(57)【要約】【課題】消費電力の低減が可能な、物体検出装置及び物体検出方法を提供すること。【解決手段】物体の近接状態を感知する第１の光センサの出力に基づいて、前記近接状態に応じた近接検出信号を出力する近接検出部と、物体の移動方向を感知する第２の光センサの出力をモニタするモニタ部と、前記モニタ部への給電を前記近接検出信号に基づいて制限する制御部とを備える、物体検出装置。例えば、前記制御部は、物体が近づいていると前記近接検出信号に基づいて判定されるとき、前記モニタ部への給電を開始し、物体が離れていると前記近接検出信号に基づいて判定される前に、前記モニタ部への給電を終了する。【選択図】図１
2015230241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の近接状態を感知する第１の光センサの出力に基づいて、前記近接状態に応じた近接検出信号を出力する近接検出部と、
物体の移動方向を感知する第２の光センサの出力をモニタするモニタ部と、
前記モニタ部への給電を前記近接検出信号に基づいて制限する制御部とを備える、物体検出装置。
【請求項２】
前記制御部は、物体が近づいていると前記近接検出信号に基づいて判定されるとき、前記モニタ部への給電を開始する、請求項１に記載の物体検出装置。
【請求項３】
前記制御部は、物体が離れていると前記近接検出信号に基づいて判定される前に、前記モニタ部への給電を終了する、請求項２に記載の物体検出装置。
【請求項４】
前記制御部は、物体が離れていると前記近接検出信号に基づいて判定されるとき、前記モニタ部への給電を開始する、請求項３に記載の物体検出装置。
【請求項５】
前記制御部は、物体が近づいていると前記近接検出信号に基づいて判定される前に、前記モニタ部への給電を終了する、請求項４に記載の物体検出装置。
【請求項６】
前記モニタ部は、前記第２の光センサの出力を、前記移動方向に応じたデジタルデータに変換する、請求項１から５のいずれか一項に記載の物体検出装置。
【請求項７】
前記モニタ部は、前記第２の光センサの出力が入力されるトランスインピーダンスアンプと、前記トランスインピーダンスアンプの出力を前記デジタルデータに変換するＡＤコンバータとを有し、
前記制御部は、前記トランスインピーダンスアンプと前記ＡＤコンバータの少なくとも一方への給電を制限する、請求項６に記載の物体検出装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記近接検出信号に基づいて前記デジタルデータをメモリに格納する、請求項６又は７に記載の物体検出装置。
【請求項９】
前記制御部は、物体が近づいていると前記近接検出信号に基づいて判定される時に前記モニタ部から出力される前記デジタルデータを、第１のメモリに取り込み、物体が離れていると前記近接検出信号に基づいて判定される時に前記モニタ部から出力される前記デジタルデータを、第２のメモリに取り込む、請求項８に記載の物体検出装置。
【請求項１０】
前記第１のメモリに取り込まれた前記デジタルデータと前記第２のメモリに取り込まれた前記デジタルデータとに基づいて、物体の移動方向を判定する判定部を備える、請求項９に記載の物体検出装置。
【請求項１１】
前記第１の光センサと前記第２の光センサとを備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の物体検出装置。
【請求項１２】
前記第１の光センサの受光表面と前記第２の光センサの受光表面とは、同一平面上に存在する、請求項１１に記載の物体検出装置。
【請求項１３】
前記第１の光センサは、前記第２の光センサの受光表面の外側に受光表面を有する、請求項１１又は１２に記載の物体検出装置。
【請求項１４】
物体の近接状態を感知する第１の光センサの出力に基づいて、前記近接状態に応じた近接検出信号を出力するステップと、
物体の移動方向を感知する第２の光センサの出力をモニタするモニタ部への給電を前記近接検出信号に基づいて制限するステップとを備える、物体検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体検出装置及び物体検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
物体の移動を感知するフォトデテクタの出力に基づいて、物体の移動方向を判定する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１３／０３３４３９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の従来技術は、物体の近接状態にかかわらず（例えば、感知対象の物体が離れていても）、フォトデテクタの出力を常時モニタするので、そのモニタ動作によって消費電力が増加する。
