(57)【要約】      （修正有）【課題】ＴＦＴ層の上にパッシベーション層及び平坦化膜を形成しコンタクトホールを開孔する工程を含む表示パネルの製造方法において、製造された表示パネルにおける画素の点欠陥の発生を抑える。【解決手段】ＴＦＴ層の上に、層間絶縁層１０７、上部電極１０８、パッシベーション層１０９０、平坦化膜１１００を順に積層形成する。レジスト膜２０１を平坦化膜上に形成し、ドライエッチングでコンタクトホール１１０ａを開孔し、レジスト膜を剥離する。平坦化膜１１０をマスクとして、パッシベーション層１０９０をドライエッチングすることによってコンタクトホール１０９ａを開孔する。平坦化膜１１０の表面及びコンタクトホール１１０ａ，１０９ａの内部を、アルカリ液で洗浄する。アルカリ洗浄後、アノード電極及びバンクを形成し、ホール輸送層を形成した後、有機発光層などを形成することによって有機発光機能層を形成する。【選択図】図３
2015230404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ＴＦＴ層、当該ＴＦＴ層を被覆するパッシベーション層、当該パッシベーション層を覆う平坦化膜が順に形成され、前記平坦化膜の上に素子電極及び当該素子電極上に積層された機能層を有する発光素子が形成され、前記素子電極の一部が、前記平坦化膜に開孔された第１貫通孔及び前記パッシベーション層に前記第１貫通孔に連続して開孔された第２貫通孔に入り込んで、前記ＴＦＴ層のソース電極またはドレイン電極に接続している表示パネルを製造する方法であって、
前記第２貫通孔を開孔する前のパッシベーション層の上に、前記第１貫通孔が開孔された平坦化膜を形成し、
形成した前記平坦化膜の第１貫通孔を通して前記パッシベーション層をドライエッチングすることによって前記第２貫通孔を形成し、
前記第２貫通孔形成の後、アルカリ性洗浄液を用いて平坦化膜の表面及び第１貫通孔と第２貫通孔の内面を洗浄し、
洗浄した平坦化膜の表面上と、前記第１貫通孔及び第２貫通孔の内面に前記素子電極を形成することによって、
前記素子電極と前記ソース電極またはドレイン電極との接続を行う、
表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記パッシベーション層に第２貫通孔を形成するときに、
前記第１貫通孔を有する平坦化膜をマスクとして、前記パッシベーション層をドライエッチングする、
請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第１貫通孔を有する平坦化膜を形成するときに、
前記パッシベーション層上に、第１貫通孔形成前の平坦化膜を形成し、当該平坦化膜における前記第１貫通孔を形成しようとする領域を除く領域にレジスト膜を形成し、
当該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行うことによって、第１貫通孔を形成性し、続いて前記パッシベーション層に第２貫通孔を連続して形成し、
その後、レジスト膜を除去した後に、前記アルカリ性洗浄液による洗浄を行う、
請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記レジスト膜の除去は、
当該レジスト膜をアッシングすることによって行う、
請求項３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記素子電極が接続されているソース電極またはドレイン電極は、銅または銅合金からなる、
請求項１〜４のいずれかに記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記素子電極は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、
請求項１〜５のいずれかに記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関し、特に、ＴＦＴ層におけるＳＤ電極と、絶縁層及び平坦化膜に開孔されたコンタクトホールを通して発光素子の電極とを接続する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、有機ＥＬ（Electro  Luminescence）表示パネルをはじめとして、アクティブ型表示パネルの実用化が進められている。
このアクティブ型の表示パネルにおいては、各画素の駆動制御を、発光部の下方に形成されたＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）により行う（特許文献１，２）。
図９を参照しながら、アクティブ型表示パネルの製造方法の一例として、有機ＥＬ表示パネルの製造方法を概略説明する。
【０００３】
図９に示すように、基板９００の上面にＴＦＴ層を形成する。このＴＦＴ層は、基板９００の側から、ゲート電極９０１、ゲート絶縁層９０２、チャネル層９０３、チャネル保護層９０４、ソース電極９０５およびドレイン電極９０６、層間絶縁層９０７、上部電極９０８、パッシベーション層９０９が順に形成され、上部電極９０８はソース電極９０５と接続された構成である。
【０００４】
次に、ＴＦＴ層におけるパッシベーション層９０９の上に平坦化膜９１０を形成し、その上に発光素子部を形成する。有機発光部の形成時には、平坦化膜９１０側から、アノード電極９１１、バンク９１２、有機発光機能層９１３、カソード９１４、封止層９１５が順に形成される。
有機発光機能層９１３には、発光層が含まれ、発光層のほかに、必要に応じてホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などが適宜積層されて構成されている。
【０００５】
次に、発光素子部の上に、樹脂層９１６を挟んだ状態で、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）を配置する。ＣＦ基板には、基板９１９の下面に、カラーフィルタ層９１７とブラックマトリクス層９１８とが形成されている。
