(57)【要約】【課題】端子接続部のピッチが狭い正極バスバー及び負極バスバーを容易に製造することができ、かつ、大電流が流れる半導体素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制できる電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２を積層した積層体１０と、正極バスバー３と、負極バスバー４とを備える。正極バスバー３と負極バスバー４は、互いに重ね合わされた複数枚のバスバー片３０，４０からなる。各々のバスバー片３０，４０は、基板部３１，４１を有する。基板部３１，４１には、大電流半導体モジュール２ａに接続した大電流基板部３１ａ，４１ａと、小電流半導体モジュール２ｂに接続した小電流基板部３１ｂ，４１ｂとがある。Ｚ方向における、大電流基板部３１ａ，４１ａ間の間隔Ｄ１は、小電流基板部３１ｂ，４１ｂ間の間隔Ｄ２よりも狭い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（２９）を内蔵した本体部（２０）からパワー端子（２１）が突出した複数の半導体モジュール（２）を、各々の上記パワー端子（２１）を同一方向に向けた状態で積層した積層体（１０）と、
上記半導体モジュール（２）にそれぞれ電気接続し、互いの間に直流電圧が加わる正極バスバー（３）および負極バスバー（４）とを備え、
上記正極バスバー（３）と上記負極バスバー（４）とは、互いに重ね合わされた複数枚のバスバー片（３０，４０）からなり、各々の上記バスバー片（３０，４０）は、その主面（３１０，４１０）が上記パワー端子（２１）の突出方向に直交するよう配された基板部（３１，４１）と、該基板部（３１，４１）から上記積層体（１０）の積層方向と上記突出方向との双方に直交する幅方向に延出し上記パワー端子（２１）に接続した複数の端子接続部（３２，４２）とを有し、
上記正極バスバー（３）と上記負極バスバー（４）とは、同一の上記バスバー片（３０，４０）に形成された上記端子接続部（３２，４２）が上記積層方向において互いに隣り合うことがないように、それぞれの上記基板部（３１，４１）を重ね合わせて構成されており、
上記半導体モジュール（２）には、上記半導体素子（２９）に流れる電流が相対的に大きい大電流半導体モジュール（２ａ）と、該大電流半導体モジュール（２ａ）よりも上記半導体素子（２９）に流れる電流が少ない小電流半導体モジュール（２ｂ）とがあり、
上記正極バスバー（３）と上記負極バスバー（４）とをそれぞれ構成する複数枚の上記バスバー片（３０，４０）の上記基板部（３１，４１）には、上記端子接続部（３２）が上記大電流半導体モジュール（２ａ）に接続した大電流基板部（３１ａ，４１ａ）と、上記小電流半導体モジュール（２ｂ）に接続した小電流基板部（３１ｂ，４１ｂ）とがあり、
上記正極バスバー（３）に含まれる上記大電流基板部（３１ａ）と上記負極バスバー（４）に含まれる上記大電流基板部（４１ａ）との、上記突出方向における間隔（Ｄ１）は、上記正極バスバー（３）に含まれる上記小電流基板部（３１ｂ）と上記負極バスバー（４）に含まれる上記小電流基板部（４１ｂ）との、上記突出方向における間隔（Ｄ２）よりも狭いことを特徴とする電力変換装置（１）。
【請求項２】
上記正極バスバー（３）と上記負極バスバー（４）とは、それぞれ３枚のバスバー片（３０，４０）を組み合わせて形成されており、上記正極バスバー（３）と上記負極バスバー（４）にそれぞれ含まれる３枚の上記基板部（３１，４１）のうち、２枚の上記基板部（３１，４１）は上記大電流基板部（３１ａ，４１ａ）であり、１枚の上記基板部（３１，４１）は上記小電流基板部（３１ｂ，４１ｂ）であることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
