(57)【要約】【課題】画素間の間隔を減少させつつ、有機発光層の他画素への侵入を防止することが可能な有機発光表示装置及び有機発光表示装置製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に配置され、複数の画素が定義される複数の開口部が形成された画素定義膜と、前記画素定義膜上に配置されるスペーサを含み、前記複数の画素は互いに異なる色を発光する第１ないし第３画素を含み、前記第１画素及び前記第２画素は行方向に交互に配置され、前記第３画素は行方向に連続的に配置され、前記第１画素及び前記第２画素が交互に配置された行と前記第３画素が連続的に配置された行は列方向に相互隣接し、前記スペーサは二つの前記第３画素の間に配置される有機発光表示装置が提供される。【選択図】図１
2015015241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され、複数の画素が定義される複数の開口部が形成された画素定義膜と、
前記画素定義膜上に配置されるスペーサを含み、
前記複数の画素は互いに異なる色を発光する第１ないし第３画素を含み、
前記第１画素及び前記第２画素は行方向に交互に配置され、
前記第３画素は行方向に連続的に配置され、
前記第１画素及び前記第２画素が交互に配置された行と前記第３画素が連続的に配置された行は列方向に相互隣接し、
前記スペーサは二つの前記第３画素の間に配置される有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１画素及び前記第２画素が交互に配置された行と前記第３画素が連続的に配置された行は交互に配置される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記基板上に配置される第１ないし第３アノード電極に区分される複数のアノード電極と、
前記複数のカソード電極上に配置される有機発光層と、
前記有機発光層上に配置されるカソード電極をさらに含み、
前記第１アノード電極は前記第１画素に配置され、
前記第２アノード電極は前記第２画素に配置され、
前記第３アノード電極は前記第３画素に配置され、
前記複数のカソード電極の一部領域は前記画素定義膜の下部に配置され、
前記スペーサは前記第３電極と重複する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記有機発光層は、
前記第１画素に配置され、第１色の光を放出する第１有機発光層と、
前記第２画素に配置され、第２色の光を放出する第２有機発光層と、
前記第１ないし第３画素に配置され、第３色の光を放出する第３有機発光層を含む請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記画素定義膜の高さは２０００ないし５０００Åであり、
前記スペーサの高さは３０００ないし７０００Åである請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記スペーサと前記第１画素との距離及び前記スペーサと前記第２画素との距離は８μｍ以上である請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記スペーサと前記第３画素との距離は３μｍ以下である請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記画素定義膜と前記スペーサは一体で形成された請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
基板を準備する段階と、
前記基板上に第１ないし第３アノード電極に分けられる複数のアノード電極を形成する段階と、
前記複数の第１電極及び前記基板上に前記複数のアノード電極のそれぞれの一部を上部に露出させる複数の開口部が形成された画素定義膜を形成する段階と、
前記画素定義膜上にスペーサを形成する段階と、
前記第１アノード電極上に第１有機発光層を形成し、前記第２アノード電極上に第２有機発光層を形成する段階と、
前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層上に第３有機発光層を形成する段階と、
前記第３有機発光層上にカソード電極を形成する段階を含み、
前記第１アノード電極及び前記第２アノード電極は行方向に交互に配置され、
前記第３アノード電極は行方向に連続的に配置され、
前記第１画素及び前記第２画素が交互に配置された行と前記第３画素が連続的に配置された行は列方向に相互隣接し、
前記スペーサは行方向に隣接した二つの前記第３電極を上部に露出させる前記開口部の間に配置される有機発光表示装置製造方法。
【請求項１０】
