(57)【要約】【課題】スペーサとアレイ基板との摩擦によってスペーサの頂上部またはアレイ基板にある配向膜が剥がれることがある。剥がれた配向膜が液晶中の異物として浮遊して点欠不良の原因となりえる。【解決手段】表示装置はアレイ基板とスペーサを有する対向基板とを備える。前記スペーサが突き当たる前記アレイ基板の接触領域全体はＩＴＯ膜にて被覆したＳｉＮ膜で構成される。前記接触領域周辺４方のうち少なくとも３方において前記ＳｉＮ膜の表面には前記ＩＴＯ膜を被覆しないようにされる。前記３方のうち少なくとも１方の前記ＳｉＮ膜の表面は前記ＩＴＯ膜に対して傾斜するようにされ、かつ、前記ＳｉＮ膜の表面は前記ＩＴＯ膜よりも低い位置に配置するようにされる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置は、
第１配向膜を有する第１基板と、
スペーサと第２配向膜を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、
を備え、
前記スペーサが突き当たる前記第１基板のスペーサ領域には前記第１配向膜をはじきやすい第１膜が配置され、
前記スペーサ領域に隣接する周辺領域には前記第１配向膜の濡れ性がよい第２膜が配置され、
前記周辺領域において前記第２膜の表面に接するように前記第１配向膜が被覆され、
前記第１配向膜が被覆された領域の少なくとも一部の前記第２膜の表面は前記第１膜に対して傾斜するようにされ、かつ、前記第２膜の表面は前記第１膜よりも低い位置に配置するようにされる。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記第１膜はＩＴＯ膜であり、
前記第２膜はＳｉＮ膜である。
【請求項３】
請求項２の表示装置において、
ＩＴＯ膜で形成される画素電極を有し、
前記第１膜と画素電極は同層である。
【請求項４】
請求項３の表示装置において、
前記第１膜のＩＴＯ膜と画素電極のＩＴＯ膜は接続されている。
【請求項５】
請求項１の表示装置において、
前記スペーサ表面の第１基板との接触位置に前記第２配向膜をはじきやすい第３膜を接するように被覆するようにされ、
前記スペーサ側面の前記液晶層との接触位置に前記第２配向膜が接するように被覆するようにされる。
【請求項６】
請求項５の表示装置において、
前記スペーサの上面に被覆された前記第３膜が前記第１基板の前記第１膜と接するようにされる。
【請求項７】
請求項６の表示装置において、
前記第３膜はＩＴＯ膜である。
【請求項８】
請求項１の表示装置において、
前記第２膜の表面が前記第１膜よりも低い位置はコンタクトホールである。
【請求項９】
請求項１の表示装置において、
前記第１基板の接触領域の前記第２膜の下にはＩＴＯ膜で形成される共通電極が配置され、
前記共通電極の下には絶縁膜が配置される。
【請求項１０】
請求項９の表示装置において、
前記共通電極の上面に接するように金属膜が配置される。
【請求項１１】
請求項９の表示装置において、
前記絶縁膜が前記共通電極と接する部分に前記絶縁膜の突起部を有する。
【請求項１２】
請求項１の表示装置において、
前記第１基板は薄膜トランジスタを有し、
前記第２基板はカラーフィルタおよび遮光膜を有する。
【請求項１３】
表示装置は、
第１配向膜を有する第１基板と、
スペーサおよび第２配向膜を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、
を備え、
前記スペーサが突き当たる前記第１基板のスペーサ領域およびそれに隣接する周辺領域にはＳｉＮ膜とそれを被覆する第１のＩＴＯ膜が配置され、
前記スペーサ領域全体において前記ＳｉＮ膜の表面は前記第１のＩＴＯ膜が被覆され、
前記周辺領域において前記ＳｉＮ膜の表面に接するように前記第１配向膜が被覆され、
前記第１配向膜が被覆された領域の少なくとも一部の前記ＳｉＮ膜の表面は前記第１のＩＴＯ膜に対して傾斜するようにされ、かつ、前記ＳｉＮ膜の表面は前記第１のＩＴＯ膜よりも低い位置に配置するようにされる。
【請求項１４】
請求項１３の表示装置において、
