(57)【要約】【課題】製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示パネルは、一対の基板と、シール材５１と、液晶層３と、を備えている。一対の基板には、それぞれに光配向処理が施された配向膜２８、４３が形成されている。シール材５１は、一対の基板の何れか一方のシール材形成領域Ｒ３に設けられ、一対の基板同士を接合している。一対の基板のそれぞれに形成された配向膜２８、４３は、光分解型の配向膜材料を用いてシール材形成領域Ｒ３から外れた配向膜形成領域に形成されている。【選択図】図７
2015036721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれに光配向処理が施された配向膜が形成された一対の基板を用意し、
前記一対の基板の何れか一方のシール材形成領域にシール材を設け、
前記一対の基板同士を前記シール材により貼り合わせ、
前記一対の基板及びシール材で囲まれた空間に液晶層を形成し、
前記一対の基板のそれぞれを用意する際、
基板の配向膜材料塗布領域上に光分解型の配向膜材料を塗布し、前記基板上に前記配向膜材料からなる第１塗布膜を形成し、
前記第１塗布膜上全体にレジスト液を塗布し、前記第１塗布膜上に前記レジスト液からなる第２塗布膜を形成し、
前記第２塗布膜をパターニングし、前記第２塗布膜のうち前記配向膜材料塗布領域内のシール材形成領域と対向する部分を除去し、部分的に除去された前記第２塗布膜からなるレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１塗布膜にエッチングを施し、前記第１塗布膜のうち前記シール材形成領域と対向する部分を除去し、前記シール材形成領域から外れた前記配向膜材料塗布領域内の配向膜形成領域に、部分的に除去された前記第１塗布膜からなる前記配向膜を形成し、
前記配向膜上から前記レジストマスクを除去し、
前記レジストマスクを除去した後、前記配向膜に光配向処理を施す液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第１塗布膜にエッチングを施す際、前記第１塗布膜に光を照射する請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第１塗布膜に光を照射する際、前記第１塗布膜に散乱光を照射する請求項２に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記第１塗布膜にエッチングを施す際、前記第１塗布膜にドライエッチングを施す請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
それぞれに光配向処理が施された配向膜が形成された一対の基板と、
前記一対の基板の何れか一方のシール材形成領域に設けられ、前記一対の基板同士を接合したシール材と、
前記一対の基板及びシール材で囲まれた空間に形成された液晶層と、を備え、
前記一対の基板のそれぞれに形成された前記配向膜は、光分解型の配向膜材料を用いて前記シール材形成領域から外れた配向膜形成領域に形成されている液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示パネルとして液晶表示パネルが開発されている。液晶表示パネルは、軽量、薄型及び高精細という特徴を有している。一般に、液晶表示パネルは、アレイ基板と、このアレイ基板に所定の隙間を置いて対向配置された対向基板と、アレイ基板及び対向基板を接合したシール材と、アレイ基板、対向基板及びシール材で囲まれた領域に形成された液晶層とを有している。
【０００３】
アレイ基板及び対向基板は、それぞれ液晶層に接した配向膜を有している。配向膜にはラビングが施されている。これにより、配向膜は液晶分子の初期配向を制御することができる。
【０００４】
ところで、配向膜にラビングを施した場合、摩擦により発生する静電気により素子（ＴＦＴ）が破壊する問題や、ラビングにより塵が発生すること等による表示不良（液晶分子の配向乱れ）が生じる問題がある。このため、ラビングにより生じる問題を解決する目的で、ラビング無しで液晶分子の配向を制御するいわゆるラビングレス配向法が検討されている。
【０００５】
そこで、製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネルを得るためのラビングレス配向法として、光配向処理法が検討されている。光配向処理は、配向膜に直線偏光を照射することにより行うことができる。これにより、光配向処理が施された配向膜は、液晶分子の初期配向を制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２６８２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように光配向処理を利用することにより、ラビングを利用した場合に得ることのできない効果を得ることができる。しかしながら、光分解型の配向膜材料を利用して配向膜を形成し、その上にシール材を形成する場合、配向膜に光配向処理を施すと、シール材を介して接着されるアレイ基板及び対向基板の接着強度が低下してしまうことが発明者によって見出された。このため、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法が求められている。
