(57)【要約】【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、ＬＣＤカバーガラスへの接触で増減するＴＦＴのゲート・ソース間結合容量変化を検出することで、接触箇所の座標検出を可能とする座標検出装置を提供する。【解決手段】座標検出装置１は、複数のゲートラインと複数のソースラインとの交差部に配置され、ソースがソースラインに接続され、ゲートがゲートラインに接続された薄膜トランジスタセルを有するタッチパネル兼用液晶表示パネル１００と、ソースラインを駆動するソースドライバ１０と、ゲートラインを駆動するゲートドライバ２０と、ソースドライバに接続され、タッチパネル兼用液晶表示パネルへの接触による薄膜トランジスタセルのゲート・ソース間結合容量変化を検出する座標検出器３０と、座標検出器に接続され、ソースドライバおよびゲートドライバのタイミング制御を行うコントローラ４０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のゲートラインと、前記複数のゲートラインに直交する複数のソースラインと、前記複数のゲートラインと前記複数のソースラインとの交差部に配置され、ソースが前記ソースラインに接続され、ゲートが前記ゲートラインに接続された薄膜トランジスタセルとを有するタッチパネル兼用液晶表示パネルと、
前記複数のソースラインを駆動するソースドライバと、
前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバと、
前記ソースドライバに接続され、前記タッチパネル兼用液晶表示パネルへの接触による前記薄膜トランジスタセルのゲート・ソース間結合容量変化を検出する座標検出器と、
前記座標検出器に接続され、前記ソースドライバおよび前記ゲートドライバのタイミング制御を行うコントローラと
を備えることを特徴とする座標検出装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタセルのドレインは、共通電位に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の座標検出装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記座標検出器において検出された位置情報データを受信し出力することを特徴とする請求項１または２に記載の座標検出装置。
【請求項４】
前記ソースドライバは、前記複数のソースラインにソースライン駆動電圧を供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の座標検出装置。
【請求項５】
前記ゲートドライバは、前記複数のゲートラインにゲートライン駆動電圧を供給することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の座標検出装置。
【請求項６】
前記座標検出器は、
前記複数のソースラインに接続される積分器と、
前記積分器に接続されるＡＤ変換器と
を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の座標検出装置。
【請求項７】
前記タッチパネル兼用液晶表示パネルは、
下面ガラス基板と、
前記下面ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタセルと、
前記下面ガラス基板に対向して配置された共通電極と、
前記共通電極上に配置されたＬＣＤカバーガラス基板と
を備え、
前記座標検出器は、前記ＬＣＤカバーガラス基板への接触で増減する前記ゲート・ソース間結合容量変化を検出することで、前記タッチパネル兼用液晶表示パネルの接触箇所の座標検出を可能としたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の座標検出装置。
【請求項８】
前記複数のソースラインと接続される検出用スイッチと、
前記検出用スイッチを介して前記複数のソースラインと共通接続されるセンスラインと
を備え、前記積分器は、前記センスラインに接続されることを特徴とする請求項６に記載の座標検出装置。
【請求項９】
前記ソースドライバは、
前記複数のソースラインに接続される複数のハイサイドスイッチと、
前記複数のソースラインに接続される複数のローサイドスイッチと、
前記複数のソースラインに前記複数のハイサイドスイッチを介して接続される複数のハイサイドアンプと、
前記複数のソースラインに前記複数のローサイドスイッチを介して接続される複数のローサイドアンプと
を備えることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項に記載の座標検出装置。
【請求項１０】
前記ソースドライバは、
前記複数のハイサイドスイッチと前記タッチパネル兼用液晶表示パネルとの間に配置され、前記複数のハイサイドアンプを奇数番のソースラインに接続するための第１ハイレベル切替スイッチおよび偶数番のソースラインに接続するための第２ハイレベル切替スイッチと、
前記複数のローサイドスイッチと前記タッチパネル兼用液晶表示パネルとの間に配置され、前記複数のローサイドアンプを奇数番のソースラインに接続するための第１ローレベル切替スイッチおよび偶数番のソースラインに接続するための第２ローレベル切替スイッチと  
を備えることを特徴とする請求項９に記載の座標検出装置。
【請求項１１】
前記ゲートライン駆動電圧の立上りに伴う電圧上昇により、第１位置情報検出期間において、前記センスライン上において検出される正の位置情報出力電圧と、前記ゲートライン駆動電圧の立下りに伴う電圧低下により、第２位置情報検出期間において、前記センスライン上において検出される負の位置情報出力電圧とを検出することを特徴とする請求項８に記載の座標検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、座標検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のコンピュータや携帯電話端末、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）などの電子機器は、指で接触することによって、電子機器を操作するための入力装置を備えるものが主流になっている。こうした入力装置として、抵抗膜式のタッチパネル（タッチセンサ）や、静電容量式のタッチパネルが知られている。このような抵抗膜式タッチパネルの操作感を改善したタッチパネルも開示されている。
【０００３】
