(57)【要約】【課題】複数のユニット間における基板の受け渡しテストの作業効率を高める。【解決手段】基板処理装置は、ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット、及び洗浄ユニットを有し、これらのユニットの間で基板の受け渡しを行いながら基板に対する処理を行う。例えば、ロード／アンロードユニット２のユニット制御盤に設けられたテスト制御部（ＣＰＵ）は、ロード／アンロードユニット２が洗浄ユニット及び研磨ユニットと組み立てられていない状態において、ロード／アンロードユニット２の外部に設置された基板置き台２３００，２４００に載置されたウェハを、搬送機構によって受け取ってロード／アンロードユニット２内に搬送したり、ロード／アンロードユニット２内に設置されたウェハを、搬送機構によって基板置き台２２００まで搬送して基板置き台２２００に載置したりすることによって、ロード／アンロードユニット２単体での基板の受け渡しテストを行う。【選択図】図８
2015056468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組み立てられた複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも１つのユニットに設けられたユニット制御盤であって、
前記ユニット制御盤が設けられたユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、該ユニットの外部に設置された基板置き台を用いて、該ユニットにおける基板の受け渡しテストを行うテスト制御部を備える、
ことを特徴とするユニット制御盤。
【請求項２】
請求項１のユニット制御盤において、
前記テスト制御部は、前記ユニット内に設置された基板を、前記ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、
ことを特徴とするユニット制御盤。
【請求項３】
請求項１又は２のユニット制御盤において、
前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、
ことを特徴とするユニット制御盤。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項のユニット制御盤において、
前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットに設けられ、
前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
前記洗浄ユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって前記基板の受け渡しテストを行う、
ことを特徴とするユニット制御盤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項のユニット制御盤において、
前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード／アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード／アンロードユニットに設けられ、
前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
前記ロード／アンロードユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記ロード／アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード／アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前
記ロード／アンロードユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、
ことを特徴とするユニット制御盤。
【請求項６】
組み立てられた複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも１つのユニットにおける基板の受け渡しテスト方法であって、
前記少なくとも１つのユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、前記少なくとも１つのユニットの外部に、基板置き台を設置し、
前記基板置き台を用いて、前記少なくとも１つのユニットにおける前記基板の受け渡しテストを行う、
ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
【請求項７】
請求項６の基板の受け渡しテスト方法において、
前記基板の受け渡しテストは、前記少なくとも１つのユニット内に設置された基板を、前記少なくとも１つのユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記少なくとも１つのユニット内に搬送する、ことによって行われる、
ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
【請求項８】
請求項６又は７の基板の受け渡しテスト方法において、
前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、
ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項の基板の受け渡しテスト方法において、
前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットにおいて行われ、
前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
前記基板の受け渡しテストは、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって行われる、
ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項の基板の受け渡しテスト方法において、
前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード／アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード／アンロードユニットにおいて行われ、
前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
前記基板の受け渡しテストは、前記ロード／アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード／アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記リフタの代わりに設置された前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記乾燥モジュールの代わりに設置された前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ロード／アンロードユニット内に搬送する、ことによって行われる、
ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれか１項のユニット制御盤を有するユニットと、
前記ユニットと組み立てられる他のユニットと、を備え、
前記組み立てられたユニットと他のユニットと間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置は、例えば、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び基板の搬送処理を行うためのロード／アンロードユニット、などを備えて構成される。
【０００３】
研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニットはそれぞれ、ユニット単体で製造される。基板処理装置は、これら複数のユニットを組み立てて、複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら基板に対して一連の処理を行うのが一般的である。すなわち、ロード／アンロードユニットは、処理対象の基板を研磨ユニットへロードする（渡す）。研磨ユニットは、ロード／アンロードユニットによってロードされた基板に対して研磨処理を行う。洗浄ユニットは、研磨ユニットによって研磨処理された基板を受け取って、洗浄処理及び乾燥処理を行う。ロード／アンロードユニットは、洗浄ユニットによって乾燥された基板をアンロードする（受け取る）。
【０００４】
ところで、基板処理装置は、複数のユニットを組立てた後に、すぐに本稼働をするのではなく、まずは基板処理装置の立ち上げ作業（テスト運転）を行うのが一般的である。立ち上げ作業としては、ユニット個々の処理が適正に行われるか否かのテスト、及び複数のユニット間で基板の受け渡しが適正に行われるか否かのテストなどが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２７４１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術は、複数のユニット間における基板の受け渡しテストの作業効率を高めることについては考慮されていない。
【０００７】
すなわち、複数のユニット間の基板の受け渡しテストを行うためには、基本的には、基板を渡す側のユニットと基板を受け取る側のユニットの存在を要する。このため、従来技術は、複数のユニットを組み立てて基板処理装置を製造した後に、複数のユニット間の基板の受け渡しテストを行うのが一般的であった。
【０００８】
しかしながら、複数のユニットを組み立てて製造された基板処理装置は大型になるため、基板の受け渡しテストに要する時間が長くなり、その結果、基板の受け渡しテストの効率を高めることが難しい場合がある。
【０００９】
そこで、本願発明は、複数のユニット間における基板の受け渡しテストの作業効率を高めることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明のユニット制御盤の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、組み立てられ
た複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも１つのユニットに設けられたユニット制御盤であって、前記ユニット制御盤が設けられたユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、該ユニットの外部に設置された基板置き台を用いて、該ユニットにおける基板の受け渡しテストを行うテスト制御部を備える、ことを特徴とする。
【００１１】
また、前記テスト制御部は、前記ユニット内に設置された基板を、前記ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
【００１２】
また、前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、ことを特徴とする。
【００１３】
また、前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットに設けられる場合がある。この場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記洗浄ユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
【００１４】
また、前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード／アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード／アンロードユニットに設けられる場合がある。この場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記ロード／アンロードユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記ロード／アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード／アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ロード／アンロードユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
【００１５】
また、本願発明の基板の受け渡しテスト方法の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、組み立てられた複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも１つのユニットにおける基板の受け渡しテスト方法であって、前記少なくとも１つのユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、前記少なくとも１つのユニットの外部に、基板置き台を設置し、前記基板置き台を用いて、前記少なくとも１つのユニットにおける前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
【００１６】
また、前記基板の受け渡しテストは、前記少なくとも１つのユニット内に設置された基板を、前記少なくとも１つのユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記少なくとも１つのユニット内に搬送する、ことによって行われる、ことを特徴とする。
【００１７】
また、前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、ことを特徴とする。
【００１８】