前記スペーサ領域周辺４方のうち少なくとも３方において前記ＳｉＮ膜の表面には前記第１のＩＴＯ膜を被覆しないようにされ、
前記３方のうち少なくとも１方の前記ＳｉＮ膜の表面は前記第１のＩＴＯ膜に対して傾斜するようにされ、かつ、前記ＳｉＮ膜の表面は前記第１のＩＴＯ膜よりも低い位置に配置するようにされる。
【請求項１５】
請求項１４の表示装置において、
前記第２のＩＴＯ膜が被覆されない前記スペーサ側面には前記第２配向膜が接するように配置される。
【請求項１６】
請求項１５の表示装置において、
前記スペーサの上面に被覆された前記第２のＩＴＯ膜が前記第１基板の前記第１のＩＴＯ膜と接するようにされる。
【請求項１７】
請求項１３の表示装置において、
前記ＳｉＮ膜の表面が前記第１のＩＴＯ膜よりも低い位置はコンタクトホールである。
【請求項１８】
請求項１３の表示装置において、
前記スペーサは感光性樹脂で構成される。
【請求項１９】
請求項１３の表示装置において、
前記第１基板は薄膜トランジスタを有し、
前記第２基板はカラーフィルタおよび遮光膜を有する。
【請求項２０】
請求項１９の表示装置において、
前記第１基板は画素電極および共通電極を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は表示装置に関し、例えば柱状スペーサを有する表示装置に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
表示装置に用いられる表示パネルは、アレイ基板と対向基板との間に液晶材料が挟持（封入）されている。表示領域の各点における液晶の厚み（セルギャップと呼ぶこともある。）を均一にするために、例えば対向基板に円錐台状または柱状のスペーサが設けられている。
本開示に関連する先行技術として、特開２００８−１７０６９０号公報や特開２００９−４２６２９号公報がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１７０６９０号公報
【特許文献２】特開２００９−４２６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
対向基板にスペーサが設けられる場合、対向基板側の配向膜は、スペーサが設けられた面の上に配置（形成）されており、スペーサの頂上部にも配向膜が形成される。また、スペーサが突き当たるアレイ基板の接触位置にも配向膜が形成される。しかし、スペーサとアレイ基板との摩擦によってスペーサの頂上部にある配向膜またはアレイ基板にある配向膜が剥がれることがある。剥がれた配向膜が液晶中の異物として浮遊して点欠不良の原因となりえる。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置は、第１配向膜を有する第１基板と、スペーサと第２配向膜を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える。前記スペーサが突き当たる前記第１基板の接触領域には前記第１配向膜をはじきやすい第１膜が配置される。前記接触領域に隣接する周辺領域には前記第１配向膜の濡れ性がよい第２膜が配置される。前記周辺領域において前記第２膜の表面に接するように前記第１配向膜が被覆される。前記第１配向膜が被覆された領域の少なくとも一部の前記第２膜の表面は前記第１膜に対して傾斜するようにされ、かつ、前記第２膜の表面は前記第１膜よりも低い位置に配置するようにされる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】比較例に係る表示装置の構造を説明するための平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】実施の形態に係る表示装置の構造を説明するための平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図６】変形例に係る表示装置の構造を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’線における変形例１に係る表示装置の断面図である。
