(57)【要約】【課題】インダクタンス素子内蔵多層基板の製造後における多層基板に対する加熱処理時での多層基板の内部構造の破壊を防止する。【解決手段】保持基板１０の環状のキャビティ１３の底面１３ａに熱可塑性樹脂フィルム４１を配置した状態で、キャビティ１３にダストコア６を挿入した後に、保持基板１０と複数の樹脂フィルム２０とを積層して積層体を形成する。そして、ダストコア６の下面とキャビティ１３の底面１３ａとの間に熱可塑性樹脂フィルム４１が存在する状態で、積層体を加熱加圧する。これにより、熱可塑性樹脂フィルム４１が軟化して、ダストコア６の下面とキャビティ１３の底面１３ａに存在する微細な凹凸を埋められる。このため、多層基板製造後の多層基板に対する加熱処理時に、ダストコア６の下面とキャビティ１３の底面との隙間に存在する気体が膨張することによって発生する多層基板の内部構造の破壊を防止できる。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性金属粉末の圧縮成形により形成された環状のダストコア（６）を準備する工程（Ｓ１）と、
熱可塑性樹脂よりも加熱時に軟化し難い材料で構成され、一面（１１）とその反対側の他面（１２）を有し、前記ダストコアを保持するための環状かつ有底のキャビティ（１３）が前記一面に形成された保持基板（１０）を準備する工程（Ｓ１）と、
前記ダストコアを取り巻く巻線を構成する導体パターン（Ｌ２、Ｌ３、Ｌ６）を有するとともに、熱可塑性樹脂で構成された複数の樹脂フィルム（２０）を準備する工程（Ｓ１）と、
前記保持基板のキャビティのうち少なくとも底面（１３ａ）に熱可塑性樹脂部（４１）が存在する状態として、前記キャビティに前記ダストコアを挿入して前記保持基板に前記ダストコアを保持させるとともに、前記保持基板と前記複数の樹脂フィルムとを積層して積層体を形成する工程（Ｓ２）と、
前記積層体を加熱加圧する工程（Ｓ３）とを行うことを特徴とするインダクタンス素子内蔵多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記積層体を形成する工程では、前記保持基板のキャビティに環状の熱可塑性樹脂フィルムを敷くことにより、前記保持基板のキャビティのうち少なくとも底面に前記熱可塑性樹脂部が存在する状態とすることを特徴とする請求項１に記載のインダクタンス素子内蔵多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記ダストコア（６）を準備する工程（Ｓ１）では、前記ダストコアとして、フェライトと比較して透磁率が低く、飽和磁束密度が大きな軟磁性金属粉末を圧縮成形したものを準備することを特徴とする請求項１または２に記載のインダクタンス素子内蔵多層基板の製造方法。
【請求項４】
軟磁性金属粉末の圧縮成形により形成された環状のダストコア（６）と、
熱可塑性樹脂よりも加熱時に軟化し難い材料で構成され、一面（１１）とその反対側の他面（１２）を有し、前記一面に形成された環状かつ有底のキャビティの内部に前記ダストコアが挿入された状態で、前記ダストコアを保持する保持基板（１０）と、
前記保持基板のキャビティのうち少なくとも底面（１３ａ）と前記ダストコアとの間に配置された熱可塑性樹脂層（４０）と、
前記保持基板に積層され、前記ダストコアを取り巻く巻線を構成する導体パターン（Ｌ２、Ｌ３、Ｌ６）を有するとともに、熱可塑性樹脂で構成された複数の樹脂フィルム（２０）とを備え、
前記保持基板と前記複数の樹脂フィルムは、積層された状態で加熱加圧されて一体化されており、
前記熱可塑性樹脂層は、前記加熱加圧で軟化されて、前記ダストコアの下面（６ａ）と前記キャビティの底面（１３ａ）に接着していることを特徴とするインダクタンス素子内蔵多層基板。
【請求項５】
前記ダストコアは、フェライトと比較して透磁率が低く、飽和磁束密度が大きな軟磁性金属粉末を圧縮成形したものであることを特徴とする請求項４に記載のインダクタンス素子内蔵多層基板。
【請求項６】
前記複数の樹脂フィルムのうち一部の前記樹脂フィルムの表面上に形成された導体パターン（Ｌ４）で構成され、前記ダストコアの周回方向に沿って配置された周回線路（８）を備え、
