(57)【要約】【課題】レーザを照射して半田付けされた被半田付け部材を備える電子制御装置において、レーザの反射光により焼付け部が生じないようにする。【解決手段】コネクタピン１１の先端部１１ａには傾斜面ＩＦが形成されており、レーザＬの正反射光ＬＲは、ランド２３の外周上に形成されたソルダレジスト２４に照射される。配線基板２０のランド２３の外周に、レーザＬの正反射光ＬＲが照射されるソルダレジスト２４の領域下に金属膜３１を、ランド２３と一体に形成した。金属膜３１により、レーザＬの正反射光ＬＲが反射されるため、ソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。【選択図】図８
2015015437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一面に形成され、半田付け部位を有する金属製のランドと、
前記配線基板上に形成され、前記ランドの半田付け部位を露出する開口部を有する絶縁膜と、
傾斜面を有し、前記ランドの半田付け部位に半田付けされた被半田付け部材とを備え、
前記被半田付け部材が、半田材に照射されたレーザにより前記ランドの前記半田付け部位に半田付けされた電子制御装置であって、
前記被半田付け部材の前記傾斜面で反射されたレーザの反射光が照射される前記絶縁膜の領域下にレーザの反射光による前記絶縁膜の焼付け防止用の金属膜が形成されている、電子制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子制御装置において、
前記金属膜は前記ランドと一体に形成されている、電子制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電子制御装置において、
前記傾斜面は、円錐状または円錐台状に形成され、前記ランドに一体に形成された前記金属膜の外周は円形状または楕円形状である、電子制御装置。
【請求項４】
請求項２に記載の電子制御装置において、
前記被半田付け部材は、前記傾斜面を２つ有し、前記２つの傾斜面は互いに背中合わせに設けられ、前記金属膜は、前記傾斜面のそれぞれから反射されるレーザの反射光に照射される前記絶縁膜の領域下に形成されている、電子制御装置。
【請求項５】
請求項２に記載の電子制御装置において、
前記被半田付け部材は、前記傾斜面を３つ以上し、前記３つ以上の傾斜面は多角錐または多角錐台を構成するように配置され、前記金属膜は、少なくとも、多角錐または多角錐台の前記傾斜面のそれぞれから反射されるレーザの反射光に照射される前記絶縁膜の領域下に形成されている、電子制御装置。
【請求項６】
請求項２に記載の電子制御装置において、
前記被半田付け部材の前記傾斜面の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する傾斜角をθ、前記ランドの一面から前記被半田付け部材の前記傾斜面の最上部までの高さをＹＵ、前記被半田付け部材の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の外周までの長さをＸ１とした場合、前記配線基板の前記一面に垂直にレーザが照射される条件下では、
Ｘ１＞ＹＵｔａｎ２θ
である、電子制御装置。
【請求項７】
請求項１に記載の電子制御装置において、
前記金属膜は、前記ランドから分離され、前記ランドの外周に沿う環状の内周を有するように形成されている、電子制御装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電子制御装置において、
前記被半田付け部材の前記傾斜面の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する傾斜角をθ、前記ランドの一面から前記被半田付け部材の前記傾斜面の最下部までの高さをＹＬ、前記被半田付け部材の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の内周までの長さをＸ３とした場合、前記配線基板の前記一面に垂直にレーザが照射される条件下では、
Ｘ３＜ＹＬｔａｎ２θ
である、電子制御装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電子制御装置において、
前記金属膜は接地パターンである、電子制御装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の電子制御装置において、
前記被半田付け部材は、軸部と、先細の前記傾斜面を有する先端部とを有する端子であり、
前記配線基板は、前記ランドの内周に貫通孔を有し、
前記端子の前記軸部が前記貫通孔を挿通されて、前記端子の前記先端部が前記配線基板の前記一面上に配置されている、電子制御装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子制御装置において、
前記金属膜は前記ランドと一体に形成されている、電子制御装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記傾斜面の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する傾斜角をθ、前記端子の前記軸部の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する倒れ角をφ、前記ランドの一面から前記端子の前記傾斜面の最上部までの高さをＹＵ、前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の外周の一方までの長さをＸ１、前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜外周の反対側までの長さをＸ２とした場合、前記配線基板の前記一面に垂直にレーザが照射される条件下では、
Ｘ１＞ＹＵｔａｎ|２（θ＋φ）|
Ｘ２＞ＹＵｔａｎ|２（θ−φ）|
