(57)【要約】【課題】本発明はコストおよび絶縁耐圧を犠牲にすることなく放熱性を高めた半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、ベース板１と、ベース板１の上面に設けられた絶縁層２と、絶縁層２上面に設けられた金属パターン３と、金属パターン３と接合された半導体素子７と、半導体素子７上面に接触して配置された絶縁基板１１と、を備え、絶縁基板１１の端部１１ｂは、平面視で半導体素子７よりも外側に来ており、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属パターン３とは、直接または間接的に接合されており、半導体素子７は上面に電極を備え、絶縁基板１１の、半導体素子７の上面の電極と平面視重なる部分には、貫通穴１１ａが設けられる。【選択図】図１
2015015270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース板と、
前記ベース板の上面に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上面に設けられた金属パターンと、
前記金属パターンと接合された半導体素子と、
前記半導体素子上面に接触して配置された絶縁基板と、
を備え、
前記絶縁基板の端部は、平面視で前記半導体素子よりも外側に来ており、
前記絶縁基板の前記端部と前記金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、
前記半導体素子は上面に電極を備え、
前記絶縁基板の、前記半導体素子の上面の前記電極と平面視重なる部分には、貫通穴が設けられることを特徴とする、
半導体装置。
【請求項２】
前記金属パターン上面に設けられた金属枠をさらに備え、
前記金属枠は前記半導体素子を平面視で囲むように設けられ、
前記絶縁基板の前記端部と前記金属パターンとは、前記金属枠を介して接合されていることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁基板の前記端部は前記金属パターンに向かって略垂直に延在しており、
前記絶縁基板の前記端部は前記金属パターンと直接接合されていることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
外部電極をさらに備え、
前記外部電極の一端と前記半導体素子上面の前記電極とは前記貫通穴を通して電気的に接合されており、
前記外部電極の他端は前記金属パターンと接合しており、
前記外部電極と前記絶縁基板が平面視重なる領域において、前記外部電極と前記絶縁基板上面とが接触していることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子は複数であり、
前記絶縁基板は前記複数の半導体素子間で共有され、
隣接する半導体素子の間の部分において、前記絶縁基板は前記金属パターンに向かって略垂直に延在しており、
延在した部分は、前記金属パターンと直接接合されていることを特徴とする、
請求項１または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子上面の前記電極と前記絶縁基板とは、はんだ又はＡｇ接合で接合されていることを特徴とする、
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁基板の前記端部と前記金属枠とは、はんだ又はＡｇ接合で接合されていることを特徴とする、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁層上面、前記金属パターン、前記半導体素子および前記絶縁基板はトランスファーモールド法により樹脂封止されていることを特徴とする、
請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁層上面に隙間無く固定され、前記金属パターン、前記半導体素子および前記絶縁基板を囲むケースをさらに備え、
前記ケースには、封止樹脂が充填されていることを特徴とする、
