(57)【要約】【課題】実施形態は、相分離したブロックコポリマに含まれる複数の相のうちの１つを、大きな選択比を持ってドライエッチングすることが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、下地上にブロックコポリマを含む層を形成し、前記ブロックコポリマを相分離させ、第１のポリマを含む第１の相と、第２のポリマを含む第２の相と、を前記層中に形成し、前記層を一酸化炭素を含むガスを用いてドライエッチングし前記第１の相を選択的に除去する。【選択図】図１
2015015425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地上にブロックコポリマを含む層を形成し、
前記ブロックコポリマを相分離させ、第１のポリマを含む第１の相と、第２のポリマを含む第２の相と、を前記層中に形成し、
前記層を一酸化炭素を含むガスを用いてドライエッチングし、前記第１の相を選択的に除去するパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１のポリマおよび前記第２のポリマは、カーボン系の主鎖を有し、
前記第１のポリマを構成する第１のモノマの総原子数を、前記第１のモノマに含まれる炭素原子数から前記第１のモノマに含まれる酸素原子数を差し引いた原子数で除した第１の値は、前記第２のポリマを構成する第２のモノマの総原子数を、前記第２のモノマに含まれる炭素原子数から前記第２のモノマに含まれる酸素原子数を差し引いた原子数で除した第２の値よりも大きい請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記ガスは、不活性ガスをさらに含み、
前記一酸化炭素の割合は、前記不活性ガスと一酸化炭素との合計量中１０％以上である請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１のポリマは、その組成を表わす化学式中に酸素原子を含有し、
前記第２のポリマは、その組成を表わす化学式中に酸素原子を含有しない請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１のポリマは、その組成を表わす化学式中にベンゼン環を含まず、
前記第２のポリマは、その組成を表わす化学式中にベンゼン環を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化・高集積化に伴い、ブロックコポリマの自己組織化を利用した微細加工技術の開発が進められている。ブロックコポリマは、複数種類のポリマを含み、例えば、熱処理によりミクロ相分離を生じさせることができる。そして、ミクロ相分離された複数の相のうちの１つを選択的に除去することにより、フォトリソグラフィを凌駕する微細パターンを形成することが可能である。しかしながら、ブロックコポリマを用いた微細加工技術には、まだ改善の余地がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１５１８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、相分離したブロックコポリマに含まれる複数の相のうちの１つを、大きな選択比を持ってドライエッチングすることが可能なパターン形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係るパターン形成方法は、下地上にブロックコポリマを含む層を形成し、前記ブロックコポリマを相分離させ、第１のポリマを含む第１の相と、第２のポリマを含む第２の相と、を前記層中に形成し、前記層を一酸化炭素を含むガスを用いてドライエッチングし前記第１の相を選択的に除去する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る半導体装置の製造過程を表す模式断面図。
【図２】図１に続く製造過程を表す模式断面図。
【図３】実施形態に係るドライエッチングの特性を表すグラフ。
【図４】実施形態に係るドライエッチングの別の特性を表すグラフ。