前記周回線路は、前記ダストコアの周回方向に沿って流れる前記巻線の周回電流の流れ方向に対して、逆向きの電流が流れるように、前記巻線と直列に接続されていることを特徴とする請求項５に記載のインダクタンス素子内蔵多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランス等のインダクタンス素子が多層基板に内蔵されたインダクタンス素子内蔵多層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１にインダクタンス素子内蔵多層基板が記載されている。これは、環状のコア（トロイダルコア）を多層基板に内蔵し、多層基板内部の配線で巻線（コイル）を構成したものである。コアは、フェライトで構成されたものであり、コアの径方向が多層基板表面に対して平行となるように配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４６８２６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１のように、フェライトで構成されたコアを用いた場合、下記の理由により、コアの薄型化が困難であるため、多層基板の薄型化およびそれを使用するモジュールの小型化が困難であった。すなわち、フェライトは機械的強度が低いので、コアの厚みを薄くすると、多層基板の反り等によって割れやすくなってしまう。そして、コアが割れて隙間ができると、透磁率が大幅に変動し、コイルの電気的特性が大幅に損なわれてしまう。
【０００５】
そこで、このような問題を解決するために、本発明者は、次の構成のインダクタンス素子内蔵多層基板を検討した。以下、これを検討例と呼ぶ。
【０００６】
多層基板に内蔵するコアとして、軟磁性金属粉末を圧縮して成形したダストコアを用いる。さらに、このダストコアを保持する保持基板として、ガラエポ基板（ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板）を用い、多層配線層として熱可塑性樹脂層を用いる。そして、ガラエポ基板に設けたキャビティにダストコアを挿入して保持し、このダストコアを保持したガラエポ基板の両面に熱可塑性樹脂層を積層した後、この積層体を加熱加圧して一体化させる。この検討例では、積層体の加熱加圧によって、熱可塑性樹脂層が軟化し、軟化した熱可塑性樹脂がダストコア表面を覆うことで、キャビティ内のダストコアが熱可塑性樹脂で封止される。
【０００７】
ダストコアは、コア単体では脆く割れやすいが、熱可塑性樹脂層を用いた多層基板に内蔵する場合、多層基板の製造後にコアに対して圧縮応力が残存するため、この圧縮応力によってコアが割れにくくなる。また、仮に、コアにクラック等が発生した場合でも、残存する圧縮応力によって、破断面同士が押し付けられて、コアの状態が製造後の初期状態に近い状態となる。すなわち、ダストコアは、初期状態のときに内部に微小な隙間が存在しており、クラックによって一時的に大きな隙間が生じても、圧縮応力によってその隙間が初期状態に近い大きさまで小さくなる。ちなみに、フェライトコアは、緻密な焼結体であり、製造後の初期状態は隙間が無いため、クラックが生じた場合に破断面同士が押し付けられても、隙間が無い初期状態に戻れない。このため、この検討例によれば、コア全体の透磁率が大幅に変動することがなく、コイルの電気的特性の大幅な劣化を防止できる。
【０００８】
しかし、上記した検討例では、多層基板の製造後に次の問題が発生することがわかった。
【０００９】
すなわち、検討例の多層基板では、ダストコア表面やキャビティ表面に微細な凹凸が存在するため、ダストコアとキャビティ底面との間に隙間が生じている。上述の通り、多層基板の製造時において、積層体の加熱加圧によって、熱可塑性樹脂層が軟化する。この軟化した熱可塑性樹脂は、ダストコアとキャビティ側面との間を埋めることができるが、ダストコアとキャビティ底面との間の隙間まで埋めることができない。
【００１０】
このため、多層基板製造後の加熱処理を行ったとき、例えば、多層基板表面の部品実装のためのリフローはんだ工程を行ったときに、急激な温度上昇によって、隙間に存在する気体が膨張して、多層基板の内部構造が破壊されてしまうことがある。具体的には、ダストコアとキャビティ底面との間に存在する気体の膨張によって、ダストコアが浮き上がって、その上面に積層されている熱可塑性樹脂層が押し上げられて、保持基板と熱可塑性樹脂層とが剥離するとともに、保持基板の配線パターンと樹脂フィルム内のビアとの接続部が破壊されてしまう。
【００１１】
なお、ダストコアとキャビティ側面との間に隙間が存在する場合、その隙間の気体がダストコアとキャビティ底面との間に回り込むことによっても、ダストコアが浮き上がってしまう。このため、このような問題は、少なくともダストコアとキャビティ底面との間に隙間が存在する場合に発生する。
【００１２】
また、このような問題は、ダストコアを保持する保持基板として、エポキシ樹脂基板を用いた場合に限らず、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂で構成された熱硬化性樹脂基板やセラミック基板等の熱可塑性樹脂よりも加熱時に軟化し難い絶縁材料で構成された基板を用いた場合においても、同様に発生する。
