(57)【要約】【課題】  電極ブロックの側面にはんだが這い上がることを抑制すると共に、樹脂が電極ブロックの側面から剥離し難い半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】  半導体モジュール１０の製造方法は、電極ブロック１６と導電部材２０の間にろう材２４を介在させた状態でろう材２４を加熱することで、電極ブロック１６と導電部材２０を接合する工程と、電極ブロック１６と半導体チップ１２を接合する工程と、電極ブロック１６と導電部材２０を接合する工程及び電極ブロック１６と半導体チップ１２を接合する工程の後に、電極ブロック１６を樹脂３０により封止する工程、を有する。電極ブロック１６と導電部材２０を接合する工程において、電極ブロック１６の側面１６ｃに防護部材３４，３８を接触させた状態でろう材２４を加熱し、ろう材２４を加熱した後に防護部材３４，３８を電極ブロック１６から取り外す。【選択図】  図５
2015126057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールの製造方法であって、
電極ブロックと導電部材の間にろう材を介在させた状態でろう材を加熱することで、前記電極ブロックと前記導電部材を接合する工程と、
前記電極ブロックと半導体チップを接合する工程と、
前記電極ブロックと前記導電部材を接合する前記工程及び前記電極ブロックと前記半導体チップを接合する前記工程の後に、前記電極ブロックを樹脂により封止する工程、
を有し、
前記電極ブロックと前記導電部材を接合する前記工程において、前記電極ブロックの側面に防護部材を接触させた状態で前記ろう材を加熱し、前記ろう材を加熱した後に前記防護部材を前記電極ブロックから取り外す、
製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示する技術は、半導体モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、両面冷却型の半導体モジュールが開示されている。この半導体モジュールでは、一対の金属板の間に半導体チップが配置されている。半導体チップと一方の金属板との間には電極ブロックが配置されている。電極ブロックは、半導体チップに対してはんだ接合されているとともに、金属板に対してはんだ接合されている。一対の金属板、半導体チップ及び電極ブロックは樹脂封止されている。このような半導体モジュールにおいて、金属ブロックの側面がはんだに覆われていると、その側面を覆う樹脂がはんだと共に当該側面から剥離する場合があり、問題となる。しかしながら、特許文献１の半導体モジュールでは、電極ブロックの側面に形成された突出部によって、電極ブロックの側面がはんだによって覆われることを防止している。すなわち、この突出部は、電極ブロックを各部材にはんだ接合する際に、はんだが側面に這い上がることを抑制する。このため、その後の樹脂封止工程において、樹脂を電極ブロックの側面に密着させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１８８３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体モジュールでは、電極ブロックの側面から樹脂層内に突出部が突出している。このように樹脂層内に突出部が突出していると、樹脂成形時の温度変化及び使用中における温度変化に伴い、電極ブロックの突出部近傍の樹脂に熱応力が集中する。このため、突出部近傍の樹脂が剥離し易い。また、突出部に応力を受けると電極ブロックの変位量が増加し、電極ブロック上下のはんだのひずみが大きくなり、クラックが入りやすい。
【０００５】