請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に片側から放熱する構造の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネエネルギーを目的としたパワーエレクトロニクスは、大きな発展が期待されている。パワー半導体素子をパッケージングした半導体装置であるパワーモジュールは、パワーエレクトロニクス装置の心臓部として採用され、その発展に大いに寄与している。
【０００３】
パワーモジュールの現在の主流は、パワー半導体素子として、シリコンを基材とするＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と、ダイオードを基本構成とするものである。パワー半導体素子は、時代とともに改良がなされてきた。しかし、パワーエレクトロニクスの更なる発展のためには、より大きな電流を確実に制御可能とする要求がある。その要求を満たす方法として一番有力なのが、パワー素子の基材をシリコンからシリコンカーバイド（ＳｉＣ）に変更することである。ＳｉＣは、材料自体の絶縁耐圧が大きいことと、３００℃の高温でも熱暴走することなく動作可能であること、そして、同一電流密度で比較すると動作時の発生損失がシリコンの約１０分の１になることから、パワーモジュールへの適用が要望されている。
【０００４】
一般的なパワーモジュールの裏面側には銅など良熱伝導材で構成されたベース板が露出している。ベース板はネジなどの締結材で機械的に放熱フィンと接合される。放熱フィンはアルミや銅で構成される。また、ベース板と放熱フィンの間には、接触熱抵抗を下げるために放熱グリースが塗布される。
【０００５】
パワーモジュールを動作させると、パワー半導体素子の損失（電流と電圧の積）として熱が発生する。この熱は、ベース板を介して放熱フィンより外部へ放散される。このように、パワーモジュールの裏面側から放熱する構造においては、パワー半導体素子で発生する熱を、ベース板にいかに効率良く伝えるかが重要となる。
【０００６】
パワーモジュールは、基本的には絶縁構造をとっているために、通常ベース板の上部に絶縁層（絶縁基板や絶縁シート）を有している。絶縁層は一般的に熱抵抗が大きいため、この部分において放熱が悪くなる。この問題を解決するために、絶縁層自体の熱伝導率を大きくしたり、厚みを薄くするなどの対応がとられてきた。
【０００７】
例えば特許文献１では、半導体素子の下側および上側の両側に放熱板を設けることにより、効率よく放熱を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１７４１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、絶縁基板自体の熱伝導率を大きくすることは、素材自体が非常に高価となるため、コストが高くなるという問題があった。また、絶縁基板の厚みを薄くすることは、絶縁基板の許容強度が低下するために、絶縁基板が割れ、絶縁耐圧が不足するという問題があった。
【００１０】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、コストおよび絶縁耐圧を犠牲にすることなく放熱性を高めた半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
ベース板と、ベース板の上面に設けられた絶縁層と、絶縁層上面に設けられた金属パターンと、金属パターンと接合された半導体素子と、半導体素子上面に接触して配置された絶縁基板と、を備え、絶縁基板の端部は、平面視で半導体素子よりも外側に来ており、絶縁基板の端部と金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、半導体素子は上面に電極を備え、絶縁基板の、半導体素子の上面の電極と平面視重なる部分には、貫通穴が設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明における半導体装置によれば、半導体素子下面からの放熱に加えて、絶縁基板および絶縁基板と接合された金属パターンを介して、半導体素子上面からの放熱が可能である。このように、半導体素子の動作に伴って発生する熱を、半導体素子の下面と上面の両側から熱伝導によりベース板に伝熱することができる。つまり、ベース板に接触させた放熱フィンにより放熱を行う従来の方式において、絶縁性を犠牲にすることなく、より効率良く放熱を行うことが可能となる。よって、半導体素子の温度上昇をより抑えることができ、従来と同一の半導体素子のサイズで、より大きな電流を流すことが可能となる。言い換えれば、半導体素子の動作電流密度（単位は例えば［Ａ／ｃｍ２］）を大きくすることができる。また、従来と同一の動作電流で動作させる場合は、従来よりも半導体素子のサイズを小型化できることになる。これにより半導体装置（パワーモジュール）全体のサイズの小型化が可能となる。さらに、低コスト化も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。
