(57)【要約】      （修正有）【課題】狭額縁化を実現すると共に、引出配線の抵抗値を低減させることが可能な入力装置を提供する。【解決手段】電極、第１の配線部３０及び第２の配線部３３は基材２１に設けられると共に、第１の配線部３０は非入力領域１５に延出して複数の第２の配線部３３に離間して配置され、基材２１及び第２の配線部３３は絶縁層４１により覆われており、ブリッジ配線部５１は第２の配線部３３の少なくとも１本を跨がって絶縁層４１の上に設けられ、非入力領域１５に延出する第１の配線部３０と第２の配線部３３とがブリッジ配線部５１を介して接続されており、ブリッジ配線部５１は透光性を有すると共に、第１の配線部３０及び第２の配線部３３は金属層を有する。【選択図】図３
2015015012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、複数の電極と、前記複数の電極に接続された引出配線とを有し、
前記基材には、前記複数の電極が配置された入力領域と、前記入力領域の外側の非入力領域が設けられており、
前記引出配線は、前記電極に接続される第１の配線部と、前記非入力領域において並行に配置された複数の第２の配線部と、ブリッジ配線部とを有して構成され、
前記電極、前記第１の配線部及び前記第２の配線部は前記基材に設けられると共に、前記第１の配線部は前記非入力領域に延出して前記複数の第２の配線部に離間して配置され、前記基材及び前記第２の配線部は絶縁層により覆われており、
前記ブリッジ配線部は前記第２の配線部の少なくとも１本を跨がって前記絶縁層の上に設けられ、前記非入力領域に延出する前記第１の配線部と前記第２の配線部とが前記ブリッジ配線部を介して接続されており、
前記ブリッジ配線部は透光性を有すると共に、前記第１の配線部及び前記第２の配線部は金属層を有することを特徴とする入力装置。
【請求項２】
前記第１の配線部は、前記入力領域に形成されて前記電極に接続された主部と、前記主部から前記非入力領域に延出する延出部を有し、前記延出部が前記ブリッジ配線部に接続されており、
前記電極は透明導電性材料からなり、前記主部は前記電極と同じ材料で形成され、
前記延出部は、前記電極と同じ材料からなり前記主部に連続して形成された下地層と、前記下地層の上に形成された前記金属層との積層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の入力装置。
【請求項３】
前記絶縁層には、前記第２の配線部と重なる位置に貫通孔が設けられて、前記ブリッジ配線部は前記貫通孔内に延出して形成されて前記第２の配線部と接続されており、
前記第２の配線部の延在方向における前記貫通孔の大きさが、前記第２の配線部の延在方向に直交する方向における前記貫通孔の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の入力装置。
【請求項４】
前記ブリッジ配線部の幅寸法は、前記入力領域に位置する前記第１の配線部の幅寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項５】
前記第１の配線部、前記第２の配線部、及び前記ブリッジ配線部は同種の材料を有しており、前記第１の配線部と前記ブリッジ配線部及び前記第２の配線部と前記ブリッジ配線部とが同種の材料同士で接続されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項６】
前記ブリッジ配線部は透明導電性材料を有しており、
前記第１の配線部及び前記第２の配線部は、透明導電性材料からなる下地層と前記下地層の上に形成された金属層とを有し、前記第１の配線部の前記下地層及び前記第２の配線部の前記下地層には、前記金属層に覆われていない露出部がそれぞれ設けられており、
前記露出部において、第１の配線部の前記下地層と前記ブリッジ配線部との前記透明導電性材料同士が接続され、前記第２の配線部の前記下地層と前記ブリッジ配線部との前記透明導電性材料同士が接続されていることを特徴とする請求項５に記載の入力装置。
【請求項７】
前記ブリッジ配線部はブリッジ金属層を有しており、
前記第１の配線部及び前記第２の配線部は、透明導電性材料からなる下地層と前記下地層の上に形成された金属層とを有し、前記第１の配線部の前記金属層と前記ブリッジ金属層とが接続され、前記第２の配線部の前記金属層と前記ブリッジ金属層とが接続されていることを特徴とする請求項５に記載の入力装置。
【請求項８】
前記ブリッジ配線部は、透明導電性材料からなるブリッジ下地層と、前記ブリッジ下地層の上に形成されたブリッジ金属層と、前記ブリッジ金属層を覆うブリッジ保護層との積層構造を有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項９】
前記ブリッジ金属層の厚さは、２ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の入力装置。
【請求項１０】
前記ブリッジ配線部は、フォトリソグラフィ法で形成されたものであることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力装置に関し、特に、複数の電極のそれぞれから引き出される引出配線の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンや携帯電話機等のモバイル機器等の電子機器において、表示部に透光型入力装置が備えられたものが一般的になっている。特許文献１には、コンピューティングシステムに用いられる静電容量式の入力装置について記載されている。
【０００３】
図１２は、特許文献１に記載されている従来例の入力装置を示し、電極及び各配線について部分拡大平面図を示す。図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの入力装置の部分拡大断面図を示す。
【０００４】
図１２に示すように、従来例の入力装置１１０は、入力位置を検出する複数の透明電極１２２を有しており、透明電極１２２からそれぞれ第１の配線部１３０が引き出されている。透明電極１２２の外側には複数の第２の配線部１３３が並行に配列されており、第１の配線部１３０が第２の配線部１３３に接続される。各透明電極１２２で検出された入力位置情報の信号は、第１の配線部１３０及び第２の配線部１３３を介して外部回路（図示しない）へと伝達される。図１２に示すように、多数の配線部を有する入力装置１１０において、各配線部１３０、１３３が引き回される額縁面積の増大が課題となる。
【０００５】
