(57)【要約】【課題】受圧により圧力基準室が変形することを低減することができる物理量センサー、この物理量センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー１は、圧力基準室８と、受圧面５４１を有し、撓み変形可能なダイヤフラム５４と、を有する物理量センサーチップ３と、開口を有し、物理量センサーチップ３を収容している内部空間２８を有するパッケージ２と、内部空間２８内でダイヤフラム５４に接続している圧力伝搬部１１と、圧力伝搬部１１よりも硬い材料で構成されており、圧力基準室８の外側に配置されている保護部１２とを有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力基準室と、受圧面を有し、撓み変形可能なダイヤフラムと、を有する物理量センサーチップと、
開口を有し、前記物理量センサーチップを収容している内部空間を有するパッケージと、
前記内部空間内で前記ダイヤフラムに接続している圧力伝搬部と、
前記圧力伝搬部よりも硬い材料で構成されており、前記圧力基準室の外側に配置されている保護部と、
を有していることを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記物理量センサーチップは、ワイヤーを介して前記パッケージと接続している請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
さらに、ＩＣチップを有し、
前記センサーチップは、前記ＩＣチップに固定されている請求項１または２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記開口と前記物理量センサーチップとが重なる方向の平面視で、前記保護部は、前記圧力伝搬部に囲まれている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記開口と前記物理量センサーチップとが重なる方向の断面視で、前記保護部は、前記圧力伝搬部に囲まれている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記保護部は、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂のうちの少なくとも一方を含む請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項７】
前記物理量センサーチップは、圧力に応じて信号を発生する圧力センサーチップである請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする高度計。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、物理量センサーとして、圧力を検出してその検出値に応じた電気信号を発生するセンサーチップと、開口部を有し、センサーチップを収納するパッケージと、パッケージ内でセンサーチップを囲み、センサーチップに圧力を伝搬する不活性液体と、を備える圧力センサーが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような圧力センサーでは、センサーチップが、受圧によって撓むダイヤフラムとダイヤフラム上に設けられた圧力基準室とを備えており、パッケージ外の圧力は、パッケージの開口および不活性液体を介して、センサーチップのダイヤフラムに作用する。そして、ダイヤフラムに圧力が加わることに起因するダイヤフラムの撓みをセンサーチップで検出し、その検出結果に基づいて圧力センサーに加わった圧力が検出される。
【０００４】
しかしながら、このような構成の圧力センサーでは、小型化、低背化を図るために圧力基準室のダイヤフラムとは反対側の壁部を薄くすると、受圧によってダイヤフラムだけでなく、当該壁部も圧力基準室内に向かって撓むように変形してしまうという問題があった。そのため、圧力センサーの基準の圧力が変わってしまい、圧力センサーにて受けた圧力を精度よく検出することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１２６９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、受圧により圧力基準室が変形することを低減することができる物理量センサー、この物理量センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例の物理量センサーは、圧力基準室と、受圧面を有し、撓み変形可能なダイヤフラムと、を有する物理量センサーチップと、
開口を有し、前記物理量センサーチップを収容している内部空間を有するパッケージと、
前記内部空間内で前記ダイヤフラムに接続している圧力伝搬部と、
前記圧力伝搬部よりも硬い材料で構成されており、前記圧力基準室の外側に配置されている保護部と、
を有していることを特徴とする。
【０００９】
これにより、壁部への圧力伝搬を阻止または低減することができ、受圧により圧力基準室が変形することを低減することができる。このため、物理量センサーの基準の圧力が変化することが抑制され、よって、優れた検出精度を有する物理量センサーを提供することができる。
【００１０】
［適用例２］
本適用例の物理量センサーでは、前記物理量センサーチップは、ワイヤーを介して前記パッケージと接続していることが好ましい。
【００１１】
ワイヤーは比較的弾性（柔軟性）に富むものであるため、パッケージの歪みに起因する応力を吸収することができる。そのため、前記応力が圧力基準室に作用することをより低減することができる。
【００１２】
［適用例３］
本適用例の物理量センサーでは、さらに、ＩＣチップを有し、
前記センサーチップは、前記ＩＣチップに固定されていることが好ましい。
【００１３】
このＩＣチップにより、物理量センサーチップで発生した電気信号に基づいて、物理量センサーに加わった物理量（例えば、圧力）の大きさを演算することができる。さらには、物理量センサーチップがＩＣチップに固定されていることで、物理量センサーチップおよびＩＣチップの互いの相対的な位置関係を規制することができ、よって、物理量センサーチップとＩＣチップの接触を防止または抑制することができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例の物理量センサーでは、前記開口と前記物理量センサーチップとが重なる方向の平面視で、前記保護部は、前記圧力伝搬部に囲まれていることが好ましい。
【００１５】
これにより、圧力基準室の壁部の側面側にある圧力伝搬部により、パッケージの歪みに起因する応力を吸収することができ、圧力基準室に前記応力が伝搬されることをより低減することができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例の物理量センサーでは、前記開口と前記物理量センサーチップとが重なる方向の断面視で、前記保護部は、前記圧力伝搬部に囲まれていることが好ましい。
