(57)【要約】【課題】複数の半導体パッケージの接続に関し、高集積化を図りつつ、配線自由度の向上を可能にする。【解決手段】ＩＣソケット２には、ＬＳＩパッケージ１、３と対向する対向面に、ＬＳＩパッケージ１上の複数の端子の配置に対応させた複数の端子が配置されている。更に、ＩＣソケット２には、対向面の各端子と配線接続されているスイッチング用ベアチップが配置されている。ＩＣソケット２は、ＬＳＩパッケージ１、３に挟み込まれ、各対向面の各端子が対向するＬＳＩパッケージ１、３の端子と接触し、スイッチング用ベアチップが、対向面の端子を介して、ＬＳＩパッケージ１、３の端子間でスイッチングを行う。これにより、高集積化を図りつつ、配線自由度の向上を可能にする【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子が配置されている端子配置面が存在する板状の２つの半導体パッケージに、２つの端子配置面から挟み込まれる板状の半導体ソケットであって、
端子配置面に対向する２つの対向面の各面に、前記複数の端子の配置に対応させた複数の端子が配置され、
前記２つの対向面の各端子と配線接続されているスイッチング素子が配置され、
前記２つの半導体パッケージに２つの端子配置面から挟み込まれ、前記２つの対向面の各端子が対向する端子配置面の端子と接触し、
前記スイッチング素子が、前記２つの対向面の端子を介して、前記２つの半導体パッケージの端子間でスイッチングを行うことを特徴とする半導体ソケット。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、
スイッチングパターンを変更可能であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ソケット。
【請求項３】
前記半導体ソケットは、更に、
前記スイッチング素子のスイッチングパターンを変更するための端子が配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ソケット。
【請求項４】
複数の端子が配置されている端子配置面が存在する板状の２つの半導体パッケージと、前記２つの半導体パッケージに２つの端子配置面から挟み込まれる板状の半導体ソケットとを有し、
前記半導体ソケットは、
端子配置面に対向する２つの対向面の各面に、前記複数の端子の配置に対応させた複数の端子が配置され、
前記２つの対向面の各端子と配線接続されているスイッチング素子が配置され、
前記半導体ソケットが前記２つの半導体パッケージに２つの端子配置面から挟み込まれ、前記２つの対向面の各端子が対向する端子配置面の端子と接触し、
前記スイッチング素子が、前記２つの対向面の端子を介して、前記２つの半導体パッケージの端子間でスイッチングを行うことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
前記半導体モジュールは、
ｍ（ｍは３以上の整数）個の半導体パッケージと、（ｍ−１）個の半導体ソケットとを有し、
ｍ個の半導体パッケージのうち２つの半導体ソケットにより挟み込まれる半導体パッケージには、２つの端子配置面が存在し、
半導体パッケージの端子配置面と半導体ソケットの対向面とが対向するようにして半導体パッケージと半導体ソケットとが交互に重ねられて、ｍ個の半導体パッケージと（ｍ−１）個の半導体ソケットとが積み重ねられ、ｍ個の半導体パッケージの端子と（ｍ−１）個の半導体ソケットの端子とが接触し、
（ｍ−１）個の半導体ソケットのスイッチング素子が、ｍ個の半導体パッケージの端子のうちの任意の端子間でスイッチングを行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
各半導体ソケットは、
２つの対向面の他に４つの側面を有しており、
前記４つの側面のうちの少なくとも１つの側面に、端子列が配置されており、
前記半導体モジュールは、更に、
ｍ個の半導体パッケージと（ｍ−１）個の半導体ソケットとが積み重ねられた際の各半導体ソケットの側面の高さに対応する位置に、各半導体ソケットの側面の端子列に合わせた端子列が（ｍ−１）個配置され、更に、（ｍ−１）個の端子列の各端子と配線接続されているスイッチング素子が配置された側面ソケットを有し、
前記半導体モジュールは、
端子列が配置された側面が（ｍ−１）個の半導体ソケット間で揃うようにしてｍ個の半導体パッケージと（ｍ−１）個の半導体ソケットとが積み重ねられ、
前記側面ソケットの端子列と半導体ソケットの側面の端子列とが対向するように、前記側面ソケットが、積み重ねられた（ｍ−１）個の半導体ソケットの側面の横に配置され、
