(57)【要約】【課題】耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】内層用セラミック層１１はＢａとＴｉを含有するペロブスカイト型化合物を主成分としている。内部電極１２，１３が挟持している電気的に有効な内層用セラミック層１１の部分２８のうち、内部電極１２（１３）と外部電極２０（２２）との接続部近傍３０（３２）が、エネルギ分散法によってマッピング分析される。ＴＥＭ透過像から検出されるセラミックス粒界の総距離をＬ１とし、マッピング画像とＴＥＭ透過像から検出される希土類元素が存在する粒界の総距離をＬ２とし、マッピング画像とＴＥＭ透過像から検出される希土類元素が存在する粒界とＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が存在する粒界とが重畳している部分の総距離をＬ３とした場合、関係式（（Ｌ２−Ｌ３）／Ｌ１）×１００≧５０を満足している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体セラミック層と複数の内部電極とが交互に積層されてなるセラミック素体と、
前記セラミック素体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層はＢａとＴｉを含有するペロブスカイト型化合物チタン酸バリウムを主成分とし、
前記内部電極が挟持している電気的に有効な前記誘電体セラミック層の部分のうち、前記内部電極と前記外部電極との接続部近傍を、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）にて観測し、また、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析法）によってマッピング分析し、
前記ＴＥＭ観測によって得られたＴＥＭ透過像から検出されるセラミックス粒界の総距離をＬ１とし、前記マッピング分析によって得られたマッピング画像と前記ＴＥＭ透過像から検出される希土類元素が存在する粒界の総距離をＬ２とし、前記マッピング分析によって得られたマッピング画像と前記ＴＥＭ透過像から検出される希土類元素が存在する粒界とＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が存在する粒界とが重畳している部分の総距離をＬ３とした場合、関係式（（Ｌ２−Ｌ３）／Ｌ１）×１００≧５０を満足していること、
を特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、積層セラミックコンデンサは、従来と比較してより過酷な環境下で使用されるようになってきている。
【０００３】
そこで、優れた温度特性および寿命特性を満たすために、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサが提案されている。この積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック組成物からなる誘電体層と、この誘電体層を挟持している内部電極と、この内部電極に電気的に接続されている外部電極とを備えている。誘電体セラミック組成物は、所定の成分元素の濃度を異にする２種以上のセラミック粒子からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１００５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の積層セラミックコンデンサは、高湿高温環境下で電圧を印加した場合、ＩＲ（絶縁抵抗）が劣化するという不具合があった。
【０００６】
それゆえに、本発明の目的は、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複数の誘電体セラミック層と複数の内部電極とが交互に積層されてなるセラミック素体と、セラミック素体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、誘電体セラミック層はＢａとＴｉを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とし、内部電極が挟持している電気的に有効な誘電体セラミック層の部分のうち、内部電極と外部電極との接続部近傍を、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析法）によってマッピング分析し、ＴＥＭ透過像を用いて算出したセラミックス粒界の総距離をＬ１とし、マッピング画像から希土類元素が検出された粒界の総距離をＬ２とし、マッピング画像から希土類元素とＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が重畳して検出される粒界の総距離をＬ３とした場合、関係式（（Ｌ２−Ｌ３）／Ｌ１）×１００≧５０を満足していること、を特徴とする、積層セラミックコンデンサである。