【００１７】
これにより、圧力基準室の壁部の底面側にある圧力伝搬部により、パッケージの歪みに起因する応力を吸収することができ、圧力基準室に前記応力が伝搬されることをより低減することができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例の物理量センサーでは、前記保護部は、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００１９】
これにより、保護部は必要な剛性（硬度）を確保することができる。また、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂は、熱収縮率が比較的小さい。このため、保護部の熱収縮に起因する応力よって圧力基準室の壁部が変形することを抑制することができる。
【００２０】
［適用例７］
本適用例の物理量センサーでは、前記物理量センサーチップは、圧力に応じて信号を発生する圧力センサーチップであることが好ましい。
これにより、圧力を検出することができる。
【００２１】
［適用例８］
本適用例の高度計は、上記適用例の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
【００２２】
［適用例９］
本適用例の電子機器は、上記適用例の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２３】
［適用例１０］
本適用例の移動体は、上記適用例の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】物理量センサーの第１実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示す物理量センサーが有する物理量センサーチップを示す断面図である。
【図３】図２に示す物理量センサーチップが有するセンサー素子を示す平面図である。
【図４】図３に示すセンサー素子を含むブリッジ回路を示す図である。
【図５】図１に示す物理量センサーが有するＩＣチップおよび物理量センサーチップを示す断面図である。
【図６】物理量センサーの第２実施形態を示す断面図である。
【図７】物理量センサーの第３実施形態を示す断面図である。
【図８】物理量センサーの第４実施形態を示す断面図である。
【図９】物理量センサーの第５実施形態を示す断面図である。
【図１０】図９に示す物理量センサーが備える可撓性配線基板の配線を示す平面図である。
【図１１】物理量センサーの第６実施形態を示す断面図である。
【図１２】第７実施形態の物理量センサーが備える物理量センサーチップを示す断面図である。
【図１３】本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
【図１４】本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【図１５】本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の物理量センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
１．物理量センサー
図１は、物理量センサーの第１実施形態を示す断面図である。図２は、図１に示す物理量センサーが有する物理量センサーチップを示す断面図である。図３は、図２に示す物理量センサーチップが有するセンサー素子を示す平面図である。図４は、図３に示すセンサー素子を含むブリッジ回路を示す図である。図５は、図１に示す物理量センサーが有するＩＣチップおよび物理量センサーチップを示す断面図である。なお、以下の説明では、図１、図２、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２７】
図１に示す物理量センサー１は、圧力に応じて信号を発生する圧力センサーである。このように、物理量センサー１を圧力センサーとすることで、種々の電子機器に搭載することのできる物理量センサーとなる。
【００２８】
このような物理量センサー１は、図１に示すように、圧力を検出することのできるセンサーチップ（物理量センサーチップ）３と、ＩＣチップ４と、センサーチップ３およびＩＣチップ４を収納するパッケージ（容器）２と、パッケージ２内に設けられた圧力伝搬部１１および保護部１２とを有している。
【００２９】
以下、これら各部について順に説明する。
≪パッケージ≫
パッケージ２は、平面視形状が正方形の板状をなすベース２１と、ベース２１の上面の外縁部に設けられ、正方形の枠状をなす壁部２２とを有している。これにより、パッケージ２は、その全体形状が箱状（枡状）をなし、その上側で開口（開放）する凹部（内部空間）２８が形成されている。なお、図示では、ベース２１と壁部２２とは一体であるが、これらは別体で形成された後に接着剤等を介して接合されたものであってもよい。
【００３０】
図１に示すように、壁部２２には、凹部２８の開口面積が段階的に変化している段差部２６が設けられている。この段差部２６の上面には、ボンディングワイヤー８１を介して、後述するＩＣチップ４の接続端子４１０を電気的に接続する端子８５が設けられている。端子８５は、本実施形態では４つあり、４つの端子８５は、それぞれパッケージ２の角部近傍に設けられている。そして、これら端子８５は、それぞれ、壁部２２およびベース２１を貫通する貫通電極（図示せず）を介してベース２１の下面に設けられた外部電極８６に電気的に接続されている。外部電極８６に、例えば、後述する電子機器または移動体のマザーボード等を電気的に接続することで、センサーチップ３やＩＣチップ４からの電気信号をパッケージ２の外部に取り出すことができる。
【００３１】
なお、端子８５、外部電極８６および前記貫通電極の構成材料としては、導電性を有していれば特に限定されず、例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ等の金属、これらを含むＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の酸化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３２】
パッケージ２の構成材料としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックスのような各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂のような各種樹脂材料等の絶縁性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、各種セラミックスであることが好ましい。これにより、優れた機械的強度を有するパッケージ２を得ることができる。なお、ベース２１と壁部２２とは、異なる材料で構成されていてもよいし、同一の材料で構成されていてもよい。
【００３３】
