(57)【要約】【課題】液晶中のイオン性不純物を確実にトラップして表示品質を向上させることが可能な液晶装置の駆動方法、液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００の駆動方法は、イオントラップ用の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３を有し、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の間に生ずる電界の分布が、第１電極１３１から第３電極１３３へと時間的にスクロールされるように、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに対して、同じ周波数であって、１周期に相当する時間内で互いに位相がずれた交流信号を印加する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、
前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、
前記第１基板又は前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、
前記第１基板又は前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２電位が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３電位が供給される第３電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
前記第１電位が正極性又は基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第２電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第２電位が負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第３電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第１電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移し、
前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第３電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移するように、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号を印加することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項２】
前記交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、以下の数式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
ｆ≦２μＶE／ｎｐ2
μは液晶層中のイオン性不純物の移動度（ｍ2／Ｖ・ｓ）、ＶEは交流信号の実効電圧（Ｖ）、ｎは交流信号が与えられる電極の数、ｐは交流信号が与えられる電極の配置ピッチ（ｍ）である。
【請求項３】
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ波形の前記交流信号を印加することを特徴とする請求項1又は２に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項４】
前記交流信号は、３値以上の電位を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項５】
前記交流信号が矩形波であることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項６】
対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、
前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、
前記第１基板又は前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、
前記第１基板又は前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２電位が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３電位が供給される第３電極と、を備え、
前記第１電位が正極性又は基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第２電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第２電位が負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第３電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第１電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移し、
前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第３電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移するように、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号が印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
前記交流信号としての第１交流信号が入力され、前記第１交流信号に対して位相がずれた第２交流信号と、前記第１交流信号及び前記第２交流信号に対して位相がずれた第３交流信号と、が出力される遅延回路をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極は、前記第１基板に前記表示領域を囲んで設けられていることを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記表示領域は、複数の前記画素電極を囲んで設けられた複数のダミー画素電極を有する電子見切り部を含み、
前記電子見切り部と前記第１電極との間隔は、前記第１電極と前記第２電極との間隔よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記対向電極は前記第２基板に設けられ、平面視で前記対向電極の外縁が前記第１電極と前記表示領域との間に位置していることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記第１基板に、前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極が設けられ、
前記対向電極は、前記第２基板において、平面視で前記表示領域を含み、前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極と対向する領域まで設けられ、前記基準電位が与えられることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記画素電極、前記対向電極、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれは、無機配向膜で覆われていることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記画素電極は光反射性を有する導電膜により形成され、
前記対向電極は透光性を有する導電膜により形成され、
前記画素電極と前記無機配向膜との間に無機絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶装置。
【請求項１４】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置の駆動方法を用いて駆動される液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項６乃至１３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の駆動方法、液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルを備えている。このような液晶装置に光が入射すると、液晶パネルを構成する液晶材料や配向膜などと入射光とが光化学反応を起こし、反応生成物としてイオン性不純物が発生することがある。また、液晶パネルの製造過程で、シール材や封止材などから液晶層に拡散するイオン性不純物もあることが知られている。特に、投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が直視型の液晶装置に比べて高くなるので、イオン性不純物が表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。
【０００３】
イオン性不純物の表示に対する影響を抑制する手段として、例えば、特許文献１には、液晶層を挟持する一対の基板のうち少なくとも一方の基板において、画素領域の周辺領域に、隣接する複数の電極からなる周辺電極を有し、周辺電極の隣り合う電極間で印加する駆動電圧の電圧値が異なる液晶表示装置の駆動方法が開示されている。
【０００４】
特許文献１の液晶表示装置の駆動方法によれば、周辺電極の隣り合う電極間に横方向の電界が生じ、液晶の微小な揺らぎによる流れに加えて、イオン性不純物を移動させる力が働いて、画素領域から移動してくるイオン性不純物をすばやく、画素領域外へ移動させることができ、イオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不良を防止できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１の液晶表示装置及びその駆動方法では、周辺電極の隣り合う電極Ａ，Ｂ間に交流電圧を印加して生ずる電気力線の方向は、画素領域に近い電極Ａから電極Ｂへ向う方向と画素領域から遠い電極Ｂから電極Ａに向う方向とになる。イオン性不純物は、正又は負の極性を有していることから、隣り合う電極Ａ，Ｂ間に生じさせた電界でイオン性不純物を引き付けることは可能だが、常に画素領域から外側にイオン性不純物を掃き出させる効果は十分とは言えない。つまり、液晶層中に含まれるイオン性不純物の表示に対する影響を十分に抑制できるとは限らないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例］本適用例に係わる液晶装置の駆動方法は、対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、前記第１基板又は前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、前記第１基板又は前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２電位が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３電位が供給される第３電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、前記第１電位が正極性又は基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第２電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、前記第２電位が負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第３電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、前記第１電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移し、前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第３電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移するように、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号を印加することを特徴とする。