従来から薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）方式の液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）を駆動する液晶駆動モジュールとして、プリント基板上に、ソースドライバ回路、タイミングコントローラ、電源回路、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）ドライバ回路等の半導体集積回路を個別に搭載する構成が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−４８２３３号公報
【特許文献２】特開２０１４−１３４４１号公報
【特許文献３】特開２０１１−１２３３６２号公報
【特許文献４】特開２００９−１０９８８４号公報
【特許文献５】特開２００９−１０９８８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、ＬＣＤカバーガラスへの接触で増減するＴＦＴ用ゲート・ソース間結合容量変化を検出することで、ＬＣＤの接触箇所の座標検出を可能とした座標検出装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施の形態の一態様によれば、複数のゲートラインと、前記複数のゲートラインに直交する複数のソースラインと、前記複数のゲートラインと前記複数のソースラインとの交差部に配置され、ソースが前記ソースラインに接続され、ゲートが前記ゲートラインに接続された薄膜トランジスタセルとを有するタッチパネル兼用液晶表示パネルと、前記複数のソースラインを駆動するソースドライバと、前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバと、前記ソースドライバに接続され、前記タッチパネル兼用液晶表示パネルへの接触による前記薄膜トランジスタセルのゲート・ソース間結合容量変化を検出する座標検出器と、前記座標検出器に接続され、前記ソースドライバおよび前記ゲートドライバのタイミング制御を行うコントローラとを備える座標検出装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、ＬＣＤカバーガラスへの接触で増減するＴＦＴ用ゲート・ソース間結合容量変化を検出することで、ＬＣＤの接触箇所の座標検出を可能とした座標検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態に係る座標検出装置の模式的平面パターン構成図。
【図２】実施の形態に係る座標検出装置に適用可能なソースドライバおよび座標検出器の模式的回路ブロック構成図。
【図３】実施の形態に係る座標検出装置に適用可能なタッチパネル兼用ＬＣＤパネルの模式的回路ブロック構成図。
【図４】実施の形態に係る座標検出装置に適用可能なＴＦＴセルの模式的平面パターン構成図。
【図５】実施の形態に係る座標検出装置に適用可能なＴＦＴセルの模式的鳥瞰構造図。
【図６】実施の形態に係る座標検出装置に適用可能なタッチパネル兼用ＬＣＤパネルのＴＦＴセル電位の模式的説明図。
【図７】実施の形態に係る座標検出装置に適用可能なゲートドライバの模式的回路ブロック構成図。
【図８】実施の形態に係る座標検出装置に適用可能なゲートドライバからゲートラインに供給されるゲートライン駆動電圧の模式的タイミングチャートであって、（ａ）ゲートライン駆動電圧ＶGW1の波形例、（ｂ）ゲートライン駆動電圧ＶGW2の波形例、（ｃ）ゲートライン駆動電圧ＶGW3の波形例、（ｄ）ゲートライン駆動電圧ＶGWmの波形例。
【図９】実施の形態に係る座標検出装置の動作説明であって、２×２ＴＦＴセル（Ｃ11、Ｃ12、Ｃ21、Ｃ22）近傍における模式的回路ブロック構成図。
【図１０】図９に示された座標検出装置の比較例の動作説明であって、（ａ）ハイサイドアンプＨＡＭＰの出力電圧ＶHAMPの動作波形図、（ｂ）ローサイドアンプＬＡＭＰの出力電圧ＶLAMPの動作波形図。
【図１１】図９に示された座標検出装置の比較例の動作説明であって、（ａ）ソースライン駆動電圧ＶSW1の動作波形図、（ｂ）ソースライン駆動電圧ＶSW2の動作波形図、（ｃ）ゲートライン駆動電圧ＶGW1の動作波形図、（ｄ）ゲートライン駆動電圧ＶGW2の動作波形図。
【図１２】図９に示された座標検出装置の実施例の動作説明であって、（ａ）ゲートライン駆動電圧ＶGW1の動作波形図、（ｂ）ゲートライン駆動電圧ＶGW2の動作波形図、（ｃ）ハイサイドアンプＨＡＭＰの出力電圧ＶHAMPの動作波形図、（ｄ）ローサイドアンプＬＡＭＰの出力電圧ＶLAMPの動作波形図、（ｅ）位置情報出力電圧ＶPDの動作波形図。
【図１３】実施の形態に係る座標検出装置において、共通電極の共通電位ＶCOMのγ諧調特性例。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１０】
又、以下に示す実施の形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
（比較例）
通常のＬＣＤモジュールで座標検出する場合、以下の２方式が一般的である。すなわち、カバーガラス上にセンサ基板を貼り合わせるオンセル方式と、ＴＦＴ上にセンサ電極を配置した内蔵型のインセル方式がある。カバーガラス上にセンサ基板を貼り合わせるオンセル方式においては、重量が相対的に大きく、また輝度が低下する。一方、ＴＦＴ上にセンサ電極を配置した内蔵型のインセル方式においては、ガラス配線が難しく、歩留まりが低下する。
【００１２】
したがって、いずれの方式においても専用のタッチコントローラＩＣが必要であり、また、ガラス・ＩＣ双方のコストアップを経て座標検出が行われている。
【００１３】
[実施の形態]
実施の形態に係る座標検出装置１の模式的平面パターン構成は、図１に示すように表される。また、実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なソースドライバ１０および座標検出器３０の模式的回路ブロック構成は、図２に示すように表され、実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なタッチパネル兼用ＬＣＤパネル１００およびゲートドライバ２０の模式的回路ブロック構成は、図３に示すように表される。
【００１４】
