかであることがより好ましく、一般式（Ｌ−１）、または（Ｌ−８）であることが特に好ましい。
【００３８】
以下に上記一般式（Ｘ）で表される化合物の具体例を示すが、これらの具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００３９】
【化５】
2015109402.tif 000006
【００４０】
【化６】
2015109402.tif 000007
【００４１】
【化７】
2015109402.tif 000008
【００４２】
【化８】
2015109402.tif 000009
【００４３】
【化９】
2015109402.tif 000010
【００４４】
上記一般式（Ｘ）で表される化合物は、分子量が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができるため好ましい。
一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることがさらに好ましい。
【００４５】
一般式（Ｘ）で表される化合物は、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  １１６，  ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  ２２１（１９５１）などを参考にして合成することができる。
一般式（Ｘ）で表される化合物の合成において、いかなる反応条件を用いてもよい。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用いてもよい。また、環形成反応促進のために、酸または塩基を用いることが好ましく、特に塩基を用いることが好ましい。
各種置換基を有する合成中間体は公知の反応を組み合わせて合成することができる。また、各置換基はいずれの中間体の段階で導入してもよい。中間体の合成後は、カラムクロマトグラフィー、再結晶等による精製を行った後、昇華精製により精製することが好ましい。昇華精製により、有機不純物を分離できるだけでなく、無機塩や残留溶媒等を効果的に取り除くことができる。
【００４６】
（ソース電極、ドレイン電極）
ソース電極およびドレイン電極には、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれる。オニウム塩については、後段で詳述する。
ソース電極およびドレイン電極中におけるオニウム塩の含有量は特に制限されないが、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性がより優れる点で、銀および銅からなる群から選択される金属１００質量部に対して、０．１〜４０質量部が好ましく、１〜２０質量部がより好ましく、１〜１０質量部が特に好ましい。
【００４７】
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜３０μｍであることが好ましい。ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、１０〜２００μｍであることが好ましい。ソース電極およびドレイン電極の厚みは特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
【００４８】
ソース電極およびドレイン電極の製造方法は特に制限されないが、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、銀粒子（または銅粒子）およびオニウム塩を含む電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。なお、電極をパターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷などが挙げられる。
また、電極形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、上述した有機半導体層形成用組成物を塗布する方法が挙げられる。
電極形成用組成物には、必要に応じて、溶媒（例えば、有機溶媒）が含まれていてもよい。
【００４９】
電極形成用組成物を塗布した後、必要に応じて、溶媒を除去するために乾燥処理を施してもよい。乾燥処理の方法としては従来公知の方法を使用することができる。
また、電極形成用組成物の塗膜に対して加熱熱や光照射などのエネルギー付与を行い、組成物中の銀粒子（または銅粒子）を焼結してもよい。
加熱の条件は特に制限されないが、加熱温度は１００〜３００℃が好ましく、加熱時間は１０〜６０分がより好ましい。
加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
光照射処理で使用される光源は特に制限されないが、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノン（Ｘｅ）ランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯などが挙げられる。
【００５０】
以下、オニウム塩について詳述する。オニウム塩は、上述したように、銀イオンまたは銅イオンをトラップするマイグレーション抑制剤として機能する。
オニウム塩の種類は特に制限されず、公知のオニウム塩を使用することができ、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
なかでも、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性がより優れる点で、オニウム塩としては、一般式（Ｉ）で表される化合物が好ましく挙げられる。
ｃＣn+ａＡm-      一般式（Ｉ）
【００５１】
（カチオン）
一般式（Ｉ）中、Ｃn+は、ｎ価のカチオンを表す。ここで、ｎは１〜６の整数を表す。すなわち、Ｃn+は、１〜６価のカチオンである。
