(57)【要約】【課題】端子が高密度であっても、端子の表面とＡＣＦとの密着度を維持させ、電気的接続の信頼性維持を可能とする端子接続構造を提供する。【解決手段】一側接続部３１ｃに他側接続部３７を異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）３８を介して導通接続する端子接続構造であって、一側接続部３１ｃと他側接続部３７との少なくとも一方に備えられベース絶縁層３９及びカバー絶縁層４１間に有する配線パターン４２の端部でカバー絶縁層４１から露出し相互に隣接した複数の端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・と、端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・の周囲のベース絶縁層部３９ａから突出し端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・をベース絶縁層部３９ａから相対的に突出して配置させる支持部４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・と備えたことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側接続部を他側接続部に異方性導電フィルムを介して導通接続する端子接続構造であって、
前記一側接続部と前記他側接続部との少なくとも一方に備えられベース絶縁層及びカバー絶縁層間に有する配線パターンの端部で前記カバー絶縁層から露出し相互に隣接した複数の端子と、
前記端子の周囲のベース絶縁層部から突出し前記端子を前記ベース絶縁層部から相対的に突出して配置させる支持部と、
を備えたことを特徴とする端子接続構造。
【請求項２】
請求項１記載の端子接続構造であって、
前記一側接続部は、ヘッド・サスペンションのフレキシャの配線テール側接続部であり、
前記他側接続部は、ハード・ディスク・ドライブの本体側配線基板の基板側接続部である、
ことを特徴とする端子接続構造。
【請求項３】
請求項１又は２記載の端子接続構造であって、
前記支持部は、前記端子を前記カバー絶縁層に対し同等以上に突出させる、
ことを特徴とする端子接続構造。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項記載の端子接続構造であって、
前記ベース絶縁層において前記ベース絶縁層部が部分的に薄肉に形成されて、前記支持部を相対的に突出させる、
ことを特徴とする端子接続構造。
【請求項５】
請求項４記載の端子接続構造であって、
前記配線パターンの一部が、前記部分的相対的な薄肉部であるベース絶縁層部に存在する、
ことを特徴とする端子接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッド・サスペンションの配線テール側接続部を主フレキシブル配線基板に導通接続するためなどに供する端子接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ「Hard Disk Drive」）においては、ヘッド・サスペンションが磁気ヘッドを支持し、ヘッド・サスペンションの配線を介して磁気ヘッドがＨＤＤ本体側の主フレキシブル配線基板に接続されている。
【０００３】
ヘッド・サスペンションの配線とＨＤＤ本体側の主フレキシブル配線基板との間は、ヘッド・サスペンションの配線テール側接続部と主フレキシブル配線基板側の基板側接続部との端子が相互に接続される。
【０００４】
この端子相互の接続には、特許文献１〜６のように、主に超音波接合、はんだ接合、異方性導電フィルム（ＡＣＦ「Anisotropic Conductive Film」）による接合等が採用されている。
【０００５】
近年、ＨＤＤのさらなる高密度化や信頼性向上のため、磁気ヘッドには従来からある読み書き用素子の他に、２段アクチュエーター、フライハイト制御用ヒーター、ハード・ディスク・インターフェイス（ＨＤＩ）センサー等の機能が組み込まれ、さらにエネルギーアシスト記録等の追加機能組み込みが検討されており、接地用端子を含めると、１０端子以上となる製品が多くなった。
【０００６】
これに応じて、ヘッド・サスペンションの配線数及び配線テール側接続部の端子数も１０以上となるが、小型化したＨＤＤにおいては、配線テール側接続部の大きさに制約があり、必然的に各端子サイズの小型化や端子の高密度化が生じている。このため、短絡のリスク、作業性を考慮して特許文献５のようにＡＣＦにより接続する製品が増加した。