【図８】図６のＢ−Ｂ’線における変形例１に係る表示装置の断面図である。
【図９】図６のＡ−Ａ’線における変形例２に係る表示装置断面図である。
【図１０】図６のＢ−Ｂ’線における変形例２に係る表示装置の断面図である。
【図１１】変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】実施例に係る表示装置の平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図１８】実施例に係る表示装置のアレイ基板を説明する図である。
【図１９】図１８に示した表示装置における１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施の形態、比較例、変形例および実施例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
＜比較例＞
まず、本開示に先立って検討した技術（比較例）について図１および図２を用いて説明する。
図１は比較例に係る表示装置の構造を説明するための平面図である。図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
表示装置１００Ｒはアレイ基板１０Ｒと、対向基板２０Ｒと、アレイ基板１０Ｒと対向基板２０Ｒとの間に挟持される液晶層３０を備える。
アレイ基板１０Ｒは図示していないガラス基板の上に形成される絶縁膜１２と、絶縁膜１２の上に形成される共通電極１３と、絶縁膜１２および共通電極１３の上に形成される層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成される画素電極１５と、層間絶縁膜１４および画素電極１５の上に形成される配向膜１６とを備える。
対向基板２０Ｒは図示していないガラス基板の上に形成される遮光膜２２と、ガラス基板および遮光膜２２の上に形成されるカラーフィルタ２３と、カラーフィルタ２３の上に形成されるオーバコート膜２４と、オーバコート膜２４の上に形成されるスペーサ２５と、オーバコート膜２４およびスペーサ２５の上に形成される配向膜２６とを備える。
スペーサ２５は配向膜２６を介してアレイ基板１０Ｒに突き当たる。スペーサ２５がアレイ基板１０Ｒに突き当たる領域（スペーサ領域）ＳＣＡは、ある副画素の画素電極１５と隣の副画素の画素電極１５との間付近に位置する。スペーサ領域ＳＣＡは、ある副画素の画素電極１５と図示していないＴＦＴ（Thin Film Transistor）のドレイン電極を接続するコンタクトホールＣＨと、隣の副画素の画素電極１５とＴＦＴのドレイン電極を接続するコンタクトホールＣＨと、の間に位置する。コンタクトホールＣＨは絶縁膜１２のコンタクトホールＣＨ１と層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ２とで構成される。
アレイ基板１０Ｒのスペーサ領域ＳＣＡには、配向膜２６に接する配向膜１６と、配向膜１６に接する画素電極１５および層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４に接する共通電極１３および絶縁膜１２がある。層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ２に画素電極１５が形成されており、スペーサ領域ＳＣＡに延伸している。
対向基板２０Ｒ側の配向膜２６は、オーバコート膜２４、スペーサ２５の側面および頂上部に形成される。また、スペーサ２５が突き当たるアレイ基板１０Ｒのスペーサ領域ＳＣＡにも配向膜１６が形成される。したがって、スペーサ２５とアレイ基板１０との擦れによる摩擦によってスペーサ２５の頂上部にある配向膜２６またはアレイ基板１０にある配向膜１６が剥がれることがある。剥がれた配向膜が液晶中の異物として浮遊して点欠不良の原因となりえる。
【０００９】
＜実施の形態＞
次に、実施の形態に係る表示装置ついて図３から図５を用いて説明する。
図３は実施の形態に係る表示装置の構造を説明するための平面図である。図４は図３のＡ−Ａ’線における断面図である。図５は図３のＢ−Ｂ’線における断面図である。
