(57)【要約】【課題】基材や絶縁層に対する密着性に優れた配線を有する配線基板を実現する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁層２０上に第１樹脂層３０を形成する工程と、第１樹脂層３０上に、感光性材料により構成される第２樹脂層を形成する工程と、第２樹脂層を露光および現像により選択的に除去することにより第２開口部を形成するとともに、第１樹脂層３０を選択的に除去することにより第２開口部下に位置する第１開口部３２を形成する工程と、第１開口部３２の側面上および底面上、第２開口部の側面上、ならびに第２樹脂層上に第１金属層５０を形成する工程と、第２樹脂層を除去するとともに第１金属層５０のうちの第２樹脂層表面に位置する部分を除去して、第１開口部３２の側面上および底面上に第１金属層５０を残存させる工程と、めっき法により第１金属層５０上に第２金属層５２を成長させる工程と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に、感光性材料により構成される第２樹脂層を形成する工程と、
前記第２樹脂層を露光および現像により選択的に除去することにより第２開口部を形成するとともに、前記第１樹脂層を選択的に除去することにより前記第２開口部下に位置する第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部の側面上および底面上、前記第２開口部の側面上、ならびに前記第２樹脂層上に第１金属層を形成する工程と、
前記第２樹脂層を除去するとともに前記第１金属層のうちの前記第２樹脂層表面に位置する部分を除去して、前記第１開口部の側面上および底面上に前記第１金属層を残存させる工程と、
めっき法により前記第１金属層上に第２金属層を成長させる工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１樹脂層は、感光性材料により構成される半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１開口部および前記第２開口部を形成する前記工程において、前記第１開口部および前記第２開口部は、前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を共に露光および現像して選択的に除去することにより形成される半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２樹脂層を除去するとともに前記第１金属層のうちの前記第２樹脂層表面に位置する部分を除去する前記工程は、前記第１樹脂層に対する前記第２樹脂層の選択比が高い剥離液を用いて前記第２樹脂層を除去することにより行われる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記剥離液は、アミン系もしくはＮＭＰ系の有機溶剤、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、オゾン水、またはオゾン−酢酸液である半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１開口部および前記第２開口部を形成する前記工程の後であって前記第１金属層を形成する前記工程の前において、前記絶縁層のうちの前記第１開口部下に位置する領域内に第３開口部を形成する工程をさらに備える半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１金属層を形成する前記工程において、前記第１金属層は、前記第３開口部の側面上および底面上、前記第１開口部の側面上および底面上、前記第２開口部の側面上、ならびに前記第２樹脂層上に設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２金属層を成長させる前記工程は、前記第１金属層を触媒とした無電解めっき法により行われる半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２金属層は、Ｃｕを主成分とする金属材料により構成される半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１金属層は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、またはＰｔを主成分とする金属材料により構成される半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、たとえば配線基板を備える半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板における配線形成については、様々な技術が検討されている。このような技術としては、たとえば特許文献１に記載されるものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１は、ビルドアップ多層印刷回路基板を製造する方法に関する技術である。具体的には、１次絶縁樹脂に対して露光および現像工程を行うことにより１次ビアホールを形成した後、２次絶縁樹脂に１次ビアホールより大きい２次ビアホールを形成することにより、最終的にＶ字形状のフォトビアホールを設けることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０９−２９８３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置を構成する配線基板においては、基材や絶縁層に対する配線の密着性を向上させることが求められている。しかしながら、特許文献１に記載の技術では、優れた密着性を有する配線を実現することは困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
