(57)【要約】【課題】  半田及びアンダーフィル剤が残余するエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法、並びに、半田及びアンダーフィル剤により接合された基板からのエリアアレイ型ＩＣパッケージの及び取り外し方法を提供する。【解決手段】  第１面１１ａに半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４が残余するエリアアレイ型ＩＣパッケージ１の整地方法は、第１面１１ａ全体が半田１３ａの融点とアンダーフィル剤１４のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、エリアアレイ型ＩＣパッケージ１を加熱する本工程（Ｓ２）と、第１面１１ａ全体の温度が目標温度以上である状態を維持したまま、第１面１１ａに残余する半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を削り取る除去工程（Ｓ３）と、を備えたことを特徴としている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面に半田及びアンダーフィル剤が残余するエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法であって、
前記第１面全体が前記半田の融点と前記アンダーフィル剤のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを加熱する本加熱工程と、
前記第１面全体の温度が前記目標温度以上である状態を維持したまま、前記第１面に残余する前記半田及び前記アンダーフィル剤を削り取る除去工程と、
を備えたことを特徴とするエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項２】
前記本加熱工程では、前記第１面と対向する第２面を加熱することを特徴とする請求項１に記載のエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項３】
前記本加熱工程では、平板状の加熱装置上に前記第２面を載置することにより前記第２面を加熱することを特徴とする請求項２に記載のエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項４】
前記本加熱工程の前に、前記半田の融点より低い温度まで前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを予備加熱する予備加熱工程を更に備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項５】
前記目標温度は、エリアアレイ型ＩＣパッケージの耐熱温度の製品仕様以下に設定されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項６】
半田及びアンダーフィル剤により基板上に実装されたエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法であって、
前記半田及び前記アンダーフィル剤が部分的に露出するまで前記基板を切削する切削工程と、
前記エリアアレイ型ＩＣパッケージの面のうち、少なくとも前記半田及び前記アンダーフィル剤が塗布された第１面全体が前記半田の融点と前記アンダーフィル剤のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを加熱する本加熱工程と、
前記第１面全体の温度が前記目標温度以上である状態を維持したまま、前記切削された領域から前記基板に向けて、前記基板ごと前記半田及び前記アンダーフィル剤を削り取る除去工程と、
を備えたことを特徴とするエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項７】
前記エリアアレイ型ＩＣパッケージが長方形状を有している場合、前記切削工程では、前記長方形状の短辺方向に沿って前記基板を切削することを特徴とする請求項６に記載のエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項８】
前記切削工程を行う前に、前記基板のうち前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを包含する基板片を切り取る切取工程を更に備え、
前記切削工程は、前記基板片に対して行うことを特徴とする請求項６又は７に記載のエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法。
【請求項９】
半田及びアンダーフィル剤により基板上に実装されたエリアアレイ型ＩＣパッケージの取り外し方法であって、
前記エリアアレイ型ＩＣパッケージの面のうち、少なくとも前記半田及び前記アンダーフィル剤が塗布された第１面全体が前記半田の融点と前記アンダーフィル剤のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを加熱する本加熱工程と、
