(57)【要約】【課題】複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理装置において処理効率を向上させること。【解決手段】本発明では、処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置することにした。【選択図】図７
2015056631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理装置において、
複数枚の基板を収容したキャリアの搬入及び搬出を行うキャリア搬入出部と、
前記キャリア搬入出部から受取った複数枚の基板からロットを形成するロット形成部と、
前記ロット形成部で形成したロットを載置するロット載置部と、
前記ロット載置部に載置されたロットを処理槽に搬送するロット搬送部と、
前記ロット搬送部で搬送されたロットを処理槽に貯留した処理液に浸漬させてロットを形成する複数枚の基板を一括して液処理するロット処理部と、
前記キャリア搬入出部、ロット形成部、ロット搬送部、ロット処理部とを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記ロット処理部で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、
前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることを特徴とする基板液処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記交換終了予定時間から前記ロット搬送部で製品ロットを前記処理槽に搬送できる製品ロット搬送可能予定時間を求め、製品ロットを形成してロット載置部に載置するのに要する製品ロット形成時間と前記製品ロット搬送可能予定時間から製品ロットの形成を開始する製品ロット形成開始時間を求めて、少なくとも前記処理槽から前記ダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部に載置させることを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記キャリアに水平姿勢で収容された基板を垂直姿勢に姿勢変更して前記ロット載置部に載置させ、垂直姿勢のまま基板を前記ロット搬送部で搬送させるとともに前記ロット処理部で処理させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板液処理装置。
【請求項４】
複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理方法において、
前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、
前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置することを特徴とする基板液処理方法。
【請求項５】
前記交換終了予定時間から前記ロット搬送部で製品ロットを前記処理槽に搬送できる製品ロット搬送可能予定時間を求め、製品ロットを形成してロット載置部に載置するのに要する製品ロット形成時間と前記製品ロット搬送可能予定時間から製品ロットの形成を開始する製品ロット形成開始時間を求めて、少なくとも前記処理槽から前記ダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部に載置することを特徴とする請求項４に記載の基板液処理方法。
【請求項６】
前記キャリアに水平姿勢で収容された基板を垂直姿勢に姿勢変更して前記ロット載置部に載置し、垂直姿勢のまま基板を搬送するとともに処理することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板液処理方法。
【請求項７】
複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行わせ、
前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板液処理装置を用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチング液や洗浄液等の処理液を用いてエッチングや洗浄等の処理を施す。
【０００３】
この基板液処理装置は、処理液を貯留した処理槽に複数枚の基板で形成したロットを浸漬させて、１ロット分の基板を一括して液処理する。処理液としては、たとえばエッチングを行う場合、リン酸を純水で所定濃度に希釈したリン酸水溶液が用いられる。また、処理液の能力（エッチングレート）が処理液中のシリコン濃度に依存するため、基板を良好に処理するには処理液中のシリコン濃度を一定濃度範囲内に保持する必要がある。
【０００４】
基板液処理装置は、基板の処理を繰返し行うと、処理液中のシリコン濃度が増加し、処理液の能力が変化してしまい、基板の処理を良好に行えなくなる。そのため、基板液処理装置では、シリコン濃度が所定濃度以上に増加した場合に、処理槽の処理液を全て新しい処理液に交換する。その際に、交換後の処理液中のシリコン濃度が予め決められた濃度以上であり、決められた濃度範囲内となるように調整する。このシリコン濃度の調整は、シリコンからなる基板の表面にシリコン窒化膜を形成したダミーの基板を用い、複数枚のダミーの基板でダミーロットを形成し、ダミーロットを処理槽に浸漬させる（たとえば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７４０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の基板液処理装置では、製品となる複数枚の基板で形成した製品ロットの処理が終了した後に、処理槽の処理液を新しい処理液に交換し、その後、複数枚のダミーの基板でダミーロットを形成し、そのダミーロットを処理槽に搬送して交換後の処理液に浸漬させシリコン濃度を調整していた。そして、ダミーロットの処理が終了した後に、再び製品ロットの処理（製品ロットの形成や製品ロットの搬送など）を開始していた。
