(57)【要約】【課題】パッケージで覆った電子部品の、外部環境の熱による温度上昇を抑制する。【解決手段】例えばパッケージ構造体１００ａは、電子部品１０を覆うインナーパッケージ２０と、インナーパッケージ２０を覆うアウターパッケージ４０と、インナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の間に設けられた断熱材３０とを含む。そのアウターパッケージ４０の、断熱材３０と対向する内面で、電子部品１０に対応する部位に、凹部４３を設ける。これにより、外部環境の熱により電子部品１０が熱変形し、インナーパッケージ２０が膨らんでも、インナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の過度な接近が抑制され、電子部品１０の温度上昇が抑制される。【選択図】図１０
2015065253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
前記電子部品を覆う第１パッケージと、
前記第１パッケージを覆う第２パッケージと、
前記第１パッケージと前記第２パッケージの間に設けられた断熱材と
を含み、
前記第２パッケージは、前記断熱材と対向する内面であって、前記電子部品に対応する部位に、凹部を有することを特徴とするパッケージ構造体。
【請求項２】
前記第１パッケージは、
前記電子部品を挟んで一方側に設けられる第１部材と、
前記電子部品を挟んで他方側に設けられる第２部材と
を含み、
前記第１部材と前記第２部材とは、ネジ止め固定されていることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ構造体。
【請求項３】
電子部品と、
前記電子部品を覆う第１パッケージと、
前記第１パッケージを覆う第２パッケージと、
前記第１パッケージと前記第２パッケージの間に設けられた断熱材と
を含み、
前記第１パッケージは、前記電子部品を挟んで一方側及び他方側にそれぞれ複数層の部材を有することを特徴とするパッケージ構造体。
【請求項４】
前記第２パッケージは、前記断熱材と対向する内面であって、前記電子部品に対応する部位に、凹部を有することを特徴とする請求項３に記載のパッケージ構造体。
【請求項５】
前記電子部品を挟んで一方側の前記複数層の部材と、前記電子部品を挟んで他方側の前記複数層の部材とは、ネジ止め固定されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のパッケージ構造体。
【請求項６】
前記第２パッケージは、
前記第１パッケージを収容する第３部材と、
前記第３部材に嵌合される第４部材と
を含み、
前記第１パッケージは、前記第３部材と、前記第３部材に嵌合された前記第４部材とによって封止されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のパッケージ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子素子を含む電子部品を、外部の環境や衝撃等から保護する部材で覆う技術が知られている。このような技術を用いた例として、半導体メモリ素子及びアンテナ素子を設けた基板（インレット、インレイ等とも称される）を、樹脂やセラミックスを用いた材料で覆った構造体が知られている。このような構造体は、電波を用いて情報の書き込み、読み出しが行われ、例えば、電子タグ（ＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification）タグ等とも称される）として商品や部品に取り付けられ、物流管理や工程管理に利用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０３１５９９号公報
【特許文献２】特開２００１−１７５８２３号公報
【特許文献３】特開２００８−１２９８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような構造体は、室温のような外部環境で使用される場合のほか、より高温の外部環境で使用される場合もある。構造体が比較的高温の外部環境で使用され、その外部環境の熱が構造体内部に伝わり、構造体内部の電子部品の温度が設定温度以上、例えば電子部品が正常に動作可能な温度以上にまで上昇してしまうような場合には、構造体の性能、信頼性が低下する恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、電子部品と、前記電子部品を覆う第１パッケージと、前記第１パッケージを覆う第２パッケージと、前記第１パッケージと前記第２パッケージの間に設けられた断熱材とを含むパッケージ構造体が提供される。前記パッケージ構造体において、前記第２パッケージは、前記断熱材と対向する内面であって、前記電子部品に対応する部位に、凹部を有する。或いは、前記パッケージ構造体において、前記第１パッケージは、前記電子部品を挟んで一方側及び他方側にそれぞれ複数層の部材を有する。
【発明の効果】
【０００６】
開示のパッケージ構造体によれば、その外部環境の熱による、パッケージ内の電子部品の温度上昇を抑制することが可能になる。これにより、電子部品を含む、高性能、高信頼性のパッケージ構造体が実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その１）である。
【図２】第１の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その２）である。
【図３】インレイの一例を示す図である。
【図４】パッケージ構造体の形成方法の一例を示す図（その１）である。
【図５】パッケージ構造体の形成方法の一例を示す図（その２）である。
【図６】パッケージ構造体の形成方法の一例を示す図（その３）である。
【図７】第１の実施の形態に係るパッケージ構造体のモデルの説明図である。
【図８】第１の実施の形態に係るモデルの解析結果の一例を示す図である。
【図９】第２の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その１）である。
【図１０】第２の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その２）である。
【図１１】第２の実施の形態に係るパッケージ構造体の解析結果の一例を示す図である。
【図１２】第３の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その１）である。
【図１３】第３の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その２）である。
【図１４】第３の実施の形態に係るパッケージ構造体の解析結果の一例を示す図である。
【図１５】第４の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その１）である。
