(57)【要約】【課題】小型で低コストな伝送線路を提供すること。【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された信号線路１２と、基板１０と隣接して配置された基板２０と、基板２０上に配置された信号線路２２と、基板１０上の信号線路２２の端部と対向する位置に配置され、接地電位と接続される接地パターン１４と、信号線路１２と信号線路２２との間を接続するボンディングワイヤ３０と、を有する伝送線路である。本発明によれば、小型で低コストな伝送線路を提供することができる。【選択図】図１
2015046714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に配置された第１信号線路と、
前記第１基板と隣接して配置された第２基板と、
前記第２基板上に配置された第２信号線路と、
前記第１基板上の前記第２信号線路の端部と対向する位置に配置され、接地電位と接続される接地パターンと、
前記第１信号線路と第２信号線路との間を接続する第１ボンディングワイヤと、を有することを特徴とする伝送線路。
【請求項２】
前記第１基板上には、前記第１信号線路の端部において、前記第１信号線路を挟んで配置された第１および第２接地パターンが配置され、
前記第２基板上には、前記第２信号線路の端部において、前記第２信号線路を挟んで配置された第３および第４接地パターンが配置され、
前記第２接地パターンは、前記第２信号線路の端部と対向する位置に配置されてなり、
前記第１接地パターンと前記第３接地パターンとを接続する第２ボンディングワイヤと、
前記第２接地パターンと前記第４接地パターンとを接続する第３ボンディングワイヤと、を有することを特徴とする請求項１記載の伝送線路。
【請求項３】
前記第２接地パターンは、前記第２信号線路の端部および前記第４接地パターンと対向する位置に延在してなることを特徴とする請求項２記載の伝送線路。
【請求項４】
前記第３接地パターンは、前記第１信号線路の端部と対向する位置に配置されてなることを特徴とする請求項２または３記載の伝送線路。
【請求項５】
前記第３接地パターンは、前記第１信号線路の端部および前記第１接地パターンと対向する位置に延在してなることを特徴とする請求項４記載の伝送線路。
【請求項６】
前記第１信号線路は、前記第２信号線路よりも幅が狭い部分を有し、
前記第１信号線路と前記第１接地パターンとの距離および前記第１信号線路と前記第２接地パターンとの距離は、前記第２信号線路と前記第３接地パターンとの距離および前記第２信号線路と前記第４接地パターンとの距離より小さいことを特徴とする請求項２から５いずれか一項記載の伝送線路。
【請求項７】
前記第２信号線路には、前記第２信号線路よりも前記第１信号線路の延長線に近い位置に配置されたボンディング領域が接続され、
前記第１ボンディングワイヤは、前記第１信号線路の端部と前記ボンディング領域との間に接続されてなることを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の伝送線路。
【請求項８】
前記第１信号線路および前記第２信号線路の一方はマイクロストリップラインを形成し、前記第１信号線路および前記第２信号線路の他方はマイクロストリップラインまたはコプレーナラインを形成することを特徴とする請求項１から７いずれか一項記載の伝送線路。
【請求項９】
前記第１基板の側面のうち、前記第２信号線路と対向する位置には、接地電位に接続されたパターンが配置されてなることを特徴とする請求項１から８いずれか一項記載の伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は伝送線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には高周波信号を用いる光変調装置が記載されている。高周波信号の伝送にはコプレーナラインまたはマイクロストリップラインなどの伝送線路が用いられる。複数の伝送線路間において高周波信号を低損失に伝送させるために、伝送線路間のインピーダンス整合を確保する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１５６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インピーダンス整合のために、伝送線路にキャパシタなどの受動部品を接続することがある。しかしながら受動部品は、伝送線路の高コスト化および大型化の原因となる。本発明は、上記課題に鑑み、小型で低コストな伝送線路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、第１基板と、前記第１基板上に配置された第１信号線路と、前記第１基板と隣接して配置された第２基板と、前記第２基板上に配置された第２信号線路と、前記第１基板上の前記第２信号線路の端部と対向する位置に配置され、接地電位と接続される接地パターンと、前記第１信号線路と第２信号線路との間を接続する第１ボンディングワイヤと、を有する伝送線路である。
