(57)【要約】【課題】本発明は、ハードマスクを形成するための無機膜と複数のペア層をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、前記無機膜へのサイドエッチおよびスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状を抑制することができるドライエッチング方法を提供する。  【解決手段】本発明は、シリコン含有膜とシリコン酸化膜が積層された第一の積層膜が複数積層された第二の積層膜および前記第二の積層膜の上方に配置された無機膜をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスを用いて前記無機膜と前記第二の積層膜をエッチングすることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有膜とシリコン酸化膜が積層された第一の積層膜が複数積層された第二の積層膜および前記第二の積層膜の上方に配置された無機膜をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、
ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスを用いて前記無機膜と前記第二の積層膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記シリコン含有膜は、ポリシリコン膜であり、
前記混合ガスにさらにＮ2ガスと希ガスを混合することを特徴するドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記シリコン含有膜は、ポリシリコン膜であり、
前記混合ガスにさらにＯ2ガスとＮ2ガスと希ガスを混合することを特徴するドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のドライエッチング方法において、
前記混合ガスの流量に対する前記ＮＦ3ガスの流量の割合が４０％ないし７０％の範囲内の値であることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のドライエッチング方法において、
前記無機膜と前記第二の積層膜を有する試料に時間変調された高周波電力を供給することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項５に記載のドライエッチング方法において、
前記時間変調のデューティー比は、５０％ないし９５％の範囲内の値であることを特徴とするドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用いたドライエッチング方法であり、特に３次元構造デバイスのエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラッシュメモリの高集積化に伴い、各記憶素子のチャネル、またはゲート電極を垂直方向に積層化するという３次元メモリ構造が検討されている。このような３次元メモリ構造を実現するためには、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜とＳｉＯ2膜、または、ＳｉＮ膜とＳｉＯ2膜をペア層とし、複数のペア層に対して高いアスペクト比のビア、またはトレンチを一貫加工できるエッチング技術が必要となる。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、アモルファスカーボン層(Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＡＣＬ、以下、ＡＣＬと称する)をマスク膜とし、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜とＳｉＯ2膜のペア層から成る高アスペクト積層構造をドライエッチングする際、ＮＦ3とＣＨ2Ｆ2を含む混合ガスを用いることが開示されている。さらに、そのガス系にて、主エッチングでテーパ形状とし、続けて圧力を降下させたオーバーエッチングを適用することで、テーパ形状の底部を広げ、高アスペクト比のビアを垂直にエッチングする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−８０９０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１で開示されたエッチング方法で図１に示すような、ハードマスクを形成するための膜である無機膜１０５とＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４およびＳｉＯ2膜１０３からなるペア層が複数積層された積層膜１０７を同一処理室で一貫エッチングした場合の加工断面の模式図を図２に示す。ＡＣＬマスクであるマスク１０６残り量の不足による無機膜１０５の片落ち１０８が発生したり、サイドエッチ１０９が生じた。
【０００６】
また、積層膜１０７についてはテーパ形状となったり、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０４の上層部ほど大きいサイドエッチが発生するというスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状１１０が生じた。この時、図２のｂ−ａで定義されたＣＤシフト量は、２７ｎｍ程度となり、このＣＤシフト量は、メモリ特性が上層部と下層部で異なるという問題を引き起こした。