本明細書では、電極ブロックの側面にはんだが這い上がることを抑制すると共に、樹脂が電極ブロックの側面から剥離し難い半導体モジュールの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する半導体モジュールの製造方法は、電極ブロックと導電部材の間にろう材を介在させた状態でろう材を加熱することで、電極ブロックと導電部材を接合する工程と、電極ブロックと半導体チップを接合する工程と、電極ブロックと導電部材を接合する工程及び電極ブロックと半導体チップを接合する工程の後に、電極ブロックを樹脂により封止する工程、を有する。電極ブロックと導電部材を接合する工程において、電極ブロックの側面に防護部材を接触させた状態でろう材を加熱し、ろう材を加熱した後に防護部材を電極ブロックから取り外す。
【０００７】
上記の半導体モジュールの製造方法では、電極ブロックと導電部材を接合する工程において、電極ブロックの側面に防護部材を接触させた状態でろう材を加熱する。この製造方法によると、ろう材が電極ブロックの側面を這い上がることが防護部材によって抑制される。また、上記の半導体モジュールの製造方法では、ろう材を加熱した後に防護部材を電極ブロックから取り外す。この製造方法によると、電極ブロックを樹脂により封止する工程は、電極ブロックの側面が略平坦な状態で実施される。このため、電極ブロックの側面の樹脂に局所的に熱応力が集中することがなくなり、樹脂が電極ブロックの側面から剥離することが抑制される。
【０００８】
本明細書が開示する技術の詳細、及び、さらなる改良は、発明を実施するための形態、及び、実施例にて詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の半導体モジュールの縦断面図を示す。
【図２】電極ブロック１６、１８の平面図を示す。
【図３】電極ブロック１６、１８の平面図を示す。
【図４】実施例１の半導体モジュールの製造方法を説明するための図であり、電極ブロック、半導体チップ及び下部ヒートシンクをはんだ接合した状態を示す。
【図５】実施例１の半導体モジュールの製造方法を説明するための図であり、電極ブロックの側面に防護部材を装着した状態を示す。
【図６】防護部材の平面図を示す。
【図７】図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線の断面図を示す。
【図８】実施例１の半導体モジュールの製造方法を説明するための図であり、ワークを上部ヒートシンク上に配置した状態を示す。
【図９】変形例１の防護部材の平面図を示す。
【図１０】変形例２の半導体モジュールの製造方法を説明するための図であり、電極ブロックの側面に防護部材を装着した状態を示す。
【図１１】変形例３の防護部材の平面図を示す。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線の断面図を示す。
【図１３】変形例４の防護部材の平面図を示す。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１０】
図１を参照して半導体モジュール１０について説明する。半導体モジュール１０は、半導体チップ１２，１４、電極ブロック１６，１８、ヒートシンク２０，２２及び樹脂３０を有している。半導体チップ１２と電極ブロック１６は、積層されており、ヒートシンク２０、２２の間に配置されている。半導体チップ１４と電極ブロック１８は、積層されており、ヒートシンク２０、２２の間に配置されている。
【００１１】
半導体チップ１２は、ＭＯＳＦＥＴが形成された略矩形状の半導体チップである。半導体チップ１２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を材料とする基板と、当該基板の上面（すなわち、ｚ方向の面）に形成されたソース電極と、当該基板の下面（すなわち、−ｚ方向の面）に形成されたドレイン電極を有する。半導体チップ１２の上面１２ａには電極ブロック１６がはんだ２４により接合されている。はんだ２４には鉛フリーはんだ箔が用いられる。
【００１２】
