(57)【要約】      （修正有）【課題】メッキ用配線同士間の絶縁を容易に確保でき、且つ電解メッキ時に用いた電極用メタライズ層を少ない研磨量により除去された配線基板を提供する。【解決手段】セラミック層を積層してなり、平面視が矩形状の表面３および裏面４と、これらの間に位置する四辺の側面５とを有する基板本体と、該基板本体の表面３に形成された単数または複数の表面導体部９，１０と、基板本体の側面に形成された複数の外部接続端子１７と、基板本体の短辺の側面における表面と裏面との中間位置から裏面にかけて形成され、且つ中間位置から裏面に向かって幅が広くなる凹部１１と、凹部１１の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線１２，１４と、を含み、表面導体部９，１０とメッキ用配線とは、電気的に接続されており、表面導体部と外部接続端子とは、電気的に互いに独立している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなり、平面視が矩形状の表面および裏面と、これらの間に位置する四辺の側面とを有する基板本体と、
上記基板本体の表面に形成された単数または複数の表面導体部と、
上記基板本体の表面、裏面、および側面の少なくとも一つに形成された複数の外部接続端子と、
上記基板本体の何れかの側面における表面と裏面との中間位置から裏面にかけて形成され、且つ前記中間位置から裏面に向かって幅が広くなる凹部と、
上記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線と、を含む配線基板であって、
上記表面導体部と少なくとも１個の上記メッキ用配線とは、電気的に接続されており、該表面導体部と上記外部接続端子とは、電気的に互いに独立している、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記表面導体部は、封止用メタライズ層、あるいは電気的に独立したパッドである、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
複数の前記メッキ用配線のうち、少なくとも１個は、前記外部接続端子の少なくとも一部と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記凹部における側面の開口縁と前記裏面とが成す側面視の交叉角度は、鈍角である、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記基板本体は、複数のセラミック層を積層してなり、前記凹部の内壁面に露出する３個以上のメッキ用配線の一端面は、隣接する何れかのセラミック層間から基板本体の側面側に露出すると共に、該側面の中間位置のセラミック層間から裏面側のセラミック層間に向かって次第に多くなるように併設されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックからなる基板本体の表面に電気的に独立し且つ表面にメッキ膜が被覆された表面導体部を備えた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、セラミックからなる基板本体の表面や該表面に開口するキャビティの底面に、電気的に独立した封止用メタライズ層あるいはダミー用のパッドを備えた配線基板においては、前記封止用メタライズ層やパッドの表面にも金属メッキ膜を被覆する必要がある。そのため、焼成された上記基板本体の側面において、メッキ用電極棒と接触させて導通するため、上記パッドを含む複数の導体部と導通する電極用メタライズ層を予め該側面に形成しておき、電解メッキ後に前記電極用メタライズ層の全部あるいは一部を除去する方法が行われている。
例えば、セラミックからなる絶縁基体の側面に形成した接続用メタライズ層を、所望のメタライズ層などの表面に電解メッキを施した後、上記接続用メタライズ層を一定の面積以上が残るように研磨して除去することにより、上記絶縁基体にクラックや欠けなどが発生する事態を有効に防止した半導体素子収納用パッケージの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、前記半導体素子収納用パッケージの製造方法のように、セラミックからなる絶縁基体の側面に形成した接続用メタライズ層を選択的に研磨により除去する場合でも、除去すべき上記接続用メタライズ層の一部を含む絶縁基体の側面を、該絶縁基体の表面および裏面と平行な横（外周）方向、あるいは前記表面および裏面と直交する厚み方向に沿って、上記側面を構成するセラミック部分を含めて帯状に広く研磨することが必要になる。その結果、上記セラミック部分を含む研磨工程の所要時間が増大し且つコスト高に招来する、という問題点があった。