【０００６】
上記構成において、前記第１基板上には、前記第１信号線路の端部において、前記第１信号線路を挟んで配置された第１および第２接地パターンが配置され、前記第２基板上には、前記第２信号線路の端部において、前記第２信号線路を挟んで配置された第３および第４接地パターンが配置され、前記第２接地パターンは、前記第２信号線路の前記端部と対向する位置に配置されてなり、前記第１接地パターンと前記第３接地パターンとを接続する第２ボンディングワイヤと、前記第２接地パターンと前記第４接地パターンとを接続する第３ボンディングワイヤと、を有する構成とすることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第２接地パターンは、前記第２信号線路の端部および前記第４接地パターンと対向する位置に延在してなる構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第３接地パターンは、前記第１信号線路の端部と対向する位置に配置されてなる構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第３接地パターンは、前記第１信号線路の端部および前記第１接地パターンと対向する位置に延在してなる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１信号線路は、前記第２信号線路よりも幅が狭い部分を有し、前記第１信号線路と前記第１接地パターンとの距離および前記第１信号線路と前記第２接地パターンとの距離は、前記第２信号線路と前記第３接地パターンとの距離および前記第２信号線路と前記第４接地パターンとの距離より小さい構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第２信号線路には、前記第２信号線路よりも前記第１信号線路の延長線に近い位置に配置されたボンディング領域が接続され、前記第１ボンディングワイヤは、前記第１信号線路の端部と前記ボンディング領域との間に接続されてなる構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１信号線路および前記第２信号線路の一方はマイクロストリップラインを形成し、前記第１信号線路および前記第２信号線路の他方はマイクロストリップラインまたはコプレーナラインを形成することを構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１基板の側面のうち、前記第２信号線路と対向する位置には、接地電位に接続されたパターンが配置されてなる構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、小型で低コストな伝送線路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（ａ）は実施例１に係る伝送線路を例示する平面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１（ｃ）は図１（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図２】図２（ａ）はコプレーナラインの拡大図である。図２（ｂ）は伝送線路の等価回路を例示する回路図である。
【図３】図３は比較例に係る伝送線路を例示する平面図である。
【図４】図４（ａ）は実施例２に係る伝送線路を例示する平面図である。図４（ｂ）はコプレーナラインの拡大図である。
【図５】図５（ａ）は実施例３に係る伝送線路を例示する平面図である。図５（ｂ）はコプレーナラインの拡大図である。
【図６】図６（ａ）は実施例４に係る伝送線路を例示する平面図である。図６（ｂ）はコプレーナラインの拡大図である。
【図７】図７は実施例５に係る光モジュールを例示する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
実施例１は信号線路２２と接地パターン１４とがキャパシタとして機能する例である。図１（ａ）は実施例１に係る伝送線路１００を例示する平面図である。信号線路および配線パターンには格子斜線を記入した。図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１（ｃ）は図１（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【００１８】
