(57)【要約】【課題】複数の検査を行いつつも検査速度の高速化を図ることが可能な光デバイス検査装置を提供する。【解決手段】光取り出し面を有する複数の光デバイスが配列された長尺状の素子基材を長尺方向に搬送する搬送部と、前記搬送部によって搬送される光デバイスに対して給電する給電部と、前記搬送部によって搬送された状態で前記給電部によって給電された光デバイスの光取りだし面側に配置された光検出部とを備え、前記光検出部は、前記素子基材の搬送方向と直交する方向に配列された複数の光電変換素子を有するラインセンサを複数有し、前記複数のラインセンサは、前記搬送部による搬送方向に沿った方向に配列されている光デバイス検査装置である。【選択図】図３
2015219142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取り出し面を有する複数の光デバイスが配列された長尺状の素子基材を長尺方向に搬送する搬送部と、
前記搬送部によって搬送される光デバイスに対して給電する給電部と、
前記搬送部によって搬送された状態で前記給電部によって給電された光デバイスの光取りだし面側に配置された光検出部とを備え、
前記光検出部は、前記素子基材の搬送方向と直交する方向に配列された複数の光電変換素子を有するラインセンサを複数有し、
前記複数のラインセンサは、前記搬送部による搬送方向に沿った方向に配列されている
光デバイス検査装置。
【請求項２】
前記搬送部は、前記複数のラインセンサの撮像速度に対応させた速度で前記素子基材を搬送する
請求項１記載の光デバイス検査装置。
【請求項３】
前記複数のラインセンサは、モノクロラインセンサとカラーラインセンサとである
請求項１または２に記載の光デバイス検査装置。
【請求項４】
前記複数のラインセンサのうちの一方は、カラーラインセンサであり、
前記カラーラインセンサによって得られたＲＧＢ値を、他の色空間に変換処理する画像変換部を備えた、
請求項１〜３の何れかに記載の光デバイス検査装置。
【請求項５】
前記搬送部は、前記光デバイスの光取り出し面における検出領域が前記複数のラインセンサとの間で当該光デバイスの搬送方向に分離される位置において、当該光デバイスの搬送を一時停止させる機能を有し、
前記搬送部による搬送が一時停止させる位置に、前記搬送部によって搬送される光デバイスに対して給電する第２の給電部と、当該第２の給電部によって給電された光デバイスの光取りだし面側に配置された二次元輝度計とを備えた
請求項１〜４の何れかに記載の光デバイス検査装置。
【請求項６】
前記複数のラインセンサのうちの一方は、カラーラインセンサであり、
前記二次元輝度計は、二次元輝度色度計であり、
前記二次元輝度色度計での測定値に基づいて前記カラーラインセンサから得られた値を校正する校正部を有する
請求項５記載の光デバイス検査装置。
【請求項７】
前記搬送部によって搬送される光デバイスの電流測定手段を備えた
請求項１〜６の何れかに記載の光デバイス検査装置。
【請求項８】
複数の光デバイスが配列された長尺状の素子基材を長尺方向に搬送する過程において、当該光デバイスにおける光取り出し面から光を取り出し、
それぞれが前記素子基材の搬送方向と直交する方向に配列された光電変換素子を有して当該搬送方向に順次配置された複数のラインセンサにより、前記光デバイスの光取り出し面から取り出した光を順次検出して検査を行う
光デバイス検査方法。
【請求項９】
前記光デバイスの搬送の過程においての前記複数のラインセンサによる検出の前または後に、前記光デバイスの搬送を一時停止し、前記光デバイスに対して前記搬送の過程におけるよりも微弱な電流の給電を行うか、または逆バイアス給電を行った状態で、前記光デバイスからの光検出を行う
請求項８に記載の光デバイス検査方法。
【請求項１０】
前記光デバイスを搬送する過程においての前記複数のラインセンサによる検出の前または後に、前記光デバイスに対して逆バイアス給電を行った状態で、前記光デバイスに流れる電流値を測定する
請求項８に記載の光デバイス検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス検査装置および光デバイス検査方法に関し、特には複数の検査を製造工程速度に合わせた速度で行うための光デバイス検査装置および光デバイス検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子、液晶表示パネルなどの光デバイスの製造においては、検査装置を用いたデバイスの発光や表示に関する様々な検査が行われている。これらの検査には、光デバイスに対して通電を行うための通電ユニットと、受光検出器とを備えた検査装置が用いられている。