１個の上記端子接続部（３２，４２）が、上記積層方向に隣り合う２つの上記パワー端子（２１）に接続していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電力変換装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続した正極バスバー及び負極バスバーを備える電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置として、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する冷却管とを積層したものが知られている（下記特許文献１参照）。
【０００３】
半導体モジュールは、半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出した正極端子と負極端子と交流端子とを備える。正極端子には正極バスバーが接続し、負極端子には負極バスバーが接続している。これらのバスバーを介して正極端子と負極端子とに直流電圧を印加している。そして、上記半導体素子をスイッチング動作させることにより、正極端子と負極端子との間に加えられた直流電圧を交流電圧に変換し、上記交流端子から出力するよう構成されている。
【０００４】
正極バスバーおよび負極バスバーは、それぞれ板状の基板部と、該基板部から延出した複数本の端子接続部とを有する。この端子接続部を、上記正極端子または負極端子に接続してある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１５０６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記電力変換装置は、上記スイッチング動作に伴って、特定の半導体素子に大きなサージ電圧が加わりやすいという問題がある。すなわち、半導体素子には、接続する負荷が異なる等の理由により、大きな電流が流れるものと、小さな電流が流れるものとがある。大きな電流Ｉが流れる半導体素子は、小さな電流が流れる半導体素子と比べて、電流遮断時における、電流Ｉの時間変化量ｄＩ／ｄｔが大きくなりやすい。半導体素子に加わるサージ電圧Ｖは、上記時間変化量ｄＩ／ｄｔと、回路につくインダクタンスＬとの積（ＬｄＩ／ｄｔ）になる。そのため、大きな電流が流れ、電流Ｉの時間変化量ｄＩ／ｄｔが大きな値になる半導体素子には、大きなサージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）が加わりやすい。
【０００７】
一方、近年、電力変換装置を小型化するために、半導体モジュール又は冷却管を薄型化することが望まれている。しかしながら、薄型化すると、半導体モジュール同士の、積層方向における間隔が狭くなるため、上記端子接続部のピッチを狭くする必要が生じる。そのため、正極バスバーおよび負極バスバーを製造しにくくなるという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、端子接続部のピッチが狭い正極バスバー及び負極バスバーを容易に製造することができ、かつ、大電流が流れる半導体素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制できる電力変換装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した本体部からパワー端子が突出した複数の半導体モジュールを、各々の上記パワー端子を同一方向に向けた状態で積層した積層体と、
上記半導体モジュールにそれぞれ電気接続し、互いの間に直流電圧が加わる正極バスバーおよび負極バスバーとを備え、
上記正極バスバーと上記負極バスバーとは、互いに重ね合わされた複数枚のバスバー片からなり、各々の上記バスバー片は、その主面が上記パワー端子の突出方向に直交するよう配された基板部と、該基板部から上記積層体の積層方向と上記突出方向との双方に直交する幅方向に延出し上記パワー端子に接続した複数の端子接続部とを有し、
上記正極バスバーと上記負極バスバーとは、同一の上記バスバー片に形成された上記端子接続部が上記積層方向において互いに隣り合うことがないように、それぞれの上記基板部を重ね合わせて構成されており、
