(57)【要約】【課題】加工容易性とともに、測距精度を高める。【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、光電変換部の上層に形成され、入射光を光電変換部に導く導波路と、導波路の開口付近に形成され、導波路に入射する入射光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素を備える。本技術は、例えば、位相差検出方式によるＡＦ機能を備えるＣＭＯＳイメージセンサに適用することができる。【選択図】図４
2015015296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に導く導波路と、
前記導波路の開口付近に形成され、前記導波路に入射する前記入射光の一部を遮光する遮光部と
を有する位相差検出画素
を備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記位相差検出画素は、
前記導波路の開口付近に集光ポイントをもつオンチップレンズをさらに有する
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記位相差検出画素は、
前記導波路の周辺に形成され、前記導波路から漏れ出す光の少なくとも一部を遮光する遮光壁をさらに有する
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記遮光壁は、前記導波路の周囲を全て囲むように形成される
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記遮光壁は、前記導波路の周囲の一部を囲むように形成される
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記位相差検出画素は、
前記半導体基板上に形成され、前記光電変換部により光電変換された電荷を保持する電荷保持部をさらに有し、
前記遮光壁は、前記導波路から前記電荷保持部へ漏れ出す光を遮光する
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記遮光部は、配線層として形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記導波路は、光を伝搬するコアと、前記コア部を伝搬する光を閉じ込めるクラッドとからなり、
前記遮光膜は、前記導波路の開口付近において、前記コアと接触するように形成される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記コアおよび前記クラッドは、無機膜からなり、
前記コアの屈折率は、前記クラッドの屈折率より高い
請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
行列状に２次元配置される複数の撮像画素の中に、前記位相差検出画素が散在して配置されてなる画素アレイ部を備え、
前記撮影画素は、少なくとも前記光電変換部と、前記導波路と、前記オンチップレンズとを有する
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に導く導波路と、
前記導波路の開口付近に形成され、前記導波路に入射する前記入射光の一部を遮光する遮光部と
を有する位相差検出画素を備える固体撮像装置
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、固体撮像装置および電子機器に関し、特に、加工容易性とともに、測距精度を高めることができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型の固体撮像装置を搭載したデジタルカメラに、AF（Auto Focus）用距離検出機能を備えたものが知られている。
【０００３】
具体的には、固体撮像装置の一部の画素に、１つのオンチップレンズと複数の光電変換部とを設けることで、位相差方式により距離を検出する機能をもたせたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
さらに、１つのオンチップレンズと複数の光電変換部とを備える測距用画素において、オンチップレンズ側に通常の撮像画素と同等の主導波路を、光電変換部側に光電変換部と同じ数の副導波路を設けるようにしたものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。このような構造によれば、オンチップレンズからの光を確実に光電変換部に導くことができ、測距精度を向上させることができる。
【０００５】