表示装置１００は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、アレイ基板１０と対向基板２０との間に挟持される液晶層３０と、を備える。
アレイ基板１０は図示していないガラス基板の上に形成される絶縁膜１２と、絶縁膜１２の上に形成される共通電極１３と、絶縁膜１２および共通電極１３の上に形成される層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成される画素電極１５と、層間絶縁膜１４および画素電極１５の上に形成される配向膜１６とを備える。スペーサ２５がアレイ基板１０に突き当たるスペーサ領域ＳＣＡに配向膜１６の濡れ性が悪い（配向膜１６を弾きやすい）材料の膜を形成する。例えば、スペーサ接触領域ＳＣＡに透明導電膜であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成する。このＩＴＯ膜は画素電極１５を構成するＩＴＯ膜と同層にするのが好ましい。スペーサ領域ＳＣＡのＩＴＯ膜は、画素電極１５のＩＴＯ膜と接続せず、孤立するようにしてもよいし、画素電極１５のＩＴＯ膜と接続するようにしてもよい。以下、スペーサ領域ＳＣＡのＩＴＯ膜が画素電極１５のＩＴＯ膜と接続している場合について説明する。
【００１０】
スペーサ領域ＳＣＡは、ある副画素の画素電極１５と図示していないＴＦＴのドレイン電極を接続するコンタクトホールＣＨと、隣の副画素の画素電極１５とＴＦＴのドレイン電極を接続するコンタクトホールＣＨと、の間に位置する。スペーサ接触領域ＳＣＡは、ある副画素の画素電極１５の上に位置する。スペーサ領域ＳＣＡに位置する副画素の画素電極１５の面積は大きく、隣の副画素の画素電極１５の面積は小さい。コンタクトホールＣＨは絶縁膜１２のコンタクトホールＣＨ１と層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ２とで構成される。
スペーサ領域ＳＣＡには、画素電極１５および層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４に接する共通電極１３および絶縁膜１２がある。層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ２に画素電極１５が形成されており、スペーサ領域ＳＣＡに延伸している。
スペーサ領域ＳＣＡにおいて、画素電極１５を形成するＩＴＯ膜（以下、ＩＴＯ膜１５という。）は層間絶縁膜１４を被覆している。また、スペーサ領域ＳＣＡの４方向の周辺のうち３方向において、ＩＴＯ膜１５は層間絶縁膜１４の表面を覆わず、層間絶縁膜１４の表面を露出する。ただし、３方向の露出した層間絶縁膜１４の表面には配向膜１６が被覆される。また、３方向のうち１方向（図３の左側のコンタクトホールＣＨの方向）の露出した層間絶縁膜１４の表面がスペーサ領域ＳＣＡに位置するＩＴＯ膜１５に対して傾斜し、かつ、層間絶縁膜１４の表面がＩＴＯ膜１５よりも低い位置になるように構成する。言い換えると、コンタクトホールＣＨ２の側面にはＩＴＯ膜１５が被覆されていない部分があり、コンタクトホールＣＨ２の側面は傾斜している。ここで、層間絶縁膜１４は配向膜１６と濡れ性のよい膜、例えば、ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）を使用するのが好ましい。このような構成によって、スペーサ領域ＳＣＡの周辺において、配向膜１６と濡れ性のよい膜（以下、ＳｉＮ膜１４という。）が配向膜１６を吸着し、スペーサ領域ＳＣＡのＩＴＯ膜１５の表面の配向膜１６は、セルフパターンニングで除去される。言い換えると、ＩＴＯ膜１５の表面に塗布された配向膜１６が、濡れ性の良いＳｉＮ膜１４の斜面に流れ込み、スペーサ領域ＳＣＡの配向膜１６が除去される。なお、スペーサ領域ＳＣＡのＩＴＯ膜を、画素電極１５のＩＴＯ膜と接続せず、孤立するようにする場合は、スペーサ領域ＳＣＡの周辺のうち全方向において、ＩＴＯ膜はＳｉＮ膜１４の表面を覆わず、ＳｉＮ膜１４の表面を露出するようにする。ただし、露出した層間絶縁膜１４の表面には配向膜１６が被覆される。
