(57)【要約】【課題】ウエハ等の吸着対象である物体に反り等の変形が存在する場合であっても、当該物体に対するパーティクルの付着頻度の低減を図ることができる真空吸着装置を提供する。【解決手段】セラミックス多孔質体１０の上部に、上端部においてウエハＷ等の物体を支持する突起１２が形成されている。セラミックス多孔質体１０の上部において定義される複数の領域Ａ１およびＡ２のそれぞれにおける、突起上端面密度（突起１２の上端部の面積密度）Ｄ１およびＤ２に差が生じるように、突起１２の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨格粒子としてのセラミックス粒子が結合材粒子によって結合されることにより構成され、上端部において物体を支持する突起が上側に形成されているセラミックス多孔質体と、
前記セラミックス多孔質体の側部および下部の一部に対して前記結合材粒子により封止されている界面が形成されるように接合され、当該界面とは異なる部分において前記セラミックス多孔質体の気孔に連通する吸引孔が形成されているセラミックス緻密質体と、を備え、
前記セラミックス多孔質体の上部において定義される複数の領域のそれぞれにおける、前記突起の上端部の面積密度である突起上端面密度に差が生じるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されていることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空吸着装置において、
前記複数の領域として中央領域と、前記中央領域を環状に囲む環状領域とが定義され、前記中央領域における突起上端面密度が、前記環状領域における突起上端面密度よりも低くなるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されていることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項３】
請求項２記載の真空吸着装置において、
複数の前記環状領域のうち一の環状領域における突起上端面密度が、前記一の環状領域の外側にある他の環状領域における突起上端面密度よりも高くなるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されていることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項４】
請求項２記載の真空吸着装置において、
前記中央領域に対する前記環状領域の突起上端面密度比が４〜２５の範囲に含まれるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されていることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項５】
請求項３記載の真空吸着装置において、
前記一の環状領域の前記中央領域に対する前記他の環状領域の突起上端面密度比が０．２５〜６．２５の範囲に含まれるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されていることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項６】
請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の真空吸着装置において、
前記セラミックス多孔質体の上部に複数の突起が分散配置されるように形成され、
前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の配置態様が同一である一方、前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の上端部の面積が差別化されることにより、前記複数の領域のそれぞれにおける突起上端面密度が差別化されていることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項７】
請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の真空吸着装置において、
前記セラミックス多孔質体の上部に複数の突起が分散配置されるように形成され、