絶縁層上に第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に、感光性材料により構成される第２樹脂層を形成する工程と、
前記第２樹脂層を露光および現像により選択的に除去することにより第２開口部を形成するとともに、前記第１樹脂層を選択的に除去することにより前記第２開口部下に位置する第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部の側面上および底面上、前記第２開口部の側面上、ならびに前記第２樹脂層上に第１金属層を形成する工程と、
前記第２樹脂層を除去するとともに前記第１金属層のうちの前記第２樹脂層表面に位置する部分を除去して、前記第１開口部の側面上および底面上に前記第１金属層を残存させる工程と、
めっき法により前記第１金属層上に第２金属層を成長させる工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基材や絶縁層に対する密着性に優れた配線を有する配線基板を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る配線基板を示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る配線基板１００を示す断面図である。図２〜５は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次のようにして配線基板１００が形成される。まず、絶縁層２０上に第１樹脂層３０を形成する。次いで、第１樹脂層３０上に、感光性材料により構成される第２樹脂層４０を形成する。次いで、第２樹脂層４０を露光および現像により選択的に除去することにより第２開口部４２を形成するとともに、第１樹脂層３０を選択的に除去することにより第２開口部４２下に位置する第１開口部３２を形成する。次いで、第１開口部３２の側面上および底面上、第２開口部４２の側面上、ならびに第２樹脂層４０上に第１金属層５０を形成する。次いで、第２樹脂層４０を除去するとともに第１金属層５０のうちの第２樹脂層４０表面に位置する部分を除去して、第１開口部３２の側面上および底面上に第１金属層５０を残存させる。次いで、めっき法により第１金属層５０上に第２金属層５２を成長させる。
【００１１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、上述に示す工程により、第１金属層５０および第２金属層５２により構成される配線５４を備える配線基板１００が形成される。この場合、配線５４は、下面において絶縁層２０と接し、側面において第１樹脂層３０と接することとなる。このように、側面および下面が絶縁層または基材に接する配線５４が得られることから、基材や絶縁層に対する密着性に優れた配線５４を有する配線基板１００を実現することが可能となる。
【００１２】
以下、半導体装置の構成、および半導体装置の製造方法について、詳細に説明する。
【００１３】
まず、半導体装置の構成について詳細に説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、たとえば配線基板１００と、配線基板１００に搭載される半導体素子と、を備える。半導体素子は、たとえばワイヤボンディングまたはフリップチップボンディングにより、配線基板１００に対して電気的に接続され得る。また、半導体素子は、封止樹脂により封止されていてもよい。
【００１４】
配線基板１００は、たとえばインタポーザやマザーボード等の有機基板である。
本実施形態に係る配線基板１００は、基材１０と、基材１０上に設けられ、かつ第１開口部３２を有する第１樹脂層３０と、第１開口部３２の側面上および底面上に設けられた第１金属層５０と、第１金属層５０上に設けられ、かつ第１開口部３２を埋め込む第２金属層５２と、を備えている。第１金属層５０および第２金属層５２は、配線基板１００の配線５４を構成することとなる。
【００１５】
図１においては、基材１０上の一面上に、第１樹脂層３０と、第１樹脂層３０に埋め込まれた配線５４と、により構成される配線層が形成される場合が例示されている。本実施形態に係る配線基板１００の構造は、これに限られず、たとえば基材１０の一面上および当該一面とは反対の他面上に、第１樹脂層３０と配線５４により構成される配線層が形成されていてもよい。また、図１に示す例において、第１樹脂層３０上には、配線５４に接続する他の配線層がさらに形成されていてもよい。また、基材１０と絶縁層２０との間には、配線５４に接続する他の配線層がさらに形成されていてもよい。
【００１６】
基材１０は、とくに限定されないが、たとえばエポキシ樹脂により形成される。本実施形態の一例として、たとえばガラス繊維布に含浸したエポキシ樹脂を硬化させることにより基材１０を形成することができる。また、基材１０は、樹脂材料により構成される絶縁基材の一面および他面の一方または双方に銅層が積層された銅張積層板であってもよい。
