(57)【要約】【課題】製造時に可動部が変形することが防止されるＭＥＭＳモジュールを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳモジュールは、第１面１１ａ及び第２面１１ｂと、第２面上に配置される複数の第１電極パッド１３及び複数の第１電極パッドに囲まれるように配置される第２電極パッド１４と、第１面１１ａと複数の第１電極パッド１３又は第２電極パッド１４との間を接続する内部配線１２を有するインタポーザ１１と、第２面１１ｂ上に配置され、複数の第１電極パッド１３及び第２電極パッド１４と接続する駆動回路部３０と、インターポーザ１１よりも小さい寸法を有し、第１面１１ａ上において、平面視して複数の第１電極パッド１３に囲まれるように配置され、駆動回路部３０により駆動されるＭＥＭＳ素子２０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面と、前記第２面上に配置される複数の第１電極パッド及び前記複数の第１電極パッドに囲まれるように配置される第２電極パッドと、前記第１面と前記複数の第１電極パッド又は前記第２電極パッドとの間を接続する内部配線を有するインターポーザと、
前記第２面上に配置され、前記複数の第１電極パッド及び前記第２電極パッドと接続する駆動回路部と、
前記インターポーザよりも小さい寸法を有し、前記第１面上において、平面視して前記複数の第１電極パッドに囲まれるように配置され、前記駆動回路部により駆動されるＭＥＭＳ素子と、
を備えるＭＥＭＳモジュール。
【請求項２】
前記第２電極パッドは、前記ＭＥＭＳ素子が前記第１面上に配置される領域と対向する前記第２面上の領域に配置される請求項１に記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項３】
前記第２電極パッドは、前記ＭＥＭＳ素子が前記第１面上に配置される領域と対向する前記第２面上の領域を、外方に前記インターポーザの厚さだけ広げた領域内に配置される請求項１に記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項４】
前記第２電極パッドは、前記ＭＥＭＳ素子と電気的に接続されないダミーパッドである請求項１〜３の何れか一項に記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項５】
前記インターポーザよりも小さい寸法を有し、前記インターポーザの前記第１面上において、前記ＭＥＭＳ素子よりも外側に配置され、前記駆動回路部により駆動される他のＭＥＭＳ素子を備える請求項１〜４の何れか一項に記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項６】
第１面及び第２面と、前記第２面上に配置される複数の第１電極パッド及び前記複数の第１電極パッドに囲まれるように配置される第２電極パッドと、前記第１面と前記複数の第１電極パッド又は前記第２電極パッドとの間を接続する内部配線を有するインターポーザの前記第２面上に対して、駆動回路部を、前記複数の第１電極パッド及び前記第２電極パッドを介して接続し、
前記インターポーザよりも小さい寸法を有し、前記駆動回路部により駆動されるＭＥＭＳ素子を、平面視して前記複数の第１電極パッドに囲まれるように前記インターポーザの前記第１面上に押圧しながら接続するＭＥＭＳモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳモジュール及びＭＥＭＳモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＥＭＳ素子を備えるＭＥＭＳモジュールが提案されている。
【０００３】
例えば、ＭＥＭＳ素子であるＭＥＭＳスイッチは、半導体スイッチと比べて、電気絶縁特性に優れており、ＲＦ回路等のスイッチング素子として用いられる。ＭＥＭＳスイッチは、カンチレバー構造又は両持ち梁構造等の可動部を有しており、この可動部を駆動することにより、機械式スイッチとして機能する。
【０００４】
また、電子機器の高性能化に伴って、複数の素子を３次元に積層する技術が開発されている。
