(57)【要約】【課題】印刷による少ない工程数のメリットを生かしつつ、より微細な導電パターンを形成でき、多層配線及び微細な配線間接続が可能な積層配線の形成方法を提供する。【解決手段】基板１１上に、第１の濡れ性変化層１２を形成する工程と、第１の導電層１３を形成する工程と、第２の濡れ性変化層１４を形成する工程と、第２の濡れ性変化層１４に、レーザーアブレーション法により、第２の導電層の配線パターンとなる凹部１６を形成するとともに露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域１４ａを形成した後、第１の導電層１３の一部が露出するようにビアホール１８を形成するとともに露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域１４ａを形成する工程と、高表面エネルギー領域１４ａに導電性インク１９を塗布し、第２の導電層２１及びビア２２を同時に形成する工程と、を有する積層配線の形成方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第１の濡れ性変化層を形成する工程と、
前記第１の濡れ性変化層中又は第１の濡れ性変化層上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層が形成された第１の濡れ性変化層上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第２の濡れ性変化層を形成する工程と、
前記第２の濡れ性変化層に、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、第２の導電層の配線パターンとなる凹部を形成するとともに、該凹部の形成によって露呈した第２の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成した後、前記第１の導電層の一部が露出するようにビアホールを形成するとともに、該ビアホールの形成によって露呈した第２の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記高表面エネルギー領域に導電性インクを塗布し、第２の導電層及びビアを同時に形成する工程と、
を有することを特徴とする積層配線の形成方法。
【請求項２】
前記第１の導電層が、前記第１の濡れ性変化層に紫外線領域の波長のレーザーを照射して高表面エネルギー領域を形成し、前記高表面エネルギー領域の上部に導電性インクを塗布して形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層配線の形成方法。
【請求項３】
前記第１の導電層が、前記第１の濡れ性変化層に、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により前記第１の導電層の配線パターンとなる凹部を形成するとともに、該凹部の形成によって露呈した第１の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成し、前記高表面エネルギー領域に導電性インクを塗布して形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層配線の形成方法。
【請求項４】
前記紫外線領域の波長のレーザーは、ＹＡＧレーザーの３倍波、ＹＡＧレーザーの４倍波、及びエキシマレーザーのいずれかであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
【請求項５】
前記第２の導電層の配線パターンとなる凹部及び前記ビアホールの少なくともいずれかが、ガルバノミラースキャナを用いてレーザービームを走査することにより形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
【請求項６】
前記導電性インクを塗布する方法が、インクジェット法及びノズルプリンティング法のいずれかであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
【請求項７】
前記エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料が、主鎖と、紫外線の照射により親水性基を生成可能な側鎖とを有し、前記主鎖中にポリイミドを含む材料であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
【請求項８】
基板と、第１の濡れ性変化層と、第２の濡れ性変化層からなる層間絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層及び前記第２の導電層を電気的に接続するビアとを有し、請求項１から７のいずれかに記載の積層配線の形成方法により形成されたことを特徴とする積層配線。
【請求項９】
請求項１から７のいずれかに記載の積層配線の形成方法により積層配線を形成する工程と、前記積層配線上に半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする電子素子の製造方法。
【請求項１０】
基板、絶縁膜である濡れ性変化層、ゲート電極である第１の導電層、ソース電極及びドレイン電極である第２の導電層、並びに前記第１の導電層及び前記第２の導電層を電気的に接続するビアを有する積層配線と、半導体層とを備え、前記積層配線が請求項１から７のいずれかに記載の積層配線の形成方法により形成されたことを特徴とする電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層配線の形成方法、積層配線、及び電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や電子回路等に使われる配線、電極等の形成にはフォトリソグラフィ法が用いられている。フォトリソグラフィ法では、ステッパーに代表される精度の高い露光機が用いられ、さらに成膜やエッチングをする真空装置が用いられる。このようにフォトリソグラフィ法では高価な設備が必要になり、また工程数が多く、複雑であり、さらに材料使用効率も低いため、製造コストが高くなるという問題があった。
【０００３】
これに対し、製造コストを低減する方法としてプリンテッド・エレクトロニクス技術が注目されている。この技術は、金属微粒子に代表される機能性インクやペーストを直接基材に印刷して導電パターンを形成する技術であり、種々の印刷法を用いた方法が提案されている。
【０００４】
プリンテッド・エレクトロニクス技術の具体的な例としては、インクジェット法（液滴吐出法）をもちいたパターニング法が挙げられる。具体的には、微粒子を分散させた液体（インク）をインクジェット法により直接基板に塗布し、その後熱処理やレーザー光照射による硬化工程を行うことにより導電膜パターンを形成するものである。この方法によれば、プロセスが簡略化されるとともに、材料使用効率も向上し、フォトリソグラフィ法で用いるフォトレジストのようなパターニングのためだけの材料も必要がなく、製造コストが低減できるというメリットがある。
【０００５】
しかし、従来のインクジェット法では、基板上に吐出された液滴が着弾後に広がってしまうため、微細なパターンを形成することが難しく、近年のデバイスの高密度化や高機能化、それを構成する配線や電極の高密度化、微細化等の要求に対応することが困難であった。また、インクジェット法では、電極を積層する際に、下層の電極と上層の電極との位置を精度よく重ね合わせる必要がある。
【０００６】
印刷法においては、下層の印刷パターンを上層の層間絶縁膜の印刷溶媒で溶かすことがないように溶媒が設計されるが、ビアを形成するために、インクジェット法を用いて層間膜を溶かしてビアホールを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
一方、導電パターン及び該導電パターンを備える薄膜トランジスタの製造方法において、ベース部材に導電パターンと同じ形態の凹部を形成し、該凹部に導電性物質を塗布して導電パターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２及び３参照）。