前記第１面全体の温度が前記目標温度以上である状態を維持したまま、前記基板から前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを取り外す取り外し工程と、
を備えたことを特徴とするエリアアレイ型ＩＣパッケージの取り外し方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田及びアンダーフィル剤が残余するエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法、並びに、半田及びアンダーフィル剤により接合された基板からのエリアアレイ型ＩＣパッケージの及び取り外し方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電極リードの代わりにランドを備え、ランド上に形成された半田バンプにより基板と電気的に接続されるＢＧＡ等のエリアアレイ型ＩＣパッケージが知られている。
【０００３】
また、使用済み製品に搭載されたエリアアレイ型ＩＣパッケージを再利用するために、整った状態の半田バンプを維持したまま、使用済み製品の基板からエリアアレイ型ＩＣパッケージを取り外す方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３３５８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記エリアアレイ型ＩＣパッケージは、電極リードにより基板と接続されるものと比べて接続強度が劣るため、取扱いの過程で落下等が想定される携帯電話等の製品では、落下の際の衝撃応力を緩和する目的で、隣接する半田バンプ間にエポキシ樹脂等のアンダーフィル剤が塗布されているものが多い。
【０００６】
ところが、上記特許文献１に記載の技術では、アンダーフィル剤が塗布されているエリアアレイ型ＩＣパッケージの取り外しは想定していないため、取り外したエリアアレイ型ＩＣパッケージにはアンダーフィル剤が残余してしまい、また、残余したアンダーフィル剤の影響で、整った状態の半田バンプを維持することもできない。
【０００７】
そこで、本発明は、半田及びアンダーフィル剤が残余するエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法、並びに、半田及びアンダーフィル剤により接合された基板からのエリアアレイ型ＩＣパッケージの及び取り外し方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、第１面に半田及びアンダーフィル剤が残余するエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法であって、前記第１面全体が前記半田の融点と前記アンダーフィル剤のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを加熱する本加熱工程と、前記第１面全体の温度が前記目標温度以上である状態を維持したまま、前記第１面に残余する前記半田及び前記アンダーフィル剤を削り取る工程除去工程と、を備えたことを特徴とするエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法を提供している。
【０００９】
このような構成によれば、第１面全体の温度が半田の融点とアンダーフィル剤のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度となっているため、第１面に残余する半田及びアンダーフィル剤は、それぞれ溶融及び軟化して容易に移動可能な状態となっている。従って、第１面に残余する半田及びアンダーフィル剤を削り取るように移動させるだけで、残余する半田及びアンダーフィル剤を容易かつきれいに除去することが可能となる。
【００１０】
なお、本発明における第１面とは、半田及びアンダーフィル剤が残余している領域、及び、半田及びアンダーフィル剤を削り取るための道筋にある領域のことを意味する。従って、ＩＣパッケージの同一の面であっても、その端部などは本発明の第１面に該当しない場合もあり得る。
【００１１】
また、本発明のエリアアレイ型ＩＣパッケージとしては、ＢＧＡ型のものやＣＳＰ型のものが考えられる。
【００１２】
また、前記本加熱工程では、前記第１面と対向する第２面を加熱することが好ましい。
【００１３】
このような構成によれば、除去工程は第１面に行うのに対し、本加熱工程は対向する第２面に行うので、本加熱工程が除去工程の妨げとなることが抑制されている。
【００１４】
また、前記本加熱工程では、平板状の加熱装置上に前記第２面を載置することにより前記第２面を加熱することが好ましい。
【００１５】
このような構成によれば、本加熱工程は、平板状の加熱装置上に第２面を載置するという簡易な構成により達成されるため、エリアアレイ型ＩＣパッケージの整地を行うためのコスト及び労力が軽減されている。
【００１６】
また、前記本加熱工程の前に、前記半田の融点より低い温度まで前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを予備加熱する予備工程を更に備えることが好ましい。
【００１７】
このような構成によれば、本加熱工程においてエリアアレイ型ＩＣパッケージが急速に加熱されて破損することが抑制されている。
