(57)【要約】【課題】試料室内に残存する残留ガスによる影響を抑制しつつ、スループットの高い荷電粒子線装置を提供する。【解決手段】本発明に係る荷電粒子線装置は、予備排気を開始してから第１時間が経過するまでに予備排気室内の気圧が第１気圧に到達した場合は試料を試料室内に搬送し、到達しなかった場合は予備排気を開始してから第２時間が経過するまでに予備排気室内の気圧が第１気圧よりも低い第２気圧に到達するか否かを判定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に対して荷電粒子線を照射する荷電粒子線装置であって、
前記試料を配置する試料室、
前記試料室に隣接する予備排気室、
前記試料室と前記予備排気室を真空排気するポンプ、
前記予備排気室内の気圧を計測する圧力計、
前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送する搬送系、
前記ポンプと前記搬送系を制御する制御部、
を備え、
前記制御部は、
前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送する前に、前記ポンプを用いて前記予備排気室内および前記試料室内を真空排気し、
前記予備排気室内の真空排気を開始してから第１時間が経過するまでに前記予備排気室内の気圧が第１気圧に到達した場合は、前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送し、
前記予備排気室内の真空排気を開始してから第１時間が経過するまでに前記予備排気室内の気圧が前記第１気圧に到達しない場合は、前記予備排気室内の真空排気を開始してから前記第１時間よりも長い第２時間が経過するまで、前記予備排気室内をさらに真空排気することにより、前記予備排気室内の気圧が前記第１気圧よりも低い第２気圧に到達する否かを判断し、到達した場合は前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送し、到達しない場合はその旨の信号を出力する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記予備排気室内の真空排気を開始してから前記第２時間が経過するまでに前記予備排気室内の気圧が前記第２気圧に到達しない場合は、前記予備排気室内の気圧が前記第２気圧以下の第３気圧に到達するまで、前記予備排気室内の真空排気を継続する
ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線装置。
【請求項３】
前記荷電粒子線装置は、
ユーザが前記制御部に対して指令を与えるために使用する画面インターフェースを表示する表示装置を備え、
前記制御部は、
前記予備排気室内の気圧が前記第３気圧に到達するまで前記予備排気室内を真空排気している間において、前記予備排気室内の真空排気を中止するよう指示する中止指示を入力するために前記ユーザが用いる中止指示画面を前記表示装置上に表示させ、
前記中止指示画面を介して前記中止指示を受け取った場合は、前記予備排気室内の真空排気を中止する
ことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子線装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記予備排気室内の真空排気を開始してから前記第２時間よりも長い第３時間が経過するまで、前記予備排気室内をさらに真空排気することにより、前記予備排気室内の気圧が前記第２気圧以下の第３気圧に到達する否かを判断し、到達した場合は前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送し、到達しない場合は前記予備排気室内の真空排気を中止する
ことを特徴とする請求項３記載の荷電粒子線装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記中止指示画面上において、前記中止指示があるまで前記予備排気室内の真空排気を継続するか、それとも前記予備排気室内の真空排気を開始してから前記第２時間よりも長い第３時間が経過するまでに前記予備排気室内の気圧が前記第３気圧に到達しない場合は前記予備排気室内の真空排気を中止するかを選択する選択指示を入力するためのインターフェースを表示させ、
前記選択指示を受け取った場合は、その指示にしたがって、前記予備排気室内の真空排気を継続する時間を制御する
