(57)【要約】【課題】基材の表面のうち大部分を高機能膜で被覆しつつも、配線パターンに沿う部分については導体層を形成する技術を提供する。【解決手段】無電解めっき液に含まれる導体成分に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の処理剤１２を基材１０の表面Ｓ１に塗布し、配線パターンに沿う第１部分Ｐ１に塗布された処理剤１２にレーザー光線を照射する。この結果、第１部分Ｐ１の処理剤１２は飛散し、基材１０の表面Ｓ１には配線パターンを除いた第２部分Ｐ２にのみ処理剤１２が残存する。第２部分Ｐ２の処理剤１２を成膜し、上記付着拒絶性を有する処理膜１４とする。基材１０に無電解めっき処理を施すことで処理膜１４のない第１部分Ｐ１にのみ導体層１６が形成される。この結果、配線パターンに沿う第１部分Ｐ１は導体層１６が形成され、第２部分Ｐ２は処理膜１４（高機能膜）で被覆された配線体１を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解めっき液に含まれる導体成分に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の処理剤を、被処理部材の主面に塗布する塗布工程と、
前記被処理部材の前記主面のうち配線パターンに沿う第１部分に塗布された前記処理剤にエネルギー線を照射し、前記第１部分の前記処理剤を除去する除去工程と、
前記被処理部材の前記主面のうち前記配線パターンを除いた第２部分に塗布された前記処理剤を前記固体状態に変化させて成膜し、処理膜とする成膜工程と、
前記被処理部材の前記主面に無電解めっきにより導体層を形成する配線工程と、
を備えることを特徴とする配線方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線方法であって、
前記成膜工程の後、前記配線工程の前に、
前記被処理部材の前記主面を洗浄し、それによって前記主面のうち前記処理膜以外の付着物を除去する洗浄工程、
をさらに備えることを特徴とする配線方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線方法であって、
前記除去工程では、前記第１部分の前記処理剤にレーザーを照射して、前記第１部分の前記処理剤を飛散させるアブレーション処理が行われることを特徴とする配線方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の配線方法であって、
前記除去工程では、前記第１部分の前記処理剤にレーザーを照射して、前記第１部分の前記処理剤を蒸発させる蒸発処理が行われることを特徴とする配線方法。
【請求項５】
無電解めっき液に含まれる成分に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の処理剤を、被処理部材の主面に塗布する塗布工程と、
前記被処理部材の前記主面のうち配線パターンに沿う第１部分に塗布された前記処理剤にエネルギー線を照射し、前記第１部分の前記処理剤について前記固体状態への変化を不能とする不活性化工程と、
前記被処理部材の前記主面のうち前記配線パターンを除いた第２部分に塗布された前記処理剤を前記固体状態に変化させて成膜し、処理膜とする成膜工程と、
前記被処理部材の前記主面を洗浄し、それによって前記主面のうち前記処理膜以外の付着物を除去する洗浄工程と、
前記被処理部材の前記主面に無電解めっきにより導体層を形成する配線工程と、
を備え、
前記処理剤は、重合反応を引き起こすことによって前記処理膜として成膜される材料であり、
前記不活性化工程では、前記第１部分の前記処理剤にエネルギー線を照射して前記第１部分の前記処理剤について重合反応の開始成分を不活性化する処理が行われ、
前記洗浄工程では、前記不活性化工程で不活性化された前記第１部分の前記処理剤が前記付着物として除去されることを特徴とする配線方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の配線方法であって、
前記処理剤は、フッ素系材料またはシリカ系材料であることを特徴とする配線方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の配線方法によって配線された電子デバイス用配線体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線方法およびこの配線方法によって配線された電子デバイス用配線体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基材の表面に配線パターンを形成する方法として、導体層が形成された基材にレジスト層を積層し、上記配線パターンと対応するフォトマスクを介して光照射し、次いで現像した後、不要なレジスト層を除去するフォトリソグラフィが知られている（特許文献１）。しかしながら、フォトリソグラフィによる配線方法では、多数の工程が必要であるため煩雑である上にコストも増加するという問題があった。
