(57)【要約】【課題】微細な金属膜のパターンを形成する際にもサイドエッチングを抑えることが可能なエッチング方法、電子デバイスの製造方法および偏光板の製造方法を提供する。【解決手段】パターン形成領域を有する基板上に金属膜を成膜することと、前記パターン形成領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、前記パターン形成領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、前記パターン形成領域の金属膜をドライエッチングすることとを含むエッチング方法。【選択図】図４
2015046459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成領域を有する基板上に金属膜を成膜することと、
前記パターン形成領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、前記パターン形成領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、
前記パターン形成領域の金属膜をドライエッチングすることと
を含むエッチング方法。
【請求項２】
前記ドライエッチングでは、前記金属膜の前記マスクから露出された面に前記レジスト膜から生成した側壁保護膜を付着させる
請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記マスクとしてハードマスクを用いる
請求項１記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記金属膜をアルミニウム，チタン，タンタルまたはタングステンを含む材料で成膜する
請求項１記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記金属膜としてアルミニウム膜を含む積層膜を成膜する
請求項１記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記マスクをレジスト材料により形成する
請求項１記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記パターン形成領域を、前記基板に設けられた複数の単位領域各々に形成し、
前記複数の単位領域の外側に前記レジスト膜を成膜する
請求項１記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記パターン形成領域が形成された単位領域内に、更に前記レジスト膜を成膜する
請求項７記載のエッチング方法。
【請求項９】
前記パターン形成領域を前記基板に設けられた複数の単位領域のうちの一部の単位領域に形成すると共に、前記レジスト膜を別の単位領域に成膜する
請求項１記載のエッチング方法。
【請求項１０】
前記パターン形成領域が形成された単位領域内に、更に前記レジスト膜を成膜する
請求項９記載のエッチング方法。
【請求項１１】
配線形成領域を有する基板上に金属膜を成膜することと、
前記配線形成領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、前記配線形成領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、
前記配線形成領域の金属膜をドライエッチングすることにより配線パターンを形成することと
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
入光領域を有する基板上に金属膜を成膜することと、
前記入光領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、前記入光領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、
前記入光領域の金属膜をドライエッチングすることにより偏光パターンを形成することと
