(57)【要約】【課題】  電子部品を樹脂封止した後の封止樹脂シートの角部の欠けを防止して歩留まり良く電子部品パッケージを製造可能な電子部品パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明は、支持体と、該支持体上に積層された粘着剤層とを有する仮固定材を準備する工程Ａ、前記仮固定材上に一又は複数の電子部品を配置する工程Ｂ、及び前記電子部品を埋め込むように封止樹脂シートを前記仮固定材上に積層する工程Ｃを含み、前記支持体の周縁部の少なくとも一部には、前記支持体の端部に向かってせり上がる隆起部が形成されており、前記工程Ｃを経た前記封止樹脂シートの前記仮固定材側の第１主面の外周に位置する角部に、前記隆起部の形状に倣った形状で前記第１主面の外周の少なくとも一部の範囲にわたって面取り形状が付与されている電子部品パッケージの製造方法である。【選択図】  図１Ｄ
2015126130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、該支持体上に積層された粘着剤層とを有する仮固定材を準備する工程Ａ、
前記仮固定材上に一又は複数の電子部品を配置する工程Ｂ、及び
前記電子部品を埋め込むように封止樹脂シートを前記仮固定材上に積層する工程Ｃを含み、
前記支持体の周縁部の少なくとも一部には、前記支持体の端部に向かってせり上がる隆起部が形成されており、
前記工程Ｃを経た前記封止樹脂シートの前記仮固定材側の第１主面の外周に位置する角部に、前記隆起部の形状に倣った形状で前記第１主面の外周の少なくとも一部の範囲にわたって面取り形状が付与されている電子部品パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記隆起部のせり上がり部分の断面形状が、直線、曲線又はこれらの組み合わせで構成されている請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記隆起部は、前記支持体の周縁部の全範囲にわたって形成されており、
前記工程Ｃを経た前記封止樹脂シートにおいて、前記第１主面の外周の全範囲にわたって前記角部に面取り形状が付与されている請求項１又は２に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記封止樹脂シートの平面視形状は、直径３００ｍｍ以上の円形又は一辺の長さが３００ｍｍ以上の長方形である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記封止樹脂シートの熱硬化前の５５℃での貯蔵弾性率が１０Ｐａ以上２０００００Ｐａ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法に用いられる仮固定材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品のパッケージの作製には、代表的に、基板や仮止め材等の被着体に固定された１又は複数の電子部品を封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止物を電子部品単位のパッケージとなるようにダイシングするという手順が採用されている。このような封止樹脂としてハンドリング性が良好なシート状の封止樹脂が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような封止樹脂シートを用いて封止物を形成した場合、それ以降の工程における衝撃や応力等により封止樹脂シートの角部に欠けが生じて電子部品を十分な範囲で樹脂封止することができなかったり、欠けた小片が工程に混入して不具合が生じたりし、全体として電子部品パッケージの製造の歩留まりが低下するおそれがあることが判明した。
【０００５】
本発明の目的は、電子部品を樹脂封止した後の封止樹脂シートの角部の欠けを防止して歩留まり良く電子部品パッケージを製造可能な電子部品パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明は、支持体と、該支持体上に積層された粘着剤層とを有する仮固定材を準備する工程Ａ、
前記仮固定材上に一又は複数の電子部品を配置する工程Ｂ、及び
前記電子部品を埋め込むように封止樹脂シートを前記仮固定材上に積層する工程Ｃを含み、
前記支持体の周縁部の少なくとも一部には、前記支持体の端部に向かってせり上がる隆起部が形成されており、
前記工程Ｃを経た前記封止樹脂シートの前記仮固定材側の第１主面の外周に位置する角部に、前記隆起部の形状に倣った形状で前記第１主面の外周の少なくとも一部の範囲にわたって面取り形状が付与されている電子部品パッケージの製造方法である。
【０００８】
当該製造方法では、仮固定材の支持体として、周縁部の少なくとも一部にせり上がり部分を有する隆起部が形成された支持体を用いるので、電子部品の封止樹脂シートによる樹脂封止時に、封止樹脂シートの仮固定材側の面取り予定角部に隆起部形状に倣った面取り形状を付与することができる。これにより封止工程を経た封止樹脂シートの面取り予定角部の少なくとも一部には面取りが施されることになる。その結果、封止後の封止樹脂シートの角部の欠けを効率良く防止することができ、歩留まり良く電子部品パッケージを製造することができる。
【０００９】
前記隆起部のせり上がり部分の断面形状が、直線、曲線又はこれらの組み合わせで構成されていることが好ましい。隆起部のせり上がり部分の形状が上記形状であると、隆起部の形成が容易であるとともに、封止樹脂シートの面取り予定角部への面取り形状の付与も効率的に行うことができる。
【００１０】
前記隆起部は、前記支持体の周縁部の全範囲にわたって形成されており、前記工程Ｃを経た前記封止樹脂シートにおいて、前記第１主面の外周の全範囲にわたって前記角部に面取り形状が付与されていることが好ましい。これにより封止後の封止樹脂シートの角部の欠けをより高いレベルで防止することができ、電子部品パッケージのさらなる生産性向上を図ることができる。
【００１１】
前記封止樹脂シートの平面視形状は、直径３００ｍｍ以上の円形又は一辺の長さが３００ｍｍ以上の長方形であってもよい。１回の封止プロセスで得られる電子部品パッケージの収率を高めるには封止すべき電子部品の数を増加させるとともに、封止樹脂シートの平面視形状を大型化（すなわち、大面積化）すればよい。しかしながら、封止樹脂シートの大面積化を行うと、当然封止樹脂シートの角部の存在領域が拡大し、角部の欠けの発生割合も高くなってしまう。当該製造方法では、このような大面積化した封止樹脂シートであっても、所定の仮固定材を用いる樹脂封止時に角部に面取り形状を付与することができるので、角部の欠けを防止することができ、ひいては電子部品パッケージの製造効率を向上させることができる。
