(57)【要約】【課題】重合阻害を抑制しつつ、安定してインプリントを実行可能なインプリント方法等を提供する。【解決手段】基板１５にインプリント材料５を滴下する工程と、モールド２５と基板１５とを対向させて配置することにより、モールド２５と基板１５との間の空間、及びその周囲の空間を含み、且つインプリント材料５の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な第１の空間Ｈを形成する工程と、第１の空間Ｈの体積を減少させて、第１の空間Ｈの体積よりも小さい体積を有する第２の空間Ｈ１を形成する工程と、第２の空間Ｈ１においてインプリント材料５の少なくとも一成分を揮発させる工程と、インプリント材料５の少なくとも一成分が所定量揮発した後、インプリント材料５に対してモールド２５を接触させる工程と、を含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にインプリント材料を滴下する工程と、
モールドと前記基板とを対向させて配置することにより、前記モールドと前記基板との間の空間、及びその周囲の空間を含み、且つ前記インプリント材料の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な第１の空間を形成する工程と、
前記第１の空間の体積を減少させて、前記第１の空間の体積よりも小さい体積を有する第２の空間を形成する工程と、
前記第２の空間において前記インプリント材料の少なくとも一成分を揮発させる工程と、
前記インプリント材料の少なくとも一成分が所定量揮発した後、前記インプリント材料に対してモールドを接触させる工程と、を含む、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記第２の空間を形成する工程は、前記インプリント材料の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な空間の側方周囲を囲む隔壁を配置する操作を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記第２の空間を形成する工程は、前記モールドが前記インプリント材料と接触しないようにして、前記モールドと前記基板とを更に近接させる操作を含むことを特徴とする請求項１、又は２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記隔壁は、前記基板の周囲と接触する接触部を有し、前記基板の下方から上方に移動することによって前記接触部が前記基板の周囲と接触することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記インプリント材料の成型後、前記揮発成分を外部に排気する排気工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
モールドを保持するモールド保持部と、
前記モールド保持部に対向し、前記モールド保持部よりも下方に配置され基板を保持する基板保持部と、
前記モールドと前記基板の鉛直方向の距離を制御する制御部と、
前記基板の表面にインプリント材料を滴下する滴下部と、を備え、
前記モールド保持部と前記基板保持部が対向することにより、前記モールドと前記基板との間の空間、及びその周囲の空間を含み、且つ前記インプリント材料の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な第１の空間が形成され、
前記第１の空間の体積を減少させるように前記第１の空間の側方周囲に配置される隔壁と、
を具備することを特徴とするインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記モールドと前記基板とを更に近接させて前記第１の空間の体積を減少させ、前記第１の空間よりも小さい体積を有する第２の空間を形成し、インプリント材料が揮発してその揮発成分が前記第２の空間に満たされた後、前記モールドを下方に移動して前記インプリント材料に対して前記モールドを接触させることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記揮発成分を外部に排気する排気部を更に備えたことを特徴とする請求項６、又は７に記載のインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及びインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型材（モールド）を用い、凹凸構造をインプリント材料に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、インプリント材料として光硬化性樹脂組成物を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂組成物を供給し、凹凸パターンを有するモールドと転写基板の表面の光硬化性樹脂組成物とを接触させ、必要に応じて加圧し凹凸パターン内に光硬化性樹脂組成物を充填し、この状態で光を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させて樹脂層を形成し、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造を有するパターン構造体を形成する。