【０００７】
このため、本発明は、ハードマスクを形成するための無機膜と複数のペア層をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、前記無機膜へのサイドエッチおよびスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状を抑制することができるドライエッチング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、シリコン含有膜とシリコン酸化膜が積層された第一の積層膜が複数積層された第二の積層膜および前記第二の積層膜の上方に配置された無機膜をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスを用いて前記無機膜と前記第二の積層膜をエッチングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ハードマスクを形成するための無機膜と複数のペア層をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、前記無機膜へのサイドエッチおよびスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明を適用する３次元メモリ素子部分の断面を示す図である。
【図２】従来技術を適用した場合のエッチング形状を示す図である。
【図３】本発明を適用した場合のエッチング形状を示す図である。
【図４】有磁場ＶＨＦドライエッチング装置の断面図である。
【図５】Ａｒガス添加量に対するＣＤシフト量５０１依存性とＡｒガス添加量に対する対マスク選択比５０２依存性を示す図である。
【図６】Ｎ2ガス添加量に対するＣＤシフト量６０１依存性とＮ2ガス添加量に対する対マスク選択比６０２依存性を示す図である。
【図７】Ｏ2ガス添加量が２０ｓｃｃｍ場合のＡＣＬマスクのパターン開口率に対するＣＤシフト量７０１依存性とＡＣＬマスクのパターン開口率が８％におけるＯ2ガス添加量が３０ｓｃｃｍ場合のＣＤシフト量７０２を示す図である。
【図８】２レベルの時間変調された高周波バイアス電力のデューティー比に対するＣＤシフト量依存性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
まず、本発明を実施するためのドライエッチング装置について説明する。図４は、平行平板型の有磁場ＶＨＦ(Ｖｅｒｙ  Ｈｉｇｈ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、以下、ＶＨＦと称する)ドライエッチング装置の縦断面図である。このドライエッチング装置における真空容器は、プラズマ処理室としてのエッチングチャンバー４０６と、ＶＨＦ波を放射するＶＨＦ放射アンテナ４１１と、真空容器内を真空排気する真空ポンプ(図示せず)と、プラズマ処理室内の圧力を制御する圧力制御バルブ(図示せず)とを備えている。
【００１２】
エッチング用のガスは、マスフローコントローラ(図示せず)とストップバルブ(図示せず）を通過後、第一のガス導入口４０７と第二のガス導入口４０９を通して、シャワープレート４１２の同心円状にそれぞれエッチングチャンバー４０６内に導入される。そして真空容器下部に設けられた排気口(図示せず)からターボ分子ポンプ(図示せず)およびドライポンプ(図示せず)により排気される。このように導入されたガスはプラズマ発生手段により照射された電磁波のエネルギーにより解離されてプラズマが生成、維持される。
【００１３】
プラズマの発生手段は、２００ＭＨｚのＶＨＦ波のソース用電源４０１と、ソース電磁波用整合器４０２と、第一の電磁石４０４と第二の電磁石４０５から成る磁場生成手段とを有している。これら２つの電磁石を用いて、プラズマ生成分布を均一化させる。生成された磁場は、シャワープレート４１２近傍で１０ｍＴ以下である。
【００１４】
試料であるウェハ４１３を載置するウェハステージ４１６は、ウェハ４１３の載置面の外周側及び側壁を覆って配置されたリング形状のフォーカスリング４１４とサセプタ４１５を備え、複数の温度制御手段等（図示せず）を用いて、ウェハステージ４１６の複数部分を異なる所定の温度に制御することが可能である。また、ＥＳＣ用直流電源４１８により供給された直流電圧によってウェハ４１３は、試料台であるウェハステージ４１６の載置面に静電吸着される。さらにウェハステージ４１６には、プラズマ中からウェハ４１３にイオンを引き込み、そのイオンエネルギーを制御するための４ＭＨｚの高周波バイアス電源４１９と高周波バイアス整合器４１７が接続されている。
【００１５】
高周波バイアス電源４１９は、１２インチ径のウェハ４１３に対し、連続正弦波時相当で最低１Ｗ程度から最大電力６０００Ｗ程度まで出力できる。さらに、チャージアップダメージ(電子シェーディング)低減および垂直加工性の効果を得るため、高周波バイアス電源４１９は、２レベルの時間変調された高周波電力を供給できる。時間変調された高周波電力は、高バイアスパワーと低バイアスパワーという２レベルのパワーを０．１〜１０ｋＨｚの範囲の周波数で繰り返しされる。また、高バイアスパワーの期間と低バイアスパワーの期間は、繰り返し周波数とデューティー比により制御される。尚、デューティー比は、一周期に対する高バイアスパワーの期間の比である。また、低パワーの電力範囲は、０Ｗ以上高バイアスパワー未満で設定可能である。
