(57)【要約】【課題】半導体ウェハを水平に支持することができる技術を提供する。【解決手段】支持板１は、半導体ウェハ３０を加工するときに半導体ウェハ３０を支持するための支持板１であって、半導体ウェハ３０を支持可能な本体２と、本体２の一方面に形成され、接着剤５０を介して半導体ウェハ３０が接着される凹部３と、を備えている。凹部３は、本体２の中央部に向かって深くなるように形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを加工するときに前記半導体ウェハを支持するための支持板であって、
前記半導体ウェハを支持可能な本体と、
前記本体の一方面に形成され、接着剤を介して前記半導体ウェハが接着される凹部と、を備え、
前記凹部は、前記本体の中央部に向かって深くなるように形成されている、支持板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示の技術は、半導体ウェハを支持するための支持板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体ウェハを支持するための支持板が開示されている。特許文献１の支持板では、支持板の一方面に接着剤を介して半導体ウェハが接着される。これにより半導体ウェハを支持し、半導体ウェハを加工するときに補強している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１８４８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、支持板によって半導体ウェハを支持しているものの、接着剤を介して半導体ウェハを支持板に貼り付けるときに、半導体ウェハが傾いてしまうことがある。半導体ウェハが傾くと、半導体ウェハを加工するときに様々な問題が生じる。例えば、半導体ウェハが傾いた状態で半導体ウェハを薄板化のために研削すると、研削後の半導体ウェハの厚みに傾きが生じることがある。そこで本明細書は、半導体ウェハを水平に支持することができる支持板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書に開示する支持板は、半導体ウェハを加工するときに前記半導体ウェハを支持するための支持板であって、前記半導体ウェハを支持可能な本体と、前記本体の一方面に形成され、接着剤を介して前記半導体ウェハが接着される凹部と、を備えている。前記凹部は、前記本体の中央部に向かって深くなるように形成されている。
【０００６】
このような構成によれば、半導体ウェハが支持板に接着されるとき、凹部が本体の中央部に向かって深くなっているので、半導体ウェハの中央部において接着剤の厚みが厚くなっていたとしても、厚い接着剤が深い凹部に良好に収まる。これにより、接着剤が凹部に良好に収まり、接着剤の厚みの違いの影響を抑制することができるので半導体ウェハを水平に支持することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る支持板の平面図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】支持板に半導体ウェハを接着する方法を説明する図である（１）。
【図４】支持板に半導体ウェハを接着する方法を説明する図である（２）。
【図５】他の実施形態に係る支持板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について添付図面を参照して説明する。図１及び図２に示すように、支持板１は、板状の本体２と、本体２の一方面（上面）に形成された凹部３及び壁部４とを備えている。この支持板１は、半導体ウェハ３０を加工するときに半導体ウェハ３０を支持するためのものである。
【０００９】
半導体ウェハ３０は、例えばシリコン（Ｓｉ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）等から形成されている。半導体ウェハ３０の内部には、例えばダイオード、トランジスタ、又はサイリスタ等が形成されている。半導体ウェハ３０は、平面視において円形状に形成されている。半導体ウェハ３０は、表面３０１および裏面３０２を有している。半導体ウェハ３０の表面３０１に接着剤５０が塗布され、接着剤５０を介して半導体ウェハ３０が支持板１に接着される。半導体ウェハ３０の裏面３０２は外部に露出する。なお、図１では半導体ウェハ３０を点線で示している。
【００１０】
支持板１の材質としては、特に限定されるものではないが、例えばガラスや樹脂を用いることができる。また、接着剤５０に紫外線を照射する観点から、支持板１は、紫外線透過性を有する材質から形成されていることが好ましい。
【００１１】
本体２は、平面視において円形状に形成されている。本体２の外径は、半導体ウェハ３０の外径よりも大きい。本体２の厚みは、半導体ウェハ３０を支持可能な厚みに設定されている。本体２の一方面（上面）に半導体ウェハ３０が接着される。
【００１２】
凹部３は、平面視において円形状に形成されている。凹部３の径Ｒ１は、半導体ウェハ３０の外径より大きい。凹部３の径Ｒ１は、壁部４の端部から壁部４の端部までの距離である。凹部３は本体２の上面側から下面側に向かって窪むように形成されている。また、凹部３は、本体２の中央部に向かって連続的に深くなるように形成されている。凹部３の底面５は、円錐面になっており、断面視においてＶ字状に形成されている。凹部３の中央部が周縁部より深くなっている（凹部３の周縁部が中央部より浅くなっている。）。凹部３の底面５は、断面視においてテーパ状に形成されており、凹部３の周縁部から中央部に向かって下方に傾斜している。底面５の傾斜角度は一定である。凹部３には、半導体ウェハ３０を接着するための接着剤５０が充填される。半導体ウェハ３０が接着剤５０を介して凹部３に接着される。
