(57)【要約】【課題】短冊基板の静電チャックへの密着性を確保することができる短冊基板の処理装置及び方法を提供する。【解決手段】短冊基板Ｂを静電チャック２２の上面に配置し、重り５２と貫通孔５３とを有する重り板５０Ａを、重り５２が短冊基板Ｂの中央に位置し、貫通孔５３から短冊基板Ｂの一部が見えるように、短冊基板Ｂの上に置いて、短冊基板Ｂを静電チャック２２に押し付け、真空容器の内部を真空状態にし、短冊基板Ｂ全てを覆う大きさを有するカバー板６０を、重り板５０Ａの上方に配置し、真空容器の内部にプラズマを生成し、重り板５０Ａで押し付けた短冊基板Ｂを静電チャック２２に吸着させて、短冊基板Ｂを静電チャック２２に密着させ、カバー板６０、重り板５０Ａを取り出し、静電チャック２２に密着させた短冊基板Ｂに対して、プラズマ処理を行う。【選択図】図６
2015056419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理装置であって、
真空容器の内部に設けられ、上面に前記短冊基板を配置する静電チャックと、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給する電圧供給手段と、
金属材料を絶縁材料で被覆した重りと貫通孔とを有する重り板と、
前記真空容器の内部を真空状態にする真空手段と、
前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有するカバー板と、
前記真空容器の内部にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記重り板及び前記カバー板を搬送する搬送手段と、
前記電圧供給手段、前記真空手段、前記プラズマ生成手段、前記搬送手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする短冊基板の処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の短冊基板の処理装置において、
前記絶縁材料はポリイミド又はフッ素系樹脂である
ことを特徴とする短冊基板の処理装置。
【請求項３】
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理装置であって、
真空容器の内部に設けられ、上面に前記短冊基板を配置する静電チャックと、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給する電圧供給手段と、
金属材料からなる重りと前記重りを接地する接地線とを有すると共に前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有する重り板と、
前記真空容器の内部を真空状態にする真空手段と、
前記真空容器の内部にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記重り板を搬送する搬送手段と、
前記電圧供給手段、前記真空手段、前記プラズマ生成手段、前記搬送手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする短冊基板の処理装置。
【請求項４】
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理方法であって、
内部に静電チャックを設けた真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
金属材料を絶縁材料で被覆した重りと貫通孔とを有する重り板を用い、前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置し、かつ、前記貫通孔から前記短冊基板の一部が見えるように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖し
前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有するカバー板を用い、前記カバー板を前記重り板の上方に配置し、
前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックに吸着させて、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記重り板の上方から前記カバー板を取り出し、
前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う
ことを特徴とする短冊基板の処理方法。
【請求項５】
請求項４に記載の短冊基板の処理方法において、
前記絶縁材料はポリイミド又はフッ素系樹脂である
ことを特徴とする短冊基板の処理方法。
【請求項６】
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理方法であって、
内部に静電チャックを設けた真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
金属材料からなる重りと前記重りを接地する接地線とを有すると共に前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有する重り板を用い、前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置するように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖し、
