(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィー処理において、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成する。【解決手段】レジスト塗布処理、現像処理、熱処理等の処理を行う処理ステーション１１と、ＥＵＶ光によってウェハＷのレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置１５との間に、パターンのＥＵＶ露光が行なわれた後のウェハＷ上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置１０２を有すポスト露光ステーション１３とを有している。ポスト露光ステーション１３内は、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能であり、露光装置１５とは減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なインターフェイススーション１４を介して接続されている。【選択図】図１
2015144244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理システムであって、
基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、直接的または間接的に基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、
前記光照射装置を収容し、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なポスト露光ステーションと、を有し、
前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と直接的、または減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能な空間を介して間接的に接続されていることを特徴とする、基板処理システム。
【請求項２】
前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と前記インターフェイスステーションとの間に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記ポスト露光ステーションと前記露光装置との間に、ポスト露光ステーションと同一雰囲気の他のインターフェイスステーションが設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と並列に前記インターフェイスステーションに接続され、
前記インターフェイスステーションは、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能であることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記ポスト露光後の基板に対して露光処理後の加熱処理を行う熱処理装置は、前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設置されているか、熱処理を行う処理空間が前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設定されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に基板処理システム。
【請求項６】
基板を処理する基板処理システムであって、
基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
基板にパターンの露光を行う露光装置と、
前記露光装置との間で基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
前記パターンの露光が行なわれた後の基板に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置とを有し、
前記光照射装置は、前記露光装置内でパターンの露光処理を行う露光処理部と同じ雰囲気のセクションに設けられていることを特徴とする、基板処理システム。
【請求項７】
前記光照射装置によってポスト露光され，その後現像処理された後の基板を検査する検査装置を有し、
前記検査装置の検査結果に基づいて、前記光照射装置を制御する制御部を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記パターンの露光は、ＥＵＶ光、ＥＢまたはＡｒＦエキシマレーザー光によって行われることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）等の基板上に、感光性被膜としてレジスト膜が形成され、その後レジスト膜に露光処理及び現像処理を施すことで、基板上に所定のレジストパターンが形成されるが、近年の半導体装置のさらなる高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が求められている。レジストパターンの微細化を実現するために、既に、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた露光処理が実用化されている。
【０００３】
