(57)【要約】      （修正有）【課題】電圧制御可能な低消費電力で、波長可変時に線幅が増大しない波長可変レーザを提供する。【解決手段】波長化変レーザは、第１のバス導波路１２１と、第１のバス導波路と平行に形成された第２のバス導波路１２３との間に形成された第１のリング導波路１２２と、第２のバス導波路と、第２のバス導波路と平行に形成された第３のバス導波路１３２との間に形成された第２のリング導波路１３１とを備える半導体基板上に形成された２重リング共振器を備え、第１のリング導波路及び第２のリング導波路は、半導体基板水平方向において、第１のバス導波路、第２のバス導波路及び第３のバス導波路の光の導波方向と直角をなす導波路部分を有し、直角をなす導波路部分は逆バイアスの電圧が印加される波長可変アームである。【選択図】図１
2015109303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のバス導波路と、前記第１のバス導波路と平行に形成された第２のバス導波路との間に形成された第１のリング導波路と、
前記第２のバス導波路と、前記第２のバス導波路と平行に形成された第３のバス導波路との間に形成された第２のリング導波路と
を備える半導体基板上に形成された２重リング共振器を含む波長化変レーザ光源であって、
前記第１のリング導波路及び第２のリング導波路は、前記半導体基板水平方向において、前記第１のバス導波路、第２のバス導波路及び第３のバス導波路の光の導波方向と直角をなす導波路部分を有し、
前記直角をなす導波路部分は逆バイアスの電圧が印加される波長化変アームである
ことを特徴とする波長化変レーザ光源。
【請求項２】
前記第１のバス導波路及び前記第２のバス導波路と、前記第１のリング導波路との結合部と、前記第２のバス導波路及び前記第３のバス導波路と、前記第２のリング導波路との結合部は、方向性結合器により構成されることを特徴とする請求項１に記載の波長化変レーザ光源。
【請求項３】
前記第１のリング導波路と、前記第２のリング導波路とは、自由スペクトル領域が異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の波長化変レーザ光源。
【請求項４】
前記第１のバス導波路と、前記第２のバス導波路と、前記第３のバス導波路と、前記第１のリング導波路と、前記第２のリング導波路は、前記基板上のコア層と、前記コア層上に形成される上部クラッド層とを備えることを特徴とする請求項１ないし３に記載の波長化変レーザ光源。
【請求項５】
前記第１のバス導波路のコア層と前記第１のリング導波路のコア層と、
前記第２のバス導波路のコア層と前記第１のリング導波路のコア層と、
前記第２のバス導波路のコア層と前記第２のリング導波路のコア層と、
前記第３のバス導波路のコア層と前記第２のリング導波路のコア層と
がそれぞれ一体に形成されることを特徴とする請求項４に記載の波長化変レーザ光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変レーザ光源に関し、より詳細には、リング共振器を用いた波長可変レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、光通信の利用は爆発的な広がりを見せ、光通信における通信容量増加が求められている。光通信において、通信容量を増加するために、光変調方式において、従来の２値の振幅変移変調（ＡＳＫ）に代わって、４位相変移変調（ＱＰＳＫ）や直角位相振幅変調（ＱＡＭ）など、送信ビット数を増やした多値光変調信号への要求が高まっている。
【０００３】
光変調においては、レーザ光源から出射されるレーザ光のスペクトル線幅が高品質の信号を得る上で非常に重要であるが、多値光変調においてはスペクトル線幅の小さな半導体レーザが求められる。
【０００４】
また、通信容量を更に増加させるために、光変調方式を、従来の波長分割多重（ＷＤＭ）技術と共に用いることを考えると、光源となる半導体レーザの波長は、可変であることが望ましい。
【０００５】
さらに、通信容量増加により、インターネットトラフィックが爆発的に増加し、必要となる光トランシーバの数は増加の一途をたどっているため、各トランシーバの消費電力を可能な限り小さくする必要がある。
【０００６】
つまり、将来の多値光変調を用いた大容量光通信システムにおいては、出射するレーザ光のスペクトル線幅ができるだけ小さく、消費電力の小さな波長可変レーザが必要となる。
