(57)【要約】      （修正有）【課題】セラミック電子部品の電子部品本体における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の抑制に寄与するセラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック電子部品１は、セラミック素体１６と第１及び第２の外部電極１８ａ，１８ｂとを有する電子部品本体１０と、金属端子１２，１３とにより構成される。電子部品本体１０と金属端子１２，１３とは、端子接合用はんだ１４を介して接続される。金属端子１２，１３は、端子本体５４及び端子本体５４の表面に形成された下層めっき膜５８と下層めっき膜５８の表面に形成された上層めっき膜６０とを有するめっき膜５６を有し、端子接合部４８、延長部５０及び実装部５２により構成される。金属端子１２，１３の端子接合部４８の第２主面４４（電子部品本体１０とは反対側の面）において、めっき膜５６が除去されためっき除去部６２が形成されて、端子本体５４の表面が露出している。【選択図】図４
2015056456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する２つの主面と、互いに対向する２つの端面と、互いに対向する２つの側面と、を有するセラミック素体と、前記セラミック素体の前記端面を覆うように形成された外部電極と、を有する電子部品本体と、
前記外部電極に端子接合用はんだによって接続されている金属端子と、を有するセラミック電子部品であって、
前記金属端子は、
端子本体と前記端子本体の表面に形成された下層めっき膜と、前記下層めっき膜の表面に形成された上層めっき膜からなり、
前記金属端子は、
前記端面に位置する端子接合部と、前記端子接合部から実装面方向に延びる延長部と、前記延長部から前記端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、
前記端子接合部における前記電子部品本体とは反対側の面において、前記端子本体の表面、または前記下層めっき膜の表面が露出している部分を有することを特徴とする、セラミック電子部品。
【請求項２】
前記端子接合部の前記電子部品本体とは反対側の全面において、前記端子本体の表面、または前記下層めっき膜の表面が露出していることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記延長部の前記電子部品本体とは反対側の面において、前記端子本体の表面、または前記下層めっき膜の表面が露出している部分を有することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記延長部の前記電子部品本体とは反対側の全面において、前記端子本体の表面、または前記下層めっき膜の表面が露出していることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、積層セラミックコンデンサ等を含むセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・高機能化が急速に進んでおり、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサについても、小型化が要求されている。たとえば、積層セラミックコンデンサの場合、薄層化技術および多層化技術の進展により、アルミ電解コンデンサに代替できる高静電容量を有するものが商品化されるようになった。
【０００３】
電子部品本体である積層セラミックコンデンサ２は、図１１に示すように、複数のセラミック層３と内部電極４とが交互に積層されたセラミック素体５を含む。複数の内部電極４のうちの隣接するものが、セラミック素体５の対向する端面に交互に引き出される。内部電極４が引き出されたセラミック素体５の端面には、内部電極４に電気的に接続される外部電極６が形成される。このような構成により、セラミック素体５の対向する端部に設けられた外部電極６間に静電容量が形成される。積層セラミックコンデンサ２は、実装用はんだ６ａによって実装基板７上に取り付けられる。このとき、積層セラミックコンデンサ２の外部電極６が、実装用はんだ６ａによって実装基板７上に取り付けられる。
【０００４】
このような積層セラミックコンデンサ２において、セラミック層３の材料として、誘電率の比較的高いチタン酸バリウムなどの強誘電体材料が一般的に用いられているが、このような強誘電体材料は逆圧電効果を有するため、積層セラミックコンデンサ２に交流電圧が加わると、セラミック層３に機械的歪みが生じる。その振動が外部電極６を介して実装基板７に伝達されると、実装基板７全体が音響放射面となって、雑音となる振動音（鳴き）を発生する恐れがある。
【０００５】
この対策として、特許文献１や特許文献２に示される、たとえば、図１２に示すような、積層セラミックコンデンサ２の外部電極６に一対の金属端子８を端子接合用はんだで接続してセラミック電子部品９を作製し、実装基板７と積層セラミックコンデンサ２とが間隔を隔てるようにして、一対の金属端子８を実装基板７に半田付けする構成が考えられている。このような構成とすることにより、これら一対の金属端子８の弾性的変形によって、交流電圧の周波数に同期して生じる応力を緩和するという技術が開示されている。この特許文献１および特許文献２に記載によると、一対の金属端子８の表面に、Ｓｎなどのめっき膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２３５９３２号公報
