(57)【要約】【課題】半導体層の膜厚バラツキに起因する構造体の厚みバラツキを抑制し、歩留まりの低下を抑制する。【解決手段】可動部５や固定部６を形成する際のトレンチエッチング時に、エッチングが進むほど徐々に横方向にエッチングが行われるようにする。これにより、可動電極８などのように支持基板１からリリースする部分の側壁面を傾斜させられ、エッチングによる傾斜角によって可動電極８などの厚みを一定値とすることが可能となる。したがって、可動電極８と固定電極１２との間に構成される容量等の特性に、複数の加速度センサが形成される面内もしくは同じチップ内においてバラツキが生じることを抑制でき、歩留まりを向上することが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板（１、５１）と、
前記支持基板の表面に形成された絶縁膜（２、５２）と、
前記絶縁膜の上に形成された半導体層（３、５３）をトレンチエッチングすることにより、該半導体層の少なくとも一部を前記支持基板からリリースして浮遊状態とされたリリース部（８、５８）とを有し、
前記リリース部は、少なくとも前記支持基板側の先端部が前記半導体層の表面から前記支持基板側に向かって徐々に先細りとされ、該リリース部の側壁面が段階的に横方向エッチングされることで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リリース部の側面部が前記半導体層の表面から前記支持基板側の先端部に向かって全域が徐々に先細り形状とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記リリース部は、該リリース部の側面部が前記半導体層の表面から所定深さ（ｈｃ）までは前記半導体層の表面に対して垂直方向とされ、前記所定深さよりも深い位置から前記支持基板側に向かって徐々に先細りとされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置は物理量センサであり、
前記半導体層をトレンチエッチングすることで、前記リリース部を構成する可動電極（８）が梁（９）を介してアンカー部（１２）に支持された可動部（５）および前記可動電極と対向する固定電極（１２）が備えられている固定部（６）が形成されたセンサ部を有し、
前記支持基板の水平方向である基板水平方向の物理量が印加されたときに、前記可動電極と前記固定電極との間に形成される容量に基づいて前記基板水平方向の物理量を検出することを特徴とする容量式物理量センサ。
【請求項５】
前記可動電極の厚みをｈａとすると共に幅をｄｃ、前記半導体層のうちの前記アンカー部の厚みをｈとすると共に幅をｄａとし、前記半導体層の表面に対する垂直方向と前記可動電極および前記アンアー部の側壁面の成す傾斜角度をθとすると、前記可動電極の厚みｈａおよび前記アンカー部の厚みｈは、
ｈａ＝（ｄｃ／２）／ｔａｎθ＜ｈ
（ｄａ／２）／ｔａｎθ＞ｈ
を満たしていることを特徴とする請求項４に記載の容量式物理量センサ。
【請求項６】
支持基板（１、５１）と、前記支持基板の表面に形成された絶縁膜（２、５２）と、前記絶縁膜の上に形成された半導体層（３、５３）とを有する基板（４、５４）を用意する工程と、
前記半導体層の上にマスク（２０）を配置したのち、前記マスクから露出した部分をトレンチエッチングすることにより、該半導体層の少なくとも一部を前記支持基板からリリースして浮遊状態とするリリース部（８、５８）を形成するリリース工程とを有し、
前記リリース工程では、前記トレンチエッチングによるトレンチ（２１）の側壁を保護膜（２２）で覆いながら段階的にエッチングを行うボッシュプロセスを行い、前記リリース部の側壁面を段階的に横方向エッチングすることで、前記リリース部のうち少なくとも前記支持基板側の先端部を前記半導体層の表面から前記支持基板側に向かって徐々に先細りとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量式半導体センサなどのように、半導体基板をエッチングして下地材料からリリースする構造の半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１において、シリコンをトレンチエッチングすることにより、下地材料となるシリコン基板から可動体を構成する構造体をリリースする半導体装置の製造方法が開示されている。