(57)【要約】【課題】  本発明は、取得画像から比較対象となる参照画像と試料画像を抽出して比較検査を行う場合に、対称性の崩れたパターンであっても高精度に比較検査を行うことが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。【解決手段】  上記目的を達成するために本発明では、画像信号に基づいて、比較検査を行う演算装置を備えた荷電粒子線装置であって、画像から第１の部分領域と第２の部分領域を抽出し、第１の領域の部分画像と第２の領域の部分画像とを相対的に回転させて相関値を求め、当該相関値が所定の条件を満たす当該第１の領域の部分画像と当該第２の領域の部分画像の相対角にて、当該第１の領域の部分画像と当該第２の領域の部分画像との差画像演算を行う荷電粒子線装置を提案する。【選択図】  図３
2015002000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを試料に照射することによって得られる画像信号に基づいて、比較検査を行う演算装置を備えた荷電粒子線装置において、
当該演算装置は、前記画像の第１の部分領域と第２の部分領域を抽出し、当該第１の領域の部分画像と第２の領域の部分画像の少なくとも一方を他方に対して相対的に回転させて相関値を求め、当該相関値が所定の条件を満たす当該第１の領域の部分画像と当該第２の領域の部分画像の相対角にて、当該第１の領域の部分画像と当該第２の領域の部分画像との差画像演算を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１において、
磁気ヘッドが形成された試料を搭載する試料ステージを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記演算装置は、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域の重心位置を求め、当該重心位置を回転軸として、前記第１の部分領域及び前記第２の部分領域の少なくとも一方を回転させることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記演算装置は、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域の重畳部分について選択的に相関値を演算することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記演算装置は、前記第１の部分領域と前記第２の部分との相対回転角度が１８０度となるように、前記第１の部分領域及び第２の部分領域の少なくとも一方を回転させることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
請求項１において、
第１の部分領域と第２の部分領域は、前記試料上に形成されたパターンを形成する複数のエッジの内、１つを選択的に含むように設定されることを特徴とする荷電粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線装置に係り、特に磁気ヘッドを測定、或いは検査対象とする荷電粒子線装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子顕微鏡に代表される荷電粒子線装置は、微細な対象物の測定や検査に用いられている。その用途の一例として、磁気ヘッドの製造工程管理がある。例えば特許文献１には磁気ヘッドを測定対象とする荷電粒子線装置が開示されている。また、特許文献２には、シャドウマスクのような試料について、中心軸に対して対称位置にある２つの検査領域の画像間の２次元相関計数を求め、２次元相関計数が最大となる位置にひとつの検査領域の画像データをソフト的に移動し、重ね合った画像の差画像を求めることが説明されている。これによって、検査対象物の孔の大小や孔詰まりを検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１２５９６号公報
