(57)【要約】【課題】画面を斜め方向から見ても混色が少なく、画素透過率の高い、壁電極ＩＰＳ方式でＣＯＡタイプの液晶表示装置を実現する。【解決手段】第１の壁構造３と第２の壁構造３の間にはカラーフィルタ５が形成され、第１の壁構造３の側壁にはコンタクト電極４が形成され、その上に絶縁膜６が形成され、その上に画素電極８が形成され、画素電極８とコモン電極７は第１の壁構造３の側壁の絶縁膜６に形成されたスルーホール４４を介して接続しており、第２の壁構造３の側壁にはコンタクト電極４が形成され、その上に絶縁膜６が形成され、その上にコモン電極７が形成され、第２の壁構造３においてコンタクト電極４と前記コモン電極７とは保持容量を形成していることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線が形成された第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持され、前記第１の基板に形成された第１の壁構造と第２の壁構造の間に画素が形成され、
前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタは前記第１の壁構造および前記第２の壁構造の下には存在せず、
前記第１の壁構造の側壁にはコンタクト電極が形成され、その上に絶縁膜が形成され、その上に画素電極が形成され、前記画素電極と前記コモン電極は前記第１の壁構造の側壁の前記絶縁膜に形成されたスルーホールを介して接続しており、
前記第２の壁構造の側壁には前記コンタクト電極が形成され、その上に前記絶縁膜が形成され、その上にコモン電極が形成され、
前記第２の壁構造においてコンタクト電極と前記コモン電極とは保持容量を形成していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記コンタクト電極は、前記第２の壁構造の上面に延在し、前記コモン電極は前記第２の壁構造の上面に延在していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線が形成された第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持され、前記第１の基板に形成された第１の壁構造と第２の壁構造の間に画素が形成され、
前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタは前記第１の壁構造および前記第２の壁構造の下には存在せず、
前記第１の壁構造の側壁及び上面にはコンタクト電極が形成され、その上に絶縁膜が形成され、その上に画素電極が形成され、前記画素電極と前記コモン電極は前記第１の壁構造の上面の前記絶縁間に形成されたスルーホールを介して接続しており、
前記第２の壁構造の側壁には前記コンタクト電極が形成され、その上に前記絶縁膜が形成され、その上にコモン電極が形成され、
前記第２の壁構造においてコンタクト電極と前記コモン電極とは保持容量を形成していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記コンタクト電極は、前記第２の壁構造の上面に延在し、前記コモン電極は前記第２の壁構造の上面に延在していることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線が形成された第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持され、前記第１の基板に形成された第１の壁構造と第２の壁構造の間に画素が形成され、
前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタは前記第１の壁構造および前記第２の壁構造の下には存在せず、
前記第１の壁構造及び前記第２の壁構造の側壁には画素電極と接続したコンタクト電極が形成され、その上に絶縁膜が形成され、その上にコモン電極が形成され、
前記コンタクト電極と前記コモン電極とは保持容量を形成し、
前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間に前記画素電極が形成され、
前記画素電極は、前記第１の壁構造または前記第２の壁構造の側面または上面において、前記第１の絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記コンタクト電極と接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に視野角特性が優れ、かつ、高精細画面を実現できる壁電極を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ブラックマトリクス等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。ＴＦＴ基板の第１の方向に走査線が延在して第２の方向に配列し、第２の方向に映像信号線が延在して第１の方向に配列している。走査線と映像信号線との間に画素が形成されている。