【００１７】
図１に示す例において、基材１０上には、たとえば絶縁層２０が設けられている。絶縁層２０を構成する材料としては、とくに限定されないが、低誘電率化や低熱膨張係数の観点からビルドアップ材として用いられるエポキシ樹脂組成物等を用いることが好ましい。
【００１８】
本実施形態において、第１樹脂層３０は、たとえば感光性材料により形成される。これにより、後述する半導体装置の製造方法において、第２樹脂層４０と共に第１樹脂層３０を露光および現像によりパターニングすることが可能となる。したがって、半導体装置の製造コストを低減することが可能となる。また、配線５４の細線化に寄与することもできる。なお、第１樹脂層３０は、非感光性の樹脂材料により構成されていてもよい。この場合、レーザー等を用いて第１樹脂層３０に第１開口部３２を形成することができる。
【００１９】
第１開口部３２は、たとえば第１樹脂層３０を貫通するように設けられる。また、第１開口部３２は、たとえば第１金属層５０および第２金属層５２により構成される配線５４が埋め込まれる配線溝である。このため、第１開口部３２は、たとえば溝状に形成される。また、第１開口部３２は、下端から上端へ向けて開口径が小さくなるテーパ形状となるように設けられていてもよい。これにより、めっき処理により得られる第２金属層５２が第１開口部３２から抜けてしまうことを抑制し、信頼性の高い配線構造を実現することができる。一方で、第１開口部３２は、上端から下端へ向けて開口径が小さくなるテーパ形状となるように設けられていてもよく、上端から下端までの開口径が一定である形状を有するように設けられていてもよい。このような第１開口部３２の形状は、第１樹脂層３０をパターニングする際のリソグラフィ条件を適宜選択することにより制御することが可能である。
【００２０】
図１に示す例において、第１樹脂層３０は、基材１０上に設けられた絶縁層２０上に形成されている。この場合、絶縁層２０のうちの第１開口部３２下に位置する領域内には、絶縁層２０を貫通する第３開口部２２が形成されていてもよい。この場合、第３開口部２２は、基材１０と、第１開口部３２に埋め込まれる配線５４と、を接続する接続孔として機能することができる。第３開口部２２は、たとえば孔状の形状を有することができる。
【００２１】
第１金属層５０は、第１開口部３２の側面上および底面上に設けられている。本実施形態においては、第１開口部３２の側面および底面のそれぞれについて、その一部のみを覆うように第１金属層５０が形成されていてもよく、全体を覆うように第１金属層５０が形成されていてもよい。また、図１に示す例において、第１開口部３２の底面には、第３開口部２２が設けられる。この場合、たとえば第１開口部３２の側面上および底面上、ならびに第３開口部２２の側面上および底面上に、第１金属層５０を形成することができる。
【００２２】
第１金属層５０は、たとえばＰｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、またはＰｔを主成分とする金属材料により構成される。これらの中でも、無電解めっき処理の触媒層として機能させる観点からは、Ｐｄを主成分とする金属材料を用いることがとくに好ましい。第１金属層５０の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば１Å以上１０００Å以下である。
【００２３】
第２金属層５２は、第１金属層５０上に設けられ、かつ第１開口部３２を埋め込む。図１に示す例において、第１開口部３２の底面には、第３開口部２２が設けられている。この場合、たとえば第１開口部３２および第３開口部２２を埋め込むように、第２金属層５２を形成することができる。第２金属層５２は、たとえばＣｕを主成分とする金属材料により構成される。
【００２４】
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
まず、絶縁層２０上に第１樹脂層３０を形成する。第１樹脂層３０は、たとえば絶縁層２０上に樹脂材料を塗布して得られる塗布膜を乾燥させることにより形成される。第１樹脂層３０を形成する樹脂材料は、たとえばクレゾール型、フェノール型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、カテコール型、レゾルシノール型、ピロガロール型等のノボラック樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、またはポリアミド系樹脂等を含む樹脂組成物を用いることができる。これにより、後述する第２樹脂層４０を除去する工程において用いられる剥離液に対する耐性を向上させることができる。また、第１樹脂層３０の低誘電率化および低熱膨張係数化に寄与することもできる。ポリアミド系樹脂としては、たとえばポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂等が挙げられる。
【００２５】
また、第１樹脂層３０を形成する樹脂材料は、感光性材料であることがより好ましい。これにより、第２樹脂層４０を露光および現像によりパターニングする際に、第２樹脂層４０とともに第１樹脂層３０をパターニングすることが可能となる。これは、たとえば第１樹脂層３０を形成する上記樹脂材料中に感光剤を含むことにより実現することが可能である。また、第１樹脂層３０の低誘電率化および低熱膨張係数化の観点からは、第１樹脂層３０を形成する上記樹脂材料がシリカ等の充填剤を含むことがより好ましい。