【０００７】
そのため、従来の基板液処理装置では、製品ロットの処理が行われない時間（処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整に要する時間）が長くなってしまい、製品ロットの処理効率が低下していた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明では、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理装置において、複数枚の基板を収容したキャリアの搬入及び搬出を行うキャリア搬入出部と、前記キャリア搬入出部から受取った複数枚の基板からロットを形成するロット形成部と、前記ロット形成部で形成したロットを載置するロット載置部と、前記ロット載置部に載置されたロットを処理槽に搬送するロット搬送部と、前記ロット搬送部で搬送されたロットを処理槽に貯留した処理液に浸漬させてロットを形成する複数枚の基板を一括して液処理するロット処理部と、前記キャリア搬入出部、ロット形成部、ロット搬送部、ロット処理部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記ロット処理部で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることにした。
【０００９】
また、前記制御部は、前記交換終了予定時間から前記ロット搬送部で製品ロットを前記処理槽に搬送できる製品ロット搬送可能予定時間を求め、製品ロットを形成してロット載置部に載置するのに要する製品ロット形成時間と前記製品ロット搬送可能予定時間から製品ロットの形成を開始する製品ロット形成開始時間を求めて、少なくとも前記処理槽から前記ダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部に載置させることにした。
【００１０】
また、前記制御部は、前記キャリアに水平姿勢で収容された基板を垂直姿勢に姿勢変更して前記ロット載置部に載置させ、垂直姿勢のまま基板を前記ロット搬送部で搬送させるとともに前記ロット処理部で処理させることにした。
【００１１】
また、本発明では、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理方法において、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置することにした。
【００１２】
また、前記交換終了予定時間から前記ロット搬送部で製品ロットを前記処理槽に搬送できる製品ロット搬送可能予定時間を求め、製品ロットを形成してロット載置部に載置するのに要する製品ロット形成時間と前記製品ロット搬送可能予定時間から製品ロットの形成を開始する製品ロット形成開始時間を求めて、少なくとも前記処理槽から前記ダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部に載置することにした。
【００１３】
また、前記キャリアに水平姿勢で収容された基板を垂直姿勢に姿勢変更して前記ロット載置部に載置し、垂直姿勢のまま基板を搬送するとともに処理することにした。
【００１４】
また、本発明では、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行わせ、前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることにした。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、製品ロットの処理が行われない時間（処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整に要する時間）を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】基板液処理装置を示す平面説明図。
【図２】エッチング用の処理槽を示す側面説明図。
【図３】基板液処理プログラム（製品ロットの処理）を示すフローチャート。
【図４】基板液処理プログラム（処理液の交換）を示すフローチャート。
【図５】基板液処理プログラム（ダミーロットの処理）を示すフローチャート。
【図６】基板液処理プログラム（ロット形成開始時間の設定）を示すフローチャート。
【図７】基板液処理プログラム（ダミーロットの搬送開始）を示すタイミングチャート。
【図８】基板液処理プログラム（シリコン濃度の測定を行わない場合の製品ロットの搬送開始）を示すタイミングチャート。
【図９】基板液処理プログラム（シリコン濃度の測定を行う場合の製品ロットの搬送開始）を示すタイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１に示すように、基板液処理装置１は、キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、制御部７を有する。
【００１９】
キャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。
【００２０】
このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。ここで、キャリアストック１２は、製品となる基板８を処理前又は処理後に一時的に保管する。また、キャリアストック１３は、製品とはならないダミーの基板８（処理液のシリコン濃度の調整を行うためにシリコン基板の表面にシリコン窒化膜を形成した基板８）を一時的に保管する。
【００２１】
そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９をキャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２，１３やキャリア載置台１４に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９をキャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２，１３やキャリアステージ１０に搬送する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
【００２２】
ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。
【００２３】
このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。なお、基板搬送機構１５は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
【００２４】
そして、ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロット載置部４でロットを形成する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構１５は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。
【００２５】
ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットを一時的に載置（待機）する。
【００２６】
このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられている。搬入側ロット載置台１７及び搬出側ロット載置台１８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
【００２７】
そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台１８に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。
【００２８】
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。
【００２９】
このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０と、複数枚の基板８を保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とで構成する。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体２２が進退自在に設けられている。
【００３０】
そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットをロット処理部６に受渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台１８に受渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構１９を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。
【００３１】
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。
【００３２】
このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置２３と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２４と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置２５と、基板８のエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置２６とが並べて設けられている。
【００３３】
乾燥処理装置２３は、処理槽２７に基板昇降機構２８を昇降自在に設けている。処理槽２７には、基板８の乾燥を行うＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の乾燥用の処理ガスが供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることでロットを処理槽２７の乾燥用の処理液に浸漬させて基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。
【００３４】
基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。
【００３５】
洗浄処理装置２５は、洗浄用の処理槽３０とリンス用の処理槽３１とを有し、各処理槽３０，３１に基板昇降機構３２，３３を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽３０には、基板８の洗浄を行うＳＣ−１等の洗浄用の処理液が貯留される。リンス用の処理槽３１には、基板８のリンスを行う純水等のリンス用の処理液が貯留される。基板昇降機構３２，３３には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。洗浄処理装置２５は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３２で受取り、基板昇降機構３２でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３０の洗浄用の処理液に浸漬させて基板８の洗浄処理を行う。その後、洗浄処理装置２５は、基板昇降機構３２からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。また、洗浄処理装置２５は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３３で受取り、基板昇降機構３３でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３１のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、洗浄処理装置２５は、基板昇降機構３３からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。
