(57)【要約】【課題】水素に対する高い耐久性を有し、信頼性が向上した表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、チャネルを形成する酸化物半導体層と、絶縁性または導電性を有する第１の層と、酸化物半導体層と第１の層との間に設けられると共に、水素吸収剤を含有する第２の層とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルを形成する酸化物半導体層と、
絶縁性または導電性を有する第１の層と、
水素吸収剤を含有すると共に、前記酸化物半導体層と前記第１の層との間に設けられた第２の層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記水素吸収剤は、水素吸蔵合金，酸化剤，分子内に２重結合を有する有機物および吸着材のうちの少なくとも１種である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記水素吸蔵合金は、チタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニッケル（Ｎｉ），バナジウム（Ｖ），パラジウム（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびカルシウム（Ｃａ）のうちの１種または２種以上を組み合わせたものである、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記酸化剤は、硝酸カリウム，次亜塩素酸，亜塩素酸，塩素酸，過塩素酸，ハロゲン類，過マンガン酸，硝酸セリウムアンモニウム，クロム酸，二クロム酸，過酸化物およびトレンス試薬のうちの１種または２種以上を組み合わせたものであり、前記分子内に２重結合を有する有機物は、アルケン，カルボニル化合物のうちの１種または２種以上を組み合わせたものである、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記吸着材は、ゼオライト，メソポーラスシリカ，層状ケイ酸塩，活性炭，カーボンナノチューブ（ＣＮＴ），グラファイトナノカーボンおよびフラーレン（Ｃ60）のうちの１種または２種以上を組み合わせたものである、請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の層は、前記水素吸収剤の粒子と樹脂材料との混合物によって形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記水素吸収剤の粒子の粒径は３０ｎｍ未満である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２の層に含まれる前記水素吸収剤の粒子の濃度は１％以上５０％以下である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記樹脂材料はアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂およびフェノール樹脂のうちの１種または２種以上によって構成されている、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２の層は水分吸収剤を含有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
基板上に、前記酸化物半導体層を間に設けられたゲート電極，一対のソース・ドレイン電極および多層配線を含む配線層を有する半導体層と、前記半導体層上に設けられると共に、対向配置された第１電極および第２電極の間に少なくとも発光層を含む有機層を有する表示層とを有し、
前記第１の層は、前記半導体層内に設けられた前記配線層および前記配線層を電気的に絶縁する絶縁層，前記表示層内に設けられた前記第１電極および第２電極，前記有機層，前記有機層を画素ごとに区画する隔壁、前記第２電極上に設けられた封止層のうちのいずれかである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２の層は、少なくとも、前記配線層，前記絶縁層，前記第１電極および第２電極，前記有機層，前記有機層，前記隔壁、前記封止層のうちのいずれかである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２の層は、前記配線層の表面に設けられている、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記絶縁層は、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜，前記多層配線の層間に設けられた層間絶縁膜，前記基板上の凹凸を平坦化する平坦化膜のうちの少なくとも１種である、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２の層は、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜との間，前記層間絶縁膜と前記平坦化膜との間または前記平坦化膜と前記第１電極との間のいずれかに設けられている、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記有機層は、前記発光層を間に、前記発光層への正孔注入性を有する正孔注入層と、前記発光層への電子注入性を有する電子注入層とを有し、
前記電子注入層はアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物によって構成されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記基板は可撓性を有し、前記第１の層および前記第２の層は前記基板の少なくとも一方の面に、前記半導体層側からこの順に積層されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１の層は窒化シリコンによって構成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第２の層は酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ニッケルまたは酸化インジウムのうちの１種または２種以上によって構成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項２０】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
チャネルを形成する酸化物半導体層と、
絶縁性または導電性を有する第１の層と、
前記酸化物半導体層と前記第１の層との間に設けられると共に、水素吸収剤を含有する第２の層と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、チャネルとして酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は自発光型であり、消費電力が低いという特性を有する。更に、有機ＥＬ表示装置は視野角が広く、且つコントラストに優れると共に応答速度が速いという長所を有するため、次世代平板ディスプレイ装置として注目されている。特に、各画素ごとにＴＦＴを設けて発光および発光の程度を制御する能動駆動型（ＡＭ；Active Matrix）有機ＥＬ表示装置に関する開発が進められている。
【０００３】
上記表示装置に用いられるＴＦＴの多くはチャネル（半導体層）としてアモルファスシリコンや多結晶シリコン等が多く用いられているが、近年、酸化物半導体を用いたＴＦＴを電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、特許文献１の半導体装置では、各画素のスイッチング素子として酸化亜鉛やＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物等の酸化物半導体を用いたＴＦＴが開示されている。
【０００４】
酸化物半導体によって半導体層を形成したＴＦＴは水素による影響を受けやすい。具体的には、閾値電圧が負方向にシフトして特性が低下する。これは、水素がドナーとなってキャリアである電子を放出し、ゲート電極に電圧を印加することなく半導体層にチャネルを形成することによる。例えば、特許文献２では酸化物半導体膜中に水素を添加すると導電率が４〜５桁程度高くなることが示されている。また、水素は酸化物半導体膜に接する絶縁膜から酸化物半導体膜に拡散していくことが記載されている。このように、酸化物半導体は水素に対して非常に敏感で、ＴＦＴ中に含まれる少量の水素でも特性に影響する虞がある。
【０００５】
これに対して、例えば特許文献３〜６の半導体装置では、酸化物半導体膜側から水素透過膜および水素捕縛膜の順に積層した積層膜をゲート絶縁膜として酸化物半導体膜の下層に形成している。この半導体装置では、水素捕縛膜によって加熱処理時に酸化物半導体膜から脱離した水素を捕縛し、水素透過膜によって酸化物半導体膜の界面近傍の水素濃度を低減してＴＦＴの特性を確保している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００８−１４１１１９号公報
【特許文献３】特開２０１２−２１６７９２号公報
【特許文献４】特開２０１２−２１６７９３号公報
【特許文献５】特開２０１２−２１６７９４号公報