【０００３】
そこで、工程が煩雑でなく低コストで実施可能な配線パターンの形成方法として、金属イオンと還元剤との化学反応によって基材上に金属を還元析出させる（導体層を形成する）無電解めっきが注目されている。
【０００４】
また、バリア性（酸素透過率が低い性質や水分透過性が低い性質など）や絶縁性を有する高機能膜で基材の表面を被覆する表面改質技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２０９３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、バリア性や絶縁性を有する高機能膜で表面を被覆した基材（表面改質を行った基材）に対しては、無電解めっきによる配線方法で基材に導体層を十分に形成することができないという問題があった。これは、基材を覆う上記高機能膜（例えば、フッ素系材料やシリカ系材料による薄膜）が、一般に、無電解めっきによる導体層の付着を拒絶することに起因する。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基材の表面のうち大部分を高機能膜で被覆しつつも、配線パターンに沿う部分については導体層を形成する配線方法、および該配線方法によって配線された電子デバイス用配線体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、無電解めっき液に含まれる導体成分に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の処理剤を、被処理部材の主面に塗布する塗布工程と、前記被処理部材の前記主面のうち配線パターンに沿う第１部分に塗布された前記処理剤にエネルギー線を照射し、前記第１部分の前記処理剤を除去する除去工程と、前記被処理部材の前記主面のうち前記配線パターンを除いた第２部分に塗布された前記処理剤を前記固体状態に変化させて成膜し、処理膜とする成膜工程と、前記被処理部材の前記主面に無電解めっきにより導体層を形成する配線工程と、を備えることを特徴とする配線方法である。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の配線方法であって、前記成膜工程の後、前記配線工程の前に、前記被処理部材の前記主面を洗浄し、それによって前記主面のうち前記処理膜以外の付着物を除去する洗浄工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の配線方法であって、前記除去工程では、前記第１部分の前記処理剤にレーザーを照射して、前記第１部分の前記処理剤を飛散させるアブレーション処理が行われることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の配線方法であって、前記除去工程では、前記第１部分の前記処理剤にレーザーを照射して、前記第１部分の前記処理剤を蒸発させる蒸発処理が行われることを特徴とする。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、無電解めっき液に含まれる成分に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の処理剤を、被処理部材の主面に塗布する塗布工程と、前記被処理部材の前記主面のうち配線パターンに沿う第１部分に塗布された前記処理剤にエネルギー線を照射し、前記第１部分の前記処理剤について前記固体状態への変化を不能とする不活性化工程と、前記被処理部材の前記主面のうち前記配線パターンを除いた第２部分に塗布された前記処理剤を前記固体状態に変化させて成膜し、処理膜とする成膜工程と、前記被処理部材の前記主面を洗浄し、それによって前記主面のうち前記処理膜以外の付着物を除去する洗浄工程と、前記被処理部材の前記主面に無電解めっきにより導体層を形成する配線工程と、を備え、前記処理剤は、重合反応を引き起こすことによって前記処理膜として成膜される材料であり、前記不活性化工程では、前記第１部分の前記処理剤にエネルギー線を照射して前記第１部分の前記処理剤について重合反応の開始成分を不活性化する処理が行われ、前記洗浄工程では、前記不活性化工程で不活性化された前記第１部分の前記処理剤が前記付着物として除去されることを特徴とする配線方法である。