(57)【要約】【課題】  各吐出装置から混合槽への吐出量を正確に検出できる成膜装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る成膜装置３は、第１吐出装置５のみが混合槽７に向けて第１材料を吐出した際に、第１検出部５５で検出された第１材料の量に対する第２検出部６５で検出された第１材料の量の相関情報を記憶する第１相関情報記憶部１０ｅと、第２吐出装置６のみが混合槽７に向けて第２材料を吐出した際に、第２検出部６５で検出された第２材料の量に対する第１検出部５５で検出された第２材料の量の相関情報を記憶する第２相関情報記憶部１０ｆと、各検出部５５，６５で検出した材料の量と各相関情報記憶部１０ｅ，１０ｆで記憶されている情報とに基づいて、各吐出装置５，６が材料を吐出する量を演算する演算部１１とを備える。【選択図】  図３
2015001013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気化された第１材料を吐出する第１吐出装置と、気化された第２材料を吐出する第２吐出装置と、前記各吐出装置に接続され、前記各吐出装置から吐出された材料を混合して基材に向けて吐出する混合槽と、前記各吐出装置及び前記混合槽を収容し、内部を分子流領域の真空状態にされる真空チャンバと、前記各吐出装置を制御する制御部と、を備え、
前記第１吐出装置は、第１材料を収容する第１収容部と、前記第１収容部から前記混合槽に向けて材料を案内する第１案内部と、前記第１案内部から分岐して形成され、材料を案内する第１分岐部と、前記第１分岐部で案内された材料の量を検出する第１検出部と、を備え、
前記第２吐出装置は、第２材料を収容する第２収容部と、前記第２収容部から前記混合槽に向けて材料を案内する第２案内部と、前記第２案内部から分岐して形成され、材料を案内する第２分岐部と、前記第２分岐部で案内された材料の量を検出する第２検出部と、を備え、
前記制御部は、前記第１吐出装置のみが前記混合槽に向けて第１材料を吐出した際に、前記第１検出部で検出された第１材料の量に対する前記第２検出部で検出された第１材料の量の相関情報を記憶する第１相関情報記憶部と、前記第２吐出装置のみが前記混合槽に向けて第２材料を吐出した際に、前記第２検出部で検出された第２材料の量に対する前記第１検出部で検出された第２材料の量の相関情報を記憶する第２相関情報記憶部と、前記各検出部で検出した材料の量と前記各相関情報記憶部で記憶されている情報とに基づいて、前記各吐出装置が材料を吐出する量を演算する演算部と、を備える成膜装置。
【請求項２】
前記第１吐出装置は、前記第１収容部から前記第１案内部に流れる第１材料の量を変更する第１流量変更部を備え、
前記第２吐出装置は、前記第２収容部から前記第２案内部に流れる第２材料の量を変更する第２流量変更部を備え、
前記制御部は、前記第１吐出装置が第１材料を吐出すべき量として設定される第１設定値を記憶する第１設定値記憶部と、前記第２吐出装置が第２材料を吐出すべき量として設定される第２設定値を記憶する第２設定値記憶部と、前記演算部で演算された吐出量と第１及び第２設定値とに基づいて、前記各流量変更部を制御する流量変更制御部と、を備える請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の成膜装置を用いて、基材に膜を形成することにより有機ＥＬデバイスを製造する有機ＥＬデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気化された材料を基材に向けて吐出する成膜装置に関し、また、成膜装置を用いる有機ＥＬ（エレクトロルミネッサンス）デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、成膜装置として、気化された第１材料を基材に向けて吐出する第１吐出装置と、気化された第２材料を第１材料と混合するように基材に向けて吐出する第２吐出装置とを備える成膜装置が知られている（例えば、特許文献１）。また、別な成膜装置として、図１２に示すように、第１材料を吐出する第１吐出装置２０１と、第２材料を吐出する第２吐出装置２０２と、各吐出装置２０１，２０２から吐出された材料を混合して基材１００ａに向けて吐出する混合槽２０３とを備える成膜装置２００も提案されている。