上記の表示パネルを製造する工程の中で、ＴＦＴ層の上部電極９０８と、発光素子部のアノード電極９１１とを接続するために、パッシベーション層９０９および平坦化膜９１０にコンタクトホールが開孔され、平坦化膜９１０の上に形成されるアノード電極９１１の一部がコンタクトホール内に入り込んで上部電極９０８と接続される。
【０００６】
コンタクトホールの開孔には、ドライエッチングが多く用いられ、平坦化膜９１０とパッシベーション層９０９とをドライエッチングで連続して開孔することも行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３６３０３４号公報
【特許文献２】特開２００７−９５５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のようにパッシベーション層９０９にドライエッチングでコンタクトホールを形成すると、製造された表示パネルにおいて、点灯した画素に点欠陥が発生することがある。
本発明は、上記課題に鑑み、基板上に、ＴＦＴ層、当該ＴＦＴ層を被覆するパッシベーション層、当該パッシベーション層を覆う平坦化膜が順に形成され、平坦化膜に及びパッシベーション層に開孔されたコンタクトホールに入り込んで、ＴＦＴ層のソース電極またはドレイン電極と接続されている表示パネルを製造する方法において、製造された表示パネルにおける画素の点欠陥の発生を抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板上に、ＴＦＴ層、当該ＴＦＴ層を被覆するパッシベーション層、当該パッシベーション層を覆う平坦化膜が順に形成され、平坦化膜の上に素子電極及び当該素子電極上に積層された機能層を有する発光素子が形成され、素子電極の一部が、平坦化膜に開孔された第１貫通孔及びパッシベーション層に第１貫通孔に連続して開孔された第２貫通孔に入り込んで、ＴＦＴ層のソース電極またはドレイン電極に接続されている表示パネルを製造する方法であって、第２貫通孔を開孔する前のパッシベーション層の上に、第１貫通孔が開孔された平坦化膜を形成し、形成した平坦化膜の第１貫通孔を通してパッシベーション層をドライエッチングすることによって第２貫通孔を形成し、第２貫通孔形成の後、アルカリ性洗浄液を用いて平坦化膜の表面及び第１貫通孔と第２貫通孔の内面を洗浄し、洗浄した平坦化膜の表面上と、第１貫通孔及び第２貫通孔の内面に素子電極を形成することによって、素子電極とソース電極またはドレイン電極との接続を行うこととした。
【００１０】
ここでいう「ソース電極またはドレイン電極」には、ＴＦＴ層のソース電極またはドレイン電極自体の他に、ソース電極またはドレイン電極から引き出された上部電極なども含まれる。
【発明の効果】
【００１１】
上記態様の表示パネルの製造方法によれば、第２貫通孔をドライエッチングで形成するときに、素子電極またはドレイン電極の表面部分が削れて飛散し平坦化膜上に付着したとしても、次の工程において、アルカリ性洗浄液で平坦化膜の表面が洗浄されるので、異物が除去される。
従って、発光素子を形成するときには、異物が除去された平坦化膜の表面上に、素子電極及び機能層が形成されるので、異物に起因する画素の点欠陥の発生を抑えることができる。
【００１２】
また、ドライエッチングによって形成された貫通孔に臨む上記いずれかの電極の表面部分が、アルカリ洗浄によって酸化被膜のない新鮮な金属面となるので、平坦化膜の表面と貫通孔の内面に素子電極を形成したときに、素子電極とソース電極またはドレイン電極との電気的接続が良好になされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、実施の形態にかかる表示パネル１０の構成を示す模式断面図、（ｂ）は、表示パネル１０を用いた表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０の製造過程を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、実施例１に係るコンタクトホール形成工程を示す模式断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、実施例１に係る素子形成工程を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、比較例に係る素子形成工程を示す模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、実施例２にかかるコンタクトホールの形成工程を示す模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は、実施例３にかかる表示パネルの製造方法を示す図である。
【図８】変形例に係る表示パネルの構成を示す模式断面図である。
【図９】従来技術に係る表示パネルの構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［発明に至った経緯］
本発明者は、上記従来技術で説明した表示パネルの製造方法のように、平坦化膜９１０及びパッシベーション層９０９にドライエッチングによってコンタクトホール９１０ａ，９０９ａを形成したときに、製造された発光パネルにおいて画素に点欠陥が発生する理由を、以下のように考察した。
【００１５】
図５（ａ）に示すように、上部電極９０８の表面９０８ａが露出した時点でエッチングを終了するが、ドライエッチングの終了時付近においては、上部電極９０８における露出した部分の材料がドライエッチングによって飛散し、飛散した材料が平坦化膜９１０の上に異物として付着する。
従来から、ドライエッチング後には、コンタクトホール内および平坦化膜９１０の表面を、純水などで洗浄を行っているが、電極材料に由来する異物は水洗浄によっては十分に除去されず、平坦化膜９１０上に異物が残ってしまう。
【００１６】
そして、図５（ａ）に示すように平坦化膜９１０上に異物が残った状態で、その上にアノード電極９１１を形成すると、図５（ｂ）に示すように、異物が付着した箇所では、アノード電極９１１に突部が形成される。