【０００９】
本適用例に係わる液晶装置の駆動方法によれば、第１電位が基準電位から正極性と負極性とに遷移する１周期に相当する時間内において、第１電極、第２電極、第３電極の順に位相がずれた交流信号が第１電極、第２電極、第３電極に印加される。したがって、これらの電極間に生ずる電界（電気力線）の方向が、時間の経過に伴って表示領域に近い第１電極から第２電極へ、そして、第２電極から第３電極に向って変化してゆく。イオン性不純物は、当該電界方向の移動に伴って、まず第１電極に引き寄せられ、続いて第２電極、第３電極に引き寄せられる。つまり、液晶層中のイオン性不純物を表示領域から外側に効果的に掃き寄せることが可能な液晶装置の駆動方法を提供できる。
【００１０】
上記適用例に係わる液晶装置の駆動方法において、前記交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、以下の数式を満たすことが好ましい。
ｆ≦２μＶE／ｎｐ2
μは液晶層中のイオン性不純物の移動度（ｍ2／Ｖ・ｓ）、ＶEは交流信号の実効電圧（Ｖ）、ｎは交流信号が与えられる電極の数、ｐは交流信号が与えられる電極の配置ピッチ（ｍ）である。
交流信号が与えられた電極間を移動するイオン性不純物の移動速度、つまり移動に係わる時間は、イオン性不純物の移動度と電極間における実質的な電位差とに依存し、電極間の距離に反比例する。したがって、イオン性不純物の移動速度に対応して電極間における電界の発生のさせ方を適合させることが好ましい。
この方法によれば、イオン性不純物が電極の配置ピッチに相当する距離を移動する速度（時間）に対して、交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）が同じまたは小さくなるので、液晶層中のイオン性不純物を表示領域から外側に確実に掃き寄せることができる。
【００１１】
上記適用例に係わる液晶装置の駆動方法において、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ波形の前記交流信号を印加することが好ましい。
同じ波形とは、位相が異なるものの、波形が略同一である波形のことである。
この方法によれば、異なる波形の交流信号を発生させる必要がないので、駆動回路の構成を簡略化できる。
【００１２】
上記適用例に係わる液晶装置の駆動方法において、前記交流信号は、３値以上の電位を有するとしてもよい。
この方法によれば、第１電極、第２電極、第３電極のそれぞれに印加される電位を３値以上とすることで電極間において電界を滑らかに移動させることができる。
【００１３】
上記適用例に係わる液晶装置の駆動方法において、前記交流信号が矩形波であることがより好ましい。
この方法によれば、第１電極、第２電極、第３電極の隣り合う電極間に強度が安定した電界を生じさせ、イオン性不純物をより効果的に掃き寄せることができる。また、交流信号の生成が例えば正弦波のようなアナログ信号に比べて容易である。
【００１４】
［適用例］本適用例に係わる液晶装置は、対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、前記第１基板又は前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、前記第１基板又は前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２電位が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３電位が供給される第３電極と、を備え、前記第１電位が正極性又は基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第２電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、前記第２電位が負極性に遷移してから、前記基準電位又は正極性に遷移する前に、前記第３電位が正極性又は前記基準電位から負極性に遷移し、前記第１電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移し、前記第２電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位又は負極性に遷移する前に、前記第３電位が負極性又は前記基準電位から正極性に遷移するように、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号が印加されることを特徴とする。
【００１５】
本適用例に係わる液晶装置によれば、第１電位が基準電位から正極性と負極性とに遷移する１周期に相当する時間内において、第１電極、第２電極、第３電極の順に位相がずれた交流信号が第１電極、第２電極、第３電極に印加される。したがって、これらの電極間に生ずる電界（電気力線）の方向が、時間の経過に伴って表示領域に近い第１電極から第２電極へ、そして、第２電極から第３電極に向って移動してゆく。イオン性不純物は、当該電界方向の移動に伴って、まず第１電極に引き寄せられ、続いて第２電極、第３電極に引き寄せられる。つまり、液晶層中のイオン性不純物を表示領域から外側に効果的に掃き寄せることが可能な液晶装置を提供できる。
【００１６】
上記適用例に係わる液晶装置において、前記交流信号としての第１交流信号が入力され、前記第１交流信号に対して位相がずれた第２交流信号と、前記第１交流信号及び前記第２交流信号に対して位相がずれた第３交流信号と、が出力される遅延回路をさらに備えるとしてもよい。
この構成によれば、位相が互いに異なる第１交流信号、第２交流信号、第３交流信号のすべてを外部から入力せずに、第１交流信号だけを遅延回路に入力すればよいので、外部駆動回路の構成が複雑にならずに済む。
【００１７】
上記適用例に係わる液晶装置において、前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極は、前記第１基板に前記表示領域を囲んで設けられていることが好ましい。
この構成によれば、表示領域におけるイオン性不純物の偏在傾向によらずイオン性不純物を表示領域から外側に掃き寄せることができる。
【００１８】
上記適用例に係わる液晶装置において、前記表示領域は、複数の前記画素電極を囲んで設けられた複数のダミー画素電極を有する電子見切り部を含み、前記電子見切り部と前記第１電極との間隔は、前記第１電極と前記第２電極との間隔よりも大きいことが好ましい。
この構成によれば、イオン性不純物の掃き寄せに係わる第１電極と電子見切り部との間に生ずる横電界の影響を小さくすることができる。
【００１９】
上記適用例に係わる液晶装置において、前記対向電極は前記第２基板に設けられ、平面視で前記対向電極の外縁が前記第１電極と前記表示領域との間に位置していることが好ましい。
この構成によれば、第１電極、第２電極及び第３電極のそれぞれと対向電極とは液晶層を介して対向しておらず、第１電極、第２電極及び第３電極のそれぞれと対向電極との間に電界が生じ難くなる。つまり、第１電極、第２電極及び第３電極の隣り合う電極間に生ずる電界によって効果的にイオン性不純物を表示領域の外側に掃き寄せることができる。
【００２０】
上記適用例に係わる液晶装置において、前記第１基板に、前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極が設けられ、前記対向電極は、前記第２基板において、平面視で前記表示領域を含み、前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極と対向する領域まで設けられ、前記基準電位が与えられるとしてもよい。
この構成によれば、対向電極が前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極と対向しないように、対向電極をパターニングする必要がないので、対向電極に繋がる配線などの構成を簡略化できる。
【００２１】
上記適用例に係わる液晶装置において、前記画素電極、前記対向電極、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれは、無機配向膜で覆われていることを特徴とする。
この構成によれば、イオン性不純物を吸着し易い無機配向膜を採用しても、イオン性不純物が表示に与える影響が抑制された液晶装置を提供できる。
【００２２】
上記適用例に係わる液晶装置において、前記画素電極は光反射性を有する導電膜により形成され、前記対向電極は透光性を有する導電膜により形成され、前記画素電極と前記無機配向膜との間に無機絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１電極、第２電極及び第３電極のそれぞれに直流信号を印加する場合に比べて、交流信号は画素電極と無機配向膜との間に無機絶縁膜が形成されていても電位の低下が生じないので、イオン性不純物を表示領域の外側に掃き寄せることが可能な反射型の液晶装置を提供できる。また、画素電極と無機配向膜との間に無機絶縁膜が形成されることで、画素電極と対向電極との仕事関数が異なることに起因する基準電位の変動を抑えることができる。つまり、優れた表示品質を有する反射型の液晶装置を提供できる。
【００２３】
［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例の液晶装置の駆動方法を用いて駆動される液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２４】
［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
これらの適用例によれば、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。
【図２】第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図。
【図４】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図。
【図５】（ａ）は表示に寄与する画素及びダミー画素の配置を示す概略平面図、（ｂ）は電子見切り部及びイオントラップ機構の配線図。
【図６】図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの構造を示す概略断面図。
【図７】イオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極に与えられる交流信号の一例である矩形波の交流信号を示すタイミングチャート。
【図８】イオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極に与えられる交流信号の一例である矩形波の交流信号を示すタイミングチャート。
