(57)【要約】【課題】放熱性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体チップと、半導体チップを覆い、第１の底面と、第１の底面に対向する第２の底面と、第１および第２の底面に交差し互いに対向する第１および第２の側面と、第１および第２の底面、第１および第２の側面に交差し互いに対向する第３および第４の側面を有する樹脂体と、半導体チップの第１の底面側に設けられ、半導体チップが接続され第１の底面側で樹脂体から露出するベッド部と、第１または第２の側面から端部が突出する第１の電極端子と、を有する第１の導電部材と、第１または第２の側面から端部が突出する第２の電極端子を有する第２の導電部材と、半導体チップの第２の底面側に設けられ、第２の底面側で樹脂体から露出し、第３および第４の側面から端部が第３および第４の側面と同一面内に露出する放熱部材と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを覆い、第１の底面と、前記第１の底面に対向する第２の底面と、前記第１および前記第２の底面に交差し互いに対向する第１および第２の側面と、前記第１および前記第２の底面、前記第１および前記第２の側面に交差し互いに対向する第３および第４の側面を有する樹脂体と、
前記半導体チップの前記第１の底面側に設けられ、前記半導体チップが接続され前記第１の底面側で前記樹脂体から露出するベッド部と、前記第１または前記第２の側面から端部が突出する第１の電極端子と、を有する第１の導電部材と、
前記第１または前記第２の側面から端部が突出する第２の電極端子を有する第２の導電部材と、
前記半導体チップの前記第２の底面側に設けられ、前記第２の底面側で前記樹脂体から露出し、前記第３および前記第４の側面から、端部が前記第３および前記第４の側面と同一面内に露出する放熱部材と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱部材が、放熱板と、前記放熱板の前記第３および前記第４の側面側に設けられ前記放熱板よりも幅が狭く厚さの薄い第１および第２の狭窄部を有し、前記第１および前記第２の狭窄部が前記第３および前記第４の側面から露出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱部材が、前記放熱板の前記第１または前記第２の側面側に設けられ前記放熱板よりも厚さの薄い第３の狭窄部を有し、前記第３の狭窄部が前記第２の導電部材に接続されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の導電部材の前記第２の底面側の位置が、前記放熱板の前記半導体チップ側の位置よりも前記第２の底面側に近く、前記第３の狭窄部が平板状であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の方向と前記第１の方向に直交する第２の方向にマトリックス状に配置される複数のベッド部と、前記第１の方向に伸長する電極端子とを有するリードフレームの、前記ベッド部の各々に半導体チップを載置し、
前記第２の方向に連結される放熱部材を、前記半導体チップ上に載置し、
前記第２の方向に配置される前記半導体チップを一括して覆い、かつ、前記電極端子が前記第２の方向に沿って露出するように、樹脂体を形成し、
前記電極端子を前記第２の方向に沿って切断し、
前記樹脂体および前記放熱部材を前記第１の方向に沿って切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の動作に伴い発生する熱が、半導体装置自身あるいは半導体装置が実装される電子機器への動作や信頼性に影響を与える。特に、パワー半導体装置では発熱量が大きいため、半導体装置からの放熱が重要となる。
【０００３】
パワー半導体装置では、例えば、パッケージ下面とパッケージ上面の両面から放熱する構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１２９８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、放熱性の高い半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体装置は、半導体チップと、半導体チップを覆い、第１の底面と、第１の底面に対向する第２の底面と、第１および第２の底面に交差し互いに対向する第１および第２の側面と、第１および第２の底面、第１および第２の側面に交差し互いに対向する第３および第４の側面を有する樹脂体と、半導体チップの第１の底面側に設けられ、半導体チップが接続され第１の底面側で樹脂体から露出するベッド部と、第１または第２の側面から端部が突出する第１の電極端子と、を有する第１の導電部材と、第１または第２の側面から端部が突出する第２の電極端子を有する第２の導電部材と、半導体チップの第２の底面側に設けられ、第２の底面側で樹脂体から露出し、第３および第４の側面から、端部が第３および第４の側面と同一面内に露出する放熱部材と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の模式上面図である。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【図３】第１の実施形態の半導体装置を構成する部材の模式上面図である。