半導体チップ１４は、還流ダイオードが形成された矩形状の半導体チップである。半導体チップ１４は、半導体チップ１２と並列接続されており、半導体チップ１２に対してｘ方向側に配置されている。半導体チップ１４は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を材料とする基板と、当該基板の上面に形成されたアノード電極と、当該基板の下面に形成されたカソード電極を有する。半導体チップ１４の上面１４ａには電極ブロック１８がはんだ２４により接合されている。
【００１３】
電極ブロック１６は矩形状であり、下面１６ｂの大きさは半導体チップ１２のソース電極の大きさに実装公差を差し引いた大きさとされている。電極ブロック１８は矩形状であり、下面１８ｂの大きさは半導体チップ１４のアノード電極の大きさに実装公差を差し引いた大きさとされている。電極ブロック１６，１８はＣｕにより形成されるが、これに限られず、電気伝導性及び熱伝導性に優れたその他の材料が用いられてもよい。
【００１４】
電極ブロック１６の側面１６ｃには、ｚ方向の所定の位置に溝１７ａが形成されている。図２に示すように、溝１７ａは、電極ブロック１６の側面１６ｃを構成する４つの面１６ｃ１〜１６ｃ４のうち、面１６ｃ１，１６ｃ２，１６ｃ４に形成されている。上記３つの面１６ｃ１，１６ｃ２，１６ｃ４に形成されている溝１７ａはそれぞれつながっており、連続した溝を形成している。また、図１には示されていないが、電極ブロック１６の側面１６ｃには、図３の溝１７ｂが形成されている。溝１７ｂは、溝１７ａよりも上側（図１のｚ方向）に形成されている。図３に示すように、溝１７ｂは、側面１６ｃを構成する４つの面１６ｃ１〜１６ｃ４のうち、面１６ｃ２，１６ｃ３，１６ｃ４に形成されている。上記の３つの面１６ｃ２、１６ｃ３、１６ｃ４に形成される溝１７ｂはそれぞれつながっており、連続した溝を形成している。
【００１５】
図１に示すように、電極ブロック１８の側面１８ｃには、ｚ方向の所定の位置に溝１９ａが形成されている。図２に示すように、溝１９ａは、電極ブロック１８の側面１８ｃを構成する４つの面１８ｃ１〜１８ｃ４のうち、面１８ｃ１，１８ｃ２，１８ｃ４に形成されている。上記３つの面１８ｃ１，１８ｃ２，１８ｃ４に形成されている溝１９ａはそれぞれつながっており、連続した溝を形成している。また、図１には示されていないが、電極ブロック１８の側面１８ｃには、図３の溝１９ｂが形成されている。溝１９ｂは、溝１９ａよりも上側に形成されている。図３に示すように、溝１９ｂは、側面１８ｃを構成する４つの面１８ｃ１〜１８ｃ４のうち、面１８ｃ２，１８ｃ３，１８ｃ４に形成されている。上記の３つの面１８ｃ２、１８ｃ３、１８ｃ４に形成される溝１９ｂはそれぞれつながっており、連続した溝を形成している。
【００１６】
電極ブロック１６，１８のそれぞれの上面１６ａ、１８ａには、上部ヒートシンク２０の下面２０ｂがはんだ２４により接合されている。半導体チップ１２，１４のそれぞれの下面１２ｂ、１４ｂには、下部ヒートシンク２２の上面２２ａがはんだ２４により接合されている。上部ヒートシンク２０と下部ヒートシンク２２は、矩形状で略同一の大きさを有しており、互いに略平行とされている。各ヒートシンク２０，２２は無酸素銅により形成されるが、これに限られず、放熱性に優れたその他の材料が用いられてもよい。
【００１７】
下部ヒートシンク２２に隣接する位置に、リード端子２６が配置されている。半導体チップ１２の端部とリード端子２６は、ボンディングワイヤ２８によって接続されている。これにより、半導体チップ１２のゲート電極とリード端子２６とが電気的に接続されている。半導体チップ１２，１４、電極ブロック１６，１８、上部ヒートシンク２０の下面２０ｂ，下部ヒートシンク２２の上面２２ａ、リード端子２６のｘ方向側の端部、及びボンディングワイヤ２８は、樹脂３０によって封止されている。樹脂３０にはエポキシ樹脂が用いられるが、これに限られず、密着性に優れたその他の熱硬化性樹脂が用いられてもよい。
【００１８】
次に、図４〜図８を参照して、半導体モジュール１０の製造方法について説明する。
【００１９】
（第１はんだ接合工程）
