(57)【要約】【課題】反転板と集電端子とをレーザー溶接により接合する場合であっても、高精度にこれらを溶接する。【解決手段】溶接工程は、回折光学素子により分岐されて形成された複数のレーザービームを異なる箇所に同時に照射することによって、集電端子２１および反転板３０同士が相互に仮止めされた複数の仮止め部５１〜５４を形成する工程と、複数のレーザービームを複数の仮止め部５１〜５４の各々から円弧状に照射することによって、複数の仮止め部５１〜５４の各々を起点として円弧状に延在する複数の溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔを形成する工程とを含む。【選択図】図９
2015144095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反転板の反転動作により電池要素と外部端子との間の導通を遮断する電流遮断機構を有する二次電池の製造方法であって、
前記電池要素に電気的に接続される集電端子と、前記外部端子に電気的に接続される前記反転板とを準備する準備工程と、
レーザー溶接により前記集電端子を前記反転板に接合する溶接工程と、を備え、
前記溶接工程は、
回折光学素子により分岐されて形成された複数のレーザービームを異なる箇所に同時に照射することによって、前記集電端子および前記反転板同士が相互に仮止めされた複数の仮止め部を形成する工程と、
複数の前記レーザービームを複数の前記仮止め部の各々から円弧状に照射することによって、複数の前記仮止め部の各々を起点として円弧状に延在する複数の溶接軌道を形成する工程と、を含む、
二次電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電流遮断機構を備えた二次電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な二次電池は、電流遮断装置を備えている。電流遮断装置は、電池要素に電気的に接続された集電端子、この集電端子に接合された反転板、およびこの反転板に電気的に接続された外部端子などから構成される。反転板が内圧を受け、反転板が集電端子から遠ざかる方向に反転変形することにより、電池要素と外部端子との間の導通が遮断される。二次電池とは技術分野が異なるが、特開２００３−０９４１９０号公報（特許文献１）には、レーザー溶接に関する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９４１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
反転板と集電端子とをレーザー溶接により接合する際、熱歪みに起因して溶接精度（位置や姿勢に関する精度など）が低下する場合がある。すなわち、レーザー照射を受けて一旦軟化した溶接箇所は、再び凝固する際に収縮するため、系全体に傾きや変形を及ぼす恐れがある。傾きや変形が生じた場合、電流遮断装置が遮断動作するときの作動圧もばらつきやすくなる。
【０００５】
本発明は、反転板と集電端子とをレーザー溶接により接合する場合であっても、高精度にこれらを溶接可能な二次電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
二次電池の製造方法は、反転板の反転動作により電池要素と外部端子との間の導通を遮断する電流遮断機構を有する二次電池の製造方法であって、上記電池要素に電気的に接続される集電端子と、上記外部端子に電気的に接続される上記反転板とを準備する準備工程と、レーザー溶接により上記集電端子を上記反転板に接合する溶接工程と、を備え、上記溶接工程は、回折光学素子により分岐されて形成された複数のレーザービームを異なる箇所に同時に照射することによって、上記集電端子および上記反転板同士が相互に仮止めされた複数の仮止め部を形成する工程と、複数の上記レーザービームを複数の上記仮止め部の各々から円弧状に照射することによって、複数の上記仮止め部の各々を起点として円弧状に延在する複数の溶接軌道を形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成によれば、溶接部の形成に先だって、仮止め部によって集電端子および反転板同士は相互に仮止めされた状態を形成するため、溶接部を形成する際に熱歪みに起因して溶接精度（位置や姿勢に関する精度など）が低下することは効果的に抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１における二次電池を示す平面図である。
【図２】実施の形態１における二次電池を示す断面図である。
