(57)【要約】【課題】ノズル面の残渣の発生を防止することができるインクジェットヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】第１熱酸化膜形成工程で、ノズルを形成する前の第１シリコン基板に第１熱酸化膜を形成する。第１接合工程で、第１シリコン基板の第１熱酸化膜が形成されている面に、第２シリコン基板を接合する。ノズル形成工程で、第１シリコン基板のノズルの形成位置を、第２シリコン基板と接合する接合面とは反対の反対面側から第１熱酸化膜までエッチングしてノズルを形成する。第２接合工程で、ノズルと連通する圧力室を含むインクの流路を有する流路基板を、第１シリコン基板の反対面側に接合する。基板除去工程で、第１シリコン基板から第２シリコン基板を除去する。熱酸化膜除去工程で、第１シリコン基板から第１熱酸化膜を除去する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するノズルを形成する前の第１シリコン基板に第１熱酸化膜を形成する第１熱酸化膜形成工程と、
前記第１シリコン基板の前記第１熱酸化膜が形成されている面に、第２シリコン基板を接合する第１接合工程と、
前記第１シリコン基板の前記ノズルの形成位置を、前記第２シリコン基板と接合する接合面とは反対の反対面側から前記第１熱酸化膜までエッチングして、前記ノズルを形成するノズル形成工程と、
前記ノズルと連通する圧力室を含むインクの流路を有する流路基板を、前記第１シリコン基板の前記反対面側に接合する第２接合工程と、
前記第１シリコン基板から前記第２シリコン基板を除去する基板除去工程と、
前記第１シリコン基板から前記第１熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
を有するインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１接合工程よりも前に、前記第２シリコン基板の外表面に第２熱酸化膜を形成する第２熱酸化膜形成工程を有し、
前記第１接合工程は、前記第１熱酸化膜が形成されている前記第１シリコン基板の前記接合面と、前記第２シリコン基板の前記第２熱酸化膜が形成されている面とを接合する請求項１記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記熱酸化膜除去工程は、ドライエッチング処理により前記第１熱酸化膜を除去する請求項１または２記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記熱酸化膜除去工程は、水素を含むガスを用いて前記ドライエッチング処理を行う請求項３記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記熱酸化膜除去工程の後に、前記第１シリコン基板の前記接合面をクリーニング処理するクリーニング処理工程を有する請求項１から４のいずれか１項記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記クリーニング処理工程は、ドライエッチング処理により前記接合面をクリーニング処理する請求項５記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記基板除去工程は、ドライエッチング処理により前記第２シリコン基板を除去する請求項１から６のいずれか１項記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１熱酸化膜形成工程は、前記第１シリコン基板の外表面に前記第１熱酸化膜を形成する請求項１から７のいずれか１項記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第１接合工程と前記ノズル形成工程との間に、前記第１シリコン基板の厚みを、前記ノズルの長さに対応する厚みに調整する厚み調整工程を有する請求項１から８のいずれか１項記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１シリコン基板は、面方位が（１００）のシリコン基板であり、
前記ノズル形成工程は、前記形成位置を前記反対面側から前記第１熱酸化膜まで結晶異方性エッチングして、前記第１熱酸化膜に向かって次第に先細りとなるテーパ面を有する前記ノズルを形成する請求項１から９のいずれか１項記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１１】
液体を吐出するノズルを形成する前の第１シリコン基板と、第２シリコン基板とを接合してなる接合基板であってかつ前記第１シリコン基板の前記第２シリコン基板と接合する接合面に第１熱酸化膜が予め形成されている接合基板における、前記第１シリコン基板の前記ノズルの形成位置を前記接合面とは反対の反対面側から前記第１熱酸化膜までエッチングして、前記ノズルを形成するノズル形成工程と、
前記ノズルと連通する圧力室を含むインクの流路を有する流路基板を、前記第１シリコン基板の前記反対面側に接合する第２接合工程と、
前記第１シリコン基板から前記第２シリコン基板を除去する基板除去工程と、
前記第１シリコン基板から前記第１熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
を有するインクジェットヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出用のノズルを有するインクジェットヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録装置のインクジェットヘッドは、インクを吐出するノズルが複数形成されているノズルプレートを有している。このノズルプレートは、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板を用いて形成される（特許文献１参照）。ＳＯＩ基板は、外表面に熱酸化膜が形成された両面研磨のシリコン基板であるハンドル層基板と、シリコン基板であるデバイス層基板と、を接合した接合基板である。
【０００３】