【０００５】
このような技術を用いて、ＭＥＭＳスイッチ等のＭＥＭＳ素子がインターポーザ上に積層されたＭＥＭＳモジュールが開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１００６５２号公報
【特許文献２】特開２００８−５１６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＭＥＭＳモジュールの製造工程には、ＭＥＭＳ素子に荷重を加えてインターポーザ上に接続する工程がある。
【０００８】
この工程で受ける外力に起因して、ＭＥＭＳ素子の可動部が変形し、可動部の動作に影響を与える場合がある。
【０００９】
そこで、本明細書では、製造時に可動部が変形することを防止できるＭＥＭＳモジュールを提供することを課題とする。
【００１０】
また、本明細書では、可動部が変形することを防止できるＭＥＭＳモジュールの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの一形態によれば、第１面及び第２面と、上記第２面上に配置される複数の第１電極パッド及び上記複数の第１電極パッドに囲まれるように配置される第２電極パッドと、上記第１面と上記複数の第１電極パッド又は上記第２電極パッドとの間を接続する内部配線を有するインターポーザと、上記第２面上に配置され、上記複数の第１電極パッド及び上記第２電極パッドと接続する駆動回路部と、上記インターポーザよりも小さい寸法を有し、上記第１面上において、平面視して上記複数の第１電極パッドに囲まれるように配置され、上記駆動回路部により駆動されるＭＥＭＳ素子と、を備える。
【００１２】
また、本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの製造方法の一形態によれば、第１面及び第２面と、上記第２面上に配置される複数の第１電極パッド及び上記複数の第１電極パッドに囲まれるように配置される第２電極パッドと、上記第１面と上記複数の第１電極パッド又は上記第２電極パッドとの間を接続する内部配線を有するインターポーザの上記第２面上に対して、駆動回路部を、上記複数の第１電極パッド及び上記第２電極パッドを介して接続し、上記インターポーザよりも小さい寸法を有し、上記駆動回路部により駆動されるＭＥＭＳ素子を、平面視して上記複数の第１電極パッドに囲まれるように上記インターポーザの上記第１面上に押圧しながら接続する。
【発明の効果】
【００１３】
上述した本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの一形態によれば、製造時に可動部が変形することを防止できる。
【００１４】
また、上述した本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの製造方法の一形態によれば、可動部が変形することを防止できる。
【００１５】
本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。
【００１６】
前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】第２電極パッドを備えないＭＥＭＳモジュールの製造方法を説明する図である。
【図４】図３に示す製造方法で製造されたＭＥＭＳモジュールのＭＥＭＳ素子を説明する図である。
【図５】ＭＥＭＳモジュールを製造する時にＭＥＭＳ素子へ加えられる荷重とバンプの変形量との関係を示す図である。
【図６】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの製造方法の一実施形態の工程（その１）を説明する図である。
【図７】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの製造方法の一実施形態の工程（その２）を説明する図である。
【図８】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの製造方法の一実施形態の工程（その３）を説明する図である。
