(57)【要約】      （修正有）【課題】低電圧で駆動し、高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子、並びにこの有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供する。【解決手段】陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に配置された、少なくとも発光層を含む１層以上の有機層と、を有し、発光層が、一般式（１）で表される第１の化合物と、一般式（２）で表される第２の化合物と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。2015065324.tif 0001822015065324.tif 000183【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に配置された、少なくとも発光層を含む１層以上の有機層と、
を有し、
前記発光層が、下記一般式（１）で表される第１の化合物と、下記一般式（２）で表される第２の化合物と、を含む
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2015065324.tif 000169
｛［前記一般式（１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１１０のいずれかｃ個はＬ１との結合に用いられる単結合である。ただし、Ｒ１０９およびＲ１１０の少なくとも１つは、Ｌ１との結合に用いられる単結合である。
Ｌ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ１００）３で表されるシリル基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８のうち隣り合う基が互いに結合して環を形成する場合と、環を形成しない場合とがある。
Ｒ１００は、それぞれ独立に
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。
Ｌ１は単結合または連結基であり、
Ｌ１における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ａ、ｂ、ｃはそれぞれ１〜４の整数を示す。
Ｚ１は下記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表される。］
【化２】
2015065324.tif 000170
［前記一般式（１ａ）および（１ｂ）において、
Ｘ１１は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ１００）２である。
Ｒ１００は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１００と同義である。
Ｒ１１１〜Ｒ１２４は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＬ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０と同義である。
Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１２とＲ１１３、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１５とＲ１１６、Ｒ１１６とＲ１１７、並びにＲ１１７とＲ１１８のうち１組以上が下記一般式（１１ａ）で表される構造と結合する結合手、または（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である場合がある。
また、Ｒ１１９とＲ１２０、Ｒ１２０とＲ１２１、Ｒ１２１とＲ１２２のうち１組が下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である場合がある。］
【化３】
2015065324.tif 000171
［前記一般式（１１ａ）および（１１ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（１ａ）のＲ１１１とＲ１１２、Ｒ１１２とＲ１１３、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１５とＲ１１６、Ｒ１１６とＲ１１７、並びにＲ１１７とＲ１１８のうち１組の結合手への結合位置、および、前記一般式（１ｂ）のＲ１１９とＲ１２０、Ｒ１２０とＲ１２１、並びにＲ１２１とＲ１２２のうち１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｘ１２は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ１００）２である。
Ｒ１００は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１００と同義である。
Ｒ１３１〜Ｒ１３８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＬ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０と同義である。］
前記一般式（１ａ）において前記一般式（１１ａ）または（１１ｂ）と結合しないＲ１１１〜Ｒ１１８およびＲ１３１〜Ｒ１３８のいずれか１つ、
前記一般式（１ｂ）において前記一般式（１１ｂ）と結合しないＲ１１９〜Ｒ１２２およびＲ１３５〜Ｒ１３８のいずれか１つは、前記一般式（１）のＬ１との結合に用いられる単結合である。｝
【化４】
2015065324.tif 000172
{［前記一般式（２）において、
Ａｒ２１およびＡｒ２２は、それぞれ独立に、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。ただし、Ａｒ２１とＡｒ２２とが互いに結合して、環を形成する場合と環を形成しない場合とがある。
Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ２０〜Ｌ２２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ２が２以上の場合、複数のＡｒ２１、Ａｒ２２、Ｌ２０〜Ｌ２２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ａは、下記一般式（２ａ）で表される。］
【化５】
2015065324.tif 000173
［前記一般式（２ａ）において、
Ｒ２３１〜Ｒ２３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４１）３で表されるシリル基である。
Ｒ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のうち１組が下記一般式（２ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ２３９及びＲ２４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４２）３で表されるシリル基である。
Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。］
【化６】
2015065324.tif 000174
［前記一般式（２ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（２ａ）のＲ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のいずれか１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。］
なお、前記一般式（２ａ）のＲ２３１〜Ｒ２３８および前記一般式（２ｂ）のＲ２５１〜Ｒ２５４のうちｎ２個は、前記一般式（２）のＬ２０に結合する結合手である。}
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｚ１が、前記一般式（１ａ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｚ１が、下記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）のいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化７】
2015065324.tif 000175
［前記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）において、Ｘ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８は、それぞれ前記一般式（１ａ）におけるＸ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８と同義である。
Ｒ１３５〜Ｒ１３８は、それぞれ前記一般式（１１ｂ）におけるＲ１３５〜Ｒ１３８と同義である。］
【請求項４】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｚ１が、下記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）のいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８】
2015065324.tif 000176
［前記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）において、Ｘ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８は、それぞれ前記一般式（１ａ）におけるＸ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８と同義である。
Ｘ１２およびＲ１３１〜Ｒ１３４は、それぞれ前記一般式（１１ａ）におけるＸ１２およびＲ１３１〜Ｒ１３４と同義である。］
【請求項５】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｚ１が、前記一般式（１ｂ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｚ１が、下記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）のいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化９】
2015065324.tif 000177