また、前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットにおいて行われる場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記基板の受け渡しテストは、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって行われる、ことを特徴とする。
【００１９】
また、前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード／アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード／アンロードユニットにおいて行われる場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード／アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記基板の受け渡しテストは、前記ロード／アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード／アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記リフタの代わりに設置された前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記乾燥モジュールの代わりに設置された前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ロード／アンロードユニット内に搬送する、ことによって行われる、ことを特徴とする。
【００２０】
また、本願発明の基板処理装置の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、上記のいずれかのユニット制御盤を有するユニットと、前記ユニットと組み立てられる他のユニットと、を備え、前記組み立てられたユニットと他のユニットと間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う。
【発明の効果】
【００２１】
かかる本願発明によれば、複数のユニット間における基板の受け渡しテストの作業効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。
【図３】図３は、リフタの構造を示す斜視図である。
【図４】図４は、スイングトランスポータの構造を示す斜視図である。
【図５】図５（ａ）は、洗浄ユニットを示す平面図であり、図５（ｂ）は、洗浄ユニットを示す側面図である。
【図６】図６は、洗浄ユニット４の制御部５に含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。
【図７】図７は、洗浄ユニットにおけるウェハの受け渡しテストに関するオペレーションフローを示す図である。
【図８】図８は、洗浄ユニットに対してウェハの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。
【図９】図９は、洗浄ユニットにおけるウェハの受け渡しテストの際の入出力インターフェースを模式的に示す図である。
【図１０】図１０は、ウェハＷの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローを示す図である。
【図１１】図１１は、ロード／アンロードユニットに含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。
【図１２】図１２は、ロード／アンロードユニットに対してウェハＷの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本願発明の一実施形態に係るユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置を図面に基づいて説明する。以下では、基板処理装置の一例として、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニットを備えた装置を説明するが、これには限られない。また、以下では、洗浄ユニット及びロード／アンロードユニットにおいて基板の受け渡しテストを行う例を説明するが、これには限られない。
【００２４】
まず、基板処理装置の構成、及び基板処理装置の各ユニット間での基板の受け渡しについて説明し、その後に各ユニットにおける基板の受け渡しテストについて説明する。
【００２５】
＜基板処理装置＞
図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロードユニット２と研磨ユニット３と洗浄ユニット４とに区画されている。これらのロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、および洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理動作を制御する制御部５を有しており、制御部５にはユニット制御盤（電源盤）が含まれる。
【００２６】
＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０はハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００２７】
また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置されている。搬送ロボッ
ト２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。
【００２８】
ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、基板処理装置外部、研磨ユニット３、および洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
【００２９】
＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
【００３０】
図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａとを備えている。
【００３１】
同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂとを備えており、第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃとを備えており、第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄとを備えている。
【００３２】
第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３１Ａについて説明する。
【００３３】
図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持されている。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付されており、この研磨パッド１０の上面はウェハＷを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａおよび研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成さ