【００１３】
本発明は上記点に鑑みて、多層基板製造後の多層基板に対する加熱処理時での多層基板の内部構造の破壊を防止できるインダクタンス素子内蔵多層基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、
軟磁性金属粉末の圧縮成形により形成された環状のダストコア（６）を準備する工程（Ｓ１）と、
熱可塑性樹脂よりも加熱時に軟化し難い材料で構成され、一面（１１）とその反対側の他面（１２）を有し、ダストコアを保持するための環状かつ有底のキャビティ（１３）が一面に形成された保持基板（１０）を準備する工程（Ｓ１）と、
ダストコアを取り巻く巻線を構成する導体パターン（Ｌ２、Ｌ３、Ｌ６）を有するとともに、熱可塑性樹脂で構成された複数の樹脂フィルム（２０）を準備する工程（Ｓ１）と、
保持基板のキャビティのうち少なくとも底面（１３ａ）に熱可塑性樹脂部（４１）が存在する状態として、キャビティにダストコアを挿入して保持基板にダストコアを保持させるとともに、保持基板と複数の樹脂フィルムとを積層して積層体を形成する工程（Ｓ２）と、
積層体を加熱加圧する工程（Ｓ３）とを行うことを特徴としている。
【００１５】
本発明では、ダストコア下面とキャビティ底面との間に熱可塑性樹脂部が存在する状態で、積層体の加熱加圧工程を行うので、この加熱加圧工程の際に、キャビティ内部の熱可塑性樹脂部が軟化して、ダストコア下面とキャビティ底面に存在する微細な凹凸を埋めることで、ダストコア下面とキャビティ底面との隙間を大幅に減らすことができる。これにより、多層基板製造後の多層基板に対する加熱処理時に、ダストコア下面とキャビティ底面との隙間に存在する気体が膨張することによって発生する多層基板の内部構造の破壊を防止できる。
【００１６】
また、請求項４に記載の発明では、
軟磁性金属粉末の圧縮成形により形成された環状のダストコア（６）と、
熱可塑性樹脂よりも加熱時に軟化し難い材料で構成され、一面（１１）とその反対側の他面（１２）を有し、一面に形成された環状かつ有底のキャビティの内部にダストコアが挿入された状態で、ダストコアを保持する保持基板（１０）と、
保持基板のキャビティのうち少なくとも底面（１３ａ）とダストコアとの間に配置された熱可塑性樹脂層（４０）と、
保持基板に積層され、ダストコアを取り巻く巻線を構成する導体パターン（Ｌ２、Ｌ３、Ｌ６）を有するとともに、熱可塑性樹脂で構成された複数の樹脂フィルム（２０）とを備え、
保持基板と複数の樹脂フィルムは、積層された状態で加熱加圧されて一体化されており、
熱可塑性樹脂層は、加熱加圧で軟化されて、ダストコアの下面（６ａ）とキャビティの底面（１３ａ）に接着していることを特徴としている。
【００１７】
本発明では、熱可塑性樹脂層が、加熱加圧で軟化されてダストコア下面とキャビティ底面に接着しているので、この熱可塑性樹脂層によって、ダストコア下面とキャビティ底面に存在する微細な凹凸が埋められている。このため、熱可塑性樹脂層が形成されていない場合と比較して、ダストコア下面とキャビティ底面との隙間を大幅に減らすことができる。これにより、多層基板製造後の多層基板に対する加熱処理時に、ダストコア下面とキャビティ底面との隙間に存在する気体が膨張することによって発生する多層基板の内部構造の破壊を防止できる。
【００１８】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態における電源回路モジュールの断面図である。
【図２】図１中のコアの平面形状と一部の樹脂フィルムに形成された配線パターンの平面形状とを示す図である。
【図３】図１中の領域Ａ１の拡大図である。
【図４】図１中のコアの構造を示す平面図である。
【図５】クラックが入ったときのコアの平面図である。
【図６】図１中のトランスを示す回路図である。
【図７】図１中の第２配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図８】図１中の第３配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図９】図１中の第４配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図１０】図１中の第５配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図１１】図１中の第６配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図１２】第１実施形態における多層基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図１３】図１２中の積層工程を示す斜視図である。