続いて、バンク９１２、有機発光機能層９１３を形成する。
ここでは例えば、有機発光機能層９１３の最下層としてホール輸送層９１３ａをウェット法で形成する場合を考える。
【００１７】
アノード電極９１１の直上にホール輸送層９１３ａが形成され、その上に発光層などが形成されて、有機発光機能層９１３が形成されるが、アノード電極９１１における突部が形成された箇所では、図５（ｃ）に示すように、ホール輸送層９１３ａの膜厚が薄くなったり、ホール輸送層９１３ａが形成されないこともある。
従って、その上に有機発光機能層９１３などが形成されて、製造された表示パネルにおいては、発光素子を点灯させたときに、異物が付着している箇所が滅点となることがある。
【００１８】
このような考察のもとに、上記課題を解決するために、平坦化膜９１０上に存在する異物をより少なくする方法を検討した。
そして、アルカリ液によって洗浄を行うことが上記異物の低減に有効であることを見出し、本発明に至った。
[発明の態様]
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板上に、ＴＦＴ層、当該ＴＦＴ層を被覆するパッシベーション層、当該パッシベーション層を覆う平坦化膜が順に形成され、平坦化膜の上に素子電極及び当該素子電極上に積層された機能層を有する発光素子が形成され、素子電極の一部が、平坦化膜に開孔された第１貫通孔及びパッシベーション層に第１貫通孔に連続して開孔された第２貫通孔に入り込んで、ＴＦＴ層のソース電極またはドレイン電極に接続されている表示パネルを製造する方法であって、第２貫通孔を開孔する前のパッシベーション層の上に、第１貫通孔が開孔された平坦化膜を形成し、形成した平坦化膜の第１貫通孔を通してパッシベーション層をドライエッチングすることによって第２貫通孔を形成し、第２貫通孔形成の後、アルカリ性洗浄液を用いて平坦化膜の表面及び第１貫通孔と第２貫通孔の内面を洗浄し、洗浄した平坦化膜の表面上と、第１貫通孔及び第２貫通孔の内面に素子電極を形成することによって、素子電極とソース電極またはドレイン電極との接続を行うこととした。
【００１９】
上記態様の表示パネルの製造方法によれば、第２貫通孔をドライエッチングで形成するときに、電極の表面部分が削れて飛散し平坦化膜上に付着したとしても、次の工程においてアルカリ性洗浄液で平坦化膜の表面が洗浄されるので、異物が除去される。
従って、発光素子を形成するときには、異物が除去された平坦化膜の表面上に、素子電極及び機能層が形成されるので、異物に起因する画素の点欠陥の発生を抑えることができる。
【００２０】
また、ドライエッチングによって形成された第２貫通孔に臨むいずれかの電極の表面部分が、アルカリ洗浄によって酸化被膜のない新鮮な金属面となるので、素子電極を形成したときに、その素子電極との電気的接続が良好になされる。
上記態様の表示パネルの製造方法において、以下のようにしてもよい。
第２貫通孔を形成するときに、平坦化膜をマスクとして、パッシベーション層をドライエッチングする。
【００２１】
第１貫通孔を有する平坦化膜を形成するときに、パッシベーション層上に、第１貫通孔形成前の平坦化膜を形成し、当該平坦化膜における前記第１貫通孔を形成しようとする領域を除く領域にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行うことによって、第１貫通孔を形成性し、続いてパッシベーション層に第２貫通孔を連続して形成し、その後、レジスト膜を除去した後に、アルカリ性洗浄液による洗浄を行う、
ここで、レジスト膜の除去を、レジスト膜をアッシングすることによって行ってもよい。
【００２２】
上記ソース電極とドレイン電極が、銅または銅合金で形成されている場合には、平坦化膜上に付着する異物も銅を含むので、特に、上記アルカリ洗浄によって得られる異物の除去効果が大きい。
また、素子電極が、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合は、特に、上記アルカリ洗浄で貫通孔に臨むいずれかの電極の表面が洗浄されることによって得られる素子電極との接続部分の抵抗を低減する効果が大きい。
【００２３】
［実施の形態１］
１．表示パネル１０および表示装置１の全体構成
図１（ａ）は、実施の形態１にかかる表示パネル１０の構成を示す断面模式図である。
この表示パネル１０においては、基板１００の上に、ゲート電極１０１、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６などを有するＴＦＴ層が形成され、ドレイン電極１０６には上部電極１０８が接続されている。
【００２４】
そのＴＦＴ層及び上部電極１０８を覆ってパッシベーション層１０９が形成され、パッシベーション層１０９を覆って平坦化膜１１０が形成されている。そして、平坦化膜１１０の上に、素子電極としてのアノード電極１１１及び有機発光機能層１１３を有する発光素子が形成されている。
アノード電極１１１の一部が、平坦化膜１１０とパッシベーション層１０９に連続して開孔されたコンタクトホールに入り込んで、ドレイン電極１０６に接続された上部電極１０８に接触して接続されている。
【００２５】
なお、表示パネル１０全体には、複数のＴＦＴが形成されているが、図１（ａ）では、模式的に一つのＴＦＴのみを図示している。
表示装置１は、図１（ｂ）に示すように、表示パネル１０に対して、駆動・制御回路部２０が接続されて構成されている。
図１（ｂ）では、駆動・制御回路部２０が、４つの駆動回路２１〜２４と、１つの制御回路２５とから構成されている。ただし、駆動・制御回路部２０の構成はこれに限られず、例えば、駆動回路の数が２つであってもよいし、また、表示パネル１０に対する配置形態についても、表示パネル１０の外周の２辺に沿って、４つの駆動回路あるいは２つの駆動回路が配置されていてもよく、さらに、外周の１辺に沿って全ての駆動回路が配置されていてもよい。
