(57)【要約】      （修正有）【課題】対象物との接続信頼性を向上可能な形状のパッドを備えた配線基板及びその製造方法、半導体パッケージを提供する。【解決手段】配線基板１０は、最外層となる絶縁層１２と、絶縁層１２の外部露出面１２ａ側に設けられたパッド形成部１２ｕと、外部露出面１２ａよりも突起するパッド１１と、を有し、パッド形成部１２ｕは、外部露出面１２ａよりも窪んだ凹部１２ｓと、平面視において凹部１２ｓを囲むように設けられ、外部露出面１２ａから突起する堰部１２ｔと、を備え、パッド１１は、凹部１２ｓ及び堰部１２ｔの内側に形成され、一方の端部が堰部１２ｔから突起するパッド本体１１ａと、パッド本体１１ａの一方の端部から側方に張り出し、堰部１２ｔ上に形成された庇部１１ｂと、を備え、パッド本体１１ａの一方の端部は平坦面を有する。【選択図】図１
2015015313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最外層となる絶縁層と、
前記絶縁層の外部露出面側に設けられたパッド形成部と、
前記外部露出面よりも突起するパッドと、を有し、
前記パッド形成部は、
前記外部露出面よりも窪んだ凹部と、
平面視において前記凹部を囲むように設けられ、前記外部露出面から突起する堰部と、を備え、
前記パッドは、前記凹部及び前記堰部の内側に形成され、一方の端部が前記堰部から突起するパッド本体と、
前記パッド本体の一方の端部から側方に張り出し、前記堰部上に形成された庇部と、を備え、
前記パッド本体の一方の端部は平坦面を有する配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層と前記堰部とは、同一の絶縁性樹脂で一体に形成されている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記凹部の断面形状は、前記外部露出面側より底面側の方が幅が狭いテーパ形状である請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記パッドの前記凹部及び前記堰部と接する面は、粗化面とされている請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記パッド本体の前記凹部の底面に形成された部分に、ビア配線が接続されており、
前記ビア配線の断面形状は、前記絶縁層の前記外部露出面側より前記外部露出面とは反対面側の方が幅が広いテーパ形状である請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記外部露出面は、粗化面とされている請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ。
【請求項８】
支持体の上面に第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の上面に開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、
前記開口部を介して前記第１金属層の一部を前記支持体に対して選択的に除去し、平面形状が前記開口部の外周側に拡大された凹部を形成し、前記凹部の底面に前記支持体の上面を露出させる工程と、
前記凹部の底部に露出する前記支持体の上面と前記凹部の内壁面とを覆う第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層上から前記開口部内に延在するパッドを形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記第１金属層の上面に前記パッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記支持体を、前記第１金属層及び前記第２金属層に対して選択的に除去する工程と、
前記第１金属層及び前記第２金属層を、前記パッドに対して選択的に除去する工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト層を除去する工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、前記パッドの前記第１金属層及び前記第２金属層から露出する面を粗化する工程を有する請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１金属層の上面は粗化面とされている請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法、並びに配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線層と絶縁層とが交互に積層され、配線層同士が絶縁層を貫通するビアホールを介して接続された所謂ビルドアップ配線基板が知られている。このようなビルドアップ配線基板には、ビルドアップ配線基板の表面から突起するパッド（以降、突起パッドと称する場合がある）が形成されているものがある。ビルドアップ配線基板に形成された突起パッドは、ビルドアップ配線基板に半導体チップをフリップチップ接続する際に、半導体チップの突起電極と接合される。
【０００３】
ビルドアップ配線基板に突起パッドを形成するには、例えば、ビルドアップ配線基板の製造工程で使用する支持体にウェットエッチングにより凹部を形成し、この凹部内に電解めっき法等により突起パッドとなる金属を形成する。その後、支持体を除去し、ドーム状の突起パッドを得ている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５４１７６３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の突起パッド形成方法では、支持体にウェットエッチングにより凹部を形成するため、エッチング量のバラツキにより凹部の深さや幅が一定とならず、突起パッドの突起量制御が困難である。又、突起パッドの形状がドーム状であり、中央部分が平坦面とはならないため、半導体チップの突起電極との接触面積が少なく、半導体チップの突起電極と接合した際の接続信頼性を十分に確保できない。