前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の上端部の面積が同一である一方、前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の配置態様が差別化されることにより、前記複数の領域のそれぞれにおける突起上端面密度が差別化されていることを特徴とする真空吸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、ラップ等の湿式加工を行うために半導体ウエハまたはガラス基板などの対象物を真空吸着する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ（試料）を支持する複数の突起が形成されているセラミックス多孔質体からなる載置部と、セラミックス多孔質体の気孔に連通する吸引孔が形成され、セラミックス多孔質体の周縁部を封止するように載置部を支持する支持部とを備えている真空吸着装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３８１７６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、たとえば周辺部が中央部よりも上に反っているウエハが載置部に載置された際、このウエハが複数の突起のうち一部の突起（たとえば中央部の突起）に当接する一方、他の突起から浮き上がった状態になる。このため、ウエハの重力が一部の突起に集中的に作用し、当該一部の突起を構成するセラミックス多孔質体の脱粒に由来するパーティクルの発生頻度、ひいてはウエハへの付着頻度が高くなる可能性がある。
【０００５】
そこで、本発明は、ウエハ等の吸着対象である物体に反り等の変形が存在する場合であっても、当該物体に対するパーティクルの付着頻度の低減を図ることができる真空吸着装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、次の（１）〜（７）の真空吸着装置を提供する。
【０００７】
（１）骨格粒子としてのセラミックス粒子が結合材粒子によって結合されることにより構成され、上端部において物体を支持する突起が上側に形成されているセラミックス多孔質体と、前記セラミックス多孔質体の側部および下部の一部に対して前記結合材粒子により封止されている界面が形成されるように接合され、当該界面とは異なる部分において前記セラミックス多孔質体の気孔に連通する吸引孔が形成されているセラミックス緻密質体と、を備え、前記セラミックス多孔質体の上部において定義される複数の領域のそれぞれにおける、前記突起の上端部の面積密度である突起上端面密度に差が生じるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されている真空吸着装置。
【０００８】
（２）前記（１）記載の真空吸着装置において、前記複数の領域として中央領域と、前記中央領域を環状に囲む環状領域とが定義され、前記中央領域における突起上端面密度が、前記環状領域における突起上端面密度よりも低くなるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されている真空吸着装置。
【０００９】
（３）前記（２）記載の真空吸着装置において、複数の前記環状領域のうち一の環状領域における突起上端面密度が、前記一の環状領域の外側にある他の環状領域における突起上端面密度よりも高くなるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されている真空吸着装置。
【００１０】
（４）前記（２）記載の真空吸着装置において、前記中央領域に対する前記環状領域の突起上端面密度比が４〜２５の範囲に含まれるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されている真空吸着装置。
【００１１】
（５）前記（３）記載の真空吸着装置において、前記一の環状領域の前記中央領域に対する前記他の環状領域の突起上端面密度比が０．２５〜６．２５の範囲に含まれるように、前記突起の上端面積および配置のうち一方または両方が調節されている真空吸着装置。
【００１２】
（６）前記（１）〜（５）のうちいずれか１つに記載の真空吸着装置において、前記セラミックス多孔質体の上部に複数の突起が分散配置されるように形成され、前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の配置態様が同一である一方、前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の上端部の面積が差別化されることにより、前記複数の領域のそれぞれにおける突起上端面密度が差別化されている真空吸着装置。
