(57)【要約】【課題】  電極表面の酸化を抑制することが可能な可変キャパシタを備えた電子装置を提供する。【解決手段】  実施形態に係る電子装置は、基板１１と、基板の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる固定された第１の電極１３ａと、第１の電極の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる可動な第２の電極１７ａと、第１の電極の第２の電極に対向する第１の表面上に設けられた第１の保護絶縁膜１４と、第２の電極の第１の電極に対向する第２の表面上に設けられた第２の保護絶縁膜１６とを備える。【選択図】図８
2015056620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる固定された第１の電極と、
前記第１の電極の上方に設けられ、前記可変キャパシタに用いられる可動な第２の電極と、
前記第１の電極の前記第２の電極に対向する第１の表面上に設けられた第１の保護絶縁膜と、
前記第２の電極の前記第１の電極に対向する第２の表面上に設けられた第２の保護絶縁膜と、
を備え、
前記第２の電極の第２の表面の逆側に位置する第３の表面上に設けられた第３の保護絶縁膜をさらに備え、
前記第１の保護絶縁膜は、シリコン（Ｓｉ）と、窒素（Ｎ）及び酸素（Ｏ）の少なくとも一方とを含む材料で形成され、
前記第２の保護絶縁膜は、シリコン（Ｓｉ）と、窒素（Ｎ）及び酸素（Ｏ）の少なくとも一方とを含む材料で形成され、
前記第１の電極は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む材料で形成され、
前記第２の電極は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む材料で形成されている
ことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる固定された第１の電極と、
前記第１の電極の上方に設けられ、前記可変キャパシタに用いられる可動な第２の電極と、
前記第１の電極の前記第２の電極に対向する第１の表面上に設けられた第１の保護絶縁膜と、
前記第２の電極の前記第１の電極に対向する第２の表面上に設けられた第２の保護絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項３】
前記第２の電極の第２の表面の逆側に位置する第３の表面上に設けられた第３の保護絶縁膜をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記第１の保護絶縁膜は、シリコン（Ｓｉ）と、窒素（Ｎ）及び酸素（Ｏ）の少なくとも一方とを含む材料で形成され、
前記第２の保護絶縁膜は、シリコン（Ｓｉ）と、窒素（Ｎ）及び酸素（Ｏ）の少なくとも一方とを含む材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記第１の電極は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む材料で形成され、
前記第２の電極は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
基板の上方に可変キャパシタに用いられる第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に第１の保護絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の保護絶縁膜上に第１の犠牲膜を形成する工程と、
前記第１の犠牲膜上に第２の保護絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の保護絶縁膜上に前記可変キャパシタに用いられる第２の電極を形成する工程と、
前記第２の電極を覆う第２の犠牲膜を形成する工程と、
前記第２の犠牲膜を覆う被覆絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の犠牲膜及び前記第２の犠牲膜を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の上方に可変キャパシタが形成されたＭＥＭＳ（micro electro mechanical system）素子が提案されている。