【図３】図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図４】図３に対応する分解斜視図である。
【図５】図３中のＶ線に囲まれた領域を拡大して示す断面図である。
【図６】図５中の矢印ＩＶ方向から集電端子等を見た際の様子を示す底面図である。
【図７】実施の形態１における二次電池の製造方法で使用される溶接装置を示す図である。
【図８】実施の形態１における二次電池の製造方法の第１工程を示す底面図である。
【図９】実施の形態１における二次電池の製造方法の第２工程を示す底面図である。
【図１０】実施の形態１における二次電池の製造方法に関し、実際に溶接部を形成したのち、溶接部を撮像したものを示す図である。
【図１１】比較例における二次電池の製造方法で使用される溶接装置を示す図である。
【図１２】比較例における二次電池の製造方法の第１工程を示す底面図である。
【図１３】比較例における二次電池の製造方法の第２工程を示す底面図である。
【図１４】比較例における二次電池の製造方法の第３工程を示す底面図である。
【図１５】比較例における二次電池の製造方法によって製造された二次電池を示す断面図である。
【図１６】比較例における二次電池の製造方法で使用される他の溶接装置を示す図である。
【図１７】実施の形態２における二次電池の製造方法の第１工程を示す底面図である。
【図１８】実施の形態２における二次電池の製造方法の第２工程を示す底面図である。
【図１９】実施の形態２における二次電池の製造方法の第３工程を示す底面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。個数および量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数およびその量などに限定されない。同一の部品および相当部品には、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００１０】
［実施の形態１］
図１〜図６を参照して、実施の形態１における二次電池１００について説明する。二次電池１００の製造方法については、図７〜図１０を参照して後述する。図１および図２は、それぞれ二次電池１００を示す平面図および断面図である。二次電池１００は、外装体１０、電極体１３（図２）、正極用の外部端子２０および集電端子２１（図２）、ならびに負極用の外部端子２４および集電端子２５（図２）を備える。
【００１１】
外装体１０は、収容部１１および封口板１２を含む。外装体１０は、内部に電極体１３（電池要素）を収容する。外部端子２０，２４は、封口板１２に取り付けられる。電極体１３は、正極芯体、負極芯体およびセパレータ（いずれも図示せず）を有し、正極芯体および負極芯体は、セパレータを介して巻回される。電極体１３の両端には、正極芯体露出部１４および負極芯体露出部１５がそれぞれ設けられる。
【００１２】
正極芯体露出部１４は、集電端子２１および後述する電流遮断機構を介して外部端子２０に電気的に接続される。負極芯体露出部１５は、集電端子２５および電流遮断機構を介して外部端子２４に電気的に接続される。正極用の電流遮断機構および負極用の電流遮断機構は同一の構成を有しているため、以下では正極用の電流遮断機構に着目してその詳細を説明する。
【００１３】
図３は、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。図４は、図３に対応する分解斜視図である。便宜上のため、図４中には、集電端子２１、反転板３０（ダイヤフラムともいう）およびリベット４０のみを図示している。図３および図４に示すように、封口板１２および外部端子２０（図１，図２参照）の近傍には、集電端子２１に加えて、ガスケット１６，１７，１８（図３）、導電板１９（図３）、反転板３０およびリベット４０が設けられる。
【００１４】
封口板１２には、貫通孔１２Ｈが形成される。ガスケット１７，１８は、封口板１２の内側（外装体１０の内部側）に配置される。ガスケット１６および導電板１９は、封口板１２の外側（外装体１０の外部側）に配置される。リベット４０は、貫通孔１２Ｈに挿通された状態でかしめ（加締め）られ、導電板１９およびガスケット１６を封口板１２に固定する。図３に示す状態では、集電端子２１は、反転板３０、リベット４０および導電板１９を通して外部端子２０（図１）に電気的に接続される。
【００１５】