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、対象物との接続信頼性を向上可能な形状のパッドを備えた配線基板等を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本配線基板は、最外層となる絶縁層と、前記絶縁層の外部露出面側に設けられたパッド形成部と、前記外部露出面よりも突起するパッドと、を有し、前記パッド形成部は、前記外部露出面よりも窪んだ凹部と、平面視において前記凹部を囲むように設けられ、前記外部露出面から突起する堰部と、を備え、前記パッドは、前記凹部及び前記堰部の内側に形成され、一方の端部が前記堰部から突起するパッド本体と、前記パッド本体の一方の端部から側方に張り出し、前記堰部上に形成された庇部と、を備え、前記パッド本体の一方の端部は平坦面を有することを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、対象物との接続信頼性を向上可能な形状のパッドを備えた配線基板等を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【図７】第１の実施の形態の応用例１に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【図８】第１の実施の形態の応用例２に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【図９】第１の実施の形態の応用例３に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【図１０】第１の実施の形態の応用例４に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【図１１】第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【図１２】第１の実施の形態の応用例５に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ部を拡大して例示する部分断面図である。
【００１２】
図１を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１０は、パッド１１と、絶縁層１２と、配線層１３と、絶縁層１４と、配線層１５と、絶縁層１６と、配線層１７と、ソルダーレジスト層１８とを有するコアレスのビルドアップ配線基板である。なお、後述のように、絶縁層１２の下面に、パッド１１と接続される配線パターンを形成してもよい。
【００１３】
本実施の形態では、便宜上、絶縁層１２側を下、ソルダーレジスト層１８側を上とする。例えば絶縁層１２の絶縁層１４と接する面は上面であり、絶縁層１２の外部露出面（絶縁層１４と接する面の反対面）は下面である。
【００１４】
配線基板１０において、絶縁層１２は一方の側の最外層となる絶縁層である。絶縁層１２の材料としては、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を主成分とする材料を用いることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１５】
絶縁層１２の外部露出面１２ａ側には、凹部１２ｓと堰部１２ｔとを備えたパッド形成部１２ｕが設けられている。凹部１２ｓは、絶縁層１２の外部露出面１２ａよりも絶縁層１４側に窪んでいる。凹部１２ｓの断面形状は、外部露出面１２ａ側より底面側（絶縁層１４側）の方が幅が狭いテーパ形状とすることができる。例えば、パッド１１の平面形状が円形状である場合には、凹部１２ｓは円錐台状とすることができる。
【００１６】
なお、本明細書において、平面視とは対象物を絶縁層１２の外部露出面１２ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層１２の外部露出面１２ａの法線方向から視た形状を指すものとする。
【００１７】
堰部１２ｔは、平面視において、凹部１２ｓを囲むように設けられ、絶縁層１２の外部露出面１２ａから絶縁層１４とは反対側に突起している。例えば、凹部１２ｓが円錐台状である場合には、堰部１２ｔは円環状とすることができる。堰部１２ｔと絶縁層１２とは、同一の絶縁性樹脂で一体に形成することができる。
【００１８】
パッド１１は、パッド形成部１２ｕに設けられ、絶縁層１２の外部露出面１２ａから絶縁層１４とは反対側に突起している。パッド１１の外部露出面１２ａからの突起量Ｐは、例えば、数μｍ程度とすることができる。パッド１１は、パッド本体１１ａと、庇部１１ｂとを備えている。パッド本体１１ａは、凹部１２ｓ及び堰部１２ｔの内側に形成され（埋設され）、一方の端部（外側の端部）が堰部１２ｔから突起している。庇部１１ｂは、パッド本体１１ａの一方の端部から側方（水平方向）に張り出し、堰部１２ｔ上に形成されている。庇部１１ｂの外周側から堰部１２ｔの側面にかけては、傾斜面（例えば、断面形状が凸型Ｒ形状）とすることができる。
【００１９】
パッド本体１１ａの一方の端部は、半導体チップの電極等の接続対象物と接続される平坦面を有する。つまり、パッド１１において、接続対象物と接続される面は絶縁層１２から露出されており、接続対象物と接続される面の少なくとも中央部近傍は平坦面とされている。
【００２０】
このように、パッド１１において、接続対象物と接続される面の少なくとも一部を平坦面とすることにより、接続対象物との接触面積を大きくすることができるため、パッド１１と接続対象物との接続信頼性を向上できる。なお、本明細書において、平坦面とは厳密に平坦な面でなくてもよく、本発明の所定の効果（接続信頼性の向上）を奏する範囲内で凡そ平坦な面であればよい。
【００２１】
パッド１１の凹部１２ｓ及び堰部１２ｔと接する面は、粗化面とされている。つまり、パッド１１の凹部１２ｓ及び堰部１２ｔと接する面は、パッド１１の凹部１２ｓ及び堰部１２ｔと接していない面（平坦面を含む露出面）よりも粗度の大きな面とされている。これによりアンカー効果が生じ、パッド１１と絶縁層１２（パッド形成部１２ｕ）との密着性を向上できる。
【００２２】
パッド１１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。パッド１１の平面形状は任意の形状とすることができるが、例えば、円形状することができる。パッド１１の平面形状が例えば円形状である場合、パッド１１の径や配設ピッチは任意に決定することができる。径や配設ピッチの異なる複数種類のパッド１１を設けてもよい。例えば、半導体チップ搭載用の小径で狭ピッチのパッド１１と、他の配線基板や半導体パッケージ等との接続用の大径で広ピッチのパッド１１とが混在しても構わない。
【００２３】
一例として、本実施の形態に係る配線基板１０では、絶縁層１２の外部露出面１２ａの中央領域に半導体チップ搭載用のパッド１１が設けられ、外部露出面１２ａの外周領域に他の配線基板や半導体パッケージ等との接続用のパッド１１が設けられている。なお、半導体チップ搭載用のパッド１１は、例えば、後述の図６（ｄ）に示す配線パターン２１により、他の配線基板や半導体パッケージ等との接続用のパッド１１に接続されてもよい。
