(57)【要約】      （修正有）【課題】変換効率をより向上したｐ型有機半導体層を備える全固体型の太陽電池を提供する。【解決手段】ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池において、該ｐ型半導体層がｐ型有機半導体高分子を含み、該ｎ型シリコンが水素プラズマ処理されたものである、全固体型太陽電池。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池において、該ｐ型半導体層がｐ型有機半導体高分子を含み、該ｎ型シリコンが水素プラズマ処理されたものである、全固体型太陽電池。
【請求項２】
前記ｎ型シリコンの水素プラズマ処理を行った表面がｐ型半導体層と接する、請求項１に記載の全固体型太陽電池。
【請求項３】
前記水素プラズマ処理の前に、ｎ型シリコンがフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄され、該フッ酸処理後真空中で７００℃まで熱処理されたものである、請求項１又は２に記載の全固体型太陽電池。
【請求項４】
前記熱処理が１分〜１時間で処理される、請求項３に記載の全固体型太陽電池。
【請求項５】
前記ｐ型有機半導体高分子がポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネートである、請求項１〜４のいずれかに記載の全固体型太陽電池。
【請求項６】
ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンに水素プラズマ処理を行う工程、及び
（２）該ｎ型シリコン上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【請求項７】
ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンに水素プラズマ処理を行う工程、及び
（２）該ｎ型シリコンの水素プラズマ処理を施した表面上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【請求項８】
ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンにフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄する工程、
（２）該ｎ型シリコンを真空中で７００℃まで熱処理する工程、
（３）該ｎ型シリコンに水素プラズマ処理を行う工程、及び
（４）該ｎ型シリコン上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【請求項９】
ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンにフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄する工程、
（２）該ｎ型シリコンを真空中で７００℃まで１分〜１時間熱処理する工程、
（３）該ｎ型シリコンに水素プラズマ処理を行う工程、及び
（４）該ｎ型シリコン上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記ｐ型有機半導体高分子がポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネートである、請求項６〜９のいずれかに記載の全固体型太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機層含有全固体型太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、環境に優しい発電デバイスとして注目されており、ｐｎ接合を利用したシリコン系半導体を中心に開発が進んできた。しかしながら、シリコン系半導体はその製造工程において、ドライプロセスを要するため、設備投資に多大なコストを要する点が指摘されている。
【０００３】
より低コストの太陽電池の開発が待たれる中、近年では、ドライプロセスを必要としない、塗布型の太陽電池が提案され、有機系材料を中心として、色素増感太陽電池や有機太陽電池の開発が進められている。その中でも、特に、有機太陽電池は電解液を用いない太陽電池であるため、次世代の太陽電池として注目されている。
【０００４】
有機太陽電池では、Ａ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ等が、ポリチオフェン系導電性高分子（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）；Ｐ３ＨＴ）と、フラーレン誘導体（［６，６］−フェニル−Ｃ６１  酪酸メチルエステル；ＰＣＢＭ）の混合溶液をキャストすることでバルクへテロジャンクションによる有機系太陽電池の開発を報告している（非特許文献１）。現在では、光吸収層にＰ３ＨＴ、ホール輸送層にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ  （ポリ−（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネート）を用いたものが広く知られている（非特許文献２及び３）。
【０００５】
