(57)【要約】【課題】  中央部と周辺部において処理速度が異なる基板をエッチング処理する場合においても、基板の全面を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】  貯留部３５に貯留されたエッチング液は、ポンプ３４の作用により、管路３１および第１エッチング液供給パイプ１１の管状部材を介して、往復移動する基板１００の表面における中央部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４に送液され、往復移動する基板１００の表面における中央部付近に噴出される。また、貯留部３５に貯留されたエッチング液は、ポンプ３４の作用により、管路３２および第２エッチング液供給パイプ１２の管状部材を介して、往復移動する基板１００の表面における周辺部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４に送液され、往復移動する基板１００の表面における周辺部付近に噴出される。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送機構とエッチング液供給機構とを備え、前記基板搬送機構の作用により水平方向に往復移動する基板の表面に対して、当該基板の上方から前記エッチング液供給機構によりエッチング液を供給する基板処理装置において、
前記エッチング液供給機構は、
前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における中央部付近にエッチング液を噴出するための複数の第１エッチング液噴出口と、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における周辺部付近にエッチング液を噴出するための複数の第２エッチング液噴出口と、
前記複数の第１エッチング液噴出口に供給するエッチング液流量と、前記第２エッチング液噴出口に供給するエッチング液の流量との比を変更する流量比変更機構と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記流量比変更機構は、
エッチング液貯留部に貯留されたエッチング液を送液するポンプと、
前記ポンプと前記複数の第１エッチング液噴出口とを接続する第１流路と、
前記ポンプと前記複数の第２エッチング液噴出口とを接続する第２流路と、
前記第１流路または前記第２流路のいずれか一方に配設された流量調整部と、
を備える基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記エッチング液供給機構は、
内部にエッチング液の流路が形成された管状部材と、前記管状部材内に配設され、前記エッチング液の流路を、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における中央部付近と対向する第１領域と、周辺部付近に対向する第２領域とに区分する仕切部材と、を各々有し、互いに平行に配設された複数の第１エッチング液供給パイプと、
内部にエッチング液の流路が形成された管状部材を有し、前記複数の第１エッチング液供給パイプの両側において、前記複数の第１エッチング液供給パイプと平行に配設された複数の第２エッチング液供給パイプと、を備え、
前記複数の第１エッチング液噴出口は、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における前記第１領域に対応する位置に穿設され、前記複数の第２エッチング液噴出口は、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における前記第２領域に対応する位置と、前記第２エッチング液供給パイプの管状部材とに穿設されるとともに、
前記流量比変更機構は、
エッチング液貯留部に貯留されたエッチング液を送液するポンプと、
前記ポンプと、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における第１領域とを接続する第１流路と、
前記ポンプと、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における第２領域および前記第２エッチング液供給パイプの管状部材とを接続する第２流路と、
前記第１流路または前記第２流路のいずれか一方に配設された流量調整部と、
を備える基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記第１エッチング液供給パイプと前記第２エッチング液供給パイプとを、互いに同期してそれらの軸心に沿って揺動させる揺動手段を備える基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における中央部と対向する位置と、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における周辺部に対向する位置とに各々配設され、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面におけるエッチングの進行状況を検出するセンサと、
前記センサにより検出したエッチングの進行状況に基づいて、前記流量比変更機構を制御する制御部と、
