(57)【要約】【課題】小型・低背化を図ることができる高周波モジュールを提供することを目的とする。【解決手段】高周波モジュール１は、その一方主面２ａに実装電極３が形成された実装基板２と、それぞれ、その一方主面に櫛型電極１１ａ〜１１ｄが形成された圧電基板１０ａ〜１０ｄと、櫛型電極１１ａ〜１１ｄに電気的に接続された接続端子１２ａ〜１２ｄとを有し、その圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面と実装基板２との間に隙間が設けられた状態で実装基板２に実装される複数の第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂと、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂとともに実装基板２に実装される複数の第２部品６，７と、その圧電基板１０ａ〜１０ｄと実装基板２との間の隙間を密封状態に、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを封止する封止フィルム８ａと、実装基板２の一方主面２ａ、封止フィルム８ａおよび各第２部品６，７を被覆する封止樹脂層９とを備える。【選択図】図２
2015015546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その一方主面に接続電極が形成された実装基板と、
その一方主面に機能素子が形成された素子基板と、該素子基板の一方主面に形成され前記機能素子に電気的に接続された接続端子とを有し、前記実装基板の一方主面に前記素子基板の一方主面が対向し、かつ、前記実装基板の一方主面と前記素子基板の一方主面との間に隙間が設けられた状態で、前記接続端子が前記実装基板の前記接続電極に接続されて前記実装基板の一方主面の所定領域に実装される第１部品と、
前記第１部品とともに前記実装基板の一方主面の前記所定領域以外の領域に実装される第２部品と、
前記第１部品を被覆して前記実装基板の一方主面の前記所定領域に設けられ、前記素子基板の一方主面と前記実装基板の一方主面との間の前記隙間を密封状態に封止する封止フィルムと、
前記実装基板の一方主面、前記第１部品を被覆した前記封止フィルムの少なくとも一部および前記第２部品を被覆して設けられた封止樹脂層と
を備えることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記実装基板の一方主面の前記所定領域に複数の前記第１部品が実装され、
前記複数の第１部品が、単一の前記封止フィルムにより被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記第１部品は、送信フィルタと受信フィルタとを備え、
前記封止フィルムは、
前記送信フィルタを被覆して設けられた第１封止フィルムと、
前記受信フィルタを被覆して設けられた第２封止フィルムとを備えることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１部品は、第１デュプレクサと、該第１デュプレクサに用いられる通信信号と異なる周波数帯域の通信信号が用いられる第２デュプレクサとを備え、
前記封止フィルムは、
前記第１デュプレクサを被覆して設けられた第３封止フィルムと、
前記第２デュプレクサを被覆して設けられた第４封止フィルムとを備えることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記封止フィルムが、熱硬化性導電性樹脂で形成され、
当該封止フィルムが前記実装基板に形成されたグランド電極に接続されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記封止フィルムの熱伝導率が、前記封止樹脂層の熱伝導率よりも高いことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記封止樹脂層が、熱硬化性樹脂で形成され、
前記封止フィルムの弾性率が前記封止樹脂層の弾性率よりも低いことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記封止フィルムは、前記第１部品を囲むように形成され、前記実装基板の一方主面に密着するのり代を有し、前記のり代の幅は前記封止フィルムの厚み以上であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記封止樹脂層が、前記素子基板の他方主面上の前記封止フィルムが露出した状態で、前記封止フィルムの前記素子基板の他方主面上以外の部分を被覆していることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板に実装された部品を封止してなる高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末などに搭載される高周波モジュールでは、実装基板に実装する部品として、特定の周波数帯域の通信信号を取り出すために弾性表面波フィルタ（所謂、ＳＡＷフィルタ）が用いられる場合がある。このＳＡＷフィルタは、一般的に、圧電体で形成された素子基板の一方主面に、機能素子として櫛型電極（ＩＤＴ）が形成されたものである。ところで、この種のＳＡＷフィルタを実装する方法には、機能素子が形成された素子基板の一方主面を実装基板に対向するようにＳＡＷフィルタを配置して実装するフェースダウンボンディングと、機能素子が形成された素子基板の一方主面が実装基板と反対側に向くようにＳＡＷフィルタを配置して実装するフェースアップボンディングがあるが、近年の高周波モジュールの小型化の要請から、ＳＡＷフィルタを実装する方法には、高周波モジュールの小型・低背化に有利なフェースダウンボンディングが広く用いられている。
【０００３】
また、この種の高周波モジュールでは、実装した部品を保護するなどの目的で、部品を実装した実装基板の一方主面に封止樹脂層が設けられる場合がある。しかしながら、上記したＳＡＷフィルタは、機能素子が樹脂で覆われるとその機能が損なわれるため、例えばは、ＳＡＷフィルタをフェースダウンボンディングにより実装した場合には、機能素子が形成された素子基板の一方主面と実装基板との隙間を中空にした状態で、封止樹脂層によりＳＡＷフィルタを封止する必要がある。そこで従来では、図７に示すように、ＳＡＷフィルタを備える電子装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
