(57)【要約】      （修正有）【課題】波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が高く、かつ、シート抵抗値が低い、裏面導電膜が形成されたＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクを提供する。【解決手段】基板１の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層３と、がこの順に形成され、基板１の他方の面に導電膜４が形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、導電膜４が、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、窒素（Ｎ）と、を含有し、導電膜４におけるＮの含有率が１ａｔ％以上４２ａｔ％以下であり、導電膜４におけるＮの含有率をＣ（ａｔ％）、導電膜４の膜厚をｔ（ｎｍ）とするとき、下記式を満たすＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。０．１５Ｃ＋１．６８≦ｔ≦０．３１Ｃ＋１１．１３【選択図】図１
2015015420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、がこの順に形成され、該基板の他方の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜が、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、窒素（Ｎ）と、を含有し、
前記導電膜におけるＮの含有率が１ａｔ％以上４２ａｔ％以下であり、
前記導電膜におけるＮの含有率をＣ（ａｔ％）、該導電膜の膜厚をｔ（ｎｍ）とするとき、下記式を満たすことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
０．１５Ｃ＋１．６８  ≦  ｔ  ≦  ０．３１Ｃ＋１１．１３
【請求項２】
前記導電膜が、クロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）と、を含有し、該導電膜におけるＣｒの含有率が５８ａｔ％以上９９ａｔ％以下であり、Ｎの含有率が１ａｔ％以上４２ａｔ％以下である、請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記導電膜の膜厚が２ｎｍ以上２４ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記導電膜におけるアルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）の合計含有率が、５ａｔ％以下である、請求項１〜４のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記導電膜は、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が１０％以上である、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
前記保護層が、ＲｕまたはＲｕ化合物を構成材料とする、請求項１〜７のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターニングしてなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）、および、該ＥＵＶマスクブランクの吸収層にマスクパターンを形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスク」という。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ波長域の光（以下、「ＥＵＶ光」という。）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線をさし、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわちＥＵＶマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。
反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる高屈折率層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。多層反射膜の低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）層が、高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）層が通常使用される。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【０００５】
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は支持手段によって保持される。ガラス基板の支持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、静電チャックが好ましく用いられる。また、マスクパターニングプロセス時、あるいは露光時のマスクハンドリングの際にも、ガラス基板の支持手段として静電チャックが用いられる。
【０００６】
静電チャックは、半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコンウェハの支持手段として従来用いられている技術である。このため、ガラス基板のように、誘電率および導電率の低い基板の場合、シリコンウェハの場合と同程度のチャック力を得るには、高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。
このような問題を解消するため、特許文献１には、基板の静電チャッキングを促進するため、基板を挟んで多層反射膜と反対側に導電膜（裏面導電膜）が形成された多層反射膜基板、露光用反射型マスクブランク及び露光用マスクが記載されている。この導電膜は、金属窒化膜であり、金属としては、クロム、タンタル、モリブデン、珪素が例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２１００９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＥＵＶマスクおよびそれに用いるＥＵＶマスクブランクでは、反射層としての多層反射膜や、吸収層での内部応力によって発生する基板の変形が問題となる場合がある。従来は、この内部応力を相殺するため、裏面導電膜の膜厚を厚くする傾向にあった。
このほかに、ＥＵＶマスクやＥＵＶマスクブランクの裏面側から、波長５３２ｎｍ（波長４００〜８００ｎｍの範囲で任意の波長を使う場合もある）のパルスレーザを局所的に照射して、ガラス基板を局所的に加熱することにより、多層反射膜や吸収層での内部応力による基板の変形を改善する技術が、新たに導入されつつある。
この技術の適用により、裏面導電膜の膜厚を、シート抵抗値に関する要求を達成するうえで最低限必要な膜厚とすることができる。これにより、裏面導電膜の形成に要する時間が短縮され、ＥＵＶマスクブランク製造時の歩留まりが向上する。
