(57)【要約】      （修正有）【課題】保護素子を一体化し、コンパクトな実装が可能な半導体発光素子およびそれを用いた発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子１は、第１面１０ａと、第１面１０ａとは反対側の第２面１０ｂを有し、第１導電形の第１領域１３を含む半導体基板１０と、半導体基板１０の第１面１０ａ上に設けられた第２導電形の第１半導体層２０と、第１半導体層２０の上に設けられた第１導電形の第２半導体層３０と、第１半導体層２０と、第２半導体層３０との間に設けられた発光層４０と、第１半導体層２０に電気的に接続された第１電極５０と、第２半導体層３０に電気的に接続された第２電極６０と、半導体基板の第２面上に設けられた第３電極７０と、を備える。半導体基板１０の第１領域１３と第３電極７０との間には、整流性を有する接合面が介在する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面を有し、第１導電形の第１領域を含む半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１面上に設けられた第２導電形の第１半導体層と、
前記第１半導体層の上に設けられた第１導電形の第２半導体層と、
前記第１半導体層と、前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、
前記半導体基板の前記第２面上に設けられた第３電極と、
を備え、
前記半導体基板の前記第１領域と前記第３電極との間に整流性を有する接合面を介在させた半導体発光素子。
【請求項２】
前記第３電極と前記第１領域との間にショットキ接合を有する請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第３電極と前記第１領域との間にｐｎ接合を有する請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記半導体基板は、前記第１領域と、前記第１半導体層と、の間に第２導電形の第２領域を有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記半導体基板と、前記第１半導体層と、の間に設けられた接合層をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１半導体層は、前記接合層を介して前記半導体基板に電気的に接続される請求項５記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記接合層は、前記発光層の放射光を反射する部材を含む請求項５または６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１電極は、前記接合層の上に設けられる請求項５〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子をマウントしたリードフレームと、
前記半導体発光素子と、前記リードフレームと、を覆う樹脂と、
を備えた発光装置。
【請求項１０】
前記樹脂は、前記半導体発光素子の放射光により励起され、前記放射光とは波長の異なる光を放射する蛍光体を含む請求項９記載の発光装置。
【請求項１１】
複数の前記半導体発光素子を前記リードフレームにマウントした請求項９または１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記半導体発光素子は、前記リードフレームに共晶接続される請求項９〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体発光素子およびそれを用いた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの半導体発光素子を光源とする発光装置では、ツェナーダイオードなどの保護素子を用いてＥＳＤ耐圧を向上させるものがある。そして、保護素子は、半導体発光素子と同一のパッケージ内に収容される。一方、発光装置の小型化のために、パッケージ内の空間は縮小される傾向にある。このため、半導体発光素子と、保護素子と、を同一パッケージ内に実装する際に、両素子を電気的に接続するボンディングワイヤの引き回しなどが空間的に制約されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−４２９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、保護素子を一体化し、コンパクトな実装が可能な半導体発光素子およびそれを用いた発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体発光素子は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面を有し、第１導電形の第１領域を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記第１面上に設けられた第２導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた第１導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と、前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、前記半導体基板の前記第２面上に設けられた第３電極と、を備える。