(57)【要約】【課題】入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置の薄型化又は小型化を図りつつ、画質の劣化を抑制することを目的とする。【解決手段】副画素の周縁部が隔壁層で囲まれた画素領域を有する素子基板と、一方向に延伸された第１の電極パターンと、一方向と交差する方向に延伸された第２の電極パターンとを有し、第１の電極パターンと第２の電極パターンとが離間して設けられたセンシング部を有する対向基板とを有し、素子基板と対向基板は、画素領域と第１の電極パターンが内向するように間隙を持って対向配置され、第１の電極パターンを、副画素を囲むように隔壁層と重なる領域に設ける。センシング部を構成する第１の電極パターンが画素を囲むような構成とすることで、隣接する画素への光漏れを低減することができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列され、該画素のそれぞれは複数の副画素を含み、前記副画素に対応して発光素子が設けられ、前記副画素の周縁部が隔壁層で囲まれた画素領域を有する素子基板と、
一方向に延伸された第１の電極パターンと、前記一方向と交差する方向に延伸された第２の電極パターンとを有し、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとが離間して設けられたセンシング部を有する対向基板と、
を有し、
前記素子基板と前記対向基板は、前記画素領域と前記第１の電極パターンが内向するように間隙を持って対向配置され、
前記第１の電極パターンは、前記副画素を囲むように前記隔壁層と重なる領域に設けられていること
を特徴とする入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極パターンの側面部は、前記対向基板側から前記素子基板側に向かって開く傾斜面を構成すること
を特徴とする請求項１に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記第１の電極パターンの側面部は、光反射面を有すること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記第１の電極パターンは、少なくともアルミニウム層又はアルミニウム合金層を含んでおり、前記光反射面が前記アルミニウム層又はアルミニウム合金層で形成されること
を特徴とする請求項２に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極パターンは、前記一方向に延伸する第１の電極と、
前記第１のパターンと離間して設けられる第２のパターンとを含むこと
を特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンは異なるパターンを有し、前記第２の電極パターンは、前記第１の電極パターンの周期的パターンを内包するように広面積の矩形状パターンを有すること
を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンは略同一のパターンを有し、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンが重なるように設けられていること
を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
前記対向基板は、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとの間に、前記副画素と重なる位置に、カラーフィルタ層が設けられていること
を特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素ごとに個別に発光制御される発光素子が設けられた素子基板と、当該素子基板に対向して設けられた対向基板とで構成され、各画素の発光素子で発光した光を、対向基板を通して視認できるように構成し、情報表示等を行う有機エレクトロルミネセンス装置が開発されている。このような有機エレクトロルミネセンス装置は、トップエミッション型と呼ばれる部類に属し、発光素子から出射される光が所謂白色光である場合には、対向基板にカラーフィルタが設けられている。
【０００３】
カラー表示を行う有機エレクトロルミネセンス装置の画素は、例えば、赤色画素、緑色画素及び青色画素を一組として一画素を構成している。そして一画素内で、各色の画素における発光素子の発光強度を変化させることで色調を変化させカラー表示を行っている。このため、一画素内にある赤色画素、緑色画素及び青色画素のそれぞれは、副画素（サブピクセル）とも呼ばれている。
【０００４】
画素における発光素子の光出射面側に設けられるカラーフィルタは、副画素に対応して透過スペクトルの異なる有色層（カラーフィルタ層）が設けられている。そして、透過スペクトルが異なるカラーフィルタ層の境界領域には遮光層が設けられている。
【０００５】
遮光層は、色要素の異なるそれぞれの副画素を区画し、隣接する副画素間（または隣接する画素間）で色混合を防ぐために設けられている。例えば、有機エレクトロルミネセンス装置における遮光層の態様として、隣接する画素間（副画素間）で光漏れを防ぐために、画素の発光領域を取り囲むように遮光層が設けられた有機エレクトロルミネセンス装置が開示されている（特許文献１、２参照）。
【０００６】
ところで最近では、表示画面にアイコン等の画像を表示させ、当該画像を指で触れるように操作することで操作を行う、グラフィカルユーザーインターフェースを備えた電子機器が普及している。このような電子機器で使用される入力機能を兼ね備えた表示用のパネルは、タッチパネル（若しくはタッチスクリーン）とも呼ばれている。タッチパネルは静電容量式のものが主流となっており、センサ電極の静電容量の変化を検出し、これを入力信号に変換している。
【０００７】
有機エレクトロルミネセンス装置において、このような入力機能を備えたものとして、タッチ検出用のセンサ電極の一部が、遮光層を兼ねるように構成されたものが開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２９９０４４号公報（特許第４２６２９０２号）
【特許文献２】特開２００７−２２０３９５号公報（特許第４８３５１８７号）
【特許文献３】特開２００８−２１６５４３号公報（特許第５１０３９４４号）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１及び特許文献２で開示される遮光層は、遮光のみを目的として設けられている。このような有機エレクトロルミネセンス装置にタッチ入力機能を付加するには、静電容量式のタッチパネルを別部品として外付けしなければならない。このため有機エレクトロルミネセンス装置が大型化ないし厚型化し、重量も増えるので、薄型化及び軽量化が求められる電子機器に適用することはできない。
【００１０】
一方、特許文献３で開示される有機エレクトロルミネセンス装置は、遮光層がセンサ電極を兼ね備える構成となっている。しかし、センサ電極として機能する部分は、遮光部をなす格子部から分断された状態に形成されている。すなわち、遮光部の一部がセンサ電極として機能する部分を含んでいる。別な表現をすれば、遮光部は、センサ電極として機能するセンサ電極構成部と、センサ出電極として機能せず遮光層としてのみ機能する遮光部とを含んでいるものとなっている。
【００１１】
このため、センサ電極を兼ねる遮光層をタッチ検出区間で、遮光層としてのみ機能する部分から分離する必要がある。これを遮光層単体の機能として評価した場合、当該分離部分で光漏れが生じてしまうことになる。本来、光を遮光すべき遮光層に分断部分が存在すると、輝度差等による表示筋が発生することにより画質が劣化してしまう。
【００１２】
そこで本発明の一実施形態は、入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス装置の薄型化又は小型化を図りつつ、画質の劣化を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネセンス表示装置は、複数の画素が配列され、該画素のそれぞれは複数の副画素を含み、副画素に対応して発光素子が設けられ、副画素の周縁部が隔壁層で囲まれた画素領域を有する素子基板と、一方向に延伸された第１の電極パターンと、一方向と交差する方向に延伸された第２の電極パターンとを有し、第１の電極パターンと第２の電極パターンとが離間して設けられたセンシング部を有する対向基板とを有し、素子基板と対向基板は、副画素領域と第１の電極パターンが内向するように間隙を持って対向配置され、第１の電極パターンは、副画素を囲むように隔壁層と重なる領域に設けられている。
【００１４】
この有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、センシング部を構成する第１の電極パターンが副画素を囲むような構成とすることで、隣接する副画素への光漏れを低減することができる。
