(57)【要約】【課題】  ダイシングの際、集積回路領域に影響を及ぼすことなく、検査用パッドを設けたスクライブライン領域を切断することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置１は、その検査を行うためにスクライブライン領域１２に配置され、ダイシングブレード４０によって切断されるパッド構造部２０を備え、パッド構造部２０は、絶縁膜層２１ｂ、２１ｃと、絶縁膜層２１ｂ、２１ｃの両面に積層された導体層２２ａ〜２２ｃと、絶縁膜層２１ｂ、２１ｃを貫通し、その両面の導体層２２ａ〜２２ｃを接合する複数の導体プラグ２４ａ、２４ｂを有し、複数の導体プラグ２４ａ、２４ｂは、半導体装置１の検査が行われた後にダイシングブレード４０によってパッド構造部２０が切断されるときに、絶縁膜層２１ｂ、２１ｃの両面の導体層２２ａ〜２２ｃの間の間隔が複数の導体プラグ２４ａ、２４ｂによって保持されるように配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（３０）に形成された集積回路（１０ａ）を含む複数の集積回路領域（１０）と、当該複数の集積回路領域を区画するスクライブライン領域（１２）とが設けられ、前記複数の集積回路領域を分割するために前記スクライブライン領域に沿ってダイシングブレード（４０）で切断される半導体装置であって、
当該半導体装置の検査を行うために前記スクライブライン領域に配置され、当該半導体装置の検査が行われた後に前記ダイシングブレードによって前記スクライブライン領域とともに切断されるパッド構造部（２０）を備え、
当該パッド構造部は、
前記半導体基板の一方の面側に設けられた絶縁膜層（２１ｂ、２１ｃ）と、
当該絶縁膜層の一方および他方の面にそれぞれ積層された導体層（２２ａ〜２２ｃ）と、
前記絶縁膜層を貫通するように当該絶縁膜層に設けられ、当該絶縁膜層の一方の面側および他方の面側の前記導体層にそれぞれ接合された状態で当該導体層を電気的に接続する複数の導体プラグ（２４ａ、２４ｂ）と、
導体で構成され、前記導体層に電気的に接続されるとともに露出するパッド本体（２５）と、
を有し、
前記複数の導体プラグは、前記ダイシングブレードによって前記絶縁膜層および前記導体層が切断されるときに、前記絶縁膜層の一方の面側および他方の面側の前記導体層の間の間隔が前記複数の導体プラグによって保持されるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の導体プラグは、前記絶縁膜層に偏りなく分布するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記パッド構造部は、交互に積層された複数の前記絶縁層膜および前記導体層を有し、
当該絶縁膜層に設けられた前記複数の導体プラグは、前記スクライブライン領域の延びる方向、および前記スクライブライン領域の延びる方向に対して直行する方向に並設され、
互いに隣接する前記絶縁膜層のうち、一方の前記絶縁膜層に埋設された前記複数の導体プラグは、他方の前記絶縁膜層に埋設された前記複数の導体プラグに対し、前記絶縁膜層の厚さ方向に重複しないように、前記スクライブライン領域の延びる方向に対して直行する方向にずらして配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の導体プラグは、前記スクライブライン領域の延びる方向、および当該スクライブライン領域の延びる方向に対して直行する方向に並設され、
互いに隣接する前記導体プラグの間の間隔は、前記ダイシングブレードによって前記導体層および前記絶縁膜層が切断されるときに、前記絶縁膜層の一方の面側および他方の面側の前記導体層の間の間隔が前記複数の導体プラグによって保持されるように設定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記パッド構造部は、交互に積層された複数の前記絶縁層膜および前記導体層を有し、
当該絶縁膜層に設けられた前記複数の導体プラグは千鳥状に配置され、