【００１６】
また、プラズマを透過するバイアス電流のＶＨＦ放射アンテナ４１１への割合を制御するバイアス経路制御機構４２０を備えており、プラズマの分布をより高精度に制御することが可能である。さらに時間変調されたバイアス電力の高パワーと低パワーに応じて、プラズマインピーダンスの変化に追随してプラズマを安定させるために、ソース電磁場用整合器４０２とバイアス経路制御機構４２０には、高周波バイアス電源４１９からの時間変調の周期情報が入力される。
【００１７】
上述したドライエッチング装置を用いて本発明を適用した実施例を以下に説明する。
【００１８】
まず、本発明を適用する３次元構造のメモリ素子部分の断面構造を図１に示す。ウェハ基板１０１上に下からストッパ膜１０２と、シリコン酸化膜であるＳｉＯ2膜１０３とポリシリコン膜であるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４とからなるペア層が複数積層された積層膜１０７と、無機膜１０５と、マスク１０６とが配置されている。積層膜１０７の各々の層であるペア層の厚さは、１５〜４０ｎｍの厚さである。また、無機膜１０５は、ハードマスクを形成するための膜であり、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯ2膜等である。さらに無機膜１０５の厚さは、１００〜３００ｎｍの厚さである。
【００１９】
また、本実施例では、マスク１０６としてＡＣＬマスクを用いた。尚、ＡＣＬマスクは、予めドライ現像により形成されたマスクである。ここでドライ現像は、予めパターニングされたレジストマスクを用いてプラズマエッチングにより中間層であるＳｉＯＮ膜のハードマスクを形成し、引き続き、ハードマスク形成時に残ったレジストマスクとハードマスクを用いてプラズマエッチングによりＡＣＬ膜にパターンを形成するマスクの形成方法である。
【００２０】
ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスを用いて図１に示すような断面構造の無機膜１０５と積層膜１０７を一貫してエッチングした結果、図３(ａ)に示すようにマスク１０６の残り量が十分であり、無機膜１０５へのサイドエッチおよびスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状を抑制した形状を得ることができた。この図３(ａ)のような形状を得ることができた理由は以下のように考えられる。
【００２１】
まず、ＡＣＬマスクの残り量の不足やサイドエッチおよびスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状が発生する原因は、プラズマ化されるガス組成のＦ元素がＣＨxに対して過剰であるからである。すなわち、過剰なＦ元素のために、ＡＣＬマスクのエッチングレートが大きくなり、かつ、ＳｉＯ2膜１０３、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４、無機膜１０５がサイドエッチングされるとともにプラズマに晒される時間の長い上層側面から下層にむかってのライン寸法が後退してしまうからである。このため、サイドエッチおよびスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状の発生を抑制するためには、エッチングガスとしてフッ素含有ガスであるＮＦ3ガスを主ガスとする場合、フッ素含有ガスを含む混合ガスを構成する全元素数に対するフッ素元素の割合を低下させるために堆積性を持つＣＨx系ガスを混合する必要がある。
【００２２】
例えば、ＮＦ3ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスでは、混合ガスの構成元素に対するＦ元素の比が高いため、ＮＦ3ガスとＣＨＦ3ガスの混合ガスに対するＮＦ3ガスの割合を５％まで低下させても無機膜１０５にサイドエッチが発生し、ＮＦ3ガスの割合を増加させた場合、さらにサイドエッチが大きくなり、スキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状が発生する。
【００２３】
また、ＮＦ3ガスとＣＨ2Ｆ2ガスの混合ガスでは、混合ガスに対するＮＦ3ガスの割合が５０％以上の場合、無機膜１０５にサイドエッチが発生し、２５％以下では上部のデポによる孔づまりが発生した。また、２５％〜５０％の範囲の割合では、サイドエッチ及びスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状は発生しないが、対マスク選択比が１．１程と低く、ＡＣＬマスクの片落ち１０８が発生する。
【００２４】
さらにＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスを用いた場合、ＡＣＬマスクの残り量が十分であり、サイドエッチおよびスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状の発生を抑制することができる。また、パターンの開口率や１チップ内の疎密パターン等のパターン寸法に応じて、ＮＦ3ガスの流量とＣＨ3Ｆガスの流量を調整することでサイドエッチを抑制することができる。尚、パターンの開口率とは、ウェハ基板１０１全体の面積に占める被エッチング面積の割合である。