【図１６】第４の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図（その２）である。
【図１７】第４の実施の形態に係るパッケージ構造体の解析結果の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１及び図２は第１の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図である。尚、図１はパッケージ構造体の一例の外観模式図である。図２（Ａ）は図１の鎖線Ｓ１に沿った断面模式図、図２（Ｂ）は図１の一点鎖線Ｓ２に沿った断面模式図、図２（Ｃ）は図１の二点鎖線Ｓ３に沿った断面模式図である。
【０００９】
パッケージ構造体１００は、図１及び図２に示すように、電子部品１０、インナーパッケージ２０、断熱材３０及びアウターパッケージ４０を備えている。
インナーパッケージ２０は、電子部品１０を覆うように設けられ、このインナーパッケージ２０の外側に、インナーパッケージ２０を覆うように、アウターパッケージ４０が設けられている。このようなインナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の間に、インナーパッケージ２０を覆うように、断熱材３０が設けられている。パッケージ構造体１００では、アウターパッケージ４０が直接外部環境に曝される。
【００１０】
インナーパッケージ２０及びアウターパッケージ４０には、樹脂材料、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の一定の耐熱性を有する樹脂材料が用いられる。尚、インナーパッケージ２０及びアウターパッケージ４０の材料は、同じでも異なってもよい。
【００１１】
インナーパッケージ２０は、電子部品１０を上下から挟む２つの部材（上側及び下側インナーパッケージ）を有し、これらの部材同士が、端部、例えば四隅で、ネジ５０を用いて固定（一体化）されている。アウターパッケージ４０は、電子部品１０を内蔵するインナーパッケージ２０とその周囲の断熱材３０を覆う２つの部材（上側及び下側アウターパッケージ）を有し、これらの部材同士が熱溶着、接着、テープ封止等の方法で固着（一体化）されている。尚、これらの点の詳細は後述する。
【００１２】
インナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の間に設けられる断熱材３０には、砂状或いは粒状の無機材料、例えば、セラミックス、ガラス等の一定の耐熱性を有する砂状或いは粒状の無機材料が用いられる。このような砂状或いは粒状の材料が用いられることで、断熱材３０は、流動性を示し、後述のようにインナーパッケージ２０が変形する際、その変形に追従して柔軟に形状を変化させる。
【００１３】
インナーパッケージ２０に内蔵される電子部品１０には、例えば、基板に半導体メモリ素子及びアンテナ素子を設けた形態を有するインレイ（インレット）が用いられる。電子部品１０として用いられるインレイの一例を図３に示す。図３（Ａ）はインレイの平面模式図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＭ−Ｍ断面模式図である。
【００１４】
図３に例示する電子部品１０（インレイ）は、基板１１、アンテナ１２（アンテナ素子）、制御ＩＣ（Integrated Circuit）チップ１３（半導体素子）、及びメモリチップ１４（半導体素子）を有している。
【００１５】
基板１１には、板状、シート状、フィルム状の基板が用いられる。例えば、基板１１には、エポキシ樹脂又はガラスエポキシ樹脂を用いたものを用いることができる。基板１１にはこのほか、ビスマレイミドトリアジン、ポリアミド、ポリイミド等の樹脂材料、ガラス繊維や炭素繊維等を含有する複合樹脂材料等を用いることもできる。
【００１６】
アンテナ１２には、所定のパターン形状とした導電膜が用いられる。アンテナ１２に用いる導電膜には、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の金属材料、それらのうちの少なくとも１種を含む金属材料を用いることができる。アンテナ１２は、例えば、このような金属材料を含むペーストを基板１１上に印刷法を用いて形成したり、このような金属材料の箔を基板１１上に貼付した後エッチングによりパターニングしたりすることで、設けることができる。
【００１７】
制御ＩＣチップ１３及びメモリチップ１４は、基板１１上に設けられ、アンテナ１２に電気的に接続されている。制御ＩＣチップ１３は、外部からアンテナ１２で受信される情報をメモリチップ１４に書き込み、また、メモリチップ１４に記憶されている情報を読み出してアンテナ１２から外部に送信する処理を実行する。
【００１８】
尚、ここでは制御ＩＣチップ１３とメモリチップ１４の２つの半導体チップを基板１１上に設ける場合を例示した。このほか、制御ＩＣチップ１３とメモリチップ１４の双方の機能を１チップに組み込んだ半導体チップ（メモリ内蔵型ＩＣチップ）を、アンテナ１２と電気的に接続して基板１１上に設けることもできる。
【００１９】
上記のパッケージ構造体１００では、このような構成を有する電子部品１０を覆うようにインナーパッケージ２０が設けられ、その外側に、断熱材３０を介して、アウターパッケージ４０がインナーパッケージ２０及び断熱材３０を覆うように設けられる。
【００２０】
パッケージ構造体１００において、その電子部品１０に含まれる半導体チップ（例えばメモリチップ１４又はメモリ内蔵型ＩＣチップ）は、それ自体は比較的熱に弱い。パッケージ構造体１００では、上記のように電子部品１０をインナーパッケージ２０、断熱材３０、アウターパッケージ４０で順に覆う構造とすることで、アウターパッケージ４０が直接曝される外部環境の熱が、内部の電子部品１０にまで伝わる時間を遅らせる。それにより、電子部品１０の温度上昇を抑制し、電子部品１０の熱ダメージを抑制する。
【００２１】
パッケージ構造体１００は、室温のような比較的低温の外部環境のほか、比較的高温の外部環境で使用された場合でも、電子部品１０の、外部環境の熱によるダメージを抑制することができるように、その外部環境の温度に基づき、設計が行われる。
【００２２】
例えば、比較的高温の外部環境で使用されるパッケージ構造体１００は、次のような構成とすることができる。電子部品１０には、例えば、平面サイズが６０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さが１ｍｍのものを用いる。インナーパッケージ２０には、例えば、ＰＰＳ樹脂等の耐熱性樹脂を用いたもので、平面サイズが８０ｍｍ×８０ｍｍ、厚さが１０ｍｍのものを用いる。アウターパッケージ４０には、例えば、ＰＰＳ樹脂等の耐熱性樹脂を用いたもので、平面サイズが１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さが３０ｍｍ、肉厚が５ｍｍのものを用いる。このようなサイズのインナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の間に、砂状のセラミックス等の無機材料を用いた、流動性を示す断熱材３０を設ける。