【０００７】
図１１及び図１２は、ヘッド・サスペンションの配線テール側の端子接続構造に係り、ヘッド・サスペンションの配線テール側接続部１０１とＨＤＤ本体側の主フレキシブル配線基板の基板側接続部１０３との接続を示している。図１１（Ａ）及び図１２（Ａ）は、基板側接続部１０３を省略した部分平面図、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のＸＩＢ−ＸＩＢ線矢視において基板側接続部１０３を二点鎖線で併記した断面図、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線矢視において基板側接続部１０３を二点鎖線で併記した断面図である。
【０００８】
配線テール側接続部１０１は、平坦なベース絶縁層１０７上に配線パターン１１１を積層し、配線パターン１１１上をカバー絶縁層１０９で被覆して構成されている。複数の端子１０５は、配線パターン１１１の端部でカバー絶縁層１０９から露出した状態で相互に隣接配置されている。
【０００９】
この配線テール側接続部１０１に対し、基板側接続部１０３がＡＣＦ１１３を介して導通接続されている。
【００１０】
各端子１０５の周りでは、カバー絶縁層１０９が端子表面よりも突出しているが、ＡＣＦ１１３は、多少の弾性があるため、図１１のように端子１０５の数が少ない場合、端子１０５に確実に密着し、導通接続に問題はない。
【００１１】
しかし、図１１に比較して図１２のように端子の数が増加して端子が高密度になると、端子１０５の表面とＡＣＦ１１３との密着度が低下し、電気的接続の信頼性が低下する恐れがあった。
【００１２】
なお、このような問題は、ヘッド・サスペンションの配線テール側接続部１０１とＨＤＤ本体側の主フレキシブル配線基板の基板側接続部１０３との接続に限らず、他の電子機器においても同様に発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開平１０−２５６６８８号公報
【特許文献２】特開２００６−０４９７５１号公報
【特許文献３】特開２００７−０２６６５４号公報
【特許文献４】特開２００７−１７３３６２号公報
【特許文献５】特開２０１２−１５０８７２号公報
【特許文献６】特開２０１２−１５６３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
解決しようとする問題点は、複数の端子が高密度になると、端子の表面と異方性導電フィルムとの密着度が低下し、電気的接続の信頼性が低下する恐れがある点である。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、複数の端子が高密度であっても、各端子の表面と異方性導電フィルムとの密着度を維持させ、電気的接続の信頼性維持を可能とするために、一側接続部に他側接続部を異方性導電フィルムを介して導通接続する端子接続構造であって、前記一側接続部と前記他側接続部との少なくとも一方に備えられベース絶縁層及びカバー絶縁層間に有する配線パターンの端部で前記カバー絶縁層から露出し相互に隣接した複数の端子と、前記端子の周囲のベース絶縁層部から相対的に突出し前記端子を前記周囲のベース絶縁層部から突出して配置させる支持部とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の端子接続構造は、上記構成であるから、端子が支持部により周囲のベース絶縁層部から突出して配置されるため、端子の密度が増しても、端子の表面と異方性導電フィルムとの密着度を維持させ易く、電気的接続の信頼性の維持、向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】ハード・ディスク・ドライブの斜視図である。（実施例１）
【図２】ヘッド・サスペンションの斜視図である。（実施例１）
【図３】ヘッド・サスペンションのフレキシャのテール側の端子接続構造に係り、基板側接続部を省略した部分平面図である。（実施例１）
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線矢視において基板側接続部を二点鎖線で併記した断面図である。（実施例１）
【図５】図４に対応する圧着前の断面図である。（実施例１）
【図６】変形例を示し、（Ａ）は、配線テール側接続部の部分平面図、（Ｂ）は、ＶＩＢ−ＶＩＢ線矢視断面図である。（実施例１）