まず、図４に示す半製品を組み立てる。すなわち、まず、下部ヒートシンク２２の上面２２ａにはんだ２４を塗布し、塗布したはんだ２４上に半導体チップ１２，１４を配置する。次に、半導体チップ１２の上面１２ａ及び半導体チップ１４の上面１４ａにはんだ２４を塗布し、塗布したはんだ２４上に電極ブロック１６，１８をそれぞれ配置する。次いで、電極ブロック１６，１８の各上面１６ａ、１８ａにはんだ２４を塗布する。このように各部材を積層したら、その積層部品をリフロー炉に投入し、はんだ２４を溶融させ、その後、固化させる。これにより、半導体チップ１２の上面１２ａに電極ブロック１６がはんだ接合され、半導体チップ１４の上面１４ａに電極ブロック１８がはんだ接合される。また、半導体チップ１２の下面１２ｂ及び半導体チップ１４の下面１４ｂに、下部ヒートシンク２２がはんだ接合される。さらに、電極ブロック１６，１８の各上面１６ａ，１８ａにはんだ２４が固着する。
【００２０】
（ワイヤボンディング工程）
続いて、ボンディングツールを用いて半導体チップ１２とリード端子２６とをボンディングワイヤ２８で接続する。
【００２１】
（防護部材装着工程）
次に、図５に示すように電極ブロック１６に防護部材３４，３８を装着し、電極ブロック１８に防護部材３６，４０を装着する。ここで、図６を参照して防護部材３４について説明する。防護部材３４はポリイミドを材料とするシート状部材である。但し、防護部材３４の材料はポリイミドに限られず、はんだ２４の溶融温度で溶融しない材料であればその他の材料が用いられてもよい。防護部材３４は、基部３４ａと、基部３４ａから両側に延びる分岐部３４ｂ、３４ｃを有している。分岐部３４ｂ、３４ｃは、それぞれ、途中で直角に折れ曲がっている。分岐部３４ｂの先端部は、分岐部３４ｃの先端部と平行に延びている。防護部材３６、３８、４０も、防護部材３４と略同様に構成されている。
【００２２】
電極ブロック１６に防護部材３４，３８を装着する際は、図５に示すように、防護部材３４を電極ブロック１６に向かってスライドさせることで、防護部材３４を、電極ブロック１６の溝１７ａに係合させる。より詳細には、防護部材３４を、面１６ｃ１、１６ｃ２、１６ｃ４に亘って延びる溝１７ａ全体と係合させる。防護部材３４の溝１７ａと係合する部分の幅は、溝１７ａの深さよりも広い。したがって、防護部材３４を溝１７ａと係合させると、防護部材３４が電極ブロック１６の側面１６ｃの面１６ｃ１、１６ｃ２、１６ｃ４から突出する。同様にして、防護部材３８を、電極ブロック１６の溝１７ｂ全体と係合させ、防護部材３６を、電極ブロック１８の溝１９ａ全体と係合させ、防護部材４０を、電極ブロック１８の溝１９ｂ全体と係合させる。これによって、電極ブロック１６の側面１６ｃを一巡するように防護部材３４、３８が配置され、電極ブロック１８の側面１８ｃを一巡するように防護部材３６、４０が配置される。なお、図７は、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線の断面図を示す。図示するように、防護部材３４の一部に折り曲げ部分３４ｂ１が形成されている。これにより、防護部材３４がボンディングワイヤ２８と干渉することが防止される。
【００２３】
（第２はんだ接合工程）
次いで、図８に示すように、ワーク５０を上下逆さまにし、上部ヒートシンク２０上に配置する。すなわち、電極ブロック１６，１８の各上面１６ａ，１８ａにそれぞれ固着しているはんだ２４を、上部ヒートシンク２０に接触させる。上部ヒートシンク２０と下部ヒートシンク２２との間には、両者の間隔を所定の値に保つためにスペーサ４２が配置される。この状態でワーク５０が配置された上部ヒートシンク２０をリフロー炉に投入してはんだ２４を溶融させ、その後、固化させる。これにより、図１に示すように電極ブロック１６，１８が上部ヒートシンク２０にはんだ接合される。
【００２４】
（防護部材取り外し工程）
続いて、防護部材３４を溝１７ａに沿ってスライドさせることで、防護部材３４を電極ブロック１６から取り外す。同様に、防護部材３６〜４０を、電極ブロック１６、１８から取り外す。
【００２５】
（プライマー塗布工程、樹脂封止工程）