【０００８】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施形態に係る液晶表示パネルの製造方法は、
それぞれに光配向処理が施された配向膜が形成された一対の基板を用意し、
前記一対の基板の何れか一方のシール材形成領域にシール材を設け、
前記一対の基板同士を前記シール材により接合し、
前記一対の基板及びシール材で囲まれた空間に液晶層を形成し、
前記一対の基板のそれぞれを用意する際、
基板の配向膜材料塗布領域上に光分解型の配向膜材料を塗布し、前記基板上に前記配向膜材料からなる第１塗布膜を形成し、
前記第１塗布膜上全体にレジスト液を塗布し、前記第１塗布膜上に前記レジスト液からなる第２塗布膜を形成し、
前記第２塗布膜をパターニングし、前記第２塗布膜のうち前記配向膜材料塗布領域内のシール材形成領域と対向する部分を除去し、部分的に除去された前記第２塗布膜からなるレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１塗布膜にエッチングを施し、前記第１塗布膜のうち前記シール材形成領域と対向する部分を除去し、前記シール材形成領域から外れた前記配向膜材料塗布領域内の配向膜形成領域に、部分的に除去された前記第１塗布膜からなる前記配向膜を形成し、
前記配向膜上から前記レジストマスクを除去し、
前記レジストマスクを除去した後、前記配向膜に光配向処理を施す。
【００１０】
また、一実施形態に係る液晶表示パネルは、
それぞれに光配向処理が施された配向膜が形成された一対の基板と、
前記一対の基板の何れか一方のシール材形成領域に設けられ、前記一対の基板同士を接合したシール材と、
前記一対の基板及びシール材で囲まれた空間に形成された液晶層と、を備え、
前記一対の基板のそれぞれに形成された前記配向膜は、光分解型の配向膜材料を用いて前記シール材形成領域から外れた配向膜形成領域に形成されている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、一実施形態に係る液晶表示パネルを示す斜視図である。
【図２】図２は、上記液晶表示パネルを示す概略断面図である。
【図３】図３は、上記液晶表示パネルを示す概略平面図である。
【図４】図４は、図１乃至図３に示したアレイ基板の一部を示す概略平面図である。
【図５】図５は、上記アレイ基板を示す拡大平面図であり、アレイ基板の配線構造を示す図である。
【図６】図６は、上記液晶表示パネルを示す拡大断面図であり、液晶表示パネルの構造を示す図である。
【図７】図７は、図３の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った上記液晶表示パネルの周縁部を概略的に示す拡大断面図である。
【図８】図８は、上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、マザーガラス上にアレイパターンを形成している状態を示す平面図である。
【図９】図９は、図８に続く上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、製造中のアレイ基板を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図９に続く上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、製造中のアレイ基板を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に続く上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、製造中のアレイ基板を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図１１に続く上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、製造中のアレイ基板を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１２に続く上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、製造中のアレイ基板を示す断面図である。
【図１４】図１４は、図１３に続く上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、製造中のアレイ基板を示す断面図である。