このような露光処理に関し、最近では、より一層のパターンの微細化を実現するために、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ；極端紫外）光を用いた露光処理が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−７８７４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＥＵＶ光はそのエネルギーが弱い。これを補うべくレジスト膜の感度を高くするのにも限界がある。このため、ＥＵＶ露光を採用すると一つの照射領域を露光する時間が長くなり、その結果スループットが落ちることにより生産性が低下してしまう。またＥＢ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ：電子線）を用いたＥＢ露光でも、パターンの描図に時間を要するため、当該パターンの描図に要する露光時間を短くして、トータルの処理時間を短くしたいという要請があった。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィー処理において、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する基板処理システムであって、基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、直接的または間接的に基板を受け渡すインターフェイスステーションと、前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、前記光照射装置を収容し、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なポスト露光ステーションと、を有し、
前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と直接的、または減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能な空間を介して間接的に接続されていることを特徴としている。
【０００８】
本発明によれば、まずパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置を備えているので、たとえばエネルギーが弱い露光によるパターンの露光の後に、ＵＶ光の照射によって補助的にエネルギーを投入して、レジスト膜中の酸発生剤を分解して酸を発生させたり、ラジカル成分の発生を促進させることができる。したがって、パターンの露光を行う光源の照射量を削減したり、露光の時間を短縮することができ、たとえばエネルギーが弱い光源による露光単独で露光処理を行うのに比べ露光時間を短縮でき、スループットの低下を抑制しつつ微細なパターンを形成できる。しかもパターンの露光が行なわれた後の基板に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置を、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なポスト露光ステーション内に収容し、このポスト露光ステーションは、前記露光装置と直接的、または減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能な空間を介して間接的に接続されているので、パターンの露光が行なわれた後のレジスト膜からの酸やラジカルを失活させることを抑えて、好適にＵＶ光による補助露光を行うことができる。
【０００９】
前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と前記インターフェイスステーションとの間に設けられていてもよい。
【００１０】
前記ポスト露光ステーションと前記露光装置との間に、ポスト露光ステーションと同一雰囲気の他のインターフェイスステーションが設けられていてもよい。
【００１１】
前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と並列に前記インターフェイスステーションに接続され、前記インターフェイスステーションは、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能であるように構成してもよい。
【００１２】
前記ポスト露光後の基板に対して露光処理後の加熱処理を行う熱処理装置は、前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設置されているか、熱処理を行う処理空間が前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設定されているようにしてもよい。すなわち、いわゆるＰＥＢと呼ばれる露光処理後の加熱処理は、前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気にて行われるようにしてもよい。
【００１３】
また別な観点による本発明は、基板を処理する基板処理システムであって、基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、基板にパターンの露光を行う露光装置と、前記露光装置との間で基板を受け渡すインターフェイスステーションと、前記パターンの露光が行なわれた後の基板に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置とを有し、
前記光照射装置は、前記露光装置内でパターンの露光処理を行う露光処理部と同じ雰囲気のセクションに設けられていることを特徴としている。
【００１４】
前記した各基板処理システムにおいて、前記光照射装置によってポスト露光され，その後現像処理された後の基板を検査する検査装置を有し、前記検査装置の検査結果に基づいて、前記光照射装置を制御する制御部を有するように構成してもよい。
【００１５】
前記パターンの露光は、たとえばＥＵＶ光、ＥＢまたはＡｒＦエキシマレーザー光によって行われるものであってもよい。なおここでいうＡｒＦエキシマレーザー光による露光とは、ＡｒＦエキシマレーザー光による通常の露光と、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた液浸露光とを含むものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、フォトリソグラフィー処理において、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した正面図である。
