(57)【要約】【課題】マグネトロン１において、センタロッド３０が変形して陰極３２の位置が変位し、不要ノイズが発生することを抑制する。【解決手段】マグネトロン１は、円筒状の陽極１０と、陽極１０内に放射状に配置されて一方の端が陽極１０の内周面に接合され、他方の端が遊端となり、その遊端で囲まれた電子作用空間を形成する複数のベイン１３とを有する陽極部５と、一端部及び他端部に一対のエンドハット３３、３４が固定され、電子作用空間に配置される螺旋状の陰極３２と、一端部が陰極３２の中心を貫通して一方のエンドハット３３に固着されるセンタロッド３０と、一端部が他方のエンドハット３４に固着されるサイドロッド３１と、陽極部５及び陰極３２を囲んで配置される磁気ヨーク４０と、磁気ヨーク３２の内部で一端部に、センタロッド３０の他端部及びサイドロッド３１の他端部が固定されるステム２５とを設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
管軸を中心とする円筒状の陽極と、当該陽極内に前記管軸を中心にして放射状に配置され、それぞれ一方の端が前記陽極の内周面に接合されると共に、他方の端が遊端となり、当該遊端によって囲まれた電子作用空間を形成する複数のベインとを有する陽極部と、
一端部及び他端部に一対のエンドハットが固定され、前記電子作用空間に配置される螺旋状の陰極と、
一端部が前記陰極の中心を貫通して一方の前記エンドハットに固着されるセンタロッドと、
一端部が他方の前記エンドハットに固着されるサイドロッドと、
前記陽極部及び前記陰極を囲んで配置される磁路形成用の磁気ヨークと、
前記磁気ヨークの内部で一端部に、前記センタロッドの他端部及び前記サイドロッドの他端部が固定されるステムと
を具備することを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
一端が前記陽極の端部に固着されると共に、他端部が前記ステムの前記一端部に接合され、当該他端部に折り返しによりチョーク溝が形成された金属封着体
を具備することを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン。
【請求項３】
前記センタロッド及び前記サイドロッドは、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブのいずれか又はそれらの合金によって形成された
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のマグネトロン。
【請求項４】
前記センタロッド及び前記サイドロッドは、それぞれ前記ステムの長さよりも短い所定の長さに形成された
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のマグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子レンジ等のマイクロ波加熱機器に用いられるマグネトロンに関する。
【背景技術】
【０００２】
２４５０［ＭＨｚ］帯のマイクロ波を発振する一般的なマグネトロンは、陽極部、陰極部、入力部及び出力部を備えている。陽極部は、円筒状の陽極と、当該陽極の内部に放射状に配設された複数のベインとを備え、その陽極の中心部に複数のベインの遊端で囲まれた電子作用空間を形成している。
【０００３】
そしてマグネトロンは、陽極の出力側の端部及び入力側の端部に固着されて対向配置される一対の漏斗状のポールピースにより、陽極の出力側及び入力側に配置された永久磁石の磁束を電子作用空間に導いている。またマグネトロンは、陽極の出力側の端部に金属封着体を介して出力部が設けられている。
【０００４】
一方、陰極部は、陽極の入力側の端部に接合された金属封着体と、その金属封着体に一端部が接合され、一対の接続端子を導出するステムとを備えている。また陰極部は、電子作用空間に配置される螺旋状の陰極と、その陰極を支持して電力を供給するためのセンタロッド及びサイドロッドとを備えている。
【０００５】
陰極は、出力側の端部及び入力側の端部にそれぞれエンドハットが固着されている。そしてセンタロッドは、その一端部が陰極の中心を貫通して出力側のエンドハットに接合されると共に、他端部がステムの一端部に固定され一方の接続端子と電気的に接続されている。またサイドロッドは、その一端部が入力側のエンドハットに接合されると共に、他端部がステムの一端部に固定され他方の接続端子と電気的に接続されている。
【０００６】
さらにマグネトロンは、陽極部及び陰極と共に永久磁石を囲んで磁路形成用の磁気ヨークが配置され、当該磁気ヨークの外面に設けられた入力部に一対の接続端子が接合されている。これによりマグネトロンは、陽極部と、陰極部の螺旋状の陰極とからなる発振部により、ＩＳＭ帯域（２４００〜２５００［ＭＨｚ］）のマイクロ波すなわち、基本波を発生させている。
