(57)【要約】【課題】  封止材を薄くして封止材の使用量を低減しても、良好な特性を維持することのできる光電変換モジュールを提供する。【解決手段】  光電変換モジュール１００は、一主面を有する基板１と、一主面の中央部上の光電変換部１１と、光電変換部１１の第１辺に平行な第１方向に延びる第１配線導体９と、第１辺に隣接する第２辺に沿って光電変換部１１と間隔をあけて配置され、第２辺に平行な第２方向に延びる第２配線導体１９と、上面の第１部位に第１配線導体９の一端部が電気的に接続されているとともに上面の第１部位とは異なる第２部位に第２配線導体１９の一端部が電気的に接続されている補助電極１８と、一主面上に配置され、光電変換部１１、補助導体１８、第１配線導体９および第２配線導体１９を封止する封止材１２と、封止材１２上に配置された保護基板１３とを具備する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面を有する基板と、
前記一主面の中央部上に配置された矩形状の光電変換部と、
前記光電変換部の第１辺に沿って前記光電変換部に電気的に接続するように配置され、前記第１辺に平行な第１方向に延びる第１配線導体と、
前記光電変換部の前記第１辺に隣接する第２辺に沿って前記光電変換部と間隔をあけて配置され、前記第２辺に平行な第２方向に延びる第２配線導体と、
前記一主面の前記第１配線導体の仮想延長線および前記第２配線導体の仮想延長線が交差する交差部に配置された層状の導電体であり、上面の第１部位に前記第１配線導体の一端部が電気的に接続されているとともに前記上面の前記第１部位とは異なる第２部位に前記第２配線導体の一端部が電気的に接続されている補助電極と、
前記一主面上に配置され、前記光電変換部、前記補助導体、前記第１配線導体および前記第２配線導体を封止する封止材と、
該封止材上に配置された保護基板と
を具備する光電変換モジュール。
【請求項２】
前記光電変換部は前記第１配線導体が接続された出力電極を有しており、該出力電極が前記交差部に延伸することによって前記補助電極を構成している、請求項１に記載の光電変換モジュール。
【請求項３】
前記補助電極は前記第２方向に沿って延びる細長形状である、請求項１または２に記載の光電変換モジュール。
【請求項４】
前記基板または前記保護基板は、前記基板、前記封止材および前記保護基板の積層方向に沿った貫通孔を有しており、該貫通孔に前記第２配線導体が挿通されている、請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電変換部で発電した電力を取り出すための配線導体を具備する光電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽光発電が注目を集めている。
【０００３】
この太陽光発電に使用される光電変換モジュールでは、光電変換部から得られた電力を、リード線等の配線導体を介して外部に取り出している。このような光電変換モジュールでは、基板の表面の中央部に光電変換部が形成されており、その光電変換部の正極および負極にそれぞれ接続された配線導体が、基板の表面における光電変換部の周辺部で引き回された後、基板の裏面に配置された端子ボックスの内部に導出されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０５６２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に示すように、配線導体を引き回す場合、直角に折り曲げて配線導体の延伸方向を変える必要がある。配線導体を直角に折り曲げる場合、折り曲げ部分の厚みが大きくなる。そのため、光電変換部や配線導体を封止する封止材を厚くする必要があり、封止材の使用量が多くなり、コストを低減することが困難である。
【０００６】
よって、本発明は、封止材を薄くして封止材の使用量を低減しても、良好な特性を維持することのできる光電変換モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る光電変換モジュールは、一主面を有する基板と、前記一主面の中央部上に配置された矩形状の光電変換部と、前記光電変換部の第１辺に沿って前記光電変換部に電気的に接続するように配置され、前記第１辺に平行な第１方向に延びる第１配線導体と、前記光電変換部の前記第１辺に隣接する第２辺に沿って前記光電変換部と間隔をあけて配置され、前記第２辺に平行な第２方向に延びる第２配線導体と、前記一主面の前記第１配線導体の仮想延長線および前記第２配線導体の仮想延長線が交差する交差部に配置された層状の導電体であり、上面の第１部位に前記第１配線導体の一端部が電気的に接続されているとともに前記上面の前記第１部位とは異なる第２部位に前記第２配線導体の一端部が電気的に接続されている補助電極と、前記一主面上に配置され、前記光電変換部、前記補助導体、前記第１配線導体および前記第２配線導体を封止する封止材と、該封止材上に配置された保護基板とを具備する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る光電変換モジュールによれば、良好な特性を維持しながら、封止材を薄くして封止材の使用量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る光電変換モジュ−ルの封止材および保護基板を設けていない状態の斜視図である。
【図２】図１に示した光電変換モジュ−ルの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線における光電変換モジュ−ルの断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線における光電変換モジュールの断面図である。