ことを特徴とする請求項４記載の荷電粒子線装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記中止指示画面上において、前記圧力計による計測結果と前記予備排気室内の真空排気を開始してからの経過時間を表示させる
ことを特徴とする請求項３から５のいずれか１項記載の荷電粒子線装置。
【請求項７】
試料に対して荷電粒子線を照射する荷電粒子線装置であって、
前記試料を配置する試料室、
前記試料室に隣接する予備排気室、
前記試料室と前記予備排気室を真空排気するポンプ、
前記予備排気室内における前記試料から発生する物質の残存量を計測する物質センサ、
前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送する搬送系、
前記ポンプと前記搬送系を制御する制御部、
を備え、
前記制御部は、
前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送する前に、前記ポンプを用いて前記予備排気室内および前記試料室内を真空排気し、
前記予備排気室内の真空排気を開始してから第１時間が経過するまでに前記予備排気室内の前記残存量が第１残存量に到達した場合は、前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送し、
前記予備排気室内の真空排気を開始してから第１時間が経過するまでに前記予備排気室内の前記残存量が前記第１残存量に到達しない場合は、前記予備排気室内の真空排気を開始してから前記第１時間よりも長い第２時間が経過するまで、前記予備排気室内をさらに真空排気することにより、前記予備排気室内の前記残存量が前記第１残存量よりも低い第２残存量に到達する否かを判断し、到達した場合は前記試料を前記予備排気室から前記試料室へ搬送し、到達しない場合はその旨の信号を出力する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などの荷電粒子線装置は、荷電粒子ビームを試料上で走査することによって得られる信号（２次電子や反射電子）を用いて、試料の観察画像を形成する装置である。ＣＤ−ＳＥＭを用いて計測する試料としては、例えば半導体デバイスウェーハが挙げられる。
【０００３】
半導体デバイスは、デバイスおよび回路性能を向上させるため、微細化や多層化が進んでいる。半導体デバイスの微細化や多層化にともない、新規な材料、構造、プロセスなどが用いられるようになり、これにともなって半導体デバイス試料からアウトガスが発生し易くなっている。アウトガスとは、例えばフォトレジスト自身やエッチング工程後の残留ガスによって半導体デバイス試料から放出されるガスである。
【０００４】
半導体デバイス試料からアウトガスが発生すると、試料室内の気圧が上昇する。これにより、１次電子が散乱して分解能が悪化する、放電が発生する、などの不具合が生じる可能性が高まる。現在のＣＤ−ＳＥＭにおいては、計測する全ての半導体ウェーハに対して予備排気室内において通常より長い時間真空排気を実施する、より低い圧力まで真空排気する、などの対策により、アウトガスの影響を抑制している。
【０００５】
下記特許文献１は、電子源を包囲する雰囲気と試料室内の雰囲気との間を遮断する弁体の交換頻度を抑制する技術について記載している。同文献においては、予備排気室内を真空排気（予備排気）し、予備排気室内の圧力が所定値に達すると、真空排気に要した時間が所定値を超えたか否かを判定する。さらに、排気時間が所定値を超えているか否かに基づき、試料等から放出される分子等がどの程度存在するかを判断し、その判定結果にしたがって弁体のモード（弁体の開度）を切り替える（段落００４０参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−０２８２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
全ての半導体デバイス試料を予備排気室内において通常より長い時間真空排気したり、より低い圧力まで真空排気したりする方法を用いると、アウトガスを放出しない試料（ノーマルウェーハ）であっても通常より長い時間真空排気することになる。したがって、荷電粒子線装置のスループットが低下するので望ましくない。
【０００８】
上記特許文献１は、予備排気室内における真空排気に要した時間に基づきアウトガスの量を判断し、その判断にしたがって弁体の開度を調整している。弁体は、試料を試料室内に搬送する前提の下、電子源を残留ガスの影響から保護するために設けられている。しかし電子源を残留ガスから保護したとしても、試料室内に残留ガスが残存している場合、これにより１次電子の散乱などが生じる可能性は依然として残っている。
