(57)【要約】【課題】  反応容器の外部に設置された回転駆動器から、サセプタの外周部に接するように設けられたサセプタ回転板を介して、複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタに回転駆動力を伝達するサセプタ回転機構を備えた気相成長装置であって、大きな基板を複数枚用いて１０００℃以上の加熱が必要なIII族窒化物半導体の気相成長を行なう場合であっても、サセプタの偏心を防止できる気相成長装置を提供する。【解決手段】  前述のような気相成長装置において、回転体及び該回転体を回転自在に保持する脚部からなるサセプタ回転制御具を、少なくとも基板の加熱時に該回転体がサセプタの外周部と接触するような位置に設けてなる構成とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器の外部に設置された回転駆動器から、サセプタの外周部に接するように設けられたサセプタ回転板を介して、複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタに回転駆動力を伝達するサセプタ回転機構を備えた気相成長装置であって、回転体及び該回転体を回転自在に保持する脚部からなるサセプタ回転制御具を、少なくとも基板の加熱時に該回転体がサセプタの外周部と接触するような位置に設けてなることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
サセプタ回転制御具の回転体が、基板の加熱を開始し１００℃〜８００℃のいずれかの温度に到達した時点で、サセプタの熱膨張によりサセプタの外周部と接触し回転を開始するように設定された請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
複数のサセプタ回転制御具の回転体及び１個のサセプタ回転板を、サセプタの外周部との各接触点が同心円上に等間隔となるように設けた請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項４】
サセプタ回転制御具の回転体が、歯車を有しない円盤状または円環状である請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項５】
サセプタ回転制御具の回転体が、ベアリングを介して脚部に保持された請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項６】
サセプタ回転制御具の回転体が、カーボン、窒化ホウ素、二硫化モリブデン、及び二硫化タングステンから選ばれる１種または２種以上の材質である請求項１に記載の気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置に関し、詳細には、４インチ基板、６インチ基板等大きな基板を複数枚用いた気相成長において、大型のサセプタを安定して回転させるための構成を備えた気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶膜を基板上に成長する方法には、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等があり、基板加熱を伴うＣＶＤ法は熱ＣＶＤ法等として知られている。近年、高温条件（例えば１０００℃以上）で基板を加熱して行なう気相成長が増加しており、青色若しくは紫外ＬＥＤまたは青色若しくは紫外レーザーダイオードを製作するためのIII族窒化物半導体の気相成長もその一つである。
例えば、III族窒化物半導体結晶膜の成長は、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、またはトリメチルアルミニウム等の有機金属ガスをIII族金属源として、アンモニアを窒素源として用い、１０００℃以上の高温に加熱されたシリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）または窒化ガリウム（ＧａＮ）等の基板上に結晶膜を気相成長する熱ＣＶＤ法により行なわれることがある。
【０００３】
このような気相成長においては、気相成長中に基板を自転させることにより、基板面内で均一な膜厚及び膜質の結晶膜を成長させることができる。また、気相成長中に基板を自公転させることにより、同一基板面内だけでなく各基板間においても均一な膜厚及び膜質を得ることができる。
