(57)【要約】【課題】簡易に電源電圧を制御可能な半導体集積回路および電源管理システムを提供する。【解決手段】実施形態によれば、電源電圧から生成されるフィードバック電圧が所定値になるように制御された前記電源電圧が、電源管理装置から供給される半導体集積回路が提供される。この半導体集積回路は、可変抵抗素子を有し、この可変抵抗素子の抵抗値に応じて前記電源電圧から前記フィードバック電圧を生成するフィードバック電圧生成部と、前記電源電圧が目標電圧になるよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御部と、を備える。【選択図】図１
2015027198.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源電圧から生成されるフィードバック電圧が所定値になるように制御された前記電源電圧が、電源管理装置から供給される半導体集積回路であって、
可変抵抗素子を有し、この可変抵抗素子の抵抗値に応じて前記電源電圧から前記フィードバック電圧を生成するフィードバック電圧生成部と、
当該半導体集積回路のリーク電力および当該半導体集積回路の動作速度の少なくとも一方に基づいて、前記電源電圧の目標電圧を設定する目標電圧設定部と、
前記電源電圧が前記目標電圧になるよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御部と、を備え、
前記フィードバック電圧生成部は、前記電源電圧が供給される電源端子と接地端子との間に直列接続される第１の抵抗素子および第２の抵抗素子を有し、
前記第１の抵抗素子および前記第２の抵抗素子の少なくとも一方が、前記可変抵抗素子であり、
前記第１の抵抗素子と前記第２の抵抗素子の接続ノードから前記フィードバック電圧が生成され、
前記抵抗制御部は、下記（１）式を満たすよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御することを特徴とする半導体集積回路
Ｖｆｂ０＝Ｖｄｄ０＊Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）  ・・・（１）
ここで、Ｖｆｂ０は前記所定値、Ｖｄｄ０は前記目標電圧、Ｒ１は前記第１の抵抗素子の抵抗値、Ｒ２は前記第２の抵抗素子の抵抗値。
【請求項２】
電源電圧から生成されるフィードバック電圧が所定値になるように制御された前記電源電圧が、電源管理装置から供給される半導体集積回路であって、
可変抵抗素子を有し、この可変抵抗素子の抵抗値に応じて前記電源電圧から前記フィードバック電圧を生成するフィードバック電圧生成部と、
前記電源電圧が目標電圧になるよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御部と、を備えることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
前記フィードバック電圧生成部は、前記電源電圧が供給される電源端子と接地端子との間に直列接続される第１の抵抗素子および第２の抵抗素子を有し、
前記第１の抵抗素子および前記第２の抵抗素子の少なくとも一方が、前記可変抵抗素子であり、
前記第１の抵抗素子と前記第２の抵抗素子の接続ノードから前記フィードバック電圧が生成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記抵抗制御部は、前記目標電圧が高いほど、Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）の値が低くなるよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御することを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路
ここで、Ｒ１は前記第１の抵抗素子の抵抗値、Ｒ２は前記第２の抵抗素子の抵抗値。
【請求項５】
