(57)【要約】【課題】インターフェロメータの振動に起因するビーム位置の誤補正を抑えることができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、描画対象となる試料Ｗを支持する移動可能なステージ１１を収容する描画室２ａと、その描画室２ａの壁面に固定されステージ１１の位置を測定するためのインターフェロメータ１２と、そのインターフェロメータ１２に設けられ振動を計測する第１の振動センサ１３と、描画室２ａの壁面に設けられ振動を計測する第２の振動センサ１４と、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の両方の計測値からインターフェロメータ１２の振動値を求め、その求めた振動値を用いてステージ１１の位置情報を修正し、修正したステージ１１の位置情報に基づいてステージ１１上の試料Ｗに対する荷電粒子ビームＢの照射位置を補正する補正部３ｄとを備える。【選択図】図１
2015065364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画対象となる試料を支持する移動可能なステージを収容する描画室と、
前記ステージ上の試料に荷電粒子ビームを照射する照射部と、
前記描画室の壁面に固定され、前記ステージの位置を測定するためのインターフェロメータと、
前記インターフェロメータに設けられ、振動を計測する第１の振動センサと、
前記描画室の壁面に設けられ、振動を計測する第２の振動センサと、
前記第１の振動センサ及び前記第２の振動センサの両方の計測値から前記インターフェロメータの振動値を求め、求めた前記インターフェロメータの振動値を用いて前記ステージの位置情報を修正し、修正した前記ステージの位置情報に基づいて前記ステージ上の試料に対する荷電粒子ビームの照射位置を補正する補正部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記第２の振動センサは、前記インターフェロメータが固定されている前記描画室の壁面と同じ壁面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記第２の振動センサは、前記インターフェロメータに前記第１の振動センサを固定する固定手段と同じ固定手段によって前記描画室の壁面に固定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記補正部は、前記第１の振動センサ及び前記第２の振動センサの両方の計測値をフーリエ変換により解析し、前記第１の振動センサの変換値だけに存在するピークが最も高い周波数を選択し、その選択した周波数で前記ステージの位置情報にノッチフィルタを掛けることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画対象となる試料を支持する移動可能なステージを収容する描画室の壁面に固定され前記ステージの位置を測定するためのインターフェロメータに設けられた第１の振動センサと、前記描画室の壁面に設けられた第２の振動センサとによって、それぞれ振動を計測する工程と、
前記第１の振動センサ及び前記第２の振動センサの両方の計測値から前記インターフェロメータの振動値を求める工程と、
求めた前記インターフェロメータの振動値を用いて前記ステージの位置情報を修正する工程と、
修正した前記ステージの位置情報に基づいて前記ステージ上の試料に対する荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程と、
を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴って、半導体デバイスに要求される回路線幅は益々微小になってきている。半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するためには、リソグラフィ技術が用いられており、このリソグラフィ技術では、マスク（レチクル）と称される原画パターンを用いたパターン転写が行われている。このパターン転写に用いる高精度なマスクを製造するためには、優れた解像度を有する荷電粒子ビーム描画装置が用いられている。
【０００３】