前記半導体基板の前記第１領域と前記第３電極との間には、整流性を有する接合面が介在する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る半導体発光素子を表す模式図。
【図２】実施形態に係る発光装置を表す模式図。
【図３】実施形態に係る別の発光装置を表す模式図。
【図４】実施形態に係る半導体発光素子の製造過程を表す模式断面図。
【図５】図４に続く製造過程を表す模式断面図。
【図６】実施形態の変形例に係る半導体発光素子を表す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【０００８】
図１は、実施形態に係る半導体発光素子１を表す模式図である。図１（ａ）は、半導体発光素子１の断面を表し、図１（ｂ）は、半導体発光素子１の等価回路を表している。
【０００９】
半導体発光素子１は、例えば、ＬＥＤであり、図１（ａ）に示すように、半導体基板１０と、半導体基板１０の上に設けられた第１半導体層（以下、ｐ形半導体層２０）と、ｐ形半導体層２０の上に設けられた第２半導体層（以下、ｎ形半導体層３０）と、ｐ形半導体層２０とｎ形半導体層３０との間に設けられた発光層４０と、を備える。
【００１０】
半導体基板１０は、例えば、シリコン基板であり、第１面１０ａと、第２面１０ｂと、を有する。半導体基板１０は、シリコン基板に限定される訳ではなく、他の半導体材料を含む導電性基板であっても良い。また、この例では、第１導電形をｐ形、第２導電形をｎ形として説明するが、実施形態は、これに限定される訳ではない。第１導電形をｎ形、第２導電形をｐ形とする構成も実施可能である。
【００１１】
半導体基板１０は、第２面１０ｂの側に設けられたｎ形の第１領域１３と、第１面１０ａの側に設けられた第２領域１５を含む。第２領域１５は、ｐ形またはｎ形のいずれでも良い。例えば、第２領域１５の導電形をｎ形とした場合、第２領域１５のｎ形不純物濃度は、第１領域１３のｎ形不純物濃度よりも高くすることが好ましい。また、第１領域１３のｎ形不純物濃度と、第２領域１５のｎ形不純物濃度が同じでも良い。この場合、第１領域１３と第２領域１５との区別はない。
【００１２】
また、第２領域１５の導電形をｐ形とした場合、第１領域１３と第２領域１５との間のｐｎ接合の逆耐圧が、ｐ形半導体層２０とｎ形半導体層３０との間のｐｎ接合の約耐圧よりも低くなるように、第１領域１３のｎ形不純物濃度と第２領域１５のｐ形不純物濃度とを設定する。例えば、第１領域１３の第２領域１５に接する部分のｎ形不純物濃度を高くしても良い。
【００１３】
半導体基板１０の上には、ｐ形半導体層２０が設けられる。例えば、半導体基板１０の上にｐ形半導体層２０をエピタキシャル成長しても良いし、半導体基板１０と、ｐ形半導体層２０と、を接合しても良い。この例では、ｐ形半導体層２０は、接合層２１を介して半導体基板１０に接合される。
【００１４】
接合層２１は、例えば、金錫（ＡｕＳｎ）合金を含み、半導体基板１０と、ｐ形半導体層２０と、を電気的に接続する。また、半導体基板１０が発光層４０の放射光を吸収する場合、接合層２１は、発光層４０の放射光を反射する部材を含むことが望ましい。
【００１５】
ｐ形半導体層２０の上には、発光層４０と、ｎ形半導体層３０と、が順に設けられる。また、ｎ形半導体層３０および発光層４０は、ｐ形半導体層２０の上に選択的に設けられる。ｐ形半導体層２０の露出した表面には、第１電極（以下、ｐ電極５０）が設けられる。ｐ電極５０は、ｐ形半導体層２０にオーミック接続される。
【００１６】
ｎ形半導体層３０の上には、第２電極（以下、ｎ電極６０）が設けられる。ｎ電極６０は、ｎ形半導体層３０にオーミック接続される。そして、ｐ電極５０と、ｎ電極６０と、の間に駆動電流を流すことにより、発光層４０を発光させる。
【００１７】
一方、半導体基板１０の第２面上には、第３電極（以下、裏面電極７０）が設けられる。裏面電極７０と、半導体基板１０の第１領域１３と、の間には、整流性を有する接合面が介在する。この例では、裏面電極７０は、第１領域１３にショットキ接続される。すなわち、半導体発光素子１では、裏面電極７０と第１領域１３との間に整流性を有するショットキ接合を介在させる。
【００１８】