上記半導体モジュールには、上記半導体素子に流れる電流が相対的に大きい大電流半導体モジュールと、該大電流半導体モジュールよりも上記半導体素子に流れる電流が少ない小電流半導体モジュールとがあり、
上記正極バスバーと上記負極バスバーとをそれぞれ構成する複数枚の上記バスバー片の上記基板部には、上記端子接続部が上記大電流半導体モジュールに接続した大電流基板部と、上記小電流半導体モジュールに接続した小電流基板部とがあり、
上記正極バスバーに含まれる上記大電流基板部と上記負極バスバーに含まれる上記大電流基板部との、上記突出方向における間隔は、上記正極バスバーに含まれる上記小電流基板部と上記負極バスバーに含まれる上記小電流基板部との、上記突出方向における間隔よりも狭いことを特徴とする電力変換装置にある。
【発明の効果】
【００１０】
上記電力変換装置の正極バスバー及び上記負極バスバーは、それぞれ複数枚の上記バスバー片からなる。個々のバスバー片は、上記基板部と上記端子接続部とを有する。そして、同一のバスバー片に形成された端子接続部が積層方向において隣り合うことがないように、上記基板部を重ね合わせることにより、正極バスバー及び負極バスバーを構成してある。
このようにすると、端子接続部のピッチが狭い正極バスバー及び負極バスバーを容易に製造することができる。すなわち、１枚の金属板をプレス加工等して、端子接続部のピッチが狭い正極バスバー又は負極バスバーを製造することは難しいが、端子接続部のピッチが広いバスバー片は、製造が容易である。上記電力変換装置によると、端子接続部のピッチが広いバスバー片を複数枚、製造しておき、このバスバー片を組み合わせて、組み合わせ後の状態における、端子接続部のピッチを狭くすることができる。そのため、端子接続部のピッチが狭い正極バスバー及び負極バスバーを容易に製造することが可能になる。
また、上記構成にすると、個々の端子接続部の幅（上記積層方向における長さ）を長くすることができる。そのため、正極バスバー及び負極バスバーの自己インダクタンスを低減することができる。
【００１１】
また、上記電力変換装置は、大きな電流が流れる半導体素子に加わるサージ電圧を低減することができる。すなわち、上記構成では、正極バスバーに含まれる上記大電流基板部と負極バスバーに含まれる大電流基板部との間隔を相対的に狭くしてあるため、これら大電流基板部同士の間につく寄生インダクタンスＬを小さくすることができる。大電流基板部に電気接続した半導体素子、すなわち大きな電流が流れる半導体素子は、電流遮断時における電流Ｉの時間変化量ｄＩ／ｄｔが大きいが、大電流基板部につく寄生インダクタンスＬを小さくしてあるため、サージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）は特に大きくならずにすむ。
また、正極バスバーに含まれる上記小電流基板部と負極バスバーに含まれる小電流基板部との間隔は相対的に広くなっているため、これら小電流基板部同士の間につく寄生インダクタンスＬは大きくなりやすい。しかし、小電流基板部に電気接続した半導体素子、すなわち流れる電流が少ない半導体素子は、電流遮断時における電流Ｉの時間変化量ｄＩ／ｄｔが小さいため、この半導体素子に加わるサージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）は、特に大きくならない。
【００１２】
以上のごとく、本発明によれば、端子接続部のピッチが狭い正極バスバー及び負極バスバーを容易に製造することができ、かつ、大電流が流れる半導体素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制できる電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１における、電力変換装置の断面図であって、図３のI-I断面図。
【図２】図１の要部拡大図。
【図３】図１のIII矢視図。
【図４】図３のIV-IV断面図。
【図５】図４の要部拡大図。
【図６】実施例１における、正極バスバーを構成する一方のバスバー片の、折り曲げ前の平面図。
【図７】図６に示すバスバー片の、折り曲げ後の平面図。
