(57)【要約】【課題】例えば素子を構成する配線を備えた積層構造体を、例えば実装用の基板に確実に固定することができる積層構造体組立体を提供する。【解決手段】積層構造体組立体は、下から、第１の配線３１、絶縁層２１，２２及び第１の基板１１が積層された積層構造体１０、並びに、第２の配線６１が形成された第２の基板５１を備えており、絶縁層２２の延在部から成る張出し部２２Ａ、及び、第１の配線３１の端部３１Ａが、積層構造体１０の側面１０Ａから突出しており、張出し部２２Ａの下面と第２の基板５１とは、光硬化型接着剤層７１によって接着されており、第１の配線３１の端部３１Ａと第２の配線６１とは、メッキ層６２を介して電気的に接続されている。【選択図】  図１
2015056429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層された積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されている積層構造体組立体。
【請求項２】
張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である請求項１に記載の積層構造体。
【請求項４】
張出し部の上面には光硬化型接着剤層が存在しない請求項１に記載の積層構造体。
【請求項５】
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている請求項１に記載の積層構造体。
【請求項６】
それぞれが、下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成る、複数の積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
各積層構造体において、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
各積層構造体の張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
各積層構造体の第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されている実装基板。
【請求項７】
各積層構造体において、張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する請求項６に記載の実装基板。
【請求項８】
第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である請求項６に記載の実装基板。
【請求項９】
各積層構造体の張出し部の上面には光硬化型接着剤層が存在しない請求項６に記載の実装基板。
【請求項１０】
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている請求項６に記載の実装基板。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか１項に記載の実装基板を備えた電子デバイス。
【請求項１２】
第２の配線は、周辺回路及び／又は電源に接続されている請求項１１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
それぞれが、下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成る、複数の積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
各積層構造体において、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
各積層構造体の張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
各積層構造体の第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されており、
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には第１の素子が形成されており、
第１の素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されており、
各積層構造体に隣接して、第２の基板上には第２の素子が配置されており、
第１の素子と第２の素子とは、第２の配線によって電気的に接続されており、
第２の素子は第１の素子によって駆動される電子デバイス。
【請求項１４】
複数の積層構造体及び第２の素子は、対の状態で、２次元マトリクス状に配列されており、
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子は発光素子から成り、
画像表示装置を構成する請求項１３に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子はセンサから成り、
センサアレイを構成する請求項１３に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成り、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出している積層構造体を準備し、
第２の配線が形成され、全面に未硬化の光硬化型接着剤から成る未硬化接着剤層が形成された第２の基板を準備し、
第２の基板の上に形成された未硬化接着剤層上に積層構造体を配し、次いで、
積層構造体の上方から光を照射し、張出し部の下に位置する未硬化接着剤層の部分を硬化させ、硬化した光硬化型接着剤層を介して積層構造体と第２の基板とを接着した後、未硬化接着剤層を除去し、その後、
第１の配線の端部と第２の配線とを、メッキ層を介して電気的に接続する、
各工程を備えた積層構造体組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、積層構造体組立体、実装基板、電子デバイス及び積層構造体組立体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子を基板に実装する方法が、例えば、特開２０１１−２３３７３３から周知である。この特許公開公報に開示された素子の基板実装方法にあっては、
（ａ）配線基板にシードメタルを形成した後、
（ｂ）素子の電極パッドがシードメタルと電気的に非接続でシードメタルの上方に位置するように、素子を配線基板に仮固定し、次いで、
（ｃ）シードメタルを給電層として電解メッキを行い、電解メッキで成長するメッキ層によって電極パッドをシードメタルに接合させて素子を固定する。
【０００３】
