(57)【要約】【課題】インターポーザ４の信頼性を向上させる技術を提供する。【解決手段】各コンタクト７は、下基板下面８ｂと面接触する下ハンダ付端子部１０と、下絶縁基板８を貫通するように下ハンダ付端子部１０から直線状に下絶縁基板８の板厚方向に対して実質的に平行に突出する柱状導体部１１と、を有する。柱状導体部１１は、下絶縁基板８内に埋まっている下埋没部１３と、下絶縁基板８外に露出している露出部１４と、を有する。下ハンダ付端子部１０は、下基板下面８ｂと対向する下端子基板対向面１０ａと、下端子基板対向面１０ａと反対側の面である下端子基板非対向面１０ｂと、を有する。下端子基板非対向面１０ｂのうち少なくとも下絶縁基板８の板厚方向で見て柱状導体部１１と重複する重複領域１０ｄは外部に露出している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの接続対象物を電気的に接続するために、前記２つの接続対象物の間に配置される中継部材であって、
複数の導電部材と、
前記複数の導電部材を保持する第１の絶縁基板と、
を備え、
前記第１の絶縁基板は、前記第１の絶縁基板の板厚方向に対して直交する第１の面を有し、
各導電部材は、前記第１の面と面接触する第１接触部と、前記第１の絶縁基板を貫通するように前記第１接触部から直線状に前記第１の絶縁基板の板厚方向に対して実質的に平行に突出する柱状導体部と、を有し、
前記柱状導体部は、前記第１の絶縁基板内に埋まっている第１埋没部と、前記第１の絶縁基板外に露出している露出部と、を有し、
前記第１接触部は、前記第１の面と対向する第１基板対向面と、前記第１基板対向面と反対側の面である第１基板非対向面と、を有し、
前記第１基板非対向面のうち少なくとも前記第１の絶縁基板の板厚方向で見て前記柱状導体部と重複する重複領域は外部に露出している、
中継部材。
【請求項２】
請求項１に記載の中継部材であって、
各導電部材は、前記柱状導体部の前記第１の絶縁基板から遠い側の端部に第２接触部を更に有し、
前記第２接触部は、前記第１の絶縁基板に対して対向する対向面を有する、
中継部材。
【請求項３】
請求項２に記載の中継部材であって、
前記第２接触部の前記対向面のハンダ濡れ性は、前記第２接触部の前記第１の絶縁基板から遠い側の遠方面のハンダ濡れ性よりも悪い、
中継部材。
【請求項４】
請求項２に記載の中継部材であって、
前記柱状導体部の外周面のハンダ濡れ性は、前記第２接触部の前記第１の絶縁基板から遠い側の遠方面のハンダ濡れ性よりも悪い、
中継部材。
【請求項５】
請求項１に記載の中継部材であって、
前記柱状導体部の外周面のハンダ濡れ性は、前記柱状導体部の前記第１の絶縁基板から遠い側の先端面のハンダ濡れ性よりも悪い、
中継部材。
【請求項６】
請求項１に記載の中継部材であって、
前記複数の導電部材を保持する第２の絶縁基板を更に備え、
前記第２の絶縁基板は、前記第１の絶縁基板に対して実質的に平行となるように、前記第１の絶縁基板から離れて配置され、
各導電部材の前記柱状導体部は、前記第１の絶縁基板及び前記第２の絶縁基板を貫通する、
中継部材。
【請求項７】
請求項６に記載の中継部材であって、
前記柱状導体部は、前記第２の絶縁基板内に埋まっている第２埋没部を更に有し、
前記露出部は、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の間で延びている、
中継部材。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の中継部材であって、
各導電部材は、前記第２の絶縁基板を挟んで前記第１の絶縁基板と反対側に配置されると共に前記第２の絶縁基板と面接触する第２接触部を更に有する、
中継部材。
【請求項９】
第１の層と、第２の層と、第３の層と、をこの順に積層して基材を形成し、
前記基材に、前記基材の積層方向に対して実質的に平行な貫通孔を複数形成し、
前記複数の貫通孔内に柱状導体部を夫々形成し、
前記第２の層を除去する、
中継部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中継部材及び中継部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の技術として、特許文献１は、本願の図１６に示すように、コンピュータのマザーボード上に複数の半導体チップ３００を搭載する際に、複数の半導体チップ３００とマザーボードの間に配置されるインターポーザ３０１を開示している。
【０００３】
このインターポーザ３０１は、複数の柱状導体３０２と、複数の柱状導体３０２と複数の半導体チップ３００の間に配置される配線層３０３とを有する。複数の柱状導体３０２の間には、空隙３０４が形成されている。複数の柱状導体３０２の存在により、マザーボードと複数の半導体チップ３００の間における熱膨張係数のミスマッチに起因した応力を緩和している。
【０００４】
また、複数の柱状導体３０２が配線層３０３に対して直立した状態を維持できるよう、複数の柱状導体３０２の側面には、剛性を有する補強材３０５が導入されている。この補強材３０５の導入により、複数の柱状導体３０２が倒れ難く、インターポーザ３０１としての信頼性が向上するとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１１９４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、インターポーザの更なる狭ピッチ化の要請により、複数の柱状導体３０２の直立した状態を一層高いレベルで維持する技術が求められていた。
【０００７】
本願発明の目的は、中継部材の信頼性を向上させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明の第１の観点によれば、２つの接続対象物を電気的に接続するために、前記２つの接続対象物の間に配置される中継部材であって、複数の導電部材と、前記複数の導電部材を保持する第１の絶縁基板と、を備え、前記第１の絶縁基板は、前記第１の絶縁基板の板厚方向に対して直交する第１の面を有し、各導電部材は、前記第１の面と面接触する第１接触部と、前記第１の絶縁基板を貫通するように前記第１接触部から直線状に前記第１の絶縁基板の板厚方向に対して実質的に平行に突出する柱状導体部と、を有し、前記柱状導体部は、前記第１の絶縁基板内に埋まっている第１埋没部と、前記第１の絶縁基板外に露出している露出部と、を有し、前記第１接触部は、前記第１の面と対向する第１基板対向面と、前記第１基板対向面と反対側の面である第１基板非対向面と、を有し、前記第１基板非対向面のうち少なくとも前記第１の絶縁基板の板厚方向で見て前記柱状導体部と重複する重複領域は外部に露出している、中継部材が提供される。
各導電部材は、前記柱状導体部の前記第１の絶縁基板から遠い側の端部に第２接触部を更に有し、前記第２接触部は、前記第１の絶縁基板に対して対向する対向面を有する。