この結果、図１（ｂ）に表すように、半導体発光素子１の等価回路は、２つのダイオードを含む。そのうちの１つは、ｐ電極５０とｎ電極６０との間に設けられるｐｎダイオード２３であり、他の１つは、ｐ電極５０と裏面電極７０との間に設けられるショットキダイオード１７である。ｐ電極５０と、ショットキダイオード１７と、の間には、基板抵抗１８が介在する。
【００１９】
次に、図２および図３を参照して、半導体発光素子１を実装した発光装置１００および２００を説明する。
【００２０】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施形態に係る発光装置１００を表す模式図である。図２（ａ）は、側面図であり、図２（ｂ）は、上面図である。  
また、図２（ｃ）および図２（ｄ）は、比較例に係る発光装置３００を表す模式図である。図２（ｃ）は、側面図であり、図２（ｄ）は、上面図である。
【００２１】
図２（ａ）に表すように、発光装置１００は、リードフレーム１０１、１０３と、半導体発光素子１と、半導体発光素子１を封じた樹脂１１１と、を備える。図２（ｂ）に表すように、リードフレーム１０１と、リードフレーム１０３とは、相互に隔離され並べて配置される。半導体発光素子１は、リードフレーム１０１の上にマウントされる。また、半導体発光素子１は、裏面電極７０をリードフレーム１０１に向けてマウントされる。
【００２２】
例えば、半導体発光素子１の裏面電極は、金（Ａｕ）を含み、リードフレーム１０１の表面には、金メッキが施される。これにより、半導体発光素子１をリードフレーム１０１に共晶接続することができる。
【００２３】
半導体発光素子１の上面に設けられたｐ電極５０は、金属ワイヤ１０５を介してリードフレーム１０３に電気的に接続される。一方、ｎ電極６０は、金属ワイヤ１０７を介してリードフレーム１０１に電気的に接続される。すなわち、ｎ電極６０および裏面電極７０は、リードフレーム１０１に接続され、電気的に同電位となる。結果として、リードフレーム１０１と、リードフレーム１０３と、の間に、ｐｎダイオード２３とショットキダイオード１７とが並列に接続される。そして、ｐｎダイオード２３の接続とショットキダイオード１７の接続は、逆方向である（図１（ｂ）参照）。
【００２４】
発光装置１００では、リードフレーム１０３からリードフレーム１０１に電流をながすことにより、ｐｎダイオード２３に順方向電流を供給し、発光層４０を発光させる。一方、リードフレーム１０１と、リードフレーム１０３と、の間にサージ電圧が印加され、ｐｎダイオード２３が逆バイアスされる場合、ショットキダイオード１７に順方向電流が流れ、ｐｎダイオード２３に高電圧が印加されることを防ぐ。すなわち、ショットキダイオード１７は、ｐｎダイオード２３の保護素子として機能する。
【００２５】
さらに、半導体発光素子１およびリードフレーム１０１、１０３を覆う樹脂１１１は、例えば、半導体発光素子１の放射光により励起され、その励起光とは異なる波長の光を放射する蛍光体１１３を含む。このため、発光装置１００は、半導体発光素子１からの放射光と、蛍光体１１３の放射光と、を混合した光を出力する。また、蛍光体１１３の種類を適宜選択することにより、出力光の色を調整することが可能である。
【００２６】
一方、図２（ｃ）および図２（ｄ）に表す発光装置３００では、リードフレーム１０１の上に半導体発光素子２がマウントされる。半導体発光素子２は、裏面側のショットキダイオード１７を含まず、ｐｎダイオード２３のみを有する。このため、発光装置３００は、保護素子としてツェナーダイオード１１０を備える。
【００２７】
半導体発光素子２の上面に設けられたｐ電極は、金属ワイヤ１０５を介してリードフレーム１０３に電気的に接続される。一方、ｎ電極は、金属ワイヤ１０７を介してリードフレーム１０１に電気的に接続される。ツェナーダイオード１１０は、リードフレーム１０１の上にマウントされる。そして、ツェナーダイオードの上面に設けられた電極と、リードフレーム１０１と、の間が、金属ワイヤ１１９により電気的に接続される。
【００２８】
発光装置３００では、リードフレーム１０１とリードフレーム１０３との間に印加されるサージ電圧は、ツェナーダイオード１１０に吸収され、ｐｎダイオード２３を保護することができる。
【００２９】
しかしながら、発光装置３００では、ツェナーダイオード１１０の実装が付加されるため、製造コストが高くなる。また、ツェナーダイオード１１０および金属ワイヤ１１９は、装置の小型化の障害となる。そして、リードフレーム上に実装される半導体発光素子２の数が多くなると、このデメリットはより顕著となる。
【００３０】
これに対し、実施形態に係る発光装置１００では、半導体発光素子１がショットキダイオード１７を内蔵しているため、組立工数を削減することが可能であり、小型化も容易である。
【００３１】
また、図２（ｃ）および（ｄ）に示す例では、半導体発光素子２をリードフレーム１０１にマウントする際に、例えば、導電性ペーストなどの接着材を用いる。実施形態では、半導体発光素子１をリードフレーム１０１に共晶接続するため、実装が容易であり、その接続も安定する。
