(57)【要約】【課題】薄膜とメタライズ小片体とがなすコーナーが面取りされて傾斜面になっているとともに、前記傾斜面側の薄層に盛り上がりが生じないメタライズ小片体を得る。【解決手段】焼結セラミックシート（１７）となるセラミックグリーンシート（１３）を、その表面に分割縦横溝（１５）を入れてから、焼成して焼成セラミックシート（１７）を得、次いで、その焼成セラミックシートの表面（２３ａ）に金属薄膜（２４）を被覆し、最後に、金属薄膜が被覆されたメタライズ焼結セラミックシートを曲面上に相対的に押圧することにより、メタライズ焼結セラミックシートを分割縦横溝の起点に分割して、焼結セラミック小片体の表面（３５ｂ）、並びに表面と側面間が面取りされた傾斜面のそれぞれに金属薄膜が被覆されたメタライズ小片体（３４）を得る。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面に金属薄膜が被覆されたメタライズ焼結セラミックシートを分割して、そのメタライズ焼結セラミックシートよりも小さい平面を有するメタライズ焼結セラミック小片体を製造する方法において、（Ａ）前記メタライズ焼結セラミックシートとなるグリーンシートの表面に、断面がＶ字又はＵ字状の分割溝を複数本形成する溝形成工程と、（Ｂ）前記グリーンシートを焼成して焼結セラミックシートを得る焼成工程と、（Ｃ）前記表面に金属の薄膜を施して、メタライズ焼結セラミックシートを得るメタライズ工程と、（Ｄ）前記分割溝を起点として、前記メタライズ焼結セラミックシートを分割して、メタライズ焼結セラミック小片体を得る分割工程と、を含むことを特徴とする、メタライズ焼結セラミック小片体の製造方法。
【請求項２】
少なくとも一方の面に金属薄膜が被覆されたメタライズ焼結セラミックシートを分割して、そのメタライズ焼結セラミックシートよりも小さい平面を有するメタライズ焼結セラミック小片体を製造する方法において、（Ａ）前記メタライズ焼結セラミックシートとなるグリーンシートの表面に、断面がＶ字又はＵ字状の分割溝を複数本形成する溝形成工程と、（Ｂ）前記グリーンシートを焼成して焼結セラミックシートを得る焼成工程と、（Ｃ）前記焼結セラミックシートの表面及び裏面に金属の薄膜を施して、メタライズ焼結セラミックシートを得るメタライズ工程と、（Ｄ）前記分割溝を起点として、前記メタライズ焼結セラミックシートを分割してメタライズ焼結セラミック小片体を得る分割工程と、を含むことを特徴とする、メタライズ焼結セラミック小片体の製造方法。
【請求項３】
少なくとも一方の面に金属薄膜が被覆されたメタライズ焼結セラミックシートを分割して、そのメタライズ焼結セラミックシートよりも小さい平面を有するメタライズ焼結セラミック小片体を製造する方法において、（Ａ）前記メタライズ焼結セラミックシートとなるグリーンシートの表面に、断面がＶ字又はＵ字状の分割溝を複数本形成する溝形成工程と、（Ｂ）前記グリーンシートを焼成して焼結セラミックシートを得る焼成工程と、（Ｃ）前記焼結セラミックシートの表面を研磨する研磨工程と、（Ｄ）前記表面に金属の薄膜を施して、メタライズ焼結セラミックシートを得るメタライズ工程と、（Ｅ）前記分割溝を起点として、前記メタライズ焼結セラミックシートを分割して、メタライズ焼結セラミック小片体を得る分割工程と、を含むことを特徴とする、メタライズ焼結セラミック小片体の製造方法。
【請求項４】
少なくとも一方の面に金属薄膜が製膜されたメタライズ焼結セラミックシートを分割して、そのメタライズ焼結セラミックシートよりも小さい平面を有するメタライズ焼結セラミック小片体を製造する方法において、（Ａ）前記メタライズ焼結セラミックシートとなるグリーンシートの表面に、断面がＶ字又はＵ字状の分割溝を複数本形成する溝形成工程と、（Ｂ）前記グリーンシートを焼成して焼結セラミックシートを得る焼成工程と、（Ｃ）前記焼結セラミックシートの表面を研磨する研磨工程と、（Ｄ）前記表面及びその裏面に金属の薄膜を施して、メタライズ焼結セラミックシートを得るメタライズ工程と、（Ｅ）前記分割溝を起点として、前記メタライズ焼結セラミックシートを分割して、メタライズ焼結セラミック小片体を得る分割工程と、を含むことを特徴とする、メタライズ焼結セラミック小片体の製造方法。