【特許文献６】特開２０１２−２１６７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献３〜６に記載の水素透過膜および水素捕縛膜の積層膜はＴＦＴの製造工程における酸化物半導体膜の水素濃度を低減させるものである。このため、ＴＦＴの初期特性は安定するものの、半導体装置内に形成された水素を含む膜（例えば保護膜）から徐々に放出される水素や半導体装置の外部から侵入する水素を捕獲して経時的あるいは環境変化による特性の劣化を低減するには十分ではなかった。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、水素に対する高い耐久性を有し、信頼性が向上した表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の表示装置は、チャネルを形成する酸化物半導体層と、絶縁性または導電性を有する第１の層と、酸化物半導体層と第１の層との間に設けられると共に、水素吸収剤を含有する第２の層とを備えたものである。
【００１０】
本開示の電子機器は、本開示の表示装置を備えたものである。
【００１１】
本開示の表示装置および電子機器では、チャネルを形成する酸化物半導体層と、絶縁性または導電性を有する第１の層との間に、水素吸収剤を含有する第２の層を設ける。これにより、酸化物半導体層が表示装置の内部から放出される水素および外部から侵入する水素に曝露されることを低減することが可能となる。
【００１２】
本開示の表示装置および電子機器では、酸化物半導体層と、絶縁性または導電性を有する第１の層との間に、水素吸収剤を含有する第２の層を設けるようにした。これにより、表示装置の内部や外気に含まれる水素は第２の層に吸収され、酸化物半導体層が水素に曝されることによる特性の低下が低減される。即ち、水素に対して高い耐久性を有し、信頼性が向上した表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】酸化物半導体層の閾値電圧の変化を表す特性図である。
【図３】ｉ線における水素吸収剤の粒子径と散乱係数の関係を表す特性図である。
【図４】可視光における水素吸収剤の粒子径と散乱係数の関係を表す特性図である。
【図５】図１に示した表示装置の全体構成を表す平面図である。
【図６】図５に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図７】本開示の変形例１に係る表示装置１の構成を表す断面図である。
【図８】図７に示した画素電極の構成を表す断面図である。
【図９】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１０Ａ】図９に示した平坦化膜の製造方法の一例を表す模式図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに続く図である。
【図１１】本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１２】本開示の第４の実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図１３】本開示の第４の実施の形態に係る表示装置の構成の他の例を表す断面図である。
【図１４】本開示の変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１５】本開示の変形例３に係る表示装置のＴＦＴの構成を表す断面図である。
【図１６Ａ】上記実施の形態等の画素を用いた表示装置の適用例１の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１６Ｂ】上記実施の形態等の画素を用いた表示装置の適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１７】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１８Ａ】適用例３の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１８Ｂ】適用例３の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図２１Ａ】適用例６の閉じた状態の正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図である。
【図２１Ｂ】適用例６の開いた状態の正面図および側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．水素吸収層の構成
２．第１の実施の形態（上面発光型表示装置；配線層を水素吸収層とした例）
２−１．基本構成
２−２．製造方法
２−３．表示装置の全体構成
３．変形例１（配線層の表面に水素吸収層を形成した例）
４．第２の実施の形態（絶縁層を水素吸収層とした例）
５．第３の実施の形態（水素吸収層を追加形成した例）
６．第４の実施の形態（可撓性基板を用いた例）
７．変形例２（下面発光型表示装置の例）
８．変形例３（トップゲート型ＴＦＴの例）
９．適用例
【００１５】
＜１．水素吸収層の構成＞
図１は後述する本開示の第１の実施の形態に係る表示装置１の断面構成を表したものである。この表示装置１は、例えば有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられるものであり、基板１１上に半導体層２０および表示層３０が積層された構成を有している。半導体層２０には、薄膜（電極等の配線層や絶縁膜等）を含む複数のデバイスが形成されている。具体的には、画素を選択するためのスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（例えばＴＦＴ２０Ａ）の他、容量素子および配線（走査線，信号線等）等が挙げられる。本実施の形態のＴＦＴ２０Ａは例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）であり、チャネル層は酸化物半導体によって形成（酸化物半導体層２３）されている。なお、図１は、表示装置１の構造を模式的に表したものであり、実際の寸法・形状とは異なる。
【００１６】
酸化物半導体層２３を構成する酸化物半導体は、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）およびスズ（Ｓｎ）から選ばれた２種以上を含む材料によって構成されている。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｉｎ−アルミニウム（Ａｌ）−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系材料，Ｚｎ−マグネシウム（Ｍｇ）−Ｏ系材料，Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系材料，Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系材料，Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系材料，Ｉｎ−Ｏ系材料，Ｓｎ−Ｏ系材料およびＺｎ−Ｏ系材料が挙げられる。なお、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料は、Ｉｎ，ＧａおよびＺｎを有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、Ｉｎ，ＧａおよびＺｎ以外の元素を含んでいてもよい。更に、酸化物半導体に含まれる酸素量は化学量論的組成比に対して過剰であることが好ましい。酸素を過剰に含有させることにより、酸化物半導体層２３の酸素欠損に起因するキャリアの生成が抑制される。また、酸化物半導体層２３は、ＴＦＴ２０Ａのオフ電流を低減するためにバンドギャップが２．５ｅＶ以上の材料を選択することが好ましく、より好ましくは３．０ｅＶ以上の材料である。
【００１７】
前述したように酸化物半導体は水素に対し非常に敏感であり、少量の水素でも特性に影響が生じる。図２はチャネルとして酸化物半導体を用いたサンプル１，２における酸化物半導体層２３の閾値電圧の変化を表したものである。ここで、サンプル１は図１に示した半導体層２０と同様の構成を有するＴＦＴを形成したのち、平坦化膜２７上に画素電極３１，有機層３３および対向電極３４をこの順に積層した構成を有する。サンプル２はサンプル１の構成に、更に対向電極３４上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ，膜厚５μｍ）を形成したものである。ＳｉＮｘ膜は水素を透過および放出し得る膜であり、一般的に表示装置における絶縁膜（例えば、保護膜３５）として用いられる。これらサンプル１およびサンプル２の温度加速試験（６０℃）を行うと、ＳｉＮｘ膜のないサンプル１では閾値電圧がほとんど変化しないのに対し、ＳｉＮｘ膜を有するサンプル２では１０００時間で閾値電圧が１５Ｖ以上シフトしている。このように、チャネルとして酸化物半導体を用いたＴＦＴ２０Ａを備えた表示装置では、その構造上ＴＦＴ２０Ａの閾値電圧が変化しやすいという問題があった。
【００１８】
そこで、本開示の表示装置１では、酸化物半導体層２３と、ＳｉＮｘ膜のように水素を透過または放出し得る層（第１の層）との間に水素を吸収することが可能な水素吸収層Ｈ（第２の層）を設けることによってＴＦＴ２０Ａの閾値電圧の変化を低減する。以下に、水素吸収層Ｈの構成を説明する。
【００１９】
