(57)【要約】【課題】エッチングレジスト層が薄膜化される工程を含む回路基板の製造方法において、薄膜化工程において破れたレジスト片が付着することで発生するエッチング不良を防ぐことができる回路基板の製造方法を提供するものである。【解決手段】（Ａ）両面の金属層と導通孔が形成された絶縁性基板の両面にエッチングレジスト層が形成される工程、（Ｃ１）工程（Ｅ）において内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部と回路形成する領域以外のエッチングレジスト層が露光される工程、（Ｂ）薄膜化処理液によって未露光部のエッチングレジスト層が薄膜化される工程、（Ｃ２）工程（Ｄ）によって現像除去される領域以外のエッチングレジスト層が露光される工程、（Ｄ）未露光部のエッチングレジスト層が現像液によって除去されて金属層の一部が露出される工程、（Ｅ）露出された金属層がエッチング処理液によって除去される工程、をこの順で含むことを特徴とする回路基板の製造方法。【選択図】図１
2015046519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の両面に形成された金属層と内壁に金属層が形成された導通孔と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔とを有する回路基板の製造方法において、
（Ａ）両面の金属層と導通孔が形成された絶縁性基板の両面にエッチングレジスト層が形成される工程、
（Ｃ１）後工程の工程（Ｅ）において内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部と後工程の工程（Ｅ）において回路形成する領域以外のエッチングレジスト層とが露光される工程、
（Ｂ）薄膜化処理液によって未露光部のエッチングレジスト層が薄膜化される工程
（Ｃ２）後工程の工程（Ｄ）によって現像除去される領域以外のエッチングレジスト層が露光される工程、
（Ｄ）未露光部のエッチングレジスト層が現像液によって除去されて金属層の一部が露出される工程、
（Ｅ）エッチングレジスト層から露出された金属層がエッチング処理液によって除去される工程、
をこの順で含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
工程（Ｃ１）における露光領域の内、後工程の工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部に対する露光領域が、導通孔と同心円であり、導通孔の直径より小さな内径と導通孔の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外である請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
リング状の領域の外径が導通孔の直径に対して１０５〜１１５％であり、内径が導通孔の直径に対して８５〜９５％である請求項２記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブトラクティブ法を用いた回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板の製造方法として、表面に金属層を設けた絶縁性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の金属層をエッチング除去して回路パターンを形成するサブトラクティブ法がある。この手法は、アディティブ法やセミアディティブ法に比べ、製造工程が少なく、コストメリットがあるだけでなく、金属パターンと絶縁性基板の接着強度が十分に大きいこと等、優位な点が多く、現在の回路基板の製造方法の主流となっている。
【０００３】
サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層を設ける方法としては、スクリーン印刷法、光架橋性樹脂を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、ネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから一般に好適に用いられる。
【０００４】
さて、近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用される回路基板も高密度化や金属パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が５０〜８０μｍ、導体間隙が５０〜８０μｍの金属パターンを有する回路基板が製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙５０μｍ以下の超微細な金属パターンが求められるようになってきている。それに伴って、回路パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な金属パターンを形成するため、従来、サブトラクティブ法に代わりセミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解めっき銅の接着強度不足等の問題があった。
【０００５】
サブトラクティブ法を用いて微細な金属パターンを作製する場合、生産ライン全ての技術レベルや管理レベルを向上させる必要があることはもちろんであるが、特にエッチング工程が重要となる。これは、サブトラクティブ法の特徴である導体の側面方向から進行するサイドエッチングが問題となるからである。サイドエッチングの量を抑えるために、液組成管理、基板への液吹き付け角度や強さ等、最適なエッチング条件を調整する必要がある。また、エッチング条件の調整だけではなく、エッチングレジスト層の膜厚によってもサイドエッチングは影響を受ける。つまり、エッチングレジスト層の膜厚が厚いほど、微細なレジストパターンの間隙部分で液の循環が悪くなり、その結果、サイドエッチングが大きくなる。現在主流となっているドライフィルムレジストの膜厚は２５μｍ前後であるが、微細な金属パターンを作製するためには、できる限りレジストの膜厚を薄くする必要があり、近年では膜厚１０μｍ以下の薄いドライフィルムレジストが開発されて商品化されている。しかし、このような薄いドライフィルムレジストは、ゴミを核とした気泡の混入及び凹凸追従性が不十分となり、レジスト剥がれや断線が発生するという問題があった。
【０００６】
このような問題を解決すべく、基板上に膜厚２５μｍ以上のドライフィルムレジストを貼り付け、次に、処理液を用いてドライフィルムレジストを１０μｍ程度まで薄膜化した後、回路パターンの露光、現像を行ってレジストパターンを形成し、続いて、レジストパターン部以外の金属層をエッチングする回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００７】
近年、回路基板は高密度実装化のために絶縁性基板の両面に回路配線を施したものや、取り扱う信号が高速になったために回路配線面の反対面に接地電極配線を設けてインピーダンス整合を取ったものが必要となっている。従来、これら両面配線の回路基板は、両面の配線を連絡させるため、基板に設けた貫通孔の内壁面に金属めっきを施したスルーホールを形成して電気接続を取っている。
【０００８】