一般式（Ｉ）中のｎが１の場合（すなわち、Ｃn+が１価のカチオンの場合）、上記Ｃn+は、下記一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを表す。なかでも、一般式（Ａ）〜（Ｃ）からなる群より選択されるカチオンであることが好ましく、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁信頼性を示す理由から、一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表されるカチオンであることがより好ましい。
【００５２】
【化１０】
2015109402.tif 000011
【００５３】
一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基（ただし、ヒドロキシアルキル基を除く）を表す。ただし、Ｒ1〜Ｒ4の全てが同時に水素原子であることはない。
【００５４】
上記炭化水素基は特に制限されないが、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
上記脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。上記脂肪族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、１〜１２であることが好ましい。上記脂肪族炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基などが挙げられる。
上記芳香族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、６〜１８であることが好ましい。上記芳香族炭化水素基の具体例としては、アリール基（フェニル基、トリル基、キシリル基など）、ナフチル基などが挙げられる。
【００５５】
上記置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑなどが挙げられる。
上記置換基は、得られる有機薄膜トランジスタの移動度がより優れる理由から、ヒドロキシ基以外の置換基であることが好ましい。
【００５６】
得られる有機薄膜トランジスタがより高い移動度を示す理由から、上記Ｒ1〜Ｒ4の少なくとも１つは、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【００５７】
上述のとおり、一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4は、ヒドロキシアルキル基ではない。ここで、ヒドロキシアルキル基は、ヒドロキシ基を有するアルキル基であり、例えば、ヒドロキシエチル基（−Ｃ2Ｈ4−ＯＨ）などが挙げられる。
上記Ｒ1〜Ｒ4のいずれかがヒドロキシアルキル基である場合、電極間を移動するキャリアをトラップする事になり、結果として、得られる有機薄膜トランジスタの移動度が低下する。
【００５８】
また、上述のとおり、一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4の全てが同時に水素原子であることはない。すなわち、Ｃn+はＮＨ4+ではない。Ｃn+がＮＨ4+である場合、遊離したアンモニアが揮発しやすいため、熱安定性が低下し、焼結などにより導電膜（電極）を形成したときに化合物（Ｂ）が分解しやすくなる。結果として、得られる有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性が低下する。
【００５９】
一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ1〜Ｒ4からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。なお、本明細書において、互いに結合して環構造を形成するとは、２以上の基が任意の位置で単結合、二重結合、三重結合または２価の連結基を介して結合し、環構造を形成することを表す。
上記２価の連結基は特に制限されないが、例えば、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ−（Ｒ：置換基（例えば、後述する置換基Ｑ））、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
【００６０】
以下に一般式（Ａ）で表されるカチオンの好適な態様を示す。ここで、Ｒpは、それぞれ独立に、上述したＲ1〜Ｒ4で表される基（例えば、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基（ただし、ヒドロキシアルキル基を除く））を表す。複数あるＲpは同一であっても異なってもよい。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基（例えば、後述する置換基Ｑ）を表す。
【００６１】
【化１１】
2015109402.tif 000012
【００６２】
一般式（Ｂ）中、Ｒ5は、置換基を有してもよい炭化水素基、−ＮＲ19Ｒ20、−Ｎ＝ＣＲ21Ｒ22、−ＣＲ23＝ＮＲ24、または、−ＣＲB1ＲB2−ＮＲB3ＲB4を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ19〜Ｒ24およびＲB1〜ＲB4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。Ｒ19およびＲ20は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００６３】
一般式（Ｂ）中、Ｒ6は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
【００６４】