【図４】第１の実施形態の半導体装置の模式側面図である。
【図５】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図７】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図８】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図９】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１０】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１１】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１２】第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１３】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の作用および効果の説明図である。
【図１４】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の作用および効果の説明図である。
【図１５】第２の実施形態の半導体装置の模式上面図である。
【図１６】第２の実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【図１７】第３の実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【図１８】第４の実施形態の半導体装置の放熱部材の模式上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、半導体チップと、半導体チップを覆い、第１の底面と、第１の底面に対向する第２の底面と、第１および第２の底面に交差し互いに対向する第１および第２の側面と、第１および第２の底面、第１および第２の側面に交差し互いに対向する第３および第４の側面を有する樹脂体と、半導体チップの第１の底面側に設けられ、半導体チップが接続され第１の底面側で樹脂体から露出するベッド部と、第１または第２の側面から端部が突出する第１の電極端子と、を有する第１の導電部材と、第１または第２の側面から端部が突出する第２の電極端子を有する第２の導電部材と、半導体チップの第２の底面側に設けられ、第２の底面側で樹脂体から露出し、第３および第４の側面から端部が第３および第４の側面と略同一面内に露出する放熱部材と、を備える。
【００１０】
図１は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。図１（ａ）は、樹脂体の第２の底面側から見た図である。図１（ｂ）は、樹脂体の第１の底面側から見た図である。
【００１１】
図２は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。図２（ａ）は図１（ａ）のＡＡ断面、図２（ｂ）は図１（ａ）のＢＢ断面である。
【００１２】
図３は、本実施形態の半導体装置を構成する部材の模式上面図である。図３（ａ）は、第１の導電部材および第２の導電部材を示す。また、図３（ｂ）は放熱部材を示す。
【００１３】
図４は、本実施形態の半導体装置の模式側面図である。図４（ａ）は、樹脂体の第３の側面側から見た図である。また、図４（ｂ）は、樹脂体の第１の側面側から見た図である。
【００１４】
本実施形態の半導体装置１００は、半導体チップ１０、モールド樹脂（樹脂体）１２、第１の導電部材１４、第２の導電部材１６、放熱部材１８、第３の導電部材２０を備える。
【００１５】
半導体チップ１０は、例えば、シリコンで形成される縦型のＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。縦型のＭＯＳＦＥＴの場合、半導体チップ１０の一方の面、例えば第１の底面側に下部電極としてドレイン電極（図示せず）が設けられる。また、半導体チップ１０の他方の面、例えば第２の底面側に上部電極としてソース電極（図示せず）およびゲート電極（図示せず）が設けられる。
【００１６】
モールド樹脂（樹脂体）１２は、半導体チップ１０を覆っている。モールド樹脂１２は、例えば、フィラー等が添加されたエポキシ系の熱硬化性樹脂である。