【０００３】
ところで、このインプリントの際、インプリント材料の周辺に酸素が存在するとインプリント材料の重合阻害が生じ、転写パターンに欠陥が発生することがある。そこで、上記のインプリント方法を実行するためのインプリント装置として、ヘリウムや窒素などの不活性ガスを導入したり、減圧したりすることにより酸素濃度を低減させてインプリントを実行するものがある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２１０９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述した不活性ガスの導入や減圧による光硬化性樹脂組成物における重合阻害の抑制対策は、意図しないインプリント材料の揮発などを引き起こすおそれがあり、インプリント材料の量の不足やインプリント材料の組成変化による転写パターンの欠陥を発生させる一因となる。
【０００６】
また、不活性ガスの導入や減圧には、不活性ガスの充填装置や制御装置、又は減圧装置が必要となり生産コストが高騰する一因となる。
【０００７】
また、光硬化性樹脂組成物に限らず、揮発性の高いインプリント材料を使用すると塗布後の液量変化、組成変化が欠陥発生の一因となる。その上、揮発成分は、インプリント装置内に拡散し、インプリント装置内が化学的に汚染されてしまい、安定的なインプリントが出来なくなり、装置運用上問題が生じる。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題を課題の一例として為されたもので、重合阻害を抑制しつつ、安定してインプリントを実行可能なインプリント装置及びインプリント方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は次のような構成を採用する。
【００１０】
すなわち、請求項１に係るインプリント方法は、基板（１５）にインプリント材料（５）を滴下する工程と、モールド（２５）と前記基板とを対向させて配置することにより、前記モールドと前記基板との間の空間、及びその周囲の空間を含み、且つ前記インプリント材料の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な第１の空間（Ｈ）を形成する工程と、前記第１の空間の体積を減少させて、前記第１の空間の体積よりも小さい体積を有する第２の空間（Ｈ１）を形成する工程と、前記第２の空間において前記インプリント材料の少なくとも一成分を揮発させる工程と、前記インプリント材料の少なくとも一成分が所定量揮発した後、前記インプリント材料に対してモールドを接触させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２に記載のインプリント方法は、請求項１に記載のインプリント方法において、前記第２の空間を形成する工程は、前記インプリント材料の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な空間の側方周囲を囲む隔壁を配置する操作を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３に記載のインプリント方法は、請求項１、又は２に記載のインプリント方法において、前記第２の空間を形成する工程は、前記モールドが前記インプリント材料と接触しないようにして、前記モールドと前記基板とを更に近接させる操作を含むことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に記載のインプリント方法は、請求項２に記載のインプリント方法において、前記隔壁は、前記基板の周囲と接触する接触部を有し、前記基板の下方から上方に移動することによって前記接触部が前記基板の周囲と接触することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５に記載のインプリント方法は、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント方法において、前記インプリント材料の成型後、前記揮発成分を外部に排気する排気工程と、を更に含むことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