【図１４】比較例における多層基板の要部断面図である。
【図１５】第２実施形態におけるコアの平面形状を示す図である。
【図１６】第３実施形態における多層基板の断面図である。
【図１７】図１６中のコアの平面形状と第１配線パターンの平面形状とを示す図である。
【図１８】図１６中の第１配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図１９】図１６中の第２配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図２０】図１６中の第３配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図２１】第４実施形態における多層基板の断面図である。
【図２２】図２１中のコアの平面形状と第１配線パターンの平面形状と第４配線パターンの平面形状とを示す図である。
【図２３】図２１中の第４配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【図２４】図２１中の第１配線パターンの平面パターン形状を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００２１】
（第１実施形態）
本実施形態は、本発明のインダクタンス素子内蔵多層基板を、電源回路モジュールに用いられるトランス内蔵多層基板に適用した例である。
【００２２】
図１に示す電源回路モジュール１は、トランス２が内蔵された多層基板３と、その多層基板３表面に実装された電子部品４、５とを有している。
【００２３】
トランス２は、電源用トランス（変圧器）である。トランス２は、図１、２に示すように、多層基板３内部に配置された円環状のコア（トロイダルコア）６と、多層基板３内部の配線で形成され、コア６を取り巻くコイル７とによって構成されている。コア６は、コア６の径方向が多層基板３表面に対して平行となるように配置されている。なお、図２では、多層基板３の積層方向で異なる位置にあるコア６とコイル７とを重ねて示している。多層基板３は、キャビティ１３の内部の熱可塑性樹脂層４０を除いて、検討例の多層基板と同様の構成のものである。電子部品４、５は、はんだ４ａ、５ａによって多層基板３の表面配線Ｌ１と接続されている。
【００２４】
以下、多層基板３について具体的に説明する。
【００２５】
図１に示すように、多層基板３は、絶縁基材が熱硬化性樹脂で構成された保持基板１０と、熱可塑性樹脂で構成された複数の樹脂フィルム２０とが積層されたものである。より詳細には、多層基板３は、上から順に、第１樹脂フィルム２０ａ、第２樹脂フィルム２０ｂ、第３樹脂フィルム２０ｃ、保持基板１０、第４樹脂フィルム２０ｄ、第５樹脂フィルム２０ｅが積層されている。保持基板１０と樹脂フィルム２０が接着しているとともに、対向する樹脂フィルム２０同士が接着している。
【００２６】
保持基板１０は、コア６を保持する基板である。本実施形態では、保持基板１０として、ガラス繊維不織布で強化されたエポキシ樹脂で構成され、両面１１、１２に導体パターンＬ４、Ｌ５が形成されたガラエポ両面基板を用いている。
【００２７】
保持基板１０は、コア６を保持するための円環状に形成されたキャビティ１３を有しており、このキャビティ１３にコア６が挿入されている。キャビティ１３は、有底であり、基板１０の上面１１と下面１２のうち上面１１から所定深さにて形成されている。
【００２８】
なお、保持基板１０はコア６を保持するため、保持基板１０としてはコア６よりも厚いものが必要となる。そのような厚さの基板として、熱可塑性樹脂で構成された複数の樹脂フィルムを積層してなる基板を用いるよりも、ガラエポ両面基板を用いた方が、材料コストが安価であるため、本実施形態では、保持基板としてガラエポ両面基板を用いている。
【００２９】
また、図３に示すように、コア６と保持基板１０のキャビティ底面１３ａとの間に、熱可塑性樹脂層４０が形成されている。この熱可塑性樹脂層４０は、その下側がキャビティ底面１３ａと接着しているとともに、その上側がコア下面６ａと接着しており、コア下面６ａとキャビティ底面１３ａに存在する微細な凹凸を埋めている。
【００３０】
また、図４に示すように、コア６は、フェライトと比較して透磁率が低く、飽和磁束密度が大きな軟磁性金属粉末６１を圧縮成形したダストコアである。本実施形態では、アモルファス状の軟磁性金属粉末６１を圧縮成形したアモルファス系ダストコアを用いている。
【００３１】