を含む偏光板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、ドライエッチングを用いたエッチング方法、このエッチング方法を利用した電子デバイスの製造方法および偏光板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置や撮像装置等の電子デバイスの製造工程では、金属膜をパターニングして配線パターンが形成される。この配線パターンは、例えば以下のようにして形成される。まず、基板の全面に金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、この金属膜上にレジスト膜のパターンを形成する。次いで、このレジスト膜をマスクにして、金属膜をドライエッチングする。その後、レジスト膜を除去することにより所望の配線パターンが得られる。このような配線パターンの形成方法では、金属膜の表面をマスクで覆い、基板面に対して垂直方向にマスクから露出された金属膜を削っていく。しかしながら、エッチング過程では、配線パターンの側壁が露出し、エッチングガス雰囲気下に曝される。これにより、基板面と水平方向に側壁が過剰にエッチングされる、所謂サイドエッチングが生じ易い。特に、アルミニウム材料は腐食し易く、その配線パターンの側壁が大きく削れられる虞がある。
【０００３】
このようなサイドエッチングは、レジスト膜から生成する炭素含有物を保護材として用いることで抑えられる。高密度プラズマを用いるドライエッチング工程では、レジスト膜を構成する高分子から生成する炭素含有物がプラズマ中で分解して、配線パターンの側壁に付着する。これが保護材となり、サイドエッチングを防止することが可能となる（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１８８２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、幅の細い配線パターンに対してレジスト膜の厚みを大きくすると、レジスト膜が不安定になり、倒れる虞がある。このため、配線パターンを微細化すると、レジスト膜は薄くなり、サイドエッチングを防止するために十分な量の保護材が生成されにくくなる。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、微細な金属膜のパターンを形成する際にもサイドエッチングを抑えることが可能なエッチング方法、電子デバイスの製造方法および偏光板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術によるエッチング方法は、パターン形成領域に金属膜を成膜することと、パターン形成領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、パターン形成領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、パターン形成領域の金属膜をドライエッチングすることとを含むものである。
【０００８】
本技術による電子デバイスの製造方法は、上記エッチング方法を用いて配線パターンを形成するものである。
【０００９】
本技術による偏光板の製造方法は、上記エッチング方法を用いて偏光パターンを形成するものである。
【００１０】
本技術のエッチング方法、電子デバイスの製造方法または偏光板の製造方法では、パターン形成領域の周囲にレジスト膜が成膜されているので、ドライエッチング工程では、このレジスト膜から炭素含有物が生成し、この炭素含有物により金属膜のパターンの側壁が覆われる。
【発明の効果】
【００１１】
本技術のエッチング方法、電子デバイスの製造方法および偏光板の製造方法によれば、
パターン形成領域の周囲にレジスト膜を設けるようにしたので、この周囲のレジスト膜から生成した炭素含有物により、金属膜のパターンの側壁を保護することができる。よって、パターン形成領域内が微細なパターンであっても、十分な量の保護材が得られ易くなり、サイドエッチングを抑えることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係るエッチング方法を用いて形成した配線の構成の一例を表す図である。
【図２】図１に示した基板上に絶縁膜を有する場合の断面図である。
【図３】図１に示した配線の形成方法の一工程を表す図である。
【図４】図３に続く工程を示す図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す図である。
【図７】図６に続く工程を表す図である。
【図８】図７に続く工程を表す図である。
【図９Ａ】比較例に係るエッチング方法の一工程を表す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに示したエッチング方法の一工程の他の例を表す断面図である。
【図１０】変形例１に係るエッチング方法の一工程を表す断面図である。
【図１１Ａ】図１０に示したエッチング方法の一工程の他の例を表す断面図である。
【図１１Ｂ】図１０に示したエッチング方法の一工程のその他の例を表す断面図である。