【００１５】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の別の態様において、第１の電極パターンの側面は、対向基板側から素子基板側に向かって開く傾斜面を有することが好ましい。また、第１の電極パターンの側面部が傾斜した構成において、当該側面部が光反射面であることが好ましい。さらに、この場合において、第１の電極パターンは、少なくともアルミニウム層又はアルミニウム合金層を含んでおり、光反射面がアルミニウム層又はアルミニウム合金層で形成されることが好ましい。
【００１６】
この有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、副画素を囲む第１の電極パターンの側面部を傾斜面とすることで、当該側面部の副画素に対する投影面積を拡大することができる。また、当該側面部を光反射面とすることで、副画素の出射光のうち斜め出射光を当該光反射面で反射することができる。光反射面をアルミニウム層又はアルミニウム合金層で形成することで、この面の反射率を高めることができる。
【００１７】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の別の態様において、第１の電極パターンは、一方向に延伸する第１の電極と、第１の電極と離間して設けられる第１の電極間パターンとを含むことが好ましい。
【００１８】
この有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、第１の電極パターンを、第１の電極と、第１の電極と離間した第１の電極間パターンとによって構成することで、電気的に分離されるべき第１の電極同士が、パターン不良により短絡する確率を低減することができる。
【００１９】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の別の態様において、第１の電極パターンと第２の電極パターンは異なるパターンを有し、第２の電極パターンは、第１の電極パターンの周期的パターンを内包するように広面積の矩形状パターンを有するようにすることが好ましい。
【００２０】
この有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、第１の電極パターンで副画素を囲みつつ、第１の電極パターンと対向する第２の電極パターンを広面積の矩形状パターンとすることで、第１の電極パターンによって副画素間の遮光機能を発現させつつ、従来と同等のセンシング機能を発揮させることができる。
【００２１】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の別の態様において、第１の電極パターンと第２の電極パターンは略同一のパターンを有し、第１の電極パターンと第２の電極パターンが重なるように設けられていることが好ましい。
【００２２】
この有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、第１の電極パターンと第２の電極パターンを重ね合わせて画素を囲むことで、当該両電極パターンの中に切欠け部が含まれているとしても、一方の電極パターンが他方の電極パターンを補って画素を囲むようにすることができるので、隣接する画素への光漏れをより低減することができる。
【００２３】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の別の態様において、対向基板は、第１の電極パターンと第２の電極パターンとの間に、副画素と重なる位置に、カラーフィルタ層が設けられていることが好ましい。
【００２４】
この有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、第１の電極パターンと第２の電極パターンとの間にカラーフィルタ層を介在させることにより、第１の電極パターンと第２の電極パターンが短絡するのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、センシング部の電極を構成する第１の電極パターンで副画素を囲むことで、副画素間（画素間）での混色を防止することができる。それにより、画質を向上させることができる。また、同様の構成により、各副画素の発光素子から放射される光の取り出し効率を向上させることができる。これにより、低消費電力化を図ることができる。
【００２６】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、センシング部の電極を構成する第１の電極パターン及び第２の電極パターンで副画素を囲むことで、副画素間（画素間）での混色を防止することができる。それにより、画質をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の概要を示す斜視図。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す斜視図。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す断面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図６】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図７】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図８】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図９】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の概要を示す斜視図。
【図１０】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図１１】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す斜視図。
【図１２】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す断面図。
【図１３】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図１４】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図１５】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図１６】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図１７】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるセンシング部の電極の構成を示す平面図。
【図１８】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す斜視図。
【図１９】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す断面図。
【図２０】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図２１】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図２２】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す斜視図。
【図２３】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置におけるモジュールの概要を示す断面図。
【図２４】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図２５】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図２６】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図２７】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図２８】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【図２９】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の詳細を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２９】
なお、以下に説明する発明の内容について、同一部分又は同様な機能を有する部分については同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その場合において特段の事情が無い限り繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