【００１８】
また、前記目標温度は、エリアアレイ型ＩＣパッケージの耐熱温度の製品仕様以下に設定されていることが好ましい。
【００１９】
このような構成によれば、本加熱工程におけるＩＣパッケージ１の破損が一層抑制されている。
【００２０】
また、本発明の別の観点によれば、半田及びアンダーフィル剤により基板上に実装されたエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法であって、前記半田及び前記アンダーフィル剤が部分的に露出するまで前記基板を切削する切削工程と、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージの面のうち、少なくとも前記半田及び前記アンダーフィル剤が塗布された第１面全体が前記半田の融点と前記アンダーフィル剤のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを加熱する本加熱工程と、前記第１面全体の温度が前記目標温度以上である状態を維持したまま、前記切削された領域から前記基板に向けて、前記基板ごと前記半田及び前記アンダーフィル剤を削り取る除去工程と、を備えたことを特徴とするエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法を提供している。
【００２１】
このような構成によれば、基板と接合された状態でエリア型ＩＣパッケージに対して本加熱工程を行うことで、切削された領域に露出した半田及びアンダーフィル剤のみならず、エリア型ＩＣパッケージと基板との間に存在している半田及びアンダーフィル剤も、スクレーパー等を用いて移動させることが容易な状態となる。従って、切削された領域から基板に向けてスクレーパー等を動かすことで、基板ごと半田及びアンダーフィル剤を削り取ることができ、半田及びアンダーフィル剤により基板と接合されたエリア型ＩＣパッケージであっても、基板からの取り外し及び整地を安全かつ容易に行うことが可能となる。
【００２２】
なお、本発明の切削工程は、半田及びアンダーフィル剤が完全に露出するまで切削することのみならず、その後の除去工程を行うことができる程度（例えば、基板が薄皮一枚残っている程度）まで切削することも含む。
【００２３】
また、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージが長方形状を有している場合、前記切削工程では、前記長方形状の短辺方向に沿って前記基板を切削することが好ましい。
【００２４】
基板の切削は、電動切削工具等を基板に対して平行に動かす方法が考えられるが、基板に対して傾いた状態で切削を行ってしまう場合も考えられる。そのような場合、切削の距離が長ければ長いほど切削の始点と終点との間で切削量に大きなバラツキが出てしまい、再利用する予定のエリア型ＩＣパッケージまでも切削してしまう虞がある。
【００２５】
しかしながら、上記構成によれば、切削距離が最も短くなるように基板を短辺方向に沿って切削することとなるので、基板に対して傾いた状態で切削を行ってしまった場合であっても、エリア型ＩＣパッケージまでも切削してしまうことが抑制されている。
【００２６】
また、前記切削工程を行う前に、前記基板のうち前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを包含する基板片を切り取る切取工程を更に備え、前記切削工程は、前記基板片に対して行うことが好ましい。
【００２７】
切削の際には、基板を面方向に押すような力もかかるため、基板が撓んでしまうことも考えられる。そのような場合、場所によって切削量にバラツキが出てしまい、再利用する予定のエリア型ＩＣパッケージまでも切削してしまう虞がある。
【００２８】
しかしながら、上記構成によれば、基板から切り取った基板片に対して切削工程を行うので、撓みが少なくなり、エリア型ＩＣパッケージまでも切削してしまうことが抑制されている。
【００２９】
また、本発明の別の観点によれば、半田及びアンダーフィル剤により基板上に実装されたエリアアレイ型ＩＣパッケージの取り外し方法であって、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージの面のうち、少なくとも前記半田及び前記アンダーフィル剤が塗布された第１面全体が前記半田の融点と前記アンダーフィル剤のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを加熱する本加熱工程と、前記第１面全体の温度が前記目標温度以上である状態を維持したまま、前記基板から前記エリアアレイ型ＩＣパッケージを取り外す取り外し工程と、を備えたことを特徴とするエリアアレイ型ＩＣパッケージの取り外し方法を提供している。
【００３０】
このような構成によれば、基板と接合された状態でエリア型ＩＣパッケージに対して本加熱工程を行うことで、エリア型ＩＣパッケージと基板との間に存在している半田及びアンダーフィル剤が移動可能な状態となる。従って、半田及びアンダーフィル剤により基板と接合されたエリア型ＩＣパッケージであっても、基板からの取り外しを安全かつ容易に行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法によれば、半田及びアンダーフィル剤が残余するエリアアレイ型ＩＣパッケージから半田及びアンダーフィル剤を容易かつきれいに除去することが可能となる。