更に、電解メッキ後においては、絶縁基体の側面に露出する複数のメッキ用配線同士の仇を電気的に絶縁するため、互いに一定距離以上離しておく必要がある。そのため、前記のように比較的面積の大きな接続用メタライズ層を選択的に研磨により除去する方法では、隣接するメッキ用配線同士間の絶縁を確保することが著しく困難になる、という問題点もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６８７５４号公報（第１〜７頁、図１〜５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、セラミックからなる基板本体の表面に電気的に独立し且つ表層にメッキ膜が被覆された表面導体部と、該表面導体部や他の導体部に導通する複数のメッキ用配線とを備え、該メッキ用配線同士間の絶縁を容易に確保でき、且つ電解メッキ時に用いた電極用メタライズ層を少ない研磨量により除去された配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、セラミックからなる基板本体の側面に、該側面における厚み方向の中間位置から裏面側に向かって幅が広くなる凹部を設け、該凹部の内壁面に前記表面導体部に導通するメッキ用配線を含む複数のメッキ用配線の一端面を互いに離して露出させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、セラミックからなり、平面視が矩形状の表面および裏面と、これらの間に位置する四辺の側面とを有する基板本体と、該基板本体の表面に形成された単数または複数の表面導体部と、前記基板本体の表面、裏面、および側面の少なくとも一つに形成された複数の外部接続端子と、上記基板本体の何れかの側面における表面と裏面との中間位置から裏面にかけて形成され、且つ前記中間位置から裏面に向かって幅が広くなる凹部と、上記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線と、を含む配線基板であって、上記表面導体部と少なくとも１個の上記メッキ用配線とは、電気的に接続されており、該表面導体部と上記外部接続端子とは、電気的に互いに独立している、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記表面導体部は、記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線のうちの１個と電気的に接続されていると共に、かかる表面導体部は、前記複数の外部接続端子の何れとも電気的に接続されていない。例えば、上記表面導体部が基板本体の表面に開口するキャビティの開口部に沿って形成された平面視が枠形状の封止用メタライズ層である場合、予め、前記凹部が形成される前の平坦な側面に配置された電極用メタライズ層を介して、電解メッキをその表面に施され、同時に上記と同じ電極用メタライズ層を介して電解メッキを別の表面導体部の表面に施された後、上記電極用メタライズ層を含む上記側面の裏面側を研磨などで除去して凹部を形成することで、該凹部の内壁面に一端面が露出する複数のメッキ用配線同士間を電気的独立したものとされる。そのため、使用時には、電流が流れない表面導体部を含む複数の導体部の表面に確実に金属メッキ膜が被覆された配線基板となっている。更に、同じ凹部の内壁面において露出する複数のメッキ用配線（一端面）の間隔を、ある程度以上の距離になるよう設定することで、上記メッキ用配線同士間の短絡を確実に予防できる。
しかも、前記凹部は、基板本体における何れかの側面の厚み方向における任意の中間位置から該側面の裏面側に向かって幅が広くなるように形成されているので、製造時における工数および研磨時間を低減でき且つ低コスト化にも繋がる。
加えて、前記凹部は、基板本体の表面には露出しないので、該表面の面積を減らすことなく、種々の導体部を所望の位置に容易に配置することができる。
【０００８】
尚、前記セラミックは、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックである。
また、前記表面導体部は、例えば、次述するように、電気的に独立した封止用メタライズ層、あるいは電気的に独立したダミー用のパッドなどの導体である。
更に、前記表面導体部、メッキ用配線、および外部接続端子には、前記セラミックが高温焼成セラミックの場合には、例えば、ＷまたはＭｏなどが適用され、前記セラミックが低温焼成セラミックの場合には、例えば、ＡｇまたはＣｕなどが適用される。
