(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤの断線または剥離を抑制することにより高い信頼性を有するボンディング方法または半導体装置を提供する。【解決手段】端子３と、端子４と、端子３に接続された接続部１１と端子４に接続された接続部１２とを有し、端子３と端子４とを電気的に接続するボンディングワイヤ５と、を有し、接続部１１は、ボンディングワイヤ５の一部が圧着された接合領域３１と、接合領域３１よりも端子１２に近い位置にボンディングワイヤ５の一部が圧着された接合領域３２と、を有し、接合領域３２におけるボンディングワイヤ５の厚さは、接合領域３１におけるボンディングワイヤ５の厚さよりも厚い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングワイヤを長さ方向に順次送出するワイヤ送出部と、
前記ワイヤ送出部から送出された前記ボンディングワイヤの一部を押圧するワイヤ押圧部と、を備え、
前記ワイヤ押圧部は、
第１の凸部と、
前記第１の凸部と前記ワイヤ送出部との間に設けられ、高さが前記第１の凸部よりも低い第２の凸部と、を有することを特徴とするボンディング用ツール。
【請求項２】
請求項１に記載のボンディング用ツールと、
前記ボンディング用ツールの動作を制御する制御部と、を具備し、
前記制御部は、
前記ボンディング用ツールを移動し、前記ワイヤ送出部から前記ボンディングワイヤの一部を送出して端子上に前記ボンディングワイヤを配置する動作と、
前記第１の凸部で前記ボンディングワイヤの一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより第１の接合領域を形成しつつ、前記第２の凸部で前記第１の接合領域と異なる位置に前記ボンディングワイヤの一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより第２の接合領域を形成する動作と、の実行を制御することを特徴とするボンディング装置。
【請求項３】
ボンディングワイヤを長さ方向に順次送出するワイヤ送出部と、前記ワイヤ送出部から送出された前記ボンディングワイヤの一部を押圧するワイヤ押圧部と、を備えるボンディング用ツールと、
前記ボンディング用ツールの動作を制御する制御部と、を具備し、
前記制御部は、
前記ボンディング用ツールを移動し、前記ワイヤ送出部から前記ボンディングワイヤの一部を送出して端子上に前記ボンディングワイヤの一部を配置する動作と、
前記ワイヤ押圧部により第１の圧力で前記ボンディングワイヤの一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより第１の接合領域を形成する動作と、
前記ボンディング用ツールを移動し、前記ワイヤ送出部から前記ボンディングワイヤの一部を送出して前記端子の前記第１の接合領域と異なる位置に前記ボンディングワイヤの一部を配置する動作と、
前記ワイヤ押圧部により前記第１の圧力よりも低い第２の圧力で前記ボンディングワイヤの一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより第２の接合領域を形成する動作と、の実行を制御することを特徴とするボンディング装置。
【請求項４】
第１の端子と、
第２の端子と、
前記第１の端子に接続された第１の接続部と前記第２の端子に接続された第２の接続部とを有し、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続するボンディングワイヤと、を具備し、
前記第１の接続部は、
前記ボンディングワイヤの一部が圧着された第１の接合領域と、
前記第１の接合領域よりも前記第２の端子に近い位置に前記ボンディングワイヤの一部が圧着された第２の接合領域と、を有し、
前記第２の接合領域における前記ボンディングワイヤの厚さは、前記第１の接合領域における前記ボンディングワイヤの厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１の接合領域は、前記ボンディングワイヤの一部を第１の変形量で変形させた厚さを有し、
