(57)【要約】【課題】ステップ処理を行うことなく一定のエッチング条件でのエッチングを行うだけで、端子電極が露出されるＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法を、提供する。【解決手段】  基板１上には、表示部の有機発光素子に導通している複数の金属電極２からなる端子領域６が形成される。次に、表示部及び端子領域６の表面上に、第１Ｓｉ含有無機層、有機樹脂層及び第２Ｓｉ含有無機層からなる積層封止膜が形成される。次に、表示部がマスクされ、第１Ｓｉ含有無機層及び第２Ｓｉ含有無機層に適したエッチング条件でエッチングが実行され、金属電極２上の第１Ｓｉ含有無機層及び第２Ｓｉ含有無機層が除去され、金属電極２の表面が露出される。【選択図】図２
2015065025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
当該基板上に形成された複数の有機発光素子を含む表示部と、
前記基板上に縞状に形成され、かつ、他の基板上の電極にそれぞれ導通可能な複数の電極と、
前記表示部上に形成され、かつ、前記基板側から順に第１Ｓｉ含有無機層、有機樹脂層及び第２Ｓｉ含有無機層を有する積層封止膜とを備え、
前記積層封止膜と同じ第１Ｓｉ含有無機層及び有機樹脂層が前記複数の電極間に形成されている
ことを特徴とするＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項２】
前記第１Ｓｉ含有無機層及び有機樹脂層の間にＳｉＯ層が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項３】
前記第１Ｓｉ含有無機層及び有機樹脂層の間にアモルファスシリコン層が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項４】
前記表示部において、各有機発光素子間を区切るバンクと同じ材料の層が、前記複数の電極間に形成され、前記積層封止膜と同じ第１Ｓｉ含有無機層及び有機樹脂層は、当該バンクと同じ材料の層と各電極との間に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項５】
前記基板上には前記表示部を構成する有機発光素子に導通する配線が形成されており、
前記電極の表面と前記配線の表面にわたってＩＴＯ薄膜がコーティングされている
ことを特徴とする請求項４記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項６】
前記ＩＴＯ薄膜は、前記おり、当該ＩＴＯ薄膜は、前記各有機発光素子間を区切るバンクと同じ材料の層の表面にまで及んでいる
ことを特徴とする請求項５記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項７】
複数の有機発光素子を含む表示部を基板上に形成し、
他の基板上の電極にそれぞれ導通可能な複数の電極を前記基板上に縞状に形成し、
前記基板側から順に第１Ｓｉ含有無機層、有機樹脂層及び第２Ｓｉ含有無機層を有する積層封止膜を前記表示部及び前記複数の電極上に形成し、
前記表示部をマスクして、前記第１Ｓｉ含有無機層及び前記第２Ｓｉ含有無機層に適したエッチング条件でエッチングを行うことにより、前記複数の電極の表面を露出させる
ことを特徴とするＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、映像を表示するために多数のＯＬＥＤ（Organic light-Emitting Diode：有機発光ダイオード）が基板上にマトリクス状に形成されているとともに、外部からの映像信号や駆動電力が供給される端子群が基板上の一部に形成されてなるＯＬＥＤ基板に、関する。
【従来技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ表示パネルは、ガラスやセラミクス製の基板上に、映像を表示するためにマトリクス状に配列された多数のＯＬＥＤ（Organic light-Emitting Diode：有機発光ダイオード）からなる表示部と、当該表示部を構成する各ＯＬＥＤを選択的に駆動して映像を表示させるドライバ等の回路と、外部からの映像信号及び駆動電力をドライバに供給するフレキシブルプリント回路基板（以下、「ＦＰＣ基板」という）に接続される多数の端子電極からなる端子を形成することによって、構成されている。