このような回路基板において、位置合わせ用貫通孔や、ＴＡＢチップキャリアのアウターリードウインドウ及びデバイスホール等の両面配線を導通させてはいけない絶縁すべき貫通孔（絶縁孔）と、前述のスルーホールのような両面配線を導通させるべき貫通孔（導通孔）との両方を備えた回路基板をサブトラクティブ法にて製造する方法としては、以下の方法が挙げられる。
【０００９】
貫通孔を有する絶縁性基板の全体にめっき処理を施すことにより導通孔を形成させた後、フォトファブリケーション法を用いたエッチング処理を施すことで、絶縁孔となる貫通孔のめっき層を選択的に除去することで、一部の導通孔を絶縁孔へと変化させるものである。このエッチング処理を施す際にフォトファブリケーション法によって回路形成用のレジストパターンを作製しておくことで、導通孔と絶縁孔を有する絶縁性基板の両面に回路配線を有する回路基板を作製することができる。
【００１０】
しかしながら、上記の導通孔と絶縁孔を有する絶縁性基板の両面に回路配線を有する回路基板を作製するにあたり、より微細な回路配線を作製することを目的として、特許文献１及び２によるドライフィルムレジストの薄膜化技術を利用した場合、絶縁孔となる貫通孔上のドライフィルムが薄膜化工程において薄くなり、破れやすくなるという問題があった。絶縁孔となる貫通孔上のドライフィルムレジストは光架橋されていないことから柔軟であり、絶縁性基板上に形成されたドライフィルムレジスト上に付着しやすく、後工程のエッチング工程において、破れたレジスト片が回路配線を形成する部分のドライフィルムレジスト上に付着した場合には、回路形成部のエッチング不良の原因となり、また、破れかかったレジスト片が絶縁孔となる貫通孔周囲に付着した場合には、絶縁孔形成部のエッチング不良の原因となった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−２１４２５３号公報
【特許文献２】国際公開第２００９／０９６４３８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、絶縁性基板の両面に形成された金属層と内壁に金属層が形成された導通孔と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔とを有する回路基板の製造方法において、薄膜化処理工程によって破れたレジスト片が回路形成部のドライフィルムレジスト上に付着することで発生するエッチング不良を防ぐことができ、尚且つ破れかかったレジスト片が絶縁孔となる貫通孔周囲に付着することで発生する絶縁孔形成部のエッチング不良を防ぐことのできる回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記発明を見出した。
【００１４】
（１）絶縁性基板の両面に形成された金属層と内壁に金属層が形成された導通孔と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔とを有する回路基板の製造方法において、
（Ａ）両面の金属層と導通孔が形成された絶縁性基板の両面にエッチングレジスト層が形成される工程、
（Ｃ１）後工程の工程（Ｅ）において内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部と後工程の工程（Ｅ）において回路形成する領域以外のエッチングレジスト層とが露光される工程、
（Ｂ）薄膜化処理液によって未露光部のエッチングレジスト層が薄膜化される工程
（Ｃ２）後工程の工程（Ｄ）によって現像除去される領域以外のエッチングレジスト層が露光される工程、
（Ｄ）未露光部のエッチングレジスト層が現像液によって除去されて金属層の一部が露出される工程、
（Ｅ）エッチングレジスト層から露出された金属層がエッチング処理液によって除去される工程、
をこの順で含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【００１５】
（２）工程（Ｃ１）における露光領域の内、後工程の工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部に対する露光領域が、導通孔と同心円であり、導通孔の直径より小さな内径と導通孔の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外である上記（１）記載の回路基板の製造方法。
【００１６】
（３）リング状の領域の外径が導通孔の直径に対して１０５〜１１５％であり、内径が導通孔の直径に対して８５〜９５％である上記（２）記載の回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、絶縁性基板の両面に形成された金属層と内壁に金属層が形成された導通孔と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔とを有する回路基板の製造方法において、薄膜化処理工程によって破れたレジスト片が回路形成部のドライフィルムレジスト上に付着することで発生するエッチング不良を防ぐことができ、尚且つ破れかかったレジスト片が絶縁孔となる貫通孔周囲に付着することで発生する絶縁孔形成部のエッチング不良を防ぐことのできる回路基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の回路基板の製造方法を示す説明図である。
【図２】本発明において、絶縁孔に変化させる導通孔上のエッチングレジスト層を露光する際の露光領域の形状を示す説明図である。
【図３】本発明において、絶縁孔に変化させる導通孔上のエッチングレジスト層を露光する際の露光領域と非露光領域を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の回路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２０】
本発明の回路基板の製造方法では、両面の金属層と導通孔が形成された絶縁性基板の両面にエッチングレジスト層を形成し、次に絶縁孔に変化させる導通孔上のエッチングレジスト層の一部と薄膜化処理を行う領域以外のエッチングレジスト層を露光する。これにより、次工程の薄膜化工程において、絶縁孔に変化させる導通孔上のエッチングレジスト層が導通孔の端部に沿って完全に破れやすくなるために、絶縁孔に変化する導通孔周囲のエッチングレジスト層上に破れかかったレジスト片が付着することで発生するエッチング不良を防ぐことができる。尚且つ、破れたレジスト片は露光されて光架橋されているために柔軟ではなく、エッチングレジスト層上に付着しにくいことから、破れたレジスト片が回路形成部周辺に付着することで発生するエッチング不良も防ぐことができる。
【００２１】
図面を用いて、本発明の回路基板の製造方法を説明する。まず、図１を用いて、本発明の回路基板の製造方法（１）を説明する。両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板３を準備する（図１ａ）。両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板３の両面にエッチングレジスト層４を形成する（図１（Ａ））。エッチングレジスト層４の形成には、例えば、１００℃以上に加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。
【００２２】
