(57)【要約】【課題】感度ムラの発生を抑制する。【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素を有する画素アレイ部と、画素毎に複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズと、レンズ層の層間に、膜厚が均一に形成され、レンズ層の屈折率より低い屈折率を有する酸化膜とを備える。本技術は、表面照射型または裏面照射型のCMOSイメージセンサ等の増幅型固体撮像装置やCCDイメージセンサ等の電荷転送型の固体撮像装置に適用することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する画素アレイ部と、
前記画素毎に複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズと、
前記レンズ層の層間に、膜厚が均一に形成された膜と
を備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記膜は、酸化膜である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記膜は、前記レンズ層の屈折率より低い屈折率を有する
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記レンズ層は、無機材料からなる
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記レンズ層は、SiNで形成される
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
複数の前記レンズ層のうち、下層にある第１のレンズ層は、SiNで形成され、上層にある第２のレンズ層は、SiONで形成される
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
複数の前記レンズ層のうち、下層にある第１のレンズ層は、無機材料からなり、上層にある第２のレンズ層は、有機材料からなる
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
複数の画素を有する画素アレイ部を備える固体撮像装置の製造方法において、
前記画素毎に複数のレンズ層を積層してマイクロレンズを形成し、
前記レンズ層の層間に、膜厚が均一な膜を形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
複数の画素を有する画素アレイ部と、
前記画素毎に複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズと、
前記レンズ層の層間に、膜厚が均一に形成された膜とを備える固体撮像装置
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、感度ムラの発生を抑制することができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像装置において、各画素のマイクロレンズの曲率や屈折率の最適化を図るために、複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−７７７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されているような固体撮像装置においては、マイクロレンズ形成のプロセスによって、レンズ層の層間に酸化膜が形成される場合がある。この酸化膜は、レンズ層の層間で一様に形成されるわけではなく、箇所によって、形成されたり、形成されなかったりする。このため、画素全体で、感度ムラが発生するおそれがあった。
【０００５】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、感度ムラの発生を抑制することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術の一側面の固体撮像装置は、複数の画素を有する画素アレイ部と、前記画素毎に複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズと、前記レンズ層の層間に、膜厚が均一に形成された膜とを備える。
【０００７】
前記膜は、酸化膜であるようにすることができる。
【０００８】
前記膜は、前記レンズ層の屈折率より低い屈折率を有するようにすることができる。
【０００９】
前記レンズ層は、無機材料からなるようにすることができる。
【００１０】
前記レンズ層は、SiNで形成されるようにすることができる。
【００１１】
複数の前記レンズ層のうち、下層にある第１のレンズ層は、SiNで形成され、上層にある第２のレンズ層は、SiONで形成されるようにすることができる。
【００１２】
複数の前記レンズ層のうち、下層にある第１のレンズ層は、無機材料からなり、上層にある第２のレンズ層は、有機材料からなるようにすることができる。
【００１３】