【００２４】
パッド本体１１ａの厚さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。又、庇部１１ｂの厚さ（最厚部の厚さ）は、例えば、数μｍ程度とすることができる。
【００２５】
必要に応じ、パッド１１の露出面に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、パッド１１の露出面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施してもよい。
【００２６】
配線層１３は、絶縁層１２上に形成されている。配線層１３は、絶縁層１２を貫通しパッド１１の上面（パッド本体１１ａの凹１２ｓの底面に形成された部分）を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の上面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１４側に開口されている開口部の径がパッド１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部となっている。言い換えれば、パッド１１の上面と接続されるビア配線の断面形状は、絶縁層１２の外部露出面１２ａ側より外部露出面１２ａとは反対面側の方が幅が広いテーパ形状である。
【００２７】
配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出したパッド１１と電気的に接続されている。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層１３のビア配線と接続されていないパッド１１が存在してもよい。
【００２８】
絶縁層１４は、絶縁層１２の上面に、配線層１３を覆うように形成されている。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２９】
配線層１５は、絶縁層１４上に形成されている。配線層１５は、絶縁層１４を貫通し配線層１３の上面を露出するビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１４の上面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１４ｘは、絶縁層１６側に開口されている開口部の径が配線層１３の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部となっている。
【００３０】
配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続されている。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３１】
絶縁層１６は、絶縁層１４の上面に、配線層１５を覆うように形成されている。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００３２】
配線層１７は、絶縁層１６上に形成されている。配線層１７は、絶縁層１６を貫通し配線層１５の上面を露出するビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６の上面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１６ｘは、ソルダーレジスト層１８側に開口されている開口部の径が配線層１５の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部となっている。
【００３３】
配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続されている。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３４】
ソルダーレジスト層１８は、絶縁層１６の上面に、配線層１７を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１８は開口部１８ｘを有し、開口部１８ｘの底部には配線層１７の一部が露出している。開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７は、他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続されるパッドとして機能する。ソルダーレジスト層１８の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁性樹脂等を用いることができる。ソルダーレジスト層１８の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００３５】
必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の上面に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、前述の通りである。又、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の上面に、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。
【００３６】
なお、配線基板１０において、配線層１７を構成する配線パターンを絶縁層１６上に引き出して形成し、絶縁層１６上に引き出された配線パターンをソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘから露出させ、パッドとして機能させてもよい。つまり、配線層１７のビアホール１６ｘ上以外の部分をパッドとして機能させてもよい。
【００３７】
［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２〜図５は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。本実施の形態では、支持体上に複数の配線基板となる部分を作製し支持体を除去後個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、支持体上に１個ずつ配線基板を作製し支持体を除去する工程としてもよい。
【００３８】