【０００５】
そこで、消費電力の低減が可能な、物体検出装置及び物体検出方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの案では、
物体の近接状態を感知する第１の光センサの出力に基づいて、前記近接状態に応じた近接検出信号を出力する近接検出部と、
物体の移動方向を感知する第２の光センサの出力をモニタするモニタ部と、
前記モニタ部への給電を前記近接検出信号に基づいて制限する制御部とを備える、物体検出装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一態様によれば、モニタ部への給電が近接検出信号に基づいて制限されるので、物体の近接状態に応じて消費電力を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】物体検出装置の一例を示す構成図
【図２】第１の光センサ及び第２の光センサの配置の一例を示す平面図
【図３】モニタ部及び制御部の一例を示す構成図
【図４】物体検出方法の一例を示すフローチャート
【図５】モニタ部への給電を制限する制御信号の一例を示すタイミングチャート
【図６】モニタ部への給電を制限する制御信号の一例を示すタイミングチャート
【図７】モニタ部への給電を制限する制御信号の一例を示すタイミングチャート
【図８】第１の光センサ及び第２の光センサの配置の他の一例を示す平面図
【図９】第１の光センサ及び第２の光センサの配置の他の一例を示す平面図
【図１０】第１の光センサ及び第２の光センサの配置の他の一例を示す平面図
【図１１】第１の光センサ及び第２の光センサの配置の他の一例を示す平面図
【図１２】第１の光センサ及び第２の光センサの配置の他の一例を示す平面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。
【００１０】
図１は、一実施形態に係る物体検出装置１の一例を示す構成図である。物体検出装置１は、到来する光を検出することによって、物体の近接状態及び移動方向（ジェスチャ）を検出する装置である。物体検出装置１は、例えば、光が発光素子から放射されるように発光素子を駆動し、発光素子から放射される光が物体で反射することにより到来する光を受光素子で受光することによって、物体の近接状態及び移動方向を検出する。
【００１１】
物体検出装置１は、例えば、スマートフォンなどの携帯型情報機器に搭載される半導体集積回路であり、人の手又は指等の物体の近接状態及び移動方向を検出する。
【００１２】
物体検出装置１は、ドライバ５０を備える。ドライバ５０は、例えば、赤外線を放射するように発光素子等の光源を駆動する回路である。発光素子の具体例として、発光ダイオードなどが挙げられる。ドライバ５０は、制御部２０からの駆動制御信号に従って、赤外線を放射するように発光素子等の光源を駆動する。
【００１３】
物体検出装置１は、フォトダイオードＷを備える。フォトダイオードＷは、物体の近接状態（近接度合い）を光電効果を利用して感知する第１の光センサの一例であり、例えば、光起電型の受光素子である。フォトダイオードＷは、自身と物体との近接度合いに応じた大きさの電流を出力し、例えば、物体が自身に近接するほど大きな電流を出力する。
【００１４】
物体検出装置１は、近接検出部１０を備える。近接検出部１０は、フォトダイオードＷの出力に基づいて、フォトダイオードＷで感知された物体の近接状態に応じた近接検出信号を制御部２０に対して出力する。近接検出部１０は、例えば、変換回路１１と、近接判定回路１２とを有する回路である。
【００１５】
変換回路１１は、フォトダイオードＷのアナログの電流出力を、フォトダイオードＷで感知された物体の近接状態に応じたデジタルデータに変換して出力する。変換回路１１は、例えば、フォトダイオードＷの出力が入力されるトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）と、トランスインピーダンスアンプの出力が入力されるＡＤ（analog-to-digital）コンバータとを有する。
【００１６】
近接判定回路１２は、変換回路１１のＡＤコンバータから出力されるデジタルデータに基づいて、フォトダイオードＷで感知された物体の近接状態に応じた近接検出信号を制御部２０に対して出力する。近接判定回路１２は、例えば、変換回路１１のＡＤコンバータからのデジタルデータに基づいて、フォトダイオードＷで感知された物体が近づいていることを示す近接検出信号又はフォトダイオードＷで感知された物体が離れていることを示す近接検出信号を出力する。