本技術の一側面の固体撮像装置の製造方法は、複数の画素を有する画素アレイ部を備える固体撮像装置の製造方法であって、前記画素毎に複数のレンズ層を積層してマイクロレンズを形成し、前記レンズ層の層間に、膜厚が均一な膜を形成するステップを含む。
【００１４】
本技術の一側面の電子機器は、複数の画素を有する画素アレイ部と、前記画素毎に複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズと、前記レンズ層の層間に、膜厚が均一に形成された膜とを備える固体撮像装置を備える。
【００１５】
本技術の一側面においては、画素毎に複数のレンズ層が積層されてマイクロレンズが形成され、レンズ層の層間に、膜厚が均一な膜が形成される。
【発明の効果】
【００１６】
本技術の一側面によれば、感度ムラの発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】従来の固体撮像装置において形成される酸化膜について説明する図である。
【図３】従来の固体撮像装置における集光ポイントについて説明する図である。
【図４】本技術の第１の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【図５】本技術の固体撮像装置における集光ポイントについて説明する図である。
【図６】画素形成処理について説明するフローチャートである。
【図７】画素形成の工程を説明する図である。
【図８】画素形成の工程を説明する図である。
【図９】本技術の第２の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【図１０】本技術の第３の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【図１１】本技術の第４の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【図１２】本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本技術の実施の形態について図を参照して説明する。
【００１９】
＜固体撮像装置の構成例＞
図１は、本技術が適用される固体撮像装置の一実施の形態を示すブロック図である。以下においては、増幅型固体撮像装置の１つである、表面照射型のCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサの構成について説明する。なお、本技術は、表面照射型のCMOSイメージセンサへの適用に限られるものではなく、裏面照射型のCMOSイメージセンサや他の増幅型固体撮像装置、CCD（Charge Coupled Device）イメージセンサ等の電荷転送型の固体撮像装置にも適用可能である。
【００２０】
図１に示されるCMOSイメージセンサ１０は、図示せぬ半導体基板上に形成された画素アレイ部１１と、画素アレイ部１１と同じ半導体基板上に集積された周辺回路部とを有する構成となっている。周辺回路部は、例えば、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、水平駆動部１４、およびシステム制御部１５から構成されている。
【００２１】
さらに、CMOSイメージセンサ１０は、信号処理部１８およびデータ格納部１９を備えている。
【００２２】
画素アレイ部１１は、受光した光量に応じた光電荷を生成し、蓄積する光電変換部を有する単位画素（以下、単に画素ともいう）を複数有する。具体的には、画素アレイ部１１は、画素が行方向および列方向に、すなわち、行列状に２次元配置された構成を採る。ここで、行方向とは画素行の画素の配列方向（水平方向）を表し、列方向とは画素列の画素の配列方向（垂直方向）を表している。
【００２３】
画素アレイ部１１においては、行列状の画素配列に対して、画素行毎に画素駆動線１６が行方向に沿って配線され、画素列毎に垂直信号線１７が列方向に沿って配線されている。画素駆動線１６は、画素から信号を読み出す際の駆動を行うための駆動信号を伝送する。図１では、画素駆動線１６は１本の配線として示されているが、１本に限られるものではない。画素駆動線１６の一端は、垂直駆動部１２の各行に対応した出力端に接続されている。
【００２４】
垂直駆動部１２は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素アレイ部１１の各画素を全画素同時または行単位等で駆動する。すなわち、垂直駆動部１２は、垂直駆動部１２を制御するシステム制御部１５とともに、画素アレイ部１１の各画素を駆動する駆動部を構成している。垂直駆動部１２は、その具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の２つの走査系を有する構成となっている。
【００２５】
読出し走査系は、単位画素から信号を読み出すために、画素アレイ部１１の単位画素を行単位で順に選択走査する。単位画素から読み出される信号はアナログ信号である。掃出し走査系は、読出し走査系によって読出し走査が行われる読出し行に対して、その読出し走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して掃出し走査を行う。