［前記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）において、Ｘ１１およびＲ１１９〜Ｒ１２４は、それぞれ前記一般式（１ｂ）におけるＸ１１およびＲ１１９〜Ｒ１２４と同義である。
Ｒ１３５〜Ｒ１３８は、それぞれ前記一般式（１１ｂ）におけるＲ１３５〜Ｒ１３８と同義である。］
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１）のｂが１又は２であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１）のａが１又は２であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１）のＲ１０９またはＲ１１０がＬ１との結合に用いられる単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１）のＲ１０９が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１ａ）が、前記一般式（１１ａ）で表される構造および（１１ｂ）で表される構造のいずれとも結合せず、
Ｒ１１５またはＲ１１７が、Ｌ１との結合に用いられる単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
請求項３または請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ１１５〜Ｒ１１８のいずれか１つがＬ１との結合に用いられる単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ１１６がＬ１との結合に用いられる単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１ｂ）が前記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合せず、
Ｒ１２１またはＲ１２３がＬ１との結合に用いられる単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１）のＬ１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１）のＬ１は、単結合又はフェニレン基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２ａ）は、下記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）のいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１０】
2015065324.tif 000178
［前記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）において、Ｒ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０は、それぞれ前記一般式（２ａ）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０と同義である。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２ｂ）におけるＲ２５１〜Ｒ２５４と同義である。］
【請求項１８】
請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２ａ）は、前記一般式（２ａ−３）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ２３３およびＲ２３６が、前記一般式（２）のＬ２０と結合する結合手であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
請求項１から請求項１９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２）は、下記一般式（２１）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１１】
2015065324.tif 000179
［前記一般式（２１）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【請求項２１】
請求項１から請求項２０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２）は、下記一般式（２２）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１２】
2015065324.tif 000180
［前記一般式（２２）において、Ａ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２２１〜Ｒ２２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【請求項２２】
請求項１から請求項２０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２）は、下記一般式（２３）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１３】
2015065324.tif 000181
［前記一般式（２３）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【請求項２３】
請求項２０から請求項２２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ２１１〜Ｒ２１５が水素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、又はトリメチルシリル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２４】
請求項１から請求項２３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、Ｌ２０〜Ｌ２２は、いずれも単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２５】
請求項１から請求項２４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、ｎ２は、１または２であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２６】
請求項１から請求項２５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層は、電子輸送層を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２７】
請求項１から請求項２６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層は、正孔輸送層を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２８】
請求項１から請求項２７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記する場合がある。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層および該発光層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
【０００３】
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率化が要求されている。
【０００４】
例えば、特許文献１や特許文献２には、ドーパント材料としてのジアリールアミノ基で置換されたベンゾフルオレン化合物、及びホスト材料としてのアントラセン誘導体を含有する発光層を備えた有機電界発光素子が記載されている。特許文献１によれば、このような有機電界発光素子によって、電流効率や素子寿命に関して十分な性能を得ようと試みている。また、特許文献２によれば、このような有機電界発光素子によって、従来の駆動電圧を維持しながら、高い色純度で青色発光させることを試みている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２９１００６号公報
【特許文献２】特開２０１１−２２５５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機ＥＬ素子を照明装置や表示装置等の電子機器に採用するためには、さらなる発光効率の向上および駆動電圧の低下が求められる。
【０００７】
本発明の目的は、低電圧で駆動し、高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子、並びにこの有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された、少なくとも発光層を含む１層以上の有機層と、を有し、前記発光層が、下記一般式（１）で表される第１の化合物と、下記一般式（２）で表される第２の化合物と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
【化１】
2015065324.tif 000002
【００１０】
｛［前記一般式（１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１１０のいずれかｃ個はＬ１との結合に用いられる単結合である。ただし、Ｒ１０９およびＲ１１０の少なくとも１つは、Ｌ１との結合に用いられる単結合である。
Ｌ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
−Ｓｉ（Ｒ１００）３で表されるシリル基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８のうち隣り合う基が互いに結合して環を形成する場合と、環を形成しない場合とがある。
Ｒ１００は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。
Ｌ１は単結合または連結基であり、
Ｌ１における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ａ、ｂ、ｃはそれぞれ１〜４の整数を示す。
Ｚ１は下記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表される。］
【００１１】
【化２】
2015065324.tif 000003
【００１２】
［前記一般式（１ａ）および（１ｂ）において、
Ｘ１１は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ１００）２である。
Ｒ１００は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１００と同義である。
