(57)【要約】      （修正有）【課題】エッチング、ハーフエッチングにより金属除去部を作った金属フレームに、多くの場合、トランスファーモールド工法にて樹脂を充填して電子基板を作製する際に、厚い樹脂バリの発生を抑え、基板の品質、歩留まりを上げるリードフレーム型基板およびリードフレーム型基板の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を搭載するためのダイパッド７と、前記半導体素子の電極と外部回路の電極を接続するためのリード４とを備えてなり、前記リード４の前記ダイパッド側の端部とその逆側の端部の厚みが、使用する金属基材の厚みと同一であり、それ以外のリードの厚みは裏面から金属基材をハーフエッチングすることでダイパッド側とその逆側の端部のリードの厚さより薄く、前記ダイパッド側の端部のリードの幅は、その逆側の端部のリードの幅より狭くする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材をエッチング加工して作製したリードフレームの金属除去部に絶縁樹脂をトランスファーモールドして成るリードフレーム型基板であり、半導体素子を搭載するために使用するリードフレーム型基板であって、
前記リードフレームが前記半導体素子を搭載するためのダイパッドと、前記半導体素子の電極と外部回路の電極を接続するためのリードと、
前記リードと一体化されて形成された電極パッドと、
前記リードと一体化されて形成され、且つ前記電極パッドと離れた位置に配置された支持用パッドと、を備えてなり、
前記電極パッドと前記支持用パッドは、同じ厚みで形成され、且つ前記電極パッドと前記支持用パッドのいずれか一方は前記ダイパッド付近に形成されていることを特徴とするリードフレーム型基板。
【請求項２】
前記絶縁樹脂が、エポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム型基板。
【請求項３】
前記絶縁樹脂が、フィラー成分を含み、その最大粒径が１００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載のリードフレーム型基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のリードフレーム型基板の製造方法であって、
レジストパターン形成工程とエッチング工程とトランスファーモールド工程と樹脂バリ除去工程を備えてなり、
前記レジストパターン形成工程は、前記半導体素子を搭載する前記ダイパッドと、その半導体素子の電極と前記外部回路の電極を接続する前記リードを形成するための前記金属基材の主面に必要なレジストパターンを形成し、且つその裏面において、前記リードの前記ダイパッド側の端部に対応する部位とその逆側の端部に、必要なレジストパターンを形成し、それ以外の部位にはレジストパターンを形成せず、
前記エッチング工程は、前記金属基材を、前記半導体素子を搭載する面から貫通エッチングし、その裏面からは前記金属基材をハーフエッチングすることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を実装するための半導体基板、特にリードフレーム型基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハープロセスで製造される各種のメモリー、ＣＭＯＳ、ＣＰＵ、ＦＰＧＡ等の半導体素子は、電気的接続用端子を有する。その電気的接続用端子のピッチと、半導体素子が装着されるプリント基板側の接続部のピッチとは、工法の違いから、そのスケールが１〜２桁ほど異なる。そのため、インターポーザと称されるピッチ変換のための仲介用基板（半導体素子実装用基板）が使用される。このインターポーザの一方の面に、半導体素子を実装し、他方の面もしくは基板の周辺部で、プリント基板との接続がとられる。インターポーザは、内部もしくは表面に金属リードフレームを有しており、リードフレームにより電気的経路を引き回して、プリント基板との接続を行うための外部接続端子のピッチを拡張している。
【０００３】
