(57)【要約】【課題】放熱性の向上を図るために露出された金属板を剥がれにくくした半導体装置を提供すること。【解決手段】金属板１と複数の半導体チップ３と絶縁層６ａと配線層６ｂと外部接続端子１９と封止樹脂部２とを備える半導体装置１０が提供される。金属板１は、方形形状を呈する第１面１ａを有する。複数の半導体チップ３は、金属板１の第２面１ｇ上に積層される。絶縁層６ａおよび配線層６ｂは、半導体チップ３に対して金属板１の反対側に設けられる。外部接続端子１９は、絶縁層６ａおよび配線層６ｂに対して半導体チップ３の反対側に設けられる。封止樹脂部２は、金属板１の第１面１ａを露出させつつ、半導体チップ３を封止する。金属板１の第１面１ａの外周辺から連続する外周面のうち、少なくとも１つの対向する２つの面が、封止樹脂部２に覆われる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
方形形状を呈する第１面を有する金属板と、
前記金属板の前記第１面の反対面である第２面上に積層された複数の半導体チップと、
前記半導体チップに対して前記金属板の反対側に設けられた絶縁層および配線層と、
前記絶縁層および前記配線層に対して前記半導体チップの反対側に設けられた外部接続端子と、
前記金属板の前記第１面を露出させつつ、前記複数の半導体チップを封止する封止樹脂部と、を備え、
前記金属板の前記第１面の外周辺から連続する外周面のうち、少なくとも１つの対向する２つの面が、前記封止樹脂部に覆われる半導体装置。
【請求項２】
前記外部接続端子は、直方体形状を呈する直方体部の１面に設けられ、
前記直方体部には、前記金属板および前記絶縁層が含まれる半導体装置。
【請求項３】
前記金属板の前記第１面は長方形形状を呈し、その短辺から連続する外周面が前記封止樹脂部に覆われ、その長辺から連続する外周面が前記封止樹脂部から露出する請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂部のうち、前記金属板の外周面を覆う部分は、前記金属板よりも前記第１面側に突出している請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記外周面の４面すべてが前記封止樹脂部で覆われており、平面視において、前記半導体チップよりも前記金属板のほうが小さい請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
方形形状を呈する第１面を有する金属板の前記第１面の反対面である第２面上に複数の半導体チップを積層して第１の積層体を形成するステップと、
最上層に積層された前記半導体チップを対向させて、複数の前記第１の積層体を支持基板上に搭載して第２の積層体を形成するステップと、
前記第１面との間にフィルムを挟持させて、前記第２の積層体を金型の内部に配置するステップと、
前記金型の内部に樹脂を充填して前記複数の半導体チップを封止する封止樹脂部を形成するステップと、
前記第１の積層体間でダイシングして個片化するステップと、を備え、
前記ダイシングを行う際のダイシングラインは、前記金属板の前記第１面の外周辺と平行であり、少なくとも外周辺のうち１つの対向する２辺では、前記金属板の外側を通る半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップを積層し、樹脂モールド部で封止した半導体装置が用いられている。例えば、放熱性の向上や強度向上を図るために、金属板上に複数の半導体チップを積層し、金属板も含めて樹脂モールド部で封止した半導体装置が用いられる。
【０００３】
半導体装置の放熱性の向上を図るために、金属板の一部を樹脂モールド部から露出させる場合がある。金属板を露出させた場合には、金属板の剥がれを防いで半導体装置の信頼性の向上を図ることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許公開第２０１０／２５８９３３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、放熱性の向上を図るために露出された金属板を剥がれにくくした半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、金属板と、複数の半導体チップと、絶縁層と、配線層と、外部接続端子と、封止樹脂部とを備える半導体装置が提供される。金属板は、方形形状を呈する第１面を有する。複数の半導体チップは、金属板の第１面の反対面である第２面上に積層される。絶縁層および配線層は、半導体チップに対して金属板の反対側に設けられる。外部接続端子は、絶縁層および配線層に対して半導体チップの反対側に設けられる。封止樹脂部は、金属板の第１面を露出させつつ、複数の半導体チップを封止する。金属板の第１面の外周辺から連続する外周面のうち、少なくとも１つの対向する２つの面が、封止樹脂部に覆われる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図２】図２は、図１に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【図３】図３は、図１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。