水素吸収層Ｈは水素吸収機能を有するものであり、導電性および絶縁性を特に問わず、酸化物半導体層２３と水素を透過または放出し得る層（例えば、保護膜３５）との間に設けられている。具体的には、例えば水素吸収層Ｈを半導体層２０に設ける場合にはソース電極２４Ａ，ドレイン電極２４Ｂおよび配線２６等の配線層や層間絶縁膜２５および平坦化膜２７等の絶縁層が兼ねるようにしてもよい。また、水素吸収層Ｈを表示層３０に設ける場合には、例えば画素電極３１，有機層３３，対向電極３４に加えて隔壁３２のいずれかが兼ねるようにしてもよい。水素吸収層Ｈは、水素吸収能力が２×１０17個／ｃｍ2以上であることが好ましく、また、表示装置１が作動および保存される温度域（例えば−４０℃以上９０℃以下）において水素を吸収することが可能な材料を用いることが好ましい。
【００２０】
水素吸収剤は、例えば水素吸蔵合金，酸化剤，分子内に２重結合を有する有機物および吸着材が挙げられる。水素吸収層Ｈは、これらを１種あるいは複数種類を混合して形成される。具体的には、例えば、導電性を有する水素吸蔵合金や吸着材によって形成された金属層や、絶縁性を有する酸化剤と分子内に２重結合を有する有機物や吸着材あるいは水素吸収剤の粒子と樹脂との混合物によって形成された絶縁膜として形成される。
【００２１】
水素吸蔵合金は、水素を取り込む性質を有する合金であり、例えばＡＢ２型，ＡＢ５型が挙げられる。ＡＢ２型は、具体的にはチタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ），ジルコニウム（Ｚｒ）およびニッケル（Ｎｉ）等の遷移元素の合金をベースとした合金である。ＡＢ５型は、具体的にはニオブ（Ｎｂ），Ｚｒ１に対して触媒効果を有する遷移元素（Ｎｉ，コバルト（Ｃｏ），アルミニウム（Ａｌ）等）５含む合金をベースとした合金である。この他、Ｔｉ−鉄（Ｆｅ）系，バナジウム（Ｖ）系，Ｍｇ合金，パラジウム（Ｐａ）系，カルシウム（Ｃａ）系あるいはＣａとＮｉ等の遷移元素との合金等が挙げられる。
【００２２】
酸化剤および分子内に２重結合を有する有機物は、例えば以下の材料が挙げられる。酸化剤としては、硝酸カリウム，次亜塩素酸，亜塩素酸，塩素酸，過塩素酸，ハロゲン類，過マンガン酸，硝酸セリウムアンモニウム，クロム酸，二クロム酸，過酸化物およびトレンス試薬等を用いることができる。分子内に２重結合を有する有機物としては、アルケンおよびカルボニル化合物等を用いることができる。具体的には、ＲＣＨＯ，ＲＣＯＯＲ’，ＲＣＯＯＨ，ＲＣＯＲ’Ｒ’’，ＲＣ（Ｏ）Ｃ（Ｒ’）ＣＲ’’Ｒ’’’，ＲＣＯＣｌ，（ＲＣＯ）2Ｏ等が挙げられる。なお、有機物の活性化エネルギーが高い場合には、各種触媒を併用してもよい。触媒の種類としては、例えば水素化アルミニウム化合物及び水素化ホウ素化合物等が挙げられる。また、酸化物と分子内に２重結合を有する有機物の混合物は、水素を吸収した際に副生成物として水分を生じるものがある。水分は有機層３３中の発光層や電子注入層と反応することによって輝度の低下を引き起こす虞があるため水分吸収剤（吸水材）を添加することが好ましい。吸水材としては、アルデヒド類およびケトン類が挙げられる。具体的には、シクロヘキサノンおよびクロトンアルデヒドが挙げられ、これらに水素化アルミニウムリチウムを添加することが好ましい。
【００２３】
吸着材は、物理吸着により水素を捕獲するものであり、具体的には表面積の大きなゼオライト，メソポーラスシリカ，層状ケイ酸塩，活性炭，カーボンナノチューブ（ＣＮＴ），グラファイトナノカーボンおよびフラーレン（Ｃ60）等が挙げられる。
【００２４】
また、水素吸収層Ｈは水素吸収剤の粒子と樹脂との混合物を用いて形成してもよい。水素吸収剤の粒子と樹脂との混合物は、水素吸収剤の粒子サイズおよび混合する濃度を調整することによって絶縁性や透明性を調製することができる。水素吸収剤の粒子としては、上記水素吸蔵合金，酸化剤および吸着材を用いることができる。樹脂としては、例えば、絶縁性を有すると共に感光材が添加されたアクリル，ポリイミド，ノボラック，エポキシ樹脂等が挙げられる。ここで、例えば平坦化膜２７等を水素吸収剤の粒子と樹脂との混合物を用いて形成する場合には、膜内における水素吸収剤の分散性，反射率および濃度を適宜調製することが好ましい。水素吸収剤の分散性は、成膜時の樹脂溶媒中に均質に分散させることによって水素吸収剤の反応面積を向上させることができる。また、水素吸収剤の粒子と樹脂によって形成した絶縁膜（層間絶縁膜２７）をＵＶ光や可視光によってパターニングする場合には、水素吸収剤がＵＶ光や可視光を遮光したり、散乱しないように調製することが望ましい。特に、図１４に示した下面発光型の表示装置では、発光層よりも下層に形成される層は光が減衰しない高い透明性が求められる。
【００２５】
図３および図４は、一般的な露光装置において最も短波長なｉ線（図３）および可視光（λ＝５５０ｎｍ）（図４）における粒子径と散乱係数を表したものである。なお、図３ではポリイミド中に水素吸収合金を１％または１０％の体積分率で混合しており、図４では１％，１０％または５０％の体積分率で混合している。図３および図４から粒子径が３０ｎｍよりも大きくなるとレイリー散乱領域から外れて散乱係数が上昇ことがわかる。よって、水素吸収剤と樹脂を混合して用いる場合の水素吸収剤の粒子径は３０ｎｍ未満とすることが好ましい。
【００２６】
また、水素吸収剤の粒子と樹脂との混合物によって平坦化膜２７のような絶縁膜を形成する場合には、水素吸収剤は絶縁性であることが好ましい。但し、膜全体が絶縁性（非導電性）を示せば水素吸収剤は導電性を有していてもよい。導電性を有する水素吸収剤を用いる場合には、樹脂中の水素吸収剤の濃度は１重量％以上５０重量％以下とすることが好ましく、より好ましくは５重量％以上２０重量％以下である。
【００２７】
このように、酸化物半導体層２３と、水素を透過または放出し得る層（第１の層）との間に上述した材料を用いた水素吸収層Ｈ（第２の層）を配設することにより、酸化物半導体層２３に到達する水素を低減することができる。なお、水素吸収層Ｈは酸化物半導体層２３と水素を透過または放出し得る層（例えば、保護膜３５）との間に設けられている既存の構成（例えば、平坦化膜２７や画素電極３１）を用いてもよいし、新たな層を形成しても構わない。以下に、配線層（例えば、画素電極３１）が水素吸収層Ｈを兼ねる場合（第１の実施の形態および変形例１）、絶縁層（例えば、平坦化膜２７）が水素吸収層Ｈを兼ねる場合（第２の実施の形態）、既存の表示装置を構成する層に加えて水素吸収層Ｈを形成した場合（第３の実施の形態）等の各実施の形態および変形例を説明する。
【００２８】
＜２．第１の実施の形態＞
（２−１．基本構成）
上記のように図１は本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものであり、この表示装置１は、基板１１の上に半導体層２０および表示層３０が積層された表示領域１１０Ａが設けられている。表示領域１１０Ａ内には、例えば副画素として赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂを含む複数の画素１０がマトリックス状に配置されている（図５参照）。各画素１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）にはそれぞれ白色光を発する白色発光素子３０Ｗが設けられており、カラーフィルタ（図示せず）によって各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応する発光光が得られる。白色発光素子３０Ｗは、例えば発光層等が有機化合物によって形成された有機ＥＬ素子である。本実施の形態では画素電極３１が水素吸収層Ｈを兼ねる。
【００２９】
基板１１は、高歪点ガラス基板，ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）基板，硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）基板，フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）基板，鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）基板，石英基板あるいは表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板，石英基板，シリコン基板が挙げられる。この他、表面に絶縁処理がされたアルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），ステンレス等の金属箔基板または紙等を用いることができる。また、これらの基板上には密着性や平坦性を改善するためのバッファ層やガスバリア性を向上するためのバリア膜等の機能性膜を形成してもよい。
【００３０】
半導体層２０には、駆動用または書き込み用のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２や各種配線が形成されており、これらトランジスタＴｒ１およびＴｒ２や配線上には、平坦化膜２７が設けられている。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２（以下、ＴＦＴ２０Ａとする）はトップゲート型およびボトムゲート型のいずれでもよいが、ここではボトムゲート型のＴＦＴ２０Ａを例に説明する。ＴＦＴ２０Ａでは、基板１１側から順に、ゲート電極２１，ゲート絶縁層２２，チャネル領域を形成する酸化物半導体層２３（チャネル層），一対のソース・ドレイン電極（ソース電極２４Ａ，ドレイン電極２４Ｂ）がこの順に形成されている。更に、多層配線層として層間絶縁膜２５（２５Ａ．２５Ｂ）および配線層２６が設けられている。