【図９】イオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極に与えられる交流信号の一例である正弦波の交流信号を示すタイミングチャート。
【図１０】液晶層中におけるイオン性不純物の移動度と温度との関係を示すグラフ。
【図１１】遅延回路の構成を示す回路図。
【図１２】第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図１３】第３実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図１４】第４実施形態の投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１５】第５実施形態の投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１６】変形例１の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図１７】変形例２の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。
【００２７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２８】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２９】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。図２は第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００３０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０が本発明の第１基板に相当し、対向基板２０が本発明の第２基板に相当するものである。
【００３１】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して間隔を置いて貼り合わされ、その間隔に正又は負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３２】
シール材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３３】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３４】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３５】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００３６】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、表示領域Ｅに亘って設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。共通電極２３は本発明における対向電極に相当するものである。
【００３７】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３８】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３９】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の下方側の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４０】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４１】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００４２】
次に図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４３】
走査線３ａ、データ線６ａ及び容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４４】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００４５】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００４６】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４７】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。
【００４８】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４９】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では図示を省略している。
【００５０】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００５１】
次に、本実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）における画素Ｐの構造について説明する。図３は、第１実施形態の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。
図３に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００５２】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造が形成されている。
【００５３】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００５４】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００５５】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の導電材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるソース電極３１及びデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｂ）が形成される。
【００５６】
次に、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical  Mechanical  Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００５７】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００５８】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａも、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００５９】
第２層間絶縁膜１３ａの第２中継電極７ｂと重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ａを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第３中継電極１６ｄとが形成される。
【００６０】
第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。また、第３中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。
【００６１】
絶縁膜１３ｂと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第３中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂはエッチング等により除かれる。誘電体層１６ｂを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第３中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｃが形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとにより蓄積容量１６が構成される。
【００６２】
次に、第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを覆う第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極１６ｃが第３中継電極１６ｄと接するように第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
【００６３】
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃ及び第３中継電極１６ｄと電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
【００６４】
第２容量電極１６ｃは第３中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ４、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００６５】
第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとして機能している。第１容量電極１６ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。
【００６６】
このように素子基板１０の基材１０ｓ上には、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線は走査線３ａである。配線層１２の代表的な配線はデータ線６ａである。第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、誘電体層１６ｂを括って配線層１３と呼び、代表的な配線は配線７ａである。同じく、配線層１４の代表的な配線は、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）である。
【００６７】
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させたカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical  Alignment）する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００６８】
図４は無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図である。カラム１８ａ，２４ａを形成するところの無機材料の斜め蒸着方向は、図４に示すように、例えば素子基板１０側では、破線の矢印で示したように右上から左下に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように左下から右上に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の角度θａは例えば４５度である。なお、図４に示した斜め蒸着方向は、液晶装置１００を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００６９】
