(57)【要約】【課題】製造工程における歩留まりを改善することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る表示装置は、絶縁基板と、上記絶縁基板の上方に配置され第１方向に沿って延びる第１配線と、上記第１配線を覆う絶縁層と、上記絶縁層の上に配置され上記第１方向と交わる第２方向に沿って延びる第２配線と、上記第１方向に沿って延びるとともにコンタクト部を介して上記第１配線と接続された出力線を有し、上記出力線を介して上記第１配線を駆動する駆動回路と、を備える。上記コンタクト部は、上記第１配線が第１位置にて接続された第１部分と、上記第１位置から上記第２方向に離れた第２位置にて上記出力線が接続されるとともに上記絶縁層を介して上記第１部分と向かい合い、上記第１部分と電気的に接続された第２部分と、を備える。【選択図】    図４
2015219358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置され、第１方向に沿って延びる第１配線と、
前記第１配線を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置され、前記第１方向と交わる第２方向に沿って延びる第２配線と、
前記第１方向に沿って延びるとともにコンタクト部を介して前記第１配線と接続された出力線を有し、前記出力線を介して前記第１配線を駆動する駆動回路と、
を備え、前記コンタクト部は、
前記第１配線が第１位置にて接続された第１部分と、
前記第１位置から前記第２方向に離れた第２位置にて前記出力線が接続されるとともに、前記絶縁層を介して前記第１部分と向かい合い、前記第１部分と電気的に接続された第２部分と、
を備える、表示装置。
【請求項２】
前記第１位置は、前記第１方向に沿って延びる前記第１配線の軸から前記第２方向に離れ、
前記第１配線は、前記第１部分の近傍において前記第１位置に向けて屈曲している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２位置は、前記第１方向に沿って延びる前記出力線の軸から前記第２方向に離れ、
前記出力線は、前記第２部分の近傍において前記第２位置に向けて屈曲している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記コンタクト部は、前記第２方向における第１縁部と第２縁部とを有し、
前記第１位置は、前記第１方向に沿って延びる前記第１配線の軸から前記第１縁部側に離れ、
前記第２位置は、前記第１方向に沿って延びる前記出力線の軸から前記第２縁部側に離れ、
前記第１配線は、前記第１部分の近傍において前記第１位置に向けて屈曲し、
前記出力線は、前記第２部分の近傍において前記第２位置に向けて屈曲している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記駆動回路は、前記絶縁層を介して前記出力線と向い合う交差領域を有し前記第２方向に沿って延びる回路線を備え、
前記第１部分は、前記回路線に向けて突出した突起を有する、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの様々なタイプの表示装置が開発されている。このような表示装置においては、例えば、画素ごとに設けられる画素電極と、この画素電極と電気的に接続される配線と、この配線を駆動するための駆動回路とが同一の基板に設けられる。
【０００３】
表示装置の製造工程において、上記基板に静電気が蓄積し、この静電気の放電（Electro Static Discharge：ＥＳＤ）により駆動回路を構成する要素の一部が破壊されて、駆動回路に不良が生じることがある。このような静電気放電による破壊を抑制する技術として、駆動回路や配線に接続されたショートリングを基板に設ける方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１２６２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一態様における目的は、製造工程における歩留まりを改善することが可能な表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態に係る表示装置は、絶縁基板と、上記絶縁基板の上方に配置され第１方向に沿って延びる第１配線と、上記第１配線を覆う絶縁層と、上記絶縁層の上に配置され上記第１方向と交わる第２方向に沿って延びる第２配線と、上記第１方向に沿って延びるとともにコンタクト部を介して上記第１配線と接続された出力線を有し、上記出力線を介して上記第１配線を駆動する駆動回路と、を備える。