(57)【要約】【課題】素子の回路面への接合材料の這い上がりを抑制しつつ、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することが可能なモジュール部品及びモジュール部品の製造方法を提供する。【解決手段】モジュール部品１００は、回路基板２と、回路基板２上に、接合材料８を介して搭載された少なくとも１つの素子４と、凸部１８とを有する。凸部１８は、回路基板２と素子４との間の、素子４の外周に対応する位置の少なくとも一部であって、素子４に形成された端子に対応する位置に設けられる。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板上に、接合材料を介して搭載された少なくとも１つの素子と、
前記回路基板と前記素子との間の、前記素子の外周に対応する位置の少なくとも一部であって、前記素子に形成された端子に対応する位置に設けられた凸部と
を有するモジュール部品。
【請求項２】
前記凸部の幅は、前記端子の位置に対応するように形成されている
請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項３】
前記凸部は、前記素子の前記回路基板に搭載される搭載面に形成される
請求項１又は２に記載のモジュール部品。
【請求項４】
前記凸部は、前記回路基板上に形成される
請求項１又は２に記載のモジュール部品。
【請求項５】
前記凸部は、前記素子の前記回路基板に搭載される搭載面及び前記回路基板上の両方に形成される
請求項１又は２に記載のモジュール部品。
【請求項６】
前記回路基板上の、前記素子が搭載される素子搭載領域に設けられた凹部
をさらに有する請求項１から５のいずれか１項に記載のモジュール部品。
【請求項７】
前記凹部は、前記素子搭載領域の少なくとも外周の一部に設けられる
請求項６に記載のモジュール部品。
【請求項８】
前記凸部には、切欠きが形成されている
請求項１から７のいずれか１項に記載のモジュール部品。
【請求項９】
前記凸部の高さは、前記接合材料の特性及び前記素子の発熱量の少なくとも一方から設定される
請求項１から８のいずれか１項に記載のモジュール部品。
【請求項１０】
回路基板上に搭載される素子の搭載面及び前記回路基板上の少なくとも一方の、前記素子の外周に対応する位置の少なくとも一部であって、前記素子に形成された端子に対応する位置に凸部を形成するステップと、
接合材料を介して前記素子を前記回路基板上に接合するステップと
を有するモジュール部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モジュール部品及びモジュール部品の製造方法に関し、特に、接合材料を介して基板上に素子が搭載されるモジュール部品及びモジュール部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロ波通信機、レーダー装置など高周波帯域で使用する通信機器の利用が増加している。これら通信機器で使用されるモジュール部品では、半導体素子などの電子部品を、ロウ材又は導電性樹脂等の接合材料を介して、回路基板に搭載した構造が採られている。
【０００３】
このようなモジュール部品として、例えば特許文献１には、接合材で固定する場合に、溶融した接合材の流れ出しに原因する回路の短絡を生じないことを目的とした素子搭載用回路基板が開示されている。この素子搭載用回路基板は、回路基板の表面に導体薄膜が形成されており、かつ導体薄膜が、素子搭載領域の周囲において、接合材を接合目的で溶融させた時にその溶融物の過剰分が流入し、貯留可能な仕切り溝をさらに有しているように構成されている。
【０００４】
また、特許文献２には、ダイパッドとセラミック基板との間において接着剤の周囲に、接着剤と接着剤の外側とを区画する障壁層を設け、この障壁層によって、加熱時における飛散物の接着剤の外側への漏れを防止するように構成された電子装置が開示されている。また、特許文献３には、半導体基板の裏面であって周辺耐圧確保部に対応している領域に、活性領域を囲んでいるとともに活性領域の裏面よりも盛り上がっている隆起部が形成されている半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−  ３９９８８号公報
【特許文献２】特開２０１０‐１４１１５９号公報