この電子装置１００は、ベース基板１０１と、ベース基板１０１の一方主面に実装されたＳＡＷフィルタ１０２と、ベース基板１０１の一方主面およびＳＡＷフィルタ１０２を被覆する樹脂フィルム１０３とを備え、ＳＡＷフィルタ１０２がベース基板１０１に実装されてパッケージ化されたものである。このＳＡＷフィルタ１０２は、圧電体で形成された素子基板１０２ａの一方主面１０２ｂに、機能素子として櫛型電極の弾性表面波素子が形成されたものであり、素子基板１０２ａの一方主面１０２ｂがベース基板１０１に対向するように、ＳＡＷフィルタ１０２をベース基板１０１に配置して、当該ＳＡＷフィルタ１０２がフェースダウンボンディングでベース基板１０１に実装される。また、ＳＡＷフィルタ１０２における素子基板１０２ａのベース基板１０１との反対面に密着するようにＳＡＷフィルタ１０２およびベース基板１０１を覆う樹脂フィルム１０３が設けられる。このようにすると、封止樹脂層を液状樹脂を硬化させて形成する場合とは異なり、樹脂フィルム１０３の樹脂が、素子基板１０２ａの機能素子が形成された一方主面１０２ｂとベース基板１０１との隙間に流れ込まずに、当該隙間を中空状態で樹脂フィルム１０３により密封することができる。そのため、ＳＡＷフィルタ１０２の機能性を確保しつつ、ＳＡＷフィルタ１０２の保護を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１８４８８４号公報（段落００２１〜００２５、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、高周波モジュールの中には、ＳＡＷフィルタのみならず、チップインダクタ、チップコンデンサ、ＩＣなどの他の部品も備えるものがあり、このような場合、従来では上記したＳＡＷフィルタ１０２がパッケージ化された電子装置１００を、他の部品とともに実装基板上に実装し、さらに、液状樹脂を用いて樹脂フィルム１０３および他の部品を被覆して封止樹脂層を形成することにより高周波モジュールを得ていた。このような構成によると、電子装置１００内で、すでに樹脂フィルム１０３によりベース基板１０１とＳＡＷフィルタ１０２との間の隙間が中空状態で密封されているため、封止樹脂層を形成する液状樹脂が、当該隙間に入り込むことがなく、ＳＡＷフィルタ１０２の機能を損なわずに高周波モジュールを形成することができる。しかしながら、ＳＡＷフィルタ１０２を実装基板に搭載するのに、さらにベース基板１０１が必要になるため、ベース基板１０１の厚みの分だけ、高周波モジュールの背が高くなる。
【０００７】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、小型・低背化を図ることができる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、その一方主面に接続電極が形成された実装基板と、その一方主面に機能素子が形成された素子基板と、該素子基板の一方主面に形成され前記機能素子に電気的に接続された接続端子とを有し、前記実装基板の一方主面に前記素子基板の一方主面が対向し、かつ、前記実装基板の一方主面と前記素子基板の一方主面との間に隙間が設けられた状態で、前記接続端子が前記実装基板の前記接続電極に接続されて前記実装基板の一方主面の所定領域に実装される第１部品と、前記第１部品とともに前記実装基板の一方主面の前記所定領域以外の領域に実装される第２部品と、前記第１部品を被覆して前記実装基板の一方主面の前記所定領域に設けられ、前記素子基板の一方主面と前記実装基板の一方主面との間の前記隙間を密封状態に封止する封止フィルムと、前記実装基板の一方主面、前記第１部品を被覆した前記封止フィルムの少なくとも一部および前記第２部品を被覆して設けられた封止樹脂層とを備えることを特徴としている。
【０００９】
この場合、その一方主面に機能素子が形成された素子基板と、該素子基板の一方主面に形成されて機能素子に電気的に接続された接続端子とを有する第１部品が、実装基板の一方主面に素子基板の一方主面が対向し、かつ、実装基板の一方主面と素子基板の一方主面との間に隙間が設けられた状態で実装基板に実装される。そして、素子基板の一方主面と実装基板の一方主面との間の隙間が密封された状態で第１部品が封止フィルムにより封止される。
【００１０】
例えば、第１部品がＳＡＷフィルタである場合、素子基板となる圧電基板の一方主面に機能素子となる櫛型電極が形成され、実装基板の一方主面に圧電基板の一方主面が対向し、かつ、実装基板の一方主面と圧電基板の一方主面との間に隙間が設けられた状態で、ＳＡＷフィルタが実装基板に実装される。換言すれば、ベアチップ構造のＳＡＷフィルタが、フェースダウンボンディングにより、直接、実装基板に実装されて、封止フィルムによりＳＡＷフィルタが封止される。このとき、ＳＡＷフィルタの機能素子（櫛型電極）が形成された圧電基板の一方主面と実装基板の一方主面との間の隙間が密封された状態で封止フィルムがＳＡＷフィルタを封止するため、高周波モジュールにおけるＳＡＷフィルタの機能が維持される。また、ベアチップ構造のＳＡＷフィルタを直接実装基板に実装する構造とすることで、従来のＳＡＷフィルタをベース基板に実装することでパッケージ化された電子装置を実装基板に実装する構成とは異なり、パッケージ内のベース基板が必要ないため、ベース基板の厚み分だけ、高周波モジュールの低背化を図ることができる。
【００１１】
また、従来の電子装置では、ＳＡＷフィルタを実装するのにベース基板のサイズ（平面視での面積）をＳＡＷフィルタよりも大きくする必要があり、これに伴って、実装基板にベース基板のサイズに応じた実装領域を確保しなければならないが、ベアチップ構造のＳＡＷフィルタを直接実装基板に実装する構成にすると、ＳＡＷフィルタのサイズに応じた実装領域を実装基板に確保すればよいため、実装基板の主面の面積の小型化、ひいては、高周波モジュールの小型化を図ることができる。
【００１２】
また、第１部品とともに実装基板の一方主面に実装される第２部品が、封止樹脂層により被覆されるため、第２部品と実装基板との接続信頼性が向上する。
【００１３】
また、前記実装基板の一方主面の前記所定領域に複数の前記第１部品が実装され、前記複数の第１部品が、単一の前記封止フィルムにより被覆されていてもよい。この場合、複数の第１部品を個別の封止フィルムで封止する場合と比較して、各第１部品間の搭載間隔を狭くすることができる。また、各第１部品を単一の封止フィルムにより一括で封止することで、封止フィルムを形成する作業工数を削減することができる。
