(57)【要約】【課題】比較的可撓性のない個々の部品の近傍においてもマイクロ電子アセンブリの可撓性を高め得るマイクロ電子アセンブリ及びそれに関連する製造方法を提供する。【解決手段】本開示は概して基板及び電子部品を含むシステム及び方法に関する。基板は、孔を含む回路基板、ルーティング層及び孔の中に少なくとも部分的に位置する第１の相互接続部を含む。電子部品は第２の相互接続部を含み、第２相互接続部は第１の相互接続部と連結されて、電子部品とルーティング層との間で相互接続が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ電子アセンブリであって：
孔を含む回路基板と、ルーティング層と、前記孔の中に少なくとも部分的に位置する第１の相互接続部とを含む基板；及び
第２の相互接続部を含む電子部品；
を含み、
前記第２の相互接続部は前記第１の相互接続部と連結されて、前記電子部品と前記ルーティング層との間で相互接続が形成される、マイクロ電子アセンブリ。
【請求項２】
前記第１の相互接続部と前記回路基板との間に間隙が存在する、請求項１に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項３】
前記相互接続は前記回路基板に対して屈曲するように構成されている、請求項１又は２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項４】
前記ルーティング層は実質的に可撓性である、請求項１又は２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項５】
前記回路基板は変性領域及び非変性領域を含む、請求項１又は２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項６】
前記変性領域は前記相互接続を形成する際に前記回路基板に印加された熱を示し、前記非変性領域は前記回路基板に印加された熱の欠如を示す、請求項５に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項７】
前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部に対して配置された接着剤をさらに含み、前記接着剤は前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して少なくとも部分的に固定する、請求項１又は２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項８】
前記接着剤は導電性接着剤である、請求項７に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項９】
前記第１の相互接続部と前記第２の相互接続部との接合は加圧接合である、請求項１又は２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１０】
前記電子部品は、電子チップ、シリコンダイ及びディスクリート電子部品のうちの少なくとも１つである、請求項１又は２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１１】
前記第１の相互接続部ははんだバンプであり、前記第２の相互接続部はパッドである、請求項１又は２に記載のマイクロ電子アセンブリ。
【請求項１２】
マイクロ電子アセンブリの製造方法であって：
孔を形成する回路基板と、ルーティング層と、前記孔の中に少なくとも部分的に位置する第１の相互接続部とを含む基板に対して電子部品を配置する工程；及び
前記電子部品と前記基板との間で相互接続を形成するために、前記第１の相互接続部を前記電子部品の第２の相互接続部に対して電気的且つ機械的に連結する工程；
を含む方法。
【請求項１３】
前記電子部品を配置する前記工程によって、前記第１の相互接続部と前記回路基板との間に間隙がもたらされる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記相互接続を前記回路基板に対して屈曲させる工程をさらに含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ルーティング層を屈曲させる工程をさらに含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の相互接続部を連結する前記工程は、前記回路基板の変性領域及び前記回路基板の非変性領域を形成することを含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に連結する前記工程は、前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部並びに前記回路基板の全体未満に熱を印加することを含み、前記変性領域は前記回路基板に印加された熱を示し、前記非変性領域は前記回路基板に印加された熱の欠如を示す、