【０００９】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、試料室内に残存する残留ガスによる影響を抑制しつつ、スループットの高い荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る荷電粒子線装置は、予備排気を開始してから第１時間が経過するまでに予備排気室内の気圧が第１気圧に到達した場合は試料を試料室内に搬送し、到達しなかった場合は予備排気を開始してから第２時間が経過するまでに予備排気室内の気圧が第１気圧よりも低い第２気圧に到達するか否かを判定する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る荷電粒子線装置は、アウトガスを発生する試料を検知し、検知した場合はその影響を抑制するための真空排気シーケンスに切り替える。これにより、アウトガスを発生しない試料については通常動作によってスループットを確保しつつ、アウトガスを発生させる試料についてはその影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係る荷電粒子線装置１００の搬送系の構成を示す側面図である。
【図２】荷電粒子線装置１００が試料８を予備排気室５から試料室２へ搬送する動作を説明するフローチャートである。
【図３】ステップＳ２０６において制御部１２が提示するユーザインターフェースの画面例である。
【図４】実施形態２に係る荷電粒子線装置１００の構成を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施形態１に係る荷電粒子線装置１００の搬送系の構成を示す側面図である。試料（半導体デバイスウェーハ）８は、フープ７内に格納されている。試料８を試料室２へ搬送開始すると、フープ７はミニエンバイロメント６内に移動される。試料８は、フープ７から取り出され、ミニエンバイロメント６内に搬入される。
【００１４】
次にミニエンバイロメント６と予備排気室５を分離するバルブ１０が開き、試料８は大気圧下の予備排気室５内に搬送される。このとき試料室２は真空ポンプ１１によって高真空状態されており、予備排気室５と試料室２を分離するバルブ９は閉じている。
【００１５】
試料８が予備排気室５内に搬入されるとバルブ１０が閉じ、かつバルブ９は閉じたままの状態で、真空ポンプ１１は予備排気室５を真空排気する。このとき、まず始めに大気圧からの粗引きのためにドライポンプを用いる。予備排気室５内の気圧が所定気圧まで下がった以降の時点において、ターボポンプを用いてさらに真空排気する。予備排気室５内の気圧が試料室２と同程度の気圧まで到達すると、バルブ９を開く。予備排気室５内の気圧は、圧力計１３によって計測する。
【００１６】
次に試料室２内のステージ３上の静電チャック４上に試料８を搬送する。最後にバルブ９を閉じ、試料８をカラム１の下に移動して荷電粒子線を試料８に対して照射し、検査を実施する。制御部１２は、搬送系、真空ポンプ１１、荷電粒子線源など荷電粒子線装置１００全体の動作を制御する。制御部１２は、ユーザが荷電粒子線装置１００に対する操作指示を入力するための画面インターフェースを表示するディスプレイなどの表示装置を備える。
【００１７】
予備排気室５は、高真空の試料室２内に試料８を搬入するための局所空間であり、極力小さい体積となるように設計される。予備排気室５内において、試料の材料に適した脱ガス処理をすることにより、予備排気室５内の気圧を大気圧と高真空との間で高速に切り替えることができる。
【００１８】
カラム１下において試料８を検査する際、アウトガスを発生しない試料（ノーマルウェーハ）であれば上述のような課題は生じないが、アウトガスを発生する試料（アウトガスウェーハ）であれば試料室２内の特に試料８表面側の気圧が局所的に上昇する。これに起因して、１次電子が散乱することによって分解能が悪化したり、放電が発生したりする可能性がある。分解能が悪化すれば試料８を正常に検査することができず、設計通りに作製できている試料８を不良と判断し、あるいは設計通りに作製できていない試料８を良品と判断するなど、誤った検査結果を得る可能性がある。また放電が発生すると、試料８自体が破損し、破損の程度によっては試料８を廃棄しなければならない。
【００１９】
図２は、荷電粒子線装置１００が試料８を予備排気室５から試料室２へ搬送する動作を説明するフローチャートである。以下、図２の各ステップについて説明する。
