(57)【要約】【課題】大口径で薄い被処理基板であっても、平面度を保持し、且つ電子回路側の突起物を破損せずに吸着保持する。【解決手段】接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓに剥離し、さらに洗浄した後の被処理基板Ｗを保持する基板保持機構２４１であって、ゴム製の多孔質体２５２を備えたポーラスチャックからなり、多孔質体２５２の被処理基板Ｗへの吸着面２５３に、被処理基板Ｗの貼り付きを防止するコーティング剤２５４が塗布されている。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄した後の被処理基板を保持する基板保持機構であって、
ゴム製の多孔質体を備えたポーラスチャックからなり、前記多孔質体の前記被処理基板への吸着面に、前記被処理基板の貼り付きを防止するコーティング剤が塗布されていることを特徴とする、基板保持機構。
【請求項２】
前記コーティング剤はフッ素系樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の基板保持機構。
【請求項３】
前記多孔質体の硬度は、ゴム硬度１０°〜８０°であることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板保持機構。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板保持機構を備えた剥離システムであって、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、
前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションへ被処理基板を受け渡す受け渡しステージと、
前記剥離処理ステーションと前記受け渡しステージとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、
前記基板保持機構が、前記受け渡しステージに設けられていることを特徴とする、剥離システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄した後の基板保持機構、及び、当該基板保持機構を備えた剥離システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば特許文献１に開示されている剥離システムによって行われる。この剥離システムは、ウェハ、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、剥離処理ステーションに対して、ウェハ、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、剥離処理ステーションと搬入出ステーションとの間で、ウェハ、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、剥離処理ステーションと後処理ステーションとの間でウェハを搬送するインターフェイスステーションを有している。各ステーションで所定の処理が行われたウェハは、ステーション間を受け渡され、搬送される。
【０００４】
このような剥離システムにおいて、支持基板が剥離され、洗浄された後のウェハは、炭化ケイ素等の多孔質体を備えたポーラスチャックに吸着された状態で、保持および搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１４６７５６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウェハの電子回路側の表面には、バンプやボール等の突起物が形成されており、特許文献１に記載されているような炭化ケイ素等の硬質の多孔質体でウェハの電子回路側の面を吸着すると、これらの突起物が破損することがあり、ウェハの品質に問題が生じていた。一方、支持基板を剥離され、接着剤が除かれたウェハは極めて薄く、ウェハの平面度を保って保持し搬送することが必要である。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、大口径で薄い被処理基板であっても、平面度を保持し、且つ電子回路側の突起物を破損せずに吸着保持することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記問題を解決するため、本発明は、接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄した後の被処理基板を保持する基板保持機構であって、ゴム製の多孔質体を備えたポーラスチャックからなり、前記多孔質体の前記被処理基板への吸着面に、前記被処理基板の貼り付きを防止するコーティング剤が塗布されていることを特徴としている。
【０００９】
本発明の基板保持機構によれば、弾性を有するゴム製の多孔質体で被処理基板を吸着するため、電子回路側の表面に形成されたバンプやボール等の突起物をつぶすことがない。しかも、大口径で薄い被処理基板全体を、多孔質体に沿って平面を保った状態で保持することができる。
【００１０】
前記コーティング剤はフッ素系樹脂でもよい。また、前記多孔質体の硬度は、ゴム硬度１０°〜８０°でもよい。
【００１１】
別な観点による本発明は、前記基板保持機構を備えた剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションへ被処理基板を受け渡す受け渡しステージと、前記剥離処理ステーションと前記受け渡しステージとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、前記基板保持機構が、前記受け渡しステージに設けられていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、大口径で薄い被処理基板を、平面度を保持し、且つ電子回路側の突起物を破損せずに吸着保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】剥離処理ステーションの搬送機構の構成の概略を示す側面図である。
【図８】本発明の実施の形態にかかる基板保持機構と被処理ウェハの側面図である。
【図９】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１０】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１１】第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。
【図１２】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１３】第１の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１４】ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００１５】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００１６】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５と、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置６と、を一体に接続した構成を有している。
【００１７】
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、搬送ステーション７が設けられている。インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。また、検査装置６は、インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）に配置されており、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置６の反対側、即ちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置８が配置されている。
【００１８】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００１９】
搬送ステーション７の内部に形成されたウェハ搬送領域９には、搬送機構２０が配置されている。搬送機構２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。搬送機構２０は、ウェハ搬送領域９内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。搬送ステーション７の内部、即ちウェハ搬送領域９には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域９の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００２０】
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００２１】
検査装置６では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置８では、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄部８ａ、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄部８ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部８ｃを有している。
【００２２】
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な他の搬送機構としての搬送機構４１が設けられている。搬送機構４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置６及び検査後洗浄装置８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。インターフェイスステーション５の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、インターフェイスステーション５の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００２３】
