(57)【要約】【課題】溶着されることなく圧接にて結合された２つのワークの圧接部であって一方のワークにおける圧接部と他方のワークにおける圧接部とが互いに導電部材で構成された圧接部、における圧接状態を、より容易に、より短時間に、より適切に検査することができる、光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置を提供する。【解決手段】ワークの表面に測定スポットＳＰを設定し、加熱用レーザ光源２１、赤外線検出手段３１、補正用レーザ光源７１、補正用レーザ検出手段７１Ｒ、制御手段５０を用い、測定スポットに加熱用レーザを照射する加熱ステップ、測定スポットから放射される赤外線と補正用レーザの反射率に基づいて測定スポットの温度と加熱時間とに応じた測定スポットの温度上昇特性を得る温度上昇特性取得ステップ、温度上昇特性に基づいて圧接部９１Ｂ、９２Ｂにおける接触面積及び接触圧力を含む圧接状態の良否を判定する判定ステップ、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶着されることなく圧接にて結合された２つのワークの圧接部であって一方のワークにおける前記圧接部と他方のワークにおける前記圧接部とが互いに導電部材で構成された前記圧接部、における圧接状態を判定する光学非破壊検査方法であって、
前記圧接部の近傍における一方のワークの表面であって前記圧接部を含む導電部材の表面に測定スポットを設定し、
所定レーザ波長の加熱用レーザを出射する加熱用レーザ光源と、
所定赤外線波長の赤外線を検出可能な赤外線検出手段と、
前記加熱用レーザよりも小さな出力の補正レーザ波長の補正用レーザを出射する補正用レーザ光源と、
前記補正用レーザを検出可能な補正用レーザ検出手段と、
前記加熱用レーザ光源と前記補正用レーザ光源とを制御するとともに前記赤外線検出手段及び前記補正用レーザ検出手段からの検出信号を取り込む制御手段と、を用い、
前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、前記測定スポットに、前記ワークを破壊することなく加熱する熱量に調整された前記加熱用レーザを照射して、前記測定スポットを加熱する、加熱ステップと、
前記加熱ステップによる加熱を行いながら、前記制御手段にて前記測定スポットから放射される赤外線を前記赤外線検出手段を用いて検出して前記測定スポットの温度を求め、加熱時間に応じた前記測定スポットの温度上昇状態である温度上昇特性を得る、温度上昇特性取得ステップと、
熱伝導量の影響を受ける加熱点である前記測定スポットの前記温度上昇特性に基づいて、前記制御手段にて前記２つのワークの前記圧接部における接触面積及び接触圧力を含む圧接状態の良否を判定する、判定ステップと、を有し、
前記温度上昇特性取得ステップにおいて、前記制御手段にて、前記測定スポットの温度を求める際、前記補正用レーザ光源を制御して、前記測定スポットに所定出力の前記補正用レーザを照射し、前記測定スポットにて反射された前記補正用レーザである反射補正用レーザを前記補正用レーザ検出手段にて検出することで前記測定スポットにおける反射率に関する特性を求め、前記赤外線検出手段にて検出した前記所定波長の赤外線に基づいて求めた前記測定スポットの温度を、前記反射率に関する特性に基づいて補正する、
光学非破壊検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光学非破壊検査方法であって、
前記２つのワークにおける前記圧接部の少なくとも一方には、前記２つのワークの前記圧接部の導電部材のそれぞれの融点よりも低い融点の合金または金属がメッキされており、
前記加熱ステップでは、前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、前記ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともに前記メッキの融点未満となる熱量に調整された出力の前記加熱用レーザを前記測定スポットに照射し、
前記判定ステップにおいて良品であると判定した場合、前記制御手段にて前記加熱用レーザ光源の出力を前記ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともに前記メッキの融点以上となる熱量に調整された出力である新たな加熱用レーザへと上昇させた後、前記測定スポットに前記新たな加熱用レーザを所定時間照射することで前記メッキを溶融させて前記圧接部において前記２つのワークを溶着させる、溶着ステップ、を有する、
光学非破壊検査方法。
【請求項３】
請求項１に記載の光学非破壊検査方法であって、
前記２つのワークにおける前記圧接部の少なくとも一方には、前記２つのワークの前記圧接部の導電部材のそれぞれの融点よりも低い融点の合金または金属がメッキされており、
前記加熱ステップでは、前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、前記ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともに前記メッキの融点以上となる熱量に調整された出力の前記加熱用レーザを前記測定スポットに照射する、
光学非破壊検査方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学非破壊検査方法であって、
前記判定ステップでは、前記制御手段にて、前記測定スポットへの前記加熱用レーザの照射の開始時点から、前記温度上昇特性において時間の経過に対する温度の上昇状態が所定上昇状態以下となる熱平衡状態となるまでの時間が、予め設定した第１基準閾値と第２基準閾値との間に収まっていない場合に、前記接触面積が所望する大きさの面積の範囲から外れている不良品である、あるいは前記接触圧力が所望する圧力の範囲から外れている不良品である、と判定する、
光学非破壊検査方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光学非破壊検査方法を実行するための光学非破壊検査装置であって、
前記加熱用レーザ光源と、
光軸に沿って一方の側から入射された平行光を、焦点位置として設定した前記測定スポットに向けて集光して他方の側から出射するとともに、前記測定スポットから放射及び反射されて他方の側から入射された光を、光軸に沿った平行光である測定光に変換して一方の側から出射する集光コリメート手段と、
前記加熱用レーザを平行光に変換して前記集光コリメート手段の一方の側へと導く加熱用レーザ導光手段と、
前記赤外線検出手段と、
前記測定光に含まれている赤外線であって前記測定スポットから放射された熱に対応する前記所定赤外線波長の赤外線を前記赤外線検出手段へと導く赤外線導光手段と、
前記補正用レーザ光源と、
前記補正用レーザを平行光に変換し、平行光に変換した前記補正用レーザの少なくとも一部を前記測定光と重ねて前記測定スポットへと導く補正用レーザ導光手段と、
前記補正用レーザ検出手段と、
前記測定スポットにて反射されて前記測定光に含まれている前記反射補正用レーザの少なくとも一部を前記補正用レーザ検出手段へと導く反射レーザ導光手段と、
前記制御手段と、を備える、
光学非破壊検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶着されることなく圧接にて結合された２つのワークの圧接部であって一方のワークにおける前記圧接部と他方のワークにおける前記圧接部とが互いに導電部材で構成された前記圧接部、における圧接状態を判定する光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、自動車や家電品等の用途に応じた大小さまざまな制御ユニットが開発され、当該制御ユニット内には種々の電子回路基板が用いられており、当該電子回路基板には、種々の接点等が組み付けられている。例えば図１に示すように、基板９０には、銅箔や錫メッキ等の内壁９１Ｂを有するスルーホール９１が形成されており、当該スルーホール９１に、プレスフィットピン９２（接点）が挿入（圧入）される場合がある。この場合、スルーホール９１の内壁９１Ｂ（圧接部）は、銅箔や錫メッキ等の導電部材であり、プレスフィットピン９２の弾性変形部９２Ｂ（圧接部）も導電部材である。そしてプレスフィットピン９２の弾性変形部９２Ｂの外径は、内壁９１Ｂの内径よりもやや大きく設定されている。プレスフィットピン９２の弾性変形部９２Ｂは、スルーホール９１に挿入されると変形して外径が縮径し、弾性的な復元力にてスルーホール９１の内壁９１Ｂに対して圧接状態となる。この圧接状態における圧接部の接触面積と接触圧力が、当該圧接部における導電率に影響する。例えばプレスフィットピン９２の弾性変形部９２Ｂが異常な変形状態となってスルーホール９１の内壁９１Ｂとの接触面積が極端に小さい場合や、接触圧力が極端に低い場合では、導電率が低下して、所望する導電率を確保できない場合（導通不良となる場合）がある。また、プレスフィットピン９２をスルーホール９１に挿入した際、スルーホール９１の内壁９１Ｂが削られて所望する導電率を確保できない場合もある。そこで、スルーホール９１内に挿入されたプレスフィットピン９２の挿入状態や圧接状態を検査する種々の方法及び種々の装置が開示されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、プレスフィットピンの一部であって基板の挿入孔に挿入した際に基板からはみ出す位置に貫通孔である検査穴を形成しておき、基板の挿入孔にプレスフィットピンを挿入する前と、基板の挿入孔にプレスフィットピンを挿入した後で、検査穴の位置を検出して挿入状態の良否を判定する、プレスフィット端子の挿入状態検査装置が記載されている。なお、検出の際は、プレスフィットピンに発光部から光を照射して、透過画像または反射画像を撮像し、挿入前に撮像した画像中における検査穴の位置と、挿入後に撮像した画像中における検査穴の位置と、からプレスフィットピンの挿入状態を検査している。