前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックに吸着させて、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う
ことを特徴とする短冊基板の処理方法。
【請求項７】
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理方法であって、
内部に静電チャックを設けた真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
金属材料からなる重りと前記重りを接地する接地線とを有する重り板を用い、前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置するように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖し、
前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で前記押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックに吸着させて、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有するカバー板を用い、前記カバー板を前記短冊基板の上方に配置し、
前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記短冊基板の上方から前記カバー板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う
ことを特徴とする短冊基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、短冊基板に対して成膜やエッチング等のプラズマ処理を行う短冊基板の処理装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トレーを使用して基板を搬送し、当該基板にプラズマ処理を施す処理装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−０４３４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
通常の円板状の基板上に半導体素子や磁気素子などのデバイスを多数形成し、その基板を短冊状に切断し、切断した短冊基板に対して、成膜などのプラズマ処理を行う必要がある場合がある。このような短冊基板に対しても、トレーを使用して搬送することが考えられるが、短冊基板は、薄く細長い形状であり、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、切断した際に歪んで、反ってしまうことがある。なお、図８（ａ）は短冊基板Ｂの上面図であり、図８（ｂ）は短冊基板Ｂの側面図である。このように、短冊基板が反ってしまうことがあるため、トレーを用いて搬送しても、その搬送が困難な場合があり、更には、短冊基板を配置する静電チャックに静電吸着させたくても、その反りにより、静電吸着できない場合もある。
【０００５】
そこで、以下のような手順により、処理装置を大気開放し、静電チャック上に短冊基板を手動で配置して、静電吸着させることが考えられる。なお、ここでの静電チャックは単極型である。
（１）処理装置を大気開放し、静電チャック上に短冊基板を手動で配置する。
（２）短冊基板の反りを矯正する。
（３）反りを矯正した短冊基板を静電チャックで吸着する。
（４）大気開放した処理装置を閉鎖し、処理装置内部を真空状態にする。
【０００６】
この場合、例えば、重りを用いて短冊基板の反りを矯正して、静電チャックへの吸着を行うことができるが、大気開放した処理装置を閉鎖する前に重りを取る必要があり、その後、処理装置内部を真空状態にすると、真空排気している間に短冊基板から電荷が抜けてしまい、静電チャックへの静電吸着がなくなると言う問題がある。短冊基板の静電チャックへの静電吸着を維持できないと、短冊基板と静電チャックの十分な密着性が得られず、その場合、プラズマ処理時において、短冊基板の温度が上昇し、所望の温度でのプラズマ処理を実施できないことになる。
【０００７】
一方、静電チャックとして、グラデエント力を用いた、双極型の静電チャックを用いることも考えられる。ここで、プラズマ処理を行う処理装置には、プラズマ耐性、耐熱性を有する静電チャックが求められている。特に、プラズマにより成膜を行う処理装置では、静電チャック上の短冊基板が配置されていない部分にも膜が成膜されるので、その部分に成膜された膜を、フッ素系ガスを用いたクリーニング処理で除去する必要があり、そのため、クリーニング処理の際のプラズマ耐性、耐熱性を有する静電チャック、例えば、セラミックス系材料の静電チャックが求められている。しかしながら、双極型の静電チャックにおいて、そのようなプラズマ耐性、耐熱性を有するもの（セラミックス系材料のもの）は現実的で無い。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、短冊基板の静電チャックへの密着性を確保することができる短冊基板の処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する第１の発明に係る短冊基板の処理装置は、