【００１７】
変換回路１１のＡＤコンバータから出力されるデジタルデータ（或いは、近接検出部１０の近接判定回路１２から出力される近接検出信号）は、物体の近接状態を表す信号として、物体検出装置１の外部に出力されてもよい。物体検出装置１の外部とは、例えば、物体検出装置１を搭載する電子機器に内蔵されるマイクロコンピュータなどの制御装置である。
【００１８】
物体検出装置１は、４つのフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを備える。フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、いずれも、物体の移動方向を光電効果を利用して感知する第２の光センサの一例であり、例えば、光起電型の受光素子である。フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ、フォトダイオードＷと同様に、自身と物体との近接度合いに応じた大きさの電流を出力し、例えば、物体が自身に近接するほど大きな電流を出力する。
【００１９】
図２は、物体の近接状態の感知に用いられるフォトダイオードＷ及び物体の移動方向を感知するためのフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの配置の一例を示す平面図である。
【００２０】
フォトダイオードＷは、光を受光する受光表面をＸＹ平面に平行に有し、当該受光表面側に位置する物体の近接状態に応じた大きさの電流を出力する。フォトダイオードＷは、ＸＹ平面に直交するＺ軸方向から見ると（ＸＹ平面視において）、円環状の受光表面を有する。フォトダイオードＷは、円環状の受光表面を有することにより、ＸＹ平面視において、どの方向から到来する光も等価に受光できるので、任意の方向に位置する物体の近接状態を等価に感知できる。
【００２１】
フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ、光を受光する受光表面をＸＹ平面に平行に有し、当該受光表面側に位置する物体の移動方向に応じた大きさの電流を出力する。フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ、フォトダイオードＷの円環状の受光表面の内側に、隣接するフォトダイオードの受光表面との間に一定の間隔が空くように配置される扇形の受光表面を有する。例えば、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの扇形の受光表面は、いずれも、９０°の中心角を有する。
【００２２】
フォトダイオードＷの円環状の受光表面とフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの扇形の受光表面とは、同一平面上に存在する。これにより、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに近接する物体の近接状態を、フォトダイオードＷの出力に基づいて検出することが可能となる。
【００２３】
フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの扇形の受光表面は、それぞれ、中心側の受光面積よりも広い受光面積を円周側（弧側）に有するので、弧の外側から到来する光の検出感度は、中心側から到来する光の検出感度よりも高い。そのため、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ、物体が近づく方向の違いに応じて、比較的明確に区別可能な電流波形を出力できる。
【００２４】
図１において、物体検出装置１は、変換部３０を備える。変換部３０は、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの出力をモニタするモニタ部の一例であり、例えば、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄのアナログの電流出力を、物体の移動方向に応じたデジタルデータに変換して出力する回路である。
【００２５】
変換部３０は、各々のフォトダイオードに対して変換回路を有する。変換回路３０Ａは、フォトダイオードＡのアナログの電流出力をデジタルデータに変換して出力し、変換回路３０Ｂは、フォトダイオードＢのアナログの電流出力をデジタルデータに変換して出力し、変換回路３０Ｃは、フォトダイオードＣのアナログの電流出力をデジタルデータに変換して出力し、変換回路３０Ｄは、フォトダイオードＤのアナログの電流出力をデジタルデータに変換して出力する。