【００３６】
エッチング処理装置２６は、エッチング用の処理槽３４とリンス用の処理槽３５とを有し、各処理槽３４，３５に基板昇降機構３６，３７を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽３４には、基板８のエッチングを行うリン酸水溶液等のエッチング用の処理液が貯留される。リンス用の処理槽３５には、基板８のリンスを行う純水等のリンス用の処理液が貯留される。基板昇降機構３６，３７には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置２６は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、基板昇降機構３６でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３４のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置２６は、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。また、エッチング処理装置２６は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３７で受取り、基板昇降機構３７でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３５のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置２６は、基板昇降機構３７からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。
【００３７】
このエッチング処理装置２６には、図２に示すように、エッチング用の処理槽３４に処理液を供給する処理液供給機構３８と、処理槽３４から処理液を排出する処理液排出機構３９と、処理液中のシリコンの濃度を検出するシリコン濃度センサ４０とが設けられている。処理液供給機構３８は、処理槽３４の底部にノズル４１を設け、ノズル４１に処理液供給源４２を流量調整器４３を介して接続している。処理液排出機構３９は、処理槽３４の底部に排液口４４を形成し、排液口４４を開閉器４５を介して外部のドレインに接続している。
【００３８】
そして、エッチング処理装置２６は、処理液排出機構３９によって処理槽３４の内部に貯留されていた処理液を外部に全量排出し、その後、処理液供給機構３８によって処理槽３４の内部に処理液を供給することで、処理槽３４に貯留される処理液を全量交換することができる。
【００３９】
制御部７は、基板液処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。
【００４０】
この制御部７は、たとえばコンピュータであり、制御装置４６と記憶装置４７を備える。記憶装置４７には、基板液処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置４６は、記憶装置４７に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から記憶装置４７にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００４１】
基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部７によって制御される。
【００４２】
基板液処理装置１は、通常の使用時には、図３に示す基板液処理プログラム（製品ロットの処理）に従って、製品となる複数枚の基板８で形成した製品ロットに対して各種の処理を施す。
【００４３】
その場合、まず、基板液処理装置１は、製品ロットの形成を行う（製品ロット形成ステップＳ１）。この製品ロット形成工程では、制御部７は、キャリア搬入出部２とロット形成部３とを協働させて製品となる複数枚の基板８で製品ロットを形成させ、その後、製品ロットをロット形成部３からロット載置部４に搬送させ、製品ロットを搬入側ロット載置台１７に載置させる。この製品ロット形成工程では、２個のキャリア９に水平姿勢で収容されていた基板８を２回に分けて基板搬送機構１５で水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更して搬入側ロット載置台１７に搬送するとともに、搬送された基板８を搬入側ロット載置台１７で組合せて製品ロットを形成する。或いは、１個のキャリア９に収容された基板８を基板搬送機構１５で水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更して搬入側ロット載置台１７に載置する。なお、キャリア９は、キャリアステージ１０に載置されている場合もあり、また、キャリアストック１２に保管されている場合もある。