ノズルプレート（インクジェットヘッド）の製造工程では、ＳＯＩ基板のデバイス層基板を、ハンドル層基板と接合する接合面とは反対側の面からエッチングしてデバイス層基板にノズルを形成する。この際に、ＳＯＩ基板の熱酸化膜（ＢＯＸ層ともいう）はエッチングストッパとして機能する。次いで、デバイス層基板上に流路基板及び振動板を順次接合した後、この振動板上に圧電素子を形成する。そして、デバイス層基板からハンドル層基板及び熱酸化膜をドライエッチング処理により除去することで、デバイス層基板がノズルプレートとして機能する。また、デバイス層基板（ノズルプレート）の接合面は、ノズルの開口が形成されたノズル面となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１５６８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＳＯＩ基板の形成時に、デバイス層基板のノズル面（接合面）にハンドル層基板を接合することで、ノズル面は、接合時のパーティクル等の付着、接合時の加圧加熱による応力や歪みなどに起因するダメージを受けてしまう。その結果、ドライエッチング処理によりデバイス層基板からハンドル層基板及び熱酸化膜を除去した際に、ノズル面に残渣が発生してしまう。この残渣はドライエッチング処理では除去不能であるので、最終的にノズル面に残渣が残るという問題がある。なお、この残渣はウェットエッチング処理により除去可能であるが、この場合にはエッチング液がノズル内に入り込むことで、後の工程でのパーティクルの問題や他の層へのダメージが発生するという問題が生じる。
【０００６】
本発明の目的は、ノズル面の残渣の発生を防止可能なインクジェットヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の目的を達成するためのインクジェットヘッドの製造方法は、液体を吐出するノズルを形成する前の第１シリコン基板に第１熱酸化膜を形成する第１熱酸化膜形成工程と、第１シリコン基板の第１熱酸化膜が形成されている面に、第２シリコン基板を接合する第１接合工程と、第１シリコン基板のノズルの形成位置を、第２シリコン基板と接合する接合面とは反対の反対面側から第１熱酸化膜までエッチングして、ノズルを形成するノズル形成工程と、ノズルと連通する圧力室を含むインクの流路を有する流路基板を、第１シリコン基板の反対面側に接合する第２接合工程と、第１シリコン基板から第２シリコン基板を除去する基板除去工程と、第１シリコン基板から第１熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、を有する。
【０００８】
本発明によれば、第１シリコン基板と第２シリコン基板とを接合する際に、第１シリコン基板の接合面が、接合時のパーティクル等の付着や加圧加熱による応力や歪みなどに起因するダメージを受けることが防止される。
【０００９】
第１接合工程よりも前に、第２シリコン基板の外表面に第２熱酸化膜を形成する第２熱酸化膜形成工程を有し、第１接合工程は、第１熱酸化膜が形成されている第１シリコン基板の接合面と、第２シリコン基板の第２熱酸化膜が形成されている面とを接合することが好ましい。これにより、第１シリコン基板と第２シリコン基板とを接合してなる接合基板の反りの発生が防止される。
【００１０】
熱酸化膜除去工程は、ドライエッチング処理により第１熱酸化膜を除去することが好ましい。ウェットエッチング処理を行った場合のように、エッチング液がノズルから流路内に入ることで流路内がエッチングされたり、第１シリコン基板等がダメージを受けたり、流路内に入ったエッチング液が後工程で出てくることにより接合面にパーティクルや残渣が発生したりすることが防止される。
【００１１】
熱酸化膜除去工程は、水素を含むガスを用いてドライエッチング処理を行うことが好ましい。水素を含むガスをドライエッチングに用いることで、エッチング残渣防止効果が向上する。また、水素を含むガスは、下地の第１シリコン基板との選択比が高いので、ノズル径の精度が向上する。
【００１２】
熱酸化膜除去工程の後に、第１シリコン基板の接合面をクリーニング処理するクリーニング処理工程を有することが好ましい。これにより、後工程での撥水膜の密着性が向上し、接合面の耐久性が向上する。
【００１３】
クリーニング処理工程は、ドライエッチング処理により接合面をクリーニング処理することが好ましい。ウェットエッチング処理の場合には、エッチング液による流路内や圧電素子へのダメージがあるが、ドライエッチングの場合には、このようなダメージはなく、さらに流路内に入ったエッチング液が後工程で出てくることによるパーティクル等の問題もない。また、熱酸化膜除去工程後にすぐにクリーニング処理を行うことで、歩留まりが向上して低コスト化が図れる。
【００１４】
基板除去工程は、ドライエッチング処理により第２シリコン基板を除去することが好ましい。これにより、第１熱酸化膜でのエッチングストップを高精度に行うことができるので、歩留まりが向上しかつノズル径の精度が向上する。
【００１５】
第１熱酸化膜形成工程は、第１シリコン基板の外表面に第１熱酸化膜を形成する。
【００１６】
第１接合工程とノズル形成工程との間に、第１シリコン基板の厚みを、ノズルの長さに対応する厚みに調整する厚み調整工程を有する。これにより、ノズルの長さを調整することができる。
【００１７】
第１シリコン基板は、面方位が（１００）のシリコン基板であり、ノズル形成工程は、形成位置を反対面側から第１熱酸化膜まで結晶異方性エッチングして、第１熱酸化膜に向かって次第に先細りとなるテーパ面を有するノズルを形成する。これにより、テーパ面を有するノズルを形成することができる。
【００１８】
また、本発明の目的を達成するためのインクジェットヘッドの製造方法は、液体を吐出するノズルを形成する前の第１シリコン基板と、第２シリコン基板とを接合してなる接合基板であってかつ第１シリコン基板の第２シリコン基板と接合する接合面に第１熱酸化膜が予め形成されている接合基板における、第１シリコン基板のノズルの形成位置を接合面とは反対の反対面側から第１熱酸化膜までエッチングして、ノズルを形成するノズル形成工程と、ノズルと連通する圧力室を含むインクの流路を有する流路基板を、第１シリコン基板の反対面側に接合する第２接合工程と、第１シリコン基板から第２シリコン基板を除去する基板除去工程と、第１シリコン基板から第１熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、ノズル面の残渣の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】インクジェットヘッドの断面図である。