Ｒ１１１〜Ｒ１２４は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＬ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０と同義である。
Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１２とＲ１１３、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１５とＲ１１６、Ｒ１１６とＲ１１７、並びにＲ１１７とＲ１１８のうち１組以上が下記一般式（１１ａ）で表される構造と結合する結合手、または（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である場合がある。
また、Ｒ１１９とＲ１２０、Ｒ１２０とＲ１２１、Ｒ１２１とＲ１２２のうち１組が下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である場合がある。］
【００１３】
【化３】
2015065324.tif 000004
【００１４】
［前記一般式（１１ａ）および（１１ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（１ａ）のＲ１１１とＲ１１２、Ｒ１１２とＲ１１３、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１５とＲ１１６、Ｒ１１６とＲ１１７、並びにＲ１１７とＲ１１８のうち１組の結合手への結合位置、および、前記一般式（１ｂ）のＲ１１９とＲ１２０、Ｒ１２０とＲ１２１、並びにＲ１２１とＲ１２２のうち１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｘ１２は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ１００）２である。
Ｒ１００は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１００と同義である。
Ｒ１３１〜Ｒ１３８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＬ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０と同義である。］
前記一般式（１ａ）において前記一般式（１１ａ）または（１１ｂ）と結合しないＲ１１１〜Ｒ１１８およびＲ１３１〜Ｒ１３８のいずれか１つ、前記一般式（１ｂ）において前記一般式（１１ｂ）と結合しないＲ１１９〜Ｒ１２２およびＲ１３５〜Ｒ１３８のいずれか１つは、前記一般式（１）のＬ１との結合に用いられる単結合である。｝
【００１５】
【化４】
2015065324.tif 000005
【００１６】
{［前記一般式（２）において、
Ａｒ２１およびＡｒ２２は、それぞれ独立に、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。ただし、Ａｒ２１とＡｒ２２とが互いに結合して、環を形成する場合と環を形成しない場合とがある。
Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ２０〜Ｌ２２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ２が２以上の場合、複数のＡｒ２１、Ａｒ２２、Ｌ２０〜Ｌ２２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ａは、下記一般式（２ａ）で表される。］
【００１７】
【化５】
2015065324.tif 000006
【００１８】
［前記一般式（２ａ）において、
Ｒ２３１〜Ｒ２３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４１）３で表されるシリル基である。
Ｒ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のうち１組が下記一般式（２ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ２３９及びＲ２４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４２）３で表されるシリル基である。
Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。］
【００１９】
【化６】
2015065324.tif 000007
【００２０】
［前記一般式（２ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（２ａ）のＲ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のいずれか１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。］
なお、前記一般式（２ａ）のＲ２３１〜Ｒ２３８および前記一般式（２ｂ）のＲ２５１〜Ｒ２５４のうちｎ２個は、前記一般式（２）のＬ２０に結合する結合手である。}
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、低電圧で駆動し、高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子、並びにこの有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態の変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［有機ＥＬ素子］
本発明の第一実施形態における有機ＥＬ素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に配置された有機層とを有する。有機層は、一層又は複数層で構成される。
また、本発明の有機ＥＬ素子において、有機層のうち少なくとも１層は、発光層である。そのため、有機層は、例えば、一層の発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の公知の有機ＥＬ素子で採用される層を有していてもよい。有機層は、無機化合物を含んでいてもよい。
【００２４】
有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、例えば、次の（ａ）〜（ｅ）などの構成を挙げることができる。
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／障壁層／電子注入・輸送層／陰極
上記の中で（ｄ）の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
なお、上記「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
上記「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、陽極側に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、陰極側に電子注入層が設けられていることが好ましい。
発光層と陰極との間に存在する電子輸送領域の有機層については、いずれの層も電子輸送性を示すが、一般的に、障壁層は励起エネルギーの拡散を防ぐ役割を果たし、電子注入層は電子注入障壁を低減するという役割を果たす。
【００２５】
上記発光層は、複数の発光層を積層した積層体とすることで、発光層界面に電子と正孔を蓄積させて、再結合領域を発光層界面に集中させて、量子効率を向上させることができる。
発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔と電子の移動度で表される正孔輸送能と電子輸送能が異なっていてもよい。
【００２６】
図１に、本発明の実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機薄膜層１０と、を有する。
そして、有機薄膜層１０は、陽極３側から順に、正孔注入・輸送層６、発光層５、および電子注入・輸送層７が積層されて構成される。
【００２７】
（発光層）
・ホスト材料
本実施形態においては下記一般式（１）で表される第１の化合物をホスト材料に用いることが好ましい。
【００２８】
【化７】
2015065324.tif 000008
【００２９】
｛［前記一般式（１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１１０のいずれかｃ個はＬ１との結合に用いられる単結合である。ただし、Ｒ１０９およびＲ１１０の少なくとも１つは、Ｌ１との結合に用いられる単結合である。
Ｌ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ１００）３で表されるシリル基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８のうち隣り合う基が互いに結合して環を形成する場合と、環を形成しない場合とがある。
Ｒ１００は、それぞれ独立に
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。
Ｌ１は単結合または連結基であり、
Ｌ１における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ａ、ｂ、ｃはそれぞれ１〜４の整数を示す。
Ｚ１は下記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表される。］
【００３０】
【化８】
2015065324.tif 000009
【００３１】
［前記一般式（１ａ）および（１ｂ）において、
Ｘ１１は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ１００）２である。
Ｒ１００は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１００と同義である。
Ｒ１１１〜Ｒ１２４は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＬ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０と同義である。
Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１２とＲ１１３、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１５とＲ１１６、Ｒ１１６とＲ１１７、並びにＲ１１７とＲ１１８のうち１組以上が下記一般式（１１ａ）で表される構造と結合する結合手、または（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である場合がある。