リベット４０は、かしめ部４１、小径部４２、接続部４３、大径部４４、および鍔部４５を含む。かしめ部４１は、小径部４２のうちの接続部４３とは反対側に形成される。かしめ部４１は、小径部４２を貫通孔１２Ｈ（図３）に挿通したのち、小径部４２の端部側を加締めることによって形成される。鍔部４５は、大径部４４よりも外側に形成された部位であり、全体として環状の形状を有する。接続部４３、大径部４４および鍔部４５の内側の空間は、後述する反転板３０が反転することを許容する。
【００１６】
反転板３０は、天面部３１（反転部）、傾斜部３２、および鍔部３３を含み、アルミニウム合金などから形成される。天面部３１は、円形状の形状を有する。傾斜部３２は、天面部３１の周囲を取り囲む環状の形状を有する。鍔部３３は、傾斜部３２よりも外側に形成され、環状の形状を有する。反転板３０の鍔部３３とリベット４０の鍔部４５とが互いに溶接されることによって、反転板３０はリベット４０に固定される。
【００１７】
集電端子２１は、平板部２１Ｌ，２１Ｒ（図４）、厚肉部２２、薄肉部２３、貫通孔２３Ｈおよび環状溝２３Ｇ（図３）を含み、アルミニウム合金などから形成される。平板部２１Ｌ，２１Ｒは、正極芯体露出部１４（図１）に溶接される。当該溶接により、集電端子２１は電極体１３（図２）に電気的に接続される。薄肉部２３は、厚肉部２２よりも薄い厚さを有する。反転板３０の天面部３１は、レーザー溶接によって薄肉部２３に接合される（詳細は後述する）。貫通孔２３Ｈおよび環状溝２３Ｇは、いずれも薄肉部２３に設けられる（図５および図６参照）。
【００１８】
図５は、図３中のＶ線に囲まれた領域を拡大して示す断面図である。図６は、図５中の矢印ＩＶ方向から集電端子２１等を見た際の様子を示す底面図である。便宜上のため、図６中には、集電端子２１の厚肉部２２は図示しておらず、薄肉部２３および薄肉部２３よりも内側に構成される部位（環状溝２３Ｇなど）のみ図示している。薄肉部２３は、円盤状の形状を有し、その厚さＴ１（図５）は、たとえば０．１ｍｍである。反転板３０の天面部３１の厚さＴ２は、たとえば０．３ｍｍである。
【００１９】
図５および図６に示すように、貫通孔２３Ｈは、円形状の形状を有し、薄肉部２３の中央に形成される。環状溝２３Ｇは、貫通孔２３Ｈの周囲を囲うように形成され、環状の形状を有する。環状溝２３Ｇ（図５参照）は、集電端子２１が配置されている側から反転板３０が配置されている側に向かって凹むＶ字状の断面形状を有する。
【００２０】
上述の通り、反転板３０の天面部３１と集電端子２１の薄肉部２３とは、レーザー溶接によって互いに接合される。溶接部５０は、天面部３１と薄肉部２３とに溶接が実施されることによって形成され、天面部３１と薄肉部２３とが一体化した部位である。すなわち、溶接部５０は、天面部３１と薄肉部２３とが互いに接合された箇所に形成される。溶接部５０は、貫通孔２３Ｈの周囲を囲うように形成され、環状の形状を有する。溶接部５０の中心を通る円を描いた場合、その円の直径Ｄはたとえば２．０ｍｍ〜２．８ｍｍである。
【００２１】
（電流遮断装置の動作）
図３を参照して、集電端子２１、反転板３０およびリベット４０によって電流遮断装置（CID：Current  Interrupt  Device）が構成される。電流遮断装置が作動する前の二次電池１００（図１）の通常の使用状態においては、反転板３０は、天面部３１が集電端子２１（薄肉部２３）の側に向かって突出した形状を有し、集電端子２１は、反転板３０、リベット４０および導電板１９を通して外部端子２０（図１）に電気的に接続される。
【００２２】
電流遮断機構が作動する前には、電流は、集電端子２１（薄肉部２３）、反転板３０（天面部３１）およびリベット４０の順に流れる。これにより、二次電池１００（図１）から外部へ電力が供給される。充電時にはこれと逆方向に電流が流れる。外装体１０（図１）の内圧が上昇した場合には、反転板３０の天面部３１が外装体１０内の気体に押圧される。外装体１０（図１）の内圧が設定値（作動圧）よりも高くなった場合、薄肉部２３が環状溝２３Ｇを起点として破壊され、反転板３０の天面部３１は薄肉部２３とともに集電端子２１から遠ざかる方向に移動する。反転板３０のこの反転動作により、集電端子２１と反転板３０とが離隔し、電極体１３（図２）と外部端子２０（図１）との間の導通が遮断される。
【００２３】
（二次電池１００の製造方法）
図３を参照して、二次電池１００を製造する際には、まず、導電板１９、ガスケット１６，１７，１８、封口板１２およびリベット４０などが準備され、リベット４０にかしめ部４１を形成することによりこれらは一体化される。次いで、レーザー溶接などにより反転板３０がリベット４０に接合される。その後、熱かしめにより、反転板３０およびリベット４０などを含む中間品に集電端子２１が固定される。熱かしめにより、熱かしめ部２８（図３）が形成される。
【００２４】