図２に、インターポーザの一例として、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）式リードフレーム型基板の構造を模式的に示した。図２（ａ）に示すように、銅、アルミニウムなどの金属からなるリードフレームの中央部に、半導体素子１１を搭載する平坦部１２を設け、外周部にピッチの広いリード４を配設したものであり、リード４と半導体素子１１の電気的接続用端子との接続には、金線などのメタルワイヤー１３によるボンディング法を使用したものである。
【０００４】
図２は、リードフレーム型基板の構造を模式的に示したものである。まず、ポリイミドテープからなる保持材１４に貼り付けられたリードフレームの所定箇所（平坦部１２）に半導体素子１１を固定用樹脂１６もしくは、固定用テープで固定する。その後、メタルワイヤー１３と取り出し電極１５とをワイヤーボンディングし、トランスファーモールド法で複数のチップ（半導体素子１１）を一括でモールド用樹脂１７により樹脂モールドする。最後に、外装加工を施し、個々に切断、断裁して完成品となる。リードフレーム裏面１８（半導体素子が搭載される面とは反対側の面）を被覆するポリイミドテープからなる保持材１４は、リードフレーム裏面１８がプリント基板との接続面となる場合、モールド時にモールド用樹脂がリード裏面の接続端子面に回りこみ付着しないようにするために不可欠である。しかしながら、最終的にはポリイミドテープからなる保持材１４は不要であるので、モールド加工をした後は、取り外して捨てることになる。そのため、リードフレームを保持材１４に貼り付けてインターポーザを製造する方法は、コストがかかるという問題を抱えていた。
【０００５】
それを解決する方法として、特開２００９−１４７１１７にあるような構造のリードフレーム型基板が挙げられる。この基板は、金属板の両面にパターンエッチング、ハーフエッチング等を用いて、凹凸あるいは貫通孔を空け、そこに絶縁性樹脂を成型して作るものとなっている。
【０００６】
この構造の基板であれば、絶縁性樹脂が、配線パターンを支持する機能をもつため、ポリイミドテープを貼付する必要がなく、コストダウンを実現できる。
【０００７】
上記のような構造の基板の作製方法として、以下のようなものがある。まず、金属板の主面に、図４、図５、図７のような、ダイパッド７、吊りリード１９、リード４、タイバー２０のパターンを感光性レジスト、ドライフィルム等にて形成する。さらに、金属板の裏面には、ダイパッド裏面８、電極パッド５のパターンを感光性レジスト、ドライフィルム等にて形成する。この際、金属板裏面の電極パッドのパターンの位置は、主面のリードの位置の裏側の一部、多くの場合は、リードの一端の裏側になる。図４に示す基板のように、ダイパッドが基板中央に位置して、リードがその付近から放射状に外側にのびる構造の場合は、電極パッドは、リードの最も外側の位置の裏側に形成される場合が多い。
【０００８】
次にエッチング等により、金属板の一部を除去するが、この際に、エッチング強度、時間などを適正に設定することにより、リード、吊りリード、タイバーなど、片面にのみレジストパターンがあり、反対面にはレジストパターンがない部分に関しては、エッチングによって金属がすべて除去されて貫通をしないように、ハーフエッチングにとどめることが重要である。
【０００９】
次にこの金属板の金属除去部を絶縁樹脂にて埋める。埋める方法として最も好適なものは、上記金属板を、図８のように、上金型２１と下金型２２で挟み、型締めしたうえで、固形樹脂２３を加熱溶融させた状態で金型内に流し込み、金属板の金属除去部と金型内壁が作るキャビティ部を充填するようにしてから、樹脂を固化させるという、いわゆるトランスファーモールド工法が挙げられる。
【００１０】
ところで、上記のように、金属板をエッチング、ハーフエッチングしてできた金属除去部に、トランスファーモールド工法によって絶縁樹脂を充填する場合において、意図しない部分への樹脂の漏れ、染み出し、などによるいわゆるバリの問題が発生する。バリは、概して金属板のうち、除去されなかった部分に、例えばリードやダイパッドの外側から発生し、内側に向かって成長してゆく。バリは、後のめっき不良や、接続不良の原因となるので、樹脂成型工程の後に、バリ取り工程を配置するのが一般である。一方、絶縁樹脂充填の際に、バリの発生をなるべく抑える方法も必要である。
【００１１】
樹脂充填の際にバリを抑える方法としては、トランスファーモールドの型締め圧を上げる方法が考えられる。これによって、リード、ダイパッド、電極バッドなどの表面と、金型内面との隙間が小さくなり、バリの発生が抑えられる。