【特許文献２】特開平１０−１４２１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
昨今、磁気ヘッド上に異物や酸化物の付着が認められるようになってきた。酸化物等は磁気ヘッドの性能に大きな影響を及ぼすため、製造工程における早期の発見が重要である。磁気ヘッドの製造工程や出来栄えを管理する際に、特許文献１に説明されているように、電子顕微鏡を用いて、特定の位置に視野を合わせた上で、観察を行うことは有効な手法である。しかしながら、酸化物の発生位置はランダムであり、例えばパターン間の寸法測定に基づく管理を行うことはできない。そのため、参照画像を用いた比較検査によって、酸化物等の特定を行うことが望ましいが、製造工程にてパターンに形状変化（プロセス変動）が発生する場合、参照画像と試料画像との間に乖離が生じ、その乖離分を欠陥と見做してしまう可能性もある。
【０００５】
一方、磁気ヘッドは電子顕微鏡画像等で確認をすると、左右対称形状であることが多く、例えば左右形状を比較する比較検査によって、同じプロセス条件で作成された参照画像と試料画像を用いて、欠陥抽出を行うことができるが、上述のようなプロセス変動によって、その左右の対称性が崩れ、比較検査が上手くできない場合がある。特許文献２には、対称性が崩れたパターンの比較検査を如何に行うかは何ら論じられていない。
【０００６】
以下に、取得画像から比較対象となる参照画像と試料画像を抽出して比較検査を行う場合に、対称性の崩れたパターンであっても高精度に比較検査を行うことを目的とする荷電粒子線装置について説明する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための一態様として以下に、荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを試料に照射することによって得られる画像信号に基づいて、比較検査を行う演算装置を備えた荷電粒子線装置であって、当該演算装置は、画像の第１の部分領域と第２の部分領域を抽出し、当該第１の領域の部分画像と第２の領域の部分画像の少なくとも一方を他方に対して相対的に回転させて相関値を求め、当該相関値が所定の条件を満たす当該第１の領域の部分画像と当該第２の領域の部分画像の相対角にて、当該第１の領域の部分画像と当該第２の領域の部分画像との差画像演算を行う荷電粒子線装置を提案する。
【発明の効果】
【０００８】
上記構成によれば、対称性の崩れたパターンであっても、取得画像から２つの部分画像を抽出して比較する比較検査を高精度に実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】異物、酸化物、欠陥等を検出する検出装置の概要を示す図。
【図２】欠陥検出の処理工程を示すフローチャート。
【図３】差分画像の算出原理を説明する図。
【図４】エッジ画像の位置合わせの処理工程を示すフローチャート。
【図５】結果表示用ＧＵＩ画面の一例を示す図。
【図６】ＲＯＩ指定用ＧＵＩ画面の一例を示す図。
【図７】欠陥検査機能を備えた走査電子顕微鏡の一例を示す図。
【図８】測定、検査装置の概要を示す図。
【図９】欠陥検出の処理工程を示すフローチャート。
【図１０】ＲＯＩ選択を自動で行う場合の欠陥検出の処理工程を示すフローチャート。
【図１１】画像の右或いは左を反転させて一致度を評価する例を示す図。
【図１２】対称領域と非対称領域を輝度プロファイルを用いて判断する例を示す図。
【図１３】回転画像と非回転画像との差画像演算を行う工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置では、荷電粒子を試料に照射し、試料から放出した電子に基づいて画像を作成し、試料に生成したパターンの寸法測定を行っている。しかし、測定結果が期待値と異なる場合であっても、その寸法変動がパターン自体の変形を意味するものなのか、製造過程で付着した異物や酸化による欠陥であるのか、その区別をすることは難しい。実際に目視すればパターン異常か酸化物かの特定ができる場合であっても、自動測定時は信号波形に基づく判断を行うため、両者を識別できない場合があった。
【００１１】