この荷電粒子ビーム描画装置は、マスクやブランクなどの試料が載置されたステージを移動させつつ、荷電粒子ビームを成形及び偏向してステージ上の試料に照射し、試料にパターンを描画する。このとき、荷電粒子ビーム描画装置は、レーザ干渉計によりステージ位置を検出し、その検出したステージ位置に基づいてステージ上の試料に対するビーム位置を補正するトラッキング補正を行っている。レーザ干渉計は、ステージとの相対距離、例えば、ステージ移動方向（Ｘ軸方向やＹ軸方向など）の相対距離を測定するものであり、ステージ位置を測定するための光学部品としてインターフェロメータなどを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−４０６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の荷電粒子ビーム描画装置においてインターフェロメータが振動すると、その振動による変位量がステージの位置情報に加算されてしまう。このため、ビーム位置の補正時には、本来のステージ位置と異なるステージ位置情報を用いてビーム位置を補正することになり、その結果、ビーム位置異常が発生して製品が不良となることがある。このようにインターフェロメータの振動はビーム位置の誤補正の要因になっており、その振動に起因するビーム位置の誤補正を抑えることが求められている。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、インターフェロメータの振動に起因するビーム位置の誤補正を抑えることができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置は、描画対象となる試料を支持する移動可能なステージを収容する描画室と、ステージ上の試料に荷電粒子ビームを照射する照射部と、描画室の壁面に固定され、ステージの位置を測定するためのインターフェロメータと、インターフェロメータに設けられ、振動を計測する第１の振動センサと、描画室の壁面に設けられ、振動を計測する第２の振動センサと、第１の振動センサ及び第２の振動センサの両方の計測値からインターフェロメータの振動値を求め、求めたインターフェロメータの振動値を用いてステージの位置情報を修正し、修正したステージの位置情報に基づいてステージ上の試料に対する荷電粒子ビームの照射位置を補正する補正部とを備える。
【０００８】
また、上記荷電粒子ビーム描画装置において、第２の振動センサは、インターフェロメータが固定されている描画室の壁面と同じ壁面に設けられていることが望ましい。
【０００９】
また、上記荷電粒子ビーム描画装置において、第２の振動センサは、インターフェロメータに第１の振動センサを固定する固定手段と同じ固定手段によって描画室の壁面に固定されていることが望ましい。
【００１０】
また、上記荷電粒子ビーム描画装置において、補正部は、第１の振動センサ及び第２の振動センサの両方の計測値をフーリエ変換により解析し、第１の振動センサの変換値だけに存在するピークが最も高い周波数を選択し、その選択した周波数でステージの位置情報にノッチフィルタを掛けることが望ましい。
【００１１】
本発明の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画方法は、描画対象となる試料を支持する移動可能なステージを収容する描画室の壁面に固定されステージの位置を測定するためのインターフェロメータに設けられた第１の振動センサと、描画室の壁面に設けられた第２の振動センサとによって、それぞれ振動を計測する工程と、第１の振動センサ及び第２の振動センサの両方の計測値からインターフェロメータの振動値を求める工程と、求めたインターフェロメータの振動値を用いてステージの位置情報を修正する工程と、修正したステージの位置情報に基づいてステージ上の試料に対する荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、インターフェロメータの振動に起因するビーム位置の誤補正を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の一形態に係る荷電粒子ビーム描画装置の概略構成を示す図である。
【図２】実施の一形態に係るインターフェロメータ、第１の振動センサ及び第２の振動センサの設置構造を説明するための図である。
【図３】実施の一形態に係るステージ及びレーザ干渉計の概略構成を示す図である。
【図４】実施の一形態に係るトラッキング補正部の処理の流れを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施の一形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