【特許文献２】特開２０１０−０１６３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載のセラミック電子部品９のように、金属端子８の表面にめっき膜が形成されると、セラミック電子部品９を実装基板７に実装用はんだで実装する際に、実装用はんだが、金属端子８の表面のめっき膜を伝って必要以上に濡れ上がり、金属端子８の剛性を増加させてしまうことがあった。これにより、金属端子８の十分な弾性を確保することができず、積層セラミックコンデンサ２の振動の伝達を抑制する本来の金属端子８の機能を損失してしまうことがあった。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、セラミック電子部品の電子部品本体における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の抑制に寄与するセラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明にかかるセラミック電子部品は、互いに対向する２つの主面と、互いに対向する２つの端面と、互いに対向する２つの側面と、を有するセラミック素体と、セラミック素体の端面を覆うように形成された外部電極と、を有する電子部品本体と、外部電極に端子接合用はんだによって接続されている金属端子と、を有するセラミック電子部品であって、金属端子は、端子本体と端子本体の表面に形成された下層めっき膜と、下層めっき膜の表面に形成された上層めっき膜からなり、金属端子は、端面に位置する端子接合部と、端子接合部から実装面方向に延びる延長部と、延長部から端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、端子接合部における電子部品本体とは反対側の面において、端子本体の表面、または下層めっき膜の表面が露出している部分を有することを特徴とする、セラミック電子部品である。
この発明にかかるセラミック電子部品は、端子接合部の電子部品本体とは反対側の全面において、端子本体の表面、または下層めっき膜の表面が露出していることが好ましい。
また、この発明にかかるセラミック電子部品は、延長部の電子部品本体とは反対側の面において、端子本体の表面、または下層めっき膜の表面が露出している部分を有することが好ましい。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品は、延長部の電子部品本体とは反対側の全面において、端子本体の表面、または下層めっき膜の表面が露出していることが好ましい。
【００１０】
この発明にかかるセラミック電子部品によれば、端子接合部における電子部品本体とは反対側の面において、端子本体の表面、または下層めっき膜の表面が露出している部分を有するので、セラミック電子部品を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの金属端子の表面へ必要以上な濡れ上がりを抑制することが可能となる。したがって、金属端子の剛性を向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することができる。
また、端子接合部の電子部品本体とは反対側の全面において、端子本体の表面、または下層めっき膜の表面が露出する場合は、より実装用はんだの金属端子への濡れ上がりを抑制することが可能となることから、金属端子の剛性を向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することができる。
さらに、延長部の電子部品本体とは反対側の面または全面において、端子本体の表面、または下層めっき膜の表面が露出している部分を有する場合は、さらに実装用はんだの金属端子への濡れ上がりを抑制することが可能となることから、金属端子の剛性を向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、セラミック電子部品の電子部品本体における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の抑制に寄与するセラミック電子部品が得られる。
【００１２】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。
【図２】この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。
【図３】この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す上面図である。
【図４】図１のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ線における断面を示す断面図解図である。
【図６】この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の外観斜視図である。
【図７】この発明にかかるセラミック電子部品の他の例を示す外観斜視図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ線における断面を示す断面図解図である。
【図９】図７に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子を示す外観斜視図である。
【図１０】セラミック電子部品を実装した実装基板の振動音を測定するための装置の一例を示す図解図である。
【図１１】従来の積層セラミックコンデンサを実装基板に実装した状態を示す図解図である。
【図１２】図１１に示す積層セラミックコンデンサの問題点を解決するために提案された従来の積層セラミックコンデンサを含むセラミック電子部品を示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（セラミック電子部品）