【０００３】
成膜装置２００は、各吐出装置２０１，２０２から吐出された材料を受ける水晶振動子２０４，２０５を備えている。斯かる水晶振動子２０４が付着した材料の量に基づいて、各吐出装置２０１，２０２から混合槽２０３への吐出量が検出されている。これにより、成膜装置２００は、各吐出装置２０１，２０２の吐出量が設定された吐出量となるように、各吐出装置２０１，２０２を制御している。
【０００４】
ところで、第１吐出装置２０１から混合槽２０３に吐出された第１材料のうち、大部分は、基材１００ａに向けて吐出される一方、一部は、第２吐出装置２０２を逆流し、第２水晶振動子２０５に付着する（図１２の１点鎖線矢印参照）。また同様に、第２吐出装置２０２から混合槽２０３に吐出された第２材料のうち、一部は、第１吐出装置２０１を逆流し、第１水晶振動子２０４に付着する（図１２の２点鎖線矢印参照）。これにより、各吐出装置２０１，２０２から混合槽２０３への吐出量を正確に検出できないという問題が生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２６３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、各吐出装置から混合槽への吐出量を正確に検出できる成膜装置及び有機ＥＬデバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る成膜装置は、気化された第１材料を吐出する第１吐出装置と、気化された第２材料を吐出する第２吐出装置と、前記各吐出装置に接続され、前記各吐出装置から吐出された材料を混合して基材に向けて吐出する混合槽と、前記各吐出装置及び前記混合槽を収容し、内部を分子流領域の真空状態にされる真空チャンバと、前記各吐出装置を制御する制御部と、を備え、前記第１吐出装置は、第１材料を収容する第１収容部と、前記第１収容部から前記混合槽に向けて材料を案内する第１案内部と、前記第１案内部から分岐して形成され、材料を案内する第１分岐部と、前記第１分岐部で案内された材料の量を検出する第１検出部と、を備え、前記第２吐出装置は、第２材料を収容する第２収容部と、前記第２収容部から前記混合槽に向けて材料を案内する第２案内部と、前記第２案内部から分岐して形成され、材料を案内する第２分岐部と、前記第２分岐部で案内された材料の量を検出する第２検出部と、を備え、前記制御部は、前記第１吐出装置のみが前記混合槽に向けて第１材料を吐出した際に、前記第１検出部で検出された第１材料の量に対する前記第２検出部で検出された第１材料の量の相関情報を記憶する第１相関情報記憶部と、前記第２吐出装置のみが前記混合槽に向けて第２材料を吐出した際に、前記第２検出部で検出された第２材料の量に対する前記第１検出部で検出された第２材料の量の相関情報を記憶する第２相関情報記憶部と、前記各検出部で検出した材料の量と前記各相関情報記憶部で記憶されている情報とに基づいて、前記各吐出装置が材料を吐出する量を演算する演算部と、を備える。
【０００８】
本発明に係る成膜装置によれば、第１相関情報記憶部は、第１吐出装置のみが混合槽に向けて第１材料を吐出した際に、第１検出部で検出された第１材料の量に対する第２検出部で検出された第１材料の量の相関情報を記憶している。第２相関情報記憶部は、第２吐出装置のみが混合槽に向けて第２材料を吐出した際に、第２検出部で検出された第２材料の量に対する第１検出部で検出された第２材料の量の相関情報を記憶している。
【０００９】
また、各吐出装置及び混合槽を収容する真空チャンバは、内部を分子流領域の真空状態にされている。これにより、各吐出装置から混合槽に吐出された材料が、互いに干渉しないため、各相関情報記憶部に記憶されている相関情報は、第１及び第２吐出装置の両方がそれぞれ混合槽に向けて材料を吐出した際にも、成立する。したがって、演算部は、各検出部で検出した材料の量と各相関情報記憶部で記憶されている情報とに基づいて、各吐出装置が材料を吐出する量を正確に演算できる。