まず、図２（ａ）に示す工程では、上面が平坦面である支持体３００を準備し、支持体３００の上面に、第１金属層３１０を形成する。支持体３００としては、シリコン板、ガラス板、金属板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体３００として銅箔を用いる。後述する図２（ｄ）や図３（ａ）に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図５（ｂ）に示す工程において容易にエッチングで除去可能だからである。支持体３００の厚さは、例えば３５〜１００μｍ程度とすることができる。
【００３９】
第１金属層３１０の材料としては、エッチングにより、支持体３００に対して選択的に除去可能な材料を用いることができる。本実施の形態では、支持体３００として銅箔を用いているので、第１金属層３１０の材料としては、例えば、銅に対して選択的に除去可能な材料であるニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。第１金属層３１０は、例えば、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により形成できる。
【００４０】
第１金属層３１０の厚さは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。但し、第１金属層３１０の厚さにより、庇部１１ｂの凡その厚さ（最厚部の厚さ）が決定されるため、庇部１１ｂの厚さ（最厚部の厚さ）の要求仕様に合わせて、第１金属層３１０の厚さを適宜決定することができる。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、第１金属層３１０の上面（支持体３００と接していない側の面）に、パッド１１形成部に開口部３２０ｘを備えたレジスト層３２０を形成する。レジスト層３２０を形成するには、第１金属層３１０の上面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、第１金属層３１０の上面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。
【００４２】
そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光及び現像することで開口部３２０ｘを形成する。これにより、第１金属層３１０の上面に開口部３２０ｘを備えたレジスト層３２０が形成される。なお、予め開口部３２０ｘを形成したフィルム状のレジストを第１金属層３１０の上面にラミネートしても構わない。開口部３２０ｘの平面形状は、例えば円形とすることができる。
【００４３】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、開口部３２０ｘを介して第１金属層３１０の一部を支持体３００に対して選択的に除去し、凹部３１０ｘを形成し、凹部３１０ｘの底部に支持体３００の上面を露出させる。第１金属層３１０が、例えば、ニッケル（Ｎｉ）である場合には、例えば、過酸化水素・硝酸系の溶液を用いたウェットエッチングにより除去できる。エッチングは垂直方向のみならず水平方向にも進行するため、凹部３１０ｘの内壁面は、開口部３２０ｘ内からレジスト層３２０に覆われている部分に食い込んで形成される。
【００４４】
つまり、平面形状が開口部３２０ｘの外周側に拡大された凹部３１０ｘが形成される。例えば、開口部３２０ｘの平面形状が円形であれば、平面形状が開口部３２０ｘよりも拡径された凹部３１０ｘが形成される。なお、エッチングは垂直方向と水平方向に同程度に進行するため、凹部３１０ｘの内壁面がレジスト層３２０に食い込む部分の幅Ｗは、第１金属層３１０の厚さと同程度となる。又、凹部３１０ｘの内壁面の下端側（支持体３００と接する側）は丸みをおび、例えば、断面視凹型Ｒ形状となる。
【００４５】
本実施の形態では、第１金属層３１０の材料としてエッチングにより支持体３００に対して選択的に除去可能な材料を用いているため、第１金属層３１０を除去して凹部３１０ｘを形成する際に支持体３００の上面はエッチングされない。従って、凹部３１０ｘを形成した後も支持体３００の上面は平坦面のままである。つまり、凹部３１０ｘの底部に露出する支持体３００の上面は平坦面である。その結果、後工程で凹部３１０ｘ内に形成されるパッド１１において、接続対象物と接続される面の少なくとも一部を平坦面とすることができる。又、パッド１１の高さのばらつき（絶縁層１２の外部露出面１２ａからの突起量のばらつき）を抑制できる。
【００４６】
次に、図２（ｄ）に示す工程では、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、凹部３１０ｘの底面（凹部３１０ｘの底部に露出する支持体３００の上面）と凹部３１０ｘの内壁面とを覆う第２金属層３３０（バリア層）を形成する。第２金属層３３０の材料としては、後工程でエッチングにより支持体３００を除去する際に、同時に除去されない材料を用いることができる。本実施の形態では、支持体３００として銅箔を用いているので、第２金属層３３０は、例えば、銅のエッチング液では除去されないニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。第２金属層３３０は、凹部３１０ｘ内を充填しないように、凹部３１０ｘの底面及び内壁面に、例えば、０．５〜２μｍ程度の厚さで形成できる。
【００４７】
次に、図３（ａ）に示す工程では、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、凹部３１０ｘの底面及び内壁面に形成された第２金属層３３０上から開口部３２０ｘ内に延在するパッド１１を形成する。パッド１１は、パッド本体１１ａ及びパッド本体１１ａの下端部において側方（水平方向）に張り出した庇部１１ｂを有する構造となる。パッド１１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。パッド１１の開口部３２０ｘ内に延在する部分の厚さＴは、例えば、数１０μｍ程度とすることができる。
【００４８】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、レジスト層３２０を除去する。これにより、パッド１１において、パッド本体１１ａの上面及び側面、並びに、庇部１１ｂの上面が露出する。
【００４９】