【０００４】
また特許文献２には、基板の挿入孔に挿入されたプレスフィットピンの先端に超音波発振機の振動子を当接し、当該プレスフィットピンの先端からの反射波を受信する反射波受信機と、挿入孔に対してプレスフィットピンの先端と反対側であってプレスフィットピンが圧接されている挿入孔と連続している導電体（プレスフィットピンが挿入されているスルーホールのランド）からの伝播波を受信する伝播波受信機と、を接続したプレスフィットピンの接合状態検査装置が記載されている。なお検査では、良好な接合状態にあるプレスフィットピンの場合の基準反射波波形と基準伝播波波形との少なくとも一方の比較を行うことで、良否を判定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５１７５６８１号公報
【特許文献２】特開２０１０−８６８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の発明では、基板の挿入孔へのプレスフィットピンの挿入状態を画像にて判定できるが、プレスフィットピンと挿入孔との圧接状態を検査することができないので、本来の目的である電気導通状態の検査ができていない可能性がある。プレスフィットピンが正しい位置に挿入されていても、プレスフィットピンの圧接部における変形状態や、基板の挿通孔の内壁の削れ状態等により、電気導通状態が所望する導通状態でない可能性がある。
【０００７】
また特許文献２に記載の発明では、プレスフィットピンと挿入孔との圧接状態を検査することができるが、検査のためにプレスフィットピンの先端やプレスフィットピンの近傍に、超音波発振機の振動子や、伝播波を受信するピン等を、所望する位置に、所望する状態で固定しなければならないため、検査が容易ではない。
【０００８】
本発明は、このような点に鑑みて創案されたものであり、溶着されることなく圧接にて結合された２つのワークの圧接部であって一方のワークにおける圧接部と他方のワークにおける圧接部とが互いに導電部材で構成された圧接部、における圧接状態を、より容易に、より短時間に、より適切に検査することができる、光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置は次の手段をとる。まず、本発明の第１の発明は、溶着されることなく圧接にて結合された２つのワークの圧接部であって一方のワークにおける前記圧接部と他方のワークにおける前記圧接部とが互いに導電部材で構成された前記圧接部、における圧接状態を判定する光学非破壊検査方法であって、前記圧接部の近傍における一方のワークの表面であって前記圧接部を含む導電部材の表面に測定スポットを設定し、所定レーザ波長の加熱用レーザを出射する加熱用レーザ光源と、所定赤外線波長の赤外線を検出可能な赤外線検出手段と、前記加熱用レーザよりも小さな出力の補正レーザ波長の補正用レーザを出射する補正用レーザ光源と、前記補正用レーザを検出可能な補正用レーザ検出手段と、前記加熱用レーザ光源と前記補正用レーザ光源とを制御するとともに前記赤外線検出手段及び前記補正用レーザ検出手段からの検出信号を取り込む制御手段と、を用いる。そして、前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、前記測定スポットに、前記ワークを破壊することなく加熱する熱量に調整された前記加熱用レーザを照射して、前記測定スポットを加熱する、加熱ステップと、前記加熱ステップによる加熱を行いながら、前記制御手段にて前記測定スポットから放射される赤外線を前記赤外線検出手段を用いて検出して前記測定スポットの温度を求め、加熱時間に応じた前記測定スポットの温度上昇状態である温度上昇特性を得る、温度上昇特性取得ステップと、熱伝導量の影響を受ける加熱点である前記測定スポットの前記温度上昇特性に基づいて、前記制御手段にて前記２つのワークの前記圧接部における接触面積及び接触圧力を含む圧接状態の良否を判定する、判定ステップと、を有し、前記温度上昇特性取得ステップにおいて、前記制御手段にて、前記測定スポットの温度を求める際、前記補正用レーザ光源を制御して、前記測定スポットに所定出力の前記補正用レーザを照射し、前記測定スポットにて反射された前記補正用レーザである反射補正用レーザを前記補正用レーザ検出手段にて検出することで前記測定スポットにおける反射率に関する特性を求め、前記赤外線検出手段にて検出した前記所定波長の赤外線に基づいて求めた前記測定スポットの温度を、前記反射率に関する特性に基づいて補正する、光学非破壊検査方法である。
【００１０】
次に、本発明の第２の発明は、上記第１の発明に係る光学非破壊検査方法であって、前記２つのワークにおける前記圧接部の少なくとも一方には、前記２つのワークの前記圧接部の導電部材のそれぞれの融点よりも低い融点の合金または金属がメッキされており、前記加熱ステップでは、前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、前記ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともに前記メッキの融点未満となる熱量に調整された出力の前記加熱用レーザを前記測定スポットに照射し、前記判定ステップにおいて良品であると判定した場合、前記制御手段にて前記加熱用レーザ光源の出力を前記ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともに前記メッキの融点以上となる熱量に調整された出力である新たな加熱用レーザへと上昇させた後、前記測定スポットに前記新たな加熱用レーザを所定時間照射することで前記メッキを溶融させて前記圧接部において前記２つのワークを溶着させる、溶着ステップ、を有する、光学非破壊検査方法である。
【００１１】
次に、本発明の第３の発明は、上記第１の発明に係る光学非破壊検査方法であって、前記２つのワークにおける前記圧接部の少なくとも一方には、前記２つのワークの前記圧接部の導電部材のそれぞれの融点よりも低い融点の合金または金属がメッキされており、前記加熱ステップでは、前記制御手段から前記加熱用レーザ光源を制御して、前記ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともに前記メッキの融点以上となる熱量に調整された出力の前記加熱用レーザを前記測定スポットに照射する、光学非破壊検査方法である。
【００１２】
次に、本発明の第４の発明は、上記第１の発明〜第３の発明のいずれか１つに係る光学非破壊検査方法であって、前記判定ステップでは、前記制御手段にて、前記測定スポットへの前記加熱用レーザの照射の開始時点から、前記温度上昇特性において時間の経過に対する温度の上昇状態が所定上昇状態以下となる熱平衡状態となるまでの時間が、予め設定した第１基準閾値と第２基準閾値との間に収まっていない場合に、前記接触面積が所望する大きさの面積の範囲から外れている不良品である、あるいは前記接触圧力が所望する圧力の範囲から外れている不良品である、と判定する、光学非破壊検査方法である。
【００１３】
次に、本発明の第５の発明は、上記第１の発明〜第４の発明のいずれか１つに係る光学非破壊検査方法を実行するための光学非破壊検査装置であって、前記加熱用レーザ光源と、光軸に沿って一方の側から入射された平行光を、焦点位置として設定した前記測定スポットに向けて集光して他方の側から出射するとともに、前記測定スポットから放射及び反射されて他方の側から入射された光を、光軸に沿った平行光である測定光に変換して一方の側から出射する集光コリメート手段と、前記加熱用レーザを平行光に変換して前記集光コリメート手段の一方の側へと導く加熱用レーザ導光手段と、前記赤外線検出手段と、前記測定光に含まれている赤外線であって前記測定スポットから放射された熱に対応する前記所定赤外線波長の赤外線を前記赤外線検出手段へと導く赤外線導光手段と、前記補正用レーザ光源と、前記補正用レーザを平行光に変換し、平行光に変換した前記補正用レーザの少なくとも一部を前記測定光と重ねて前記測定スポットへと導く補正用レーザ導光手段と、前記補正用レーザ検出手段と、前記測定スポットにて反射されて前記測定光に含まれている前記反射補正用レーザの少なくとも一部を前記補正用レーザ検出手段へと導く反射レーザ導光手段と、前記制御手段と、を備える、光学非破壊検査装置である。
【発明の効果】
【００１４】
第１の発明によれば、例えば２つのワークがプレスフィットピンとスルーホールであって、スルーホールにプレスフィットピンを挿通して、スルーホールの内壁（導電部材）にプレスフィットピン（導電部材）が溶着されることなく圧接にて結合されている状態において、プレスフィットピンの先端に測定スポットを設定して、当該測定スポットに加熱用レーザを照射して、温度上昇特性を求めることで、圧接部における接触面積及び接触圧力の異常の有無を適切に判定することができる。また、２つのワークに対して非接触にて温度上昇特性を得ることができるので、より容易に判定することができる。また、適切な出力の加熱用レーザを用いることで、非常に短時間に、所望する温度上昇特性を得ることができる。すなわち、所望する電気導通状態（圧接状態）であるか否かを、より容易に、より短時間に、より適切に検査することができる。また補正用レーザを測定スポットに照射して、測定スポットにて反射された反射補正用レーザを検出して反射率に関する特性を求めて測定スポットの温度を補正することで、より正確な温度上昇特性を得ることができる。