である、電子制御装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の外周の一方までの長さと、前記金属膜外周の反対側までの長さとが同一である、電子制御装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記先端部は、円錐状または円錐台状に形成され、前記ランドに一体に形成された前記金属膜の外周は円形状または楕円形状である、電子制御装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記先端部は、２つの傾斜面が互いに背中合わせに設けられた構造を有し、前記金属膜は、少なくとも、前記傾斜面のそれぞれから反射されるレーザの反射光に照射される前記絶縁膜の領域下に形成されている、電子制御装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記先端部は、多角錐状または多角錐台状に形成され、前記金属膜は、少なくとも、多角錐状または多角錐台状の前記傾斜面のそれぞれから反射されるレーザの反射光に照射される前記絶縁膜の領域下に形成されている、電子制御装置。
【請求項１７】
請求項１１に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記傾斜面の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する傾斜角をθ、前記端子の前記軸部の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する倒れ角をφ、前記ランドの一面から前記端子の前記傾斜面の最上部までの高さをＹＵ、前記端子の前記軸部の軸心の、前記貫通孔の軸心からの距離をΔｘ、前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の外周の一方までの長さをＸ１、前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の外周の反対側までの長さをＸ２とした場合、前記配線基板の前記一面に垂直にレーザが照射される条件下では、
Ｘ１＞ＹＵｔａｎ|２（θ＋φ）|−Δｘ
Ｘ２＞ＹＵｔａｎ|２（θ−φ）|＋Δｘ
（但し、Δｘは、前記端子の前記軸部の軸心が、前記金属膜外周の一方側からみて前記貫通孔の軸心よりも遠い側に位置する場合を正とする。）
である、電子制御装置。
【請求項１８】
請求項１０に記載の電子制御装置において、
前記金属膜は、前記ランドから分離され、前記ランドの外周に沿う環状の内周を有するように形成されている、電子制御装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記傾斜面の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する傾斜角をθ、前記端子の前記軸部の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する倒れ角をφ、前記ランドの一面から前記被半田付け部材の前記傾斜面の最下部までの高さをＹＬ、前記被半田付け部材の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の内周の一方までの長さをＸ３、前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の内周の反対側までの長さをＸ４とした場合、前記配線基板の前記一面に垂直にレーザが照射される条件下では、
Ｘ３＜ＹＬｔａｎ|２（θ＋φ）|
Ｘ４＜ＹＬｔａｎ|２（θ−φ）|
である、電子制御装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の内周の一方までの長さと、前記金属膜の内周の反対側までの長さとが同一である、電子制御装置。
【請求項２１】
請求項１８に記載の電子制御装置において、
前記端子の前記傾斜面の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する傾斜角をθ、前記端子の前記軸部の、前記配線基板の前記一面に垂直な面に対する倒れ角をφ、前記ランドの一面から前記被半田付け部材の前記傾斜面の最下部までの高さをＹＬ、前記端子の前記軸部の軸心の、前記貫通孔の軸心からの距離をΔｘ、前記被半田付け部材の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の内周の一方までの長さをＸ３、前記端子の前記傾斜面の最上部直下から前記金属膜の内周の反対側までの長さをＸ４とした場合、前記配線基板の前記一面に垂直にレーザが照射される条件下では、
Ｘ３＜ＹＬｔａｎ|２（θ＋φ）|−Δｘ
Ｘ４＜ＹＬｔａｎ|２（θ−φ）|＋Δｘ
（但し、Δｘは、前記端子の前記軸部の軸心が、前記金属膜の内周の一方側からみて前記貫通孔の軸心よりも遠い側に位置する場合を正とする。）
である、電子制御装置。
【請求項２２】
請求項１乃至２１に記載の電子制御装置において、
前記傾斜面に、レーザの反射を防止するための拡散層が形成されている、電子制御装置。
【請求項２３】
項求項２２に記載の電子制御装置において、
前記被半田付け部材は、先端部に傾斜面を有するコネクタピンであり、前記拡散層は、少なくとも前記コネクタピンの前記傾斜面に形成された凹凸面により形成されている、電子制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板のランドに半田付けされた被半田付け部材を備えた電子制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車等の車両には、例えば、エンジン制御用、モータ制御用、自動変速機制御用等の各種の電子制御装置が搭載される。電子制御装置には、複数の電子部品が搭載された配線基板に外部装置との電気的接続を行うためのコネクタが取り付けられる。
コネクタは、プリント基板のスルーホールに挿通される複数のコネクタピンを備えている。各コネクタピンは、プリント基板に形成されたランドに半田付けされる。
【０００３】
ランドと各ピンとの半田付けをレーザにより行う方法がある。ランドの周囲にはソルダレジストが形成されており、ランド上に半田材を供給し、レーザを半田材に照射して各ピンを半田付けする。この方法では、ランドの周囲に形成されたソルダレジストにレーザが照射されると、ソルダレジストが焼付けを起こすことがある。
【０００４】