２．表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図面を参照しながら説明する。以下では、表示パネル１０の製造方法について、（１）ＴＦＴ層の形成工程、（２）パッシベーション層、平坦化膜の形成工程、（３）発光素子部の形成工程に便宜的に分けて説明を行う。
（１）ＴＦＴ層の形成工程
先ず、ＴＦＴ層の形成工程について、図１（ａ）を参照しながら説明する。
【００２６】
基板１００を準備し、基板１００の上面（Ｚ方向）に、各トランジスタ素子部に対応してゲート電極１０１を形成する。
ゲート電極１０１が形成された基板１００の上面を被覆するように、ゲート絶縁層１０２を積層形成する。このゲート絶縁層１０２は、例えばＳｉＯ膜とＳｉＮ膜の積層構造でえる。
【００２７】
ゲート絶縁層１０２上におけるゲート電極１０１の上方領域にチャネル層１０３を形成する。そして、チャネル層１０３およびゲート絶縁層１０２を被覆するように、チャネル保護層１０４を積層形成する。
チャネル保護層１０４に対してチャネル層１０３に到達するコンタクトホールを開孔した後、各コンタクトホールを通してチャネル層１０３に一部接触するソース電極１０５及びドレイン電極１０６を形成する。ソース電極１０５およびドレイン電極１０６は、例えば、銅（Ｃｕ）などを用いることができる。また、金属材料からなる単層構造に限られず、積層構造を採用することもできる。例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）膜と、銅（Ｃｕ）とＭｏ膜との積層構造でもよい。
【００２８】
ソース電極１０５、ドレイン電極１０６及びチャネル保護層１０４を被覆するように、層間絶縁層１０７を形成する。この層間絶縁層１０７には、ソース電極１０５の表面の一部が露出するように、コンタクトホールが開孔されている。
層間絶縁層１０７におけるコンタクトホールの内壁面を含む表面上に、上部電極１０８を形成する。
【００２９】
上部電極１０８の形成は、スパッタリング法で金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法を用いてなされる。
以上のような過程を経て、基板１００上には、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６を含むＴＦＴ層と、当該ＴＦＴ層のドレイン電極１０６に接続された上部電極１０８とが形成される。
【００３０】
（２）パッシベーション層、平坦化膜の形成工程
次に、ＴＦＴ層及び上部電極１０８を被覆するパッシベーション層１０９、平坦化膜１１０を形成する。
この工程では、まず、図２（ａ）に示すように、パッシベーション層１０９０をべたで形成し、そのパッシベーション層１０９０を被覆するように、平坦化膜１１００をべたで積層形成する。
【００３１】
パッシベーション層１０９０の形成は、例えば、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法でなされる。平坦化膜１１００の形成は、例えば、有機材料を塗布し硬化させた後、上面を平坦化することによってなされる。
そして、図２（ｂ）に示すように、平坦化膜１１００およびパッシベーション層１０９０に対して、第１貫通孔としてのコンタクトホール１１０ａ及び第２貫通孔としてのコンタクトホール１０９ａを開孔する。コンタクトホール１１０ａ，１０９ａは、互いに連続する貫通孔である。
【００３２】
コンタクトホール１０９ａの開孔は、ドライエッチング法で、コンタクトホール１１０ａを通して行われ、コンタクトホール１０９ａの底に上部電極１０８の表面１０８ｂが露出するまで行う。
そして、コンタクトホール１１０ａ、１０９ａの開孔後、平坦化膜１１０の上面およびコンタクトホール１１０ａ，１０９ａの内面を、アルカリ水を用いて洗浄を行う。
【００３３】
このコンタクトホール１１０ａ，１０９ａの開孔及びアルカリ洗浄の工程については、後で詳しく説明する。アルカリ洗浄後に、平坦化膜１１０の上面、およびコンタクトホール１１０ａ，１０９ａの中を水洗およびエアブローすることにより、アルカリ洗浄液の除去を行って、次の工程に進む。
（３）発光素子部の形成
平坦化膜１１０上への発光素子部の形成について、図１（ａ）、図２（ｃ）を参照しながら説明する。
【００３４】
図２（ｃ）に示すように、平坦化膜１１０上、及びコンタクトホール１１０ａ，１０９ａ内に、素子電極としてのアノード電極１１１を形成する。
このアノード電極１１１は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法で金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて、各素子に対応した形状にパターニングすることによってなされる。
【００３５】
なお、アノード電極１１１上に、ホール注入層などが形成されることもある。
次に、発光素子を形成する領域を規定するバンク１１２を形成する。このバンク１１２は、表示素子部を形成する箇所が開口され、アノード電極１１１の外縁部にかかるように形成する。
具体的には、平坦化膜１１０及びアノード電極１１１の上を覆うように、バンク１１２の材料を塗布して成膜し、パターニングして開口を開設することによって形成される。このパターニングは、バンク材料の膜上にマスクを配置して露光し、その後、現像することでなされる。
【００３６】
図１（ａ）に示すように、バンク１１２で規定された発光素子形成領域に、有機発光層を含む有機発光機能層１１３を形成し、有機発光機能層１１３およびバンク１１２を全体的に被覆するように、カソード１１４および封止層１１５を順に成膜する。
なお、図面では、有機発光機能層１１３を一層で図示しているが、有機発光層を含む複数の機能層を積層した構成としてもよい。
【００３７】
これらの機能層は印刷法を用いて形成される。カソード１１４および封止層１１５は、スパッタリング法などで形成される。
最後に、別途に作成しておいたカラーフィルタパネル（ＣＦパネル）を、間に樹脂層１１６を挟んだ状態で貼り合わせる。ＣＦパネルは、基板１１９の下面にカラーフィルタ層１１７およびブラックマトリクス層１１８が形成されたパネルである。