【図３】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した背面図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムで用いた光照射装置の構成の概略を模式的に示した側面図である。
【図５】他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。
【図６】他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を模式的に示す説明図、図２及び図３は、各々塗布現像処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、各々正面図、背面図である。
【００１９】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣａが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接して設けられたインターフェイスステーション１２、パターン露光後のウェハに対してポスト露光を行うポスト露光ステーション１３、ポスト露光ステーション１３に接続されたインターフェイスステーション１４を有し、塗布現像処理システム１のインターフェイスステーション１４のＹ方向正方向側には、ウェハＷに対してパターンの露光を行う露光装置１５が隣接して設けられている。インターフェイスステーション１４は、露光装置１５との間でウェハＷの受け渡しを行う。露光装置１５には、レジスト形成後のウェハＷに対して、ＥＵＶ光によってパターンの露光を行う露光処理部１５ａが設けられている。
【００２０】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０上に複数配置された、カセットＣａを載置する複数のカセット載置板２１と、Ｘ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣａと、後述する処理ステーション１１の受け渡しブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００２１】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数の、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３１、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３２、ウェハＷを現像処理する現像処理装置３３が、下から順に例えば４段に重ねられている。
【００２２】
これら第１のブロックＧ１の各装置３０〜３３は、処理時にウェハＷを収容する複数のカップ、例えば４台のカップＦ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４を水平方向に左側から右側にこの順で有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
【００２３】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、ウェハＷを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。図３に示すように積層して設けられた各処理装置４０〜４２は、水平方向に左側から右側にこの順でモジュールＡ、モジュールＢ、モジュールＣ及びモジュールＤに分割されており、各モジュールＡ〜Ｄにおいて独立してウェハＷの処理を行うことができる。
【００２４】
受け渡しブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。受け渡しブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
【００２５】
図１に示すように受け渡しブロックＧ３のＹ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構７０のＸ方向正方向側及び負方向側には、ウェハ検査装置７１、７２がウェハ搬送機構７０を挟んで設けられている。
【００２６】
ウェハ搬送機構７０のＹ方向正方向側には複数のウェハＷを収容するウェハ収容容器７３、７４が設けられている。ウェハ収容容器７３は第２のブロックＧ２寄りに、ウェハ収容容器７４は第１のブロックＧ１寄りに配置されている。そして、ウェハ搬送機構７０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、受け渡しブロックＧ３内の各受け渡し装置、ウェハ検査装置７１、７２及びウェハ収容容器７３、７４との間でウェハＷを搬送できる。なお、本実施の形態におけるウェハ検査装置７１は、ウェハＷに形成されたパターンの線幅を測定し、ウェハ検査装置７２は既に形成されているパターンとその後に露光されるパターンとのオーバレイ誤差を測定するものである。
【００２７】
図１に示すように第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間の領域には、ウェハ搬送領域Ｄｗが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄｗには、ウェハ搬送機構８０が複数配置されている。ウェハ搬送機構８０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム８０ａを有している。ウェハ搬送機構８０は、ウェハ搬送領域Ｄｗ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２並びにインターフェイスステーション１２にある受け渡しブロックＧ４内の所定の受け渡し装置及びウェハ収容容器７３、７４に対してウェハＷを搬送できる。
【００２８】
