(57)【要約】      （修正有）【課題】輝度化に加えて、ウエハ当たりの素子取れ数を増加させる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子の製造方法は、一主面１１ａの三角格子の各格子点の位置に凸部１３が設けられた基板１１と、基板１１の一主面１１ａ側に設けられた半導体構造とを有するウエハの準備工程と、第１間隔で平行に並び、且つ、三角格子の格子線２２となす角度のうち最小の第１角度θ１が０よりも大きい第１分割予定線３１に沿ってレーザ光を照射して基板１１に複数の第１変質部を形成する工程と、第１分割予定線３１と直交し、第１間隔よりも小さい第２間隔で平行に並び、且つ、三角格子の格子線となす角度のうち最小の第２角度θ２が第１角度θ１よりも小さく０よりも大きい第２分割予定線３２に沿ってレーザ光を照射して基板１１に複数の第２変質部を形成する工程と、第１変質部と第２変質部に沿ってウエハを分割して複数の発光素子を得る工程と、を備える。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面において三角格子の各格子点に対応する位置に凸部が設けられた基板と、前記基板の一主面側に設けられた半導体構造と、を有するウエハを準備する工程と、
第１間隔で平行に並び、且つ、前記三角格子の格子線となす角度のうち最小の第１角度が０よりも大きい第１分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、前記基板に複数の第１変質部を形成する工程と、
前記第１分割予定線と直交し、前記第１間隔よりも小さい第２間隔で平行に並び、且つ、前記三角格子の格子線となす角度のうち最小の第２角度が前記第１角度よりも小さく０よりも大きい第２分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、前記基板に複数の第２変質部を形成する工程と、
前記第１変質部および前記第２変質部に沿って前記ウエハを分割することにより、複数の発光素子を得る工程と、
を備えることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記三角格子は正三角格子であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記凸部間の最短距離は５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記凸部の平面視形状は、多角形、又は、多角形の辺が曲線に置換された多角形近似形状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記凸部間を繋ぐ谷部は平坦な面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記レーザ光は、そのパルス幅が１００フェムト秒以上５００ナノ秒以下であり、前記基板の一主面と反対側の主面側から照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記半導体構造は窒化物半導体からなり、前記基板はサファイアからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子はその適用用途の拡大に伴い、より高輝度化が求められている。このため、半導体層と接するサファイア表面に、半導体層内を水平方向に伝播する光を素子外に取り出すことが可能な凸部を設けることが提案されている（例えば特許文献１および特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１７７５２８号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６０５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなＬＥＤ素子においては、高輝度化に加えて安価に提供可能であることが要求されており、１つのウエハから得られる素子数のさらなる増加が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態の発光素子の製造方法は、一主面において三角格子の各格子点に対応する位置に凸部が設けられた基板と、基板の一主面側に設けられた半導体構造と、を有するウエハを準備する工程と、第１間隔で平行に並び、且つ、三角格子の格子線となす角度のうち最小の第１角度が０よりも大きい第１分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、基板に複数の第１変質部を形成する工程と、第１分割予定線と直交し、第１間隔よりも小さい第２間隔で平行に並び、且つ、三角格子の格子線となす角度のうち最小の第２角度が