(57)【要約】【課題】封止をするときの接合を効率的に行うこと。【解決手段】本発明の表示装置の製造方法は、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域で第１基板と第２基板とが接合された表示装置の製造方法であって、第１基板上および第２基板上の少なくとも一方の接合領域に接合部を形成し、第１基板および第２基板の接合領域の表面を活性化し、第１基板と第２基板との接合領域を接触させ、表示領域よりも接合領域において基板外部から高い圧力で加圧して、接合部を介して第１基板と第２基板とを接合することを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域で第１基板と第２基板とが接合された表示装置の製造方法であって、
前記第１基板上および前記第２基板上の少なくとも一方の前記接合領域に接合部を形成し、
前記第１基板および前記第２基板の前記接合領域の表面を活性化し、
前記第１基板と前記第２基板との前記接合領域を接触させ、
前記表示領域よりも前記接合領域において基板外部から高い圧力が加わるように加圧して、前記接合部を介して前記第１基板と前記第２基板とを接合すること
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板と前記第２基板とを接合するときには、前記第１基板と前記第２基板とはそれぞれ台座に固定された状態で加圧され、
前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方が固定された前記台座は、前記表示領域において基板と非接触であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
第１基板と、
前記第１基板と接触し、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域に形成された接合部と、
前記接合部を介して前記第１基板と接合された第２基板と、
を備え、
前記接合部は、前記表示領域よりも前記接合領域において基板外部から高い圧力が加わるように加圧されて接合されたことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１基板と、
前記第１基板と接触し、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域に形成された接合部と、
前記第１基板と前記表示領域の少なくとも一部において接触した状態で、前記接合部を介して前記第１基板と接合された第２基板と、
を備え、
前記第１基板と前記第２基板とは、単位面積当たりの接合強度が前記表示領域よりも前記接合領域で高くなるように接合されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域で第１基板と第２基板とを接合する接合方法であって、
前記第１基板上および前記第２基板上の少なくとも一方の前記接合領域に接合部を形成し、
前記第１基板および前記第２基板の前記接合領域の表面を活性化し、
前記第１基板と前記第２基板との前記接合領域を接触させ、
前記表示領域よりも前記接合領域において基板外部から高い圧力が加わるように加圧して、前記接合部を介して前記第１基板と前記第２基板とを接合すること
を含むことを特徴とする接合方法。
【請求項６】
第１基板を固定する第１台座と、
発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域に形成された接合部を介して前記第１基板と接合される第２基板を固定する第２台座と、
前記第１台座に固定された第１基板と前記第２台座に固定された第２基板とを前記接合部を介して加圧する加圧装置と、
を備え、
前記第１台座および前記第２台座の少なくとも一方は、基板を固定したときに前記表示領域に対応する領域において接触しない形状であることを特徴とする接合装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子が設けられた基板と他の基板とを接合して、発光素子が存在する空間を封止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬなどの発光素子を用いた表示装置が開発されている。このような発光素子は、水分や酸素との接触により発光寿命が短くなる。そのため、発光素子が存在する空間を封止して、外気の影響を受けないようにする必要がある。そのため、例えば特許文献１〜３に開示されているように、様々な封止技術が検討されている。また、封止するときに表面活性化を用いた常温での接合を用いる技術が、例えば特許文献４に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１８２７５９号公報
【特許文献２】特開平９−７７６３号公報
【特許文献３】特開平１０−１７２７５７号公報
【特許文献４】特開２００４−１５２６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
常温での接合を用いる封止では、接合強度を高めるために強い圧力をかける必要がある。ここで、表示装置においては、発光素子が配置される表示領域が、接合される領域よりも非常に大きい。そのため、接合する際の圧力のかけ方によっては、効率的な接合ができず、封止の程度が低くなる場合があったり、基板の反り等による応力変化や基板の物理的接触等により発光素子へ負荷がかかってしまい、発光素子の信頼性への影響を与えてしまったりする場合もあった。
【０００５】
本発明の目的の一つは、封止をするときの接合を効率的に行うことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によると、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域で第１基板と第２基板とが接合された表示装置の製造方法であって、前記第１基板上および前記第２基板上の少なくとも一方の前記接合領域に接合部を形成し、前記第１基板および前記第２基板の前記接合領域の表面を活性化し、前記第１基板と前記第２基板との前記接合領域を接触させ、前記表示領域よりも前記接合領域において基板外部から高い圧力が加わるように加圧して、前記接合部を介して前記第１基板と前記第２基板とを接合することを含むことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。
