(57)【要約】    【課題】  ２値記録を優先的に使用しつつも、必要なときに、多値記録技術を好適に使用することにより、容量不足と保存信頼性を両立させることである。    【解決手段】  ２値またはＮ値（Ｎは３以上の自然数）を記録可能な不揮発性のメモリセルを複数有する記録装置において、前記記録装置は各メモリセルに２値またはＮ値で記録させるように動作するメモリ制御手段と、前記不揮発性メモリセルと一時記録用の揮発性メモリとの間でデータを移動または複製できる手段とを有し、前記不揮発性メモリの２値メモリ領域のデータの全部もしくは一部を前記揮発性メモリに移動し、前記データが格納されていた２値メモリ領域をＮ値メモリ領域に変換後、前記揮発性メモリのデータをＮ値メモリ領域の前記不揮発性メモリに書き戻すことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２値またはＮ値（Ｎは３以上の自然数）を記録可能な不揮発性のメモリセルを複数有する記録装置において、
前記記録装置は各メモリセルに２値またはＮ値で記録させるように動作するメモリ制御手段と、
前記不揮発性メモリセルと一時記録用の揮発性メモリとの間でデータを移動または複製できる手段とを有し、
前記不揮発性メモリの２値メモリ領域のデータの全部もしくは一部を前記揮発性メモリに移動し、前記データが格納されていた２値メモリ領域をＮ値メモリ領域に変換後、前記揮発性メモリのデータをＮ値メモリ領域の前記不揮発性メモリに書き戻すことを特徴とした記録装置。
【請求項２】
前記各メモリセルに２値またはＮ値で記録させるように動作するメモリ制御手段は、
前記不揮発性のメモリセル全部もしくは一部に実施することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
ユーザーが望む空き容量を設定する手段と、
Ｎ値メモリ領域に変換することによる容量増加を算出する手段とを有し、
記録済みコンテンツの記録領域を多値メモリ化した場合の容量増加が、前記ユーザーが望む容量を上回るようにコンテンツを選択することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
不揮発性メモリの未使用領域の容量を検出する手段と、
不揮発性メモリのセル状態が２値もしくはＮ値であることを検出する手段と、
所定の空き容量を指定する手段とを有し、
不揮発性メモリの空き容量が、前記所定の空き容量を下回ったところで、２値メモリ領域のデータを前記揮発性メモリに移動し、前記２値メモリ領域をＮ値メモリ領域に変換後、前記揮発性メモリのデータをＮ値メモリ領域の前記不揮発性メモリに書き戻すことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
不揮発性メモリのセル状態が２値もしくはＮ値であることを検出する手段と、
前記不揮発性メモリのデータを移動または消去できる手段とを有し、
Ｎ値メモリ領域のデータが移動または消去されたことを検出すると、前記Ｎ値メモリ領域を、２値メモリ領域として再設定することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項６】
不揮発性メモリの未使用領域を検出する手段と、
不揮発性メモリのセル状態が２値もしくはＮ値であることを検出する手段とを有し、
２値メモリ領域をＮ値メモリ領域に変換する前に、Ｎ値メモリ領域が存在するのであれば、前記Ｎ値メモリ領域に優先して記録することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は記録装置に関し、特に、２値または３値以上のデータを記録可能な記録媒体を用いる記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、NANDフラッシュメモリ等の不揮発性半導体記録媒体は、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータといった様々なモバイル機器に採用されている。不揮発性半導体記録媒体は、従来の記録媒体であるHDD(Hard Disc Drive)やDVD(Digital Versatile Disc)ように機械駆動部や光学部などを必要としないため、小型、軽量、耐衝撃性、防塵性等々に優れ、今後の記録媒体の主役として大いに期待されている。
【０００３】