なお、パッケージ２の全体形状としては、平面視形状が正方形をなす箱状に限定されず、例えば、有底の円筒状等であってもよい。
【００３４】
≪センサーチップ≫
図２に示すように、センサーチップ３は、基板５と、センサー素子６と、素子周囲構造体７と、空洞部８と、半導体回路９と、を有している。以下、これら各部について順に説明する。
【００３５】
基板５は、板状をなし、ＳＯＩ基板（第１のＳｉ層５１１、ＳｉＯ２層５１２、第２のＳｉ層５１３がこの順で積層している基板）で構成された半導体基板５１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成された第１絶縁膜５２と、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で構成された第２絶縁膜５３と、をこの順に積層することで構成されている。ただし、半導体基板５１としては、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、シリコン基板を用いることができる。
【００３６】
また、半導体基板５１には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイヤフラム５４が設けられている。このダイヤフラム５４は、半導体基板５１の下面に有底の凹部５５を設けることで形成され、その下面（凹部５５の底面）が受圧面５４１となっている。
【００３７】
このような半導体基板５１上およびその上方には半導体回路（回路）９が作り込まれている。この半導体回路９には、必要に応じて形成されたＭＯＳトランジスタ９１等の能動素子、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードおよび配線等の回路要素が含まれている。なお、図２では、説明の便宜上、半導体回路９のＭＯＳトランジスタ９１のみを図示している。
【００３８】
センサー素子６は、図３に示すように、ダイヤフラム５４に設けられている４つのピエゾ抵抗素子（撓み量検出素子）６１、６２、６３、６４を有している。これら４つのピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４は、それぞれ、平面視で四角形をなすダイヤフラム５４の各辺に対応して設けられている。
【００３９】
ピエゾ抵抗素子６１、６２は、ダイヤフラム５４の外縁部に設けられているピエゾ抵抗部６１１、６２１と、ピエゾ抵抗部６１１、６２１の両端部に接続されている配線６１３、６２３と、を有している。一方、ピエゾ抵抗素子６３、６４は、ダイヤフラム５４の外縁部に設けられている１対のピエゾ抵抗部６３１、６４１と、１対のピエゾ抵抗部６３１、６４１同士を接続している接続部６３２、６４２と、１対のピエゾ抵抗部６３１、６４１の他端部に連結されている配線６３３、６４３と、を有している。
【００４０】
ピエゾ抵抗部６１１、６２１、６３１、６４１は、それぞれ、例えば、半導体基板５１の第１のＳｉ層５１１にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、配線６１３、６２３、６３３、６４３および接続部６３２、６４２は、それぞれ、例えば、第１のＳｉ層５１１に、ピエゾ抵抗部６１１、６２１、６３１、６４１よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
【００４１】
また、ピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４は、自然状態における抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。そして、これらのピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４は、配線６１３、６２３、６３３、６４３等を介して、互いに電気的に接続され、図４に示すように、ブリッジ回路６０（ホイートストンブリッジ回路）を構成し、半導体回路９と接続されている。このブリッジ回路６０には、駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、ブリッジ回路６０は、ピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４の抵抗値に応じた信号（電圧）を出力する。
【００４２】
素子周囲構造体７は、空洞部８を画成するように形成されている。この素子周囲構造体７は、図２に示すように、層間絶縁膜７１と、層間絶縁膜７１上に形成された配線層７２と、配線層７２および層間絶縁膜７１上に形成された層間絶縁膜７３と、層間絶縁膜７３上に形成された配線層７４と、配線層７４および層間絶縁膜７３上に形成された表面保護膜７５と、封止層７６とを有している。配線層７４は、空洞部８の内外を連通する複数の細孔７４２を備えた被覆層７４１を有しており、被覆層７４１上に配置されている封止層７６が細孔７４２を封止している。なお、配線層７２、７４は、空洞部８を囲むように形成されている配線層７２ａ、７４ａと、半導体回路９の配線を構成する配線層７２ｂ、７４ｂと、を含んでいる。したがって、半導体回路９は、配線層７２ｂ、７４ｂによって物理量センサー１の上面に引き出され、配線層７４ｂの一部が接続端子７４ｂ’となっている。
【００４３】
層間絶縁膜７１、７３としては、特に限定されないが、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層７２、７４としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層７６としては、特に限定されないが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜７５としは、特に限定されないが、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものを用いることができる。
【００４４】
基板５と素子周囲構造体７とで画成された空洞部８は、密閉された空間であり、センサーチップ３が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。また、空洞部８は、ダイヤフラム５４と重なるように配置されており、ダイヤフラム５４が空洞部８を画成する壁部の一部を構成している。空洞部８内の状態は、特に限定されないが、真空状態（例えば１０Ｐａ以下）であることが好ましい。これにより、センサーチップ３を、真空状態を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー素子」として用いることができる。ただし、空洞部８内の状態は、真空状態でなくてもよく、例えば、大気圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。また、空洞部８内には窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
【００４５】