【図４】図４は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図５】図５は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図６】図６は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図７】図７は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図８】図８は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図９】図９は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図１０】図１０は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図１１】図１１は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図１２】図１２は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図１３】図１３は、図１に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図１４】図１４は、第２の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示すＣ−Ｃ線に沿って見た矢視断面図である。
【図１６】図１６は、図１４に示すＤ−Ｄ線に沿って見た矢視断面図である。
【図１７】図１７は、図１４に示す半導体装置を製造する際のダイシングラインを説明するための断面図である。
【図１８】図１８は、第３の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図１９】図１９は、図１８に示す半導体装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図２０】図２０は、図１８に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【図２１】図２１は、図１８に示す半導体装置の製造工程の一工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置およびその製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施の形態にかかる半導体装置１０の平面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。図３は、図１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。半導体装置１０は、金属板１、半導体メモリ（半導体チップ）３、ロジックＬＳＩ（半導体チップ）１２、配線基板（支持基板）６、樹脂モールド部２を備える。
【００１０】
金属板１は、アルミニウムや４２アロイ等の金属を用いた板部材である。金属板１は、長方形形状を呈する第１面１ａを有する。複数の半導体メモリ３が、金属板１の第１面１ａの反対面である第２面１ｇ上に積層される。半導体メモリ３は、記憶素子であり、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリである。
【００１１】
金属板１に対して直接積層される半導体メモリ３は、接着剤１５を用いて第２面１ｇに接着される。積層される半導体メモリ３同士は、接着性樹脂１１で接着される。半導体メモリ３同士は、バンプ８を介して電気的に接続される。
【００１２】
金属板１から最も離れた半導体メモリ３には、ロジックＬＳＩ１２が積層される。ロジックＬＳＩ１２と半導体メモリ３とは、バンプ８を介して電気的に接続される。ロジックＬＳＩ１２は、半導体メモリ３への情報の書き込みや読み出しを制御する制御素子であり、例えばＮＡＮＤコントローラやＮＡＮＤ  Ｉ／Ｆ制御ＬＳＩである。