【０００３】
しかしながら、可変キャパシタの電極にアルミニウム等の酸化されやすい金属を用いた場合、電極の表面が不均一に酸化されて金属酸化物が生成されるという問題がある。そのため、例えば２つの電極を密着させようとしても、生成された金属酸化物によって２つの電極を完全に密着させることができないという問題が生じる。ＭＥＭＳ素子は微細な素子であるため、このような問題が生じると、可変キャパシタの容量を正確に制御することが困難になる。また、電極の表面に形成された酸化膜が剥がれるといった信頼性上の問題も生じる。
【０００４】
したがって、電極表面の酸化を抑制することが可能な可変キャパシタを備えた電子装置が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３２６８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電極表面の酸化を抑制することが可能な可変キャパシタを備えた電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る電子装置は、基板と、前記基板の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる固定された第１の電極と、前記第１の電極の上方に設けられ、前記可変キャパシタに用いられる可動な第２の電極と、前記第１の電極の前記第２の電極に対向する第１の表面上に設けられた第１の保護絶縁膜と、前記第２の電極の前記第１の電極に対向する第２の表面上に設けられた第２の保護絶縁膜と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図７】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図８】第１の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図９】第１の実施形態に係る電子装置の構成要素の位置関係を模式的に示した平面図である。
【図１０】第１の実施形態に係る電子装置の構成要素の位置関係の変更例を模式的に示した平面図である。
【図１１】第１の実施形態に係る電子装置の構成要素の位置関係の変更例を模式的に示した平面図である。
【図１２】第１の実施形態に係る電子装置の変更例の構成を模式的に示した断面図である。
【図１３】第２の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図１４】第２の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１５】第１の実施形態に係る電子装置の変更例の構成を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態を図面を参照して説明する。
【００１０】
（実施形態１）
図１〜図８は、第１の実施形態に係る電子装置の製造方法を模式的に示した断面図である。
【００１１】
まず、図１に示すように、シリコン基板等の半導体基板１１の上方に可変キャパシタ用の第１の電極１３ａ、下部パッド１３ｂ及びＭＩＭキャパシタ用の下部電極１３ｃを形成する。具体的には、まず、半導体基板１１上にシリコン酸化膜等の下地絶縁膜１２を形成する。半導体基板１１上には、トランジスタ等の素子が形成されていてもよい。続いて、下地絶縁膜１２上に、金属膜として厚さ数百ｎｍ〜数μｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）膜をスパッタリングによって形成する。この金属膜をフォトリソグラフィ及びエッチングを用いてパターニングして、可変キャパシタに用いられる固定された第１の電極１３ａを形成する。このパターニングの際に、下部パッド１３ｂ及びＭＩＭキャパシタ用の下部電極１３ｃも形成される。エッチングには、ＲＩＥ（reactive ion etching）を用いてもよいし、ウェットエッチングを用いてもよい。
【００１２】