次に、防護部材３４〜４０を取り外した半製品の外表面にプライマーを塗布して硬化させる。その後、成形型を用いて当該半製品を樹脂封止することで、樹脂層３０を形成する。
【００２６】
以上の工程を経ることで、図１に示す半導体モジュール１０を製造することができる。上記の半導体モジュール１０の製造方法の作用効果について説明する。電極ブロック１６，１８の各上面１６ａ、１８ａのはんだ２４は、上部ヒートシンク２０と下部ヒートシンク２２との間隔を所定値に保つために（別言すれば、半導体チップ１２，１４及び電極ブロック１６，１８の部品の公差を吸収するために）多めに塗布されている。このため、第２はんだ接合工程では、電極ブロック１６，１８と上部ヒートシンク２０との間に介在するはんだ２４が加熱されて溶融すると、余剰のはんだが電極ブロック１６，１８の各側面１６ｃ、１８ｃを這い上がろうとする。しかしながら、側面１６ｃには防護部材３４，３８が側面１６ｃから突出するように装着されており、側面１８ｃには防護部材３６，４０が側面１８ｃから突出するように装着されている。また、防護部材３４，３６，３８，４０ははんだが濡れ広がらない材料で形成されている。このため、はんだ２４が防護部材３４，３６，３８，４０を超えて這い上がることが抑制される。また、樹脂封止工程は、防護部材取り外し工程の後に実施される。電極ブロック１６、１８の側面にはんだ層が形成されていないため、樹脂は電極ブロック１６、１８に直接接触することができる。このため、樹脂がはんだ層と共に電極ブロック１６、１８から剥離することが防止される。また、防護部材３４，３６，３８，４０を電極ブロック１６，１８から取り外してから樹脂封止するため、樹脂層内に、電極ブロック１６，１８の各側面１６ｃ、１８ｃから突出する部材が残ることがない。従って、樹脂成形時や使用中の温度変化に伴い電極ブロック１６，１８の各側面１６ｃ、１８ｃ近傍の樹脂に熱応力が集中することがなくなり、樹脂が各側面１６ｃ、１８ｃから剥離することが抑制される。すなわち、防護部材３４，３６，３８，４０を着脱可能な部材とすることで、はんだ２４が電極ブロック１６，１８の側面を這い上がることが抑制されるとともに、樹脂が電極ブロックの側面から剥離することが抑制される。
【００２７】
また、従来のように電極ブロックの側面に突出部が形成されている場合は、ワイヤボンディング工程においてボンディングツールが当該突出部と接触しないようにするために、半導体チップ１２のサイズを大きくする必要があった。しかしながら、上記の製造方法では、防護部材３４，３６，３８，４０は着脱可能であり、ワイヤボンディング工程は、防護部材装着工程の前に実施される。このため、電極ブロック１６の側面１６ｃ近傍の半導体チップ１２にボンディングワイヤを接続することが可能となる。従って、半導体チップ１２のサイズを大型化する必要がなくなり、コストを低減することができる。特に、本実施例では半導体チップ１２の基板には比較的に高価な材料であるＳｉＣが用いられるため、コストをより低減することができる。
【００２８】
また、従来は、上部ヒートシンクの下面にはんだが濡れ広がり易い金めっき層を形成し、はんだの這い上がりを抑制する方法が用いられていた。しかしながら、上記の製造方法では、はんだ２４の這い上がりは、防護部材３４，３６，３８，４０によって抑制される。このため、上部ヒートシンク２０の下面２０ｂに金めっき層を形成する必要がなくなり、コストを低減することができる。
【００２９】
（変形例１）
次に、図９を参照して変形例１について説明する。以下では、実施例１と相違する点についてのみ説明し、実施例１と同一の構成についてはその詳細な説明を省略する。その他の変形例についても同様である。なお、以下の変形例では、防護部材３４の折れ曲がり部分３４ｂ１の図示を省略している。
【００３０】