ところで、この素子の基板実装方法にあっては、素子を配線基板に仮固定するとき、先ず、シードメタルが形成された配線基板の上に熱硬化感光性樹脂を塗布する。そして、素子（具体的には、ＬＥＤチップ）を熱硬化感光性樹脂の上に載置する。次いで、この状態で加熱を行う。加熱によって熱硬化感光性樹脂の粘性が低下し、熱硬化感光性樹脂が素子の側壁に這い上がり、フレット部が形成される。そして、最終的に、素子に形成された電極とシードメタルとが薄いギャップを空けた位置で、素子が安定する。その後、光透過性の配線基板の裏面から熱硬化感光性樹脂を裏面露光する。その結果、配線基板と素子の裏面との間に位置する熱硬化感光性樹脂が硬化し、素子が配線基板に仮固定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３３７３３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許公開公報に開示された素子の基板実装方法は、極めて有効な基板実装方法であるが、裏面露光のために光透過性の配線基板を用いる必要があり、配線基板の選択が制約される。配線基板の表側からの露光によって熱硬化感光性樹脂の硬化を試みた場合、素子の側壁に這い上がり、フレット状態となった熱硬化感光性樹脂の部分の硬化によって、素子が仮固定されるだけである。それ故、素子の仮固定が充分ではない虞がある。
【０００６】
従って、本開示の目的は、例えば素子を構成する配線を備えた積層構造体を、例えば実装用の基板に確実に固定することができる構成、構造を有する積層構造体組立体、係る積層構造体組立体を備えた実装基板及び電子デバイス、並びに、積層構造体組立体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための本開示の積層構造体組立体は、
下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層された積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されている。
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の実装基板は、
それぞれが、下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成る、複数の積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
各積層構造体において、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
各積層構造体の張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
各積層構造体の第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されている。
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子デバイスは、本開示の実装基板を備えている。
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る電子デバイスは、
それぞれが、下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成る、複数の積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
各積層構造体において、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
各積層構造体の張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
各積層構造体の第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されており、
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には第１の素子が形成されており、
第１の素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されており、
各積層構造体に隣接して、第２の基板上には第２の素子が配置されており、
第１の素子と第２の素子とは、第２の配線によって電気的に接続されており、
第２の素子は第１の素子によって駆動される。
【００１１】
上記の目的を達成するための本開示の積層構造体組立体の製造方法は、
下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成り、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出している積層構造体を準備し、
第２の配線が形成され、全面に未硬化の光硬化型接着剤から成る未硬化接着剤層が形成された第２の基板を準備し、
第２の基板の上に形成された未硬化接着剤層上に積層構造体を配し、次いで、
積層構造体の上方から光を照射し、張出し部の下に位置する未硬化接着剤層の部分を硬化させ、硬化した光硬化型接着剤層を介して積層構造体と第２の基板とを接着した後、未硬化接着剤層を除去し、その後、
第１の配線の端部と第２の配線とを、メッキ層を介して電気的に接続する、
各工程を備えている。
【発明の効果】
【００１２】
本開示にあっては、張出し部の下面と第２の基板とが光硬化型接着剤層によって接着されているので、積層構造体組立体を第２の基板に確実に固定することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、実施例１の積層構造体組立体の模式的な一部端面図であり、図１Ｃは、実施例１の積層構造体組立体の一部分の模式的な平面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、実施例１の電子デバイスの模式的な一部端面図である。
【図３】図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ｂ及び図３Ｃに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図であり、図４Ｃ及び図４Ｄは、図４Ａ及び図４Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｃは、図４Ｃに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図であり、図５Ｂは、図４Ｄに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、図５Ｃに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、図６Ａ及び図６Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、図７Ａ及び図７Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ、図８Ａ及び図８Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、図９Ａ及び図９Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１Ａ及び図１１Ｂは、それぞれ、図１０Ａ及び図１０Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、それぞれ、図１１Ａ及び図１１Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明するための第１の基板等の模式的な一部端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の積層構造体組立体、本開示の実装基板、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る電子デバイス、並びに、積層構造体組立体の製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の積層構造体組立体、本開示の実装基板、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る電子デバイス、並びに、積層構造体組立体の製造方法）、その他
【００１５】
［本開示の積層構造体組立体、本開示の実装基板、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る電子デバイス、並びに、積層構造体組立体の製造方法、全般に関する説明］
以下の説明において、本開示の実装基板、本開示の第１の態様に係る電子デバイスにおける実装基板、及び、本開示の第２の態様に係る電子デバイスにおける実装基板を総称して、『本開示の実装基板等』と呼ぶ場合がある。
【００１６】
本開示の第１の態様に係る電子デバイスにおいて、第２の配線は、周辺回路及び／又は電源に接続されている形態とすることができる。周辺回路、電源は、周知の周辺回路、電源とすることができ、第１の素子に基づき適切な周辺回路や電源を選択すればよい。
【００１７】
本開示の積層構造体組立体において、張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する形態とすることができる。また、本開示の実装基板、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る電子デバイスにおける実装基板、本開示の第２の態様に係る電子デバイスにおける実装基板にあっては、各積層構造体において、張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する形態とすることができる。
【００１８】
上記の好ましい形態を含む本開示の積層構造体組立体、上記の好ましい形態を含む本開示の実装基板等において、
第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である形態とすることができる。
【００１９】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の積層構造体組立体、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の実装基板等にあっては、張出し部の上面には、あるいは又、各積層構造体の張出し部の上面には、光硬化型接着剤層が存在しない形態とすることができる。
【００２０】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の積層構造体組立体、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の実装基板等にあっては、
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている形態とすることができる。
【００２１】
本開示の第２の態様に係る電子デバイスにおいて、
複数の積層構造体及び第２の素子は、対の状態で、２次元マトリクス状に配列されており、
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子は発光素子から成り、
画像表示装置を構成する形態とすることができる。あるいは又、本開示の第２の態様に係る電子デバイスにおいて、
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子はセンサから成り、
センサアレイを構成する形態とすることができる。
【００２２】
第１の配線や第２の配線、第１の素子と第１の配線とを接続する接続部は、周知の導電材料から構成すればよく、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を例示することができる。第１の素子と第１の配線とを接続する接続部の形成方法として、接続部を構成する導電材料にも依存するが、スパッタリング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。
【００２３】
絶縁層を構成する材料として、例えば、シリコン酸化物系の材料を挙げることができるし、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、フルオロカーボン、アモルファス・テトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、パリレン、ベンゾシクロブテン、アモルファス・カーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、フッ化フラーレン）を挙げることができる。あるいは又、絶縁層を構成する材料として、例えば、ＳｉＯＮを含むＳｉＮ系の材料、各種樹脂、ポリシリコン、絶縁性を有する金属化合物（例えば、酸化アルミニウム）を挙げることができる。絶縁層は、多層構造を有することが好ましい。尚、絶縁層の延在部から成る張出し部を構成する材料には、未硬化の光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明であることが要求される。張出し部以外の絶縁層の部分を構成する材料は、未硬化の光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００２４】