【０００３】
このような検査装置の一例として、ロールツーロール方式で連続して搬送された基材上の電子デバイスに対して、搬送途中において通電することにより電気特性検査を行う装置が提案されている。この検査装置は、ロールツーロール方式による搬送途中に通電ロールを配置し、この通電ロールから基材上の電子デバイスに対して通電を行い、電子デバイスから発生した光をラインセンサ等の光検出器で検出する構成となっている。（例えば、下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２０１２／１７２９３８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで以上のような検査装置を用いて行われる光デバイスの検査は、例えば有機電界発光素子のような自発光型のデバイスであれば、輝度、色度などの発光特性に関する検査、ダークスポットのような発光欠陥に関する検査、さらにはリーク電流に関する検査など、多岐にわたっている。このためこれらの検査工程は、製造工程から外れたオフライン工程において相当時間を要して行われており、光デバイスの製造速度を低下させる要因となっていた。
【０００６】
そこで本発明は、複数の検査を行いつつも検査速度の高速化を図ることが可能な光デバイス検査装置および光デバイス検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するための本発明の光デバイス検査装置は、光取り出し面を有する複数の光デバイスが配列された長尺状の素子基材を長尺方向に搬送する搬送部と、前記搬送部によって搬送される光デバイスに対して給電する給電部と、前記搬送部によって搬送された状態で前記給電部によって給電された光デバイスの光取りだし面側に配置された光検出部とを備え、前記光検出部は、前記素子基材の搬送方向と直交する方向に配列された複数の光電変換素子を有するラインセンサを複数有し、前記複数のラインセンサは、前記搬送部による搬送方向に沿った方向に配列されている。
【０００８】
以上のような光デバイス検査装置では、搬送部によって搬送される光デバイスに対して給電する給電部を備えたことにより、デバイスに対して給電を行いながら、光デバイスを搬送することができる。そして、光デバイスの光取り出し面側に、光デバイスの搬送方向に沿って複数のラインセンサを配置した構成であるため、搬送過程において複数の様々な検査を順次に行うことができる。
【０００９】
また本発明の光デバイス検査方法は、複数の光デバイスが配列された長尺状の素子基材を長尺方向に搬送する過程において、当該光デバイスにおける光取り出し面から光を取り出し、それぞれが前記素子基材の搬送方向と直交する方向に配列された光電変換素子を有して当該搬送方向に順次配置された複数のラインセンサにより、前記光デバイスの光取り出し面から取り出した光を順次検出して検査を行う光デバイス検査方法である。このような検査方法は、上述した検査装置を用いて実施される。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明の光デバイス検査装置および光デバイス検査方法によれば、光デバイスの搬送過程に沿って様々な検査を順次に行うことができるため、複数の検査を行いつつも検査速度の高速化を図ることができる。この結果、製造速度に合わせた光デバイスの検査が可能となり、光デバイスの生産効率の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】検査対象となる光デバイスの一例を示す平面図である。
【図２】検査対象となる光デバイスの一例を示す断面図であり図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施形態の光デバイス検査装置の構成を示す模式図である。
【図４】実施形態の光デバイス検査装置における給電ロール（給電部）の斜視図である。
【図５】実施形態の光デバイス検査装置における給電ロール（給電部）による給電を説明する断面図である。
【図６】実施形態の光デバイス装置における給電板（第２の給電部）による給電を説明する断面図である。
【図７】実施形態の光デバイス検査装置における給電ロール（給電部）およびラインセンサの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、ここでは、検査対象となる光デバイスとして有機電界発光素子を用いた場合の光デバイス検査装置および光デバイス検査方法を説明する。しかしながら、本発明はこれに限定されることはなく、平板状の光デバイスであれば、自発光型の光デバイスおよびバックライトを用いた液晶表示装置などの光デバイスの検査に広く適用される。
