(57)【要約】【課題】第１絶縁基体と第２絶縁基体とに囲まれた空間内に実装される複数の電子部品の厚みが変化しても、共通の第１および第２絶縁基体によって上記複数の電子部品を確実に上記空間内で実装できるパッケージを提供する。【解決手段】セラミック層（絶縁材）ｃ１〜ｃ３からなり、表面３および裏面４を有する第１絶縁基体２ａと、セラミック層ｃ４，ｃ５からなり、表面１１および裏面１２を有し、且つ第１絶縁基体２ａの上側に積層される第２絶縁基体１０ａと、第１絶縁基体２ａの表面３に開口し、且つ単一のキャビティ５を形成する凹部５と、第１絶縁基体２ａの表面３側の周辺部と第２絶縁基体１０ａの裏面１２側の周辺部との間に沿って位置し、且つ封止材２５を充填するための隙間２３と、を含むパッケージであって、第１絶縁基体２ａの表面３側の周辺部には、第２絶縁基体１０ａの裏面１２側の周辺部に先端が接触する複数の凸部３０が形成されている、パッケージ１ａ。【選択図】  図１
2015109353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり、表面および裏面を有する第１絶縁基体と、
絶縁材からなり、表面および裏面を有し、且つ上記第１絶縁基体の上側に積層される第２絶縁基体と、
上記第１絶縁基体の表面または第２絶縁基体の裏面の少なくとも何れか一方に開口し、且つ単一のキャビティを形成する凹部と、
上記第１絶縁基体の表面側の周辺部と第２絶縁基体の裏面側の周辺部との間に沿って位置し、且つ封止材を充填するための隙間と、を含むパッケージであって、
上記第１絶縁基体の表面側の周辺部と第２絶縁基体の裏面側の周辺部との少なくとも一方には、他方の周辺部に先端が接触する単数あるいは複数の凸部が形成されている、
ことを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
前記凸部は、平面視で互いの位置が離隔している複数の点状体からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記凸部は、平面視で長手方向が前記キャビティの開口部に沿った複数の帯状体からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記凸部は、平面視で前記凹部の開口部に沿って該開口部を囲む複数または単一の枠状体である、
ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記第１絶縁基体の表面側の周辺部および第２絶縁基体の裏面側の周辺部には、前記キャビティを囲む平面視が矩形枠状の金属層がそれぞれ形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上下２つの絶縁基体からなり、これらの間に複数の電子部品を実装するキャビティを内設するパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、水晶振動子などのような圧電振動子を、半導体素子などのような他の電子部品と共に気密に収容するため、上側中央部に半導体素子を搭載した平板状の第１の絶縁基体と、下面に開口する凹部の天井面に圧電振動子を搭載した箱形状の第２の絶縁基体とを、両者の周辺部に沿って形成した矩形枠状のパッド同士の間に封止材であるハンダを介して電気的に接続した圧電振動子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、前記圧電振動子収納用パッケージのように、平板状の第１の絶縁基体と箱形状の第２の絶縁基体とに囲まれた空間内に、厚みが異なる電子部品を搭載して収納する場合、上記空間内における垂直方向の高さを変更するため、前記凹部や外形などの寸法が異なる箱形状の絶縁基体をその都度製造する必要があった。