図１３に示すように、基材１２１の一方の面側に透明電極１２２、第１の配線部１３０及び第２の配線部１３３が形成されており、基材１２１の他方の面には、反射防止膜１２０が設けられている。図１３に示すように、基材１２１に第２の配線部１３３が形成されており、基材１２１及び第２の配線部１３３を覆う絶縁層１４１が設けられている。そして、各透明電極１２２及び第１の配線部１３０は絶縁層１４１上に形成されており、第１の配線部１３０と第２の配線部１３３とは、絶縁層１４１に形成された貫通孔１４１ａを介して接続されている。
【０００６】
従来例の入力装置１１０において、図１２及び図１３に示すように、第２の配線部１３３と第１の配線部１３０とを絶縁層１４１を介して異なる層に形成して、複数の第２の配線部１３３と複数の第１の配線部１３０とを平面視で交差させて形成することで、入力装置１１０の狭額縁化が実現される。また、各透明電極１２２、第１の配線部１３０及び第２の配線部１３３は、薄膜プロセスにより形成されており、いずれも基材１２１の一方の面側に形成されることにより、基材１２１の両面で薄膜プロセスを行う必要がない。よって、製造コストを低減することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２０１０−５４１１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来例の入力装置１１０において、第２の配線部１３３は金属材料が用いられているが、第１の配線部１３０は、透明電極１２２と同じ材料が用いられており、透明導電性材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成されている。そのため、第１の配線部１３０のシート抵抗値が高く、第２の配線部１３３と第１の配線部１３０との合計の抵抗値が増大するという課題が生じる。透明電極１２２と外部回路（図示しない）とは、第１の配線部１３０及び第２の配線部１３３を介して接続されるため、第１の配線部１３０及び第２の配線部１３３の抵抗値が増大すると、入力装置１１０の応答速度が低下したり、検出感度が低下する等の不具合が生じる。
【０００９】
また、第１の配線部１３０の抵抗値を低減させるために、第１の配線部１３０を、第２の配線部１３３と同様に金属材料を用いて形成することが検討された。しかしながら、透明電極１２２及び第１の配線部１３０は、基材１２１及び第２の配線部１３３の上に絶縁層１４１を介して形成されており、第２の配線部１３３とは異なる層に配置されている。そのため、薄膜プロセスにより、第２の配線部１３３を形成した後に、透明電極１２２及び第１の配線部１３０を位置合わせして形成する必要がある。
【００１０】
すなわち従来例の入力装置１１０の製造工程は、まず、基材１２１上に第２の配線部１３３を形成すると同時にアライメントマーク（図示しない）を基材１２１上に形成する。そして、透光性樹脂などの絶縁層１４１で第２の配線部１３３及び基材１２１を覆う。その後、透明導電性材料（ＩＴＯ）を基材１２１の全面に積層して、フォトリソグラフィ法により、透明電極１２２及び第１の配線部１３０以外の透明導電性材料（ＩＴＯ）を除去することにより透明電極１２２及び第１の配線部１３０が形成される。この際、透明導電性材料（ＩＴＯ）がアライメントマーク（図示しない）を覆って形成されても、ＩＴＯを通してアライメントマークを視認して位置合わせ可能である。しかし、第１の配線部１３０として金属材料を用いた場合、基材１２１の全面に金属材料を積層したときにアライメントマーク（図示しない）をも覆ってしまうため、アライメントマークを視認できなくなり位置合わせができなくなってしまう。
【００１１】
よって、アライメントマークと異なる層に第１の配線部１３０を形成する場合には、基材１２１の全面に配線を構成する材料を形成してもアライメントマークが視認できるように、透明導電性材料を用いる必要がある。透明導電性材料は一般的に金属材料に比べて抵抗が高いため、配線の抵抗値を低減することが困難であった。また、透明導電性材料以外の材料を用いる場合には、視認性を向上させる必要から、非常に薄く形成して透光性を確保しなければならず、第１の配線部１３０の抵抗値の低減は困難であった。
【００１２】
なお、図１２及び図１３に示す従来例の入力装置１１０の層構成とは逆に、基材１２１の上に透明電極１２２及び第１の配線部１３０を形成して、絶縁層１４１上に第２の配線部１３３を形成する構成とすることもできる。この場合、第１の配線部１３０として金属材料を用いることはできるが、第２の配線部１３３は、透光性を確保する必要があるため抵抗値を低減させることが困難である。
【００１３】
本発明は、上記課題を解決して、狭額縁化を実現すると共に、引出配線の抵抗値を低減させることが可能な入力装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の入力装置は、基材と、複数の電極と、前記複数の電極に接続された引出配線とを有し、前記基材には、前記複数の電極が配置された入力領域と、前記入力領域の外側の非入力領域が設けられており、前記引出配線は、前記電極に接続される第１の配線部と、前記非入力領域において並行に配置された複数の第２の配線部と、ブリッジ配線部とを有して構成され、前記電極、前記第１の配線部及び前記第２の配線部は前記基材に設けられると共に、前記第１の配線部は前記非入力領域に延出して前記複数の第２の配線部に離間して配置され、前記基材及び前記第２の配線部は絶縁層に覆われており、前記ブリッジ配線部は前記第２の配線部の少なくとも１本を跨がって前記絶縁層の上に設けられ、前記非入力領域に延出する前記第１の配線部と前記第２の配線部とが前記ブリッジ配線部を介して接続されており、前記ブリッジ配線部は透光性を有すると共に、前記第１の配線部及び前記第２の配線部は金属層を有することを特徴とする。
【００１５】
これによれば、第１の配線部及び第２の配線部は基材に設けられて、第１の配線部と第２の配線部とを接続するブリッジ配線部は、第２の配線部を跨がって絶縁層の上に設けられる。よって、同一面内において配線を引き回す場合に比べて、各配線部の設計自由度が大きくなり、入力装置の狭額縁化が可能となる。
【００１６】
また、第１の配線部及び第２の配線部は抵抗値の低い金属層を有しており、従来例の入力装置のように第１の配線部または第２の配線部のいずれか一方を透明導電性材料で形成する場合に比べて、引出配線の抵抗値が低減される。さらに、第１の配線部及び第２の配線部に対して異なる層に形成されるブリッジ配線部は、非入力領域に延出する第１の配線部と接続される。これにより、透光性を有し、シート抵抗値の高いブリッジ配線部の長さを、第１の配線部が延出する長さの分だけ短くすることができ、ブリッジ配線部の抵抗値が低減される。
【００１７】