【請求項５】
前記分割溝が、縦横に交差した格子状溝である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のメタライズ焼結セラミック小片体の製造方法。
【請求項６】
前記金属が、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種以上の金属である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のメタライズ焼結セラミック小片体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブマウントチップ、すなわち、レーザーダイオードや発光ダイオード等の半導体素子と直接又は１本の導電体を介して間接的に通電する金属薄膜（回路）が表面に積層された焼結セラミック小片体であり、かつ前記半導体が発する熱をヒートシンクに伝達するために、両者の間においてヒートシンクの上に設置される極小基板や、圧電素子等のセラミック電子部品に用いられるメタライズ焼結セラミック小片体（以下、「メタライズ小片体」という。）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、図１１及び図１２に示すように、ヒートシンク５１の上にレーザーダイオードや発光ダイオード等の半導体素子５２を設置する電子機器において、その両者の間において、サブマウントチップ５３が設置されるが、このサブマウントチップ５３として、側面が矩形状をなす絶縁基板５４の表面５４ａ又は表面５４ａ及び裏面５４ｂに対して絶縁基板５４の内方５４ｃから絶縁基板５４の端面５４ｄまで、半導体素子５２と直接又は間接的に通電し、前記半導体素子５２をヒートシンクに固定し、さらに前記半導体素子５２の発熱をヒートシンク５１に熱伝導する目的で、金属電極パターン５５が延展・被覆されているメタライズ小片体が公知である。
【０００３】
さらに、この種のサブマウントチップ５３として、例えば、図１３に示す形状・構造のメタライズ小片体５６が公知である（公知技術：特許第５０３７５２２号）。前記公知技術に係るメタライズ小片体５６は、絶縁基板５４上の金属電極パターン５５における端面５５ａが面取りされて傾斜している。そのため、この端面５５ａに外部の物体（図示なし）が接触すると、その負荷が絶縁基板５４から金属電極パターン５５をめくり上げるという作用を抑制する。その結果、メタライズ小片体５６を取り扱ういかなる過程においてもメタライズ小片体５６の形状が安定に保持されるという優れた効果を発揮している。
【０００４】
しかしながら、前記公知技術で作製したメタライズ小片体５６には、図１４に示すように、前記端面５５ａ側の金属電極パターン５５に盛り上り部５５ｂが形成される。もし、このような盛り上り部５５ｂが金属電極パターン５５に形成されると、メタライズ小片体５６そのものの外観が損なわれるだけでなく、メタライズ小片体５６におけるいかなる表面部位に対して、半導体素子を水平に設置しようとする自由度が制限される。
【０００５】
なお、前記公知技術において盛り上り部５５ｂが形成されるのは、前記公知技術がメタライズ小片体５６を製造する特有の方法に起因する。すなわち、その方法は、まず、焼結セラミックシートを製造する第一ステップ、次いで、焼結セラミックシートの上に金属電極パターン５５を製膜する第二ステップ、さらに続いて、図１５に示すように、前記金属電極パターン５５の上から焼結セラミックシート５７に対して、切欠き装置５８によって縦横に格子状の分割溝５９を入れる第三ステップを少なくとも採用しているからである。
【０００６】