【００２６】
物体検出装置１は、制御部２０を備える。制御部２０は、近接検出部１０の近接判定回路１２から出力される近接検出信号に基づいて、変換部３０への給電を制限する制御信号を出力する回路の一例である。変換部３０への給電が近接検出部１０の近接判定回路１２からの近接検出信号に基づいて制限されるので、物体の近接状態に応じて物体検出装置１の消費電力を低減することが可能となる。
【００２７】
制御部２０は、例えば、物体が近づいていると近接検出信号に基づいて判定されるとき、変換部３０への給電を開始する。これにより、制御部２０は、物体が近づいていると近接検出信号に基づいて判定されるまで、変換部３０への給電を制限できる。なぜならば、物体が近づいていると判定されるまでは、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの出力に基づいて物体の移動方向の判定がそもそも不能であり、変換部３０はフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの出力を常時モニタする必要はないからである。
【００２８】
また、フォトダイオードＷは、図２のように、ＸＹ平面視において、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの受光表面の外側に受光表面を有する。これにより、フォトダイオードＷの外側から接近する物体が速やかに感知されるので、制御部２０は、変換部３０への給電を速やかに開始できる。
【００２９】
図３は、変換部３０及び制御部２０の一例を示す構成図である。図１に示される変換回路３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄのそれぞれについて、トランスインピーダンスアンプ３１と、ＡＤコンバータ３５とを有する。図３は、説明の便宜上、変換回路３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄのうちの一つの変換回路への給電が制御部２０により制限される場合を示す。もちろん、制御部２０は、変換回路３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄの全ての給電を制限することにより、物体検出装置１の消費電力を大幅に削減できる。
【００３０】
トランスインピーダンスアンプ３１は、フォトダイオードＰＤ（フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄのうちのいずれか一つ）の出力が入力される回路である。トランスインピーダンスアンプ３１は、フォトダイオードＰＤの出力電流をトランスインピーダンス３３で電圧に変換して出力する回路であり、トランスインピーダンス３３で負帰還されるオペアンプ３２を有する。オペアンプ３２は、基準電圧源３４の基準電圧が入力される非反転入力端子と、フォトダイオードＰＤのカソードが接続される反転入力端子とを有する。フォトダイオードＰＤのアノードは、図示の場合、グランド電位のグランドノード７１に接続される。
【００３１】
なお、フォトダイオードＰＤ又はフォトダイオードＷは、アノードを電流出力端子とする構造を有する受光素子でもよい。
【００３２】
ＡＤコンバータ３５は、トランスインピーダンスアンプ３１の出力が入力される回路であり、トランスインピーダンスアンプ３１のアナログの出力電圧を、フォトダイオードＰＤで感知された物体の移動方向に応じたデジタルデータに変換して出力する回路である。
【００３３】
制御部２０は、トランスインピーダンスアンプ３１とＡＤコンバータ３５の少なくとも一方への給電を制限することで、物体検出装置１の消費電力を低減できる。制御部２０は、例えば、制御ロジック回路２１と、スイッチ２２と、スイッチ２３とを有する。
【００３４】
制御ロジック回路２１は、図１に示される近接検出部１０の近接判定回路１２からの近接検出信号に従って、スイッチ２２及び／又はスイッチ２３をオンオフする制御信号を出力する。制御ロジック回路２１は、例えば、スイッチ２２をオンからオフに切り替えることにより、電源ノード７２からトランスインピーダンスアンプ３１のオペアンプ３２に供給される電力を遮断できる。同様に、制御ロジック回路２１は、スイッチ２３をオンからオフに切り替えることにより、電源ノード７２からＡＤコンバータ３５に供給される電力を遮断できる。スイッチ２２，２３は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal  Oxide   Semiconductor  Field  Effect  Transistor）等のトランジスタである。