【００１２】
前記封止樹脂シートの熱硬化前の５５℃での貯蔵弾性率が１０Ｐａ以上２０００００Ｐａ以下であることが好ましい。熱硬化時の封止樹脂シートの熱的挙動（熱膨張、熱収縮、反り等）を抑制するために、無機充填剤を高い割合で配合するという方策が採られることがある。この場合、熱硬化前の貯蔵弾性率は上記範囲程度となり、ハンドリング性や電子部品の埋まり込み性は良好になるものの、比較的高い貯蔵弾性率に起因して角部の欠けが生じやすくなることがある。当該製造方法では、このような封止樹脂シートであっても角部の面取りにより角部の欠けを防止することができ、所望の電子部品パッケージを効率良く製造することができる。
【００１３】
本発明には、当該電子部品パッケージの製造方法に用いられる仮固定材も含まれる。封止樹脂シートの面取り予定角部に面取り形状を付与可能な仮固定材を用いることにより、角部の面取り工程を別途設ける必要がなく、封止樹脂シートの角部の面取りを効率的に行うことができる。また、角部の欠損を防止することができるので、電子部品パッケージの製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｇ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｈ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｉ】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
【図２】仮固定材の支持体の形状の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】仮固定材の支持体の形状の別の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の電子部品パッケージの製造方法の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。図面を参照しながらの上下等の位置関係を示す用語は、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。
【００１６】
《第１実施形態》
以下、本発明の一実施形態である第１実施形態について説明する。図１Ａ〜図１Ｉはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。本実施形態では、電子部品として半導体チップを用い、被着体として仮固定材を用い、半導体チップを仮固定材に仮固定した状態で樹脂封止を行う。
【００１７】
［工程Ａ：仮固定材準備工程］
仮固定材準備工程では、支持体１ｂ上に粘着剤層１ａが積層された仮固定材１を被着体として準備する（図１Ａ参照）。粘着剤層１ａとしては特に限定されないものの、半導体チップの保持性や封止体の剥離性の観点から、熱膨張性粘着剤層や放射線硬化型粘着剤が好ましく、熱膨張性粘着剤層がより好ましい。
【００１８】
（熱膨張性粘着剤層）
熱膨張性粘着剤層１ａは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分（特にベースポリマー）としては、粘着剤組成物に用いられる公知の樹脂が挙げられ、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、脂肪族オレフィン系樹脂、水添スチレン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂等を挙げることができる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。
【００１９】
また、熱膨張性粘着剤には、粘着力を調整するため、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。
【００２０】
（発泡剤）
熱膨張性粘着剤層１ａにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。
【００２１】
熱膨張性微小球には、例えば、松本油脂製薬株式会社製の商品名「マツモトマイクロスフェアー」のシリーズ（例えば、商品名「マツモトマイクロスフェアーＦ３０」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ３０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＳＤ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＶＳＤ」など）の他、エクスパンセル社製の商品名「０５１ＤＵ」、同「０５３ＤＵ」、同「５５１ＤＵ」、同「５５１−２０ＤＵ」、同「５５１−８０ＤＵ」などの市販品を使用することができる。
【００２２】
なお、発泡剤として熱膨張性微小球を用いた場合、該熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱膨張性粘着剤層の厚みなどに応じて適宜選択することができる。熱膨張性微小球の平均粒子径としては、例えば、１００μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ〜５０μｍ、特に１μｍ〜３０μｍ）の範囲から選択することができる。
【００２３】
発泡剤（熱膨張性微小球など）の配合量は、熱膨張性粘着剤層の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱膨張性粘着剤層を形成するベースポリマー１００重量部に対して、例えば１重量部〜１５０重量部（好ましくは１０重量部〜１３０重量部、さらに好ましくは２５重量部〜１００重量部）である。
【００２４】
本実施形態では、発泡剤の発泡開始温度（熱膨張開始温度）（Ｔ０）は８０℃〜２１０℃が好ましく、９０℃〜２００℃がより好ましい。発泡剤の発泡開始温度が低すぎると、不用意に発泡剤が発泡してしまう場合がある。一方、発泡剤の発泡開始温度が高すぎると、仮固定材の支持体や封止樹脂に過度の耐熱性が必要となり、取り扱い性、生産性やコスト面で好ましくない。発泡剤の発泡開始温度（Ｔ０）は、熱膨張性粘着剤層の発泡開始温度（Ｔ０）に相当する。
【００２５】
熱膨張性粘着剤層の厚さは、特に制限されず、接着力の低減性などにより適宜に選択することができ、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ）程度である。
【００２６】