【００１２】
ただし、この方法にて前述した構造の基板を扱うと、新たな問題が生じる。図９（ａ）に示すように、基板主面にリードがあり、それがハーフエッチングにより、本来の金属板の厚さよりも小さな厚さしかもたず、さらにその端に基板反対面から基板主面までの厚さを有する電極パッド部が配置されている場合、金型の型締めによっても、電極パッドの位置しないリードの部分には、十分な圧力がかからず、とくにリードの端において、ハーフエッチングによって、厚さが小さくなっているだけに、リードの曲がりが起こって、下金型からのリードの浮き２４が生じやすい。この浮きが生じた部分には、溶融した絶縁樹脂２５が金型内に注入された場合に、樹脂が浸入して、樹脂の固化後に、厚いバリになる。この厚いバリは、他の部分の薄いバリと比べて、除去の難易度が高いため、それが混在することによって、バリ取り工程の条件設定が難しくなり、また厚さが非常に大きい場合は、除去すること自体が困難となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００９−１４７１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記の問題点を鑑みて考案されたもので、エッチング、ハーフエッチングにより金属除去部を作った金属フレームに、多くの場合、トランスファーモールド工法にて
樹脂を充填して電子基板を作製する際に、厚い樹脂バリの発生を抑え、基板の品質、歩留まりを上げることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決する手段として、請求項１に記載の発明は、金金属基材をエッチング加工して作製したリードフレームの金属除去部に絶縁樹脂をトランスファーモールドして成るリードフレーム型基板であり、半導体素子を搭載するために使用するリードフレーム型基板であって、
前記リードフレームが前記半導体素子を搭載するためのダイパッドと、前記半導体素子の電極と外部回路の電極を接続するためのリードと、
前記リードと一体化されて形成された電極パッドと、
前記リードと一体化されて形成され、且つ前記電極パッドと離れた位置に配置された支持用パッドと、を備えてなり、
前記電極パッドと前記支持用パッドは、同じ厚みで形成され、且つ前記電極パッドと前記支持用パッドのいずれか一方は前記ダイパッド付近に形成されていることを特徴とするリードフレーム型基板である。
【００１６】
また請求項２に記載の発明は、前記絶縁樹脂が、エポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム型基板である。
【００１７】
また請求項３に記載の発明は、前記絶縁樹脂が、フィラー成分を含み、その最大粒径が１００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載のリードフレーム型基板である。
【００１８】
また請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載のリードフレーム型基板の製造方法であって、
レジストパターン形成工程とエッチング工程とトランスファーモールド工程と樹脂バリ除去工程を備えてなり、
前記レジストパターン形成工程は、前記半導体素子を搭載する前記ダイパッドと、その半導体素子の電極と前記外部回路の電極を接続する前記リードを形成するための前記金属基材の主面に必要なレジストパターンを形成し、且つその裏面において、前記リードの前記ダイパッド側の端部に対応する部位とその逆側の端部に、必要なレジストパターンを形成し、それ以外の部位にはレジストパターンを形成せず、
前記エッチング工程は、前記金属基材を、前記半導体素子を搭載する面から貫通エッチングし、その裏面からは前記金属基材をハーフエッチングすることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１９】