【００３１】
ゲート電極２１は、酸化物半導体層２３にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により酸化物半導体層２３中のキャリア密度を制御する役割を有する。ゲート電極２１は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えばＡｌ，チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），Ｃｕ，イットリウム（Ｙ），亜鉛（Ｚｒ），モリブデン（Ｍｏ），銀（Ａｇ），タンタル（Ｔａ），ルテニウム（Ｒｕ）およびタングステン（Ｗ）等の金属単体または合金により構成されている。また、これらのうちの２種以上を積層させて用いるようにしてもよい。
【００３２】
ゲート絶縁層２２は、ゲート電極２１と酸化物半導体層２３との間に、例えば、厚み５０ｎｍ〜１μｍの範囲で設けられている。ゲート絶縁層２２は、水素，酸素および水分の含有量が少ない材料が好ましく、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ），シリコン窒化膜（ＳｉＮ），シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ），ハフニウム酸化膜（ＨｆＯ），アルミニウム酸化膜（ＡｌＯ），窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ），タンタル酸化膜（ＴａＯ），ジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ），ハフニウム酸窒化膜，ハフニウムシリコン酸窒化膜，アルミニウム酸窒化膜，タンタル酸窒化膜およびジルコニウム酸窒化膜のうちの少なくとも１つを含む絶縁膜により形成される。ゲート絶縁層２２は単層構造としてもよく、あるいは例えばＳｉＮとＳｉＯ等２種類以上の材料を用いた積層構造としてしてもよい。
【００３３】
酸化物半導体層２３はゲート絶縁層２２上に島状に設けられ、ソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂの間のゲート電極２１に対向する位置にチャネル領域を有している。酸化物半導体層２３の厚みは例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍである。酸化物半導体層２３は、上述したＩｎ，ＧａおよびＺｎ等を含有する酸化物半導体によって構成されている。
【００３４】
ソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂは、互いに離間して酸化物半導体層２３上に設けられ、酸化物半導体層２３と電気的に接続されている。ソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂを構成する材料としては、金属材料や半金属，無機半導体材料が挙げられる。具体的には、上記ゲート電極２１において列挙した材料の他、例えばマンガン（Ｍｎ），パラジウム（Ｐｄ），バナジウム（Ｖ），金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）等の金属単体またはこれらの酸化物，窒化物あるいは合金を用いることができる。特に、Ｔｉ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｖ等は水素吸蔵能を有するため好ましい。また、これらのうちの２種以上を積層させて用いるようにしてもよい。積層構造とする場合にはＴｉ等の水素吸蔵の効果を有する金属材料が露出するように構成することが好ましい。
【００３５】
層間絶縁膜２５（２５Ａ，２５Ｂ）は、層の異なる配線、例えば、酸化物半導体層２３とソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂとの間、あるいはソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂと配線２７Ａとの間等の配線間の短絡を防ぐためのものである。層間絶縁膜２５の材料としては絶縁性を有する材料、例えば上記ゲート絶縁層２２において挙げた無機絶縁材料が挙げられ、水素，酸素および水分を大量に放出しない材料が好ましい。
【００３６】
平坦化膜２７は、薄膜トランジスタ２０Ａが形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、厚みは例えば、１μｍ〜１０μｍである。平坦化膜２７の構成材料としては、上記ゲート絶縁層２２において挙げた無機絶縁材料の他に、例えば、感光性の樹脂材料、例えば、ポリイミド系，ポリアクリレート系，エポキシ系，クレゾールノボラック系あるいはポリスチレン系，ポリアミド系，フッ素系等の有機材料を用いることができる。
【００３７】
表示層３０は白色発光素子３０Ｗを含み、半導体層２０上に設けられている。白色発光素子３０Ｗは半導体層２０側から画素電極３１，電極間絶縁膜である隔壁３２，発光層を含む有機層３３および対向電極３４がこの順に積層された発光素子である。対向電極３４上には保護膜３５および封止層３６を介して対向基板１２が貼り合わされている。ＴＦＴ２０Ａと白色発光素子３０Ｗとは、平坦化膜２７に設けられた接続孔２７Ａを介して電気的に接続されている。
【００３８】
画素電極３１は、本実施の形態では水素吸収層Ｈとして働くため、上述したＡＢ２型，ＡＢ５型等の水素吸蔵合金によって構成されている。特に、画素電極３１が陽極として用いられる場合には、例えば、白金（Ｐｔ），Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，鉄（Ｆｅ），Ｃｏ，Ｔａといった仕事関数の高い金属あるいはその合金（例えば、銀を主成分とし、０．３重量％〜１重量％のＰｄと、０．３重量％〜１重量％のＣｕとを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金）を用いることが好ましい。また、ＡｌやＡｌを含む合金等の仕事関数の小さな材料を用いる場合には、後述する正孔注入層を適切な材料を用いて正孔注入性を向上させることによって陽極として用いることができる。更に、画素電極３１は上記金属材料の単層あるいは２種以上を積層させて形成してもよい。積層構造とする場合には、上記水素吸蔵合金が露出するように構成することが好ましい。
【００３９】
隔壁３２は、画素電極３１と対向電極３４との絶縁性を確保すると共に、発光領域を所望の形状にするためのものであり、例えば感光樹脂により構成されている。角でき３２は画素電極３１の周囲のみに設けられており、画素電極３１のうち隔壁３２から露出した領域が発光領域となっている。なお、有機層３３および対向電極３４は隔壁３２の上にも設けられているが、発光が生じるのは発光領域だけである。
【００４０】
有機層３３は、例えば画素電極３１側から順に正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層が積層された構成を有する。これらの層は必要に応じて設ければよく、例えば発光層を、電子輸送性を有する材料を添加して形成する場合には電子輸送層は省略しても構わない。また、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層を１ユニットとし、これを接続層を介して２層あるいは３層以上積層した所謂タンデム構造としてもよい。
【００４１】
正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。本実施の形態では、発光層は白色光を発する構成を有する。白色光は、例えば青色光を発する青色発光層と黄色光を発する黄色発光層とを、あるいは赤色光を発する赤色発光層，緑色光を発する緑色発光層および青色発光層を積層させることによって得られる。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。正孔注入層（正孔輸送層）と電子注入層（電子輸送層）との厚みは概ね等しいことが好ましいが、発光層への正孔と電子の供給バランスが保たれるような構成であれば特に問わない。例えば、正孔注入層（正孔輸送層）よりも電子注入層（電子輸送層）を厚くしてもよい。これにより、正孔および電子を発光層へ過不足なく、且つ十分に供給することができ、駆動劣化が抑制されると共に、発光寿命が向上する。
【００４２】
対向電極３４は、光透過性を有する材料、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とＡｌ、Ａｌ，Ｍｇ，カルシウム（Ｃａ）またはＮａの合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、対向電極３４の材料は、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。対向電極３４の厚みは、例えば１０ｎｍ〜３０００ｎｍである。
【００４３】
保護膜３５は、例えば厚みが１〜１０μｍであり、例えば酸化アルミニウム（ＡｌＯx），酸化ケイ素（ＳｉＯ），酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料によって形成されている。上記以外の絶縁材料としては、他と比較して水素の放出量は多いものの、有機層３３の保護膜として適当な窒化ケイ素（ＳｉＮx）を用いてもよい。保護膜３５は、詳細は後述するが例えばスパッタ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されており、成膜時に水素が膜内に取り込まれる。保護膜３５内に含まれる水素は経時的に放出され半導体層２０側に拡散し、ＴＦＴ特性の劣化の原因の一つとなる。なお、保護膜３５は省略してもよく、その場合には対抗電極３４が第１の層に相当するものとなる。