【０００７】
そして従来のマグネトロンは、電子作用空間の直径及び当該電子作用空間の中心に位置する陰極の外径を適宜選定したうえで、一対のポールピースの孔部の内径や内側対向面の外径を適宜選定することで、ＩＳＭ帯域のマイクロ波を発生させる発振部において、ＩＳＭ帯域から外れた例えば、近接低周波数帯域（２３００〜２４００［ＭＨｚ］）の電磁波については不要ノイズとして発生を抑制している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２３２１１４公報（第４頁、第５頁、第６頁、図１、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、従来のマグネトロンは、磁気ヨークの外部でステムの一端部にセンタロッドの他端部及びサイドロッドの他端部が固定されている。よってマグネトロンは、センタロッド及びサイドロッドが、磁気ヨークの中央部に位置する電子作用空間で陰極を支持するために比較的長く形成されている。特にセンタロッドは、陰極の中心を貫通したうえで、一端部が出力側のエンドハットに接合されることで、サイドロッドよりも格段的に長く形成されている。またセンタロッドは、このように比較的長いにも関わらず、出力側のエンドハットに接合された一端部が他の部品には固定されていない。
【００１０】
このためセンタロッドは、例えば、マイクロ波の発振に伴い発熱して熱膨張するものの、その熱膨張を繰り返していると変形して、一端部の位置と共に電子作用空間での陰極の位置を変位させる可能性がある。そしてマグネトロンでは、このようにセンタロッド及びサイドロッドが変形して電子作用空間での陰極の位置が変位すると、陰極コイルの断線および、発振部によるＩＳＭ帯域外の近接低周波数帯域の不要ノイズの発生を抑制し難くなる。
【００１１】
そこで、本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、センタロッド及びサイドロッドが変形し電子作用空間での陰極の位置が変位することを防止して、陰極コイルの断線および、不要ノイズの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述の課題を解決するため、本発明は、管軸を中心とする円筒状の陽極と、当該陽極内に管軸を中心にして放射状に配置され、それぞれ一方の端が陽極の内周面に接合されると共に、他方の端が遊端となり、当該遊端によって囲まれた電子作用空間を形成する複数のベインとを有する陽極部と、一端部及び他端部に一対のエンドハットが固定され、電子作用空間に配置される螺旋状の陰極と、一端部が陰極の中心を貫通して一方のエンドハットに固着されるセンタロッドと、一端部が他方のエンドハットに固着されるサイドロッドと、陽極部及び陰極を囲んで配置される磁路形成用の磁気ヨークと、磁気ヨークの内部で一端部に、センタロッドの他端部及びサイドロッドの他端部が固定されるステムとを具備することを特徴とするマグネトロンにある。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、センタロッド及びサイドロッドの長さを従来に比して短くすることができ、センタロッド及びサイドロッドが変形し電子作用空間での陰極の位置が変位することを防止して、陰極コイルの断線および、不要ノイズの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態によるマグネトロンの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態による陰極部の構成を示す断面図である。
【図３】従来の陰極部の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態による陰極筒体の構成を示す側面図である。
【図５】従来の陰極筒体の構成を示す側面図である。
【図６】本発明の一実施の形態によるステムの構成を示す側面図である。
【図７】従来のステムの構成を示す側面図である。
【図８】本発明の一実施の形態による一対の支持板の構成を示す上面図である。
【図９】従来の一対の支持板の構成を示す上面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態による一対の接続端子の構成を示す側面図である。
【図１１】従来の一対の接続端子の構成を示す側面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態による一対の支持板に対するセンタロッド、サイドロッド及び一対の接続端子の接合を説明する断面図である。