【図５】実施形態に係るドライエッチングの他の特性を表すグラフ。
【図６】実施形態に係るウェーハを表すＳＥＭ(Scanning Electron Microscopy）像。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【０００８】
図１および図２を参照して、実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。  
図１（ａ）〜図２（ｃ）は、実施形態に係る半導体装置の製造過程を表す模式断面図である。
【０００９】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、半導体ウェーハ、もしくは、その上に設けられた構造体に所定のパターンを形成する過程を含む。以下の説明では、半導体ウェーハ１の上に設けられたシリコン酸化膜３に開口を形成する過程を説明するが、実施形態はこれに限定される訳ではない。例えば、シリコン酸化膜３に代えて、他の絶縁膜、半導体層または金属膜に所定のパターンを形成する場合にも適用可能である。また、半導体ウェーハにパターンを形成することもできる。
【００１０】
まず、半導体ウェーハ１の上に第１の膜（以下、シリコン酸化膜３）を形成する。シリコン酸化膜３は、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成される。
【００１１】
次に、シリコン酸化膜３の上に第２の膜（以下、有機膜５）を形成する。有機膜５は、例えば、ＣＶＤ法などを用いて形成される。さらに、有機膜５の上に、第３の膜（以下、シリコン酸化膜７）を形成する。シリコン酸化膜７は、例えば、スピン塗布法などを用いて形成される。
【００１２】
次に、シリコン酸化膜７の上に、第４の膜（以下、ガイド膜１１）、および、第５の膜（以下、シリコン酸化膜１３）を順に形成する。ガイド膜１１は、例えば、レジスト膜である。ガイド膜１１およびシリコン酸化膜１３は、例えば、スピン塗布法を用いてそれぞれ形成される。
【００１３】
続いて、図１（ａ）に表わすように、例えば、フォトリソグラフィを用いて、ガイド膜１１およびシリコン酸化膜１３に第１のパターンとしての開口１１ａを形成する。第１のパターンは、例えば、シリコン酸化膜１３およびガイド膜１１を貫通し、シリコン酸化膜７に連通するホールである。第１のパターンはホールに限らず、例えば、シリコン酸化膜７の上面７ｕに沿って延在する溝であっても良い。
【００１４】
次に、上記の過程を通して形成された下地上にブロックコポリマを含む層１０を形成する。
【００１５】
ブロックコポリマは、複数種類のポリマを含み、それぞれのポリマは相互に化学結合している。例えば、ブロックコポリマを溶かした溶液を塗布し、溶媒を蒸散させることによりブロックコポリマを含む層１０を開口１１ａの内部に形成する。
【００１６】
ブロックコポリマは、例えば、カーボン系の主鎖を有する２つのポリマＡおよびＢを含む。第１のポリマ（以下、ポリマＡ）は、例えば、化学式１で表わされるＰＭＭＡ（Polymethylmethacrylate）である。第２のポリマ（以下、ポリマＢ）は、例えば、化学式２で表わされるポリスチレン（Polystylen）である。
【化１】
2015015425.tif 000003
【化２】
2015015425.tif 000004
【００１７】
続いて、層１０に熱処理を施すことにより、ポリマＡを含む第１の相１５と、ポリマＢを含む第２の相１７と、に分離する。すなわち、ブロックコポリマをガラス転移温度Ｔｇ以上の温度に加熱すると、ガラス化した層中におけるポリマ間の斥力により相分離させることができる。
【００１８】
ブロックコポリマを熱処理する方法及び雰囲気は特に限定されない。例えば、水素などの還元作用のあるガスを不活性ガスに混合したフォーミングガス中で、ブロックコポリマを加熱する。アニール時の雰囲気は、真空、もしくは、アルゴン、窒素などの不活性ガス中でも良い。アニール装置には、例えば、オーブン、ホットプレート等を用いることができる。
【００１９】
