(57)【要約】      （修正有）【課題】液体供給口を歩留まりよく形成することができる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供する。【解決手段】（１）第一の面上に液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子１０３を有する基板１０１を用意する工程と、（２）基板にウェットエッチング処理を行い、第一の面に未貫通の開口１０７を形成する工程と、（３）基板を第一の面と反対側の面である第二の面から薄化することによって、未貫通の開口を第二の面に開口させ、液体供給口を形成する工程と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体供給口を有する液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
（１）第一の面上に液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する基板を用意する工程と、
（２）前記基板にウェットエッチング処理を行い、前記第一の面に未貫通の開口を形成する工程と、
（３）前記基板を前記第一の面と反対側の面である第二の面から薄化することによって、前記未貫通の開口を前記第二の面に開口させ、前記液体供給口を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項２】
前記工程（３）は、前記基板を研磨により薄化する工程である請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨の量を調整することで、前記液体供給口の前記第二の面での開口寸法を制御する請求項２に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項４】
前記ウェットエッチング処理が結晶異方性エッチングである請求項１乃至３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項５】
前記未貫通の開口は（１１１）面で構成される請求項１乃至４のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項６】
前記工程（２）の前に、前記基板の前記第一の面に、前記ウェットエッチング処理に用いるエッチング液を導入する未貫通の導入孔を形成する工程を有する請求項１乃至５のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板の前記第一の面の上に、前記未貫通の開口の開口寸法を制御する犠牲層が設けられており、前記導入孔は該犠牲層を貫通して設けられている請求項６に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程（３）より前に、前記基板の前記第一の面に未貫通の溝を形成しておき、
前記工程（３）において、前記基板を薄化して前記未貫通の溝を前記第二の面に貫通させることにより、前記基板を分割する、請求項１乃至７のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項９】
前記工程（２）より後に、前記基板の前記第一の面の上に、前記液体を吐出する吐出口及び該吐出口に連通する液体流路を形成する流路形成部材を形成する工程を有する請求項１乃至８のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッド用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に示されるように、液体吐出ヘッド用基板では、吐出する液体を供給するための液体供給口がシリコン基板を貫通して形成されている。上記文献によると、耐エッチングマスクを基板の裏面側に形成した後にシリコン基板をウェットエッチングすることによって液体供給口が形成されている。
【０００３】
ここで、液体供給口を形成する工程以前の工程において、エッチング開始面に装置の搬送機構などによってキズが生じると、キズを起点にエッチングが不規則に進行し、液体供給口が異常な形状に形成される場合があった。
【０００４】
そこで、特許文献２では、キズを含むエッチング開始面を予め研磨することでキズを除去し清浄な面を形成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１８１０３２号公報
【特許文献２】特開平１０−４４４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、図２（ｂ）に示されるように、シリコン基板を機械等により研磨すると、研磨面に結晶構造の歪みを含むダメージ層２２が形成される場合があった。エッチング開始面にダメージ層が存在すると、図２（ｄ）に示されるように、エッチングにより液体供給口を形成するときに、ダメージ層でエッチングが不規則に進行してしまう。その結果、液体供給口が意図しない形状に形成され、このことが歩留まりを低下させる原因となっていた。
【０００７】
したがって、本発明は、液体供給口を歩留まりよく形成することができる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、
液体供給口を有する液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