以上、本発明によれば、半導体素子実装後のモールド形成時にポリイミドフィルムを使用しないため、低コストのリードフレーム型基板が提供でき、なおかつその基板の作製時、エッチングまたはハーフエッチングにて金属除去部を作った金属フレームに絶縁樹脂を充填する工程において、厚い樹脂バリの発生を抑え、基板の高い品質と歩留まりを実現することができる。絶縁樹脂を金属板内に充填することの効果については、さらに、配線パターンが絶縁樹脂に支持されて安定することもあり、後のワイヤーボンディング時に外力がかかっても、配線パターンの転び、変形が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のリードフレーム型基板の製造工程の一例を示す概略説明図。
【図２】従来のリードフレーム型基板の構造の一例を示す模式図であり、（ａ）は保持材上のダイパッドに半導体素子がマウントされリードにメタルワイヤーが接続された状態、（ｂ）は（ａ）の状態にモールド用樹脂がモールドされた状態、（ｃ）は（ｂ）の後、保持材が剥離された状態、を示す概略説明図である。
【図３】本発明の実施例によるリードフレームの１ピースについて、その主面（ａ）と反対面（ｂ）の例を示す概略説明図。
【図４】比較例によるリードフレームのレジストパターンを示す概略平面図であり、（ａ）は主面、（ｂ）は反対面を示す。
【図５】本発明の実施例および比較例によるリードフレームの、隣り合う９ピース分について、その主面の例を示す概略平面図。
【図６】本発明によるリードフレームの、隣り合う９ピース分について、その主面の反対面の例を示す平面図。
【図７】比較例によるリードフレームの、隣り合う９ピース分について、その主面の反対面の例を示す平面図。
【図８】本発明における絶縁樹脂充填工程の例を説明する模式図。
【図９】絶縁樹脂充填工程における、リード下への樹脂のモレを説明する模式図であり、（ｂ）は本発明、（ａ）は比較例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明によるリードフレームの製造方法として、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプのリードフレームを例にとり、図１を用いて説明する。例えば、作製する個々のＬＧＡの大きさは、１０ｍｍ角で、６４ピンの平面視でアレイ状の外部接続端子を持つもので、基板に多面づけして以下の製造工程を経た後に切断、断裁を行い、個々のＬＧＡタイプのリードフレームを得る。
【００２２】
〔レジストパターン形成工程〕
まず、図１（ａ）に示すように、長尺帯状の金属基材１として、例えば銅基材を用意する。次いで、図１（ｂ）に示すように、金属基材１の両面に、ロールコーターにて感光性レジスト２をコーティングした後、プリベークをする。
次に、所望のパターン（後述）を有するパターン露光用フォトマスクを介して両面からパターン露光を行い、その後１％水酸化ナトリウム溶液で現像処理を行った後に、水洗およびポストベークを行い、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン３を得る。なお、金属基材１の一方の面側（半導体素子が搭載される面であり、以下「主面側」と記す）には、半導体素子搭載用のダイパッド７と、配線パターンを形成するためのレジストパターン、金属基材１の他方の面（以下「反対面」と記す）には、接続用の電極パッド５形成用のレジストパターンを形成する。
【００２３】
ここで、上記レジストパターンについて詳述する。その様子を図３、図５、図６に模式的に示す。図３（ａ）、図５は主面、図３（ｂ）、図６は反対面の様子を示している。主面中央付近には、半導体素子搭載用のダイパッド７を配置する。ダイパッド７は、半導体素子の発する熱を外部に放出する役割も担うため、基本的にエッチングすることなく、金属基材１の厚みをそのまま残す。ただし、外周のサイズを僅かに変えて、ダイパッド７の断面にテーパーをつけ、絶縁樹脂９との接触面積を増加させ密着性を高めるため、反対面において主面より僅かに寸法を小さくし、中央の位置を変えないで、ダイパッド裏面８としてレジストパターンを形成している。
【００２４】
主面のダイパッドの四隅からは、それぞれ基板ピース（１ピースに切り出した基板）の最寄りの四隅の方向に、放射状に延びている吊りリード１９のパターンを配置する。吊りリード１９については、金属基材１の厚さ方向中途までの厚さとするため、反対面の対応する位置には、レジストパターンは形成されていない。吊りリード１９のパターンは、基板ピース外周の位置にて、タイバー２０につながる。タイバー２０は、基板ピース外周とその位置を同一とし、絶縁樹脂９充填時の流路を確保するため、金属基材１の厚さ方向途
