(57)【要約】      （修正有）【課題】引き出し配線の影響により接合部の表面に凹凸があっても、接合強度の高い封止構造を備えた表示装置を提供する。【解決手段】表示領域に設けられた発光素子、発光素子を発光させるための信号を供給する複数の配線１４、および、配線の少なくとも一部を覆い、表示領域の周囲の接合領域に形成された第１接合部１２が設けられた第１基板１００と、第１接合部と接合する第２接合部２２、および、第１接合部に覆われた部分の複数の配線間に対応した位置に設けられ、少なくとも一部が第２接合部に覆われた凸状構造２４が設けられた第２基板２００と、を備え、第１接合部と第２接合部とは、少なくとも、配線に対応した波状の表面と凸状構造に対応した波状の表面とが接合された部分を有する表示装置。【選択図】図７
2015109241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に設けられた発光素子、発光素子を発光させるための信号を供給する複数の配線、および、前記配線の少なくとも一部を覆い、前記表示領域の周囲の接合領域に形成された第１接合部が設けられた第１基板と、
前記第１接合部と接合する第２接合部、および、前記第１接合部に覆われた部分の前記複数の配線間に対応した位置に設けられ、少なくとも一部が前記第２接合部に覆われた凸状構造が設けられた第２基板と、
を備え、
前記第１接合部と前記第２接合部とは、少なくとも、前記配線に対応した波状の表面と前記凸状構造に対応した波状の表面とが接合された部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記凸状構造は、前記配線、前記発光素子または前記発光素子を駆動する画素回路に含まれる材料と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１接合部と前記第２接合部とは、表面活性化接合方法により接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子が設けられた基板と他の基板とを接合して、発光素子が存在する空間を封止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬなどの発光素子を用いた表示装置が開発されている。このような発光素子は、水分や酸素との接触により発光寿命が短くなる。そのため、発光素子が存在する空間を封止して、外気の影響を受けないようにする必要がある。そのため、例えば特許文献１〜３に開示されているように、様々な封止技術が検討されている。また、封止するときに表面活性化を用いた常温での接合を用いる技術が、例えば特許文献４に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１８２７５９号公報
【特許文献２】特開平９−７７６３号公報
【特許文献３】特開平１０−１７２７５７号公報
【特許文献４】特開２００４−１５２６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表面活性化を用いた接合においては、接合表面が平坦であることが望ましい。表示装置においては発光素子を発光させるための各種信号を供給する配線は、封止された空間内部から外部に引き出されなくてはならない。そのため、接合部と基板との間に配線が存在することになり、配線を覆う部分においては配線有無による段差の影響を受けて接合部表面に凹凸が生じる場合がある。この凹凸により未接合部分が生じたり、接合強度が弱い部分が生じたりして、封止内部への水分や酸素の侵入を許してしまう場合があった。
【０００５】
本発明の目的の一つは、引き出し配線の影響により接合部の表面に凹凸があっても、接合強度を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によると、表示領域に設けられた発光素子、発光素子を発光させるための信号を供給する複数の配線、および、前記配線の少なくとも一部を覆い、前記表示領域の周囲の接合領域に形成された第１接合部が設けられた第１基板と、前記第１接合部と接合する第２接合部、および、前記第１接合部に覆われた部分の前記複数の配線間に対応した位置に設けられ、少なくとも一部が前記第２接合部に覆われた凸状構造が設けられた第２基板と、を備え、前記第１接合部と前記第２接合部とは、少なくとも、前記配線に対応した波状の表面と前記凸状構造に対応した波状の表面とが接合された部分を有することを特徴とする表示装置が提供される。
【０００７】
この表示装置によれば、引き出し配線の影響により接合部の表面に凹凸があっても、接合強度を高めることができる。
【０００８】
また、別の好ましい態様において、前記凸状構造は、前記配線、前記発光素子または前記発光素子を駆動する画素回路に含まれる材料と同じ材料で形成されていてもよい。
【０００９】
この表示装置によれば、製造コストを低減することができる。
【００１０】
また、別の好ましい態様において、前記第１接合部と前記第２接合部とは、表面活性化接合方法により接合されていてもよい。
【００１１】