【００２０】
（図２：ステップＳ２０１）
真空ポンプ１１は、ドライポンプを用いて予備排気室５内を大気圧から粗引きする。この時点においては、大気圧からの減圧であるため予備排気室５内には既存ガスが多く存在している。したがって、本引きを開始できる気圧に到達するまでの時間は、ノーマルウェーハでもアウトガスウェーハでも大きく変わらずほぼ一定である。予備排気室５内の気圧が本引きを開始できる程度に達すると、真空ポンプ１１はターボポンプを用いて予備排気室５内を試料室２内と同程度の気圧まで本引きする。
【００２１】
（図２：ステップＳ２０２〜Ｓ２０４）
ターボポンプによる真空排気は、中真空状態からの減圧であり、予備排気室５内の既存ガスが粗引きするときよりも少ない。そのため、予備排気室５内の気圧が所定気圧に到達するまでに要する時間は、アウトガスを発生する場合（ノーマルウェーハ）と発生しない場合（アウトガスウェーハ）との間で差が生じる。制御部１２はこの差を利用し、試料８がアウトガスを発生させるものであるか否かを判断する。具体的には、予備排気室５内の気圧が、真空排気を開始してから第１時間以内に第１気圧に到達するか否かを判断する。到達した場合、試料８はアウトガスを発生しない（ノーマルウェーハ）と判断し、試料８を試料室２に搬送する（Ｓ２０３）。到達しない場合、試料８はアウトガスを発生する（アウトガスウェーハ）と判断し（Ｓ２０４）、ステップＳ２０５以降（アウトガスウェーハ用の真空排気シーケンス）を実施する。
【００２２】
（図２：ステップＳ２０５）
制御部１２は、予備排気室５内を真空排気開始してから、第１時間よりも長い第２時間以内に、予備排気室５内の気圧が第１気圧よりも低い第２気圧に到達するか否かを判断する。到達した場合は、予備排気室５内を十分に減圧できたと判断し、ステップＳ２０３へ進んで試料８を試料室２へ搬送する。到達しなかった場合は、ステップＳ２０６以降を実施する。
【００２３】
（図２：ステップＳ２０５：補足その１）
本ステップにおいて、第１気圧より低い第２気圧まで予備排気室５内を真空排気するのは、試料室２内において試料８を検査する際にアウトガスによって試料室２内の気圧が若干上昇しても、荷電粒子線装置１００が安全に動作できる程度の気圧以下となるようにするためである。
【００２４】
（図２：ステップＳ２０５：補足その２）
半導体デバイスウェーハの検査時間は、通常は数分程度である。試料８をこれよりも長い時間検査する場合、試料室２内にアウトガスが徐々に堆積して許容量を超える可能性がある。この場合は、試料８を定期的に予備排気室５に戻して改めて真空排気するなどの工夫が必要である。
【００２５】
（図２：ステップＳ２０６）
予備排気室５内の気圧が、真空排気を開始してから第２時間以内に第２気圧に到達しない場合、試料８はアウトガスの発生量が多いと考えられる。そこで制御部１２は、制限時間を設けずに、予備排気室５内の気圧が第２気圧以下の第３気圧に到達するまで、真空排気を継続する。制限時間を設けないのは、アウトガスの発生量に応じて最適な真空排気時間が必ずしも事前に判明していないからである。アウトガスを発生しない半導体デバイスウェーハであっても、構造、材質、プロセスなどを僅かに変更するのみで、アウトガスを発生するようになる可能性がある。また、アウトガスの発生量が変わる可能性もある。そのため、試料８から発生するアウトガスの量が多い場合、多少スループットを犠牲にしてでも第３気圧まで真空排気する方が簡便かつ安全であると考えられる。そこで本ステップにおいては、予備排気室５内を第３気圧まで真空排気し続けることとした。
【００２６】
（図２：ステップＳ２０６：補足）
もっとも、全ての試料８に対して第３気圧まで真空排気を継続するのは、スループットの観点から必ずしも望ましくない可能性がある。そこで制御部１２は、本ステップを実施するか否かをユーザが選択するためのユーザインターフェースを提供することができる。例えば制御部１２は、荷電粒子線装置１００と接続されたディスプレイ上に後述の図３で例示する操作画面を表示する。同操作画面において、ユーザは予備排気室５内の真空排気を停止するか否かを選択することができる。同操作画面および以下のステップＳ２０７は省略することもできる。省略した場合はステップＳ２０８のみが実施される。
【００２７】
（図２：ステップＳ２０７）
ステップＳ２０６で説明した操作画面上でユーザが真空排気を停止するよう指示した場合、制御部１２はその指示にしたがって予備排気室５内の真空排気を停止し、試料８を予備排気室５から排出する。その後、制御部１２は本フローチャートを終了し、次の試料８について改めて本フローチャートを開始する。
