(57)【要約】【課題】給電配線におけるめっき成長を抑制する弾性波装置の製造方法を提供する。【解決手段】弾性波装置の製造方法は、ＩＤＴ電極２、パッド電極３が形成された集合基板１の主面上に、個片領域１ａの境界線に沿って給電配線４を形成する工程と、ＩＤＴ電極２を内側に配置する第１開口１１ａを有する枠状で、パッド電極３が形成された領域に第１貫通孔１１ｂを有する第１支持部材１１を設ける工程と、第１支持部材１１の外側に第２支持部材１２を設ける工程と、第１支持部材１１の上面に、第１貫通孔１１ｂと重なる位置に第２貫通孔２０ｂを有する蓋部材２０を設ける工程と、電解めっきにより第１貫通孔１１ｂ、第２貫通孔２０ｂ内に端子電極３０を形成する工程とを備え、集合基板１と、第１支持部材１１と、第２支持部材１２と、蓋部材２０とで形成された密閉空間により、給電配線４が封止される。【選択図】図４
2015046870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個片基板に分割可能な複数の個片領域を有し、圧電性を有する集合基板を準備する第１工程と、
前記集合基板の主面上の前記個片領域のそれぞれに、ＩＤＴ電極を形成する第２工程と、
前記集合基板の主面上の前記個片領域のそれぞれに、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されたパッド電極を形成する第３工程と、
前記集合基板の主面上に、隣り合う前記個片領域の境界線の少なくとも一部に沿って、前記パッド電極に電気的に接続された給電配線を形成する第４工程と、
前記集合基板の主面上に互いに離間して配置され、前記ＩＤＴ電極のそれぞれを内側に配置する第１開口を有する枠状であり、かつ前記パッド電極が形成された当該枠状の領域に、予め第１貫通孔が形成された、または未だ第１貫通孔が形成されていない第１支持部材を設ける第５工程と、
前記集合基板の主面上において、前記第１支持部材の外側に第２支持部材を設ける第６工程と、
前記第１開口を封止するように前記第１支持部材の上面に接合され、前記集合基板を平面視して前記第１貫通孔と重なる位置に、予め第２貫通孔が形成された、または未だ第２貫通孔が形成されていない蓋部材を設ける第７工程と、
前記第１支持部材に前記第１貫通孔が未だ形成されていない場合、および前記蓋部材に前記第２貫通孔が未だ形成されていない場合の少なくとも一方の場合に、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔の少なくとも一方を形成する第８工程と、
前記パッド電極に前記給電配線を介して給電して、めっき液中から前記第１貫通孔および前記第２貫通孔内に金属を析出させて端子電極を形成する第９工程と、
前記境界線に沿って、前記蓋部材、前記第２支持部材、前記給電配線、および前記集合基板をダイシングブレードで切断加工することによって、前記複数の個片基板に分割する第１０工程と、を備え、
前記第７工程において、前記集合基板と、前記第１支持部材と、前記第２支持部材と、
前記蓋部材とで密閉空間が形成されることにより、前記第９工程において、前記密閉空間内に形成された前記給電配線が、前記めっき液と接触することが防止されていることを特徴とする、
弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
前記第６工程において、前記第２支持部材が、隣り合う前記第１支持部材同士の外側面に接続するように形成される、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
前記第７工程において、少なくとも２つの隣り合う前記個片領域それぞれを囲む前記境界線上に形成された前記給電配線が、前記密閉空間内に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性波装置について、パッケージの寸法を小型に実現できるウェハーレベルパッケージ（ＷＬＰ：Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）の開発が進められている（例えば、特開２０１２−２９１３４号公報（特許文献１）参照）。ＷＬＰは、集合基板に配線形成と樹脂封止を行った後に、集合基板を１パッケージ単位の個片基板に分割する方法である。
【０００３】
ＷＬＰにおける弾性波装置の製造工程について、図７（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、説明する。
【０００４】
まず、図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、複数の個片領域１０１ａを有する集合基板１０１の主面上に、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０２、パッド電極１０３を形成する。また、パッド電極１０３に電気的に接続された給電配線１０４を、隣接する個片領域１０１ａの境界線上に形成する。