【００１７】
モールド樹脂１２は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の底面と、第１の底面に対向する第２の底面と、第１および第２の底面に交差し互いに対向する第１および第２の側面と、第１および第２の底面、第１および第２の側面に交差し互いに対向する第３および第４の側面を備える。本実施形態では、モールド樹脂の外形が直方体形状である場合を例に説明するが、モールド樹脂１２の外形は、直方体に限定されるものではない、例えば、第１および第２の側面が第１の底面に向かって広がるように傾斜する面であってもかまわない。
【００１８】
第１の導電部材１４は、半導体チップ１０の第１の底面側に設けられる。第１の導電部材１４は、例えば、銅や鉄−ニッケル合金等で形成される。第１の導電部材１４は、ベッド部１４ａと、４本の第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅを備える。
【００１９】
ベッド部１４ａには、半導体チップ１０が接合材で接続される。具体的には、ベッド部１４ａ上に、半導体チップ１０が、銀ペースト、はんだ等の接合材により接合される。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、ベッド部１４ａは、モールド樹脂１２の第１の底面側で、モールド樹脂１２から表面が露出する。この構成により、ベッド部１４ａから半導体チップ１０の熱を放熱する。
【００２１】
４本の第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅは、モールド樹脂１２の第１の側面から、その端部が突出する。いいかえれば、第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅの端部は、第１の側面と同一面内になく、第１の側面から外側に出っ張っている。
【００２２】
第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅの端部が、モールド樹脂１２から突出していることにより、半導体装置１００を回路基板等にはんだ付けで実装する際に、端部にフィレットが３面形成される。したがって、実装強度が強くなり、半導体装置１００が実装される回路基板等の信頼性が向上する。また、半導体装置１００を回路基板上に実装した後の外観検査において、半導体装置１００のパッケージ側面に、はんだフィレットが形成されるため、回路基板上面側からの観察により、容易に実装状態の良否を判定できる。
【００２３】
第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅの端部のモールド樹脂１２からの突出量は、フィレットが３面に形成され得る量であれば、特に、限定されるものではない。この観点から、突出量は、第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅの厚さよりも大きいことが望ましい。例えば、０．１ｍｍ以上であることが望ましく、０．５ｍｍ以上であることがより望ましい。
【００２４】
半導体チップ１０が縦型ＭＯＳＦＥＴの場合、第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅは、ドレイン端子となる。
【００２５】
第２の導電部材１６は、例えば、銅や鉄−ニッケル合金等で形成される。第２の導電部材１６は、４本の第２の電極端子１６ａ〜１６ｂを備える。
【００２６】
４本の第２の電極端子１６ａ〜１６ｄは、モールド樹脂１２の第２の側面からその端部が突出する。いいかえれば、第２の電極端子１６ａ〜１６ｄの端部は、第２の側面と同一面内になく、第２の側面から外側に出っ張っている。第２の導電部材１６は、折り曲げ成形されており、モールド樹脂１２内で、第１の底面側から第２の底面側に屈曲している。なお、第２の導電部材１６は、必ずしも屈曲する形状に限られるものではない。
【００２７】
第２の電極端子１６ａ〜１６ｄの端部が、モールド樹脂１２から突出していることにより、半導体装置１００を回路基板等にはんだ付け実装する際に、端部にフィレットが３面形成される。したがって、実装強度が強くなり、半導体装置１００が実装される回路基板等の信頼性が向上する。
【００２８】
第２の電極端子１６ａ〜１６ｄの端部のモールド樹脂１２からの突出量は、フィレットが３面に形成され得る量であれば、特に、限定されるものではない。この観点から、突出量は、第２の電極端子１６ａ〜１６ｄの厚さよりも大きいことが望ましい。また、例えば、０．１ｍｍ以上であることが望ましく、０．５ｍｍ以上であることがより望ましい。
【００２９】
半導体チップ１０が縦型ＭＯＳＦＥＴの場合、例えば、第２の電極端子１６ａがゲート端子となり、第２の電極端子１６ｂ〜１６ｄが、ソース端子となる。