中までの厚さとなっており、反対面に対応するレジストパターンはない。主面において、タイバー２０からつながった状態で、ダイパッド７の方向に逆放射状にリード４のレジストパターンを配置する。リード４はダイパッド７の方向には延びるが、ダイパッド７とは接続しない。リード４の厚さは、金属基材１の厚さより小さく設定され、反対面の対応する位置には、リード４のレジストパターンは形成しない。リード４は、基板ピースの４辺のそれぞれに対して、例えば、各１６本の計６４本を配置する。
【００２５】
リード４の両端のうち、タイバー７に接続している側に電極パッド５のレジストパターンを配置する。電極パッド５の厚さは、金属基材１の厚さと同一とし、主面側においては、リード４のレジストパターンは電極パッド５の反対面も兼ね、反対面においては、角を丸くした長方形の形状にてレジストパターンを配置する。リード４のもう一端においても、同様に金属基材１と同じ厚さのパッド状の構造である支持用パッド６のレジストパターンを配置するが、こちらは絶縁樹脂９充填時に、リード４が金型から浮かないようにリード４の両端のバランスをとるためのものなので、将来において、電極としての機能を持つことはない。こちらの支持用パッド６は、その配置する位置において、リード４の間隔が詰まっているため、短絡をさけるため、リード４の反対側の電極パッド５よりも小さく設定する。すなわち、ダイパッド７側の端部のリードの幅は、その逆側の端部のリードの幅より狭い。
【００２６】
〔エッチング工程〕
レジストパターンの形成後は、塩化第二鉄溶液を用いて、金属基材１の両面からエッチング加工を施す。エッチングする深さは、金属基材１の片面からエッチングする場合、金属基材１の剛性を考慮して条件設定したうえで、両面を同時にエッチングする。さらに両面のレジストの剥離を行い、エッチング加工された金属基材１を得る。このエッチング処理によって、金属基材１の主面にはダイパッド７とリード４、吊りリード１９、タイバー２０が形成され、金属基材１の反対面には、ダイパッド裏面８と電極パッド５、加えて、リード４上にて、電極パッド５の反対の端に、電極パッド５より小さな支持用パッド６が形成される。このことにより、リード４のダイパッド７側の端部とその逆側の端部の厚みが、金属基材１の厚みと同一であり、それ以外のリード７の厚みは、裏面から金属基材１をハーフエッチングすることで、ダイパッド７側とその逆側の端部の厚みより薄くなる。
【００２７】
〔トランスファーモールド工程〕
次に、エッチング工程により加工された金属基材１に、トランスファーモールド工法による絶縁樹脂充填のため、金型の所定の位置に収まるよう、金属基材１の断裁を行う。断裁の結果、金属基材１は、短冊状の基板フレームとなる。
【００２８】
次いで、図８に示すように、基板フレームに、以下のようにトランスファーモールド加工を行う。まず基板フレームの主面を下にした状態にて下金型２２にセットする。下金型２２には、基板フレームの厚さと同じ深さで、平面視での大きさより若干大きい凹部と、それにつながる樹脂導入のための溝部が形成されている。それから、研磨した水平面を基板フレームに接触した面として持つ、蓋上の構造の上金型２１をかぶせ、型締めをする。
【００２９】
次いで、金型外部のプランジャー部に、絶縁樹脂となる固形樹脂２３をセットし、加圧加温しながら、金型内部に充填する。金型内の空隙の大きさ、厚さは、基板フレームとほぼ同一であるので、絶縁樹脂は、基板フレームのうち、前工程のエッチングにて金属が除去された部分を埋めるように充填される。固形樹脂２３は、エポキシ系樹脂であることが好ましい。また樹脂だけで構成されていても良いが、フィラー成分を含んでいるものはより好適に使用することができる。さらに好適には、そのフィラー成分が最大粒子径１００μｍ以下の粒子から構成されていることが必要である。
【００３０】
次いで、絶縁樹脂の固化をまって上金型２１を開け、下金型２２より樹脂充填された基板フレームを取り出す。基板フレームには、絶縁樹脂を金型の外から金型内部、金型内の凹部へと誘導するための流路に残った絶縁樹脂が固化して付着しているので、その部分は、手作業にて取り除く。
【００３１】
続いて、基板フレームに充填された絶縁樹脂を完全に固化させるために、ポストベークを行う。
【００３２】