【００１５】
第２の発明によれば、溶着されることなく圧接にて結合された２つのワークが、所望する圧接状態であることを確認した後、溶着ステップにて、適切に、且つ容易に、圧接部を溶着することができる。また、メッキ削れ部や、錫等による微細ヒゲを溶融して、より信頼性の高い圧接状態（電気導通状態）とすることができる。
【００１６】
第３の発明によれば、第２の発明における加熱ステップと溶着ステップとを同時に行うことができるので、より短時間に圧接状態の検査を行うことができる。
【００１７】
第４の発明によれば、温度上昇特性における熱平衡状態となるまでの時間に基づいて判定することで、接触面積あるいは接触圧力が所望する面積の範囲または所望する圧力の範囲から外れていることを適切に判定することができる。
【００１８】
第５の発明によれば、第１発明〜第４発明のいずれか１つに係る光学非破壊検査方法を実行するための光学非破壊検査装置を、適切に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】測定対象物である２つのワーク（プレスフィットピンとスルーホール）を結合する前における、各ワークの外観の例を説明する斜視図である。
【図２】図１においてスルーホールにプレスフィットピンを挿通した場合における、ＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】図２におけるＩＩＩ部の拡大図であり、測定スポットの位置、及び熱線（赤外線）の放射、測定スポットから圧接部へと熱が伝導する様子等を説明する図である。
【図４】第１の実施の形態の光学非破壊検査装置の構成の例を説明する図である。
【図５】第２の実施の形態の光学非破壊検査装置の構成の例を説明する図である。
【図６】第３の実施の形態の光学非破壊検査装置の構成の例を説明する図である。
【図７】第４の実施の形態の光学非破壊検査装置の構成の例を説明する図である。
【図８】光学非破壊検査方法の処理手順（その１）の例を説明するフローチャートである。
【図９】反射率特性を説明する図である。
【図１０】赤外線波長と赤外線エネルギーと温度の関係を説明する図である。
【図１１】反射率から求めた放射率を用いて補正した補正温度による温度上昇特性の例を説明する図である。
【図１２】温度上昇特性を温度方向に圧縮して正規化した正規化温度上昇特性を説明する図である。
【図１３】温度上昇特性を温度方向に伸張して正規化した正規化温度上昇特性を説明する図である。
【図１４】正規化理想温度上昇特性と、正規化下限温度上昇特性と、正規化上限温度上昇特性と、を重ねた状態の例を示す図である。
【図１５】測定対象物の圧接状態の判定結果に関する情報を表示手段に表示した例を説明する図である。
【図１６】光学非破壊検査方法の処理手順（その２）の例を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明を実施するための形態を図面を用いて説明する。
●［測定対象物の例（図１〜図３）］
図１を用いて測定対象物の例について説明する。図１は、測定対象物である基板９０に形成されたスルーホール９１、及びプレスフィットピン９２の外観の例を示している。本実施の形態の説明では、このスルーホール９１とプレスフィットピン９２が、測定対象物である２つのワークに相当している。そしてスルーホール９１は、基板９０に形成された貫通孔に対して、貫通孔の内壁部分である内壁９１Ｂ、及び貫通孔の縁部に設けられたランド９１Ａを有している。またランド９１Ａは、基板９０の表と裏に設けられて内壁９１Ｂと接続されており、例えば基板９０上における他の電子部品取り付け用のランド等に、基板上にプリントされた配線にて接続されている。また内壁９１Ｂ、ランド９１Ａは導電部材（例えば銅箔やハンダメッキ等）で形成されている。なお、本実施の形態では、内壁９１Ｂがスルーホール９１における圧接部に相当している。
【００２１】
プレスフィットピン９２は、導電部材で形成されており、先端部９２Ａ、弾性変形部９２Ｂ、ベース部９２Ｃ等を有している。弾性変形部９２Ｂの幅は、スルーホール９１の内壁９１Ｂの内径よりもやや大きく設定されており、スルーホール９１にプレスフィットピン９２の先端部９２Ａから弾性変形部９２Ｂまでが挿通されると、弾性変形部９２Ｂは弾性変形し、弾性変形の復元力にて内壁９１Ｂに圧接する。これにより、スルーホール９１に、プレスフィットピン９２が、溶着されることなく圧接された状態で結合される（図２、図３参照）。なお、本実施の形態では、弾性変形部９２Ｂがプレスフィットピン９２における圧接部に相当している。
【００２２】
スルーホール９１の圧接部（内壁９１Ｂ）に対して、プレスフィットピン９２の圧接部（弾性変形部９２Ｂ）が適切な圧接状態でない場合、所望する電気導通状態を確保することができず、導通不良となる場合がある。例えばプレスフィットピン９２が内壁９１Ｂ内で異常形状に変形して圧接部の接触面積が異常に小さい場合や、圧接部の接触圧力が異常に小さい場合や、内壁９１Ｂが弾性変形部９２Ｂに大きく削られている場合等では、電気抵抗が異常に高くなる等の導通不良が発生する場合がある。
【００２３】
スルーホール９１の内壁９１Ｂとプレスフィットピン９２の弾性変形部９２Ｂとの圧接状態が所望する状態（所望する接触面積、及び所望する接触圧力）であるか否かを判定するには、熱の伝播状態にて判定することができる。例えば図３において、圧接部の近傍における一方のワークの表面であって圧接部を含む導電部材の表面となる、プレスフィットピン９２の先端に測定スポットＳＰを設定する。そして測定スポットＳＰに加熱用レーザを照射して測定スポットＳＰを非接触で加熱する。すると、測定スポットＳＰの温度は徐々に上昇し、測定スポットＳＰからプレスフィットピン９２及び内壁９１Ｂを経由して熱が伝播される。また測定スポットＳＰを含むプレスフィットピン９２やスルーホール９１からは、上昇した温度に応じた熱線（赤外線）が放射される。そして、放射される熱線（赤外線）を非接触で測定して測定スポットＳＰの温度を求めることで、圧接部を経由して放熱される熱の伝播状態（図３中において点線にて示す）を間接的に測定し、圧接部の接触面積及び接触圧力を求めることができる。
【００２４】
また測定スポットＳＰの温度は徐々に上昇するが、加熱量と放熱量が一致する飽和温度に達すると、温度の上昇が止まり、加熱を継続してもほぼ一定の温度となる。ここで、圧接部における接触面積が比較的大きい場合や接触圧力が比較的大きい場合では熱伝導量が多いので、加熱時間に応じた温度の上昇が比較的緩やかで飽和温度は比較的低くなる。また圧接部における接触面積が比較的小さい場合や接触圧力が比較的小さい場合では熱伝導量が少ないので、加熱時間に応じた温度の上昇が比較的急峻で飽和温度は比較的高くなる。従って、測定スポットＳＰに加熱用レーザを照射して図１１に示すような温度上昇特性を測定し、温度上昇特性に基づいて、圧接部における接触面積及び接触圧力が許容範囲内であるか否かを判定して圧接状態の良否を判定することが可能である。以降の説明にて、上述した圧接状態の良否を判定することが可能な光学非破壊検査装置の構成（第１の実施の形態〜第４の実施の形態）の例、及び光学非破壊検査方法の詳細について説明する。
【００２５】
●［第１の実施の形態における光学非破壊検査装置１Ａの構成の例（図４）］
図４は第１の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ａの構成の例を示しており、図５は第２の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｂの構成の例を示しており、図６は第３の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｃの構成の例を示しており、図７は第４の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｄの構成の例を示している。なお第１〜第４の実施の形態では、各構成要素は同じであるが、各構成要素の配置位置や方向（反射方向や透過方向）等が異なる。まず図４に示す第１の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ａの構成について説明する。
【００２６】
図４に示す光学非破壊検査装置１Ａは、集光コリメート手段１０、加熱用レーザ光源２１、加熱用レーザコリメート手段４１、加熱レーザ用選択反射手段１１Ａ、赤外線検出手段３１、赤外線用選択反射手段１２Ｂ、赤外線集光手段５１、補正用レーザ光源７１、補正用レーザ検出手段７１Ｒ、ビームスプリッタ１７Ａ、補正用レーザコリメート手段８１、反射レーザ集光手段８１Ｒ、制御手段５０、記憶手段６０等にて構成されている。
【００２７】
集光コリメート手段１０は、自身の光軸に沿って一方の側から（図４の例では上方から）入射された平行光を、焦点位置として測定対象物上に設定した測定スポットＳＰに向けて集光して他方の側から（図４の例では下方から）出射する。また集光コリメート手段１０は、（焦点位置である）測定スポットＳＰから放射及び反射されて他方の側から入射された光を、自身の光軸に沿った平行光である第１測定光Ｌ１１に変換して一方の側から出射する。なお集光コリメート手段１０は、光を透過させて屈折する集光レンズで構成することも可能であるが、異なる複数の波長の光を扱うので、色収差が発生する集光レンズではあまり好ましくない。そこで、（非球面）反射ミラー１０Ａ、１０Ｂにて集光コリメート手段を構成することで、色収差の発生を排除し、広い波長帯に対応させている。
【００２８】