【００３８】
以上で、表示パネル１０が作製される。
３．表示パネル１０における各部の構成材料
基板１００，１１９：
基板１００，１１９は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂基板、熱硬化性樹脂基板のいずれを用いてもよい。
【００３９】
ゲート電極１０１：
ゲート電極１０１は、例えば、銅（Ｃｕ）を含む材料で構成することもできる。例えば、銅（Ｃｕ）からなる層とモリブデン（Ｍｏ）からなる層との積層体を採用することができる。
ゲート絶縁層１０２：
ゲート絶縁層１０２の構成材料としては、例えば、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
【００４０】
無機材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）と窒化シリコン（ＳｉＮ）との積層体を採用することができる。有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用いることができる。
チャネル層１０３：
チャネル層１０３は、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）からなる層を採用することができる。その他に、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することもできる。
【００４１】
チャネル層１０３の層厚については、例えば、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とする。
チャネル保護層１０４：
チャネル保護層１０４は、酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる層を採用することができる。その他に、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いてもよい。また、複数層を積層した構造とすることもできる。
チャネル保護層１０４の層厚は、例えば、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲とする。
【００４２】
ソース電極１０５およびドレイン電極１０６：
ソース電極１０５およびドレイン電極１０６は、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用することができる。
ソース電極１０５およびドレイン電極１０６の層厚は、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲とする。
【００４３】
層間絶縁層１０７：
層間絶縁層１０７は、酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる層を採用することができる。
上部電極１０８：
上部電極１０８は、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６などと同様に、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用することができる。上部電極１０８においては、Ｃｕからなる層が上層となっている。
【００４４】
パッシベーション層１０９：
パッシベーション層１０９は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる層を採用することができる。パッシベーション層１０９の層厚は、５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲で、例えば、１００ｎｍとする。
平坦化膜１１０：
平坦化膜１１０は、ポリイミドからなる膜を採用することができる。それ以外に、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物からなる膜を採用することもできる。また、公知の感光性有機材料（例えばシロキサン共重合型感光性ポリイミド）を用いて平坦化膜１１０を形成することもできる。
【００４５】
平坦化膜１１０の層厚は、４．０μｍ〜５．０μｍの範囲、例えば、４．５μｍとすることができる。
アノード電極１１１：
アノード電極１１１は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。このアノード電極１１１は、金属材料からなる単層構造に限られず、金属層と透明導電層との積層構造を採用することもできる。透明導電層の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などが挙げられる。
【００４６】
なお、アノード電極１１１の上に、ホール注入層を形成する場合、その構成材料として、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を採用することができる。
【００４７】
バンク１１２：
バンク１１２は、絶縁性を有する樹脂等の有機材料で形成されている。
バンク１１２に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。
バンク１１２の材料は、有機溶剤に対する耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１１２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、バンク１１２の表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理してもよい。
【００４８】
有機発光機能層１１３：
有機発光機能層１１３には、有機発光層が含まれるが、その下にホール輸送層を形成することがある。