【００３０】
第３の導電部材２０は、半導体チップ１０の第２の底面側に設けられる。第３の導電部材２０は、半導体チップ１０の上部電極と、第２の導電部材１６の第２の電極端子１６ｂ〜１６ｄを電気的に接続するコネクタである。上部電極は、例えば、ソース電極である。第３の導電部材２０は、例えば、銅である。なお、第２の電極端子１６ａは、例えば、半導体チップ１０の上部に設けられるゲート電極と、直接または間接的に別途接続される。
【００３１】
第３の導電部材２０は、半導体チップ１０の上面に接着されている。具体的には、半導体チップ１０上に、第３の導電部材２０が、銀ペースト、はんだ等の接合材により接合される。
【００３２】
放熱部材１８は、半導体チップ１０の第２の底面側に設けられる。放熱部材１８は、例えば、銅や鉄−ニッケル合金等で形成される。放熱部材１８は、第３の導電部材２０上に、銀ペースト、はんだ等の接合材により接合される。
【００３３】
図３（ｂ）に示すように、放熱部材１８は、放熱板１８ａ、第１の狭窄部１８ｂ、第２の狭窄部１８ｃを備える。
【００３４】
放熱板１８ａは、モールド樹脂１２の第２の底面側で、モールド樹脂１２から表面が露出する。この構成により放熱板１８ａから半導体チップ１０の熱を放熱する。半導体チップ１０の下面でベッド部１４ａがモールド樹脂１２から露出し、半導体チップ１０の上面で放熱板１８ａがモールド樹脂１２から露出することで、半導体装置１００は、パッケージ下面とパッケージ上面の両面から放熱する、両面放熱構造となっている。
【００３５】
第１の狭窄部１８ｂは、放熱板１８ａの第３の側面側に設けられる。第２の狭窄部１８ｃは、放熱板１８ａの第４の側面側に設けられる。
【００３６】
第１の狭窄部１８ｂ、および、第２の狭窄部１８ｃは、多数の半導体装置１００を同時にモールドする際に、複数の放熱部材１８を互いに固定する部材、いわゆる吊ピンとして機能する。第１の狭窄部１８ｂおよび第２の狭窄部１８ｃは、加工時の切断を容易にする観点から、放熱板１８ａよりも幅が狭く厚さが薄いことが望ましい。
【００３７】
図２（ｂ）、図４（ａ）に示すように、第１の狭窄部１８ｂの端部は、モールド樹脂１２の第３の側面から、第３の側面と略同一面内に露出する。ここで、略同一面内とは、第３の側面と第１の狭窄部１８ｂの端部を同一の切断工程で形成した程度に、第１の狭窄部１８ｂの端部が第３の側面と同一面内に存在することを意味する。
【００３８】
また、図２（ｂ）に示すように、第２の狭窄部１８ｃの端部は、モールド樹脂１２の第４の側面から、第４の側面と略同一面内に露出する。ここで、略同一面内とは、第４の側面と第２の狭窄部１８ｃの端部を同一の切断工程で形成した程度に、第２の狭窄部１８ｃの端部が第４の側面と同一面内に存在することを意味する。
【００３９】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１２の第１および第２の側面には、放熱部材１８は露出しない。
【００４０】
本実施形態の半導体装置１００は、両面放熱構造を備えることにより、高い放熱性を実現する。また、第１および第２の電極端子１４ｂ〜１４ｅ、１６ａ〜１６ｄの端部が、モールド樹脂１２から突出していることにより、実装強度が強くなり、半導体装置１００が実装される回路基板等の信頼性が向上する。そして、放熱部材１８が、放熱板１８ａ、第１の狭窄部１８ｂ、第２の狭窄部１８ｃを備えることにより、両面放熱構造および第１および第２の電極端子１４ｂ〜１４ｅ、１６ａ〜１６ｄの端部が、モールド樹脂１２から突出した構造を容易に製造することが可能となる。
【００４１】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図５〜図１２は、本実施形態の製造方法を示す図である。
【００４２】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の方向と第１の方向に直交する第２の方向にマトリックス状に配置される複数のベッド部と、第１の方向に伸長する電極端子とを有するリードフレームのベッド部の各々に半導体チップを載置し、第２の方向に連結される放熱部材を、半導体チップ上に載置し、第２の方向に配置される半導体チップを一括して覆い、かつ、電極端子が第２の方向に沿って露出するように、樹脂体を形成し、電極端子を第２の方向に沿って切断し、樹脂体および放熱部材を第１の方向に沿って切断する。
【００４３】
まず、図５に示すように、第１の方向と第１の方向に直交する第２の方向にマトリックス状に配置される複数のベッド部１４ａと、第１の方向に伸長する電極端子２４ａ、２４ｂとを備えるリードフレーム３０を準備する。リードフレーム３０は、例えば、銅や鉄−ニッケル合金等で形成される。リードフレーム３０は、例えば、エッチング加工、または、プレス加工で形成される。
【００４４】