すなわち、第三ステップにおいて、前記金属電極パターン５５に対して前記切欠き装置５８の刃先５８ａを押し付けるときに、金属電極パターン５５を構成する金属の一部分が摩擦熱で流動し易くなるとともに前記切欠き装置５８の刃先押圧力により、上方に押し上げられるからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５０３７５２２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明者は、ヒートシンクと半導体素子との間に介装される絶縁基板（以下、本発明において「焼結セラミック基板」と称する。）と薄膜とが積層されたメタライズ小片体において、前記薄膜とメタライズ小片体とがなすコーナーが面取りされて傾斜面になっているとともに、前記傾斜面側の薄層に盛り上りが生じないメタライズ小片体を取得する目的で、鋭意、検討した結果、前記焼結セラミック基板となるグリーンシートに所定の分割溝を設ける手段を採用してから、公知技術のようにグリーンシートを焼成するとともに、得られた焼結セラミックシートを所定の金属で被覆して、それをメタライズ小片体にすればよいという事実を見出し、本発明が完成した。
【０００９】
従って、本発明の課題は、前記薄膜とメタライズ小片体とがなすコーナーが面取りされて傾斜面になっているとともに、前記傾斜面側の薄層に盛り上がりが生じないメタライズ小片体を取得することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記の課題を解決するために、少なくとも一方の面に金属薄膜が製膜されたメタライズ焼結セラミックシートを分割して、前記メタライズ焼結セラミックシートよりも小さい平面を有するメタライズ焼結セラミック小片体を製造する方法において、（Ａ）前記メタライズ焼結セラミックシートとなるグリーンシートの表面に、断面がＶ字又はＵ字状の分割溝を複数本形成する溝形成工程と、（Ｂ）前記グリーンシートを焼成して焼結セラミックシートを得る焼成工程と、（Ｃ）前記表面に金属の薄膜を製膜して、メタライズ焼結セラミックシートを得るメタライズ工程と、（Ｄ）前記分割溝を起点として、前記メタライズ焼結セラミックシートを分割する分割工程と、を含むメタライズ小片体の製造方法を採用する。
【００１１】
上記の手段を採用することにより、メタライズ焼結セラミック基板に対してその表面又は裏面から負荷をかけると、厚みの薄い分割溝の谷部を起点として、前記基板が分割される。分割溝の傾斜面と基板表面とがなすコーナー部を被覆している金属薄膜は負荷を受けないため、バリが生じない。また、基板表面と傾斜面が一体で金属薄膜を形成しているため、前記コーナー部において剥がれが生じることもない。
【００１２】
焼成した基板の厚みや表面粗さをより均一に仕上げる必要がある場合には、上記工程に加えて、基板の表面に研磨を施す研磨工程を行う。これによって、焼成して得られた基板の厚みを顧客の要求する寸法精度内に収めることが容易となる。また、表面を研磨することでメタライズ工程における金属薄膜と焼結セラミック基板との密着性を向上させ、半導体素子との接合力を向上させることができる。
【００１３】
表裏両面にメタライズ面が必要な場合には、前記メタライズ工程において、裏面にも金属薄膜を製膜する、両面メタライズ工程を行う。裏面にメタライズ面が存在するため、ヒートシンクにはんだ付けをすることが可能になる。はんだ付けをすることで、一般的な接着剤を使用した場合よりも熱伝導率が上がり、半導体素子の熱をヒートシンクに逃がしやすくできる。
【００１４】
焼成した基板の厚みや表面粗さを均一に仕上げる必要があり、かつ、表裏両面にメタライズ面が必要である場合には、前記手段に加えて、前記研磨工程と前記両面メタライズ工程を含む手段を採用する。
【００１５】
さらに好ましくは、上記工程において前記分割溝を、縦横に交差した格子状溝とする手段を採用する。複数本の分割溝を縦横に入れることによって、１枚の大きな基板から所望の大きさのメタライズ小片体を複数枚得られる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、上記手段を採用することにより、薄膜とメタライズ小片体とがなすコーナーが面取りされて傾斜面になっているとともに、前記傾斜面側の薄層に盛り上がりが生じないメタライズ小片体を得ることができるという、優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るメタライズ小片体の製造方法で使用するグリーンシートである。