この不揮発性半導体記録媒体は、メモリセルと呼ばれる記録素子が多数集合して構成される。一般的にはこのメモリセルに電気的な閾値を一つ設けて、メモリセルに蓄積される電荷の状態に応じて「0」か「1」を判別し、２値（１ビット）のデータを記録することができる（以後、これを２値記録と呼び、そのような方法で記録するメモリを２値メモリと呼ぶ）。
【０００４】
最近では、この電気的な閾値を複数レベル設けることにより、３値以上のデータを記録する技術が登場している（以後、これを多値記録と呼び、そのような方法で記録するメモリを多値メモリと呼ぶ。または具体的な３値以上の自然数を当てはめて呼ぶ。）。例えば、閾値レベルを三つ設けることで、４値、すなわちメモリセルあたりに２ビットのデータを記録できる。この技術により１つのメモリセルに、従来よりも多いデータを記録できるため、低コスト、大容量化が実現できている。
【０００５】
一方で３値以上で記録される多値メモリは、電気的な閾値の数が増える分、電荷の蓄積量を正確に制御する必要があり、書き込み速度は２値の場合よりも劣る。同じ電源電圧で比較すると、多値記録では複数閾値の間隔が狭くなるので、電荷抜けによるデータ誤りが２値記録の場合よりも起こりやすくなる。つまり多値記録では２値記録と比較して、記録保持時間が低下する。例えば２値のNANDフラッシュメモリは書き換え回数１０万回、保持時間１０年間を保証していた。
【０００６】
これに対して多値のNANDフラッシュメモリは、保証できる書き換え回数は１万回以下、保持時間は１年以下とまで言われている。この現象はプロセスルールの微細化が進むにつれて拍車がかかるため、保存信頼性の観点からは、多値記録を使った多値メモリをを使いこなすことは厳しい状況となることが予想される。
【０００７】
以上を踏まえた上で、従来技術には用途に応じた使用方法を提案しているものが多い。例えば、予め２値領域のメモリセルと、多値領域のメモリセルを区分しておき、OS(Operating System)等のシステム動作に必須のプログラムデータは２値領域に記録し、個人データなどのシステムに影響の少ないデータは多値領域に配置するといった使い方が提案されている（特許文献１参照）。また、複数の多値メモリアレイを構成し、記録したいデータの量に応じて、多値領域に記録するか否かを決定する等、動作モードに連動させた記録方法も提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２２６８７号公報
【特許文献２】特開平１１−１７６１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来例では、２値メモリや多値メモリの領域を、その特性に合わせた使い方にすることができるものの、事前に領域を固定する必要があった。そのため、保存信頼性の高い２値メモリ領域が空いているにも関わらず、多値メモリ領域を使っている場合などもあり、最適な使い方とは言えなかった。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するものであって、その目的とする所は、２値記録を優先的に使用しつつも、必要なときに、多値記録技術を好適に使用することにより、容量不足と保存信頼性を両立させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
具体的に本発明は、２値またはＮ値（Ｎは３以上の自然数）を記録可能な不揮発性のメモリセルを複数有する記録装置において、前記記録装置は各メモリセルに２値またはＮ値で記録させるように動作するメモリ制御手段と、前記不揮発性メモリセルと一時記録用の揮発性メモリとの間でデータを移動または複製できる手段とを有し、前記不揮発性メモリの２値メモリ領域のデータの全部もしくは一部を前記揮発性メモリに移動し、前記データが格納されていた２値メモリ領域をＮ値メモリ領域に変換後、前記揮発性メモリのデータをＮ値メモリ領域の前記不揮発性メモリに書き戻すことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明によれば、保存信頼性の高い２値記録を優先しつつ、容量不足に陥った場合、２値メモリ領域を多値メモリ領域にダイナミックに変換することで容量不足を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明を説明するための記録装置のブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施例における動作フローチャートである。