加熱用レーザ光源２１は、測定対象物を破壊することなく加熱することが可能な出力に調整された、加熱レーザ波長（λａ）の加熱用レーザを、制御手段５０からの制御信号に基づいて出射する。例えば加熱用レーザ光源２１は、λ＝約４５０［ｎｍ］のブルーレーザを出射する半導体レーザ光源である。加熱用レーザコリメート手段４１は、加熱用レーザ光源２１の近傍（レーザ出射位置の近傍であって加熱用レーザの光軸上）に配置されて、加熱用レーザ光源２１から出射された加熱用レーザを平行光の加熱用レーザＬａに変換する。例えば加熱用レーザコリメート手段４１は、加熱レーザ波長（λａ）の光のみを平行光に変換すればよいので、コリメートレンズでよい。なお加熱用レーザ光源２１が平行光の加熱用レーザを出射できるのであれば加熱用レーザコリメート手段４１を省略することができる。
【００２９】
加熱レーザ用選択反射手段１１Ａは、集光コリメート手段１０の光軸上に配置されて、加熱用レーザ光源２１から出射されて平行光に変換された加熱レーザ波長（λａ）の加熱用レーザＬａを集光コリメート手段１０の一方の側に向けて反射するとともに、測定スポットＳＰから放射及び反射されて集光コリメート手段１０の一方の側から出射された加熱レーザ波長（λａ）とは異なる波長の平行光である第２測定光Ｌ１２を透過する。例えば加熱レーザ用選択反射手段１１Ａは、加熱レーザ波長（λａ）の光を反射し、加熱レーザ波長（λａ）以外の波長の光を透過するダイクロイックミラーである。なお、測定スポットＳＰから放射及び反射されて集光コリメート手段１０の一方の側から出射された平行光である測定光を第１測定光Ｌ１１と呼び、第１測定光Ｌ１１から加熱レーザ波長の光が取り出された残りの測定光を、第２測定光Ｌ１２と呼ぶ。そして、加熱用レーザコリメート手段４１と加熱レーザ用選択反射手段１１Ａにて加熱用レーザ導光手段が構成されており、加熱用レーザ導光手段は、加熱用レーザ光源２１から出射された加熱用レーザを、平行光に変換して集光コリメート手段１０の一方の側へと導く。
【００３０】
赤外線検出手段３１は、測定スポットＳＰから放射された赤外線（熱線）のエネルギーを検出可能であり、例えば赤外線検出手段３１は、赤外線センサである。なお赤外線検出手段３１からの検出信号は制御手段５０に取り込まれる。赤外線用選択反射手段１２Ｂは、集光コリメート手段１０の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段１１Ａを透過してきた平行光である第２測定光Ｌ１２（加熱レーザ波長とは異なる波長の平行光）の経路上に配置されている（この場合、集光コリメート手段１０の光軸上に配置されている）。そして赤外線用選択反射手段１２Ｂは、集光コリメート手段１０の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段１１Ａを透過してきた平行光である第２測定光Ｌ１２の中から所定赤外線波長（λ１）の赤外線の平行光Ｌ１を赤外線検出手段３１に向けて透過し、所定赤外線波長（λ１）とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３を反射する。
【００３１】
従って、赤外線検出手段３１は、所定赤外線波長（λ１）の赤外線のエネルギーのみを検出する。例えば赤外線用選択反射手段１２Ｂは、所定赤外線波長（λ１）の光を透過し、所定赤外線波長（λ１）以外の波長の光を反射するダイクロイックミラーである。また赤外線集光手段５１は、赤外線検出手段３１の近傍（検出位置の近傍）に配置されて、赤外線用選択反射手段１２Ｂにて透過された所定赤外線波長（λ１）の平行光Ｌ１の赤外線を、赤外線検出手段３１に向けて集光する。例えば赤外線集光手段５１は、所定赤外線波長（λ１）の光のみを集光すればよいので、集光レンズでよい。そして、加熱レーザ用選択反射手段１１Ａと赤外線用選択反射手段１２Ｂと赤外線集光手段５１にて放射赤外線導光手段（赤外線導光手段に相当）が構成されており、放射赤外線導光手段は、測定スポットＳＰから放射されて集光コリメート手段１０の一方の側から出射された平行光である第２測定光Ｌ１２の中から所定赤外線波長（λ１）の赤外線を、赤外線検出手段３１へと導く。
【００３２】
補正用レーザ光源７１は、加熱レーザよりも充分小さな出力に調整された、補正レーザ波長（λｂ）の補正用レーザを、制御手段５０からの制御信号に基づいて出射する。例えば補正用レーザ光源７１は、半導体レーザである。また補正用レーザによって測定スポットＳＰが加熱される温度が、加熱用レーザによって測定スポットが加熱される温度に影響を与えない程度となるように、補正用レーザ光源７１の出力が調整されている。また補正レーザ波長（λｂ）は、加熱レーザ波長（λａ）とは異なる波長である。
【００３３】
補正用レーザコリメート手段８１は、補正用レーザ光源７１の近傍（レーザ出射位置の近傍であって補正用レーザの光軸上）に配置されて、補正用レーザ光源７１から出射された補正用レーザを平行光の補正用レーザＬｂに変換する。例えば補正用レーザコリメート手段８１は、補正レーザ波長（λｂ）の光のみを平行光に変換すればよいので、コリメートレンズでよい。なお補正用レーザ光源７１が平行光の補正用レーザを出射できるのであれば補正用レーザコリメート手段８１を省略することができる。
【００３４】
ビームスプリッタ１７Ａは、補正用レーザ光源７１から出射された補正レーザ波長（λｂ）の光（補正用レーザ）を第１所定割合で反射するとともに第２所定割合で透過し、反射した第１所定割合の平行光の補正用レーザを、所定赤外線波長とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３と重なるように、赤外線用選択反射手段１２Ｂへと導光する。なお、補正用レーザ光源７１から出射されてビームスプリッタ１７Ａを透過した第２所定割合の補正用レーザは、どこにも使用されず破棄される。そして、補正用レーザコリメート手段８１とビームスプリッタ１７Ａと赤外線用選択反射手段１２Ｂと加熱レーザ用選択反射手段１１Ａにて補正用レーザ導光手段が構成されており、補正用レーザ導光手段は、補正用レーザ光源７１から出射された補正用レーザを、平行光に変換して集光コリメート手段１０の一方の側（すなわち、測定スポットＳＰ）へと導く。
【００３５】
補正用レーザ検出手段７１Ｒは、測定スポットＳＰにて反射された補正用レーザのエネルギーを検出可能であり、例えば補正用レーザ検出手段７１Ｒは、補正レーザ波長（λｂ）の光のエネルギーを検出可能な光センサである。なお補正用レーザ検出手段７１Ｒからの検出信号は制御手段５０に取り込まれる。ビームスプリッタ１７Ａは、測定スポットＳＰから反射されて赤外線用選択反射手段１２Ｂにて反射された（反射）補正用レーザを、補正用レーザ検出手段７１Ｒに向けて第２所定割合で透過する。
【００３６】
反射レーザ集光手段８１Ｒは、補正用レーザ検出手段７１Ｒの近傍（検出位置の近傍）に配置され、測定スポットＳＰから反射されてビームスプリッタ１７Ａから補正用レーザ光源７１とは異なる方向に向かうように透過された補正レーザ波長（λｂ）の平行光Ｌｂｒ（（反射）補正用レーザ）を、補正用レーザ検出手段７１Ｒに向けて集光する。なお、測定スポットＳＰにて反射されてビームスプリッタ１７Ａにて反射された（反射）補正用レーザは、どこにも使用されず破棄される。例えば反射レーザ集光手段８１Ｒは、補正レーザ波長（λｂ）の光のみを集光すればよいので、集光レンズでよい。そして、加熱レーザ用選択反射手段１１Ａと赤外線用選択反射手段１２Ｂとビームスプリッタ１７Ａと反射レーザ集光手段８１Ｒにて反射レーザ導光手段が構成されており、反射レーザ導光手段は、測定スポットＳＰにて反射されて集光コリメート手段１０の一方の側から出射された第１測定光Ｌ１１に含まれている補正用レーザを、補正用レーザ検出手段７１Ｒへと導く。
【００３７】
なお、図４において点線で囲んだ「他の例」に示すように、補正用レーザ光源７１及び補正用レーザコリメート手段８１と、補正用レーザ検出手段７１Ｒ及び反射レーザ集光手段８１Ｒと、を入れ替えてもよい。この場合、ビームスプリッタ１７Ｂは、補正用レーザ光源７１から出射された補正レーザ波長（λｂ）の光（補正用レーザ）を第１所定割合で透過するとともに第２所定割合で反射し、透過した第１所定割合の平行光の補正用レーザＬｂを、所定赤外線波長とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３と重なるように、赤外線用選択反射手段１２Ｂへと導光する。またビームスプリッタ１７Ｂは、測定スポットＳＰから反射されて赤外線用選択反射手段１２Ｂにて反射された（反射）補正用レーザを、補正用レーザ検出手段７１Ｒに向けて第２所定割合で反射する。
【００３８】
制御手段５０はパーソナルコンピュータ等であり、加熱用レーザ光源２１と補正用レーザ光源７１を制御し、赤外線検出手段３１からの検出信号と補正用レーザ検出手段７１Ｒからの検出信号に基づいて、加熱時間に応じた測定スポットＳＰの温度上昇状態である温度上昇特性を測定する。そして制御手段５０は、測定した温度上昇特性に基づいて、測定対象物の圧接状態を判定する。なお、温度の測定方法については後述する。また、制御手段５０の動作の詳細については後述する。
【００３９】
記憶手段６０は例えばハードディスク等の記憶装置であり、記憶手段６０には、判定するべき測定対象物の圧接状態に応じて異なる温度上昇特性等が記憶されている。例えば、図１４に示す正規化上限温度上昇特性、正規化理想温度上昇特性、正規化下限温度上昇特性、正規化飽和温度、第１基準閾値、理想基準閾値、第２基準閾値等が記憶されている。また記憶手段６０には、図９に示す反射率特性や、図１０に示す赤外線放射特性等も記憶されている。
【００４０】