特許文献２及び特許文献３には、凹部の形成方法として、レーザーアブレーション法や、ベース部材を表面処理し、溶媒を滴下してエッチングする方法が開示されている。
【０００８】
ところで、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する濡れ性変化材料を用い、印刷法を適用し、簡便に微細なパターンの形成が可能な積層構造体が提案されている（特許文献４参照）。濡れ性変化材料により形成される濡れ性変化層を、絶縁層や薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いることができる。
特許文献４に開示された積層構造体では、フォトマスクを用いて一括露光し、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域を形成し、その高表面エネルギー領域に親水性のインクをインクジェット法により滴下し、パターンが形成される。この形成方法は、通常のインクジェット印刷に対し、一括露光の工程を追加するのみで工程数の大幅な増加もなく、かつレーザーによる直描よりもスループットに優れた方法である。また、導電層が形成される表面は、表面エネルギー制御のため略平面である。
【０００９】
これに対し、レーザーアブレーション法を用い、上述の濡れ性変化層に凹部を形成し、該凹部にインクジェット法により導電性インクを滴下し、焼成することで導電層を形成する方法も提案されている（特許文献５参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載の方法では、インクジェットの液滴サイズと着弾後の層間絶縁膜上での可溶性溶媒の広がりによりビアホールが規定される。このため、接触角を制御しても微細なパターン形成が困難な場合があり、また十分な再現性が得られない可能性がある。例えば、インクジェット法で滴下される液滴径が１ｐＬの場合でも、直径１２μｍ程度の大きさとなってしまう。
【００１１】
また、特許文献２及び３に記載の方法においても、溶媒滴下によりエッチングする場合は、接触角を制御しても微細なパターン形成が困難であることが予想される。
これに対し、レーザーアブレーション法による凹部形成は、ビーム径や描画方法を工夫することで微細パターンの形成が可能で、比較的スループットも高い。しかしながら、形成された微細な凹部にインクジェット法によりインクを滴下する場合、十分な流れ込みが得られず、ベース材表面に微細な残渣が発生することが予想される。
【００１２】
特許文献４に記載の方法では微細なパターンの形成可能であるが、フォトマスクが用いられ、マスクを用いることによる製造方法の制限や、配線厚さに対する制限が生じることがある。
これに対し、特許文献５に記載の方法では、フォトマスク使用による制限を回避することができ、少ない工程で、より微細で絶縁性の低下がなく、導電層の線幅や厚さの精度の高い配線部材を形成することができる。
【００１３】
しかしながら、特許文献５に記載の方法では、配線間を微細なビアで接続できず、より高機能の多層配線や微細な配線間接続の積層配線の製造が困難である。このため、有機ＥＬやエレクトロクロミック表示のような、電流駆動型の一つの画素に対して複数のトランジスタによる駆動を必要とする電子素子等の製造に適用することも困難である。
【００１４】
そこで、本発明は上記課題を鑑み、印刷による少ない工程数のメリットを生かしつつ、より微細な導電パターンを形成でき、多層配線及び微細な配線間接続が可能な積層配線の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明に係る積層配線形成方法は、基板上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第１の濡れ性変化層を形成する工程と、前記第１の濡れ性変化層中又は第１の濡れ性変化層上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層が形成された第１の濡れ性変化層上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第２の濡れ性変化層を形成する工程と、前記第２の濡れ性変化層に、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、第２の導電層の配線パターンとなる凹部を形成するとともに、該凹部の形成によって露呈した第２の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成した後、前記第１の導電層の一部が露出するようにビアホールを形成するとともに、該ビアホールの形成によって露呈した第２の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成する工程と、前記高表面エネルギー領域に導電性インクを塗布し、第２の導電層及びビアを同時に形成する工程と、を有することを特徴とする積層配線の形成方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の積層配線形成方法によれば、印刷による少ない工程数のメリットを生かしつつ、より微細な導電パターンを形成でき、多層配線及び微細な配線間接続が可能な積層配線の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係る積層配線の一例を示す断面模式図である。
【図２】本実施形態に係る積層配線の形成方法の一例を示す説明図である。
【図３】本実施形態に係る積層配線の一例を示す断面模式図である。
【図４】レーザーアブレーション装置の一例を示す模式図である。
【図５】本実施形態の電子素子の一例を示す断面模式図である。
【図６】本実施形態の電子素子の一例を示す断面模式図である。
【図７】レーザーアブレーション法による濡れ性変化層の加工深さとレーザー特性との関係の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る積層配線の形成方法、積層配線、及び電子素子について図面を参照して説明する。なお、本発明は以下に示す実施例の実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、修正、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
【００１９】
［積層配線の形成方法、積層配線］
図１に本発明に係る積層配線の一例の断面模式図を、図２に本発明に係る積層配線の形成方法の一例の説明図をそれぞれ示す。
図１に示す積層配線は、基板１１と、基板１１上に形成された第１の濡れ性変化層１２と、第２の濡れ性変化層である層間絶縁層１４と、第１の導電層（第１の導電層パターン）１３と、第２の導電層（第２の導電層パターン）２１と、第１の導電層１３及び第２の導電層２１を電気的に接続するビア２２とを有し、図２（Ａ）〜（Ｇ）に示す方法により形成される。
積層配線の形成方法は、基板１１上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第１の濡れ性変化層１２を形成する工程、第１の導電層１３を形成する工程（図２（Ａ））、第１の導電層１３上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第２の濡れ性変化層１４を形成する工程（図２（Ｂ））、第２の濡れ性変化層１４に、紫外線領域の波長のレーザー１５を用いたレーザーアブレーション法により、第２の導電層の配線パターンとなる凹部１６を形成するとともに、露呈した第２の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域１４ａを形成した後、第１の導電層１３の一部が露出するようにビアホール１８を形成するとともに、露呈した第２の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域１４ａを形成する工程（図２（Ｃ）〜（Ｅ））、高表面エネルギー領域１４ａに導電性インク１９を塗布し（図２（Ｆ））、第２の導電層２１及びビア２２を同時に形成する工程（図２（Ｇ））と、を有する。