前記側面ソケットの（ｍ−１）個の端子列と、積み重ねられた（ｍ−１）個の半導体ソケットの端子列とが接触し、
前記側面ソケットのスイッチング素子が、（ｍ−１）個の半導体ソケットの端子列のうちの任意の端子間でスイッチングを行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記側面ソケットは、
（ｍ−１）個の端子列が配置された第１の面と、（ｍ−１）個の端子列が配置された、前記第１の面の裏面である第２の面とを有し、
前記側面ソケットのスイッチング素子は、
前記第１の面の端子列の各端子と、前記第２の面の端子列の各端子と配線接続されており、
前記半導体モジュールは、
端子列が配置された側面が（ｍ−１）個の半導体ソケット間で揃うようにしてｍ個の半導体パッケージと（ｍ−１）個の半導体ソケットとが積み重ねられた立体パッケージを２つ有し、
前記側面ソケットの前記第１の面の端子列が一方の立体パッケージの半導体ソケットの側面の端子列と対向し、前記側面ソケットの前記第２の面の端子列が他方の立体パッケージの半導体ソケットの側面の端子列と対向するようにして、前記側面ソケットが２つの立体パッケージに挟み込まれ、
前記側面ソケットの前記第１の面の（ｍ−１）個の端子列と、前記一方の立体パッケージの（ｍ−１）個の半導体ソケットの端子列とが接触し、前記側面ソケットの前記第２の面の（ｍ−１）個の端子列と、前記他方の立体パッケージの（ｍ−１）個の半導体ソケットの端子列とが接触し、
前記側面ソケットのスイッチング素子が、前記一方の立体パッケージの（ｍ−１）個の半導体ソケットの端子列のうちの任意の端子と、前記他方の立体パッケージの（ｍ−１）個の半導体ソケットの端子列のうちの任意の端子との間でスイッチングを行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記半導体モジュールは、
２つの立体パッケージによる側面ソケットの挟み込みの繰り返しにより、ｎ（ｎは３以上の整数）個の立体パッケージが（ｎ−１）個の側面ソケットを介して接続されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記半導体モジュールは、
ボルトを通すための穴が前記半導体ソケットに設けられ、
基板に、前記２つの半導体パッケージと前記半導体ソケットとが積み重ねられ、
前記半導体ソケットの穴に前記ボルトが通され、前記ボルトが前記基板に固定され、積み重ねられた前記２つの半導体パッケージと前記半導体ソケットが前記ボルトにより前記基板に固定されることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記半導体モジュールは、
電源端子及びＧＮＤ端子が配置された基板に、前記２つの半導体パッケージと前記半導体ソケットとが積み重ねられ、
前記半導体ソケット又は、積み重ねられた前記２つの半導体パッケージと前記半導体ソケットの上に配置される追加ソケットのいずれかに、電源用端子とＧＮＤ用端子とが設けられ、
前記電源用端子と前記基板の電源端子と、前記ＧＮＤ用端子と前記基板のＧＮＤ端子とが接続されることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記スイッチング素子は、
スイッチングパターンを変更可能であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体モジュール。
【請求項１２】
前記半導体ソケットに、前記スイッチング素子のスイッチングパターンを変更するための端子が配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体モジュール。
【請求項１３】
前記側面ソケットのスイッチング素子は、
スイッチングパターンを変更可能であることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体モジュール。
【請求項１４】
前記側面ソケットに、前記側面ソケットのスイッチング素子のスイッチングパターンを変更するための端子が配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体パッケージ（以下、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）パッケージともいう）を接続する半導体ソケット（以下、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）ソケットともいう）及び複数の半導体パッケージと半導体ソケットとが接続された半導体モジュール（立体パッケージともいう）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＳＩパッケージは小型化かつ高機能化を目的に、素材から実装方法、高集積化技術が開発されていた。