【００１３】
（７）前記（１）〜（５）のうちいずれか１つに記載の真空吸着装置において、前記セラミックス多孔質体の上部に複数の突起が分散配置されるように形成され、前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の上端部の面積が同一である一方、前記複数の領域のそれぞれにおける前記複数の突起の配置態様が差別化されることにより、前記複数の領域のそれぞれにおける突起上端面密度が差別化されている真空吸着装置。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の真空吸着装置によれば、たとえば、セラミックス多孔質体の上部における複数の領域のうち、ウエハ等の物体が当該多孔質体に載置される際に最初に当接する一の領域の突起上端面密度が、他の領域の突起上端面密度よりも相対的に低くなるように調節されている。これにより、複数の領域間で突起上端面密度に差がない場合と比較して、当該一の領域における物体と突起との当初接触面積の低減、ひいてはパーティクルの発生頻度の低減が図られる。
【００１５】
また、複数の領域間で突起上端面密度に差がない場合と比較して、当該一の領域における物体と突起との当初非接触面積の増大、ひいてはセラミックス多孔質体の開気孔によるパーティクルの受容容量の向上が図られる。セラミックス緻密質体を通じてセラミックス多孔質体の気孔が真空吸引された際に、開気孔に入り込んだパーティクルが舞い上がることなく当該開気孔に捕捉されうるので、物体に対するパーティクルの付着頻度の低減が図られる。
【００１６】
さらに、当該真空吸引によって、当該一の領域とは異なる他の領域においても物体が突起に接触するように当該物体の変形が是正されたような形態で、物体がセラミックス多孔質体に真空吸着保持されうる、
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態としての真空吸着装置の概略断面図。
【図２】突起の構成説明図。
【図３】本発明の第１実施形態としての真空吸着装置の上面図。
【図４】本発明の第２実施形態としての真空吸着装置の上面図。
【図５】本発明の第３実施形態としての真空吸着装置の上面図。
【図６】本発明の真空吸着装置の機能説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（真空吸着装置の構成）
図１に模式的に示されている本発明の真空吸着装置は、略円板状のセラミックス多孔質体１０と、セラミックス多孔質体１０を収容するような凹部を有する略有底円筒状のセラミックス緻密質体２０とを備えている。
【００１９】
セラミックス多孔質体１０は、骨格粒子としてのセラミックス粒子が結合材粒子によって結合されることにより構成されている。セラミックス多孔質体１０の上側には、その上端部において物体を支持する複数の突起１２が上面１１から上方に突出するように形成されている。
【００２０】
各突起１２の形状は、任意形状が採用されるが、たとえば図２（ａ）に示されているように略円柱状に形成されていてもよく、図２（ｂ）に示されているように略円錐台状に形成されている。突起１２の上面半径ｄは０．２〜２．０［ｍｍ］、その高さｈは０．1〜０．３［ｍｍ］両者の比ｄ／ｈは１〜１０の範囲に調節される。
【００２１】
セラミックス緻密質体２０は、セラミックス多孔質体１０の側部および下部の一部に対して結合材粒子により封止されている界面が形成されるように接合されている。セラミックス緻密質体２０には、当該界面とは異なる部分においてセラミックス多孔質体１０の気孔に連通する吸引孔２２が形成されている。吸引孔２２は凹部中央を上下に貫通しており、その上部において中央部から横方向に放射状に延在する溝に連通し、その下部において経路を介して真空ポンプに連通している。
【００２２】
（真空吸着装置の製造方法）
まず、骨格粒子と、結合材粒子とが、水またはアルコールとともに混合されることによりスラリーが調整される（スラリー調整工程）。原料の混合法としては、ボールミルまたはミキサーを用いた混合法等、公知の方法が採用される。水またはアルコールの添加量は特に限定されず、所望の流動性が得られるように適当に調整されればよい。骨格粒子は、平均粒子径が２０〜６０［μｍ］であるセラミックス粉末により構成されている。セラミックスとしては、アルミナまたは炭化珪素等が採用されうる。