また、Ｒ１１９とＲ１２０、Ｒ１２０とＲ１２１、Ｒ１２１とＲ１２２のうち１組が下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である場合がある。］
【００３２】
【化９】
2015065324.tif 000010
［前記一般式（１１ａ）および（１１ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（１ａ）のＲ１１１とＲ１１２、Ｒ１１２とＲ１１３、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１５とＲ１１６、Ｒ１１６とＲ１１７、並びにＲ１１７とＲ１１８のうち１組の結合手への結合位置、および、前記一般式（１ｂ）のＲ１１９とＲ１２０、Ｒ１２０とＲ１２１、並びにＲ１２１とＲ１２２のうち１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｘ１２は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ１００）２である。
Ｒ１００は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１００と同義である。
Ｒ１３１〜Ｒ１３８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＬ１との結合に用いられないＲ１０１〜Ｒ１１０と同義である。］
前記一般式（１ａ）において前記一般式（１１ａ）または（１１ｂ）と結合しないＲ１１１〜Ｒ１１８およびＲ１３１〜Ｒ１３８のいずれか１つ、前記一般式（１ｂ）において前記一般式（１１ｂ）と結合しないＲ１１９〜Ｒ１２２およびＲ１３５〜Ｒ１３８のいずれか１つは、前記一般式（１）のＬ１との結合に用いられる単結合である。｝
【００３３】
前記一般式（１）において、Ｚ１が、前記一般式（１ａ）で表されることが好ましい。
さらに、前記一般式（１）において、Ｚ１が、下記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）のいずれかで表されることが好ましい。
【００３４】
【化１０】
2015065324.tif 000011
【００３５】
［前記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）において、Ｘ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８は、それぞれ前記一般式（１ａ）におけるＸ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８と同義である。
Ｒ１３５〜Ｒ１３８は、それぞれ前記一般式（１１ｂ）におけるＲ１３５〜Ｒ１３８と同義である。］
【００３６】
Ｚ１が、下記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）のいずれかで表されても好ましい。
【００３７】
【化１１】
2015065324.tif 000012
【００３８】
［前記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）において、Ｘ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８は、それぞれ前記一般式（１ａ）におけるＸ１１およびＲ１１１〜Ｒ１１８と同義である。
Ｘ１２およびＲ１３１〜Ｒ１３４は、それぞれ前記一般式（１１ａ）におけるＸ１２およびＲ１３１〜Ｒ１３４と同義である。］
【００３９】
また、前記一般式（１）において、Ｚ１が、前記一般式（１ｂ）で表されても好ましい。
さらに、Ｚ１が、下記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）のいずれかで表されることが好ましい。
【００４０】
【化１２】
2015065324.tif 000013
【００４１】
［前記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）において、Ｘ１１およびＲ１１９〜Ｒ１２４は、それぞれ前記一般式（１ｂ）におけるＸ１１およびＲ１１９〜Ｒ１２４と同義である。
Ｒ１３５〜Ｒ１３８は、それぞれ前記一般式（１１ｂ）におけるＲ１３５〜Ｒ１３８と同義である。］
【００４２】
前記一般式（１）のｂが１又は２であることが好ましい。
また、前記一般式（１）のａが１又は２であることが好ましい。
より好ましくは、前記一般式（１）において、ａが１かつｂが１である。
また、前記一般式（１）のｃが１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。特に好ましくは、ａ，ｂ，ｃともに１である。
【００４３】
前記一般式（１）のＲ１０９またはＲ１１０がＬ１との結合に用いられる単結合であることが好ましい。
さらに、前記一般式（１）のＲ１０９が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましい。
さらに、前記一般式（１）のＲ１０９は、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。前記一般式（１）のＲ１０９が、特に、縮合芳香族炭化水素基を含む場合、当該縮合芳香族炭化水素基は２環または３環の縮合芳香族炭化水素基であることが好ましい。Ｒ１０９は、置換または無置換の環形成炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。
また、Ｒ１０９は、下記一般式（１０９）で表されることが好ましい。
【００４４】
【化１３】
2015065324.tif 000014
【００４５】
［前記一般式（１０９）において、Ａ１０９ａおよびＡ１０９ｂは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。］
【００４６】
前記一般式（１０９）は、下記一般式（１０９ａ）で表されることが好ましい
【００４７】
【化１４】
2015065324.tif 000015
【００４８】
［前記一般式（１０９）において、Ａ１０９ａは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。］
【００４９】
前記一般式（１０９）おけるＡｒ１０９ａおよびＡｒ１０９ｂ、ならびに前記一般式（１０９ａ）におけるＡｒ１０９ａは、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましく、置換または無置換の環形成炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。
【００５０】
前記一般式（１）のＲ１０９がこれらの基から選ばれる基である場合、前記一般式（１）のＲ１１０がＬ１との結合に用いられる単結合であることがより好ましい。
【００５１】
前記一般式（１ａ）が、前記一般式（１１ａ）で表される構造および（１１ｂ）で表される構造のいずれとも結合せず、Ｒ１１５またはＲ１１７が、Ｌ１との結合に用いられる単結合であることが好ましい。
また、前記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）および（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）において、Ｒ１１５〜Ｒ１１８のいずれか１つがＬ１との結合に用いられる単結合であることが好ましい。中でも、Ｒ１１６がＬ１との結合に用いられる単結合であることが好ましい。  
【００５２】
前記一般式（１ｂ）が前記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合せず、Ｒ１２１またはＲ１２３のいずれか１つがＬ１との結合に用いられる単結合であることが好ましい。
Ｒ１２１がＬ１との結合に用いられる単結合である場合、Ｒ１２３およびＲ１２４は、フェニル基であることが好ましい。
【００５３】
前記一般式（１）のＬ１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましく、単結合、又はフェニレン基であることがより好ましい。
【００５４】
本明細書において、環形成炭素数とは、原子または分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の内の炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。
環形成原子数とは、原子または分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の未結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。
【００５５】
次に、前記一般式（１），（１ａ），（１ｂ），（１１ａ），（１１ｂ），（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ），（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）および（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）に記載の各置換基について説明する。
【００５６】
本実施形態における環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、ペリレニル基などが挙げられる。
本実施形態における芳香族炭化水素基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であることが更に好ましい。上記アリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本実施形態における置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基が置換されていることが好ましい。
【００５７】
本実施形態における環形成原子数５〜３０の複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基などが挙げられる。
本実施形態における複素環基の環形成原子数は５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が特に好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本実施形態における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。
【００５８】
