(57)【要約】【課題】散乱層または保護層の表面に欠陥が存在する場合であっても、その後、散乱層または保護層の上部に成膜される両電極間の短絡を抑制することが可能な、有機ＬＥＤ素子を提供する。【解決手段】透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に形成された有機発光層と、該有機発光層上に形成された第２の電極とを有する有機ＬＥＤ素子であって、前記有機発光層が形成されていない前記第１の電極上に、前記第１の電極と前記第２の電極とが電気的に接続されないように形成されるリペア材料とを備えたことを特徴とする有機ＬＥＤ素子。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に形成された有機発光層と、該有機発光層上に形成された第２の電極とを有する有機ＬＥＤ素子であって、
前記有機発光層が形成されていない前記第１の電極上に、前記第１の電極と前記第２の電極とが電気的に接続されないように形成されるリペア材料とを備えたことを特徴とする有機ＬＥＤ素子。
【請求項２】
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に形成された有機発光層と、該有機発光層上に形成された第２の電極とを有する有機ＬＥＤ素子であって、
前記散乱層の表面には、欠陥が存在し、
該欠陥の部分には、リペア材料が存在し、該リペア材料は、前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置され、
前記第１の電極は、前記リペア材料を覆う連続的な層で構成されることを特徴とする有機ＬＥＤ素子。
【請求項３】
前記散乱層上に保護層を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項４】
前記リペア材料は、前記散乱層または前記保護層の表面の欠陥部分に配置されており、
前記欠陥は、異物および／または凹部であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項５】
前記リペア材料は、樹脂、ガラス、セラミック、および／または金属を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項６】
前記第１の電極は、電極層および追加導電層の２層構造となっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項７】
前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項８】
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された第１の電極とを有する透光性基板であって、
前記第１の電極上に、前記散乱層が露出されないように形成されるリペア材料を備えたことを特徴とする透光性基板。
【請求項９】
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された保護層と、該保護層上に形成された第１の電極とを有する透光性基板であって、
前記第１の電極上に、前記保護層が露出されないように形成されるリペア材料を備えたことを特徴とする透光性基板。
【請求項１０】
前記第１の電極は、前記リペア材料を覆う連続的な層で構成されることを特徴とする請求項８または９に記載の透光性基板。
【請求項１１】
透明基板と、散乱層と、第１の電極とを有する透光性基板を製造する方法であって、
（１ａ）前記透明基板上に前記散乱層を形成するステップと、
（１ｂ）前記散乱層上に前記第１の電極を形成するステップと、
（１ｃ）前記第１の電極上であって、前記散乱層が露出されないようにリペア材料を形成するステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
透明基板と、散乱層と、保護層と、第１の電極とを有する透光性基板を製造する方法であって、
（２ａ）前記透明基板上に前記散乱層を形成するステップと、
（２ｂ）前記散乱層上に前記保護層を形成するステップと、
（２ｃ）前記保護層上に前記第１の電極を形成するステップと、
（２ｄ）前記第１の電極上であって、前記保護層が露出されないようにリペア材料を形成するステップと、
を有する方法。
【請求項１３】
前記リペア材料は、前記散乱層または前記保護層の表面の欠陥部分に配置されており、
前記欠陥は、異物および／または凹部であることを特徴とする請求項１１または１２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１４】
前記リペア材料は、樹脂、ガラス、セラミック、および／または金属を有することを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の電極は、電極層および追加導電層の２層構造を有することを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＬＥＤ素子、透光性基板、および透光性基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子は、ディスプレイ、バックライト、および照明用途等に広く用いられている。
【０００３】
一般的な有機ＬＥＤ素子は、透明基板上に設置された第１の電極（陽極）と、第２の電極（陰極）と、これらの電極間に設置された有機発光層とを有する。電極間に電圧を印加すると、それぞれの電極から、有機発光層にホールおよび電子が注入される。このホールと電子が有機発光層内で再結合された際に、結合エネルギーが生じ、この結合エネルギーによって有機発光層中の有機発光材料が励起される。励起した発光材料が基底状態に戻る際に発光が生じるため、これを利用することにより、発光（ＬＥＤ）素子が得られる。
【０００４】
通常、第１の電極、すなわち陽極には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明薄膜が使用され、第２の電極、すなわち陰極には、アルミニウムおよび銀等の金属薄膜が使用される。
【０００５】
最近では、ＩＴＯ電極と透明基板の間に、散乱物質を有する散乱層を設置することが提案されている（例えば特許文献１）。このような構成では、有機層で生じた発光の一部は、散乱層中の散乱物質によって散乱されるため、ＩＴＯ電極や透明基板内に閉じ込められる光の量（全反射の光量）が少なくなり、有機ＬＥＤ素子の光取り出し効率を高めることができることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００９／０６０９１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述のように、特許文献１には、ＩＴＯ電極と透明基板の間に散乱層が設置された有機ＬＥＤ素子が示されている。
【０００８】
しかしながら、一般に、設置後の散乱層の表面には、異物や凹部のような欠陥が存在する場合がある。異物は、例えば、約５００μｍもの寸法に達する場合がある。同様に、凹部の直径および深さは、それぞれ、約５０μｍに達する場合がある。
【０００９】
このような欠陥が存在すると、その後の有機ＬＥＤ素子を構成する電極および有機発光層などの各層の成膜工程において、各層の付きまわりが悪くなるおそれがある。特に、存在する欠陥の形状によっては、後続の成膜工程において、成膜用物質が散乱層の表面に到達することが妨害されてしまう。この場合、発光層を介して離間されるべき２つの電極が相互に短絡してしまうという問題が生じ得る。また、そのような場合、最終的に得られる有機ＬＥＤ素子に、所望の特性が得られなくなったり、発光が得られなくなったりする可能性がある。
【００１０】
なお、一部の有機ＬＥＤ素子においては、散乱層の上部に、さらに保護層を有する構成のものが存在するが、この構成の場合も、同様の問題が生じ得る。すなわち、設置後の保護層の表面に、異物や凹部のような欠陥が存在すると、その後の成膜工程において、各層の付きまわりが悪くなり、２つの電極が相互に短絡してしまう危険性がある。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、散乱層または保護層の表面に欠陥が存在する場合であっても、その後、散乱層または保護層の上部に成膜される両電極間の短絡を抑制することが可能な、有機ＬＥＤ素子を提供することを目的とする。また、そのような有機ＬＥＤ素子に使用され得る透光性基板、およびそのような透光性基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に形成された有機発光層と、該有機発光層上に形成された第２の電極とを有する有機ＬＥＤ素子であって、
前記有機発光層が形成されていない前記第１の電極上に、前記第１の電極と前記第２の電極とが電気的に接続されないように形成されるリペア材料とを備えたことを特徴とする有機ＬＥＤ素子が提供される。
【００１３】
また、本発明では、
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に形成された有機発光層と、該有機発光層上に形成された第２の電極とを有する有機ＬＥＤ素子であって、
前記散乱層の表面には、欠陥が存在し、
該欠陥の部分には、リペア材料が存在し、該リペア材料は、前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置され、
前記第１の電極は、前記リペア材料を覆う連続的な層で構成されることを特徴とする有機ＬＥＤ素子が提供される。
【００１４】
ここで、本発明による有機ＬＥＤ素子は、前記散乱層上に保護層を備えても良い。
【００１５】
また、本発明による有機ＬＥＤ素子において、前記リペア材料は、前記散乱層または前記保護層の表面の欠陥部分に配置されており、
前記欠陥は、異物および／または凹部であっても良い。
【００１６】
また、本発明による有機ＬＥＤ素子において、前記リペア材料は、樹脂、ガラス、セラミック、および／または金属を有しても良い。
【００１７】
また、本発明による有機ＬＥＤ素子において、前記第１の電極は、電極層および追加導電層の２層構造となっていても良い。
【００１８】
また、本発明による有機ＬＥＤ素子において、前記散乱層は、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有しても良い。
【００１９】
さらに、本発明では、
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された第１の電極とを有する透光性基板であって、
前記第１の電極上に、前記散乱層が露出されないように形成されるリペア材料を備えたことを特徴とする透光性基板が提供される。
【００２０】
さらに、本発明では、
透明基板と、該透明基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成された保護層と、該保護層上に形成された第１の電極とを有する透光性基板であって、
前記第１の電極上に、前記保護層が露出されないように形成されるリペア材料を備えたことを特徴とする透光性基板が提供される。
【００２１】
ここで、本発明による透光性基板において、前記第１の電極は、前記リペア材料を覆う連続的な層で構成されても良い。
【００２２】
さらに、本発明では、
透明基板と、散乱層と、第１の電極とを有する透光性基板を製造する方法であって、
（１ａ）前記透明基板上に前記散乱層を形成するステップと、
（１ｂ）前記散乱層上に前記第１の電極を形成するステップと、
（１ｃ）前記第１の電極上であって、前記散乱層が露出されないようにリペア材料を形成するステップと、
を有する方法が提供される。
【００２３】
さらに、本発明では、
透明基板と、散乱層と、保護層と、第１の電極とを有する透光性基板を製造する方法であって、
（２ａ）前記透明基板上に前記散乱層を形成するステップと、
（２ｂ）前記散乱層上に前記保護層を形成するステップと、
（２ｃ）前記保護層上に前記第１の電極を形成するステップと、
（２ｄ）前記第１の電極上であって、前記保護層が露出されないようにリペア材料を形成するステップと、
を有する方法が提供される。
【００２４】
ここで、本発明による方法において、
前記リペア材料は、前記散乱層または前記保護層の表面の欠陥部分に配置されており、
前記欠陥は、異物および／または凹部であっても良い。
【００２５】
また、本発明による方法において、前記リペア材料は、樹脂、ガラス、セラミック、および／または金属を有しても良い。
【００２６】
また、本発明による方法において、前記第１の電極は、電極層および追加導電層の２層構造を有しても良い。
【発明の効果】
【００２７】
本発明では、散乱層または保護層の表面に欠陥が存在する場合であっても、その後、散乱層または保護層の上部に成膜される両電極間の短絡を抑制することが可能な、有機ＬＥＤ素子を提供することができる。また、本発明では、そのような有機ＬＥＤ素子に使用され得る透光性基板、およびそのような透光性基板を製造する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】従来の有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図２】従来の有機ＬＥＤ素子を構成する際の問題点を説明するための模式図である。
【図３】従来の有機ＬＥＤ素子を構成する際の問題点を説明するための模式図である。
【図４】本発明の第１実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図５】散乱層の表面に異物のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の形態の一例を模式的に示した図である。
【図６】散乱層の表面に凹部のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の形態の一例を模式的に示した図である。
【図７】本発明の第２実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図８】本発明の第３実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図９】散乱層の表面に異物のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図１０】散乱層の表面に凹部のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図１１】本発明の第４実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図１２】保護層の表面に異物のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図１３】保護層の表面に凹部のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図１４】本発明の第５実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図１５】散乱層の表面に異物のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図１６】散乱層の表面に凹部のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図１７】本発明の第６実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図１８】保護層の表面に異物のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図１９】保護層の表面に凹部のような欠陥が存在する場合の、リペア材料の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図２０】第１実施例による有機ＬＥＤ素子を製造する際のフローの一例を概略的に示した図である。
