(57)【要約】【課題】  フィン間を通るように冷媒の流れを適切に規制することで、冷却性能を効率的に高めることができる冷却装置等の提供。【解決手段】  冷却装置は、第１冷媒流路形成部材と、前記第１冷媒流路形成部材に対向して設けられ、前記第１冷媒流路形成部材と協動して冷媒流路部を形成する第２冷媒流路形成部材であって、前記第１冷媒流路形成部材に対向する第１側の表面に複数の第１フィン及び複数の第２フィンを備える第２冷媒流路形成部材と、前記第１冷媒流路形成部材における前記第２冷媒流路形成部材に対向する側の表面に形成され、前記第２冷媒流路形成部材における前記第１フィンと前記第２フィンの間のフィン非形成領域に対向する凸部とを備える。【選択図】図２
2015065309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１冷媒流路形成部材と、
前記第１冷媒流路形成部材に対向して設けられ、前記第１冷媒流路形成部材と協動して冷媒流路部を形成する第２冷媒流路形成部材であって、前記第１冷媒流路形成部材に対向する第１側の表面に複数の第１フィン及び複数の第２フィンを備える第２冷媒流路形成部材と、
前記第１冷媒流路形成部材における前記第２冷媒流路形成部材に対向する側の表面に形成され、前記第２冷媒流路形成部材における前記第１フィンと前記第２フィンの間のフィン非形成領域に対向する凸部とを備える、冷却装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記冷媒流路部を通る冷媒の流れに対して交差する交差方向に延在する、請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
前記凸部は、前記冷媒流路部の一端から他端まで延在する、請求項２に記載の冷却装置。
【請求項４】
前記凸部の高さは、前記第１冷媒流路形成部材における前記第２冷媒流路形成部材に対向する側の表面に対する前記第１フィン及び前記第２フィンの隙間よりも大きい、請求項１に記載の冷却装置。
【請求項５】
前記凸部は、前記交差方向の異なる位置で異なる高さを有する、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の冷却装置。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の冷却装置と、
前記第２冷媒流路形成部材における前記第１側とは逆の第２側に設けられ、前記第１フィンに対向する領域に設けられる第１半導体素子と、
前記第２冷媒流路形成部材における前記第２側に設けられ、前記第２フィンに対向する領域に設けられる第２半導体素子とを備える、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、冷却装置及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ヒートシンクのフィンを通るように冷媒を流す冷却構造が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。特許文献1に記載の構成では、ヒートシンクのフィンは、ヒートスプレッダの下方のみに形成され、２つのヒートスプレッダ間には形成されていない。特許文献２に記載の構成では、ケースにおけるヒートシンクのフィンに対向する表面は平らに形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2012-222327号公報
【特許文献２】特開2013-99214号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ヒートシンクのフィンを通るように冷媒を流す冷却構造においては、各フィンの間を通る冷媒が冷却に最も大きく寄与し、フィンとケースの間の隙間を通る冷媒は、フィンに直接的に接触しないため、冷却への寄与度が相対的に小さくなる。一般的に、冷媒は、流れの抵抗が小さい部分を流れようとするため、フィンとケースの間の隙間を通る冷媒は、各フィンの間を通る冷媒よりも、流れに直交する面における単位流路面積当たりの流量が大きくなる傾向がある。このため、特に冷媒の流れ方向で下流側では、各フィンの間を通る冷媒の流量が不十分となり、冷却性能が低下する場合がある。
【０００５】
そこで、本開示は、フィン間を通るように冷媒の流れを適切に規制することで、冷却性能を効率的に高めることができる冷却装置等の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一局面によれば、第１冷媒流路形成部材と、
前記第１冷媒流路形成部材に対向して設けられ、前記第１冷媒流路形成部材と協動して冷媒流路部を形成する第２冷媒流路形成部材であって、前記第１冷媒流路形成部材に対向する第１側の表面に複数の第１フィン及び複数の第２フィンを備える第２冷媒流路形成部材と、
前記第１冷媒流路形成部材における前記第２冷媒流路形成部材に対向する側の表面に形成され、前記第２冷媒流路形成部材における前記第１フィンと前記第２フィンの間のフィン非形成領域に対向する凸部とを備える、冷却装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、フィン間を通るように冷媒の流れを適切に規制することで、冷却性能を効率的に高めることができる冷却装置等が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施例による半導体装置１の冷却構造部分を示す斜視図である。
【図２】半導体装置１の断面図である。
【図３】冷媒流路部７２０における冷媒の流れを側面視で模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら各実施例について詳細に説明する。
【００１０】