【０００７】
従来、長距離光通信用の波長可変光源としては、複数の半導体レーザをアレイ上に並べて、各レーザの出力を光合波器により束ねた、波長可変レーザアレイ（ＴＬＡ：Ｔｕｎａｂｌｅ  ｌａｓｅｒ  ａｒｒａｙ）が広く用いられてきた。ＴＬＡでは、アレイ上のひとつひとつのレーザを発振させ、各レーザ光に対して、温度調整により所望の波長を得て、光合波器により束ねるものである。しかし、複数の半導体レーザをアレイ上に配置し、また必要な電極の数も多いことからチップ面積が増大してしまい、さらに、温度調整により波長を変化させるものであるため、消費電力が非常に大きくなってしまうという問題点があった。
【０００８】
一方で、単一の構造で広い可変波長範囲を得ることのできる波長可変光源としては２重リング型波長可変光源がある。２重リング型波長可変光源では、縦列接続した、自由スペクトル領域（ＦＳＲ）の異なる２つのリング共振器と、レーザ活性層とをつなげることにより、入力側の光導波路から入力されたレーザ活性層から発生した光の中から、２つのリング共振器の共振ピークが一致する波長のレーザ光のみ出力される。このとき、それぞれのリング共振器に電流を注入して、キャリアプラズマ効果によりリング共振器の屈折率を変化させ、２つのリング共振器の間で一致する共振ピーク波長を変化させることで発振されるレーザ光の波長を可変する機能を実現する。このキャリアプラズマ効果による屈折率の変化は１０−２から１０−３程度のオーダーとなる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】S. Matsuo and T. Segawa, “Microring-resonator-based widely tunable lasers,” IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 15, pp.545-554, May/June 2009.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
２重リング型波長可変光源は、単一のデバイス構造において５０ｎｍという非常に広い範囲での波長可変が実現できる。しかし、一般に、電流注入による波長可変光源では、以下の問題点がある。まず、共振器に電流注入を行うと、光が吸収されるため波長チューニングの際にスペクトル線幅が増大することが知られている。次に、共振器に電流が流れることにより、素子が発熱し、変化させた波長が安定するまでに時間が掛かる（サーマルドリフト）ことから波長チューニング速度が遅い。さらに、電流を注入することで活性層が劣化して経時変化するため、発振波長、発振条件が変化し、デバイスの長期信頼性が確保しにくい。したがって、上記の問題点から、電流注入による波長可変光源は、将来の多値光変調を用いた大容量光通信システム用光源としては適さない。
【００１１】
電流注入による波長可変光源の上記の問題を避けるために、電流制御ではなく、逆バイアスに電圧を印加する電圧制御による光変調が有効である。電圧制御では電気光学効果により屈折率を変化させるが、電気光学効果で屈折率を変化させた場合には光の吸収を生じないため、スペクトル線幅の増大は生じ得ない。また、電圧を逆バイアスに印加した場合、共振器に流れる電流は非常に小さいため、素子の発熱が小さくサーマルドリフトの効果は電流制御に比べはるかに小さい。さらに、電流がほとんど流れないことから消費電力も小さく、活性層の劣化も電流制御に比べて小さい。
【００１２】
ただし、電気光学効果による屈折率変化は、キャリアプラズマ効果による屈折率変化に比べて一桁以上小さいため、波長チューニングに必要な屈折率変化を現実的な電圧で実現することが難しい。したがって、現実のシステムに対応可能な電圧制御の波長可変レーザは現状実現できていない。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、２重リング型波長可変光源に関して、そのリング共振器部に逆メサ方位に直線導波路を有するリング共振器を用いることで、電気光学効果と印加電圧に対する半導体の吸収スペクトル変化に伴う屈折率変化（フランツケルディッシュ効果、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ））を組み合わせ、電圧印可においても電流制御と同等の大きな屈折率変化を得る。