本実施形態における炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、が挙げられる。
本実施形態における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、ネオペンチル基が特に好ましい。
本実施形態におけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が特に好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。
【００５９】
本実施形態における炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＺ１と表される。このＺ１の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基があげられる。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルコキシ基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。
【００６０】
本実施形態における環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺ２と表される。このＺ２の例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または後述する単環基および縮合環基が挙げられる。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。
【００６１】
本実施形態における炭素数２〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＲＶ、または−Ｎ（ＲＶ）２と表される。このＲＶの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。
【００６２】
本実施形態における環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基は、−ＮＨＲＷ、または−Ｎ（ＲＷ）２と表される。このＲＷの例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
【００６３】
本実施形態における炭素数１〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＲＶと表される。このＲＶの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。
環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基は、−ＳＲＷと表される。このＲＷの例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
【００６４】
本実施形態におけるハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００６５】
本実施形態において、芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基の例としては、前記芳香族炭化水素基および前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる２価の基が挙げられる。芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基としては、複素環基−芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基−複素環基、芳香族炭化水素基−複素環基−芳香族炭化水素基、複素環基−芳香族炭化水素基−複素環基、芳香族炭化水素基−複素環基−芳香族炭化水素基−複素環基、複素環基−芳香族炭化水素基−複素環基−芳香族炭化水素基等が挙げられる。好ましくは、前記芳香族炭化水素基と前記複素環基が１つずつ結合してなる２価の基、つまり複素環基−芳香族炭化水素基、及び芳香族炭化水素基−複素環基である。なお、これらの多重連結基における芳香族炭化水素基および複素環基の具体例としては、上記芳香族炭化水素基および上記複素環基で説明した基が挙げられる。
【００６６】
本発明において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。
また、本発明において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
【００６７】
また、本発明において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のような芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基）、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、およびカルボキシ基が挙げられる。その他、アルケニル基やアルキニル基も挙げられる。
ここで挙げた置換基の中では、芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
なお、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
以下に説明する化合物またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。
【００６８】
以下に一般式（１）で表される第１の化合物の具体例を示すが、本発明は、これらの例示化合物に限定されるものではない。
【００６９】
【化１５】
2015065324.tif 000016
【００７０】
【化１６】
2015065324.tif 000017
【００７１】
【化１７】
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【００７２】
【化１８】
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【００７３】
【化１９】
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【００７４】
【化２０】
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【００７５】
【化２１】
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【００７６】
【化２２】
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【００７７】
【化２３】
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【００７８】
【化２４】
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【００７９】
【化２５】
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【００８０】
【化２６】
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【００８１】
【化２７】
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【００８２】
【化２８】
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【００８３】
【化２９】
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【００８４】
【化３０】
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【００８５】
【化３１】
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【００８６】
【化３２】
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【００８７】
【化３３】
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【００８８】
【化３４】
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【００８９】
【化３５】
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【００９０】
【化３６】
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【００９１】
【化３７】
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【００９２】
【化３８】
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【００９３】
【化３９】
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【００９４】
【化４０】
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【００９５】
【化４１】
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【００９６】
【化４２】
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【００９７】
【化４３】
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【００９８】
【化４４】
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【００９９】
【化４５】
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【０１００】
【化４６】
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【０１０１】
【化４７】
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【０１０２】
【化４８】
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【０１０３】
【化４９】
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【０１０４】
【化５０】
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【０１０５】
【化５１】
