(57)【要約】【課題】互いに隣接する２つのインダクタ電極間の干渉が防止されたインダクタ装置を提供する。【解決手段】互いに隣接するインダクタ電極１０と、他のインダクタ電極１１〜１３との間に磁性体ペーストで形成された磁性体パターン２０が配置されているので、インダクタ電極１０で発生する磁束を磁性体パターン２０に集中させることができる。そのため、インダクタ電極１０と他のインダクタ電極１１〜１３とが結合するのが抑制されるので、インダクタ電極１０から他のインダクタ電極１１〜１３への信号の漏れを低減することができる。したがって、インダクタ電極１０と他のインダクタ電極１１〜１３との間の干渉が防止され、各インダクタ電極１０〜１３により形成されて特性変動が抑制されたインダクタを備えるインダクタ装置を提供することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されて成る多層基板と、
前記多層基板の所定の前記絶縁層上に形成された複数のインダクタ電極と、
前記所定の絶縁層上の互いに隣接する２つの前記インダクタ電極間に位置するように形成された第１の磁性体パターンと
を備えることを特徴とするインダクタ装置。
【請求項２】
前記第１の磁性体パターンは、前記互いに隣接する両インダクタ電極のいずれか一方に近接して形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ装置。
【請求項３】
前記第１の磁性体パターンは、前記互いに隣接する両インダクタ電極のいずれか一方を囲繞するように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のインダクタ装置。
【請求項４】
前記互いに隣接する両インダクタ電極の他方を囲繞するように前記所定の絶縁層上に形成された第２の磁性体パターンをさらに備えることを特徴とする請求項３に記載のインダクタ装置。
【請求項５】
前記互いに隣接する両インダクタ電極間において、前記第１の磁性体パターンの断面積が、前記互いに隣接する両インダクタ電極の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のインダクタ装置。
【請求項６】
前記各インダクタ電極は、前記所定の絶縁層上の所定領域を囲むように略Ｃ字状に形成されたものを含み、略Ｃ字状の当該インダクタ電極の内側に位置するように形成された第３の磁性体パターンをさらに備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のインダクタ装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のインダクタ装置を備える高周波モジュールにおいて、
前記多層基板に実装された高周波部品を備えることを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のインダクタ電極が設けられた多層基板を備えるインダクタ装置およびこれを備える高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチＩＣやＲＦ−ＩＣ等の各種の高周波部品が多層基板に搭載されて形成される高周波モジュールでは、インダクタ電極等を含む内部配線電極により形成された各種のフィルタ回路が多層基板内に設けられている（例えば特許文献１参照）。このようなフィルタ回路を多層基板内に形成するために、図４の従来の高周波モジュールが備える多層基板の絶縁層の一例に示すように、多層基板を形成する所定の絶縁層５００上に、複数のインダクタ電極５０１が形成されている。また、絶縁層５００上の各インダクタ電極５０１と他の絶縁層に設けられた配線電極とを接続するために、絶縁層５００には層間接続用の複数のビア導体５０２が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２５４５０５号（段落００５３〜００６１、図４，５など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記した高周波モジュールでは、例えば送信回路から受信回路への信号の漏れによる受信回路側での不具合を防止することが要求されている。このような信号の漏れは、同一の絶縁層５００上において互いに隣接するインダクタ電極５０１どうしの電気的な結合が原因であることが多い。したがって、電気的に結合させたくないインダクタ電極５０１どうしを絶縁層５００上で離間して配置するなどの設計上の対策が講じられている。