第１角度よりも小さく０よりも大きい第２分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、基板に複数の第２変質部を形成する工程と、第１変質部および第２変質部に沿ってウエハを分割することにより、複数の発光素子を得る工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本実施形態の発光素子の製造方法によれば、第２分割予定線に沿って直線的に分割することができるので、ウエハ当たりの素子の取れ数を増加させ、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明の実施形態の工程を説明する模式的な平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図３は、凸部の配置の一例を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態の工程を説明する模式的な平面図である。
【図５】図５は、図４のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図６】図６は、凸部と第１分割予定線の関係を示す平面図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態の工程を説明する模式的な平面図である。
【図８】図８は、図７のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図９】図９は、凸部と第２分割予定線の関係を示す平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施形態の工程を説明する模式的な平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＤ−Ｄ線における断面図である。
【図１２】図１２は、凸部の配置と第１分割予定線および第２分割予定線の関係を示す模式図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施形態の発光素子を示す模式的な平面図である。
【図１４】図１４は、図１３のＥ−Ｅ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本件発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための方法を例示するものであって、本発明を以下の実施形態に特定するものではない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
【０００９】
本発明の実施形態における発光素子の製造方法について、以下、図面を参照して説明する。
【００１０】
（ウエハ準備工程）
まず、図１および図２に示すように、基板１１と、基板１１の一主面側に設けられた半導体構造１２を有するウエハ１０を準備する。図１は、本実施形態の工程を説明する模式的な平面図であり、ウエハ１０の一部を拡大した図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。図２において斜線を付した部分が切断面であり、それ以外の部分は切断面を描いた方向に現れる外観部分である。また、図３に示すように、基板１１の一主面である第１主面１１ａには、三角格子の各格子点２１に対応する位置に凸部１３が設けられている。図３は、凸部１３の配置の一例を示す平面図であり、基板１の一部を拡大した図である。図３に示すように、三角格子は複数の三角形が二次元的に配置されたものであり、格子点２１に相当する位置に凸部１３が設けられる。三角格子の格子線２２は、隣接する格子点２１を結ぶ線であり、三角格子のうちの最少の三角形の辺を構成する線である。図３では、格子線２２が一直線上に複数並ぶことによって、１本の直線を形成している。
【００１１】
（第１変質部形成工程）
図４および図５に示すように、第１分割予定線３１に沿ってレーザ光を照射することにより、基板１１に複数の第１変質部４１を形成する。図４は、本実施形態の工程を説明する模式的な平面図であり、図５は、図４のＢ−Ｂ線における断面図である。図５において斜線を付した部分が切断面であり、それ以外の部分は切断面を描いた方向に現れる外観部分である。第１分割予定線３１は、図４に示すように、一定の間隔（第１間隔）で平行に並ぶ線であり、さらに、図６に示すように、三角格子の格子線２２となす角度のうち最小の第１角度θ１が０よりも大きい仮想線である。図６は、凸部１３と第１分割予定線３１の関係を示す平面図であり、基板１の一部を拡大した図である。第１分割予定線３１は、第１角度θ１と後述する第２角度θ２の関係が０＜θ２＜θ１となるように設定する。つまり、例えば図６に示すように正三角形の三角格子の場合は、θ１は３０°より小さい。