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理装置であって、
真空容器の内部に設けられ、上面に前記短冊基板を配置する静電チャックと、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給する電圧供給手段と、
金属材料を絶縁材料で被覆した重りと貫通孔とを有する重り板と、
前記真空容器の内部を真空状態にする真空手段と、
前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有するカバー板と、
前記真空容器の内部にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記重り板及び前記カバー板を搬送する搬送手段と、
前記電圧供給手段、前記真空手段、前記プラズマ生成手段、前記搬送手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
当該第１の発明に係る短冊基板の処理装置では、
前記真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置し、かつ、前記貫通孔から前記短冊基板の一部が見えるように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖した後、
前記制御手段は、
前記真空手段を用いて、前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記搬送手段を用いて、前記カバー板を前記重り板の上方に配置し、
前記プラズマ生成手段を用いて、前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記電圧供給手段から前記単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックに吸着させて、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記搬送手段を用いて、前記重り板の上方から前記カバー板を取り出し、
前記搬送手段を用いて、前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う。
【００１１】
上記課題を解決する第２の発明に係る短冊基板の処理装置は、
上記第１の発明に記載の短冊基板の処理装置において、
前記絶縁材料はポリイミド又はフッ素系樹脂である
ことを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決する第３の発明に係る短冊基板の処理装置は、
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理装置であって、
真空容器の内部に設けられ、上面に前記短冊基板を配置する静電チャックと、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給する電圧供給手段と、
金属材料からなる重りと前記重りを接地する接地線とを有すると共に前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有する重り板と、
前記真空容器の内部を真空状態にする真空手段と、
前記真空容器の内部にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記重り板を搬送する搬送手段と、
前記電圧供給手段、前記真空手段、前記プラズマ生成手段、前記搬送手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１３】
当該第３の発明に係る短冊基板の処理装置では、
前記真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置するように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖した後、
前記制御手段は、
前記真空手段を用いて、前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記電圧供給手段から前記単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックで吸着して、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記プラズマ生成手段を用いて、前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記搬送手段を用いて、前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う。
【００１４】
上記課題を解決する第４の発明に係る短冊基板の処理方法は、
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理方法であって、
内部に静電チャックを設けた真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
金属材料を絶縁材料で被覆した重りと貫通孔とを有する重り板を用い、前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置し、かつ、前記貫通孔から前記短冊基板の一部が見えるように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖し