そして制御手段５０にて、光学非破壊検査装置１Ａを用いて温度上昇特性を測定し、測定した温度上昇特性における加熱開始時点からの時間変化に対する温度変化である傾きが所定傾き以下となる飽和温度へと至るまでの時間が、予め設定した第１基準閾値と第２基準閾値との間に収まっていない場合（第１基準閾値、第２基準閾値も、記憶手段６０に記憶されている）、測定対象物の圧接部における接触面積が所望する大きさの面積の範囲から外れている不良品である、あるいは、圧接部における接触圧力が所望する圧力の範囲から外れている不良品である、と判定する。なお、制御手段５０の動作の詳細については後述する。
【００４１】
●［第２の実施の形態における光学非破壊検査装置１Ｂの構成（図５）］
次に図５を用いて、第２の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｂの構成について説明する。第２の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｂは、第１の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ａに対して、赤外線用選択反射手段１２Ａの動作が異なり、赤外線検出手段３１、補正用レーザ光源７１、補正用レーザ検出手段７１Ｒの配置が異なる。以下、第１の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ａとの相違点について主に説明する。
【００４２】
赤外線用選択反射手段１２Ａは、集光コリメート手段１０の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段１１Ａを透過してきた平行光である第２測定光Ｌ１２（加熱レーザ波長とは異なる波長の平行光）の経路上に配置されている（この場合、集光コリメート手段１０の光軸上に配置されている）点は、赤外線用選択反射手段１２Ｂと同じである。しかし、赤外線用選択反射手段１２Ａは、集光コリメート手段１０の一方の側から出射されて加熱レーザ用選択反射手段１１Ａを透過してきた平行光である第２測定光Ｌ１２の中から所定赤外線波長（λ１）の赤外線の平行光Ｌ１を赤外線検出手段３１に向けて反射し（赤外線用選択反射手段１２Ｂでは透過）、所定赤外線波長（λ１）とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３を透過（赤外線用選択反射手段１２Ｂでは反射）する点が異なる。例えば赤外線用選択反射手段１２Ａは、所定赤外線波長（λ１）の光を反射し、所定赤外線波長（λ１）以外の波長の光を透過するダイクロイックミラーである。
【００４３】
このため、赤外線用選択反射手段１２Ａの反射先に、赤外線集光手段５１及び赤外線検出手段３１が配置され、赤外線用選択反射手段１２Ａの透過先に、ビームスプリッタ１７Ａ、補正用レーザコリメート手段８１及び補正用レーザ光源７１、反射レーザ集光手段８１Ｒ及び補正用レーザ検出手段７１Ｒが配置されている。また、補正用レーザ光源７１から出射された補正用レーザは、ビームスプリッタ１７Ａから、所定赤外線波長とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３と重なるように赤外線用選択反射手段１２Ａに向けて導光され、赤外線用選択反射手段１２Ａを透過して加熱レーザ用選択反射手段１１Ａへと導光される。また測定スポットＳＰから反射された（反射）補正用レーザは、赤外線用選択反射手段１２Ａを透過してビームスプリッタ１７Ａへと導光される。
【００４４】
なお、図５において点線で囲んだ「他の例」に示すように、補正用レーザ光源７１及び補正用レーザコリメート手段８１と、補正用レーザ検出手段７１Ｒ及び反射レーザ集光手段８１Ｒと、を入れ替えてもよい。この場合、ビームスプリッタ１７Ｂは、補正用レーザ光源７１から出射された補正レーザ波長（λｂ）の光（補正用レーザ）を第１所定割合で透過するとともに第２所定割合で反射し、透過した第１所定割合の平行光の補正用レーザを、所定赤外線波長とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３と重なるように、赤外線用選択反射手段１２Ａへと導光する。またビームスプリッタ１７Ｂは、測定スポットＳＰから反射されて赤外線用選択反射手段１２Ａを透過してきた（反射）補正用レーザを、補正用レーザ検出手段７１Ｒに向けて第２所定割合で反射する。
【００４５】
●［第３の実施の形態における光学非破壊検査装置１Ｃの構成（図６）］
次に図６を用いて、第３の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｃの構成について説明する。第３の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｃは、第１の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ａに対して、加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂの動作が異なり、加熱用レーザ光源２１の配置が異なる。以下、第１の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ａとの相違点について主に説明する。
【００４６】
加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂは、集光コリメート手段１０の光軸上に配置されて、加熱用レーザ光源２１から出射されて平行光に変換された加熱レーザ波長（λａ）の加熱用レーザＬａを集光コリメート手段１０の一方の側に向けて透過（加熱レーザ用選択反射手段１１Ａでは反射）するとともに、測定スポットＳＰから放射及び反射されて集光コリメート手段１０の一方の側から出射された加熱レーザ波長（λａ）とは異なる波長の平行光である第２測定光Ｌ１２を反射（加熱レーザ用選択反射手段１１Ａでは透過）する。例えば加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂは、加熱レーザ波長（λａ）の光を透過し、加熱レーザ波長（λａ）以外の波長の光を反射するダイクロイックミラーである。加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂにて反射された、加熱レーザ波長（λａ）以外の波長の平行光である第２測定光Ｌ１２の先は、第１の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【００４７】
なお、図６において点線で囲んだ「他の例」に示すように、補正用レーザ光源７１及び補正用レーザコリメート手段８１と、補正用レーザ検出手段７１Ｒ及び反射レーザ集光手段８１Ｒと、を入れ替えてもよい。この場合、ビームスプリッタ１７Ｂは、補正用レーザ光源７１から出射された補正レーザ波長（λｂ）の光（補正用レーザ）を第１所定割合で透過するとともに第２所定割合で反射し、透過した第１所定割合の平行光の補正用レーザを、所定赤外線波長とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３と重なるように、赤外線用選択反射手段１２Ｂへと導光する。またビームスプリッタ１７Ｂは、測定スポットＳＰから反射されて赤外線用選択反射手段１２Ｂにて反射された（反射）補正用レーザを、補正用レーザ検出手段７１Ｒに向けて第２所定割合で反射する。
【００４８】
●［第４の実施の形態における光学非破壊検査装置１Ｄの構成（図７）］
次に図７を用いて、第４の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｄの構成について説明する。第４の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｄは、第２の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｂに対して、加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂの動作が異なり、加熱用レーザ光源２１の配置が異なる。以下、第２の実施の形態の光学非破壊検査装置１Ｂとの相違点について主に説明する。
【００４９】
加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂは、第３の実施の形態と同様に、集光コリメート手段１０の光軸上に配置されて、加熱用レーザ光源２１から出射されて平行光に変換された加熱レーザ波長（λａ）の加熱用レーザＬａを集光コリメート手段１０の一方の側に向けて透過（加熱レーザ用選択反射手段１１Ａでは反射）するとともに、測定スポットＳＰから放射及び反射されて集光コリメート手段１０の一方の側から出射された加熱レーザ波長（λａ）とは異なる波長の平行光である第２測定光Ｌ１２を反射（加熱レーザ用選択反射手段１１Ａでは透過）する。例えば加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂは、加熱レーザ波長（λａ）の光を透過し、加熱レーザ波長（λａ）以外の波長の光を反射するダイクロイックミラーである。加熱レーザ用選択反射手段１１Ｂにて反射された、加熱レーザ波長（λａ）以外の波長の平行光である第２測定光Ｌ１２の先は、第２の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【００５０】