上記コンタクト部は、上記第１配線が第１位置にて接続された第１部分と、上記第１位置から上記第２方向に離れた第２位置にて上記出力線が接続されるとともに上記絶縁層を介して上記第１部分と向かい合い、上記第１部分と電気的に接続された第２部分と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、上記表示装置が備えるアレイ基板の構造の一例を示す図である。
【図３】図３は、上記アレイ基板に配置されたゲートドライバとアクティブエリアとの境界付近を模式的に示す図である。
【図４】図４は、図３におけるゲート配線及び出力線とコンタクト部との接続部分を拡大して示す図である。
【図５】図５は、実施形態との比較例を説明するための図である。
【図６】図６は、ＥＳＤにより発生し得る不具合の一例を説明するための図である。
【図７】図７は、ＥＳＤにより発生し得る不具合の一例を説明するための図である。
【図８】図８は、ＥＳＤにより発生し得る不具合の一例を説明するための図である。
【図９】図９は、第２実施形態に係る表示装置を説明するための図である。
【図１０】図１０は、第３実施形態に係る表示装置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表す場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、同一又は類似の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略することがある。
【０００９】
各実施形態においては表示装置が液晶表示装置である場合について説明する。しかしながらこれに限らず、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置であってもよい。また、本実施形態に係る表示装置は、例えばスマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。この液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備える。
【００１０】
液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板ＡＲ（第１基板）と、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板ＣＴ（第２基板）と、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備える。また、液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備える。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個（ｍ，ｎは正の整数）のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成される。
【００１１】
液晶表示パネルＬＰＮは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第１方向Ｘに沿って延びる複数のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに沿って延びる複数のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、複数の画素（画素領域）ＰＸ、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷと電気的に接続された島状の画素電極ＰＥ、画素電極ＰＥと向かい合う共通電極ＣＥなどを備える。