【００２８】
（図２：ステップＳ２０８）
ステップＳ２０７においてユーザが真空排気を停止するよう指示しなかった場合、またはステップＳ２０７を省略した場合、制御部１２は予備排気室５内の気圧が第３気圧に到達したか否かを判断する。到達した場合は、試料８からアウトガスが発生しても支障がない程度の気圧まで十分に真空排気できたものと判断し、ステップＳ２０３に進んで試料８を試料室２へ搬送する。到達しなかった場合はステップＳ２０７に戻って同様の処理を繰り返す。
【００２９】
（図２：ステップＳ２０８：補足その１）
ステップＳ２０６において、ターボポンプを用いた真空排気を継続するため、ターボポンプが通常よりも早く故障する可能性がある。制御部１２はこれを回避するため、ステップＳ２０６で説明した操作画面を用いるか否かによらず、予備排気室５内の真空排気を開始してから第２時間よりも長い第３時間以内に、予備排気室５内の気圧が第３気圧に到達するか否かを判断するようにしてもよい。すなわち本ステップにおいて、第３時間以内に第３気圧に到達しなかった場合、制御部１２は予備排気室５内の真空排気を停止して試料８を予備排気室５から排出する。本ステップはアウトガスの発生量が多い試料８に対するものであるため、第３時間は十分に長く設定する必要がある。
【００３０】
（図２：ステップＳ２０８：補足その２）
上記補足その１で説明した手法を実施するか否かは、例えばステップＳ２０６で説明した操作画面上においてユーザが選択できるようにすることが望ましい。また、上記補足その１で説明した手法は制御部１２の動作によってターボポンプを保護するものであるが、ターボポンプ自身も温度計などを用いた自己監視機能を備えていることが望ましい。
【００３１】
（図２：ステップＳ２０８：補足その３）
第２気圧と第３気圧を同じ値に設定しても、荷電粒子線装置１００の動作上は支障ない場合もある。これは、アウトガスの発生量によっては、第２気圧を十分低い値に設定していれば敢えてそれ以上に真空排気を継続する必要はないと考えられるからである。
【００３２】
（図２：ステップＳ２０５およびＳ２０８：補足）
ステップＳ２０５において第２時間以内に第２気圧に到達しない場合、またはステップＳ２０８において第３時間以内に第３気圧に到達しない場合、制御部１２は予備排気室５内の真空排気を停止（その試料８については検査を中止）して試料８を強制排出してもよいし、あるいはその旨の警報信号を発して具体的な措置についてはユーザ操作や上位システムに委譲してもよい。検査を中止することにより、１次電子散乱や放電のリスクを回避することができる反面、その試料８に対する当該工程における検査は滞る。その工程が半導体デバイスの歩留まりと相関が低ければ特に支障はないが、相関が高い場合はリスクを承知の上で検査を継続したほうが望ましい場合もある。したがって、ステップＳ２０６で説明したように、検査を継続するか否かをユーザの指示に委ねることができるようにすることが望ましい。
【００３３】
図３は、ステップＳ２０６において制御部１２が提示するユーザインターフェースの画面例である。ユーザが「アンロード」ボタンを押下すると、制御部１２は予備排気室５内の真空排気を停止するようユーザが指示したものとみなす。その他、予備排気室５内の気圧、予備排気室５内の真空排気を開始してからの経過時間を併せて画面表示してもよい。ユーザは例えば真空排気時間が十分にも関わらず気圧が十分に低下しない場合は、アンロードボタンを押下して検査を中止することができる。さらには、第３時間以内に第３気圧まで到達しない場合は予備排気室５内の真空排気を強制終了するか否かを選択できるようにしてもよい。
【００３４】
＜実施の形態１：まとめ＞
以上のように、本実施形態１に係る荷電粒子線装置１００は、予備排気室５内の気圧が第１時間以内に第１気圧に到達した場合は、試料８がアウトガスを発生しない、またはアウトガスの発生量が荷電粒子線装置１００の動作を妨げない程度であると判断し、試料８を試料室２へ搬送する。これにより、全ての試料８に対して過剰な真空排気を実施する必要がなくなるので、荷電粒子線装置１００のスループットが損なわれることを抑制することができる。
【００３５】
また本実施形態１に係る荷電粒子線装置１００は、予備排気室５内の気圧が第１時間以内に第１気圧に到達しなかった場合は、さらに真空排気を継続して第１時間よりも長い第２時間以内に第１気圧よりも低い第２気圧に到達するか否かを判断し、到達した場合は試料８を試料室２へ搬送する。これにより、アウトガスが発生する試料８であっても、荷電粒子線装置１００による処理を継続することができるので、スループットの低下を抑制することができる。