インターフェイスステーション１２には、前記したように、受け渡し装置６０、６１、６２を有する受け渡しブロックＧ４と、これら複数の受け渡し装置６０、６１、６２に対して、ウェハＷを搬入出可能なウェハ搬送機構９０が設けられている。ウェハ搬送機構９０は、例えばＸ方向、Ｙ方向、θ方向及び上下方向に移動自在なアーム９０ａを有している。
【００２９】
ポスト露光ステーション１３には、インターフェイスステーション１２のウェハ搬送機構９０のアーム９０ａがアクセス可能な位置に、ロードロック室１００が設けられている。そしてこのポスト露光ステーション１３内において、ロードロック室１００とアクセス可能な位置にウェハ搬送機構１０１が設けられ、さらにウェハ搬送機構１０１のアーム１０１ａがアクセス可能な位置に、パターン露光後のウェハに対してポスト露光を行う装置としての、光照射装置１０２が設けられている。
【００３０】
光照射装置１０２は、たとえば図４に示した構成を有しており、ウェハＷを載置する載置台１０３と、載置台１０３上のウェハＷに対して所定波長のＵＶ光を照射する光照射部１０４とを有している。この例では、光照射部１０４は、ウェハＷ上のレジストＲの全面に対して一括して露光するいわゆる一括露光タイプの装置として構成され、複数の光源１０５を有し、各光源１０５から、各々ＵＶ光がウェハＷに向けて照射される。ＵＶ光の波長は、たとえば２２０〜２８０ｎｍであり、２２２ｎｍ、２４８ｎｍ又は２５４ｎｍであることがより好ましい。なお、上記したように、この例では、ウェハＷ上のレジストＲの全面に対して一括して露光するいわゆる一括露光タイプの装置として構成されているが、これに限らず、ライン状の光源を採用して、ウェハＷまたは当該光源の少なくとも一方を移動させたり回転させたりして、ウェハＷ上をＵＶ光が走査する構成であってもよく、その他ウェハＷ上のレジストのパターンに対応して、１ショットずつ照射する構成の光照射装置を採用してもよい。
【００３１】
ポスト露光ステーション１３は気密に構成され、減圧装置（図示せず）によって、所定の減圧度、例えば１０−４Ｐａ〜１０−７Ｐａに減圧可能である。これにより、ＵＶ光照射中やポスト露光ステーション１３内での移動において、空気中に微量に含まれるアミン成分や酸素に起因する、酸、ラジカルの失活を抑制できる。なおかかる点から、ポスト露光ステーション１３内を不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガス雰囲気とするように、適宜窒素ガス供給源（図示せず）や、排気装置（図示せず）をポスト露光ステーション１３と接続してもよい。
【００３２】
ポスト露光ステーション１３と接続されているインターフェイスステーション１４も気密に構成されており、ポスト露光ステーション１３のウェハ搬送機構１０１のアーム１０１ａがアクセス可能な位置に、載置台等を有する受け渡し装置１１０が設けられ、さらにこの受け渡し装置１１０のウェハＷを、ロードロック室１１１との間で搬送するウェハ搬送機構１１２が設けられている。ウェハ搬送機構１１２はアーム１１２ａを有している。
【００３３】
インターフェイスステーション１４のロードロック室１１１は、パターンの露光を行う露光処理部１５ａを有する露光装置１５と接続され、ロードロック室１１１はインターフェイスステーション１４と露光装置１５とを中継する。露光処理部１５ａは、たとえば波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ光によって、ウェハＷ上のレジストに対して、パターンの露光を行う。かかる低波長の露光処理では、雰囲気中にガス分子があると、エネルギーが減衰するため、露光装置１５内は、減圧装置（図示せず）によって、所定の減圧度、例えば１０−４Ｐａ〜１０−７Ｐａに減圧されている。
【００３４】
以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、処理レシピに基づいて上述の各種処理装置や各ウェハ搬送機構などの駆動系の動作を制御する。またウェハ検査装置７１で測定されたパターンの線幅を測定し、所定の線幅と許容値以上の差があるときには、その値を光照射装置１０２にフィードバックして、たとえば照射時間、光の強度等を制御して、所定の線幅となるように光照射装置１０２を制御する。
【００３５】
なお制御部３００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１における塗布処理を実現できる。なお、塗布現像処理システム１における塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものが用いられている。
【００３６】
次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの処理方法について、塗布現像処理システム１全体で行われるウェハ処理のプロセスと共に説明する。
【００３７】
ウェハＷの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣａがカセットステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣａ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション１１の受け渡しブロックＧ３に搬送される。
【００３８】
次にウェハＷは、ウェハ搬送機構７０によって例えばウェハ収容容器７３に搬送される。次いでウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され温度調節される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３０のモジュールＡに搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され、加熱処理が行われる。
【００３９】