この製造方法では、シリコンをエッチングして形成するトレンチの側壁面がシリコン表面に対して垂直方向となる垂直エッチングを行うことで構造体をリリースしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−０９８７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、垂直エッチングによって構造体をリリースする場合、トレンチエッチングを行うシリコンの厚みにバラツキが存在した場合、そのバラツキがそのまま出来上がりの構造体の厚さバラツキとして反映されてしまう。具体的には、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン基板Ｊ１の表面に凹部Ｊ１ａを形成したのち、その凹部Ｊ１ａ内を含めてシリコン基板Ｊ１の表面にシリコン酸化膜Ｊ２を形成し、この表面にシリコン層Ｊ３を形成することで、ＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板Ｊ４を構成する。このとき、図１２（ａ）、（ｂ）に示すようにシリコン層Ｊ３がそれぞれ膜厚ｈ１、ｈ２となって膜厚バラツキが発生する場合がある。その場合、シリコン層Ｊ３に対してトレンチエッチングを行ったときに、シリコン層Ｊ３の膜厚ｈ１、ｈ２のバラツキ分、構造体の厚みにバラツキが発生する。
【０００５】
このように、構造体Ｊ６に膜厚バラツキが生じると、例えば加速度センサやジャイロセンサのような容量式半導体センサにおいては、複数のセンサが形成されるウェハ面内もしくは同一チップ内において、形成される容量などの特性にバラツキが生じる。このため、歩留まりを低下させる要因となる。
【０００６】
なお、ここでは、垂直エッチングによって構造体Ｊ６をリリースする場合の一例として容量式半導体センサを例に挙げたが、これに限らず、他の構造の半導体装置においても同様の問題が発生する。例えば、錘部の両側を所定幅の梁で支持する構造体において、梁にピエゾ抵抗を備えることで錘部の変位量を検出するような加速度センサでは、錘部や梁をトレンチエッチングによって下地材料からリリースすることになる。この場合にも、梁の厚みにバラツキがあると、梁の剛性にバラツキが生じて同じ加速度が発生した場合における錘部の変位量が変化し、ピエゾ抵抗の抵抗値変化にもバラツキが発生する。このため、この場合にも上記と同様に歩留まりを低下させることになる。
【０００７】
本発明は上記点に鑑みて、半導体層をトレンチエッチングして構造体をリリースする半導体装置において、半導体層の膜厚バラツキに起因する構造体の厚みバラツキを抑制し、歩留まりの低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、支持基板（１、５１）と、支持基板の表面に形成された絶縁膜（２、５２）と、絶縁膜の上に形成された半導体層（３、５３）をトレンチエッチングすることにより、該半導体層の少なくとも一部を支持基板からリリースして浮遊状態とされたリリース部（８、５８）とを有し、リリース部は、少なくとも支持基板側の先端部が半導体層の表面から支持基板側に向かって徐々に先細りとされ、該リリース部の側壁面が段階的に横方向エッチングされることで構成されていることを特徴としている。
【０００９】
このように、リリース部を構成する際のエッチング時に、エッチングが進むほど徐々に横方向にエッチングが行われるようにしている。これにより、支持基板からリリースする部分の側壁面を傾斜させられ、エッチングによる傾斜角によってリリース部の厚みを一定値とすることが可能となる。したがって、半導体層の膜厚バラツキに起因するリリース部分の構造体の厚みバラツキを抑制し、歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００１０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる加速度センサの上面レイアウト図である。
【図２】図１中のII−II断面図である。
【図３】図１に示す加速度センサの製造工程を示した断面図である。
【図４】リリース部分の厚みを示した断面図である。
【図５】シリコン層３の厚みが異なっている場合でもリリース部分の厚みが等しくなることを示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる加速度センサの断面図である。
【図７】図６に示す加速度センサの製造工程を示した断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態にかかる加速度センサの上面レイアウト図である。
【図９】図８中のIX-IX断面図である。
【図１０】他の実施形態で説明する加速度センサの断面図である。
【図１１】他の実施形態で説明する加速度センサの断面図である。