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【０１０６】
【化５２】
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【０１０７】
【化５３】
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【０１０８】
【化５４】
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【０１０９】
【化５５】
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【０１１０】
【化５６】
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【０１１１】
【化５７】
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【０１１２】
【化５８】
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【０１１３】
【化５９】
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【０１１４】
【化６０】
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【０１１５】
【化６１】
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【０１１６】
【化６２】
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【０１１７】
【化６３】
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【０１１８】
【化６４】
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【０１１９】
【化６５】
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【０１２０】
【化６６】
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【０１２１】
【化６７】
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【０１２２】
【化６８】
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【０１２３】
【化６９】
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【０１２４】
【化７０】
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【０１２５】
【化７１】
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【０１２６】
【化７２】
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【０１２７】
【化７３】
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【０１２８】
【化７４】
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【０１２９】
【化７５】
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【０１３０】
【化７６】
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【０１３１】
【化７７】
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【０１３２】
【化７８】
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【０１３３】
【化７９】
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【０１３４】
【化８０】
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【０１３５】
【化８１】
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【０１３６】
【化８２】
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【０１３７】
【化８３】
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【０１３８】
【化８４】
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【０１３９】
【化８５】
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【０１４０】
【化８６】
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【０１４１】
【化８７】
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【０１４２】
【化８８】
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【０１４３】
【化８９】
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【０１４４】
【化９０】
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【０１４５】
【化９１】
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【０１４６】
【化９２】
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【０１４７】
【化９３】
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【０１４８】
【化９４】
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【０１４９】
【化９５】
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【０１５０】
【化９６】
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【０１５１】
【化９７】
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【０１５２】
【化９８】
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【０１５３】
【化９９】
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【０１５４】
【化１００】
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【０１５５】
【化１０１】
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【０１５６】
【化１０２】
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【０１５７】
【化１０３】
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【０１５８】
【化１０４】
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【０１５９】
【化１０５】
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【０１６０】
【化１０６】
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【０１６１】
【化１０７】
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【０１６２】
【化１０８】
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【０１６３】
【化１０９】
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【０１６４】
【化１１０】
2015065324.tif 000111
【０１６５】
【化１１１】
2015065324.tif 000112
【０１６６】
【化１１２】
2015065324.tif 000113
【０１６７】
【化１１３】
2015065324.tif 000114
【０１６８】
【化１１４】
2015065324.tif 000115
【０１６９】
【化１１５】
2015065324.tif 000116
【０１７０】
【化１１６】
2015065324.tif 000117
【０１７１】
【化１１７】
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【０１７２】
【化１１８】
2015065324.tif 000119
【０１７３】
【化１１９】
2015065324.tif 000120
【０１７４】
【化１２０】
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【０１７５】
【化１２１】
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【０１７６】
【化１２２】
2015065324.tif 000123
【０１７７】
【化１２３】
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【０１７８】
【化１２４】
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【０１７９】
【化１２５】
2015065324.tif 000126
【０１８０】
【化１２６】
2015065324.tif 000127
【０１８１】
【化１２７】
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【０１８２】
【化１２８】
2015065324.tif 000129
【０１８３】
【化１２９】
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【０１８４】
【化１３０】
2015065324.tif 000131