【００１２】
（第２変質部形成工程）
図７および図８に示すように、第２分割予定線３２に沿ってレーザ光を照射することにより、基板に複数の第２変質部４２を形成する。図７は、本実施形態の工程を説明する模式的な平面図であり、図８は、図７のＣ−Ｃ線における断面図である。図８において斜線を付した部分が切断面であり、それ以外の部分は切断面を描いた方向に現れる外観部分である。第２分割予定線３２は、図７に示すように、第１分割予定線３１と直交し、第１間隔よりも小さい第２間隔で平行に並ぶ線である。さらに、第２分割予定線３２は、図９に示すように、三角格子の格子線２２となす角度のうち最小の第２角度θ２が第１角度θ１よりも小さく０よりも大きい仮想線である。図９は、凸部１３と第２分割予定線３２の関係を示す平面図である。なお、第１変質部と第２変質部の形成順序は、この順でもよく、逆でもよい。
【００１３】
第１変質部４１および第２変質部４２を形成する際のレーザ光の照射条件等は、同じものを用いることができる。第１変質部４１および第２変質部４２を形成するレーザ光は、そのパルス幅が１００フェムト秒以上５００ナノ秒以下であることが好ましく、さらには１０ピコ秒以下であることが好ましい。多光子吸収による変質部を形成することで、レーザ光の焦点位置に生じる加工部から亀裂が広がりやすく、ウエハを精度よく分割しやすい。また、多光子吸収による加工であれば基板１１が変色しないため、変色部における光吸収による発光素子の出力低下を防止できる。レーザ光のパルスエネルギは０．５〜１０μＪ程度とすることができる。
【００１４】
また、レーザ光の照射による半導体構造１２の損傷を抑制するためには、半導体構造１２が設けられた第１主面１１ａよりも、その反対側の第２主面１１ｂ側からレーザ光を照射することが好ましい。第１主面１１ａ側には凸部１３が形成されているため、これによるレーザ光の散乱による半導体構造１２の損傷や加工効率の低下を防止するためにも、第２主面１１ｂ側よりレーザ光を照射することが好ましい。レーザ光の焦点位置は、第２主面１１ｂよりも基板１１の内側寄りが好ましく、且つ、第１主面１１ａよりも第２主面１１ｂに近い位置に設定することが好ましい。例えば第２主面１１ｂから５〜５０μｍ程度内側の位置に１０μｍ以下のスポット径にて焦点を結ぶように設定する。レーザ光は、平面視においてその焦点位置が第１分割予定線３１および第２分割予定線３２に重なるように狙って走査する。同じ分割予定線において焦点の深さを変えて複数回走査してもよいが、この場合は走査ごとに焦点位置がばらつくため割断起点がずれて蛇行しやすい。よって、１回の走査で分割可能な程度に亀裂が発生するレーザ光の照射条件とすることがより好ましい。
【００１５】
（ウエハ分割工程）
第１変質部４１および第２変質部４２に沿ってウエハ１０を分割することにより、図１０および図１１に示すように、複数の発光素子５０を得る。図１０は、本実施形態の工程を説明する模式的な平面図であり、図１１は、図１０のＤ−Ｄ線における断面図である。図１１において斜線を付した部分が切断面であり、それ以外の部分は切断面を描いた方向に現れる外観部分である。ウエハ１０の分割は、例えばブレイキングにより行うことができる。基板１１の厚みやレーザ光の照射条件によっては、第１変質部４１および／または第２変質部４２を形成した際に基板１１が完全に分割されることがある。このように、第１変質部４１形成工程（第２変質部４２形成工程）がウエハ分割工程を兼ねていてもよい。以上の工程により得られる発光素子５０の平面視形状は、長方形形状である。
【００１６】
以上の本実施形態の発光素子の製造方法によって、低コスト化を図ることができる。これについて、以下、詳細に説明する。
【００１７】
まず、基板１１の第１主面１１ａにおいて、図６および図９に示すように、凸部１３間は相対的に凹んだ部分である谷部１４によって接続されているが、谷部１４はその厚みが薄いことから凸部１３よりも強度的に弱い。このような基板１１に外力を加え分割する際には、分割すなわち破壊であるため強度の弱い谷部１４に向かって分割すなわち破壊が進行する性質を有する。このとき、半導体構造１２も、基板１１の分割に誘導されて同様に分割される。
【００１８】
凸部１３が配置された格子の格子線２２と分割予定線がなす角度が０である場合、つまり、格子線２２と分割予定線が平行である場合には、１つのウエハ１０内に配置される複数の分割予定線は、主に谷部１４を通過する線もあれば主に凸部１３を通過する線もあり、線によって分割容易性が異なる。すべての分割予定線を凸部１３の配置に合わせて位置調整することは極めて困難であるため、このような分割容易性のばらつきは避けられない。このため、谷部１４のみを通過する線では直線的に分割されるが、主に凸部１３を通過する線では強度的に弱い谷部１４側へ向かって破壊が進行しやすいために蛇行して分割されるというように、線によって分割状態に差異が生じる。また、線ごとに分割容易性が異なるということは、スクライブ用レーザ光の出力等の分割条件の最適値が線によって異なるということである。このため、分割容易な線に合わせて最適化すれば分割非容易な線で分割不良が発生するおそれがあり、分割非容易な線に合わせて最適化すれば分割容易な線で破損するおそれがある。