をさらに備える基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板は、ガラス製のベースプレートと、スパッタリングまたはＣＶＤにより前記ベースプレート上に形成された薄膜とを有する基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記薄膜は、反応性スパッタリングにより成膜された化合物よりなる基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記薄膜は、酸化アルミニウムである基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に対してエッチング液を供給することにより基板をエッチング処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような基板処理装置は、処理室内において基板を水平姿勢で支持して往復移動させる複数の搬送ローラと、基板の表面にエッチング液を噴出するための複数の噴出ノズルとを備えている（特許文献１参照）。基板の処理時には、基板を複数の搬送ローラで搬送しながら、この基板の表面にエッチング液を供給することにより、基板のエッチング処理を実行している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−６６１７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような基板処理装置においては、基板の全面に対して単位面積当たりのエッチング液の量を均一に供給して基板をエッチング処理するために、基板の表面に均一にエッチング液を供給するとともに、基板を処理室内において往復移動させ、その表面に均一にエッチング液が供給されるようにしている。
【０００５】
しかしながら、スパッタリングやＣＶＤによりベースプレート上に薄膜を形成した場合に、この薄膜をエッチング処理するときには、基板の表面に均一にエッチング液を供給しても、基板を均一にエッチング処理できないという現象が発生することが判明した。すなわち、スパッタリングやＣＶＤによりベースプレート上に形成された薄膜をエッチング処理する場合には、基板の中央部においてはエッチング速度が遅く、基板の端縁部に近づくほどエッチング速度が速くなるという現象が発生することが、この発明の発明者により見出された。このような現象は、酸化アルミニウムのような、反応性スパッタリングにより成膜された化合物をエッチング処理する場合に特に顕著となる。
【０００６】
図８は、ガラス製のベースプレート上に酸化アルミニウムの層を反応性スパッタリングにより成膜した基板において、その中央部付近と周辺部付近おける、酸化アルミニウムの層に形成されたＶＩＡホール（Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）の開口径（レジストの開口径）を示す説明図である。
【０００７】
ここで、図８(ａ)はエッチング処理を実行する前のＶＩＡホールの開口径（μｍ）を示しており、図８(ｂ)はエッチングを実行した後のＶＩＡホールの開口径（μｍ）を示している。この図から、基板の周辺部の領域においては、中央部に比べて、エッチングが早く進行することが理解できる。つまり、周辺部の領域のＶＩＡホールの開口径の方が、中央部のＶＩＡホールの開口径よりも大きくなる。
【０００８】
図９は、基板１００における各領域のエッチング状態を説明するための説明図である。
【０００９】
図９（ａ）に示すように、例えば、ガラスの表面に反応性スパッタリングにより成膜された化合物である酸化アルミニウムが成膜された基板１００に対してエッチング液を供給してエッチング処理を行う場合においては、基板１００の中央部付近の領域Ｅ１と端縁部付近の領域Ｅ２とでエッチング速度が大きく異なることから、基板１００の中央部付近の領域Ｅ１を適正にエッチング処理しようとすると、基板１００の端縁部付近の領域Ｅ２ではエッチングが過剰に進行してしまうという問題が生ずる。
【００１０】
このため、図９（ｂ）に示すように、この図において矢印で示す基板１００の往復移動方向と直交する方向における基板１００の端縁付近の領域Ｅ４においてはエッチング液の供給量を少なくし、基板１００の中央部付近の領域Ｅ３においてはエッチング液の供給量を多くすることで、上述した問題を緩和することはできるが、基板１００の往復移動方向の両端側の領域Ｅ５においてエッチングが過剰に進行するという問題を解消することは不可能である。このように、スパッタリングやＣＶＤによりベースプレート上に薄膜を形成した基板、特に、その薄膜が反応性スパッタリングにより成膜された酸化アルミニウム等の化合物よりなる基板については、従来の一般的な基板処理装置においては、基板の全域を適正に処理することは困難となっている。