【図８】実施例１における、正極バスバーを構成する他方のバスバー片の、折り曲げ前の平面図。
【図９】図８に示すバスバー片の、折り曲げ後の平面図。
【図１０】実施例１における、２つのバスバー片を重ね合わせた状態での、正極バスバーの平面図。
【図１１】図１０に示す正極バスバーの斜視図。
【図１２】実施例１における、負極バスバーを構成する一方のバスバー片の、折り曲げ前の平面図。
【図１３】図１２に示すバスバー片の、折り曲げ後の平面図。
【図１４】実施例１における、負極バスバーを構成する他方のバスバー片の、折り曲げ前の平面図。
【図１５】図１４に示すバスバー片の、折り曲げ後の平面図。
【図１６】実施例１における、２つのバスバー片を重ね合わせた状態での、負極バスバーの平面図。
【図１７】図１６に示す負極バスバーの斜視図。
【図１８】図３に示す電力変換装置から、正極バスバーおよび負極バスバーを除いた状態における平面図。
【図１９】実施例１における、電力変換装置の回路図。
【図２０】実施例２における、電力変換装置の断面図。
【図２１】実施例２における、正極バスバーの平面図。
【図２２】実施例３における、電力変換装置の要部拡大断面図。
【図２３】実施例４における、電力変換装置の要部拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
上記電力変換装置は、例えばハイブリッド車や電気自動車に搭載するための車載用電力変換装置とすることができる。
【実施例】
【００１５】
（実施例１）
上記電力変換装置に係る実施例について、図１〜図１９を用いて説明する。図３、図４に示すごとく、本例の電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２を積層した積層体１０と、正極バスバー３と、負極バスバー４とを備える。半導体モジュール２は、半導体素子２９（図１９参照）を内蔵した本体部２０を有する。この本体部２０からパワー端子２１が突出している。半導体モジュール２は、パワー端子２１を同一方向に向けた状態で積層されている。正極バスバー３と負極バスバー４とは、それぞれ半導体モジュール２に電気接続している。
【００１６】
図１、図３に示すごとく、正極バスバー３は、互いに重ね合わされた複数枚のバスバー片３０（３０ａ，３０ｂ）からなる。各々のバスバー片３０ａ，３０ｂは、基板部３１（３１ａ，３１ｂ）と、端子接続部３２とを有する。基板部３１は、その主面３１０がパワー端子２１の突出方向（Ｚ方向）に直交するよう配されている。端子接続部３２は、基板部３１から積層体１０の積層方向（Ｘ方向）とＺ方向との双方に直交する幅方向（Ｙ方向）に延出し、パワー端子２１に接続している。
同様に、負極バスバー４も、複数枚のバスバー片４０（４０ａ，４０ｂ）からなる。各々のバスバー片４０ａ，４０ｂは、基板部４１（４１ａ，４１ｂ）と、端子接続部４２とを有する。基板部４１は、その主面４１０がＺ方向に直交するよう配されている。端子接続部４２は、基板部４１からＹ方向に延出し、パワー端子２１に接続している。
【００１７】
図３に示すごとく、正極バスバー３は、同一のバスバー片３０に形成された端子接続部３２がＸ方向において互いに隣り合うことがないように、それぞれの基板部３１ａ，３１ｂを重ね合わせて構成されている。負極バスバー４も同様である。
【００１８】
半導体モジュール２には、半導体素子２９に流れる電流が相対的に大きい大電流半導体モジュール２ａと、大電流半導体モジュール２ａよりも半導体素子２９に流れる電流が少ない小電流半導体モジュール２ｂとがある。
図３、図４に示すごとく、正極バスバー３と負極バスバー４とをそれぞれ構成する複数枚の基板部３１，４１には、端子接続部３２，４２が大電流半導体モジュール２ａに接続した大電流基板部３１ａ，４１ａと、小電流半導体モジュール２ｂに接続した小電流基板部３１ｂ，４１ｂとがある。
【００１９】
図２、図５に示すごとく、正極バスバー３に含まれる大電流基板部３１ａと負極バスバー４に含まれる大電流基板部４１ａとの、Ｚ方向における間隔Ｄ１は、正極バスバー３に含まれる小電流基板部３１ｂと負極バスバー４に含まれる小電流基板部４１ｂとの、Ｚ方向における間隔Ｄ２よりも狭い。