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板に対して前記電子部品を配置する前記工程は、前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部に対して接着剤を配置することを含み、前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に連結する前記工程は、前記接着剤で前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して少なくとも部分的に固定することを含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記接着剤は導電性接着剤である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して連結する前記工程は、前記第１の相互接続部と前記第２の相互接続部との間を加圧することを含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記電子部品は、電子チップ、シリコンダイ及びディスクリート電子部品のうちの少なくとも１つである、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の相互接続部ははんだバンプであり、前記第２の相互接続部はパッドである、請求項１２又は１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願の開示は、概して可撓性マイクロ電子アセンブリ及びその関連方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板（ＰＣＢ）又はその他の回路基板及びディスクリート電子部品等に電気的及び／又は機械的に固定され得るか又は固定されたチップパッケージである電子チップパッケージ等のマイクロ電子アセンブリにおいては、アセンブリの電子部品をアセンブリ内の又はアセンブリ外の他の部品に連結するのに長きにわたって相互接続（interconnect）が利用されてきた。相互接続は、例えばはんだボールを相手側のパッドに連結することにより永久的又は半永久的な相互接続として、あるいはソケット等を用いて一時的な相互接続又は容易に分離可能な相互接続として形成され得る。ＰＣＢ内又はマイクロ電子アセンブリ内の配線はパッド若しくはバンプ及び／又はソケットに連結され、マイクロ電子アセンブリが連結され且つマイクロ電子アセンブリの様々な部品に送信される電子信号又はそれらの様々な部品から出力される電子信号の中間又は最終的な起点及び／又は終点に送られ得る（routed）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
比較的可撓性のない個々の部品の近傍においてもマイクロ電子アセンブリの可撓性を高め得るマイクロ電子アセンブリ及びそれに関連する製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
マイクロ電子アセンブリは、孔を含む回路基板と、ルーティング層と、前記孔の中に少なくとも部分的に位置する第１の相互接続部とを含む基板；及び第２の相互接続部を含む電子部品；を含み、前記第２の相互接続部は前記第１の相互接続部と連結されて、前記電子部品と前記ルーティング層との間で相互接続が形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】図１は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリの概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、例示の実施形態における熱の印加によるマイクロ電子アセンブリの形成を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、例示の実施形態における熱の印加によるマイクロ電子アセンブリの形成を示す。
【図２Ｃ】図２Ｃは、例示の実施形態における熱の印加によるマイクロ電子アセンブリの分離を示す。
【図３】図３は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリの部分拡大図である。
【図４】図４は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリの概略断面図である。
【図５】図５は、例示の実施形態における屈曲状態のマイクロ電子アセンブリの概略断面図である。
【図６】図６は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリを製造するためのフローチャートである。
【図７】図７は、例示の実施形態における少なくとも１つのマイクロ電子アセンブリを包含する電子装置のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