＜第１の実施形態＞
本実施形態は、入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置の一態様として、入力センサのセンサ面を構成する電極の一部が、副画素間の遮光壁を兼ねる構成について例示する。
【００３１】
（１）有機エレクトロルミネセンス表示装置について
図１は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の概要を示す。有機エレクトロルミネセンス表示装置は、対向基板１０２と素子基板１０４によって構成されている。対向基板１０２と素子基板１０４は対向するように配置され、両者はシール材（図示せず）によって固定されている。
【００３２】
有機エレクトロルミネセンス表示装置は、センシング部１０６と表示画素領域１０８を含んでいる。これにより本実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置は入力機能を有している。表示画素領域１０８とセンシング部１０６は重なるように配置されている。センシング部１０６は、一方向（例えばＹ方向）に延びる第１の電極パターンと、一方向と交際する方向（例えばＸ方向）に延びる第２の電極パターンを含んで構成されている。図１では簡単のため、センシング部１０６における第１の電極パターン１１０を示し、第２の電極パターンは省略されている。
【００３３】
対向基板１０２の周縁部には、第１の電極パターン１１０と電気的に接続される第１の配線１２６が設けられている。第１の配線１２６は複数本設けられ、対向基板１０２の周縁部において集積化されている。対向基板１０２の端部には、第１の配線１２６と接続する第１の端子部１３０が設けられている。
【００３４】
表示画素領域１０８は、素子基板１０４に設けられる複数の画素を含んでいる。表示画素領域１０８において、複数の画素は、例えばマトリクス状に配列されている。ここで、一つの画素は複数の副画素で構成されている。副画素は、赤色画素、緑色画素、赤色画素のように、単色（あるいは特定の波長帯域の光）が発色されるように構成された色要素を構成する、表示画素領域１０８の最小構成単位とみなすこともできる。そして、発色の異なる副画素が複数個集まって一画素を構成することにより、表示画素領域１０８においてカラー表示を可能としている。
【００３５】
（２）センシング部の電極パターンについて
図１において、点線で囲まれた領域Ａ１における第１の電極パターン１１０の詳細を、図２（Ａ）を参照して説明する。図２（Ａ）は、領域Ａ１の拡大図であり、第１の電極パターン１１０（図１）の好ましい一態様を平面図として示す。
【００３６】
第１の電極パターン１１０（図１）は、表示画素領域１０８において一方向（例えばＹ方向）へ延びる細線状の第１の電極１１４が略等間隔で複数本配置されている。そして、複数の第１の電極１１４のうち任意の数本ないし数十本は、表示画素領域１０８の外側で互いに連結され、第１の配線１２６と電気的に接続されている。ここで便宜上、第１の配線１２６と共通に接続する複数の第１の電極１１４の組を第１の電極ブロック１１２と呼ぶ。
【００３７】
第１の電極ブロック１１２内には、複数の第１の電極１１４が所定の間隔をもって配列されている。第１の電極１１４が配列する間の領域には、第１の電極間パターン１１６が設けられている。第１の電極間パターン１１６は、一方向と交差する方向（例えばＸ方向）に延びる、短い線状の形態を有し、これが一方向（Ｙ方向）に略等間隔で配列されている。
【００３８】
第１の電極１１４の間隔と第１の電極間パターン１１６の配列する間隔は、任意なものとすることができるが、図２（Ａ）で示すように表示画素領域１０８における副画素１４４を囲むように配置することが好ましい。換言すれば、表示画素領域１０８において副画素１４４は、第１の電極１１４と第１の電極間パターン１１６によって囲まれるように配列されていることが好ましい。
【００３９】
なお、第１の電極パターン１１０（図１）は非透過性の導電性材料で形成することが好ましい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料で第１の電極パターン１１０（図１）を形成することが好ましい。そうすると、第１の電極パターン１１０（図１）に遮光層としての機能を付加することができる。すなわち、第１の電極１１４と第１の電極間パターン１１６により副画素１４４が囲まれることで、副画素１４４の光出射領域が区画され、隣接する副画素へ漏出する光を遮ることができる。
【００４０】
表示画素領域１０８の外側で連結された第１の電極１１４の組と、その第１の電極１１４間に設けられる第１の電極間パターン１１６を一つのまとまりとして、便宜上第１の電極ブロック１１２と扱うと、当該第１の電極ブロック１１２は、相互に所定の間隔を持って配置されていることになる。
【００４１】
ここで、第１の電極ブロック１１２の間には、本来であれば電極パターンが配置されない空白領域が存在することになる。第１の電極ブロック１１２の間に空白領域があると、有機エレクトロルミネセンス表示装置が表示機能ないし入力機能を発揮している状態において、使用者が表示画面領域を斜めから見たときに、表示ムラ（表示筋）が視認されてしまう場合がある。
【００４２】
これに対し本実施形態では、当該空白領域に第１の電極間パターン１１６と同じパターンが配設されている。すなわち第１の電極間パターン１１６と同形態のパターン（ダミーパターン）を設けておくことで、第１の電極パターン１１０（図１）の周期性が確保され、表示ムラ（表示筋）が視認されてしまう不具合を解消することができる。
【００４３】
本実施形態において、第１の電極ブロック１１２の間に設けられるダミーのパターンである第１の電極間パターン１１６’は、両端が第１の電極１１４と接しない切欠部を有している。第１の電極間パターン１１６’の両端が第１の電極１１４と接しない切欠部を有することで、パターン不良等によって生じる、隣接ブロック間の短絡不良を低減することができる。
【００４４】
図２（Ｂ）は、第１の電極パターン１１０（図１）の別の好ましい一態様を示す。図２（Ｂ）で示す第１の電極パターン１１０（図１）は、これに属する第１の電極１１４と第１の電極間パターン１１６により構成されている。第１の電極１１４と第１の電極間パターン１１６は、図２（Ａ）で示すものと同様の形態を有している。しかしながら、図２（Ｂ）で示す第１の電極パターン１１０（図１）は、第１の電極１１４を表示画素領域の外側で束ねる本数（第１の配線１２６に接続する本数）を間引いた構成となっている。図２（Ｂ）で例示する形態は、第１の電極１１４を１本おきに第１の配線１２６と接続する態様を示している。
【００４５】
図２（Ｂ）において、第１の電極ブロック１１２のブロック間には、第１の電極１１４’と第１の電極間パターン１１６’によるダミーのパターンを設けておくことが好ましい。すなわち、第１の電極ブロック１１２のブロック間には、第１の電極パターン１１０（図１）の周期性を維持するようなパターンを、第１の電極１１４及び／又は第１の電極間パターン１１６によって設けておくことが好ましい。このようなダミーのパターンを設けることにより、第１の電極パターン１１０（図１）を視認されにくくすることができる。
【００４６】
本実施形態に係る第１の電極パターン１１０（図１）は、第１の電極ブロック１１２の中で、第１の電極１１４を第１の配線１２６と接続する本数を任意に設定することができる。一つの電極ブロックの中で実際にセンシングに使用する電極の本数を調節することで、パターンの周期性を維持しつつ静電容量の値を調節することができる。それにより、センシング部１０６（図１）の感度を調整することができる。
【００４７】
（３）モジュールの構成について
図３は、図１で示す有機エレクトロルミネセンス表示装置にフレキシブルプリント回路基板(Flexible Printed Circuits：以下「ＦＰＣ基板」ともいう)を取り付けたモジュールの態様を示す。また、図３で示すモジュールの断面模式図を図４に示す。以下、図３及び図４の両図面を参照してここで例示されるモジュールについて説明する。
【００４８】
対向基板１０２にセンシング部１０６には、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８ｂが設けられている。対向基板１０２において、第１の電極パターン１１０は素子基板１０４側の面に設けられ、第２の電極パターン１１８ｂは第１の電極パターン１１０とは反対側の面に設けられている。表示画素領域１０８はセンシング部１０６と重なるように設けられている。表示画素領域１０８は複数の副画素によって構成され、副画素は対向基板１０２側に光を出射するので、表示画素領域１０８によって形成される表示画面は、対向基板１０２側に表れる。
【００４９】