【０００３】
液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。
【０００４】
画面が高精細化すると、画素のサイズが小さくなるので、隣接する画素との間に混色が発生する。特許文献１には、ＩＰＳ方式において、カラーフィルタをＴＦＴ基板側に形成して混色を抑制する構成が記載されている。
【０００５】
また、液晶表示装置では、画素電極の電位を安定して保持するために保持容量が必要である。特許文献２には、ＩＰＳ方式において、保持容量を形成するために、画素の端部に画素電極とコモン電極を重畳させる構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−７２４７３号公報
【特許文献２】特開２００１−３３８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液晶表示装置は高精細化が進んでいる。現行のカラーフィルタ方式は、高精細、例えば、５００ｐｐｉ以上の精細度の場合、ＴＦＴ基板と対向基板の合わせずれが発生すると混色が大幅に悪化する。これに対してカラーフィルタをＴＦＴ基板側に形成するＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｏｎ  Ａｒｒａｙ）方式は高精細ディスプレイの混色対策に有効な方式であるといえる。
【０００８】
カラーフィルタとアクティブ素子を同一基板上に形成したＣＯＡ方式は、両者をそれぞれ異なる基板上に形成した方式と比較して基板の合わせずれによる画素とカラーフィルタの位置ずれが生じない為混色が生じにくく、高精細な液晶表示装置に適している。これは、同一基板上に形成する層間の位置合わせ精度と2枚の基板の位置合わせ精度では前者の方が高精度なこと、カラーフィルタとアクティブ素子を同一基板上に形成した方がカラーフィルタと電極を近接できることによる。一方でCOA方式はアクティブ素子上の構造が複雑になり、特にカラーフィルタの加工寸法のばらつきが生じる課題があった。
【０００９】
尚ここで混色とは純色表示時の色相の極角依存性が左右非対称になる現象であり、光が液晶表示装置を斜めに通過する際、互いに整合しないカラーフィルタと電極を通過することで生じる。不整合のカラーフィルタと電極を通る光路は画素境界で生じ、液晶表示装置が高精細化して画素が小型化するほどその影響が顕著になる。
【００１０】
ＩＰＳ方式であっても、高精細な画面で、画素の大きさが小さくなった場合は、透過率が問題となり、画面輝度が問題となる。一方、液晶層内に突出した壁構造の壁面に形成した電極を利用して液晶層に電界を印加する壁電極IPS-LCDは、平面電極を用いた従来のIPS-LCDに比較して液晶層に、より平行な電界を印加可能なため、より高い透過率を実現することができる。しかし、高精細となった場合の混色の問題は従来の平面電極の場合と同じである。
【００１１】
画素の面積が小さくなった場合のもう一つの問題点は、画素電極の電位を安定して保持するための保持容量の場所を確保することが困難になるということである。
【００１２】
本発明の課題は、壁構造を用いた液晶表示装置において、混色の問題を抑制し、かつ、画素の面積が小さくなった場合であっても必要な保持容量を確保することができる液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明はこれらのCOA方式の課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１４】
（１）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線が形成された第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持され、前記第１の基板に形成された第１の壁構造と第２の壁構造の間に画素が形成され、前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタは前記第１の壁構造および前記第２の壁構造の下には存在せず、前記第１の壁構造の側壁にはコンタクト電極が形成され、その上に絶縁膜が形成され、その上に画素電極が形成され、前記画素電極と前記コモン電極は前記第１の壁構造の側壁の前記絶縁膜に形成されたスルーホールを介して接続しており、前記第２の壁構造の側壁には前記コンタクト電極が形成され、その上に前記絶縁膜が形成され、その上にコモン電極が形成され、前記第２の壁構造においてコンタクト電極と前記コモン電極とは保持容量を形成していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１５】