当業者が特定の実施形態を行うことができるように、それらの実施形態を下記の説明及び図面において十分に説明する。他の実施形態には、構造的、論理的、電気的、工程的な変更及び他の変更が含まれ得る。ある実施形態の一部及び特徴は、他の実施形態の一部及び特徴に含まれ得るか又はそれらによって置き換えられ得る。請求項に規定の実施形態は、それらの請求項の利用可能な同等物の全てを包含する。
【０００７】
マイクロ電子アセンブリは、アセンブリを構成する部品に少なくとも部分的に起因して実質的に剛性である場合が多い。一部のマイクロ電子アセンブリは、ボードが可撓性であるか又はフレキシブル基板を含むことにより局所的に可撓性を有し得るが、そのようなアセンブリであっても、アセンブリの部品の周りは実質的に可撓性でないことが多い。例えば、電子チップは、実質的に非可撓性の誘電材料に封入された実質的に非可撓性のシリコンダイを含み得る。マイクロ電子アセンブリの一部がどれだけ可撓性でも、マイクロ電子アセンブリの電子チップを含む部分は従来的又は本質的に、電子チップと同様に実質的に非可撓性であり得る。電子チップが取り付けられるＰＣＢ又は基板が可撓性であっても、ＰＣＢ又は基板を屈曲させると電子チップとＰＣＢ又は基板との間の相互接続が切断することがある。
【０００８】
比較的可撓性のない個々の部品の近傍においてもマイクロ電子アセンブリの可撓性を高め得るマイクロ電子アセンブリ及びそれに関連する製造方法が開発された。ＰＣＢ又は基板（制限なく、以下ではそれらをまとめて基板と呼ぶ）に孔が形成されており、可撓性として形成され得る（本明細書で開示するアセンブリ及び方法は、剛性の基板又は実質的に剛性の基板にも全面的に適用可能である）。相互接続の基板側部分は該孔の中に位置し得る。相互接続の部品側部分を相互接続の基板側部分に接触させ、相互接続を形成するためにそれら２つを接合することにより、部品をボードに結合してもよい。そのため、本明細書で開示するように、基板を過度に伸ばすことなく相互接続が維持され得る。
【０００９】
図１は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリ１００の概略断面図である。図示のように、マイクロ電子アセンブリは、相互接続用のパッド１０４を含むチップパッケージ１０２と、ＰＣＢ１０８、ルーティング層１１０及びＰＣＢ１０８に形成された孔１１４の中に位置する相互接続用のはんだバンプ１１２を含む基板１０６とを含む。パッド１０４及びはんだバンプ１１２は、チップパッケージ１０２とルーティング層１１０との間に少なくとも部分的に電気伝導性（electric  conductivity）を提供する相互接続１１６を形成する。
【００１０】
チップパッケージ１０２は、封入誘電体１１８内にシリコンダイ（図示せず）を含み得る。パッド１０４は銅又は他の好適な導電性材料で構成され得る。パッド１０４は、誘電体１１８を介してダイに電気的に連結され得る。一般に、パッド１０４及びバンプ１１２並びに相互接続１１６は、全体的に又は部分的に非導電性のコネクタに置き換えられ得るか又は置き換えられる。そのため、マイクロ電子アセンブリ１００は、本明細書で開示の相互接続１１６と同じように又は同様な形で構成され得る様々な好適な締結部品（fastener）により少なくとも部分的に機械的に固定され得る。
【００１１】
図示のように、はんだバンプ１１２又は第１の相互接続部はルーティング層１１０に電気的に連結され且つＰＣＢ１０８の孔１１４の中に位置している。ルーティング層１１０は銅配線で構成されるか又は銅配線を含み得る。個々の銅配線は関連するはんだバンプ１１２に連結されている。ルーティング層１１０は実質的に可撓性であり得る。ＰＣＢ１０８は様々な形で（variously）実質的に剛性であり得る。しかしながら、ＰＣＢ１０８の孔１１４の中にはんだバンプ１１２が位置しているため、ルーティング層１１０が屈曲することで、ＰＣＢ１０８とは少なくとも部分的に無関係にはんだバンプ１１２に１以上の自由度が付与され得る。そのため、はんだバンプ１１２はＰＣＢ１０８とは半分無関係に孔１１４の中で動き得る。それにより、はんだバンプ１１２がＰＣＢ１０８に対して固定される場合に比べて、切断に対する相互接続１１６の耐性（resilience）が高くなる。
【００１２】
ルーティング層１１０は、様々な程度の屈曲に際して相互接続１１６を維持確保するのに十分な柔軟性を有するポリイミド膜を含み得る。なお、マイクロ電子アセンブリで使用される材料やそれらの相対寸法によって可撓性に限界があり得る。様々な実施例では、ＰＣＢ１０８は使用する材料や厚さ又は薄さにより可撓性であり得る。本明細書で述べたように、様々な実施例ではＰＣＢ１０８は実質的に剛性である。
【００１３】
マイクロ電子アセンブリ１００をチップパッケージ１０２との関連で説明しているが、代替的な部品を用いてマイクロ電子アセンブリ１００を実施してもよい。例えば、チップパッケージ１０２に適用した原則に従って、チップパッケージ１０２、１つ以上のディスクリート電子部品等に代えてシリコンダイを組み込んでもよい。また、前記原則は拡張可能であり、例えば複数のチップパッケージ１０２又はチップパッケージ１０２、ダイ及びディスクリート部品の組み合わせ及びそれらを合体させたもの（mixture）をマイクロ電子アセンブリ１００の一部として実施してもよい。