【００２６】
この掃出し走査系による掃出し走査により、読出し行の単位画素の光電変換部から不要な電荷が掃出されることによって光電変換部がリセットされる。そして、この掃出し走査系による不要電荷の掃出す（リセットする）ことにより、電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換部の光電荷を捨てて、新たに露光を開始する（光電荷の蓄積を開始する）動作のことをいう。
【００２７】
読出し走査系による読出し動作によって読み出される信号は、その直前の読出し動作または電子シャッタ動作以降に受光した光量に対応するものである。そして、直前の読出し動作による読出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃出しタイミングから、今回の読出し動作による読出しタイミングまでの期間が、単位画素における光電荷の露光期間となる。
【００２８】
垂直駆動部１２によって選択走査された画素行の各単位画素から出力される信号は、画素列毎に垂直信号線１７の各々を通してカラム処理部１３に入力される。カラム処理部１３は、画素アレイ部１１の画素列毎に、選択行の各画素から垂直信号線１７を通して出力される信号に対して所定の信号処理を行うとともに、信号処理後の画素信号を一時的に保持する。
【００２９】
具体的には、カラム処理部１３は、信号処理として、少なくともノイズ除去処理、例えばCDS（Correlated Double Sampling）処理を行う。カラム処理部１３によるCDS処理により、リセットノイズや画素内の増幅トランジスタの閾値ばらつき等の、画素固有の固定パターンノイズが除去される。カラム処理部１３には、ノイズ除去処理以外に、例えば、AD（Analog-Digital）変換機能を持たせ、アナログの画素信号をデジタル信号に変換して出力させることも可能である。
【００３０】
水平駆動部１４は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、カラム処理部１３の画素列に対応する単位回路を順番に選択する。水平駆動部１４による選択走査により、カラム処理部１３において単位回路毎に信号処理された画素信号が順番に出力される。
【００３１】
システム制御部１５は、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ等によって構成され、そのタイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、および水平駆動部１４等の駆動制御を行う。
【００３２】
信号処理部１８は、少なくとも演算処理機能を有し、カラム処理部１３から出力される画素信号に対して演算処理等の種々の信号処理を行う。データ格納部１９は、信号処理部１８での信号処理に必要なデータを一時的に格納する。
【００３３】
なお、信号処理部１８およびデータ格納部１９は、CMOSイメージセンサ１０と同じ基板（半導体基板）上に搭載されても構わないし、CMOSイメージセンサ１０とは別の基板上に配置されるようにしても構わない。また、信号処理部１８およびデータ格納部１９の各処理は、CMOSイメージセンサ１０とは別の基板に設けられる外部信号処理部、例えば、DSP（Digital Signal Processor）回路やソフトウエアによる処理として実行されても構わない。
【００３４】
また、CMOSイメージセンサ１０が裏面照射型のCMOSイメージセンサである場合、画素アレイ部１１を含む半導体基板とロジック回路を含む半導体基板とを貼り合わせた、積層型のCMOSイメージセンサとして構成されるようにしてもよい。
【００３５】
＜従来の固体撮像装置について＞
ところで、従来、固体撮像装置において、各画素のマイクロレンズの曲率や屈折率の最適化を図るために、マイクロレンズを、複数のレンズ層を積層して形成することが行われている。
【００３６】
図２は、複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズを備える、従来の固体撮像装置における画素の構成例を示す断面図である。
【００３７】
図２に示されるように、画素３１においては、半導体基板５１に、入射した光を受光し光電変換を行う光電変換部５２が形成され、半導体基板５１の上層には、配線層５３が形成されている。
【００３８】
配線層５３の上には、画素３１毎に、画素３１それぞれに応じた分光特性を有するカラーフィルタ層５４が形成され、カラーフィルタ層５４の上には、第１のレンズ層５５と第２のレンズ層５６とが積層されることでマイクロレンズ５７が形成されている。
【００３９】
さらに、図２の固体撮像装置においては、マイクロレンズ形成のプロセスによって、第１のレンズ層５５と第２のレンズ層５６の層間に酸化膜５８が形成されている。この酸化膜５８は、第１のレンズ層５５と第２のレンズ層５６の層間で一様に形成されるわけではなく、箇所によって、形成されたり、形成されなかったりする。このため、画素全体で、感度ムラが発生するおそれがあった。
【００４０】