【０００３】
ＬＳＩパッケージの集積化手法としては、例えば、特許文献１〜３に記載の手法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１７２１４７号公報
【特許文献２】特開平７−１４７３６８号公報
【特許文献３】特開２００４−１４８９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、平面ＬＳＩパッケージを複数個重ねることのできるＩＣソケットを用いることで、基板上の実装面積を増やさず高集積化を図っている。
【０００６】
しかし、特許文献１の手法では、ＬＳＩ間の接続が箱形の形状をしたソケットにおける配線で固定されているため、高集積化は可能だがＬＳＩ間の接続を変更することは困難である。
【０００７】
特許文献２では、ＬＳＩパッケージの４辺から外部端子を出力しているが、そのうち２辺は上方向とし、その他を下方向に出力する構造となっている。
また、外部端子の逆側には端子と接続するための穴が開いたメスピン構造になっている。
【０００８】
この構造により、同様の構造を持つＬＳＩパッケージであれば、上または下側に複数接続することができ、同じ設置面積でも高集積化が可能となる。
【０００９】
また、ＬＳＩパッケージでなく基板も上下に配置可能であることから、回路基板を２枚使用することで空間の有効利用が可能となる。
【００１０】
しかし、特許文献２の手法では、ＬＳＩパッケージの出力端子数は変わっていないため、特許文献１と同様に、高集積化は可能だがＬＳＩ間の接続を変更することは困難である。
【００１１】
さらに、ＬＳＩパッケージの構造上、上下で接続するピンが固定されてしまうため、一方の端子入出力仕様を変更する場合、接続する他方の端子入出力も変更する必要があり、ＬＳＩパッケージを再作成する必要が出てきてしまう。
【００１２】
特許文献３では、ＬＳＩパッケージをキューブ状にすることで、ＬＳＩパッケージから出力される端子の面を１面から６面に増やしている。
さらに、接続用のコネクタを用いることで、同じキューブ状のＬＳＩパッケージと接続が可能であり、水平方向だけでなく垂直方向への配置も可能としている。
【００１３】
しかし、特許文献３のコネクタ形状では、水平または垂直方向に配置されたキューブ状のパッケージと接続することは可能だが、斜めに位置するキューブ状のパッケージと直接接続することができない。
一度、隣接するキューブ状パッケージを経由すれば、斜めに位置するキューブ状のパッケージに接続可能だが、キューブ状のパッケージ端子および内部回路を使って配線するため無駄が生じてしまう。
【００１４】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、複数の半導体パッケージの接続に関し、高集積化を図りつつ、配線自由度の向上を可能にすることを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る半導体ソケットは、
複数の端子が配置されている端子配置面が存在する板状の２つの半導体パッケージに、２つの端子配置面から挟み込まれる板状の半導体ソケットであって、
端子配置面に対向する２つの対向面の各面に、前記複数の端子の配置に対応させた複数の端子が配置され、
前記２つの対向面の各端子と配線接続されているスイッチング素子が配置され、
前記２つの半導体パッケージに２つの端子配置面から挟み込まれ、前記２つの対向面の各端子が対向する端子配置面の端子と接触し、
前記スイッチング素子が、前記２つの対向面の端子を介して、前記２つの半導体パッケージの端子間でスイッチングを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、スイッチング素子のスイッチングパターンを変更することで、高集積化を図りつつ、配線自由度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１に係る構成例を示す図。
【図２】実施の形態２に係る構成例を示す図。
【図３】実施の形態３に係る構成例を示す図。
【図４】実施の形態に３係るＩＣソケットの例を示す図。
【図５】実施の形態に３係る側面ソケットの例を示す図。
【図６】実施の形態４に係る構成例を示す図。
【図７】実施の形態５に係る構成例を示す図。
【図８】実施の形態６に係る構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下の実施の形態では、ＬＳＩパッケージと接続用ＩＣソケットとを組み合わせる構成を説明する。
