(57)【要約】【課題】デバイスチップのクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現すること。【解決手段】本発明は、複数のＳＡＷチップ１２を、実装基板１０上に、実装基板１０との間に空隙２０を有するようにバンプ１４によってフリップチップ実装する工程と、実装基板１０上に実装された複数のＳＡＷチップ１２上にリッド３２を配置し、リッド３２を含む封止部３４によって、バンプ１４が露出する空隙２０を保ちつつ、複数のＳＡＷチップ１２を封止する工程と、リッド３２を含む封止部３４と実装基板１０とをダイシングによって切断し、複数のＳＡＷチップ１２を個片化して複数のデバイス５０とする工程と、ダイシングによってリッド３２の上面に発生したバリ３６のうち、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂを残存させつつ、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くする工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスチップを、実装基板上に、前記実装基板との間に空隙を有するようにバンプによってフリップチップ実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記複数のデバイスチップ上にリッドを配置し、前記リッドを含む封止部によって、前記バンプが露出する前記空隙を保ちつつ、前記複数のデバイスチップを封止する工程と、
前記リッドを含む封止部と前記実装基板とをダイシングによって切断し、前記複数のデバイスチップを個片化して複数のデバイスとする工程と、
前記ダイシングによって前記リッドの上面に発生したバリのうち、前記リッドの上面の辺部分における前記バリを残存させつつ、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くする工程と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記リッドは、前記複数のデバイスチップの上面に接して配置されることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記リッドは、金属からなることを特徴とする請求項１又は２記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記デバイスに対してバレル研磨処理を施すことで、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記デバイスに対して上下方向からプレス処理を施すことで、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記デバイスの上方から前記リッドの上面の頂点部分に対してブラスト処理を施すことで、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記デバイスチップは、弾性波デバイスチップであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
実装基板と、
前記実装基板上にバンプによってフリップチップ実装され、前記実装基板との間に前記バンプが露出する空隙を有するデバイスチップと、
前記デバイスチップ上に配置されたリッドを含み、前記デバイスチップを封止する封止部と、
前記リッドの上面内の周辺部分に発生したバリと、を具備し、
前記リッドの上面の辺部分における前記バリは残存し、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリは潰された形状をしていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
実装基板と、
前記実装基板上にバンプによってフリップチップ実装され、前記実装基板との間に前記バンプが露出する空隙を有するデバイスチップと、
前記デバイスチップ上に配置されたリッドを含み、前記デバイスチップを封止する封止部と、
前記リッドの上面内の周辺部分に発生したバリと、を具備し、
前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さは、前記リッドの上面の辺部分における前記バリの高さ以下であることを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化、低背化が要求されている。このような要求に対して、実装基板上にデバイスチップをバンプによってフリップチップ実装し、デバイスチップを封止部によって封止した電子デバイスが提案されている。このような電子デバイスは、実装基板上に複数のデバイスチップをフリップチップ実装した後、複数のデバイスチップ上にリッドを配置し、リッドを含む封止部によって、複数のデバイスチップを封止する。その後、リッドを含む封止部と実装基板とをダイシングブレードを用いたダイシングで切断して、複数のデバイスチップを個片化することで得られる。このような製造方法では、ダイシングによってリッドの上面にバリが発生するため、バリを除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７２３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リッドの上面に発生したバリは、電子デバイスの低背化の妨げとなる。したがって、低背化のために、リッド上面のバリを全て除去してしまうことが考えられる。しかしながら、例えば電子デバイスの特性を測定する際に、電子デバイスのリッド上面側を支持台に吸着固定することが行われるが、リッド上面のバリが全て除去されていると、リッド下のデバイスチップに衝撃が伝わり易くなる。