例えば、特許文献１〜３に記載されている気相成長装置においては、図１に示すように、反応容器の外部に設置された回転駆動器１’から、反応容器の中央部に設けられた基板ホルダー回転板１１を介して、複数の基板ホルダー１０を回転させる基板回転機構と、反応容器の外部に設置された回転駆動器１から、サセプタの外周部に接して設けられたサセプタ回転板４を介して、複数の基板ホルダー１０を回転自在に保持するサセプタ２を回転させるサセプタ回転機構が、各々別々に独立した構成で備えられている。
【０００４】
ここで、基板ホルダー回転板１１とサセプタ２の鉛直方向の中心軸は一致することが必須であり、また装置内の反応炉の鉛直方向の中心軸とも実質的に一致するように設定される。特許文献１〜３の気相成長装置は、このような構成であるので、基板の自転と公転の比を自由に設定することができ、また基板の公転軸とサセプタの自転軸が一致し、通常は基板の自公転を回転不良等の不具合を起こすことなく、均一性な膜厚及び膜質を有する結晶膜を得ることが可能である。
【特許文献１】特開２０１２−２２７２３１号公報
【特許文献２】特開２０１３−４７３０号公報
【特許文献３】特開２０１３−１６５４９号公報
【特許文献４】特開２０１２−１６２７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
４インチ基板、６インチ基板等大きな基板を複数枚用いた気相成長を行なう場合、サセプタも大きく重くなり、特許文献４に記載されているような、サセプタを中央部の回転軸により回転させる構成の気相成長装置では、回転軸に大きな負荷がかかるという欠点があった。この点に関し、特許文献１〜３に記載されているようなサセプタ回転機構を有する気相成長装置では、外周に歯車を有するサセプタ回転板を介して、外周に歯車を有するサセプタを回転させる構成（図１）なので、前記のような欠点が解消された特長があった。
【０００６】
しかしながら、特許文献１〜３に記載された気相成長装置のサセプタは、中央部にサセプタの回転軸がなく、ベアリングを介して基台により下から回転自在に支持された構成であるので、高温度で気相成長を行なった場合、各部分の加熱温度の差、各部材の熱膨張率の相違等により、サセプタの中心が所定の中心軸から外れる（以下、「偏心」という）虞があった。この偏心が大きい場合は、ベアリングボールが飛出し、サセプタの回転、基板ホルダーの回転を阻害し、さらに部材の破損等が発生する虞があった。
従って、本発明が解決しようとする課題は、特許文献１〜３に記載されているようなサセプタ回転機構を有する気相成長装置であって、大きな基板を複数枚用いて１０００℃以上の加熱が必要なIII族窒化物半導体の気相成長を行なう場合であっても、サセプタの偏心を防止できる気相成長装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発明者らは、このような課題を解決すべく鋭意検討した結果、特許文献１〜３に記載されているような気相成長装置において、少なくとも基板の加熱時に熱膨張によって半径方向に膨張したサセプタの外周部と接触し、サセプタの回転軌道を制御できるような制御具を設けることにより、大型のサセプタを用いて高温度で気相成長を行なった場合であっても、サセプタの偏心を防止できることを見出し、本発明の気相成長装置に到達した。
【０００８】
すなわち本発明は、反応容器の外部に設置された回転駆動器から、サセプタの外周部に接するように設けられたサセプタ回転板を介して、複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタに回転駆動力を伝達するサセプタ回転機構を備えた気相成長装置であって、回転体及び該回転体を回転自在に保持する脚部からなるサセプタ回転制御具を、少なくとも基板の加熱時に該回転体がサセプタの外周部と接触するような位置に設けてなることを特徴とする気相成長装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の気相成長装置においては、少なくとも基板の加熱時に、サセプタ回転制御具の回転体が、加熱により膨張したサセプタの外周部と接触し、サセプタの回転軌道を制御するので、大型のサセプタを用いて高温度（１０００℃以上）でIII族窒化物半導体の気相成長を行なった場合、サセプタが気相成長温度に近い温度に上昇しても偏心を起こさず、基板の公転軸とサセプタの自転軸を一致させることができる。その結果、ベアリングボールの飛出し、サセプタ及び基板ホルダーの回転不良、部材の破損等を防止することが可能である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、反応容器の外部に設置された回転駆動器から、サセプタの外周部に接するように設けられたサセプタ回転板を介して、複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタに回転駆動力を伝達するサセプタ回転機構を備えた気相成長装置に適用される。以下、本発明を、図１〜図５に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されることはない。