次に、第１の電極１３ａ、下部パッド１３ｂ及びＭＩＭキャパシタ用の下部電極１３ｃ上に、第１の電極１３ａ、下部パッド１３ｂ及びＭＩＭキャパシタ用の下部電極１３ｃを覆う第１の保護絶縁膜１４を形成する。具体的には、第１の保護絶縁膜１４として、厚さ数百ｎｍ〜数μｍ程度のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）をＣＶＤ（chemical vapor deposition）によって形成する。一般的には、第１の保護絶縁膜１４は、シリコン（Ｓｉ）と、窒素（Ｎ）及び酸素（Ｏ）の少なくとも一方とを含む材料で形成される。したがって、第１の保護絶縁膜１４には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を用いることも可能である。第１の保護絶縁膜１４を形成しておくことにより、後の高温熱処理工程の際に、第１の電極１３ａの表面に電極金属の酸化物（例えば、アルミナ等の金属酸化物）が形成されることを防止することが可能である。
【００１３】
次に、フォトリソグラフィ及びＲＩＥを用いて第１の保護絶縁膜１４をパターニングして、下部パッド１３ｂに達する開口を形成する。
【００１４】
次に、図２に示すように、第１の保護絶縁膜１４上に第１の犠牲膜１５を形成する。第１の犠牲膜１５には、例えば、厚さ数百ｎｍ〜数μｍ程度のポリイミド等の有機材料膜を用いることができる。続いて、第１の犠牲膜１５をパターニングし、開口等を形成する。具体的には、感光性を有する有機材料膜を塗布した後、感光及び現像によって第１の犠牲膜１５のパターンを形成することが可能である。また、第１の犠牲膜１５上に形成されたフォトレジストパターンをマスクとして用いて第１の犠牲膜１５をエッチングして、第１の犠牲膜１５のパターンを形成してもよい。また、所定の絶縁膜をハードマスクとして用いて、第１の犠牲膜１５のパターンを形成してもよい。
【００１５】
次に、図３に示すように、第１の犠牲膜１５上に第２の保護絶縁膜１６を形成する。具体的には、第２の保護絶縁膜１６として、厚さ数ｎｍ〜数百ｎｍ程度のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）をＣＶＤによって形成する。一般的には、第２の保護絶縁膜１６は、シリコン（Ｓｉ）と、窒素（Ｎ）及び酸素（Ｏ）の少なくとも一方とを含む材料で形成される。したがって、第２の保護絶縁膜１６には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を用いることも可能である。続いて、フォトリソグラフィ及びＲＩＥを用いて第２の保護絶縁膜１６をパターニングし、開口等を形成する。
【００１６】
なお、第２の保護絶縁膜１６は、第１の保護絶縁膜１４よりも十分薄く形成する。例えば、第２の保護絶縁膜１６の厚さは、第１の保護絶縁膜１４の厚さの１／１０程度以下となるようにする。また、第２の保護絶縁膜１６は、後述する第２の電極１７ａよりも十分薄く形成する。例えば、第２の保護絶縁膜１６の厚さは、後述する第２の電極１７ａの厚さの１／１０程度以下となるようにする。
【００１７】
次に、図４に示すように、第２の保護絶縁膜１６上に、可変キャパシタに用いられる第２の電極１７ａを形成する。このとき、上部パッド１７ｂ及びＭＩＭキャパシタ用の上部電極１７ｃも形成される。具体的には、第２の保護絶縁膜１６上に、金属膜として厚さ数百ｎｍ〜数μｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）膜を形成する。この金属膜をフォトリソグラフィ及びエッチングを用いてパターニングして、可変キャパシタ用の可動な第２の電極１７ａ、上部パッド１７ｂ及びＭＩＭキャパシタ用の上部電極１７ｃを形成する。エッチングには、ＲＩＥ（reactive ion etching）を用いてもよいし、ウェットエッチングを用いてもよい。エッチングの際に第２の保護絶縁膜１６を連続的にエッチングしてもよい。第２の保護絶縁膜１６としてシリコン窒化膜を用いる場合には、ＣＦ4 を用いたＲＩＥやＣＤＥ（chemical dry etching）によって第２の保護絶縁膜１６を除去することが可能である。
【００１８】
第２の電極１７ａの下には、第２の保護絶縁膜１６が形成されている。そのため、後の高温熱処理工程の際に、第２の電極１７ａの表面に電極金属の酸化物（例えば、アルミナ等の金属酸化物）が形成されることを防止することが可能である。
【００１９】
次に、図５に示すように、第２の電極１７ａと上部パッド１７ｂとを接続する接続部１８を形成する。具体的には、厚さ数百ｎｍ〜数μｍ程度のシリコン窒化膜をＣＶＤによって形成し、このシリコン窒化膜をパターニングすることで接続部１８が形成される。この接続部１８は、第２の電極（可動電極）１７ａに対するバネの一部として機能する。なお、接続部１８には、絶縁体を用いてもよいが、金属等の導電体を用いてもよい。