但し、この技術を適用する場合、裏面導電膜は、波長５３２ｎｍ（波長４００〜８００ｎｍの範囲で任意の波長を使う場合もある）の光線透過率が高いこと、具体的には、この波長域の光線透過率が１０％以上であることが求められる。一般に、光線透過率を高めるには、膜厚を薄くすればよいが、裏面導電膜の膜厚を薄くすると、シート抵抗値が増加し、それの要求を達成できないおそれがある。
【０００９】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が高く、かつ、シート抵抗値が低い、裏面導電膜が形成されたＥＵＶマスクブランクの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するため、本発明は、基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、がこの順に形成され、該基板の他方の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜が、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、窒素（Ｎ）と、を含有し、
前記導電膜におけるＮの含有率が１ａｔ％以上４２ａｔ％以下であり、
前記導電膜におけるＮの含有率をＣ（ａｔ％）、該導電膜の膜厚をｔ（ｎｍ）とするとき、下記式を満たすことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを提供する。
０．１５Ｃ＋１．６８  ≦  ｔ  ≦  ０．３１Ｃ＋１１．１３
【００１１】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記導電膜がＣｒと、Ｎと、を含有し、該導電膜におけるＣｒの含有率が５８ａｔ％以上９９ａｔ％以下であり、Ｎの含有率が１ａｔ％以上４２ａｔ％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記導電膜の膜厚が２ｎｍ以上２４ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記導電膜におけるアルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）の合計含有率が、５ａｔ％以下であることが好ましい。
【００１５】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下であることが好ましい。
【００１６】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記導電膜は、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が１０％以上であることが好ましい。
【００１７】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されていてもよい。
前記保護層は、ＲｕまたはＲｕ化合物を構成材料とすることが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、上記した本発明のＥＵＶマスクブランクをパターニングしてなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクは、裏面導電膜の波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が１０％以上であるため、ＥＵＶマスクブランクやＥＵＶマスクの裏面側から、この波長域のパルスレーザを局所的に照射して、ガラス基板を局所的に加熱することにより、多層反射膜や吸収層での内部応力による基板の変形を改善できる。一方、裏面導電膜のシート抵抗値は、２５０Ω／□以下と低いため、静電チャックによるチャック力が高い。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。
【図２】図２は、例１〜例１５について、導電膜におけるＮ含有率と、該裏面導電膜の膜厚と、の関係を示したグラフである。
【図３】図３は、例１について、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明のＥＵＶマスクブランクを説明する。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すマスクブランクでは、基板１の一方の面（図中、基板１の上面）にＥＵＶ光を反射する反射層２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層３と、がこの順に形成されている。基板１の他方の面（図中、基板１の下面）に導電膜（裏面導電膜）４が形成されている。
以下、本発明のマスクブランクの個々の構成要素について説明する。
【００２２】
基板１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、基板１は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±１．０×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。また、基板１上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
【００２３】
基板１は、表面粗さ（ｒｍｓ）がＪＩＳ−Ｂ０６０１の規格において０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高いＥＵＶ光の反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１の反射層２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
反射層２は、ＥＵＶマスクブランクの反射層として特に要求される特性は、ＥＵＶ光の反射率が高いことである。具体的には、ＥＵＶ光を入射角６度で反射層２表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
【００２５】
反射層２は、高いＥＵＶ光の反射率を達成できることから、通常はＥＵＶ光に対して高い屈折率を示す高屈折層と、ＥＵＶ光に対して低い屈折率を示す低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が反射層２として用いられる。反射層２をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｓｉが広く使用され、低屈折率層にはＭｏが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
【００２６】
反射層２をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光の反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ反射膜を例にとると、ＥＵＶ光の反射率の最大値が６０％以上の反射層２とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ膜と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ膜とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００２７】
なお、反射層２をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を３０〜６０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