【００１０】
また、本発明に係る成膜装置においては、前記第１吐出装置は、前記第１収容部から前記第１案内部に流れる第１材料の量を変更する第１流量変更部を備え、前記第２吐出装置は、前記第２収容部から前記第２案内部に流れる第２材料の量を変更する第２流量変更部を備え、前記制御部は、前記第１吐出装置が第１材料を吐出すべき量として設定される第１設定値を記憶する第１設定値記憶部と、前記第２吐出装置が第２材料を吐出すべき量として設定される第２設定値を記憶する第２設定値記憶部と、前記演算部で演算された吐出量と第１及び第２設定値とに基づいて、前記各流量変更部を制御する流量変更制御部と、を備える、という構成でもよい。
【００１１】
斯かる構成によれば、第１設定値記憶部は、第１吐出装置が第１材料を吐出すべき量として設定される第１設定値を記憶し、第２設定値記憶部は、第２吐出装置が第２材料を吐出すべき量として設定される第２設定値を記憶している。そして、流量変更制御部は、演算部で演算された吐出量と第１及び第２設定値とに基づいて、各流量変更部を制御する。
【００１２】
したがって、第１流量変更部は、第１収容部から第１案内部に流れる第１材料の量を第１設定値となるように変更し、第２流量変更部は、第２収容部から第２案内部に流れる第２材料の量を第２設定値となるように変更する。そして、演算部が各吐出装置の吐出量を正確に演算しているため、各流量変更部は、各吐出装置の吐出量を正確に設定値となるように変更できる。
【００１３】
また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、前記の成膜装置を用いて、基材に膜を形成することにより有機ＥＬデバイスを製造する。
【発明の効果】
【００１４】
以上の如く、本発明は、各吐出装置から混合槽への吐出量を正確に検出できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る成膜装置を備える有機ＥＬデバイスの製造装置の概略図を示す。
【図２】図２は、同実施形態に係る成膜装置の概略図を示す。
【図３】図３は、同実施形態に係る成膜装置の制御ブロック図を示す。
【図４】図４は、同実施形態に係る成膜装置の制御を説明する図であって、成膜装置の要部概要図を示す。
【図５】図５は、同実施形態に係る成膜装置の制御を説明する図であって、第１吐出装置のみが吐出した際の相関図を示す。
【図６】図６は、同実施形態に係る成膜装置の制御を説明する図であって、成膜装置の要部概要図を示す。
【図７】図７は、同実施形態に係る成膜装置の制御を説明する図であって、第２吐出装置のみが吐出した際の相関図を示す。
【図８】図８は、同実施形態に係る成膜装置の制御を検証する図であって、第１及び第２吐出装置が吐出した際のグラフを示す。
【図９】図９は、同実施形態に係る成膜装置の制御を検証する図であって、第１及び第２吐出装置が吐出した際のグラフを示す。
【図１０】図１０は、同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの要部断面図を示す。
【図１１】図１１は、本発明の他の実施形態に係る成膜装置の制御ブロック図を示す。
【図１２】図１２は、従来における成膜装置の要部概要図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る成膜装置における一実施形態について、図１〜図９を参酌して説明する。なお、本実施形態において、成膜装置は、有機ＥＬデバイスの製造装置に用いられている。
【００１７】
図１に示すように、有機ＥＬデバイスの製造装置１は、帯状の基材１００ａを長手方向に沿う搬送方向Ｄ１に搬送する搬送装置２と、基材１００ａに向けて所定の材料を吐出することにより、基材１００ａに膜（有機ＥＬ素子）を形成する複数（本実施形態においては３つ）の成膜装置３を備えている。なお、複数の成膜装置３は、上流側から、陽極層１００ｂ、有機ＥＬ層１００ｃ、陰極層１００ｄの各有機ＥＬ素子（図１０参照）を形成している。
【００１８】