【００２０】
次に、図６に示すように、第２の電極１７ａ等を有する構造を覆う第２の犠牲膜１９を形成する。具体的には、第２の犠牲膜１９には、ポリイミド等の有機材料膜を用いることができる。続いて、第２の犠牲膜１９をパターニングする。具体的には、第２の犠牲膜１９上に形成されたフォトレジストパターンをマスクとして用いて第２の犠牲膜１９をエッチングして、第２の犠牲膜１９のパターンを形成することが可能である。また、感光性を有する有機材料膜を塗布した後、感光及び現像によって第２の犠牲膜１９のパターンを形成することも可能である。
【００２１】
次に、図７に示すように、第２の犠牲膜１９を覆う被覆絶縁膜２０を形成する。具体的には、被覆絶縁膜２０として、プラズマＣＶＤによってシリコン酸化膜等の絶縁膜を形成する。さらに、被覆絶縁膜２０上にフォトリソグラフィによってフォトレジストパターン２１を形成する。続いて、フォトレジストパターン２１をマスクとして用いて被覆絶縁膜２０をエッチングして、被覆絶縁膜２０に複数の開口２２を形成する。
【００２２】
次に、図８に示すように、第１の犠牲膜１５及び第２の犠牲膜１９を除去する。具体的には、酸素（Ｏ2 ）を用いたアッシングによって第１の犠牲膜１５及び第２の犠牲膜１９を除去する。図７の工程で形成された開口２２から被覆絶縁膜２０内に酸素が導入され、第１の犠牲膜１５及び第２の犠牲膜１９が除去される。このアッシングによって、フォトレジストパターン２１も同時に除去される。本工程により、被覆絶縁膜２０内に空洞２３が形成される。
【００２３】
次に、被覆絶縁膜２０を覆う有機絶縁膜２４を形成する。さらに、有機絶縁膜２４上に無機絶縁膜２５を形成する。有機絶縁膜２４には、例えば、紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いることができる。無機絶縁膜２５には、例えば、シリコン窒化膜を用いることができる。このように、有機絶縁膜２４及び無機絶縁膜２５を形成することにより、開口２２が封止される。有機絶縁膜２４は、空洞２３内の有害ガスを通過させて排出させることが可能であり、空洞２３内の雰囲気を調整する機能を有している。無機絶縁膜２５は、水蒸気などの有害ガスが有機絶縁膜２４を通過して空洞２３内に侵入することを抑制するものである。
【００２４】
以上のようにして、可変キャパシタを有するＭＥＭＳ素子が形成される。すなわち、半導体基板１１の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる固定された第１の電極１３ａと、第１の電極１３ａの上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる可動な第２の電極１７ａと、第１の電極１３ａの第２の電極１７ａに対向する第１の表面上に設けられた第１の保護絶縁膜１４と、第２の電極１７ａの第１の電極１３ａに対向する第２の表面上に設けられた第２の保護絶縁膜１６と、を備えた電子装置が形成される。
【００２５】
図８に示すように、第１の電極（固定電極）１３ａと第２の電極（可動電極）１７ａとが対向しており、これらの電極１３ａ及び１７ａによって可変キャパシタが構成される。第２の電極１７ａは、接続部１８を介して上部パッド１７ｂに接続され、接続部１８及び上部パッド１７ｂによって支えられている。第２の電極１７ａに所望の電圧を印加することにより、第１の電極１３ａと第２の電極１７ａとの間に静電気力が作用し、第２の電極１７ａの位置が変位する。その結果、第１の電極１３ａと第２の電極１７ａとの距離が変化し、可変キャパシタのキャパシタンスが変化する。
【００２６】
図９は、本実施形態に係る電子装置の構成要素の位置関係を模式的に示した平面図である。なお、図９の平面図は、各要素の位置関係を模式的に示したものであり、図１〜図８の断面図に対応するものではない。
【００２７】
図９に示すように、第２の電極（可動電極）１７ａの外側の領域に、上部パッド１７ｂ、ＭＩＭキャパシタ用の上部電極１７ｃ、ダミー電極（ダミーパッド）１７ｄ及びダミー電極（ダミーパッド）１７ｅが設けられている。第２の電極（可動電極）１７ａと上部パッド１７ｂとはバイアス線１７ｆによって接続されている。
【００２８】