【図３】実施の形態３に係る半導体装置の断面図である。
【図４】実施の形態３に係る半導体装置の別の例の断面図である。
【図５】実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。
【図６】実施の形態５に係る半導体装置の断面図である。
【図７】実施の形態６に係る半導体装置の断面図である。
【図８】前提技術に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜前提技術＞
本発明の実施の形態を説明する前に、本発明の前提となる技術について説明する。図８に前提技術としての半導体装置５０の断面図を示す。半導体装置５０は、ベース板１と、ベース板１の上面に設けられた絶縁層２と、絶縁層２の上面に設けられた金属パターン３とを備える。半導体装置５０はさらに、金属パターン３上にはんだ４を介して接合された半導体素子７と、金属パターン３上にはんだ４を介して接合された主電極端子５および信号端子６とを備える。半導体素子７の上面に備わる電極と金属パターン３とは、金属ワイヤ８ａ，８ｂにより接続されている。
【００１５】
また、半導体装置５０はさらに、半導体装置５０筐体としてのケース９を備える。図８に示すように、ケース９は絶縁層２に対して隙間無く固定されており、金属パターン３、半導体素子７、主電極端子５および金属ワイヤ８ａ，８ｂを囲んでいる。ケース９内部には、封止樹脂１６として例えば、シリコンゲルやエポキシ樹脂などが充填されている。
【００１６】
半導体素子７が動作すると、電流と電圧が発生し、この積により動作損失が発生する。この動作損失はほとんどが熱に変換される。半導体素子７の上面に備わる電極には、アルミや銅などの良導電性の金属ワイヤ８ａ，８ｂが接続され、電流が取り出される。半導体素子７において発生した熱は、半導体素子７の下面から、接合されている金属パターン３および絶縁層２を介して、ベース板１に放熱される。ベース板１は図示しない放熱フィンと接触しており、半導体素子７の熱は最終的に放熱フィンから放熱される。しかし、前述のように、絶縁層２の放熱性が問題となる。
【００１７】
＜実施の形態１＞
＜構成＞
図１に本実施の形態における半導体装置１００の断面図を示す。半導体装置１００は、ベース板１と、ベース板１の上面に設けられた絶縁層２と、絶縁層２上面に設けられた金属パターン３とを備える。ここで、絶縁層２は絶縁基板または絶縁シートである。また、金属パターン３は銅やアルミなどの良伝熱材からなる。また、この金属パターン３表面には、はんだ付けやＡｇ接合等に最適な表面処理（例えばＮｉメッキやＡｕメッキ）が施されることもある。
【００１８】
半導体装置１００はさらに、金属パターン３とはんだ４又はＡｇ接合により接合された半導体素子７と、半導体素子７上面に接触して配置された絶縁基板１１とを備える。ここで、半導体素子７は例えばＩＧＢＴパワー半導体素子である。絶縁基板１１は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の高熱伝導率を有する絶縁材料からなる。
【００１９】
半導体素子７はさらに、金属パターン３上面に設けられた金属枠１０を備え、金属枠１０は半導体素子７を平面視で囲むように設けられている。金属枠１０は、銅などの良熱伝導金属であり、金属パターン３上面にはんだ４又はＡｇ接合を介して接合されている。また、この金属枠１０には、はんだ付けやＡｇ接合等に最適な表面処理（例えばＮｉメッキやＡｕメッキ）が施されることもある。
【００２０】
絶縁基板１１の端部１１ｂは、平面視で半導体素子７よりも外側に来ており、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属パターン３とは、金属枠１０を介して間接的に接合されている。なお、絶縁基板１１の端部１１ｂには、はんだ付けやＡｇ接合等に最適な表面処理（例えばＮｉメッキやＡｕメッキ）が施されることもある。