例えば、ポリマＢに対するガイド膜１１およびシリコン酸化膜７の親和性がポリマＡよりも高ければ、図１（ａ）に表わすように、ポリマＢが開口１１ａの内面を覆い第２の相１７を形成する。ポリマＡは、開口１１ａを覆うポリマＢの内側に集まり、第１の相１５を形成する。
【００２０】
このように、ガイド膜１１およびシリコン酸化膜７は、物理ガイドとして機能する。物理ガイドはブロックコポリマを規則的に配向させるために形成する凹凸の構造体である。そして、この構造体のうちの一方のポリマとの親和性が高い部分に沿って、そのポリマが並ぶ。これを起点として、ブロックコポリマは、規則的に配列する。
【００２１】
例えば、ポリマＡに対するガイド膜１１およびシリコン酸化膜７の親和性がポリマＢよりも高ければ、開口１１ａの内面はポリマＡに覆われる。そして、ポリマＢは、ポリマＡの内側に集まり相構成が逆転する。また、ガイド膜１１には、ポリマＡおよびＢに対する親和性がシリコン酸化膜７とは異なる材料を用いても良い。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に表わすように、層１０をドライエッチングし、第１の相１５を選択的に除去する。例えば、一酸化炭素（ＣＯ）を含むガスを用いたドライエッチングでは、ＰＭＭＡのエッチング速度をポリスチレン（ＰＳ）よりも速くすることができる。これにより、ＰＭＭＡ（ポリマＡ）を含む第１の相１５を選択的に除去し、開口１１ａの内面にポリスチレン（ポリマＢ）を含む第２の相１７を残すことができる。第２の相１７の内側には、第２の開口（以下、開口１７ａ）が形成される。
【００２３】
具体的には、例えば、エッチングガスとして、一酸化炭素をアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスで希釈したガスを用いる。また、希釈なしの一酸化炭素ガスを用いても良い。ドライエッチング装置として、例えば、ＣＣＰ（Capacitive Coupled Plasma）型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いることができる。
【００２４】
次に、図２（ａ）に表わすように、シリコン酸化膜７に連通する開口１７ａを形成する。例えば、異方性を有するＲＩＥのエッチング条件を用いて、第２の相１７のシリコン酸化膜７に接する部分を選択的に除去する。エッチングガスには、例えば、Ａｒと酸素とを混合したガスを用いる。
【００２５】
開口１７ａは、例えば、フォトリソグラフィを用いて形成された開口１１ａよりも径の小さい第２のパターン、所謂、シュリンクパターンである。
【００２６】
続いて、図２（ｂ）に表わすように、第２の相１７およびガイド膜１１をマスクとして、開口１７ａの底面に露出したシリコン酸化膜７をエッチングする。例えば、ＣＨＦ３および酸素の混合ガスをエッチングガスとし、ＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜７を選択的にエッチングする。これにより、シリコン酸化膜７に開口７ａを形成する。この際、ガイド膜１１の上に形成されたシリコン酸化膜１３もエッチングされ、除去される。
【００２７】
続いて、図２（ｃ）に表わすように、開口７ａが形成されたシリコン酸化膜７をマスクとして、有機膜５を選択的にエッチングする。これにより、シリコン酸化膜３に連通する開口５ａを形成することができる。有機膜５は、例えば、酸素ガスを用いたドライエッチングにより選択的に除去される。そして、この過程において、ガイド膜１１および第２の相１７も同時にエッチングされ、除去される。
【００２８】
上記の過程により形成された有機膜５をマスクとして、シリコン酸化膜３をエッチングすることができる。有機膜５に形成される開口５ａは、第２のパターンが転写されたものであり、開口１１ａの径よりも小さい。すなわち、フォトリソグラフィにより形成される第１のパターンよりも微細化された第２のパターンにより、半導体ウェーハ上の構造体を加工することができる。例えば、開口１１ａの径がフォトリソグラフィにおける最小幅（解像限界）であれば、本実施形態では、フォトリソグラフィを凌駕する微細化が可能となる。