ホール輸送層をウェット法で形成する場合、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物を用いて形成することができる。
【００４９】
有機発光層は、ホールと電子とが注入されて再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する層である。
この有機発光層もウェット法で形成することができ、その材料としては、リパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
【００５０】
なお、有機発光層の上に、電子輸送層を形成することもできる。
電子輸送層は、カソード１１４から注入された電子を有機発光層へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用いて形成される。
カソード１１４：
表示パネル１０はトップエミッション型なので、カソード１１４は光透過性の材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）で形成される。
【００５１】
封止層１１５：
封止層１１５は、有機発光層などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、光透過性の材料、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料で形成される。また、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００５２】
カラーフィルタ層１１７：
カラーフィルタ層１１７は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、例えばアクリル樹脂をベースとした公知の材料で形成される。
ブラックマトリクス層１１８：
ブラックマトリクス層１１８は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料で形成される。
４．コンタクトホール１１０ａ，１０９ａの開孔とアルカリ洗浄
上述した表示パネル１０の製造工程の中で、平坦化膜１１００およびパッシベーション層１０９０にコンタクトホール１１０ａ，１０９ａを開孔する工程について、以下の実施例１〜３で詳しく説明する。
【００５３】
[実施例１]
実施例１では、平坦化膜にコンタクトホールをドライエッチングで生成し、その後、その平坦化膜をマスクとしてパッシベーション層にコンタクトホールを形成する。
図３（ａ）〜（ｆ）は、実施例１に係るコンタクトホールの形成及びアルカリ洗浄工程を示す図であって、図２（ａ）における枠Ａで囲んだ領域を示している。
【００５４】
図３（ａ）は、図２（ｂ）の状態、すなわち、層間絶縁層１０７、上部電極１０８、パッシベーション層１０９０、平坦化膜１１００が順に積層形成された状態を示している。
ここで、上部電極１０８は、Ｍｏ層とＣｕ層とＣｕＭｎ層とが順に積層された積層体である。
パッシベーション層１０９０の材料はＳｉＮであり、その層厚は１００ｎｍである。平坦化膜１１００の材料は感光性のポリイミドであり、その層厚は４．５μｍである。
【００５５】
図３（ｂ）に示すように、レジスト膜２０１を平坦化膜１１００上に形成する。このレジスト膜２０１は、フォトレジスト材料によって形成し、コンタクトホールを形成しようとする箇所に開口部２０１ａを開設する。
次に、平坦化膜１１００の表面側からフォトリソグラフィー法で図３（ｃ）に示すようにコンタクトホール１１０ａを開孔する。
【００５６】
図３（ｄ）に示すように、パッシベーション層１０９０上に、コンタクトホール１１０ａが開孔された平坦化膜１１０が被覆された状態となる。
レジスト膜２０１を除去する方法としては、ウェットステーションなどを使って剥離液でリフトオフする方法を用いてもよいし、ガスと化学反応させることでレジスト膜をアッシング（灰化）する方法を用いてもよい。
【００５７】
次に、図３（ｄ）の状態で、平坦化膜１１０をマスクとして、パッシベーション層１０９０をドライエッチングする。パッシベーション層１０９０には、コンタクトホール１１０ａを通して侵入するガスによって、コンタクトホール１０９ａが開孔される。
このドライエッチングの条件は、パッシベーション層１０９０が選択的にエッチングされる条件で行う。
【００５８】
このドライエッチングの条件は、例えば次のとおりである。
ＣＦ4／Ｏ2＝１０００／１００［ｓｃｃｍ］
Ｐｒｅｓｓｕｒｅ＝５０［ｍＴｏｒｒ］
ＩＣＰ／Ｂｉａｓ＝３０００／３０００［Ｗ］
このドライエッチングにおいて、コンタクトホール１０９ａ内に露出する上部電極１０８の表面部分１０８ｂも削られて飛散するので、ドライエッチングが終了した後には、図３（ｅ）に示すように、平坦化膜１１０上に、上部電極１０８の材料に由来する異物が付着する。
【００５９】
次に、図３（ｆ）に示すように、平坦化膜１１０の表面及びコンタクトホール１１０ａ，１０９ａの内部を、アルカリ液で洗浄する。そして、水洗およびエアブローによって、平坦化膜１１０の表面、及びコンタクトホール１１０ａ，１０９ａの内部に付いたアルカリ液を除去する。
アルカリ液としては、一般的に剥離液として用いられているアルカノールアミン系の材料を使用することができる。導電率から算出できる含有レジスト濃度を０．０７〜０．１５ｗｔ％で使用し、洗浄時間は５０〜３００ｓｅｃである。
【００６０】
（アルカリ洗浄による効果）
上記のようにアルカリ洗浄液で洗浄することによって、水で洗浄する場合と比べて、平坦化膜１１０上に付着した異物がよりよく除去される。これは、異物が上部電極１０８の材料に由来するものであって、水に対する溶解性よりもアルカり液に対する溶解性が大きいからである。
【００６１】
特に、上部電極１０８が銅を含む材料で構成されている場合、異物も銅を含む材料からなるので、水による洗浄では除去されにくいが、アルカリ洗浄液で洗浄すればきれいに除去することができる。