【図２１】塗布針法により、散乱層の表面の欠陥部分にリペア材料を設置する際の様子を模式的に示した図である。
【図２２】噴出法により、散乱層の表面の欠陥部分にリペア材料を設置する際の様子を模式的に示した図である。
【図２３】第２実施例による有機ＬＥＤ素子を製造する際のフローの一例を概略的に示した図である。
【図２４】第３実施例による有機ＬＥＤ素子を製造する際のフローの一例を概略的に示した図である。
【図２５】第４実施例による有機ＬＥＤ素子を製造する際のフローの一例を概略的に示した図である。
【図２６】第５実施例による有機ＬＥＤ素子を製造する際のフローの一例を概略的に示した図である。
【図２７】第６実施例による有機ＬＥＤ素子を製造する際のフローの一例を概略的に示した図である。
【図２８】ＩＴＯ層を形成した後の、第１のガラス基板の模式的な上面図を示した図である。
【図２９】有機ＬＥＤ素子サンプルの上面図を概略的に示した図である。
【図３０】有機ＬＥＤ素子サンプルの発光領域を、第１のガラス基板側から観察した際の反射像（電圧印加前）を示した図である。
【図３１】有機ＬＥＤ素子サンプルの発光領域を、第１のガラス基板側から観察した際の反射像（電圧印加中）の状態を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照して、本発明について詳しく説明する。
【００３０】
（従来の有機ＬＥＤ素子）
まず、本発明の特徴をより良く理解するため、図１を用いて、特許文献１に記載された、従来の有機ＬＥＤ素子の構成について簡単に説明する。図１には、従来の有機ＬＥＤ素子の簡略的な断面図を示す。
【００３１】
図１に示すように、従来の有機ＬＥＤ素子１は、ガラス基板１０と、散乱層２０と、透明電極（陽極）４０と、有機発光層５０と、第２の電極（陰極）６０とをこの順に積層することにより構成される。なお、図１の例では、有機ＬＥＤ素子１の下側の表面（すなわちガラス基板１０の露出面）が光取り出し面となる。
【００３２】
このような有機ＬＥＤ素子１において、有機発光層５０で生じた発光は、散乱層２０で有効に散乱される。このため、このような有機ＬＥＤ素子１の構成では、散乱層２０を有さない構造に比べて、有機ＬＥＤ素子１の光取り出し面からの光の取り出し効率を高めることができる。
【００３３】
ここで、散乱層２０は、例えば、高屈折率のガラス粉末を含むペーストを焼成処理することにより形成される。
【００３４】
しかしながら、一般に、成膜後の散乱層２０の表面には、成膜原料および／または製造工程に起因した、異物や凹部のような（１または２以上の）欠陥が存在する場合がある。異物は、例えば、約５００μｍもの寸法に達する場合がある。同様に、凹部の直径および深さは、それぞれ、約５０μｍに達する場合がある。
【００３５】
散乱層２０の表面に、このような欠陥が存在すると、その後の透明電極４０、有機発光層５０、および第２の電極６０の成膜工程において、各層の付きまわりが悪くなるおそれがある。特に、存在する欠陥の形状によっては、後続の成膜工程において、成膜用物質が散乱層２０の表面に到達することが妨害されてしまう。この場合、有機発光層５０を介して離間されるべき２つの電極４０、６０が相互に短絡してしまうという問題が生じ得る。また、そのような場合、最終的に得られる有機ＬＥＤ素子１に、所望の特性が得られなくなったり、発光が得られなくなったりする可能性がある。
【００３６】
図２は、散乱層２０の表面に異物のような欠陥が存在する状態で、透明電極４０、有機発光層５０、および第２の電極６０を順次成膜したときの層構造の変化を模式的に示した図である。
【００３７】
図２（ａ）に示すように、散乱層２０の表面２９には、異物２１が存在する。異物２１は、第１の側面２５および第２の側面２６を有する。第１の側面２５は、上側から下側に向かって、異物２１の粒径が減少するように形成されている。同様に、第２の側面２６は、上側から下側に向かって、異物２１の粒径が減少するように形成されている。
【００３８】
この状態で、透明電極４０を成膜するため、成膜物質を散乱層上にスパッタ法や蒸着法で堆積させた場合、図２（ｂ）に示すように、成膜物質は、異物２１の上部に堆積して、層部分４１ａを形成するとともに、異物２１の存在しない散乱層２０の表面２９の上部に堆積して、層部分４１ｂおよび４１ｃを形成する。
【００３９】
ここで、成膜物質は、異物２１の第１の側面２５の存在により、散乱層２０の表面２９の領域Ｓ１には、堆積されにくくなる。このため、層部分４１ｂは、図２（ｂ）に示すように、散乱層２０の表面２９の領域Ｓ１を完全には覆わない形態で形成される。同様に、成膜物質は、異物２１の第２の側面２６の存在により、散乱層２０の表面２９の領域Ｓ２には、堆積されにくくなる。このため、層部分４１ｃは、図２（ｂ）に示すように、散乱層２０の表面２９の領域Ｓ２を完全には覆わない形態で形成される。
【００４０】
次に、有機発光層５０を成膜するため、成膜物質を透明電極４０の上部に堆積させた場合、図２（ｃ）に示すように、成膜物質は、透明電極４０の層部分４１ａ、４１ｂ、および４１ｃのそれぞれの上部に堆積される。その結果、有機発光層５０の層部分５１ａ、５１ｂ、および５１ｃが形成される。
【００４１】
なお、この場合も、異物２１のため、層部分５１ｂおよび５１ｃは、散乱層２０の表面２９の領域Ｓ１およびＳ２の上方には、形成されにくくなる。特に、有機発光層５０の層部分５１ａは、透明電極４０の層部分４１ａを完全に覆い、層部分４１ａの側部にも延在するような形態で形成される傾向にある。そしてこの層部分５１ａが、有機発光層５０の成膜物質を堆積させる際に陰となるため、層部分５１ｂおよび５１ｃの形成領域は、透明電極４０の層部分４１ｂ、４１ｃに比べて、より狭小化される。
【００４２】
次に、第２の電極６０を成膜するため、成膜物質を有機発光層５０の上部に堆積させた場合、図２（ｄ）に示すように、成膜物質は、有機発光層５０の層部分５１ａ、５１ｂ、および５１ｃのそれぞれの上部に堆積される。その結果、第２の電極６０の層部分６１ａ、６１ｂ、および６１ｃが形成される。
【００４３】
この場合も、異物２１のため、層部分６１ｂおよび６１ｃは、散乱層２０の表面２９の領域Ｓ１およびＳ２の上方には、形成されにくくなる。特に、第２の電極６０の層部分６１ａは、有機発光層５０の層部分５１ａを完全に覆い、層部分５１ａの側部にも延在するような形態で形成される傾向にある。そしてこの層部分６１ａが、第２の電極６０の成膜物質を堆積させる際に陰となるため、層部分６１ｂおよび６１ｃの形成領域は、有機発光層５０の層部分５１ｂ、５１ｃに比べて、より狭小化される。
【００４４】
このような成膜工程を経て得られる層構造の場合、図２（ｄ）の丸印Ａに示す箇所において、透明電極４０の層部分４１ｂと、第２の電極６０の層部分６１ｂとが接触する危険性が高くなる（透明電極４０の層部分４１ｃと、第２の電極６０の層部分６１ｃとの関係も同様であり、さらに透明電極４０の層部分４１ａと、第２の電極６０の層部分６１ａとの関係も同様である）。
【００４５】
このように、散乱層２０上の異物２１の存在は、その後の透明電極４０、有機発光層５０、および第２の電極６０の成膜工程において、各層の付きまわりを悪化させるおそれがある。また、この影響が顕著になると、２つの電極４０、６０同士が短絡してしまうという問題が生じ得る。さらに、このような短絡が生じた場合、最終的に得られる有機ＬＥＤ素子１に、所望の特性が得られなくなってしまう。
【００４６】
以上の記載では、欠陥の一例として、図２に示すような第１の側面２５および第２の側面２６を有する異物２１を仮定して、想定される問題を説明した。しかしながら、散乱層２０の表面２９に、他の形状の異物が存在する場合も、同様の問題が生じ得ることは、当業者には明らかであろう。
【００４７】
例えば、異物の２つの側面２５、２６のうち、一方の側面（例えば側面２５）のみが、以降の成膜物質を堆積させる際に陰となるような形状を有する場合（例えば、異物が平行四辺形状の断面を有する場合など）、異物の側面２５の直下の散乱層２０の領域Ｓ１の近傍において、同様の問題が生じ得ることは明らかであろう。
【００４８】
また、散乱層２０の表面に存在する欠陥が凹部のような形態を有する場合も、図３に示すように、同様の問題が生じ得る。
【００４９】
図３は、散乱層２０の表面に凹部のような欠陥が存在する状態で、透明電極４０、有機発光層５０、および第２の電極６０を順次成膜したときの層構造の変化を模式的に示した図である。
【００５０】
この例では、図３（ａ）に示すように、散乱層２０の表面２９には、凹部３１が存在する。凹部３１は、散乱層２０の表面２９と、凹部３１の開口部の接線のなす角θおよびφ（図３（ａ）参照）が鋭角となるような側部３５および底部３６を有する。
【００５１】
散乱層２０が表面２９にこのような凹部３１を有する状態で、透明電極４０の成膜処理を行った場合、図３（ｂ）に示すように、成膜物質は、凹部３１の底部３６に堆積して、層部分４２ａを形成するとともに、散乱層２０の表面２９の凹部３１が存在しない部分に堆積して、層部分４２ｂおよび４２ｃを形成する。
【００５２】
ここで、成膜物質は、凹部３１の側部３５の形状の影響により、凹部３１を上部から見たとき散乱層２０の表面２９の陰となる領域Ｓ３およびＳ４には、堆積されにくくなる。このため、図３（ｂ）に示すように、層部分４２ａ〜４２ｃは、凹部３１の領域Ｓ３およびＳ４を完全には覆わない形態で形成される。すなわち、透明電極４０は、不連続な層として形成される。
【００５３】
次に、有機発光層５０を成膜するため、成膜物質を透明電極４０の上部に堆積させた場合、図３（ｃ）に示すように、成膜物質は、透明電極４０の層部分４２ａ、４２ｂ、および４２ｃのそれぞれの上部に堆積される。その結果、有機発光層５０の層部分５２ａ、５２ｂ、および５２ｃが形成される。
【００５４】
なお、この場合も、層部分５２ａ、５２ｂおよび５２ｃは、散乱層２０の表面２９により陰となる凹部３１の領域Ｓ３およびＳ４には、形成されにくくなる。従って、有機発光層５０は、不連続な層として形成される。
【００５５】
次に、第２の電極６０を成膜するため、成膜物質を有機発光層５０の上部に堆積させた場合、図３（ｄ）に示すように、成膜物質は、有機発光層５０の層部分５２ａ、５２ｂ、および５２ｃのそれぞれの上部に堆積される。その結果、第２の電極６０の層部分６２ａ、６２ｂ、および６２ｃが形成される。
【００５６】
この場合も、層部分６２ａ、６２ｂおよび６２ｃは、散乱層２０の表面２９により陰となる凹部３１の領域Ｓ３およびＳ４には、形成されにくくなる。従って、第２の電極６０は、不連続な層として形成される。
【００５７】
このような層構成の場合も、例えば、図３（ｄ）の丸印Ｃに示す箇所において、透明電極４０の層部分４２ｂ（または４２ｃ）と、第２の電極６０の層部分６２ａとが接触する危険性が高くなってしまうことは明らかであろう。
【００５８】
なお、図３の例では、凹部３１は、散乱層２０の表面２９と、凹部３１の開口部の接線のなす角θおよびφが、いずれも鋭角となるような側部３５を有する。しかしながら、これは一例であって、例えば、角θのみが鋭角となっている場合も、角θを有する側部の側で、同様の問題が生じ得ることは明らかであろう。
【００５９】
また、図１には示されていないが、一部の有機ＬＥＤ素子には、散乱層２０と透明電極４０の間に、さらに保護層を有する構成のものが存在する。
【００６０】
そのような有機ＬＥＤ素子の場合も、同様の問題が生じ得る。すなわち、設置後の保護層の表面に、異物や凹部のような欠陥が存在すると、その後の成膜工程において、各層の付きまわりが悪くなり、２つの電極が相互に短絡してしまう危険性がある。
【００６１】
このように、従来の有機ＬＥＤ素子では、散乱層または保護層の表面に存在する欠陥によって、その後成膜される２つの電極が相互に短絡してしまうという問題がある。
【００６２】
（本発明の第１実施例による有機ＬＥＤ素子）
次に、図４を参照して、本発明の第１実施例による有機ＬＥＤ素子の構成の一例について説明する。図４には、本発明の第１実施例による有機ＬＥＤ素子の一例の概略的な断面図を示す。
【００６３】
図４に示すように、この第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００は、透明基板１１０と、散乱層１２０と、第１の電極（陽極）１４０と、有機発光層１５０と、第２の電極（陰極）１６０とを、この順に積層することにより構成される。
【００６４】
なお、図には示されていないが、第１の電極１４０の上部には、さらに追加導電層が配置されても良い。
【００６５】
透明基板１１０は、有機ＬＥＤ素子を構成する各層を支持する役割を有する。
【００６６】
散乱層１２０は、第１の屈折率を有するガラス製のベース材１２１と、該ベース材１２１中に分散された、該ベース材１２１とは異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質１２４とで構成される。散乱層２２０の厚さは、例えば５μｍ〜５０μｍの範囲である。
【００６７】
第１の電極１４０は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）のような透明金属酸化物薄膜で構成され、厚さは、５０ｎｍ〜１．０μｍ程度である。一方、第２の電極１６０は、例えばアルミニウムや銀のような金属で構成される。
【００６８】
有機発光層１５０は、通常の場合、発光層の他、電子輸送層、電子注入層、ホール輸送層、およびホール注入層など、複数の層で構成される。
【００６９】
図４の例では、有機ＬＥＤ素子１００の下側の表面（すなわち透明基板１１０の露出面）が光取り出し面１９０となる。
【００７０】
散乱層１２０は、有機発光層１５０から生じる光を効果的に散乱させ、有機ＬＥＤ素子１００内で全反射される光の量を低減する役割を有する。従って、図４の構成の有機ＬＥＤ素子１００では、光取り出し面１９０から出射される光量を向上させることができる。
【００７１】
ここで、本発明の第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００では、散乱層１２０と第１の電極１４０の間に、リペア材料１７０が設置されている。
【００７２】
このリペア材料１７０は、散乱層１２０上に、異物および／または凹部のような欠陥が存在する場合であっても、その後散乱層１２０上に形成される第１の電極１４０〜第２の電極１６０の各層の付きまわり状態を悪化させることを抑制する部材として機能する。
【００７３】
図５を参照して、このリペア材料１７０の役割について、より詳しく説明する。
【００７４】
図５には、散乱層１２０の表面に異物のような欠陥が存在する場合の、リペア材料１７０の形態の一例を模式的に示す。
【００７５】
図５に示すように、散乱層１２０の表面１２９には、前述の図２に示した形態の異物２１が存在している。このため、散乱層１２０の表面１２９には、異物２１の第１および第２の側面２５、２６によって、陰となる領域Ｓ１およびＳ２が存在する。
【００７６】
しかしながら、図５では、散乱層１２０の表面１２９の上部に、異物２１を覆い、さらに、散乱層１２０の表面１２９の領域Ｓ１およびＳ２と接するようにして、リペア材料１７０が配置されている。
【００７７】
このようなリペア材料１７０は、異物２１の存在による影響を緩和することができる。
すなわち、リペア材料１７０を設置した後に、第１の電極１４０を形成した場合、第１の電極１４０は、図２に示したような３つの層部分４１ａ〜４１ｃを有する断続的な構成ではなく、図４に示すような連続した層として形成することができる。従って、その後形成される有機発光層１５０〜第２の電極１６０も、第１の電極１４０の上部に、連続的な形態で構成される。