【００２３】
結合材粒子として二酸化珪素粉末と、１Ａ族、２Ａ族および３Ａ族の元素のそれぞれの酸化物、水酸化物、硝酸塩および炭酸塩から選ばれる少なくとも１種以上の添加物粉末とが用いられてもよい。二酸化珪素粉末の供給源としては、水を分散媒として二酸化珪素の粒子を分散させたコロイド溶液が用いられてもよい。二酸化珪素の平均粒子径は０．５［μｍ］以下であることが好ましい。二酸化珪素の添加量は、セラミックス粉末に対し、５〜３０重量％であることが好ましい。
【００２４】
骨格粒子との結合力を高めるために、１Ａ族、２Ａ族および３Ａ族の元素のそれぞれの酸化物、水酸化物、硝酸塩および炭酸塩のうち少なくとも１種の添加物粉末の添加量は、例えば骨格粒子を構成するセラミックス粉末に対し、酸化物換算で３〜２０重量％の範囲に含まれるように調節されることが好ましい。当該添加物粉末は二酸化珪素との反応により、骨格粒子間の強固な結合材としての役割を果たす。１Ａ族、２Ａ族および３Ａ族の元素のそれぞれの酸化物、水酸化物、硝酸塩および炭酸塩のそれぞれの平均粒子径は１．０［μｍ］以下であることが好ましい。当該粒子径が、１．０［μｍ］を超えると未反応物質として残存するためである。例えば、１Ａ族元素としてＮａ、２Ａ族元素としてＣａ、３Ａ族元素としてＢが挙げられる。
【００２５】
次に、セラミックス緻密質体２０の凹部および吸引孔２２が蝋または樹脂等の部材により閉塞される。その上で、凹部にスラリーが充填される（スラリー充填工程）。この際、必要に応じて、スラリーにおける残留気泡を除去するための真空脱泡のほか、スラリー中の添加物粉末の充填率を高めるための振動が加えられる。
【００２６】
さらに、凹部にスラリーが充填されたセラミックス緻密質体２０が乾燥される。その上で、セラミックス緻密質体２０がスラリーの乾燥物とともに結合材の軟化点以上の温度で熱処理される（焼成工程）。これにより、スラリー由来のセラミックス多孔質体１０が形成される。そして、ブラスト加工等の適当な加工により、セラミックス多孔質体１０の上部に突起１２が形成される（突起形成工程）。
【００２７】
（第１実施形態））
本発明の第１実施形態としての真空吸着装置においては、図３に示されているように、半径Ｒの略円形状のセラミックス多孔質体１０の上部において半径Ｒ１の略円形状の中央領域Ａ１と、中央領域Ａ１を円環状に囲む幅Ｒ２（＝Ｒ−Ｒ１）の環状領域Ａ２とが複数の領域として定義されている。
【００２８】
Ｎ個の突起１２が、面積Ｓ（＝πＲ2）のセラミックス多孔質体１０の上部において、間隔が一定の三角格子の格子点に相当する箇所に配置されている。すなわち、中央領域Ａ１における突起１２の密度が、環状領域Ａ２における突起１２の密度と同一になるように複数の突起１２が配置されている。その一方、中央領域Ａ１における突起１２の径ｄ１（図３参照）が、環状領域Ａ２における突起１２の径ｄ２よりも小さく設計されている。これにより、中央領域Ａ１における突起上端面密度Ｄ１（＝ｎ×πｄ１2（ｎ＝Ｎ／Ｓ）が、環状領域Ａ２における突起上端面密度Ｄ２（＝ｎ×πｄ２2）よりも低くなるように調節されている。
【００２９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態としての真空吸着装置は、図４に示されているように、中央領域Ａ１における突起１２の密度Ｎ１が、環状領域Ａ２における突起１２の密度Ｎ２よりも低くなるように複数の突起１２の配置が調節されている。一方、すべての突起１２の上端径ｄが同一に調節されている。これにより、中央領域Ａ１における突起上端面密度Ｄ１（＝Ｎ１×πｄ2）が、環状領域Ａ２における突起上端面密度Ｄ２（＝Ｎ２×πｄ2）よりも低くなるように調節されている。その他の構成は第１実施形態と同様なので説明を省略する。
【００３０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態としての真空吸着装置においては、図５に示されているように、半径Ｒの略円形状のセラミックス多孔質体１０の上部において半径Ｒ１の略円形状の中央領域Ａ１と、中央領域Ａ１を二重に円環状に囲む幅Ｒ２、Ｒ３の内側環状領域Ａ２および外側環状領域Ａ３とが複数の領域として定義されている。
【００３１】