実施の形態に係る座標検出装置１は、図１〜図３に示すように、複数のゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・…・ＧＷｍと、複数のゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・…・ＧＷｍに直交する複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎと、複数のゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・…・ＧＷｍと複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎとの交差部に配置され、ソースがソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎに接続され、ゲートがゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・…・ＧＷｍに接続されたＴＦＴセルＣ11・Ｃ12・…・Ｃ1m・Ｃ21・Ｃ22・…・Ｃ2m・…・Ｃn1・Ｃn2・…・Ｃnmとを有するタッチパネル兼用液晶表示パネル１００と、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎを駆動するソースドライバ１０と、複数のゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・…・ＧＷｍを駆動するゲートドライバ２０と、ソースドライバ１０に接続され、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００への接触によるＴＦＴセルＣ11・Ｃ12・…・Ｃ1m・Ｃ21・Ｃ22・…・Ｃ2m・…・Ｃn1・Ｃn2・…・Ｃnmのゲート・ソース間結合容量変化を検出する座標検出器３０と、座標検出器３０に接続され、ソースドライバ１０およびゲートドライバ２０のタイミング制御を行うコントローラ４０とを備える。
【００１５】
座標検出器３０は、ソースドライバ１０から位置情報出力電圧ＶPDを受信し、コントローラ４０に対して位置情報データＰＤを供給する。
【００１６】
コントローラ４０は、座標検出器３０において検出された位置情報データＰＤを受信し、出力端子において、出力データＤoutを出力する。また、コントローラ４０は、ソース駆動信号ＳＤをソースドライバ１０に供給し、ゲート駆動信号ＧＤをゲートドライバ２０に供給する。また、コントローラ４０は、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００の共通電極５０の共通電位ＶCOMを供給する。
【００１７】
ソースドライバ１０は、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎに接続される複数のハイサイドスイッチＳＴ７と、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎに接続される複数のローサイドスイッチＳＴ８と、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎに複数のハイサイドスイッチＳＴ７を介して接続される複数のハイサイドアンプ（ＨＡＭＰ）１４1・１４3・…と、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎに複数のローサイドスイッチＳＴ８を介して接続される複数のローサイドアンプ（ＬＡＭＰ）１５1・１５3・…とを備える。
【００１８】
また、ソースドライバ１０は、複数のハイサイドスイッチＳＴ７とタッチパネル兼用液晶表示パネル１００との間に配置され、複数のＨＡＭＰ１４1・１４3・…を奇数番のソースラインＳＷ１・ＳＷ３・…に接続するための第１ハイレベル切替スイッチＳＴ２を備える。  
【００１９】
また、ソースドライバ１０は、複数のハイサイドスイッチＳＴ７とタッチパネル兼用液晶表示パネル１００との間に配置され、複数のＨＡＭＰ１４1・１４3・…を偶数番のソースラインＳＷ２・ＳＷ４・…に接続するための第２ハイレベル切替スイッチＳＴ５を備える。  
また、ソースドライバ１０は、複数のローサイドスイッチＳＴ８とタッチパネル兼用液晶表示パネル１００との間に配置され、複数のＬＡＭＰ１５2・１５4・…を奇数番のソースラインＳＷ１・ＳＷ３・…に接続するための第１ローレベル切替スイッチＳＴ３を備える。  
【００２０】
また、ソースドライバ１０は、複数のローサイドスイッチＳＴ８とタッチパネル兼用液晶表示パネル１００との間に配置され、複数のＬＡＭＰ１５2・１５4・…偶数番のソースラインＳＷ２・ＳＷ４・…に接続するための第２ローレベル切替スイッチＳＴ６を備える。  
【００２１】
また、ソースドライバ１０は、コントローラ４０から供給されるデジタル信号のソース駆動信号ＳＤを受信し、アナログ信号に変換して複数のＨＡＭＰ１４1・１４3・…および複数のＬＡＭＰ１５1・１５3・…に供給するデジタル／アナログコンバータＤＡＣ１（１２1）・ＤＡＣ２（１２2）・ＤＡＣ３（１２3）・ＤＡＣ４（１２4）・…を備える。
【００２２】
また、ソースドライバ１０は、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎにソースライン駆動電圧ＶSW1・ＶSW2・…・ＶSWnを供給する。ここで、ソースライン駆動電圧ＶSW1・ＶSW2・…・ＶSWnには、ＨＡＭＰ１４1・１４3・…の出力電圧ＶHAMP若しくはＬＡＭＰ１５2・１５4・…の出力電圧ＶLAMPに対応する電圧が供給される。
【００２３】
ゲートドライバ２０は、複数のゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・…・ＧＷｍにゲート駆動電圧ＶGW1・ＶGW2・ＶGW3・…・ＶGWmを供給する。
【００２４】
ゲートドライバ２０は、例えば、約−１０Ｖ〜約＋２０Ｖの範囲の矩形波を出力し、一方、ソースドライバ１０は、例えば、約０Ｖ〜約１０Ｖの範囲で、例えば、６〜８ビット階調の出力を供給可能である。
座標検出器３０は、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎに接続される積分器３４と、積分器３４に接続されるＡＤ変換器３２とを備える。
【００２５】
座標検出器３０は、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００のＬＣＤカバーガラス基板７０への接触で増減するＴＦＴセルＣ11・Ｃ12・…・Ｃ1m・Ｃ21・Ｃ22・…・Ｃ2m・…・Ｃn1・Ｃn2・…・Ｃnmのゲート・ソース間結合容量変化を検出することで、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００のＬＣＤの接触箇所の座標検出を可能としている。