【０００８】
ここで、（（Ｌ２−Ｌ３）／Ｌ１）×１００で表されるＡ値（Ａ＝（（Ｌ２−Ｌ３）／Ｌ１）×１００）は、ＴＥＭ透過像とマッピング画像において、セラミックス粒界の総距離Ｌ１に対する、希土類元素が存在する粒界の総距離Ｌ２（ただし、「希土類元素が存在する粒界」と「Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が存在する粒界」とが重畳している部分の総距離Ｌ３は除く。）の割合（％）を意味している。
【０００９】
また、「電気的に有効な誘電体セラミック層の部分」とは、コンデンサの静電容量が実効的に形成される誘電体セラミック層の部分を意味している。
【００１０】
積層セラミックコンデンサは、高湿高温環境下で電圧を印加した場合、ＩＲ（絶縁抵抗）が劣化する。これは、コンデンサ内部に浸入した水分が、電気分解してＨ+イオンとＯＨ-イオンとが生成され、これらのイオンが、内部電極が挟持している電気的に有効な誘電体セラミック層の部分のうち、内部電極と外部電極との接続部近傍を主に移動することによって、漏れ電流が増えるためであると考えられる。
【００１１】
本発明では、電気的に有効な誘電体セラミック層の部分のうち、内部電極と外部電極との接続部近傍のマッピング画像において、希土類元素の存在割合が高い粒界の割合が５０％以上と高い数値を示す。そして、希土類元素の存在割合が高い粒界部分は、イオンの移動抵抗が高いため、Ｈ+イオンとＯＨ-イオンの移動が抑制され、ＩＲの劣化が抑えられると推定される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１３】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す垂直断面図である。
【図２】ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析法）によるマッピング分析によって得られた結果をマーキングしたＴＥＭ透過像であって、（Ａ）はセラミックス粒界をマーキングしたＴＥＭ透過像であり、（Ｂ）希土類元素が存在する粒界をマーキングしたＴＥＭ透過像であり、（Ｃ）は希土類元素が存在する粒界とＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が存在する粒界とが重畳している部分をマーキングしたＴＥＭ透過像である。
【図３】希土類元素の存在割合と耐湿信頼性の不良率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
１．積層セラミックコンデンサの構成
図１は、積層セラミックコンデンサ１を示す垂直断面図である。積層セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０と、セラミック素体１０の左右の端部に形成された外部電極２０，２２と、を備えている。
【００１６】
セラミック素体１０は、複数の内層用セラミック層１１と、複数の内層用セラミック層１１同士の界面に配設された複数の内部電極１２，１３と、複数の内層用セラミック層１１を挟むように上下に配設された外層用セラミック層１５ａ，１５ｂとで構成されている。すなわち、セラミック素体１０は、セラミック層１１，１５ａ，１５ｂと内部電極１２，１３とが交互に積層された直方体形状の積層体構造を有している。
【００１７】
内層用セラミック層１１は、ＢａとＴｉを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミック材料からなる。さらに、このチタン酸バリウムの主成分に、希土類元素Ｄｙを含むＤｙ化合物、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物などの副成分が添加されている。内層用セラミック層１１の厚みは０．３〜１０．０μｍであることが好ましい。
【００１８】
上下に配設された外層用セラミック層１５ａ，１５ｂも、それぞれ、内層用セラミック層１１と同じ誘電体セラミック材料が用いられている。なお、外層用セラミック層１５ａ，１５ｂは、内層用セラミック層１１と異なる誘電体セラミック材料で構成されていてもよい。
