(57)【要約】【課題】簡易な方法で、高い反射率を有するとともに、発光素子からの発熱及び発光によって劣化することがないリフレクタ部を有する小型の光半導体装置及びリードフレームを提供する。【解決方法】第１の金属部材からなるリフレクタ部と、第２の金属部材からなる端子部と、リフレクタ部と端子部とを上下方向に結合するとともに、リフレクタ部と端子部とを電気的に絶縁する絶縁部材からなる絶縁層とを具え、リフレクタ部には、リフレクタ部の側面及び端子部によって画定される凹部が形成されており、側面はリフレクタ部の上部から下部に向けて凹部の内側に向けて傾斜することにより、凹部はリフレクタ部の上部から下部に向けて狭窄され、端子部は、凹部内に露出して凹部の底面を構成する第１の端子部及び第２の端子部を有し、リフレクタ部の下部と絶縁層とが平面視で同じ位置、同じ形状で開口するように、光半導体装置及びリードフレームを構成する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
第１の金属部材からなるリフレクタ部と、
第２の金属部材からなる端子部と、
前記リフレクタ部と前記端子部とを上下方向に結合するとともに、前記リフレクタ部と前記端子部とを電気的に絶縁する絶縁層とを具え、
前記リフレクタ部には、当該リフレクタ部の側面及び前記端子部によって画定される凹部が形成されており、前記側面は前記リフレクタ部の上部から下部に向けて前記凹部の内側に向けて傾斜することにより、前記凹部は前記リフレクタ部の前記上部から前記下部に向けて狭窄され、
前記端子部は、前記凹部内に露出する第１の端子部及び第２の端子部を有し、
前記リフレクタ部の前記下部と前記絶縁層とが、前記凹部により同じ形状で開口しており、
前記発光素子は、前記端子部に搭載され、電気的に接続されるとともに、前記凹部内に充填された樹脂部材によって封止されていることを特徴とする、光半導体装置。
【請求項２】
前記リフレクタ部の前記側面及び前記端子部には、金属めっき層が形成されており、
前記金属めっき層の厚さが前記絶縁層の厚さよりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記リフレクタ部は、隣接する光半導体装置用リードフレームにおいて共用され、前記光半導体装置用リードフレームは、多面製造型の光半導体装置用リードフレームを構成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
第１の金属部材からなるリフレクタ部と、
第２の金属部材からなる端子部と、
前記リフレクタ部と前記端子部とを上下方向に結合するとともに、前記リフレクタ部と前記端子部とを電気的に絶縁する絶縁層とを具え、
前記リフレクタ部には、当該リフレクタ部の側面及び前記端子部によって画定される凹部が形成されており、前記側面は前記リフレクタ部の上部から下部に向けて前記凹部の内側に向けて傾斜することにより、前記凹部は前記リフレクタ部の前記上部から前記下部に向けて狭窄され、
前記端子部は、前記凹部内に露出する第１の端子部及び第２の端子部を有し、
前記リフレクタ部の前記下部と前記絶縁層とが、前記凹部により同じ形状で開口していることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
【請求項５】
前記リフレクタ部の前記側面及び前記端子部には、金属めっき層が形成されており、
前記金属めっき層の厚さが前記絶縁層の厚さよりも小さいことを特徴とする、請求項４に記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項６】
前記リフレクタ部は、隣接する光半導体装置用リードフレームにおいて共用され、前記光半導体装置用リードフレームは、多面製造型の光半導体装置用リードフレームを構成することを特徴とする、請求項４又は５に記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項７】
絶縁部材からなる絶縁層を介して、当該絶縁層の表面に形成された第１の金属部材からなる第１の金属層、及び前記絶縁層の裏面に形成された第２の金属部材からなる第２の金属層を有する積層体を準備する第１の工程と、
前記積層体の表面及び裏面にマスクを配設して前記第１の金属層及び前記第２の金属層にエッチング処理を施し、前記第１の金属層において凹部を形成し、当該凹部を画定する側面を有するとともに、当該側面を前記第１の金属層の上部から下部に向けて前記凹部の内側に傾斜させることにより、前記凹部を前記上部から前記下部に向けて狭窄するように形成してなるリフレクタ部を形成し、前記第２の金属層において、第１の端子部及び第２の端子部を有する端子部を形成する第２の工程と、
前記第１の金属層をマスクとして前記絶縁層に対してエッチング処理を施し、前記第１の端子部及び前記第２の端子部を前記凹部内に露出させる第３の工程と、
前記端子部に発光素子を搭載し、電気的に接続する第４の工程と、
前記凹部内に樹脂部材を充填し、前記発光素子を封止する第５の工程と、
を具えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第３の工程の後であって前記第４の工程の前に、前記リフレクタ部の前記側面及び前記端子部に金属めっき層を形成する第６の工程を具えることを特徴とする、請求項７に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記光半導体装置は多面製造型の光半導体装置であって、前記第５の工程の後に、前記多面製造型の光半導体装置を個片化する第７の工程を具えることを特徴とする、請求項７又は８に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
絶縁部材からなる絶縁層を介して、当該絶縁層の表面に形成された第１の金属部材からなる第１の金属層、及び前記絶縁層の裏面に形成された第２の金属部材からなる第２の金属層を有する積層体を準備する第１の工程と、
前記積層体の表面及び裏面にマスクを配設して前記第１の金属層及び前記第２の金属層にエッチング処理を施し、前記第１の金属層において凹部を形成し、当該凹部を画定する側面を有するとともに、当該側面を前記第１の金属層の上部から下部に向けて前記凹部の内側に傾斜させることにより、前記凹部を前記上部から前記下部に向けて狭窄するように形成してなるリフレクタ部を形成し、前記第２の金属層において、第１の端子部及び第２の端子部を有する端子部を形成する第２の工程と、
前記第１の金属層をマスクとして前記絶縁層に対してエッチング処理を施し、前記第１の端子部及び前記第２の端子部を前記凹部内に露出させる第３の工程と、
を具えることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１１】
前記第３の工程の後に、前記リフレクタ部の前記側面及び前記端子部に、金属めっき層を形成する第４の工程を具えることを特徴とする、請求項１０に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１２】
前記光半導体装置用リードフレームは多面製造型の光半導体装置用リードフレームであって、前記第３の工程の後に、前記多面製造型の光半導体装置を個片化する第５の工程を具えることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、照明器具、ディスプレイ、携帯電話のバックライト、動画照明補助光源、その他の一般的民生用光源などに用いられる光半導体装置及びそれに適したリードフレーム並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を用いた表面実装型発光装置は、小型で電力効率が良く鮮やかな色の発光をする。また、この発光素子は半導体素子であるため球切れなどの心配がない。さらに初期駆動特性が優れ、振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）などの発光素子を用いる光半導体装置は、各種の光源として利用されている。
【０００３】
従来の光半導体装置及びこれに用いるリードフレームは、メタルサブストレート上に射出成型にて熱硬化性樹脂を成形し、当該成形樹脂を発光素子からのリフレクタ部（光反射板）として用いる構造が主流となっている（特許文献１等参照）。
【０００４】
