(57)【要約】      （修正有）【課題】耐硫化性に優れて抵抗値精度も高いチップ抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】集合基板１０を格子状に延びる一次分割溝１１と二次分割溝１２によって多数のチップ領域Ｓ１とサブ領域Ｓ２に区画し、チップ領域Ｓ１に、所定間隔を存して対向する一対の表電極３と、一対の表電極３に跨る抵抗体６と、抵抗体６を覆う第１絶縁層７等を形成する。抵抗体６と接続する表電極３は耐硫化性のあるＰｄ等を含有する比抵抗の高い電極材料からなり、この表電極３を一次分割溝１１を越えてチップ領域Ｓ１に隣接するサブ領域Ｓ２へ突出させて延出部分３ａとなすと共に、この延出部分３ａ上にＡｇを主成分とする比抵抗の低い補助電極１４を形成し、対をなす補助電極１４にプローブを接触させて抵抗体６の抵抗値を測定するようにした。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状の分割ラインによって区画された複数のチップ領域を有する集合基板を準備し、前記集合基板の前記チップ領域に、所定間隔を存して対向する一対の表電極を形成する工程と、これら一対の表電極に跨る抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体の上面を覆う絶縁性の保護層を形成する工程と、前記抵抗体と前記保護層の一部にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程とを備え、
前記表電極が銀を主成分として少なくともパラジウムを含む電極材料からなり、この表電極を前記分割ラインを越えて前記チップ領域の外方へ延出させると共に、この延出部分の前記表電極上に銀を主成分とする電極材料からなる補助電極を設け、
対をなす前記補助電極にプローブを接触させて前記抵抗体の抵抗値を測定することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面実装タイプのチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁性基板と、絶縁性基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁性基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う第１絶縁層および第２絶縁層等によって主に構成されている。
【０００３】
一般的に、このようなチップ抵抗器を製造する場合、大判の集合基板に対して多数個分の電極や抵抗体や絶縁層等を一括して形成した後、この集合基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りするようにしている。かかるチップ抵抗器の製造過程で、集合基板の片面には所定の配列で多数の抵抗体が印刷形成されるが、印刷時の位置ずれや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の大きさや膜厚に若干のばらつきを生じることは避け難いため、集合基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値に設定するという抵抗値調整作業が行われる。
【０００４】
この抵抗値調整作業では、抵抗体によって橋絡されている一対の表電極にプローブを接触させて抵抗値を測定しながら、該抵抗体にレーザー光を照射してトリミング溝を形成していく。そして、トリミング溝を長くするのに伴って抵抗値が増大していくので、トリミング対象の抵抗体の抵抗値が目標となる抵抗値に到達した時点で、レーザー光の照射を停止して抵抗値調整作業を終了する。
【０００５】
ここで、表電極に対するプローブの接触位置がばらつくと、プローブの接触位置から抵抗体に至る表電極の距離が変動するため、表電極の比抵抗は抵抗体の抵抗値精度に大きく影響することになり、比抵抗の低い銀を主成分とする銀系材料で表電極を形成した場合は、プローブの接触位置のばらつきに関わらず精度良く抵抗値測定を行うことができる。しかしながら、銀系材料からなる表電極は、硫化ガスが多く存在する環境下で使用されると、銀と硫化ガスが反応して硫化銀を生成し、導通不良や断線といった不具合を生じるという課題がある。
【０００６】
このような課題に対する対応策として、特許文献１には、表電極を耐硫化性のあるパラジウム等を含有する電極材料（例えばＡｇ−Ｐｄ−Ａｕ）に変更することにより、表電極の硫化の進行を抑制するようにしたチップ抵抗器が開示されている。また、特許文献２には、表電極を下面電極層と上面電極層の二層構造とし、下層の下面電極層を銀系材料で形成すると共に、上層の上面電極層をパラジウムを含有する銀系材料で形成することにより、下面電極層の硫化を上面電極層で抑制すようにしたチップ抵抗器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−３００６０７号公報