【図３】本発明の第１の実施例における多値メモリ変換前の図である。
【図４】本発明の第１の実施例における多値メモリ変換中の図である。
【図５】本発明の第１の実施例における多値メモリ変換後の図である。
【図６】本発明の第１の実施例における多値メモリ変換後のコンテンツ追加の図である。
【図７】本発明の第１の実施例における多値メモリ変換フローチャートである。
【図８】本発明の第２の実施例におけるフローチャートである。
【図９】本発明の第２の実施例における撮影中の多値メモリ変換前の図である。
【図１０】本発明の第２の実施例における撮影中の多値メモリ変換中の図である。
【図１１】本発明の第２の実施例における撮影中の多値メモリ変換後の図である。
【図１２】本発明の第３の実施例における警告画面の図である。
【図１３】本発明の第３の実施例における２値メモリ変換後の図である。
【図１４】本発明の第３の実施例における２値メモリ変換フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜第１の実施形態＞
以下に、本発明の具体例を、図面を示しつつ詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態にかかわるブロック図である。同図において、１０はデジタルビデオカメラである。デジタルビデオカメラ１０の内部において、１０１はＣＰＵ(Central Processing Unit)で全体の動作制御を司り、画像の圧縮（エンコード）、伸張（デコード）などの機能も担う。１０２はメモリコントローラで、不揮発性メモリ１０３のインターフェースであると共に、２値記録または多値記録の制御を行う。詳細は図示していないが１０４のカメラ部で撮影された画像データをＣＰＵやメモリコントローラを経由して不揮発性メモリ１０３に記録する。
【００１５】
１０５は揮発性のＲＡＭ(Random Access Memory)で、カメラ部１０４からの画像データを一時的に格納したり、不揮発性メモリ１０３から読み出したデータを一時的に格納するためのメモリである。１０９はデジタルビデオカメラ１０のユーザーインターフェースである、ユーザーが所定の動作を命令できる操作部である。デジタルビデオカメラ１０の状態はＬＣＤパネル(Liquid Crystal Display Panel)などによって構成される表示部１０６にて表示される。デジタルビデオカメラのような映像機器は外部との接続が一般的であるため、外部インターフェース１０８や、その制御回路１０７なども備えている。
【００１６】
次に図３を用いて不揮発性メモリ１０３の内部ブロックにおけるデータ配置について説明する。不揮発性メモリ１０３は複数のメモリセルで構成され、アドレス0000h（hは16進数の意味）から1FFFhのアドレス領域を持っているものとしている。ここでは全てメモリセルが２値で記録できる領域となっている。カメラ部１０４で撮影された画像データは、ＣＰＵ１０１でエンコード処理され、コンテンツとして、メモリコントローラ１０２を経由して不揮発性メモリ１０３に記録される。
【００１７】
図３によれば、コンテンツ１、コンテンツ２、コンテンツ３、コンテンツ４が記録された状態である。各コンテンツの撮影日時やファイルサイズ、アドレスデータなどの基本情報は管理ファイルに記録されている。図からわかるようにメモリブロックはコンテンツデータで満たされており、記録領域の空き容量がほとんど無い状態となっている。この状態はデジタルビデオカメラにとって、いわゆる撮影可能残時間がほとんど無いことを意味する。通常ならば外部インターフェース１０８などを使って、コンテンツを外部記録装置に移動するか、もしくは不要コンテンツを削除して空き領域を捻出しなければならない。
【００１８】
図２は、本発明の動作フローを図示したものである。図３で示したように残り記録容量が不足する状態に陥っても、ユーザーがまだ追加で撮影したいという要望があれば容量増加操作を行う（Ｓ１０１）。具体的にはユーザーが操作部１０９を使い、デジタルビデオカメラ１０に対して空き容量を増加させる命令を操作する。状態は常に表示部１０６に表示され、この操作によりどの領域を増加させるかメニュー表示などが行われ（Ｓ１０２）、空き容量を増加させたい領域をユーザーが指定することができる（Ｓ１０３）。
【００１９】