この表示装置によれば、接合強度を高めることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、引き出し配線の影響により接合部の表面に凹凸があっても、接合強度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態における接合装置の第１台座１０００に固定された第１基板１００の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態における接合装置の第２台座２０００に固定された第２基板２００の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の一実施形態における第１基板１００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。
【図４】本発明の一実施形態における第２基板２００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。
【図５】本発明の一実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法および表示装置１を示す断面模式図である。
【図６】本発明の一実施形態における接合部１２と接合部２２との接合部分を拡大した断面模式図である。
【図７】本発明の一実施形態における接合部１２、２２の接合表面の形状を説明する図である。
【図８】従来技術における接合部１２、２２の接合面の形状を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。また、基板上に形成される、とは、基板に接触して形成される場合だけでなく、基板との間に他の構成を挟んで形成される場合を含む。
【００１５】
＜実施形態＞
本発明の一実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
［概要］
本発明は、表示領域に発光素子が設けられた第１基板と、第２基板とを接合することによって、発光素子が設けられた空間を封止することによって表示装置を製造する。第１基板と第２基板とは表示領域の周囲に形成された接合部を介して接合される。この接合は、接合部の表面が活性化されることによる表面活性化接合方法によって実現される。この際、接合装置が、第１台座に固定した第１基板と、第２台座に固定した第２基板とを合わせる方向に圧力を加えることによって接合する。以下、第１基板、第２基板および表示装置の構成を詳細に説明する。また、これらの製造方法および接合方法等についても詳細に説明する。
【００１７】
［第１基板］
図１は、本発明の一実施形態における接合装置の第１台座１０００に固定された第１基板１００の構成を示す概略図である。第１基板１００は、表示領域ＤＡに発光部１０が設けられている。発光部１０は、例えば、有機ＥＬ素子等の発光素子を含む。表示領域ＤＡの周囲には、接合部１２が設けられている。また表示領域ＤＡの周囲には発光部１０を駆動するためのデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路（図示せず）が配置されている。駆動回路等へ表示装置１の外部から信号および電力の供給を行うための引き出し配線（以下、配線１４という）が設けられている。配線１４は、接合部１２が表示領域ＤＡの周りを囲んでいることから、接合部１２によってその一部が覆われている。そのため、接合部１２の表面は、配線１４の形状の影響を受けて波状になっており、凹凸が形成されている。
【００１８】
第１基板１００は、第２基板２００と接合するときには、接合装置の第１台座１０００に固定される。このとき、第１基板１００は、第１台座１０００における凸部１１００と接触している。凸部１１００は、第１基板１００を第１台座１０００に固定したときに、表示領域ＤＡの周囲で第１基板１００と接触する。この例では、凸部１１００は、接合部１２が設けられた位置を含む範囲で第１基板１００と接触する。
【００１９】
凸部１１００は、表示領域ＤＡの周囲に設けられるため、第１台座１０００において表示領域ＤＡに対応する部分には、凹部が形成されることとなる。そのため、第１台座１０００が第１基板１００を固定している状態では、その凹部の存在で第１台座１０００と第１基板１００との間に空間ＳＰが形成される。なお、凸部１１００は、第１台座１０００から突出するように形成されているが、第１基板１００を固定しているときに表示領域ＤＡに対応する部分に空間ＳＰを形成できればよい。そのため、接合領域ＣＡの外側部分についても第１基板１００と第１台座１０００が接触するように、凸部１１００に代えて段差部が配置されるようにしてもよい。この場合、第１台座１０００の空間ＳＰに対応する部分に凹部が配置されていることになる。また、空間ＳＰが形成されないように第１台座１０００が形成されていてもよい。すなわち、凸部１１００が存在しなくてもよい。
【００２０】
［第２基板］