しかしながら、上述のような構成においては、発光素子からの発熱及び発光によってリフレクタ部を構成する樹脂が劣化し、その結果、リフレクタ部から発光された全光束も低下することが問題となっている。また、反射率の低い樹脂からリフレクタ部を構成していることから、上記リフレクタ部における反射率が本来的に低く、光半導体装置から取り出すことができる全光束が本来的に低いという問題もある。
【０００５】
一方、光半導体装置及びこれに用いるリードフレームのリフレクタ部を金属部材から構成する技術が開示されている（特許文献２）。当該技術によれば、上述した問題を回避することができるものの、端子部をリフレクタ部と同一平面内に配設し、当該平面で絶縁層によって分離することにより２つの端子部（第１の端子部及び第２の端子部）を形成するようにしている。
【０００６】
したがって、リフレクタ部の平面形状が必然的に大型化してしまうため、凹部自体の大きさも大きくなってリフレクタ部も大型化してしまうという問題があった。このため、光半導体装置及びこれに用いるリードフレームも大型化してしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１５６７０４号
【特許文献２】特開２００８−２８８３９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、簡易な方法で、本来的に高い反射率を有するとともに、発光素子からの発熱及び発光によって劣化することがないリフレクタ部を有し、さらに小型の光半導体装置及びこれに用いるリードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
発光素子と、
第１の金属部材からなるリフレクタ部と、
第２の金属部材からなる端子部と、
前記リフレクタ部と前記端子部とを上下方向に結合するとともに、前記リフレクタ部と前記端子部とを電気的に絶縁する絶縁層とを具え、
前記リフレクタ部には、当該リフレクタ部の側面及び前記端子部によって画定される凹部が形成されており、前記側面は前記リフレクタ部の上部から下部に向けて前記凹部の内側に向けて傾斜することにより、前記凹部は前記リフレクタ部の前記上部から前記下部に向けて狭窄され、
前記端子部は、前記凹部内に露出する第１の端子部及び第２の端子部を有し、
前記リフレクタ部の前記下部と前記絶縁層とが、前記凹部により同じ形状で開口しており、
前記発光素子は、前記端子部に搭載され、電気的に接続されるとともに、前記凹部内に充填された樹脂部材によって封止されていることを特徴とする、光半導体装置に関する。
【００１０】
また、本発明は、
第１の金属部材からなるリフレクタ部と、
第２の金属部材からなる端子部と、
前記リフレクタ部と前記端子部とを上下方向に結合するとともに、前記リフレクタ部と前記端子部とを電気的に絶縁する絶縁部材からなる絶縁層とを具え、
前記リフレクタ部と前記端子部とを上下方向に結合するとともに、前記リフレクタ部と前記端子部とを電気的に絶縁する絶縁層とを具え、
前記リフレクタ部には、当該リフレクタ部の側面及び前記端子部によって画定される凹部が形成されており、前記側面は前記リフレクタ部の上部から下部に向けて前記凹部の内側に向けて傾斜することにより、前記凹部は前記リフレクタ部の前記上部から前記下部に向けて狭窄され、
前記端子部は、前記凹部内に露出する第１の端子部及び第２の端子部を有し、
前記リフレクタ部の前記下部と前記絶縁層とが、前記凹部により同じ形状で開口していることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームに関する。
【００１１】
本発明の光半導体装置及び光半導体装置用リードフレームによれば、リフレクタ部を金属部材から構成しているので、従来のようにリフレクタ部を樹脂部材から構成した場合に比較して本来的に高い反射率を有する。また、リフレクタ部を金属部材から構成しているので、当該リフレクタ部が発光素子からの発熱や発光によって劣化することがない。したがって、リフレクタ部の反射率の劣化を防止できるとともに、リフレクタ部自体が本来的に高い反射率を有する。
【００１２】
また、リフレクタ部を金属部材から構成しているので、発光素子からの発熱を端子部の表面のみでなく、リフレクタ部からも放熱させることができるようになる。したがって、発光素子の、上記発熱に伴う誤動作や光半導体装置の封止樹脂の溶解等を防止することができる。
【００１３】
さらに、本発明の光半導体装置及び光半導体装置用リードフレームによれば、リフレクタ部の底面と同じ形状で開口が形成されてなる絶縁層を介してリフレクタ部の下方に配設しているので、端子部をリフレクタ部と同一平面内に配設する場合に比較して、凹部の底面の面積、すなわちリフレクタ部自体の大きさを低減することができる。したがって、光半導体装置及びこれに用いるリードフレームの大型化を防止することができる。
【００１４】
また、リフレクタ部と絶縁層とにおいて、同じ形状で開口が形成されているので、端子部を広く形成することができ、発光素子を搭載する際の素子搭載部を大きく採ることができる。
【００１５】
本発明の一例において、リフレクタ部の側面及び端子部に金属めっき層を形成することができる。これによって、リフレクタ部の側面の平坦性が向上して鏡面となるので、リフレクタ部の反射率をより向上させることができ、リフレクタ部自体の本来的な反射率をより向上させることができる。また、端子部の平坦性が向上して鏡面となるので、より高い反射率を有する光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置を提供することができる。
【００１６】
また、端子部上（第１の端子部及び第２の端子部上）に形成された金属めっき層が、リフレクタ部の側面に形成された金属めっき層と接触するのを防止できる。したがって、端子部がリフレクタ部と電気的に接触することによる、当該端子部の短絡を防止することができる。
【００１７】
さらに、リフレクタ部の側面の金属めっき層が、リフレクタ部と絶縁層との境界部分において絶縁層よりも樹脂部材の側へ突出しているため、樹脂部材が上下方向に脱落するのを防止することができる。
【００１８】
また、本発明の光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置においては、リフレクタ部及び端子部を構成する金属部材をエッチング可能な金属部材、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌ等から構成することができる。また、絶縁層を構成する絶縁部材は、エッチング可能な絶縁部材、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂及び、アクリレート樹脂等から構成することができるが、耐熱性を考慮してポリイミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましい。したがって、以下に説明する光半導体装置用リードフレームの製造方法及び光半導体装置の製造方法において、上記リフレクタ部をエッチングによって形成することができるので、位置合わせや形状制御が困難な従来の射出成型法と比較して、極めて簡易に上記リフレクタ部を形成することができる。
【００１９】
さらに、上記エッチング法によって上記リフレクタ部を形成することができるので、リフレクタ部となる金属部材として適当な厚さのものを選択することによって、上記リフレクタ部の厚さを自由に調節することができ、従来の射出成型法では困難であったリフレクタ部の厚さの低減が可能となる。したがって、光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の薄型化も可能となる。
【００２０】
なお、上述の光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置は、任意の製造方法によって製造することができるが、好ましくは以下の製造方法によって得ることができる。
【００２１】
すなわち、
光半導体装置の製造方法は、
絶縁部材からなる絶縁層を介して、当該絶縁層の表面に形成された第１の金属部材からなる第１の金属層、及び前記絶縁層の裏面に形成された第２の金属部材からなる第２の金属層を有する積層体を準備する第１の工程と、