この発明にかかるセラミック電子部品の一実施の形態の一例について説明する。図１は、セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図であり、図２は、この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図であり、図３は、この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す上面図である。図４は、図１のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図であり、図５は、図２のＢ−Ｂ線における断面図解図である。図６は、この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の外観斜視図である。この実施の形態にかかる電子部品本体は、積層セラミックコンデンサを例として示す。
【００１５】
この実施の形態にかかるセラミック電子部品１は、電子部品本体１０と一対の金属端子１２，１３とにより構成される。電子部品本体１０と一対の金属端子１２，１３とは、端子接合用はんだ１４を介して接続される。また、電子部品本体１０は、セラミック素体１６（積層体）と、セラミック素体１６の表面に形成される一対の外部電極１８ａ，１８ｂとから構成される。
【００１６】
セラミック素体１６は、複数の積層されたセラミック層２０ａ，２０ｂから構成される。そして、セラミック素体１６は、直方体状に形成され、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１主面２２ａおよび第２主面２２ｂと、長さ方向および高さ方向に沿って延びる第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂと、幅方向および高さ方向に沿って延びる第１端面２６ａおよび第２端面２６ｂとを有する。第１主面２２ａおよび第２主面２２ｂは、セラミック電子部品１が実装される面（実装面）と平行な面をさす。なお、セラミック素体１６は、角部２８および稜部３０に丸みがつけられていることが好ましい。
【００１７】
セラミック層２０ａ，２０ｂとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックが用いられる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物等の副成分を添加したものを用いてもよい。そのほか、セラミック層２０ａ，２０ｂとしては、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、あるいは、磁性体セラミックが用いられうる。セラミック層２０ａ，２０ｂの厚みは０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
なお、この実施の形態にかかるセラミック素体１６については、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能する。
【００１９】
セラミック素体１６は、複数のセラミック層２０ａおよびセラミック層２０ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極３２ａおよび第２の内部電極３２ｂを有する。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂは、セラミック層２０ａ，２０ｂを挟んで対向しており、対向部分により電気特性（たとえば、静電容量など）が発生する。なお、複数のセラミック層２０ａおよびセラミック層２０ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極３２ａおよび第２の内部電極３２ｂは、実装面に対して平行になるように配置されていてもよく、垂直になるように配置されていてもよい。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂの材料としては、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等を用いることができる。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂの厚みは、０．３μｍ以上２．０μｍ以下である。なお、電子部品本体１０が積層タイプでない場合には、第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂは形成されない。
【００２０】
第１の内部電極３２ａは、対向部３４ａと引出し部３６ａとを有する。対向部３４ａは、第２の内部電極３２ｂと対向する。引出し部３６ａは、対向部３４ａからセラミック素体１６の第１端面２６ａに引出される。そして、第１の内部電極３２ａの引出し部３６ａの端部がセラミック素体１６の第１端面２６ａに延びて露出するように形成される。
【００２１】
また、第２の内部電極３２ｂは、第１の内部電極３２ａと同様に、第１の内部電極３２ａと対向する対向部３４ｂと、対向部３４ｂからセラミック素体１６の第２端面２６ｂに引出された引出し部３６ｂとを有する。第２の内部電極３２ｂの引出し部３６ｂの端部がセラミック素体１６の第２端面２６ｂに延びて露出するように形成される。
【００２２】
セラミック素体１６の第１端面２６ａには、第１の外部電極１８ａが第１の内部電極３２ａに電気的に接続され、第１端面２６ａ及び第１の内部電極３２ａを覆うように形成される。同様に、セラミック素体１６の第２端面２６ｂには、第２の外部電極１８ｂが第２の内部電極３２ｂに電気的に接続され、第２端面２６ｂ及び第２の内部電極３２ｂを覆うように形成される。
【００２３】
第１の外部電極１８ａは、下地層３８ａと下地層３８ａの表面に形成されるめっき層４０ａとを有する。また、第２の外部電極１８ｂは、下地層３８ｂと下地層３８ｂの表面に形成されるめっき層４０ｂとを有する。
【００２４】