（２）前記コンタクト電極は、前記第２の壁構造の上面に延在し、前記コモン電極は前記第２の壁構造の上面に延在していることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１６】
（３）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線が形成された第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持され、前記第１の基板に形成された第１の壁構造と第２の壁構造の間に画素が形成され、前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタは前記第１の壁構造および前記第２の壁構造の下には存在せず、前記第１の壁構造の側壁及び上面にはコンタクト電極が形成され、その上に絶縁膜が形成され、その上に画素電極が形成され、前記画素電極と前記コモン電極は前記第１の壁構造の上面の前記絶縁膜に形成されたスルーホールを介して接続しており、前記第２の壁構造の側壁には前記コンタクト電極が形成され、その上に前記絶縁膜が形成され、その上にコモン電極が形成され、前記第２の壁構造においてコンタクト電極と前記コモン電極とは保持容量を形成していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
（４）前記コンタクト電極は、前記第２の壁構造の上面に延在し、前記コモン電極は前記第２の壁構造の上面に延在していることを特徴とする（３）に記載の液晶表示装置。
【００１８】
（５）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線が形成された第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持され、前記第１の基板に形成された第１の壁構造と第２の壁構造の間に画素が形成され、前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタは前記第１の壁構造および前記第２の壁構造の下には存在せず、前記第１の壁構造及び前記第２の壁構造の側壁には画素電極と接続したコンタクト電極が形成され、その上に絶縁膜が形成され、その上にコモン電極が形成され、前記コンタクト電極と前記コモン電極とは保持容量を形成し、前記第１の壁構造と前記第２の壁構造の間に前記画素電極が形成され、前記画素電極は前記第１の壁構造または前記第２の壁構造の側面または上面において、前記絶縁膜も形成されたスルーホールを介して前記コンタクト電極と接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、壁構造を有するＩＰＳ方式で、ＣＯＡタイプを実現して混色を抑制することができる。
【００２０】
本発明によれば、画素とソース電極を接続するためのスルーホールを、画素を区画する壁の側面あるいは上面に形成するので、カラーフィルタにスルーホールを形成する必要が無く、スルーホール部における透過率の減少を防止することができる。
【００２１】
本発明によれば、画素電位を安定させるための保持容量を壁の側面または上面に形成することができるので、保持容量形成のための透過率の減少を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例１の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ‘断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ‘断面図である。
【図４】実施例１の動作を示す断面図である。
【図５】実施例１の他の形態を示す断面図である。
【図６】従来例である、平面電極でＣＯＡの動作を示す断面図である。
【図７】従来例の平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ断面図である。