図２は、本発明の一実施形態における接合装置の第２台座２０００に固定された第２基板２００の構成を示す概略図である。第２基板２００は、表示領域ＤＡの周囲に接合部２２が設けられている。また、第１基板１００と第２基板２００とを接合部を介して接合した場合に、配線１４に対応する位置（複数の配線１４の間のスペース部分に対応する位置）にダミー配線２４（凸状構造）が設けられている（図７参照）。ダミー配線２４は、接合部２４によって少なくとも一部が覆われている。そのため、接合部２２の表面は、ダミー配線２４の形状の影響を受けて波状になっており、凹凸が形成されている。なお、図２に示すとおり、ダミー配線２４は、接合部２４を横切るように配置されていることが望ましい。
【００２１】
第２基板２００は、第１基板１００と接合するときには、接合装置の第２台座２０００に固定される。このとき、第２基板２００は、第２台座２０００における凸部２１００と接触している。凸部２１００は、第２基板２００を第２台座２０００に固定したときに、表示領域ＤＡの周囲で第２基板２００と接触する。この例では、凸部２１００は、接合部２２が設けられた位置を含む範囲で第２基板２００と接触する。
【００２２】
凸部２１００は、表示領域ＤＡの周囲に設けられるため、第２台座２０００において表示領域ＤＡに対応する部分には、凹部が形成されることとなる。そのため、第２台座２０００が第２基板２００を固定している状態では、その凹部の存在で第２台座２０００と第２基板２００との間に空間ＳＰが形成される。なお、凸部２１００は、第２台座２０００から突出するように形成されているが、第２基板２００を固定しているときに表示領域ＤＡに対応する部分に空間ＳＰを形成できればよい。そのため、接合領域ＣＡの外側部分についても第２基板２００と第２台座２０００が接触するように、凸部２１００に代えて段差部が配置されるようにしてもよい。この場合、第２台座２０００の空間ＳＰに対応する部分に凹部が配置されていることになる。また、空間ＳＰが形成されないように第２台座２０００が形成されていてもよい。すなわち、凸部２１００が存在しなくてもよい。
【００２３】
続いて、第１基板１００に形成される構成の製造方法、および第２基板２００に形成される構成の製造工程をそれぞれ、図３、４を用いて説明する。
【００２４】
［第１基板側の製造方法］
図３は、本発明の一実施形態における第１基板１００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。図３（ａ）〜（ｄ）は、第１基板１００が図１に示す状態になるまでの製造工程を順に説明する図であり、図１におけるＡ−Ａ’方向に見た断面を模式的に表した図である。
【００２５】
図３（ａ）に示す第１基板１００は、例えば、ガラス基板等である。図３（ｂ）に示すように、第１基板１００上には、発光部１０および配線１４が形成される。発光部１０は、有機ＥＬ素子、低温ポリシリコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等により形成され有機ＥＬ素子に供給する電流を制御する画素回路、および周辺回路と画素回路とを接続する配線等を含む。有機ＥＬ素子および画素回路は、各画素に対応して設けられている。画素回路を駆動する上述した周辺回路（図示せず）は、表示領域ＤＡの外側に形成される。なお、周辺回路は、表示領域ＤＡと接合部１２との間に形成されることが望ましいが、一部が接合部１２と重なる位置に形成されていてもよいし、さらに接合部１２の外側に形成されていてもよい。
【００２６】
発光部１０を形成する方法は、ＴＦＴおよびこれにより駆動される有機ＥＬ素子の一般的な製造方法を用いればよいが、一例を以下に説明する。
【００２７】
まず、第１基板１００（ガラス基板）上のＴＦＴが形成される島状の領域に、ポリシリコンからなる活性領域が形成される。このポリシリコン活性領域は、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法等を用いてアモルファス・シリコンを成膜し、これをＲＴＡ（急速熱アニール）、ＥＬＡ（エキシマレーザアニール）などの方法でポリシリコン化し、これをパターニングすることによって形成する。
【００２８】
ポリシリコン上には、一面に、ゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜はＣＶＤ法により形成された酸化シリコンや窒化シリコンから形成される。ゲート絶縁膜上の、ＴＦＴ領域の一部には、ゲート電極が形成される。このゲート電極は、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｗ、もしくはこれらを含む合金等の金属薄膜をパターニングすることによって形成される。
【００２９】
ゲート絶縁膜及びゲート電極上には、絶縁膜が形成される。絶縁膜は、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコンや窒化シリコンから形成され、上記のポリシリコンに通じるコンタクトホールが開口される。そして、このコンタクトホールを通じてソース・ドレイン配線を接続する。これらの配線についても、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｗ、もしくはこれらを含む合金等の金属薄膜をパターニングすることによって形成される。配線１４についても、これらの配線とともに形成されてもよい。絶縁膜及び配線上には、これらを覆う絶縁膜がさらに形成される。絶縁膜は、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコンや窒化シリコンから形成される。