【００４４】
封止層３６は、外部から有機層３３への水分の侵入を防止すると共に、機械的な強度を増すためのものであり、その厚みは例えば３μｍ〜２０μｍであることが好ましく、より好ましくは５μｍ〜１５μｍである。３μｍよりも薄い場合には、封止時に混入した異物が発光素子３０Ｗに圧力を加えて画素抜け等の滅点が生じる虞がある。２０μｍよりも厚い場合には、発光層と後述する対向基板１２に設けられたカラーフィルタ（図示せず）との距離が離れてしまい、混色等の視野角が悪化する虞がある。また、封止層３６と保護膜３５との空き面は屈折率差が小さい方が光の取り出し効率が高いため、封止層３６の屈折率は例えば１．７以上であることが好ましい。更に、封止層３６は、例えば表示領域１１０Ａ内では透過率が例えば８０％以上であることが好ましいが、周辺領域１１０Ｂ（図５参照）では特に問わない。
【００４５】
対向基板１２は、白色発光素子３０Ｗの対向電極３４側に位置しており、接着層（図示せず）と共に白色発光素子３０Ｗを封止するものである。対向基板１２は、白色発光素子３０Ｗで発生した光が透過可能な材料、例えば上記基板１１において挙げた各種ガラス基板や石英基板等を用いることが好ましい。対向基板１２には、例えばカラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（図示せず）が設けられており、白色発光素子３０Ｗで発生した光を取り出すと共に、コントラストを改善するようになっている。
【００４６】
カラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。なお、各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに、それぞれ対応する例えば発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを設けた場合にもカラーフィルタを配設することにより色純度を高め、色域を改善することができる。
【００４７】
遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００４８】
（２−２．製造方法）
半導体層２０および表示層３０は、例えば以下に説明する一般的な方法を用いて形成することができる。まず、基板１１の全面に例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いて、金属膜を形成する。次いで、この金属膜を例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いてパターニングすることにより、ゲート電極２１を形成する。続いて、基板１１およびゲート電極２１の全面に、ゲート絶縁層２２および酸化物半導体層２３を順に成膜する。具体的には、基板１１上の全面にわたって、例えばスピンコート法により、上述したゲート絶縁膜材料、例えばＰＶＰ（Polyvinylpyrrolidone）溶液を塗布し、乾燥させる。これにより、ゲート絶縁層２２が形成される。次いで、このゲート絶縁層２２上に酸化物半導体を塗布する。その後、塗布した酸化物半導体を加熱することにより、ゲート絶縁層２２上に酸化物半導体層２３が形成される。
【００４９】
続いて、酸化物半導体層２３上に層間絶縁膜２５Ａを形成したのち、酸化物半導体層２３と電気的に接続するように、層間絶縁膜２５Ａ上にソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂを形成する。具体的には、例えばスパッタリング法を用いて、例えばＴｉ膜を成膜する。次に、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂを形成する。次いで、ソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂおよび層間絶縁膜２５Ａ上に層間絶縁膜２５Ｂおよび配線２６を順に形成する。
【００５０】
続いて、層間絶縁膜２５Ｂおよび配線２６上に平坦化膜２７上を形成したのち、水素吸収層Ｈとして機能する画素電極３１を配設する。具体的には、例えばポリイミドを塗布したのち、露光および現像によって平坦化膜２７を所定の形状にパターニングすると共に、接続孔２７Ａを形成し、焼成する。次に、平坦化膜２７上に、例えばスパッタ法により、上記水素吸蔵合金のいずれかの金属膜を形成したのち、例えばウエットエッチングにより所定の一の金属膜を選択的に除去して各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離した画素電極３１を形成する。
【００５１】
次いで、発光層を含む有機層３３および対向電極３４を例えば真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法），各種印刷法あるいはレーザ転写法等を用いて成膜する。続いて、対向電極３４上に、例えばＳｉＮｘからなる保護膜３５を、例えばシランとアンモニアガスとを反応させるＣＶＤ法を用いて成膜する。更に、保護膜３５上に封止層３６を形成する。
【００５２】
最後に、封止層３６上に接着層（図示せず）を形成し、この接着層を間にしてカラーフィルタおよびブラックマトリクスを備えた対向基板１２を貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００５３】
（２−３．表示装置の全体構成）
図５は、図１に示した表示装置１全体の平面構成の一例を表したものである。表示装置１には基板１１上に複数の画素１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）がマトリクス状に配置された表示領域１１０Ａと、表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂとが設けられている。周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００５４】
表示領域１１０Ａ内には、画素駆動回路１４０が設けられている。図６は、この画素駆動回路１４０の一例（赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、画素電極３１の下層に形成された半導体層２０に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された発光素子１０を有している。即ち、赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂ内にはそれぞれ、発光素子（白色発光素子３０Ｗ）が設けられている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的なＴＦＴにより構成され、その構成は例えば上記ボトムゲート型でもよいし、後述するスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。
【００５５】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配設され、行方向には走査線１３０Ａが複数配設されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０〜信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給させるようになっている。
【００５６】
この表示装置１では、各画素１０に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、発光素子３０Ｗに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、例えば、下部電極２１と上部電極２４との間で多重反射し、または、下部電極２１における反射光と発光層２３Ｃで発生した光とが干渉により強め合い、上部電極２４および対向基板４０を透過して取り出される。
【００５７】
（１−３．作用・効果）
前述したように、酸化物半導体は水素に対して非常に敏感であるため、チャネル層として酸化物半導体を用いたＴＦＴは少量の水素でもその特性に影響が生じる。これに対し、本実施の形態のように発光素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は装置内に水素を多く含む。このため、有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴのチャネルとして酸化物半導体を用いる場合には、酸化物半導体層は水素に曝露されやすく、表示特性が低下しやすいという問題があった。有機ＥＬ表示装置における水素の放出源としては、例えばチャンバ内で形成される膜構造，有機ＥＬ発光素子を構成するアルカリ金属やアルカリ土類金属および成膜時に混入する異物や異物によって生じるクラックが挙げられる。
【００５８】