【図１２】従来の加速度センサの製造工程を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。本実施形態では、トレンチエッチングによって構造体をリリースする半導体装置の一例として、容量式半導体センサを例に挙げて説明する。
【００１４】
図１および図２に示すように、本実施形態の加速度センサのセンサ部は、支持基板１の上に絶縁膜２を介して半導体層に相当するシリコン層３が配置されたＳＯＩ基板４を用いて形成されている。
【００１５】
図２に示すように、支持基板１は、例えばシリコン基板にて構成され、その表面側には凹部１ａが形成されている。絶縁膜２は、支持基板１とシリコン層３との間に配置され、本実施形態では凹部１ａ内を含めた支持基板１の表面全面に形成されている。シリコン層３は、ＳＯＩ基板４における活性層によって構成されるものであり、センサ部における可動部（梁構造体）５や固定部６等を構成する。
【００１６】
可動部５は、支持基板１に対して所望位置が支持されつつ、支持されている部分以外が支持基板１よりリリースされて浮遊状態となっており、加速度の印加に伴って可動させられる部分である。図１に示すように、可動部５は、錘部７と、可動電極８と、梁９およびアンカー部１０を有して構成されている。
【００１７】
錘部７は略長方形状にて構成されており、加速度が印加されたときに可動部５を動かす錘として機能する。
【００１８】
可動電極８は、錘部７が構成する略長方形状の長辺から垂直方向に延設され、各辺に複数本ずつ備えられることで櫛歯状に配置されている。各可動電極８の間隔は、一定間隔とされており、各可動電極８の幅および長さは等しくされている。また、図２に示すように、可動電極８は、シリコン層３の表面から支持基板１側の先端部に向かって全域が徐々に先細り形状となる逆テーパ形状とされることで、その厚みｈａがアンカー部１０などシリコン層３の他の部分の厚みｈと比較して薄くされている。これにより、可動電極８の厚みｈａが所望寸法に調整されている。このため、可動電極８と後述する固定電極１２との間に形成される容量値を所望値に設定することが可能になっている。
【００１９】
梁９は、錘部７とアンカー部１０とを接続している。錘部７と各アンカー部１０との間は２本ずつの梁９にて接続されており、錘部７と各アンカー部１０との間において各梁９が複数回折り曲げられた形状とされている。これにより、各梁９は、基板水平方向における一方向、つまり可動電極８と固定電極１２との配列方向に変位することで、加速度が印加されたときに錘部７および可動電極８を可動させ、可動電極８と固定電極１２との間の間隔を変化させることを可能にしている。
【００２０】
アンカー部１０は、各梁９を片持ち支持するものである。図２に示すように、アンカー部１０は、凹部１ａと異なる位置に配置されており、絶縁膜２を介して支持基板１に固定されている。このため、可動部５は、アンカー部１０にて支持された状態で梁９の変位に基づいて基板水平方向に移動できるようになっている。なお、アンカー部１０のうち少なくとも１つの表面にはパッド部１０ａが形成されている。このため、図示しないボンディングワイヤなどがパッド部１０ａに電気的に接続されることで可動部５の電位を取り出すことが可能となる。
【００２１】
一方、固定部６は、支持基板１に対して支持されることで加速度が印加されても変位せずに固定されている部分であり、可動部５を挟むように配置されており、支持部１１や固定電極１２および枠部１３などを有して構成されている。
【００２２】
支持部１１は、固定電極１２の一端を支持すると共に固定電極１２に対して所定電圧を印加するものであり、固定電極１２と共に、可動部５が構成する略長方形状のうち可動電極８が配置された長辺と対応する位置に配置されている。各支持部１１の表面にはパッド部１１ａが形成されている。このため、図示しないボンディングワイヤなどが各パッド部１１ａに電気的に接続されることで固定電極１２に対して所望の電圧を印加することが可能となっている。各支持部１１を分離して別々に設けているため、各支持部１１に対して同じ電位を印加することもできるし、異なる電位を印加することも可能とされている。
【００２３】
固定電極１２は、支持部１１のうちの可動部５と対向する辺から垂直方向に延設され、各支持部１１に複数本ずつ備えられることで櫛歯状に配置されている。各固定電極１２の間隔は、一定間隔とされており、各固定電極１２の幅および長さが等しくされている。また、図２に示すように、固定電極１２は、シリコン層３の表面から支持基板１側に向かって徐々に先細り形状となる逆テーパ形状とされることで、その厚みｈａがアンカー部１０などシリコン層３の他の部分の厚みｈと比較して薄くされている。そして、各固定電極１２が各可動電極８と対向配置させられることで、各固定電極１２と各可動電極８との間に容量が形成されている。このため、基板水平方向の加速度が印加されたときに、容量値の変化に基づいてその加速度を検出することが可能となっている。
