(57)【要約】【課題】量産性に優れ、信頼性の高いエッチング処理を実現可能な光起電力素子の製造方法および製造装置を得ること。【解決手段】洗浄槽Ｓ１と、熱風槽Ｓ２と、エッチング槽Ｓ３などの複数の処理槽とが順次一列に配置され、複数の被処理基板としてのウエハＷを収容したカセットを、移送手段により処理槽に順次浸漬させて洗浄およびエッチング処理を行うエッチング部を有し、エッチング槽Ｓ３への浸漬に先立ち、被処理基板を熱風処理する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄槽と、熱風槽と、複数の処理槽とが順次一列に配置され、
複数の被処理基板を収容したカセットを、移送手段により、前記洗浄槽から、前記熱風槽を経て前記処理槽に順次浸漬させて洗浄およびエッチング処理を行うエッチング部を有する光起電力素子製造装置。
【請求項２】
前記複数の処理槽は、光起電力素子用基板に対しテクスチャーエッチングを行うエッチング槽を含む請求項１に記載の光起電力素子製造装置。
【請求項３】
前記移送手段は、前記カセットを把持する把持具を備え、
前記熱風槽は、複数の被処理基板を収容した前記カセットとともに、前記把持具を温風により予備加熱する請求項２に記載の光起電力素子製造装置。
【請求項４】
前記熱風槽は、
前記処理槽のエッチング処理開始前の温度を、エッチング処理温度よりも、前記カセット内に収容された前記被処理基板のエッチング反応熱による温度上昇分だけ低い温度となるように制御する制御部を備えた請求項１から３のいずれか１項に記載の光起電力素子製造装置。
【請求項５】
洗浄槽に、複数の被処理基板を収容したカセットを浸漬して洗浄を行う洗浄工程と、
前記洗浄工程を経た前記カセットを複数の処理槽に順次浸漬させ、エッチングを行うエッチング工程とを含み、
前記洗浄工程後、前記エッチング工程に先立ち、
前記複数の被処理基板を収容したカセットに熱風を照射する熱風照射工程を含む、光起電力素子の製造方法。
【請求項６】
前記被処理基板は、光起電力素子用基板を形成するための結晶系シリコン基板であり、
前記エッチング工程は、前記結晶系シリコン基板に対し、テクスチャーエッチングを行う工程である請求項５に記載の光起電力素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光起電力素子製造装置および光起電力素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池素子において光電変換効率の向上のために、太陽電池素子の表面にテクスチャー構造と呼ばれる凹凸構造を採用することにより光の閉じ込め効果を形成する。テクスチャー構造とはシリコンウエハの表面を凸凹形状に処理した構造のことを言い、この構造によれば、入射した光を凸凹形状で反射させ、ある面で反射した光を再び他の面へ入射させることで光反射を低減することができる。
【０００３】
太陽電池セル製造工程において、このようなテクスチャー構造を形成するには、処理されるべきシリコンウエハを多数枚収容したカセットを移送手段により複数の処理手段に順次浸漬させて自動的に洗浄するエッチング装置が用いられる。このようなエッチング装置に用いられるエッチング薬液には、６０℃〜９５℃程度に加温した添加剤を含む水酸化ナトリウムや水酸化カリウムの水溶液からなる薬液が用いられ、１０分〜３０分程度シリコンウエハを薬液中に浸漬させる。
【０００４】
太陽光発電の更なる普及に伴い、その主要部品である太陽電池セル製造に関しては、当然のことながら低コスト化や生産性の向上が求められ、更にその上での品質改善や効率改善等が求められる。この方向性に沿って、上記のエッチング工程に関しても、主にシリコンウエハの厚さの低減や大量処理に伴って、エッチング量の低減や均一性改善が求められている。
【０００５】