ユーザーの選択により、２値メモリ領域をすべて多値メモリ領域に変換したいという指定があれば（Ｓ１０４）、全領域に渡って２値メモリ領域が、多値メモリ領域に変換される（Ｓ１０５）。または、全領域を多値メモリ化したくない場合は、コンテンツを指定する方法や（Ｓ１０６）、どれくらいの空き容量を作りたいのかという空き容量指定という方法を選択する（Ｓ１０７）。空き容量を指定する場合は、指定された空き容量によって、デジタルビデオカメラ１０が、多値メモリ化する対象コンテンツを選択する（Ｓ１０８）。Ｓ１０６やＳ１０７は、その指定された命令に応じて選択されたコンテンツ部の領域を多値メモリ化することになる（Ｓ１０９）。
【００２０】
全領域が多値メモリ化されるわけではないので、ＣＰＵ１０１やメモリコントローラ１０２によって、２値メモリ領域が残っているかどうかが判別される（Ｓ１１０）。２値メモリ領域が残っていれば、さらに多値メモリ化をするかどうかを表示し、ユーザーに選択させる（Ｓ１１１）。多値メモリ化が完了したところで空き容量を表示する（Ｓ１１２）。
【００２１】
ここで、図２のＳ１０６にあるコンテンツ指定をした場合の多値メモリへの変換の流れを詳細に説明する。図７は多値メモリへの変換フローの図を示したものである。ユーザーが操作部１０９により容量増加操作をして、希望するコンテンツを選択すると、ＲＡＭ１０５の自由使用領域がクリアされる（Ｓ２０１）。ＣＰＵ１０１がメモリコントローラー１０２を制御して、不揮発性メモリ１０３から選択されたコンテンツのデータを読み出す（Ｓ２０２）。読み出されたデータはＲＡＭ１０５に一時的に格納される（Ｓ２０３）。ＲＡＭ１０５の自由使用領域が一杯になるまでデータを読み出す（Ｓ２０４）。
【００２２】
ＲＡＭ１０５に格納されたデータが一杯になったところで、メモリコントローラ１０２は、読み出されたデータが記録されていた領域に対して、多値メモリの制御方法に変更する（Ｓ２０５）。多値メモリ化された領域に、ＲＡＭ１０５に一時格納されていたデータを書き戻す（Ｓ２０６）。指定されたコンテンツの記録領域すべてが多値メモリ化されるまでこの作業を繰り返す（Ｓ２０７）。多値メモリ化、ならびにデータの書き戻しが完了したところで、ＣＰＵ１０１は空き容量を確認する（Ｓ２０８）。これを表示部１０６に表示する。
【００２３】
以上の流れを、不揮発性メモリ１０３内部のデータ配置で説明する。図４は２値メモリブロックに記録されているコンテンツ４を、４値メモリブロックに書き換えている途中の状態を示している。ユーザーが操作部１０９により、容量増加作業を開始し、コンテンツ４を選択して、その領域を４値メモリ領域に替えるという設定を行ったとする。この作業によってＣＰＵ１０１の命令で、メモリコントローラ１０２は、不揮発性メモリ１０３内のコンテンツ４のデータを読み出す。読み出されたデータはＲＡＭ１０５に一時的に格納される。ＲＡＭに移動されたデータ分だけ空き領域となった２値メモリ領域に対して、メモリコントローラ１０２は４値メモリ領域としての制御方法に変更する。
【００２４】
完了すると先程のＲＡＭ１０５に格納されたデータが呼びだされ、４値メモリ領域になったところに書き戻される。図４ではアドレス1C00h以降が４値メモリ領域として再設定されて、コンテンツ４は２値領域に残っているコンテンツ４−１と、４値メモリ領域に書き戻されたコンテンツ４−２が同居している状態であることがわかる。尚、多値メモリ化したにも関わらず、全体アドレス量が変わっていないが、多値メモリ化は一つのアドレスが記録できるデータ量が増えるだけなので全体のアドレス量は変わらない。
【００２５】
アドレスによって記録できるデータ量が異なるが、これらはすべてメモリコントローラ１０２で制御される。そして指定領域の多値メモリ化の作業が完了すると、図５のように、コンテンツ４はすべて４値メモリ領域に再配置される。４値メモリになることは２値メモリの２倍のデータ量を記録できることになるので、図ではコンテンツ４のデータ量が半分になったように見える。そして、空き領域も増やすことができるわけである。この空いた領域を使ってさらに新しいコンテンツ５の記録が可能となる（図６参照）。
【００２６】
ここからさらに空き容量を増やす必要があるのであれば、他のコンテンツに同じ作業を施すことで増やすことが可能となる。コンテンツ単位で指定する理由は、同一コンテンツにも関わらず、データが２値メモリ領域と多値メモリ領域に分断されるのを防ぐためである。記録領域が異なると、保存信頼性に差が出るため、扱いづらい。そのためコンテンツごとにメモリ領域は統一しておくのが望ましい。