【００２４】
なお、固定電極１２は、支持部１１に支持されることで支持基板１に固定された状態となっているため、図２に示すように下方が支持基板１からリリースして浮遊状態とされていても構わない。
【００２５】
枠部１３は、シリコン層３のうち可動部５や固定部６以外の部分で構成された周辺部となるものであり、これら各部から離間されるようにして支持基板１上に残されている。この枠部１３にもパッド１３ａが形成されており、このパッド１３ａに図示しないボンディングワイヤなどを電気的に接続することにより、例えばＧＮＤ電位などに電位固定できる構造にされている。
【００２６】
以上のようにして、本実施形態にかかる加速度センサが構成されている。続いて、上記のように構成される加速度センサの製造方法について説明する。なお、加速度センサの製造方法のうち、可動電極８などのリリース工程以外については従来と同様であるため、従来と異なるリリース工程について主に説明する。
【００２７】
まず、凹部１ａが形成されたシリコン基板などで構成される支持基板１を用意し、凹部１ａを含む支持基板１の表面に絶縁膜２を形成する。例えば、支持基板１の表面を熱酸化することでシリコン酸化膜を形成し、これを絶縁膜２として用いることができる。さらに、絶縁膜２を形成した支持基板１における凹部１ａ側の面に対してシリコン基板を貼り合せる。これにより、ＳＯＩ基板４が構成される。
【００２８】
続いて、図３（ａ）に示すように、シリコン層３の表面に可動部５や固定部６の形成予定領域を覆うマスク２０を配置したのち、図３（ｂ）に示すように、マスク２０から露出した部分をトレンチエッチングすることで可動部５や固定部６を分離する。
【００２９】
このときのトレンチエッチングは、エッチングを進める際にトレンチ２１の側壁を保護膜２２で覆いながら段階的にエッチングを行っていくという、いわゆるボッシュプロセスによって行われる。
【００３０】
例えば、エッチングガスとしてＳＦ6を用いてエッチングを進めながら、それにより形成されるトレンチ２１の側壁を保護すべく、エッチングガスを例えばＨｅとＯ2の混合ガスに切替えてトレンチ２１の内壁面に保護膜２２を形成する。ＨｅとＯ2の混合ガスを用いる場合、シリコン層３を構成するシリコンと酸素とが反応してＳｉＯ2で構成される保護膜２２を形成できる。そして、エッチングガスと保護膜２２を形成するためのガスの導入を１ステップとして、このステップを複数回繰り返し行うことで、保護膜２２で内壁面を保護しつつトレンチ２１のエッチングを進めている。
【００３１】
また、このときのトレンチエッチングが保護膜２２の形成よりもエッチング優位となるようにすることで、徐々に横方向エッチングが進むようにしている。これにより、トレンチ２１の側面が傾斜して可動電極８や固定電極１２の側壁面がシリコン層３の表面から支持基板１側に向かって徐々に先細り形状となる逆テーパ形状とされる。ボッシュプロセスによってトレンチ２１を形成した場合、エッチングを段階的に進めるため、トレンチ２１の側面、つまり可動電極８や固定電極１２の側壁面に凹凸が形成された状態となっている。
【００３２】
なお、エッチング優位となるようにするには、例えばトレンチ２１をシリコン層３の表面に対して垂直にする場合と比較して、保護膜の形成時間に対するエッチング時間の比率を高くしたり、混合ガス中のＯ2の比率を低くすれば良い。また、上記例では、ボッシュプロセスによってトレンチ２１を形成する場合について説明したが、ＫＯＨ（水酸化カリウム）による異方性エッチングなどによって、トレンチ２１を形成することもできる。
【００３３】
このようにして、可動部５や固定部６を形成すると、可動電極８や固定電極１２については、横方向エッチングにより、これらの両側壁面が支持基板１側において、シリコン層３の厚みよりも薄い厚みｈａの位置で繋がり、支持基板１からリリースされた状態となる。このときの可動電極８や固定電極１２の厚みｈａは、可動電極８や固定電極１２の幅と側壁面の傾斜角によって決まる。例えば、図４中に記載したように、可動電極８や固定電極１２の幅をｄｃ、シリコン層３の表面に対する垂直方向と側壁面の成す傾斜角をθとすると、次式で表される。
【００３４】
（数１）  ｈａ＝（ｄｃ／２）／ｔａｎθ