【００３６】
また本実施形態１に係る荷電粒子線装置１００は、予備排気室５内の気圧が第２時間以内に第２気圧に到達しなかった場合は、さらに真空排気を継続して第２気圧以下の第３気圧に到達するか否かを判断する。例えば、試料８がアウトガスを発生する場合であっても処理を継続したい場合には、この動作が効果的である。
【００３７】
また本実施形態１に係る荷電粒子線装置１００は、予備排気室５内の気圧が第２気圧以下になるまで真空排気を継続する場合は、図３で説明した操作画面を用いて、ユーザがマニュアル操作により真空排気を停止できるようにする。これにより、当該試料８に対する処理を継続するか否かを、ユーザの判断に委ねることができる。さらに、第３時間が経過した時点で真空排気を強制終了させるか否かをユーザに選択させることもできる。これにより、ユーザの希望を満たしつつある程度の自動処理を実施することができる。また真空ポンプ１１の破損を防ぐことができる。
【００３８】
＜実施の形態２＞
実施形態１では、予備排気室５内に設置されている圧力計１３が測定した気圧を用いて予備排気を継続するか否かを判定する構成例を説明した。圧力計１３を用いるのは、予備排気室５内の気圧によって、試料８から発生するアウトガスの量を測定するためである。これに代えて、またはこれと併用して、アウトガスの組成物質そのものを測定することにより、実施形態１と同様の動作を実現することもできる。本発明の実施形態２では、その構成例について説明する。
【００３９】
図４は、本実施形態２に係る荷電粒子線装置１００の構成を示す側面図である。本実施形態２において、予備排気室５内には、圧力計１３に代えてまたはこれと併用して、物質センサ１４が配置されている。物質センサ１４は例えば、試料８から発生することがあらかじめ分かっているアウトガスの組成物質を検出する残留ガス分析器を用いて構成することができる。
【００４０】
制御部１２は、物質センサ１４が検出するアウトガスの組成物質の残存量に基づき、予備排気室５内の真空排気を継続するか否かを判断することができる。例えばステップＳ２０２において、第１気圧に代えて、これに相当するアウトガス組成物質の第１残存量を、同ステップの判定基準として用いることができる。すなわち、第１時間以内にアウトガス組成物質の残存量が第１残存量以下に到達した場合は、ステップＳ２０３へ進む。その他のステップにおいても同様に、閾値として用いる気圧を、アウトガス組成物質の残存量に適宜置き換えればよい。
【００４１】
圧力計１３と物質センサ１４を併用する場合は、例えばいずれかの検出値を優先的に用いる、それぞれの検出値を加重平均する、などの手法によって、それぞれの検出値を併用することができる。
【００４２】
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。上記実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることもできる。また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることもできる。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成を追加・削除・置換することもできる。
【００４３】
上記各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部を、例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現してもよい。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリ、ハードディスク、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）等の記録装置、ＩＣカード、ＳＤカード、ＤＶＤ等の記録媒体に格納することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１：カラム、２：試料室、３：ステージ、４：静電チャック、５：予備排気室、６：ミニエンバイロメント、７：フープ、８：試料、９〜１０：バルブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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