前記第２接触部の前記対向面のハンダ濡れ性は、前記第２接触部の前記第１の絶縁基板から遠い側の遠方面のハンダ濡れ性よりも悪い。
前記柱状導体部の外周面のハンダ濡れ性は、前記第２接触部の前記第１の絶縁基板から遠い側の遠方面のハンダ濡れ性よりも悪い。
前記柱状導体部の外周面のハンダ濡れ性は、前記柱状導体部の前記第１の絶縁基板から遠い側の先端面のハンダ濡れ性よりも悪い
前記複数の導電部材を保持する第２の絶縁基板を更に備え、前記第２の絶縁基板は、前記第１の絶縁基板に対して実質的に平行となるように、前記第１の絶縁基板から離れて配置され、各導電部材の前記柱状導体部は、前記第１の絶縁基板及び前記第２の絶縁基板を貫通する。
前記柱状導体部は、前記第２の絶縁基板内に埋まっている第２埋没部を更に有し、前記露出部は、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の間で延びている。
各導電部材は、前記第２の絶縁基板を挟んで前記第１の絶縁基板と反対側に配置されると共に前記第２の絶縁基板と面接触する第２接触部を更に有する。
本願発明の第２の観点によれば、第１の層と、第２の層と、第３の層と、をこの順に積層して基材を形成し、前記基材に、前記基材の積層方向に対して実質的に平行な貫通孔を複数形成し、前記複数の貫通孔内に柱状導体部を夫々形成し、前記第２の層を除去する、中継部材の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明によれば、前記重複領域が外部に露出しているので、前記第１基板非対向面を前記接続対象物にハンダで固定する際、前記第１基板非対向面の前記重複領域を前記接続対象物にハンダで固定することができる。従って、前記第１基板非対向面の前記重複領域を前記接続対象物にハンダで固定できず前記第１基板非対向面のうち前記重複領域以外の部分を前記接続対象物に固定しなければならない場合と比較して、前記第１の絶縁基板内における前記第１埋没部の変位又は変形が抑制される。従って、前記複数の導電部材の前記柱状導体部の、前記第１の絶縁基板に対して直立した状態を高いレベルで維持することができ、もって、前記中継部材の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図1は、半導体装置の分解斜視図である。（第１実施形態）
【図２】図2は、インターポーザの一部切り欠き斜視図である。（第１実施形態）
【図３】図3は、図２のIII-III線断面図に相当する、インターポーザの断面図である。（第１実施形態）
【図４】図4は、インターポーザの製造工程を示す図である。（第１実施形態）
【図５】図5は、インターポーザの製造工程を示す図である。（第１実施形態）
【図６】図6は、インターポーザの断面図である。（第１変形例）
【図７】図7は、インターポーザの断面図である。（第２変形例）
【図８】図8は、インターポーザの断面図である。（第３変形例）
【図９】図9は、インターポーザの断面図である。（第４変形例）
【図１０】図10は、インターポーザの断面図である。（第５変形例）
【図１１】図11は、半導体装置の分解斜視図である。（第２実施形態）
【図１２】図12は、インターポーザの一部切り欠き斜視図である。（第２実施形態）
【図１３】図13は、図１２のXIII-XIII線断面図に相当する、インターポーザの断面図である。（第２実施形態）
【図１４】図14は、インターポーザの製造工程を示す図である。（第２実施形態）
【図１５】図15は、インターポーザの製造工程を示す図である。（第２実施形態）
【図１６】図16は、特許文献１の図１１に相当する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１実施形態）
以下、図１〜図５を参照しつつ、本願発明の第１実施形態を説明する。
【００１２】
図１に示すように、半導体装置１（電子装置）は、半導体素子２（接続対象物、第１接続対象物）と、配線基板３（接続対象物、第２接続対象物）と、半導体素子２と配線基板３を電気的に接続するために半導体素子２と配線基板３の間に配置されるインターポーザ４（中継部材）と、を備える。
【００１３】
ここで、半導体素子２は、電子素子の一例であって、例えば、ICチップやLSIチップなどの能動素子である。半導体素子２に代えて、キャパシタやレジスタなどの受動素子、その他の電子部品を採用してもよい。
【００１４】
また、配線基板３は、基板の一例であって、例えば、各種の実装基板や、例えば多層配線基板などのように既に配線が形成されている配線基板である。配線基板３に代えて、半導体基板（例えば、シリコン基板等）やガラス基板、絶縁性樹脂基板などのように後段の工程で配線の形成が予定されている基板を採用してもよい。
【００１５】
半導体素子２は、直方体状に形成されている。半導体素子２は、複数の電極パッド５が形成された素子接続面２ａを有する。
【００１６】
配線基板３は、複数の電極パッド６が形成された基板接続面３ａを有する。
【００１７】
本実施形態において、半導体素子２の複数の電極パッド５と、配線基板３の複数の電極パッド６は、同じ数、同じピッチで、マトリックス状に配置されている。
【００１８】
そして、インターポーザ４は、半導体素子２の複数の電極パッド５と、配線基板３の複数の電極パッド６と、を一対一で電気的に接続する。以下、このインターポーザ４を詳細に説明する。図２には、図１に示すインターポーザ４が上下逆に描かれている。
【００１９】
図２に示すように、インターポーザ４は、複数のコンタクト７（導電部材）と、複数のコンタクト７を保持する下絶縁基板８（第１の絶縁基板）と、を備える。複数のコンタクト７は、同一形状である。複数のコンタクト７は、マトリックス状に配置されている。下絶縁基板８は、絶縁性の基板である。
【００２０】
図３に示すように、下絶縁基板８は、下基板上面８ａと下基板下面８ｂ（第１の面）を有する。下基板上面８ａ及び下基板下面８ｂは、下絶縁基板８の板厚方向に対して直交する面である。下基板下面８ｂは、下基板上面８ａの反対側の面である。下絶縁基板８には、複数の貫通孔９が形成されている。各貫通孔９は、下基板上面８ａ及び下基板下面８ｂに開口している。各貫通孔９は、内周面９ａを有する。複数の貫通孔９は、マトリックス状に配置されている。
【００２１】
各コンタクト７は、下ハンダ付端子部１０と柱状導体部１１、上ハンダ付端子部１２を有する。
【００２２】
下ハンダ付端子部１０は、下絶縁基板８に対して平行な丸い板状の部分であって、下絶縁基板８の下基板下面８ｂに対して面接触するように配置されている。下ハンダ付端子部１０は、下端子基板対向面１０ａと下端子基板非対向面１０ｂ、外周面１０ｃを有する。下端子基板対向面１０ａは、下絶縁基板８の下基板下面８ｂに対して面接触している。下端子基板非対向面１０ｂは、下端子基板対向面１０ａの反対側の面である。
【００２３】