【００４４】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットをロット載置部４からロット処理部６に搬入する（製品ロット搬入ステップＳ２）。この製品ロット搬入工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、搬入側ロット載置台１７に載置された製品ロットをエッチング処理装置２６の基板昇降機構３６に搬送させる。
【００４５】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットを形成する基板８をエッチング処理する（エッチング処理ステップＳ３）。このエッチング処理工程では、制御部７は、エッチング処理装置２６の基板昇降機構３６を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽３４に貯留したエッチング用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
【００４６】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットをエッチング処理装置２６の処理槽３４，３５の間で搬送する（槽間搬送ステップＳ４）。この槽間搬送工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、エッチング用の処理槽３４の基板昇降機構３６で保持された製品ロットをリンス用の処理槽３５の基板昇降機構３７に搬送させる。
【００４７】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットを形成する基板８をリンス処理する（リンス処理ステップＳ５）。このリンス処理工程では、制御部７は、エッチング処理装置２６の基板昇降機構３７を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽３５に貯留したリンス用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
【００４８】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットをエッチング処理装置２６と洗浄処理装置２５との間で搬送する（装置間搬送ステップＳ６）。この装置間搬送工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、エッチング処理装置２６の基板昇降機構３７で保持された製品ロットを洗浄処理装置２５の基板昇降機構３２に搬送させる。
【００４９】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットを形成する基板８を洗浄処理する（洗浄処理ステップＳ７）。この洗浄処理工程では、制御部７は、洗浄処理装置２５の基板昇降機構３２を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽３０に貯留した洗浄用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
【００５０】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットを洗浄処理装置２５の処理槽３０，３１の間で搬送する（槽間搬送ステップＳ８）。この槽間搬送工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、洗浄用の処理槽３０の基板昇降機構３２で保持された製品ロットをリンス用の処理槽３１の基板昇降機構３３に搬送させる。
【００５１】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットを形成する基板８をリンス処理する（リンス処理ステップＳ９）。このリンス処理工程では、制御部７は、洗浄処理装置２５の基板昇降機構３３を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽３１に貯留したリンス用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
【００５２】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットを洗浄処理装置２５と乾燥処理装置２３との間で搬送する（装置間搬送ステップＳ１０）。この装置間搬送工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、洗浄処理装置２５の基板昇降機構３３で保持された製品ロットを乾燥処理装置２３の基板昇降機構２８に搬送させる。
【００５３】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットを形成する基板８を乾燥処理する（乾燥処理ステップＳ１１）。この乾燥処理工程では、制御部７は、乾燥処理装置２３の基板昇降機構２８を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽２７にて乾燥用の処理ガスを製品ロットに供給する。
【００５４】
次に、基板液処理装置１は、製品ロットをロット処理部６からロット載置部４に搬出する（製品ロット搬出ステップＳ１２）。この製品ロット搬出工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、乾燥処理装置２３の基板昇降機構２８で保持された製品ロットを搬出側ロット載置台１８に載置させる。
【００５５】
その後、基板液処理装置１は、製品ロットを形成する基板８をキャリア９に収容する（キャリア収容ステップＳ１３）。このキャリア収容工程では、制御部７は、キャリア搬入出部２とロット形成部３とを協働させて製品ロットを形成する基板８をキャリア９に収容させる。このキャリア収容工程では、搬出側ロット載置台１８に載置された製品ロットを基板搬送機構１５で垂直姿勢から水平姿勢に姿勢変更して２個のキャリア９に２回に分けて搬送する。或いは、搬出側ロット載置台１８に載置された製品ロットを基板搬送機構１５で垂直姿勢から水平姿勢に姿勢変更して１個のキャリア９に搬送する。なお、キャリア９は、キャリアステージ１０に載置されている場合もあり、また、キャリアストック１２に保管されている場合もある。