下地層３８ａ，３８ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等を用いることができる。特に、下地層３８ａ，３８ｂの材料として、たとえば、Ｃｕを用いることが好ましい。下地層３８ａ，３８ｂは、第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂと同時焼成したコファイアによるものでもよく、導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイアによるものでもよい。また、直接めっきにより形成されていてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されていてもよい。下地層３８ａ，３８ｂの厚みは、最も厚い部分において、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
一方、めっき層４０ａ，４０ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等を用いることができる。めっき層４０ａ，４０ｂは、複数層に形成されていてもよい。好ましくは、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきの２層構造である。めっき層４０ａ，４０ｂの一層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、下地層３８ａ，３８ｂとめっき層４０ａ，４０ｂとの間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。
【００２６】
一対の金属端子１２，１３は、セラミック電子部品１を実装基板に実装するために設けられる。一対の金属端子１２，１３には、たとえば、板状のリードフレームが用いられる。この板状のリードフレームにより形成される金属端子１２は、第１の外部電極１８ａと接続される第１の主面４２、第１の主面４２と対向する第２の主面４４（電子部品本体１０とは反対側の面）および第１の主面４２と第２の主面４４との間の厚みを形成する周囲面４６を有する。また、この板状のリードフレームにより形成される金属端子１３は、第２の外部電極１８ｂと接続される第１の主面４２、第１の主面４２と対向する第２の主面４４（電子部品本体１０とは反対側の面）および第１の主面４２と第２の主面４４との間の厚みを形成する周囲面４６を有する。そして、この板状のリードフレームにより形成される一対の金属端子１２，１３は、断面の形状がＬ字形状に形成されている。このように、一対の金属端子１２，１３の断面の形状がＬ字形状に形成されると、セラミック電子部品１を実装基板に実装したとき、実装基板のたわみに対する耐性を向上させることができる。
【００２７】
一対の金属端子１２，１３は、たとえば、矩形板状の端子接合部４８と、端子接合部４８から実装面方向に延びる延長部５０と、延長部５０から第１端面２６ａおよび第２端面２６ｂを結んだ方向に延びる実装部５２とにより構成される。
【００２８】
金属端子１２の端子接合部４８は、電子部品本体１０の第１端面２６ａ側に位置して接続される部分である。また、金属端子１３の端子接合部４８は、電子部品本体１０の第２端面２６ｂ側に位置して接続される部分である。金属端子１２の端子接合部４８は、たとえば電子部品本体１０の第１の外部電極１８ａの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、金属端子１２の第１の主面４２側が第１の外部電極１８ａに端子接合用はんだ１４で接続される。また、金属端子１３の端子接合部４８は、たとえば電子部品本体１０の第２の外部電極１８ｂの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、金属端子１３の第１の主面４２側が第２の外部電極１８ｂに端子接合用はんだ１４で接続される。
【００２９】
一対の金属端子１２，１３の延長部５０は、電子部品本体１０を実装する実装基板から浮かせるために設けられ、実装基板に接するまでの部分である。一対の金属端子１２，１３の延長部５０は、たとえば、長方形板状をしており、端子接合部４８から実装面方向にセラミック素体１６の第２主面２２ｂと直交する高さ方向に延び、端子接合部４８と一平面状に形成されている。
【００３０】
金属端子１２の実装部５２は、金属端子１２の延長部５０の端部から第２主面２２ｂに平行する長さ方向に延びて、実装基板に接するように折り曲げられて形成される。なお、実装部５２の折り曲げられる方向は、電子部品本体１０側に曲げられている。また、金属端子１３の実装部５２は、金属端子１３の延長部５０の端部から第２主面２２ｂに平行する長さ方向に延びて、実装基板に接するように折り曲げられて形成される。なお、実装部５２の折り曲げられる方向は、電子部品本体１０側に曲げられている。
【００３１】
一対の金属端子１２，１３の実装部５２の長さは、セラミック素体１６の第２主面２２ｂ（実装面側）に形成される第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの長さ方向の長さよりも長く形成されていてもよい。これによって、セラミック電子部品１を実装する際において、セラミック電子部品１を下方からカメラで画像認識して部品の位置を検出する場合、電子部品本体１０の第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂを一対の金属端子１２，１３として誤認識することを防止することができ、検出ミスを防止することができる。
【００３２】
一対の金属端子１２，１３の実装部５２の長さは、一対の金属端子１２，１３の延長部５０の長さよりも長く形成されていてもよい。また、一対の金属端子１２，１３の延長部５０と一対の金属端子１２，１３の実装部５２とが交わる角部は、丸みがつけられていてもよい。