互いに隣接する前記導体プラグの間の間隔は、前記ダイシングブレードによって前記導体層および前記絶縁膜層が切断されるときに、前記絶縁膜層の一方の面側および他方の面側の前記導体層の間の間隔が前記複数の導体プラグによって保持されるように設定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の導体プラグはそれぞれタングステンで構成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線を半導体ウエハに形成した半導体装置に関し、特に、検査用のパッドをダイシングの際に切断されるスクライブライン領域に設けた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置として、例えば特許文献１に開示されたものが知られている。この半導体装置は、半導体素子が形成された半導体ウエハと、半導体ウエハに積層された複数の金属層および層間絶縁膜などによって構成されている。また、半導体装置には、半導体素子や金属層による集積回路がそれぞれ配置された複数の集積回路領域と、集積回路領域を区画するスクライブライン領域（ダイシング領域）とが設けられている。半導体装置は、半導体チップの製造工程において、ダイシングブレードでスクライブライン領域に沿って分割される。
【０００３】
また、従来の半導体装置として検査用のパッド構造部を設けたものが知られている。このパッド構造部は、半導体ウエハに形成した素子の出来栄えなどを確認する検査のみに用いられるものであり、半導体ウエハを効率的に利用するためにスクライブライン領域に形成されることがある。パッド構造部は、半導体ウエハに交互に積層された複数の絶縁膜層および導体層と、最外層に設けられ、検査の際に検査装置の検査針を接触させるためのパッドを有している。複数の導体層は、絶縁膜層を貫通する導体プラグによって相互に、また、半導体ウエハに検査用に形成された半導体素子に電気的に接続されている。
【０００４】
このような半導体装置では、パッドに例えば検査装置の検査針を接触させることにより、半導体ウエハに形成した半導体素子の電気的な特性が検査される。また、パッド構造部の形成過程において、導体層まで形成した段階で露出した導体層に検査針を接触させることにより、導体層間の配線抵抗などの検査も行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１８５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述した特許文献に係る半導体装置のスクライブライン領域に検査用のパッド構造部を設けた場合、ダイシングブレードによる分割の際、パッド構造部が大きく変形して外観を損なってしまうおそれがある。ダイシングブレードは高速で回転し、スクライブライン領域をパッド構造部とともに削りながら切断するので、パッド構造部の絶縁膜層や導体層が切断される際、これらは、ダイシングブレードによる切断面から互いに剥離して大きくめくりあげられてしまう。特に、密着強度の相対的に弱い絶縁膜層と導体層の間が剥離しやすく、上記のような剥離が発生した場合、半導体チップの外観検査で不良品として扱われてしまう。また、削られながらめくりあげられた導体層が異物として飛散してしまうおそれもある。また、上記のような不具合の発生を回避するために、パッド構造部をスクライブライン領域以外の領域に配置した場合、検査用パッドの分、半導体ウエハの集積回路領域として用いることのできる領域が減少してしまう。
【０００７】
本発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、ダイシングの際、集積回路領域に影響を及ぼすことなく、検査用パッドを設けたスクライブライン領域を切断することのできる半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体基板に形成された集積回路を含む複数の集積回路領域と、当該複数の集積回路領域を区画するスクライブライン領域とが設けられ、前記複数の集積回路領域を分割するために前記スクライブライン領域に沿ってダイシングブレードで切断される半導体装置であって、当該半導体装置の検査を行うために前記スクライブライン領域に配置され、当該半導体装置の検査が行われた後に前記ダイシングブレードによって前記スクライブライン領域とともに切断されるパッド構造部を備