次に、図３（ｃ）に示す工程では、パッド１１の第１金属層３１０及び第２金属層３３０から露出する面をエッチングして粗化する。これにより、パッド１１において、パッド本体１１ａの上面及び側面、並びに、庇部１１ｂの上面が粗化される。粗化には、例えば、蟻酸や酢酸系のエッチング液を用いることができる。なお、エッチングにより、パッド本体１１ａの上面及び側面の一部が除去され、パッド本体１１ａの側面は傾斜面となる。例えば、エッチング前にパッド本体１１ａの第１金属層３１０及び第２金属層３３０から露出する部分の形状が円柱状であれば、エッチング後には円錐台状となる。又、庇部１１ｂの上面の一部が除去され、庇部１１ｂの上面は第１金属層３１０の上面に対して窪んだ状態となる。
【００５０】
次に、図４（ａ）に示す工程では、第１金属層３１０の上面にパッド１１の一部を被覆する絶縁層１２を形成する。パッド１１の周辺部が、凹部１２ｓと堰部１２ｔとを備えたパッド形成部１２ｕとなる。絶縁層１２の材料としては、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を主成分とする材料を用いることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００５１】
絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いた場合には、パッド１１を覆うように第１金属層３１０の上面にフィルム状の絶縁性樹脂を半硬化状態でラミネートする。そして、ラミネートした絶縁性樹脂を押圧しつつ、硬化温度以上に加熱して硬化させる。なお、絶縁性樹脂を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。
【００５２】
絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いた場合には、パッド１１を覆うように第１金属層３１０の上面に液状又はペースト状の絶縁性樹脂を例えばスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上に加熱して硬化させる。
【００５３】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、絶縁層１２に、絶縁層１２を貫通しパッド１１の上面を露出させるビアホール１２ｘを形成する。ビアホール１２ｘは、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。レーザ加工法により形成したビアホール１２ｘは、絶縁層１４が形成される側に開口されている開口部の径がパッド１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部となる。
【００５４】
なお、他のビアホールもレーザ加工法により形成すると同様の形状となる。ビアホール１２ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘの底部に露出するパッド１１の上面に付着した絶縁層１２の樹脂残渣を除去することが好ましい。
【００５５】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、絶縁層１２上に配線層１３を形成する。配線層１３は、ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の上面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出したパッド１１と電気的に接続される。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。
【００５６】
次に、図５（ａ）に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、絶縁層１２上に、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、配線層１７、及びソルダーレジスト層１８を積層する。すなわち、絶縁層１２上に配線層１３を被覆する絶縁層１４を形成した後に、絶縁層１４を貫通し配線層１３の上面を露出するビアホール１４ｘを形成する。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００５７】
更に、絶縁層１４上に、ビアホール１４ｘを介して配線層１３に接続される配線層１５を形成する。配線層１５は、ビアホール１４ｘ内を充填するビア配線、及び絶縁層１４上に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続される。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００５８】
更に、絶縁層１４上に配線層１５を被覆する絶縁層１６を形成した後、絶縁層１６を貫通し配線層１５の上面を露出するビアホール１６ｘを形成する。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００５９】
更に、絶縁層１６上に、ビアホール１６ｘを介して配線層１５に接続される配線層１７を形成する。配線層１７は、ビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６上に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続される。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００６０】
このようにして、支持体３００の上面に第１金属層３１０を介して所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、３層のビルドアップ配線層（配線層１３、配線層１５、及び配線層１７）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００６１】
次に、絶縁層１６上に配線層１７を被覆するソルダーレジスト層１８を形成する。ソルダーレジスト層１８は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６上にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６上にラミネートすることにより形成してもよい。
【００６２】
そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することで開口部１８ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。これにより、開口部１８ｘを有するソルダーレジスト層１８が形成される。なお、予め開口部１８ｘを形成したフィルム状の絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６上にラミネートしても構わない。なお、ソルダーレジスト層１８の材料として、非感光性の絶縁性樹脂を用いてもよい。この場合には、絶縁層１６上にソルダーレジスト層１８を形成して硬化させた後、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法や、アルミナ砥粒等の研磨剤を用いたブラスト処理により開口部１８ｘを形成できる。
【００６３】
配線層１７の一部が開口部１８ｘ内に露出する。開口部１８ｘ内に露出する配線層１７は、他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続されるパッドとして機能する。
【００６４】
必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の上面に、例えば無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、前述の通りである。又、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の上面に、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。
【００６５】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示す支持体３００を除去する。これにより、第１金属層３１０及び第２金属層３３０が露出する。銅箔である支持体３００は、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。第１金属層３１０及び第２金属層３３０の材料として、銅のエッチング液では除去されない金属（ニッケル（Ｎｉ）等）を用いているため、銅箔である支持体３００のみを第１金属層３１０及び第２金属層３３０に対して選択的にエッチングで除去できる。すなわち、第１金属層３１０及び第２金属層３３０は、エッチング停止層（バリア層）として機能する。
【００６６】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、図５（ｂ）に示す第１金属層３１０及び第２金属層３３０を除去する。これにより、パッド１１及び絶縁層１２が露出する。第１金属層３１０及び第２金属層３３０が、例えば、ニッケル（Ｎｉ）である場合には、例えば、過酸化水素・硝酸系の溶液を用いたウェットエッチングにより除去できる。パッド１１の材料として、ニッケル（Ｎｉ）のエッチング液では除去されない金属（銅（Ｃｕ）等）を用いているため、ニッケル（Ｎｉ）である第１金属層３１０及び第２金属層３３０のみをパッド１１に対して選択的にエッチングで除去できる。すなわち、パッド１１は、エッチング停止層として機能する。なお、第１金属層３１０及び第２金属層３３０を除去した後、パッド１１の露出面に無電解めっき法等により前述の金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。
【００６７】
図５（ｃ）に示す工程の後、図５（ｃ）に示す構造体をダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１０（図１参照）が完成する。
【００６８】
このように、第１の実施の形態に係る配線基板１０では、絶縁層１２の外部露出面１２ａから突起するパッド１１において、接続対象物と接続される面の少なくとも一部を平坦面とすることができる。その結果、パッド１１と接続対象物との接触面積を大きくすることが可能となるため、パッド１１と接続対象物との接続信頼性を向上できる。又、パッド１１の高さのばらつき（外部露出面１２ａからの突起量のばらつき）を抑制できるため、半導体チップ等の搭載時に、パッド１１毎に接合強度に差異が生じ難く、パッド１１と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。
【００６９】
又、パッド１１を絶縁層１２の外部露出面１２ａよりも突起させているため、配線基板１０のパッド１１と半導体チップのパッドの何れか一方のみにバンプ（突起電極）を形成すれば、配線基板１０に半導体チップをフリップチップ接続することができる。
【００７０】
又、パッド１１において、パッド本体１１ａの側面と絶縁層１２（パッド形成部１２ｕの内壁面）との界面を庇部１１ｂが覆っている。そのため、配線基板１０の製造工程において、パッド１１の露出面に金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施したりする場合に、めっき液や処理液がパッド本体１１ａと絶縁層１２との界面へ進入することを防止できる。
【００７１】
なお、堰部１２ｔのような絶縁層１２の外部露出面１２ａから突起する部分をブラスト処理により形成する方法も考えられる。しかしながら、ブラスト処理では、絶縁層１２の一部が削られて、外部露出面１２ａにフィラーが露出する点で好ましくない。絶縁層１２の外部露出面１２ａにフィラーが露出すると、例えば、パッド１１の露出面に無電解めっき法により金属層を形成する際に、露出したフィラーを核にしてめっきが析出されるからである。本実施の形態では、堰部１２ｔの形成にブラスト処理を用いないので、このような問題は生じない。
【００７２】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態の図２（ｂ）〜図３（ｂ）に示す工程の変形例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００７３】
第１の実施の形態の図２（ｂ）〜図３（ｂ）に示す工程に代えて、以下の図６（ａ）〜図６（ｄ）に示す工程としてもよい。
【００７４】
まず、第１の実施の形態の図２（ａ）に示す工程の後、第１金属層３１０の上面に、パッド１１形成部に開口部３２０ｘを、パッド１１及び配線パターン２１形成部に開口部３２０ｙを有するレジスト層３２０を形成する。レジスト層３２０は、第１の実施の形態の図２（ｂ）に示す工程と同様にして形成できる。なお、開口部３２０ｙはパッド１１及び配線パターン２１を形成する部分であるため、パッド１１のみを形成する部分である開口部３２０ｘよりも平面形状が大きくなるように形成する。
【００７５】