【００２６】
次に、第１樹脂層３０上に、感光性材料により構成される第２樹脂層４０を形成する。第２樹脂層４０は、たとえば第１樹脂層３０上に感光性材料を塗布して得られる塗布膜を乾燥させることにより形成される。第２樹脂層４０を構成する感光性材料としては、たとえばアクリル樹脂を含むアクリル樹脂組成物を用いることができる。これにより、後述する第２樹脂層４０を除去する工程において、第２樹脂層４０の剥離液に対する溶解性を向上させることができる。このため、第２樹脂層４０を選択的に除去して第１樹脂層３０を残存させることが容易となる。本実施形態では、たとえばアクリル樹脂と、感光剤と、を含む感光性材料を用いて第２樹脂層４０が形成される。第２樹脂層４０を形成する感光性材料に用いられるアクリル樹脂としては、たとえば分子中に重合性不飽和基を少なくとも一個有する単量体を成分として含むアクリル系（共）重合体を用いることができる。このような単量体としては、たとえば（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類、（メタ）アクリロニトリル、スチレン、および重合可能なスチレン誘導体が挙げられる。上記アクリル樹脂は、これらの単量体のうちの一種または二種以上を含むことができる。
【００２７】
図２においては、第１樹脂層３０および第２樹脂層４０を形成する方法の一例が示されている。本例においては、図２（ａ）に示すように、まず、絶縁層２０上に第１樹脂層３０と第２樹脂層４０を順に積層して、絶縁層２０、第１樹脂層３０および第２樹脂層４０により構成される積層体が形成される。次いで、当該積層体を基材１０上に貼り付けることにより、図２（ｂ）に示す構造が得られることとなる。本実施形態においては、たとえばこのようにして第１樹脂層３０および第２樹脂層４０を形成することができる。
【００２８】
図５は、第１樹脂層３０および第２樹脂層４０を形成する方法の一例であって、図２に示す方法とは異なる方法を示すものである。本例においては、図５（ａ）に示すように、まず、基材１０上に絶縁層２０を形成する。絶縁層２０は、たとえば基材１０上に樹脂膜を形成した後、これを加熱硬化させて形成することができる。次いで、図５（ｂ）に示すように、絶縁層２０上に第１樹脂層３０を形成する。次いで、図５（ｃ）に示すように、第１樹脂層３０上に第２樹脂層４０を形成する。本実施形態においては、たとえばこのようにして第１樹脂層３０および第２樹脂層４０を形成することも可能である。
【００２９】
次に、第２樹脂層４０を露光および現像により選択的に除去することにより第２開口部４２を形成するとともに、第１樹脂層３０を選択的に除去することにより第２開口部４２下に位置する第１開口部３２を形成する。このように、第２樹脂層４０の加工を露光および現像を利用して行うことができるため、レーザー等を用いた加工と比較して製造コストの低減を図ることが可能となる。また、配線５４の細線化に寄与することもできる。第１開口部３２および第２開口部４２は、たとえば平面視において互いに同一の形状を有し、かつ互いに重なるように設けられる。露光処理は、たとえば高圧水銀灯を用いて積算光量１５０〜３００ｍＪ／ｃｍ２の条件により行うことができる。また、現像処理は、たとえば炭酸ナトリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いて、３０秒〜１００秒、４５℃〜８０℃の条件下にて行われる。これにより、露光および現像を行う上記工程において、優れた現像性能を実現することが可能となる。
これにより、図３（ａ）に示す構造が得られる。
【００３０】
第１樹脂層３０が感光性材料により構成される場合、第１開口部３２および第２開口部４２は、たとえば第１樹脂層３０および第２樹脂層４０を共に露光および現像して選択的に除去することにより形成することができる。この場合、第１開口部３２および第２開口部４２を一工程により形成できることから、製造コストの低減を図ることができる。
なお、本実施形態においては、第２樹脂層４０を露光および現像により選択的に除去して第２開口部４２を形成した後、第２樹脂層４０をマスクとして第１樹脂層３０をエッチングすることにより、第１開口部３２を形成することも可能である。
【００３１】
本実施形態においては、第１開口部３２と第２開口部４２を形成した後、絶縁層２０のうちの第１開口部３２下に位置する領域内に、第３開口部２２を形成してもよい。第３開口部２２の形成方法は、とくに限定されないが、たとえばレーザー照射が挙げられる。
これにより、図３（ｂ）に示す構造が得られることとなる。
【００３２】
次に、第１開口部３２の側面上および底面上、第２開口部４２の側面上、ならびに第２樹脂層４０上に第１金属層５０を形成する。図３（ｂ）に示すように絶縁層２０のうちの第１開口部３２下に位置する領域に第３開口部２２が形成されている場合には、第１金属層５０は、たとえば第３開口部２２の側面上および底面上、第１開口部３２の側面上および底面上、第２開口部４２の側面上、ならびに第２樹脂層４０上に設けられる。
これにより、図４（ａ）に示す構造が得られることとなる。
【００３３】
第１金属層５０を形成する方法は、とくに限定されないが、たとえば触媒付与処理、無電解めっき法、およびスパッタリング法が挙げられる。また、第１金属層５０は、たとえばＰｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、またはＰｔを主成分とする金属材料により構成される。