【００３２】
図３は、実施形態に係る別の発光装置２００を表す模式図である。図３（ａ）は、発光装置２００の上面を表し、図３（ｂ）は、その等価回路である。
【００３３】
図３（ａ）に表すように、発光装置２００は、リードフレーム１０１、１０３と、リードフレーム上にマウントされた複数の半導体発光素子１ａ〜１ｃと、を備える。ここでは、３つの半導体発光素子１をマウントした例を示すが、これに限定される訳ではない。例えば、半導体発光素子１の数は、４つ以上でも良く、２つでも良い。
【００３４】
リードフレーム１０１の上にマウントされた複数の半導体発光素子１は、例えば、直列接続される。図３（ａ）に表すように、半導体発光素子１ｃのｐ電極５０と、リードフレーム１０３と、の間は、金属ワイヤ１２１により電気的に接続される。半導体発光素子１ｃのｎ電極と、半導体発光素子１ｂのｐ電極５０の間は、金属ワイヤ１２３により電気的に接続される。同様に、半導体発光素子１ｂと、半導体発光素子１ａとの間は、金属ワイヤ１２５により電気的に接続される。半導体発光素子１ａのｎ電極６０と、リードフレーム１０１と、の間は、金属ワイヤ１２７により電気的に接続される。一方、半導体発光素子１ａ〜１ｃの各裏面電極７０は、リードフレーム１０１に共晶接続される。
【００３５】
図３（ｂ）に表すように、半導体発光素子１ａ〜１ｃのｐｎダイオード２３は、リードフレーム１０３とリードフレーム１０１との間において直列に接続される。一方、各ショットキダイオード１７では、そのアノード側を共通とし、カソード側をリードフレーム１０３とｐｎダイオード２３との間、および、各ｐｎダイオード２３の間に接続した構成となる。
【００３６】
発光装置２００の動作時において、半導体発光素子１ｃのショットキダイオード１７には、リードフレーム１０３と、リードフレーム１０１と、の間の電圧差が逆バイアスとして直接印加される。すなわち、直列に実装される半導体発光素子１の数は、ショットキダイオード１７の逆耐圧により制限される。このため、ショットキダイオードの逆耐圧を大きくすることが好ましい。
【００３７】
発光装置２００では、複数の半導体発光素子１を実装することにより、その光出力を増大させることができる。そして、保護素子を別に実装する場合に比べて、素子数および金属ワイヤ数を削減できるため、実装工程を簡略化でき、小型化も容易である。
【００３８】
次に、図４および図５を参照して、半導体発光素子１の製造方法を説明する。図４（ａ）〜図５（ｃ）は、実施形態に係る半導体発光素子１の製造過程を表す模式断面図である。
【００３９】
図４（ａ）に表すように、例えば、シリコン基板などの成長基板１３０の上に、ｎ形半導体層３０、発光層４０およびｐ形半導体層２０を順にエピタキシャル成長する。各半導体層および発光層４０は、例えば、窒化物半導体であり、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。
【００４０】
ｐ形半導体層２０およびｎ形半導体層３０は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。発光層４０は、例えば、ＧａＮと、ＩｎＧａＮと、を含む多重量子井戸構造を有し、青色光を発光する。また、成長基板１３０と、ｎ形半導体層３０と、の間に図示しないバッファ層を形成しても良い。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に表すように、第１領域１３と、第２領域１５と、第２領域１５の上に設けられた接合層２１ｂと、を有する支持基板１０を用意する。成長基板１３０の側では、ｐ形半導体層２０の上に接合層２１ａを形成する。
【００４２】
続いて、支持基板１０と成長基板１３０とを、接合層２１ａおよび２１ｂを介して向き合わせ、図４（ｃ）に示すように両者を接合する。接合層２１ａおよび２１ｂは、ＡｕＳｎ合金などの接合材を含む。そして、支持基板１０および成長基板１３０のそれぞれの裏面側から加圧し、加熱することにより、両者を接合させることができる。
【００４３】
ｐ形半導体層２０の上に形成される接合層２１ａは、好ましくは、例えば、銀（Ａｇ）などの反射材を含む。
【００４４】
次に、図５（ａ）に表すように、成長基板１３０を除去する。成長基板１３０にシリコン基板を用いた場合、例えば、ウェットエッチングにより、成長基板１３０を選択的に除去することができる。
【００４５】
次に、図５（ｂ）に表すように、成長基板１３０を除去した後のｎ形半導体層３０の上に、ｎ電極６０を形成する。また、ｎ形半導体層３０の表面には、図示しない透明電極、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）を形成しても良い。
【００４６】