【０１８５】
【化１３１】
2015065324.tif 000132
【０１８６】
【化１３２】
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【０１８７】
【化１３３】
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【０１８８】
【化１３４】
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【０１８９】
【化１３５】
2015065324.tif 000136
【０１９０】
【化１３６】
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【０１９１】
【化１３７】
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【０１９２】
【化１３８】
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【０１９３】
【化１３９】
2015065324.tif 000140
【０１９４】
【化１４０】
2015065324.tif 000141
【０１９５】
【化１４１】
2015065324.tif 000142
【０１９６】
【化１４２】
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【０１９７】
【化１４３】
2015065324.tif 000144
【０１９８】
・ドーパント材料
本実施形態においては、下記一般式（２）で表される第２の化合物をドーパント材料として用いることが好ましい。
【０１９９】
【化１４４】
2015065324.tif 000145
【０２００】
{［前記一般式（２）において、
Ａｒ２１およびＡｒ２２は、それぞれ独立に、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。ただし、Ａｒ２１とＡｒ２２とが互いに結合して、環を形成する場合と環を形成しない場合とがある。
Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ２０〜Ｌ２２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ２が２以上の場合、複数のＡｒ２１、Ａｒ２２、Ｌ２０〜Ｌ２２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ａは、下記一般式（２ａ）で表される。］
【０２０１】
【化１４５】
2015065324.tif 000146
【０２０２】
［前記一般式（２ａ）において、
Ｒ２３１〜Ｒ２３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４１）３で表されるシリル基である。
Ｒ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のうち１組が下記一般式（２ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ２３９及びＲ２４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４２）３で表されるシリル基である。
Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。］
【０２０３】
【化１４６】
2015065324.tif 000147
【０２０４】
［前記一般式（２ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（２ａ）のＲ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のいずれか１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。］
なお、前記一般式（２ａ）のＲ２３１〜Ｒ２３８および前記一般式（２ｂ）のＲ２５１〜Ｒ２５４のうちｎ２個は、前記一般式（２）のＬ２０に結合する結合手である。}
【０２０５】
前記一般式（２ａ）は、下記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）のいずれかで表されることが好ましい。中でも、前記一般式（２ａ）は、下記一般式（２ａ−３）で表されることがより好ましい。
【０２０６】
【化１４７】
2015065324.tif 000148
【０２０７】
［前記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）において、Ｒ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０は、それぞれ前記一般式（２ａ）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０と同義である。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ前記一般式（２ｂ）におけるＲ２５１〜Ｒ２５４と同義である。］
【０２０８】
前記一般式（２ａ−３）において、Ｒ２３３およびＲ２３６が、前記一般式（２）のＬ２０と結合する結合手であることが好ましい。
【０２０９】
前記一般式（２）は、下記一般式（２１）で表されることが好ましい。
【０２１０】
【化１４８】
2015065324.tif 000149
【０２１１】
［前記一般式（２１）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【０２１２】
前記一般式（２）は、下記一般式（２２）で表されることがより好ましい。
【０２１３】
【化１４９】
2015065324.tif 000150
【０２１４】
［前記一般式（２２）において、Ａ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２２１〜Ｒ２２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【０２１５】
前記一般式（２）は、下記一般式（２３）で表されても好ましい。
【０２１６】
【化１５０】
2015065324.tif 000151
【０２１７】
［前記一般式（２３）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ前記一般式（２１）におけるＲ２１１〜Ｒ２１５と同義である。］
【０２１８】
前記一般式（２），（２１）〜（２３）において、Ｌ２０〜Ｌ２２は、いずれも単結合であることが好ましい。
前記一般式（２），（２１）〜（２３）において、ｎ２は、１または２であることが好ましく、２であることがより好ましい。
前記一般式（２１）〜（２３）において、Ａは、前記一般式（２ａ−３）で表されることが好ましく、Ｒ２３３およびＲ２３６がＬ２０に結合する結合手であることが好ましい。この場合、Ｌ２０が単結合であることがより好ましい。
【０２１９】
本実施形態において、前記一般式（２）で表される第２の化合物は、下記一般式（２７）で表されることが好ましい。
【０２２０】
【化１５１】
2015065324.tif 000152
【０２２１】
前記一般式（２７）においてＡｒ２１，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＡｒ２１，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２と同義であり、２つのＡｒ２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、２つのＡｒ２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、２つのＬ２０，２つのＬ２１，２つのＬ２２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
前記一般式（２７）において、Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２３４，Ｒ２３５，Ｒ２３７，Ｒ２３８は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。
前記一般式（２７）において、Ｒ２３９及びＲ２４０は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２３９及びＲ２４０と同義である。
前記一般式（２７）において、Ｌ２０は、いずれも単結合であることが好ましい。
前記一般式（２７）において、Ｌ２０，Ｌ２１，Ｌ２２は、いずれも単結合であることが好ましい。
【０２２２】
前記一般式（２）は、下記一般式（２４）〜（２６）のいずれかで表されることがより好ましい。
【０２２３】
【化１５２】
2015065324.tif 000153
【０２２４】
［前記一般式（２４）〜（２６）において、Ａｒ２２は、前記一般式（２）におけるＡｒ２２と同義である。Ａｒ２２が複数個ある場合、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２３９，Ｒ２４０は、それぞれ前記一般式（２ｂ）におけるＲ２３９，Ｒ２４０と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５，Ｒ２２１〜Ｒ２２５，およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、前記一般式（２１）におけるＲ２１１〜Ｒ２１５と同義である。］
【０２２５】
前記一般式（２１）〜（２６）において、Ｒ２１１〜Ｒ２２５，およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。Ｒ２１１〜Ｒ２２５，およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、またはトリメチルシリル基であることがより好ましい。
また、前記一般式（２ａ），（２ａ−１）〜（２ａ−９），（２４）〜（２６）において、Ｒ２３９およびＲ２４０は、メチル基またはフェニル基であることが好ましい。
さらに、前記一般式（２１），（２３），（２４）、（２６）において、Ａｒ２２は、置換もしくは無置換のフェニル基、または置換もしくは無置換のナフチレン基であることが好ましい。
前記一般式（２６）において、Ｒ２６１〜Ｒ２６８は、すべて水素原子であるか、Ｒ２６３およびＲ２６６が、メチル基またはフェニル基であることが好ましい。
【０２２６】