れている。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。
【００３４】
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。
【００３５】
また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である
【００３６】
ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。
【００３７】
第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハはこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃおよび／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。
【００３８】
図３はリフタ１１の構造を示す斜視図である。リフタ１１は、搬送ロボット２２（図１参照）のアームがアクセスできる位置に配置されている。リフタ１１は、ウェハが載置される載置ステージ１５０と、載置ステージ１５０を支持するサポートシャフト１５１と、載置ステージ１５０を上下動させる昇降駆動機構１５２とを備えている。昇降駆動機構１５２としてはボールねじを備えたモータ駆動機構や、エアシリンダなどが用いられる。載置ステージ１５０は第１搬送位置ＴＰ１に位置している。載置ステージ１５０の上面には４つのピン１５３が設けられており、ウェハＷはこれらピン１５３の上に載置される。搬送ロボット２２の下側のアームは、その軸心回りに１８０度回転することでウェハを反転
させた後、そのウェハをリフタ１１の載置ステージ１５０上に載置するようになっている。図３は、反転させられたウェハＷを示している。本実施形態では、搬送ロボット２２のアームが反転機としても機能するので、従来必要であった反転機を不要とすることができる。したがって、リフタがウェハＷを受け取った後のウェハＷを反転させる工程を省略でき、処理全体のスループットを向上させることができる。
【００３９】
第１搬送位置ＴＰ１にある第１リニアトランスポータ６の搬送ステージ１２２ａと、リフタ１１の載置ステージ１５０とは、同じ垂直軸上に沿って配列されている。図３に示すように、垂直方向から見たときに、搬送ステージ１２２ａと載置ステージ１５０とは互いに重ならない形状を有している。より具体的には、第１リニアトランスポータ６の搬送ステージ１２２ａには、リフタ１１の載置ステージ１５０を通過させる切り欠き１５５が形成されている。この切り欠き１５５は載置ステージ１５０よりもやや大きく形成されている。
【００４０】
リフタ１１は、搬送ロボット２２のアームによって反転されたウェハＷを、載置ステージ１５０を上昇させた位置で受け取り、その後載置ステージ１５０が昇降駆動機構１５２に駆動されて下降する。載置ステージ１５０が第１リニアトランスポータ６の搬送ステージ１２２ａを通過するとき、ウェハＷのみが搬送ステージ１２２ａ上に載置され、載置ステージ１５０は所定の停止位置まで下降を続ける。これにより、ウェハＷがリフタ１１から第１リニアトランスポータ６に受け渡される。本実施形態では、搬送ロボット２２のアームが反転機としても機能するので、従来必要であった反転機を不要とすることができる。したがって、搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に搬送されるときに行われるウェハの受け渡しの回数を減らすことができ、ウェハの受け渡しのミスや受け渡し時間を減らすことができる。
【００４１】
リフタ１１のサポートシャフト１５１は逆Ｌ字型の形状を有しており、その垂直部分は載置ステージ１５０の外側に位置している。すなわち、リフタ１１を垂直方向から見たときに、載置ステージ１５０とサポートシャフト１５１の垂直部分とは互いに重ならない位置にある。さらに、サポートシャフト１５１は、第１リニアトランスポータ６の搬送ステージの走行路から外れた位置にある。したがって、リフタ１１の載置ステージ１５０の上下方向の位置に関係なく、第１リニアトランスポータ６の搬送ステージは第１搬送位置ＴＰ１に進入することができ、スループットを上げることができる。
【００４２】
図４はスイングトランスポータ１２の構造を示す斜視図である。スイングトランスポータ１２は、基板処理装置のフレーム１６０に設置されており、垂直方向に延びるリニアガイド１６１と、リニアガイド１６１に取り付けられたスイング機構１６２と、スイング機構１６２を垂直方向に移動させる駆動源としての昇降駆動機構１６５とを備えている。この昇降駆動機構１６５としては、サーボモータとボールねじを有するロボシリンダなどを採用することができる。スイング機構１６２にはスイングアーム１６６を介して反転機構１６７が連結されている。さらに反転機構１６７にはウェハＷを把持する把持機構１７０が連結されている。スイングトランスポータ１２の側方には、図示しないフレームに設置されたウェハＷの仮置き台１８０が配置されている。この仮置き台１８０は、図１に示すように、第１リニアトランスポータ６に隣接して配置されており、第１リニアトランスポータ６と洗浄ユニット４との間に位置している。
【００４３】
スイングアーム１６６は、スイング機構１６２の図示しないモータの駆動により該モータの回転軸を中心として旋回するようになっている。これにより、反転機構１６７および把持機構１７０が一体的に旋回運動し、把持機構１７０は、第４搬送位置ＴＰ４、第５搬送位置ＴＰ５、および仮置き台１８０の間を移動する。
【００４４】
把持機構１７０は、ウェハＷを把持する一対の把持アーム１７１を有している。それぞれの把持アーム１７１の両端には、ウェハＷの外周縁を把持するチャック１７２が設けられている。これらのチャック１７２は把持アーム１７１の両端から下方に突出して設けられている。さらに把持機構１７０は、一対の把持アーム１７１をウェハＷに近接および離間する方向に移動させる開閉機構１７３を備えている。
【００４５】
ウェハＷを把持する場合には、把持アーム１７１を開いた状態で、把持アーム１７１のチャック１７２がウェハＷと同一平面内に位置するまで把持機構１７０を昇降駆動機構１６５により下降させる。そして、開閉機構１７３を駆動して把持アーム１７１を互いに近接する方向に移動させ、把持アーム１７１のチャック１７２でウェハＷの外周縁を把持する。この状態で、昇降駆動機構１６５により把持アーム１７１を上昇させる。
【００４６】
反転機構１６７は、把持機構１７０に連結された回転軸１６８と、この回転軸１６８を回転させるモータ（図示せず）とを有している。モータにより回転軸１６８を駆動させることにより、把持機構１７０は、その全体が１８０度回転し、これにより把持機構１７０に把持されたウェハＷが反転する。このように、把持機構１７０全体が反転機構１６７により反転するので、従来必要であった把持機構と反転機構との間のウェハの受け渡しを省くことができる。なお、ウェハＷを第４搬送位置ＴＰ４から第５搬送位置ＴＰ５に搬送するときは、反転機構１６７はウェハＷを反転させず、被研磨面が下を向いた状態でウェハＷが搬送される。一方、ウェハＷを第４搬送位置ＴＰ４または第５搬送位置ＴＰ５から仮置き台１８０に搬送するときは、研磨された面が上を向くように反転機構１６７によってウェハＷが反転させられる。