また、測距用画素において、光電変換部に入射する光を、光電変換部の上層に設けられた遮光膜で遮光することで、位相差方式により距離を検出するようにしたものが、一般的に知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３１４０６２号公報
【特許文献２】特開２０１２−１５１２１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２の構造では、測距用画素と、１つの導波路のみを備える撮像画素とで製造工程を分ける必要がある上に、画素サイズの微細化に伴って副導波路の径も小さくなった場合、加工が難しくなる恐れがあった。
【０００８】
また、１画素に複数の光電変換部を備える構造では、素子分離領域の確保のため光電変換部の面積が小さくなるため、１つの光電変換部あたりの信号量が小さくなり、測距精度が低下する恐れがあった。
【０００９】
さらに、導波路を備える画素において光電変換部の上層に遮光膜を設けた場合、導波路を伝搬することにより光電変換部に入射する光に、様々な角度からの光が混ざってしまい、結果として、測距精度が低下する恐れがあった。
【００１０】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、加工容易性とともに、測距精度を高めることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本技術の一側面の固体撮像装置は、半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、前記入射光を前記光電変換部に導く導波路と、前記導波路の開口付近に形成され、前記導波路に入射する前記入射光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素を備える。
【００１２】
前記位相差検出画素には、前記導波路の開口付近に集光ポイントをもつオンチップレンズをさらに設けることができる。
【００１３】
前記位相差検出画素には、前記導波路の周辺に形成され、前記導波路から漏れ出す光の少なくとも一部を遮光する遮光壁をさらに設けることができる。
【００１４】
前記遮光壁は、前記導波路の周囲を全て囲むように形成されるようにすることができる。
【００１５】
前記遮光壁は、前記導波路の周囲の一部を囲むように形成されるようにすることができる。
【００１６】
前記位相差検出画素は、前記半導体基板上に形成され、前記光電変換部により光電変換された電荷を保持する電荷保持部をさらに設け、前記遮光壁は、前記導波路から前記電荷保持部へ漏れ出す光を遮光するようにすることができる。
【００１７】
前記遮光部は、配線層として形成されるようにすることができる。
【００１８】
前記導波路は、光を伝搬するコアと、前記コア部を伝搬する光を閉じ込めるクラッドとからなり、前記遮光膜は、前記導波路の開口付近において、前記コアと接触するように形成されるようにすることができる。
【００１９】
前記コアおよび前記クラッドは、無機膜からなり、前記コアの屈折率は、前記クラッドの屈折率より高くなるようにすることができる。
【００２０】
行列状に２次元配置される複数の撮像画素の中に、前記位相差検出画素が散在して配置されてなる画素アレイ部を設け、前記撮影画素には、少なくとも前記光電変換部と、前記導波路と、前記オンチップレンズとを設けることができる。
【００２１】
本技術の一側面の電子機器は、半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、前記入射光を前記光電変換部に導く導波路と、前記導波路の開口付近に形成され、前記導波路に入射する前記入射光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素を備える固体撮像装置を備える。
【００２２】
本技術の一側面においては、位相差検出画素において、遮光部が導波路の開口付近に形成され、入射光を光電変換部に導く導波路に入射する入射光の一部が遮光される。
【発明の効果】
【００２３】
本技術の一側面によれば、加工容易性とともに、測距精度を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本技術を適用したイメージセンサを備える電子機器の一実施の形態を示すブロック図である。
【図２】イメージセンサの画素配置について説明する図である。
【図３】撮像画素の構成例を示す断面図である。
【図４】位相差検出画素の構成例を示す断面図である。
【図５】位相差検出画素の他の構成例を示す断面図である。
【図６】位相差検出画素のさらに他の構成例を示す断面図である。
【図７】位相差検出画素のさらに他の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本技術の実施の形態について図を参照して説明する。
【００２６】
［電子機器の機能構成例］