液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が生じ、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に図４に示した破線あるいは実線の矢印で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。仮に液晶層５０に極性が正又は負のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って表示領域Ｅの角部に向かって移動し偏在するおそれがある。イオン性不純物の偏在により角部に位置する画素Ｐにおいて液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、当該画素Ｐにおいて駆動電位の低下を招き、図４に示すような表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜がイオン性不純物を吸着し易いので、有機配向膜に比べて表示ムラや焼き付き現象が目立ち易い。
【００７０】
本実施形態の液晶装置１００では、図４に示すような表示ムラや焼き付き現象を改善するため、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、表示領域Ｅからイオン性不純物を掃き出させるイオントラップ機構を設けている。以降、本実施形態におけるイオントラップ機構について、図５及び図６を参照して説明する。
【００７１】
図５（ａ）は表示に寄与する画素及びダミー画素の配置を示す概略平面図、図５（ｂ）は電子見切り部及びイオントラップ機構の配線図、図６は図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの構造を示す概略断面図である。
【００７２】
図５（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００の表示領域Ｅは、表示に寄与する画素Ｐが配置された実表示領域Ｅ１と、実表示領域Ｅ１を取り囲んで配置された複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２とを含んでいる。額縁状にシール材４０が配置された領域とダミー画素領域Ｅ２との間に、前述した遮光性を有する見切り部２１が設けられており、見切り部２１が設けられた領域が液晶装置１００のＯＮ・ＯＦＦに依存しない見切り領域Ｅ３となっている。
【００７３】
ダミー画素領域Ｅ２には、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつ、Ｙ方向において実表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつのダミー画素ＤＰが配置されている。なお、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数はこれに限定されるものではなく、Ｘ方向、Ｙ方向のそれぞれにおいて、実表示領域Ｅ１を挟んで少なくとも１個ずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。また、３個ずつ以上でもよく、Ｘ方向とＹ方向とにおける配置数が異なっていてもよい。本実施形態では、ダミー画素ＤＰを電子見切り部として機能させるので、複数のダミー画素ＤＰに符号１２０を与えて、電子見切り部１２０と呼ぶこともある。
【００７４】
図５（ｂ）に示すように、実表示領域Ｅ１の縁に沿って実表示領域Ｅ１を囲むように配置された複数のダミー画素ＤＰのそれぞれは、ダミー画素電極１２２を有している。ダミー画素電極１２２を有する複数のダミー画素ＤＰをさらに取り囲むように配置された複数のダミー画素ＤＰのそれぞれは、ダミー画素電極１２１を有している。Ｘ方向に沿って配列された複数のダミー画素電極１２１と複数のダミー画素電極１２２とは、Ｙ方向に隣り合って配置され、Ｙ方向に沿って配列された複数のダミー画素電極１２１と複数のダミー画素電極１２２とは、Ｘ方向に隣り合って配置されている。つまり、電子見切り部１２０は、Ｘ方向とＹ方向とにそれぞれ配列された複数のダミー画素電極１２１，１２２を有している。
【００７５】
本実施形態のイオントラップ機構１３０は、電子見切り部１２０を囲むように設けられた第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３を有している。第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の形状は、それぞれ平面視で四角形の枠状をなしており、第１電極１３１が電子見切り部１２０に最も近い位置に配置され、第３電極１３３が電子見切り部１２０から最も遠い位置に配置され、第２電極１３２は第１電極１３１と第３電極１３３との間に配置されている。
【００７６】
平面視で四角形をなす第１電極１３１のＸ方向に延在する下側の辺部の両端側に、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３５の一方の端が電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３５の他方の端は、素子基板１０において外部接続端子１０４に接続されている。一対の引き回し配線１３５が接続された外部接続端子１０４を他の外部接続端子１０４と区別するため、外部接続端子１０４（Ｉｔ１）と表すこととする。
【００７７】
同様に、平面視で四角形をなす第２電極１３２のＸ方向に延在する下側の辺部の両端側に、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３６の一方の端が電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３６の他方の端は、素子基板１０において外部接続端子１０４に接続されている。一対の引き回し配線１３６が接続された外部接続端子１０４を他の外部接続端子１０４と区別するため、外部接続端子１０４（Ｉｔ２）と表すこととする。
【００７８】
同じく、平面視で四角形をなす第３電極１３３のＸ方向に延在する下側の辺部の両端側に、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３７の一方の端が電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３７の他方の端は、素子基板１０において外部接続端子１０４に接続されている。一対の引き回し配線１３７が接続された外部接続端子１０４を他の外部接続端子１０４と区別するため、外部接続端子１０４（Ｉｔ３）と表すこととする。
【００７９】
イオントラップ機構１３０は、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３、及び外部接続端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）から供給される電位を第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに伝達する引き回し配線１３５，１３６，１３７を含むものである。
【００８０】
共通電極２３は、実表示領域Ｅ１を含み、電子見切り部１２０の複数のダミー画素電極１２１，１２２と平面視で重なるように設けられている。つまり、共通電極２３は表示領域Ｅに亘って設けられており、イオントラップ機構１３０の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３とは、平面視で重なっていない。
複数の外部接続端子１０４の両端側に上下導通部１０６が設けられている。上下導通部１０６と前記両端側の外部接続端子１０４とは、引き回し配線１０７を介して電気的に接続されている。また、共通電極２３には、上下導通部１０６に接続される引き出し配線２３ａが設けられている。前記両端側の外部接続端子１０４には共通電位（ＬＣＣＯＭ）が与えられる。したがって、共通電極２３に電気的に接続された外部接続端子１０４を外部接続端子１０４（ＬＣＣＯＭ）と表すこととする。すなわち、共通電極２３には共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される。
【００８１】
なお、本実施形態では、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に与えられる電位が、素子基板１０上の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の位置によってばらつくことを抑制するために、それぞれ２つの外部接続端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）から電位を供給する構成としたが、これに限定されるものではない。外部接続端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）はそれぞれ１つでもよいし、３つ以上であってもよい。
【００８２】
また、第１電極１３１は、平面視で電気的に閉じられた四角形の電極であることに限定されない。一方の端に引き回し配線１３５が接続され、他方の端が開放された状態（オープン）であってもよい。第２電極１３２、第３電極１３３も同様に、一方の端に引き回し配線が接続され、他方の端が開放された状態（オープン）であってもよい。
【００８３】
また、本実施形態では、図４に示したように、表示領域Ｅの角部に偏在するイオン性不純物をイオントラップ機構１３０によって表示領域Ｅの外側に掃き寄せている。それゆえに、詳しくは後述するが、イオントラップ機構１３０と重ならないように共通電極２３を配置している。したがって、共通電極２３の引き出し配線２３ａと、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３とが平面視で重なる位置、すなわち、共通電極２３における引き出し配線２３ａの引き出し位置は、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の角部と重ならない位置が好ましい。
【００８４】
図６に示すように、液晶装置１００の素子基板１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層１１〜配線層１４を有している。画素Ｐの画素電極１５、ダミー画素ＤＰ（電子見切り部１２０）のダミー画素電極１２１，１２２、及びイオントラップ機構１３０の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、それぞれ第３層間絶縁膜１４上に形成されている。ダミー画素電極１２１，１２２、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、画素電極１５を形成する工程で、画素電極１５と同じ透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）を用いて形成されている。ダミー画素電極１２１，１２２の平面的な形状及び大きさや配置ピッチは、画素電極１５と同じである。
【００８５】