【００２１】
半導体素子７は上面に電極（例えば、主電極と制御電極）を備えている。絶縁基板１１の、半導体素子７の上面の電極と平面視重なる部分には貫通穴１１ａが設けられている。図１に示すように、この貫通穴１１ａを通して、金属ワイヤ８ａ，８ｂにより、半導体素子７上面の電極と金属パターン３とが接続されている。つまり、金属ワイヤ８ａによって、主電極端子５が接合されている金属パターン３と半導体素子７上面の主電極とが接続されている。なお、主電極は中継端子５ａを介して金属パターン３に接続されている。
【００２２】
また、金属ワイヤ８ｂによって、信号端子６が接合されている金属パターン３と半導体素子７上面の制御電極とが接続されている。ここで、金属ワイヤ８ａ，８ｂは、アルミや銅などの良導電性の金属からなる。なお、主電極端子５と信号端子６の一部は、ケース９外部に露出している。
【００２３】
ケース９は絶縁層２に対して隙間無く固定されており、金属パターン３、半導体素子７、主電極端子５、信号端子６および金属ワイヤ８ａ，８ｂを囲んでいる。ケース９内部には、封止樹脂１６として例えば、シリコンゲルが充填されている。
【００２４】
＜動作＞
半導体素子７が動作すると、電流と電圧が発生し、この積により動作損失が発生する。この動作損失はほとんどが熱に変換される。半導体素子７の上面には、アルミや銅などの良導電性の金属ワイヤ８ａ，８ｂが接続され、絶縁基板１１の貫通穴１１ａを通して電極から電流が取り出される。半導体素子７において発生した熱は、半導体素子７の下面から、接合されている金属パターン３および絶縁層２を介して、ベース板１に放熱される。
【００２５】
一方、半導体素子７の上面には、ＡｌＮなどの高熱伝導率を有する絶縁基板１１が接触しており、この絶縁基板１１にも熱が伝導される。この絶縁基板１１に伝導された熱は、絶縁基板１１の端部１１ｂが金属枠１０の上面と接合されているため、この部分から金属パターン３および絶縁層２を介してベース板１に放熱される。
【００２６】
なお、主電極端子５と信号端子６は、ケース９内に電極を組み込み、アルミや銅などの良導電性の金属ワイヤ８ａ，８ｂで接続してケースの外部に露出させる。また、金属パターン３上に銅などの良導電性の筒状のソケットなどの外部電極の一部になる部材（例えば中継端子５ａ）を設け、プレスフィットやはんだ又はＡｇ接合などにより、例えば主電極端子５と中継端子５ａとを接合して、外部に露出させる。
【００２７】
また、半導体素子７として、ＳｉＣを基材とするパワー半導体素子、例えばＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴやＳｉＣ−ＳＢＤ(ショットキーバリアダイオード)等を搭載することも可能である。ＳｉＣを基材とするパワー半導体素子は、材料の特性からＳｉを基材とするパワー半導体素子に比べてより高温での動作が可能となる。
【００２８】
本実施の形態（半導体装置１００）のように、半導体素子７の上面からもモジュールの下部に構成されるベース板１への放熱が可能となることにより、前提技術（半導体装置５０）の構造よりも、より多くの電流を流すことが可能となる。半導体素子７をＳｉＣとすることにより、半導体素子７をＳｉとした場合と比較して、半導体素子７のサイズをより小型化することが可能となる。従って、半導体装置１００（パワーモジュール）を小型化できる。
【００２９】
また、一般に、ＳｉＣを基材とする半導体素子は、Ｓｉを基材とする場合と比較して、Ｓｉの通常動作温度である１５０℃程度において、動作損失が１０分の１程度になる。つまり、ＳｉＣを基材とする半導体素子は動作損失が少ないため、半導体素子の温度上昇は抑制される。本実施の形態における半導体装置１００によれば、半導体素子７の放熱性が向上するため、放熱フィンの小型化が可能となる。放熱フィンの小型化により、インバータなどのパワーエレクトロニクス機器のサイズ小型化が可能である。つまり、パワー密度[Ｗ／ｃｍ３］が向上する。
【００３０】
また、本実施の形態における半導体装置１００は、絶縁基板１１が半導体素子７上に接合されているため電気回路上は何ら追加されない。よって、絶縁基板１１の追加は、半導体装置１００（パワーモジュール）の電気的特性に影響を与えない。
【００３１】