尚、図１は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直面の構成図である。図２は、本発明の気相成長装置に使用されるサセプタ回転制御具の一例を示す垂直面の構成図である。図３は、サセプタの端部の一例を示す垂直面の構成図である。図４は、サセプタ回転制御具の設置位置の一例を示す水平面の構成図である。図５は、基板ホルダー回転板と基板ホルダーの設置位置の一例を示す水平面の構成図である。
【００１１】
本発明の気相成長装置は、図１に示すように、反応容器の外部に設置された回転駆動器１から、サセプタ２の外周部３に接するように設けられたサセプタ回転板４を介して、複数の基板ホルダー１０を回転自在に保持するサセプタ２に回転駆動力を伝達するサセプタ回転機構を備えた気相成長装置であって、図２に示すような、回転体６及び該回転体６を回転自在に保持する脚部７からなるサセプタ回転制御具８を、図３、図４に示すように、少なくとも基板の加熱時に該回転体６がサセプタの外周部３と接触するような位置に設けてなる気相成長装置である。
【００１２】
本発明において、サセプタ回転制御具８の回転体６は、気相成長時には高温になるため、カーボン、窒化ホウ素、二硫化モリブデン、及び二硫化タングステンから選ばれる１種または２種以上の材質であることが好ましい。しかし、回転体６は、サセプタの外周部よりも硬度の高いものでないことが好ましい。硬度が高いもの同士を使用すると、回転体６及びサセプタの外周部３が破損する虞がある。回転体６は、通常は歯車を有しない円盤状または円環状であり、直径５〜１００ｍｍ、厚さ２〜２０ｍｍである。
【００１３】
サセプタ回転制御具８の脚部７は、回転体６を回転自在に保持することができれば、形状、大きさ、材質、部材の個数等に制限されることはないが、通常は円柱状または円筒上のものを１個または複数個用いたものであり、回転体６のように高温にならないので、材質としてはステンレス鋼を使用することもできる。また、回転体を脚部に回転自在に保持する手段としては、例えばベアリングを用いることができる。この際、オイルやグリース等を使用すると、高温度に昇温したときに油分を含む気体が発生し、気相成長を阻害するだけでなく、発火等の虞があるのでこれらは使用しないことが好ましい。
【００１４】
サセプタ回転制御具８は、常温時において、回転体６がサセプタの外周部３と接触するような位置に設けてもよいが、加熱時において、サセプタ２の熱膨張により、サセプタ２から半径方向の外側に向かう反発力を受けるので、常温時にはサセプタの外周部４と接触しない位置とすることが好ましい。例えばサセプタ回転制御具８は、基板の加熱を開始し１００℃〜８００℃のいずれかの温度に到達した時点で、サセプタ２の熱膨張により回転体６がサセプタの外周部３と接触し、回転体６が回転を開始するように設定することが好ましい。８００℃を超える温度で互いに接触するように設定した場合は、サセプタの回転軌道を制御してサセプタの偏心を防止する効果が少なくなる。
【００１５】
また、サセプタ回転制御具８の平面上の位置としては、１個のサセプタ回転板４を含めて、複数の回転体６と外周部３との各接触点が、図４に示すように、同心円上に等間隔となるような位置に設けることが好ましい。サセプタ回転制御具８の設置個数は、通常は３〜８個である。また、回転体６の高さと厚みは、図３に示すように、サセプタの外周部３と同じ位置、同じ厚みとなるように設定することが好ましい。このような構成とすることにより、サセプタの回転軌道を円滑に制御することが可能である。尚、サセプタ回転制御具８の回転体６は、通常はサセプタの外周部３と接触するとサセプタと反対の向きに回転するような構成とされる。回転体の外周部は、通常は凹凸がないが、サセプタの外周部に設けられた歯車と噛合う凹凸を設けることもできる。
【００１６】