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の配線方法であって、前記処理剤は、フッ素系材料またはシリカ系材料であることを特徴とする。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の配線方法によって配線された電子デバイス用配線体である。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１〜請求項４に記載の発明は、無電解めっき液に含まれる導体成分に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の処理剤を被処理部材の主面に塗布する塗布工程と、被処理部材の主面に塗布された処理剤を固体状態に変化させて成膜し処理膜とする成膜工程と、の間に、被処理部材の主面のうち配線パターンに沿う第１部分に塗布された処理剤を除去する除去工程を有する。これにより、被処理部材の主面のうち配線パターンを除いた第２部分にのみ処理膜を形成することができ、配線パターンに沿う第１部分については無電解めっきにより導体層を形成することができる。
【００１６】
この結果、配線パターンに沿う第１部分では導電性を有し、かつ、配線パターンを除いた第２部分では処理膜の膜質特性を有する配線体を得ることができる。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、成膜工程の後で、配線工程の前に、被処理部材の主面を洗浄し、それによって主面のうち処理膜以外の付着物を除去する洗浄工程、をさらに備える。これにより、より高精度の配線体を得ることができる。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、除去工程において、第１部分の処理剤にレーザーを照射して、第１部分の処理剤を飛散させるアブレーション処理が行われる。このため、被処理部材の主面のうち第２部分には処理剤が塗布された状態で、第１部分にはトレンチが作成される。配線工程においてはこのトレンチ部分に導体層が形成されるので、アンカー効果により導体層と被処理部材とが剥離し難い。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、除去工程において、第１部分の処理剤にレーザーを照射して、第１部分の処理剤を蒸発させる蒸発処理が行われる。このため、処理剤を飛散させる請求項３の配線方法に比べ、処理剤の残渣が生じ難い。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、無電解めっき液に含まれる成分に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の処理剤を被処理部材の主面に塗布する塗布工程と、被処理部材の主面に塗布された処理剤を固体状態に変化させて成膜し処理膜とする成膜工程と、の間に、被処理部材の主面のうち配線パターンに沿う第１部分に塗布された処理剤にエネルギー線を照射し第１部分の処理剤について固体状態への変化を不能とする不活性化工程を有する。これにより、被処理部材の主面のうち配線パターンを除いた第２部分にのみ処理膜を形成することができる。その後、洗浄工程において第１部分の処理剤（不活性化された処理剤）を除去した後、配線工程において配線パターンに沿う第１部分に無電解めっきにより導体層を形成することができる。
【００２１】
この結果、配線パターンに沿う第１部分では導電性を有し、かつ、配線パターンを除いた第２部分では処理膜の膜質特性を有する配線体を得ることができる。
【００２２】
請求項５の配線方法では、エネルギー線の照射によって被処理部材の主面上の処理剤を除去する請求項１〜請求項４の配線方法と異なり、処理剤の除去は洗浄工程で行う。このように、不活性化工程で行われるエネルギー線の照射は処理剤を不活性化する程度で足りるので、省電力化、低コスト化が達成される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態における配線の過程を概略的に示す断面図である。
【図２】比較例における配線の過程を概略的に示す断面図である。
【図３】第２実施形態における配線の過程を概略的に示す断面図である。
【図４】第３実施形態における配線の過程を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
【００２５】
＜１  第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態における配線の過程を概略的に示す断面図である。また、図１および以降の各図においては、理解を容易にする目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図１および以降の各図において、基材１０の左右方向の広がりのうち一部のエリアだけを図示しているが、基材１０の他のエリアも同様の断面構造を有する。