（１）第一の面上に液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する基板を用意する工程と、
（２）前記基板にウェットエッチング処理を行い、前記第一の面に未貫通の開口を形成する工程と、
（３）前記基板を前記第一の面と反対側の面である第二の面から薄化することによって、前記未貫通の開口を前記第二の面に開口させ、前記液体供給口を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の構成によれば、液体供給口を歩留まりの良く形成することができる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態により得られる液体吐出ヘッド用基板の構成例を示す模式的斜視図である。
【図２】発明が解決しようとする課題を説明するための工程断面図である。
【図３】本実施形態の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】本実施形態の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図５】本実施形態の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図６】比較例１における工程を説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明により得られる液体吐出ヘッド用基板は、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、更には各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。そして、この液体吐出ヘッド装置を用いることによって、紙、糸、繊維、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックなど種々の被記録媒体に記録を行うことができる。尚、本発明において「記録」とは、文字や図形などの意味を持つ画像を被記録媒体に対して付与することだけでなく、パターンなどの意味を持たない画像を付与することも意味する。さらに、「液体」とは、広く解釈されるべきものであり、記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成、記録媒体の加工、或いはインク、または記録媒体の処理に供される液体を言うものとする。ここで、インクまたは記録媒体の処理としては、例えば、記録媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶化による定着性の向上や、記録品位ないし発色性の向上、画像耐久性の向上などのことを言う。
【００１２】
また、以下の説明では、本発明の適用例として、液体吐出ヘッド用基板としてインクジェット記録ヘッド用基板を主な例として挙げて説明を行うが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではない。また、液体吐出ヘッド用基板としては、インクジェット記録ヘッド用基板の他、バイオッチップ作製や電子回路印刷用途の液体吐出ヘッド用基板の製造方法にも適用できる。液体吐出ヘッド用基板としては、他にも例えばカラーフィルターの製造用途等も挙げられる。
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態の液体吐出ヘッド用基板の構成例を示す模式的斜視図である。
【００１５】
図１に示されるように、本実施形態の液体吐出ヘッド用基板は、エネルギー発生素子５が所定のピッチで２列並んで形成された基板１を有している。エネルギー発生素子は、基板の上に形成されており、基板に接触するように形成されていても良い。また、液体流路１８に宙空状態となるように形成されていても良く、すなわち基板１に対して宙に浮いていてもよい。基板１は例えばシリコン基板である。基板１の第一の面（図１において上側の面）の上には、流路形成部材１５が配置されている。流路形成部材１５は、吐出口１６及び該吐出口に連通する液体流路１８を形成する。吐出口１６はエネルギー発生素子５の上方に開口している。また、流路形成部材は、例えば、樹脂により形成されることができる。また、基板１には液体流路１８にインク等の液体を供給する液体供給口１７が形成されている。液体供給口１７は、基板１の第一の面及び該第一の面と反対側の面である第二の面（図１において下側の面）に開口している。また、液体供給口１７は、異方性エッチングによって、エネルギー発生素子５の２つの列の間に開口するように吐出口の列方向に沿って形成されている。この液体吐出ヘッド用基板では、液体供給口１７を介して液体流路内に液体が充填され、エネルギー発生素子５が発生する圧力を充填された液体に加えることによって液体が吐出口１６から吐出される。そして、吐出された液体が被記録媒体に付着することにより、記録が行われる。
【００１６】
本実施形態では、液体供給口１７は、例えば以下のようにして形成される。まず、基板の第一の面にエッチング液を導入するための導入孔を形成し、その後、基板にウェットエッチング処理を施すことで第一の面に未貫通の開口を形成する。その後、第一の面と反対側の面である第二の面側から基板を研磨等により薄化することによって未貫通の開口を第二の面に貫通させ、液体供給口を形成する。
【００１７】