後述の通り、本実施形態の多層基板３は、キャビティ１３にコア６を挿入した状態の保持基板１０と第１〜第５樹脂フィルム２０ａ〜２０ｅとの積層体を一括で加熱加圧することによって製造されるため、コア６に対する圧縮応力が多層基板３の内部に残留している。このため、図５に示すように、コア６の粒界面に沿ってクラックが生じても、コア６は圧縮応力によって図４に示す初期状態に近い状態が維持される。
【００３２】
図１に示すように、第１〜第３樹脂フィルム２０ａ〜２０ｃは、それぞれ、片面（上面）に導体パターンＬ１〜Ｌ３が形成されている。保持基板１０は、その両面１１、１２に導体パターンＬ４、Ｌ５が形成されている。第４樹脂フィルム２０ｄは、その片面（下面）に導体パターンＬ６が形成されている。なお、以下では、図１中の導体パターンＬ１〜Ｌ６を、上から順に第１〜第６配線パターンＬ１〜Ｌ６と呼ぶ。
【００３３】
第１〜第６配線パターンＬ１〜Ｌ６は、所定の配線を形成するように、第１〜第４樹脂フィルム２０ａ〜２０ｄに形成された層間接続部材としてのビア２１ａ〜２１ｄや、保持基板１０に形成されたビア１４によって、電気的に接続されている。
【００３４】
図１、２に示すコイル７は、図６に示すように、一次コイル７ａと二次コイル７ｂで構成するトランスを構成している。
【００３５】
コイル７は、図１に示す多層基板３の第１〜第６配線パターンＬ１〜Ｌ６のうち第２〜第６配線パターンＬ２〜Ｌ６を用いて形成されている。なお、第１配線パターンＬ１は、電子部品４、５と電気的に接続される配線に使用されている。
【００３６】
コイル７は、図１に示すように、２重巻線となっている。具体的には、第２〜第６配線パターンＬ２〜Ｌ６と、これらを接続するビア２１ｂ、２１ｃ、１４、２１ｄとによって、２重巻線の外回り部７１が形成されている。また、図１、３に示すように、第３配線パターンＬ３と、第４配線パターンＬ４と、第５配線パターンＬ５と、これらを接続するビア２１ｃ、１４とによって、２重巻線の内回り部７２が形成されている。
【００３７】
ちなみに、第２〜第６配線パターンＬ２〜Ｌ６は、それぞれ、図７〜１１に示す平面パターン形状となっている。図７に示すように、第２配線パターンＬ２は、２重巻線の外回り部７１の一部、一次コイル７ａの端子７３ａ、二次コイル７ｂの端子７３ｂを構成している。図８に示すように、第３配線パターンＬ３は、２重巻線の内回り部７２の一部や、ランドを構成している。図９に示すように、第４配線パターンＬ４は、ランドを構成している。図１０に示すように、第５配線パターンＬ５は、２重巻線の内回り部７２の一部や、ランドを構成している。図１１に示すように、第６配線パターンＬ６は、２重巻線の外回り部７１の一部を構成している。
【００３８】
次に、本実施形態の電源回路モジュール１の製造方法について説明する。
【００３９】
まず、図１２に示すように、準備工程Ｓ１、積層工程Ｓ２、加熱加圧工程Ｓ３を順に行うことで、上記した構造の多層基板３を製造する。
【００４０】
準備工程Ｓ１では、ダストコア６を準備する工程と、保持基板１０を準備する工程と、複数の樹脂フィルム２０を準備する工程とを行う。これらの各工程については、いずれを先に行ってもよく、各工程を同時に行ってもよい。
【００４１】
ダストコア６を準備する工程では、図１、２、４に示す円環形状に圧縮成形されたダストコア６を準備する。
【００４２】
保持基板１０を準備する工程では、図１に示す状態の保持基板１０を準備する。すなわち、一面１１とその反対側の他面１２のうち一面１１側に有底のキャビティ１３が環状に形成されているとともに、配線パターンＬ４、Ｌ５およびこれらを接続するビア１４が形成された保持基板１０を準備する。キャビティ１３は、配線パターンＬ４、Ｌ５の形成後に、切削加工等により形成される。また、このとき形成されるキャビティ１３の深さは、ダストコア６の厚さと後述する熱可塑性樹脂フィルム４１の厚さに応じて設定される。
【００４３】
複数の樹脂フィルム２０を準備する工程では、片面に配線パターンＬ１〜Ｌ３、Ｌ６が形成された第１〜第４樹脂フィルム２０ａ〜２０ｄを準備するとともに、配線パターンが形成されていない第５樹脂フィルム２０ｅを準備する。なお、第１〜第４樹脂フィルム２０ａ〜２０ｄには、ビア２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄを形成するための導電性ペーストがビアホールに充填されている。また、配線パターンが形成されていない第５樹脂フィルム２０ｅは、配線パターンが露出しないように表面を覆う絶縁機能をもたせるためのものであり、絶縁機能が不要である場合は必ずしも必要ではない。
【００４４】