【００５６】
以上に説明した通常の使用時において、エッチング用の処理液を交換する必要が生じた場合、基板液処理装置１は、図４に示す基板液処理プログラム（処理液の交換）に従って、処理液の交換を行う。なお、たとえば、エッチング処理装置２６のシリコン濃度センサ４０で処理槽３４に貯留された処理液（リン酸水溶液）のシリコン濃度が予め決められた範囲外となった場合や、処理槽３４に貯留された処理液（リン酸水溶液）で処理した製品ロットの回数や基板８の枚数が予め決められた値以上となった場合などに処理液の交換が必要と判断する。
【００５７】
その場合、基板液処理装置１は、処理槽３４に貯留されている処理液の排出を開始する（処理液排出開始ステップＳ２１）。この処理液排出開始工程では、制御部７は、処理液排出機構３９の開閉器４５を開放させて、処理液を処理槽３４から外部のドレインに排出させる。
【００５８】
次に、基板液処理装置１は、処理液の排出を終了する（処理液排出終了ステップＳ２２）。この処理液排出終了工程では、制御部７は、処理液排出開始ステップＳ２１から一定時間経過後に、或いは、図示しないセンサで処理槽３４の内部に処理液が残留しないことを検出した後に、開閉器４５を閉塞させて、処理液の排出を終了させる。
【００５９】
次に、基板液処理装置１は、新規の処理液の供給を開始する（処理液供給開始ステップＳ２３）。この処理液供給開始工程では、制御部７は、処理液供給機構３８の流量調整器４３を開放させて、処理液供給源４２から新規の処理液（所定濃度範囲内のリン酸水溶液）を処理槽３４に供給させる。
【００６０】
その後、基板液処理装置１は、新規の処理液の供給を終了する（処理液供給終了ステップＳ２４)。この処理液供給終了工程では、制御部７は、処理液供給開始ステップＳ２３から一定時間経過後に、或いは、図示しないセンサで処理槽３４の内部に所定量の処理液が貯留されたことを検出した後に、流量調整器４３を閉塞させて、処理液の供給を終了させる。
【００６１】
以上に説明した処理液の交換を行う際に、基板液処理装置１は、図５に示す基板液処理プログラム（ダミーロットの処理）に従って、製品とはならない複数枚の基板８で形成したダミーロットを用いて処理液中のシリコンの濃度を調整する。なお、後述するように、このシリコン濃度調整工程は、前述した処理液交換工程と平行して実行される。
【００６２】
その場合、まず、基板液処理装置１は、ダミーロットの形成を行う（ダミーロット形成ステップＳ３１）。このダミーロット形成工程では、制御部７は、キャリア搬入出部２とロット形成部３とを協働させて製品とはならない複数枚のダミー基板８（処理液のシリコン濃度の調整を行うためにシリコン基板の表面にシリコン窒化膜を形成した基板８）でダミーロットを形成させ、その後、ダミーロットをロット形成部３からロット載置部４に搬送させ、ダミーロットを搬入側ロット載置台１７に載置させる。このダミーロット形成工程では、キャリアストック１３に保管されたキャリア９に収容されたダミーの基板８を基板搬送機構１５で水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更して搬入側ロット載置台１７に載置する。
【００６３】
次に、基板液処理装置１は、ダミーロットをロット載置部４からロット処理部６に搬入する（ダミーロット搬入ステップＳ３２）。このダミーロット搬入工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、搬入側ロット載置台１７に載置されたダミーロットをエッチング処理装置２６の基板昇降機構３６に搬送させる。
【００６４】
次に、基板液処理装置１は、ダミーロットを形成する基板８をエッチング処理装置２６の処理槽３４に浸漬する（ダミーロット浸漬ステップＳ３３）。このダミーロット浸漬工程では、制御部７は、エッチング処理装置２６の基板昇降機構３６を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽３４に貯留したエッチング用の処理液にダミーロットを浸漬させる。
【００６５】
次に、基板液処理装置１は、ダミーロットをエッチング処理装置２６の処理槽３４，３５の間で搬送する（槽間搬送ステップＳ３４）。この槽間搬送工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、エッチング用の処理槽３４の基板昇降機構３６で保持されたダミーロットをリンス用の処理槽３５の基板昇降機構３７に搬送させる。
【００６６】
次に、基板液処理装置１は、ダミーロットを形成する基板８をリンス処理する（リンス処理ステップＳ３５）。このリンス処理工程では、制御部７は、エッチング処理装置２６の基板昇降機構３７を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽３５に貯留したリンス用の処理液にダミーロットを浸漬させる。
【００６７】
次に、基板液処理装置１は、ダミーロットをエッチング処理装置２６と乾燥処理装置２３との間で搬送する（装置間搬送ステップＳ３６）。この装置間搬送工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、エッチング処理装置２６の基板昇降機構３７で保持されたダミーロットを乾燥処理装置２３の基板昇降機構２８に搬送させる。
【００６８】
次に、基板液処理装置１は、ダミーロットを形成する基板８を乾燥処理する（乾燥処理ステップＳ３７）。この乾燥処理工程では、制御部７は、乾燥処理装置２３の基板昇降機構２８を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽２７にて乾燥用の処理ガスをダミーロットに供給する。