しかしながら、絶縁層５００上でインダクタ電極５０１どうしを離間して配置すると、各種のフィルタ回路が設けられた多層基板を備える高周波モジュールの大型化を招くという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、互いに隣接する２つのインダクタ電極間の干渉が防止されたインダクタ装置を提供すると共に、このインダクタ装置を備える高周波モジュールの小型化を図ることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために、本発明のインダクタ装置は、複数の絶縁層が積層されて成る多層基板と、前記多層基板の所定の前記絶縁層上に形成された複数のインダクタ電極と、前記所定の絶縁層上の互いに隣接する２つの前記インダクタ電極間に位置するように第１の磁性体パターンとを備えることを特徴としている。
【０００７】
このように構成された発明では、多層基板の所定の絶縁層上に形成された複数のインダクタ電極のうち、互いに隣接する２つのインダクタ電極間に第１の磁性体パターンが配置されている。したがって、互いに隣接する両インダクタ電極（以下、単に「両インダクタ電極」と称する）のいずれか一方で発生する磁束は磁性体パターンに集中する。そのため、両インダクタ電極が結合するのが抑制されるので、両インダクタ電極のいずれか一方から他方への信号の漏れを低減することができる。したがって、両インダクタ電極間の干渉が防止され、特性変動が抑制されたインダクタを備えるインダクタ装置を提供することができる。
【０００８】
また、前記第１の磁性体パターンは、前記互いに隣接する両インダクタ電極のいずれか一方に近接して形成されているとよい。
【０００９】
このようにすると、両インダクタ電極のいずれか一方に例えば高信号レベルの送信信号が入力された場合であっても、一方のインダクタ電極において発生する磁束が近接配置された磁性体パターンに集中するので、他方のインダクタ電極への信号の漏れをより効果的に抑制することができる。
【００１０】
また、前記第１の磁性体パターンは、前記互いに隣接する両インダクタ電極のいずれか一方を囲繞するように形成されているとよい。
【００１１】
このようにすれば、磁性体パターンにより囲繞された両インダクタ電極のいずれか一方の周囲に閉磁路が形成されるので、両インダクタ電極の他方への磁束の漏れ防止効果をさらに向上することができる。また、磁性体パターンにより囲繞された両インダクタ電極のいずれか一方が、その周囲に配置された他の線路に影響を与えない優れた電磁妨害（ＥＭＩ：Ｅｌｅｃｔｏｒ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）性能と、その周囲に配置された他の線路からの影響を受けない優れた電磁感受性（ＥＭＳ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）性能とを有しているので、インダクタ装置の電磁両立性（ＥＭＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）の向上を図ることができる。
【００１２】
また、前記互いに隣接する両インダクタ電極の他方を囲繞するように前記所定の絶縁層上に第２の磁性体パターンをさらに備えていてもよい。
【００１３】
このように構成すると、両インダクタ電極の他方が第２の磁性体パターンによりさらに囲繞されて、他方のインダクタ電極の周囲にも閉磁路が形成されるので、両インダクタ電極間の干渉をさらに確実に抑制することができる。
【００１４】
また、前記互いに隣接する両インダクタ電極間において、前記第１の磁性体パターンの断面積が、前記互いに隣接する両インダクタ電極の断面積よりも大きいとよい。
【００１５】
このようにすると、両インダクタ電極間に配置される第１の磁性体パターンに含まれる磁性体量を増大することができ、第１の磁性体パターンへ集中する磁束の量を増やすことができるので、両インダクタ電極間における磁束の漏れ防止効果のさらなる向上を図ることができる。
【００１６】
また、前記各インダクタ電極は、前記所定の絶縁層上の所定領域を囲むように略Ｃ字状に形成されたものを含み、略Ｃ字状の当該インダクタ電極の内側に位置するように第３の磁性体パターンをさらに備えていてもよい。
【００１７】