前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有するカバー板を用い、前記カバー板を前記重り板の上方に配置し、
前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックに吸着させて、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記重り板の上方から前記カバー板を取り出し、
前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う
ことを特徴とする。
【００１５】
上記課題を解決する第５の発明に係る短冊基板の処理方法は、
上記第４の発明に記載の短冊基板の処理方法において、
前記絶縁材料はポリイミド又はフッ素系樹脂である
ことを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決する第６の発明に係る短冊基板の処理方法は、
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理方法であって、
内部に静電チャックを設けた真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
金属材料からなる重りと前記重りを接地する接地線とを有すると共に前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有する重り板を用い、前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置するように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖し、
前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックに吸着させて、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う
ことを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決する第７の発明に係る短冊基板の処理方法は、
短冊基板にプラズマ処理を行う短冊基板の処理方法であって、
内部に静電チャックを設けた真空容器を大気開放して、前記短冊基板を前記静電チャックの上面に配置し、
金属材料からなる重りと前記重りを接地する接地線とを有する重り板を用い、前記静電チャックの上面に配置された前記短冊基板の中央に前記重りが位置するように、前記重り板を前記短冊基板の上に置いて、前記短冊基板を前記静電チャックに押し付け、
前記真空容器を閉鎖し、
前記真空容器の内部を真空状態にし、
前記静電チャックの単電極に静電吸着電圧を供給し、前記重り板で押し付けた前記短冊基板を前記静電チャックに吸着させて、前記短冊基板を前記静電チャックに密着させ、
前記短冊基板の上から前記重り板を取り出し、
前記静電チャックの上面に配置される前記短冊基板全てを覆う大きさを有するカバー板を用い、前記カバー板を前記短冊基板の上方に配置し、
前記真空容器の内部にプラズマを生成し、
前記短冊基板の上方から前記カバー板を取り出し、
前記静電チャックに密着させた前記短冊基板に対して、プラズマ処理を行う
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、短冊基板の静電チャックへの密着性を確保できるので、プラズマ処理中の短冊基板の温度を所望の温度に安定させて、プラズマ処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る短冊基板の処理装置の実施形態の一例（実施例１）として、成膜処理装置を示す図であり、（ａ）は成膜処理装置を示す構成図、（ｂ）は成膜処理装置を構成する成膜室を示す構成図である。
【図２】図１に示した成膜処理装置で用いる重り板を示す図であり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はその下面図である。
【図３】図１に示した成膜処理装置で用いるカバー板を示す上面図である。
【図４】図１（ｂ）に示した成膜室において、静電チャック上に短冊基板を配置した状態を示す図であり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はＡ領域の断面図である。
【図５】図１（ｂ）に示した成膜室において、静電チャック上に配置した短冊基板上に重り板を配置した状態を示す図であり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はＡ領域の断面図である。
【図６】図１（ｂ）に示した成膜室において、静電チャック上に配置した短冊基板及び重り板の上方にカバー板を配置した状態を示す図であり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はＡ領域の断面図である。
【図７】本発明に係る短冊基板の処理装置の実施形態の他の一例（実施例２）として、図２に示した重り板の変形例を示す図であり、（ａ）はその上面図、（ｂ）はその下面図である。