前記第２の接合領域は、前記ボンディングワイヤの一部を前記第１の変形量よりも小さい第２の変形量で変形させた厚さを有する請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ボンディング用ツール、ボンディング装置、および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップと他のチップまたは基板とを電気的に接続する技術としてワイヤボンディングが知られている。ワイヤボンディングは、ボンディング装置を用い、キャピラリ−と呼ばれるボンディング用ツールによりボンディングワイヤを送出しながら、ボンディングワイヤの一端を半導体チップの端子に圧着させ、他端を他のチップまたは基板の端子に圧着させることにより行われる。
【０００３】
さらに、ワイヤボンディングの一例としてウェッジボンディングが挙げられる。ウェッジボンディングは、ボールボンディングのようにワイヤの先端にボールを形成することなく、ワイヤの先端を超音波により圧着させる方式である。ウェッジボンディングは、ワイヤ先端のボールを熱圧着等により圧着させる方式と比較して低温での圧着が可能である。また、半導体チップ側に異種金属化合物が形成されにくく、また狭ピッチでのワイヤボンディングが可能である等の利点がある。
【０００４】
ウェッジボンディングでは、ボンディング用ツールを用いてボンディングワイヤの一端を押圧しつつ超音波振動させて端子に圧着させることが好ましい。その後ワイヤの塑性変形を行いボンディングワイヤが他の端子に接続しないように湾曲部を形成することが好ましい。しかしながら、塑性変形時にボンディングワイヤの接続点と湾曲部との間に応力が発生し、ボンディングワイヤが断線または剥離することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、ボンディングワイヤの断線または剥離を抑制するボンディング方法または半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のボンディング用ツールは、ボンディングワイヤを長さ方向に順次送出するワイヤ送出部と、ワイヤ送出部から送出されたボンディングワイヤの一部を押圧するワイヤ押圧部と、を備え、ワイヤ押圧部は、第１の凸部と、第１の凸部とワイヤ送出部との間に設けられ、高さが第１の凸部よりも低い第２の凸部と、を有する。
【０００８】
実施形態のボンディング装置は、ボンディングワイヤを長さ方向に順次送出するワイヤ送出部と前記ワイヤ送出部から送出された前記ボンディングワイヤの一部を押圧するワイヤ押圧部とを備えるボンディング用ツールと、前記ボンディング用ツールの動作を制御する制御部と、を具備し、前記制御部は、前記ボンディング用ツールを移動し、前記ワイヤ送出部から前記ボンディングワイヤの一部を送出して端子上に前記ボンディングワイヤの一部を配置する動作と、前記ワイヤ押圧部により第１の圧力で前記ボンディングワイヤの一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより第１の接合領域を形成する動作と、前記ボンディング用ツールを移動し、前記ワイヤ送出部から前記ボンディングワイヤの一部を送出して前記端子の前記第１の接合領域と異なる位置に前記ボンディングワイヤの一部を配置する動作と、前記ワイヤ押圧部により前記第１の圧力よりも低い第２の圧力で前記ボンディングワイヤの一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより第２の接合領域を形成する動作と、の実行を制御する。
【０００９】
実施形態の半導体装置は、第１の端子と、第２の端子と、前記第１の端子に接続された第１の接続部と前記第２の端子に接続された第２の接続部とを有し、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続するボンディングワイヤと、を具備し、前記第１の接続部は、前記ボンディングワイヤの一部が圧着された第１の接合領域と、前記第１の接合領域よりも前記第２の端子に近い位置に前記ボンディングワイヤの一部が圧着された第２の接合領域と、を有し、前記第２の接合領域における前記ボンディングワイヤの厚さは、前記第１の接合領域における前記ボンディングワイヤの厚さよりも厚い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態における半導体装置を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態における半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態におけるボンディング装置を示す模式図である。