図１に示すように、実施の一形態に係る荷電粒子ビーム描画装置１は、電子ビームＢによる描画を行う描画部２と、その描画部２を制御する制御部３とを備えている。この荷電粒子ビーム描画装置１は、荷電粒子ビームとして例えば電子ビームＢを用いた可変成形型の描画装置の一例である。なお、荷電粒子ビームは、電子ビームＢに限られるものではなく、イオンビームなど他の荷電粒子ビームであっても良い。
【００１６】
描画部２は、描画対象となる試料Ｗを収容する描画室２ａと、その描画室２ａにつながる光学鏡筒２ｂとを有している。光学鏡筒２ｂは、描画室２ａの上面に設けられており、電子ビームＢを電子光学系（荷電粒子光学系）によって成形及び偏向し、描画室２ａ内の試料Ｗに対して照射する照射部として機能する。描画室２ａ及び光学鏡筒２ｂは気密性を有しており、それら両方の内部は減圧されて真空状態にされている。
【００１７】
描画室２ａ内には、試料Ｗを支持するステージ１１、そのステージ１１の位置を測定するためのインターフェロメータ１２、振動を計測する第１の振動センサ１３及び振動を計測する第２の振動センサ１４が設けられている。
【００１８】
ステージ１１は、水平面内で互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向（以下、単にＸ方向及びＹ方向という）に移動機構により移動可能に形成されている。このステージ１１の載置面上には、例えばマスクやブランクなどの試料Ｗが載置される。
【００１９】
インターフェロメータ１２は、図２に示すように、台座１５の上面に接着剤などによって固定されている。このインターフェロメータ１２は、台座１５が支持板１６の上面にボルトなどの複数の固定部材１７により固定されることで、支持板１６上に設けられている。支持板１６は、描画室２ａの内壁の側面に固定されており、複数（例えば二つ）の棚受け部材１８によって保持されている。これらの棚受け部材１８は描画室２ａの内壁の側面に溶接やボルトなどの固定手段によって固定されている。このようにしてインターフェロメータ１２は描画室２ａの内壁に設けられているが、これに限られるものではなく、例えば、描画室２ａの外壁に設けられても良い。
【００２０】
第１の振動センサ１３は、前述のように描画室２ａの内壁の側面に支持板１６を介して固定されたインターフェロメータ１２の上面に接着剤などによって固定されている。この第１の振動センサ１３は、描画室２ａ及びインターフェロメータ１２の両方の振動成分を含む振動を計測することになる。第１の振動センサ１３は、振動を電気信号に変換するセンサであって制御部３に電気的に接続されており、計測した振動値、すなわち計測値を制御部３に出力する。この第１の振動センサ１３としては、例えば、加速度センサを用いることが可能であり、計測値として変位や速度、加速度などを得ることができる。
【００２１】
第２の振動センサ１４は、描画室２ａの内壁の側面であって、インターフェロメータ１２が固定されている側面と同じ側面に設けられている。この第２の振動センサ１４は、描画室２ａの振動成分のみを含む振動を計測することになる。第２の振動センサ１４は、第１の振動センサ１３と同様、振動を電気信号に変換するセンサであって制御部３に電気的に接続されており、計測した振動値、すなわち計測値を制御部３に出力する。この第２の振動センサ１４としては、例えば、加速度センサを用いることが可能であり、計測値として変位や速度、加速度などを得ることができる。
【００２２】
前述のインターフェロメータ１２は、図３に示すように、描画室２ａの内壁の二つの側面（図３中の左側面及び下側面）に一つずつ設けられている。これらのインターフェロメータ１２は、レーザ光の偏向成分を分離する偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１２ａと、π／２の位相差を与える位相板として機能するλ／４板１２ｂと、レーザ光を反射する反射鏡１２ｃとによりそれぞれ構成されている。なお、インターフェロメータ１２の主体は偏光ビームスプリッタ１２ａであり、その他の光学部品を増減することは可能である。
【００２３】
偏光ビームスプリッタ１２ａは、例えば、直角プリズムを二つ貼り合わせて接合面に偏光膜をコーティングすることによって形成されている。また、λ／４板１２ｂ及び反射鏡１２ｃは、偏光ビームスプリッタ１２ａの側面にその順番で積層されて設けられている。これらの偏光ビームスプリッタ１２ａやλ／４板１２ｂ、反射鏡１２ｃなどが組み合わされてインターフェロメータ１２が製造されるため、インターフェロメータ１２の固有振動数は製品ごとに異なることになる。
【００２４】