【図７】他の変形例を示し、（Ａ）は、配線テール側接続部の部分平面図、（Ｂ）は、ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線矢視断面図である。（実施例１）
【図８】さらに他の変形例を示し、（Ａ）は、配線テール側接続部の部分平面図、（Ｂ）は、ＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線矢視断面図である。（実施例１）
【図９】図４に対応する断面図である。（実施例２）
【図１０】図４に対応する断面図である。（実施例３）
【図１１】ヘッド・サスペンションの配線テール側の端子接続構造に係り、（Ａ）は、基板側接続部を省略した部分平面図、（Ｂ）は、（Ａ）のＸＩＢ−ＸＩＢ線矢視において基板側接続部を二点鎖線で併記した断面図である。（従来例）
【図１２】ヘッド・サスペンションの配線テール側の端子接続構造に係り、（Ａ）は、基板側接続部を省略した部分平面図、（Ｂ）は、（Ａ）のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線矢視において基板側接続部を二点鎖線で併記した断面図である。（従来例）
【発明を実施するための形態】
【００１８】
端子が高密度であっても、端子の表面と異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）との密着度を維持させ、電気的接続の信頼性維持を可能とするという目的を、一側接続部を他側接続部にＡＣＦを介して導通接続する端子接続構造において、ベース絶縁層及びカバー絶縁層間に有する配線パターンの端部でカバー絶縁層から露出する端子を周囲のベース絶縁層部から突出して配置させる支持部を備えることで実現した。
【００１９】
かかる端子接続構造は、例えば、ヘッド・サスペンションの配線とハード・ディスク・ドライブの本体側配線基板との間の接続に用いることができる。この場合、一側接続部は、ヘッド・サスペンションのフレキシャの配線テール側接続部であり、他側接続部は、ハード・ディスク・ドライブの本体側配線基板の基板側接続部である。
【００２０】
支持部は、その突出高さに応じて端子の突出高さを調整できるが、端子をカバー絶縁層の外面と同等以上に突出させるのが好ましい。
【００２１】
また、支持部の相対的な突出は、ベース絶縁層においてベース絶縁層部を部分的に薄肉に形成して行わせるのが好ましい。
【００２２】
配線パターンの一部は、部分的相対的な薄肉部であるベース絶縁層部に存在してもよい。
【実施例１】
【００２３】
［ＨＤＤ及びヘッド・サスペンションの概要］
図１は、ハード・ディスク・ドライブの斜視図である。
【００２４】
図１のように、ハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）１は、ケース３内に、スピンドル５を中心に回転するディスク７と、ピボット軸９を中心に旋回可能なキャリッジ１１と、キャリッジ１１を駆動するためのポジショニング用モータ１３などを有している。ケース３は、図示しない蓋によって密閉される。
【００２５】
キャリッジ１１には、複数のアーム１５が設けられている。各アーム１５の先端部には、ヘッド・サスペンション１７が取付けられている。ヘッド・サスペンション１７の先端部には、磁気ヘッドを構成する図示しないスライダーが設けられている。
【００２６】
ヘッド・サスペンション１７は、ポジショニング用モータ１３によってキャリッジ１１を旋回させると、ディスク７の径方向に旋回する。この旋回により、スライダーは、ディスク７の所望トラックまで移動する。
【００２７】
また、スライダーは、ディスク７が高速で回転すると、ディスク７との間にエアベアリングが形成されて、ディスク７に対して僅かに浮上するようになっている。
【００２８】
スライダーには、例えばＭＲ素子のように電気信号と磁気信号とを変換することができる素子が設けられている。これらの素子によって、ディスク７に対するデータの書込み或は読取り等のアクセスが行なわれる。
【００２９】
図２は、ヘッド・サスペンションの斜視図である。
【００３０】
ヘッド・サスペンション１７は、ベース・プレート２３を含むベース部２５と、ヒンジ部２７と、ロード・ビーム２９と、配線付きフレキシャ(flexure with conductors)３１などを備えている。以下、配線付きフレキシャ３１を単にフレキシャ３１と称する。
【００３１】