このようにアルカリ洗浄によって、異物がよく除去された状態で、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、アノード電極１１１及びバンク１１２を形成し、そして、図４（ｄ）に示すようにホール輸送層１１３ａをウェット法で形成した後、有機発光層などを形成することによって有機発光機能層１１３を形成する。
【００６２】
これによって、有機発光機能層１１３が良好に形成されるので、画素の点欠陥も発生しにくい。
また、上部電極１０８の表面部分１０８ｂは、水洗浄をすると酸化被膜が形成されやすいので、アノード電極１１１との接続部分で抵抗が大きくなりやすい。特に、アノード電極１１１がアルミニウムの場合は、接続部分の抵抗が大きくなりやすい。それに対して、アルカリ洗浄を行うと、上部電極１０８の表面部分１０８ｂがアルカリ洗浄液と接触することによって新鮮な面となるので、アノード電極１１１との接続部分の抵抗が小さくなる。
【００６３】
従って、アノード電極１１１を形成したときに、アノード電極１１１と上部電極１０８との電気的接続が良好になされる。
（比較例）
比較例にかかる製法では、上記実施例１と同様にコンタクトホールを形成するが、アルカリ洗浄は行わずに水洗浄を行い、その後、アノード電極９１１を形成する。
【００６４】
この場合、図５（ａ）に示すように、上部電極９０８の上に積層されたパッシベーション層９０９および平坦化膜９１０にコンタクトホール９１０ａ，９０９ａを開孔すると、平坦化膜９１０の上に、上部電極９０８の表面部分９０８ｂの材料に由来する異物が付着する。
水洗浄では、平坦化膜９１０上の異物が十分に除去されずに残るので、その上にアノード電極９１１を形成すると、図５（ｂ）に示すように、平坦化膜９１０上に異物が残っている箇所では、アノード電極９１１が盛り上がって突部となる。
【００６５】
従って、その状態で、平坦化膜９１０上にバンク９１２を形成し、アノード電極９１１の上にホール輸送層１１３ａをウェット法で形成すると、図５（ｃ）に示すように、突部のところでホール輸送層１１３ａの膜厚が小さくなったり未濡れになったりする。また、アノード電極１１１の上に、ホール注入層を形成する場合には、突部の箇所においてホール注入層に穴があくこともある。よって、図９に示すように、有機発光機能層９１３を形成し、さらに表示パネルを作製して駆動すると、突部の箇所が滅点となることがある。
【００６６】
また、上部電極９０８の表面９０８ａに酸化被膜が形成された状態でアノード電極９１１が形成されることもあり、アノード電極９１１と上部電極９０８との電気的接続が不良となることもある。特に、上部電極９０８が銅あるいは銅合金で形成され、アノード電極１１１がアルミニウムあるいはアルミニウム合金で形成されている場合は、水洗浄を行うと、両者間の電気的な接続不良が生じやすい。
【００６７】
[実施例２]
実施例２では、平坦化膜に感光性材料を用いてフォトリソグラフィー法でコンタクトホールを形成し、その後、その平坦化膜をマスクとしてパッシベーション層にコンタクトホールを形成する。
図６（ａ）〜（ｃ）は、実施例２にかかる平坦化膜１１０の形成方法を示す図である。
【００６８】
感光性材料としては、公知の感光性有機材料（例えばシロキサン共重合型感光性ポリイミド）を用いることができる。
パッシベーション層１０９０の上に感光性有機材料を塗布して、図６（ａ）に示すように平坦化膜１１０２を形成する。その平坦化膜１１０２を、フォトリソグラフィー法でパターニングすることによって、コンタクトホール１１０ａを形成することができる。
【００６９】
すなわち、図６（ｂ）に示すように、開口部２０２ａを有するパターンマスク２０２を用いて、開口部２０２ａの箇所を露光する。そして、平坦化膜１１０２における露光した箇所を現像液で除去することによって、図６（ｃ）に示すように、コンタクトホール１１０ａが開孔された平坦化膜１１０を形成することができる。
その後は、上記実施例１における図３（ｄ）〜（ｆ）と同様に、コンタクトホール１１０ａが開孔された平坦化膜１１０をマスクとしてパッシベーション層１０９０をドライエッチングしてコンタクトホール１０９ａを開孔する。そして、平坦化膜１１０の上面とコンタクトホール１１０ａ，１０９ａ内をアルカリ洗浄液で洗浄する。また、その後の図４（ａ）〜（ｅ）に示す工程も実施例１と同様に行う。
【００７０】
本実施例においても、実施例１と同様のアルカリ洗浄による効果を得ることができる。
[実施例３]
実施例３では、平坦化膜上にレジスト膜を形成し、平坦化膜及びパッシベーション層を連続してドライエッチングしてコンタクトホーを開孔した後に、レジスト膜を除去する。
図７（ａ）〜（ｆ）は実施例３にかかる表示パネルの製造方法を示す図である。
【００７１】
図７（ａ），（ｂ）に示すように、開口部２０１ａを有するレジスト膜２０１を平坦化膜１１００上に形成する点は実施例１と同様である。
一方、上記実施例１では、平坦化膜１１００にコンタクトホール１１０ａを開孔した時点で、レジスト膜２０１を除去したが、本実施例では、図７（ｃ）に示すように、平坦化膜１１００及びパッシベーション層１０９０を連続してドライエッチングして、コンタクトホール１１０ａ，１０９ａを開孔して、後に、レジスト膜２０１を除去する。
【００７２】
ドライエッチングの条件は、例えば次のとおりである。
ＣＦ4／Ｏ2＝１０００／１００［ｓｃｃｍ］
Ｐｒｅｓｓｕｒｅ＝５０［ｍＴｏｒｒ］
ＩＣＰ／Ｂｉａｓ＝３０００／３０００［Ｗ］
本実施例においても、平坦化膜１１００にコンタクトホール１１０ａが開孔された後には、当該コンタクトホール１１０ａを通して侵入するガスによってパッシベーション層１０９０がドライエッチングされてコンタクトホール１０９ａが開孔される。
【００７３】
また本実施例におけるレジスト膜２０１の除去も、剥離液を使ってレジスト膜をリフトオフする方法を用いてもよいし、酸素を含むガスと反応させることによってレジスト膜をアッシング（灰化）する方法を用いてもよい。
アッシングの条件は、例えば、以下のとおりである。
Ｏ2＝２００［ｓｃｃｍ］
Ｐｒｅｓｓｕｒｅ＝２００［ｍＴｏｒｒ］
ＩＣＰ／Ｂｉａｓ＝１０００／０［Ｗ］