【図１２Ａ】本技術の第２の実施の形態に係るエッチング方法の一工程を表す平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに示したパターン形成領域の構成を表す平面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ａに示したレジスト供給領域の構成を表す平面図である。
【図１３】変形例２に係るエッチング方法の一工程を表す平面図である。
【図１４Ａ】本技術の第３の実施の形態に係るエッチング方法の一工程を表す平面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａに示したパターン形成領域の構成を表す平面図である。
【図１５】変形例３に係るエッチング方法の一工程を表す平面図である。
【図１６】適用例１に係る表示装置の構成を模式的に表す図である。
【図１７】適用例２に係る撮像装置の構成を模式的に表す図である。
【図１８】実施例に係る偏光板の製造方法の一工程を模式的に表す断面図である。
【図１９Ａ】図１２Ａの方法を用いて形成した配線のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真である。
【図１９Ｂ】図９Ｂの方法を用いて形成した配線のＳＥＭ写真である。
【図２０】図１２Ａ、図９Ｂそれぞれの方法を用いて形成した偏光板の消光比を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（エッチング方法：ハードマスクを用いる例）
２．変形例１（レジストマスクを用いる例）
３．第２の実施の形態（エッチング方法：一部の単位領域にパターン形成領域、別の単位領域にレジスト供給領域が各々形成されている例）
４．変形例２（パターン形成領域が形成された単位領域内に、更にレジスト供給領域を有する例）
５．第３の実施の形態（エッチング方法：中央部の単位領域の周囲にレジスト供給領域を有する例）
６．変形例３（パターン形成領域が形成された単位領域内に、更にレジスト供給領域を有する例）
【００１４】
＜第１の実施の形態＞
図１（Ａ）は本技術の第１の実施の形態に係るエッチング方法を用いて形成された配線１２のパターンの平面構成を表したものであり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ-Ｂ線に沿った断面構成を表している。この配線１２は、基板１１上の中央部のパターン形成領域１１Ａに、例えば幅Ｗ１２が７５ｎｍ、隣り合う配線１２間の配線間隔Ｉ１２が７５ｎｍで形成されている。配線１２は、例えば表示装置および撮像装置等の電子デバイスの配線として利用されるものである。パターン形成領域１１Ａは、例えば表示装置および撮像装置等で複数の画素が配置された領域（画素部）に対応する。
【００１５】
図２に示したように、配線１２と基板１１との間に絶縁膜Ｉが設けられていてもよい。この絶縁膜Ｉには例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等を用いることができる。基板１１は例えば、石英，ガラス，シリコンまたはプラスチックフィルムなどの板状部材により構成されている。基板１１の構成材料は、このエッチング方法を用いて製造する装置等の種類に応じて選択すればよい。配線１２は、アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）およびタングステン（Ｗ）等の金属材料により構成されている。配線１２は、積層構造を有するようにしてもよく、例えば、アルミニウムにチタン（Ｔｉ）および窒化チタン（ＴｉＮ）を積層させるようにしてもよい（Ｔｉ/ＴｉＮ/Ａｌ）。あるいは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）をアルミニウムに積層させて（ＷＳｉ/Ａｌ）配線１２を構成するようにしてもよい。
【００１６】
このような配線１２のパターンは、例えば、以下のようなエッチング方法を用いて形成する（図３〜図８）。なお、以下図３，４，６〜８では、図３（Ａ），４（Ａ），６（Ａ），７（Ａ），８（Ａ）は上記図１（Ａ）の平面構成に対応しており、図３（Ｂ），４（Ｂ），６（Ｂ），７（Ｂ），８（Ｂ）はそれぞれ図３（Ａ），４（Ａ），６（Ａ），７（Ａ），８（Ａ）のＢ-Ｂ線に沿った断面構成を表している。
【００１７】