より具体的には、書き換え可能なスイッチング用ベアチップを搭載したＩＣソケットを介して、複数のＬＳＩパッケージを重ねることで小面積での高集積化を図りつつ、配線自由度の向上、実装強度向上、電源／ＧＮＤ強化を可能にする構成を説明する。
【００１９】
実施の形態１．
本実施の形態に係る立体パッケージ（半導体モジュール）は、図１に示すように、上面及び下面のいずれか一方又は上下面の両面に外部端子を持つ板状のＬＳＩパッケージ１、３と、このＬＳＩパッケージ１、３と対を成すＩＣソケット２を積み上げるように構成する。
ＩＣソケット２には、中央部に、スイッチングパターンを書き換え可能なスイッチング用ベアチップ４が搭載されている。
スイッチング用ベアチップ４は、ＩＣソケット２上の各端子と配線接続されており、ＩＣソケット２上の端子を介して、ＬＳＩパッケージ１の外部端子とＬＳＩパッケージ３の外部端子との間でスイッチングを行う。
スイッチング用ベアチップ４は、スイッチング素子の例である。
【００２０】
図１（ａ）は、ＬＳＩパッケージ１、３、ＩＣソケット２、基板６を示す図であり、図１（ｂ）はＬＳＩパッケージ１、３、ＩＣソケット２、基板６が実装されたプリント基板の斜視図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のプリント基板の側面図である。
【００２１】
図１（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＬＳＩパッケージ１は上下両面に複数の外部端子が配置されており、下面が基板６に実装され、上面がＩＣソケット２と接続される。
また、ＬＳＩパッケージ３は、下面にのみに複数の外部端子が配置されており、下面がＩＣソケット２と接続される。
ＬＳＩパッケージ１、３において、外部端末が配置されている面を端子配置面という。
ＩＣソケット２には、ＬＳＩパッケージ１の端子配置面（上面）と対向する対向面と、ＬＳＩパッケージ３の端子配置面と対向する対向面に、端子配置面の外部端子の配置に対応させて（対を成す位置に）複数の端子５が配置されている。
そして、ＩＣソケット２は、２つのＬＳＩパッケージ１、３に挟み込まれ、２つの対向面の各端子が対向する端子配置面の端子と接触する。
ＬＳＩパッケージ１とＩＣソケット２とＬＳＩパッケージ３が相互に積み上げられた形で接続され、１つの回路（立体パッケージ）を構成する。
【００２２】
図１（ｂ）のようにＬＳＩパッケージ１とＬＳＩパッケージ３をＩＣソケット２で接続する構造にて積み上げることで、ＬＳＩパッケージ１から出力された電気信号は、ＩＣソケット２の端子５とスイッチング用ベアチップ４を経由して、もう片方のＬＳＩパッケージ３に入力される。
スイッチング用ベアチップ４はＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）のように回路構造を書き換えることが可能であり、これにより上下に接続するＬＳＩパッケージ１とＬＳＩパッケージ３の入出力端子の接続を自由に切り替えることができる。
なお、スイッチング用ベアチップ４をＩＣソケット２の内部に実装し、書き換え用の端子を配置した子基板をＩＣソケット２としてもよい。
そして、書き換え用の端子から書き換え用の信号を送信することで、スイッチング用ベアチップ４のスイッチングパターンを書き換えることができる。
【００２３】
このように、本実施の形態によれば、ＩＣソケットのスイッチング用ベアチップ（配線用回路）を書き換えることで、ＬＳＩパッケージ間の配線を変更することが可能である。
【００２４】
以上、本実施の形態では、
ＬＳＩパッケージの上下両面に端子を持つことで下面の端子により基板と接続し、書き換え可能なスイッチング用ベアチップを搭載したＩＣソケット（もしくは子基板）を介して、上面の端子と他のＬＳＩを積み上げて接続可能とした、小面積で大規模論理を実装可能な立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケット（もしくは子基板）を説明した。
【００２５】
実施の形態２．
本実施の形態に係る立体パッケージ（半導体モジュール）は、図２に示すように、上下両面に外部端子を持つＬＳＩパッケージ１と、このパッケージと対を成すＩＣソケット２を複数段積み上げるように構成する。
実施の形態１と同様に、ＩＣソケット２には、書き換え可能なスイッチング用ベアチップ４が搭載されている。
【００２６】