本開示の積層構造体組立体の製造方法にあっては積層構造体を準備するが、具体的には、先ず、第１の基板上に、絶縁層、第１の配線を順次、形成する。あるいは又、第１の基板に第１の素子を形成し、次いで、その上に絶縁層、第１の配線を順次、形成する。そして、絶縁層を介して第１の基板と支持基板とを、例えば、接着材料層を介して接合する。その後、第１の基板の厚さを薄くし、次いで、第１の基板及び絶縁層をエッチングすることで、絶縁層の延在部から成る張出し部及び第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出している積層構造体を得ることができるし、積層構造体が相互に分離される。エッチングの方法として、例えば、ＲＩＥ法を挙げることができる。次に、分離された積層構造体における第１の基板を中継基板によって保持し、支持基板を除去（剥離）する。支持基板の剥離方法として、レーザ・アブレーション法や加熱法、エッチング法を挙げることができる。そして、第２の基板上の未硬化接着剤層の上に積層構造体を配し、次いで、中継基板を除去する。
【００２５】
第１の基板として、シリコン半導体基板を挙げることができる。また、第２の基板として、リジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板といった実装用の基板を挙げることができる。第２の配線は、これらのプリント配線板に形成された配線から構成することができる。あるいは又、第２の基板として、ガラス基板上に配線が形成された基板、ＴＦＴ基板（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された基板）を挙げることもできる。
【００２６】
光硬化型接着剤として、周知の光硬化型接着剤を用いればよい。光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であるか、透明であるかは、光硬化型接着剤を硬化させるための光（具体的には、例えば、紫外線等のエネルギー線）を第１の基板や第２の基板、絶縁層を介して光硬化型接着剤に照射したとき、光硬化型接着剤が硬化すれば透明であり、未硬化であれば不透明であると云える。積層構造体の上方から光を照射し、張出し部の下に位置する未硬化接着剤層の部分を硬化させ、硬化した光硬化型接着剤層を介して積層構造体と第２の基板とを接着した後、未硬化接着剤層を除去するので、第１の配線の端部と第２の基板に形成された第２の配線との間からは未硬化接着剤層が除去され、第１の配線の端部と第２の配線との間には隙間が形成される。
【００２７】
本開示の第１の態様に係る電子デバイスにおいて、第１の基板に形成された第１の素子の個数は、１以上であればよく、個数の上限に特に限定は無い。第１の素子を備えた積層構造体組立体は、例えば発光素子あるいはセンサといった第２の素子を、例えば駆動するための駆動用超小型の半導体装置である。１つの第１の素子が、１つの第２の素子を駆動してもよいし、複数の第２の素子を駆動してもよい。尚、第１の素子は、トランジスタに限定するものでなく、第１の素子を、ダイオードや、抵抗素子、コンデンサ素子（容量素子）から構成することもできるし、第１の素子を、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、コンデンサ素子（容量素子）から成る群から選択された少なくとも１種類の部品から構成することもできる。あるいは又、第１の素子及び第２の素子を、所謂受動素子から構成してもよい。第１の素子は第１の基板に形成されているが、具体的には、第１の基板の内部に形成されていてもよいし、第１の基板の表面に形成されていてもよいし、第１の基板と絶縁層との間に形成されていてもよい。但し、第１の基板に第１の素子を形成することは必須ではない。第１の配線のみを備えた積層構造体組立体は、例えば、一種の切替器（スイッチャ）や分岐器として使用することができる。
【００２８】
第２の素子が発光素子から成る場合、発光素子は、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）から構成されている形態とすることができる。発光ダイオードは、周知の構成、構造の発光ダイオードとすることができる。即ち、発光ダイオードの発光色に依って、最適な構成、構造を有し、適切な材料から作製された発光ダイオードを選択すればよい。発光ダイオードを発光部とする画像表示装置にあっては、赤色発光ダイオードから成る発光部が赤色発光副画素（サブピクセル）として機能し、緑色発光ダイオードから成る発光部が緑色発光副画素として機能し、青色発光ダイオードから成る発光部が青色発光副画素として機能し、これらの３種類の副画素によって１画素が構成され、これらの３種類の副画素の発光状態によってカラー画像を表示することができる。３種類の副画素によって１画素を構成する場合、３種類の副画素の配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。そして、発光ダイオードを、ＰＷＭ駆動法に基づき、しかも、定電流駆動すればよい。あるいは又、３つのパネルを準備し、第１のパネルを赤色発光ダイオードから成る発光部から構成し、第２のパネルを緑色発光ダイオードから成る発光部から構成し、第３のパネルを青色発光ダイオードから成る発光部から構成し、これらの３つのパネルからの光を、例えば、ダイクロイック・プリズムを用いて纏めるプロジェクタへ適用することもできる。
【００２９】
第２の素子がセンサから成る場合、センサとして、可視光を検出するセンサ、赤外線を検出するセンサ、紫外線を検出するセンサ、Ｘ線を検出するセンサ、気圧を検出するセンサ、温度を検出するセンサ、音を検出するセンサ、振動を検出するセンサ、加速度を検出するセンサ、角加速度を検出するセンサ（所謂ジャイロセンサー）を挙げることができる。
【００３０】
メッキ層の形成は、例えば、電解メッキ法、具体的には、例えば、電解銅メッキ法に基づき行うことができる。尚、メッキの開始時、第１の配線の端部と第２の配線とは離間した状態にある。そして、第２の配線をカソードとして用いて、メッキ浴と第２の配線との間に電圧を印加すると、メッキ層が第２の配線から成長し始める。そして、メッキ層の成長先端面は多くの場合、丸みを帯びているので、最初に第１の配線の端部と接触するメッキ層の部分は、点状又は極く限られた領域に限定される。そして、メッキ層と第１の配線の端部とが接触した後には、第２の配線と第１の配線の端部の双方からメッキ層が成長し、次第に接触面が拡大していく。このように、或る狭い範囲からメッキ層が拡大するので、メッキ層に、ボイドが発生し難いし、均一な組成の連続したグレインを生成させることができる。そのため、第２の配線と第１の配線の端部とが接触した状態でメッキを開始するよりも、電気的、機械的に強固な接合を得ることができる。
【実施例１】
【００３１】