【００１３】
壁部４は、本体２の周縁部に形成されている。壁部４は、平面視において円環状に形成されている。壁部４は、凹部３の周囲に形成されており、凹部３を取り囲んでいる。壁部４よりも中央部側に凹部３が形成されている。壁部４は、凸状に形成されており、本体２から一方面側（上方）に向かって突出している。壁部４は、凹部３から接着剤５０が外部に漏れることを防ぐために形成されている。壁部４の高さは、接着剤５０が凹部３から漏れない高さに設定されている。例えば壁部４の高さは、６０μｍ〜１００μｍに設定することが好ましい。半導体ウェハ３０を凹部３に接着したときに、半導体ウェハ３０の周縁部と壁部４の間に隙間が形成される。
【００１４】
接着剤５０は、半導体ウェハ３０を接着するための公知の接着剤を用いることができる。また、接着剤５０としては、紫外線照射によって接着力が減少し、半導体ウェハ３０を支持板１から剥がすことができる接着剤を用いることが好ましい。
【００１５】
次に、支持板１に半導体ウェハ３０を接着する方法について説明する。支持板１に半導体ウェハ３０を接着するときは、まず図３に示すように、半導体ウェハ３０の表面３０１を上に向けた状態で、半導体ウェハ３０の表面３０１に接着剤５０を塗布する。接着剤５０はスピンコート法により塗布することができる。接着剤５０をスピンコート法により塗布すると、接着剤５０が半導体ウェハ３０の中央部において厚く塗布され、周縁部において薄く塗布される。スピンコート法は、回転する半導体ウェハ３０の中央部に接着剤５０を供給し、回転の遠心力により半導体ウェハ３０の中央部から周縁部に接着剤５０を塗り拡げる方法である。接着剤５０は、半導体ウェハ３０の周縁部より中央部において厚く盛り上がる。
【００１６】
次に、半導体ウェハ３０および支持板１を加熱する。半導体ウェハ３０を加熱すると、半導体ウェハ３０に塗布された接着剤５０が加熱される。これにより、接着剤５０が高温になり、接着剤５０の粘度を下げることができる。
【００１７】
次に、図４に示すように、半導体ウェハ３０を接着剤５０を介して支持板１に貼り付ける。接着剤５０が支持板１の凹部３に充填され、半導体ウェハ３０が凹部３に接着される。次に、支持板１と半導体ウェハ３０を貼り付けた状態で、上下から両者を加圧し、加圧した状態で放置する。そうすると、接着剤５０が冷却され固化する。このようにして半導体ウェハ３０を支持板１に接着することにより、半導体ウェハ３０を支持板１によって支持することができる。
【００１８】
また、支持板１によって半導体ウェハ３０を支持した状態で、導体ウェハ３０の裏面３０２を加工することができる。具体的には、半導体ウェハ３０を薄板化するために半導体ウェハ３０の裏面を研削および研磨する。例えば、砥石を用いたバックグラインドにより半導体ウェハ３０の裏面を研削する。あるいは、研磨剤を用いたポリッシングにより半導体ウェハ３０の裏面を研磨する。
【００１９】
上述の説明から明らかなように、本実施形態に係る支持板１によれば、半導体ウェハ３０が支持板１に接着されると、接着剤５０が凹部３に収容される。このとき、凹部３が本体２の中央部に向かって深くなっているので、接着剤５０が凹部３に良好に収まる。すなわち、半導体ウェハ３０に接着剤５０が塗布されたときに半導体ウェハ３０の中央部において接着剤５０の厚みが厚くなっていたとしても、本体２の中央部において凹部３の深さが深くなっているので、厚い接着剤５０が深い凹部３に良好に収まる。接着剤５０が凹部３に良好に収まるので、半導体ウェハ３０を水平に支持することができる。また、支持板１により半導体ウェハ３０を水平に支持することができるので、半導体ウェハ３０の裏面３０２を加工したときに、裏面３０２を平坦に加工することができる。半導体ウェハ３０の面積が大きくなると半導体ウェハ３０の傾きによる影響が大きくなるので、半導体ウェハ３０を水平に支持することが効果的である。
【００２０】
以上、一実施形態について説明したが、具体的な態様は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では半導体ウェハ３０に接着剤５０をスピンコート法により塗布していたが、塗布方法は特に限定されるものではない。スピンコート法以外でも、接着剤５０が半導体ウェハ３０の中央部において厚く塗布され、周縁部において薄く塗布されることがある。
【００２１】
また、上記実施形態では凹部３の底面５がテーパ状に形成されていたが、この構成に限定されるものではなく、図５に示すように、凹部３の底面５が湾曲状に形成されていてもよい。底面５の傾斜角度は連続的に変化している。このような構成によっても本体２の中央部に向かって凹部３が深くなる。
【００２２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００２３】
１；支持板
２；本体
３；凹部
４；壁部
５；底面
３０；半導体ウェハ
５０；接着剤
３０１；表面
３０２；裏面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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