第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、Ｘ方向に等間隔で配置されている。なお、図６には現していないが、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、Ｙ方向においても等間隔で配置されている。第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、下層の配線層に設けられた配線と接続されて、それぞれ外部接続端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）に導かれている。第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の電極部分の幅は、例えば４μｍであり、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の配置ピッチは例えば８μｍである。つまり、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔、及び第２電極１３２と第３電極１３３との間隔は４μｍである。
【００８６】
また、Ｘ方向において第１電極１３１と隣り合うダミー画素電極１２１との間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２とのＸ方向の間隔よりも大きい。なお、図６には現していないが、Ｙ方向において第１電極１３１と隣り合うダミー画素電極１２１との間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２とのＹ方向の間隔よりも大きい。第１電極１３１とダミー画素電極１２１とのＸ方向及びＹ方向の間隔は例えば１０μｍ以上である。
【００８７】
ダミー画素電極１２１，１２２のそれぞれは、下層に設けられたＴＦＴ３０に電気的に接続されている。液晶装置１００がノーマリーブラックモードの場合、実表示領域Ｅ１の画素Ｐの表示状態に関わらず、常に電子見切り部１２０を「ブラックモード（黒表示）」とするため、ＴＦＴ３０を介して複数のダミー画素電極１２１，１２２に、例えばダミー画素ＤＰの透過率が変化しない程度の交流電位が印加される。
【００８８】
図３及び図４を用いて説明したように、液晶装置１００の駆動中（表示期間中）は、液晶分子ＬＣの挙動によるフロー（流れ）に沿って正極性（＋）又は負極性（−）のイオン性不純物が実表示領域Ｅ１の角部からダミー画素領域Ｅ２へと移動してくる。
【００８９】
一方、イオントラップ機構１３０の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３には、隣り合う電極間に生ずる電界（電気力線）の方向が電子見切り部１２０（あるいは表示領域Ｅ）に近い第１電極１３１から第３電極１３３の方向に移動するように交流信号が与えられる。交流信号は、共通電極２３に与えられる共通電位（ＬＣＣＯＭ）を基準電位として、高電位と低電位とに遷移する信号である。正極性（＋）又は負極性（−）のイオン性不純物は、上記電界方向の第１電極１３１から第３電極１３３への移動に伴ってダミー画素領域Ｅ２から見切り領域Ｅ３に掃き寄せられる。
【００９０】
本実施形態の対向基板２０において、液晶層５０を介して第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに対向する部分には共通電極２３が設けられていない。したがって、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれと共通電極２３との間で電界が生じ難い。つまり、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれと共通電極２３との間で生じる電界によってイオン性不純物の移動が妨げられることなく、イオン性不純物が見切り領域Ｅ３へ掃き寄せられる。
【００９１】
＜液晶装置１００の駆動方法＞
次に、外部接続端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）を介して第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに印加される具体的な交流信号の例を挙げて液晶装置１００の駆動方法について図７及び図８を参照して説明する。図７及び図８はイオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極に与えられる交流信号の一例を示すタイミングチャートである。図７及び図８は矩形波の交流信号の例を示すものである。
【００９２】
本実施形態の液晶装置１００の駆動方法は、例えば図７に示すように、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに矩形波の交流信号を印加する。具体的には、第１電極１３１の第１電位が正極性（＋）又は基準電位から負極性（−）に遷移してから、基準電位又は正極性（＋）に遷移する前に、第２電極１３２の第２電位が正極性（＋）又は基準電位から負極性（−）に遷移し、第２電位が負極性（−）に遷移してから、基準電位又は正極性（＋）に遷移する前に、第３電極１３３の第３電位が正極性（＋）又は基準電位から負極性（−）に遷移する。また、第１電極１３１の第１電位が負極性（−）又は基準電位から正極性（＋）に遷移してから、基準電位又は負極性（−）に遷移する前に、第２電極１３２の第２電位が負極性（−）又は基準電位から正極性（＋）に遷移し、第２電位が負極性（−）又は基準電位から正極性（＋）に遷移してから、基準電位又は負極性（−）に遷移する前に、第３電極１３３の第３電位が負極性（−）又は基準電位から正極性（＋）に遷移するように、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに同じ周波数の交流信号を印加する。
【００９３】
第１電極１３１に与えられた交流信号に対して、第２電極１３２に与えられた交流信号は、時間軸ｔにおいてΔｔ時間だけ遅れている。同様に、第２電極１３２に与えられた交流信号に対して、第３電極１３３に与えられた交流信号は、時間軸ｔにおいてΔｔ時間だけ遅れている。例えば、Δｔ時間を１／３周期とすれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに与えられた交流信号は、互いに１／３周期だけ位相がずれることとなる。言い換えれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれの電位が互いに位相がずれた状態となる最大の位相のずれ量Δｔは、交流信号の１周期を電極の数ｎで除した値となる。
なお、図７に示した矩形波の交流信号は、基準電位を０Ｖとして、高電位（５Ｖ）と低電位（−５Ｖ）とに遷移するものであるが、基準電位、高電位、低電位の設定は、これに限定されるものではない。
【００９４】
図７のタイミングチャートの時間ｔ0から時間ｔ1において、第１電極１３１の第１電位が５Ｖの正極性（＋）のときには、第１電極１３１に隣り合う第２電極１３２の第２電位は、−５Ｖの負極性となる。したがって、第１電極１３１と第２電極１３２との間には、図６に示すように、第１電極１３１から第２電極１３２に向う電界（実線で示した電気力線）が生ずる。
また、時間ｔ1から時間ｔ2において、第２電極１３２の第２電位が５Ｖの正極性（＋）のときには、第２電極１３２に隣り合う第３電極１３３の第３電位が−５Ｖの負極性（−）となる。したがって、第２電極１３２と第３電極１３３との間には、図６に示すように、第２電極１３２から第３電極１３３に向う電界が生ずる。
また、時間ｔ2から時間ｔ3において、第３電極１３３の第３電位が５Ｖの正極性（＋）のときには、第３電極１３３に隣り合う第２電極１３２の第２電位が５Ｖの正極性（＋）から−５の負極性（−）に遷移する。したがって、第２電極１３２と第３電極１３３との間には、一定の方向に電界が生じ難い。つまり、時間ｔ0から時間ｔ3の交流信号における１周期に相当する時間内において、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の電極間における電界の分布が、第１電極１３１から第３電極１３３へ時間的にスクロールされる。このような交流信号による電界の発生のさせ方を「電界のスクロール」と呼ぶこととする。
【００９５】
イオン性不純物は、正極性（＋）を有するものと、負極性（−）を有するものとが存在する可能性がある。したがって、第１電極１３１の第１電位の極性に対応して正極性（＋）又は負極性（−）のイオン性不純物が第１電極１３１に引き寄せられることになる。第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物をそのまま滞留させておくと、次第にイオン性不純物が蓄積されて、電子見切り部１２０や実表示領域Ｅ１の表示に影響を及ぼすおそれがあるので、第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物を逐次、第２電極１３２や第３電極１３３に移動させることが好ましい。
【００９６】
本実施形態では、上述したように、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に互いに位相がずれた交流信号を印加することで、電極間に生ずる電界の分布を第１電極１３１から第３電極１３３へスクロールさせている。これによって、第１電極１３１に引き寄せられた正極性（＋）又は負極性（−）のイオン性不純物を第３電極１３３へ移動させることができる。それゆえに、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３を総称してイオントラップ電極１３１，１３２，１３３と呼ぶこともある。
【００９７】
電界のスクロールに伴って確実にイオン性不純物を第３電極１３３に掃き寄せるためには、イオン性不純物の移動速度を考慮して交流信号の周波数を決める必要がある。イオン性不純物の移動速度よりも電界のスクロールの速度が速いと、イオン性不純物が電界のスクロールに付いて行けずに、イオン性不純物を掃き寄せる効果が低下するおそれがある。
【００９８】
発明者は、イオントラップ機構１３０における好ましい交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）を以下のように導き出した。
イオン性不純物の液晶層中の移動速度ｖ（ｍ／ｓ）は、数式（１）に示すように、隣り合うイオントラップ電極間の電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）と、イオン性不純物の移動度μ（ｍ2／Ｖ・ｓ）との積で与えられる。
つまり、ｖ＝ｅ・μ・・・（１）である。
電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）は、数式（２）で示すように、隣り合うイオントラップ電極間の電位差Ｖｎをイオントラップ電極の配置ピッチｐ（ｍ）で除した値となる。
つまり、ｅ＝Ｖｎ／ｐ・・・（２）である。
隣り合うイオントラップ電極間の電位差Ｖｎは、交流信号における実効電圧ＶEの２倍に相当することから、次の数式（３）が導かれる。
つまり、ｅ＝２ＶE／ｐ・・・（３）となる。なお、図７に示すように、矩形波の交流信号における実効電圧ＶEは、矩形波の基準電位に対する電位に相当し、本実施形態では５Ｖである。
数式（３）を数式（１）に当てはめることにより、イオン性不純物の移動速度ｖ（ｍ／ｓ）は、数式（４）となる。
つまり、ｖ＝２μＶE／ｐ・・・（４）である。
隣り合うイオントラップ電極間をイオン性不純物が移動する時間ｔｄは、数式（５）に示すように、隣り合うイオントラップ電極の配置ピッチｐをイオン性不純物の移動速度ｖで除した値となる。
つまり、ｔｄ＝ｐ／ｖ＝ｐ2／２μＶE・・・（５）である。
したがって、好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は、隣り合うイオントラップ電極間をイオン性不純物が移動する時間ｔｄに合わせて電界をスクロールすることで求められる。電界のスクロール時間は交流信号の位相差Δｔに相当するので、前述したようにΔｔを１／ｎ周期とすると、好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は次の数式（６）によって導かれる。ｎはイオントラップ電極の数である。