【０００３】
このようなＯＬＥＤ表示パネルにおいては、ＯＬＥＤを構成する有機発光層等の耐候性を向上させて信頼性を確保するために、表示部上に積層封止膜を形成する必要がある。かかる積層封止層は、例えば、ＯＬＥＤ側から順に、ＳｉＮ膜、有機樹脂膜、ＳｉＮ膜の３層から、もしくは、ＯＬＥＤ側から順に、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ膜，有機樹脂膜、ＳｉＮ膜の４層から構成される。このように、有機樹脂膜をＳｉＮ膜によってサンドイッチする膜構造が採用されるのは、ＯＬＥＤ間を隔離するバンク上やＯＬＥＤ自体の上に異物が付着しているとＳｉＮ成膜時に異物の陰になっている部分にまでＳｉＮが回り込まない為にいわゆる段切れを生じるところ、有機樹脂は異物を包み込んで滑らかな表面形状を形成するので、その上側に形成されるＳｉＯの段切れを防ぐからである。
【０００４】
かかる積層封止膜は、本来、表示部上のみに形成されれば十分なのであるが、封止の効果を確実にするとともに膜形成工程を単純化するためには、一旦、ＯＬＥＤ表示パネルの全域にわたって積層封止膜を形成することが望ましい。その場合であっても、端子電極はＲＰＣ基板との電気接続のために露出していなければならないので、積層封止膜の形成後に、積層封止膜における端子上に形成された部分を、ドライエッチング等によって除去する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−５０４６５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したように積層封止膜は、ＳｉＮ膜及び有機樹脂膜を含んでおり、これらＳｉＮと有機樹脂膜とではエッチングに用いるプロセスガスの種類等のエッチング条件が異なるために、積層封止膜を確実に端子上から除去するためには、エッチング対象となる膜ごとにエッチング条件を切り替える、いわゆるステップ処理を実行しなければならない。このようなステップ処理を実行すると、工程時間が長くなり、エッチングに用いる装置も複雑なものが必要になり、歩留りも悪くなり、結局、コストが高騰してしまう。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、ステップ処理を行うことなく一定のエッチング条件でのエッチングを行うだけで、端子電極が露出されるＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法を、提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるＯＬＥＤ表示パネルは、基板と、当該基板上に形成された複数の有機発光素子を含む表示部と、前記基板上に縞状に形成され、かつ、他の基板上の電極にそれぞれ導通可能な複数の電極と、前記表示部上に形成され、かつ、前記基板側から順に第１Ｓｉ含有無機層、有機樹脂層及び第２Ｓｉ含有無機層を有する積層封止膜とを備え、前記積層封止膜と同じ第１Ｓｉ含有無機層及び有機樹脂層が前記複数の電極間にも形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明によるＯＬＥＤ表示パネルの製造方法は、複数の有機発光素子を含む表示部を基板上に形成し、他の基板上の電極にそれぞれ導通可能な複数の電極を前記基板上に縞状に形成し、前記基板側から順に第１Ｓｉ含有無機層、有機樹脂層及び第２Ｓｉ含有無機層を有する積層封止膜を前記表示部及び前記複数の電極上に形成し、前記表示部をマスクして、前記第１Ｓｉ含有無機層及び前記第２Ｓｉ含有無機層に適したエッチング条件でエッチングを行うことにより、前記複数の電極の表面を露出させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように構成された本発明によるＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法によれば、積層封止膜を採用しているにも拘わらず、第１Ｓｉ含有無機層及び第２Ｓｉ含有無機層に適したエッチング条件による一回のエッチングを実行するだけで、ステップ処理を行うことなく、電極上の積層封止膜を除去して、電極表面を露出させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態１によるＯＬＥＤ表示パネルの平面図