その結果、多種類にわたるパッケージを構成するため、異なる絶縁基体を制作するべく、例えば、複数のセラミック積層体を設計および製造可能する必要が生じるので、製造工程が煩雑化することに起因して生産効率が低下したり、製造コストのアップを招く、という問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−４１９２４号公報（第１〜１１頁、図１，２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、第１絶縁基体と第２絶縁基体とに囲まれた空間に実装される複数の電子部品の厚みが変化しても、共通の第１および第２絶縁基体によって上記複数の電子部品を確実に上記空間内に実装できるパッケージを提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、複数の電子部品を搭載するためのキャビティとなる凹部の少なくとも一方を有する第１絶縁基体および第２絶縁基体が相対向する周辺部に、高さ（厚み）調整用となる複数の凸部を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明のパッケージ（請求項１）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する第１絶縁基体と、絶縁材からなり、表面および裏面を有し、且つ上記第１絶縁基体の上側に積層される第２絶縁基体と、上記第１絶縁基体の表面または第２絶縁基体の裏面の少なくとも何れか一方に開口し、且つ単一のキャビティを形成する凹部と、上記第１絶縁基体の表面側の周辺部と第２絶縁基体の裏面側の周辺部との間に沿って位置し、且つ封止材を充填するための隙間と、を含むパッケージであって、上記第１絶縁基体の表面側の周辺部と第２絶縁基体の裏面側の周辺部との少なくとも一方には、他方の周辺部に先端が接触する単数あるいは複数の凸部が形成されている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記第１絶縁基体と第２絶縁基体とに囲まれ且つ少なくとも何れか一方の凹部からなるキャビティ内に実装すべき二つの電子部品（例えば、ＡＳＩＣ（カスタムＩＣ）とセンサ素子）のうち、少なくとも一方の厚みが変更されても、前記凸部の高さを調整することで、既存の第１絶縁基体および第２絶縁基体によって容易に対応することができる。その結果、従来のように実装すべき電子部品の厚みが変更された場合、キャビティの厚み（高さ）ごとに応じて、第１絶縁基体および第２絶縁基体の一方または双方について大幅な設計変更をしたり、パッケージの種類ごとに同様な製造工程を別途に行う必要が解消される。従って、前記のような形態からなるパッケージの生産効率を高められ、且つ製造コストを低減することが可能となる。
【０００８】
尚、前記絶縁材は、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミック、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミック、あるいはエポキシなどの樹脂である。
また、前記凹部は、前記第１および第２絶縁基体の双方に形成された場合、かかる第１および第２絶縁基体を積層した際に、各絶縁基体ごとの２つの凹部からなる単一のキャビティが形成される。一方、第１および第２絶縁基体の何れか一方にのみ形成された凹部は、かかる凹部自体が単独でキャビティを形成する。かかる形態の場合、凹部を有しない他方の絶縁基体は、平板状の形態となる。
更に、第１および第２絶縁基体の何れか一方にのみ形成された凹部の底面および該凹部の開口部を塞ぐ他方の天井面、あるいは２つの凹部からなる単一のキャビティの底面と天井面とには、追って複数の電子部品が個別に実装される。
また、前記第１絶縁基体の表面側とは、該第１絶縁基体の裏面とは反対側の面全体を指し、前記第２絶縁基体の裏面側とは、該第２絶縁基体の表面とは反対側の面全体を指している。
更に、前記凸部は、前記第１および第２絶縁基体の対向する表面および裏面の周辺部の少なくとも何れかにおいて、追って前記封止材が充填される前記隙間と同じ位置か、あるいは該隙間よりも前記キャビティ側において形成される。
また、前記凸部は、セラミックまたは樹脂からなる絶縁材、あるいは金属や導電性材料からなる導体の何れかからなる。
更に、前記封止材は、前記第１および第２絶縁基体が対向する表面および裏面の周辺部同士を接合することで、該周辺部の内側に位置し且つ異種または同種の２つの電子部品が実装されたキャビティを外部から封止する。