【００３３】
一対の金属端子１２，１３は、端子本体５４と端子本体５４の表面に形成されるめっき膜５６とを有する。
【００３４】
端子本体５４は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。端子本体５４は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。具体的には、たとえば、端子本体５４の母材の金属をＦｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金とするのが好ましい。端子本体５４の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。端子本体５４を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの耐熱性を向上させることができる。
【００３５】
一方、めっき膜５６は、下層めっき膜５８と上層めっき膜６０とを有する。
【００３６】
下層めっき膜５８は、端子本体５４の上に形成されており、上層めっき膜６０は、下層めっき膜５８の上に形成されている。なお、下層めっき膜５８および上層めっき膜６０のそれぞれは、複数のめっき膜により構成されていてもよい。下層めっき膜５８は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。特に、下層めっき膜５８の材料として、Ｎｉからなることが好ましい。下層めっき膜５８をＮｉで形成することにより、はんだバリア層として機能しうる。なお、下層めっき膜５８のそれぞれは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。下層めっき膜５８を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜５８の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３７】
上層めっき膜６０は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。特に、上層めっき膜６０の材料として、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなることが好ましい。上層めっき膜６０をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、一対の金属端子１２，１３と第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂとのはんだ付き性を向上させることができる。上層めっき膜６０の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。なお、めっき膜５６として、１層形成の場合には、はんだ付き性のよい上層めっき膜６０を形成するのが好ましい。
【００３８】
ここで、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８の第２の主面４４において、めっき膜５６が除去されているめっき除去部６２が形成されている。このめっき除去部６２は、端子本体５４の表面が露出している部分である。
なお、めっき除去部６２は、端子接合部４８の第２の主面４４において、上層めっき膜６０を除去することにより形成されてもよい。このときは、めっき除去部６２には、下層めっき膜５８の表面が露出している。
また、このめっき除去部６２は、端子接合部４８の第２の主面４４における一部（たとえば、端子接合部４８の第２の主面４４における中央部の領域）に形成されてもよく、端子接合部４８の第２の主面４４の全面に形成されていてもよい。図６に示される金属端子１２におけるめっき除去部６２は、端子接合部４８の第２の主面４４の全面に形成されている。
【００３９】
端子接合用はんだ１４は、第１の外部電極１８ａと金属端子１２の端子接合部４８とを接合するために用いられる。また、端子接合用はんだ１４は、第２の外部電極１８ｂと金属端子１３の端子接合部４８とを接合するために用いられる。端子接合用はんだ１４には、たとえば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系などのＬＦはんだを用いることができる。特に、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだの場合は、Ｓｂの含有率が５％以上１５％以下程度であることが好ましい。
【００４０】
図１に示すセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８の第２の主面４４の全面にめっき除去部６２が形成されることで、端子本体５４の表面が露出するので、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだが、一対の金属端子１２，１３の表面へ必要以上に濡れ上がることを抑制することが可能となる。そのため、一対の金属端子１２，１３の剛性を向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することができる。
また、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８の第２の主面４４において、上層めっき膜６０のみを除去することにより、下層めっき膜５８の表面が露出するようにめっき除去部６２が形成されても、めっき膜５６を除去した場合と同様な効果を得ることができる。
【００４１】