前記抵抗制御部は、下記（２）式を満たすよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御することを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路
Ｖｆｂ０＝Ｖｄｄ０＊Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）  ・・・（２）
ここで、Ｖｆｂ０は前記所定値、Ｖｄｄ０は前記目標電圧、Ｒ１は前記第１の抵抗素子の抵抗値、Ｒ２は前記第２の抵抗素子の抵抗値。
【請求項６】
当該半導体集積回路のリーク電力および当該半導体集積回路の動作速度の少なくとも一方に基づいて、前記目標電圧を設定する目標電圧設定部をさらに備えることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体集積回路。
【請求項７】
半導体集積回路に供給される電源電圧を管理する電源管理システムであって、
フィードバック電圧が所定値になるよう前記電源電圧を制御する電源管理装置と、
前記半導体集積回路内に設けられ、可変抵抗素子を有し、この可変抵抗素子の抵抗値に応じて前記電源電圧から前記フィードバック電圧を生成するフィードバック電圧生成部と、
前記半導体集積回路内に設けられ、前記電源電圧が目標電圧になるよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御部と、を備えることを特徴とする電源管理システム。
【請求項８】
前記半導体集積回路外に設けられ、直列接続された第３の抵抗素子および第４の抵抗素子をさらに備え、
前記第３の抵抗素子の一端に、前記フィードバック電圧が入力され、
前記電力管理装置は、前記第３の抵抗素子と前記第４の抵抗素子との接続ノードの電圧に基づいて、前記電源電圧を制御することを特徴とする請求項７に記載の電源管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体集積回路および電源管理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路は、製造ばらつきなどに起因し、必ずしも一定の性能を発揮するとは限らない。例えば、半導体集積回路にある電源電圧を供給した場合でも、動作速度が速い個体もあれば遅い個体もある。また、個体の動作速度とリーク電力には相関関係があり、動作速度の遅い個体はリーク電力が低く、動作速度の速い個体はリーク電力が高い。動作速度の遅い個体に対しては動作を保証する為に電源電圧を充分に高くし、動作速度の速い個体に対してはリーク電力削減の為に電源電圧を低くすることで個体の製造歩留りを向上できる。このような電源電圧の制御はＶＩＤ（Voltage Identification）制御と呼ばれる。
【０００３】
また、半導体集積回路は、処理内容によって、高速動作を要する処理もあれば低速動作でよい処理もある。高速動作を要する処理を行う場合には電源電圧を十分に高くし、低速動作でよい処理を行う場合には低消費電力化のために電源電圧を低くするのが望ましい。このような電源電圧の動的な制御はＤＶＦＳ（Dynamic Voltage and Frequency Scaling）制御と呼ばれる。
【０００４】
このように、半導体集積回路の個体や処理内容によって、半導体集積回路に供給される電源電圧を制御する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−８２８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