したがって、本発明の入力装置によれば、狭額縁化を実現すると共に、引出配線の抵抗値を低減させることが可能である。
【００１８】
本発明の入力装置において、前記第１の配線部は、前記入力領域に形成されて前記電極に接続された主部と、前記主部から前記非入力領域に延出する延出部を有し、前記延出部が前記ブリッジ配線部に接続されており、前記電極は透明導電性材料からなり、前記主部は前記電極と同じ材料で形成され、前記延出部は、前記電極と同じ材料からなり前記主部に連続して形成された下地層と、前記下地層の上に形成された前記金属層との積層構造を有することが好適である。これによれば、第１の配線部の主部が透明導電性材料で形成されていることから、入力装置の下方に配置された表示装置（例えば液晶パネル等）の画像の視認性を向上させることができる。また、延出部が金属層を有することから、延出部の長さが長い場合においても抵抗値の上昇が抑制される。したがって、入力領域における画像の視認性を向上させると共に、金属層を有する延出部を設けることにより、抵抗値の上昇を抑制しつつ第１の配線部の引き回し自由度を向上させて、抵抗値が大きいブリッジ配線部の長さを短くすることが容易となる。
【００１９】
本発明の入力装置において、前記絶縁層には、前記第２の配線部と重なる位置に貫通孔が設けられて、前記ブリッジ配線部は前記貫通孔内に延出して形成されて前記第２の配線部と接続されており、前記第２の配線部の延在方向における前記貫通孔の大きさが、前記第２の配線部の延在方向に直交する方向における前記貫通孔の大きさよりも大きいことが好適である。これによれば、第２の配線部が狭幅に形成された場合であっても、第２の配線部とブリッジ配線部と接続面積を大きくすることで接触抵抗の増大が抑制される。また、第２の配線部の幅及び第２の配線部どうしの間隔を大きくすること無く、ブリッジ配線部との接続面積を確保できることから、入力装置の狭額縁化を実現することが可能となる。
【００２０】
本発明の入力装置において、前記ブリッジ配線部の幅寸法は、前記入力領域に位置する前記第１の配線部の幅寸法よりも大きいことが好ましい。これによれば、透光性を有しシート抵抗値の高いブリッジ配線部の幅を大きくして、抵抗値を低減させることができる。
【００２１】
前記第１の配線部、前記第２の配線部、及び前記ブリッジ配線部は同種の材料を有しており、前記第１の配線部と前記ブリッジ配線部及び前記第２の配線部と前記ブリッジ配線部とが同種の材料同士で接続されていることが好ましい。これによれば、第１の配線部とブリッジ配線部及び第２の配線部とブリッジ配線部との密着性を向上させて、抵抗値のばらつきを抑制することができる。
【００２２】
前記ブリッジ配線部は透明導電性材料を有しており、前記第１の配線部及び前記第２の配線部は、透明導電性材料からなる下地層と前記下地層の上に形成された金属層とを有し、前記第１の配線部の前記下地層及び前記第２の配線部の前記下地層には、前記金属層に覆われていない露出部がそれぞれ設けられており、前記露出部において、第１の配線部の前記下地層と前記ブリッジ配線部との前記透明導電性材料同士が接続され、前記第２の配線部の前記下地層と前記ブリッジ配線部との前記透明導電性材料同士が接続されていることが好適である。これによれば、第１の配線部及び第２の配線部に金属層を用いて抵抗値を低減すると共に、第１の配線部とブリッジ配線部及び第２の配線部とブリッジ配線部とを透明導電性材料同士で接続することにより、密着性を向上させて抵抗値のばらつきを抑制することができる。
【００２３】
前記ブリッジ配線部はブリッジ金属層を有しており、前記第１の配線部及び前記第２の配線部は、透明導電性材料からなる下地層と前記下地層の上に形成された金属層とを有し、前記第１の配線部の前記金属層と前記ブリッジ金属層とが接続され、前記第２の配線部の前記金属層と前記ブリッジ金属層とが接続されていることが好ましい。これによれば、第１の配線部及び第２の配線部に金属層を用いて抵抗値を低減すると共に、第１の配線部とブリッジ配線部及び第２の配線部とブリッジ配線部とを金属層同士で接続することにより、密着性を向上させて抵抗値のばらつきを抑制することができる。
【００２４】
本発明の入力装置において、前記ブリッジ配線部は、透明導電性材料からなるブリッジ下地層と、前記ブリッジ下地層の上に形成されたブリッジ金属層と、前記ブリッジ金属層を覆うブリッジ保護層との積層構造を有することが好適である。これによれば、ブリッジ金属層を用いてブリッジ配線部の低抵抗化を図ると共に、ブリッジ下地層及びブリッジ保護層により、ブリッジ金属層に外部からの水分が侵入することが遮蔽される。
【００２５】
本発明の入力装置において、前記ブリッジ金属層の厚さは、２ｎｍ〜３０ｎｍであることが好適である。これによれば、ブリッジ配線部の透光性を確保しつつ、抵抗値の低減を図ることができる。
【００２６】
本発明の入力装置において、前記ブリッジ配線部は、フォトリソグラフィ法で形成されたものであることが好ましい。これによれば、ブリッジ配線部を構成する材料を基材全面に形成した後に、フォトリソグラフィ法によりブリッジ形状に加工する際に、ブリッジ配線部が透光性を有するためアライメントマークを視認することができ、位置合わせしてブリッジ配線部を形成することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の入力装置によれば、狭額縁化を実現すると共に、引出配線の抵抗値を低減させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施形態における入力装置の平面図である。
【図２】本実施形態の入力装置における、第１の配線部、第２の配線部、及びブリッジ配線部の接続構造を示す部分拡大平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。
【図４】第１の実施例の入力装置において、引出配線の抵抗値を示すグラブである。
【図５】第１の実施形態の変形例の入力装置における、第１の配線部、第２の配線部、及びブリッジ配線部の接続構造を示す部分拡大平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。
【図７】本実施形態の入力装置の製造方法を示す工程図であり、部分拡大平面図（左図）及び部分拡大断面図（右図）である。
【図８】本実施形態の入力装置の製造方法を示す工程図であり、部分拡大平面図（左図）及び部分拡大断面図（右図）である。
【図９】第２の実施形態の入力装置の部分拡大断面図である。
【図１０】第２の実施形態の変形例における入力装置の部分拡大断面図である。
【図１１】第３の実施形態の入力装置の部分拡大断面図である。