【００２３】
尚、電子タグは、このような比較的高温の外部環境のほか、比較的高湿度の外部環境、或いは、水中や溶液中、ガス（人体に有毒なガス等）雰囲気中、減圧雰囲気中といった外部環境で使用される場合もある。このような外部環境で使用される電子タグとして上記のようなパッケージ構造体１００を採用する場合には、温度のほか、各外部環境の条件に基づき、パッケージ構造体１００の設計が行われる。
【００２４】
パッケージ構造体１００は、例えば、次のようにして形成することができる。
図４〜図６はパッケージ構造体の形成方法の一例を示す図である。図４〜図６にはパッケージ構造体の各形成工程の要部断面を模式的に図示している。
【００２５】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）には、電子部品１０をインナーパッケージ２０に内蔵する工程を例示している。
インナーパッケージ２０は、図４（Ａ）に示すように、電子部品１０をその上下から挟む下側インナーパッケージ２１（部材）及び上側インナーパッケージ２２（部材）を含む。下側インナーパッケージ２１は、電子部品１０の下部側を収容する凹部２１ａを有し、上側インナーパッケージ２２は、電子部品１０の上部側を収容する凹部２２ａを有している。
【００２６】
このような下側インナーパッケージ２１と上側インナーパッケージ２２の間に電子部品１０を配置し、図４（Ｂ）に示すように、下側インナーパッケージ２１と上側インナーパッケージ２２を、例えばそれらの四隅をネジ５０で固定（ネジ止め）し、一体化する。この場合、下側インナーパッケージ２１と上側インナーパッケージ２２のネジ止め位置には、ネジ５０が螺着可能なネジ孔５０ａが予め設けられる。尚、下側インナーパッケージ２１と上側インナーパッケージ２２のネジ止め位置は、電子部品１０が配置される領域（凹部２１ａ，２２ａ）よりも外側の端部であれば、上記のような四隅に限定されるものではない。
【００２７】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）のような工程により、インナーパッケージ２０に電子部品１０が内蔵された構造体１１０を得る。
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）並びに図６（Ａ）〜図６（Ｃ）には、断熱材３０及び上記構造体１１０をアウターパッケージ４０に内蔵する工程を例示している。
【００２８】
アウターパッケージ４０は、図５（Ａ）に示すような下側アウターパッケージ４１（部材）、並びに、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）に示すような上側アウターパッケージ４２（部材）を含む。図５（Ａ）に示すように、下側アウターパッケージ４１は、構造体１１０を収容する収容部４１ａ、及び、板状の上側アウターパッケージ４２が嵌め合わされる嵌合部４１ｂを有している。
【００２９】
まず、図５（Ａ）に示すような下側アウターパッケージ４１の収容部４１ａの底部に、図５（Ｂ）に示すように、断熱材３０の一部を配置する。
次いで、図６（Ａ）に示すように、下側アウターパッケージ４１の、断熱材３０の一部を配置した収容部４１ａに、構造体１１０を配置する。下側アウターパッケージ４１の収容部４１ａは、このように構造体１１０を配置した時に、その構造体１１０の周囲に、残りの断熱材３０が配置される隙間４１ｃができるような寸法で、予め形成される。
【００３０】
下側アウターパッケージ４１の収容部４１ａに構造体１１０を配置した後は、図６（Ｂ）に示すように、構造体１１０の周囲の隙間４１ｃに、残りの断熱材３０を配置し、構造体１１０を断熱材３０で覆う。
【００３１】
このように構造体１１０を断熱材３０で覆った後、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）に示すように、下側アウターパッケージ４１の嵌合部４１ｂに、上側アウターパッケージ４２を嵌め合わせ、下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２を一体化する。下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２を一体化する方法には、例えば、下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２を熱溶着する方法、接着剤等で接着する方法がある。このほか、上記のような熱溶着或いは接着は行わず、下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２の、例えばその嵌め合わせた境界部分を、テープ封止等でシーリングする方法もある。上記のような熱溶着或いは接着した下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２の、例えばその嵌め合わせた境界部分を、テープ封止等でシーリングしてもよい。このように下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２を一体化することで、電子部品１０を内蔵するインナーパッケージ２０及び断熱材３０がアウターパッケージ４０によって封止される。
【００３２】
図４〜図６のような工程により、電子部品１０をインナーパッケージ２０、断熱材３０、アウターパッケージ４０で順に覆った構造を有するパッケージ構造体１００が形成される。
【００３３】
上記のように、パッケージ構造体１００では、直接外部環境に曝されるアウターパッケージ４０の内側に、断熱材３０を介して、電子部品１０を内蔵するインナーパッケージ２０が配置される。これにより、外部環境の熱が電子部品１０にまで伝わる時間を遅らせ、電子部品１０の温度上昇、それによる熱ダメージを抑制することができる。
【００３４】
また、アウターパッケージ４０の上側と下側の部材を、上記のように熱溶着や接着、或いはテープ封止等の方法で一体化（固着）することで、外部環境の気体や液体の侵入、それによるダメージを抑制することができる。
【００３５】
更に、インナーパッケージ２０の上側と下側の部材を、上記のようにネジ止め固定する構造では、アウターパッケージ４０と同様に熱溶着等で固着する場合に比べて、電子部品１０の交換作業が容易になり、また、インナーパッケージ２０の再利用が容易になる。例えば、一定の期間、一定の外部環境で使用したパッケージ構造体１００について、電子部品１０の交換を行う際には、まず、アウターパッケージ４０の固着された上側と下側の部材が分解された後、電子部品１０を内蔵するインナーパッケージ２０が取り出される。インナーパッケージ２０のネジ止めされた上側と下側の部材は、ネジ５０を外すことで容易に分離することができ、電子部品１０の交換後は、同じ上側と下側の部材を用い、それらをネジ５０で止め、再利用することができる。パッケージ構造体１００において、仮に外部環境に直接曝されたアウターパッケージ４０が再利用できなかったとしても、インナーパッケージ２０は、アウターパッケージ４０によって外部環境から保護されているため、このような再利用も可能な場合がある。インナーパッケージ２０の上側と下側の部材をネジ止め固定する構造は、インナーパッケージ２０の再利用、電子部品１０の交換作業の容易化に有効である。