【００３２】
また、本発明のエリアアレイ型ＩＣパッケージの取り外し方法によれば、半田及びアンダーフィル剤により接合された基板からエリアアレイ型ＩＣパッケージを安全かつ容易に取り外すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１の実施の形態による基板に実装される前のＩＣパッケージの側面図
【図２】本発明の第１の実施の形態による基板に実装された後のＩＣパッケージの側面図
【図３】本発明の第１の実施の形態による基板から取り外された後のＩＣパッケージの側面図
【図４】本発明の第１の実施の形態による整地工程を行うための整地装置について説明する図
【図５】本発明の第１の実施の形態による整地工程についてのフローチャート
【図６】本発明の第２の実施の形態による切取工程を説明する図
【図７】本発明の第２の実施の形態による基板片の治具への固定を説明する図
【図８】本発明の第２の実施の形態による切削後の分離基板片及びＩＣパッケージの平面図
【図９】本発明の第２の実施の形態による整地工程についてのフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の第１の実施の形態によるエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法について、図１〜図５を参照して説明する。
【００３５】
本実施の形態によるエリアアレイ型ＩＣパッケージの整地方法は、基板２から取り外されたエリアアレイ型ＩＣパッケージ１（以下、ＩＣパッケージ１と称す）に対して行うものである。ＩＣパッケージ１としては、ＢＧＡ型のものやＣＳＰ型のものが考えられる。
【００３６】
まず、図１を用いて、基板２に実装される前のＩＣパッケージ１について説明する。
【００３７】
図１は、基板２に実装される前のＩＣパッケージ１の側面図である。
【００３８】
図１に示すように、基板２に実装される前のＩＣパッケージ１は、第１面１１ａ及び第２面１１ｂを有する平板状のチップ本体１１と、第１面１１ａに所定の間隔で形成された複数のチップ側ランド１２と、複数のチップ側ランド１２上にそれぞれ形成された複数の半田バンプ１３と、を備えている。なお、図１に示す半田バンプ１３は、整った状態のものであるとする。
【００３９】
また、基板２は、基板本体２１と、複数のチップ側ランド１２に対応して形成された複数の基板側ランド２２と、を備えている。
【００４０】
続いて、図２を用いて基板２に実装された後のＩＣパッケージ１について説明する。
【００４１】
図２は、基板２に実装された後のＩＣパッケージ１の側面図である。
【００４２】
図２に示すように、複数の半田バンプ１３を半田の融点以上まで加熱して基板２の基板側ランド２２とも結合させることにより、ＩＣパッケージ１と基板２とは、電気的に接続される。
【００４３】
その後、ＩＣパッケージ１及び基板２が組み込まれた製品の落下等の際の衝撃応力を緩和する目的で、隣接する半田バンプ１３間にエポキシ樹脂等のアンダーフィル剤１４が塗布される。アンダーフィル剤１４は、ＩＣパッケージ１と基板２との間に注入するだけで、毛細管現象により半田バンプ１３間に浸透していき、所定時間経過後に硬化、すなわり、ガラス状態へ転移する。
【００４４】
このような状態で、ＩＣパッケージ１が搭載された基板２は製品に組み込まれて出荷されていくこととなる。
【００４５】
続いて、使用済み製品の基板２から取り外された後のＩＣパッケージ１について説明する。
【００４６】
図３は、基板２から取り外された後のＩＣパッケージ１の側面図である。
【００４７】
基板２からのＩＣパッケージ１の取り外しは、半田の融点以上まで半田バンプ１３を加熱して溶融させることにより行われる。
【００４８】
しかしながら、半田バンプ１３間にはアンダーフィル剤１４が塗布されているため、図３に示すように、取り外されたＩＣパッケージ１にはアンダーフィル剤１４が残余し、また、残余したアンダーフィル剤１４の影響で、溶融した半田バンプ１３も図１に示すような整った状態の半田バンプ１３に戻ることができず、半田１３ａとして残余する。
【００４９】
そこで、本実施の形態では、このように半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４が残余するＩＣパッケージ１を以下の整地工程による整地する。
【００５０】
図４は、整地工程を行うための整地装置３について説明する図であり、図５は、整地工程についてのフローチャートである。
【００５１】
図４に示すように、整地装置３は、予備加熱装置３１と、本加熱装置３２と、スクレーパー３３と、を備えている。予備加熱装置３１及び本加熱装置３２は、共に平板形状を有しており、載置されたものを加熱可能な構成となっている、
【００５２】
整地工程では、まず、予備加熱装置３１上にＩＣパッケージ１を載置し、予備加熱工程を行う（図５のＳ１）。
【００５３】