また、前記基板本体の表面には、該表面の中央側に開口するキャビティの底面あるいは該底面側に位置する段部も含まれる。かかる形態の場合、前記封止用メタライズ層は、上記キャビティの開口部を囲む上記表面に形成されている。
更に、前記基板本体の側面に形成される複数の外部端子には、かかる外部端子ごとの表面にリードの一端部が個別に接合されている。該側面と前記凹部が形成される側面とは、互いに異なる側面であるほか、同じ側面に併設しても良い。
【０００９】
また、前記側面における中間位置とは、該側面の厚み方向における前記表面と裏面との中央付近だけではなく、表面と裏面との間における任意の位置である。
更に、前記凹部は、側面視で、前記基板本体の表面側に凸の円弧形状（半円形状、半長円形状、半楕円状）、台形状、あるいは二等辺三角形状の断面形状を呈し、底面視で、前記基板本体の側面から裏面に向かって凸の円弧形状、台形状、あるいは二等辺三角形状を呈する。
また、前記凹部の内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線は、前記基板本体を構成するべく積層された複数のセラミック層間を含む側面に予め形成されていた単一のメッキ用電極に一端部が個別に接続されており、各メッキ用配線を介して、前記封止用メタライズ層やダミー用のパッドの表面に所定の電解金属（Ｎｉ、Ａｕ）メッキを施した後、上記メッキ用電極を含む上記側面の裏面側を、例えば、マイクログラインダを用いたり、レーザ照射による研削または研磨によって除去することで、形成される前記凹部の内壁面に配設されている。
加えて、前記基板本体の表面の周辺部あるいは側面に形成された複数の外部接続端子には、該接続端子ごとにリードの先端部が個別に接合されていても良い。
【００１０】
また、本発明には、前記表面導体部は、封止用メタライズ層、あるいは電気的に独立したパッドである、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記基板本体の表面に開口するキャビティの開口部に沿って形成された且つ使用時には電流が流れない封止用メタライズ層や、複数のパッドのうち、使用時には電流が流れない部品を実装するために用いられるダミー用のパッド、あるいは位置合わせマーク用のパッドの表面にも、例えば、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を２層にして確実に被覆されている配線基板となっている。
尚、前記パッドは、前記基板本体の表面、あるいは上記キャビティの底面あるいは段部に形成され、隣接する導通用のパッドと共に、全体として１つのパターンを構成するもの、あるいは配線基板の位置決め用のアライメントマークである。
【００１１】
更に、本発明には、複数の前記メッキ用配線のうち、少なくとも１個は、前記外部接続端子の少なくとも一部と電気的に接続されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、複数の前記メッキ用配線のうち、前記表面導体部と電気的に接続されたメッキ用配線を除いた少なくとも１個は、前記複数の外部接続端子の一部または全部と電気的に接続されているので、かかる複数の外部接続端子の表面にも、上記表面導体部の表面と同じ金属メッキ膜を確実に被覆された配線基板となっている。
また、本発明には、前記凹部における側面の開口縁と前記裏面とが成す側面視の交叉角度は、鈍角である、配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、記凹部における側面の開口縁と前記裏面とが成す側面視の交叉角度が９０度超の鈍角を成しているので、かかる交叉部付近におけるセラミック部分が、外離などの衝撃によって不用意に欠ける事態を抑制することができる。
【００１２】
加えて、本発明には、前記基板本体は、複数のセラミック層を積層してなり、前記凹部の内壁面に露出する３個以上のメッキ用配線の一端面は、隣接する何れかのセラミック層間から基板本体の側面側に露出すると共に、該側面の中間位置のセラミック層間から裏面側のセラミック層間に向かって次第に多くなるように併設されている、配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記基板本体の何れかの側面における表面と裏面との中間位置から裏面にかけて形成され、且つ該中間位置から裏面に向かって幅が広くなる凹部の内壁面において、かかる内壁面に露出する３個以上のメッキ用配線の一端面は、隣接する何れかのセラミック層間から基板本体の側面側に露出し、且つ該側面の中間位置のセラミック層間から裏面側のセラミック層間に向かって次第に多くなるように互いに間隔を置いて併設されている。その結果、隣接する複数のメッキ用配線同士の間における不用意な短絡を容易に防ぐことができる。