次いで、後工程の工程（Ｅ）において内壁の金属層１が除去されることで、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層の一部と後工程の工程（Ｅ）において回路形成する領域以外のエッチングレジスト層とを活性光線６により露光する（図１（Ｃ１））。工程（Ｃ１）の露光では、本発明の回路基板完成時に導通孔２である導通孔２上のエッチングレジスト層と本発明の回路基板完成時に絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層の一部とが活性光線６により露光されることになる。図１（Ｃ１）では、フォトマスク７を介しているが、直接描画方式でもかまわない。
【００２３】
次いで、薄膜化処理液によって、未露光部のエッチングレジスト層４を薄膜化する（図１（Ｂ）−１）。本発明に係わるエッチングレジスト層４を薄膜化する工程（薄膜化工程）とは、薄膜化処理液によって未露光部のエッチングレジスト層４の成分をミセル化させるミセル化処理（薄膜化処理）、次にミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理を含む工程である。さらに、除去しきれなかったエッチングレジスト層４表面や残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗によって洗い流す水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理を含んでもよい。
【００２４】
本発明における回路基板の製造方法においては、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４の一部が露光されているために、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４は絶縁孔に変化する導通孔５の端部に沿って完全に破れやすくなっている。そのため、薄膜化工程において、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層は、図１（Ｂ）−２に示すように除去されることとなる。
【００２５】
次いで、後工程の工程（Ｄ）によって現像除去される領域以外のエッチングレジスト層４を活性光線６により露光する（図１（Ｃ２））。図１（Ｃ２）では、フォトマスク７を介しているが、直接描画方式でもかまわない。
【００２６】
次いで、未露光部のエッチングレジスト層４が現像液によって除去されることにより、絶縁孔に変化する導通孔５と金属層１の一部がエッチングレジスト層４から露出する（図１（Ｄ））。
【００２７】
次いで、エッチングレジスト層４から露出された金属層１をエッチング処理液によって除去することで、図１（Ｅ）に示すように、絶縁性基板３の両面に形成された金属層１と内壁に金属層が形成された導通孔２と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔８とを有する回路基板を製造することができる。
【００２８】
また、本発明の回路基板の製造方法（２）は、本発明の回路基板の製造方法（１）で、工程（Ｃ１）における露光領域の内、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４の一部に対する露光領域が、導通孔２と同心円であり導通孔２の直径より小さな内径と導通孔２の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外である回路基板の製造方法である。
【００２９】
また、本発明の回路基板の製造方法（３）は、本発明の回路基板の製造方法（２）におけるリング状の領域の外径が導通孔の直径に対して１０５〜１１５％であり、内径が導通孔の直径に対して８５〜９５％である回路基板の製造方法である。
【００３０】
本発明に係わる両面の金属層と導通孔が形成された絶縁性基板は、両面に金属層を有する絶縁性基板（金属張積層板）に貫通孔を形成し、貫通孔の内壁にめっき処理を施すことにより導通孔とすることで作製することができる。
【００３１】
両面に金属層を有する絶縁性基板としては、プリント配線板用基板が挙げられる。プリント配線板用基板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは５〜１２５μｍで、その両面または片面に１〜３５μｍの金属層が設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に樹脂液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い金属層（シード層）の上に電解めっきで金属層を形成するスパッタ／めっき法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。
【００３２】
リジッド基板は、紙基材またはガラス基材にエポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させたものを重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を載置し、加熱及び加圧により積層し、金属層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、回路基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これら回路基板の例は、「プリント回路技術便覧−第二版−」（（社）プリント回路学会編、１９８７年刊、日刊工業新聞社発刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット編、１９９２年刊、（株）近代化学社発刊）に記載されている。
【００３３】
本発明に係わるエッチングレジスト層としては、光照射部が光架橋して現像液に不溶化するネガ型のドライフィルムレジストが挙げられる。ドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂を含有してなり、ポリエステル等のキャリアフィルム上に光架橋性樹脂を塗設して光架橋性樹脂層とし、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂層上を被覆した構成となっている。光架橋性樹脂層は、例えば、カルボキシル基を含むバインダーポリマー、分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、光重合開始剤、溶剤、その他添加剤からなる。それらの配合比率は、感度、解像度、架橋度、テンティング性等の要求される性質のバランスによって決定される。高解像度用の光架橋性樹脂の組成設計では、光架橋された部分の光架橋性樹脂が現像液により膨潤するのを抑制することが有効であり、そのためには酸価の低いバインダーを使用することが最も有効である。光架橋性樹脂組成物の例は「フォトポリマーハンドブック」（フォトポリマー懇話会編、１９８９年刊行、（株）工業調査会刊）や「フォトポリマー・テクノロジー」（山本亜夫、永松元太郎編、１９８８年刊行、日刊工業新聞社刊）等に記載されており、所望の光架橋性樹脂組成物を使用することができる。光架橋性樹脂層の厚みは、１５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。この厚みが１５μｍ未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合があり、１００μｍを超えると、薄膜化で溶解除去される量が多くなって薄膜化処理時間が長くなることがある。