【００２６】
以下では、導電性と膜質特性とを有する配線体１（図１（ｄ））の形成方法について説明する。
【００２７】
まず、長尺状の被処理部材である基材１０を準備し、基材１０の表面Ｓ１（配線される側の主面）の全面にわたって処理剤１２を塗布する。図１（ａ）は、この塗布工程後の基材１０を示す断面図である。
【００２８】
基材１０としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムなどを使用できる。
【００２９】
処理剤１２は、後述する配線工程で利用される無電解めっき液に含まれる導体成分（例えば、銅）に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の材料であれば、種々の材料を使用できる。処理剤１２としては、一例として、クロロジフルオロメタンをＮＭＰ、エチルベンゼン、キシレン、トルエンなどの溶媒で溶解させたものを利用できる。このようなフッ素系材料の他にも、処理剤１２としてシリカ系材料（例えば、長鎖アルキル基やフッ素含有基を有するシランカップリング剤）などを利用できる。ここで、「付着拒絶性」とは、無電解めっき液に含まれる導体成分が付着しないことに加え、付着しても密着性が極めて弱いことを含む概念である。
【００３０】
次に、基材１０の表面Ｓ１のうち所定の配線パターンに沿う部分（第１部分Ｐ１）に塗布された処理剤１２にエネルギー線（典型的には、レーザー光線）を照射する。このレーザー走査により、第１部分Ｐ１の処理剤１２が加熱され、基材１０の表面Ｓ１から飛散する（アブレーション処理）。図１（ｂ）は、この除去工程後の基材１０を示す断面図である。アブレーション処理の結果、第１部分Ｐ１の処理剤１２が除去されることで、基板の表面Ｓ１のうち第１部分Ｐ１にはトレンチが作成されて表面Ｓ１が露出し、基板の表面Ｓ１のうち第２部分Ｐ２には処理剤１２が塗布された状態となる。このような処理剤１２のレーザー除去として、加熱除去を行う場合は、例えば炭酸ガスレーザーを用いることができる。また、非加熱除去を行う場合は、例えばピコ秒レーザーやフェムト秒レーザーなどを用いることができる。
【００３１】
そして、基材１０の表面に残存する処理剤１２（配線パターンを除いた第２部分Ｐ２の処理剤１２）を成膜する。図１（ｃ）は、この成膜工程後の基材１０を示す断面図である。
【００３２】
ここで、「成膜」とは、流動性の処理剤１２を、後述する配線工程で利用される無電解めっき液に含まれる導体成分（例えば、銅）に対して付着拒絶性を有する固体状態の処理膜１４へと変化させることを意味する。したがって、成膜工程で実行される処理は、基材１０の表面に塗布された処理剤１２の変化特性に依存する。クロロジフルオロメタンを処理剤１２に用いた場合、熱分解することでＴＦＥが生成され、重合によりＰＦＡやＰＴＦＥが生成される。このように、処理剤１２が所定温度（例えば、１００〜２００度）で重合反応を引き起こしポリマー材料（処理膜１４）へと変化するモノマー材料であれば、成膜工程では、基材１０の表面Ｓ１に塗布された処理剤１２が上記所定温度になるように加熱処理が行われる。また別の例として、処理剤１２が所定波長（例えば、３６５ｎｍ以下の波長）で重合反応を引き起こす光反応剤を含有し重合反応によってポリマー材料（処理膜１４）へと変化するモノマー材料であれば、成膜工程では、上記所定波長の光を照射する処理が行われる。この結果、基材１０の表面に処理膜１４が形成される。
【００３３】
成膜工程の後、基材１０の表面Ｓ１に水洗処理を施し、それによって表面Ｓ１のうち処理膜１４以外の付着物を除去する。
【００３４】
このように、基材１０の表面Ｓ１のうち第１部分Ｐ１が露出し第２部分Ｐ２が処理膜１４で被膜され、その表面洗浄が行われた状態で、基材１０の表面Ｓ１に無電解めっき処理を行う。
【００３５】
具体的には、基材１０の表面Ｓ１側を触媒溶液（例えば、パラジウム液）に浸漬し、乾燥させた後、基材１０の表面Ｓ１側を無電解めっき液（例えば、銅めっき液）に浸漬する。既述の通り、処理膜１４は無電解めっき液に含まれる導体成分（例えば、銅）に対して付着拒絶性を有する固体であるので、基材１０の表面Ｓ１に無電解めっき処理を施した場合、処理膜１４に被覆されていない基材１０の第１部分Ｐ１にのみ銅が析出し導体層１６が形成される。図１（ｄ）は、この配線工程後の基材１０を示す断面である。
【００３６】