【図１２】従来例の入力装置を示す部分拡大平面図である。
【図１３】図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態の入力装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図面の寸法は適宜変更して示している。
【００３０】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態における入力装置の平面図である。図１に示すように、本実施形態の入力装置１０は、基材２１と、複数の電極２２と、複数の電極２２に接続された引出配線２３とを有して構成される。基材２１には、電極２２が配置された入力領域１４と、入力領域１４の外側の非入力領域１５とが設けられている。図１に示すように、非入力領域１５は、基材２１の外周部において枠状に設けられている。
【００３１】
なお、本実施形態の入力装置１０は、基材２１の表裏面の一方の面に、ガラス基板等の表面パネル（図示しない）が貼り合わされた状態で、スマートフォンや携帯電話機に組み込まれて使用される。また、基材２１の他方の面側には表示装置（図示しない）が配置され、操作者は、入力装置１０を通して表示装置の画像を視認することができる。
【００３２】
図１に示すように、複数の電極２２は、それぞれ矩形状に設けられており、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に配列されている。隣り合う電極２２、２２を一組の電極２２ａとしたときに、一組の電極２２ａは、Ｘ１−Ｘ２方向においてａ列からｈ列まで配列されており、Ｙ１−Ｙ２方向においてｙ１行からｙ６行まで配列されている。また、それぞれの電極２２に引出配線２３が接続されており、引出配線２３は入力領域１４から非入力領域１５まで引き回されて、端子２４に接続されている。
【００３３】
各電極２２は互いに間隔を設けて配置されており、隣り合う電極２２、２２の間で静電容量が形成される。入力装置１０の入力操作を行う際に、指などの被検出体を表面パネル（図示しない）に接触、または近づけると、隣り合う電極２２、２２の間の静電容量に加えて、各電極２２と被検出体との間に静電容量が形成される。この静電容量変化によって、入力位置情報を検出することができる。
【００３４】
なお、電極２２の形状や配列は、図１に示すものに限られず、種々の形状、配列に適宜変更することができる。また、入力位置情報の検出方法についても、上述のように、一組の電極２２ａの間の静電容量変化を検出する方法に限定されるものではなく、様々な検出方法とすることができる。
【００３５】
本実施形態の入力装置１０において、基材２１は、フィルム状の樹脂材料を用いて形成される。例えば、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）等の透光性樹脂材料が用いられる。複数の電極２２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明導電性材料を用いて形成されており、スパッタや蒸着等の薄膜法により形成される。
【００３６】
図２は、本実施形態の入力装置における、第１の配線部、第２の配線部、及びブリッジ配線部の接続構造を示す部分拡大平面図である。特に、図１の二点鎖線Ａで囲む領域について拡大して示す。また、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの入力装置の部分拡大断面図である。
【００３７】
図１及び図２に示すように、各電極２２と端子２４とを接続する引出配線２３は、第１の配線部３０と第２の配線部３３とブリッジ配線部５１（図１では、ブリッジ配線部５１を省略して示す。）を有して構成される。図１に示すように、第１の配線部３０は、各電極２２に接続されて入力領域１４から非入力領域１５に延出する。また、第２の配線部３３は非入力領域１５においてＸ１−Ｘ２方向に延在するとともに、Ｙ１−Ｙ２方向において間隔を設けて並行に配列されている。そして、図２に示すように、非入力領域１５に延出する第１の配線部３０は、第２の配線部３３に対して離間して配置されており、離間する第１の配線部３０と第２の配線部３３とは、ブリッジ配線部５１によって接続されている。
【００３８】
図３に示すように、第１の配線部３０及び第２の配線部３３は、基材２１の表面に形成されており、電極２２（図３には図示しない）が形成された面と同一の面に形成される。そして、基材２１及び第２の配線部３３は、非入力領域１５において絶縁層４１に覆われている。第１の配線部３０の非入力領域１５に延出する部分も絶縁層４１に覆われている。ブリッジ配線部５１は、第２の配線部３３の少なくとも１本（３３ｈ、３３ａ）を跨がって、絶縁層４１の上に形成される。図３に示すように、非入力領域１５に延出する第１の配線部３０と、第２の配線部３３とは、ブリッジ配線部５１を介して接続される。
【００３９】
図１、図２及び図３に示すように、第１の配線部３０のうち、入力領域１４に形成されて電極２２に接続される部分を主部３２とし、非入力領域１５に延出する部分を延出部３１とする。主部３２は、電極２２と同じ透明導電性材料で形成されている。また、図３に示すように、延出部３１は、電極２２と同じ材料からなり主部３２と連続して形成された下地層３５ａと、下地層３５ａの上に形成された金属層３６ａとの積層構造を有する。同様に、第２の配線部３３は、延出部３１とそれぞれ同じ材料からなる下地層３５ｂ及び金属層３６ｂの積層構造を有する。すなわち、第１の配線部３０及び第２の配線部３３は金属層３６ａ、金属層３６ｂを有して構成される。金属層３６ａ、金属層３６ｂには、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料や、ＣｕＮｉ、ＡｇＰｄ等の合金を用いることができる。
【００４０】
また、本実施形態において、ブリッジ配線部５１は透光性を有する透明導電性材料を用いて形成される。本実施形態において、ブリッジ配線部５１の透光性とは可視光透過率４０％以上であることを指し、ブリッジ配線部５１の形状に加工する前に、基材２１の表面全体に形成したベタ膜状態での測定値をいう。ブリッジ配線部５１が透光性を有することから、ブリッジ配線部５１を構成する材料を基材２１全面に薄膜形成して、フォトリソグラフィ法によりブリッジ形状に加工する際に、アライメントマーク（図示しない）を視認して位置合わせして形成することができる。
【００４１】