この状態の基板フレームにおいては、絶縁樹脂はほぼ面一の状態で基板フレームの金属除去部を埋めているが、金型内での基板フレームの表面への僅かな染み出しは、ほぼ不可避のものであり、それが樹脂バリとなって、ごく薄く基板フレームの各部に付着している。これは、後のメッキ工程や、基板フレームが完成し、素子を実装してからの接続において、不良の発生原因となるため、除去しなければならない。
【００３３】
〔樹脂バリ除去工程〕
そこで、基板フレームの凹部や表裏貫通部に樹脂充填を行うトランスファーモールド工程、ポストベークに続いて、樹脂バリ除去工程を行う。工程としては、まず５０℃程度に加温されたアルカリ溶液（ＮａＯＨ５０ｇ／Ｌを主成分とする。）中を搬送しながら、高圧水洗の前処理として電解処理などを行う。そして、インライン装置上で、続いて高圧水洗を行い、膨潤した樹脂バリを洗い流す。
【００３４】
〔表面処理工程〕
そして、基板フレーム毎に、露出した金属面に対し、無電解ニッケル／パラジウム／金めっき形成法による表面処理を施す。基板フレームへのめっき層１０の形成は、電解めっき法が適用可能である。しかし、電解めっき法では、めっき電流を供給するためのめっき電極の形成が必要になり、めっき電極を形成する分、配線領域が狭くなり、配線の引き回しが困難になる。そのため、本実施の形態では、供給用電極が不要な、無電解ニッケル／パラジウム／金めっき形成法を採用する。
すなわち、金属面に酸性脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄、パラジウム触媒活性処理、プレディップ、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきにより、めっき層１０を形成する。以上をもって、基板フレームの処理工程を終了し、所望のリードフレームを得る。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明によるリードフレームの製造方法として、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプのリードフレームを例にとり、図１を用いて説明する。作製した個々のＬＧＡの大きさは、１０ｍｍ角で、６４ピンの平面視でアレイ状の外部接続端子を持つもので、金属基材１に多面づけして以下の製造工程を経た後に切断、断裁を行い、個々のＬＧＡタイプのリードフレームを得た。
【００３６】
まず、図１（ａ）に示すように、金属基材１として、巾が９０ｍｍ、厚さが２００μｍの長尺帯状の銅基材を用意した。次いで、図１（ｂ）に示すように、銅基材１´の両面に、ロールコーターにて感光性レジスト２（東京応化（株）製、ＯＦＰＲ４０００）を５μｍの厚さになるようにコーティングした後、９０℃にてプリベークをした。次に、所望のパターン（後述）を有するパターン露光用フォトマスクを介して両面からパターン露光を行い、その後１％水酸化ナトリウム溶液で現像処理を行った後に、水洗およびポストベークを行い、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン３を得た。なお、銅基材１´の一方の面側（半導体素子が搭載される面であり、以下「主面側」と記す）には、半導体素子搭載用のダイパッド７と、配線パターンを形成するためのレジストパターン３、銅基材１´の他方の面（以下「反対面」と記す）には、接続用の電極パッド５形成用のレジストパターンを形成した。
【００３７】
ここで、上記レジストパターン３について詳述する。その様子を図３、図５、図６に模式的に示す。図３（ａ）、図５は主面、図３（ｂ）、図６は反対面の様子を示している。主面中央付近には、半導体素子搭載用のダイパッド７のパターンを配置した。ダイパッド７は、半導体素子の発する熱を、外部に放出する役割も担うため、基本的に銅基材１´をエッチングせずにそのまま残す部分である。ただし、外周のサイズを僅かに変えて、ダイパッド７の断面にテーパーをつけ、絶縁樹脂９との接触面積を増加させて密着性を高めるため、反対面において主面より僅かに寸法を小さくし、中央の位置を変えないで、ダイパッド７の裏面としてレジストパターンを形成している。
【００３８】