このような問題に対しては、液中のシリコン濃度に応じてアルカリ濃度を増加させる方法（特許文献１）が開示されている。また、エッチング液の温度を、段階を変えて制御する方法（特許文献２）も開示されている。しかし上記のように、エッチング量の低減や均一性への要求がより高水準になる中では、これらの方法のみでは十分ではなかった。特に、エッチング液の温度制御に関しては、目的とする温度と実際の温度をいかに近づけるか、つまり如何に精度良く液温を制御するかが重要になってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−２３８７１９号公報
【特許文献２】特開２０１３−４６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の技術によれば、処理されるべきシリコンウエハを多数枚収容したカセットを移送手段により一列に配列された複数の処理部に順次浸漬させて自動的に洗浄するシリコンウエハ用エッチング装置のエッチング槽において、室温でカセットに収容されたシリコンウエハをエッチング槽へ移送すると薬液温度が低下する。エッチング薬液は６０℃〜９５℃に設定され加温されているが、シリコンウエハのエッチングは設定温度に対して±３℃程度で管理をすべきであり、この温度範囲を外れると均一なテクスチャー構造の形成が困難となる。温度が低いとシリコンウエハのエッチングレートが低下するが、特に連続でエッチング処理をしたエッチング薬液ではさらにエッチングレートが低下するため、エッチング不足となる。また、シリコンウエハとエッチング液との反応熱により薬液温度が設定温度より上昇したエッチングの均一性が欠けてしまうため、温度の均一性を高める必要がある。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、量産性に優れ、信頼性の高いエッチング処理を実現可能な光起電力素子製造装置および光起電力素子の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の光起電力素子製造装置は、洗浄槽と、熱風槽と、複数の処理槽とが順次一列に配置され、複数の被処理基板を収容したカセットを、移送手段により、洗浄槽から熱風槽を経て処理槽に順次浸漬させて洗浄およびエッチング処理を行うエッチング部を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、処理槽への浸漬に先立ち、熱風を照射することで、被処理基板の枚数や熱容量に依存することなく、被処理基板を処理槽の温度に近づけた状態とすることができる。これにより被処理基板で処理槽に浸漬した際、エッチング処理中の薬液の温度変動を抑制しテクスチャーエッチングの安定化を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施の形態１のテクスチャーエッチング装置を示す説明図である。
【図２】図２は、実施の形態１の光起電力素子製造装置のテクスチャーエッチングに用いられる熱風槽を示す図である。
【図３】図３は、カセットを収納した熱風槽を示す図である。
【図４】図４は、エッチング槽を示す図である。
【図５】図５は、実施の形態１の光起電力素子製造工程を示すフローチャートである。
【図６】図６は、実施の形態１のエクスチャーエッチング工程を示すフローチャートである。
【図７】図７（ａ）および（ｂ）は、実施の形態１の光起電力素子の製造方法におけるテクスチャーエッチング工程を示す工程断面図である。
【図８】図８は、実施の形態１のテクスチャーエッチング工程で得られたｐ型単結晶シリコン基板の斜視図である。
【図９】図９は、実施の形態１の光起電力素子の製造方法で形成された光起電力素子を示す断面図である。
【図１０】図１０は、エッチング処理時間と温度変動のイメージ図である。
【図１１】図１１は、比較例のテクスチャーエッチング装置を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明にかかる光起電力素子製造装置および光起電力素子の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また以下に示す図面においては、理解の容易のため各層あるいは各部材の縮尺が実際と異なる場合があり、各図面間においても同様である。
【００１３】
実施の形態１.