また、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８の第２の主面４４の一部にめっき除去部６２が形成されることで、端子本体５４あるいは下層めっき膜５８の表面を露出させても、実装用はんだの一対の金属端子１２，１３への濡れ上がりを抑制することができる。そのため、一対の金属端子１２，１３の剛性を向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することができる。
【００４２】
次に、この発明にかかるセラミック電子部品の他の例について説明する。
図７は、この発明にかかるセラミック電子部品の他の例を示す外観斜視図である。図８は、図７のＣ−Ｃ線における断面を示す断面図解図であり、図９は、図７に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子を示す外観斜視図である。なお、図７において、図１に示したセラミック電子部品１と同一の部分、および図８において、図４に示したセラミック電子部品１と同一の部分には、それぞれ同一の符号を付し、その説明を省略する。また、図９において、図６に示した金属端子１２と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４３】
図７に示す金属端子１２，１３は、端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４において、めっき膜５６が除去されているめっき除去部６２が形成されている。このめっき除去部６２は、端子本体５４の表面が露出している部分である。
なお、めっき除去部６２は、端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４において、上層めっき膜６０を除去することにより形成されてもよい。このとき、めっき除去部６２には、下層めっき膜５８の表面が露出している。
また、このめっき除去部６２は、端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４における一部に形成されてもよく、端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４の全面に形成されてもよい。図９に示される金属端子１２におけるめっき除去部６２は、端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４の全面に形成されている。
【００４４】
図７に示すセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４の全面にめっき除去部６２が形成されることで、端子本体５４の表面が露出するので、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、さらに実装用はんだの一対の金属端子１２，１３の表面への濡れ上がりを抑制することが可能となる。そのため、一対の金属端子１２，１３の剛性を向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することができる。
また、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４において、上層めっき膜６０のみを除去することにより、下層めっき膜５８の表面が露出するようにめっき除去部６２が形成されても、めっき膜５６を除去した場合と同様な効果を得ることができる。
【００４５】
また、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４の一部にめっき除去部６２が形成されることで、端子本体５４あるいは下層めっき膜５８の表面を露出させても、実装用はんだの一対の金属端子１２，１３への濡れ上がりを抑制することができる。そのため、一対の金属端子１２，１３の剛性を向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することができる。
【００４６】
（セラミック電子部品の製造方法）
次に、以上の構成からなるセラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、セラミック電子部品１を例にして説明する。
【００４７】
まず、セラミックグリーンシート、第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂを形成するための内部電極用導電性ペーストおよび第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂを形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００４８】
そして、セラミックグリーンシート上に、たとえば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極のパターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷法などの公知の方法により印刷することができる。
【００４９】
次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、マザー積層体が作製される。必要に応じて、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
【００５０】
その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生のセラミック積層体が切り出される。このとき、バレル研磨などにより生のセラミック積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生のセラミック積層体が焼成され、積層体であるセラミック素体が生成される。なお、生のセラミック積層体の焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００５１】