チャンバ内で形成される膜構造とは、例えばスパッタ法やＣＶＤ法によって形成される膜、即ち、ＴＦＴや発光素子を構成する多くの構造が当てはまる。ＴＦＴや発光素子の各層（各膜）は通常真空雰囲気下のチャンバ内で成膜される。しかしながら、真空雰囲気を形成する際に用いるポンプから分子数の小さい水素を完全に除去することは難しい。また、基板，マスク，ターゲットおよびチャンバ壁面等に付着した水分は変性して水素を発生する。このように、真空雰囲気下におけるチャンバ内にはある程度の水素が含まれており、この水素が成膜中に膜内に取り込まれる。膜中の水素は経時的あるいは温度変化等の環境の変化によって膜外に放出され、酸化物半導体の特性を劣化させる。
【００５９】
有機発光素子中に含まれるアルカリ金属やアルカリ土類金属は、例えばカソードである対向電極３４や電子注入層および電子輸送層の構成材料である。アルカリ金属およびアルカリ土類金属は仕事関数が小さく、有機材料のＬＵＭＯに対するエネルギー障壁が低く発光効率を向上させることができる。しかしながらアルカリ金属およびアルカリ土類金属は酸素および水分によって容易に酸化される。特に、水分によって酸化された場合には水素が発生し、上記と同様に酸化物半導体の特性を劣化させる。
【００６０】
成膜時に混入する異物および異物によって生じるクラックは、その異物やクラックの周辺の対向基板３４等から水素の放出源への酸素や水分の侵入経路となる。異物やクラックを介して対向電極３４に到達した酸素や水素は、対向基板３４等を構成するアルカリ金属等と反応して水素を発生させる。発生した水素は異物やクラックを介して付近の酸化物半導体の特性を劣化させる。これにより、表示装置に部分的に輝度が低下している表示ムラ等の表示不良が起こる。
【００６１】
なお、異物やクラック等による酸素や水分の侵入は発光素子上に保護膜（例えば、上記のような保護膜３５）を形成することで防ぐことができる。但し、保護膜によって異物やクラック等を覆う場合には、カバレッジ性および一定以上の膜厚が必要となる。一定以上の膜厚はピンホールを防止する点では有利であるが、成膜速度が遅すぎると生産性が損なわれる虞がある。また、保護膜自体が水素や酸素を放出しやすいという問題がある。
【００６２】
酸化物半導体層へ侵入する水素を捕獲・除去する方法としては、例えば酸化物半導体層に接するゲート絶縁膜を、水素を拡散する水素透過膜と水素を捕獲する水素捕獲膜とを積層した積層膜として形成する方法が考えられる。水素透過膜は、例えば酸窒化シリコンや酸化シリコンを用いて形成され、水素捕獲膜は、例えば窒化インジウムやインジウムを含む無酸窒化物によって形成されている。これら水素透過膜および水素捕獲膜は、酸化物半導体層側に水素透過膜を配置することによって酸化物半導体の界面近傍の水素濃度を低減すると共に、ドナー濃度を均一化することができる。
【００６３】
しかしながら、このような構成の積層膜の水素吸収能力は十分とはいえない。水素を含有し、発生源となり得る発光層を含む有機層，アルカリ金属またはアルカリ土類金属によって形成される電極およびＣＶＤ法によって成膜される保護膜（ＳｉＮｘ膜）を一般的な表示装置における膜厚（それぞれ、３００ｎｍ，１０ｎｍ，５μｍ）に形成した場合の水素脱離量は、それぞれ５×１０14個／ｃｍ2，２×１０17個／ｃｍ2，６×１０18個／ｃｍ2となる。これに対して上記積層膜の水素捕獲膜は、生産性の観点からその膜厚の上限を５００ｎｍ程度とした場合には水素許容量は２〜３×１０16個／ｃｍ2程度である。このように水素捕獲膜は半導体膜をスパッタ成膜する際における水素の濃度を調製することは可能であるが、有機層や保護膜から経時的に放出される水素に対する吸収能力は十分とはいえない。更に、水素捕獲膜内に含まれる水素濃度がこれ以上上昇すると水素捕獲膜のようにインジウムを含む膜は急激に導電性が増して周囲の酸化物半導体と通電してしまう虞がある。
【００６４】
そこで本実施の形態における表示装置では、酸化物半導体層２３と水素を放出し得る層（例えば発光層を含む有機層３３や保護膜３５等）との間に設けられている配線層（ここでは、画素電極３１）を水素吸蔵合金で形成し、水素吸収層Ｈとした。水素吸蔵合金のような導電性を有する材料は上述した水素捕獲膜を構成する絶縁性を有する材料よりも水素吸収能力が高い。これにより、表示装置を構成する各層の成膜後に経時的あるいは環境変化によって内部から放出あるいは外部から侵入する水素に酸化物半導体層が曝露されることを低減することができる。
【００６５】
以上のように本実施の形態では、酸化物半導体層２３と水素を放出し得る有機層３３や対向電極３４，保護膜３５との間に配設されている画素電極３１を導電性を有する水素吸収剤（例えば、水素吸収性率の高い水素吸蔵合金）によって形成するようにした。これにより、画素電極３１は水素吸収層Ｈとして機能するようになる。即ち、経時的あるいは環境変化によって内部から放出あるいは外部から侵入する水素が酸化物半導体層２３に到達することを防ぐことができ、酸化物半導体層２３の特性の低下を低減することができる。よって、水素に対して高い耐久性を有し、信頼性が向上した表示装置およびこれを備えた電子機器を定常することが可能となる。
【００６６】
以下、上記第１の実施の形態の変形例（変形例１）および第２〜第４の実施の形態等について説明する。なお、第１の実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。
【００６７】
＜３．変形例１＞
図７は、上記第１の実施の形態の変形例に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２は、図８に示したように配線層（ここでは、画素電極４１）の内部の導電層４１Ａと外部の導電層４１Ｂとが異なる材料によって形成されている。本変形例では、画素電極４１の外部、即ち導電層４１Ａの表面に設けられた導電層４１Ｂが水素吸収剤によって形成され、水素吸収層Ｈとして機能する。この点を除き、表示装置２は第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。なお、導電層４１Ｂは、少なくとも片面が水素吸収層Ｈとして機能すればよい。
【００６８】
本変形例では画素電極４１は、上記のように導電層４１Ａと、導電層４１Ａの表面に設けられた導電層４１Ｂから構成されている。導電層４１Ａは一般的な電極材料、例えばＡｌ，Ｆｅ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ等の安価で低抵抗な材料によって構成されている。導電層４１Ｂは、上記ＡＢ２型およびＡＢ５型等の水素吸蔵合金によって構成されている。
【００６９】
このように本変形例では、画素電極４１を内部と外部とを異なる導電材料によって構成するようにし、外部、即ち表面に露出する導電層４１Ｂを水素吸蔵合金によって形成し、これを水素吸収層Ｈとした。これにより、画素電極４１の内部の導電層４１Ａに安価な導電材料を用いることができるため、上記第１の実施の形態における効果に加えてコストを低減することが可能となるという効果を奏する。なお、導電層４１Ａおよび導電層４１Ｂを構成する導電材料を同じエッチング性を有する材料を選択することにより工程数の増加を抑えることができる。
【００７０】
＜４．第２の実施の形態＞
図９は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の断面構成を表したものである。この表示装置３は、絶縁層（ここでは平坦化膜５７）が水素吸収層Ｈを兼ねている点が上記第１の実施の形態および変形例１とは異なる。
【００７１】
本実施の形態における平坦化膜５７は、水素吸収剤の粒子と樹脂とを混合することによって形成されるものである。水素吸収剤の粒子は、上述した水素吸蔵合金，酸化剤と分子内に２重結合を有する有機物との混合物および吸着材を用いることができる。樹脂は、上記平坦化膜２７の構成材料として挙げた感光性の樹脂材料（例えば、ポリイミド系，ポリアクリレート系，エポキシ系，クレゾールノボラック系あるいはポリスチレン系，ポリアミド系，フッ素系等の有機材料）を用いることができる。水素吸収剤の粒子径は前述の図３および図４から３０ｎｍ未満であることが好ましい。また、水素吸蔵合金等の導電性を有する水素吸収剤の粒子を用いる場合には、樹脂中の水素吸収剤の粒子濃度を１％以上５０％以下とすることにより、平坦化膜５７の絶縁性を保つことができる。
【００７２】
なお、平坦化膜５７は、母材となる感光性樹脂に水素吸収剤の粒子を混合したのち、通常の成膜方法を用いて形成することができる。また、平坦化膜５７に混合する水素吸収剤の粒子径は小さいほど水素との吸着面積を向上させることができる。例えば、液体の水素吸収剤を用い、母材となる樹脂と相溶させることによって平坦化膜５７を形成することにより、平坦化膜５７を構成する樹脂の分子毎に水素を反応させることができる。液体の水素吸収剤を用いた平坦化膜５７は以下の工程を経て得られる。
【００７３】
まず、図１０Ａに示したように樹脂と水素吸収剤を混合して混合液Ａを基板上に、例えばスピンコート法によって塗布したのち、プリベークを行うことによって適宜溶媒を蒸発させ平坦化膜５７Ｘを形成する。続いて、図１０Ｂに示したように、平坦化膜５７Ｘ上にマスクＭを配置し、ＵＶ光または短波長の可視光を用いて露光する。次に、図１０Ｃに示したように現像して所定のパターン（接続孔５７Ａ等）に加工したのち、ポストベークを行うことによって平坦膜５７を形成する。
【００７４】
また、平坦化膜５７には水分吸収物質を添加することが好ましい。平坦化膜５７は発光素子３０Ｗに接しており、上述したように、発光素子３０Ｗを構成する対向電極３４および有機層３３中の電子輸送層や電子注入層はアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属によって形成されており、これらアルカリ金属等は水分と反応して水素を発生する。このため、発光素子３０Ｗに接する平坦化膜５７に水分吸収物質を添加することにより、アルカリ金属等と水分との反応を抑え、水素の発生を抑制することができる。水分吸収物質としては、例えば上記ゼオライト，メソポーラスシリカ，層状ケイ酸塩，活性炭，ＣＮＴ，グラファイトナノカーボンおよびＣ60等の吸着材の他、金属アルコキシドの加水分解を利用した吸水材あるいはポリアクリル酸ナトリウム等の高吸水高分子が挙げられる。