【図２】インクジェットヘッドの製造工程の工程フローである。
【図３】第１熱酸化膜形成工程を説明するための説明図である。
【図４】第１接合工程を説明するための説明図である。
【図５】研削・研磨工程を説明するための説明図である。
【図６】ＳＯＩ基板熱酸化膜形成工程を説明するための説明図である。
【図７】ノズル形成工程を説明するための説明図である。
【図８】ノズル形成工程で形成されたノズル基板の断面図である。
【図９】流路基板形成工程を説明するための説明図である。
【図１０】第２接合工程を説明するための説明図である。
【図１１】圧電素子形成工程を説明するための説明図である。
【図１２】ハンドル層除去工程を説明するための説明図である。
【図１３】ＢＯＸ層除去工程を説明するための説明図である。
【図１４】ＢＯＸ層除去工程後のノズル面の正面図である。
【図１５】ハンドル層基板に熱酸化膜を形成する比較例を説明するための説明図である。
【図１６】比較例の第１接合工程を説明するための説明図である。
【図１７】比較例の研削・研磨工程を説明するための説明図である。
【図１８】比較例におけるＢＯＸ層除去工程後のノズル面の正面図である。
【図１９】第２実施形態のインクジェットヘッドの製造工程に含まれるノズル基板準備工程の工程フローである。
【図２０】第２実施形態の第１熱酸化膜形成工程及び第２熱酸化膜形成工程を説明するための説明図である。
【図２１】第２実施形態の第１接合工程を説明するための説明図である。
【図２２】第２実施形態の研削・研磨工程を説明するための説明図である。
【図２３】インクジェット記録装置の概略図である。
【図２４】インクジェットヘッドの概略図である。
【図２５】インクジェット記録装置の電気的構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［インクジェットヘッドの全体構成］
図１に示すようにインクジェットヘッド１０は、ノズルプレート１３と、圧力室１５を含むインクの流路１６を有する流路基板１７と、振動板１８と、熱酸化膜１９と、圧電素子２０と、を含んで構成されている。
【００２２】
ノズルプレート１３は、複数のノズル２２が形成されているシリコン基板である。ノズル２２は、ノズル開口２２ａに向かって次第に先細りとなるテーパ面２２ｂにより構成される。各ノズル２２はノズルプレート１３を貫通するように形成されているので、ノズルプレート１３の厚みがノズル２２の長さとなる。ノズル開口２２ａは、ノズルプレート１３のノズル面（接合面）１３ａ側に開口している。また、ノズル面１３ａには、インク（液体）の吐出方向の安定化や吐出性能の向上のために撥水処理が施されている。
【００２３】
流路基板１７は、ノズルプレート１３のノズル面１３ａとは反対側の面上に設けられたシリコン基板である。この流路基板１７は圧力室１５の側壁部を構成している。また、流路基板１７には、インクタンク（図示せず）から供給されるインクを圧力室１５に導く流路１６が形成されている。なお、説明の便宜上、図中では流路基板１７を簡略的に図示しているが、流路基板１７は複数の基板を積層した構造であってもよい。
【００２４】
振動板１８は、圧力室１５の天面（図１中の上面）を構成している。振動板１８上には圧電素子２０が形成されている。圧電素子２０は、下部電極２６と圧電膜２７と上部電極２８とを含んで構成されており、駆動電圧の印加により変形する。この圧電素子２０の変形に伴い振動板１８が変形して圧力室１５の容積が減少することで、圧力室１５内のインクに圧力が加わる。これにより、ノズル２２からインクが吐出される。
【００２５】
［第１実施形態のインクジェットヘッドの製造工程］
次に、図２の工程フローと図３から図１３の説明図とを用いて、上記構成のインクジェットヘッド１０の製造工程（以下、単にヘッド製造工程と略す）３０について説明を行う。なお、図面の煩雑化を防止するために、インクジェットヘッド１０の記録素子の単位となる１チャンネル分のインク噴射素子のみの製造過程を図示している。
【００２６】
ヘッド製造工程３０は、大別して、ノズル基板準備工程３２と、ノズル形成工程３３と、流路基板形成工程３４と、第２接合工程３５と、圧電素子形成工程３６と、ハンドル層除去工程（基板除去工程）３７と、ＢＯＸ層除去工程（熱酸化膜除去工程）３８と、クリーニング処理工程３９と、撥水処理工程４０と、を有している。
【００２７】
ノズル基板準備工程３２は、ノズル基板５５（図８参照）の元となるＳＯＩ基板４９（接合基板、図４参照）を形成する。なお、ノズル基板５５は、ＳＯＩ基板４９にノズル２２を形成したものであり、ノズルプレート１３を含んでいる。ノズル基板準備工程３２は、第１熱酸化膜形成工程３２Ａと、第１接合工程３２Ｂと、研削・研磨工程（厚み調整工程）３２Ｃと、ＳＯＩ基板熱酸化膜形成工程３２Ｄと、を有している。
【００２８】
図３に示すように、第１熱酸化膜形成工程３２Ａは、面方位（１００）のベアシリコン基板であるデバイス層基板（第１シリコン基板）４５の外表面に熱酸化膜（第１熱酸化膜）４６を形成する。熱酸化膜４６は、例えば、デバイス層基板４５をウェット酸化処理やドライ酸化処理することで形成される。この熱酸化膜４６はノズル形成工程３３にてエッチングストッパ層として用いられるものであるので、デバイス層基板４５の材料となるシリコンの選択比に応じて熱酸化膜４６の膜厚を決定すればよい。
【００２９】
デバイス層基板４５は、例えば、ボロンドープＰ型シリコンで形成されたものであって、抵抗値が１〜１００Ωｃｍ（好ましくは５〜１０Ωｃｍ）、さらに基板サイズが６インチであれば厚みが６２５μｍのものを使用する。また、デバイス層基板４５は、後述のハンドル層基板４７と接合する接合面が研磨面に形成されている。このデバイス層基板４５は、最終的にノズルプレート１３となる。
【００３０】
第１接合工程３２Ｂは、デバイス層基板４５と、ハンドル層基板（第２シリコン基板）４７とを接合する。ここでハンドル層基板４７は、両面研磨のベアシリコン基板である。第１接合工程３２Ｂでは、最初に、デバイス層基板４５及びハンドル層基板４７を洗浄する。ここでは、例えばウェット洗浄として周知のＲＣＡ洗浄［ＲＣＡ−１洗浄（ＳＣ−１洗浄）、ＲＣＡ−２洗浄（ＳＣ−２洗浄）］を行う。そして、最後に自然熱酸化膜を除去し、両基板４５，４７の表面を水素終端化する。