めっき液は、めっき材料として析出させる金属イオン（例えば、銅イオン）が均一溶解された溶液が用いられ、金属塩とともに還元剤が含有される。めっき液には、必要があれば、ｐＨ調整のための緩衝剤、界面活性剤等の添加物を含有させることができる。また、溶液に用いる溶媒としては、水以外にアルコール、ケトン、エステル等の有機溶剤を添加するようにしてもよい。めっき液の組成は、析出させる金属の金属塩、還元剤、及び必要に応じて添加物、有機溶媒を添加した組成で構成されるが、析出速度に応じて濃度や組成を調整することができる。また、めっき液の温度を調節して析出速度を調整することもできる。この温度調整の方法としては、めっき液の温度を調整する方法、浸漬前に基材１０を加熱、冷却して温度調節する方法等が挙げられる。さらに、めっき液に浸漬する時間で析出する金属薄膜の膜厚を調整することもできる。
【００３７】
以上の処理によって得られる電子デバイス用配線体１（図１（ｄ））では、基材１０の表面Ｓ１のうち配線パターンに沿う部分に導体層１６が形成され、基材１０の表面Ｓ１のうち配線パターンを除いた部分（基材１０の表面Ｓ１の大部分）に処理膜１４が形成される。
【００３８】
処理膜１４は、少なくとも無電解めっき液に対する上記付着拒絶性を有していれば足り、他の膜質特性を有していても構わない。処理剤１２としてシリカ系材料を採用した場合には、一般に、上記付着拒絶性の他に高バリア性（酸素透過率が低い性質や水分透過率が低い性質）を有する処理膜１４を得ることができる。特に、シリカ系材料が長鎖アルキル基やフッ素含有基を有するシランカップリング剤である場合、処理膜１４の疎水性が向上する。また、処理剤１２としてフッ素系材料を採用した場合には、一般に、上記付着拒絶性の他に絶縁性を有する処理膜１４を得ることができる。
【００３９】
このように、上記付着拒絶性に加えて他の膜質特性を有する処理膜１４へと変化する材料を処理剤１２として利用することで、本実施形態の配線方法において、配線パターンに沿う部分では導電性を有し、かつ、配線パターンを除いた部分では処理膜１４の膜質特性を有する配線体１を得ることができる。得られた配線体１は、フレキシブルプリント基材など種々の電子デバイスに利用可能である。
【００４０】
図２は、本実施形態の比較例における配線の過程を概略的に示す断面図である。図２に示すように、基材１０の表面Ｓ１に処理剤１２を塗布し、該処理剤１２を成膜して表面Ｓ１の全面を処理膜１４で被覆した後、ドライエッチングにより配線パターンに沿う第１部分Ｐ１の処理膜１４を除去し、無電解めっき処理によって第１部分Ｐ１に導体層１６を形成すれば、本実施形態で示す配線体１と同様の配線体１００を得ることができる。
【００４１】
しかしながら、図２に示す配線方法では、ドライエッチングという高価な手法を用いるため、製造コストが増加するという問題がある。本実施形態の配線方法では（図１）、成膜工程前に基材１０の表面Ｓ１の配線パターンに沿ってレーザー走査をすることで処理剤１２を除去するため、導電性と膜質特性とを有する既述の配線体１を安価に製造することが可能となる。
【００４２】
また、本実施形態の配線方法は、フォトリソグラフィ等の煩雑な処理を必要としないので、省エネルギーにより環境負荷を低減しつつ、安価に配線体１を得ることができる。
【００４３】
＜２  第２実施形態＞
図３は、本発明の第２実施形態における配線の過程を概略的に示す断面図である。以下では、第１実施形態と同一の各部について同一の符号を付し、重複説明を省略する。
【００４４】
以下では、導電性と膜質特性とを有する配線体１Ａ（図３（ｄ））の形成方法について説明する。
【００４５】
まず、長尺状の被処理部材である基材１０を準備し、基材１０の表面Ｓ１の全面にわたって処理剤１２を塗布する。図３（ａ）は、この塗布工程後の基材１０を示す断面図である。
【００４６】
基材１０としては、第１実施形態と同様、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムなどを使用できる。また、処理剤１２についても、第１実施形態と同様、配線工程で利用される無電解めっき液に含まれる導体成分（例えば、銅）に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の材料であれば、種々の材料（フッ素系材料やシリカ系材料など）を使用できる。
【００４７】
次に、基材１０の表面Ｓ１のうち所定の配線パターンに沿う部分（第１部分Ｐ１）に塗布された処理剤１２にレーザー光線を照射する。このレーザー走査により、第１部分Ｐ１の処理剤１２が加熱され、蒸発して、基材１０の表面Ｓ１から除去される（蒸発処理）。図３（ｂ）は、この除去工程後の基材１０を示す断面図である。
【００４８】