【００２８】
吸収層３に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層３表面に照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率は、０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、吸収層３は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成される。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。本明細書において、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料と言った場合、当該材料中Ｔａを４０ａｔ％以上含有する材料を意味する。吸収層３は、５０ａｔ％以上Ｔａを含有していれば好ましく、５５ａｔ％以上含有していればより好ましい。
【００２９】
吸収層３に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＰｄＮなどが挙げられる。
【００３０】
また、吸収層３の厚さは、５０〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
上記した構成の吸収層３は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法などの成膜方法を用いて形成できる。
例えば、吸収層３として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮＨ膜を形成する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタリングガスとして、ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度１０〜９４ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）、投入電力３００〜２０００Ｗ、成膜速度０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎで、厚さ２０〜９０ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
【００３１】
導電膜４に要求される特性として、シート抵抗値が低いことが挙げられる。本発明の導電膜４は、シート抵抗値が２５０Ω／□以下である。シート抵抗値は、２００Ω／□以下が好ましく、１５０Ω／□以下がより好ましく、１００Ω／□以下がさらに好ましく、８０Ω／□以下が特に好ましい。
また、導電膜４に要求される特性として、基板１との密着力が高いことが挙げられる。基板１との密着力が低いと、静電チャックで基板１を保持して、多層反射膜や吸収層を成膜する際に、基板１と導電膜４との間で膜剥れが生じてパーティクルが発生するおそれがある。
このようなパーティクルは、製造されるＥＵＶマスクブランクに欠点を生じさせるおそれがあるため問題となる。なお、静電チャック時の膜剥れの防止という点では、導電膜が、表面平滑性に優れること、および、表面硬度が高いことも求められる。
さらに、本発明の導電膜４に要求される特性として、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が高いことが挙げられる。この波長域のパルスレーザを局所的に照射して、ガラス基板を局所的に加熱することにより、多層反射膜や吸収層での内部応力による基板の変形を改善できるからである。本発明の導電膜４は、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が１０％以上である。波長４００〜８００ｎｍの光線透過率は、１３％以上が好ましく、１５％以上がより好ましく、２０％以上がさらに好ましい。なお、本発明の導電膜４であれば、図３に示すように、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率はほぼ一定の値を示す場合が多い。
【００３２】
上記の要求特性を達成するため、本発明の導電膜４は、クロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つと、窒素（Ｎ）と、を含有する。このような導電膜４の具体例としては、ＣｒＮ膜、ＴａＮ膜、ＣｒＴａＮ膜が例示される。
これらの中でもＣｒＮ膜が、一般的なマスクブランク洗浄時、マスク洗浄時に用いられる、アルカリおよび酸などの薬液に対して耐性が高い点で好ましい。
【００３３】
本発明の導電膜４は、導電膜における窒素（Ｎ）の含有率が１ａｔ％以上４２ａｔ％以下である。導電膜４におけるＮの含有率が１ａｔ％未満だと、基板１に対する導電膜の密着力が低下する、導電膜４の表面平滑性が低下する、導電膜４の表面硬度が低下する、といった問題点がある。これらの問題点は、上述したように、静電チャック時の膜剥れの原因となる。一方、導電膜４におけるＮの含有率が４２ａｔ％超だと、導電膜４のシート抵抗値が増加する。
導電膜４におけるＮの含有率は、１ａｔ％以上４０ａｔ％以下が好ましく、１ａｔ％以上３８ａｔ％以下がより好ましく、５ａｔ％以上３８ａｔ％以下がさらに好ましく、５ａｔ％以上３５ａｔ％以下が特に好ましい。
【００３４】
本発明の導電膜４において、Ｎの含有率を差し引いた残部が、通常はクロム（Ｃｒ）およびタンタル（Ｔａ）の含有率となる。したがって、ＣｒおよびＴａの合計含有率は、５８ａｔ％以上９９％以下であり、６０ａｔ％以上９９％以下が好ましく、６２ａｔ％以上９９ａｔ％以下がより好ましく、６２ａｔ％以上９５ａｔ％以下がさらに好ましく、６５ａｔ％以上９５ａｔ％以下が特に好ましい。
本発明の導電膜４は、Ｃｒ、Ｔａ、および、Ｎ以外の元素を、導電膜としての機能を損なわない範囲で含有してもよい。
但し、ＣｒやＴａよりも、波長４００〜８００ｎｍの光線に対する光線吸収係数が高い元素は含有しないことが好ましい。このような元素の具体例としては、アルミニウム（Ａｌ）やインジウム（Ｉｎ）が挙げられる。
本発明の導電膜４は、ＡｌおよびＩｎの合計含有率が、５ａｔ％以下であると、導電膜での光線吸収が少なくなり、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率を１０％以上とするうえで好ましい。
【００３５】
本発明の導電膜４は、導電膜における窒素（Ｎ）の含有率をＣ（ａｔ％）、該導電膜の膜厚をｔ（ｎｍ）とするとき、下記式を満たすように、導電膜におけるＮの含有率、および、該導電膜の膜厚を設定する。これにより、２５０Ω／□以下のシート抵抗値、および、１０％以上の波長４００〜８００ｎｍの光線透過率、の両方の要求を満足する。
０．１５Ｃ＋１．６８  ≦  ｔ  ≦  ０．３１Ｃ＋１１．１３
ｔ＜０．１５Ｃ＋１．６８だと、シート抵抗値が増加して２５０Ω／□超になる。
これに対し、ｔ≧０．１５Ｃ＋１．６８であれば、シート抵抗値が２５０Ω／□以下となる
一方、ｔ＞０．３１Ｃ＋１１．１３だと、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が低下して１０％未満になる。これに対し、ｔ≦０．３１Ｃ＋１１．１３であれば、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が１０％以上となる。
【００３６】