【００３１】
また、デバイス層基板４５及びハンドル層基板４７を、プラズマ洗浄してもよい。プラズマ洗浄を行った場合は、両基板４５，４７の表面にＯＨ基が高密度で生成され、その水素結合によって両基板４５，４７が接合する。この場合には、ＯＨ基から発生するＨ２Ｏ分子により接合界面でバブルが発生するが、ＳｉＯ２（熱酸化膜４６）があるのでＨ２Ｏ分子がＳｉＯ２に吸収されて、接合界面でのボイドを防ぐことができる。
【００３２】
図４に示すように、第１接合工程３２Ｂの接合方法には、直接接合やプラズマ支援直接接合などがある。例えば直接接合を行う場合には、初めに大気中でデバイス層基板４５の熱酸化膜４６が形成されている研磨面と、ハンドル層基板４７の研磨面とを重ね合わせる仮接合を行う。洗浄後の両基板４５，４７の表面にはＯＨ基が生成されており、これらＯＨ基同士が水素結合することで両基板４５，４７が仮接合する。その後、両基板４５，４７を数百℃に加熱するとＯＨ基からＨ２Ｏ分子が取れて両基板４５，４７が酸素で結合し、さらに１０００℃以上では酸素がシリコン基板（両基板４５，４７）中に拡散してシリコン原子間で結合が生じる。両基板４５，４７を１０００度以上に加熱することで十分な接合強度を得ることができる。これにより、ＳＯＩ基板４９が形成される。
【００３３】
また、デバイス層基板４５のハンドル層基板４７と接合する接合面（以下、単に接合面という）上に形成された熱酸化膜４６は、ＢＯＸ（Buried Oxide：埋め込み絶縁膜）層４６ａとなる。ＢＯＸ層４６ａは、本発明の第１熱酸化膜に相当するものである。なお、デバイス層基板４５の接合面は、最終的にノズル面１３ａとなる。
【００３４】
図５に示すように、研削・研磨工程３２Ｃでは、デバイス層基板４５を、その接合面とは反対側の反対面（図中の上面であり、以下、単に反対面という）から研削・研磨して、ノズル２２の長さに対応するデバイス層基板４５の厚みを調整する。具体的には、デバイス層基板４５を、目標の厚みに達する前の残り１００μｍ程度まで粗い目（例えば♯２００）のグラインダーで研削し、その後、細かい目（例えば♯５０００）の研磨部材で仕上げ加工を行う。そして、最後にデバイス層基板４５に対して、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を行う。デバイス層基板４５の厚み（すなわち、ノズル２２の長さ）は、例えば１０〜１０００μｍ程度に調整され、本実施形態では５０μｍに調整する。
【００３５】
ＳＯＩ基板熱酸化膜形成工程３２Ｄでは、研削・研磨処理後のＳＯＩ基板４９に対してウェット酸化処理やドライ酸化処理を施して、このＳＯＩ基板４９の全面に熱酸化膜５１を形成する。以上でノズル基板準備工程３２の全工程が完了する。
【００３６】
図７（Ａ）に示すように、ノズル形成工程３３では、最初にパターニング等により、デバイス層基板４５の反対面側の熱酸化膜５１上にレジストマスク５３を形成するレジストマスク形成処理を行う。このレジストマスク５３には、デバイス層基板４５におけるノズル２２の形成位置（以下、単にノズル形成位置と略す）に対応する位置に、レジスト開口５３ａが形成されている。なお、レジストマスク５３の形成方法は周知技術であるので、ここでは具体的な説明は省略する。
【００３７】
図７（Ｂ）に示すように、レジストマスク形成処理後にノズル形成工程３３では、レジストマスク５３をマスクとして、デバイス層基板４５上の熱酸化膜５１をエッチング処理する。このエッチング処理は、例えば、フッ酸等を用いたウェットエッチング処理である。これにより、レジスト開口５３ａの形状が熱酸化膜５１に転写されて、熱酸化膜５１のノズル形成位置に対応する位置に熱酸化膜開口５１ａが形成される。なお、レジストマスク５３は、エッチング処理後に熱酸化膜５１上から除去される。
【００３８】
図７（Ｃ）に示すように、エッチング処理後にノズル形成工程３３では、熱酸化膜５１をマスクとして、デバイス層基板４５のノズル形成位置を、その反対面側からＢＯＸ層４６ａに向かって結晶異方性エッチングする結晶異方性エッチング処理を行う。
【００３９】
結晶異方性エッチング処理は、ＫＯＨ等をエッチング液として用いるウェットエッチング装置により実行される。前述の通り、デバイス層基板４５の面方位は（１００）であるので、デバイス層基板４５は反対面に対して約５６．７°の角度を有する１１１面を有している。ここで、単結晶シリコンは面方位（結晶方位）によりエッチングレートが大きく異なっており、１００面に対して１１１面のエッチングはほとんど進行しない。また、ＢＯＸ層４６ａは、結晶異方性エッチングをストップするエッチングストッパとして機能する。
【００４０】
デバイス層基板４５のノズル形成位置を、その反対面側からＢＯＸ層４６ａまで結晶異方性エッチングすることにより、ノズル形成位置にＢＯＸ層４６ａに向かって次第に先細りとなる略四角錐状のテーパ面２２ｂが形成される。本実施形態では、約５６．７°のテーパ形状を有するテーパ面２２ｂが得られる。これにより、デバイス層基板４５のノズル形成位置にノズル２２が形成される。
【００４１】
なお、前述の通り、本実施形態ではデバイス層基板４５として抵抗値が１〜１００Ωｃｍの基板を使用しているが、一般に抵抗値はエッチングレートに影響する。ノンドープの高抵抗品（１０００〜２００００Ωcm）はエッチングレートが高く、ハイドープの低抵抗品（０．０００１〜０．１Ωｃｍ）はエッチングレートが低い。「１〜１００Ωｃｍ」品は、市場での流通量多く、安価に入手できる。また、「１〜１００Ωｃｍ」品は、エッチングレートが安定しているので、アンダーカット量が低減し、かつノズル径（ノズル開口２２ａの径）の高精度化が図れる。
【００４２】
図８に示すように、結晶異方性エッチング処理後にノズル形成工程３３では、例えば、ウェットエッチング処理によりＳＯＩ基板４９の外表面にある熱酸化膜４６，５１を除去する熱酸化膜除去処理を行う。
【００４３】
以上でノズル形成工程３３が完了し、ＳＯＩ基板４９にノズル２２が形成されることにより、ノズル基板５５が生成される。
【００４４】
図９に示すように、流路基板形成工程３４では、シリコン基板をエッチング処理して、あるいは複数のシリコン基板をエッチング処理した後に積層して、流路基板１７を形成する。
【００４５】