加えて、上記封止材には、例えば、エポキシ系樹脂、プリプレグ、アンダーフィル、ホットメルトなどの有機系接着剤、あるいは、前記第１および第２絶縁基体が対向する一対の周辺部に予め対向して形成された一対の前記金属層間に充填されるハンダなどのロウ材（低融点金属または合金）が含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記凸部は、平面視で互いの位置が離隔している複数の点状体からなる、パッケージ（請求項２）も含まれる。
これによれば、互いに対向する前記第１の表面の周辺部と第２絶縁基体の裏面の周辺部とにおける何れか一方に、セラミックあるいは樹脂からなる複数の点状体からなる所望高さの凸部を突設することで、前記二つの電子部品における一方または双方の厚みの変更に対し、容易に対応することができる。しかも、少ない絶縁材料を追加することにより、複数の点状体からなる凸部を容易に形成できるので、前記第１絶縁基体や第２絶縁基体を簡単な製造工程により、低コストで製造することも可能となる。
尚、前記凸部を構成する複数の点状体には、平面視で円形状（円、楕円、長円など）、立方体形状、直方体形状、多角柱形状、あるいは、半球（ドーム）形状などが含まれる。
【００１０】
更に、本発明には、前記凸部は、平面視で長手方向が前記キャビティの開口部に沿った複数の帯状体からなる、パッケージ（請求項３）も含まれる。
これによれば、対向する前記第１の表面の周辺部と第２絶縁基体の裏面の周辺部とにおける何れか一方に、前記同様の材料からなる複数の帯状体を突設することにより、前記電子部品の厚みの変更に対し、容易に対応することができる。
尚、前記帯状体には、平面視で細長い長方形や細長い長円形などが挙げられる。
【００１１】
また、本発明には、前記凸部は、平面視で前記凹部の開口部に沿って該開口部を囲む複数または単一の枠状体である、パッケージ（請求項４）も含まれる。
これによれば、対向する前記第１の表面の周辺部と第２絶縁基体の裏面の周辺部とにおける何れか一方に、前記同様の材料からなる複数または単一の枠状体を突設することにより、前記電子部品の厚みの変更に対し、容易に対応することができる。
尚、前記複数の枠状体としては、前記凹部の各コーナ部の外周側を囲う平面視がＬ形状や、隣接する二つのコーナ部の外周側を囲う平面視がコ字形状を呈する形態が含まれる。また、単一の枠状体としては、前記凹部の開口部を囲む形態、例えば、平面視で凹部の開口部が矩形（正方形または長方形）または多角形である場合、平面視で矩形枠状あるいは多角枠状を呈する形態が例示される。
【００１２】
加えて、本発明には、前記第１絶縁基体の表面側の周辺部および第２絶縁基体の裏面側の周辺部には、前記キャビティを囲む平面視が矩形枠状の金属層がそれぞれ形成されている、パッケージ（請求項５）も含まれる。
これによれば、第１絶縁基体の表面側の周辺部および第２絶縁基体の裏面側の周辺部において、前記キャビティを囲むように形成された平面視が矩形枠状である上下一対の金属層同士を、両者の間にハンダなどを配設することで、上記キャビティ内に実装された二つの電子部品を外部から確実に封止することができる。
尚、前記上下一対の金属層およびこれらの間に配設される封止材のハンダなどを介して、第２絶縁基体の裏面あるいは第２絶縁基体に形成された凹部の天井面に実装される電子部品への通電にも併用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による一形態のパッケージの垂直断面図。
【図２】図１の垂直断面図における部分拡大図。
【図３】上記パッケージにおける第１絶縁基体を示す斜視図。
【図４】上記パッケージにおける図２と直交する視覚における部分拡大断面図。
【図５】前記パッケージの変形形態であるパッケージを示す垂直断面図。
【図６】図５の垂直断面図における部分拡大図。
【図７】本発明による異なる形態のパッケージの垂直断面図。
【図８】図７の垂直断面図における部分拡大図。
【図９】上記パッケージにおける第２絶縁基体を示す斜視図。
【図１０】上記パッケージにおける図７と直交する視覚での部分拡大断面図。
【図１１】（Ａ），（Ｂ）は異なる形態の凸部を示す概略図。