ベース部２５は、キャリッジ１１のアーム１５に固定され、ロード・ビーム２９は、ヒンジ部２７を介してベース部２５に支持されている。ロード・ビーム２９には、フレキシャ３１が取り付けられている。
【００３２】
フレキシャ３１は、ロード・ビーム２９に沿って配置されている。フレキシャ３１は、その全長のうち、ロード・ビーム２９と重なる部分３１ａ（一部のみ示す）がレーザ溶接等の固定手段によってロード・ビーム２９に固定されている。フレキシャ３１の先端部付近には、ジンバル部として機能するタング３３が形成されている。タング３３にはスライダーが取付けられ、ヘッド・サスペンション１７とスライダーとによってヘッド・ジンバル・アセンブリが構成される。
【００３３】
フレキシャ３１は、後述する配線４３を有しており（図３及び図４参照）、この配線４３を介して先端のスライダーを反対側のフレキシャテール部３１ｂでＨＤＤ本体に接続する。フレキシャテール部３１ｂは、ベース部２５から更に後方に向かってキャリッジ１１のアーム１５側へと延びている。フレキシャテール部３１ｂの後端には、配線テール側接続部３１ｃが設けられている。
【００３４】
この配線テール側接続部３１ｃは、ハード・ディスク・ドライブ１の本体側配線基板（図示せず）の基板側接続部３７に異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）３８を介して導通接続される（図３及び図４参照）。
【００３５】
図３は、ヘッド・サスペンション１７のフレキシャ３１のテール側の端子接続構造に係り、ＨＤＤ本体側の基板側接続部３７を省略した部分平面図、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視において基板側接続部３７を二点鎖線で併記した断面図である。なお、以下の説明において、上下又は高低は、ヘッド・サスペンション１７の回転軸方向での上下又は高低とする。
【００３６】
図３及び図４の端子接続構造は、一側接続部である配線テール側接続部３１ｃを他側接続部である基板側接続部３７にＡＣＦ３８を介して導通接続している。配線テール側接続部３１ｃは、前記のようにヘッド・サスペンション１７のフレキシャ３１の構成部分である。基板側接続部３７は、前記のようにＨＤＤ１の本体側配線基板の構成部分である。
【００３７】
図２のフレキシャ３１は、全体として、ステンレス等の金属薄板（図示せず）上に、図３及び図４のように、ポリイミドのベース絶縁層３９及び銅などの配線パターン４２が順次積層され、配線パターン４２をポリイミドのカバー絶縁層４１によって被覆して構成されている。
【００３８】
配線テール側接続部３１ｃでは、金属薄板が省略されて、ベース絶縁層３９及びカバー絶縁層４１間に銅の配線パターン４２を有した構成となっている。なお、配線テール側接続部３１ｃにも、金属薄板を設けても良い。
【００３９】
配線パターン４２は、図３及び図４において端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・側の一部のみ示すが、複数の配線４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、・・・を備えている。配線パターン４２の表面には、金メッキが施されている。なお、端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・及び配線４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、・・・は、それぞれ端子４５及び配線４３と総称することがある。
【００４０】
配線パターン４２の配線テール側は、配線４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、・・・がそれぞれ対応する端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・に至っている。端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・は、平面において、配線４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、・・・から直交方向に突出し、その突出方向で相互に隣接して配列されている。これら端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・は、それぞれ支持部４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・上に支持されている。なお、支持部４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・は、支持部４７と総称することがある。