【図４】第１の実施形態におけるボンディング装置を用いた半導体装置のボンディングを示す断面図である。
【図５】第２の実施形態におけるボンディング用ツールにおける先端部の拡大図である。
【図６】第２の実施形態におけるボンディング装置を用いた半導体装置のウェッジボンディングを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態の半導体装置について、図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
【００１３】
図１（Ａ）は、実施形態の半導体装置を示す断面図である。図１に示す半導体装置は、半導体チップ１と、基板２と、半導体チップ１に設けられた端子３と、基板２に設けられた端子４と、端子３と端子４とを電気的に接続するボンディングワイヤ５と、を具備する。ボンディングワイヤ５は、端子３に接続される接続部１１と端子４に接続される接続部１２とを有する。
【００１４】
半導体チップ１には、例えばシリコン基板に設けられた半導体素子を用いる。半導体チップ１は、例えば接着層を介して基板上に形成される。基板２としては、例えば配線等が形成された回路基板等を用いることができる。端子３および端子４は、例えばアルミニウム、銅、金等を用いて形成される。ボンディングワイヤ５の径は、特に限定されないが例えば５０μｍ程度とすることができる。ボンディングワイヤ５としては、例えば金、アルミニウム等のワイヤを用いることができる。好ましくは、例えば端子３または端子４と同じ材料を用いることにより、同一材料間での接合となるため、接触抵抗を小さくすることができる。
【００１５】
図１（Ｂ）は、接続部１１の拡大図である。接続部１１は、ボンディングワイヤ５の一部が圧着された接合領域３１と、接合領域３１とは異なる位置にボンディングワイヤ５の一部が圧着された接合領域３２と、を有する。このとき、接合領域３２は、接合領域３１よりも端子４に近い位置に設けられている。換言すると、接合領域３２から接続部１２までのボンディングワイヤ５の長さは、接合領域３１から接続部１２までのボンディングワイヤ５の長さよりも短い。さらに、接合領域３２におけるボンディングワイヤ５の厚さＴ２は接合領域３１におけるボンディングワイヤ５の厚さＴ１よりも厚い。例えば、接合領域３１は、ボンディングワイヤ５を第１の変形量で変形させた厚さを有し、接合領域３２は、ボンディングワイヤ５を第２の変形量で変形させた厚さを有する。接合領域３１および接合領域３２は、例えばボンディング装置によりボンディングワイヤ５の一部を端子３に押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより形成される。このとき、例えば接合領域３２を形成するときにボンディングワイヤ５を押圧する圧力を接合領域３１の形成時よりも低くする、すなわち第２の変形量を第１の変形量よりも小さくすることにより、Ｔ２＞Ｔ１とすることができる。さらに、接合領域３２を形成するときにボンディングワイヤ５を超音波振動させる場合の超音波の周波数を接合領域３１の形成時よりも低くしてもよい。なお、ここで厚さＴ１およびＴ２の「厚さ」とは、ボンディングワイヤの接合領域３１および３２側を基準とした場合において、接合領域３１および３２における最も厚さが小さい部分の厚さを指す。
【００１６】
接合領域３２を設けることにより、ボンディングワイヤ５の断線や剥離を抑制することができるため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。例えば、接続部１１を形成した後にボンディングワイヤ５を湾曲させるが、このとき接続部１１近傍に強いストレス（応力）が発生する。このとき、接合領域３１の圧着力は接合領域３２よりも高く、薄く潰れた状態であるため、仮に接合領域３２が無い構成で接合領域３１近傍に上記ストレスがかかるとボンディングワイヤ５が断線または剥離しやすい。しかしながら、接合領域３２を設ける場合、上記ストレスが接合領域３２近傍にかかることになるが、接合領域３２の圧着力は接合領域３１よりも低いため、接合領域３１近傍に上記ストレスがかかる場合と比較して上記ストレスを緩和することができる。また、ボンディングワイヤ５を湾曲させる際の応力で仮に接合領域３２が剥離しても、接合領域３１で端子３の電気的な接続が維持される。よって、接続部１１におけるボンディングワイヤ５の断線や剥離が抑制されるため半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００１７】