この対応として、ランドの半田付け部の周囲に、受光部ランドと、半田付け部と受光部ランドとの間に配置された中間ランドとを設け、受光部ランドにレーザを照射するようにしたプリント基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許平７−１０６７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した如く、電子制御装置には、コネクタピン等のように、先細の傾斜面を有する被半田付け部材を半田付けすることがある。被半田付け部材が傾斜面を有する場合には、傾斜面で反射したレーザがプリント基板に照射され、このレーザの反射光が照射されるソルダレジストの領域に焼付けが生じることがある。特許文献１には、このような課題に関する事項が記載されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子制御装置は、配線基板と、配線基板の一面に形成され、半田付け部位を有する金属製のランドと、配線基板上に形成され、ランドの半田付け部位を露出する開口部を有する絶縁膜と、傾斜面を有し、ランドの半田付け部位に半田付けされた被半田付け部材とを備え、被半田付け部材が、半田材に照射されたレーザによりランドの半田付け部位に半田付けされた電子制御装置であって、被半田付け部材の傾斜面で反射されたレーザの反射光が照射される絶縁膜の領域下にレーザの反射光による絶縁膜の焼付け防止用の金属膜が形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、金属膜により、被半田付け部材の傾斜面で反射されたレーザの反射光による絶縁膜の焼付けを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の電子制御装置の一実施の形態を示す側面図であり、電子制御装置の筐体内に収納された配線基板とコネクタとを半田付けにより取り付ける状態を示す側面図。
【図２】本発明の電子制御装置におけるランド近傍の拡大平面図。
【図３】金属膜によるソルダレジストの焼付け防止機能を説明するための断面図。
【図４】従来の配線基板におけるランド近傍の拡大平面図。
【図５】図４に示す従来の配線基板におけるソルダレジストの焼付けを説明するための断面図。
【図６】図５において焼付けが生じたランド近傍の平面図。
【図７】レーザの照射出力をパラメータとする金属膜の有無による焼付けの発生の関係を示す図である。
【図８】端子の傾斜面で反射されたレーザの正反射光が配線基板に照射される領域を説明するための図。
【図９】図８において、端子の軸心が貫通孔の軸心から距離Δｘ変位している場合を説明するための図。
【図１０】端子の先端部が背中合わせに配置された２つの傾斜面を有する場合の焼付け防止用の金属膜の構成を示す平面図。
【図１１】端子の先端部が六角錐台状に形成されている場合の焼付け防止用の金属膜の構成を示す平面図。
【図１２】端子の先端部が円錐台状に形成されている場合の焼付け防止用の金属膜の構成を示す平面図。
【図１３】端子の先端部が四角錐台状に形成されている場合の焼付け防止用の金属膜の構成を示し、図２とは異なる金属膜の構成を示す平面図。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、端子の軸部を配線基板の垂直面に対して倒れた状態で半田付けされる場合におけるランドおよび金属膜の構成の一例を示す平面図。
【図１５】本発明の実施形態２を示すランド部近傍の平面図。
【図１６】図１５において、端子の傾斜面で反射されたレーザの正反射光が配線基板に照射される領域を説明するための図。
【図１７】図１６において端子の軸心が貫通孔の軸心から距離Δｘ変位している場合を説明するための図。
【図１８】本発明の実施形態３を説明するために図であり、端子の拡大側面図。
【図１９】図１８に図示された端子を有する場合のレーザの反射を説明するために側面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
--実施形態１--
（電子制御装置の全体構造）
以下、図を参照して、本発明に係る電子制御装置の一実施の形態を説明する。
図１は、電子制御装置１の側面図であり、電子制御装置１の筐体（図示せず）内に収納された配線基板２０とコネクタ１２とを半田付けにより取り付ける状態を示す側面図である。
図１に図示された電子制御装置１は、例えば、自動車等の車両のエンジン制御、モータ制御、自動変速機制御等に用いられる。電子制御装置１は、配線基板２０と、配線基板２０上に実装されたチップ部品１７、パッケージ部品１５およびコネクタ１２を備えている。
【００１１】
チップ部品１７は、例えば、抵抗、コンデンサなどの電子部品であり、半田１８により、配線基板２０の表裏両面に設けられた、図示しない配線パターンの接続端子部に半田付けされている。
パッケージ部品１５は、マイコンやパワーデバイス、メモリ、システムLSI（ Large Scale Integration）、ASIC（Application Specific Integrated Circuit）などの半導体素子を各種パッケージ形態としたものである。パッケージ形態としては、例えば、QFP（Quad Flat Package）、BGA（Ball Grid Array）、SOP（Small Outline Package）、DIP（Dual Inline Package）、LGA（Land Grid Array）、QFN（Quad Flat No-Leaded）などがある。パッケージ部品１５の接続用リード１６は、配線基板２０の一面に設けられた図示しない配線パターンの接続端子部に半田付けされている。
【００１２】
配線基板２０は、ガラスエポキシ材料からなり、片面、両面、多層基板のいずれでもよい。後述するように、配線基板２０の表面には、接続端子部の半田付け部を露出するソルダレジスト２４（図３参照）が形成されている。ソルダレジスト２４は、半田接合時に溶融半田がランド２３外に広がるのを防止する。ソルダレジスト２４は、感光性ポリマー、架橋剤、光硬化開始剤、光硬化増感剤、熱硬化開始剤、充填剤等の液状感光性材料を配線基板２０の一面状に塗布し、フォトリソグラフィーによって半田付け部位を除去して形成される。
【００１３】
コネクタ１２は、コネクタケース１２ａに取り付けられた複数のコネクタピン（端子；被半田付け部材）１１を備えている。
コネクタケース１２ａの材料としては、PBT（Polybutylenterephthalate）、PPS（Polyphenylene sulfide）などが使用される。また、コネクタピン１１には、りん青銅や黄銅などの銅合金を使用する。半田の接合強度を高めるために、コネクタピン１１表面にはニッケル(Ni)めっき、錫（Sn）めっきなどを施すことが好ましい。
【００１４】
各コネクタピン１１は、レーザＬを用いて糸状の半田材１３を溶融して、ランド２３の半田付け部位２３ａ（図２参照）に半田付けされる。レーザＬは、平面視で、矩形または円形形状とされる。半田材１３を、ランド２３の半田付け部位２３ａ上に供給し、レーザＬをランド２３上に照射し、半田材１３を溶融して各コネクタピン１１を半田付け部位２３ａに半田付けする。