一般式（Ｂ）中、Ｒ7は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、または、−ＮＲ25Ｒ26を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ25およびＲ26は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表し、互いに結合して環構造を形成してもよい。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
【００６５】
一般式（Ｂ）中、Ｒ8は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲ27Ｒ28、−Ｎ＝ＣＲ29Ｒ30、または、−ＣＲ31＝ＮＲ32を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ27〜Ｒ32は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。Ｒ27およびＲ28は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００６６】
ただし、一般式（Ｂ）中のＲ7およびＲ8の両方が同時にアルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基またはメルカプト基であることはない。
また、一般式（Ｂ）中のＲ5、Ｒ7およびＲ8の全てが同時に上記−ＮＲ19Ｒ20、上記−ＮＲ25Ｒ26または上記−ＮＲ27Ｒ28であることはない。すなわち、Ｒ5が上記−ＮＲ19Ｒ20であり、同時にＲ7が上記−ＮＲ25Ｒ26であり、同時にＲ8が上記−ＮＲ27Ｒ28であることはない。
【００６７】
一般式（Ｂ）中、Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ5〜Ｒ8からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ5〜Ｒ8からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成するのが好ましい。
【００６８】
Ｒ5が環構造を形成する場合、環構造中のＲ5に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｆ）からなる群より選択される基であることが好ましい。
Ｒ6が環構造を形成する場合、環構造中のＲ6に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｄ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。
Ｒ7が環構造を形成する場合、環構造中のＲ7に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｅ）、（ｇ）および（ｈ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。
Ｒ8が環構造を形成する場合、環構造中のＲ8に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｈ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。
【００６９】
ただし、「環構造中のＲ7に由来する２価の基」および「環構造中のＲ8に由来する２価の基」の両方が同時に下記一般式（ｇ）または（ｈ）で表される基であることはない。また、「環構造中のＲ5に由来する２価の基」、「環構造中のＲ7に由来する２価の基」および「環構造中のＲ8に由来する２価の基」の全てが同時に下記一般式（ｅ）で表される基であることはない。
【００７０】
【化１２】
2015109402.tif 000013
【００７１】
一般式（ａ）〜（ｆ）中、Ｒ35〜Ｒ48は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑなどが挙げられる。
一般式（ａ）〜（ｈ）中、アスタリスク（星印）は結合位置を表し、２つのアスタリスクのうち一方のアスタリスクは一般式（Ｂ）における各基の結合位置を表し、他方のアスタリスクは環構造を形成するために互いに結合する際の結合位置を表す。例えば、一般式（Ｂ）中のＲ5とＲ6とが互いに結合して環構造を形成し、環構造中のＲ5に由来する２価の基が一般式（ａ）で表される基であり、環構造中のＲ6に由来する２価の基が一般式（ｂ）で表される基である場合、一般式（ａ）および（ｂ）中の一方のアスタリスクは一般式（Ｂ）中のＮ+との結合位置を表し、一般式（ａ）および（ｂ）中の他方のアスタリスクはＲ5とＲ6とが互いに結合する際の結合位置を表す。
【００７２】
以下に一般式（Ｂ）で表されるカチオンの好適な態様を示す。ここで、Ｒpは、上述したＲ5またはＲ6で表される基（例えば、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、−ＮＲ19Ｒ20、−Ｎ＝ＣＲ21Ｒ22、−ＣＲ23＝ＮＲ24、または、−ＣＲB1ＲB2−ＮＲB3ＲB4）を表し、Ｒsは、上述したＲ7またはＲ8で表される基（例えば、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲ27Ｒ28、−Ｎ＝ＣＲ29Ｒ30、または、−ＣＲ31＝ＮＲ32）を表し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基（例えば、後述する置換基Ｑ）を表す。
【００７３】
【化１３】
2015109402.tif 000014
【００７４】
一般式（Ｃ）中、Ｒ9は、置換基を有してもよい炭化水素基、または、−ＮＲC1ＲC2を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記ＲC1およびＲC2は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
