(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率を向上させ、長寿命化させ、駆動電圧を低下させることのできる有機ＥＬ素子、並びに、当該有機ＥＬ素子を備えた電子機器を提供する。【解決手段】発光層が、下記一般式（１）で表される第１の化合物と、下記一般式（２）で表される第２の化合物と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。下記一般式（１）において、Ｒ１０９およびＲ１１０は、所定の芳香族炭化水素基または複素環基である。下記一般式（２）において、Ａは、下記一般式（２ａ）で表される。2015065325.tif 000086【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に配置された、１層以上の有機層と、を有し、
前記有機層には、発光層が含まれ、
前記発光層が、下記一般式（１）で表される第１の化合物と、下記一般式（２）で表される第２の化合物と、を含む
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2015065325.tif 000063
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
−Ｓｉ（Ｒ１１１）３で表されるシリル基であり、
Ｒ１１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｒ１０９およびＲ１１０は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１０９およびＲ１１０が、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素基である場合は、６員環が２つまたは３つ縮合した縮合芳香族炭化水素基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８のうち隣り合う基が互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
ただし、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１０）で表される基であるとき、下記一般式（１０）におけるＲ１１３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【化２】
2015065325.tif 000064
（また、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１１）で表される基であるとき、下記一般式（１１）におけるＲ１１４は、無置換の環形成炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【化３】
2015065325.tif 000065
（また、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１２）で表される基であるとき、下記一般式（１２）におけるＲ１１５は、無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【化４】
2015065325.tif 000066
（また、前記Ｒ１０９が無置換の１−ナフチル基であるとき、前記Ｒ１１０は、
下記一般式（１３）で表される基、
下記一般式（１４）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【化５】
2015065325.tif 000067
（前記一般式（１３）におけるｍは、５であり、Ｒ１１６は、それぞれ独立に、前記Ｒ１０１〜Ｒ１０８と同義である。ただし、５つのＲ１１６のうち少なくともいずれかは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。Ｒ１１６は、それぞれ前記一般式（１３）のベンゼン環の炭素原子に結合する。
前記一般式（１４）におけるｎは、７であり、Ｒ１１７は、それぞれ独立に、前記Ｒ１０１〜Ｒ１０８と同義である。ただし、７つのＲ１１７のうち少なくともいずれかは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。Ｒ１１７は、それぞれ前記一般式（１４）のナフタレン環の炭素原子に結合する。）
【化６】
2015065325.tif 000068
{［前記一般式（２）において、
Ａｒ２１およびＡｒ２２は、それぞれ独立に、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。ただし、Ａｒ２１とＡｒ２２とが互いに結合して、環を形成する場合と環を形成しない場合とがある。
Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ２０〜Ｌ２２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ２が２以上の場合、複数のＡｒ２１、Ａｒ２２、Ｌ２０〜Ｌ２２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ａは、下記一般式（２ａ）で表される。］
【化７】
2015065325.tif 000069
［前記一般式（２ａ）において、
Ｒ２３１〜Ｒ２３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４１）３で表されるシリル基である。
Ｒ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のうち１組が下記一般式（２ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ２３９およびＲ２４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４２）３で表されるシリル基である。
Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。］
【化８】
2015065325.tif 000070
［前記一般式（２ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（２ａ）のＲ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のいずれか１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。］
なお、前記一般式（２ａ）のＲ２３１〜Ｒ２３８および前記一般式（２ｂ）のＲ２５１〜Ｒ２５４のうちｎ２個は、前記一般式（２）のＬ２０に結合する結合手である。}
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１５）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化９】
2015065325.tif 000071
（前記一般式（１５）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１２１〜Ｒ１２７，Ｒ１３１〜Ｒ１３７は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１２１〜Ｒ１２７，Ｒ１３１〜Ｒ１３７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１２１とＲ１２２、Ｒ１２２とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２４とＲ１２５、Ｒ１２５とＲ１２６、並びにＲ１２６とＲ１２７の組み合せのうち少なくともいずれかの組み合せにおいて互いに結合してナフタレン環に縮合する環構造が構築されていてもよい。）
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ１２１〜Ｒ１２７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１３１〜Ｒ１３７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１６）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１０】
2015065325.tif 000072
（前記一般式（１６）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１４１〜Ｒ１４５，Ｒ１５１〜Ｒ１５５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１４１〜Ｒ１４５，Ｒ１５１〜Ｒ１５５のうち少なくともいずれかが、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１４１とＲ１４２、Ｒ１４２とＲ１４３、Ｒ１４３とＲ１４４、並びにＲ１４４とＲ１４５の組み合せのうち少なくともいずれかの組み合せにおいて互いに結合してベンゼン環に縮合する環構造が構築されていてもよい。）
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ１４１〜Ｒ１４５のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１５１〜Ｒ１５５のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１７）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１１】
2015065325.tif 000073
（前記一般式（１７）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
Ｒ１６１〜Ｒ１６５は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
−Ｓｉ（Ｒ１１１）３で表されるシリル基であり、
Ｒ１１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