【００２０】
本例の電力変換装置１は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。
【００２１】
図１９に示すごとく、本例の電力変換装置１には、２個の三相交流モータ８１，８２が接続している。そして、半導体モジュール２をスイッチング動作させることにより、直流電源８０の直流電圧を交流電圧に変換し、三相交流モータ８１，８２を駆動するよう構成されている。
【００２２】
上記２個の三相交流モータ８１，８２のうち、一方の三相交流モータ８１は消費電力が高く、他方の三相交流モータ８２は消費電力が低い。一方の三相交流モータ８１は大電流半導体モジュール２ａに接続し、他方の三相交流モータ８２は小電流半導体モジュール２ｂに接続している。
【００２３】
一方、図１に示すごとく、本例の電力変換装置１は、直流電圧を平滑化するためのコンデンサ５を備える。コンデンサ５は、コンデンサ素子５０と、該コンデンサ素子５０を封止する封止部材５００とを有する。Ｚ方向におけるコンデンサ素子５０の両端面は、電極面５３，５４となっている。
また、正極バスバー３及び負極バスバー４は、基板部３０，４０からＺ方向に延出する延出部３８，４８と、該延出部３８，４８からＹ方向に突出したコンデンサ接続部３９，４９とを備える。コンデンサ接続部３９，４９は、コンデンサ５の上記電極面５３，５４に接続している。
【００２４】
また、図４、図５に示すごとく、バスバー３，４の端子接続部３２，４２は、Ｚ方向に突出した突出部３３，４３を備える。この突出部３３，４３をパワー端子２１に重ね合わせて溶接してある。
【００２５】
図５に示すごとく、本例では、２枚のバスバー片３０（３０ａ，３０ｂ）を重ね合わせて、正極バスバー３を形成してある。同様に、２枚のバスバー片４０（４０ａ，４０ｂ）を重ね合わせて負極バスバー４を形成してある。これらのバスバー片３０，４０のうち、一方のバスバー片３０ａ，４０ａは、その端子接続部３２，４２が大電流半導体モジュール２ａに接続している。また、他方のバスバー片３０ｂ，４０ｂは、その端子接続部３２，４２が小電流半導体モジュール２ｂに接続している。
【００２６】
図１、図２に示すごとく、正極バスバー３を構成する大電流基板部３１ａと小電流基板部３１ｂは、Ｚ方向に重ね合されている。これらの基板部３１ａ，３１ｂは金属製であり、その表面には自然酸化膜が形成されている。また、大電流基板部３１ａと小電流基板部３１ｂとは、製造時に形成された歪みが残っていたり、組み付け時に応力が加わったりするため、その表面は完全な平坦面ではない。そのため、２つの基板部３１ａ，３１ｂ間には隙間が形成されている。これらの理由により、２つの基板部３１ａ，３１ｂは、その表面が全面にわたって互いに電気接続しているのではなく、絶縁されている箇所が比較的多い。そのため、大電流基板部３１ａと小電流基板部３１ｂとは、電流が別々に流れる箇所が多い。また、２つの基板部３１ａ，３１ｂは、電流密度が互いに異なる。負極バスバー３の大電流基板部４１ａと小電流基板部４１ｂも同様の構造になっている。
これらの理由により、大電流基板部３１ａ，４１ａにつく寄生インダクタンスＬと、小電流基板部３１ｂ，４１ｂにつく寄生インダクタンスＬとは、その値が互いに異なる。図２に示すごとく、大電流基板部３１ａ，４１ａの間隔Ｄ１は狭いため、大電流基板部３１ａ，４１ａにつく寄生インダクタンスＬは小さい。また、小電流基板部３１ｂ，４１ｂの間隔Ｄ２は広いため、小電流基板部３１ｂ，４１ｂにつく寄生インダクタンスＬは大きい。
【００２７】
なお、正極バスバー３を構成する２枚の基板部３１ａ，３１ｂは、図示しないボルトによって締結されている。これにより、２枚の基板部３１ａ，３１ｂを一体化すると共に、ボルト締結した部位において、２枚の基板部３１ａ，３１ｂを電気的に接続している。なお、基板部３１ａ，３１ｂは、ボルト締結の他に、プレスかしめや、溶接によって、互いに接続することができる。また、負極バスバー４の２枚の基板部４１ａ，４１ｂも、正極バスバー３と同様の構造になっている。