６に記載のインプリント装置（１０）は、転写面を有するモールド（２５）を保持するモールド保持部（３４）と、前記モールド保持部に対向し、前記モールド保持部よりも下方に配置され基板（１５）を保持する基板保持部（３２）と、前記モールドと前記基板の鉛直方向の距離を制御する制御部（３７）と、前記基板の表面にインプリント材料を滴下する滴下部（２０）と、を備え、前記モールド保持部と前記基板保持部が対向することにより、前記モールドと前記基板との間の空間、及びその周囲の空間を含み、且つ前記インプリント材料の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な第１の空間が形成され、前記第１の空間の体積を減少させるように前記第１の空間の側方周囲に配置される隔壁（４０）と、を具備することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項７に記載のインプリント装置は、請求項６に記載のインプリント装置において、前記制御部は、前記モールドと前記基板とを更に近接させて前記第１の空間の体積を減少させ、前記第１の空間よりも小さい体積を有する第２の空間を形成し、インプリント材料が揮発してその揮発成分が前記第２の空間に満たされた後、前記モールドを下方に移動して前記インプリント材料に対して前記モールドを接触させることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項８に記載のインプリント装置は、請求項６、又は７に記載のインプリント装置において、前記揮発成分を外部に排気する排気部（５０）を更に備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、インプリント材料の重合阻害、意図しない揮発、組成変化等の欠陥要因を防ぎつつ、装置汚染を抑制することが出来、長期間に渡り安定したインプリントを実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係るインプリント装置を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るインプリント装置の動作工程を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係るインプリント装置の動作工程を示す断面図である。
【図４】隔壁の他の実施例を示す模式図である。
【図５】隔壁の他の実施例を示す模式図である。
【図６】排気ユニットの取付例を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係るインプリント方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の最良の実施形態について図面に基づいて説明する。
【００２１】
＜インプリント装置＞
（第１の実施形態）
本発明の一実施形態に係るインプリント装置１０は、図１に示すように、インプリント材料５の液滴を転写基板１５（本願の基板）の表面に吐出する吐出ユニット２０（滴下部）と、転写面として機能する凹凸パターン２５ａが形成された型材（以下、「モールド２５」と称する。）を用いてインプリント材料５を成型し、転写基板１５の表面に凹凸パターン２５ａを転写させる転写ユニット３０と、を備える。
【００２２】
モールド２５は模式図においては全面にパターンが刻まれている様子を示したが、モールドの一部のみにパターンが形成されていても良い。また、モールド２５や転写基板１５の形状は平板でなく台地(メサ)構造を有していても構わない。
【００２３】
吐出ユニット２０は、例えば、インクジェットヘッド１７のノズル１７ａから転写基板１５の表面にインプリント材料５の液滴を吐出し、転写基板１５の表面上にインプリント材料５の液滴を配列する。なお、吐出ユニット２０は、本実施形態のようにインクジェット方式に限定されるものではなく、例えば、スピンコート等を用いて転写基板１５上にインプリント材料５を濡れ拡げる態様としても構わない。
【００２４】
また、インプリント材料５には、例えば、熱可塑性樹脂組成物や熱硬化性樹脂組成物、あるいは光硬化性樹脂組成物が用いられ、例えば、光硬化性樹脂組成物を用いた場合には当該インプリント材料５は所定の光Ｌを照射することで硬化する。
【００２５】