【００３４】
本発明に係わる薄膜化処理（ミセル化処理）とは、薄膜化処理液によって、エッチングレジスト層の成分をミセル化し、このミセルを薄膜化処理液に対して不溶化する処理である。薄膜化処理液として使用されるアルカリ水溶液としては、例えば、リチウム、ナトリウムまたはカリウム等のアルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アンモニウムリン酸塩、アンモニウム炭酸塩等の無機アルカリ性化合物の水溶液；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン）等の有機アルカリ性化合物の水溶液が挙げられる。上記無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物は、混合物としても使用できる。
【００３５】
アルカリ性化合物の含有量は、０．１質量％以上５０質量％以下で使用できる。また、エッチングレジスト層表面をより均一に薄膜化するために、アルカリ水溶液に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩または亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウム等のアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属硫酸塩または亜硫酸塩が挙げられる。
【００３６】
薄膜化処理液としては、これらの中でも特に、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物；ＴＭＡＨ、コリンから選ばれる有機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含み、該アルカリ性化合物の含有量が５〜２５質量％である薄膜化処理液が、表面をより均一に薄膜化できるため、好適に使用できる。５質量％未満では、薄膜化する処理でムラが発生しやすくなる場合がある。また、２５質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る場合がある。アルカリ性化合物の含有量は７〜１７質量％がより好ましく、８〜１３質量％がさらに好ましい。薄膜化処理液のｐＨは１０以上とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。
【００３７】
薄膜化処理は、浸漬処理、パドル処理、スプレー処理、ブラッシング、スクレーピング等の方法を用いることができるが、浸漬処理が好ましい。浸漬処理以外の処理方法は、薄膜化処理液中に気泡が発生しやすく、その発生した気泡が薄膜化処理中にエッチングレジスト層の表面に付着して、膜厚が不均一となる場合がある。
【００３８】
薄膜化処理液に対して不溶化されたエッチングレジスト層の成分のミセルを除去するミセル除去処理において、ミセル除去液をスプレーすることによって、一挙にミセルを溶解除去する。
【００３９】
ミセル除去液としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。また、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液をミセル除去液として用いることによって、薄膜化処理液で不溶化されたエッチングレジスト層の成分が再分散しやすくなる。ミセル除去液のｐＨが５未満の場合、エッチングレジスト層の成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって、薄膜化したエッチングレジスト層の表面に付着するおそれがある。一方、ミセル除去液のｐＨが１０を超えた場合、エッチングレジスト層が過度に溶解拡散し、面内で膜厚ムラが発生しやすくなることがある。また、ミセル除去液は、硫酸、リン酸、塩酸などを用いて、ｐＨを調整することができる。
【００４０】
ミセル除去処理におけるスプレーの条件について説明する。スプレーの条件（温度、時間、スプレー圧）は、薄膜化処理されるエッチングレジスト層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、より好ましくは０．１〜０．３ＭＰａがより好ましい。ミセル除去液の供給流量は、エッチングレジスト層の１ｃｍ２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後のエッチングレジスト層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一にミセルを除去することができる。エッチングレジスト層１ｃｍ２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化したエッチングレジスト層の成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプなどの部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給量では、エッチングレジスト層の成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。
【００４１】
ミセル除去処理後、さらに、除去しきれなかったエッチングレジスト層やエッチングレジスト層の表面に残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗処理によって洗い流すことができる。水洗処理の方法としては、拡散速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が好ましい。水洗水としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。このうち純水を使用することが好ましい。純水は、一般的に工業用に用いられるものを使用することができる。
【００４２】
乾燥処理では、熱風乾燥、室温送風乾燥のいずれも用いることができるが、好ましくは高圧空気をエアガンからあるいはブロアから大量の空気を送気してエアナイフでエッチングレジスト層の表面に残存している水を吹き飛ばす乾燥方法がよい。
【００４３】
現像方法としては、使用するエッチングレジスト層に見合った現像液を用い、回路基板の表面にスプレーを噴射して、エッチングレジスト層の不要な部分を除去する。現像液には、希薄なアルカリ水溶液が使用され、一般的には、０．３〜３質量％の炭酸ナトリウム水溶液や炭酸カリウム水溶液が使用される。
【００４４】
本発明に係わるエッチングは、現像で形成されたエッチングレジスト層以外の露出した金属層を除去する方法である。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、日刊工業新聞社発行）記載の方法等を使用することができる。エッチング処理液は金属層を溶解除去できるもので、また少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に金属層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。
【００４５】