そこで、実施例では、磁気ヘッド等の測定、或いは検査対象試料のヘッド部分の形状がパターン形状を中心として軸対称であることを利用して、取得画像から対称軸によって分割される第１の領域と第２の領域のそれぞれに含まれる第１の部分画像と第２の部分画像を比較する検査法、及び当該検査を実現する荷電粒子線装置を説明する。一方、磁気ヘッドの形状は大よそ軸対称であるが、製造プロセスの変動等の理由により軸対称ではない場合があり、この場合、上記第１の部分画像と第２の部分画像とを単に比較してしまうと、パターンの非対称部分を異物と見做してしまう場合がある。本実施例では、プロセス変動等に起因する対称性の低下にも対応が可能なパターンの対称性を利用した比較検査法、及び当該検査を実現する荷電粒子線装置を説明する。
【００１２】
荷電粒子線装置は、パターンが生成された試料上に荷電粒子線を照射し、試料上から放出された電子、或いは当該電子が他部材に衝突することによって得られる電子を検出器で検出し、画像に変換する装置である。荷電粒子線装置は、得られた画像に基づいて、パターン上の決められた箇所の線幅やホールの直径などの寸法を計算し、測定結果として出力することを可能とする装置である。
【００１３】
また、測定箇所に異物や酸化などによる欠陥が存在する場合、製品性能が低下するため、有効的に検出する必要がある。しかし、線幅を測定する際に、一定領域で平均値を求めるため、線分上に欠陥が存在しても、平均値計算により、検出することができない。前述の検査装置は最終製品の品質良否検査に用いるため、出荷製品の品質の信頼性にかかわる装置である。したがって、前述の検査装置において、寸法の測定と同時に欠陥の検出が望まれる。
【００１４】
特に、磁気ヘッドのパターンには、均一の磁場を生成するため、多くの場合は、対称性のあるパターンが設計に用いられる。しかし、製造過程の条件により、一定程度の変形が存在し、画像中心を基準とする対称性が崩れることがある。このため、対称性を利用した比較検査を行いつつも、対称性が崩れたパターンにも対応可能な欠陥検出法が望まれる。
【００１５】
以下、図面を用いて画像にＲＯＩ(Ｒｅｇｉｏｎ  Ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇ)を指定し，ＲＯＩ部分の画像のみを抽出し，エッジ画像で位置合わせした上で，差画像で欠陥判定を行う荷電粒子線装置について説明する。
【００１６】
ＲＯＩを設定し、位置合わせを行いつつ、ＲＯＩの選択的な比較を行うことによって、対称性が崩れたパターンであっても、パターンの対称性を利用した比較検査を行うことができる。また、以下に説明する実施例によれば、線幅の寸法を計算すると同時に、欠陥の検出が可能となる。また、ＲＯＩ領域間の対称軸を自動的に求められるので、製造工程で変形パターンにも対応可能となる。
【００１７】
図１は、欠陥、異物、或いは部分的に酸化した部位を特定する欠陥検査装置の概要を示す図である。電子光学筐体部１０１は、荷電粒子を用いた検査装置であり、荷電粒子を試料に照射することにより試料表面の画像を取得することができる。電子光学筐体部１０１で取得した画像は、画像入力部１０２により取得する。画像入力部１０２で取得した画像は、記憶部１０５に格納することができる。電子光学筐体部１０１、画像入力部１０２を用いて計測した画像は、補正条件入力部１０３より入力した補正条件により、欠陥検出部１０４で欠陥検出を行い、欠陥検出の結果を画像出力部１０６により出力する。
【００１８】
図７は、欠陥検査機能を備えた走査電子顕微鏡の一例を示す図である。電子源７０１から引出電極７０２によって引き出され、図示しない加速電極によって加速された電子ビーム７０３は、集束レンズの一形態であるコンデンサレンズ７０４によって、絞られた後に、走査偏向器７０５により、試料７０９上を一次元的、或いは二次元的に走査される。電子ビーム７０３は試料ステージ７０８に内蔵された電極に印加された負電圧により減速されると共に、対物レンズ７０６のレンズ作用によって集束されて試料７０９上に照射される。なお、本実施例の試料ステージ７０８は、磁気ヘッドを観察対象とすべく、磁気ヘッドが形成された試料の搭載が可能となっている。