第２の保護絶縁膜１６は、第２の電極１７ａを保護するものである。そのため、第２の保護絶縁膜１６のパターンは、第２の電極１７ａのパターンにほぼ一致する、或いは第２の電極１７ａのパターンを内包している。図９の例では、第２の保護絶縁膜１６のパターンは、第２の電極１７ａのパターンを内包している。
【００２９】
図１０は、本実施形態に係る電子装置の構成要素の位置関係の変更例を模式的に示した平面図である。図１０の例では、第２の保護絶縁膜１６のパターンが、ＭＩＭキャパシタ用の上部電極１７ｃのパターン及びダミー電極（ダミーパッド）１７ｄのパターンも内包している。その他の基本的な構成は、図９と同様であるため、図９で説明した事項の説明は省略する。
【００３０】
図１１は、本実施形態に係る電子装置の構成要素の位置関係の変更例を模式的に示した平面図である。図１１の例では、接続部１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ及び１８ｅの位置関係もさらに示している。その他の基本的な構成は、図９と同様であるため、図９で説明した事項の説明は省略する。
【００３１】
以上のように、本実施形態では、可変キャパシタの第１の電極１３ａの表面上に第１の保護絶縁膜１４が設けられ、第２の電極１７ａの表面上に第２の保護絶縁膜１６が設けられている。そのため、第１の電極１３ａの表面が第１の保護絶縁膜１４によって覆われ、第２の電極１７ａの表面が第２の保護絶縁膜１６によって覆われている。したがって、第１の電極１３ａを第１の保護絶縁膜１４によって保護し、第２の電極１７ａを第２の保護絶縁膜１６によって保護することができる。その結果、第１の電極１３ａの表面及び第２の電極１７ａの表面が酸化される（例えば不均一に酸化される）ことを抑制することができる。
【００３２】
すでに述べたように、可変キャパシタの電極にアルミニウム等の酸化されやすい金属を用いた場合、電極の表面が不均一に酸化されるという問題がある。例えば、犠牲膜１５及び１９のキュア工程等の高温工程において、第１の電極１３ａの表面及び第２の電極１７ａの表面が酸化されるおそれがある。第１の電極１３ａの表面或いは第２の電極１７ａの表面に不均一な酸化膜が形成されると、例えば２つの電極を密着させようとしても、２つの電極を完全に密着させることができない。その結果、可変キャパシタの容量を正確に制御することが困難になる。また、電極の表面に形成された酸化膜が剥がれるといった信頼性上の問題も生じ得る。
【００３３】
本実施形態では、第１の保護絶縁膜１４及び第２の保護絶縁膜１６によって、第１の電極１３ａの表面及び第２の電極１７ａの表面が酸化されることを抑制することができる。したがって、信頼性に優れた電子装置を得ることができる。
【００３４】
図１２は、本実施形態の変更例について示した断面図である。
【００３５】
本変更例では、上述した図８の工程の後、第２の保護絶縁膜１６を除去している。図８の工程で犠牲膜１５及び１９を除去した後は通常、特別な高温工程は行われない。そのため、第２の保護絶縁膜１６を除去しても、第２の電極１７ａの表面が酸化されるという問題は生じ難い。したがって、図１２に示すように、第２の保護絶縁膜１６を除去するようにしてもよい。
【００３６】
なお、第２の保護絶縁膜１６をエッチング除去する際に、第１の保護絶縁膜１４もエッチングされるが、第１の保護絶縁膜１４は第２の保護絶縁膜１６よりも十分に厚いため、第１の保護絶縁膜１４は完全には除去されずに残る。
【００３７】
また、図８の工程で犠牲膜１５及び１９を除去する際に、第２の保護絶縁膜１６を除去するようにしてもよい。
【００３８】
（実施形態２）
次に、第２の実施形態について説明する。なお、基本的な構成及び基本的な製造方法は第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
【００３９】
図１３は、第２の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した断面図である。なお、第１の実施形態の図１〜図８に示した構成要素に対応する構成要素には同一の参照番号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【００４０】
本実施形態では、図１３に示されるように、図８の構成に加えて、第２の電極１７ａの下表面（第２の表面）の逆側に位置する上表面（第３の表面）上に、第３の保護絶縁膜３０がさらに設けられている。
【００４１】