このようなインターフェロメータ１２は、レーザ光を投光する投光部３１及びレーザ光を受光する受光部３２と共に、ステージ１１の位置を測定するレーザ干渉計３３を構成しており、このレーザ干渉計３３が二つ設けられている。図３中の左側に位置する第１のレーザ干渉計３３は、ステージ１１の移動方向であるＸ方向のステージ位置（インターフェロメータ１２とステージ１１とのＸ方向の相対距離）を計測する。また、図３中の下側に位置する第２のレーザ干渉計３３は、ステージ１１の移動方向であるＹ方向のステージ位置（インターフェロメータ１２とステージ１１とのＹ方向の相対距離）を計測する。これらの計測値からステージ１１の位置情報が得られる。
【００２５】
第１のレーザ干渉計３３及び第２のレーザ干渉計３３は同じ構造であるため、その共通の構造について以下に説明する。なお、ステージ１１の側面には、レーザ光を反射する反射部として機能するミラー１１ａが取り付けられている。このミラー１１ａは、ステージ１１における各インターフェロメータ１２側の側面に固定されており、第１及び第２のレーザ干渉計３３によって照射されたレーザ光をそれぞれ第１及び第２のレーザ干渉計３３の個々のインターフェロメータ１２に向けて反射する。
【００２６】
投光部３１及び受光部３２は、描画室２ａの外周に設けられており、描画室２ａの壁面の一部は、投光部３１により出射されたレーザ光及び受光部３２により受光されるレーザ光が透過するように形成されている。また、受光部３２に干渉光を取り出すため、必要に応じてコーナーキューブプリズムやλ／４板、反射ミラーなどの光学部品（図示せず）も設けられている。この光学部品の配置によって投光部３１及び受光部３２の設置位置を自由に変更することが可能である。なお、受光部３２としては、例えば、ＣＣＤ（電荷結合素子）などを用いることが可能である。
【００２７】
このようなレーザ干渉計３３において、投光部３１から出射されたレーザ光は、偏光ビームスプリッタ１２ａより分離（分割）され、分離されたレーザ光の一方（測定光）はステージ１１に向かって直進する。一方、分離されたレーザ光の他方（参照光）は、λ／４板１２ｂ及び反射鏡１２ｃに向かって直進する。これらのレーザ光はステージ１１のミラー１１ａ又は反射鏡１２ｃにより反射され、偏光ビームスプリッタ１２ａに戻りその偏光ビームスプリッタ１２ａによって重ね合わされて干渉する。この干渉したレーザ光（干渉光）が受光部３２により受光され、その光路差により発生する干渉縞が観測される。このような計測がＸ方向及びＹ方向の両方で行われ、ステージ１１の位置情報が得られる。
【００２８】
なお、本実施形態では、前述のように１（シングル）パス方式のレーザ干渉計３３を用いているが、これに限るものではない。例えば、被測定物との間でレーザ光を二往復させる２（ダブル）パス方式のレーザ干渉計を用いても良く、あるいは、被測定物との間でレーザ光を四往復させる４（フォー）パス方式のレーザ干渉計を用いても良く、そのパス数は特に限定されるものではない。また、光学部品としては、偏光ビームスプリッタ１２ａ、λ／４板１２ｂ及び反射鏡１２ｃを用いているが、これ以外にも各種のビームスプリッタや位相板などを用いることが可能であり、さらに、各部材の個数増減も可能である。
【００２９】
図１に戻り、光学鏡筒２ｂは、電子ビームＢを出射する電子銃などのビーム出射部２１と、その電子ビームＢを集光する照明レンズ２２と、ビーム成形用の第１の成形アパーチャ２３と、投影用の投影レンズ２４と、ビーム成形用の成形偏向器２５と、ビーム成形用の第２の成形アパーチャ２６と、試料Ｗ上にビーム焦点を結ぶ対物レンズ２７と、試料Ｗに対するビームショット位置を制御するための副偏向器２８及び主偏向器２９とを内蔵している。
【００３０】
この光学鏡筒２ｂでは、電子ビームＢがビーム出射部２１から出射され、照明レンズ２２により第１の成形アパーチャ２３に照射される。この第１の成形アパーチャ２３は例えば矩形状の開口を有している。これにより、電子ビームＢが第１の成形アパーチャ２３を通過すると、その電子ビームの断面形状は矩形状に成形され、投影レンズ２４により第２の成形アパーチャ２６に投影される。なお、この投影位置は成形偏向器２５により偏向可能であり、投影位置の変更により電子ビームＢの形状と寸法を制御することが可能である。その後、第２の成形アパーチャ２６を通過した電子ビームＢは、その焦点が対物レンズ２７によりステージ１１上の試料Ｗに合わされて照射される。このとき、ステージ１１上の試料Ｗに対する電子ビームＢのショット位置（ビーム位置）は副偏向器２８及び主偏向器２９により変更される。
【００３１】