【００２０】
図１及び図２に示す例では、基板１１上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第１の濡れ性変化層１２が形成され、濡れ性変化層１２上に第１の導電層１３が形成されている。第１の導電層１３は、例えば、第１の濡れ性変化層１２に紫外線領域の波長のレーザーを照射して高表面エネルギー領域を形成し、前記高表面エネルギー領域の上部に導電性インクを塗布して形成されるが、他の印刷手法を用いて形成されてもよく、真空成膜とフォトリソグラフィとエッチングによって形成されてもよい。
第１の導電層１３の具体的な形成方法としては、例えば、特開２０１３−１６７７３号公報に記載された方法などが挙げられる。
【００２１】
第１の導電層１３上には、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第２の濡れ性変化層１４が形成されている。濡れ性変化層１４は、層間絶縁層（配線間の絶縁層）としての機能を有し、第１の導電層１３と電気的な絶縁性を保ちながら、必要な配線間に電気的接続をもたらすビア２２と第２の導電層２１とが形成される。
【００２２】
第２の導電層２１及びビア２２は、第２の濡れ性変化層１４に紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、第２の導電層の配線パターンとなる凹部１６を形成するとともに、露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域１４ａを形成した後、第１の導電層１３の一部が露出するようにビアホール１８を形成するとともに、露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域１４ａを形成し、高表面エネルギー領域１４ａに導電性インク１９し、塗布された導電性インクを加熱焼成などにより固化することにより同時に形成される。
【００２３】
以下、各部材について説明する。
基板１１は、配線、電子素子、電子素子アレイ、表示素子をその上に形成できる基材であれば特に限定されず、例えば、ガラス基板、フィルム基板等が挙げられる。フィルム基板としては、ポリイミド（ＰＩ）基板、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板、ポリカーボネート（ＰＣ）基板、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）基板、ポリアクリレート（ＰＡＲ）基板等が挙げられる。
【００２４】
第１の濡れ性変化層１２及び第２の濡れ性変化層１４は、熱、紫外線、電子線、プラズマ等のエネルギーを付与することにより表面エネルギー（「表面自由エネルギー」、「臨界表面張力」ともいう）が変化する材料を含有する。
エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料としては、エネルギーの付与前後で臨界表面張力の変化が大きくなる材料が好ましい。これは、エネルギー付与した部分（親液性）とそれ以外の部分（撥液性）とのコントランストが明確になるためである。
【００２５】
図２（Ｃ）〜（Ｆ）に示すように、濡れ性変化層１４には、臨界表面張力が大きい高表面エネルギー領域部１４ａと、臨界表面張力が小さい低表面エネルギー領域部１４ｂとが形成される。高表面エネルギー領域部１４ａは、濡れ性変化層１４に選択的にエネルギーを付与することにより形成される。
基板１１の主面（例えば、表面）に対し垂直な方向から第１の導電層１３を見た場合、第１の導電層１３の形態と高表面エネルギー領域部１４ａの形態とは同じである。
【００２６】
なお、第２の濡れ性変化層１４のうち、エネルギーを付与した部分が高表面エネルギー領域部１４ａになるとしているが、これに限定されるものではない。エネルギー付与により、表面エネルギーが変化するものであれば足り、低表面エネルギー領域部に変化するものも適用できる。
【００２７】
表面エネルギー（臨界表面張力）が変化する材料としては、高分子材料が望ましく、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を有する高分子材料が好ましい。
側鎖の疎水性基としては、特に限定されず、末端基が−ＣＦ２ＣＨ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−ＣＦＨ２等である官能基が挙げられる。すなわち、疎水性基としては、アルキル基、フルオロアルキル基、多分岐構造を持つアルキル基、フルオロアルキル基、またはこれらの同位体が好ましい。側鎖の疎水性基は、エネルギー付与によって分解するＣ＝Ｏ（カルボニル基）を含む。Ｃ＝Ｏを含む構造としては、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＯＣＯ−、またはこれらの同位体で表される官能基（光感光基）が挙げられる。疎水性基は、Ｃ＝Ｏを含む官能基を介して、主鎖と結合していることが好ましい。
【００２８】
側鎖は、紫外線照射によって−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−、または−ＮＨＯＣＯ−で表される光感応基が切断されると、大気雰囲気中の水分と反応して、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）等の親水性基を生成する。従って、紫外線照射がなされた濡れ性変化層の部分の表面が親水性（高表面エネルギー）になる。多分岐構造を持つ側鎖の場合では、少ないエネルギー付与により、濡れ性変化層の臨界表面張力を大きく変化させることができる。
【００２９】
また、高分子材料の主鎖としては特に限定されないが、例えば、紫外線の吸収がなく、もしくは紫外線の吸収が小さいものが望ましい。つまり、高分子材料の主鎖は、紫外線によって主鎖の分子構造が完全に切断されないか、または、切断されにくいものであることが好ましい。これは、紫外線照射（エネルギー付与）によって主鎖の結合が切れてしまうと、高分子材料の絶縁性が低下するなど、高分子材料の安定性、信頼性に欠けるからである。
【００３０】
上述の条件を具備する主鎖としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、（メタ）アクリル酸を重合することにより得られる骨格等が挙げられ、これらのうち、絶縁性の観点から、主鎖中にポリイミドを含むものが特に好ましい。
一般に、ポリイミドは、剛直な構造であると共に、充填性が良好であるため、エネルギーが付与されて分子鎖が切断された場合であっても、ある程度の絶縁性を保持するからである。このため、主鎖としてポリイミドを用いれば、絶縁信頼性の高い配線部材が形成される。また、ポリイミドを用いた場合、２％程度の吸湿性はあるものの、高い絶縁性を維持する。これにより、高い絶縁性を確保しながら、耐水性も良好になる。
【００３１】
ここで、ポリイミドとしては、ポリアミック酸（ポリアミド酸）を加熱することによる脱水縮合反応で生じる熱硬化型ポリイミドと、溶媒に可溶な可溶性ポリイミドが一般的に知られているが、いずれのポリイミドを使用することも可能である。
可溶性ポリイミドは、溶媒に溶解させた塗布液を塗布した後、２００℃未満の低温で溶媒を揮発させることにより得られる。一方、熱硬化型ポリイミドは、脱水縮合反応が起こる程度まで加熱しないと反応が起きないため、一般に、２００℃以上に加熱する必要がある。したがって、基板１１の耐熱性等、各種条件にあわせ、いずれかのポリイミドを選択することができる。
【００３２】
以上のように、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料は、主鎖と、紫外線の照射により親水性基を生成可能な側鎖とを有し、主鎖中にポリイミドを含む材料であることが好ましい。
特に、フィルム基板のような低温プロセスが要求され、高スループット処理のため小さい紫外線照射量で表面エネルギーを変化させる場合には、例えば特開２００９−１８８２５９号公報に記載された可溶性ポリイミドなどが用いられる。これらのうち、主鎖と多分岐構造を含む側鎖からなる可溶性ポリイミドが好適に用いられる。