なお、端子３および端子４は、本実施形態の半導体装置はこれに限定されない。例えば、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、半導体装置の他の例を示す断面図である。
【００１８】
図２（Ａ）に示す半導体装置は、図１（Ａ）に示す半導体装置と比較して、基板２に設けられた端子４上に、接合領域３１および接合領域３２を有する接続部１１を備え、端子３に接続部１２を備える点が異なる。図１（Ａ）に示す半導体装置と同じ部分については図１（Ａ）に示す半導体装置の説明を援用する。図２（Ａ）に示すように、基板２の端子３上に接合領域３１および接合領域３２を有する接続部１１を設けてもよい。
【００１９】
また、図２（Ｂ）に示す半導体装置は、図１（Ａ）に示す半導体装置と比較して、半導体チップ１ａに設けられた端子３上に、接合領域３１および接合領域３２を有する接続部１１を備え、半導体チップ１ｂに設けられた端子４上に接続部１２を備える点が異なる。半導体チップ１ａ及び半導体チップ１ｂは、積層されている。図１（Ａ）に示す半導体装置と同じ部分については図１（Ａ）に示す半導体装置の説明を援用する。図２（Ｂ）に示すように、半導体チップ１ｂに設けられた端子４上に接続部１２を設け、半導体チップ１ｂ上に積層された半導体チップ１ａに設けられた端子３上に接続部１１を設けてもよい。反対に、半導体チップ１ｂに設けられた端子４上に接続部１１を設け、半導体チップ１ｂ上に積層された半導体チップ１ａに設けられた端子３上に接続部１２を設けてもよい。また、基板２の代わりにリードフレーム等を用いてもよい。
【００２０】
次に、図１に示す半導体装置のウェッジボンディングが可能なボンディング装置の例について図３を参照して説明する。
【００２１】
図３（Ａ）は、ボンディング装置を示す模式図である。図３（Ａ）に示すボンディング装置は、ボンディング用ツール５１と、ボンディング用ツール５１の動作を制御する制御部５２と、を具備する。なお、ボンディングワイヤ５の送出・固定を制御するためにボンディング装置にクランプを設けてもよい。また、ボンディングワイヤ５を超音波振動させるためにボンディング装置に超音波発振器を設けてもよい。超音波発振器としては、例えば圧電素子を用いることができる。また、ボンディングワイヤ５を加熱する場合にはボンディング装置に加熱器を設けてもよい。
【００２２】
ボンディング用ツール５１は、縦方向（Ｘ方向）、横方向（Ｙ方向）、高さ方向（Ｚ方向）に移動が可能である。ボンディング用ツール５１には、例えばタングステンやチタンなどの金属またはセラミックスなどの絶縁材料を用いる。
【００２３】
制御部５２は、例えばボンディング用ツール５１の移動、ボンディングワイヤ５の送出、およびボンディングワイヤ５に対する超音波の印加等の動作を制御する。制御部５２は、例えばプロセッサ等を用いたハードウェアを用いる。なお、各動作は、動作プログラムとしてメモリ等のコンピュータ読み取りが可能な記録媒体に保存しておき、ハードウェアにより記録媒体に記憶された動作プログラムを適宜読み出すことで各動作を実行してもよい。
【００２４】
図３（Ｂ）は、ボンディング用ツール５１における先端部の拡大図である。ボンディング用ツール５１は、ワイヤ送出部６１と、ワイヤ押圧部６２と、を備える。
【００２５】
ワイヤ送出部６１では、ボンディングワイヤ５を長さ方向に順次送出する。ボンディングワイヤ５の送出は、例えば制御部５２によりクランプを制御することにより調整することができる。ワイヤ送出部６１は、例えば貫通孔であることが好ましい。上記貫通孔は、ボンディングワイヤ５のガイドとしても機能する。
【００２６】
ワイヤ押圧部６２は、凸部となっており、凸部によりワイヤ送出部６１から送出されたボンディングワイヤ５の一部を押圧することができる。なお、凸部の角に丸みを持たせることにより、押圧時にボンディングワイヤ５の断線を抑制してもよい。