ただし、Ｒ１６１〜Ｒ１６５のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【請求項７】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１２】
2015065325.tif 000074
（前記一般式（１８）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１７１〜Ｒ１７７，Ｒ１８１〜Ｒ１８５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１７１〜Ｒ１７７のうち一つが置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基である場合、当該芳香族炭化水素基の環形成炭素数は、１０以上３０以下である。）
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１８）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８１）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１３】
2015065325.tif 000075
（前記一般式（１８１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１７５〜Ｒ１７７，Ｒ１８１〜Ｒ１８５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１７５〜Ｒ１７７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【請求項９】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１８１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８２）〜（１８６）のいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１４】
2015065325.tif 000076
【化１５】
2015065325.tif 000077
【化１６】
2015065325.tif 000078
【化１７】
2015065325.tif 000079
【化１８】
2015065325.tif 000080
（前記一般式（１８２）〜（１８６）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１９１〜Ｒ１９７は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
Ｒ１７５〜Ｒ１７７は、それぞれ独立に、前記一般式（１８１）におけるＲ１７５〜Ｒ１７７と同義である。）
【請求項１０】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（１８）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８７）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１９】
2015065325.tif 000081
（前記一般式（１８７）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１７１〜Ｒ１７４，Ｒ１８１〜Ｒ１８５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１７１〜Ｒ１７４のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【請求項１１】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくともいずれかが芳香族炭化水素基である場合、Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、およびペリレニル基からなる群から選択され、
Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくともいずれかが複素環基である場合、Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、およびフェノキサジニル基からなる群から選択される
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくともいずれかが芳香族炭化水素基である場合、Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、およびナフチル基からなる群から選択され、
Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくともいずれかが複素環基である場合、Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、およびフェノキサジニル基からなる群から選択される
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくともいずれかが芳香族炭化水素基である場合、Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、およびフルオレニル基からなる群から選択され、
Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくともいずれかが複素環基である場合、Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、および９−カルバゾリル基からなる群から選択される
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２ａ）は、下記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）のいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２０】
2015065325.tif 000082
［前記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）において、Ｒ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０は、それぞれ前記一般式（２ａ）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０と同義である。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２ｂ）におけるＲ２５１〜Ｒ２５４と同義である。］
【請求項１５】
請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２ａ）は、前記一般式（２ａ−３）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、Ｒ２３３およびＲ２３６が、前記一般式（２）のＬ２０と結合する結合手であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２）は、下記一般式（２１）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２１】
2015065325.tif 000083
［前記一般式（２１）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【請求項１８】
請求項１から請求項１６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２）は、下記一般式（２２）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２２】
2015065325.tif 000084
［前記一般式（２２）において、Ａ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２２１〜Ｒ２２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【請求項１９】
請求項１から請求項１６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２）は、下記一般式（２３）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２３】
2015065325.tif 000085
［前記一般式（２３）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【請求項２０】
請求項１７から請求項１９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、Ｒ２１１〜Ｒ２１５が、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、またはトリメチルシリル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
請求項１から請求項２０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、Ｌ２０〜Ｌ２２は、いずれも単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
請求項１から請求項２１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、ｎ２は、１又は２であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
請求項１から請求項２２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２４】
請求項１から請求項２３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陽極との間に正孔輸送層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２５】