対向基板１０２には、第１の配線１２６によって第１の電極パターン１１０と接続する第１の端子部１３０に、第１のＦＰＣ基板１３６が接続され、第２の電極パターン１１８ｂと接続する第２の端子部１３２に第２のＦＰＣ基板１３８が接続されている。また、素子基板１０４には第３のＦＰＣ基板１４０が取り付けられている。
【００５０】
第１の電極パターン１１０には、図２で示すように第１の電極ブロックが複数個含まれている。第１の電極ブロックは、それぞれが第１の配線１２６と接続されている。第１の配線１２６は、複数本が集積化され対向基板１０２の周縁部に沿って第１の端子部１３０と接続するように設けられている。第１の配線１２６を集積化することで第１の端子部１３０の幅を狭くすることができ、それにより第１のＦＰＣ基板１３６を小型化することができる。一方、第２の電極パターン１１８ｂと接続する第２のＦＰＣ基板１３８は、第２の電極パターン１１８ｂの幅と概略同じ幅を有し、第２の端子部１３２で接続する構成としている。
【００５１】
図３において、点線で囲まれた領域Ａ１における第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８ｂの詳細を、図５を参照して説明する。図５は、第１の電極パターン１１０が一方向（図５では便宜上Ｙ方向とする。）に配列され、第２の電極パターン１１８ｂが一方向と交差する方向（図５では便宜上Ｘ方向とする。）に配列されている。
【００５２】
図５は、センシング部１０６（図３）の電極パターンにおける静電容量式の詳細構成を示す。静電容量式のセンサは、第１の電極パターン１１０（図３）と第２の電極パターン１１８ｂ（図３）の静電容量の変化を検知することで、面内のどの位置で静電容量が変化したかを検出することができる。例えば、Ｙ方向については第１の電極パターン１１０（図３）によって静電容量の変化を検知し、Ｘ方向については第２の電極パターン１１８ｂ（図３）によって静電容量の変化を検知することで、センシング部１０６（図３）の面内においてどこに指が触れたのか（タッチされたのか）を検出することができる。
【００５３】
第１の電極パターン１１０（図３）を構成する第１の電極１１４と第１の電極間パターン１１６は図２で示したように副画素１４４を囲む形態を有し、副画素１４４のピッチに概略合わせて周期的な線状のパターンで形成されている。一方、第２の電極パターン１１８ｂ（図３）は、面状の電極が周期的に配列され、その電極の配列がＸ方向において電気的に接続されるように接続部分が設けられた第２の電極１２２ｂを有している。第２の電極１２２ｂにおいて、面状の電極部分は複数の副画素を覆う大きさを有している。第１の電極パターン１１０（図３）は副画素を囲む程度の細かいパターンであり、画面サイズと画素数によって変化し得るものであるが、概略数百マイクロメートルのピッチを有している。一方、第２の電極パターン１１８ｂ（図３）は、画面に表示されるアイコンの位置を特定できれば良いので、概略数ミリメートルのピッチで形成されていれば良い。
【００５４】
副画素１４４から出射される光は対向基板１０２（図３）を透過するので、第１の電極パターン１１０（図３）が非透過の金属材料で形成されるのに対し、第２の電極パターン１１８ｂ（図３）は透明導電膜材料で形成されていることが好ましい形態となる。透明導電膜材料としては、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム・スズと酸化亜鉛の複合材料（ＩＺＯ）等が用いられる。
【００５５】
なお、第１の電極パターン１１０（図３）と第２の電極パターン１１８ｂ（図３）は、例えば使用者の指よりはるかに小さいパターンで形成されているので、全ての電極パターンを利用してタッチを検出する必要はない。例えば図５で示すように、第２の電極１２２ｂの両側には第２の電極間パターン１２４ｂが設けられていてもよい。第２の電極間パターン１２４ｂは、第２の電極１２２ｂと電気的に接続されていないため、センシングの面では何ら寄与しないが、第２の電極１２２ｂと同様な周期的な電極パターンを残しておくことで視認されにくくする作用があり、外観的には電極パターンの不可視化に寄与することができる。一方、第１の電極パターン１１０（図３）は微細であるので肉眼では視認されず、副画素１４４を覆わないので表示には何ら影響を与えない。
【００５６】
（４）表示画素領域の詳細について
本実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置における表示画素領域の詳細を図６に示す。図６は、第１の副画素１４４ｒ、第２の副画素１４４ｇ及び第３の副画素１４４ｂの断面構造を示す。ここで、第１の副画素１４４ｒは赤色画素、第２の副画素１４４ｇは緑色画素、第３の副画素１４４ｂは青色画素であるものとして例示するが、各画素の構成は基本的に共通している。
【００５７】
各画素にはトランジスタ１４６と保持容量１４８と発光素子１５０が設けられている。トランジスタ１４６は、半導体層１６０、ゲート絶縁層１６２及びゲート電極１６４によって構成され、ソース・ドレイン電極１６８が画素電極１７２と接続されている。ゲート電極１６４とソース・ドレイン電極１６８の間には第１の層間絶縁層１６６が設けられている。ソース・ドレイン電極１６８と画素電極１７２との間には第２の層間絶縁層１７０が設けられている。発光素子１５０は、画素電極１７２、発光層１７６及び対向電極１７８が積層されることによって構成されている。発光層１７６は有機エレクトロルミネセンス材料を含んで構成されている。
【００５８】
素子基板１０４において、隔壁層１７４はそれぞれの副画素１４４を区画するように設けられている。パッシベーション層１８０は対向電極１７８上に設けられ、発光素子１５０が水分等によって劣化しないように保護している。また、対向基板１０２には、素子基板１０４と対向する側に第１の電極パターン１１０が設けられ、その反対側の面に第２の電極パターン１１８ｂが設けられている。さらに、素子基板１０４と対向基板１０２は空隙をもって対向配置されており、その空隙部に充填材が設けられていてもよい。
【００５９】
第１の副画素１４４ｒ、第２の副画素１４４ｇ、第３の副画素１４４ｂに対応して、赤色光を透過するカラーフィルタ層１８６ｒ、緑色光を透過するカラーフィルタ層１８６ｇ、青色光を透過するカラーフィルタ層１８６ｂがそれぞれ対向基板１０２に設けられている。対向基板にカラーフィルタ層を設ける場合、発光素子１５０から出射される光のスペクトルを、第１の副画素１４４ｒ、第２の副画素１４４ｇ及び第３の副画素１４４ｂで異ならせる必要はなく、白色光を出射する発光素子を各副画素に設ければよい。それにより、副画素ごとに発光層１７６に含まれる材料を変更する必要がなく、全副画素を共通の発光層１７６で形成することができるので、副画素（若しくは画素）の微細化を図る上で有利である。なお、発光層１７６において白色光を出射するには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を発光する発光層、又は青（Ｂ）色と黄色（Ｙ）を発光する発光層を積層した構造とすればよい。
【００６０】
赤色光を透過するカラーフィルタ層１８６ｒ、緑色光を透過するカラーフィルタ層１８６ｇ及び青色光を透過するカラーフィルタ層１８６ｂの境界領域には遮光層１８４が設けられている。また、カラーフィルタ層１８６ｒ、カラーフィルタ層１８６ｇ及びカラーフィルタ層１８６ｂを覆うようにオーバーコート層１８８が設けられており、表面の平坦化が図られている。
【００６１】
第１の電極パターン１１０は、オーバーコート層１８８によって略平坦化された面に設けられている。第１の電極パターン１１０は、平坦な面に設けられること、静的な状態において静電容量が場所によってばらついてしまうことを防ぐことができる。
【００６２】
前述のように、第１の電極パターン１１０は副画素１４４を囲むように配置されるので、実質的に遮光層１８４と重なるように設けられている。別言すれば、素子基板１０４に設けられる隔壁層１７４は、画素電極１７２を囲むように設けられているので、第１の電極パターン１１０における第１の電極１１４及び第１の電極間パターン１１６は、遮光層１８４と隔壁層１７４に挟まれるように設けられている。第１の電極パターン１１０をこのような配置とすることで、画素の開効率を低下させないようにすることができる。
【００６３】
図６で示すように、オーバーコート層１８８の表面に設けられた第１の電極パターン１１０は、素子基板１０４側に向かって突出するように設けることが好ましい。別言すれば、第１の電極パターン１１０を、各副画素１４４に形成される発光素子１５０になるべく近接するように設けることが好ましい。
【００６４】
発光素子１５０で発光した光は、略垂直方向（図６においては対向基板１０２側）に出射されるのみでなく、斜め方向にも出射される。例えば、第２の副画素１４４ｇから出射される光のうち、斜め出射光が隣接する第１の副画素１４４ｒ又は第３の副画素１４４ｂに対応するカラーフィルタ層１８６ｒ又はカラーフィルタ層１８６ｂに入射すると、色混合が起こり、色再現性が低下し、さらにはコントラストも低下させてしまう。
【００６５】