【００２９】
さらに、上記の製造方法において、第２の相１７の過度のエッチングを抑制することにより、第２のパターンの解像度を向上させることができる。すなわち、実施形態では、第１の相１５および第２の相１７のエッチングの選択比が大きいドライエッチング条件を用いる。これにより、第１の相１５を選択的に除去する際に、第２の相１７の肩落ち、および、サイドエッチングを抑制することができる。そして、有機膜５に転写される第２のパターンにおける寸法制御性を向上させることが可能である。
【００３０】
例えば、第１の相１５を形成するポリマＡの酸素含有量は、第２の相１７を形成するポリマＢの酸素含有量よりも大きいことが好ましい。これにより、ドライエッチングの選択比を大きくすることができる。
【００３１】
実施形態において、ポリマＡとして使用するＰＭＭＡは、その化学式１に酸素を含む。一方、ポリマＢとして使用するポリスチレンは、その化学式２に酸素を含まない。例えば、実際に用いられるＰＭＭＡは、実測値で炭素原子と酸素原子の合計量に対して酸素原子を２７．３％（炭素原子を７２．７％）を含み、ポリスチレンは、残留酸素などを含有するとしてもその含有量は極めて少量（例えば、０．２６％）である。なお、ここで炭素原子と酸素原子の各含有量（ａｔｍ％）は、例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）などで算出した値である。
【００３２】
別の観点から見れば、ポリマＡを構成する第１のモノマ（以下、モノマＡ）の総原子数を、モノマＡに含まれる炭素原子数からモノマＡに含まれる酸素原子数を差し引いた原子数で除した第１の値は、ポリマＢを構成する第２のモノマ（以下、モノマＢ）の総原子数を、モノマＢに含まれる炭素原子数からモノマＢに含まれる酸素原子数を差し引いた原子数で除した第２の値よりも大きいことが望ましい。
【００３３】
例えば、ポリマのドライエッチングに対する耐性は、次式（１）で表される指数ＦＤで評価することができる。
ＦＤ＝ＮＴ／（ＮＣ−ＮＯ）・・・（１）
ここで、ＮＴは、ポリマを構成する単位モノマの総原子数、ＮＣは、単位モノマに含まれる炭素原子の数、ＮＯは、単位モノマに含まれる酸素原子の数である。
【００３４】
一般に、ポリマのドライエッチングに対する耐性は、ポリマ中の酸素原子の含有量と相関関係があり、ＦＤ値が大きくなると、ポリマのドライエッチングの耐性が低下する。したがって、ＦＤ値が互いに乖離しており、例えば、ＦＤ値の比が１．４以上である複数のポリマを組み合わせることにより、ドライエッチングの選択性を向上させることが可能である。例えば、ＰＭＭＡの単位モノマはＣ５Ｏ２Ｈ８であり、そのＦＤ値は５（第１の値）である。これに対し、ポリスチレンの単位モノマはＣ８Ｈ８であり、そのＦＤ値は２（第２の値）である。
【００３５】
また、化学式１に表すように、ポリスチレンはベンゼン環を含む。一方、化学式２に表すように、ＰＭＭＡはベンゼン環を含まない。すなわち、ベンゼン環を含むポリマのＦＤ値は、ベンゼン環を含まないポリマのＦＤ値よりも小さくなる傾向がある。
【００３６】
次に、図３〜図５を参照して、実施形態に係るブロックコポリマのドライエッチング特性について説明する。図３〜図５は、実施形態に係るＰＭＭＡおよびポリスチレンのドライエッチングの特性を表すグラフである。
【００３７】
図３は、一酸化炭素（ＣＯ）ガスの流量に対してＰＭＭＡおよびポリスチレンのエッチング速度を表したグラフである。横軸は、ＣＯガスの流量（ｓｃｃｍ）、縦軸は、エッチング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）およびエッチングの選択比である。
【００３８】
この実施例では、ＣＣＰ型のドライエッチング装置を使用し、そのエッチング条件は、以下の通りである。  
高周波（ＲＦ）パワー（１００ＭＨｚ、プラズマ励起用）：７００Ｗ、
ＲＦパワー（１３ＭＨｚ、バイアス用）：８０Ｗ、
エッチングガス圧：１０ｍＴｏｒｒ、
希釈ガス（Ａｒ）流量：２６５（ｓｃｃｍ）、