すなわち、ｆ＝１／ｎ／ｔｄ＝２μＶE／ｎｐ2・・・（６）となる。
【００９９】
前述したように、隣り合うイオントラップ電極に印加される交流信号の位相差Δｔを１／３周期とすると、イオントラップ機構１３０における隣り合うイオントラップ電極間の電位差Ｖｎは、０Ｖを基準電位として５Ｖと−５Ｖとに遷移する矩形波の交流信号の場合、１０Ｖとなる。また、イオントラップ機構１３０におけるイオントラップ電極の配置ピッチｐを８μｍとし、イオン性不純物の移動度μを２．２×１０-10（ｍ2／Ｖ・ｓ）すると、好ましい周波数ｆは、数式（６）によれば、およそ１２Ｈｚとなる。
なお、イオン性不純物の移動度μの値は、例えば、A.Sawada,A.Manabe  and  S.Naemura，“  A  Comparative  Study  on  the  Attributes  of  Ions  in  Nematic  and  Isotropic  Phases”,Jpn.J.Appl  Phys  Vol.40,ｐ220−ｐ224（2001）に記載されている。
【０１００】
交流信号の周波数ｆを１２Ｈｚよりも大きくすると電界のスクロールにイオン性不純物が付いて行けなくなるので、周波数ｆは１２Ｈｚと同じか１２Ｈｚよりも小さいことが好ましい。また、周波数ｆをあまりに小さくするとイオントラップ電極間に直流が印加される状態となって、例えば液晶の分解や、焼き付き、シミなどの表示不良が起るなど好ましくない。イオントラップ電極１３１，１３２，１３３の配置ピッチを８μｍよりも小さくすると、好ましい周波数ｆを大きくすることができる。その上で、イオン性不純物を表示領域Ｅからより遠くに掃き寄せるには、イオントラップ電極の数を３本からさらに増やすことが好ましい。
【０１０１】
また、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３の幅をＬ、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３の隙間をＳとするとき、幅Ｌは隙間Ｓと同じ又は隙間Ｓよりも小さいことが好ましい。幅Ｌを隙間Ｓよりも大きくすると、イオン性不純物が電界の移動が生ずるイオントラップ電極間を移動する時間よりも、電界の移動が生じ難いイオントラップ電極上で移動する時間のほうが大きくなるため、イオン性不純物の掃き寄せ効果が低下するおそれがあるからである。
【０１０２】
イオントラップ電極１３１，１３２，１３３に印加する交流信号は、図７に示した矩形波の交流信号に限定されない。例えば、図８に示すような矩形波としてもよい。
【０１０３】
図７の矩形波の交流信号は、電位が正極性（＋）である時間と負極性（−）である時間が同じであるが、例えば、図８に示すように、電位が正極性（＋）である時間ｔ4よりも電位が負極性（−）である時間ｔ5の方が長い設定の交流信号としてもよい。液晶装置１００の製造工程によれば、液晶層５０に正極性（＋）及び負極性（−）のイオン性不純物が含まれるおそれがあり、正極性（＋）のイオン性不純物のほうが負極性（−）のイオン性不純物に比べて、表示品位を低下させることが知られている。したがって、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３のそれぞれに電位が負極性（−）である時間ｔ5が長い設定の交流信号を印加することで、正極性（＋）のイオン性不純物を効果的に掃き寄せることが可能となる。
【０１０４】
また、矩形波の交流信号は、図７及び図８に示したように、例えば０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖの２値の電位間で振幅させてもよいが、異なる３値以上の電位を遷移するように波形を設定してもよい。これによれば、イオントラップ機構１３０の第１電極１３１から第２電極１３２を経て第３電極１３３へ円滑にイオン性不純物を移動させることが可能である。また、図７及び図８に示した矩形波の交流信号だけでなく、三角波の交流信号も採用することができる。また、図９に示すように、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３のそれぞれに印加される交流信号を１周期の時間内において互いに位相が異なる正弦波としてもよい。なお、正弦波のようなアナログ信号を生成するアナログ回路に比べて、矩形波を生成するデジタル回路の方が回路構成を簡略化できる。
【０１０５】
また、同じ周波数の交流信号であれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に印加される交流信号の振幅の大きさ、つまり基準電位に対して正極性の最大電位と、負極性の最大電位とを必ずしも同じにしなくてもよい。例えば、第１電極１３１には、前述したように、０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖとの間で振幅する交流信号を与える。これに対して、第２電極１３２には、０Ｖを基準電位として、７．５Ｖと−７．５Ｖとの間で振幅する交流信号を与え、第３電極１３３には、０Ｖを基準電位として、１０Ｖと−１０Ｖとの間で振幅する交流信号を与える。このように３つのイオントラップ電極１３１，１３２，１３３に印加される交流信号の振幅の大きさを表示領域Ｅからイオントラップ電極１３１，１３２，１３３が遠ざかるほど大きくすることで、イオン性不純物を効果的に掃き寄せることが可能である。
【０１０６】
また、画素Ｐを駆動することによって前述したように液晶層５０中に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生じ、イオン性不純物は、このフロー（流れ）によって表示領域Ｅを移動する。フロー（流れ）の速度は画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数に依存すると考えられる。このフロー（流れ）によって移動するイオン性不純物を表示領域Ｅからイオントラップ電極１３１，１３２，１３３に確実に引き寄せるには、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３間に生ずる電界の移動をゆっくりとしたほうがよい。つまり、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３に印加される交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数よりも小さいことが好ましい。
【０１０７】
一方、イオン性不純物の移動度μ（移動速度ｖ）は温度に依存する。それゆえに、液晶装置１００が実際に駆動されるときの温度が常温よりも高ければ、周波数ｆを１２Ｈｚよりも大きく設定してもイオン性不純物を掃き寄せる効果が得られる。
図１０はイオン性不純物の移動度μと温度との関係を示すグラフである。なお、図１０のグラフは、前述した、A.Sawada,A.Manabe  and  S.Naemura，“  A  Comparative  Study  on  the  Attributes  of  Ions  in  Nematic  and  Isotropic  Phases”,Jpn.J.Appl  Phys  Vol.40,ｐ220−ｐ224（2001）に記載されたイオン性不純物の移動度μの値を参照して得られたものである。
図１０に示すように、温度が２５℃のときのイオン性不純物の移動度μの値は、およそ２．２×１０-10（ｍ2／Ｖ・ｓ）であり、ｌｏｇμの値は、−９．６となる。これに対して、温度が６０℃のときのイオン性不純物の移動度μの値は、およそ２．２×１０-9（ｍ2／Ｖ・ｓ）であり、ｌｏｇμの値は−８．７となる。つまり、２５℃に対して６０℃のイオン性不純物の移動度μはおよそ１０倍になる。６０℃の温度に着目するのは、液晶装置１００を後述する投射型表示装置のライトバルブとして使用するときの温度を考慮したものである。
【０１０８】
前述した数式（６）に、ｎ＝３、ＶE＝５Ｖ、ｐ＝８μｍ、温度が６０℃のμ＝２．２×１０-9（ｍ2／Ｖ・ｓ）を当てはめると、最適な周波数ｆは、およそ１１３Ｈｚとなる。この状態では、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３に印加される交流信号の最適な周波数ｆが、本実施形態の駆動周波数である６０Ｈｚよりも大きくなるがイオン性不純物の掃き寄せ効果を得ることができると考えられる。言い換えれば、駆動周波数を交流信号の最適周波数ｆよりも大きな例えば１２０Ｈｚとすれば、より効果的にイオン性不純物を掃き寄せられると考えられる。
【０１０９】
次に、交流信号の印加の方法（手段）について、説明する。本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、外部から３つの外部接続端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）を介してイオントラップ機構１３０の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに周波数が同じで位相がずれた交流信号を印加したが、周波数が同じで位相がずれた交流信号を印加する方法（手段）は、これに限定されない。
【０１１０】
図１１は遅延回路の構成を示す回路図である。図１１に示すように、液晶装置１００は、引き回し配線１３５と引き回し配線１３６との間に設けられた遅延素子１５１と、引き回し配線１３６と引き回し配線１３７との間に設けられた遅延素子１５１とを含む遅延回路１５０を備える構成としてもよい。遅延素子１５１は、例えば容量素子（Ｃ）とインダクタ素子（Ｌ）とを含む回路構成や、抵抗（Ｒ）と容量素子（Ｃ）とを含む回路構成が挙げられる。このような遅延回路１５０によれば、外部接続端子１０４（Ｉｔ１）に第１交流信号を供給することにより、引き回し配線１３５を経由して第１電極１３１に第１交流信号が印加される。また、第１交流信号が遅延素子１５１を経由して引き回し配線１３６に伝わることにより、第１交流信号の位相がずれた第２交流信号が引き回し配線１３６を経由して第２電極１３２に印加される。また、第２交流信号が遅延素子１５１を経由して引き回し配線１３７に伝わることにより、第２交流信号の位相がずれた第３交流信号が引き回し配線１３７を経由して第３電極１３３に印加される。
ゆえに、第１交流信号だけを外部回路で生成して、外部接続端子１０４（Ｉｔ１）に供給すればよいので、装置全体の回路構成を簡略化できる。
【０１１１】
上記第１実施形態の液晶装置１００及びその駆動方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）電子見切り部１２０とシール材４０との間に、イオントラップ機構１３０が設けられ、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれには、同じ周波数であって、１周期に相当する時間内で互いに位相がずれた交流信号が印加される。これにより、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３の間に生ずる電界の分布が第１電極１３１から第３電極１３３へスクロールされ、当該電界のスクロールによって液晶層５０中のイオン性不純物が表示領域Ｅからイオントラップ電極１３１，１３２，１３３が配置された見切り領域Ｅ３へ掃き寄せられる。
（２）イオントラップ電極１３１，１３２，１３３のそれぞれに印加される交流信号の周波数ｆは、上記数式（６）によって導かれ、常温の場合、画素Ｐにおける画像信号（駆動信号）の周波数（例えば６０Ｈｚ）より低い１２Ｈｚ以下に設定される。また、液晶層５０中のイオン性不純物の移動速度ｖと実際に使用されるときの温度６０℃とを考慮した場合、およそ１１３Ｈｚ以下に設定される。したがって、イオン性不純物を確実に見切り領域Ｅ３へ掃き寄せることができる。