しかしながら、第１の電極パターン１１０を、各副画素を囲むように設け、隣接する副画素へ斜め出射光が漏れ出ないような構成とすることで、このような不具合を解消することができる。
【００６６】
この場合において、第１の電極パターン１１０の側面は、対向基板１０２側から素子基板１０４側に向かって開くような傾斜面を有するような形態とすることが好ましい。このような構成とすることで、発光素子１５０からみた第１の電極パターン１１０の側壁面の投影面積を大きくすることができる。それにより、発光素子１５０の斜め出射光を、第１の電極パターン１１０の側壁面で、隣接する副画素へ漏れ出ないように確実に遮断することができる。
【００６７】
また、第１の電極パターン１１０の側壁面の少なくとも一部を光反射面とすることが好ましい。図６で模式的に示すように、第１の電極パターン１１０の側壁面を光反射面とすることで、斜め放射光の成分をこの面で反射して、自画素の出射光とすることができる。斜め放射光の成分を自画素の出射光とすることで、発光素子１５０から出射される光の有効利用を図ることができる。このように、副画素１４４を囲む第１の電極パターン１１０を光反射性の金属により形成することで、側面部が反射壁を兼ねることができ、隣接画素への光漏れを防止すると共に、自画素で発光した光の有効利用を図ることができる。
【００６８】
電極としての機能及び遮光性並びに光反射面としての機能を発揮するために、第１の電極パターン１１０は、例えば、アルミニウム層又はアルミニウム合金層を含んで構成されることが好ましい。また、かかる場合、第１の電極パターン１１０に側壁面が傾斜した光反射面を有するようにするには、アルミニウム膜をテーパーエッチング加工すればよい。アルミニウム又はアルミニウム合金は低抵抗材料であるので、センシング用の電極として用いる場合に応答速度を低下させずに済むこととなる。そして、アルミニウム又はアルミニウム合金は可視広域の反射率がチタンやモリブデンに比べて高い金属材料であるので、光反射面を形成するのに好適である。なお、第１の電極パターン１１０はアルミニウム層又はアルミニウム合金層の単層で形成してもよいが、好ましくはチタン等の比較的低反射の金属を上下に挟むことで、迷光成分を低減することができる。
【００６９】
以上のように、本実施形態によれば、第１の電極パターンを、副画素を囲むように設けることで、画素間（副画素間）での混色を防止することができる。それにより、画質を向上させることができる。また、同様の構成により、各画素の発光素子から放射される光の取り出し効率を向上させることができる。これにより、低消費電力化を図ることができる。
【００７０】
また、第１の電極パターンを、副画素を囲むような微細なパターンとする場合でも、１本の検出線として使用するパターンの本数を適宜調整することにより、センシング電極の静電容量を調整することができ、センシングの感度を調節することができる。これにより、タッチセンサ部のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００７１】
（変形例１）
図７（Ａ）及び（Ｂ）は、第１の電極パターンの別の好ましい実施形態を示す。図７（Ａ）において、第１の電極パターン１１０（図３）は、表示画素領域１０８において一方向（図７（Ａ）では便宜上Ｙ方向とする。）に延びる第１の電極１１４と、当該一方向と交差する方向（図７（Ａ）では便宜上Ｘ方向とする。）に延びる第１の電極間パターン１１６を含んでいる。
【００７２】
図７（Ｂ）で示す第１の電極パターン１１０（図３）は、この電極パターンに属する第１の電極１１４と第１の電極間パターン１１６に関しては、図７（Ａ）で示す構成と同様である。しかしながら、図７（Ｂ）においては、第１の電極１１４を表示画素領域１０８の外側で接続する本数（第１の配線１２６に接続する数）を間引いた構成となっている。同図で示す例では、第１の電極１１４は１本おきに第１の配線１２６と接続されるようにしている。
【００７３】
このような構成とすることで、第１の電極パターン１１０（図３）が有する静電容量の値を調整することができ、センシング部の感度を調整することができる。この場合において、第１の電極ブロック１１２の間には、表示ムラ（表示筋）が視認されないように、ダミーのパターンを設けておくことが好ましい。図７（Ａ）は、第１の電極ブロック１１２のブロック間に、第１の電極間パターン１１６’が設けられている態様を示す。また、図７（Ｂ）は、第１の電極ブロック１１２のブロック間に、第１の電極１１４’と第１の電極間パターン１１６’が設けられている態様を示す。このように、ブロック間にダミーパターンを設けておくことで、第１の電極パターンの周期性が確保され、使用者が表示画面領域を斜めから見たときに生じ得る表示ムラ（表示筋）の発生を抑制することができる。
【００７４】
なお、図７では、第１の電極１１４及び第１の電極間パターン１１６が副画素１４４を囲む構成を示すが、本発明はこのような態様に限定されず、第１の電極１１４及び第１の電極間パターン１１６が画素（複数の副画素によって構成される表示単位）を囲む構成としてもよい。
【００７５】
図８は、図７（Ａ）で示す第１の電極パターン１１０（図３）と第２の電極パターン１１８ｂ（図３）の詳細を示す。図８は、第１の電極パターン１１０（図３）が一方向（図８では便宜上Ｙ方向とする。）に配列され、第２の電極パターン１１８ｂ（図３）が一方向と交差する方向（図８では便宜上Ｘ方向とする。）に配列されている。なお、第２の電極パターン１１８ｂ（図３）は図５で説明したものと同様の構成を有している。
【００７６】
このように、図７（Ａ）及び（Ｂ）で示す第１の電極パターン１１０（図３）を適用することで、副画素１４４を囲むレイアウトにおいては切欠部が２カ所となるので、副画素間の遮光壁及び／又は反射壁としての機能を強化することができる。それにより、隣接する副画素間での色混合の問題が解消され、発光素子で発光した光の利用効率をより高めることができ、コントラストの向上のみならず、視認性をより向上させることができる。
【００７７】
＜第２の実施形態＞
本実施形態は、入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置として、センシング部を構成する電極の低抵抗化を図るための一態様について例示する。
【００７８】
（１）有機エレクトロルミネセンス表示装置について
図９は、本実施形態に係る入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置において、センシング部１０６における第２の電極パターン１１８の構成を示す。ここで、第２の電極パターン１１８は対向基板１０２において、素子基板１０４と反対側の面に設けられているものとする。なお、第１の電極パターン１１０は第１の実施形態で示すものと同様であり、図９においては省略されている。
【００７９】
第２の電極パターン１１８は、第２の配線１２８と接続されている。第２の配線１２８は金属配線であり、集積化されて対向基板１０２の端部に設けられた端子部に接続されている。このように、第２の電極パターン１１８と第２の端子部１３２との間を第２の配線１２８で接続することで、第２の端子部１３２の幅を狭くすることができる。
【００８０】
（２）センシング部の電極パターンについて
図９において、点線で囲まれた領域Ｂ１における第２の電極パターン１１８の詳細を、図１０（Ａ）を参照して説明する。図１０（Ａ）は、第２の電極パターン１１８の部分拡大図を示す。
【００８１】
図１０（Ａ）は第２の電極パターン１１８（図９）の好ましい一態様を示す。第２の電極パターン１１８（図９）は、表示画素領域１０８において一方向（図１０では便宜上Ｘ方向とする。）へ延びる細線状の第２の電極１２２を有している。第２の電極１２２はＹ方向に略等間隔で複数本配設されている。複数本配設された第２の電極１２２は、表示画素領域１０８の外側で連結され、第２の配線１２８と電気的に接続されている。
【００８２】
第２の電極１２２の間には、第２の電極間パターン１２４が設けられている。第２の電極間パターン１２４は、一方向と交差する方向（図１０では便宜上Ｙ方向とする。）に延びる短い線状のパターンを有し、これがＸ方向に略等間隔で配列されている。
【００８３】
第２の電極１２２の間隔及び第２の電極パターン１１８（図９）の間隔は、任意なものとすることができるが、好ましくは図１０（Ａ）で示すように表示画素領域１０８における副画素１４４を囲むように配置することが好ましい。別言すれば、副画素１４４は、第２の電極１２２と第２の電極間パターン１２４によって、囲まれるように配置されていることが好ましい。
【００８４】
表示画素領域１０８の外側で連結された第２の電極１２２と、その間に設けられる第２の電極間パターン１２４のまとまりを第２の電極ブロック１２０と便宜上扱うと、第２の電極ブロック１２０はセンシング部１０６（図９）において所定の間隔を持って略等間隔で配置される。各電極ブロックは一定の間隔を持って配置されるため、該電極ブロック間には空白領域が存在することになる。
【００８５】