【特許文献２】特開２００２−６４００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に開示された従来例のように、耐硫化性のあるパラジウム等を含有する電極材料で表電極を形成した場合、表電極の比抵抗が高くなってしまうため、プローブと表電極の接触位置の変動に伴って抵抗体の測定値にばらつきが発生し、抵抗値測定を高精度に行うことが困難となる。また、特許文献２に開示された従来例のように、表電極をＡｇ系の下面電極層とＡｇ／Ｐｄ系の上面電極層で二層構造とした場合、下面電極層の銀系材料によって表電極の比抵抗は低くなるものの、電極材料の焼成時に下面電極層の銀が抵抗体の中に拡散してしまうため、ＴＣＲ特性の悪いチップ抵抗器になってしまうという問題がある。また、電極材料の焼成時に下面電極層の銀が抵抗体だけでなく上面電極層の中にも拡散してしまうため、上面電極層に耐硫化性のある高価なパラジウムをより多く使用する必要があり、それに伴って製品コストが上昇してしまうという問題もある。
【０００９】
本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐硫化性に優れて抵抗値精度も高いチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、格子状の分割ラインによって区画された複数のチップ領域を有する集合基板を準備し、前記集合基板の前記チップ領域に、所定間隔を存して対向する一対の表電極を形成する工程と、これら一対の表電極に跨る抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体の上面を覆う絶縁性の保護層を形成する工程と、前記抵抗体と前記保護層の一部にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程とを備え、前記表電極が銀を主成分として少なくともパラジウムを含む電極材料からなり、この表電極を前記分割ラインを越えて前記チップ領域の外方へ延出させると共に、この延出部分の前記表電極上に銀を主成分とする電極材料からなる補助電極を設け、対をなす前記補助電極にプローブを接触させて前記抵抗体の抵抗値を測定するようにした。
【００１１】
本発明によるチップ抵抗器の製造方法では、抵抗体と接続する表電極が耐硫化性のあるパラジウム等を含有する比抵抗の高い電極材料からなり、この表電極の分割ラインを越えてチップ領域の外方へ突出する延出部分に、銀を主成分とする比抵抗の低い補助電極が形成されているため、補助電極に対するプローブの接触位置がばらついたとしても、そのばらつきが抵抗値測定の精度に影響を及ぼすことはほとんどなく、安定した抵抗値測定を行うことができる。また、補助電極が形成された部分は製品となるチップ領域に存在せず、製品となる部分に形成されるのは耐硫化性に優れたパラジウム等を含有する表電極であるため、補助電極の銀が抵抗体の中に拡散してＴＣＲ特性を悪化させたり、補助電極の銀が表電極の中に拡散して硫化特性を悪化させる虞はなく、耐硫化性に優れたチップ抵抗器を提供することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるチップ抵抗器の製造方法では、抵抗体と接続する表電極が耐硫化性のあるパラジウム等を含有する電極材料からなり、この表電極の分割ラインを越えてチップ領域の外方へ突出する延出部分に、銀を主成分とする比抵抗の低い補助電極を形成して部分的に２層構造とし、この補助電極にプローブを接触させて抵抗体の抵抗値を測定するようにしたので、プローブの接触位置のばらつきに関わらず安定した抵抗値測定を行うことができると共に、ＴＣＲ特性や耐硫化特性が悪化することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。
【図２】該チップ抵抗器の製造過程で用いられる集合基板の平面図である。
【図３】図２の集合基板に表電極を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図４】図３の表電極に補助電極を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図５】該集合基板に抵抗体を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図６】図５の抵抗体にトリミング溝を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図７】該トリミング溝の形成時に使用されるプローブの接触状態を示す断面視の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明すると、図１に示すように、本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁性基板２と、絶縁性基板２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁性基板２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極４と、絶縁性基板２の側面に設けられて対応する表電極３と裏電極４を橋絡している一対の端面電極５と、絶縁性基板２の上面に設けられて長手方向の両側の表電極３どうしを橋絡している抵抗体６と、抵抗体６を被覆する第１絶縁層７と、第１絶縁層７を被覆する第２絶縁層８と、表電極３と裏電極４および端面電極５を被覆するメッキ層９とによって主に構成されている。