【図１２】（Ａ），（Ｂ）は更に異なる形態の凸部を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態のパッケージ１ａの垂直断面図、図２は、図１中の部分拡大断面図、図３は、上記パッケージ１ａに含まれる第１絶縁基体２ａを示す斜視図、図４は、図２とは直交する視覚における部分拡大断面図である。
上記パッケージ１ａは、図１〜図４に示すように、平面視が矩形（正方形または長方形）状で且つ全体が箱形状の第１絶縁基体２ａと、平面視が矩形状で且つ全体が平板状の第２絶縁基体１０ａとから構成されている。
上記第１絶縁基体２ａは、３つのセラミック層（絶縁材）ｃ１〜ｃ３を積層してなり、平面視が矩形枠状の表面３および矩形状の裏面４を有する。該表面３の中央側には、中層および上層のセラミック層ｃ２，ｃ３を貫通したキャビティ（凹部）５が開口している。該キャビティ５は、平面視が矩形の底面６、該底面６の四辺から立設した下側面７、平面視が矩形枠状の中段８、およびその四辺から立設した上側面９からなる。上記中段８には、その四辺に沿って、点状体（円柱形状）である複数の凸部３０が互いの位置を離隔して突設されている。
尚、前記中段８および上側面９は、前記第１絶縁基体２ａの表面３側の周辺部にも相当する。また、前記セラミック層ｃ１〜ｃ３および複数の凸部３０は、例えば、同種あるいは異種のアルミナ（セラミック）からなる。
【００１５】
前記キャビティ５の底面６上には、追って実装される電子部品（例えば、ＡＳＩＣ）３２と導通する一対の電極１４が形成されている。該一対の電極１４は、下層のセラミックｃ１を貫通するビア導体１３を介して、前記裏面４に形成された一対の外部接続端子１５と個別に導通可能とされている。
また、前記中段８において対向する一対の辺上ごとには、図３，図４に示すように、一対の端子１６が個別に形成され、該端子１６は、第１絶縁基体２ａにおける対向する一対の外側面ごとに形成され且つ水平断面が半円形状の凹部導体１７を介して、前記裏面４に形成された一対の外部接続端子１８と個別に導通可能とされている。尚、上記ビア導体１３、電極１４、端子１６、凹部導体１７、および外部接続端子１５，１８は、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、あるいはＣｕなどからなる。
【００１６】
一方、前記第２絶縁基体１０ａは、図２，図４に示すように、前記同様のセラミック層ｃ４，ｃ５を積層してなり、平面視が矩形状の表面１１および裏面１２を有する。該裏面１２の中央側には、追って実装される電子部品（例えば、センサＩＣ）３３と導通する一対の電極１９が形成されている。該一対の電極１９は、セラミックｃ４，ｃ５を個別に貫通する内外一対のビア導体２１、およびセラミックｃ４，ｃ５間に形成された配線層２０を介して、上記裏面１２の周辺側に形成された一対の端子２２と個別に導通可能とされている。
尚、上記電極１９、配線層２０、ビア導体２１、および端子２２も、前記同様のＷやＭｏなどからなる。
【００１７】
図１，図２，図４に示すように、前記キャビティ５の底面６における一対の電極１４上に電子部品３２を実装した第１絶縁基体２ａと、前記裏面１２におけるの一対の電極１９上（図示では下）に電子部品３３を実装した第２絶縁基体１０ａとを、前者のキャビティ５における中段８および後者の裏面１２を接近させると、上記中段８に突設された複数の凸部３０の先端（図示では上端）が第２絶縁基体１０ａの裏面１２に接触する。その結果、予め第１絶縁基体２ａに形成されていた凹部５は、その底面６と第２絶縁基体１０ａの裏面１２との間における高さ（距離）が確定されたキャビティ５となる。同時に、第１絶縁基体２ａにおけるキャビティ５の中段８および上側面９と、第２絶縁基体１０ａの裏面１２の周辺部および外側面との間には、側面視でほぼ横Ｌ字形状の隙間２３が形成される。
【００１８】
前記のようなパッケージ１ａは、以下のようにして組み立てられる。
予め、アルミナ粉末などを含む複数層のグリーンシートを用意し、何れかのグリーンシートの中央部を打ち抜き加工し、該グリーンシートに穿孔した貫通孔にＷ粉末などを含む導電性ペーストを充填し、打ち抜き加工されたグリーンシートの開口部に沿った表面にアルミナ粉末などを含む絶縁性ペーストを、散点状にスクリーン印刷する。更に、何れかのグリーンシートの表面に前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷した後、かかる複数層のグリーンシートを積層および圧着してから焼成することで、第１絶縁基体２ａおよび第２絶縁基体１０ａを制作しておく。以上の各工程は、多数個取りにより行った後、個片に分割しても良い。