【００７５】
以上のように本実施の形態では、表示装置２を構成する絶縁膜（ここでは平坦化膜５７）を水素吸収剤の粒子と樹脂とを混合して形成し、水素吸収層Ｈを兼ねるようにした。これにより、ＣＶＤ法等によって形成された保護膜３５等から放出される水素を酸化物半導体層２３に到達する前に捕獲し、酸化物半導体の特性劣化を低減することができる。即ち、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７６】
また、本実施の形態では水素吸収剤を粒子状にして用いることにより表面積が増加する。これにより、上記第１の実施の形態のように膜全体の水素吸収剤で形成する場合と比較して、より少ない量で多くの水素を吸着することができ、コストを低減することが可能となる。
【００７７】
＜５．第３の実施の形態＞
図１１は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置４）の断面構成を表したものである。この表示装置４は、水素吸収層Ｈを既存の構成層とは別に上記第１の実施の形態等における表示装置１〜３を構成する各層のいずれかの位置に追加形成した点が上記実施の形態等とは異なる。水素吸収層Ｈを設ける位置は、酸化物半導体層２３と水素を放出し得る層（例えば保護膜３５）との間であればよい。本実施の形態では、水素吸収層Ｈは層間絶縁膜２５Ａ上のソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂと同層に形成されている。
【００７８】
水素吸収層Ｈは、水素吸蔵合金，酸化剤と分子内に２重結合を有する有機物との混合物，吸着材および水素吸収剤の粒子と樹脂との混合物のいずれかによって構成されている。上記材料は表示装置４における水素吸収層Ｈを設ける位置によって適宜選択すればよい。本実施の形態では、水素吸収層Ｈはソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂと同層に配設されているため、導電性の水素吸収剤を用いる場合には、図１１に示したようにソース電極２４Ａおよびドレイン電極２４Ｂとは一定の間隔をおいて形成する。酸化剤と分子内に２重結合を有する有機物との混合物，吸着材あるいは水素吸収剤と樹脂との混合物等の絶縁性材料を用いる場合には、層間絶縁膜２４Ｂと平坦化膜２７との間や平坦化膜２７と画素電極３１との間等に膜状に設けてもよい。
【００７９】
＜６．第４の実施の形態＞
図１２は、本開示の第４の実施の形態に係る表示装置（表示装置５）の断面構成を表したものである。この表示装置５は、基板１１および対向基板１２として可撓性を有する基板を用いたものである。
【００８０】
基板１１および対向基板１２は、可撓性を有する材料によって構成されており、その材料としては、例えばポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ），ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），ポリイミド，ポリカーボネート，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。
【００８１】
また、本実施の形態のように可撓性を有する材料によって構成された基板１１および対向基板１２は、ガラス等によって形成する場合と比較してガス透過率が高い。このため、酸化物半導体の特性を劣化させる水分，酸素および水素等が表示装置５内に侵入しやすくなる。このため、基板１１および対向基板１２の内側（発光素子３０Ｗ等が形成されている側）または外側（表示装置５の外部）に保護膜１３Ａ，１３Ｂを形成することが好ましい。なお、図１２では基板１１および対向基板１２の内側に保護膜１３Ａ，１３Ｂを形成した例を示している。
【００８２】
保護膜１３Ａ，１３Ｂは上記保護膜３５と同様の材料によって構成されており、保護膜１３Ａ，１３Ｂは水素を放出し得る。このため、保護膜１３Ａ，１３Ｂと酸化物半導体層２３との間、例えば図１２に示したように保護膜１３Ａ，１３Ｂに接するように水素吸収層１４Ａ，１４Ｂを設けることが好ましい。基板１１（および対向基板１２）に対する保護膜１３Ａ（１３Ｂ）および水素吸収層１４Ａ（１４Ｂ）の位置は、発光素子３０Ｗ等が設けられている表示装置５の内側または表示装置５の外側のどちらに配設してもよい。
【００８３】
なお、保護膜１３Ａ（または保護膜１３Ｂ）および水素吸収層１４Ａ（または水素吸収層１４Ｂ）はそれぞれ図１３に示したように表示装置５の外側に配置してもよく、その場合の積層順も、内側に配置するときと同様に酸化物半導体２３層側に水素吸収層１４Ａ，１４Ｂを配置する。
【００８４】
以上のように、本実施の形態では基板１１および対向基板１２に接する位置に保護膜１３Ａ，１３Ｂおよび水素吸収層１４Ａ，１４Ｂの積層膜を配置することにより、可撓性を有する表示装置５においても、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
＜７．変形例２＞
図１４は、上記第１〜第４の実施の形態および変形例１の変形例に係る表示装置（表示装置６）の断面構成を表したものである。この表示装置６は、発光層において発生した光が下面（基板１１側）から出射される、下面発光型（所謂ボトムエミッション型）の表示装置である点が上記実施の形態等とは異なる。
【００８６】
なお、水素吸収層Ｈは上記実施の形態等と同様に、水素を放出し得る絶縁膜（例えば保護膜３５）や金属層（例えば対向電極３４）と酸化物半導体層２３との間のいずれかに設ければよく、特に限定されない。
【００８７】
＜８．変形例３＞
図１５は、上記第１〜第４の実施の形態および変形例１，２に係る表示装置に適用可能なＴＦＴ７０Ａの断面構成を表したものである。このＴＦＴ７０Ａはスタガ構造（所謂トップゲート型）の構造を有するものであり、チャネルは上記実施の形態等と同様に酸化物半導体によって構成されている。
【００８８】
なお、水素吸収層Ｈは上記変形例２と同様に、水素を放出し得る絶縁膜（例えば保護膜３５）や金属層（例えば対向電極３４）と酸化物半導体層２３との間のいずれかに設ければよく、特に限定されない。
【００８９】
＜９．適用例＞
上記実施の形態および変形例において説明した表示装置１は、例えば、下記電子機器として好適に用いることができる。
【００９０】
（適用例１）
図１６Ａは、スマートフォンの外観を表側から、図１６Ｂは裏側から表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部６１０（表示装置１）および非表示部（筐体）６２０と、操作部６３０とを備えている。操作部６３０は、図１６Ａに示したように非表示部６２０の前面に設けられていてもよいし、図１６Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。
【００９１】
（適用例２）
図１７は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００を有しており、映像表示画面２００が、上記表示装置に相当する。
【００９２】
（適用例３）
図１８Ａは、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表側から、図１８Ｂは裏側から表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部３１０、上記表示装置としての表示部３２０、メニュースイッチ３３０およびシャッターボタン３４０を有している。
【００９３】
（適用例４）
図１９は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０，文字等の入力操作のためのキーボード４２０および上記表示装置としての表示部４３０を有している。
【００９４】
（適用例６）
図２０は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５１０，この本体部５１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ５３０および上記表示装置としての表示部５４０を有している。
【００９５】
（適用例７）
図２１Ａは、適用例５に係る携帯電話機の閉じた状態における正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図を表したものである。図２１Ｂは、携帯電話機の開いた状態における正面図および側面図を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。ディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記表示装置に相当する。
【００９６】