前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層はレーザ転写によって形成される請求項９に記載の有機発光表示装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及び有機発光表示装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＶ及びモニターのような家庭用表示装置だけでなく、ノートブック、携帯電話及びＰＭＰなどの携帯用表示装置の軽量化及び薄型化の傾向につれ、多様なフラットパネル表示装置が広く使用されている。フラットパネル表示装置は画像を表示するための表示パネルを含み、表示パネルの種類によって液晶表示装置、有機発光表示装置及び電気泳動表示装置などに区分される。
【０００３】
有機発光表示装置は、発光素子としてアノード電極、カソード電極及びアノード電極とカソード電極との間に配置された有機発光層を含む有機発光ダイオードを含む。有機発光層はアノード電極とカソード電極に印加される信号に対応して発光することができる。より詳細には、有機発光層はアノード電極とカソード電極に印加される信号に対応して有機発光層に流れる電流に対応する明るさで発光することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機発光表示装置の開口率または解像度を向上させるために画素間の間隔を減少させる必要がある。画素間の間隔が減ると、有効発光面積が増加し、開口率または解像度を増加させるが、一画素内に配置される有機発光層が他の色の隣接した画素の内部に侵入する可能性がある。隣接した他の画素から侵入した有機発光層は画素の色相の変形を誘発し得、有機発光表示装置の表示品質を低下させる。特に、青色画素に緑色または赤色を発光するための有機発光層が侵入する場合、青色画素の色相が変形される。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、画素間の間隔を減少させつつ、有機発光層の他画素への侵入を防止することが可能な、新規かつ改良された有機発光表示装置及び有機発光表示装置製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板と、前記基板上に配置され、複数の画素が定義される複数の開口部が形成された画素定義膜と、前記画素定義膜上に配置されるスペーサを含み、前記複数の画素は互いに異なる色を発光する第１ないし第３画素を含み、前記第１画素及び前記第２画素は行方向に交互に配置され、前記第３画素は行方向に連続的に配置され、前記第１画素及び前記第２画素が交互に配置された行と前記第３画素が連続的に配置された行は列方向に相互隣接し、前記スペーサは二つの前記第３画素の間に配置される有機発光表示装置が提供される。
【０００７】
前記基板上に配置される第１ないし第３アノード電極に区分される複数のアノード電極と、前記複数のカソード電極上に配置される有機発光層と、前記有機発光層上に配置されるカソード電極をさらに含み、前記第１アノード電極は前記第１画素に配置され、前記第２アノード電極は前記第２画素に配置され、前記第３アノード電極は前記第３画素に配置され、前記複数のカソード電極の一部領域は前記画素定義膜の下部に配置され、前記スペーサは前記第３電極と重複してもよい。
【０００８】
前記有機発光層は、前記第１画素に配置され、第１色の光を放出する第１有機発光層と、前記第２画素に配置され、第２色の光を放出する第２有機発光層と、前記第１ないし第３画素に配置され、第３色の光を放出する第３有機発光層を含んでもよい。
【０００９】
前記画素定義膜の高さは２０００ないし５０００Åであり、前記スペーサの高さは３０００ないし７０００Åであってもよい。
【００１０】
前記スペーサと前記第１画素との距離及び前記スペーサと前記第２画素との距離は８μｍ以上であってもよい。
【００１１】
前記スペーサと前記第３画素との距離は３μｍ以下であってもよい。
【００１２】
前記画素定義膜と前記スペーサは一体で形成されていてもよい。
【００１３】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板を準備する段階と、前記基板上に第１ないし第３アノード電極に分けられる複数のアノード電極を形成する段階と、前記複数の第１電極及び前記基板上に前記複数のアノード電極のそれぞれの一部を上部に露出させる複数の開口部が形成された画素定義膜を形成する段階と、前記画素定義膜上にスペーサを形成する段階と、前記第１アノード電極上に第１有機発光層を形成し、前記第２アノード電極上に第２有機発光層を形成する段階と、前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層上に第３有機発光層を形成する段階と、前記第３有機発光層上にカソード電極を形成する段階を含み、前記第１アノード電極及び前記第２アノード電極は行方向に交互に配置され、前記第３アノード電極は行方向に連続的に配置され、前記第１画素及び前記第２画素が交互に配置された行と前記第３画素が連続的に配置された行は列方向に相互隣接し、前記スペーサは行方向に隣接した二つの前記第３電極を上部に露出させる前記開口部の間に配置される有機発光表示装置製造方法が提供される。