【００４７】
仮置き台１８０は、ベースプレート１８１と、このベースプレート１８１の上面に固定された複数の（図４では２本の）垂直ロッド１８２と、ベースプレート１８１の上面に固定された１つの逆Ｌ字型の水平ロッド１８３とを有している。水平ロッド１８３は、ベースプレート１８１の上面に接続された垂直部１８３ａと、この垂直部１８３ａの上端から把持機構１７０に向かって水平に延びる水平部１８３ｂとを有している。水平部１８３ｂの上面にはウェハＷを支持するための複数の（図４では２つの）ピン１８４が設けられている。垂直ロッド１８２の上端にも、ウェハＷを支持するためのピン１８４がそれぞれ設けられている。これらのピン１８４の先端は同一水平面内に位置している。水平ロッド１８３は、垂直ロッド１８２よりもウェハＷの旋回移動の中心（すなわち、スイング機構１６２のモータの回転軸）に近い位置に配置されている。
【００４８】
反転機構１６７により反転させられた把持機構１７０は、ウェハＷを把持したまま、水平ロッド１８３の水平部１８３ｂとベースプレート１８１との間の隙間に進入し、全てのピン１８４がウェハＷの下方に位置したときに、スイング機構１６２による把持機構１７０の旋回が停止される。この状態で把持アーム１７１を開くことでウェハＷが仮置き台１８０に載置される。仮置き台１８０に載置されたウェハＷは、次に説明する、洗浄ユニット４の搬送ロボットによって洗浄ユニット４に搬送される。
【００４９】
＜洗浄ユニット＞
図５（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図５（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール２０１Ａおよび下側一次洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａは下側一次洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール２０２Ａおよび下側二次洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側二次洗浄モジュ
ール２０２Ａは下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。一次および二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは、洗浄液を用いてウェハを洗浄する洗浄機である。これらの一次および二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
【００５０】
上側二次洗浄モジュール２０２Ａと下側二次洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。これら上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂは互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、および下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。
【００５１】
第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置され、第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置されている。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図５（ａ）の点線が示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
【００５２】
第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０３、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。第２搬送ロボット２１０は、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、その上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａまたは下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
【００５３】
＜ウェハＷの受け渡しテスト＞
次に、各ユニットにおけるウェハＷの受け渡しテストについて説明する。本実施形態では、洗浄ユニット４及びロード／アンロードユニット２のそれぞれにおいてユニット単体でウェハＷの受け渡しテストが行われ、研磨ユニット３においてはウェハＷの受け渡しテストは行われない。研磨ユニット３は、上述のように、ロード／アンロードユニット２の搬送ロボットからリフタ１１にウェハＷを渡されたり、仮置き台１８０に置いたウェハＷを洗浄ユニット４の搬送ロボットによって取られたり、ウェハＷの受け渡しに関しては受動的なユニットとなるからである。なお、基板処理装置における本稼働前の立ち上げ（テ
スト）には様々なものがあるが、ここでは、ユニット間のウェハＷの受け渡しテストのみについて説明する。
【００５４】
＜洗浄ユニットにおけるウェハＷの受け渡しテスト＞
まず、洗浄ユニット４におけるウェハＷの受け渡しテストについて説明する。図６は、洗浄ユニット４の制御部５に含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。
【００５５】
図６に示すように、ユニット制御盤５０は、ＡＣ／ＤＣコンバータ５１、ＨＭＩＰＣ（Ｈｕｍａｎ  Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）５２、ＦＳ（Ｆｉｌｅ  Ｓｅｒｖｅｒ）ＰＣ５３、及びＨＵＢ５４を備える。また、ユニット制御盤５０は、ＣＰＵ５５，５９、ＣＣ−Ｌｉｎｋ（登録商標）５６，５７，６１、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ（登録商標）５８、４つのＭＰ６３、Ｉ／Ｏ６４，６６、Ｓａｆｅｔｙ  ＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）６５、ＥＭＯ（ＥＭｅｒｇｅｎｃｙ  Ｏｆｆ）８０を備える。
【００５６】
ＡＣ／ＤＣコンバータ５１は、外部のＡＣ電源７０から供給されるＡＣ２００ＶをＤＣ２４Ｖへ変換する。ＡＣ電源７０から送られたＡＣ２００Ｖは、洗浄ユニット４における搬送ロボット等のドライバ、ＣＰＵ５５，５９等へ供給され、ＡＣ／ＤＣコンバータ５１から出力されるＤＣ２４Ｖは、Ｉ／Ｏ６４，６６等へ供給される。
【００５７】