【０００５】
次に、図７（Ｂ），（Ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極１０２を内側に囲むように枠状の支持部材１１１を、集合基板１０１の主面上に樹脂材料により形成する。
【０００６】
次に、図７（Ｃ）に示すように、集合基板１０１と支持部材１１１との間に中空空間を設けるように、支持部材１１１上面に板状の蓋部材１２０を接着封止する。
【０００７】
次に、パッド電極１０３の上方にある支持部材１１１および蓋部材１２０の部分に、貫通孔１３０ｂを空ける。
【０００８】
次に、電解めっきにより、支持部材１１１および蓋部１２０に空けられた貫通孔１３０ｂ内に、パッド電極１０３に接合される端子電極１３０を形成する。
【０００９】
最後に、給電配線１０４を除去するように、個片領域１０１ａの境界線上に沿ってダイシングブレードで切断することにより、集合基板１０１を１パッケージ単位の個片基板に分割し、弾性波装置を完成させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２−２９１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した従来の弾性波装置の製造方法において、支持部材１１１および蓋部材１２０を貫通する端子電極１３０は、電解めっきを用いるめっき装置により形成される。
【００１２】
電解めっきを用いるめっき装置にはカップ式、ラック式など種類がある。例えば、カップ式のめっき装置１５０は、図８（Ａ）に示すように、Ｎｉ等を含むめっき液１５３が充填されためっき槽１５１と、めっき槽１５１の上端開口に形成された集合基板載置部１５２を備えている。めっき槽１５１内には、電解めっき用の一方の電極であるアノード（陽極）１５４が設置されている。集合基板載置部１５２には、カソード（陰極）１５６およびパッキン１５５が取り付けられている。
【００１３】
図８（Ｂ）に示すように、電解めっきを用いるめっき装置においては、蓋部材１２０を下側にした状態で、集合基板１０１を集合基板載置部１５２に載せて、集合基板１０１をめっき槽１５１内のめっき液１５３に接触させる。この状態でアノード１５４とカソード１５６の両電極間に給電することにより、貫通孔１３０ｂ内に露出したパッド電極１０３の表面から順に、めっきを成長させ、図７（Ｃ）に示すように、端子電極１３０を形成する。
【００１４】
図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、集合基板１０１を集合基板載置部１５２に固定する箇所には、集合基板１０１のサイズの公差等を考慮して、間隔Ｓが設けられている。そのため、上述した電解めっき工程においては、集合基板１０１のめっき装置１５０に対する位置ずれが間隔Ｓの範囲内で発生することがある。その結果、集合基板１０１のめっき装置１５０に対する位置ずれによって、蓋部材１２０の外周のうちのいずれかの箇所がパッキン１５５と接触せず、図８（Ｂ）に示すように隙間Ｇが発生する場合がある。
【００１５】
貫通孔１３０ｂをパッキン１５５で塞がないようにして、集合基板１０１における良品エリアをできる限り広く取るために、通常では、蓋部材１２０とパッキン１５５との接触面積は小さく設定されている。そのため、少しの位置ずれによっても隙間Ｇが発生する可能性がある。
【００１６】
ＷＬＰにより形成された集合基板１０１においては、図７（Ｂ），（Ｃ）に示すように、支持部材１１１を介して集合基板１０１と蓋部材１２０に挟まれた中空空間に、給電配線１０４が露出している。そのため、上述した電解めっきにおいて、めっき液１５３が隙間Ｇを通過して溢れだすと、図８（Ｂ）に示すように、支持部材１１１の側面から集合基板１０１と蓋部材１２０に挟まれた中空空間にめっき液１５３が流入する場合があった。図８（Ｂ）に示すように、めっき液１５３の流入時に給電配線１０４とカソード１５６がいずれかの箇所で接触していると、給電配線１０４の全体は通電され、給電配線１０４上にめっき層が成長してしまう場合があった。この場合には、電解めっき後に集合基板１０１をチップサイズに切り出すために、めっき成長した給電配線１０４上をダイシングブレードで切断すると、給電配線１０４のみならず、給電配線１０４上に成長した比較的硬いＮｉ等を含むめっき層も切断する必要があり、ダイシング性の悪化が発生してしまうことがあった。さらには、ダイシングによって発生しためっきくずによって、パッド電極１０３間がショートしてしまうこともあった。
【００１７】