【００１９】
次いで、図４に示すように、第１絶縁基体２ａにおけるキャビティ５の中段８に位置する一対の端子１６上に、例えば、Ａｇロウからなるハンダ２４を配設し、該ハンダ２４の上に第２絶縁基体１０ａの裏面１２における一対の端子２２を個別に載置し、且つ上記ハンダ２４を溶融して、前記一対の電極１９と第１絶縁基体２ａにおける一対の前記外部端子１８とを個別に導通可能としておく。
更に、前記一対のハンダ２４を含む第１絶縁基体２ａと第２絶縁基体１０ａとの前記隙間２３に、エポキシ系樹脂からなる半液状の封止材２５を、平面視で矩形枠状にして充填する。その結果、キャビティ５内に個別に実装された２種類の電子部品３２，３３を外部から封止したパッケージ１ａを得ることができる。
【００２０】
図５は、前記パッケージ１ａの変形形態であるパッケージ１ｂの垂直断面図、図６は、図５中の部分拡大図である。
上記パッケージ１ｂは、図５，図６に示すように、前記同様のセラミック層ｃ１〜ｃ３を積層してなり、且つ表面３に前記同様のキャビティ５が開口する全体が箱形状の第１絶縁基体２ｂと、前記同様のセラミック層ｃ４，ｃ５を積層してなる平板状の第２絶縁基体１０ｂとから構成されている。
第１絶縁基体２ｂが、前記第１絶縁基体２ａと相違するのは、前記端子１６、凹部導体１７、および外部接続端子１８に替えて、上層のセラミック層ｃ３における平面視が矩形枠状の表面３における対向する一対の辺に個別に形成した端子２６と、該端子２６と裏面４に形成した一対の外部接続端子２７との間を個別に接続するため外側面に形成した側面導体２５とを有することである。更に、第１絶縁基体２ｂのキャビティ５における中段８上には、平面視が矩形枠状の金属層３４が形成されている。尚、上記側面導体２５、端子２６、外部接続端子２７、金属層３４も、前記同様の金属からなる。
【００２１】
一方、第２絶縁基体１０ｂが、前記第２絶縁基体１０ａと相違するのは、上層のセラミック層ｃ５が下層のセラミック層ｃ４に対し、対向する一対の辺で外側に若干突出していること、および、セラミック層ｃ４，ｃ５間に形成された配線層２０の外端部側は、セラミック層ｃ５の裏面側に露出し、且つ前記端子２６と対向可能にされていることである。また、第２絶縁基体１０ｂの裏面１２の周辺部には、前記金属層３４と対向可能な平面視が矩形枠状の金属層３５が形成されている。尚、該金属層３５も前記同様の金属からなる。
以上のようなパッケージ１ｂを組み立てるには、図５，図６に示すように、前記同様に、予め、第１絶縁基体２ｂのキャビティ５の底面６上に電子部品３２を実装し、且つ第２絶縁基体１０ｂの裏面１２上に電子部品３３を実装する。
【００２２】
次に、第１絶縁基体２ｂにおける金属層３４の全周上および一対の端子２６の上にそれぞれＡｇロウなどからなるハンダ３６，２８を配設し且つ溶融する。尚、該ハンダ３６は、本発明における封止材である。
かかる状態で、前記ハンダ３６，２８上に前記金属層３５および配線層２０の外端部側が個別に密着し、且つ前記同様の隙間２３が形成されるように、第１絶縁基体２ｂの表面３および中段８上に、第２絶縁基体１０ｂの裏面１２側を接近させる。この際、前記同様に、第１絶縁基体２ｂにおける複数の凸部３０の上端面が第２絶縁基体１０ｂの裏面１２に接触することにより、キャビティ５の高さが確定される。同時に、上記電子部品３２，３３が実装された当該キャビティ５が外部から封止される。以上によって、前記パッケージ１ｂを組み立てられる。
【００２３】
以上のようなパッケージ１ａ，１ｂによれば、前記第１絶縁基体２ａ，２ｂと第２絶縁基体１０ａ，１０ｂとに囲まれ且つ前者の凹部５からなるキャビティ５内に実装すべき２つの電子部品３２，３３のうち、少なくとも一方の厚みが変更されても、前記複数の凸部３０の高さを調整することで、既存の第１絶縁基体２ａ，２ｂおよび第２絶縁基体１０ａ，１０ｂにより容易に対応できる。その結果、従来のように実装すべき電子部品の厚みが変更された場合、キャビティの厚み（高さ）ごとに応じて、第１絶縁基体や第２絶縁基体について大幅な設計変更をしたり、パッケージの種類ごとに同様な製造工程を別途に行う必要が解消される。