図１は、本技術を適用したイメージセンサを備える電子機器の一実施の形態を示すブロック図である。
【００２７】
図１の電子機器１は、デジタルカメラや撮像機能を有する携帯端末等として構成され、AF（Auto Focus）機能により、被写体を撮像して撮像画像を生成し、静止画像または動画像として記録する。以下においては、主に静止画像が記録されるものとする。
【００２８】
電子機器１は、レンズ部１１、操作部１２、制御部１３、イメージセンサ１４、信号処理部１５、記憶部１６、表示部１７、合焦判定部１８、および駆動部１９から構成される。
【００２９】
レンズ部１１は、被写体からの光（被写体光）を集光する。レンズ部１１により集光された被写体光は、イメージセンサ１４に入射される。
【００３０】
レンズ部１１は、ズームレンズ２１、絞り２２、フォーカスレンズ２３を備えている。
【００３１】
ズームレンズ２１は、駆動部１９の駆動により光軸方向に移動することにより焦点距離を変動させて、撮像画像に含まれる被写体の倍率を調整する。絞り２２は、駆動部１９の駆動により開口の度合いを変化させて、イメージセンサ１４に入射する被写体光の光量を調整する。フォーカスレンズ２３は、駆動部１９の駆動により光軸方向に移動することによりフォーカスを調整する。
【００３２】
操作部１２は、ユーザからの操作を受け付ける。操作部１２は、例えば、シャッターボタン（図示せず）が押下された場合、その旨の操作信号を制御部１３に供給する。
【００３３】
制御部１３は、電子機器１の各部の動作を制御する。
【００３４】
例えば、制御部１３は、シャッターボタンが押下された旨の操作信号を受け付けた場合、静止画像の記録の指示を、信号処理部１５に供給する。また、制御部１３は、表示部１７に、被写体のリアルタイムな画像であるライブビュー画像を表示する場合、ライブビュー画像の生成の指示を、信号処理部１５に供給する。
【００３５】
また、制御部１３は、位相差検出方式によりフォーカスの合焦判定を行う場合、合焦判定を行う動作（位相差検出動作）の指示を、信号処理部１５に供給する。位相差検出方式とは、撮像レンズを通過した光を瞳分割して一対の像を形成し、形成された像の間隔（像の間のズレ量）を計測（位相差を検出）することによって合焦の度合いを検出する焦点検出方法である。
【００３６】
イメージセンサ１４は、受光した被写体光を電気信号に光電変換する固体撮像装置である。
【００３７】
例えば、イメージセンサ１４は、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサやCCD（Charge Coupled Device）イメージセンサ等により実現される。イメージセンサ１４の画素アレイ部には、複数の画素として、受光した被写体光に基づいて撮像画像を生成するための信号を生成する画素（撮像画素）と、距離検出のための測距用画素、言い換えると、位相差検出を行うための信号を生成する画素（位相差検出画素）とが配置される。イメージセンサ１４は、光電変換により発生した電気信号を信号処理部１５に供給する。
【００３８】
信号処理部１５は、イメージセンサ１４から供給された電気信号に対して各種の信号処理を施す。
【００３９】
例えば、信号処理部１５は、制御部１３から静止画像の記録の指示が供給されている場合、静止画像のデータ（静止画像データ）を生成し、記憶部１６に供給する。また、信号処理部１５は、制御部１３からライブビュー画像の生成の指示が供給されている場合、イメージセンサ１４における撮像画素からの出力信号に基づいて、ライブビュー画像のデータ（ライブビュー画像データ）を生成し、表示部１７に供給する。
【００４０】
また、信号処理部１５は、制御部１３から位相差検出動作の指示が供給されている場合、イメージセンサ１４における位相差検出画素からの出力信号に基づいて、位相差を検出するためのデータ（位相差検出用データ）を生成し、合焦判定部１８に供給する。
【００４１】
記憶部１６は、信号処理部１５から供給された画像データを記録する。記憶部１６は、例えば、DVD（Digital Versatile Disk）等のディスクやメモリカード等の半導体メモリ等、１または複数のリムーバブルな記録媒体として構成される。これらの記録媒体は、電子機器１に内蔵されるようにしてもよいし、電子機器１から着脱可能とするようにしてもよい。
【００４２】
表示部１７は、信号処理部１５から供給された画像データに基づいて、画像を表示する。例えば、表示部１７は、信号処理部１５からライブビュー画像データが供給された場合、ライブビュー画像を表示する。表示部１７は、例えば、LCD（Liquid Crystal Display）や有機EL（Electro-Luminescence）ディスプレイ等により実現される。
【００４３】