そこで、本発明は、電解めっき工程において端子電極を形成する際に、個片領域の境界線上に形成された給電配線にめっき成長することを抑制し、ダイシング性の悪化やパッド電極間のショートの問題の発生を抑制する、弾性波装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明に基づく弾性波装置の製造方法は、個片基板に分割可能な複数の個片領域を有し、圧電性を有する集合基板を準備する第１工程と、前記集合基板の主面上の前記個片領域のそれぞれに、ＩＤＴ電極を形成する第２工程と、前記集合基板の主面上の前記個片領域のそれぞれに、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されたパッド電極を形成する第３工程と、前記集合基板の主面上に、隣り合う前記個片領域の境界線の少なくとも一部に沿って、前記パッド電極に電気的に接続された給電配線を形成する第４工程と、前記集合基板の主面上に互いに離間して配置され、前記ＩＤＴ電極のそれぞれを内側に配置する第１開口を有する枠状であり、かつ前記パッド電極が形成された当該枠状の領域に、予め第１貫通孔が形成された、または未だ第１貫通孔が形成されていない第１支持部材を設ける第５工程と、前記集合基板の主面上において、前記第１支持部材の外側に第２支持部材を設ける第６工程と、前記第１開口を封止するように前記第１支持部材の上面に接合され、前記集合基板を平面視して前記第１貫通孔と重なる位置に、予め第２貫通孔が形成された、または未だ第２貫通孔が形成されていない蓋部材を設ける第７工程と、前記第１支持部材に前記第１貫通孔が未だ形成されていない場合、および前記蓋部材に前記第２貫通孔が未だ形成されていない場合の少なくとも一方の場合に、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔の少なくとも一方を形成する第８工程と、前記パッド電極に前記給電配線を介して給電して、めっき液中から前記第１貫通孔および前記第２貫通孔内に金属を析出させて端子電極を形成する第９工程と、前記境界線に沿って、前記蓋部材、前記第２支持部材、前記給電配線、および前記集合基板をダイシングブレードで切断加工することによって、前記複数の個片基板に分割する第１０工程と、を備え、前記第７工程において、前記集合基板と、前記第１支持部材と、前記第２支持部材と、前記蓋部材とで密閉空間が形成されることにより、前記第９工程において、前記密閉空間内に形成された前記給電配線が、前記めっき液と接触することが防止されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、電解めっき工程において、給電配線上にめっき成長することを抑制することができるため、ダイシング性の悪化やパッド電極間のショートの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の実施形態にかかる弾性波装置１００の製造方法において適用する工程を示す図である。
【図２】図２（Ａ）は、図１における領域Ｆ１の拡大図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態にかかる弾性波装置１００の製造方法において適用する工程であり、図２に示した工程の次の工程を示す図である。図３（Ａ）は、図１における領域Ｆ１の拡大図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態にかかる弾性波装置１００の製造方法において適用する工程であり、図３に示した工程の次の工程を示す図である。図４（Ａ）は、図１における領域Ｆ１の拡大図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態にかかる弾性波装置１００の製造方法において適用する電解めっき工程であり、図４に示した工程の次の工程を示す図である。図５（Ａ）は、電解めっき工程の断面図である。なお、図５（Ａ）においては、ＩＤＴ電極２、パッド電極３、給電配線４、第１支持部材１１に形成された第１貫通孔１１ｂ、第２支持部材１２、蓋部材２０に形成された第２貫通孔２０ｂを省略している。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の電解めっき工程における領域Ｆ２の拡大図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態にかかる弾性波装置１００の製造方法において適用する工程であり、図５に示した工程の次の工程を示す図である。図６（Ａ）は、図１における領域Ｆ１の拡大図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、従来の弾性波装置の製造方法において、ＷＬＰにおける配線形成および樹脂封止後であって、チップサイズに切り出す前の集合基板１０１の平面図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）における領域Ｆ３の拡大図である。