（３）イオントラップ機構１３０の第１電極１３１と電子見切り部１２０のダミー画素電極１２１との間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔よりも大きい。したがって、第１電極１３１とダミー画素電極１２１との間に生ずる電界でイオン性不純物の移動が阻害され難く、第１電極１３１から第２電極１３２にイオン性不純物を円滑に移動させることができる。
（４）液晶層５０を介してイオントラップ電極１３１，１３２，１３３に対応する部分には共通電極２３が設けられていない。したがって、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３と共通電極２３との間に電界が生じ難いので、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３の間に生ずる電界のスクロールによって、イオン性不純物を見切り領域Ｅ３に確実に掃き寄せることができる。
（５）見切り領域Ｅ３には遮光性の見切り部２１が設けられているので、見切り領域Ｅ３にイオン性不純物が掃き寄せられ蓄積して、見切り領域Ｅ３の液晶層５０の光学特性が変化したとしても、電子見切り部１２０を含む表示領域Ｅの表示に影響を及ぼさない。
【０１１２】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図１２を参照して説明する。図１２は第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図である。なお、図１２は第１実施形態における図６に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００に対して、第２実施形態の液晶装置は対向基板２０における共通電極２３の配置が異なっている。第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【０１１３】
図１２に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、シール材４０を介して貼り合わされた素子基板２１０と対向基板２２０との隙間に挟持された液晶層５０を有している。
素子基板２１０の第３層間絶縁膜１４上に画素電極１５、ダミー画素電極１２１，１２２、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３がそれぞれ配置されている。
対向基板２２０において、共通電極２３は、表示領域Ｅと見切り領域Ｅ３とに亘って形成されている。つまり、見切り領域Ｅ３では、液晶層５０を挟んでイオントラップ電極１３１，１３２，１３３と共通電極２３とが対向配置されている。
【０１１４】
第１実施形態と同様に、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３のそれぞれに対して、同じ周波数であって、１周期の時間内に互いに位相が異なる交流信号（例えば、図７に示した矩形波）が印加される。そうすると、第１電極１３１と共通電極２３との間に、第１電極１３１の第１電位の極性に応じて、実線又は破線の矢印で示した電界が生ずる。第２電極１３２や第３電極１３３と共通電極２３との間においても第１電極１３１の場合と同様に実線又は破線の矢印で示した電界が生ずる。実線又は破線の矢印で示したこれらの電界は、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３のそれぞれに位相が異なる交流信号が印加されることから、表示領域Ｅに近い第１電極１３１から第３電極１３３に向って時間的にスクロールされる。
第２実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態の液晶装置１００に比べて、液晶層５０の厚みによる電界の強さの影響を受けるものの、第１実施形態と同様に、表示領域Ｅにおけるイオン性不純物をイオントラップ機構１３０によって見切り領域Ｅ３に掃き寄せることができる。
また、第１実施形態の液晶装置１００のように、共通電極２３を表示領域Ｅに対応させ、且つ引き出し配線２３ａを有するようにパターニングする必要がないので、液晶装置２００の構成を簡略化できるという利点がある。
【０１１５】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置について、図１３を参照して説明する。図１３は第３実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００が透過型であるのに対して、第３実施形態の液晶装置は反射型である点が異なっている。第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【０１１６】
第３実施形態の液晶装置３００は、第１実施形態の液晶装置１００と同様に、複数の画素Ｐが配置された実表示領域Ｅ１と、複数のダミー画素ＤＰが配置されたダミー画素領域Ｅ２と、見切り部２１及びイオントラップ機構１３０が配置された見切り領域Ｅ３とを有している。
【０１１７】
図１３に示すように、素子基板３１０の画素電極１５Ｒは、例えば光反射性を有するＡｌ（アルミニウム）やＡｌを含む合金などによって第３層間絶縁膜１４上に形成されている。また、第３層間絶縁膜１４に設けられたコンタクトホールＣＮＴ５を介して、蓄積容量１６の第２容量電極１６ｃに電気的に接続されている。
【０１１８】
画素電極１５Ｒを覆って無機絶縁膜１９が形成されている。無機絶縁膜１９の表面に酸化シリコンなどを斜め蒸着することによって成長したカラム１８ａの集合体からなる配向膜１８が形成されている。
【０１１９】
対向基板３２０のＩＴＯ膜などの透明導電膜を用いて形成された共通電極２３を覆って無機絶縁膜２５が形成されている。無機絶縁膜２５の表面に酸化シリコンなどを斜め蒸着することによって成長したカラム２４ａの集合体からなる配向膜２４が形成されている。
【０１２０】
配向膜１８が形成された素子基板３１０と、配向膜２４が形成された対向基板３２０との間に負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣからなる液晶層５０が挟持されている。
【０１２１】
無機絶縁膜１９，２５は、例えば酸化シリコンを蒸着して成膜される。共通電極２３に対して仕事関数が異なる画素電極１５Ｒの表面を無機絶縁膜１９で覆い、また共通電極２３の表面を無機絶縁膜２５で覆うことにより、無機絶縁膜１９，２５が無い場合に仕事関数の違いに起因して共通電位（ＬＣＣＯＭ）が変動（シフト）するといった不具合を改善できる。
【０１２２】
イオントラップ電極１３１，１３２，１３３は、画素電極１５Ｒと同層において形成される。したがって、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３もまた無機絶縁膜１９によって覆われる。イオントラップ電極１３１，１３２，１３３のそれぞれには、第１実施形態と同様に、共通電極２３の共通電位（ＬＣＣＯＭ）を基準電位として、高電位と低電位とに遷移すると共に、１周期に相当する時間内において互いに位相が異なる交流信号が印加されるので、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３に直流電位が印加される場合に比べて、無機絶縁膜１９，２５が介在することに起因する電位の低下が起こり難い。したがって、イオン性不純物を表示領域Ｅから見切り領域Ｅ３へ確実に掃き寄せることが可能な反射型の液晶装置３００を提供できる。なお、対向基板３２０の共通電極２３は、第１実施形態の液晶装置１００と同様に、表示領域Ｅに亘って形成されており、見切り領域Ｅ３には形成されていない。つまり、液晶層５０を挟んでイオントラップ電極１３１，１３２，１３３と共通電極２３とは対向配置されていない。
【０１２３】
（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、第４実施形態である電子機器としての投射型表示装置について、図１４を参照して説明する。図１４は第４実施形態の投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１２４】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１２５】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１２６】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１２７】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１２８】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１２９】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ機構１３０を有する第１実施形態の液晶装置１００又は第２実施形態の液晶装置２００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１３０】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００又は上記液晶装置２００が用いられているので、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。
【０１３１】
（第５実施形態）
＜電子機器＞
次に、第５実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１５を参照して説明する。図１５は第５実施形態の投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１３２】
図１５に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置２０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置２１００と、３つのダイクロイックミラー２１１１，２１１２，２１１５と、２つの反射ミラー２１１３，２１１４と、３つの光変調手段としての反射型の液晶ライトバルブ２２５０，２２６０，２２７０と、クロスダイクロイックプリズム２２０６と、投射レンズ２２０７とを備えている。
【０１３３】
偏光照明装置２１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット２１０１と、インテグレーターレンズ２１０２と、偏光変換素子２１０３とから概略構成されている。
【０１３４】
偏光照明装置２１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー２１１１とダイクロイックミラー２１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー２１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ２２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー２１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１５に入射する。ダイクロイックミラー２１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ２２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ２２７０に入射する。