【図１３】従来の一対の支持板に対するセンタロッド、サイドロッド及び一対の接続端子の接合を説明する断面図である。
【図１４】本発明の一実施の形態による陰極部の構成を示す下面図である。
【図１５】従来の陰極部の構成を示す下面図である。
【図１６】本発明の一実施の形態によるステムの一端部に対するセンタロッド及びサイドロッドの固定位置を示す断面図である。
【図１７】従来のステムの一端部に対するセンタロッド及びサイドロッドの固定位置を示す断面図である。
【図１８】本発明の一実施の形態によるセンタロッド及びサイドロッドの構成を示す断面図である。
【図１９】従来のセンタロッド及びサイドロッドの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下図面を用いて、発明を実施するための最良の形態（以下、これを実施の形態とも呼ぶ）について説明する。まず、図１を用いて、本発明の一実施の形態に係るマグネトロン１の構造の概略について説明する。図１は、マグネトロン１の管軸ＴＡに沿った概略縦断面を示している。
【００１６】
マグネトロン１は、陽極部５、陰極部６、出力部７及び入力部８を備え、その陽極部５を中心として、管軸ＴＡに沿った一方の側（図中の下側）に陰極部６が配置され、その管軸ＴＡに沿った他方の側（図中の上側）に、当該陽極部５及び陰極部６により発振されるＩＳＭ帯域（２４００〜２５００［ＭＨｚ］のマイクロ波すなわち、基本波を外部に出力する出力部７が配置されている。
【００１７】
これら陰極部６及び出力部７は、陽極部５の円筒状の陽極１０に、当該陰極部６に設けられた鍔付円筒状の金属封着体（以下、これを陰極筒体とも呼ぶ）１１と、出力部封着用の鍔付円筒状の金属封着体（以下、これを出力側金属封着体とも呼ぶ）１２とによって真空気密に接合されている。また陰極部６の陽極部５が接合される側とは反対側に、当該陰極部６に電力を給電する入力部８が配置されている。
【００１８】
陽極部５は、陽極１０、偶数枚のベイン１３、及び４本のストラップリング１４乃至１７を備えている。陽極１０は、例えば、銅により所定の外径を有する円筒状に形成されている。そして陽極１０は、その中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて配置されている。
【００１９】
各ベイン１３は、それぞれ例えば、銅により板状に形成されている。そして各ベイン１３は、陽極１０内に管軸ＴＡを中心に放射状に配置され、それぞれ外側の端が陽極１０の内周面に接合されると共に、内側の端が遊端になっている。これにより各ベイン１３の遊端に囲まれた円柱状の空間が、電子作用空間になっている。
【００２０】
４本のストラップリング１４乃至１７は、例えば、そのうちの２本が所定の導電性金属により比較的径の小さい同一径に形成され、残りの２本が所定の導電性金属により他の２本よりも径の大きい同一径に形成されている。
【００２１】
そして小径の一方のストラップリング１４及び大径の一方のストラップリング１６は、それぞれの中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて、１枚おきのベイン１３の出力側の端部及び入力側の端部に接続され、これら１枚おきのベイン１３同士を短絡している。
【００２２】
また小径の他方のストラップリング１５及び大径の他方のストラップリング１７は、それぞれの中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて、残りの１枚おきのベイン１３の入力側の端部及び出力側の端部に接続され、これら残りの１枚おきのベイン１３同士を短絡している。
【００２３】
ここで、出力側金属封着体１２は、その中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて、一端部である鍔部が陽極１０の一端部（すなわち、出力側の端部）に固着され、他端部である円筒部の先端部分を出力部７側に突出させている。そして出力側金属封着体１２は、その円筒部に環状の永久磁石（以下、これを出力側磁石とも呼ぶ）２０が嵌着されている。
【００２４】
また陰極筒体１１は、その中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて、一端部である鍔部が陽極１０の他端部（すなわち、入力側の端部）に固着され、他端部である円筒部の先端部分を入力部８側に突出させている。そして陰極筒体１１は、その円筒部に環状の永久磁石（以下、これを入力側磁石とも呼ぶ）２１が嵌着されている。
【００２５】