【図２】表示部の各ＯＬＥＤの部分拡大断面図
【図３】端子領域の部分拡大縦断面図
【図４】端子領域の製造工程中の部分拡大縦断面図
【図５】実施形態２による端子領域の製造工程中の部分拡大縦断面図
【図６】実施形態２による端子領域の部分拡大縦断面図
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて、本発明によるＯＬＥＤ表示パネルの実施の形態を、説明する。
（実施形態１）
【００１３】
最初に、本実施形態によって、ステップ処理を行うことなく一定のエッチング条件でのエッチングを行うだけで端子電極を露出させることができる原理を説明する。本発明者が鋭意研究した結果、アクリル樹脂には、これを塗布する下地に凸凹があると均一に成膜されずに膜厚分布を生じ、平坦部では成膜され難く、もっぱら凹んだ部分に凝集して成膜される傾向があることが判明した。この傾向は、アクリル樹脂の分子結合を促す環境が凹部と平坦部とで大きく異なることが影響していることに起因していると、推定される。同様の傾向は、ポリイミド，フェノール樹脂にも認められる。
【００１４】
そこで、本実施形態では、Ｓｉ含有無機膜の間に挟まれる有機樹脂膜としてアクリル樹脂膜を用いた。その結果、端子を構成する各端子電極の上面は平坦であってその両サイドが凹部を形成するところ、各端子の上面にアクリル膜は成膜され難く、端子上に塗布されたアクリル樹脂は端子電極の表面から端子電極間の凹部に流れ込んで当該凹部内で凝集することとなる。よって、Ｓｉ含有無機膜用のエッチング条件にてエッチングを行うことにより、各端子電極の表面を露出させることが可能になったのである。
【００１５】
次に、本実施形態によるＯＬＥＤ表示パネルの構造を、図１乃至図３に基づいて説明する。図１は、本実施形態によるＯＬＥＤ表示パネル１００の平面図であり、図２は、当該ＯＬＥＤ表示パネル１００の表示部５を構成する個々のＯＬＥＤ近傍の拡大部分縦断面図であり、図３は、当該ＯＬＥＤ表示パネル１００の個々の端子電極２の近傍の拡大部分縦断面図である。
【００１６】
図１に示されるように、平面視において、ＯＬＥＤ表示パネル１００の中央には、三原色（赤、緑、青）及び白色を夫々発することにより一つの画素をカラー表示する４個一組のＯＬＥＤ１５がマトリックス状に多数組配置され、これらＯＬＥＤ１５が選択的且つ発光量を調整して駆動されることによって画像が表示される表示エリア５が、形成されている。また、ＯＬＥＤ表示パネル１００の上面における表示エリア５の周辺領域（以下、本明細書において「額縁領域」と称する）の三か所には、表示エリア５内の各ＯＥＬＤ１５を選択的且つ発光量を調整して駆動するための駆動回路（Ｘドライバ，Ｙドライバ，シフトレジスタ等）３，４が、設けられている。
【００１７】
これらの表示エリア５、各駆動回路３，４は、一枚のガラス基板１１上に形成されている。そして、図３の拡大部分縦断面図に示すように、ガラス基板１における駆動回路３に近接した縁の近傍には、各駆動回路３，４に導通してこれら各駆動回路３，４に対して電源電圧や駆動信号を供給するともにグランドへの接地を行うための多数の配線パターン１０が、ポリシリコン薄膜によって形成されている。各配線の端部は、ガラス基板１１における近接した縁に直交する方向に長手方向を向けた短冊状の金属電極２に夫々繋がっている。そして、各金属電極２は、ガラス基板１１における上記縁に沿って縞状に並べられることによって、外部から駆動電力、駆動信号及びアース電位を供給するフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ基板）７に接続される端子領域６として、構成されている。なお、図３の拡大部分縦断面図に示すように、各金属電極２は、ＴＡＴ（Titan Aluminum Titan）層１２の表面に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）薄膜１３をコーティングした構造を有している。これは、ＦＰＣ基板７側の電極と配線パターン１０との導通性を向上させるためである。また、各金属電極２の間には、後述するバンクの生成時に残された窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）の層９が残されており、各金属電極２と窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）の層９とは離間して凹部となっている。そして、当該凹部の底に上述した配線パターン１０が露出している。上述したＩＴＯ薄膜１３は、当該凹部の底に露出した配線パターン１０に接触し、さらに、当該凹部を超えて、窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）の層９の縁にまで及んでいる。