まず、基板１１の全面に絶縁膜（図２の絶縁膜Ｉ）を設けた後、この絶縁膜上に例えばアルミニウムを含む金属膜１２Ａをスパッタリング法等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法により成膜する（図３（Ａ），３（Ｂ））。次いで、図４（Ａ），４（Ｂ）に示したように、基板１１のパターン形成領域１１Ａには所定パターンのハードマスク１３を設け、パターン形成領域１１Ａの周囲を囲むようにレジスト膜１４を設ける（レジスト供給領域１１Ｂ）。詳細は後述するが、本実施の形態では、このようなレジスト供給領域１１Ｂを設けることにより、配線１２が微細なパターンであっても、所望量の保護材（後述の図５の側壁保護膜１４Ｐ）が生成され、配線１２のサイドエッチングを抑えることが可能となる。レジスト供給領域１１Ｂは、例えば表示装置および撮像装置等の画素部の外側に対応する部分である。
【００１８】
ハードマスク１３およびレジスト供給領域１１Ｂは、例えば以下のようにして形成する。まず、基板１１の全面に例えばシリコン酸化膜を成膜した後、これにリソグラフィおよびドライエッチングによる加工を行い、パターン形成領域１１Ａにハードマスク１３を形成する。シリコン酸化膜のパターニングには、例えばレジスト膜（図示せず）をパターニングして形成したマスクを用いる。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、このパターン形成領域１１Ａの周囲にレジスト膜１４を形成する。これによりレジスト供給領域１１Ｂが形成される。レジスト膜１４には、例えば感光性の高分子材料を用いることができる。ハードマスク１３には、上記シリコン酸化膜の他、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等を用いることも可能である。ハードマスク１３の幅Ｗ１３，間隔Ｉ１３は、目的とする配線１２（図１）の幅Ｗ１２，配線間隔Ｉ１２と例えば同じ値に設定する。ハードマスク１３の幅Ｗ１３を配線１２の幅Ｗ１２よりも大きくしてもよい。これにより、配線１２のサイドエッチングを抑えることが可能となる。
【００１９】
ハードマスク１３およびレジスト膜１４を設けた後、ハードマスク１３を用いて、金属膜１２Ａのドライエッチングを行う。ドライエッチングは、例えばプラズマによりエッチングガスをイオン化またはラジカル化して行う。エッチングガスには、例えば、Ｃｌ2またはＢＣｌ3等の塩素系ガスが用いられる。エッチングガスにメタン等の炭化水素系ガスを用いるようにしてもよい。このとき、レジスト膜１４を構成する高分子材料が分解して炭素含有物が生成する。エッチングガスに炭化水素系ガスを用いた場合には、このエッチングガスからも炭素含有物が生成する。
【００２０】
このような炭素含有物が、図５に示したように、側壁保護膜１４Ｐとしてエッチング途中の金属膜１２Ａに付着し、基板１１の表面に対して水平方向の過剰なエッチングを防止する。具体的には、金属膜１２Ａの厚み方向の側面がハードマスク１３から露出されるので、この側面を側壁保護膜１４Ｐが覆い、配線１２（金属膜１２Ａ）のサイドエッチングが抑えられる。基板１１と金属膜１２Ａとの間の絶縁膜Ｉ（図２）は、例えばエッチングストッパーとして機能する。
【００２１】
このように金属膜１２Ａをドライエッチング加工することにより、ハードマスク１３で覆われた部分以外の金属膜１２Ａが除去され、パターン形成領域１１Ａには、ハードマスク１３と同じパターンの配線１２が形成される（図６）。次いで、レジスト供給領域１１Ｂに残存した金属膜１２Ａを除去する。具体的には、図７に示したように、パターン形成領域１１Ａを例えばレジスト膜からなるマスク１５で覆った後、このマスク１５から露出された金属膜１２Ａをエッチングして除去する（図８）。このエッチングにはドライエッチングを用いてもよく、あるいはウェットエッチングを用いてもよい。レジスト供給領域１１Ｂの金属膜１２Ａが、配線１２およびその他の部品等に影響しない場合には、これを除去せずに残しておいてもよい。最後に、必要に応じてハードマスク１３を除去することにより、図１に示した配線１２が完成する。
【００２２】
このように、本実施の形態のエッチング方法では、パターン形成領域１１Ａの周囲にレジスト膜１４を設けて、レジスト供給領域１１Ｂを形成する。これにより、金属膜１２Ａをドライエッチングする際のサイドエッチングを防ぐことが可能となる。以下、これについて説明する。
【００２３】