エッチング時間：１２０秒
【００３９】
図３に表すように、エッチングの選択比（ＰＭＭＡのエッチング速度／ポリスチレンのエッチング速度）は、ＣＯガスの流量を増加させるに従い上昇し、特にＣＯガスの流量が３０ｓｃｃｍを超える付近において顕著に上昇している。このことから、エッチングガス（ＣＯ＋Ａｒ）に占めるＣＯガスの割合の下限は、ＣＯガス流量３０ｓｃｃｍに対応する１０％程度とすることが望ましい。
【００４０】
例えば、ＣＯガスに代えて酸素ガス（Ｏ２）を用いた場合、エッチング選択比は４以下である。すなわち、一酸化炭素（ＣＯ）を含むエッチングガスを用いることにより、エッチングの選択比（ＰＭＭＡのエッチング速度／ポリスチレンのエッチング速度）を１桁以上大きくすることができる。
【００４１】
図４は、別の実施例に係るＰＭＭＡおよびポリスチレンのエッチング速度を表したグラフである。横軸は、エッチングガスに占めるＣＯガスの割合（％）、縦軸は、それぞれのエッチング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）である。
図４においては、特にＣＯガスの流量が少ない領域でＰＭＭＡおよびポリスチレンのエッチング速度が速くなっており、ドライエッチング装置内でのプラズマ生成に伴う堆積物が比較的少ない条件を用いている。
【００４２】
この例におけるドライエッチング条件は、以下の通りである。  
ＲＦパワー（１００ＭＨｚ、プラズマ励起用）：７００Ｗ、
ＲＦパワー（１３ＭＨｚ、バイアス用）：７５Ｗ、
エッチングガス圧：１０ｍＴｏｒｒ、
エッチングガス（ＣＯ＋Ａｒ）流量：３００（ｓｃｃｍ）
【００４３】
図４に表すように、ＰＭＭＡおよびポリスチレンのエッチング速度は、共にＣＯガスの割合（％）を増加させるにしたがって遅くなり、ＣＯガスの割合を４０％以上に増加させると、ポリスチレンのエッチング速度がマイナスになる。これは、ＣＯガスの割合が４０％を超えると、ポリスチレンの上にカーボン膜が堆積し膜厚が厚くなることを意味する。すなわち、堆積物の少ないエッチング条件であっても、ＣＯガスの割合が４０％を超えると、ポリスチレンをエッチングせずに、ＰＭＭＡだけをエッチングする状態（完全選択エッチング）を実現することができる。したがって、ＣＯガスの割合を４０％以上とすることが、より好ましいといえる。
【００４４】
なお、ＣＯガスの希釈ガスとしては、Ａｒに限定されるものではなく、例えば、他の希ガスなどの不活性ガスをＡｒに代えて、もしくは、Ａｒと組み合せて用いることができる。
この場合も、ＣＯガスと不活性ガスの合計量中におけるＣＯガスの割合を１０％以上、さらには、４０％以上とすることが好ましい。
【００４５】
また、ＣＯガスを希釈しない条件（ＣＯガスの割合：１００％）においても、ＰＭＭＡをエッチングすることができる。この場合も、ポリスチレンはエッチングされず、ＰＭＭＡの完全選択エッチングを実現できる。これに対し、例えば、希釈しない二酸化炭素（ＣＯ２）ガスを用いた場合には、ＰＭＭＡおよびポリスチレンの両方がエッチングされる。そして、そのエッチングの選択比（ＰＭＭＡのエッチング速度／ポリスチレンのエッチング速度）は、約１．６である。
【００４６】
例えば、プラズマ中における一酸化炭素および二酸化炭素の解離過程は、次式（２）および（３）で表される。
ＣＯ  →  Ｃ  ＋  Ｏ  （ΔＨ＝１０７６．４  ＫＪ／ｍｏｌ）  ・・・（２）
ＣＯ２  →  ＣＯ  ＋  Ｏ  （ΔＨ＝５３２．２  ＫＪ／ｍｏｌ）  ・・・（３）
ここで、ΔＨは、それぞれの反応過程における標準エンタルピーの変化を表す。すなわち、一酸化炭素の結合解離エネルギは、二酸化炭素の結合解離エネルギよりも大きい。このため、一酸化炭素を含むエッチングガスでは、プラズマ中の活性酸素の発生が抑制され、ポリマのエッチング速度を低下させることが可能となる。この結果、エッチングの選択比（ＰＭＭＡのエッチング速度／ポリスチレンのエッチング速度）を大きくすることができる。なお、エッチングの選択比が大きく損なわれない範囲内であれば、エッチングガス中にＣＯガスに加えてＣＯ２などの他のカーボン系ガスが添加されても構わない。