【００１１】
対向基板２０は図示していないガラス基板の上に形成される遮光膜２２と、ガラス基板および遮光膜２２の上に形成されるカラーフィルタ２３と、カラーフィルタ２３の上に形成されるオーバコート膜２４と、オーバコート膜２４の上に形成されるスペーサ２５と、オーバコート膜２４の上およびスペーサ２５の側面に形成される配向膜２６と、を備える。
スペーサ２５の頂面（アレイ基板１０と突き当たる面）にも配向膜２６の濡れ性が悪い（配向膜２６を弾きやすい）材料の膜を形成する。例えば、スペーサ２５の頂面にＩＴＯ膜を形成する。スペーサ２５の頂面にＩＴＯ膜（以下、ＩＴＯ膜２７という。）を形成すると、ＩＴＯ膜２７の表面に塗布された配向膜２６が、濡れ性の良いスペーサ２５の斜面に流れ込み、スペーサ２５の頂面の配向膜２６が除去される。スペーサ２５はＩＴＯ膜２７を介してアレイ基板１０に突き当たる。言い換えるとスペーサ２５の頂面のＩＴＯ膜２７はアレイ基板１０のスペーサ領域ＳＣＡのＩＴＯ膜１５と接触する。
スペーサ領域ＳＣＡには配向膜１６が形成されず、スペーサ２５の頂面の配向膜２６が形成されないので、スペーサ２５とアレイ基板１０との擦れによる摩擦によって配向膜が剥がれることがない。
なお、絶縁膜１２は感光性樹脂で形成するのが好ましい。共通電極１３および画素電極１５は透明性導電膜であるＩＴＯ膜で形成するのが好ましい。層間絶縁膜１４はＳｉＮ膜で形成するのが好ましい。配向膜１６、２６はポリイミド等の樹脂で形成するのが好ましい。遮光膜２２は感光性樹脂で形成するのが好ましい。カラーフィルタ２３は樹脂で形成するのが好ましい。オーバコート膜２４は樹脂で形成するのが好ましい。スペーサ２５は感光性樹脂で形成するのが好ましい。
【００１２】
＜変形例１＞
第１の他の実施の形態（変形例１）に係る表示装置について図６から図８を用いて説明する。なお、変形例１と後述する第２の他の実施の形態（変形例２）とを総称して変形例という。
図６は変形例に係る表示装置の構造を示す平面図である。図７は図６のＡ−Ａ’線における変形例１に係る表示装置の断面図である。図８は図６のＢ−Ｂ’線における変形例１に係る表示装置の断面図である。
変形例１に係る表示装置１００Ａはスペーサ領域ＳＣＡの共通電極１３の上に金属膜で形成した突起部１７を設ける。突起部１７を設けることにより、ＳｉＮ膜１４の表面がスペーサ領域ＳＣＡに位置するＩＴＯ膜１５に対して傾斜し、かつ、ＳｉＮ膜１４の表面がＩＴＯ膜１５よりも低い位置になり、また、スペーサ領域ＳＣＡのＳｉＮ膜１４およびＩＴＯ膜１５が周辺よりも一段高くなり、ＩＴＯ膜１５の表面に塗布された配向膜１６が、濡れ性の良いＳｉＮ膜１４の斜面により流れ込みやすくなる。表示装置１００Ａのその他の構造は実施の形態に係る表示装置１００と基本的に同じである。なお、スペーサ領域ＳＣＡのＩＴＯ膜は、画素電極１５のＩＴＯ膜とは接続されず、孤立するようにしてもよい。
【００１３】
＜変形例２＞
変形例２に係る表示装置について図９から図１５を用いて説明する。
図９は図６のＡ−Ａ’線における変形例２に係る表示装置の断面図である。図１０は図６のＢ−Ｂ’線における変形例２に係る表示装置の断面図である。図１１から図１５は変形例２に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
変形例２に係る表示装置１００Ｂはスペーサ領域ＳＣＡの共通電極１３の上に絶縁膜で形成した突起部１７Ｂを設ける。突起部１７Ｂを設けることにより、ＳｉＮ膜１４の表面がスペーサ領域ＳＣＡに位置するＩＴＯ膜１５に対して傾斜し、かつ、ＳｉＮ膜１４の表面がＩＴＯ膜１５よりも低い位置になり、また、スペーサ領域ＳＣＡの共通電極（ＩＴＯ膜）１３、ＳｉＮ膜１４およびＩＴＯ膜１５が周辺よりも一段高くなり、ＩＴＯ膜１５の表面に塗布された配向膜１６が、濡れ性の良いＳｉＮ膜１４の斜面により流れ込みやすくなる。表示装置１００Ｂのその他の構造は実施の形態に係る表示装置１００と同じである。スペーサ領域ＳＣＡのＩＴＯ膜は、画素電極１５のＩＴＯ膜とは接続されず、孤立するようにしてもよい。