【００１４】
前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層はレーザ転写によって形成されてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば、画素間の間隔を減少させつつ、有機発光層の他画素への侵入を防止することが可能な、有機発光表示装置及び有機発光表示装置製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面図である。
【図２】本発明の図１に示す有機発光表示装置をＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示す順序図である。
【図４】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示す順序図である。
【図１３】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【図１４】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示す順序図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
【００１９】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と指称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
【００２０】
第１、第２などが多様な素子、構成要素を叙述するために使用されるが、これら素子、構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得るのは勿論である。
【００２１】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面図である。図２は、本発明の図１に示す有機発光表示装置をＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。図１及び図２を参照すると、有機発光表示装置１は、基板１０、画素定義膜３０及びスペーサＳＰを含む。
【００２３】
基板１０は、基部１１、バッファ層１２、ゲート絶縁膜１３、層間絶縁膜１４のそれぞれが半導体層ＳＭ、ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを含む複数の薄膜トランジスタ及び平坦化膜１５を含む。
【００２４】
基部１１は、絶縁性物質で形成される。例えば、基部１１は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどで形成される。基部１１は平坦な板状であり得る。いくつかの実施形態によれば、基部１１は外力によって容易に曲がれる材質で形成され得る。基部１１は基部１１上に配置された他の構成を支持する。
【００２５】
バッファ層１２は、基部１１上に配置される。バッファ層１２は不純元素の侵入を防止し、基部１１の上部面を平坦化する。バッファ層１２はこのような機能を行うことができる多様な物質で形成される。例えば、バッファ層１２として窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうち何れか一つが使用される。いくつかの実施形態によれば、バッファ層１２は省略され得る。
【００２６】
半導体層ＳＭは、バッファ層１２の上部に配置される。半導体層ＳＭは非晶相ケイ素膜または多結晶ケイ素膜で形成される。いくつかの実施形態によれば、半導体層ＳＭは有機半導体物質で形成される。半導体層ＳＭは不純物がドーピングされていないチャネル領域、チャネル領域の両側に配置され、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄとそれぞれ接触するソース領域及びドレイン領域を含む。
【００２７】
半導体層ＳＭの上部にはゲート絶縁膜１３が配置される。ゲート絶縁膜１３はゲート電極Ｇと半導体層ＳＭを相互絶縁させる。ゲート絶縁膜１３は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成される。
【００２８】