【特許文献３】特開２００９−１４１０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、特許文献１に開示される構造では、以下の課題がある。第１の課題として、素子搭載領域の周囲に仕切り溝を設けたことにより、搭載される電子部品間の間隔が広くなってしまうことが挙げられる。高周波特性を十分に引き出すために、半導体素子などの電子部品を狭隣接で実装し伝送ロスを抑制することが重要である。したがって、特許文献１のように電子部品の搭載間隔が広くなる場合は、配線が長くなり十分な高周波特性が得られ難い。
【０００７】
第２の課題として、接合材料が過剰である場合に、接合材料が回路基板と電子部品との間から流れ出して、電子部品の回路面に接合材料が這い上がるおそれがある。高性能化及び小型化などの要求に伴い、使用される電子部品の中には１００μｍ以下のサイズのものがある。したがって、回路基板の搭載面から電子部品の回路面までの距離が短いことから、過剰分の接合材料が周囲に流れ出すと同時に電子部品の回路面の方に這い上がり易い。
【０００８】
上記の課題を解決するため、特許文献２及び特許文献３のように、障壁層又は隆起部を設けることが挙げられる。このような構成を採用した場合、電子部品の回路基板に搭載される面（搭載面）において、障壁層又は隆起部が設けられた位置については、この障壁層又は隆起部が回路基板と接触する。一方、障壁層又は隆起部が設けられていない位置については、接合材料が充填されており、電子部品は、回路基板と接触しない。この場合、接合材料が充分に充填されていないと、電子部品の搭載面と回路基板との間に空隙が生じる。
【０００９】
また、電子部品の端子においてワイヤボンディングする際、端子部分にボンディング圧力が加えられる。ここで、電子部品の搭載面の端子部分に対応した位置に空隙が生じていたとき、ボンディング圧力に対し、搭載面側から、電子部品を充分に支持することができない。そのため、ボンディング不良又は電子部品の破損等を引き起こす等の、ボンディングの信頼性を劣化させるおそれがあった。
【００１０】
本発明の目的は、このような課題を解決するためになされたものであり、素子の回路面への接合材料の這い上がりを抑制しつつ、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することが可能なモジュール部品及びモジュール部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明にかかるモジュール部品は、回路基板と、前記回路基板上に、接合材料を介して搭載された少なくとも１つの素子と、前記回路基板と前記素子との間の、前記素子の外周に対応する位置の少なくとも一部であって、前記素子に形成された端子に対応する位置に設けられた凸部とを有する。
【００１２】
また、本発明にかかるモジュール部品の製造方法は、回路基板上に搭載される素子の搭載面及び前記回路基板上の少なくとも一方の、前記素子の外周に対応する位置の少なくとも一部であって、前記素子に形成された端子に対応する位置に凸部を形成するステップと、接合材料を用いて前記素子を前記回路基板上に接合するステップとを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、素子の回路面への接合材料の這い上がりを抑制しつつ、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することが可能なモジュール部品及びモジュール部品の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１にかかるモジュール部品の断面図である。
【図２】実施の形態１にかかるモジュール部品の平面図である。
【図３】実施の形態１にかかる、素子が搭載されていない状態の回路基板の平面図である。
【図４】実施の形態１にかかる素子を搭載面から見た斜視図である。
【図５】実施の形態１にかかるモジュール部品の製造方法を示す図である。
【図６】実施の形態２にかかるモジュール部品の断面図である。
【図７】実施の形態２にかかる、素子が搭載されていない状態の回路基板の平面図である。
【図８】実施の形態３にかかるモジュール部品の断面図である。
【図９】本発明にかかるモジュール部品を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施の形態１＞