【００２８】
一方、図１に示すごとく、負極バスバー４の基板部４１には、Ｚ方向に貫通した貫通孔４９９を形成してある。半導体モジュール２のパワー端子２１（正極端子２１ａ）は、この貫通孔４９９を通り、正極バスバー３に接続している。
【００２９】
半導体モジュール２のパワー端子２１には、正極バスバー３に接続する正極端子２１ａと、負極バスバー４に接続する負極端子２１ｂと、三相交流モータ８１，８２（図１９参照）に電気接続する交流端子２１ｃとがある。また、半導体モジュール２は、本体部２０から突出した制御端子２２を有する。制御端子２２は制御回路基板１９に接続している。この制御回路基板１９によって、半導体モジュール２のスイッチング動作を制御している。
【００３０】
図１８に示すごとく、本例では、半導体モジュール２と冷却管１１とを交互に積層して積層体１０を構成してある。Ｘ方向に隣り合う２つの冷却管１１は、Ｙ方向における両端部にて、連結管１５によって連結されている。また、複数の冷却管１１のうち、Ｘ方向における一端に位置する冷却管１１ａには、冷媒１４を導入するための導入パイプ１２と、冷媒１４を導出するための導出パイプ１３とが接続している。導入パイプ１２から冷媒１４を導入すると、冷媒１４は連結管１５を通って全ての冷却管１１内を流れ、導出管１３から導出される。これにより、半導体モジュール２を冷却するよう構成されている。
【００３１】
また、積層体１０とケース１６の壁部１６１との間には、加圧部材１７（板ばね）が介在している。この加圧部材１７によって、積層体１０をケース１６の他方の壁部１６２に向けて押圧している。これにより、半導体モジュール２と冷却管１１との接触圧を確保しつつ、積層体１０をケース１６内に固定している。
【００３２】
次に、正極バスバー３の製造方法について説明する。まず、図６に示すごとく、金属板を加工して、板状部３１６と、複数の櫛歯状部３２１とを備える部材３０６を形成する。そして、予め定められた折り曲げ予定線Ｆに沿って櫛歯状部３２１を折り曲げ、図７に示すごとく、突出部３３を形成する。また、板状部３１６を２箇所折り曲げて、基板部３１（大電流基板部３１ａ）と、延出部３８と、コンデンサ接続部３９とを形成する。これにより、一方のバスバー片３０ａを製造する。
同様に、図８、図９に示すごとく、別の金属板を加工して、他方のバスバー片３０ｂを製造する。
【００３３】
その後、図１０、図１１に示すごとく、一方のバスバー片３０ａに形成した端子接続部３２ａと、他方のバスバー片３０ｂに形成した端子接続部３２ｂとがＸ方向に隣り合わないように、２つのバスバー片３０ａ，３０ｂを重ね合わせる。重ね合わせた状態では、端子接続部３２と、隣の突出部３３との間に隙間Ｓが形成される。この隙間Ｓに、正極端子２１ａ（図３参照）が挿入される。
【００３４】
次に、負極バスバー４の製造方法について説明する。図１２に示すごとく、まず、金属板を加工して、板状部４１５と、複数の櫛歯状部４２０とを備える部材４０５を形成する。板状部材４１５には、貫通孔４９９を形成しておく。そして、予め定められた折り曲げ予定線Ｆに沿って櫛歯状部４２０を折り曲げ、図１３に示すごとく、突出部４３を形成する。また、板状部４１５を２箇所折り曲げて、基板部４１（大電流基板部４１ａ）と、延出部４８と、コンデンサ接続部４９とを形成する。これにより、一方のバスバー片４０ａを製造する。
同様に、図１４、図１５に示すごとく、別の金属板を加工して、他方のバスバー片４０ｂを製造する。
【００３５】
その後、図１６、図１７に示すごとく、一方のバスバー片４０ａに形成した端子接続部４２ａと、他方のバスバー片４０ｂに形成した端子接続部４２ｂとがＸ方向に隣り合わないように、２つのバスバー片４０ａ，４０ｂを重ね合わせる。重ね合わせた状態では、端子接続部４２と、隣の突出部４３との間に隙間Ｓが形成される。この隙間Ｓに、負極端子２１ｂ（図３参照）が挿入される。
【００３６】
本例の作用効果について説明する。図３に示すごとく、本例では、同一のバスバー片３０（３０ａ，３０ｂ）に形成された端子接続部３２がＸ方向において隣り合うことがないように、基板部３１ａ，３１ｂを重ね合わせることにより、正極バスバー３を構成してある。負極バスバー４も同様の構成になっている。