制御部３は、描画データを記憶する描画データ記憶部３ａと、その描画データを処理してショットデータを生成するショットデータ生成部３ｂと、描画部２を制御する描画制御部３ｃと、トラッキング補正を行うトラッキング補正部３ｄとを備えている。なお、ショットデータ生成部３ｂや描画制御部３ｃ、トラッキング補正部３ｄなどは、電気回路などのハードウエアにより構成されても良く、また、各機能を実行するプログラムなどのソフトウエアにより構成されても良く、あるいは、それらの両方の組合せにより構成されても良い。
【００３２】
描画データ記憶部３ａは、試料Ｗにパターンを描画するための描画データを記憶する記憶部である。この描画データは、半導体集積回路の設計者などによって作成された設計データ（レイアウトデータ）が荷電粒子ビーム描画装置１に入力可能となるように、すなわち荷電粒子ビーム描画装置１用のフォーマットに変換されたデータであり、外部装置から描画データ記憶部３ａに入力されて保存されている。描画データ記憶部３ａとしては、例えば、磁気ディスク装置や半導体ディスク装置（フラッシュメモリ）などを用いることが可能である。
【００３３】
なお、前述の設計データは、通常、多数の微小なパターン（図形など）を含んでおり、そのデータ量はかなりの大容量になっている。この設計データがそのまま他のフォーマットに変換されると、変換後のデータ量はさらに増大してしまう。このため、描画データでは、データの階層化やパターンのアレイ表示などの方法により、データ量の圧縮化が図られている。このような描画データが、チップ領域の描画パターン、または、同一描画条件である複数のチップ領域を仮想的にマージして一つのチップに見立てた仮想チップ領域の描画パターンなどを規定するデータとなる。
【００３４】
ショットデータ生成部３ｂは、描画データにより規定される描画パターンをストライプ状（短冊状）の複数のストライプ領域（長手方向がＸ方向であり、短手方向がＹ方向である）に分割し、さらに、各ストライプ領域を行列状の多数のサブ領域に分割する。加えて、ショットデータ生成部３ｂは、各サブ領域内の図形の形状や大きさ、位置などを決定し、さらに、図形を一回のショットで描画不可能である場合には、描画可能な複数の部分領域に分割し、ショットデータを生成する。なお、ストライプ領域の短手方向（Ｙ方向）の長さは電子ビームＢを主偏向で偏向可能な長さに設定されている。
【００３５】
描画制御部３ｃは、前述の描画パターンを描画する際、ステージ１１をストライプ領域の長手方向（Ｘ方向）に移動させつつ、電子ビームＢを主偏向器２９により各サブ領域に位置決めし、副偏向器２８によりサブ領域の所定位置にショットして図形を描画する。その後、一つのストライプ領域の描画が完了すると、ステージ１１をＹ方向にステップ移動させてから次のストライプ領域の描画を行い、これを繰り返して試料Ｗの描画領域の全体に電子ビームＢによる描画を行う。この描画中、ステージ１１が一方向に連続的に移動するため、描画制御部３ｃは、描画原点がステージ１１の移動に追従するように、主偏向器２９によってサブ領域の描画原点をトラッキングしている。このため、電子ビームＢは、副偏向器２８及び主偏向器２９によって偏向され、連続的に移動するステージ１１に追従しつつ、その照射位置が決められることになる。なお、ステージ１１のＸ方向の移動を連続的に行うと共に、そのステージ１１の移動に電子ビームＢのビーム位置を追従させることで、描画時間を短縮することができる。
【００３６】
トラッキング補正部３ｄは、前述の電子ビームＢによる描画中、第１のレーザ干渉計３３及び第２のレーザ干渉計による個々の計測値に基づいたステージ１１の位置情報を用いて、ステージ１１上の試料Ｗに対する電子ビームＢのビーム位置を補正するトラッキング補正を行う。このとき、トラッキング補正部３ｄは、レーザ干渉計３３毎に第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の計測値からインターフェロメータ１２の振動値（振幅や周波数など）を求め、その求めたインターフェロメータ１２の振動値を用いてステージ１１の位置情報を修正する。
【００３７】