図１１に示すように、ＴＦＴやＴＦＴの電極等が形成された基板上に感光性樹脂膜７２を塗布し、透過部６１と半透過部６２と遮光部６３で構成されるマスク６０を用いて樹脂膜７２をパターニングして、樹脂膜７２（絶縁膜膜１２）の上部に突起部１７Ｂを形成する。マスク６０の遮光部６３と半透過部６２とにそれぞれ対応する部分で段差が形成され、遮光部６３に対応する部分が突起部１７Ｂを形成する。
図１２に示すように、突起部１７Ｂを含む絶縁膜１２が形成された基板上にＩＴＯ膜７３を形成し、ＩＴＯ膜７３をパターニングして突起部１７Ｂの上に共通電極１３を形成する。
図１３に示すように、ＳｉＮ膜７４を形成し、ＳｉＮ膜７４をパターニングして層間絶縁膜１４を形成する。
図１４に示すように、層間絶縁膜１４が形成された基板上にＩＴＯ膜７５を形成し、ＩＴＯ膜７５をパターニングして画素電極１５を形成する。
図１５に示すように、画素電極１５が形成された基板上にポリイミド等の有機膜７６を塗布し、セルフパターンニングで突起部１７Ｂ上の有機膜７６を除去し、焼成して配向膜１６を形成する。
【００１４】
以上の説明では、共通電極１３はアレイ基板１０に配置されているが、これに限定されるものではなく、対向基板２０に配置してもよい。この場合、共通電極１３はオーバコート膜２４の上（液晶層３０側）に形成する。
【００１５】
以下の実施例は透過型の表示装置について説明するが、それに限定されるものではなく、透過・反射型および反射型の表示装置にも適用することができる。
【実施例】
【００１６】
実施例に係る表示装置について、図３から図５、図１６から図１９を用いて説明する。
図１６は実施例に係る表示装置の平面図である。図１７は図１６のＡ−Ａ’線における断面図である。図１８は実施例に係る表示装置のアレイ基板を説明する図である。図１９は、図１８に示した表示装置における１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
図１６および図１７に示すように、実施例に係る表示装置１００は表示パネル１とドライバＩＣ２とバックライト３とを備える。表示パネル１は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、アレイ基板１０と対向基板２０との間に封入される液晶材料３０と、を備える。アレイ基板１０と対向基板２０とは、表示領域ＤＡを囲む環状のシール材４０で接着されており、液晶材料３０は、アレイ基板１０、対向基板２０、およびシール材４０で囲まれた空間に密封されている。また、アレイ基板１０および対向基板２０の外側を向いた面、すなわち液晶材料３０と対向する面の裏面には、それぞれ、下偏光板５０Ａおよび上偏光板５０Ｂが設けられている。また、表示領域ＤＡは、たとえば、マトリクス状に配置された複数個の画素の集合で構成されている。
アレイ基板１０はドライバＩＣ２とゲート走査回路ＧＣと複数本の走査信号線ＧＬと複数本の映像信号線ＳＬを有する。ドライバＩＣ２は１つのシリコン基板上にＣＭＯＳ回路で構成され、アレイ基板１０にＣＯＧ実装されている。ゲート走査回路ＧＣはアレイ基板１０上に薄膜トランジスタで形成されている。複数本の走査信号線ＧＬは、ゲート走査回路ＧＣから走査信号が入力される信号線であり、複数本の映像信号線ＳＬは、ドライバＩＣ２から映像信号が入力される信号線である。また、走査信号線ＧＬと映像信号線ＳＬは、絶縁層を介して形成されており、１本の映像信号線ＳＬは、前記絶縁層を介して複数本の走査信号線ＧＬと立体的に交差している。なお、図１８では、左右両方のゲート走査回路ＧＣが走査信号線ＧＬを両側駆動するようになっているが、左右のゲート走査回路ＧＣが片側ずつ交互に走査信号線ＧＬを駆動するようにしてもよい。