図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図８】図８（Ａ）は、従来の弾性波装置の製造方法におけるカップ式のめっき装置１５０の断面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）における領域Ｆ４の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施形態にかかる弾性波装置１００の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。
【００２２】
まず、個片基板に分割可能な複数の個片領域１ａを有し、圧電性を有するウェハー状の集合基板を準備し、図１、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、集合基板１における複数の個片領域１ａそれぞれの主面上に、ＰｔやＡｌ−Ｃｕ合金等からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２、パッド電極３、給電配線４を形成する。
【００２３】
具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、圧電性のタンタル酸リチウム単結晶、水晶、ＺｎＯ等からなる集合基板１の主面上に、厚み約１μｍの金属層を形成する。金属層には、例えば、ＰｔやＡｌ−Ｃｕ合金等を使用する。
【００２４】
その後、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングを行う。
【００２５】
パターニングされた金属層は、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極２、パッド電極３、給電配線４となる。ＩＤＴ電極２は、複数の個片領域１ａそれぞれの主面上の中央部分に形成する。パッド電極３は、ＩＤＴ電極２に電気的に接続するように、各ＩＤＴ電極２それぞれの周囲に、計４個形成する。給電配線４は、複数の個片領域１ａの境界線に沿って、パッド電極３と電気的に接続するように形成する。また、給電配線４は、図１に示すように、集合基板１の外周の４箇所に、線状に形成される。この線状の給電配線４は、境界線に沿って形成された給電配線４と電気的に接続されており、後の電解めっき工程で使用される。
【００２６】
次に、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、集合基板１の主面上に互いに離間して配置され、ＩＤＴ電極２のそれぞれを内側に配置する第１開口１１ａを有する、ポリイミド等の樹脂からなる枠状の第１支持部材１１を形成する。また、隣り合う第１支持部材１１の外側面をつなぐように、線状の第２支持部材１２を形成する。
【００２７】
具体的には、まず、例えば、ポリイミド等の樹脂からなる薄膜を、ロールラミネート法により貼り付ける。その後、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部を除去し、ＩＤＴ電極２の振動空間を構成する第１開口１１ａを形成する。また、同様に薄膜の一部を除去し、パッド電極３が形成された枠状の領域に、第１貫通孔１１ｂを形成する。第１貫通孔１１ｂの直径は、例えば、約１００μｍとする。
【００２８】
第１支持部材１１の形成と同時に、薄膜の個片領域１ａの境界線近傍の部分を除去することにより、集合基板１の主面上に、隣り合う第１支持部材１１同士の外側面を接続する線状の第２支持部材１２を形成する。第２支持部材１２は、図３（Ａ）に示すように、隣り合う第１支持部材１１の長辺側同士および短辺側同士を接続するように形成する。
【００２９】
その結果、図３（Ａ）に示すように、第１支持部材１１の外側面および第２支持部材１２の外側面によって、給電配線４上の空間を囲む第２開口１２ａが形成される。このように第２支持部材１２を集合基板１の全面に形成することによって、集合基板１の主面上の給電配線４を第２開口１２ａ内に囲むことができる。
【００３０】
次に、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１支持部材１１および第２支持部材１２の上面に、高さ数十μｍ程度の蓋部材２０を形成する。具体的には、ポリイミド等の樹脂からなる薄膜を、ロールラミネート法により貼り付けることによって蓋部材２０を形成する。その結果、薄膜によって第１開口１１ａが塞がれて、ＩＤＴ電極２の振動空間が構成される。また、第２支持部材１２が薄膜と接合され、薄膜によって第２開口１２ａも塞がれることにより、集合基板１と、第１支持部材１１と、第２支持部材１２と、蓋部材２０とで、密閉空間が形成される。その結果、密閉空間内に給電配線４が形成されることになる。