【図２】前記グリーンシートに溝を形成する一態様を示す斜視図である。
【図３】前記グリーンシートに形成した分割溝の部分拡大断面図である。
【図４】前記製造方法の一工程である、研磨工程を示す斜視図である。
【図５】本発明に係るメタライズ焼結セラミックシートの部分断面図である。
【図６】図５におけるＡ部の拡大断面図である。
【図７】本発明に係るメタライズ小片体製造方法のうち、分割工程を示す。
【図８】図７におけるＢ部の拡大図である。
【図９】本発明に係るメタライズ小片体の断面図である。
【図１０】図９におけるＣ部の拡大断面図である。
【図１１】電子機器におけるメタライズ小片体を示す斜視図である。
【図１２】メタライズ小片体の断面図である。
【図１３】公知技術に係るメタライズ小片体の断面図である。
【図１４】図１３におけるＤ部の拡大断面図である。
【図１５】公知技術に係るメタライズ小片体の製造方法における分割溝形成工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、図面に沿って本発明の好ましい実施形態を説明する。セラミックグリーンシートを出発材料として、本発明の目的物であるメタライズ小片体を製造する本発明方法は、溝形成工程、焼成工程、研磨工程、メタライズ工程及び分割工程から構成される。以下、各工程について、順次、説明する。
【００１９】
（溝形成工程）まず、前記出発材料となるセラミックのグリーンシートを用意するために、グリーンシートの原料を準備する操作、その原料からからグリーンシートを成形する操作及びそのグリーンシートの表面に分割溝を形成する操作を行う。
【００２０】
本発明において前記グリーンシートの原料として、最終的に金属薄膜に半導体素子と直接又は導電体を介して間接的に通電し、前記半導体素子をヒートシンクに固定し、さらに半導体素子の発熱をヒートシンクに熱伝導する機能を発揮させるように金属薄膜を支持する焼結セラミック小片体が得られる原料であればいかなるセラミックも使用可能であるが、本発明の目的物である、半導体素子とヒートシンクとの間に介在させるメタライズ小片体を得るには、前記セラミック原料のうち比較的熱伝導率の高い原料、特に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（ＺｒＯ２）が好ましく使用される。
【００２１】
次に前記原料を公知の成形法、例えばドクターブレード法で成形してグリーンシートを得る。この場合、グリーンシートの厚みは、それを焼成して得られた焼結セラミックシートの厚みに換算して、０．２ｍｍ〜１．８ｍｍとする。さらにこのようにして得られたグリーンシートを図１に示すように、縦の長さＬ及び幅Ｗが５０ｍｍ〜２５０ｍｍの大きさの方形に裁断して、グリーンシート１３を得る。
【００２２】
前記グリーンシート１３に対して、図２に示すように、断面が略Ｖ字又はＵ字状の刃先を有する板状又は円盤状の刃物１４を所定の深さまで押し当てて、図３に示すように、前記グリーンシート１３の表面に、所定の開口１５ｃとテーパ角αを有する分割溝１５を設けて、分割溝入りグリーンシート１６を成形する。本発明においては、前記開口１５ｃとテーパ角αは、後述するメタライズ小片体の端面と金属薄膜とがなすコーナー部において所定の傾斜面が形成されるように試行実験により決定される。
【００２３】
前記分割溝１５の深さｄは、グリーンシート１３の厚みｔ１に対して１／２〜２／３程度、好ましくは５５／１００〜６０／１００とする。前記分割溝１５の深さｄが基板厚みｔ１に対して１／２よりも浅いと、後述する焼結セラミック基板の分割時にその基板が垂直に割れない。そのため、得られたメタライズ小片体の寸法精度が悪くなってしまう。また、前記分割溝１５の深さｄがグリーンシートの厚みｔ１に対して２／３よりも深いと、後述する分割工程に至るまでに焼結セラミック基板が分割する恐れがある。