本実施形態の入力装置１０によれば、図２及び図３に示すように、第１の配線部３０及び第２の配線部３３は基材２１に形成されて、第１の配線部３０と第２の配線部３３とを接続するブリッジ配線部５１は、絶縁層４１の上に形成される。ブリッジ配線部５１は、第２の配線部３３のうち少なくとも１本を跨がって設けられるため、同一面内において多数の引出配線２３を引き回す場合に比べて、第１の配線部３０及び第２の配線部３３の設計自由度が大きくなり、入力装置１０の狭額縁化が可能となる。
【００４２】
また、第１の配線部３０は金属層３６ａを有し、第２の配線部３３は金属層３６ｂを有している。よって、従来例の入力装置１１０のように第１の配線部１３０または第２の配線部１３３のいずれか一方を透明導電性材料で形成する場合に比べて、抵抗値の低い金属層３６ａ、金属層３６ｂを用いているため、引出配線２３の抵抗値が低減される。さらに、第１の配線部３０及び第２の配線部３３に対して異なる層に形成されるブリッジ配線部５１は、非入力領域１５に延出する第１の配線部３０と接続される。これにより、透光性を有しシート抵抗値の高いブリッジ配線部５１の長さを、第１の配線部３０が延出する長さの分だけ短くすることができ、引出配線２３の抵抗値が低減される。
【００４３】
したがって、本実施形態の入力装置１０によれば、狭額縁化を実現すると共に、引出配線２３の抵抗値を低減させることが可能である。
【００４４】
また、図２に示すように、電極２２と電極２２の間において、複数の第１の配線部３０ａ〜３０ｅが配置されており、入力領域１４では主部３２ａ〜３２ｅが形成され、主部３２ａ〜３２ｅから非入力領域１５に延出部３１ａ〜３１ｅが延出する。第１の配線部３０ａの主部３２ａは、図１に示すｙ５に位置する電極２２に接続されている。以下同様に、第１の配線部３０ｂの主部３２ｂはｙ４に位置する電極２２に接続され、順番に、第１の配線部３０ｅの主部３２ｅはｙ１の電極２２に接続される。よって、第１の配線部３０ａの、ブリッジ配線部５１から電極２２まで長さが最も短く、第１の配線部３０ｅの長さが最も長く引き回されている。第１の配線部３０の主部３２は、電極２２と同じ透明電極材料により形成されているので、入力装置１０の下方に配置された液晶パネル等の表示装置（図示しない）の画像の視認性が向上する。
【００４５】
第１の配線部３０ａ〜３０ｅのそれぞれの延出部３１ａ〜３１ｅは、クランク状に形成されている。すなわち、延出部３１ａ〜３１ｅは、第１の配線部３０ａ〜３０ｅの延在方向に連続して形成され、第１の配線部３０ａ〜３０ｅの延在方向と交差する方向（Ｘ１又はＸ２方向）に湾曲され、さらに、Ｙ１方向に延出方向を変えて、ブリッジ配線部５１ａ〜５１ｅにそれぞれ接続される。そして、ブリッジ配線部５１ａ〜５１ｅは、少なくとも１本の第２の配線部３３と平面視で交差して、第２の配線部３３ａ〜３３ｅにそれぞれ接続される。
【００４６】
本実施形態において、延出部３１が金属層３６ａを有することから、延出部３１の長さが長い場合においても、抵抗値の上昇が抑制される。よって、図２に示すように、複数の第１の配線部３０ａ〜３０ｅが隣り合って配置される場合において、第１の配線部３０の延出部３１を設けることにより、抵抗値の上昇を抑制しつつ非入力領域１５における引き回し自由度を向上させることができる。本実施形態において、延出部３１は、それぞれ湾曲して形成されて、入力領域１４において隣り合う第１の配線部３０同士の間隔よりも、隣り合う延出部３１同士の間隔が広くなってブリッジ配線部５１ａ〜５１ｅに接続される。
【００４７】
ここで、ブリッジ配線部５１の平面視において、第１の配線部３０と第２の配線部３３とを接続するために延在する方向（Ｙ１−Ｙ２方向）を延在方向とし、延在方向に直交する方向（Ｘ１−Ｘ２方向）を幅方向とする。図２に示すように、延出部３１を設けることで、ブリッジ配線部５１の幅寸法を、入力領域１４に位置する第１の配線部３０の幅寸法よりも大きく形成することが可能である。
【００４８】
したがって、透光性を有し、大きいシート抵抗値を有するブリッジ配線部５１の長さを短く、かつ幅を大きくすることが容易となるため、ブリッジ配線部５１の抵抗値を低減させることができる。
【００４９】
図３に示すように、絶縁層４１には、第２の配線部３３と重なる位置に貫通孔４１ａが設けられており、貫通孔４１ａを介してブリッジ配線部５１は第２の配線部３３に接続されている。同様に、第１の配線部３０の延出部３１に重なる位置に、貫通孔４１ｂが設けられており、貫通孔４１ｂを介してブリッジ配線部５１は第１の配線部３０に接続されている。そして、図２に示すように、貫通孔４１ａ、４１ｂは、Ｘ１−Ｘ２方向に長軸方向を有する、長方形または、楕円形状に形成されている。つまり。図２に示すように第２の配線部３３の延在方向（Ｘ１−Ｘ２方向）における貫通孔４１ａ、４１ｂの大きさが、第２の配線部３３の延在方向に直交する方向（Ｙ１−Ｙ２方向）における貫通孔４１ａ、４１ｂの大きさよりも大きく形成されている。
【００５０】
これによれば、第２の配線部３３が狭幅に形成された場合であっても、第２の配線部３３とブリッジ配線部５１と接続面積を大きくすることで接触抵抗を低減させることができる。また、第２の配線部３３の幅及び第２の配線部３３同士の間隔を大きくすること無く、ブリッジ配線部５１と第２の配線部３３との接続面積を確保できることから、入力装置１０の狭額縁化を実現することが可能となる。
【００５１】
図３に示すように、ブリッジ配線部５１は、透明導電性材料からなるブリッジ下地層５２と、ブリッジ下地層５２に形成されたブリッジ金属層５３と、ブリッジ金属層５３を覆うブリッジ保護層５４との積層構造を有する。
【００５２】
ブリッジ金属層５３として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料やＣｕＮｉ、ＡｇＰｄ等の合金を用いることができ、ブリッジ下地層５２及びブリッジ保護層５４として、アモルファスＩＴＯ等の導電性酸化物材料を用いることができる。
【００５３】
これによれば、ブリッジ金属層５３を用いてブリッジ配線部５１の低抵抗化を図ると共に、ブリッジ下地層５２及びブリッジ保護層５４により、ブリッジ金属層５３に外部からの水分が侵入することが遮蔽される。なお、ブリッジ金属層５３の厚さは、２ｎｍ〜３０ｎｍ程度に形成することが好ましい。この範囲内の厚さであれば、上記の金属材料、または合金材料を用いた場合であってもブリッジ配線部５１の透光性を確保することができ、かつ、ブリッジ配線部５１の抵抗値の低減を図ることができる。
【００５４】
図４は、本発明の実施例の入力装置について、引出配線の抵抗値を示すグラフである。ここで引出配線２３の抵抗値とは、第１の配線部３０、第２の配線部３３及びブリッジ配線部５１の合計の抵抗値であり、図１に示す各電極２２からそれぞれ引き出される引出配線２３について抵抗値を示している。本実施例の入力装置は、図１〜図３に示した実施形態における入力装置１０と同様の構成である。また、比較例の入力装置は、図２及び図３に示す第１の配線部３０をＩＴＯ単層で形成したものであり、延出部３１の金属層３６ａを設けていない点が異なる。