【００１３】
先ず、本発明の光デバイス検査装置および光デバイス検査方法の実施形態を説明するのに先だち、検査対象となる光デバイスの構成を説明した後、光デバイス検査装置、光デバイス検査方法の順に説明を行う。
【００１４】
≪光デバイス≫
図１は、検査対象となる光デバイスの一例を説明する平面図である。また図２は光デバイスの一例を説明する断面図であり、図１におけるＡ-Ａ断面図である。これらの図に示す光デバイスＥＬは、平板状のものであって、例えばボトムエミッション型の有機電界発光素子であり、長尺状のフレキシブル基板ｓ１の一主面側に設けられている。図示した例においては、フレキシブル基板ｓ１の一主面上に光デバイスＥＬを２列で長尺方向に配列して素子基材Ｓが構成されており、素子基材Ｓはフレキシブルに屈曲自在である。
【００１５】
各光デバイスＥＬからは、フレキシブル基板ｓ１の短辺方向に向かう２方向に、２つの端子（以下、デバイス端子ｐと記す）が引き出されている。２つのデバイス端子ｐのうちの一方は陽極として用いられ、他方は陰極として用いられ、これらのデバイス端子ｐからの電圧印加によって、光デバイスＥＬ内において発光が生じる。各光デバイスＥＬで発生させた光ｈは、例えばフレキシブル基板ｓ１を介して取り出される。この場合、フレキシブル基板ｓ１において、光デバイスＥＬが設けられた面と逆側の他主面が、光デバイスＥＬの光取り出し面ａとなっている。
【００１６】
また、このような光デバイスＥＬが配列された素子基材Ｓは、例えば光取り出し面ａを外側にしてローラーに巻き付けられていることとする。
【００１７】
≪光デバイス検査装置≫
図３は実施形態の光デバイス検査装置の構成を示す模式図である。この図に示す光デバイス検査装置１は、上述した光デバイスＥＬの発光特性および発光欠陥を検査するための検査装置であり、光デバイスＥＬが設けられた素子基材Ｓをロールツーロールで搬送しながら実施される製造工程中に設けられている。
【００１８】
光デバイス検査装置１は、光デバイスＥＬが設けられた素子基材Ｓを搬送する搬送部１０、光デバイスＥＬに対する給電部としての給電ロール２１、第２の給電部としての給電板２３、および光検出部３０を備えている。以下、光デバイス検査装置１を構成するこれらの各構成要素の詳細を図面に基づいて説明する。
【００１９】
＜搬送部１０＞
搬送部１０は、長尺状の素子基材Ｓをロールツーロールで搬送するものである。このような搬送部１０は、素子基材Ｓを送り出す送り出しロール１１と、素子基材Ｓを巻き取る巻き取りロール１３とを備えている。送り出しロール１１と巻き取りロール１３との間には、２つのアキュムレータ１５，１７、および必要箇所に設けられた複数のガイドロール１９を備えている。また、送り出しロール１１、巻き取りロール１３、および２つのアキュムレータ１５，１７には、搬送制御部１０ａが接続され、素子基材Ｓの長尺方向への搬送を制御している。
【００２０】
送り出しロール１１および巻き取りロール１３は、搬送部１０の両側に配置され、送り出しロール１１から所定速度で送り出された素子基材Ｓが、巻き取りロール１３によって所定速度で巻き取られる。
【００２１】
アキュムレータ１５，１７は、送り出しロール１１から巻き取りロール１３までの間の、素子基材Ｓが搬送される経路の長さである搬送経路長を自在に調整する機能部分である。このうちアキュムレータ１５は、例えば、互いに平行を保って固定された複数の支持ロール１５ａと、支持ロール１５ａに対して平行を保った状態で支持ロール１５ａ間に配置された駆動ロール１５ｂとで構成されている。駆動ロール１５ｂは、支持ロール１５ａとの間の間隔が自在に変更されるように駆動する。素子基材Ｓは、支持ロール１５ａと駆動ロール１５ｂとの間に交互に掛け渡して配置される。この状態において、支持ロール１５ａに対して駆動ロール１５ｂを接近させると、このアキュムレータ１５を通過する素子基材Ｓの搬送経路長が短縮される。一方、支持ロール１５ａに対して駆動ロール１５ｂを離間させると、このアキュムレータ１５を通過する素子基材Ｓの搬送経路長が延長される。アキュムレータ１７も、同様の支持ロール１７ａと駆動ロール１７ｂを有する構成であって良い。
【００２２】