請求項１から請求項２４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記する場合がある。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層および該発光層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
【０００３】
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率化が要求されている。
【０００４】
例えば、特許文献１や特許文献２には、ドーパント材料としてのジアリールアミノ基で置換されたベンゾフルオレン化合物、及びホスト材料としてのアントラセン誘導体を含有する発光層を備えた有機電界発光素子が記載されている。特許文献１によれば、このような有機電界発光素子によって、電流効率や素子寿命に関して十分な性能を得ようと試みている。また、特許文献２によれば、このような有機電界発光素子によって、従来の駆動電圧を維持しながら、高い色純度で青色発光させることを試みている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２９１００６号公報
【特許文献２】特開２０１１−２２５５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機ＥＬ素子を照明装置や表示装置等の電子機器に採用するためには、さらなる発光効率の向上、長寿命化、および駆動電圧の低下が求められる。
【０００７】
本発明の目的は、発光効率を向上させ、長寿命化させ、駆動電圧を低下させることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、並びに、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に配置された、１層以上の有機層と、を有し、
前記有機層には、発光層が含まれ、
前記発光層が、下記一般式（１）で表される第１の化合物と、下記一般式（２）で表される第２の化合物と、を含む。
【０００９】
【化１】
2015065325.tif 000002
【００１０】
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
−Ｓｉ（Ｒ１１１）３で表されるシリル基であり、
Ｒ１１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｒ１０９およびＲ１１０は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１０９およびＲ１１０が、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素基である場合は、６員環が２つまたは３つ縮合した縮合芳香族炭化水素基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８のうち隣り合う基が互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
【００１１】
ただし、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１０）で表される基であるとき、下記一般式（１０）におけるＲ１１３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【００１２】
【化２】
2015065325.tif 000003
【００１３】
（また、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１１）で表される基であるとき、下記一般式（１１）におけるＲ１１４は、無置換の環形成炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【００１４】
【化３】
2015065325.tif 000004
【００１５】
（また、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１２）で表される基であるとき、下記一般式（１２）におけるＲ１１５は、無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【００１６】
【化４】
2015065325.tif 000005
【００１７】
（また、前記Ｒ１０９が無置換の１−ナフチル基であるとき、前記Ｒ１１０は、
下記一般式（１３）で表される基、
下記一般式（１４）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【００１８】
【化５】
2015065325.tif 000006
【００１９】
（前記一般式（１３）におけるｍは、５であり、Ｒ１１６は、それぞれ独立に、前記Ｒ１０１〜Ｒ１０８と同義である。ただし、５つのＲ１１６のうち少なくともいずれかは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。Ｒ１１６は、それぞれ前記一般式（１３）のベンゼン環の炭素原子に結合する。
前記一般式（１４）におけるｎは、７であり、Ｒ１１７は、それぞれ独立に、前記Ｒ１０１〜Ｒ１０８と同義である。ただし、７つのＲ１１７のうち少なくともいずれかは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。Ｒ１１７は、それぞれ前記一般式（１４）のナフタレン環の炭素原子に結合する。）
【００２０】
【化６】
2015065325.tif 000007
【００２１】
［前記一般式（２）において、
Ａｒ２１およびＡｒ２２は、それぞれ独立に、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。ただし、Ａｒ２１とＡｒ２２とが互いに結合して、環を形成する場合と環を形成しない場合とがある。
Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ２０〜Ｌ２２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ２が２以上の場合、複数のＡｒ２１、Ａｒ２２、Ｌ２０〜Ｌ２２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ａは、下記一般式（２ａ）で表される。］
【００２２】
【化７】
2015065325.tif 000008
【００２３】
［前記一般式（２ａ）において、
Ｒ２３１〜Ｒ２３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４１）３で表されるシリル基である。
また、Ｒ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のうち１組が下記一般式（２ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ２３９およびＲ２４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４２）３で表されるシリル基である。
Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。］
【００２４】
【化８】
2015065325.tif 000009
【００２５】
［前記一般式（２ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（２ａ）のＲ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のいずれか１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。
なお、前記一般式（２ａ）のＲ２３１〜Ｒ２３８および前記一般式（２ｂ）のＲ２５１〜Ｒ２５４のうちｎ２個は、前記一般式（２）のＬ２０に結合する結合手である。］
【００２６】
本発明の一態様に係る電子機器は、前記本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を備える。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、発光効率を向上させ、長寿命化させ、駆動電圧を低下させることのできる有機ＥＬ素子を提供することができる。また、本発明によれば、当該有機ＥＬ素子を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態の変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の一態様である有機ＥＬ素子に関して、実施形態を挙げて説明する。
【００３０】
［第一実施形態］
（有機ＥＬ素子の素子構成）
本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。
有機ＥＬ素子は、陽極および陰極の両電極間に有機層を備える。この有機層は、有機化合物で構成される層を一つ以上有する。有機層は、無機化合物をさらに含んでいてもよい。
本実施形態の有機ＥＬ素子において、有機層のうち少なくとも１層は、発光層を有する。そのため、有機層は、例えば、一層の発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の有機ＥＬ素子で採用される層を有していてもよい。
【００３１】
有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／障壁層／電子注入・輸送層／陰極
などの構造を挙げることができる。
上記の中で（ｄ）の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
なお、上記「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
上記「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、陽極側に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、陰極側に電子注入層が設けられていることが好ましい。