中央領域Ａ１、内側環状領域Ａ２および外側環状領域Ａ３のそれぞれにおける突起１２の径ｄ１、ｄ２およびｄ３の大小関係が、不等式ｄ１＜ｄ３＜ｄ２により表わされるように調節されている。これにより、中央領域Ａ１、内側環状領域Ａ２および外側環状領域Ａ３のそれぞれにおける突起上端面密度Ｄ１（＝ｎ×πｄ１2）、Ｄ２（＝ｎ×πｄ２2）およびＤ３（＝ｎ×πｄ３2）の大小関係が、不等式Ｄ１＜Ｄ３＜Ｄ２により表わされるように調節されている。その他の構成は第１実施形態と同様なので説明を省略する。
【００３２】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態としての真空吸着装置においては、各領域Ａ１〜Ａ３における突起の密度Ｎ１〜Ｎ３の大小関係が不等式Ｎ１＜Ｎ３＜Ｎ２により表わされるように調節されることにより、突起上端面密度Ｄ１〜Ｄ３の大小関係が、不等式Ｄ１＜Ｄ３＜Ｄ２により表わされるように調節されている（第２実施形態参照）。その他の構成は第３実施形態と同様なので説明を省略する。
【００３３】
（他の実施形態）
第３または第４実施形態の変形実施形態として、各領域Ａ１〜Ａ３における突起上端面密度Ｄ１〜Ｄ３の大小関係が、不等式Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３により表わされるように調節されていてもよい。
【００３４】
前記実施形態においては円形状の中央領域Ａ１および一または複数の円環状の環状領域Ａ２（Ａ３）が複数の領域として定義されていたが、その他、さまざまな形態で複数の領域が定義され、各領域Ａｋ（ｋ＝１，２，‥）における突起上端面密度Ｄｋが差別化されていてもよい。たとえば、中央領域Ａ１または環状領域Ａ２のうち少なくとも一方が周方向について分割されることにより略扇形状の領域が複数領域として定義されてもよい。
【００３５】
前記実施形態では各突起１２の上端面積または配置密度の差別化によって各領域における突起上端面密度が差別化されていたが、上端面積および配置密度の両方の差別化によって各領域における突起上端面密度が差別化されていてもよい。
【００３６】
複数の突起１２が離散的に配置されるのではなく、複数の突起１２の一部または全部がまとめられたような連続した突起が形成されていてもよい。
【００３７】
（作用効果）
図６（ａ）（ｂ）に破線で示されているように、中央部よりも周縁部が反り上がっている状態のウエハＷが吸着保持対象である場合について考察する。
【００３８】
本発明の第１および第２実施形態の真空吸着装置によれば、図６（ａ）に示されているように、ウエハＷがセラミックス多孔質体１０に載置された際、ウエハＷは中央領域Ａ１に配置されている突起１２に接触する一方、環状領域Ａ２に配置されている突起１２から離間している。本発明の第１および第２実施形態の真空吸着装置によれば、前記のように中央領域Ａ１（ウエハＷが最初に当接する一の領域）の突起上端面密度Ｄ１が、環状領域Ａ２の突起上端面密度Ｄ２よりも相対的に低くなるように調節されている。これにより、複数の領域Ａ１およびＡ２の間で突起上端面密度Ｄ１およびＤ２に差がない場合（Ｄ１＝Ｄ２の場合）と比較して、中央領域Ａ１におけるウエハＷと突起１２との当初接触面積（Ｄ１×πＲ１2）の低減、ひいてはパーティクルの発生頻度の低減が図られる。
【００３９】
また、複数の領域Ａ１およびＡ２の間で突起上端面密度Ｄ１およびＤ２に差がない場合（Ｄ１＝Ｄ２の場合）と比較して、中央領域Ａ１におけるウエハＷと突起１２との当初非接触面積（上面１１）の増大、ひいてはセラミックス多孔質体１０の開気孔によるパーティクルの受容容量の向上が図られる。セラミックス緻密質体２０を通じてセラミックス多孔質体１０の気孔が真空吸引された際に、開気孔に入り込んだパーティクルが舞い上がることなく当該開気孔に捕捉されうるので、ウエハＷに対するパーティクルの付着頻度の低減が図られる。
【００４０】
さらに、当該真空吸引によって、図６（ａ）に実線で示されているように、環状領域Ａ２においてもウエハＷが突起１２に接触するように当該ウエハＷの変形が是正されたような形態で、物体がセラミックス多孔質体に真空吸着保持されうる。
【００４１】
本発明の第３および第４実施形態の真空吸着装置によれば、本発明の第１および第２実施形態の真空吸着装置による作用効果に加えて、次のような作用効果が奏される。すなわち、セラミックス緻密質体２０を通じてセラミックス多孔質体１０の気孔が真空吸引される際、ウエハＷと突起１２との接触範囲は中心から径方向外側に徐々に拡張されていく。ここで、ウエハＷとの間隔が比較的小さい内側環状領域Ａ２における突起１２よりも、当該間隔が比較的大きい外側環状領域Ａ３における突起１２のほうが、ウエハＷと当接する際の衝撃が大きくなると推察される。