【００１３】
半導体メモリ３同士の隙間および半導体メモリ３とロジックＬＳＩ１２との隙間には、第１のアンダーフィル樹脂４が充填されている。第１のアンダーフィル樹脂４が充填されることで、金属板１、半導体メモリ３およびロジックＬＳＩ１２が、より強固に固定される。金属板１の第２面１ｇには、積層される半導体メモリ３を囲むように溝１ｆが形成されている。溝１ｆは、第１のアンダーフィル樹脂４を充填する際に、金属板１の第２面１ｇから第１のアンダーフィル樹脂４がはみ出してしまうのを抑制する。なお、以下の説明において、金属板１に半導体メモリ３およびロジックＬＳＩ１２が積層されたものを第１の積層体とも呼ぶ。
【００１４】
配線基板６は、樹脂製の絶縁層６ａと、金属製の配線層６ｂとを有する。絶縁層６ａは、コア層とビルドアップ層とを有する。配線基板６上には、最上層（図２および図３においては最下層）に形成された半導体チップ、本実施の形態ではロジックＬＳＩ１２を対向させて第１の積層体が搭載される。金属板１から最も離れた半導体メモリ３と配線基板６との間には、バンプ９が設けられる。配線基板６に形成された配線層６ｂと半導体メモリ３とが、バンプ９を介して電気的に接続される。第１の積層体と配線基板６との隙間には、第２のアンダーフィル樹脂５が充填される。第２のアンダーフィル樹脂５が充填されることで、第１の積層体と配線基板６とが、より強固に固定される。なお、以下の説明において、配線基板６上に第１の積層体が搭載されたものを第２の積層体とも呼ぶ。
【００１５】
配線基板６のうち、第１の積層体が搭載される面の反対面には、外部接続端子としてのバンプ１９が形成される。バンプ１９は、配線基板６の配線層６ｂと電気的に接続される。したがって、バンプ１９は、配線層６ｂやバンプ９を介して半導体メモリ３と電気的に接続される。
【００１６】
配線基板１のうち第１の積層体が搭載される面と、第１の積層体の周囲は樹脂製の樹脂モールド部２によって封止されている。金属板１のうち第１面１ａは、樹脂モールド部２から露出される。金属板１の第１面１ａの外周辺から連続するすべての外周面１ｂ〜１ｅは、樹脂モールド部２に覆われる。金属板１と樹脂モールド部２と配線基板６とを含めて、直方体形状を呈する直方体部が形成される。外部接続端子としてのバンプ１９は、直方体部の１面に形成される。なお、以下の説明において、第１のアンダーフィル樹脂４、第２のアンダーフィル樹脂５および樹脂モールド部２をまとめて封止樹脂部とも呼ぶ。
【００１７】
なお、第１のアンダーフィル樹脂４、第２のアンダーフィル樹脂５および樹脂モールド部２には、線膨張係数の調整等を目的としてシリカ粒子が含有される。ここで、第１のアンダーフィル樹脂４および第２のアンダーフィル樹脂５のほうが、樹脂モールド部２よりもシリカ粒子の含有量が少なく、流動性に富むようになっている。そのため、半導体メモリ３同士の隙間や、第１の積層体と配線基板６との隙間に、第１のアンダーフィル樹脂４および第２のアンダーフィル樹脂５を円滑に充填しやすくなっている。
【００１８】
上述した半導体装置１０によれば、金属板１の第１面１ａが樹脂モールド部２から露出しているので、第１面１ａが樹脂モールド部に覆われている半導体装置に比べて薄型化を図ることができる。また、金属板１の第１面１ａが樹脂モールド部２から露出しているので、半導体メモリ３やロジックＬＳＩ１２から発生した熱を、金属板１を介して放熱しやすくすることができる。
【００１９】
また、金属板１の第１面１ａの外周辺から連続するすべての外周面１ｂ〜１ｅが、樹脂モールド部２に覆われているので、樹脂モールド部２によって金属板１をより強固に固定することができる。また、金属板１の外周面１ｂ〜１ｅに力が直接加わると、金属板１が剥がれやすくなるが、本実施の形態では、外周面１ｂ〜１ｅのすべてか樹脂モールド部２に覆われているので、金属板１を剥がす力が外周面１ｂ〜１ｅに加わりにくくなる。これにより、半導体装置１０の信頼性の向上を図ることができる。
【００２０】
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。図４は、図１に示す半導体装置１０の製造工程を説明するためのフローチャートである。図５〜図１３は、図１に示す半導体装置１０の製造工程の一工程を示す図である。
【００２１】