第２の電極ブロック１２０の分離領域（ブロック間）に空白があると、有機エレクトロルミネセンス表示装置が表示機能ないし入力機能を発揮している状態において、使用者が表示画面領域を斜めから見たときに、表示ムラ（表示筋）が視認されてしまう。しかしながら、当該ブロック間に第２の電極間パターン１２４と同様のパターン（ダミーパターン）を設けておくことで、このような不具合を解消することができる。
【００８６】
このとき、第２の電極ブロック１２０のブロック間に設けられる第２の電極間パターン１２４’について、両端が第２の電極１２２と接しない切欠部を設けることで、パターン不良等によって生じ得る、隣接ブロック間での短絡不良を低減することができる。
【００８７】
第２の電極パターン１１８（図９）は金属材料で形成されている。第２の電極パターン１１８（図９）は、表示画面領域の視認側に配置されるので、反射率の低い導電性材料を用いることが好ましい。反射率の低い導電性材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を用いることができる。
【００８８】
また、第２の電極パターン１１８（図９）を導電性材料、例えば上記のような金属材料で形成することで、第２の電極パターン１１８（図９）を第２の端子部１３２（図９）に接続する第２の配線１２８も同じ層を使って形成することができる。
【００８９】
図１０（Ｂ）は、第２の電極パターン１１８（図９）の別の好ましい一態様を示す。図１０（Ｂ）で示す第２の電極パターン１１８（図９）において、第２の電極１２２及び第２の電極間パターン１２４は、図１０（Ａ）で示す構成と同様である。しかし、図１０（Ｂ）で示す第２の電極パターン１１８（図９）は、第２の電極１２２を表示画素領域の外側で接続し、共通して第２の配線１２８に接続する本数を間引いた構成となっている。図１０（Ｂ）で示す例では、第２の電極１２２を１本省略している。
【００９０】
本実施形態に係る第２の電極パターン１１８（図９）は、第２の電極ブロック１２０の中で、第２の電極１２２を第２の配線１２８と接続する本数を任意に設定することができる。このような構成とすることで、第２の電極パターン１１８（図９）が有する静電容量の値を調整することができる。それにより、センシング部の感度を調整することができる。この場合においても、図１０（Ａ）と同様に、第２の電極ブロック１２０の間には、ダミーのパターンを設けておくことが好ましい。
【００９１】
（３）モジュールの構成について
図１１は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置にＦＰＣ基板を取り付けたモジュールの態様を示す。また、図１１で示すモジュールの断面模式図を図１２に示す。以下、図１１と図１２の両図面を参照して説明する。
【００９２】
図１１は、対向基板１０２に第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８が設けられた構成を示す。第１の電極パターン１１０は対向基板１０２において素子基板１０４側の面に設けられ、第２の電極パターン１１８は第１の電極パターン１１０と反対側の面に設けられている。
【００９３】
対向基板１０２には、第１の配線１２６によって第１の電極パターン１１０と接続する第１の端子部１３０に第１のＦＰＣ基板１３６が接続され、第２の電極パターン１１８と接続する第２の端子部１３２に第２のＦＰＣ基板１３８が接続されている。また、素子基板１０４には第３のＦＰＣ基板１４０が取り付けられている。
【００９４】
ここで第２の電極パターン１１８を、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム・スズと酸化亜鉛の複合材料（ＩＺＯ）等の透明導電性材料と比べて低抵抗の導電性材料、例えば金属材料で形成することにより、第２の端子部１３２に接続する第２の配線１２８も同様に低抵抗化することができる。第２の配線１２８を金属材料で形成することで、配線の微細化並びに集積化を図ることができる。そして、それにより第２の端子部１３２の幅を縮小することができる。第２の端子部１３２の幅を縮小することにより、第２のＦＰＣ基板１３８を小型化することができる。
【００９５】
第２のＦＰＣ基板１３８と第３のＦＰＣ基板１４０はパネルの同じ側の面に取り付けられるため、第２のＦＰＣ基板１３８を小型化することにより、このモジュールを機器に組み込んだときに２つのＦＰＣ基板が干渉しないようにすることができる。すなわち、狭い空間にこのモジュールを装着できるようになり、機器の小型化を図ることができる。
【００９６】
さらに第２の電極パターン１１８を酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電性材料と比べて低抵抗の導電性材料で形成することで、第２の電極パターンの低抵抗化を図ることができる。センシング部１０６は静電容量の変化を検知する方式であるため、第２の電極パターンの低抵抗化を図ることにより、応答速度を向上させることができる。また、有機エレクトロルミネセンス表示装置を大型化（大画面化）しても、センシング部１０６の応答速度が低下することを防ぐことができる。図１１で示すように、第２の電極パターン１１８がパネルの長手方向延びる場合、第２の電極パターンによる低抵抗化の効果はより顕著なものとなる。
【００９７】
図１１において、点線で囲まれた領域Ｂ１における第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８の詳細を、図１３を参照して説明する。図１３は、第１の電極パターン１１０が一方向（図１３では便宜上Ｘ方向とする。）に配列され、第２の電極パターン１１８が一方向と交差する方向（図１３では便宜上Ｙ方向とする。）に配列されている。
【００９８】
第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８は、いずれも副画素１４４を囲むようなパターンで設けられている。このため、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８の中に切欠部があったとしても、両者を概略一致するように重ね合わせて配置することで、副画素１４４の周りを切れ目なく囲むことができる。これにより、画素間（副画素間）の遮光性を向上させることができる。
【００９９】
なお、図１３では、第１の電極パターン１１０（図１１）と第２の電極パターン１１８（図１１）が副画素１４４を囲む構成を示すが、本発明はこのような態様に限定されず、第１の電極パターン１１０（図１１）と第２の電極パターン１１８（図１１）が画素（複数の副画素によって構成される表示単位）を囲む構成としてもよい。
【０１００】
（４）表示画素領域の詳細について
本実施形態の係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の構成を、図１４を参照して説明する。なお、素子基板１０４の構成は第１の実施形態において図６を参照して説明したものと同様であるので、再度の説明は省略する。
【０１０１】
対向基板１０２において、第１の電極パターン１１０はオーバーコート層１８８が形成された面に設けられている。第１の電極パターン１１０は副画素１４４を囲むように、遮光層１８４及び／又は隔壁層１７４と重なる位置に設けられている。別言すれば、第１の電極パターン１１０は遮光層１８４と隔壁層１７４とに挟まれるように設けられている。なお、図１４では、第１の電極パターン１１０が紙面と垂直方向に延びている態様を示している。
【０１０２】
一方、第２の電極パターン１１８は、対向基板１０２において、第１の電極パターン１１０と反対側の面に設けられている。なお、第２の電極パターン１１８は、第１の電極パターン１１０と交差する方向に延びている。
【０１０３】
第２の電極パターン１１８は、表示画面の視認される側の面に配置されている。この場合、第２の電極パターン１１８を上記のような金属材料で形成することで、反射率が低減され、表示画面の映り込みを低減することができる。例えば、第２の電極パターン１１８を、低反射率の導電性材料として、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を用いて形成することが好ましい。
【０１０４】
図１５は、図１４で示す表示画素領域と同じ構成において、さらに第２の電極パターン１１８上に保護膜１８２を設けた構成を示す。保護膜１８２は第２の電極パターン１１８を覆うように、第２の出力端子部の領域を除き、略全面に設けられていることが好ましい。保護膜１８２を第２の電極パターン１１８上に設けることで、電極の腐食防止、傷防止等の効果を得ることができる。保護膜１８２は、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料を用いて形成することが好ましい。また、保護膜１８２は屈折率の異なる複数の膜を積層して反射防止膜としても機能するようにしてもよい。
【０１０５】