図７を参照して、溶接装置６０が準備される。集電端子２１および反転板３０などは、溶接装置６０にセットされる。溶接装置６０は、発振器６１、回折光学素子６２（ＤＯＥ：Diffractive  Optical  Element）および反射板６３を有する。発振器６１は、ファイバー型のレーザーヘッド等から構成され、回折光学素子６２に向けてレーザービームを発振する。レーザービームとしては、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザーおよびエキシマレーザーなどを用いることができる。
【００２５】
回折光学素子６２は、発振器６１が発振したレーザービームを、複数のレーザービームに分岐させる。回折光学素子６２により分岐されて形成された複数のレーザービームは、反射板６３に入射する。反射板６３で反射した複数本のレーザービームは、環状の溶接部５０を形成するべき箇所に向けて照射される。
【００２６】
図８を参照して、発振器６１がレーザービームを発振したのち、所定の時間が経過するまでは、回折光学素子６２（図７）は回転しない。所定の時間の間、回折光学素子６２により分岐されて形成された複数の（本実施の形態では４本の）レーザービームは、仮止め部５１〜５４（図８）を形成するための互いに異なる箇所に同時に照射され続ける。回折光学素子６２が回転しない状態でレーザービームが照射され続けることによって、仮止め部５１〜５４が形成される。仮止め部５１〜５４は、同一円周上において９０°間隔で離れた互いに異なる位置に形成され、これらの仮止め部５１〜５４によって、集電端子２１および反転板３０同士は、相互に仮止めされた状態を形成する。この後、回折光学素子６２は回転し始める。
【００２７】
図９を参照して、回折光学素子６２が０°から９０°までの範囲で回転することによって、複数のレーザービームは、仮止め部５１〜５４の各々から円弧状に走査される（矢印ＡＲ５１〜ＡＲ５４）。仮止め部５１〜５４の各々を起点（始点）として、円弧状に延在する溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔが形成される。溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔは、同一円周上で延在しつつ、徐々にその長さが長くなる。溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔの長さが長くなる速さは、できるだけ同一に近いことが好ましく、同一であることがより好ましい。
【００２８】
溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔの各々は、仮止め部５２，５３，５４，５１に向かってそれぞれ延びる。その後、溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔが１つの円環を形成することによって、図６に示す溶接部５０が形成される。図１０は、実際に溶接部５０を形成したのち、溶接部５０を撮像したものを示す図である。図１０に示す場合では、溶接部５０の形成後も、仮止め部５１〜５４が痕跡として確認できることがわかる。
【００２９】
（作用および効果）
本実施の形態では、仮止め部５１〜５４によって、集電端子２１および反転板３０同士は、相互に仮止めされた状態を形成する。この状態で、溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔが形成される。その後、溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔが１つの円環を形成することによって、溶接部５０が形成される。溶接部５０の形成に先だって、集電端子２１および反転板３０同士が仮止めされているため、熱歪みに起因して溶接精度（位置や姿勢に関する精度など）が低下することは効果的に抑制されている。
【００３０】
仮止め部５１〜５４は、同一円周上において等間隔（本実施の形態では９０°間隔）で離れた互いに異なる位置に形成される。仮止め部５１〜５４を形成している際に仮止め部５１〜５４の近傍に収縮応力（熱歪み）が発生したとしても、収縮応力は互いに相殺する位置関係にあり、溶接精度（位置や姿勢に関する精度など）が低下することはほとんどない。
【００３１】
仮止め部５１〜５４を形成した後は、溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔを従来に比べて短時間で形成してもよい。加工速度を増加させると溶融領域（溶け込む領域）が細くなり、溶融面積が少なくなる。本実施の形態では、仮止め部５１〜５４の形成によって一定程度の接合力が得られているため、加工速度を増加させたとしても溶接精度（位置や姿勢に関する精度など）が低下することはほとんどない。