【００１２】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバ（ゲート駆動回路）ＧＤに接続される。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバ（ソース駆動回路）ＳＤに接続される。共通電極ＣＥは、コモン電圧を供給する給電部ＶＳに給電線ＰＬを介して電気的に接続される。
【００１３】
図１の例においては、ソース配線Ｓ１側におけるアクティブエリアＡＣＴ外の縁部に沿って配置されたゲートドライバＧＤに全てのゲート配線Ｇ１〜Ｇｎのソース配線Ｓ１側の端部が接続されている。他の例として、ソース配線Ｓ１側及びソース配線Ｓｍ側の双方におけるアクティブエリアＡＣＴ外の縁部にゲートドライバＧＤが設けられてもよい。例えばこの場合において、第２方向Ｙに並ぶゲート配線Ｇのうち奇数番目のゲート配線Ｇが一方のゲートドライバＧＤに接続され、偶数番目のゲート配線Ｇが他方のゲートドライバＧＤに接続されてもよい。
【００１４】
ゲートドライバＧＤは、例えば、スイッチング素子ＳＷを行単位（第１方向Ｘに並ぶ一群の画素ＰＸごと）に導通させるように各ゲート配線Ｇを順次駆動する。ソースドライバＳＤは、例えば、各スイッチング素子ＳＷがゲート配線Ｇの駆動によって導通する期間において映像信号或いは非映像信号を各ソース配線Ｓに出力する。
【００１５】
ゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤは、少なくともそれらの一部がアレイ基板ＡＲに内蔵回路として形成され、駆動ＩＣチップ２と接続される。図示した例では、液晶表示パネルＬＰＮを駆動するのに必要な信号源としての駆動ＩＣチップ２は、液晶表示パネルＬＰＮのアクティブエリアＡＣＴの外側において、アレイ基板ＡＲに実装されている。
【００１６】
アレイ基板ＡＲの構造について説明する。  
図２は、アレイ基板ＡＲの構造の一例を示す図である。この図においては、１つの画素ＰＸに対応するアレイ基板ＡＲの断面を示している。
アレイ基板ＡＲは、例えばガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する絶縁基板１０を備える。さらに、アレイ基板ＡＲは、絶縁基板１０の第１主面１０Ａ側に、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、ゲート配線Ｇ、ソース配線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、及び配向膜ＡＬなどを備える。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ、第１電極ＧＥ、第２電極ＳＥ、及び第３電極ＤＥを備える。第１電極ＧＥ、第２電極ＳＥ、及び第３電極ＤＥは、それぞれ、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極とも呼ばれる。
【００１７】
第１電極ＧＥ及びゲート配線Ｇは、例えば一体的に形成され、いずれも絶縁基板１０の第１主面１０Ａの上に配置されている。第１電極ＧＥ及びゲート配線Ｇは、モリブデン、タングステン、アルミニウム、チタン、銅などの金属材料或いはこれらの金属材料を含む合金等によって形成することができる。一例として、第１電極ＧＥ及びゲート配線Ｇは、ＭｏＷで形成されている。
【００１８】
第１絶縁層１１は、第１電極ＧＥ、ゲート配線Ｇ、及び絶縁基板１０の第１主面１０Ａの上に配置されている。第１絶縁層１１は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）或いはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などによって形成されている。
半導体層ＳＣは、第１絶縁層１１の上に島状に配置されている。半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）によって形成されている。但し、半導体層ＳＣは、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）や酸化物半導体などの他の材料によって形成されてもよい。
【００１９】