【００１３】
尚、前記メッキ用配線が３個の場合、前記凹部の内壁面に露出する該メッキ用配線の一端面は、前記側面の中間位置側に１個が且つ裏面側に２個が配設され、４個の場合には、中間位置側：１個→裏面側：３個の順、５個の場合には、中間位置側から裏面側に向かって順次１個→２個→２個の順、６個の場合には、中間位置側から裏面側に向かって順次１個→２個→３個の順番のように、前記複数のセラミック層間ごとに配設される。これらの場合、全てのメッキ用配線の一端面は、全体として、例えば、市松模様、あるいは鱗（うろこ）模様を呈することで、互いの間における短絡を比較的狭い凹部内において確実に防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による一形態の配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ１−Ｘ１線と、Ｘ２−Ｘ２線との矢視に沿った部分垂直断面図。
【図３】図１中の矢印Ｙの視覚に沿った側面付近を示す斜視図。
【図４】上記凹部が形成された基板本体の側面を示す側面図。
【図５】メッキ用配線の異なる形態の配置を示す上記同様の側面の拡大図。
【図６】（Ａ）は凹部を形成する前の側面付近を示す斜視図、（Ｂ）は該側面の幅方向における中央部の垂直断面図。
【図７】（Ａ）は凹部が形成された後の側面付近を示す斜視図、（Ｂ）は該側面の幅方向における中央部の垂直断面図。
【図８】本発明による異なる形態の配線基板を示す斜視図。
【図９】図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図１０】上記配線基板における異なる基板本体を示す垂直断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中のＸ１−Ｘ１線，Ｘ２−Ｘ２線の矢視に沿った部分垂直断面図、図３は、図１中の矢印Ｙの視覚に沿った凹部１１が形成された側面５付近を示す斜視図である。
上記配線基板１ａは、図１〜図３に示すように、全体が箱形状の基板本体２ａと、該表面３のほぼ全面に形成された封止用メタライズ層（表面導体部）１０と、上記基板本体２ａにおいて対向する長辺である一対の側面５に形成された複数の外部接続端子１７と、上記基板本体２ａにて対向する短辺である一対の側面５に対称に形成された一対の凹部１１と、該凹部１１ごとの内壁面に一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線１２，１４とを備えている。
【００１６】
前記基板本体２ａは、後述するように複数のセラミック層を一体に積層してなり、平面視の外形が矩形（長方形）状の表面３および裏面４と、これらの間に位置し且つ一対ずつの長辺および短辺である四辺の側面５とを有している。尚、隣接する側面５，５間のコーナこどには、凹んで湾曲した側面５ｒが位置している。
前記基板本体２ａの表面３には、平面視で矩形（長方形）状のキャビティ６ａが開口し、該キャビティ６ａの開口部を囲むように、前記封止用メタライズ層１０が平面視で矩形枠状にして形成されている。尚、追って、該キャビティ６ａ内に半導体素子などの電子部品（図示せず）が実装された際には、当該キャビティ６ａ内を封止するため、上記封止用メタライズ層１０の上に四辺を接触して載置される金属蓋（図示せず）がシーム溶接などにより接合される。
また、上記キャビティ６ａは、平面視が矩形状の底面７と、該底面７の四辺から表面３側に立設した四辺の内面８とからなり、前記底面７には、追って実装される電子部品における複数の電極と個別に電気的に接続される複数の素子実装用パッド９が形成されている。尚、かかる素子実装用パッド９の一部には、本発明の表面導体部であるダミー用のパッド９ａが含まれている。
【００１７】
更に、図２，図３に示すように、前記封止用メタライズ層１０は、基板本体２ａの側面５とキャビティ６ａの内面８との間に位置する縦長の側壁内を垂直に延びたビア導体１３を介して、該ビア導体１３の下端と他端部が接続し且つ前記凹部１１の内壁面１１ｆのうち、比較的表面３側に一端面が露出するメッキ用配線１２と、電気的に接続されている。
一方、前記複数の素子実装用パッド９のうち、短辺の側面５側に位置する一対の素子実装用パッド（表面導体部）９ａは、使用時には電気的に独立するダミー用のパッドであり、キャビティ６ａの底面７から垂下するビア導体１５を介して、該ビア導体１５の下端と他端部が接続し且つ前記凹部１１の内壁面のうち、比較的裏面４側に一端面が露出するメッキ用配線１４の一方と電気的に接続されている。