しかも、少ないセラミック（絶縁材料）を追加することで、複数の点状体からなる凸部３０を容易に形成できるので、前記第１絶縁基体２ａ，２ｂや第２絶縁基体１０ａ，１０ｂを簡単な製造工程で、低コストで製造することも可能となる。
従って、前記第１絶縁基体２ａ，２ｂおよび第２絶縁基体１０ａ，１０ｂからなる形態のパッケージ１ａ，１ｂの生産効率を高められ、且つそれらの製造コストを低減することが可能となる。
【００２４】
図７は、前記とは異なる形態のパッケージ１ｃを示す垂直断面図、図８は、図７中の部分拡大図、図９は、上記パッケージ１ｃに用いる第２絶縁基体１０ｃを示す斜視図、図１０は、図８とは直交する視覚における部分拡大図である。
上記パッケージ１ｃは、図７に示すように、平面視が矩形状で且つ全体が深い箱形状である前記同様の第１絶縁基体２ｂと、平面視が矩形状で且つ全体が浅い箱形状の第２絶縁基体１０ｃとから構成されている。本パッケージ１ｃが前記パッケージ１ａ，１ｂと相違するのは、図７〜図１０に示すように、第１絶縁基体２ｂの中段８には、前記複数の凸部３０がないこと、第２絶縁基体１０ｃの裏面１２の中央側には、底面視が矩形の天井面３８およびその四辺から垂下した側面３９からなる凹部３７が形成されていること、該裏面１２の凹部３７の開口部を囲む周辺部には、複数の凸部３１が互いに離隔して突設されていることである。
尚、上記中段８とその四辺から立設した上側面９も、第１絶縁基体２ｂの表面３側の周辺部に相当する。
【００２５】
前記第２絶縁基体１０ｃは、下層のセラミック層ｃ４の中央側を貫通する平面視が矩形状の貫通孔を設けたことで、前記凹部３７を裏面１２の中央側に開口している。また、該凹部３７の開口部に沿った裏面１２側の周辺部には、前記同様のセラミックからなる複数の凸部３１が互いの位置を離隔して突設されている。更に、図９，図１０に示すように、第２絶縁基体１０ｃでは、対向する一対の辺で上層のセラミック層ｃ５が下層のセラミック層ｃ４よりも若干外側に突出しており、前記凹部３７の天井面３８に形成された左右一対の電極４０は、セラミック層ｃ４，ｃ５間およびセラミック層ｃ５の裏面に沿って外側面まで形成された一対の配線層４２と個別に接続されている。
尚、底面視が矩形枠状である裏面１２の周辺部には、前記同様の金属層３５が形成されていると共に、該金属層３５は、第１絶縁基体２ｂの表面３側における周辺部の中段８に形成された前記同様の金属層３４と垂直方向で対向している。
また、前記凹部５と凹部３７とは、次述するように、第１絶縁基体２ｂの上に第２絶縁基体１０ｃを積層した際に、単一のキャビティ５ｃを形成する。
【００２６】
前記パッケージ１ｃは、以下のようにして組み立てられる。
予め、前記同様な複数の工程によって、第１絶縁基体２ｂおよび第２絶縁基体１０ｃを制作しておく。
次に、図７，図８，図１０に示すように、第１絶縁基体２ｂの凹部５内に電子部品３２を実装し、且つ第２絶縁基体１０ｃの凹部３７内に電子部品３３を実装する。次いで、第１絶縁基体２ｂの金属層３４の上に沿って、前記同様のハンダ（封止材）３６を配設し、一対の端子２６上にハンダ２８を配置する。
更に、上記第１絶縁基体２ｂの中段８および表面３の上方に、前記第２絶縁基体１０ｃを積層した後、上記ハンダ２８，３６を溶融する。この際、第２絶縁基体１０ｃ側における複数の凸部３１の下端（先端）が第１絶縁基体２ｂの中段８に接触することで、前記凹部５および凹部３７からなり、前者の底面６と後者の天井面３８との間の高さ（厚み）を有するキャビティ５ｃが確定される。同時に、第１絶縁基体２ｂの中段８と第２絶縁基体１０ｃの裏面１２との間に隙間２３が形成されると共に、前記ハンダ３６が上下の金属層３４，３５間に沿って挟まれることで、上記キャビティ５ｃが外部から封止される。これにより、図７に示すようなパッケージ１ｃが得られる。
以上のようなパッケージ１ｃによっても、前記パッケージ１ａ，１ｂと同様な効果を奏することが可能となる。
【００２７】