このようにすると、所定の絶縁層上に形成された複数のインダクタ電極は、絶縁層上の所定領域を囲むように略Ｃ字状に形成されたものを含み、略Ｃ字状のインダクタ電極の内側に磁性体ペーストで形成された第３の磁性体パターンが配置されている。したがって、略Ｃ字状に形成されたインダクタ電極で発生した磁束をインダクタ電極の内側にも集中させることができるので、インダクタ電極により形成されるインダクタのインダクタンスを増大させることができる。また、互いに隣接する両インダクタ電極のうちの少なくともいずれか一方が略Ｃ字状に形成されている場合に、略Ｃ字状の当該インダクタ電極で発生した磁束をインダクタ電極の内側にも集中させることができるので、両インダクタ電極間の磁束の漏れ防止効果をさらに向上することができる。
【００１８】
また、本発明の高周波モジュールは、請求項１ないし６のいずれかに記載のインダクタ装置を備える高周波モジュールにおいて、前記多層基板に実装された高周波部品を備えることを特徴としている。
【００１９】
このように構成された発明では、多層基板の所定の絶縁層に形成された互いに隣接する２つのインダクタ電極間に第１の磁性体パターンが配置されることにより、両インダクタ電極を互いに近接配置することができる。したがって、両インダクタ電極が形成される所定の絶縁層を小型化して多層基板の小型化を図ることができるので、高周波部品が実装された多層基板を備える高周波モジュールの小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、互いに隣接する２つのインダクタ電極間に第１の磁性体パターンが配置されているので、両インダクタ電極のいずれか一方で発生する磁束を第１の磁性体パターンに集中させることができる。そのため、両インダクタ電極の磁界による結合が抑制されるので、両インダクタ電極のいずれか一方から他方への信号の漏れを低減することができる。したがって、両インダクタ電極間の干渉が防止され、両インダクタ電極により形成されて特性変動が抑制されたインダクタを備えるインダクタ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図２】図１の高周波ンモジュールの回路構成図である。
【図３】絶縁層上に形成されたインダクタ電極を示す平面図である。
【図４】従来の高周波モジュールが備える多層基板の絶縁層の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の一実施形態にかかる高周波モジュールについて、図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態にかかる高周波モジュールの断面図、図２は図１の高周波モジュールの回路構成図、図３は絶縁層上に形成されたインダクタ電極を示す平面図である。
【００２３】
この実施形態にかかる高周波モジュール１は、複数の周波数帯域の通信信号の送受信が可能な携帯電話などに搭載されるマルチバンド・マルチモードに対応したスイッチモジュールにより構成されている。高周波モジュール１は、共通アンテナに接続されるアンテナ電極と、それぞれ周波数帯域が異なる通信信号を用いて通信を行う複数の通信システムのいずれかとを切換接続するスイッチ回路を備えている。そして、共通アンテナにより所定の周波数帯域の受信信号が受信されると、当該受信信号を用いて通信を行う通信システムに共通アンテナがスイッチ回路により接続されることにより、当該受信信号が対応する通信システムに入力される。
【００２４】
また、各通信システムそれぞれから出力された各送信信号は、共通アンテナと各通信システムのいずれかとがスイッチ回路により選択的に切換接続されることにより、各送信信号ごとにアンテナ電極を介して共通アンテナに出力される。高周波モジュール１は、図１に示すように、高周波（ＲＦ）信号用のスイッチ回路を有するスイッチＩＣ２と、整合回路などの各種回路を形成するインダクタ、キャパシタ、レジスタ等のチップ部品３と、マザー基板等の外部基板との外部接続用の複数の実装電極４が形成されてスイッチＩＣ２やチップ部品３等の各種の部品がその上面に実装された多層基板５と、多層基板５の上面に実装されたスイッチＩＣ２やチップ部品３等の各種の部品を被覆する封止樹脂６とを備えている。
【００２５】
また、高周波モジュール１には各種回路が形成されており、高周波モジュール１は、図２に示すように、スイッチＩＣ２に形成されたスイッチ回路と、アンテナ電極ＡＮＴを介して外部に設けられた共通アンテナ７とスイッチＩＣ２との間のインピーダンス整合を行う整合回路８と、マザー基板などの外部基板に構成された各通信システムのパワーアンプから出力される送信信号に含まれる２次高調波や３次高調波を減衰させるためのローパスフィルタ（ＬＰＦ）９ａ，９ｂとを備えている。