前記積層体の表面及び裏面にマスクを配設して前記第１の金属層及び前記第２の金属層にエッチング処理を施し、前記第１の金属層において凹部を形成し、当該凹部を画定する側面を有するとともに、当該側面を前記第１の金属層の上部から下部に向けて前記凹部の内側に傾斜させることにより、前記凹部を前記上部から前記下部に向けて狭窄するように形成してなるリフレクタ部を形成し、前記第２の金属層において、第１の端子部及び第２の端子部を有する端子部を形成する第２の工程と、
前記第１の金属層をマスクとして前記絶縁層に対してエッチング処理を施し、前記第１の端子部及び前記第２の端子部を前記凹部内に露出させる第３の工程と、
前記端子部に発光素子を搭載し、電気的に接続する第４の工程と、
前記凹部内に樹脂部材を充填し、前記発光素子を封止する第５の工程と、
を具えることを特徴とする。
【００２２】
また、光半導体装置用リードフレームの製造方法は、
絶縁部材からなる絶縁層を介して、当該絶縁層の表面に形成された第１の金属部材からなる第１の金属層、及び前記絶縁層の裏面に形成された第２の金属部材からなる第２の金属層を有する積層体を準備する第１の工程と、
前記積層体の表面及び裏面にマスクを配設して前記第１の金属層及び前記第２の金属層にエッチング処理を施し、前記第１の金属層において凹部を形成し、当該凹部を画定する側面を有するとともに、当該側面を前記第１の金属層の上部から下部に向けて前記凹部の内側に傾斜させることにより、前記凹部を前記上部から前記下部に向けて狭窄するように形成してなるリフレクタ部を形成し、前記第２の金属層において、第１の端子部及び第２の端子部を有する端子部を形成する第２の工程と、
前記第１の金属層をマスクとして前記絶縁層に対してエッチング処理を施し、前記第１の端子部及び前記第２の端子部を前記凹部内に露出させる第３の工程と、
を具えることを特徴とする。
【００２３】
また、光半導体装置の製造方法において、上記金属めっき層を形成するには、前記第３の工程の後であって前記第４の工程の前に、リフレクタ部の側面及び端子部に金属めっき層を形成する第６の工程を具える。
【００２４】
さらに、光半導体装置用リードフレームの製造方法において、上記金属めっき層を形成するには、前記第３の工程の後に、リフレクタ部の側面及び端子部に金属めっき層金属めっき層を形成する第４の工程を具える。
【００２５】
なお、上述したいずれの製造方法においても、光半導体装置光及び半導体装置用リードフレームにおいて述べたのと同じ理由から、金属めっき層の厚さを絶縁層の厚さよりも小さくすることが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
以上、本発明によれば、簡易な方法で、本来的に高い反射率を有するとともに、発光素子からの発熱及び発光によって劣化することがないリフレクタ部を有し、さらに小型の光半導体装置及びこれに用いるリードフレームを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態における光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す断面図である。
【図２】実施形態における光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す上平面図である。
【図３】実施形態における光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す下平面図である。
【図４】実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す断面図である。
【図５】実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す上平面図である。
【図６】実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す下平面図である。
【図７】実施形態における光半導体装置の一例の概略構成を示す断面図である。
【図８】実施形態における光半導体装置の一例の概略構成を示す上平面図である。
【図９】実施形態における光半導体装置の一例の概略構成を示す下平面図である。
【図１０】実施形態における光半導体装置の他の例の概略構成を示す断面図である。
【図１１】実施形態における光半導体装置の他の例の概略構成を示す上平面図である。
【図１２】実施形態における光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す下平面図である。
【図１３】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１４】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１５】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１６】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１７】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１８】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１９】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２０】実施形態における光半導体装置用リードフレーム及び光半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２１】実施形態における多面製造型の光半導体装置用リードフレームの一例の概略構成を示す断面図である。
【図２２】図２１に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレームを個片化した場合の概略構成を示す断面図である。
【図２３】実施形態における多面製造型の光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す断面図である。
【図２４】図２３に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレームを個片化した場合の概略構成を示す断面図である。
【図２５】実施形態における多面製造型の光半導体装置用リードフレームのその他の例の概略構成を示す断面図である。
【図２６】図２５に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレームを個片化した場合の概略構成を示す断面図である。
【図２７】実施形態における多面製造型の光半導体装置用リードフレームの他の例の概略構成を示す断面図である。
【図２８】図２７に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレームを個片化した場合の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図であり、図２は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す上平面図であり、図３は、上記光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す下平面図である。
【００２９】
図１〜図３に示すように、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０は、第１の金属部材からなるリフレクタ部１１と、第２の金属部材からなる端子部１２と、リフレクタ部１１と端子部１２とを上下方向に結合するとともに、リフレクタ部１１と端子部１２とを電気的に絶縁する絶縁部材からなる絶縁層１３とを有している。
【００３０】
また、リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び端子部１２によって画定される凹部１４が形成されており、側面１１Ａは、リフレクタ部１１の上部から下部に向けて凹部１４の内側に傾斜し、凹部１４はその上部から下部に向けて狭窄された形状を呈している。
【００３１】
端子部１２は第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂを有しており、凹部１４内に露出して凹部１４の底面１４Ｂを構成している。第１の端子部１２Ａと第２の端子部１２Ｂとの間には、上述の凹部１４が形成されていることにより、リフレクタ部１１と絶縁層１３とにおいて、同じ形状で形成された開口１１Ｃ及び１３Ｃが存在しており、第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂとは開口１２Ｃを介して電気的に絶縁されている。