簡易に電源電圧を制御可能な半導体集積回路および電源管理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、電源電圧から生成されるフィードバック電圧が所定値になるように制御された前記電源電圧が、電源管理装置から供給される半導体集積回路が提供される。この半導体集積回路は、可変抵抗素子を有し、この可変抵抗素子の抵抗値に応じて前記電源電圧から前記フィードバック電圧を生成するフィードバック電圧生成部と、前記電源電圧が目標電圧になるよう、前記可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る電源管理システム１００の概略構成を示すブロック図。
【図２】ＶＩＤ制御における、半導体集積回路２０の性能と、目標電圧Ｖｄｄ０と、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）の値と、抵抗値Ｒ２との関係を模式的に示す図。
【図３】ＤＶＦＳ制御における、半導体集積回路２０の動作周波数と、目標電圧Ｖｄｄ０と、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）の値と、抵抗値Ｒ２との関係を模式的に示す図。
【図４】第２の実施形態に係る電源管理システム１０１の概略構成を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る電源管理システム１００の概略構成を示すブロック図である。電源管理システム１００は、電源管理装置１０と、半導体集積回路２０とを備えている。この電源管理システム１００は、半導体集積回路２０に供給される電源電圧Ｖｄｄを管理するものである。
【００１１】
電源管理装置１０は、例えば電源管理ＩＣ（Power Management Integrated Circuit、ＰＭＩＣ）１、コイルＬおよびコンデンサＣから構成される、ＤＣ−ＤＣコンバータあるいはＬＤＯ（Low Drop Out）レギュレータなどである。なお、電源管理ＩＣ１自身は必ずしもＶＩＤ制御機能を持ってなくてもよい。
【００１２】
電源管理装置１０は半導体集積回路２０に供給される電源電圧Ｖｄｄを出力する。半導体集積回路２０は、供給される電源電圧Ｖｄｄに応じたフィードバック電圧Ｖｆｂを、電源管理装置１０に出力する。そして、電源管理装置１０は、このフィードバック電圧Ｖｆｂが電源管理ＩＣに予め設定された一定値Ｖｆｂ０（例えば、１．０Ｖ）になるよう、出力する電源電圧Ｖｄｄを制御する。
【００１３】
本電源管理システム１００では、電源電圧Ｖｄｄが高いほどフィードバック電圧Ｖｆｂが高くなることを想定している。そして、フィードバック電圧Ｖｆｂが一定値Ｖｆｂ０より高い場合、電源管理装置１０は出力する電源電圧Ｖｄｄの値を低くする。逆に、フィードバック電圧Ｖｆｂが一定値Ｖｆｂ０より低い場合、電源管理装置は出力する電源電圧Ｖｄｄの値を高くする。
【００１４】
このようなフィードバック制御により、電源管理装置１０はフィードバック電圧Ｖｆｂに応じた電源電圧Ｖｄｄを半導体集積回路２０に出力し、最終的にはフィードバック電圧Ｖｆｂが一定値Ｖｆｂ０となる。
【００１５】
半導体集積回路２０は電源電圧Ｖｄｄで動作する任意の回路であり、いわゆるＳｏＣやメモリシステムなどである。半導体集積回路２０は、入力端子である電源端子ＶＤＤと、出力端子であるフィードバック端子ＦＢと、フィードバック電圧生成部２と、目標電圧設定部３と、抵抗制御部４とを有する。
【００１６】
電源端子ＶＤＤには電圧制御装置１０から出力された電源電圧Ｖｄｄが供給される。フィードバック端子ＶＦＢは電源電圧Ｖｄｄに応じたフィードバック電圧Ｖｆｂを電源管理装置１０に出力する。
【００１７】
フィードバック電圧生成部２は電源電圧Ｖｄｄからフィードバック電圧Ｖｆｂを生成する回路である。具体的には、フィードバック電圧生成部２は、電源端子ＶＤＤと接地端子との間に直列接続される抵抗素子Ｒ１，Ｒ２を有する。そして、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２間の接続ノードがフィードバック端子ＦＢに接続され、フィードバック電圧Ｖｆｂが出力される。
【００１８】