ゲート電極Ｇはゲート絶縁膜１３の上部に配置される。ゲート電極Ｇは半導体層ＳＭの少なくとも一部領域と重なるように配置される。半導体層ＳＭはゲート電極Ｇに印加される電圧によって導電性を有するかまたは非導電性を有する。例えば、ゲート電極Ｇに相対的に高い電圧が印加される場合、半導体層ＳＭが導電性を有し、ドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓが相互電気的に接続されるようにすることができ、ゲート電極Ｇに相対的に低い電圧が印加される場合、半導体層ＳＭが非導電性を有し、ドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓが相互絶縁されるようにすることができる。
【００２９】
ゲート電極Ｇの上部には層間絶縁膜１４が配置される。層間絶縁膜１４はゲート電極Ｇをカバーし、ゲート電極Ｇをソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと絶縁させる。層間絶縁膜１４は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成される。
【００３０】
層間絶縁膜１４の上部にはソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置される。ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは層間絶縁膜１４とゲート絶縁膜１３を貫いて形成された貫通ホールを介してそれぞれ半導体層ＳＭと連結される。
【００３１】
ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、ゲート電極Ｇ及び半導体層ＳＭは、薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタはゲート電極Ｇに印加される電圧によってソース電極Ｓに伝達される信号をドレイン電極Ｄに伝達するかどうかを決定する。
【００３２】
層間絶縁膜１４、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの上部には平坦化膜１５が配置される。平坦化膜１５は平坦化膜１５の上部に配置される後述する有機発光層（４１、４２、４３）の発光効率を向上させるため、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの上部の段差をなくし、平坦な面を形成する。平坦化膜１５は、ポリアクリル係樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンエーテル系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンサルファイド系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、およびベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうち一つ以上の物質で形成される。平坦化膜１５にはビアホールＶが形成され、ビアホールＶを介して後述するアノード電極（２１、２２、２３）はドレイン電極Ｄと接触して電気的に接続される。
【００３３】
基板１０上には画素定義膜３０が配置される。画素定義膜３０には複数の開口部が形成され、複数の開口部のそれぞれの内部領域によって複数の画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）がそれぞれ定義される。有機発光表示装置１の厚さを薄くするため、画素定義膜３０の高さｈ１を低くする必要があるが、画素定義膜３０の高さｈ１が過度に低い場合、一つの画素内に配置される有機発光層が隣接した他の画素に侵入し、有機発光表示装置１の表示品質を低下させるため、画素定義膜３０の高さｈ１は下限が必要である。例えば、画素定義膜３０の高さｈ１は２０００ないし５０００Åである。
【００３４】
複数の画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）は、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３を含む。第１ないし第３画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）はそれぞれ互い異なる色の画素である。例えば、第１画素Ｐ１は赤色画素であり、第２画素Ｐ２画素は緑色画素であり、第３画素Ｐ３は青色画素である。第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２は行方向に交互に配置される。第３画素Ｐ３は行方向に連続的に配置される。第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２が交互に配置された行と、第３画素Ｐ３が連続的に配置された行は列方向に互いに隣接するように配置される。第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２が交互に配置された行と、第３画素Ｐ３が連続的に配置された行は列方向に交互に配置される。