【００２７】
次に図２のＳ１０７、Ｓ１０８で示した空き容量を指定した場合についても詳述する。図２のＳ１０６のコンテンツ指定ではユーザーが希望するコンテンツを選択できるメリットがある反面、選択したコンテンツのデータ量に依存する所があるので、所定の空き容量が作れるのか、作れないのかが、直感的にわかりづらい。そのため空き容量を指定して、多値メモリ化するコンテンツをデジタルビデオカメラ１０に選択させる。ＣＰＵ１０１はメモリコントローラ１０２を制御して、コンテンツのデータ容量と、その記録された領域を多値メモリ化した場合の増加容量を計算する。
【００２８】
この計算結果が、所定の空き容量以上となるコンテンツを選択するのである。例えば、図３において、コンテンツ３は撮影時間にして１０分のコンテンツ、コンテンツ４は撮影時間にして４０分のコンテンツであるとする。２値メモリ領域を４値メモリ領域に変換すると、記録可能領域は２倍になる。すなわち元々のコンテンツの容量を差し引けば、コンテンツ３とコンテンツ４の領域には、それぞれ１０分と４０分の撮影が可能な空き容量を作ることができる。撮影時間が不足した状態から、ユーザーがあと５分撮りたいと考えた場合、コンテンツ４の領域を多値メモリ化するよりも、コンテンツ３の領域を多値メモリ化した方が、多値メモリ化する領域は最小限で済ませることができる。
【００２９】
このように、ユーザーの望む空き容量からデジタルビデオカメラ１０に、コンテンツを選択させる方法にすれば、多値メモリ化に要する時間も最小限で済む。また複数のコンテンツに多値メモリ化が必要になった場合でも、ユーザーにとって一度の操作で済むため、ユーザーの負荷を減らすことができる。
【００３０】
残る図２のＳ１０４で示した全領域指定の多値メモリ化については、前述したＳ１０６のコンテンツ指定と同様の動作が全領域に実施されれば実現できるため説明は省略する。また、とくに詳述しないが、コンテンツの記録されていない、空き領域のみを多値メモリ化することも可能である。
【００３１】
＜第２の実施形態＞
これまでは主に撮影停止時における容量増加について述べてきたが、本発明は撮影中（記録中）にも実施することが可能である。実際の使用環境において、撮影中にもう少し撮り続けたいにも関わらず、容量が不足して断念しなけらばならないという状況は大いにして存在する。従来であれば、撮影中に容量が不足してしまった場合、撮影を止めて、記録媒体を新しいものに取り替える等の必要があり、撮影したいものが時間的に途切れてしまうという問題があった。
【００３２】
図８は撮影中の容量増加を示した動作フロー図である。ユーザーが自動容量増加操作を行うと（Ｓ３０１）、表示部１０６にメニューなどが表示される（Ｓ３０２）。ここでは、ユーザーが不揮発性メモリの空き容量を設定、すなわち撮影後に必要とする撮影可能残時間の設定をする。この設定された数値が自動容量増加機能を働かせるための空き容量の閾値となる（Ｓ３０３）。
【００３３】
ここで、ユーザーが自動容量増加機能を使い（Ｓ３０４）、記録を開始したとする（Ｓ３０５）。この機能が働くのは記録中であるので、記録中か否かを常にモニタリングする（Ｓ３０６）。記録が持続されていれば不揮発性メモリ１０３の空き容量を確認する（Ｓ３０７）。次に、空き容量が、先に設定した閾値よりも多いか、少ないかを判断する（Ｓ３０８）。空き容量が閾値よりも多ければ、特に何もせずＳ３０６に戻る。空き容量が、閾値よりも下まわっていれば、不揮発性メモリ１０３の２値メモリ領域の記録状態を確認する（Ｓ３０９）。すべて多値メモリ化されて、２値メモリ領域が無ければ、これ以上の容量増加は困難なため、空き容量がなくなったところで終了となる。
【００３４】
もしも２値メモリ領域が残っていれば、その領域の多値メモリ化動作を実施する（Ｓ３１０）。多値メモリ化が完了したら（Ｓ３１１）、表示部１０６の記録可能残時間などを修正して、再びＳ３０６に戻り、再度空き容量確認のフローとなる。これら制御は全て、ＣＰＵ１０１やメモリコントローラ１０２で制御される。尚、Ｓ３０１からＳ３０３の前準備は記録中に行うことも可能である。また、特に詳述していないが、多値メモリ化する領域の選択方法をあらかじめ設定できるようにしておいてもよい。
【００３５】
例えば、メモリアドレスの先頭から実施してもよいし、前記実施例に記載したコンテンツを選択していく方法でもよい。コンテンツの選択方法は、コンテンツデータ容量の大きいもの若しくは小さいものから、コンテンツが記録された日時の新しいもの若しくは古いものから等、あらかじめ優先順位などを設定しておいてもよい。ただしどの場合も、コンテンツの記録されているメモリセルの状態は統一されるように制御されることが望ましい。