なお、熱膨張性粘着剤層は単層、複層の何れであってもよい。
【００２７】
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層には、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
【００２８】
（支持体）
支持体１ｂは、仮固定材１の強度母体となる薄板状部材である。支持体１ｂの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料、ガラス等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、ＳＵＳプレートが好ましい。
【００２９】
支持体１ｂの一方の主面の周縁部には、支持体１ｂの端部に向かうにつれて該主面からせり上がる隆起部Ｅ１が形成されている。支持体１ｂが所定の隆起部Ｅ１を備えることにより、半導体チップ１３の封止樹脂シート１１による樹脂封止時（図１Ｃ及び図１Ｄ参照）に、封止樹脂シート１１の仮固定材１側の面取り予定角部Ｃ１１（図１Ｃ参照）に隆起部形状に倣った面取り形状Ｃ１２（図１Ｆ参照）を付与することができる。これにより封止工程を経た封止樹脂シートの面取り予定角部の少なくとも一部には面取りが施されることになる。その結果、封止後の封止樹脂シートの角部の欠けを効率良く防止することができ、歩留まり良く電子部品パッケージを製造することができる。
【００３０】
隆起部Ｅ１のせり上がり部分の断面形状は、目的とする面取り形状に応じて変更すればよく、特に限定されない。図１Ａに示す隆起部Ｅ１のせり上がり部分の断面形状は、直線で構成されているものの、曲線や直線と曲線との組み合わせで構成されていてもよい。隆起部Ｅ１のせり上がり部分の形状が上記形状であると、隆起部Ｅ１の形成が容易であるとともに、封止樹脂シート１１の面取り予定角部Ｃ１１への面取り形状の付与も効率的に行うことができる。
【００３１】
支持体１ｂの隆起部Ｅ１は、支持体１ｂの平面視での周縁部の全範囲（全周囲）にわたって形成されていることが好ましい。これにより、後述の封止工程Ｃを経た封止樹脂シートの仮固定材１側の第１主面の外周の全範囲にわたって面取り予定角部に面取り形状Ｃ１２を付与することができる。その結果、封止後の封止樹脂シートの角部の欠けをより高いレベルで防止することができ、電子部品パッケージのさらなる生産性向上を図ることができる。
【００３２】
隆起部Ｅ１の高さは、目的とする面取り形状に応じて変更すればよく、特に限定されない。封止樹脂シートの角部の欠けの防止と強度維持との観点から、封止樹脂シートの厚さの１０％以上９０％以下の範囲の高さが好ましく、２０％以上８０％以下の範囲の高さがより好ましい。
【００３３】
支持体１ｂの厚さは目的とする強度や取り扱い性を考慮して適宜選択することができ、好ましくは１００〜５０００μｍであり、より好ましくは３００〜２０００μｍである。
【００３４】
支持体１ｂへの隆起部Ｅ１の形成は、切削や研磨、金型成形等の公知の機械加工により行うことができる。
【００３５】
（中間層）
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層１ａと支持体１ｂとの間に、密着力の向上や加熱後の剥離性の向上等を目的とした中間層が設けられていてもよい（図示せず）。中でも、中間層としてゴム状有機弾性中間層が設けられていることが好ましい。ゴム状有機弾性中間層は、例えば、ＡＳＴＭ  Ｄ−２２４０に基づくＤ型シュアーＤ型硬度が、５０以下、特に４０以下の天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂により形成することが好ましい。中間層の厚さは、例えば、５μｍ〜３００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ程度である。
【００３６】
（仮固定材の形成方法）
仮固定材１は、隆起部Ｅ１を備える支持体１ｂ上に熱膨張性粘着剤層１ａを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、発泡剤（熱膨張性微小球など）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤（熱膨張性微小球など）、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持体１ｂ上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持体１ｂ上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。支持体の隆起部における粘着剤溶液の液だれを防止する点では、予め形成した熱膨張性粘着剤層を支持体に転写する手順が好ましい。
【００３７】
［工程Ｂ：半導体チップ配置工程］
半導体チップ配置工程では、仮固定材１上に複数の半導体チップ１３をその活性面（回路形成面）Ａ１が仮固定材１に対向するように配置する（図１Ｂ参照）。半導体チップ１３の配置には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
【００３８】
半導体チップ１３の配置のレイアウトや配置数は、仮固定材１の形状やサイズ、目的とするパッケージの生産数などに応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて配置することができる。
【００３９】
［工程Ｃ：封止工程］
封止工程では、半導体チップ１３を封止樹脂シート１１に埋め込むように仮固定材１上封止樹脂シート１１を積層し、半導体チップ１３を上記封止樹脂シートで樹脂封止する（図１Ｃ及び図１Ｄ参照）。この封止樹脂シート１１は、半導体チップ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。
【００４０】
まず、封止樹脂シート１１を準備する。封止樹脂シート１１（図１Ｃ参照）は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの剥離ライナー１１ａ上に積層された状態で準備してもよい。この場合、剥離ライナー１１ａには封止樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。封止シート１１を形成するための樹脂組成物及び製造方法の詳細については後述する。
【００４１】