第３の保護絶縁膜３０の形成方法について、図１４を参照して説明する。
【００４２】
第１の実施形態の図３の工程の後、図１４の工程を行う。図１４の工程では、第２の電極１７ａ等を形成するための金属膜（アルミニウム膜）を形成した後、金属膜をパターニングする前に、第３の保護絶縁膜３０を金属膜上に形成する。具体的には、上述した金属膜上に、第３の保護絶縁膜３０として、厚さ数ｎｍ〜数百ｎｍ程度のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）をＣＶＤによって形成する。一般的には、第３の保護絶縁膜３０は、シリコン（Ｓｉ）と、窒素（Ｎ）及び酸素（Ｏ）の少なくとも一方とを含む材料で形成される。したがって、第３の保護絶縁膜１６には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を用いることも可能である。
【００４３】
次に、フォトリソグラフィ及びエッチングよって、第３の保護絶縁膜３０、金属膜及び第２の保護絶縁膜１６をパターニングし、開口等を形成する。エッチングには、ＲＩＥ、ＣＤＥ、ウェットエッチング等を用いることができる。
【００４４】
このようにして、図１４に示すような構造が形成される。その後、第１の実施形態の図５〜図８の工程と同様の工程を行うことで、図１３に示すような可変キャパシタを有する電子装置が得られる。
【００４５】
なお、第１の実施形態の変更例（図１２）と同様に、図１３の工程の後で第２の保護絶縁膜１６を除去してもよい。その際に、第３の保護絶縁膜３０も同時に除去するようにしてもよい。また、図１３の工程で犠牲膜１５及び１９を除去する際に、第２の保護絶縁膜１６及び第３の保護絶縁膜３０を除去するようにしてもよい。
【００４６】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１の保護絶縁膜１４及び第２の保護絶縁膜１６を設けることで、第１の電極１３ａの表面及び第２の電極１７ａの表面が酸化されることを抑制することができる。また、本実施形態では、第３の保護絶縁膜３０を設けたことにより、第２の電極１７ａの逆側の表面が酸化されることを抑制することもできる。
【００４７】
なお、上述した第１及び第２の実施形態では、第２の電極１７ａ、上部パッド１７ｂ及び上部電極１７ｃがフラットであったが、例えば図１５に示すように、第２の電極１７ａ、上部パッド１７ｂ及び上部電極１７ｃの端部が下方に曲がっていてもよい。第２の電極１７ａの端部が第１の電極１３ａの外側の領域で曲がっていれば、ダウンステート時に第２の電極１７ａの端部が下地（例えば、保護絶縁膜１４）に接触しない限り、特に問題はない。このように、第２の電極１７ａが第１の電極１３ａに嵌合するような形状を有していてもよい。
【００４８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４９】
１１…半導体基板      １２…下地絶縁膜
１３ａ…第１の電極      １３ｂ…下部パッド      １３ｃ…下部電極
１４…第１の保護絶縁膜      １５…第１の犠牲膜      １６…第２の保護絶縁膜
１７ａ…第２の電極      １７ｂ…上部パッド      １７ｃ…上部電極
１７ｄ…ダミー電極（ダミーパッド）      １７ｅ…ダミー電極（ダミーパッド）
１７ｆ…バイアス線
１８…接続部      １９…第２の犠牲膜      ２０…被覆絶縁膜
２１…フォトレジストパターン      ２２…開口      ２３…空洞
２４…有機絶縁膜      ２５…無機絶縁膜      ３０…第３の保護絶縁膜
【図１】
2015056620.tif 000003
【図２】
2015056620.tif 000004
【図３】
2015056620.tif 000005
【図４】
2015056620.tif 000006
【図５】
2015056620.tif 000007
【図６】
2015056620.tif 000008
【図７】
2015056620.tif 000009
【図８】
2015056620.tif 000010
【図９】
2015056620.tif 000011
【図１０】
2015056620.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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