ウェットエッチング処理後に、吐出口１６及び液体流路１８を形成する流路形成部材１５を形成してもよい。また、ウェットエッチング処理は、第一の面側から行うことが好ましいが、第二の面からエッチングが進んでもよい。
【００１８】
本発明の構成により、たとえ、基板裏面にダメージ層が存在したとしても、該ダメージ層をエッチング液に曝さずに液体供給口を形成できる。そのため、歩留まりよく液体吐出ヘッド基板用基板を製造できる。
【００１９】
また、ウェットエッチング処理は、結晶異方性エッチングであることが好ましい。また、液体供給口が（１１１）面に囲まれた形状、つまり液体供給口が（１１１）面で構成されることで、エッチング時間の制御が容易になり、また、アルカリ性の液体に対するシリコン等の基板成分の溶出を少なくすることができる。
【００２０】
また、本実施形態において、基板を薄化する工程の前に、第一の面に未貫通の溝（例えばダイシング溝）を形成しておき、基板を薄化して未貫通の開口を貫通させる際に、未貫通の溝を第二の面に貫通させ、基板を分割することもできる。これにより、分割時のチッピングを低減することができる。
【００２１】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００２２】
（実施形態）
図３は、本実施形態を説明するための断面工程図である。
【００２３】
まず、図３（ａ）に示すように、第一の面の上にエネルギー発生素子１０３が形成されている基板１０１を用意する。また、基板１０１の第一の面上であってエネルギー発生素子１０３の２つの列の間には犠牲層１０２が形成されている。エネルギー発生素子１０３及び基板１０１の上には保護層１０４が形成されている。また、保護層１０４の上にはシード層１０５が形成されている。
【００２４】
犠牲層は、ウェットエッチング時の基板の第一の面における開口寸法を制御する目的で形成される。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、基板１０１内に後工程におけるウェットエッチング処理に用いるエッチング液を導入するための未貫通の導入孔１０６を形成する。
【００２６】
導入孔は、犠牲層を貫通するように設けることができる。また、導入孔の形状は、特に制限されるものではないが、例えば、溝形状であってもよい。また、導入孔は、例えば、レーザーを用いて形成できる。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、基板をウェットエッチング処理し、基板内に未貫通の開口１０７を形成する。ウェットエッチング処理は、第一の面側から行うことが好ましいが、第二の面からエッチングが進行しても構わない。つまり、第二の面を保護してからウェットエッチングを行っても良いし、第二の面を保護せずにウェットエッチングを行い、第一の面からのエッチングに加えて、第二の面からエッチングを進ませても良い。
【００２８】
ウェットエッチング処理は、例えば、結晶異方性エッチングである。また、ウェットエッチング処理に用いるエッチング液としては、例えば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＮａＯＨ（水酸化ナトリウム）等を用いることができる。
【００２９】
ウェットエッチング処理によって犠牲層１０２は除去される。
【００３０】
次に、図３（ｄ）に示すように、シード層１０５の一部を、未貫通の開口の開口寸法に合わせて除去する。
【００３１】
シード層１０５の除去方法としては、例えば、シード層上にフォトリソグラフィー技術を用いてマスクを形成した後にドライエッチングすることによって除去する事ができる。
【００３２】
次に、図３（ｅ）に示すように、第一の面の上に、液体を吐出する吐出口及び該吐出口に連通する液体流路を形成する流路形成部材１０８を形成する。
【００３３】
流路形成部材の材料は、特に制限されるものではないが、例えば、樹脂や金属、或いは無機材料等が挙げられる。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂のような感光性樹脂が挙げられる。金属としては、例えば、ニッケルプレートが挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＮやＳｉＣ等が挙げられる。
【００３４】
次に、図３（ｆ）に示すように、第一の面と反対側の面である第二の面から基板１０１を薄化し、未貫通の開口１０７を第二の面で開口させ、液体供給口を形成する。
【００３５】
基板を第二の面から薄化する方法としては、例えば、化学的機械研磨（ＣＭＰ）やバックグラインド、ドライポリッシュ、ポリグラインド等の研磨が挙げられる。
【００３６】
基板を研磨する際、研磨量を調整することで液体供給口の第二の面における開口寸法を制御することができる。
【００３７】
次に、図３（ｇ）に示すように、基板をチップごとに切断し、液体吐出ヘッド用基板が完成する。
【００３８】
なお、流路形成部材を形成する工程（ｅ）は、未貫通の開口を形成する工程より後であって、基板を分割する工程より前であれば、どのタイミング形成してもよい。また、実施形態は上記工程が少なくとも１回以上含まれていればよく２回同じ工程を使用してもよい。工程を簡略にするには本実施形態が好ましい。
【００３９】
［実施例］
以下、実施例を用いてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
図３を用いて、実施例１を説明する。
【００４１】