その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２のアドヒージョン装置４１のモジュールＡに搬送され、疎水化処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によってレジスト塗布装置３１のモジュールＡに搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。この場合、ウェハＷに形成されるレジスト膜は、ＥＵＶ露光用の、いわゆる光増感型のレジストである。その後ウェハＷは、熱処理装置４０のモジュールＡに搬送されて、プリベーク処理される。
【００４０】
次にウェハＷは、上部反射防止膜形成装置３２のモジュールＡに搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０のモジュールＡに搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光装置４２のモジュールＡに搬送され、周辺露光処理される。
【００４１】
次にウェハＷは受け渡しブロックＧ４に搬送され、インターフェイスステーション１２のウェハ搬送機構９０によって、ポスト露光ステーション１３のロードロック室１００へと搬送され、次いでウェハ搬送機構１０１、インターフェイスステーション１４のウェハ搬送機構１１２によって、ロードロック室１１１へと搬送され、その後露光装置１５へと搬送される。露光装置１５では、既述のように、露光処理部１５ａによるＥＵＶ露光によって、ウェハＷに対してパターンの露光がなされる。
【００４２】
パターンの露光が終了したウェハＷは、ロードロック室１１１へと搬送され、その後インターフェイスステーション１４、ポスト露光ステーション１３と同じ減圧度にされた後、ウェハ搬送機構１１２によって受け渡し装置１１０へと搬送され、次いでウェハ搬送機構１０１によって、光照射装置１０２へと搬送される。
【００４３】
そして光照射装置１０２では、ＥＵＶ光によってパターンの露光が終了したウェハＷに対して、所定波長のＵＶ光によって、一括露光がなされる。これによって、ウェハＷ上に、現像処理前の最終のレジストパターンが形成される。
【００４４】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され、露光後ベーク処理される。その後ウェハＷは、たとえば現像処理装置３３のカップＦ１に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハＷは、熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され、ポストベーク処理される。
【００４５】
その後ウェハＷは、ウェハ収容容器７３に搬送される。次いでウェハＷはウェハ搬送機構７０によってウェハ検査装置７１、７２に搬送される。ウェハ検査装置７１では、例えば最終パターンの線幅が測定され、測定結果は、制御部３００に出力される。またウェハ検査装置７２に搬送されたウェハＷに対しては、オーバレイ誤差の測定が行われ、測定結果は制御部３００に出力される。
【００４６】
以上のように、実施の形態にかかる塗布現像処理システム１によれば、まずＥＵＶ光によって微細なパターンの露光がなされたウェハＷは、その後ポスト露光ステーション１３の光照射装置１０２によるＵＶ光によって、一括露光がなされるので、微弱なエネルギーによるパターン露光処理が、いわぱ光増感されて、解像度が高く、しかもコントラストが向上した現像処理前のレジストパターンがウェハＷ上に形成される。したがって、露光装置１５におけるＥＵＶ光による露光を補助することが可能であり、露光装置１５の露光処理部によるＥＵＶの露光時間、露光エネルギーの低減を図ることが可能であり、スループットの向上、装置の効率の良い運用が可能であり、ＥＵＶを用いたフォトリソグラフィー処理においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを形成することが可能である。
【００４７】
しかも、ＥＵＶ光によって微細なパターンの露光がなされたウェハＷは、周囲と気密に区画され、所定の減圧雰囲気や、不活性ガス雰囲気とされた低酸素雰囲気のポスト露光ステーション１３内にて一括露光されるので、発生した酸やラジカルが失活してしまうことが好適に抑えられている。またポスト露光ステーション１３は、同一雰囲気のインターフェイスステーション１４を介して露光装置１５と接続されているので、ＥＵＶ露光処理後のウェハＷを、速やかにかつＥＵＶ光による微細パターンを毀損せずに、光照射装置１０２に搬送して、所定のＵＶ露光を実施することができる。
【００４８】
なお前記した実施の形態では、ポスト露光ステーション１３は、同一雰囲気のインターフェイスステーション１４とは隣接したセクションとして構成していたが、もちろんポスト露光ステーション１３は、同一雰囲気のインターフェイスステーション１４とを一体にして、１つのポスト露光ステーション乃至はインターフェイスステーションとして構成してもよい。
【００４９】
なお前記した実施の形態では、ＵＶ露光によって一括露光された後のウェハＷは、そのまま処理ステーション１１側の雰囲気であるインターフェイスステーション１２から、露光後ベーク処理を行う熱処理装置へと搬送されたが、この種のいわゆる光増感型レジストは、いまだ露光後の状態について解明されていない点があることを考慮し、露光後ベーク処理を行う熱処理装置については、ポスト露光ステーション１３と同一雰囲気に設けることが望ましい。この場合、ポスト露光ステーション１３、インターフェイスステーション１４は、真空雰囲気ではなく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とすることが実用的である。
【００５０】
また前記した実施の形態では、ウェハ検査装置７１で測定されたパターンの線幅を測定し、測定結果は制御部３００を介して、光照射装置１０２にフィードバックされるので、測定結果に基づいて光照射装置１０２の照射時間、光の強度等を制御することが可能である。このようにＥＵＶによるパターン露光後のＵＶ露光の方を制御することで、より効果的に制御することが可能である。すなわち、露光装置１５のたとえば露光量、時間等を調整しても、その効果は極めて小さいが、光照射装置１０２のＵＶ光を制御するとその効果は顕著であり、したがって、より効果的かつ効率的に、たとえばパターンの線幅等の調整を効率よく調整することができる。