【図９】実施例２の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１は、壁構造を用いたＣＯＡの画素を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図である。まず、図２から説明する。図２は図１のＡ−Ａ断面図であるが、この部分には、映像信号線１とコンタクト電極４を結ぶ第１のスルーホール１１と、コンタクト電極４と画素電極８を接続する第２のスルーホール４４が形成されている。図２において、映像信号線１が第１のスルーホール１１を介してコンタクト電極４と接続している。しかし、実際には、映像信号線１と第１のスルーホール１１の間にはＴＦＴが形成されているが、図２では、ＴＦＴは省略されている。
【００２５】
図２において、基板上に映像信号線１が形成されている。なお、映像信号線１とガラス基板の間にはＴＦＴ等を構成する半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極等も形成されているが、図２では省略されている。映像信号線１と映像信号線１の間に画素が形成されている。映像信号線１を覆って第１層間絶縁膜２が形成されている。第１層間絶縁膜２はＣＶＤ等によって形成される。第１層間絶縁膜２上に、映像信号線１に対応している部分に壁構造３が形成されている。したがって、画素は第１の壁構造３と第２の壁構造３の間に形成されているといることもできる。壁構造３の断面形状は図２では、切り立った壁状であるが、台形でもよい。いずれにしても、壁構造３の角は丸まっている。
【００２６】
また、画素領域の第１層間絶縁膜２および壁構造３の側面を覆ってコンタクト電極４が形成されている。コンタクト電極４は金属で形成してもよいし、ＩＴＯ等の透明電極によって形成してもよい。コンタクト電極４を金属によって形成する場合、金属は遮光性なので、コンタクト電極４は、画素の周辺のみに形成されることになる。一方、コンタクト電極４を透明電極によって形成すれば、コンタクト電極４を画素全体に形成してもよい。
【００２７】
画素領域において、コンタクト電極４の上で、第１の壁構造３と第２の壁構造３の間にカラーフィルタ５が形成されている。カラーフィルタ５は壁構造３の下には形成されていない。したがって、コンタクト電極４と画素電極８を接続するために、カラーフィルタ５にスルーホールを形成する必要が無い。カラーフィル５、および壁構造３の側面に形成されたコンタクト電極４を覆って第２層間絶縁膜６が形成されている。第２層間絶縁膜６を覆い、画素の左側にはコモン電極７が形成され、画素の右側には画素電極８が形成されている。
【００２８】
図２において、画素の幅ｓは第１の壁構造３の中心と第２の壁構造３の中心の距離であり、例えば１７μｍである。壁構造３の幅ｗは上面において、例えば３μｍである。また、壁構造３の第１層間絶縁膜２の上からの高さｈは、例えば６μｍである。このように、本発明は、特に、画素の面積が小さい液晶表示装置において効果がある。
【００２９】
図２において、画素電極８は壁構造３の側面において、第２層間絶縁膜６に形成された第２スルーホール４４を介してコンタクト電極４と接続している。画素電極８はコンタクト電極４を介して映像信号の供給を受ける。本発明の特徴は、画素電極８が、カラーフィルタ５にスルーホールを形成することなく、壁構造３の側面において、第２層間絶縁膜６に形成されたスルーホール４４を介してコンタクト電極４と接続する点である。なお、後で説明するが、コンタクト電極４と画素電極８は壁構造３の上面において接続してもよい。
【００３０】
カラーフィルタ５は光を吸収するので、カラーフィルタ５にスルーホールを形成しようとすると、フォトリソグラフィにおける露光が難しく、大きなスルーホールを形成せざるを得ない。スルーホールの部分は、液晶の配向が乱れるので、一般には、この部分は遮光されため、スルーホールの形成される部分は、表示に寄与しない部分となっていた。スルーホールが大きいほど、この遮光領域は大きくなるので、透過率が減少する。これが、ＣＯＡ方式の大きな問題となっていた。
【００３１】
本発明は、ＳｉＮ等で形成された第２層間絶縁膜６にスルーホール４４を形成するので、スルーホール４４の径は小さくてすむ。さらに、本発明では、この第２スルーホール４４は壁構造３の壁面に形成されるので、第２スルーホール４４による透過率の減少は殆ど生じないことになる。したがって、画素の透過率が高い、輝度の大きな液晶表示装置を得ることができる。図２において、壁構造３、画素電極８、コモン電極７、第２層間絶縁膜６等を覆って液晶を初期配向させるための配向膜９が形成される。
【００３２】
図３は、図１のＢ−Ｂ断面図である。図１のＢ−Ｂ断面においては、第１スルーホール１１も第２スルーホール４４も存在しない。Ｂ−Ｂ断面は、画素の中央部分における断面であるから、この部分では、コンタクト電極４は画素の周辺にのみ存在している。図３のような構成であれば、コンタクト電極４が金属で形成されていてもよい。一方、コンタクト電極４をＩＴＯ等の透明電極によって形成すれば、図３においても、コンタクト電極４は画素の全面に形成されていてもよい。その他の構成は図２と同じである。