【００１９】
電子ビーム７０３が試料７０９に照射されると、当該照射個所から二次電子、及び後方散乱電子のような電子７１０が放出される。放出された電子７１０は、試料に印加される負電圧に基づく加速作用によって、電子源方向に加速され、変換電極７１２に衝突し、二次電子７１１を生じさせる。変換電極７１２から放出された二次電子７１１は、検出器７１３によって捕捉され、捕捉された二次電子量によって、検出器７１３の出力が変化する。この出力に応じて図示しない表示装置の輝度が変化する。例えば二次元像を形成する場合には、走査偏向器７０５への偏向信号と、検出器７１３の出力との同期をとることで、走査領域の画像を形成する。
【００２０】
走査偏向器７０５には、視野内の二次元的な走査を行う偏向信号に加え、視野を移動させるための偏向信号が重畳して供給されることがある。この偏向信号による偏向はイメージシフト偏向とも呼ばれ、試料ステージによる試料移動等を行うことなく、電子顕微鏡の視野位置の移動を可能とする。本実施例ではイメージシフト偏向と走査偏向を共通の偏向器によって行う例を示しているが、イメージシフト用の偏向器と走査用の偏向器を別に設けるようにしても良い。
【００２１】
なお、図７の例では試料から放出された電子を変換電極にて一端変換して検出する例について説明しているが、無論このような構成に限られることはなく、例えば加速された電子の軌道上に、電子倍像管や検出器の検出面を配置するような構成とすることも可能である。
【００２２】
制御装置７２０は、走査電子顕微鏡の各構成を制御すると共に、検出された電子に基づいて画像を形成する機能や、ラインプロファイルと呼ばれる検出電子の強度分布に基づいて、試料上に形成されたパターンのパターン幅を測定する機能を備えている。
【００２３】
また、図７に例示する走査電子顕微鏡には、試料室７０７に試料を導入するときに、試料雰囲気を予備排気する予備排気室７１５と、空気清浄空間を形成するミニエン７１７が設置されている。更に、それらの空間の間には真空封止を行うための真空バルブ７１４、７１６が設けられている。
【００２４】
電界形成用電極７１８には、制御装置７２０からの指示により、正或いは負の電圧が印加され、試料７０９の表面電界が制御される。通常、電界形成用電極７１８は、試料７０９から放出される電子を電子源１０１に向かって引き上げる電界を形成したり、エネルギーの低い電子を追い返すための電界を形成するために用いられる。
【００２５】
図８は、図７に例示した電子顕微鏡８０１、制御装置７２０、演算処理装置８０２、及び演算装置８０２へ所定の情報を入力するための入力装置８０３を含む測定、検査装置の概要を示す図である。
【００２６】
演算処理装置８０２には、画像データの所望の位置にＲＯＩを設定するＲＯＩ設定部８０４、及びＲＯＩ設定部８０４によって設定されたＲＯＩをテンプレート化するテンプレート作成部８０５が含まれている。また、テンプレート作成部８０５によって形成されたテンプレートは、マッチング処理実行部８０６におけるマッチング処理に用いられる。マッチング処理実行部８０６には、テンプレートを画像データに対して相対的に移動させるテンプレート移動処理部８０７、テンプレートによるサーチ領域の中で画像データとテンプレートとの間の一致度（相関値）を演算する一致度演算部８０８、及びサーチ領域内の各位置において一致度が所定の条件を満たすか否かを判定する閾値判定部８０９が含まれている。テンプレート移動処理部８０７では、テンプレートを画像データに対して相対的に二次元方向（Ｘ−Ｙ方向）に移動させるだけではなく、回転をさせることもできる。欠陥検出部８１０には、テンプレートと画像データ或いは複数の画像データ間の差分演算を行う差画像演算部８１１、及び差画像の中から所定の条件を満たすものを欠陥として同定する欠陥抽出部８１２が含まれる。また、演算処理装置８０２に内蔵されるメモリ８１３には、後述する測定、検査を自動的に実行するための動作プログラムであるレシピや、欠陥検出部８１０によって検出された欠陥とその関連情報（座標、大きさ、形状等）が関連付けて記憶されるデータベースが登録されている。
【００２７】