【図１５】図１５は、上記液晶表示パネルの製造工程において、マザーガラス上に対向パターンを形成した状態を示す平面図である。
【図１６】図１６は、上記液晶表示パネルの製造工程において、６枚のアレイ基板を形成したマザーガラスと６枚の対向基板を形成したマザーガラスとが、シール材を介して貼り合せられている状態を示す平面図である。
【図１７】図１７は、偏光ＵＶを照射する前の配向膜の分子鎖の状態を示す概略図である。
【図１８】図１８は、偏光ＵＶを照射した後の配向膜の分子鎖の状態を示す概略図である。
【図１９】図１９は、偏光ＵＶを照射した後の配向膜の分子鎖及び液晶分子の初期配向の状態を示す概略図である。
【図２０】図２０は、例１乃至例３の液晶表示パネルの接着強度を評価した結果を示す図であり、上記接着強度の平均値をグラフで示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
始めに、本発明の実施形態の着想について説明する。  
液晶表示パネルにおいて、液晶層の液晶分子を初期配向させるため、アレイ基板及び対向基板の配向膜に配向処理としての光配向処理を施す場合がある。配向膜は、シクロブタン環を有する光分解型の配向膜で形成されている場合がある。ここで、配向膜の大まかな分子構造を化１に示す。
【化１】
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【００１３】
光配向処理が施された光分解型の配向膜は、光によって配向膜を分解し、必要な方向の分子鎖だけを残し、液晶分子を初期配向させる方式である。光配向処理は、配向膜に直線偏光を照射することにより行われる。ここで、直線偏光としては、例えば紫外線の直線偏光（以下、偏光ＵＶと称する）を利用することができる。
【００１４】
光配向処理が施された光分解型の配向膜を形成する場合、まず、基板上に配向膜材料を塗布し、基板上に配向膜材料からなる塗布膜を形成する。これにより、塗布膜を配向膜として利用することができる。ここで、偏光ＵＶを照射する前の配向膜の分子鎖の状態を図１７に概略的に示す。なお、図１７において、矢印の方向は、照射予定の偏光ＵＶの偏光方向である。
【００１５】
次いで、配向膜に偏光ＵＶを照射する。ここで、偏光ＵＶを照射した後の配向膜の分子鎖の状態を図１８に概略的に示す。なお、図１８において、矢印の方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向である。図１８から分かるように、偏光ＵＶが照射されると、配向膜の分子鎖が選択的に分解され、偏光ＵＶの偏光方向と直交する方向の分子鎖が残ることになる。
【００１６】
これにより、光配向処理が施された光分解型の配向膜を形成することができる。そして、図１９から分かるように、液晶表示パネルを完成させた後、配向膜付近の液晶分子ＬＭは残った分子鎖に沿って初期配向する。すなわち、偏光ＵＶの偏光方向と直交する方向に、配向膜付近の液晶分子ＬＭを初期配向させることができる。なお、図１９において、矢印の方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向である。そして、ここでは、正の誘電率異方性を有する液晶材料（ポジ型の液晶材料）で液晶層を形成した場合を例に説明した。
【００１７】
上記のように光配向処理を利用することにより、ラビングを利用した場合に得ることのできない効果を得ることができる。すなわち、配向膜にラビングを施す必要が無いため、摩擦により発生する静電気により素子（ＴＦＴ）が破壊する問題を解消することができる。また、ラビングにより塵が発生すること等による表示不良（液晶分子ＬＭの配向乱れ）が生じる問題を解消することができる。上記のことから分かるように、光配向処理を利用することにより、製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を提供することが可能となる。
【００１８】
ところで、偏光ＵＶを照射した後の配向膜に関しては、以下のような課題があることが発明者によって見出された。すなわち、アレイ基板及び対向基板の配向膜上に形成されるシール材を介して接着されるアレイ基板及び対向基板の接着強度が低下してしまう（シール材がアレイ基板及び対向基板から剥がれ易くなる）と言う課題である。
【００１９】
ここで、アレイ基板及び対向基板の接着強度（剥がれ開始強度）を評価した結果を図２０に示す。例１は、配向膜にラビング用の配向膜を利用しラビング処理を施して形成された、いくつかの液晶表示パネルの接着強度のサンプルを示している。例２は、配向膜に光配向用の配向膜を利用し光配向処理を施さずに形成された、いくつかの液晶表示パネルの接着強度のサンプルを示している。例３は、配向膜に光配向用の配向膜を利用し光配向処理を施して形成された、いくつかの液晶表示パネルの接着強度のサンプルを示している。
【００２０】