封止樹脂シート１１の平面視形状は特に限定されず、直径３００ｍｍ以上の円形又は一辺の長さが３００ｍｍ以上の長方形であってもよい。このように封止樹脂シート１１を大面積化することにより、１回の封止プロセスでの封止すべき電子部品の数を増加させることができ、得られる電子部品パッケージの収率を高めることができる。また、封止樹脂シートの大面積化を行うと角部の欠けの発生割合も高くなってしまうものの、封止時に角部に対して面取り形状を付与することができるので、角部の欠けを防止することができ、ひいては電子部品パッケージの製造効率を向上させることができる。
【００４２】
封止樹脂シート１１の熱硬化前の５５℃での貯蔵弾性率が１０Ｐａ以上２０００００Ｐａ以下であることが好ましく、１００Ｐａ以上１５００００Ｐａ以下であることがより好ましい。熱硬化前の貯蔵弾性率を上記範囲程度とすることにより、封止樹脂シートのハンドリング性や電子部品の埋まり込み性は良好になる。また、比較的高い貯蔵弾性率に起因して角部の欠けが生じやすくなることがあるものの、封止樹脂シートの角部の面取りにより角部の欠けを防止することができ、所望の電子部品パッケージを効率良く製造することができる。
【００４３】
封止樹脂シートを準備した後、図１Ｃに示すように、下側加熱板１０１上に半導体チップ１３を搭載した仮固定材１を半導体チップ１３が固定された面を上にして配置するとともに、仮固定材１の半導体チップ１３が固定された面上に封止樹脂シート１１を配置する。この工程においては、下側加熱板１０１上にまず仮固定材１を配置し、その後、仮固定材１上に封止樹脂シート１１を配置してもよく、仮固定材１上に封止樹脂シート１１を先に積層し、その後、仮固定材１と封止樹脂シート１１とが積層された積層物を下側加熱板１０１上に配置してもよい。これとは反対に、まず封止樹脂シート１１を下側加熱板１０１上に配置し、その上に、半導体チップ１３を固定した仮固定材１を半導体チップ１３が固定された面を下にして配置してもよい。
【００４４】
次に、図１Ｄに示すように、下側加熱板１０１と上側加熱板１０２とにより熱プレスして、半導体チップ１３を封止樹脂シート１１に埋め込みながら、封止樹脂シート１１を仮固定材１上に積層する。これにより、仮固定材１上に配置されている半導体チップ１３が封止樹脂シート１１に埋め込まれた封止体１５（図１Ｅ参照）が得られる。熱プレス後の封止樹脂シート１１の厚さが所定値となるように、下側加熱板１０１と上側加熱板１０２との間にスペーサー１０３を介在させてもよい。
【００４５】
支持体１ｂには所定の隆起部Ｅ１が形成されているので、半導体チップ１３の封止樹脂シート１１による樹脂封止時（図１Ｄ参照）に、封止樹脂シート１１の仮固定材１側の面取り予定角部Ｃ１１（図１Ｃ参照）には隆起部形状に倣った面取り形状Ｃ１２（図１Ｆ参照）を付与することができる。これにより封止工程を経た封止樹脂シートの面取り予定角部の少なくとも一部には面取りが施されることになる。その結果、封止後の封止樹脂シートの角部の欠けを効率良く防止することができ、歩留まり良く電子部品パッケージを製造することができる。
【００４６】
本実施形態の面取り形状Ｃ１２は、図１Ａに示す仮固定材１の支持体１ｂに形成された隆起部Ｅ１のせり上がり部分の形状に対応する形状となる。
【００４７】
図１Ｄでは、封止樹脂シート１１の仮固定材１側の第１主面Ｓ１１（図１Ｅ参照）の外周の全範囲にわたって面取り予定角部Ｃ１１に面取り形状Ｃ１２を付与している。このように、工程Ｃにおいて、第１主面Ｓ１１の全外周にわたって面取り予定角部Ｃ１１に面取り形状を付与することにより、封止後の封止樹脂シート１１の角部の欠けをより高いレベルで防止することができ、電子部品パッケージのさらなる生産性向上を図ることができる。
【００４８】
熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１３０℃、好ましくは、６０〜１２０℃であり、圧力が、例えば、５０〜２５００ｋＰａ、好ましくは、１００〜２０００ｋＰａであり、時間が、例えば、０．３〜１０分間、好ましくは、０．５〜５分間である。また、封止樹脂シート１１の半導体チップ１３及び仮固定材１への密着性および追従性の向上を考慮すると、好ましくは、減圧条件下（例えば１０〜２０００Ｐａ）において、プレスすることが好ましい。本実施形態では、上記封止樹脂シート１１を採用することにより、半導体チップ１３の被覆に仮固定材１上に熱プレスにて貼り付けるだけで半導体チップ１３を埋め込むことができ、半導体パッケージの生産効率を向上させることができる。
【００４９】
熱プレス後、封止樹脂シートと半導体ウェハとの積層体を熱プレス装置より取り出して熱硬化工程に供する。
【００５０】
（工程Ｄ：熱硬化工程）
熱硬化工程では、封止樹脂シート１１を熱硬化処理して半導体チップ１３が封止樹脂シート１１に埋め込まれた封止体１５を形成する（図１Ｅ参照）。封止樹脂シートの熱硬化処理の条件は、加熱温度として好ましくは１００℃から２００℃、より好ましくは１２０℃から１８０℃、加熱時間として好ましくは１０分から１８０分、より好ましくは３０分から１２０分の間、必要に応じて加圧しても良い。加圧の際は、好ましくは０．１ＭＰａから１０ＭＰａ、より好ましくは０．５ＭＰａから５ＭＰａを採用することができる。
【００５１】
［工程Ｅ：熱膨張性粘着剤層剥離工程］
熱膨張性粘着剤層剥離工程では、仮固定材１を加熱して熱膨張性粘着剤層１ａを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層１ａと封止体１５との間で剥離を行う（図１Ｆ参照）。あるいは、支持体１ｂと熱膨張性粘着剤層１ａとの界面で剥離を行い、その後、熱膨張性粘着剤層１ａと封止体１５との界面で熱膨張による剥離を行うという手順も好適に採用することができる。いずれも場合であっても、熱膨張性粘着剤層１ａ加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層１ａと封止体１５との界面での剥離を容易に行うことができる。熱膨張の条件としては、上述の熱膨張性粘着剤層における発泡剤の発泡開始温度の条件を好適に採用することができる。
【００５２】
再配線形成工程に先だち、本工程では、半導体チップ１３が露出した状態で、プラズマ処理などにより封止体１５の表面をクリーニングしてもよい。
【００５３】
［工程Ｆ：再配線形成工程）
本実施形態ではさらに、封止体１５の半導体チップ１３の活性面Ａ１側の面に再配線１９を形成する再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記熱膨張性粘着剤層１ａの剥離後、上記露出した半導体チップ１３と接続する再配線１９を封止体１５上に形成する（図１Ｇ参照）。
【００５４】