実施例１は、本開示の積層構造体組立体、本開示の実装基板、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る電子デバイス、並びに、積層構造体組立体の製造方法に関する。実施例１の積層構造体組立体の模式的な一部端面図を図１Ａ及び図１Ｂに示し、実施例１の積層構造体組立体の一部分の模式的な平面図を図１Ｃに示す。尚、図１Ａ及び図１Ｂに示す模式的な一部端面図は、それぞれ、図１Ｃの模式的な平面図の矢印Ａ−Ａ及びＢ−Ｂに沿った一部端面図である。また、図１Ｃにおいて、第１の配線を明示するため、第１の配線に斜線を付した。更には、実施例１の電子デバイスの模式的な一部端面図を図２Ａ及び図２Ｂに示すが、図２Ａ及び図２Ｂに示す模式的な一部端面図は、それぞれ、図１Ｃの模式的な平面図の矢印Ａ−Ａ及びＢ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。
【００３２】
実施例１の積層構造体組立体は、
下から、第１の配線３１、絶縁層２１，２２及び第１の基板１１が積層された積層構造体１０、並びに、
第２の配線６１が形成された第２の基板５１、
を備えている。そして、
絶縁層２２の延在部から成る張出し部２２Ａ、及び、第１の配線の端部３１Ａが、積層構造体１０の側面１０Ａから突出しており、
張出し部２２Ａの下面と第２の基板５１とは、光硬化型接着剤層７１によって接着されており、
第１の配線の端部３１Ａと第２の配線６１とは、メッキ層６２を介して電気的に接続されている。尚、絶縁層２１，２２は２層構造を有し、絶縁層２１を、便宜上、第１絶縁層２１、絶縁層２２を、便宜上、第２絶縁層２２と呼ぶ場合がある。
【００３３】
また、実施例１の実装基板は、
それぞれが、下から、第１の配線３１、絶縁層（第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２）及び第１の基板１１が積層されて成る、複数の積層構造体１０、並びに、
第２の配線６１が形成された第２の基板５１、
を備えている。そして、
各積層構造体１０において、絶縁層（第２絶縁層２２）の延在部から成る張出し部２２Ａ、及び、第１の配線の端部３１Ａが、積層構造体１０の側面１０Ａから突出しており、
各積層構造体１０の張出し部２２Ａの下面と第２の基板５１とは、光硬化型接着剤層７１によって接着されており、
各積層構造体１０の第１の配線の端部３１Ａと第２の配線６１とは、メッキ層６２を介して電気的に接続されている。
【００３４】
更には、実施例１の電子デバイスは、実施例１の実装基板を備えている。そして、第２の配線６１は、周知の構成を有する周辺回路及び／又は電源（これらは図示せず）に接続されている。尚、この第２の配線６１は、例えば、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂの紙面に垂直な方向に延びている。
【００３５】
ここで、第１の基板１１は、半導体基板、より具体的には、シリコン半導体基板から成り、第１の基板１１には素子（以下、便宜上、『第１の素子１２』と呼び、具体的には、ＦＥＴ）が形成されており、素子（第１の素子１２）と第１の配線３１とは、絶縁層（第１絶縁層２１）に設けられた接続部２４を介して電気的に接続されている。
【００３６】
あるいは又、実施例１の電子デバイスは、
それぞれが、下から、第１の配線３１、絶縁層（第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２）及び第１の基板１１が積層されて成る、複数の積層構造体１０、並びに、
第２の配線６１が形成された第２の基板５１、
を備えている。そして、
各積層構造体１０において、絶縁層（第２絶縁層２２）の延在部から成る張出し部２２Ａ、及び、第１の配線の端部３１Ａが、積層構造体１０の側面１０Ａから突出しており、
各積層構造体１０の張出し部２２Ａの下面と第２の基板５１とは、光硬化型接着剤層７１によって接着されており、
各積層構造体１０の第１の配線の端部３１Ａと第２の配線６１とは、メッキ層６２を介して電気的に接続されており、
第１の基板１１は、半導体基板、より具体的には、シリコン半導体基板から成り、
第１の基板１１には第１の素子（具体的には、トランジスタ、より具体的には、ＦＥＴ）１２が形成されており、
第１の素子と第１の配線３１とは、絶縁層（第１絶縁層２１）に設けられた接続部２４を介して電気的に接続されており、
各積層構造体１０に隣接して、第２の基板５１上には第２の素子８０（具体的には、発光素子、より具体的には、発光ダイオード、ＬＥＤ）が配置されており、
第１の素子１２と第２の素子８０とは、第２の配線６１によって電気的に接続されており、
第２の素子８０は第１の素子１２によって駆動される。
【００３７】
そして、複数の積層構造体１０及び第２の素子８０は、対の状態で、２次元マトリクス状に配列されており、この電子デバイスによって、画像表示装置が構成される。即ち、このような構成にあっては、１つの発光素子が１つの積層構造体組立体（例えば、半導体装置）によって駆動される。この積層構造体組立体（半導体装置）の大きさは、例えば、６０μｍ角乃至１５０μｍ角である。第２の素子８０に設けられたボンディング・パッド部８１の突出部８１Ａは、メッキ層６２を介して第２の配線６１と電気的に接続されている。また、第２の素子８０に形成された絶縁層８２の延在部から成る張出し部８２Ａの下面と第２の基板５１とは、光硬化型接着剤層７１によって接着されており、これによって、第２の素子８０は第２に基板５１に固定されている。
【００３８】
また、第１の基板１１及び第２の基板５１は、未硬化の光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、絶縁層（第２絶縁層２２）の延在部から成る張出し部２２Ａは、未硬化の光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である。具体的には、第１の基板は、上述したとおり、シリコン半導体基板から成り、第２の基板５１は、リジッドプリント配線板から成る。また、絶縁層（第２絶縁層２２）、及び、その延在部から成る張出し部２２Ａは、ＳｉＮから成る。更には、各積層構造体１０において、張出し部２２Ａ及び第１の配線の端部３１Ａは同一平面内に位置する。また、張出し部２２Ａの上面には光硬化型接着剤層７１が存在しない。
【００３９】
以下、第１の基板等の模式的な一部端面図である、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して、実施例１の積層構造体組立体の製造方法を説明する。尚、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｃ、図５Ａ、図５Ｃ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ及び図１２Ａは、図１Ｃの模式的な平面図の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の一部端面図である。また、図３Ｃ、図４Ｂ、図４Ｄ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ及び図１２Ｂは、図１Ｃの模式的な平面図の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の一部端面図である。