発光層と陰極との間に存在する電子輸送領域の有機層については、いずれの層も電子輸送性を示すが、一般的に、障壁層は励起エネルギーの拡散を防ぐ役割を果たし、電子注入層は電子注入障壁を低減するという役割を果たす。
【００３２】
図１に、本実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を有する。
有機層１０は、発光層５と、発光層５および陽極３の間に設けられた正孔注入・輸送層６と、発光層５および陰極４の間に設けられた電子注入・輸送層７とで構成されている。
正孔注入・輸送層６は、正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つを意味する。電子注入・輸送層７は、電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つを意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、陽極３側に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、陰極４側に電子注入層が設けられていることが好ましい。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層は、それぞれ、一層で構成されていても良いし、複数の層が積層されていてもよい。
【００３３】
（発光層）
本実施形態の有機ＥＬ素子において、発光層５は、下記一般式（１）で表される第１の化合物と、下記一般式（２）で表される第２の化合物と、を含む。
【００３４】
・第１の化合物
まず、下記一般式（１）で表される第１の化合物について説明する。本実施形態では、下記一般式（１）で表される第１の化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
【００３５】
【化９】
2015065325.tif 000010
【００３６】
前記一般式（１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
−Ｓｉ（Ｒ１１１）３で表されるシリル基であり、
Ｒ１１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｒ１０９およびＲ１１０は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１０９およびＲ１１０が、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素基である場合は、６員環が２つまたは３つ縮合した縮合芳香族炭化水素基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０８のうち隣り合う基が互いに結合して環を形成する場合としない場合とがある。
【００３７】
なお、前記一般式（１）で表される第１の化合物におけるＲ１０９およびＲ１１０は、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、またはターフェニル基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。この場合の、置換基としては、環形成炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基が好ましい。
【００３８】
本実施形態では、前記一般式（１）において、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１０）で表される基であるとき、下記一般式（１０）におけるＲ１１３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
【００３９】
【化１０】
2015065325.tif 000011
【００４０】
また、前記一般式（１）において、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１１）で表される基であるとき、下記一般式（１１）におけるＲ１１４は、無置換の環形成炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
【００４１】
【化１１】
2015065325.tif 000012
【００４２】
また、前記一般式（１）において、前記Ｒ１０９が、無置換のフェニル基であり、前記Ｒ１１０が、下記一般式（１２）で表される基であるとき、下記一般式（１２）におけるＲ１１５は、無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
【００４３】
【化１２】
2015065325.tif 000013
【００４４】
また、前記一般式（１）において、前記Ｒ１０９が無置換の１−ナフチル基であるとき、前記Ｒ１１０は、
下記一般式（１３）で表される基、
下記一般式（１４）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数１２〜３０の芳香族炭化水素基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
【００４５】
【化１３】
2015065325.tif 000014
【００４６】
前記一般式（１３）におけるｍは、５であり、Ｒ１１６は、それぞれ独立に、前記Ｒ１０１〜Ｒ１０８と同義である。ただし、５つのＲ１１６のうち少なくともいずれかは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。Ｒ１１６は、それぞれ前記一般式（１３）のベンゼン環の炭素原子に結合する。
前記一般式（１４）におけるｎは、７であり、Ｒ１１７は、それぞれ独立に、前記Ｒ１０１〜Ｒ１０８と同義である。ただし、７つのＲ１１７のうち少なくともいずれかは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。Ｒ１１７は、それぞれ前記一般式（１４）のナフタレン環の炭素原子に結合する。
【００４７】
本実施形態において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１５）で表されることが好ましい。
【００４８】
【化１４】
2015065325.tif 000015
【００４９】
前記一般式（１５）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１２１〜Ｒ１２７，Ｒ１３１〜Ｒ１３７は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１２１〜Ｒ１２７，Ｒ１３１〜Ｒ１３７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１２１とＲ１２２、Ｒ１２２とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２４とＲ１２５、Ｒ１２５とＲ１２６、並びにＲ１２６とＲ１２７の組み合せのうち少なくともいずれかの組み合せにおいて互いに結合してナフタレン環に縮合する環構造が構築されていてもよい。
【００５０】
前記一般式（１５）において、Ｒ１２１〜Ｒ１２７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ１３１〜Ｒ１３７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましい。
【００５１】
また、本実施形態において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１６）で表されることが好ましい。
【００５２】
【化１５】
2015065325.tif 000016
【００５３】
前記一般式（１６）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１４１〜Ｒ１４５，Ｒ１５１〜Ｒ１５５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１４１〜Ｒ１４５，Ｒ１５１〜Ｒ１５５のうち少なくともいずれかが、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、
Ｒ１４１とＲ１４２、Ｒ１４２とＲ１４３、Ｒ１４３とＲ１４４、並びにＲ１４４とＲ１４５の組み合せのうち少なくともいずれかの組み合せにおいて互いに結合してベンゼン環に縮合する環構造が構築されていてもよい。
【００５４】
前記一般式（１６）において、Ｒ１４１〜Ｒ１４５のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ１５１〜Ｒ１５５のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましい。
【００５５】
本実施形態において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１７）で表されることが好ましい。
【００５６】
【化１６】
2015065325.tif 000017
【００５７】
前記一般式（１７）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
Ｒ１６１〜Ｒ１６５は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
−Ｓｉ（Ｒ１１１）３で表されるシリル基であり、
Ｒ１１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
ただし、Ｒ１６１〜Ｒ１６５のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
【００５８】
本実施形態において、前記一般式（１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８）で表されることが好ましい。
【００５９】
【化１７】
2015065325.tif 000018
【００６０】