再配線の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ１３上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線１９を形成することができる。
【００５５】
かかる後に、再配線１９及び封止体１５上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。
【００５６】
［工程Ｇ：バンプ形成工程）
次いで、形成した再配線１９上にバンプ１７を形成するバンピング加工を行ってもよい（図１Ｈ参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプの材質は特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。
【００５７】
（工程Ｈ：ダイシング工程）
続いて、封止樹脂シート１１、半導体チップ１３及び再配線１９などの要素からなるバンプ形成を経た封止体１５のダイシングを行ってもよい（図１Ｉ参照）。これにより、目的とする半導体チップ１３単位での半導体パッケージ１８を得ることができる。なお、ダイシング工程後の半導体パッケージ１８は、それぞれ同じ構造及び機能を有していることが好ましいので、ダイシング後に面取り部Ｃ１２が存在しないように面取り部Ｃ１２に対してもダイシングを行うことが好ましい。図１Ｉでは、１つの半導体チップに対応させてダイシングしているが、２つ以上の半導体チップを一単位としてダイシングを行ってもよい。ダイシングは、通常、従来公知のダイシングシートにより上記封止体１５を固定した上で行う。切断箇所の位置合わせは直接照明又は間接照明を用いた画像認識により行ってもよい。
【００５８】
本工程では、例えば、ダイシングシートまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
【００５９】
なお、ダイシング工程に続いて研削体のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングシートを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングシートを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、隣り合う半導体パッケージ１８同士が接触して破損するのを防ぐことができる。
【００６０】
（工程Ｉ：基板実装工程）
必要に応じて、上記で得られた半導体パッケージ１８を別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。半導体パッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
【００６１】
［封止樹脂シート］
以下、封止樹脂シートを形成する樹脂組成物の好適な態様について説明する。樹脂組成物としては、封止樹脂シート硬化後の耐熱性や安定性を向上させる観点から、熱硬化性樹脂をさらに含むことが好ましい。具体的な成分として以下のＡ成分からＥ成分を含有するエポキシ樹脂組成物が好ましいものとして挙げられる。
Ａ成分：エポキシ樹脂
Ｂ成分：フェノール樹脂
Ｃ成分：エラストマー
Ｄ成分：無機充填剤
Ｅ成分：硬化促進剤
【００６２】
（Ａ成分）
熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
【００６３】
エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、中でも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
【００６４】
また、低応力性の観点から、アセタール基やポリオキシアルキレン基等の柔軟性骨格を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく、アセタール基を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、液体状で取り扱いが良好であることから、特に好適に用いることができる。
【００６５】
エポキシ樹脂（Ａ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体に対して１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましい。
【００６６】
（Ｂ成分）
フェノール樹脂（Ｂ成分）は、熱硬化性樹脂として用いることができるとともに、エポキシ樹脂（Ａ成分）との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂、等が用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６７】
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂（Ａ成分）との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、中でも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。
【００６８】
エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂（Ｂ成分）中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００６９】
（Ｃ成分）
エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられるエラストマー（Ｃ成分）は特に限定するものではなく、例えば、各種アクリル系共重合体やゴム成分等を用いることができる。エポキシ樹脂（Ａ成分）への分散性や、得られる封止樹脂シートの耐熱性、可撓性、強度を向上させることができるという観点から、ゴム成分を含むことが好ましい。このようなゴム成分としては、ブタジエン系ゴム、スチレン系ゴム、アクリル系ゴム、シリコーン系ゴムからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて用いてもよい。
【００７０】
エラストマー（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の１．０〜３．５重量％であることが好ましく、１．０〜３．０重量％であることがより好ましい。エラストマー（Ｃ成分）の含有量が１．０重量％未満では、封止樹脂シート１１の柔軟性及び可撓性を得るのが困難となり、さらには封止樹脂シートの反りを抑えた樹脂封止も困難となる。逆に上記含有量が３．５重量％を超えると、封止樹脂シート１１の溶融粘度が高くなって電子部品の埋まり込み性が低下するとともに、封止樹脂シート１１の硬化体の強度及び耐熱性が低下する傾向がみられる。