【００１９】
内部電極１２と内部電極１３とは、厚み方向において、内層用セラミック層１１を介して対向している。この内部電極１２と内部電極１３とが、内層用セラミック層１１を介して対向している部分に静電容量が実効的に形成されている。つまり、「電気的に有効な誘電体セラミック層の部分」とは、内部電極１２と内部電極１３とが対向している内層用セラミック層１１の部分（図１において、一点鎖線で囲んだ内層用セラミック層１１の部分）２８である。
【００２０】
内部電極１２の引出部１２ａは、セラミック素体１０の左側の端面に引き出されて外部電極２０に電気的に接続されている。内部電極１３の引出部１３ａは、セラミック素体１０の右側の端面に引き出されて外部電極２２に電気的に接続されている。
【００２１】
内部電極１２，１３は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどからなる。内部電極１２，１３の厚みは０．３〜２．０μｍであることが好ましい。
【００２２】
外部電極２０，２２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどからなり、表面にＮｉめっき層およびＳｎめっき層が形成されている。
【００２３】
以上の構成からなる積層セラミックコンデンサ１は、内部電極１２，１３が挟持している電気的に有効な内層用セラミック層１１の部分２８のうち、内部電極１２と外部電極２０との接続部近傍であって、内部電極１２の引出部１２ａに最も近い部分（例えば点線で囲んだ部分）３０が、周知のエネルギ分散法（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｓｐｅｃｔｏｒｏｓｃｏｐｙ、ＥＤＳ）によってマッピング分析される。もしくは、内部電極１３と外部電極２２との接続部近傍であって、内部電極１３の引出部１３ａに最も近い部分（例えば点線で囲んだ部分）３２が、エネルギ分散法によってマッピング分析される。
【００２４】
マッピング分析の測定部分として、内部電極１２と外部電極２０との接続部近傍３０（もしくは、内部電極１３と外部電極２２との接続部近傍３２）が採用される理由は、この部分が、水分の浸入が起こり易いからである。
【００２５】
そして、ＴＥＭ透過像を用いて算出したセラミックス粒界の総距離をＬ１とし、マッピング画像から検出される希土類元素が存在する粒界の総距離をＬ２とし、マッピング画像から検出される希土類元素が存在する粒界とＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が存在する粒界とが重畳している部分の総距離をＬ３とした場合、関係式（（Ｌ２−Ｌ３）／Ｌ１）×１００≧５０を満足している。
【００２６】
すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、電気的に有効な内層用セラミック層１１の部分のうち、内部電極１２と外部電極２０との接続部近傍３０のマッピング画像において、希土類元素の存在割合が高い粒界の割合が５０％以上と高い数値を示している。希土類元素の存在割合が高い粒界部分は、イオンの移動抵抗が高いため、Ｈ+イオンとＯＨ-イオンの移動が抑制される。つまり、希土類元素の存在割合が高い粒界部分は、ＩＲの劣化を抑えることができる。この結果、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００２７】
２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明する。
【００２８】
（１）誘電体原料配合物の作製
先ず、ＢａＴｉＯ3が秤量された後、ボールミルによって湿式混合され、凝集体が解砕される。さらに、ＢａＴｉＯ3中のＴｉ１００モル部に対して、添加化合物として、Ｄｙ2Ｏ3が１．１５モル部、ＭｇＣＯ3が１．０モル部、ＭｎＣＯ3が０．５モル部、ＳｉＯ2が１．５モル部となるように秤量される。また、焼成後のＢａＴｉＯ3中におけるＢａとＴｉの含有比が１．００７：１となるように、ＢａＣＯ3が適量秤量される。
【００２９】
次に、ＢａＴｉＯ3とこれらの添加化合物が配合され、水を媒体としてボールミルによって混合された後、蒸発乾燥されて誘電体原料配合物とされる。
【００３０】
（２）セラミックグリーンシートの作製
次に、誘電体原料配合物は、ポリビニルブチラール系バインダーおよびエタノール等の有機溶媒が加えられて、ボールミルによって湿式混合され、セラミックスラリーとされる。セラミックスラリーは、リップ（Ｌｉｐ）方式によって、焼成後の層厚が３．０μｍになるようにシート成形され、内層用セラミックグリーンシートや外層用セラミックグリーンシートとされる。