本発明の導電膜４の膜厚は、上記の不等式を満足するように、２ｎｍ以上２４ｎｍ以下の範囲から選択することが好ましい。導電膜４の膜厚が２ｎｍ未満だとシート抵抗値が増加し、シート抵抗値を２５０Ω／□以下とするのが困難である。一方、導電膜４の膜厚が２４ｎｍ超だと、波長４００〜８００ｎｍの光線透過率が減少し、該光線透過率を１０％以上とするのが困難である。
【００３７】
本発明の導電膜４は、導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下が好ましい。導電膜表面の表面粗さが大きいと、光の散乱により光線透過率が低下するおそれがある。導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、光の散乱が少なく波長４００〜８００ｎｍの光線透過率を１０％以上とするうえで好ましい。
また、導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、が０．５ｎｍ以下であれば、静電チャックとの密着性が向上し、静電チャックと導電膜との擦れによるパーティクルの発生が防止される。
導電膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は、０．４ｎｍ以下がより好ましく、０．３ｎｍ以下がさらに好ましい。なお、表面粗さ（ｒｍｓ）は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１の規格に基づき評価できる。
【００３８】
本発明における導電膜４は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法により形成できる。スパッタリング法によって、導電膜４を形成する場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、窒素（Ｎ2）と、を含む雰囲気中で、Ｃｒターゲット、および／または、Ｔａターゲットを用いてスパッタリング法を実施すればよい。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
【００３９】
上記した方法で導電膜４を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＣｒＮ膜を形成する場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧：１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＮ膜を形成する場合
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度：３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
【００４０】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、図１に示す構成、すなわち、基板１、反射層２、吸収層３、および、導電膜（裏面導電膜）４以外の構成を有していてもよい。
【００４１】
本発明のＥＵＶマスクブランクでは、反射層２と吸収層３との間に保護層が形成されてもよい。保護層は、吸収層３をエッチング（通常はドライエッチング）して、該吸収層３にマスクパターンを形成する際に、反射層２がエッチングによるダメージを受けないよう、反射層２を保護することを目的として設けられる。したがって保護層の材質としては、吸収層３のエッチングによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層３よりも遅く、しかもこのエッチングによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ及びこれらの窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）が特に好ましい。
また、保護層を形成する場合、その厚さは１〜６０ｎｍが好ましく、１〜４０ｎｍがより好ましい。
【００４２】
保護層を形成する場合、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-1Ｐａ）を使用して投入電力３０〜１５００Ｖ、成膜速度１．２〜６０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
【００４３】
なお、反射層２の上に保護層を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
【００４４】
さらに、本発明のＥＵＶマスクブランクでは、吸収層４上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されていてもよい。
低反射層はマスクパターンの検査に使用する検査光において、低反射となるような膜で構成される。ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層表面または保護層表面であり、通常は保護層表面である。したがって、検査光の波長に対する反射層表面または保護層表面と、吸収層表面と、の反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。検査光の波長に対する反射層表面または保護層表面と、吸収層表面と、の反射率の差が小さい場合は、低反射層の形成により、検査時のコントラストが良好となる。吸収層上に低反射層を形成する場合、該低反射層は、検査光の波長領域の光線を低反射層表面に照射した際に、該検査光の波長の最大反射率は、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
【００４５】
低反射層は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層よりも低い材料で構成されることが好ましい。
この特性を満たす低反射層としては、タンタル（Ｔａ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選ばれる少なくともひとつと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）からなる群から選ばれる少なくともひとつと、を含有するものがある。このような低反射層の好適例としては、ＴａＰｄＯ層、ＴａＰｄＯＮ層、ＴａＯＮ層、ＣｒＯ層、ＣｒＯＮ層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層、ＨｆＯ層、ＨｆＯＮ層が挙げられる。
低反射層中のＴａ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｈｆの合計含有量は、１０〜５５ａｔ％、特に１０〜５０ａｔ％であると、パターン検査光の波長領域に対する光学特性を制御できるという理由で好ましい。
また、低反射層中におけるＯおよびＮの合計含有率が、４５〜９０ａｔ％、特に５０〜９０ａｔ％であると、パターン検査光の波長領域に対する光学特性を制御できるという理由で好ましい。なお、該低反射層中のＴａ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、ＯおよびＮの合計含有率は９５〜１００ａｔ％が好ましく、９７〜１００ａｔ％がより好ましく、９９〜１００ａｔ％がさらに好ましい。
【００４６】