半田材１３としては、クリーム半田、ボール半田でもよい。あるいは、あらかじめ基板側に半田をプリフォームしてもよい。半田の組成としては、錫（Sn）、銀（Ag）、Cu（銅）、ビスマス（Bi）、インジウム（In）、ニッケル（Ni）、リン（P）、ゲルマニウム（Ge）などの組み合わせからなる鉛フリー半田を使用する。
【００１５】
[焼付け防止構造]
図２は、本発明の電子制御装置におけるランド部近傍の拡大平面図であり、図３は、金属膜によるソルダレジスト（絶縁膜）の焼付け防止機能を説明するための断面図である。図２では、ソルダレジスト２４の開口部２４ａは点線で図示されている。
コネクタピン１１は、先細の先端部１１ａおよび軸部１１ｂを有する。先端部１１ａは、４つの傾斜面ＩＦを有する四角錐台状に形成されている。コネクタピン１１は、配線基板２０の裏面側から、配線基板２０に形成された貫通孔２７を挿通して上面（一面）側に突出されている。コネクタピン１１は、先端部１１ａが配線基板２０の上面より高い位置とされた状態で半田１８により半田付け部位２３ａおよび貫通孔２７の内面に形成された内面箔２１に半田付けされている。
【００１６】
配線基板２０の貫通孔２７の周縁部にはランド２３が形成されている。ランド２３は、銅箔などの金属箔で形成されており、貫通孔２７と同軸の円形形状に形成されている。ランド２３の外周には、４つの金属膜３１が形成されている。４つの金属膜３１はランド２３と一体に形成されており、ランド２３と同一材料で、同一の厚さに形成されている。但し、金属膜３１を、ランド２３とは異なる材料、異なる厚さに形成してもよい。図２では、各金属膜３１は、ほぼ、楕円形の半分のような形状として図示されているが、後述する如く、レーザＬの正反射光ＬＲ(図３参照)が照射される全領域を含むものであれば、どのような形状でも構わない。
【００１７】
ランド２３の半田付け部位２３ａの外周上、金属膜３１上、およびランド２３と金属膜３１から露出した配線基板２０上には、ソルダレジスト２４が形成されている。
４つの金属膜３１は、後述するように、傾斜面ＩＦで反射されたレーザＬの正反射光ＬＲによるソルダレジスト２４の焼付けを防止する機能を有する。
金属膜３１のそれぞれは、配線基板２０における傾斜面ＩＦに対応する方向に配置されている。換言すれば、四角錐台の稜線の延長線方向には配置されていない。
【００１８】
図３に図示されるように、レーザＬは、配線基板２０の上面に垂直な方向から、半田付け部位２３ａの領域内に照射される。コネクタピン１１の軸部１１ｂの外側領域に照射されたレーザＬは、半田付け部位２３ａ上に供給された半田材を溶融する。配線基板２０の貫通孔２７内を通過したレーザＬによりコネクタ１２のコネクタケース１２ａが焼損されるような場合には、コネクタケース１２ａを白色系の材料で形成したり、レーザＬが照射される領域にレーザＬの反射率を大きくする表面処理をしたりしておく。
コネクタピン１１の先端部１１ａの傾斜面ＩＦに照射されたレーザＬの正反射光ＬＲは、傾斜面ＩＦで反射され、配線基板２０上に形成されたソルダレジスト２４上に照射される。本発明の一実施の形態では、傾斜面ＩＦで反射され、ソルダレジスト２４上に照射されるレーザＬの正反射光ＬＲの領域には、ソルダレジスト２４と配線基板２０との間に金属膜３１が形成されており、これにより、後述するように、レーザＬの正反射光ＬＲの照射に起因するソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
次に、本発明の電子制御装置と従来の技術との相違について説明する。
【００１９】
[従来の電子制御装置]
図４は、従来の配線基板におけるランド近傍の拡大平面図であり、図５は、図４に示す従来の配線基板におけるソルダレジストの焼付けを説明するための断面図であり、図６は、図５において焼付けが生じたランド近傍の平面図ある。
図４に図示されるように、従来の電子制御装置の配線基板４０は、ランド２３の外周に、図２に図示された金属膜３１を備えていない。それ以外は、図２に図示された構成と同じである。
【００２０】
コネクタ１２のコネクタピン１１は、その軸部１１ｂを貫通孔２７の軸心と同軸にして、配線基板４０の上面に垂直に配置されている。コネクタピン１１の先端部１１ａの傾斜面ＩＦに照射されたレーザＬの一部は、コネクタピン１１に吸収され熱エネルギに変わる。残りの正反射光ＬＲがランド２３の外周近傍のソルダレジスト２４上に照射される。レーザＬの正反射光ＬＲを吸収して上昇するソルダレジスト２４の温度は、ソルダレジスト２４の耐熱温度を大きく超えるため、ソルダレジスト２４は一瞬にして焼損する、所謂、焼付け（基板焼け）を起こす。
【００２１】
図６は、ソルダレジスト２４の焼付け部ＢＳを図示した平面図である。ソルダレジスト２４の焼付け部ＢＳは、ランド２３の外周縁に生じる。
コネクタピン１１の先端部１１ａが四角錐台形状の場合、ソルダレジスト２４の焼付け部ＢＳは、図６における左側のランド２３側に示されるように、４つの傾斜面ＩＦに対応する領域のランド２３の外周縁上に生じ易い。また、コネクタピン１１が、配線基板２０の上面に垂直な面に対して倒れていたり、レーザＬがコネクタピン１１の先端部１１ａの周囲全体に強く反射されたりすると、ソルダレジスト２４の焼付け部ＢＳは、図６の右側のランド２３側に示されるように、ランド２３の外周縁上に、外周縁に沿って連続的に生じることもある。
【００２２】
これに対し、本発明の一実施の形態では、レーザＬの正反射光ＬＲが照射されるソルダレジスト２４の領域下に、金属箔で形成された金属膜３１が形成されている。この構造では、レーザＬの正反射光ＬＲは、金属膜３１の表面で反射されるため、ソルダレジスト２４に吸収されるエネルギは大幅に低減し、焼付けの発生を防止することができる。
【００２３】
[焼付け試験結果]
金属膜３１の有無によるソルダレジストの焼付け発生の相違を試験により確認した。
図７は、レーザの照射出力をパラメータとする金属膜の有無による焼付けの発生の関係を示す図である。
焼付け試験は、ガラスエポキシ基材により形成された配線基板２０上とソルダレジスト２４との間に銅箔があるものとないものについてそれぞれレーザＬを照射して違いを確認した。レーザＬは、波長９４０ｎｍ、レーザスポット径φ1mmとし、出力が８Ｗ、１０Ｗ、１５Ｗ、２０Ｗのそれぞれについて行った。
【００２４】
ソルダレジストのみのサンプルでは、１０Ｗ以上の照射で基板焼けが発生した。一方、ソルダレジスト下に銅箔があるサンプルでは、１５Ｗ照射でも基板焼けは発生しなかった。