尚、他方のメッキ用配線１４は、図示しない内部配線（配線層およびビア導体）を介して、前記ダミー用のパッド９ａ以外の素子実装用パッド９や、前記複数の外部接続端子１７の少なくとも一部と電気的に接続されている。
また、図１，図３に示すように、前記複数の外部接続端子１７の表面には、リード１８の上端部が個別に接合され、かかる複数のリード１８の下端側は、図示しない水平姿勢で単一の外枠部によって互い接続されている。
【００１８】
前記凹部１１は、図１〜図３に示すように、基板本体２ａの短辺の側面５ごとにおける前記表面３と裏面４との中間位置から該裏面４にかけて幅が広がるように形成され、前記キャビティ６ａ側に凸で且つほぼ４分の１状の球体を呈する湾曲面からなる内壁面１１ｆには、比較的表面３側のメッキ用配線１２の一端面と、比較的裏面４側で且つ左右一対のメッキ用配線１４の一端面とが露出している。
図４の前記短辺の側面５で例示するように、前記基板本体２ａは、複数のセラミック層（セラミック）ｃ１〜ｃ５を積層してなる。該側面５に位置する凹部１１の内壁面１１ｆにおいて、比較的裏面４側で且つ左右一対のメッキ用配線１４同士の間隔ａと、該一対のメッキ用配線１４と比較的表面３側のメッキ用配線１２との間隔ｂとは、互いにほぼ同じとされ且つこれらのメッキ用配線１２，１４同士が互いに短絡しない距離以上に設定されている。そのため、合計３個の上記メッキ用配線１２，１４は、側面視で、全体として正三角形状の角部ごとに中心部が個別に位置するように配置されている。
【００１９】
また、図４に示すように、上記凹部１１における側面５の開口部と、前記裏面４との交叉角度θ１は、９０度超の鈍角とされている。その結果、凹部１１における側面５の開口部と裏面４との交叉部付近のセラミックが局部ないし部分的に不用意に欠ける事態（所謂チッピング）を未然に防ぐことが可能である。
尚、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５がアルミナなどの高温焼成セラミックからなる場合、前記素子実装パッド９，９ａ、表面導体部の封止用メタライズ層１０、メッキ用配線１２，１４、ビア導体１３，１５、外部接続端子１７などは、ＷまたはＭｏあるいはこれらの一方をベースとする合金からなる。一方、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５がガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる場合、上記素子実装パッド９，９ａや封止用メタライズ層１０などの導体は、ＣｕまたはＡｇあるいはこれらの一方をベースとする合金からなるものとされる。
また、前記リード１８は、コバール、４２アロイ、あるいは１９４合金などからなり、前記外枠部を含めて単一のリードフレーム（図示せず）を構成している。
【００２０】
図５は、前記図４と同様の前記側面５の拡大側面図であり、かかる側面５に形成された凹部１１の内壁面１１ｆには、比較的表面３側に１個のメッキ用配線１２が露出し、比較的中程の左右一対のメッキ用配線１４が互いに間隔ａを離れて露出すると共に、比較的裏面４側に３個のメッキ用配線１６が互いに間隔ａを離れて露出している。更に、凹部１１の内壁面１１ｆにおける前記表面３と裏面４との厚み方向において、メッキ用配線１２，１４間、およびメッキ用配線１４，１６間は、上記間隔ａとほぼ同じ間隔ｂを置いて互いに離れて露出している。
即ち、合計６個のメッキ用配線１２，１４，１６は、側面視における全体として、ほぼ市松模様あるいは鱗模様を呈するように配設され、互いの間に上記間隔ａ，ｂを絶縁可能な距離に設定しているため、互いに短絡しにくくなっている。
尚、比較的裏面４側に一端面が露出するメッキ用配線１６は、前記ダミー用のパッド９ａ以外の素子実装用パッド９や、複数の前記外部接続端子１７の少なくとも一部と適宜電気的に接続されている。
また、図５中の上記凹部１１における側面５の開口部と、前記裏面４との交叉角度θ２も、９０度超の鈍角とされている。
【００２１】
以上のような配線基板１ａは、以下のようにして製造された。
予め、アルミナ粉末などを含む５枚のセラミックグリーンシートを制作し、各グリーンシートごとの適所に孔明け加工を施し、キャビティ６ａ用の開口孔と比較的小径の貫通孔を形成し、該貫通孔ごとにＷ粉末などを含む導電性ペーストを充填してビア導体１３，１５を形成した。次に、各グリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して所定パターンを有する未焼成の素子実装用パッド９，９ａ、封止用メタライズ層１０、メッキ用配線１２，１４（１６）を形成した。次いで、上記５枚のグリーンシートを所定の順序で積層および圧着した後、所定の温度帯で焼成した。