【００７１】
（Ｄ成分）
無機質充填剤（Ｄ成分）は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカ等）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００７２】
中でも、エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱線膨張係数が低減することにより内部応力を低減し、その結果、電子部品の封止後の封止樹脂シート１１の反りを抑制できるという点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることがより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が５５μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜２０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。
【００７３】
なお、平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００７４】
無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、好ましくはエポキシ樹脂組成物全体の７０〜９０体積％（シリカ粒子の場合、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、８１〜９４重量％）であり、より好ましくは７４〜８５体積％（シリカ粒子の場合、８４〜９１重量％）であり、さらに好ましくは７６〜８３体積％（シリカ粒子の場合、８５〜９０重量％）である。無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量が７０体積％未満では、エポキシ樹脂組成物の硬化体の線膨張係数が大きくなるために、封止樹脂シート１１の反りが大きくなる傾向がみられる。一方、上記含有量が９０体積％を超えると、封止樹脂シート１１の柔軟性や流動性が悪くなるために、電子部品との接着性が低下する傾向がみられる。
【００７５】
（Ｅ成分）
硬化促進剤（Ｅ成分）は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されるものではないが、硬化性と保存性の観点から、トリフェニルホスフィンやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物や、イミダゾール系化合物が好適に用いられる。これら硬化促進剤は、単独で用いても良いし、他の硬化促進剤と併用しても構わない。
【００７６】
硬化促進剤（Ｅ成分）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部であることが好ましい。
【００７７】
（その他の成分）
エポキシ樹脂組成物には、Ａ成分からＥ成分に加えて、難燃剤成分を加えてもよい。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物等の各種金属水酸化物を用いることができる。また、難燃剤成分としては上記金属水酸化物のほか、ホスファゼン化合物を用いることができる。ホスファゼン化合物としては、例えばＳＰＲ−１００、ＳＡ−１００、ＳＰ−１００（以上、大塚化学株式会社）、ＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。環状ホスファゼンオリゴマーは、例えばＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。少量でも難燃効果を発揮するという観点から、ホスファゼン化合物に含まれるリン元素の含有率は、１２重量％以上であることが好ましい。
【００７８】
なお、エポキシ樹脂組成物は、上記の各成分以外に必要に応じて、カーボンブラックをはじめとする顔料等、他の添加剤を適宜配合することができる。
【００７９】
（封止樹脂シートの作製方法）
封止樹脂シートの作製方法を以下に説明する。本実施形態の封止樹脂シートの製造方法は、混練物を調製する混練工程、及び前記混練物をシート状に成形して封止樹脂シートを得る成形工程を含む。
【００８０】
（混練工程）
まず、上述の各成分を混合することによりエポキシ樹脂組成物を調製する。混合方法は、各成分が均一に分散混合される方法であれば特に限定するものではない。その後、各配合成分を直接ニーダー等で混練することにより混練物を調製する。
【００８１】
具体的には、上記Ａ〜Ｅ成分及び必要に応じて他の添加剤の各成分をミキサーなど公知の方法を用いて混合し、その後、溶融混練することにより混練物を調製する。溶融混練する方法としては、特に限定されないが、例えば、ミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機により、溶融混練する方法などが挙げられる。このようなニーダーとしては、例えば、軸方向の一部においてスクリュー羽のスクリュー軸からの突出量が他の部分のスクリュー羽のスクリュー軸からの突出量よりも小さい部分を有する混練用スクリュー、又は軸方向の一部においてスクリュー羽がない混練用スクリューを備えたニーダーを好適に用いることができる。スクリュー羽の突出量が小さい部分又はスクリュー羽がない部分では低せん断力かつ低攪拌となり、これにより混練物の圧縮率が高まって噛みこんだエアを排除可能となり、得られる混練物における気孔の発生を抑制することができる。
【００８２】
混練条件としては、温度が、上記した各成分の軟化点以上であれば特に制限されず、例えば３０〜１５０℃、エポキン樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃であり、時間が、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。これによって、混練物を調製することができる。
【００８３】
（成形工程）
得られる混練物をシート状に押出成形により成形することにより、封止樹脂シート１１を得ることができる。具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、封止樹脂シート１１を形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上記した各成分の軟化点以上であれば、特に制限されないが、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは、５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、封止樹脂シート１１を形成することができる。