【００１１】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、中央部と周辺部において処理速度が異なる基板をエッチング処理する場合においても、基板の全面を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、基板搬送機構とエッチング液供給機構とを備え、前記基板搬送機構の作用により水平方向に往復移動する基板の表面に対して、当該基板の上方から前記エッチング液供給機構によりエッチング液を供給する基板処理装置において、前記エッチング液供給機構は、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における中央部付近にエッチング液を噴出するための複数の第１エッチング液噴出口と、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における周辺部付近にエッチング液を噴出するための複数の第２エッチング液噴出口と、前記複数の第１エッチング液噴出口に供給するエッチング液流量と、前記第２エッチング液噴出口に供給するエッチング液の流量との比を変更する流量比変更機構と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記流量比変更機構は、エッチング液貯留部に貯留されたエッチング液を送液するポンプと、前記ポンプと前記複数の第１エッチング液噴出口とを接続する第１流路と、前記ポンプと前記複数の第２エッチング液噴出口とを接続する第２流路と、前記第１流路または前記第２流路のいずれか一方に配設された流量調整部と、を備える。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記エッチング液供給機構は、内部にエッチング液の流路が形成された管状部材と、前記管状部材内に配設され、前記エッチング液の流路を、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における中央部付近と対向する第１領域と、周辺部付近に対向する第２領域とに区分する仕切部材と、を各々有し、互いに平行に配設された複数の第１エッチング液供給パイプと、内部にエッチング液の流路が形成された管状部材を有し、前記複数の第１エッチング液供給パイプの両側において、前記複数の第１エッチング液供給パイプと平行に配設された複数の第２エッチング液供給パイプと、を備え、前記複数の第１エッチング液噴出口は、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における前記第１領域に対応する位置に穿設され、前記複数の第２エッチング液噴出口は、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における前記第２領域に対応する位置と、前記第２エッチング液供給パイプの管状部材とに穿設されるとともに、前記流量比変更機構は、エッチング液貯留部に貯留されたエッチング液を送液するポンプと、前記ポンプと、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における第１領域とを接続する第１流路と、前記ポンプと、前記第１エッチング液供給パイプの管状部材における第２領域および前記第２エッチング液供給パイプの管状部材とを接続する第２流路と、前記第１流路または前記第２流路のいずれか一方に配設された流量調整部と、を備える。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記第１エッチング液供給パイプと前記第２エッチング液供給パイプとを、互いに同期してそれらの軸心に沿って揺動させる揺動手段を備える。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の発明において、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における中央部と対向する位置と、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面における周辺部に対向する位置とに各々配設され、前記基板搬送機構の作用により往復移動する基板の表面におけるエッチングの進行状況を検出するセンサと、前記センサにより検出したエッチングの進行状況に基づいて、前記流量比変更機構を制御する制御部と、をさらに備える。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の発明において、前記基板は、ガラス製のベースプレートと、スパッタリングまたはＣＶＤにより前記ベースプレート上に形成された薄膜とを有する。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記薄膜は、反応性スパッタリングにより成膜された化合物よりなる。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記薄膜は、酸化アルミニウムである。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に記載の発明によれば、中央部と周辺部において処理速度が異なる基板をエッチング処理する場合においても、基板の全面を均一に処理することが可能となる。
【００２１】
請求項２に記載の発明によれば、基板に供給するエッチング液の流量を一定とした状態で、基板の表面における中央部付近と周辺部付近に供給するエッチング液の供給量を変更することが可能となる。
【００２２】
請求項３に記載の発明によれば、パイプを利用した簡易な構成でありながら、基板に供給するエッチング液の流量を一定とした状態で、基板の表面における中央部付近と周辺部付近に供給するエッチング液の供給量を変更することが可能となる。
【００２３】
請求項４に記載の発明によれば、基板の表面全域を均一に処理することが可能となる。
【００２４】
請求項５に記載の発明によれば、センサにより検出したエッチングの進行状況に基づいて基板の表面全域を均一に処理することが可能となる。