エッチングレジスト層に対する露光では活性光線を照射することで行い、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトマスクを用いた片面、両面密着露光や、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザ走査露光等を使用することができる。走査露光を行う場合には、ＵＶレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、アルゴンレーザ、クリプトンイオンレーザ、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザ、窒素レーザ、色素レーザ、エキシマレーザ等のレーザ光源を発光波長に応じてＳＨＧ波長変換した走査露光、あるいは、液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。
【００４６】
本発明の回路基板の製造方法（１）の工程（Ｃ１）において、工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部を露光する際の、内壁の金属層が除去される導通孔の面積に対する一部の露光領域の面積率が７２〜９０％であることが好ましい。面積率が７２％よりも小さい場合には、薄膜化工程の際に内壁の金属層が除去される導通孔上のエッチングレジスト層が破れて発生したレジスト片の未露光部が多いために、レジスト片がエッチングレジスト層上に付着しやすくなり、後工程のエッチング工程におけるエッチング不良の原因となる場合がある。また、面積率が９０％よりも大きい場合には、薄膜化工程と後工程の現像工程によって内壁の金属層が除去される導通孔上のエッチングレジスト層を除去することができず、エッチング工程によって内壁の金属層１を除去することができなくなってしまう場合がある。
【００４７】
また、露光領域の形状は、露光部で形成された円形、楕円形、四角形、五角形等の種々の図形が一つまたは複数個配置された形状など自由に設定することが可能である。図２に、本発明の回路基板の製造方法（１）の工程（Ｃ１）において、工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４の一部を露光する際の一部の露光領域の形状を、導通孔５上部側から見た際の図の一例を示す。図２−ａ〜ｅは円形、楕円形、四角形、五角形、六角形等の種々の図形の露光部９が、絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層４に一つ配置された露光領域の形状を示す一例である。図２−ｆ〜ｈは、種々の図形の露光部９が複数個配置された露光領域の形状を示す一例である。
【００４８】
本発明の回路基板の製造方法（２）と（３）の工程（Ｃ１）における、「後工程の工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部に対する露光領域が、導通孔と同心円であり、導通孔の直径より小さな内径と導通孔の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外である」について説明する。「内壁の金属層が除去される導通孔」とは「絶縁孔に変化する導通孔５」である。「絶縁孔に変化する導通孔５と同心円であり、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より小さな内径と、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外の領域」とは、図３−ａに示したように、絶縁孔に変化する導通孔５と同心円であり、絶縁孔に変化する導通孔５（点線で図示）の直径より小さな直径である円形の内側の領域（図形の露光部９）と、絶縁孔に変化する導通孔５と同心円であり、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より大きな直径である円形の外側の領域（エッチングレジスト層の露光部１０）とを組み合わせた領域である。
【００４９】
これらの領域の内、絶縁孔に変化する導通孔５と同心円であり、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より小さな直径である円形の直径（図３−ａにおける図形の露光部９の直径、リング状未露光部内径）は絶縁孔に変化する導通孔５の直径に対して８５〜９５％であることが好ましい。直径が８５％よりも小さい場合には、薄膜化処理の際に内壁の金属層が除去される導通孔上のエッチングレジスト層が破れて発生したレジスト片の未露光部が多いために、レジスト片がエッチングレジスト層上に付着しやすくなり、後工程のエッチング工程におけるエッチング不良の原因となる場合がある。直径が９５％よりも大きい場合には、薄膜化処理と後工程の現像処理によって内壁の金属層が除去される導通孔上のエッチングレジスト層を除去することが難しくなり、エッチング工程によって内壁の金属層を除去することができなくなってしまう場合がある。
【００５０】
また、絶縁孔に変化する導通孔５と同心円であり、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より大きな直径である円形の直径（図３−ａにおけるエッチングレジスト層の露光部１０の直径、リング状未露光部外径）は絶縁孔に変化する導通孔５の直径に対して１０５〜１１５％であることが好ましい。直径１０５％よりも小さい場合には、薄膜化工程と後工程の現像工程によって内壁の金属層が除去される導通孔上のエッチングレジスト層を除去することが難しくなり、エッチング工程によって内壁の金属層を除去することができなくなってしまう場合がある。直径が１１５％よりも大きい場合には、薄膜化処理の際に内壁の金属層が除去される導通孔上のエッチングレジスト層が破れて発生したレジスト片の未露光部が多いために、レジスト片がエッチングレジスト層上に付着しやすくなり、後工程のエッチング工程におけるエッチング不良の原因となる場合がある。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００５２】
（実施例１〜２４）
＜工程（Ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂基板（絶縁性基板３、面積２５０×３４０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍ）の両面に厚み１８μｍの銅箔（金属層１）を積層した銅張積層板に４ｍｍφの貫通孔を開けた後、銅めっき処理を行って貫通孔内壁に銅めっき層（金属層１）を形成することで導通孔２とし、両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板３を準備した。両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板１にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ（株）製、商品名：ＡＫ４０３４、厚み４０μｍ）を熱圧着し、エッチングレジスト層４を形成した。
【００５３】
＜工程（Ｃ１）＞
次に、後工程の工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４の一部が表１に示す形状で露光されるように、尚且つ後工程の工程（Ｅ）において回路形成する領域以外のエッチングレジスト層が露光されるように、フォトマスクを用いて密着露光を行った。絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４の一部を露光する際の露光形状と、絶縁孔に変化する導通孔５の面積に対する図形の露光部９の面積率（導通孔に対する露光部の面積率）を表１に示す。なお、表１における各露光形状と絶縁孔に変化する導通孔５との位置関係は、図２に示す各露光形状と同様の位置関係で配置されている。