【００３３】
上述のような材料を含有する濡れ性変化層を形成することにより、ビア２２や第２の導電層２１が形成されない領域である低表面エネルギー領域１４ｂは、撥水性を有することとなる。これにより、導電性インク１９が凹部１６からはみ出して塗布された場合でも、その低表面エネルギー領域１４ｂには付着しにくく、導電性インクは凹部１６及びビアホール１８に流れ込むため、残渣が発生しない。特にビアの形成においては、ビアホール１８に対し凹部１６が導電性インク１９の流れ込みのガイドとして作用するため、通常の滴下による充填よりも有利である。
本実施形態の方法によれば、凹部１６とビアホール１８が形成されるとともに、その表面が高表面エネルギー領域１４ａに変化するため、凹部という物理的な形状効果だけでなく、系の自由エネルギーを最小にするという効果が１つの工程で得られ、凹部１６及びビアホール１８に導電性インク１９が充填されやすくなる。
【００３４】
なお、濡れ性変化層１４の厚みは、特に限定されるものではなく、形成する配線の深さ、必要とされる絶縁性、ビア２２の深さ、及び濡れ性変化層の形態（単層であるか積層であるか等）などによって適宜選択することができる。
【００３５】
凹部１６とビアホール１８の形成方法について、図２を参照して説明する。
凹部１６とビアホール１８の形成方法としては、一般的に、フォトリソグラフィとエッチングや、レーザーアブレーション法等など任意のパターニング方法を用いることができる。しかしながら、工程数の削減が可能な印刷プロセスとの組み合わせを考慮し、工程数を少なくする観点から、本実施形態では、凹部１６またはビアホール１８の形成と同時に濡れ性変化層の表面エネルギーを変化させることが可能な方法、つまり、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により形成する。
【００３６】
紫外線領域の波長のレーザーを用いた方法は、濡れ性変化層の絶縁性の低下が少なくて済み、また大気中での露光が可能であり生産性が高いため好ましい。
【００３７】
特に、形成される凹部１６及びビアホール１８に導電性インクを塗布する方法として、インクジェット法及びノズルプリンティング法などのマスクや印刷版を使用しない印刷法と組み合わせる場合は、マスクを必要としない直描法によるレーザーアブレーション法が好適である。
【００３８】
レーザーアブレーション法は、レーザービームまたはステージを走査することにより、凹部１６のようなライン状の形態の加工とともに、ビアホール１８のようなホール状の形態の加工も可能である。例えば、ＣＡＤデータに従い凹部１６を加工した後、そのままＣＡＤデータに従いビアホール１８を加工することもできる。このように、凹部１６とビアホール１８の加工を連続して行うことにより、アライメント動作も簡略化することができる。
【００３９】
凹部１６とビアホール１８がレーザーアブレーション法により加工されることで、凹部１６の加工面の上層部がより広いテーパー形状に加工され、インクがより流れ込みやすくなる。また、ライン状の凹部１６とホール状のビアホール１８とが組み合わされた形状であるため、ビアホール１８のみを単独で埋め込むよりもより歩留まりの点で有利である。
【００４０】
また、形成する凹部１６の幅が第２の導電層２１の幅に影響を与え、凹部１６を形成する際の加工ばらつきが第２の導電層２１の抵抗のばらつきに影響を与え、ビアホール１８のホール径のばらつきがビア２２の抵抗のばらつきに影響を与えることとなる。
したがって、できるだけ滑らかで、加工精度の高いレーザーアブレーション法が望まれる。これに対し、紫外線領域の波長のレーザーを用いた場合、微細でばらつきの小さい加工を実現することができ、きれいな加工面が得られる。
さらに、濡れ性変化層に合わせてレーザーの波長を適宜選択することにより、寸法精度の高い微細な凹部１６及びビアホール１８の形成と、表面エネルギー変化が期待できる。
【００４１】
紫外線領域の波長のレーザーとしては、ＹＡＧレーザーの３倍波（波長３５５ｎｍ）、４倍波（波長２６６ｎｍ）、５倍波（波長２１５ｎｍ）やエキシマレーザーであるＸｅＦ（波長３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）が好ましく使用できる。特に、その出力と大気中でのオゾン発生によるプロセスおよび環境への影響を避けるため、ＹＡＧレーザーの３倍波（波長３５５ｎｍ）、または４倍波（波長２６６ｎｍ）、もしくはエキシマレーザーを用いることが好ましい。特にエキシマレーザーを用いる場合には、ＸｅＦ（波長３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）のいずれかであることが好ましい。
【００４２】
紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法による凹部１６及びビアホール１８の形成方法としては、例えば、形成に必要な微細なレーザーを用いてレーザービームを走査する方法、もしくは加工対象である濡れ変化層１４を有する基板（ワーク）を走査する方法が挙げられる。このように、レーザービームを走査する、もしくはワークを走査する方法は、マスクを必要としないため低コストであり、さらに、工程数の増加を抑えつつ、複雑なパターンをより高速で形成することが可能となる。また、ＣＡＤデータをもとに、対象領域に選択的にレーザーを照射することができる。
特に、ガルバノミラースキャナを用いてレーザービームを走査する方法が好ましい。
【００４３】
次に、第１の導電層１３、並びに第２の導電層２１及びビア２２について説明する。
第１の導電層１３、並びに第２の導電層２１及びビア２２は、塗布された導電性インクをオーブンやホットプレート、光などを用いて加熱焼成、紫外線照射等による固化することによって得られる部材である。
上述のように、本実施形態においては、第２の導電層２１及びビア２２は同一塗布工程で同一の導電性インクによって形成される。
【００４４】
導電性インクは、固化した場合に導電性を示すものであれば特に限定されるものではなく、適宜選択することができ、例えば、導電性材料を溶媒に溶解したもの、導電性材料の微粒子を溶媒に分散させたもの、導電性材料の前駆体もしくはその前駆体を溶媒に溶解したもの、導電性材料の前駆体を溶媒に分散したものなどが挙げられる。
【００４５】
導電性材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、もしくはアルミニウム（Ａｌ）、またはこれらから選択された２以上の金属種からなる合金、これらの金属種のハロゲン化銀、酸化銅などが挙げられる。さらには、カーボンナノチューブ、グラフェン等のナノカーボン系材料を有機溶媒や水に分散したもの、ドープトＰＡＮＩ（ポリアニリン）、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドープした導電性高分子の水溶液などがある。特に、低抵抗な銀、銅、カーボンナノチューブ等が好ましい。
これらの微粒子は、材料の分散や酸化防止のため、微粒子となる導電体の表面を有機物、または導電物によりコーティングしたものが用いることが好ましい。
【００４６】
導電インクを濡れ性変化層の表面に形成した高表面エネルギー領域上に塗布する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、エアロゾルジェット法の各種印刷法が挙げられる。
特に、第２の導電層２１及びビア２２を形成する際に、凹部１６とビアホール１８に同時に導電性インクを塗布する方法としては、濡れ性変化層１４の表面エネルギーの影響を受けてインクが凹部１６に流れ込むのに適した粘度または表面張力を有する導電性インクを塗布でき、比較的微細なパターンを形成するために小さな液滴を供給できることから、インクジェット法やノズルプリンティング法が好ましい。
【００４７】
インクジェット法及びノズルプリンティング法は、スピンコート法などの他の方法と比較して材料利用効率も格段に高く、またマスクレスで非接触印刷であることから大面積化が容易であり、これらの点においても好ましい方法である。
【００４８】