図９Ａは比較例に係るエッチング方法の一工程の断面構成を表したものである。このエッチング方法では、レジスト供給領域を設けずに金属膜１１２Ａのドライエッチングを行う。金属膜１１２Ａ上には、レジスト膜からなる所定パターンのマスク１１４が設けられており、このマスク１１４の形状に対応して金属膜１１２Ａのパターンが形成される。マスク１１４の幅Ｗ１１４は例えば１００ｎｍであり、このように精細なパターンを形成するためには、例えばＫｒＦ（２４８ｎｍ）またはＡｒＦ（１９８ｎｍ）等を用いた露光を行う。このような露光工程に適用されるマスク１１４の厚みＴ１１４は薄く、例えばＫｒＦでは厚みＴ１１４が３００ｎｍ〜５００ｎｍのマスク１１４、ＡｒＦでは厚みＴ１１４が２００ｎｍ〜３００ｎｍのマスク１１４がそれぞれ用いられる。このような薄いマスク１１４からは十分な量の側壁保護膜（図５の側壁保護膜１４Ｐ）が供給できず、金属膜１１２Ａのサイドエッチングが進行する。従って、金属膜１１２Ａから形成される配線の幅Ｗ１１２は、その厚み方向において一定にならず、マスク１１４の幅Ｗ１１４よりも細くなる部分が形成される（Ｗ１１４＞Ｗ１１２）。金属膜１１２Ａが、例えばアルミニウム等の腐食しやすい材料から構成されている場合には、特に、サイドエッチングが生じ易い。
【００２４】
金属膜１１２Ａの膜厚が大きいと、レジスト膜からなるマスク１１４のみではエッチング選択性を確保することが困難な場合がある。金属膜１１２Ａが積層構造を有する場合にも同様の問題が生じる虞がある。
【００２５】
このような場合には、図９Ｂに示したように、例えば酸化シリコン膜からなるハードマスク１１３を用いる。このハードマスク１１３を用いるエッチングでは、まず、金属膜１１２Ａ上に酸化シリコン膜を成膜した後、この酸化シリコン膜上に所定パターンのレジスト膜（図示せず）を形成する。次いで、このレジスト膜をパターニングしてマスクを形成した後、このマスクを用いて酸化シリコン膜をドライエッチングで加工する。これにより、ハードマスク１１３が形成される。その後、このハードマスク１１３により金属膜１１２Ａのドライエッチング加工を行う。このとき、ハードマスク１１３を形成するのに用いたレジスト膜から炭素含有物が生成するが、上記図９Ａに示した方法よりも、存在するレジスト量が少ないので、よりサイドエッチングが進行し易い。従って、金属膜１１２Ａから形成される配線の幅Ｗ１１２とハードマスク１１３の幅Ｗ１１３とは大きく異なる虞がある（Ｗ１１３＞＞Ｗ１１２）。
【００２６】
これに対し、本実施の形態のエッチング方法では、パターン形成領域１１Ａの周りにレジスト供給領域１１Ｂが設けられているので、パターン形成領域１１Ａ内に存在するレジスト量が制限されても、レジスト供給領域１１Ｂから側壁保護膜１４Ｐ（図５）を補うことができる。よって、配線１２の幅Ｗ１２が微細であっても、配線１２のサイドエッチングを防止することが可能となる。即ち、厚み方向における配線１２の幅Ｗ１２を一定にして、配線１２の断面形状を矩形に近づけることができる。これにより、このエッチング方法を用いて形成した電子デバイスまたは偏光板等の特性を向上させることが可能となる。
【００２７】
また、パターン形成領域１１Ａに、ハードマスク１３を用いることができるので、エッチング選択性を確保しつつ、配線１２のサイドエッチングを防止することができる。
【００２８】
更に、パターン形成領域１１Ａの外側にレジスト供給領域１１Ｂを形成するので、レジスト膜１４が配線１２（金属膜１２Ａ）のパターンに影響を及ぼす虞がない。
【００２９】
このように、本実施の形態では、パターン形成領域１１Ａの周りにレジスト膜１４を配置するようにしたので、金属膜１２Ａのドライエッチング工程でこのレジスト膜１４から側壁保護膜１４Ｐを生成させることができる。よって、配線１２が微細なパターンであっても、十分な量の側壁保護膜１４Ｐを供給し、配線１２のサイドエッチングを抑えることが可能となる。
【００３０】
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００３１】
＜変形例１＞
図１０に示したように、金属膜１２Ａのパターニングにはハードマスク（図４のハードマスク１３）に代えて、レジストマスク２３を用いるようにしてもよい。あるいは、図１１Ａ，図１１Ｂに示したように、ハードマスク１３とレジストマスク２３とを共に用いるようにしてもよい。基板１１上に、レジストマスク２３およびハードマスク１３の順で形成してもよく（図１１Ａ）、基板１１上にハードマスク１３およびレジストマスク２３の順に形成してもよい（図１１Ｂ）。
【００３２】
＜第２の実施の形態＞
図１２Ａは、本技術の第２の実施の形態に係るエッチング方法の一工程を平面視で表したものである。このエッチング方法では、基板１１上の複数の単位領域Ｐのうちの一部の単位領域Ｐにパターン形成領域１１Ａ、別の単位領域Ｐにレジスト供給領域１１Ｂをそれぞれ形成する。この点を除き、このエッチング方法は上記第１の実施の形態と同様に行うものであり、その作用および効果も同様である。
【００３３】