図２０に示すように、例１乃至例３の液晶表示パネルの接着強度の平均値を算出したところ、例１では約２８［Ｎ］、例２では約２１［Ｎ］、例３では約６［Ｎ］であった。上記のことから分かるように、光配向用の配向膜を利用した場合はラビング用の配向膜を利用した場合より液晶表示パネルの接着強度が低くなる。さらに、光配向用の配向膜を利用した場合において、光配向処理を施した場合は、光配向処理を施さなかった場合より液晶表示パネルの接着強度が低くなる。上記の評価結果からも、光配向処理が施された配向膜を利用した液晶表示パネルの接着強度は、低いことが分かる。
【００２１】
そこで、光配向処理を利用する場合であっても、アレイ基板及び対向基板の接着強度を高くすることのできる技術を着想するに至ったものである。
【００２２】
そして、本発明の実施形態においては、光配向処理を利用する場合であっても上記課題を解決することのできる液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を提供するものである。すなわち、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を提供するものである。次に、本発明の実施形態の課題解決のため、上記着想を具体化する手段及び方法について説明する。
【００２３】
以下、図面を参照しながら一実施形態に係る液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法について詳細に説明する。始めに、液晶表示パネルの構成について説明する。この実施の形態において、液晶表示パネルは対向ＣＦ型であり、対向基板側にカラーフィルタが形成されている。
【００２４】
図１乃至図７に示すように、液晶表示パネルは、アレイ基板１と、アレイ基板に所定の隙間を置いて対向配置された対向基板２と、これら両基板間に挟持された液晶層３と、カラーフィルタ４とを備えている。アレイ基板１及び対向基板２の外面には、図示しない偏光板がそれぞれ配置されている。アレイ基板１の外面側には、図示しないバックライトユニットが配置される。液晶表示装置は、液晶表示パネル及びバックライトユニット等で形成されている。アレイ基板１及び対向基板２は矩形状の表示領域Ｒ１を有している。カラーフィルタ４は、対向基板２の表示領域Ｒ１に設けられている。
【００２５】
アレイ基板１は、透明な絶縁基板としてガラス基板１１を有している。表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１上には、行方向Ｘに延びているとともに行方向Ｘと直交した列方向Ｙに間隔を置いて並んだ複数の走査線１５と、複数の走査線１５と交差して列方向Ｙに延びているとともに行方向Ｘに間隔を置いて並んだ複数の信号線２１とが格子状に配置されている。
【００２６】
ガラス基板１１上には、補助容量素子２４を構成し、かつ、複数の信号線２１と交差して行方向Ｘに延びているとともに列方向Ｙに間隔を置いて並んだ複数の補助容量線１７が形成されている。補助容量線１７は走査線１５と平行に延びている。
【００２７】
ここで、アレイ基板１及び対向基板２は、複数の信号線２１及び複数の補助容量線１７で囲まれた領域に重なって設けられたマトリクス状の複数の画素２０を有している。すなわち、各画素２０は隣合う２本の信号線２１及び隣合う２本の補助容量線１７で囲まれた領域に重なって設けられている。アレイ基板１の画素２０にはスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１９がそれぞれ設けられている。より詳しくは、ＴＦＴ１９は、走査線１５と信号線２１との各交差部近傍に設けられている。
【００２８】
ＴＦＴ１９は、半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）又はポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体層１２と、走査線１５の一部を延出してなるゲート電極１６とを有している。
【００２９】
詳細に述べると、表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１上には、半導体層１２と、補助容量電極１３とが形成され、これら半導体層及び補助容量電極を含むガラス基板上にゲート絶縁膜１４が成膜されている。ゲート絶縁膜１４上に、走査線１５、ゲート電極１６及び補助容量線１７が配設されている。補助容量線１７及び補助容量電極１３はゲート絶縁膜１４を挟み、対向配置されている。走査線１５、ゲート電極１６及び補助容量線１７を含むゲート絶縁膜１４上には層間絶縁膜１８が成膜されている。
【００３０】