以上のように、本実施形態によれば、第２の電極パターンを低抵抗の導電性材料で形成することで、センシング部を構成する電極の低抵抗化を図ることができる。それにより、センシングの応答速度を向上させることができる。別言すれば、有機エレクトロルミネセンス表示装置を大型化（大画面化）しても、センシング部１０６の応答速度が低下することを防ぐことができる。
【０１０６】
また、第２の電極パターンを、副画素を囲むような微細なパターンとする場合でも、１本の検出線として使用するパターンの本数を適宜調整することにより、センシング電極の静電容量を調整することができ、センシングの感度を調節することができる。これにより、タッチセンサ部のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【０１０７】
第２の電極パターンを、第１の電極パターンと同様に、副画素を囲むパターンとすることで、光漏れを防止し、副画素間での色混合による画質の低下を防ぐことができる。
【０１０８】
（変形例２）
図１６（Ａ）及び（Ｂ）は、第２の電極パターン１１８（図１１）の別の好ましい態様を示す。図１６（Ａ）において、第２の電極パターン１１８（図１１）は、表示画素領域１０８において一方向（図１６（Ａ）では便宜上Ｘ方向とする。）に延びる第２の電極１２２と、当該一方向と交差する方向（図１６（Ａ）では便宜上Ｙ方向とする。）に延びる第２の電極パターン１１８（図１１）を有している。ここで、第２の電極パターン１１８（図１１）は一方の端に切欠部を有し、他方の端は第１の電極パターン１１０（図１１）と連続するように設けられている。
【０１０９】
図１６（Ｂ）で示す第２の電極パターン１１８（図１１）は、第２の電極１２２と第２の電極パターン１１８（図１１）に関しては、図１６（Ａ）で示す構成と同様である。しかし、図１６（Ｂ）においては、第２の電極１２２を表示画素領域１０８の外側で接続する本数（第２の配線１２８に接続する数）を間引いた構成となっている。同図で示す例では、第２の電極１２２の１本は第１の配線１２８と接続されないようにしている。
【０１１０】
このような構成とすることで、第２の電極パターン１１８（図１１）が有する静電容量の値を調整することができる。それにより、センシング部の感度を調整することが可能となる。この場合において、第２の電極ブロック１２０の間には、電極としては実質的に機能しないダミーの電極パターンを設けておくことが好ましい。
【０１１１】
すなわち、第２の電極ブロック１２０のブロック間には、図１６（Ａ）で示すように、第２の電極間パターン１２４を設けるか、図１６（Ｂ）で示すように第２の電極１２２及び第２の電極パターン１１８（図１１）の双方によるダミーの電極パターンを設けておくことが好ましい。いずれにしても、どのようなパターンにするかは、第２の電極ブロック１２０の周期性を考慮して適宜選択すればよい。ブロック間にダミーの電極パターンを設けておくことで、パターンの周期性が確保され、使用者が表示画面領域を斜めから見たときに生じ得る表示ムラ（表示筋）の発生を抑制することができる。
【０１１２】
図１７は、図１６（Ａ）で示す第２の電極パターン１１８（図１１）と第１の電極パターン１１０（図１１）の詳細を示す。図１６は、第２の電極パターン１１８（図１１）が一方向（図１６では便宜上Ｘ方向とする。）に配列され、第１の電極パターン１１０（図１１）が一方向と交差する方向（図１６では便宜上Ｙ方向とする。）に配列されている。
【０１１３】
第１の電極パターン１１０（図１１）と第２の電極パターン１１８（図１１）は、いずれも副画素１４４を囲むようなパターンで設けられている。このため、第１の電極パターン１１０（図１１）と第２の電極パターン１１８（図１１）の中に切欠部があったとしても、両者を略一致するように重ね合わせることで副画素１４４の周りを切れ目なく囲むことができる。これにより、画素間（副画素間）の遮光性を向上させることができる。
【０１１４】
なお、図１７では、第１の電極パターン１１０（図１１）と第２の電極パターン１１８（図１１）が副画素１４４を囲む構成を示すが、本発明はこのような態様に限定されず、第１の電極パターン１１０（図１１）と第２の電極パターン１１８（図１１）が画素（複数の副画素によって構成される表示単位）を囲む構成としてもよい。
【０１１５】
＜第３の実施形態＞
本実施形態は、センシング部における第２の電極パターンの構成が第１の実施形態及び第２の実施形態と異なる構成について例示する。
【０１１６】
（１）モジュールの構成について
図１８は、本実施形態に係る入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置のモジュール構成を示す。また、図１８で示すモジュールの断面模式図を図１９に示す。以下、図１８と図１９の両図面を参照して、本実施形態で例示されるモジュールについて説明する。なお、素子基板１０４の構成は第１の実施形態で説明するものと同じであり、以下において説明は省略する。
【０１１７】
有機エレクトロルミネセンス表示装置のセンシング部１０６には、第１の電極パターン１１０及び第２の電極パターン１１８ｂが設けられている。第１の電極パターン１１０及び第２の電極パターン１１８ｂは共に、素子基板１０４と対向基板１０２で挟まれる内側領域に設けられている。
【０１１８】
第１の電極パターン１１０は第１の実施形態で示すものと同様の構成を有している。また、第２の電極パターン１１８ｂは、対向基板１０２において第１の電極パターン１１０と同じ側の面に設けられているものの、その他の形態については第１の実施形態と同様の構成を有している。
【０１１９】
対向基板１０２には、第１の電極パターン１１０と電気的に接続される第１の端子部１３０と、第２の電極パターン１１８ｂの電気的に接続される第２の端子部１３２が同じ面に設けられている。第１の電極パターン１１０と第１の端子部１３０は第１の配線１２６によって接続されている。また、第２の電極パターン１１８ｂと第２の端子部１３２は第２の配線１２８によって接続されている。第１の端子部１３０と第２の端子部１３２を対向基板１０２の同じ面に設けることで、両端子を近接して配置させることができる。このような配置にすると、ＦＰＣ配線基板を共通化することができる。
【０１２０】
（２）表示画素領域の詳細について
本実施形態の係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の構成を、図２０を参照して説明する。
【０１２１】
第２の電極パターン１１８ｂは、対向基板１０２における素子基板１０４側の面において、第１の電極パターン１１０と直接には接しないように設けられている。すなわち、第２の電極パターン１１８ｂは、対向基板１０２において絶縁層を介して第１の電極パターン１１０と重なるように設けられている。
【０１２２】
例えば、図２０で示すように、第２の電極パターン１１８ｂと第１の電極パターン１１０の間には、絶縁材料でなるオーバーコート層１８８を介在させることで、両電極が直接接しないようにすることができる。また、オーバーコート層１８８に加えてカラーフィルタ層１８６及び／又は遮光層１８４も介在するようにしてもよい。かかる場合、遮光層１８４は、第２の電極パターン１１８ｂと導通しないように絶縁材料で形成することが好ましい。
【０１２３】
図２１は、第２の電極パターン１１８ｂと接するように保護膜１８２を設けた態様を示している。例えば、遮光層１８４を導電性の金属材料で形成する場合には、保護膜１８２を設けることで第２の電極パターン１１８ｂが遮光層１８４と導通しないようにすることができる。
【０１２４】
第２の電極パターン１１８ｂは透明導電性材料で形成されている。そして、第２の電極パターン１１８ｂと第１の電極パターン１１０が重なる態様は、図５で示すものと同様な構成を有している。このため、色混合の抑制及び光の利用効率が向上する効果は第１の実施形態と同様である。
【０１２５】
本実施形態においては、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８ｂを、絶縁層を介してパネルの内側（素子基板１０４と対向基板１０２とで挟まれる面）に設けることで、有機エレクトロルミネセンス表示装置の薄型化、若しくは小型化を図ることができる。また、第２の電極パターン１１８ｂがパネルの表面に露出しない構成となるので、当該電極の損傷や劣化を防ぐことができるので、信頼性を向上させることができる。
【０１２６】
なお、本実施形態では、絶縁層を挟んで第１の電極パターンを素子基板に近い側に、第２の電極パターンを対向基板に近い側に設ける構成を示したが、第１の電極パターンと第２の電極パターンを配置する面を転換することもできる。
【０１２７】
＜第４の実施形態＞
本実施形態は、センシング部における第２の電極パターンの構成が第３の実施形態と異なる構成について例示する。
【０１２８】
（１）モジュールの構成について