図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように、第２接合工程３５では、デバイス層基板４５の反対面側に、流路基板１７を接合するとともに、流路基板１７のデバイス層基板４５に対向する面とは反対側の面にＳＯＩ基板５８を接合する。この第２接合工程３５の接合方法は、特に限定されず、直接接合やプラズマ支援直接接合などの各種接合方法を用いてよい。
【００４６】
ＳＯＩ基板５８は、デバイス層基板５９と、ＢＯＸ層である前述の熱酸化膜１９と、ハンドル層基板６１とを有している。このＳＯＩ基板５８は、デバイス層基板５９を流路基板１７に重ね合わせるように流路基板１７に接合される。デバイス層基板５９は、最終的に前述の振動板１８となる。このデバイス層基板５９は、前述の研削・研磨工程３２Ｃと同様の手法により振動板１８の厚みに応じた厚みに形成されている。
【００４７】
図１１に示すように、圧電素子形成工程３６では、最初に、研削・研磨処理やドライエッチング処理等の各種の方法を用いてＳＯＩ基板５８からハンドル層基板６１を除去する。これにより、デバイス層基板５９が振動板１８として機能する。次いで、圧電素子形成工程３６では、熱酸化膜１９の振動板１８と対向する面とは反対側の面（図中の上面）上に、下部電極２６と圧電膜２７と上部電極２８とを順次に形成する。これにより、振動板１８の上に圧電素子２０が形成される。なお、圧電素子２０の形成方法は公知であるので、ここでは具体的な説明は省略する。また、図示は省略するが、圧電素子２０側の基板表面には、レジストなどの保護膜が形成される。
【００４８】
図１２に示すように、ハンドル層除去工程３７では、ノズル基板５５のハンドル層基板４７を、研削・研磨処理及びドライエッチング処理により除去する。ここで、ノズル基板５５のＢＯＸ層４６ａは１μｍ程度と薄く、さらに、ＢＯＸ層４６ａと接するデバイス層基板４５の接合面にはノズル開口２２ａが形成されている。このため、研磨での仕上げ加工時は、ＢＯＸ層４６ａで研磨をストップする必要がある。この際に、圧電素子２０側の基板表面には、圧電素子２０が形成されていること、またその保護のためにレジストなどの保護膜をコートしているため、凹凸や反りが発生している。その結果、研磨加工時にＢＯＸ層４６ａでの研磨ストップが困難となる。
【００４９】
そこで、ノズル基板５５からハンドル層基板４７を除去する際には、ハンドル層基板４７のシリコンを約５０〜１００μｍ程度残すように研削・研磨する。その後、残ったシリコンをドライエッチング処理により除去することが望ましい。このドライエッチング処理では、フッ素系ガスを用いてプラズマを生成してＢｉａｓを印加することなく、シリコンをエッチング加工する。フッ素系ガスの中でもＳＦ６はシリコンのエッチングレートが高いので有効である。具体的に、エッチングレートは１０〜１００μｍ／ｍｉｎとなり、高速エッチングが可能なため、低コスト化が図れる。また、Ｂｉａｓを印加しないので、下地であるＢＯＸ層４６ａ（シリコン酸化膜）との選択比を高くすることが可能となり、ノズルプレート１３の高精度化が可能となる。さらに、ＢＯＸ層４６ａでのエッチングストップを高精度に行うことができるので、歩留まりが向上しかつノズル径の精度が向上する。
【００５０】
図１３に示すように、ＢＯＸ層除去工程３８では、ドライエッチング処理によりノズル基板５５からＢＯＸ層４６ａを除去する。ここで、ＢＯＸ層４６ａは、フッ酸等を用いたウェットエッチング処理により除去することも可能であるが、ウェットエッチング処理を行うとノズル２２の内部にエッチング液が侵入してしまう。このため、エッチング液により流路１６の内部がエッチングされたり、あるいは流路１６内に入ったエッチング液が後工程で出てくることにより流路１６の内部からパーティクル等が引き出されたりするおそれがある。その結果、ノズルプレート１３のノズル面１３ａがパーティクルや残渣により汚れたり、圧電素子２０にダメージが与えられたりしてしまう。そのため、ドライエッチングによる加工が有効となる。
【００５１】
ここで、ドライエッチングを行う際に、下地のシリコン（デバイス層基板４５）が削れてしまうとノズルプレート１３の厚みが変わってしまい、さらに、ノズル２２の開口部分におけるデバイス層基板４５の厚みが変わるとノズル径が変わってしまう。ノズル径が異なる各ノズル２２は、インクの吐出量が異なってしまうため、画質へも影響が出てしまう。そこで、ドライエッチングにはエッチングガスとして、下地のシリコン（デバイス層基板４５）との選択比を高くするため、ＣＦ系ガスを用いると良い。例えば、ＣとＦを含むガスでＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ３Ｆ８、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８などを用いる。
【００５２】
さらに、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスや酸素、水素などのガスを混合して使用することが有効である。混合ガスの例は、Ａｒ／Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４／Ｈ２、Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｈ２が良い。特に水素を含むガスをドライエッチングに用いることで、エッチング残渣防止効果が向上する。また、水素を含むガスは、下地のシリコン（デバイス層基板４５）との選択比が高いので、ノズル径の精度が向上する。
【００５３】
ドライエッチング処理によりノズル基板５５からＢＯＸ層４６ａが除去されると、デバイス層基板４５が前述のノズルプレート１３として機能する。また、ノズルプレート１３のノズル面１３ａには、ノズル２２のノズル開口２２ａが開口する。
【００５４】
本実施形態では、デバイス層基板４５とハンドル層基板４７とを接合する前に、デバイス層基板４５に熱酸化膜４６（ＢＯＸ層４６ａ）を形成しているので、きれいな状態のノズル面１３ａ（デバイス層基板４５の接合面）を熱酸化膜４６で保護している。このため、ノズル面１３ａが、両基板４５，４７の接合時のパーティクル等の付着や加圧加熱による応力や歪みなどに起因するダメージを受けることが防止される。その結果、図１４に示すように、ＢＯＸ層除去工程３８にてデバイス層基板４５からＢＯＸ層４６ａを除去すると、元のきれいなノズル面１３ａが現れる。これにより、ノズル面１３ａに残渣が発生することが防止される。