【００２４】
ここで、前記分割溝１５としては、縦方向に所定の本数の分割縦溝１５ａを入れた後に、グリーンシート１３を平面方向に９０°回転させ、同様に前記分割縦溝１５ａに直交する方向に所定の本数の分割横溝１５ｂを入れる。このようにして、前記分割溝１５を、前記グリーンシート１３の表面に、焼成後に所定の形状のメタライズ小片体の大きさとなるように、縦横に複数本入れて格子状に分割溝１５を形成する。なお、最初に、分割縦溝１５ａを入れる代わりに分割横溝１５ｂを入れてもよい。
【００２５】
分割縦溝１５ａ及び／又は分割横溝１５ｂの間隔Ｄ１，Ｄ２は、０．３ｍｍ〜４０ｍｍの範囲において等しくても異なっていてもよい。ただし、それらの間隔Ｄ１，Ｄ２は、グリーンシートの焼成時における収縮を考慮して、焼結により得られたメタライズ小片体の大きさを基準にして決定される。
【００２６】
（焼成工程）上記溝形成工程で得られた分割溝入りグリーンシート１６を焼成炉に入れて焼成して、焼結セラミックシートを得る。焼成温度は、セラミック基板原料がＡｌＮの場合、１５００〜２０００℃、Ａｌ２Ｏ３の場合、１２００〜１５００℃、ＺｒＯ２の場合、１３００〜１５００℃である。分割溝入りグリーンシート１６を焼成後、この後の工程で取扱い易いように一辺が４５ｍｍ〜５５ｍｍの正方形又は矩形の方形に裁断する。
【００２７】
（研磨工程）上記焼成工程で得られた焼結セラミックシートの表面の研磨を行う。本発明において研磨工程は、焼結セラミックシートの表面の凹凸を削って厚さと表面粗さを調整する研削段階と、前記表面を磨いて表面粗さをより小さくする研磨段階とに分かれる。
【００２８】
研削段階では粒度が粗い研磨剤を使用して、前記焼結セラミックシートの厚さを目的の寸法精度に収まるように研削する。研磨段階では、アルカリ性溶剤と切削段階で使用したものよりも粒度が細かい研磨剤とを使用して、表面を溶かしながら前記焼結セラミックシートを磨き上げる。
【００２９】
前記研磨工程に使用する研磨装置は、図４に示すように、図示しない装置により回転又は停止可能な円盤状の下部台座２０ａ、その上に設置される研磨布１９ａ、前記研磨布１９ａの上方で図示しない装置により回転又は停止可能な支持板１８、研磨布１９ｂ、図示しない装置により回転又は停止可能な円盤状の上側台座２０ｂからなっている。前記支持板１８は円盤状で、固定する焼結セラミックシート１７と同じ形状・同じ大きさの落し穴２１を有し、支持板１８の厚みは固定する焼結セラミックシート１７よりも薄い。
【００３０】
前記支持板１８の落し穴２１に前記焼結セラミックシート１７を固定し、表面に研磨剤を塗布した布１９で前記焼結セラミックシート１７の両面を挟み、さらにその上下を台座２０で挟み、上から圧力をかけながら台座２０を回転させて行う。このようにして、研磨済み焼結セラミックシートを得る。片方の面だけに研削及び研磨を施す場合は、研磨する面を下に向けて、研磨布１９ａにのみ研磨剤を塗布して、台座２０ａのみを回転させて研削及び研磨を施す。両方の面に研削及び研磨を施す場合は、研磨布１９ａ及び１９ｂに研磨剤を塗布して、台座２０ａ、２０ｂ及び支持板１８を回転させて研削及び研磨を施す。
【００３１】
(メタライズ工程）次に、図５に示すように、前記研磨工程で得た研磨済み焼結セラミックシート２３の表裏面２３ａ，２３ｂのうち、少なくとも分割溝１５を有する表面２３ａに対して、スパッタリングや蒸着等のメタライズ方法により金属薄膜２４を施す。すると、前記金属薄膜２４は、前記表面２３ａのみならず、図６に示すように、断面が略Ｖ字又はＵ字状の分割溝１５の内壁１５ｄにまで貼り付いたメタライズ焼結セラミックシート２５が形成される。なお、ヒートシンクとメタライズ小片体とを、はんだ付けで固定する場合は、前記裏面２３ｂに対しても金属薄膜２４を施すことができる（図５を参照）。はんだ付けをすることで、一般的な接着剤を使用した場合よりも熱伝導率が上がり、半導体素子の熱をヒートシンクに逃がしやすくできる。