【００４１】
各支持部４７は、各端子４５の周囲のベース絶縁層部３９ａから相対的に上方に突出して形成されている。なお、端子４５の周囲とは、少なくとも端子４５表面のＡＣＦ３８への接続に必要な接続面４４を除く周囲の部分である。
【００４２】
支持部４７の相対的な突出高さは、本実施例において、ベース絶縁層部３９ａにおけるカバー絶縁層４１の上面と同等である。ただし、支持部４７の突出高さは、各端子４５の周囲のベース絶縁層部３９ａ、換言するとカバー絶縁層４１に対する突出配置の高さを決めるものであり、必要に応じて調整される。
【００４３】
支持部４７の上面は、平坦であり、その周面は、傾斜して断面を拡大しつつベース絶縁層部３９ａへと至る。これにより、支持部４７は、断面台形状に形成されている。この支持部４７により、端子４５の表面である接続面４４を周囲のベース絶縁層部３９ａに対し相対的に突出して配置させている。
【００４４】
端子４５の接続面４４の相対的な突出配置の高さは、本実施例において、カバー絶縁層４１を上回っている。但し、支持部４７が周囲のベース絶縁層部３９ａから突出していれば、図１２の例に比較して、後述するように端子４５とＡＣＦ３８との密着性は向上できる。従って、端子４５の突出配置の接続面４４の高さは、カバー絶縁層４１の上面と同等か、或は低くてもよい。
【００４５】
ベース絶縁層部３９ａは、ベース絶縁層３９を部分的に薄肉に形成した部分である。このベース絶縁層部３９ａの薄肉により、支持部４７が周囲のベース絶縁層部３９ａに対し相対的に突出することになる。
【００４６】
ベース絶縁層部３９ａの形成は、ベース絶縁層部３９ａ及び支持部４７間の段差があるように行えばよく、特に限定されるものではないが、例えばエッチングや階調性樹脂を用いた露光等により行うことができる。
【００４７】
ベース絶縁層３９の材質を階調性ポリイミド（階調性樹脂）とした場合は、ネガ型又はポジ型の何れでもよいが、支持部４７相当箇所とそれ以外の部分とで露光量を調整し、現像する。或いは、ベース絶縁層３９の材質を階調性のないポリイミド（非階調性樹脂）とした場合は、一定厚に成膜後、部分的にエッチングする。
【００４８】
ベース絶縁層部３９ａ及び支持部４７間等の段差形成は、ベース絶縁層３９の他の部分での必要な段差形成と共に行うこともできる。この場合は、工程増を抑制し、コストアップを招くことなく支持部４７を形成することができる。
【００４９】
カバー絶縁層４１は、フレキシャ３１の配線パターン４２を覆い、ベース絶縁層部３９ａにおいても配線パターン４２の配線４３を覆っている。このカバー絶縁層４１は、端子４５には形成されず、端子４５を露出させている。
【００５０】
図５は、図４に対応する圧着前の断面図である。
【００５１】
図５のように、配線テール側接続部３１ｃにＡＣＦ３８を介して基板側接続部３７を対向させ、両者を圧接する。この圧接により図４のようにＡＣＦ３８を介した配線テール側接続部３１ｃ及び基板側接続部３７の接続を行わせることができる。
【００５２】
この接続に際し、ＡＣＦ３８がカバー絶縁層４１の外面よりも先に端子４５に密着し、配線テール側接続部３１ｃ側の端子４５及び基板側接続部３７側の端子間でのＡＣＦ３８の圧縮が積極的に行われる。このとき、ＡＣＦ３８では、圧縮された部分で導通性が確保され、配線テール側接続部３１ｃ側の端子４５及び基板側接続部３７側の端子は、ＡＣＦ３８の圧縮部分を介して導通接続がなされる。
【００５３】
圧着が完了した状態では、図４のように、ＡＣＦ３８がカバー絶縁層４１の外面に密着するが、配線テール側接続部３１ｃ側の端子４５がカバー絶縁層４１の外面よりも上方のＡＣＦ３８側に突出して近づいているので、端子４５がＡＣＦ３８に対して安定的に接合される。
【００５４】
［実施例１の効果］
本発明実施例１は、配線テール側接続部３１ｃをＨＤＤ１の本体側配線基板の基板側接続部３７にＡＣＦ３８を介して導通接続する端子接続構造であって、配線テール側接続部３１ｃに備えられベース絶縁層３９及びカバー絶縁層４１間に有する配線パターン４２の端部でカバー絶縁層４１から露出し相互に隣接した複数の端子４５と、端子４５の周囲のベース絶縁層部３９ａから相対的に突出し端子４５をベース絶縁層部３９から突出配置させる支持部４７とを備えた。
【００５５】