その結果、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５を積層してなり、矩形枠状の表面３のほぼ全面に封止用メタライズ層１０が形成され、該表面３に開口するキャビティ６の底面７に複数の素子実装用パッド９，９ａが形成され、対向する一対の短辺の側面５の裏面４側ごとにメッキ用配線１２，１４（１６）の一端面が個別に露出している基板本体２ａを有するセラミック積層体を得た。
【００２２】
更に、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板本体２ａにおける一対の短辺の側面５ごとにおいて、一端面が個別に露出するメッキ用配線１２，１４（１６）を含む領域に前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、側面視が矩形状の電極用メタライズ層１９を形成した。該メタライズ層１９には、メッキ用配線１２，１４（１６）の一端部がぞれそれ個別に接続されている。
引き続いて、基板本体２ａにおける一対の長辺の側面５ごとに、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、複数の外部接続端子１７を形成すると共に、これらを含むセラミック積層体を加熱炉に挿入して、上記メタライズ層１９および外部接続端子１７を硬化処理した。
次に、上記電極用メタライズ層１９や、複数の外部接続端子１７ごとに接合されたリード１８の下端側を接続する外枠部に対し、図示しないメッキ用電極ピンを個別に接触させた状態で、当該セラミック積層体を電解Ｎｉメッキ槽および電解Ａｕメッキ槽に順次浸漬した。その結果、前記素子実装用パッド９，９ａ、封止用メタライズ層１０、および外部接続端子１７の表面（露出面）にＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜が所要の厚みで順次被覆された。尚、上記外部接続端子１７の場合は、予め単独でＮｉメッキ膜のみを被覆した後、前記リード１８の上端部を個別にロウ付けにより接合した後、該リード１８を含む外部接続端子１７の表面に対し、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆した。
【００２３】
その後、前記電極用メタライズ層１９を含む各短辺の側面５における裏面４側の領域に対し、軸方向が該側面５と裏面４との間に跨がるようにマイクログラインダよる研磨作業を、当該電極用メタライズ層１９が除去されるまで行った。
その結果、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、短辺の各側面５における水平方向の中央部付近で、且つ側面視において裏面４側から表面３側に向かって円弧形状に盛り上がり、且つ該裏面４の中央側に円弧形状に進入する凹部１１が形成されると共に、その内壁面１１ｆにメッキ用配線１２，１４（１６）の一端面が露出している前記配線基板１ａを得ることができた。
尚、前記研磨工程は、炭酸ガスなどの各種のレーザ光を照射して行われるレーザ加工により行っても良い。
また、以上の各工程は、多数個取りの形態により行っても良く、その場合、基板保体２ａにおいて隣接する長辺と短辺と側面５，５間ごとには、湾曲した前記側面５ｒが形成される。
【００２４】
前記のような配線基板１ａによれば、表面導体部である前記素子実装用パッド９ａや封止用メタライズ層１０は、前記凹部１１の内壁面１１ｆに一端面が互いに離れて露出する複数のメッキ用配線１２，１４（１６）のうちの１個と電気的に接続されており、且つダミー用のパッド９ａや封止用メタライズ層１０は、前記複数の外部接続端子１７の何れとも電気的に接続されていない。
即ち、上記封止用メタライズ層１０は、予め、前記凹部１１が形成される前の平坦な側面５に配置された電極用メタライズ層１９を介して、電解ＮｉおよびＡｕメッキをその表面に施され、同時に同じ電極用メタライズ層１９を介して電解ＮｉおよびＡｕメッキを前記素子実装用パッド９，９ａの表面に施された後、上記電極用メタライズ層１９を含む上記側面５の裏面４側を少ない研磨量により除去して凹部１１を形成することで、該凹部１１の内壁面１１ｆに複数のメッキ用配線１２，１４（１６）の一端面が互いに離れて露出し、且つかかる複数のメッキ用配線１２，１４（１６）同士間は、電気的独立したものとされている。
そのため、使用時には、電流が流れない前記封止用メタライズ層１０や一部の素子実装用パッド（ダミー用のパッド）９ａの表面にも確実にＮｉおよびＡｕメッキ膜が被覆された配線基板１ａとなっている。