【００３２】
本実施の形態では、９０°間隔で４つの仮止め部を形成しているが、等間隔であれば、３０°間隔、４５°間隔、６０°間隔、または１２０°間隔であってもよい。分岐により形成される複数のレーザービームの本数は、多い方が加工に必要な時間が短くなる。回折光学素子６２を用いれば、狭いスペースであっても分岐作用によって容易に複数のレーザービームを形成することが可能である。
【００３３】
［比較例］
図１１は、比較例における二次電池の製造方法で使用される溶接装置６０Ａを示す図である。溶接装置６０Ａは、発振器６１および反射板６４を有する。反射板６４は、いわゆる走査ミラーとして機能する部材であり、発振器６１から発振されたレーザービームは、環状の溶接部７０を形成するべき箇所に向けて照射される（矢印ＤＲ６４参照）。
【００３４】
図１２を参照して、溶接装置６０Ａ（図１１参照）を用いる場合、始点７１に示す部分からレーザー溶接が開始される。図１３を参照して、反射板６４の動作によって、レーザービームは、始点７１から円弧状に走査される（矢印ＡＲ７１）。始点７１を起点として、円弧状に延在する溶接軌道７１Ｔが形成される。溶接軌道７１Ｔは、徐々にその長さが長くなる。図１４を参照して、溶接軌道７１Ｔ（図１３）が１つの円環を形成することによって、溶接部７０が形成される。
【００３５】
比較例の場合では、溶接部７０の形成に先だって、集電端子２１および反転板３０同士が仮止めされていない。始点７１の近傍でレーザー溶接を実施している際、始点７１の近傍に収縮応力（熱歪み）が発生し、その影響はたとえば図１３中の点線７２で囲まれる領域に及ぶ。点線７２で囲まれる領域とは、レーザービーム走査の終点付近に位置する領域である。熱歪みは、溶接軌道７１Ｔが形成される終始（１周分の走査の間）にわたって発生し、上述の実施の形態１の場合とは異なり、相殺されること無く蓄積され続ける。熱歪みは、たとえば点線７２の付近に顕著にあらわれる。
【００３６】
図１５を参照して、溶接部７０が形成された後では、熱歪みの蓄積によって浮き７３が形成される。浮き７３とは、反転板３０の天面部３１と外部端子２０の薄肉部２３との間に形成された隙間である。浮き７３は、対向配置された反転板３０の天面部３１と外部端子２０の薄肉部２３とを接合する場合に発生しやすい。浮き７３が発生した場合、電流遮断装置が遮断動作するときの作動圧がばらつきやすくなる。浮き７３が発生した場合、溶接の際に溶けた金属が浮き７３に流れ込み、いわゆる穴あき不良と言われる現象が発生することもある。
【００３７】
図１６を参照して、熱歪みの影響を低減するために、溶接装置６０Ｂを用いることも考えられる。すなわち、溶接装置６０Ｂは、一対の発振器６１Ａ，６１Ｂおよび一対の反射板６４Ａ，６４Ｂを有する。反射板６４Ａ，６４Ｂは、いわゆる走査ミラーとして機能する部材であり、発振器６１Ａ，６１Ｂから発振されたレーザービームは、反射板６４Ａ，６４Ｂによってそれぞれ反射され、環状の溶接部７０を形成するべき箇所に向けて照射される。当該構成の場合、光学系が複数必要となり、機器を配置するためのスペースも確保しなければならず、さらに同期を実現するための制御動作も複雑化し、製造費用の増加を招くおそれがある。
【００３８】
［実験例］
上述の実施の形態１（図７〜図９）の構成と、上述の比較例（図１１〜図１４）の構成とを比較するために、反転板３０と集電端子２１とをφ２．３ｍｍの円軌道を有する周回溶接により接合し、その際の不良（穴あき不良）の発生回数を確認した。当該実験例では、実施の形態１の場合も比較例の場合も、溶接装置としてはファイバーレーザーを用い、ＣＷ（Continuous  Wave）溶接を実施した。
【００３９】
実施の形態１の場合では、回折光学素子６２の回転速度が１００ｒｐｍ（加工速度が５０ｍｍ／ｓｅｃであるものに相当）であり、出力は１０００Ｗ（１ビーム当たり２５０Ｗ）であるものとした。比較例の場合は、加工速度が５０ｍｍ／ｓｅｃであり、出力は２５０Ｗであるものとした。
【００４０】
その結果、実施の形態１の場合は良品数が５０個、穴あきが発生した不良品数が０個であったのに対して、比較例の場合は、良品数が４６個、穴あきが発生した不良品数が４個であった。この結果からも、上述の実施の形態１の構成によれば、集電端子２１および反転板３０同士が仮止めされているため、熱歪みに起因して溶接精度（位置や姿勢に関する精度など）が低下することは効果的に抑制できることがわかる。
【００４１】
［実施の形態２］