【００３０】
次に、上記ＴＦＴと電気的に接続される陽極を形成する。陽極下であって上記絶縁膜上には、Ａｇ等から形成される反射電極が形成されていてもよい。陽極は、ＴＦＴ上の絶縁膜及び反射電極等を貫通して形成されたコンタクトホールによって、第１基板１００に形成されたＴＦＴと電気的に接続される。陽極は、比較的仕事関数の大きい金属である、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ、ＭｏＯ３等で形成する。
【００３１】
次に、各画素領域を分離する隔壁を形成して陽極をそれぞれ露出する。前記隔壁は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機絶縁膜であり、スリットコーティングなどの方法で形成されてもよい。また、有機絶縁膜の代わりに、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等からなる群から選択される１つ以上の無機絶縁膜で形成してもよい。これらの材料からなる絶縁膜を形成した後、表面にレジストをコーティングし、そのレジストを選択的に露光することによってパターン形成をし、このレジストをマスクにしてエッチングをすることによって各画素領域を分離する前記隔壁を形成する。
【００３２】
続いて、前記隔壁で区画された陽極上に有機ＥＬ層を形成する。有機ＥＬ層の構成は、陽極上に、ホール注入層（ＨＩＬ）、ホール輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、陰極がそれぞれ順番に形成されたものであってもよい。以上が、発光部１０の製造方法の一例である。
【００３３】
続いて、図３（ｃ）に示すように、接合部１２を表示領域ＤＡの周囲に形成する。接合部１２は、上記の発光部１０の製造方法で説明した隔壁と同様に、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテンおよびフェノール樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機絶縁膜であってもよいし、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等からなる群から選択される１つ以上の無機絶縁膜であってもよい。このとき、配線１４の一部を覆っているため、接合部１２の表面は波状に形成されている（図７参照）。接合部１２と隔壁とを同じ材料で形成する場合には、同層で形成されていてもよい。この場合には、発光部１０の製造過程において、接合部１２も形成される。
【００３４】
図３（ｄ）に示すように、接合部１２が形成された後、第１基板１００を第１台座１０００に固定する。このとき、第１台座１０００の凸部１１００と第１基板１００とが接触する。そして、第１台座１０００と第１基板１００との間には空間ＳＰが形成される。なお、図３（ｄ）に示す接合領域ＣＡは、第１基板１００と第２基板２００とを接合するときに、第２基板２００（接合部２２）と接触して接合する部分である。後述するように、接合部１２のうち少なくとも接合領域ＣＡの部分は活性化される。
【００３５】
［第２基板側の製造方法］
図４は、本発明の一実施形態における第２基板２００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。図４（ａ）〜（ｃ）は、第２基板２００が図２に示す状態になるまでの製造工程を順に説明する図であり、図２におけるＢ−Ｂ’方向に見た断面を模式的に表した図である。
【００３６】
図４（ａ）に示す第２基板２００は、例えば、ガラス基板等である。図４（ｂ）に示すように、ダミー配線２４、およびダミー配線２４の少なくとも一部を覆い、第２基板２００上に表示領域ＤＡの周囲に接合部２２を形成する。
【００３７】
ダミー配線２４は、上述した配線１４と同じ材料で形成されている。なお、ダミー配線２４は、配線１４とは異なる材料で形成されていてもよい。また、配線２４は、導電性を有する材料でなく絶縁性を有する材料で形成されていてもよい。また、配線２４は複数の材料を積層して形成されていてもよい。このように、ダミー配線２４は凸状構造を有していれば金属配線でなくてもよい。
【００３８】
接合部１２と同様に、接合部２２は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及およびフェノール樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機絶縁膜であってもよいし、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等からなる群から選択される１つ以上の無機絶縁膜であってもよい。このとき、ダミー配線２４の一部を覆っているため、接合部２２の表面は波状に形成されている（図７参照）。