【００５４】
＜工程（Ｂ）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％の炭酸水素ナトリウム水溶液（薄膜化処理液、液温度２５℃）に３０秒間浸漬することで、未露光部のエッチングレジスト層４に対して薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い、回路形成部のエッチングレジスト層４を薄膜化すると同時に、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４を除去した。表１に、絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層４の除去率（導通孔上のエッチングレジスト層除去率）を示した。実施例１〜２４において、絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層４は１００％除去することができた。
【００５５】
＜工程（Ｃ２）＞
次に、回路形成部にライン＆スペースが５０μｍであるパターンを有し、尚且つ、後工程のエッチング工程において内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４上部が未露光となるフォトマスクを用いて、密着露光を行った。
【００５６】
＜工程（Ｄ）＞
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（現像液、液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３６秒間現像処理を行うことで、未露光部のエッチングレジスト層４が除去され、後工程の工程（Ｅ）におけるエッチングによって除去される部分の金属層１がエッチングレジスト層４から露出した。
【００５７】
＜工程Ｅ＞
次に、塩化第二鉄溶液（エッチング処理液、液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）によってエッチング処理することで、エッチングレジスト層４から露出した金属層１を除去した。次に、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層４を除去し、本発明の回路基板を作製した。得られた金属パターンを光学顕微鏡で観察した結果、面内まばらに存在するライン＆スペース５０μｍの部分と４ｍｍφの絶縁孔において、レジスト片の付着を原因とした回路部のショート及び絶縁孔内の金属除去不足によるエッチング不良は発生しておらず、良好な金属パターンと絶縁孔８と導通孔２を有する回路基板を得ることができた。
【００５８】
【表１】
2015046519.tif 000003
【００５９】
（実施例２５〜３３）
＜工程（Ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂基板（絶縁性基板３、面積２５０×３４０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍ）の両面に厚み１８μｍの銅箔（金属層１）を積層した銅張積層板に４ｍｍφの貫通孔を開けた後、銅めっき処理を行って貫通孔内壁に銅めっき層（金属層１）を形成することで導通孔２とし、両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板３を準備した。両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板１にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ（株）製、商品名：ＡＫ４０３４、厚み４０μｍ）を熱圧着し、エッチングレジスト層４を形成した。
【００６０】
＜工程（Ｃ１）＞
次に、後工程の工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４の内、絶縁孔に変化する導通孔５と同心円であり、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より小さな内径と、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外の領域が露光されるように、尚且つ後工程の工程（Ｅ）において回路形成する領域以外のエッチングレジスト層が露光されるように、フォトマスクを用いて密着露光を行った。この時、絶縁孔に変化する導通孔５に対するリング状未露光部内径とリング状未露光部外径の直径の比率が異なるフォトマスクを使用した。使用したフォトマスクの絶縁孔に変化する導通孔５の直径に対するリング状の領域の外径（図３−ａにおけるエッチングレジスト層の露光部１０の直径）の比率（リング状未露光部外径の直径比率）と絶縁孔に変化する導通孔５の直径に対するリング状の領域の内径（図３−ａにおける図形の露光部９の直径）の比率（リング状未露光部内径の直径比率）を表２に示した。
【００６１】
＜工程（Ｂ）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％の炭酸水素ナトリウム水溶液（薄膜化処理液、液温度２５℃）に３０秒間浸漬することで、未露光部のエッチングレジスト層４に対して薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い回路形成部のエッチングレジスト層４を薄膜化すると同時に、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４を除去した。表２に、絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層４の除去率（導通孔上のエッチングレジスト層除去率）を示した。実施例２５〜３３において、絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層４は１００％除去することができた。
【００６２】
＜工程（Ｃ２）＞
次に、回路形成部にライン＆スペースが５０μｍであるパターンを有し、尚且つ、後工程のエッチング工程において内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４上部が未露光となるフォトマスクを用いて、密着露光を行った。
【００６３】
＜工程（Ｄ）＞
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（現像液、液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３６秒間現像処理を行うことで、未露光部のエッチングレジスト層４が除去され、後工程の工程（Ｅ）におけるエッチングによって除去される部分の金属層１がエッチングレジスト層４から露出した。
【００６４】
＜工程Ｅ＞