【００１４】
具体的には、本発明の波長化変レーザ光源の第１の態様は、第１のバス導波路と、前記第１のバス導波路と平行に形成された第２のバス導波路との間に形成された第１のリング導波路と、前記第２のバス導波路と、前記第２のバス導波路と平行に形成された第３のバス導波路との間に形成された第２のリング導波路とを備える半導体基板上に形成された２重リング共振器を含む波長化変レーザ光源であって、前記第１のリング導波路及び第２のリング導波路は、前記半導体基板水平方向において、前記第１のバス導波路、第２のバス導波路及び第３のバス導波路の光の導波方向と直角をなす導波路部分を有し、前記直角をなす導波路部分は逆バイアスの電圧が印加される波長化変アームであることを特徴とする。
【００１５】
本発明の波長化変レーザ光源の第２の態様は、前記２重リング共振器の前記第１のバス導波路及び前記第２のバス導波路と、前記第１のリング導波路との結合部と、前記第２のバス導波路及び前記第３のバス導波路と、前記第２のリング導波路との結合部は、方向性結合器により構成されることを特徴とする。
【００１６】
本発明の波長化変レーザ光源の第３の態様は、前記２重リング共振器の前記第１のリング導波路と、前記第２のリング導波路とは、自由スペクトル領域が異なることを特徴とする。
【００１７】
本発明の波長化変レーザ光源の第４の態様は、前記２重リング共振器の前記第１のバス導波路と、前記第２のバス導波路と、前記第３のバス導波路と、前記第１のリング導波路と、前記第２のリング導波路は、前記基板上のコア層と、前記コア層上に形成される上部クラッド層とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明の波長化変レーザ光源の第５の態様は、前記２重リング共振器の前記第１のバス導波路のコア層と前記第１のリング導波路のコア層と、前記第２のバス導波路のコア層と前記第１のリング導波路のコア層と、前記第２のバス導波路のコア層と前記第２のリング導波路のコア層と、前記第３のバス導波路のコア層と前記第２のリング導波路のコア層とがそれぞれ一体に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明を用いることにより、２重リング型波長可変光源の電圧制御が可能な低消費電力で、波長可変時にスペクトル線幅が増大しない波長可変レーザを構成することできる。コレにより、将来の光多値変調を用いた大容量光通信システム向けの低消費電力、狭線幅波長可変光源を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の１実施形態に係る２重リング共振器を用いた波長可変光源の構成を示す上面図である。
【図２】図１に記載のリング共振器のうちのひとつを示す上面図である。
【図３】従来構造のリング共振器の構成を示す上面図である。
【図４】図２に記載のリング共振器の断面図であり、図４（ａ）はリング導波路部、図４（ｂ）は半導体レーザ部の断面図である。
【図５】図２に記載のリング共振器の光カプラの断面図であり、図５（ａ）は光カプラをハイメサ導波路で作成した場合、図６（ｂ）は光カプラを擬リッジ構造カプラで作成した場合の断面図である。
【図６】本発明の１実施形態に係るＩｎＡｌＧａＡｓ量子井戸の屈折率変化の印加電界依存性を示す図表である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
半導体レーザは、ＩｎＰ基板などの化合物半導体基板上に、量子井戸構造の活性層を結晶成長させ、エッチングによるメサ加工、埋め込み再成長、電極形成プロセスを経ることにより作成する。メサ加工の際、結晶の面方位によって、加工の容易さ、埋め込み再成長の容易さから、［１００］基板を用いる場合（［１００］方向は基板の面に垂直な方向と定義）、［０１−１］方向（逆メサ方位）にメサが作られることが多い。基板平面状において逆メサ方位に直行する方位［０１１］は順メサ方位と呼ばれる。
【００２２】
図１は、本発明の１実施形態に係る２重リング共振器型波長可変光源の構造を示す上面図である。図１の２重リング共振器型波長可変光源１００は、逆メサ方位に形成されたレーザ活性層１１１と、レーザ活性層から出射されるレーザ光を導波する、逆メサ方位に形成された第１のバス導波路１２１と、第１のバス導波路１２１と方向性結合により結合するように形成された第１のリング導波路１２２と、第１のリング導波路１２２と方向性結合により結合するように形成された第２のバス導波路１２３と、第２のバス導波路１２３と方向性結合により結合するように形成された第２のリング導波路１３１と、第２のリング導波路１３１と方向性結合により結合するように形成された第３のバス導波路１３２とを基板１０１上に備える。