図３（ａ）に示すように、シリコン基板１０１の第一の面（表３において下側の面）上には、エネルギー発生素子１０３が複数個配置されている。また、シリコン基板の第一の面上であってエネルギー発生素子１０３の２つの列の間には犠牲層１０２が形成されている。エネルギー発生素子１０３及びシリコン基板１０１の上には保護層１０４が形成されている。また、保護層１０４の上にはシード層１０５が形成されている。エネルギー発生素子１０３としてはＴａＳｉＮ、保護層としてはＳｉＯ、シード層としては金、犠牲層としてはアルミニウムをそれぞれ用いた。
【００４２】
次に、図３（ｂ）に示すように、シリコン基板の第一の面側から、導入孔１０６を形成した。導入孔１０６は、シード層１０５の上から、犠牲層１０２を貫通させ、シリコン基板内に留まるように形成した。導入孔は、エネルギー発生素子の列方向に沿って、列状に形成した。導入孔は、レーザーを用いて形成した。
【００４３】
ここで、導入孔を形成することにより、シリコン基板の第一の面における液体供給口の開口寸法及び深さの設計自由度を広げることができる。例えば、溝状の導入孔の加工深さを変化させることで、液体供給口の開口幅を変化させずに液体供給口の深さを変化させることができる。
【００４４】
次に、図３（ｃ）に示すように、シリコン基板を第一の面側からウェットエッチングし、基板の第一の面に未貫通の開口１０７を形成した。
【００４５】
導入孔の深さは、シリコン基板を貫通しなければよい。しかし、シリコン基板の第二の面に耐エッチング層を設けていない場合は、第二の面からもエッチングが進行する。この場合、第二の面からのエッチングも考慮し、導入孔の深さを決定することが重要である。つまり、導入孔の深さと、シリコン基板の第二の面からのエッチング量の合計が基板厚みより小さくなるように設定する。
【００４６】
本実施例では、シリコン基板１０１を（１００）基板、基板厚みを７２５μｍ、エッチング液をＴＭＡＨ（２２ｗｔ％）、エッチング温度を８０℃としたので、（１００）面におけるエッチングレートは０．５μｍ／ｍｉｎとなる。そして、第二の面からのエッチング量はエッチング時間と（１００）面レートとの積となる。本実施例において、エッチングは、図３（ｃ）に示すように、（１１１）面に囲まれる形状となるまで結晶異方性エッチングを行った。このときのエッチングは、溝状の導入孔を左右に広げる（１１０）面方向に導入孔の頂点と第一の面開口部からそれぞれ５４．７°の角度を成す（１１１）面が交わる交点まで進んだ。未貫通の開口１０７の横幅は、幾何学的な計算から犠牲層の幅を１００μｍ、溝状の導入孔の深さを４００μｍとすると３３３μｍとなり、（１１０）面のレートが１．００μｍ／ｍｉｎであることからエッチング時間は１６７ｍｉｎとなった。したがって、第二の面からのエッチング量は８４μｍとなり、溝状の導入孔４００μｍとの合計が基板厚み７２５μｍ以下となり、条件を満たす。
【００４７】
次に、図３（ｄ）に示すように、未貫通の開口１０７の開口部に位置する部分のシード層を除去した。
【００４８】
次に、図３（ｅ）に示すように、基板の第一の面の上に流路形成部材を形成した。
【００４９】
本実施例では、基板を薄化する工程より前に流路形成部材を形成したが、未貫通の開口を形成する工程よりも後であって基板をチップごとに分割する工程よりも前の間であれば、どのタイミングで流路形成部材を形成しても構わない。
【００５０】
次に、図３（ｆ）に示すように、流路形成部材を保護し、ダイシングの為にシリコン基板の第一の面側にダイシングテープを設けた。
【００５１】
そして、シリコン基板の第二の面からシリコン基板を研磨によって薄化することで、未貫通の開口を第二の面で開口させ、液体供給口を形成した。
【００５２】
研磨量は、特に制限されるものではないが、例えば、シリコン基板の厚みを導入孔の加工深さ以下にすれば未貫通の開口は第二の面で開口する。それ以上薄化してもよく、研磨の量によって液体供給口の第二の面での開口寸法を調整することができる。本実施例では、最終の基板厚みを２００μｍとする為、第二の面からのエッチング量８４μｍを考慮し、研磨量は４４１μｍとした。
【００５３】
最後に、基板をチップごとに分割し、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【００５４】
本実施例によれば、シリコン基板を研磨することによって生じるダメージ層をエッチング液に曝すことなく液体供給口を形成でき、歩留まりの良い液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供できる。
【００５５】
（実施例２）
図４（ｅ−２）〜（ｈ−２）を用いて、実施例２を説明する。
【００５６】
実施例２は、実施例１の工程（ａ）から（ｄ）までが同一工程であり、実施例１の工程（ｅ）以降において工程が異なる。したがって、図４には、実施例１の工程（ｅ）以降に対応する（ｅ−２）から（ｈ−２）を示す。
【００５７】
まず、実施例１の工程（ａ）から（ｄ）により、未貫通の開口１０７が形成された基板１０１を用意した。
【００５８】
次に、図４（ｅ−２）に示すように、基板を分割する予定の位置に、シリコン基板の第一の面から未貫通のダイシング溝を形成した。
【００５９】
このとき、未貫通のダイシング溝の深さは、薄化後の最終的な基板厚み以上であればよい。また、未貫通のダイシング溝の深さは、薄化後の最終的な基板厚み以上、未貫通の開口の深さ以下であることが好ましい。本実施例では、薄化後の基板厚みを２００μｍと設定したので、未貫通のダイシング溝は２５０μｍの深さで設定した。