【００７５】
一般式（Ｃ）中、Ｒ10は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
【００７６】
一般式（Ｃ）中、Ｒ11は、置換基を有してもよい炭化水素、−ＣＲ33＝ＮＲ34、または、−ＮＲC3ＲC4を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ33、Ｒ34、ＲC3およびＲC4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
【００７７】
一般式（Ｃ）中、Ｒ9〜Ｒ11は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ9〜Ｒ11からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００７８】
以下に一般式（Ｃ）で表されるカチオンの好適な態様を示す。ここで、Ｒpは、上述したＲ9またはＲ10で表される基（例えば、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、または、−ＮＲC1ＲC2）を表し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基（例えば、後述する置換基Ｑ）を表す。
【００７９】
【化１４】
2015109402.tif 000015
【００８０】
一般式（Ｄ）中、Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
【００８１】
ただし、一般式（Ｄ）中のＲ12〜Ｒ15の全てが同時に水素原子であることはない。すなわち、Ｃn+はＰＨ4+ではない。Ｃn+がＰＨ4+である場合、熱安定性が低下し、焼結などにより導電膜（電極）を形成したときに化合物（Ｂ）が分解しやすくなる。結果として、得られる有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性が低下する。
【００８２】
一般式（Ｄ）中、Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ12〜Ｒ15からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００８３】
一般式（Ｅ）中、Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基を表す。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１〜１２であることが好ましい。置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑなどが挙げられる。
【００８４】
上述のとおり、一般式（Ｅ）中のＲ16〜Ｒ18は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基を表す。Ｒ16〜Ｒ18のいずれかがアルキル基以外の炭化水素基（例えば、芳香族炭化水素基）である場合、電極中での安定性が低下し、結果として、有機薄膜トランジスタの移動度が低下する。
【００８５】
一般式（Ｅ）中、Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ16〜Ｒ18からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００８６】
なお、上記Ｒ5〜Ｒ34、上記ＲB1〜ＲB4および上記ＲC1〜ＲC4は、ヒドロキシアルキル基であってもよい。
【００８７】
一般式（Ｉ）中のｎが２〜６の場合（すなわち、Ｃn+が２〜６価のカチオンの場合）、Ｃn+は、一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを同一分子内に部分構造としてｎ個有するカチオンを表す。すなわち、一般式（Ｉ）中のｎが２〜６の場合、Ｃn+は、一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンから１以上の水素原子を除くことで得られる部分構造を同一分子内にｎ個有するカチオンを表す。なお、１種類の部分構造をｎ個有するカチオンであっても、２種類以上の部分構造を計ｎ個有するカチオンであってもよい。
一般式（Ｉ）中のｎが２〜６の場合、Ｃn+は、一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるｎ個のカチオン同士が、任意の位置で単結合、二重結合、三重結合または２価の連結基を介して結合したカチオンであることが好ましい。２価の連結基の具体例は上述のとおりである。なお、１種類のｎ個のカチオン同士が結合したカチオンであっても、２種類以上の計ｎ個のカチオン同士が結合したカチオンであってもよい。
【００８８】
（アニオン）
一般式（Ｉ）中、Ａm-は、ｍ価のアニオンを表す。ここで、ｍは１〜３の整数を表す。すなわち、Ａm-は、１〜３価のアニオンである。
【００８９】
上記Ａm-は、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＲA1ＣＯ3-、ＲA10ＮＨＣＯＯ-、ＳｂＦ6-、および、ＡｓＦ6-からなる群より選択されるアニオンではない。ここで、ＲA1およびＲA10は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ａm-が、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＲA1ＣＯ3-、ＲA10ＮＨＣＯＯ-、ＳｂＦ6-、および、ＡｓＦ6-からなる群より選択されるアニオンである場合、得られる有機薄膜トランジスタの移動度または絶縁信頼性が不十分となる。