【００３９】
図４（ｃ）に示すように、接合部２２が形成された後、第２基板２００を第２台座２０００に固定する。このとき、第２台座２０００の凸部２１００と第２基板２００とが接触する。そして、第２台座２０００と第２基板２００との間には空間ＳＰが形成される。なお、図４（ｃ）に示す接合領域ＣＡは、第１基板１００と第２基板２００とを接合するときに、第１基板１００（接合部１２）と接触して接合する部分である。後述するように、接合部２２のうち少なくとも接合領域ＣＡの部分は活性化される。
【００４０】
続いて、第１基板１００と第２基板２００とを接合させる工程について説明する。第１台座１０００に固定された第１基板１００、および第２台座２０００に固定された第２基板２００を真空チャンバー内に設置して、真空チャンバー内を減圧する。通常、１０−６Ｐａ程度まで減圧するが、以下に説明するとおり、イオンビーム等の照射により真空度が低下し、１０−２Ｐａ程度に維持される。
【００４１】
続いて、第１基板１００および第２基板２００の接合面側を室温で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビーム（エネルギー粒子）で１０秒から１８００秒、特に好ましくは１０秒から３０秒照射してスパッタエッチング、表面活性化を行う。元素イオンあるいは元素の中性原子で接合面に照射して衝突させて接合面の表面皮膜を取り除き、接合面が清浄化される。この不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームのビームソースの印加電圧とプラズマ電流は、使用するビーム源に大きく依存するが、例えば０．１ｋＶ〜３．０ｋＶ及び１ｍＡ〜５０ｍＡである。このとき、表面活性化を行う領域は、基板の全領域でもよいが、少なくとも接合領域ＣＡに対して選択的に行ってもよい。選択的に行う際には、少なくとも表示領域ＤＡについてはマスクすることによって表面活性化が行われないようにしてもよい。
【００４２】
なお、表面活性化については、別の方法を用いてもよい。基板表面の接合領域を活性化処理した後、不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームを用いてエネルギー粒子や金属粒子を含む放射粒子を、基板上に照射する。このとき、上述の例と同様に、こ照射領域は、基板の全領域でもよいが、少なくとも接合領域ＣＡに対して選択的に行ってもよい。選択的に行う際には、少なくとも表示領域ＤＡについてはマスクすることによって各粒子が照射されないようにしてもよい。
【００４３】
この金属粒子は、好ましくは遷移金属であり、さらに好ましくは鉄である。エネルギー粒子および金属粒子の両方を放射する粒子源（エネルギー粒子源兼金属粒子源）は、いくつかの構成を取り得る。例えば、エネルギー粒子および金属粒子の両方を放出する、この種の粒子源は、不活性粒子（アルゴン）のプラズマを発生し、このプラズマに電界Ｅを掛けることで、プラズマ不活性粒子を電界方向へ加速し、不活性粒子を含むエネルギー粒子の放射を生成する。粒子源内において、不活性粒子（アルゴン）のプラズマが発生する領域（以下プラズマ空間という）に、所望の金属を含む金属体を配置することで、当該プラズマ由来のエネルギー粒子により金属体から金属粒子が放出され、放射粒子の一部となる。この金属体は、プラズマ空間に出入り可能になっている。この構成の粒子源は、動作モードの選択により、プラズマ空間外の退却位置に金属体が移動させられたときは、主としてエネルギー粒子を放射する粒子源として機能し、プラズマ空間内の進出位置に金属体が移動させられたときは、エネルギー粒子とともに金属粒子を放射する粒子源として機能する。
【００４４】
その後、基板上の接合界面の金属表面を室温で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビーム（エネルギー粒子）でスパッタエッチング、表面活性化を行う。このような方法により、表面活性化が実施された後に、第１基板１００と第２基板２００とを接合させる。
【００４５】
［接合方法］
図５は、本発明の一実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法および表示装置１を示す断面模式図である。図５（ａ）に示すように、第１台座１０００に固定された第１基板１００と、第２台座２０００に固定された第２基板２００とを対向させて、近づけていく。図５においては便宜上、第２台座２０００の方を移動させるように記載したが、相対的に近づけるのであれば、第１台座１０００を移動させてもよいし、第１台座１０００および第２台座２０００の双方を移動させてもよい。
【００４６】
図５（ｂ）のように接合領域ＣＡにおいて接合部１２および接合部２２を接触させて、さらに、第１台座１０００と第２台座２０００とを近づけるようにして圧力を加えていく。ここで、圧力は、基板サイズが６ｉｎｃｈであれば、１ｋ〜２０ｋＮ程度で加えられる。加圧の時間は、１〜６００秒程度であることが好ましい。これによって第１基板１００と第２基板２００とは接合部１２、２２を介して接合される。
【００４７】