【００１９】
そこで、本実施形態では、分割予定線３１，３２を凸部１３が配置された格子線２２と交差するものとすることで、分割容易性のばらつきを改善する。一例を図１２に示す。図１２は、凸部１３の配置と第１分割予定線３１および第２分割予定線３２の関係を示す模式図である。なお、図１２と図１〜１１は、凸部１３の形状など細部において異なる部分があるが、同一の符号を付した部材は同質の部材を示す。このように、分割予定線３１，３２を格子線２２と交差させることにより、ウエハ１０内における複数の分割予定線３１，３２において、いずれも同様に、谷部１４を通過する距離が周期的に変化するものとなる。よって、分割予定線３１，３２間の分割容易性のばらつきが改善される。
【００２０】
加えて、分割容易な部分では直線性をもって割断されるため、分割非容易な部分がこの直線性の影響により同様に直線的に割断されやすく、特に、第２分割予定線３２においてその全体で直線的に割断しやすくなると考えられる。本実施形態では、図１２等に示すように、第２分割予定線３２と格子線２２の最小交差角度θ２を、第１分割予定線３１と格子線２２の最小交差角度θ１よりも小さくなるように設定する。これにより、分割容易な部分の長さが第１分割予定線３１よりも第２分割予定線３２のほうが長くなり、つまり、直線的に割断される部分がより長くなるため、この直線性の影響によって第２分割予定線３２の全体において直線的に分割されるものと考えられる。
【００２１】
ここで、第１分割予定線３１および第２分割予定線３２に沿って分割して得られる発光素子５０は長方形状であって、第１分割予定線３１で分割した側が短辺となり、第２分割予定線３２で分割した側が長辺となる。このような第２分割予定線３２は、それぞれの間隔が第１分割予定線３１よりも狭いため、ウエハ１０内における合計長さが第１分割予定線３１よりも長い。よって、長辺側の割断線の蛇行を抑制することによって、歩留まりを低下させることなく長辺側を分割する際の切りしろ（ストリート幅）を小さくでき、これによって１つのウエハ１０から得られる発光素子の数を増加させ、低コスト化を図ることができる。また、第２分割予定線３２において直線的に分割して割断線の蛇行を抑制することにより、長辺側において発光素子５０の発光部５０ａへの切り込みの発生確率が低減されるため、切り込みの発生数を低減させることができる。
【００２２】
なお、短辺側においても、分割予定線を格子線２２と平行に配置した場合における最も蛇行しやすい条件（主に凸部１３を通過する線）と比較すれば、割断線の蛇行が抑制されやすいと考えられる。
【００２３】
また、複数の第１分割予定線３１はいずれも分割容易性が同等であることから、同一の分割条件によって同等の割断状態のものを得ることができる。第２の分割予定線３２についても同様である。
【００２４】
本実施形態の発光素子の製造方法において用いる各部材について、以下、詳細に説明する。
【００２５】
（基板１１）
基板１１として、半導体構造１２を成長可能な成長用基板を用いることができる。半導体構造１２が窒化物半導体であれば、基板１１の材料は、結晶構造が六方晶系であるものが好ましく、典型的にはサファイアが挙げられる。サファイア基板は劈開性に乏しく分割線が蛇行しやすい傾向にあるため、本実施形態の製造方法による分割線の蛇行抑制の効果をより一層享受することができる。例えば、Ｃ面を主面とするサファイア基板を用いる。この場合、凸部１３が形成される前の主面がＣ面であって、凸部１３の形成後は谷部１４の底面や凸部１３の上面などの平坦な面にＣ面が現れる。
【００２６】
基板１１がＣ面を主面とするサファイア基板である場合、第１分割予定線３１および第２分割予定線３２の両方がサファイア基板のＡ面及びＭ面の両方と交差するように凸部１３を配置することが好ましい。Ａ面およびＭ面を避けて分割することで、基板１１の分割面の傾斜が抑制され、基板１１側面の主面に対する角度が垂直に近づくため、ストリート幅をさらに小さくできる。この場合、第２分割予定線３２のＡ面またはＭ面との交差角度が１°以上１５°以下であることが好ましく、さらには３〜１０°であることが好ましい。
【００２７】
基板１１の主面にオフアングルを有していてもよい。このオフアングルは、例えば、０〜±１０°程度が挙げられ、０〜±５°程度、０〜±２°程度、０〜±１°程度、０〜±０．５°程度、０〜±０．２５°程度が好ましい。基板１１の厚みは特に限定されないが、レーザ光の照射により過度に破壊することなく、且つ確実に分割することを考慮すると、４０〜２００μｍ程度であることが適している。半導体構造１２を成長させた後で研磨等により基板１１を薄くすることでこのような厚み範囲としてもよい。