【図５】図１の光電変換モジュールの要部拡大図である。
【図６】封止材および保護基板を設けた状態の光電変換モジュールの断面図である。
【図７】第２実施形態に係る光電変換モジュールの平面図である。
【図８】第３実施形態に係る光電変換モジュールの平面図である。
【図９】第４実施形態に係る光電変換モジュールの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一態様に係る光電変換モジュ−ルについて、図面を参照しつつ説明する。なお、各図には、後述する光電変換セルの配列方向をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付している。
【００１１】
＜第１実施形態に係る光電変換モジュール＞
図１〜図５は、配線導体等の構成を見やすくするため、封止材１２と保護基板１３を除いた状態の第１実施形態に係る光電変換モジュール１００（以下、封止材１２と保護基板１３を除いた状態の第１実施形態に係る光電変換モジュール１００を、第１モジュール１０１という）の構成を示している。
【００１２】
図１は、第１モジュ−ル１０１の斜視図であり、図２は、図１に示した第１モジュ−ル１０１の平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ線における第１モジュ−ル１０１の断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ線における第１モジュール１０１の断面図である。また、図５は、図１の第１モジュール１０１の要部拡大図である。
【００１３】
第１モジュール１０１は、基板１と、光電変換部１１と、出力電極８と、補助電極１８と、第１配線導体９と、第２配線導体１９とを備えている。そして、この第１モジュール１０１に封止材１２および保護基板１３が設けられることによって、図６に示す第１実施形態に係る光電変換モジュール１００となる。図６は図３と同じ方向における光電変換モジュール１００の断面図である。
【００１４】
基板１は、光電変換部１１を支持する機能を有している。また、基板１の材質としては、は、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）または硼珪酸ガラス等が挙げられる。なお、基板１の材質としてはこれに限定されず、他のガラス、セラミックス、樹脂および金属等が用いられてもよい。また、基板１の形状は、例えば矩形状、円形状等の平板状であればよい。
【００１５】
光電変換部１１は、基板１の一主面上に設けられている。光電変換部１１は、発電の出力を高めるという観点から、複数の光電変換セルが互いに電気的に接続され、基板１上で集積化されている。そして、第１モジュール１０１を平面視したときの光電変換部１１の全体形状は矩形状である。光電変換部１１の詳細については後述する。
【００１６】
出力電極８は、基板１の一主面上で、一対のものが光電変換部１１の一対の電極にそれぞれ電気的に接続されるように設けられている。図１〜図５の例では、出力電極８が、光電変換部１１の一方の電極に接続された出力電極８Ａと、光電変換部１１の他方の電極に接続された出力電極８Ｂとの１対を有する例を示している。
【００１７】
出力電極８は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタ
ル（Ｔａ）または金（Ａｕ）等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この出力電極８は、例えば、基板１上にスパッタリング法または蒸着法等を利用して、厚さ０．２〜１μｍ程度に形成すればよい。出力電極８は、工程を簡略化するという観点からは、後述する下部電極層２と同じ材料で下部電極層２の作製と同時に作製されてもよい。
【００１８】
第１配線導体９は、光電変換部１１の第１辺に沿って、この第１辺に平行な第１方向（Ｙ軸方向）に延びるように配置されている。また、第１配線導体９は出力電極８に接続されており、これによって光電変換部１１と第１配線導体９とが電気的に接続されている。なお、光電変換部１１の第１辺とは、図２において矩形状の太線示されている光電変換部１１の＋Ｘ側および−Ｘ側の辺（Ｙ軸に平行な辺）のことである。図１〜図５の例では、第１配線導体９が、出力電極８Ａに接続された第１配線導体９Ａと、出力電極８Ｂに接続された第１配線導体９Ｂとの１対を有する例を示している。
【００１９】
第２配線導体１９は、光電変換部１１の上記第１辺に隣接する第２辺に沿って、この第２辺に平行な第２方向（Ｘ軸方向）に延びるように配置されている。また、第２配線導体１９は光電変換部１１と間隔をあけて配置されている。なお、光電変換部１１の第２辺とは、図２において矩形状の太線示されている光電変換部１１の＋Ｙ側の辺（Ｘ軸に平行な辺）のことである。図１〜図５の例では、第２配線導体１９が、後述する補助電極１８Ａを介して第１配線導体９Ａに接続された第２配線導体１９Ａと、補助電極１８Ｂを介して第１配線導体９Ｂに接続された第２配線導体１９Ｂとの１対を有する例を示している。
【００２０】
第１配線導体９および第２配線導体１９は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、Ａｌ等の導電体であり、厚みが０．３〜２ｍｍ程度、幅が２〜６ｍｍ程度の帯状である。第１配線導体９は出力電極８に、半田付けや導電性接着剤による接着、溶接等によって電気的に接続されている。また、同様に、第１配線導体９および第２配線導体１９は、補助電極１８に、半田付けや導電性接着材による接着、溶接等によって電気的に接続されている。