【００３２】
本発明の基本的な技術思想の一つは、厚みが比較的小さい金属薄膜２４を研磨済み焼結セラミックシート２３に作ることにも存在する。そのため、好ましくは、図６に示すように、表面２３ａ上に、厚みが０．０４μｍ〜０．１μｍのＴｉ層２４ａ、同じく０．１μｍ〜０．６μｍのＰｔ層２４ｂ及び０．４μｍ〜２．５μｍのＡｕ層２４ｃが合計４μｍ以下の厚みになるように積層される。
【００３３】
このように、比較的厚みの小さい金属薄膜２４が表面２３ａ上に形成されると、金属薄膜２４は、当然、断面が略Ｖ字又はＵ字状の分割溝１５の内壁１５ｄ上にも積層される。その結果、前記分割溝１５の深部にも金属薄膜２４は積層されるが、本発明に係る前記分割溝１５は、前述したように、所定の深さと開口広さを有しているので、前記分割溝１５の底部１５ｅに至るまで分割溝１５に対応する形状の凹状溝が形成される。
【００３４】
（分割工程）次に、前記メタライズ工程で得られたメタライズ焼結セラミックシート２５に分割操作を施して、本発明の目的物であるメタライズ小片体を得る。前記分割操作は、前記メタライズ焼結セラミックシート２５を、三次元的曲面に押圧する方法又は図７に示すような、縦又は横に配向する二次元的曲面に方向を変えて２回押圧する方法等により、前記メタライズ焼結セラミックシート２５から本発明の目的物であるメタライズ小片体３４を得る。
【００３５】
すると、図８に示すように前記メタライズ焼結セラミックシート２５は、それに加えられた押圧力により、分割溝１５の底部１５ｅを起点にして破断が始まり、最終的には、図９及び図１０に示すように、断面が略方形をなし、側端面の上方部(上位側端面)３５ａに傾斜面を有する焼結セラミック小片体３５と、その表面３５ｂに被せられた金属薄膜２４とからなる多数個のメタライズ小片体３４が得られる。
【００３６】
前記メタライズ小片体３４は、セラミックのグリーンシートに対して前述した断面が所定の深さとテーパ面を有する略Ｖ字又はＵ字状の分割溝を形成したことに起因して、その上方側端面に所定の傾斜面を有するとともに、その表面から連続する前記傾斜面に対して金属薄膜が滑らかに形成されている。その結果、前記表面と傾斜面とがなすコーナー部には、従来技術のような盛り上がりやバリが存在しない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、表面と側端面との間に形成されるコーナー部に傾斜面を有するメタライズ小片体の製造に広く利用できる。
【符号の説明】
【００３８】
１３：グリーンシート
１４：刃物
１５：分割溝
１５ａ：分割縦溝
１５ｂ：分割横溝
１５ｃ：分割溝開口
１５ｄ：分割溝の内壁
１６：分割溝入りグリーンシート
１７：焼結セラミックシート
１８：支持板
１９：研磨用布
２０：布固定用台座
２０ａ：下側台座
２０ｂ：上側台座
２２：落し穴
２３：研磨済み焼結セラミックシート
２３ａ：表面
２３ｂ：裏面
２４：金属薄膜
２４ａ：Ｔｉ層
２４ｂ：Ｐｔ層
２４ｃ：Ａｕ層
２５：メタライズ焼結セラミックシート
３１：ローラ
３２：ベルトコンベア
３４：メタライズ小片体
３５：セラミック小片体
３５ａ：上位側端面
３５ｂ：表面                    
５１：ヒートシンク
５２：半導体素子
５３：サブマウントチップ
５４：絶縁基板
５４ａ：表面
５４ｂ：裏面
５４ｃ：内方
５４ｄ：端面
５５：金属電極パターン
５５ａ：金属電極パターン端部
５５ｂ：盛り上り部
５６：メタライズ小片体
５７：焼結セラミックシート
５８：切欠き装置
５９：分割溝
Ｌ：縦の長さ
Ｗ：幅
ｔ１：厚み
ｄ：分割溝の深さ
Ｄ１：分割縦溝の間隔
Ｄ２：分割横溝の間隔
α：テーパ角
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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