【００３５】
図１において、物体検出装置１は、レジスタ４０を備える。レジスタ４０は、変換部３０から出力される、物体の移動方向に応じたデジタルデータが格納されるメモリの一例である。制御部２０は、近接検出部１０の近接判定回路１２からの近接検出信号に基づいて、当該デジタルデータをレジスタ４０に格納する。これにより、物体の近接状態に応じた適切なタイミングで、物体の移動判定に応じたデジタルデータをレジスタ４０に格納することができる。レジスタ４０は、例えば、第１のレジスタ４１と、第２のレジスタ４２とを有する。
【００３６】
物体検出装置１は、判定回路６０を備える。判定回路６０は、レジスタ４０に格納されたデジタルデータに基づいて、物体の移動方向を判定する判定部の一例である。判定回路６０は、例えば、物体の移動方向の判定結果を表す信号を、物体検出装置１の外部（例えば、物体検出装置１を搭載する電子機器のマイクロコンピュータなどの制御装置）に出力する。
【００３７】
図４は、物体検出方法の一例を示すフローチャートである。図４の物体検出方法は、制御部２０により実行される。図４に示される各ステップを図５，６，７を参照して以下説明するが、各ステップを説明する前に図５，６，７について簡単に説明する。
【００３８】
図５は、各フォトダイオードの電流出力（又は、電流出力に対応するデジタルデータ出力）と変換部３０への給電を制限する制御信号との関係の一例を示すタイミングチャートである。図５は、図２の構成において、物体がフォトダイオードＡ側からフォトダイオードＢ側へ向かう方向に移動する場合を示す。物体が各フォトダイオードの受光表面に近づくにつれて、各フォトダイオードの電流出力は上昇し、物体が各フォトダイオードの受光表面から離れるにつれて、各フォトダイオードの電流出力は低下する。図６は、図５の立ち上がり波形の部分を拡大した図であり、図７は、図５の立ち下がり波形の部分を拡大した図である。
【００３９】
次に、図４に示される各ステップを図５，６，７を参照して以下説明する。
【００４０】
制御部２０は、ステップＳ１０で起動信号（図１参照）が制御部２０よりも上位の制御装置から入力されると、ステップＳ２０で近接検出部１０への給電を開始する。これにより、起動信号が入力されるまで近接検出部１０への給電が制限されるので、物体検出装置１の消費電力を低減できる。
【００４１】
ステップＳ３０は、フォトダイオードＷの出力に基づいて、物体の近接状態に応じた近接検出信号を出力するステップである。ステップＳ３０において、近接判定回路１２は、フォトダイオードＷの電流出力が所定のトリガレベルよりも小さな値から大きな値に変化することが検出されるタイミングｔ１で、近接検出信号をローレベルからハイレベルに切り替える。制御部２０は、近接検出信号がローレベルからハイレベルに切り替わることに基づいて、物体とフォトダイオードＷとの距離が短くなるように物体が近づいていると判定できる。制御部２０は、近接検出信号がローレベルからハイレベルに切り替わるタイミングｔ１に同期して変換部３０への給電を開始させるため、制御信号をローレベルからハイレベルに切り替える（ステップＳ４０）。
【００４２】
制御信号がローレベルである場合、変換部３０への給電が制限され、制御信号がハイレベルである場合、変換部３０への給電が実行される。
【００４３】
制御部２０は、ステップＳ４０で変換部３０への給電を開始させてから、タイミングｔ１で変換部３０から出力されるデジタルデータを第１のレジスタ４１に取り込む（ステップＳ５０）。これにより、制御部２０は、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄそれぞれのタイミングｔ１での電流出力に対応する各デジタルデータを、第１のレジスタ４１に格納できる。
【００４４】
制御部２０は、デジタルデータが第１のレジスタ４１に格納された後、物体が離れていると近接検出信号に基づいて判定されるタイミングｔ３の前に、変換部３０への給電を終了させる。そのため、制御部２０は、タイミングｔ１から所定時間経過したタイミングｔ２で、制御信号をハイレベルからローレベルに切り替える。制御部２０は、制御信号がハイレベルからローレベルに切り替わるタイミングｔ２で、変換部３０への給電を終了する（ステップＳ６０）。このように、制御部２０は、物体が近づいていることを示す近接検出信号に同期して、タイミングｔ１からタイミングｔ２までの期間に変換部３０から出力されるデジタルデータを、第１のレジスタ４１に格納する。
【００４５】