【００２３】
第１のバス導波路１２１と、第１のリング導波路１２２と、第２のバス導波路１２３とは、第１のリング共振器１２０を構成し、第２のバス導波路１２３と、第２のリング導波路１３１と、第３のバス導波路１３２とは、第２のリング共振器１３０を構成する。また、第１のリング共振器１２０と第２のリング共振器１３０とは、それぞれ自由スペクトル領域（ＦＳＲ）が異なっており、また、逆メサ方位と基板平面状に置いて直角をなす順メサ方位に直線導波路を有する。
【００２４】
図２は、図１に記載のリング共振器のうちのひとつのリング共振器の構成を示す上面図である。図２のリング共振器２００は、リング導波路２１０と、バス導波路２２０、２３０とから構成される。リング導波路２１０は、順メサ方位に形成された直線導波路部２１１、２１２と、逆メサ方位に形成された結合部２１３、２１４と、直線導波路部２１１、２１２と結合部２１３、２１４とをつなぐ曲がり導波路部２１５〜２１８とから構成される。
【００２５】
ここに、リング導波路２１０中の曲がり導波路部２１５〜２１８の曲げ半径をＲ、順メサ方位［０１１］の直線導波路部２１１、２１２の長さをＬｒｉｎｇ、結合部の長さをＬｃ、結合部導波路間隔（結合部２１３とバス導波路２２０との距離）をＤとする。
【００２６】
リング導波路中、順メサ方位の直線導波路部２１１及び２１２を、電圧を印加する波長可変用アームとする。本発明においては、リング共振器２１０中の波長可変用アームに電圧を逆バイアスに印加することで屈折率を変化させ、リング共振器の発振波長を変化させる。このとき、その屈折率変化は具体的に、電気光学効果、及び、印加電圧に対する半導体の吸収スペクトル変化に伴う屈折率変化（フランツケルディッシュ効果、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ））によって生じる。
【００２７】
ここで、波長化変用アームを順メサ方位（［０１１］）に作成した場合、逆バイアス電圧の印加に対して、電気光学効果とＱＣＳＥによる屈折率変化の符号が同じであるため、波長可変アームにおいて２つの物理効果を合わせた大きな屈折率変化を得ることができる。一方で、順メサ方位と直交する逆メサ方位（［０１−１］）に波長化変アームを作成した場合では、電気光学効果による屈折率の変化とＱＣＳＥによる屈折率の変化の方向が逆となってしまうため、お互いの効果による屈折率変化を打ち消してしまう。したがって、効率的な屈折率変化を得ることができない。
【００２８】
図３（ａ）及び（ｂ）は、従来のリング導波路の形状を示す図である。図３（ａ）に記載の従来のリング導波路は、完全に円形の導波路であり、直線導波路部分を有していない。したがって、順メサ方位に波長化変アームを作成することができず、大きな屈折率変化を得ることができない。
【００２９】
また、図３（ｂ）に記載の導波路は、直線導波路部分を有しているが、直線導波路の方向は、逆メサ方位である。したがって、先に述べた電気光学効果とＱＣＳＥによる屈折率変化の符号の違いから、効率的な屈折率変化を得ることはできない。
【００３０】
一方で、本発明の順メサ方位の直線導波路に波長化変アームを有するリング共振器においては、電気光学効果とＱＣＳＥとの屈折率変化を打ち消しあうことなく、電気光学効果とＱＣＳＥを合わせた大きな屈折率変化を得ることができる。
【００３１】
図４は、図１に記載の２重リング共振器型波長可変光源の導波路の構造を示す、導波方向と垂直の断面図で、図４（ａ）は、リング導波路部４０１、図４（ｂ）は半導体レーザ部４０２の構造を示す断面図である。
【００３２】
図４（ａ）のリング導波路４０１は、ｎ型の［１００］ＩｎＰ基板４１１と、ＩｎＰ基板４１１上に形成された厚さ０．３μｍのコア層４１２と、コア層４１２上に形成されたｐ型のＩｎＰ上部クラッド層４１３と、ＩｎＰ基板４１１上においてコア層４１２の両端に形成された有機物クラッド層４１４とから構成される。導波路構造はコア４１２の両端をＩｎＰ基板４１１に届くまでエッチングしたハイメサ構造としている。コア層４１２はＩｎＡｌＧａＡｓで作られた量子井戸構造であり、室温でのフォトルミネッセンスピーク波長がそれぞれ１．３９μｍ付近の光を発光するような組成となっている。図１に記載のバス導波路も同一の構造である。ただし、リング導波路及びバス導波路の結合部の構造は異なる。