【００１８】
また、図２に示すように、ＯＬＥＤ１５は、大きく分けて、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１４及びＯＬＥＤ層１５から構成される。ＴＦＴ層１４は、ガラス基板１１の上面上に形成された第１の絶縁層１６，当該絶縁層１６上にパターニングされて形成されたゲート配線１７，当該ゲート配線１７を覆うように形成された第２の絶縁層１８，当該第２の絶縁層を挟んでゲート配線１７の末端（ゲート電極）の上方に形成された半導体層２０，当該半導体層２０を埋設する平坦化層１９，当該平坦化層１９上にパターニングされるとともに夫々の端部が当該平坦化層１９の上面に形成されたコンタクトホール内に伸びて半導体層２０を挟んで相対している一対の配線（ソース配線２１，ドレイン配線２２），及び、各画素に対応した形状を有するようにドレイン配線２２の他端に形成された反射電極からなる陽極２３を、主要な構成要素としている。なお、ガラス基板１１の代わりに、セラミック、樹脂、メタル等の基板が用いられても良く、フレキシブル基板が用いられても良い。
【００１９】
ＯＬＥＤ層１５は、陽極２３上に、当該陽極２３と相似形を有するように形成された有機ＥＬ層２５，当該有機ＥＬ層２５を隣接する他の画素の有機ＥＬ層２５から分離するために平坦化層１９上に形成されたバンク２４，これら有機ＥＬ層２５及びバンク２４の上面に形成された透明陰極２６，及び、当該透明陰極２６を覆うように形成された積層封止膜２７を、主要な構成要素としている。この有機ＥＬ層２５は、機能分離型を採用し、スタック構造を適用し、陽極２３側から順に積層された正孔輸送層２５ａ，正孔輸送層２５ｂ，発光層２５ｃ，電子輸送層２５ｄ，及び電子注入層２５ｅから構成されている。そして、ゲート配線１７に印加された信号に応じて電界効果トランジスタ（ゲート電極，半導体１７，ソース配線２１，ドレイン配線２２）が陽極２３に供給する正孔と、透明陰極２７に供給された電子とが、夫々、正孔輸送層２５ａ及び正孔輸送層２５ｂ，電子注入層２５ｅ及び電子輸送層２５ｄを通じて発光層２５ｃに達し、当該発光層２５ｃ内で再結合することによって光を発するのである。
【００２０】
なお、積層封止膜２７は、実際には、透明陰極２６側から順に、第１ＳｉＮ含有無機膜，アクリル樹脂膜，第２ＳｉＮ含有無機膜からなる三層構造を有するが、作図の都合上、図２では、単層の様に描かれている。また、積層封止膜２７は、表示エリア５の形成箇所の他、上述した各駆動回路３，４の形成箇所を含め、端子領域６を除くＯＬＥＤ表示パネル１００の表面全域を覆っている。
【００２１】
以上のように構成されるＯＬＥＤ表示パネル１の製造工程を説明すると、最初に、基板ガラス１１上に、通常のＬＴＰＳ（Low Temperature Poly-Silicon）工程によりＴＦＴ層１４を形成する。当該ＴＦＴ層１４の半導体層２０の材料としては、アモルファスシリコンであっても良いし、酸化物半導体であっても良いし、有機半導体であっても良い。なお、このＴＦＴ層１４の形成プロセスにより、上述した配線パターンとしてのポリシリコン薄膜も、端子領域６の形成位置に形成される。
【００２２】
次に、ＴＦＴ層１４の各画素の各色の発光領域ごとに分離した陽極２３の縁を覆うことによって各発光領域を規定するバンクを、窒化シリコン（ＳｉＮ）及びシリカ（ＳｉＯ）によって形成する。即ち、ＴＦＴ層１４が形成された基板ガラス１１上の全面に、窒化シリコン（ＳｉＮ）及びシリカ（ＳｉＯ）の膜を形成した後に、エッチングを行うことにより、各発光領域に相当する位置に開口を設けて、陽極２３を露出させるとともに、端子領域６の各金属電極２の形成位置を開口させて、ポリシリコン薄膜の配線パターン１０を露出させる。
【００２３】