さらにマグネトロン１は、出力側磁石２０及び入力側磁石２１の磁束を電子作用空間に導くための一対の略漏斗状のポールピース２２、２３を備えている。一対のポールピース２２、２３は、それぞれの中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて、外縁部が出力側金属封着体１２及び陰極筒体１１の鍔部の対向面に接合されると共に陽極１０の一端部及び他端部に接合され、電子作用空間を介して互いの孔部を対峙させている。
【００２６】
一方、陰極部６は、陰極筒体１１と共に、ステム２５、一対の支持板２６、２７、一対の接続端子２８、２９、センタロッド３０、サイドロッド３１、陰極３２、及び一対のエンドハット３３、３４を備えている。
【００２７】
ステム２５は、一端面の縁部に陰極筒体１１の円筒部の先端が接合されると共に、当該一端面の中央部に一対の支持板２６、２７が固着されている。そしてステム２５は、一対の支持板２６、２７にそれぞれ一端部が接合された一対の接続端子２８、２９の他端部を、内部を貫通させて他端面から導出している。
【００２８】
センタロッド３０は、他端部が一方の支持板２６を介してステム２５の一端部に固定され、一方の接続端子２８と電気的に接続されている。そしてセンタロッド３０は、その直線状の一端部を管軸ＴＡにほぼ一致させて電子作用空間に位置させている。
【００２９】
またサイドロッド３１は、他端部が他方の支持板２７を介してステム２５の一端部に固定され、他方の接続端子２９と電気的に接続されている。そしてサイドロッド３１は、その一端部をセンタロッド３０の一端部に添わせて電子作用空間の他端部（すなわち、入力側の端部）に位置させている。
【００３０】
陰極３２は、螺旋状のフィラメントである。また一方のエンドハット３３は、所定の導電性金属によりディスク状に形成され、その中心軸を陰極３２の中心軸にほぼ一致させて当該陰極３２の一端部に固定されている。さらに他方のエンドハット３４は、所定の導電性金属によりリング状に形成され、その中心軸を陰極３２の中心軸にほぼ一致させて当該陰極３２の他端部に固定されている。
【００３１】
そしてセンタロッド３０は、一端部が、他方のエンドハット３４の孔部、陰極３２の中心及び一方のエンドハット３３の孔部を順に貫通して、当該一方のエンドハット３３の外面に固着され、そのエンドハット３３を介して陰極３２と電気的に接続されている。またサイドロッド３１は、一端部が他方のエンドハット３４の外面に固着され、そのエンドハット３４を介して陰極３２と電気的に接続されている。
【００３２】
このようにしてセンタロッド３０及びサイドロッド３１は、出力側に位置する一方のエンドハット（以下、これを出力側エンドハットとも呼ぶ）３３及び入力側に位置する他方のエンドハット（以下、これを入力側エンドハットとも呼ぶ）３４を介して陰極３２を、当該陰極３２の中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて支持している。すなわち、陰極３２は、各ベイン１３の遊端（すなわち、内側の端）と間隔を空けて電子作用空間に配置されている。
【００３３】
また出力部７は、セラミック絶縁筒３６、排気管３７、アンテナロッド３８、及びキャップ３９を備えている。セラミック絶縁筒３６は、一端が出力側金属封着体１２の円筒部の先端に固定され、他端が排気管３７の端部に接合されている。
【００３４】
アンテナロッド３８は、発振部により発振されたマイクロ波を外部に出力するためのものであり、根元部が複数のベイン１３のうちの１枚に接合され、先端側が出力部７側のポールピース２２を貫通して管軸ＴＡ上を排気管３７まで導出され、当該先端が排気管３７に挟持されている。キャップ３９は、排気管３７全体を覆うように設けられている。
【００３５】
またマグネトロン１は、陽極部５、出力側磁石２０及び入力側磁石２１を囲んで磁路形成用の磁気ヨーク４０が配置される共に、陽極１０の外周面と磁気ヨーク４０の内面との間に複数枚の冷却ラジエータ４１が圧入されている。
【００３６】
さらに入力部８は、フィルタボックス４３と、フィルタ回路を形成するコイル４４と、貫通コンデンサ４５とを備えている。フィルタボックス４３は、一面を磁気ヨーク４０の外面に当接させて配置され、ステム２５の他端部を収納している。
【００３７】
またフィルタボックス４３は、内部に貫通コンデンサ４５の先端部と共に、その先端部に接続されたコイル４４が収納され、当該コイル４４に、ステム２５の他端面から導出された一対の接続端子２８、２９の他端部が接続されている。
【００３８】
このようにしてマグネトロン１は、陽極部５と、陰極部６の螺旋状の陰極３２とにより、ＩＳＭ帯域（２４００〜２５００［ＭＨｚ］）のマイクロ波すなわち、基本波を発生させる発振部を形成している。