【００２６】
スイッチＩＣ２（本発明の「高周波部品」に相当）は、図２に示すように、共通アンテナ７に接続されるアンテナ共通端子ＡＮＴａと、各通信システムの使用周波数帯域毎に設けられた１０個の送受信共用端子ＴＲ１〜ＴＲ１０と、２個の送信用端子Ｔ１，Ｔ２と、制御信号が入力される４個の制御用端子Ｖｃ１ａ〜Ｖｃ４ａと、電源供給用の電源用端子ＶＤＤａとを有している。そして、スイッチＩＣ２に形成されたスイッチ回路において、各制御用端子Ｖｃ１ａ〜Ｖｃ４ａに入力される制御信号に基づいて、アンテナ共通端子ＡＮＴａと、各送受信共用端子ＴＲ１〜ＴＲ１０および各送信用端子Ｔ１，Ｔ２のいずれかとが選択的に切換接続される。なお、スイッチＩＣ２のスイッチ回路は、アンテナ共通端子ＡＮＴａと各端子ＴＲ１〜ＴＲ１０，Ｔ１，Ｔ２のそれぞれとの間にＦＥＴ等のスイッチ素子を設け、各スイッチ素子のオン、オフを切り換えるようにしたものや、ダイオードスイッチが組み合わされたものなど、一般的なスイッチ回路により形成される。また、多層基板５の上面には、スイッチＩＣ２や他の表面実装型の部品を搭載するための上面側実装電極が形成されており、その上面側実装電極上にスイッチＩＣのアンテナ共通端子ＡＮＴａ、送受信共用端子ＴＲ１〜ＴＲ１０、送信用端子Ｔ１、Ｔ２、制御用端子Ｖｃ１ａ〜Ｖｃ４ａおよび電源用端子ＶＤＤａが半田バンプやＡｕバンプなどを介して電気的に接続される。
【００２７】
また、この実施形態において、送信用端子Ｔ１には、ハイバンド側（１８００ＭＨｚ〜１９００ＭＨｚ）の周波数帯域の送信信号が入力され、送信用端子Ｔ２はローバンド側（８５０ＭＨｚ〜９００ＭＨｚ）の周波数帯域の送信信号が入力される。なお、以下の説明においては、各送受信共用端子ＴＲ１〜ＴＲ１０および各送信用端子Ｔ１，Ｔ２を単に各ＲＦ信号用端子ＴＲｔと称し、各制御用端子Ｖｃ１ａ〜Ｖｃ４ａを単に各制御用端子Ｖｃｔと称する場合もある。
【００２８】
また、多層基板５の下面には、アンテナ共通端子ＡＮＴａに対応して設けられた共通電極ＡＮＴと、各ＲＦ信号用端子ＴＲｔそれぞれに対応して設けられた１０個の送受信共用電極ＴＲｘ１〜ＴＲｘ１０および２個の送信用電極ＨｉＴｘ，ＬｏｗＴｘと、各制御用端子Ｖｃｔそれぞれに対応して設けられた４個の制御電極Ｖｃ１〜Ｖｃ４と、電源用端子ＶＤＤａに対応して設けられた電源電極ＶＤＤとが実装電極４として形成されている。なお、上記した各実装電極４それぞれが、多層基板５を形成する各絶縁層に形成された面内導体パターンや層間接続用のビア導体等により形成される内部配線電極を介して、対応する各ＲＦ信号用端子ＡＮＴａ,ＴＲｔや制御用端子Ｖｃｔ，電源用端子ＶＤＤａに接続される。また、以下の説明においては、各送受信共用電極ＴＲｘ１〜ＴＲｘ１０および各送信用電極ＨｉＴｘ，ＬｏｗＴｘを単に各ＲＦ信号電極ＴＲｄと称し、各制御電極Ｖｃ１〜Ｖｃ４を単に各制御電極Ｖｃｄと称する場合もある。
【００２９】
また、図２に示すように、ＬＰＦ９ａは、直列接続されたインダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２と、インダクタＤＬｔ１に並列接続されたキャパシタＤＣｃ１と、一端が各インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２の接続点に接続され他端が接地されたキャパシタＤＣｕ２とにより形成され、送信用端子Ｔ１と送信電極ＨｉＴｘとがＬＰＦ９ａを介して接続される。また、ＬＰＦ９ｂは、直列接続されたインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２と、インダクタＧＬｔ１に並列接続されたキャパシタＧＣｃ１と、インダクタＧＬｔ２に接続されたキャパシタＧＣｃ２と、一端がインダクタＧＬｔ１と送信用端子Ｔ２との接続点に接続され他端が接地されたキャパシタＧＣｕ１と、一端が各インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２の接続点に接続され他端が接地されたキャパシタＧＣｕ２とにより形成され、送信用端子Ｔ２と送信電極ＬｏｗＴｘとがＬＰＦ９Ｂｂを介して接続される。
【００３０】