【００３６】
以上の流れを、不揮発性メモリ１０３内部のデータ構成で説明する。図９は撮影中の不揮発性メモリ１０３の内部ブロックにおけるデータ配置である。ここでは全てメモリセルが２値で記録できる領域となっており、コンテンツ１、コンテンツ２、コンテンツ３、コンテンツ４までが記録完了しており、コンテンツ５が当に記録中という状態である。ユーザーが自動容量増加機能の設定を済ませており、且つ、コンテンツ５の記録を持続していたとする。不揮発性メモリ１０３の空き容量が所定閾値を下まわると自動容量増加機能が働く。ＣＰＵ１０１の命令により、メモリコントローラ１０２が２値メモリ領域にあるコンテンツに対して、多値メモリ化作業を始める。
【００３７】
図１０はコンテンツ２が記録されていた２値メモリ領域に対して多値メモリ化作業を行っている図である。これによりコンテンツ２の領域だった場所に空き領域が作られて、コンテンツ５の記録を持続することができる（図１１参照）。このままコンテンツ５が増えて、再び残容量が所定値を下回れば、他の２値メモリ領域に対しても多値メモリ化作業が実施される。これにより、すべての領域が多値レベル化されるまで撮影中の容量不足を解消することができる。
【００３８】
＜第３の実施形態＞
多値メモリは保存信頼性が低いため、長期保存には向かないことは前述した。そのためこのように多値メモリ化機能を使った場合はユーザーに外部記録装置へのバックアップ作業を促す仕組み入れることが望ましい。例えば図６のように、コンテンツ４の多値メモリ化を行って、さらにコンテンツ５の追加記録を行った場合は、撮影後などに、図１２のように警告文１２０１を表示部１０６に表示して、サムネイル画１２０２や１２０３のようにバックアップ推奨コンテンツをユーザーに知らせ、注意を喚起できるようにしておくとよい。
【００３９】
さらに多値メモリ領域に記録されたコンテンツを削除した場合、再びその領域を使用させる前に、２値メモリ領域として再設定するようにしておくことが望ましい。図１４に２値メモリ化のフローチャート図を示す。表示部１０６に表示された、サムネイルやコンテンツのリストから、ユーザーが操作部１０９により、コンテンツを選択する（Ｓ４０１）。続けてコンテンツ削除の操作をする（Ｓ４０２）。するとデジタルビデオカメラ１０は不揮発性メモリ１０３の記録状態を確認する（Ｓ４０３）。ここで多値メモリ領域に未使用領域があるかどうかを判断する（Ｓ４０４）。
【００４０】
もしも未使用領域があれば、ＣＰＵ１０１はメモリコントローラ１０２に、多値メモリ領域を２値メモリ領域に戻す命令を出す（Ｓ４０５）。２値メモリ化が完了したら、表示部１０６の記録可能残時間などを修正して完了となる（Ｓ４０６）。特に詳述しないが、コンテンツ削除作業をしなくても、撮影終了時などに未使用の多値メモリ領域があれば、２値メモリ領域に戻してもよい。
【００４１】
図６において、４値メモリ領域に記録されていたコンテンツ５を削除して、２値メモリ化した後の状態を、図１３に示す。４値メモリ領域のコンテンツを削除すると、メモリコントローラ１０２は空いた領域を２値領域として再設定する。これにより、２値メモリの保存信頼性を重視した使い方が可能となる。
【００４２】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて詳述してきたが、本発明はこれら特定の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。上述の実施形態の一部を適宜組み合わせてもよい。特に、デジタルビデオカメラに本発明を実施することを詳述してきたが、デジタルビデオカメラに限らず、この多値記録を実現できる不揮発性メモリを使用しているすべての機器に実施できる。将来は２値記録領域だけでもモバイル機器にとっては十分な容量となる可能性も高く、多値記録技術との好適な切り替え機能を充実しておくことが望ましいと考える。
【符号の説明】
【００４３】
１０１‥‥ＣＰＵ
１０２‥‥メモリコントローラ
１０３‥‥不揮発性メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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