【００３９】
因みに、マグネトロン１は、電子作用空間の直径及び当該電子作用空間の中心に位置する陰極３２の外径が従来のマグネトロンの場合と同様に適宜選定されたうえで、一対のポールピース２２、２３の孔部の内径や内側対向面の外径も従来のマグネトロンの場合と同様に適宜選定されている。
【００４０】
よってマグネトロン１は、ＩＳＭ帯域（２４００〜２５００［ＭＨｚ］）のマイクロ波すなわち、基本波を発生させる発振部において、ＩＳＭ帯域から外れた例えば、近接低周波数帯域（２３００〜２４００［ＭＨｚ］）の電磁波である不要ノイズの発生を抑制している。
【００４１】
ところで、本実施の形態によるマグネトロン１は、陰極部６の一部構成を除いて、陽極部５、出力部７、入力部８及び磁気ヨーク４０等の各部の形状や寸法、互いの位置関係等が、従来のマグネトロンと同様に形成されている。よって、以下には、本実施の形態によるマグネトロン１に設けられた陰極部６の構成を、従来のマグネトロンに設けられた陰極部の構成と比較して詳述する。
【００４２】
まず、図２に示すように、本実施の形態による陰極部６においてステム２５は、例えば、セラミックにより円柱状に形成されている。そしてステム２５は、その中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて一端面の縁部に、陰極筒体１１の円筒部の先端がロー付けされている。またステム２５は、一端面から他端面に亘り、一対の接続端子２８、２９がそれぞれ挿入される一対の孔部が穿設されている。
【００４３】
一対の支持板２６、２７は、それぞれ所定の導電性金属により例えば、同一の大きさの半円板状に形成されている。一方の支持板２６は、一面にセンタロッド３０が挿入されるロッド挿入孔部と、一方の接続端子２８が挿入される端子挿入孔部とが穿設されている。
【００４４】
また他方の支持板２７は、一面にサイドロッド３１が挿入されるロッド挿入孔部と、他方の接続端子２９が挿入される端子挿入孔部とが穿設されている。そして一対の支持板２６、２７は、互いの直線状の縁部を所定の間隔を空けて対向させた状態で、ステム２５の一端面の中央部にそれぞれ他面がロー付けされている。
【００４５】
一対の接続端子２８、２９は、それぞれ例えば、鉄の表面にニッケル（または銅のいずれか）をメッキして同一の長さのクランク状のロッドとして形成されている。そして一方の接続端子２８は、直線状の一端部がステム２５の一方の孔部に通された後、一方の支持板２６の端子挿入孔部に挿入されてロー付けされている。また他方の接続端子２９は、直線状の一端部がステム２５の他方の孔部に通された後、他方の支持板２７の端子挿入孔部に挿入されてロー付けされている。
【００４６】
センタロッド３０は、例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブのいずれか又はそれらの合金によりクランク状に形成されている。そしてセンタロッド３０は、他端部が一方の支持板２６のロッド挿入孔部に挿入されてロー付けされ、その一方の支持板２６を介して一方の接続端子２８と電気的に接続されている。
【００４７】
またサイドロッド３１は、例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブのいずれか又はそれらの合金により直線状に形成されている。そしてサイドロッド３１は、他端部が他方の支持板２７のロッド挿入孔部に挿入されてロー付けされ、その他方の支持板２７を介して他方の接続端子２９に電気的に接続されている。
【００４８】
一方、図３に示すように、従来の陰極部５０も、本実施の形態による陰極部６と同様に、陰極筒体５１、ステム５２、一対の支持板５３、５４、一対の接続端子５５、５６、センタロッド５７、サイドロッド５８、陰極５９、及び一対のエンドハット６０、６１を備えている。
【００４９】
陰極筒体５１は、鍔付円筒状に形成された金属封着体であり、その中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて、一端部である鍔部が陽極の他端部に固着され、他端部である円筒部の先端部分を入力部側に突出させている。
【００５０】
ステム５２は、例えば、セラミックにより円柱状に形成されている。そしてステム５２は、その中心軸を管軸ＴＡにほぼ一致させて、一端面の縁部に陰極筒体５１の円筒部の先端がロー付けされている。またステム５２は、一端面から他端面に亘り、一対の接続端子５５、５６がそれぞれ挿入される一対の孔部が穿設されている。
【００５１】