【００２５】
請求項６から請求項８に記載の発明によれば、スパッタリングまたはＣＶＤにより成膜され、中央部と周辺部において処理速度が異なる基板をエッチング処理する場合においても、基板の全面を均一に処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置へのエッチング液の供給系を示す概要図である。
【図３】管路３１に送液されるエッチング液の流量Ｆ３１と、管路３２に送液されるエッチング液の流量Ｆ３２との関係を示す説明図である。
【図４】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図５】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。
【図６】基板１００の往復移動領域とセンサ４１、４２、４３の設置位置との関係を示す説明図である。
【図７】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図８】ガラス製のベースプレート上に酸化アルミニウムの層を反応性スパッタリングにより成膜した基板における、酸化アルミニウムの層に形成されたＶＩＡホールの開口径を示す説明図である。
【図９】基板１００における各領域のエッチング状態を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。また、図２は、基板処理装置へのエッチング液の供給系を示す概要図である。なお、図１は模式図であり、４本の第１エッチング液供給パイプ１１のうちの一本のみを示し、また、多数のエッチング液噴出口１４から噴出されるエッチング液の一部のみを示している。また、図２も模式図であり、第１、第２エッチング液供給パイプ１１、１２の下面側に形成されたエッチング液噴出口１４を黒丸で示し、第１、第２エッチング液供給パイプ１１、１２の内部に配設された仕切部材１３を太線で示している。
【００２８】
この基板処理装置は、複数の搬送ローラ２３と、この搬送ローラ２３を支持する軸２４とを有する基板１００の搬送機機構を備える。この搬送機構は、基板１００を下面から支持した状態で搬送するとともに、この基板１００のエッチング処理時には、基板１００をチャンバー（図示を省略）内において水平方向（基板の搬送方向）に往復移動させる。複数の搬送ローラ２３を支持する軸２４は、後述するモータ４８の駆動により互いに同期して回転する。
【００２９】
また、この基板処理装置は、チャンバーの入口部に配設され、チャンバー内に侵入する基板１００の表面にエッチング液を供給するスリットノズル２１と、チャンバー内において往復移動する基板１００の表面にエッチング液を供給する第１エッチング液供給パイプ１１および第２エッチング液供給パイプ１２と、チャンバーの出口部に配設されチャンバーから搬出される基板１００の表面および裏面に付着するエッチング液を高圧の空気により除去するための一対のエアナイフ２２を備える。第１エッチング液供給パイプ１１と第２エッチング液供給パイプ１２とは、搬送ローラ２３の作用により往復移動する基板１００の往復移動方向に向けて延設されている。
【００３０】
図２に示すように、第１エッチング液供給パイプ１１は、管状部材に対してエッチング液を噴出するための多数のエッチング液噴出口１４を形成した構成を有する。また、第１エッチング液供給パイプ１１を構成する管状部材内には、管状部材内のエッチング液の流路を、複数の搬送ローラ２３の作用により往復移動する基板１００の表面における中央部付近と対向する第１領域と、周辺部付近に対向する第２領域とに区分する仕切部材１３が配設されている。また、第２エッチング液供給パイプ１２も、管状部材に対してエッチング液を噴出するための多数のエッチング液噴出口１４を形成した構成を有する。これらの第１エッチング液供給パイプ１１および第２エッチング液供給パイプ１２は、後述するモータ４９の駆動により、互いに同期してそれらの軸心に沿って揺動する。
【００３１】
図２に示すように、この基板処理装置は、エッチング液を貯留する貯留部３５と、貯留部３５に貯留されたエッチング液を送液するためのポンプ３４とを備える。
【００３２】
ポンプ３４は、管路３１を介して、第１エッチング液供給パイプ１１における仕切部材１３により区分された第１領域と接続されている。この第１領域は、上述したように、複数の搬送ローラ２３の作用により往復移動する基板１００の表面における中央部付近と対向する領域である。このため、貯留部３５に貯留されたエッチング液は、ポンプ３４の作用により、管路３１および第１エッチング液供給パイプ１１の管状部材を介して、往復移動する基板１００の表面における中央部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４に送液され、往復移動する基板１００の表面における中央部付近に噴出される。これらの第１エッチング液供給パイプ１１における基板１００の表面における中央部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４は、この発明に係る第１エッチング液噴出口として機能する。
【００３３】