本例では、端子接続部３２のピッチが狭い正極バスバー３を容易に製造することができる。すなわち、１枚の金属板をプレス加工等して、端子接続部３２のピッチが狭い正極バスバー３を製造することは難しいが、端子接続部３２のピッチが広いバスバー片３０は、製造が容易である。本例では図６〜図１１に示すごとく、端子接続部３２のピッチが広いバスバー片３０を複数枚、製造しておき、この複数枚のバスバー片３０（３０ａ，３０ｂ）を組み合わせて、組み合わせ後の状態における、端子接続部３２のピッチを狭くすることができる。そのため、端子接続部３２のピッチが狭い正極バスバー３を容易に製造することが可能になる。同様に、本例では、端子接続部４２のピッチが狭い負極バスバー４を容易に製造することができる。
また、上記構成にすると、個々の端子接続部３２，４２の幅（Ｘ方向長さ）を長くすることができる。そのため、バスバー３，４の自己インダクタンスを低減することができる。
【００３７】
また、本例では、大電流半導体モジュール２ａに含まれる半導体素子２９に加わるサージ電圧を低減できる。すなわち、本例では図２に示すごとく、２つの大電流基板部３１ａ，４１ａ間の間隔Ｄ１を狭くしてあるため、これら大電流基板部３１ａ，４１ａの間につく寄生インダクタンスＬを小さくすることができる。大電流半導体モジュール２ａ内の半導体素子２９は、電流遮断時における電流Ｉの時間変化量ｄＩ／ｄｔが大きいが、大電流基板部３１ａ，４１ａにつく寄生インダクタンスＬを小さくしてあるため、サージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）は特に大きくならずにすむ。
また、本例では図２に示すごとく、２つの小電流基板部３１ｂ，４１ｂ間の間隔Ｄ２は相対的に広くなっているため、これら小電流基板部３１ｂ，４１ｂ同士の間につく寄生インダクタンスＬは大きくなりやすい。しかし、小電流半導体モジュール２ｂ内の半導体素子２９は、電流遮断時における電流Ｉの時間変化量ｄＩ／ｄｔが小さいため、この半導体素子２９に加わるサージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）は、特に大きくならずにすむ。
【００３８】
以上のごとく、本例によれば、端子接続部のピッチが狭い正極バスバー及び負極バスバーを容易に製造することができ、かつ、大電流が流れる半導体素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制できる電力変換装置を提供することができる。
【００３９】
（実施例２）
本例は、バスバー３，４の形状を変更した例である。図２０に示すごとく、本例の電力変換装置１は、正極バスバー３に含まれる一つの端子接続部３２が、Ｘ方向に隣り合う２個のパワー端子２１に接続するよう構成されている。図２０、図２１に示すごとく、正極バスバー３の端子接続部３２は、Ｚ方向へ突出した突出部３３を備える。１個の突出部３３の、Ｘ方向における両端部に、それぞれ突出部３３が形成されている。この突出部３３をパワー端子２１に重ね合わせ、溶接してある。また、負極バスバー４も同様の構造になっている。
【００４０】
このようにすると、端子接続部３２，４２の数が少なくても、多くのパワー端子２１に接続することが可能になる。そのため、バスバー３，４の構造を簡素にすることができ、バスバー３，４の製造コストを低減することが可能になる。
【００４１】
その他は、実施例１と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例１と同様の構成要素等を表す。
【００４２】
（実施例３）
本例は、バスバー３，４の構造を変更した例である。図２２に示すごとく、本例では、３枚のバスバー片３０（３０ａ〜３０ｃ）を重ね合わせて、正極バスバー３を形成してある。同様に、３枚のバスバー片４０（４０ａ〜４０ｃ）を重ね合わせて、負極バスバー４を形成してある。
【００４３】