まず、金属板１の第２面１ｇ上に半導体メモリ３を接着剤１５で接着させる（ステップＳ１、図５を参照）。次に、第２面１ｇ上に接着された半導体メモリ３上に半導体メモリ３を積層させる（ステップＳ２、図６を参照）。半導体メモリ３を積層する際、それぞれの半導体メモリ３間を、バンプ８を用いて電気的に接続する。次に、金属板１から最も離れた半導体メモリ３上にロジックＬＳＩ１２を積層させる（ステップＳ３、図６を参照）。ロジックＬＳＩ１２を積層する際、ロジックＬＳＩ１２と半導体メモリ３間を、バンプ８を用いて電気的に接続する。次に、半導体メモリ３同士の隙間および半導体メモリ３とロジックＬＳＩ１２との隙間に第１のアンダーフィル樹脂４を充填させる（ステップＳ４、図７を参照）。ここまでの工程で第１の積層体が形成される。
【００２２】
次に、最上層に積層された半導体チップであるロジックＬＳＩ１２を対向させて、複数の第１の積層体を配線基板６上に搭載させる（ステップＳ５、図８を参照）。第１の積層体を配線基板６上に搭載する際、第１の積層体と配線基板６間を、バンプ９を用いて電気的に接続する。次に、第１の積層体と配線基板６との隙間に第２のアンダーフィル樹脂５を充填させる（ステップＳ６、図８を参照）。この工程によって、第２の積層体が形成される。
【００２３】
次に、樹脂モールド部２を形成するための金型２０，２１のうち、金属板１の第１面１ａと対向する面に、フィルム２２を配置する（ステップＳ７、図９を参照）。フィルム２２は、例えば半導体装置１０を金型２０，２１から離型させやすくするために用いられる離型フィルムである。
【００２４】
次に、金属板１の第１面１ａとの間にフィルム２２を挟持させて、第２の積層体を金型２０，２１の間に配置した上で、金型２０，２１を閉じる（ステップＳ８、図１０を参照）。次に、金型２０，２１の内部に樹脂を充填して樹脂モールド部２を形成する（ステップＳ９、図１１を参照）。次に、樹脂モールド部２が形成された第２の積層体を金型２０，２１から取り出し（ステップＳ１０、図１１を参照）、外部接続端子としてのバンプ１９を形成する（ステップＳ１１、図１２を参照）。次に、第１の積層体間でダイシングを行って半導体装置１０を個片化する（ステップＳ１２、図１３を参照）。以上の工程により、半導体装置１０が製造される。なお、上記工程では、バンプ８，９や接着性樹脂１１を形成する工程の詳細を省略しているが、半導体メモリ３の製造時や、積層工程の前など適当なタイミングでこれらの形成を行えばよい。
【００２５】
本実施の形態では、金属板１の外周面１ｂ〜１ｅのすべてを樹脂モールド部２で覆うため、ステップＳ１２のダイシング工程におけるダイシングライン１３は、金属板１の第１面１ａの外周辺と平行であって、金属板１の外側となる位置を通過する。
【００２６】
上述した半導体装置１０の製造工程によれば、金属板１の第１面１ａと金型２０との間にフィルム２２が挟持されているため、第１面１ａ上に樹脂が侵入しにくくなり、より確実に第１面１ａを樹脂モールド部２から露出させることができる。
【００２７】
また、第２の積層体や金型２０，２１の製造誤差等によって、金型２０と第１面１ａとの間には隙間ができてしまう場合がある。金型２０と第１面１ａとの間に隙間ができると、ステップＳ９において、金型２０と第１面１ａとの間に樹脂が侵入して、第１面１ａが樹脂モールド部２に覆われてしまう場合がある。本実施の形態では、金型２０と第１面１ａとに挟持されたフィルム２２が弾性変形することで、金型２０と第１面１ａとの距離のばらつきをフィルム２２に吸収させることができる。したがって、金属板１の第１面１ａをフィルム２２で覆い、金型２０と第１面１ａとの間に樹脂が侵入することをより確実に防ぐことが可能となる。これにより、半導体装置１０の製造工程における歩留まりの向上を図ることができる。
【００２８】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施の形態にかかる半導体装置３０について説明する。図１４は、第２の実施の形態にかかる半導体装置３０の平面図である。図１５は、図１４に示すＣ−Ｃ線に沿って見た矢視断面図である。図１６は、図１４に示すＤ−Ｄ線に沿って見た矢視断面図である。図１７は、図１４に示す半導体装置３０を製造する際のダイシングラインを説明するための断面図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００２９】
本実施の形態では、金属板１の外周辺から連続する４つの外周面１ｂ〜１ｅのうち、一方の対向する外周面１ｂ，１ｃが樹脂モールド部２に覆われ、他方の対向する外周面１ｄ，１ｅが樹脂モールド部２から露出している。
【００３０】
一方の対向する外周面１ｂ，１ｃを樹脂モールド部２で覆うことで金属板１を剥がれにくくしつつ、他方の対向する外周面１ｄ，１ｅを樹脂モールド部２から露出させることで、樹脂モールド部２の小型化、すなわち平面視における半導体装置３０の小型化を図ることができる。
【００３１】