インターフェイスステーション５と後処理ステーション４との間には、被処理ウェハＷを後処理ステーション４へ受け渡すための受け渡しステージ４２が設けられている。なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。また、後処理ステーション４の内部にも、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、後処理ステーション４の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００２４】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体１００を有している。筐体１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、本実施の形態における筐体１００は、例えばステンレススチールの薄板等で構成されたものであり、その内部を密閉するものではないが、筐体１００の構造は本実施の形態に限定されるものではなく、例えば内部を密閉可能な気密容器であってもよい。
【００２５】
筐体１００の底面には、当該筐体１００の内部の雰囲気を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。そして、排気口１０１から筐体１００内部の雰囲気を排気することにより、筐体１００内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。
【００２６】
筐体１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、筐体１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００２７】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体１２１が設けられている。多孔質体１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００２８】
また、本体部１２０の内部であって多孔質体１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えば多孔質体１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２と多孔質体１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００２９】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
【００３０】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、筐体１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は筐体１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００３１】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００３２】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
【００３３】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００３４】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば３箇所に設けられている。
【００３５】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
【００３６】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００３７】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４に示すように筐体１８０を有している。筐体１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００３８】
筐体１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体１９２とを有している。多孔質体１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管から多孔質体１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００３９】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００４０】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。なお、洗浄装置３１の筐体１８０の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、排気管１９６は、筐体１８０の内部の雰囲気も排気する。
【００４１】
図５に示すように、カップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００４２】
アーム２０１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図５に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。
【００４３】
洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図４に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００４４】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。なお、上述した検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂの構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、この第１の洗浄装置３１と同様であるので、接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂについては説明を省略する。
【００４５】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図６に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００４６】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、被処理ウェハＷの裏面、すなわち非接合面ＷＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。
【００４７】
次に、上述した搬送装置３２の構成について説明する。搬送装置３２は、図１に示されるように、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３３及びウェハ搬送領域９に囲まれた領域である、ウェハ搬送領域２３０に設けられた搬送機構２３１を有している。搬送機構２３１は、図７に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３２を有している。ベルヌーイチャック２３２は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック２３２は、支持アーム２３３に支持されている。支持アーム２３３は、第１の駆動部２３４に支持されている。この第１の駆動部２３４により、支持アーム２３３は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３４の下方には、第２の駆動部２３５が設けられている。この第２の駆動部２３５により、第１の駆動部２３４は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。なお、搬送装置３２の内部、即ちウェハ搬送領域２３０には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域２３０の内部の雰囲気は、排気口（図示せず）から排気される。
【００４８】
なお、搬送機構４１は、上述した搬送装置３２の搬送機構２３１と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、搬送機構４１の第２の駆動部２３５は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、搬送機構４１は搬送路４０上を移動可能になっている。
【００４９】
次に、上述した受け渡しステージ４２の構成について説明する。受け渡しステージ４２は、被処理ウェハＷを保持する基板保持機構２４１を有している。基板保持機構２４１は、図８に示すように、被処理ウェハＷを吸着保持するポーラスチャックであり、本体部２５１と、図８においては本体部２５１の上面側に設けられた多孔質体２５２を有している。多孔質体２５２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪと当接する。多孔質体２５２はゴム製であり、ゴム硬度１０°〜８０°のものが使用可能である。ゴム硬度が高過ぎると、被処理ウェハＷの電子回路側の突起物がつぶれやすくなり、ゴム製の効果が低減する。一方、ゴム硬度が低すぎると、多孔質体２５２に成形するための孔開け加工が困難である。多孔質体２５２はゴム硬度３０°〜４０°であることがさらに好ましく、汎用ゴムであるエチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ：ゴム硬度３０°）が好適である。また、ゴム製の多孔質体２５２に被処理ウェハＷが貼り付くのを防ぐため、多孔質体２５２の吸着面２５３には、貼り付き防止のためのコーティング剤２５４が塗布される。コーティング剤２５４は、コーティング後加熱処理する際の加熱温度が、ゴム製の多孔質体２５２に影響しないものとし、例えばフッ素樹脂が好適である。
【００５０】
また、基板保持機構２４１の本体部２５１の内部には吸引空間２５５が形成され、吸引空間２５５には、吸引管２５６が接続されている。吸引管２５６は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続され、吸引管２５６から吸引空間２５５と多孔質体２５２を介して被処理ウェハＷの接合面ＷＪが吸引され、当該被処理ウェハＷが基板保持機構２４１に吸着保持される。
【００５１】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００５２】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図９は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００５３】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。搬送機構２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００５４】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１０に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００５５】