例えば、トラッキング補正部３ｄは、描画中、図４に示すように、第１の振動センサ１３の計測値である第１の振動データ及び第２の振動センサ１４の計測値である第２の振動データをレーザ干渉計３３毎に取得し（ステップＳ１）、第１の振動データから第２の振動データを減算することでインターフェロメータ１２の振動値をレーザ干渉計３３毎に算出する（ステップＳ２）。その後、算出した振動値をステージ１１の位置情報（ＸＹ座標系の位置情報）から減算、すなわち、算出したＸ方向の振動値（変位量）をステージ１１のＸ方向の位置情報から減算し、算出したＹ方向の振動値（変位量）をステージ１１のＹ方向の位置情報から減算することによって、ステージ１１の位置情報を修正する（ステップＳ３）。これにより、元のステージ１１の位置情報からインターフェロメータ１２の振動成分が取り除かれ、正確なステージ１１の位置情報が得られる。最後に、修正後の正確なステージ位置情報に基づき、ステージ１１上の試料Ｗに対するビーム位置を補正するトラッキング補正を実行する（ステップＳ４）。
【００３８】
このような構成の荷電粒子ビーム描画装置１においては、ステージ１１の動きや真空引き用のポンプの振動などにより機械的な振動が発生し、この振動によって描画室２ａやインターフェロメータ１２などが振動する。なお、ステージ１１の動きや真空引き用のポンプの振動以外にも振動の要因は様々あり、例えば、ステージ１１を移動させるための駆動モータの振動、ケーブルや床から伝わる振動、冷却水の脈動、設置室の圧力変動などがある。また、振動は常時発生しているものやランダムに発生するものなどがある。
【００３９】
描画室２ａやインターフェロメータ１２が振動すると、各レーザ干渉計３３によって測定されたステージ１１の位置情報は、インターフェロメータ１２の振動値を含んでいることになる。インターフェロメータ１２の振動は実際のステージ１１の位置情報ではないため、その振動分の変位はビーム位置補正時の誤差成分となる。このため、正確なビーム位置補正のためには、インターフェロメータ１２の振動値を求め、ステージ１１の位置情報から取り除く必要がある。
【００４０】
そこで、第１の振動センサ１３の計測値（描画室２ａ及びインターフェロメータ１２の両方の振動成分を含む振動値）から、第２の振動センサ１４の計測値（描画室２ａの振動成分のみの振動値）が減算され、インターフェロメータ１２の振動成分のみの振動値（インターフェロメータ１２単独の振動値）が求められる。このインターフェロメータ１２の振動値がステージ１１の位置情報から減算され、正確なステージ１１の位置情報が得られる。その後、正確なステージ１１の位置情報が用いられて、トラッキング補正が実行されることになる。
【００４１】
このようにして、ステージ１１の位置情報からインターフェロメータ１２の振動成分が取り除かれ、正確なステージ１１の位置情報に基づきビーム位置の補正が行われることになるので、インターフェロメータ１２の振動に起因するビーム位置の誤補正を抑えることができる。特に、描画制御に用いるステージ１１の位置情報が振動の影響を受けると、描画精度が著しく低下してしまうが、前述のように正確なステージ１１の位置情報を得ることが可能であるため、描画精度の著しい低下を抑止することができる。
【００４２】
なお、前述のステージ１１の位置情報修正では、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の両方の計測値の差分による修正を行っているが、これに限るものではなく、例えば、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の両方の計測値をフーリエ変換（例えば、高速フーリエ変換（離散フーリエ変換））により解析し、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の両方の変換値（周波数スペクトル）において、第１の振動センサ１３の変換値だけに存在するピークが最も高い周波数（インターフェロメータ１２の振動値）をピックアップし、そのピックアップした周波数でステージ１１の位置情報にノッチフィルタを掛けることで、インターフェロメータ１２の振動成分をステージ１１の位置情報から取り除き、ステージ１１の位置情報を修正することも可能である。なお、電気信号の特定の周波数成分を減衰させるノッチフィルタ回路をトラッキング補正回路に接続することによって、トラッキング補正部３ｄにノッチフィルタの機能を容易に付加することができる。
【００４３】