図１は、実施の形態１のテクスチャーエッチング装置を示す説明図である。図２は、実施の形態１の光起電力素子製造装置のテクスチャーエッチングに用いられる熱風槽を示す図である。図３は、カセットを収納した熱風槽を示す図、図４は、エッチング槽を示す図、図５は、実施の形態１の光起電力素子製造工程を示すフローチャート、図６は、実施の形態１のエクスチャーエッチング工程を示すフローチャートである。
【００１４】
本実施の形態のテクスチャーエッチング装置においては、図１に説明図を示すように、エッチング槽Ｓ３の前段に熱風槽Ｓ２を配列させて、移送順は、洗浄槽Ｓ１、熱風槽Ｓ２、エッチング槽Ｓ３、水洗槽Ｓ４、乾燥槽Ｓ５の順となる。比較のために図１１に従来のテクスチャーエッチング装置を示す。従来方式のテクチャーエッチング装置では、処理槽の配列は前段から洗浄槽Ｓ１、エッチング槽Ｓ３、水洗槽Ｓ４、乾燥槽Ｓ５と一列に並んでおり、配列順で処理がなされる。つまり、本実施の形態のテクスチャーエッチング装置は、エッチング槽Ｓ３の前段に熱風槽Ｓ２を追加した構成である。
【００１５】
熱風槽Ｓ２は図２および３に示すように、槽内に、被処理基板として複数のシリコンウエハＷが収容されたカセット１１５を置くためのカセット台１１１を備え、温風ヒーター１１３からカセット１１５に向けて温風が噴き出すように構成されている。熱風槽Ｓ２の容器１１０の両端の壁には温風配管１１２が接続され、温風ヒーター１１３からの温風を吹き出すための温風ノズル１１４が配されている。この熱風槽Ｓ２では、カセット１１５の両端から温風ノズル１１４より温風が吹き出し、シリコンウエハＷとカセット１１５を温める。温められたシリコンウエハＷとカセット１１５は移送手段１２０により次槽のエッチング槽Ｓ３に移送されるようになっている。
【００１６】
図２は移送手段１２０の待機中の状態を示す図である。移送の待機中には移送手段１２０の支持部１２１に装着された把持具としてのチャックフック１２２の温度が低下しないように、移送手段１２０は熱風槽Ｓ２上で熱風を吹き付けながら待機する。
【００１７】
図３は、熱風槽Ｓ２にカセット１１５をセットした状態を示す図である。熱風槽Ｓ２のカセット台１１１に、カセット１１５がセットされると、温風ノズル１１４からカセット１１５に温風が吹き付けられ、シリコンウエハＷとカセット１１５が温められる。
【００１８】
図４はエッチング槽Ｓ３を示す図であり、エッチング部１３０は、エッチング液１３１を充填したエッチング処理槽１３２内に多数枚のシリコンウエハＷを保持したカセット１１５が浸漬される。
【００１９】
図５は、実施の形態１の光起電力素子製造工程を示すフローチャートである。光起電力素子としての太陽電池の製造工程の説明に先立ち、テクスチャー形成ステップＳ１０について図６に示すプロセスフローチャートを用いて、テクスチャーエッチングを行う。本実施の形態では、テクスチャーエッチングにおいて、シリコンウエハＷの洗浄後、エッチング槽に浸漬するに先立ち、カセット１１５とともにシリコンウエハＷを熱風槽Ｓ２に搬送し、この熱風槽Ｓ２において熱風を吹き付けるようにしたことを特徴とするものである。
【００２０】
まず、図６のフローチャートに従い、テクスチャーエッチング工程であるステップＳ１０について説明する。シリコンウエハＷとして例えば第１導電型シリコン基板であるｐ型単結晶シリコン基板１０を用意し、該ｐ型単結晶シリコン基板１０のスライス時に形成されたダメージ層をウエットエッチングにより除去する（図７（ａ）：ウエハの洗浄ステップＳ１０１）。
【００２１】
シリコンウエハＷの洗浄後、エッチング槽Ｓ３に浸漬するに先立ち、カセット１１５とともにシリコンウエハＷを熱風槽Ｓ２において、エッチング温度である８５℃に加熱された熱風を吹き付ける（温風加熱ステップＳ１０２）。この工程で、カセット１１５、多数枚のシリコンウエハＷの熱容量に依存することなく、熱風の温度に昇温される。
【００２２】