また従来、固体撮像装置において、図３の左側に示されるように、マイクロレンズ５７からの入射光の集光ポイントが、光電変換部５２の受光面より上にある状態（いわゆる前ピン状態）となるような場合、一般的には、マイクロレンズ５７の低背化が図られる。
【００４１】
しかしながら、マイクロレンズ５７の低背化を図ろうとすると、第１のレンズ層５５を形成する際のエッチングにより、画素毎のマイクロレンズ５７が隣接する部分で、第１のレンズ層５５によりカラーフィルタ層５４の一部が削られてしまうおそれがあった。すなわち、複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズを備える固体撮像装置において、前ピン状態となるような場合に、集光ポイントを光電変換部５２の受光面に合わせることが困難であった。
【００４２】
そこで、画素全体で、感度ムラの発生を抑制しつつ、前ピン状態となるような場合であっても、集光ポイントを光電変換部５２の受光面に合わせることが可能な構成について説明する。
【００４３】
＜第１の実施の形態の画素の構成例＞
図４は、CMOSイメージセンサ１０における第１の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。
【００４４】
図４に示されるように、画素１３１においては、半導体基板１５１に、入射した光を受光し光電変換を行う光電変換部１５２が形成され、半導体基板１５１の上層には、CuやAlからなる配線層１５３が形成されている。
【００４５】
配線層１５３の上には、画素１３１毎に、画素１３１それぞれに応じた分光特性を有するカラーフィルタ層１５４が形成され、カラーフィルタ層１５４の上には、第１のレンズ層１５５と第２のレンズ層１５６とが積層されることでマイクロレンズ１５７が形成されている。
【００４６】
第１のレンズ層１５５および第２のレンズ層１５６は、それぞれ無機材料からなる。具体的には、第１のレンズ層１５５および第２のレンズ層１５６は、SiNで形成されている。
【００４７】
また、第１のレンズ層１５５および第２のレンズ層１５６の層間には、膜厚が均一な酸化膜１５８が形成されている。酸化膜１５８は、第１のレンズ層１５５および第２のレンズ層１５６の屈折率より低い屈折率を有している。
【００４８】
本実施の形態の構成によれば、複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズを備える固体撮像装置において、レンズ層の層間に、意図的に、膜厚が均一な酸化膜１５８を形成するようにしたので、画素全体で、感度ムラの発生を抑制することが可能となる。
【００４９】
また、酸化膜１５８の屈折率を、レンズ層の屈折率より低い屈折率とすることで、図５に示されるように、マイクロレンズ１５７からの入射光の集光ポイントを下げることができる。これにより、前ピン状態となるような場合であっても、集光ポイントを光電変換部１５２の受光面に合わせることが可能となる。
【００５０】
＜画素形成の流れについて＞
次に、図６乃至図８を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図6は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図7および図８は、画素形成の工程を示す断面図である。
【００５１】
以下においては、カラーフィルタ層１５４が形成された後の処理について説明する。
【００５２】
ステップＳ１１において、図７Ａに示されるように、カラーフィルタ層１５４の上に、SiNからなるレンズ材料１５５ａが成膜される。
【００５３】
ステップＳ１２において、図７Ｂに示されるように、フォトリソグラフィ法により、レンズ材料１５５ａ上で、画素毎にレジストパターン１６１が形成される。
【００５４】
ステップＳ１３において、レジストパターン１６１を、レンズ材料１５５ａにエッチング転写することで、ドライエッチングが行われる。これにより、図７Ｃに示されるように、画素毎にレンズ形状を有する第１のレンズ層１５５が形成される。
【００５５】
ステップＳ１４において、図８Ｄに示されるように、画素毎に形成された第１のレンズ層１５５上に、膜厚が均一になるように、酸化膜１５８が形成される。具体的には、酸素プラズマを用いることで、第１のレンズ層１５５の表面に酸化膜を成長させることで、酸化膜１５８が形成される。なお、酸素プラズマを用いる以外にも、CVD（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタ法を用いて、酸化膜１５８が形成されるようにしてもよい。
【００５６】
ステップＳ１５において、図８Ｅに示されるように、酸化膜１５８の上に、SiNからなるレンズ材料１５６ａが成膜される。レンズ材料１５６ａは、第１のレンズ層１５５および酸化膜１５８のレンズ形状に沿って成膜される。
【００５７】
ステップＳ１６において、レンズ材料１５６ａがドライエッチングされることにより、図８Ｆに示されるように、第２のレンズ層１５６が形成される。これにより、撮影画素１３１毎に、第１のレンズ層１５５および第２のレンズ層１５６が積層されてなるマイクロレンズ１５７が形成されるようになる。