また、ポンプ３４は、管路３２を介して、第１エッチング液供給パイプ１１の両端部と、第２エッチング液供給パイプ１２の両端部とに接続されている。第１エッチング液供給パイプ１１の端部は、複数の搬送ローラ２３の作用により往復移動する基板１００の表面における周辺部分と対向する領域である。このため、貯留部３５に貯留されたエッチング液は、ポンプ３４の作用により、管路３２および第１エッチング液供給パイプ１１の管状部材を介して、往復移動する基板１００の表面における周辺部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４に送液され、往復移動する基板１００の表面における周辺部付近に噴出される。また、第２エッチング液供給パイプ１２は、複数の搬送ローラ２３の作用により往復移動する基板１００の表面における周辺部分と対向配置されている。このため、貯留部３５に貯留されたエッチング液は、ポンプ３４の作用により、管路３２および第２エッチング液供給パイプ１２の管状部材を介して、往復移動する基板１００の表面における周辺部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４に送液され、往復移動する基板１００の表面における周辺部付近に噴出される。これらの第１エッチング液供給パイプ１１における基板１００の表面における周辺部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４および第２エッチング液供給パイプ１２に形成された複数のエッチング液噴出口１４は、この発明に係る第２エッチング液噴出口として機能する。
【００３４】
管路３２には、そこを通過するエッチング液の流量を調整するためのバルブ３３が配設されている。
【００３５】
図３は、上述した管路３１に送液されるエッチング液の流量Ｆ３１と、管路３２に送液されるエッチング液の流量Ｆ３２との関係を示す説明図である。なお、図３における横軸はバルブ３３の開度を示し、縦軸はエッチング液の流量を示している。
【００３６】
ポンプ３４によるエッチング液の送液流量を一定とした場合、バルブ３３の開度を変更することにより、管路３１に送液されるエッチング液の流量Ｆ３１と管路３２に送液されるエッチング液の流量Ｆ３２との比が変更される。このとき、バルブ３３の開度を変更した場合においても、管路３１に送液されるエッチング液の流量Ｆ３１と管路３２に送液されるエッチング液の流量Ｆ３２との合計値は、常に一定となる。このため、バルブ３３の開度を変更することにより、複数の搬送ローラ２３の作用により往復移動する基板１００の表面における中央部分に供給されるエッチング液の流量と、周辺部分に供給されるエッチング液の流量との比を変更することができ、この流量比の変更により、基板１００における中央部（図９における領域Ｅ１）と周辺部（図９における領域Ｅ２）のエッチング速度を制御することが可能となる。
【００３７】
図４は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【００３８】
この基板処理装置は、論理演算を実行するＣＰＵ、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭおよび制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ等から構成される制御部４０を有する。この制御部４０は、上述したバルブ３３およびポンプ３４と接続されている。また、この制御部４０は、複数の搬送ローラ２３を支持する軸２４を回転駆動するモータ４８と接続されている。さらに、この制御部４０は、第１エッチング液供給パイプ１１および第２エッチング液供給パイプ１２を揺動させるためのモータ４９とも接続されている。
【００３９】
以上のような構成を有する基板処理装置においては、処理を行う基板１００の種類に応じて、バルブ３３の開度を予め調整しておく。そして、前段の処理工程から基板１００を処理装置に搬送する。搬送された基板１００は、スリットノズル２１によりその表面全域に少量のエッチング液を供給された後、複数の搬送ローラ２３の作用によりチャンバー内を往復移動しながら、その表面にエッチング液が噴出される。このときには、モータ４９の駆動により第１エッチング液供給パイプ１１と第２エッチング液供給パイプ１２とが同期して揺動していることから、基板１００の全面にエッチング液を均一に供給することが可能となる。
【００４０】
そして、この発明に係る第１エッチング液噴出口として機能する第１エッチング液供給パイプ１１における基板１００の表面における中央部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４から供給されるエッチング液の流量と、この発明に係る第２エッチング液噴出口として機能する第１エッチング液供給パイプ１１における基板１００の表面における周辺部付近に形成された複数のエッチング液噴出口１４および第２エッチング液供給パイプ１２に形成された複数のエッチング液噴出口１４から供給されるエッチング液の流量との比をバルブ３３の開度により調整していることから、エッチング液の供給量をエッチングの進行速度と適合させることにより、基板１００の全域において、同等の処理速度でエッチング処理を実行することが可能となる。
【００４１】
基板１００の表面全域が均一にエッチングされれば、基板１００を搬出する。このときには、基板１００の表裏面に付着したエッチング液が、上下一対のエアナイフ２２の作用により除去される。
【００４２】