【００３２】
リフレクタ部１１を構成する第１の金属部材及び端子部１２を構成する第２の金属部材は、以下に説明する製造方法を考慮した場合において、エッチング可能であることが好ましく、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌ等から構成することができる。なお、本実施形態におけるエッチングとは、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれをも含むものである。例えば、第１の金属部材及び第２の金属部材をＣｕから構成した場合、ウエットエッチングの場合は塩化第二鉄溶液等のエッチング液を用いることができる。また、第１の金属部材及び第２の金属部材をＡｌから構成した場合、ドライエッチングの場合は、塩素系ガス等を用いたＲＩＥ等の手法を用いて行うことができる。
【００３３】
なお、エッチング液の濃度やＲＩＥにおけるイオン密度、加速電圧等は、第１の金属部材及び第２の金属部材の種類や厚さ等に依存する。
【００３４】
また、絶縁層を構成する絶縁部材も、以下に説明する製造方法を考慮した場合においてエッチング可能であることが好ましく、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂及び、アクリレート樹脂等から構成することができるが、耐熱性を考慮してポリイミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましい。なお、この場合のエッチングも、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれをも含むものである。例えば、絶縁部材をポリイミド樹脂から構成した場合、ウエットエッチングの場合はヒドラジン系アルカリ液等のエッチング液を用いることができ、ドライエッチングの場合は、酸素等を用いたＲＩＥ等の手法を用いて行うことができる。
【００３５】
本実施形態において、リフレクタ部１１の高さｈ１は、例えば０．１ｍｍ〜５ｍｍとすることができ、端子部１２の高さｈ２は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。また、絶縁層１３の厚さｔ１は、例えば０．０５μｍ〜０．５μｍとすることができる。さらに、凹部１４の開口部の長さＬ１は、例えば０．２ｍｍ〜５ｍｍとすることができ、幅Ｗ１は、例えば０．２ｍｍ〜５ｍｍとすることができる。また、凹部１４の底面１４Ｂの長さＬ２は、例えば０．２ｍｍ〜５ｍｍとすることができ、幅Ｗ２は、例えば０．２ｍｍ〜５ｍｍとすることができる。
【００３６】
本実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０によれば、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、従来のようにリフレクタ部を樹脂部材から構成した場合に比較して本来的に高い反射率を有する。また、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、リフレクタ部１１が後に搭載する発光素子からの発熱や発光によって劣化することがない。したがって、リフレクタ部１１の反射率の劣化を防止でき、リフレクタ部１１自体が本来的に高い反射率を有するようになる。
【００３７】
また、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、後に搭載する発光素子からの発熱を端子部１２の表面、すなわち凹部１４の底面１４Ｂを構成する第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂのみでなく、リフレクタ部１１からも放熱させることができるようになる。したがって、後に搭載する発光素子の、上記発熱に伴う誤動作や、発光素子を搭載した後に樹脂封止等をして光半導体装置を構成した場合における封止樹脂の溶解等を防止することができる。
【００３８】
さらに、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０によれば、端子部１２を、リフレクタ部１１の下部１１Ｂと同じ形状で開口が形成されてなる絶縁層１３を介してリフレクタ部１１の下方に配設しているので、端子部１２をリフレクタ部１１と同一平面内に配設する場合に比較して、凹部１４の底面の面積、すなわちリフレクタ部１１自体の大きさを低減することができる。したがって、光半導体装置用リードフレーム１０の大型化を防止することができる。
【００３９】
また、リフレクタ部１１と絶縁層１３とにおいて、同じ形状で開口１１Ｃ及び１３Ｃが形成されているので、端子部１２を広く形成することができ、後に説明する発光素子を搭載する際の素子搭載部を大きく採ることができる。
【００４０】
さらに、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０においては、好ましくはリフレクタ部１１及び端子部１２を構成する金属部材をエッチング可能な金属部材から構成し、絶縁層１３を構成する絶縁部材をエッチング可能な絶縁部材から構成している。したがって、以下に説明する光半導体装置用リードフレームの製造方法において、リフレクタ部１１をエッチングによって形成することができるので、位置合わせや形状制御が困難な従来の射出成型法と比較して、極めて簡易にリフレクタ部１１を形成することができる。
【００４１】
また、上記エッチング法によってリフレクタ部１１を形成することができるので、リフレクタ部となる金属部材として適当な厚さのものを選択することによって、上記リフレクタ部の厚さを自由に調節することができ、従来の射出成型法では困難であったリフレクタ部１１の厚さの低減が可能となる。したがって、光半導体装置用リードフレーム１０の薄型化も可能となる。
【００４２】
（第２の実施形態）
図４は、本実施形態における光半導体装置リードフレームの概略構成を示す断面図であり、図５は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図６は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
【００４３】
本実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０は、図４〜図６に示すように、図１〜図３に係る第１の実施形態の半導体装置用リードフレーム１０において、リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び凹部１４の底面１４Ｂ、すなわち端子部１２の第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂ上に金属めっき層２５が形成されている点で相違し、その他の構成要素については同様である。したがって、以下では、上記相違点を中心に本実施形態の特徴について説明する。
【００４４】
なお、図１〜図３に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同一の符号を用いている。
【００４５】
本実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０においては、リフレクタ部１１の側面１１Ａ上に金属めっき層２５Ｃを形成している。したがって、リフレクタ部１１の側面１１Ａの平坦性が向上して鏡面となるので、リフレクタ部１１の反射率をより向上させることができ、リフレクタ部１１自体の本来的な反射率をより向上させることができる。
【００４６】
また、凹部１４の底面１４Ｂ、すなわち端子部１２の第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂ上に形成された第１の金属めっき層部２５Ａ及び第２の金属めっき層部２５Ｂによって、これら端子部の平坦性も向上するので、端子部の反射率をより向上させることができる。
【００４７】