転写ユニット３０は、モールド２５を保持する保持体３４（モールド保持部）と、このモールド２５よりも下方に配置され、転写基板１５を保持して水平方向に駆動可能なステージ３２（基板保持部）と、図１中の矢印ａに示すように、このモールド２５を前記転写基板１５と鉛直方向において対峙させるように水平方向に移動する水平移動手段（図示せず）と、図１中の矢印ｂに示すように、このモールド２５を転写基板１５に近接、又はインプリント材料５に接触させるとともに、当該モールド２５をインプリント材料５から引き離すために保持体３４を鉛直方向に移動する鉛直移動手段（図示せず）と、前記鉛直移動手段を用いて前記モールド２５の転写面と前記転写基板１５の表面の鉛直方向の距離を制御する制御部３７と、前記転写基板１５とモールド２５によって形成される空間の側方周囲に配置される隔壁４０と、図１中の矢印ｃに示すように、この隔壁４０を水平方向に移動する隔壁移動手段（図示せず）と、表面にインプリント材料５の液滴が供給された転写基板１５にモールド２５を接触させた際にインプリント材料５を硬化させる光Ｌを照射する照射ユニット３５と、を備えている。
【００２６】
制御部３７は、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、まず、モールド２５と転写基板１５とを対向させて配置することにより、前記モールド２５と前記転写基板１５との間の空間、及びその周囲の空間を含み、且つインプリント材料５の少なくとも一成分が揮発して拡散可能な第１の空間Ｈを形成する。インプリント材料５の揮発成分は典型的には、転写基板１５側から揮発してモールド２５と転写基板１５との間を満たすとともに、その周囲に拡がっていく。第１の空間Ｈは、インプリント材料５に含まれる少なくとも一成分が一定時間後に拡散して有意に存在する仮想的な空間として定める。なお、モールド２５と転写基板１５とを対向させて配置した際、モールド２５と転写基板１５の周囲の気流などの条件によって空間は定形とはならないが、この場合にも揮発成分が有意に存在する空間が第１の空間Ｈであると定められる。
【００２７】
その後、インプリント材料５に接触せず、かつ、揮発成分Ｋをモールド２５と転写基板１５の間に充填させることができる位置までモールド２５を移動させ転写基板１５と近接させる。つまり、インプリント材料５が揮発してその揮発成分Ｋが拡散可能な第１の空間Ｈを減少させて、この第１の空間Ｈの体積よりも小さい体積を有する第２の空間Ｈ１を形成する。これにより、インプリント材料５の揮発成分Ｋは、第１の空間Ｈよりも小さい体積を有する第２の空間Ｈ１を満たせばよいことになる。
【００２８】
また、モールド２５の上下高さ位置は転写基板１５との間隔を決定している。したがって、転写基板１５に塗布したインプリント材料５が揮発し拡散する際、モールド２５の表面の高さは揮発成分Ｋが到達する高さよりも低くなるように設定されることが好ましい。隔壁４０が存在する場合は、その場合もモールド２５の表面高さが揮発成分Ｋの到達高さよりも低くなるよう第２の空間Ｈ１を形成する際におけるモールド２５の位置を規定することが出来る。
【００２９】
また、図２（ｅ）に示すように、インプリント材料５が揮発してその揮発成分Ｋがこの第２の空間Ｈ１に満たされた後、保持体３４を更に下方に移動させ、インプリント材料５に対してモールド２５を接触させる。
【００３０】
隔壁４０は、隔壁移動手段によって操作（移動）され、平面視において、モールド２５及び転写基板１５の側方周囲に配置されるものであって、空間を仕切る板状の基体を備えている。隔壁４０の存在により、さらに空間が仕切られインプリント材料５の揮発成分Ｋが周囲に拡がっていくことが抑制され、第２の空間Ｈ１を効率的に揮発成分Ｋで満たすことができるようになる。
【００３１】
この基体の上下両端は、図２（ｃ）に示すように、モールド２５と転写基板１５とが第２の空間を形成すべく鉛直方向において近接して対峙した際に、少なくともこのモールド２５の転写面と転写基板の表面を超えていることが好ましい。
【００３２】
また、隔壁４０は、本実施形態では、モールド２５又は転写基板１５の側方周囲に所定の空間を有して配置されているが、より揮発成分Ｋの外部への漏れを防止するために、モールド２５および転写基板１５の周縁端部に接触するように配置しても構わない。また、転写基板１５の外周端と隔壁４０との間隔は、インプリント材料５の種類や、単位時間において揮発する揮発成分の揮発量と転写基板１５の外周端と隔壁４０との間隔（隙間）から漏れる漏れ量との関係に基づいて規定されるが、当該揮発量が漏れ量よりも多くなるように規定される。
【００３３】
なお、隔壁４０は、インプリント材料５の揮発成分Ｋが側方に漏れ出すことを考慮して設けられるものの、揮発成分Ｋは大気中に存在する分子量よりも大きく、拡散速度が遅いため滞留しやすい。よって、インプリント材料５の材料等や第２の空間Ｈ１を形成する際のモールド２５と転写基板１５との鉛直方向の距離によっても異なるが、揮発成分Ｋが漏れ出す量よりもインプリント材料５の揮発量が多く、第２の空間Ｈ１がその揮発成分Ｋで満たされるならば、隔壁４０を設けなくても構わない。
【００３４】
次に、本実施形態のインプリントの実行について説明する。
【００３５】