前記一般式（１８）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１７１〜Ｒ１７７，Ｒ１８１〜Ｒ１８５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１７１〜Ｒ１７７のうち一つが置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基である場合、当該芳香族炭化水素基の環形成炭素数は、１０以上３０以下である。
【００６１】
前記一般式（１８）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８１）で表されることが好ましい。
【００６２】
【化１８】
2015065325.tif 000019
【００６３】
前記一般式（１８１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１７５〜Ｒ１７７，Ｒ１８１〜Ｒ１８５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１７５〜Ｒ１７７のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
【００６４】
前記一般式（１８１）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８２）〜（１８６）のいずれかで表されることが好ましい。
【００６５】
【化１９】
2015065325.tif 000020
【００６６】
【化２０】
2015065325.tif 000021
【００６７】
【化２１】
2015065325.tif 000022
【００６８】
【化２２】
2015065325.tif 000023
【００６９】
【化２３】
2015065325.tif 000024
【００７０】
前記一般式（１８２）〜（１８６）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１９１〜Ｒ１９７は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
Ｒ１７５〜Ｒ１７７は、それぞれ独立に、前記一般式（１８１）におけるＲ１７５〜Ｒ１７７と同義である。
【００７１】
本実施形態において、前記一般式（１８）で表される第１の化合物は、下記一般式（１８７）で表されることが好ましい。
【００７２】
【化２４】
2015065325.tif 000025
【００７３】
前記一般式（１８７）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８，Ｒ１７１〜Ｒ１７４，Ｒ１８１〜Ｒ１８５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ１０１〜Ｒ１０８と同義であり、
ただし、Ｒ１７１〜Ｒ１７４のうち少なくともいずれかが、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
【００７４】
本実施形態において、前記一般式（１）で表される第１の化合物におけるＲ１０９およびＲ１１０は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。すなわち、前記一般式（１）に示されたアントラセン環の９位および１０位の炭素原子と、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子とが単結合で結合していることが好ましい。さらに、環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、フェニル基、または６員環だけが縮合して構築された芳香族縮合炭化水素基であることが好ましい。
【００７５】
本実施形態において、前記一般式（１），（１５）〜（１８），（１８１）〜（１８７）で表される第１の化合物におけるＲ１０１〜Ｒ１０８は、水素原子であることが好ましい。
【００７６】
また、本実施形態において、前記一般式（１），（１５）〜（１８），（１８１）〜（１８７）で表される第１の化合物におけるＲ１０１，Ｒ１０４，Ｒ１０５，Ｒ１０８は、水素原子であり、Ｒ１０２，Ｒ１０３，Ｒ１０６，Ｒ１０７のうち少なくともいずれかが、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は−Ｓｉ（Ｒ１１１）３で表されるシリル基であることが好ましい。
【００７７】
また、本実施形態において、前記一般式（１），（１５）〜（１８），（１８１）〜（１８７）で表される第１の化合物におけるＲ１０１，Ｒ１０４，Ｒ１０５，Ｒ１０８は、水素原子であり、Ｒ１０２，Ｒ１０３，Ｒ１０６，Ｒ１０７のうち少なくともいずれか一つが、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は−Ｓｉ（Ｒ１１１）３で表されるシリル基であり、その他が水素原子であることが好ましい。
【００７８】
本明細書において、環形成炭素数とは、原子または分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。
環形成原子数とは、原子または分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の未結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。
次に前記一般式に記載の各置換基について説明する。
【００７９】
本実施形態における環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、ペリレニル基などが挙げられる。
本実施形態における芳香族炭化水素基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であることが更に好ましい。上記芳香族炭化水素基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本実施形態における置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基が置換されていることが好ましい。
【００８０】
本実施形態における環形成原子数５〜３０の複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基などが挙げられる。
本実施形態における複素環基の環形成原子数は、５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が特に好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本実施形態における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。
【００８１】
本実施形態における炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、が挙げられる。
本実施形態における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、ネオペンチル基が特に好ましい。
本実施形態におけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が特に好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。
【００８２】
本実施形態における炭素数３〜３０のアルキルシリル基としては、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００８３】
本実施形態における環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基としては、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。
トリアリールシリル基は、例えば、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。
【００８４】
本実施形態における炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＺ１と表される。このＺ１の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基があげられる。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルコキシ基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。
【００８５】
本実施形態における環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺ２と表される。このＺ２の例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。
【００８６】
炭素数２〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＲＶ、または−Ｎ（ＲＶ）２と表される。このＲＶの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。
【００８７】
環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基は、−ＮＨＲＷ、または−Ｎ（ＲＷ）２と表される。このＲＷの例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
【００８８】
炭素数１〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＲＶと表される。このＲＶの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。
環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基は、−ＳＲＷと表される。このＲＷの例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
【００８９】