【００６９】
次に、基板液処理装置１は、ダミーロットをロット処理部６からロット載置部４に搬出する（ダミーロット搬出ステップＳ３８）。このダミーロット搬出工程では、制御部７は、ロット搬送機構１９を制御して、乾燥処理装置２３の基板昇降機構２８で保持されたダミーロットを搬出側ロット載置台１８に載置させる。
【００７０】
その後、基板液処理装置１は、ダミーロットを形成する基板８をキャリアストック１３に保管されたキャリア９に収容する（キャリア収容ステップＳ３９）。このキャリア収容工程では、制御部７は、キャリア搬入出部２とロット形成部３とを協働させてダミーロットを形成する基板８をキャリア９に収容させる。このキャリア収容工程では、搬出側ロット載置台１８に載置されたダミーロットを基板搬送機構１５で垂直姿勢から水平姿勢に姿勢変更してキャリア９に搬送する。
【００７１】
以上に説明した処理液交換工程やシリコン濃度調整工程を行う際に、基板液処理装置１は、図６に示す基板液処理プログラム（ロット形成開始時間の設定）に従って、処理液交換工程やシリコン濃度調整工程を行う時間（タイミング）を設定する（図７参照。）。
【００７２】
その場合、まず、制御部７は、処理液の交換を開始する時間を決定する（交換開始時間決定ステップＳ４１）。その際には、例えば、処理槽３４に貯留された処理液（リン酸水溶液）で処理した製品ロットの回数や基板８の枚数が予め決められた所定値以上となった場合などに処理液の交換が必要と判断され、基板液処理装置１の各部の稼働状況を考慮して処理液の交換を開始するのに適した時間を交換開始時間に決定する。
【００７３】
次に、制御部７は、処理液の交換が終了する予定の時間を算出する（交換終了予定時間算出ステップＳ４２）。その際には、図７に示すように、交換開始時間決定ステップＳ４１で決定した交換開始時間に、処理液交換工程（Ｓ２１〜Ｓ２４）を実行するのに要する時間（処理液交換時間）を加えて、交換終了予定時間を算出する。
【００７４】
次に、制御部７は、ダミーロットの形成を開始する時間を算出する（ダミーロット形成開始時間算出ステップＳ４３）。その際には、図７に示すように、交換終了予定時間算出ステップＳ４２で算出した交換終了予定時間から、ダミーロット形成ステップＳ３１を実行するのに要する時間（ダミーロット形成時間）を引いて、ダミーロット形成開始時間を算出する。ここで、ダミーロット形成時間は、ダミーロットを形成するキャリアの数を考慮してダミーロットの形成に要する実際的な時間を算出する。また、交換終了予定時間からダミーロット形成時間を単に引いた時間をダミーロット形成開始時間としてもよく、交換終了予定時間からダミーロット形成時間と予め設定したマージン（時間）とを引いた時間をダミーロット形成開始時間としてもよい。
【００７５】
そして、制御部７は、図７に示すように、交換開始時間決定ステップＳ４１で決定した交換開始時間になった場合に、図４に示した基板液処理プログラム（処理液の交換）を実行して処理液交換工程を行わせるとともに、ダミーロット形成開始時間算出ステップＳ４３で算出したダミーロット形成開始時間になった場合に、図５に示した基板液処理プログラム（ダミーロットの処理）を実行してシリコン濃度調整工程を行わせる。
【００７６】
このように、基板液処理装置１は、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部４に載置させておき、処理液の交換が終了した後に直ちにロット載置部４からダミーロットをロット処理部６に搬入させて処理槽３４に浸漬させる。ダミーロットを形成し、処理槽の近辺でダミーロットを待機させているので、処理液の交換後すぐに投入することができることで、基板液処理装置１では、製品ロットの処理が行われない時間（処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整に要する時間）を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
【００７７】
上記基板液処理装置１では、図６に示す基板液処理プログラム（ロット形成開始時間の設定）に従って、シリコン濃度調整工程後に通常の製品ロットの処理を行う時間（タイミング）も設定する（図８参照。）。
【００７８】
その場合、制御部７は、製品ロットを処理槽３４に搬送できる時間を算出する（製品ロット搬送可能予定時間算出ステップＳ４４）。その際には、図８に示すように、交換終了予定時間算出ステップＳ４２で算出した交換終了予定時間に、ダミーロット搬入ステップＳ３２とダミーロット浸漬ステップＳ３３と槽間搬送ステップＳ３４とを実行するのに要する時間（ダミーロット処理時間）を加えて、製品ロット搬送可能予定時間を算出する。ここで、ダミーロット処理時間は、基板液処理装置１の各部のダミーロットを搬送する距離、速度など稼働状況を考慮してダミーロットの処理（ダミーロット搬入、ダミーロット浸漬、槽間搬送）に要する実際的な時間を算出する。
【００７９】
次に、制御部７は、製品ロットの形成を開始する時間を算出する（製品ロット形成開始時間算出ステップＳ４５）。その際には、図８に示すように、製品ロット搬送可能予定時間算出ステップＳ４４で算出した製品ロット搬送可能予定時間から、製品ロット形成ステップＳ１を実行するのに要する時間（製品ロット形成時間）を引いて、製品ロット形成開始時間を算出する。ここで、製品ロット形成時間は、製品ロットを形成するキャリアの数を考慮して製品ロットの形成に要する実際的な時間を算出する。また、製品ロット搬送可能予定時間から製品ロット形成時間を単に引いた時間を製品ロット形成開始時間としてもよく、製品ロット搬送可能予定時間から製品ロット形成時間と予め設定したマージン（時間）とを引いた時間を製品ロット形成開始時間としてもよい。
【００８０】