なお、上述した実施形態においては、基板１００の全面を均一に処理するための基板１００の表面における中央部分に供給されるエッチング液の流量と、周辺部分に供給されるエッチング液の流量との比を予め求めておき、バルブ３３の開度をこの流量比に適合したものとしている。しかしながら、基板１００に対するエッチング処理を実行している途中で、バルブ３３の開度を変更するようにしてもよい。
【００４３】
次に、この発明の第２実施形態について説明する。図５は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の要部を示す斜視図である。また、図６は、基板１００の往復移動領域とセンサ４１、４２、４３の設置位置との関係を示す説明図である。なお、上述した第１実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４４】
この第２実施形態に係る基板処理装置は、第１実施形態に係る基板処理装置に対して、３個のセンサ４１、４２、４３を追加した構成を有する。これらのセンサ４１、４２、４３は、例えば、基板１００の光の透過度から、エッチング処理の進行状態を検出する構成を有する。図６に示すように、これらのセンサ４１、４２、４３のうち、中央部に位置するセンサ４１は、基板１００が往復移動したときに、基板１００の中央部付近の領域Ｅ１と対向する位置に配置されている。一方、センサ４１、４２、４３のうち、両端部に位置するセンサ４２、４３は、基板１００が往復移動したときに、これらのセンサ４２、４３のうちのいずれか一方が、常に基板１００の端縁部付近の領域Ｅ２と対向する位置に配置されている。
【００４５】
図７は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【００４６】
この基板処理装置における制御部４０は、第１実施形態と同様、バルブ３３、ポンプ３４、モータ４８、モータ４９と接続されている。さらに、この制御部４０は、センサ４１、４２、４３とも接続されている。
【００４７】
この第２実施形態に係る基板処理装置においても、処理を行う基板１００の種類に応じて、バルブ３３の開度を予め調整しておく。そして、前段の処理工程から基板１００を処理装置に搬送する。搬送された基板１００は、スリットノズル２１によりその表面全域に少量のエッチング液を供給された後、複数の搬送ローラ２３の作用によりチャンバー内を往復移動しながら、第１エッチング液供給パイプ１１におけるエッチング液噴出口１４および第２エッチング液供給パイプ１２におけるエッチング液噴出口１４から、基板１００の全面にエッチング液が均一に供給される。
【００４８】
エッチング処理中においては、基板１００の中央部付近の領域Ｅ１におけるエッチング処理の進行状況がセンサ４１により検出され、基板１００の周辺部付近の領域Ｅ２におけるエッチング処理の進行状況がセンサ４２、４３により検出される。制御部４０は、センサ４１により検出した基板１００の中央部付近の領域Ｅ１のエッチング処理の進行状況と、センサ４２、４３により検出した基板１００の周辺部付近の領域Ｅ２のエッチング処理の進行状況に基づいて、バルブ３３の開度を変更する。これにより、複数の搬送ローラ２３の作用により往復移動する基板１００の表面における中央部分に供給されるエッチング液の流量と、周辺部分に供給されるエッチング液の流量との比を変更することができ、この流量比の変更により、基板１００における中央部付近の領域Ｅ１と周辺部付近の領域Ｅ２のエッチング速度を制御して、基板１００の表面全域を均一にエッチング処理することが可能となる。
【００４９】
基板１００の表面全域が均一にエッチングされれば、基板１００を搬出する。このときには、基板１００の表裏面に付着したエッチング液が、上下一対のエアナイフ２２の作用により除去される。
【００５０】
なお、上述した実施形態においては、内部に仕切部材１３を配設した第１エッチング液供給パイプ１１と第２エッチング液供給パイプ１２とを利用することにより、極めて簡易な構成で、この発明に係る第１エッチング液噴出口と第２エッチング液噴出口とを形成している。しかしながら、第１エッチング液噴出口と第２エッチング液噴出口とを、個別に配設するなど、その他の構成を採用してもよい。
【００５１】
この発明は、基板の表面に成膜された薄膜のエッチング特性が、中央部とその周辺部で異なる基板に対して、好適に用いることができる。その一例として、スパッタリングやＣＶＤによりベースプレート上に薄膜が形成された基板、特に、その薄膜が反応性スパッタリングにより成膜された酸化アルミニウム等の化合物よりなる基板に対して用いることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１１      第１エッチング液供給パイプ
１２      第２エッチング液供給パイプ
１３      仕切部材
１４      エッチング液噴出口
２１      スリットノズル
２２      エアナイフ
２３      搬送ローラ
２４      軸
３３      バルブ
３４      ポンプ
３５      貯留部
４０      制御部
４１      センサ
４２      センサ
４３      センサ
４８      モータ
４９      モータ
１００    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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