図９に示すように、変形例１では、防護部材３４の分岐部３４ｃと防護部材３６の分岐部３６ｂとが、矩形状の接続部材４４によって接続されている。接続部材４４はポリイミドにより形成される。接続部材４４は防護部材３４，３６より厚みが薄くされており、容易に変形することができる。このような防護部材を用いることによっても、実施例１と同様の作用効果を奏することができる。さらに、同一方向に着脱する２つの防護部材３４，３６を接続部材４４により接続することで、１度に２つの防護部材３４，３６を電極ブロック１６，１８に装着及び取り外すことができ、製造効率が上昇する。また、接続部材４４を容易に変形可能な部材とすることにより、防護部材３４，３８の装着性及び取り外し性を向上できる。なお、防護部材３８と防護部材４０も接続部材により接続されていてもよい。
【００３１】
（変形例２）
図１０に示すように、変形例２では、半導体チップ１４及び電極ブロック１８が、半導体チップ１２及び電極ブロック１６のｙ方向側に位置している。変形例２では、溝１７ｂと溝１９ｂは同じ高さ（すなわち、ｚ方向における同一の位置）に形成されている。防護部材４６は、防護部材３４，３６と同一材料により形成されており、図１０に破線で示す形状をしている。防護部材４６を、電極ブロック１６の溝１７ｂ及び電極ブロック１８の溝１９ｂに沿って−ｘ方向にスライドすることで、防護部材４６が電極ブロック１６，１８に装着される。防護部材４６が装着されると、防護部材４６は、溝１７ｂの全体と、溝１９ｂの全体とそれぞれ接触する。一方、防護部材３４は電極ブロック１６の溝１７ａに沿ってｙ方向にスライドされることで、電極ブロック１６に装着される。防護部材３６は電極ブロック１８の溝１９ａに沿って−ｙ方向にスライドされることで、電極ブロック１８に装着される。この構成によっても、実施例１と同様の作用効果を奏することができる。防護部材のスライド方向や防護部材の数は、半導体チップの個数や、半導体チップとリード端子との位置関係によって、適宜変更してもよい。
【００３２】
（変形例３）
図１１は、変形例３の防護部材１３４の平面図を示す。防護部材１３４は、電極ブロック１６の溝１７ａに装着される。図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線の断面図を示す。図１２に示すように、防護部材１３４は、内部に補強部材４８を有している。補強部材４８にはＣｕが用いられるが、これに限られず、剛性の高いその他の部材が用いられてもよい。補強部材４８の両面には、接着剤１４０によりポリイミドシート１３６，１３８が接着されている。接着剤１４０には、アクリル系接着剤又はポリイミド系接着剤が用いられるが、接着性を有するその他の材料が用いられてもよい。図１１の破線は、補強部材４８の位置を示す。このような防護部材１３４を用いることによっても、実施例１と同様の作用効果を奏することができる。さらに、このように防護部材１３４の内部に補強部材４８が介在することにより、防護部材の剛性を向上できる。このため、電極ブロック１６への装着及び取り外しを容易に行うことができるとともに、第２はんだ接合工程の際にはんだの這い上がりをより確実に抑制できる。なお、所望する強度に合わせてポリイミドシート１３６，１３８及び補強部材４８の厚みを変更してもよい。また、ポリイミドシートの積層数を変更してもよい。また、補強部材４８の形状は図１１の破線で示す形状に限られず、例えば、補強部材４８は防護部材１３４を平面視した状態で部分的に配置されていてもよい。なお、防護部材３６，３８，４０の内部にも補強部材４８が介在していてもよい。
【００３３】
（変形例４）
図１３は、変形例４の防護部材２３４の平面図を示す。防護部材２３４は、電極ブロック１６の溝１７ａに装着される。図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線の断面図を示す。図１３、１４に示すように、防護部材２３４は、防護部材２３４のうち溝１７ａに接触する部分（以下では、「防護部材２３４の内側」とも称する）の厚みが厚くされている。具体的には、防護部材２３４は、変形例３の防護部材１３４の分岐部１３４ｂ、１３４ｃの内側の両面に、接着剤２４０、２４４によりポリイミドシート２４２、２４６をそれぞれ接着することにより形成される。