抵抗素子Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ数ｋΩ程度の抵抗値を有し、抵抗素子Ｒ２は可変抵抗素子である。なお、以下では「Ｒ１」などを抵抗素子を参照する符号としても用いるし、それぞれの抵抗値としても用いる。
【００１９】
回路構成から明らかなように、供給される電源電圧Ｖｄｄとフィードバック電圧Ｖｆｂとの関係は下記（１）式で表される。  
Ｖｆｂ＝Ｖｄｄ＊Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）  ・・・（１）
【００２０】
目標電圧設定部３は、電源管理装置１０から半導体集積回路２０に供給されるべき、電源電圧Ｖｄｄの目標電圧Ｖｄｄ０を設定する。目標電圧Ｖｄｄ０の設定手法の具体例として、以下のＶＩＤ制御およびＤＶＦＳ制御が挙げられる。
【００２１】
まずは、ＶＩＤ制御について説明する。半導体集積回路２０に一定の電源電圧を供給したとしても、その製造ばらつきなどに起因して、動作速度が速い個体もあれば、動作速度が遅い個体もある。そこで、目標電圧設定部３は半導体集積回路２０の個体の性能に応じて目標電圧Ｖｄｄ０を設定する。これをＶＩＤ制御という。
【００２２】
ここでの性能とは、例えば半導体集積回路２０に一定の電源電圧を供給した場合の動作速度、およびリーク電力である。ＶＩＤ制御では、動作速度・リーク電力の個体ばらつきを抑えるべく、動作速度が遅くリーク電力の低い半導体集積回路２０ほど、目標電圧Ｖｄｄ０を高く設定し、動作速度が速くリーク電力の高い半導体集積回路２０ほど、目標電圧Ｖｄｄ０を低く設定する。これにより、動作速度が遅くリーク電力の低い半導体集積回路２０については動作速度が速くなりリーク電力が増加する一方、動作速度が速くリーク電力の高い半導体集積回路２０については動作速度が遅くなりリーク電力が低くなる。結果として、半導体集積回路２０の個体ばらつきを抑え、動作速度・リーク電力の両方の性能を満足する個体の製造歩留りを増やすことができる。
【００２３】
ＶＩＤ制御の場合、目標電圧Ｖｄｄ０は半導体集積回路２０の個体の性能に応じて静的に設定され、動作中に動的に変化するわけではない。よって、予め半導体集積回路２０の動作速度を評価し、所望の動作速度が得られる目標電圧Ｖｄｄ０を目標電圧設定部３内のメモリ（不図示）に書き込むなどしておけばよい。
【００２４】
続いて、ＤＶＦＳ制御について説明する。１つの半導体集積回路２０であっても、処理内容によって、高速動作を要する処理もあれば、低速動作でよい処理もある。そこで、半導体集積回路２０が高速動作を要する処理を行う場合、目標電圧設定部３は、高速動作を担保すべく、目標電圧Ｖｄｄ０を高く設定する。一方、半導体集積回路２０が低速動作でよい処理を行う場合、目標電圧設定部３は、消費電力を低減すべく、目標電圧Ｖｄｄ０を低く設定する。このような制御をＤＶＦＳ制御という。
【００２５】
ＤＶＦＳ制御の場合、目標電圧Ｖｄｄ０は半導体集積回路２０の動作速度に応じて動的に設定される。動作速度は、半導体集積回路２０内の処理部（不図示）から目標電圧設定部３に通知されてもよい。あるいは、この動作速度は、半導体集積回路２０の外部にあって半導体集積回路２０内を制御する外部マイクロコンピュータ（不図示）などから目標電圧設定部３に通知されてもよい。
【００２６】
なお、目標電圧設定部３は、半導体集積回路２０の個体の性能および半導体集積回路２０の動作速度の両方または一方を考慮して目標電圧Ｖｄｄ０を設定してもよいし、他の要因を考慮して設定してもよい。
【００２７】
図１に戻って、抵抗制御部４は、供給される電源電圧Ｖｄｄが目標電圧Ｖｄｄ０になるよう、抵抗素子Ｒ２の抵抗値Ｒ２を可変制御する。より具体的には、抵抗制御部４は、下記（２）式またはこれを変形した下記（３）式を満たすよう、抵抗値Ｒ２を設定する。  
Ｖｆｂ０＝Ｖｄｄ０＊Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）  ・・・（２）
Ｒ２＝Ｒ１＊Ｖｆｂ０／（Ｖｄｄ０−Ｖｆｂ０）  ・・・（３）
【００２８】