なお、図４〜図６では、リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び凹部１４の底面１４Ｂのみならず、リフレクタ部１１の上面及び外面、さらには端子部１２の側面及び裏面にも金属めっき層２５が形成されているが、上述のように、リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び凹部１４の底面１４Ｂに金属めっき層２５（第１の金属めっき層部２５Ａ,第２の金属めっき層部２５Ｂ及び金属めっき層２５Ｃを含む）が形成されていれば、上述のような作用効果を奏することができる。
【００４８】
また、リフレクタ部１１の上面や外面等に適宜マスク部材を配設することによって、当該箇所での金属めっき層２５の形成を防止することができる。
【００４９】
金属めっき層２５の厚さ、具体的には、端子部１２の第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂ上に形成された第１の金属めっき層部２５Ａ及び第２の金属めっき層部２５Ｂの厚さを絶縁層１３の厚さよりも小さくすることが好ましい。これによって、図４等から明らかなように、第１の金属めっき層部２５Ａ及び第２の金属めっき層部２５Ｂと、リフレクタ部１１の側面１１Ａに形成された金属めっき層２５との接触を防止でき、端子部１２がリフレクタ部１１と電気的に接触することによる、端子部１２の短絡を防止することができる。したがって、光半導体装置用リードフレーム２０から光半導体装置を製造した場合の動作不備等を解消することができる。
【００５０】
なお、金属めっき層２５は、上述した作用効果を発生すべく、後に搭載する発光素子の発光波長領域において高い反射率を有する金属材料からなることが好ましく、例えば、アルミニウム、銀、金あるいはこれらの合金等からなることが好ましい。
【００５１】
その他の特徴及び構成については、第１の実施形態における光半導体装置用リードフレーム１０と同様であるので、本実施形態では記載を省略する。
【００５２】
また、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０も、金属めっき層２５が形成されていることを除き、第１の実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０と同様の構成を有するので、当該光半導体装置用リードフレーム１０と同様の作用効果を奏する。
【００５３】
（第３の実施形態）
図７は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図８は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図９は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
【００５４】
図７〜図９に示すように、本実施形態の光半導体装置３０は、図１〜図３に示す第１の実施形態の光半導体装置用リードフレーム１０において、その端子部１２の第１の端子部１２Ａ上に発光素子３６が搭載及び実装され、発光素子３６の第１の端子部３６Ａが第１の端子部１２Ａにワイヤ３７で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、第２の端子部３６Ｂが第２の端子部１２Ｂにワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、さらに発光素子３６が、凹部１４内に充填された樹脂部材３９によって封止されていることを特徴とする。
【００５５】
また、本実施形態では、発光素子３６を第１の端子部１２Ａ上に実装しているが、第２の端子部１２Ｂ上に実装してもよい。
【００５６】
発光素子３６は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたIII-V族半導体材料系のＬＥＤなどから構成することができる。
【００５７】
樹脂部材３９は、発光素子３６を外部環境からの外力や埃、水分などから保護できるものであれば特に限定されるものではなく、例えばエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等から構成することができる。
【００５８】
本実施形態の光半導体装置３０は、図１〜図３に示す光半導体装置用リードフレーム１０の端子部１２に発光素子３６が搭載及び実装され、さらに発光素子３６が樹脂部材３９で封止されていることを除いて、上記光半導体装置用リードフレーム１０と同様の構成を有する。したがって、本実施形態の光半導体装置３０は、上記光半導体装置用リードフレーム１０と同様の作用効果を奏する。
【００５９】
具体的には、本実施形態の光半導体装置３０では、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、従来のようにリフレクタ部を樹脂部材から構成した場合に比較して本来的に高い反射率を有する。また、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、リフレクタ部１１が後に搭載する発光素子からの発熱や発光によって劣化することがない。したがって、リフレクタ部１１の反射率の劣化を防止でき、リフレクタ部１１自体が本来的に高い反射率を有する。
【００６０】
また、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、発光素子３６からの発熱を端子部１２の表面、すなわち凹部１４の底面１４Ｂを構成する第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂのみでなく、リフレクタ部１１からも放熱させることができるようになる。したがって、発光素子３６の、上記発熱に伴う誤動作や、樹脂部材３９の溶解等を防止することができる。
【００６１】
さらに、本実施形態の光半導体装置３０によれば、端子部１２を、リフレクタ部１１の下部１１Ｂと同じ形状で開口が形成されてなる絶縁層１３を介してリフレクタ部１１の下方に配設しているので、端子部１２をリフレクタ部１１と同一平面内に配設する場合に比較して、凹部１４の底面の面積、すなわちリフレクタ部１１自体の大きさを低減することができる。したがって、光半導体装置３０の大型化を防止することができる。
【００６２】
また、リフレクタ部１１と絶縁層１３とにおいて、同じ形状で開口１１Ｃ及び１３Ｃが形成されているので、端子部１２を広く形成することができ、発光素子３６を搭載する際の素子搭載部を大きく採ることができる。
【００６３】
また、本実施形態の光半導体装置３０においては、リフレクタ部１１及び端子部１２を構成する金属部材をエッチング可能な金属部材から構成し、絶縁層１３を構成する絶縁部材をエッチング可能な絶縁部材から構成することができる。したがって、以下に説明する光半導体装置の製造方法において、リフレクタ部１１をエッチングによって形成することができるので、位置合わせや形状制御が困難な従来の射出成型法と比較して、極めて簡易にリフレクタ部１１を形成することができる。
【００６４】
さらに、上記エッチング法によってリフレクタ部１１を形成することができるので、リフレクタ部１１となる金属部材として適当な厚さのものを選択することによって、リフレクタ部１１の厚さを自由に調節することができ、従来の射出成型法では困難であったリフレクタ部１１の厚さの低減が可能となる。したがって、光半導体装置３０の薄型化も可能となる。
【００６５】
（第４の実施形態）
図１０は、本実施形態における光半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図１１は、上記光半導体装置の概略構成を示す上平面図であり、図１２は、上記光半導体装置の概略構成を示す下平面図である。
【００６６】
図１０〜図１２に示すように、本実施形態の光半導体装置４０は、図４〜図６に示す第２の実施形態の光半導体装置用リードフレーム２０において、その端子部１２の第１の端子部１２Ａ上に発光素子３６が搭載及び実装され、発光素子３６の第１の端子部３６Ａが第１の端子部１２Ａにワイヤ３７で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、第２の端子部３６Ｂが第２の端子部１２Ｂにワイヤ３８で電気的に接続（ワイヤボンディング）され、さらに発光素子３６が、凹部１４内に充填された樹脂部材３９によって封止されていることを特徴とする。
【００６７】
また、本実施形態では、発光素子３６を第１の端子部１２Ａ上に実装しているが、第２の端子部１２Ｂ上に実装してもよい。
【００６８】