【００３６】
ところで、パッケージ構造体１００を、例えば前述のような比較的高温の外部環境で使用する場合には、その外部環境の熱により、パッケージ構造体１００に変形（熱変形）が生じ得る。パッケージ構造体１００の熱変形は、内蔵される電子部品１０の温度に影響し得る。
【００３７】
ここで、パッケージ構造体１００の熱変形を考慮したモデルを用い、熱変形と中心部温度の関係を解析（シミュレーション）した結果の一例について述べる。
図７は第１の実施の形態に係るパッケージ構造体のモデルの説明図、図８は第１の実施の形態に係るモデルの解析結果の一例を示す図である。
【００３８】
図７（Ａ）には、外部環境の温度で熱変形しないパッケージ構造体１００のモデル１０１、即ち熱変形を考慮していないモデル１０１を示している。
図７（Ｂ）には、外部環境の温度で熱変形するパッケージ構造体１００のモデル１０２、即ち熱変形を考慮したモデル１０２を示している。
【００３９】
パッケージ構造体１００では、アウターパッケージ４０及びインナーパッケージ２０が熱膨張するよりも前に、外部環境からアウターパッケージ４０、断熱材３０及びインナーパッケージ２０を介して伝わった熱によって、電子部品１０が熱変形する場合がある。電子部品１０に、上記の図３に示したエポキシ樹脂等の樹脂製の基板１１が用いられているような場合には、熱による電子部品１０の反りやねじれ等の熱変形が生じ得る。
【００４０】
上記の図４〜図６に示すような方法で形成されるパッケージ構造体１００では、インナーパッケージ２０の下側と上側の部材（下側インナーパッケージ２１と上側インナーパッケージ２２）が、例えば四隅の位置でネジ止めされ、固定されている。このようなネジ止め固定の場合、電子部品１０の熱変形が生じると、その熱変形した電子部品１０によって、インナーパッケージ２０の、ネジ止め固定位置より内側の中央部が、内から押し広げられて上下に膨らむような変形が生じ得る。
【００４１】
一方、上記の図４〜図６に示すような方法で形成されるパッケージ構造体１００のアウターパッケージ４０は、インナーパッケージ２０の周囲で、下側と上側の部材（下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２）が固着されている。このように固着されたアウターパッケージ４０は、電子部品１０の熱変形、それによるインナーパッケージ２０の変形が生じる場合にも、その変形が抑えられるようになる。
【００４２】
図７（Ｂ）には、アウターパッケージ４０が変形しないか或いは殆ど変形せず、熱変形した電子部品１０によってインナーパッケージ２０がその中央部が膨らむように変形し、その変形に追従するように断熱材３０が変形する様子の一例を図示している。
【００４３】
インナーパッケージ２０が、その中央部が膨らむように変形すると、図７（Ｂ）に示すように、電子部品１０の上下には空間６０（例えば空気層）が形成される。インナーパッケージ２０の中央部が膨らむような変形には、上記のような電子部品１０の熱変形のほか、形成時に下側と上側の部材（下側インナーパッケージ２１と上側インナーパッケージ２２）の間に入った気体（例えば空気）の熱膨張も寄与し得る。
【００４４】
パッケージ構造体１００の図７（Ｂ）のモデル１０２では、インナーパッケージ２０の変形量が比較的大きくなる中心線Ｃの位置における、アウターパッケージ４０の断熱材３０側の内面とインナーパッケージ２０の断熱材３０側の外面との間の距離をＬとする。更に、中心線Ｃの位置におけるインナーパッケージ２０の膨らみをＧとする。また、中心線Ｃ上の点Ｐの位置をパッケージ構造体１００の中心部とし、点Ｐの温度を中心部温度Ｔとする。
【００４５】
上記のような熱変形を考慮したモデル１０２を用い、パッケージ構造体１００を所定条件の外部環境（温度及び時間）に曝した時の中心部温度Ｔを解析した結果を図８に示す。ここでは、パッケージ構造体１００を、２４０℃で３０分→３０℃で３０分→１８０℃で３０分→３０℃で３０分→１８０℃で３０分→３０℃で３０分、という一連の外部環境に曝す条件を用いている。また、図８には、熱変形を考慮しないモデル１０１を用い、パッケージ構造体１００を同条件の外部環境（温度及び時間）に曝した時の中心部温度Ｔの解析結果を併せて示している。
【００４６】
まず、図７（Ａ）のモデル１０１のように、外部環境によって熱変形が生じない、即ち、電子部品１０が熱変形せず、インナーパッケージ２０の膨らみＧが０ｍｍであるとした場合について述べる。尚、電子部品１０に対応する部位のインナーパッケージ２０の厚さ（電子部品１０を挟んだ上下一方側の厚さ）は４．５ｍｍとしている。この場合、パッケージ構造体１００は、上記のような一連の外部環境における２４０℃又は１８０℃の加熱に伴い、図８のｚに示すように中心部温度Ｔが上昇する。
【００４７】
このモデル１０１の中心部温度Ｔを、実際のパッケージ構造体１００の中心部温度（実測温度）と比較すると、実測温度よりも低い値を示す傾向がある。そのため、このような熱変形を考慮しないモデル１０１の解析結果に基づいてパッケージ構造体１００の設計を行うと、実際の電子部品１０の温度が設計値よりも高くなり、電子部品１０に熱ダメージが加わる可能性がある。
【００４８】
モデル１０１を用いた解析により得られる中心部温度Ｔと、パッケージ構造体１００について得られる実測温度との差は、モデル１０２に示すような熱変形が影響しているものと考えられる。
【００４９】
モデル１０２を用いた図８のａの例では、アウターパッケージ４０とインナーパッケージ２０が同じ材料（例えばＰＰＳ樹脂）であって、インナーパッケージ２０が、その膨らみＧが２ｍｍで変形するとして、中心部温度Ｔの解析を行っている。尚、電子部品１０に対応する部位のインナーパッケージ２０の厚さ（電子部品１０を挟んだ上下一方側の厚さ）は４．５ｍｍとしている。インナーパッケージ２０が、その膨らみＧが２ｍｍで変形し、その変形によってアウターパッケージ４０に近付くとすると（図８のａ）、中心部温度Ｔは、インナーパッケージ２０が変形しないとした場合（図８のｚ）に比べて、高くなる。
【００５０】
パッケージ構造体１００では、アウターパッケージ４０とインナーパッケージ２０の間の距離Ｌが電子部品１０の温度に影響し、インナーパッケージ２０が膨らんでアウターパッケージ４０に接近することで、電子部品１０の温度上昇が生じる可能性が高くなる。
【００５１】
そこで、以下では、このような電子部品１０の温度上昇が抑制可能なパッケージ構造体について、第２〜第４の実施の形態として、詳細に説明する。
まず、第２の実施の形態について説明する。
【００５２】