図１は、一実施例による半導体装置１の冷却構造部分を示す斜視図である。図２は、半導体装置１の断面図である。尚、図１においては、シール部材５０及び冷媒流路部７２０を見えるようにするための便宜上、図２に示されるシール部材５０よりも上側に位置する構成要素については図示が省略されている。また、図１においては、複雑化を防止するための便宜上、ケース７０の一部の図示は省略されている。
【００１１】
尚、半導体装置１の上下方向は、半導体装置１の搭載状態に応じて上下方向が異なるが、以下では、便宜上、図２の上側を上方とする。半導体装置１は、例えば、ハイブリッド車又は電気自動車で使用されるモータ駆動用のインバータを構成するものであってよい。以下では、半導体装置１は、モータ駆動用のインバータであるとして説明する。
【００１２】
半導体装置１は、図２に示すように、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂと、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂと、絶縁層３０と、ヒートシンク４０と、シール部材５０と、ケース７０と、バスバーモジュール８０と、制御基板９０を含む。
【００１３】
半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、図２に示すように、Ｘ方向に並んで配置される。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、例えば、インバータの上下アームを形成してよい。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、パワー半導体素子を含む。尚、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂが含むパワー半導体素子の種類や数は、任意である。図示の例では、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、それぞれ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）からなる半導体チップと、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）からなる半導体チップとを含む。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、ＩＧＢＴに代えて、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)のような他のスイッチング素子を含んでもよい。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、それぞれヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂ上に半田（図示せず）により接合される。
【００１４】
ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂのそれぞれに対応して設けられる。ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、Ｘ方向に並んで配置され、互いに対してＸ方向で離間される。ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ半導体チップ１０Ａ，１０Ｂで発生する熱を吸収し拡散する部材である。ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、例えば銅、アルミなどの熱拡散性の優れた金属から形成される。本例では、一例として、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、銅により形成される。銅としては、伝導率が銅材の中で最も高い無酸素銅(C1020)が好適である。
【００１５】
絶縁層３０は、樹脂接着剤や樹脂シートから構成されてよい。絶縁層３０は、例えばアルミナをフィラーとした樹脂で形成されてもよい。絶縁層３０は、図２に示すように、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂとヒートシンク４０の間に設けられ、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂとヒートシンク４０に接合する。絶縁層３０は、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂとヒートシンク４０との間の電気的な絶縁性を確保しつつ、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂからヒートシンク４０への高い熱伝導性を確保する。
【００１６】
ヒートシンク４０は、熱伝導性の良い材料から形成され、例えば、アルミなどの金属により形成される。ヒートシンク４０は、上述の如く、上面がヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂに接合される。ヒートシンク４０は、図２に示すように、下面側に第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂを備える。第１フィン４２Ａは、半導体チップ１０Ａに係るヒートスプレッダ２０Ａの下方に設けられる。第２フィン４２Ｂは、半導体チップ１０Ｂに係るヒートスプレッダ２０Ｂの下方に設けられる。第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂの数や配列態様は任意である。第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂは、千鳥配置されるピンフィンであってもよいし、ストレートフィンであってもよい。尚、ヒートシンク４０は、２つ以上の部材で構成されてもよい。例えば、ヒートシンク４０は、第１の金属板と、第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂを備えた第２の金属板とを結合して構成されてもよい。