本発明の気相成長装置のサセプタ回転機構は、図１に示すように、反応容器の外部に設置された回転駆動器１から、サセプタの外周部３に接して設けられたサセプタ回転板４を介して、サセプタ２を回転させる構成となっている。サセプタの外周部３及びサセプタ回転板４の外周部には、図４に示すように、互いに噛合う歯車が設けられており、これによってサセプタ２には回転駆動器１からの回転駆動力が伝達される。また、図３に示すように、ベアリングボール２１は、サセプタ２と基台２２に挟まれた環状のベアリング溝からなる回転軌道を流通して回転し、サセプタ２を回転自在に保持している。
【００１７】
III族窒化物半導体の気相成長装置においては、サセプタ、基台等、高温の腐食性ガスと接触する部分には、カーボン、パイオロリティックグラファイト（ＰＧ）、グラッシカーボン（ＧＣ）等のカーボン系材料、あるいはカーボン系材料をセラミック系材料でコーティングしたものが多用されている。また、これらの材料に挟持されたベアリングボールの材料としては、摺動性と耐熱性の点から、アルミナ等のセラミックス系材料が多用されている。大きなサセプタを用いてこのような材料の使用条件で気相成長を行なう場合、これらの材料の熱膨張率の相違（通常はカーボン系材料の方がセラミックス系材料より熱膨張率が大きい）のため、ベアリング部が気相成長温度に近づくにつれてベアリング溝の間隙が大きくなり、サセプタが偏心を起こす１つの原因となる。本発明は、例えばこのようにして発生するサセプタの偏心を、外側からサセプタの回転軌道を制御することにより防止するものである。
【００１８】
本発明の気相成長装置は、前述以外の構成については、従来から用いられているものを使用することができる。例えば、図１に示すように、反応炉２０は、通常はサセプタ２とセプタの対面１７から形成され、気相成長反応は反応炉２０において行なわれる。図１の気相成長装置は、反応炉の中央部から原料ガスを供給し、周辺部から外部に排出する構成であるが、本発明は、このような気相成長装置に限定されることはなく、例えば反応炉の一端から原料ガスを供給し、反応後のガスを他の一端から外部に排出する気相成長装置に適用することもできる。
【００１９】
反応容器２３の内部には、結晶膜を気相成長させるための基板９、基板９を保持する基板ホルダー１０、複数の基板ホルダー１０に回転駆動力を伝達する基板ホルダー回転板１１、均熱板１３を介して基板９を加熱するヒータ１４、複数の基板ホルダー１０及び基板ホルダー回転板１１をベアリングにより回転自在に保持する円盤状またはリング状のサセプタ２、原料ガス導入部１５、反応ガス排出部１８等が備えられており、これらの部材は外形が円盤状の反応容器２３の中に収められて密閉されている。
【００２０】
サセプタ２により回転自在に保持された基板ホルダー１０は、基板ホルダー回転駆動器１’からの回転駆動力を受けて回転する。すなわち、基板ホルダー回転駆動器１’からの回転駆動力は、まず磁性流体シール等の手段により反応容器２３に対して回転自在に封止された基板ホルダー回転駆動軸１２に伝達される。基板ホルダー回転駆動軸１２は、基板ホルダー回転駆動軸１２を上下動できるように、蛇腹等を介して反応容器２３に設置されている。基板ホルダー回転駆動軸１２のツメ１９が基板ホルダー回転板１１の差込口に差し込まれることによって、サセプタ２により回転自在に保持された基板ホルダー回転板１１に回転駆動力が伝達される。そして、図５に示すように、基板ホルダー回転板１１の外周に設けられた歯車と各基板ホルダー１０の外周に設けられた歯車が噛み合わさることにより、各基板ホルダー１０に回転駆動力が伝達され、各基板９は自転する。
【００２１】
また、基板９は自転に加えて公転によって回転する。前述のように、基台２２により回転自在に保持されたサセプタ２は、サセプタ回転駆動器１からの回転駆動力を受けて回転する。すなわち、サセプタ回転駆動器１からの回転駆動力が、磁性流体シール等の手段により反応容器２３の密封性を損なわないように回転自在にシールされたサセプタ回転駆動軸５を介して、サセプタ回転駆動軸５のサセプタ側先端に固定されたサセプタ回転板４に伝達される。そして、サセプタ２の外周３、及びサセプタ回転板４の外周には歯車が設けられており、これらが噛み合わさることによりサセプタ回転駆動器１からの回転駆動力はサセプタ２に伝達されて、各基板９は公転する。
【００２２】
また、反応炉２０の中心部には原料ガス配管１６が設けられ、原料ガスは原料ガス導入部１５から放射状に吹き出し、基板９の結晶成長面に対して水平に供給される。気相成長反応は、反応炉２０において、ヒータ１４により均熱板１３を介して基板９を加熱しながら、原料ガス導入部１５から原料ガスを供給することにより行なわれ、基板９の結晶成長面には結晶膜が形成される。気相成長反応に用いられた原料ガスは、一部が反応に使用された後、反応ガス排出部１８から排出される。