ここで、アキュムレータ１５またはアキュムレータ１７の駆動によって、搬送経路長の大きさが変化する速度を延長速度とした場合、アキュムレータ１５の駆動による搬送経路長の延長速度と、アキュムレータ１７の駆動による搬送経路長の延長速度とは、逆符号で同じ大きさである。これにより、送り出しロール１１と巻き取りロール１３との間における素子基材Ｓの搬送経路長が一定に保たれている。
【００２３】
また、送り出しロール１１から巻き取りロール１３に向かって一定速度で素子基材Ｓを搬送させた状態において、素子基材Ｓの搬送方向に対して上流側に位置するアキュムレータ１５によって搬送経路長を延長し、下流側に位置するアキュムレータ１７によって搬送経路長を短縮するようにこれらを駆動させることで、アキュムレータ１５とアキュムレータ１７との間でのみ素子基材Ｓの搬送を一時停止させることができる。一方、アキュムレータ１５，１７を逆の駆動状態とした場合には、アキュムレータ１５とアキュムレータ１７との間における素子基材Ｓの搬送速度は、送り出しロール１１および巻き取りロール１３の駆動による素子基材Ｓの搬送速度よりも速い速度となる。
【００２４】
搬送制御部１０ａは、以上のような送り出し１１および巻き取りロール１３の回転速度、およびアキュムレータ１５，１７の駆動速度、すなわちアキュムレータ１５，１７による搬送経路長の延長速度を制御する。これにより、素子基材Ｓの長尺方向への搬送を制御している。尚、搬送制御部１０ａによる、素子基材Ｓの長尺方向への搬送制御の詳細は、以降の光デバイス検査方法において詳細に説明する。
【００２５】
＜給電ロール２１＞
給電ロール２１は、搬送部１０によって搬送される素子基材Ｓ上の光デバイスＥＬに対して給電する給電部である。この給電ロール２１は、素子基材Ｓの搬送方向の下流側に配置されたアキュムレータ１７と巻き取りロール１３との間に設けられている。給電ロール２１の回転軸は、巻き取りロール１３の回転軸と平行である。この給電ロール２１は、素子基材Ｓの搬送方向に回転し、側周面において素子基材Ｓを光デバイスＥＬ側から支持し、搬送方向に素子基材Ｓを送り出す。
【００２６】
また図４の斜視図に示すように、給電ロール２１の側周面には複数の給電パッド２１ａが、それぞれ回転方向に沿って設けられている。これらの給電パッド２１ａは、素子基材Ｓに設けた光デバイスＥＬのデバイス端子ｐに対して当接される状態で、給電ロール２１の側周面に設けられている。図示した例においては、独立した４列の給電パッド２１ａが、給電ロール２１の側周面に所定の間隔を保って巻き付けられた状態で設けられている。これら４列の給電パッド２１ａは、それぞれが当接されるデバイス端子ｐの極性に対応して陽極または陰極として用いられる。
【００２７】
尚、ここでの図示は省略したが、素子基材Ｓの搬送方向において給電ロール２１の下流側には、素子基材Ｓの位置決め部材が設けられており、この位置決め部材により給電ロール２１の側周面に対して所定状態で素子基材Ｓが支持される構成となっている。またこれにより、給電ロール２１の側周面に設けた４列の給電パッド２１ａが、素子基材Ｓの光デバイスＥＬのデバイス端子ｐに対して１：１で当接される構成となっている。
【００２８】
また、給電ロール２１の側周面における給電パッド２１ａ間には、必要に応じて光デバイスＥＬを収納するための溝部を設けるか、または給電パッド２１ａを給電ロール２１の側周面よりも高く設けても良い。これにより、給電ロール２１の側周面に対して対向して光デバイスＥＬを支持した場合に、デバイス端子ｐと給電パッド２１ａとが確実に当接される構成とする。
【００２９】
さらに図５の断面図に示すように、各給電パッド２１ａは、デバイス端子ｐに対する接触を確実とするため、表面に複数の突起が形成されたものであっても良い。
【００３０】
尚、この給電ロール２１から光デバイスＥＬへの給電制御の詳細は、以降の光デバイス検査方法において詳細に説明する。
【００３１】
＜給電板２３＞
図３に示す給電板２３は、搬送部１０によって搬送される素子基材Ｓ上の光デバイスＥＬに対して給電する第２の給電部である。この給電板２３は、アキュムレータ１５とアキュムレータ１７との間に固定した状態で設けられている。この給電板２３は、素子基材Ｓを光デバイスＥＬ側から支持し、支持した状態においてはフレキシブルな光デバイスＥＬの光取り出し面ａが平面に保たれることとする。
【００３２】
また図６の断面図に示すように、給電板２３において、光デバイスＥＬを支持する支持面には、複数の給電パッド２３ａが設けられている。これらの給電パッド２３ａは、素子基材Ｓに設けた光デバイスＥＬのデバイス端子ｐに対して当接される状態で、給電板２３の支持面に設けられている。ここでは、素子基材Ｓにおけるデバイス端子ｐの配置に合わせて、４列の給電パッド２３ａが、それぞれ独立して素子基材Ｓの搬送方向に延設された状態で設けられている。これら４列の給電パッド２３ａは、それぞれが当接されるデバイス端子ｐの極性に対応して陽極または陰極として用いられる。