【００２６】
積分器３４は、複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎと検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４を介して共通接続されるセンスラインＬPDに接続され、センスラインＬPD上の位置情報出力電圧ＶPDを受信し、ＡＤ変換器３２を介して、コントローラ４０に対して出力信号（位置情報データ）ＰＤを供給する。
【００２７】
複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・…・ＳＷｎからの全ソース出力と検出用スイッチ（アナログスイッチ）ＳＴ１・ＳＴ４を介しての接続スイッチの開閉は、ロジック回路で制御可能である。このロジック回路は、コントローラ４０に内蔵されていても良い。
【００２８】
積分器３４への入力は、検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４の組み合わせによって、１画素の信号であっても良く、複数の画素の信号であっても良く、画素容量の差分信号（積分器へはこの場合２入力となる）であっても良い。
【００２９】
座標検出器３０は、１個に限定されない。複数の座標検出器３０を並列化配置することによって、検出速度を向上することができる。
【００３０】
積分器３４の構成はさまざまな構成が可能であるため、積分器として総称する。
【００３１】
ＡＤ変換器３２の出力信号（位置情報データ）ＰＤは、座標データを表すデジタル信号である。外部へ座標情報を伝送する際は、シリアルインタフェースを介して通信可能である。ここで、シリアルインタフェースを介する通信方式としては、Ｉ2Ｃ（アイ・スクエア・シー、アイ・ツー・シー:Inter-Integrated Circuit）、ＳＰＩ(シリアル・ペリフェラル・インタフェース:Serial Peripheral Interface)などの通信方式を採用することができる。コントローラ４０は、例えば、タイミングコントローラ、タッチコントローラ、セット本体のコントローラ、ＶCOMドライバなどを備えていても良い。
【００３２】
（ＴＦＴセル）
実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なＴＦＴセルＣ4mの模式的平面パターン構成は、図４に示すように表される。
【００３３】
実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なＴＦＴセルＣ4mは、ゲートラインＧＷｍとソースラインＳＷ４との交差部に配置され、ソースＳがソースラインＳＷ４に接続され、ゲートＧがゲートラインＧＷｍに接続され、ドレインＤがＴＦＴセルＣ4mに接続されたＴＦＴを備える。ＴＦＴセルＣ4mは画素領域を表し、共通電位ＶCOMに接続される。
【００３４】
座標検出器３０は、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００のＬＣＤカバーガラス基板７０への接触で増減するＴＦＴセルＣ4mのゲート・ソース間結合容量の変化を検出することで、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００の接触箇所の座標検出を可能としている。ここで、ＴＦＴセルＣ4mのゲート・ソース間結合容量は、ゲートラインＧＷｍ・ソースラインＳＷ４間の重なり部分の結合容量ＣCおよびＴＦＴのゲート・ソース間容量ＣGSの和（ＣC＋ＣGS）で表される。
【００３５】
また、実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なＴＦＴセルＣij近傍の模式的鳥瞰構造は、図５に示すように表される。
【００３６】
実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なタッチパネル兼用液晶表示パネル１００は、図５に示すように、下面ガラス基板６０と、下面ガラス基板６０に対向して配置された共通電極５０および共通電極５０上に配置された上面ガラス基板（ＬＣＤカバーガラス基板）７０とを備える。
【００３７】
さらに、実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なタッチパネル兼用液晶表示パネル１００は、図５に示すように、下面ガラス基板６０上に配置されたゲートラインＧＷiおよびソースラインＳＷjと、ゲートラインＧＷiとソースラインＳＷjとの交差部に配置され、ソースＳがソースラインＳＷjに接続され、ゲートＧがゲートラインＧＷiに接続され、ドレインＤがＴＦＴセルＣijに接続されたＴＦＴとを備える。ＴＦＴセルＣijは画素領域を表し、共通電極５０の共通電位ＶCOMに接続される。隣接するＴＦＴセルも同様に構成される。
【００３８】
座標検出器３０は、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００のＬＣＤカバーガラス基板７０への指若しくはスタイラス８０の接触で増減するＴＦＴセルＣijのゲート・ソース間結合容量（ＣC＋ＣGS）の変化を検出することで、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００全面の接触箇所の座標検出を可能としている。ここで、指若しくはスタイラス８０のサイズに比べて、ＴＦＴセルのサイズが小さい場合には、接触で増減するＴＦＴセルのゲート・ソース間結合容量変化の検出は、隣接する複数のＴＦＴセルで積分された情報として接触箇所の座標検出を可能である。
【００３９】
ここで、実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なタッチパネル兼用ＬＣＤパネル１００のＴＦＴセル電位の模式的説明図は、図６に示すように表される。
【００４０】
例えば、ゲートラインＧＷ１と複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・ＳＷ３との交差部に配置されるＴＦＴセルのゲート・ソース間結合容量の電位変化をＶi・Ｖi・Ｖi-1で表し、ゲートラインＧＷ２と複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・ＳＷ３との交差部に配置されるＴＦＴセルのゲート・ソース間結合容量の電位変化をＶi+1・Ｖi+1・Ｖiで表し、ゲートラインＧＷ３と複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・ＳＷ３との交差部に配置されるＴＦＴセルのゲート・ソース間結合容量の電位変化をＶi・Ｖi-1・Ｖi+1で表し、ゲートラインＧＷ４と複数のソースラインＳＷ１・ＳＷ２・ＳＷ３との交差部に配置されるＴＦＴセルのゲート・ソース間結合容量の電位変化をＶi-1・Ｖi-2・Ｖi+1で表している。