また、前述のピークが最も高い周波数をピックアップした場合には、そのピックアップした周波数のピーク値と所定の許容値とを比較し、ピックアップした周波数のピーク値が所定の許容値より大きい場合、ステージ１１の位置情報の修正を実行し、ピックアップした周波数のピーク値が所定の許容値以下である場合、ステージ１１の位置情報の修正を実行しないようにすることも可能である。さらに、ピックアップした周波数と所定の閾値とを比較し、ピックアップした周波数が所定の閾値より小さい場合（低周波数である場合）、ステージ１１の位置情報の修正を実行し、ピックアップした周波数が所定の閾値以上である場合（高周波数である場合）、ステージ１１の位置情報の修正を実行しないようにすることも可能である。このようにピークが最も高い周波数のピーク値又はその周波数に応じて、ステージ１１の位置情報を修正するか否かを切り替えることによって、不要な処理実行を抑止することができる。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の両方の計測値からインターフェロメータ１２の振動値を求め、求めたインターフェロメータ１２の振動値を用いてステージ１１の位置情報を修正し、修正したステージの位置情報に基づいてステージ１１上の試料Ｗに対する電子ビームＢの照射位置を補正する。これにより、ステージ１１の位置情報からインターフェロメータ１２の振動成分が取り除かれ、正確なステージ１１の位置情報に基づきビーム位置の補正が行われることになるので、インターフェロメータ１２の振動に起因するビーム位置の誤補正を抑えることができる。
【００４５】
また、第２の振動センサ１４は、インターフェロメータ１２が固定されている描画室２ａの壁面と同じ壁面に設けられている。このため、インターフェロメータ１２上の第１の振動センサ１３と第２の振動センサ１４とが同じ壁面に固定されており、互いに同じような条件下で振動を計測することが可能となるので、設置条件の違いによる互いの計測誤差を抑えることができる。例えば、描画室２ａが減圧されていくと、描画室２ａの側面が内側に、上面や下面が外側に湾曲するように変形することがあるが、このときも第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４が同じ壁面に固定されているため、互いに同じような条件下で振動を計測することができる。
【００４６】
ここで、第２の振動センサ１４は、インターフェロメータ１２が固定されている描画室２ａの壁面以外の壁面（他の側面や上面、下面など）に設けられても良いが、設置条件の違いによる互いの計測誤差をできるだけ小さくするためには、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の設置位置は近い方が望ましい。
【００４７】
また、第２の振動センサ１４は、インターフェロメータ１２に第１の振動センサ１３を固定する固定手段（例えば、接着剤又はボルトなど）と同じ固定手段によって描画室２ａの壁面に固定されている。これにより、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４が互いに同じ固定条件で振動を計測することが可能となり、固定条件の違いによる互いの計測誤差を抑えることができる。
【００４８】
また、第１の振動センサ１３及び第２の振動センサ１４の両方の計測値をフーリエ変換により解析し、第１の振動センサ１３の変換値だけに存在するピークが最も高い周波数を選択し、その選択した周波数でステージ１１の位置情報にノッチフィルタを掛けることも可能である。この場合には、ステージ１１の位置情報の修正精度を向上させることが可能になるので、より正確なステージ１１の位置情報を得ることができる。
【００４９】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１      荷電粒子ビーム描画装置
２      描画部
２ａ    描画室
２ｂ    光学鏡筒
３      制御部
３ａ    描画データ記憶部
３ｂ    ショットデータ生成部
３ｃ    描画制御部
３ｄ    トラッキング補正部
１１    ステージ
１２    インターフェロメータ
１２ａ  偏光ビームスプリッタ
１２ｂ  λ／４板
１２ｃ  反射鏡
１３    第１の振動センサ
１４    第２の振動センサ
１５    台座
１６    支持板
１７    固定部材
１８    棚受け部材
２１    ビーム出射部
２２    照明レンズ
２３    第１の成形アパーチャ
２４    投影レンズ
２５    成形偏向器
２６    第２の成形アパーチャ
２７    対物レンズ
２８    副偏向器
２９    主偏向器
３１    投光部
３２    受光部
３３    レーザ干渉計
Ｂ      電子ビーム
Ｗ      試料
【図１】
2015065364.tif 000003
【図２】
2015065364.tif 000004
【図３】
2015065364.tif 000005
【図４】
2015065364.tif 000006