次に、焼成後のセラミック素体の両端面に外部電極用導電性ペーストを、たとえばディップ工法等によって塗布し、焼き付け、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの下地層３８ａ，３８ｂが形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。また、必要に応じて、下地層３８ａ，３８ｂの表面にめっき層４０ａ，４０ｂが形成される。なお、外部電極用導電性ペーストの焼成および生のセラミック積層体の焼成は、たとえば、大気中、Ｎ2雰囲気中、水蒸気＋Ｎ2雰囲気中などにおいて行われる。また、ディップ工法とは、外部電極用導電性ペースト中にセラミック素体を浸漬させることにより、そのセラミック素体に外部電極を形成する塗布方法のことである。
【００５２】
続いて、本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法における金属端子の取り付け工程について、説明する。
【００５３】
まず、所望の一対の金属端子１２，１３が準備される。すなわち、この一対の金属端子１２，１３は、端子本体５４に、下層めっき膜５８および上層めっき膜６０を形成することによりめっき膜５６を形成した後に、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８の第２の主面４４におけるめっき膜５６あるいは上層めっき膜６０が機械的（切削、研磨）に除去されるか、または、レーザートリミングによる除去、めっき剥離剤（たとえば、水酸化ナトリウム）による除去といった方法で、一対の金属端子１２，１３のめっき膜５６あるいは上層めっき膜６０が除去され、一対の金属端子１２，１３が準備される。
なお、めっき膜５６を除去する別の方法としては、一対の金属端子１２，１３のめっき膜５６の形成前に、レジストでめっきを形成しない部分を覆って一対の金属端子１２，１３にめっき膜５６を形成した後に、レジストを除去するといった方法を用いることもできる。
【００５４】
次に、準備された金属端子１２は、電子部品本体１０の第１の外部電極１８ａに端子接合用はんだ１４によって取り付けられ、準備された金属端子１３は、電子部品本体１０の第２の外部電極１８ｂに端子接合用はんだ１４によって取り付けられる。一対の金属端子１２，１３の取り付けは、端子接合用はんだ１４によるはんだ付けの温度を、リフローにて２７０℃以上２９０℃以下とし、その熱を３０秒以上与えることによって行われる。
【００５５】
上述のようにして、図１に示すセラミック電子部品１が得られる。
【００５６】
（実験例）
次に、上述の方法により得られたセラミック電子部品１について、実装基板の振動音（鳴き）との関係についての評価試験を行った。
【００５７】
（セラミック電子部品の評価）
まず、実施例として、上述したセラミック電子部品の製造方法にしたがって、長さが２．０（±０．１５）ｍｍ、幅が１．２５（±０．１５）ｍｍ、高さが１．２５（±０．１５）ｍｍのサイズであり（各±０．１５は、製造公差である）、容量が１０μＦの積層セラミックコンデンサである電子部品本体１０を準備し、一対の金属端子１２，１３を取り付け、セラミック電子部品１を作製した。ここで、本実施例で用いた一対の金属端子１２，１３は、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４の全面におけるめっき膜５６の除去されており、めっき除去部６２が形成されている。めっき膜５６を除去する方法としては、一対の金属端子１２，１３の端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４の全面をレジストで覆った上で一対の金属端子１２，１３にめっき膜５６を形成した後にレジストを除去する方法を用いた。また、電子部品本体１０と一対の金属端子１２，１３との取り付けに用いた端子接合用はんだ１４は、Ｓｂが１０％含有されたＳｎ−Ｓｂはんだである。なお、電子部品本体１０の浮き量は、０．５ｍｍとした。
【００５８】
また、比較例１として、一対の金属端子１２，１３を取り付けない電子部品本体１０単体のものと、比較例２として、一対の金属端子１２，１３全体にめっき膜５６が形成されている一対の金属端子１２，１３を取り付けたセラミック電子部品とを準備した。また、その他の条件は、実施例と同じとした。
実施例、比較例１および比較例２の各サンプルは、それぞれ５個ずつとした。
【００５９】
（鳴きの測定方法）
図１０は、セラミック電子部品を実装した実装基板の振動音を測定するための装置の一例を示す図解図である。
セラミック電子部品１を一定量の実装用はんだにより厚み１．６ｍｍのガラスエポキシの実装基板７０に取り付け、図１０に示すような鳴き測定装置８０により、実装基板７０の振動音（鳴き）を測定した。
セラミック電子部品１を実装した実装基板７０を無響箱８２の内部に設置し、セラミック電子部品１に対して、周波数：３ｋＨｚ、電圧：１Ｖｐｐの交流電圧を印加した。そして、その際に発生する振動音（鳴き）を集音マイク８４で集音し、騒音計８６およびＦＦＴアナライザ８８（株式会社小野測器製  ＣＦ−５２２０）で集音された音の音圧レベルを測定した。なお、集音マイク８４は、実装基板７０から３ｍｍだけ離して設置した。
測定結果について、実施例、比較例１および比較例２のそれぞれのサンプルの５つのデータの平均化した値を表１に示す。
【００６０】
【表１】
2015056456.tif 000003
【００６１】