搬送装置２は、ロール状に巻かれた帯状の基材１００ａを繰り出して供給する供給部２１と、基材１００ａをロール状に巻き取って回収する回収部２２とを備えている。搬送装置２は、供給部２１と回収部２２との間で、搬送される基材１００ａを外周部で支持する複数の回転体２３を備えている。搬送装置２は、基材１００ａが並列されている各真空チャンバ４の内部を通過するように、基材１００ａを搬送方向Ｄ１に搬送している。
【００１９】
成膜装置３は、図１〜図３に示すように、内部を分子流領域の真空状態にされる真空チャンバ４を備えている。成膜装置３は、気化された第１材料（ホスト材料）を吐出する第１吐出装置５と、気化された第２材料（ドーパント材料）を吐出する第２吐出装置６と、各吐出装置５，６から吐出された第１及び第２材料を混合して基材１００ａに向けて吐出する混合槽７とを備えている。成膜装置３は、各吐出装置５，６を制御する制御部８と、制御部８に情報を入力するための入力部９とを備えている。
【００２０】
真空チャンバ４は、各吐出装置５，６及び混合槽７を収容している。真空チャンバ４は、真空ポンプ等の真空源（図示していない）により、内部を分子流領域の真空状態にされている。具体的には、真空チャンバ４の内部の圧力、即ち、プロセス中の圧力は、１×１０−３Ｐａ〜１×１０−５Ｐａにされる。ここで、分子流領域について説明する。
【００２１】
分子流領域において、各吐出装置５，６から吐出された分子の平均自由行程は、各吐出装置５，６及び混合槽７の内部の空間（距離）よりも、十分に大きくなる。したがって、分子は、平均自由行程の距離を移動する前に、基材１００ａ等に当たることでエネルギーを奪われて吸着する。したがって、分子流領域においては、分子同士が衝突することは、殆どない。なお、平均自由行程とは、飛び回っている分子同士が衝突する際に、衝突と衝突との間に進む距離の平均をいう。
【００２２】
そして、圧力が１×１０−３Ｐａの場合、有機物分子の平均自由行程は、約０．９ｍであって、圧力が１×１０−４Ｐａの場合、有機物分子の平均自由行程は、約９ｍであって、圧力が１×１０−５Ｐａの場合、有機物分子の平均自由行程は、約９０ｍである。それに対して、本実施形態において、有機物分子が各吐出装置５，６及び混合槽７の内部を移動して混合槽７から吐出するために移動する距離は、約０．４ｍ〜０．６ｍであり、圧力が１×１０−３Ｐａ〜１×１０−５Ｐａにおける有機物分子の平均自由行程（約０．９ｍ〜９０ｍ）に対して十分に小さい。
【００２３】
第１吐出装置５は、供給源（図示していない）から供給される第１材料を収容する第１収容部５１と、第１材料を加熱する第１加熱部５２とを備えている。第１吐出装置５は、第１加熱部５２により気化された第１材料を第１収容部５１から混合槽７に向けて案内する第１案内部５３と、第１案内部５３から分岐して形成され、第１材料を案内する第１分岐部５４とを備えている。
【００２４】
第１吐出装置５は、第１分岐部５４で案内された材料の量を検出する第１検出部５５と、第１収容部５１から第１案内部５３に流れる第１材料の量を変更する第１流量変更部５６とを備えている。第１吐出装置５は、第１案内部５３に案内された第１材料を混合槽７に吐出すべく、混合槽７に通じる第１連通口５７と、第１分岐部５４に案内された材料を第１検出部５５に吐出するための第１検出口５８とを備えている。
【００２５】
第１検出部５５は、第１検出口５８から吐出された材料の量を検出することで、第１連通口５７から混合槽７に吐出される第１材料の量（即ち、第１吐出装置５の吐出量）を検出するように構成されている。本実施形態においては、第１検出部５５は、水晶振動子を用いており、付着した量に応じて変化する水晶振動子の共振周波数に基づいて、第１吐出装置５の吐出量を検出している。
【００２６】
第１流量変更部５６は、第１収容部５１から第１案内部５３に流れる第１材料の量を変更するために弁開度を変更される弁５６ａと、弁５６ａの弁開度を変更させるべく、弁５６ａを駆動する弁駆動部５６ｂとを備えている。第１流量変更部５６は、弁５６ａの弁開度を検出する弁開度検出部５６ｃを備えている。
【００２７】