なお、ケース９内部には封止樹脂１６としてシリコンゲルが充填されているとしたが、エポキシ樹脂などを用いて、樹脂ポッティングにより封止してもよい。トランスファーモールド法により樹脂封止する場合は、外形を決定するための金型が必要なため、サイズ（外形）の異なる半導体装置ごとに金型を用意する必要がある。一方、樹脂ポッティングによる封止方法であれば、ケース９を設けることで、金型が不要となり、製造コストの低減および製造時間の短縮が可能である。樹脂ポッティングはトランスファーモールドのように高圧で樹脂を注入するわけではないので、各構成部材への密着は劣るものの、硬化後は各構成部材の接合部を封止樹脂１６で拘束することができる。よって、半導体素子７の動作に伴う発熱時に、各構成部材の熱膨張係数の差により発生する歪みを拘束することがでる。接合部における熱応力を低減できることにより、信頼性の高い半導体装置１００を実現することができる。また、半導体素子７にＳｉＣを用いた場合には、より高温動作が可能となるため、接合部における熱応力を低減できることは、より大きな効果を持つ。
【００３２】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置１００は、ベース板１と、ベース板１の上面に設けられた絶縁層２と、絶縁層２上面に設けられた金属パターン３と、金属パターン３と接合された半導体素子７と、半導体素子７上面に接触して配置された絶縁基板１１と、を備え、絶縁基板１１の端部１１ｂは、平面視で半導体素子７よりも外側に来ており、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属パターン３とは、直接または間接的に接合されており、半導体素子７は上面に電極を備え、絶縁基板１１の、半導体素子７の上面の電極と平面視重なる部分には、貫通穴１１ａが設けられることを特徴とする。
【００３３】
従って、本実施の形態における半導体装置１００は、半導体素子７下面からの放熱に加えて、絶縁基板１１および絶縁基板１１と接合された金属パターン３を介して、半導体素子７上面からの放熱が可能である。このように、半導体素子７の動作に伴って発生する熱を、半導体素子７の下面と上面の両側から熱伝導によりベース板１に伝熱することができる。つまり、ベース板１に接触させた放熱フィンにより放熱を行う従来の方式において、絶縁性を犠牲にすることなく、より効率良く放熱を行うことが可能となる。よって、半導体素子７の温度上昇をより抑えることができ、従来と同一の半導体素子７のサイズで、より大きな電流を流すことが可能となる。言い換えれば、半導体素子７の動作電流密度（単位は例えば［Ａ／ｃｍ２］）を大きくすることができる。また、従来と同一の動作電流で動作させる場合は、従来よりも半導体素子７のサイズを小型化できることになる。これにより半導体装置１００（パワーモジュール）全体のサイズの小型化が可能となる。さらに、低コスト化も図ることができる。
【００３４】
また、本実施の形態における半導体装置１００は、金属パターン３上面に設けられた金属枠１０をさらに備え、金属枠１０は半導体素子７を平面視で囲むように設けられ、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属パターン３とは、金属枠１０を介して接合されていることを特徴とする。
【００３５】
従って、熱伝導性に優れた金属で金属枠１０を構成すれば、絶縁基板１１の熱を効率よく金属パターン３に伝えることが可能となる。
【００３６】
また、本実施の形態における半導体装置１００は、絶縁層２上面に隙間無く固定され、金属パターン３、半導体素子７および絶縁基板１１を囲むケース９をさらに備え、ケース９には、封止樹脂１６が充填されていることを特徴とする。
【００３７】
従って、ケース９を備えることにより、樹脂封止工程をポッティングにより行うことが可能となる。ポッティングによる樹脂封止は、トランスファーモールド法よりも簡単な設備で実現できるため、半導体装置１００を少量生産する場合であっても、生産コストを抑制することが可能である。
【００３８】
＜実施の形態２＞
図２に、本実施の形態における半導体装置２００の断面図を示す。半導体装置２００は、半導体装置１００に対して金属枠１０を備えず、絶縁基板１１の構造が異なる。半導体装置２００において絶縁基板１１の端部１１ｂは、金属パターン３に向かって略垂直に延在している。さらに、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属パターン３とは、はんだ４又はＡｇ接合により直接接合されている。その他の構成は半導体装置１００（図１）と同じため、説明を省略する。