ここでは、変形するインナーパッケージ２０の、アウターパッケージ４０への過度な接近を抑制することで、電子部品１０の温度上昇を抑制する方法について説明する。
図９及び図１０は第２の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図である。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）には、比較的低温の外部環境に曝された時のパッケージ構造体の断面を模式的に図示し、図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）には、比較的高温の外部環境に曝された時のパッケージ構造体の断面を模式的に図示している。尚、図９及び図１０の（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、上記第１の実施の形態で述べた図１の鎖線Ｓ１、一点鎖線Ｓ２、二点鎖線Ｓ３に沿った各断面位置に対応する断面模式図である。また、ここでの比較的低温の外部環境とは、電子部品に熱変形が生じないような温度環境を言うものとする。また、比較的高温の外部環境とは、電子部品に熱変形が生じるような温度環境を言うものとする。
【００５３】
図９（Ａ）〜図９（Ｃ）に示すパッケージ構造体１００ａは、電子部品１０を内蔵するインナーパッケージ２０、断熱材３０及びアウターパッケージ４０を含んでいる。このパッケージ構造体１００ａは、アウターパッケージ４０の内面（断熱材３０側の面）であって、電子部品１０に対応する部位に、凹部４３が設けられている。このような点で、パッケージ構造体１００ａは、上記第１の実施の形態に係るパッケージ構造体１００と相違する。
【００５４】
パッケージ構造体１００ａは、上記のパッケージ構造体１００について図４〜図６を参照して説明したのと同様の手順で、形成することができる。その場合、パッケージ構造体１００ａでは、アウターパッケージ４０の下側と上側の部材（下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２）の内面の、電子部品１０の下方及び上方に対応する部位にそれぞれ、凹部４３が設けられる。このような凹部４３が設けられたアウターパッケージ４０が用いられ、上記の図４〜図６の例に従って、パッケージ構造体１００ａが形成される。
【００５５】
パッケージ構造体１００ａのアウターパッケージ４０において、凹部４３を設けた部位では、その他の部位に比べて、凹部４３を設けた分、アウターパッケージ４０の肉厚が薄くなる。パッケージ構造体１００ａでは、このようにアウターパッケージ４０の肉厚が薄くなる部位を、電子部品１０に対応する部位の領域内に留める。そのため、アウターパッケージ４０の肉厚が薄くなる領域の面積が抑えられ、アウターパッケージ４０及びこれを用いたパッケージ構造体１００ａの機械的強度の低下が抑えられる。
【００５６】
アウターパッケージ４０に設ける凹部４３の深さＤは、パッケージ構造体１００ａの使用時に電子部品１０に生じる熱変形、及び、その熱変形によって生じるインナーパッケージ２０の変形に基づいて、設定される。
【００５７】
パッケージ構造体１００ａが比較的高温の外部環境に曝されると、例えば図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）に示すような電子部品１０の熱変形、及び、インナーパッケージ２０の変形が生じ得る。例えば、電子部品１０の熱変形により、インナーパッケージ２０の四隅等をネジ５０で固定された下側と上側の部材（下側インナーパッケージ２１と上側インナーパッケージ２２）が、その中央部が内から押し広げられて膨らむように変形し、空間６０が形成される。インナーパッケージ２０が膨らむように変形すると、その変形に追従するように流動性の断熱材３０が変形する。
【００５８】
パッケージ構造体１００ａでは、このように電子部品１０の熱変形に起因してインナーパッケージ２０が膨らんでも、アウターパッケージ４０に凹部４３が設けられているため、インナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の過度な接近が抑制される。即ち、パッケージ構造体１００ａでは、図９に示したように、アウターパッケージ４０に凹部４３を設けていることで、電子部品１０に対応する部位におけるアウターパッケージ４０の内面からインナーパッケージ２０の外面までの距離Ｌが、元々長くなっている。そのため、図１０に示したように、電子部品１０が熱変形し、インナーパッケージ２０が膨らんでも、アウターパッケージ４０の内面からインナーパッケージ２０の外面の間に、一定の距離Ｌ１が確保される。これにより、インナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の過度な接近が抑制される。
【００５９】
アウターパッケージ４０に設ける凹部４３は、このようにインナーパッケージ２０が膨らんでも、アウターパッケージ４０とインナーパッケージ２０の間に一定の距離Ｌ１が確保されるように、その深さＤが設定される。
【００６０】
アウターパッケージ４０に凹部４３を設けたパッケージ構造体１００ａについて、上記図８で述べたのと同条件の外部環境（温度及び時間）に曝した時の中心部温度Ｔを解析した結果を図１１に示す。
【００６１】
図１１には、アウターパッケージ４０に深さＤが２ｍｍの凹部４３を設け（図９）、上記外部環境に曝してインナーパッケージ２０に膨らみＧが２ｍｍの変形が生じる（図１０）とした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１１のｂ）を示している。
【００６２】
また、図１１には、比較のため、アウターパッケージ４０に凹部４３を設けず、インナーパッケージ２０の膨らみＧが０ｍｍであるとした場合（図７（Ａ）のモデル１０１）の中心部温度Ｔの解析結果（図１１のｚ（図８のｚに相当））を併せて示している。更に、図１１には、比較のため、アウターパッケージ４０に凹部４３を設けず、インナーパッケージ２０の膨らみＧが２ｍｍであるとした場合（図７（Ｂ）のモデル１０２）の中心部温度Ｔの解析結果（図１１のａ（図８のａに相当））も併せて示している。
【００６３】
尚、図１１のいずれの場合（図１１のａ，ｂ，ｚ）も、電子部品１０に対応する部位のインナーパッケージ２０の厚さ（電子部品１０を挟んだ上下一方側の厚さ）は４．５ｍｍとしている。
【００６４】
図１１より、インナーパッケージ２０が膨らむように変形する場合（図１１のａ，ｂ）、アウターパッケージ４０に凹部４３を設けると（図１１のｂ）、凹部４３を設けないもの（図１１のａ）に比べて、中心部温度Ｔが低く抑えられるようになる。アウターパッケージ４０に凹部４３を設ける場合（図１１のｂ）、中心部温度Ｔは、インナーパッケージ２０に膨らみが生じないとしたもの（図１１のｚ）の中心部温度Ｔに比較的近付く傾向が認められる。
【００６５】