【００３５】
スペーサＳＰは画素定義膜３０と実質的に同じ物質で形成されるが、必ずこれに限定されない。スペーサＳＰは画素定義膜３０上に配置される。スペーサＳＰは相互隣接した二つの第３画素Ｐ３の間に配置される。レーザ転写によって第１有機層４１または第２有機層４２を形成する際、スペーサＳＰが配置された領域はスペーサＳＰが配置されていない領域に比べて上部にさらに突出する。したがって、スペーサＳＰから隣接した第３画素Ｐ３のドナーフィルムとの距離は第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２とドナーフィルムとの距離より長くなる。したがって、第１画素Ｐ１内に第１有機層４１を形成したり、第２画素Ｐ２内に第２有機層４２を形成する際、第１有機層４１または第２有機層４２が第３画素Ｐ３内に侵入する可能性を減少させる。本願の有機発光表示装置１は、スペーサＳＰを含み、第１有機層４１または第２有機層４２が第３画素Ｐ３内に侵入する可能性を減少させるため、第３画素Ｐ３と第１画素Ｐ１との距離及び第３画素Ｐ３と第２画素Ｐ２を減少させる。したがって、有機発光表示装置１の開口率及び解像度が向上される。これについては図８を参照してより詳細に説明する。
【００３６】
スペーサＳＰの高さが過度に高い場合、ドナーフィルムと第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２との距離が過度に離隔し、第１画素Ｐ１内に第１有機層４１が円滑に転写されない場合や、第２画素Ｐ２内に第２有機層４２が円滑に転写されない場合もある。スペーサＳＰの高さが過度に低い場合、第３画素Ｐ３内に第１有機層４１または第２有機層４２が侵入し得る。第１画素Ｐ１または第２画素Ｐ２に第１有機層４１または第２有機層４２が円滑に転写され、第３画素Ｐ３内に第１有機層４１または第２有機層４２が侵入しないようにするため、画素定義膜３０の上部から測定したスペーサＳＰの高さｈ２は３０００ないし７０００Åである。
【００３７】
スペーサＳＰと第３画素Ｐ３との距離ｄ１が過度に遠い場合、スペーサＳＰは第１有機層４１または第２有機層４２が第３画素Ｐ３内に侵入することを防止する機能を効果的に行うことが困難となる場合がある。第１有機層４１または第２有機層４２が第３画素Ｐ３内に侵入することを効果的に防止するため、スペーサＳＰと第３画素Ｐ３との距離ｄ１は３μｍ以下である。
【００３８】
スペーサＳＰと第１画素Ｐ１との距離ｄ２が過度に近い場合、スペーサＳＰと隣接した第１画素Ｐ１の領域に第１有機層４１が正しく転写されない場合がある。したがって、第１画素Ｐ１内に第１有機層４１を効果的に転写するため、スペーサＳＰと第１画素Ｐ１との距離ｄ２は８μｍ以上である。同様に、スペーサＳＰと第２画素Ｐ２との距離ｄ３は８μｍ以上である。
【００３９】
スペーサＳＰは第３アノード電極２３と重複するように配置される。すなわち、スペーサＳＰの少なくとも一部領域は第３アノード電極４３の上部に配置される。画素定義膜３０の厚さが薄い場合、画素定義膜３０の上部面の形状は画素定義膜３０下部の形状によって屈曲が発生し得、第３アノード電極２３と重複する画素定義膜３０の上部面の領域は画素定義膜３０の上部面の中最も高い部分に位置する。したがって、スペーサＳＰが第３アノード電極２３と重複すると、スペーサＳＰの形成に少ない物質を使用しても十分な高さのスペーサＳＰを形成する。
【００４０】
有機発光表示装置１は複数のアノード電極（２１、２２、２３）、有機発光層（４１、４２、４３）及びカソード電極５０をさらに含む。
【００４１】
複数のアノード電極（２１、２２、２３）は基板上に配置される。複数のアノード電極（２１、２２、２３）は反射型導電物質、透明導電物質、または半透明導電物質で形成される。例えば、反射型導電物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、ふっ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、ふっ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などが使用され、透明導電物質としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３  （Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）などが使用され、半透明型導電物質としては、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）のうち一つ以上を含む共蒸着物質またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうち一つ以上の物質が使用され得る。