【００１４】
また、前記第１部品は、送信フィルタと受信フィルタとを備え、前記封止フィルムは、前記送信フィルタを被覆して設けられた第１封止フィルムと、前記受信フィルタを被覆して設けられた第２封止フィルムとを備えていてもよい。このように、第１部品が、送信フィルタと受信フィルタとを備える場合に、両フィルタを第１封止フィルムおよび第２封止フィルムにより個別に封止することで、送信フィルタと受信フィルタとの間に第１および第２封止フィルムが介在することになるため、両フィルタ間のアイソレーション特性が向上する。
【００１５】
また、前記第１部品は、第１デュプレクサと、該第１デュプレクサに用いられる通信信号と異なる周波数帯域の通信信号が用いられる第２デュプレクサとを備え、前記封止フィルムは、前記第１デュプレクサを被覆して設けられた第３封止フィルムと、前記第２デュプレクサを被覆して設けられた第４封止フィルムとを備えていてもよい。このように、第１部品が、第１デュプレクサと、該第１デュプレクサに用いられる通信信号と異なる周波数帯域の通信信号が用いられる第２デュプレクサとを備える場合に、両デュプレクサを第３封止フィルムおよび第４封止フィルムにより個別に封止することで、第１デュプレクサと第２デュプレクサとの間に第３および第４封止フィルムが介在することになるため、両デュプレクサ間のアイソレーション特性が向上する。
【００１６】
また、前記封止フィルムが、熱硬化性導電性樹脂で形成され、当該封止フィルムが前記実装基板に形成されたグランド電極に接続されていてもよい。この場合、第１部品が、実装基板に形成されたグランド電極に接続された熱硬化性導電性樹脂からなる封止フィルムに覆われるため、第１部品のシールド性が向上する。
【００１７】
また、前記封止フィルムの熱伝導率が、前記封止樹脂層の熱伝導率よりも高くてもよい。このようにすると、封止フィルムの熱伝導率が、封止樹脂層の熱伝導率と同等か、あるいは、低い場合と比較して、第１部品から発生する熱の放熱特性が向上する。
【００１８】
また、前記封止樹脂層が、熱硬化性樹脂で形成され、前記封止フィルムの弾性率が前記封止樹脂層の弾性率よりも低くてもよい。第１部品を封止フィルムで封止する場合、封止フィルムの第１部品における素子基板のエッジ部に接触する部分の厚みが薄くなったり、素子基板のエッジ部と接触する部分で封止フィルムが破れたりする場合がある。そこで、封止フィルムの弾性率を封止樹脂層の弾性率よりも低くすることにより、封止フィルムの素子基板のエッジ部と接触する部分にかかる応力が封止フィルム全体に分散され易くなるため、封止フィルムの素子基板のエッジ部と接触する部分の薄化や破れを防止することができる。また、熱硬化性樹脂は、一般的に熱可塑性樹脂と比較して、硬度や機械的強度が高いため、封止樹脂層を熱硬化性樹脂で形成することで、第２部品の保護機能が向上する。
【００１９】
また、前記封止フィルムは、前記第１部品を囲むように形成され、前記実装基板の一方主面に密着するのり代を有し、前記のり代の幅は前記封止フィルムの厚み以上であるのが好ましい。このように、封止フィルムに、該封止フィルムの厚み以上の幅を有する、実装基板の一方主面に密着するのり代を設けることで、封止フィルムと実装基板との密着強度が高まるため、第１部品の素子基板の一方主面と実装基板の一方主面との間の隙間を中空状態で密封する密封性が向上する。
【００２０】
また、前記封止樹脂層が、前記素子基板の他方主面上の前記封止フィルムが露出した状態で、前記封止フィルムの前記素子基板の他方主面上以外の部分を被覆していてもよい。この場合、封止樹脂層が、封止フィルムの素子基板の他方主面上の部分も被覆する場合と比較して、高周波モジュールの低背化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、その一方主面に機能素子が形成された素子基板と、該素子基板の一方主面に形成されて機能素子に電気的に接続された接続端子とを有する第１部品が、実装基板の一方主面に素子基板の一方主面が対向し、かつ、実装基板の一方主面と素子基板の一方主面との間に隙間が設けられた状態で実装基板に実装される。そして、素子基板の一方主面と実装基板の一方主面との間の隙間が密封された状態で第１部品が封止フィルムにより封止される。
【００２２】
例えば、第１部品がＳＡＷフィルタである場合、素子基板となる圧電基板の一方主面に機能素子となる櫛型電極が形成され、実装基板の一方主面に圧電基板の一方主面が対向し、かつ、実装基板の一方主面と圧電基板の一方主面との間に隙間が設けられた状態で、ＳＡＷフィルタが実装基板に実装される。換言すれば、ベアチップ構造のＳＡＷフィルタが、フェースダウンボンディングにより直接、実装基板に実装されて、封止フィルムによりＳＡＷフィルタが封止される。このとき、ＳＡＷフィルタの機能素子（櫛型電極）が形成された圧電基板の一方主面と実装基板の一方主面との間の隙間が密封された状態で封止フィルムより、ＳＡＷフィルタが封止されるため、高周波モジュールにおけるＳＡＷフィルタの機能が維持される。また、ベアチップ構造のＳＡＷフィルタを直接実装基板に実装する構造とすることで、従来のＳＡＷフィルタがパッケージ化された電子装置を実装基板に実装する構成とは異なり、パッケージ内のベース基板が必要ないため、ベース基板の厚み分だけ、高周波モジュールの低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図２】図１の高周波モジュールの断面図である。
【図３】図１の高周波モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図５】図４の高周波モジュールの断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図７】従来の高周波モジュールに実装される電子装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュール１について、図１および図２を参照して説明する。なお、図１は第１実施形態にかかる高周波モジュール１の平面図、図２は高周波モジュール１の断面図であり、図１のＡ−Ａ断面図を示す。また、図１では、実装基板の一方主面上に設けられた封止樹脂層を図示省略している。
【００２５】