本発明において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。
また、本発明において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
【００９０】
また、本実施形態において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のような芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基）、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基の他に、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、およびカルボキシ基が挙げられる。
ここで挙げた置換基の中では、芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
【００９１】
アルケニル基としては、炭素数２〜３０のアルケニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、シクロペンタジエニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基等が挙げられる。
【００９２】
アルキニル基としては、炭素数２〜３０のアルキニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、２−フェニルエチニル等が挙げられる。
【００９３】
アラルキル基としては、環形成炭素数６〜３０のアラルキル基が好ましく、−Ｚ３−Ｚ４と表される。このＺ３の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基に対応するアルキレン基が挙げられる。このＺ４の例として、上記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基の例が挙げられる。このアラルキル基は、炭素数７〜３０のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）であることが好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２−フェニルプロパン−２−イル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基が挙げられる。
【００９４】
ハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００９５】
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
なお、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
以下に説明する化合物またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。
【００９６】
以下に前記一般式（１）で表される第１の化合物の具体例を示すが、本発明は、これらの例示化合物に限定されるものではない。
【００９７】
【化２５】
2015065325.tif 000026
【００９８】
【化２６】
2015065325.tif 000027
【００９９】
【化２７】
2015065325.tif 000028
【０１００】
【化２８】
2015065325.tif 000029
【０１０１】
【化２９】
2015065325.tif 000030
【０１０２】
【化３０】
2015065325.tif 000031
【０１０３】
【化３１】
2015065325.tif 000032
【０１０４】
【化３２】
2015065325.tif 000033
【０１０５】
【化３３】
2015065325.tif 000034
【０１０６】
【化３４】
2015065325.tif 000035
【０１０７】
【化３５】
2015065325.tif 000036
【０１０８】
【化３６】
2015065325.tif 000037
【０１０９】
【化３７】
2015065325.tif 000038
【０１１０】
【化３８】
2015065325.tif 000039
【０１１１】
【化３９】
2015065325.tif 000040
【０１１２】
・第２の化合物
次に、下記一般式（２）で表される第２の化合物について説明する。本実施形態では、下記一般式（２）で表される第２の化合物をドーパント材料として用いることが好ましい。
【０１１３】
【化４０】
2015065325.tif 000041
【０１１４】
{［前記一般式（２）において、
Ａｒ２１およびＡｒ２２は、それぞれ独立に、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。ただし、Ａｒ２１とＡｒ２２とが互いに結合して、環を形成する場合と環を形成しない場合とがある。
Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ２０〜Ｌ２２における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
前記芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は
前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基である。
ｎ２は、１〜４の整数であり、ｎ２が２以上の場合、複数のＡｒ２１、Ａｒ２２、Ｌ２０〜Ｌ２２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ａは、下記一般式（２ａ）で表される。］
【０１１５】
【化４１】
2015065325.tif 000042
【０１１６】
［前記一般式（２ａ）において、
Ｒ２３１〜Ｒ２３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４１）３で表されるシリル基である。
また、Ｒ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のうち１組が下記一般式（２ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ２３９及びＲ２４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２４２）３で表されるシリル基である。
Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である。］
【０１１７】
【化４２】
2015065325.tif 000043
【０１１８】
［前記一般式（２ｂ）において、
＊は、それぞれ前記一般式（２ａ）のＲ２３１とＲ２３２、Ｒ２３２とＲ２３３、Ｒ２３３とＲ２３４、Ｒ２３５とＲ２３６、Ｒ２３６とＲ２３７、並びにＲ２３７とＲ２３８のいずれか１組の炭素原子への結合位置を表す。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。］
なお、前記一般式（２ａ）のＲ２３１〜Ｒ２３８および前記一般式（２ｂ）のＲ２５１〜Ｒ２５４のうちｎ２個は、前記一般式（２）のＬ２０に結合する結合手である。}
【０１１９】
前記一般式（２ａ）は、下記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）のいずれかで表されることが好ましい。中でも、前記一般式（２ａ）は、下記一般式（２ａ−３）で表されることがより好ましい。
【０１２０】
【化４３】
2015065325.tif 000044
【０１２１】
［前記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−３）において、Ｒ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０は、それぞれ前記一般式（２ａ）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８，Ｒ２３９，Ｒ２４０と同義である。
Ｒ２５１〜Ｒ２５４は、それぞれ独立に、前記一般式（２ｂ）におけるＲ２５１〜Ｒ２５４と同義である。］
【０１２２】
前記一般式（２ａ−３）において、Ｒ２３３およびＲ２３６が、前記一般式（２）のＬ２０と結合する結合手であることが好ましい。
【０１２３】
本実施形態において、前記一般式（２）は、下記一般式（２１）で表されることが好ましい。
【０１２４】
【化４４】
2015065325.tif 000045
【０１２５】
［前記一般式（２１）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【０１２６】
本実施形態において、前記一般式（２）は、下記一般式（２２）で表されることがより好ましい。
【０１２７】
【化４５】
2015065325.tif 000046
【０１２８】
［前記一般式（２２）において、Ａ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２２１〜Ｒ２２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は
―Ｓｉ（Ｒ２１６）３で表されるシリル基である。
Ｒ２１６は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２４１およびＲ２４２と同義である。］
【０１２９】
本実施形態において、前記一般式（２）は、下記一般式（２３）で表されても好ましい。
【０１３０】
【化４６】
2015065325.tif 000047
【０１３１】
［前記一般式（２３）において、Ａ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２は、それぞれ前記一般式（２）におけるＡ，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２，およびｎ２と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ前記一般式（２１）におけるＲ２１１〜Ｒ２１５と同義である。］