え、当該パッド構造部は、前記半導体基板の一方の面側に設けられた絶縁膜層と、当該絶縁膜層の一方および他方の面にそれぞれ積層された導体層と、前記絶縁膜層を貫通するように当該絶縁膜層に設けられ、当該絶縁膜層の一方の面側および他方の面側の前記導体層にそれぞれ接合された状態で当該導体層を電気的に接続する複数の導体プラグと、導体で構成され、前記導体層に電気的に接続されるとともに露出するパッド本体と、を有し、前記複数の導体プラグは、前記ダイシングブレードによって前記絶縁膜層および前記導体層が切断されるときに、前記絶縁膜層の一方の面側および他方の面側の前記導体層の間の間隔が前記複数の導体プラグによって保持されるように配置されていることを特徴とする。
【０００９】
この半導体装置によれば、パッド構造部の露出したパッド本体に例えば検査装置の探査針を接触させることにより、パッド本体に電気的に接続された導体層を介して、半導体装置の電気的な特性などの検査が行われる。また、この半導体装置は、検査の後に、複数の集積回路領域を区画するスクライブライン領域に沿ってダイシングブレードで切断されることによって、複数の集積回路領域に分割される。その際、パッド構造部は、スクライブライン領域に配置されていることにより、スクライブライン領域とともに切断される。
【００１０】
パッド構造部が切断される際、絶縁膜層と、絶縁膜層の一方および他方の面にそれぞれ積層された導体層とは、絶縁膜層に埋設された複数の導体プラグによって互いに密着した状態に保持される。すなわち、複数の導体プラグが、絶縁膜層の両面の導体層にそれぞれ接合され、ダイシングブレードによって絶縁膜層および導体層が切断される際、導体層間の間隔が複数の導体プラグによって保持されるように配置されているので、絶縁膜層と導体層とが密着した状態に保持される結果、絶縁膜層と導体層との間の剥離が防止される。
【００１１】
以上の構成によれば、ダイシングの際、絶縁膜層と導体層との間の剥離が防止されるので、分割された集積回路領域の外観が損なわれるのを防止することができる。また、絶縁膜層と導体層との剥離が防止され、導体層がめくりあげられることがないので、ダイシングの際に削られた導体層が飛散するのを抑制することができる。さらに、検査のために用いられるパッド構造部がスクライブライン領域に設けられていることにより、半導体基板を効率的に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る半導体装置を示す平面図（Ａ）および半導体装置を部分的に拡大して示す平面図（Ｂ）である。
【図２】図１（Ｂ）の線Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図３】図２の導体プラグおよびその近傍を拡大して示す図である。
【図４】図２の線Ｂ−Ｂに沿う断面を部分的に拡大して示す図である。
【図５】ダイシングブレードで切断されたパッド構造部を示す断面図である。
【図６】比較例に係る半導体装置のパッド構造部を示す断面図である。
【図７】ダイシングブレードで切断された比較例に係る半導体装置のパッド構造部を示す断面である。
【図８】第１の変形例に係る半導体装置の導体プラグの配置を示す説明図である。
【図９】第２の変形例に係る半導体装置の導体プラグの配置を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。本実施形態の半導体装置１は、半導体チップの製造過程おける仕掛品であり、シリコンで構成された半導体ウエハ３０（半導体基板）と、半導体ウエハ３０の一方の面側に設けられた絶縁膜や配線層（図示せず）などで構成されている。
【００１４】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、半導体装置１には多数の集積回路領域１０が設けられており、これらは格子状に延びるスクライブライン領域１２によって区画されている。半導体ウエハ３０には、所定の半導体プロセスを用いて多数の半導体素子（図示せず）が集積回路領域１０ごとに形成されており、これらの半導体素子および上記の配線層による配線などで構成された集積回路１０ａが、集積回路領域１０ごとに設けられている。
【００１５】