【００４０】
先ず、下から、第１の配線３１、絶縁層（第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２）及び第１の基板１１が積層されて成り、絶縁層（第２絶縁層２２）の延在部から成る張出し部２２Ａ、及び、第１の配線の端部３１Ａが、積層構造体の側面１０Ａから突出している積層構造体１０を準備する。
【００４１】
［工程−１００］
具体的には、先ず、シリコン半導体基板から成る第１の基板１１に、周知の方法に基づきトランジスタ（具体的には、電界効果トランジスタ）１２を形成する。尚、参照番号１３，１４，１５，１６は、ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル形成領域、ソース／ドレイン領域である。そして、第１の素子１２が形成された第１の基板１１の上に、周知のＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ2から成る第１絶縁層２１を形成する（図３Ａ参照）。
【００４２】
［工程−１１０］
次に、端面３１Ｂを有する第１の配線３１を第１絶縁層２１の上に形成し、第１配線３１と第１配線３１の間に、ＳｉＮから成る絶縁層（第２絶縁層２２）を形成し、併せて、第１の素子（トランジスタ）１２と第１の配線３１とを接続する接続部２４を第１絶縁層２１に形成する。具体的には、第１絶縁層２１の上に、ＣＶＤ法に基づき第２絶縁層２２を形成する。そして、第１の配線３１を形成すべき第２絶縁層２２の部分に凹部（溝）を形成し、更に、接続部２４を形成すべき第１絶縁層２１の部分に、第１の素子１２のソース／ドレイン領域１６に達する孔部を形成する。そして、例えば、メッキ法に基づき、孔部及び凹部（溝）を銅層（Ｃｕ層）によって埋める。こうして、所謂デュアルダマシン法に基づき、端面３１Ｂを有する第１の配線３１及び接続部２４を得ることができる（図３Ｂ及び図３Ｃ参照）。その後、後述する溝部（分離溝）４３を形成すべき領域における不要な第２絶縁層２２の部分を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき除去し（図４Ａ及び図４Ｂ参照）、次いで、ＳｉＯ2から成る平坦化膜２３を全面に形成し、平坦化膜２３を平坦化処理することで、平坦化膜２３、第１の配線３１及び第２絶縁層２２の頂面を同一レベルとする。こうして、図４Ｃ及び図４Ｄに示す構造を得ることができる。但し、第１の配線３１、接続部２４、第２絶縁層２２の形成方法は、このような方法に限定するものではない。
【００４３】
［工程−１２０］
次いで、第１の配線３１、第２絶縁層２２及び平坦化膜２３を介して、第１の基板１１と支持基板４０とを接合する。具体的には、接着材料層４１を用いて、周知の方法に基づき、第１の基板１１と支持基板４０とを接合する（図５Ａ、図５Ｂ参照）。
【００４４】
［工程−１３０］
その後、例えば、ＣＭＰ法に基づき、第１の基板１１の厚さを、例えば、１０μｍ程度まで薄くする（図５Ｃ参照）。
【００４５】
［工程−１４０］
次に、第１の基板１１、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２及び平坦化膜２３をエッチングする。具体的には、第１の基板１１の頂面１１Ａの上にエッチング用レジスト４２を周知の方法で形成する（図６Ａ、図６Ｂ参照）。そして、第１の基板１１、第１絶縁層２１及び平坦化膜２３をエッチングし（図７Ａ、図７Ｂ参照）、更に、第１の基板１１と支持基板４０との接合部である接着材料層４１まで（必要に応じて、更に、支持基板４０の一部まで）エッチングする（図８Ａ及び図８Ｂ参照）。このとき、第２絶縁層２２及び第１の配線の端部３１Ａはエッチングされず、且つ、第１絶縁層２１及び平坦化膜２３はエッチングされるようなエッチング条件を選択する。こうして、溝部（分離溝）４３を形成することができるが、溝部（分離溝）４３には、第１の配線の端部３１Ａ及び絶縁層２２の延在部から成る張出し部２２Ａが露出している。ここで、溝部４３に露出した第１の配線３１の端部３１Ａは、接続端子部である。積層構造体１０において、張出し部２２Ａ及び第１の配線の端部３１Ａは同一平面内に位置する。積層構造体１０のそれぞれは、溝部（分離溝）４３によって相互に分離されている。その後、エッチング用レジスト４２を除去する。
【００４６】
［工程−１５０］
第２の配線６１が形成され、全面に未硬化の光硬化型接着剤から成る未硬化接着剤層７１Ａが形成された第２の基板５１を準備しておく。一方、接着層が全面に形成された中継基板（図示せず）を準備する。そして、接着層と第１の基板１１の頂面１１Ａとを接触させ、接着層に第１の基板１１の頂面１１Ａを付着させる。その後、支持基板側からエキシマレーザを接着材料層４１に照射することでレーザ・アブレージョンを生じさせ、積層構造体１０を支持基板４０から取り外し、中継基板において保持する。その後、中継基板に保持された積層構造体１０を、第１の配線の端部３１Ａと第２の基板５１（実装用の基板であり、具体的には、リジッドプリント配線板）５１に設けられた第２の配線６１とが対向するように、未硬化接着剤層７１Ａ上に配した後、中継基板を周知の方法で除去する。こうして、図９Ａ及び図９Ｂに示す構造を得ることができる。
【００４７】
［工程−１６０］
次いで、積層構造体１０の上方から光（具体的には、紫外線）を照射し、張出し部２２Ａの下に位置する未硬化接着剤層７１Ａの部分を硬化させ、硬化した光硬化型接着剤層７１を介して積層構造体１０と第２の基板５１とを接着する。具体的には、張出し部２２Ａの下に位置する未硬化接着剤層７１Ａの部分には紫外線が照射され、第２の配線６１の上の未硬化接着剤層７１Ａには紫外線が照射されず、また、不所望の領域の上の未硬化接着剤層７１Ａには紫外線が照射されないようなマスク５２を使用して、積層構造体１０の上方から紫外線を未硬化接着剤層７１Ａに照射し（図１０Ａ及び図１０Ｂ参照）、張出し部２２Ａの下に位置する未硬化接着剤層７１Ａの部分、及び、未硬化接着剤層７１Ａの所望の部分を硬化させる。
【００４８】
同時に、第２の素子８０の上方から光（具体的には、紫外線）を照射し、張出し部８２Ａの下に位置する未硬化接着剤層の部分を硬化させ、硬化した光硬化型接着剤層７１を介して第２の素子８０と第２の基板５１とを接着する。具体的には、張出し部８２Ａの下に位置する未硬化接着剤層の部分には紫外線が照射され、第２の配線６１の上の未硬化接着剤層７１Ａには紫外線が照射されず、また、不所望の領域の上の未硬化接着剤層７１Ａには紫外線が照射されないようなマスク５２を使用して、第２の素子８０の上方から紫外線を未硬化接着剤層７１Ａに照射し、張出し部８２Ａの下に位置する未硬化接着剤層７１Ａの部分、及び、未硬化接着剤層７１Ａの所望の部分を硬化させる。
【００４９】