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
【００５６】
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１１に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図１２に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図９の工程Ａ１）。
【００５７】
このとき、第２の保持部１１１は、鉛直方向に例えば１００μｍ移動し、且つ水平方向に例えば３００ｍｍ移動する。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上の電子回路（バンプ）の高さに基づいて設定される。
【００５８】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、搬送機構２３１によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、搬送機構２３１による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
【００５９】
図１３に示すように支持アーム２３３を伸長させて、ベルヌーイチャック２３２を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック２３２を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３２に被処理ウェハＷが受け渡される。このとき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３２に保持されるが、ベルヌーイチャック２３２は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持されるため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることはない。
【００６０】
次に図１４に示すように、支持アーム２３３を回動させてベルヌーイチャック２３２を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３２を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３２からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【００６１】
このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図９の工程Ａ２）。
【００６２】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００６３】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、搬送機構４１によって検査装置６に搬送される。この搬送機構４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した搬送機構２３１による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。なお、搬送機構４１では、上述した搬送機構２３１のようなベルヌーイチャック２３２ではなく、受け渡しステージ４２と同様に、前述の本実施の形態にかかるゴム製の多孔質体２５２を備えた基板保持機構２４１を用いて被処理ウェハＷを保持してもよい。
【００６４】
検査装置６においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図９の工程Ａ３）。検査装置６において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは搬送機構４１により検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａに搬送され、接合面洗浄部８ａで接合面ＷＪが洗浄される（図９の工程Ａ４）。接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは搬送機構４１によって反転部８ｃに搬送され、反転部８ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部８ａに搬送されることなく反転部８ｃにて反転される（図９の工程Ａ５）。なお、検査装置６、検査後洗浄装置８においても、受け渡しステージ４２と同様に、前述の本実施の形態にかかるゴム製の多孔質体２５２を備えた基板保持機構２４１を用いて被処理ウェハＷを保持することができる。
【００６５】
その後、反転された被処理ウェハＷは、搬送機構４１により再び検査装置６に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図９の工程Ａ６）。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは搬送機構４１によって非接合面洗浄部８ｂに搬送され、非接合面ＷＮの洗浄が行われる（図９の工程Ａ７）。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、搬送機構４１によって受け渡しステージ４２に搬送される。なお、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部８ｂに搬送されることなく、そのまま受け渡しステージ４２に搬送される。
【００６６】
受け渡しステージ４２では、搬送機構４１に保持された被処理ウェハＷが、基板保持機構２４１の吸着面２５３の上方に配置され、被処理ウェハＷを下方に向けて、搬送機構４１における被処理ウェハＷの吸引が停止される。これにより、搬送機構４１から基板保持機構２４１へ被処理ウェハＷが受け渡される。このとき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが基板保持機構２４１に吸着されるが、被処理ウェハＷへの吸着面２５３がゴム製であるため、接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることはない。
【００６７】
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図９の工程Ａ８）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。なお、後処理ステーション４においても、本実施の形態にかかる、ゴム製の多孔質体２５２を備えた基板保持機構２４１を用いて被処理ウェハＷを保持することができる。
【００６８】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、搬送機構２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図９の工程Ａ９）。
【００６９】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ１〜Ａ９が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、搬送機構２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図９の工程Ａ１０）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。
【００７０】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、搬送機構２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図９の工程Ａ１１）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【００７１】
以上の実施の形態によれば、第１の洗浄装置３１で洗浄後の被処理ウェハＷの接合面ＷＪすなわち電子回路が形成された面は、図８に示すように、ゴム製の多孔質体２５２を有する基板保持機構２４１で吸着されるので、被処理ウェハＷのバンプＢ等の突起物が損傷することがなく、且つ、大口径で薄い被処理ウェハＷの平面度を保った状態で保持、搬送することができる。しかも、被処理ウェハＷを基板保持機構２４１から剥がす際に、吸引を停止すれば、コーティング剤２５４の効果により、被処理ウェハＷが貼り付くことなく容易に吸着面２５３から剥がれるので、無理な剥離による被処理ウェハＷの破損を防ぐことができる。
【００７２】
なお、以上説明した剥離システムは実施形態の一例であり、本発明が適用されるシステムはこれに限らない。本実施の形態にかかる基板保持機構２４１は、例えば接着剤が概ね取り除かれた後の被処理ウェハＷ等、大口径で薄い被処理ウェハに各種処理を行う工程において、被処理ウェハＷの保持に用いることができる。
【００７３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００７４】
１    剥離システム
２    搬入出ステーション
３    剥離処理ステーション
４    後処理ステーション
５    インターフェイスステーション
６    検査装置
７    搬送ステーション
８    検査後洗浄装置
９    ウェハ搬送領域
２０  搬送機構
２４１  基板保持機構
２５２  多孔質体
２５３  吸着面
２５４  コーティング剤
３００  制御部
Ｇ    接着剤
Ｓ    支持ウェハ
Ｔ    重合ウェハ
Ｗ    被処理ウェハ
【図１】
2015109360.tif 000003
【図２】
2015109360.tif 000004
【図３】
2015109360.tif 000005
【図４】
2015109360.tif 000006
【図５】
2015109360.tif 000007
【図６】
2015109360.tif 000008
【図７】
2015109360.tif 000009
【図８】
2015109360.tif 000010
【図９】
2015109360.tif 000011
【図１０】
2015109360.tif 000012
【図１１】
2015109360.tif 000013
【図１２】
2015109360.tif 000014
【図１３】
2015109360.tif 000015
【図１４】
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