この実施形態にかかる高周波モジュール１は、図１および図２に示すように、その一方主面２ａに部品実装用の実装電極３（本発明の接続電極に相当）が形成された実装基板２と、それぞれ実装基板２の一方主面２ａの所定領域にまとめて実装された、第１および第２デュプレクサ４ａ，４ｂ、２つの送信フィルタ５ａ，５ｂ、２つの受信フィルタ５ｃ，５ｄと、それぞれ実装基板２の一方主面２ａの前記所定領域以外の領域に実装された複数（この実施形態では４つ）のチップ部品６およびＩＣ７と、第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂ、両送信フィルタ５ａ，５ｂ、両受信フィルタ５ｃ，５ｄを被覆して実装基板２の一方主面２ａの前記所定領域に設けられた封止フィルム８ａと、実装基板２の一方主面２ａ、封止フィルム８ａ、各チップ部品６およびＩＣ７を被覆して設けられた封止樹脂層９とを備え、例えば、携帯端末装置が備えるマザー基板に搭載されるものである。
【００２６】
実装基板２は、ガラスエポキシ樹脂多層基板、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）多層基板、フレキシブル多層配線基板などであり、上記したように、その一方主面２ａに複数の部品実装用の実装電極３が形成される。また、その内部には、各種配線電極（図示せず）やビア導体（図示せず）なども形成されている。なお、実装基板２は、単層構造であってもかまわない。
【００２７】
両送信フィルタ５ａ，５ｂおよび両受信フィルタ５ｃ，５ｄは、それぞれ同様の構成であり、ベアチップ構造の弾性表面波フィルタ（所謂、ＳＡＷフィルタ）である。例えば、送信フィルタ５ａを例として具体的に説明すると、送信フィルタ５ａは、ＬｉＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、サファイアなどの圧電基板１０ａ（本発明の素子基板に相当）と、当該圧電基板１０ａの一方主面に形成された櫛型電極１１ａ（本発明の機能素子に相当）と、圧電基板１０ａの一方主面に形成され櫛型電極１１ａに電気的に接続された接続端子１２ａとを有し、図２に示すように、実装基板２の一方主面２ａに圧電基板１０ａの一方主面が対向し、かつ、実装基板２の一方主面２ａと圧電基板１０ａの一方主面との間に隙間が設けられた状態で、接続端子１２ａが実装基板２の実装電極３に半田バンプ１３を介して接続されて、実装基板２の一方主面２ａに実装、すなわち、フェースダウンボンディングにより実装基板２に実装される。なお、その他の送信フィルタ５ｂ、両受信フィルタ５ｃ，５ｄについても、送信フィルタ５ａと同様に、それぞれ、圧電基板１０ｂ〜１０ｄ、櫛型電極１１ｂ〜１１ｄ、接続端子１２ｂ〜１２ｄを有し、フェースダウンボンディングにより実装基板２の一方主面２ａに実装される。
【００２８】
第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂは、ベアチップ構造の弾性表面波デュプレクサ（所謂、ＳＡＷデュプレクサ）であり、上記した各送信、受信フィルタ５ａ〜５ｄと同様に、それぞれ素子基板としての圧電基板、圧電基板の一方主面に形成された機能素子としての櫛型電極および圧電基板の一方主面に形成され当該櫛型電極に電気的に接続された接続端子とを有し、圧電基板の一方主面と実装基板２の一方主面２ａとの間に隙間が設けられた状態で実装基板２の一方主面２ａに実装される。このとき、第２ディプレクサは、第１デュプレクサに用いられる通信信号と異なる周波数帯域の通信信号が用いられる。また、各送信、受信フィルタ５ａ〜５ｄおよび第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂは、実装基板２の一方主面２ａの所定領域に固まって実装されている。なお、各送信、受信フィルタ５ａ〜５ｄおよび第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂそれぞれが、本発明の第１部品に相当する。以下、各送信、受信フィルタ５ａ〜５ｄおよび第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂをまとめて各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂと言う場合もある。
【００２９】
各チップ部品６は、例えば、インピーダンス整合用のチップコンデンサやチップインダクタ、ＩＣ７は、例えば、スイッチＩＣ、パワーアンプ、ＲＦ−ＩＣなどであり、それぞれ、実装基板２の一方主面２ａにおける、各送信、受信フィルタ５ａ〜５ｄおよび第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂが実装された実装基板２の一方主面２ａの所定領域とは異なる領域に周知の表面実装技術を用いて実装される。なお、各チップ部品６およびＩＣ７それぞれが、本発明の第２部品に相当する。以下、各チップ部品６およびＩＣ７をまとめて各第２部品６，７と言う場合もある。
【００３０】
封止フィルム８ａは、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド、ポリアミド等を主成分とした熱硬化性樹脂により形成されている。また、図１に示すように、封止フィルム８ａは、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂが実装された実装基板２の一方主面２ａの所定領域に設けられ、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを一括で被覆する。このとき、封止フィルム８ａは、図２に示すように、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれにおいて、櫛型電極１１ａ〜１１ｄが形成された圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面と実装基板２の一方主面２ａとの間の隙間を密封状態、すなわち、当該隙間を中空状態に封止する。なお、封止フィルム８ａには、その線膨張係数や弾性率を調整するために、ＳｉＯ２等のフィラを含有させてもよい。また、この実施形態では、封止フィルム８ａの厚みは、１０〜５００μｍで形成されている。
【００３１】