【００４２】
複数のアノード電極（２１、２２、２３）のそれぞれはビアホールＶを介して薄膜トランジスタと連結される。複数のアノード電極（２１、２２、２３）のそれぞれは相互離隔された複数の画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のうち一つの画素内に配置される。複数のアノード電極（２１、２２、２３）は第１アノード電極２１、第２アノード電極２２及び第３アノード電極２３を含む。第１アノード電極２１は第１画素Ｐ１内に配置され、第２アノード電極２２は第２画素Ｐ２内に配置され、第３アノード電極２３は第３画素Ｐ３内に配置される。複数のアノード電極（２１、２２、２３）のそれぞれの外周領域は画素定義膜３０の下部に配置されるが、必ずこれに限定されない。
【００４３】
有機発光層（４１、４２、４３）は複数のアノード電極（２１、２２、２３）上に配置される。有機発光層（４１、４２、４３）に電流が流れると光が放出される。さらに詳細に説明すると、有機層（４１、４２、４３）に正孔及び電子が提供されると、正孔及び電子が相互結合して形成されたエクシトンのエネルギ準位が励起状態から基底状態に変動するとき、変動されたエネルギ準位に対応する色を有する光が放出される。いくつかの実施形態によれば、有機発光層（４１、４２、４３）が放出する光の色相は赤色、青色及び緑色のうち一つである。有機発光層（４１、４２、４３）が放出する光の明るさは有機層に流れる電流のサイズに対応して変動され得る。
【００４４】
有機発光層（４１、４２、４３）は互いに異なる色を発光する第１有機発光層４１、第２有機発光層４２及び第３有機発光層４３を含む。例えば、第１有機発光層４１は赤色を発光し、第２有機発光層４２は緑色を発光し、第３有機発光層４３は青色を発光するが、必ずこれに限定されない。第１有機発光層４１は第１アノード電極２１上に配置され、第１画素Ｐ１内に配置される。第２有機発光層４２は第２アノード電極２２上に配置され、第２画素Ｐ２内に配置される。第３有機発光層４３は第１ないし第３アノード電極（２１、２２、２３）上に配置され、第３有機発光層４３は第１及び第２有機発光層（４１、４２）上に配置される。第３有機発光層４３は有機発光表示装置１の全面に配置される。第１画素Ｐ１または第２画素Ｐ２内に配置された第３有機発光層４３は発光しないため、第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２の色相に影響を与えない。
【００４５】
カソード電極５０は有機発光層（４１、４２、４３）の上部に配置される。カソード電極５０は複数のアノード電極（２１、２２、２３）と対向するように配置される。カソード電極５０は一体で有機発光表示装置１の全面に配置されるが、必ずしもこれに限定されない。カソード電極５０はアノード電極（２１、２２、２３）と同じ物質で形成されるが、必ずしもこれに限定されない。例えば、アノード電極（２１、２２、２３）が反射型電極である場合、カソード電極５０は透明または半透明電極であり、アノード電極（２１、２２、２３）が透明または半透明電極である場合、カソード電極５０は反射型電極である。
【００４６】
以下図３ないし図１０を参照して有機発光表示装置１の製造方法について説明する。図３は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示す順序図である。図４ないし図１０は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するための有機発光表示装置の断面図である。図４ないし図１０は、図１に示すＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した領域と同じ領域に対する有機発光表示装置の断面図である。
【００４７】
図３を参照すると、有機発光表示装置１の製造方法は、基板１０を準備する段階（Ｓ１０）、アノード電極（２１、２２、２３）を形成する段階（Ｓ２０）、画素定義膜３０を形成する段階（Ｓ３０）、スペーサＳＰを形成する段階（Ｓ４０）、第１及び第２有機発光層（４１、４２）を形成する段階（Ｓ５０）、第３有機発光層４３を形成する段階（Ｓ６０）及びカソード電極５０を形成する段階（Ｓ７０）含む。
【００４８】
基板１０を準備する段階（Ｓ１０）では、図４のように基板１０を準備する。基板１０に対する説明は図２を参照して説明した基板１０の説明と実質的に同じであるため、省略する。
【００４９】