なお、図７において点線で囲んだ「他の例」に示すように、補正用レーザ光源７１及び補正用レーザコリメート手段８１と、補正用レーザ検出手段７１Ｒ及び反射レーザ集光手段８１Ｒと、を入れ替えてもよい。この場合、ビームスプリッタ１７Ｂは、補正用レーザ光源７１から出射された補正レーザ波長（λｂ）の光（補正用レーザ）を第１所定割合で透過するとともに第２所定割合で反射し、透過した第１所定割合の平行光の補正用レーザを、所定赤外線波長とは異なる波長の平行光である第３測定光Ｌ１３と重なるように、赤外線用選択反射手段１２Ａへと導光する。またビームスプリッタ１７Ｂは、測定スポットＳＰから反射されて赤外線用選択反射手段１２Ａを透過してきた（反射）補正用レーザを、補正用レーザ検出手段７１Ｒに向けて第２所定割合で反射する。
【００５１】
●［光学非破壊検査方法の処理手順（その１）（図８）］
次に図８に示すフローチャートを用いて、制御手段５０の処理手順（その１）の例について説明する。なお光学非破壊検査装置の構成については、第１〜第４の実施の形態のいずれでもよい。図８に示す処理は、内壁９１Ｂと弾性変形部９２Ｂとの圧接状態の検査を行う際、制御手段５０にて実行される。以下、図８に示すフローチャートの各処理の詳細を順に説明する。
【００５２】
ステップＳ１０では、制御手段５０は、補正用レーザ光源を制御して、補正用レーザ光源から補正用レーザを出射し、ステップＳ１５に進む。補正用レーザは測定スポットに導光され、測定スポットにて反射された補正用レーザは補正用レーザ検出手段へと導光される。
【００５３】
ステップＳ１５では、制御手段５０は、加熱用レーザ光源を制御して、加熱用レーザ光源から加熱用レーザを出射し、ステップＳ２０に進む。加熱用レーザは測定スポットへと導光され、測定スポットから放射された赤外線は赤外線検出手段へと導光される。なお、加熱用レーザの出力は、ワークを破壊することなく加熱する熱量となるように、予め調整されている。ステップＳ１５は、制御手段から加熱用レーザ光源を制御して、測定対象物上に設定した測定スポットに向けて、ワークを破壊することなく加熱する熱量に調整された加熱用レーザを照射して測定スポットを加熱する、加熱ステップに相当する。
【００５４】
ステップＳ２０にて、制御手段５０は、赤外線検出手段からの検出信号に基づいて、所定赤外線波長（λ１）の赤外線のエネルギーを検出し、検出した所定赤外線波長（λ１）の赤外線のエネルギーと、ステップＳ１５にて加熱用レーザの照射を開始してからの時間と、を取り込んで一時的に記憶し、ステップＳ２５に進む。
【００５５】
ステップＳ２５にて、制御手段５０は、補正用レーザ検出手段からの検出信号に基づいて、補正用レーザの反射率を測定し、ステップＳ３０に進む。なお、反射率を求める手順については後述する。
【００５６】
ステップＳ３０にて、制御手段５０は、ステップＳ２５にて求めた反射率から放射率を計算し、ステップＳ３５に進む。具体的には、放射率（％）＝吸収率（％）＝１００（％）−反射率（％）という関係から、放射率を計算する。
【００５７】
ステップＳ３５にて制御手段５０は、ステップＳ２０にて一時的に記憶した赤外線エネルギー（検出値に相当）を、ステップＳ３０にて計算した放射率に基づいて補正し、加熱時間に応じた測定スポットの温度（補正した温度）を求め、ステップＳ４０に進む。なお、測定スポットの温度（補正した温度）を求める手順については後述する。
【００５８】
そしてステップＳ４０にて制御手段５０は、測定終了タイミングであるか否かを判定する。制御手段５０は、求めた温度（補正した温度）が飽和温度に達していると判定した場合、測定終了タイミングであると判定する。例えば制御手段５０は、今回のステップＳ３５にて求めた温度が、前回のステップＳ３５にて求めた温度に対して、所定値以下の温度上昇状態であった場合、飽和温度に達したと判定する。なお飽和温度は、図１１に示す温度上昇特性の傾きが所定値以下となった場合であって、温度がほぼ一定となった熱平衡状態の温度である。制御手段５０は、飽和温度に達して（熱平衡状態となって）測定終了タイミングであると判定した場合（Ｙｅｓ）はステップＳ４５に進み、測定終了タイミングでないと判定した場合（Ｎｏ）はステップＳ２０に戻る。なお、ステップＳ２０に戻る際、所定時間（例えば１ｍｓ程度）待ってから戻ると、所定時間間隔で温度を求めることができるので、より好ましい。なお、ステップＳ２０〜Ｓ４０は、制御手段にて、加熱ステップによる加熱を行いながら、制御手段にて測定スポットから放射される赤外線（熱線）を赤外線検出手段を用いて検出して測定スポットの温度を求め、加熱時間に応じた測定スポットの温度上昇状態である温度上昇特性を得る、温度上昇特性取得ステップに相当する。なお、ステップＳ２５にて反射率を求める手順、ステップＳ３５にて測定スポットの温度（補正した温度）を求める手順、及び温度上昇特性を取得する手順については後述する。そしてステップＳ４５に進んだ場合、制御手段５０は、加熱用レーザ光源を制御して、加熱用レーザの照射を停止し、ステップＳ５０に進む。そしてステップＳ５０にて制御手段５０は、補正用レーザ光源を制御して、補正用レーザの照射を停止し、ステップＳ５５に進む。
【００５９】
ステップＳ５５にて制御手段５０は、ステップＳ２０〜Ｓ４０にて求めた温度と加熱時間による温度上昇特性（図１１）における加熱開始時点から飽和温度（時間変化に対する温度変化である傾きが所定傾き以下となる温度）へと至るまでの時間を求め、圧接部における圧接状態の良否を判定してステップＳ６０に進む。なお、ステップＳ５５は、熱伝導量の影響を受ける加熱点である測定スポットの温度上昇特性に基づいて、制御手段にて２つのワークの圧接部における接触面積及び接触圧力を含む圧接状態の良否を判定する、判定ステップに相当する。なお、ステップＳ５５における圧接状態の良否判定をする手順については後述する。
【００６０】
そしてステップＳ６０にて制御手段５０は、判定ステップ（ステップＳ５５）の結果に関する情報を、表示手段に表示して処理を終了する。なお、表示手段は、制御手段からの出力信号に基づいた画面を表示するものであり、例えばモニタである。また、画面の表示の例については後述する。
【００６１】
●［ステップＳ２５にて反射率を求める手順（図９）］
例えば図９に、所定の表面状態に設定した物質Ａ、物質Ｂ、物質Ｃにおける、照射する光の波長（横軸）と、反射率（縦軸）の関係を示す反射率特性の例を示す。図９に示すように、反射率は物体の材質や照射する光の波長で変化するとともに、物体の表面状態（微細な凹凸の密度や深さ等）によっても変化する。従って、測定スポット毎に反射率を求める必要がある。制御手段５０は、補正用レーザ光源からの補正用レーザのエネルギーと、ビームスプリッタの反射率（第１所定割合（または第２所定割合））、ビームスプリッタの透過率（第２所定割合（または第１所定割合））、補正用レーザ検出手段にて検出した補正レーザ波長の光のエネルギーと、に基づいて、測定スポットの反射率を測定する。
【００６２】
●［ステップＳ３５にて測定スポットの温度を求める手順と、温度上昇特性を求める手順（図１０〜図１１）］
例えば図１０は、照射された光を完全に吸収及び放射する黒体の温度が各温度（Ｍ１、Ｍ２・・Ｍ６）の場合において、黒体から放射される赤外線の波長（横軸）と、各波長の赤外線のエネルギー（縦軸）の関係を示す赤外線放射特性の例を示している。例えば測定スポットが黒体である場合であって、検出した所定赤外線波長（λ１）の位置が図１０中に示す（λ１）の位置であり、検出した赤外線エネルギーがＥ１であった場合、測定スポットの温度は、Ｍ４［℃］であることがわかる。しかし、実際の測定スポットは黒体ではなく、照射された加熱用レーザの全てを吸収することなく一部を反射しているので補正が必要であり、続くステップＳ２５〜ステップＳ３０にて求めた放射率に基づいて、ステップＳ２０にて検出した赤外線エネルギーを補正する。
【００６３】
例えばステップＳ２０にて一時的に記憶した赤外線エネルギーが、図１０に示すＥ１であった場合、このＥ１をステップＳ３０にて求めた放射率を用いて補正した結果がＥ１ｈであったとする。この場合、測定スポットの温度は、Ｅ１に相当するＭ４［℃］（実温度）ではなく、補正したＥ１ｈに相当するＭ２［℃］（補正温度）が正しい温度となる。なお、図１０の例に示す赤外線放射特性は、予め記憶手段６０に記憶されており、制御手段５０は、記憶手段に記憶されている赤外線放射特性と、検出及び補正した赤外線エネルギー（この場合、エネルギーＥ１ｈ）に基づいて、測定スポットの温度（この場合、Ｍ２［℃］）を求める。
【００６４】
そして制御手段は、ステップＳ２０にて記憶した照射開始後の時間（加熱時間に相当）と、当該時間に対応する補正温度から、図１１の例に示す温度上昇特性を求める。例えば照射開始後の時間がＴ１であって、実温度（実際に測定した赤外線エネルギー（Ｅ１）による温度）がＭ４［℃］、補正温度（補正した赤外線エネルギー（Ｅ１ｈ）による温度）がＭ２［℃］であった場合、及び、照射開始後の時間がＴ２であって、実温度（実際に測定した赤外線エネルギー（Ｅ２）による温度）がＭ３［℃］、補正温度（補正した赤外線エネルギー（Ｅ２ｈ）による温度）がＭ１［℃］であった場合、を図１１に示す。なお制御手段にて、補正温度による温度上昇特性を求めればよく、実温度による温度上昇特性は、特に求めなくてもよい。このように、制御手段は、測定スポットの反射率（放射率）を求めて測定スポットの温度を補正することで、正しい測定スポットの温度を求め、照射開始後の時間（加熱時間に相当）と、当該時間に対応する温度から、図１１の例に示す温度上昇特性を求める。
【００６５】
このように、制御手段は、温度上昇特性取得ステップ（ステップＳ２０〜Ｓ４０）において、測定スポットの温度を求める際、補正用レーザ光源を制御して、測定スポットに所定出力の補正用レーザを照射し、測定スポットにて反射された補正用レーザである反射補正用レーザを補正用レーザ検出手段にて検出することで測定スポットにおける反射率に関する特性（この場合、放射率）を求め、赤外線検出手段にて検出した所定波長の赤外線に基づいて求めた測定スポットの温度を、反射率に関する特性に基づいて補正する。