【００２７】
次に、図１（Ａ）に示す半導体装置のボンディングの例について、図４（Ａ）ないし図４（Ｄ）を参照して説明する。図４（Ａ）ないし図４（Ｄ）は、ボンディング装置を用いた半導体装置のウェッジボンディングを示す断面図である。なお、各動作については、制御部５２により制御するものとする。
【００２８】
まず、図４（Ａ）に示すように、ボンディング用ツール５１を移動し、ワイヤ送出部６１からボンディングワイヤ５の一部を送出して端子３上にボンディングワイヤ５の一部を配置する。さらに、ワイヤ押圧部６２により第１の圧力でボンディングワイヤ５の一部を押圧しつつ第１の周波数で超音波振動させて圧着することにより、接合領域３１を形成する。
【００２９】
次に、図４（Ｂ）に示すように、ボンディング用ツール５１を移動し、ワイヤ送出部６１からボンディングワイヤ５の一部を送出して端子３上にボンディングワイヤ５の一部を配置する。さらに、ワイヤ押圧部６２により、第１の圧力よりも低い第２の圧力でボンディングワイヤ５の一部を押圧しつつ第１の周波数よりも低い第２の周波数で超音波振動させて圧着することにより、接合領域３２を形成する。なお、第２の周波数に限定されず、第１の周波数としてもよい。このとき、接合領域３２におけるボンディングワイヤ５の変形量は、接合領域３１におけるボンディングワイヤ５の変形量よりも小さくなるため、接合領域３２におけるボンディングワイヤ５の厚さは、接合領域３１におけるボンディングワイヤ５の厚さよりも厚くなる。
【００３０】
次に、図４（Ｃ）に示すように、ボンディング用ツール５１を移動し、ボンディングワイヤ５を塑性変形させてボンディングワイヤ５を湾曲させる。
【００３１】
このとき、接合領域３２近傍にストレスがかかる。しかしながら、接合領域３２は、接合領域３１に比べて低い圧力でボンディングワイヤ５を圧着させているため、接合領域３２を形成しない場合の接合領域３１近傍にかかるストレスに比べて接合領域３２近傍にかかるストレスを緩和することができる。よって、接合領域３２近傍においてボンディングワイヤ５の断線または剥離が抑制されるため半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
さらに、図４（Ｄ）に示すように、ボンディング用ツール５１を移動し、ワイヤ送出部６１からボンディングワイヤ５の一部を送出して端子４上にボンディングワイヤ５の一部を配置する。さらに、ワイヤ押圧部６２によりボンディングワイヤ５の一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着して接合領域を形成することにより、接続部１２を形成する。その後、クランプにより固定されているボンディングワイヤ５を引っ張ることで切断する。以上により半導体装置のボンディングを行うことができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
【００３４】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すボンディング用ツール５１の代わりに別のボンティング用ツールを用いることができる。図５は、ボンディング用ツールのおける先端部の拡大図である。図５に示すボンディング用ツール７１は、ワイヤ送出部８１と、ワイヤ押圧部８２と、を備える。
【００３５】
ボンディング用ツール７１は、縦方向（Ｘ方向）、横方向（Ｙ方向）、高さ方向（Ｚ方向）に移動が可能である。ボンディング用ツール７１には、例えばタングステンやチタンなどの金属またはセラミックスなどの絶縁材料を用いる。
【００３６】
ワイヤ送出部８１は、図３（Ｂ）に示すワイヤ送出部６１と同じであるため、ワイヤ送出部６１の説明を援用する。ワイヤ押圧部８２は、凸部９１と、凸部９２と、を有する。凸部９２は、凸部９１とワイヤ送出部８１との間に設けられ、高さが凸部９１よりも低い。換言すると、ボンディングワイヤ５の進行方向側の凸部９１が反対側の凸部９２よりも高くなっている。
【００３７】