主面のダイパッド７の四隅からは、それぞれ基板ピース（多面付けされたリードフレームからＬＧＡ１個を切り出したもの）の最寄りの四隅の方向に、放射状に延びている吊りリード１９のパターンを配置した。吊りリード１９については、銅基材１´の厚さ方向中途までの厚さとするため、反対面の対応する位置には、レジストパターンは入っていない。吊りリード１９のパターンは、基板ピース外周の位置にて、タイバー２０につながる。タイバー２０は、基板ピース外周とその位置を同一とし、樹脂充填時の流路を確保するため、銅基材１´の厚さ方向途中までの厚さとなっており、反対面に対応するレジストパターンはない。主面において、タイバー２０からつながった状態で、ダイパッド７の方向に逆放射状にリード４のレジストパターンを配置した。リード４はダイパッド７の方向には延びるが、ダイパッド７とは接続しない。リード４の厚さは、銅基材１´の厚さより小さく設定され、反対面の対応する位置には、リード４のレジストパターンは形成しなかった。リード４は、基板ピースの４辺のそれぞれに対して、各１６本の計６４本を配置した。
【００３９】
リード４の両端のうち、タイバー７に接続しているほうに電極パッド５のレジストパターンを配置した。電極パッド５の厚さは、銅基材１´の厚さと同一とし、主面側においては、リード４のレジストパターンは電極パッド５も兼ね、反対面においては、角を丸くした長方形の形状にてレジストパターンを配置した。リード４のもう一端においても、同様に銅基材１´と同じ厚さの支持用パッド６のレジストパターンを配置したが、こちらは絶縁樹脂充填時に、リード４が金型から浮かないようにリード４の両端のバランスをとるためのものなので、将来において、電極としての機能を持つことはない。こちらの支持用パッド６は、その配置する位置において、リード４の間隔が詰まっているため、短絡をさけるため、リード４の反対側の電極パッド５よりも小さく設定した。
【００４０】
レジストパターンの形成後は、塩化第二鉄溶液を用いて、銅基材１´の両面からエッチング加工を施した。エッチングする深さとしては、銅基板１´の片面からエッチングした場合、２００μｍの銅基材１´が７０μｍの厚さになるように条件設定したうえで、両面を同時にエッチングした。塩化第二鉄溶液の比重は１．３８、温度は５０℃とした。さらに両面のレジストの剥離を行い、エッチングした基板フレームを得た。このエッチング処理によって、基板フレームの主面にはダイパッド７とリード４、吊りリード１９、タイバー２０が形成され、基板フレームの反対面には、ダイパッド裏面８と電極パッド５、加えて、リード４上にて、電極パッド５の反対の端に、電極パッド５より小さな支持用パッド６が形成された。
【００４１】
次に、トランスファーモールド工法による絶縁樹脂充填のため、金型の所定の位置に収まるよう、銅基材の断裁を行った。断裁の結果、銅基材は、巾９０ｍｍ、長さ３００ｍｍの短冊状の基板フレームとなった。
【００４２】
次いで、図８に示すように、基板フレームに、以下のようにトランスファーモールド加工を行った。まず基板フレームを、基板主面を下にした状態にて下金型２２にセットする
。下金型２２には、基材フレームの厚さと同じ深さで、平面視での大きさもほぼ同じ（若干大きい）凹部と、それにつながる樹脂導入のための溝部が形成されている。それから、研磨した水平面を基板フレームに接触した面として持つ、蓋上の構造の上金型２１をかぶせ、型締めをする。
【００４３】
次いで、金型外部のプランジャー部に、固形のエポキシ樹脂２３をセットし、加圧加温しながら溶融した絶縁樹脂であるエポキシ樹脂を、金型の注入口２７から金型内部に充填した。金型内の空隙の大きさ、厚さは、基板フレームとほぼ同一であるので、絶縁樹脂は、基板フレームのうち、前工程のエッチングにて金属が除去された部分を埋めるように充填される。
【００４４】
次いで、エポキシ樹脂の固化をまって上金型２１を開け、下金型２２より樹脂充填された基板フレームを取り出した。基板フレームには、エポキシ樹脂を金型の外から金型内部、金型内の凹部へと誘導するための流路に残った絶縁樹脂が固化して付着しているので、その部分は、手作業にて取り除いた。これ以外には、基板フレームに付着した厚い絶縁樹脂の付着（厚い樹脂バリ）は認められなかった。
【００４５】
続いて、基板フレームに充填されたエポキシ樹脂を完全に固化させるために、ポストベークを行った。ポストベークの条件としては、１５０℃のオーブン内で、２時間加熱した。
【００４６】