【００２５】
具体的にはＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスに対するＮＦ3ガスの流量割合を４０〜７０％の間とすることによりサイドエッチ及びスキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)の発生を抑制した形状を得ることができる。本実施例においては、ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスに対するＮＦ3ガスの流量割合を１１／２０とした場合が最適であった。
【００２６】
さらに、ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスにさらに希ガス、Ｎ2ガスを混合させることで、ＡＣＬマスクの残り量増加とＣＤ(Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ、以下、ＣＤと称する)シフト量抑制を両立することができる。先ず、Ａｒガス添加量に対するＣＤシフト量５０１依存性とＡｒガス添加量に対する対マスク選択比５０２依存性を図５に示す。ここで、対マスク選択比は、ＡＣＬマスクのエッチングレートに対するペア層のエッチングレート比とする。
【００２７】
図５に示すようにＡｒガス添加量の増加に伴い、ＣＤシフト量５０１と対マスク選択比５０２が低下していることがわかる。ＣＤシフト量５０１の改善理由は、Ａｒガス添加によりフルオロカーボンガスが希釈されて、ラジカルの堆積量を抑制することができたからと考えられる。本実施例では希ガスとしてＡｒガスを使用したが、本発明としては、Ａｒガス以外にＨｅガス、ＮｅガスやＫｒガスも用いても良い。
【００２８】
そして、このＡｒガス添加により低下した対マスク選択比を改善させるためにはＮ2ガス添加が効果的である。Ｎ2ガス添加量に対するＣＤシフト量６０１依存性とＮ2ガス添加量に対する対マスク選択比６０２依存性を図６に示す。図６に示すようにＮ2ガス添加量の増加に伴い、ＣＤシフト量６０１と対マスク選択比６０２が増加していることがわかる。この結果は、図５に示したＡｒガス添加の特性と逆の特性を示すが、Ａｒガス添加によるＣＤシフト量低減効果の方が大きい。
【００２９】
つまり、Ａｒガス添加によりＣＤシフト量を改善し、Ｎ2ガス添加によりＡｒガス添加による対マスク選択比の悪化を改善することによって、総括的には対マスク選択比を維持するとともに異方性の高い形状を得ることができる。本実施例においては、ＮＦ3ガスとＣＨ3ＦガスとＡｒガスとＮ2ガスの混合ガスに対し、ＮＦ3：ＣＨ3Ｆ：Ａｒ：Ｎ2＝１１：９：１０：４のガス流量比が最適であった。
【００３０】
また、希ガス(例えばＡｒガス)の代わりにＣＨ4ガスとＡｒガスの混合ガス(ＣＨ4ガスのＡｒガスに対する希釈率は４％）を用いてもＣＤシフト量を改善しつつ、対マスク選択比の低下を抑制することが可能である。これは、ＣＨ4ガスとＡｒガスの混合ガス(ＣＨ4ガスのＡｒガスに対する希釈率は４％）としてＮＨを添加しても同様の効果を得ることができる。
【００３１】
さらに本発明においては、ＮＦ3ガスとＣＨ3ＦガスとＡｒガスとＮ2ガスの混合ガスにＯ2ガスを添加することでＣＤシフト量を調整でき、パターン開口率の変化に対応することが可能となる。Ｏ2ガス添加量が２０ｓｃｃｍ場合のＡＣＬマスクのパターン開口率に対するＣＤシフト量７０１依存性と、ＡＣＬマスクのパターン開口率が８％におけるＯ2ガス添加量が３０ｓｃｃｍ場合のＣＤシフト量７０２を図７に示す。
【００３２】
パターン開口率の低下に伴い、ＣＤシフト量７０１が増加していることがわかる。この結果は、トレンチパターンの開口率の減少に伴い、プラズマ中にＡＣＬマスクからのカーボン系反応生成物が増加し、トレンチパターンに再入射する量も増加するためと考えられる。したがって、パターン開口率が小さくなる場合、Ｏ2ガス添加量を増加させることで、再入射により増加したカーボン系堆積膜を除去してＣＤシフト量を改善することによって、異方性の高い形状を得ることができる。
【００３３】
しかし、Ｏ2ガス添加量の増加に伴い、ＡＣＬマスクに対する選択比が低下するため、パターン開口率に応じて、過剰なＯ2ガス添加量は避ける必要がある。８％のパターン開口率の場合、Ｏ2ガス添加量を９％以下とすると、ペア層処理に必要な選択比である１．７以上の選択比が得られるため、８％のパターン開口率の場合、Ｏ2ガス添加量を９％以下とすることが望ましい。
【００３４】
また、Ｏ2ガスの代替ガスとしてＣＯガスまたはＣＯ2ガスの炭素元素と酸素元素を含有したガスを用いると、カーボン系堆積膜の除去力が弱くなるため、酸素ガスよりは多くの添加量が必要となる。このことにより、Ｏ2ガス添加量が少ない場合、広いガス流量範囲での調整がしやすくなる利点がある。
【００３５】