層間絶縁膜１８上には、信号線２１及びコンタクト電極２２が形成されている。各コンタクト電極２２は、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールを通って半導体層１２のドレイン領域及び後述する画素電極２６にそれぞれ接続されている。さらに、コンタクト電極２２は、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１８に形成された他のコンタクトホールを通って補助容量電極１３に接続されている。ここで、補助容量線１７は、補助容量電極１３とコンタクト電極２２との接続部を除いて形成されている。
【００３１】
信号線２１は、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールを通って半導体層１２のソース領域と接続されている。層間絶縁膜１８、信号線２１及びコンタクト電極２２に重ねて保護絶縁膜２３が形成されている。保護絶縁膜２３は、基板上の配線等から生じる凹凸を平坦化する平坦化膜としての役割も果たす。保護絶縁膜２３は、表示領域Ｒ１だけでなく、表示領域Ｒ１を囲む矩形枠状の額縁領域Ｒ２も覆っている。
【００３２】
保護絶縁膜２３上には、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）等の透明な導電膜により画素電極２６がそれぞれ形成されている。コンタクト電極２２に重なった保護絶縁膜２３には複数のコンタクトホール２５が形成されている。これらのコンタクトホール２５は、複数の画素２０に設けられている。
【００３３】
各画素電極２６は、コンタクトホール２５を通ってコンタクト電極２２に接続されている。各画素電極２６の周縁部は、補助容量線１７及び信号線２１に重なっている。画素電極２６は、画素２０をそれぞれ形成している。
【００３４】
上記のように、ガラス基板１１上にアレイパターン１ｐが形成されている。表示領域Ｒ１において、アレイパターン１ｐは、ガラス基板１１と画素電極２６との間に積層されたものである。
【００３５】
表示領域Ｒ１及び額縁領域Ｒ２において、アレイパターン１ｐ（画素電極２６、保護絶縁膜２３等）上には配向膜２８が形成されている。配向膜２８は、シール材形成領域Ｒ３から外れた配向膜形成領域内に形成されている。この実施形態において、配向膜２８は、矩形枠状のシール材形成領域Ｒ３を除いてガラス基板１１及びアレイパターン１ｐ上全体に形成されている。配向膜２８は、光分解型の配向膜材料を用いて形成されている。配向膜２８は、例えば光分解型のポリイミド樹脂で形成されている。配向膜２８には、光配向処理が施されている。
【００３６】
図１、図２、図３、図６及び図７に示すように、対向基板２は、透明な絶縁基板としてガラス基板４１を備えている。このガラス基板４１上には、カラーフィルタ４が設けられている。カラーフィルタ４は、遮光部３１と、周辺遮光部３２と、複数の着色層とを有している。複数の着色層は、例えば赤色の着色層３０Ｒ、緑色の着色層３０Ｇ、青色の着色層３０Ｂを有している。
【００３７】
遮光部３１は、格子状に形成されている。遮光部３１は、補助容量線１７及び信号線２１に対向して形成されている。周辺遮光部３２は、矩形枠状に形成され、額縁領域Ｒ２の全体に形成されている。周辺遮光部３２は、表示領域Ｒ１の外側から漏れる光（バックライト）の遮光に寄与している。
【００３８】
着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、ガラス基板４１及び遮光部３１上に形成されている。着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、列方向Ｙに沿って帯状に延在している。着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、行方向Ｘに互いに隣接し、交互に並べられている。着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの周縁部は、遮光部３１に重なっている。  
なお、カラーフィルタ４上には、図示しないオーバーコート層を配置してもよい。これにより、遮光部３１及びカラーフィルタ４の表面の凹凸の影響を緩和することができる。
【００３９】
カラーフィルタ４（オーバーコート層）上に、ＩＴＯ等の透明な導電膜により対向電極４２が形成されている。上記のように、ガラス基板４１上に対向パターン２ｐが形成されている。対向パターン２ｐは、カラーフィルタ４及び対向電極４２を有している。対向パターン２ｐは、オーバーコート層をさらに有していてもよい。
【００４０】
対向パターン２ｐ上には、複数のスペーサとしての複数の柱状スペーサ８０と、配向膜４３と、が形成されている。柱状スペーサ８０は、少なくとも表示領域Ｒ１に形成されている。柱状スペーサ８０の高さは、セルギャップに対応させることができ、例えば３乃至５μｍとすることができる。
【００４１】
表示領域Ｒ１及び額縁領域Ｒ２において、柱状スペーサ８０が形成された対向パターン２ｐ上には配向膜４３が形成されている。配向膜４３は、シール材形成領域Ｒ３から外れた配向膜形成領域内に形成されている。この実施形態において、配向膜４３は、矩形枠状のシール材形成領域Ｒ３を除いてガラス基板４１及び対向パターン２ｐ上全体に形成されている。配向膜４３は、光分解型の配向膜材料を用いて形成されている。配向膜４３は、例えば光分解型のポリイミド樹脂で形成されている。配向膜４３には、光配向処理が施されている。