【００２５】
更に、同じ凹部１１の内壁面１１ｆにおいて露出する複数のメッキ用配線（一端面）１２，１４（１６）同士の間隔ａ，ｂを、ある程度以上の距離になるよう設定することで、上記メッキ用配線１２，１４（１６）間の短絡を確実に防止できる。
加えて、前記凹部１１は、基板本体２における短辺の側面５の厚み方向における任意の中間位置から該側面５の裏面４側に向かって幅が広くなるように形成されているので、製造時における工数、研磨量、および研磨時間を低減でき且つ低コスト化にも繋がる。しかも、前記凹部１１は、基板本体２の表面３には露出せず、側面５の中間位置から裏面４側にかけて形成され、該側面５に隣接する上記表面３の周辺部が除去されないので、該表面３に形成される各種の導体や、隣接する側面５同士間のコーナ部の表面３と裏面４との間に形成される凹部形導体を当初の形態で確実に配設することができる。
【００２６】
従って、使用時には、電流が流れない前記封止用メタライズ層１０やダミー用のパッド９ａの表面導体部の表面にも確実に金属（ＮｉおよびＡｕ）メッキ膜が被覆された配線基板１ａを提供することができる。
尚、前記凹部１１は、前記四辺の側面５の何れか１箇所にのみ形成しても良い。このうち、長辺の側面５に形成する場合には、該側面５に形成される複数の外部接続端子１７同士の間に形成しても良い。
また、前記複数の素子実装用パッド９の上方には、追って半導体素子などの電子部品が実装され、その後、前記封止用メタライズ層１０の上に四辺が載置されるコバール製などの金属板がシーム溶接（抵抗溶接）などよって接合される。
更に、複数の前記外部接続端子１７は、基板本体２ａの裏面４に形成されていても良い。
【００２７】
図８は、異なる形態の配線基板１ｂを示す斜視図、図９は、図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記配線基板１ｂは、図８，図９に示すように、全体が平板状を呈する基板本体２ｂと、該基板本体２ｂにおける平面視が正方形（矩形）状の表面３の中央側に形成された複数の素子実装用パッド９，９ｂと、該表面３の周辺部に沿って形成された複数の外部接続端子２０，２０ｂと、基板本体２ｂにおける表面３と裏面４との間に位置する四辺の側面５のうち、図８で手前側の辺と右辺との隣接する側面５ごとに形成された２つの凹部１１と、該凹部１１ごとの内壁面に一端面が個別に露出する前記同様のメッキ用配線１２，１４と、基板本体２ｂの裏面４形成された複数の外部接続端子２４と、を備えている。
前記基板本体２ｂの表面３における中央側に位置し、且つ平面視で縦横に３個ずつ合計９個の上記素子実装用パッド９，９ｂのうち、図８で手前側の辺と右辺との中央には、使用時には電流が流れないダミー用のパッド（表面導体部）９ｂが位置している。また、図８で基板本体２ｂにおける手前の側面５と右辺の側面５との中程には、上記同様のダミー用の端子（表面導体部）２０ｂが個別に１個ずつ位置している。
【００２８】
また、前記凹部１１の内壁面１１ｆには、前記同様のメッキ用配線１２，１４の一端面が、側面視でほぼ三角形の各角部ごとに位置するように露出している。
更に、図９で例示するように、基板本体２ｂは、前記同様のセラミック層（セラミック）ｃ１〜ｃ５を一体に積層してなり、該セラミック層ｃ１〜ｃ５間ごとには、所定パターンの配線層２２がそれぞれ形成され、該配線層２２同士の間、最上層の配線層２２と前記素子実装パッド９または外部接続端子２０との間は、セラミック層ｃ２〜ｃ５を個別に貫通する何れかのビア導体２３を介して、電気的に接続されている。更に、基板本体２ｂの裏面４には、複数の外部接続端子２４が形成され、該外部接続端子２４は、セラミック層ｃ１を貫通するビア導体２３を介して、最下層の配線層２２と電気的に接続されている。
尚、前記外部接続端子２０，２０ｂ，２４、配線層２２、ビア導体２３も、前記同様にして、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、あるいはＡｇなどの何れかよりなる。
【００２９】
図９に示すように、凹部１１の内壁面１１ｆにおける表面３側に一端面が露出するメッキ用配線１２は、セラミック層ｃ２，ｃ３間に延びた該メッキ用配線１２の他端部に接続するビア導体１３を介して、前記外部接続端子２０のうち、ダミーの端子（一部）２０ｂと電気的に接続されている。また、上記凹部１１の内壁面１１ｆにおける裏面４側に一端面が露出するメッキ用配線１４のうち、一方のメッキ用配線１４は、セラミック層ｃ１，ｃ２間に延びた該メッキ用配線１４の他端部に接続するビア導体１５を介して、前記ダミーの素子実装用パッド９ｂと電気的に接続されている。更に、他方のメッキ用配線１４は、何れかの前記配線層２２およびビア導体２３を介して、前記外部接続端子２０の何れか（一部）と電気的に接続されている。