第２吐出装置６は、供給源（図示していない）から供給される第２材料を収容する第２収容部６１と、第２材料を加熱する第２加熱部６２とを備えている。第２吐出装置６は、第２加熱部６２により気化された第２材料を第２収容部６１から混合槽７に向けて案内する第２案内部６３と、第２案内部６３から分岐して形成され、第２材料を案内する第２分岐部６４とを備えている。
【００２８】
第２吐出装置６は、第２分岐部６４で案内された材料の量を検出する第２検出部６５と、第２収容部６１から第２案内部６３に流れる第２材料の量を変更する第２流量変更部６６とを備えている。第２吐出装置６は、第２案内部６３に案内された第２材料を混合槽７に吐出すべく、混合槽７に通じる第２連通口６７と、第２分岐部６４に案内された材料を第２検出部６５に吐出するための第２検出口６８とを備えている。
【００２９】
第２検出部６５は、第２検出口６８から吐出された材料の量を検出することで、第２連通口６７から混合槽７に吐出される第２材料の量（即ち、第２吐出装置６の吐出量）を検出するように構成されている。本実施形態においては、第２検出部６５は、水晶振動子を用いており、付着した量に応じて変化する水晶振動子の共振周波数に基づいて、第２吐出装置６の吐出量を検出している。
【００３０】
第２流量変更部６６は、第２収容部６１から第２案内部６３に流れる第２材料の量を変更するために弁開度を変更される弁６６ａと、弁６６ａの弁開度を変更させるべく、弁６６ａを駆動する弁駆動部６６ｂとを備えている。第２流量変更部６６は、弁６６ａの弁開度を検出する弁開度検出部６６ｃを備えている。
【００３１】
混合槽７は、第１及び第２吐出装置５，６にそれぞれ接続される混合槽本体７１を備えている。混合槽７は、混合槽本体７１で混合された材料を基材１００ａに向けて吐出するための吐出口７２を備えている。
【００３２】
制御部８は、各種情報を記憶する記憶部１０と、各吐出装置５，６から混合槽７への材料の吐出量を演算する演算部１１とを備えている。制御部８は、演算部１１で演算された各吐出装置５，６の吐出量に基づいて、各流量変更部５６，６６を制御する流量変更制御部１２を備えている。
【００３３】
記憶部１０は、第１吐出装置５が第１材料を吐出すべき量として設定される第１設定値を記憶する第１設定値記憶部１０ａと、第２吐出装置６が第２材料を吐出すべき量として設定される第２設定値を記憶する第２設定値記憶部１０ｂとを備えている。記憶部１０は、第１検出部５５で検出した値を記憶する第１検出値記憶部１０ｃと、第２検出部６５で検出した値を記憶する第２検出値記憶部１０ｄとを備えている。
【００３４】
ところで、第１吐出装置５から混合槽７に向けて第１材料を吐出する際に、第１案内部５３に案内される第１材料の一部は、第１分岐部５４に案内されて第１検出部５５で検出される。また、第１吐出装置５から混合槽７に吐出された第１材料のうち、大部分は、吐出口７２から基材１００ａに向けて吐出される一方、一部は、第２案内部６３を逆流し、第２分岐部６４に案内されて第２検出部６５で検出される。なお、第２材料も、同様である。
【００３５】
そして、記憶部１０は、第１検出部５５と第２検出部６５とで検出される各材料の量の相関情報を記憶している。具体的には、記憶部１０は、第１及び第２検出部５５，６５で検出される第１材料の量の相関情報を記憶する第１相関情報記憶部１０ｅと、第１及び第２検出部５５，６５で検出される第２材料の量の相関情報を記憶する第２相関情報記憶部１０ｆとを備えている。
【００３６】
第１相関情報記憶部１０ｅは、第１吐出装置５のみが混合槽７に向けて第１材料を吐出した際に、第１検出部５５で検出された第１材料の量に対する第２検出部６５で検出された第１材料の量の相関情報を記憶している。第２相関情報記憶部１０ｆは、第２吐出装置６のみが混合槽７に向けて第２材料を吐出した際に、第２検出部６５で検出された第２材料の量に対する第１検出部５５で検出された第２材料の量の相関情報を記憶している。
【００３７】
演算部１１は、各検出部５５，６５で検出した材料の量と各相関情報記憶部１０ｅ，１０ｆで記憶されている情報とに基づいて、各吐出装置５，６が材料を吐出する量を演算する吐出量演算部１１ａを備えている。即ち、第１検出部５５が、第１材料だけでなく第２材料も検出しているため、吐出量演算部１１ａは、第１吐出装置５の実際の吐出量を演算する。同様に、吐出量演算部１１ａは、第２吐出装置６の実際の吐出量を演算する。