このような構成のセンサーチップ３は、ダイヤフラム５４の受圧面５４１が受ける圧力に応じてダイヤフラム５４が変形し、これにより、ピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４が歪み、その撓み量に応じてピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４の抵抗値が変化する。それに伴って、ピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４が構成するブリッジ回路６０の出力が変化し、その出力に基づいて、受圧面５４１で受けた圧力（絶対圧）の大きさを求めることができる。
【００４６】
また、センサーチップ３では、空洞部８および半導体回路９が基板５の同じ面側に設けられているため、空洞部８を形成している素子周囲構造体７が基板５の半導体回路９とは反対側から張り出すことがなく、低背化を図ることができる。その上で、素子周囲構造体７は、層間絶縁膜７１、７３および配線層７２、７４のうちの少なくとも一方と同一の成膜により形成されている。これにより、ＣＭＯＳプロセスを利用して、素子周囲構造体７を半導体回路９と一括して形成することができる。そのため、センサーチップ３の製造工程が簡略化され、その結果、センサーチップ３の低コスト化を図ることができる。また、本実施形態のように空洞部８を封止する場合であっても、成膜法を用いて空洞部８を封止することができ、従来のような基板を貼り合わせてキャビティを封止する必要がなく、この点でも、センサーチップ３の製造工程が簡略化され、その結果、センサーチップ３の低コスト化を図ることができる。
【００４７】
≪ＩＣチップ≫
ＩＣチップ４は、例えば、センサーチップ３で生成された電気信号に基づいて、センサーチップ３に加わった圧力の大きさを演算する機能を有するものである。
【００４８】
ＩＣチップ４は、板状であり、平面視においてセンサーチップ３よりも大きい四角形状をなしている。このＩＣチップ４は、センサーチップ３の下側にセンサーチップ３と離間して設けられている。このようにＩＣチップ４が、センサーチップ３と平面視で重なるように配置（上下に重なって配置）されていることにより、物理量センサー１の幅方向での寸法を小さくし、物理量センサー１の小型化を図ることができる。
【００４９】
図５に示すように、ＩＣチップ４は、多層配線基板であり、シリコン等の半導体で構成された半導体基板４１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成されている絶縁膜４２を積層してなり、半導体基板４１上およびその上方に、例えばブリッジ回路６０から得られる信号に基づいて受けた圧力の大きさを検出するための半導体回路（回路）４０が作り込まれている。また、半導体回路４０を保護するため、絶縁膜４２上に、表面保護膜（パッシベーション膜）４３が積層されている。表面保護膜４３としては、特に限定されないが、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものを用いることができる。また、表面保護膜４３の一部は除去されており、当該除去部分から、半導体回路４０が有する４つの導電性を有する接続端子（接続部）４１０および４つの導電性を有する接続端子（接続部）４２０が露出している。
【００５０】
なお、半導体回路４０には、例えば、センサーチップ３を駆動するための駆動回路（図示せず）や、ブリッジ回路６０からの出力を温度センサーで検知した温度に基づいて温度補償するための温度補償回路（図示せず）等が形成されている。
【００５１】
以上説明したようなセンサーチップ３およびＩＣチップ４は、センサーチップ３が備える接続端子７４ｂ’とＩＣチップ４が備える接続端子４２０とが導電性を有する固定部材９２を介して互いに接続されている。これにより、センサーチップ３とＩＣチップ４とは、電気的に接続されている。このようにセンサーチップ３およびＩＣチップ４を固定部材９２を介して互いに接続することで、センサーチップ３およびＩＣチップ４の互いの相対的な位置関係を規制することができ、よって、センサーチップ３とＩＣチップ４の接触を防止することができる。また、センサーチップ３とＩＣチップ４を予め組み立てて置くことができるため、物理量センサー１の製造（組立て）が容易となる。なお、固定部材９２としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、半田等の金属ろう材、金バンプ等の金属バンプ、導電性接着剤等を用いることができる。
【００５２】
また、ＩＣチップ４が備える接続端子４１０は、ボンディングワイヤー８１を介してパッケージ２に設けられた端子８５に電気的に接続されている。これにより、ＩＣチップ４は、ボンディングワイヤー８１を介してパッケージ２の下面に設けられた外部電極８６に電気的に接続される。
【００５３】
このようにしてパッケージ２に接続されたセンサーチップ３およびＩＣチップ４を含む構造体は、パッケージ２の内壁から離れた状態、すなわち非接触な状態でパッケージ２内に収容されている。このように、パッケージ２に対して非接触な状態であることで、パッケージ２に生じた歪みに起因する応力が前記構造体に伝搬されることを低減することができる。そのため、前記応力が構造体に作用することにより、センサーチップ３およびＩＣチップ４の検出性能が低下することを低減することができる。
【００５４】
また、前記構造体は、センサーチップ３がパッケージ２の開口側に、ＩＣチップ４がのベース２１側に向くように設置されている。さらに、センサーチップ３は、ダイヤフラム５４が形成されている面がパッケージ２の開口側を向くように配置されている。このような配置することで、受圧面５４１をパッケージ２の開口に向けるとともに、パッケージ２の開口に近づけることができるので、物理量センサー１に加わった圧力は、より効率的に受圧面５４１に作用する。これにより、センサーチップ３の圧力検出性能（感度）をより向上させることができる。
【００５５】
なお、ボンディングワイヤー８１は、本実施形態の物理量センサー１では、４つ有しており、各ボンディングワイヤー８１は、ＩＣチップ４の４つの角部近傍に設けられている。このように各ボンディングワイヤー８１を互いに対照的に配置することで、ＩＣチップ４およびセンサーチップ３をパッケージ２の内壁に対して非接触な状態で、ベース２１に対してほぼ水平に支持することが容易となる。
【００５６】
また、ボンディングワイヤー８１は、その太さが、例えば、０．１μｍ以上、５０μｍ以下であるのが好ましく、１μｍ以上、３０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、ボンディングワイヤー８１は、適度な剛性と柔軟性とを有することができる。また、ボンディングワイヤー８１の構成材料としては、特に限定されず、金、アルミニウム、銅等の各種金属材料を用いることができる。
【００５７】
≪保護部≫