また、図２に示すように、封止フィルム８ａは、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを囲むように形成され、実装基板２の一方主面２ａに密着するのり代８ａ１を有し、該のり代８ａ１の幅Ｗが封止フィルム８ａの厚みｄ以上になるように形成されている（Ｗ＞ｄ）。封止フィルム８ａと実装基板２との密着力が小さい場合、封止フィルム８ａと実装基板２の界面で剥離が生じ、後述する封止樹脂層９を形成する際に、封止樹脂層９の樹脂が、封止フィルム８ａと実装基板２の界面剥離により生じた隙間に入り込んで、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれの圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面と実装基板２の一方主面２ａとの間の隙間を中空状態に維持するのが困難になる場合がある。そこで、封止フィルム８ａののり代８ａ１の幅Ｗを封止フィルム８ａの厚み以上とすることで、封止フィルム８ａと実装基板２との密着力が、所望の値となる接触面積（封止フィルム８と実装基板２との接触面積）を確保することができるため、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの上記した中空封止性が向上する。
【００３２】
なお、封止フィルム８ａの熱伝導率は、封止樹脂層９の熱伝導率よりも高いことが好ましい。各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれは、上記したように、フェースダウンボンディングにより実装され、その圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面と実装基板２の一方主面２ａとの間の隙間が中空状態で、封止フィルム８ａにより封止される。この場合、当該隙間に空気が存在することになるが、空気は、金属からなる配線電極が設けられた実装基板と比較して熱伝導率が低い。そのため、圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面と実装基板２の一方主面２ａとの間の隙間が中空状態で各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを封止フィルム８ａにより封止する構成では、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの圧電基板１０ａ〜１０ｄが実装基板２の一方主面２ａに接した状態で各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂが実装されるフェースアップボンディング構成の高周波モジュールと比較して、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂから発生した熱が外部に放出されにくい。そこで、封止フィルム８ａの熱伝導率を封止樹脂層９の熱伝導率よりも高くすることで、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの放熱特性が向上する。
【００３３】
また、封止フィルム８ａの弾性率は、封止樹脂層９の弾性率よりも低いことが好ましい。上記したように、封止フィルム８ａは、その厚みが１０〜５００μｍで形成されており、比較的薄いものであるため、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを封止フィルム８ａで封止すると、封止フィルム８ａの各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの圧電基板１０ａ〜１０ｄのエッジ部に接触した部分が薄くなったり、その部分で封止フィルム８ａが破れたりするおそれがある。そこで、封止フィルム８ａの弾性率を封止樹脂層９の弾性率よりも低くすることで、封止フィルム８ａの圧電基板１０ａ〜１０ｄのエッジ部に接触する部分にかかる応力が封止フィルム８ａ全体に分散され易くなるため、封止フィルム８ａの圧電基板１０ａ〜１０ｄのエッジ部に接触する部分が薄くなったり、その部分で封止フィルム８ａが破れたりするのを防止することができる。また、封止フィルム８ａの線膨張係数を封止樹脂層９の線膨張係数よりも大きくすることでも、同様の効果を得ることができる。
【００３４】
また、封止フィルム８ａ内にＡｇまたはＣｕなどの金属で形成されたフィラを含有させて、封止フィルム８ａを熱硬化性導電性樹脂で形成し、この封止フィルム８ａを実装基板２に形成されたグランド電極に接続する構成であってもかまわない。この場合、実装基板２の一方主面２ａの封止フィルム８ａと接触する部分の少なくとも一部にグランド電極に接続された電極を形成し、当該電極と封止フィルム８ａとを導通させればよい。このようにすると、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂのシールド特性が向上する。
【００３５】
封止樹脂層９は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂などで形成され、実装基板２の一方主面２ａ、封止フィルム８ａおよび各第２部品６，７を被覆して設けられる。なお、この実施形態における封止樹脂層９は、熱硬化性のエポキシ樹脂で形成されている。
【００３６】
（高周波モジュール１の製造方法）
次に、高周波モジュール１の製造方法について、図３を参照して説明する。なお、図３は高周波モジュール１の製造方法を説明するための図であり、図２に対応する図である。また、（ａ）〜（ｄ）はその各工程を示す。また、以下に示す、第２、第３実施形態にかかる高周波モジュール１ａ，１ｂにおいても、この製造方法を適用することができる。
【００３７】
まず、第１部品として、それぞれベアチップ構造の第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂおよび各送信、受信フィルタ５ａ〜５ｄを準備する。例えば、送信フィルタ５ａを例として説明すると、ＬｉＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、サファイアなどで形成された圧電基板１０ａの一方主面にそれぞれ４μｍ程度の厚みで櫛型電極１１ａおよび各接続端子１２ａを形成する。このとき、櫛型電極１１ａと各接続端子１２ａとは電気的に接続されている。次に、各接続端子１２ａ上に半田バンプ１３を形成してベアチップ構造の送信フィルタ５ａを形成する。その他の各送信、受信フィルタ５ｂ〜５ｄおよび第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂもほぼ同じプロセスで形成することができる。また、各第２部品として、各チップ部品６およびＩＣ７も予め準備しておく。