【図９】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの製造方法の一実施形態の工程（その４）を説明する図である。
【図１０】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの製造方法の一実施形態の工程（その５）を説明する図である。
【図１１】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの変型例１を示す平面図である。
【図１２】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの変型例２を示す平面図である。
【図１３】本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの変型例３を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本明細書で開示するＭＥＭＳモジュールの好ましい一実施形態を、図を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【００１９】
図１は、本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの一実施形態を示す平面図である。図２は、図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２０】
本実施形態のＭＥＭＳモジュール１０は、第１面１１ａ及び第２面１１ｂを有するインタポーザ１１と、インタポーザ１１の第１面１１ａ上に配置された複数のＭＥＭＳ素子２０，２１と、インタポーザ１１の第２面１１ｂ上に配置され、複数のＭＥＭＳ素子２０，２１を駆動する駆動回路部３０を備える。
【００２１】
ＭＥＭＳモジュール１０では、インターポーザ１１は、例えば、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）を用いて形成される。
【００２２】
ＭＥＭＳモジュール１０は、入力した高周波信号をフィルタリングして出力するいわゆるＲＦ  ＭＥＭＳモジュールである。
【００２３】
ＭＥＭＳモジュール１０は、ＭＥＭＳスイッチである複数のＭＥＭＳ素子２０，２１を用いて信号経路を選択することにより、信号のフィルタリング特性が可変となる。
【００２４】
インターポーザ１１の第１面１１ａ上には、キャパシタ又はコイルである受動素子１６が配置される。ＭＥＭＳ素子２０，２１は、受動素子１６と、バンプ１７を介して電気的に接続する。バンプ１７の形成材料として、例えば、金を用いることができる。
【００２５】
受動素子１６の静電容量又はインダクタンスの値によって、信号経路が有するフィルタ特性が決定される。ＭＥＭＳ素子２０，２１のスイッチングによって、所望の静電容量又はインダクタンスを有する受動素子１６が配置される信号経路が選択される。
【００２６】
インターポーザ１１の第１面１１ａ上には、平面視してインターポーザよりも小さい寸法を有する複数のＭＥＭＳ素子２０，２１が配置される。第１面１１ａの中央部には、第１ＭＥＭＳ素子２０が配置される。第１ＭＥＭＳ素子２０の外側には、複数の第２ＭＥＭＳ素子２１が、中央に位置する第１ＭＥＭＳ素子２０を囲むように、第１面１１ａ上に配置される。
【００２７】
インターポーザ１１の第２面１１ｂ上には、複数の第１電極パッド１３が環状に配置される。具体的には、複数の第１電極パッド１３は、ＭＥＭＳモジュール１０を平面視して、環状に配置される第２ＭＥＭＳ素子２１と重なるように配置される。
【００２８】
複数の第１電極パッド１３は、内部配線１２を介して、第１面１１ａ上に配置された受動素子１６と電気的に接続する。複数の第１電極パッド１３は、内部配線１２及び受動素子１６を介して、ＭＥＭＳ素子２０，２１と電気的に接続する。
【００２９】
また、インターポーザ１１の第２面１１ｂ上には、複数の第１電極パッド１３に囲まれるように２つの第２電極パッド１４が配置される。具体的には、ＭＥＭＳモジュール１０では、第２電極パッド１４が、第１ＭＥＭＳ素子２０が第１面１１ａ上に配置される領域と対向する第２面１１ｂ上の領域Ａ３に配置される。
【００３０】