【００１５】
絶縁性基板２はセラミックス等からなり、この絶縁性基板２は後述する大判の集合基板（図２参照）を縦横の分割溝に沿って分割することにより個片化されたものである。
【００１６】
表電極３は、第２絶縁層８とメッキ層９の境界部分の真下に位置し、この境界部分から侵入する硫化ガスの影響を受けるため、Ａｇ（銀）を主成分として耐硫化性のあるＰｄ（パラジウム）を１５〜２５ｗｔ％、Ａｕ（金）を１〜２０ｗｔ％含む電極材料からなる。これに対して裏電極４は、実装側の電極で硫化ガスの影響を受けないため、ＰｄやＡｕを含まないＡｇ系の電極材料や、Ｐｄの含有量が少ないＡｇ−Ｐｄ系の電極材料からなる。
【００１７】
表電極３と端面電極５および裏電極４は略コ字状に連続する下地電極層として絶縁性基板２の長手方向の両端部に形成されており、この下地電極層にメッキ層９を被着させてチップ抵抗器１の電極部となしている。表電極３と裏電極４は集合基板に一括形成されたものであるが、端面電極５は集合基板を一次分割してなる短冊状基板の分割面に形成されたものである。なお、メッキ層９は、下地電極層に密着する最内層のＮｉメッキ層と、外表面に露出する最外層の半田メッキ層（Ｓｎ／Ｐｂメッキ層またはＳｎメッキ層）とを含む２層以上の積層構造になっている。
【００１８】
抵抗体６は酸化ルテニウム等からなり、詳細については後述するが、この抵抗体６と第１絶縁層７にトリミング溝を形成することによってチップ抵抗器１の抵抗値が調整されている。
【００１９】
第１絶縁層７と第２絶縁層８は２層構造の保護層を構成し、そのうち第１絶縁層７はトリミング溝を形成する前に抵抗体６を覆うアンダーコート層であり、第２絶縁層８はトリミング溝を形成した後の第１絶縁層７を覆うオーバーコート層である。
【００２０】
次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図２〜図７を参照しながら説明する。
【００２１】
まず、図２に示すように、縦横に格子状に延びる一次分割溝１１と二次分割溝１２が形成された集合基板１０を準備する。これら一次分割溝１１と二次分割溝１２により、集合基板１０の表裏両面は多数のチップ領域Ｓ１とサブ領域Ｓ２に区画される。各チップ領域Ｓ１は１個のチップ抵抗器１の平面形状（上面または下面）に相当し、各サブ領域Ｓ２は集合基板１０を一次分割溝１１に沿って一次分割した後に破棄される部分である。集合基板１０の表裏両面には、チップ領域Ｓ１とサブ領域Ｓ２が二次分割溝１２の延出方向に沿って交互に並んでおり、これらチップ領域Ｓ１とサブ領域Ｓ２の列が一次分割溝１１の延出方向に沿って多数並んだ配置となっている。
【００２２】
そして、この集合基板１０の表面で一次分割溝１１を横断する位置に電極ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図３に示すように、所定の大きさの電極パターン１３を形成する。この電極ペーストは、Ａｇ（銀）を主成分とし、Ｐｄ（パラジウム）が１５〜２５ｗｔ％、Ａｕ（金）が１〜２０ｗｔ％含まれ、残部がＡｇである金属成分からなるＡｇ−Ｐｄ−Ａｕペーストであり、このような電極ペーストを用いて形成された電極パターン１３のうち、チップ領域Ｓ１内に存する部分が表電極３に相当し、サブ領域Ｓ２内に存する部分は延出部分３ａとなっている。つまり、電極パターン１３を形成することによって、チップ領域Ｓ１の長手方向の両端部に表電極３が形成されると共に、この表電極３が一次分割溝１１を超えてサブ領域Ｓ２に突出して延出部分３ａとなっている。
【００２３】
図示省略されているが、かかる電極パターン１３の形成工程に前後して、集合基板１０の裏面に一次分割溝１１に跨がるように複数対の裏電極４を形成する。この裏電極４は実装側の電極であるため、Ａｇ系ペーストやＰｄの含有量が少ないＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して焼成することによって形成される。
【００２４】
次なる工程として、サブ領域Ｓ２内に存する延出部分３ａ上に、Ａｇ系ペーストやＰｄの含有量が少ないＡｇ−Ｐｄ系ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図４に示すように、電極パターン１３の延出部分３ａ上に比抵抗の低い補助電極１４を形成する。
【００２５】
次なる工程として、集合基板１０の表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗体ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図５に示すように、チップ領域Ｓ１内で長手方向の両端部を表電極３に重ね合わせた抵抗体６を一括形成する。この工程で、各チップ領域Ｓ１内で対をなす表電極３どうしは抵抗体６によって橋絡される。