銅箔有り無しの基板のそれぞれについて、分光反射率を測定したところ、本発明で使用している半導体レーザの波長９４０ｎｍに対しては、銅箔が無い基板に対して、銅箔がある基板は反射率が約２．５倍であった。
このことから、基板焼けを抑制するには、ランド２３を、レーザＬの正反射光ＬＲが照射されるソルダレジスト２４の照射領域下まで拡げるのが有効であることが明らかとなった。
【００２５】
[正反射光の照射範囲]
図８は、レーザＬの正反射光ＬＲの照射領域を説明するための図である。
コネクタピン１１の傾斜面ＩＦの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する傾斜角をθ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する倒れ角をφ、ランド２３の上面からコネクタピン１１の傾斜面ＩＦの最上部までの高さをＹＵ、コネクタピン１１の一方の傾斜面ＩＦ１の最上部直下から金属膜３１の外周の一方までの長さをＸ１、コネクタピン１１の他方の傾斜面ＩＦ２の最上部直下から金属膜３１の外周の反対側までの長さをＸ２とし、レーザＬを配線基板２０の上面に垂直方向から照射した場合、Ｘ１、Ｘ２のそれぞれが、下記の式を満足するようにする。
Ｘ１＞ＹＵｔａｎ|２（θ＋φ）|                                      式（１）
Ｘ２＞ＹＵｔａｎ|２（θ−φ）|（但し、θ≧φ）                      式（２）
【００２６】
上記式（１）および式（２）を満足するように、金属膜３１の形状、大きさを設定することにより、レーザＬの正反射光ＬＲによるソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
通常は、コネクタピン１１は貫通孔２７と同軸であり、かつ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する倒れ角φは０°、換言すれば、コネクタピン１１の軸部１１ｂは、配線基板２０の上面に対し垂直である。この場合には、次の式（３）を満足するようにすればよい。
Ｘ１＝Ｘ２＞ＹＵｔａｎ２θ                                      式（３）
【００２７】
図９は、図８において、コネクタピン１１の軸部１１ｂの軸心が貫通孔２７の軸心から距離Δｘ変位(位置ずれ)している場合を説明するための図である。
コネクタピン１１の傾斜面ＩＦの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する傾斜角をθ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する倒れ角をφ、ランド２３の上面からコネクタピン１１の傾斜面ＩＦの最上部までの高さをＹＵ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの軸心の、貫通孔２７の軸心からの距離をΔｘ、コネクタピン１１の一方の傾斜面ＩＦ１の最上部直下から金属膜３１の外周の一方までの長さをＸ１、コネクタピン１１の他方の傾斜面ＩＦ２の最上部直下から金属膜３１の外周の反対側までの長さをＸ２とし、レーザＬを配線基板２０の上面に垂直方向から照射した場合、Ｘ１、Ｘ２のそれぞれが、下記の式を満足するようにする。
Ｘ１＞ＹＵｔａｎ|２（θ＋φ）|−Δｘ                                式（４）
Ｘ２＞ＹＵｔａｎ|２（θ−φ）|＋Δｘ（但し、θ≧φ）                式（５）
（但し、Δｘは、コネクタピン１１の軸部１１ｂの軸心が、金属膜３１の外周の一方側からみて、貫通孔２７の軸心よりも遠い側に位置する場合を正とし、貫通孔２７の軸心よりも近い側に位置する場合を負とする。）
【００２８】
上記式（４）および式（５）を満足するように、金属膜３１の形状、大きさを設定することにより、コネクタピン１１の軸心が、貫通孔２７の軸心とずれている場合であっても、レーザＬの正反射光ＬＲによるソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
【００２９】
上記一実施の形態では、コネクタピン１１の先端部１１ａが円錐台形状として例示した。しかし、コネクタピン１１の先端部１１ａの形状は、種々、変更することが可能である。
以下に、コネクタピン１１の形状とこれに伴う金属膜３１の配設の一例を示す。
【００３０】
[変形例１]
図１０は、本発明の変形例１を示す。
図１０に示す変形例１では、コネクタピン１１の先端部１１ａは、背中合わせに配置された２つの傾斜面ＩＦＡを有している。ランド２３の外周には、２箇所に金属膜３１ａがランド２３と一体に形成されている。各金属膜３１ａは、２つの傾斜面ＩＦＡが形成された方向のランド２３の外周に形成されており、傾斜面ＩＦＡの側面に対応する方向には形成されていない。
このように、コネクタピン１１の先端部１１ａに、背中合わせに配置された２つの傾斜面ＩＦＡを有している場合には、２つの傾斜面ＩＦＡに対向して２つの金属膜３１ａを形成するだけでよく、配線基板２０、延いては、電子制御装置１の実装密度を高めることができる。
【００３１】
[変形例２]
図１１は、本発明の変形例２を示す。
図１１に示す変形例２では、コネクタピン１１の先端部１１ａは、６つの傾斜面ＩＦＢを有する六角錐台形状に形成されている。ランド２３の外周には、６箇所に金属膜３１ｂがランド２３と一体に形成されている。各金属膜３１ｂは、６つの傾斜面ＩＦＢが形成された方向のランド２３の外周に形成されており、各金属膜３１ｂは、傾斜面ＩＦＢ間の境界である稜線に対応する方向には形成されておらず、分離されている。
【００３２】
[変形例３]
図１２は、本発明の変形例３を示す。
図１２に示す変形例３では、コネクタピン１１の先端部１１ａは、円錐台形状に形成されている。円錐台形状に形成された先端部１１ａは、３６０°連続するリング状の１つの傾斜面ＩＦＣを有している。ランド２３の外周には、ランド２３と同軸のリング状の金属膜３１ｃが、ランド２３と一体に形成されている
コネクタピン１１の先端部１１ａが円錐台形状を有している場合には、傾斜面ＩＦＣで反射されるレーザＬの正反射光ＬＲの照射領域がリング形状となるので、ランド２３の形状を、リング状の金属膜３１ｃを含む大きさの円形形状にすればよい。
【００３３】
[変形例４]
図１３は、本発明の変形例４を示す。
図１３に示す変形例４では、コネクタピン１１の先端部１１ａは、図２に示す実施形態１の場合と同様、四角錐台形状に形成されている。しかし、変形例４では、金属膜３１ｄがランド２３の外周にリング状に形成されている点で、実施形態１とは相違する。