本実施形態の光半導体装置４０は、図４〜図６に示す光半導体装置用リードフレーム２０の端子部１２に発光素子３６が搭載及び実装され、さらに発光素子３６が樹脂部材３９で封止されていることを除いて、上記光半導体装置用リードフレーム２０と同様の構成を有する。したがって、本実施形態の光半導体装置４０は、上記光半導体装置用リードフレーム２０と同様の特徴を有し、同様の作用効果を奏する。
【００６９】
具体的に、本実施形態の光半導体装置４０においては、リフレクタ部１１の側面１１Ａ上に金属めっき層２５Ｃを形成している。したがって、リフレクタ部１１の側面１１Ａの平坦性が向上して鏡面となるので、リフレクタ部１１の反射率をより向上させることができ、リフレクタ部１１自体の本来的な反射率をより向上させることができる。
【００７０】
また、凹部１４の底面１４Ｂ、すなわち端子部１２の第２の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂ上に形成された第１の金属めっき層部２５Ａ及び第２の金属めっき層部２５Ｂによって、端子部１２の平坦性も向上するので、端子部１２の反射率をより向上させることができる。
【００７１】
その他の特徴及び構成については、第２の実施形態における光半導体装置用リードフレーム２０と同様であるので、本実施形態では記載を省略する。
【００７２】
また、本実施形態の光半導体装置４０も、金属めっき層２５が形成されていることを除き、第３の実施形態の光半導体装置３０と同様の構成を有するので、第３の実施形態で述べた光半導体装置３０と同様の作用効果を奏する。
【００７３】
さらに、リフレクタ部１１の側面１１Ａの金属めっき層２５Ｃが、リフレクタ部１１と絶縁層１３との境界部分において絶縁層１３よりも樹脂部材３９の側へ突出しているため、樹脂部材３９が上下方向に脱落するのを防止することができる。
【００７４】
（第５の実施形態）
図１３〜図２０は、本実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法及び光半導体装置の製造装置の製造方法の工程を示す断面図である。
【００７５】
なお、図１３〜図１６は、第１の実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法に関する工程図であり、図１３〜図１９は、第３の実施形態における光半導体装置の製造に関する工程図である。また、図１３〜図１６及び図２０は、第２の実施形態における光半導体装置用リードフレームの製造方法に関する工程図であり、図１３〜図２０は、第４の実施形態における光半導体装置の製造に関する工程図である。
【００７６】
最初に、図１３に示すように、エッチング可能な絶縁部材からなる絶縁層１３Ｘを介して、絶縁層１３Ｘの表面にエッチング可能な第１の金属部材からなる第１の金属層１１Ｘを形成するとともに、絶縁層１３Ｘの裏面に形成されたエッチング可能な第２の金属部材からなる第２の金属層１２Ｘを形成して、これら層からなる積層体１０Ｘを得る。
【００７７】
なお、エッチング可能な第１の金属部材及び第２の金属部材は、上述のように、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌ等から構成することができる。また、絶縁部材は、エッチング可能な絶縁部材、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂及び、アクリレート樹脂等から構成することができるが、耐熱性を考慮してポリイミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましい。
【００７８】
また、第１の金属層１１Ｘ、第２の金属層１２Ｘ及び絶縁層１３Ｘの厚さは、後に形成するリフレクタ部１１の高さｈ１、端子部１２の高さｈ２及び絶縁層１３の厚さｔ１を考慮して適宜決定する。具体的には、リフレクタ部１１の高さｈ１、端子部１２の高さｈ２及び絶縁層１３の厚さｔ１とほぼ同一に設定する。
【００７９】
次いで、図１４に示すように、積層体１０Ｘの表面、具体的には第１の金属層１１Ｘの表面にマスク５１を形成するとともに、積層体１０Ｘの裏面、具体的には第２の金属層１２Ｘの表面にマスク５２を形成して、積層体１０Ｘに対してエッチング処理を施し、図１５に示すように、積層体１０Ｘの第１の金属層１１Ｘに対して絶縁層１３Ｘまで達するような凹部１４を形成して、リフレクタ部１１の側面１１Ａを画定するとともに、第２の金属層１２Ｘに対して絶縁層１３Ｘまで達するような凹部１２Ｆを形成して、第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂを有する端子部１２を形成する。
【００８０】
なお、リフレクタ部１１の側面１１Ａは、上記エッチング処理により、第１の金属層１１Ｘの上部から下部に向けて内側に傾斜させ、当該凹部１４が第１の金属層１１Ｘの上部から下部に向けて狭窄するようにして形成する。
【００８１】
本実施形態におけるエッチングとは、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれをも含むものであるが、第１の金属部材及び第２の金属部材をＣｕから構成した場合、ウエットエッチングの場合は塩化第二鉄溶液等のエッチング液を用いることができる。また、第１の金属部材及び第２の金属部材をＡｌから構成した場合、ドライエッチングの場合は、塩素系ガス等を用いたＲＩＥ等の手法を用いて行うことができる。
【００８２】
次いで、図１６に示すように、マスク５１及び５２を灰化処理等により除去するとともに、絶縁層１３Ｘに対してリフレクタ部１１をマスクとしたエッチング処理を行い、絶縁層１３Ｘの、リフレクタ部１１から露出した部分を除去して、絶縁層１３Ｘをリフレクタ部下部の開口１１Ｃと同じ形状１３Ｃで開口させ、端子部１２の第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂを凹部１４内に露出させる。これによって、図１等に示すようなリフレクタ部１１及び端子部１２が絶縁層１３を介して積層され、端子部１２が開口１２Ｃによって電気的に絶縁された第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂを有する光半導体装置用リードフレーム１０を得ることができる。
【００８３】
なお、絶縁層１３Ｘのエッチング面１３Ａは、リフレクタ部１１をマスクとしてエッチングにより形成しているので、端子部１２の第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂに対して垂直な断面となっている。
【００８４】
次いで、図１７に示すように、図１６で得た光半導体装置用リードフレーム１０の裏面にバックテープ等の支持部材を貼付し、図１８に示すように、端子部１２の第１の端子部１２Ａ上に発光素子３６を実装するとともに、発光素子３６の第１の端子部３６Ａ及び第２の端子部３６Ｂを、それぞれワイヤ３７及び３８を介して第１の端子部３６Ａ及び第２の端子部３６Ｂに電気的に接続（ワイヤボンディング）し、次いで、図１９に示すように、樹脂部材３９を凹部１４内に充填して樹脂封止し、その後、バックテープ等の支持部材を除去することによって、図７等に示すような光半導体装置３０を得る。
【００８５】
樹脂部材３９は、上述のように、例えばエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂から構成することができる。
【００８６】
また、第２の実施形態における光半導体装置用リードフレーム２０を得るには、図１６に示す工程の後に、リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び凹部１４の底面１４Ｂ，すなわち端子部１２の第１の金属面１２Ａ及び第２の金属面１２Ｂ上に、金属めっき層２５を形成する（図２０参照）。金属めっき層２５は、例えば、アルミニウム、銀、金あるいはこれらの合金等から構成する。
【００８７】
さらに、第４の実施形態における光半導体装置４０を得るには、図１６に示す工程の後であって、図１７に示す工程の前に、リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び凹部１４の底面１４Ｂ，すなわち端子部１２の第１の金属面１２Ａ及び第２の金属面１２Ｂ上に、金属めっき層２５を形成する（図２０参照）。
【００８８】