例えば、吐出ユニット２０としてインクジェットを用いた場合には、インプリント材料５の液滴が転写基板１５の表面上に配列される。そして、インプリントは、この転写基板１５に対して、モールド２５を接触させ、毛管力などを利用してインプリント材料５がモールド２５と転写基板１５との間に充填され、その後、光Lの照射によってインプリント材料５が硬化されることによって実行される。
【００３６】
しかしながら、インクジェットを用いる場合、特に、インプリント材料５の液滴は揮発しやすい性質を有し、インプリントを実行するまでに時間を要すると揮発によるインプリント材料５の不足や組成変化が欠陥の発生の一因となる。また、インプリントの実行時に、インプリント材料５が光硬化性樹脂組成物の場合、周囲に酸素が存在すると、光Ｌの照射時にインプリント材料５の重合阻害が生じやすく、欠陥の発生の一因となる。しかし、インプリント材料５の周辺において揮発成分Ｋの濃度が高くなると重合阻害を抑制できることが実験等により見出された。また、揮発成分Ｋのインプリント材料５の周辺の濃度が高ければ、インプリント材料５は揮発しにくくなるため、意図しないインプリント材料５の揮発を防止することが可能である。
【００３７】
そこで、本実施形態のインプリントでは、モールド２５と転写基板１５とを対向させて配置し、転写基板１５上に有するインプリント材料５の少なくとも一成分が揮発して揮発成分Ｋが拡散可能な第１の空間Ｈにおいて、更に、モールド２５がインプリント材料５に接触せず、かつ、揮発成分Ｋをモールド２５と転写基板１５の間に充填させることができる位置までモールド２５を移動させて転写基板１５と近接させるとともに、その周囲にモールド２５と隔壁４０を配置し、第１の空間Ｈの体積を減少させてこの第１の空間Ｈの体積よりも小さい体積を有する第２の空間Ｈ１を形成してインプリント材料５の揮発成分の濃度を高めたうえで、インプリント材料５にモールド２５を接触させ、ＵＶ等の光Ｌを照射することでインプリント材料５を成型するようにした。
【００３８】
具体的に、本実施形態のインプリント装置１０では、図１に示すように、ステージ３２が吐出ユニット２０の下方を移動し、図２（ａ）に示すように、吐出ユニット５０から適宜にインプリント材料５が吐出された後、図１中の矢印ａに示すように、インプリント材料５を配置した転写基板１５をモールド２５と対峙するように水平移動させて第１の空間Ｈを形成した上で、図１中の矢印ｂに示すように、制御部３７により保持体３４を鉛直下方に移動させて、図２（ｂ）に示すように、モールド２５を規定の位置まで移動し、前記モールド２５の転写面と転写基板１５の表面とを近接させて前記転写基板１５と前記モールド２５によって鉛直方向の空間を仕切り、その後、図２（ｃ）及び図１中の矢印ｃに示すように、隔壁４０を転写基板１５（又はモールド２５）に近接させるように水平方向に移動させ、当該隔壁４０を前記モールド２５と前記転写基板１５によって形成される前記空間の側方周囲に配置し、前記モールド２５と前記転写基板１５の側方の空間を仕切ることで、図２（ｄ）に示すように、第１の空間Ｈの体積を減少させて、前記第１の空間Ｈの体積よりも小さい体積を有する第２の空間Ｈ１を形成する。
【００３９】
そして、図２（ｄ）に示すように、第２の空間Ｈ１内が揮発成分Ｋで満たされた後、図２（ｅ）に示すように、制御部３７により保持体３４を鉛直下方に移動させて、モールド２５を下方に移動させインプリント材料５と接触させる。この際、揮発成分Ｋが空間Ｈ１を満たすまでの時間、図２（ｄ）に示した状態を保持することも可能である。
【００４０】
この状態でモールド２５側から照射ユニット３５によってインプリント材料５に光Ｌを照射することでインプリント材料５が硬化して成型され、凹凸パターン２５ａを転写基板１５に転写させる。なお、転写基板１５は、図２（ｆ）に示すように、インプリント材料５が成型された後に図２（ｆ）に示したように隔壁４０が退避、モールド２５、インプリント材料５が離間することで外部に取り出される。
【００４１】
なお、インプリント装置１０の吐出ユニット２０及び転写ユニット３０は一般的な機構を採用することができ、各構成の詳細な説明は省略するものとする。また、本実施形態のインプリント装置１０は、モールド２５に透明部材を用い、モールド側に照射ユニット３５を設けて光Ｌをインプリント材料５に照射するように構成されているが、転写基板１５に透明部材を用いて、転写基板側に照射ユニット３５を設けて光Ｌをインプリント材料５に照射するようにしてもかまわない。
【００４２】
また、インプリント装置１０は、上記のように転写基板１５とステージ３２が移動するのではなく、吐出ユニット２０や、保持体３４を含むモールド側が移動しても構わない。
【００４３】
また、本実施形態ではインプリント材料５として光硬化性樹脂組成物で実施形態を示したが、揮発性を有するインプリント材料５を使用する場合であればこのインプリント装置は実施可能である。
【００４４】
（第２の実施形態）