次に、塩化第二鉄溶液（エッチング処理液、液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）によってエッチング処理することで、エッチングレジスト層４から露出した金属層１を除去した。次に、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層４を除去し、本発明の回路基板を作製した。得られた金属パターンを光学顕微鏡で観察した結果、面内まばらに存在するライン＆スペース５０μｍの部分と４ｍｍφの絶縁孔において、レジスト片の付着を原因とした回路部のショート及び絶縁孔内の金属除去不足によるエッチング不良は発生しておらず、良好な金属パターンと絶縁孔８と導通孔２を有する回路基板を得ることができた。
【００６５】
【表２】
2015046519.tif 000004
【００６６】
（実施例３４〜４９）
＜工程（Ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂基板（絶縁性基板３、面積２５０×３４０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍ）の両面に厚み１８μｍの銅箔（金属層１）を積層した銅張積層板に４ｍｍφの貫通孔を開けた後、銅めっき処理を行って貫通孔内壁に銅めっき層（金属層１）を形成することで導通孔２とし、両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板３を準備した。両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板１にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ（株）製、商品名：ＡＫ４０３４、厚み４０μｍ）を熱圧着し、エッチングレジスト層４を形成した。
【００６７】
＜工程（Ｃ１）＞
次に、後工程の工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４の一部が表３に示す形状で露光されるように、尚且つ後工程の工程（Ｅ）において回路形成する領域以外のエッチングレジスト層が露光されるように、フォトマスクを用いて密着露光を行った。絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４の一部を露光する際の露光形状と、絶縁孔に変化する導通孔５の面積に対する図形の露光部９の面積率（導通孔に対する露光部の面積率）を表３に示す。なお、表３における各露光形状と絶縁孔に変化する導通孔５との位置関係は、図２に示す各露光形状と同様の位置関係で配置されている。
【００６８】
＜工程（Ｂ）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％の炭酸水素ナトリウム水溶液（薄膜化処理液、液温度２５℃）に３０秒間浸漬することで、未露光部のエッチングレジスト層４に対して薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い、回路形成部のエッチングレジスト層４を薄膜化すると同時に、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４を除去した。表３に、絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層４の除去率（導通孔上のエッチングレジスト層除去率）を示した。
【００６９】
＜工程（Ｃ２）＞
次に、回路形成部にライン＆スペースが５０μｍであるパターンを有し、尚且つ、後工程のエッチング工程において内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４上部が未露光となるフォトマスクを用いて、密着露光を行った。
【００７０】
＜工程（Ｄ）＞
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（現像液、液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３６秒間現像処理を行うことで、未露光部のエッチングレジスト層４が除去され、後工程の工程（Ｅ）におけるエッチングによって除去される部分の金属層１がエッチングレジスト層４から露出した。
【００７１】
＜工程Ｅ＞
次に、塩化第二鉄溶液（エッチング処理液、液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）によってエッチング処理することで、エッチングレジスト層４から露出した金属層１を除去した。次に、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層４を除去し、本発明の回路基板を作製した。得られた金属パターンを光学顕微鏡で観察し、面内まばらに存在するライン＆スペース５０μｍの部分において確認された、レジスト片の付着を原因とした回路部のショートによるエッチング不良数を表３に示した。
【００７２】
【表３】
2015046519.tif 000005
【００７３】
（実施例５０〜５８）
＜工程（Ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂基板（絶縁性基板３、面積２５０×３４０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍ）の両面に厚み１８μｍの銅箔（金属層１）を積層した銅張積層板に４ｍｍφの貫通孔を開けた後、銅めっき処理を行って貫通孔内壁に銅めっき層（金属層１）を形成することで導通孔２とし、両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板３を準備した。両面の金属層１と導通孔２が形成された絶縁性基板１にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ（株）製、商品名：ＡＫ４０３４、厚み４０μｍ）を熱圧着し、エッチングレジスト層４を形成した。
【００７４】
＜工程（Ｃ１）＞
次に、後工程の工程（Ｅ）によって内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４の内、絶縁孔に変化する導通孔５と同心円であり、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より小さな内径と、絶縁孔に変化する導通孔５の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外の領域が露光されるように、尚且つ後工程の工程（Ｅ）において回路形成する領域以外のエッチングレジスト層が露光されるように、フォトマスクを用いて密着露光を行った。この時、絶縁孔に変化する導通孔５に対するリング状未露光部内径とリング状未露光部外径の直径の比率が異なるフォトマスクを使用した。使用したフォトマスクの絶縁孔に変化する導通孔５の直径に対するリング状の領域の外径（図３−ａにおけるエッチングレジスト層の露光部１０の直径）の比率（リング状未露光部外径の直径比率）と絶縁孔に変化する導通孔５の直径に対するリング状の領域の内径（図３−ａにおける図形の露光部９の直径）の比率（リング状未露光部内径の直径比率）を表４に示した。
【００７５】
＜工程（Ｂ）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％の炭酸水素ナトリウム水溶液（薄膜化処理液、液温度２５℃）に３０秒間浸漬することで、未露光部のエッチングレジスト層４に対して薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い回路形成部のエッチングレジスト層４を薄膜化すると同時に、絶縁孔に変化する導通孔５上部のエッチングレジスト層４を除去した。表４に、絶縁孔に変化する導通孔５上のエッチングレジスト層４の除去率（導通孔上のエッチングレジスト層除去率）を示した。