【００７８】
このため、第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００では、前述のような異物２１の存在によって生じ得る、各層の付きまわりの問題、特に第１および第２の電極１４０、１６０の短絡の危険性を有意に抑制することが可能となる。
【００７９】
一方、図６には、散乱層１２０の表面に凹部のような欠陥が存在する場合の、リペア材料１７０の形態の一例を模式的に示す。
【００８０】
図６に示すように、散乱層１２０の表面１２９には、前述の図３に示した形態の凹部３１が存在している。凹部３１には、散乱層１２０の表面１２９によって陰となる領域Ｓ３およびＳ４が存在する。
【００８１】
ただし、図６の例では、凹部３１を覆うようにして、リペア材料１７０が配置されている。
【００８２】
このようなリペア材料１７０は、凹部３１の存在による影響を緩和することができる。すなわち、リペア材料１７０を設置した後に、第１の電極１４０を形成した場合、第１の電極１４０は、図３に示したような３つの層部分４２ａ〜４２ｃを有する断続的な構成ではなく、図４に示すような連続した層として形成することができる。従って、その後形成される有機発光層１５０〜第２の電極１６０も、第１の電極１４０の上部に、連続的な形態で構成される。
【００８３】
従って、この場合も、前述のような凹部３１の存在によって生じ得る、各層の付きまわりの問題、特に第１および第２の電極１４０、１６０の短絡の危険性を有意に抑制することが可能となる。
【００８４】
（本発明の第２実施例による有機ＬＥＤ素子）
次に、図７を参照して、本発明の第２実施例による有機ＬＥＤ素子の構成について説明する。図７には、本発明の第２実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図を示す。
【００８５】
図７に示すように、この第２実施例による有機ＬＥＤ素子２００は、基本的に、前述の第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００と同様の構成を有する。従って、図７において、図４と同様の部材には、図４の参照符号に１００を加えた参照符号が付されている。
【００８６】
ただし、第２実施例による有機ＬＥＤ素子２００は、第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００とは異なり、散乱層２２０と第１の電極２４０の間に、保護層２３０を有する。従って、リペア材料２７０は、散乱層２２０ではなく、保護層２３０と接するようにして配置されている。
【００８７】
一般に、保護層２３０は、散乱層２２０のバリア層として設置される。保護層２３０は、例えば、第１の電極２４０のエッチング処理等の工程において、散乱層が損傷したり、劣化したり、除去されたりすることを抑制する役割を有する。
【００８８】
保護層２３０の材質は、特に限られないが、保護層２３０の表面にも、散乱層の表面に存在する欠陥と同様の欠陥が存在する場合がある。従って、この場合も、欠陥の存在により、前述のような各層の付きまわりの問題、特に第１および第２の電極２４０、２６０の間の短絡の問題が生じ得る。
【００８９】
しかしながら、本発明の第２実施例による有機ＬＥＤ素子２００では、保護層２３０の欠陥の部分に、リペア材料２７０が配置されている。リペア材料２７０は、前述の図５および図６に示した形態と同様の形態で形成される。
【００９０】
従って、有機ＬＥＤ素子２００においても、リペア材料２７０により、欠陥（異物２１および／または凹部３１）の存在によって生じ得る、第１および第２の電極２４０、２６０の短絡の危険性を有意に抑制することが可能となる。
【００９１】
なお、第１実施例および第２実施例による有機ＬＥＤ素子１００、２００のような構成を得る場合、リペア材料１７０、２７０の設置後に、第１の電極１４０、２４０の成膜処理が行われる。また、第１の電極１４０、２４０の成膜の際に、透明基板１１０、２１０は、高温（例えば〜３００℃）の環境等に晒される場合がある。このため、リペア材料１７０、２７０の材質は、第１の電極１４０、２４０の成膜処理によって劣化しない材料に限定される。しかしながら、有機ＬＥＤ素子１００、２００の構成では、以降に示す他の構成とは異なり、リペア材料１７０、２７０を透明な材料で構成した場合、リペア材料１７０、２７０部分を含む表面全体から、発光が得られるという利点がある。
【００９２】
（本発明の第３実施例による有機ＬＥＤ素子）
次に、図８を参照して、本発明の第３実施例による有機ＬＥＤ素子の構成について説明する。図８には、本発明の第３実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図を示す。
【００９３】
図８に示すように、この第３実施例による有機ＬＥＤ素子３００は、基本的に、前述の第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００と同様の構成を有する。従って、図８において、図４と同様の部材には、図４の参照符号に２００を加えた参照符号が付されている。
【００９４】
ただし、第３実施例による有機ＬＥＤ素子３００は、第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００とは、リペア材料３７０の設置位置が異なっている。すなわち、リペア材料３７０は、散乱層３２０の他、第１の電極３４０の一部を覆うようにして配置される。
【００９５】
なお、このような構成は、リペア材料３７０の設置工程を、第１の電極３４０の成膜工程後に実施することにより、容易に得ることができる。
【００９６】
なお、図８には示されていないが、有機発光層３５０の直下、すなわち、リペア材料３７０および第１の電極３４０の直上には、追加導電層が配置されても良い。
【００９７】
図９および図１０には、それぞれ、欠陥が異物２１および凹部３１である場合の、リペア材料３７０の近傍の拡大断面図を概略的に示す。なお、これらの図には、明確化のため、第２の電極３６０は、示されていない。
【００９８】
図９に示す例では、散乱層３２０の表面に、異物２１が存在している。従って、散乱層３２０の形成後、リペア材料３７０を設置する前に、第１の電極３４０を形成した場合、第１の電極３４０は、前述のように、層部分３４１ａ〜３４１ｃを有する、断続的な層として形成される。
【００９９】
その後、図９に示すように、異物２１を覆うようにしてリペア材料３７０が設置される。より正確には、リペア材料３７０は、散乱層３２０の露出表面（領域Ｓ１、Ｓ２）と接し、第１の電極の層部分３４１ａの上部および側部と、層部分３４１ｂおよび３４１ｃの異物２１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１００】
この場合、有機発光層３５０は、リペア材料３７０の存在のため、第１の電極３４０およびリペア材料３７０の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極３６０が第１の電極３４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１０１】
一方、図１０に示す例では、散乱層３２０の表面には、凹部３１が存在している。従って、散乱層３２０の形成後、リペア材料３７０を設置する前に第１の電極３４０を形成した場合、第１の電極３４０は、前述のように、層部分３４２ａ〜３４２ｃを有する、断続的な層として形成される。
【０１０２】
その後、図１０に示すように、凹部３１を覆うようにしてリペア材料３７０が設置される。より正確には、リペア材料３７０は、散乱層３２０の露出表面（領域Ｓ３、Ｓ４）と接し、第１の電極の層部分３４２ａの上部および側部と、層部分３４２ｂおよび３４２ｃの凹部３１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１０３】
この場合も、有機発光層３５０は、リペア材料３７０の存在のため、第１の電極３４０およびリペア材料３７０の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極３６０が第１の電極３４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１０４】
このように、図８に示したような第３実施例による有機ＬＥＤ素子３００の構造においても、両電極３４０、３６０間の短絡を抑制するという本発明の効果を得ることができる。
【０１０５】
（本発明の第４実施例による有機ＬＥＤ素子）
次に、図１１を参照して、本発明の第４実施例による有機ＬＥＤ素子の構成について説明する。図１１には、本発明の第４実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図を示す。
【０１０６】
図１１に示すように、この第４実施例による有機ＬＥＤ素子４００は、基本的に、前述の第２実施例による有機ＬＥＤ素子２００と同様の構成を有する。従って、図１１において、図７と同様の部材には、図７の参照符号に２００を加えた参照符号が付されている。
【０１０７】
ただし、第４実施例による有機ＬＥＤ素子４００は、第２実施例による有機ＬＥＤ素子２００とは、リペア材料４７０の設置位置が異なっている。すなわち、リペア材料４７０は、散乱層４２０の代わりに、保護層４３０の露出部と、第１の電極４４０の一部とを覆うようにして配置される。
【０１０８】
なお、このような構成は、リペア材料４７０の設置工程を、第１の電極４４０の成膜工程後に実施することにより、容易に得ることができる。
【０１０９】
図１２および図１３には、それぞれ、欠陥が異物２１および凹部３１である場合の、リペア材料４７０の近傍の拡大断面図を概略的に示す。なお、これらの図には、明確化のため、第２の電極４６０は、示されていない。
【０１１０】
図１２に示す例では、保護層４３０の表面に、異物２１が存在している。従って、保護層４３０の形成後、リペア材料４７０を設置する前に、第１の電極４４０を形成した場合、第１の電極４４０は、前述のように、層部分４４１ａ〜４４１ｃを有する、断続的な層として形成される。
【０１１１】
その後、図１２に示すように、異物２１を覆うようにしてリペア材料４７０が設置される。より正確には、リペア材料４７０は、保護層４３０の露出表面（領域Ｓ５、Ｓ６）と接し、第１の電極の層部分４４１ａの上部および側部と、層部分４４１ｂおよび４４１ｃの異物２１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１１２】
この場合、有機発光層４５０は、リペア材料４７０の存在のため、第１の電極４４０（およびリペア材料４７０）の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極４６０が第１の電極４４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１１３】
一方、図１３に示す例では、保護層４３０の表面には、凹部３１が存在している。従って、保護層４３０の形成後、リペア材料４７０を設置する前に第１の電極４４０を形成した場合、第１の電極４４０は、前述のように、層部分４４２ａ〜４４２ｃを有する、断続的な層として形成される。
【０１１４】
その後、図１３に示すように、凹部３１を覆うようにしてリペア材料４７０が設置される。より正確には、リペア材料４７０は、保護層４３０の露出表面（領域Ｓ７、Ｓ８）と接し、第１の電極の層部分４４２ａの上部および側部と、層部分４４２ｂおよび４４２ｃの凹部３１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１１５】
この場合も、有機発光層４５０は、リペア材料４７０の存在のため、第１の電極４４０（およびリペア材料４７０）の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極４６０が第１の電極４４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１１６】
このように、図１１に示したような第４実施例による有機ＬＥＤ素子４００の構造においても、両電極４４０、４６０間の短絡を抑制するという本発明の効果を得ることができる。
【０１１７】
（本発明の第５実施例による有機ＬＥＤ素子）
次に、図１４を参照して、本発明の第５実施例による有機ＬＥＤ素子の構成について説明する。図１４には、本発明の第５実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図を示す。
【０１１８】
図１４に示すように、この第５実施例による有機ＬＥＤ素子５００は、基本的に、前述の第３実施例による有機ＬＥＤ素子３００と同様の構成を有する。従って、図１４において、図８と同様の部材には、図８の参照符号に２００を加えた参照符号が付されている。
【０１１９】
ただし、第５実施例による有機ＬＥＤ素子５００では、第３実施例による有機ＬＥＤ素子３００の構成とは異なり、第１の電極５４０の上部に、さらに追加導電層５８０が設置されている。追加導電層５８０は、第１の電極５４０の存在位置に、第１の電極５４０と接するようにして設置される。その結果、リペア材料５７０は、散乱層５２０、第１の電極５４０の一部に加えて、追加導電層５８０の一部を覆うようにして配置される。
【０１２０】
追加導電層５８０は、第１の電極５４０の抵抗を低減させる役割を有する。
【０１２１】
なお、図１４のような構成は、第１の電極５４０および追加導電層５８０の成膜工程後に、リペア材料５７０の設置工程を実施することにより、容易に得ることができる。
【０１２２】
図１５および図１６には、それぞれ、欠陥が異物２１および凹部３１である場合の、リペア材料５７０の近傍の拡大断面図を概略的に示す。なお、これらの図には、明確化のため、第２の電極５６０は、示されていない。
【０１２３】
図１５に示す例では、散乱層５２０の表面に、異物２１が存在している。従って、散乱層５２０の形成後、リペア材料５７０を設置する前に、第１の電極５４０および追加導電層５８０を形成した場合、図１５に示すように、第１の電極５４０は、層部分５４１ａ〜５４１ｃを有する、断続的な層として形成される。同様に、追加導電層５８０は、層部分５８１ａ〜５８１ｃを有する、断続的な層として形成される。
【０１２４】
その後、図１５に示すように、異物２１を覆うようにしてリペア材料５７０が設置される。より正確には、リペア材料５７０は、散乱層５２０の露出表面（領域Ｓ１、Ｓ２）と接し、追加導電層５８０の層部分５８１ａの上部および側部と、層部分５８１ｂおよび５８１ｃの異物２１側の端部と、第１の電極５４０の層部分５４１ｂ、５４１ｃの異物２１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１２５】
この場合、有機発光層５５０は、リペア材料５７０の存在のため、追加導電層５８０およびリペア材料５７０の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極５６０が追加導電層５８０および第１の電極５４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１２６】
一方、図１６に示す例では、散乱層５２０の表面には、凹部３１が存在している。従って、散乱層５２０の形成後、リペア材料５７０を設置する前に第１の電極５４０および追加導電層５８０を形成した場合、第１の電極５４０は、前述のように、層部分５４２ａ〜５４２ｃを有する、断続的な層として形成される。同様に、追加導電層５８０は、層部分５８２ａ〜５８２ｃを有する、断続的な層として形成される。
【０１２７】