【００３８】
次に、図３（ａ）に示すように、実装基板２の一方主面２ａに各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂおよび各第２部品６，７を実装する。例えば、第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの実装方法を例として説明すると、予め実装基板２の各実装電極３上に半田ペーストを、印刷方式、ディスペンス方式、転写方式などにより塗布し、その上に半田バンプ１３付の各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを搭載したあと、リフローにより実装基板２と各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂとを接続する。また、実装基板２に各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを搭載する方法の他の例としては、予め実装基板２上にフラックスを印刷方式、ディスペンス方式、転写方式などにより塗布した上で、その上に半田バンプ１３付の各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを搭載する方法、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの半田バンプ１３にフラックスを転写した上で、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを実装基板２上に搭載する方法、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの半田バンプ１３にフラックス入りの半田ペーストを転写した上で、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを実装基板２上に搭載する方法などがある。なお、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれにおいて、実装基板２に実装された状態で、圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面と実装基板２の一方主面２ａとの間に隙間を形成するために、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの半田バンプ１３は、その高さが７０〜１００μｍとなるよう形成されている。
【００３９】
次に、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂおよび各第２部品６，７を実装した実装基板２を洗浄する。洗浄方法としては、実装基板２をグリコール系・アルコール系の洗浄液に１０分程度浸漬したあと、さらに純水洗浄を行って実装基板２を乾燥させる方法、実装基板２をアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶剤に１０分程度浸漬したあと、さらに純水洗浄を行って実装基板２を乾燥させる方法、酸素プラズマを用いて洗浄する方法などがある。なお、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂは、その櫛型電極１１ａ〜１１ｄ部分に、フラックス残渣、洗浄液残渣があると十分な特性が得られないため、残渣がないように確実に洗浄する必要がある。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを実装した実装基板２の一方主面２ａの所定領域上に、半硬化状態の平板状の封止フィルム８ａを配置して、封止フィルム８ａの上から所定の押圧部材１４を用いて真空状態で加熱・加圧することにより、図３（ｃ）に示すように、封止フィルム８ａにより各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂのみを一括で封止する。このように各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを封止フィルム８ａで封止すると、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれの上記した隙間が中空状態で封止される。また、このとき、封止フィルム８ａに、実装基板２の一方主面２ａに密着するのり代８ａ１が形成される。なお、この実施形態における封止フィルム８ａは、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド等を主成分として、ＳｉＯ２等のフィラを含有している。
【００４１】
また、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの実装基板２への搭載に関しては、例えば、平板状の封止フィルム８ａの所定の位置に各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれの圧電基板１０ａ〜１０ｄの他方主面を貼り付けた第１部品付封止フィルムを用意して、この第１部品付封止フィルムを、実装基板２に搭載するようにしてもよい。
【００４２】
次に、図３（ｄ）に示すように、ＳｉＯ２などのフィラを含有する液状のエポキシ樹脂を、実装基板２の一方主面２ａ、封止フィルム８ａおよび各第２部品６，７を被覆するように塗布し、真空脱泡を行ってエポキシ樹脂内部の気泡を除去したあとに、エポキシ樹脂を硬化させて封止樹脂層９を形成し、高周波モジュール１を製造する。このとき、封止樹脂層９は、塗布方式、印刷方式、コンプレッションモールド方式、トランスファモールド方式などで形成することができる。なお、液状樹脂の代わりに、固形樹脂、シート状樹脂を用いて封止樹脂層９を形成してもかまわない。
【００４３】