尚、前記素子実装用パッド９，９ｂの上方には、追って半導体素子などの電子部品２６が実装される。該電子部品２６の上面側に位置する複数の電極（図示せず）は、前記外部接続端子２０とボンディングワイヤ（図示せず）を介して個別に導通可能とされる。あるいは、上記外部接続端子２０の表面には、水平姿勢とされた前記同様のリードの先端部を個別に接合しても良い。
【００３０】
図１０は、前記配線基板１ｂにおける異なる基板本体２ｃを示す垂直断面図である。かかる基板本体２ｃは、図１０に示すように、前記同様のセラミック層ｃ１〜ｃ５を積層してなり、その表面３の中央側には、平面視が矩形（正方形）状の底面７および四辺の内面８を有し、且つセラミック層ｃ４，ｃ５を貫通するキャビティ６ｃが開口している。該キャビティ６ｃの底面７には、平面視で縦横に３個ずつ合計９個の上記素子実装用パッド９，９ｂが前記同様のパターンにして形成されている。
尚、何れかの上記側面５に位置する凹部１１の内壁面１１ｆには、前記同様のメッキ用配線１２，１４の一端面が露出し、これらの他端部は、前記同様にしてダミーの外部接続端子２０ｂ、ダミーの素子実装用パッド９ｂ、あるいは外部接続端子２０の何れかに、ビア導体１３，１５、あるいは配線層２２およびビア導体２３の何れかを介して、電気的に接続されている。
また、前記キャビティ６ｃの開口部に沿った基板本体２ｃの表面３に、平面視が正方形状である封止用メタライズ層（１０）を更に形成しても良い。
【００３１】
以上のような基板本体２ｂ，２ｃ、凹部１１、メッキ用配線１２，１６、表面導体部のダミー素子実装用パッド９ｂおよびダミーの外部接続端子２０ｂ、外部接続端子２０，２４などを備えた配線基板１ｂによっても、前記配線基板１ａと同様な効果を奏することが可能である。
尚、前記凹部１１は、基板本体２ｂ，２ｃにおける１つの側面５のみ、対向する一通の側面５ごと、あるいは３辺の側面５ごとに形成しても良い。
また、前記凹部１１の内壁面１１ｆには、前記図５で示したように、表面３側から裏面４側にかけてメッキ用配線１２，１４，１６の一端面を、前期同様の市松（鱗）模様にして露出させていても良い。
【００３２】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記凹部１１は、基板本体２ａ〜２ｃの同じ側面５において、２つ以上を併設されていても良い。
また、前記凹部１１の内壁面１１ｆは、全体が約４分の１の球体形状に限らず、全体が半蒲鉾形状で且つ横方向の両側に変形三角錐を対称連設した形態、全体が三角柱状であり且つ横方向の両側に変形三角錐を対称連設した形態、あるいは、全体が約４分の１の楕円体または約４分の１の円柱体で且つ両側に約８分の１程度の球体を対称連設した形態としても良い。
更に、前記凹部１１は、マイクログラインダなどによる研磨加工と、レーザ照射によるレーザ加工とを併用して形成しても良い。
加えて、前記配線基板１ａの基板本体２ａにおける表面３および裏面４を平面視で正方形状とし、且つ前記キャビティ６ａの底面７も相似形の正方形状としも良いし、あるいは、前記配線基板１ｂの基板本体２ｂにおける表面３および裏面４を平面視で長方形状とし、且つ前記キャビティ６ａの底面７も相似形の長方形状としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明によれば、セラミックからなる基板本体の表面に電気的に独立し且つ表層にメッキ膜が被覆された表面導体部と、該表面導体部や他の導体部に導通する複数のメッキ用配線とを備え、該メッキ用配線同士の絶縁を容易に確保でき、且つ電解メッキ時に用いた電極用メタライズ層を少ない研磨量により除去された配線基板を確実に提供できる。
【符号の説明】
【００３４】
１ａ，１ｂ…………配線基板
２ａ〜２ｃ…………基板本体
３……………………表面
４……………………裏面
５……………………側面
９ａ，９ｂ…………ダミー用のパッド（表面導体部）
１０…………………封止用メタライズ層（表面導体部）
１１…………………凹部
１１ｆ………………内壁面
１２，１４，１６…メッキ用配線
１７，２０，２４…外部接続端子
２０ｂ………………ダミーの端子（表面導体部）
ｃ１〜ｃ５…………セラミック層（セラミック）
θ１，θ２…………交叉角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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