【００５８】
このようにして、画素１３１が形成される。
【００５９】
以上の処理によれば、複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズを備える固体撮像装置の製造工程において、レンズ層の層間に、意図的に、膜厚が均一な酸化膜１５８を形成するようにしたので、画素全体で、感度ムラの発生を抑制することが可能となる。
【００６０】
なお、以上においては、マイクロレンズは、２層のレンズ層が積層されて形成されるものとしたが、３層以上のレンズ層が積層されて形成されるようにすることができる。
【００６１】
＜第２の実施の形態の画素の構成例＞
図９は、第２の実施の形態の画素の構成例を示している。
【００６２】
なお、図９に示される画素１３１と、図４に示される画素１３１とで、同様にして形成される部分については、その説明を省略する。
【００６３】
図９に示されるように、画素１３１においては、画素１３１毎に、第１のレンズ層１５５、第２のレンズ層１５６、および第３のレンズ層１７１が積層されることでマイクロレンズ１７２が形成されている。
【００６４】
第３のレンズ層１７１は、第１のレンズ層１５５および第２のレンズ層１５６と同様、SiNで形成されている。
【００６５】
また、第２のレンズ層１５６および第３のレンズ層１７１の層間には、第１のレンズ層１５５および第２のレンズ層１５６の層間に形成されている酸化膜１５８と同様、膜厚が均一な酸化膜１７３が形成されている。酸化膜１７３もまた、第１のレンズ層１５５、第２のレンズ層１５６、および第３のレンズ層１７１の屈折率より低い屈折率を有している。
【００６６】
本実施の形態においても、複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズを備える固体撮像装置において、レンズ層の層間に、意図的に、膜厚が均一な酸化膜１５８，１７３を形成するようにしたので、画素全体で、感度ムラの発生を抑制することが可能となる。
【００６７】
また、酸化膜１５８，１７３の屈折率を、レンズ層の屈折率より低い屈折率とすることで、図５と同様に、マイクロレンズ１７２からの入射光の集光ポイントを下げることができる。これにより、前ピン状態となるような場合であっても、集光ポイントを光電変換部１５２の受光面に合わせることが可能となる。
【００６８】
なお、上述した説明においては、マイクロレンズは、３層のレンズ層が積層されて形成されるものとしたが、４層以上のレンズ層が積層されて形成されるようにしてもよい。
【００６９】
また、本実施の形態の画素形成の流れは、積層されるレンズ層の数だけ、図６のフローチャートのステップＳ１４乃至Ｓ１６の処理が繰り返される以外は、図６乃至図８を参照して説明した画素形成の流れと基本的に同様であるので、その説明は省略する。
【００７０】
以上においては、マイクロレンズは、同一の材料からなる複数のレンズ層が積層されて形成されるものとしたが、異なる材料からなる複数のレンズ層が積層されて形成されるようにすることができる。
【００７１】
＜第３の実施の形態の画素の構成例＞
図１０は、第３の実施の形態の画素の構成例を示している。
【００７２】
なお、図１０に示される画素１３１と、図４に示される画素１３１とで、同様にして形成される部分については、その説明を省略する。
【００７３】
図１０に示されるように、画素１３１においては、画素１３１毎に、第１のレンズ層１５５と第２のレンズ層１８１とが積層されることでマイクロレンズ１８２が形成されている。
【００７４】
第２のレンズ層１８１は、第１のレンズ層１５５とは異なる無機材料で形成されている。具体的には、第２のレンズ層１８１は、酸化膜１５８との屈折率の差がSiNより少ないSiONで形成されている。
【００７５】
本実施の形態によれば、上述した実施の形態と同様の作用、効果を奏することができる上に、第２のレンズ層１８１を、酸化膜１５８との屈折率の差がSiNより少ないSiONで形成されるようにしたので、酸化膜１５８の第２のレンズ層１８１との境界面での全反射を低減することができ、感度の低下を抑制することが可能となる。
【００７６】
なお、上述した説明においては、マイクロレンズは、２層のレンズ層が積層されて形成されるものとしたが、３層以上のレンズ層が積層されて形成されるようにした場合、例えば、酸化膜の上層に積層される全てのレンズ層をSiONで形成されるようにする。
【００７７】
＜第４の実施の形態の画素の構成例＞
図１１は、第４の実施の形態の画素の構成例を示している。
【００７８】
なお、図１１に示される画素１３１と、図４に示される画素１３１とで、同様にして形成される部分については、その説明を省略する。
【００７９】
図１１に示されるように、画素１３１においては、画素１３１毎に、第１のレンズ層１５５と第２のレンズ層１９１とが積層されることでマイクロレンズ１９２が形成されている。
【００８０】
第２のレンズ層１９１は、第１のレンズ層１５５とは異なり、有機材料で形成されている。
【００８１】
本実施の形態においても、上述した実施の形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００８２】