一対の支持板５３、５４は、それぞれ所定の導電性金属により例えば、同一の大きさの半円板状に形成されている。また一対の支持板５３、５４は、本実施の形態による一対の支持板２６、２７と同様に、それぞれ一面にロッド挿入孔部と端子挿入孔部とが穿設されている。そして一対の支持板５３、５４は、互いの直線状の縁部を所定の間隔を空けて対向させた状態で、ステム５２の一端面の中央部にそれぞれ他面がロー付けされている。
【００５２】
一対の接続端子５５、５６は、それぞれ例えば、鉄線の表面にニッケルまたは銅のいずれかをメッキして同一の長さのクランク状のロッドとして形成されている。そして一方の接続端子５５は、直線状の一端部がステム５２の一方の孔部に通された後、一方の支持板５３の端子挿入孔部に挿入されてロー付けされると共に、他端部を当該ステム５２の他端面から突出させている。
【００５３】
また他方の接続端子５６は、直線状の一端部がステム５２の他方の孔部に通された後、他方の支持板５４の端子挿入孔部に挿入されてロー付けされると共に、他端部を当該ステム５２の他端面から突出させている。
【００５４】
センタロッド５７は、例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブのいずれか又はそれらの合金によりクランク状に形成されている。そしてセンタロッド５７は、他端部が一方の支持板５３のロッド挿入孔部に挿入されてロー付けされ一方の接続端子５５と電気的に接続されると共に、直線状の一端部を管軸ＴＡにほぼ一致させて電子作用空間に位置させている。
【００５５】
またサイドロッド５８は、例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブのいずれか又はそれらの合金により直線状に形成されている。そしてサイドロッド５８は、他端部が他方の支持板５４のロッド挿入孔部に挿入されてロー付けされ他方の接続端子５６と電気的に接続されると共に、一端部をセンタロッド５７の一端部に添わせて電子作用空間の他端部に位置させている。
【００５６】
従来の陰極部５０において陰極５９、一対のエンドハット６０、６１は、本実施の形態による陰極部６の陰極３２、一対のエンドハット３３、３４と同様に形成されており、当該陰極５９の一端部及び他端部にそれぞれ一対のエンドハット６０、６１が固定されている。そして従来の陰極部５０は、本実施の形態による陰極部６と同様に、センタロッド５７及びサイドロッド５８により陰極５９を支持して、その陰極５９を電子作用空間に配置している。
【００５７】
ここで、図４に示すように、本実施の形態による陰極筒体１１は、鍔部１１Ａの外径Ｄ１や円筒部１１Ｂの外径Ｄ２が、図５に示す従来の陰極筒体５１の鍔部５１Ａの外径Ｄ３や円筒部５１Ｂの外径Ｄ４とほぼ等しく選定されている。
【００５８】
ただし、本実施の形態による陰極筒体１１は、鍔部１１Ａの一面からの円筒部１１Ｂの高さＬ１が、従来の陰極筒体５１における鍔部５１Ａの一面からの円筒部５１Ｂの高さＬ２よりも低い所定の高さに選定されている。
【００５９】
実際、従来の陰極筒体５１は、鍔部５１Ａの一面から円筒部５１Ｂの先端までの距離が、その円筒部５１Ｂの高さＬ２になっている。これに対して本実施の形態による陰極筒体１１は、図２からも明らかなように、円筒部１１Ｂの先端部分が所定の第１折返位置１１ＢＸで内側へカールするように根元側に折り返された後、先端近傍の第２折返位置１１ＢＹでさらに内側へカールするように根元側とは反対側に折り返されている。
【００６０】
よって陰極筒体１１は、鍔部１１Ａの一面から円筒部１１Ｂの第１折返位置１１ＢＸまでの距離が、その円筒部１１Ｂの高さＬ１になり、当該円筒部１１Ｂの先端１１ＢＺを折返位置１１ＢＸよりも根元側に位置させている。
【００６１】
また陰極筒体１１は、円筒部１１Ｂの先端部分を内側へ折り返しているため、上述した円筒部１１Ｂの外径Ｄ２は根元部分の外径であり、先端１１ＢＺの外径は、その根元部分の外径Ｄ２よりも小さくなっている。
【００６２】
そして本実施の形態によるマグネトロン１は、上述したように陽極部５の陽極１０と入力部８のコイル４４との位置関係が、従来のマグネトロンの陽極部の陽極と入力部のコイルとの位置関係とほぼ等しくなっている。
【００６３】
このため図６に示すように、本実施の形態によるステム２５は、その外径Ｄ５が、図７に示す従来のステム５２の外径Ｄ６よりも小さく選定されている。また本実施の形態によるステム２５は、その一端面２５Ａから他端面２５Ｂまでの長さＬ３が、従来のステム５２の一端面５２Ａから他端面５２Ｂまでの長さＬ４よりも長い所定の長さに選定されている。
【００６４】
よって図８に示すように、本実施の形態による一対の支持板２６、２７は、互いの一面２６Ａ、２７Ａの半径ｒ１が、本実施の形態によるステム２５の外径Ｄ５の１／２の長さよりも短い所定の長さに選定され、そのステム２５の一端面の中央部に配置されている。