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１６】
図１は、実施の形態１にかかるモジュール部品１の断面図である。また、図２は、実施の形態１にかかるモジュール部品１の平面図である。ここで、図１の断面図は、図２の平面図のＡ−Ａ線断面を示す。また、図３は、素子４が搭載されていない状態の回路基板２の平面図である。
【００１７】
モジュール部品１は、回路基板２と、素子４とを有する。素子４は、回路基板２に実装される電子部品等である。素子４は、回路基板２において、回路基板２に設けられた素子搭載領域６に搭載される。素子搭載領域６は、例えば、Ｃｕ等の金属の皮膜である。素子搭載領域６は、例えば、回路基板２を母材として、めっき処理によって形成されてもよい。
【００１８】
素子４は、接合材料８を介して回路基板２（素子搭載領域６）に接合されて搭載される。接合材料８は、例えば、Ｓｎを主成分とするロウ材であってもよく、又は、Ａｇ及びＣｕ等の金属フィラを含有した導電性接着剤であってもよい。なお、接合材料８は、導電性の接着剤であってもよく、非導電性の接着剤であってもよい。
【００１９】
素子４の、回路基板２に搭載される側とは反対側の面（回路面）には、Ａｕ等の金属で形成されたワイヤ１０を接続するための端子１２が形成されている。端子１２は、好適には回路面の外周近傍に形成される。ワイヤ１０の一端は、ワイヤボンディングによって、端子１２に電気的に接続される。また、ワイヤ１０の他端は、例えば、回路基板２に形成された接続端子１４に電気的に接続される。これによって、素子４と回路基板２とが電気的に接続された状態となる。また、ワイヤ１０の他端は、例えば、他の素子４の端子１２に電気的に接続される。これによって、異なる２つの素子４が電気的に接続された状態となる。
【００２０】
素子４についてさらに説明する。図４は、素子４を、回路基板２に搭載される側の面（搭載面）から見た斜視図である。素子４の搭載面には、金属膜１６が形成されている。さらに、金属膜１６の外周には、凸部１８が形成されている。つまり、凸部１８は、素子４の外周部に対応する位置に設けられている。素子４が回路基板２に搭載されている状態では、凸部１８は、回路基板２の素子搭載領域６に接しているか、又は、接合材料８を介して素子搭載領域６と接続されている。接合材料８は、搭載面の外周に形成された凸部１８の内側に充填される。つまり、凸部１８は、接合材料８が外部に流出し素子４の回路面に接合材料８が這い上がることを防止するために、接合材料８を堰き止める。
【００２１】
また、凸部１８は、少なくとも、搭載面において、端子１２に対応する位置に設けられている。言い換えると、表裏の関係となっている回路面及び搭載面において、回路面には端子１２が形成され、搭載面には凸部１８が形成されている。ここで、凸部１８は、端子１２の裏側（搭載面）に対応する位置に、少なくとも形成されている。さらに言い換えると、回路面を上とすると、端子１２の下（搭載面）には、凸部１８が形成されている。
【００２２】
なお、凸部１８の幅は、搭載面の外周において一様であってもよいし、そうでなくてもよい。例えば、図４（ａ）に示すように、全ての端子１２に対応する位置に凸部１８が形成されるように、凸部１８の幅を一様に広くしてもよい。一方、図４（ｂ）に示すように、端子１２に対応する位置のみに凸部１８が形成され、端子１２が形成されていない位置に対応する箇所（矢印Ｂで示す）には、凸部１８が形成されていなくてもよい。つまり、凸部１８は、端子１２に対応する位置は凸部１８の幅を広くし、端子１２が形成されていない位置に対応する箇所（矢印Ｂで示す）は凸部１８の幅を狭くするように形成してもよい。
【００２３】
このように、凸部１８が端子１２に対応する位置に形成されていることによって、端子１２に対してワイヤボンディングが施される場合に、端子１２を、搭載面側から支持することが可能となる。
接合材料８は、素子４の搭載面の外周に設けられた凸部１８の内側、つまり、金属膜１６と、素子搭載領域６と、凸部１８とで囲まれた空間（接合材料充填空間）に充填される。ここで、接合材料８の充填量が充分でなかった場合に、この接合材料充填空間において接合材料８が存在しない空隙が生じる。
【００２４】