図１（ａ）から図２（ａ）に示すように、伝送線路１００は２つの基板１０および２０を含む。基板１０（第１基板）は基板２０（第２基板）と離間している。基板１０にはコプレーナライン１１およびマイクロストリップライン１５が設けられている。基板２０にはコプレーナライン２１およびマイクロストリップライン２５が設けられている。コプレーナライン１１は、基板１０の上面に設けられた信号線路１２（第１信号線路）、接地パターン１３および１４を備える。接地パターン１３および１４は信号線路１２から離間している。接地パターン１４（第２接地パターン）は、信号線路１２を挟んで接地パターン１３（第１接地パターン）とは反対側に位置する。コプレーナライン２１は、基板２０の上面に設けられた信号線路２２（第２信号線路）、接地パターン２３および２４を備える。接地パターン２４（第４接地パターン）は、信号線路２２を挟んで接地パターン２３（第３接地パターン）と反対側に位置する。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、基板１０の下面に接地パターン１６が設けられ、接地パターン１６は信号線路１２と重なる。信号線路１２および接地パターン１６はマイクロストリップライン１５を形成する。つまり信号線路１２はコプレーナライン１１およびマイクロストリップライン１５に共用されている。基板２０の下面に接地パターン２６が設けられ、接地パターン２６は信号線路２２と重なる。信号線路２２および接地パターン２６はマイクロストリップライン２５を形成する。信号線路２２はコプレーナライン２１およびマイクロストリップライン２５に共用されている。接地パターン１６は例えば基板１０の下面の全体に設けられている。接地パターン２６は例えば基板２０の下面の全体に設けられている。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、基板１０にはビア配線１７が設けられ、基板２０にはビア配線２７が設けられている。図１（ａ）および図１（ｃ）に示すように、接地パターン１３および１４は基板１０を貫通するビア配線１７により接地パターン１６に電気的に接続されている。接地パターン２３および２４はビア配線２７により接地パターン２６に接続されている。ビア配線１７は、基板１０の基板２０に対向する側面に設けられた溝の壁面に形成された金属からなり、厚さ方向に延びる。ビア配線２７は、基板２０の基板１０に対向する側面に設けられた溝の壁面に形成された金属からなり、厚さ方向に延びる。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、基板１０の信号線路１２と基板２０の信号線路２２とは離間し、基板１０の接地パターンと基板２０の接地パターンとは離間している。基板１０と基板２０との電気的な接続はボンディングワイヤにより行われる。信号線路１２はボンディングワイヤ３０（第１ボンディングワイヤ）により信号線路２２に接続されている。接地パターン１３はボンディングワイヤ３２（第２ボンディングワイヤ）により接地パターン２３に接続されている。接地パターン１４はボンディングワイヤ３４（第３ボンディングワイヤ）により接地パターン２４に接続されている。コプレーナラインおよびマイクロストリップラインの特性インピーダンスが所望の大きさ（例えば５０Ω）になるように、信号線路の線幅、信号線路と接地パターンとの距離などを調節することができる。信号線路２２に入力された高周波信号は、マイクロストリップライン１５およびコプレーナライン１１を伝播し、さらにコプレーナライン２１およびマイクロストリップライン２５を伝播し、出力される。
【００２２】
信号線路、接地パターン、およびビア配線は例えば銅（Ｃｕ）または金（Ａｕ）などの金属により形成されている。基板は例えば樹脂、またはセラミックなどの絶縁体により形成されている。ボンディングワイヤは例えばＡｕなどの金属により形成されている。
【００２３】
図２（ａ）はコプレーナライン１１および２１の拡大図である。ボンディングワイヤは図示していない。図２（ａ）に示すように、接地パターン１４の幅Ｗ２は接地パターン１３の幅Ｗ１より大きい。基板１０と基板２０との距離Ｄ１は例えば１０μｍ以上、５００μｍ以下である。信号線路２２と接地パターン２３との距離Ｄ２は信号線路２２と接地パターン２４との距離Ｄ３より大きい。
【００２４】
図１（ａ）および図２（ａ）に示すように、接地パターン１４は信号線路２２の端部および接地パターン２４と対向する。このため、接地パターン１４と信号線路２２との間に容量性リアクタンス成分（容量成分）が発生する。図１（ｂ）では容量成分を模式的にキャパシタＣ１として表した。なお対向とは、例えば基板１０および２０の配列方向（図１（ａ）の横方向）において向き合うことである。