【００４７】
図５は、ＰＭＭＡおよびポリスチレンのエッチング速度と、ＣＣＰ型ＲＩＥ装置に供給される高周波電力（ＲＦパワー）と、の関係を表したグラフである。図５（ａ）は、それぞれのエッチング速度と、プラズマ励起用に供給されるＲＦパワーと、の関係を表している。図５（ｂ）は、それぞれのエッチング速度と、バイアス用に供給されるＲＦパワーと、の関係を表している。横軸は、ＲＦパワー（Ｗ）であり、縦軸は、エッチング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）およびエッチングの選択比である。
【００４８】
この例におけるドライエッチング条件は、以下の通りである。  
エッチングガス圧：１０ｍＴｏｒｒ、
エッチングガス流量：ＣＯガス、２０（ｓｃｃｍ）、Ａｒガス、２６５（ｓｃｃｍ）、
エッチング時間：１２０秒
【００４９】
図５（ａ）に表すように、プラズマ励起用のＲＦパワー（ＲＦ：１００ＭＨｚ）を増加させると、ＰＭＭＡのエッチング速度は増加する。これに対し、ポリスチレンのエッチング速度は、ほぼ一定、もしくは、微増する。この結果、両者のエッチング選択比（ＰＭＭＡのエッチング速度／ポリスチレンのエッチング速度）は、プラズマ励起用のＲＦパワーを大きくするに従って上昇する傾向にある。
【００５０】
図５（ｂ）に表すように、ＲＦバイアス（ＲＦ：１３ＭＨｚ）を増加させると、ＰＭＭＡのエッチング速度は大きくなり、ポリスチレンのエッチング速度もやや増加する。一方、エッチング選択比（ＰＭＭＡのエッチング速度／ポリスチレンのエッチング速度）は、ＲＦバイアスを７５Ｗとした場合、約１０である。そして、ＲＦバイアスを１５０Ｗに増加させると、エッチング選択比は、約６．５に減少する。すなわち、ＲＦバイアスを変化させてプラズマ中のイオンエネルギーを上昇させると、エッチング選択比は減少する傾向にある。したがって、ＲＦバイアスパワーは、例えば、１００Ｗ以下程度に抑えることが望ましい。
【００５１】
図６は、実施形態に係るウェーハを表すＳＥＭ(Scanning Electron Microscopy）像である。図６（ａ）は、ウェーハの上面を表すＳＥＭ像であり、ブロックコポリマを相分離させ、第１の相１５および第２の相１７を形成した状態を表している。図６（ｂ）は、シリコン酸化膜７に開口７ａを形成した状態を表す断面ＳＥＭ像である。
【００５２】
図６（ａ）に表すように、開口１１ａは、円形であり、その内部に相分離された第１の相１５と、第２の相１７と、が形成されている。開口１１ａの直径は、約６４ｎｍである。
【００５３】
図６（ｂ）では、第２の相１７およびガイド膜１１をマスクとして、シリコン酸化膜７に開口７ａが形成されている。開口７ａの直径は、約１４ｎｍである。
【００５４】
このように、実施形態に係る製造方法では、フォトリソグラフィの解像限界を超えた微細パターンを形成することができる。そして、一酸化炭素を含むドライエッチングガスを用いることにより、第２の相１７に対する第１の相１５のエッチング速度を１０倍以上とする。これにより、第２の相１７におけるパターンの肩落ちやサイドエッチングを抑制することが可能となる。その結果、ドライエッチングのプロセスマージンを大きくし、所望の形状およびサイズを有する微細パターンを得ることができる。
【００５５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・半導体ウェーハ、  ３、７、１３・・・シリコン酸化膜、  ５・・・有機膜、  ５ａ、７ａ、１１ａ、１７ａ・・・開口、  ７ｕ・・・上面、  １０・・・層、  １１・・・ガイド膜、  １５・・・第１の相、  １７・・・第２の相
【図１】
2015015425.tif 000005
【図２】
2015015425.tif 000006
【図３】
2015015425.tif 000007
【図４】
2015015425.tif 000008
【図５】
2015015425.tif 000009
【図６】
2015015425.tif 000010