図２２に本実施形態に係る入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置のモジュールを示す。また、図２２で示すモジュールの断面模式図を図２３に示す。以下、図２２と図２３の両図面を参照して、本実施形態で例示されるモジュールについて説明する。なお、素子基板１０４の構成は第１の実施形態で説明するものと同じであり、以下において詳細な説明は省略する。
【０１２９】
センシング部１０６には、第１の電極パターン１１０及び第２の電極パターン１１８が設けられている。第１の電極パターン１１０及び第２の電極パターン１１８は共に、素子基板１０４と対向基板１０２で挟まれる内側領域に設けられている。
【０１３０】
第１の電極パターン１１０は第１の実施形態で示すものと同様の構成を有している。また、第２の電極パターン１１８は第２の実施形態で示すものと同様の構成を有している。第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８の重なる態様は、図１３で示すものと同様であり、両電極パターンによって副画素が囲まれるように配置されている。
【０１３１】
図２２で示す有機エレクトロルミネセンス表示装置の構成では、第２の電極パターン１１８は金属材料で形成されているため、第２の配線１２８及び第２の端子部１３２も同様に金属材料を用いて構成することができる。このため、第２の端子部１３２を第１の端子部１３０と近接して設けることができる。このような配置にすると、ＦＰＣ配線基板を共通化することができる。このため、モジュールに必要なＦＰＣ基板の数を減少させることができる。
【０１３２】
（２）表示画素領域の詳細について
本実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素領域の構成を、図２４を参照して説明する。なお、第３の実施形態との相違は第２の電極パターン１１８の構成にあるので、ここでは第２の電極パターン１１８の構成について説明する。
【０１３３】
第２の電極パターン１１８は反射率の低い導電性材料として、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で形成される。図２４における第２の電極パターン１１８は、図１０で示す形態と同様の形態を有している。第２の電極パターン１１８と第１の電極パターン１１０の間には絶縁層が介在している。絶縁層は、両電極パターンを絶縁するために専用に設けてもよいし、オーバーコート層１８８を兼用してもよい。また、カラーフィルタ層１８６や遮光層１８４が両電極パターンの間に介在するようにしてもよい。
【０１３４】
図２５は、第２の電極パターン１１８と接するように保護膜１８２を設けた態様を示している。例えば、遮光層１８４を導電性の金属材料で形成する場合には、保護膜１８２を設けることで第２の電極パターン１１８が遮光層１８４と導通しないようにすることができる。
【０１３５】
第２の電極パターン１１８は透明導電性材料で形成されている。そして、第２の電極パターン１１８と第１の電極パターン１１０が重なる態様は、図５で示すものと同様な構成を有している。このため、色混合の抑制及び光の利用効率が向上する効果は第２の実施形態と同様である。
【０１３６】
本実施形態においては、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８を、絶縁層を介してパネルの内側（素子基板１０４と対向基板１０２とで挟まれる面）に設けることで、有機エレクトロルミネセンス表示装置の薄型化、若しくは小型化を図ることができる。また、第２の電極パターン１１８がパネルの表面に露出しない構成となるので、当該電極の損傷や劣化を防ぐことができるので、信頼性を向上させることができる。そして、第２の電極パターンを、第１の電極パターンと同様に、副画素を囲むパターンとすることで、光漏れを防止し、副画素間での色混合による画質の低下を防ぐことができる。
【０１３７】
＜第５の実施形態＞
本実施形態は、センシング部における第１の電極パターン及び第２の電極パターンの双方が、素子基板と対向基板で挟まれた内側領域に設けられた入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置であって、電極パターンに接続する配線の構成が異なる態様について示す。
【０１３８】
図２６は、本実施形態に係る入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置のモジュール構成を示す。また、図２６で示すモジュールの断面模式図を図２７に示す。以下、図２６と図２７の両図面を参照して、本実施形態で例示されるモジュールについて説明する。なお、素子基板１０４の構成は第１の実施形態で説明するものと同じであり、また、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８の詳細は、第１の実施形態に示すものと同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１３９】
図２６において、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８は、共に対向基板１０２の同じ面（素子基板１０４側）に設けられている。第１の配線１２６と第２の配線１２８は、対向基板１０２の端部に引き出されるように配設されている。対向基板１０２の端部領域には、素子基板と接点を有する第１の端子部１３０及び第２の端子部１３２が設けられている。
【０１４０】
第１の端子部１３０と第２の端子部１３２は、接続電極１４２によって素子基板１０４に設けられる所定の配線と接続されている。そして、素子基板１０４において配線により第３の端子部１３４と接続されている。このような構成により、第１の電極パターン１１０及び第２の電極パターン１１８ｂと、外部回路との接続端子を第３の端子部１３４に集約することができる。従って、外部回路との接続に必要なＦＰＣ基板は一つで済むことになり、表示パネルの小型化を図ることができる。
【０１４１】
なお、図２６では、第１の端子部１３０と第２の端子部１３２が、素子基板１０４に設けられた第３の端子部１３４に近い側に設けられる態様を示しているが、第１の端子部１３０と第２の端子部１３２の位置はこの場所に限定されず、素子基板１０４と接点のとりやすい位置に設けることができる。しかしながら、図２６で示すように、第１の端子部１３０と第２の端子部１３２を第３の端子部１３４に近い位置に設けることで、素子基板１０４において必要となる引き回し配線の長さを短縮することができる。
【０１４２】
また、センシング部１０６の電極の態様が異なる態様の有機エレクトロルミネセンス表示装置を図２８に示し、その断面模式図を図２９に示す。ここで、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８は第２の実施形態に示すものと同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１４３】
図２８及び図２９に示す場合も同様に、第１の電極パターン１１０と第２の電極パターン１１８の出力端子を、パネルの内部に設けることが可能であるので、モジュール化するときに必要となるフレキシブルプリント基板の数を減らすことができる。それにより、表示パネルの小型化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、グラフィカルユーザーインターフェースを必要とする様々な電子機器に適用することができる。例えば、表示された画像を触れるように操作することで操作が行われるコンピュータ機器や携帯型の電子機器に加え、テレビジョン、画像モニタ、インフォメーションパネル、デジタルサイネージ、券売機、キャッシュディスペンサ等その他の特殊用途の電子機械器具に対して、本発明の一実施形態に係る表示装置を適用することができる。
【符号の説明】
【０１４５】
１０２：対向基板、１０４：素子基板、１０６：センシング部、１０８：表示画素領域、１１０：第１の電極パターン、１１２  第１の電極ブロック、１１４：第１の電極、１１６：第１の電極間パターン、１１８：第２の電極パターン、１２０：第２の電極ブロック、１２２：第２の電極、１２４：第２の電極間パターン、１２６：第１の配線、１２８：第２の配線、１３０：第１の端子部、１３２：第２の端子部、１３４：第３の端子部、１３６：第１のＦＰＣ基板、１３８：第２のＦＰＣ基板、１４０：第３のＦＰＣ基板、１４２：接続電極、１４４：副画素、１４６：トランジスタ、１４８：保持容量、１５０：発光素子、１６０：半導体層、１６２：ゲート絶縁層、１６４：ゲート電極、１６６：第１の層間絶縁層、１６８：ソース・ドレイン電極、１７０：第２の層間絶縁層、１７２：画素電極、１７４：隔壁層、１７６：発光層、１７８：対向電極、１８０：パッシベーション層、１８２：保護膜、１８４：遮光層、１８６：カラーフィルタ層、１８８：オーバーコート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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