このように設定することで、上述した電源管理装置１０のフィードバック制御により、フィードバック電圧Ｖｆｂが一定値Ｖｆｂ０になり、その結果、電源電圧Ｖｄｄが目標電圧Ｖｄｄ０になる。
【００２９】
一例として、一定値Ｖｆｂ０＝１．０Ｖ、抵抗値Ｒ１＝２ｋΩとする。目標電圧Ｖｄｄ０＝２Ｖの場合、抵抗制御部４は抵抗値Ｒ２＝２ｋΩに設定する。一方、目標電圧Ｖｄｄ０＝３Ｖの場合、上記（３）式に基づいて抵抗制御部４は抵抗値Ｒ２＝１ｋΩに設定する。
【００３０】
仮に電源電圧Ｖｄｄが目標電圧Ｖｄｄ０＝２Ｖより高い場合、フィードバック電圧Ｖｆｂ０は１Ｖより高くなる。よって、電源管理装置１０は、フィードバック電圧Ｖｆｂを一定値Ｖｆｂ０＝１Ｖまで下げるために、電源電圧Ｖｄｄを低くする。一方、電源電圧Ｖｄｄが目標電圧Ｖｄｄ０＝２Ｖより低い場合、フィードバック電圧Ｖｆｂ０は１Ｖより低くなる。よって、電源管理装置１０は、フィードバック電圧Ｖｆｂを一定値Ｖｆｂ０＝１Ｖまで上げるために、電源電圧Ｖｄｄを高くする。
【００３１】
このようなフィードバック制御により、電源電圧Ｖｄｄは２Ｖとなる。
【００３２】
図２は、ＶＩＤ制御における、半導体集積回路２０の性能と、目標電圧Ｖｄｄ０と、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）の値と、抵抗値Ｒ２との関係を模式的に示す図である。図示のように、目標電圧設定部３は、性能が低い（動作速度が遅い）個体ほど動作速度を高くすべく、目標電圧Ｖｄｄ０を高く設定する。この場合、上記（２）式より、Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）を低くする必要があり、抵抗制御部４は抵抗値Ｒ２を低くする。
【００３３】
これにより、動作速度が遅い半導体集積回路２０については高い電源電圧Ｖｄｄが供給されて動作速度が速くなる一方、動作速度が速い半導体集積回路２０については低い電源電圧Ｖｄｄが供給されて動作速度が遅くなる。結果として、半導体集積回路２０の個体ばらつきを抑えることができる。
【００３４】
図３は、ＤＶＦＳ制御における、半導体集積回路２０の動作周波数と、目標電圧Ｖｄｄ０と、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）の値と、抵抗値Ｒ２との関係を模式的に示す図である。図示のように、目標電圧設定部３は、半導体集積回路２０を高速で動作させる場合、目標電圧Ｖｄｄ０を高く設定する。この場合、上記（２）式よりＲ２／（Ｒ１＋Ｒ２）を低くする必要があり、抵抗制御部２は抵抗値Ｒ２を低くする。逆に、目標電圧設定部３は、半導体集積回路２０を低速で動作させる場合、目標電圧Ｖｄｄ０を低く設定する。この場合、上記（２）式よりＲ２／（Ｒ１＋Ｒ２）を高くする必要があり、抵抗制御部２は抵抗値Ｒ２を高くする。
【００３５】
これにより、高速動作を要する処理の場合には高い電源電圧Ｖｄｄが供給されて、半導体集積回路２０は高速で動作できる。一方、低速動作でよい処理の場合には低い電源電圧Ｖｄｄが供給されて、半導体集積回路２０の消費電力を低減できる。
【００３６】
このように、第１の実施形態では、半導体集積回路２０内に可変抵抗素子Ｒ２を設け、その抵抗値を目標電圧Ｖｄｄ０に応じて可変制御する。よって、半導体集積回路２０の個体の性能や動作速度に応じて、半導体集積回路２０に供給される電源電圧Ｖｄｄを簡易に制御できる。
【００３７】
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態では、半導体集積回路２０のフィードバック端子ＦＢから直接、フィードバック電圧Ｖｆｂを電源管理装置１０に出力するものであった。これに対し以下に説明する第２の実施形態では、フィードバック端子ＦＢと電力管理装置１０との間に、直列接続された２つの抵抗素子を設けるものである。
【００３８】
図４は、第２の実施形態に係る電源管理システム１０１の概略構成を示すブロック図である。図４では、図１と共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