図２は，欠陥検出の処理工程を示すフローチャートである。寸法測定用画像を撮像するステップ２０１，ＲＯＩを指定するステップ２０２，ROI部分画像を抽出するステップ２０３，エッジ画像を算出するステップ２０４，エッジ画像間での位置合わせをするステップ２０５，差分画像を算出するステップ２０６，欠陥を検出するステップ２０７からなる。
【００２８】
まず，ステップ２０１で撮像された画像（図３での３０１）において，ユーザが補正条件入力部１０３を使用して，ＲＯＩ領域（図３での３０２，３０３）を指定する。その後，欠陥検出部１０４において，ＲＯＩ部分画像を切り出して，エッジ画像の算出２０４では部分画像３０４のエッジ画像３０６を算出する。部分画像３０５のエッジ画像３０７を算出する。ステップ２０５では，２枚の部分画像３０６と３０７間で片方を固定とし，もう片方を回転しながら，相関値を取得する。ステップ２０６では，ステップ２０５で取得した相関値が最大であるときの部分画像３０８とする。ステップ２０６では，部分画像３０６と部分画像３０８間で差分画像３０９を算出する。ただし，前述の差分画像３０９は，部分画像３０６と部分画像３０８の重ね合わせた領域のみから得られた差分画像とする。ステップ２０７では，差分画像３０９中の輝度値が高い局部を欠陥と判定し，その結果を画像出力部１０６に送る。
【００２９】
より具体的な例を図９のフローチャートに沿って説明する。まず、磁気ヘッド等の対象試料の画像を、電子顕微鏡８０１を用いて取得する（ステップ９０１）。取得画像は演算処理装置８０２に送られる。ＲＯＩ設定部８０４では、得られた画像情報について、予め設定されているＲＯＩ座標情報、或いは入力装置８０３にて設定される任意の領域にＲＯＩを設定し、当該領域の画像データを抽出する（ステップ９０２）。この抽出画像データは比較検査のための参照画像（テンプレート）とすべく、テンプレート作成部８０５にてテンプレート化される。例えば図３の例では部分画像３０４、３０５の少なくとも一方を参照画像とすべく、画像データを登録する。次に、テンプレート移動処理部８０７は、テンプレート化された部分画像３０４、３０５のいずれか一方（或いは両方）を、他方に重ねるように移動を行うと共に、相対的に回転させることによって、位置合わせを実行する（ステップ９０３）。この際、回転角を特定するために、一致度演算部８０８では回転角度ごとに一方がテンプレート化された部分画像３０４、３０５の重畳部分について一致度を求め、所定一致度が得られるまで（例えば所定の閾値以上の一致度が得られるまで）、或いは所定数の回転処理が終了するまで、ステップ９０３とステップ９０４を繰り返す。
【００３０】
所定一致度が得られた回転角、或いは一致度が最も高い回転角における２つの部分画像の差画像演算を行い、その差分を欠陥として同定する（ステップ９０５、９０６）。同じ画像内の同じパターンで比較対象となる複数の部分画像を抽出しているので、欠陥、異物、酸化物が存在する領域以外での一致度が高く、結果として高精度な比較検査を行うことができる。また、本実施例では、パターン、下地、及びパターンのエッジの一方を選択的に含むように部分画像を形成しているため、左右のパターンの太さに違いがある場合であっても、左右のパターンの比較検査を行うことが可能となる。
【００３１】
次に、磁気ヘッド等のある程度の左右対称性があるパターンの酸化物等の検出に好適な検出法について説明する。図１０は、その検出工程を示すフローチャートである。まず、図１１に例示するようなＳＥＭ画像１１０１を取得する（ステップ１００１）。ＳＥＭ画像１１０１には、パターン１１０２が表示されている。次に、対称軸１１０３を基準として左画像１１０４、或いは右画像１１０５を反転させ、その反転画像と反転させていない他方の画像を重畳して、反転重畳画像１１０６を作成する（ステップ１００２）。次に、反転画像と非反転画像間の一致度を求め（ステップ１００３）、Ｙ方向に異なる位置のそれぞれの一致度を評価する（ステップ１００４）。Ｙ方向の一致度は、例えば、Ｙ方向について同じ座標にある複数の画素の一致度の統計値を求めることによって算出する。
【００３２】