【００２８】
（半導体構造１２）
半導体構造１２は、例えば窒化物半導体からなる。具体的には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等により、基板１１上にＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）からなる半導体層を複数積層したものを用いることができる。図１３および図１４に示すように、半導体構造１２は、基板１１の側から順に、第１導電型半導体層１２ａ（例えばｎ型半導体層）と、発光層１２ｂと、第２導電型半導体層１２ｃ（例えばｐ型半導体層）と、を有する。図１３は、本実施形態の発光素子５０を示す模式的な平面図であり、図１４は、図１３のＥ−Ｅ線における断面図（端面図）である。
【００２９】
基板１１が絶縁性である場合は、その一部領域において、第２導電型半導体層１２ｃおよび発光層１２ｂが除去されて第１導電型半導体層１２ａが露出されることで、第１導電型半導体層１２ａおよび第２導電型半導体層１２ｃにそれぞれ第１電極１５および第２電極１６ａ，１６ｂが形成される。第１電極１５および第２電極１６ａ，１６ｂは、ＩＴＯ等の透明導電性酸化物、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ等の金属又は合金の単層又は多層で形成することができる。これらの電極１５，１６ａ，１６ｂや半導体構造１２の表面を被覆するＳｉＯ２膜等の保護膜を設けてもよい。なお、半導体構造１２の厚みは、通常、基板１１よりも小さく、数μｍ程度である。
【００３０】
図１に示すように、ストリート１７は、通常、発光部５０ａ以外の領域、つまり発光層１２ｂが存在しない領域である。例えば、第１導電型半導体層１２ａが露出した領域や基板１１が露出した領域である。このとき、ストリート幅は、個片化後にそれぞれ発光素子５０となる領域のうち、隣接する発光部５０ａ間の距離で規定される。発光層除去部を設けない場合は、隣接する発光素子領域の電極間の距離で規定してもよい。ストリート幅は、発光に寄与しない領域であることから狭く設定することが好ましい。ストリート幅は１０〜５０μｍとすることができ、より好ましくは１５〜３０μｍとする。第２分割予定線３２が通過する方のストリート幅を第１分割予定線３１が通過する方のストリート幅よりも小さくすることもできる。
【００３１】
（凸部１３）
基板１１の表面には凸部１３が設けられる。このような凸部１３により、半導体構造１２内を伝播する光の一部が凸部１３の表面で反射され伝播方向が変化するため、光の取り出し効率を向上させることができる。凸部１３は、基板１１の表面の一部を除去することにより形成することができる。具体的には、適当な形状のマスクパターンを用いて、凸部となる部分以外をドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングにより除去する方法が挙げられる。
【００３２】
凸部１３が配置される三角格子は、図３に示すように、基板１１の第１主面１１ａを平面視した平面図において二次元的に配置される。凸部１３は、その中心が格子点２１とほぼ一致するように配置することができる。三角格子は、正三角形で構成された正三角格子であることが好ましい。このように配置した凸部１３によって、光の取り出し効率をさらに向上させることができる。なお、凸部１３を繋ぐ谷部１４は平坦な面であることが好ましい。
【００３３】
凸部１３の形状は、例えば、用いるマスクパターンの形状、エッチング方法及び条件を適宜調整して制御することができる。マスクパターンの形状は、円形、楕円形、三角形又は四角形等の多角形形状の繰り返しパターン等が挙げられる。例えば、多角形形状のマスクを用いてウェットエッチングをすると、多角形の辺に相当する部分が外側に湾曲した形状となり、多角形近似形状を容易に形成することができる。
【００３４】
凸部１３の平面視形状は、多角形、又は、多角形の辺が曲線に置換された多角形近似形であることが好ましい。図３に示す凸部１３の平面視形状は、正三角形の辺が曲線に置換された正三角形近似形状である。例えば、凸部１３の平面視形状が円形の場合とその円に内接する三角形の場合において、第１分割予定線３１または第２分割予定線３２が凸部１３の端を通過する際の通過距離を比較すると、円形の端を通過する場合よりも、三角形の頂点近傍を通過する場合の方が凸部１３の通過距離を短くできるため、分割する際に蛇行しにくいと考えられる。また、三角形またはその近似形状の凸部１３は、三角格子において高密度に配置しやすく、光取り出し効率の向上の点からも好ましい。凸部１３が多角形である場合、すべての凸部１３を同じ向きで配置してよい。例えば凸部１３が三角形状またはその近似形状である場合には、凸部１３の頂点が三角格子の格子線２２上に位置する向きとすれば高密度に配置しやすい。