しかしながら、有機太陽電池では、シリコン系半導体を用いた太陽電池と比較して、変換効率が一般的に低く、一層の変換効率向上が求められている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｎ．Ｓ．Ｓａｒｉｃｉｆｔｃｉ，  Ｌ．Ｓｍｉｌｏｗｉｔｚ，  Ａ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ，  ａｎｄ  Ｆ．Ｗｕｄｌ，  Ｓｃｉｅｎｃｅ，  ２５８，  １４７４（１９９２）．
【非特許文献２】Ｊ．Ｙ．Ｋｉｍ，  Ｋ．Ｌｅｅ，  Ｎ．Ｅ．Ｃｏａｔｅｓ，  Ｄ．Ｍｏｓｅｓ，  Ｔ．−Ｑ．Ｎｇｕｙｅｎ，  Ｍ．Ｄａｎｔｅ，  Ａ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ，  Ｓｃｉｅｎｃｅ，  ３１７，  ２２２（２００７）．
【非特許文献３】Ｔ．Ｉｎｏ，  Ｍ．Ｏｎｏ，  Ｎ．Ｍｉｙａｇｕｃｈｉ，  Ｑ．Ｌｉｕ，  Ｚ．Ｔａｎｇ，  Ｒ．Ｉｓｈｉｋａｗａ，  Ｋ．Ｕｅｎｏ，  ａｎｄ  Ｈ．Ｓｈｉｒａｉ，  Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ５１（２０１２）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、変換効率をより向上したｐ型有機半導体層を備える全固体型の太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、ｐ型半導体層としてｐ型有機半導体高分子を堆積させるｎ型シリコンウェハーを、水素プラズマ処理した場合、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、下記全固体型太陽電池及びその製造方法に関する。
【００１０】
項１．  ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池において、該ｐ型半導体層がｐ型有機半導体高分子を含み、該ｎ型シリコンが水素プラズマ処理されたものである、全固体型太陽電池。
【００１１】
項２．  前記ｎ型シリコンの水素プラズマ処理を行った表面がｐ型半導体層と接する、前記項１に記載の全固体型太陽電池。
【００１２】
項３．  前記水素プラズマ処理の前に、ｎ型シリコン（好ましくは該ｎ型シリコンの水素プラズマ処理を施される表面）がフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄され、該フッ酸処理後真空中で７００℃まで熱処理されたものである、前記項１又は２に記載の全固体型太陽電池。
【００１３】
項４  前記熱処理が１分〜１時間で処理される、前記項３に記載の全固体型太陽電池。
【００１４】
項５．  前記ｐ型有機半導体高分子がポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネートである、前記項１〜４のいずれかに記載の全固体型太陽電池。
【００１５】
項６．  ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンに水素プラズマ処理を行う工程、及び
（２）該ｎ型シリコン上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【００１６】
項７．  ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンに水素プラズマ処理を行う工程、及び
（２）該ｎ型シリコンの水素プラズマ処理を施した表面上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【００１７】
項８．  ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンにフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄する工程、
（２）該ｎ型シリコンを真空中で７００℃まで熱処理する工程、
（３）該ｎ型シリコン（好ましくは該ｎ型シリコンのフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄を施した表面）に水素プラズマ処理を行う工程、及び
（４）該ｎ型シリコン（好ましくは該ｎ型シリコンの水素プラズマ処理を施した表面）上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【００１８】
項９．  ｐ型半導体層及びｎ型シリコンを備える全固体型太陽電池の製造方法であって、
（１）ｎ型シリコンにフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄する工程、
（２）該ｎ型シリコンを真空中で７００℃まで１分〜１時間熱処理する工程、
（３）該ｎ型シリコン（好ましくは該ｎ型シリコンのフッ酸処理又はＲＣＡ洗浄を施した表面）に水素プラズマ処理を行う工程、及び
（４）該ｎ型シリコン（好ましくは該ｎ型シリコンの水素プラズマ処理を施した表面）上にｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層を設ける工程
を含む、全固体型太陽電池の製造方法。
【００１９】
項１０．  前記ｐ型有機半導体高分子がポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネートである、前記項６〜９のいずれかに記載の全固体型太陽電池の製造方法。