【００６５】
因みに、図９に示すように、従来の一対の支持板５３、５４は、互いの一面５３Ａ、５４Ａの半径ｒ２が、従来のステム５２の外径Ｄ６の１／２の長さよりも短い所定の長さに選定されることで、そのステム５２の一端面の中央部に配置されている。
【００６６】
ただし、本実施の形態による一対の支持板２６、２７は、本実施の形態によるステム２５の外径Ｄ５が従来のステム５２の外径Ｄ６よりも小さいため、互いの一面２６Ａ、２７Ａの半径ｒ１が、従来の一対の支持板５３、５４の一面５３Ａ、５４Ａの半径ｒ２よりも短くなっている。
【００６７】
また図１０に示すように、本実施の形態による一対の接続端子２８、２９は、本実施の形態によるステム２５の長さＬ３が従来のステム５２の長さＬ４よりも長いため、一端から他端までの長さＬ５が、図１１に示す従来の一対の接続端子５５、５６の一端から他端までの長さＬ６よりも長い所定の長さに選定されている。
【００６８】
因みに、本実施の形態による陰極部６では、例えば、ステム２５の一端面の中心に対する一対の支持板２６、２７のロッド挿入孔部２６ＡＸ、２７ＡＸ及び端子挿入孔部２６ＡＹ、２７ＡＹの位置関係を、従来のステム２５の一端面の中心に対する一対の支持板５３、５４のロッド挿入孔部５３ＡＸ、５４ＡＸ及び端子挿入孔部５３ＡＹ、５４ＡＹの位置関係とほぼ等しくしている。
【００６９】
このため、本実施の形態による一対の接続端子２８、２９は、従来の一対の接続端子５５、５６と長さが異なるだけで、太さや折曲角度等が等しい同一形状に形成されている。
【００７０】
よって図１２に示すように、本実施の形態による陰極部６は、図１３に示す従来の陰極部５０と同様に、ステム２５の一端面に接合した一対の支持板２６、２７の端子挿入孔部２６ＡＹ、２７ＡＹにそれぞれ一対の接続端子２８、２９の一端部を挿入して接合することができる。
【００７１】
また、図１４に示すように、この状態で本実施の形態による陰極部６は、図１５に示す従来の陰極部５０と同様に、ステム２５の他端面から一対の接続端子２８、２９の他端部を突出させることができる。
【００７２】
従って、図１６に示すように、本実施の形態による陰極部６は、ステム２５の長さＬ３を従来のステム５２の長さＬ４より長くしても、一対の接続端子２８、２９の他端部を入力部８のコイル４４に接合することができる。
【００７３】
そして本実施の形態による陰極部６は、ステム２５が長い分、センタロッド３０及びサイドロッド３１の他端部がそれぞれ固定されるステム２５の一端部を磁気ヨーク４０の内部に位置させている。
【００７４】
すなわち、図１７に示すように、従来の陰極部５０であれば、ステム５２の長さＬ４が比較的短いため、一対の接続端子５５、５６の他端部が入力部６３のコイル６４に接合された状態で、センタロッド５７及びサイドロッド５８の他端部がそれぞれ固定されるステム５２の一端部を磁気ヨーク６５の外側に位置させている。
【００７５】
これに対して、本実施の形態による陰極部６は、ステム２５の一端部と共に一対の支持板２６、２７を、入力側磁石２１の孔部に入り込ませて従来に比して陰極３２に近づけている。
【００７６】
よって図１８に示すように、本実施の形態によるセンタロッド３０は、一端から他端までの長さＬ７が、図１９に示す従来のセンタロッド５７の一端から他端までの長さＬ８よりも短い所定の長さに選定されている。
【００７７】
また本実施の形態によるサイドロッド３１は、一端から他端までの長さＬ９が、従来のサイドロッド５８の一端から他端までの長さＬ１０よりも短い所定の長さに選定されている。
【００７８】
実際に本実施の形態によるセンタロッド３０及びサイドロッド３１は、本実施の形態によるステム２５及び一対の接続端子２８、２９がそれぞれ従来に比して長い分、これらステム２５の長さＬ３や一対の接続端子２８、２９の長さＬ５よりも短い所定の長さに選定されている。
【００７９】
そしてセンタロッド３０及びサイドロッド３１は、従来のセンタロッド５７及びサイドロッド５８と長さが異なるだけで、その太さや折曲角度等が等しい同一形状に形成されている。
【００８０】
よって本実施の形態による陰極部６は、センタロッド３０の長さが従来に比して短いものの、そのセンタロッド３０の他端部を、一方の支持板２６を介してステム２５の一端部に固定した状態で、当該センタロッド３０の一端部を一方のエンドハット３３に固着させることができる。
【００８１】
また本実施の形態による陰極部６は、サイドロッド３１の長さも従来に比して短いが、そのサイドロッド３１の他端部を、他方の支持板２７を介してステム２５の一端部に固定した状態で、当該サイドロッド３１の一端部を他方のエンドハット３４に固着させることができる。
【００８２】