予備加熱工程は、後述するＳ２の本加熱工程においてＩＣパッケージ１が急速に加熱されて破損することを抑制するためのものである。従って、ここでは、半田１３ａの融点より低い温度までＩＣパッケージ１を加熱する。なお、ＩＣパッケージ１は、第１面１１ａと第２面１１ｂのいずれを予備加熱装置３１上に載置してもよい。
【００５４】
続いて、ＩＣパッケージ１の第２面１１ｂを本加熱装置３２上に載置し、本加熱工程を行う（図５のＳ２）。
【００５５】
本加熱工程は、半田１３ａを溶融させると同時にアンダーフィル剤１４のガラス状態を軟化したゴム状態へ転移させるためのものである。従って、ここでは、ＩＣパッケージ１の第１面１１ａの温度が半田１３ａの融点とアンダーフィル剤１４のガラス転移点のうちの高い方以上の目標温度になるまで、ＩＣパッケージ１の第２面１１ｂを加熱する。第１面１１ａの温度は、温度測定器等で第１面１１ａを直接計測してもよいし、本加熱装置３２の温度から導き出してもよい。
【００５６】
なお、半田１３ａの融点及びアンダーフィル剤１４のガラス転移点は、その種類によって異なるため、ＩＣパッケージ１に使用されている半田１３ａの融点及びアンダーフィル剤１４のガラス転移点については、予め把握しておく必要がある。
【００５７】
また、ＩＣパッケージ１の破損を抑制するために、上記目標温度は、ＩＣパッケージ１の耐熱温度の製品仕様以下に設定することが好ましい。
【００５８】
次に、ＩＣパッケージ１の第１面１１ａが目標温度になったところで、スクレーパー３３を用いて、溶融した半田１３ａ及び軟化したアンダーフィル剤１４を除去する除去工程を行う（Ｓ３）。
【００５９】
詳細には、ピンセット等でＩＣパッケージ１を固定した状態で、スクレーパー３３を用いて、半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を第１面１１ａの外に削り取るように移動させる。
【００６０】
この際、ＩＣパッケージ１の第１面１１ａ全体が目標温度まで上昇しているので、第１面１１ａ上に存在する全ての半田１３ａは溶融した状態となっており、第１面１１ａ上に存在する全てのアンダーフィル剤１４もゴム状態に転移している。そのため、スクレーパー３３を用いて半田１３ａとアンダーフィル剤１４とを第１面１１ａの外に移動させることが容易な状態となっている。
【００６１】
最後に、ＩＣパッケージ１を冷却（Ｓ４）及び洗浄し（Ｓ５）、整地工程を終了する。なお、その後、ＩＣパッケージ１を再利用する際には、チップ側ランド１２上に半田バンプ１３を新たに形成することとなる。
【００６２】
ここで、図５のＳ３で、半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を容易に除去することができる理由について詳細に説明する。
【００６３】
一般的には、半田を除去する際には半田鏝を用いることが多い。しかしながら、半田鏝を用いる場合には、半田鏝を当てた部分毎に半田吸い取り線等により半田を吸い取ることが必要となるため、ＩＣパッケージ１全面に残余する半田を除去するためには多くの時間を要する。
【００６４】
また、半田吸い取り線ではアンダーフィル剤１４を吸い取ることはできないため、アンダーフィル剤１４は残余してしまい、また、残余したアンダーフィル剤１４のために半田１３ａもうまく吸い取ることができない。
【００６５】
また、アンダーフィル剤１４に関しては、エポキシ溶解剤等により溶解させる方法も考えられるが、この方法では、ＩＣパッケージ１の内部に使用されているエポキシ樹脂等までも溶解させてしまう虞がある。
【００６６】
また、半田鏝を用いて、本実施の形態のように、半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を削り取る方法も考えられる。しかしながら、この方法では、半田鏝を当てている部分に存在する半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４のみが移動可能な状態となるため、移動させた半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４は温度の低い移動先ですぐに硬化してしまう。従って、半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を移動先で再加熱してから再移動させるという大変な労力が必要となる。
【００６７】
また、半田鏝を使用する場合には、半田鏝を局所的に長時間使用することによりチップ側ランド１２が損傷してしまう可能性が生じる。その場合、チップ側ランド１２が損傷したＩＣパッケージ１は、もはや再利用が不可能となってしまう。
【００６８】
一方で、本実施の形態による方法では、ＩＣパッケージ１の第１面１１ａ全体が目標温度以上まで上昇しているため、第１面１１ａ上の全ての半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４は、それぞれ溶融及び軟化して移動可能な状態となっている。従って、スクレーパー３３を用いて半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を削り取るように移動させるだけで、半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を容易かつきれいに除去することが可能となる。