【００３３】
尚、ここでの図示は省略したが、素子基材Ｓの搬送方向において給電板２３の下流側には、素子基材Ｓの位置決め部材が設けられており、この位置決め部材により給電板２３の支持面に対して所定状態で素子基材Ｓが支持される構成となっている。またこれにより、給電板２３の支持面に設けた４列の給電パッド２３ａが、素子基材Ｓの光デバイスＥＬのデバイス端子ｐに対して１：１で当接される構成となっている。
【００３４】
また、給電板２３の支持面における給電パッド２３ａ間には、必要に応じて光デバイスＥＬを収納するための溝部を設けるか、または給電パッド２３ａを給電板２３の支持面よりも高く設けても良い。これにより、給電板２３の支持面に対して対向して光デバイスＥＬを支持した場合に、デバイス端子ｐと給電パッド２３ａとが確実に当接される構成とする。
【００３５】
また各給電パッド２３ａは、デバイス端子ｐに対する接触を確実とするため、複数の突起状の給電端子が形成されたものであっても良い。
【００３６】
また図３に示したように、この給電板２３には、電流測定手段２５が設けられている。電流測定手段２５は、光デバイスＥＬに流れる電流値を測定するためのものであり、光デバイスＥＬのデバイス端子ｐの陽極と陰極とに接続される給電パッド２３ａ間に設けられた電流計であって良い。
【００３７】
尚、この給電板２３から光デバイスＥＬへの給電制御の詳細は、以降の光デバイス検査方法において詳細に説明する。
【００３８】
＜光検出部３０＞
図３に示す光検出部３０は、光デバイスＥＬの光取り出し面ａ側に配置されており、ここではモノクロラインセンサ３１、カラーラインセンサ３３、二次元輝度色度計３５、検査処理部３７、および出力部３９を備えている。
【００３９】
このうち、モノクロラインセンサ３１は、光感度の高いモノクロの光電変換素子を一方向に配列したＣＣＤまたはＣＭＯＳ構成の撮像装置である。このようなモノクロラインセンサ３１は、給電ロール２１の側周面に対向して光デバイスＥＬからの光が検出される位置に配置され、光デバイスＥＬの搬送方向に対して直交する方向で、給電ロール２１の側周面に平行な方向に光電変換素子が配列されるように設置されている。
【００４０】
以上のようなモノクロラインセンサ３１は、素子基材Ｓの搬送方向と直交する短手方向である幅方向Ｗにわたって光電変換素子が配置され、光取り出し面ａからの発光が幅方向Ｗに隙間無く検知されるように設けられていることとする。例えば図７の斜視図に示した例においては、複数の光電変換素子を一方向に配列した３つのモノクロラインセンサ３１が、素子基材Ｓの幅方向Ｗにわたって配置された構成を図示している。
【００４１】
またカラーラインセンサ３３は、フルカラーでの撮像が可能な光電変換素子を一方向に配列したＣＣＤまたはＣＭＯＳ構成の撮像装置であり、プリズム分光によるカラー撮像可能なものが好ましい。このようなカラーラインセンサ３３は、光デバイスＥＬの搬送方向にモノクロラインセンサ３１と分離して配置され、光デバイスＥＬの搬送方向に対して直交する方向で、給電ロール２１の側周面に平行な方向に光電変換素子が配列されるように設置されている。
【００４２】
またカラーラインセンサ３３は、モノクロラインセンサ３１と同様に、素子基材Ｓの幅方向にわたって、光電変換素子を配置した構成である。これらの光電変換素子は、光取り出し面ａからの発光が幅方向に隙間無く検知されるように設けられていることとする。図６の斜視図に示した例においては、複数の光電変換素子を一方向に配列した３つのカラーラインセンサ３３が、素子基材Ｓの幅方向にわたって配置された構成を図示している。
【００４３】
また特にカラーラインセンサ３３は、視野角による色度変位の影響を大きく受けること無く光取り出し面ａを撮像可能な間隔で、光電変換素子が設けられたものであることとする。このようなカラーラインセンサ３３は、給電ロール２１の側周面に対してモノクロラインセンサ３１よりも高い位置に配置されることが好ましい。
【００４４】
図３に示した二次元輝度色度計３５は、素子基材Ｓにおける光取りだし面ａの輝度および色度を、２次元で計測する機器であり、給電板２３の支持面に対向して設置されている。このような二次元輝度色度計３５は、光デバイスＥＬの光取り出し面ａにおける検出領域が、素子基材Ｓの幅方向に配置された２つの光デバイスＥＬの光取り出し面ａの全面をカバーする高さ位置に配置されている。
【００４５】