ここでパターン１１０２が完全に左右対称であれば、Ｙ方向のいずれの位置でも高い一致度が得られる筈である。よって、Ｙ方向全体に亘って所定の閾値１１０８以上の一致度が得られる場合には、左画像１１０４と右画像１１０５全体をＲＯＩとして（ステップ１００８）、一方を反転することによる比較検査を行う。
【００３３】
一方、パターン１１０２が非対称である場合には、その非対称部位の特定を行う（ステップ１００５）。なお、パターン１１０２には対称性の評価を行うに当たり、４種類の画像領域がある。パターンが形成されていない領域（背景）であり、一致度が高い領域（Ａ）、対称軸１１０３を中心にパターンが対称に配置されているため一致度が高い領域（Ｂ）、パターンが非対称であるため、一致度の低い領域（Ｃ）、及びパターン形状は対称であるけれども、対称軸１１０３とパターンの中心が一致していないために一致度が低い領域（Ｄ）が、反転重畳画像１１０６に含まれている。領域（Ｃ）は不一致部分１１０７が存在するため、相対的に一致度が低くなっている。
【００３４】
領域（Ａ）、（Ｂ）に関しては、左右が対称であるので、左右いずれか一方の反転画像と、他方の非反転画像の差画像を作成して、欠陥検出を行うようにする。また、領域（Ｃ）、（Ｄ）については例えば図１２に例示するような手法を用いてその後の適切な検査法を選択するようにする。図１２は、Ｙ方向の位置（１２０１、１２０２、１２０３、１２０４）ごとに、輝度プロファイル（１２０５、１２０６、１２０７、１２０８）を作成した例を示す図である。
【００３５】
領域（Ｃ）の位置１２０１、１２０２、１２０３では、パターンが２つ存在するため、輝度プロファイル波形に２つの凸部ができる。一方、領域（Ｄ）ではパターンが1つ存在するため、輝度プロファイルに１つの凸部ができる。閾値判定等により凸が１つできるのか、２つできるのかを判断基準として、領域（Ｃ）、領域（Ｄ）を識別する。
【００３６】
領域（Ｄ）については例えば、対称軸１１０３をＸ方向に移動させつつ一致度を求め、一致度が所定値以上となった画像領域については、その対称軸位置にて画像を反転させ、差画像演算を行うことによって、欠陥検出を行う。また、領域（Ｃ）については、任意のＲＯＩ設定に基づいて、図３に例示したような手法を用いて差画像演算を行うようにしても良いが、図１３に例示するようなＲＯＩ抽出に基づく差画像演算を行うようにしても良い。図１３は領域（Ｃ）に属するパターンと、当該パターンを１８０度回転したパターンとの差画像演算に基づいて欠陥検出を行っている例を示している。即ち、図１３の例では第１の部分領域と第２の部分領域は同じ領域から取得される。ＲＯＩ１３０１の抽出は、例えばＹ方向については輝度プロファイルについて２つの凸が抽出できる範囲を抽出する。
【００３７】
Ｘ方向については例えば２つの凸部が現れる複数の輝度プロファイルの内、一方の最も右側に凸部が現れる輝度プロファイル１２０５の凸部中心１２０９と、最も左側に凸部が現れる輝度プロファイル１２０７の凸部中心１２１０間のＸ方向の中心１２１１を抽出し、当該Ｘ方向の中心１２１１から、ＳＥＭ画像１１０１の縁部までの距離１２１５、或いはＸ方向の中心１２１１から左側の凸部１２１１とベースライン１２１３との境界１２１４（或いは当該境界１２１４から所定量右よりの位置）までの距離１２１６に基づいて、ＲＯＩ１３０１のＸ方向の大きさを決定する。Ｘ方向の中心１２１１を基準として、左右に向かって、距離１２１５或いは距離１２１６分の範囲を、ＲＯＩ１３０１のＸ方向の長さとして設定する。
【００３８】
以上のようにして設定されたＲＯＩ１３０１について、ＲＯＩ１２０１の中心１３０２を回転軸として、ＲＯＩ１３０１を１８０度回転し、回転したＲＯＩ１３０３と回転前のＲＯＩ１３０１間で差画像演算１３０４を行う。このような差画像演算によって、予め参照画像を取得することなく、酸化物等の同定を行うことができる。
【００３９】
以上のように、パターンの種類に応じた差画像を演算するためのＲＯＩを選択（ステップ１００６）し、パターンの種類に応じた移動、回転、反転処理（ステップ１００７）を行った上で、差画像演算（ステップ１００９）を行うことによって、欠陥抽出（ステップ１０１０）を実行する。
【００４０】