合焦判定部１８は、信号処理部１５から供給された位相差検出用データに基づいて、フォーカスを合わせる対象の物体（合焦対象物）に対してフォーカスが合っているか否かを判定する。合焦判定部１８は、フォーカスエリアにおける物体にフォーカスが合っている場合、合焦していることを示す情報を合焦判定結果として、駆動部１９に供給する。また、合焦判定部１８は、合焦対象物にフォーカスが合っていない場合、フォーカスのずれの量（デフォーカス量）を算出し、その算出したデフォーカス量を示す情報を合焦判定結果として、駆動部１９に供給する。
【００４４】
駆動部１９は、ズームレンズ２１、絞り２２、およびフォーカスレンズ２３を駆動させる。例えば、駆動部１９は、合焦判定部１８から供給された合焦判定結果に基づいて、フォーカスレンズ２３の駆動量を算出し、その算出した駆動量に応じてフォーカスレンズ２３を移動させる。
【００４５】
具体的には、駆動部１９は、フォーカスが合っている場合には、フォーカスレンズ２３の現在の位置を維持させる。また、駆動部１９は、フォーカスが合っていない場合には、デフォーカス量を示す合焦判定結果およびフォーカスレンズ２３の位置に基づいて駆動量（移動距離）を算出し、その駆動量に応じてフォーカスレンズ２３を移動させる。
【００４６】
［イメージセンサの画素配列］
次に、図２を参照して、イメージセンサ１４の画素配置について説明する。
【００４７】
図２においては、左から右へ向かう方向（行方向）をＸ方向、下から上へ向かう方向（列方向）をＹ方向、奥から手前へ向かう方向をＺ方向とする。
【００４８】
図２に示されるように、イメージセンサ１４（画素アレイ部）には、黒色の正方形で示される複数の撮像画素３１がＸＹ平面上に行列状に２次元配置されている。撮像画素３１は、Ｒ画素、Ｇ画素、およびＢ画素からなり、これらは、ベイヤ配列に従い規則的に配置されている。
【００４９】
また、イメージセンサ１４には、行列状に２次元配置される複数の撮像画素３１の中に、白色の正方形で示される複数の位相差検出画素３２が散在して配置されている。具体的には、位相差検出画素３２は、その受光領域のＸ方向右側が遮光された画素と、受光領域のＸ方向左側が遮光された画素とからなり、これらの画素が、イメージセンサ１４における画素行のうちの所定の１行において、撮像画素３１の一部を置き換えることで、特定のパターンで規則的に配置されている。なお、イメージセンサ１４における撮像画素３１および位相差検出画素３２の配置は、これに限られるものではなく、他のパターンで配置されるようにしてもよい。
【００５０】
次に、イメージセンサ１４における撮像画素３１および位相差検出画素３２の詳細な構成について説明する。
【００５１】
［撮像画素の構成例］
図３は、イメージセンサ１４における撮像画素３１の構成例を示す断面図である。
【００５２】
図３に示されるように、撮像画素３１においては、例えばSiにより形成される半導体基板５１に、入射光を光電変換する光電変換部５２が、イオン注入によって形成される。半導体基板５１の上層には、層間絶縁膜５３乃至５６が形成され、層間絶縁膜５３乃至５６の光電変換部５２上には、入射光を光電変換部５２に導く導波路５７が形成される。層間絶縁膜５３乃至５６および導波路５７の上には、平坦化膜５８、Ｒ画素、Ｇ画素、およびＢ画素に応じた分光特性を有するカラーフィルタ５９、およびオンチップレンズ６０が形成される。
【００５３】
オンチップレンズ６０は、導波路５７の開口付近に集光ポイントをもつように設計されている。オンチップレンズ６０に入射した入射光は、カラーフィルタ５９および平坦化膜５８を介して、導波路５７に入射される。
【００５４】
導波路５７は、光を伝搬するコア５７ａと、コア５７ａを伝搬する光を閉じ込めるクラッド５７ｂとからなる。コア５７ａおよびクラッド５７ｂは、入射される光の波長帯域で透過率が80％以上となる材料からなり、例えば、コア５７ａは、SiNやSiC等の無機膜、クラッド５７ｂは、SiO2等の無機膜からなる。コア５７ａの屈折率は、クラッド５７ｂの屈折率より高い屈折率とされる。
【００５５】
なお、層間絶縁膜５３乃至５６は、導波路５７を構成するコア５７ａおよびクラッド５７ｂのいずれよりも屈折率が低い材料により形成されるものとする。
【００５６】
このような構造により、導波路５７は、入射光が導波路５７から漏れ出ることを抑えつつ、入射光を光電変換部５２の受光面に導くことにより、光電変換部５２への集光効率を向上させることができる。
【００５７】
さらに、撮像画素３１においては、配線層６１の一部として、導波路５７の周辺に、導波路５７から漏れ出す光を遮光する遮光壁６１ａが設けられている。
【００５８】
具体的には、遮光壁６１ａは、導波路５７の周囲を全て囲むように形成され、その形状は、例えば、円柱状の形状とされる。遮光壁６１ａは、Ｗ，Ti，Al，Cu，TiN，Ta，TaN等の金属により形成される。
【００５９】