【図８】短冊基板を説明する図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る短冊基板の処理装置及び方法の実施形態について、図１〜図７を参照して説明を行う。なお、ここでは、プラズマ処理を行う短冊基板の処理装置の一例として、成膜処理装置（ＣＶＤ装置）を例示するが、エッチング処理装置でも良い。
【００２１】
（実施例１）
最初に、本実施例の成膜処理装置の装置構成について説明を行う。ここで、図１（ａ）は、本実施例の成膜処理装置を示す構成図であり、図１（ｂ）は、成膜処理装置を構成する成膜室を示す構成図である。
【００２２】
本実施例の成膜処理装置は、図１（ａ）に示すように、成膜室１０、制御装置（制御手段）２０、搬送室３０、設置室４０を有する。搬送室３０に対し、成膜室１０と設置室４０は隣接して配置されている。成膜室１０は、ゲートバルブ３１を介して、搬送室３０と接続されており、ゲートバルブ３１の開閉により、成膜室１０と搬送室３０とを連通状態にしたり、成膜室１０を搬送室３０から閉鎖した状態にしたりしている。
【００２３】
同様に、設置室４０も、ゲートバルブ３２を介して、搬送室３０と接続されており、ゲートバルブ３２の開閉により、設置室４０と搬送室３０とを連通状態にしたり、設置室４０を搬送室３０から閉鎖した状態にしたりしている。
【００２４】
設置室４０の内部には、後述する重り板５０Ａ及びカバー板６０が設置されている。例えば、少なくとも２つのスロットを有するカセットを設置室４０の内部に設置しておき、異なるスロットに重り板５０Ａ、カバー板６０を各々挿入しておけば、１つの設置室４０から重り板５０Ａ、カバー板６０を各々搬送可能となる。特に、重り板５０Ａ、カバー板６０の大きさ、厚さ等を、一般的に使用される６インチ基板、８インチ基板等と同じにすれば、重り板５０Ａ、カバー板６０を設置するカセットとして、上記６インチ基板、８インチ基板等で用いるカセットを使用でき、更には、設置室として、上記６インチ基板、８インチ基板等で用いるロードロック室を用いることもできる。なお、重り板５０Ａ用の設置室、カバー板６０用の設置室は、別々に設けても良い。
【００２５】
搬送室３０の内部には、搬送ロボット（搬送手段）３３が配設されている。そして、搬送ロボット３３のアーム３４を用いて、重り板５０Ａ、カバー板６０の搬送を行っている。例えば、カバー板６０を設置室４０から成膜室１０へ搬送する際には、ゲートバルブ３２を開け、設置室４０へアーム３４を伸ばし、カバー板６０を設置室４０から引き出す。その後、ゲートバルブ３１を開け、成膜室１０へアーム３３を伸ばし、カバー板６０を成膜室１０の内部に搬送することになる。重り板５０Ａを設置室４０から成膜室１０へ搬送する場合には、上述した手順と同じ手順で行えば良い。又、重り板５０Ａ、カバー板６０の成膜室１０から設置室４０へ戻す（搬送する）場合には、上述した手順と逆の手順で行えば良い。
【００２６】
そして、制御装置２０は、搬送室３０のゲートバルブ３１、３２、搬送ロボット３３等の動作を制御すると共に、以下に説明する成膜室１０等も制御している。
【００２７】
成膜室１０としては、公知のプラズマＣＶＤ装置の構成で良いが、本実施例の場合、後述する処理方法を考慮すると、図１（ｂ）に示すように、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma；誘導結合プラズマ）型のプラズマ生成装置を有するものが良い。
【００２８】
具体的には、本実施例の成膜室１０は、真空容器１１となる筒状容器１２と天井板１３とを有しており、円筒状の筒状容器１２の上部開口部を閉鎖するように、セラミクス製の円板状の天井板１３が配設されている。筒状容器１２には、内部を真空状態にする真空装置（真空手段）１４が接続されており、真空容器１１の内部を高い真空度に維持可能である。
【００２９】
天井板１３の上方（直上）には、複数の円形リングからなる高周波アンテナ１５が配置されており、高周波アンテナ１５には整合器１６を介して高周波電源１７が接続されている。この高周波電源１７は、後述する低周波電源２７より高い発振周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を高周波アンテナ１５に給電可能となっており、入射窓となる天井板１３を透過して、プラズマＰを生成するための高周波電磁波（ＲＦ）を真空容器１１内へ入射可能となっている。これらの構成により、プラズマ生成手段を構成しており、所謂、ＩＣＰ型のプラズマ生成装置の構成となっている。
【００３０】
又、筒状容器１２の側壁部分には、天井板１３より低く、後述する静電チャック２２より高い位置に複数のガスノズル１８が設けられており、制御装置２０が制御する流量制御装置（図示省略）を用い、ガスノズル１８を介して、所望の流量、所望のガスを真空容器１１の内部に供給可能となっている。供給されるガスは、プロセスに応じて変更され、例えば、絶縁膜（例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜）のプロセスには、原料ガスとなるＳｉＨ4、Ｎ2、Ｏ2などが使用され、プラズマクリーニングのプロセスには、ＮＦ3などが使用される。
【００３１】
又、筒状容器１２の内部の下部には、成膜対象となる短冊基板を配置する基板支持台２１が設置されている。この基板支持台２１は、短冊基板を静電吸着する静電チャック２２と、この静電チャック２２を支持する支持軸２３とにより構成されている。静電チャック２２の内部には加熱のためのヒータ（図示省略）が設置されており、このヒータは制御装置２０により温度が調整されている。これにより、プラズマ処理中の短冊基板を所望の温度（例えば、１５０〜７００℃）に制御することができる。