第２の実施の形態に係るパッケージ構造体１００ａでは、アウターパッケージ４０の電子部品１０に対応する部位に、使用時のインナーパッケージ２０の変形（膨らみ）に基づいて設定される深さＤの凹部４３を設ける。これにより、インナーパッケージ２０が膨らむように変形する場合でも、インナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の過度な接近が抑制され、電子部品１０への熱伝達（アウターパッケージ４０から電子部品１０までの熱抵抗の低下）が抑制される。その結果、電子部品１０の温度上昇、それによる電子部品１０の熱ダメージが効果的に抑制され、高性能、高信頼性のパッケージ構造体１００ａが実現される。
【００６６】
次に、第３の実施の形態について説明する。
ここでは、変形するインナーパッケージ２０の熱抵抗を増加させることで、電子部品１０の温度上昇を抑制する方法について説明する。
【００６７】
図１２及び図１３は第３の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図である。図１２には、比較的低温の外部環境に曝された時のパッケージ構造体の要部断面を模式的に図示し、図１３には、比較的高温の外部環境に曝された時のパッケージ構造体の要部断面を模式的に図示している。尚、ここでの比較的低温の外部環境とは、電子部品に熱変形が生じないような温度環境を言うものとし、比較的高温の外部環境とは、電子部品に熱変形が生じるような温度環境を言うものとする。
【００６８】
図１２に示すパッケージ構造体１００ｂは、電子部品１０を内蔵するインナーパッケージ２０が、複数層（ここでは一例として合計４層）の部材２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ）を含んでいる。図１２には、部材２３として、電子部品１０の下側に２層の部材２３ａ，２３ｂを有し、電子部品１０の上側に２層の部材２３ｃ，２３ｄを有するパッケージ構造体１００ｂを例示している。このような複数層の部材２３を含むインナーパッケージ２０が用いられている点で、パッケージ構造体１００ｂは、上記第１の実施の形態に係るパッケージ構造体１００と相違する。
【００６９】
パッケージ構造体１００ｂは、上記のパッケージ構造体１００について図４〜図６を参照して説明したのと同様の手順で、形成することができる。その場合、パッケージ構造体１００ｂでは、電子部品１０を上下から挟む複数層の部材２３、即ちこの例では下側２層、上側２層の計４層の部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが準備される。そして、上記の図４の例に従い、下側２層の部材２３ａ，２３ｂと、上側２層の部材２３ｃ，２３ｄとの間に、電子部品１０が配置され、部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄがそれらの四隅等をネジ５０で固定される。その後は、上記の図５及び図６の例に従い、断熱材３０及びアウターパッケージ４０が設けられ、パッケージ構造体１００ｂが形成される。
【００７０】
パッケージ構造体１００ｂが比較的高温の外部環境に曝されると、例えば図１３に示すように、電子部品１０の熱変形、及び、インナーパッケージ２０の変形が生じ得る。例えば、パッケージ構造体１００ｂでは、四隅等をネジ５０で固定されたインナーパッケージ２０に、熱変形する電子部品１０によって押される力が働き、電子部品１０に直近の部材２３ａ，２３ｃ間に空間６０（例えば空気層）が形成される。更に、このパッケージ構造体１００ｂでは、部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの各層間の気体（例えば空気）が熱膨張し、各層間に空間６１（例えば空気層）が形成される。このような電子部品１０の熱変形と、部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの各層間における空間６１，６０の形成により、インナーパッケージ２０は、その中央部が内から押し広げられて膨らむように変形し得る。このようにインナーパッケージ２０が膨らむように変形すると、その変形に追従するように流動性の断熱材３０が変形する。
【００７１】
パッケージ構造体１００ｂでは、インナーパッケージ２０の部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの各層間に空間６１，６０が形成されることで、インナーパッケージ２０の熱抵抗が増加するようになる。このようにインナーパッケージ２０の熱抵抗が増加することで、外部環境の熱がアウターパッケージ４０から電子部品１０にまで伝わる時間を遅らせることが可能になり、電子部品１０の温度上昇、それによる電子部品１０の熱ダメージを抑制することが可能になる。
【００７２】
尚、ここではインナーパッケージ２０として、電子部品１０の下側に２層、上側に２層の、計４層の部材２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ）を含むものを例示したが、インナーパッケージ２０の層数はこれに限定されるものではない。インナーパッケージ２０としては、電子部品１０の下側に２層以上の部材２３を有し、上側に２層以上の部材２３を有するものを用いることができる。この場合、電子部品１０の下側と上側に設ける部材２３の層数は、必ずしも互いに同数であることを要しない。
【００７３】
また、電子部品１０の下側と上側に設ける部材２３群の各々の厚さは、必ずしも同じ或いは同等であることを要しない。
電子部品１０の上側と下側にそれぞれ複数層の部材２３を有するインナーパッケージ２０を用いたパッケージ構造体１００ｂについて、上記図８で述べたのと同条件の外部環境（温度及び時間）に曝した時の中心温度Ｔを解析した結果を図１４に示す。
【００７４】
図１４には、インナーパッケージ２０が電子部品１０の上下にそれぞれ２層の部材２３を有し（図１２）、上記外部環境に曝してインナーパッケージ２０に膨らみＧが２ｍｍの変形が生じる（図１３）とした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１４のｃ１）を示している。ここでは、電子部品１０に対応する部位の各部材２３の厚さを２．２５ｍｍとし、各部材２３が１ｍｍ膨らむものとしている（部材２３群の、電子部品１０を挟んだ上下一方側の合計の厚さは４．５ｍｍ、膨らみＧは２ｍｍ）。
【００７５】
図１４には更に、インナーパッケージ２０が電子部品１０の上下にそれぞれ３層の部材２３を有し、上記外部環境に曝してインナーパッケージ２０に膨らみＧが２ｍｍの変形が生じるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１４のｄ１）を示している。ここでは、電子部品１０に対応する部位の各部材２３の厚さを１．５ｍｍとし、各部材２３が０．６７ｍｍ膨らむものとしている（部材２３群の、電子部品１０を挟んだ上下一方側の合計の厚さは４．５ｍｍ、膨らみＧは２ｍｍ）。
【００７６】