【００３９】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置２００において、絶縁基板１１の端部１１ｂは金属パターン３に向かって略垂直に延在しており、絶縁基板１１の端部１１ｂは金属パターン３と直接接合されていることを特徴とする。
【００４０】
従って、実施の形態１で述べた効果に加えて、絶縁基板１１を直接金属パターンに接合する構造とすることで、半導体素子７上面から金属パターン３までの放熱経路をより短くすることができる。よって、放熱性の向上とともに、放熱のためのスペースを小さくすることができるので、半導体装置２００を小型化することが可能である。
【００４１】
＜実施の形態３＞
図３に、本実施の形態における半導体装置３００の断面図を示す。実施の形態１（図１）では、半導体素子７上面の電極と金属パターン３とは金属ワイヤ８ａ，８ｂにより接続されていた。一方、本実施の形態では、半導体素子７上面の主電極と金属パターン３とは、金属ワイヤ８ａの代わりに金属端子１２によって接続される。また、本実施の形態では、半導体素子７上面の制御電極と金属パターン３とは、金属ワイヤ８ｂの代わりに信号端子６によって接続される。
【００４２】
金属端子１２の一端と半導体素子７上面の主電極とは、絶縁基板１１の貫通穴１１ａに充填されたはんだ又はＡｇ接合により接合されている。また、金属端子１２の他端は、金属パターン３とはんだ４もしくはＡｇ接合により接合されている。図３に示すように、金属端子１２と絶縁基板１１が平面視重なる領域において、金属端子１２と絶縁基板１１上面とは接触している。なお、金属端子１２は、銅やアルミなどの良導電性材料である。また、金属端子１２には、はんだ付けやＡｇ接合等に最適な表面処理（例えばＮｉメッキやＡｕメッキ）が施されることもある。
【００４３】
実施の形態１においては、信号端子６は金属パターン３と金属ワイヤ８ｂを介して半導体素子７上面の制御電極と接続されていた。一方、本実施の形態では、信号端子６は半導体素子７上面の制御電極と接続される。
【００４４】
信号端子６の一端と半導体素子７上面の制御電極とは、絶縁基板１１の貫通穴１１ａに充填されたはんだ又はＡｇ接合により接合されている。また、信号端子６の他端はケース９の外に露出している。半導体装置３００のその他の構成は実施の形態１（図１）と同じため説明を省略する。
【００４５】
＜動作＞
半導体素子７で発生した熱は半導体素子７の下面から、金属パターン３および絶縁層２を介して、銅などの良熱伝導材で構成されたベース板１に放熱される。一方、半導体素子７の上面には、ＡｌＮなどの高熱伝導率を有する絶縁基板１１が接触しており、この絶縁基板１１にも熱が伝導される。本実施の形態ではさらに、金属端子１２が絶縁基板１１に接触しており、この金属端子１２は金属パターン３に接合されている。よって、絶縁基板１１の熱をより効率よくベース板１に伝えることが可能である。
【００４６】
なお、本実施の形態では、実施の形態１の半導体装置１００（図１）に対して上述した変更を加えて半導体装置３００を得たが、実施の形態２の半導体装置２００（図２）に対して同様の変更を加えて、半導体装置４００（図４）を得てもよい。
【００４７】
また、本実施の形態における半導体装置３００は、絶縁基板１１が半導体素子７上に接合されているため電気回路上は何ら追加されない。さらに、絶縁基板１１の上部に金属端子１２が配置されても、金属端子１２は半導体素子７上面の電極と同電位となることから、コンデンサも形成されない。よって、絶縁基板１１および金属端子１２の追加は、半導体装置３００（パワーモジュール）の電気的特性に影響を与えない。
【００４８】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置３００は、金属端子１２をさらに備え、金属端子１２の一端と半導体素子７上面の電極とは貫通穴１１ａを通して電気的に接合されており、金属端子１２の他端は金属パターン３と接合しており、金属端子１２と絶縁基板１１が平面視重なる領域において、金属端子１２と絶縁基板１１上面とが接触していることを特徴とする。
【００４９】