【００１４】
基板１０６をＰＣＢ１０８と別のルーティング層１１０とを含むものとして図示しているが、さらなる構成が想定される。例えば、ルーティング層１１０がＰＣＢ１０８に組み込まれていてもよい。さらなる例としては、ＰＣＢ１０８を、例えばフレックス回路又は基板に置き換えてもよい。しかしながら、そのような実施例では、基板１０６の構成がどのようなものであれ、基板１０６は、具体的にＰＣＢ１０８にではなく基板１０６に形成された孔１１４の中にはんだバンプ１１２を概して含み得る。
【００１５】
なお、相互接続１１６をパッド１０４及びはんだバンプ１１２によって形成されるものとして図示しているが、一般に相互接続及び／又は電気相互接続を形成するための様々な材料及び構成のうちの任意のもので相互接続１１６を形成してもよいことが分かる。例えば、はんだバンプ１１２をチップパッケージ１０２の一部として含み、パッド１０４を基板１０６の一部として含んでパッド１０４とはんだバンプ１１２とを逆にしてもよい。ソケット技術を、例えばチップパッケージ１０２が挿入されたソケットにはんだバンプを連結することで実施してもよい。
【００１６】
相互接続１１６は、パッド１０４及びはんだバンプ１１２を接合することによって形成される。それにより、チップパッケージ１０２と基板１０６との間に電気路が形成される。本明細書で詳細に開示するように、相互接続１１６は、パッド１０４及びはんだバンプ１１２を互いに接触させ、次いでパッド１０４及びバンプ１１２を互いに電気的且つ機械的に連結させることにより形成され得る。相互接続１１６は、熱の印加、導電性ポリマー接着剤の適用、加圧、それらの組み合わせ又は他の好適な方法を用いて形成してもよい。
【００１７】
図２Ａ〜図２Ｃは、熱の印加によるマイクロ電子アセンブリ１００の形成及び分離を示す。図２Ａ及び図２Ｂは概してマイクロ電子アセンブリ１００の形成に関する。形成されたマイクロ電子アセンブリ１００は、図２Ｃに示すように別々のチップパッケージ１０２と基板１０６とに分離され得る。
【００１８】
図２Ａでは、チップパッケージ１０２が基板１０６と整合しており、基板に接触させられる。矢印２００は、チップパッケージ１０２及び基板１０６の相対動作を示す。チップパッケージ１０２及び基板１０６を適切に位置付けることにより、対向するパッド１０４とバンプ１１２とを整合させることができる。
【００１９】
図２Ｂでは、例えば、バンプ１１２をパッド１０４にスポット溶接することにより、パッド１０４及びバンプ１１２に局所熱（localized  heat）が印加されている。図示の実施例では、加熱されたパンチパッド及び／又はカラム２０２を用いて局所熱を印加する。ルーティング層１１０を介してバンプ１１２に伝導される熱エネルギーを有する加熱されたパンチ２０２は、ルーティング層１１０を挟んでバンプ１１２に対向して位置している。バンプ１１２は、関連材料の融点に達すると溶融して流れ、最終的にパッド１０４と電気的且つ機械的な接続を確立し得る。代替実施例では、例えばマイクロ電子アセンブリの側部等の様々な好適な方向及び向きのうちの任意のものからマイクロ電子アセンブリ１００に対して局所熱が印加され得る。
【００２０】
なお、加熱は必ずしも局所的ではない。一実施例では、マイクロ電子アセンブリ１００又はマイクロ電子アセンブリ１００の一部がオーブン内で、あるいは赤外線エネルギーの印加や他の好適な技法により全体的に加熱される。
【００２１】
図示のように、支持板２０４は、チップパッケージ１０２及び基板１０６を接合する間に追加の剛性を任意で提供し得る。マイクロ電子アセンブリが実質的に可撓性の場合、支持板２０４は特に有用であり得る。チップパッケージ１０２と基板１０６とが互いに固定された際に支持板２０４が取り外され得る。
【００２２】
代替実施例では、相互接続１１６を形成するために機械的圧力を加えてマイクロ電子アセンブリ１００を形成する。様々な実施例では、相互接続１１６は本明細書で開示するはんだボール及びパッドを用いて形成され得る。あるいは、例えば矢印２００に沿って機械的圧力を加えることにより耐性のある接合（resilient  junction）を形成し得る代替的な材料を使用して相互接続１１６が形成され得る。
【００２３】
図２Ｃでは、マイクロ電子アセンブリ１００が任意でチップパッケージ１０２と基板１０６とに分離される。加熱されたパンチ２０２からの局所熱を利用してバンプ１１２をリフローさせると、矢印２０６で示す相対動作に従ってチップパッケージ１０２と基板１０６とが分離し得る。はんだバンプ１１２がリフローした際にバンプ１１２を除去するために、局所熱と併せて吸引を任意で適用してもよい。
【００２４】