以上のように、濡れ性変化層の形成とレーザーアブレーション法とを組み合わせて用いることにより、凹部１６及びビアホール１８の形成と、凹部１６及びビアホール１８の露呈した表面を親水性に変化させることを同時に行うことができる。また、インクジェット法やノズルプリンティング法による塗布を組み合わせることで、マスクなしで非接触のプロセスを構築できる。
これにより、少ない工程数で、より微細でありながら、配線間接続が可能で、より高機能な積層配線を、抵抗ばらつきを少なく形成することができる。
【００４９】
また、図３に示す例のように、第１の導電層１３が、第１の濡れ性変化層１２にレーザーアブレーション法により形成されてもよい。すなわち、第１の濡れ性変化層１２に紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により第１の導電層の配線パターンとなる凹部を形成するとともに、該凹部の形成によって露呈した第１の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成し、前記高表面エネルギー領域に導電性インクを塗布することにより第１の導電層１３が形成される態様であってもよい。
さらに、第２の濡れ性変化層１４を積層し、第２の導電層２１及びビア２２の形成に係る工程を繰り返すことにより、多層配線を形成することもできる。
【００５０】
［電子素子の製造方法、電子素子］
本発明の積層配線の形成方法により積層配線を形成し、形成された積層配線上に半導体層を形成することにより、電子素子を製造することができる。当該電子素子の製造方法によれば、少ない工程数で電子素子の製造を行うことができる。
また、本実施形態の電子素子の製造方法は、スイッチングトランジスタ、ドライビングトランジスタをビアにて電気的に接続する高機能な電子素子の製造に好適である。
【００５１】
電子素子が薄膜トランジスタの場合、本発明の積層配線の形成方法により形成される第１の導電層及び第２の導電層を、ゲート電極、ソース・ドレイン電極のいずれかの電極とすることができる。この場合、バルク材料の吸湿性がほとんどなく、積層した層間での耐圧不良を引き起こすこともないため、濡れ性変化層として、上述したようにポリイミドを主鎖に有する高分子材料を用いることが好ましい。
【００５２】
本実施形態の電子素子の製造方法は、例えば、以下のような流れを有する。
まず、基板上に、印刷によって形成した第一の電極であるゲート電極上に、エネルギーの付与により表面エネルギー（臨界表面張力）が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する。該濡れ性変化層は、ゲート絶縁膜の機能を併せ持つ。
次いで、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、濡れ性変化層に電子素子を構成するソース・ドレイン電極や配線と同じ形状の凹部を形成する。
次いで、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、スイッチングトランジスタのソース電極とドライビングトランジスタのゲート電極を接続するビアを形成するためのビアホールを形成する。
次いで、積層配線の形成方法と同様、濡れ性変化層に凹部及びビアホールを形成するとともに、露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成する。
そして、高表面エネルギー領域導電性インクを塗布し、スイッチングトランジスタ、ドライビングトランジスタのソース・ドレイン電極、配線およびビアを同時に形成する。
【００５３】
図５及び図６に、本実施形態の電子素子の一例の断面模式図を示す。
図５に示す電子素子は、スイッチングトランジスタ５９とドライビングトランジスタ５８とを有する薄膜トランジスタであり、基板５１、濡れ性変化層５１、絶縁膜である濡れ性変化層５４、ゲート電極である第１の導電層５３、ソース電極及びドレイン電極である第２の導電層５５、並びに第１の導電層５３及び第２の導電層５５を電気的に接続するビア５６を有する積層配線と、半導体層５７とを備えている。ゲート電極（第１の導電層）５３は、濡れ性変化層５１の表面に形成されている。
図６に示す電子素子は、スイッチングトランジスタ６９とドライビングトランジスタ６８とを有する薄膜トランジスタであり、基板６１、濡れ性変化層６１、絶縁膜である濡れ性変化層６４、ゲート電極である第１の導電層６３、ソース電極及びドレイン電極である第２の導電層６５、並びに第１の導電層６３及び第２の導電層６５を電気的に接続するビア６６を有する積層配線と、半導体層６７とを備える。ゲート電極（第１の導電層）６３は、濡れ性変化層６２にレーザーアブレーション法により形成されている。
【００５４】
以下に実施例を示す。しかし、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
図２（Ａ）〜（Ｇ）に示す方法に従い、積層配線を形成した。
まず、図２（Ａ）に示すように、ウェット洗浄を行ったガラス基板１１上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第１の濡れ性変化層１２を形成した。
第１の濡れ性変化層１２の材料としては、疎水性基を側鎖に有する熱硬化型ポリイミドのＮＭＰ溶液を用いた。前記熱硬化型ポリイミドのＮＭＰ溶液をスピンコート法により塗布し、膜厚１５０ｎｍの第１の濡れ性変化層１２を形成した。このとき、第１の濡れ性変化層１２の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。
【００５５】
次いで、第１の導電層１３の配線パターンと同一形態のパターンに相当する部分が開口したフォトマスクを用い、第１の濡れ性変化層１２に対し前記フォトマスク越しに波長が３００ｎｍ以下の紫外線（超高圧水銀ランプ）を照射した。紫外線照射量は、２Ｊ／ｃｍ２であった。
このとき、第１の濡れ性変化層１２には凹部を形成されておらず、略平坦な平面上に高表面エネルギー領域（紫外線照射部）と低表面エネルギー領域（紫外線未照射部）とが形成される。
【００５６】
次いで、インクジェット法により、粒径約３０ｎｍのＡｇ粒子を水系溶媒に分散した導電性インク（ナノメタルインク）を高表面エネルギー領域（紫外線照射部）上に選択的に塗布した。ここでは、水系の金属微粒子分散液を用いているため、導電性インクは高表面エネルギー領域（紫外線照射部）にわたって広がり、インクジェットの液滴サイズによらず微細なパターンも形成可能である。
【００５７】
次いで、大気中１００℃のオーブンでプリベークを行い、同じく大気中１８０℃のオーブンで１時間のポストベークを行い、膜厚１３０ｎｍの第１の導電層１３を形成した（図２（Ａ））。
【００５８】
続いて、第２の濡れ性変化層１４を形成した。
第２の濡れ性変化層１４の材料は、下記式（１）で表される側鎖にデンドリマーを含む可溶性ポリイミド材料Ａと、該可溶性ポリイミド材料Ａよりも絶縁性が高く、側鎖を有さないポリイミド（商品名：ＣＴ４１１２、京セラケミカル社製）とを混合して調製したポリイミドＮＭＰ溶液を用いた。
【００５９】
【化１】
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【００６０】
ポリイミドＮＭＰ溶液をスピンコート法で塗布し、窒素中１００℃のオーブンでプリベークしたのち、同じく窒素中１８０℃のオーブンで１時間のポストベークを行い、膜厚が６５０ｎｍの第２の濡れ性変化層１４を形成した（図２（Ｂ））。
このとき、第２の濡れ性変化層１４の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。
【００６１】
次に、ＣＡＤデータをもとに配線、電極等の導電部に相当する第２の導電層２１に相当する部分に、図４に示すレーザーアブレーション装置を用いて、紫外線領域の波長のレーザーを照射し（図２（Ｃ））、第２の導電層となる（第２の導電層２１の配線パターンと同一形態の）凹部１６を形成した（図２（Ｄ））。
このとき、ＣＡＤデータをもとに、第１の導電層１３のアライメントマークを読み取り、第１の導電層１３と第２の導電層２１のＣＡＤデータが重なるように、第１の導電層１３のアライメントマークに対し、第２の導電層２１のアライメントマークデータ位置の調整を行った。