第２実施形態が第１実施形態と異なるのは、除去工程において、アブレーション処理ではなく蒸発処理が行われる点である。一般に、処理剤１２として半固体状（ゲル状）の材料を利用する場合には第１実施形態で説明したアブレーション処理によって除去し易く、処理剤１２として液状の材料を利用する場合には第２実施形態で説明した蒸発処理によって除去し易いが、第１部分Ｐ１の処理剤１２を除去可能であればいずれの処理が実行されてもよい。
【００４９】
また、図３（ｂ）に示すように、蒸発処理で第１部分Ｐ１の処理剤１２を除去する場合、残存する第２部分Ｐ２の処理剤１２は表面張力の影響でその表面積が小さくなるように凸型メニスカス形状に変形する。
【００５０】
そして、基材１０の表面に残存する第２部分Ｐ２の処理剤１２を成膜する。図３（ｃ）は、この成膜工程後の基材１０を示す断面図である。図３（ｃ）に示すように、処理膜１４は、成膜前の処理剤１２と同様凸型メニスカス形状に形成される。
【００５１】
成膜工程の後、基材１０の表面Ｓ１に水洗処理を施し、それによって表面Ｓ１のうち処理膜１４以外の付着物を除去する。
【００５２】
このように、基材１０の表面Ｓ１のうち第１部分Ｐ１が露出し第２部分Ｐ２が処理膜１４で被膜され、その表面洗浄が行われた状態で、基材１０の表面Ｓ１に無電解めっき処理を行う。図３（ｄ）は、この配線工程後の基材１０（配線体１Ａ）を示す断面である。
【００５３】
既述の通り、処理膜１４は無電解めっき液に含まれる導体成分（例えば、銅）に対して付着拒絶性を有する固体であるので、基材１０の表面Ｓ１に無電解めっき処理を施した場合、処理膜１４に被覆されていない基材１０の第１部分Ｐ１にのみ銅が析出し導体層１６が形成される。このため、図３（ｄ）に示すように、第２実施形態の配線方法によって得られる配線体１Ａは、基材１０の表面Ｓ１のうち配線パターンに沿う部分に導体層１６が形成され、基材１０の表面Ｓ１のうち配線パターンを除いた部分に処理膜１４が形成される。これにより、導電性と所定の膜質特性とを有する配線体１Ａを得ることができる。
【００５４】
特に、第２実施形態の配線方法では、上記除去工程において基材１０の表面Ｓ１に形成された処理剤１２を蒸発除去するため、第１実施形態の飛散除去（アブレーション）に比べ、除去工程後の基材１０の第１部分Ｐ１に処理剤１２の残渣が生じ難い。このため、無電解めっき処理を行う配線工程において、基材１０の第１部分Ｐ１に精度よく導体層１６を形成することができる。
【００５５】
また、既述の通り、第２実施形態では、第２部分Ｐ２の処理膜１４が凸型メニスカスの形状に形成されている。このため、図３（ｄ）に示すように、第２実施形態の配線方法によって得られる配線体１Ａでは、処理膜１４の凸型メニスカス形状に沿って導体層１６が形成される。このように、基材１０の表面Ｓ１から離れるにつれて導体層１６の断面積が大きくなる構成であるので、配線体１Ａの外部から配線体１Ａに導通しやすい。
【００５６】
他方、第１実施形態の配線体１は第２実施形態の配線体１Ａに比べ、導体層１６が基材１０から剥離するおそれが小さい。第１実施形態では、アブレーション処理によって基材１０の表面Ｓ１のうち第１部分Ｐ１にトレンチが作成され、該トレンチ部分に導体層１６が形成されることからアンカー効果が生じ、導体層１６と基材１０との密着性が高まるためである。
【００５７】
＜３  第３実施形態＞
図４は、本発明の第３実施形態における配線の過程を概略的に示す断面図である。
【００５８】
以下では、導電性と膜質特性とを有する配線体１Ｂ（図４（ｅ））の形成方法について説明する。
【００５９】
まず、長尺状の被処理部材である基材１０を準備し、基材１０の表面Ｓ１の全面にわたって処理剤１２を塗布する。図４（ａ）は、この塗布工程後の基材１０を示す断面図である。
【００６０】
基材１０としては、第１実施形態と同様、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムなどを使用できる。
【００６１】
処理剤１２についても、第１実施形態と同様、配線工程で利用される無電解めっき液に含まれる導体成分（例えば、銅）に対して付着拒絶性を有する固体状態へと変化可能な流動性の材料であれば、種々の材料（フッ素系材料やシリカ系材料など）を使用できる。また、第３実施形態の処理剤１２は、重合反応の開始成分たる重合開始剤を含む。処理剤１２のうち重合開始剤が活性化されることで、処理剤１２の重合反応が開始し、処理剤１２が上記固体状態の処理膜１４として成膜される。
【００６２】
次に、基材１０の表面Ｓ１のうち所定の配線パターンに沿う部分（第１部分Ｐ１）に塗布された処理剤１２に所定の波長のレーザー光線を照射する。このレーザー走査により、第１部分Ｐ１の処理剤１２について、重合開始剤が不活性化される（処理剤１２が処理膜１４へと変化不能な状態とされる）。図４（ｂ）は、この不活性化工程後の基材１０を示す断面図である。また、図４（ｂ）中に示す不活性部１２Ａは、処理剤１２のうち重合開始剤が不活性化された部分を示す。