なお、遮光壁６１ａは、導波路５７を囲む構造であればどのような形状であってもよく、円柱の他、例えば、四角柱や八角柱等の形状であってもよい。また、遮光壁６１ａの形状が円柱である場合、その円柱の底面は楕円であってもよい。
【００６０】
このような構造により、導波路５７から漏れ出した光が、隣接画素に入射し混色成分となることを防ぐとともに、画素サイズが微細化した場合であっても、より効率的に、入射光を光電変換部５２の受光面に導くことができる。
【００６１】
［位相差検出画素の構成例］
次に、図４を参照して、位相差検出画素３２の構成例について説明する。
【００６２】
なお、図４に示される位相差検出画素３２と、図３を参照して説明した撮像画素３１とで、同様にして形成される部分については、その説明を省略する。
【００６３】
位相差検出画素３２においては、導波路５７の開口付近に、導波路５７に入射する入射光の一部を遮光する遮光部６２が形成される。
【００６４】
具体的には、遮光部６２は、導波路５７の開口付近において、コア５７ａの上端面と接触するように形成される。遮光部６２は、Ｗ，Ti，Al，Cu，TiN，Ta，TaN等の金属により形成される。
【００６５】
図４に示される位相差検出画素３２において、遮光部６２は、導波路５７の開口の左側半分を遮光している。したがって、位相差検出画素３２には、導波路５７の開口の右側半分が遮光部６２によって遮光されているものも存在する。
【００６６】
図４に示されるように、オンチップレンズ６０を通過し、第１の方向から入射される入射光L1は、その一部が導波路５７によって光電変換部５２に導かれるものの、そのほとんどが遮光部６２によって反射光L1'として反射され、光電変換部５２まで届かない。一方、オンチップレンズ６０を通過し、第２の方向から入射される入射光L2は、そのほとんどが、導波路５７の開口において遮光部６２に遮光されていない部分（開口部）を通過して、導波路５７によって光電変換部５２に導かれる。
【００６７】
反射光L1および反射光L2が、光電変換部５２まで伝搬される光量の割合は、それぞれの入射角度によって異なる。
【００６８】
位相差検出画素３２においても、撮像画素３１と同様に、オンチップレンズ６０は、導波路５７の開口付近に集光ポイントをもつように設計され、さらに、導波路５７の開口部、導波路５７の径、および導波路５７と遮光壁６１ａとの距離が適切に設計されるようにすることで、反射光L1および反射光L2が、光電変換部５２まで伝搬される光量の割合を大きくし、光の分離特性を高めることができる。
【００６９】
以上のように、位相差検出画素３２は、撮像画素３１の構造に遮光部６２を設けるのみの構造を有するので、位相差検出画素３２と撮像画素３１とで製造工程を分ける必要もなく、加工容易性を高めることが可能となる。
【００７０】
また、位相差検出画素３２は、１画素に１つの光電変換部を備える構造とすることができるので、光電変換部あたりの信号量を低下させることなく、さらに、導波路５７の設計を最適にすることにより、光の分離特性を高めることができるので、測距精度を高めることが可能となる。
【００７１】
さらに、全画素における電荷の転送と保持を同時に行い、全画素で露光期間を一致させるグローバルシャッタ機能を実現する固体撮像装置においては、例えば、図５に示される位相差検出画素３２のように、半導体基板５１に、光電変換部５２により光電変換された電荷を保持する電荷保持部７０が形成される。
【００７２】
図５の位相差検出画素３２においては、遮光壁６１ａにより、導波路５７から漏れ出した光が遮光され、電荷保持部７０に入射しノイズ成分となることを防ぐことができる。
【００７３】
［位相差検出画素の他の構成例］
次に、図６を参照して、位相差検出画素３２の他の構成例について説明する。
【００７４】
図６に示される位相差検出画素３２においては、配線層６１の一部が、導波路５７に入射する入射光の一部を遮光する遮光部として形成される。この遮光部もまた、導波路５７の開口付近において、コア５７ａの上端面と接触するように形成されるようにできる。
【００７５】
ここで、配線層６１は、導電部としてのCuと、Cuの拡散を防ぐバリア層としてのTaやTaN等、複数の金属が組み合わされて形成される。
【００７６】
このような構成においても、位相差検出画素３２は、加工容易性とともに、測距精度を高めることが可能となる。
【００７７】
［位相差検出画素の他の構成例］
次に、図７を参照して、位相差検出画素３２のさらに他の構成例について説明する。
【００７８】
図７に示される位相差検出画素３２においては、遮光壁６１ａが、導波路５７の周囲の一部（本例では、導波路５７の周囲の左半分）のみを囲むように形成される。
【００７９】