また、整合回路８は、一端が共通電極ＡＮＴに接続され他端がアンテナ共通端子ＡＮＴａに接続されたチップインダクタＬ１と、一端がアンテナ共通端子ＡＮＴａに接続され他端が接地されたチップインダクタＬ２と、一端が共通電極ＡＮＴとチップインダクタＬ１との接続点に接続され他端が接地されたキャパシタＣＡＮＴとにより形成され、アンテナ共通端子ＡＮＴａと共通電極ＡＮＴとが整合回路８を介して接続される。なお、各チップインダクタＬ１，Ｌ２はチップ部品３として多層基板５の上面に実装されている。
【００３１】
また、図３に示すように、多層基板５を形成する複数の絶縁層のうちの所定の絶縁層５１上に、各インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＬｔ２を形成する複数のインダクタ電極１０，１１，１２，１３が形成されている。インダクタＤＬｔ１はインダクタ電極１０により形成され、インダクタＤＬｔ２はインダクタ電極１１により形成され、インダクタＧＬｔ１はインダクタ電極１２により形成され、インダクタＧＬｔ２はインダクタ電極１３により形成される。また、各インダクタ電極１０〜１３それぞれの両端には、各インダクタ電極１０〜１３のそれぞれと、他の絶縁層に形成された内部配線電極（面内導体パターン）とを接続するためのビア導体１０ａ，１１ａ，１２ａ，１３ａがそれぞれ接続されている。
【００３２】
なお、以下の説明では、説明を容易なものとするため、インダクタ電極１０を本発明の「互いに隣接する両インダクタ電極のいずれか一方」として取り扱い、他のインダクタ電極１１〜１３のそれぞれを本発明の「互いに隣接する両インダクタ電極の他方」として取り扱うが、各インダクタ電極１０〜１３のいずれのインダクタ電極が「両インダクタ電極のいずれか一方」として取り扱われ、各インダクタ電極１０〜１３のいずれのインダクタ電極が「両インダクタ電極の他方」として取り扱われてもよい。
【００３３】
また、インダクタ電極１０と、各インダクタ電極１１〜１３のそれぞれとは互いに隣接するように絶縁層５１上に配置されている。そして、インダクタ電極１０と、他のインダクタ電極１１〜１３それぞれとの間に位置するように、磁性体パターン２０（第１の磁性体パターン）がインダクタ電極１０に近接した状態で絶縁層５１上に、例えば磁性体ペーストにより形成されている。
【００３４】
また、この実施形態では、磁性体パターン２０は、インダクタ電極１０を囲繞するように形成されている。また、インダクタ電極１１〜１３それぞれを囲繞するように、磁性体パターン２１，２２，２３（第２の磁性体パターン）が絶縁層５１上に磁性体ペーストにより形成されている。
【００３５】
また、この実施形態では、各インダクタ電極１０〜１３は、それぞれ、絶縁層５１上の所定領域を囲むように平面視で略Ｃ字状に形成されている。また、略Ｃ字状の各インダクタ電極１０〜１３それぞれの内側に位置するように、磁性体パターン３０〜３３（第３の磁性体パターン）が絶縁層５１上に磁性体ペーストにより形成されている。
【００３６】
また、この実施形態では、各磁性体パターン２０，２１，２２，２３それぞれの各インダクタ電極１０〜１３間のライン状の部分において、各磁性体パターン２０，２１，２２，２３の断面積が、各インダクタ電極１０〜１３のライン状の部分の断面積よりも大きく形成されている。なお、この実施形態では、各インダクタ電極１０〜１３および各磁性体パターン２０〜２３，３０〜３３は、それぞれ、スクリーン印刷により絶縁層５１上に形成される。したがって、各インダクタ電極１０〜１３が形成されるときのスクリーン版の仕様（版厚やメッシュの粗さなど）よりも、各磁性体パターン２０〜２３が形成されるときのスクリーン版の仕様を、磁性体ペーストの吐出量が多くなるように設定することで、各磁性体パターン２０〜２３の厚みや幅を大きくすることにより、各磁性体パターン２０〜２３の断面積を各インダクタ電極１０〜１３の断面積よりも大きくすることができる。
【００３７】
以上のように、多層基板５の絶縁層５１上に各インダクタ電極１０〜１３および磁性体パターン２０〜２３，３０〜３３が形成されることにより、本発明の「インダクタ装置」が構成されている。
【００３８】
なお、多層基板５は、複数の絶縁層が積層されて成り、樹脂多層基板、低温同時焼成セラミック多層基板（ＬＴＣＣ基板）などの一般的な多層基板により形成される。多層基板５が、ＬＴＣＣ多層基板により形成される場合に、多層基板５は例えば次のようにして形成される。すなわち、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート化されたセラミックグリーンシートが形成される。このセラミックグリーンシートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されることにより、層間接続用のビア導体が形成される。