【００２１】
補助電極１８は、基板１の一主面における、第１配線導体９の仮想延長線および第２配線導体１９の仮想延長線が交差する交差部に配置された層状の導電体である。そして、補助電極１８の上面（＋Ｚ側の主面）の第１部位には、第１配線導体９の一端部が電気的に接続されているとともに、補助電極１８上面の第１部位とは異なる第２部位に第２配線導体１９の一端部が電気的に接続されている。図１〜図５の例では、補助導体１８は、第１配線導体９Ａおよび第２配線導体１９Ａに接続された補助導体１８Ａと、第１配線導体９Ｂおよび第２配線導体１９Ｂに接続された補助導体１８Ｂとの１対を有する例を示している。
【００２２】
補助電極１８は、第１配線導体９と第２配線導体１９とを、厚みを増加させることなく電気的に接続することができ、一定厚みで異なる方向に折れ曲がった構造の配線導体とすることができる。その結果、後述する封止材１２の厚みを薄くしても十分に補助電極１８を封止することができ、光電変換モジュール１００の良好な特性を維持しながら、封止材１２の使用量を低減することができる。
【００２３】
補助電極１８は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａまたはＡｕ等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この補助電極１８は、例えば、基板１上にスパッタリング法または蒸着法等を利用して、厚さ０．２〜１μｍ程度に形成すればよい。補助電極８は、図１〜図５に示すように、出力電極８が延長されたものであってもよい。このような構成であれば、第１配線導体９の電気抵抗をより低減できる。補助電極８は、工程を簡略化するという観点からは、出力電極８や後述する下部電極層２と同じ材料で出力電極８および下部電極層２の作製と同時に作製
されてもよい。
【００２４】
補助電極１８上において第１配線導体９と第２配線導体１９とは、図３の断面図に示すように、離れて配置されていてもよい。この場合、第１配線導体９と第２配線導体１９との間に封止材１２が入り込むため、第１配線導体９および第２配線導体１９の補助電極１８電極との接続を良好に維持することができる。なお、補助電極１８上において、第１配線導体９と第２配線導体１９とは接触していてもよい。この場合、第１配線導体９および第２配線導体１９間の電気抵抗を低減できる。
【００２５】
これらの第１配線導体９、補助電極１８および第２配線導体１９は、光電変換部１１で発電された電力を光電変換モジュール１００の外部に取り出すための導電路として機能する。第２配線導体１９の補助電極１８とは反対側の端部は、光電変換モジュール１００の外部に導出される。第２配線導体１９の端部の光電変換モジュール１００の外部への導出方法としては、例えば、図１および図２に示すように、第２配線導体１９の端部を、基板１の一主面からその反対側の主面にかけて基板１を貫通する貫通孔１ａを介して外部へ導出してもよい。あるいは、第２配線導体１９の端部を基板１の一主面の外周から外部に導出させてもよい。あるいは、第２配線導体１９の端部を封止材１２および保護基板１３を貫通させて外部に導出してもよい。
【００２６】
なお、図１および図２では、一対の第１配線導体９Ａ、９Ｂのそれぞれに補助電極１８Ａ、１８Ｂおよび第２配線導体１９Ａ、１９Ｂを接続している例を示しているが、一対の第１配線導体９の一方だけに補助電極１８および第２配線導体１９を接続するような構成であってもよい。例えば、第１配線導体９Ａの延長上に、基板１の貫通孔１ａを設けておけば、第１配線導体９Ｂだけに補助電極１８Ｂおよび第２配線導体１９Ｂを接続させるだけでよく、第１配線導体９Ａは直接貫通穴１ａへ導出することができる。
【００２７】
封止材１２は、図６に示すように、基板１の一主面上に配設されており、光電変換部１１、出力電極８、第１配線導体９、補助電極１８および第２配線導体１９を封止する機能を有する。このような封止材としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂やポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を主成分とする樹脂等が挙げられる。
【００２８】
保護基板１３は、図６に示すように、封止材１２を覆うように設けられており、光電変換部１１、出力電極８、第１配線導体９、補助電極１８および第２配線導体１９を保護する機能を有する。保護基板１３としてはガラス等が用いられ得る。
【００２９】
＜光電変換部＞
次に、光電変換部１１について説明する。図４は第１モジュ−ル１０１のＹ方向の中央部における光電変換部１１を示す部分断面図であり、図５はその部位の要部斜視図である。なお、図４および図５の構成は、第１モジュール１０１に用いられる光電変換部１１の一例を示すものであって、これに限定されるものではない。
【００３０】
光電変換部１１は、下部電極層２と、第１の半導体層３と、第１の半導体層３とは異なる導電型の第２の半導体層４と、上部電極層５と、集電電極６とを備えた光電変換セル１０が複数個、図４のＸ方向に直列接続されて成る。隣接する光電変換セル１０において、一方の光電変換セル１０の上部電極層５が集電電極６および接続導体７を介して隣接する他方の光電変換セル１０の下部電極層２に接続されている。そして、光電変換部１１の一方端部の外側に出力電極８Ａが形成されており、一方端部側の光電変換セル１０の下部電極層２に電気的に接続されている。また、その反対側の光電変換部１１の他方端部の外側にも出力電極８Ｂが形成されており、他方端部側の光電変換セル１０の上部電極層５に電気的に接続されている。