特に、本実施の形態では、金属板１の第１面１ａの外周辺のうち、短辺から連続する外周面１ｂ，１ｃを樹脂モールド部２で覆い、長辺から連続する外周面１ｄ，１ｅを樹脂モールド部２から露出させている。長辺から連続する外周面１ｄ，１ｅに力が加わった場合よりも、短辺から連続する外周面１ｂ，１ｃに力が加わった場合のほうが金属板１が剥がれやすい傾向があるため、長辺から連続する外周面１ｄ，１ｅを樹脂モールド部２で覆って保護している。また、上記実施の形態と同様に、金属板１の第１面１ａが樹脂モールド部２から露出しているので、放熱性の向上を図ることができる。
【００３２】
なお、半導体装置３０を製造する場合には、金属板１の第１面１ａの長辺に平行なダイシングライン１３（図１７も参照）を、金属板１と重なる位置を通過させ、短辺に平行なダイシングライン１３を、金属板１の外側となる位置を通過させればよい（図１３も参照）。また、金属板１の第１面１ａの長辺方向に半導体装置３０を小型化させる場合には、短辺から連続する外周面１ｂ，１ｃを樹脂モールド部２から露出させ、長辺から連続する外周面１ｄ，１ｅを樹脂モールド部２で覆ってもよい。
【００３３】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施の形態にかかる半導体装置５０について説明する。図１８は、第３の実施の形態にかかる半導体装置５０の断面図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３４】
半導体装置５０では、金属板１の第１面１ａよりも封止樹脂部（第１のアンダーフィル樹脂４）のほうが突出している。例えば、半導体装置５０の梱包時に、金属板１の第１面１ａ側から加わる負荷を封止樹脂部の突出部分で受けて、金属板１に付加が加わることを防ぐことができる。これにより、金属板１が剥がれにくくなるとともに、金属板１に積層された半導体メモリ３に加わる負荷も抑制できるため、信頼性の向上を図ることができる。
【００３５】
また、上記実施の形態と同様に、金属板１の第１面１ａが封止樹脂部から露出しているので、放熱性の向上を図ることができる。なお、平面視において金属板１のほうが半導体メモリ３よりも小さくなっている。
【００３６】
次に、半導体装置５０の製造工程について説明する。図１９は、図１８に示す半導体装置５０の製造工程を説明するためのフローチャートである。図２０〜２１は、図１８に示す半導体装置５０の製造工程の一工程を示す図である。図４に示すステップＳ１１までは、第１の実施の形態で示した製造工程と同様である。
【００３７】
本実施の形態では、ステップＳ１１の後に、金属板１の第１面１ａ側をエッチングする（ステップＳ２２、図２０を参照）。ここで、金属板１の第２面１ｇに形成された溝１ｆ部分での金属板１の厚さ以上に金属板１をエッチングする。
【００３８】
次に、ダイシングを行って半導体装置５０を個片化する（ステップＳ２３、図２１参照）。ここで、ダイシングを行う際のダイシングライン１３を、金属板１の溝１ｆ部分であった部分と重なる位置に通過させる。これにより、金属板１の第１面１ａよりも封止樹脂部を突出させることができる。また、金属板１の外周面１ｂ〜１ｅの周囲を封止樹脂部で覆って、金属板１を剥がれにくくすることができる。また、金属板１の溝１ｆ部分であった部分にダイシングライン１３を重ねることができるので、金属板１の外周面１ｂ〜１ｅの周囲に封止樹脂部（樹脂モールド部２）を残すために、エッチングされていない金属板１の外側にダイシングライン１３を通過させる場合（図１や図１４を参照）に比べて、平面視における半導体装置５０のより一層の小型化を図ることができる。また、金属板１をエッチングしているので、半導体装置５０の薄型化を図ることができる。
【００３９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４０】
１  金属板、１ａ  第１面、１ｂ〜１ｅ  外周面、１ｆ  溝、１ｇ  第２面、２  樹脂モールド部（封止樹脂部）、３  半導体メモリ（半導体チップ）、４  第１のアンダーフィル樹脂（封止樹脂部）、５  第２のアンダーフィル樹脂（封止樹脂部）、６  配線基板（支持基板）、６ａ  絶縁層、６ｂ  配線層、８，９  バンプ、１０  半導体装置、１１  接着性樹脂、１２  ロジックＬＳＩ（半導体チップ）、１３  ダイシングライン、１５  接着剤、１９  バンプ（外部接続端子）、２０，２１  金型、２２  フィルム、３０，５０  半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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