単位領域Ｐは、例えば表示装置の１パネルまたは半導体素子の１チップに相当する領域であり、基板１１上にはこの単位領域Ｐ毎に複数のパターン形成領域１１Ａが形成される。なお、上述の図１は１の単位領域Ｐに相当する部分を表したものである。例えばパターン形成領域１１Ａの単位領域Ｐとレジスト供給領域１１Ｂの単位領域Ｐとは交互に配置される（図１２Ａ）。パターン形成領域１１Ａおよびレジスト供給領域１１Ｂの配置はどのようにしてもよく、例えばウェハ面内を均一にエッチングするために必要な側壁保護膜１４Ｐ（図５）の量に応じて、レジスト供給領域１１Ｂの単位領域Ｐの数を調整すればよい。
【００３４】
図１２Ｂはパターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐの平面構成を表したものである。このように、この単位領域Ｐには金属膜１２Ａ上にハードマスク１３が設けられ、金属膜１２Ａのドライエッチングがなされる。このパターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐの周囲のいずれかの単位領域Ｐは、レジスト供給領域１１Ｂとなる。パターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐの周囲全部の単位領域Ｐがレジスト供給領域１１Ｂであってもよい。
【００３５】
図１２Ｃは、レジスト供給領域１１Ｂとなる単位領域Ｐの平面構成を表したものである。この単位領域Ｐでは、その全面にレジスト膜１４が設けられている。即ち、図１２Ｂに示したパターン形成領域１１Ａと同じ平面形状、同じ面積のレジスト膜１４が設けられている。従って、金属膜１２Ａのドライエッチング加工を行う際に、１の単位領域Ｐ内にパターン形成領域１１Ａと共にレジスト供給領域１１Ｂを設けた場合（例えば、図４）に比べて、より多くの側壁保護膜１４Ｐを供給することが可能となる。よって、上記第１の実施の形態のエッチング方法に比べて、より確実に配線１２のサイドエッチングを防ぐことが可能となる。また、パターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐとは別にレジスト供給領域１１Ｂを形成するので、レジスト供給領域１１Ｂに金属膜１２Ａが残存していても、パターン形成領域１１Ａに影響を及ぼす虞がない。よって、パターン形成領域１１Ａの金属膜１２Ａをパターニングした後に、レジスト供給領域１１Ｂの金属膜１２Ａを除去する工程が不要となる。
【００３６】
＜変形例２＞
図１３に示したように、パターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐ内に、更に、レジスト供給領域１１Ｂ（レジスト膜１４）を設けるようにしてもよい。この単位領域Ｐでは、例えば上記第１の実施の形態で説明したのと同様に、中央部にパターン形成領域１１Ａが、その周囲にレジスト供給領域１１Ｂがそれぞれ設けられている。これにより、単位領域Ｐの全面にレジスト膜１４が設けられたレジスト供給領域１１Ｂ（図１２Ｃ）に加え、パターン形成領域１１Ａにより近い位置からも側壁保護膜１４Ｐを供給して、サイドエッチングを防止することが可能となる。
【００３７】
＜第３の実施の形態＞
図１４Ａは、本技術の第３の実施の形態に係るエッチング方法の一工程を平面視で表したものである。このエッチング方法では、基板１１の中央部に各々パターン形成領域１１Ａが形成された複数の単位領域Ｐを設けて、この複数の単位領域Ｐの外側にレジスト供給領域１１Ｂを形成する。この点を除き、このエッチング方法は上記第１，２の実施の形態と同様に行い、その作用および効果も同様である。
【００３８】
図１４Ｂはパターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐの平面構成を表したものである。この単位領域Ｐでは、金属膜１２Ａ上にハードマスク１３が設けられ、金属膜１２Ａのドライエッチング加工がなされる。基板１１上の全ての単位領域Ｐに、このようなパターン形成領域１１Ａが形成される。
【００３９】
レジスト供給領域１１Ｂ（レジスト膜１４）は、この複数の単位領域Ｐ全体を囲むように形成される。金属膜１２Ａのドライエッチング加工を行う際には、このレジスト供給領域１１Ｂから側壁保護膜１４Ｐ（図５）が生成する。これにより、配線１２のサイドエッチングが抑えられる。また、上記第２の実施の形態と同様に、パターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐの外側にレジスト供給領域１１Ｂを形成するので、レジスト供給領域１１Ｂの金属膜１２を除去する工程が不要となる。
【００４０】
＜変形例３＞