【００４１】
座標検出器３０は、タッチパネル兼用液晶表示パネル１００のＬＣＤカバーガラス基板７０の指もしくはスタイラス８０の接触で増減するＴＦＴセルのゲート・ソース間結合容量の変化を検出することで、ＬＣＤ全面の接触箇所の座標検出を可能である。
【００４２】
実施の形態においては、ソースドライバ１０、ゲートドライバ２０、コントローラ４０（タイミングコントローラおよびＶCOMドライバを供給するＩＣ）を備えたＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、ＬＣＤカバーガラス基板７０への接触で増減するＴＦＴセルのゲート・ソース間結合容量を検出することで、ＬＣＤ全面の接触箇所の座標検出を可能とした座標検出装置を提供することができる。
【００４３】
実施の形態に係る座標検出装置１によれば、タッチセンサ電極のセンサ類およびタッチコントローラＩＣを不要にしたＬＣＤパネルにて座標検出を実現することができる。
【００４４】
タッチ用センサ配線には、ＴＦＴセルで使用されているゲート用ガラス配線・ソース用ガラス配線を利用することができる。
【００４５】
高精細（ＨＤ：high definition）解像度を例に取れば、ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、ゲートライン：７６８本、ソースライン：１３６６×３＝４０９８本のガラス配線が存在し、それぞれの配線が直交する領域には、容量結合が存在する。
【００４６】
ゲートドライバ２０は、このゲートライン用ガラス配線に例えば、約＋２０Ｖ〜約−１０Ｖの範囲で変化する駆動パルスを供給する。
【００４７】
ソースドライバ１０には、座標検出器３０が接続されている。座標検出器３０は、容量検出回路（積分器３４・ＡＤ変換器３２）を内蔵することができる。
【００４８】
ゲートドライバ２０・ソースドライバ１０は、コントローラ４０によってタイミングを制御される。実施の形態に係る座標検出装置によれば、容量検出回路（積分器３４・ＡＤ変換器３２）において検出された容量のタイミングから、座標検出を実現可能である。
【００４９】
実施の形態に係る座標検出装置によれば、タッチモジュール・コントローラＬＳＩが不要となり、モジュールコストを抑えることができる。
【００５０】
また、実施の形態に係る座標検出装置によれば、ＴＦＴ配線を活用することによって、電極配線の本数を１０００本以上とすることができるため、座標検出の最小領域が大幅に縮小可能となり、検出感度を向上することができる。
【００５１】
（ゲートドライバ）
実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なゲートドライバ２０の模式的回路ブロック構成は、図７に示すように表される。
【００５２】
実施の形態に係る座標検出装置１に適用可能なゲートドライバ２０は、複数のゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・ＧＷ３・…・ＧＷｍにそれぞれゲートライン駆動電圧ＶGW1・ＶGW2・…・ＶGWnを供給可能なゲートラインドライバ２２1・２２2・２２3・…・２２mを備える。ゲートラインドライバ２２1・２２2・２２3・…・２２mには、コントローラ４０からゲート駆動信号ＧＤが供給される。
【００５３】
ゲートドライバ２０からゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・ＧＷ３・…・ＧＷｍに供給されるゲートライン駆動電圧ＶGW1・ＶGW2・…・ＶGWm模式的タイミングチャートは、図８に示すように表わされる。ゲートドライバ２０は、例えば、約−１０Ｖ〜約＋２０Ｖの範囲の矩形波を出力する。図８（ａ）において、ゲートライン駆動電圧ＶGW1の波高値ＶGHは、例えば、３０Ｖである。ゲートライン駆動電圧ＶGW1は、時刻ｔg1・ｔg2間に発生され、ゲートライン駆動電圧ＶGW2は、時刻ｔg2・ｔg3間に発生され、ゲートライン駆動電圧ＶGW3は、時刻ｔg3・ｔg4間に発生され、ゲートライン駆動電圧ＶGWmは、それぞれ時刻ｔgm・ｔgm+1間に発生される。
【００５４】
ゲートドライバ２０はシフトレジスタとして構成可能であり、シングルパルスのゲートライン駆動電圧ＶGW1・ＶGW2・…・ＶGWmが順次生成されて、それぞれゲートラインＧＷ１・ＧＷ２・ＧＷ３・…・ＧＷｍに供給される。
【００５５】
（動作説明）
実施の形態に係る座標検出装置の動作説明であって、２×２ＴＦＴセル（Ｃ11、Ｃ12、Ｃ21、Ｃ22）近傍における模式的回路ブロック構成は、図９に示すように表される。また、図９に示された座標検出装置の比較例の動作説明であって、ハイサイドアンプＨＡＭＰ１４1の出力電圧ＶHAMPの動作波形は、図１０（ａ）に示すように表され、ローサイドアンプＬＡＭＰ１５2の出力電圧ＶLAMPの動作波形は、図１０（ｂ）に示すように表される。さらに、図９に示された座標検出装置の比較例の動作説明であって、ソースライン駆動電圧ＶSW1の動作波形は、図１１（ａ）に示すように表され、ソースライン駆動電圧ＶSW2の動作波形は、図１１（ｂ）に示すように表され、ゲートライン駆動電圧ＶGW1の動作波形は、図１１（ｃ）に示すように表され、ゲートライン駆動電圧ＶGW2の動作波形は、図１１（ｄ）に示すように表される。
（ａ）まず、時刻ｔ１・ｔ５間の第１ソースドライブ期間ＴSD1においては、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５はオン状態、ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はオフ状態、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８はオン状態にある。このため、時刻ｔ１・ｔ５間において、ＨＡＭＰ１４1の出力電圧ＶHAMPは、例えば、約５Ｖから約１０Ｖまで上昇し、ＬＡＭＰ１５2の出力電圧ＶLAMPは、例えば、約５Ｖから約０Ｖまで下降する。これに対応して、時刻ｔ１・ｔ５間において、ソースライン駆動電圧ＶSW1の動作波形は、例えば、約５Ｖから約１０Ｖまで上昇し、ソースライン駆動電圧ＶSW2の動作波形は、例えば、約５Ｖから約０Ｖまで下降する。時刻ｔ１・ｔ５間の時刻ｔ２１・ｔ４１間において、ゲートライン駆動電圧ＶGW1はハイレベルとなる。時刻ｔ４１に対応するゲートライン駆動電圧ＶGW1のエッジ電位ＥＧ１において、ソースライン駆動電圧ＶSW1はハイレベル電位ＨＳ１、ソースライン駆動電圧ＶSW2は、ローレベル電位ＢＳ２となり、ソース出力の安定化を待って、ＬＣＤ画素電極に映像信号が取り込まれる。