【００６０】
次に、図４（ｆ−２）に示すように、シリコン基板の第一の面に流路形成部材を形成した。
【００６１】
流路形成部材を形成するタイミングは、特に制限されるものではないが、本実施形態では未貫通の開口を形成する工程の後であって、基板を薄化する工程の前であることが好ましい。
【００６２】
次に、図４（ｇ−２）に示すように、シリコン基板の第二の面からシリコン基板を研磨により薄化することで、未貫通のダイシング溝を貫通させてチップに分割し、未貫通の開口を第二の面で開口させた。
【００６３】
研磨量は、本実施例では、実施例１と同様に薄化後の基板厚みを２００μｍとするため、４４１μｍ研磨した。
【００６４】
本実施例によれば、未貫通のダイシング溝を基板の薄化工程で貫通させることによって基板を分割できる。これにより、チッピングを低減することができ、歩留まりの良い液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供できる。
【００６５】
（実施例３）
図５（ａ−３）〜（ｃ−３）を用いて、実施例３を説明する。
【００６６】
実施例３は、実施例１の工程（ｅ）から（ｇ）が同一工程であり、実施例１の工程（ｄ）以前において工程が異なる。また、本実施例は、実施例２の工程（ｅ−２）以前の変形例でもある。したがって、図５には、実施例１の工程（ｄ）以前、実施例２の工程（ｅ−２）以前に対応する（ａ−３）から（ｃ−３）を示す。
【００６７】
図５（ａ−３）に示すように、シリコン基板１０１の第一の面上には、エネルギー発生素子１０３が複数個配置されている。エネルギー発生素子１０３及びシリコン基板１０１の上には保護層１０４が形成されている。また、保護層１０４の上にはシード層１０５が形成されている。シリコン基板１０１の第一の面上であってエネルギー発生素子１０３の２つの列の間には、開口部１２０が配置されている。エネルギー発生素子としてはＴａＳｉＮ、保護層としてはＳｉＯ、シード層としては金を、それぞれ用いた。
【００６８】
次に、図５（ｂ−３）に示すように、開口部１２０に露出する第一の面に導入孔を形成した。
【００６９】
なお、シリコン基板は開口部１２０に露出しているので、導入孔を設ける必要は必ずしもないが、未貫通の開口１０７を深く形成する場合には開口部を広げなければならない。本実施例では、導入孔を設けることによって開口部の開口幅を小さく抑えることができる。
【００７０】
次に、図５（ｃ−３）に示すように、シリコン基板の第一の面からウェットエッチングによって未貫通の開口１０７を形成した。
【００７１】
その後、実施例１工程（ｅ）から（ｇ）または実施例２工程（ｅ−２）から（ｈ−２）の工程を経て、液体吐出ヘッド用基板を製造した。
【００７２】
本実施例によれば、未貫通の開口を形成した後の保護層、シード層の不要部分の除去工程が削減できる。
【００７３】
（比較例１）
図２を用いて、比較例１を説明する。
図２（ａ）に示すように、シリコン基板を用意した。シリコン基板の第二の面側には、キズを含む層２１が形成されている。
次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板の第二の面からシリコン基板を研磨によって薄化した。シリコン基板の第二の面側には、ダメージ部分２２が形成されている。
次に、図２（ｃ）に示すように、シリコン基板の第二の面側にエッチングマスク２３を形成した。
次に、図２（ｄ）に示すように、ＴＭＡＨ（２２ｗｔ％）を用い、エッチング温度を８０℃としてエッチングを行った。
この結果、ダメージ部分でエッチングが不規則に進行し、第二の面での液体供給口の開口幅を精度よく形成できなかった。
（比較例２）
比較例２は、実施例１において、先にシリコン基板を第二の面から研磨し、その後ウェットエッチングを用いて貫通液体供給口を形成する。図６を用いて比較例２を説明する。
【００７４】
図６（ａ）に示すように、実施例１と同様のシリコン基板を用意した。その後図６（ｂ）に示すようにシリコン基板第二の面より研磨しシリコン基板を薄化した。このとき研磨によりシリコン基板第二の面上にはダメージ層２２が形成された。研磨方法は実施例１に従う。次に図６（ｃ）に示すようにシリコン基板第一の面側から未貫通エッチング液導入溝を形成し、図６（ｄ）に示すようにウェットエッチングを用いてシリコン基板に貫通液体供給口を形成した。このとき、研磨工程で発生したダメージ層２２から進んだ異常形成部と貫通液体供給口が繋がり、第二の面での液体供給口の開口幅を精度よく形成できなかった。
【符号の説明】
【００７５】
１  基板
５  エネルギー発生素子
１５  流路形成部材
１６  吐出口
１７  液体供給口
１８  液体流路
２１  キズを含む層
２２  ダメージ部分
２３  エッチングマスク
２４  異常形成部
１０１  基板
１０２  犠牲層
１０３  エネルギー発生素子
１０４  保護層
１０５  シード層
１０６  導入孔
１０７  未貫通の開口
１０８  流路形成部材
１０９  ダイシング溝
１１０  未貫通のダイシング溝
１２０  開口部
【図１】
2015036211.tif 000003
【図２】
2015036211.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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