そして、未硬化接着剤層７１Ａを、周知の方法に基づき除去する。積層構造体１０と第２の基板５１とは、張出し部２２Ａの下に位置する硬化した光硬化型接着剤層７１によって接着される。同様に、第２の素子８０と第２の基板５１とは、張出し部８２Ａの下に位置する硬化した光硬化型接着剤層７１によって接着される。また、第１の配線３１（端部３１Ａを含む）及びボンディング・パッド部８１（突出部８１Ａを含む）と第２の配線６１との間には、隙間が形成される。こうして、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す構造を得ることができる。
【００５０】
［工程−１７０］
その後、第１の配線の端部３１Ａと第２の配線６１とを、メッキ層６２を介して電気的に接続する。同時に、ボンディング・パッド部の突出部８１Ａと第２の配線６１とを、メッキ層６２を介して電気的に接続する。メッキ層６２の形成は、例えば、電解メッキ法、具体的には、例えば、電解銅メッキ法に基づき行えばよい。こうして、図１２Ａ及び図１２Ｂ、並びに、図２Ａ及び図２Ｂに示す構造を得ることができる。
【００５１】
以上のとおり、実施例１にあっては、張出し部２２Ａの下面と第２の基板５１とは光硬化型接着剤層７１によって接着されているので、積層構造体組立体を第２の基板５１に確実に固定することができる。
【００５２】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこの実施例に限定するものではない。実施例において説明した積層構造体や積層構造体組立体の構成、構造、使用した材料等は例示で有り、適宜、変更することができる。実施例にあっては、第１の配線を単層としたが、これに限定するものではなく、２層配線、３層配線、４層配線等の多層配線とすることができる。場合によっては、積層構造体を覆うように絶縁膜あるいはパッシベーション膜を形成してもよい。図１Ａ及び図１Ｂにおいては、光硬化型接着剤層７１が、張出し部２２Ａの端面２２Ｂと接していない状態を図示したが、未硬化接着剤層７１Ａの粘度等に依っては、光硬化型接着剤層７１が、張出し部２２Ａの端面２２Ｂと接する状態となることもあるし、場合によっては、張出し部の上面にまで光硬化型接着剤層が延在した状態となることもあり得る。
【００５３】
あるいは又、少なくとも積層構造体１０の側面１０Ａに絶縁膜が形成されており、絶縁膜の上にはチタン（Ｔｉ）から成る遮光膜が形成されている構成を採用してもよい。図２Ａ、図２Ｂに示したように、積層構造体１０に隣接して第２の素子（具体的には、発光素子）８０が配設されている。それ故、第２の素子８０から出射された光が積層構造体１０の第１の素子１２に入射し、その結果、第１の素子１２の特性に悪影響（例えば、光電変換に起因した悪影響）が生じる虞がある。然るに、積層構造体１０の側面１０Ａの部分に遮光膜を形成することで、更には、積層構造体１０の頂面の部分にも遮光膜を形成することで、第２の素子８０から出射された光が第１の素子１２に入射することを確実に防止することができ、第１の素子１２（具体的には、ＦＥＴ）の特性に悪影響が生じることを抑制することができる。また、絶縁膜を形成することで、メッキ層６２の形成時、遮光膜と第１の配線との間に短絡が発生することを防止することができる。
【００５４】
また、実施例においては第２の素子を発光素子から構成したが、電子デバイスにおいて、第１の素子はトランジスタから成り、第２の素子は、例えば、可視光を検出するセンサ、赤外線を検出するセンサ、紫外線を検出するセンサ、Ｘ線を検出するセンサ、気圧を検出するセンサ、温度を検出するセンサ、音を検出するセンサ、振動を検出するセンサ、加速度を検出するセンサ、角加速度を検出するセンサから成り、センサアレイを構成する形態とすることもできる。
【００５５】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《積層構造体組立体》
下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層された積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されている積層構造体組立体。
［Ａ０２」張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する［Ａ０１］に記載の積層構造体。
［Ａ０３］第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の積層構造体。
［Ａ０４］張出し部の上面には光硬化型接着剤層が存在しない［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ａ０５］第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の積層構造体。
［Ｂ０１］《実装基板》
それぞれが、下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成る、複数の積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
各積層構造体において、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
各積層構造体の張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
各積層構造体の第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されている実装基板。
［Ｂ０２］各積層構造体において、張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する［Ｂ０１］に記載の実装基板。
［Ｂ０３］第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の実装基板。
［Ｂ０４］各積層構造体の張出し部の上面には光硬化型接着剤層が存在しない［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の実装基板。
［Ｂ０５］第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の実装基板。
［Ｃ０１］《電子デバイス・・・第１の態様》
それぞれが、下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成る、複数の積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
各積層構造体において、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
各積層構造体の張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