また、図１８では省略しているが、表示領域ＤＡを構成する各画素には、ＴＦＴ素子が配置されている。ＴＦＴ素子が、１つの画素に対して１個の割合で配置される場合、たとえば、図１９に示すように、隣接する２本の走査信号線ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１（ｎは１より大きい整数）と、隣接する２本の映像信号線ＳＬｍ，ＳＬｍ＋１（ｍは１より大きい整数）とで囲まれる領域（画素）に対して配置されるＴＦＴ素子Ｔｒは、ゲート電極Ｇが走査信号線ＧＬｎに接続し、ソースＳ電極が映像信号線ＳＬｍに接続している。また、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極Ｄは、画素電極ＰＸに接続している。画素電極ＰＸは、共通電極ＣＴ（対向電極と呼ぶこともある）および液晶層３０と画素容量（液晶容量と呼ぶこともある）Ｃｌｃを形成している。なお、本実施例では、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極とソース電極について、映像信号線ＳＬに接続している方をソース電極と呼び、画素電極ＰＸに接続している方をドレイン電極と呼んでいるが、この逆、すなわち、映像信号線ＳＬに接続しているほうをドレイン電極と呼び、画素電極ＰＸに接続しているほうをソース電極と呼ぶこともある。
【００１７】
アレイ基板１０は、ガラス基板などの光透過率が高い第１の絶縁基板（不図示）の表面上に、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層（不図示）、第１の絶縁層（不図示）、複数本の走査信号線ＧＬ、第２の絶縁膜（不図示）、複数本の映像信号線ＳＬ、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極Ｄおよびソース電極Ｓ、第３の絶縁膜１２、共通電極１３（ＣＴ）、第４の絶縁層１４、画素電極１５（ＰＸ）、配向膜１６が積層配置されている。
ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層は、例えばアモルファスシリコンなどの非晶質半導体または多結晶シリコンなどの多結晶半導体で形成されている。第１の絶縁層は、例えばＳｉＯ２膜（シリコン酸化膜）で形成されており、ＴＦＴ素子Ｔｒのゲート絶縁膜としての機能を有し、第１の絶縁基板の表面全体に形成されている。第２の絶縁層は、例えばＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜などで形成されており、第１の絶縁基板の表面全体に形成されている。複数本の映像信号線ＳＬ、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極Ｄおよびソース電極Ｓは、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層などが形成された第２の絶縁層の表面に形成されている。また、複数本の走査信号線ＧＬおよび複数本の映像信号線ＳＬは、例えばアルミニウム膜などの導電膜で形成されている。
第３の絶縁膜１２は、例えば、感光性樹脂膜で形成されており、平坦化膜の機能を有し、第１の絶縁基板の表面全体に形成されている。共通電極１３（ＣＴ）は、例えばＩＴＯ膜などの光透過率が高い導電膜で第３の絶縁膜１２の表面に形成されている。第４の絶縁膜１４は、例えばＳｉＮ膜で形成されている。画素電極１５（ＰＸ）は、例えばＩＴＯ膜などの光透過率が高い導電膜で第４の絶縁層１４の表面に形成されており、コンタクトホールＣＨによってドレイン電極Ｄと接続している。また、画素電極１５（ＰＸ）と共通電極１３（ＣＴ）は、液晶材料３０の液晶分子を駆動させる電界を制御するための電極であり、第１の絶縁基板からみて上層にある画素電極１５（ＰＸ）の平面形状は、例えば共通電極１３（ＣＴ）と平面でみて重なる領域にスリット（開口部）を有する形状になっている。配向膜１６は、例えばポリイミド膜で形成されており、第１の絶縁基板の表面の最上層、言い換えると、第４の絶縁層１４の表面（画素電極ＰＸが形成されている面）の上に配置（形成）される。配向膜１６は、ラビング配向および光配向のいずれであってもよい。
【００１８】
一方、対向基板２０のガラス基板などの光透過率が高い絶縁基板（不図示）の表面（アレイ基板１０に対向する面）には、遮光膜２２、カラーフィルタ２３、オーバコート膜２４、スペーサ２５、および配向膜２６などが設けられている。
遮光膜２２は、例えば黒色樹脂などの光透過率がほぼ０である材料を用いて形成されており、その平面形状は、例えば表示領域ＤＡを画素ごとに分割するような網目状になっている。