従って、金属端子１２が絶縁基板１１上面と接触し、かつ金属端子１２が金属パターン３と接合していることにより、実施の形態１と比較して、半導体素子７から絶縁基板１１に伝わった熱がより効率良くにベース板１に伝導される。つまり、半導体素子７において生じた熱をより効率的に放熱することが可能となり、半導体装置３００の動作の信頼性が向上する。また、金属ワイヤ８ａに代えて金属端子１２により接続を行うことにより、より大きな電流を流すことが可能となる。また、特にＳｉＣを基材とする半導体素子７を搭載した場合の高温動作においては、金属ワイヤ８ａに代えて金属端子１２で接続を行うことにより、パワーサイクル寿命を向上させることが可能である。
【００５０】
＜実施の形態４＞
＜構成＞
図５に、本実施の形態における半導体装置５００の断面図を示す。本実施の形態における半導体装置５００は、実施の形態３で述べた半導体装置４００（図４）に対して、複数（例えば２個）の半導体素子７を備える。複数の半導体素子７は１つの電気回路を構成するものである。後述するように、絶縁基板１１はこれら複数の半導体素子７に適した格子状の構造を持つ。
【００５１】
絶縁基板１１は、実施の形態３と同様、端部１１ｂが金属パターン３に向かって延在しており、端部１１ｂと金属パターン３ははんだ４またはＡｇ接合で接合されている。また、隣接する半導体素子７の間の部分（隣接部１１ｃ）において、絶縁基板１１は金属パターン３に向かって略垂直に延在しており、延在した部分は、はんだ４またはＡｇ接合により金属パターン３と直接接合されている。つまり、絶縁基板１１は、複数の半導体素子７の各々を囲む格子状の枠を形成している。
【００５２】
半導体装置５００において、半導体素子７の上面は絶縁基板１１と接触している。また、絶縁基板１１の、半導体素子７の各々の上面の電極と平面視重なる部分には貫通穴１１ａが設けられている。半導体素子７の各々の上面の電極と、金属端子１２もしくは信号端子６とは、貫通穴１１ａを通じてはんだまたはＡｇ接合で接続されている。半導体装置５００のその他の構成は半導体装置４００と同じため、説明を省略する。
【００５３】
＜動作＞
複数の半導体素子７で発生した熱は、各々の半導体素子７の下面から、金属パターン３および絶縁層２を介してベース板１に放熱される。一方、半導体素子７の上面には絶縁基板１１が接触しており、この絶縁基板１１にも半導体素子７の熱が伝導される。
【００５４】
また、金属端子１２が絶縁基板１１に接触しており、絶縁基板１１と金属パターン３は、はんだ４またはＡｇ接合などで接合されている。よって、絶縁基板１１の熱は金属パターン３および絶縁層２を介してベース板１に伝導される。
【００５５】
また、絶縁基板１１の上面の一部と金属端子１２とは、貫通穴１１ａを通じてはんだまたはＡｇ接合で接続されている。よって、絶縁基板１１の熱は金属端子１２に伝わり、金属パターン３および絶縁層２を介してベース板１に伝導される。
【００５６】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置５００において、半導体素子７は複数であり、絶縁基板１１は複数の半導体素子７間で共有され、隣接する半導体素子７の間の部分（隣接部１１ｃ）において、絶縁基板１１は金属パターン３に向かって略垂直に延在しており、延在した部分は、金属パターン３と直接接合されていることを特徴とする。
【００５７】
従って、複数の半導体素子７を、共通の絶縁基板１１の格子状の枠で囲むことにより、複数の半導体素子７の各々を、格子状の枠を通じて均一に放熱することが可能となる。
【００５８】
＜実施の形態５＞
図６に、本実施の形態における半導体装置６００の断面図を示す。半導体装置６００において、半導体素子７上面に形成されている電極（例えばＩＧＢＴの場合はエミッタ電極、ゲート電極など）と絶縁基板１１とは、はんだ４またはＡｇ接合により接合されている。
【００５９】
また、半導体装置６００において、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属枠１０上面とは、はんだ４またはＡｇ接合により接合されている。その他の構成は実施の形態３の半導体装置３００（図３）と同じため、説明を省略する。
【００６０】