通常、レーザＬの正反射光ＬＲは、傾斜面ＩＦで強く、隣接する傾斜面ＩＦの境界部である稜線部では弱い。従って、金属膜３１ｄの外径は、傾斜面ＩＦでのレーザＬの正反射光ＬＲにより照射されるソルダレジスト２４の領域下に設けるようにする。
【００３４】
コネクタ１２に設けられたコネクタピン１１は、コネクタ１２の配置により、各コネクタピン１１の傾斜面ＩＦの向きおよび各コネクタピン１１の配線基板２０に対する倒れ角φを設定することができる。しかし、ピン状の被半田付け部材を、１本単位で半田付けする必要がある場合等では、被半田付け部材の傾斜面ＩＦがどの方向に向くか不明であったり、あるいは、ばらつきにより角度がずれたりする場合がある。このような場合には、変形例４に示すように、金属膜３１ｄを、ランド２３の外周にリング状に形成することにより、確実に、ソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
【００３５】
なお、変形例４の構造は、コネクタピン１１の先端部１１ａが、四角錐台形状の場合に限らず、三角錐台以上の多角錐台形状の場合すべてに適用することが可能である。
【００３６】
[変形例５]
図１４（ａ）、１４（ｂ）は、本発明の変形例５を示し、コネクタピンが、配線基板に倒れた状態で半田付けされる場合の、ランドおよび金属膜の形状の一例を示す平面図である。
上述した如く、配線基板２０の貫通孔２７の軸心に対するコネクタピン１１の倒れ角φおよびコネクタピン１１と貫通孔２７の軸心間の距離Δｘがばらつきの範囲内である限り、倒れ角φおよび軸心間の距離Δｘの値を設定することができない。
このため、通常、配線基板２０の貫通孔２７の軸心に対するコネクタピン１１の倒れ角φ＝０、コネクタピン１１と貫通孔２７の軸心間の距離Δｘ＝０として、式（３）により計算されたＸ１（Ｘ２）を満足するように金属膜３１が設けられる。
しかし、配線基板２０上に実装される他の電子部品や、配線基板２０が収納される筐体の構造によっては、倒れ角φおよび／または軸心間の距離Δｘを所定の値に設定する必要がある場合がある。図１４（ａ）、図１４（ｂ）は、そのような場合に適用できるランド２３の形状、大きさを示す一例である。
【００３７】
図１４（ａ）、図１４（ｂ）に図示された例では、コネクタピン１１の倒れ角φおよび／または軸心間の距離Δｘが所定の値に設定され、四角錐台形状を有する先端部１１ａの中心は、貫通孔２７の軸心を通る面Ｃ−Ｃに対してＸ方向に変位している。先端部１１ａの中心は、Ｙ方向においては、貫通孔２７の軸心と一致している。
この状態では、−Ｘ方向の金属膜３１ｅ１は、式（４）により求められるＸ１を満足し、Ｘ方向の金属膜３１ｅ２は、式（４）により求められるＸ２を満足するように形成される。また、Ｙ方向および−Ｙ方向の金属膜３１ｅ３は、式（３）により求められるＸ１（Ｘ２）を満足するように形成される。この場合、式（３）、式（４）から、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３が異なる値となることは明らかある。
【００３８】
従って、すべての金属膜３１ｅ１〜３１ｅ３を、長さＸ１〜Ｘ３の中、最大の長さを満足するような大きさ（または形状）に形成する場合に比し、ランド２３の周囲に形成される金属膜３１ｅ１〜３１ｅ３の合計の面積を小さくすることができる。すなわち、電子制御装置１の実装密度を高めることができる。
図１４（ａ）は、コネクタピン１１の各傾斜面ＩＦに対向して、金属膜３１ｅ１-〜３１ｅ３のそれぞれを分離して、ランド２３の外周に、ランド２３と一体に形成した態様の平面図である。
また、図１４（ｂ）は、ランド２３Ａの外周を、図１４（ａ）に示す各金属膜３１ｅ１-〜３１ｅ３の外周を包絡する形状とした態様の平面図である。
図１４では、先端部１１ａを多角錐台形状として例示したが、この構造は、先端部１１ａが２つの傾斜面を有する場合を含み、多角錐台形状であるすべての場合の適用することができる。
【００３９】
以上説明した通り、本発明の一実施の形態に示す電子制御装置１によれば、下記の効果を備える。
（１）コネクタピン１１の先端部１１ａに形成された傾斜面ＩＦで反射されたレーザＬの正反射光ＬＲにより照射されるソルダレジスト２４の領域下にソルダレジスト２４の焼付け防止用の金属膜３１を形成した。ソルダレジスト２４に照射されたレーザＬの正反射光ＬＲは、金属膜３１により反射され、ソルダレジスト２４に吸収されるレーザＬのエネルギが低減されるので、ソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
【００４０】
（２）金属膜３１をランド２３と一体に形成したので、電子制御装置１を焼付け防止用の金属膜３１を形成しない場合と同様な作業時間で作製することができる。
（３）金属膜３１を、コネクタピン１１の先端部１１ａに形成された傾斜面ＩＦの方向に設け、傾斜面ＩＦの境界部である稜線の方向では分離された構造としたので、金属膜３１が不要な領域のスペースが形成され、電子制御装置１の実装密度を高めることができる。
【００４１】
（４）金属膜３１ｅ１〜３１ｅ３を、傾斜面ＩＦで反射するレーザＬの正反射光ＬＲが照射する領域に合わせて、その形状および/または大きさが異なるものとすることにより、電子制御装置１の実装密度を高めることができる。
【００４２】
なお、上記一実施の形態では、コネクタピン１１の先端部１１ａを、円錐台形状または多角錐台形状として例示したが、コネクタピン１１の先端部１１ａは、円錐形状や多角錐形状としてもよい。
また、金属膜３１の形状は、傾斜面ＩＦ直下からの長さＸ１、Ｘ２を満足するものであれば、どのような形状を有していても差し支えない。
【００４３】
--実施形態２--
図１５は、本発明の実施形態２を示す。
実施形態２が実施形態１と相違する点は、金属膜３３が、ランド２３の外周に、ランド２３から分離して形成されている点である。以下、主に、実施形態２の実施形態１との相違点に関する事項について説明することとし、実施形態１と同様な構成は、対応する部材に同一の符号を付し、適宜、その説明を省略する。
配線基板２０上に形成されたランド２３は、実施形態１と同様、貫通孔２７と同軸に形成された円形の外周を有している。金属膜３３は、ランド２３の外周に、ランド２３の外周とはスペースＳの長さ離間して、ランド２３と同軸に形成された円形の内周を有している。
【００４４】
金属膜３３は、リング形状等の独立した島状に形成してもよいが、配線基板２０に形成された不図示の配線パターンを囲んで形成し、グラウンド電位に接続するようにしてもよい。