その後、図１６に示すように、凹部３１を覆うようにしてリペア材料５７０が設置される。より正確には、リペア材料５７０は、散乱層５２０の露出表面（領域Ｓ３、Ｓ４）と接し、追加導電層５８０の層部分５８２ａの上部および側部と、層部分５８２ｂおよび５８２ｃの凹部３１側の端部と、第１の電極５４０の層部分５４２ｂ、５４２ｃの凹部３１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１２８】
この場合も、有機発光層５５０は、リペア材料５７０の存在のため、追加導電層５８０およびリペア材料５７０の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極３６０が追加導電層５８０および第１の電極５４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１２９】
従って、第５実施例による有機ＬＥＤ素子５００においても、第２の電極５６０が追加導電層５８０および第１の電極５４０と短絡する危険性が有意に回避されるという効果を得ることができる。
【０１３０】
（本発明の第６実施例による有機ＬＥＤ素子）
次に、図１７を参照して、本発明の第６実施例による有機ＬＥＤ素子の構成について説明する。図１７には、本発明の第６実施例による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図を示す。
【０１３１】
図１７に示すように、この第６実施例による有機ＬＥＤ素子６００は、基本的に、前述の第５実施例による有機ＬＥＤ素子５００と同様の構成を有する。従って、図１７において、図１４と同様の部材には、図１４の参照符号に１００を加えた参照符号が付されている。
【０１３２】
ただし、第６実施例による有機ＬＥＤ素子６００は、第５実施例による有機ＬＥＤ素子５００とは異なり、散乱層６２０と第１の電極６４０の間に、保護層６３０を有する。従って、リペア材料６７０は、散乱層６２０ではなく、保護層６３０の露出部と接するようにして配置されている。より正確には、リペア材料６７０は、保護層６３０の露出部と、第１の電極６４０の一部および追加導電層６８０の一部とを覆うようにして配置される。
【０１３３】
図１８および図１９には、それぞれ、欠陥が異物２１および凹部３１である場合の、リペア材料６７０の近傍の拡大断面図を概略的に示す。なお、これらの図には、明確化のため、第２の電極６６０は、示されていない。
【０１３４】
図１８に示す例では、保護層６３０の表面に、異物２１が存在している。従って、保護層６３０の形成後、リペア材料６７０を設置する前に、第１の電極６４０および追加導電層６８０を形成した場合、図１８に示すように、第１の電極６４０は、層部分６４１ａ〜６４１ｃを有する、断続的な層として形成される。同様に、追加導電層６８０は、層部分６８１ａ〜６８１ｃを有する、断続的な層として形成される。
【０１３５】
その後、図１８に示すように、異物２１を覆うようにしてリペア材料６７０が設置される。より正確には、リペア材料６７０は、保護層６３０の露出表面（領域Ｓ５、Ｓ６）と接し、追加導電層６８０の層部分６８１ａの上部および側部と、層部分６８１ｂおよび６８１ｃの異物２１側の端部と、第１の電極６４０の層部分６４１ｂ、６４１ｃの異物２１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１３６】
この場合、有機発光層６５０は、リペア材料６７０の存在のため、追加導電層６８０およびリペア材料６７０の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極６６０が追加導電層６８０および第１の電極６４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１３７】
一方、図１９に示す例では、保護層６３０の表面には、凹部３１が存在している。従って、保護層６３０の形成後、リペア材料６７０を設置する前に第１の電極６４０および追加導電層６８０を形成した場合、第１の電極６４０は、前述のように、層部分６４２ａ〜６４２ｃを有する、断続的な層として形成される。同様に、追加導電層６８０は、層部分６８２ａ〜６８２ｃを有する、断続的な層として形成される。
【０１３８】
その後、図１９に示すように、凹部３１を覆うようにしてリペア材料６７０が設置される。より正確には、リペア材料６７０は、散乱層６２０の露出表面（領域Ｓ７、Ｓ８）と接し、追加導電層６８０の層部分６８２ａの上部および側部と、層部分６８２ｂおよび６８２ｃの凹部３１側の端部と、第１の電極６４０の層部分６４２ｂ、６４２ｃの凹部３１側の端部とを覆うようにして設置される。
【０１３９】
この場合も、有機発光層６５０は、リペア材料６７０の存在のため、追加導電層６８０およびリペア材料６７０の上部に、連続的に形成されるようになる。従って、以降に設置される第２の電極６６０が追加導電層６８０および第１の電極６４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０１４０】
従って、第６実施例による有機ＬＥＤ素子６００においても、第２の電極６６０が追加導電層６８０および第１の電極６４０と短絡する危険性が有意に回避されるという効果を得ることができる。
【０１４１】
なお、第５実施例および第６実施例による有機ＬＥＤ素子５００、６００のような構成では、追加導電層５８０、６８０の存在により、第１の電極５４０、６４０の抵抗が低下する。
【０１４２】
また、第５実施例および第６実施例による有機ＬＥＤ素子５００、６００のような構成では、第１の電極５４０、６４０と追加導電層５８０、６８０の成膜を連続的に行うことができるため、成膜処理の効率が向上する。
【０１４３】
また、第３実施例〜第６実施例による有機ＬＥＤ素子３００〜６００のような構成では、リペア材料３７０〜６７０の設置前に、第１の電極３４０〜６４０の成膜処理が行われる。このため、有機ＬＥＤ素子３００〜６００では、第１実施例および第２実施例による有機ＬＥＤ素子１００、２００の場合とは異なり、リペア材料３７０〜６７０の材質は、特に限定されず、比較的耐熱性に劣る材料であっても、使用することができるという利点がある。ただし、有機ＬＥＤ素子３００〜６００では、リペア材料３７０〜６７０部分において、第１の電極３４０〜６４０と有機発光層３５０〜６５０とが直接接触していないため、リペア材料３７０〜６７０部分を点灯させることは難しい。
【０１４４】
（各部材の仕様について）
次に、本発明の第６実施例による有機ＬＥＤ素子６００を構成する各部材の詳細について説明する。なお、本発明の第１実施例〜第５実施例による有機ＬＥＤ素子１００〜５００を構成する各部材に対しても、以下の記載を適用することができることは、当業者には明らかであろう。
【０１４５】
（リペア材料６７０）
リペア材料６７０は、散乱層または保護層の表面の欠陥を覆い、リペア材料６７０の設置後に成膜される層を連続的な形態にすることができる限り、その態様は限られない。従って、リペア材料６７０には、有機材料、無機材料、および金属材料など、いかなる材料が使用されても良い。リペア材料６７０には、導電性材料／絶縁材料、透明材料／不透明材料のいずれも使用することができる。なお、第１実施例および第２実施例による有機ＬＥＤ素子１００、２００の場合には、リペア材料６７０は第１の電極１４０の成膜時にプラズマや高温に晒される場合にも劣化することのない材料にする必要がある。
【０１４６】
また、リペア材料６７０の設置方法は、特に限られない。リペア材料６７０は、例えば、以降に詳しく説明するような、「塗布針法」または「噴出法」によって設置されても良い。
【０１４７】
（透明基板６１０）
透明基板６１０は、可視光に対する透過率が高い材料で構成される。透明基板６１０は、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板であっても良い。
【０１４８】
ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどの無機ガラスが挙げられる。また、プラスチック基板の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールならびにポリフッ化ビニリデンおよびポリフッ化ビニルなどのフッ素含有ポリマーが挙げられる。
【０１４９】
透明基板６１０の厚さは、特に限られないが、例えば、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であっても良い。強度および重量を考慮すると、透明基板６１０の厚さは、０．５ｍｍ〜１．４ｍｍであることが好ましい。
【０１５０】
（散乱層６２０）
散乱層６２０は、ベース材６２１と、該ベース材６２１中に分散された複数の散乱物質６２４とを有する。ベース材６２１は、第１の屈折率を有し、散乱物質６２４は、ベース材とは異なる第２の屈折率を有する。
【０１５１】
散乱層６２０中の散乱物質６２４の存在量は、散乱層６２０の内部から外側に向かって小さくなっていることが好ましい。
【０１５２】
ベース材６２１は、ガラスで構成され、ガラスの材料としては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス、および石英ガラスなどの無機ガラスが使用される。
【０１５３】
散乱物質６２４は、例えば、気泡、析出結晶、ベース材とは異なる材料粒子、分相ガラス等で構成される。分相ガラスとは、２種類以上のガラス相により構成されるガラスをいう。
【０１５４】
ベース材６２１の屈折率は、高効率の光取り出しを実現するためには有機層やＩＴＯと近い方が良く、且つ、散乱物質６２４との屈折率の差は、大きい方が良い。このためには、ベース材６２１として高屈折率ガラスを使用し、散乱物質６２４として気泡を使用することが好ましい。
【０１５５】
ベース材６２１用の高屈折率のガラスのため、ネットワークフォーマとして、Ｐ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＧｅＯ２、およびＴｅＯ２のうちの一種類または二種類以上の成分を選定し、高屈折率成分として、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、およびＳｂ２Ｏ３のうちの一種類または二種類以上の成分を選定しても良い。さらに、ガラスの特性を調整するため、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、フッ化物などを、屈折率に影響を及ぼさない範囲で、添加しても良い。
【０１５６】
従って、ベース材６２１を構成するガラス系としては、例えば、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｌａ２Ｏ３系、Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３−Ｒ'２Ｏ−Ｒ"Ｏ−ＴｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３系、ＴｅＯ２−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系、Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系などが挙げられる。ここで、Ｒ'はアルカリ金属元素、Ｒ"はアルカリ土類金属元素を示す。なお、以上の材料系は、一例に過ぎず、上記条件を満たすような構成であれば、使用材料は、特に限られない。
【０１５７】
ベース材６２１に、着色剤を添加することにより、発光の色味を変化させることもできる。着色剤としては、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物、および金属コロイドなどを、単独でまたは組み合わせて使うことができる。
【０１５８】
なお、散乱層６２０は、単層であっても、複数の層で形成されても良い。
【０１５９】
（保護層６３０）
保護層６３０の材質は、特に限られない。ただし、保護層６３０は、第１の電極６４０（および必要な場合、追加導電層６８０）をエッチング処理する際に使用される化学物質に対して、耐性のある材料から選定される。保護層６３０は、例えば、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、および酸化タンタルのようなセラミックスで構成されても良い。
【０１６０】
なお、透明基板６１０の側を光取り出し面６９０とする場合、保護層６３０は、透明な材料で構成される。
【０１６１】
保護層６３０の膜厚は、特に限られない。保護層６３０の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜５００μｍの範囲であっても良い。
【０１６２】
保護層６３０の成膜方法は、特に限られない。保護層６３０は、例えば、スパッタリング法のようなドライプロセス、または例えば、ゾルゲル液等を利用した、湿式コーティング法により形成しても良い。特に、保護層６３０を湿式コーティング法で形成する場合、処理を繰り返すことにより、比較的厚い膜を比較的容易に形成することができる。
【０１６３】
（第１の電極６４０）
第１の電極６４０には、有機発光層６５０で生じた光を外部に取り出すため、８０％以上の透光性が要求される。また、多くの正孔を注入するため、仕事関数が高いことが要求される。
【０１６４】
第１の電極６４０には、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３：アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３：ガリウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＮｂドープＴｉＯ２、およびＴａドープＴｉＯ２などの材料が用いられる。
【０１６５】
さらに、第１の電極６４０には、前述の材料に下地層を追加した積層膜を用いても良く、下地の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＴｉＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５などの材料が用いられる。
【０１６６】
第１の電極６４０の厚さは、１００ｎｍ以上であることが好ましい。
【０１６７】
第１の電極６４０の屈折率は、１．９〜２．２の範囲である。例えば、第１の電極６４０としてＩＴＯを使用した場合、キャリア濃度を増加させることにより、第１の電極６４０の屈折率を低下させることができる。市販のＩＴＯでは、ＳｎＯ２が１０ｗｔ％含まれるものが標準となっているが、Ｓｎ濃度をさらに増加させることにより、ＩＴＯの屈折率を下げることができる。ただし、Ｓｎ濃度の増加により、キャリア濃度は増加するが、移動度および透過率は、低下する。従って、全体のバランスを考慮して、Ｓｎ量を決める必要がある。
【０１６８】
また、第１の電極６４０の屈折率は、散乱層６２０を構成するベース材６２１の屈折率や第２の電極６６０の屈折率を考慮して、決定することが好ましい。導波路計算や第２の電極６６０の反射率等を考慮すると、第１の電極６４０とベース材６２１の屈折率の差は、０．２以下であることが好ましい。
【０１６９】
（追加導電層６８０）
追加導電層６８０は、第１の電極６４０の抵抗を低下させる補助導体としての役割を有する。ただし、追加導電層６８０は、必須の部材ではなく、必要に応じて設置される。一般的にはＣｒ、およびＭｏＮｂ合金やＡｌ等からなる多層膜が用いられる。
【０１７０】
なお、追加導電層６８０は、第１の電極６４０と同一の箇所または一部に、第１の電極６４０と接触するようにして配置される場合が多い。ただし、追加導電層は、第１の電極とは別の場所に配置されても良い。例えば、前述の第３実施例および第４実施例において、リペア材料３７０、４７０の設置後に追加導電層を形成した場合、追加導電層は、第１の電極３４０、４４０とは異なり、連続的な構成となる。