ＨＭＩＰＣ５２は、ウェハＷの受け渡しテスト等に関する指令を入力するためのＰＣ８０との間のインターフェースとなり、ＰＣ８０から出力された指令信号を受信してＦＳＰＣ５３、ＣＰＵ５５，５９等へ出力する。
【００５８】
ＦＳＰＣ５３は、洗浄ユニット４に関する各種ログ管理を行う。ＨＭＩＰＣ５２、ＦＳＰＣ５３、ＣＰＵ５５，５９、及びＭＰ６３は相互に、ＨＵＢ５４（集線装置）を介してＥｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）によって接続される。また、ＨＭＩＰＣ５２、ＣＰＵ５５，５９は相互に、ＣＣ−Ｌｉｎｋ５６，５７，６１を介してＣＣ−Ｌｉｎｋ  ＩＥ（登録商標）によって接続される。ＥＭＯ８０は、基板処理装置を緊急停止させるためのボタンである。
【００５９】
ＣＰＵ５５は、洗浄ユニット４におけるウェハＷの搬送処理、ウェハＷの洗浄処理、及びウェハＷの乾燥処理などの各種制御を行うためのユニットである。また、ＣＰＵ（テスト制御部）５９は、ＨＭＩＰＣ５２と協働して、洗浄ユニット４におけるウェハＷの受け渡しテストに関する制御を行う。ＣＰＵ５９は、例えば、ユニット制御盤５０が設けられた洗浄ユニット４が研磨ユニット３（他のユニット）と組み立てられていない状態において、洗浄ユニット４の外部に設置された基板置き台を用いて、洗浄ユニット４における基板の受け渡しテストを行う。なお、以下では、ＣＰＵ５９が洗浄ユニット４におけるウェハＷの受け渡しテストに関する制御を行う一例を示すが、ＣＰＵ５５がウェハＷの受け渡しテストに関する制御を行うようにすることもできる。
【００６０】
ＣＰＵ５５は、モーションコントローラである４つのＭＰ６３、及び入出力インターフェースであるＩ／Ｏ６４と接続される。また、ＣＰＵ５５は、例えば水漏れ等の不具合が生じた場合に洗浄ユニット４の動作を停止させるＳａｆｅｔｙ  ＰＬＣ６５を介してＩ／Ｏ６６と接続される。
【００６１】
次に、洗浄ユニット４におけるウェハＷの受け渡しテストに関するオペレーションフローについて説明する。図７は、洗浄ユニットにおけるウェハの受け渡しテストに関するオペレーションフローを示す図である。図８は、洗浄ユニットに対してウェハの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。図９は、洗浄ユニットにお
けるウェハの受け渡しテストの際の入出力インターフェースを模式的に示す図である。
【００６２】
図７に示すように、ウェハＷの受け渡しテストでは、まず、搬送スタート位置にウェハＷをセットする（ステップＳ１０１）。ここで、洗浄ユニット４と研磨ユニット３とが組み立てられているとしたら、洗浄ユニット４におけるウェハＷの搬送スタート位置は、仮置き台１８０となる。しかしながら、仮置き台１８０は、研磨ユニット３に組み込まれるモジュールであるから、洗浄ユニット４単体でウェハＷの受け渡しテストを行う場合には存在しない。そこで、本実施形態では、洗浄ユニット４単体でウェハＷの受け渡しテストを行う際に、仮置き台１８０の代用として、受け渡しテスト用治具４０００が設置される。受け渡しテスト用治具４０００は、フレーム４１００と、基板置き台４２００と、を含む。
【００６３】
図８に示すように、基板置き台４２００は、フレーム４１００の上に設置される。基板置き台４２００は、洗浄ユニット４と研磨ユニット３（他のユニット）とが組み立てられた場合に洗浄ユニット４と研磨ユニット３との間でウェハＷの受け渡しを行う際に用いられる研磨ユニット３の仮置き台１８０（基板受け渡し部）が位置する場所に、ウェハＷの受け渡しテスト用として設置される。フレーム４１００は、基板置き台４２００が適正な位置に設置されるように調整されている。
【００６４】
ウェハＷの受け渡しテストでは、次に、ウェハＷをセットしたモジュールにウェハＷ情報を作成する（ステップＳ１０２）。続いて、ウェハＷの受け渡しテストでは、搬送するユニット（洗浄ユニット４）の全モジュールで搬送準備を実行する（ステップＳ１０３）。具体的には、図９に示す、ＰＣ８０のウェハＷの受け渡しテスト用の画面において、ユーザは、ウェハＷの受け渡しテストに関する各種指示を行うとともに、ウェハＷの動きをモニタする。洗浄ユニット４における搬送準備は、Ｈ．Ｐ．ボタン８５をクリックすることによって搬送準備を指示する。なお、ＰＣ８０のウェハＷの受け渡しテスト用の画面から入力される指示信号は、ＨＭＩＰＣ５２を介してユニット制御盤５０の各ブロックへ出力される。
【００６５】
続いて、ウェハＷの受け渡しテストでは、搬送画面でシナリオを選択する（ステップＳ１０４）。具体的には、図９に示す、ＰＣ８０のウェハＷの受け渡しテスト用の画面において、シナリオボタン８１をクリックすることによってシナリオを選択する。
【００６６】
続いて、ウェハＷの受け渡しテストでは、搬送画面からシナリオスタート位置を選択する（ステップＳ１０５）。例えば、あるシナリオが選択された場合、図９の例のように、ウェハＷの搬送ルート８７が（１）〜（１５）のブロックで示される。（１）〜（１５）のブロックは、ウェハＷがどのようなルートで搬送されるかを示している。ステップＳ１０５では、（１）〜（１５）のブロックのいずれかを選択することによって、どこからウェハＷの搬送をスタートするかを選択する。
【００６７】
続いて、ウェハＷの受け渡しテストでは、搬送画面にシナリオ繰り返し回数を入力する（ステップＳ１０６）。具体的には、図９に示す、ＰＣ８０のウェハＷの受け渡しテスト用の画面において、繰り返し回数入力欄８２にシナリオの繰り返し回数を入力する。
【００６８】
続いて、ウェハＷの受け渡しテストでは、搬送画面のＳｔａｒｔボタンをクリックし、搬送をスタートする（ステップＳ１０７）。具体的には、図９に示す、ＰＣ８０のウェハＷの受け渡しテスト用の画面において、Ｓｔａｒｔボタン８３をクリックすることによってウェハＷの搬送をスタートする。ウェハＷの搬送が開始されたら、ウェハＷの実際の動きに応じて、図９におけるモニタ領域８８でウェハＷを模した画像が動くようになっている。
【００６９】
続いて、ウェハＷの受け渡しテストでは、ウェハＷの受け渡しテストを実行しているユニット（この場合は洗浄ユニット４）に重故障が発生したか否かを判定する（ステップＳ１０８）。ウェハＷの受け渡しテストを実行しているユニットに重故障が発生していないと判定された場合（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、ウェハＷの搬送を通常通り行って処理を終了する。
【００７０】
一方、ウェハＷの受け渡しテストでは、ウェハＷの受け渡しテストを実行しているユニットに重故障が発生していると判定された場合（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、ウェハＷの搬送を停止する（ステップＳ１０９）。続いて、ユニットの重故障に対処して重故障から復帰したら故障を解除する（ステップＳ１１０）。続いて、ウェハＷの受け渡しテストでは、ウェハＷの搬送準備を実行し（ステップＳ１１１）、ステップＳ１０５へ戻って処理を繰り返す。
【００７１】