そして、制御部７は、図８に示すように、ダミーロット形成開始時間算出ステップＳ４３で算出したダミーロット形成開始時間になった場合に、図５に示した基板液処理プログラム（ダミーロットの処理）を実行してシリコン濃度調整工程を行わせるとともに、製品ロット形成開始時間算出ステップＳ４５で選出した製品ロット形成開始時間になった場合に、図３に示した基板液処理プログラム（製品ロットの処理）を実行して製品ロットの処理を行わせる。
【００８１】
このように、基板液処理装置１は、少なくとも処理槽３４からダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部４に載置させておき、処理槽３４からダミーロットを排出した後に直ちにロット載置部４から製品ロットをロット処理部６に搬入させて処理槽３４に浸漬させる。これにより、基板液処理装置１では、製品ロットの処理が行われない時間を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
【００８２】
図８に示す動作では、ダミーロットを処理槽３４から排出した場合に製品ロットを処理槽３４に搬送できるものとしているが、処理槽３４にダミーロットを浸漬した後に処理液のシリコン濃度をシリコン濃度センサ４０で検出して予め決められた濃度範囲内となっているか確認する場合には、図９に示すように、シリコン濃度センサ４０でのシリコン濃度の測定が終了した場合に製品ロットを処理槽３４に搬送できるものとすることもできる。なお、基板液処理装置１は、シリコン濃度測定中もダミーロットの槽間搬送等の処理を継続して行ってもよい。
【００８３】
その場合、製品ロット搬送可能予定時間算出ステップＳ４４では、図９に示すように、交換終了予定時間算出ステップＳ４２で決定した交換終了予定時間に、ダミーロット搬入とダミーロット浸漬とシリコン濃度測定を行うのに要する時間（ダミーロット処理時間）を加えて、製品ロット搬送可能予定時間を算出する。ここで、ダミーロット処理時間は、基板液処理装置１の各部のダミーロットを搬送する距離、速度など稼働状況を考慮してダミーロットの処理（ダミーロット搬入、ダミーロット浸漬、シリコン濃度測定）に要する実際的な時間を算出する。
【００８４】
なお、シリコン濃度センサ４０の検出した濃度が予め決められた濃度範囲外の場合には、搬入側ロット載置台１７に載置された製品ロットを基板搬送機構１５で２回に分けてキャリア９に搬送する。このとき、通常、搬出側ロット載置台１８から基板搬送機構１５でキャリア９に搬送する場合は処理後基板支持部で基板８を支持するが、処理前の基板８を搬入側ロット載置台１７からキャリア９へ搬送する場合には処理前基板支持部で基板８を支持して搬送する。これにより処理前の基板８に付着したパーティクル等が処理後基板支持部に付着し、その後、処理後の基板８等に転着するのを防止することができる。
【００８５】
本実施例のロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられているが、製品ロットがロット処理部６で処理が行われる時間および処理槽３４で処理液の交換が行なわれる時間によっては、ダミーロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、製品ロットがロット処理部６から搬出側ロット載置第１８へ搬出されることで、製品ロットを搬出側ロット載置台１８に載置した後に搬入側ロット載置１７に載置されたダミーロットを処理槽３４に直ちに搬送することができ、製品ロットの処理が行われない時間を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
【００８６】
以上に説明したように、上記基板液処理装置１及び上記基板液処理装置１で用いられる基板液処理方法並びに基板液処理プログラムでは、処理槽３４の処理液を交換した後に製品とはならないダミーの基板８で形成したダミーロットを処理槽３４で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行う。その際に、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部４に載置する。また、少なくとも処理槽３４からダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部４に載置する。製品ロットやダミーロットは、水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更してロット載置部４に載置する。その後、製品ロットやダミーロットを垂直姿勢のまま搬送して処理する。これにより、製品ロットの処理が行われない時間（処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整などに要する時間）を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８７】
１  基板液処理装置
２  キャリア搬入出部
３  ロット形成部
４  ロット載置部
５  ロット搬送部
６  ロット処理部
７  制御部
８  基板
９  キャリア
２６  エッチング処理装置
３４  処理槽
【図１】
2015056631.tif 000003
【図２】
2015056631.tif 000004
【図３】
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【図４】
2015056631.tif 000006
【図５】
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【図６】
2015056631.tif 000008
【図７】
2015056631.tif 000009
【図８】
2015056631.tif 000010
【図９】
2015056631.tif 000011