【００２６】
次なる工程として、各抵抗体６を個別に覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図６に示すように、チップ領域Ｓ１内で抵抗体６を被覆する第１絶縁層７を一括形成する。
【００２７】
次なる工程として、各抵抗体６の抵抗値を調整するために、第１絶縁層７に覆われている多数の抵抗体６に対して、順次、レーザー光を照射してトリミング溝１５を形成する。その際、図７に示すように、チップ領域Ｓ１を挟んで対向する一対のサブ領域Ｓ２内の補助電極１４にプローブ１６をそれぞれ接触させ、これらプローブ１６を介してトリミング対象となる抵抗体６の抵抗値を測定する。
【００２８】
ここで、抵抗体６と接続する表電極３は耐硫化性のあるＰｄ等を含有する比抵抗の高い電極材料からなるが、この表電極３の一次分割溝１１を超えてサブ領域Ｓ２に突出する延出部分３ａ上に、Ａｇを主成分とする比抵抗の低い補助電極１４が形成されているため、補助電極１４に対するプローブ１６の接触位置がばらついたとしても、そのばらつきが抵抗値測定の精度に影響を及ぼすことはほとんどなく、安定した抵抗値測定を行うことができる。
【００２９】
図示省略されているが、次なる工程として、第１絶縁層７と抵抗体６およびトリミング溝１５等を覆うように、エポキシ系等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、一次分割溝１１の延出方向に沿って帯状に延びる第２絶縁層８を形成する。なお、前述した第１絶縁層７はレーザー光の熱で抵抗体６のトリミング溝１５近傍が損傷しないようにするためのものであり、この第２絶縁層８は抵抗体６を外部環境から保護するためのものである。
【００３０】
これまでの工程は集合基板１０に対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板１０を一次分割溝１１に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ領域Ｓ１の長手方向を幅寸法とする短冊状基板（図示せず）を得る。この工程で、電極パターン１３は一次分割溝１１で表電極３と延出部分３ａに分割されるため、短冊状基板には耐硫化性に優れた比抵抗の高い表電極３が残り、電極パターン１３の延出部分３ａや補助電極１４が残るサブ領域Ｓ２は捨て基板として破棄される。
【００３１】
そして、次なる工程で、短冊状基板の分割面にＮｉ／Ｃｒ等をスパッタリングすることにより、表電極３と裏電極４を橋絡する端面電極５を形成する。しかる後、短冊状基板を二次分割溝１２に沿って二次分割することにより、チップ抵抗器１と同等の大きさの個片（チップ単体）を得る。
【００３２】
最後に、各チップ単体の下地電極層（表電極３と裏電極４および端面電極５）に対して、Ｎｉメッキや半田メッキを施して下地電極層を被覆する積層構造のメッキ層９を形成することにより、図１に示すようなチップ抵抗器１が完成する。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器１の製造方法では、抵抗体６と接続する表電極３が耐硫化性のあるＰｄ（パラジウム）等を含有する比抵抗の高い電極材料からなり、この表電極３を一次分割溝１１を越えてチップ領域Ｓ１に隣接するサブ領域Ｓ２へ突出させて延出部分３ａとなすと共に、この延出部分３ａ上にＡｇ（銀）を主成分とする比抵抗の低い補助電極１４が形成されているため、補助電極１４に対するプローブ１６の接触位置がばらついたとしても、そのばらつきが抵抗値測定の精度に影響を及ぼすことはほとんどなく、安定した抵抗値測定を行うことができる。また、補助電極１４が形成された集合基板１０のサブ領域Ｓ２は製品とならずに破棄される部分であり、製品となるチップ領域Ｓ１に形成されるのは耐硫化性に優れたＰｄ等を含有する表電極３であるため、補助電極１４の銀が抵抗体６の中に拡散してＴＣＲ特性を悪化させたり、補助電極１４の銀が表電極３の中に拡散して硫化特性を悪化させる虞はなく、耐硫化性に優れたチップ抵抗器１を提供することができる。
【００３４】
なお、上記実施形態例では、予め集合基板１０に格子状の分割溝１１，１２を刻設して多数のチップ領域Ｓ１とサブ領域Ｓ２に区画しているが、仮想線として設定した格子状の分割ラインでこれらチップ領域Ｓ１とサブ領域Ｓ２を区画し、この分割ラインに沿って集合基板１０をダイシングやレーザー光等で切断するようにしても良い。
【符号の説明】
【００３５】
１  チップ抵抗器
２  絶縁性基板
３  表電極
３ａ  延出部分
４  裏電極
５  端面電極
６  抵抗体
７  第１絶縁層
８  第２絶縁層
９  メッキ層
１０  集合基板
１１  一次分割溝
１２  二次分割溝
１３  電極パターン
１４  補助電極
１５  トリミング溝
１６  プローブ
Ｓ１  チップ領域
Ｓ２  サブ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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