【００１７】
シール部材５０は、ヒートシンク４０とケース７０との間に挟まれる態様で設けられる。シール部材５０は、ガスケットであり、ヒートシンク４０とケース７０により形成される冷媒流路部７２０（後述）に対してシール機能を果たす。シール部材５０は、ケース７０における冷媒流路部７２０の外周部７３０に沿って載置される。シール部材５０は、図１に示すように、閉じた形状（環状の形態）を備える。図１に示す例では、シール部材５０は、略矩形の冷媒流路部７２０を囲繞するような矩形の形状である。尚、以下では、"内側"及び"外側"は、冷媒流路部７２０の中心Ｃ（図１参照）を基準として、中心Ｃに近い側を"内側"とし、遠い側を"外側"とする。
【００１８】
ケース７０は、駆動ユニット（例えば遊星歯車機構やモータ等）のケースであり、例えばアルミの鋳造により形成される。即ち、本例では、インバータ用ケースは省略される。
【００１９】
バスバーモジュール８０は、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂを外部のモータ（図示せず）や電源（図示せず）に接続するために設けられる。
【００２０】
制御基板９０は、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂを制御するためのハードウェア構成（例えばマイコン）を含んでよい。制御基板９０は、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂと通信可能に接続される。例えば、制御基板９０は、ゲート信号を生成して、ＩＧＢＴからなる半導体チップ１０Ａ，１０Ｂを駆動する。
【００２１】
次に、半導体装置１の冷却構造部分について説明する。
【００２２】
本実施例では、冷媒流路部７２０は、ヒートシンク４０とケース７０により形成される。
【００２３】
ヒートシンク４０は、下面側がケース７０に対向するように配置される。ヒートシンク４０は、ボルト６０によりシール部材５０と共にケース７０に固定（共締め）されてよい。
【００２４】
ヒートシンク４０の下面において、Ｘ方向で、第１フィン４２Ａが形成される領域４３Ａ（以下、「第１フィン形成領域４３Ａ」とも称する）と、第２フィン４２Ｂが形成される領域４３Ｂ（以下、「第２フィン形成領域４３Ｂ」とも称する）との間には、フィンが形成されない領域４４（以下、「フィン非形成領域４４」とも称する）が形成される。フィン非形成領域４４は、絶縁層３０をヒートシンク４０及びヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂに接合する際に、治具により押圧される部位であってよい。フィン非形成領域４４は、ヒートシンク４０のＹ方向の両端間に延在してよい。
【００２５】
ケース７０は、外周部７３０を含み、外周部７３０よりも内側に冷媒流路部７２０が形成される。即ち、冷媒流路部７２０は、外周部７３０により囲繞される。外周部７３０は、全周に亘って同一の高さの平らな表面を有する。但し、ケース７０が鋳造により形成される場合は、外周部７３０の表面には鋳巣等に起因した微細な凹部等は存在しうる。
【００２６】
冷媒流路部７２０は、ヒートシンク４０の外形に応じた外形（但し、ヒートシンク４０の外形より小さい外形）を有してよく、図１に示す例では、矩形の外形を有する。冷媒流路部７２０は、第１チャンバ７２１Ａと、第２チャンバ７２１Ｂと、第１フィン対向部７２２Ａと、第２フィン対向部７２２Ｂと、凸部７２３とを含む。
【００２７】
第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、図１に示すように、Ｙ方向に直線的に延在する。第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、Ｙ方向で冷媒流路部７２０の両端間に延在する。第１チャンバ７２１Ａは、Ｘ方向で冷媒流路部７２０の一端側に形成され、第２チャンバ７２１Ｂは、Ｘ方向で冷媒流路部７２０の他端側に形成される。第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、それぞれ、Ｘ方向で外周部７３０に隣接する。第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、外周部７３０の表面、第１フィン対向部７２２Ａ及び第２フィン対向部７２２Ｂの表面よりも低い底面を持つ凹部を形成する。
【００２８】
第１フィン対向部７２２Ａは、ヒートシンク４０の第１フィン形成領域４３Ａに対応して形成される。第１フィン対向部７２２Ａは、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａに対して僅かなクリアランスだけ離間される。第１フィン対向部７２２Ａは、一定の高さの表面により形成されてよい。尚、図２に示す例では、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａの一部は、第１チャンバ７２１Ａにも対向しているが、このような構成は任意である。
【００２９】
第２フィン対向部７２２Ｂは、ヒートシンク４０の第２フィン形成領域４３Ｂに対応して形成される。第２フィン対向部７２２Ｂは、ヒートシンク４０の第２フィン４２Ｂに対して僅かなクリアランスだけ離間される。第２フィン対向部７２２Ｂは、一定の高さの表面により形成されてよい。尚、図２に示す例では、ヒートシンク４０のフィン４２Bの一部は、第２チャンバ７２１Bにも対向しているが、このような構成は任意である。