【００３８】
流量変更制御部１２は、吐出量演算部１１ａで演算された吐出量と第１及び第２設定値とに基づいて、各流量変更部５６，６６を制御する。例えば、流量変更制御部１２は、吐出量演算部１１ａで演算した吐出装置５，６の吐出量が設定値より小さい場合には、弁５６ａ，６６ａの弁開度を大きくし、反対に、大きい場合は、弁５６ａ，６６ａの弁開度を小さくする。
【００３９】
入力部９は、第１設定値を入力するための第１設定値入力部９１と、第２設定値を入力するための第２設定値入力部９２とを備えている。入力部９は、各検出部５５，６５で検出される第１材料の量の相関情報を入力する第１相関情報入力部９３と、各検出部５５，６５で検出される第２材料の量の相関情報を入力する第２相関情報入力部９４とを備えている。なお、本実施形態においては、実際に測定した結果に基づいて、各相関情報入力部９３，９４から相関情報が入力されている。
【００４０】
ここで、各相関情報記憶部１０ｅ，１０ｆが記憶している相関情報と、演算部１１が演算する各吐出装置５，６の吐出量とについて、説明する。
【００４１】
図４に示すように、第１吐出装置５のみが混合槽７に向けて第１材料を吐出量Ｘで吐出した際に、第１案内部５３に案内される第１材料の一部は、第１分岐部５４に案内されて第１検出部５５で検出される。このとき、第１検出部５５は、第１分岐部５４に案内された第１材料の量に基づいて、第１吐出装置５の吐出量として、吐出量Ｘを検出する。
【００４２】
そして、第１吐出装置５から混合槽７に吐出された第１材料のうち、大部分は、吐出口７２から吐出される一方、一部は、第２案内部６３を逆流し、第２分岐部６４に案内されて第２検出部６５で検出される。このとき、第２検出部６５は、第２分岐部６４に案内された第１材料の量に基づいて、第２吐出装置６の吐出量として、吐出量Ｘ１を検出してしまう。
【００４３】
図５に示すように、吐出量Ｘ及び吐出量Ｘ１は、弁５６ａの弁開度が大きくなるにつれて大きくなる。しかも、各吐出装置５，６及び混合槽７が分子流領域の真空状態であるため、吐出量Ｘ１は、弁５６ａの弁開度に関係なく、吐出量Ｘに対して一定の割合になる。したがって、第１材料により誤検出される第２吐出装置６の見かけの吐出量は、以下の式１で表される。
【００４４】
（関係式）
Ｘ１＝α・Ｘ                                …（式１）
ここで、αは、定数である。
【００４５】
また、図６に示すように、第２吐出装置６のみが混合槽７に向けて第２材料を吐出量Ｙで吐出した際に、第２案内部６３に案内される第２材料の一部は、第２分岐部６４に案内されて第２検出部６５で検出される。このとき、第２検出部６５は、第２分岐部６４に案内された第２材料の量に基づいて、第２吐出装置６の吐出量として、吐出量Ｙを検出する。
【００４６】
そして、第２吐出装置６から混合槽７に吐出された第２材料のうち、大部分は、吐出口７２から吐出される一方、一部は、第１案内部５３を逆流し、第１分岐部５４に案内されて第１検出部５５で検出される。このとき、第１検出部５５は、第１分岐部５４に案内された第２材料の量に基づいて、第１吐出装置５の吐出量として、吐出量Ｙ１を検出してしまう。
【００４７】
図７に示すように、吐出量Ｙ及び吐出量Ｙ１は、弁６６ａの弁開度が大きくなるにつれて大きくなる。しかも、各吐出装置５，６及び混合槽７が分子流領域の真空状態であるため、吐出量Ｙ１は、弁６６ａの弁開度に関係なく、吐出量Ｙに対して一定の割合になる。したがって、第２材料により誤検出される第１吐出装置５の見かけの吐出量は、以下の式２で表される。
【００４８】
（関係式）
Ｙ１＝β・Ｙ                                …（式２）
ここで、βは、定数である。
【００４９】
ところで、各吐出装置５，６及び混合槽７が分子流領域の真空状態であるため、各吐出装置５，６から混合槽７に吐出された材料は、互いに干渉しない。したがって、各吐出装置５，６が単独で吐出する際に成立した上記式１及び式２の関係は、二つの吐出装置５，６がそれぞれ吐出した際にも、成立する。したがって、二つの吐出装置５，６がそれぞれ吐出した際には、下記式３及び式４が成立する。