第２電極ＳＥ及び第３電極ＤＥは、半導体層ＳＣの上に配置されている。第２電極ＳＥ及び第３電極ＤＥの一部は、第１絶縁層１１の上にも延びている。ソース配線Ｓは、第１絶縁層１１の上に配置されている。第２電極ＳＥ及びソース配線Ｓは、例えば一体的に形成されている。第２電極ＳＥ、第３電極ＤＥ、及びソース配線Ｓは、例えば、第１電極ＧＥと同様の材料にて形成されている。一例として、第２電極ＳＥ、第３電極ＤＥ、及びソース配線Ｓは、チタン及びアルミニウムの積層体によって形成されている。
【００２０】
第２絶縁層１２は、第２電極ＳＥ、第３電極ＤＥ、ソース配線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び第１絶縁層１１の上に配置されている。第２絶縁層１２は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）によって形成されている。また、第２絶縁層１２は、樹脂材料によって形成された有機絶縁膜を含んでいてもよい。
【００２１】
画素電極ＰＥは、第２絶縁層１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第２絶縁層１２に設けられたコンタクトホールＣＨを介して第３電極ＤＥと接触している。画素電極ＰＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されてもよいし、アルミニウムなどの金属材料によって形成されてもよい。
【００２２】
配向膜ＡＬは、画素電極ＰＥ及び第２絶縁層１２の上に配置されている。なお、対向基板ＣＴにもアレイ基板ＡＲの配向膜ＡＬと向い合う配向膜が形成されており、これら配向膜の間に液晶層ＬＱが封入されている。
なお、図２においては、ボトムゲート型かつシングルゲート型のスイッチング素子ＳＷを示しているが、スイッチング素子ＳＷはトップゲート型であってもよいし、ダブルゲート型であってもよい。
【００２３】
例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Aligned）モードのように液晶層ＬＱに含まれる液晶分子のスイッチングにいわゆる縦電界を利用するモードを適用する場合、共通電極ＣＥは対向基板ＣＴに配置される。また、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モードのように液晶分子のスイッチングにいわゆる横電界（フリンジ電界を含む）を利用するモードを適用する場合、共通電極ＣＥはアレイ基板ＡＲに配置される。このとき、共通電極ＣＥは、例えば画素電極ＰＥと絶縁層を介して向い合うように配置される。或いは、共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥと同一の平面（ＸＹ平面）に配置される。
【００２４】
以上のような構成の液晶表示パネルＬＰＮは、透過型の液晶表示装置や反射型の液晶表示装置に適用することができる。透過型の液晶表示装置に適用する場合、液晶表示パネルＬＰＮは、液晶分子のスイッチングにより絶縁基板１０の第２主面１０Ｂ側に配置されたバックライトからの光を選択的に透過させることで画像を表示する。また、反射型の液晶表示装置に適用する場合、液晶表示パネルＬＰＮは、液晶分子のスイッチングにより対向基板ＣＴ側から入射する外光を選択的に反射することで画像を表示する。液晶表示装置は、反射型及び透過型の双方の機能を備えたものであってもよい。
【００２５】
図１に示したゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤは、例えば、アクティブエリアＡＣＴに配置されるアレイ基板ＡＲの各要素が形成される製造工程において同時に形成される。このような製造工程においては、絶縁基板１０と各種の製造装置或いは搬送機構等との接触時、摩擦時、剥離時、或いはプラズマＣＶＤ（Chemical vapor deposition）やプラズマエッチング等のプラズマ工程の実施時において、静電気が絶縁基板１０やフローティング状態の配線及び電極などに蓄積し易い。このため、製造工程において、ゲートドライバＧＤを構成する配線の間などでＥＳＤが発生し、ゲートドライバＧＤに不具合が生じることがある。
【００２６】
以下、このようなゲートドライバＧＤの不具合を防ぐための構成の一例につき説明する。図３は、ゲートドライバＧＤとアクティブエリアＡＣＴとの境界付近を模式的に示す平面図である。この図においては、第２方向Ｙに並ぶ２本のゲート配線Ｇと、これらゲート配線Ｇと同一の製造工程において同時に形成される要素とを実線で示している。また、ゲートドライバＧＤに隣接するアクティブエリアＡＣＴの端部において第１方向Ｘに並ぶ２本のソース配線Ｓと、これらソース配線Ｓと同一の製造工程において同時に形成される要素とを破線で示している。