（ｂ）次に、時刻ｔ５・ｔ６間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８は共にオフ状態にあり、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はすべてオン状態にある。時刻ｔ５・ｔ６間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、ＨｉＺで表記された部分に対応する。ここで、ＨｉＺの意味はハイインピーダンスを意味しておりＨＡＭＰ・ＬＡＭＰがオン中の低インピーダンスに対して、ＨＡＭＰ・ＬＡＭＰ出力が絶たれた高インピーダンス状態にある。この区間はチャージシェアを実行しており、これはＨＡＭＰ・ＬＡＭＰ出力をＨｉＺで切り離した状態でハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６をオンさせることで、選択した画素Ｃ11、Ｃ21を短絡することができ、両画素Ｃ11、Ｃ21にたまった電荷を平均化することができる。この例の場合、チャージシェア直前の各々の電圧は、約１０Ｖと約０Ｖであるため、この約１０Ｖ・約０Ｖに対応する電荷についてチャージシェア期間ＴCSでショートすることで各々が半分の約５Ｖとなる。これにより、次回のドライブで約１０Ｖから約０Ｖに変化するところを約１０Ｖから約５Ｖ、約５Ｖから約０Ｖに変化させることができ、ドライブ振幅を半減できる。このため、ソースドライバの動作の省電力化を図ることができる。
（ｃ）次に、時刻ｔ６・ｔ１０間の第２ソースドライブ期間ＴSD2においては、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５はオフ状態、ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はオン状態、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８はオン状態にある。このため、時刻ｔ６・ｔ１０間において、ＨＡＭＰ１４1の出力電圧ＶHAMPは、例えば、約５Ｖから約９Ｖまで上昇し、ＬＡＭＰ１５2の出力電圧ＶLAMPは、例えば、約５Ｖから約１Ｖまで下降する。これに対応して、時刻ｔ６・ｔ１０間において、ソースライン駆動電圧ＶSW1の動作波形は、例えば、約５Ｖから約１Ｖまで下降し、ソースライン駆動電圧ＶSW2の動作波形は、例えば、約５Ｖから約９Ｖまで上昇する。この電圧値は、映像信号に依存している。時刻ｔ６・ｔ１０間の時刻ｔ７１・ｔ９１間において、ゲートライン駆動電圧ＶGW2はハイレベルとなる。時刻ｔ９１に対応するゲートライン駆動電圧ＶGW1のエッジ電位ＥＧ２において、ソースライン駆動電圧ＶSW1はローレベル電位ＢＳ１、ソースライン駆動電圧ＶSW2は、ハイレベル電位ＨＳ２となり、ソース出力の安定化を待って、ＬＣＤ画素電極に映像信号が取り込まれる。
（ｄ）次に、時刻ｔ１０・ｔ１１間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８は共にオフ状態にあり、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はすべてオン状態にある。時刻ｔ５・ｔ６間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、チャージシェアを実行しており、ＨＡＭＰ・ＬＡＭＰ出力をＨｉＺで切り離した状態でハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６をオンさせることで、選択した画素Ｃ12、Ｃ22を短絡することができ、両画素Ｃ12、Ｃ22にたまった電荷を平均化することができる。この例の場合、チャージシェア直前の各々の電圧は、約９Ｖと約１Ｖであるため、この約９Ｖ・約１Ｖに対応する電荷についてチャージシェア期間ＴCSでショートすることで各々が半分の約５Ｖとなり、ドライブ振幅を半減できる。このため、ソースドライバの動作の省電力化を図ることができる。
（ｅ）以下同様に、第３ソースドライブ期間ＴSD3においては、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５はオフ状態、ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はオン状態、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８はオン状態にある。このため、第３ソースドライブ期間ＴSD3において、ＨＡＭＰ１４1の出力電圧ＶHAMPは、例えば、約５Ｖから約８Ｖまで上昇し、ＬＡＭＰ１５2の出力電圧ＶLAMPは、例えば、約５Ｖから約２Ｖまで下降する。
【００５６】
図９に示された座標検出装置の実施例の動作説明であって、ゲートライン駆動電圧ＶGW1の動作波形は、図１２（ａ）に示すように表され、ゲートライン駆動電圧ＶGW2の動作波形は、図１２（ｂ）に示すように表され、ハイサイドアンプＨＡＭＰの出力電圧ＶHAMPの動作波形は、図１２（ｃ）に示すように表され、ローサイドアンプＬＡＭＰの出力電圧ＶLAMPの動作波形は、図１２（ｄ）に示すように表され、位置情報出力電圧ＶPDの動作波形は、図１２（ｅ）に示すように表される。
【００５７】
図１２（ｅ）において、時刻ｔ１・ｔ２間および時刻ｔ３・ｔ４間は、第１ソースドライブ期間ＴSD11・ＴSD12に対応し、時刻ｔ５・ｔ６間は、チャージシェア期間ＴCSに対応し、時刻ｔ６・ｔ７間および時刻ｔ８・ｔ９間は、第２ソースドライブ期間ＴSD1・ＴSD22に対応し、時刻ｔ１０・ｔ１１間は、チャージシェア期間ＴCSに対応し、時刻ｔ１１〜は、第３ソースドライブ期間ＴSD3に対応している。  
【００５８】
ここで、時刻ｔ２・ｔ３間は、ゲートライン駆動電圧ＶGW1の立上り動作における位置情報検出期間ＴPD11に対応し、時刻ｔ４・ｔ５間は、ゲートライン駆動電圧ＶGW1の立下り動作における位置情報検出期間ＴPD12に対応する。
【００５９】