【００５５】
クリーニング処理工程３９では、ノズル面１３ａに対してドライエッチング処理を施すことにより、ノズル面１３ａをクリーニング処理する。このドライエッチング処理には、エッチングガスとしてＡｒが用いられる。これにより、ＢＯＸ層除去工程３８のドライエッチング処理によりノズル面１３ａに付着した反応性生物であるＣＦポリマーを除去することができる。その結果、後の工程でノズル面１３ａへの撥水膜の密着性が向上するため、ノズル面１３ａの耐久性が向上する。また、ドライエッチング処理の代わりにウェットエッチング処理を行う場合には圧電素子２０や流路１６内へのダメージがあるが、ドライエッチング処理の場合には、このようなダメージはない。さらに、流路１６の内部からパーティクル等が引き出されたりするなどの問題もない。ＢＯＸ層４６ａの除去後にすぐにクリーニング処理を行うことで、歩留まりが向上するため低コスト化を図ることが可能となる。
【００５６】
撥水処理工程４０では、ノズル面１３ａに対して撥水処理を行う。この撥水処理は、例えばスパッタ、蒸着、ＣＶＤ、ウェット処理により、ノズル面１３ａに撥水膜を形成、あるいはノズル面１３ａを撥水構造にすることにより行う。
【００５７】
以上でヘッド製造工程３０の全工程が終了し、インクジェットヘッド１０が完成する。
【００５８】
［第１実施形態のインクジェットヘッドの製造工程の効果］
図１５から図１７に示す比較例では、図１５に示すように熱酸化膜６３をハンドル層基板４７に形成する熱酸化膜形成工程と、図１６に示すようにデバイス層基板４５と熱酸化膜６３の形成後のハンドル層基板４７とを接合する接合工程と、図１７に示すようにデバイス層基板４５の厚みを調整する研削・研磨工程と、を経てＳＯＩ基板６４を生成する。
【００５９】
このような比較例では、デバイス層基板４５の接合面（ノズル面１３ａ）にハンドル層基板４７が直接接合されるため、デバイス層基板４５の接合面が接合時のパーティクル等の付着や加圧加熱による応力や歪みなどに起因するダメージを受けてしまう。このため、ＳＯＩ基板６４を用いてインクジェットヘッド１０の製造を行うと、図１８に示すように、ＢＯＸ層除去工程３８にてデバイス層基板４５からＢＯＸ層（熱酸化膜６３）を除去した際に、ノズル面１３ａに前述のダメージに起因する残渣（図中にドットで表示）が発生する。
【００６０】
このような比較例に対して、本発明では、デバイス層基板４５に熱酸化膜４６を形成した後でハンドル層基板４７との接合を行うため、ノズル面１３ａとなるデバイス層基板４５の接合面がダメージを受けることが防止できる。その結果、ドライエッチング処理によりデバイス層基板４５からＢＯＸ層４６ａを除去した際に、ノズル面１３ａにダメージに起因する残渣が発生することが防止される。
【００６１】
［第２実施形態のインクジェットヘッドの製造工程］
次に、図１９の工程フローと、図２０から図２２の説明図とを用いて、第２実施形態のヘッド製造工程について説明を行う。上記第１実施形態のヘッド製造工程３０ではデバイス層基板４５に熱酸化膜４６を形成するが、第２実施形態のヘッド製造工程ではデバイス層基板４５とハンドル層基板４７との両方にそれぞれ熱酸化膜を形成する。
【００６２】
なお、第２実施形態のヘッド製造工程は、第１実施形態と一部異なるノズル基板準備工程７０を有する点を除けば、第１実施形態のヘッド製造工程３０と基本的に同じである。このため、上記第１実施形態と機能・構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。
【００６３】
ノズル基板準備工程７０は、第１熱酸化膜形成工程３２Ａと第１接合工程３２Ｂとの間に、第２熱酸化膜形成工程３２Ａ−１を実行する点を除けば、第１実施形態のノズル基板準備工程３２と同じである。なお、第２熱酸化膜形成工程３２Ａ−１は、第１熱酸化膜形成工程３２Ａと同時あるいは第１熱酸化膜形成工程３２Ａよりも前に実行してもよい。
【００６４】
図２０に示すように、第２熱酸化膜形成工程３２Ａ−１では、第１熱酸化膜形成工程３２Ａと同様の方法でハンドル層基板４７の外表面に熱酸化膜（第２熱酸化膜）６３を形成する。
【００６５】
次いで、図２１に示すように前述の第１接合工程３２Ｂにて、熱酸化膜４６が形成されたデバイス層基板４５と、熱酸化膜６３が形成されたハンドル層基板４７とを接合して、ＳＯＩ基板４９−１を形成する。このＳＯＩ基板４９−１は、ハンドル層基板４７に熱酸化膜６３が形成されている点を除けば、第１実施形態のＳＯＩ基板４９と基本的に同じ構成である。
【００６６】
図２２に示すように、研削・研磨工程３２Ｃでは、第１実施形態と同様に、デバイス層基板４５を研削・研磨して、ノズル２２の長さに対応するデバイス層基板４５の厚みを調整する。
【００６７】
ＳＯＩ基板熱酸化膜形成工程３２Ｄでは、図示は省略するが、ＳＯＩ基板４９−１の全面に熱酸化膜５１（図６参照）を形成する。以上でノズル基板準備工程７０の全工程が完了する。ノズル基板準備工程７０以降の工程は、前述のＢＯＸ層除去工程３８にて熱酸化膜６３の除去を行う点を除けば、第１実施形態のヘッド製造工程３０と基本的に同じであるので、具体的な説明は省略する。
【００６８】
［第２実施形態のインクジェットヘッドの製造工程の効果］
このように第２実施形態では、デバイス層基板４５とハンドル層基板４７の両方に熱酸化膜４６，６３を形成するので、ＳＯＩ基板４９−１の反りを防止することができる。その理由は、接合後の基板は、デバイス層基板４５の外側とＢＯＸ層４６ａ、ハンドル層基板４７の外側に熱酸化膜があるので熱酸化膜の反りのバランスを調整することで反りが解消される。更には、デバイス層基板４５とハンドル層基板４７の熱酸化膜では、デバイス層基板４５の熱酸化膜を薄く、ハンドル層基板４７の熱酸化膜を厚くすることで反り低減の効果が高くなる（例えばデバイス層基板４５を０．１μｍ、ハンドル層基板４７を０．９μｍ）。このようにすることで研磨後、デバイス層基板４５の熱酸化膜が除去され、ＢＯＸ層４６ａとハンドル層基板４７の熱酸化膜の厚みが近いので熱酸化膜の両面でのバランスが緩和され反りを低減することが出来る。特に研削・研磨工程３２Ｃにてデバイス層基板４５を研削・研磨した際に、ハンドル層基板４７の両面に熱酸化膜４６，６３が形成されていることで、第１実施形態のようにハンドル層基板４７の片面側に熱酸化膜４６を形成している場合よりも、ＳＯＩ基板４９−１の反りを確実に防止することができる。これにより、インクジェットヘッド１０の歩留まりを向上させることができる。また、ノズル径の精度を向上させることができる。