前記一般式（２），（２ａ），（２ｂ），（２ａ−１）〜（２ａ−９），および（２１）〜（２７）に記載の各置換基は、前記一般式（１），（１ａ），（１ｂ），（１１ａ），（１１ｂ），（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ），（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）および（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）において説明したものと同様である。
【０２２７】
以下に一般式（２）で表される第２の化合物の具体例を示すが、本発明は、これらの例示化合物に限定されるものではない。
なお、以下の例示化合物において、ＴＭＳは、トリメチルシリル基、ｔ−Ｂｕは、ターシャリーブチル基、Ｍｅはメチル基を表す。
【０２２８】
【化１５３】
2015065324.tif 000154
【０２２９】
【化１５４】
2015065324.tif 000155
【０２３０】
【化１５５】
2015065324.tif 000156
【０２３１】
【化１５６】
2015065324.tif 000157
【０２３２】
【化１５７】
2015065324.tif 000158
【０２３３】
【化１５８】
2015065324.tif 000159
【０２３４】
【化１５９】
2015065324.tif 000160
【０２３５】
【化１６０】
2015065324.tif 000161
【０２３６】
【化１６１】
2015065324.tif 000162
【０２３７】
（基板）
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０２３８】
（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０２３９】
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
【０２４０】
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２４１】
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを用いることができる。
【０２４２】
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０２４３】
（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０２４４】
（有機ＥＬ素子の各層の形成方法）
有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。有機ＥＬ素子に用いる有機層は、有機ＥＬ素子用材料を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【０２４５】
（有機ＥＬ素子の各層の膜厚）
発光層の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上５０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層の膜厚を５ｎｍ以上とすることで、発光層を形成し易くなり、色度を調整し易くなる。発光層の膜厚を５０ｎｍ以下とすることで、駆動電圧の上昇を抑制できる。
その他の各有機層の膜厚は特に制限されないが、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。このような膜厚範囲とすることで、膜厚が薄すぎることに起因するピンホール等の欠陥を防止するとともに、膜厚が厚すぎることに起因する駆動電圧の上昇を抑制し、効率の悪化を防止できる。
【０２４６】
［電子機器］
本実施形態の有機ＥＬ素子は、テレビ、携帯電話、若しくはパーソナルコンピュータ等の表示装置、又は照明、若しくは車両用灯具の発光装置等の電子機器として好適に使用できる。
【０２４７】
［実施形態の変形］
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれるものである。
【０２４８】
発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、複数の発光層は、それぞれ蛍光発光型の発光層であっても、燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。
発光層が複数層積層されている場合としては、例えば図２に示される有機ＥＬ素子１Ａが挙げられる。有機ＥＬ素子１Ａは、有機層１０Ａを有し、この有機層１０Ａは、正孔注入・輸送層６と電子注入・輸送層７との間に、第１発光層５１及び第２発光層５２を、陽極３側からこの順番で有する点で、図１に示された有機ＥＬ素子１と異なる。第１発光層５１及び第２発光層５２の少なくともいずれかが、前記一般式（１）で表される第１の化合物および前記一般式（２）で表される第２の化合物を含有している。その他の点においては、有機ＥＬ素子１Ａは、有機ＥＬ素子１と同様に構成される。
【実施例】
【０２４９】
次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。
有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。
【０２５０】
【化１６２】
2015065324.tif 000163
【０２５１】
【化１６３】
2015065324.tif 000164
【０２５２】
【化１６４】
2015065324.tif 000165
【０２５３】
［有機ＥＬ素子の製造例］
・実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして化合物ＨＩを蒸着して膜厚１０ｎｍのＨＩ膜を成膜し、正孔注入層を形成した。
次に、このＨＩ膜上に、第一正孔輸送材料として化合物ＨＴ−１を蒸着して、膜厚７５ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、第一正孔輸送層を形成した。
ついで、このＨＴ−１膜上に、第二正孔輸送材料として化合物ＨＴ−２を蒸着して、膜厚１５ｎｍのＨＴ−２膜を成膜し、第二正孔輸送層を形成した。
さらに、このＨＴ−２膜上に、ホスト材料としてＢＨ４と、ドーパント材料としてＢＤ１とを共蒸着した。これにより、厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。なお、ドーパント濃度は４質量％とした。
そして、この発光層の上に、化合物ＥＴ−１を蒸着して膜厚２５ｎｍのＥＴ−１膜を成膜し、第一電子輸送層を形成した。
ついで、このＥＴ−１膜上に、化合物ＥＴ−２を蒸着して膜厚１０ｎｍのＥＴ−２膜を成膜し、第二電子輸送層を形成した。
次に、このＥＴ−２膜上に、ＬｉＦを成膜速度０．１オングストローム／ｍｉｎで蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成した。
【０２５４】
・実施例２
実施例２の有機ＥＬ素子は、実施例１におけるホスト材料を化合物ＢＨ−５に変更した以外は実施例１と同様にして作製した。
【０２５５】
・比較例１〜２
比較例１〜２の有機ＥＬ素子は、実施例１におけるホスト材料およびドーパント材料を表１に記載の化合物に変更した以外は実施例１と同様にして作製した。
実施例１〜２および比較例１〜２のホスト材料およびドーパント材料を表１に示す。
【０２５６】
【表１】
2015065324.tif 000166
【０２５７】
［各化合物の物性］
実施例１〜２および比較例１〜２で用いたホスト材料およびドーパント材料の物性値を、表２に示す。なお、各物性値の測定方法は、以下のとおりである。
・イオン化ポテンシャル
大気下で光電子分光装置（理研計器株式会社製:ＡＣ−３）を用いて測定した。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。結果を表１に示す。
【０２５８】
・一重項エネルギー
測定対象となる化合物のトルエン希薄溶液の吸収スペクトルの長波長側接線とベースライン（吸収ゼロ）との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式１に代入して一重項エネルギーを算出した。結果を表１に示す。
換算式１：ＥｇＳ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
本実施例では、吸収スペクトルを日立製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ−４５００）で測定した。
【０２５９】
・アフィニティ（電子親和力）
上述の方法で測定した化合物のイオン化ポテンシャルＩｐおよび一重項エネルギーＥｇＳの測定値を用い、次の計算式から算出した。結果を表１に示す。
Ａｆ＝Ｉｐ−ＥｇＳ
【０２６０】
【表２】
2015065324.tif 000167
【０２６１】
［有機ＥＬ素子の評価］
作製した有機ＥＬ素子について、電圧、電流効率Ｌ／Ｊ、及び寿命の評価を行った。結果を表３に示す。
【０２６２】
・電圧Ｖ
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるようにＩＴＯとＡｌとの間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。
・電流効率Ｌ／Ｊ
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ社製）で計測し、得られた分光放射輝度スペクトルから、電流効率（単位：ｃｄ／Ａ）を算出した。
【０２６３】
【表３】
2015065324.tif 000168
【０２６４】
表３に示すように、実施例１〜２の有機ＥＬ素子は、比較例１〜２の有機ＥＬ素子に比べて、低電圧で駆動し、高効率化していることがわかる。特に実施例１〜２と比較例１とを比べることにより、本発明のドーパント材料とホスト材料との組み合わせは、発光効率が向上し、大幅に低電圧化することがわかる。
【０２６５】
本発明のドーパント材料（ＢＤ−１）は、比較例で用いられるドーパント材料（ＢＤ−２）に対してアフィニティが大きく、一方で、本発明のホスト材料（ＢＨ−４、ＢＨ−５）は、比較例で用いられるドーパント材料（ＢＨ−６）に対してアフィニティが小さい。従って、本発明のホスト材料とドーパント材料のアフィニティ差は、比較例で用いられるホスト材料とドーパント材料のアフィニティ差よりも小さくなる。よって、ホスト材料からドーパント材料への電子注入が容易となるため低電圧となり、より多くの電子が注入されるため、再結合確率が増えるため高効率が得られる。
以上より、本発明では、本発明のホスト材料とドーパント材料の好適な組み合わせにより、低電圧で高効率な有機ＥＬ素子を実現した。
【符号の説明】
【０２６６】
１…有機ＥＬ素子
２…基板
３…陽極
４…陰極
５…発光層
６…正孔注入・輸送層
７…電子注入・輸送層
１０…有機層
【図１】
2015065324.tif 000184
【図２】
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