以上のような構成によれば、自動的なＲＯＩの設定と、欠陥検出を行うことが可能となる。
【００４１】
なお、図２にて例示した欠陥検出の処理工程のエッジ画像間の位置合わせステップ２０５では，図４に例示するように、部分画像３０６と３０７の重心を計算し，重心位置を重ねるように，部分画像３０６を固定とし，部分画像３０７を平行移動するようにしても良い。そして，重心を回転中心として，部分画像３０７を０から１８０度の間で回転し，部分画像３０６との重複領域のみから，相関値を求める。ステップ２０６では，最大相関値を持つ角度で部分画像３０６と３０７を重ね合わせて，差分画像を算出することによっても欠陥検出が可能である。
【００４２】
また、図２に例示した差分画像の算出ステップ２０６では，部分画像３０６と部分画像３０８との差分画像を求めるが，両部分画像が重なった領域のみを欠陥検出対象とするために，両部分画像が重なった領域にユニークなフラグを使用することもできる。ステップ２０７では，ユニークなフラグが設定された画素のみを処理対象とし，欠陥検出を行うことが可能となる。
【００４３】
更に、図２に例示した欠陥の検出ステップ２０７では，ユーザによって指定された閾値を基準として，差分画像中の画素の輝度が閾値を越えた場合，欠陥とすることで，欠陥を検出できる。しかし，寸法測定用画像撮像ステップ２０１で撮像された画像に多くのノイズが含まれるため，画素単位での欠陥判定は，ノイズによって変化する可能性がある。閾値を越えた画素で，一定面積以上接続している場合のみ，欠陥と判定することで，より安定的に欠陥を判定できる。
【００４４】
なお、図１に例示した検査装置の画像出力部１０６では，結果表示用画面５０１のように，寸法測定用画像とともに，被検査基板の全体結果を表示することが可能である。測定箇所欄５０２では測定箇所の位置情報を表示する。画像表示エリア５０３では，基板の全体図，または，寸法測定用画像を表示することが可能となる。測定結果表示エリア５０４では，基板に存在するチップの番号，測定した寸法と欠陥の情報を表示できる。
【００４５】
また、図２に例示したＲＯＩの指定ステップ２０２では，図６のようなＧＵＩで容易にＲＯＩ領域を指定することができる。ＲＯＩ指定用画面６０１はＲＯＩ指定用画像表示エリア６０２，ＲＯＩ登録ボタン６０３，ＲＯＩ削除ボタン６０４，ＲＯＩ情報表示エリア６０５から構成される。ＲＯＩ指定用画像表示エリア６０２でＲＯＩを指定し，ＲＯＩ登録ボタン６０３を押すことで，登録可能である。登録済みのＲＯＩ情報はＲＯＩ情報表示エリア６０５で閲覧できる。また，ＲＯＩ削除ボタン６０４を押すことで指定したＲＯＩ情報を削除できる。
【符号の説明】
【００４６】
１０１…電子光学筐体部
１０２…画像入力部
１０３…補正条件入力部
１０４…欠陥検出部
１０５…記憶部
１０６…画像出力部
２０１…寸法測定用画像撮像ステップ
２０２…ＲＯＩの指定ステップ
２０３…ＲＯＩ部分画像の抽出ステップ
２０４…エッジ画像の算出ステップ
２０５…エッジ画像間の位置合わせステップ
２０６…差分画像の算出ステップ
２０７…欠陥の検出ステップ
３０１…寸法測定用画像
３０２…ＲＯＩ領域１
３０３…ＲＯＩ領域２
３０４…ＲＯＩ部分画像１
３０５…ＲＯＩ部分画像２
３０６…ＲＯＩ部分画像１のエッジ画像
３０７…ＲＯＩ部分画像２のエッジ画像
３０８…ＲＯＩ部分画像２のエッジ画像の回転後画像
３０９…部分画像の差分画像
４０１…重心の計算ステップ
４０２…重心で位置合わせステップ
４０３…部分画像の回転ステップ
４０４…部分画像間の相関値計算ステップ
４０５…回転角度の判定ステップ
５０１…結果表示画面
５０２…測定箇所欄
５０３…画像表示エリア
５０４…測定結果表示エリア
６０１…ＲＯＩ指定用画面
６０２…ＲＯＩ指定用画像表示エリア
６０３…ＲＯＩ登録ボタン
６０４…ＲＯＩ削除ボタン
６０５…ＲＯＩ情報表示エリア
【図１】
2015002000.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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