柱状導体部１１は、下ハンダ付端子部１０の下端子基板対向面１０ａから直線状に突出して形成されている。柱状導体部１１は、円柱状の導体である。柱状導体部１１は、下絶縁基板８の板厚方向に対して実質的に平行となるように延びている。柱状導体部１１は、下ハンダ付端子部１０の下端子基板対向面１０ａから突出して、下絶縁基板８を貫通している。柱状導体部１１は、下ハンダ付端子部１０の下端子基板対向面１０ａから突出して、下絶縁基板８の下基板下面８ｂ及び下基板上面８ａをこの順で貫通している。柱状導体部１１は、下絶縁基板８の貫通孔９を貫通している。柱状導体部１１は、下絶縁基板８内に埋まっている下埋没部１３と、下絶縁基板８外に露出している露出部１４と、を有する。下埋没部１３及び露出部１４は、何れも円柱状である。下埋没部１３の外周面１３ａは、下絶縁基板８の貫通孔９の内周面９ａに対して密着するように形成されている。露出部１４は、下埋没部１３を挟んで下ハンダ付端子部１０と反対側に配置されている。露出部１４は、下絶縁基板８を挟んで下ハンダ付端子部１０と反対側に配置されている。露出部１４は、下埋没部１３から、下絶縁基板８を挟んで下ハンダ付端子部１０と反対側へ突出している。露出部１４の外周面１４ａは、外部に露出している。下埋没部１３及び露出部１４の断面の形状は、同一である。ここで、「断面」とは、下ハンダ付端子部１０の下端子基板対向面１０ａに対して平行な断面である。下埋没部１３の断面の直径は、露出部１４の断面の直径と等しい。
【００２４】
上ハンダ付端子部１２は、下絶縁基板８に対して平行な丸い板状の部分であって、柱状導体部１１の端部１１ａに形成されている。上ハンダ付端子部１２は、柱状導体部１１の、下絶縁基板８から遠い側の端部１１ａに形成されている。上ハンダ付端子部１２は、上端子基板対向面１２ａと上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃを有する。上端子基板対向面１２ａは、下絶縁基板８の下基板上面８ａと対向している。上端子基板非対向面１２ｂは、上端子基板対向面１２ａの反対側の面である。
【００２５】
下ハンダ付端子部１０及び上ハンダ付端子部１２の直径は、柱状導体部１１の直径よりも大きい。柱状導体部１１は、下ハンダ付端子部１０の下端子基板対向面１０ａの略中心に接続すると共に、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａの略中心に接続している。柱状導体部１１は、下ハンダ付端子部１０の下端子基板対向面１０ａから上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａに至るまで、直線状に、下絶縁基板８の板厚方向に対して実質的に平行となるように延びている。
【００２６】
下ハンダ付端子部１０及び上ハンダ付端子部１２は、外部に露出している。詳しくは、下ハンダ付端子部１０の下端子基板非対向面１０ｂ及び外周面１０ｃは、外部に露出している。従って、下端子基板非対向面１０ｂのうち下絶縁基板８の板厚方向で見て柱状導体部１１と重複する領域である重複領域１０ｄも同様に、下絶縁基板８によって覆われることなく、外部に露出している。同様に、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａ及び上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃは、外部に露出している。
【００２７】
本実施形態において、柱状導体部１１及び上ハンダ付端子部１２には、柱状導体部１１よりもハンダに対する濡れ性が悪い低濡れ性層１５が形成されている。詳しくは、低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａと、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａ及び上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃと、に施されている。低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのうち、少なくとも、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａに隣接する領域である隣接領域１４ｂに施されている。
【００２８】
上ハンダ付端子部１２の上端子基板非対向面１２ｂには、ハンダに対する濡れ性が低濡れ性層１５よりもよい高濡れ性層１６が形成されている。高濡れ性層１６は、低濡れ性層１５の上に重ねるように施されている。
【００２９】
次に、インターポーザ４の使用方法を説明する。
【００３０】
先ず、図１において、半導体素子２の素子接続面２ａに配置されている複数の電極パッド５に所定量のクリームハンダを塗布する。そして、リフロー装置を用いて、図３のインターポーザ４のコンタクト７の下ハンダ付端子部１０の下端子基板非対向面１０ｂを、図１の半導体素子２の複数の電極パッド５に夫々接続する。このとき、下ハンダ付端子部１０の下端子基板非対向面１０ｂの重複領域１０ｄにハンダが直接接触することとなるので、コンタクト７の柱状導体部１１の、下絶縁基板８に対する直立した状態が高いレベルで維持される。従って、複数のコンタクト７の上ハンダ付端子部１２のピッチが乱れることなく安定するので、複数のコンタクト７の上ハンダ付端子部１２のピッチが不安定な場合と比較して、インターポーザ４の信頼性が高い。
【００３１】
次に、図１において、配線基板３の基板接続面３ａに配置されている複数の電極パッド６に所定量のクリームハンダを塗布する。そして、リフロー装置を用いて、図３のインターポーザ４のコンタクト７の上ハンダ付端子部１２の上端子基板非対向面１２ｂを、図１の配線基板３の複数の電極パッド６に夫々接続する。
【００３２】
次に、図４及び図５を参照して、インターポーザ４の製造方法を説明する。
【００３３】
図４の（ａ）に示すように、絶縁層２０（第１の絶縁層）及び絶縁層２１（第２の層）を積層して基材２２を形成する。絶縁層２０の素材は、例えば、ポリイミドである。絶縁層２１は、例えば、フォトレジストである。絶縁層２１は、水溶性又は熱分解性を有する樹脂であってもよい。
【００３４】
次に、図４の（ｂ）に示すように、基材２２に複数の貫通孔２３を形成する。複数の貫通孔２３は、基材２２の板厚方向に対して実質的に平行に延びるように形成される。
【００３５】
次に、図４の（ｃ）に示すように、複数の貫通孔２３に導電材料２４をメッキで充填することで、柱状導体部１１を形成する。導電材料２４の素材は、例えば、銅やニッケル合金である。本実施形態では、導電材料２４の素材は、銅である。第１の素材としての銅のはんだ濡れ性は、第２の素材としてのニッケル合金のはんだ濡れ性よりもよい。
【００３６】
次に、図５の（ｄ）に示すように、柱状導体部１１の両端に、下ハンダ付端子部１０及び上ハンダ付端子部１２をメッキやエッチングにより形成する。下ハンダ付端子部１０及び上ハンダ付端子部１２は、柱状導体部１１と同じ素材により形成する。
【００３７】