【００６９】
また、第２実施形態のヘッド製造工程においても、デバイス層基板４５に熱酸化膜４６を形成した後でハンドル層基板４７との接合を行うので、第１実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。
【００７０】
［インクジェット記録装置への適用例］
次に、上記ヘッド製造工程３０（第２実施形態のヘッド製造工程でも可、以下同じ）で製造されたインクジェットヘッドのインクジェット記録装置への適用例について説明を行う。
【００７１】
＜全体構成＞
図２２は、インクジェット記録装置１００の全体構成図である。同図に示すインクジェット記録装置１００は、記録媒体１０２を保持して搬送する記録媒体搬送部１０４と、記録媒体搬送部１０４に保持された記録媒体１０２に対して、Ｋ（黒）、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）に対応するカラーインクを吐出させるインクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙ（インクジェットヘッド１０に相当）を含む印字部１０７と、を含んで構成されている。
【００７２】
記録媒体搬送部１０４は、記録媒体１０２が保持される記録媒体保持領域に多数の吸着穴（不図示）が設けられた無端状の搬送ベルト１０８と、搬送ベルト１０８が巻き掛けられる搬送ローラ（駆動ローラ、従動ローラ）１１０，１１２と、記録媒体保持領域の搬送ベルト１０８の裏側（記録媒体１０２が保持される記録媒体保持面と反対側の面）に設けられ、記録媒体保持領域に設けられた不図示の吸着穴に負圧を発生させるチャンバー１１４と、チャンバー１１４に負圧を発生させる真空ポンプ１１６と、を含んでいる。
【００７３】
記録媒体１０２が搬入される搬入部１１８には、記録媒体１０２の浮きを防止するための押圧ローラ１２０が設けられる。また、記録媒体１０２が排出される排出部１２２にも押圧ローラ１２４が設けられている。
【００７４】
搬入部１１８から搬入された記録媒体１０２は、記録媒体保持領域に設けられた吸着穴から負圧が付与され、搬送ベルト１０８の記録媒体保持領域に保持される。
【００７５】
記録媒体１０２の搬送路上には、印字部１０７の前段側（記録媒体搬送方向上流側）に、記録媒体１０２の表面温度を所定範囲に調整するための温度調節部１２６が設けられている。また、印字部１０７の後段側（記録媒体搬送方向下流側）に、記録媒体１０２上に記録された画像を読み取る読取装置（読取センサ）１２８が設けられている。
【００７６】
搬入部１１８から搬入された記録媒体１０２は、搬送ベルト１０８の記録媒体保持領域に吸着保持され、温度調節部１２６による温度調節処理が施された後に、印字部１０７において画像記録が行われる。
【００７７】
画像記録がされた記録媒体１０２は、読取装置１２８によって記録画像（テストパターン）が読み取られた後に、排出部１２２から排出される。
【００７８】
＜印字部の構成＞
図２４に示すように、印字部１０７に具備されるインクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙは、記録媒体１０２の全幅を超える長さにわたって複数のノズルが配置されたフルライン型のインクジェットヘッドである。インクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙは、前述のヘッド製造工程３０で製造されたものである。
【００７９】
インクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙは、複数のヘッドモジュール１４０を長手方向Ｄ１につなぎ合わせた構造を有している。各ヘッドモジュール１４０は、前述のノズル面１３ａに相当するノズル面１４４を有している。このノズル面１４４には、複数個のノズル１４６（前述のノズル２２に相当）を長手方向Ｄ１に対して一定の角度を有する斜め方向に沿って配列してなるノズル列１４６ａが形成され、さらに、このノズル列１４６ａが長手方向Ｄ１に複数配列されている。
【００８０】
インクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙは、記録媒体搬送方向の上流側からこの順番で配置されている。フルライン型のインクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙと記録媒体１０２とを相対的に一回だけ移動させるシングルパス方式により、記録媒体１０２全域にわたって記録画像を記録することができる。
【００８１】
なお、印字部１０７は上述した形態に限定されない。例えば、ＬＣ（ライトシアン）やＬＭ（ライトマゼンタ）に対応するインクジェットヘッドを具備してもよい。また、インクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙの配置順も適宜変更可能である。
【００８２】
また、インクジェット記録装置１００は、不図示のインク供給部を具備している。インク供給部は、インクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙに供給されるインクを貯蔵するインクタンクを色ごと（ヘッドごと）に備えている。色ごとのインクタンクのそれぞれとインクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙとは、不図示のインク供給路により連通されている。
【００８３】
＜制御系の構成＞
図２５は、インクジェット記録装置１００の制御系の概略構成を示すブロック図である。インクジェット記録装置１００は、通信インターフェース１７０、システム制御部１７２、搬送制御部１７４、画像処理部１７６、ヘッド駆動部１７８を備えるとともに、画像メモリ１８０、ＲＯＭ１８２を備えている。
【００８４】