図３は、図１で示すよりも狭い範囲のマイクロ電子アセンブリ１００を示す図である。特に、図３はＰＣＢ１０８に対する局所加熱の影響を示す。図示のように、マイクロ電子アセンブリ１００は局所加熱されており、パッド１０４及びバンプ１１２が接合されて相互接続１１６が形成されている。そのため、誘電体１１８に埋め込まれたダイにルーティング層１１０が電気的に連結されている。
【００２５】
ＰＣＢ１０８を、加熱の影響により化学的及び／又は機械的に変性した変性領域（modified  area）３００及び加熱の影響で変性していない非変性領域（unmodified  area）３０２を含むものとして図示している。なお、図３では領域３００、３０２の間が明確に線引きされているが、実際の実施では領域３００、３０２の間に勾配（gradient）がある場合があり、ＰＣＢ１０８の一部における熱による変性の度合いは他の部分における変性の度合いよりも大きいか又は小さいことがある。
【００２６】
変性領域３００及び非変性領域３０２は、マイクロ電子アセンブリに局所熱が印加されることに起因し得る。特に、実質的にパッド１０４及びバンプ１１２が局所加熱されるため、ＰＣＢ１０８を溶かすか、あるいはＰＣＢ１０８に化学的又は機械的な状態変化を生じさせる（即ち、変性領域３００）のに十分な熱をＰＣＢ１０８の一部が受けることがあるからである。ＰＣＢ１０８の他の部分（即ち、非変性領域３０２）は、ＰＣＢ材料の化学的又は機械的特性の容易に検出可能な変化を生じさせるのに十分な熱を受けない場合がある。これは、ＰＣＢ１０８を全体的に加熱することによりＰＣＢ１０８が均一に又は実質的に均一に化学的又は機械的に変性し得る全体加熱（general  heating）とは対照的であり得る。局所的に熱を印加することにより、全体加熱の影響に比べてＰＣＢの化学的及び／又は機械的な特質の変化が減少し得る。
【００２７】
なお、加熱が局所的であるほど、変性領域３００が小さくなる傾向にあることが分かる。そのため、特に狭い範囲に局所熱を印加する様々な実施例では、ＰＣＢ１０８は変性領域３００を全く含まない場合がある。即ち、ＰＣＢ１０８には熱の印加による識別できるような化学的又は機械的な変化がない。様々な実施例では、印加される局所熱の属性、例えば単位時間あたりに伝達される熱の量や熱を集中させる度合いに応じて変性領域３００が大きくなったり小さくなったりすることがある。
【００２８】
図４は例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリ４００の概略断面図である。マイクロ電子アセンブリ４００は、マイクロ電子アセンブリ１００の要素の多くを含む。しかしながら、このマイクロ電子アセンブリは熱又は圧力を加えることによって形成されるのではなく、マイクロ電子アセンブリは相互接続４０８の第１の部分４０４と第２の部分４０６との間に導電性接着剤４０２を含む。様々な実施例では、導電性接着剤４０２は導電性ポリマーである。マイクロ電子アセンブリは、相互接続４０８の第１の部分４０４及び第２の部分４０６の間に接着剤４０２がある状態で、相互接続４０８において耐性のある接合が形成されるまで第１の部分４０４及び第２の部分４０６を押し付けることにより形成され得る。
【００２９】
図示のように、シリコンダイ４１０は図示の誘電体に包含されていない。しかしながら、ダイ４１０に加えて、任意で相互接続４０８の一部又は全体及び基板４１２を含む誘電体を任意で追加してもよい。基板４１２は、ＰＣＢ１０８及びルーティング層１１０を含む基板１０６と同じ又は実質的に同じ構成要素を含み得る。
【００３０】
図５は、屈曲した状態のマイクロ電子アセンブリ１００の概略断面図である。なお、屈曲した状態のマイクロ電子アセンブリ１００の説明は、マイクロ電子アセンブリ４００及び他のマイクロ電子アセンブリに対して同様に該当する。
【００３１】
図１に示すような弛緩状態（relaxed  condition）にあるマイクロ電子アセンブリ１００は一般に９０°の角度を有するものとして図示しているが、屈曲した状態にあるマイクロ電子アセンブリ１００では、ＰＣＢ１０８に対する相互接続１１６の角度が９０°でないことを示す。図示のように、相互接続１１６は、電子部品１０２とルーティング層１１０との間の電気的且つ機械的な接続を維持しつつも、ＰＣＢ１０８の孔１１４の中で概して屈曲していることがある。
【００３２】
図６は、マイクロ電子アセンブリを製造するためのフローチャートである。このフローチャートは、マイクロ電子アセンブリ１００又は他の好適なマイクロ電子アセンブリを製造するために用いられ得る。
【００３３】
６００で、孔を形成する回路基板と、ルーティング層と、前記孔の中に少なくとも部分的に位置する第１の相互接続部とを含む基板に対して電子部品を配置する。一実施例では、電子部品を配置することによって、前記第１の相互接続部と前記回路基板との間に間隙がもたらされる。一実施例では、前記基板に対して前記電子部品を配置することは、前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部に対して接着剤を配置することを含む。一実施例では、前記接着剤は導電性接着剤である。一実施例では、前記電子部品は、電子チップ、シリコンダイ及びディスクリート電子部品のうちの少なくとも１つである。一実施例では、前記第１の相互接続部ははんだバンプであり、前記第２の相互接続部はパッドである。