電極端子２４ａは、加工後、半導体装置１００の第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅとなる。また、電極端子２４ｂは、加工後、半導体装置１００の第２の電極端子１６ａ〜１６ｄとなる。
【００４５】
次に、図６に示すように、リードフレーム３０のベッド部１４ａの各々に、半導体チップ１０を載置する。例えば、半導体チップ１０はチップマウンターを用いてベッド部１４ａに載置され、銀ペースト、はんだ等の接合材によりベッド部１４ａ上に接合される。
【００４６】
次に、図７に示すように、半導体チップ１０の各々に、第３の導電部材２０を載置する。第３の導電部材２０は、例えば、半導体チップ１０の上部電極と、電極端子２４ｂを電気的に接続するコネクタである。
【００４７】
次に、図８に示すように、第２の方向に連結される複数の放熱部材１８を備えるフレーム４０を準備する。それぞれの放熱部材１８は、吊ピン４２により連結されている。切断後の吊ピンの一部が、上記第１の狭窄部１８ｂ、第２の狭窄部１８ｃとなる。吊ピン４２は、加工時の切断を容易にする観点から、放熱板１８ａよりも幅が狭いことが望ましい。そして、厚さが薄いことがより望ましい。
【００４８】
次に、図９に示すように、第２の方向に連結される放熱部材１８を、半導体チップ１０上に載置する。具体的には、例えば、半導体チップ１０および第３の導電部材２０が載置されるリードフレーム３０に、放熱部材１８を備えるフレーム４０を重ねあわせる。例えば、放熱部材１８は、第３の導電部材２０上に、銀ペースト、はんだ等の接合材により接合される。
【００４９】
次に、図１０に示すように、第２の方向に配置される半導体チップ１０を一括して覆い、かつ、電極端子２４ａ、２４ｂが第２の方向に沿って露出するように、モールド樹脂（樹脂体）１２を形成する。この際、モールド樹脂１２の表面から、放熱部材１８が露出するようにする。また、この際、放熱部材１８を接続する吊ピン４２は、モールド樹脂１２によって被覆される。
【００５０】
具体的には、例えば、第２の方向に伸びるキャビティを備える樹脂モールド用の中空金型を、キャビティ内に半導体チップ１０が収まるよう配置する。さらに、放熱部材１８の表面をカバーする上部金型を配置する。そして、キャビティ内に、例えば、熱硬化性樹脂を充填し、所定の温度で加熱後、冷却して硬化させる。
【００５１】
次に、図１１に示すように、電極端子２４ａ、２４ｂを第２の方向に沿って切断する。電極端子２４ａ、２４ｂの切断は、例えば、金型を用いて切断する。
【００５２】
電極端子２４ａ、２４ｂが切断されることにより、第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅ、第２の電極端子１６ａ〜１６ｄが形成される。第１の電極端子１４ｂ〜１４ｅ、第２の電極端子１６ａ〜１６ｄの端部は、モールド樹脂１２から、外側に突出する構造となる。
【００５３】
次に、図１２に示すように、モールド樹脂（樹脂体）１２および放熱部材１８を第１の方向に沿って切断する。具体的には、モールド樹脂（樹脂体）１２および放熱部材１８の吊ピン部分を、図１２中の点線で示す線に沿って、例えば、ブレードダイシングにより切断する。  
【００５４】
モールド樹脂（樹脂体）１２および放熱部材１８を切断することで、放熱部材１８の第１の方向の端部が、モールド樹脂（樹脂体）１２の側面と略同一面内にモールド樹脂１２から露出するようになる。
【００５５】
以上の製造方法により、半導体装置１００が製造される。
【００５６】
例えば、放熱部材１８を、複数の半導体チップ１０上に個別に載置する場合、各放熱部材１８の表面を、同一平面内に収めることが困難となる。各放熱部材１８の表面を、同一平面内に収めることができないと、各半導体チップ１０および放熱部材１８を一括して樹脂によりモールドする際に、安定して放熱部材１８をモールド樹脂１２表面から露出させることが困難となる。
【００５７】
本実施形態の製造方法によれば、複数の放熱部材１８を吊ピンで連結した状態で、複数の半導体チップ１０の上に載置する。したがって、各放熱部材１８の表面を、同一平面内に収めることが容易となる。よって、各半導体チップ１０および放熱部材１８を樹脂によりモールドする際に、安定して放熱部材１８をモールド樹脂１２表面から露出させることが可能となる。
【００５８】
図１３、図１４は、本実施形態の半導体装置の製造方法の作用および効果の説明図である。仮に、図１３に示すように、放熱部材１８を第１の方向に伸長する吊ピン４４および第２の方向に伸長する吊ピン４２の計４本の吊ピンで連結させる場合、第１の方向に伸長する吊ピン４４と、第１の方向に伸長する電極端子２４ａ、２４ｂとが上下で重なる。したがって、第１の方向に伸長する吊ピン４４、および、第１の方向に伸長する電極端子２４ａ、２４ｂがモールド樹脂１２で覆われていない場合、第１の方向に伸長する吊ピン４４と電極端子２４ａ、２４ｂを同時に切断することが困難となる。