【００５５】
図４に示すように、電極位置がＹ１−Ｙ２方向のｙ１からｙ５になるにしたがって、第１の配線部３０が短くなるため、抵抗値が小さくなる。各電極位置において、本実施例の入力装置と比較例の入力装置とを比較すると、延出部３１に金属層３６ａを設けている分、本実施例の抵抗値が低減している。特に電極位置ｙ５においては比較例に対し２０００Ω以上抵抗値が小さくなっている。以上により、第１の配線部３０の抵抗値低減の効果が示されている
【００５６】
なお、ｙ１〜ｙ５の電極位置によって、実施例と比較例との抵抗値の差が異なっており、電極位置ｙ５では比較例に対し２０００Ω以上抵抗値が小さくなっているのに対し、電極位置ｙ２では、４５０Ω程度である。これは、図２に示すように、延出部３１の長さがそれぞれ異なっているためである。つまり、図２に示すように、電極位置ｙ５に接続される第１の配線部３０ａの延出部３１ａは、他の延出部３１ｂ〜３１ｅに比べて長いため、金属層３６ａを有する効果が顕著に表れている。なお、各電極位置のａ列は延出部３１を介さず直接第２の配線部３３に接続されるため、実施例と比較例とは同じ抵抗値を示している。
【００５７】
図５は、変形例の入力装置における、第１の配線部、第２の配線部、及びブリッジ配線部の接続構造を示す部分拡大平面図である。図２と同様に、図１の二点鎖線Ａで囲む領域について拡大して示す。また、図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線で切断して矢印方向から見たときの入力装置の部分拡大断面図である。
【００５８】
図５に示すように、本変形例の入力装置１１において、第１の配線部３０（３０ａ〜３０ｅ）が、主部３２（３２ａ〜３２ｅ）と延出部３１（３１ａ〜３１ｅ）とを有する構成は、図１〜図３に示す実施形態の入力装置１０と同様である。本変形例においても、第１の配線部３０の主部３２は入力領域１４に形成され、延出部３１は主部３２から非入力領域１５に延出して形成されている。
【００５９】
図６に示すように、本変形例の入力装置１１は、主部３２が金属層３６ａを有している点が、図１〜図３に示す入力装置１０と異なっている。すなわち、図６に示すように、主部３２は、電極２２と同じ材料からなりと電極２２から連続して形成された下地層３５ａと、下地層３５ａの上に形成された金属層３６ａとの積層構造を有する。そして、延出部３１の下地層３５ａ及び金属層３６ａは、主部３２の下地層３５ａ及び金属層３６ａとそれぞれ連続して形成されている。
【００６０】
これによれば、入力領域１４において、電極２２から延出部３１まで長く延在する主部３２に金属層３６を用いることにより、抵抗値を大幅に低減させることが可能である。または、主部３２に金属層３６を用いることにより、主部３２の幅寸法を小さくしても抵抗値の増大を抑えることが可能である。本変形例の入力装置１１は、例えば、入力領域１４を大面積化して、第１の配線部３０の主部３２を長く形成する場合や、第１の配線部３０の本数を増加させる場合に有効であり、第１の配線部３０の主部３２の抵抗値の増大を効果的に抑制することができる。
【００６１】
＜第１の実施形態の入力装置の製造方法＞
図７及び図８は、本実施形態の入力装置の製造方法を示す工程図であり、それぞれ、部分拡大平面図（左図）及び部分拡大断面図（右図）である。各右図は、図７のＶ−Ｖ線に沿って切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。
【００６２】
図７（ａ）の工程では、基材２１を用意して、基材２１の表面全体に透明導電層６１、金属層６２の順に形成する。透明導電層６１、金属層６２は、スパッタ法、蒸着法などの薄膜プロセスにより形成される。
【００６３】
図７（ｂ）の工程は、金属層６２をエッチングして、第１の配線部３０のパターンを有する金属層３６ａ及び第２の配線部３３のパターンを有する金属層３６ｂを形成する。なお、この際、図７（ｂ）に示すように、アライメントマーク６３を形成する。アライメントマーク６３は後工程での位置合わせに用いられるものである。また、入力領域１４の金属層６２を電極２２の形状にパターニングする。
【００６４】
図７（ｃ）の工程は、露出する透明導電層６１をエッチングにより除去して入力領域１４に電極２２を形成する。同時に、第１の配線部３０の下地層３５ａ、第２の配線部３３の下地層３５ｂ、アライメントマーク６３を残して、それ以外の部分の透明導電層６１を除去する。図７（ｃ）左図に示すように、第１の配線部３０と第２の配線部３３とは、離間して形成されている。そして、入力領域１４の金属層６２を除去する。
【００６５】
次に、図８（ａ）の工程では、基材２１、第１の配線部３０、第２の配線部３３を覆って絶縁層４１を設ける。そして、第２の配線部３３に重なる位置において絶縁層４１に貫通孔４１ａを設け、また、延出部３１に重なる位置において絶縁層４１に貫通孔４１ｂを設ける。絶縁層４１として、透光性の樹脂材料が用いられ、通常のレジスト材料やノボラック樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。
【００６６】
図８（ｂ）の工程では、透明導電層６４を、基材２１の全体に形成する。図８（ｂ）に示すように、透明導電層６４と第１の配線部３０、及び透明導電層６４と第２の配線部３３が接続される。また、アライメントマーク６３も透明導電層６４により覆われる。
【００６７】
図８（ｃ）の工程では、ブリッジ配線部５１以外の透明導電層６４をエッチングにより除去して、ブリッジ配線部５１を形成する。ブリッジ配線部５１として、透光性を有する透明導電層６４が用いられるため、フォトリソグラフィ法によりブリッジ形状に加工する際に透明導電層６４を通してアライメントマーク６３を視認することができ、位置合わせしてブリッジ配線部５１を形成することができる。
【００６８】
以上の工程によって、本実施形態の入力装置１０を製造することができる。これにより、薄膜プロセス、フォトリソグラフィ技術により金属層３６ａを有する第１の配線部３０、金属層３６ｂを有する第２の配線部３３、ブリッジ配線部５１を形成することができる。したがって、入力装置１０の狭額縁化を実現すると共に、引出配線２３の抵抗値を低減させることができる。
【００６９】
＜第２の実施形態＞