この場合に、デバイスチップと実装基板との間の空隙にフリップチップ実装に用いたバンプが露出している構造では、バンプを基点としたクラックがデバイスチップに発生してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、デバイスチップのクラックの発生を抑制しつつ、低背化が可能な電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数のデバイスチップを、実装基板上に、前記実装基板との間に空隙を有するようにバンプによってフリップチップ実装する工程と、前記実装基板上に実装された前記複数のデバイスチップ上にリッドを配置し、前記リッドを含む封止部によって、前記バンプが露出する前記空隙を保ちつつ、前記複数のデバイスチップを封止する工程と、前記リッドを含む封止部と前記実装基板とをダイシングによって切断し、前記複数のデバイスチップを個片化して複数のデバイスとする工程と、前記ダイシングによって前記リッドの上面に発生したバリのうち、前記リッドの上面の辺部分における前記バリを残存させつつ、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くする工程と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法である。本発明によれば、デバイスチップのクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現することができる。
【０００７】
上記構成において、前記リッドは、前記複数のデバイスチップの上面に接して配置される構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記リッドは、金属からなる構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記デバイスに対してバレル研磨処理を施すことで、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くする構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記デバイスに対して上下方向からプレス処理を施すことで、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くする構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記デバイスの上方から前記リッドの上面の頂点部分に対してブラスト処理を施すことで、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さを低くする構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記デバイスチップは、弾性波デバイスチップである構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、実装基板と、前記実装基板上にバンプによってフリップチップ実装され、前記実装基板との間に前記バンプが露出する空隙を有するデバイスチップと、前記デバイスチップ上に配置されたリッドを含み、前記デバイスチップを封止する封止部と、前記リッドの上面内の周辺部分に発生したバリと、を具備し、前記リッドの上面の辺部分における前記バリは残存し、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリは潰された形状をしていることを特徴とする電子デバイスである。本発明によれば、デバイスチップのクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現することができる。
【００１４】
本発明は、実装基板と、前記実装基板上にバンプによってフリップチップ実装され、前記実装基板との間に前記バンプが露出する空隙を有するデバイスチップと、前記デバイスチップ上に配置されたリッドを含み、前記デバイスチップを封止する封止部と、前記リッドの上面内の周辺部分に発生したバリと、を具備し、前記リッドの上面の頂点部分における前記バリの高さは、前記リッドの上面の辺部分における前記バリの高さ以下であることを特徴とする電子デバイスである。本発明によれば、デバイスチップのクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、デバイスチップのクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、実施例１に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１に係る電子デバイスを示す上面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）をＡ方向から見た側面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す上面図である。
【図６】図６は、ダイシング直後の電子デバイスを示す側面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例２に係る電子デバイスの製造方法を示す側面図である。
【図８】図８は、実施例３に係る電子デバイスを示す側面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、実施例３に係る電子デバイスの製造方法を示す上面図である。
【図１０】図１０は、実施例３に係る電子デバイスの製造方法を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、実施例１に係る電子デバイスを示す断面図である。図１のように、セラミック等の絶縁体からなる実装基板１０の平坦上面に、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）チップ１２がバンプ１４によってフリップチップ実装されている。ＳＡＷチップ１２は、圧電基板１６と、圧電基板１６の実装基板１０と向かい合う側の面に設けられたＩＤＴ（Interdigital Transducer）１８と、を含む。圧電基板１６は、例えばタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウム等の圧電材料からなる。ＩＤＴ１８は、例えば銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等の金属からなる。バンプ１４は、例えば金（Ａｕ）等の金属からなる。実装基板１０の上面とＳＡＷチップ１２との間には空隙２０が形成されていて、ＩＤＴ１８は振動が抑制されないように空隙２０に露出している。また、バンプ１４も空隙２０に露出している。