【０１７１】
（有機発光層６５０）
有機発光層６５０は、発光機能を有する層であり、通常の場合、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とにより構成される。ただし、有機発光層６５０は、発光層を有していれば、必ずしも他の層の全てを有する必要はないことは、当業者には明らかである。なお、通常の場合、有機発光層６５０の屈折率は、１．７〜１．８の範囲である。
【０１７２】
ホール注入層は、第１の電極６４０からのホール注入の障壁を低くするため、イオン化ポテンシャルの差が小さいものが好ましい。電極からホール注入層への電荷の注入効率が高まると、有機ＬＥＤ素子６００の駆動電圧が下がり、電荷の注入効率が高まる。
【０１７３】
ホール注入層の材料としては、高分子材料または低分子材料が使用される。高分子材料の中では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が良く使用され、低分子材料の中では、フタロシアニン系の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が広く用いられる。 
ホール輸送層は、前述のホール注入層から注入されたホールを発光層に輸送する役割をする。ホール輸送層には、例えば、トリフェニルアミン誘導体、Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス[Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）−4'−アミノビフェニル−４−イル] −１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＴＥ）、１，１'−ビス[（ジ−４−トリルアミノ）フェニル]シクロヘキサン（ＨＴＭ２）、およびＮ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−１，１'−ジフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）などが用いられる。
【０１７４】
ホール輸送層の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。ホール輸送層の厚さが薄いほど、有機ＬＥＤ素子を低電圧化できるが、電極間短絡の問題から、通常は、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。 
発光層は、注入された電子とホールが再結合する場を提供する役割を有する。有機発光材料としては、低分子系または高分子系のものが使用される。
【０１７５】
発光層には、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウムフェノキサイド（Ａｌｑ'２ＯＰｈ）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウム−２，５−ジメチルフェノキサイド（ＢＡｌｑ）、モノ(２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート)リチウム錯体（Ｌｉｑ）、モノ（８−キノリノラート）ナトリウム錯体（Ｎａｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）ナトリウム錯体およびビス（８−キノリノラート）カルシウム錯体（Ｃａｑ２）などのキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン（ＱＤ）、アントラセン、ペリレン、並びにコロネンなどの蛍光性物質が挙げられる。
【０１７６】
ホスト材料としては、キノリノラート錯体を使用しても良く、特に、８−キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が使用されても良い。 
電子輸送層は、電極から注入された電子を輸送する役割をする。電子輸送層には、例えば、キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体（例えば、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＥＮＤ）、および２−(４−ｔ−ブチルフェニル) −５−（４−ビフェニル））−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）など）、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、およびシロール誘導体などが用いられる。 
電子注入層は、例えば、第２の電極６６０との界面に、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属をドープした層を設けることにより構成される。
【０１７７】
（第２の電極６６０）
第２の電極６６０には、仕事関数の小さな金属またはその合金が用いられる。第２の電極６６０は、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および周期表第３属の金属などであっても良い。第２の電極６６０には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金などが用いられる。
【０１７８】
また、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）の共蒸着膜、フッ化リチウム（ＬｉＦ）または酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）の薄膜上に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着した積層電極が用いられても良い。さらに、カルシウム（Ｃａ）またはバリウム（Ｂａ）と、アルミニウム（Ａｌ）との積層膜が用いられても良い。
【０１７９】
（本発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、前述の図４、図７、図８、図１１、図１４、および図１７のような構成を有する有機ＬＥＤ素子の製造方法の一例について説明する。
【０１８０】
（第１実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
まず、図２０を参照して、前述の図４に示した第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００の製造方法（以下、「第１の製造方法」と称する）の一例について説明する。
【０１８１】
図２０には、第１実施例による有機ＬＥＤ素子１００を製造する際の、概略的なフロー図の一例を示す。
【０１８２】
図２０に示すように、第１の製造方法は、
（１ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップであって、前記散乱層は、表面に欠陥を有するステップ（ステップＳ１１０）と、
（１ｂ）前記散乱層の表面の欠陥部分に、リペア材料を設置するステップであって、前記リペア材料は、前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置されるステップ（ステップＳ１２０）と、
（１ｃ）前記散乱層および前記リペア材料の上に、第１の電極を設置するステップであって、前記第１の電極は、前記リペア材料を覆う連続的な層で構成されるステップ（ステップＳ１３０）と、
（１ｄ）前記第１の電極上に、有機発光層を設置するステップ（ステップＳ１４０）と、
（１ｅ）前記有機発光層上に、第２の電極を設置するステップ（ステップＳ１５０）と、
を有する。
【０１８３】
ここで、「前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分」という表現は、リペア材料を設置しなかった場合、欠陥の存在により、第１の電極の成膜の際に、成膜物質が付着されず、第１の電極が形成されない散乱層の部分を意味することに留意する必要がある。
【０１８４】
例えば、欠陥が図５に示すような異物２１の形態を有し、第１の電極が、散乱層１２０の上方から鉛直方向下向きに成膜される場合、「前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分」は、図５に示すような散乱層１２０の表面の領域Ｓ１およびＳ２に相当する。また、例えば、欠陥が図６に示すような凹部３１の形態の形態を有し、第１の電極が、散乱層１２０の上方から鉛直方向下向きに成膜される場合、「前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分」は、図６に示すような散乱層１２０の側面（凹部３１の側部３５でもある）の領域Ｓ３およびＳ４に相当する。
【０１８５】
以下、各ステップについて詳しく説明する。
【０１８６】
（ステップＳ１１０）
まず、透明基板が準備される。前述のように、通常、透明基板には、ガラス基板やプラスチック基板が用いられる。
【０１８７】
次に、透明基板上に、ガラス製のベース材中に散乱物質が分散された散乱層が形成される。散乱層の形成方法は、特に限られないが、ここでは、特に、「フリットペースト法」により、散乱層を形成する方法について説明する。ただし、その他の方法で散乱層を形成しても良いことは、当業者には明らかである。
【０１８８】
フリットペースト法とは、フリットペーストと呼ばれるガラス材料を含むペーストを調製し（調製工程）、このフリットペーストを被設置基板の表面に塗布して、パターン化し（パターン形成工程）、さらにフリットペーストを焼成すること（焼成工程）により、被設置基板の表面に、所望のガラス製の膜を形成する方法である。以下、各工程について簡単に説明する。
【０１８９】
（調製工程）
まず、ガラス粉末、樹脂、および溶剤等を含むフリットペーストが調製される。
【０１９０】
ガラス粉末は、最終的に散乱層のベース材を形成する材料で構成される。ガラス粉末の組成は、所望の散乱特性が得られ、フリットペースト化して焼成することが可能なものであれば特に限られない。ガラス粉末の組成は、例えば、Ｐ２Ｏ５を２０〜３０ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を３〜１４ｍｏｌ％、Ｂｉ２Ｏ３を１０〜２０ｍｏｌ％、ＴｉＯ２を３〜１５ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５を１０〜２０ｍｏｌ％、ＷＯ３を５〜１５ｍｏｌ％含み、Ｌｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏの総量が１０〜２０ｍｏｌ％であり、以上の成分の総量が、９０ｍｏｌ％以上のものであっても良い。ガラス粉末の粒径は、例えば、１μｍ〜１００μｍの範囲である。
【０１９１】
なお、最終的に得られる散乱層の散乱性を制御するため、ガラス粉末には、所定量のフィラーを添加しても良い。フィラーには、例えば、ジルコン、シリカ、またはアルミナなどの粒子が使用され、粒径は、通常、０．１μｍ〜２０μｍの範囲である。
【０１９２】
樹脂には、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂などが用いられる。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂を添加すると、フリットペースト塗布膜の強度が向上する。
【０１９３】
溶剤は、樹脂を溶解し、粘度を調整する役割を有する。溶剤には、例えば、エーテル系溶剤（ブチルカルビトール（ＢＣ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ）、アルコール系溶剤（α−テルピネオール、パインオイル）、エステル系溶剤（２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）、フタル酸エステル系溶剤（ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート））がある。主に用いられているのは、α−テルピネオールや２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート)である。なお、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）は、可塑剤としても機能する。
【０１９４】
その他、フリットペーストには、粘度の調整やフリット分散促進のため、界面活性剤を添加しても良い。また、表面改質のため、シランカップリング剤を使用しても良い。
【０１９５】
次に、これらの原料を混合し、ガラス原料が均一に分散されたフリットペーストを調製する。
【０１９６】
（パターン形成工程）
次に、前述の方法で調製したフリットペーストを、透明基板上に塗布し、パターン化する。塗布の方法およびパターン化の方法は、特に限られない。例えば、スクリーン印刷機を用いて、透明基板上にフリットペーストをパターン印刷しても良い。あるいは、ドクターブレード印刷法またはダイコート印刷法を利用しても良い。
【０１９７】
その後、フリットペースト膜は、乾燥される。
【０１９８】
（焼成工程）
次に、フリットペースト膜が焼成される。通常、焼成は、２段階のステップで行われる。第１のステップでは、フリットペースト膜中の樹脂が分解、消失され、第２のステップでは、ガラス粉末が軟化、焼結される。
【０１９９】
第１のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を２００℃〜４００℃の温度範囲に保持することにより行われる。ただし、処理温度は、フリットペーストに含まれる樹脂の材料によって変化する。例えば、樹脂がエチルセルロースの場合は、処理温度は、３５０℃〜４００℃程度であり、樹脂がニトロセルロースの場合は、処理温度は、２００℃〜３００℃程度であっても良い。なお処理時間は、通常、３０分から１時間程度である。
【０２００】
第２のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を、含まれるガラス粉末の軟化温度±３０℃の温度範囲に保持することにより行われる。処理温度は、例えば、４５０℃〜６００℃の範囲である。また、処理時間は、特に限られないが、例えば、３０分〜１時間である。
【０２０１】
第２のステップ後に、ガラス粉末が軟化、焼結して、散乱層のベース材が形成される。また、フリットペースト膜中に内包させた散乱物質によって、例えば内在する気泡などによって、ベース材中に均一に分散された散乱物質が得られる。
【０２０２】
その後、透明基板を冷却することにより、表面に散乱層を有する透明基板が形成される。
【０２０３】
最終的に得られる散乱層の厚さは、５μｍ〜５０μｍの範囲であっても良い。
【０２０４】
（ステップＳ１２０）
次に、前記工程で得られた散乱層の表面の必要な位置、すなわち欠陥部分に、リペア材料が設置される。なお、散乱層の表面上の欠陥位置は、従来の一般的な欠陥検査方法を用いることにより、容易に把握することができる。
【０２０５】
リペア材料の設置方法は、特に限られない。リペア材料は、例えば、塗布針を用いた方法（以下、「塗布針法」と称する）、または噴出ノズルを用いた方法（以下、「噴出法」と称する）等により、散乱層の表面に存在する欠陥部分に設置されても良い。
【０２０６】
以下、図面を参照して、それぞれの方法について説明する。
【０２０７】
（塗布針法）
図２１には、塗布針法により、散乱層の表面に存在する欠陥部分にリペア材料を設置する際の様子を模式的に示す。
【０２０８】