【００８４】
封止樹脂シート１１の厚さは特に限定されないが、１００〜２０００μｍであることが好ましい。上記範囲内であると、良好に電子部品を封止することができる。また、樹脂シートを薄型にすることで、発熱量を低減でき、硬化収縮が起こりにくくなる。この結果、パッケージ反り量を低減でき、より信頼性の高い電子部品パッケージが得られる。
【００８５】
このようにして得られた封止樹脂シートは、必要により所望の厚みとなるように積層して使用してもよい。すなわち、封止樹脂シートは、単層構造にて使用してもよいし、２層以上の多層構造に積層してなる積層体として使用してもよい。
【００８６】
《他の実施形態》
仮固定材の支持体に形成された隆起部のせり上がり部分の断面形状としては、第１実施形態で示した１本の直線で構成された形状に限定されない。例えば、図２に示す隆起部Ｅ２のように、直線を外に凸の曲線に代えて、いわゆるＲ面取りが角部に施されるような形状であってもよく、図３に示すように、仮固定材の一方の面から２本の直線が段階的に傾斜角度を増加させるようにせり上がる形状であってもよい。
【００８７】
第１実施形態では、電子部品として半導体チップを用いているが、これ以外の要素を用いてもよい。電子部品として例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ（表面弾性波））フィルタセンサー、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）等の中空構造を有する電子デバイス（中空型電子デバイス）；ＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体；コンデンサ；抵抗；発光素子等を用いることができる。
【００８８】
熱硬化工程後、封止樹脂シート１１の仮固定材側の第１主面Ｓ１１とは反対側の第２主面Ｓ１２（図１Ｅ参照）を研削する研削工程を設けてもよい。封止樹脂シート１１の研削は、半導体チップ１３の活性面Ａ１とは反対側の表面が露出するように研削してもよい。研削工程は熱硬化工程後であればいずれの段階でもよいが、封止体固定用の粘着シートを必要とせず、また、研削屑の影響を抑制するために、熱膨張性粘着剤層剥離工程前に行うことが好ましい。研削は、公知の研削装置を用いて行うことができる。
【００８９】
第１実施形態では、押出成形により封止樹脂シートを作製しているが、これに限定されず、封止樹脂シートの各成分を配合した塗工液を調製し、これを塗布及び乾燥させる湿式塗工法により作製してもよい。
【実施例】
【００９０】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
【００９１】
［実施例１］
（封止樹脂シート１の作製）
以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ５００μｍの封止樹脂シート１を作製した。
【００９２】
エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃））                ２８６部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
３０３部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ）                                                                ６部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ）                                                          ３６９５部
シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）                                                        ５部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０）                          ５部
【００９３】
（封止樹脂シートの貯蔵弾性率の測定）
作製した熱硬化前の熱硬化性樹脂シート１（サンプル）について、サンプルを重ねて厚さ約１．５ｍｍとし、ＴＡインスツルメント社製の動的粘弾性測定装置「ＡＲＥＳ」を用いて、φ８ｍｍパラレルプレートの治具を用い、剪断モードにて、周波数：０．１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、歪み：２０％（５０℃〜１５０℃）にて測定し、５５℃で得られた剪断貯蔵弾性率Ｇ´の値を求めた。結果を表１に示す。
【００９４】
（仮固定材の準備）
支持体として、厚さ１４００μｍ、直径３００ｍｍであり、一方の主面の周縁部の全周囲に図１Ａに示す形状の隆起部が形成されたＳＵＳ板を用意した。隆起部のせり上がり部分の断面形状としては、ＳＵＳ板の主面に対するせり上がり角度が４０°の直線で構成されていた。隆起部の主面からの高さは７００μｍであった。このＳＵＳ板上に熱発泡粘着フィルム（日東電工社製、製品名：リバアルファ（品番：Ｎｏ．３１９５Ｖ）、厚さ：１５８μｍ）を貼り合わせることにより仮固定材を作製した。
【００９５】
（半導体パッケージの作製）
作製した仮固定材上に下記の仕様の半導体チップを９７３個配置した。
【００９６】
＜半導体チップ＞
半導体チップサイズ：７．３ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
バンプ材質：Ｃｕ  ３０μｍ、Ｓｎ−Ａｇ  １５μｍ厚み
バンプ数：５４４バンプ
バンプピッチ：５０μｍ
【００９７】
半導体チップを配置した仮固定材上に、以下に示す加熱加圧条件下にて直径３００ｍｍとした封止樹脂シートを図１Ｃに示す熱プレス装置を用いて真空プレスにより貼り付けた。その後１５０℃で１時間加熱することにより封止樹脂シート１を硬化させて封止体を作製した。
【００９８】
＜貼り付け条件＞
温度：９０℃
加圧力：４ＭＰａ
真空度：１．６ｋＰａ
プレス時間：５分
プレス後のシート厚：４００μｍ
【００９９】