検査処理部３７は、モノクロラインセンサ３１、カラーラインセンサ３３、および二次元輝度色度計３５に接続されており、これらで得られた測定値に基づいてデータの変換処理を行う画像変換部と、測定値の校正を行う校正部となっている。
【００４６】
この検査処理部３７で行われる画像変換処理は、カラーラインセンサ３３によって得られたＲＧＢ値を、色空間ＸＹＺ、色空間ｘｙなどの他の色空間に変換する処理である。検査処理部３７においては、このような画像変換処理によって得られた色空間から、さらに輝度検査のためのＹ値を算出し、色度検査のためのｘｙ値を算出する。また検査処理部３７においては、モノクロラインセンサ３１によって得られた高精細輝度情報からダークスポットおよびブライトスポットの位置情報を算出する。尚、カラーラインセンサ３３として、分解能が十分に高いものを用いている場合であれば、検査処理部３７においては、画像変換処理によって得られた色空間から、ダークスポット検査のためのＹ値を算出して、ダークスポット（ＤＳ）およびブライトスポットを検知するようにしても良い。
【００４７】
またこの検査処理部３７で行われる測定値の校正は、二次元輝度色度計３５で測定された輝度および色度の測定値に基づいて、カラーラインセンサ３３での撮像結果から得られた輝度値および色度値を校正する。
【００４８】
出力部３９は、検査処理部３７に接続して設けられたものであり、モノクロラインセンサ３１、カラーラインセンサ３３、および二次元輝度色度計３５で測定された各測定値、検査処理部３７で得られた変換値および校正値を出力する。尚、出力部３９は、例えば表示用モニタである。
【００４９】
≪光デバイス検査方法≫
次に、図３に基づいて、上述した光デバイス検査装置１を用いた光デバイス検査方法の実施の形態を説明する。
【００５０】
＜光デバイスＥＬの搬送＞
先ず、搬送部１０の送り出しロール１１と巻き取りロール１３との間に、素子基材Ｓを掛け渡し、搬送可能な状態とする。尚、搬送開始前においては、素子基材Ｓの搬送方向において給電板２３よりも下流側は、素子基材Ｓを構成するフレキシブル基板ｓ１上に光デバイスＥＬは設けられていないこととする。
【００５１】
以上の状態から、送り出しロール１１による素子基材Ｓの送り出しと、巻き取りロール１３による素子基材Ｓの巻き取りを開始し、さらにアキュムレータ１５，１７の駆動を開始することにより、素子基材Ｓの搬送を開始する。
【００５２】
＜リーク検査＞
以上のような素子基材Ｓの搬送過程において、先ず、アキュムレータ１５，１７の駆動により、素子基材Ｓの幅方向に設けられた２つの光デバイスＥＬが、給電板２３の上部に支持された状態で、給電板２３の上部においての素子基材Ｓの搬送を一時停止させる。
【００５３】
この状態で、給電板２３の給電パッド２３ａから、光デバイスＥＬに対して順方向の微弱電流を供給する。ここで供給する微弱電流は、光デバイスＥＬの駆動電流よりも十分に微弱な電流とする。
【００５４】
そして二次元輝度色度計３５により、光デバイスＥＬにおける光取り出し面ａの全面の輝度を測定する。検査処理部３７においては、この測定結果からリークの有無を検知する。検知した結果を出力部３９に出力し、二次元輝度色度計３５によるリーク検査を終了する。
【００５５】
尚、二次元輝度色度計３５での測定値に基づいたリークの有無の検知は、光デバイスＥＬに対して逆バイアス給電し、電流を測定する方法に変えても良い。この場合、光デバイスＥＬの陽極と陰極との間に流れるリーク電流値を、電流測定手段２５によって測定することによっても、リーク検査を行うことができる。電流測定手段２５によって測定したリーク電流値は、出力部３９に出力されるようにしても良い。
【００５６】
また以上のような微弱電流の印加または逆バイアスの印加とは別に、給電パッド２３ａから、光デバイスＥＬに対して順方向に通常の駆動電圧を印加し、二次元輝度色度計３５により、光デバイスＥＬにおける光取り出し面ａの全面の色度を測定する。検査処理部３７においては、この測定結果に基づいて、以降にカラーラインセンサ３３で検出された光取り出し面ａのＲＧＢ値の変換によって得られた色度を校正し、校正した色度を出力部３９に出力する。
【００５７】
尚、カラーラインセンサ３３で得られる色度の校正を行う必要のない場合であれば、二次元輝度色度計３５は、輝度のみを測定する二次元輝度計であっても良く、色度の測定のための手順を省いて良い。
【００５８】