図２は実施の形態２に係る立体パッケージの一例を示し、図２（ａ）はＬＳＩパッケージ１、３、ＩＣソケット２、基板６を実装したプリント基板の斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のプリント基板の側面図である。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、本実施の形態のＬＳＩパッケージ１は上下両面に外部端子を持つ。
下段のＬＳＩパッケージ１は、下面が基板６に実装され、上面がＩＣソケット２と接続される。
中段のＬＳＩパッケージ１は、下面がＩＣソケット２と接続され、上面が他のＩＣソケット２と接続される。
ＩＣソケット２は、上下両面に端子を備え、下面がＬＳＩパッケージ１と接続され、上面が他のＬＳＩパッケージ１と接続される。
このようにＬＳＩパッケージ１とＩＣソケット２が相互に複数段積み上げられた形で接続され、最上部にＬＳＩパッケージ１またはＬＳＩパッケージ３をＩＣソケット２と接続することで、１つの回路（立体パッケージ）を構成する。
【００２８】
図２に示す構成においては、ＬＳＩパッケージ間の接続は全てＩＣソケット２を介して行なわれるため、最上位のＬＳＩパッケージから最下位のＬＳＩパッケージまで接続する場合は、その間にあるＬＳＩパッケージとＩＣソケットを介して接続される。
【００２９】
図２では、４段のＬＳＩパッケージと３段のＩＣソケットを交互に積み重ねた例を示しているが、積み上げの段数は任意であり、ｍ段（ｍは３以上）のＬＳＩパッケージと（ｍ−１）段のＩＣソケットを交互に積み重ねることができる。
【００３０】
このように、本実施の形態によれば、ＩＣソケットのスイッチング用ベアチップ（配線用回路）を書き換えることで、ＬＳＩパッケージ間の配線を変更することが可能である。
また、実装面積を増やすことなく、回路規模を増やすことが可能である。
【００３１】
以上、本実施の形態では、
複数のＬＳＩパッケージの上下両面に端子を持つ立体ＬＳＩパッケージと、書き換え可能なスイッチング用ベアチップを搭載した複数のＩＣソケット使用することで、ＬＳＩパッケージを３段以上積み上げて接続可能とした、小面積で大規模論理を実装可能な立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケット（もしくは子基板）を説明した。
【００３２】
実施の形態３．
本実施の形態に係る立体パッケージ（半導体モジュール）は、図３に示すように、上下両面に外部端子を持つＬＳＩパッケージ１と、このＬＳＩパッケージ１と対を成すＩＣソケット７を複数段積み上げるように構成し、更にＩＣソケット７と接続可能な側面ソケット８を側面に配置するように構成する。
図３（ａ）は本実施の形態に係る立体パッケージの斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の側面図である。
【００３３】
本実施の形態に係るＩＣソケット７では、図４に示すように、ＬＳＩパッケージ１に対向する対向面に配置されている端子５に加えて、側面に側面端子５０の列を配置している。
側面端子５０は、側面ソケット８の端子と接続するための端子である。
実施の形態１、２と同様に、ＩＣソケット７には、スイッチングパターンを書き換え可能なスイッチング用ベアチップ４が搭載されている。
本実施の形態に係るスイッチング用ベアチップ４は、端子５に加え、側面端子５０にも配線接続されている。
【００３４】
側面ソケット８には、図５に示すように、図４のＩＣソケット７の側面端子５０と接続できる位置に端子５５が配置されている。
つまり、端子５５は、ＩＣソケット７がＬＳＩパッケージ１に挟まれて積み上げられた際のＩＣソケット７の高さ位置に対応する位置に配置されている。
図３及び図５の側面ソケット８では、ＩＣソケット７が３段積み上げられているので、各段の高さ位置と一致する位置に、端子５５の列が３列設けられている。
また、側面ソケット８にも、スイッチングパターンを書き換え可能なスイッチング用ベアチップ４０が搭載されている。
スイッチング用ベアチップ４０は、スイッチング用ベアチップ４０の上下に配置された端子５５と配線接続されており、ＩＣソケット７の間のスイッチングを行う。
また、スイッチング用ベアチップ４０間も配線接続されている。
このため、２つのスイッチング用ベアチップ４０により、例えば、端子５５ａと端子５５ｂとを電気的に接続することも可能である。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、本実施の形態のＬＳＩパッケージ１は上下両面に持つ外部端子により、ＩＣソケット７と接続される。
ＩＣソケット７も上下両面に備える端子により、ＬＳＩパッケージ１と接続される。