【００２０】
以下、本発明の全固体型太陽電池について詳細に説明する。
【００２１】
本発明の全固体型太陽電池は、（１）ｐ型有機半導体高分子を含むｐ型半導体層と（２）水素プラズマ処理されたｎ型半導体層とを備える。
【００２２】
（１）ｐ型半導体層
本発明では、上記のとおり、ｐ型半導体層はｐ型有機半導体高分子を含む。ｐ型半導体層は、単層でも複層でもよい。複層の場合は、各層全てがｐ型有機半導体高分子を含む層であってもよいし、少なくとも１層がｐ型有機半導体高分子を含む層であってもよい。
【００２３】
(1.1)ｐ型有機半導体高分子
本発明で用いるｐ型有機半導体高分子としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネート  （ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）  （Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）  （Ｐ３ＯＴ）等のポリチオフェン誘導体；２，２’−７，７’−テトラキス−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン  （ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯ−ＴＡＤ）等のフルオレン誘導体；ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体；トリフェニルアミン誘導体；ジフェニルアミン誘導体；ポリシラン誘導体；ポリアニリン誘導体等を挙げることができる。
【００２４】
これらのｐ型有機半導体高分子の中でも、変換効率の観点から、ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネート  （ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が特に好ましい。
【００２５】
なお、ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）：ポリスチレンスルフォネート  （ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）は、導電性高分子であるポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）  （ＰＥＤＯＴ）と水溶性高分子であるポリスチレンスルフォネート  （ＰＳＳ）とを混合した化合物であり、例えば、以下の構造：
【００２６】
【化１】
2015046424.tif 000003
【００２７】
［式中、ｎは１以上の整数である。］
を有する化合物である。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、市販のものを用いても、公知の方法により別途製造したものを用いてもよい。市販のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとしては、例えばＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等が挙げられる。
【００２８】
ｐ型半導体層には、上記ｐ型有機半導体高分子以外にも、セレン、ヨウ化銅（ＣｕＩ）等のヨウ化物、層状コバルト酸化物等のコバルト錯体、ＣｕＳＣＮ、ＭｏＯ３、ＮｉＯ等を含ませてもよい。層状コバルト酸化物としては、ＡＸＣｏＯ２（Ａ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ；０≦Ｘ≦１）等が挙げられる。
【００２９】
ｐ型半導体層の厚みは、特に制限されないが、０．０１〜５μｍが好ましく、０．０５〜０．５μｍが特に好ましい。複層の場合、ｐ型半導体層の厚みは、総厚みを上記した範囲内とすることが好ましい。ｐ型半導体層の厚みを上記範囲内とすることにより、より均質な膜が得られるとともに、キャリアの失活がより制限され、より高い変換効率が得られる。
【００３０】
次に、ｐ型半導体層の形成方法について、説明する。
【００３１】
前記ｐ型半導体層の形成方法は特に制限されないが、ｐ型有機半導体高分子を含む溶液を用いた湿式方法により形成することができる。
【００３２】
前記ｐ型有機半導体高分子の溶液としては、前記ｐ型有機半導体高分子を溶媒に溶解又は懸濁させたものを使用することができる。これらの溶媒には、界面活性剤を含むことが好ましい。界面活性剤としては、特に制限されず、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤のいずれも使用することができるが、ノニオン系界面活性剤が好ましい。
【００３３】
特に、フッ素系ノニオン系界面活性剤が好ましく、中でも好ましい界面活性剤は、デュポン社製のＺｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳＮ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳＮ−１００、ＦＳ−３００等が挙げられる。
【００３４】
界面活性剤の含有量は、特に制限されないが、より均質な混合物を得つつ、電気特性及び変換効率を維持できる観点から、ｐ型有機半導体高分子１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、０．０５〜１重量部がより好ましい。