【０１３２】
前記一般式（２），（２１）〜（２３）において、Ｌ２０〜Ｌ２２は、いずれも単結合であることが好ましい。
前記一般式（２），（２１）〜（２３）において、ｎ２は、１又は２であることが好ましく、ｎ２は、２であることがより好ましい。
前記一般式（２１）〜（２３）において、Ａは、前記一般式（２ａ−３）で表されることが好ましく、Ｒ２３３およびＲ２３６がＬ２０に結合する結合手であることが好ましい。この場合、Ｌ２０が単結合であることがより好ましい。
【０１３３】
本実施形態において、前記一般式（２）で表される第２の化合物は、下記一般式（２７）で表されることが好ましい。
【０１３４】
【化４７】
2015065325.tif 000048
【０１３５】
前記一般式（２７）においてＡｒ２１，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＡｒ２１，Ａｒ２２，Ｌ２０〜Ｌ２２と同義であり、２つのＡｒ２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、２つのＡｒ２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、２つのＬ２０，２つのＬ２１，２つのＬ２２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
前記一般式（２７）において、Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２３４，Ｒ２３５，Ｒ２３７，Ｒ２３８は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２３１〜Ｒ２３８と同義である。
前記一般式（２７）において、Ｒ２３９及びＲ２４０は、それぞれ独立に、前記一般式（２ａ）におけるＲ２３９及びＲ２４０と同義である。
前記一般式（２７）において、Ｌ２０は、いずれも単結合であることが好ましい。
前記一般式（２７）において、Ｌ２０，Ｌ２１，Ｌ２２は、いずれも単結合であることが好ましい。
【０１３６】
前記一般式（２）は、下記一般式（２４）〜（２６）のいずれかで表されることがより好ましい。
【０１３７】
【化４８】
2015065325.tif 000049
【０１３８】
［前記一般式（２４）〜（２６）において、Ａｒ２２は、前記一般式（２）におけるＡｒ２２と同義である。Ａｒ２２が複数個ある場合、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２３９，Ｒ２４０は、それぞれ前記一般式（２ｂ）におけるＲ２３９，Ｒ２４０と同義である。
Ｒ２１１〜Ｒ２１５，Ｒ２２１〜Ｒ２２５，およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、前記一般式（２１）におけるＲ２１１〜Ｒ２１５と同義である。］
【０１３９】
前記一般式（２１）〜（２６）において、Ｒ２１１〜Ｒ２２５，およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。Ｒ２１１〜Ｒ２２５，およびＲ２６１〜Ｒ２６８は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、メチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、またはトリメチルシリル基であることがより好ましい。
また、前記一般式（２ａ），（２ａ−１）〜（２ａ−３），（２４）〜（２６）において、Ｒ２３９およびＲ２４０は、メチル基またはフェニル基であることが好ましい。
さらに、前記一般式（２１），（２３），（２４）、（２６）において、Ａｒ２２は、置換もしくは無置換のフェニル基、または置換もしくは無置換のナフチレン基であることが好ましい。
前記一般式（２６）において、Ｒ２６１〜Ｒ２６８は、すべて水素原子であるか、Ｒ２６３およびＲ２６６が、メチル基またはフェニル基であることが好ましい。
【０１４０】
本実施形態において、前記一般式（２），（２ａ），（２ｂ），（２ａ−１）〜（２ａ−３），および（２１）〜（２６）に記載の各置換基は、前述と同様である。
【０１４１】
本実施形態において、芳香族炭化水素基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基、又は芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基の例としては、前記芳香族炭化水素基および前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる２価の基が挙げられる。前記芳香族炭化水素基及び前記複素環基から選ばれる２個から４個の基が結合してなる多重連結基としては、複素環基−芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基−複素環基、芳香族炭化水素基−複素環基−芳香族炭化水素基、複素環基−芳香族炭化水素基−複素環基、芳香族炭化水素基−複素環基−芳香族炭化水素基−複素環基、複素環基−芳香族炭化水素基−複素環基−芳香族炭化水素基等が挙げられる。好ましくは、前記芳香族炭化水素基と前記複素環基が１つずつ結合してなる２価の基、つまり複素環基−芳香族炭化水素基、及び芳香族炭化水素基−複素環基である。なお、これらの多重連結基における芳香族炭化水素基および複素環基の具体例としては、上記芳香族炭化水素基および上記複素環基で説明した基が挙げられる。
【０１４２】
以下に前記一般式（２）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は、これらの例示化合物に限定されるものではない。
なお、以下の例示化合物において、ＴＭＳは、トリメチルシリル基を表し、ｔ−Ｂｕは、ターシャリーブチル基を表し、Ｍｅは、メチル基を表す。
【０１４３】
【化４９】
2015065325.tif 000050
【０１４４】
【化５０】
2015065325.tif 000051
【０１４５】
【化５１】
2015065325.tif 000052
【０１４６】
【化５２】
2015065325.tif 000053
【０１４７】
【化５３】
2015065325.tif 000054
【０１４８】
【化５４】
2015065325.tif 000055
【０１４９】
【化５５】
2015065325.tif 000056
【０１５０】
【化５６】
2015065325.tif 000057
【０１５１】
【化５７】
2015065325.tif 000058
【０１５２】
（基板）
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０１５３】
（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
陽極上に形成されるＥＬ層のうち陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０１５４】
（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０１５５】
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
【０１５６】
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１５７】
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを用いることができる。
【０１５８】
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１５９】
（層形成方法）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。
【０１６０】
（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した以外には制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
【０１６１】
［電子機器］
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、タブレットもしくはパーソナルコンピュータ等の表示装置、および照明、もしくは車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
【０１６２】
［実施形態の変形］
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれるものである。
【０１６３】
発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層が、上記実施形態で説明した条件を満たしていればよく、その他の発光層が蛍光発光型の発光層であっても、燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。
発光層が複数層積層されている場合としては、例えば図２に示される有機ＥＬ素子１Ａが挙げられる。有機ＥＬ素子１Ａは、有機層１０Ａを有し、この有機層１０Ａは、正孔注入・輸送層６と電子注入・輸送層７との間に、第１発光層５１及び第２発光層５２を、陽極３側からこの順番で有する点で、図１に示された有機ＥＬ素子１と異なる。第１発光層５１及び第２発光層５２の少なくともいずれかが、前記一般式（１）で表される第１の化合物および前記一般式（２）で表される第２の化合物を含有している。その他の点においては、有機ＥＬ素子１Ａは、有機ＥＬ素子１と同様に構成される。
【０１６４】
その他、本発明の実施における具体的な構造および形状などは、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などとしてもよい。
【実施例】
【０１６５】
以下、本発明に係る実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。
【０１６６】
本実施例で用いた化合物を示す。
【０１６７】
【化５８】
2015065325.tif 000059
【０１６８】
【化５９】
2015065325.tif 000060