次に、図３を用いてインプリント装置１０を用いた他のインプリントの実行形態を説明する。なお、上記第１の実施形態が、モールド２５を転写基板１５と近接させた上で、隔壁４０を転写基板１５の周囲に配置する態様であるのに対して、本実施形態は、隔壁４０を操作して転写基板１５の周囲に配置した上で、モールド２５を転写基板１５と近接させる点で異なり、その他の構成等は基本的に同じである。
【００４５】
具体的に、本実施形態のインプリント装置１０では、図１に示すように、ステージ３２が吐出ユニット２０の下方を移動し、図３（ａ）に示すように、吐出ユニット５０から適宜にインプリント材料５が吐出された後、図１中の矢印ａに示すように、モールド２５を転写基板１５と対峙するように水平移動させて第１の空間Ｈを形成した上で、図３（ｂ）及び図１中の矢印ｃに示すように、隔壁４０を操作して転写基板１５（又はモールド２５）に近接させるように水平方向に移動させ、当該隔壁４０を前記モールド２５と前記転写基板１５によって形成される前記空間の側方周囲を囲むように配置し、前記モールド２５と前記転写基板１５の側方の空間を仕切り、その後、図１中の矢印ｂに示すように、制御部３７により保持体３４を鉛直下方に移動させて、図３（ｃ）に示すように、モールド２５を規定の位置まで移動し、前記モールド２５の転写面と転写基板１５の表面とを近接させて前記転写基板１５と前記モールド２５によって鉛直方向の空間を仕切ることで、図３（ｄ）に示すように、第１の空間Ｈの体積を減少させて、前記第１の空間Ｈの体積よりも小さい体積を有する第２の空間Ｈ１を形成する。
【００４６】
そして、図３（ｄ）に示すように、第２の空間Ｈ１内が揮発成分Ｋで満たされた後、図３（ｅ）に示すように、制御部３７により保持体３４を鉛直下方に移動させて、モールド２５を下方に移動させインプリント材料５と接触させる。この際、揮発成分Ｋが空間Ｈ１を満たすまでの時間、図３（ｄ）に示した状態を保持することも可能である。
【００４７】
この状態でモールド２５側から照射ユニット３５によってインプリント材料５に光Ｌを照射することでインプリント材料５が硬化して成型され、凹凸パターン２５ａを転写基板１５に転写させる。なお、転写基板１５は、図３（ｆ）に示したように隔壁４０が退避、モールド２５、インプリント材料５が離間することにより外部に取り出される。
【００４８】
（第３の実施形態）
次に、図４を用いて隔壁４０を変更した実施形態を説明する。なお、本実施形態は上記第１の実施形態と隔壁４０の外形のみが異なり、その他の構成は基本的に同じである。したがって、上記隔壁４０との相違点のみを説明し、上記実施形態で示した同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００４９】
第１の実施形態の隔壁４０が略鉛直方向に延びて形成された基体を有し、この基体を水平移動させるのに対して、本実施形態の隔壁４５は、下端部が内側に曲折して形成された曲折部４６を有する基体を有し、図４（ａ）に示すように、転写基板１５の下方からせりあがるように鉛直方向上方へ移動される点で異なる。
【００５０】
図４に示すように、本実施形態の隔壁４５は、下端部が内側に曲折する曲折部４６（本願の接触部）を備え、転写基板１５の周縁から隔壁４５が鉛直方向上方に移動し、図４（ｂ）に示すように、この曲折部４６が転写基板１５の下端面と接触する。
【００５１】
インプリント材料５の揮発成分Ｋは一般的に空気より重量が重いため、第１の実施形態の隔壁４０の場合、転写基板１５と隔壁４０の隙間から揮発成分Ｋの漏出が懸念されるものの、本実施形態では、この曲折部４６により隔壁４５と転写基板１５の隙間が遮蔽されるため、転写基板１５と隔壁４５の隙間からの揮発成分Ｋの漏れ出しが容易に防止できる。よって、第２の空間Ｈ１内に揮発成分が充満する時間を短時間にすることができ、インプリントを短時間で実行することが可能である。
【００５２】
なお、隔壁４０の形状は、特に一定の形状に限定されるものではなく、例えば、隔壁４８は、図５に示すように、上方が広がるすり鉢（お椀）形状となるように基体を傾けた形状としてもかまわない。そして、例えば、図５（ｂ）に示すように、この隔壁４８は転写基板１５の下側から鉛直方向上方へと移動させることで、基体の一部が転写基板１５の下端周囲と接触して転写基板１５との隙間が遮蔽され、揮発成分Ｋの漏れ出しを容易に防止できる。
【００５３】
（第４の実施形態）
次に、図６を用いて第３の実施形態において排気ユニット５０（排気部）を設けた実施形態を説明する。なお、本実施形態は上記第３の実施形態と排気ユニット５０の有無のみが異なり、その他の構成は基本的に同じである。したがって、排気ユニット５０のみを説明し、上記実施形態で示した同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００５４】