接着剤２４０、２４４には接着剤１４０と同一材料が用いられる。溝１７ａの厚みは、防護部材２３４の内側の厚みと略同一とされている。ポリイミドシート２４２，２４４の幅方向の長さは、溝１７ａの深さと同一かそれより長くされている。このような防護部材２３４を用いることによっても、実施例１と同様の作用効果を奏することができる。さらに、防護部材２３４の内側のポリイミドシートの積層数を増やすことにより、防護部材２３４の内側（すなわち、溝１７ａに接触する部分）の剛性を向上できる。このため、電極ブロック１６への装着及び取り外しを容易に行うことができるとともに、第２はんだ接合工程の際にはんだの這い上がりをより確実に抑制できる。なお、防護部材３６，３８，４０が電極ブロックの溝と接触する部分の厚みも、防護部材１３４と同様の方法で厚くしてもよい。
【００３４】
以上、本明細書が開示する技術の実施例について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、本明細書が開示する半導体モジュールの製造方法は、上記の実施例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００３５】
例えば、電極ブロック１６，１８と上部ヒートシンク２０は、電極ブロック１６，１８が半導体チップ１２，１４にそれぞれはんだ接合される前にはんだ接合されてもよい。
【００３６】
また、第１はんだ接合工程では、電極ブロック１６，１８の各上面１６ａ，１８ａにはんだ２４が塗布されなくてもよい。はんだ２４は、第２はんだ接合工程で上部ヒートシンク２０の下面２０ｂに塗布されてもよい。この方法によっても、ワーク５０をはんだ２４により上部ヒートシンク２０にはんだ接合することができる。また、ワーク５０を裏返さずに上部ヒートシンク２０をはんだ接合してもよい。また、第２はんだ接合工程ではんだ接合されるはんだは、第１はんだ接合工程ではんだ接合されるはんだよりも融点が低いはんだが用いられてもよい。この構成によると、第２はんだ接合工程では、第１はんだ接合工程ではんだ接合されたはんだが溶融することを抑制することができる。
【００３７】
また、防護部材３４と防護部材３８は、電極ブロック１６を平面視したときに電極ブロック１６の側面１６ｃを一巡するように配置されていればどのような形状であってもよい。同様に、防護部材３６と防護部材４０は電極ブロック１８を平面視したときに電極ブロック１８の側面１８ｃを一巡するように配置されていればどのような形状であってもよい。
【００３８】
また、溝１７ａのほうが溝１７ｂより上方に形成されていてもよい。この場合、防護部材３８の分岐部３８ｂに折れ曲がり部分が形成されてもよい。また、溝１９ａのほうが溝１９ｂより上方に形成されていてもよい。また、防護部材をつける順番はどのようであってもよい。
【００３９】
また、半導体チップ１２はＩＧＢＴが形成された半導体チップであってもよい。
【００４０】
また、上部ヒートシンク２０の下面２０ｂのうち、電極ブロック１６、１８がはんだ２４を介して接触する面の外周には溝が形成されてもよい。これにより、第２はんだ接合工程において溶融したはんだ２４のうち、接合面からはみだしたはんだ２４は、当該溝に収容される。このため、電極ブロック１６、１８の各側面１６ｃ、１８ｃにはんだが這い上がることをより抑制することができる。
【００４１】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４２】
１０：半導体モジュール、１２：半導体チップ、１４：半導体チップ、１６：電極ブロック、１８：電極ブロック、２０：上部ヒートシンク、２２：下部ヒートシンク、２４：はんだ、２６：リード端子、２８：ボンディングワイヤ、３０：樹脂、３４，３６，３８，４０：防護部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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