凸部１８が端子１２に対応する位置に形成されているといった構成がなされていない場合、この空隙が、端子１２の下に生じる可能性がある。この状態で、端子１２に対してワイヤボンディングを施した場合、端子１２の下部は支持されていないので、ボンディング圧力によって、ボンディング不良又は電子部品の破損等を引き起こす可能性がある。
【００２５】
一方、本実施の形態においては、接合材料充填空間において空隙が生じたとしても、端子１２の下には凸部１８が形成されているので、端子１２は、凸部１８によって支持される。したがって、端子１２に対してワイヤボンディングを施した場合、ボンディング圧力によって生じるボンディングの信頼性の劣化を抑制することができる。
【００２６】
凸部１８の高さは、接合材料８の必要な厚さに対応するように設定してもよい。接合材料８の厚さは、例えば、素子４の発熱量と接合材料８の熱伝導率との関係、及び、モジュール部品の信頼性を確保するために必要な接合強度から決定される。言い換えると、凸部１８の高さは、接合材料８の特性及び素子４の発熱量の少なくとも一方から設定してもよい。この接合材料８の必要厚さに対応するように凸部１８の高さを設定すると、素子４を回路基板２に実装するだけで、接合材料８の必要厚さを得ることができる。
【００２７】
素子４の搭載面の外周に設けられた凸部１８には、切欠きを形成してもよい。素子４を回路基板２に搭載するときに、接合材料充填空間に、接合材料８だけでなく空気も充填される可能性がある。この空気のために接合材料８にボイドが生じる。凸部１８に切欠きを設けることによって、切欠きから空気が排出されるので、ボイドの発生を低減させることが可能となる。
【００２８】
なお、切欠きは、素子４の搭載面の外周に設けられた凸部１８のうち、素子４が回路基板２に搭載された状態において近傍に他の素子４又は接続端子１４がない方向の位置に形成するようにしてもよい。このようにすることによって、切欠きから接合材料８が漏えいしたとしても、接合材料８が他の素子４又は接続端子１４に付着することによりショート不良を引き起こすことを防止することができる。
【００２９】
以上説明したように、実施の形態１にかかるモジュール部品１は、少なくとも、回路基板２と、回路基板２上に、接合材料８を介して搭載された少なくとも１つの素子４と、凸部１８とを有する。凸部１８は、回路基板２と素子４との間の、素子４の外周に対応する位置の少なくとも一部であって、素子４に形成された端子１２に対応する位置に設けられる。なお、これら以外の構成については、なくてもよい。
【００３０】
回路基板２の素子搭載領域６内には、凹部２０が形成されている。凹部２０には、素子４を回路基板２に搭載したときに、余剰の接合材料８が貯留するように構成されている。図１〜図３では、凹部２０は、素子搭載領域６の各角部に形成されている。しかしながら、凹部２０は、素子搭載領域６の外周の任意の位置に形成されてもよい。
【００３１】
なお、凹部２０は、素子４の端子１２の下に対応する位置には形成しないようにしてもよい。つまり、凹部２０の上には、凸部１８は形成されない。端子１２の下に凹部２０があると、ワイヤボンディングが施される場合に、端子１２の下部の支持が充分でなくなる可能性がある。一方、凹部２０を端子１２の下に対応する位置に形成しないことによって、端子１２の下部の支持が充分となり、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することができる。
【００３２】
また、凹部２０は、接続端子１４の近傍には形成されないようにしてもよい。このようにすることによって、凹部２０が接合材料８で満杯になって凹部２０から接合材料８が溢れてしまった場合であっても、接合材料８が接続端子１４に付着することによりショート不良を引き起こすことを防止することができる。
【００３３】
このように、実施の形態１においては、モジュール部品１に凸部１８及び凹部２０を設けたので、素子４を回路基板２に搭載する際に、接合材料８が素子４の回路面に這い上がることを抑制することができる。素子４を回路基板２に搭載する際、回路基板２に形成された素子搭載領域６に、接合材料８が供給される。そして、接合材料８は、素子４によって、上から押される。これによって、接合材料８は、素子４の外周部へと押し広げられる。このとき、接合材料８は、凸部１８によって堰き止められ、他の方向へと流動する。そして、接合材料８は、凸部１８の内部に充満し、余剰の接合材料８は、凹部２０に貯留する。このようにして、接合材料８が素子４の回路面に這い上がることが、抑制される。