図１に示すように、保護部１２は、凹部２８の途中の深さまで充填されている。保護部１２には、ＩＣチップ４およびセンサーチップ３を含む構造体の下側部分が埋まっている。ここで、保護部１２は、パッケージ２とＩＣチップ４との間、パッケージ２とセンサーチップ３の一部との間、および、ＩＣチップ４とセンサーチップ３との間にそれぞれ設けられている。また、図５に示すように、保護部１２は、ＩＣチップ４の外周面全体と、センサーチップ３の空洞部８を画成する素子周囲構造体７の外周面とにそれぞれ接触している。また、保護部１２は、ボンディングワイヤー８１にも接触している。
【００５８】
このように設けられた保護部１２は、センサーチップ３およびＩＣチップ４を含む構造体をパッケージ２に支持（固定）する支持部材として機能している。これにより、前記構造体をパッケージ２に安定して支持することができる。そのため、凹部２８内での前記構造体の位置の変動を低減することができる。
【００５９】
また、保護部１２は、圧力伝搬部１１よりも硬い材料で構成されており、センサーチップ３の空洞部（圧力基準室）８を画成する素子周囲構造体７、特に封止層７６の剛性を補う機能を有している。このような保護部１２の存在によって、圧力伝搬部１１から伝搬された圧力が素子周囲構造体７、特に封止層７６に伝搬されること低減することができる。そのため、封止層（壁部）７６が受圧により空洞部８側に向かって撓むことを低減し、圧力基準室として機能している空洞部８が受圧により変形することを低減することができる。これにより、物理量センサー１の基準の圧力が変化することを阻止または低減することができる。
【００６０】
このような保護部１２の状態としては、例えばゲル状または固体状をなしている。このような状態であると、封止層７６が空洞部８側に向かって撓むことがより確実に低減される。
【００６１】
特に、保護部１２が固体状である場合には、保護部１２は、例えば、ヤング率（縦弾性係数）が０．１ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であることが好ましく、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であることがより好ましい。また、保護部１２がゲル状である場合には、保護部１２は、圧力伝搬部１１よりも針入度が小さければよいが、例えば、針入度が１以上２００以下であることが好ましく、１０以上１００以下であることがより好ましい。なお、前記針入度は、ＪＩＳ  Ｋ  ２２０７に規定の試験方法に準拠した方法で測定することによって求めることができる。ヤング率または針入度が前記範囲内であると、保護部１２は、必要な剛性（硬度）を確保することができ、封止層７６の剛性を補う機能をより顕著に発揮することができる。
【００６２】
また、保護部１２は、絶縁性を有する。これにより、保護部１２がボンディングワイヤー８１および固定部材９２に接続されていても、複数のボンディングワイヤー８１間や、複数の固定部材９２間での短絡をより確実に防ぐことができる。
【００６３】
さらに、保護部１２は、前記圧力伝搬部１１に密着している。このため、保護部１２と圧力伝搬部１１との間に気泡（ボイド）が発生することを低減することができ、前記気泡の発生により受圧面５４１への圧力の伝搬が阻害されることを抑えることができる。
【００６４】
このような保護部１２は、樹脂を含む。具体的には、保護部１２の構成材料としては、例えば、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂およびポリイミド系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、保護部１２は必要な剛性（硬度）をより容易に確保することができる。またシリコン系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂は、熱収縮率が比較的小さい。このため、保護部１２の熱収縮に起因する応力よって封止層７６が変形する（撓む）ことを低減することができる。
【００６５】
保護部１２は、樹脂に加え、フィラーを含んでいることが好ましい。フィラーとしては、例えば、金属や金属酸化物、セラミック等の無機物を含む無機フィラーや、グラファイト、カーボンブラックや、樹脂等の有機物を含む有機フィラー等が挙げられる。これらの中でも特に、無機フィラーを含むことが好ましい。これにより、保護部１２の剛性を高めることができ、受圧により封止層７６が撓むことをより一層低減することができる。また、フィラーとしては、無機フィラーの中でも特に、セラミック等の絶縁性を有するものがより好ましい。これにより、ボンディングワイヤー８１や固定部材９２に保護部１２と接続していても、ボンディングワイヤー８１や固定部材９２の短絡をより確実に防ぐことができる。
【００６６】
≪圧力伝搬部≫
図１に示すように、圧力伝搬部１１は、保護部１２の上側で、パッケージ２内に充填されていて、圧力伝搬部１１にはセンサーチップ３の上側部分が埋まっている。ここで、圧力伝搬部１１は、パッケージ２とセンサーチップ３の一部との間に設けられ、かつ、パッケージ２の開口を塞ぐように設けられている。また、図５に示すように、圧力伝搬部１１は、センサーチップ３の受圧面５４１と接触している。
【００６７】
このように設けられた圧力伝搬部１１は、センサーチップ３およびＩＣチップ４を保護（防塵および防水）するとともに、物理量センサー１に加わった圧力をパッケージ２の開口を介してセンサーチップ３の受圧面５４１に伝搬するものである。
【００６８】
圧力伝搬部１１は、例えば、センサーチップ３、ＩＣチップ４、およびパッケージ２よりも軟らかい特性（柔軟性）を有する。この柔軟性を有する圧力伝搬部１１の状態としては、例えば、液状またはゲル状をなしている。特に、ゲル状の圧力伝搬部１１は、流動性が低いため、凹部２８内でのセンサーチップ３の位置の変動を低減することができる。そのため、物理量センサー１は、その姿勢の変化の影響を受けずに高精度な検出が可能となる。圧力伝搬部１１がゲル状である場合には、圧力伝搬部１１は、例えば、針入度が５０以上２５０以下であることが好ましく、１５０以上２５０以下であることがより好ましい。これにより、圧力伝搬部１１を十分に柔らかくすることができ、物理量センサー１に加わった圧力が受圧面５４１に効率的に作用する。また、凹部２８内でのセンサーチップ３の位置の変動をより的確に抑制することができる。
【００６９】
このような圧力伝搬部１１は、柔軟性（軟質性）を有する樹脂を含む。柔軟性を有する樹脂を含むことで、ゲル状をなす圧力伝搬部１１を容易に得ることができる。
【００７０】
圧力伝搬部１１の具体的な構成材料としては、例えば、フッ素系樹脂およびシリコーン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、圧力伝搬部１１が十分に柔らかくなり、物理量センサー１に加わった圧力を受圧面５４１により効率よく伝搬することができる。
【００７１】