【００３５】
凸部１３は、高密度に配置することで光取り出し効率をさらに向上させることができるほか、第１分割予定線３１と第２分割予定線３２における分割容易な部分（主に谷部１４を通過する部分）の長さの差を大きくすることができる。凸部１３間は、第１分割予定線３１および第２分割予定線３２の両方において分割容易な部分（主に谷部１４を通過する部分）と分割非容易な部分（主に凸部１３を通過する部分）とが周期的に繰り返される程度に密集していることが好ましい。凸部１３間の最短距離（谷部が最も狭くなる箇所の幅）は、５０μｍ程度以下、０．５〜５０μｍ程度、１〜２０μｍ程度が挙げられる。また、別の観点からは、少なくとも第２分割予定線３２と最小交差角度θ２で交わる格子線２２並びにそれと平行な格子線２２が、第２分割予定線３２が通過するストリート１７の幅よりも狭い間隔で配置されていることが好ましい。このような配置によれば、第２分割予定線３２において分割容易な部分と分割非容易な部分が周期的に繰り返されるものとしやすい。さらにはストリート幅の４分の１以下であることが好ましい。第１分割予定線３１と最小交差角度θ１で交わる格子線２２についても同様に、第１分割予定線３１が通過するストリート１７の幅より狭い間隔であることが好ましく、さらにはストリート幅の４分の１以下であることが好ましい。
【００３６】
また、格子線２２と第２分割予定線３２の最小交差角度θ２は、１５°より小さくすることができ、１０°以下であることが好ましい。製造時のずれを考慮すると、１°以上であることが好ましく、例えば３〜１０°の範囲内で設定する。格子線２２と第１分割予定線３１の最小交差角度θ１については、少なくとも最小交差角度θ２よりも大きく、その差は例えば１°以上とすることができ、好ましくは５°以上とする。
【００３７】
凸部１３の底面のサイズ、例えば、隣接する頂点を結ぶ線の距離又は任意の頂点間の最長距離は、０．１μｍ〜５μｍ程度が挙げられる。凸部１３の形状は、錐体状、錐台状等が挙げられる。錐体状又は錐台状である場合には、その凸部１３の底面と側面のなす角は、３０〜８０°程度が挙げられ、４０〜７０°程度が好ましい。凸部１３の側面がある程度傾斜していれば、垂直の場合と比較して凸部１３の端における基板１１の膜厚が薄くなるため、第１分割予定線３１あるいは第２分割予定線３２が凸部１３の端を通過する際の分割線の蛇行が抑制されやすいと考えられる。凸部１３の底面と側面のなす角に代えて凸部１３の側面と谷部１４のなす角で規定してもよく、この場合は１８０°から上述の角度を除算した角度を用いる。また、錐体状又は錐台状の構成面が曲面であってもよい。例えば、図３に示す凸部１３は、側面が曲面で構成された錐台状であって、その下底と上底はともに三角形近似形状であり、上底が下底よりも曲率が大きく円形に近い。
【００３８】
凸部１３の高さは、例えば、０．２μｍ程度以上、基板１１上に設けられる半導体構造１２の総厚さ以下であることが適している。発光素子５０の発光波長をλとしたとき、高さがλ／４以上であることが好ましい。光を十分に散乱又は回折することができるとともに、半導体構造１２の横方向における電流の流れを良好に維持し、発光効率を確保することができる。基板１１の表面に設けられる複数の凸部１３は、その形状やサイズをすべて同じとすることが、第２分割予定線３２において谷部１４が連続しやすく直線的に分割しやすいため好ましい。
【００３９】
（発光素子５０）
発光素子５０の一例を、図１３および図１４に示す。発光素子５０は、その平面視形状が長方形形状である。長方形形状としては、例えば、２対の辺が１：１．５〜８程度の比となるものが挙げられ、好ましくは１：２〜５程度であり、より好ましくは１：２．５〜４程度である。具体的には、１５０μｍ〜２５０μｍ×６００μｍ〜９００μｍ程度が挙げられる。
【符号の説明】
【００４０】
１０  ウエハ
１１  基板、
１１ａ  第１主面、１１ｂ  第２主面
１２  半導体構造
１２ａ  第１導電型半導体層、１２ｂ  発光層、１２ｃ  第２導電型半導体層
１３  凸部
１４  谷部
１５  第１電極
１６ａ、１６ｂ  第２電極
１７  ストリート
２１  格子点
２２  格子線
３１  第１分割予定線
３２  第２分割予定線
４１  第１変質部
４２  第２変質部
５０  発光素子、５０ａ  発光部
θ１  第１角度
θ２  第２角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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