【００５１】
前記した実施の形態では、インターフェイスステーション１２を介して、パターン露光後のウェハに対してＵＶ光によってポスト露光を行うポスト露光ステーション１３、ポスト露光ステーション１３と同一雰囲気のインターフェイスステーション１４、ウェハＷに対してＥＵＶ光によってパターンの露光を行う露光装置１５が、いわば直線状に直列にむ配置されていたが、図５に示したように配置してもよい。
【００５２】
すなわち、図５に示した塗布現像処理システム１５１では、処理ステーションに隣接するインターフェイスステーション１２に対して、露光装置１５とポスト露光ステーション１３とが並列に接続されている。この場合、インターフェイスステーション１２には、カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３と同様に、Ｘ方向に延伸した搬送路１６１上を移動自在なウェハ搬送装置１６２が設けられる。そしてこのウェハ搬送装置１６２は、受け渡しブロックＧ４、露光装置１５のロードロック室１１１、そしてポスト露光ステーション１３に設置される、載置台等を有する受け渡し装置１６３とアクセス自在に構成されている。
【００５３】
この場合、既述したように、インターフェイスステーション１２内は、ポスト露光ステーション１３内と同一雰囲気であることがよく、またスループット、コスト等を考慮すれば、インターフェイスステーション１２と、ポスト露光ステーション１３内は不活性ガス雰囲気、たとえば窒素ガス雰囲気とするのが実用的である。もちろん、光照射装置１０２を減圧雰囲気内に設置したい場合には、インターフェイスステーション１２内のみを不活性ガス雰囲気とし、ポスト露光ステーション１３内の受け渡し装置１６３を、前記したロードロック室１００に置き換えてもよい。
【００５４】
このように図５に示した塗布現像処理システム１５１によれば、１つのインターフェイスステーション１２に対して、異なった波長の光源を有する露光装置１５と、光照射装置１０２を収容したポスト露光ステーション１３とが、並列に接続されているため、１つのインターフェイスステーション１２と１台のウェハ搬送装置１６２とによって、ＥＵＶ光によるパターン露光、ＵＶ光によるポスト露光の処理を速やかに行うことができ、極めて効率が良い。
【００５５】
また既存の塗布現像処理システムのように、格別、ポスト露光ステーション１３を持たない塗布現像処理システム１７０については、図６に示したように、インターフェイスステーション１２に接続される露光装置１５内に、光照射装置１０２を設置してもよい。すなわち、この塗布現像処理システム１７０においては、インターフェイスステーション１２に設置されるウェハ搬送装置１６９は、従来と同様、Ｙ方向に往復移動する搬送装置が採用され、当該ウェハ搬送装置１６９は、インターフェイスステーション１２の受け渡しブロックＧ４と露光装置１５の受け渡し装置１１０とにアクセス可能である。
【００５６】
そして露光装置１５内は、受け渡し装置１１０、ウェハ搬送機構１１２、及びロードロック室１１１が設置される第１のセクション１７１と、真空雰囲気の第２のセクション１７２とに気密に区画され、光照射装置１０２は、露光処理部１５１ａと同じ第２のセクション１７２に設置される。
【００５７】
かかる構成の塗布現像処理システム１６１によれば、露光装置１５内を改変することで、既存の塗布現像処理システムをそのまま使用することができる。
【００５８】
なお前記した実施の形態の露光装置１５は、パターンの露光を行う露光処理部１５ａをは備えてＥＵＶ光を用いた露光を行う構成であったが、これに限らず、ＥＢによる露光、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた液浸露光を行う露光処理部の構成であっても本発明は適用できるものである。たとえばＥＢによる露光処理を行う装置を採用した場合、露光量は減ずるもののパターンの露光の描画速度を上げることができ、露光量を減じたことによる露光量の補償は、ポスト露光ステーション１３の光照射装置１０２によるＵＶ光によって、一括露光によってこれを行うことができる。光照射装置１０２による一括露光に要する時間は、ＥＢによる露光処理に要する時間よりもはるかに短いので、トータル的にみれば露光処理全体に要する時間を減少させることができ、スループットを向上させることが可能である。ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた液浸露光をパターンの露光に採用しても、露光に要するトータル時間を少なくして、スループットを向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、フォトリソ工程を行う基板処理システムを構築する際に有用である。
【符号の説明】
【００６０】
１、１５１、１７０    塗布現像処理システム
１０  カセットステーション
１１  処理ステーション
１２、１４  インターフェイスステーション
１３  ポスト露光ステーション
１５  露光装置
２０  カセット載置台
２１  カセット載置板
２２  搬送路
２３  ウェハ搬送装置
３０  下部反射防止膜形成装置
３１  レジスト塗布装置
３２  上部反射防止膜形成装置
３３  現像処理装置
４０  熱処理装置
４１  アドヒージョン装置
４２  周辺露光装置
７０  ウェハ搬送機構
７１、７２  ウェハ検査装置
８０  ウェハ搬送機構
９０  ウェハ搬送機構
１００、１１１    ロードロック室
１０２  光照射装置
３００  制御部
Ｗ    ウェハ
Ｄｗ    ウェハ搬送領域
Ｃａ    カセット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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