積層工程Ｓ２では、図１３に示すように、保持基板１０のキャビティ底面１３ａに熱可塑性樹脂フィルム４１を敷いた後、キャビティ１３にダストコア６を挿入して保持基板１０にダストコア６を保持させる。このとき用いる熱可塑性樹脂フィルム４１は、キャビティ底面１３ａに対応する円環形状であり、熱可塑性樹脂フィルム４１の大きさ（径方向の幅）は、キャビティ底面１３ａと同一である。なお、熱可塑性樹脂フィルム４１は、後述の通り、加熱加圧工程Ｓ３で軟化するので、キャビティ底面１３ａと同一の大きさでなくてもよい。キャビティ１３への挿入のし易さを考慮すると、熱可塑性樹脂フィルム４１の大きさ（径方向の幅）は、キャビティ底面１３ａよりも若干小さいことが好ましい。
【００４５】
その後、ダストコア６を保持した状態の保持基板１０と複数の樹脂フィルム２０とを積層して積層体を形成する。
【００４６】
加熱加圧工程Ｓ３では、ヒータが埋設された一対の熱プレス板によって、保持基板１０と複数の樹脂フィルム２０の積層体を、３００℃前後で加熱しつつ加圧する。これにより、樹脂フィルム２０が軟化して、保持基板１０と樹脂フィルム２０が接着されるとともに、対向する樹脂フィルム２０同士が接着されて一体化する。また、軟化した樹脂フィルム２０によって、ダストコア６の上面が覆われるとともに、ダストコア６とキャビティ側面１３ｂとの間が埋められて、キャビティ１３内のダストコア６が熱可塑性樹脂で封止される。さらに、熱可塑性樹脂フィルム４１が軟化して、熱可塑性樹脂フィルム４１がキャビティ底面１３ａおよびコア６と接着される。この熱可塑性樹脂フィルム４１が図１中の熱可塑性樹脂層４０となる。なお、このときの加熱により、導電性ペーストに含まれる粉末が焼結してビア２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄが形成される。
【００４７】
このようにして、多層基板３を製造した後、電子部品４、５を実装する実装工程を行う。具体的には、多層基板３の表面のうち電子部品４、５との接続箇所に、はんだを印刷した後、その上に電子部品４、５を搭載する。そして、電子部品４、５を搭載した状態で、多層基板３に対してリフロー加熱する。これにより、多層基板３と電子部品４、５とがはんだ４ａ、５ａによって電気的に接続される。
【００４８】
以上により、本実施形態の電源回路モジュール１が製造される。
【００４９】
ここで、上記発明が解決しようとする課題の欄での説明の通り、本実施形態と異なり、積層工程Ｓ２のときに、保持基板１０のキャビティ底面１３ａに熱可塑性樹脂フィルム４１を敷かないで、多層基板３を製造した場合、樹脂フィルム２０が軟化しても、軟化した熱可塑性樹脂はダストコア６とキャビティ底面１３ａとの間まで到達しない。このため、製造後の多層基板３では、ダストコア６とキャビティ底面１３ａとの間に隙間が生じてしまう。
【００５０】
このため、実装工程で多層基板３が加熱されると、図１４に示すように、ダストコア６とキャビティ底面１３ａとの間に存在する気体の膨張によって、ダストコア６が浮き上がる。これにより、第３樹脂フィルム２０ｃが押し上げられて、保持基板１０と第３樹脂フィルム２０ｃとが剥離するとともに、第４配線パターンＬ４と第３樹脂フィルム２０ｃ内のビア２１ｃとの接続部が破壊されてしまう。
【００５１】
これに対して、本実施形態では、積層工程Ｓ２のときに、保持基板１０のキャビティ底面１３ａに熱可塑性樹脂フィルム４１を敷いた後、キャビティ１３にダストコア６を挿入しており、キャビティ底面１３ａとダストコア６との間に熱可塑性樹脂が存在する状態で、積層体の加熱加圧工程を行っている。このため、加熱加圧工程Ｓ３の際に、キャビティ１３内部の熱可塑性樹脂フィルム４１が軟化して、ダストコア下面６ａとキャビティ底面１３ａに存在する微細な凹凸を埋めることで、ダストコア６とキャビティ底面１３ａとの隙間をなくすことができる。
【００５２】
換言すると、本実施形態の多層基板３では、ダストコア６とキャビティ底面１３ａとの間に熱可塑性樹脂層４０が配置されており、熱可塑性樹脂層４０がダストコア６とキャビティ底面１３ａに接着している。この熱可塑性樹脂層４０によって、ダストコア下面６ａとキャビティ底面１３ａに存在する微細な凹凸が埋められているので、ダストコア６とキャビティ底面１３ａとの隙間がほとんど存在しない状態となっている。
【００５３】
これにより、実装工程で多層基板３を加熱したときのダストコア６とキャビティ底面１３ａとの間に存在する気体の膨張を回避できる。
【００５４】
また、熱可塑性樹脂層４０が、ダストコア６とキャビティ底面１３ａとを接着する接着剤として機能しているので、仮に、わずかな隙間が生じ、隙間に存在する気体が加熱によって膨張しても、ダストコア６が浮き上がり難くなっている。
【００５５】
これらの結果、実装工程で多層基板３を加熱したときに発生する保持基板１０の第４配線パターンＬ４と第３樹脂フィルム２０ｃ内のビアとの接続部の破壊を防止できる。なお、本発明者は、製造後の多層基板３を加熱しても、保持基板１０の第４配線パターンＬ４と第３樹脂フィルム２０ｃ内のビア２１ｃとの接続部が破壊されないことを実験によって確認している。