図１５に示したように、パターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐ内に、更に、レジスト供給領域１１Ｂ（レジスト膜１４）を設けるようにしてもよい。この単位領域Ｐでは、例えば上記第１の実施の形態で説明したのと同様に、中央部にパターン形成領域１１Ａが、その周囲にレジスト供給領域１１Ｂがそれぞれ設けられている。これにより、単位領域Ｐの外側のレジスト供給領域１１Ｂ（図１４Ａ）に加え、パターン形成領域１１Ａにより近い位置からも側壁保護膜１４Ｐを供給してサイドエッチングを防止することが可能となる。
【００４１】
＜適用例＞
上記本技術のエッチング方法は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板およびＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）基板等の配線基板の製造に適用可能である。配線基板の配線領域（パターン形成領域）に例えば上記本技術のエッチング方法により配線パターンが形成される。この配線基板を用いて、例えば表示装置および撮像装置等の電子デバイスが製造される。また、上記本技術のエッチング方法は、例えば偏光板の偏光パターンの形成に用いることも可能である。
【００４２】
図１６は、本技術のエッチング方法を用いて製造した表示装置（表示装置１）の全体構成の一例を表したものである。表示装置１は、基板１１と対向基板（図示せず）との間に例えば液晶層または有機ＥＬ（Electroluminescence）層等の表示層を含んでおり、この表示層が画素１００毎に駆動されるようになっている。表示領域１１０には、画素１００がマトリクス状に二次元配置されると共に画素１００を駆動するための画素駆動回路１４０が設けられている。画素駆動回路１４０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）が配置されている。信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点に、一の画素１００が設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続されている。
【００４３】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給されるようになっている。例えば、このような画素駆動回路１４０の配線を上記本技術のエッチング方法を用いて形成することが可能である。
【００４４】
図１７は、本技術のエッチング方法を用いて製造した固体撮像装置（撮像装置２）の全体構成を表している。この撮像装置２はＣＭＯＳイメージセンサであり、半導体基板１１上の中央部に撮像エリアとしての画素部１ａを有している。画素部１ａの周辺領域には、例えば行走査部２３１、システム制御部２３２、水平選択部２３３および列走査部２３４を含む周辺回路部２３０が設けられている。
【００４５】
画素部１ａは、例えば行列状に２次元配置された複数の単位画素２００を有している。この単位画素２００には、例えば画素行ごとに画素駆動線Ｌread（具体的には行選択線およびリセット制御線）が、画素列ごとに垂直信号線Ｌsigが配線されている。画素駆動線Ｌreadは、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものであり、その一端は行走査部２３１の各行に対応した出力端に接続されている。例えば、このような画素駆動線Ｌreadおよび垂直信号線Ｌsig等の配線を上記本技術のエッチング方法を用いて形成することが可能である。
【００４６】
＜実施例＞
以下、本技術の実施例について説明する。
【００４７】
（実験例１）
上記第２の実施の形態で説明したように、所定の単位領域にパターン形成領域、別の単位領域にレジスト供給領域をそれぞれ設け（図１２Ａ）、偏光板を作製した。このパターン形成領域が入光領域に相当する。具体的には、基板１１上にアルミニウムからなる金属膜１２Ａを成膜した後、この金属膜１２Ａ上のパターン形成領域にハードマスク１３を形成してドライエッチング加工を行った。基板１１にはガラスを用いた。パターン形成領域を形成した単位領域の周囲の一部の単位領域全面にレジスト膜を設けて、レジスト供給領域を形成した。パターン形成領域のハードマスク１３の幅Ｗ１３を７８ｎｍ、隣り合うハードマスク１３間の間隔Ｉ１３を７２ｎｍとした（図１８）。
【００４８】
（実験例２）
レジスト供給領域を設けないことを除き、実験例１と同様にして偏光板を作製した（図９Ｂ）。ハードマスク１３の幅Ｗ１３を７３ｎｍ、隣り合うハードマスク１３間の間隔Ｉ１３を７７ｎｍとした（図１８）。
【００４９】