スクライブライン領域１２には多数のパッド構造部２０が配置されている。パッド構造部２０は、半導体装置１の電気的な特性を検査するためのものであり、格子状に延びるスクライブライン領域１２のうち、本実施形態では、図１（Ｂ）の上下方向に延びる領域に沿って、所定の間隔で並設されている。
【００１６】
図２に示すように、各パッド構造部２０は、半導体ウエハ３０の一方の面側に設けられており、ＳｉＯ２（二酸化珪素）を主成分とする酸化膜で構成された第１〜第３絶縁膜層２１ａ〜２１ｃと、銅を含むアルミニウム系合金や、銅および若干のシリコンを含むアルミニウム系合金でそれぞれ構成された第１〜第３導体層２２ａ〜２２ｃ（導体層）と、パッド本体２５などによる多層構造を有している。これらは交互に積層されており、具体的には、半導体ウエハ３０側から順に、第１絶縁膜層２１ａ、第１導体層２２ａ、第２絶縁膜層２１ｂ（絶縁膜層）、第２導体層２２ｂ、第３絶縁膜層２１ｃ（絶縁膜層）、第３導体層２２ｃおよびパッド本体２５が積層されている。
【００１７】
各配線層には、半導体ウエハ３０に形成されたＭＯＳなどの半導体素子や配線が、検査対象（図示せず）として電気的に接続されている。また、検査専用の半導体素子を集積回路１０ａを構成する半導体素子から独立させて設ける場合もある。以下、半導体ウエハ３０側を半導体装置１の「下」側として、パッド本体２５側を「上」側として説明する。
【００１８】
第１および第２導体層２２ａ、２２ｂの間に介在する第２絶縁膜層２１ｂには、これを貫通する多数のビアホール２３ａが形成されている。また、第２および第３導体層２２ｂ、２２ｃの間に介在する第３絶縁膜層２１ｃにも、これを貫通する多数のビアホール２４ｂが形成されている。各ビアホール２３ａには導体プラグ２４ａが、各ビアホール２３ｂには導体プラグ２４ｂが埋設されている。導体プラグ２４ａ、２４ｂはいずれもタングステンで構成され、逆円錐台形に形成されており、所定の径（例えば０．５〜０．６μｍ）と、第２および第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃの厚さとほぼ同じ高さ（例えば１．２μｍ）を有している。また、図３に示すように、第３絶縁膜層２１ｃ側の導体プラグ２４ｂとビアホール２３ｂの間にはグルー膜２６が設けられている。グルー膜２６は、導体プラグ２４ｂをタングステンで形成する際、タングステンがビアホール２３の内壁に堆積しやすくするためのものであり、ＴｉＮ（窒化チタン）で構成されており、ビアホール２３ｂの底面および内周面に成膜されている。
【００１９】
導体プラグ２４ｂに接続される第２導体層２２ｂの上面側には、第２導体層側２２ｂ側から第１バリアメタル層２７ｄおよび第２バリアメタル層２７ｅが積層されており、第１バリアメタル層２７ｄはＴｉ（チタン）で、第２バリアメタル層２７ｅはＴｉＮでそれぞれ構成されている。導体プラグ２４ｂはグルー膜２６を介して第２バリアメタル層２７ｅに接続されている。また、導体プラグ２４ｂに接続される第３導体層２２ｃの下面側には、第３導体層２２ｃ側から第１バリアメタル層２８ｄおよび第２バリアメタル層が２８ｅが積層されており、第１バリアメタル層２８ｄはＴｉＮで、第２バリアメタル層２８ｅはＴｉでそれぞれ構成されていて、導体プラグ２４ｂおよびグルー膜２６の上端が第２バリアメタル層２８ｄに接続されている。以上の構成により、各導体プラグ２４ｂは、第２および第３導体層２２ｂ、２２ｃに緊密に接合されるとともに、第２および第３導体層２２ｂ、２２ｃを互いに電気的に接続している。
【００２０】
また、第３絶縁膜層２１ｃの多数の導体プラグ２４ｂは、第３絶縁膜層２１ｃの全体にわたって偏りなく分布するように配置されている。具体的には、これらの導体プラグ２４ｂは千鳥状に配置されている。互いに隣接する導体プラグ２４ｂ、２４ｂとの間の間隔は、ダイシングの際、導体層と絶縁膜層とを剥離させようとするストレスに抗して、上下の第３および第２導体層２２ｃ、２２ｂの間の間隔を保持できるように、例えば導体プラグ２４ｂの外径とほぼ同じに設定されている。また、第２絶縁膜層２１ｂに設けられた多数の導体プラグ２４ａは、第３絶縁膜層２１ｃ側のものと同じ間隔で千鳥状に配置され、第３絶縁膜層２１ｃ側の導体プラグ２４ａに対して上下方向に重複しないように、左右方向にずらして配置されている。