次に、図５の（ｅ）に示すように、基材２２の絶縁層２１をエッチングにより除去することで、絶縁層２０が下絶縁基板８として残る。
【００３８】
最後に、図５の（ｆ）に示すように、柱状導体部１１及び上ハンダ付端子部１２に、低濡れ性層１５及び高濡れ性層１６を形成する。低濡れ性層１５は、例えばメッキにより形成する。高濡れ性層１６は、例えばメッキやメタライズによって形成する。高濡れ性層１６のはんだ濡れ性は、低濡れ性層１５のはんだ濡れ性よりもよい。
【００３９】
以上に、第１実施形態を説明したが、第１実施形態は以下の特長を有する。
【００４０】
（１）半導体素子２（接続対象物）及び配線基板３（接続対象物）を電気的に接続するために、半導体素子２及び配線基板３の間に配置されるインターポーザ４（中継部材）は、以下のように構成されている。インターポーザ４は、複数のコンタクト７（導電部材）と、複数のコンタクト７を保持する下絶縁基板８（第１の絶縁基板）と、を備える。下絶縁基板８は、下絶縁基板８の板厚方向に対して直交する下基板下面８ｂ（第１の面）を有する。各コンタクト７は、下基板下面８ｂと面接触する下ハンダ付端子部１０（第１接触部）と、下絶縁基板８を貫通するように下ハンダ付端子部１０から直線状に下絶縁基板８の板厚方向に対して実質的に平行に突出する柱状導体部１１と、を有する。柱状導体部１１は、下絶縁基板８内に埋まっている下埋没部１３（第１埋没部）と、下絶縁基板８外に露出している露出部１４（露出部）と、を有する。下ハンダ付端子部１０は、下基板下面８ｂと対向する下端子基板対向面１０ａ（第１基板対向面）と、下端子基板対向面１０ａと反対側の面である下端子基板非対向面１０ｂ（第１基板非対向面）と、を有する。下端子基板非対向面１０ｂのうち少なくとも下絶縁基板８の板厚方向で見て柱状導体部１１と重複する重複領域１０ｄは外部に露出している。以上の構成によれば、重複領域１０ｄが外部に露出しているので、下端子基板非対向面１０ｂを配線基板３にハンダで固定する際、下端子基板非対向面１０ｂの重複領域１０ｄを配線基板３にハンダで固定することができる。従って、下端子基板非対向面１０ｂの重複領域１０ｄを配線基板３にハンダで固定できず下端子基板非対向面１０ｂのうち重複領域１０ｄ以外の部分を配線基板３に固定しなければならない場合と比較して、下絶縁基板８内における下埋没部１３の変位又は変形が抑制される。従って、複数のコンタクト７の柱状導体部１１の、下絶縁基板８に対して直立した状態を高いレベルで維持することができ、もって、インターポーザ４の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
（２）各コンタクト７は、柱状導体部１１の下絶縁基板８から遠い側の端部１１ａに上ハンダ付端子部１２（第２接触部）を更に有する。上ハンダ付端子部１２は、下絶縁基板８に対して対向する上端子基板対向面１２ａ（対向面）を有する。
【００４２】
（３）また、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８に対して対向する上端子基板対向面１２ａのハンダ濡れ性は、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８から遠い側の上端子基板非対向面１２ｂ（遠方面）のハンダ濡れ性よりも悪い。以上の構成によれば、上ハンダ付端子部１２を配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。柱状導体部１１の剛性が高くならないので、柱状導体部１１が、半導体素子２と配線基板３の間における熱膨張係数のミスマッチを問題なく解決することができる。
【００４３】
なお、上記第１実施形態では、コンタクト７を銅により形成することとし、上端子基板対向面１２ａに低濡れ性層１５を形成し、上端子基板非対向面１２ｂに高濡れ性層１６を形成することで、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８に対して対向する上端子基板対向面１２ａのハンダ濡れ性を、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８から遠い側の上端子基板非対向面１２ｂのハンダ濡れ性よりも悪くしている。これに対し、コンタクト７をニッケル合金で形成することとした場合は、低濡れ性層１５を省略しても、高濡れ性層１６が上端子基板非対向面１２ｂに形成されてさえいれば、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８に対して対向する上端子基板対向面１２ａのハンダ濡れ性を、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８から遠い側の上端子基板非対向面１２ｂのハンダ濡れ性よりも悪くすることができる。
【００４４】
（４）また、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性は、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８から遠い側の上端子基板非対向面１２ｂのハンダ濡れ性よりも悪い。以上の構成によれば、上ハンダ付端子部１２を配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。柱状導体部１１の剛性が高くならないので、柱状導体部１１が、半導体素子２と配線基板３の間における熱膨張係数のミスマッチを問題なく解決することができる。
【００４５】
なお、上記第１実施形態では、コンタクト７を銅により形成することとし、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａに低濡れ性層１５を形成し、上端子基板非対向面１２ｂに高濡れ性層１６を形成することで、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性を、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８から遠い側の上端子基板非対向面１２ｂのハンダ濡れ性よりも悪くしている。これに対し、コンタクト７をニッケル合金で形成することとした場合は、低濡れ性層１５を省略しても、高濡れ性層１６が上端子基板非対向面１２ｂに形成されてさえいれば、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性を、上ハンダ付端子部１２の下絶縁基板８から遠い側の上端子基板非対向面１２ｂのハンダ濡れ性よりも悪くすることができる。
【００４６】
なお、上記第１実施形態では、先ずインターポーザ４を半導体素子２に接続してから次にインターポーザ４を配線基板３に接続することとしたが、これに代えて、先ずインターポーザ４を配線基板３に接続してから次にインターポーザ４を半導体素子２に接続するようにしてもよい。
【００４７】
（第１変形例）