【００３１】
次に、光電変換部１１の各部材について説明する。
【００３２】
下部電極層２は、一方向（図４のＸ方向）に互いに間隔をあけて基板１の一主面上に複数配置されている。なお、下部電極３の個数については、図４に示したものに限られない。このような下部電極層２は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａまたはＡｕ等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この下部電極層２は、例えば、基板１上にスパッタリング法または蒸着法等を利用して、厚さ０．２〜１μｍ程度に形成すればよい。
【００３３】
第１の半導体層３は、下部電極層２上に配置されている。第１の半導体層３は、例えば、アモルファスシリコンや化合物半導体等が用いられる。化合物半導体としては、例えば、Ｉ−III−VI化合物やＩ−II−IV−VI族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等がある。
【００３４】
I−III−VI化合物半導体とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）、III−Ｂ族元素
（１３族元素ともいう）およびVI−Ｂ族元素（１６族元素ともいう）の化合物半導体である。そして、このようなI−III−VI化合物半導体は、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体とも呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。I−III−VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ２）または薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。
【００３５】
また、Ｉ−II−IV−VI族化合物半導体とは、Ｉ−Ｂ族元素、II−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）、IV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）およびVI−Ｂ族元素の化合物半導体である。Ｉ−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４等がある。
【００３６】
また、II−VI族化合物半導体とは、II−Ｂ族元素およびVI−Ｂ族元素の化合物半導体である。II−VI族化合物半導体としては、例えば、ＣｄＴｅ等がある。
【００３７】
第１の半導体層３は、例えばスパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成される。また、第１の半導体層３は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成される。塗布法あるいは印刷法では、例えば、第１の半導体層３に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極層２の上に塗布され、その後、乾燥および加熱処理が行われる。
【００３８】
第２の半導体層４は、第１の半導体層３の＋Ｚ側の主面の上に、例えば１０〜２００ｎｍの厚さで設けられており、第１の半導体層３の導電型とは異なる導電型を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。例えば、第１の半導体層３がｐ型であれば、第２の半導体層４はｎ型であり、その逆であってもよい。また、第１の半導体層３と第２の半導体層４と界面に、ｉ型等の他の半導体層が介在していてもよい。
【００３９】
第２の半導体層４は、第１の半導体層３の表面部に他の元素がドープされて成るものであってもよく、第１の半導体層３とは異なる化合物がヘテロ接合されて成るものであってもよい。
【００４０】
上部電極層５は、第２の半導体層４の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、例えば、第２の半導体層４と同じ導電型を有する透光性の導電層である。この上部電極層５は、第１の半導体層３および第２の半導体層４において生じたキャリアを取り出す電極として働く。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも低い電気抵抗率を有する材料を主に含む。
【００４１】
上部電極層５は、禁制帯幅が広く且つ透光性で低電気抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）および酸化錫（ＳｎＯ２）等の金属酸化物半導体等が挙げられる。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウムおよびフッ素のうちの何れか１つの元素等が含まれたものである。
【００４２】
上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって形成され得る。上部電極層５の厚さは、例えば、０．０５〜３．０μｍである。ここで、上部電極層５が、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層５を介して第１の半導体層３および第２の半導体層４からキャリアが良好に取り出され得る。
【００４３】