【００４２】
しかるに、内側環状領域Ａ２における突起上端面密度Ｄ２が、外側環状領域Ａ３における突起上端面密度Ｄ３よりも低くなるように調節されているので、当該大小関係が逆の場合（Ｄ２＜Ｄ３の場合）と比較して、ウエハＷと外側環状領域Ａ３における突起１２との当接に由来するパーティクルの発生頻度の低減が図られる。
【００４３】
（実施例）
平均粒子径５０［μｍ］のアルミナ粉末（純度７５％）と、結合材粒子を構成する粒子径６．８［μｍ］の硼珪酸ガラス（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）とが混合されることによりスラリーが調製された。骨格粒子に対する結合材粒子の質量比は１５に調節された。セラミックス緻密質体およびスラリーの乾燥物が１０００［℃］で３［ｈｒ］にわたって熱処理された。スラリー由来のセラミックス多孔質体１０の上部がブラスト加工されることにより突起１２が形成された。
【００４４】
（実施例１）
第１実施形態にしたがって、中央領域Ａ１（半径Ｒ１＝１０２［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ１が０．２［ｍｍ］に調節され、環状領域Ａ２（幅Ｒ２＝５１［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ２が１．０［ｍｍ］に調節されることにより、実施例１の真空吸着装置が製造された。突起１２の間隔は２．０［ｍｍ］に調節された。突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２が１：２５に調節された。
【００４５】
（実施例２）
環状領域Ａ２における突起１２の上端面の径ｄ２が１．２［ｍｍ］に調節されることにより、突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２が１：３６に変更されたほかは、実施例１と同様の条件下で実施例２の真空吸着装置が製造された。
【００４６】
（実施例３）
第２実施形態にしたがって、中央領域Ａ１（半径Ｒ１＝１０２［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ１が０．２［ｍｍ］に、突起１２の間隔は４．０［ｍｍ］に調節された。環状領域Ａ２（幅Ｒ２＝５１［ｍｍ］）における突起上端面の径ｄ２が０．２［ｍｍ］に、突起１２の間隔が２．０［ｍｍ］に調節されることにより、実施例３の真空吸着装置が製造された。突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２が１：４に調節された。
【００４７】
（実施例４）
第３実施形態にしたがって、中央領域Ａ１（半径Ｒ１＝１０２［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ１が０．２［ｍｍ］に調節され、内側環状領域Ａ２（幅Ｒ２＝５１［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ２が１．０［ｍｍ］に調節され、かつ、外側環状領域Ａ３（幅Ｒ３＝７７［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ３が０．５［ｍｍ］に調節されることにより、実施例４の真空吸着装置が製造された。各領域Ａ１〜Ａ３における突起上端面密度Ｄ１〜Ｄ３の大小関係が、不等式Ｄ１＜Ｄ３＜Ｄ２により表わされる。突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２：Ｄ３が１：２５：６.２５に調節された。
【００４８】
（実施例５）
内側環状領域Ａ２における突起１２の上端面の径ｄ２が１．０［ｍｍ］に調節され、かつ、外側環状領域Ａ３における突起１２の上端面の径ｄ３が０．２８［ｍｍ］に調節されることにより、突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２：Ｄ３が１：２５：２.０に変更されたほかは、実施例４と同様の条件下で実施例５の真空吸着装置が製造された。
【００４９】
（実施例６）