コネクタピン１１は、実施形態１と同様、四角錐台形状の先端部１１ａを有するものとし説明する。
【００４５】
図１６は、傾斜面ＩＦにより反射されるレーザＬの正反射光ＬＲにより照射されるソルダレジスト２４の領域を説明するための図である。
コネクタピン１１の傾斜面ＩＦの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する傾斜角をθ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する倒れ角をφ、ランド２３の上面からコネクタピン１１の傾斜面ＩＦの最下部までの高さをＹＬ、コネクタピン１１の一方の傾斜面ＩＦ１の最下部直下から金属膜３３の内周の一方側までの長さをＸ３、コネクタピン１１の他方の傾斜面ＩＦ２の最下部直下から金属膜３３の内周の反対側までの長さをＸ４とし、レーザＬを配線基板２０の上面に垂直方向から照射した場合、Ｘ３、Ｘ４のそれぞれが、下記の式を満足するようにする。
Ｘ３＜ＹＬｔａｎ|２（θ＋φ）|                                      式（６）
Ｘ４＜ＹＬｔａｎ|２（θ−φ）|（但し、θ≧φ）                      式（７）
【００４６】
上記式（４）および式（５）を満足するように、金属膜３１の形状を設定することにより、レーザＬの正反射光ＬＲによるソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
通常は、コネクタピン１１は貫通孔２７と同軸であり、かつ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する倒れ角φは０°、換言すれば、コネクタピン１１の軸部１１ｂは、配線基板２０の上面に垂直である。この場合には、次の式（６）を満足するようにすればよい。
Ｘ３＝Ｘ４＜ＹＬｔａｎ２θ                                      式（８）
【００４７】
ランド２３の大きさは、コネクタピン１１が配線基板２０の上面に垂直に配置されている場合には、照射するレーザＬの大きさ以上にしておけばよい。コネクタピン１１が、配線基板２０の貫通孔２７の軸心に対して角度φ倒れている場合には、軸部１１ｂの表面で反射されたレーザＬの正反射光ＬＲが、ソルダレジスト２４上に照射される。従って、これに対応する分、ランド２３の大きさを大きくする。コネクタピン１１の軸部１１ｂの表面で反射されたレーザＬの正反射光ＬＲに対しては、軸部１１ｂの最上部直下からランド２３の一方の外周までの長さＸ１を、式（１）において、θ＝０として求めることができる。但し、ランド２３の上面からコネクタピン１１の傾斜面ＩＦの最上部までの高さＹＵを、ランド２３の上面からコネクタピン１１の軸部１１ｂの最上部までの高さにする。また、式（１）では、計算により得られた値よりＸ１を大きくするが、図１６に図示された例では、計算により得られた値よりＸ１を小さくする。すなわち、ランド２３の上面からコネクタピン１１の軸部１１ｂの最上部までの長さをＹｂ（≒ＹＬ）とした場合、コネクタピン１１の軸部１１ｂの最上部直下からランド２３の外周までの長さＸ１ａが次の式（１ａ）を満足するようにする。
Ｘ１a＜Ｙｂｔａｎ２φ                                            式（１ａ）  
【００４８】
コネクタピン１１の軸部１１ｂが配線基板２０に対して倒れ角φで配置された場合であっても、先端部１１ａの傾斜面ＩＦは、軸部１１ｂより傾斜角θだけ大きく傾斜している。つまり、軸部１１ｂで反射されるレーザＬの正反射光ＬＲの照射領域は、先端部１１ａの傾斜面ＩＦで反射されるレーザＬの正反射光ＬＲの照射領域より狭い。従って、ランド２３の外径は金属膜３３の内径より小さくなり、この差がスペースＳとなる。傾斜角θが小さく、ばらつき等を含めるとランド２３の外径と金属膜３３の内径との間に十分なスペースＳを設けることができない場合には、軸部１１ｂにレーザＬの反射を拡散するための表面処理を行うようにしてもよい。レーザＬの反射を拡散する表面処理の形成方法については、後述する。
【００４９】
図１７は、図１６において、コネクタピン１１の軸部１１ｂの軸心が貫通孔２７の軸心から距離Δｘ変位(位置ずれ)している場合を説明するための図である。
コネクタピン１１の傾斜面ＩＦの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する傾斜角をθ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの、配線基板２０の上面に垂直な面に対する倒れ角をφ、ランド２３の上面からコネクタピン１１の傾斜面ＩＦの最下部までの高さをＹＬ、コネクタピン１１の軸部１１ｂの軸心の、貫通孔２７の軸心からの距離をΔｘ、コネクタピン１１の一方の傾斜面ＩＦ１の最下部直下から金属膜３３の内周の一方までの長さをＸ３、コネクタピン１１の他方の傾斜面ＩＦ２の最下部直下から金属膜３３の内周の反対側までの長さをＸ４とし、レーザＬを配線基板２０の上面に垂直方向から照射した場合、Ｘ３、Ｘ４のそれぞれが、下記の式を満足するようにする。
Ｘ３＜ＹＬｔａｎ|２（θ＋φ）|−Δｘ                                式（９）
Ｘ４＜ＹＬｔａｎ|２（θ−φ）|＋Δｘ（但し、θ≧φ）                式（１０）
（但し、Δｘは、コネクタピン１１の軸部１１ｂの軸心が、金属膜３３の内周の一方側からみて、貫通孔２７の軸心よりも遠い側に位置する場合を正とし、貫通孔２７の軸心よりも近い側に位置する場合を負とする。）
【００５０】
上記式（９）および式（１０）を満足するように、金属膜３３の形状を設定することにより、コネクタピン１１の軸心が、貫通孔２７の軸心とずれている場合であっても、レーザＬの正反射光ＬＲによるソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
【００５１】
従って、実施形態２においても、実施形態１と同様、コネクタピン１１の傾斜面ＩＦで反射されたレーザＬの正反射光ＬＲによるソルダレジスト２４の焼付けを防止することができる。
また、金属膜３３を接地する構成であれば、ランド２３の大きさは、コネクタピン１１が、その先端部１１ａ傾斜面ＩＦを有していない場合と同様な大きさとすることができるので、電子制御装置１の実装密度を高めることができる。
【００５２】
--実施形態３--
図１８、図１９は本発明の実施形態３を示す図である。