【００３２】
又、静電チャック２２には、単電極２４が設けられており、この単電極２４には、コンデンサ２５、整合器２６を介して低周波電源２７が接続されている。低周波電源２７は、高周波電源１７より低い発振周波数（例えば、４ＭＨｚ）を単電極２４に印加し、短冊基板にバイアスパワーを印加できるようになっている。
【００３３】
更に、上述した単電極２４には、短冊基板を静電吸着する直流の静電吸着電圧を供給する静電電源（電圧供給手段）２８が接続されており、静電チャック２２上に短冊基板を吸着保持可能としている。この静電電源２８は、高周波電源１７や低周波電源２７のパワーが回り込まないように、ローパスフィルター（ＬＰＦ）２９を介して接続されている。
【００３４】
そして、制御装置２０は、成膜室１０において、真空装置１４、高周波電源１７、低周波電源２７、静電電源２８、ヒータ、流量制御装置等を制御している。
【００３５】
次に、図１に示した成膜処理装置で用いる重り板５０Ａ、カバー板６０を、図２、図３を参照して説明する。なお、図２（ａ）は、重り板５０Ａの上面図であり、図２（ｂ）は、重り板５０Ａの下面図である。又、図３は、カバー板６０を示す上面図である。
【００３６】
重り板５０Ａは、円板状の板部材５１と、板部材５１の下面側に設けられると共に金属材料を絶縁材料で被覆した複数の重り５２と、板部材５１を貫通して設けられた複数の貫通孔５３とを有する。板部材５１は、例えば、セラミックス系材料から構成される。又、重り５２は、後述する図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、金属材料からなる金属部５２ａと、金属部５２ａの表面を被覆する被覆部５２ｂとから構成され、被覆部５２ｂは、絶縁性、耐熱性があり、金属より柔らかい樹脂、例えば、ポリイミドやフッ素系樹脂（例えば、テフロン（登録商標）系樹脂）等から構成される。このように、重り５２の表面を柔らかい材料で被覆することにより、短冊基板Ｂでの機械的ダメージ（ひっかき傷の発生、膜剥がれ）の発生を抑制することができる。
【００３７】
ここで、短冊基板は、所定の位置に配列して静電チャック２２上に配置される。例えば、後述する図４（ａ）に示すように、静電チャック２２上に３列×５個の配列で、各列の短冊基板Ｂの位置を揃えて配置される。
【００３８】
このように配列された複数の短冊基板Ｂに対し、重り５２は、各列の短冊基板Ｂの中央に位置するように、重り板５０Ａの下面側に配置されており、本実施例では、短冊基板Ｂの配列に対応して、３つの棒状の重り５２が配置されている。又、貫通孔５３は、配列された短冊基板Ｂの一部が上方から見えるように配置されており、本実施例では、短冊基板Ｂの配列に対応して、短冊基板Ｂの両端部が上方から見えるように、６つの貫通孔５３が配置されている。なお、重り５２は、各列の短冊基板Ｂに対して複数設けても良く、貫通孔５３から短冊基板Ｂの一部が上方から見えれば、例えば、中央及び端部に重り５２を設けても良い。
【００３９】
カバー板６０は、円板状の形状をしており、例えば、セラミックス系材料から構成される。カバー板６０は、プラズマ点火の際のＥＳＤ（Electrostatic Discharge）を防止するものであり、その大きさは、少なくとも、静電チャック２２の上面に配置される短冊基板Ｂ全てを覆う大きさが良く、望ましくは、静電チャック２２の大きさより大きい方が良い。
【００４０】
次に、図１〜図３と共に、図４〜図６も参照して、本実施例の短冊基板の処理方法を説明する。なお、図４（ａ）は、図１（ｂ）に示した成膜室１０において、静電チャック２２上に短冊基板Ｂを配置した状態の上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ領域の断面図である。又、図５（ａ）は、図１（ｂ）に示した成膜室１０において、静電チャック２２上に配置した短冊基板Ｂ上に重り板５０Ａを配置した状態の上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ領域の断面図である。又、図６（ａ）は、図１（ｂ）に示した成膜室１０において、静電チャック２２上に配置した短冊基板Ｂ及び重り板５０Ａの上方にカバー板６０を配置した状態の上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ領域の断面図である。
【００４１】
（１−１）成膜室１０において、真空容器１１の天井板１３を取り外して、真空容器１１を大気開放し、静電チャック２２上に短冊基板Ｂを手動で配置する。例えば、短冊基板Ｂの配列位置となる開口部を複数有する手動配置用枠を予め作製しておき、手動配置用枠を静電チャック２２上に置いた後、各開口部内に短冊基板Ｂを各々配置し、その後、手動配置用枠を取り外せば、図４（ａ）に示すように、所定の位置に複数の短冊基板Ｂが手動で配列して設置されることになる。このとき、短冊基板Ｂは、反っている場合には、図４（ｂ）に示すように、反った凸側が上面になるように配置されている。
【００４２】
（１−２）配置された複数の短冊基板Ｂの上に重り板５０Ａを置く。このとき、図５（ａ）に示すように、各重り５２が各列の短冊基板Ｂの中央に位置し、かつ、貫通孔５３から短冊基板Ｂの両端が見えるように、重り板５０Ａを置く。これにより、図５（ｂ）に示すように、重り５２が短冊基板Ｂの中央を静電チャック２２に押し付けて、短冊基板Ｂの反りを矯正することになる。