カラーフィルタ２３は、表示パネル１がカラー表示に対応したものである場合に設けられるフィルタである。１つの画素は、例えば副画素と呼ばれ、走査信号線ＧＬの延在方向に並んだ３つの副画素により映像または画像の１ドットが構成される。またこのとき、映像または画像の１ドットを構成する３つのサブ画素は、例えば、赤色のカラーフィルタが設けられた副画素と、緑色のカラーフィルタが設けられた副画素と、青色のカラーフィルタが設けられた副画素からなる。
オーバコート膜２４は、例えば、第２の絶縁基板の遮光膜２２およびカラーフィルタ２３が形成された面の表面を平坦にするための膜である。
スペーサ２５は、例えば、アレイ基板１０と対向基板２０を重ね合わせたときに表示領域ＤＡの各点における両基板の距離、言い換えると、各画素の光が透過する領域における液晶材料３０の厚さが均一になるようにするためのものである。このとき、スペーサ２５は、例えば感光性樹脂膜を部分的に露光、現像して形成された円錐台形または柱状の突起（円錐台状スペーサまたは柱状スペーサまたはフォトスペーサともいう。）であり、第２の絶縁基板からみた頂上部分が概ね平坦な面になっている。また、図３に示すように、スペーサ接触領域ＳＣＡは、副画素間の映像信号線ＳＬ上に配置される。映像信号線ＳＬは図３のＢ−Ｂ’線に沿った方向に延在し、走査信号線ＧＬは図３のＡ−Ａ’線に沿った方向に延在する。
配向膜２６は、たとえば、ポリイミド膜で形成されており、第２の絶縁基板の表面の最上層、言い換えると、オーバコート膜２４の表面（スペーサが形成されている面）の上に配置（形成）される。配向膜２６は、ラビング配向および光配向のいずれであってもよい。
【００１９】
アレイ基板１０のスペーサ領域ＳＣＡには、図４および図５に示すように、ＩＴＯ膜１５が配置されており、配向膜１６が形成されていない。また、スペーサ２５のアレイ基板１０に対向する面には、ＩＴＯ膜２７が配置されており、配向膜２６は形成されていない。アレイ基板１０の配向膜１６および対向基板２０の配向膜２６は、それぞれ、第１の絶縁基板の表面および第２の絶縁基板の表面の最上層に形成されている。しかし、スペーサ２５の頂上部分およびスペーサ２５がアレイ基板２０との接触する部分には配向膜１６、２６が形成されていない。したがって、例えば、表示パネル１の曲げ変形などによりアレイ基板１０と対向基板２０のスペーサ２５との接触部分で摩擦が生じても、その摩擦により当該接触部分において配向膜が剥がれ、液晶層３０中の異物になることがない。そして、液晶層３０中に剥がれた配向膜がないので、その周辺における液晶分子の配向に乱れが生じ、表示品質が低下するという問題が発生しない。なお、アレイ基板１０に代えて変形例１に係るアレイ基板１０Ａまたは変形例２に係るアレイ基板１０Ｂを用いてもよい。
【符号の説明】
【００２０】
１・・・表示パネル
２・・・ドライバＩＣ
３・・・バックライト
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｒ・・・アレイ基板
１２・・・絶縁膜
１３・・・共通電極
１４・・・層間絶縁膜
１５・・・画素電極
１６・・・配向膜
１７、１７Ａ、１７Ｂ・・・突起部
２０、２０Ｒ・・・対向基板
２２・・・遮光膜
２３・・・カラーフィルタ
２４・・・オーバコート膜
２５・・・スペーサ
２６・・・配向膜
２７・・・ＩＴＯ膜
３０・・・液晶層
４０・・・シール材
５０Ａ、５０Ｂ・・・偏光板
６０・・・マスク
６１・・・透過部
６２・・・半透過部
６３・・・遮光部
７２・・・感光性樹脂膜
７３・・・ＩＴＯ膜
７４・・・ＳｉＮ膜
７５・・・ＩＴＯ膜
７６・・・有機膜
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｒ・・・表示装置
ＣＨ、ＣＨ１、ＣＨ２・・・コンタクトホール
ＳＣＡ・・・スペーサ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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