これに加えてマグネトロン１は、発振部によりＩＳＭ帯域（２４００〜２５００［ＭＨｚ］）のマイクロ波すなわち、基本波を発生させるものの、その基本波以外に、当該基本波の整数倍の周波数の第２乃至第７高調波も同時に発生する。
【００８３】
このため本実施の形態による陰極部６では、陰極筒体１１の円筒部１１Ｂの先端部分に第１折返位置１１ＢＸでの折り返しによって形成される溝部の深さ、すなわち、第２折返位置１１ＢＹから第１折返位置１１ＢＸまでの溝部の深さＬ１１（図１２参照）が、第２乃至第７高調波の何れかの波長の約１／４に選定されている。
【００８４】
これにより陰極部６は、陰極筒体１１の円筒部１１Ｂに折り返しによって形成した溝部をチョーク溝、すなわち、１／４波長型チョークとして機能させている。
【００８５】
ここまで説明したように、本実施の形態によるマグネトロン１では、一対の接続端子２８、２９を導出するステム２５を、従来のステム５２よりも長くして、そのステム２５の一端面に、一対の接続端子２８、２９と接合される一対の支持板２６、２７を固着している。
【００８６】
そしてマグネトロン１では、それぞれ一端部が一対のエンドハット３３、３４に接合されて陰極３２を支持するセンタロッド３０及びサイドロッド３１の他端部を、磁気ヨーク４０の内部で、一対の支持板２６、２７を介してステム２５の一端部に固定している。
【００８７】
よってマグネトロン１は、センタロッド３０及びサイドロッド３１の長さを、従来のセンタロッド５７及びサイドロッド５８の長さに比して１／２乃至２／３程度まで短くすることができる。
【００８８】
これによりマグネトロン１は、センタロッド３０及びサイドロッド３１が例えば、マイクロ波の発振に伴う発熱による熱膨張を繰り返しても、変形して、その一端部の位置と共に電子作用空間での陰極３２の位置が変位することを防止することができる。従ってマグネトロン１は、長期間にわたって使用されても、陰極コイルの断線および、発振部による不要ノイズの発生を抑制することができる。
【００８９】
またマグネトロン１では、センタロッド３０及びサイドロッド３１が、従来のセンタロッド５７及びサイドロッド５８と同様に、比較的高価な稀少金属である例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブのいずれか又はそれらの合金によって形成されている。
【００９０】
ただし、マグネトロン１は、これらセンタロッド３０及びサイドロッド３１の長さを、従来のセンタロッド５７及びサイドロッド５８の長さに比して短くすることで、これらセンタロッド３０及びサイドロッド３１の形成に使用される例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブのいずれか又はそれらの合金の量を減らして製造コストを下げることもできる。
【００９１】
さらにマグネトロン１では、ステム２５の外径を、従来のステム５２の外径に比して小さくしている。そしてマグネトロン１では、そのステム２５の一端面の縁部に先端１１ＢＺが接合される陰極筒体１１において円筒部１１Ｂの先端部分を折り返して１／４波長型チョークとして機能させている。
【００９２】
これによりマグネトロン１は、発振部から基本波と共に発振される第２乃至第７高調波の何れかの輻射を、陰極筒体１１の１／４波長型チョークによって抑制することができる。
【００９３】
なお、本実施の形態によるマグネトロン１では、陰極筒体１１の円筒部１１Ｂにおいて先端部分を内側へ折り返すようにして、その先端１１ＢＺをステム２５の一端面の縁部に接合するようにしたが、例えば、陰極筒体１１の円筒部１１Ｂの高さを円筒形状のまま低くして、その先端をステム２５の一端面の縁部に接合するようにしても良い。
【００９４】
また、図１乃至図１９を用いて上述したマグネトロン１の構成は、一例であり、同様の機能を有する構成であれば、図１乃至図１９を用いて説明した構成とは異なる構成にしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、電子レンジのようなマイクロ波加熱機器や他のマイクロ波利用機器に用いられるマグネトロンに利用することができる。
【符号の説明】
【００９６】
１……マグネトロン、５……陽極部、６……陰極部、１０……陽極、１１……陰極筒体、１３……ベイン、２５……ステム、２６、２７……支持板、２８、２９……接続端子、３０……センタロッド、３１……サイドロッド、３２……陰極、３３、３４……エンドハット、４０……磁気ヨーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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