【００３０】
凸部７２３は、フィン非形成領域４４に対向する態様で形成される。凸部７２３は、ヒートシンク４０に至る前に終端する態様で突出する。即ち、凸部７２３は、ヒートシンク４０に対して接触しないような高さを有する。凸部７２３は、Ｘ方向の冷媒の流れに対してオリフィスとして機能する。凸部７２３の機能については後に詳説する。
【００３１】
図１に示す例では、冷却水（例えば、ＬＬＣ：ロング・ライフ・クーラント）や冷却油のような冷媒は、第２チャンバ７２１ＢにおけるＹ方向の一端側の冷媒入口から導入され（図１の矢印Ｐ１参照）、第２フィン対向部７２２Ｂ、凸部７２３及び第１フィン対向部７２２Ａ上をＸ方向に流れ（図１の矢印Ｐ２参照）、第１チャンバ７２１ＡにおけるＹ方向の他端側の冷媒出口から排出される（図１の矢印Ｐ３参照）。尚、冷媒は、第２フィン対向部７２２Ｂ及び第１フィン対向部７２２Ａ上をＸ方向に流れる際、第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂと接触する。このようにして、半導体装置１の駆動時に生じる半導体チップ１０Ａ，１０Ｂからの熱は、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂ、絶縁層３０を介して、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂから冷媒へと伝達され、半導体装置１の冷却が実現される。
【００３２】
尚、図１では、冷媒流路部７２０における冷媒の流れは、全体の概略的流れとして、矢印Ｐ２のようＸ方向に平行に示している。しかしながら、冷媒流路部７２０における冷媒は、ヒートシンク４０のフィン（第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂ）の間や、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂとケース７０との隙間を通りながら（図３を参照して後述）、多様な方向で流れる。また、冷媒流路部７２０における冷媒の流れは、全体として斜め方向（例えば、冷媒入口から冷媒出口に向かう斜め方向）となる場合もある。
【００３３】
図３は、冷媒流路部７２０における冷媒の流れを側面視で模式的に示す図であり、（Ａ）は、本実施例の場合を示し、（Ｂ）は、比較例の場合の冷媒流路部７２０'における冷媒の流れを示す。尚、図３においては、第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂの部分については図示されておらず、図の左側（Ｘ方向の左側）が第２チャンバ７２１Ｂが位置するものとする。図３において、矢印の太さは、太い方が流量が多いことを意味する態様で、流量を模式的に表す。比較例は、冷媒流路部７２０'において凸部７２３が存在しない点が本実施例と異なるだけである。
【００３４】
一般的に、冷媒は、抵抗の少ないところを流れようとするので、図３に示すように、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂとケース７０との隙間（上下方向の隙間）を通る流量（流れに直交する面における単位流路面積当たりの流量）は比較的大きくなる。これは、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂとケース７０との隙間には、第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂが存在しないため、抵抗が小さいためである。尚、この隙間は、製造上のクリアランス確保のために生じる隙間であってよい。
【００３５】
従って、比較例の場合のように、Ｘ方向で第２フィン対向部７２２Ｂと第１フィン対向部７２２Ａの間に凸部７２３が存在しないと、図３（Ｂ）に模式的に矢印で示すように、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａとケース７０との隙間を通る流量が大きくなると共に、第１フィン４２Ａ間を通る流量は小さくなる。即ち、後流側になるにつれて、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａとケース７０との隙間を通る流量が大きくなると共に、第１フィン４２Ａ間を通る流量は小さくなる。ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａとケース７０との隙間を通る冷媒は、第１フィン４２Ａ間を通る冷媒よりもヒートシンク４０の冷却に寄与しない。このため、比較例の場合は、後流側（第１フィン対向部７２２Ａ）において冷却性能が低下してしまうという問題がある。
【００３６】
これに対して、本実施例によれば、Ｘ方向で第２フィン対向部７２２Ｂと第１フィン対向部７２２Ａの間に凸部７２３が設けられるので、図３（Ａ）に模式的に矢印で示すように、冷媒は、凸部７２３にて上方へと流れ方向が規制される。これにより、ヒートシンク４０の第１フィン４２Ａとケース７０との隙間を通る流量を低減し、第１フィン４２Ａ間を通る流量を増加させることができる。また、ヒートシンク４０の第２フィン４２Ｂとケース７０との隙間を通ってきた冷媒は、第２フィン４２Ｂ間を通ってきた冷媒よりも低温（冷却への寄与度が低いため）であるため、かかる比較的低温の冷媒を、第１フィン４２Ａ間を通るように流すことにより、冷却性能を効率的に高めることができる。
【００３７】
尚、本実施例において、凸部７２３の高さは、好ましくは、かかる冷媒の上方への流れを効果的に実現すべく、ヒートシンク４０の第２フィン４２Ｂとケース７０との隙間（上下方向の隙間）よりも大きくなるように設定される。また、凸部７２３の幅（Ｘ方向の幅）は、Ｘ方向で凸部７２３と第２フィン４２Ｂ（又は第１フィン４２Ａ）との間の隙間が最小になるように設定されてもよい。尚、これらの寸法関係は、流れに対する抵抗に関連するので、第２フィン４２Ｂ及び第１フィン４２Ａが均一に冷却されるように最適化されてよい。