次に、図６を参照して、第１実施形態の第１変形例を説明する。以下、第１変形例が上記第１実施形態と相違する点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【００４８】
上記第１実施形態では、図３に示すように、低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａと、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａ及び上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃに形成されている。これに対し、第１変形例では、図６に示すように、低濡れ性層１５は、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａ及び上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃにのみ形成することとし、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａには形成しないこととする。この場合でも、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａに低濡れ性層１５が形成されているので、上ハンダ付端子部１２を配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。
【００４９】
（第２変形例）
次に、図７を参照して、第１実施形態の第２変形例を説明する。以下、第２変形例が上記第１実施形態と相違する点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【００５０】
上記第１実施形態では、図３に示すように、低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａと、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａ及び上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃに形成されている。そして、高濡れ性層１６が上端子基板非対向面１２ｂにおいて低濡れ性層１５上に形成されている。これに対し、第２変形例では、図７に示すように、低濡れ性層１５は、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａにのみ形成することとし、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａや、上ハンダ付端子部１２の上端子基板非対向面１２ｂ及び外周面１２ｃには形成しないこととしている。また、高濡れ性層１６を省略している。この場合でも、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａに低濡れ性層１５が形成されているので、上ハンダ付端子部１２を配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。
【００５１】
（第３変形例）
次に、図８を参照して、第１実施形態の第３変形例を説明する。以下、第３変形例が上記第１実施形態と相違する点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【００５２】
上記第１実施形態では、図３に示すように、低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａと、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａ及び上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃに形成されている。そして、高濡れ性層１６が上端子基板非対向面１２ｂにおいて低濡れ性層１５上に形成されている。これに対し、第３変形例では、図８に示すように、低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａにのみ形成することとし、上ハンダ付端子部１２の上端子基板対向面１２ａや上端子基板非対向面１２ｂ、外周面１２ｃには形成しないこととしている。また、高濡れ性層１６を省略している。この場合でも、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａに低濡れ性層１５が形成されているので、上ハンダ付端子部１２を配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。
【００５３】
（第４変形例）
次に、図９を参照して、第１実施形態の第４変形例を説明する。以下、第４変形例が上記第１実施形態と相違する点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【００５４】
上記第１実施形態では、図３に示すように、各コンタクト７は、下ハンダ付端子部１０と柱状導体部１１、上ハンダ付端子部１２を有する。これに対し、第４変形例では、図９に示すように、各コンタクト７は、下ハンダ付端子部１０及び柱状導体部１１を有し、上ハンダ付端子部１２は有さない。低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａ及び先端面１４ｃに形成されている。高濡れ性層１６は、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃにおいて低濡れ性層１５上に形成されている。なお、露出部１４の先端面１４ｃは、露出部１４の、下絶縁基板８から遠い側の端面である。柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃが、図１に示す半導体素子２の複数の電極パッド５に接続される。この場合でも、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａに低濡れ性層１５が形成されているので、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃを配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。
【００５５】
上記第４変形例は、以下の特長を有する。
【００５６】
（５）柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性は、柱状導体部１１の露出部１４の下絶縁基板８から遠い側の先端面１４ｃのハンダ濡れ性よりも悪い。以上の構成によれば、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃを配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。柱状導体部１１の剛性が高くならないので、柱状導体部１１が、半導体素子２と配線基板３の間における熱膨張係数のミスマッチを問題なく解決することができる。