上記した構成の低反射層は、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｒ、ＳｉおよびＨｆのうち少なくともひとつ、を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成できる。ここで、ターゲットとしては、上述した２種類以上の金属ターゲット、および、化合物ターゲットのいずれも使用できる。
なお、２種類以上の金属ターゲットの使用は、低反射層の構成成分を調整するのに好都合である。なお、２種類以上の金属ターゲットを使用する場合、ターゲットへの投入電力を調整することによって、吸収層の構成成分を調整できる。一方、化合物ターゲットを使用する場合、形成される低反射層が所望の組成となるように、ターゲット組成をあらかじめ調整することが好ましい。
【００４７】
上記のターゲットを用いたスパッタリング法は、吸収層の形成を目的とするスパッタリング法と同様、不活性ガス雰囲気中で実施できる。
但し、低反射層がＯを含有する場合、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、ＫｒおよびＸｅのうち少なくともひとつと、Ｏ2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。低反射層がＮを含有する場合、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、ＫｒおよびＸｅのうち少なくともひとつと、Ｎ2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。低反射層がＯおよびＮを含有する場合、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、ＫｒおよびＸｅのうち少なくともひとつと、Ｏ2およびＮ2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。
【００４８】
具体的なスパッタリング法の実施条件は、使用するターゲットやスパッタリング法を実施する不活性ガス雰囲気の組成によっても異なるが、いずれの場合においても以下の条件でスパッタリング法を実施すればよい。
不活性ガス雰囲気がＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気の場合を例に低反射層の形成条件を以下に示す。
低反射層の形成条件
ガス圧：１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度：３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ％）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．０１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスあるいは複数の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの合計濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、不活性ガス雰囲気がＮ2を含有する場合はＮ2濃度、不活性ガス雰囲気がＮ2およびＯ2を含有する場合、その合計濃度を上記した酸素濃度と同じ濃度範囲にする。
【００４９】
なお、本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収層上に低反射層を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。
【００５０】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収層上（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層上）に、特開２００９−５４８９９号公報や特開２００９−２１５８２号公報に記載のハードマスク層、すなわち、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）のエッチング条件に対して耐性を有する材料の層、が形成されていてもよい。このようなハードマスク層を形成して、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）のエッチング条件における吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）とハードマスク層とのエッチング選択比、具体的には、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）のエッチング条件での吸収層のエッチングレート（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層のエッチングレート）と、ハードマスク層のエッチングレートと、の比を高めることで、レジストを薄膜化できる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。以下において例１〜７は実施例、例８〜１５は比較例である。なお、例１〜１５は、いずれも、基板１の一方の面に導電膜４を形成したときの、導電膜４のシート抵抗値、光線透過率および膜剥れについて評価することで、反射層２、吸収層３、保護層、低反射層５等を含む本発明のＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクの評価として扱うものである。
例１
本実施例では、基板１の一方の面に導電膜４を形成する。
成膜用の基板１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用する。このガラス基板の２０℃における熱膨張係数は０．０５×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成する。
【００５２】
基板１の一方の面に、導電膜４として、ＣｒＮ膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の成膜条件は以下のとおりである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｎ2：２０ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：６．１ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１３ｎｍ
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ-ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定した。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝７７：２３である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×２３＋１．６８（＝５．１３）  ≦  １３  ≦  ０．３１×２３＋１１．１３（＝１８．２６）
導電膜４のシート抵抗値を、四探針測定器を用いて測定した。シート抵抗値は１１２Ω／□であった。
また、導電膜４の波長４００〜８００ｎｍの光線透過率を、分光光度計を用いて測定した結果を図３に示す。図３において、いずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は２１．５％であった。
また、基板１と導電膜４との密着性について、導電膜４上からＪＩＳ  Ｋ５４００（クロスカット法）に基づき評価したところ、膜剥れは確認されず、密着性は十分であった。