【００３４】
６０２で、前記電子部品と前記基板との間で相互接続を形成するために、前記第１の相互接続部を前記電子部品の第２の相互接続部に対して連結する。一実施例では、前記第１の相互接続部を連結する前記工程は、前記回路基板の変性領域及び前記回路基板の非変性領域を形成することを含む。一実施例では、前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に連結する前記工程は、前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部並びに前記回路基板の全体未満に熱を印加することを含み、前記変性領域は前記回路基板に印加された熱を示し、前記非変性領域は前記回路基板に印加された熱の欠如を示す。一実施例では、前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に連結する前記工程は、前記接着剤で前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して少なくとも部分的に固定することを含む。一実施例では、前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して連結する前記工程は、前記第１の相互接続部と前記第２の相互接続部との間を加圧することを含む。
【００３５】
６０４で、前記相互接続を前記回路基板に対して屈曲させる。
【００３６】
６０６で、前記ルーティング層を屈曲させる。
【００３７】
開示の主題に関する高次なデバイス用途の一例を示すために、本開示で説明した電子アセンブリを使用する電子装置の一例を盛り込む。図７は、マイクロ電子アセンブリ１００、４００又は本明細書の実施例で説明した他のマイクロ電子アセンブリ等の少なくとも１つのマイクロ電子アセンブリを含む電子装置７００のブロック図である。電子装置７００は、本発明の実施形態を使用可能な電子システムの一例にすぎない。電子装置７００の例としては、限定されないが、パーソナルコンピュータ、タブレットコンピュータ、携帯電話、携帯情報端末、ＭＰ３又は他のデジタル音楽プレーヤー、ウエアラブル装置、モノのインターネット（ＩＯＳＴ）装置等が挙げられる。この例では、電子装置７００はデータ処理システムを含み、該データ処理システムは、該システムの様々な構成要素を連結するためにシステムバス７０２を含む。システムバス７０２は、電子装置７００の様々な構成要素の間で通信リンクを提供する。システムバス７０２は、シングルバスとして、バスの組み合わせとして又は他の好適な方法で実施することができる。
【００３８】
電子アセンブリ７１０はシステムバス７０２に連結されている。電子アセンブリ７１０は任意の回路又は回路の組み合わせを含むことができる。一実施形態では、電子アセンブリ７１０はプロセッサ７１２を含む。プロセッサ７１２はどのような種類のものであってもよい。本明細書で用いる「プロセッサ」とは、限定されないがマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、複合命令セットコンピュータ（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピュータ（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、グラフィックプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、マルチコアプロセッサ又は他の種類のプロセッサ若しくは処理回路等の任意の種類の計算回路を意味する。
【００３９】
電子アセンブリ７１０に含めることができる他の種類の回路としては、例えば携帯電話、ページャー、携帯情報端末、ポータブルコンピュータ、送受信兼用無線機及び同様の電子システム等の無線装置で用いる１つ以上の回路（通信回路７１４等）といったカスタム回路、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等が挙げられる。ＩＣは任意の他の種類の機能を実行できる。
【００４０】
電子装置７００は外部メモリ７２０を含むこともできる。外部メモリ７２０は、特定用途に適した１つ以上の記憶素子、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の形態を取るメインメモリ７２２、１つ以上のハードドライブ７２４及び／又はコンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等のリームバブル媒体７２６を取り扱う１つ以上のドライブ等を含むことができる。
【００４１】