【００３１】
次に、フォトリソグラフィー法等により、蓋部材２０において、集合基板１を平面視して第１貫通孔１１ｂと重なる位置を除去し、第２貫通孔２０ｂを形成する。第２貫通孔２０ｂの直径は、例えば、約１００μｍとする。
【００３２】
次に、集合基板１をＮ２雰囲気中のオーブンで加熱することにより、第１支持部材１１、第２支持部材１２、および蓋部材２０を硬化させる。
【００３３】
次に、第１貫通孔１１ｂおよび第２貫通孔２０ｂの内部に、電解めっきにより、パッド電極３と電気的に接続した端子電極３０を形成する。
【００３４】
電解めっきには、図５（Ａ）に示すようなカップ式のめっき装置５０を使用する。このめっき装置５０は、Ｎｉを含むめっき液５３が充填されためっき槽５１と、めっき槽５１の上端開口に形成された集合基板載置部５２を備えている。めっき槽５１内には、電解めっき用の一方の電極であるアノード（陽極）５４が設置されている。集合基板載置部５２の全周には、内周部分が凸状のパッキン５５が取り付けられている。集合基板載置部５２の全周の外側には、電解めっき用の他方の電極であるカソード（陰極）５６が取り付けられている。
【００３５】
以下に、カップ式のめっき装置５０を用いて行う電解めっきについて、順を追って説明する。
【００３６】
まず、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、蓋部材２０が形成された集合基板１を、めっき装置５０に設置する。具体的には、蓋部材２０を下側に向けた状態で、蓋部材２０の外周部を集合基板載置部５２のパッキン５５上に、集合基板１の給電配線４を集合基板載置部５２のカソード５６上に載置する。
【００３７】
次に、集合基板１を押さえ部材５７で集合基板載置部５２に押しつけて、パッキン５５に蓋部材２０を、図１に示した集合基板１の外周の４箇所に形成された線状の給電配線４にカソード５６を確実に接触させた状態で、めっき槽５１に固定する。その結果、集合基板１がめっき槽５１内のめっき液５３に接触する。
【００３８】
次に、アノード５４およびカソード５６の両電極間に給電することにより、第１貫通孔１１ｂおよび第２貫通孔２０ｂ内に流入しためっき液５３がパッド電極３に接触し、パッド電極３の表面から順に、めっき成長させることができる。その結果、第１貫通孔１１ｂおよび第２貫通孔２０ｂ内に、めっき液５３中からＮｉ金属が析出し、端子電極３０が形成される。
【００３９】
次に、上記と同様のカップ型のめっき装置５０において、Ａｕを含むめっき液５３を用いて、Ｎｉからなる端子電極３０の上側にＡｕからなる端子電極３０を成長させる。このめっき工程により、Ｎｉ層およびＡｕ層の計２層からなる端子電極３０を形成する。
【００４０】
次に、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、メタルマスクを用いて、端子電極３０の上面およびその近傍に、はんだペーストを印刷し、続いて、リフロー、フラックス洗浄を行うことで、はんだボール４０を形成する。
【００４１】
最後に、給電配線４を除去するように、集合基板１の個片領域１ａの境界線に沿って、蓋部材２０、第２支持部材１２、給電配線４、および集合基板１をダイシングブレードで切断加工することにより、個片化された弾性波装置１００が完成し、本実施形態にかかる弾性波装置１００の製造方法は完了する。
【００４２】
電解めっき工程において、通常では、蓋部材２０の外周は全周にわたってパッキン５５に接触しており、蓋部材２０と集合基板載置部５２との間からめっき液５３が漏れ出すことはない。しかしながら、集合基板１をめっき装置５０に載せる際の位置ずれ等により、図８（Ｂ）を参照して説明したように、電解めっきの際にパッキン５５と蓋部材２０との間に隙間ができる場合がある。
【００４３】
本実施形態によれば、たとえ電解めっき工程の際にパッキン５５と蓋部材２０との間に隙間ができたとしても、給電配線４を集合基板１と、第１支持部材１１と、第２支持部材１２と、蓋部材２０とで形成された密閉空間内に封止することによって、当該密閉空間内に形成された給電配線４上にめっき液５３が接触することを抑制することができる。その結果、めっき液５３の流入時にカソード５６と接触することにより給電した給電配線４上へのめっき層の成長を抑制することができる。したがって、境界線上の給電配線４にめっき層が成長することを抑制でき、ダイシング性の悪化も抑制できる。また、個片基板に分割して形成された各弾性波装置１００におけるパッド電極３同士がめっきくずによってショートしてしまうことも抑制できる。
【００４４】