【０１６９】
＜化合物の評価＞
次に、本実施例で使用した化合物の物性を測定した。測定方法および算出方法を以下に示すとともに、測定結果および算出結果を表５に示す。
【０１７０】
・イオン化ポテンシャル
大気下で光電子分光装置（理研計器株式会社製:ＡＣ−３）を用いて測定した。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。結果を表１に示す。
【０１７１】
・一重項エネルギー
測定対象となる化合物のトルエン希薄溶液の吸収スペクトルの長波長側接線とベースライン（吸収ゼロ）との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式１に代入して一重項エネルギーを算出した。結果を表１に示す。
換算式１：ＥｇＳ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
本実施例では、吸収スペクトルを日立製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ−４５００）で測定した。
【０１７２】
・アフィニティ（電子親和力）
上述の方法で測定した化合物のイオン化ポテンシャルＩｐおよび一重項エネルギーＥｇＳの測定値を用い、次の計算式から算出した。結果を表１に示す。
Ａｆ＝Ｉｐ−ＥｇＳ
【０１７３】
【表１】
2015065325.tif 000061
【０１７４】
表１に示すように、前記一般式（２）で表される第２の化合物の一例である化合物ＢＤ１のアフィニティは、化合物ＢＤ−Ｃ１よりも大きかった。そのため、前記一般式（１）で表される第１の化合物の一例である化合物ＢＨ１と化合物ＢＤ１とのアフィニティ差が、化合物ＢＨ１と化合物ＢＤ−Ｃ１とのアフィニティ差よりも小さくなった。
【０１７５】
＜有機ＥＬ素子の作製＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製した。
【０１７６】
（実施例１）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、透明電極を覆うようにして化合物ＨＩを蒸着し、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＩ膜を形成し、正孔注入層を形成した。
このＨＩ膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ−１を蒸着し、ＨＩ膜上に膜厚７５ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、第一正孔輸送層を形成した。
このＨＴ−１膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ−２を蒸着し、ＨＴ−１膜上に膜厚１５ｎｍのＨＴ−２膜を成膜し、第二正孔輸送層を形成した。
さらにＨＴ−２膜上に、ホスト材料としての化合物ＢＨ１、およびドーパント材料としての化合物ＢＤ１を共蒸着した。これにより膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。ドーパント材料濃度は、４質量％とした。
この発光層上に、化合物ＥＴ−１を蒸着し、膜厚２５ｎｍのＥＴ−１膜を成膜し、第一電子輸送層を形成した。
さらにＥＴ−１膜上に化合物ＥＴ−２を蒸着し、膜厚１０ｎｍのＥＴ−２膜を成膜し、第二電子輸送層を形成した。
このＥＴ−２膜上にＬｉＦを蒸着して、膜厚１ｎｍのＬｉＦ層を形成した。
このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
実施例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO (130) / HI (10) / HT-1 (75) / HT-2 (15) / BH1 : BD1 (25, 4%) / ET-1 (25) / ET-2 (10) / LiF(1) / Al (80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。また、同じく括弧内において、パーセント表示された数字は、発光層におけるドーパント材料等のように、添加される成分の割合(質量％)を示す。以下の有機ＥＬ素子の素子構成を略式表示する場合においても同様である。
【０１７７】
（比較例１）
比較例１の有機ＥＬ素子は、実施例１の有機ＥＬ素子の発光層におけるホスト材料を化合物ＢＨ−Ｃ１に変更した他は、実施例１と同様にして作製した。
比較例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO (130) / HI (10) / HT-1 (75) / HT-2 (15) / BH-C1 : BD1 (25, 4%) / ET-1 (25) / ET-2 (10) / LiF(1) / Al (80)
【０１７８】
（比較例２）
比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例１の有機ＥＬ素子の発光層におけるホスト材料を化合物ＢＨ−Ｃ１に変更し、ドーパント材料を化合物ＢＤ−Ｃ１に変更した他は、実施例１と同様にして作製した。
比較例２の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO (130) / HI (10) / HT-1 (75) / HT-2 (15) / BH-C1 : BD-C1 (25, 4%) / ET-1 (25) / ET-2 (10) / LiF(1) / Al (80)
【０１７９】
（比較例３）
比較例３の有機ＥＬ素子は、実施例１の有機ＥＬ素子の発光層におけるドーパント材料を化合物ＢＤ−Ｃ１に変更した他は、実施例１と同様にして作製した。
比較例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO (130) / HI (10) / HT-1 (75) / HT-2 (15) / BH1 : BD-C1 (25, 4%) / ET-1 (25) / ET-2 (10) / LiF(1) / Al (80)
【０１８０】
＜有機ＥＬ素子の評価＞
実施例１、並びに比較例１〜３に係る有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表２に示す。
【０１８１】
・駆動電圧
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように、ＩＴＯとＡｌとの間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。
【０１８２】
・ＣＩＥ１９３１色度
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時のＣＩＥ１９３１色度座標（ｘ、ｙ）を、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ社製）で計測した。
【０１８３】
・電流効率Ｌ／Ｊ、及び電力効率η
電流密度が１０．００ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを、上記分光放射輝度計で計測し、得られた分光放射輝度スペクトルから、電流効率（単位：ｃｄ／Ａ）、及び電力効率η（単位：ｌｍ／Ｗ）を算出した。
【０１８４】
・主ピーク波長λｐ
得られた上記分光放射輝度スペクトルから主ピーク波長λｐを求めた。
【０１８５】
・寿命ＬＴ８０
電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が８０％となるまでの時間（単位：ｈ）を測定した。
【０１８６】
【表２】
2015065325.tif 000062
【０１８７】
表２に示されているように、実施例１に係る有機ＥＬ素子は、化合物ＢＨ１および化合物ＢＤ１を含有する発光層を備えており、その結果、比較例１〜３に係る有機ＥＬ素子に比べて、発光効率が向上し、寿命が長くなり、駆動電圧が低下した。
前記一般式（２）で表される第２の化合物の一例である化合物ＢＤ１のアフィニティは、比較として用いた化合物ＢＤ−Ｃ１よりも大きい。そのため、実施例１に係る有機ＥＬ素子では、発光層への電子注入性が良好であり、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させることができたと考えられる。また、実施例１に係る有機ＥＬ素子では、前記一般式（１）で表される第１の化合物の一例である化合物ＢＨ１のアフィニティと、化合物ＢＤ１のアフィニティとの差が小さい。そのため、ドーパント材料からホスト材料への電子移動が起こり易くなり、ホスト材料の分子で電子および正孔の再結合確率が上がったと考えられる。さらに、ホスト材料からドーパント材料への励起エネルギーが効率的に起こり、有機ＥＬ素子の発光効率が向上したと考えられる。また、化合物ＢＤ１は、化合物ＢＤ−Ｃ１よりもアフィニティが大きいため、ドーパント材料の分子で電子および正孔の再結合が起こり易くなると考えられる。この観点からも、実施例１に係る有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができたと考えられる。
比較例１に係る有機ＥＬ素子は、ホスト材料が化合物ＢＨ−Ｃ１であり、前記一般式（１）で表される第１の化合物とは異なる。そのため、実施例１と比べて、発光効率が低く、寿命が短く、駆動電圧も高い。
比較例２や比較例３に係る有機ＥＬ素子は、実施例１に比べて、駆動電圧が高く、寿命も短いが、特に発光効率が低かった。これは、ドーパント材料として用いた化合物ＢＤ−Ｃ１と、ホスト材料として用いた化合物ＢＨ１や化合物ＢＨ−Ｃ１とのアフィニティ差が大きかったためと考えられる。また、化合物ＢＤ−Ｃ１は、ホスト材料として用いた化合物ＢＨ１や化合物ＢＨ−Ｃ１よりも、一重項エネルギーが大きく、励起エネルギーがホスト材料からドーパント材料へ効率的に移動しなかったためと考えられる。
【符号の説明】
【０１８８】
１…有機ＥＬ素子
２…基板
３…陽極
４…陰極
５…発光層
６…正孔注入・輸送層
７…電子注入・輸送層
１０…有機層
【図１】
2015065325.tif 000087
【図２】
2015065325.tif 000088