【００５６】
また、本実施形態と異なり、フェライトで構成されたコアを用いた場合、フェライトの比透磁率は２０００〜４０００と高く、コア断面積を小さくすると、小さな電流でも磁気飽和しやすくなるため、薄型化した多層基板の大電流用途での使用が困難になってしまう。
【００５７】
これに対して、本実施形態では、多層基板３に内蔵するコア６として、フェライトと比較して透磁率が低く、飽和磁束密度が大きな軟磁性金属粉末を圧縮して成形したダストコアを用いている。これにより、薄型化した多層基板３の大電流用途での使用が可能となる。
【００５８】
（第２実施形態）
図１５に示すように、本実施形態では、コア６の平面形状を方形の環状としている。なお、その他の構成は、第１実施形態と同じである。このように、コアの平面形状は、任意に変更可能である。
【００５９】
（第３実施形態）
図１６、１７に示すように、本実施形態では、インダクタンス素子としてのチョークコイル２００が多層基板３に内蔵されている。なお、図１７では、多層基板３の積層方向で異なる位置にあるコア６とコイル７とを重ねて示している。第１実施形態のトランス２は、一次コイル７ａと二次コイル７ｂとを有していたが、本実施形態のチョークコイル２００は、単一のコイル（巻線）７のみを有している。
【００６０】
本実施形態の多層基板３は、上から順に、第１樹脂フィルム２０ａ、第２樹脂フィルム２０ｂ、保持基板１０、第３樹脂フィルム２０ｃが積層されている。第２樹脂フィルム２０ｂに導体パターン（第１配線パターン）Ｌ１が形成されており、第１樹脂フィルム２０ａおよび第３樹脂フィルム２０ｃには導体パターンが形成されていない。保持基板１０の上面１１、下面１２に、それぞれ、導体パターン（第２、第３配線パターン）Ｌ２、Ｌ３が形成されている。なお、第３樹脂フィルム２０ｃはコイルの導体が露出しないように表面を覆う絶縁機能をもたせるためのものであり、絶縁機能が不要である場合は必ずしも必要ではない。
【００６１】
コイル７は、第１〜第３配線パターンＬ１〜Ｌ３とこれらを接続するビア２１ｂ、１４とによって、１重巻線が構成されている。具体的には、第１配線パターンＬ１は、図１８に示す平面パターン形状であり、コイル７の一部を構成している。第２配線パターンＬ２は、図１９に示す平面パターン形状であり、ランドを構成している。第３配線パターンＬ３は、図２０に示す平面パターン形状であり、コイル７の一部を構成している。
【００６２】
本実施形態の多層基板３は、第１実施形態と同様の製造方法によって製造される。このため、本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００６３】
（第４実施形態）
図２１、２２に示すように、本実施形態の多層基板３は、第３実施形態の多層基板３に対して周回線路８が追加されたものであり、その他の構成は第３実施形態と同じである。
【００６４】
周回線路８は、コア６に沿って環状に配置された配線である。本実施形態では、周回線路８は、一本の配線が一端８ａから他端８ｂまで環状に配置されている。なお、図２２では、多層基板３の積層方向で異なる位置にあるコア６とコイル７と周回線路８とを重ねて示している。
【００６５】
周回線路８は、第１樹脂フィルム２０ａの表面上に形成された導体パターン（第４配線パターン）Ｌ４によって構成されている。このため、周回線路８は、コア６に対して平行な位置に配置されている。なお、周回線路８は、第１樹脂フィルム２０ａに形成された導体パターンＬ４に限らず、他の樹脂フィルム２０に形成された導体パターンによって構成されてもよい。すなわち、周回線路８は、コア６に対して平行な位置に配置されていれば、多層基板３のコイル７の上側、下側、内側のいずれに配置されていてもよい。
【００６６】
周回線路８は、図２４に示すコイル７の周回電流の流れ方向、すなわち、コイル７を流れる電流のコア６の周回方向に沿った流れ方向に対して、逆向きの電流が流れるように、コイル７と直列に接続されている。具体的には、図２２、２３、２４に示すように、周回線路８の一端８ａは、コイル７の途中に設けられた２つの接続端子７ｃ、７ｄのうち一方の接続端子７ｃと電気的に接続され、周回線路８の他端８ｂは、コイル７の他方の接続端子７ｄと電気的に接続されている。
【００６７】
ここで、第３実施形態の多層基板３において、図１８に示すように、コイル７に電流を流すと、マクロ的にはコア６の周回方向に電流（周回電流）が流れる。このため、多層基板３には、図１６に示すように、円環（ドーナツ）状のコア６の中心部（穴）を貫通する方向の漏れ磁束が発生する。したがって、多層基板３の表面に電子回路を実装した場合、漏れ磁束と電子回路との干渉が問題となる。