【００３４】
さらに、素子４が回路基板２に搭載された後、端子１２に対してワイヤボンディングが施される際に、凸部１８が、端子１２を下から支持している。これによって、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することができる。つまり、本実施の形態１においては、素子４の回路面への接合材料の這い上がりを抑制しつつ、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することが可能となる。
【００３５】
また、凸部１８及び凹部２０は、素子４の外周に対応する位置に形成されている。これによって、素子４の周囲に、仕切り溝のような接合材料８の流動を抑制するための構成を新たに追加する必要がなくなる。したがって、複数の素子４を隣接して回路基板２に搭載することが可能となる。これによって、モジュール部品１において、伝送ロスを抑制し、必要な電気的特性を確保することが可能となる。
【００３６】
図５は、実施の形態１にかかるモジュール部品１の製造方法を示す図である。
まず、図５（ａ）に示すように、複数の素子４が配置されたウエハ又は板状の複合体３０に対し、素子４の搭載面側に凸部１８が形成される。なお、複合体３０に形成される複数の素子４は、同じ種類の素子であってもよいし、互いに異なる種類の素子であってもよい。
【００３７】
凸部１８を形成する方法としてはいくつかある。１つの方法として、具体的には、まず、搭載面の、凸部１８を形成しない部分に、レジストマスクが形成される。そして、スパッタや蒸着法、又はめっき法などによって、例えばＡｕなどからなる凸部１８が、各素子４の外周部にあたる位置に形成される。その後、レジストマスクが除去される。例えば、Ａｕなどからなる金属膜１６が、既に搭載面に形成されている場合には、凸部１８も、Ａｕなどの金属膜１６と同じ材質で形成することができる。一方、金属膜１６が形成されていない場合には、密着層などを介して凸部１８を形成することができる。
【００３８】
また、他の方法として、搭載面に金属膜１６を形成した後、金属膜１６の凸部１８を形成する位置にレジストマスクが形成される。そして、その他の部分について、エッチング法などによって、金属膜１６が除去される（又は凸部１８の高さ分だけ削り取られる）。
【００３９】
凸部１８は、上述したような形状とすることができる。例えば、凸部１８の幅については、素子４の回路面に形成された端子１２の下（搭載面側）に対応する位置に凸部１８が形成されるように、形成することができる。
【００４０】
また、凸部１８の高さについては、必要な接合材料８の厚さに応じて、形成することができる。上述したように、接合材料８の厚さは、例えば、素子４の発熱量と接合材料８の熱伝導率との関係、及び、モジュール部品の信頼性を確保するために必要な接合強度から決定される。凸部１８の高さは、この接合材料８の必要厚さを確保し得るように形成することができる。例えば、凸部１８の高さについて、素子４の発熱量と接合材料８の熱伝導率との関係から２０μｍ以下とする必要があり、一方、信頼性上で必要とされる接合強度を得るための接合材料８の厚さが１０μｍ以上である場合、凸部１８の高さを、１５μｍと決定することができる。
【００４１】
次に、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）に示した一点鎖線に沿って複合体３０を切断することによって、複合体３０が分割される。これによって、複合体３０は、各素子４それぞれに分割される。このとき、各素子４の搭載面の外周部には、凸部１８が形成された状態となる。
【００４２】
次に、図５（ｃ）に示すように、回路基板２に素子搭載領域６及び接続端子１４が形成され、素子搭載領域６上に接合材料８が供給される。ここで、素子搭載領域６の例えば角部には、上述した凹部２０が形成されている。凹部２０は、素子搭載領域６の形成（パターンニング）の際に形成され得る。
【００４３】