【００６６】
●［ステップＳ５５にて圧接状態の良否判定をする手順（図１２〜図１４）］
圧接部における接触面積の大きさの違いや接触圧力の大きさの違いによって熱伝導量が変化するので飽和温度が異なることを既に説明したが、それぞれの測定対象物で飽和温度が異なっている状態で圧接状態の良否を判定するのは、あまり好ましくない。そこで、以下に説明するように、測定対象物毎の飽和温度が同じとなるように、測定した温度上昇特性を正規化することで、飽和温度の違いを排除する。
【００６７】
ステップＳ５５にて制御手段５０は、ステップＳ２０〜Ｓ４０にて求めた温度と加熱時間による温度上昇特性（図１１）における飽和温度が、予め設定した正規化飽和温度となるように、温度方向において圧縮あるいは伸張するように加工して正規化温度上昇特性を求める（なお、時間軸方向については特に加工しない）。例えば、正規化飽和温度を、圧接部における接触面積の大きさが理想的な大きさであり、且つ接触圧力の大きさが理想的な大きさである測定対象物の温度上昇特性における飽和温度に設定し、正規化飽和温度を記憶手段６０に記憶しておく。そして制御手段５０は、測定した温度上昇特性の飽和温度が、正規化飽和温度よりも高い場合は、図１２に示すように、測定した温度上昇特性の飽和温度が正規化飽和温度と一致するように、温度上昇特性を温度方向に圧縮して正規化温度上昇特性を得ることができる。また制御手段５０は、測定した温度上昇特性の飽和温度が、正規化飽和温度よりも低い場合は、図１３に示すように、測定した温度上昇特性の飽和温度が正規化飽和温度と一致するように、温度上昇特性を温度方向に伸張して正規化温度上昇特性を得ることができる。
【００６８】
図１４は、圧接部の接触面積の大きさが理想的な大きさであり且つ圧接部の接触圧力の大きさが理想的な大きさである測定対象物の温度上昇特性を正規化した正規化理想温度上昇特性（図１４中に点線にて示す）と、圧接部の接触面積の大きさが許容下限であり且つ圧接部の接触圧力の大きさが許容下限である測定対象物の温度上昇特性を正規化した正規化下限温度上昇特性（図１４中に一点鎖線にて示す）と、圧接部の接触面積の大きさが許容上限であり且つ圧接部の接触圧力の大きさが許容上限である測定対象物の温度上昇特性を正規化した正規化上限温度上昇特性（図１４中に二点鎖線にて示す）と、を重ねて表示した例を示している。このように、飽和温度を正規化飽和温度に一致させる正規化を行うことで、圧接部の接触面積の大きさの違いや接触圧力の大きさの違いを、加熱開始（時点）から正規化飽和温度に達するまでのグラフで表すことができる。
【００６９】
測定対象物の温度上昇特性を正規化した結果が、図１４に示す正規化上限温度上昇特性と正規化下限温度上昇特性との間に収まっていない場合は、その測定対象物の圧接部における接触面積は所望する範囲を外れている、あるいは、圧接部における接触圧力は所望する範囲を外れている、といえる。すなわち、測定対象物の温度上昇特性を正規化した結果が、図１４に示す正規化上限温度上昇特性と正規化下限温度上昇特性との間に収まっている場合は、その測定対象物の圧接部における接触面積は所望する範囲内であり、且つ圧接部における接触圧力は所望する範囲内である、といえる。
【００７０】
なお、求めた温度上昇特性を正規化した結果が、図１４に示す正規化上限温度上昇特性と正規化下限温度上昇特性との間にあるか否かの判定を、加熱開始時点から正規化飽和温度に達するまでの時間が、第１基準閾値（正規化上限温度上昇特性において加熱開始から正規化飽和温度に達するまでの時間）と、第２基準閾値（正規化下限温度上昇特性において加熱開始から正規化飽和温度に達するまでの時間）と、の間に収まっているか否かの判定とすることもできる。この場合、ステップＳ３５にて制御手段は、測定スポットへの加熱用レーザの照射の開始時点から、温度上昇特性において時間の経過に対する温度の上昇状態が所定上昇状態以下となる熱平衡状態となるまでの時間が、予め設定した第１基準閾値と第２基準閾値との間に収まっていない場合に、接触面積が所望する大きさの面積の範囲から外れている不良品である、あるいは接触圧力が所望する圧力の範囲から外れている不良品である、と判定する（すなわち、第１基準閾値と第２基準閾値との間に収まっている場合は良品であると判定する）。なお、正規化飽和温度、第１基準閾値、第２基準閾値は、予め記憶手段に記憶されている。
【００７１】
また、以上の説明では、第１基準閾値を、正規化上限温度上昇特性において加熱開始から正規化飽和温度に達するまでの時間として、第２基準閾値を、正規化下限温度上昇特性において加熱開始から正規化飽和温度に達するまでの時間とした。しかし、第１基準閾値を、正規化上限温度上昇特性において加熱開始から正規化飽和温度の９０％に達するまでの時間とし、第２基準閾値を、正規化下限温度上昇特性において加熱開始から正規化飽和温度の９０％に達するまでの時間とし、求めた温度上昇特性を正規化した結果において正規化飽和温度の９０％に達するまでの時間が、第１基準閾値と第２基準閾値との間に収まっている場合に良品であると判定するようにしてもよい。なお、圧接状態の良否の判定方法は、以上に説明した方法に限定されない。例えば、求めた温度上昇特性における飽和温度が、所定の温度範囲内である場合に良品であると判定したり、求めた温度上昇特性を正規化することなく、飽和温度に達するまでの時間が第１基準閾値と第２基準閾値との間に収まっている場合に良品であると判定したり、求めた温度上昇特性を正規化した正規化温度上昇特性のグラフで囲まれる面積が所定範囲内である場合に良品であると判定したり、してもよい。
【００７２】
●［ステップＳ６０にて表示手段に表示する判定結果に関する情報の例（図１５）］
次に、ステップＳ６０の表示の例を図１５に示す。図１５に示す例は、制御手段５０の表示手段５０Ｇの画面５０Ｍに、制御手段の判定結果に関する情報を表示した例を示している。この例では、判定結果は「良好」であり、圧接部における接触面積及び接触圧力が所望する範囲内であったと判定した場合を示している。また図１５の例では、画面５０Ｍの一部に、測定対象物の正規化温度上昇特性（画面５０Ｍ中に実線にて示す）と、正規化下限温度上昇特性（画面５０Ｍ中に一点鎖線にて示す）と、正規化上限温度上昇特性（画面５０Ｍ中に二点鎖線にて示す）と、正規化理想温度上昇特性（画面５０Ｍ中に点線にて示す）と、を重ねた温度上昇特性グラフも表示した例を示している。この温度上昇特性グラフを見るだけで、作業者は、測定対象物の圧接状態は許容範囲に収まってはいるが、上限側に少しずれていると容易に判断することができるので、品質管理等を行う際に非常に便利である。
【００７３】
●［溶着されることなく圧接にて結合された圧接部の溶着方法］
以上の説明では、スルーホール９１の内壁９１Ｂにプレスフィットピン９２の弾性変形部９２Ｂが挿通された圧接部の圧接状態の良否を判定した。この圧接部は、溶着されることなく圧接にて結合されているが、上記の判定の結果、圧接状態が良品であると判定した場合、さらに、以下のようにして溶着することで、より確実に所望する導電率を確保することができる。なお、以下に説明する溶着ステップは、図８に示すステップＳ５５とステップＳ６０との間で行うようにしてもよいし、省略してもよい。
【００７４】
まず、前提条件として、２つのワークにおける圧接部の少なくとも一方には、２つのワークの圧接部の導電部材のそれぞれの融点よりも低い融点の合金または金属がメッキ（例えばハンダメッキや錫メッキ等）されている。例えば、スルーホール９１の内壁９１Ｂが、ハンダメッキされている。そして加熱ステップでは、制御手段から加熱用レーザ光源を制御して、ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともにメッキの融点未満となる熱量に調整された出力の加熱用レーザを測定スポットに照射する。
【００７５】
そして、判定ステップにおいて良品であると判定した場合、制御手段にて加熱用レーザ光源の出力を、ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともにメッキの融点以上となる熱量に調整された出力である新たな加熱用レーザへと上昇させた後、測定スポットに新たな加熱用レーザを所定時間照射することでメッキを溶融させて圧接部において２つのワークを溶着させる。この溶着させるステップが溶着ステップである。このように、溶着されることなく圧接にて結合された２つのワークが所望する圧接状態であることを確認した後、適切に、且つ容易に、圧接部を溶着することができるので、より確実に所望する導電率を確保することができる。また、メッキ削れ部や、錫等による微細ヒゲ等を溶融して、より信頼性の高い圧接状態（電気導通状態）とすることができる。また、メッキ削れ片を除去する工程も必要としない。なお上記の説明では、加熱ステップの後で、溶着ステップを実行したが、加熱ステップと溶着ステップを同時に行うこともできる。この場合、加熱ステップでは、制御手段から加熱用レーザ光源を制御して、ワークを破壊することなく加熱する熱量であるとともにメッキの融点以上となる熱量に調整された出力の加熱用レーザを測定スポットに照射すればよい。これにより、加熱ステップと溶着ステップを別々に行う場合よりも短時間で検査を終了することができる。
【００７６】
●［光学非破壊検査装置の処理手順（その２）（図１６）］