【００３９】
図４では、図１で用いられる電源管理ＩＣ１と異なる電源管理ＩＣ１ａが用いられる。上述のように、電源管理ＩＣはフィードバック電圧が予め定められた一定値になるように制御するが、この一定値は電源管理ＩＣによって異なることもある。
【００４０】
一方で、半導体集積回路２０は、ある一定値Ｖｆｂ０を想定し、上記（２），（３）式に応じて抵抗値Ｒ２を制御する。ところが、製造後に使用される電源管理ＩＣが変更され、一定値もＶｆｂではなくＶｆｂ０’（≠Ｖｆｂ０）になることも考えられる。
【００４１】
このように、用いられる電力管理ＩＣの一定値が変更された場合でも、本実施形態では半導体集積回路２０を変更しなくてもよいよう、抵抗素子Ｒ３，Ｒ４を半導体集積回路２０の外部に設ける。
【００４２】
抵抗素子Ｒ３，Ｒ４は、半導体集積回路２０の外部に設けられ、フィードバック端子ＦＢと接地端子との間に直列接続される。言い換えると、抵抗素子Ｒ３の一端にはフィードバック電圧Ｖｆｂが入力され、抵抗素子Ｒ４の一端は接地される。そして、抵抗素子Ｒ３，Ｒ４間の接続ノードのフィードバック電圧Ｖｆｂ’が電源管理装置１０ａに入力される。そして、電源管理装置１０ａは、フィードバック電圧Ｖｆｂ’が予め定められた上記の一定値Ｖｆｂ０’（例えば、０．７Ｖ）になるよう、出力する電源電圧Ｖｄｄの値を制御する。
【００４３】
抵抗素子Ｒ３，Ｒ４の抵抗値は数１００ｋΩ程度であり、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２と抵抗値と比べると十分に大きい。よって、フィードバック電圧Ｖｆｂの値はほとんど抵抗値Ｒ１，Ｒ２によって定まり、上記（１）式で近似できる。すなわち、図１の場合と図４の場合とで、フィードバック電圧Ｖｆｂの値はほとんど変わらない。
【００４４】
そして、下記（４）式を満たすよう、抵抗値Ｒ３，Ｒ４は定められる。  
Ｖｆｂ０’＝Ｖｆｂ０＊Ｒ４／（Ｒ３＋Ｒ４）  ・・・（４）
【００４５】
例えば、Ｖｆｂ０＝１．０Ｖ，Ｖｆｂ０’＝０．７Ｖの場合、Ｒ３＝３００ｋΩ，Ｒ４＝７００ｋΩとすればよい。
【００４６】
これにより、電力管理装置１０ａは、フィードバック電圧Ｖｆｂ’が一定値Ｖｆｂ０’になるよう、言い換えると、フィードバック電圧Ｖｆｂが一定値Ｖｆｂ０になるよう、電源電圧Ｖｄｄを制御する。
【００４７】
このようにして、フィードバック電圧が一定値Ｖｆｂ０になるように制御される電源管理装置１０を用いることを想定して製造された半導体集積回路２０を、フィードバック電圧が一定値Ｖｆｂ０’になるように制御される電源管理装置１０ａ’を用いて電源電圧の管理を行うことができる。
【００４８】
このように、第２の実施形態では、半導体集積回路２０の外部に抵抗素子Ｒ３，Ｒ４を設け、半導体集積回路２０が出力する電圧Ｖｆｂに比例するフィードバック電圧Ｖｆｂ’を電源管理装置１０ａに入力する。よって、半導体集積回路２０の構成を変えることなく、フィードバック電圧が任意の一定値になるように制御される種々の電源管理装置１０を用いて、供給される電源電圧Ｖｄｄを制御できる。
【００４９】
なお、図１および図４では、抵抗素子Ｒ２が可変抵抗素子である例を示したが、抵抗素子Ｒ１が可変抵抗素子であってもよいし、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２が可変抵抗素子であってもよい。
【００５０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５１】
１  電源管理ＩＣ
１０  電源管理装置
２  フィードバック電圧生成部
３  目標電圧設定部
４  抵抗制御部
２０  半導体集積回路
１００，１０１  電源管理システム
【図１】
2015027198.tif 000003
【図２】
2015027198.tif 000004
【図３】
2015027198.tif 000005
【図４】
2015027198.tif 000006