【００５７】
なお、上記第４変形例では、コンタクト７を銅により形成することとし、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａに低濡れ性層１５を形成し、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃに高濡れ性層１６を形成することで、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性を、柱状導体部１１の露出部１４の下絶縁基板８から遠い側の先端面１４ｃのハンダ濡れ性よりも悪くしている。これに対し、コンタクト７をニッケル合金で形成することとした場合は、低濡れ性層１５を省略しても、高濡れ性層１６が柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃに形成されてさえいれば、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性を、柱状導体部１１の露出部１４の下絶縁基板８から遠い側の先端面１４ｃのハンダ濡れ性よりも悪くすることができる。
【００５８】
（第５変形例）
次に、図１０を参照して、第１実施形態の第５変形例を説明する。以下、第５変形例が上記第４変形例と相違する点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【００５９】
上記第４変形例では、図９に示すように、低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａ及び先端面１４ｃに形成されている。また、高濡れ性層１６は、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃにおいて低濡れ性層１５上に形成されている。これに対し、第５変形例では、図１０に示すように、低濡れ性層１５は、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａにのみ形成することとし、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃには形成しないこととしている。また、高濡れ性層１６は省略されている。この場合でも、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａに低濡れ性層１５が形成されているので、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃを配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。
【００６０】
上記第５変形例は、以下の特長を有する。
【００６１】
（５）柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性は、柱状導体部１１の露出部１４の下絶縁基板８から遠い側の先端面１４ｃのハンダ濡れ性よりも悪い。以上の構成によれば、柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃを配線基板３にハンダで固定する際、ハンダが柱状導体部１１に吸い上がって柱状導体部１１の剛性を高くしてしまうことがない。柱状導体部１１の剛性が高くならないので、柱状導体部１１が、半導体素子２と配線基板３の間における熱膨張係数のミスマッチを問題なく解決することができる。
【００６２】
なお、上記第５変形例では、コンタクト７を銅により形成することとし、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａに低濡れ性層１５を形成することで、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性を、柱状導体部１１の露出部１４の下絶縁基板８から遠い側の先端面１４ｃのハンダ濡れ性よりも悪くしている。これに対し、コンタクト７をニッケル合金で形成することとした場合は、低濡れ性層１５を省略しても、高濡れ性層１６が柱状導体部１１の露出部１４の先端面１４ｃに形成されてさえいれば、柱状導体部１１の露出部１４の外周面１４ａのハンダ濡れ性を、柱状導体部１１の露出部１４の下絶縁基板８から遠い側の先端面１４ｃのハンダ濡れ性よりも悪くすることができる。
【００６３】
（第２実施形態）
次に、図１１〜図１５を参照して、第２実施形態を説明する。
【００６４】
図１１に示すように、半導体装置５０（電子装置）は、半導体素子５１（接続対象物、第１接続対象物）と、配線基板５２（接続対象物、第２接続対象物）と、半導体素子５１と配線基板５２を電気的に接続するために半導体素子５１と配線基板５２の間に配置されるインターポーザ５３（中継部材）と、を備える。
【００６５】
ここで、半導体素子５１は、電子素子の一例であって、例えば、ICチップやLSIチップなどの能動素子である。半導体素子５１に代えて、キャパシタやレジスタなどの受動素子、その他の電子部品を採用してもよい。
【００６６】
また、配線基板５２は、基板の一例であって、例えば、各種の実装基板や、例えば多層配線基板などのように既に配線が形成されている配線基板である。配線基板５２に代えて、半導体基板（例えば、シリコン基板等）やガラス基板、絶縁性樹脂基板などのように後段の工程で配線の形成が予定されている基板を採用してもよい。
【００６７】
半導体素子５１は、直方体状に形成されている。半導体素子５１は、複数の電極パッド５４が形成された素子接続面５１ａを有する。
【００６８】
配線基板５２は、複数の電極パッド５５が形成された基板接続面５２ａを有する。
【００６９】
本実施形態において、半導体素子５１の複数の電極パッド５４と、配線基板５２の複数の電極パッド５５は、同じ数、同じピッチで、マトリックス状に配置されている。
【００７０】
そして、インターポーザ５３は、半導体素子５１の複数の電極パッド５４と、配線基板５２の複数の電極パッド５５と、を一対一で電気的に接続する。以下、このインターポーザ５３を詳細に説明する。図１２には、図１１に示すインターポーザ５３が上下逆に描かれている。
【００７１】
図１２に示すように、インターポーザ５３は、複数のコンタクト５６（導電部材）と、複数のコンタクト５６を保持する下絶縁基板５７（第１の絶縁基板）及び上絶縁基板５８（第２の絶縁基板）と、を備える。複数のコンタクト５６は、同一形状である。複数のコンタクト５６は、マトリックス状に配置されている。下絶縁基板５７及び上絶縁基板５８は、絶縁性の基板である。
【００７２】