したがって、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン層３の厚みｈが厚みｈ１と厚みｈ２というようにバラツキが生じたとしても、出来上がった可動電極８や固定電極１２の厚みｈａはエッチングによる傾斜角によって一定値とすることができる。これにより、可動電極８と固定電極１２との間に構成される容量等の特性に、複数の加速度センサが形成される面内もしくは同じチップ内においてバラツキが生じることを抑制でき、歩留まりを向上することが可能となる。
【００３５】
なお、可動電極８や固定電極１２のうち支持基板１からリリースする部分については厚みｈａがシリコン層３の厚みｈ以下となるようにすることが必要である（ｈａ≦ｈ）。このため、シリコン層３の厚みｈのバラツキを加味して、可動電極８や固定電極１２の幅ｄａや傾斜角θを決めるエッチング条件を設定すれば良い。ただし、可動部５のうちのアンカー部１０や固定部６のうち固定電極１２以外の部分のように支持基板１に支持される部分については、エッチングによってリリースされないようにすることが必要である。このため、図４に示すように、例えばアンカー部１０については横エッチングがされてもリリースされないように幅ｄａが次式を満たすように設定される。
【００３６】
（数２）  ｈ＜（ｄａ／２）／ｔａｎθ
以上説明したように、本実施形態では、可動部５や固定部６を形成する際のトレンチエッチング時に、エッチングが進むほど徐々に横方向にエッチングが行われるようにしている。これにより、可動電極８などのように支持基板１からリリースする部分の側壁面を傾斜させられ、エッチングによる傾斜角によって可動電極８などの厚みを一定値とすることが可能となる。したがって、可動電極８と固定電極１２との間に構成される容量等の特性に、複数の加速度センサが形成される面内もしくは同じチップ内においてバラツキが生じることを抑制でき、歩留まりを向上することが可能となる。
【００３７】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してトレンチエッチングの手法を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３８】
図６に示すように、本実施形態では、可動部５や固定部６を形成する際のトレンチエッチングをシリコン層３の表面から所定深さｈｃの位置まではシリコン層３の表面に対して垂直方向となるように行う。エッチング深さの制御は、ボッシュプロセスにおける１ステップでのエッチング量がエッチング条件によって決まっていることから、そのステップ数を調整することにより実施可能である。そして、シリコン層３のうち所定深さｈｃよりも深い位置より、第１実施形態と同様に逆テーパ形状となるようにエッチングを行う。すなわち、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ボッシュプロセスによってエッチングを段階的に進める。これにより、エッチングによって形成されるトレンチ２１の側面、つまり可動電極８や固定電極１２の側壁面に凹凸が形成された状態となっている。この凹凸は、可動電極８や固定電極１２のうち支持基板１側の先端部にも形成される。
【００３９】
このように、所定深さｈｃまではシリコン層３の表面に対する垂直方向にエッチングを進めるようにしても、それより深い位置において横方向へのエッチングが行われて可動電極８などがリリースされるまでの深さは一定値となる。このため、シリコン層３の表面に対する垂直方向にエッチングされた部分を含めた可動電極８などの厚みを一定値とすることができる。したがって、本実施形態のような構成としても、第１実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
【００４０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態では、第１実施形態と異なり、容量式の加速度センサではなくピエゾ抵抗式の加速度センサに対して本発明の一実施形態を適用した場合について説明する。
【００４１】
図８および図９に示すように、本実施形態の加速度センサのセンサ部も、支持基板５１の上に絶縁膜５２を介してシリコン層５３が配置されたＳＯＩ基板５４を用いて形成されている。ＳＯＩ基板５４の構成は、第１実施形態と同様であり、支持基板５１の表面側に凹部５１ａが形成された構造とされている。また、シリコン層５３は、ＳＯＩ基板５４における活性層によって構成されるものであり、センサ部における可動部（梁構造体）５５や固定部５６等を構成する。
【００４２】
可動部５５は、加速度の印加に伴って可動させられる部分であり、図８に示すように錘部５７および梁５８を有して構成されている。