以上説明したような圧力伝搬部１１および保護部１２は、前述したように、圧力伝搬部１１が受圧面５４１に接触するように設けられており、保護部１２が封止層７６に接触するように設けられている。このように圧力伝搬部１１および保護部１２が設けられていることで、物理量センサー１に加えられた圧力を受圧面５４１に効率よく伝搬することができるとともに、受圧により封止層７６が撓むことで空洞部８の圧力が変化することを回避することができる。このため、物理量センサー１の精度を高めることができる。
【００７２】
＜第２実施形態＞
次に物理量センサーの第２実施形態について説明する。
【００７３】
図６は、物理量センサーの第２実施形態を示す断面図である。
以下、物理量センサーの第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７４】
第２実施形態の物理量センサー１では、ＩＣチップ４が省略されており、センサーチップ３の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００７５】
図６に示す物理量センサー１では、センサーチップ３内に設けられた半導体回路（ＩＣ回路）によっても、前述した第１実施形態の物理量センサー１が備えるＩＣチップ４と同様に、センサー素子６で生成された電気信号に基づいて、センサーチップ３に加わった圧力の大きさを演算することができる。また、このようにＩＣチップ４を省略することで、物理量センサー１の更なる小型化、低背化を図ることができる。
【００７６】
また、本実施形態の物理量センサー１では、センサーチップ３が備える接続端子７４ｂ’が、ボンディングワイヤー８１を介してパッケージ２に設けられた端子８５に電気的に接続されている。
【００７７】
また、本実施形態では、受圧面５４１がパッケージ２の開口側を向くようにセンサーチップ３を配置している関係で、接続端子７４ｂ’がベース２１側に向いている。このため、ボンディングワイヤー８１は、側方から見たとき、略Ｓ字状をなしている。
【００７８】
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７９】
＜第３実施形態＞
次に物理量センサーの第３実施形態を示す断面図である。
【００８０】
図７は、物理量センサーの第３実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００８１】
以下、物理量センサーの第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００８２】
第３実施形態の物理量センサー１では、保護部１２および圧力伝搬部１１の配置が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００８３】
図７に示すように、本実施形態の物理量センサー１では、保護部１２が、センサーチップ３およびＩＣチップ４の間に設けられている。また、センサーチップ３およびＩＣチップ４からなる構造体全体の周りには圧力伝搬部１１が設けられている。したがって、圧力伝搬部１１は、パッケージ２の開口とセンサーチップ３とが重なる方向の断面視で、保護部１２を囲むように設けられている。また、圧力伝搬部１１は、パッケージ２の開口とセンサーチップ３とが重なる方向の平面視で、保護部１２を囲むように設けられている。また、保護部１２は、封止層７６とＩＣチップ４とに接続している。また、圧力伝搬部１１は、受圧面５４１とＩＣチップ４とに接続している。
【００８４】
受圧面５４１とＩＣチップ４とが、共に、圧力伝搬部１１に接続していることで、前述した第１実施形態とは異なり、受圧面５４１とＩＣチップ４とが同一材料で覆われた状態となっている。このため、本実施形態の物理量センサー１では、受圧面５４１とＩＣチップ４とでの熱伝導に違いがより一層生じ難く、よって、温度ヒステリシス等の問題がより一層生じ難い。
【００８５】
また、圧力伝搬部１１が、前記構造体の上方側だけでなく側方側と下方側に設けられていることにより、パッケージ２の歪みに起因する応力を吸収することができ、前記応力が構造体に作用することにより、センサーチップ３およびＩＣチップ４の検出性能が低下することを低減することができる。なお、圧力伝搬部１１に側方側と下方側のどちらか一方にあっても同様な効果を得ることができるが、側方側にある圧力伝搬部１１はパッケージ２の側面部近傍からの応力を効率よく吸収し、下方側にある圧力伝搬部１１はパッケージ２の底面部近傍からの応力を効率よく吸収することができる。
【００８６】
また、前記構造体は、第１実施形態のように保護部１２によってパッケージ２に固定されておらず、ボンディングワイヤー８１単独でパッケージ２から吊り下げるようにして固定されている。ボンディングワイヤー８１は、適度な剛性を有しているため、ボンディングワイヤー８１単独でも、構造体をパッケージ２に対して固定することが可能である。また、ボンディングワイヤー８１は、比較的細い長尺状をなし、かつ、湾曲状に撓んでいる部分を有していることで、適度な弾性（柔軟性）を有する。このため、パッケージ２に生じた歪みに起因した応力をボンディングワイヤー８１にて吸収することができるため、前記応力が構造体に作用することをより一層低減することができる。
【００８７】
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８８】
＜第４実施形態＞
次に物理量センサーの第４実施形態について説明する。
図８は、物理量センサーの第４実施形態を示す断面図である。
【００８９】
以下、物理量センサーの第４実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００９０】
第４実施形態は、保護部１２および圧力伝搬部１１の配置が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００９１】
図８に示すように、本実施形態の物理量センサー１では、保護部１２が２つの圧力伝搬部１１に挟まれたサンドイッチ構成となっている。すなわち、圧力伝搬部１１は、保護部１２に対してパッケージ２の開口側と、保護部１２に対してパッケージ２の開口とは反対側とにそれぞれ設けられている。また、保護部１２は、封止層７６とＩＣチップ４とに接続している。一方、圧力伝搬部１１は、受圧面５４１とＩＣチップ４とに接続している。
【００９２】
このような構成の物理量センサー１は、センサーチップ３とＩＣチップ４とを含む構造体をボンディングワイヤー８１によってパッケージ２から吊り下げるようにして固定した後、圧力伝搬部１１、保護部１２および圧力伝搬部１１をこの順でパッケージ２内に充填することにより得ることができる。このため、前記第３実施形態に比べて製造が比較的簡単である。
【００９３】
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９４】
＜第５実施形態＞
次に物理量センサーの第５実施形態について説明する。
【００９５】
図９は、物理量センサーの第５実施形態を示す断面図である。図１０は、図９に示す物理量センサーが備える可撓性配線基板の配線を示す平面図である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００９６】