【００３１】
（３）内部電極の形成
次に、内層用セラミックグリーンシート上に、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ等を主成分とする内部電極用導電ペーストが、スクリーン印刷などによって塗布され、所定のパターンの内部電極１２，１３が形成される。内部電極１２，１３の膜厚は、焼成後の厚みが１μｍになるように設定される。
【００３２】
（４）積層
次に、外層用セラミックグリーンシートが、焼成後の外層用セラミック層１５ｂの厚みが７０μｍになるように、所定枚数積層される。その上に、内部電極１２，１３が形成された内層用セラミックグリーンシートが、内部電極１２，１３が交互になるように、順次積層される。その上に、外層用セラミックグリーンシートが、焼成後の外層用セラミック層１５ａの厚みが７０μｍになるように、所定枚数積層される。こうして、マザーセラミック素体が作製される。
【００３３】
次に、マザーセラミック素体が、静水圧プレスなどの手段によって、積層方向にプレスされる。その後、マザーセラミック素体は、ダイシングソーによって所定の製品サイズにカットされ、未焼成のセラミック素体１０が切り出される。セラミック素体１０の幅Ｗ方向において、セラミック素体１０の側面と内部電極１２，１３との間のギャップは１００μｍである。セラミック素体１０は、バレル研磨などによって、コーナー部や稜部に丸みが形成される。
【００３４】
（５）焼成
次に、未焼成のセラミック素体１０は焼成される。すなわち、セラミック素体１０は、大気中もしくはＮ2気流中（本実施の形態の場合はＮ2気流中）で、最高温度２７０℃にて熱処理される。引き続いて、セラミック素体１０は、Ｎ2−Ｈ2Ｏ−Ｈ2気流中、酸素分圧が１０-10.6ＭＰａの雰囲気下で、最高温度７００℃にて熱処理される。引き続いて、セラミック素体１０は、Ｎ2気流中、酸素分圧が１０-4.6ＭＰａの雰囲気下で、所定の昇温速度の条件で、最高温度１３００℃にて焼成される。なお、焼成は、最高温度１３００℃に到達後、すぐに冷却した。焼成温度は、９００〜１３００℃であることが好ましい。こうして、内層用セラミックグリーンシートは内層用セラミック層１１とされ、外層用セラミックグリーンシートは外層用セラミック層１５ａ，１５ｂとされる。
【００３５】
（６）外部電極の形成
次に、焼成後のセラミック素体１０の両端面に、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストが塗布され、９４０℃にて焼き付けられて外部電極２０，２２が形成される。さらに、外部電極２０，２２の表面に、湿式めっきによってＮｉ−Ｓｎめっき層が形成される。こうして、積層セラミックコンデンサ１が作成される。積層セラミックコンデンサ１の寸法（外部電極２０，２２を含む）は、長さＬが２．０ｍｍ、幅Ｗが１．２５ｍｍ、高さＴが０．５ｍｍである。内部電極１２，１３間に介在する内層用セラミック層１１の厚みは３．０μｍであり、層数は１００層である。
【００３６】
３．エネルギ分散法によるマッピング分析
次に、積層セラミックコンデンサ１のエネルギ分散法（ＥＤＳ）によるマッピング分析について説明する。
【００３７】
（１）分析試料の作製
積層セラミックコンデンサ１は、樹脂で固められた後、内部電極１２，１３が露出するまで垂直断面（ＬＴ断面）が研磨される。
【００３８】
次に、積層セラミックコンデンサ１は、電気的に有効な内層用セラミック層１１の部分２８のうち、例えば、内部電極１２と外部電極２０との接続部近傍３０が、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工され、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察用試料とされる。試料の厚みは、約１００ｎｍ以下である。
【００３９】
（２）エネルギ分散法によるマッピング分析
この試料は、ショットキー型ＦＥ電子銃を備えた走査透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−２２００ＦＳ／ＪＥＭ−２３００Ｔ）によって観測され、エネルギ分散法によるマッピング分析が行われる。この結果、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）画像とマッピング画像が得られる。各画像の視野は、積層方向と垂直な方向に内層用セラミック層１１の平均厚みの１．３倍の範囲が観測でき、かつ、積層方向に内層用セラミック層１１の厚み方向全体が観測できる範囲とした。