また、本実施形態のように、第２支持部材１２を、何層にも隣り合う第１支持部材１１の間に形成しているので、給電配線４上へのめっき液５３の流入をより確実に抑制することができる。
【００４５】
また、本実施形態のように、Ｎｉ、Ａｕの複数の金属をめっき成長させるためには、複数回めっき装置５０に集合基板１を固定する必要がある。この場合においても、集合基板１のめっき装置５０への固定回数によらず、給電配線４上へのめっき層の成長を抑制できる。
【００４６】
また、本実施形態によれば、個片領域１ａそれぞれに、めっき液流入防止用の第２支持部材１２を形成しているので、集合基板１の形状や大きさに影響されて、第２支持部材１２の形状を設計し直す必要がない。
【００４７】
また、本実施形態によれば、第１支持部材１１と第２支持部材１２を同一の工程内で形成することができるため、第２の支持部材１２を形成するための工程を別途追加する必要が無く、製造コストの増加も抑制することができる。
【００４８】
なお、本発明にかかる弾性波装置の製造方法は本実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００４９】
例えば、本実施形態では、第２支持部材１２を、集合基板１の主面上に、隣り合う複数の第１支持部材１１それぞれの外側面をつなぐように形成しているが、全ての個片領域１ａを囲むように、枠状の第３の支持部材をさらに集合基板１の外周に沿うように形成しても良い。この場合では、パッキン５５と蓋部材２０との間に隙間ができて、めっき液５３が集合基板１の側面から侵入したとしても、より確実に給電配線４上でのめっき成長を抑制することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、線状の第２支持部材１２を、互いに隣接する第１支持部材１１の外側面同士をつなぐように、各第１支持部材１１の１つの外側面あたりに２つずつ形成しているが、めっき液の流入を防止することができれば、第２支持部材１２の数や形状等はどのようなものでも良い。例えば、第２支持部材１２と第１支持部材１１との組合せが、集合基板１の主面の中央部に位置する複数の個片領域を囲うように設けられても良い。具体例の一つとして、第２支持部材１２は、集合基板１の主面の外周に沿って環状となるように並んで配置されている複数の第１支持部材１１の互いに隣り合う外側面同士を接続することによって、第２支持部材１２と第１支持部材１１との交互の連なりが全体として完全な環状となるように形成されるものであっても良い。このとき、第２支持部材１２、第１支持部材１１、集合基板１と蓋部材２０により形成される封止空間の内部に、複数の個片領域が含まれていて良い。
【００５１】
また、本実施形態では、第１支持部材１１の形成時に第１貫通孔１１ｂを形成し、蓋部材２０の形成時に第２貫通孔２０ｂを形成しているが、第１支持部材および第２支持部材の形成時に、第１貫通孔および第２貫通孔を形成せずに、蓋部材を第１支持部材上に形成した後に、レーザー照射等により一度に第１貫通孔および第２貫通孔を形成しても良い。
【００５２】
もしくは、第１支持部材の形成時に第１貫通孔を形成しておき、蓋部材を第１支持部材上に形成した後に、集合基板を平面視して第１貫通孔と重なる位置に、第２貫通孔をレーザー照射等により蓋部材に形成しても良い。
【００５３】
もしくは、蓋部材の形成時に第２貫通孔を形成しておき、第２貫通孔内を通過するように第１支持部材にレーザー照射等することにより、第１貫通孔を形成しても良い。
【００５４】
また、本実施形態では、カップ式のめっき装置を用いた電解めっきにより、端子電極を形成しているが、電解めっきの方法はこれに限られず、ラック式のめっき装置等を用いた電解めっきでも良い。
【００５５】
また、本実施形態では、Ｎｉ又はＡｕを含むめっき液５３を電解めっきに使用しているが、めっき液に含まれる材料はこれに限られない。
【００５６】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００５７】
１  集合基板、１ａ  個片領域、２  ＩＤＴ電極、３  パッド電極、４  給電配線、１１  第１支持部材、１１ａ  第１開口、１１ｂ  第１貫通孔、１２  第２支持部材、１２ａ  第２開口、２０  蓋部材、２０ｂ  第２貫通孔、３０  端子電極、４０  はんだボール、５０  めっき装置、５１  めっき槽、５２  集合基板載置部、５３  めっき液、５４  アノード（陽極）、５５  パッキン、５６  カソード（陰極）、５７  押さえ部材、Ｆ１，Ｆ２  拡大部分、１００  弾性波装置、Ｄ  境界線、Ｓ  間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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