ステップＳ７０において、近接判定回路１２は、フォトダイオードＷの電流出力が所定のトリガレベルよりも大きな値から小さな値に変化することが検出されるタイミングｔ３で、近接検出信号をハイレベルからローレベルに切り替える。制御部２０は、近接検出信号がハイレベルからローレベルに切り替わることに基づいて、物体とフォトダイオードＷとの距離が長くなるように物体が離れていると判定できる。制御部２０は、近接検出信号がハイレベルからローレベルに切り替わるタイミングｔ３に同期して変換部３０への給電を開始させるため、制御信号をローレベルからハイレベルに切り替える（ステップＳ８０）。
【００４６】
制御部２０は、ステップＳ８０で変換部３０への給電を開始させてから、タイミングｔ３で変換部３０から出力されるデジタルデータを第２のレジスタ４２に取り込む（ステップＳ９０）。これにより、制御部２０は、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄそれぞれのタイミングｔ３での電流出力に対応する各デジタルデータを、第２のレジスタ４２に格納できる。
【００４７】
制御部２０は、デジタルデータが第２のレジスタ４２に格納された後、物体が再び近づいていると近接検出信号に基づいて判定されるタイミングの前に、変換部３０への給電を終了させる。そのため、制御部２０は、タイミングｔ３から所定時間経過したタイミングｔ４で、制御信号をハイレベルからローレベルに切り替える。制御部２０は、制御信号がハイレベルからローレベルに切り替わるタイミングｔ４で、変換部３０への給電を終了する（ステップＳ１００）。このように、制御部２０は、物体が離れていることを示す近接検出信号に同期して、タイミングｔ３からタイミングｔ４までの期間に変換部３０から出力されるデジタルデータを、第２のレジスタ４２に格納する。
【００４８】
ステップＳ１００の処理の後、ステップＳ３０以降の処理が繰り返される。
【００４９】
したがって、判定回路６０は、ステップＳ５０で第１のレジスタ４１に格納されたデジタルデータと、ステップＳ９０で第２のレジスタ４２に格納されたデジタルデータとに基づいて、物体の移動方向を判定できる。
【００５０】
図２に示されるフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの扇形の受光表面は、それぞれ、中心側の受光面積よりも広い受光面積を円周側（弧側）に有するので、弧の外側から到来する光の検出感度は、中心側から到来する光の検出感度よりも高い。
【００５１】
そのため、物体がＸ軸方向においてフォトダイオードＡ側からフォトダイオードＢ側に移動すると、各電流出力は、フォトダイオードＡ→フォトダイオードＣ，Ｄ→フォトダイオードＢの順番に立ち上がり、タイミングｔ１での各電流出力の大きさは互いに異なる（図６参照）。タイミングｔ１での各電流出力の大きさは、その立ち上がりの順番が早いほど大きい。同様に、物体がＸ軸方向においてフォトダイオードＡ側からフォトダイオードＢ側に移動すると、各電流出力は、フォトダイオードＡ→フォトダイオードＣ，Ｄ→フォトダイオードＢの順番に立ち下がり、タイミングｔ３での各電流出力の大きさは互いに異なる（図７参照）。タイミングｔ３での各電流出力の大きさは、その立ち下がりの順番が早いほど小さい。
【００５２】
判定回路６０は、例えば、第１のレジスタ４１にステップＳ５０で格納されたデジタルデータを用いて、差Ｘ１（＝Ａ１−Ｂ１）と差Ｙ１（＝Ｃ１−Ｄ１）とを算出し、第２のレジスタ４２にステップＳ９０で格納されたデジタルデータを用いて、差Ｘ２（＝Ａ２−Ｂ２）と差Ｙ２（＝Ｃ２−Ｄ２）とを算出する。Ａ１，Ｂ１，Ｃ１，Ｄ１は、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄのタイミングｔ１での電流出力に対応するデジタルデータであり、Ａ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２は、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄのタイミングｔ３での電流出力に対応するデジタルデータである。
【００５３】
判定回路６０は、差Ｘ１が正であり且つ差Ｘ２が負である場合、物体の移動方向はフォトダイオードＡ側からフォトダイオードＢ側に向かうＸ軸に平行な方向と判定する。判定回路６０は、差Ｘ１が負であり且つ差Ｘ２が正である場合、物体の移動方向はフォトダイオードＢ側からフォトダイオードＡ側に向かうＸ軸に平行な方向と判定する。判定回路６０は、差Ｙ１が正であり且つ差Ｙ２が負である場合、物体の移動方向はフォトダイオードＣ側からフォトダイオードＤ側に向かうＹ軸に平行な方向と判定する。判定回路６０は、差Ｙ１が負であり且つ差Ｙ２が正である場合、物体の移動方向はフォトダイオードＤ側からフォトダイオードＣ側に向かうＹ軸に平行な方向と判定する。