【００６９】
発明者の実験結果によると、本実施の形態による方法で半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を除去するのに要した時間は、上記した半田鏝を用いる方法と比べて１／１０以下となった。また、除去に要した時間は１／１０以下でありながら、整地の完成度は肉眼観察で明らかに向上していた。
【００７０】
以上説明したように、本実施の形態では、ＩＣパッケージ１の第１面１１ａ面全体の温度を目標温度まで上昇させているため、第１面１１ａ上の半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４は、それぞれ溶融及び軟化して容易に移動可能な状態となっている。従って、スクレーパー３３のようなもので半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を削り取るように移動させるだけで、半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を容易かつきれいに除去することが可能となる。
【００７１】
また、除去工程は第１面１１ａに行うのに対し、加熱工程は対向する第２面１１ｂに行うので、加熱工程が除去工程の妨げとなることが抑制されている。
【００７２】
また、本加熱工程は、平板状の本加熱装置３２上に第２面１１ｂを載置するという簡易な構成により達成されるため、ＩＣパッケージ１の整地を行うためのコスト及び労力が軽減されている。
【００７３】
また、本加熱工程の前に予備加熱工程を行うため、本加熱工程においてＩＣパッケージ１が急速に加熱されて破損することが抑制されている。
【００７４】
また、目標温度は、ＩＣパッケージ１の耐熱温度の製品仕様以下に設定されているため、本加熱工程におけるＩＣパッケージ１の破損が一層抑制されている。
【００７５】
続いて、本発明の第２の実施の形態によるエリア型ＩＣパッケージの整地方法について、図６〜図９を参照して説明する。
【００７６】
第１の実施の形態では、基板２から取り外されたＩＣパッケージ１に対して整地を行った。
【００７７】
しかしながら、第１の実施の形態でも述べたように、ＩＣパッケージ１と基板２との間にはアンダーフィル剤１４が塗布されている。そのため、ＩＣパッケージ１を基板２から取り外すことは容易ではなく、無理して取り外そうとするとＩＣパッケージ１に応力がかかってしまい、ＩＣパッケージ１が破損してしまう虞がある。
【００７８】
そこで、本実施の形態では、基板２と接合された状態のＩＣパッケージ１であっても、基板２からの取り外し及び整地を安全かつ容易に行うことのできる方法を提案する。
【００７９】
図６は、本実施の形態による切取工程を説明する図である。図７は、本実施の形態による基板片４の治具５への固定を説明する図である。図８は、本実施の形態による切削後の分離基板片４１及びＩＣパッケージ１の平面図である。図９は、本実施の形態による整地工程についてのフローチャートである。
【００８０】
本実施の形態では、まず、図６に示すように、基板２のうちＩＣパッケージ１を包含する基板片４を切り取る切取工程を行う（図９のＳ１１）。
【００８１】
基板片４は、後述する治具５に固定する都合上、ＩＣパッケージ１よりも少し大きく切り取ることが好ましく、本実施の形態では、基板片４は、ＩＣパッケージ１よりも少し大きな長方形状に切り取るものとする。以下では、基板片４の長辺が延びる方向を長辺方向Ａ、短辺が延びる方向を短辺方向Ｂとする。
【００８２】
続いて、ＩＣパッケージ１の半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４が部分的に露出するまで基板片４を切削する切削工程を行う（図９のＳ１２）。
【００８３】
切削工程は、図７に示すように、基板片４の長辺方向Ａにおける両端部を治具５に固定した上で、電動切削工具等を基板片４に対して平行に動かすことにより行う。また、本実施の形態では、基板片４の長辺方向Ａにおける略中央を短辺方向Ｂに沿って切削する。
【００８４】
切削工程が終了すると、図８に示すように、基板片４は、２つの分離基板片４１に分離され、切削された領域４２からはＩＣパッケージ１の半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４が露出した状態となる。
【００８５】
この状態で、第１の実施の形態と同様に、ＩＣパッケージ１に対して本加熱工程を行う（図９のＳ１３）。
【００８６】
続いて、スクレーパー３３を用いて、溶融した半田１３ａ及び軟化したアンダーフィル剤１４に対して除去工程（図９のＳ１４）を行う。
【００８７】
ここで、上記本加熱工程により、半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４は、切削された領域４２に露出したもののみならず、ＩＣパッケージ１と分離基板片４１との間に存在しているものも、スクレーパー３３を用いて移動させることが容易な状態となっている。従って、切削された領域４２から分離基板片４１向けてスクレーパー３３を動かすことにより、分離基板片４１ごと半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４を除去することができる。