各積層構造体の第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されている実装基板を備えた電子デバイス。
［Ｃ０２］実装基板の各積層構造体において、張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する［Ｃ０１］に記載の電子デバイス。
［Ｃ０３］実装基板において、
第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の電子デバイス。
［Ｃ０４］実装基板において、各積層構造体の張出し部の上面には光硬化型接着剤層が存在しない［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｃ０５］実装基板において、
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｄ０１］《電子デバイス・・・第２の態様》
それぞれが、下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成る、複数の積層構造体、並びに、
第２の配線が形成された第２の基板、
を備えており、
各積層構造体において、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出しており、
各積層構造体の張出し部の下面と第２の基板とは、光硬化型接着剤層によって接着されており、
各積層構造体の第１の配線の端部と第２の配線とは、メッキ層を介して電気的に接続されており、
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には第１の素子が形成されており、
第１の素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されており、
各積層構造体に隣接して、第２の基板上には第２の素子が配置されており、
第１の素子と第２の素子とは、第２の配線によって電気的に接続されており、
第２の素子は第１の素子によって駆動される電子デバイス。
［Ｄ０２］複数の積層構造体及び第２の素子は、対の状態で、２次元マトリクス状に配列されており、
第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子は発光素子から成り、
画像表示装置を構成する［Ｄ０１］に記載の電子デバイス。
［Ｄ０３］第１の素子はトランジスタから成り、
第２の素子はセンサから成り、
センサアレイを構成する［Ｄ０１］に記載の電子デバイス。
［Ｄ０４］実装基板の各積層構造体において、張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する［Ｄ０１］乃至［Ｄ０３］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｄ０５］実装基板において、
第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である［Ｄ０１］乃至［Ｄ０４］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｄ０６］実装基板において、各積層構造体の張出し部の上面には光硬化型接着剤層が存在しない［Ｄ０１］乃至［Ｄ０５］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｄ０７］実装基板において、
第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている［Ｄ０１］乃至［Ｄ０６］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｅ０１］《積層構造体組立体の製造方法》
下から、第１の配線、絶縁層及び第１の基板が積層されて成り、絶縁層の延在部から成る張出し部、及び、第１の配線の端部が、積層構造体の側面から突出している積層構造体を準備し、
第２の配線が形成され、全面に未硬化の光硬化型接着剤から成る未硬化接着剤層が形成された第２の基板を準備し、
第２の基板の上に形成された未硬化接着剤層上に積層構造体を配し、次いで、
積層構造体の上方から光を照射し、張出し部の下に位置する未硬化接着剤層の部分を硬化させ、硬化した光硬化型接着剤層を介して積層構造体と第２の基板とを接着した後、未硬化接着剤層を除去し、その後、
第１の配線の端部と第２の配線とを、メッキ層を介して電気的に接続する、
各工程を備えた積層構造体組立体の製造方法。
［Ｅ０２」張出し部及び第１の配線の端部は同一平面内に位置する［Ｅ０１］に記載の積層構造体組立体の製造方法。
［Ｅ０３］第１の基板及び第２の基板は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して不透明であり、
絶縁層の延在部から成る張出し部は、光硬化型接着剤を硬化させるための光に対して透明である［Ｅ０１］又は［Ｅ０２］に記載の積層構造体組立体の製造方法。
［Ｅ０４］張出し部の上面には光硬化型接着剤層が存在しない［Ｅ０１］乃至［Ｅ０３］のいずれか１項に記載の積層構造体組立体の製造方法。
［Ｅ０５］第１の基板は半導体基板から成り、
第１の基板には素子が形成されており、
素子と第１の配線とは、絶縁層に設けられた接続部を介して電気的に接続されている［Ｅ０１］乃至［Ｅ０４］のいずれか１項に記載の積層構造体組立体の製造方法。
【符号の説明】
【００５６】
１０・・・積層構造体、１０Ａ・・・積層構造体の側面、１１・・・第１の基板、１１Ａ・・・第１の基板の頂面、１２・・・素子（第１の素子）、１３・・・ゲート電極、１４・・・ゲート絶縁層、１５・・・チャネル形成領域、１６・・・ソース／ドレイン領域、２１・・・絶縁層（第１絶縁層）、２２・・・絶縁層（第２絶縁層）、２２Ａ・・・絶縁層の延在部から成る張出し部、２２Ｂ・・・張出し部の端面、２３・・・平坦化膜、２４・・・接続部、３１・・・第１の配線、３１Ａ・・・第１の配線の端部、３１Ｂ・・・第１の配線の端部の端面、４０・・・支持基板、４１・・・接着材料層、４２・・・エッチング用レジスト、４３・・・溝部（分離溝）、５１・・・第２の基板、５２・・・マスク、６１・・・第２の配線、６２・・・メッキ層、７１・・・光硬化型接着剤層、７１Ａ・・・未硬化接着剤層、８０・・・第２の素子、８１・・・第２の素子に設けられたボンディング・パッド部、８１Ａ・・・第２の素子に設けられたボンディング・パッド部の突出部、８２・・・第２の素子に設けられた絶縁層、８２Ａ・・・第２の素子に設けられた絶縁層の延在部から成る張出し部、８４・・・第２の素子における接着材料層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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