【００５４】
判定回路６０は、フォトダイオードＷの電流出力の立ち上がり期間と立ち下がり期間の両方で取得されたフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄのデジタルデータを使用することにより、物体の移動方向の誤判定を防止できる。
【００５５】
図８は、物体の近接状態を感知するフォトダイオードＷ及び物体の移動を感知するフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの配置の他の一例を示す平面図である。フォトダイオードＷは、円環状とは異なる環形状（例えば、多角形の枠形状）で形成された受光表面を有するものでもよい。図８の場合、フォトダイオードＷは、四角形の枠形状で形成された受光表面を有する。フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、扇形とは異なる形状で形成された受光表面を有するものでもよい。図８の場合、フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ、正方形の受光表面を有する。
【００５６】
図９，１０は、物体の近接状態を感知するフォトダイオードＷ及び物体の移動を感知するフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの配置の他の一例を示す平面図である。フォトダイオードＷの個数は、一つに限られず、複数（図示の場合４つ）であってもよい。
【００５７】
図１１，１２は、物体の近接状態を感知するフォトダイオードＷ及び物体の移動を感知するフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの配置の他の一例を示す平面図である。フォトダイオードＷの受光表面はフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの受光表面の内側（フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの受光表面はフォトダイオードＷの受光表面の外側）に配置されてもよい。
【００５８】
以上、物体検出装置及び物体検出方法を実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。他の実施形態の一部又は全部との組み合わせや置換などの種々の変形及び改良が、本発明の範囲内で可能である。
【００５９】
例えば、第１の光センサ又は第２の光センサは、フォトダイオード以外の他の光電素子でもよく、例えば、フォトトランジスタでもよい。
【００６０】
また、物体検出装置が搭載される製品は、携帯型情報機器以外の他の製品でもよく、例えば、自動車や家電機器などでもよい。
【００６１】
また、感知対象の物体は、手又は指等の人体の一部に限られず、操作棒又はタッチペン等の操作入力補助具でもよい。
【００６２】
また、図５において、制御部２０は、タイミングｔ１からタイミングｔ２までの期間及びタイミングｔ３からタイミングｔ４までの期間に限らず、タイミングｔ２からタイミングｔ３までの期間、給電制限の解除を継続してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１  物体検出装置
１０  近接検出部
１１  変換回路
１２  近接判定回路
２０  制御部
２１  制御ロジック回路
２１，２２  スイッチ
３０  変換部
３１  トランスインピーダンスアンプ
３５  ＡＤコンバータ
４０  レジスタ（メモリの一例）
４１  第１のレジスタ（第１のメモリの一例）
４２  第２のレジスタ（第２のメモリの一例）
５０  ドライバ
６０  判定回路
７１  グランドノード
７２  電源ノード
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｗ  フォトダイオード
【図１】
2015230241.tif 000003
【図２】
2015230241.tif 000004
【図３】
2015230241.tif 000005
【図４】
2015230241.tif 000006
【図５】
2015230241.tif 000007
【図６】
2015230241.tif 000008
【図７】
2015230241.tif 000009
【図８】
2015230241.tif 000010
【図９】
2015230241.tif 000011
【図１０】
2015230241.tif 000012
【図１１】
2015230241.tif 000013
【図１２】
2015230241.tif 000014