このとき、表示領域ＤＡにおいて台座と基板が接触せず、接合領域ＣＡ近傍において圧力が集中するため、効率的に接合部１２、２２に圧力を加えることができる。したがって、基板全体に圧力を加える場合よりも少ない圧力で加圧することもできる。また、接合部１２、２２以外の場所での誤接合の抑制、加圧時間の短縮等を実現することもできる。
【００４８】
なお、接合部１２、２２の少なくとも接合面（接合領域ＣＡ）には、密着性の観点で、ＳｉＯ２などの酸化膜が形成されていることが好ましい。更に、軟質材（Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕ）をコーティングすることがより好ましい。
【００４９】
このように、接合装置によって上述した接合方法によって第１基板１００と第２基板２００とが接合部１２、２２を介して接合される。そして、接合装置から取り出されると、図５（ｃ）に示すように、第１基板１００と第２基板２００とが接合部１２、２２を介して接合された表示装置１が得られる。
【００５０】
図６は、本発明の一実施形態における接合部１２と接合部２２との接合部分（図５（ｃ）に示す範囲Ｓ）を拡大した断面模式図である。図７は、本発明の一実施形態における接合部１２、２２の接合表面の形状を説明する図である。図７（ｂ）は、図６に示すＡＲ方向に接合部１２、２２を見た場合の図に対応する。図７（ｂ）は接合部１２、２２が接合された状態を示しているが、図７（ａ）は接合部１２、２２について、便宜的に接合前の状態を示した図である。
【００５１】
図６、図７に示すように、配線１４およびダミー配線２４の存在により、接合部１２、２２の接合表面は、波状になっている。接合させるときには、配線１４とダミー配線２４とは互い違いに配列されている。具体的には、図７（ｂ）に示すように、配線１４の線幅Ｌ１とダミー配線２４のスペース幅Ｓ２とが対応し、配線１４のスペース幅Ｓ１とダミー配線２４の線幅Ｌ２とが対応している。ここでいう「対応している」とは、幅だけでなく、位置も含む概念である。この例では、図７（ｂ）に示すように、Ｌ１＝Ｓ２、Ｌ２＝Ｓ１であり、配線１４の間の部分に対応して、ダミー配線２４が形成されている。なお、幅に関しては必ずしも一致していなくてもよい。すなわち、Ｌ１＝Ｓ２、Ｌ２＝Ｓ１の関係でなくてもよいが、接合部１２、２２の波状の表面がかみ合うように、Ｌ１、Ｓ１、Ｌ２、Ｓ２の関係、および配線１４とダミー配線２４との相対的な位置が調整されればよい。
【００５２】
このような位置関係で配線１４とダミー配線２４とが配置されているため、これらの影響を受けて、接合部１２の波状の表面形状と、接合部２２の波状の表面形状とは、かみ合うように形成される。すなわち、接合部１２の凹部は接合部２２の凸部と接合し、接合部１２の凸部は接合部２２の凹部と接合するようになる。従来技術のようにダミー配線２４が存在しない場合について、図８を用いて説明する。
【００５３】
図８は、従来技術における接合部１２、２２の接合面の形状を説明する図である。図８に示すようにダミー配線２４が存在しない場合、接合部２２の表面は波状にならず平坦である。そのため、接合部１２の波状の表面とはかみ合わず、空間ＨＰが生じてしまう。接合時の圧力を強くすることにより、接合部１２、２２を変形させて接合することが可能である。しかしながら、空間ＨＰが存在していた部分は接合強度が弱くなり、十分な接合状態が保たつためには非常に大きな圧力をかけておく必要がある。もし、接合強度が弱く、その部分が剥がれてしまうと、最終的には空間ＨＰが発光素子の存在する空間と外部空間とを連通することになり、封止効果が失われてしまう。
【００５４】
一方、本発明の一実施形態のように、接合部１２、２２の接合面がかみ合うような形状にすることによって、これらの表面を活性化して接合するときに、これらがかみ合うことで凹凸の影響を抑制することができ、接合強度を向上させることができる。このようにして発光素子が設けられた空間を封止することにより、有機ＥＬ素子等の発光素子への水分および酸素の影響を抑制することができる。
【００５５】
＜複数表示装置の同時接合＞
上述した実施形態においては、１つの表示装置１を製造する場合の接合方法を例として説明したが、複数の表示装置１をまとめて形成するための第１基板１００および第２基板２００を用いて、第１基板１００と第２基板２００とを接合部を介してまとめて接合してもよい。そして、各表示装置１を分離する処理をすればよい。
【００５６】
空間ＳＰが形成されるようにする場合には、各基板を台座に固定したときに各表示装置１に対応する表示領域ＤＡにおいて，台座と基板との間に空間ＳＰが形成されるように、各台座が形成された接合装置を用いればよい。
【符号の説明】
【００５７】
１…表示装置、１０…発光部、１２…接合部、１４…配線、２２…接合部、２４…ダミー配線、１００…第１基板、２００…第２基板、１０００…第１台座、１１００…凸部、２０００…第２台座、２１００…凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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