【００６３】
そして、基材１０の表面Ｓ１に塗布された処理剤１２を成膜する。図４（ｃ）は、この成膜工程後の基材１０を示す断面図である。既述の通り、配線パターンに沿う第１部分Ｐ１の処理剤１２はレーザー走査にて不活性部１２Ａとされているため、成膜工程では、図４（ｃ）に示すように、配線パターンを除いた第２部分Ｐ２の処理剤１２のみが処理膜１４として成膜される。例えば、処理剤１２に含まれる重合開始剤が、波長が５００ｎｍの光を照射されることで重合反応を開始し（活性化し）、他方、波長が２５０ｎｍの光を照射されることで分解する（不活性化する）材料である場合、第３実施形態の配線方法では、まず２５０ｎｍの波長でレーザー走査して第１部分Ｐ１の処理剤１２を照射し（不活性化工程）、その後５００ｎｍの光を処理剤１２の全面に照射する（成膜工程）ことになる。
【００６４】
成膜工程の後、基材１０の表面Ｓ１に水洗処理を施し、それによって表面Ｓ１のうち処理膜１４以外の付着物を除去する。この洗浄工程で、基材１０の表面Ｓ１に塗布された処理剤１２のうち成膜されていない部分（第１部分Ｐ１の不活性部１２Ａ）が、上記付着物として基材１０の表面Ｓ１から除去される。図４（ｄ）は、この洗浄工程後の基材１０を示す断面図である。
【００６５】
このように、基材１０の表面Ｓ１のうち第１部分Ｐ１が露出し第２部分Ｐ２が処理膜１４で被膜され、その表面洗浄が行われた状態で、基材１０の表面Ｓ１に無電解めっき処理を行う。既述の通り、処理膜１４は無電解めっき液に含まれる導体成分（例えば、銅）に対して付着拒絶性を有する固体であるので、基材１０の表面Ｓ１に無電解めっき処理を施した場合、処理膜１４に被覆されていない基材１０の第１部分Ｐ１にのみ銅が析出し導体層１６が形成される。図４（ｅ）は、この配線工程後の基材１０を示す断面である。
【００６６】
以上の処理によって得られる電子デバイス用配線体１Ｂ（図４（ｅ））では、基材１０の表面Ｓ１のうち配線パターンに沿う部分に導体層１６が形成され、基材１０の表面Ｓ１のうち配線パターンを除いた部分に処理膜１４が形成される。
【００６７】
上記付着拒絶性に加えて他の膜質特性（バリア性や絶縁性など）を有する処理膜１４へと変化する材料を処理剤１２として利用することで、本実施形態の配線方法において、配線パターンに沿う部分では導電性を有し、かつ、配線パターンを除いた部分では処理膜１４の膜質特性を有する配線体１Ｂを得ることができる。得られた配線体１Ｂは、フレキシブルプリント基材など種々の電子デバイスに利用可能である。
【００６８】
第３実施形態の配線方法では、レーザー光線の照射によって基材１０上の処理剤１２を除去する第１実施形態および第２実施形態の配線方法と異なり、処理剤１２の除去は洗浄工程で行う。このように、前工程の不活性化工程で行われるレーザー光線の照射は処理剤１２を不活性化する程度で足りるので、省電力化、低コスト化が達成される。
【００６９】
＜４  変形例＞
以上、本発明の各実施形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
【００７０】
上記各実施形態では、処理膜１４の成膜および導体層１６の形成が行われる被処理部材として基材１０を利用する態様について説明したが、基板など種々の部材を被処理部材として利用可能である。
【００７１】
また、上記各実施形態では、無電解めっきによる導体層１６の形成として銅を析出させる方法について説明したが、ニッケルなど他の金属でめっきする態様であっても構わない。
【００７２】
また、上記各実施形態において成膜工程と配線工程との間に洗浄工程を実行していたが、上記第１実施形態および上記第２実施形態では、洗浄工程は必須の工程ではない。これに対して、上記第３実施形態では、成膜工程後の基材１０の表面Ｓ１に最終製品（配線体）として不要な不活性部１２Ａが存在するため（図４（ｃ））、この不活性部１２Ａを洗い流す洗浄工程が必要となる。なお、上記実施形態では、洗浄工程で水を利用する態様について説明したが、リンス液（溶媒を希釈した液）を利用する態様であっても構わない。
【００７３】
以上、実施形態およびその変形例に係る配線方法について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１，１Ａ，１Ｂ，１００  配線体
１０  基材
１２  処理剤
１２Ａ  不活性部
１４  処理膜
１６  導体層
Ｐ１  第１部分
Ｐ２  第２部分
Ｓ１  表面
【図１】
2015054978.tif 000003
【図２】
2015054978.tif 000004
【図３】
2015054978.tif 000005
【図４】
2015054978.tif 000006