本例の半導体モジュール２には、実施例１と同様に、大電流半導体モジュール２ａと、小電流半導体モジュール２ｂとがある。また、本例の半導体モジュール２には、半導体素子に流れる電流量が、大電流半導体モジュール２ａと小電流半導体モジュール２ｂとの中間程度である、中電流半導体モジュール２ｃがある。
【００４４】
本例の基板部３１，４１には、実施例１と同様に、大電流半導体モジュール２ａに接続した大電流基板部３１ａ，４１ａと、小電流半導体モジュール２ｂに接続した小電流基板部３１ｂ，４１ｂとがある。また、本例の基板部３１，４１には、中電流半導体モジュール２ｃに接続した中電流基板部３１ｃ，４１ｃがある。
【００４５】
Ｚ方向における、大電流基板部３１ａ，４１ａ間の間隔Ｄ１は、小電流基板部３１ｂ，４１ｂ間の間隔Ｄ２よりも狭い。また、Ｚ方向における、中電流基板部３１ｃ，４１ｃ間の間隔Ｄ３は、上記間隔Ｄ１よりも広く、上記間隔Ｄ２よりも狭い。すなわち、Ｄ１＜Ｄ３＜Ｄ２になっている。
【００４６】
このようにすると、大電流基板部３１ａ，４１ａにつく寄生インダクタンスＬ１は小さくなり、小電流基板部３１ｂ，４１ｂにつく寄生インダクタンスＬ２は大きくなる。また、中電流基板部３１ｃ，４１ｃにつく寄生インダクタンスＬ３は、上記２つの寄生インダクタンスＬ１，Ｌ２の中間程度の値となる。そのため、３種類の半導体モジュール２（２ａ，２ｂ，２ｃ）に加わるサージ電圧を均等化することができる。
【００４７】
その他は、実施例１と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例１と同様の構成要素等を表す。
【００４８】
（実施例４）
本例は、バスバー３，４の構造を変更した例である。図２３に示すごとく、本例では、３枚のバスバー片３０を重ね合わせて、正極バスバー３を形成してある。同様に、３枚のバスバー片４０を重ね合わせて、負極バスバー４を形成してある。
【００４９】
本例の半導体モジュール２には、実施例１と同様に、大電流半導体モジュール２ａと、小電流半導体モジュール２ｂとがある。大電流半導体モジュール２ａと小電流半導体モジュール２ｂの個数の割合は、２：１である。
【００５０】
正極バスバー３を構成する３枚の基板部３１のうち２枚の基板部３１は、大電流半導体モジュール２ａに接続する大電流基板部３１ａである。また、残りの１枚の基板部３１は、小電流半導体モジュール２ｂに接続する小電流基板部３１ｂである。同様に、負極バスバー４を構成する３枚の基板部４１のうち、２枚の基板部４１は大電流基板部４１ａであり、１枚の基板部４１は小電流基板部４１ｂである。
【００５１】
Ｚ方向における、大電流基板部３１ａ，４１ａ間の間隔Ｄ１は、２つの大電流半導体モジュール２ａについて互いに等しい。また、Ｚ方向における、小電流基板部３１ｂ，４１ｂ間の間隔Ｄ２は、上記間隔Ｄ１よりも広い。
【００５２】
上記構成にすると、大電流半導体モジュール２ａに加わるサージ電圧を低減しつつ、大電流半導体モジュール２ａの数を、小電流半導体モジュール２ｂの数よりも多くすることができる。そのため、大電流半導体モジュール２ａに流れる電流を分散でき、個々の大電流半導体モジュール２ａに大きな電流が流れすぎることを防止できる。
【００５３】
その他は、実施例１と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例１と同様の構成要素等を表す。
【符号の説明】
【００５４】
１  電力変換装置
１０  積層体
２  半導体モジュール
２ａ  大電流半導体モジュール
２ｂ  小電流半導体モジュール
２０  本体部
２１  パワー端子
３  正極バスバー
３０ａ，３０ｂ  バスバー片
３１  基板部
３１ａ  大電流基板部
３１ｂ  小電流基板部
３２  端子接続部
４  負極バスバー
４０ａ，４０ｂ  バスバー片
４１  基板部
４１ａ  大電流基板部
４１ｂ  小電流基板部
４２  端子接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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