【００４０】
さらに、本実施の形態では、微量添加元素の分布状態を精度よく検出するために、以下の条件が設定される。
（ａ）観測時間は１０時間である。
（ｂ）電子プローブ径は約２ｎｍである。
【００４１】
なお、エネルギ分散法の感度は一般的に約０．１ａｔｍ％であり、０．５ａｔｍ％より低い場合は検出されなかったものと見做される。
【００４２】
次に、画像解析ソフトを用いて、ＴＥＭ透過像とマッピング画像から、セラミックス粒界の総距離Ｌ１、希土類元素が存在する粒界の総距離Ｌ２、および、「希土類元素が存在する粒界」と「Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が存在する粒界」とが重畳している部分の総距離Ｌ３が算出される。算出手順は以下の通りである。
【００４３】
（ａ）先ず、ＴＥＭ透過像から、セラミックス粒界（粒子全体がＴＥＭ透過像の視野内に入っているセラミックス粒子の粒界であって、内部電極１２，１３に接しているセラミックス粒子の粒界は含まない。）が検出される。そして、図２（Ａ）に示すように、検出されたセラミックス粒界がペイントでマーキングされ（図２（Ａ）中の黒線部）、画像解析ソフトでセラミックス粒界の総距離Ｌ１が測定および算出される。
【００４４】
（ｂ）次に、マッピング画像とＴＥＭ透過像から、希土類元素が存在する粒界が検出される。そして、図２（Ｂ）に示すように、検出された希土類元素が存在する粒界がペイントでマーキングされ（図２（Ｂ）中の黒線部）、画像解析ソフトで希土類元素が存在する粒界の総距離Ｌ２が測定および算出される。
【００４５】
（ｃ）次に、マッピング画像とＴＥＭ透過像から、「希土類元素が存在する粒界」と「Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｏ，Ｎｉ以外の元素が存在する粒界」とが重畳している部分が検出される。そして、図２（Ｃ）に示すように、検出された前記部分がペイントでマーキングされ（図２（Ｃ）中の黒線部）、画像解析ソフトでこの部分の総距離Ｌ３が測定および算出される。
【００４６】
（ｄ）次に、（ａ）〜（ｃ）で求めた総距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３と以下のＡ値が用いられ、希土類元素の存在割合が高い粒界の割合が算出される。
Ａ＝（（Ｌ２−Ｌ３）／Ｌ１）×１００
こうして、積層セラミックコンデンサ１の、内部電極１２と外部電極２０との接続部近傍３０のＴＥＭ透過像における希土類元素の分布状態がマッピング分析される。
【実施例】
【００４７】
１．第１の実施例
（１）分析試料の作製
第１の実施例の試料（希土類元素として、Ｄｙが使用された積層セラミックコンデンサ１）が、前記製造方法で８種類（試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．８、表１参照）作製された。
【００４８】
ただし、未焼成のセラミック素体１０の焼成において、Ｎ2気流中、酸素分圧が１０-4.6ＭＰａの雰囲気下での昇温速度は、１℃／ｓｅｃ〜１００℃／ｓｅｃとした。試料数はそれぞれ１００個とした。
【００４９】
（２）分析試料の耐湿信頼性評価
作製された積層セラミックコンデンサ１は、温度が１３４．７℃、相対湿度が９５％ＲＨ、印加電圧が１０Ｖ、ゲージ圧が０．１３ＭＰａの環境下で、１４４時間放置させて、耐湿信頼性が評価された。
【００５０】
耐湿不良率は、評価試料数に対するＩＲ劣化が生じた試料数の割合とした。ここで、ＩＲ劣化とは初期値に対してＬｏｇＩＲ値で０．５以上低くなったものを指す。
耐湿信頼性の不良率＝（ＩＲ劣化が生じた試料数／評価試料数）×１００（％）
【００５１】
（３）分析試料のエネルギ分散法によるマッピング分析
作製された積層セラミックコンデンサ１の試料のうち３個／種類が、前記エネルギ分散法によるマッピング分析によって分析された。
【００５２】
ただし、分析は、試料１個あたり２箇所、つまり、積層セラミックコンデンサ１の垂直断面（ＬＴ断面）において、積層セラミックコンデンサ１の高さＴ方向の中央付近と外層用セラミック層１５ａ（１５ｂ）付近が走査透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−２２００ＦＳ／ＪＥＭ−２３００Ｔ）とＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析法）によって観測され、それぞれ、ＴＥＭ透過像とマッピング画像が得られた。