【００３４】
本実施形態における第１金属層５０を形成する方法の一例である触媒付与処理は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、基材１０、絶縁層２０、第１樹脂層３０および第２樹脂層４０により構成される構造体を、クリーナーコンディショナー液に５分、５０℃の条件で浸漬する。次いで、上記構造体に対して、過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチング液を用いて、５分、３０℃の条件でソフトエッチング処理を行う。次いで、上記構造体に対して、硫酸等を用いて３０秒、２５℃の条件で酸処理を行う。その後、上記構造体を、Ｐｄ等を含む触媒付与液に５５℃で５分浸漬する。これにより、第１金属層５０が形成されることとなる。なお、触媒付与処理の処理条件は、上記のものに限定されず、第１金属層５０の膜厚等にあわせて適宜選択することが可能である。
【００３５】
次に、第２樹脂層４０を除去するとともに第１金属層５０のうちの第２樹脂層４０表面に位置する部分を除去して、第１開口部３２の側面上および底面上に第１金属層５０を残存させる。すなわち、第１金属層５０のうちの第２開口部４２の側面上および第２樹脂層４０上に設けられていた部分が除去される。また、絶縁層２０に第３開口部２２が設けられている場合には、第１開口部３２の側面上および底面上、ならびに第３開口部２２の側面上および底面上に、第１金属層５０が残存することとなる。
これにより、図４（ｂ）に示す構造が得られることとなる。
【００３６】
第２樹脂層４０を除去する工程は、たとえば第１樹脂層３０に対する第２樹脂層４０の選択比が高い剥離液を用いて第２樹脂層４０を除去することにより行うことができる。これにより、第１樹脂層３０を残存させつつ第２樹脂層４０を除去することが可能となる。本実施形態の一例として、たとえば基材１０、絶縁層２０、第１樹脂層３０および第２樹脂層４０により構成される構造体を、６０秒〜３分、３０℃〜６０℃の条件で剥離液に浸漬することにより、第２樹脂層４０の除去を行うことができる。
【００３７】
本実施形態においては、第１樹脂層３０および第２樹脂層４０を構成する樹脂材料の組成や、上記剥離液の種類をそれぞれ適切に選択することにより、第１樹脂層３０に対する第２樹脂層４０の選択比を高くすることができる。上記剥離液としては、たとえばアミン系もしくはＮＭＰ系の有機溶剤、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、オゾン水、またはオゾン−酢酸液を用いることができる。
【００３８】
また、第２樹脂層４０を除去する工程は、たとえば第２樹脂層４０に対して加熱処理を行うことで第１樹脂層３０と第２樹脂層４０の間に界面剥離を生じさせることにより行うことも可能である。加熱処理は、たとえば５０〜２００℃、１０〜１２０分の条件で行われる。
本実施形態においては、第１樹脂層３０と第２樹脂層４０の間における熱特性の差を利用して、上記界面剥離を生じさせることができる。このような熱特性の差は、たとえば第１樹脂層３０および第２樹脂層４０を構成する樹脂材料の組成をそれぞれ適切に選択することにより実現することが可能である。
【００３９】
次に、めっき法により第１金属層５０上に第２金属層５２を成長させる。第２金属層５２は、第１開口部３２を埋め込むように設けられる。第３開口部２２が形成されている場合には、第１開口部３２および第３開口部２２を埋め込むようにして、第２金属層５２が設けられることとなる。これにより、図１に示すように、第１金属層５０と第２金属層５２からなる配線５４が形成されることとなる。
【００４０】
第２金属層５２は、たとえばＣｕを主成分とする金属材料により構成される。
また、第２金属層５２を成長させる上記工程は、たとえば第１金属層５０を触媒とした無電解めっき法により行われる。これにより、微細配線形成が可能となる。第２金属層５２を無電解めっき法により形成する場合には、第１金属層５０を、Ｐｄを主成分とする金属材料により構成することが、安定的なめっきプロセスを実現する観点からとくに好ましい。なお、第２金属層５２を成長させる上記工程は、第１金属層５０をシード層とした電解めっき法により行われてもよい。
【００４１】
本実施形態においては、たとえば上述のようにして、配線５４が第１樹脂層３０に埋め込まれた配線基板１００を形成することができる。その後、たとえば配線基板１００上に半導体素子を搭載し、当該半導体素子を封止樹脂により封止することにより、半導体装置が得られることとなる。
【００４２】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【００４３】
１０  基材
２０  絶縁層
２２  第３開口部
３０  第１樹脂層
３２  第１開口部
４０  第２樹脂層
４２  第２開口部
５０  第１金属層
５２  第２金属層
５４  配線
１００  配線基板
【図１】
2015126079.tif 000003
【図２】
2015126079.tif 000004
【図３】
2015126079.tif 000005
【図４】
2015126079.tif 000006
【図５】
2015126079.tif 000007