【００２１】
また、前述したパッド本体２５も各導体層と同じくアルミニウム合金で構成されている。また、パッド本体２５の周縁部は窒化膜２９によって被覆されている。窒化膜２９は、半導体装置１の表面のほぼ全体を覆う保護膜の一部である。この窒化膜２９で取り囲まれたパッド本体２５の中央は露出しており、露出したパッド本体２５に、例えば検査装置の探査針（図示せず）を接触させることによって、各導体層および導体プラグ２４ａ、２４ｂを介して、前述した半導体素子などの検査対象の電気的な特性が検査される。
【００２２】
以上の構成の半導体装置１は、半導体チップの製造工程において、上記の検査が行われた後、ダイシングにより複数の集積回路領域１０に分割される。ダイシング工程においては、半導体装置１は、ダイシングブレード４０によってスクライブライン領域１２に沿って切断される。前述したようにパッド構造部２０は、スクライブライン領域１２に配置されているので、スクライブライン領域１２とともに切断され、パッド構造２０には前後方向に延びる切断面が形成される。
【００２３】
ダイシングブレード４０は、高速で回転してパッド構造部２０の各層を削りながら切断する。導体層と絶縁膜層の間の密着強度は比較的弱いため、各導体層および絶縁膜層は、ダイシングブレード４０によって切断面からめくりあげられるようにして剥がれようとするものの、第２および第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃに設けられた多数の導体プラグ２４ａ、２４ｂによって、以下のように互いに密着した状態に保持される。
【００２４】
以上の構成の実施形態に係る半導体装置によれば、ダイシングブレード４０がパッド構造部のいずれの部位を切断したとしても、第２および第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃの双方の導体プラグ２４ａ、２４ｂがダイシングによる切断面に近接して必ず存在する。導体プラグ２４ａ、２４ｂは、上下の導体層を緊密に接合しているので、第１および第２導体層２２ａ、２２ｂの間、または第２および第３導体層２２ｂ、２２ｃの間の間隔が少なくとも保持される結果、導体層と絶縁膜層との間の切断面からの剥離が拡大せず、導体層と絶縁膜層とが密着した状態に保持される。したがって、図５に示すように、パッド構造部２０は、絶縁膜層と導体層の間に剥離を生じさせることなく、スクライブライン領域１２とともに切断される。
【００２５】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置１によれば、導体プラグ２４ａまたは導体プラグ２４ｂが、ダイシングブレード４０によるパッド構造部２０の切断面に隣接するように存在するので、ダイシングの際、導体層と絶縁膜層との間の剥離を防止することができる。それにより、ダイシングにより分割された集積回路領域１０の外観を良好に保つことができる。また、各導体層の剥離してめくりあがることがないので、ダイシングの際に削られた導体層が飛散するのを抑制することができる。
【００２６】
また、パッド構造部２０が導体層および絶縁膜層を交互に積層した多層構造を有しているので、パッド構造部２０を形成する途中、例えば第１〜第３導体層２２ａ〜２２ｃのいずれかの形成が完了した段階で、露出した導体層に検査針を接触させて検査対象の検査を行うことができる。すなわち、各導体層に接続された複数の検査対象のうち、任意の検査対象を検査することができる。
【００２７】
さらに、半導体装置１の検査のみに用いられるパッド構造部２０が、ダイシングの際に切断するためにあらかじめ設けられたスクライブライン領域１２に配置されており、パッド構造部２０のための領域を割く必要がないので、半導体ウエハ３０を効率的に利用することができる。また、導体プラグ２４ａ、２４ｂがタングステンで構成されるので、微小な導体プラグ２４ａ、２４ｂを精度よく形成することができる。なお、例えばアルミニウムや銅など、ダイシングの際に上下の導体層間の間隔を拡大させようとするストレスに耐えられる接合強度を得られる導体で導体プラグ２４ａ、２４ｂを構成してもよい。
【００２８】