この方法の場合、最初に塗布針９１０が準備される。塗布針９１０は、図２１（ａ）に示すように、本体９１１、テーパー部９１２および先端９１３を有する。先端９１３の直径は、特に限られないが、例えば、３０μｍ〜１００μｍの範囲である。
【０２０９】
このような塗布針９１０は、例えば、液晶表示素子のカラーフィルタの欠陥補修の際等に利用されている。
【０２１０】
次に、リペア材料の原料を含む液体９１６を含む容器９２０が準備される。液体９１６は、ペースト状であっても良い。
【０２１１】
次に、図２１（ｂ）に示すように、塗布針９１０が液体９１６中に浸漬される。
【０２１２】
その後、塗布針９１０が容器９２０から引き上げられると、図２３（ｃ）に示すように、少なくとも塗布針９１０のテーパー部９１２〜先端９１３にわたって、液体９２３が付着する。
【０２１３】
次に、図２１（ｄ）に示すように、塗布針９１０の先端９１３が、散乱層１２０の表面１２９の欠陥部分（図示されていない）に接触される。その後、塗布針９１０を散乱層１２０の表面１２９から引き上げると、図２１（ｅ）に示すように、塗布針９１０に付着していた液体９２３は、散乱層１２０の欠陥部分に移動し、当該部分にリペア材料の原料液体９２５が配置される。
【０２１４】
その後、この原料液体９２５を乾燥させ、さらに加熱することにより、原料液体９２５を焼成処理する。焼成処理の温度は、原料液体９２５に含まれる材料によって変化するが、例えば、１００℃〜６００℃程度である。
【０２１５】
なお、通常の場合、原料液体９２５の焼成処理は、透明基板全体を高温炉に配置することにより行われても良い。さらに、赤外線加熱装置やレーザー等を用いて、原料液体９２５の部分のみを局部的に加熱しても良い。
【０２１６】
このような工程により、散乱層の表面に存在する欠陥部分に、リペア材料を設置することができる。
【０２１７】
（噴出法）
次に、噴出法により、散乱層の表面に存在する欠陥部分にリペア材料を設置する方法について説明する。この方法の場合、中空構造の管部材９５０が準備される。
【０２１８】
図２２（ａ）に示すように、管部材９５０は、先端にノズル部９５２を有する。管部材９５０の内部には、管部材９５０の中心軸Ｃと同軸に、中心針９５４が装着されている。また、管部材９５０の内部には、リペア材料の原料を含む液体９５６が充填される。液体９５６は、例えばペースト状であっても良い。
【０２１９】
次に、図２２（ｂ）に示すように、管部材９５０は、散乱層１２０の表面１２９の欠陥（図示されていない）の上方に配置される。
【０２２０】
この状態で、中心針９５４を管部材９５０のノズル部９５２から突出させると、中心針９５４の移動に伴って、中心針９５４の先端に、液体９５６の液滴９５７が形成される。また、図２２（ｃ）に示すように、この液滴９５７は、ノズル部９５２から噴出された際の勢いおよび自重により、散乱層１２０の表面１２９の欠陥部分に滴下される。これにより、散乱層１２０の表面１２９の欠陥部分に、液滴９５８を設置することができる。
【０２２１】
その後、「塗布針法」と同様の方法で、液滴９５８を乾燥、焼成させることにより、同位置に、リペア材料を形成することができる。
【０２２２】
このような噴出法の原理は、例えば、レーザーテック株式会社製の液晶用ＴＦＴ・カラーフィルタ修正装置（ＲＡＧＮＡＳシリーズ）等に用いられている。
【０２２３】
なお、以上のリペア材料の設置方法は、単なる一例に過ぎないことに留意する必要がある。すなわち、リペア材料は、「塗布針法」以外の接触式の方法により、あるいは「噴出法」以外の非接触式の方法により、散乱層の表面に存在する欠陥部分に設置されても良い。
【０２２４】
（ステップＳ１３０）
次に、前記工程で得られた、リペア材料を有する散乱層上に、第１の電極（陽極）が設置される。
【０２２５】
第１の電極の形成方法は、特に限られず、第１の電極は、例えば、スパッタ法、蒸着法、および気相成膜法等の成膜法で形成されても良い。
【０２２６】
前述のように、第１の電極の材料は、ＩＴＯ等であっても良い。また、第１の電極の厚さは、特に限られず、第１の電極の厚さは、例えば５０ｎｍ〜１．０μｍの範囲であっても良い。
【０２２７】
第１実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法では、散乱層の欠陥部分に、リペア材料が設置されている。このため、第１の電極は、散乱層およびリペア材料を覆う、連続的な形態で形成される。
【０２２８】
なお、前述のように、以降のステップＳ１４０の前に、第１の電極の上部に追加導電層を設置しても良い。これにより、第１の電極の抵抗を低下させることができる。
【０２２９】
（ステップＳ１４０）
次に、第１の電極を覆うように、有機発光層が設置される。有機発光層の設置方法は、特に限られず、例えば、蒸着法および／または塗布法を使用しても良い。
【０２３０】
前述のように、第１の電極は、散乱層およびリペア材料を覆う、連続的な形態で形成されている。このため、第１の電極と接する有機発光層も、連続的な形態で形成される。
【０２３１】
（ステップＳ１５０）
次に、有機発光層上に第２の電極が設置される。第２の電極の設置方法は、特に限られず、例えば、蒸着法、スパッタ法、気相成膜法等を使用しても良い。
【０２３２】
以上の工程により、図４に示したような有機ＬＥＤ素子１００が製造される。
【０２３３】
ここで、前述のように、第１の電極および有機発光層は、連続的な形態で形成されている。このため、第２の電極を形成する段階では、第２の電極の設置領域において、第１の電極は、露出されていない。その結果、ステップＳ１５０で設置される第２の電極が第１の電極と短絡する危険性は、有意に抑制される。
【０２３４】
（第２実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、図２３を参照して、前述の図７に示した第２実施例による有機ＬＥＤ素子２００の製造方法（以下、「第２の製造方法」と称する）の一例について説明する。
【０２３５】
図２３には、第２実施例による有機ＬＥＤ素子２００を製造する際の、概略的なフロー図の一例を示す。
【０２３６】
図２３に示すように、第２の製造方法は、
（２ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップ（ステップＳ２１０）と、
（２ｂ）前記散乱層上に保護層を形成するステップであって、前記保護層は、表面に欠陥を有するステップ（ステップＳ２２０）と、
（２ｃ）前記保護層の表面の欠陥部分に、リペア材料を設置するステップであって、前記リペア材料は、前記保護層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置されるステップ（ステップＳ２３０）と、
（２ｄ）前記保護層および前記リペア材料の上に、第１の電極を設置するステップであって、前記第１の電極は、前記リペア材料を覆う連続的な層で構成されるステップ（ステップＳ２４０）と、
（２ｅ）前記第１の電極上に、有機発光層を設置するステップ（ステップＳ２５０）と、
（２ｆ）前記有機発光層上に、第２の電極を設置するステップ（ステップＳ２６０）と、
を有する。
【０２３７】
ここで、「前記保護層の前記欠陥によって陰となる部分」という表現は、リペア材料を設置しなかった場合、欠陥の存在により、第１の電極の成膜の際に、成膜物質が付着されず、第１の電極が形成されない保護層の部分を意味することに留意する必要がある。
【０２３８】
例えば、欠陥が図１２に示すような異物２１の形態を有し、第１の電極が、保護層４３０の上方から鉛直方向下向きに成膜される場合、「前記保護層の前記欠陥によって陰となる部分」は、図１２に示すような保護層４３０の表面の領域Ｓ５およびＳ６に相当する。また、例えば、欠陥が図１３に示すような凹部３１の形態の形態を有し、第１の電極が、保護層４３０の上方から鉛直方向下向きに成膜される場合、「前記保護層の前記欠陥によって陰となる部分」は、図１３に示すような保護層４３０の側面（凹部３１の側部３５でもある）の領域Ｓ７およびＳ８に相当する。
【０２３９】
なお、上記ステップのうち、（２ｂ）のステップＳ２２０、および（２ｃ）のステップＳ２３０以外のステップは、前述の第１の製造方法に記載の対応するステップと同様である。従って、ここでは、ステップＳ２２０およびステップＳ２３０についてのみ、説明する。
【０２４０】
（ステップＳ２２０）
第２の製造方法では、散乱層の上に、保護層が設置される。
【０２４１】
保護層の形成方法は、特に限られない。
【０２４２】
保護層は、例えば、散乱層の表面に、保護層用の原料を湿式コーティングした後、これを膜として固定化させることにより、比較的容易に形成することができる。例えば、保護層は、保護層となる原料を含むゾルゲル液を、散乱層の表面に塗布した後、これを乾燥および熱処理することにより形成しても良い。
【０２４３】
あるいは、保護層は、例えば、スパッタリング法のようなドライプロセスにより形成しても良い。
【０２４４】
なお、保護層は、第１の電極をエッチング処理する際に使用される化学物質に対して、耐性のある材料から選定される。
【０２４５】
（ステップＳ２３０）
次に、前記工程で得られた保護層の表面の必要な位置、すなわち欠陥存在位置に、リペア材料が設置される。
【０２４６】
リペア材料の設置方法としては、例えば、前述の第１の製造方法において説明したような、塗布針法または噴出法等を使用しても良い。
【０２４７】
その後、第１の製造方法のステップＳ１３０と同様のステップＳ２４０により、保護層およびリペア材料の上部に、第１の電極が設置される。また、必要な場合、さらに追加導電層が成膜される。
【０２４８】
その後、ステップＳ２５０〜ステップＳ２６０を経て、第２実施例に係る有機ＬＥＤ素子２００が製造される。
【０２４９】
（第３実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、図２４を参照して、前述の図８に示した第３実施例による有機ＬＥＤ素子３００の製造方法（以下、「第３の製造方法」と称する）の一例について説明する。
【０２５０】
図２４には、第３実施例による有機ＬＥＤ素子３００を製造する際の、概略的なフロー図の一例を示す。
【０２５１】
図２４に示すように、第３の製造方法は、
（３ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップであって、前記散乱層は、表面に欠陥を有するステップ（ステップＳ３１０）と、
（３ｂ）前記散乱層上に、第１の電極を設置するステップであって、
前記第１の電極は、前記欠陥の位置で切断され、第１の層部分および第２の層部分を含む少なくとも２つの層で構成され、
前記第１の層部分は、前記欠陥の位置に配置され、前記第２の層部分は、前記欠陥とは異なる位置に配置されるステップ（ステップＳ３２０）と、
（３ｃ）前記散乱層の表面の欠陥部分に、リペア材料を設置するステップであって、
前記リペア材料は、前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置され、
前記リペア材料は、前記第１の電極の前記第１の層部分、および前記第２の層部分の前記欠陥に近い側の端部を覆うステップ（ステップＳ３３０）と、
（３ｄ）前記第１の電極およびリペア材料の上部に、有機発光層を設置するステップ（ステップＳ３４０）と、
（３ｅ）前記有機発光層上に、第２の電極を設置するステップ（ステップＳ３５０）と、
を有する。
【０２５２】
ここで、上記ステップのうち、（３ａ）のステップＳ３１０、および（３ｅ）のステップＳ３５０は、前述の第１の製造方法に記載の対応するステップと同様である。従って、ここでは、これら以外のステップついてのみ、説明する。
【０２５３】
（ステップＳ３２０）
第３の製造方法では、散乱層３２０を形成した後、リペア材料３７０を設置する前に、第１の電極３４０が設置される。
【０２５４】
この工程により、第１の電極３４０は、欠陥を有する散乱層３２０の表面に、例えば、前述の図９または図１０に示すような態様で、不連続に形成される。
【０２５５】
（ステップＳ３３０）
次に、散乱層３２０の欠陥部分に、リペア材料３７０が設置される。
【０２５６】
ここで、散乱層３２０の表面に異物２１が存在する場合、リペア材料３７０は、図９に示すように、散乱層３２０の領域Ｓ１およびＳ２と接し、さらに、第１の電極３４０の層部分３４１ａの上部および側部を覆い、第１の電極３４０の層部分３４１ｂ、３４１ｃの異物２１側の端部を覆うように形成される。
【０２５７】
同様に、散乱層３２０の表面に凹部３１が存在する場合、リペア材料３７０は、図１０に示すように、散乱層３２０の領域Ｓ３およびＳ４と接し、さらに、第１の電極３４０の層部分３４２ａの上部および側部を覆い、第１の電極３４０の層部分３４２ｂ、３４２ｃの凹部３１側の端部を覆うように形成される。
【０２５８】
なお、このような態様のリペア材料３７０は、例えば、前述の塗布針法または噴出法により、比較的容易に形成することができる。
【０２５９】
なお、必要な場合、リペア材料３７０の設置後、ステップＳ３４０の前に、追加導電層を設置しても良い。
【０２６０】
（ステップＳ３４０）
次に、前記第１の電極３４０およびリペア材料３７０の上部に、有機発光層３５０が設置される。
【０２６１】
有機発光層３５０は、リペア材料３７０の存在により、第１の電極３４０およびリペア材料３７０の上部に、第１の電極３４０を覆うように連続的に形成される。従って、以降に設置される第２の電極３６０が第１の電極３４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０２６２】
（第４実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、図２５を参照して、前述の図１１に示した第４実施例による有機ＬＥＤ素子４００の製造方法（以下、「第４の製造方法」と称する）の一例について説明する。
【０２６３】
図２５には、第４実施例による有機ＬＥＤ素子４００を製造する際の、概略的なフロー図の一例を示す。
【０２６４】
図２５に示すように、第４の製造方法は、
（４ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップ（ステップＳ４１０）と、
（４ｂ）前記散乱層上に、保護層を設置するステップであって、前記保護層は、表面に欠陥を有するステップ（ステップＳ４２０）と、
（４ｃ）前記保護層上に、第１の電極を設置するステップであって、
前記第１の電極は、前記欠陥の位置で切断され、第１の層部分および第２の層部分を含む少なくとも２つの層で構成され、
前記第１の層部分は、前記欠陥の位置に配置され、前記第２の層部分は、前記欠陥とは異なる位置に配置されるステップ（ステップＳ４３０）と、
（４ｄ）前記保護層の表面の欠陥部分に、リペア材料を設置するステップであって、
前記リペア材料は、前記保護層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置され、
前記リペア材料は、前記第１の電極の前記第１の層部分、および前記第２の層部分の前記欠陥に近い側の端部を覆うステップ（ステップＳ４４０）と、
（４ｅ）前記第１の電極およびリペア材料の上部に、有機発光層を設置するステップ（ステップＳ４５０）と、
（４ｆ）前記有機発光層上に、第２の電極を設置するステップ（ステップＳ４６０）と、
を有する。
【０２６５】
ここで、上記ステップのうち、（４ａ）のステップＳ４１０、（４ｂ）のステップＳ４２０、および（４ｆ）のステップＳ４６０は、前述の第２の製造方法に記載の対応するステップと同様である。従って、ここでは、ステップＳ４３０〜ステップＳ４５０についてのみ、説明する。
【０２６６】
（ステップＳ４３０）
第４の製造方法では、保護層４３０を形成した後、リペア材料４７０を設置する前に、第１の電極４４０が設置される。
【０２６７】
この工程により、第１の電極４４０は、欠陥を有する保護層４３０の表面に、例えば、前述の図１２または図１３に示すような態様で、不連続に形成される。