次に、図６（ａ）に示す工程では、開口部３２０ｘ内に露出する第１金属層３１０を除去し凹部３１０ｘを形成すると共に、開口部３２０ｙ内に露出する第１金属層３１０を除去し凹部３１０ｙを形成する。第１金属層３１０が、例えば、ニッケル（Ｎｉ）である場合には、凹部３１０ｘ及び３１０ｙは、第１の実施の形態の図２（ｃ）に示す工程と同様にして形成できる。
【００７６】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、図２（ｄ）に示す工程と同様にして凹部３１０ｘ及び３１０ｙの底面及び内壁面を被覆する第２金属層３３０（バリア層）を形成する。そして、図３（ａ）に示す工程と同様にして、凹部３１０ｘの底面及び内壁面に形成された第２金属層３３０上から開口部３２０ｘ内に延在するパッド１１を形成する。又、凹部３１０ｙの底面及び内壁面に形成された第２金属層３３０上から開口部３２０ｙ内に延在するパッド１１及び配線パターン２１を形成する。
【００７７】
次に、図６（ｃ）に示す工程では、レジスト層３２０を除去する。これにより、凹部３１０ｘ内にパッド１１が露出し、凹部３１０ｙ内にパッド１１及び配線パターン２１が露出する。配線パターン２１は、例えば、図６（ｄ）に示すように、隣接するパッド１１同士を電気的に接続するように形成できる。なお、図６（ｄ）は、図６（ｃ）のパッド１１及び配線パターン２１近傍のみを例示する平面図である。
【００７８】
以降、第１の実施の形態の図３（ｃ）〜図５（ｃ）と同様の工程を実施し、作製された構造体をダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板が完成する。
【００７９】
このように、凹部内に形成された第２金属層３３０上に、パッド１１のみを形成してもよいし、パッド１１及び配線パターン２１を形成してもよい。
【００８０】
〈第１の実施の形態の応用例１〉
第１の実施の形態の応用例１では、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図１参照）に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を示す。なお、第１の実施の形態の応用例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８１】
図７は、第１の実施の形態の応用例１に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図７を参照するに、半導体パッケージ３０は、図１に示す配線基板１０と、半導体チップ３１と、突起電極３２と、アンダーフィル樹脂３３とを有する。
【００８２】
半導体チップ３１は、シリコン等からなる半導体基板（図示せず）に半導体集積回路（図示せず）が形成されたものである。半導体チップ３１には、半導体チップ３１の半導体集積回路と電気的に接続されたパッド（図示せず）が形成されており、パッド上に突起電極３２が形成されている。突起電極３２は、半導体チップ３１のパッドと、配線基板１０のパッド１１とを電気的に接続している。突起電極３２としては、例えば、金バンプや銅ポスト等を用いることができる。アンダーフィル樹脂３３は、半導体チップ３１と配線基板１０の絶縁層１２との間に充填されている。
【００８３】
半導体パッケージ３０は、例えば、以下のようにして製造できる。まず、配線基板１０を準備し、配線基板１０のパッド１１のうち半導体チップ搭載用のパッド１１及びその周辺部を覆うようにアンダーフィル樹脂３３となる樹脂フィルム（半硬化状態のエポキシ樹脂等）を貼り付ける。次に、突起電極３２が形成された半導体チップ３１を準備し、突起電極３２と半導体チップ搭載用のパッド１１とが樹脂フィルムを介して対向するように配置する。そして、半導体チップ３１を配線基板１０側に押圧して突起電極３２の先端をパッド１１に接触させ、その状態で樹脂フィルムを硬化させてアンダーフィル樹脂３３を形成する。
【００８４】
このように、第１の実施の形態の応用例１によれば、第１の実施の形態に係る配線基板１０に半導体チップ３１を搭載した半導体パッケージ３０を実現できる。この際、半導体チップ搭載用のパッド１１のパッド本体１１ａの平坦面と突起電極３２とを接合しているため、パッド１１と突起電極３２との接触面積を大きくすることが可能となり、パッド１１と突起電極３２との接続信頼性を向上できる。
【００８５】
〈第１の実施の形態の応用例２〉
第１の実施の形態の応用例２では、第１の実施の形態の応用例１に係る半導体パッケージ３０（図７参照）に更に他の半導体パッケージを搭載したＰＯＰ構造（パッケージオンパッケージ構造）の半導体パッケージの例を示す。なお、第１の実施の形態の応用例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８６】
図８は、第１の実施の形態の応用例２に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図８を参照するに、半導体パッケージ６０は、図７に示す半導体パッケージ３０と、半導体パッケージ４０と、接合部５０とを有する。
【００８７】
半導体パッケージ４０は、基板４１と、基板４１の下面に形成された配線層４２と、基板４１の下面に配線層４２を選択的に露出するように形成されたソルダーレジスト層４３とを有する。又、基板４１の上面に形成された配線層４４と、基板４１の上面に配線層４４を選択的に露出するように形成されたソルダーレジスト層４５とを有する。配線層４２と配線層４４とは、基板４１を貫通する貫通電極４６を介して電気的に接続されている。配線層４４のソルダーレジスト層４５から露出する部分はパッドとして用いられ、半導体チップ４７に形成された突起電極４８が接合されている。半導体チップ４７は、ソルダーレジスト層４５上に形成された樹脂部４９により封止されている。
【００８８】
半導体パッケージ４０の配線層４２のソルダーレジスト層４３から露出する部分はパッドとして用いられ、接合部５０を介して、配線基板１０のパッケージ接続用のパッド１１（半導体チップ３１と接続されていないパッド１１）と電気的に接続されている。接合部５０としては、例えば、はんだボール等を用いることができる。はんだボールの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＳｂの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００８９】
このように、第１の実施の形態の応用例２によれば、第１の実施の形態の応用例１に係る半導体パッケージに更に他の半導体パッケージを搭載したＰＯＰ構造の半導体パッケージを実現できる。この際、パッケージ接続用のパッド１１のパッド本体１１ａの平坦面と接合部５０とを接合しているため、パッド１１と接合部５０との接触面積を大きくすることが可能となり、パッド１１と接合部５０との接続信頼性を向上できる。