図６は、比較例に係る半導体装置のパッド構造部１２０を示している。このパッド構造部１２０は、実施形態に係るパッド構造部２０と基本的に同じ構成を有しており、第２および第３絶縁膜層１２１ｂ、１２１ｃにそれぞれ設けられた複数のビアホール１２３ａ、１２３ｂと、複数の導体プラグ１２４ａ、１２４ｂの構成が異なっている。本比較例では、ビアホール１２３ａ、１２４ｂおよび導体プラグ１２４ａ、１２４ｂは、第２および第３絶縁膜層１２１ｂ、１２１ｃの周縁部にそれぞれ偏って配置されるとともに、それらの数が実施形態と比較して削減されている。
【００２９】
このように導体プラグ１２４ａ、１２４ｂを部分的に偏るように配置してその数を削減したとしても、導体層間の導通が確保されるので、検査対象を検査することはできるものの、ダイシングの際、パッド構造部１２０が大きく破損してしまうことがある。すなわち、高速回転するダイシングブレード１４０によって導体プラグ１２４ａ、１２４ｂの配置のない部位が切断されると、図７に示すように、パッド構造部１２０の比較的、上層に位置するパッド本体１２５、第３導体層１２２ｃや第２導体層１２２ｂが絶縁膜層から剥がれてめくれあがり、分割された集積回路領域の外観を損なって不良品として扱われてしまう。
【００３０】
これに対し、実施形態に係る半導体装置１のパッド構造部２０では、多数の導体プラグ２４ａ、２４ｂが前述したように部分的に偏ることなく第２および第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃに配置されているので、ダイシングの際にストレスが加えられても、導体層と絶縁膜層の間の剥離が防止される。
【００３１】
次いで、上述した半導体装置１の第１の変形例に係る半導体装置について説明する。この変形例に係る半導体装置は、実施形態に係る半導体装置１と基本的に同様の構成を有している。以下、第１の変形例に係る半導体装置について、半導体装置１と共通する構成要素には同じ符号を付し、半導体装置１との差異を中心に説明する。
【００３２】
図８に示すように、本変形例の第３絶縁膜層２１ｃにも多数の導体プラグ２４ｂが設けられており、実施形態と異なり、これらの導体プラグ２４ｂは前後方向および左右方向に等間隔で並設されている。互いに隣接する導体プラグ２４ｂ、２４ｂとの間の間隔は、ダイシングの際、導体層と絶縁膜層とを剥離させようとするストレスに抗して上下の第３および第２導体層２１ｃ、２１ｂ間の間隔を保持できるように、例えば導体プラグ２４ｂの外径よりも狭くなるように設定されている。第２絶縁膜層２１ｂの多数の導体プラグ２４ａもまた、第３絶縁膜層２１ｃの導体プラグ２４ｂと同様に並設されている。他の構成は、実施形態に係る半導体装置１と同様である。
【００３３】
以上の構成の第１の変形例に係る半導体装置によれば、第２および第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃの多数の導体プラグ２４ａ、２４ｂがそれぞれ密集して配置されていることにより、上下方向に重複していたとしても、また、ダイシングブレード４０がパッド構造部のいずれの部位を切断したとしても、第２および第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃの双方の導体プラグ２４ａ、２４ｂがダイシングによる切断面に近接して必ず存在する。したがって、実施形態に係る半導体装置１と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
次いで、前述した実施形態に係る半導体装置１の第２の変形例に係る半導体装置について説明する。第２の変形例に係る半導体装置は、実施形態に係る半導体装置１と基本的に同様の構成を有している。以下、第２の変形例に係る半導体装置について、実施形態に係る半導体装置１と共通する構成要素には同じ符号を用い、半導体装置１との差異を中心に説明する。
【００３５】
図９に示すように、第２の変形例の第３絶縁膜層２１ｃにも、多数の導体プラグ２４ｂが設けられており、実施形態と異なり、多数の導体プラグ２４ｂは、パッド構造部２０が配置されたスクライブライン領域１２の延びる方向（図９の上下方向に相当。以下、単に「前後方向」という）には間隔を詰めて並設されており、互いに隣接する導体プラグ２４ｂ、２４ｂの間の間隔が、例えば導体プラグ２４ｂの外径よりも狭くなるように配置されている。また、多数の導体プラグ２４ｂは、前後方向に直交する方向（以下「左右方向」という）には、例えば導体プラグ２４ｂの外径とほぼ同じ間隔を隔てて並設されている。