図１１（Ａ）は、前記パッケージ１ａの第１絶縁基体２ａにおいて、前記キャビティ５を囲む中段８上に形成した前記とは異なる形態である複数の凸部４４，４５を示す概略（平面）図である。該凸部４４，４５は、前記同様のセラミックからなり、図示のように、長手方向がキャビティ５の開口部に沿った長さの異なる帯状体であり、且つ互いに離隔している。該凸部４４，４５も、前記凸部３０，３１と同様に、アルミナ粉末などを含む絶縁性ペーストを前記セラミック層ｃ２となるグリーンシートの表面にスクリーン印刷した後、焼成したものである。
また、図１１（Ｂ）は、前記第１絶縁基体２ａのキャビティ５を囲む中段８上に、該キャビティ５の各コーナを囲むように、平面視がＬ字形状を呈し且つ互いに対称に形成された帯状体である複数（４個）の凸部４６を示す。該凸部４６も前記同様のセラミックからなる。
【００２８】
更に、図１２（Ａ）は、前記第１絶縁基体２ａのキャビティ５を囲む中段８上に、該キャビティ５において対向する左右の各辺を囲むように、平面視がコ字形状を呈し、且つ互いに対称に形成された枠状体である一対（複数）の凸部４７を示す。該凸部４７も、前記同様のセラミックからなり、平面視で長辺４８の両端に一対の短辺４９を直角に接続している。
加えて、図１２（Ｂ）は、前記第１絶縁基体２ａのキャビティ５を囲む中段８上に、該キャビティ５の開口部を囲むように、平面視が正方形（矩形）状を呈し且つ単一の枠状体である凸部５０を示す。該凸部５０も前記同様のセラミックからなる。
以上の凸部４４〜４７，５０を、前記凸部３０，３１に替えた場合でも、前記パッケージ１ａ〜１ｃは、前記同様の効果を奏することが可能となる。
尚、以上のような凸部４４〜４７，５０における最上部（先端）の高さは、ほぼ同一となるように予め揃えられている。
更に、前記凸部４４〜４７，５０は、前記第２絶縁基体１０ｃの裏面１２における周辺部から垂下するようにして、形成することも可能である。
【００２９】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記第１絶縁基体および第２絶縁基体を構成する絶縁材には、例えば、エポキシ系の樹脂を適用しても良い。この場合、前記電極１４や配線層２０などの導体には、ＣｕやＡｇなどが適用され、前記第１および第２絶縁基体は、例えば、フォトリソグラフィー技術によって制作される。
また、前記複数の凸部３０，３１，４４，４５は、それらの一部を前記第１絶縁基体に形成し、且つ残部を前記第２絶縁基体に形成することも可能である。
更に、前記凸部４４〜４７の相互間ごとに、前記凸部３０，３１を配置することも可能である。
また、前記凸部３０，３１，４４〜４７，５０を含む前記パッケージ１ａ〜１ｃは、これらを複数個併有する多数個取り用の形態であっても良い。
更に、前記キャビティを形成する第１絶縁基体の凹部や、第２絶縁基体の裏面または凹部には、それぞれに複数の電子部品を実装しても良い。
加えて、前記キャビティに実装される複数の電子部品は、互いに異種である場合はもちろん、同種であっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明によれば、第１絶縁基体と第２絶縁基体とに囲まれた空間に実装される複数の電子部品の厚みが変化しても、共通の第１および第２の絶縁基体によって上記複数の電子部品を確実に上記空間内に実装できるパッケージを確実に提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００３１】
１ａ〜１ｃ…………………………パッケージ
２ａ，２ｂ…………………………第１絶縁基体
３，１１……………………………表面
４，１２……………………………裏面
５……………………………………凹部／キャビティ
５ｃ…………………………………キャビティ
１０ａ〜１０ｃ……………………第２絶縁基体
２３…………………………………隙間
２５，３６…………………………封止材
３０，３１，４４〜４７，５０…凸部
３７…………………………………凹部
ｃ１〜ｃ５…………………………セラミック層（絶縁材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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