図９は、第２の実施形態の入力装置の部分拡大断面図であり、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に相当する箇所で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。なお、平面視における第１の配線部３０、第２の配線部３３、ブリッジ配線部５１等の構成は、図１及び図２に示す第１の実施形態の入力装置１０と同様であり、第１の実施形態と同じ部材には同じ符号を付して示す。
【００７０】
図９に示すように、ブリッジ配線部５１は、ブリッジ下地層５２と、ブリッジ下地層５２に形成されたブリッジ金属層５３と、ブリッジ金属層５３を覆うブリッジ保護層５４との積層構造を有する。ブリッジ下地層５２及びブリッジ保護層５４は、ＩＴＯ等の透明導電性材料から形成される。ブリッジ金属層５３には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕＮｉ等のＣｕ合金、ＡｇＰｄ等のＡｇ合金が用いられる。
【００７１】
また、第１の配線部３０ｂは、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる下地層３５ａと、下地層３５ａの上に形成された金属層３６ａとの積層構造を有する。同様に、第２の配線部３３ａ、３３ｂ、３３ｈは、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる下地層３５ｂと、下地層３５ｂの上に形成された金属層３６ｂとの積層構造を有する。
【００７２】
図９に示すように、第１の配線部３０及び第２の配線部３３を覆って絶縁層４１が設けられるとともに、第１の配線部３０ａと重なる位置において絶縁層４１の貫通孔４１ａが形成されている。そして、貫通孔４１ａと重なる位置において金属層３６ａの貫通孔３８ａが形成されており、これにより、下地層３５ａには、金属層３６ａに覆われていない露出部３７ａが設けられる。
【００７３】
同様に、第２の配線部３３ｂと重なる位置において絶縁層４１の貫通孔４１ｂが形成されて、貫通孔４１ｂと重なる位置において金属層３６ｂの貫通孔３８ｂが形成されている。これにより、下地層３５ｂには、金属層３６ｂに覆われていない露出部３７ｂが設けられている。
【００７４】
図９に示すように、絶縁層４１の貫通孔４１ａ及び金属層３６ａの貫通孔３８ａの内部にブリッジ配線部５１が延出して形成され、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０ｂとが接続されている。すなわち、下地層３５ａの露出部３７ａにおいて、第１の配線部３０ｂの下地層３５ａとブリッジ配線部５１のブリッジ下地層５２とが接続されている。下地層３５ａ及びブリッジ下地層５２には上述のようにＩＴＯ等の透明導電性材料が用いられることから、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０ｂとは同種の材料である透明導電性材料同士によって接続される。
【００７５】
同様に、絶縁層４１の貫通孔４１ｂ及び金属層３６ｂの貫通孔３８ｂの内部にブリッジ配線部５１が延出して形成され、ブリッジ配線部５１と第２の配線部３３ｂとが接続されている。下地層３５ｂの露出部３７ｂにおいて、第２の配線部３３ｂの下地層３５ｂとブリッジ配線部５１のブリッジ下地層５２とが接続されている。よって、ブリッジ配線部５１と第２の配線部３３ｂとは同種の材料である透明導電性材料同士によって接続される。
【００７６】
これにより、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０ｂ及びブリッジ配線部５１と第２の配線部３３ｂとを異種材料同士で接続した場合に比べて、密着性を向上させることができるため、剥離や断線による接触抵抗の増大を防止することができる。したがって、第１の配線部３０ｂ、第２の配線部３３ｂ及びブリッジ配線部５１が接続された引出配線全体の抵抗値のばらつきを低減させることができる。
【００７７】
なお、本実施形態の入力装置１２において、ブリッジ下地層５２と下地層３５ａ、３５ｂとは同種の透明導電性材料同士であればよく、完全に同一の材料同士に限定されない。例えばＩＴＯの組成比が異なる材料や、結晶化率が異なる材料であっても、密着性を向上させて抵抗値のばらつきを低減させることができる。
【００７８】
下記の表１には、第２の実施例および第２の比較例の入力装置について、引出配線の抵抗値のばらつきを示す。第２の実施例の入力装置として、図９に示す第１の配線部３０ｂとブリッジ配線部５１、及び第２の配線部３３ｂとブリッジ配線部５１とが、同種の透明導電性材料同士で接続された入力装置１２を用いた。また、第２の比較例として、図３に示すような透明導電性材料と金属層とが接続された入力装置を用いた。
【００７９】
ここで、引出配線の抵抗値とは、第１の配線部３０、第２の配線部３３及びブリッジ配線部５１が接続された全体の抵抗値であり、図１に示す各電極２２からそれぞれ引き出される引出配線２３の抵抗値である。表１には、第２の実施例および比較例の入力装置について、１５箇所の異なる引出配線について抵抗値を測定し、２５個のサンプルについて抵抗値のばらつきを測定した結果を示す。表１には、各測定箇所について２５サンプルの抵抗値の平均値を算出して、抵抗値の平均に対する最大変化率（表１の「ＭＡＸ」）と最小変化率（「ＭＩＮ」）との差を、抵抗値のばらつき（表１の「Ｒａｎｇｅ」）として示している。
【００８０】
表１に示すように、異種材料である透明導電性材料と金属層とを接続した第２の比較例において、抵抗値のばらつきは平均５１．３％である。これに対して、同種の透明導電性材料同士を接続した第２の実施例は、抵抗値のばらつきが平均１９．２％であり、第２の比較例に比べ、抵抗値のばらつきが大幅に改善されている。したがって、本実施例の入力装置によれば、第１の配線部３０ｂとブリッジ配線部５１、及び第２の配線部３３ｂとブリッジ配線部５１とを、同種の透明導電性材料同士で接続することにより密着性を向上させることができ、接続箇所における抵抗値の増大を防止して抵抗値のばらつきを低減することができた。
【００８１】
【表１】
2015015012.tif 000003
【００８２】
図１０は、第２の実施形態の変形例における入力装置の部分拡大断面図である。図１０に示すように、本変形例の入力装置１２は、非入力領域１５において保護レジスト４３が設けられている点が異なっている。保護レジスト４３は、第１の配線部３０、第２の配線部３３及びブリッジ配線部５１を覆って非入力領域１５の全面に設けられている。保護レジスト４３を設けることにより、外部からの水分などの侵入を防止して、第１の配線部３０、第２の配線部３３及びブリッジ配線部５１の腐食による抵抗値の増大を防止できる。また、入力装置１２に応力が加えられた際に、保護レジスト４３により応力が分散され、第１の配線部３０ｂとブリッジ配線部５１、及び第２の配線部３３ｂとブリッジ配線部５１との接続が応力によって断線又は剥離することを防止して、接続を確保することができる。