【００８８】
以上説明したように、本実施の形態では、基板片４に対して切削工程を行い、半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４を露出させる。また、基板片４と接合された状態でＩＣパッケージ１に対して本加熱工程を行うことで、切削された領域４２に露出した半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４のみならず、ＩＣパッケージ１と分離基板片４１との間に存在している半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４も、スクレーパー３３を用いて移動させることが容易な状態となる。
【００８９】
従って、切削された領域４２から分離基板片４１に向けてスクレーパー３３を動かすことで、分離基板片４１ごと半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４を削り取ることでき、半田バンプ１３ａ及びアンダーフィル剤１４により基板２と接合された状態のＩＣパッケージ１であっても、基板２（基板片４）からの取り外し及び整地を安全かつ容易に行うことを可能としている。
【００９０】
ところで、本実施の形態では、電動切削工具等を基板片４に対して平行に動かすことにより基板片４の切削を行ったが、基板片４の治具５への固定角度の誤差等により、基板片４に対して傾いた状態で切削を行ってしまう場合も考えられる。そのような場合、切削の距離が長ければ長いほど切削の始点と終点との間で切削量に大きなバラツキが出てしまい、再利用する予定のＩＣパッケージ１までも切削してしまう虞がある。
【００９１】
しかしながら、本実施の形態では、切削距離が最も短くなるように基板片４を短辺方向Ｂに沿って切削することとなるので、基板片４に対して傾いた状態で切削を行ってしまった場合であっても、ＩＣパッケージ１までも切削してしまうことが抑制されている。
【００９２】
また、切削の際には、基板２を面方向に押すような力もかかるため、基板２が撓んでしまうことも考えられる。そのような場合、場所によって切削量にバラツキが出てしまい、再利用する予定のＩＣパッケージ１までも切削してしまう虞がある。
【００９３】
しかしながら、本実施の形態では、基板２から切り取った基板片４に対して切削工程を行うので、撓みが少なくなり、ＩＣパッケージ１までも切削してしまうことが抑制されている。
【００９４】
尚、本発明のエリアアレイ型ＩＣパッケージは、上述した実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変形や改良が可能である。
【００９５】
例えば、第１の実施の形態では、本加熱装置３２上に載置することによりＩＣパッケージ１の温度を上昇させたが、熱風等他の方法を用いてもよい。
【００９６】
また、図５のＳ１の予備加熱、Ｓ４の冷却、及び、Ｓ５の洗浄は必ずしも必要ではなく、必要に応じて行えばよい。
【００９７】
また、ＩＣパッケージ１は、平板形状に限らず、直方体形状や立方体形状であってもよい。その場合には、ＩＣパッケージ１の除去工程を行う面の温度を上昇させるために、ＩＣパッケージ１の側面を加熱してもよいし、複数の面を加熱してもよい。
【００９８】
また、除去工程で用いる道具としては、スクレーパー３３に限定されず、半田１３ａ及びアンダーフィル剤１４を移動可能なものであればよい。
【００９９】
また、第２の実施の形態では、切削工程で基板片４を２つの分離基板片４１に分離したが、スクレーパー３３による除去が可能であれば、必ずしも分離しなくても部分的に切削するだけでもよい。
【０１００】
また、アンダーフィル剤１４は、その性質によっては、スクレーパー３３を用いなくても、本加熱工程を行うだけで容易に移動可能となるものも考えられる。そのような場合には、第２の実施の形態における本加熱工程を行った後に、スクレーパー３３を用いずにＩＣパッケージ１を滑らせるようにして基板２から取り外し、その取り外したＩＣパッケージ１に対して第１の実施の形態による整地方法を行ってもよい。
【符号の説明】
【０１０１】
１             ＩＣパッケージ
２             基板
３             整地装置
１１         チップ本体
１１ａ     第１面
１１ｂ     第２面
１２         チップ側ランド
１３         半田バンプ
１３ａ     半田
１４         アンダーフィル剤
２１         基板本体
２２         基板側ランド
３１         予備加熱装置
３２         本加熱装置
３３         スクレーパー
４             基板片
４１         分離基板片
４２         領域
５             治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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