したがって、上記した実施形態によれば、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれにおいて、圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面に櫛型電極１１ａ〜１１ｄが形成され、実装基板２の一方主面２ａに圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面が対向し、かつ、実装基板２の一方主面２ａと圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面との間に隙間が設けられた状態で、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂが実装基板２の一方主面２ａに実装される。換言すれば、ベアチップ構造の各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂが、フェースダウンボンディングにより、直接、実装基板２に実装される。そして、封止フィルム８ａにより、各第１部品それぞれの上記した隙間が密封された状態で封止されるため、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂのフィルタまたはデュプレクサとしての機能が維持される。また、ベアチップ構造の各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを、直接、実装基板２に実装する構造とすることで、図７に示した、従来のＳＡＷフィルタ１０２をベース基板１０１に実装してパッケージ化した電子装置１００を実装基板２に実装する構成とは異なり、パッケージ内のベース基板１０１が必要ないため、ベース基板１０１の厚み分だけ、高周波モジュール１の低背化を図ることができる。
【００４４】
また、図７に示した従来の電子装置１００では、ＳＡＷフィルタ１０２を実装するのにベース基板１０１のサイズ（平面視での面積）をＳＡＷフィルタ１０２よりも大きくする必要があり、例えば、実装基板２に、この電子装置１００を実装する構成にすると、実装基板２にベース基板１０１のサイズに応じた実装領域を確保しなければならない。そこで、この実施形態の高周波モジュール１のように、それぞれベアチップ構造の各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを、直接、実装基板２に実装する構成にすると、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂのサイズに応じた実装領域を実装基板２の一方主面２ａに確保すればよいため、実装基板２の主面の面積の小型化、ひいては、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。
【００４５】
また、この実施形態の封止樹脂層９は、熱硬化性のエポキシ樹脂で形成されているが、熱硬化性樹脂は、一般的に熱可塑性樹脂と比較して、硬度や機械的強度が高いため、このように封止樹脂層９を熱硬化性樹脂で形成することで、各第２部品６，７への保護機能が向上する。また、封止樹脂層９を形成する液状樹脂で各第２部品６，７を被覆すると、各第２部品６，７は、それぞれの実装基板２の一方主面２ａとの隙間に封止樹脂層９の樹脂が充填された状態で、封止樹脂層９により被覆されることになるため、各第２部品６，７と実装基板２との接続信頼性が向上する。
【００４６】
また、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂが、実装基板２の一方主面２ａの所定領域にまとめて実装され、同じ封止フィルム８ａにより一括で封止されているため、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを個別のフィルムで封止する場合と比較して、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの搭載間隔を狭くすることができる。また、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを同じ封止フィルム８ａで一括封止することで、封止フィルム８ａを形成する作業工数を削減することができる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ａについて、図４および図５を参照して説明する。なお、図４は高周波モジュール１ａの平面図、図５は図４のＢ−Ｂ断面図である。また、図４において、封止樹脂層９を図示省略している。
【００４８】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ａが、図１および図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるところは、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂが個別に封止されている点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４９】
この場合、図４および図５に示すように、２つの送信フィルタ５ａ，５ｂが第１封止フィルム８ｂにより一括で封止されるとともに、２つの受信フィルタ５ｃ，５ｄが第２封止フィルム８ｃにより一括で封止される。また、第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂが、第３、第４封止フィルム８ｄ，８ｅによりそれぞれ個別に封止される。なお、２つの送信フィルタ５ａ，５ｂ並びに２つの受信フィルタ５ｃ，５ｄそれぞれについても、別の封止フィルムにより個別に封止する構成であってもかまわない。
【００５０】
このように構成すると、例えば、送信フィルタ５ａ，５ｂと受信フィルタ５ｃ，５ｄとの間に第１封止フィルム８ｂおよび第２封止フィルム８ｃが介在することになるため、送信フィルタ５ａ，５ｂと受信フィルタ５ｃ，５ｄとの間のアイソレーション特性が向上する。また、それぞれ異なる周波数帯域の通信信号が用いられる第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂについても同様に、両者間のアイソレーション特性が向上する。
【００５１】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図６を参照して説明する。なお、図６は高周波モジュール１ｂの断面図であり、図２に対応する図である。