アノード電極（２１、２２、２３）を形成する段階（Ｓ２０）では、図５のように基板１０上に複数のアノード電極（２１、２２、２３）を形成する。アノード電極（２１、２２、２３）はマスクを利用した蒸着によって形成されるが、必ずしもこれに限定されない。複数のアノード電極（２１、２２、２３）のそれぞれはビアホールＶを介して薄膜トランジスタと連結される。
【００５０】
画素定義膜３０を形成する段階（Ｓ３０）では、図６のように基板１０上に画素定義膜３０を形成する。画素定義膜３０はマスクを利用した蒸着によって形成されるが、必ずしもこれに限定されず、例えば、全面に画素定義膜３０を形成するための物質を塗布した後、開口部を除去する方式により図６と同様の画素定義膜３０を形成することもできる。画素定義膜３０は少なくとも一部領域がアノード電極（２１、２２、２３）と重複するように形成される。画素定義膜３０は２０００ないし５０００Åの高さを有するように形成される。
【００５１】
スペーサＳＰ形成段階（Ｓ４０）では、図７のように画素定義膜３０上にスペーサＳＰを形成する。スペーサＳＰは別途のマスクを利用した蒸着または塗布により形成される。スペーサＳＰは行方向に相互隣接した二つの第３画素Ｐ３の間に形成される。スペーサＳＰは第３アノード電極２３と重複するように形成される。スペーサＳＰは画素定義膜３０の上部面からの高さｈ２が２０００ないし５０００Åであるように形成される。スペーサＳＰは第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２との距離が８μｍ以上であるように形成される。スペーサＳＰは第３画素Ｐ３との距離が３μｍ以下であるように形成される。
【００５２】
第１及び第２有機発光層（４１、４２）を形成する段階（Ｓ５０）において、第１及び第２有機発光層（４１、４２）はレーザ転写により形成される。図８を参照すると、第１有機発光層４１を形成する際、ドナーフィルムＤＦは、予め形成された有機発光表示装置１の構造物のうち相対的に最も高い部分に形成されたスペーサＳＰと接触するように配置される。ドナーフィルムＤＦは重力によって曲がるため、相対的にスペーサＳＰに隣接した第３画素Ｐ３内の領域でのドナーフィルムＤＦとの距離は、相対的にスペーサＳＰから離隔している第１及び第２画素（Ｐ１、Ｐ２）内の領域でのドナーフィルムＤＦとの距離より遠い。ドナーフィルムＤＦ上には光マスクＬＭが配置される。光マスクＬＭには開口部が形成され、光マスクＬＭに形成された開口部は第１画素Ｐ１の上部に配置される。光マスクＬＭの開口部を介してレーザＬがドナーフィルムＤＦに調査され、ドナーフィルムＤＦに調査されたレーザＬにより、ドナーフィルムＤＦから有機物質が液滴を成して下部に噴出し、有機物質の液滴が第１電極２１と接触することによって第１有機層２１の転写が行われる。第２有機層２２は第１有機層２１と実質的に同じ方式により形成される。このような方式により、図９のような形態に第１及び第２有機層（２１、２２）が形成され得る。スペーサＳＰによって第３画素Ｐ３内の領域でのドナーフィルムＤＦとの距離が第１及び第２画素（Ｐ１、Ｐ２）内の領域でのドナーフィルムＤＦとの距離より遠くなるため、第１有機層４１または第２有機層４２を転写するとき、第１有機層４１及び第２有機層４２が第３画素Ｐ３内に侵入する可能性が減少する。したがって、画素間の間隔を減少させても第１有機層４１及び第２有機層４２が第３画素Ｐ３内に侵入することを防止することができ、これによって有機発光表示装置１の開口率及び解像度を向上させる。
【００５３】
第３有機発光層４３形成段階（Ｓ６０）では、図１０のように第３有機発光層４３は有機発光表示装置１の全面に形成される。第３有機発光層４３は第１及び第２有機発光層（４１、４２）の上部に形成される。第３有機発光層４３は別途のマスクなしで形成される。
【００５４】
カソード電極５０の形成段階（Ｓ７０）では第３有機発光層４３の上部にカソード電極５０が形成される。カソード電極５０を形成する段階を経ると、図２のような有機発光表示装置１が形成される。
【００５５】
以下、図１１及び図１２を参照して本発明の他の実施形態について説明する。図１１は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。図１２は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示す順序図である。
【００５６】
図１１を参照すると、有機発光表示装置２において、第３有機層４３は第１及び第２有機層（４１、４２）の下部に配置される。第３有機層４３が第１及び第２有機層（４１、４２）の下部に配置されても、有機発光表示装置２の動作は図１及び図２での有機発光表示装置１と実質的に同じである。有機発光表示装置２の平面図は図１と実質的に同じである。その他の有機発光表示装置２については図１及び図２を参照して有機発光表示装置１について説明した内容と実質的に同じであるため、省略する。