このため、本実施例では、配線テール側接続部３１ｃ側の端子４５が上方のＡＣＦ３８側に突出して近づいているので、端子４５をＡＣＦ３８に対して安定的に接合することができ、端子４５が高密度になっても、端子４５の接続面４４とＡＣＦ３８との密着度が高く、電気的接続の信頼性を維持、向上できる。
【００５６】
しかも、本実施例では、配線テール側接続部３１ｃの端子４５及び基板側接続部３７側の端子間でＡＣＦ３８の圧縮が積極的に行われて、両者間のＡＣＦ３８による導通接続を確実に行わせることができる。かかる点からも、電気的接続の信頼性を維持、向上できる。
【００５７】
本実施例では、支持部４７が端子４５をカバー絶縁層４１と同等以上に突出させているため、ＡＣＦ３８がカバー絶縁層４１の外面よりも先に端子４５に密着するから、配線テール側接続部３１ｃ側の端子４５とＡＣＦ３８との密着度がより高く、電気的接続の信頼性をより維持、向上できる。同時に、ＡＣＦ３８の圧縮も高めることができ、さらに電気的接続の信頼性を維持、向上できる。
【００５８】
本実施例では、ベース絶縁層部３９ａをベース絶縁層３９において部分的に薄肉に形成して支持部４７を相対的に突出させたので、配線テール側接続部３１ｃの厚みの増大もなく、小型化を維持させることができる。
【００５９】
［変形例］
図６は、変形例を示し、（Ａ）は、配線テール側接続部の部分平面図、（Ｂ）は、ＶＩＢ−ＶＩＢ線矢視断面図、図７は、他の変形例を示し、（Ａ）は、配線テール側接続部の部分平面図、（Ｂ）は、ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線矢視断面図、図８は、さらに他の変形例を示し、（Ａ）は、配線テール側接続部の部分平面図、（Ｂ）は、ＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線矢視断面図である。
【００６０】
図６〜図８の変形例は、いずれも配線パターン４２の一部４２Ａが部分的相対的な薄肉部であるベース絶縁層部３９ａ上に存在する。この配線パターン４２の一部４２Ａは、例えば端子４５ａに隣接する他の端子に接続される配線部である。
【００６１】
また、図６〜図８の変形例では、上記実施例に対し、支持部周辺の構造が若干異なっている。なお、図６〜図８では、端子４５ａ及び支持部４７ａの組み合わせのみを示しているが、他の端子及び支持部も図示はしないがその周辺に隣接配置されている。説明においては、それら配線、端子、支持部を、前記の実施例１と同様に配線４３、端子４５、支持部４７と総称する。
【００６２】
図６の変形例は、図３及び図４の実施例に比較し、平面において、端子４５に対し配線４３が直状に配置され、端子４５が配線４３から延設方向に突出したものである。
【００６３】
図７の変形例でも、平面において、端子４５に対し配線４３が直状に配置されている。さらに、この例では、端子４５が支持部４７を周面まで覆うように形成され、配線４３を覆うカバー絶縁層４１が支持部４７の周面側で端子４５をカバーし、端子４５の接続面４４のみを露出させている。支持部４７ａの周面側でカバー絶縁層４１の上面は、端子４５の接続面４４と同等の高さとなっている。
【００６４】
この図７の変形例では、端子４５のＡＣＦに対する密着が、支持部４７の周面側でカバー絶縁層４１の上面と同等に行われ、高い密着度が維持できる。また、端子４５の周縁部が保護され、剥離を抑制することができる。
【００６５】
図８の変形例でも、平面において、端子４５に対し配線４３が直状に配置されている。さらに、この例では、配線パターン４２を全体的に覆うカバー絶縁層４１が、支持部４７上に至り、支持部４７上での縁部が端子４５を矩形状に囲んでいる。この例では、端子４５の接続面４４がカバー絶縁層４１の支持部４７上での上面と同等の高さとなっている。
【００６６】
従って、図８の変形例では、端子４５のＡＣＦに対する密着が、カバー絶縁層４１の支持部４７上での上面と同等に行われ、高い密着度が維持できる。また、端子４５の外周縁部がカバー絶縁層４１側のない周縁部で保護され、剥離を抑制することができる。
【実施例２】
【００６７】
図９は、実施例２に係り、図４に対応する断面図である。なお、基本的な構成は実施例１と同様であり、同一構成部分には同符号を付して説明し、重複した説明は省略する。
【００６８】
図９の端子接続構造では、基板側接続部３７にも配線テール側接続部３１ｃと同様な構造を適用した。
【００６９】