【００５２】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１および図２を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるところは、図６に示すように、封止樹脂層９が、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの圧電基板１０ａ〜１０ｄの他方主面上の封止フィルム８ａが露出した状態で、当該封止フィルム８ａの露出した部分以外の部分を被覆している点である。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５３】
この場合、封止樹脂層９は、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂそれぞれにおける、圧電基板１０ａ〜１０ｄの櫛型電極１１ａ〜１１ｄが形成された一方主面の反対面である圧電基板１０ａ〜１０ｄの他方主面上の封止フィルム８ａが露出した状態で、封止フィルム８ａのその他の部分を被覆して設けられる。このようにすると、第１実施形態の高周波モジュール１のように、封止樹脂層９が封止フィルム８ａの全体を被覆する構成と比較して、高周波モジュール１ｂの低背化を図ることができる。
【００５４】
また、封止フィルム８ａおよび封止樹脂層９の色が異なる場合は、封止フィルム８ａの封止樹脂層９から露出した部分を、高周波モジュール１ｂの方向認識マークとして活用することができる。
【００５５】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、上記した各実施形態の高周波モジュール１，１ａ，１ｂの製造方法では、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの接続端子１２ａ〜１２ｄ上に半田バンプ１３を形成する場合について説明したが、当該半田バンプ１３の代わりに、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの接続端子１２ａ〜１２ｄ上にＡｕからなるスタッドバンプを設けたり、Ａｕめっきなどによりポスト電極を設けたりする構成であってもかまわない。この場合、ＡｕスタッドバンプおよびＡｕポスト電極それぞれの高さを７０μｍ程度に形成し、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの実装基板２への搭載時に、加圧・加熱・超音波振動を行うことで各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを実装基板２に接続すればよい。このように接続すると、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを実装基板２に接続させた後のＡｕスタッドバンプまたはＡｕポスト電極の高さが１５μｍ程度になるが、上記したように、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの櫛型電極１１ａ〜１１ｄの厚みが４μｍ程度で形成されているので、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂを実装基板２に接続させた後でも、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの櫛型電極１１ａ〜１１ｄが実装基板２の一方主面２ａに接触することがない。そのため、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの圧電基板１０ａ〜１０ｄの一方主面と実装基板２の一方主面との間に隙間が設けられた状態になり、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂのフィルタまたはデュプレクサとしての機能が損なわれることがない。
【００５６】
また、上記した各実施形態では、フェースダウンボンディングにより実装した場合に、その機能を発揮させるために、素子基板（圧電基板１０ａ〜１０ｄ）の一方主面と実装基板２の一方主面２ａとの間の隙間を中空状態で封止する必要がある第１部品が、それぞれ弾性表面波フィルタ（各送信、受信フィルタ５ａ〜５ｄ）や弾性表面波デュプレクサ（第１、第２デュプレクサ４ａ，４ｂ）である場合について説明したが、その他の第１部品として、ＢＡＷフィルタやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いてもかまわない。
【００５７】
また、上記した各実施形態にかかる高周波モジュール１，１ａ，１ｂの製造方法では、各第１部品５ａ〜５ｄ，４ａ，４ｂの接続端子１２ａ〜１２ｄに半田バンプ１３を設ける場合について説明したが、実装基板２の実装電極３上に半田バンプを設けるようにしてもよい。
【００５８】
また、本発明は、実装基板に実装された上記構成の部品を封止してなる種々の高周波モジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１，１ａ，１ｂ    高周波モジュール
２                実装基板
３                実装電極（接続電極）
４ａ              第１デュプレクサ（第１部品）
４ｂ              第２ディプレクサ（第１部品）
５ａ，５ｂ        送信フィルタ（第１部品）
５ｃ，５ｄ        受信フィルタ（第１部品）
６                チップ部品（第２部品）
７                ＩＣ（第２部品）
８ａ              封止フィルム
８ｂ              第１封止フィルム
８ｃ              第２封止フィルム
８ｄ              第３封止フィルム
８ｅ              第４封止フィルム
９                封止樹脂層
１０ａ〜１０ｄ    圧電基板（素子基板）
１１ａ〜１１ｄ    櫛型電極（機能素子）
１２ａ〜１２ｄ    接続端子
８ａ１            のり代
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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