同様に、時刻ｔ７・ｔ８間は、ゲートライン駆動電圧ＶGW2の立上り動作における位置情報検出期間ＴPD21に対応し、時刻ｔ９・ｔ１１間は、ゲートライン駆動電圧ＶGW2の立下り動作における位置情報検出期間ＴPD22に対応する。
（ａ）まず、時刻ｔ１・ｔ２間および時刻ｔ３・ｔ４間の第１ソースドライブ期間ＴSD11・ＴSD12間においては、検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４はオフ状態、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５はオン状態、ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はオフ状態、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８はオン状態にある。このため、時刻ｔ１・ｔ５間において、ＨＡＭＰ１４1の出力電圧ＶHAMPは、例えば、ＶMからＶH1まで上昇し、ＬＡＭＰ１５2の出力電圧ＶLAMPは、例えば、ＶMからＶL1まで下降する。これに対応して、時刻ｔ１・ｔ５間において、ソースライン駆動電圧ＶSW1の動作波形は、ＶMからＶH1まで上昇し、ソースライン駆動電圧ＶSW2の動作波形は、ＶMからＶL1まで下降する。時刻ｔ１・ｔ５間の時刻ｔ２１・ｔ４１間において、ゲートライン駆動電圧ＶGW1はハイレベルとなる。
【００６０】
時刻ｔ２・ｔ３間においては、ゲートライン駆動電圧ＶGW1の立上り動作におけるパルス駆動の際の結合容量に伴う電圧上昇により、位置情報検出期間ＴPD11において、正の位置情報出力電圧ＶP11がセンスラインＬPD上において検出される。
【００６１】
同様に、時刻ｔ４・ｔ５間においては、ゲートライン駆動電圧ＶGW1の立下り動作におけるパルス駆動の際の結合容量に伴う電圧低下により、位置情報検出期間ＴPD12において、負の位置情報出力電圧ＶP12がセンスラインＬPD上において検出される。
【００６２】
位置情報検出期間ＴPD11・ＴPD12においては、検出用スイッチＳＴ１はオン状態に設定され、検出用スイッチＳＴ４はオン状態もしくはオフ状態に設定可能である。検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４を共にオン状態とした場合には、同一のゲートラインＧＷ１に接続される２画素Ｃ11・Ｃ21に対応した座標検出が可能となる。一方、検出用スイッチＳＴ１をオン状態、検出用スイッチＳＴ４をオフ状態とした場合には、同一のゲートラインＧＷ１に接続される１画素Ｃ11に対応した座標検出が可能となる。
【００６３】
ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５はオン状態もしくはオフ状態に設定可能であり、ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６もオン状態もしくはオフ状態に設定可能であり、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８もオン状態もしくはオフ状態に設定可能である。すなわち、ソースドライバ１０とタッチパネル兼用ＬＣＤパネル１００を接続したままとするか切り離すか、或いはＨＡＭＰ１４1・ＬＡＭＰ１５2を接続したままとするか切り離すかは、設定次第である。
（ｂ）次に、時刻ｔ５・ｔ６間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４は共にオフ状態にあり、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８も共にオフ状態にあり、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はすべてオン状態にある。時刻ｔ５・ｔ６間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、ハイインピーダンスＨｉＺ状態にあり、ＨＡＭＰ・ＬＡＭＰがオン中の低インピーダンスに対して、ＨＡＭＰ・ＬＡＭＰ出力が絶たれた高インピーダンス状態にある。この区間はチャージシェアを実行しており、これはＨＡＭＰ・ＬＡＭＰ出力をＨｉＺで切り離した状態でハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６をオンさせることで、選択した画素Ｃ11、Ｃ21を短絡することができ、両画素Ｃ11、Ｃ21にたまった電荷を平均化することができる。この例の場合、チャージシェア直前の各々の電圧は、ＶH1とＶL1であるため、このＶH1とＶL1に対応する電荷についてチャージシェア期間ＴCSでショートすることで各々が半分の値（ＶH1＋ＶL1）／２となり、ドライブ振幅を半減できるため、ソースドライバの動作の省電力化を図ることができる。
（ｃ）次に、時刻ｔ６・ｔ７間および時刻ｔ８・ｔ９間の第２ソースドライブ期間ＴSD21・ＴSD22間においては、検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４はオフ状態、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５はオフ状態、ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はオン状態、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８はオン状態にある。このため、時刻ｔ６・ｔ７間において、ＨＡＭＰ１４1の出力電圧ＶHAMPは、例えば、ＶMからＶH2まで上昇し、ＬＡＭＰ１５2の出力電圧ＶLAMPは、例えば、ＶMからＶL2まで下降する。これに対応して、時刻ｔ６・ｔ７間において、ソースライン駆動電圧ＶSW1の動作波形は、ＶMからＶH2まで上昇し、ソースライン駆動電圧ＶSW2の動作波形は、ＶMからＶL2まで下降する。時刻ｔ６・ｔ１０間の時刻ｔ７１・ｔ９１間において、ゲートライン駆動電圧ＶGW2はハイレベルとなる。
【００６４】
時刻ｔ７・ｔ８間においては、ゲートライン駆動電圧ＶGW2の立上り動作におけるパルス駆動の際の結合容量に伴う電圧上昇により、位置情報検出期間ＴPD21において、正の位置情報出力電圧ＶP21がセンスラインＬPD上において検出される。
【００６５】
同様に、時刻ｔ９・ｔ１０間においては、ゲートライン駆動電圧ＶGW2の立下り動作におけるパルス駆動の際の結合容量に伴う電圧低下により、位置情報検出期間ＴPD22において、負の位置情報出力電圧ＶP22がセンスラインＬPD上において検出される。