【００３６】
一方、第１および第２導体層２２ａ、２２ｂ間の構成は、第２および第３導体層２２ｂ、２２ｃ間の構成と同様であり、したがって、第２絶縁膜層２１ｂの各導体プラグ２４ａは、第１および第２導体層２２ａ、２２ｂに緊密に接合されるとともに両者２２ａ、２２ｂを電気的に接続している。また、第２絶縁膜層２１ｂの多数の導体プラグ２４ａは、第３絶縁膜層２１ｃの多数の導体プラグ２４ｂと同様に並設されており、第２絶縁膜層２１ｂの上方に第２導体層２２ｂを介して隣接する第３絶縁膜層２１ｃ側の導体プラグ２４ｂと上下方向（各絶縁膜層の厚さ方向）に重複しないように、導体プラグ２４ｂに対して左右方向にずらして配置されている（図９参照）。その結果、導体プラグ２４ａと導体プラグ２４ｂとは、左右方向に交互に並設されている。他の構成は、実施形態に係る半導体装置１と同様である。
【００３７】
第２絶縁膜層２１ｂ側の多数の導体プラグ２４ａと第３絶縁膜層２１ｃ側の多数の導体プラグ２４ｂとは、前述したように左右方向に互いにずらして配置されている。したがって、ダイシングブレード４０の左右方向の位置にずれが生じ、パッド構造部２０の左右方向のいずれの部位を切断したとしても、第２または第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃのいずれかの前後方向に並設された導体プラグ２４ａ、２４ｂの列が切断面に必ず隣接することになる。第２の変形例の半導体装置では、実施形態に係る半導体装置１と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
なお、上述した実施形態および変形例では、第１〜第３絶縁膜層２１ａ〜２１ｃおよび第１〜第３導体層２２ａ〜２２ｃを積層したパッド構造部２０などについて説明したが、これに限定されることなく、絶縁膜層の両面に積層された少なくとも２層の導体層を有するパッド構造部であれば、本発明を適用することができる。また、実施形態および変形例では、多数の導体プラグ２４ａ、２４ｂを前後方向および左右方向に並設した例、および千鳥状に配置した例を説明したが、例えば、ダイシングの際に導体層間の間隔を保持できる密度でランダムに配置するなど、切断面の位置にかかわらず、導体プラグが切断面に近接して存在する他の配置を採用してもよい。
【００３９】
また、実施形態および変形例では、多数の導体プラグ２４ａ、２４ｂを、第２および第３絶縁膜層２１ｂ、２１ｃのほぼ全体に偏りなく配置した例を説明したが、例えば、ダイシングによって形成される切断面の位置を予測し、その切断面の近傍のみに分布するように配置してもよい。また、実施形態および変形例では、パッド構造部２０をスクライブライン領域１２の前後方向に延びる領域のみに配置した例を説明したが、左右方向に延びる領域に配置してもよい。その場合、左右方向に延びる切断が形成されるので、実施形態などで説明した導体プラグ２４ａ、２４ｂの配置を９０°、回転させることによって、実施形態などと同様の効果を得ることができる。その他、本発明の趣旨の範囲内で、細部の構成を適宜、変更することが可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１              半導体装置
１０              集積回路領域
１２              スクライブライン領域
２０              パッド構造部
２１ｂ            第２絶縁膜層（絶縁膜層）
２１ｃ            第３絶縁膜層（絶縁膜層）
２２ａ〜２２ｃ    第１〜第３導体層（導体層）
２４ａ、２４ｂ    導体プラグ
２５              パッド本体
３０              半導体ウエハ（半導体基板）
４０              ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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