つぎに、テクスチャーを形成するために、上記のようにして熱風槽Ｓ２で所望の温度の温風を照射して昇温処理を行ったシリコンウエハＷを搭載したカセット１１５を、例えば水酸化ナトリウム０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％とイソプロピルアルコール１ｗｔ％〜３０ｗｔ％とを混合して８５℃に加熱したエッチング液１３１を充填したエッチング処理槽１３２（図４参照）に浸漬する（エッチングステップＳ１０３）。そして水洗槽Ｓ４に搬送し（水洗ステップＳ１０４）、乾燥槽Ｓ５で乾燥する（乾燥ステップＳ１０５）。これにより、テクスチャーが一様に形成される（図７（ｂ））。このようにして均一なテクスチャー１０Ｔの形成されたｐ型単結晶シリコン基板１０の斜視図を図８に示す。図７（ｂ）は図８のＡ−Ａ断面に相当する。
【００２３】
つぎに、一般的に用いられている工程を経て、ｐ型単結晶シリコン基板１０への第２導電型層１１、反射防止膜１２、受光面側電極１３、裏面側電極１５、第１導電型層１４との形成を行い、図１に示す太陽電池セルが作製される。
【００２４】
たとえば、図５に示すフローチャートに従って、上記のテクスチャー形成処理（テクスチャー形成ステップ：Ｓ１０）が完了したｐ型単結晶シリコン基板１０を熱拡散炉へ投入し、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）蒸気の存在下で加熱してｐ型単結晶シリコン基板１０の表面にリンガラスを形成することでｐ型単結晶シリコン基板１０にリンを拡散させ、ｐ型単結晶シリコン基板１０の表層に第２導電型層１１を形成する（ｐｎ接合形成ステップ：Ｓ２０）。なお、ここではｐ型シリコン基板を使用したため、ｐｎ接合を形成するために異なる導電型のリンを拡散させ第２導電型層１１としてｎ型拡散層を形成したが、ｎ型シリコン基板を使用した場合はｐ型の不純物を拡散させればよい。
【００２５】
つぎに、フッ酸溶液中でｐ型単結晶シリコン基板１０のリンガラス層を除去しｐ型単結晶シリコン基板１０の受光面側の面以外に形成された第２導電型層１１を除去し、受光面側のｎ型領域と基板側のｐ型領域とを分離する（ｐｎ分離ステップ：Ｓ３０）。ｐｎ分離ステップ後、反射防止膜１２としてプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を第２導電型層１１上に形成する（反射防止膜の形成ステップ：Ｓ４０）。反射防止膜１２の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、屈折率の異なる２層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜１２は、スパッタリング法など、異なる成膜方法により形成してもよい。
【００２６】
つぎに、ｐ型単結晶シリコン基板１０の受光面に、銀の混入したペーストいわゆる銀ペーストを櫛形にスクリーン印刷にて印刷し乾燥して、受光面側電極を形成する（受光面側電極印刷、乾燥ステップ：Ｓ５０）。そして、ｐ型単結晶シリコン基板１０の裏面にアルミニウムの混入したいわゆるアルミ・銀ペーストを全面にスクリーン印刷にて印刷し乾燥して裏面側電極を形成する（裏面側電極印刷、乾燥ステップ：Ｓ６０）。この後焼成処理（焼成ステップ：Ｓ７０）を実施して受光面側電極１３、裏面側電極１５を形成する。焼成は大気雰囲気中において例えば７６０℃で実施する。また、焼成により裏面側電極１５の成分がｐ型単結晶シリコン基板１０の裏面側内部に拡散して第１導電型層１４が形成される。以上のようにして、図９に断面図を示す太陽電池セルが作製される。
【００２７】
つぎに、本実施の形態における温度制御について説明する。図１０に本実施の形態のエッチング槽と比較例としての従来方式のエッチング槽の温度変動のグラフを示す。縦軸はエッチング槽温度すなわちエッチング槽の液温であり、横軸は処理時間である。ａは本実施の形態のエッチング装置を用いた場合のエッチング槽温度、ｂは比較例のエッチング装置を用いた場合のエッチング槽温度を示す。比較例として従来方式では、室温のシリコンウエハＷとカセット１１５がエッチング槽Ｓ３に移送される。移送直後はシリコンウエハＷと移送手段１２０が冷えているため、エッチング薬液温度が急激に低下する。
【００２８】
これは外乱といえる要素であり、本実施の形態の装置によらなければ本質的に不可避である。予め温度低下分を加味して温度設定することも一つの方向ではあるが、必ずしも投入枚数やタイミングを固定できない状況を加味すると、現実的に最適とは言い難い。本実施の形態のエッチング装置のように熱風槽Ｓ２による加熱は、上記の問題により適切な解決法として好ましい。