【００２７】
ゲート配線Ｇなどの実線で示す各要素は、例えば、スパッタリングによって絶縁基板１０の第１主面１０Ａの上にＭｏＷなどの導電性膜を成膜し、この導電性膜をパターニングすることにより形成される。また、ソース配線Ｓなどの破線で示す各要素は、例えば、スパッタリングによって第１絶縁層１１及び半導体層ＳＣの上に導電性膜を成膜し、この導電性膜をパターニングすることにより形成される。
【００２８】
アクティブエリアＡＣＴにおいて、各ソース配線Ｓは第２方向Ｙに沿って互いに平行に延び、各ゲート配線Ｇは第１方向Ｘに沿って互いに平行に延びる。図３においては、各ソース配線Ｓが屈曲しながら延び、かつ各ゲート配線Ｇが直線状に延びる例を示している。これらソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇによって囲われる領域が１つの画素ＰＸに相当する。以下、この画素ＰＸに着目して構造を説明する。液晶表示パネルＬＰＮが備える他の画素ＰＸも図３に示す画素ＰＸと同様の構造を有する。
【００２９】
図３の例においては、画素ＰＸが備えるスイッチング素子ＳＷの第１電極ＧＥがゲート配線Ｇと一体的に形成されている。第１電極ＧＥは、第１絶縁層１１を介してソース配線Ｓの一部及び第３電極ＤＥの一部と向い合う。第３電極ＤＥは、画素ＰＸにおいて島状に形成されており、図２に示した画素電極ＰＥと接続されている。
【００３０】
ゲート配線Ｇは、例えばアクティブエリアＡＣＴの外周に沿って配置された給電線ＰＬを跨いでゲートドライバＧＤに延びる。給電線ＰＬは、ソース配線Ｓと同一の製造工程において同時に形成される。
ゲートドライバＧＤは、アクティブエリアＡＣＴ側の端部に、回路線２０と、出力線３０と、コンタクト部４０とを備える。なお、ゲートドライバＧＤは、これらの他にも多数の配線（回路線、入力線、出力線）、コンタクト部、容量、スイッチング素子などを備える。
【００３１】
図３の例において、回路線２０は、第２方向Ｙに沿って直線状に延びている。また、出力線３０は、第１方向Ｘに沿って直線状に延びている。
コンタクト部４０は、第１部分４１と、第２部分４２とを備える。第１部分４１は、ゲート配線Ｇと一体的に形成される。第２部分４２は、出力線３０と一体的に形成される。第１部分４１及び第２部分４２は、第１絶縁層１１を介して向かい合い、コンタクト部４０の第２方向Ｙにおける第１縁部４０ａと第２縁部４０ｂとの間で帯状に延びている。第１部分４１及び第２部分４２は、第１絶縁層１１に設けられた１又は複数（図示した例においては４つ）のコンタクトホール４３を介して電気的に接続されている。ゲートドライバＧＤは、出力線３０、第２部分４２、第１部分４１を介してゲート配線Ｇに駆動信号（駆動電圧）を供給する。
【００３２】
回路線２０及び第１部分４１は、ゲート配線Ｇと同一の製造工程により同時に形成される。出力線３０及び第２部分４２は、ソース配線Ｓと同一の製造工程により同時に形成される。
第１部分４１は、回路線２０と向い合う縁部に、回路線２０に向け突出した突起４４（４４ａ，４４ｂ）を有している。回路線２０は、第１部分４１と向い合う縁部に、第１部分４１に向けて突出した突起２１（２１ａ，２１ｂ）を有している。突起４４ａの先端と突起２１ａの先端、及び、突起４４ｂの先端と突起２１ｂの先端は、いずれもＸＹ平面において向かい合う。
【００３３】
また、第２部分４２は、第２方向Ｙと交わる縁部に、給電線ＰＬに向けてＬ字型に突出した突起４５を有している。給電線ＰＬは、第２部分４２と向い合う縁部に、突起４５の先端に向けて突出した突起５０を有している。突起４５の先端と突起５０の先端は、ＸＹ平面において向かい合う。
【００３４】
図４は、図３におけるゲート配線Ｇ及び出力線３０とコンタクト部４０との接続部分を拡大して示す図である。ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第１方向Ｘと平行な軸Ａ１１に沿って延び、この軸Ａ１１から第２方向Ｙに離れた第１位置Ｐ１において第１部分４１の給電線ＰＬ側の縁部と接続されている。図４の例において、第１位置Ｐ１は、軸Ａ１１からコンタクト部４０の第１縁部４０ａ側（図４における上側）に離れている。