【００３９】
また、セラミックグリーンシートの所定位置に、導体ペーストを用いたスクリーン印刷により種々の面内導体パターンが形成される。そして、ビア導体および面内導体パターンが形成された複数のセラミックグリーンシートが積層、圧着されることによりセラミック積層体が形成され、約１０００℃前後の低い温度でセラミック積層体とビア導体および面内導体パターンが同時に低温焼成されることにより、多層基板５が形成される。
【００４０】
以上のように、この実施形態では、多層基板５の所定の絶縁層５１上に形成された複数のインダクタ電極１０〜１３のうち、互いに隣接するインダクタ電極１０と、各インダクタ電極１１〜１３それぞれとの間に磁性体パターン２０が配置されている。したがって、インダクタ電極１０で発生する磁束は磁性体パターン２０に集中する。そのため、インダクタ電極１０と、他のインダクタ電極１１〜１３との磁界による結合が抑制されるので、インダクタ電極１０から他のインダクタ電極１１〜１３への信号の漏れを低減することができる。したがって、インダクタ電極１０と他のインダクタ電極１１〜１３との間の干渉が防止され、各インダクタ電極１０〜１３により形成されて特性変動が抑制されたインダクタを備えるインダクタ装置を提供することができる。
【００４１】
また、磁性体パターン２０は、インダクタ電極１０に近接して形成されている。したがって、インダクタ電極１０に例えば高信号レベルの送信信号が入力された場合であっても、インダクタ電極１０において発生する磁束が近接配置された磁性体パターン２０に集中するので、他のインダクタ電極１１〜１２への信号の漏れをより効果的に抑制することができる。
【００４２】
また、磁性体パターン２０は、インダクタ電極１０を囲繞するように形成されている。そのため、図３中において矢印で示すように、磁性体パターン２０により囲繞されたインダクタ電極１０の周囲に閉磁路が形成されるので、インダクタ電極１０から他のインダクタ電極１１〜１３への磁束の漏れ防止効果をさらに向上することができる。また、磁性体パターン２０により囲繞されたインダクタ電極１０が、その周囲に配置された他の線路（各インダクタ電極１１〜１２を含む内部配線電極など）に影響を与えない優れた電磁妨害（ＥＭＩ）性能と、その周囲に配置された他の線路からの影響を受けない優れた電磁感受性（ＥＭＳ）性能とを有しているので、インダクタ装置の電磁両立性（ＥＭＣ）の向上を図ることができる。
【００４３】
また、他のインダクタ電極１１〜１３のそれぞれを囲繞するように絶縁層５１上に磁性体ペーストにより形成された磁性体パターン２１〜２３がさらに設けられている。そのため、これら他の各インダクタ電極１１〜１３それぞれが磁性体パターン２１〜２３によりさらに囲繞されて、図３に示すように、インダクタ電極１１〜１３それぞれの周囲にも閉磁路が形成される。したがって、各インダクタ電極１０〜１３間の干渉をさらに確実に抑制することができる。
【００４４】
また、各インダクタ電極１０〜１３間において、磁性体パターン２０〜２３の断面積が、各インダクタ電極１０〜１３の断面積よりも大きい。そのため、各インダクタ電極１０〜１３間に配置される各磁性体パターン２０〜２３に含まれる磁性体量を増大することができ、各磁性体パターンへ集中する磁束の量を増やすことができる。したがって、各インダクタ電極１０〜１３間における磁束の漏れ防止効果のさらなる向上を図ることができる。
【００４５】
また、所定の絶縁層５１上に形成された各インダクタ電極１０〜１３は、絶縁層５１上の所定領域を囲むように略Ｃ字状に形成されている。また、略Ｃ字状の各インダクタ電極１０〜１３それぞれの内側に磁性体ペーストで形成された磁性体パターン３０〜３３が配置されている。したがって、略Ｃ字状に形成された各インダクタ電極１０〜１３で発生した磁束を各インダクタ電極１０〜１３の内側に集中させることができるので、各インダクタ電極１０〜１３により形成される各インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＬｔ２のインダクタンスを増大させることができる。また、略Ｃ字状の各インダクタ電極１０〜１３で発生したそれぞれの磁束を各インダクタ電極１０〜１３それぞれの内側にも集中させることができるので、各インダクタ電極１０〜１３間の磁束の漏れ防止効果をさらに向上することができる。