【００２５】
図２（ｂ）は伝送線路１００の等価回路を例示する回路図である。図２（ｂ）に示すように、入力端子Ｉｎと出力端子Ｏｕｔとの間にマイクロストリップライン１５、コプレーナライン１１、インダクタＬ１、コプレーナライン２１およびマイクロストリップライン２５が直列接続されている。インダクタＬ１とコプレーナライン２１との間にキャパシタＣ１の一端が接続され、キャパシタＣ１の他端にインダクタＬ２の一端が接続されている。インダクタＬ２の他端は接地されている。インダクタＬ１はボンディングワイヤ３０のインダクタンス成分に対応する。インダクタＬ２は、接地パターン１４および２４、並びにビア配線１７および２７のインダクタンス成分に対応する。キャパシタＣ１は接地パターン１４と信号線路２２との間の容量成分に対応する。入力端子Ｉｎは信号線路１２の入力端（例えば図１（ａ）における左端）であり、出力端子Ｏｕｔは信号線路２２の出力端（例えば図１（ａ）における右端）である。
【００２６】
図２（ｂ）に示すキャパシタＣ１、インダクタＬ１およびＬ２が整合回路１９として機能する。整合回路１９によりコプレーナライン１１および２１間のインピーダンス整合が確保される。接地パターン１４と信号線路２２との間に容量成分（キャパシタＣ１）が生じるため、チップキャパシタを基板１０および２０に設けなくてよい。このため伝送線路１００の小型化および低コスト化が可能となる。キャパシタＣ１の容量は距離Ｄ１により調節可能である。距離Ｄ１が小さいほど容量は大きくなり、インピーダンス整合が容易になる。インピーダンス整合をとることにより高周波信号の損失が小さくなる。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、接地パターン１４の幅Ｗ２は幅Ｗ１より大きい。このため接地パターン１４のインダクタンス成分は小さくなる。図２（ｂ）のインダクタＬ２のインダクタンスが小さくなるため、インピーダンス整合が容易になる。例えば接地パターン１４を２つに分割し、一方を信号線路２２に対向させ、他方を接地パターン２４に対向させてもよい。しかし接地パターン１４およびビア配線１７の生成するインダクタンス成分が大きくなり、インピーダンス整合が難しくなる。従って１つの幅広の接地パターン１４を用いることが好ましい。
【００２８】
接地パターン１３は接地パターン２３と対向し、接地パターン１４は接地パターン２４と対向する。このため接地パターン間の結合が強固になり、基準電位（接地電位）が安定する。また接地パターンが対向しない場合に比べ、ボンディングワイヤ３２および３４を短くすることができる。距離Ｄ１が小さいほど、ボンディングワイヤ３０、３２および３４はより短くなる。ボンディングワイヤのインダクタンス成分が小さくなるため、インピーダンス整合が容易になる。
【００２９】
ビア配線１７が基板１０の信号線路２２に対向する側面に設けられていることで、信号線路２２から見た接地面（接地パターン１４およびビア配線１７）が大きくなる。これにより容量性の結合が強くなり、インピーダンス整合が容易になる。なお、ビア配線１７および２７は、基板を貫通する貫通孔の壁面に形成された金属でもよい。また基板１０の側面に接地パターンが設けられてもよい。容量成分が大きくなる。
【００３０】
図３は比較例に係る伝送線路１００Ｒを例示する平面図である。図３に示すように、接地パターン１４は信号線路２２と対向していない。このため接地パターン１４と信号線路２２との間に容量成分が生じにくい。インピーダンス整合のために基板２０にチップキャパシタ３５を設ける。このため、部品数が増えコストが高くなり、また伝送遠路１００Ｒが大型になってしまう。
【実施例２】
【００３１】
実施例２は容量成分を大きくする例である。図４（ａ）は実施例２に係る伝送線路２００を例示する平面図である。図４（ｂ）はコプレーナライン１１および２１の拡大図である。
【００３２】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、接地パターン２３は接地パターン１３とは対向せず、信号線路１２と対向する。実施例２によれば、実施例１と同様に、接地パターン１４と信号線路２２との間に容量成分が発生する。また信号線路１２の端部と接地パターン２３とが対向するため、信号線路１２と接地パターン２３との間にも容量成分が発生する。すなわち図２（ｂ）に示したキャパシタＣ１の容量が大きくなる。このため、実施例２では実施例１に比べ、インピーダンス整合の範囲を拡大することができる。
【００３３】