【００５９】
そこで、仮に、図１４に示すように、第１の方向に伸長する吊ピン４４、および、第１の方向に伸長する電極端子２４ａ、２４ｂを含め、モールド樹脂１２ですべての半導体チップ１０を被覆とする。この場合、モールド樹脂１２を、例えばブレードダイシングにより、図中点線で示す第１の方向に切断する。そうすると、電極端子２４ａ、２４ｂをモールド樹脂１２から突出させて形成することができない。したがって、回路基板等に実装した場合に、高い信頼性を備える半導体装置の実現が困難となる。
【００６０】
本実施形態の製造方法によれば、放熱部材１８が第２の方向にのみ連結されるフレーム４０を用いることにより、電極端子２４ａ、２４ｂをモールド樹脂１２で覆わない状態で切断できる。したがって、切断後に、電極端子２４ａ、２４ｂをモールド樹脂１２から突出させて形成することができる。よって、回路基板等に実装した場合に、高い信頼性を備える半導体装置の実現が可能となる。
【００６１】
以上、本実施形態によれば、放熱性が高く、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法が実現される。
【００６２】
なお、第３の導電部材２０については、個々に半導体チップ１０上に載置する方法を例に説明したが、第２の方向に連結される複数の第３の導電部材２０を備えるフレームを用いて、一括して複数の半導体チップ１０上に載置する方法とすることも可能である。
【００６３】
（第２の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、放熱部材が、放熱板と、放熱板の第１または第２の側面側に設けられ放熱板よりも厚さの薄い第３の狭窄部を有し、第３の狭窄部が第２の導電部材に接続される点で、第１の実施形態と異なっている。以下、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００６４】
図１５は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。図１５（ａ）は樹脂体の第２の底面側から見た図である。また、図１５（ｂ）は樹脂体の第１の底面側から見た図である。
【００６５】
図１６は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。図１６（ａ）は図１５（ａ）のＡＡ断面、図１６（ｂ）は図１５（ａ）のＢＢ断面である。
【００６６】
本実施形態の半導体装置２００は、半導体チップ１０、モールド樹脂（樹脂体）１２、第１の導電部材１４、第２の導電部材１６、放熱部材１８を備える。第１の実施形態と異なり、第３の導電部材を備えない。
【００６７】
そして、放熱部材１８は、放熱板１８ａ、第１の狭窄部１８ｂ、第２の狭窄部１８ｃ、第３の狭窄部１８ｄを備える。放熱部材１８は、半導体チップ１０上に、例えば、銀ペースト、はんだ等の接合材により接合される。
【００６８】
第３の狭窄部１８ｄは、第１の実施形態の第３の導電部材２０を代替する。すなわち、第３の狭窄部１８ｄは、半導体チップ１０の上部電極と、第２の導電部材１６を電気的に接続する。
【００６９】
第３の狭窄部１８ｄは、放熱板１８ａの第２の側面側に設けられ、放熱板１８ａよりも厚さが薄い。また、第３の狭窄部１８ｄは、放熱板１８ａとの境界部で、第２の底面側に傾斜するよう屈曲している。この構成により、放熱部材１８の端部が、半導体チップ１０の端部に重ならないようになり、例えば、放熱部材１８と半導体チップ１０を接合する導電性の接合材が漏出することによるショート不良等を抑制している。また、この構成により、例えば、放熱部材１８が、第１の導電部材１４に接触してショートすることを防止している。
【００７０】
本実施形態によれば、放熱部材１８をコネクタとして利用することにより、第３の導電部材が不要となり、部品点数を減少することができる。そして、部品の接合面が減ることにより、半導体チップに放熱部材１８を設ける際に、放熱部材１８の上面の平坦性を容易に確保することができる。したがって、モールド樹脂１２表面に、安定して放熱部材１８表面を露出させることができる。
【００７１】
また、部品の接合面が減ることにより、半導体チップ１０の放熱性も向上する。さらに、第３の導電部材が不要となることで、第３の導電部材と放熱部材１８との製造時の合わせ余裕が不要となる。したがって、放熱部材１８の面積を大きくすることが可能となる。この観点からも放熱性が向上する。
【００７２】
なお、本実施形態の半導体装置２００の製造方法は、第１の実施形態で説明した製造方法において、第３の導電部材の載置を省略することで実現される。
【００７３】
以上、本実施形態によれば、第１の実施形態の効果に加え、部品数を減少し、製造プロセスが安定し、さらに放熱性が向上する半導体装置が実現される。
【００７４】