【００４２】
図１乃至図３及び図７に示すように、アレイ基板１及び対向基板２は、複数の柱状スペーサ８０により所定の隙間を置いて対向配置されている。シール材５１は、額縁領域Ｒ２内のシール材形成領域Ｒ３に位置し、アレイ基板１及び対向基板２間に設けられ、矩形枠状に連続して形成されている。
【００４３】
アレイ基板１及び対向基板２は、シール材５１により互いに接合されている（貼り合わせられている）。シール材５１は、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂の２つの成分を含む樹脂を利用して形成することができる。シール材５１は、配向膜２８から外れたアレイパターン１ｐと、配向膜４３から外れた対向パターン２ｐとに接着されている。このため、シール材５１は、配向膜２８及び配向膜４３に接着される場合に比べて、アレイ基板１と対向基板２との接着強度を高くすることができる。
【００４４】
液晶層３は、アレイ基板１、対向基板２及びシール材５１で囲まれた空間に形成されている。  
上記のように液晶表示パネルが形成されている。
【００４５】
次に、上記液晶表示パネルの一層詳しい構成を、その製造方法と併せて説明する。  
図１乃至図７、及び図８に示すように、まず、透明な絶縁基板としてアレイ基板１よりも寸法の大きい第１マザー基板としてのマザーガラス１０１を用意する。この実施形態によれば、マザーガラス１０１は、アレイ基板１を形成するため６つの矩形状のアレイ基板形成領域Ｒ６と、アレイ基板形成領域Ｒ６から外れた非有効領域Ｒ７とを有している。マザーガラス１０１は、アレイ基板形成領域Ｒ６の周縁に重なった第１分断予定線ｅ１を有している。
【００４６】
用意したマザーガラス１０１上には、成膜およびパターニングを繰り返す等、通常の製造工程により、ＴＦＴ１９、補助容量素子２４、保護絶縁膜２３等を含むアレイパターン１ｐを形成する。
【００４７】
図９に示すように、次いで、マザーガラス１０１の配向膜材料塗布領域上に光分解型の配向膜材料を塗布し、マザーガラス１０１上に配向膜材料からなる第１塗布膜２８ａを形成する。例えば、アレイパターン１ｐが形成されたマザーガラス１０１上に、スピンコート法を用いて配向膜材料を塗布し、第１塗布膜２８ａを形成することができる。スピンコート法を利用する場合、配向膜材料塗布領域は、マザーガラス１０１上全体である。
【００４８】
なお、上記スピンコート法に替えてインクジェット工法を用いて配向膜材料を塗布することも可能である。インクジェット工法を利用する場合、配向膜材料塗布領域は、アレイ基板形成領域Ｒ６に限定してもよい。
【００４９】
図１０に示すように、続いて、第１塗布膜２８ａ上全体にレジスト液を塗布し、レジスト液を乾燥させる。これにより、第１塗布膜２８ａ上にレジスト液からなる第２塗布膜ＲＥが形成される。
【００５０】
図１１に示すように、その後、第２塗布膜ＲＥをパターニングする。ここでは、所定のフォトマスクＭを用い、第２塗布膜ＲＥにパターニングを露光する。これにより、第２塗布膜ＲＥのうち残したい個所が硬化する。ここで、露光に用いたフォトマスクＭは、シール材形成領域Ｒ３と対向したパターンＰＴを有している。
【００５１】
続いて、第２塗布膜ＲＥのうち配向膜材料塗布領域内のシール材形成領域Ｒ３と対向する部分を除去する。ここでは、露光された第２塗布膜ＲＥを現像した後、焼成し硬化させる。
【００５２】
図１２に示すように、これにより、第１塗布膜２８ａ上に、部分的に除去された第２塗布膜ＲＥからなるレジストマスクＲＥＭが形成される。  
次いで、レジストマスクＲＥＭを用いて第１塗布膜２８ａにエッチングを施し、第１塗布膜２８ａのうちシール材形成領域Ｒ３と対向する部分を除去する。この実施形態において、第１塗布膜２８ａにエッチングを施す際、第１塗布膜２８ａに散乱光（無偏光の光）を照射する。上記のように、光分解型の配向膜材料の特性を利用することにより、第１塗布膜２８ａを部分的に除去することができる。
【００５３】
上記のように第１塗布膜２８ａのエッチングを、第１塗布膜２８ａに光を照射することにより行うことができる。なお、光の照度、照射時間、照射回数及び照射方向を調整すれば、第１塗布膜２８ａに直線偏光を照射しても、第１塗布膜２８ａをエッチングすることができる場合があり得る。
【００５４】
また、本実施形態では、第１塗布膜２８ａに光を照射して第１塗布膜２８ａのエッチングを行っているが、これに限定されるものではなく種々変形可能である。例えば、第１塗布膜２８ａにドライエッチングを施すことで第１塗布膜２８ａのエッチングを行ってもよい。
【００５５】
図１３に示すように、これにより、シール材形成領域Ｒ３から外れた配向膜材料塗布領域内の配向膜形成領域に、部分的に除去された第１塗布膜２８ａからなる配向膜２８が形成される。