実験例１の偏光板のＳＥＭ写真を図１９Ａ、実験例２の偏光板のＳＥＭ写真を図１９Ｂにそれぞれ示す。ドライエッチング後の金属膜（図１の配線１２）の幅は、実験例１では５９ｎｍ、実験例２では３２ｎｍであった。即ち、実験例１のサイドエッチング量は１９ｎｍ、実験例２のサイドエッチング量は４１ｎｍであった。このように、レジスト供給領域を設けて作製した偏光板（実験例１）では、サイドエッチングを抑えることができた。
【００５０】
図２０は実験例１，２の偏光板の消光比を表したものである。横軸が波長、縦軸が消光比をそれぞれ表している。実験例１の偏光板では、実験例２の偏光板に比べて消光比が大きく向上している。サイドエッチングを抑えて金属膜を所望の幅に精確にパターニングすることにより、偏光板の機能を高めることができることが確認された。
【００５１】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００５２】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【００５３】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）パターン形成領域を有する基板上に金属膜を成膜することと、前記パターン形成領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、前記パターン形成領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、前記パターン形成領域の金属膜をドライエッチングすることとを含むエッチング方法。
（２）前記ドライエッチングでは、前記金属膜の前記マスクから露出された面に前記レジスト膜から生成した側壁保護膜を付着させる前記（１）記載のエッチング方法。
（３）前記マスクとしてハードマスクを用いる前記（１）または（２）記載のエッチング方法。
（４）前記金属膜をアルミニウム，チタン，タンタルまたはタングステンを含む材料で成膜する前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載のエッチング方法。
（５）前記金属膜としてアルミニウム膜を含む積層膜を成膜する前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のエッチング方法。
（６）前記マスクをレジスト材料により形成する前記（１）または（２）記載のエッチング方法。
（７）前記パターン形成領域を、前記基板に設けられた複数の単位領域各々に形成し、前記複数の単位領域の外側に前記レジスト膜を成膜する前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載のエッチング方法。
（８）前記パターン形成領域が形成された単位領域内に、更に前記レジスト膜を成膜する前記（７）記載のエッチング方法。
（９）前記パターン形成領域を前記基板に設けられた複数の単位領域のうちの一部の単位領域に形成すると共に、前記レジスト膜を別の単位領域に成膜する前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載のエッチング方法。
（１０）前記パターン形成領域が形成された単位領域内に、更に前記レジスト膜を成膜する前記（９）記載のエッチング方法。
（１１）配線形成領域を有する基板上に金属膜を成膜することと、前記配線形成領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、前記配線形成領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、前記配線形成領域の金属膜をドライエッチングすることにより配線パターンを形成することとを含む電子デバイスの製造方法。
（１２）入光領域を有する基板上に金属膜を成膜することと、前記入光領域の金属膜上に所定パターンのマスクを形成すると共に、前記入光領域の周囲の少なくとも一部にレジスト膜を成膜することと、前記入光領域の金属膜をドライエッチングすることにより偏光パターンを形成することとを含む偏光板の製造方法。
【符号の説明】
【００５４】
１１・・・基板、１１Ａ・・・パターン形成領域、１１Ｂ・・・レジスト供給領域、１２・・・配線、１２Ａ・・・金属膜、Ｉ・・・絶縁膜、１３・・・ハードマスク、１４・・・レジスト膜、１４Ｐ・・・側壁保護膜、１５・・・マスク、２３・・・レジストマスク、Ｐ・・・単位領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０】
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