２つの第２電極パッド１４は、内部配線１２を介して、第１面１１ａ上に配置された受動素子１６と電気的に接続する。２つの第２電極パッド１４は、内部配線１２及び受動素子１６を介して、ＭＥＭＳ素子２０，２１と電気的に接続する。
【００３１】
２つの第２電極パッド１４は、矩形の形状を有する第１ＭＥＭＳ素子２０の長辺の向きと平行に間隔をあけて並べて配置される。
【００３２】
詳しくは後述するが、第２電極パッド１４は、ＭＥＭＳモジュール１０の製造工程において、第１ＭＥＭＳ素子２０が変形することが防止する働きを有する。
【００３３】
第１ＭＥＭＳ素子２０が変形することが防止する観点から、第２電極パッド１４は、第２面１１ｂ上において、少なくとも、複数の第１電極パッド１３に囲まれる領域Ａ１に配置される。
【００３４】
特に、第２電極パッド１４は、第１ＭＥＭＳ素子２０が第１面１１ａ上に配置される領域と対向する第２面１１ｂ上の領域Ａ３を、外方にインターポーザ１１の厚さだけ広げた領域Ａ２内に配置されることが好ましい。ここで、領域Ａ２は、領域Ａ３を含み、領域Ａ１は、Ａ２を含む。
【００３５】
更には、第２電極パッド１４は、上述したように、第２面１１ｂ上の領域Ａ３内に配置されることが、ＭＥＭＳ素子の可動部が変形することを確実に防止する上で好ましい。
【００３６】
このように、ＭＥＭＳモジュール１０では、第１ＭＥＭＳ素子２０が、インターポーザ１１の第１面１１ａ上において、ＭＥＭＳモジュール１０を平面視して、複数の第１電極パッド１３に囲まれるように配置される。これは、第１ＭＥＭＳ素子２０が、複数の第１電極パッド１３に囲まれる第２面１１ｂ上の領域Ａ３と対向する第１面１１ａ上の領域に配置されることを意味する。
【００３７】
第２電極パッド１４は、ＭＥＭＳモジュール１０の製造工程において、ＭＥＭＳ素子が変形することが防止すれば良いので、ＭＥＭＳ素子２０，２１と電気的に接続されないダミーパッドであっても良い。この場合、第２電極パッド１４は、内部配線１２と接続しなくても良い。
【００３８】
駆動回路部３０は、インターポーザ１１の第２面１１ｂ上に配置され、複数の第１電極パッド１３及び２つの第２電極パッド１４と接続する。
【００３９】
駆動回路部３０には、複数の第１電極パッド１３及び２つの第２電極パッド１４と対応する位置に第４電極パッド３１が配置される。各第４電極パッド３１は、バンプ３２を介して、複数の第１電極パッド１３及び２つの第２電極パッド１４と電気的に接続する。バンプ３２の形成材料として、例えば、はんだを用いることができる。
【００４０】
インタポーザ１１の第２面１１ｂと駆動回路部３０との間の空間には、充填材３３が充填される。
【００４１】
駆動回路部３０は、インタポーザ１１を介して、ＭＥＭＳ素子２０，２１と電気的に接続する。ＭＥＭＳスイッチであるＭＥＭＳ素子２０，２１の導通状態が駆動回路部３０により制御されて、信号経路の選択が行われる。
【００４２】
また、インターポーザ１１の第２面１１ｂの外周に沿って、複数の第３電極パッド１５が配置される。複数の第３電極パッド１５は、第１電極パッド１３の外側に配置される。第３電極パッド１５は、内部配線１２を介して、ＭＥＭＳ素子２０，２１又は駆動回路部３０と電気的に接続する。
【００４３】
ＭＥＭＳモジュール１０には、第３電極パッド１５を介して、外部から高周波信号が入力される。また、ＭＥＭＳモジュール１０でフィルタリングされた高周波信号は、第３電極パッド１５を介して、外部に出力される。更に、ＭＥＭＳモジュール１０には、第３電極パッド１５を介して、駆動回路部３０を制御する制御信号が入力される。
【００４４】
なお、図２では、図面を分かりやすくするために、一部の構成要素の記載を省略している。
【００４５】
次に、ＭＥＭＳモジュール１０の各構成要素の寸法について、以下に説明する。
【００４６】
インターポーザ１１を平面視した寸法としては、例えば、４．７ｍｍ×３．６ｍｍとすることができる。インターポーザ１１の厚さとしては、例えば、４００μｍ〜７００μｍとすることができる。ＭＥＭＳ素子２０，２１を平面視した寸法としては、例えば、１．２ｍｍ×１ｍｍとすることができる。駆動回路部３０を平面視した寸法としては、例えば、３．５ｍｍ×２．５ｍｍとすることができる。