【００５３】
例２
導電膜４（ＣｒＮ膜）の成膜条件を下記とした以外は例１と同様である。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：７３ｖｏｌ％、Ｎ2：２７ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：５．９ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２０ｎｍ
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定した。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６９：３１である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×３１＋１．６８（＝６．３３）  ≦  ２０  ≦  ０．３１×３１＋１１．１３（＝２０．７４）
導電膜４のシート抵抗値は７３Ω／□であった。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は１１．５％であった。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分であった。
【００５４】
例３
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を８ｎｍとした以外は例２と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定した。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６９：３１である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×３１＋１．６８（＝６．３３）  ≦  ８  ≦  ０．３１×３１＋１１．１３（＝２０．７４）
導電膜４のシート抵抗値は２０３Ω／□であった。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は２９．４％であった。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分であった。
【００５５】
例４
導電膜４（ＣｒＮ膜）の成膜条件を下記とした以外は例１と同様である。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：９５ｖｏｌ％、Ｎ2：５ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：６．６ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１２ｎｍ
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝９５：５である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×５＋１．６８（＝２．４３）  ≦  １２  ≦  ０．３１×５＋１１．１３（＝１２．６８）
導電膜４のシート抵抗値は５０Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は１１．９％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００５６】
例５
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を４ｎｍとする以外は例４と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ-ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝９５：５である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×５＋１．６８（＝２．４３）  ≦  ４  ≦  ０．３１×５＋１１．１３（＝１２．６８）
導電膜４のシート抵抗値は１５０Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は２５．８％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００５７】
例６
導電膜４（ＣｒＮ膜）の成膜条件を下記とする以外は例１と同様である。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：６４ｖｏｌ％、Ｎ2：３６ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：５．６ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２３ｎｍ
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６０：４０である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×４０＋１．６８（＝７．６８）  ≦  ２３  ≦  ０．３１×４０＋１１．１３（＝２３．５３）
導電膜４のシート抵抗値は８７Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は１０．５％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００５８】
例７
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を９ｎｍとする以外は例６と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６０：４０である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×４０＋１．６８（＝７．６８）  ≦  ９  ≦  ０．３１×４０＋１１．１３（＝２３．５３）
導電膜４のシート抵抗値は２２２Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は３０．７％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００５９】
例８
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を１４ｎｍとする以外は例４と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝９５：５である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×５＋１．６８（＝２．４３）  ≦  １４  ＞  ０．３１×５＋１１．１３（＝１２．６８）
導電膜４のシート抵抗値は４３Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％未満であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は８．５％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００６０】
例９