図１４には更に、インナーパッケージ２０が電子部品１０の上下にそれぞれ５層の部材２３を有し、上記外部環境に曝してインナーパッケージ２０に膨らみＧが２ｍｍの変形が生じるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１４のｅ１）を示している。ここでは、電子部品１０に対応する部位の各部材２３の厚さを０．９ｍｍとし、各部材２３が０．４ｍｍ膨らむものとしている（部材２３群の、電子部品１０を挟んだ上下一方側の合計の厚さは４．５ｍｍ、膨らみＧは２ｍｍ）。
【００７７】
尚、いずれの場合（図１４のｃ１，ｄ１，ｅ１）も、アウターパッケージ４０には上記第２の実施の形態で述べたような凹部４３は設けていない。
また、図１４には、比較のため、上記第１の実施の形態で述べた、アウターパッケージ４０に凹部４３を設けず、インナーパッケージ２０の膨らみＧが０ｍｍであるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１４のｚ（図８のｚに相当））を併せて示している。更に、図１４には、比較のため、上記第１の実施の形態で述べた、アウターパッケージ４０に凹部４３を設けず、インナーパッケージ２０の膨らみＧが２ｍｍであるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１４のａ（図８のａに相当））も併せて示している。尚、いずれの場合（図１４のａ，ｚ）も、電子部品１０に対応する部位のインナーパッケージ２０の厚さは４．５ｍｍとしている。
【００７８】
図１４より、インナーパッケージ２０が膨らむように変形する場合（図１４のａ，ｃ１，ｄ１，ｅ１）、電子部品１０の上側と下側にそれぞれ複数層の部材２３を有する構造（図１４のｃ１，ｄ１，ｅ１）とすると、中心部温度Ｔが低く抑えられるようになる。電子部品１０の上側と下側にそれぞれ複数層の部材２３を有する構造（図１４のｃ１，ｄ１，ｅ１）を採用した場合、中心部温度Ｔは、インナーパッケージ２０に膨らみが生じないとした場合（図１４のｚ）の中心部温度Ｔに比較的近付く傾向が認められる。また、電子部品１０の上側と下側にそれぞれ複数層の部材２３を有する構造（図１４のｃ１，ｄ１，ｅ１）を採用した場合、中心部温度Ｔは、部材２３の層数が増加するのに伴い、低く抑えられる傾向が認められる。
【００７９】
第３の実施の形態に係るパッケージ構造体１００ｂでは、電子部品１０の上側と下側にそれぞれ複数層の部材２３を有するインナーパッケージ２０を設ける。パッケージ構造体１００ｂでは、インナーパッケージ２０が変形する際、部材２３群の各層間に空間６１，６０が形成され、インナーパッケージ２０の熱抵抗が増加する。これにより、外部環境の熱がアウターパッケージ４０から電子部品１０にまで伝わる時間を遅らせることが可能になる。その結果、電子部品１０の温度上昇、それによる電子部品１０の熱ダメージが効果的に抑制され、高性能、高信頼性のパッケージ構造体１００ｂが実現される。
【００８０】
次に、第４の実施の形態について説明する。
ここでは、変形するインナーパッケージ２０の熱抵抗を増加させると共に、変形するインナーパッケージ２０の、アウターパッケージ４０への過度な接近を抑制することで、電子部品１０の温度上昇を抑制する方法について説明する。
【００８１】
図１５及び図１６は第４の実施の形態に係るパッケージ構造体の一例を示す図である。図１５には、比較的低温の外部環境に曝された時のパッケージ構造体の要部断面を模式的に図示し、図１６には、比較的高温の外部環境に曝された時のパッケージ構造体の要部断面を模式的に図示している。尚、ここでの比較的低温の外部環境とは、電子部品に熱変形が生じないような温度環境を言うものとし、比較的高温の外部環境とは、電子部品に熱変形が生じるような温度環境を言うものとする。
【００８２】
図１５に示すパッケージ構造体１００ｃは、アウターパッケージ４０の内面（断熱材３０側の面）であって、電子部品１０に対応する部位に、上記第２の実施の形態で述べたような凹部４３が設けられている。このような点で、パッケージ構造体１００ｃは、上記第３の実施の形態に係るパッケージ構造体１００ｂと相違する。
【００８３】
パッケージ構造体１００ｃは、上記の図４〜図６に示したのと同様の手順で、形成することができる。その場合、パッケージ構造体１００ｃでは、インナーパッケージ２０として、電子部品１０を上下から挟む複数層の部材２３、即ちこの例では４層の部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが準備される。また、アウターパッケージ４０として、下側と上側の部材（下側アウターパッケージ４１と上側アウターパッケージ４２）の内面の、電子部品１０の下方及び上方に対応する部位にそれぞれ、凹部４３を設けたものが準備される。このようなインナーパッケージ２０及びアウターパッケージ４０が用いられ、上記の図４〜図６の例に従って、パッケージ構造体１００ｃが形成される。
【００８４】
パッケージ構造体１００ｃが比較的高温の外部環境に曝されると、例えば図１６に示すように、電子部品１０が熱変形し、また、内部の気体の熱膨張により、インナーパッケージ２０の部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの各層間に空間６１，６０が形成される。その際、インナーパッケージ２０は、その中央部が内から押し広げられて膨らむように変形し得る。インナーパッケージ２０が膨らむように変形する場合でも、このパッケージ構造体１００ｃでは、アウターパッケージ４０の電子部品１０に対応する部位に凹部４３が設けられているため、インナーパッケージ２０とアウターパッケージ４０の過度な接近が抑制される。
【００８５】
パッケージ構造体１００ｃについて、上記図８で述べたのと同条件の外部環境（温度及び時間）に曝した時の中心温度Ｔを解析した結果を図１７に示す。
図１７には、インナーパッケージ２０が電子部品１０の上下にそれぞれ２層の部材２３を有し（図１５）、上記外部環境に曝してインナーパッケージ２０に膨らみＧが２ｍｍの変形が生じる（図１６）とした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１７のｃ２）を示している。ここでは、電子部品１０に対応する部位の各部材２３の厚さを２．２５ｍｍとし、各部材２３が１ｍｍ膨らむものとしている。
【００８６】
図１７には更に、インナーパッケージ２０が電子部品１０の上下にそれぞれ３層の部材２３を有し、上記外部環境に曝してインナーパッケージ２０に膨らみＧが２ｍｍの変形が生じるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１７のｄ２）を示している。ここでは、電子部品１０に対応する部位の各部材２３の厚さを１．５ｍｍとし、各部材２３が０．６７ｍｍ膨らむものとしている。
【００８７】
図１７には更に、インナーパッケージ２０が電子部品１０の上下にそれぞれ５層の部材２３を有し、上記外部環境に曝してインナーパッケージ２０に膨らみＧが２ｍｍの変形が生じるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１７のｅ２）を示している。ここでは、電子部品１０に対応する部位の各部材２３の厚さを０．９ｍｍとし、各部材２３が０．４ｍｍ膨らむものとしている。