【００５６】
図１４に示すように、その後、配向膜２８上からレジストマスクＲＥＭを除去する。そして、レジストマスクＲＥＭを除去した後、配向膜２８に光配向処理（偏光ＵＶの照射）を施す。  
これにより、１枚のマザーガラス１０１にて６個のアレイ基板１が完成する。
【００５７】
図１、図２、図３、図６及び図７、並びに図１５に示すように、一方、対向基板２の製造方法においては、まず、透明な絶縁基板として対向基板２よりも寸法の大きい第２マザー基板としてのマザーガラス１０２を用意する。この実施形態によれば、マザーガラス１０２は、対向基板２を形成するため６つの矩形状の対向基板形成領域Ｒ８と、対向基板形成領域Ｒ８から外れた非有効領域Ｒ９とを有している。マザーガラス１０２は、対向基板形成領域Ｒ８の周縁に重なった第２分断予定線ｅ２を有している。
【００５８】
用意したマザーガラス１０２上には、通常の製造工程により、対向パターン２ｐを形成する。次いで、スピンナを用い、例えば感光性アクリル性の透明樹脂をマザーガラス１０２上全面に塗布する。続いて、透明樹脂を乾燥させる。その後、所定のフォトマスクを用い、透明樹脂にパターニングを露光する。次に、露光された透明樹脂を現像した後、焼成し硬化させる。これにより、柱状スペーサ８０が形成される。
【００５９】
その後、対向パターン２ｐが形成されたマザーガラス１０２上に光配向処理が施された配向膜４３を形成する。配向膜４３を形成する際、配向膜２８を形成する手法と同様の手法を用いて形成することができる。  
これにより、１枚のマザーガラス１０２にて６個の対向基板２が完成する。
【００６０】
次いで、図７及び図１５に示すように、マザーガラス１０１及びマザーガラス１０２の何れか一方のシール材形成領域Ｒ３にシール材５１を設ける。ここでは、アレイ基板１のシール材形成領域Ｒ３に全周に亘って、シール材５１を印刷法により塗布する。シール材５１には、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂と熱硬化型のエポキシ樹脂の２つの成分が含まれている。これにより、枠状にシール材５１が形成される。
【００６１】
その後、シール材５１で囲まれた領域に液晶材料を滴下する。続いて、配向膜２８及び配向膜４３が対向するよう、マザーガラス１０１及びマザーガラス１０２を対向配置し、アレイ基板１及び対向基板２を複数の柱状スペーサ８０により所定の隙間を保持して対向配置し、アレイ基板１及び対向基板２の周縁部同士をシール材５１により貼り合せる。また、マザーガラス１０１及びマザーガラス１０２を貼り合わせることにより、マザーガラス１０１、マザーガラス１０２及びシール材５１で囲まれた空間に液晶層３を形成することができる。
【００６２】
次いで、外部よりシール材５１に紫外線を照射してシール材５１を硬化させ（仮止めし）、さらに熱硬化処理を施し、本硬化させる。これにより、シール材５１を介してマザーガラス１０１及びマザーガラス１０２が接合される。
【００６３】
続いて、マザーガラス１０１を第１分断予定線ｅ１に沿って分割するとともに、マザーガラス１０２を第２分断予定線ｅ２に沿って分割する。分割する際、例えば、第１分断予定線ｅ１及び第２分断予定線ｅ２に沿ってスクライブラインを引いて分割する。これにより、マザーガラス１０１からアレイ基板１が、マザーガラス１０２から対向基板２がそれぞれ切出される。  
これにより、図３に示すように、分断されたマザーガラス１０１及びマザーガラス１０２から、液晶表示パネルが６組取出される。そして、６つの液晶表示パネルがそれぞれ完成する。
【００６４】
上記のように構成された一実施形態に係る液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法によれば、液晶表示パネルは、一対の基板（アレイ基板１及び対向基板２）と、シール材５１と、液晶層３と、を備えている。一対の基板には、それぞれに光配向処理が施された配向膜２８、４３が形成されている。シール材５１は、一対の基板の何れか一方のシール材形成領域Ｒ３に設けられ、一対の基板同士を接合している。液晶層３は、一対の基板及びシール材５１で囲まれた空間に形成されている。配向膜２８、４３は、それぞれ光分解型の配向膜材料を用いてシール材形成領域Ｒ３から外れた配向膜形成領域に形成されている。
【００６５】
液晶表示パネルを製造する際、まず、それぞれに光配向処理が施された配向膜２８、４３が形成された一対の基板を用意する。続いて、一対の基板の何れか一方のシール材形成領域Ｒ３にシール材５１を設ける。その後、一対の基板同士をシール材５１により貼り合わせ、一対の基板及びシール材５１で囲まれた空間に液晶層３を形成する。
【００６６】
光配向処理が施された配向膜２８が形成された基板（アレイ基板１）を用意する際、まず、基板（マザーガラス１０１）の配向膜材料塗布領域上に光分解型の配向膜材料を塗布し、基板上に配向膜材料からなる第１塗布膜２８ａを形成する。次いで、第１塗布膜２８ａ上全体にレジスト液を塗布し、第１塗布膜２８ａ上に上記レジスト液からなる第２塗布膜ＲＥを形成する。