電子装置７００は、ディスプレイ装置７１６、１つ以上のスピーカ７１８、キーボード及び／又はコントローラ７３０を含むこともできる。キーボード及び／又はコントローラ７３０はマウス、トラックボール、タッチスクリーン、音声認識装置又はシステムのユーザーが電子装置７００に情報を入力すること及び電子装置７００から情報を受け取ることを可能にする他の装置を含み得る。
【００４２】
さらなる実施例
実施例１は、孔を含む回路基板と、ルーティング層と、前記孔の中に少なくとも部分的に位置する第１の相互接続部とを含む基板；及び第２の相互接続部を含む電子部品；を含み、前記第２の相互接続部は前記第１の相互接続部と連結されて、前記電子部品と前記ルーティング層との間で相互接続が形成される主題（装置、方法、行為を行う手段等）を含み得る。
【００４３】
実施例２は、前記第１の相互接続部と前記回路基板との間に間隙が存在することをさらに含む、実施例１の主題を含み得る。
【００４４】
実施例３は、前記相互接続は前記回路基板に対して屈曲するように構成されていることをさらに含む、実施例１及び２の１つ以上の主題を含み得る。
【００４５】
実施例４は、前記ルーティング層は実質的に可撓性であることをさらに含む、実施例１〜３の１つ以上の主題を含み得る。
【００４６】
実施例５は、前記回路基板は変性領域及び非変性領域を含むことをさらに含む、実施例１〜４の１つ以上の主題を含み得る。
【００４７】
実施例６は、前記変性領域は前記相互接続を形成する際に前記回路基板に印加された熱を示し、前記非変性領域は前記回路基板に印加された熱の欠如を示すことをさらに含む、実施例１〜５の１つ以上の主題を含み得る。
【００４８】
実施例７は、前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部に対して配置された接着剤をさらに含み、前記接着剤は前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して少なくとも部分的に固定することをさらに含む、実施例１〜６の１つ以上の主題を含み得る。
【００４９】
実施例８は、前記接着剤は導電性接着剤であることをさらに含む、実施例１〜７の１つ以上の主題を含み得る。
【００５０】
実施例９は、前記第１の相互接続部と前記第２の相互接続部との接合は加圧接合であることをさらに含む、実施例１〜８の１つ以上の主題を含み得る。
【００５１】
実施例１０は、前記電子部品は、電子チップ、シリコンダイ及びディスクリート電子部品のうちの少なくとも１つであることをさらに含む、実施例１〜９の１つ以上の主題を含み得る。
【００５２】
実施例１１は、前記第１の相互接続部ははんだバンプであり、前記第２の相互接続部はパッドであることをさらに含む、実施例１〜１０の１つ以上の主題を含み得る。
【００５３】
実施例１２は、孔を形成する回路基板と、ルーティング層と、前記孔の中に少なくとも部分的に位置する第１の相互接続部とを含む基板に対して電子部品を配置する工程；及び前記電子部品と前記基板との間で相互接続を形成するために、前記第１の相互接続部を前記電子部品の第２の相互接続部に対して電気的且つ機械的に連結する工程；を含む主題（装置、方法、行為を行う手段等）を含み得る。
【００５４】
実施例１３は、前記電子部品を配置する前記工程によって、前記第１の相互接続部と前記回路基板との間に間隙がもたらされることをさらに含む、実施例１２の主題を含み得る。
【００５５】
実施例１４は、前記相互接続を前記回路基板に対して屈曲させる工程をさらに含む、実施例１２及び１３の１つ以上の主題を含み得る。
【００５６】
実施例１５は、前記ルーティング層を屈曲させる工程をさらに含む、実施例１２〜１４の１つ以上の主題を含み得る。
【００５７】
実施例１６は、前記第１の相互接続部を連結する前記工程は、前記回路基板の変性領域及び前記回路基板の非変性領域を形成することを含むことをさらに含む、実施例１２〜１５の１つ以上の主題を含み得る。
【００５８】
実施例１７は、前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に連結する前記工程は、前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部並びに前記回路基板の全体未満に熱を印加することを含み、前記変性領域は前記回路基板に印加された熱を示し、前記非変性領域は前記回路基板に印加された熱の欠如を示すことをさらに含む、実施例１２〜１６の１つ以上の主題を含み得る。
【００５９】
実施例１８は、前記基板に対して前記電子部品を配置する前記工程は、前記第１の相互接続部及び前記第２の相互接続部に対して接着剤を配置することを含み、前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に連結する前記工程は、前記接着剤で前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して少なくとも部分的に固定することを含むことをさらに含む、実施例１２〜１７の１つ以上の主題を含み得る。
【００６０】
実施例１９は、前記接着剤は導電性接着剤であることをさらに含む、実施例１２〜１８の１つ以上の主題を含み得る。