【００６６】
位置情報検出期間ＴPD11・ＴPD12においては、検出用スイッチＳＴ１はオン状態に設定され、検出用スイッチＳＴ４はオン状態もしくはオフ状態に設定可能である。検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４を共にオン状態とした場合には、同一のゲートラインＧＷ２に接続される２画素Ｃ12・Ｃ22に対応した座標検出が可能となる。一方、検出用スイッチＳＴ１をオン状態、検出用スイッチＳＴ４をオフ状態とした場合には、同一のゲートラインＧＷ２に接続される１画素Ｃ12に対応した座標検出が可能となる。
【００６７】
ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５はオン状態もしくはオフ状態に設定可能であり、ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６もオン状態もしくはオフ状態に設定可能であり、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８もオン状態もしくはオフ状態に設定可能である。すなわち、ソースドライバ１０とタッチパネル兼用ＬＣＤパネル１００を接続したままとするか切り離すか、或いはＨＡＭＰ１４1・ＬＡＭＰ１５2を接続したままとするか切り離すかは、設定次第である。
（ｄ）次に、時刻ｔ１０・ｔ１１間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、検出用スイッチＳＴ１・ＳＴ４は共にオフ状態にあり、ハイサイドスイッチＳＴ７・ローサイドスイッチＳＴ８も共にオフ状態にあり、ハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６はすべてオン状態にある。時刻ｔ１０・ｔ１１間のチャージシェア期間ＴCSにおいては、ハイインピーダンスＨｉＺ状態にあり、ＨＡＭＰ・ＬＡＭＰがオン中の低インピーダンスに対して、ＨＡＭＰ・ＬＡＭＰ出力が絶たれた高インピーダンス状態にある。この区間はチャージシェアを実行しており、これはＨＡＭＰ・ＬＡＭＰ出力をＨｉＺで切り離した状態でハイレベル切替スイッチＳＴ２・ＳＴ５・ローレベル切替スイッチＳＴ３・ＳＴ６をオンさせることで、選択した画素Ｃ12、Ｃ22を短絡することができ、両画素Ｃ12、Ｃ22にたまった電荷を平均化することができる。この例の場合、チャージシェア直前の各々の電圧は、ＶH2とＶL2であるため、このＶH2とＶLに対応する電荷についてチャージシェア期間ＴCSでショートすることで各々が半分の値（ＶH2＋ＶL2）／２となり、ドライブ振幅を半減できるため、ソースドライバの動作の省電力化を図ることができる。
【００６８】
実施の形態に係る座標検出装置１において、共通電極５０の共通電位ＶCOMのγ諧調特性例は、図１３に示すように表わされる。例えば、共通電位ＶCOMは、０Ｖ〜５Ｖの範囲において、２8＝２５６レベルの諧調を有する。また１０Ｖ〜５Ｖの範囲においても２8＝２５６レベルの諧調を有する。実施の形態に係る座標検出装置１において、共通電極５０の共通電位ＶCOMのγ諧調特性例は、諧調レベルを選択することによって、適宜変更可能である。
【００６９】
実施の形態によれば、ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、ＬＣＤカバーガラスへの接触で増減するＴＦＴ用ゲート・ソース間結合容量変化を検出することで、ＬＣＤの接触箇所の座標検出を可能とした座標検出装置を提供することができる。
【００７０】
[その他の実施の形態]
上記のように、実施の形態に係る座標検出装置について記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００７１】
このように、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本実施の形態に係る座標検出装置は、液晶表示装置、ソースドライバ、ＬＥＤドライバ、ＶＣＯＭドライバ、タイミングコントローラ、座標検出装置などの電子機器に適用可能であり、さらに、フレキシブルエレクトロニクス分野、透明エレクトロニクス分野など幅広い応用分野に適用可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１…座標検出装置
１０…ソースドライバ
１２1、１２2、１２3、１２4…ＤＡ変換器（ＤＡＣ）
１４1、１４3…ハイサイドアンプ（ＨＡＭＰ）
１５2、１５4…ローサイドアンプ（ＬＡＭＰ）
２０…ゲートドライバ
２２1、２２2、２２3、…、２２m…ゲートラインドライバ
３０…座標検出器
３２…ＡＤ変換器
３４…積分器
４０…コントローラ
５０…共通電極
６０…下面ガラス基板
７０…上面ガラス基板（ＬＣＤカバーガラス基板）
８０…指（若しくはスタイラス）
１００…タッチパネル兼用ＬＣＤパネル
ＣC…結合容量
ＣGS…ゲート・ソース間容量
Ｃ11、Ｃ12、Ｃ1m、…、Ｃn1、Ｃn2、Ｃnm…ＴＦＴセル
ＳＷ１、ＳＷ２、…、ＳＷｎ…ソースライン
ＧＷ１、ＧＷ２、…、ＧＷｍ…ゲートライン
ＶHAMP…ＨＡＭＰの出力電圧
ＶLAMP…ＬＡＭＰの出力電圧
ＶSW1、ＶSW2、…、ＶSWn…ソースライン駆動電圧
ＶGW1、ＶGW2、…、ＶGWm…ゲートライン駆動電圧
ＶCOM…共通電位
ＬPD…センスライン
ＶPD…位置情報出力電圧
ＰＤ…位置情報データ
ＳＤ…ソース駆動信号
ＧＤ…ゲート駆動信号
ＳＴ１、ＳＴ７…検出用スイッチ
ＳＴ２、ＳＴ５…ハイレベル切替スイッチ
ＳＴ３、ＳＴ６…ローレベル切替スイッチ
ＳＴ７…ハイサイドスイッチ
ＳＴ８…ローサイドスイッチ
【図１】
2015230583.tif 000003
【図２】
2015230583.tif 000004
【図３】
2015230583.tif 000005
【図４】
2015230583.tif 000006
【図５】
2015230583.tif 000007
【図６】
2015230583.tif 000008
【図７】
2015230583.tif 000009
【図８】
2015230583.tif 000010
【図９】
2015230583.tif 000011
【図１０】
2015230583.tif 000012
【図１１】
2015230583.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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