次に、ウェハＷの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローについて説明する。図１０は、ウェハＷの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローを示す図である。
【００７２】
シナリオ実行フローでは、まず、ＣＰＵ５９は、スタート条件が成立しているか否かを判断する（ステップＳ２０１）。具体的には、ＣＰＵ５９は、スタート位置にウェハＷが設置されているか、ステップＳ１０２におけるウェハＷの情報が入力されているか、洗浄ユニット４に故障がないか、などを判定し、これらの条件が満たされていれば、スタート条件が成立していると判定する。ＣＰＵ５９は、スタート条件が成立していないと判定した場合には（ステップＳ２０１，Ｎｏ）、処理を終了する。
【００７３】
一方、ＣＰＵ５９は、スタート条件が成立していると判定した場合には（ステップＳ２０１，Ｙｅｓ）、シナリオをスタートする（ステップＳ２０２）。具体的には、図７におけるフローが実行されることによって、シナリオがスタートする。
【００７４】
続いて、ＣＰＵ５９は、ブロック処理をスタートする（ステップＳ２０３）。具体的には、ＰＣ８０からＨＭＩＰＣ５２へ送信された各種の指示信号（コマンド）がＣＰＵ５９へ送られ、ＣＰＵ５９によって、ウェハＷの搬送テストが行われる。ＣＰＵ５９は、基板置き台４２００に載置されたウェハＷを、搬送ロボットによって受け取って洗浄ユニット４内に搬送することによってウェハＷの受け渡しテストを行う。
【００７５】
続いて、ＣＰＵ５９は、コマンド受付許可信号がＯＮになっているか否かを判定する（ステップＳ２０４）。ＣＰＵ５９は、コマンド受付許可信号がＯＮになっていないと判定した場合には（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、コマンドの受付を行うことができないので、処理を終了する。
【００７６】
一方、ＣＰＵ５９は、コマンド受付許可信号がＯＮになっていると判定した場合には（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、現在のブロックがシナリオの最後のブロックであるか否かを判定する（ステップＳ２０５）。ＣＰＵ５９は、現在のブロックがシナリオの最後のブロックではないと判定した場合には（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、ステップＳ２０３へ戻って処理を繰り返す。
【００７７】
ＣＰＵ５９は、現在のブロックがシナリオの最後のブロックであると判定した場合には（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、シナリオ実行回数≧設定回数であるか否かを判定する（ステップＳ２０６）。これは、シナリオを実際に実行した回数が、ステップＳ１０６で入力したシナリオ繰り返し回数に達したか否かを判定するステップである。
【００７８】
ＣＰＵ５９は、シナリオ実行回数≧設定回数ではないと判定した場合には（ステップＳ２０６，Ｎｏ）、ステップＳ２０３へ戻って、最初のブロックから処理を繰り返す。ＣＰＵ５９は、シナリオ実行回数≧設定回数であると判定した場合には（ステップＳ２０６，Ｙｅｓ）、処理を終了する。
【００７９】
以上のように、本実施形態によれば、洗浄ユニット４におけるウェハＷの受け渡しテストを行う際に、仮置き台１８０の代用として、受け渡しテスト用治具４０００（基板置き台４２００）を設置するので、洗浄ユニット４単体でもウェハＷの受け渡しテストを行うことができる。洗浄ユニット４単体でウェハＷの受け渡しテストを行うことによって、仮に受け渡しテストに問題が生じた場合であっても迅速に問題に対応することができる。洗浄ユニット４単体でのウェハＷの受け渡しテストをクリアした上で、洗浄ユニット４、研磨ユニット３、及びロード／アンロードユニット２を組み立てるので、これら複数のユニット間における基板の受け渡しテストも迅速にクリアすることができ、作業効率を高めることができる。
【００８０】
＜ロード／アンロードユニットにおけるウェハＷの受け渡しテスト＞
次に、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの受け渡しテストについて説明する。図１１は、ロード／アンロードユニット２に含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。
【００８１】
図１１に示すように、ロード／アンロードユニット２には、ウェハＷの受け渡しテストのために設けられたユニット制御盤２２０と、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの搬送等の各種処理を行うために元々設けられているＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）盤２４０と、を備える。
【００８２】
ユニット制御盤２２０は、ＡＣ／ＤＣコンバータ２２１、ＨＭＩＰＣ２２２、ＦＳＰＣ２２３、及びＨＵＢ２２４を備える。また、ユニット制御盤５０は、ＣＰＵ２２５、ＣＣ−Ｌｉｎｋ２２６，２２７、ＣＰＵ２２８、ＣＣ−Ｌｉｎｋ２２９、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ２３１、Ｓａｆｅｔｙ  ＰＬＣ２３２、及びＥＭＯ２７０を備える。
【００８３】
ＥＦＥＭ盤２４０は、ＣＰＵ２４１、ＣＣ−Ｌｉｎｋ２４２，２４３、ＲＳ２３２Ｃ２４４〜２４７、Ｉ／Ｏ２４８，２５１、Ｒｏｂｏｔ（搬送ロボット）２４９、及びＦｏｕｐ２５２〜２５５を備える。
【００８４】
ＡＣ／ＤＣコンバータ２２１は、外部のＡＣ電源２５０から供給されるＡＣ２００ＶをＤＣ２４Ｖへ変換する。ＡＣ電源２５０から送られたＡＣ２００Ｖは、ロード／アンロードユニット２におけるＲｏｂｏｔ２４９、ＦＯＵＰ２５２〜２５５、ＣＰＵ２２５，２２８，２４１、Ｓａｆｅｔｙ  ＰＬＣ２３２等へ供給され、ＡＣ／ＤＣコンバータ２２１から出力されるＤＣ２４Ｖは、Ｉ／Ｏ２４８，２５１等へ供給される。
【００８５】
ＨＭＩＰＣ２２２は、ウェハＷの受け渡しテスト等に関する指令を入力するためのＰＣ２８０との間のインターフェースとなり、ＰＣ２８０から出力された指令信号を受信してＦＳＰＣ２２３、ＣＰＵ２２５，２２８，２４１等へ出力する。
【００８６】
ＦＳＰＣ２２３は、ロード／アンロードユニット２に関する各種ログ管理を行う。ＨＭＩＰＣ２２２、ＦＳＰＣ２２３、及びＣＰＵ２２５，２２８，２４１は相互に、ＨＵＢ２２４（集線装置）を介してＥｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）によって接続される。また、ＨＭＩＰＣ２２２、ＣＰＵ２２５，２２８は相互に、ＣＣ−Ｌｉｎｋ２２６，２２９を介してＣＣ−Ｌｉｎｋ  ＩＥ（登録商標）によって接続される。また、ＣＰＵ２２５とＣＰＵ２４１、ＣＰＵ２４１とＩ／Ｏ２５１、Ｉ／Ｏ２５１とＲｏｂｏｔ２４９は、ＣＣ−Ｌｉ
ｎｋ２２７，２４２，２４３を介してＣＣ−Ｌｉｎｋ（登録商標）によって接続される。ＥＭＯ２７０は、基板処理装置を緊急停止させるためのボタンである。