【００３３】
図４（ｂ）の半導体レーザ４０２は、ｎ型の［１００］ＩｎＰ基板４１１と、ＩｎＰ基板４１１上に形成された厚さ０．３μｍの半導体レーザ活性層４１５と、コア層４１５上に形成されたｐ型のＩｎＰ上部クラッド層４１３と、コア層４１５上において上部クラッド層４１３の両端に形成された有機物クラッド層４１４とから構成される。半導体レーザ４１０は上部クラッド４１３のみをエッチングしたリッジ型導波路であり、半導体レーザ活性層４１５はＩｎＡｌＧａＡｓで作られた量子井戸構造であり、室温でのフォトルミネッセンスピーク波長が１．５５μｍ付近の光を発光するような組成となっている。
【００３４】
リング共振器を構成するためには、図２に示すように、バス導波路２０２及び２０３と、リング導波路２１０とを結合させる光カプラが必要となる。通常、この光カプラには、２つの光導波路を近接させることにより、光のパワーを分岐する光方向性結合器、又はマルチモード干渉導波路が用いられる。リング共振器の特性は、バス導波路からリング導波路に分岐する光の割合に応じて大きく変化するため、分岐比は可変であることが望ましく、そのためにはバス導波路とリング導波路との近接させる導波路の長さを変化させるだけで分岐比を変えることのできる、方向性結合器が望ましい。バス導波路からリング導波路にどの程度の光を分岐するかは、デバイス構造次第で変わるが、一般に鋭い共振特性を得たい場合には、バス導波路を伝播してくる光パワーの１０〜４０％程度をリング導波路に分岐する必要がある。一方で、マルチモード干渉導波路の場合、光の等分岐は比較的簡単に実現できるが、非対称分岐は一般に難しい。
【００３５】
図５は、図２に記載のリング共振器のリング導波路とバス導波路との結合部分を示す導波方向と垂直の方向の断面図である。まず、図５（ａ）にバス導波路５１０とリング導波路５２０の結合部をハイメサ導波路で形成した場合の断面図を示す。ハイメサ導波路はコア層５１１、５１２への光の閉じ込めが非常に強いため、導波路間隔Ｄ＝２．５μｍとしたとき、リング導波路５２０への分岐パワーが１０％となるようにするには導波路の結合長（図２のＬＣ）は３．５ｍｍ程度にしなければならない。しかし結合長が３．５ｍｍとなると、リング共振器の結合部分としては非常に長く現実的ではないといえる。そこで、本実施形態では、リング導波路５１０とバス導波路５２０との結合部分に、図５（ｂ）に示すような構造（擬リッジ構造）の導波路を用いる。擬リッジ構造では、バス導波路及びリング導波路を形成する際、上部クラッド層は導波路部分を残したままエッチングし、コア層を形成する際、バス導波路とリング導波路、及びバス導波路とリング導波路との間の部分のコア層（５１３）はエッチングせずに残して、２つの導波路を一体に形成する。２つの導波路が一体となるため、２つの導波路間での光の結合を強くすることで結合長を短くすることができる。導波路間隔Ｄ＝２．５μｍのとき、リング導波路へ分岐する光パワーを１０％となるようにするには、方向性結合器の結合長は４０μｍ程度となり、ハイメサ導波路を用いた場合の約１００分の１になる。また、結合長を変えることで他の分岐比の変更も容易となる。
【００３６】
次に、本実施形態に係る２重リング共振器型波長可変光源の製造方法を、再び図２及び図４を参照して説明する。まず、ｎ型のＩｎＰ基板４１１上に、半導体レーザ活性層４１５を成長させる。ウェットエッチングによって半導体レーザ活性層４１５の必要な部分以外をエッチングにより削り、コア層４１２をバットジョイント再成長し、さらに、コンタクト電極層を含む上部クラッド層４１３を成長させる。次に、半導体レーザ部４０２、および、リング導波路とバス導波路の間の結合部（図２の結合部２１３及び２１４の部分）に、図３（ｂ）に示すようなリッジ構造を形成する。そして、リング導波路４０２（図２の結合部２１３及び２１４の部分を除く）において、ドライエッチングによりＩｎＰ基板４１１まで図３（ａ）のようにエッチングをすることで、いわゆるハイメサ導波路構造を形成する。導波路メサの高さ（上部クラッドから下部クラッドまでの高さ）には任意性があるが、光が閉じ込められるように十分に深くエッチングする必要がある。