この状態の基板フレームにおいては、エポキシ樹脂はほぼ面一の状態で基板フレームの金属除去部を埋めているが、金型内での基板フレームの表面への僅かな染み出しは、ほぼ不可避のものであり、それが樹脂バリとなって、ごく薄く基板フレームの各部に付着している。これは、後のメッキ工程や、基板フレームが完成し、リードフレームとし半導体素子を実装してからの接続において、不良の発生原因となるため、除去しなければならない。
【００４７】
そこで、樹脂充填工程、ポストベークに続いて、樹脂バリ除去工程を行った。工法としては、まずアルカリ溶液（ＮａＯＨ５０ｇ／Ｌを主成分とする。）を５０℃に加温した膨潤処理液中を搬送しながら、２Ａ／ｄｍ２の電流密度の中を通し、その滞留時間が２分となるように搬送速度を調整した。そして、インライン装置上で、続いて１０ＭＰａの水圧での高圧水洗を行い膨潤した樹脂バリを洗い流した。この工程により、基板フレームに付着したエポキシ樹脂を除去した。
【００４８】
そして、基板フレーム毎に、露出した金属面に対し、無電解ニッケル／パラジウム／金めっき形成法による表面処理を施した。基板フレームへのめっき層の形成は、電解めっき法が適用可能である。しかし、電解めっき法では、めっき電流を供給するためのめっき電極の形成が必要になり、めっき電極を形成する分、配線領域が狭くなり、配線の引き回しが困難になる。そのため、本実施例では、電極の形成が不要な、無電解ニッケル／パラジウム／金めっき形成法を採用した。
すなわち、金属面に酸性脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄、パラジウム触媒活性処理、プレディップ、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきにより、めっき層１０を形成した。めっき厚さはニッケルが３μｍ、パラジウムが０．２μｍ、金が０．０３μｍとした。使用しためっき液は、ニッケルがエンプレートＮＩ（メルテックス社製）、パラジウムがパウロボンＥＰ（ロームアンドハース社製）、金がパウロボンドＩＧ（ロームアンドハース社製）である。以上をもって、所望の樹脂付リードフレーム型電子基板を得た。
【００４９】
〔比較例１〕
図４に示したように銅基材１´へのレジストパターンの形成において、リード４の両端のうち、タイバー２０から遠い端のほうに、支持用パッド６を設けず、タイバー２０の側の電極パッド５のみとした。それ以外は、実施例と全く同じ方法にて、樹脂付リードフレーム型電子基板を得た。
【００５０】
エッチング後の銅基材１´への樹脂充填工程の後において、基板フレーム主面側のリード４上への樹脂バリを観察した。後の樹脂バリ除去工程において、除去できれば問題はないと判断し、上記の樹脂バリ除去条件にてバリ取りを行った後に、残留しているものに関して、実体顕微鏡で観察のうえ、その数をカウントした。結果として、各１０枚のフレームについて、不良箇所の数は、比較例において、２２、３４、１９、１７、３１、４０、２５、２９、３１、２６箇所であったのに対し、実施例においては、１枚のみ２箇所の不良部が認められ、他に不良部は認められなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上のように本発明によれば、半導体素子を実装するための半導体基板、特にリードフレームを歩留まりよく製造することが可能となる。
【符号の説明】
【００５２】
１    金属基材
１´  銅基材
２    感光性レジスト
３    レジストパターン
４    リード
５    電極パッド
６    支持用パッド
７    ダイパッド
８    ダイパッド裏面
９    絶縁樹脂
１０  めっき層
１１  半導体素子
１２  平坦部（ダイパッド）
１３  メタルワイヤー
１４  保持材
１５  取り出し電極
１６  固定用樹脂
１７  モールド用樹脂
１８  リードフレーム裏面
１９  吊りリード
２０  タイバー
２１  上金型
２２  下金型
２３  固形樹脂
２４  下金型からのリードの浮き
２５  溶融した絶縁樹脂
２６  溶融した絶縁樹脂の流れ込み
２７  注入口
【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図８】
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【図９】
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