さらにＮＦ3ガスとＣＨ3ＦガスとＡｒガスとＮ2ガスの混合ガスを用いるとともに２レベルの時間変調された高周波バイアスを適用することでＣＤシフト量を低減することが可能となる。２レベルの時間変調された高周波バイアス電力のデューティー比に対するＣＤシフト量依存性を図８に示す。尚、各デューティー比での時間変調された高周波バイアス電力の時間平均が等しくなるように各デューティー比での高バイアスパワーを設定した。ここで、時間変調された高周波バイアス電力の時間平均は、高バイアスパワーとデューティー比の積で求められる値とする。また、時間変調の繰り返し周波数は１ｋＨｚ、低パワーは０Ｗとした。
【００３６】
図８に示すようにパターン開口率が８％の場合の結果である８０１は、デューティー比が８０％の場合にＣＤシフト量が極小値となり、パターン開口率が５０％の場合の結果である８０２は、デューティー比が５０％の場合、ＣＤシフト量が極小値となった。この結果は、本発明のようにサイドエッチ低減効果とＡＣＬマスクの選択比向上効果を両立するために使用した堆積性の強いガスプラズマにおいて、パターン開口率が低い場合は、低パワー時間が短くなる高デューティー比の方が堆積物の堆積期間を低減できることにより孔上部のデポによる孔づまりを回避できるのに対し、パターン開口率が高い場合は、カーボン系デポの再入射量が減るため、低パワー時間が長くなる低デューティー比の方が堆積物の堆積期間が増加することによりＣＤシフト量を改善できることを示す。つまり、この結果は、パターン開口率に対応することが可能であることを示している。
【００３７】
上述したことを踏まえると、本発明は、５％〜７０％のパターン開口率の場合に適用することが好ましい。また、デューティー比に関しては、３０％以下のパターン開口率である低パターン開口率の場合、再堆積がみられる５０％以上から、堆積期間を設けた効果がみられる９５％以下で使用することが好ましい。さらに、パターン上部のデポによる目づまりが発生した場合は、低パワー期間中、デポを除去することができる最小パワーとすることで、パターンの目づまりを回避するとともに時間変調された高周波バイアスの効果を維持することが可能となる。
【００３８】
以上、本発明は、ＮＦ3ガスとＣＨ3ＦガスとＡｒガスとＮ2ガスとＯ2ガスの混合ガスを用い、パターン開口率、ＡＣＬマスクの厚さおよび開口寸法に応じて処理圧力を０．６〜４Ｐａとし、２レベルの時間変調された高周波バイアスのデューティー比と高パワーと低パワーを調整することによって、図３(ｂ)に示すような、ほぼ垂直の形状を得ることができた。さらに本発明は、特許文献１に開示されたエッチング方法と異なり、途中で圧力を変更する必要がないため、スループットの低下を低減することができる。
【００３９】
処理圧力に関しては、上述した通り、圧力が高い程、高エッチングレートで高マスク選択性が得られることから０．６Ｐａ以上、かつ、パターンの開口部の寸法が５０ｎｍ以下の寸法ではイオンシェーディングの効果が抑えられることから４Ｐａ以下で使用することが好ましい。
【００４０】
また、本発明のＮＦ3ガスとＣＨ3ＦガスとＡｒガスとＮ2ガスとＯ2ガスの混合ガスにおけるＣＨ3ＦガスとＯ2ガスは、爆発性ガスと支燃性ガスの組み合わせとなるが、１０Ｐａ以下の処理圧力下での使用は、基本的に問題ない。さらにガスが接する部分に２００℃を超える熱源がないようにすることにより安全性がさらに向上する。例えば、図４に示す平行平板型の有磁場ＶＨＦドライエッチング装置では、２００℃程にフィラメント加熱が不要な水晶振動子を用いた圧力系やダイヤフラム冷陰極を用いた圧力計を使用している。さらにエッチングチャンバー４０６の温度も１００℃以下に制御されていることが望ましい。
【００４１】
さらに本実施例のペア層は、シリコン酸化膜とポリシリコン膜とからなるペア層であったが、本発明としては、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜(ＳｉＮ膜)とからなるペア層あるいは、シリコン酸化膜とタングステンシリサイド膜(ＷＳｉ膜)とからなるペア層でも良い。
【００４２】
また、本実施例では平行平板型の有磁場ＶＨＦドライエッチング装置を用いたが、本発明は、容量結合型、誘導結合型、マイクロ波Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ(ＥＣＲ)等の他のプラズマ源を用いたプラズマエッチング装置に適用しても本発明と同様な効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１０１：ウェハ基板
１０２：ストッパ膜
１０３：ＳｉＯ2膜
１０４：Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
１０５：無機膜
１０６：マスク
１０７：積層膜
１０８：片落ち
１０９：サイドエッチ
１１０：スキャロッピング(Ｓｃａｌｌｏｐｐｉｎｇ)形状
４０１：ソース用電源
４０２：ソース電磁波用整合器
４０４：第一の電磁石
４０５：第二の電磁石
４０６：エッチングチャンバー
４０７：第一のガス導入口
４０９：第二のガス導入口
４１１：ＶＨＦ放射アンテナ
４１２：シャワープレート
４１３：ウェハ
４１４：フォーカスリング
４１５：サセプタ
４１６：ウェハステージ
４１７：高周波バイアス整合器
４１８：ＥＳＣ用直流電源
４１９：高周波バイアス電源
４２０：バイアス経路制御機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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