【００９０】
〈第１の実施の形態の応用例３〉
第１の実施の形態の応用例３では、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図１参照）に半導体チップを搭載した半導体パッケージの他の例を示す。なお、第１の実施の形態の応用例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００９１】
図９は、第１の実施の形態の応用例３に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図９を参照するに、半導体パッケージ７０は、図１に示す配線基板１０と、半導体チップ７１と、突起電極７２と、アンダーフィル樹脂７３と、電極７５が形成された電子部品７４と、接合部７６とを有する。
【００９２】
半導体チップ７１の突起電極７２は、半導体チップ７１のパッド（図示せず）と、配線基板１０のソルダーレジスト層１８から露出する配線層１７（パッド）とを電気的に接続している。突起電極７２としては、例えば、はんだバンプ等を用いることができる。アンダーフィル樹脂７３は、半導体チップ７１と配線基板１０のソルダーレジスト層１８との間に充填されている。
【００９３】
電子部品７４の電極７５は、はんだや導電性ペースト等である接合部７６を介して、配線基板１０の電子部品搭載用のパッド１１と電気的に接続されている。電子部品７４は、例えば、チップキャパシタ、チップ抵抗、チップインダクタ等である。配線基板１０の外部接続用のパッド１１（電子部品７４と接続されていないパッド１１）には、例えば、はんだボール等の外部接続端子７７が形成されている。
【００９４】
このように、配線基板１０の支持体３００に接していた側と反対側の面を、半導体チップ搭載面としてもよい。又、配線基板１０の半導体チップ搭載面とは反対側の面にチップキャパシタ等の電子部品を実装してもよい。なお、配線基板１０において、外部接続端子等となるパッドの径やピッチは、半導体チップや電子部品と接続されるパッドの径やピッチよりも、適宜大きくすることができる。
【００９５】
又、第１の実施の形態の応用例２と同様に、半導体パッケージ７０に更に他の半導体パッケージ４０を搭載したＰＯＰ構造の半導体パッケージ８０を実現できる（図１０参照）。
【００９６】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態において、支持体に形成する第１金属層の上面を粗化する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００９７】
第１の実施の形態の図２（ａ）に示す工程に代えて、図１１（ａ）に示す工程としてもよい。図１１（ａ）に示す工程では、支持体３００を準備し、支持体３００の上面に、上面３１０ａが粗化された第１金属層３１０を形成する。
【００９８】
上面３１０ａが粗化された第１金属層３１０（ニッケル層）は、例えば、硫酸ニッケル、ホウ酸、塩化ニッケル等を混合しためっき液を用いた電解めっき法により形成できる。この場合、使用するめっき液の組成や電流密度を適切に調整することにより、電解めっき法で形成された第１金属層３１０（ニッケル層）の上面３１０ａは粗化され、微細な凹凸形状が形成される。又、支持体３００の上面に、上面３１０ａが粗化されていない第１金属層３１０を形成し、エッチングにより第１金属層３１０の上面３１０ａを粗化してもよい。
【００９９】
その後、図１１（ｂ）に示すように、第１の実施の形態と同様の工程により、支持体３００上に配線層や絶縁層を積層する。更に、図１１（ｃ）に示すように、第１の実施の形態と同様の工程により、支持体３００や第１金属層３１０及び第２金属層３３０を除去する。第１金属層３１０の上面３１０ａの凹凸形状は絶縁層１２の外部露出面１２ａに転写されるため、絶縁層１２の外部露出面１２ａは粗化面となる。
【０１００】
図１１（ｃ）に示す工程の後、図１１（ｃ）に示す構造体をダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板（配線基板１０Ａとする）が完成する。
【０１０１】
図７と同様に、配線基板１０Ａに半導体チップ３１を搭載して半導体パッケージ９０とすることができる（図１２参照）。図１２において、絶縁層１２の外部露出面１２ａは粗化面とされているため、絶縁層１２とアンダーフィル樹脂３３との間に所謂アンカー効果が生じ、配線基板１０と半導体チップ３１との接合強度を向上できる。
【０１０２】
以上、好ましい実施の形態、その変形例、及びその応用例について詳説した。しかし、上述した実施の形態、その変形例、及びその応用例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態、その変形例、及びその応用例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１０、１０Ａ  配線基板
１１、４２、４４  パッド
１１ａ  パッド本体
１１ｂ  庇部
１２、１４、１６  絶縁層
１２ａ  外部露出面
１２ｓ、３１０ｘ、３１０ｙ  凹部
１２ｔ  堰部
１２ｕ  パッド形成部
１２ｘ、１４ｘ、１６ｘ  ビアホール
１３、１５、１７  配線層
１８、４３、４５  ソルダーレジスト層
１８ｘ、３２０ｘ、３２０ｙ  開口部
２１  配線パターン
３０、４０、６０、７０、８０、９０  半導体パッケージ
３１、４７、７１  半導体チップ
３２、４８、７２  突起電極
３３、７３  アンダーフィル樹脂
４１  基板
４６  貫通電極
４９  樹脂部
５０、７６  接合部
７４  電子部品
７５  電極
７７  外部接続端子
３００  支持体
３１０  第１金属層
３１０ａ  上面
３２０  レジスト層
３３０  第２金属層
【図１】
2015015313.tif 000003
【図２】
2015015313.tif 000004
【図３】
2015015313.tif 000005
【図４】
2015015313.tif 000006
【図５】
2015015313.tif 000007
【図６】
2015015313.tif 000008
【図７】
2015015313.tif 000009
【図８】
2015015313.tif 000010
【図９】
2015015313.tif 000011
【図１０】
2015015313.tif 000012
【図１１】
2015015313.tif 000013
【図１２】
2015015313.tif 000014