【０１３５】
液晶ライトバルブ２２５０は、反射型の液晶パネル２２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板２２５３とを備えている。
液晶ライトバルブ２２５０は、ワイヤーグリッド偏光板２２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板２２５３の偏光度を補う補助偏光板２２５４が液晶ライトバルブ２２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板２２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板２２５４，２２５５を省略することも可能である。
このような反射型の液晶ライトバルブ２２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ２２６０，２２７０においても同じである。つまり、液晶ライトバルブ２２６０は、反射型の液晶パネル２２６１と、ワイヤーグリッド偏光板２２６３とを有し、ワイヤーグリッド偏光板２２６３に対する緑色光（Ｇ）の入射側に補助偏光板２２６４が配置され、ワイヤーグリッド偏光板２２６３の緑色光（Ｇ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に沿ってもう１つの補助偏光板２２６５が配置されている。
液晶ライトバルブ２２７０は、反射型の液晶パネル２２７１と、ワイヤーグリッド偏光板２２７３とを有し、ワイヤーグリッド偏光板２２７３に対する青色光（Ｂ）の入射側に補助偏光板２２７４が配置され、ワイヤーグリッド偏光板２２７３の青色光（Ｂ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に沿ってもう１つの補助偏光板２２７５が配置されている。
【０１３６】
液晶ライトバルブ２２５０，２２６０，２２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板２２５３，２２６３，２２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム２２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム２２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ２２０７によってスクリーン２３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１３７】
本実施形態では、液晶ライトバルブ２２５０，２２６０，２２７０として上記第３実施形態における反射型の液晶装置３００が適用されている。
【０１３８】
このような投射型表示装置２０００によれば、反射型の液晶装置３００を液晶ライトバルブ２２５０，２２６０，２２７０に用いているので、明るい画像を投射可能であると共に、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する反射型の投射型表示装置２０００を提供できる。
【０１３９】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の駆動方法、及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１４０】
（変形例１）上記第１実施形態の液晶装置１００におけるイオントラップ電極１３１，１３２，１３３の配置は、これに限定されない。図１６は変形例１の液晶装置の構造を示す概略断面図である。なお、図１６は、第１実施形態における図６に相当するものである。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図１６に示すように、変形例１の液晶装置４００は、素子基板４１０と対向基板４２０との間に正の誘電異方性を有する液晶層４５０が挟持されている。
素子基板４１０の実表示領域Ｅ１に配置された画素は、第３層間絶縁膜１４上に設けられ、且つＴＦＴ３０に接続された第１画素電極１５ａと、第１画素電極１５ａより下層に設けられ、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される第２画素電極１５ｂとを有している。
素子基板４１０のダミー画素領域Ｅ２に配置されたダミー画素は、第３層間絶縁膜１４上に設けられ、且つＴＦＴ３０に接続された第１ダミー画素電極４２１ａと、第１ダミー画素電極４２１ａより下層に設けられ、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される第２ダミー画素電極４２１ｂとを有している。第１ダミー画素電極４２１ａ及び第２ダミー画素電極４２１ｂは電子見切り部４２０として機能している。
素子基板４１０の見切り領域Ｅ３に配置されたイオントラップ機構４３０は、第１画素電極１５ａや第１ダミー画素電極４２１ａと同層に設けられた第１電極４３１、第２電極４３２、第３電極４３３と、これらのイオントラップ電極４３１，４３２，４３３より下層において、イオントラップ電極４３１，４３２，４３３と対向するように設けられ、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される第４電極４３４とを有している。
対向基板４２０の液晶層４５０に面する側には、電極は設けられていない。
図１６では図示を省略したが、第１画素電極１５ａ、第１ダミー画素電極４２１ａ、イオントラップ電極４３１，４３２，４３３、及び対向基板４２０の液晶層４５０に面する表面は、有機配向膜で覆われている。正の誘電異方性を有する液晶分子は有機配向膜に対して略水平配向している。
液晶装置４００は、第１画素電極１５ａと第２画素電極１５ｂとの間に生ずる略横電界により、液晶層４５０における液晶分子の配向方向を変化させることにより、画素に入射した光を変調する、所謂ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式が採用されている。
イオントラップ電極４３１，４３２，４３３のそれぞれには、イオントラップ電極４３１，４３２，４３３と第４電極４３４との間に生ずる略横電界が第１ダミー画素電極４２１ａに近い第１電極４３１から第３電極４３３へスクロールされるように、同じ周波数で互いに位相がずれた交流信号が印加される。表示領域Ｅの液晶層４５０中の正極性（＋）又は負極性（−）のイオン性不純物は、イオントラップ電極４３１，４３２，４３３に引き寄せられると共に、該電界のスクロールによって見切り領域Ｅ３に掃き寄せられる。
【０１４１】
（変形例２）上記第１実施形態の液晶装置１００におけるイオントラップ電極１３１，１３２，１３３の配置は、これに限定されない。図１７は変形例２の液晶装置の構造を示す概略断面図である。なお、図１７は、第１実施形態における図６に相当するものである。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図１７に示すように、変形例２の液晶装置５００は、電子見切り部１２０が配置されたダミー画素領域Ｅ２とシール材４０との間の見切り領域Ｅ３にイオントラップ機構５３０が設けられている。イオントラップ機構５３０は、対向基板５２０の共通電極２３と同層に設けられた第１電極５３１、第２電極５３２、第３電極５３３を有している。
イオントラップ電極５３１，５３２，５３３のそれぞれには、同じ周波数であって、１周期に相当する時間内において互いに位相がずれた交流信号が印加される。表示領域Ｅの液晶層５０中の正極性（＋）又は負極性（−）のイオン性不純物は、イオントラップ電極５３１，５３２，５３３に引き寄せられると共に、イオントラップ電極５３１，５３２，５３３の間に生じた電界のスクロールによって見切り領域Ｅ３に掃き寄せられる。
なお、図１７では図示を省略したが、画素電極１５、ダミー画素電極１２１，１２２は、配向膜１８で覆われている。共通電極２３、第１電極５３１、第２電極５３２、第３電極５３３は、配向膜２４で覆われている。液晶層５０は負の誘電異方性を有する。
共通電極２３、イオントラップ電極５３１，５３２，５３３のそれぞれは、素子基板５１０と対向基板５２０の間に設けられた上限導通部を介して、素子基板５１０の端子部に設けられた外部接続端子に電気的に接続されている。
【０１４２】
（変形例３）上記第１実施形態の液晶装置１００において、イオントラップ電極１３１，１３２，１３３は、表示領域Ｅを囲むように配置されることに限定されない。図４に示したように、イオン性不純物の偏在に起因して表示不具合が生ずる箇所が特定される場合、該表示不具合が生ずる箇所に対応させてイオントラップ電極１３１，１３２，１３３を配置してもよい。
【０１４３】
（変形例４）上記実施形態のイオントラップ機構１３０，３３０，４３０を適用可能な液晶装置は、ＶＡ方式、あるいはＦＦＳ方式に限定されず、ＩＰＳ（Ｉｎ  Plane  Switching）方式やＯＣＢ（Optically  Compensated  Birefringence）方式にも適用することができる。
【０１４４】
（変形例５）上記第１実施形態の液晶装置１００又は上記第２実施形態の液晶装置２００を適用可能な電子機器は、上記第４実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。また、上記第３実施形態の液晶装置３００を適用可能な電子機器は、上記第５実施形態の投射型表示装置２０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１４５】
１０，２１０，３１０，４１０，５１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、１５Ｒ…光反射性を有する画素電極、１８，２４…無機配向膜としての配向膜、１９，２５…無機絶縁膜、２０，２２０，３２０，４２０，５２０…第２基板としての対向基板、２３…対向電極としての共通電極，４０…シール材、５０，４５０…液晶層、１００，２００，３００，４００，５００…液晶装置、１３０，４３０，５３０…イオントラップ機構、１３１，３３１，４３１，５３１…第１電極、１３２，３３２，４３２，５３２…第２電極、１３３，３３３，４３３，５３３…第３電極、４３４…第４電極、１０００，２０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…表示領域、Ｅ１…実表示領域、Ｅ２…ダミー画素領域、Ｅ３…見切り領域、Ｐ…画素。
【図１】
2015001634.tif 000003
【図２】
2015001634.tif 000004
【図３】
2015001634.tif 000005
【図４】
2015001634.tif 000006
【図５】
2015001634.tif 000007
【図６】
2015001634.tif 000008
【図７】
2015001634.tif 000009
【図８】
2015001634.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2015001634.tif 000012
【図１１】
2015001634.tif 000013
【図１２】
2015001634.tif 000014
【図１３】
2015001634.tif 000015
【図１４】
2015001634.tif 000016
【図１５】
2015001634.tif 000017
【図１６】
2015001634.tif 000018
【図１７】
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