結果、比較例１の音圧レベルである５０．３１ｄＢおよび比較例２の音圧レベルである４９．３９ｄＢに比べて、実施例にかかるセラミック電子部品１の音圧レベルは、３８．６１ｄＢと、低くなっている。したがって、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだで実装する際に、実装用はんだが、一対の金属端子１２，１３の表面に必要以上に濡れ上がることを抑制することができるため、金属端子の剛性を必要以上に向上させてしまうことなく、十分な金属端子の弾性を確保することができ、実装基板の振動による鳴きを抑制することが可能になることが確認できた。このことは、実施例にかかるセラミック電子部品１は、一対の金属端子１２，１３における端子接合部４８および延長部５０の第２の主面４４の全面において、めっき膜５６が除去されためっき除去部６２が形成されて、端子本体５４の表面が露出していることから、セラミック電子部品１を実装基板７０に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの一対の金属端子１２，１３への濡れ上がりを抑制することが可能になるためと考えられる。
【００６２】
なお、上述の実施の形態にかかるセラミック電子部品１では、金属端子のめっき除去部が、金属端子の端子接合部および延長部の第２主面において形成されることで端子本体の表面が露出しているが、それに限るものではなく、金属端子の延長部の第２主面にのみにめっき除去部が形成されていてもよい。この場合、めっき除去部は、金属端子の延長部の第２主面における一部に形成されてもよく、延長部の第２主面の全面に形成されてもよい。
【００６３】
また、上述の実施の形態にかかるセラミック電子部品１では、金属端子の延長部および実装部の周囲面においてめっき膜が除去されているめっき除去部は形成されていないが、めっき膜の除去されためっき除去部が形成されていてもよい。このめっき除去部は、端子本体の表面が露出している部分である。このように、金属端子の延長部および実装部における周囲面においてめっき膜の除去されためっき除去部が形成されることで、端子本体の表面が露出しているので、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの金属端子への濡れ上がりを抑制することが可能となる。そのため、電子部品本体と金属端子との間（浮き部分）に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができ、浮き部分に実装用はんだが充填されることを防止することができる。よって、浮き部分の空間を十分に確保することができるため、金属端子の弾性的変形を妨げることなく、実装基板への振動の伝達を抑制することができ、より安定してセラミック電子部品の鳴き抑制を発揮することが可能になる。
また、金属端子の端子接合部の周囲面において、めっき除去部が形成されている場合、金属端子の全周囲面においてめっき除去部が形成されるため、さらに、実装用はんだの金属端子への濡れ上がりを抑制することが可能となることから、電子部品本体と金属端子のとの間の浮き部分に実装用はんだが濡れ上がることを、より抑制することができる。
【００６４】
ここで、上述の実施の形態におけるセラミック電子部品１において、電子部品本体に含まれるセラミック素体は、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能しているが、これに限られるものではなく、圧電体セラミックを用いた場合は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合はサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合は、インダクタとして機能する。また、インダクタとして機能する場合は、内部電極は、コイル状の導体となる。
【００６５】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、積層セラミックコンデンサのセラミック層の厚み、層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６６】
１  セラミック電子部品
１０  電子部品本体
１２、１３  金属端子
１４  接合用はんだ
１６  セラミック素体
１８ａ  第１の外部電極
１８ｂ  第２の外部電極
２０ａ、２０ｂ  セラミック層
２２ａ  第１主面
２２ｂ  第２主面
２４ａ  第１側面
２４ｂ  第２側面
２６ａ  第１端面
２６ｂ  第２端面
２８  角部
３０  稜部
３２ａ  第１の内部電極
３２ｂ  第２の内部電極
３４ａ、３４ｂ  対向部
３６ａ、３６ｂ  引出し部
３８ａ、３８ｂ  下地層
４０ａ、４０ｂ  めっき層
４２  第１の主面
４４  第２の主面
４６  周囲面
４８  端子接合部
５０  延長部
５２  実装部
５４  端子本体
５６  めっき膜
５８  下層めっき膜
６０  上層めっき膜
６２  めっき除去部
７０  実装基板
８０  鳴き測定装置
８２  無響箱
８４  集音マイク
８６  騒音計
８８  ＦＦＴアナライザ
【図１】
2015056456.tif 000004
【図２】
2015056456.tif 000005
【図３】
2015056456.tif 000006
【図４】
2015056456.tif 000007
【図５】
2015056456.tif 000008
【図６】
2015056456.tif 000009
【図７】
2015056456.tif 000010
【図８】
2015056456.tif 000011
【図９】
2015056456.tif 000012
【図１０】
2015056456.tif 000013
【図１１】
2015056456.tif 000014
【図１２】
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