【００４６】
また、スクリーン印刷により各磁性体パターン２０〜２３が形成されることにより、絶縁層５１に孔などを形成することなく、各インダクタ電極１０〜１３の周囲に容易に各磁性体パターン２０〜２３を形成することができる。また、各磁性体パターン２０〜２３をスクリーン印刷により容易に任意のパターン形状に形成することができる。
【００４７】
ところで、近年、携帯電話やスマートフォン、タブレットパソコン等の携帯通信機器の小型化および薄型化が進むと共に、マルチバンド・マルチモード化が要求されている。したがって、これらの携帯通信機器に搭載される高周波モジュール１の小型化および高集積化が要求されている。しかしながら、この実施形態では、多層基板５の所定の絶縁層５１に形成された各インダクタ電極１０〜１３間に各磁性体パターン２０〜２３が配置されることにより、各インダクタ電極１０〜１３を互いに近接配置することができる。また、略Ｃ字状の各インダクタ電極１０〜１３それぞれの内側にも磁性体パターン３０〜３３が配置されることで、各インダクタ電極１０〜１３により形成される各インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＬｔ２のインダクタンスを増大させることができる。
【００４８】
そのため、各インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＬｔ２のインダクタンス値とＱを維持した状態で各インダクタ電極１０〜１３の小型化を図ることができる。したがって、各インダクタ電極１０〜１３が形成される所定の絶縁層５１を小型化して多層基板５の小型化を図ることができるので、スイッチＩＣ２等の高周波部品が実装された多層基板５を備える高周波モジュール１の小型化を図ることができる。
【００４９】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、各インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＬｔ２が、絶縁層５１上に形成された各インダクタ電極１０〜１３と、他の絶縁層上に形成された他のインダクタ電極とがビア導体によって層間接続されることにより形成されていてもよい。
【００５０】
また、絶縁層５１上に他のインダクタ電極がさらに形成されていてもよい。また、各インダクタ電極の形状は上記した略Ｃ字状に限定されるものではなく、直線状やミアンダ状、スパイラル状など、ストリップラインにより形成される一般的なインダクタ電極が絶縁層５１上に形成されていればよい。また、各インダクタ電極１０〜１３のそれぞれが各磁性体パターン２０〜２３により必ずしも囲繞されている必要はなく、各インダクタ電極１０〜１３間に磁性体ペーストにより形成された磁性体パターンが配置されていればよい。また、各インダクタ電極１０〜１３間のアイソレーション特性の向上を図るために、各磁性体パターン３０〜３３が、略Ｃ字状の各インダクタ電極１０〜１３の内側の絶縁層５１上に必ずしも設けられていなくてもよい。
【００５１】
また、高周波モジュール１が備える高周波部品はスイッチＩＣ２に限定されるものではなく、ＲＦ信号とベースバンド信号との変換を行うＲＦ−ＩＣや、パワーアンプ（ＰＡ）、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）などの一般的な高周波部品が多層基板５に搭載されることにより、種々の機能を備える高周波モジュール１を構成することができる。
【００５２】
また、複数のインダクタ電極が設けられた多層基板を備えるインダクタ装置およびこれを備える高周波モジュールに本発明を広く適用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１    高周波モジュール
２    スイッチＩＣ（高周波部品）
５    多層基板
５１    絶縁層（所定の絶縁層）
１０，１１，１２，１３    インダクタ電極
２０    磁性体パターン（第１の磁性体パターン）
２１，２２，２３    磁性体パターン（第２の磁性体パターン）
３０，３１，３２，３３    磁性体パターン（第３の磁性体パターン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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