例えば、回路基板２の基材表面に予めＣｕ膜が形成されている場合、素子搭載領域６及び接続端子１４を形成する部分のＣｕ膜に、レジストマスクを形成する。このとき、凹部２０を形成する部分には、レジストマスクが形成されない。そして、Ｃｕ膜をエッチングすることによって、レジストマスクが形成された部分にＣｕ膜が残存する。この残存したＣｕ膜が、素子搭載領域６又は接続端子１４となる。このとき、凹部２０を形成する部分にはレジストマスクが形成されていないことから、当該部分のＣｕ膜は除去され、基材が露出した状態となる。このようにして、凹部２０が形成される。そして、無電解めっき法などを用いてＮｉ又はＡｕ等の金属の膜をＣｕ膜上に形成することで、凹部２０を具備した回路基板２が形成される。このとき、例えば、Ｎｉ膜を５μｍ形成し、さらに、Ａｕ膜を０．５μｍ形成してもよい。
【００４４】
そして、回路基板２に形成された素子搭載領域６上に、接合材料８が供給される。接合材料８を供給する際の形状及び供給量については、素子４が搭載された際に素子４と回路基板２との間に接合材料８が充分に充填されるよう、調整することができる。
【００４５】
次に、図５（ｄ）に示すように、素子４と回路基板２とが接合材料８を用いて接合される。具体的には、素子４と回路基板２とを位置合わせした後、素子４が、回路基板２の素子搭載領域６上に押し下ろされることによって、回路基板２に搭載される。これによって、素子４と回路基板２（素子搭載領域６）との間の接合材料８が、接合材料充填空間内に広がる。なお、素子４が複数ある場合は、連続して複数の素子４が搭載される。全ての素子４が回路基板２に搭載された後、接合材料８は、例えばオーブンを用いて熱硬化される。
【００４６】
このとき、上述したように、凸部１８及び凹部２０によって、接合材料８が素子４の回路面に這い上がることを抑制することができる。
最後に、素子４の端子１２と、他の素子４の端子１２又は接続端子１４とをワイヤで接続することによって、素子４が、他の素子４又は回路基板２と、電気的に接続される。上述したように、端子１２に対してワイヤボンディングするとき、端子１２の下から凸部１８が支持するように構成されているので、ボンディング圧力に伴う悪影響を低減することができる。したがって、ワイヤボンディングの信頼性の劣化を抑制することができる。
【００４７】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２について説明する。実施の形態２においては、凸部が素子４ではなく回路基板２に形成されている点で、実施の形態１と異なる。
図６は、実施の形態２にかかるモジュール部品４０の断面図である。また、図７は、実施の形態２にかかる、素子４が搭載されていない状態の回路基板２の平面図である。
【００４８】
凸部４２は、回路基板２の素子搭載領域６に形成されている。言い換えると、素子４の搭載面に形成された金属膜１６には、凸部が形成されていない。つまり、実施の形態２においては、素子４については、汎用の素子をそのまま加工することなく適用することができる。以下に説明するように、凸部４２は、凸部１８と同様の機能を有する。
【００４９】
凸部４２は、素子搭載領域６の外周に形成されている。つまり、凸部４２は、凸部１８と同様に、素子４の外周部に対応する位置に設けられている。これによって、凸部４２は、凸部１８と同様に、接合材料８が外部に流出し素子４の回路面に接合材料８が這い上がることを防止するために、接合材料８を堰き止める。
【００５０】
さらに、凸部４２は、凸部１８と同様に、少なくとも、素子搭載領域６において、素子４に形成された端子１２に対応する位置に設けられている。言い換えると、凸部４２は、端子１２の下の位置に、形成されている。これによって、凸部４２は、凸部１８と同様に、端子１２に対してワイヤボンディングが施される場合に、端子１２を、搭載面側から支持することが可能となる。したがって、端子１２に対してワイヤボンディングを施した場合、ボンディング圧力によって生じるボンディングの信頼性の劣化を抑制することができる。
【００５１】
なお、凸部４２の幅は、凸部１８と同様に、搭載面の外周において一様であってもよいし、端子１２の位置に対応して異なっていてもよい。また、凸部４２は、凸部１８と同様に、切欠きを有してもよい。また、凸部４２は、ワイヤボンディングの際に端子１２を下から支持するため、凸部１８と同様に、凹部２０の上には形成されない。
【００５２】
凸部４２を回路基板２に形成するための方法としては、例えば以下の方法がある。１つの方法として、具体的には、回路基板２上に接続端子１４及び素子搭載領域６を形成した後、凸部４２の形成箇所以外の箇所に、レジストマスクが形成される。そして、例えばめっき法などによって、Ｃｕなどの導体金属からなる凸部４２が、素子搭載領域６の外周部に対応する位置に形成される。その後、レジストマスクが除去され、無電解めっき法等を用いてＮｉ又はＡｕ等の膜が形成される。これによって、凸部４２を具備した回路基板２が形成される。