通信インターフェース１７０は、ホストコンピュータ１８４から送られてくるラスター画像データを受信するインターフェース部である。通信インターフェース１７０は、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）などのシリアルインターフェースを適用してもよいし、セントロニクスなどのパラレルインターフェースを適用してもよい。
【００８５】
システム制御部１７２は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）及びその周辺回路等から構成され、所定のプログラムに従ってインクジェット記録装置１００の全体を制御する制御装置として機能する。また、システム制御部１７２は、各種演算を行う演算装置として機能し、さらに、画像メモリ１８０及びＲＯＭ１８２のメモリコントローラとして機能する。
【００８６】
すなわち、システム制御部１７２は、通信インターフェース１７０、搬送制御部１７４等の各部を制御し、ホストコンピュータ１８４との間の通信制御、画像メモリ１８０及びＲＯＭ１８２の読み書き制御等を行うとともに、上記の各部を制御する制御信号を生成する。
【００８７】
ホストコンピュータ１８４から送出された画像データは通信インターフェース１７０を介してインクジェット記録装置１００に取り込まれ、画像処理部１７６によって所定の画像処理が施される。
【００８８】
画像処理部１７６は、画像データから印字制御用の信号を生成するための各種加工、補正などの処理を行う信号（画像）処理機能を有し、生成した印字データ（ドットデータ）をヘッド駆動部１７８に供給する制御部である。
【００８９】
画像処理部１７６において所要の信号処理が施されると、該印字データ（ハーフトーン画像データ）に基づいて、ヘッド駆動部１７８を介してインクジェットヘッド１０６Ｋ，１０６Ｃ，１０６Ｍ，１０６Ｙの吐出液滴量（打滴量）や吐出タイミングの制御が行われる。なお、ヘッド駆動部１７８は、ヘッドモジュール１４０ごとに複数のブロックから構成されていてもよい。これにより、所望のドットサイズやドット配置が実現される。
【００９０】
搬送制御部１７４は、画像処理部１７６により生成された印字データに基づいて記録媒体１０２の搬送タイミング及び搬送速度を制御する。搬送駆動部１８６は、記録媒体１０２を搬送する記録媒体搬送部１０４の駆動ローラを駆動するモータが含まれており、搬送制御部１７４は該モータのドライバとして機能する。
【００９１】
画像メモリ１８０は、通信インターフェース１７０を介して入力された画像データを一旦格納する一時記憶手段としての機能や、ＲＯＭ１８２に記憶されている各種プログラムの展開領域及びＣＰＵの演算作業領域（例えば、画像処理部１７６の作業領域）としての機能を有している。画像メモリ１８０には、逐次読み書きが可能な揮発性メモリ（ＲＡＭ）が用いられる。
【００９２】
ＲＯＭ１８２は、システム制御部１７２のＣＰＵが実行するプログラムや、装置各部の制御に必要な各種データ、制御パラメータなどが格納されており、システム制御部１７２を通じてデータの読み書きが行われる。ＲＯＭ１８２は、半導体素子からなるメモリに限らず、ハードディスクなど磁気媒体を用いてもよい。また、外部インターフェースを備え、着脱可能な記憶媒体を用いてもよい。
【００９３】
パラメータ記憶部１９０は、インクジェット記録装置１００の動作に必要な各種制御パラメータが記憶されている。システム制御部１７２は、制御に必要なパラメータを適宜読み出すとともに、必要に応じて各種パラメータの更新（書換）を実行する。
【００９４】
プログラム格納部１９２は、インクジェット記録装置１００を動作させるための制御プログラムが格納されている記憶手段である。システム制御部１７２（又は装置各部）は、装置各部の制御を実行する際にプログラム格納部１９２から必要な制御プログラムが読み出され、該制御プログラムは適宜実行される。
【００９５】
なお、上記ヘッド製造工程３０で製造されたインクジェットヘッドは、図２３に示したインクジェット記録装置１００以外の各種のインクジェット記録装置、例えば、記録媒体を圧胴の外周面に保持して搬送する圧胴搬送方式のインクジェット記録装置のインクジェットヘッドにも適用することができる。
【００９６】
［その他］
上記第１実施形態のヘッド製造工程３０では、デバイス層基板４５の外表面（全面）に熱酸化膜４６を形成しているが、例えば、接合面（ノズル面１３ａ）のみに熱酸化膜４６を形成してもよい。
【００９７】
上記各実施形態では、ノズル基板準備工程３２，７０にてＳＯＩ基板４９，４９−１の製造を行っているが、ＳＯＩ基板４９，４９−１は他者から購入してノズル形成工程３３以降の各工程を適宜実施することによりインクジェットヘッド１０を製造する場合にも本発明を適用することができる。なお、第１接合工程３２Ｂ後、または研削・研磨工程３２Ｃ後のＳＯＩ基板４９，４９−１を他者から購入してインクジェットヘッド１０を製造する場合にも本発明を適用することができる。
【００９８】
上記の各実施形態では、グラフィック印刷用のインクジェット記録装置に用いられるインクジェットヘッドの製造方法について説明したが、電子回路の配線パターンを描画する配線描画装置、各種デバイスの製造装置、吐出用の機能性液体として樹脂液を用いるレジスト印刷装置、カラーフィルター製造装置、マテリアルデポジション用の材料を用いて微細構造物を形成する微細構造物形成装置など、液状機能性材料を用いて様々な形状やパターンを描画する各種インクジェット記録装置に用いられるインクジェットヘッドの製造方法に本発明を適用することができる。
【００９９】
さらに、本発明は上述した実施形態（例えば各基板・各層の材料、形成／除去方法、エッチング方法など）に限定されず、本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１００】
１０…インクジェットヘッド，１３…ノズルプレート，１７…流路基板，１８…振動板，２０…圧電素子，２２…ノズル，３０，７０…インクジェットヘッド製造工程，３２Ａ…第１熱酸化膜形成工程，３２Ａ−１…第２熱酸化膜形成工程，３２Ｂ…第１接合工程，３３…ノズル形成工程，３５…第２接合工程，３６…圧電素子形成工程，３７…ハンドル層除去工程，３８…ＢＯＸ層除去工程，３９…クリーニング処理工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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