【００６１】
実施例２０は、前記第１の相互接続部を前記第２の相互接続部に対して連結する前記工程は、前記第１の相互接続部と前記第２の相互接続部との間を加圧することを含むことをさらに含む、実施例１２〜１９の１つ以上の主題を含み得る。
【００６２】
実施例２１は、前記電子部品は、電子チップ、シリコンダイ及びディスクリート電子部品のうちの少なくとも１つであることをさらに含む、実施例１２〜２０の１つ以上の主題を含み得る。
【００６３】
実施例２２は、前記第１の相互接続部ははんだバンプであり、前記第２の相互接続部はパッドであることをさらに含む、実施例１２〜２１の１つ以上の主題を含み得る。
【００６４】
これらの非限定の実施例のそれぞれは自立可能か又は他の実施例の１つ以上と任意で置換又は組み合わせた形で併用可能である。
【００６５】
上記の詳細な説明には、該詳細な説明の一部を構成する添付の図面への言及が含まれている。それらの図面は、本発明を実施可能な具体的な実施形態を例示的に示すものである。本明細書では、これらの実施形態を「実施例」とも呼ぶ。そのような実施例は、図示又は説明したものに加えて他の要素を含み得る。しかしながら、本発明者らによれば、図示又は説明した要素のみが提供される実施例も考えられる。さらに、本発明者らによれば、本明細書で図示又は説明した特定の実施例（又はその１つ以上の態様）又は他の実施例（又はその１つ以上の態様）のいずれかについて図示又は説明した要素（又はその１つ以上の態様）を任意で組み合わせたもの又は置き換えたものを使用する実施例も考えられる。
【００６６】
特許文献では一般的なように、本願で用いる「ａ」又は「ａｎ」という用語は、「少なくとも１つ」又は「１つ以上」の用法又は他の事例とは無関係に１つ以上を含む。本願で用いる「又は」という用語は、別段指示がない限り「Ａ又はＢ」という語が「ＢではなくＡ」、「ＡではなくＢ」及び「Ａ及びＢ」を含む非排他的な「又は」を意味する。本願では「含む（including）」及び「〜における（in  which）」という用語を、それぞれ「構成する（comprising）」及び「そこで（wherein）」という用語の平易な英語での同意語として用いている。また、下記の請求項では「含む（including）」及び「構成する（comprising）」という用語はオープンエンド、即ち、請求項においてシステム、装置、物品、組成物、製剤又は方法等の用語の後に列挙される要素以外のものを含むシステム、装置、物品、組成物、製剤又は方法も請求項の範囲に含まれるとみなされる。さらに、下記の請求項では「第１」、「第２」及び「第３」等の用語はラベルとして使用しているにすぎず、それらの対象に何らかの数値的な要件を課すことを意図したものではない。
【００６７】
上記の説明は限定を目的としたものではなく、例示を目的としたものである。例えば、上述の実施例（又はその１つ以上の態様）を互いに組み合わせてもよい。他の実施形態は、例えば当業者が上記の説明を検討する際に当業者により使用できる。要約書は、読者が技術的開示の本質を素早く突き止めることができるよう連邦規則集第３７巻１．７２（ｂ）に従って提供したものである。請求項の範囲又は意味を解釈又は限定するのに要約書が使用されることはないという理解のもとで提出している。また、上記の詳細な説明では、開示内容を効率化するために様々な特徴がグループ化されている場合がある。これを、開示されているが請求項に記載のない特徴（unclaimed  disclosed  feature）が請求項に不可欠であることを意図していると解釈すべきではない。むしろ、発明性のある主題は、開示した特定の実施形態の特徴の全て未満に存在し得る。そのため、下記の請求項は、各請求項が別々の実施形態として自立しているものとして詳細な説明に包含される。そのような実施形態は様々に組み合わせるか又は置換した形で併用することが可能であると考えられる。本発明の範囲は、添付の請求項と併せてそれらの請求項の同等物の範囲全体を参照して決定されるべきである。
【符号の説明】
【００６８】
１００、４００  マイクロ電子アセンブリ
１０２  チップパッケージ
１０４  パッド
１０６、４１２  基板
１０８  プリント基板
１１０  ルーティング層
１１２  はんだバンプ
１１４  孔
１１６、４０８  相互接続
１１８  誘電体
２００  相互動作の方向
２０２  パンチパッド
２０４  支持板
２０６  相互動作の方向
３００  変性領域
３０２  非変性領域
４０２  導電性接着剤
４０４  第１の部分
４０６  第２の部分
４１０  シリコンダイ
７００  電子装置
７１０  電子アセンブリ
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015126229.tif 000011
【外国語明細書】
2015126229000001.pdf
2015126229000002.pdf
2015126229000003.pdf
2015126229000004.pdf