【００２９】
またその後、エッチングによる反応熱とエッチング処理槽１３２に備えられたヒーター（図示せず）により急激に加温され設定温度を超える場合があるが、比較例ではエッチング槽に備えられた温調器により徐々に設定したエッチング処理温度で安定化する。
【００３０】
これも前述の移送手段１２０による移送中温度低下の副作用と言える。特に上記超過加温の中のエッチング槽のヒーター（図示せず）による部分は、多くの温度制御に用いられるＰＩＤ制御によるものであり、目的に応じて比例・微分・積分各要素のバランスを取って設定するものである。ＰＩＤ制御で上記の超過加温を抑える為には、温度格差への追随性を犠牲にするバランスが求められ、その前段階として生じる温度低下を含めて考慮すると、好ましい方法と言い難い。
【００３１】
これに対し本実施の形態のエッチング装置では、反応熱による加温を見込み、エッチング処理温度として設定する設定処理温度Ｔ1よりも低温のカセット１１５移送許可温度として設定する設定許可温度Ｔ0を設定する。前段の熱風槽Ｓ２でシリコンウエハＷとカセット１１５を加温しておき、エッチング槽Ｓ３へ移送する。エッチング槽Ｓ３ではエッチング処理槽１３２に設けられたヒーターと反応熱により昇温し徐々に設定したエッチング処理温度で安定する。従来方式と比較して本実施の形態の方式であればより最短時間で設定処理温度に到達、安定するため温度変動のない状況でテクスチャーエッチングをすることが可能である。
【００３２】
これは温度低下の元を緩和する方法であり、副作用のそもそもの原因に働きかけるものであるため、その視点からも好ましい。
【００３３】
まず、エッチング槽Ｓ３におけるエッチング処理槽１３２内に充填されたエッチング液１３１（以下ではエッチング槽Ｓ３ということもある）の制御温度について説明する。エッチング処理においては、エッチングを行うための最適なエッチング処理温度が定められている。本実施の形態のテクスチャーエッチングにおける最適なエッチング処理温度は７０℃から９５℃程度である。一方、シリコンウエハＷのエッチングによる反応熱によりエッチング液の温度は上昇する。特に、シリコンウエハＷの処理開始直後は反応が激しく、反応熱も多い。この上昇温度は、エッチング液の液量と処理するシリコンウエハＷの枚数により決まるが、一般的には１℃から１０℃程度である。従って、反応熱により温度上昇した後エッチング処理温度となるようにエッチング液の液温を制御することにより、最適なエッチング処理を行うことができる。従って、カセットの移送許可温度は、エッチング処理温度よりも１℃から１０℃程度低い温度に設定すればよい。
【００３４】
エッチング処理前のエッチング槽Ｓ３の液温は、エッチング処理温度ではなく、カセットの移送許可温度Ｔ0と等しくなるように制御される。カセットの移送許可温度Ｔ0で制御されたエッチング槽Ｓ３にシリコンウエハＷが搬送され、シリコンウエハＷのエッチングによる反応熱によりエッチング槽Ｓ３の液温は設定処理温度Ｔ1まで上昇する。即ち、カセットの移送許可温度Ｔ0は、エッチング処理温度に対して、シリコンウエハＷのエッチングによる反応熱による温度上昇分だけ低い温度とすればよい。
【００３５】
エッチング処理が開始された後、エッチング槽Ｓ３の液温は、エッチングのための設定処理温度Ｔ1と等しくなるように制御される。エッチング槽Ｓ３の制御温度は、エッチング処理開始と同時にカセットの移送許可温度Ｔ0からエッチング処理に望ましい温度である設定処理温度Ｔ1に変更される。なお、シリコンウエハＷの処理開始直後は反応が激しく、反応熱も多いので、反応が激しい時間が経過してから制御温度を変更しても構わない。反応が激しい時間は１０秒から１分程度であるので、エッチング槽Ｓ３の制御温度変更時間はエッチング処理開始後０秒から１分として設定すればよい。ここで、０秒というのは、エッチング処理開始と同時にエッチング槽Ｓ３の制御温度をカセットの移送許可温度Ｔ0からエッチングのための設定処理温度Ｔ1に変更するという意味である。
【００３６】