【００４７】
バンプ１７の寸法としては、例えば、５０μｍ〜１００μｍとすることができる。バンプ３２の寸法としては、例えば、１００μｍとすることができる。
【００４８】
通常、上述した寸法を有するインターポーザ１１は、第１ＭＥＭＳ素子２０を第１面１１ａ上に荷重を加えて接続する際に撓むような剛性を有する。
【００４９】
次に、第２電極パッド１４の働きを説明するために、第２電極パッドを備えないＭＥＭＳモジュールの製造方法を説明する。
【００５０】
図３は、第２電極パッドを備えないＭＥＭＳモジュールの製造方法を説明する図である。図４は、図３に示す製造方法で製造されたＭＥＭＳモジュールのＭＥＭＳ素子を説明する図である。
【００５１】
まず、駆動回路部３０が第２面１１ｂ上に配置されたインターポーザ１１が、ステージ４０上に載置される。インターポーザ１１は、吸引孔４１から吸引されて、ステージ４０に吸着固定される。
【００５２】
インターポーザ１１の第２面１１ｂ上には複数の第１電極パッド１３が配置されているが、第２電極パッドは配置されていない。
【００５３】
図４（Ａ）は、インターポーザ１１の第１面１１ａに配置される第１ＭＥＭＳ素子２０の可動部の構造を示す。
【００５４】
第１ＭＥＭＳ素子２０は、第１基板５０と、第１基板５０との間に密閉空間５４を形成するように対向して配置される第２基板５１を有する。第１基板５０は、空洞５３と、空洞５３上に配置され、両持ち梁構造を有し、上下に運動可能な可動部５２を有する。可動部５２上には、第１接点５５が配置される。また、第２基板５１上には、第１接点５５と間隔をあけて対向する第２接点５６が配置される。可動部５２上には、駆動信号を入力して長さ及び厚さが変動する駆動部５７が配置される。駆動された駆動部５７が変形することにより、可動部５２が上下に運動して、第１接点５５と第２接点５６とが接離する。
【００５５】
次に、第１ＭＥＭＳ素子２０を、インターポーザ１１の第１面１１ａの中央部の受動素子１６上に、バンプ１７を介して、押圧しながら接続する。インタポーザ１１の中央部には、第２電極パッドが配置されていないので、第１ＭＥＭＳ素子２０に加えられる荷重によって、インターポーザ１１の中央部がステージ４０側に向かって湾曲するように撓む。
【００５６】
このように、インターポーザ１１が撓んだ状態で第１ＭＥＭＳ素子２０がインターポーザ１１に接続されると、第１ＭＥＭＳ素子２０に加えられる荷重が取り除かれると、インターポーザ１１の形状が復元する。この時、インターポーザ１１は、第１ＭＥＭＳ素子２０を変形させる。
【００５７】
図４（Ｂ）に示すように、第１ＭＥＭＳ素子２０が変形することにより、可動部５２が上方に向かって撓む（図４（Ｂ）の鎖線を参照）。その結果、第１接点５５と第２接点５６との間の間隔が変化するか、又は、第１接点５５と第２接点５６とが接触した状態になる場合がある。第１接点５５と第２接点５６との間隔が変化すると、接点同士を接離させる駆動量が変わるので、あらかじめ設定された駆動信号で駆動される駆動部５７は、接離を制御できなくなる場合がある。
【００５８】
このように、第２電極パッドを備えないＭＥＭＳモジュールでは、ＭＥＭＳモジュールの製造工程で受ける外力に起因して、ＭＥＭＳ素子の可動部が変形し、可動部の動作に影響を与えるおそれがある。
【００５９】
そこで、ＭＥＭＳモジュール１０では、第２電極パッド１４を、複数の第１電極パッド１３に囲まれる領域Ａ１に配置し、インターポーザ１１が変形することを抑制するので、第１ＭＥＭＳ素子２０が変形することを防止できる。
【００６０】
また、ＭＥＭＳモジュール１０は、インターポーザ１１が変形することが抑制されるので、第１ＭＥＭＳ素子２０に対して十分な大きさの荷重を加えて、インターポーザ１１に接続することができる。従って、第１ＭＥＭＳ素子２０をインターポーザ１１に確実に接合できるので、ＭＥＭＳモジュール１０の信頼性を向上させる。
【００６１】
図５は、ＭＥＭＳモジュールを製造する時に第１ＭＥＭＳ素子へ加えられる荷重とバンプの変形量との関係を示す図である。
【００６２】