【００３５】
使用する溶媒は、抵抗を低減し、短絡電流密度を向上させて変換効率を向上させることができる観点から、極性溶媒が好ましく、アルコール類がより好ましい。なお、極性溶媒の中でも、アルコール類はグリコール類よりも向上効果が優れているが、アルコール類とグリコール類との混合溶媒を使用すると、開放電圧及びフィルファクターも向上させ、アルコール類単独と比較してさらに変換効率を向上させることができる。特に、メタノールとエチレングリコールとの混合溶媒が最も好ましい。
【００３６】
なお、アルコール類としては、メタノール、エタノール、ノルマルプロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブチルアルコール、イソブチルアルコール、ターシャリーブチルアルコール等が挙げられ、グリコール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。
【００３７】
溶媒としてアルコール類とグリコール類との混合溶媒を使用する場合、その混合比率はアルコール類１００重量部に対して、グリコール類０．１〜３０重量部が好ましく、０．５〜１０重量部がより好ましい。この範囲とすることにより、より優れた変換効率が得られる。
【００３８】
また、湿式法を行う際の溶液には、最終的に得ようとするｐ型半導体層に応じて、セレン、ヨウ化銅（ＣｕＩ）等のヨウ化物、層状コバルト酸化物等のコバルト錯体、ＣｕＳＣＮ、ＭｏＯ３、ＮｉＯ、有機ホール輸送材等を含ませてもよい。層状コバルト酸化物の具体例は上記したものを用いればよい。
【００３９】
ここでは、ｐ型半導体層の製造方法について一例を示したが、これに限定されることはなく、様々な組成及び条件で作製することができる。
【００４０】
（２）ｎ型半導体層
本発明では、ｐ型半導体層の上に、プラズマ水素処理を施したｎ型シリコンからなるｎ型半導体層を備えることが好ましい。
【００４１】
本発明のｎ型半導体層を構成する材料は、ｎ型の単結晶シリコン、多結晶シリコン又はアモルファスシリコン等のｎ型シリコンにプラズマ水素処理を施したものが挙げられる。従来はｐ型半導体層にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等の有機材料を用いる場合には、ｎ型半導体層も有機材料を用いることが好ましいとされていたが、本発明においては、ｎ型シリコン、特にｎ型単結晶シリコンを用いることにより、変換効率が向上される。また、これらのｎ型シリコンにプラズマ水素処理を施したものを用いることにより、光電変換効率をより向上することができる。
【００４２】
ｎ型半導体層はその表面をプラズマ水素処理したｎ型シリコンを用いる。ｎ型シリコンのプラズマ水素処理した表面はｐ型半導体層（特にｐ型有機半導体高分子）と接することが好ましい。ｎ型シリコンのプラズマ水素処理した表面がｐ型半導体層と接することにより、良好なｐ/ｎ界面を形成することができ、キャリアのトラッピングを抑制でき、変換効率の向上を図ることができると考えられる。
【００４３】
プラズマ水素処理を行う方法としては、シリコンのパッシベーション工程において用いられている条件を適宜採用すればよい。
【００４４】
プラズマ水素処理を行う時間は、例えば５〜１０００秒、好ましくは１０〜３００秒であればよい。
【００４５】
ｎ型シリコンは、その表面をプラズマ水素処理する前に、フッ酸処理又はＲＣＡ洗浄を行い、さらに真空中、熱処理することがｎ型シリコンの表面と水分、酸素等との反応を抑制するという観点より好ましい。フッ酸処理又はＲＣＡ洗浄とプラズマ水素処理は、ｎ型シリコンの同一の表面に行うことが好ましい。
【００４６】
上記フッ酸処理では、０．１〜２０重量％のフッ酸を用いることが好ましい。フッ酸処理は、５〜２００分間フッ酸に浸漬することが好ましい。
【００４７】
上記ＲＣＡ洗浄は、従来より用いられている条件により行うことができる。
【００４８】
上記熱処理の温度は、２００〜１５００℃程度、好ましくは５００〜１０００℃程度である。熱処理の時間は、１分〜１０時間程度、好ましくは１０分〜１時間程度である。
【００４９】
ｎ型半導体層の厚みは、特に制限されないが、０．１〜５０００μｍ程度が好ましく、１０〜３００μｍ程度がより好ましい。ｎ型半導体層の上記範囲内とすることにより、より変換効率を向上させることができる。
【００５０】
ｎ型半導体層を構成する材料にｎ型単結晶シリコンを用いる場合、その結晶面は（１００）、（１１０）、（１１１）等が存在するが、成膜する分子の配向性の点から（１００）又は（１１１）であることが好ましい。
【００５１】
（３）下部電極
本発明では、ｎ型半導体層の上（ｐ型半導体層と反対側）に、さらに、下部電極を備えることが好ましい。
【００５２】
この下部電極を構成する材料は、特に制限されないが、キャリアの再結合をより低減し、電極としての導電性を確保するという観点から、Ａｌ、Ａｌ（Ｃｓ２ＣＯ３）又はＩｎＧａ等が好ましい。
【００５３】
下部電極の厚みは、特に制限されないが、１ｎｍ〜１０μｍ程度が好ましく、０．０２〜１μｍ程度が特に好ましい。下部電極の厚みを上記範囲内とすることにより、シート抵抗をより低減し、結果として太陽電池の抵抗をより低減でき、また、パッシベーション膜としてキャリアの再結合をより抑制するため、フィルファクター特性をより維持できる。