【００４３】
（１−３）重り板５０Ａを短冊基板Ｂの上に置いた状態で、真空容器１１を天井板１３で閉鎖し、真空装置１４を用いて、真空容器１１の真空排気を行い、真空容器１１内を真空状態にする。
【００４４】
（１−４）真空容器１１内を真空状態にした後、搬送ロボット３３を用いて、設置室４０から真空容器１１へカバー板６０を搬送するが、搬送ロボット３３のアーム３４にカバー板６０を乗せた状態で、重り板５０Ａの上方にカバー板６０を配置する。このとき、カバー板６０は、図６（ａ）に示すように、上方から見て、全ての短冊基板Ｂを覆うように配置され、そして、図６（ｂ）に示すように、側方から見て、重り板５０Ａの上方に浮いたように配置される。なお、カバー板６０は、全ての短冊基板Ｂを覆うように配置できれば、重り板５０Ａの上に直接乗せるように配置しても良い。このように、全ての短冊基板Ｂを覆うように、カバー板６０を配置することにより、プラズマＰの点火時の短冊基板Ｂのプラズマダメージを低減することができる。
【００４５】
（１−５）カバー板６０が重り板５０Ａの上にある状態で、高周波アンテナ１５、整合器１６、高周波電源１７を用い、プラズマＰを点火する。このとき、プラズマＰの点火条件としては、数百Ｗ程度の低いＲＦパワーで、Ｎ2やＡｒ等の不活性ガスを用いる。更に、比較的高い圧力（例えば、数百ｍＴｏｒｒ〜数千ｍＴｏｒｒ）でプラズマＰを点灯すると、プラズマＰがアンテナ１５に近いところに生成されるため、静電チャック２２に静電吸着された短冊基板Ｂ近傍のプラズマ密度をより小さい状態とすることができる。加えて、バイアスを短冊基板Ｂ側に印加しないようにすれば、なお良い。
【００４６】
（１−６）プラズマＰが生成された状態で、（１−６ａ）静電電源２８から単電極２４に直流電圧を供給し、（１−６ｂ）搬送ロボット３３を用いて、重り板５０Ａの上方にあるカバー板６０を取り出し、カバー板６０を真空容器１１から設置室４０へ搬送する。静電電源２８から単電極２４に直流電圧を供給することにより、重り板５０Ａにより反りを矯正した短冊基板Ｂを静電チャック２２で吸着して、短冊基板Ｂを静電チャック２２に密着させる。このとき、重り板５０Ａには複数の貫通孔５３が有り、短冊基板ＢはプラズマＰを経由して接地されるので、これにより、短冊基板Ｂが静電チャック２２に吸着されることになる。
【００４７】
なお、本実施例において、上記（１−６ａ）、（１−６ｂ）の順序は逆にしても良い。
【００４８】
（１−７）更に、搬送ロボット３３を用いて、短冊基板Ｂ上の重り板５０Ａを取り出し、重り板５０Ａを真空容器１１から設置室４０へ搬送する。なお、重り板５０Ａやカバー板６０を真空容器１１へ搬送したり、真空容器１１から取り出したりする際には、例えば、基板支持台２１に支持ピンを設け、この支持ピンを用いて、重り板５０Ａやカバー板６０を上下動させて、搬送ロボット３３のアーム３４に乗せたり、アーム３４から取り上げたりすれば、重り板５０Ａやカバー板６０を真空容器１１へ搬送したり、真空容器１１から取り出したりすることができる。
【００４９】
（１−８）重り板５０Ａを取り出した後、静電チャック２２に密着させた短冊基板Ｂに対して、成膜処理を行う。このとき、プラズマＰを維持した状態で、真空容器１１内のガスを成膜処理に用いるガス、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2、Ｏ2などに変更すると共に、成膜条件に応じて、ＲＦパワーを変更したり、バイアスを印加したりすれば良い。
【００５０】
このようにして、短冊基板Ｂの静電チャック２２への密着性を確保できるので、成膜処理中の短冊基板Ｂの温度を所望の温度に安定させて、成膜処理を行うことができる。
【００５１】
（実施例２）
本実施例は、実施例１の図１に示した成膜処理装置において、実施例１で説明した重り板５０Ａ、カバー板６０に代えて、図７に示す重り板５０Ｂを用いるようにしたものである。つまり、成膜処理装置の構成は、実施例１の図１に示した成膜処理装置と同じ構成のもので良い。従って、ここでは、成膜処理装置の構成については、その説明を省略し、主に、図７に示す重り板５０Ｂの構成、図７に示す重り板５０Ｂを用いたときの短冊基板の処理方法について説明する。なお、図７（ａ）は、図２に示した重り板５０Ａの変形例となる重り板５０Ｂを示す上面図であり、図７（ｂ）は、重り板５０Ｂの下面図である。
【００５２】
重り板５０Ｂは、セラミックス系材料等から構成される円板状の板部材５１と、板部材５１の下面側に設けられると共に金属材料からなる複数の重り５４と、全ての重り５４を接地する接地線５５とを有する。つまり、実施例１で説明した重り板５０Ａに近い構成であるが、貫通孔５３は不要であり、重り５４が金属材料から構成されて、その表面は被覆されておらず、重り５４が全て接地線５５により接地されている。なお、重り５４は、配置された各列の短冊基板Ｂに対して複数設けても良く、例えば、中央及び端部に重り５４を設けても良い。
【００５３】
又、本実施例において、重り板５０Ｂは、上述したカバー板６０の機能も兼ねており、プラズマ点火の際のＥＳＤを防止するものである。重り板５０Ｂの大きさは、少なくとも、静電チャック２２の上面に配置される短冊基板Ｂ全てを覆う大きさが良く、望ましくは、静電チャック２２の大きさより大きい方が良い。
【００５４】