【００１９】
実装基板１０内には、内部配線２２が設けられている。内部配線２２によって、実装基板１０の上面に設けられた接続端子２４と下面に設けられた外部端子２６とが電気的に接続されている。バンプ１４は接続端子２４に接合しているため、ＳＡＷチップ１２は、外部端子２６に電気的に接続されている。
【００２０】
実装基板１０の上面であって、ＳＡＷチップ１２の外側に、金属パターン２８が設けられている。金属パターン２８は、ＳＡＷチップ１２を囲むように設けられている。金属パターン２８に接合すると共にＳＡＷチップ１２の側面に接合して設けられた側方封止部３０と、ＳＡＷチップ１２上に設けられた平坦形状のリッド３２と、を含む封止部３４によって、ＳＡＷチップ１２は封止されている。側方封止部３０は、樹脂等の絶縁体からなる場合でもよいが、金属からなる場合が好ましく、ここでは半田からなる場合を例に説明する。金属パターン２８は、側方封止部３０を構成する材料（例えば半田）に対して濡れ性の良好な金属を用いることが好ましい。リッド３２は、樹脂等の絶縁体を用いる場合でもよいが、例えばコバール等の金属を用いることが好ましい。金属パターン２８は、内部配線２２を介して、例えばグランドに接続される外部端子２６に電気的に接続されている。したがって、封止部３４が金属からなる場合には、封止部３４はグランドに電気的に接続される。リッド３２の上面には、バリ３６が発生している。これは、電子デバイスの製造工程におけるダイシングブレードを用いたダイシングによってリッド３２から発生するものである。図１では図示を省略しているが、封止部３４とバリ３６とを覆ってニッケル（Ｎｉ）めっき膜が設けられていてもよい。
【００２１】
ここで、図２（ａ）及び図２（ｂ）を併用して、バリ３６について説明する。図２（ａ）は、実施例１に係る電子デバイスを示す上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）をＡ方向から見た側面図である。図１から図２（ｂ）のように、バリ３６は、リッド３２の上面内の周辺部分４０に発生している。バリ３６は、周辺部分４０の全体に亘って発生している。なお、周辺部分４０とは、リッド３２の上面内であって、矩形形状をしたリッド３２の上面の外周を含み外周に沿った部分である。リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａは、潰された形状をしていて、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂよりも若干高くなっている。なお、リッド３２の上面の辺部分とは、リッド３２の上面内の周辺部分４０のうち頂点部分を除いた部分である。
【００２２】
次に、実施例１に係る電子デバイスの製造方法について説明する。図３（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図、図５は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す上面図である。図３（ａ）のように、予め準備しておいた内部配線２２、接続端子２４、外部端子２６、及び金属パターン２８が形成された実装基板１０の平坦上面に、複数のＳＡＷチップ１２を、実装基板１０の上面との間に空隙２０を有するようにバンプ１４によってフリップチップ実装する。
【００２３】
図３（ｂ）のように、例えばＳｎＡｇ系の半田シート（不図示）とその上に重ね合わせた平坦形状のリッド３２との積層体を、複数のＳＡＷチップ１２上に配置し、積層体の上側から、積層体を加熱・加圧する。これにより、複数のＳＡＷチップ１２間の間隙に半田が充填される。半田は、実装基板１０上に設けられた金属パターン２８上を濡れ広がった後に固化して、ＳＡＷチップ１２の側面と金属パターン２８の上面とに接合する。これにより、ＳＡＷチップ１２の周囲を覆う側方封止部３０が形成される。また、複数のＳＡＷチップ１２上には、リッド３２が配置される。リッド３２は、例えばＳＡＷチップ１２の上面に接して配置されるが、リッド３２とＳＡＷチップ１２との間に半田が残存している場合でもよい。これにより、複数のＳＡＷチップ１２は、側方封止部３０とリッド３２とを含む封止部３４によって、バンプ１４が露出する空隙２０を保ちつつ封止される。
【００２４】
図３（ｃ）のように、実装基板１０の下面に設けられた外部端子２６を保護するために、実装基板１０の下面にレジスト膜４２を形成する。図４（ａ）のように、後述するダイシングのために、レジスト膜４２の下面にダイシングテープ４４を貼り付ける。
【００２５】
図４（ｂ）のように、複数のＳＡＷチップ１２の間で、リッド３２、側方封止部３０、実装基板１０、及びレジスト膜４２を、ダイシングブレードを用いたダイシングによって切断し、複数のＳＡＷチップ１２を個片化して、複数のデバイス５０とする。ＳＡＷチップ１２を確実に個片化するために、ダイシングテープ４４の一部まで切断することが好ましい。このダイシングによって、リッド３２の上面にバリ３６が発生する。バリ３６は、図２（ａ）のように、リッド３２の上面内の周辺部分４０の全体に亘って発生する。その後、図４（ｃ）のように、ダイシングテープ４４を剥離する。
【００２６】
ここで、図６を用いて、ダイシングブレードを用いたダイシングによってリッド３２の上面に発生するバリ３６について説明する。図６は、ダイシング直後の電子デバイスを示す側面図である。図６のように、バリ３６のうち、リッド３２の上面の頂点部分に発生したバリ３６ａは、辺部分に発生したバリ３６ｂよりも高くなっている。バリ３６ａのリッド３２上面からの高さは、例えば２０μｍ程度であり、バリ３６ｂのリッド３２上面からの高さは、例えば１０μｍ程度である。また、バリ３６ａの幅は、例えば５μｍ〜１０μｍ程度である。このようにリッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａが高くなるのは、ダイシングが格子状に行われるためである。