図４（ｂ）に示す信号線路２２と接地パターン２３との距離Ｄ４は、信号線路２２と接地パターン２４との距離Ｄ５と同一にすることができる。距離Ｄ４およびＤ５は、図２（ａ）に示した距離Ｄ２より小さく、距離Ｄ３と同程度である。距離Ｄ４と距離Ｄ５とを同一にすることで、コプレーナライン２１の特性インピーダンスを５０Ωに近づけることができる。コプレーナライン２１の特性インピーダンスをコプレーナライン１１の特性インピーダンス（５０Ω）に近づけることで、インピーダンス整合が容易になる。
【実施例３】
【００３４】
実施例３は接地パターン間のボンディングワイヤを短くする例である。図５（ａ）は実施例３に係る伝送線路３００を例示する平面図である。図５（ｂ）はコプレーナライン１１および２１の拡大図である。
【００３５】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、接地パターン１４は信号線路２２および接地パターン２４と対向する。接地パターン２３は信号線路１２および接地パターン１３と対向する。このため、実施例３によれば、実施例２と同様に、信号線路１２と接地パターン２４との間に容量成分が生じ、信号線路２２と接地パターン１４との間に容量成分が生じる。容量成分が大きくなるためインピーダンス整合が容易になる。
【００３６】
接地パターン１３が接地パターン２３と対向し、接地パターン１４は接地パターン２４と対向する。接地パターン間の結合が強固になり、基準電位が安定する。またボンディングワイヤ３２および３４が短くなるため、ボンディングワイヤ３２および３４のインダクタンス成分が小さくなり、インピーダンス整合が容易になる。
【実施例４】
【００３７】
実施例４は信号線路間のボンディングワイヤを短くする例である。図６（ａ）は実施例４に係る伝送線路４００を例示する平面図である。図６（ｂ）はコプレーナライン１１の拡大図である。図６（ａ）に示すように、ボンディング領域２２ａは、信号線路２２と一体となるように、信号線路２２の接地パターン２３側に接続されている。ボンディング領域２２ａは、信号線路２２に比べ、信号線路１２の延長線に近い。ボンディング領域２２ａにはボンディングワイヤ３０が接続されている。実施例４によれば実施例１と同様に、信号線路２２と接地パターン１４との間に容量成分が発生するため、インピーダンス整合が可能になる。
【００３８】
図６（ｂ）に示すように、信号線路１２は線路１２ａおよび１２ｂを含む。線路１２ａの幅Ｗ４は線路１２ｂの幅Ｗ３より小さい。線路１２ａはマイクロストリップライン１５を形成し、線路１２ｂはコプレーナライン１１を形成する。線路１２ｂと接地パターン１３または１４との距離Ｄ６は、信号線路２２と接地パターン２３との距離Ｄ４、および信号線路２２と接地パターン２４との距離Ｄ５より小さい。信号線路１２が細く、かつ距離Ｄ６が小さいため、コプレーナライン１１の特性インピーダンスを例えば５０Ωにすることができる。
【００３９】
図６（ａ）に示すように接地パターン１４は接地パターン２４と対向し、接地パターン１３は接地パターン２３と対向する。このため接地パターン間の結合が強固になり、基準電位が安定する。またボンディングワイヤ３２および３４が短くなる。距離Ｄ６が小さいため、信号線路１２と信号線路２２とが近付き、ボンディングワイヤ３０も短くなる。ボンディングワイヤのインダクタンス成分が減少するため、インピーダンス整合が容易になる。ボンディング領域２２ａにボンディングワイヤ３０を接続することによりボンディングワイヤ３０はさらに短くなる。ボンディング領域２２ａの大きさを変えることにより、コプレーナライン２１の特性インピーダンスを調整することができる。実施例１〜３の信号線路２２にボンディング領域２２ａを設けてもよい。
【００４０】
接地パターン１３と信号線路２２との間に容量成分が生じればよく、基板１０および２０にコプレーナラインおよびマイクロストリップラインの一方が設けられていればよい。例えば基板１０にはコプレーナライン１１が設けられ、マイクロストリップライン１５が設けられなくてもよい。基板２０にコプレーナライン２１が設けられ、マイクロストリップライン２５が設けられなくてもよい。信号線路１２および２２の一方はマイクロストリップラインを形成し、他方はマイクロストリップラインまたはコプレーナラインを形成してもよい。例えば、信号線路１２および接地パターン１６がマイクロストリップライン１５を形成し、信号線路１２、接地パターン１３および１４はコプレーナラインを形成しなくてもよい。信号線路２２および接地パターン２６がマイクロストリップライン２５を形成し、信号線路２２、接地パターン２３および２４がコプレーナラインを形成しなくてもよい。
【実施例５】
【００４１】
実施例５は伝送線路を備える光モジュールの例である。図７は実施例５に係る光モジュール５００を例示する平面図である。