以下、物理量センサーの第５実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００９７】
第５実施形態は、パッケージの構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００９８】
図９に示すように、パッケージ２は、ベース２１と、壁部２２に加え、さらに、可撓性配線基板２５を有する。
【００９９】
可撓性配線基板２５は、可撓性を有する基材２３と、この基材２３の下面側に形成された配線２４とで構成されている。
【０１００】
図１０に示すように、基材２３は、その平面視形状が、正方形の枠状をなし、その中心部に、厚さ方向に開口する開口部２３３が形成されている。基材２３の構成材料としては、可撓性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０１】
配線２４は、導電性を有し、センサーチップ３の電気信号をパッケージ２の外部に取り出す４つの配線部２４１を有している。４つの配線部２４１は、それぞれ、基材２３の下面側に設けられ（引き回され）ており、その一端側が開口部２３３内に突出するように設けられている。そして、これら配線部２４１の開口部２３３内に突出している部分でフライングリード（タブテープ）２７が構成されている。フライングリード２７の先端部（配線部２４１の先端部）は、基材２３から離間しており、フライングリード２７の先端部に固定部材９４を介してＩＣチップ４の接続端子４１０が固定されている（図５参照）。このように、フライングリード２７の先端部は、ＩＣチップ４を固定する固定部を構成するとともに、ＩＣチップ４の接続端子４１０を電気的に接続する端子を構成する。
【０１０２】
配線２４の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ等の金属、これらを含むＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の酸化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０３】
このような配線２４は、導電性接着剤層８２を介して、ベース２１の上面に設けられた内部電極８３に電気的に接続されている。なお、内部電極８３は、壁部２２およびベース２１を貫通する貫通電極（図示せず）を介して外部電極８６に電気的に接続されている。
【０１０４】
このような第５実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１０５】
＜第６実施形態＞
次に物理量センサーの第６実施形態について説明する。
【０１０６】
図１１は、物理量センサーの第６実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１０７】
以下、物理量センサーの第６実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１０８】
第６実施形態は、ボンディングワイヤー８１を有しておらず、代わりに接続端子９５を有していることが異なる以外は、前述した第１、第３実施形態と同様である。
【０１０９】
図１１に示すように、本実施形態の物理量センサー１では、パッケージ２の凹部２８の底面に、導電性を有する接続端子９５が設けられている。接続端子９５上には導電性接着剤９６が設けられており、接続端子９５は、導電性接着剤９６を介してＩＣチップ４の裏面側に露出した接続端子（図示せず）に接続されている。また、接続端子９５下には導電性接着剤９７が設けられており、接続端子９５は、導電性接着剤９７を介してベース２１を貫通した貫通電極９８に電気的に接続されている。これにより、ＩＣチップ４は、接続端子９５と貫通電極９８とを介して外部電極８６に電気的に接続されている。
【０１１０】
なお、接続端子９５および前記貫通電極９８の構成材料としては、それぞれ、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、導電性接着剤９６、９７としては、導電性および接着性を有していれば特に限定されず、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ビスマレイミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系の樹脂に銀粒子等の導電性フィラーを混合した導電性接着剤や、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ等の金属バンプ等を用いることができる
このような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１１１】
＜第７実施形態＞
次に物理量センサーの第７実施形態について説明する。
【０１１２】
図１２は、第７実施形態の物理量センサーが備える物理量センサーチップを示す断面図である。なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１１３】
以下、物理量センサーの第７実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１１４】
第７実施形態は、センサーチップの構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１１５】
図１２に示すセンサーチップ３’は、基板３５と、センサー素子６と、構造体（素子周囲構造体）３７と、空洞部３９と、を有している。
【０１１６】
以下、これらの各部について順次説明する。
基板３５は、板状をなしており、例えば単結晶シリコンで構成されている。この基板３５の一方の面側には構造体３７が設けられている。
【０１１７】
構造体３７は、ＳＯＩ基板（第１のＳｉ層３６１、ＳｉＯ２層３６２、第２のＳｉ層３６３がこの順で積層している基板）で構成された半導体基板３６と、半導体基板３６上に設けられたパッシベーション膜３７１とを積層することで構成されている。
【０１１８】
また、構造体３７には、第２のＳｉ層３６３の一部が除去されることより下側で開口する凹部３９１が形成されている。この凹部３９１によって薄肉化された部分が受圧によって撓み変形するダイヤフラム３８を構成しており、構造体３７の上面側が受圧面３８１となっている。また、構造体３７の凹部３９１の開口を基板３５で塞ぐことにより形成された空洞部３９が、圧力基準室として機能する。
また、半導体基板３６の第１のＳｉ層３６１には、センサー素子６が形成されている。
【０１１９】
このような構成の物理量センサー１では、受圧面３８１が受ける圧力に応じて、ダイヤフラム３８が図１２中下側（基板３５側）に向かって撓み変形する。そして、このような物理量センサー１においても、第１実施形態と同様に、ダイヤフラム３８の変形に伴って、ピエゾ抵抗素子６１、６２、６３、６４の抵抗値が変化することに基づき、受圧面３８１で受けた圧力の大きさを求めることができる。