半導体素子７上面の電極と絶縁基板１１とをはんだ４またはＡｇ接合により接合することで、単に接触させる場合と比較して、半導体素子７から絶縁基板１１へより効率よく熱伝導を行うことが可能である。また、金属枠１０と絶縁基板１１の端部１１ｂとをはんだ４またはＡｇ接合により接合することで、単に接触させる場合と比較して、絶縁基板１１から金属枠１０へより効率よく熱伝導を行うことが可能である。
【００６１】
なお、半導体装置１００，２００，４００，５００においても、半導体素子７上面の電極と絶縁基板１１とをはんだ４またはＡｇ接合により接合することで、上述の効果を得ることが可能である。また、半導体装置１００においても、金属枠１０と絶縁基板１１の端部１１ｂとをはんだ４またはＡｇ接合により接合することで、上述の効果を得ることが可能である。
【００６２】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置６００において、半導体素子７上面の電極と絶縁基板１１とは、はんだ４又はＡｇ接合で接合されていることを特徴とする。
【００６３】
従って、半導体素子７上面の電極と絶縁基板１１とを、はんだ４又はＡｇ接合で接合することにより、半導体素子７から絶縁基板１１への熱伝導がより効率よく行われるため、半導体素子７上部からの放熱性がより向上する。
【００６４】
また、本実施の形態における半導体装置６００において、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属枠１０とは、はんだ４又はＡｇ接合で接合されていることを特徴とする。
【００６５】
従って、絶縁基板１１の端部１１ｂと金属枠１０とを、はんだ４又はＡｇ接合で接合することにより、絶縁基板１１から金属枠１０への熱伝導がより効率よく行われるため、半導体素子７上部からの放熱性がより向上する。
【００６６】
＜実施の形態６＞
図７に、本実施の形態における半導体装置７００の断面図を示す。半導体装置７００において、半導体装置７００の主要部分をなす構造部（絶縁層２上面、金属パターン３、半導体素子７、絶縁基板１１、金属ワイヤ８ａ，８ｂ）は、トランスファーモールド法によって、封止樹脂１７により封止されていることを特徴とする。
【００６７】
トランスファーモールド法により樹脂封止を行う場合は、外形が金型で決まるため、封止材を内部に保つためのケースは基本的には必要がなくなる。また、トランスファーモールド法の工程においては高圧力で封止樹脂１７を金型に注入するために、各構成部材へ封止樹脂１７が確実に密着する。よって、封止樹脂１７が硬化した時点で、各構成部材を接合している部分の周囲を封止樹脂１７で拘束することになる。
【００６８】
従って、半導体素子７の動作に伴う発熱時に、各構成部材の熱膨張係数の差により発生する歪みを拘束することがでる。接合部における熱応力を低減できることにより、信頼性の高い半導体装置７００を実現することができる。また、半導体素子７にＳｉＣを用いた場合には、より高温動作が可能となるため、接合部における熱応力を低減できることは、より大きな効果を持つ。
【００６９】
＜効果＞
本実施の形態における半導体装置７００において、絶縁層２上面、金属パターン３、半導体素子７および絶縁基板１１はトランスファーモールド法により樹脂封止されていることを特徴とする。
【００７０】
従って、トランスファーモールド法の工程においては高圧力で封止樹脂１７を金型に注入するために、各構成部材へ封止樹脂１７が確実に密着する。従って、半導体素子７の動作に伴う発熱時に、各構成部材の熱膨張係数の差により発生する歪みを拘束することがでる。接合部における熱応力を低減できることにより、信頼性の高い半導体装置７００を実現することができる。
【００７１】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１  ベース板、２  絶縁層、３  金属パターン、４  はんだ、５  主電極端子、５ａ  中継端子、６  信号端子、７  半導体素子、８ａ，８ｂ  金属ワイヤ、９  ケース、１０  金属枠、１１  絶縁基板、１１ａ  貫通穴、１１ｂ  端部、１１ｃ  隣接部、１２  金属端子、１６，１７  封止樹脂、５０，１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００  半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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