レーザーが照射された凹部１６の表面は高表面エネルギー領域１４ａとなっており、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域１４ｂとなっている。
【００６２】
ここで、濡れ性変化層に照射するレーザー１パルスあたりのエネルギー密度と、凹部１６の平均段差（深さ）との関係について検討した結果を、図７を用いて説明する。
図７の横軸は、１パルスあたりの光エネルギー密度（ｍＪ／ｃｍ２）であり、縦軸は、凹部１６の平均段差（ｎｍ）である。濡れ性変化層は、ガラス基板上に形成されたポリイミド層である。レーザーのスキャン速度は、２４０ｍｍ／秒である。
ポリイミド層の形成には、側鎖にデンドリマーを含む上記式（１）で表す可溶性ポリイミド材料Ａと、該可溶性ポリイミド材料Ａよりも絶縁性が高く、側鎖を有さないポリイミド（商品名：ＣＴ４１１２、京セラケミカル社製）とを混合して調製したポリイミドＮＭＰ溶液を用いている。
ポリイミドＮＭＰ溶液をガラス基板上に塗布した後、窒素雰囲気で１００℃のプリベークを施し、さらに窒素雰囲気で１８０℃、１時間のポストベークを施し、膜厚５００ｎｍのポリイミド層を形成し、これを用いて評価を行った。
【００６３】
図７の結果から分かるように、１パルスあたりの光エネルギー密度をより高くすることにより、ポリイミド層の平均段差（加工深さ）がより深くなっている。さらに１パルスあたりの光エネルギーをより大きくすることで、ポリイミド層の下層の基板（例えば、ガラス基板、フィルム基板など）を加工することができる。
加工深さは、アライメントマークとして認識できること、及び異物が飛散しないことを考慮し、適切な深さに制御することができる。また、ポリイミド層の下層の基板にダメージを与えることなく、ポリイミド層の膜厚（５００ｎｍ）に対応した厚みを選択的に除去することもできる。すなわち、ポリイミド膜厚５００ｎｍをすべて除去することも、また部分除去することもできる。
【００６４】
続いて、ＣＡＤデータをもとに、ビア２２が形成される部分に、図４に示すレーザーアブレーション装置を用いて紫外線領域のレーザーを照射し（図２（Ｄ））、第１の導電層１３の一部が露出するようにビアホール１８を形成した（図２（Ｅ））。
レーザーが照射されたビアホール１８の表面は、凹部１６の表面とともに高表面エネルギー領域１４ａとなり、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域１４ｂとなっている。
なお、先の工程において凹部１６を形成する際に、第１の導電層１３のアライメントパターンを用いてアライメントを実施しているため、再度のアライメント作業は不要である。
【００６５】
なお、凹部１６とビアホール１８の形成順としては、先にビアホール１８を加工し、その後凹部１６を加工することもできる。しかしながら、加工される濡れ性変化層１４の凹部１６の加工深さが同一となり、下層にある第１の導電層１３に対する加工ダメージの発生を低減する観点から、本実施例のように凹部１６を形成した後、ビアホール１８を形成することが好ましい。
一方、凹部１６を形成する工程とビアホール１８を形成する工程は、特段のアライメント動作もなく、ＣＡＤデータのみの違いなので、パターンによっては同一プロセス内に混在させてもよい。
【００６６】
ここで、レーザー照射に用いたレーザーアブレーション装置について図４に基づき説明する。
本実施例では、レーザー４０３としてＹＡＧレーザーを用いた。
発振したレーザーは、レーザーヘッド４０４で４倍波を発生させ、波長２６６ｎｍとなっている。そして、レーザービーム４０５は、光学系４０６およびＸＹＺθステージ４０９のＺ走査によって、ワーク４０８の加工面において、適切なビーム径、トップハットやガウシアン形状などの適切なビーム形状となるように制御される。
【００６７】
ワーク上のアライメントマークは、アライメントカメラ４１１でＸＹＺθステージ４０９の動作とあわせて観察し、その位置情報はコントローラー４０１に送られる。
このワーク上のアライメントマーク位置とＣＡＤの描画パターンをコントローラー４０１にて処理し、ガルバノスキャナ４０７、ＸＹＺθステージ４０９及びレーザー４０３をコントローラー４０１で制御することにより、ＣＡＤデータに従った凹部１６及びビアホール１８が形成される。
【００６８】
このようなＸＹＺθステージ４０９とガルバノスキャナ４０７を組み合わせた光学系の場合、ある描画面積に対しては、ガルバノスキャナを用いてレーザービームを走査（スキャン）することにより濡れ性変化層上に凹部やビアホールを形成できる。このため、ステージを動かすよりもより少ないエネルギーで描画が可能である。
また、ＸＹ方向や斜めなどの直線だけではなく、円や楕円、矩形パターンも描画できるため、より複雑な形状に対応でき、設計自由度が広がる。
【００６９】
レーザーアブレーション装置としては、ガルバノスキャナを用いた装置に限定されるものではなく、ＸＹＺθステージと反射光学系の組み合わせでもよい。この場合、配線がＸＹや一部斜めなどの簡単なパターンに対しては有効である。また、ステージを大きくすることで大面積の描画が可能となる。
【００７０】
上述の装置により、本実施例では、幅６０、４０、２０、１０μｍ、深さ１５０ｎｍの凹部１６を形成した。深さや幅は、レーザー出力、スキャン速度、発振周波数、ビーム径、焦点位置等で変化させることができる。
本実施例では、例えば、スキャン速度を２４０ｍｍ／秒、１パルスあたりの光エネルギーを３５ｍＪ／ｃｍ２としてレーザー照射を行い、凹部１６を形成した。
【００７１】
図２（Ｅ）で形成したビアホール１８のホール径は１５μｍ、深さは５００ｎｍであった。
ホール径は、ビーム径、焦点位置で変化させることができ、ビーム深さは、レーザー出力、ｓｈｏｔ数、発振周波数で制御することができる。本実施例では、１５ｓｈｏｔ、１パルスあたりの光エネルギーを５０ｍＪ／ｃｍ２としてレーザー照射を行い、ビアホール１８の形成を行った。
【００７２】
第１の導電層１３上の配線間の絶縁層を兼ねる第２の濡れ性変化層１４は除去されている。また、レーザーアブレーション法で加工しているため、凹部１６はレーザー入射面（図の上面）が水平方向に０．５μｍ、高さ１５０ｎｍのテーパー形状であり、凹部１６の形状は底部よりも開口幅が多少大きくなっている。またビアホール１８も、両端が水平方向に約２μｍ、高さ５００ｎｍのテーパー形状となっている。
【００７３】
次いで、インクジェット法により、粒径約３０ｎｍ程度のＡｇ粒子を水系溶媒に分散した導電性インク（ナノメタルインク）１９を、凹部１６とビアホール１８の高表面エネルギー領域１４ａ上に選択的に塗布した（図２（Ｆ））。
本実施例では、水系の金属微粒子分散液を用いているため、導電性インク１９はレーザーアブレーション法で形成した凹部１６及びビアホール１８にわたって広がり、インクジェットの液滴サイズによらず微細なパターンも形成可能である。
なお、インクジェット法による塗布は、スピンコートとエッチングを用いる場合よりも材料の使用効率に優れ、プロセス工数を削減することができるため、低コストの配線形成に適している。
【００７４】
導電性インクが塗布された後、大気中１００℃のオーブンでプリベークを行い、同じく大気中１８０℃のオーブンで１時間のポストベークを行った。これにより、配線幅が６０、４０、２０、１０μｍ、膜厚が１３０ｎｍの第２の導電層２１と、ビア径が１５μｍ、深さが５００ｎｍのビア２２を形成した（図２（Ｇ））。いずれの線幅においても配線の断線とショートは見られなかった。また、ビア２２による第１の導電層１３と第２の導電層２１との接続も確認された。
線幅１０μｍの配線に関しては、ビア径１５μｍに対して、片側２．５μｍのオーバーラップとしている（部分的に線幅２０μｍ）。
【００７５】
本実施例のように、第２の濡れ性変化層１４、第２の導電層２１及びビア２２を、スピンコートやインクジェットなどの印刷法によって形成することができ、低コストで微細な配線を形成することができる。
また、ＹＡＧの４倍波を用いたレーザーアブレーション法を利用し、第２の濡れ性変化層１４を除去し、インクジェット法により導電性インク１９を塗布することにより工程数の増加を抑えることができ、印刷による少ない工程数のメリットを生かしつつ、微細で、配線間接続が可能な、より機能の高い配線を形成することができる。