つぎに、エッチング槽Ｓ３の前段の熱風槽Ｓ２の温度制御について説明する。エッチング処理の前には前洗浄工程があり、従来技術では、エッチング処理前のシリコンウエハとカセット１１５の温度は室温程度であった。このシリコンウエハＷをエッチング処理槽１３２に移送すると、シリコンウエハＷとカセット１１５とチャックフック１２２の熱容量によりエッチング処理槽１３２の液温が低下するので、エッチング性能が悪化する。また、エッチング槽の液温が低下すると、図１０に曲線ｂで示した従来方式の温度変動に示すように、過昇温が発生してエッチング槽の液温が最適なエッチング処理温度よりも高くなる。この場合にもエッチング性能は悪化する。これを防止するためには、シリコンウエハＷをエッチング槽に移送してもエッチング槽の温度が変化しないことが望ましい。シリコンウエハＷをエッチング処理槽１３２に移送する際のエッチング槽Ｓ３の温度はカセットの移送許可温度Ｔ0であるため、シリコンウエハＷとカセット１１５とチャックフック１２２をカセットの移送許可温度Ｔ0まで加熱して移送することにより、エッチング槽Ｓ３の温度変化を抑制することができる。即ち、熱風槽Ｓ２の温度制御としては、エッチング槽Ｓ３のカセットの移送許可温度Ｔ0と等しくなるように制御することで、エッチング処理開始後の温度変化を抑制し、エッチング性能の悪化を抑制することができる。
【００３７】
以上説明してきたように、本実施の形態のテクスチャーエッチング方法によれば、エッチング槽Ｓ３の前段に温風ヒーター１１３を備えた熱風槽Ｓ２を設置する。熱風槽Ｓ２へカセット１１５を移送し、シリコンウエハＷとカセット１１５を温めた後にエッチング槽へ移送する。熱風槽Ｓ２には温風を槽内へ送るための温風ノズル１１４を槽の両端に配置する。また、カセット１１５を移送するための移載機のチャックフック１２２についてもエッチング槽Ｓ３へ移送した際、エッチング液中に浸かるために、移載動作の待機時は熱風槽Ｓ２の下端にて待機し、チャックフック１２２についても予め温風にて温めておく。また、シリコンウエハＷをエッチング処理槽１３２内に移送すると、シリコンウエハＷ表面とエッチング液が反応することにより発熱し、薬液温度が上昇する。ここでは薬液の温度上昇分を見込んで、エッチング槽へのカセットの移送許可温度Ｔ0とエッチングのための設定処理温度Ｔ1の二段階の設定にしておく。
【００３８】
このように、エッチング槽Ｓ３の前段に熱風槽Ｓ２を設置し、予めシリコンウエハＷを加熱しておき、エッチング槽Ｓ３に投入した時のエッチング槽Ｓ３の温度低下を抑制することができ、安定した温度でエッチングを行うことが可能となり、シリコンウエハＷ表面に均一なテクスチャーを形成することができる。
【００３９】
なお、前記実施の形態では、テクスチャーエッチングについて説明したが、テクスチャーエッチングに限定されることなく、ｐｎ分離のためのエッチング工程、電極層あるいは反射防止膜１２のパターニング工程など、他の液相処理工程にも適用可能である。また、光起電力装置用基板に限定されることなく、多数枚のシリコンウエハＷをカセット１１５ごと処理するような処理層に対して適用可能である。また、このようなテクスチャーエッチングに用いられるウエハとしては単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などの結晶系シリコン基板を用いることができる。
【００４０】
本発明の実施の形態を説明したが、この実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４１】
Ｓ１  洗浄槽、Ｓ２  熱風槽、Ｓ３  エッチング槽、Ｓ４  水洗槽、Ｓ５  乾燥槽、１０  ｐ型単結晶シリコン基板（第１導電型シリコン基板）、１１  第２導電型層、１２  反射防止膜、１３  受光面側電極、１４  第１導電型層、１５  裏面側電極、１１０  容器、１１１  カセット台、１１５  カセット、Ｗ  シリコンウエハ(被処理基板)、１１４  温風ノズル、１１２  温風配管、１１３  温風ヒーター、１２０  移送手段、１２１  支持部、１２２  チャックフック、１３０  エッチング部、１３１  エッチング液、１３２  エッチング処理槽。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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