【００２３】
気相成長中、基板９は、基板ホルダー１０及びサセプタ２の回転により常時自転及び公転することが好ましい。基板ホルダー１０及びサセプタ２の回転方向及び回転速度は、それぞれ、基板ホルダー回転駆動器１’及びサセプタ回転駆動器１の回転方向及び回転速度を変化させることにより、任意に設定することができる。各基板間において均一な膜厚及び膜質を得るために、各基板ホルダー１０は、原料ガス導入部１５を中心とする同一円周上に配置され、原料ガス導入部１５からの距離を等しくすることが好ましい。
【実施例】
【００２４】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
【００２５】
［実施例１］
（サセプタ回転制御具の製作）
図２に示すように、円板状の回転体及びこの回転体を回転自在に保持する脚部からなるサセプタ回転制御具を５個製作した。回転体は、外径８０．５ｍｍ、厚さ１０．０ｍｍのカーボン製の円板であり、脚部は、外径５３．０ｍｍ、高さ６７．０ｍｍのＳＵＳ製の円筒であった。また、回転体を回転自在に支持する手段として、直径５ｍｍのアルミナ製のベアリングボールを、カーボン製の軸軌道板で挟む構造を脚部の内部に取入れた。
【００２６】
（気相成長装置の製作）
図１に示すような気相成長装置を以下のように製作した。
基板ホルダー回転板（ＳｉＣコートカーボン製、直径２５５ｍｍ、厚さ８．５ｍｍ）を、ベアリングボール溝部にベアリングボール（アルミナ製、直径４ｍｍの球状）を収納したベアリング部を介して、基台（ＳｉＣコートカーボン製、直径２４０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）に回転自在に保持した。さらに、この基台を、環状のサセプタ（ＳｉＣコートカーボン製、外径７２０ｍｍ（歯車部を含む）、内径２１０ｍｍ、厚さ１１ｍｍ、基板ホルダー６個を保持可能）に保持した。また、６個の基板ホルダーを前記と同様にして、ベアリングを介して、サセプタに回転自在に保持した。
【００２７】
次に、前記の部材等を反応容器内に設置した。この際、サセプタの中心位置が、反応容器の中心位置と０．２ｍｍ以内となるように調整した後、この基板ホルダー回転板の中心位置と基板ホルダー回転駆動軸の中心位置が０．２ｍｍ以内となるように調整した。さらに、基板ホルダー回転駆動軸の中心位置とサセプタの中心位置が０．２ｍｍ以内となるように、ダイヤルゲージを用いて調整した。調整は、サセプタの一ヶ所にダイヤルゲージを固定し基準点として、サセプタを回転させながら該基準点と基板ホルダー回転駆動軸との距離を測定し、該基準点の移動による距離の変化が小さくなるようにすることにより行なった。（特願２０１３−１０７２５４参照）
【００２８】
次に、５個のサセプタ回転制御具を、図４に示すようなサセプタの外周側の位置に等間隔で設置した。また、接触時には、サセプタ回転制御具の回転体の外側垂直面が、図３に示すように効率よくサセプタ外側垂直面に接触するようにした。サセプタ回転制御具の回転体とサセプタの外周部（歯車の先端）の間隙はいずれも常温（２５℃）で２．０ｍｍとなるように設定した。この間隙は、各部材の熱膨張率から計算して、１２００℃に昇温したときに、回転体とサセプタの外周部が接触する値である。
その他、原料ガス導入部、サセプタの対面等を設置して、図１に示すような気相成長装置を完成した。
【００２９】
（気相成長実験）
このような気相成長装置を用いて、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長を行なった。まず、基板ホルダーに基板（直径６インチ、サファイア）を１枚ずつセットし、基板の自転（１０ｒｐｍ）及び公転（１ｒｐｍ）を開始した。尚、すべての成長が終了してから内部の温度が室温付近に下がるまで、基板の自転及び公転をこれらの速度で継続し、反応容器の中を大気圧に保った。その後、原料ガス導入部から水素を流しながら基板の温度を１０５０℃まで昇温させ、基板のアニール処理を行なった。
【００３０】
続いて、ヒータの温度を５１０℃まで下げて、原料ガスとしてトリメチルガリウムとアンモニア、キャリアガスとして水素を用いて、サファイア基板の上にＧａＮからなる膜厚２０ｎｍのバッファー層の成長を行ない、バッファー層成長後に、トリメチルガリウムのみ供給を停止し、ヒータの温度を１０５０℃まで上昇させた。その後、原料ガス導入部から、トリメチルガリウムとアンモニアのほかに、キャリアガスとして水素と窒素を供給して、アンドープＧａＮの成長を１時間行なった。