レーザーアブレーション法において、ガルバノミラースキャナを用いてレーザービームをスキャンすることにより、マスクを必要とせず、低コストで、複雑なパターンをより高速で処理することが可能である。
【００７６】
＜実施例２＞
本実施例では、図３に示す積層配線を形成した。
図３の積層配線は、第１の濡れ性変化層１２にレーザー直描により配線パターンに相当する凹部を形成し、ノズルプリンティング法により導電性インクを塗布して第１の導電層１３を形成したことと、第２の導電層２１とビア２２を形成する導電性インクをノズルプリンティング法により塗布して形成したこと以外は、実施例１と同様の工程により形成した。
【００７７】
まず、ウェット洗浄を行ったガラス基板１１上に、実施例１と同様、疎水性基を側鎖に有する熱硬化型ポリイミドのＮＭＰ溶液をスピンコート法により塗布し、膜厚１００ｎｍの第１の濡れ性変化層１２を形成した。このとき、第１の濡れ性変化層１２の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。
【００７８】
次いで、第１の導電層１３の配線パターンに相当する凹部を、ＹＡＧレーザーの４倍波（波長２６６ｎｍ）のレーザーアブレーションを用いて形成した。具体的には、濡れ性変化層１２に、スキャン速度を２４０ｍｍ／秒、１パルスあたりの光エネルギーを３５ｍＪ／ｃｍ２としてレーザー照射を行い、幅２０μｍ、深さ１００ｎｍの凹部を形成した。ガラス基板１１上の濡れ性変化層１２は、凹部の領域はすべて除去し、凹部の深さを塗布膜の厚さ（１００μｍ）で規定した。
【００７９】
レーザーが照射されていない領域は、ポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域として形成される。本実施例では、凹部を形成したが、図７に示すように、例えば、２０〜３０ｍＪ／ｃｍ２であれば、レーザーアブレーションが発生しないエネルギーで表面エネルギーを変化させてもよい。これにより、マスクを用いずに第１の導電層１３の形成が可能になる。
【００８０】
次いで、形成した凹部に、ノズルプリンティング法を用い、粒径約３０ｎｍ程度のＡｇ粒子を水系溶媒に分散した導電性インク（ナノメタルインク）を塗布した。ノズルプリンティング法による塗布も、比較的高価なＡｇ微粒子からなる金属微粒子分散液を導電層を形成する部分に選択的に付与することができるため、スピンコートとエッチングによって形成する場合に比べて材料の使用効率も高く、また非常に高速に操作でき、スループットも高く、低コスト配線を形成するのに適している。
【００８１】
導電性インクが塗布された後、大気中１００℃のオーブンで、プリベークを行い、同じく大気中１８０℃のオーブンで、１時間のポストベークを行い、配線幅２０μｍ、膜厚１００ｎｍの第１の導電層１３を形成した。
【００８２】
次いで、第２の濡れ性変化層１４を形成した。第２の濡れ性変化層１４の材料は、上記式（１）で表される側鎖にデンドリマーを含む可溶性ポリイミド材料Ａと、該可溶性ポリイミド材料Ａよりも絶縁性が高く、側鎖を有さないポリイミド（商品名：ＣＴ４１１２、京セラケミカル社製）とを混合して調製したポリイミドＮＭＰ溶液を用いた。
ポリイミドＮＭＰ溶液をスピンコート法で塗布し、窒素中１００℃のオーブンでプリベークしたのち、同じく窒素中１８０℃のオーブンで１時間のポストベークを行い、５５０ｎｍの膜厚の第２の濡れ性変化層１４を形成した。
このとき、第２の濡れ性変化層１４の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。
【００８３】
次に、実施例１と同様に、ＣＡＤデータをもとに配線、電極等の導電部に相当する第２の導電層２１に相当する部分に、図４に示すレーザーアブレーション装置を用い、ＹＡＧレーザーの４倍波（波長２６６ｎｍ）を照射し、第２の導電層となる（第２の導電層と同一形態の）凹部１６を形成した。レーザー照射はスキャン速度を２４０ｎｍ／秒、１パルスあたりの光エネルギーを３５Ｊ／ｃｍ２として行った。形成された凹部１６の寸法は、幅２０μｍ、深さ１５０ｎｍであった。
レーザーが照射された凹部１６の表面は高表面エネルギー領域１４ａとなり、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域１４ｂとなっている。
【００８４】
同様に、ＣＡＤデータをもとにビア２２に相当する部分に、図４に示すレーザーアブレーション装置を用いて、ＹＡＧレーザーの４倍波（波長２６６ｎｍ）を照射し、第１の導電層１３の一部が露出するようにビアホール１８を形成した。
レーザー照射は１５ｓｈｏｔ、１パルスあたりの光エネルギーを５０ｍＪ／ｃｍ２とした。形成されたビアホール１８のホール径は１５μｍ、深さは４００ｎｍであった。
レーザーが照射されたビアホール１８の表面は高表面エネルギー領域１４ａとなり、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域１４ｂとなっている。
【００８５】
次いで、第１の導電層１３と同様に、ノズルプリンティング法を用い、粒径約３０ｎｍ程度のＡｇ粒子を水系溶媒に分散した導電性インク（ナノメタルインク）を凹部１６とビアホール１８の高表面エネルギー領域１４ａ上に選択的に塗布した。
導電性インクを塗布した後、大気中１００℃のオーブンでプリベークを行い、同じく大気中１８０℃のオーブンで、１時間のポストベークを行った。これにより、配線幅が２０μｍ、膜厚が１３０ｎｍの第２の導電層２１と、ホール径が１５μｍ、深さが４００ｎｍのビア２２が形成された。
【００８６】
このように、第２の濡れ性変化層１４、第２の導電層２１及びビア２２を、スピンコートやノズルプリンティングなどの印刷法による形成することができ、低コストで微細な配線を形成できる。さらに、第２の導電層２１とビア２２とを同一の塗布工程で一括して形成でき、またレーザーアブレーションで連続して加工することでアライメント動作を簡略化することができるため、工程数の削減に有利である。さらに、第１の導電層１３、第２の導電層２１及びビア２２がいずれもレーザーアブレーション法により加工されるため、フォトマスクを用いることなく、低コストで、複雑なパターンをより高速で処理することが可能である。
【００８７】
＜実施例３＞
本実施例では、図５に示す電子素子（薄膜トランジスタ）を形成した。
図５に示す薄膜トランジスタは、スイッチングトランジスタ５９と、ドライビングトランジスタ５８と、図示しない蓄積容量からなる２Ｔ１Ｃの駆動素子である。
薄膜トランジスタは、半導体層５７と、基板、絶縁膜である濡れ性変化層５４、ゲート電極である第１の導電層５３、ソース電極及びドレイン電極である第２の導電層５５、並びに第１の導電層５３及び第２の導電層５５を電気的に接続するビア５６を有する積層配線とを備え、該積層配線は、実施例１の積層配線の形成方法により形成されてなる。
【００８８】
以下、電子素子の製造方法を説明する。
まず、ウェット洗浄を行ったフィルム基板５１上に、実施例１と同様の工程により、疎水性基を側鎖に持つ熱硬化型ポリイミドＮＭＰ溶液を原料として、膜厚５０ｎｍの第１の濡れ性変化層５２を形成した。
【００８９】
次に、ゲート電極（第１の導電層）５３と同一形態のパターンに相当する部分が開口したフォトマスクを用い、第１の濡れ性変化層５２に対し、前記フォトマスク越しに波長が３００ｎｍ以下の紫外線（超高圧水銀ランプ）を照射した。紫外線照射量は、８Ｊ／ｃｍ２とした。
この照射により、第１の濡れ性変化層５２上に、スイッチングトランジスタ５９とドライビングトランジスタ５８の各々のゲート電極５３のパターンと、図示しない蓄積容量の下層電極のパターンに相当する高表面エネルギー領域を形成した。
【００９０】
次いで、インクジェット法により、粒径約３０ｎｍのＡｇ粒子を水系溶媒に分散した導電性インク（ナノメタルインク）を、前の工程で形成された高表面エネルギー領域上に選択的に塗布した。これを１８０℃で焼成して、電極幅４０μｍ、膜厚１００ｎｍのゲート電極５３と図示しない蓄積容量の下層電極を形成した。
【００９１】