次に図１６に示すフローチャートを用いて、制御手段５０の処理手順（その２）の例について説明する。なお光学非破壊検査装置の構成については、第１〜第４の実施の形態のいずれでもよい。上述した処理手順（その１）では、測定した赤外線エネルギーを反射率に基づいて補正し、補正した赤外線エネルギーから求めた補正温度と、加熱開始からの時間にて、温度上昇特性を求めたが、以下に説明する処理手順（その２）では、反射率に基づいて加熱用レーザの出力を調整（増量）し、測定した赤外線エネルギーが、上記の「補正した赤外線エネルギー」と同等となるようにしたものである。
【００７７】
ステップＳ１１０では、制御手段５０は、補正用レーザ光源を制御して、補正用レーザ光源から補正用レーザを出射し、ステップＳ１１５に進む。補正用レーザは測定スポットに導光され、測定スポットにて反射された補正用レーザは補正用レーザ検出手段へと導光される。
【００７８】
ステップＳ１１５にて、制御手段５０は、補正用レーザ検出手段からの検出信号に基づいて、補正用レーザの反射率を測定し、ステップＳ１２０に進む。反射率の求め方は上述したとおりである。
【００７９】
ステップＳ１２０にて、制御手段５０は、ステップＳ１１５にて求めた反射率から吸収率を計算し、ステップＳ１２５に進む。具体的には、吸収率（％）＝１００（％）−反射率（％）という関係から、吸収率を計算する。ステップＳ１２５にて、制御手段５０は、ステップＳ１２０にて求めた吸収率から放射率を計算し、ステップＳ１３０に進む。具体的には、吸収率（％）＝放射率（％）という関係から、放射率を計算する。
【００８０】
ステップＳ１３０にて、制御手段５０は、ステップＳ１２０にて求めた吸収率（または放射率）に基づいて、加熱用レーザ光源から出力するべき出力値を計算し、ステップＳ１３５に進む。例えば、仮に出力Ｗ１で加熱用レーザを出射した場合、吸収率の関係から図１０における赤外線エネルギーＥ１が検出されると予想された場合、検出される赤外線エネルギーがＥ１ｈとなるような加熱用レーザの出力Ｗ１ｈを、吸収率に応じて計算する。
【００８１】
ステップＳ１３５にて制御手段５０は、加熱用レーザ光源を制御して、ステップＳ１３０にて求めた出力値にて加熱用レーザを出射し、ステップＳ１４０に進む。
【００８２】
ステップＳ１４０にて制御手段５０は、赤外線検出手段からの検出信号に基づいて、所定赤外線波長（λ１）の赤外線のエネルギーを検出し、検出した所定赤外線波長（λ１）の赤外線のエネルギーと、加熱用レーザの照射を開始してからの時間と、を取り込んで記憶し、ステップＳ１４５に進む。
【００８３】
ステップＳ１４５にて制御手段５０は、取り込んだ赤外線エネルギーに対応する温度（実温度）を求め、求めた実温度と、照射開始後の時間と、から温度上昇特性を求め、ステップＳ１５０に進む。この場合、吸収率に応じて加熱用レーザの出力を調整（増量）しているので、求めた実温度（この場合は実温度＝補正後の温度）をそのまま温度上昇特性として利用すればよい。なお、検出した赤外線エネルギーから温度に換算する方法は、上述したとおりであるので説明を省略する。
【００８４】
ステップＳ１５０にて制御手段５０は、測定終了タイミングであるか否かを判定する。上述したように、制御手段５０は、求めた温度が飽和温度に達していると判定した場合、測定終了タイミングであると判定する。制御手段５０は、飽和温度に達して測定終了タイミングであると判定した場合（Ｙｅｓ）はステップＳ１５５に進み、測定終了タイミングでないと判定した場合（Ｎｏ）はステップＳ１１５に戻る。なお、ステップＳ１１５に戻る際、所定時間（例えば１ｍｓ程度）待ってから戻ると、所定時間間隔で実温度を求めることができるので、より好ましい。
【００８５】
ステップＳ１５５に進んだ場合、制御手段５０は、加熱用レーザ光源を制御して、加熱用レーザの照射を停止し、ステップＳ１６０に進む。ステップＳ１６０にて制御手段５０は、補正用レーザ光源を制御して、補正用レーザの照射を停止し、ステップＳ１６５に進む。
【００８６】
ステップＳ１６５にて制御手段５０は、ステップＳ１４５にて求めた実温度による温度上昇特性に基づいて、測定対象物の圧接状態を判定し、ステップＳ１７０にて判定結果を表示手段等に表示して処理を終了する。なお、測定対象物の圧接状態の判定方法、及び表示手段への表示方法は、上述した方法と同様であるので説明を省略する。
【００８７】
以上、本実施の形態にて説明した光学非破壊検査装置は、加熱用レーザにて加熱を開始してから飽和温度に達するまでの数１０ｍｓ程度の期間の温度上昇特性を用いて測定対象物の状態を判定するので、非常に検査時間が短い。また圧接部の圧接状態の検査に対して、非接触で検査を行うことができるので、超音波発振機の振動子やセンサ等を、圧接部や圧接部の近傍に固定する必要が無く、容易に、且つ手間無く短時間に検査を行うことができる。また、熱の伝導状態を判定することで、導電部材（スルーホールの内壁）と導電部材（プレスフィットピンの弾性変形部）との圧接状態を判定しているので、電気導通状態を適切に判定することが可能である。従って、画像にて挿入位置を確認する方法と比較して、本来検査するべき電気導通状態を適切に検査することが可能であり、より高い信頼性で検査することができる。また、各温度上昇特性の飽和温度がばらばらであっても、予め設定した正規化飽和温度となるように温度上昇特性を温度方向に圧縮または伸張して正規化温度上昇特性を得ることで、飽和温度の違いにかかわらず正規化飽和温度に統一するように温度上昇特性を正規化して判定しているので、より正確な判定を行うことができる。
【００８８】
また、補正用レーザを用いて測定スポットの反射率（放射率）を求めて測定スポットの温度を補正することで、測定スポットの温度を、より正確に求めることができる。
【００８９】
なお、以上に説明した処理手順を実施するための加熱用レーザ光源２１と、集光コリメート手段１０と、加熱用レーザ導光手段と、赤外線検出手段と、赤外線導光手段と、補正用レーザ光源７１と、補正用レーザ導光手段と、補正用レーザ検出手段７１Ｒと、反射レーザ導光手段と、制御手段５０と、を備えることで、測定対象物である２つの部材の圧接部における接触面積が許容範囲内であるか否か、及び接触圧力が許容範囲内であるか否か、を制御手段にて判定する光学非破壊検査装置を構成することも、もちろん可能である。
【００９０】
本発明の光学非破壊検査方法及び光学非破壊検査装置、の処理手順、構成、構造、外観、形状等は、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更、追加、削除が可能である。
【００９１】
なお、本実施の形態にて説明した反射率特性（図９）の例、赤外線放射特性（図１０）の例、この赤外線放射特性中に示した所定赤外線波長（λ１）の位置は、ひとつの例であり、これに限定されるものではない。また、以上（≧）、以下（≦）、より大きい（＞）、未満（＜）、ＡとＣの間にＢがあるという表現（Ａ＜Ｂ＜Ｃ）等は、等号を含んでも含まなくてもよい。また、本実施の形態の説明に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるものではない。
【００９２】
また本実施の形態の説明では、スルーホールの内壁にプレスフィットピンの弾性変形部を圧接させた圧接部を例として説明したが、２つのワークはこれらに限定されるものではなく、導電部材で構成された種々の２つのワークの圧接部の良否判定に適用することができる。またメッキの種類は、ハンダメッキや錫メッキに限定されず、種々のメッキを用いることができる。
【符号の説明】
【００９３】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ    光学非破壊検査装置
１０        集光コリメート手段
１０Ａ、１０Ｂ    （非球面）反射ミラー
１１Ａ、１１Ｂ    加熱レーザ用選択反射手段
１２Ａ、１２Ｂ    赤外線用選択反射手段
１７Ａ、１７Ｂ    ビームスプリッタ
２１        加熱用レーザ光源
３１        赤外線検出手段（熱線検出手段）
４１        加熱用レーザコリメート手段
５０        制御手段
５０Ｇ      表示手段
５１        赤外線集光手段
６０        記憶手段
７１        補正用レーザ光源
７１Ｒ      補正用レーザ検出手段
８１        補正用レーザコリメート手段
８１Ｒ      反射レーザ集光手段
９０        基板
９１        スルーホール
９１Ａ      ランド
９１Ｂ      内壁（圧接部）
９２        プレスフィットピン
９２Ａ      先端部
９２Ｂ      弾性変形部（圧接部）
９２Ｃ      ベース部
Ｌ１１      第１測定光
Ｌ１２      第２測定光
Ｌ１３      第３測定光
ＳＰ        測定スポット
【図１】
2015230253.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015230253.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015230253.tif 000009
【図８】
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【図９】
2015230253.tif 000011
【図１０】
2015230253.tif 000012
【図１１】
2015230253.tif 000013
【図１２】
2015230253.tif 000014
【図１３】
2015230253.tif 000015
【図１４】
2015230253.tif 000016
【図１５】
2015230253.tif 000017
【図１６】
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