また、他の方法として、凸部４２の形成箇所にソルダーレジストを供給することによって、凸部４２を形成してもよい。
【００５３】
実施の形態２においては、凸部４２を回路基板２に形成することによって、汎用の素子４をそのまま実装した場合でも、接合材料８が素子４の回路面に這い上がることを抑制することができる。さらに、端子１２に対してワイヤボンディングが施される際に、凸部４２が端子１２を下から支持するので、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することができる。つまり、本実施の形態２においても、素子４の回路面への接合材料の這い上がりを抑制しつつ、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することが可能となる。
【００５４】
実施の形態２においても、凸部４２及び凹部２０は、素子４の外周に対応する位置に形成されている。これによって、素子４の周囲に、仕切り溝のような接合材料８の流動を抑制するための構成をさらに追加する必要がなくなる。したがって、複数の素子４を隣接して回路基板２に搭載することが可能となる。これによって、モジュール部品４０においても、伝送ロスを抑制し、必要な電気的特性を確保することが可能となる。
【００５５】
＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３について説明する。実施の形態３においては、凸部が素子４及び回路基板２の両方に形成されている点で、上記実施の形態と異なる。
図８は、実施の形態３にかかるモジュール部品５０の断面図である。
【００５６】
モジュール部品５０に実装された素子４の搭載面には、実施の形態１と同様に、凸部１８が形成されている。凸部１８は、実施の形態１と同様に、素子４の外周に対応する位置に形成されている。さらに、凸部１８は、実施の形態１と同様に、端子１２に対応する位置に形成されている。凸部１８は、例えば、上述した実施の形態１で説明した方法によって、形成される。
【００５７】
また、モジュール部品５０の回路基板２に形成された素子搭載領域６には、実施の形態２と同様に、凸部４２が形成されている。凸部４２は、実施の形態２と同様に、素子搭載領域６の外周に対応する位置に形成されている。さらに、凸部４２は、実施の形態２と同様に、端子１２に対応する位置に形成されている。凸部４２は、例えば、上述した実施の形態２で説明した方法によって、形成される。
【００５８】
実施の形態３においても、他の実施の形態と同様に、凸部１８及び凸部４２を素子４の外周に対応する位置に形成することによって、接合材料８が素子４の回路面に這い上がることを抑制することができる。さらに、端子１２に対してワイヤボンディングが施される際に、凸部１８及び凸部４２が端子１２を下から支持するので、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することができる。つまり、本実施の形態３においても、素子４の回路面への接合材料の這い上がりを抑制しつつ、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することが可能となる。
【００５９】
また、実施の形態３においても、凸部１８、凸部４２及び凹部２０は、素子４の外周に対応する位置に形成されている。これによって、素子４の周囲に、仕切り溝のような接合材料８の流動を抑制するための構成をさらに追加する必要がなくなる。したがって、複数の素子４を隣接して回路基板２に搭載することが可能となる。これによって、モジュール部品４０においても、伝送ロスを抑制し、必要な電気的特性を確保することが可能となる。
【００６０】
さらに、実施の形態３においては、凸部が素子４及び回路基板２の両方に形成されていることによって、凸部１８の形状と凸部４２の形状が互いに異なる場合でも、これらを組み合わせることが可能となる。したがって、接合材料８の必要厚さなどに応じて、設計自由度を向上させることが可能となる。
【００６１】