【００６８】
これに対して、本実施形態では、多層基板３に周回線路８を設けている。このため、コイル７に電流を流すと、図２３に示すように、周回線路８にコイル７の周回電流に対して逆向きの電流が流れる。これにより、コイル７の周回電流により発生する漏れ磁束とは反対方向の磁束が発生する。この結果、コイル７の周回電流により発生する漏れ磁束を打ち消す、もしくは、弱めることができる。
【００６９】
このように、多層基板３にインダクタンス素子を内蔵した場合では、インダクタンス素子を構成する配線層とは別の配線層を用いて、漏れ磁束を弱めるための周回線路８を構成することが容易である。
【００７０】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、下記のように、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００７１】
（１）複数の樹脂フィルム２０として、第１実施形態では、５枚の樹脂フィルムを用い、第３、第４実施形態では、３枚の樹脂フィルムを用いていたが、樹脂フィルム２０の枚数は任意に変更可能である。
【００７２】
（２）第１実施形態では、コイル７は２重巻線であったが、１重巻線、３重巻線等でもよい。同様に、第３、第４実施形態では、コイル７は１重巻線であったが、２重巻線、３重巻線等でもよい。
【００７３】
（３）第１実施形態では、複数の樹脂フィルム２０の表面に形成された配線パターンＬ２、Ｌ３、Ｌ６と、保持基板１０の表面に形成された配線パターンＬ５と、それらを電気的に接続するビアによってコイル７を形成したが、複数の樹脂フィルム２０と保持基板１０のうち複数の樹脂フィルム２０のみに形成された配線パターンと、それらを電気的に接続するビアとによってコイルを形成してもよい。
【００７４】
（４）上記各実施形態では、積層工程Ｓ２のとき、保持基板１０のキャビティ１３のうち底面１３ａのみに熱可塑性樹脂フィルム４１を配置したが、キャビティ１３の底面１３ａから側面にわたって熱可塑性樹脂フィルム４１を配置してもよい。キャビティ１３のうち少なくとも底面１３ａに熱可塑性樹脂フィルム４１を配置することで、ダストコア６とキャビティ底面１３ａとの間に存在する気体の膨張によるダストコア６の浮き上がりを防止できる。
【００７５】
（５）上記各実施形態では、積層工程Ｓ２のとき、保持基板１０のキャビティ１３にダストコア６を挿入する前に、熱可塑性樹脂フィルム４１をキャビティ底面１３ａに敷くことで、キャビティ底面１３ａに熱可塑性樹脂部が存在する状態としたが、加熱によって軟化された熱可塑性樹脂をキャビティ底面１３ａに塗布する等によって、キャビティ底面１３ａに熱可塑性樹脂部が存在する状態としてもよい。
【００７６】
（６）上記各実施形態では、ダストコア６として、アモルファス系ダストコアを用いたが、他のダストコアを用いても良い。透磁率がフェライトと同等もしくはそれ以下の軟磁性金属粉末を成型して製造されたダストコアを用いてもよい。
【００７７】
（７）上記各実施形態では、電源用のトランス２やチョークコイル２００を多層基板３に内蔵した場合を説明したが、環状のダストコアとそれを取り巻く巻線（コイル）で構成された他のインダクタンス素子を多層基板３に内蔵することも可能である。
【００７８】
（８）上記各実施形態では、保持基板１０として、ガラエポ両面基板を用いたが、絶縁基材がエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂やセラミックスで構成された基板を用いてもよい。要するに、保持基板１０として、熱可塑性樹脂よりも加熱時に軟化し難い絶縁材料で構成された基板を用いることができる。
【００７９】
（９）上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。例えば、第１実施形態と第４実施形態とを組み合わせることができる。すなわち、トランス２から発生する漏れ磁束を弱めるように働く周回線路８を多層基板３に設けることも可能である。
【００８０】
（１０）また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００８１】
６      コア
１０    保持基板
１３    キャビティ
２０    熱可塑性樹脂フィルム
４０    熱可塑性樹脂層
４１    環状の熱可塑性樹脂フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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