【００４３】
錘部５７は、略長方形状とされ、固定部５６から所定距離離間した位置して配置されている。梁５８は、錘部５７のうちの長辺それぞれに対して２箇所ずつ備えられており、錘部５７を固定部５６に支持する役割を果たしている。各梁５８の幅および長さは等しくされており、錘部５７の各長辺に設けられた２箇所の梁５８が錘部５７の長辺の中心を挟んだ等距離の位置に配置されている。そして、この梁５８をシリコン層３の表面から支持基板１側に向かって徐々に先細り形状となる逆テーパ形状としており、この梁５８の表面にピエゾ抵抗５９を形成している。ピエゾ抵抗５９は、例えば梁５８の表面に対して不純物をイオン注入することによって形成した拡散層によって構成され、固定部５６に形成した図示しないパッド部を通じてピエゾ抵抗５９の抵抗値の変化を電気的に検出できるようになっている。
【００４４】
一方、固定部５６は、支持基板５１に対して絶縁膜５２を介して支持されることで加速度が印加されても変位せずに固定されている部分であり、可動部５５を囲むように配置されている。
【００４５】
このように構成された加速度センサは、加速度が印加されると、錘部５７が移動することに伴って梁５８が変形し、その変形によってピエゾ抵抗５９の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化が電気的に検出されることで、その加速度を検出することが可能となっている。
【００４６】
このような加速度センサにおいても、梁５８をシリコン層３の表面から支持基板１側に向かって徐々に先細り形状となる逆テーパ形状としている。このため、シリコン層３の厚みにバラツキが生じたとしても、出来上がった梁５８の厚みはエッチングによる傾斜角によって一定値とすることができる。これにより、梁５８に形成されたピエゾ抵抗５９の特性に、複数の加速度センサが形成される面内もしくは同じチップ内においてバラツキが生じることを抑制でき、歩留まりを向上することが可能となる。
【００４７】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００４８】
上記各実施形態では、支持基板１、５１の表面側に凹部１ａ、５１ａが形成されたものを例に挙げて説明したが、凹部１ａ、５１ａが形成されていない構造であっても良い。その場合、例えば図１０に示すようにシリコン層３のうちトレンチエッチングによってリリースされる部分において絶縁膜２をＨＦなどでエッチングして除去しても良いし、図１１に示すように絶縁膜２が残るような形態であっても良い。図１１に示す構成の場合であっても、シリコン層３のうちトレンチエッチングによってリリースされる部分が絶縁膜２の表面から離間した状態になるため、絶縁膜２を除去しなくても問題はない。
【００４９】
また、上記各実施形態では、トレンチエッチングによって支持基板１、５１からシリコン層３を部分的にリリースしたリリース部を有する構造として、可動電極８や梁５８がリリース部となる容量式の加速度センサやピエゾ抵抗式の加速度センサ等の物理量センサを例に挙げて説明した。しかしながら、これらはトレンチエッチングによって支持基板１、５１からシリコン層３を部分的にリリースしたリリース部を有する構造の一例を示したに過ぎず、ジャイロセンサのような他の物理量センサや他の構造体に対しても本発明を適用することができる。
【００５０】
さらに、上記実施形態では、半導体としてシリコンを用いる場合について説明したが、他の半導体材料を用いても良い。
【符号の説明】
【００５１】
１、５１      支持基板
１ａ、５１ａ  凹部
２、５２      絶縁膜
３、５３      シリコン層
４、５４      ＳＯＩ基板
５、５５      可動部
６、５６      固定部
７、５７      錘部
８            可動電極
９、５８      梁
１２          固定電極
５９          ピエゾ抵抗
【図１】
2015219036.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015219036.tif 000005
【図４】
2015219036.tif 000006
【図５】
2015219036.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015219036.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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