【００３８】
また、比較例の場合、Ｘ方向で第２フィン対向部７２２Ｂと第１フィン対向部７２２Ａの間に凸部７２３が存在しないので、第１フィン４２Ａ及び第２フィン４２Ｂを均一に冷却することが困難となる。例えば、冷媒は、冷媒入口から冷媒出口へと直線的（最短距離）に流れやすいため、第１フィン形成領域４３ＡにおけるＹ方向の冷媒出口と反対側の領域部分に存在する第１フィン４２Ａは、第１フィン形成領域４３ＡにおけるＹ方向の冷媒出口付近に存在する第１フィン４２Ａよりも冷却され難くなる。
【００３９】
これに対して、本実施例によれば、凸部７２３は、Ｙ方向に延在するため、冷媒が第２フィン４２Ｂ間及び第１フィン４２Ａ間をより均一に流れるように冷媒の流れを規制することができる（即ちオリフィス機能）。即ち、本実施例によれば、凸部７２３がＸ方向の流れに対して抵抗となり、冷媒入口から冷媒出口へと直線的に流れる冷媒の流量を低減し、より均一に冷媒を流すことができる。これにより、同様のオリフィス機能を果たす第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂを簡素化（ひいては半導体装置１を小型化）することも可能となる。
【００４０】
この点、本実施例において、凸部７２３の高さは、Ｙ方向で可変されてもよい。即ち、凸部７２３は、Ｙ方向の異なる位置で異なる高さであってもよい。これは、凸部７２３の幅等の他の構成についても同様である。同様に、Ｙ方向における凸部７２３の高さの変化パターンは、第２フィン４２Ｂ及び第１フィン４２Ａが均一に冷却されるように最適化されてよい。尚、かかる最適化は、解析や試験等により実現されてもよい。
【００４１】
以上、各実施例について詳述したが、特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。また、前述した実施例の構成要素を全部又は複数を組み合わせることも可能である。
【００４２】
例えば、上述した実施例では、凸部７２３の断面は、矩形であったが、断面形状は任意である。例えば、凸部７２３の上面と側面との間には角アールが付けられてもよい。
【００４３】
また、上述した実施例では、冷媒として流体が使用されているが、冷媒として空気（即ち空冷式）が用いられてもよい。
【００４４】
また、上述した実施例では、冷媒流路部７２０を形成するケース７０は、駆動ユニットのケースを兼ねているが、他のケース（例えば、インバータケース）であってもよいし、ケースとしての機能を有さない部材であってもよい。
【００４５】
また、上述した実施例において、冷媒流路部７２０の構成は多様に変形可能である。例えば、第１チャンバ７２１Ａの冷媒出口及び／又は第２チャンバ７２１Ｂの冷媒入口は逆側に形成されてもよい。また、第２チャンバ７２１Ｂ及び第１チャンバ７２１Ａでは、冷媒がＹ方向に導入及び排出されているが、Ｘ方向に導入及び排出される構成であってもよい。
【００４６】
また、図示の例では、２つのヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂを備える構成を説明したが、半導体装置１に含まれるヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂの数は任意である。例えば、半導体装置１に含まれるヒートスプレッダの数は、６であってもよい。この場合、６つのヒートスプレッダ上の各半導体チップは、モータ駆動用のインバータのＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各上アーム及び各下アームを構成するものであってよい。
【００４７】
また、上述の実施例では、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂが接合される基板は、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂであったが、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、他の任意の基板に配置されてもよい。例えば、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂが接合される基板は、セラミック基板の両面にアルミ板を備えたＤＢＡ（Direct Brazed Aluminum）基板や、セラミック基板の両面に銅板を備えたＤＢＣ（Direct Brazed Copper）基板であってもよい。
【００４８】
また、上述の実施例では、半導体装置１は、車両用のインバータに適用されるものであったが、半導体装置１は、他の用途（鉄道、エアコン、エレベータ、冷蔵庫等）で使用されるインバータに使用されてもよい。更に、半導体装置１は、インバータ以外の装置、例えば、コンバータや、無線通信機の送信部の電力増幅回路に使用される高周波パワーモジュールに使用されてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１    半導体装置
１０Ａ，１０Ｂ    半導体チップ
２０Ａ，２０Ｂ    ヒートスプレッダ
３０    絶縁層
４０    ヒートシンク
４２Ａ    第１フィン
４２Ｂ    第２フィン
５０    シール部材
７０    ケース
７２０    冷媒流路部
７２１Ａ    第１チャンバ
７２１Ｂ    第２チャンバ
７２２Ａ    第１フィン対向部
７２２Ｂ    第２フィン対向部
７２３    凸部
７３０    外周部
８０    バスバーモジュール
９０    制御基板
【図１】
2015065309.tif 000003
【図２】
2015065309.tif 000004
【図３】
2015065309.tif 000005