ＬＳＩパッケージ１とＩＣソケット７が相互に複数段積み上げられた形で接続され、最上部にＬＳＩパッケージ１またはＬＳＩパッケージ３をＩＣソケット２と接続することで、１つの回路（立体パッケージ）を構成する。
さらに側面に配置した側面ソケット８がＩＣソケット７間を接続することで、上部のＬＳＩパッケージと下部のＬＳＩパッケージを直接接続可能とする。
【００３６】
ＬＳＩパッケージ１とＩＣソケット２は理想的には無制限に積み上げ可能であるが、一般的に積み上げ段数を増やすほどに振動への耐久性が低下し、且つ基板までの配線遅延が大きくなる。
側面の側面ソケット８を介して接続することで、振動への耐久性を向上させることができる。
また、側面の側面ソケット８を介して接続することで、中間のＬＳＩパッケージを介さないで離れたＬＳＩパッケージ同士を接続することが可能になるため、基板までの配線遅延を小さくすることが可能である。
【００３７】
なお、ＩＣソケット７の側面端子５０は、ＩＣソケット７の４つの側面の全てに配置してもよいし、１面のみであってもよい。
【００３８】
このように、本実施の形態によれば、ＩＣソケットのスイッチング用ベアチップ（配線用回路）を書き換えることで、ＬＳＩパッケージ間の配線を変更することが可能である。
また、側面ソケットにより、振動への耐久性を向上させることができる。
また、実装面積を増やすことなく、回路規模を増やすことが可能である。
更に、側面ソケットにより、離れたＬＳＩパッケージとの接続に、ＬＳＩパッケージを介さずに接続することが可能である。
【００３９】
以上、本実施の形態では、
書き換え可能なスイッチング用ベアチップを搭載したＩＣソケット（もしくは子基板）の側面に端子（または電極）を出し、複数のＩＣソケットを側面ソケットで接続することで、積み上げたＬＳＩ同士の直接接続を可能とする、小面積で大規模論理を実装可能な立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケット（もしくは子基板）を説明した。
【００４０】
実施の形態４．
本実施の形態に係る立体パッケージ（半導体モジュール）は、図６に示すように、実施の形態３により構成された回路を横方向に配置するように構成する。
図６は、本実施の形態に係る実装したプリント基板の斜視図である。
【００４１】
図６に示すように、本実施の形態のＬＳＩパッケージ１は上下両面に持つ外部端子により、基板６又はＩＣソケット７と接続される。
ＩＣソケット７も上下両面に備える端子により、ＬＳＩパッケージ１と接続される。
ＬＳＩパッケージ１とＩＣソケット７が相互に複数段積み上げられた形で接続され、最上部にＬＳＩパッケージ１またはＬＳＩパッケージ３をＩＣソケット２と接続して立体パッケージ２１を形成し、また、同様にＬＳＩパッケージとＩＣソケットとを積み上げて立体パッケージ２２を形成する。
そして、立体パッケージ２１と立体パッケージ２２とを側面ソケット８を介して横方向に並べて接続することで、１つの回路（立体パッケージ）を構成する。
側面ソケット８は、図３〜５に示すように、両面に複数の端子５５とスイッチング用ベアチップ４０が配置されているので、立体パッケージ２１と立体パッケージ２２とを接続することができる。
側面ソケット８のスイッチング用ベアチップ４０は、立体パッケージ２１の任意のＩＣソケット７の任意の側面端子５０と、立体パッケージ２２の任意のＩＣソケット７の任意の側面端子５０との間でスイッチングを行うことができる。
この結果、側面ソケット８により、斜め方向（異なった段）に位置するＬＳＩパッケージ同士の直接接続可能とする。
【００４２】
このように、本実施の形態によれば、ＩＣソケットのスイッチング用ベアチップ（配線用回路）を書き換えることで、ＬＳＩパッケージ間の配線を変更することが可能である。
また、実装面積を最小限に増やすことで、回路規模を増やすことが可能である。
また、離れたＬＳＩパッケージとの接続に、ＬＳＩパッケージを介さずに接続することが可能である。
【００４３】
以上、本実施の形態では、
実施の形態３に記載の立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケットを接続した状態に、更に実施の形態３に記載の立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケットを側面に接続可能とした、小面積で大規模論理を実装可能な立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケット（もしくは子基板）を説明した。
【００４４】
実施の形態５．
本実施の形態に係る立体パッケージ（半導体モジュール）は、図７に示すように、上下両面に外部端子を持つＬＳＩパッケージ１と、このＬＳＩパッケージ１と対を成すＩＣソケット９を積み上げるように構成する。