図１７〜図１９を参照して、実施の形態２における二次電池の製造方法について説明する。本実施の形態でも、上述の実施の形態１と同様に溶接装置６０（図７参照）が用いられ、回折光学素子６２は、発振器６１が発振したレーザービームを複数のレーザービームに分岐させる。回折光学素子６２により分岐されて形成された複数のレーザービームは、反射板６３に入射する。本実施の形態では、反射板６３で反射した複数本のレーザービームは、環状の溶接部５０Ａ，５０Ｂ（図１７）を形成するべき箇所に向けて照射される。
【００４２】
図１７を参照して、発振器６１（図７）がレーザービームを発振したのち、所定の時間が経過するまでは、回折光学素子６２（図７）は回転しない。所定の時間の間、回折光学素子６２により分岐されて形成された複数の（本実施の形態では４本の）レーザービームは、仮止め部５１〜５４（図８）を形成するための互いに異なる箇所に同時に照射され続ける。回折光学素子６２が回転しない状態でレーザービームが照射され続けることによって、仮止め部５１〜５４が形成される。
【００４３】
本実施の形態では、仮止め部５１，５３は、同一円周上において１８０°間隔で離れた互いに異なる位置に形成され、仮止め部５２，５４は、他の同一円周上において１８０°間隔で離れた互いに異なる位置に形成される。これらの仮止め部５１〜５４によって、集電端子２１および反転板３０同士は、相互に仮止めされた状態を形成する。この後、回折光学素子６２は回転し始める。
【００４４】
図１８を参照して、回折光学素子６２（図７）が０°から１８０°までの範囲で回転することによって、複数のレーザービームは、仮止め部５１〜５４の各々から円弧状に走査される（矢印ＡＲ５１〜ＡＲ５４）。仮止め部５１〜５４の各々を起点（始点）として、溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔが形成される。溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔは、徐々にその長さが長くなる。溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔの長さが長くなる速さは、できるだけ同一に近いことが好ましく、同一であることがより好ましい。
【００４５】
溶接軌道５１Ｔ，５３Ｔの各々は、仮止め部５３，５１に向かってそれぞれ延びる。溶接軌道５２Ｔ，５４Ｔの各々は、仮止め部５４，５２に向かってそれぞれ延びる。その後、溶接軌道５１Ｔ，５３Ｔが１つの円環を形成し、溶接軌道５２Ｔ，５４Ｔが他の１つの円環を形成することによって、図１９に示す溶接部５０Ａ，５０Ｂが形成される。
【００４６】
本実施の形態でも、仮止め部５１〜５４によって、集電端子２１および反転板３０同士は、相互に仮止めされた状態を形成する。この状態で、溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔが形成される。その後、溶接軌道５１Ｔ〜５４Ｔが２つの円環を形成することによって、溶接部５０Ａ，５０Ｂが形成される。溶接部５０の形成に先だって、集電端子２１および反転板３０同士が仮止めされているため、熱歪みに起因して溶接精度（位置や姿勢に関する精度など）が低下することは効果的に抑制されている。
【００４７】
以上、本発明に基づいた実施の形態および実験例について説明したが、今回開示された内容はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４８】
１０  外装体、１１  収容部、１２  封口板、１２Ｈ，２３Ｈ  貫通孔、１３  電極体、１４  正極芯体露出部、１５  負極芯体露出部、１６，１７，１８  ガスケット、１９  導電板、２０，２４  外部端子、２１，２５  集電端子、２１Ｌ，２１Ｒ  平板部、２２  厚肉部、２３  薄肉部、２３Ｇ  環状溝、２８，４１  かしめ部、３０  反転板、３１  天面部、３２  傾斜部、３３，４５  鍔部、４０  リベット、４２  小径部、４３  接続部、４４  大径部、５０，５０Ａ，５０Ｂ，７０  溶接部、５１，５２，５３，５４  仮止め部、５１Ｔ，５２Ｔ，５３Ｔ，５４Ｔ，７１Ｔ  溶接軌道、６０，６０Ａ，６０Ｂ  溶接装置、６１，６１Ａ，６１Ｂ  発振器、６２  回折光学素子、６３，６４，６４Ａ，６４Ｂ  反射板、７１  始点、７２  点線、７３  浮き、１００  二次電池。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１０】
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