【００９０】
上記Ａm-は、ＳＯ42-、ＲA2ＳＯ4-、ＲA3ＳＯ3-、ＰＯ43-、ＲA4ＰＯ42-、（ＲA5）2ＰＯ4-、ＰＯ33-、ＲA6ＰＯ32-、（ＲA7）2ＰＯ3-、［ＢＦ4］-、［Ｂ（ＣＮ）4］-、［Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4］-、ＣＮ-、ＯＣＮ-、ＳＣＮ-、［ＲA8−ＣＯＯ］-、［（ＲA9−ＳＯ2）2Ｎ］-およびＮ（ＣＮ）2-からなる群より選択されるアニオンであることが好ましく、ＳＯ42-、ＲA2ＳＯ4-、ＲA3ＳＯ3-および（ＲA5）2ＰＯ4-からなる群より選択されるアニオンであることがより好ましく、得られる有機薄膜トランジスタがより高い移動度を示す理由から、ＳＯ42-、ＲA2ＳＯ4-およびＲA3ＳＯ3-からなる群より選択されるアニオンであることがさらに好ましい。ここで、ＲA2〜ＲA9は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記ＲA2は、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
上記ＲA3は、置換基を有してもよいアルキル基（特に炭素数１〜１２のもの）または置換基を有してもよい芳香族炭化水素基（特に炭素数６〜１８のもの）であることが好ましい。置換基としては、後述する置換基Ｑが挙げられる。
上記ＲA4およびＲA5は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
上記ＲA6およびＲA7は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基（特に炭素数１〜１２のもの）であることが好ましい。
【００９１】
なお、ＲA1〜ＲA10は、ヒドロキシアルキル基であってもよい。
【００９２】
一般式（Ｉ）中、ｃは１〜３の整数を表し、ａは１〜６の整数を表し、一般式（Ｉ）中、ｃ、ｎ、ａおよびｍは、ｃ×ｎ＝ａ×ｍの関係式を満たす。すなわち、化合物（Ｂ）は、ｃ個のカチオン（Ｃn+）とａ個のアニオン（Ａm-）からなる電荷的に中性の塩である。
上記ｃ、ｎ、ａおよびｍは、いずれも１であることが好ましい。
【００９３】
（置換基Ｑ）
本明細書における置換基Ｑとしては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
【００９４】
さらに詳しくは、置換基Ｑとしては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
【００９５】
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
【００９６】
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
【００９７】
シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００９８】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【００９９】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
【０１００】
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
【０１０１】
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）などが挙げられる。
【０１０２】
（基板）
基板は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ、ＰＥＮ）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
【０１０３】
（ゲート電極）
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
【０１０４】
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
【０１０５】
なお、上述したように、ゲート電極は、銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩を含む態様であってもよい。
【０１０６】
（ゲート絶縁膜）
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
【０１０７】
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【０１０８】
（封止層）
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、有機半導体用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して封止層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【０１０９】
＜第２の実施態様＞
図２は、本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０と接するゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０がある側とは反対側の表面と接する有機半導体層５０と、有機半導体層５０と接するソース電極４０およびドレイン電極４２と、各部材を覆う封止層６０を備える。ここで、有機半導体層５０は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層については上述のとおりであり、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極からなる群から選ばれる少なくとも１つの電極に銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれ、有機半導体層中の有機半導体材料として一般式（Ｘ）で表される化合物が含まれる。