図１３に示すように、下絶縁基板５７は、下基板上面５７ａと下基板下面５７ｂ（第１の面）を有する。下基板上面５７ａ及び下基板下面５７ｂは、下絶縁基板５７の板厚方向に対して直交する面である。下基板下面５７ｂは、下基板上面５７ａの反対側の面である。下絶縁基板５７には、複数の貫通孔５９が形成されている。各貫通孔５９は、下基板上面５７ａ及び下基板下面５７ｂに開口している。各貫通孔５９は、内周面５９ａを有する。複数の貫通孔５９は、マトリックス状に配置されている。
【００７３】
上絶縁基板５８は、上基板下面５８ａと上基板上面５８ｂを有する。上基板下面５８ａと上基板上面５８ｂは、上絶縁基板５８の板厚方向に対して直交する面である。上基板上面５８ｂは、上基板下面５８ａの反対側の面である。上基板下面５８ａは、下絶縁基板５７の下基板上面５７ａと対向している。上絶縁基板５８には、複数の貫通孔６０が形成されている。各貫通孔６０は、上基板下面５８ａと上基板上面５８ｂに開口している。各貫通孔６０は、内周面６０ａを有する。複数の貫通孔６０は、マトリックス状に配置されている。
【００７４】
各コンタクト５６は、下ハンダ付端子部６１と柱状導体部６２、上ハンダ付端子部６３を有する。
【００７５】
下ハンダ付端子部６１は、下絶縁基板５７に対して平行な丸い板状の部分であって、下絶縁基板５７の下基板下面５７ｂに対して面接触するように配置されている。下ハンダ付端子部６１は、下端子基板対向面６１ａと下端子基板非対向面６１ｂ、外周面６１ｃを有する。下端子基板対向面６１ａは、下絶縁基板５７の下基板下面５７ｂに対して面接触している。下端子基板非対向面６１ｂは、下端子基板対向面６１ａの反対側の面である。
【００７６】
上ハンダ付端子部６３は、上絶縁基板５８に対して平行な丸い板状の部分であって、上絶縁基板５８の上基板上面５８ｂに対して面接触するように配置されている。上ハンダ付端子部６３は、上端子基板対向面６３ａと上端子基板非対向面６３ｂ、外周面６３ｃを有する。上端子基板対向面６３ａは、上絶縁基板５８の上基板上面５８ｂに対して面接触している。上端子基板非対向面６３ｂは、上端子基板対向面６３ａの反対側の面である。
【００７７】
柱状導体部６２は、下ハンダ付端子部６１の下端子基板対向面６１ａから、上ハンダ付端子部６３の上端子基板対向面６３ａに至るまで、直線状に突出して形成されている。柱状導体部６２は、円柱状の導体である。柱状導体部６２は、下絶縁基板５７の板厚方向に対して実質的に平行となるように延びている。即ち、柱状導体部６２は、上絶縁基板５８の板厚方向に対して実質的に平行となるように延びている。柱状導体部６２は、下絶縁基板５７及び上絶縁基板５８を貫通している。柱状導体部６２は、下ハンダ付端子部６１の下端子基板対向面６１ａから突出し、下絶縁基板５７の下基板下面５７ｂ及び下基板上面５７ａをこの順で貫通し、その後、上絶縁基板５８の上基板下面５８ａ及び上基板上面５８ｂをこの順で貫通し、上ハンダ付端子部６３の上端子基板対向面６３ａに至る。柱状導体部６２は、下絶縁基板５７内に埋まっている下埋没部６４と、上絶縁基板５８内に埋まっている上埋没部６５と、下絶縁基板５７及び上絶縁基板５８外に露出している露出部６６と、を有する。下埋没部６４及び上埋没部６５、露出部６６は、何れも円柱状である。下埋没部６４の外周面６４ａは、下絶縁基板５７の貫通孔５９の内周面５９ａに対して密着するように形成されている。上埋没部６５の外周面６５ａは、上絶縁基板５８の貫通孔６０の内周面６０ａに対して密着するように形成されている。露出部６６は、下埋没部６４と上埋没部６５の間に配置されている。露出部６６は、下絶縁基板５７及び上絶縁基板５８の間に配置されている。露出部６６は、下絶縁基板５７を挟んで下ハンダ付端子部６１と反対側に、且つ、上絶縁基板５８を挟んで上ハンダ付端子部６３と反対側に配置されている。露出部６６の外周面６６ａは、外部に露出している。下埋没部６４及び上埋没部６５、露出部６６の断面の形状は、同一である。ここで、「断面」とは、下ハンダ付端子部６１の下端子基板対向面６１ａに対して平行な断面である。下埋没部６４の断面の直径及び上埋没部６５の断面の直径、露出部６６の断面の直径は、等しい。
【００７８】
下ハンダ付端子部６１及び上ハンダ付端子部６３の直径は、柱状導体部６２の直径よりも大きい。柱状導体部６２は、下ハンダ付端子部６１の下端子基板対向面６１ａの略中心に接続すると共に、上ハンダ付端子部６３の上端子基板対向面６３ａの略中心に接続している。柱状導体部６２は、下ハンダ付端子部６１の下端子基板対向面６１ａから上ハンダ付端子部６３の上端子基板対向面６３ａに至るまで、直線状に、下絶縁基板５７の板厚方向及び上絶縁基板５８の板厚方向に対して実質的に平行となるように延びている。
【００７９】
下ハンダ付端子部６１及び上ハンダ付端子部６３は、外部に露出している。詳しくは、下ハンダ付端子部６１の下端子基板非対向面６１ｂ及び外周面６１ｃは、外部に露出している。従って、下端子基板非対向面６１ｂのうち下絶縁基板５７の板厚方向で見て柱状導体部６２と重複する領域である重複領域６１ｄも同様に、下絶縁基板５７によって覆われることなく、外部に露出している。同様に、上ハンダ付端子部６３の上端子基板非対向面６３ｂ及び外周面６３ｃは、外部に露出している。従って、上端子基板非対向面６３ｂのうち上絶縁基板５８の板厚方向で見て柱状導体部６２と重複する領域である重複領域６３ｄも同様に、上絶縁基板５８によって覆われることなく、外部に露出している。
【００８０】
次に、インターポーザ５３の使用方法を説明する。
【００８１】
先ず、図１１において、半導体素子５１の素子接続面５１ａに配置されている複数の電極パッド５４に所定量のクリームハンダを塗布する。そして、リフロー装置を用いて、図１３のインターポーザ５３のコンタクト５６の下ハンダ付端子部６１の下端子基板非対向面６１ｂを、図１１の半導体素子５１の複数の電極パッド５４に夫々接続する。このとき、下ハンダ付端子部６１の下端子基板非対向面６１ｂの重複領域６１ｄにハンダが直接接触することとなるので、コンタクト５６の柱状導体部６２の、下絶縁基板５７に対する直立した状態が高いレベルで維持される。即ち、複数のコンタクト５６の上ハンダ付端子部６３のピッチが乱れることなく安定する。
【００８２】
次に、図１１において、配線基板５２の基板接続面５２ａに配置されている複数の電極パッド５５に所定量のクリームハンダを塗布する。そして、リフロー装置を用いて、図１３のインターポーザ５３のコンタクト５６の上ハンダ付端子部６３の上端子基板非対向面６３ｂを、図１１の配線基板５２の複数の電極パッド５５に夫々接続する。
【００８３】
次に、図１４及び図１５を参照して、インターポーザ４の製造方法を説明する。
【００８４】
図１４の（ａ）に示すように、絶縁層７０（第１の層）及び絶縁層７１（第２の層）、絶縁層７２（第３の層）を積層して基材７３を形成する。絶縁層７０及び絶縁層７２の素材は、例えば、ポリイミドである。絶縁層７１は、例えば、フォトレジストである。絶縁層２１は、水溶性又は熱分解性を有する樹脂であってもよい。
【００８５】