【００３１】
以上のようにＧａＮを成長させた後、ヒータの温度を下げて内部を室温付近まで冷却してから基板の自公転を停止した。基板の自転及び公転の開始から終了まで、基板ホルダー回転駆動器及びサセプタ回転駆動器は正常に作動した。その後、反応容器を解放し、基板を取り出したところ、基板の上にはＧａＮの形成が確認された。また、反応容器の中の各部材を目視で点検したところ、腐食、破損等の異常はなく、ベアリングボールの飛出しも確認されず、全てのベアリングボールがベアリング溝部材の上に保持されたままの状態であった。更に、サセプタ回転制御具の回転体とサセプタの外周部（歯車の先端）は２．０ｍｍの間隙を維持し、また、基板ホルダー回転板の中心位置と反応容器の中心位置、基板ホルダー回転板の中心位置と基板ホルダー回転駆動軸の中心位置を測定したところ、いずれも０．２ｍｍ以内であった。
【００３２】
［実施例２〜１０］
サセプタ回転制御具を設置した実施例１と同様の気相成長装置を用いて、実施例１と同様の気相成長実験を合計で９回行なった。その結果、いずれの気相成長実験も基板の上にはＧａＮの形成が確認された。また、いずれの気相成長実験も、腐食、破損等の異常はなく、ベアリングボールの飛出しも確認されず、全てのベアリングボールがベアリング溝部材の上に保持されたままの状態であった。更に、いずれの気相成長実験も、サセプタ回転制御具の回転体とサセプタの外周部（歯車の先端）の間隙、基板ホルダー回転板の中心位置と反応容器の中心位置、基板ホルダー回転板の中心位置と基板ホルダー回転駆動軸の中心位置は、気相成長実験終了後も所定の範囲以内であった。
【００３３】
［比較例１〜１０］
実施例１の気相成長装置の製作において、サセプタ回転制御具を設置しなかったほかは実施例１と同様にして気相成長装置を製作した。この気相成長装置を用いて、実施例１と同様の気相成長実験を合計で１０回行なった。その結果、１０回のうち９回は、実施例と同様にいずれの試験項目についても良好であった。しかし、１０回のうち１回は、アンドープＧａＮの成長中に、サセプタ回転駆動器の警報装置が異常を検出したため気相成長実験を中止した。反応容器内を室温付近まで冷却して解放し、各部材を目視で点検したところ、腐食、破損等の異常はなかったが、サセプタを回転自在に支持するためのベアリングボール１個の飛出しが発生していたことがわかった。
【００３４】
以上の実施例のように、本発明の気相成長装置は、大型のサセプタを用いて高温度でIII族窒化物半導体の気相成長を行なった場合であっても、サセプタが偏心を起こさず、ベアリングボールの飛出等を防止することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の気相成長装置は、例えば、青色、紫外の発光ダイオードまたはレーザーダイオード等の製造に用いられるIII族窒化物半導体の気相成長装置として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の気相成長装置の一例を示す垂直面の構成図
【図２】本発明の気相成長装置に使用されるサセプタ回転制御具の一例を示す垂直面の構成図
【図３】サセプタの端部の一例を示す垂直面の構成図
【図４】サセプタ回転制御具の設置位置の一例を示す水平面の構成図
【図５】基板ホルダー回転板と基板ホルダーの設置位置の一例を示す水平面の構成図
【符号の説明】
【００３７】
１  サセプタ回転駆動器
１’基板ホルダー回転駆動器
２  サセプタ
３  サセプタの外周部
４  サセプタ回転板
５  サセプタ回転駆動軸
６  回転制御具の回転体
７  回転制御具の脚部
８  回転制御具
９  基板
１０  基板ホルダー
１１  基板ホルダー回転板
１２  基板ホルダー回転駆動軸
１３  均熱板
１４  ヒータ
１５  原料ガス導入部
１６  原料ガス配管
１７  サセプタの対面
１８  反応ガス排出部
１９  ツメ
２０  反応炉
２１  ベアリングボール
２２  基台
２３  反応容器
２４  冷媒を流通する流路
２５  歯車部
【図１】
2015046430.tif 000003
【図２】
2015046430.tif 000004
【図３】
2015046430.tif 000005
【図４】
2015046430.tif 000006
【図５】
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