【０２６８】
（ステップＳ４４０）
次に、保護層４３０の欠陥部分に、リペア材料４７０が設置される。
【０２６９】
ここで、保護層４３０の表面に異物２１が存在する場合、リペア材料４７０は、図１２に示すように、保護層４３０の領域Ｓ５およびＳ６と接し、さらに、第１の電極４４０の層部分４４１ａの上部および側部を覆い、第１の電極４４０の層部分４４１ｂ、４４１ｃの異物２１側の端部を覆うように形成される。
【０２７０】
同様に、保護層４３０の表面に凹部３１が存在する場合、リペア材料４７０は、図１３に示すように、保護層４３０の領域Ｓ７およびＳ８と接し、さらに、第１の電極４４０の層部分４４２ａの上部および側部を覆い、第１の電極４４０の層部分４４２ｂ、４４２ｃの凹部３１側の端部を覆うように形成される。
【０２７１】
なお、このような態様のリペア材料４７０は、例えば、前述の塗布針法または噴出法により、比較的容易に形成することができる。
【０２７２】
なお、必要な場合、リペア材料４７０の設置後、ステップＳ４５０の前に、追加導電層を設置しても良い。
【０２７３】
（ステップＳ４５０）
次に、前記第１の電極４４０およびリペア材料４７０の上部に、有機発光層４５０が設置される。
【０２７４】
有機発光層４５０は、リペア材料４７０の存在により、第１の電極４４０およびリペア材料４７０の上部に、第１の電極４４０を覆うように連続的に形成される。従って、以降に設置される第２の電極４６０が第１の電極４４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０２７５】
（第５実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、図２６を参照して、前述の図１４に示した第５実施例による有機ＬＥＤ素子５００の製造方法（以下、「第５の製造方法」と称する）の一例について説明する。
【０２７６】
図２６には、第５実施例による有機ＬＥＤ素子５００を製造する際の、概略的なフロー図の一例を示す。
【０２７７】
図２６に示すように、第５の製造方法は、
（５ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップであって、前記散乱層は、表面に欠陥を有するステップ（ステップＳ５１０）と、
（５ｂ）前記散乱層上に、第１の電極を設置するステップであって、
前記第１の電極は、前記欠陥の位置で切断され、第１の層部分および第２の層部分を含む少なくとも２つの層で構成され、
前記第１の層部分は、前記欠陥の位置に配置され、前記第２の層部分は、前記欠陥とは異なる位置に配置されるステップ（ステップＳ５２０）と、
（５ｃ）前記第１の電極上に、追加導電層を設置するステップであって、
前記追加導電層は、前記欠陥の位置で切断され、第３の層部分および第４の層部分を含む少なくとも２つの層で構成され、
前記第３の層部分は、前記第１の電極の第１の層部分上に配置され、前記第４の層部分は、前記第１の電極の第２の層部分上に配置されるステップ（ステップＳ５３０）と、
（５ｄ）前記散乱層の表面の欠陥部分に、リペア材料を設置するステップであって、
前記リペア材料は、前記散乱層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置され、
前記リペア材料は、前記追加導電層の前記第３の層部分、前記追加導電層の前記第４の層部分の前記欠陥に近い側の端部、および前記第１の電極の前記第２の層部分の前記欠陥に近い側の端部を覆うステップ（ステップＳ５４０）と、
（５ｅ）前記追加導電層およびリペア材料の上部に、有機発光層を設置するステップ（ステップＳ５５０）と、
（５ｆ）前記有機発光層上に、第２の電極を設置するステップ（ステップＳ５６０）と、
を有する。
【０２７８】
ここで、上記ステップのうち、（５ａ）のステップＳ５１０、（５ｂ）のステップＳ５２０、および（５ｆ）のステップＳ５６０は、前述の第３の製造方法に記載の対応するステップと同様である。従って、ここでは、これら以外のステップついてのみ、説明する。
【０２７９】
（ステップＳ５３０）
第５の製造方法では、第１の電極５４０を形成した後、リペア材料５７０を設置する前に、さらに追加導電層５８０が設置される。
【０２８０】
この工程により、散乱層５２０の欠陥部分の構造は、図１５または図１６に示したような形態となる。
【０２８１】
すなわち、欠陥が異物２１の場合、第１の電極５４０は、散乱層５２０の表面に、層部分５４１ａ〜５４１ｃを有する、不連続な形態で形成される。また、追加導電層５８０は、第１の電極５４０の表面に、層部分５８１ａ〜５８１ｃを有する、不連続な形態で形成される。
【０２８２】
同様に、欠陥が凹部３１の場合、第１の電極５４０は、散乱層５２０の表面に、層部分５４２ａ〜５４２ｃを有する、不連続な形態で形成される。また、追加導電層５８０は、第１の電極５４０の表面に、層部分５８２ａ〜５８２ｃを有する、不連続な形態で形成される。
【０２８３】
（ステップＳ５４０）
次に、散乱層５２０の欠陥部分に、リペア材料５７０が設置される。
【０２８４】
ここで、散乱層５２０の表面に異物２１が存在する場合、リペア材料５７０は、図１５に示すように、散乱層５２０の領域Ｓ１およびＳ２と接し、第１の電極５４０の層部分５４１ｂ、５４１ｃの異物２１側の端部を覆うとともに、追加導電層５８０の層部分５８１ａの上部および側部を覆い、追加導電層５８０の層部分５８１ｂ、５８１ｃの異物２１側の端部を覆うように形成される。
【０２８５】
同様に、散乱層５２０の表面に凹部３１が存在する場合、リペア材料５７０は、図１６に示すように、散乱層５２０の領域Ｓ３およびＳ４と接し、第１の電極５４０の層部分５４２ｂ、５４２ｃの凹部３１側の端部を覆うとともに、追加導電層５８０の層部分５８２ａの上部および側部を覆い、追加導電層５８０の層部分５８２ｂ、５８２ｃの凹部３１側の端部を覆うように形成される。
【０２８６】
なお、このような態様のリペア材料５７０は、例えば、前述の塗布針法または噴出法により、比較的容易に形成することができる。
【０２８７】
（ステップＳ５５０）
次に、追加導電層５８０およびリペア材料５７０の上部に、有機発光層５５０が設置される。
【０２８８】
有機発光層５５０は、リペア材料５７０の存在により、追加導電層５８０およびリペア材料５７０の上部に、追加導電層５８０を覆うように連続的に形成される。従って、以降に設置される第２の電極５６０が追加導電層５８０および第１の電極５４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０２８９】
（第６実施例による有機ＬＥＤ素子の製造方法）
次に、図２７を参照して、前述の図１７に示した第６実施例による有機ＬＥＤ素子６００の製造方法（以下、「第６の製造方法」と称する）の一例について説明する。
【０２９０】
図２７には、第６実施例による有機ＬＥＤ素子６００を製造する際の、概略的なフロー図の一例を示す。
【０２９１】
図２７に示すように、第６の製造方法は、
（６ａ）透明基板上に散乱層を形成するステップ（ステップＳ６１０）と、
（６ｂ）前記散乱層上に、保護層を設置するステップであって、前記保護層は、表面に欠陥を有するステップ（ステップＳ６２０）と、
（６ｃ）前記保護層上に、第１の電極を設置するステップであって、
前記第１の電極は、前記欠陥の位置で切断され、第１の層部分および第２の層部分を含む少なくとも２つの層で構成され、
前記第１の層部分は、前記欠陥の位置に配置され、前記第２の層部分は、前記欠陥とは異なる位置に配置されるステップ（ステップＳ６３０）と、
（６ｄ）前記第１の電極上に、追加導電層を設置するステップであって、
前記追加導電層は、前記欠陥の位置で切断され、第３の層部分および第４の層部分を含む少なくとも２つの層で構成され、
前記第３の層部分は、前記第１の電極の第１の層部分上に配置され、前記第４の層部分は、前記第１の電極の第２の層部分上に配置されるステップ（ステップＳ６４０）と、
（６ｅ）前記保護層の表面の欠陥部分に、リペア材料を設置するステップであって、
前記リペア材料は、前記保護層の前記欠陥によって陰となる部分と接触した状態で、前記欠陥を覆うように配置され、
前記リペア材料は、前記追加導電層の前記第３の層部分、前記追加導電層の前記第４の層部分の前記欠陥に近い側の端部、および前記第１の電極の前記第２の層部分の前記欠陥に近い側の端部を覆うステップ（ステップＳ６５０）と、
（６ｆ）前記追加導電層およびリペア材料の上部に、有機発光層を設置するステップ（ステップＳ６６０）と、
（６ｇ）前記有機発光層上に、第２の電極を設置するステップ（ステップＳ６７０）と、
を有する。
【０２９２】
ここで、上記ステップのうち、（６ａ）のステップＳ６１０、（６ｂ）のステップＳ６２０、（６ｃ）のステップＳ６３０、および（６ｇ）のステップＳ６７０は、前述の第４の製造方法に記載の対応するステップと同様である。従って、ここでは、これら以外のステップついてのみ、説明する。
【０２９３】
（ステップＳ６４０）
第６の製造方法では、第１の電極６４０を形成した後、リペア材料６７０を設置する前に、さらに追加導電層６８０が設置される。
【０２９４】
この工程により、保護層６３０の欠陥部分の構造は、図１８または図１９に示したような形態となる。
【０２９５】
すなわち、欠陥が異物２１の場合、第１の電極６４０は、保護層６３０の表面に、層部分６４１ａ〜６４１ｃを有する、不連続な形態で形成される。また、追加導電層６８０は、第１の電極６４０の表面に、層部分６８１ａ〜６８１ｃを有する、不連続な形態で形成される。
【０２９６】
同様に、欠陥が凹部３１の場合、第１の電極６４０は、保護層６３０の表面に、層部分６４２ａ〜６４２ｃを有する、不連続な形態で形成される。また、追加導電層６８０は、第１の電極６４０の表面に、層部分６８２ａ〜６８２ｃを有する、不連続な形態で形成される。
【０２９７】
（ステップＳ６５０）
次に、保護層６３０の欠陥部分に、リペア材料６７０が設置される。
【０２９８】
ここで、保護層６３０の表面に異物２１が存在する場合、リペア材料６７０は、図１８に示すように、保護層６３０の領域Ｓ５およびＳ６と接し、第１の電極６４０の層部分６４１ｂ、６４１ｃの異物２１側の端部を覆うとともに、追加導電層６８０の層部分６８１ａの上部および側部を覆い、追加導電層６８０の層部分６８１ｂ、６８１ｃの異物２１側の端部を覆うように形成される。
【０２９９】
同様に、保護層６３０の表面に凹部３１が存在する場合、リペア材料６７０は、図１９に示すように、保護層６３０の領域Ｓ７およびＳ８と接し、第１の電極６４０の層部分６４２ｂ、６４２ｃの凹部３１側の端部を覆うとともに、追加導電層６８０の層部分６８２ａの上部および側部を覆い、追加導電層６８０の層部分６８２ｂ、６８２ｃの凹部３１側の端部を覆うように形成される。
【０３００】
なお、このような態様のリペア材料６７０は、例えば、前述の塗布針法または噴出法により、比較的容易に形成することができる。
【０３０１】
（ステップＳ６６０）
次に、追加導電層６８０およびリペア材料６７０の上部に、有機発光層６５０が設置される。
【０３０２】
有機発光層６５０は、リペア材料６７０の存在により、追加導電層６８０およびリペア材料６７０の上部に、追加導電層６８０を覆うように連続的に形成される。従って、以降に設置される第２の電極６６０が追加導電層６８０および第１の電極６４０と短絡する危険性は、有意に回避される。
【０３０３】
なお、本願では、有機発光層および第２の電極を形成する前の積層体、すなわち透明基板、散乱層、保護層（必要な場合）、リペア材料、および第１の電極（および必要な場合、追加導電層）を有する積層体を、特に、「透光性基板」と称することにする。有機発光層、および第２の電極等の仕様は、最終的に得られる有機ＬＥＤ素子の適用用途によって、様々に変化する。従って、慣用的には、この「透光性基板」は、この状態のまま、中間製品として市場に流通される場合も多く、これ以降の工程が省略される場合も多々あることに留意する必要がある。
【実施例】
【０３０４】
次に、本発明の実施例について説明する。
【０３０５】
以下の方法で有機ＬＥＤ素子サンプルを作製し、その特性を評価した。なお、有機ＬＥＤ素子サンプルの構成は、前述の図７に示すような構成とした。
【０３０６】
（散乱層の形成）
まず、透明基板として、ソーダライム製のガラス基板（以下、「第１のガラス基板」と称する）を準備し、この第１のガラス基板の一方の表面に、散乱層を設置した。
【０３０７】
散乱層は、以下の手順で形成した。
【０３０８】
まず、ガラス原料粉末を調合した。表１には、原料粉末の組成を示す。次に、電気炉を用いて、この原料粉末を１１５０℃で溶解した後、ロールキャストしてガラスのフレークを得た。
【０３０９】
【表１】
2015109136.tif 000003
熱分析装置（ＴＤ５０００ＳＡ：Ｂｒｕｋｅｒ社製）による熱膨張法（昇温速度５℃／分）により、このガラスフレークのガラス転移温度および熱膨張係数を測定した。その結果、ガラスフレークのガラス転移温度は、４７８℃であり、熱膨張係数は、７１×１０−７／℃（５０℃〜３００℃の平均値）であった。また、屈折率計（カルニュー光学工業社製、商品名：ＫＲＰ−２）を用いて、このガラスフレークのｄ線（５８７．５６ｎｍ）での屈折率ｎｄを測定した。その結果、屈折率ｎｄは、１．８４であった。
【０３１０】
次に、以下の方法で、ガラスペーストを調製し、これを用いて散乱層を成膜した。
【０３１１】
まず、ガラスフレークをジルコニア製の遊星ミルで２時間粉砕した後、ふるいにかけて、平均粒径ｄ５０（積算値５０％の粒度）が１μｍ〜３μｍでの粉末を採取した。
【０３１２】
次に、採取されたガラス粉末７２．４ｇを有機ビヒクル（α−テルピネオール等にエチルセルロースを１０質量％程度溶解したもの）２７．６ｇと混錬して、ガラスペースト（ガラスペーストＡ）を調製した。また、ガラスペーストＡに、平均粒径３μｍ程度の略球形ＳｉＯ２粒子を１５ｖｏｌ％添加し、別のガラスペースト（ガラスペーストＢ）を調製した。
【０３１３】
次に、スクリーン印刷機を用いて、第１のガラス基板上にガラスペーストＢを印刷した。ガラスペーストＢは、直径が約１０ｍｍの略円形状に印刷された。このガラスペーストＢを、１４０℃で１０分間乾燥し、第１の層を形成した。次に、今度はガラスペーストＡを、第１のガラス基板上に形成された第１の層上に印刷した。ガラスペーストＡは、第１の層とほぼ同形状であり、丁度、第１の層の上部に積層されるようにして印刷された。その後、１４０℃で１０分間乾燥を行い、第２の層を形成した。
【０３１４】
次に、第１のガラス基板を４５０℃まで４５分で昇温し、４５０℃で３０分間保持し、第１および第２の層に含まれる有機ビヒクルの樹脂を分解、消失させた。その後、５９５℃まで１５分で昇温し、５９５℃で４０分間保持し、ガラスフリットを軟化させた。その後、室温まで３時間かけて降温した。
【０３１５】
これにより、第１のガラス基板上に、２層構造の散乱層を形成した。散乱層全体の膜厚は、３５μｍであった。
【０３１６】
（保護層の形成）
次に、前述の方法で形成された散乱層の上に、保護層を形成した。
【０３１７】
保護層の材料として、テトラｎブトキシチタン、３−（グリシジロキシ）プロピルトリメトキシシラン、トリメトキシメトキシシラン、１−ブタノール、トルエン、およびアセチルアセトンからなるゾルゲル液を用いた。
【０３１８】
スピンコーターを用いて、このゾルゲル液を、上部に散乱層が形成された第１のガラス基板の表面全体にコーティングした。次に、ガラス基板を１２０℃で５分〜１０分程度保持して乾燥させた。さらに、４７５℃で１時間程度保持し、ゾルゲル層中の溶媒を蒸発、分解、および／または焼失させるとともに、ゾルゲル層中の有機金属化合物を酸化および結合させて、保護層を形成した。
【０３１９】
（透明電極の形成）