図６に示すように、本実施形態のインプリント装置１０は、インプリント材料５から揮発した揮発成分Ｋが、装置内に残留することによって装置内が汚染されることを防止するために、インプリントを実行した後、揮発成分Ｋを外部に排気する排気ユニット５０を備えている。
【００５５】
この排気ユニット５０は、例えば、揮発成分Ｋを吸引する吸引装置５１と、隔壁４５に取り付けられ、第２の空間Ｈ１と連絡する排気管５２と、を備え、吸引装置５１を駆動することで第２の空間Ｈ１に存在する揮発成分Ｋを、排気管５２を通して吸引して外部に排気する。
【００５６】
また、排気をするタイミングは揮発成分Ｋを回収できるのであれば硬化直後でも、剥離後でも構わない。
【００５７】
また、揮発成分Ｋは大気より重く、分子量の関係から上から下へと流れることから、第２の空間Ｈ１と連絡する排気管５２の連絡口５２ａは、隔壁４５の曲折部４６に設けることが好ましい。
【００５８】
このようにして本実施形態のインプリント装置１０は、インプリントを実行した後に、排気ユニット５０によって第２の空間Ｈ１に存在する揮発成分Ｋが外部へと排気されることで、揮発成分Ｋによって装置内が汚染されることを防止できる。これは、特にステップアンドリピート方式などにより複数回連続でインプリントを行う場合やインプリント面積が広い場合に効果を発揮する。
【００５９】
＜インプリント方法＞
本発明の一実施形態に係るインプリント方法について図７を参照して説明する。
【００６０】
本実施形態のインプリント方法は、好適には上述した第１の実施形態のインプリント装置１０を用いて実行されるものである。
【００６１】
まず、転写基板１５にインプリント材料５の液滴がインクジェットヘッド１７のノズル１７ａから供給され、転写基板１５の表面上にインプリント材料５の液滴が配列される（図７（ａ））。
【００６２】
次に、転写基板１５をモールド２５と対峙するように水平移動させて第１の空間Ｈを形成した後、モールド２５を下方に移動させて転写基板１５に近接させ、更に、転写基板１５及びモールド２５の側方周囲に鉛直方向に延びる隔壁４０を配置し（図７（ｂ））、第１の空間Ｈの体積を減少させて、前記第１の空間Ｈの体積よりも小さい体積を有する第２の空間Ｈ１を形成する（図７（ｂ））。
【００６３】
次に、インプリント材料５から少なくとも一成分が所定量揮発し、その揮発成分Ｋがこの転写基板１５、モールド２５、及び隔壁４０により形成される第２の空間Ｈ１に満たされた後（図７（ｃ））、モールド２５を更に下方に移動させてインプリント材料５に接触させ、転写基板１５とモールド２５の間にインプリント材料５を充填する（図７（ｄ））。なお、必要に応じて、インプリント材料５にモールド２５を接触させた後に、更にモールド２５に力を加えてインプリント材料５に対して圧力を加えても構わない。更に、照射ユニット３５を用いてインプリント材料５を硬化させる光Ｌをインプリント材料５に照射することで、インプリント材料５を硬化させる（図７（ｄ））。
【００６４】
次に、転写基板１５からモールド２５を離間、隔壁４０を退避させ、転写基板１５上に樹脂パターン５Ａを形成する（図７（ｅ））。
【００６５】
そして、必要に応じてエッチング等によって、樹脂パターン５Ａの残膜５ａを除去する（図７（ｅ）、（ｆ））。なお、必要に応じて更に樹脂パターン５Ａをもとに転写基板１５を加工し、レプリカモールド、磁気記録媒体、半導体素子等を作製してもよい。また単に硬化したインプリント材料５によって凹凸構造を得たいだけの場合には、残膜５ａの除去は必ずしも要しない。例えば反射防止膜やホログラム等の光学部材の製造や、ランダム構造の形成等を目的とした偽造防止加工などに適用することが出来る。
【００６６】
このような本発明の一実施形態に係る本実施形態のインプリント方法によれば、モールド２５を転写基板１５に近接させるとともに、転写基板１５の周囲にモールド２５と隔壁４０を配置して、インプリント材料５の揮発成分Ｋが拡散可能な第１の空間Ｈの体積を減少させた第２の空間Ｈ１を形成することで、インプリント材料５の揮発成分Ｋの濃度が効率良く高められるため、揮発による意図しない液量変化、組成変化やインプリント材料の重合阻害の抑制が図られる。その結果、転写パターンの欠陥が生じにくく、安定したインプリントの実行が可能である。
【００６７】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々変更可能である。例えば、第１〜第４の実施形態は、適宜組み合わせて構成することが可能である。
【符号の説明】
【００６８】
Ｈ  第１の空間
Ｈ１  第２の空間
Ｋ  揮発成分
５  インプリント材料
１０  インプリント装置
１５  転写基板
２０  吐出ユニット
２５  モールド
３７  制御部
４０  隔壁
５０  排気ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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