【００３５】
出力線３０は、ゲートドライバＧＤの内部において第１方向Ｘと平行な軸Ａ２１に沿って延び、第１位置Ｐ１から第２方向Ｙに距離ｄ１だけ離れた第２位置Ｐ２において、第２部分４２の回路線２０側の縁部と接続されている。
図４の例において、ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴ側から第１部分４１に向かって軸Ａ１１に沿って延び、第１部分４１の近傍の第３位置Ｐ３にて軸Ａ１１と時計回りに鋭角を成す方向に屈曲して延び、第４位置Ｐ４にて再び屈曲して第１位置Ｐ１に延びている。第３位置Ｐ３は、第１部分４１の給電線ＰＬ側の縁部から第１方向Ｘに距離ｄ２だけ離れている。
【００３６】
一方、図４の例において、出力線３０は、第２部分４２の近傍において屈曲することなく第２位置Ｐ２に延びている。具体的には、出力線３０は、回路線２０と略垂直に交差するとともに、突起２１ａ，４４ａと突起２１ｂ，４４ｂとの間を通って延び、第２位置Ｐ２において第２部分４２と接続されている。突起２１ａ，４４ａは、出力線３０及び回路線２０が交差する交差領域ＣＲから第２方向Ｙに距離ｄ３だけ離れている。また、突起２１ｂ，４４ｂは、交差領域ＣＲから第２方向Ｙに距離ｄ４だけ離れている。
【００３７】
図４の例において、突起２１ａ，４４ａは第１位置Ｐ１と第４位置Ｐ４との間で延びるゲート配線Ｇの軸Ａ１２の延長線上に設けられており、軸Ａ１２は第１方向Ｘと平行である。したがって、距離ｄ１と距離ｄ３は概ね一致する。また、突起２１ｂ，４４ｂは、第１部分４１の第２方向Ｙにおける端部（図４における下側の端部）に設けられている。
【００３８】
以上説明した構成によれば、上述したＥＳＤに起因したゲートドライバＧＤの不具合を防ぐことができる。この作用につき、図３及び図４、さらには図５乃至図８を参照して説明する。
図５は、本実施形態の比較例を説明するための図であり、図４と同じくゲート配線Ｇ及び出力線３０とコンタクト部４０との接続部分を拡大して示している。図５におけるゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの内部において第１方向Ｘと平行な軸Ａ１１に沿って直線状に延び、屈曲することなく第１位置Ｐ１にて第１部分４１に接続されている。
【００３９】
アレイ基板ＡＲの製造工程において絶縁基板１０などに静電気が蓄積すると、この静電気による電流がゲート配線Ｇを流れて第１部分４１に至り、第１部分４１と回路線２０との間でＥＳＤが発生し得る。このようなＥＳＤは一般に、ゲート配線Ｇと回路線２０との間における電流の最短経路、すなわちゲート配線Ｇの軸Ａ１１の延長線と回路線２０とが交わる位置ＰＣの近傍において生じ易い。
【００４０】
図５の例においては、出力線３０とゲート配線Ｇが概ね同一直線上で延びている。したがって、上記の位置ＰＣは、交差領域ＣＲの近傍となる。この場合に想定される不具合の一例につき、図６乃至図８を用いて説明する。
図６は、アレイ基板ＡＲの製造過程において、絶縁基板１０の第１主面１０Ａの上に第１電極ＧＥ（ゲート配線Ｇ）、回路線２０、第１部分４１、第１絶縁層１１、及び半導体層ＳＣが形成された状態を模式的に示す断面図である。この図に示す状態において、位置ＰＣの近傍でＥＳＤが発生すると、第１部分４１と回路線２０との間の第１絶縁層１１が損傷し、図７に示すように回路線２０の一部が露出する破壊孔６０が形成され得る。このような破壊孔６０が形成された状態で、図８に示すように第２電極ＳＥ（ソース配線Ｓ）、第３電極ＤＥ、及び出力線３０などが形成されると、本来は絶縁されるべき回路線２０と出力線３０とが破壊孔６０を通じて短絡してしまう。このように、図５に示す構造においては、ＥＳＤに起因したゲートドライバＧＤの不具合が生じ得る。
【００４１】
一方、図４の例において、ＥＳＤは、ゲート配線Ｇと回路線２０との間における電流の最短経路、すなわちゲート配線Ｇの軸Ａ１２の延長線と回路線２０とが交わる位置ＰＣの近傍において生じ易い。但し、図４の例においては、位置ＰＣと交差領域ＣＲとが離れている。したがって、ＥＳＤにより位置ＰＣの近傍の第１絶縁層１１が損傷したとしても、回路線２０と出力線３０とが短絡するなどの不具合が生じにくい。
【００４２】