【００２７】
バリ３６は、電子デバイスの低背化の妨げとなるが、一方で、例えば電子デバイスの電気特性の測定において、リッド３２の上面側を支持台の平坦主面に吸着固定する際の緩衝材となる。したがって、低背化のためとして、バリ３６を全て除去してしまうと、リッド３２の上面側を支持台に吸着固定する際の衝撃がリッド３２下のＳＡＷチップ１２に伝わり易くなってしまう。ＳＡＷチップ１２は、実装基板１０との間にバンプ１４が露出する空隙２０を有して実装基板１０上にフリップチップ実装されている。このため、ＳＡＷチップ１２に衝撃が伝わると、バンプ１４の部分を基点としてＳＡＷチップ１２にクラックが発生してしまう。このようなことから、緩衝材として機能させるために、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂは残存させつつ、低背化のために、頂点部分における背の高いバリ３６ａを低くすることが好ましい。そこで、図４（ｃ）の工程の後に、図５に示すようなバレル研磨工程を行う。
【００２８】
図５のように、研磨槽５２の中に、複数のデバイス５０と複数の研磨剤５４と純水５６とを入れる。研磨剤５４は、例えばデバイス５０よりも大きな球体状のセラミック研磨剤とデバイス５０よりも小さな粒子状のセラミック研磨剤とを用いることができる。なお、図５では便宜上、研磨剤５４の大きさを統一して図示している。その後、研磨槽５２を回転させて攪拌し、デバイス５０に対してバレル研磨処理を施す。これにより、図２（ｂ）のように、リッド３２の上面に発生したバリ３６のうち、辺部分に発生したバリ３６ｂはそのまま残存させつつ、頂点部分に発生したバリ３６ａのみを磨り潰して、高さを低くすることができる。例えば、研磨槽５２を１分間に５００回〜１０００回で回転させて研磨することで、バリ３６ａの高さを、８μｍ程度低くすることができた。
【００２９】
このように、実施例１によれば、デバイス５０に対してバレル研磨処理を施すことで、ダイシングによってリッド３２の上面に発生したバリ３６のうち、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂは残存させつつ、頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くしている。これにより、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａは、潰された形状（即ち、磨り潰された形状）となっている。リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂが残存しているため、例えばリッド３２の上面側を支持台に吸着固定する際においてバリ３６ｂが緩衝材として働き、ＳＡＷチップ１２にクラックが発生することを抑制できる。また、リッド３２の上面の頂点部分に発生した背の高いバリ３６ａの高さを低くしているため、低背化を実現できる。
【００３０】
リッド３２がＳＡＷチップ１２の上面に接して配置される場合、リッド３２上方からの衝撃はＳＡＷチップ１２に伝わり易くなり、クラックが発生し易くなる。したがって、リッド３２がＳＡＷチップ１２の上面に接している場合に、リッド３２の上面の辺部分にバリ３６ｂを残存させつつ、頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くすることが好ましい。
【００３１】
また、リッド３２が金属からなる場合、リッド３２はリッド３２上方からの衝撃に対して緩衝材として機能し難いために、衝撃がＳＡＷチップ１２に伝わり易くなる。また、リッド３２が金属からなる場合、ダイシングブレードを用いたダイシングによるバリ３６が発生し易くなるため、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａが高くなる。したがって、リッド３２が金属からなる場合に、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂを残存させつつ、頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くすることが好ましい。このように、ＳＡＷチップ１２を封止する封止部３４は、樹脂からなる場合でもよいが、金属からなる場合に、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂを残存させつつ、頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くすることが好ましい。
【実施例２】
【００３２】
実施例２に係る電子デバイスの断面図等は、実施例１の図１から図２（ｂ）と同じであるため説明を省略する。図７を用いて、実施例２に係る電子デバイスの製造方法について説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例２に係る電子デバイスの製造方法を示す側面図である。まず、実施例１の図３（ａ）から図４（ｂ）に示した工程を行なう。その後、図７（ａ）のように、一方のプレス機５８ａと他方のプレス機５８ｂとの間であって、プレス機５８ａ上に、複数のデバイス５０が貼り付けられたダイシングテープ４４を配置する。複数のデバイス５０上には、例えば金属製の平坦な板６０を配置する。
【００３３】
図７（ｂ）のように、プレス機５８ａをプレス機５８ｂに向かって、例えば空気圧によって押し上げる。これにより、リッド３２の上面の頂点部分における背の高いバリ３６ａのみが潰されて、高さが低くなり、辺部分における背の低いバリ３６ｂはそのまま残存する。例えば、プレス機５８ａをプレス機５８ｂに向かって押し上げる力を、１バリ当たりに９ｇ程度の力がかかる力とすることで、バリ３６ａの高さを、２μｍ程度低くすることができた。
【００３４】