そして、レジスト膜２０１を除去した後に、図７（ｅ）に示すように、アルカリ洗浄液で平坦化膜１１０の上面及びコンタクトホールの中を洗浄し、図７（ｆ）に示すようにアノード電極１１１を形成する。
【００７４】
本実施例では、平坦化膜１１００がレジスト膜２０１で覆われた状態でパッシベーション層１０９０のドライエッチングがなされるので、上部電極１０８の表面部分１０８ｂが削られて飛散した異物はレジスト膜２０１の上に付着する。
従って、レジスト膜２０１をリフトオフする場合は、レジスト膜２０１上の異物も取り除かれるが、レジスト膜２０１がきれいに剥離しない場合には、図７（ｄ）に示すように平坦化膜１１０の上に異物が付着することもある。また、レジスト膜２０１の除去をアッシングで行う場合、平坦化膜１１０の上に異物が残りやすい。
【００７５】
しかし、平坦化膜１１０上に異物が付着しても、実施例１と同様に、平坦化膜１１０の上及びコンタクトホールの中がアルカリ洗浄液で洗浄されることによって、付着している異物はよく除去される。従って、アノード電極１１１に異物に起因する突部が形成されることがない。
その後は、実施例１において図４（ｃ）〜（ｅ）を参照しながら説明したように、バンク１１２を形成し、ホール輸送層１１３ａをウェット法で形成した後、有機発光層などを形成することによって有機発光機能層１１３を形成する。
【００７６】
本実施例においても、実施例１と同様、ホール輸送層１１３ａが良好に形成されるので、画素の点欠陥が発生しにくい。また、アノード電極１１１と上部電極１０８との電気的接続も良好になされる。
［変形例］
図８は、変形例に係る表示パネル１５の構成を示す図である。
【００７７】
図８では、表示パネル１５の一部構成だけを抜き出して図示している。また、図８において、上記実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付している。
図８に示すように、表示パネル１５においては、ＴＦＴ層のソース電極１５５およびドレイン電極１０６の上を被覆するように、パッシベーション層１５９および平坦化膜１６０が積層形成されている。
【００７８】
即ち、本変形例では、ＴＦＴ層のソース電極１５５と、アノード電極１６１とが、両者の間に上部電極を介することなく接続されている。
このような表示パネル１５を製造する際にも、パッシベーション層および平坦化膜を積層形成し、その平坦化膜とパッシベーション層にコンタクトホールを開孔して、ソース電極１５５の上面の一部を露出させ、その後に、平坦化膜１６０の上面とコンタクトホール内にアノード電極１６１を形成する工程がある。
【００７９】
そしてこの工程の中で、上記実施の形態と同様に、コンタクトホールを開孔した後に、アルカリ洗浄液で洗浄を行うことによって、画素の点欠陥が発生しにくい効果、及び、アノード電極１６１とドレイン電極１０６との電気的接続を良好にする効果が得られる。
［その他の事項］
上記実施の形態および変形例では、パッシベーション層１０９，１５９がＳｉＮからなるものであったが、パッシベーション層の材質はこれに限定されることなく、ドライエッチング可能な材質であれば同様に実施することができる。
【００８０】
また、パッシベーション層は、単一の層でなくてもよく、複数の層を積層してなる層であってもよい。
上記実施の形態および変形例では、上部電極１０８、ソース電極１５５及びドレイン電極１０６の材料として、銅を含む金属材料を採用したが、これらの電極に用いる材料は、限定されるとなく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）などを用いることもできる。
【００８１】
この場合も、上記実施の形態および変形例と同様に、パッシベーション層にドライエッチングでコンタクトホールを形成した後に、平坦化膜の表面及びコンタクトホール内をアルカリ洗浄液で洗浄することによって、画素の点欠陥が発生しにくい効果、及び、アノード電極と接続電極との電気的接続を良好にする効果が得られる。
また、上記実施の形態および変形例では、発光素子部の構成として、ＴＦＴ層の側にアノード電極１１１，１６１を配し、有機発光機能層１１３を挟んだ上方にカソード１１４を配する構成を採用したが、アノードとカソードの位置が逆転してもよい。
【００８２】
また、上記変形例では、ソース電極１５５とアノード電極１６１とを接続することとしたが、デバイス構造によっては、ドレイン電極１０６とアノードとを接続する構成とすることも可能である。
また、上記実施の形態および変形例では、表示パネル１０，１５が有機ＥＬ表示パネルであったが、本発明は有機ＥＬ表示パネルに限定されるものではなく、例えば、無機ＥＬ表示パネルに適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルをはじめとしてアクティブマトリクス型の表示装置に有用である。
【符号の説明】
【００８４】
１表示装置
１０  表示パネル
１５  表示パネル
１００  基板
１０５  ソース電極
１０６  ドレイン電極
１０７  層間絶縁層
１０８  上部電極
１０９  パッシベーション層
１０９ａ  コンタクトホール
１１０  平坦化膜
１１０ａ  コンタクトホール
１１１  アノード電極
１１２  バンク
１１３  有機発光機能層
１１３ａ  ホール輸送層
１１４  カソード
１１５  封止層
１１６  樹脂層
１１９  基板
１５５  ソース電極
１５９  パッシベーション層
１６０  平坦化膜
１６１  アノード電極
２０１  レジスト膜
【図１】
2015230404.tif 000003
【図２】
2015230404.tif 000004
【図３】
2015230404.tif 000005
【図４】
2015230404.tif 000006
【図５】
2015230404.tif 000007
【図６】
2015230404.tif 000008
【図７】
2015230404.tif 000009
【図８】
2015230404.tif 000010
【図９】
2015230404.tif 000011