【００３３】
図１は画素の平面図である。図１において、左側の壁構造３と右側の壁構造３の間に画素が形成されている。右側の壁構造３の側面にはコンタクト電極４が形成され、その上に第２層間絶縁膜６が形成され、第２層間絶縁膜６の上には画素電極８が壁構造３の側面と画素の右半分の平面に形成されている。壁構造３の側面の第２層間絶縁膜６には第２スルーホール４４が形成され、画素電極８とコンタクト電極４を接続している。
【００３４】
図１の左側の壁構造３の側面と画素の左側半分にはコモン電極７が形成されている。画素電極８とコモン電極７の間に電圧が印加されると基板の主面とほぼ平行の電界が発生する。図１において、左側の壁構造３と右側の壁構造３の間にカラーフィルタ５が形成されている。カラーフィルタ５の上の第２層間絶縁膜６は省略されている。図１に示すように、カラーフィルタ５にはスルーホールは形成されていない。
【００３５】
図４は図２に示す断面図において、画素電極８とコモン電極７の間に電圧を印加した場合の液晶の配列を示す模式図である。図４において、電気力線を点線で示している。後で示す平面電極を用いた従来例と比較して、電気力線は水平成分が大きくなっている。液晶分子１０１は、この電気力線の水平成分に比例して回転することになる。ＩＰＳでは、液晶分子１０１の水平方向の回転によって画素を透過するバックライトの光を制御して画素を形成するので、本発明の構成は極めて動作効率がよい。
【００３６】
液晶表示装置では、画素電位を安定させるために、画素電極８とコモン電極７との容量と並列に保持容量が形成される。この保持容量は、画素の一部に容量電極３００を形成して設けることが一般的である。容量電極３００の部分は一般には、画素の透過に寄与しないので、透過率を減少させる要因となっていた。本発明では、図４に示すように、画素電極８と接続しているコンタクト電極４は左側の壁構造３の側面において、第２層間絶縁膜６を介してコモン電極７と対向しているので、この部分において、保持容量を形成することができる。したがって、保持容量によって画素の透過率が減少することは無いので、この点からも、画素の透過率を上げることができる。
【００３７】
なお、図４では、保持容量は壁構造３の側面に形成されているが、壁構造の上面にも形成することができる。つまり、コンタクト電極４を壁構造３の上面にも延在させ、第２層間絶縁膜６を介してコモン電極７をコンタクト電極４とオーバーラップして形成すれば、壁構造３の上面も保持容量として活用することができる。
【００３８】
図５は本実施例の他の形態を示す断面図であり、図１のＡ−Ａ断面に対応する断面図である。図５が図２と異なる点は、コンタクト電極４と画素電極８を接続するスルーホール４４が壁構造３の側壁ではなく、壁構造３の上面に形成されていることである。第２層間絶縁膜６のスルーホール４４を壁構造３の上面に形成することで、壁構造３の側面に形成するよりも安定して形成することが出来る。
【００３９】
図５のように、コンタクト電極４と画素電極８を壁構造３の上面にて接続する場合であっても、コンタクト電極４と画素電極８を接続するためのスルーホールが形成される以外の場所であれば、コモン電極７とコンタクト電極４を第２層間絶縁膜を挟んで壁構造３の上面に延在させることによって保持容量を確保することが出来る。
【００４０】
図６は従来構成におけるＩＰＳ方式で、かつ、ＣＯＡ方式の場合の動作を示す断面模式図である。図６において、映像信号線１を覆って第１層間絶縁膜２が形成され、これを覆ってカラーフィルタ５が形成されている。カラーフィルタ５の上に画素電極８が形成され、その上にコモン電極７が形成され、その上に配向膜９が形成されている。図６に示すように、画素電極８とコモン電極７の間に電圧を印加すると、点線のように電気力線が発生する。
【００４１】
図６に示すように、従来構造では、液晶層１０中の電気力線２００は大きな曲率を持っており、電気力線２００が基板の主面と平行な領域は狭い。これに対して、本発明が適用される壁構造３を持つ画素では、図４に示すように、電気力線２００の基板と平行な成分は図７に比べてはるかに広い。ＩＰＳでは、液晶分子１０１の基板と平行方向の回転成分によって液晶１０の透過率を制御するものである。つまり、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の動作において、図４に示す本発明の構成は、図７で示すような従来例に比較して効率が効率がよい。
【００４２】