図４の例においては、ゲート配線Ｇを屈曲させることで第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２とを第２方向Ｙに離している。このような構造は、例えば設計上の制約により出力線３０とゲート配線Ｇとを第１方向Ｘに沿う同一直線上に配置せざるを得ない場合（第２方向Ｙにおいて軸Ａ１１と軸Ａ２１との間に十分な距離を確保できない場合）であっても適用できる。
【００４３】
なお、第３位置Ｐ３と第１部分４１との距離ｄ２が短い場合には、第３位置Ｐ３におけるゲート配線Ｇと第１部分４１との間でＥＳＤが発生する恐れがある。これに関し、発明者の検証により、距離ｄ２が約１５μm以上であれば、このようなＥＳＤが発生しにくいことが判明した。この検証結果により、距離ｄ２は１５μm以上（ｄ２≧１５μm）に定めることが好ましい。一例として、距離ｄ２は約２０μmである。
【００４４】
また、図４の例においては、突起２１ａ，４４ａ及び突起２１ｂ，４４ｂが設けられた位置において第１部分４１と回路線２０との間の距離が短くなるため、これらの位置にてＥＳＤが発生し易い。すなわち、突起２１ａ，４４ａ及び突起２１ｂ，４４ｂの位置を調整することにより、交差領域ＣＲなどに影響の無い位置でＥＳＤを発生させることができる。
【００４５】
なお、発明者の検証により、交差領域ＣＲがＥＳＤの発生箇所から約１０μm以上離れていれば、このＥＳＤによる不良が生じにくいことが判明した。すなわち、ＥＳＤによる第１絶縁層１１の損傷はＥＳＤの発生箇所から半径約１０μmの範囲内において発生し易く、その範囲外における影響は極めて小さい。この検証結果より、距離ｄ３，ｄ４は、１０μm以上（ｄ３，ｄ４≧１０μm）に定めることが好ましい。一例として、距離ｄ３は約１１.０μmであり、距離ｄ４は約１１.５μmである。
【００４６】
発明者は、図４に示す構造を採用した液晶表示装置と、図５に示す構造を採用した液晶表示装置とを試作し、ＥＳＤによるゲートドライバＧＤの不良の発生を評価した。その結果、図５に示す構造を採用した液晶表示装置においては不良の発生率が約１.８％であったのに対し、図４に示す構造を採用した液晶表示装置においては不良の発生率が約０.１％であった。すなわち、この評価によれば、図４に示す構造を採用することにより製造歩留りが約１.７％改善されることが判明した。このように、本実施形態によれば、ＥＳＤに起因するゲートドライバＧＤの不良を低減ないしは防止し、液晶表示装置の製造歩留りを改善することができる。  
以上説明したほかにも、本実施形態にて開示した構成からは種々の好適な作用が得られる。
（第２実施形態）
【００４７】
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成及び作用については、第１実施形態と同様である。
図９は、第２実施形態に係る液晶表示装置を説明するための模式図であり、図４と同じくゲート配線Ｇ及び出力線３０とコンタクト部４０との接続部分を拡大して表している。
図９の例において、ゲート配線Ｇと第１部分４１とが接続される第１位置Ｐ２１は、アクティブエリアＡＣＴにおいて第１方向Ｘに沿って延びるゲート配線Ｇの軸Ａ１１上にある。すなわち、ゲート配線Ｇは、屈曲せずにアクティブエリアＡＣＴの内部から第１位置Ｐ２１に延びている。
【００４８】
一方、図９の例において、出力線３０と第２部分４２とが接続される第２位置Ｐ２２は、第１位置Ｐ２１から第２方向Ｙに離れているとともに、ゲートドライバＧＤの内部から第１方向Ｘに沿って延びる出力線３０の軸Ａ２１から第２方向Ｙに離れている。具体的には、第２位置Ｐ２２は、軸Ａ２１からコンタクト部４０の第１縁部４０ａ側（図９における上側）に離れている。出力線３０は、ゲートドライバＧＤの内部から第２部分４２に向けて軸Ａ２１に沿って延び、第２部分４２の近傍の第３位置Ｐ２３にて軸Ａ２１と反時計回りに鋭角を成す方向に屈曲して延び、第４位置Ｐ２４にて再び屈曲して第２位置Ｐ２２に延びている。
【００４９】
このように、ゲート配線Ｇを屈曲させることなく、出力線３０を屈曲させることで第１位置Ｐ２１と第２位置Ｐ２２とを第２方向Ｙに離した場合であっても、ゲート配線Ｇの延長線が回路線２０と交わる位置と交差領域ＣＲとを離すことができる。したがって、ゲート配線Ｇの延長線上でＥＳＤが生じ、このＥＳＤによって第１絶縁層１１が損傷したとしても、回路線２０と出力線３０とが短絡するなどの不具合が生じにくい。