以上、第１〜第４の実施の形態および変形例１〜３を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、表示層１３として画素電極と共通電極との間に電気泳動粒子を有する電気泳動型ディスプレイを挙げて説明したが、液晶，有機ＥＬ（Electro-Luminescence）あるいは無機ＥＬ等により構成されていてもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、第１絶縁膜１４および第２絶縁膜１８の膜質は同等であってもよく、あるいは第１絶縁膜１４と第２絶縁膜１８の膜質をいれかえてもよい。また、上記実施の形態等では各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光素子として白色発光素子３０Ｗを形成したがこれに限らず、それぞれ対応する例えば赤色の単色光を発生する赤色発光素子３０Ｒ，緑色の単色光を発生する緑色発光素子３０Ｇおよび青色の単色光を発生する青色発光素子３０Ｂを設けてもよい。
【００９８】
更に、上記実施の形態等では、表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、発光素子３０Ｗの有機層３３と対向電極３４との間には透明で抵抗値の高い高抵抗層を挿入することが好ましい。高抵抗層を設けることにより、画素電極３１および対向電極３４に電圧を印加する際に電極間に異物や突起部による短絡の発生を防ぐことができる。また、欠陥画素や欠線の発生を低減することができる。抵抗層の抵抗率は、例えば１×１０6Ω・ｍから１×１０8Ω・ｍであることが好ましい。また、抵抗層の屈折率は有機層３３および対向電極３４と同程度、具体的には１．７以上であることが好ましく、より好ましくは１．９以上である。これにより、発光層の外部量子効率を向上させることができる。
【００９９】
なお、本開示は以下のような構成もとることができる。
（１）チャネルを形成する酸化物半導体層と、絶縁性または導電性を有する第１の層と、前記酸化物半導体層と前記第１の層との間に設けられると共に、水素吸収剤を含有する第２の層（水素吸収層）とを備えた表示装置。
（２）前記水素吸収剤は、水素吸蔵合金，酸化剤，分子内に２重結合を有する有機物および吸着材のうちの少なくとも１種である、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記水素吸蔵合金は、チタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニッケル（Ｎｉ），バナジウム（Ｖ），パラジウム（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびカルシウム（Ｃａ）のうちの１種または２種以上を組み合わせたものである、前記（２）に記載の表示装置。
（４）前記酸化剤は、硝酸カリウム，次亜塩素酸，亜塩素酸，塩素酸，過塩素酸，ハロゲン類，過マンガン酸，硝酸セリウムアンモニウム，クロム酸，二クロム酸，過酸化物およびトレンス試薬のうちの１種または２種以上を組み合わせたものであり、前記分子内に２重結合を有する有機物は、アルケン，カルボニル化合物のうちの１種または２種以上を組み合わせたものである、前記（２）または（３）のうちのいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記吸着材は、ゼオライト，メソポーラスシリカ，層状ケイ酸塩，活性炭，カーボンナノチューブ（ＣＮＴ），グラファイトナノカーボンおよびフラーレン（Ｃ60）のうちの１種または２種以上を組み合わせたものである、前記（２）乃至（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記第２の層は、前記水素吸収剤の粒子と樹脂材料との混合物によって形成されている、前記（１）乃至（５）にいずれかに記載の表示装置。
（７）前記水素吸収剤の粒子の粒径は３０ｎｍ未満である、前記（６）に記載の表示装置。
（８）前記第２の層に含まれる前記水素吸収剤の粒子の濃度は１％以上５０％以下である、前記（６）または（７）に記載の表示装置。
（９）前記樹脂材料はアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂およびフェノール樹脂のうちの１種または２種以上によって構成されている、前記（６）乃至（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記第２の層は水分吸収剤を含有する、前記（１）乃至（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）基板上に、前記酸化物半導体層を間に設けられたゲート電極，一対のソース・ドレイン電極および多層配線を含む配線層を有する半導体層と、前記半導体層上に設けられると共に、対向配置された第１電極および第２電極の間に少なくとも発光層を含む有機層を有する表示層とを有し、前記第１の層は、前記半導体層内に設けられた前記配線層および前記配線層を電気的に絶縁する絶縁層，前記表示層内に設けられた前記第１電極および第２電極，前記有機層，前記有機層を画素ごとに区画する隔壁、前記第２電極上に設けられた封止層のうちのいずれかである、前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）前記第２の層は、少なくとも、前記配線層，前記絶縁層，前記第１電極および第２電極，前記有機層，前記有機層，前記隔壁、前記封止層のうちのいずれかである、前記（１）乃至（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）前記第２の層は、前記配線層の表面に設けられている、前記（１１）または（１２）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記絶縁層は、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜，前記多層配線の層間に設けられた層間絶縁膜，前記基板上の凹凸を平坦化する平坦化膜のうちの少なくとも１種である、前記（１１）乃至（１３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）前記第２の層は、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜との間，前記層間絶縁膜と前記平坦化膜との間または前記平坦化膜と前記第１電極との間のいずれかに設けられている、前記（１４）に記載の表示装置。
（１６）前記有機層は、前記発光層を間に、前記発光層への正孔注入性を有する正孔注入層と、前記発光層への電子注入性を有する電子注入層とを有し、前記電子注入層はアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物によって構成されている、前記（２）乃至（１５）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）前記基板は可撓性を有し、前記第１の層および前記第２の層は前記基板の少なくとも一方の面に、前記半導体層側からこの順に積層されている、前記（２）乃至（１６）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）前記第１の層は窒化シリコンによって構成されている、前記（１）乃至（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）前記第２の層は酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ニッケルまたは酸化インジウムのうちの１種または２種以上によって構成されている、前記（１）乃至（１８）のいずれかに記載の表示装置。
（２０）表示装置を備え、前記表示装置は、
チャネルを形成する酸化物半導体層と、絶縁性または導電性を有する第１の層と、前記酸化物半導体層と前記第１の層との間に設けられると共に、水素吸収剤を含有する第２の層とを有する電子機器。
【符号の説明】
【０１００】
１〜６…表示装置、１０…画素、１１…基板、１２…対向基板、２０…半導体層、２０Ａ…ＴＦＴ、２１…ゲート電極、２２…ゲート絶縁膜、２３…酸化物半導体層、２４Ａ…ソース電極、２４Ｂ…ドレイン電極、２５（２５Ａ，２５Ｂ）…層間絶縁膜、２６…配線、２７…平坦化膜、３０…表示層、３０Ｗ…白色発光素子、３１…画素電極、３２…隔壁、３３…有機層、３４…対向電極、３５…保護膜、３６…封止層。
【図１】
2015036797.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015036797.tif 000009
【図８】
2015036797.tif 000010
【図９】
2015036797.tif 000011
【図１０Ａ】
2015036797.tif 000012
【図１０Ｂ】
2015036797.tif 000013
【図１０Ｃ】
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【図１１】
2015036797.tif 000015
【図１２】
2015036797.tif 000016
【図１３】
2015036797.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
2015036797.tif 000019
【図１６Ａ】
2015036797.tif 000020
【図１６Ｂ】
2015036797.tif 000021
【図１７】
2015036797.tif 000022
【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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