【００６７】
次いで、第２塗布膜ＲＥをパターニングし、第２塗布膜ＲＥのうち配向膜材料塗布領域内のシール材形成領域Ｒ３と対向する部分を除去しる。これにより、部分的に除去された第２塗布膜ＲＥからなるレジストマスクＲＥＭが形成される。
【００６８】
その後、レジストマスクＲＥＭを用いて第１塗布膜２８ａにエッチングを施し、第１塗布膜２８ａのうちシール材形成領域Ｒ３と対向する部分を除去する。これにより、シール材形成領域Ｒ３から外れた配向膜材料塗布領域内の配向膜形成領域に、部分的に除去された第１塗布膜２８ａからなる配向膜２８が形成される。
【００６９】
続いて、配向膜２８上からレジストマスクＲＥＭを除去する。そして、レジストマスクＲＥＭを除去した後、配向膜２８に光配向処理を施す。これにより、光配向処理が施された配向膜２８が形成されたアレイ基板１（マザーガラス１０１）を用意することができる。そして、同様の手法により、光配向処理が施された配向膜４３が形成された対向基板２（マザーガラス１０２）を用意することができる。
【００７０】
上記のように、配向膜２８、４３への配向処理に光配向処理を利用することができるため、ラビング処理を利用した場合に得ることのできない次の効果を得ることができる。
【００７１】
製造歩留まりの高い液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。配向膜２８、４３にラビング処理を施す必要が無いため、摩擦により発生する静電気により素子（ＴＦＴ１９等）が破壊する問題を解消することができるためである。
【００７２】
表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。ラビング処理により塵が発生すること等による表示不良（液晶分子ＬＭの配向乱れ）が生じる問題を解消することができるためである。
【００７３】
また、上述したように、配向膜２８、４３は、光分解型の配向膜材料を用いて形成されている。但し、配向膜２８、４３は、シール材形成領域Ｒ３から外れた配向膜形成領域に形成されている。シール材５１を、配向膜２８から外れたアレイパターン１ｐと、配向膜４３から外れた対向パターン２ｐとに接着させることができるため、アレイ基板１及び対向基板２の接着強度を高くすることができる。このため、本実施形態は、さらに、製品歩留まりの高い液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。また、上記接着強度を高くすることができるため、製造歩留まりをより高くすることができる。
【００７４】
上記のことから、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。
【００７５】
本発明の実施形態を説明したが、上記の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００７６】
例えば、シール材５１の側縁部は、シール材形成領域Ｒ３からはみ出ていてもよい。すなわち、シール材５１の側縁部は、配向膜２８、４３に重なっていてもよい。この場合も、配向膜２８、４３のバルクで破壊が発生することを防止することができる。
【００７７】
インクジェット工法を用いて配向膜材料を塗布する場合であっても、表示領域Ｒ１内にのみ第１塗布膜２８ａを形成することはできないため、上記実施形態のように第１塗布膜２８ａのうちシール材形成領域Ｒ３と対向する部分を除去する手法を利用することが有効である。インクジェット工法を用いて配向膜材料を塗布する場合、配向膜の周縁の直線性を確保することができない問題や、配向膜のハロー領域の影響が生じる問題があるためである。ここで、ハロー領域とは、配向膜の周縁部の膜厚が不均一になる領域を言う。
【００７８】
上述した実施形態の技術は、上記液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法に限定されるものではなく、各種の液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法に適用可能である。液晶注入法は、滴下注入法の利用に限定されるものではなく、真空注入法を利用することも可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、１１，４１…ガラス基板、２８，４３…配向膜、２８ａ…第１塗布膜、５１…シール材、１０１…マザーガラス、１０２…マザーガラス、ＲＥ…第２塗布膜、Ｍ…フォトマスク、ＲＥＭ…レジストマスク、Ｒ１…表示領域、Ｒ２…額縁領域、Ｒ３…シール材形成領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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