【０１２０】
このような第７実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１２１】
２．高度計
次に、物理量センサーを備える高度計の一例について説明する。図１３は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
【０１２２】
図１３に示すように、高度計２００は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、物理量センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。
【０１２３】
なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
【０１２４】
３．電子機器
次に、物理量センサーを備える電子機器を適用したナビゲーションシステムについて説明する。図１４は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【０１２５】
図１４に示すように、ナビゲーションシステム３００には、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、物理量センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【０１２６】
このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。高度情報を得ることにより、例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、本実施形態に係るナビゲーションシステム３００では、高度情報を物理量センサー１によって取得することができ、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出し、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【０１２７】
なお、表示部３０１は、例えば液晶パネルディスプレイや、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）ディスプレイなど、小型かつ薄型化が可能な構成となっている。
【０１２８】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、上記のものに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。
【０１２９】
４．移動体
次いで、物理量センサーを備える移動体について説明する。図１５は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【０１３０】
図１５に示すように、移動体４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような移動体４００には、ナビゲーションシステム３００（物理量センサー１）が内蔵されている。
【０１３１】
以上、本発明の物理量センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【０１３２】
また、前述した実施形態では、センサーチップが有するセンサー素子としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサーとしては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のＭＥＭＳ振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。
【０１３３】
また、前述した実施形態では、センサーチップとＩＣチップとがセンサーチップを上側にして重なっている構成について説明したが、反対に、ＩＣチップを上側にして重なっていてもよい。また、センサーチップとＩＣチップとが横方向に並んで配置されていてもよい。
【符号の説明】
【０１３４】
１……物理量センサー
１１……圧力伝搬部
１２……保護部
２……パッケージ
２１……ベース
２２……壁部
２３……基材
２３３……開口部
２４……配線
２５……可撓性配線基板
２６……段差部
２７……フライングリード
２８……凹部（内部空間）
３、３’……センサーチップ（物理量センサーチップ）
３５……基板
３６……半導体基板
３７……構造体
３８……ダイヤフラム
３９……空洞部
３６１……第１のＳｉ層
３６２……ＳｉＯ２層
３６３……第２のＳｉ層
３７１……パッシベーション膜
３８１……：受圧面
３９１……：凹部
４……ＩＣチップ
４０……半導体回路
４１……半導体基板
４２……絶縁膜
４３……表面保護膜
４１０、４２０……接続端子
５……基板
５１……半導体基板
５１１……第１のＳｉ層
５１２……ＳｉＯ２層
５１３……第２のＳｉ層
５２……第１絶縁膜
５３……第２絶縁膜
５４……ダイヤフラム
５４１……受圧面
５５……凹部
６……センサー素子
６１１、６２１、６３１、６４１……ピエゾ抵抗部
６１３、６２３、６３３、６４３……配線
６３２、６４２……接続部
７……素子周囲構造体
７１……層間絶縁膜
７２……配線層
７２ａ、７２ｂ……配線層
７３……層間絶縁膜
７４……配線層
７４ａ、７４ｂ……配線層
７４ｂ’……接続端子
７４１……被覆層
７４２……細孔
７５……表面保護膜
７６……封止層（壁部）
８……空洞部（圧力基準室）
９……半導体回路
９１……ＭＯＳトランジスタ
６０……ブリッジ回路
６１、６２、６３、６４……ピエゾ抵抗素子
８１……ボンディングワイヤー
８２……導電性接着剤層
８３……内部電極
８５……端子
８６……外部電極
９２、９４……固定部材
９５……接続端子
９６、９７……導電性接着剤
９８……貫通電極
２００……高度計
２０１……表示部
２４１……配線部
３００……ナビゲーションシステム
３０１……表示部
４００……移動体
４０１……車体
４０２……車輪
【図１】
2015230237.tif 000003
【図２】
2015230237.tif 000004
【図３】
2015230237.tif 000005
【図４】
2015230237.tif 000006
【図５】
2015230237.tif 000007
【図６】
2015230237.tif 000008
【図７】
2015230237.tif 000009
【図８】
2015230237.tif 000010
【図９】
2015230237.tif 000011
【図１０】
2015230237.tif 000012
【図１１】
2015230237.tif 000013
【図１２】
2015230237.tif 000014
【図１３】
2015230237.tif 000015
【図１４】
2015230237.tif 000016
【図１５】
2015230237.tif 000017