【００５７】
図１２を参照すると、有機発光表示装置２の製造方法は、基板１０を準備する段階（Ｓ１０）、アノード電極（２１、２２、２３）を形成する段階（Ｓ２０）、画素定義膜３０を形成する段階（Ｓ３０）、スペーサＳＰを形成する段階（Ｓ４０）、第３有機発光層４３を形成する段階（Ｓ５１）、第１及び第２有機発光層（４１、４２）を形成する段階（Ｓ６１）、およびカソード電極５０を形成する段階（Ｓ７０）を含む。有機発光表示装置２を製造するために第３有機発光層４３を形成する段階（Ｓ５１）は第１及び第２有機発光層（４１、４２）を形成する段階（Ｓ６１）に先行することができる。その他の有機発光表示装置２の製造方法に関する説明は図３ないし図１１を参照して説明した有機発光表示装置１の製造方法に関する説明と実質的に同じであるため、省略する。
【００５８】
以下、図１３及び図１４を参照して本発明の他の実施形態について説明する。図１３は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。図１４は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示す順序図である。
【００５９】
図１３を参照すると、有機発光表示装置３において、スペーサＳＰと画素定義膜３０は一体で形成される。スペーサＳＰと画素定義膜３０の境界は存在しない場合もあり、画素定義膜３０中の他領域に比べて相対的に上部面から突出した領域がスペーサＳＰに定義される。その他の有機発光表示装置３に関する説明は図１及び図２を参照して説明した有機発光表示装置１と実質的に同じであるため、省略する。
【００６０】
図１４を参照すると、有機発光表示装置３の製造方法は、基板１０を準備する段階（Ｓ１０）、アノード電極（２１、２２、２３）を形成する段階（Ｓ２０）、画素定義膜３０及びスペーサＳＰを形成する段階（Ｓ３１）、第１及び第２有機発光層（４１、４２）を形成する段階（Ｓ５０）、第３有機発光層４３を形成する段階（Ｓ６０）及びカソード電極５０を形成する段階（Ｓ７０）含む。画素定義膜３０及びスペーサＳＰを形成する段階（Ｓ３１）では画素定義膜３０を形成するための物質を予め形成された有機発光表示装置３の構造物上に塗布し、塗布された物質を選択的に除去し、スペーサＳＰが形成される領域では他の残存する画素定義膜３０の領域より除去される量を減らすことによって一体で形成された画素定義膜３０及びスペーサＳＰが形成される。その他の有機発光表示装置３の製造方法に関する説明は図３ないし図１１を参照して説明した有機発光表示装置１の製造方法と実質的に同じであるため、省略する。
【００６１】
なお、詳細は上述していないが、いくつかの実施形態によれば、有機発光表示装置はスペーサＳＰと画素定義膜３０が一体で形成され、同時に第３有機発光層４３が第１有機発光層及び第２有機発光層（４１、４２）の下部に配置され得る。
【００６２】
以上、本実施形態に係る有機発光表示装置に依れば、画素間の間隔を減少させつつ、有機発光層の他画素への侵入を防止することが可能となる。また、本実施形態に係る有機発光表示装置に依れば、画素間の間隔を減少させつつ、開口率を向上させることが可能となる。さらに、本実施形態に係る有機発光表示装置に依れば、画素間の間隔を減少させつつ、解像度を向上させることが可能となる。
【００６３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００６４】
１、２、３    有機発光表示装置
１０    基板
１１    基部
１２    バッファ層
１３    ゲート絶縁膜
１４    層間絶縁膜
１５    平坦化膜
２１    第１アノード電極
２２    第２アノード電極
２３    第３アノード電極
３０    画素定義膜
ＳＭ    半導体層
Ｇ    ゲート電極
Ｓ    ソース電極
Ｄ    ドレイン電極
【図１】
2015015241.tif 000003
【図２】
2015015241.tif 000004
【図３】
2015015241.tif 000005
【図４】
2015015241.tif 000006
【図５】
2015015241.tif 000007
【図６】
2015015241.tif 000008
【図７】
2015015241.tif 000009
【図８】
2015015241.tif 000010
【図９】
2015015241.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2015015241.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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