なお、上述した説明においては、マイクロレンズは、２層のレンズ層が積層されて形成されるものとしたが、３層以上のレンズ層が積層されて形成されるようにした場合、例えば、酸化膜の上層に積層される全てのレンズ層を有機材料で形成されるようにする。
【００８３】
＜電子機器の構成例＞
次に、図１２を参照して、本技術を適用した電子機器の構成例について説明する。
【００８４】
図１２に示される電子機器５００は、光学レンズ５０１、シャッタ装置５０２、固体撮像装置５０３、駆動回路５０４、および信号処理回路５０５を備えている。図１２においては、固体撮像装置５０３として、上述した実施の形態の画素を有するCMOSイメージセンサ１０を電子機器（例えばデジタルスチルカメラ）に設けた場合の構成を示す。
【００８５】
光学レンズ５０１は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置５０３の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置５０３内に一定期間信号電荷が蓄積される。シャッタ装置５０２は、固体撮像装置５０３に対する光照射期間および遮光期間を制御する。
【００８６】
駆動回路５０４は、固体撮像装置５０３の信号転送動作およびシャッタ装置５０２のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路５０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置５０３は信号転送を行う。信号処理回路５０５は、固体撮像装置５０３から出力された信号に対して各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力される。
【００８７】
さらに、電子機器５００は、光学レンズ５０１をその光軸方向に駆動するレンズ駆動部（図示せず）を備えている。レンズ駆動部は、光学レンズ５０１とともに、焦点の調節を行うフォーカス機構を構成している。そして、電子機器５００においては、図示せぬシステムコントローラにより、フォーカス機構の制御や、上述した各構成要素の制御等、種々の制御が行われる。
【００８８】
本技術の実施の形態の電子機器５００においては、固体撮像装置５０３において、感度ムラの発生を抑制することができるため、結果として画質の向上が図られるようになる。
【００８９】
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００９０】
さらに、本技術は以下のような構成をとることができる。
（１）
複数の画素を有する画素アレイ部と、
前記画素毎に複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズと、
前記レンズ層の層間に、膜厚が均一に形成された膜と
を備える固体撮像装置。
（２）
前記膜は、酸化膜である
（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記膜は、前記レンズ層の屈折率より低い屈折率を有する
（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記レンズ層は、無機材料からなる
（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（５）
前記レンズ層は、SiNで形成される
（４）に記載の固体撮像装置。
（６）
複数の前記レンズ層のうち、下層にある第１のレンズ層は、SiNで形成され、上層にある第２のレンズ層は、SiONで形成される
（４）に記載の固体撮像装置。
（７）
複数の前記レンズ層のうち、下層にある第１のレンズ層は、無機材料からなり、上層にある第２のレンズ層は、有機材料からなる
（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（８）
複数の画素を有する画素アレイ部を備える固体撮像装置の製造方法において、
前記画素毎に複数のレンズ層を積層してマイクロレンズを形成し、
前記レンズ層の層間に、膜厚が均一な膜を形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
（９）
複数の画素を有する画素アレイ部と、
前記画素毎に複数のレンズ層が積層されて形成されたマイクロレンズと、
前記レンズ層の層間に、膜厚が均一に形成された膜とを備える固体撮像装置
を備える電子機器。
【符号の説明】
【００９１】
１０  CMOSイメージセンサ，  １１  画素アレイ部，  １３１  画素，  １５１  半導体基板，  １５２  光電変換部，  １５５  第１のレンズ層，  １５６  第２のレンズ層，  １５７  マイクロレンズ，  １５８  酸化膜，  ５００  電子機器，  ５０３  固体撮像装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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