なお、いずれの場合においても、金属めっき層２５の厚さは絶縁層１３の厚さよりも小さくすることが好ましい。これによって、端子部１２上に形成された金属めっき層２５（第１の金属めっき層部２５Ａ及び第２の金属めっき層部２５Ｂ）と、リフレクタ部１１の側面１１Ａに形成された金属めっき層２５（金属めっき層２５Ｃ）との接触を防止でき、端子部１２がリフレクタ部１１と電気的に接触することによる、端子部１２の短絡を防止することができる。したがって、光半導体装置用リードフレーム２０から光半導体装置を製造した場合の動作不備等、及び光半導体装置４０自体の動作不備等を解消することができる。
【００８９】
また、図２０では、リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び凹部１４の底面１４Ｂのみならず、リフレクタ１１の上面及び外面、さらには端子部１２の側面及び裏面にも金属めっき層２５が形成されているが、リフレクタ部１１の上面や外面等に適宜マスク部材を配設することによって、当該箇所での金属めっき層２５の形成を防止することができる。
【００９０】
（第６の実施形態）
第１の実施形態から第５の実施形態においては、光半導体装置及び光半導体装置用リードフレームが個片単体で得られる場合について説明したが、本実施形態では、光半導体装置用リードフレームが多面製造型の構成を有する場合について説明する。
【００９１】
図２１は、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図である。なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同一の符号を用いている。
【００９２】
図２１に示すように、本実施形態の光半導体装置用リードフレーム５０は、第１の金属部材からなるリフレクタ部１１と、第２の金属部材からなる端子部１２と、リフレクタ部１１と端子部１２とを上下方向に結合するとともに、リフレクタ部１１と端子部１２とを電気的に絶縁する絶縁部材からなる絶縁層１３と、リフレクタ部１１の側面１１Ａに形成された金属めっき層２５（金属めっき層２５Ｃ）及び凹部１４の底面１４Ｂに形成された金属めっき層２５（第１の金属めっき層部２５Ａ及び第２の金属めっき層部２５Ｂ）とを有する第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１と、当該第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１と同一構成の第２の光半導体装置用リードフレーム５０−２とを有している。
【００９３】
また、第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１及び第２の光半導体装置用リードフレーム５０−２は互いに隣接し、リフレクタ部１１をこれら２つの光半導体装置用リードフレーム５０−１及び５０−２によって共有し、いわゆる多面製造型の光半導体装置用リードフレームを構成している。
【００９４】
この多面製造型の光半導体装置用リードフレームは、光半導体装置用リードフレーム５０が一平面内に多列多段（マトリックス状）に配列されていてもよい。
【００９５】
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０においても、第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１及び第２の光半導体装置用リードフレーム５０−２は、それぞれ共用のリフレクタ部１１を有するとともに、リフレクタ部１１には、当該リフレクタ部１１の側面１１Ａ及び端子部１２によって画定される凹部１４が形成されており、側面１１Ａは、リフレクタ部１１の上部から下部に向けて凹部１４の内側に傾斜し、凹部１４はその上部から下部に向けて狭窄された形状を呈している。
【００９６】
また、端子部１２は第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂを有しており、凹部１４内に露出して凹部１４の底面１４Ｂを構成している。第１の端子部１２Ａと第２の端子部１２Ｂとの間には、リフレクタ部１１と絶縁層１３とにおいて、同じ形状で形成された開口１１Ｃ及び１３Ｃが存在しており、第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂとは開口１２Ｃを介して電気的に絶縁されている。なお、上述のような凹部１４が形成されることにより、リフレクタ部１１の下部１１Ｂと絶縁層１３とは、同じ形状で開口するように構成されている。
【００９７】
したがって、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０によれば、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、従来のようにリフレクタ部を樹脂部材から構成した場合に比較して本来的に高い反射率を有する。また、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、リフレクタ部１１が後に搭載する発光素子からの発熱や発光によって劣化することがない。したがって、リフレクタ部１１の反射率の劣化を防止でき、リフレクタ部１１自体が本来的に高い反射率を有するようになる。
【００９８】
また、リフレクタ部１１を金属部材から構成しているので、後に搭載する発光素子からの発熱を端子部１２の表面、すなわち凹部１４の底面１４Ｂを構成する第１の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂのみでなく、リフレクタ部１１からも放熱させることができるようになる。したがって、後に搭載する発光素子の、上記発熱に伴う誤動作や、発光素子を搭載した後に樹脂封止等をして光半導体装置を構成した場合における封止樹脂の溶解等を防止することができる。
【００９９】
さらに、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０によれば、第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１及び第２の光半導体装置用リードフレーム５０−２において、端子部１２を、リフレクタ部１１の下部１１Ｂと同じ形状で開口が形成されてなる絶縁層１３を介してリフレクタ部１１の下方に配設しているので、端子部１２をリフレクタ部１１と同一平面内に配設する場合に比較して、凹部１４の底面の面積、すなわちリフレクタ部１１自体の大きさを低減することができる。したがって、第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１及び第２の光半導体装置用リードフレーム５０−２の大型化を防止することができ、さらには多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０の大型化を防止することができる。
【０１００】
また、リフレクタ部１１と絶縁層１３とにおいて、同じ形状で開口１１Ｃ及び１３Ｃが形成されているので、端子部１２を広く形成することができ、発光素子を搭載する際の素子搭載部を大きく採ることができる。
【０１０１】
さらに、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０においても、好ましくはリフレクタ部１１及び端子部１２を構成する金属部材をエッチング可能な金属部材から構成し、絶縁層１３を構成する絶縁部材をエッチング可能な絶縁部材から構成することができる。したがって、第５の実施形態で説明したような光半導体装置用リードフレームの製造方法において、リフレクタ部１１をエッチングによって形成することができるので、位置合わせや形状制御が困難な従来の射出成型法と比較して、極めて簡易にリフレクタ部１１を形成することができる。
【０１０２】
また、上記エッチング法によってリフレクタ部１１を形成することができるので、リフレクタ部となる金属部材として適当な厚さのものを選択することによって、上記リフレクタ部の厚さを自由に調節することができ、従来の射出成型法では困難であったリフレクタ部１１の厚さの低減が可能となる。したがって、多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０の薄型化も可能となる。
【０１０３】