得られた封止体においては、図１Ｆに示すように、封止樹脂シート１の仮固定材側の面の全外周の範囲にわたる角部に対し、仮固定材のＳＵＳ板の隆起部の形状に倣った面取り形状が付与されていた。
【０１００】
次に、切削装置（（株）ＤＩＳＣＯ製、サーフェスプレーナー「ＤＦＳ８９１０」）を用いた研削により、研削バイトの周速度１０００ｍ／ｍｉｎ、送りピッチ１００μｍ、切り込み深さ１０μｍの条件で、封止体の仮固定材側とは反対側から半導体チップの厚さが１００μｍとなるまで封止体を半導体チップ共々薄化することで、研削体を作製した。
【０１０１】
次いで、研削体と仮固定材との積層体を１８０℃で５分間加熱し、熱発泡粘着フィルムを発泡させて仮固定材から研削体を剥離した。
【０１０２】
次いで、研削体の半導体チップが露出した面にポリアミック酸（３，４’，３，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、パラフェニレンジアミンを反応して得たもの）を塗布し、熱硬化させて、厚さ１０μｍのポリイミド層を形成した。スルーシリコンビアに対応する位置に、レーザー加工によって開口を形成し、該ビアを露出させた。開口を含むポリイミド層表面に、めっきによって金膜、ニッケル膜を順次形成した。さらに、クロム、銅の順にスパッタリングを施して、種膜（クロム層の厚さ２０ｎｍ、銅層の厚さ１００ｎｍ）を形成し、電解銅めっきにより所定の配線パターンを有する再配線層を形成することにより半導体パッケージを作製した。
【０１０３】
［実施例２］
封止樹脂シート１に代えて、以下の手順で作製した封止樹脂シート２を用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。
【０１０４】
（封止樹脂シート２の作製）
封止樹脂シート２の作製に用いた成分は以下のとおりであった。
【０１０５】
エポキシ樹脂：東都化成（株）製のＫＩ−３０００（オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ）                      １４６．９部
エポキシ樹脂：三菱化学（株）製のエピコート８２８（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ）                              １４５．３部
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノールノボラック樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
２９１．０部
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）                                            ４．５部
無機充填剤：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４（球状溶融シリカ粉末、平均粒子径２０μｍ）                                                    ２７０６．２部
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０                          ９．６部
【０１０６】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂とメチルエチルケトンと無機充填剤とを添加し、固形分濃度が９５重量％となるようにし、自転公転ミキサー（株式会社シンキー製）を用いて、８００ｒｐｍ回転にて、５分間撹拌混合させた。その後、さらに硬化促進剤とカーボンブラックを添加し、固形分濃度が９０重量％となるようにメチルエチルケトンを添加し、さらに８００ｒｐｍにて３分間撹拌混合させて、塗工液を得た。
【０１０７】
その後、塗工液を、シリコーン離形処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み５０μｍ）へ塗布し、１２０℃で３分間加熱乾燥させることにより、厚み１００μｍの樹脂シートを作成した。さらに樹脂シートをロールラミネーターにて、９０℃で貼り合わせをすることによって、厚さが５００μｍの封止樹脂シート２を得た。
【０１０８】
［比較例１］
仮固定材の支持体として、隆起部を形成していないＳＵＳ板を用いたこと以外は、実施例１と同様に半導体パッケージを作製した。
【０１０９】
（封止樹脂シートの角部の欠けの有無の評価）
実施例及び比較例の半導体パッケージをそれぞれ３０個用い、光学顕微鏡（５０倍）を用いて半導体パッケージの再配線形成面における封止樹脂シートの角部を観察し、欠けがなかった場合を「○」、欠けが１つでもあった場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【０１１０】
【表１】
2015126130.tif 000003
【０１１１】
表１からも明らかなように、実施例１及び２の半導体パッケージでは、封止樹脂シートの角部の欠けがなく、半導体パッケージの作製を歩留りよく行うことができるのに対し、比較例１の半導体パッケージでは、封止樹脂シートの角部に欠けが発生しており、半導体パッケージの作製の歩留りが低下する結果となった。
【符号の説明】
【０１１２】
１、２、３    仮固定材
１ａ    粘着剤層
１ｂ    支持体
１１    封止樹脂シート
１１ａ    剥離ライナー
１３    半導体チップ
１５    封止体
１８    半導体パッケージ
１９    再配線
１０１    下側加熱板
１０２    上側加熱板
Ｃ１１    （封止体における封止樹脂シートの）面取り予定角部
Ｃ１２    （封止体における封止樹脂シートの）面取り形状
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３    （支持体に形成された）隆起部
【図１Ａ】
2015126130.tif 000004
【図１Ｂ】
2015126130.tif 000005
【図１Ｃ】
2015126130.tif 000006
【図１Ｄ】
2015126130.tif 000007
【図１Ｅ】
2015126130.tif 000008
【図１Ｆ】
2015126130.tif 000009
【図１Ｇ】
2015126130.tif 000010
【図１Ｈ】
2015126130.tif 000011
【図１Ｉ】
2015126130.tif 000012
【図２】
2015126130.tif 000013
【図３】
2015126130.tif 000014