【００８３】
＜第３の実施形態＞
図１１は、第３の実施形態の入力装置の部分拡大断面図であり、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に相当する箇所で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。平面視の構成は、図１、図２に示す第１の実施形態の入力装置１０と同様である。
【００８４】
図１１に示すように、本実施形態の入力装置１３において、ブリッジ配線部５１は、ブリッジ金属層５３と、ブリッジ金属層５３を覆うブリッジ保護層５４との積層構造を有する。すなわち、入力装置１３では、ブリッジ下地層５２が設けられていない点で第１及び第２の実施形態と異なる。ブリッジ金属層５３には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕＮｉ等のＣｕ合金、ＡｇＰｄ等のＡｇ合金が用いられる。ブリッジ保護層５４は、ＩＴＯ等の透明導電性材料から形成される。
【００８５】
また、第１の配線部３０ｂは基材２１の上に形成された下地層３５ａと、下地層３５ａの上に形成された金属層３６ａとの積層構造を有する。同様に、第２の配線部３３は、下地層３５ｂと金属層３６ｂとの積層構造を有する。
【００８６】
下地層３５ａ及び下地層３５ｂとして、電極２２（図１１には図示しない）と同じ材料であるＩＴＯ等の透明導電性材料が用いられる。また、金属層３６ａ及び金属層３６ｂにはブリッジ金属層５３と同種の金属材料が用いられる。
【００８７】
図１１に示すように、絶縁層４１の貫通孔４１ａの内部にブリッジ配線部５１が延出して形成され、ブリッジ金属層５３と金属層３６ａとが接続されて、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０ｂとが接続される。同様に、絶縁層４１の貫通孔４１ｂの内部にブリッジ配線部５１が延出して形成され、ブリッジ金属層５３と金属層３６ｂとが接続されて、ブリッジ配線部５１と第２の配線部３３ｂとが接続される。したがって、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０ｂ及びブリッジ配線部５１と第２の配線部３３ｂとは同種の金属材料同士によって接続される。
【００８８】
これによれば、図９に示す第２の実施形態の入力装置１２と比較して、金属層３６ａ、３６ｂの一部を除去して下地層３５ａ、３５ｂの露出部３７ａ、３７ｂを設けることなくブリッジ配線部５１、第１の配線部３０ｂ及び第２の配線部３３ｂが接続されている。よって、抵抗値をより低減させることができる。また、同種の金属材料同士によって接続されるため、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０ｂ、及びブリッジ配線部５１と第２の配線部３３ｂとの密着性を向上させることができ、抵抗値のばらつきを低減させることができる。
【００８９】
なお、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０ｂ、及びブリッジ配線部５１と第２の配線部３３ｂには、例えばいずれもＣｕを用いて同じ金属材料同士で接続されることがより好ましいが、ＣｕとＣｕ合金、Ｃｕ合金同士、ＡｇとＡｇ合金、Ａｇ合金同士など、同種の金属材料であれば、抵抗値のばらつきを低減させることができる。また、ブリッジ金属層５３の厚さは２ｎｍ〜３０ｎｍ程度の範囲内であることが好ましく、上記の金属材料、または合金材料を用いた場合であってもブリッジ配線部５１の透光性を確保することができる。
【００９０】
＜第２の実施形態の入力装置の製造方法＞
第２の実施形態の入力装置１２の製造方法は、第１の実施形態と比較して、第１の配線部３０の金属層３６ａ、及び第２の配線部３３の金属層３６ｂを形成する工程が異なっており、それ以外の工程は第１の実施形態の入力装置の製造方法と同様である。第２の実施形態の入力装置１２の製造方法は、図７（ｃ）の工程で入力領域１４の金属層６２を除去する際に、同時に、第１の配線部３０の金属層３６ａ、及び第２の配線部３３の金属層３６ｂに貫通孔３８ａ、３８ｂをエッチングで形成する。その後、図８各図に示す工程で、ブリッジ配線部５１と第１の配線部３０の下地増３５ａとを接続するとともに、ブリッジ配線部５１と第２の配線部３３の下地増３５ａとを接続する。
【００９１】
＜第３の実施形態の入力装置の製造方法＞
第３の実施形態の入力装置１３の製造方法は、第１の実施形態の製造方法と比較して、ブリッジ配線部５１を形成する工程が異なっており、それ以外の工程は第１の実施形態の入力装置の製造方法と同様である。第３の実施形態の入力装置１３の製造方法は、図８（ｂ）の工程で、透明導電性材料６４の替わりにブリッジ金属層５３を基材２１の全面に形成する。そして、ブリッジ金属層５３の上にブリッジ保護層５４として透明導電性材料６４を基材２１の全面に形成する。その後、図８（ｃ）の工程と同様にブリッジ配線部５１を形成する。
【符号の説明】
【００９２】
１０、１１、１２、１３  入力装置
１４  入力領域
１５  非入力領域
２１  基材
２２  電極
２３  引出配線
３０、３０ａ〜３０ｅ  第１の配線部
３１、３１ａ〜３１ｅ  延出部
３２、３２ａ〜３２ｅ  主部
３３、３３ａ〜３３ｅ  第２の配線部
３５ａ、３５ｂ  下地層
３６ａ、３６ｂ  金属層
３７ａ、３７ｂ  下地層の露出部
３８ａ、３８ｂ  金属層の貫通孔
４１  絶縁層
４１ａ、４１ｂ  絶縁層の貫通孔
４３  保護レジスト
５１  ブリッジ配線部
５２  ブリッジ下地層
５３  ブリッジ金属層
５４  ブリッジ保護層
６１、６４  透明導電層
６２  金属層
６３  アライメントマーク
【図１】
2015015012.tif 000004
【図２】
2015015012.tif 000005
【図３】
2015015012.tif 000006
【図４】
2015015012.tif 000007
【図５】
2015015012.tif 000008
【図６】
2015015012.tif 000009
【図７】
2015015012.tif 000010
【図８】
2015015012.tif 000011
【図９】
2015015012.tif 000012
【図１０】
2015015012.tif 000013
【図１１】
2015015012.tif 000014
【図１２】
2015015012.tif 000015
【図１３】
2015015012.tif 000016