【０１１０】
なお、上記では図１および２において、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの態様について詳述したが、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにも適用できる。
つまり、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ中において、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極からなる群から選ばれる少なくとも１つの電極に銀および銅からなる群から選択される金属並びにオニウム塩が含まれ、有機半導体層中の有機半導体材料として一般式（Ｘ）で表される化合物が含まれる。
【０１１１】
なお、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにおいても、図１および図２同様に、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層が使用され、その積層順のみが異なる。
より具体的には、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタでは、基板と、基板上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極と接し、かつ、ソース電極とドレイン電極との間の基板表面を覆う有機半導体層と、有機半導体層の基板側とは反対側の表面に接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の有機半導体層側とは反対側の表面に接するゲート電極とを備える。
また、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタでは、基板と、基板上に配置された有機半導体層と、有機半導体層の基板側とは反対側の表面に接するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極と接し、かつ、ソース電極とドレイン電極との間の有機半導体層表面を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の有機半導体層側とは反対側の表面に接するゲート電極とを備える。
【実施例】
【０１１２】
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１３】
＜合成例１：化合物７の合成＞
以下のスキームに示した具体的合成手順にしたがって、一般式（Ｘ）で表される化合物である、化合物７を合成した。
化合物７ｃまでは以下論文を参照して合成した。
Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  １１６，  ９２５（１９９４）
Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  ２２１（１９５１）
【０１１４】
【化１５】
2015109402.tif 000016
【０１１５】
（化合物７ａの合成）
１，５−ジアミノナフタレン（１０ｇ）のピリジン溶液（１２５ｍｌ）に、ｐ−トルエンスルホニルクロリド（３４ｇ）をゆっくりと添加し、室温で２時間撹拌した。反応液を氷水に注ぎ、析出物を減圧濾過した。得られた粗結晶をメタノールで洗浄し、化合物７ａ（２９ｇ）を得た。
【０１１６】
（化合物７ｂの合成）
化合物７ａ（１０ｇ）の氷酢酸溶液を９５℃で加熱撹拌し、そこに氷酢酸１０ｍＬで希釈した臭素（２ｍＬ）をゆっくりと滴下した。１０分間反応させ、放冷後にろ過することで素結晶を灰色固体として得た。粗結晶をニトロベンゼン中で再結晶することで化合物７ｂ（６．８ｇ）を得た。
【０１１７】
（化合物７ｃの合成）
化合物７ｂ（５ｇ）の濃硫酸溶液を室温で２４時間撹拌した。反応液を氷水に注ぎ、析出している固体をろ過して回収した。その固体を氷水中に再度分散し、アンモニア水で中和し、化合物７ｃ（０．５ｇ）を得た。
【０１１８】
（化合物７ｄの合成）
室温下、７ｃ（２ｇ）のピリジン溶液にブチリルクロリド（２．６ｍＬ）を滴下して２時間撹拌した。氷水に反応液を注ぎ、固体を減圧濾過した。メタノール中に分散し１時間撹拌した後、固体をろ過することで化合物７ｄ（１．３９ｇ）を得た。
【０１１９】
（化合物７ｅの合成）
ＴＨＦ（３６０ｍＬ）およびトルエン（７２ｍＬ）の混合溶液中に化合物７ｄ（１．２ｇ）とローソン試薬（１．４８ｇ）を添加した後、加熱還流しながら３時間撹拌した。エバポレーションでＴＨＦのみ除去してトルエン溶液とした後、６０℃で１時間撹拌した。その後、不溶物をろ過することで化合物７ｅ（０．５ｇ）を得た。
【０１２０】
（化合物７の合成）
化合物７ｅ（０．４ｇ）と炭酸セシウム（１．３３ｇ）をジメチルアセトアミド中、１２０℃で２時間反応させた。反応液を水に注ぎ析出物をろ過した。ろ過した固体をＴＨＦ中で再結晶を繰返し、目的化合物７（０．１２ｇ）を合成した。得られた化合物の同定は、Ｈ−ＮＭＲ、Ｍａｓｓスペクトルにより行った。
【０１２１】
実施例で用いる化合物８、化合物９、化合物３４、化合物３７、および、化合物３８も化合物７と同様にして合成した。なお、以下に上記化合物の構造式を示す。
【０１２２】
【化１６】
2015109402.tif 000017
【０１２３】
また、比較例化合物として、以下の比較例化合物１をＤＴ２２２４７４６に従って、比較例化合物２を特開平６−０７３０６５に従って、合成した。
【０１２４】
【化１７】
2015109402.tif 000018
【０１２５】
＜実施例１＞
（銀インクＡ１の調製）