導波路側壁を有機物、ここではベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）で埋め（有機クラッド層４１４）、半導体レーザ部４０２及び波長可変用アーム部（図２の直線導波路２１２、２１２）にｐ型の電極を形成する。ＩｎＰ基板４１１裏面（コアおよびクラッド層が形成されていない側の面）を研磨し、ｎ型の電極を形成したのち、バー状態にへき開し、半導体レーザ４０２側の端面（へき開面）に無反射コーティング、半導体レーザ４０２の反対側の端面（へき開面）に高反射コーティングを施し、チップ状態にへき開をして完成となる。無反射コーティングを実現する方法はいくつかあるが、本実施形態においては、ＴｉＯ２とＳＩＯ２の多層膜をへき開面に堆積する。高反射コーティングについては、ＳｉとＳＩＯ２の多層膜をへき開面に堆積する。
【００３７】
図６は、厚さ１０ｎｍのＩｎＡｌＧａＡｓ井戸、ＩｎＡｌＧａＡｓバリア量子井戸の屈折率変化の印加電界依存性の計算値を示す図表である。印加電界１００，２００ｋＶ/ｃｍに対して１０−３から１０−２オーダーの、キャリアプラズマ効果と同程度の屈折率変化が得られることがわかる。コア層厚３００ｎｍに対してこれらの印加電界は電圧に換算して３．６Ｖとなり、通常の光半導体デバイスで用いられている程度の電圧となる。この屈折率変化に加えて、電気光学効果による屈折率変化が足しあわされることになり、電圧制御においても、電流印加と同程度の屈折率変化を得ることができることがわかる。このとき、リング共振器部の、電界を印加していないときのコア層の吸収端波長はレーザ活性部の吸収端波長に比べ十分短波側になるため、光の吸収は小さく、電流はほとんど流れない。リング共振器部の、電界を印加していないときのコア層の吸収端波長をよりレーザ活性部のそれに近づけることで、より大きな屈折率変化を得ることができるが、同時に光吸収も増加する。波長可変光源として必要な性能に応じてコア層の吸収短波長を決定すればよい。
【００３８】
本発明によるリング共振器を用いた波長可変光源は、低印加電圧で大きな屈折率変化を得られることが可能なため、素子の低消費電力化に有用であり、電圧印加に伴って流れる電流が小さいため、発熱が小さく、波長のスイッチングスピードが速い。したがって、電流印加構造に比べて、層構造の劣化を防ぐことができる。また、電圧印加のため、波長可変操作時のスペクトル線幅の増大を抑えることが可能であり、将来の多値光変調を用いた大容量光通信システム用光源として有用である。
【００３９】
なお、本明細書における実施形態においては、コア層の材料をＩｎＰ基板上に成長したＩｎＧａＡｌＡｓとしたが、これが他の材料、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＮＡｓ等を使用しても同じ効果を得ることができる。また、基板をＩｎＰとしているが、ＧａＡｓ、サファイア基板、シリコン基板等、又は他の半導体基板を使用しても、同様な効果を得ることができる。さらに、基板はｎ型の基板の例を示しているが、これがｐ型でも絶縁性基板でも構わない。
【００４０】
また、本明細書では、素子が対象としている光の波長範囲が、１．５５μｍ付近の光の例のみを示しているが、他の波長帯、例えば、１．３μｍ付近の光に対しても同様の効果を得ることができる。
【００４１】
また、本明細書では、導波路の構造をハイメサ導波路構造としているが、いわゆるリッジ構造や埋め込み構造でも構わない。
【符号の説明】
【００４２】
１００  ２重リング共新規型波長光源
１１１  レーザ活性層
１２０、１３０  リング共振器
１２１、１２３、１３２、２０２、２０３、５１０  バス導波路
１２２、１３１、２１０、４０１、５２０  リング導波路
２１１、２１２  直線導波路部
２１３、２１４  結合部
２１６〜２１８  曲がり導波路部
４０２  半導体レーザ
４１１  ＩｎＰ基板
４１２、５１１、５２１  コア層
４１３  ＩｎＰ上部クラッド層
４１４  有機クラッド層
４１５  活性層
【図１】
2015109303.tif 000003
【図２】
2015109303.tif 000004
【図３】
2015109303.tif 000005
【図４】
2015109303.tif 000006
【図５】
2015109303.tif 000007
【図６】
2015109303.tif 000008