図７に示されるように、オンチップレンズ６０を通過し、第１の方向から入射される入射光L1は、そのほとんどが遮光部６２によって反射光L1'として反射されるが、その一部の光L1''は、遮光壁６１ａがないため、隣接画素に漏れ出す。すなわち、入射光L1は、光電変換部５２には入射されない。なお、隣接画素に漏れ出した光L1''は、隣接画素において設けられる遮光壁６１ａや、画素アレイ部における画素配置の工夫によって、隣接画素の光電変換部５２へは入射されないようにできる。
【００８０】
一方、オンチップレンズ６０を通過し、第２の方向から入射される入射光L2は、そのほとんどが、導波路５７の開口部を通過して、導波路５７によって光電変換部５２に導かれる。この場合、入射光L2のうち、導波路５７から漏れ出した光は、遮光壁６１ａで反射光L2'として反射されて、光電変換部５２に入射される。
【００８１】
このように、遮光壁６１ａによって、導波路５７の周囲の一部のみが囲まれるようにすることで、所定の方向からの光を効率良く分離することができ、ひいては、測距精度をより高めることが可能となる。
【００８２】
なお、図７を参照して説明した構成を、図６を参照して説明した構成に適用するようにしてもよい。
【００８３】
また、上述した構成においては、位相差検出画素は、右側遮光および左側遮光の構成をとっているが、画素配置に応じて、上側遮光および下側遮光の構成をとるようにしてもよいし、斜めに遮光されるようにしてもよい。
【００８４】
本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００８５】
さらに、本技術は以下のような構成をとることができる。
（１）
半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に導く導波路と、
前記導波路の開口付近に形成され、前記導波路に入射する前記入射光の一部を遮光する遮光部と
を有する位相差検出画素
を備える固体撮像装置。
（２）
前記位相差検出画素は、
前記導波路の開口付近に集光ポイントをもつオンチップレンズをさらに有する
（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記位相差検出画素は、
前記導波路の周辺に形成され、前記導波路から漏れ出す光の少なくとも一部を遮光する遮光壁をさらに有する
（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記遮光壁は、前記導波路の周囲を全て囲むように形成される
（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
前記遮光壁は、前記導波路の周囲の一部を囲むように形成される
（３）に記載の固体撮像装置。
（６）
前記位相差検出画素は、
前記半導体基板上に形成され、前記光電変換部により光電変換された電荷を保持する電荷保持部をさらに有し、
前記遮光壁は、前記導波路から前記電荷保持部へ漏れ出す光を遮光する
（３）に記載の固体撮像装置。
（７）
前記遮光部は、配線層として形成される
（２）乃至（６）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（８）
前記導波路は、光を伝搬するコアと、前記コア部を伝搬する光を閉じ込めるクラッドとからなり、
前記遮光膜は、前記導波路の開口付近において、前記コアと接触するように形成される
（２）乃至（７）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（９）
前記コアおよび前記クラッドは、無機膜からなり、
前記コアの屈折率は、前記クラッドの屈折率より高い
（８）に記載の固体撮像装置。
（１０）
行列状に２次元配置される複数の撮像画素の中に、前記位相差検出画素が散在して配置されてなる画素アレイ部を備え、
前記撮影画素は、少なくとも前記光電変換部と、前記導波路と、前記オンチップレンズとを有する
（２）乃至（９）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１１）
半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に導く導波路と、
前記導波路の開口付近に形成され、前記導波路に入射する前記入射光の一部を遮光する遮光部と
を有する位相差検出画素を備える固体撮像装置
を備える電子機器。
【符号の説明】
【００８６】
１  電子機器，  １４  イメージセンサ，  ３１  撮像画素，  ３２  位相差検出画素，  ５１  半導体基板，  ５２  光電変換部，  ５７  導波路，  ５７ａ  コア，  ５７ｂ  クラッド，  ６０  オンチップレンズ，  ６１  配線層，  ６１ａ  遮光壁，  ６２  遮光部，  ７０  電荷保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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