続いて、ｎ形半導体層３０および発光層４０を選択的に除去し、ｐ形半導体層２０の表面を露出させる。例えば、ｎ形半導体層３０の上にエッチングマスクを形成し、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いて、ｐ形半導体層２０に至る深さまでｎ形半導体層３０および発光層４０を選択的にエッチングする。
【００４７】
次に、図５（ｃ）に表すように、露出させたｐ形半導体層２０の上にｐ電極５０を形成する。また、半導体基板（支持基板）１０の裏面（第２面１０ｂ）の上に裏面電極７０を形成する。
【００４８】
ここで、ｐ電極５０およびｎ電極６０は、オーミック接続となるように形成し、裏面電極７０は、第１領域１３に対してショットキ接続となるように形成する。この作り分けは、例えば、電極材料の選択、および、熱処理温度の違いより実施することができる。
【００４９】
次に、図６を参照して、実施形態の変形例に係る半導体発光素子を説明する。図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施形態の変形例に係る半導体発光素子３および４を表す模式断面図である。
【００５０】
図６（ａ）に表す半導体発光素子３は、半導体基板１０と、半導体基板１０の上に設けられたｐ形半導体層２０と、ｐ形半導体層２０の上に設けられたｎ形半導体層３０と、ｐ形半導体層２０とｎ形半導体層３０との間に設けられた発光層４０と、を備える。
【００５１】
半導体基板１０は、第１面１０ａの側に設けられた第２領域１５と、第２面１０ｂの側に設けられたｐ形の第３領域１９と、第２領域１３と第３領域１９との間に設けられたｎ形の第２領域１５を含む。
【００５２】
この例では、ｎ形の第１領域１３とｐ形の第３領域１９との間にｐｎ接合が設けられる。そして、第３領域１９に接する第３電極である裏面電極７３が設けられる。裏面電極７３は、第３領域１９にオーミック接続する。
【００５３】
また、裏面電極７３を形成しない構造であっても良い。例えば、半導体基板１０がシリコン基板である場合、半導体発光素子３は、リードフレーム上に共晶接続することができる。すなわち、第３領域１９と、リードフレームと、の間にシリサイド層が形成され、両者を接続することができる。この場合、リードフレームが第３電極を兼ねる。
【００５４】
次に、図６（ｂ）に表す半導体発光素子４は、半導体基板１０と、半導体基板１０の上に設けられたｐ形半導体層２０と、ｐ形半導体層２０の上に設けられたｎ形半導体層３０と、ｐ形半導体層２０とｎ形半導体層３０との間に設けられた発光層４０と、を備える。
【００５５】
半導体基板１０は、第２面１０ｂの側に設けられた第１領域１３と、第１面１０ａの側に設けられた第２領域１５と、を含む。そして、第１領域１３に接する裏面電極７０が設けられる。裏面電極７０は、第１領域１３にショットキ接続させる。
【００５６】
さらに、この例では、ｎ形半導体層３０、発光層４０およびｐ形半導体層２０を選択的にエッチングし、接合層２１の表面を露出させる。そして、ｐ電極５０は、露出した接合層２１の上に形成される。この構造は、例えば、ｎ形半導体層３０および発光層４０を除去する際に、ｐ形半導体層２０においてエッチングを停止することが難しい場合に有効である。
【００５７】
以上、図１〜図６を参照して説明したように、実施形態に係る半導体発光素子では、半導体基板１０の第２面１０ｂの側に整流性を有する接合が設けられる。これにより、保護素子として機能するダイオードを一体に形成することができる。これらの半導体発光素子を用いる発光装置では、その実装が容易になり、小型化に適した構造を実現することができる。
【００５８】
なお、本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【００５９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６０】
１、１ａ〜１ｃ、２、３、４・・・半導体発光素子、  １０・・・半導体基板（支持基板）、  １０ａ・・・第１面、  １０ｂ・・・第２面、  １３・・・第１領域、  １５・・・第２領域、  １８・・・基板抵抗、  １７・・・ショットキダイオード、  １９・・・第３領域、  ２０・・・ｐ形半導体層、  ２１、２１ａ、２１ｂ・・・接合層、  ２３・・・ｐｎダイオード、  ３０・・・ｎ形半導体層、  ４０・・・発光層、  ５０・・・ｐ電極、  ６０・・・ｎ電極、  ７０、７３・・・裏面電極、  １００、２００、３００・・・発光装置、  １０１、１０３・・・リードフレーム、  １０５、１０７、１１９、１２１、１２３、１２５、１２７・・・金属ワイヤ、  １１０・・・ツェナーダイオード、  １１１・・・樹脂、  １１３・・・蛍光体、  １３０・・・成長基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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