次に、各発光領域に相当する開口内に、夫々、有機ＥＬ層２５を形成する。この有機ＥＬ層２５の形成には、高分子の印刷、インクジェット、レーザ転写を適用することができる。
【００２４】
次に、各発光領域に形成された全有機ＥＬ層２５（電子注入層２５ｅ）及びバンクを含む表示エリア５の全面にわたって、各ＯＬＥＤ１５の有機ＥＬ層２５に電子を供給する陰極２６を、１枚の透明電極から形成する。
【００２５】
次に、当該陰極２６の上から、耐湿性を向上させて水分侵入を防ぎ、ＤＳ（ダークスポット）等の信頼性阻害要因を改善するために、表示エリア５や端子領域６を含むＯＬＥＤパネルの全面にわたって、積層封止膜２７を設ける。当該積層封止膜２７は、具体的には、陰極２６側から順に、第１Ｓｉ含有無機膜２８、有機樹脂膜３０、及び第２Ｓｉ含有無機膜３１の計３層から、構成されている。各Ｓｉ含有無機物膜２８，３１としては、無機材料の緻密な膜であるＳｉＮ膜が適しているが、ＳｉＯ２膜、Ｎ含有ＳｉＯ膜であっても良い。各膜の膜厚としては、例えば、各Ｓｉ含有無機膜２８，３１の膜厚は２００〜６００ｎｍとし、有機樹脂膜３０の膜厚は２００〜８００ｎｍとすることが好ましい。有機樹脂膜３０としては、上述した理由により、アクリル、ポリイミド、フェノール樹脂などが用いられるので、下地の形状に倣って形成された第１Ｓｉ含有無機膜２８の表面に形成された凹部を埋めるように有機樹脂膜３０が形成されるが、第１Ｓｉ含有無機膜２８の平坦面上には形成されない。従って、端子領域６では、金属電極２ならびに窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）層９の表面と凹部の内面に、これらの形状に倣って第１Ｓｉ含有無機膜２８が形成され、当該第１Ｓｉ含有無機膜２８における凹部，即ち、金属電極２と窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）層９との間に形成された凹部にのみ有機樹脂膜３０の材料が凝集して当該凹部が埋められる。よって、当該凹部に形成された有機樹脂膜３０の表面、及び、露出している第１Ｓｉ含有無機膜２８の表面が面一になり、それらの上に、２Ｓｉ含有無機膜３１がほぼ平坦に形成される。図４は、この状態を示すものである。
【００２６】
次に、この状態から、端子領域６以外をマスクして、第１Ｓｉ含有無機膜２８及び第２Ｓｉ含有無機膜３１，若しくは、第１Ｓｉ含有無機膜２８及び第２Ｓｉ含有無機膜３１に対して、一回のドライエッチングを施す。このエッチングでは、ＳＦ６及びＯ２ガスが用いられる等、エッチング条件が無機膜に適したものとなっているので、有機樹脂膜３０はエッチングされずに、そのまま残存する。やがて、有機樹脂膜３０が残存したまま、図３に示すように、金属電極２の表面全域が露出し、これとほぼ同時に、ＳｉＯ層９の表面も露出する。本実施形態では、この状態で、ＯＬＥＤ表示パネルの完成として扱い、当該ＯＬＥＤ表示パネルを最終製品に組み込む際に、その端子領域６にＦＰＣ基板７を重ね、前者の各金属電極２を後者の電極に導通させる。この際に、残存した有機樹脂膜３０及びそれによって覆われた第１Ｓｉ含有無機膜２８は、端子導通に悪影響を及ぼさない。
【００２７】
以上に説明した本実施形態のＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法によると、有機樹脂膜３０及びそれに覆われた第１Ｓｉ含有無機膜２８のエッチング工程を無くしたので、プロセス簡略化に資するとともに、膜厚分布が大きいために長時間を要した有機樹脂膜３０のフルエッチング時間を省略してタクトタイムの短縮を実現することができるようになった。例えば、有機樹脂膜３０をアクリルによって２５０ｎｍの膜厚で成膜しようとすると、金属電極２と窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）層９との間の凹部に凝集される有機樹脂膜３０の厚さは８００ｎｍ程度になる。そこで、かりに有機樹脂膜３０のフルエッチングを行うとすれば、２５０ｎｍのエッチングをするのに要する時間の３倍程度のタクトタイムが掛かることになる。さらに、かりに有機樹脂膜３０に覆われた第１Ｓｉ含有無機膜２８をエッチングによって除去しようとするとなると、ＩＴＯ薄膜１３による窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）の層９のカバレッジ不良により、エッチングガスが窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）層９をサイドエッチしてしまうという問題が生じるが、本実施形態によると、かかるサイドエッチは入らないので、信頼性悪化の懸念はない。その結果、本実施形態によると、安定した製造ができるようになるので、歩留りが向上し、より安価な製品製造を実現することができる。