次に、図１４の（ｂ）に示すように、基材７３に複数の貫通孔７４を形成する。複数の貫通孔７４は、基材７３の板厚方向に対して実質的に平行に延びるように形成される。
【００８６】
次に、図１４の（ｃ）に示すように、複数の貫通孔７４に導電材料７５をメッキで充填することで、柱状導体部６２を形成する。導電材料７５の素材は、例えば、銅である。
【００８７】
次に、図１５の（ｄ）に示すように、柱状導体部６２の両端に、下ハンダ付端子部６１及び上ハンダ付端子部６３をメッキやエッチングにより形成する。下ハンダ付端子部６１及び上ハンダ付端子部６３は、柱状導体部６２と同じ素材により形成する。
【００８８】
次に、図１５の(e)に示すように、基材７３の絶縁層７１をエッチングにより除去することで、絶縁層７０が下絶縁基板５７として、絶縁層７２が上絶縁基板５８として、夫々残る。
【００８９】
以上に、第２実施形態を説明したが、上記第２実施形態は、以下の特長を有する。
【００９０】
（１，６）半導体素子５１（接続対象物）及び配線基板５２（接続対象物）を電気的に接続するために、半導体素子５１及び配線基板５２の間に配置されるインターポーザ５３（中継部材）は、以下のように構成されている。インターポーザ５３は、複数のコンタクト５６（導電部材）と、複数のコンタクト５６を保持する下絶縁基板５７（第１の絶縁基板）と、を備える。下絶縁基板５７は、下絶縁基板５７の板厚方向に対して直交する下基板下面５７ｂ（第１の面）を有する。各コンタクト５６は、下基板下面５７ｂと面接触する下ハンダ付端子部６１（第１接触部）と、下絶縁基板５７を貫通するように下ハンダ付端子部６１から直線状に下絶縁基板５７の板厚方向に対して実質的に平行に突出する柱状導体部６２と、を有する。柱状導体部６２は、下絶縁基板５７内に埋まっている下埋没部６４（第１埋没部）と、下絶縁基板５７外に露出している露出部６６と、を有する。下ハンダ付端子部６１は、下基板下面５７ｂと対向する下端子基板対向面６１ａ（第１基板対向面）と、下端子基板対向面６１ａと反対側の面である下端子基板非対向面６１ｂ（第１基板非対向面）と、を有する。下端子基板非対向面６１ｂのうち少なくとも下絶縁基板５７の板厚方向で見て柱状導体部６２と重複する重複領域６１ｄは外部に露出している。また、インターポーザ５３は、複数のコンタクト５６を保持する上絶縁基板５８（第２の絶縁基板）を更に備える。上絶縁基板５８は、下絶縁基板５７に対して実質的に平行となるように、下絶縁基板５７から離れて配置される。各コンタクト５６の柱状導体部６２は、下絶縁基板５７及び上絶縁基板５８を貫通する。以上の構成によれば、複数のコンタクト５６の柱状導体部６２の、下絶縁基板５７に対して直立した状態を一層高いレベルで維持することができ、もって、インターポーザ５３の信頼性を更に向上させることができる。
【００９１】
（付記）半導体素子５１（接続対象物）及び配線基板５２（接続対象物）を電気的に接続するために、半導体素子５１及び配線基板５２の間に配置されるインターポーザ５３（中継部材）は、以下のように構成されている。インターポーザ５３は、複数のコンタクト５６（導電部材）と、複数のコンタクト５６を保持する下絶縁基板５７（第１の絶縁基板）及び上絶縁基板５８（第２の絶縁基板）と、を備える。上絶縁基板５８は、下絶縁基板５７に対して実質的に平行となるように、下絶縁基板５７から離れて配置される。各コンタクト５６の柱状導体部６２は、下絶縁基板５７及び上絶縁基板５８を貫通する。以上の構成によれば、複数のコンタクト５６の柱状導体部６２の、下絶縁基板５７及び上絶縁基板５８に対して直立した状態を高いレベルで維持することができ、もって、インターポーザ５３の信頼性を更に向上させることができる。
【００９２】
（７）柱状導体部６２は、上絶縁基板５８内に埋まっている上埋没部６５（第２埋没部）を更に有する。露出部６６は、下絶縁基板５７と上絶縁基板５８の間で延びている。
【００９３】
（８）各コンタクト５６は、上絶縁基板５８を挟んで下絶縁基板５７と反対側に配置されると共に上絶縁基板５８と面接触する上ハンダ付端子部６３（第２接触部）を更に有する。
【００９４】
（９）インターポーザ５３は、以下のような方法で製造される。絶縁層７０（第１の層）と、絶縁層７１（第２の層）と、絶縁層７２（第３の層）と、をこの順に積層して基材７３を形成する。次に、基材７３に、基材７３の積層方向に対して実質的に平行な貫通孔７４を複数形成する。次に、複数の貫通孔７４内に柱状導体部６２を夫々形成する。次に、絶縁層７１を除去する。
【符号の説明】
【００９５】
１  半導体装置
２  半導体素子（接続対象物）
２ａ  素子接続面
３  配線基板（接続対象物）
３ａ  基板接続面
４  インターポーザ（中継部材）
５  電極パッド
６  電極パッド
７  コンタクト（導電部材）
８  下絶縁基板（第１の絶縁基板）
８ａ  下基板上面
８ｂ  下基板下面（第１の面）
９  貫通孔
９ａ  内周面
１０  下ハンダ付端子部（第１接触部）
１０ａ  下端子基板対向面（第１基板対向面）
１０ｂ  下端子基板非対向面（第１基板非対向面）
１０ｃ  外周面
１０ｄ  重複領域
１１  柱状導体部
１１ａ  端部
１２  上ハンダ付端子部（第２接触部）
１２ａ  上端子基板対向面（対向面）
１２ｂ  上端子基板非対向面（遠方面）
１２ｃ  外周面
１３  下埋没部（第１埋没部）
１３ａ  外周面
１４  露出部
１４ａ  外周面
１４ｂ  隣接領域
１４ｃ  先端面
１５  低濡れ性層
１６  高濡れ性層
２０  絶縁層
２１  絶縁層
２２  基材
２３  貫通孔
２４  導電材料
５０  半導体装置
５１  半導体素子（接続対象物）
５１ａ  素子接続面
５２  配線基板（接続対象物）
５２ａ  基板接続面
５３  インターポーザ（中継部材）
５４  電極パッド
５５  電極パッド
５６  コンタクト（導電部材）
５７  下絶縁基板（第１の絶縁基板）
５７ａ  下基板上面
５７ｂ  下基板下面（第１の面）
５８  上絶縁基板（第２の絶縁基板）
５８ａ  上基板下面
５８ｂ  上基板上面
５９  貫通孔
５９ａ  内周面
６０  貫通孔
６０ａ  内周面
６１  下ハンダ付端子部（第１接触部）
６１ａ  下端子基板対向面（第１基板対向面）
６１ｂ  下端子基板非対向面（第１基板非対向面）
６１ｃ  外周面
６１ｄ  重複領域
６２  柱状導体部
６３  上ハンダ付端子部（第２接触部）
６３ａ  上端子基板対向面
６３ｂ  上端子基板非対向面
６３ｃ  外周面
６３ｄ  重複領域
６４  下埋没部（第１埋没部）
６４ａ  外周面
６５  上埋没部（第２埋没部）
６５ａ  外周面
６６  露出部
６６ａ  外周面
７０  絶縁層（第１の層）
７１  絶縁層（第２の層）
７２  絶縁層（第３の層）
７３  基材
７４  貫通孔
７５  導電材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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