従来例では。図６に示すように、画素電極８とソース電極１あるいは映像信号線１と接続するためには、カラーフィルタ５にスルーホール１１を形成する必要がある。カラーフィルタ５はフォトリソグラフィ時の露光感度が悪いので、スルーホールの径が大きくなる。通常スルーホールの部分は液晶を適切に配向させることができないので、光漏れを防止するために遮光される。これに対して、本発明では、図４に示すように、スルーホールは壁構造３の側壁、または、後で述べるように、壁構造３の上面に形成されるので、スルーホール部を遮光する必要が無い。したがって、画素の透過率を向上させることができる。
【００４３】
図７は、従来例におけるＴＦＴ基板側の平面図である。図７において、画素領域にはストライプ状の画素電極８とコモン電極７が交互に縦方向に延在している。画素の図面上側において、保持容量形成のための容量電極３００が配置されている。容量電極３００にはコモン電圧が印加される。容量電極３００の下側には第２層間絶縁膜６を挟んで画素電極８が配置している。このように、保持容量を形成するための領域は画素内において、一定の面積を占めるので、画素の透過率を下げることになる。
【００４４】
図８は、図７のＣ−Ｃ断面図であり、保持容量部分の断面図である。図８に示すように、コモン電圧が印加される容量電極３００と画素電極８の間に保持容量が形成される。しかし、容量電極３００の上には電気力線が出て行かないので、液晶を制御することは出来ない。したがって、光漏れを防止するために、容量電極３００の部分は遮光される。その分、画素部の透過率が低下することになる。一方、本発明では、図４に示すように、保持容量は壁構造３の側面において、コンタクト電極４とコモン電極７の間で形成されるので、画素の透過率を下げることにはならない。
【実施例２】
【００４５】
図９は本発明の実施例２を示す断面図である。図９が実施例１の図２等と異なる点は画素電極８が画素の中央部に配置され、画素を区画する壁構造３の側面にコモン電極７が形成されていることである。このような構成であっても、点線で示す電気力線２００は従来のＩＰＳに比較して基板と平行方向の成分を多くすることができる。
【００４６】
図９において、壁構造３の両側面にはコンタクト電極４が形成されている。壁構造１の側壁において、コンタクト電極４の上には第２層間絶縁膜６が形成され、その上にコモン電極７が形成されている。コンタクト電極４と画素電極８とは、図９には図示しない部分において壁構造３の側面あるいは上面において、第２層間絶縁膜に形成されたスルーホールを介して接続している。したがって、本実施例においても、コンタクト電極４と画素電極８とはカラーフィルタ５にスルーホールを形成することなく接続することができる。
【００４７】
また、壁構造３の側面において保持容量を形成することが出来るので、画素の透過率を減少させることなく保持容量を形成することができる。図９では、画素の両側の壁構造３の側面において、保持容量を形成することができるので、実施例１の場合よりもさらに大きな保持容量を形成することができる。なお、図９においても、コンタクト電極４とコモン電極７を壁構造３の上面にも延在して形成することによって、さらに大きな保持容量を形成することができる。
【００４８】
本実施例におけるコンタクト電極４と画素電極８との接続は、実施例１で述べたように、第１または第２の壁構造３の表面において第２層間絶縁膜６に形成されたスルーホールを介して接続する。この場合、スルーホールは第１または第２の壁構造３の側壁に形成してもよいし、第１または第２の壁構造の上面に形成してもよい。
【００４９】
以上のように、本発明によれば、画素を区画する壁構造３を用いて画素電極６とコモン電極７の間の電界を形成するので、基板の主面と平行方向の電界成分を大きくすることが出来る。また、壁構造３の側面または上面において、コンタクト電極４と画素電極８の接続をとるため、カラーフィルタ５にスルーホールを形成する必要がないので、該スルーホールを形成したことによる画素の透過率の低下を防止することができる。さらに、壁構造３の側面または上面に保持容量を形成するため、画素内に保持容量を形成するための遮光領域を形成する必要が無いので、画素の透過率を向上させることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１…映像信号線、ソース電極、  ２…第１層間絶縁膜、３…壁構造、  ４…コンタクト電極、  ５…カラーフィルタ、  ６…第２層間絶縁膜、  ７…第２層間絶縁膜、  ８…画素電極、  ９…配向膜、  １０…液晶層、  １１…第１スルーホール、  ４４…第２スルーホール、  ５５…第３スルーホール、  １０１…液晶分子、  ２００…電気力線、  ３００…容量電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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