【００８７】
ＣＰＵ２４１は、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの搬送処理などの各種制御を行うためのユニットである。また、ＣＰＵ（テスト制御部）２２５は、ＨＭＩＰＣ２２２と協働して、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの受け渡しテストに関する制御を行う。ＣＰＵ２２５は、例えば、ユニット制御盤２２０が設けられたロード／アンロードユニット２が研磨ユニット３及び洗浄ユニット４（他のユニット）と組み立てられていない状態において、ロード／アンロードユニット２の外部に設置された基板置き台を用いて、ロード／アンロードユニット２における基板の受け渡しテストを行う。
【００８８】
ＣＰＵ２２８は、Ｓａｆｅｔｙ  ＰＬＣ２３２とＣＰＵ２２５との間のインターフェースの役割を果たす。ＣＰＵ２２８は、例えば水漏れ等の不具合が生じた場合にロード／アンロードユニット２の動作を停止させるＳａｆｅｔｙ  ＰＬＣ２３２を介してＤｅｖｉｃｅ  Ｎｅｔ（登録商標）によってＩ／Ｏ２４８と接続される。また、ＣＰＵ２４１は、ＲＳ２３２Ｃ２４４〜２４７を介してＦＯＵＰ２５２〜２５５と接続される。
【００８９】
ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの受け渡しテストに関するオペレーションフローは、基本的には、図７で示した、洗浄ユニット４の場合と同様であるので、詳細な説明を省略する。また、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの受け渡しテストの際の入出力インターフェースは、ウェハＷの搬送ルート８７及びモニタ領域８８がロード／アンロードユニット２に対応するものに置き換わる以外は、図９で示した、洗浄ユニット４の同様であるので、説明を省略する。さらに、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローは、図１０で示した、洗浄ユニット４の場合と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００９０】
以下、洗浄ユニット４におけるウェハＷの受け渡しテストと異なる部分を説明する。図１２は、ロード／アンロードユニット２に対してウェハＷの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。
【００９１】
ロード／アンロードユニット２と、洗浄ユニット４と、研磨ユニット３とが組み立てられているとしたら、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの搬送スタート位置は、上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂとなり、ウェハＷの搬送先は、リフタ１１となる。しかしながら、上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、洗浄ユニット４に組み込まれるモジュールであり、リフタ１１は、研磨ユニット３に組み込まれるモジュールであるから、ロード／アンロードユニット２単体でウェハＷの受け渡しテストを行う場合には存在しない。そこで、本実施形態では、ロード／アンロードユニット２単体でウェハＷの受け渡しテストを行う際に、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、及びリフタ１１の代用として、受け渡しテスト用治具２０００が設置される。受け渡しテスト用治具２０００は、フレーム２１００と、基板置き台２２００，２３００，２４００と、を含む。
【００９２】
図１２に示すように、基板置き台２２００，２３００，２４００は、フレーム２１００に支持されて設置される。基板置き台２３００，２４００は、ロード／アンロードユニット２と洗浄ユニット４（他のユニット）とが組み立てられた場合にロード／アンロードユニット２と洗浄ユニット４との間でウェハＷの受け渡しを行う際に用いられる洗浄ユニット４の上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂ（基板受け渡し部）が位置する場所に、ウェハＷの受け渡しテスト用として設置される。また、基板置き台２２００は、ロード／アンロードユニット２と研磨ユニット３（他のユニット）とが組み立てられた場合にロード／アンロードユニット２と研磨ユニット３との間でウェハＷの受け
渡しを行う際に用いられる研磨ユニット３のリフタ１１（基板受け渡し部）が位置する場所に、ウェハＷの受け渡しテスト用として設置される。フレーム２１００は、基板置き台２２００，２３００，２４００が適正な位置に設置されるように調整されている。
【００９３】
ＣＰＵ２２５は、ロード／アンロードユニット２内に設置されたウェハＷを、ロード／アンロードユニット２内に設けられたウェハＷの搬送機構（搬送ロボット）によって基板置き台２２００まで搬送して基板置き台２２００に載置するとともに、基板置き台２３００，２４００に載置されたウェハＷを、搬送機構（搬送ロボット）によって受け取ってロード／アンロードユニット２内に搬送する、ことによってウェハＷの受け渡しテストを行う。
【００９４】
以上のように、本実施形態によれば、ロード／アンロードユニット２におけるウェハＷの受け渡しテストを行う際に、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、及びリフタ１１の代用として、受け渡しテスト用治具２０００（基板置き台２２００，２３００，２４００）を設置するので、ロード／アンロードユニット２単体でもウェハＷの受け渡しテストを行うことができる。ロード／アンロードユニット２単体でウェハＷの受け渡しテストを行うことによって、仮に受け渡しテストに問題が生じた場合であっても迅速に問題に対応することができる。ロード／アンロードユニット２単体でのウェハＷの受け渡しテストをクリアした上で、洗浄ユニット４、研磨ユニット３、及びロード／アンロードユニット２を組み立てるので、これら複数のユニット間における基板の受け渡しテストも迅速にクリアすることができ、作業効率を高めることができる。
【符号の説明】
【００９５】
２  ロード／アンロードユニット
３  研磨ユニット
４  洗浄ユニット
５  制御部
１１  リフタ
２２  搬送ロボット
５０  ユニット制御盤
５９，２２５  ＣＰＵ（テスト制御部）
１８０  仮置き台
２０５Ａ  上側乾燥モジュール
２０５Ｂ  下側乾燥モジュール
２２０  ユニット制御盤
２０００，４０００  テスト用治具
２１００，４１００  フレーム
２２００，２３００，２４００，４２００  基板置き台
Ｗ  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図６】
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【図１１】
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