実施形態３は、実施形態１および実施形態２に示すように、コネクタピン１１の傾斜面ＩＦで反射されたレーザＬの正反射光ＬＲにより照射されるソルダレジスト２４の領域下に金属膜３１、３３を形成した配線基板２０を備え、かつ、コネクタピン１１の表面にレーザＬの反射を拡散するための拡散処理を行ったものである。
図１８に図示されるように、コネクタピン１１の先端部１１ａおよび軸部１１ｂの上部側には、表面に微細な凹凸で形成された拡散層１１ｃが設けられている。先端部１１ａと軸部１１ｂに形成する凹凸の表面粗さは異なるようにしてもよいし、同一としてもよい。拡散層１１ｃは、コネクタピン１１の全表面に設けてもよい。
【００５３】
コネクタピン１１の表面粗化方法としては、銅合金等からなるコネクタピン１１を粗化処理した後、ＮｉやＳｎを厚さ数ミクロン程度めっきする。薄いめっき膜であれば、母材の凹凸を転写してめっきを成長させることができる。コネクタピン１１の先端部１１ａだけに凹凸を形成する場合は、コネクタピン１１の他の部分をマスキングし、粗化処理を行えばよい。
コネクタピン１１の表面に凹凸を形成する方法としては、ウェットエッチング、酸化還元処理、サンドブラストなどがある。
ウェットエッチングは、無機酸および酸化剤からなる主剤と、エッチング抑制剤などからなる助剤とを含む水溶液にコネクタピン１１を浸漬することで行うことができる。ここで、無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、塩素酸、スルファミン酸、ホウ酸、ホウフッ酸などがある。酸化剤としては過酸化水素、塩化第二鉄、塩化第二銅、ペルオキソ化合物などがある。ウェットエッチングによって、銅合金表面に数ミクロンオーダーの凹凸を形成することができる。
【００５４】
コネクタピン１１が銅合金製である場合、酸化還元処理は、例えば、酸化剤を含有する水溶液に所定の時間、銅合金を浸漬して表面に微細な酸化銅の針状結晶を形成後、この銅酸化物層を溶解しない酸性還元溶液に浸漬することで、微細な金属銅合金の針状結晶を表面に形成することができる。酸化還元処理によって、銅合金表面にはサブミクロンオーダーの凹凸を形成することができる。
サンドブラストによって凹凸を形成してもよい。サンドブラストの研磨剤としてはアルミナ、炭化珪素、ジルコン、ガラスビーズ、鉄粉などが使われる。研磨剤を混入した液体を使用するウェットブラストによって表面粗化を行ってもよい。
【００５５】
図１９は先端部１１ａの表面に凹凸を形成したコネクタピン１１に対しレーザＬを照射した場合のレーザＬの反射を示す図である。コネクタピン１１の真上から照射されたレーザＬは先端部１１ａの表面で正反射して配線基板２０の表面に照射される。レーザＬの一部は傾斜面ＩＦの表面で拡散反射するため、配線基板２０上のソルダレジスト２４の表面には達しない。または、ソルダレジスト２４の表面に達したとしてもレーザＬのエネルギは大きく低減している。
【００５６】
実施形態３では、配線基板２０上に、コネクタピン１１の傾斜面ＩＦで反射されるレーザＬの正反射光ＬＲを反射する金属膜３１、３３を形成した上、コネクタピン１１の表面に正反射光ＬＲのエネルギを低減する拡散層１１ｃを形成した。
このため、先端に凹凸を形成することにより、ソルダレジスト２４上に達するレーザエネルギは低減するので、半田を溶融する際のレーザＬの照射エネルギが大きい場合であっても、ソルダレジスト２４の焼付けを確実に防止することができる。従って、照射可能なレーザＬの出力を増加して、短時間での半田付けが可能となり、作業効率を向上することができる。
【００５７】
なお、上記各実施形態では、コネクタ１２のコネクタピン１１を被半田付け部材として例示した。しかし、本発明は、少なくとも一面に傾斜面ＩＦを有する、マイコンやメモリ等のパッケージ部品、抵抗、コンデンサ等のチップ部品、またはコネクタ以外の接続用部材にも適用が可能である。
【００５８】
上記各実施形態では、配線基板２０の上面に対し、レーザＬを垂直方向から照射する場合で説明した。しかし、本発明は、レーザＬを配線基板２０の上面に対し、傾斜する方向から照射する場合にも適用することができる。このような場合において、レーザＬの正反射光ＬＲにより照射される領域を求めるには、被半田付け部材の傾斜面ＩＦが配線基板２０に垂直な面に対する角度θに、レーザＬの配線基板２０に対する傾斜角を加味して求めるようにすればよい。
【００５９】
その他、本発明は、その趣旨の範囲内で、種々、変形して適用することが可能であり、要は、被半田付け部材の傾斜面で反射されたレーザの反射光が照射される配線基板の領域にレーザの反射光による絶縁膜の焼付け防止用の金属膜を形成したものであればよい。
【符号の説明】
【００６０】
１        電子制御装置
１１        コネクタピン（被半田付け部材）
１１ａ      先端部
１１ｂ      軸部
１１ｃ      拡散層
１２        コネクタ
１３        半田材
１８        半田
２０        配線基板
２３、２３Ａ      ランド
２３ａ      半田付け部位
２４        ソルダレジスト（絶縁膜）
２４ａ      開口部
２７        貫通孔
３１、３１ａ〜３１ｄ、３１ｅ１〜３１ｅ３、３３        金属膜
ＢＳ        焼付け部
ＩＦ、ＩＦ１、ＩＦ２、ＩＦＡ、ＩＦＢ、ＩＦＣ      傾斜面
Ｌ          レーザ
ＬＲ        正反射光
【図１】
2015015437.tif 000003
【図２】
2015015437.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015015437.tif 000009
【図８】
2015015437.tif 000010
【図９】
2015015437.tif 000011
【図１０】
2015015437.tif 000012
【図１１】
2015015437.tif 000013
【図１２】
2015015437.tif 000014
【図１３】
2015015437.tif 000015
【図１４】
2015015437.tif 000016
【図１５】
2015015437.tif 000017
【図１６】
2015015437.tif 000018
【図１７】
2015015437.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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