（第３実施形態）
【００５０】
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成及び作用については、第１実施形態と同様である。
図１０は、第３実施形態に係る液晶表示装置を説明するための模式図であり、図４と同じくゲート配線Ｇ及び出力線３０とコンタクト部４０との接続部分を拡大して表している。
図１０の例において、ゲート配線Ｇと第１部分４１とが接続される第１位置Ｐ３１は、アクティブエリアＡＣＴにおいて第１方向Ｘに沿って延びるゲート配線Ｇの軸Ａ１１から第２方向Ｙに離れている。具体的には、第１位置Ｐ３１は、軸Ａ１１からコンタクト部４０の第１縁部４０ａ側（図１０における上側）に離れている。ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴから第１部分４１に向けて軸Ａ１１に沿って延び、第１部分４１の近傍の第３位置Ｐ３３にて軸Ａ１１と時計回りに鋭角を成す方向に屈曲して延び、第４位置Ｐ３４にて再び屈曲して第１位置Ｐ３１に延びている。
【００５１】
一方、図１０の例において、出力線３０と第２部分４２とが接続される第２位置Ｐ３２は、第１位置Ｐ２１から第２方向Ｙに離れているとともに、ゲートドライバＧＤの内部において第１方向Ｘに沿って延びる出力線３０の軸Ａ２１から第２方向Ｙに離れている。具体的には、第２位置Ｐ３２は、軸Ａ２１からコンタクト部４０の第２縁部４０ｂ側（図１０における下側）に離れている。出力線３０は、ゲートドライバＧＤの内部から第２部分４２に向けて軸Ａ２１に沿って延び、第２部分４２の近傍の第５位置Ｐ３５にて軸Ａ２１と時計回りに鋭角を成す方向に屈曲して延び、第６位置Ｐ３６にて再び屈曲して第２位置Ｐ３２に延びている。
【００５２】
このように、ゲート配線Ｇ及び出力線３０の双方を屈曲させて第１位置Ｐ３１と第２位置Ｐ３２とを第２方向Ｙに離した場合であっても、第１位置Ｐ１にて第１部分４１に接続されるゲート配線Ｇの延長線が回路線２０と交わる位置と交差領域ＣＲとを離すことができる。したがって、当該位置にてＥＳＤが生じ、このＥＳＤによって第１絶縁層１１が損傷したとしても、回路線２０と出力線３０とが短絡するなどの不具合が生じにくい。
（変形例）
【００５３】
第１〜第３実施形態にて開示した構成は、適宜変形することができる。  
例えば、ゲート配線Ｇ及び出力線３０を屈曲させる位置、角度及び回数や、突起２１，４４の位置及び数などは、図４、図９及び図１０に示した例に限られない。
【００５４】
また、第２方向Ｙにおいて、アクティブエリアＡＣＴの内部で第１方向Ｘに沿って延びるゲート配線Ｇの軸Ａ１１と、ゲートドライバＧＤの内部で第１方向Ｘに沿って延びる出力線３０の軸Ａ２１との間に十分な距離を確保できる場合には、ゲート配線Ｇ及び出力線３０が第１部分４１及び第２部分４２に屈曲することなく接続されてもよい。このようにした場合であっても、ゲート配線Ｇの延長線が回路線２０と交わる位置と交差領域ＣＲとを離し、ＥＳＤによるゲートドライバＧＤの不良を防ぐことができる。
【００５５】
また、図４、図９及び図１０に示した構造は、画素を駆動するための配線と、この配線に駆動信号を供給する駆動回路とが配置された基板を備える種々の表示装置、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置などにも適用することができる。
【符号の説明】
【００５６】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＡＣＴ…アクティブエリア、ＰＸ…画素、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、Ｇ…ゲート配線、Ｓ…ソース配線、ＧＤ…ゲートドライバ、ＰＬ…給電線、Ｐ１…第１位置、Ｐ２…第２位置、Ｐ３…第３位置、Ｐ４…第４位置、ＣＲ…交差領域、１１…第１絶縁層、２０…回路線、２１，４４…突起、３０…出力線、４０…コンタクト部、４１…第１部分、４２…第２部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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