【００５３】
そして、得られたＴＥＭ透過像とマッピング画像から、画像解析ソフトが用いられ、総距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が測定および算出された。さらに、総距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３と前記関係式（１）とが用いられ、希土類元素Ｄｙの存在割合が高い粒界の割合が算出された。合計６箇所で測定された割合の平均値が表１に示されている。
【００５４】
（４）評価結果
表１は、希土類元素としてＤｙが使用された積層セラミックコンデンサ１の評価結果を示す。また、図３には、希土類元素Ｄｙの存在割合と耐湿信頼性の不良率との関係が示されている。
【００５５】
【表１】
2015126219.tif 000003
【００５６】
表１より、積層セラミックコンデンサ１は、電気的に有効な内層用セラミック層１１の部分２８のうち、内部電極１２（１３）と外部電極２０（２２）との接続部近傍３０（３２）において、希土類元素Ｄｙの存在割合が高いほど、耐湿信頼性の不良率が小さくなることが認められた。
【００５７】
そして、耐湿信頼性に優れたコンデンサが実現されるためには（耐湿信頼性の不良率が４０％以下になるためには）、前記Ａ値の値を５０％以上にする必要がある。
【００５８】
２．第２の実施例
（１）分析試料の作製
第２の実施例の試料（希土類元素として、Ｇｄが使用された積層セラミックコンデンサ１）が、前記製造方法で３種類（試料Ｎｏ．９〜試料Ｎｏ．１１、表２参照）作製された。
【００５９】
希土類元素Ｇｄは、誘電体原料配合物の作製において、添加物として、Ｄｙ2Ｏ3の代わりにＧｄ2Ｏ3を用いることによってＢａＴｉＯ3に添加される。
【００６０】
また、未焼成のセラミック素体１０の焼成において、Ｎ2気流中、酸素分圧が４．６ＭＰａの雰囲気下での昇温速度は、１℃／ｓｅｃ〜１００℃／ｓｅｃとした。試料数はそれぞれ１００個とした。
【００６１】
（２）分析試料の耐湿信頼性評価
作製された積層セラミックコンデンサ１は、温度が１３４．７℃、相対湿度が９５％ＲＨ、印加電圧が１０Ｖ、ゲージ圧が０．１３ＭＰａの環境下で、１４４時間放置させて、耐湿信頼性が評価された。
【００６２】
（３）分析試料のエネルギ分散法によるマッピング分析
作製された積層セラミックコンデンサ１の試料のうち３個／種類が、前記実施例１と同様にして、エネルギ分散法によるマッピング分析によって分析された。
【００６３】
得られたＴＥＭ透過像とマッピング画像から、画像解析ソフトが用いられ、総距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が測定および算出された。さらに、総距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３と前記Ａ値とが用いられ、希土類元素Ｇｄの存在割合が高い粒界の割合が算出された。
【００６４】
（４）評価結果
表２は、希土類元素としてＧｄが使用された積層セラミックコンデンサ１の評価結果を示す。また、図３には、希土類元素Ｇｄの存在割合と耐湿信頼性の不良率との関係が示されている。
【００６５】
【表２】
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【００６６】
表２より、積層セラミックコンデンサ１は、電気的に有効な内層用セラミック層１１の部分２８のうち、内部電極１２（１３）と外部電極２０（２２）との接続部近傍３０（３２）において、希土類元素Ｇｄの存在割合が高いほど、耐湿信頼性の不良率が小さくなることが認められた。
【００６７】
そして、耐湿信頼性に優れたコンデンサが実現されるためには（耐湿信頼性の不良率が４０％以下になるためには）、前記Ａ値の値を５０％以上にする必要がある。
【００６８】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
【符号の説明】
【００６９】
１  積層セラミックコンデンサ
１０  セラミック素体
１１  内層用セラミック層
１２，１３  内部電極
１２ａ，１３ａ  引出部
１５ａ，１５ｂ  外層用セラミック層
２０，２２  外部電極
２８  電気的に有効な内層用セラミック層の部分
３０，３２  内部電極と外部電極との接続部近傍
【図１】
2015126219.tif 000005
【図３】
2015126219.tif 000006
【図２】
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