上部電極層５は、その厚みが０．０５〜０．５μｍであれば、透光性導電層６における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、上部電極層５の絶対屈折率と第２の半導体層４の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層５と第２の半導体層４との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。
【００４４】
集電電極６は、上部電極層５の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に、上部電極層５の端部から接続導体７にかけて線状に設けられている。そして、例えば、光電変換セル１０の上部電極層５によって集められたキャリアは、集電電極６によってさらに集められ、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に伝達され得る。
【００４５】
この集電電極６が設けられることで、上部電極層５における導電性が補われるため、上部電極層５の薄層化が可能となる。これにより、キャリアの取り出し効率の確保と、上部電極層５における光透過性の向上とが両立し得る。なお、集電電極６が、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換セル１０における変換効率が向上し得る。なお、集電電極６に含まれる金属としては、例えば銅、アルミニウムおよびニッケル等が挙げられる。
【００４６】
また、集電電極６の幅は、５０〜４００μｍであれば、隣接する光電変換セル１０間における良好な導電が確保されつつ、第１の半導体層３への光の入射量の低下が低減され得る。１つの光電変換セル１０に複数の集電電極６が設けられる場合、該複数の集電電極６の間隔は、例えば、２．５ｍｍ程度であればよい。
【００４７】
接続導体７は、第１の半導体層３および第２の半導体層４を分離する分離溝内に配置されている。この接続導体７は、集電電極６と電気的に接続している。また、接続導体７は、隣の光電変換セル１０から延伸されている下部電極層２に接続している。これにより接続導体７は、隣接する光電変換セル１０のうち、一方の光電変換セル１０の上部電極層５と、他方の光電変換セル１０の下部電極層２とを電気的に接続できる。
【００４８】
接続導体７は、集電電極６と同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続導体７は、集電電極６の形成と同時に行なってもよい。また、接続導体７は、上部電極層５を延伸したものであってもよい。
【００４９】
＜第２実施形態に係る光電変換モジュール＞
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正及び変更を加えることができる。上記第１実施形態に係る光電変換モジュール１００では、補助電極１８が出力電極８を延伸して構成されていたが、これに限定されない。図７の第２実施形態に係る光電変換モジュールに示すように補助電極２８が出力電極８と間隔をあけて配置されていてもよい。なお、図７は封止材１２および保護基板１３を除いた状態の第２実施形態に係る光電変換モジュール（第２モジュール２０１）を示している。このような構成であれば、出力電極８の熱膨張等による応力が補助電極２８に伝わりにくくなり、第１配線導体９および第２配線導体１９の補助電極２８に対する接続をより良好に維持できる。
【００５０】
＜第３実施形態に係る光電変換モジュール＞
また、光電変換モジュールの他の例として以下のようなものであってもよい。図８の第３実施形態に係る光電変換モジュール（図８は第３実施形態に係る光電変換モジュールから封止材１２および保護基板１３を除いた状態の第３モジュール３０１を示している）に示すように補助電極３８は、第２配線導体１９の延伸方向である第２方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる細長形状であってもよい。このような構成であれば、第２配線導体１９が補助電極３８に沿って半田等で接合できるため、第２配線導体１９を基板１に対して補助電極３８を介して良好に接合することができ、第２配線導体１９の剥離を有効に低減できる。
【００５１】
＜第４実施形態に係る光電変換モジュール＞
また、光電変換モジュールの他の例として以下のようなものであってもよい。図９の第４実施形態に係る光電変換モジュール（図９は第４実施形態に係る光電変換モジュールから封止材１２および保護基板１３を除いた状態の第４モジュール４０１を示している）に示すように補助電極４８は、第２配線導体１９の延伸方向である第２方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる細長形状であるとともに、出力電極８とも接続されていてもよい。このような構成であれば、第３モジュール３０１と同様、第２配線導体１９の剥離を有効に低減できるとともに、光電変換部１１から生じた電力をより低い電気抵抗で光電変換モジュールの外部へ出力することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１００：光電変換モジュ−ル
１０１：第１モジュール
２０１：第２モジュール
３０１：第３モジュール
４０１：第４モジュール
１：基板
１１：光電変換部
８：出力電極
９：第１配線導体
１２：封止材
１３：保護基板
１８：補助電極
１９：第２配線導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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