分散剤としてＤｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（ビックケミー社製）（不揮発物として７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた（溶液ａ）。次に、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた（溶液ｂ）。溶液ａと溶液ｂとを混合し、攪拌した。得られた混合物に、８５質量％Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン水溶液（７８．７１ｇ）（Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）を室温でゆっくり滴下した。さらに、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（７．３６ｇ）を水（１０００ｍＬ）に溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下した。
得られた懸濁液を限外濾過ユニット（ザルトリウス・ステディム社製ビバフロー５０、分画分子量：１０万、ユニット数：４個）に通し、限外濾過ユニットから約５Ｌの滲出液がでるまで精製水を通過させて精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、５０ｇの銀ナノ粒子の分散液（銀インクＡ１）を得た。この銀インクＡ１中の固形分の含有量は３２質量％であった。また、固形分中の銀の含有量をＴＧ−ＤＴＡにて測定した所、９７．０質量％であった。
次に、この銀インクＡ１に、銀に対して２．０質量％の割合で、マイグレーション抑制剤であるトシル酸ピリジニウム塩を添加することで、オニウム塩含有の銀インクを調製した。
【０１２６】
（有機薄膜トランジスタの作製）
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上に、ゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（固形分濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上に調製したオニウム塩含有の銀インクをインクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス製）を用い、チャネル長６０μｍ、チャネル幅１５０μｍのソース電極およびドレイン電極に描画した。その後オーブンにて１８０℃、３０分ベークを行い、焼結を行った。
その上に化合物７のトルエン溶液（化合物７の濃度：０．５質量％）をスピンコートし、１４０℃で１０分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークを行い、厚み１μｍの封止層（最上層）を形成して、有機薄膜トランジスタ（ボトムコンタクト型）を得た。
【０１２７】
＜実施例２〜１４、比較例１〜１４＞
トシル酸ピリジニウム塩の代わりに、下記表１に示す有機半導体材料を使用し、化合物７の代わりに、下記表１に示すマイグレーション抑制剤（オニウム塩）を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機薄膜トランジスタを調製した。
【０１２８】
（絶縁信頼性評価（マイグレーション抑制効果評価））
各実施例および比較例で得られた有機薄膜トランジスタについて、ＥＨＳ−２２１ＭＤ（エスペック社製）を用いて、以下の条件により寿命試験を行い、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。この時、比較例１の測定結果（時間）を１とし、それに対する各実施例および比較例の相対時間を表１に示した。
・温度：６０℃
・湿度：ＲＨ６０％
・圧力：１．０ａｔｍ
・ゲート電圧：−４０Ｖ
・ソース／ドレイン電極間電圧：５０Ｖ
【０１２９】
【表１】
2015109402.tif 000019
【０１３０】
【表２】
2015109402.tif 000020
【０１３１】
【表３】
2015109402.tif 000021
【０１３２】
【表４】
2015109402.tif 000022
【０１３３】
上記表１に示されている各成分の詳細は以下のとおりである。
・ａ−１：化合物７
・ａ−２：化合物８
・ａ−３：化合物９
・ａ−４：化合物３４
・ａ−５：化合物３７
・ａ−６：化合物３８
・ａ−７：比較例化合物１
・ａ−８：比較例化合物２
・ａ−９：ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
・ｂ−１：トシル酸ピリジニウム塩
【化１８】
2015109402.tif 000023
・ｂ−２：トシル酸テトラメチルアンモニウム塩
【化１９】
2015109402.tif 000024
・ｂ−３：ジエチルホスホン酸テトラメチルアンモニウム塩
【化２０】
2015109402.tif 000025
・ｂ−４：トシル酸ジメチルフェニルアンモニウム塩
【化２１】
2015109402.tif 000026
【０１３４】
表１に示すように、本発明の有機薄膜トランジスタは、優れた絶縁信頼性を示すことが確認された。
なかでも、一般式（Ｘ）で表される化合物中において一般式（Ｌ−８）が含まれる場合は、より優れた絶縁信頼性を示すことが確認された。
一方、比較例１〜１４に示すように、所定の構成を有さない有機薄膜トランジスタにおいては、所望の効果は得られなかった。
【符号の説明】
【０１３５】
１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
１００、２００：有機薄膜トランジスタ
【図１】
2015109402.tif 000035
【図２】
2015109402.tif 000036