図５の横軸は、第１ＭＥＭＳ素子２０を、インターポーザ１１の第１面１１ａの中央部の受動素子１６上に、バンプ１７を介して、押圧しながら接続する時に、第１ＭＥＭＳ素子２０に加えられる荷重を示す。図５の横軸は、第１ＭＥＭＳ素子２０と受動素子１６との間に配置されるバンプ１７の変形量を示す。
【００６３】
領域Ｗ１は、図３に示す第２電極パッドを備えないＭＥＭＳモジュールにおいて、第１ＭＥＭＳ素子２０の可動部の動作が影響を受けない荷重と変形量の範囲を示す。
【００６４】
図３に示す第２電極パッドを備えないＭＥＭＳモジュールでは、荷重が１００ｇＦ程度であれば、バンプ１７の変形量も小さいので、インターポーザ１１の変形を抑制できるため、第１ＭＥＭＳ素子２０の可動部の動作に影響を受けないように接合することができる。
【００６５】
しかし、領域Ｗ１の条件で接合された第１ＭＥＭＳ素子２０と、インターポーザ１１との接合強度は、１００〜１８０ｇＦであった。この接合強度は、インターポーザ１１上に接合された第１ＭＥＭＳ素子２０に対してせん断方向に力を加えて、第１ＭＥＭＳ素子２０とインターポーザ１１との接合が破壊される力の大きさを意味する。
【００６６】
一方、第２電極パッド１４を備えるＭＥＭＳモジュール１０では、例えば、５００ｇＦを超える荷重を加える領域Ｗ２の条件で、第１ＭＥＭＳ素子２０をインターポーザ１１に接合することができる。領域Ｗ２の条件で接合された第１ＭＥＭＳ素子２０と、インターポーザ１１との接合強度は、２５０〜３００ｇＦであった。
【００６７】
従って、ＭＥＭＳモジュール１０は、第１ＭＥＭＳ素子２０とインターポーザ１１との接合強度が十分に大きいので、第１ＭＥＭＳ素子２０が確実にインターポーザ１１に接合されるため、高い信頼性を有する。
【００６８】
なお、第２ＭＥＭＳ素子２１は、ＭＥＭＳモジュール１０を平面視して、第２ＭＥＭＳ素子２１と重なるように配置される第１電極パッド１３の働きにより、第１ＭＥＭＳ素子２０と同等の接合強度でインターポーザ１１に接合される。
【００６９】
次に、上述した本実施形態のＭＥＭＳモジュール１０の好ましい製造方法の一実施形態を、図面を参照して、以下に説明する。
【００７０】
まず、図６に示すように、内部配線１２を有するインターポーザ１１が用意される。そして、受動素子１６が第１面１１ａ上に配置され、また、複数の第１電極パッド１３及び２つの第２電極パッド１４及び複数の第３電極パッド１５が第２面１１ｂ上に形成される。
【００７１】
次に、図７に示すように、複数の第４電極パッド３１を有する駆動回路部３０が、複数の第１電極パッド１３及び２つの第２電極パッド１４を介して、第２面１１ｂ上に接続される。具体的には、複数の第１電極パッド１３及び２つの第２電極パッド１４は、対応する第４電極パッド３１と、バンプ３２を介して接続される。
【００７２】
ＭＥＭＳ素子のような可動部を有さない駆動回路部３０をインターポーザ１１に接続する場合には、図３及び図４で説明したような事象は、通常、問題とならない。
【００７３】
次に、図８に示すように、インタポーザ１１の第２面１１ｂと駆動回路部３０との間の空間に、充填材３３が充填される。
【００７４】
次に、図９に示すように、駆動回路部３０が第２面１１ｂ上に配置されたインターポーザ１１が、ステージ４０上に載置される。インターポーザ１１は、吸引孔４１から吸引されて、ステージ４０に吸着固定される。
【００７５】
そして、第１ＭＥＭＳ素子２０が、ＭＥＭＳモジュール１０を平面視して、複数の第１電極パッド１３に囲まれるように、インターポーザ１１の第１面１１ａ上に押圧しながら接続される。具体的には、第１ＭＥＭＳ素子２０が、複数の第１電極パッド１３に囲まれる第２面１１ｂ上の領域Ａ１と対向する第１面１１ａ上の領域に配置された受動素子１６に対して、バンプ１７を介して押圧しながら接続される。
【００７６】
本実施形態では、第２電極パッド１４が、複数の第１電極パッド１３に囲まれる領域Ａ１、好ましくは領域Ａ２、更に好ましくは領域Ａ３に配置され、インターポーザ１１が変形することを抑制するので、第１ＭＥＭＳ素子２０が変形することを防止できる。
【００７７】
次に、図１０に示すように、複数の第２ＭＥＭＳ素子２１が、第１ＭＥＭＳ素子２０の外側に、第１ＭＥＭＳ素子２０を囲むように第１面１１ａ上に接続されて、図１及び図２に示すＭＥＭＳモジュール１０が得られる。具体的には、複数の第２ＭＥＭＳ素子２１が、第１面１１ａ上に配置された受動素子１６に対して、バンプ１７を介して押圧しながら接続される。