まず、第１の電極として、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、第１のガラス基板の散乱層および保護層が形成されている表面に、ＩＴＯ層を成膜した。ＩＴＯ層の膜厚は、１５０ｎｍとした。ＩＴＯ層の成膜の際には、所望のパターンが得られるように、マスクを使用した。
【０３２０】
図２８には、ＩＴＯ層を形成した後の、第１のガラス基板の模式的な上面図を示す。
【０３２１】
図２８に示すように、第１のガラス基板１１１０の表面には、円形状の散乱層１１２０、および略「Ｌ」字状のＩＴＯ層１１４０が形成されている。ＩＴＯ層１１４０の一方の先端は、散乱層１１２０の中央部分に配置されている。なお、明確化のため、図２８には示されていないが、実際には、第１のガラス基板１１００の全面には、散乱層１１２０を覆うようにして、保護層が設置されている。
【０３２２】
（リペア材料の設置）
次に、以下の方法で、ＩＴＯ層の欠陥部分にリペア材料を設置した。
【０３２３】
まず、第１のガラス基板の保護層表面に存在する欠陥によりＩＴＯが切断されている部分を検出するため、ＩＴＯ層表面の光学顕微鏡観察を行った。その結果、ＩＴＯ層の表面には、保護層表面から突出した複数の異物によりＩＴＯ層が切断されている部分、および保護層表面に開口部をもつ複数の凹部によりＩＴＯ層が切断されている部分が検出された。検出された欠陥部分に印を付けて、欠陥位置を記録した。
【０３２４】
異物の最大幅は、例えば、５０μｍであった。また、凹部の開口部の直径は、例えば、１０μｍであった。
【０３２５】
次に、前述の塗布針法により、検出された欠陥位置にリペア材料を塗布した。
【０３２６】
リペア材料には、透明なポリイミドシリコーン樹脂を使用した。また、リペア材料の塗布には、前述の塗布針法を使用した。リペア材料は、欠陥のほぼ中央部分を中心として、直径約１２０μｍの円形になるように塗布した。
【０３２７】
欠陥部分にリペア材料を塗布した後、オーブンを用いて２００℃で３０分間ほど加熱し、リペア材料を硬化させた。
【０３２８】
（有機ＬＥＤ素子の作製）
次に、欠陥部分にリペア材料が設置された第１のガラス基板を用いて、以下の手順で有機ＬＥＤ素子を作製した。
【０３２９】
まず、純水およびＩＰＡを用いてガラス基板の超音波洗浄を行った後、エキシマＵＶ発生装置を用いて、第１のガラス基板に紫外線を照射し、表面を清浄化した。
【０３３０】
次に、真空蒸着装置を用いて、第１のガラス基板１１００上に、有機発光層および第２の電極を形成した。
【０３３１】
まず、正孔輸送層として、厚さが１００ｎｍのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ'−ｂｉｓ（ｌ−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−ｌ，ｌ'ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４''ｄｉａｍｉｎｅ）層を成膜し、さらに、発光層（および電子輸送層）として、厚さが６０ｎｍのＡｌｑ３（ｔｒｉｓ８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  ａｌｕｍｉｎｕｍ）層を成膜した。α−ＮＰＤ層およびＡｌｑ３層は、マスクを用いて、直径１２ｍｍの円形パターンとなるように成膜した。
【０３３２】
次に、電子注入層として、厚さが０．５ｎｍのＬｉＦ層を成膜した。さらに、第２の電極として、厚さが８０ｎｍのＡｌ層を成膜した。ＬｉＦ層およびＡｌ層は、略「Ｌ」字状であって、一方の先端には、縦２ｍｍ×横２ｍｍの追加領域が設置された形状を有するように成膜した。
【０３３３】
これにより、有機ＬＥＤ素子サンプルが作製された。
【０３３４】
図２９には、作製された有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の上面図を概略的に示す。なお、図２９においても、明確化のため保護層は示されていないことに留意する必要がある。
【０３３５】
図２９に示すように、Ａｌｑ３層１１５０は、先に成膜された散乱層１１２０よりも一回り大きな円形状であって、散乱層１１２０の全体を覆うように成膜される。なお、図２９からは視認できないが、Ａｌｑ３層１１５０の直下には、Ａｌｑ３層１１５０と同形状のα−ＮＰＤ層が設置されている。
【０３３６】
一方、Ａｌ層１１６０は、「Ｌ」字の一方の先端に設置された追加領域１１６２が、散乱層１１２０の中心に配置されるように形成される。なお、図２９からは視認できないが、Ａｌ層１１６０の直下には、Ａｌ層１１６０と同形状のＬｉＦ層が設置されている。
【０３３７】
このような有機ＬＥＤ素子サンプル１０００は、上面から見たとき、散乱層１１２０の中心近傍では、ＩＴＯ層１１４０の先端と、α−ＮＰＤ層およびＡｌｑ３層１１５０の中心と、ＬｉＦ層およびＡｌ層１１６０の追加領域１１６２とが重なり合っており、この部分が有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の発光領域１１９０として機能する。従って、発光領域１１９０の寸法は、縦２ｍｍ×横２ｍｍである。
【０３３８】
なお、この状態のままでは、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００が劣化するおそれがある。そのため、以下の方法により、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００を窒素封入した。
【０３３９】
まず、中央部近傍に凹部を有するガラス基板（ＰＤ２００：旭硝子株式会社製）（以下、「第２のガラス基板」と称する）を準備した。なお、凹部は、第２のガラス基板の中央部分をサンドブラスト処理することにより形成した。なお、凹部は、第２のガラス基板が、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の第１のガラス基板１１１０を除く各素子と接触しないよう、十分に大きな深さおよび幅を有する。
【０３４０】
次に、第２のガラス基板の凹部に、ＣａＯを含有した捕水材を貼り付けた。また、第２のガラス基板の凹部の外周に沿って、シール材として感光性エポキシ樹脂を塗布した。この状態で、第２のガラス基板を、凹部が有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の各素子と対面するようにして、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の上部に配置し、密封処理を行った。
【０３４１】
密封処理の際には、第２のガラス基板の感光性エポキシ樹脂に紫外線を照射し、樹脂を硬化させた。これにより、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００と第２のガラス基板が貼り合わされた。なお、密封処理は、窒素雰囲気にしたグローブボックス内で実施した。このため、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の各素子は、窒素封止された。
【０３４２】
（評価）
次に、窒素封止された有機ＬＥＤ素子サンプル１０００を用いて、発光試験を実施した。
【０３４３】
発光試験は、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の両電極（すなわち、ＩＴＯ層１１４０およびＡｌ層１１６０）間に、６Ｖの電圧を印加することにより行った。
【０３４４】
図３０および図３１には、光学顕微鏡を用いて、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の発光領域１１９０を、第１のガラス基板１１００側から観察した際の反射像を示す。図３０は、電圧印加前の状態を示したものであり、図３１は、電圧印加後の状態を示したものである。
【０３４５】
図３０および図３１において、矢印Ａで示す２箇所の部分は、リペア材料が設置された欠陥部分に相当する。
【０３４６】
図３１から、作製した有機ＬＥＤ素子サンプルの発光領域１１９０において、リペア材料を設置した箇所を除き、適正な発光（緑発光）が得られていることがわかる。なお１５分間、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００の両電極に電圧を印加し続けたが、発光の状態は、安定しており、電圧印加中、一定の発光が得られた。
【０３４７】
一般に、有機ＬＥＤ素子において２電極間が短絡している場合、電圧印加直後には、短絡箇所に局部的な大電流が流れ、短絡箇所の輝度が高くなり、その後直ぐ、短絡箇所がダークスポットと呼ばれる非点灯部分となり、さらにはダークスポットの大きさが時間経過とともに拡大していくことがある。また、短絡部が大きい場合には、有機ＬＥＤ素子が全く点灯しないこともある。
【０３４８】
しかしながら、本実験では、少なくとも測定期間中、有機ＬＥＤ素子１０００では安定した発光が得られていた。さらに、素子に電圧を印加しながら電流を測定したところ、有機ＬＥＤ素子１０００と欠陥がなくリペアもしていない有機ＬＥＤ素子とで測定値に差がないことが分かった。なお、もし短絡が生じていれば電流値は大きくなるはずである。これらの結果より、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００では、電極間の短絡は生じていないことが確認された。
【０３４９】
なお、発光領域１１９０のうちリペア材料を設置した部分では、発光は生じない。しかしながら、リペア材料は、１２０μｍ程度の直径しかない上、発光領域１１９０では、散乱層１１２０によって光が散乱するため、リペア材料による非発光部分は、有機ＬＥＤ素子サンプル１０００から数１０ｃｍ離れただけで、ほとんど認識されなくなった。
【０３５０】
このように、本発明による方法により、散乱層または保護層の表面に欠陥が存在する場合であっても、その後、散乱層または保護層の上部に成膜される両電極間に短絡の生じにくい有機ＬＥＤ素子を作製することができることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０３５１】
本発明は、発光デバイス等に使用される有機ＬＥＤ素子に適用することができる。
【符号の説明】
【０３５２】
１        従来の有機ＬＥＤ素子
１０      ガラス基板
２０      散乱層
２１      異物
２５      第１の側面
２６      第２の側面
２９      散乱層の表面
３１      凹部
３５      側部
３６      底部
４０      透明電極（陽極）
４１ａ〜４１ｃ  層部分
４２ａ〜４２ｃ  層部分
５０      有機発光層
５１ａ〜５１ｃ  層部分
５２ａ〜５２ｃ  層部分
６０      第２の電極（陰極）
６１ａ〜６１ｃ  層部分
６２ａ〜６２ｃ  層部分
１００    第１実施例による有機ＬＥＤ素子
１１０    透明基板
１２０    散乱層
１２１    ベース材
１２４    散乱物質
１２９    散乱層の表面
１４０    第１の電極（陽極）
１５０    有機発光層
１６０    第２の電極（陰極）
１７０    リペア材料
１９０    光取り出し面
２００    第２実施例による有機ＬＥＤ素子
２１０    透明基板
２２０    散乱層
２２１    ベース材
２２４    散乱物質
２３０    保護層
２４０    第１の電極
２５０    有機発光層
２６０    第２の電極
２７０    リペア材料
２９０    光取り出し面
３００    第３実施例による有機ＬＥＤ素子
３１０    透明基板
３２０    散乱層
３２１    ベース材
３２４    散乱物質
３４０    第１の電極
３４１ａ〜３４１ｃ  層部分
３４２ａ〜３４２ｃ  層部分
３５０    有機発光層
３６０    第２の電極
３７０    リペア材料
３９０    光取り出し面
４００    第４実施例による有機ＬＥＤ素子
４１０    透明基板
４２０    散乱層
４２１    ベース材
４２４    散乱物質
４３０    保護層
４４０    第１の電極
４４１ａ〜４４１ｃ  層部分
４４２ａ〜４４２ｃ  層部分
４５０    有機発光層
４６０    第２の電極
４７０    リペア材料
４９０    光取り出し面
５００    第５実施例による有機ＬＥＤ素子
５１０    透明基板
５２０    散乱層
５２１    ベース材
５２４    散乱物質
５４０    第１の電極
５４１ａ〜５４１ｃ  層部分
５４２ａ〜５４２ｃ  層部分
５５０    有機発光層
５６０    第２の電極
５７０    リペア材料
５８０    追加導電層
５８１ａ〜５８１ｃ  層部分
５８２ａ〜５８２ｃ  層部分
５９０    光取り出し面
６００    第６実施例による有機ＬＥＤ素子
６１０    透明基板
６２０    散乱層
６２１    ベース材
６２４    散乱物質
６３０    保護層
６４０    第１の電極
６４１ａ〜６４１ｃ  層部分
６４２ａ〜６４２ｃ  層部分
６５０    有機発光層
６６０    第２の電極
６７０    リペア材料
６８０    追加導電層
６８１ａ〜６８１ｃ  層部分
６８２ａ〜６８２ｃ  層部分
６９０    光取り出し面
９１０    塗布針
９１１    本体
９１２    テーパー部
９１３    先端
９１６、９２３  液体
９２０    容器
９２５    原料液体
９５０    管部材
９５２    ノズル部
９５４    中心針
９５６    液体
９５７、９５８  液滴
１０００  有機ＬＥＤ素子サンプル
１１００  第１のガラス基板
１１２０  散乱層
１１４０  ＩＴＯ層
１１５０  有機発光層
１１６０  Ａｌ層
１１６２  追加領域
１１９０  発光部
【図１】
2015109136.tif 000004
【図２】
2015109136.tif 000005
【図３】
2015109136.tif 000006
【図４】
2015109136.tif 000007
【図５】
2015109136.tif 000008
【図６】
2015109136.tif 000009
【図７】
2015109136.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2015109136.tif 000013
【図１１】
2015109136.tif 000014
【図１２】
2015109136.tif 000015
【図１３】
2015109136.tif 000016
【図１４】
2015109136.tif 000017
【図１５】
2015109136.tif 000018
【図１６】
2015109136.tif 000019
【図１７】
2015109136.tif 000020
【図１８】
2015109136.tif 000021
【図１９】
2015109136.tif 000022
【図２０】
2015109136.tif 000023
【図２１】
2015109136.tif 000024
【図２２】
2015109136.tif 000025
【図２３】
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【図２４】
2015109136.tif 000027
【図２５】
2015109136.tif 000028
【図２６】
2015109136.tif 000029
【図２７】
2015109136.tif 000030
【図２８】
2015109136.tif 000031
【図２９】
2015109136.tif 000032
【図３０】
2015109136.tif 000033
【図３１】
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