（第３の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の導電部材の第２の底面側の位置が、放熱板の半導体チップ側の位置よりも第２の底面側に近い。そして、第３の狭窄部が平板状である点で、第２の実施形態と異なっている。以下、第２の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００７５】
図１７は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置の上面は、第２の実施形態と同様であるので、第２の実施形態の模式上面図である図１５を参照する。図１７（ａ）は図１５（ａ）のＡＡ断面、図１７（ｂ）は図１５（ａ）のＢＢ断面である。
【００７６】
本実施形態の半導体装置３００は、第３の狭窄部１８ｄが屈曲部を持たず、平板状である。この構造は、第２の導電部材１６の第２の底面側の位置が、放熱板１８ａの半導体チップ１０側の位置よりも第２の底面側に近い構造とすることで実現される。
【００７７】
本実施形態によれば、第３の狭窄部１８ｄを平板状にすることで、例えば、半導体チップ１０から第２の導電部材１６に到る経路が短くなり、電気抵抗が低減される。また、第３の狭窄部１８ｄを曲げ成形により形成することが不要となる。したがって、放熱板１８ａの加工が容易となり曲げ加工誤差が低減し、特性が安定した半導体装置を実現することが可能となる。
【００７８】
以上、本実施形態によれば、第１および第２の実施形態の効果に加え、製造プロセスが安定し、特性が安定する半導体装置が実現される。
【００７９】
（第４の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、放熱部材１８の第１の狭窄部１８ｂ、第２の狭窄部１８ｃをそれぞれ２本ずつ備えること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
【００８０】
図１８は、本実施形態の半導体装置の放熱部材の模式上面図である。図１８に示すように、放熱部材１８は、放熱板１８ａ、２本の第１の狭窄部１８ｂ、２本の第２の狭窄部１８ｃを備える。
【００８１】
本実施形態によれば、複数の半導体チップ上に複数の放熱板１８を同時に載置する際、複数の放熱板１８を第２の方向に、片側２本ずつの吊ピンで連結することができる。したがって、半導体チップ上に放熱板１８を載置する際の、放熱板１８の半導体チップ１０上の位置制御が容易になる。したがって、安定した形状および特性の半導体装置が実現される。
【００８２】
実施形態では、半導体チップとして縦型ＭＯＳＦＥＴを例に説明したが、本発明を、縦型ＭＯＳＦＥＴ以外のデバイス、例えば、縦型ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、縦型ＳＢＴ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ  Ｂａｒｒｉｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）等にも適用することが可能である。また、半導体チップの上部あるいは下部いずれか一方の面のみに電極を備える横型デバイスに、本発明を適用することが可能である。
【００８３】
実施形態では、半導体としてシリコンを用いたデバイスを例に説明した。しかし、シリコンに限らず、ＳｉＣ等の炭化物半導体や、ＧａＮ系半導体等の窒化物半導体を適用することも可能である。
【００８４】
実施形態では、第１の導電部材および第２の導電部材が４本の電極端子を備える場合を例に説明したが、電極端子の数は４本に限られることはなく、その他の数の電極端子を備える構成としてもかまわない。
【００８５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換えまたは変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８６】
１０        半導体チップ
１２        モールド樹脂（樹脂体）
１４        第１の導電部材
１４ａ      ベッド部
１４ｂ〜ｅ  第１の電極端子
１６        第２の導電部材
１６ａ〜ｄ  第２の電極端子
１８        放熱部材
１８ａ      放熱板
１８ｂ      第１の狭窄部
１８ｃ      第２の狭窄部
１８ｄ      第３の狭窄部
２０        第３の導電部材
２４ａ、ｂ  電極端子
３０        リードフレーム
１００      半導体装置
２００      半導体装置
３００      半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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