（実施形態２）
【００２８】
本第２実施形態は、上述した第１実施形態と比較して、第１Ｓｉ含有無機膜２８と有機樹脂膜３０との間に、ＳｉＯ膜又はアモルファスシリコン膜２９を形成したことを特徴とする。
【００２９】
図５は、本第２実施形態において、ＯＬＥＤ表示パネル１００上に積層封止膜２７’を形成した状態を示す。当該積層封止膜２７’は、具体的には、陰極２６側から順に、第１Ｓｉ含有無機膜２８、ＳｉＯ膜又はアモルファスシリコン膜２９、有機樹脂膜３０、及び第２Ｓｉ含有無機膜３１の計４層から、構成されている。このＳｉＯ膜又はアモルファスシリコン膜２９は、第１Ｓｉ含有無機層２８の表面に万遍無く形成され、金属電極２と窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）層９との間の凹部内面にも形成される。したがって、有機樹脂膜３０は、当該ＳｉＯ膜又はアモルファスシリコン膜２９上に凝集されるのである。
【００３０】
図６は、本第２実施形態において、端子領域６以外をマスクして、第１Ｓｉ含有無機膜２８，ＳｉＯ膜２９及び第２Ｓｉ含有無機膜３１に対して、一回のドライエッチングを施すことによって、金属端子２上及びＳｉＯ層９上に形成された第１Ｓｉ含有無機膜２８，ＳｉＯ膜又はアモルファスシリコン膜２９及び第２Ｓｉ含有無機膜３１、ならびに、有機樹脂膜３０上に形成された第２Ｓｉ含有無機膜３１を除去して、金属端子２の表面を露出させたＯＬＥＤ表示パネルの完成状態を示す。この完成状態では、金属電極２と窒化シリコン（ＳｉＮ）層８及びシリカ（ＳｉＯ）層９との間の凹部内に、有機樹脂膜３０及び第１Ｓｉ含有層２８とともに、ＳｉＯ膜又はアモルファスシリコン膜２９が残存する。
【００３１】
本第２実施形態のその他の構成及び効果は、上述した第１実施形態のものと全く同様であるので、その説明を省略する。
（変形例）
【００３２】
上記実施形態では、いわゆるトップエミッション型としてＯＬＥＤ表示パネルを構成して、陽極を反射電極として陰極を透明電極としたが、いわゆるボトムエミッション型としてＯＬＥＤ表示パネルを構成する場合には、陽極を透明電極として陰極を反射電極とすればよい。また、反射電極の構造としては、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの順で膜形成したものとすることができ、透明電極としては、ＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いることができる。
【００３３】
また、上記実施形態では、いわゆるトップエミッション型としてＯＬＥＤ表示パネルを構成したので、対向基板を設けて、両基板の間にエポキシ樹脂等の充填剤を充填する。この場合、封止基板の内面にカラーフィルタを設けることができるので、各ＯＬＥＤ１５の有機発光層２５ｃの発光色を全て白色とすれば済む。
【符号の説明】
【００３４】
２                        金属端子
５                        表示領域
６                        端子領域
８                        ＳｉＮ層
９                        ＳｉＯ層
１１                      ガラス基板
２８                  第１Ｓｉ含有層
３０                      有機樹脂層
３１                  第２Ｓｉ含有層
【図１】
2015065025.tif 000003
【図２】
2015065025.tif 000004
【図３】
2015065025.tif 000005
【図４】
2015065025.tif 000006
【図５】
2015065025.tif 000007
【図６】
2015065025.tif 000008