【００５０】
（関係式）
Ｘａ＝Ｘ＋β・Ｙ                            …（式３）
Ｙａ＝Ｙ＋α・Ｘ                            …（式４）
ここで、Ｘａは、第１分岐部５４に案内された第１及び第２材料に基づいて、第１検出部５５が第１吐出装置５の吐出量として検出する見かけの吐出量であり、Ｙａは、第２分岐部６４に案内された第１及び第２材料に基づいて、第２検出部６５が第２吐出装置６の吐出量として検出する見かけの吐出量である。
【００５１】
なお、上記式３及び式４は、図８及び図９に示すように、実際に検出された検出値からも証明されている。そして、上記式３及び式４の連立方程式を解くことにより、下記式５及び式６が導かれる。
【００５２】
（関係式）
Ｘ＝（Ｘａ−β・Ｙａ）／（１−α・β）      …（式５）
Ｙ＝（Ｙａ−α・Ｘａ）／（１−α・β）      …（式６）
【００５３】
したがって、演算部１１は、上記式５及び式６に基づいて、各吐出装置５，６の実際の吐出量を演算する。
【００５４】
本実施形態に係る製造装置１の構成については以上の通りであり、次に、本実施形態に係る製造装置１で製造される有機ＥＬデバイス１００の構成について、図１０を参酌して説明する。
【００５５】
有機ＥＬデバイス１００は、帯状の基材１００ａと、基材１００ａの上に積層された陽極層１００ｂと、陽極層１００ｂの上に積層された有機ＥＬ層１００ｃと、有機ＥＬ層１００ｃの上に積層された陰極層１００ｄとを備えている。なお、本発明に係る有機ＥＬデバイス１００は、斯かる構成に限られない。
【００５６】
本発明に係る有機ＥＬデバイス１００は、成膜装置３をさらに追加して設けることにより、陽極層１００ｂ、有機ＥＬ層１００ｃ及び陰極層１００ｄ以外の層を備える、という構成でもよい。例えば、有機ＥＬデバイス１００は、陽極層１００ｂと陰極層１００ｄとが接触することを防止すべく、陽極層１００ｂの周囲を覆うエッジカバー層を備えてもよく、また、各層１００ｂ，１００ｃ，１００ｄが空気と接触することを防止すべく、各層１００ｂ，１００ｃ，１００ｄを覆う封止層を備えてもよい。
【００５７】
本発明に係る陽極層１００ｂ、有機ＥＬ層１００ｃ及び陰極層１００ｄの少なくとも一つは、複数の層からなる構成でもよい。例えば、有機ＥＬ層１００ｃは、５つの層、具体的には、陽極層１００ｂ側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５つの層からなる構成でもよい。
【００５８】
以上より、本実施形態に係る成膜装置３によれば、第１相関情報記憶部１０ｅは、第１吐出装置５のみが混合槽７に向けて第１材料を吐出した際に、第１検出部５５で検出された第１材料の量に対する第２検出部６５で検出された第１材料の量の相関情報を記憶している。第２相関情報記憶部１０ｆは、第２吐出装置６のみが混合槽７に向けて第２材料を吐出した際に、第２検出部６５で検出された第２材料の量に対する第１検出部５５で検出された第２材料の量の相関情報を記憶している。
【００５９】
そして、各吐出装置５，６及び混合槽７を収容する真空チャンバ４は、内部を分子流領域の真空状態にされている。これにより、各吐出装置５，６から混合槽７に吐出された材料が、互いに干渉しないため、各相関情報記憶部１０ｅ，１０ｆに記憶されている相関情報は、第１及び第２吐出装置５，６の両方がそれぞれ混合槽７に向けて材料を吐出した際にも、成立する。したがって、演算部１１は、各検出部５５，６５で検出した材料の量と各相関情報記憶部１０ｅ，１０ｆで記憶されている情報とに基づいて、各吐出装置５，６が材料を吐出する量を正確に演算できる。
【００６０】
また、本実施形態に係る成膜装置３によれば、第１設定値記憶部１０ａは、第１吐出装置５が第１材料を吐出すべき量として設定される第１設定値を記憶し、第２設定値記憶部１０ｂは、第２吐出装置６が第２材料を吐出すべき量として設定される第２設定値を記憶している。そして、流量変更制御部１２は、演算部１１で演算された吐出量と第１及び第２設定値とに基づいて、各流量変更部５６，６６を制御する。