このように、実施例２によれば、デバイス５０に対して上下方向からプレス処理を施すことで、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂは残存させつつ、頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くしている。したがって、実施例１と同様に、ＳＡＷチップ１２のクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現することができる。また、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａは、潰された形状（即ち、押し潰された形状）となっている。
【００３５】
実施例１及び実施例２では、図２（ｂ）のように、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａが、辺部分におけるバリ３６ｂよりも若干高い場合を例に示したが、バレル研磨処理及びプレス処理の条件によっては、バリ３６ａをバリ３６ｂと同じ高さにすることができる。
【実施例３】
【００３６】
図８は、実施例３に係る電子デバイスを示す側面図である。図８のように、実施例３では、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａの高さが、辺部分におけるバリ３６ｂ以下となっている。実施例３の電子デバイスのその他の構成は、実施例１の図１から図２（ｂ）と同じであるため説明を省略する。
【００３７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、実施例３に係る電子デバイスの製造方法を示す上面図である。図１０は、実施例３に係る電子デバイスの製造方法を示す側面図である。図９（ａ）のように、実施例１の図３（ａ）から図４（ｂ）に示した工程を行い、複数のデバイス５０がダイシングテープ４４上に貼り付けられた構造を作製する。これと平行して、複数のデバイス５０それぞれのリッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａを露出させるような開口６２を有するマスク層６４を準備する。マスク層６４は、樹脂からなる場合でも、金属からなる場合でもよいが、後述するブラスト処理によってマスク層６４から発生した破片で側方封止部３０が凹むことを抑制する観点から、柔らかい樹脂からなる場合が好ましい。また、開口６２は矩形形状をしている場合に限らず、例えば円形形状をしている場合でもよい。
【００３８】
図９（ｂ）のように、マスク層６４を複数のデバイス５０上に配置し、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａを開口６２から露出させ、且つ、辺部分におけるバリ３６ｂをマスク層６４で覆う。
【００３９】
図１０のように、マスク層６４の開口６２で露出しているバリ３６ａに対してブラスト処理を施す。ブラスト処理は、例えばブラストの条件を、粒径１８μｍ（♯８００）、噴射角９０°、噴射回数１０〜４０回で行うことができる。これにより、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａが叩き潰されて、高さが低くなり、辺部分におけるバリ３６ｂはそのまま残存する。なお、マスク層６４に対してもブラスト処理が施されるため、マスク層６４で覆われているリッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂが削られないように、マスク層６４は十分に厚いことが好ましく、例えば１００μｍ以上の厚さを有することが好ましい。
【００４０】
このように、実施例３によれば、デバイス５０の上方からリッド３２の上面の頂点部分に対してブラスト処理を施すことで、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂは残存させつつ、頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くしている。したがって、実施例１と同様に、ＳＡＷチップ１２のクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現することができる。また、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａは、潰された形状（即ち、叩き潰された形状）となっている。
【００４１】
実施例３では、図８のように、リッド３２の上面の頂点部分におけるバリ３６ａを残存させつつ、バリ３６ａの高さをリッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂ以下としているが、バリ３６ａを完全に除去してもよい。また、バリ３６ａは、実施例１及び実施例２のように、バリ３６ｂよりも若干高い場合でもよいが、低背化の観点から、バリ３６ｂの高さ以下にすることがよく、バリ３６ｂの高さより低くすることが好ましい。
【００４２】
実施例１から実施例３では、リッド３２の上面の辺部分におけるバリ３６ｂは残存させつつ、頂点部分におけるバリ３６ａの高さを低くする方法として、バレル研磨処理、プレス処理、又はブラスト処理の場合を例に示したが、その他の方法を用いてもよい。また、実装基板１０上にフリップチップ実装されるデバイスチップとしてＳＡＷチップ１２の場合を例に示したが、ＦＢＡＲチップ等、他の弾性波デバイスチップの場合でもよいし、弾性波デバイスチップ以外のデバイスチップの場合でもよい。
【００４３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  実装基板
１２  ＳＡＷチップ
１４  バンプ
１６  圧電基板
１８  ＩＤＴ
２０  空隙
２２  内部配線
２４  接続端子
２６  外部端子
２８  金属パターン
３０  側方封止部
３２  リッド
３４  封止部
３６〜３６ｂ  バリ
４０  周辺部分
４２  レジスト膜
４４  ダイシングテープ
５０  デバイス
５２  研磨槽
５４  研磨剤
５６  純水
５８ａ、５８ｂ  プレス機
６０  板
６２  開口
６４  マスク層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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