このとき、押圧時の凸部９２の圧力は、凸部９１の高さと凸部９２の高さとの差によっても変化する。例えば、凸部９１の高さと凸部９２の高さとの差は、圧着する前のボンディングワイヤ５の径よりも小さいことが好ましい。凸部９１の高さと凸部９２の高さとの差がボンディングワイヤ５の径よりも大きいと凸部９１の押圧時の圧力が凸部９２の押圧時の圧力よりも高すぎて凸部９１によりボンディングワイヤ５が断線しやすくなる。よって、凸部９１の高さと凸部９２の高さとの差をボンディングワイヤ５の径よりも小さくして凸部９１の押圧時の圧力と凸部９２の押圧時の圧力を調整することにより、ボンディングワイヤ５の断線を抑制することができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、凸部９１および凸部９２のそれぞれの角に丸みを持たせることにより、押圧時にボンディングワイヤ５の断線を抑制することもできる。
【００３８】
図５に示すように、ワイヤ押圧部８２に高さの異なる複数の凸部を設けることにより、同一工程で複数の領域においてボンディングワイヤ５を圧着することができるため、製造工程数を減らすことができる。さらに、同一工程で圧着力の異なる複数の接合領域を形成することができる。
【００３９】
図５に示すボンディング用ツール７１を用いた場合の図１（Ａ）に示す半導体装置のボンディングについて図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して説明する。図６（Ａ）および図６（Ｂ）はボンディング装置を用いた半導体装置のウェッジボンディングを示す断面図である。なお、各動作は、図３（Ａ）に示す制御部５２により制御されるものとする。
【００４０】
図６（Ａ）に示すように、ボンディング用ツール７１を移動し、ワイヤ送出部８１からボンディングワイヤ５の一部を送出して端子３上にボンディングワイヤ５を配置する。さらに、凸部９１でボンディングワイヤ５の一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより接合領域３１を形成すると共に、接合領域３１と異なる位置において凸部９２でボンディングワイヤ５の一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着することにより接合領域３２を形成する。このとき、凸部９２による圧力は凸部９１による圧力よりも低くなる。これにより、接合領域３２におけるボンディングワイヤ５の圧着力は、接合領域３１におけるボンディングワイヤ５の圧着力よりも小さくなり、接合領域３２におけるボンディングワイヤ５の厚さは接合領域３１におけるボンディングワイヤ５の厚さよりも厚くなる。接合領域３２を設けることにより、ボンディングワイヤ５の断線または剥離を抑制することができ半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、ボンディング用ツール７１を用いることにより、接合領域３１および接合領域３２を同一工程で形成することができる。
【００４１】
その後、端子４にボンディングワイヤ５の一部を圧着させる場合には、第１の実施形態と同様にボンディング用ツール７１を移動し、ボンディングワイヤ５を塑性変形させてボンディングワイヤ５を湾曲させる。さらに、ボンディング用ツール７１を移動し、ワイヤ送出部８１からボンディングワイヤ５の一部を送出して端子４上にボンディングワイヤ５の一部を配置する。さらに、ワイヤ押圧部８２によりボンディングワイヤ５の一部を押圧しつつ超音波振動させて圧着して接合領域を形成することにより、図６（Ｂ）に示すように接続部１２を形成する。その後、クランプにより固定されているボンディングワイヤ５を引っ張ることで切断する。以上により半導体装置のボンディングを行うことができる。
【００４２】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４３】
１…半導体チップ、１ａ…半導体チップ、１ｂ…半導体チップ、２…基板、３…端子、４…端子、５…ボンディングワイヤ、１１…接続部、１２…接続部、３１…接合領域、３２…接合領域、３３…接合領域、５１…ボンディング用ツール、５２…制御部、６１…ワイヤ送出部、６２…ワイヤ押圧部、７１…ボンディング用ツール、８１…ワイヤ送出部、８２…ワイヤ押圧部、９１…凸部、９２…凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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