【００７６】
＜工程（Ｃ２）＞
次に、回路形成部にライン＆スペースが５０μｍであるパターンを有し、尚且つ、後工程のエッチング工程において内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４上部が未露光となるフォトマスクを用いて、密着露光を行った。
【００７７】
＜工程（Ｄ）＞
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（現像液、液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３６秒間現像処理を行うことで、未露光部のエッチングレジスト層４が除去され、後工程の工程（Ｅ）におけるエッチングによって除去される部分の金属層１がエッチングレジスト層４から露出した。
【００７８】
＜工程Ｅ＞
次に、塩化第二鉄溶液（エッチング処理液、液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）によってエッチング処理することで、エッチングレジスト層４から露出した金属層１を除去した。次に、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層４を除去し、本発明の回路基板を作製した。得られた金属パターンを光学顕微鏡で観察し、面内まばらに存在するライン＆スペース５０μｍの部分において確認された、レジスト片の付着を原因とした回路部のショートによるエッチング不良数を表４に示した。
【００７９】
【表４】
2015046519.tif 000006
【００８０】
（比較例１）
工程（Ｃ）において、内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４に対して露光しないこと以外は実施例３４〜４９と同様の工程を経ることで比較例１の回路基板を作製した。得られた金属パターンを光学顕微鏡で観察したところ、面内まばらに存在するライン＆スペース５０μｍの部分にレジスト片の付着を原因とした回路部のショートによるエッチング不良数が多数発生していた。
【００８１】
（比較例２）
工程（Ｃ）において、内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４に対して全面露光すること以外は実施例３４〜４９と同様の工程を経ることで比較例２の回路基板を作製した。得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、内壁の金属層が除去される導通孔上のエッチングレジスト層４は一つも除去できていなかった。
【００８２】
比較例１では、内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上のエッチングレジスト層４は効果的に除去できるものの、除去によって発生したレジスト片の付着による回路形成部のエッチング不良が多数発生してしまう。また、比較例２では、内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上のエッチングレジスト層４を除去することができないために、絶縁孔を作製することができなくなってしまう。
【００８３】
これに対して、実施例３４〜４９では、工程（Ｃ１）において内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４の一部を露光したことにより、内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上のエッチングレジスト層４が効果的に除去でき、尚且つ除去によって発生したレジスト片の付着による回路形成部のエッチング不良を効果的に防ぐことができることから、絶縁性基板３の両面に形成された金属層１と内壁に金属層が形成された導通孔２と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔８とを有する回路基板を作製する方法として有効である。さらに、実施例１〜２４では、工程（Ｃ１）において内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上部のエッチングレジスト層４の一部を露光する際の露光領域を導通孔の面積に対して７２〜９０％としたことで、内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上のエッチングレジスト層４がより効果的に除去でき、尚且つ除去によって発生したレジスト片の付着による回路形成部のエッチング不良をより効果的に防ぐことができることから、絶縁性基板３の両面に形成された金属層１と内壁に金属層が形成された導通孔２と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔８とを有する回路基板を作製する方法としてより有効である。
【００８４】
また、実施例５０〜５８では、工程（Ｃ１）における内壁の金属層が除去される導通孔上部のエッチングレジスト層の一部に対する露光領域が、導通孔と同心円であり、導通孔の直径より小さな内径と導通孔の直径より大きな外径からなるリング状の領域以外としたことにより、比較例２に比べて内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上のエッチングレジスト層４が効果的に除去でき、尚且つ除去によって発生したレジスト片の付着による回路形成部のエッチング不良を比較例１に比べて効果的に防ぐことができることから、絶縁性基板３の両面に形成された金属層１と内壁に金属層が形成された導通孔２と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔８とを有する回路基板を作製する方法として有効である。さらに、実施例２５〜３３では、実施例５０〜５８におけるリング状の未露光領域の外径を導通孔の直径に対して１０５〜１１５％とし、内径を導通孔の直径に対して８５〜９５％としたことで、内壁の金属層が除去される導通孔（絶縁孔に変化する導通孔５）上のエッチングレジスト層４がより効果的に除去でき、尚且つ除去によって発生したレジスト片の付着による回路形成部のエッチング不良をより効果的に防ぐことができることから、絶縁性基板３の両面に形成された金属層１と内壁に金属層が形成された導通孔２と内壁に金属層が形成されていない絶縁孔８とを有する回路基板を作製する方法としてより有効である。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な金属パターンの作製に広く利用される。例えば、回路基板の製造方法として利用することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１    金属層
２    導通孔
３    絶縁性基板
４    エッチングレジスト層
５    絶縁孔に変化する導通孔
６    活性光線
７    フォトマスク
８    絶縁孔
９    図形の露光部
１０  エッチングレジスト層の露光部
【図１】
2015046519.tif 000007
【図２】
2015046519.tif 000008
【図３】
2015046519.tif 000009