以上のような二次元輝度色度計３５での測定が終了した後には、アキュムレータ１５，１７の駆動により、給電板２３上から光デバイスＥＬを移動させる。またこの移動と共に、素子基材Ｓにおいて搬送方向の下流側に位置する光デバイスＥＬを、給電板２３の上部に移動させる。そして、給電板２３上に支持された新たな光デバイスＥＬに対して、上述と同様の手順で二次元輝度色度計３５での測定および検査を繰り返し行なう。
【００５９】
＜ダークスポット、輝度、色度の検査＞
また以上のような素子基材Ｓの搬送過程において、巻き取りロール１３の駆動により、給電ロール２１に対して所定速度を保って素子基材Ｓを搬送する。この際、給電ロール２１の側周面で支持される位置において、素子基材Ｓの搬送速度が、モノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３の撮像速度に合わせた所定の一定速度となるように、巻き取りロール１３の駆動を制御する。そして、一定速度で搬送された状態で給電ロール２１に支持された光デバイスＥＬに対して、給電ロール２１の給電パッド２１ａから順方向の駆動電圧を印加し、この光デバイスＥＬにおける光取り出し面ａの全面を、モノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３によって撮像する。
【００６０】
検査処理部３７においては、モノクロラインセンサ３１で検出された光取り出し面ａの高精度な輝度情報から、ダークスポット（ＤＳ）およびブライトスポットを検知する。またカラーラインセンサ３３で検出された光取り出し面ａのＲＧＢ値を、色空間ＸＹＺ、色空間ｘｙなどの他の色空間に変換する。そして、この変換によって得られたＹ値から、輝度を検知し、ｘｙ値から色度を検知する。
【００６１】
さらに検査処理部３７では、二次元輝度色度計３５で測定された輝度および色度に測定値に基づいて、カラーラインセンサ３３での撮像結果から得られた輝度値および色度値を校正する。また校正した結果を出力部３９に出力し、モノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３によるダークスポット／ブライトスポット、輝度、色度の検査を終了する。
【００６２】
尚、モノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３においては、給電ロール２１に対して一定速度で順次搬送される光デバイスＥＬに対して、同様の手順での検査を繰り返し行う。
【００６３】
≪実施形態の効果≫
以上のような光デバイス検査装置１およびこれを用いた光デバイス検査方法では、搬送部１０によって搬送される光デバイスＥＬに対して給電を行う給電ロール２１と給電板２３とを備えているため、デバイスＥＬに対して給電を行いながら、光デバイスＥＬを搬送することができる。そして、光デバイスＥＬの光取り出し面ａ側に、光デバイスＥＬの搬送方向に沿って、モノクロラインセンサ３１、カラーラインセンサ３３、および二次元輝度色度計３５を順次に配置した構成である。これにより、光デバイスＥＬの搬送過程に沿って、ダークスポット、輝度、色度、リークなどの複数の様々な検査を順次に行うことができる。また、モノクロラインセンサ３１、カラーラインセンサ３３、および二次元輝度色度計３５の位置が固定されているため、これらの光検出機器による検出精度を高く保つことができる。
【００６４】
以上により、実施形態で説明した光デバイス検査装置１およびこれを用いた光デバイス検査方法によれば、搬送過程にある光デバイスに対して複数の検査を順次に行うことで光デバイスの検査速度の高速化を図ることができる。この結果、製造速度にあわせた光デバイスの検査が可能となり、光デバイスの生産効率の向上を図ることが可能になる。
【００６５】
≪変形例１≫
以上説明した実施形態の変形例１として、二次元輝度色度計３５を用いずにリーク検査を行う構成が例示される。この場合、図１を用いた構成におけるアキュムレータ１５、給電板２３、二次元輝度色度計３５、およびアキュムレータ１７を用いず、送り出しロール１１、給電ロール２１、巻き取りロール１３、およびモノクロラインセンサ３１、カラーラインセンサ３３で光デバイス検査装置を構成する。
【００６６】
このような光デバイス検査装置を用いた検査方法として、ダークスポット、ブライトスポット、輝度、色度の検査は、上述した実施形態で説明したと同様に行う。
【００６７】
そして、検査対象となる光デバイスＥＬについて、ダークスポット、ブライトスポット、輝度、色度の検査のためのモノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３での撮像が終了した後、送り出しロール１１と巻き取りロール１３との間で素子基材Ｓを逆方向に搬送する。この際の搬送速度は、モノクロラインセンサ３１の撮像速度に合わせた所定の一定速度とする。この状態で、給電ロール２１における給電パッド２１ａからの供給電流を低下させて光デバイスＥＬに対して順方向の微弱電流を供給する。または光デバイスＥＬに対して逆バイアス給電を行う。