例えば、接合材料８の必要厚さに対して、単独の凸部の高さが低い場合、つまり、上述のような方法（めっき法又はエッチング法など）で凸部を素子４の搭載面又は回路基板２上に形成したとしても、形成された凸部の高さが、接合材料８の必要厚さよりも高く形成できない場合を仮定する。具体的には、例えば、接合材料８の必要厚さが１０μｍ以上であるが、凸部の高さを８μｍ以下にしか形成できない場合である。このような場合、実施の形態１又は実施の形態２においては、素子４と回路基板２との間に接合材料８を供給し、素子４を回路基板２に搭載するだけで、接合材料８の必要厚さを確保するといったことができない。この場合、接合材料８の厚さは８μｍ以下となってしまうからである。
【００６２】
一方、実施の形態３においては、素子４に凸部１８が形成され、回路基板２に凸部４２が形成されるので、凸部１８及び凸部４２それぞれ単独の高さが低い場合でも、接合材料８の必要厚さを確保することができる。上記の具体例の場合、凸部１８及び凸部４２の高さをそれぞれ５μｍ以上とすることによって、接合材料８の必要厚さ１０μｍ以上を確保することができる。
【００６３】
＜本発明にかかるモジュール部品＞
最後に、本発明にかかるモジュール部品１００の本質的な要素を改めて説明する。図９は、モジュール部品１００の構成を示す図である。モジュール部品１００は、回路基板２と、少なくとも１つの素子４と、凸部１８とを有する。素子４は、回路基板２上に、接合材料８を介して搭載される。凸部１８は、回路基板２と素子４との間の、素子４の外周に対応する位置の少なくとも一部であって、素子４に形成された端子１２に対応する位置に設けられる。なお、例えば、凸部１８は、素子４に形成されてもよく、回路基板２に形成されてもよく、素子４及び回路基板２の両方に形成されてもよい。
【００６４】
本発明にかかるモジュール部品１００は、このように構成されていることによって、素子４の回路面への接合材料８の這い上がりを抑制しつつ、ボンディングの信頼性の劣化を抑制することが可能となる。
【００６５】
＜変形例＞
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
例えば、上述した実施の形態のいくつかにおいては、回路基板２に搭載された素子４の数は２個としたが、これに限定されない。さらに、素子４に形成された端子１２の数、回路基板２上に形成された接続端子１４の数、及びワイヤ１０の数についても、各図面に示された数には限定されない。また、上述した実施の形態のいくつかにかかる各図面において、凹部２０は素子搭載領域６の各角部に形成されているが、全ての角部に形成されなくてもよい。
【００６６】
また、上述した実施の形態のいくつかにおいては、素子搭載領域６は、金属膜で形成されるとしたが、これに限られない。素子搭載領域６は、金属以外の膜で形成されてもよいし、何らの膜も形成されなくてもよい。膜が形成されない場合、凹部２０は、回路基板２の基材に直接形成されてもよい。
【００６７】
また、図５において、複数の素子４が搭載された複合体３０の状態で、凸部１８が形成されるとしたが、これに限られない。凸部１８は、素子４が個々に分離した状態で、搭載面に形成されるようにしてもよい。
【００６８】
また、実施の形態３においては、凸部１８及び凸部４２が互いに上下に重なり合うとしたが、これに限られない。例えば、回路基板２に形成された凸部４２が、素子４に形成された凸部１８よりも内側に形成されるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１  モジュール部品
２  回路基板
４  素子
６  素子搭載領域
８  接合材料
１０  ワイヤ
１２  端子
１４  接続端子
１６  金属膜
１８  凸部
２０  凹部
３０  複合体
４０  モジュール部品
４２  凸部
５０  モジュール部品
１００  モジュール部品
【図１】
2015065206.tif 000003
【図２】
2015065206.tif 000004
【図３】
2015065206.tif 000005
【図４】
2015065206.tif 000006
【図５】
2015065206.tif 000007
【図６】
2015065206.tif 000008
【図７】
2015065206.tif 000009
【図８】
2015065206.tif 000010
【図９】
2015065206.tif 000011