【００６１】
したがって、第１流量変更部５６は、第１収容部５１から第１案内部５３に流れる第１材料の量を第１設定値となるように変更し、第２流量変更部６６は、第２収容部６１から第２案内部６３に流れる第２材料の量を第２設定値となるように変更する。そして、演算部１１が各吐出装置５，６の吐出量を正確に演算しているため、各流量変更部５６，６６は、各吐出装置５，６の吐出量を正確に設定値となるように変更できる。
【００６２】
なお、本発明に係る成膜装置及び有機ＥＬデバイスの製造方法は、上記した実施形態の構成に限定されるものではなく、また、上記した作用効果に限定されるものではない。また、本発明に係る成膜装置及び有機ＥＬデバイスの製造方法は、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、下記する各種の変更例に係る構成や方法等を任意に選択して、上記した実施形態に係る構成や方法等に採用してもよいことは勿論である。
【００６３】
上記実施形態に係る成膜装置３は、第１及び第２検出部５５，６５で検出される材料の量の相関情報を、実際に測定した結果に基づいて、各相関情報入力部９３，９４で入力する、という構成である。しかしながら、本発明に係る成膜装置３は、斯かる構成に限られない。例えば、図１１に示すように、本発明に係る成膜装置３は、第１及び第２検出部５５，６５で検出される材料の量の相関情報を自動的に演算する構成でもよい。
【００６４】
図１１に示す成膜装置３においては、演算部１１は、第１及び第２検出部５５，６５で検出される材料の量の相関情報を演算する相関情報演算部１１ｂを備えている。相関情報演算部１１ｂは、一つの吐出装置５，６が吐出した際における第１検出部５５で検出した吐出量と第２検出部６５で検出した吐出量に基づいて、相関情報、具体的には、上記式１の定数αと上記式２の定数βとを演算する。そして、各相関情報記憶部１０ｅ，１０ｆは、相関情報演算部１１ｂで演算した情報を記憶する。
【００６５】
また、上記実施形態に係る成膜装置３は、連続的に搬送される帯状の基材１００ａに向けて材料を吐出する、という構成（所謂、ロールトゥーロール式）である。しかしながら、本発明に係る成膜装置３は、斯かる構成に限られない。例えば、本発明に係る成膜装置３は、所定位置に配置される板状の基材１００ａに向けて材料を吐出する、という構成（所謂、バッチ式）でもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１…製造装置、２…搬送装置、３…成膜装置、４…真空チャンバ、５…第１吐出装置、６…第２吐出装置、７…混合槽、８…制御部、９…入力部、１０…記憶部、１０ａ…第１設定値記憶部、１０ｂ…第２設定値記憶部、１０ｃ…第１検出値記憶部、１０ｄ…第２検出値記憶部、１０ｅ…第１相関情報記憶部、１０ｆ…第２相関情報記憶部、１１…演算部、１１ａ…吐出量演算部、１１ｂ…相関情報演算部、１２…流量変更制御部、２１…供給部、２２…回収部、２３…回転体、５１…第１収容部、５２…第１加熱部、５３…第１案内部、５４…第１分岐部、５５…第１検出部、５６…第１流量変更部、５６ａ…弁、５６ｂ…弁駆動部、５６ｃ…弁開度検出部、５７…第１連通口、５８…第１検出口、６１…第２収容部、６２…第２加熱部、６３…第２案内部、６４…第２分岐部、６５…第２検出部、６６…第２流量変更部、６６ａ…弁、６６ｂ…弁駆動部、６６ｃ…弁開度検出部、６７…第２連通口、６８…第２検出口、７１…混合槽本体、７２…吐出口、９１…第１設定値入力部、９２…第２設定値入力部、９３…第１相関情報入力部、９４…第２相関情報入力部、１００…有機ＥＬデバイス、１００ａ…基材、１００ｂ…陽極層、１００ｃ…有機ＥＬ層、１００ｄ…陰極層、Ｄ１…搬送方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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