第３実施形態の変形実施形態にしたがって、中央領域Ａ１（半径Ｒ１＝１０２［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ１が０．２［ｍｍ］に調節され、内側環状領域Ａ２（幅Ｒ２＝５１［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ２が０．４［ｍｍ］に調節され、かつ、外側環状領域Ａ３（幅Ｒ３＝７７［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ３が１．２［ｍｍ］に調節されることにより、実施例６の真空吸着装置が製造された。各領域Ａ１〜Ａ３における突起上端面密度Ｄ１〜Ｄ３の大小関係が、不等式Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３により表わされる。突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２：Ｄ３が１：４：３６に調節された。
【００５０】
（実施例７）
内側環状領域Ａ２における突起１２の上端面の径ｄ２が０．６［ｍｍ］に調節され、かつ、外側環状領域Ａ３における突起１２の上端面の径ｄ３が１．８［ｍｍ］に調節されることにより、突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２：Ｄ３が１：９：８１に変更されたほかは、実施例６と同様の条件下で実施例７の真空吸着装置が製造された。
【００５１】
（実施例８）
第４実施形態にしたがって、中央領域Ａ１（半径Ｒ１＝１０２［ｍｍ］）における突起１２の間隔は１０［ｍｍ］に調節される。内側環状領域Ａ２（幅Ｒ２＝５１［ｍｍ］）における突起１２の間隔が３［ｍｍ］に調節され、かつ、外側環状領域Ａ３（幅Ｒ３＝７７［ｍｍ］）における突起１２の間隔が４［ｍｍ］に調節されることによって実施例８の真空吸着装置が製造された。突起１２の径を０．２［ｍｍ］と調節された。各領域Ａ１〜Ａ３における突起上端面密度Ｄ１〜Ｄ３の大小関係が、不等式Ｄ１＜Ｄ３＜Ｄ２により表わされる。突起上端面密度比Ｄ１：Ｄ２：Ｄ３が１：１１：６.２５に調節された。
【００５２】
（比較例）
（比較例１）
中央領域Ａ１および環状領域Ａ２の区分なく、突起１２の上端面の径ｄが１．２［ｍｍ］に調節された。その他は第１実施例と同様の製造条件下で比較例１の真空吸着装置が製造された。
【００５３】
（比較例２）
中央領域Ａ１（半径Ｒ１＝１０２［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ１が０．６［ｍｍ］に調節され、環状領域Ａ２（幅Ｒ２＝５５［ｍｍ］）における突起１２の上端面の径ｄ２が０．２［ｍｍ］に調節された。その他は第１実施例と同様の製造条件下で比較例２の真空吸着装置が製造された。
【００５４】
（評価）
表１には、実施例および比較例のそれぞれの真空吸着装置により基板Ｗの真空吸着保持が５回にわたり繰り返された場合の、当該基板Ｗに対するパーティクルの平均付着個数の観測結果が示されている。基板Ｗに対するパーティクルの付着個数は、レーザー式のウエハ表面検査装置により計測された。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表１から明らかなように、実施例１〜８の真空吸着装置によれば、比較例１〜２の真空吸着装置よりも基板Ｗに対するパーティクルの付着数量の低減が図られている。第３および第４実施形態にしたがった実施例４、５および８の真空吸着装置によれば、第１および第２実施形態にしたがった実施例１〜３の真空吸着装置、および、その他の実施例６および７の真空吸着装置よりも基板Ｗに対するパーティクルの付着数量のさらなる低減が図られている。
【００５７】
Ｄ１：Ｄ２が１：４〜２５の範囲に含まれる実施例１および３の真空吸着装置によれば、Ｄ１：Ｄ２が１：４〜２５の範囲から外れている実施例２の真空吸着装置よりも基板Ｗに対するパーティクルの付着数量の低減が図られている。Ｄ２：Ｄ３が１：０．２５〜６．２５の範囲に含まれる実施例４の真空吸着装置によれば、Ｄ２：Ｄ３が１：０．２５〜６．２５の範囲から外れている実施例５の真空吸着装置よりも基板Ｗに対するパーティクルの付着数量の低減が図られている。
【符号の説明】
【００５８】
１０‥セラミックス多孔質体、１２‥突起、２０‥セラミックス緻密質体、２２‥吸引孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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