さらに、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０においては、第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１及び第２の光半導体装置用リードフレーム５０−２において、リフレクタ部１１の側面１１Ａ上に金属めっき層２５Ｃを形成している。したがって、リフレクタ部１１の側面１１Ａの平坦性が向上して鏡面となるので、リフレクタ部１１の反射率をより向上させることができる。
【０１０４】
また、凹部１４の底面１４Ｂ、すなわち端子部１２の第２の端子部１２Ａ及び第２の端子部１２Ｂ上に形成された第１の金属めっき層部２５Ａ及び第２の金属めっき層部２５Ｂによって、端子部１２の平坦性も向上するので、端子部の反射率をより向上させることができる。
【０１０５】
なお、図２２は、図２１に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０を共有するリフレクタ部１１でダイシングして個片化した場合における、第１の光半導体装置用リードフレーム５０−１（５０−２）の概略構成を示す断面図である。図２２から明らかなように、図２１に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０を個片化した場合においては、第２の実施形態における光半導体装置用リードフレーム２０と比較して、リフレクタ部１１の、凹部１４と相対向する側の側面１１Ｄ、及び端子部１２の、側面１１Ｄに沿って延在する側面１２Ｄ側において金属めっき層２５が形成されなくなる。
【０１０６】
また、本実施形態では、金属めっき層２５を形成した場合について述べたが、金属めっき層２５を形成しなくともよい。この場合、個片化して得た光半導体装置用リードフレームは、図１に示すような第１の実施形態における光半導体装置用リードフレーム１０と同一の構成を採る。
【０１０７】
（第７の実施形態）
図２３は、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図である。なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同一の符号を用いている。
【０１０８】
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム６０は、第６の実施形態に関する多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０において、共有するリフレクタ部１１の上部に溝部１１Ｅが形成されている点で相違する。
【０１０９】
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム６０は、リフレクタ部１１の上部に溝部１１Ｅが形成されているので、当該溝部１１Ｅを利用して光半導体装置用リードフレーム６０をダイシングして個片化することにより、光半導体装置用リードフレーム６０の個片化を容易に行うことができるようになる。
【０１１０】
図２４は、図２３に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム６０を共有するリフレクタ部１１でダイシングして個片化した場合における、第１の光半導体装置用リードフレーム６０−１（６０−２）の概略構成を示す断面図である。図２４から明らかなように、図２３に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム６０を個片化した場合においては、第６の実施形態における光半導体装置用リードフレーム５０−１（５０−２）と比較して、リフレクタ部１１の上部に溝部１１Ｅが残存する点で相違する。
【０１１１】
（第８の実施形態）
図２５は、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図である。なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同一の符号を用いている。
【０１１２】
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム７０は、第６の実施形態に関する多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０において、共有するリフレクタ部１１の下部、具体的には、端子部１２に溝部１２Ｅが形成されている点で相違する。
【０１１３】
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム７０は、端子部１２に溝部１２Ｅが形成されているので、当該溝部１２Ｅを利用して光半導体装置用リードフレーム７０をダイシングして個片化することにより、光半導体装置用リードフレーム７０の個片化を容易に行うことができるようになる。
【０１１４】
図２６は、図２５に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム７０を共有するリフレクタ部１１でダイシングして個片化した場合における、第１の光半導体装置用リードフレーム７０−１（７０−２）の概略構成を示す断面図である。図２６から明らかなように、図２５に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム７０を個片化した場合においては、第６の実施形態における光半導体装置用リードフレーム５０−１（５０−２）と比較して、端子部１２に溝部１２Ｅが残存する点で相違する。
【０１１５】
（第９の実施形態）
図２７は、本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレームの概略構成を示す断面図である。なお、図１〜図１２に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同一の符号を用いている。
【０１１６】
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム８０は、第６の実施形態に関する多面製造型の光半導体装置用リードフレーム５０において、共有するリフレクタ部１１の上部に溝部１１Ｅが形成されるとともに、端子部１２に溝部１２Ｅが形成されている点で相違する。
【０１１７】
本実施形態の多面製造型の光半導体装置用リードフレーム８０は、リフレクタ部１１に溝部１１Ｅが形成され、端子部１２に溝部１２Ｅが形成されているので、これらの溝部１１Ｅ及び１２Ｅを利用して光半導体装置用リードフレーム８０をダイシングして個片化することにより、光半導体装置用リードフレーム８０の個片化を容易に行うことができるようになる。
【０１１８】
また、金属部材であるリフレクタ１１のダイシング部の断面積が小さいため、例えばダイヤモンド砥石等からなるダイシングブレードの摩耗を低減することができる。
【０１１９】
図２８は、図２７に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム８０を共有するリフレクタ部１１でダイシングして個片化した場合における、第１の光半導体装置用リードフレーム８０−１（８０−２）の概略構成を示す断面図である。図２８から明らかなように、図２７に示す多面製造型の光半導体装置用リードフレーム８０を個片化した場合においては、第６の実施形態における光半導体装置用リードフレーム５０−１（５０−２）と比較して、リフレクタ部１１に溝部１１Ｅが残存し、端子部１２に溝部１２Ｅが残存する点で相違する。
【０１２０】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【０１２１】
例えば、第６の実施形態〜第９の実施形態においては、多面製造型の光半導体装置用リードフレームについて説明しているが、これらのリードフレームにおいて、端子部１２に発光素子３６を実装し、樹脂部材３９で樹脂封止することにより、多面製造型の光半導体装置を得ることができる。
【符号の説明】
【０１２２】
１０，２０  光半導体装置用リードフレーム
１１  リフレクタ部
１２  端子部
１３  絶縁層
１４  凹部
２５  金属めっき層
３０，４０  光半導体装置
３６  発光素子
３７，３８  ワイヤ
３９  樹脂部材
５０，６０，７０，８０  多面製造型の光半導体装置用リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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