【００４２】
図７に示すように、光モジュール５００の筐体４０の底面にＴＥＣ（Thermoelectric Cooler）４４等の温度制御部が配置されている。ＴＥＣ４４上に、例えば酸化アルミニウムまたはセラミック等の絶縁性からなり、かつ熱伝導率の高いキャリア４８、およびレンズホルダ４６が配置されている。レンズホルダ４６にはレンズ４７が保持されている。キャリア４８の上面には接地パターン４８ａおよび４８ｂが設けられている。接地パターン４８ｂの上に、基板２０および５０、サブキャリア５２、並びにキャパシタ５６が設けられている。接地パターン４８ａおよび４８ｂ間に抵抗５８が接続されている。接地パターン４８ａの上にキャパシタ６０が設けられている。
【００４３】
サブキャリア５２は例えば誘電体基板である。サブキャリア５２上に半導体レーザ５４（ＬＤ素子）が配置されている。基板５０の上面には信号線路５０ａが形成されている。信号線路５０ａと、キャリア４８上面の接地パターン４８ａとはマイクロストリップラインを形成する。
【００４４】
筐体４０の前面にレセプタクル４３が固定されている。筐体４０の後側壁には、フィードスルーとして機能する基板１０が埋め込まれている。基板１０には、コプレーナライン１１および信号線路１２ｃが設けられている。基板１０の信号線路１２および１２ｃ、接地パターン１３および１４は、端子４２と電気的に接続されている。基板２０は、基板１０と基板５０との間のブリッジとして機能する。基板２０にはコプレーナライン２１およびマイクロストリップライン２５が設けられている。
【００４５】
基板２０の信号線路２２と基板５０の信号線路５０ａとはボンディングワイヤ６２により電気的に接続されている。信号線路５０ａと半導体レーザ５４とはボンディングワイヤ６４により電気的に接続されている。半導体レーザ５４は、ボンディングワイヤ６６によりキャパシタ５６と電気的に接続され、ボンディングワイヤ６８によりキャパシタ６０と電気的に接続されている。キャパシタ６０と信号線路１２ｃとはボンディングワイヤ７０により接続されている。
【００４６】
電源電圧は、端子４２、信号線路１２ｃおよびキャパシタ６０を通じて半導体レーザ５４に供給される。レーザ駆動ＩＣ（Integrated Circuit、不図示）は光モジュール５００の外部に配置され、光モジュール５００の端子４２に接続される。レーザ駆動ＩＣは、高周波信号である入力信号を増幅し出力する。出力された入力信号は、基板１０のコプレーナライン１１、基板２０のコプレーナライン２１およびマイクロストリップライン２５、基板５０のマイクロストリップラインを介して半導体レーザ５４に入力する。半導体レーザ５４の出力光はレンズ４７により収束され、レセプタクル４３に挿入される光ファイバー（不図示）に出力される。
【００４７】
ＴＥＣ４４は、半導体レーザ５４の温度を一定に保持する。これにより、出力光の波長をロックすることができる。また、基板１０の一部は筐体４０の外部に露出するため、基板１０の温度は外部と同程度になる。基板２０はＴＥＣ４４により冷却される。基板１０の接地パターンと基板２０の接地パターンとは離間しているため、基板１０および２０間では熱が伝わり難く、半導体レーザ５４の温度上昇は抑制される。
【００４８】
実施例５によれば、コプレーナライン１１および２１間のインピーダンス整合をとることにより高周波信号の損失が小さくなる。このため発光効率が高くなる。インピーダンス整合のためにチップキャパシタを設けなくてよいため、光モジュール５００の小型化および低コスト化が可能である。基板１０および２０は実施例１〜４のいずれでもよい。レーザ駆動ＩＣは光モジュール５００に内蔵されてもよい。
【００４９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０、２０                            基板
１１、２１                            コプレーナライン
１３、１４、１６、２３、２４、２６    接地パターン
１５、２５                            マイクロストリップライン
１７、２７                            ビア配線
３０、３２、３４                      ボンディングワイヤ
１００、２００、３００、４００        伝送線路
５００                                光モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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