続いて、実施例１で用いたのと同じ第２の濡れ性変化層の材料（ポリイミドＮＭＰ溶液）をスピンコート法により塗布した後、１８０℃にて焼成し、厚さ６５０ｎｍの濡れ性変化層５４を形成した。濡れ性変化層５４はゲート絶縁膜を兼ねている。
【００９２】
次いで、ＹＡＧレーザーの４倍波（波長２６６ｎｍ）のレーザーを用いて、レーザーアブレーション法により、スイッチングトランジスタ５９とドライビングトランジスタ５８の各々のソース・ドレイン電極（第２の導電層）５５と、図示ない蓄積容量の上層電極のパターンと同一形態の凹部を形成した。
このとき、各々のトランジスタのゲート電極５３に対し、ソース・ドレイン電極５５が適切な配置となるように、ゲート電極５３と同一の層でアライメントマークが形成される。該アライメントマークをレーザーアブレーション装置のアライメント機構で観察し、ソース・ドレイン電極５５と同一のデータ内にあるアライメントデータが重なるようにレーザーアブレーション加工が行われる。
【００９３】
電子素子のチャネル幅が５μｍとなるように、ソース・ドレイン電極５５に相当する凹部の間隔を５μｍとし、その深さを１５０ｎｍとした。ここでは、例えば、スキャン速度を２４０ｍｍ／秒、１パルスあたりの光エネルギーを３５ｍＪ／ｃｍ２としてレーザー照射を行った。
【００９４】
続いて、前の工程と同様にＹＡＧレーザーの４倍波（波長２６６ｎｍ）のレーザーを用いて、レーザーアブレーション法により、スイッチングトランジスタ５９とドライビングトランジスタ５８のソース電極５５とゲート電極５３を電気的に接続するビア５６のビアホールを形成した。形成されたビアホールのホール径は１５μｍ、深さは５００ｎｍであった。
ホール径は、ビーム径、焦点位置で変化させることができ、ビーム深さは、レーザー出力、ｓｈｏｔ数、発振周波数で制御することができる。本実施例では、１５ｓｈｏｔ、１パルスあたりの光エネルギーを５０ｍＪ／ｃｍ２としてレーザー照射を行った。
【００９５】
ビアホールの形成領域において、ゲート電極５３上の配線間の絶縁層を兼ねる濡れ性変化層１４は除去されている。なお、ビアホールの形成においては、ソース・ドレイン電極５５と同一形態の凹部を形成したのと同じレーザーアブレーション装置を用い、基板を装置から取り外すことなく連続で処理しているため、アライメント動作を省くことができる。
【００９６】
次いで、インクジェット法により、実施例１と同じ導電性インクを、凹部とビアホールの高表面エネルギー領域上に選択的に塗布した。
その後、実施例１と同じ条件でプリベーク及びポストベークを行い、膜厚１３０ｎｍのソース・ドレイン電極５５と、ホール径が１５μｍ、深さが５００ｎｍのビア５６を同時に形成した。
【００９７】
次に、下記式（２）で表されるトリアリールアミン（有機半導体材料）をキシレン／メシチレン混合溶媒に溶解させた塗布液を、インクジェット法によりチャネル部分に滴下し、１２０℃で乾燥させた。
【００９８】
【化２】
2015015378.tif 000004
【００９９】
この工程により、膜厚３０ｎｍの有機半導体層５７が形成され、有機トランジスタが得られた。
【０１００】
第２の濡れ性変化層５４は、ゲート絶縁膜として作用する。また、ソース・ドレイン電極５５間のチャネル部は、低表面エネルギー領域であるため、水分等の吸湿がなく、薄膜トランジスタの特性に良好な界面を提供する。さらに、ソース・ドレイン電極５５とゲート絶縁膜５４とを略同一平面上に形成できるため、半導体層５７を形成する際の印刷制御が容易になり、ソース・ドレイン電極５５との電気的な接続も容易となる。
【０１０１】
本実施例で作製された薄膜トランジスタの特性を評価したところ、ソース・ドレイン電極５５及びゲート電極５３のパターニング性は良好であった。オンオフ比は５桁になり、電界効果移動度は６×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。
また、スイッチングトランジスタ５９とドライビングトランジスタ５８の動作を確認し、二つのトランジスタが、ビア５６を介して有効に動作していることを確認した。
【０１０２】
このように、本発明の電子素子の製造方法によれば、ゲート絶縁膜を兼ねた濡れ性変化層５４、ソース・ドレイン電極５５をスピンコートやインクジェットの印刷法により形成することができるため、低コストで微細な電子素子を形成することができる。
また、スイッチングトランジスタ５９とドライビングトランジスタ５８のソース電極５５とゲート電極５３を、レーザーアブレーション法とインクジェット法の印刷により形成されたビア５６で電気的に接続することができるため、より高機能な電子素子を形成することができる。
【０１０３】
＜実施例４＞
本実施例では、図６に示す電子素子（薄膜トランジスタ）を形成した。
図６に示す薄膜トランジスタは、スイッチングトランジスタ６９と、ドライビングトランジスタ６８と、図示しない蓄積容量からなる２Ｔ１Ｃの駆動素子である。
薄膜トランジスタは、半導体層６７と、基板、絶縁膜である濡れ性変化層６４、ゲート電極である第１の導電層６３、ソース電極及びドレイン電極である第２の導電層６５、並びに第１の導電層６３及び第２の導電層６５を電気的に接続するビア６６を有する積層配線とを備え、該積層配線は、実施例２の積層配線の形成方法により形成されてなる。
【０１０４】
図６に示す薄膜トランジスタは、実施例２と同様、第１の導電層であるゲート電極６３がレーザーアブレーション法により形成されている。これにより、第２の濡れ性変化層６４が塗布によって形成される前の第１の濡れ性変化層６２は凹凸がなく略平坦であり、絶縁性に優れた電子素子が得られる。
【０１０５】
以上のように、本発明によれば、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、濡れ性変化層に導電層を形成するための凹部とビアホールを形成するため、レーザーを照射した凹部とビアホール内部は濡れ性が変化し、導電性インクを塗布する際に目的とする凹部とビアホールにのみ導電性インクを配置することが可能になる。
また、凹部の形成と濡れ性の変化を同一工程内で行うことができ、ビアホールと濡れ性の変化を同一工程内で行うことができ、さらに凹部とビアホールを同一レーザー装置で、データのみを変更することで形成できるため、工程数と仕様設備の増加をおさえながら、印刷による少ない工程数のメリットを生かしつつ、微細で、絶縁性の低下がない配線部材を形成できる。
さらに、インクジェットの版レスとレーザー直描の版レスのプロセスを用いることで、マスク不要な印刷と光プロセスとが融合した新しい配線形成プロセスが提供される。
【符号の説明】
【０１０６】
１１        基板
１２        第１の濡れ性変化層
１３        第１の導電層
１４        第２の濡れ性変化層
１４ａ      高表面エネルギー領域
１４ｂ      低表面エネルギー領域
１５、１７  レーザー
１６        凹部（第２の導電層の配線パターンとなる凹部）
１８        ビアホール
１９        導電性インク
２１        第２の導電層
２２        ビア
５１、６１  基板
５２、６２  濡れ性変化層
５３、６３  ゲート電極（第１の導電層）
５４、６４  濡れ性変化層（絶縁膜）
５５、６５  ソース・ドレイン電極（第２の導電層）
５６、６６  ビア
５７、６７  半導体層
５８、６８  ドライビングトランジスタ
５９、６９  スイッチングトランジスタ
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１０７】
【特許文献１】特許第５０７３１４１号公報
【特許文献２】特開２００６−１６３４１８号公報
【特許文献３】特開２００９−１０５４１３号公報
【特許文献４】特許第４６２９９９７号公報
【特許文献５】特開２０１３−１６７７３号公報
【図１】
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【図２】
2015015378.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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