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を２ｎｍとする以外は例４と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝９５：５である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×５＋１．６８（＝２．４３）  ＞  ２  ≦  ０．３１×５＋１１．１３（＝１２．６８）
導電膜４のシート抵抗値は３００Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は２９．２％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００６１】
例１０
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を２０ｎｍとした以外は例１と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定した。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝７７：２３であった。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×２３＋１．６８（＝５．１３）  ≦  ２０  ＞  ０．３１×２３＋１１．１３（＝１８．２６）
導電膜４のシート抵抗値は６８Ω／□であった。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％未満であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は７．８％であった。
導電膜４の膜剥がれは確認されず、密着性は十分である。
【００６２】
例１１
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を４ｎｍとした以外は例１と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝７７：２３である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×２３＋１．６８（＝５．１３）  ＞  ４  ≦  ０．３１×２３＋１１．１３（＝１８．２６）
導電膜４のシート抵抗値は３３０Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は３２％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００６３】
例１２
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を２５ｎｍとする以外は例６と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６０：４０である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×４０＋１．６８（＝７．６８）  ≦  ２５  ＞  ０．３１×４０＋１１．１３（＝２３．５３）
導電膜４のシート抵抗値は８０Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％未満であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は７．６％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００６４】
例１３
導電膜４（ＣｒＮ膜）の膜厚を６ｎｍとする以外は例６と同様である。
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝６０：４０である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×４０＋１．６８（＝７．６８）  ＞  ６  ≦  ０．３１×４０＋１１．１３（＝２３．５３）
導電膜４のシート抵抗値は３３３Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は３５％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００６５】
例１４
導電膜４（ＣｒＮ膜）の成膜条件を下記とする以外は例１と同様である。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：５５ｖｏｌ％、Ｎ2：４５ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：５．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１５ｎｍ
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｃｒ：Ｎ＝５７：４３である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×４３＋１．６８（＝８．１３）  ≦  １５  ≦  ０．３１×４３＋１１．１３（＝２４．４６）
導電膜４のシート抵抗値は１３１２Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は２２．７％である。
導電膜４の膜剥れは確認されず、密着性は十分である。
【００６６】
例１５
導電膜４の成膜条件を下記とした以外は例１と同様である。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：７．２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：５ｎｍ
導電膜４（ＣｒＮ膜）の組成分析
導電膜４の組成を、例１と同様の手順で測定する。導電膜４は、Ｃｒが１００ａｔ％のＣｒ膜である。
なお、導電膜４における窒素の含有率Ｃと、膜厚ｔとの関係は以下のとおり。
０．１５×０＋１．６８（＝１．６８）  ≦  ５  ≦  ０．３１×０＋１１．１３（＝１１．１３）
導電膜４のシート抵抗値は８０Ω／□である。
波長４００〜８００ｎｍのいずれの波長域においても光線透過率は１０％以上であり、特に波長５３２ｎｍの光線透過率は２２．７％である。
膜剥れが確認され、密着性が不十分である。
【００６７】
図２は、例１〜例１５について、導電膜における窒素の含有率（Ｃ）と、該裏面導電膜の膜厚と、の関係を示したグラフである。図２中、また、シート抵抗値が２５０Ω／□の場合を細線で示した。ｔ＝０．１５Ｃ＋１．６８に相当する。波長５３２ｎｍの光線透過率が１０％の場合を太線で示した。ｔ＝０．３１Ｃ＋１１．１３に相当する。
実施例（例１〜７）は、いずれも、シート抵抗値が２５０Ω／□以下であり、波長５３２ｎｍの光線透過率が１０％以上であった。
ｔ＞０．３１Ｃ＋１１．１３の例８、例１０、例１２は、いずれも波長５３２ｎｍの光線透過率は１０％未満である。
ｔ＜０．１５Ｃ＋１．６８の例９、例１１、例１３は、いずれもシート抵抗値が２５０Ω／□超である。
導電膜におけるＮ含有率が４２ａｔ％超の例１４は、シート抵抗値が２５０Ω／□超である。
導電膜におけるＮ含有率が０ａｔ％の例１５は、ＪＩＳ  Ｋ５４００（クロスカット法）に基づき、密着性を評価しところ、膜剥れが確認され、密着性が不十分である。
【符号の説明】
【００６８】
１：基板
２：反射層（多層反射膜）
３：吸収層
４：（裏面）導電膜
【図１】
2015015420.tif 000003
【図２】
2015015420.tif 000004
【図３】
2015015420.tif 000005