【００６８】
この状態で、モノクロラインセンサ３１またはカラーラインセンサ３３によって光デバイスＥＬにおける光取り出し面ａの全面を撮像する。
【００６９】
光検出部３０の検査処理部３７においては、モノクロラインセンサ３１またはカラーラインセンサ３３で検出された光取り出し面ａの輝度情報から、リークの有無を検知する。検知した結果を出力部３９に出力してリーク検査を終了する。尚、光デバイスＥＬに対して逆バイアス給電を行う構成であれば、モノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３を用いずに、給電ロール２１における給電パッド２１ａに電流測定手段（例えば電流計）を設け、これによって光デバイスＥＬの陽極と陰極との間に流れるリーク電流値を測定することによっても、リーク検査を行うことができる。電流測定手段によって測定したリーク電流値は、出力部３９に出力されるようにしても良い。
【００７０】
以上のようなリーク検査のためのモノクロラインセンサ３１による撮像が終了した後には、素子基材Ｓの搬送方向を送り出しロール１１から巻き取りロール１３に向かう方向に戻す。そして、直前にリーク検査のための測定が終了した光デバイスＥＬが給電ロール２１を通過した後、素子基材Ｓの搬送速度がモノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３の撮像速度に合わせた所定の一定速度となるように、巻き取りロール１３の駆動を制御する。
【００７１】
その後は、先の実施形態で説明したと同様に、給電ロール２１に支持された光デバイスＥＬについて、ダークスポット、輝度、色度の検査を行ない、続けて上述した逆方向へ支持基材Ｓの搬送においてのリーク検査を行えば良い。
【００７２】
以上のような変形例１の構成であっても、実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
≪変形例２≫
以上説明した実施形態の変形例２として、二次元輝度色度計３５に換えて、リーク検査用のラインセンサを配置した構成が例示される。この場合、図１を用いた構成におけるアキュムレータ１５、給電板２３、二次元輝度色度計３５、およびアキュムレータ１７に換えて、第２の給電ロールとリーク検査用のラインセンサとを設ける。
【００７４】
第２の給電ロールは、図１を用いて説明した給電ロール２１と同様の構成ものである。またリーク検査用のラインセンサは、例えば、光感度の高いモノクロの光電変換素子を一方向に配列したＣＣＤまたはＣＭＯＳ構成の撮像装置である。このようなリーク検査用のラインセンサは、第２の給電ロールに対してモノクロラインセンサ３１およびカラーラインセンサ３３と同様な配置状態で設けられることとする。
【００７５】
この場合、送り出しロール１１による素子基材Ｓの送り出しと、巻き取りロール１３による素子基材Ｓの巻き取りにより、第２の給電ロールで支持される位置に光デバイスＥＬが搬送された状態で、第２の給電ロールの給電パッドから光デバイスＥＬに対して順方向の微弱電流を供給する。
【００７６】
この状態で、検査用のラインセンサによって光デバイスＥＬにおける光取り出し面ａの全面を撮像する。
【００７７】
光検出部３０の検査処理部３７においては、検査用のラインセンサで検出された光取り出し面ａな輝度情報から、リークの有無を検知する。検知した結果を出力部３９に出力してリーク検査を終了する。
【００７８】
以上のような変形例２の構成であっても、実施形態と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００７９】
１…光デバイス検査装置、１０…搬送部、１１…送り出しロール、１３…巻き取りロール、１５，１７…アキュムレータ、２１…給電ロール（給電部）、２３…給電板（第２の給電部）、２５…電流測定手段、３０…光検出部、３１…モノクロラインセンサ、３３…カラーラインセンサ、３５…二次元輝度色度計、３７…検査処理部（画像変換部、校正部）、ａ…光取りだし面、ＥＬ…光デバイス、Ｓ…素子基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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