【００８８】
尚、いずれの場合（図１７のｃ２，ｄ２，ｅ２）も、アウターパッケージ４０には、インナーパッケージ２０の２ｍｍの膨らみＧに基づき、深さＤが２ｍｍの凹部４３を設けている。
【００８９】
また、図１７には、比較のため、上記第２の実施の形態で述べた、アウターパッケージ４０に凹部４３を設けず、インナーパッケージ２０の膨らみＧが０ｍｍであるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１７のｚ（図１１のｚに相当））を併せて示している。更に、図１７には、比較のため、上記第２の実施の形態で述べた、アウターパッケージ４０に深さＤが２ｍｍの凹部４３を設け、インナーパッケージ２０の膨らみＧが２ｍｍであるとした場合の中心部温度Ｔの解析結果（図１７のｂ（図１１のｂに相当））も併せて示している。尚、いずれの場合（図１７のｂ，ｚ）も、電子部品１０に対応する部位のインナーパッケージ２０の厚さは４．５ｍｍとしている。
【００９０】
図１７（図１７のｂ，ｃ２，ｄ２，ｅ２）より、アウターパッケージ４０が凹部４３を有し、インナーパッケージ２０が複数層の部材２３を有する構造（図１７のｃ２，ｄ２，ｅ２）とすると、中心部温度Ｔが低く抑えられるようになる。複数層の部材２３を有する構造を採用した場合（図１７のｃ２，ｄ２，ｅ２）、採用しない場合（図１７のｂ）に比べて、中心部温度Ｔは、インナーパッケージ２０に膨らみが生じないとした場合（図１７のｚ）の中心部温度Ｔに比較的近付く傾向が認められる。また、複数層の部材２３を有する構造を採用した場合（図１７のｃ２，ｄ２，ｅ２）、中心部温度Ｔは、部材２３の層数が増加するのに伴い、低く抑えられる傾向が認められる。
【００９１】
パッケージ構造体１００ｃでは、空間６１，６０によるインナーパッケージ２０の熱抵抗の増加と、凹部４３によるアウターパッケージ４０とインナーパッケージ２０の過度な接近の抑制により、電子部品１０への熱伝達が抑制される。それにより、電子部品１０の温度上昇、それによる電子部品１０の熱ダメージを抑制することが可能になる。
【００９２】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  電子部品と、
前記電子部品を覆う第１パッケージと、
前記第１パッケージを覆う第２パッケージと、
前記第１パッケージと前記第２パッケージの間に設けられた断熱材と
を含み、
前記第２パッケージは、前記断熱材と対向する内面であって、前記電子部品に対応する部位に、凹部を有することを特徴とするパッケージ構造体。
【００９３】
（付記２）  前記第１パッケージは、
前記電子部品を挟んで一方側に設けられる第１部材と、
前記電子部品を挟んで他方側に設けられる第２部材と
を含み、
前記第１部材と前記第２部材とは、ネジ止め固定されていることを特徴とする付記１に記載のパッケージ構造体。
【００９４】
（付記３）  加熱された時の前記第１パッケージの前記第２パッケージ側への変形量に基づいて、前記凹部の深さが設定されることを特徴とする付記１又は２に記載のパッケージ構造体。
【００９５】
（付記４）  電子部品と、
前記電子部品を覆う第１パッケージと、
前記第１パッケージを覆う第２パッケージと、
前記第１パッケージと前記第２パッケージの間に設けられた断熱材と
を含み、
前記第１パッケージは、前記電子部品を挟んで一方側及び他方側にそれぞれ複数層の部材を有することを特徴とするパッケージ構造体。
【００９６】
（付記５）  前記第２パッケージは、前記断熱材と対向する内面であって、前記電子部品に対応する部位に、凹部を有することを特徴とする付記４に記載のパッケージ構造体。
（付記６）  前記電子部品を挟んで一方側の前記複数層の部材と、前記電子部品を挟んで他方側の前記複数層の部材とは、ネジ止め固定されていることを特徴とする付記４又は５に記載のパッケージ構造体。
【００９７】
（付記７）  前記複数層の部材の間に気体が含まれていることを特徴とする付記４乃至６のいずれかに記載のパッケージ構造体。
（付記８）  加熱された時の前記気体の熱膨張により、前記複数層の部材の間に空間が形成されることを特徴とする付記７に記載のパッケージ構造体。
【００９８】
（付記９）  前記第２パッケージは、
前記第１パッケージを収容する第３部材と、
前記第３部材に嵌合される第４部材と
を含み、
前記第１パッケージは、前記第３部材と、前記第３部材に嵌合された前記第４部材とによって封止されていることを特徴とする付記１乃至８のいずれかに記載のパッケージ構造体。
【００９９】
（付記１０）  前記電子部品は、
基板と、
前記基板上に設けられたアンテナと、
前記基板上に設けられ、前記アンテナに電気的に接続された半導体素子と
を含むことを特徴とする付記１乃至９のいずれかに記載のパッケージ構造体。
【０１００】
（付記１１）  前記断熱材は、流動性を有することを特徴とする付記１乃至１０のいずれかに記載のパッケージ構造体。
【符号の説明】
【０１０１】
１０  電子部品
１１  基板
１２  アンテナ
１３  制御ＩＣチップ
１４  メモリチップ
２０  インナーパッケージ
２１  下側インナーパッケージ
２２  上側インナーパッケージ
２１ａ，２２ａ，４３  凹部
２３，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ  部材
３０  断熱材
４０  アウターパッケージ
４１  下側アウターパッケージ
４１ａ  収容部
４１ｂ  嵌合部
４１ｃ  隙間
４２  上側アウターパッケージ
５０  ネジ
５０ａ  ネジ孔
６０，６１  空間
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ  パッケージ構造体
１０１，１０２  モデル
１１０  構造体
【図１】
2015065253.tif 000003
【図２】
2015065253.tif 000004
【図３】
2015065253.tif 000005
【図４】
2015065253.tif 000006
【図５】
2015065253.tif 000007
【図６】
2015065253.tif 000008
【図７】
2015065253.tif 000009
【図８】
2015065253.tif 000010
【図９】
2015065253.tif 000011
【図１０】
2015065253.tif 000012
【図１１】
2015065253.tif 000013
【図１２】
2015065253.tif 000014
【図１３】
2015065253.tif 000015
【図１４】
2015065253.tif 000016
【図１５】
2015065253.tif 000017
【図１６】
2015065253.tif 000018
【図１７】
2015065253.tif 000019