【００５４】
なお、ｎ型半導体層の上に下部電極を形成する方法は特に制限されず、例えば、スパッタ、蒸着等を採用できる。
【００５５】
（４）上部電極
本発明では、ｐ型半導体層の上（ｎ型半導体層と反対側）に、上部電極を備えることが好ましい。
【００５６】
上部電極を構成する材料としては、特に制限されないが、例えば、カーボン、金、銀、タングステン、モリブデン、チタン等が上げられる。また、金、銀、タングステン、モリブデン、チタン等の金属の合金等も好ましく用いられる。中でもより高い導電性を有し、加工がよりしやすい等の観点から、銀が好ましい。
【００５７】
上部電極の厚みは、特に制限されないが、０．０１〜１００μｍ程度が好ましく、０．１〜１０μｍ程度が特に好ましい。
【００５８】
なお、ｐ型半導体層の上に上部電極を形成する方法は、特に制限されず、例えば、塗布、印刷、スパッタ、蒸着等を採用できる。
【発明の効果】
【００５９】
本発明の全個体型太陽電池は、ｎ型のシリコンウェハーを水素プラズマ処理しているため、有機半導体を備える全個体型太陽電池の光電変換効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施例の全固体型太陽電池の構造の概略を示す図である。
【図２】実施例及び比較例における光電流−電圧特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６１】
以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されない。
【００６２】
実施例１
図１に示す構造を有する太陽電池を作製した。具体的には以下のとおり処理を行った。
【００６３】
ｎ型単結晶シリコン基板（結晶面（１００）、厚さ３００±２５μｍ、抵抗率１〜５Ω・ｃｍ）をＣｓ２ＣＯ３溶液でリンスし、続けてＡｌ蒸着を室温で行うことにより、Ｃｓが表面に拡散し、下部電極であるＡｌ（Ｃｓ２ＣＯ３）  （厚み０．１μｍ）を蒸着した。下部電極の反対側のシリコン面を、５重量％フッ酸に３０分浸漬し蒸留水で洗浄した。洗浄後、真空中で８０℃／分の昇温速度で７００℃まで昇温後、１時間アニーリングしたものを室温まで放冷し、アルゴンプラズマ用チャンバーに移した。チャンバー内の水素流量１００ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、ＲＦ電力５Ｗ、反応圧力２００ｍＴｏｒｒ、電極間距離４０ｍｍ、処理時間４０秒にセットし、フッ酸処理したシリコン面に対してプラズマ水素処理を行った。
【００６４】
得られたｎ型単結晶シリコン層及び下部電極を有する基板のｎ型単結晶シリコン層側に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ａｌｄｒｉｃｈ社製「PEDOT/PSS 2.8 wt % dispersion in H2O, low-conductivity grade」）  １００ｍｇをＺｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳ−３００（デュポン株式会社製）  ０．１ｍｇのメタノール／エチレングリコール溶液に溶解したものを１０００ｒｐｍ、６０秒スピンコートした後、１４０℃で３０分乾燥することでＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを堆積させた。さらにＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層の上にスクリーン印刷をすることで銀電極（厚さ０．１〜１０μｍ）を形成し、実効面積５×５ｍｍの太陽電池を作製した。
【００６５】
実施例２
上記実施例１において、プラズマ水素処理の処理時間を３０秒に変更した以外は、実施例１と同様にして、太陽電池を作製した。
【００６６】
実施例３
上記実施例１において、プラズマ水素処理の処理時間を６０秒に変更した以外は、実施例１と同様にして、太陽電池を作製した。
【００６７】
比較例１
上記実施例１において、プラズマ水素処理を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、太陽電池を作製した。
【００６８】
＜試験例１＞
各実施例又は比較例で得られた太陽電池のセルに対して、山下電装株式会社製のソーラシミュレータでＡＭ１．５（ＪＩＳＣ８９１２Ａランク）の条件下の１００ｍＷ／ｃｍ２の光を照射して、光電変換効率特性を評価した。
【００６９】
実施例１では、短絡電流（ＪＳＣ）＝３１．５ｍＡ・ｃｍ−２、開放電圧（ＶＯＣ）＝０．５２７Ｖ、フィルファクター（ＦＦ）＝０．６８１、光電変換効率（η）＝１１．２９％の特性であった。
【００７０】
実施例２では、ＪＳＣ＝３０．２ｍＡ・ｃｍ−２、ＶＯＣ＝０．５１７Ｖ、ＦＦ＝０．６８２、η＝１０．６４％の特性であった。
【００７１】
実施例３では、ＪＳＣ＝２８．６ｍＡ・ｃｍ−２、ＶＯＣ＝０．５１４Ｖ、ＦＦ＝０．７１３、η＝１０．４９％の特性であった。
【００７２】
比較例１では、ＪＳＣ＝２６．５ｍＡ・ｃｍ−２、ＶＯＣ＝０．４８７Ｖ、ＦＦ＝０．６４２、η＝８．２８％の特性であった。
【００７３】
以上の結果を表１及び図２に示す。
【００７４】
【表１】
2015046424.tif 000004
【図１】
2015046424.tif 000005
【図２】
2015046424.tif 000006