そして、前述した図４（ａ）のように配列された複数の短冊基板Ｂに対し、重り５４は、各列の短冊基板Ｂの中央に位置するように、重り板５０Ｂの下面側に配置されており、本実施例でも、短冊基板Ｂの配列に対応して、３つの棒状の重り５４が配置されている。
【００５５】
次に、前述した図１、図３〜図６と共に、図７も参照して、本実施例の短冊基板の処理方法を説明する。
【００５６】
（２−１）成膜室１０において、真空容器１１の天井板１３を取り外して、真空容器１１を大気開放し、静電チャック２２上に短冊基板Ｂを手動で配置する。例えば、前述した手動配置用枠を静電チャック２２上に置いた後、各開口部内に短冊基板Ｂを各々配置し、その後、手動配置用枠を取り外せば、前述した図４（ａ）に示したように、所定の位置に複数の短冊基板Ｂが手動で配列して設置されることになる。このとき、短冊基板Ｂは、反っている場合には、前述した図４（ｂ）に示したように、反った凸側が上面になるように配置されている。
【００５７】
（２−２）配置された複数の短冊基板Ｂの上に重り板５０Ｂを置く。このとき、前述した図５（ａ）と同様に、各重り５４の位置が各列の短冊基板Ｂの中央となるように、重り板５０Ｂを置く。これにより、前述した図５（ｂ）と同様に、重り５４が短冊基板Ｂの中央を静電チャック２２に押し付けて、短冊基板Ｂの反りを矯正することになる。
【００５８】
（２−３）重り板５０Ｂを短冊基板Ｂの上に置いた状態で、真空容器１１を天井板１３で閉鎖し、真空装置１４を用いて、真空容器１１の真空排気を行い、真空容器１１内を真空状態にする。
【００５９】
（２−４）重り板５０Ｂを短冊基板Ｂの上に置いた状態で、静電電源２８から単電極２４に直流電圧を供給し、重り板５０Ｂにより反りを矯正した短冊基板Ｂを静電チャック２２で吸着して、短冊基板Ｂを静電チャック２２に密着させる。このとき、重り板５０Ｂの重り５４は接地線５５で接地されており、短冊基板Ｂは重り５４を経由して接地されるので、これにより、短冊基板Ｂが静電チャック２２に吸着されることになる。
【００６０】
なお、本実施例において、上記（２−３）、（２−４）の順序は逆にしても良い。
【００６１】
（２−５）重り板５０Ｂを短冊基板Ｂの上に置いた状態で、高周波アンテナ１５、整合器１６、高周波電源１７を用い、プラズマＰを点火する。このように、全ての短冊基板Ｂを覆うように、重り板５０Ｂを配置することにより、プラズマＰの点火時の短冊基板Ｂのプラズマダメージを低減することができる。このとき、プラズマＰの点火条件としては、数百Ｗ程度の低いＲＦパワーで、Ｎ2やＡｒ等の不活性ガスを用いる。更に、比較的高い圧力（例えば、数百ｍＴｏｒｒ〜数千ｍＴｏｒｒ）でプラズマＰを点灯すると、プラズマＰがアンテナ１５に近いところに生成されるため、静電チャック２２に静電吸着された短冊基板Ｂ近傍のプラズマ密度をより小さい状態とすることができる。加えて、バイアスを短冊基板Ｂ側に印加しないようにすれば、なお良い。
【００６２】
（２−６）プラズマＰが生成された状態で、搬送ロボット３３を用いて、短冊基板Ｂ上の重り板５０Ｂを取り出し、重り板５０Ｂを真空容器１１から設置室４０へ搬送する。
【００６３】
（２−７）重り板５０Ｂを取り出した後、静電チャック２２に密着させた短冊基板Ｂに対して、成膜処理を行う。このとき、プラズマＰを維持した状態で、真空容器１１内のガスを成膜処理に用いるガス、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2、Ｏ2などに変更すると共に、成膜条件に応じて、ＲＦパワーを変更したり、バイアスを印加したりすれば良い。
【００６４】
なお、本実施例でも、カバー板６０を用いるようにしても良く、その場合には、上記（２−４）の後、搬送ロボット３３を用い、短冊基板Ｂ上の重り板５０Ｂを取り出して、重り板５０Ｂを真空容器１１から設置室４０へ搬送し、その後、設置室４０から真空容器１１へカバー板６０を搬送する。このとき、搬送ロボット３３のアーム３４にカバー板６０を乗せた状態で、短冊基板Ｂの上方にカバー板６０を配置すれば、カバー板６０は、前述した図６（ａ）と略同様に、上方から見て、全ての短冊基板Ｂを覆うように配置され、そして、前述した図６（ｂ）と略同様に、側方から見て、短冊基板Ｂの上方に浮いたように配置される。カバー板６０は、全ての短冊基板Ｂを覆うように配置できれば、短冊基板Ｂの上に直接乗せるように配置しても良い。そして、上記（２−６）において、重り板５０Ｂの代わりに、カバー板６０を取り出すようにすればよい。
【００６５】
このようにして、短冊基板Ｂの静電チャック２２への密着性を確保できるので、成膜処理中の短冊基板Ｂの温度を所望の温度に安定させて、成膜処理を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、短冊基板に対して成膜やエッチング等のプラズマ処理を行う際に好適なものである。
【符号の説明】
【００６７】
１０  成膜室
１１  真空容器
１４  真空装置（真空手段）
２０  制御装置（制御手段）
２２  静電チャック
２４  単電極
２８  静電電源（電圧供給手段）
３０  搬送室
３３  搬送ロボット（搬送手段）
４０  設置室
５０Ａ、５０Ｂ  重り板
５１  板部材
５２  重り
５２ａ  金属部
５２ｂ  被覆部
５３  貫通孔
５４  重り
５５  接地線
６０  カバー板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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