【００４５】
本実施の形態におけるＬＳＩパッケージ同士の接続は、図７（ｂ）に示すようにボルト固定用の穴１０を設けたＩＣソケット９を用いて行う。
ＬＳＩパッケージとＩＣソケットを相互に重ねて接続する場合、理想的には無制限に積み上げ可能であるが、一般的に積み上げ段数を増やすほどに振動への耐久性が低下する。
このため、ＩＣソケット９及びＬＳＩパッケージ１、３を、ボルト１１、ナット１２を用いて基板６と固定することで、実装強度を向上させることが可能である。
【００４６】
本実施の形態のＩＣソケット９は、複数の端子５とスイッチング用ベアチップ４が配置されるとともに、ボルト１１を通すための穴１０が４隅に設けられている。
図７（ｂ）では、４つの穴１０が設けられ、４つのボルト１１が通される例を示しているが、穴及びボルトの数は任意である。
【００４７】
このように、本実施の形態によれば、ＩＣソケットのスイッチング用ベアチップ（配線用回路）を書き換えることで、ＬＳＩパッケージ間の配線を変更することが可能である。
また、ボルトで固定することで耐震性を向上させることが可能である。
【００４８】
以上、本実施の形態では、
ＩＣソケット（もしくは子基板）をＬＳＩパッケージよりも面積を広くした状態でボルト貫通用の穴を設け、基板とボルト／ナットで固定することにより実装強度を向上した、小面積で大規模論理を実装可能な立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケット（もしくは子基板）を説明した。
【００４９】
実施の形態６．
本実施の形態に係る立体パッケージ（半導体モジュール）は、図８に示すように、上下両面に外部端子を持つＬＳＩパッケージ１と、このパッケージと対を成すＩＣソケット２を積み上げるように構成する。
【００５０】
本実施の形態におけるＬＳＩパッケージ同士の接続には、図８（ｂ）に示すようにＬＳＩパッケージ１とＩＣソケット２を重ねて接続する。
ＬＳＩパッケージとＩＣソケットを相互に重ねて接続する場合、理想的には無制限に積み上げ可能であるが、一般的に積み上げ段数を増やすほどに基板からの距離が遠くなり、電源／ＧＮＤ（グラウンド）が弱くなる。
そこで、電源用端子１６とＧＮＤ用端子１９とを持つ追加ソケット１３により、基板６に配置された電源１４とＧＮＤ１７と接続することで、上部のＬＳＩパッケージ３に対して電源／ＧＮＤを強化することが可能である。
【００５１】
図８（ｂ）に示すように、追加ソケット１３は、複数の端子５とスイッチング用ベアチップ４が配置されるとともに、電源用端子１６とＧＮＤ用端子１９が設けられている。
電源用端子１６は、電源接続用ケーブル１５を介して基板６の電源１４に接続され、ＧＮＤ用端子１９は、ＧＮＤ接続用ケーブル１８を介して基板６のＧＮＤ１７に接続される。
【００５２】
また、電源／ＧＮＤを強化する別の実施の形態として、図３または図４の構成において側面ソケット８が基板６と接する面に電極を持たせることで、基板６から側面ソケット８を介して各ＩＣソケット７へ電源／ＧＮＤを供給することにより、各ＬＳＩパッケージに対して電源／ＧＮＤを強化することが可能である。
【００５３】
このように、本実施の形態によれば、ＩＣソケットのスイッチング用ベアチップ（配線用回路）を書き換えることで、ＬＳＩパッケージ間の配線を変更することが可能である。
また、基板から直接電源／ＧＮＤを接続することで、電源／ＧＮＤを強化させることが可能である。
【００５４】
以上、本実施の形態では、
ＩＣソケット（もしくは子基板）をＬＳＩパッケージよりも面積を広くした状態で電源／ＧＮＤ接続用の端子を設け、基板から直接電源／ＧＮＤを接続することで電源強化を可能とした、小面積で大規模論理を実装可能な立体ＬＳＩパッケージおよびＩＣソケット（もしくは子基板）を説明した。
【符号の説明】
【００５５】
１  ＬＳＩパッケージ、２  ＩＣソケット、３  ＬＳＩパッケージ、４  スイッチング用ベアチップ、５  端子、６  基板、７  ＩＣソケット、８  側面ソケット、９  ＩＣソケット、１０  固定用穴、１１  ボルト、１２  ナット、１３  追加ソケット、１４  電源、１５  電源接続用ケーブル、１６  電源用端子、１７  ＧＮＤ、１８  ＧＮＤ接続用ケーブル、１９  ＧＮＤ用端子、２１  立体パッケージ、２２  立体パッケージ、４０  スイッチング用ベアチップ、５０  側面端子、５５  端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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