すなわち、基板側接続部３７の配線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ、・・・（配線５１と総称することがある）の端部に、端子５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、・・・（端子５３と総称することがある）が形成され、相互に隣接して複数配列されている。カバー絶縁層５５は、配線５１覆っているが、端子５３に形成されず、端子５３を露出させている。端子５３は、支持部５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、・・・（支持部５７と総称することがある）上に支持されている。支持部５７は、ベース絶縁層部５９ａを薄肉にして相対的に突出形成されている。
【００７０】
従って、基板側接続部３７の配線５１、端子５３、カバー絶縁層５５、支持部５７、ベース絶縁層部５９ａが、それぞれ配線テール側接続部３１ｃの配線４３、端子４５、カバー絶縁層４１、支持部４７、ベース絶縁層部３９ａに対応し、同一構造が採用されている。
【００７１】
かかる構造の配線テール側接続部３１ｃ及び基板側接続部３７をＡＣＦ３８を介して圧接すると、ＡＣＦ３８が配線テール側接続部３１ｃのみならず、基板側接続部３７側でもカバー絶縁層５５の外面よりも先に端子５３に密着し、端子５３及び端子４５間でのＡＣＦ３８の圧縮が積極的に行われ、このＡＣＦ３８の圧縮により導通接続が行われる。
【００７２】
従って、配線テール側接続部３１ｃの端子４５及び基板側接続部３７の端子５３双方でＡＣＦ３８に対する密着度をさらに高め、且つＡＣＦ３８の圧縮が積極的に行われて、端子が高密度になっても、より確実な導通接続を行わせることができる。
【００７３】
なお、本実施例においても、図６〜図８の構造を同様に適用することができる。
【実施例３】
【００７４】
図１０は、実施例３に係り、図４に対応する断面図である。なお、基本的な構成は実施例１と同様であり、同一構成部分には同符号を付して説明し、重複した説明は省略する。
【００７５】
図１０の端子接続構造では、基板側接続部３７のみに同様な構造を適用した。基板側接続部３７の符号は、図９と同一の符号を付し、配線テール側接続部１０１は、図１２の構造をそのまま適用した。
【００７６】
従って、基板側接続部３７の端子５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、・・・及び配線テール側接続部１０１の端子１０５間でＡＣＦ３８に対する密着度を高め、端子が高密度になっても、確実な導通接続を行わせることができる。
【００７７】
なお、本実施例においても、図６〜図８の構造を同様に適用することができる。
［その他］
各実施例の構造は、ヘッド・サスペンションの配線テール側接続部３１ｃとハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）本体側の主フレキシブル配線基板の基板側接続部３７との接続に限らず、他の電子機器においても同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００７８】
１  ハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ「Hard Disk Drive」）
１７  ヘッド・サスペンション
３１  配線付きフレキシャ
３１ｃ、１０１  配線テール側接続部
３７  基板側接続部
３８  異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）
３９、５９  ベース絶縁層
３９ａ、５９ａ  ベース絶縁層部
４１、５５  カバー絶縁層
４２  配線パターン
４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、・・・、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、・・・、１０５  端子
４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・、５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、・・・  支持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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