【００７８】
上述した本実施形態のＭＥＭＳモジュール１０及びＭＥＭＳモジュールの製造方法によれば、製造時に第１ＭＥＭＳ素子２０の可動部が変形することが防止される。
【００７９】
また、ＭＥＭＳモジュール１０によれば、インターポーザ１１上に複数のＭＥＭＳ素子２０、２１を十分な荷重を加えて接合できるので、高い信頼性を有する。
【００８０】
次に、上述したＭＥＭＳモジュールの変型例を、図１１〜図１３を参照しながら以下に説明する。変型例について特に説明しない点については、上述の実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。
【００８１】
図１１は、本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの変型例１を示す平面図である。
【００８２】
本変型例のＭＥＭＳモジュール１０では、２つの第２電極パッド１４が、第２面１１ｂ上の領域Ａ３に配置される。２つの第２電極パッド１４は、矩形の形状を有する第１ＭＥＭＳ素子２０の長辺の向きと交差する方向に間隔をあけて配置される。
【００８３】
図１２は、本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの変型例２を示す平面図である。
【００８４】
本変型例のＭＥＭＳモジュール１０では、２つの第２電極パッド１４が、第２面１１ｂ上の領域Ａ２であって、領域Ａ３以外の部分に配置される。具体的には、２つの第２電極パッド１４は、矩形の形状を有する領域Ａ２の長辺の向きと交差する方向に間隔をあけて配置される。
【００８５】
図１３は、本明細書に開示するＭＥＭＳモジュールの変型例３を示す平面図である。
【００８６】
本変型例のＭＥＭＳモジュール１０では、２つの第２電極パッド１４が、第２面１１ｂ上の領域Ａ１であって、領域Ａ２以外の部分に配置される。具体的には、２つの第２電極パッド１４は、矩形の形状を有する領域Ａ１の長辺の向きと交差する方向に間隔をあけて配置される。
【００８７】
本発明では、上述した実施形態のＭＥＭＳモジュール及びＭＥＭＳモジュールの製造方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。
【００８８】
例えば、上述した実施形態又は変型例では、第１ＭＥＭＳ素子２０は、インターポーザ１１の中央部に配置されていたが、第１ＭＥＭＳ素子２０は、インターポーザ１１の中央部に配置されていなくても良い。第１ＭＥＭＳ素子２０は、ＭＥＭＳモジュール１０を平面視して、複数の第１電極パッド１３に囲まれるように配置されていれば良い。
【００８９】
また、上述した実施形態又は変型例では、２つの第２電極パッド１４が第２面１１ｂ上に配置されていたが、少なくとも１つの第２電極パッド１４が第２面１１ｂ上に配置されていれば良い。
【００９０】
ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。
【符号の説明】
【００９１】
１０    ＭＥＭＳモジュール
１１    インターポーザ
１１ａ    第１面
１１ｂ    第２面
１２    内部配線
１３    第１電極パッド
１４    第２電極パッド
１５    第３電極パッド
１６    受動素子
１７    バンプ
２０    第１ＭＥＭＳ素子
２１    第２ＭＥＭＳ素子
３０    駆動回路部
３１    第４電極パッド
３２    バンプ
３３    充填材
Ａ１    第１領域
Ａ２    第２領域
Ａ３    第３領域
４０    ステージ
４１    吸引孔
５０    第１基板
５１    第２基板
５２    可動部
５３    空洞
５４    空間
５５    第１接点
５６    第２接点
５７    駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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