【０００７】
この表示装置の製造方法によれば、接合部分に効率的に圧力を加えることにより、封止をするときの接合を効率的に行うことができる。また、表示領域へ加えられる圧力を少なくすることで、発光素子への加圧による影響を低減することができる。
【０００８】
また、別の好ましい態様において、前記第１基板と前記第２基板とを接合するときには、前記第１基板と前記第２基板とはそれぞれ台座に固定された状態で加圧され、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方が固定された前記台座は、前記表示領域において基板と非接触であってもよい。
【０００９】
この表示装置の製造方法によれば、表示領域へ加えられる圧力を少なくして、接合部分に圧力を集中させることができる。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、第１基板と、前記第１基板と接触し、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域に形成された接合部と、前記接合部を介して前記第１基板と接合された第２基板と、を備え、前記接合部は、前記表示領域よりも前記接合領域において基板外部から高い圧力が加わるように加圧されて接合されたことを特徴とする表示装置が提供される。
【００１１】
この表示装置によれば、封止時に接合部分に効率的に圧力を加えられていることにより、接合が効率的に行われ、また、加圧による影響を低減された発光素子を有することができる。
【００１２】
本発明の一実施形態によると、第１基板と、前記第１基板と接触し、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域に形成された接合部と、前記第１基板と前記表示領域の少なくとも一部において接触した状態で、前記接合部を介して前記第１基板と接合された第２基板と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とは、単位面積当たりの接合強度が前記表示領域よりも前記接合領域で高くなるように接合されていることを特徴とする表示装置が提供される。
【００１３】
この表示装置によれば、封止時に接合部分に効率的に圧力を加えられていることにより、接合が効率的に行われ、また、第１基板と第２基板とが表示領域においても接合されている場合であっても、加圧による影響を低減された発光素子を有することができる。
【００１４】
本発明の一実施形態によると、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域で第１基板と第２基板とを接合する接合方法であって、前記第１基板上および前記第２基板上の少なくとも一方の前記接合領域に接合部を形成し、前記第１基板および前記第２基板の前記接合領域の表面を活性化し、前記第１基板と前記第２基板との前記接合領域を接触させ、前記表示領域よりも前記接合領域において基板外部から高い圧力が加わるように加圧して、前記接合部を介して前記第１基板と前記第２基板とを接合することを含むことを特徴とする接合方法が提供される。
【００１５】
この接合方法によれば、接合部分に効率的に圧力を加えることにより、封止をするときの接合を効率的に行うことができる。また、表示領域へ加えられる圧力を少なくすることで、発光素子への加圧による影響を低減することができる。
【００１６】
本発明の一実施形態によると、第１基板を固定する第１台座と、発光素子が設けられた表示領域の周囲の接合領域に形成された接合部を介して前記第１基板と接合される第２基板を固定する第２台座と、前記第１台座に固定された第１基板と前記第２台座に固定された第２基板とを前記接合部を介して加圧する加圧装置と、を備え、前記第１台座および前記第２台座の少なくとも一方は、基板を固定したときに前記表示領域に対応する領域において接触しない形状であることを特徴とする接合装置が提供される。
【００１７】
この接合装置によれば、接合部分に効率的に圧力を加えることにより、封止をするときの接合を効率的に行うことができる。また、表示領域へ加えられる圧力を少なくすることで、発光素子への加圧による影響を低減することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、封止をするときの接合を効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態における接合装置の第１台座１０００に固定された第１基板１００の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態における接合装置の第２台座２０００に固定された第２基板２００の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の第１実施形態における第１基板１００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態における第２基板２００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。
【図５】本発明の第１実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法および表示装置１を示す断面模式図である。
【図６】本発明の第２実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。
【図７】本発明の第３実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。
【図８】本発明の第４実施形態における表示装置１Ａを示す断面模式図である。
【図９】本発明の第５実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。
【図１０】本発明の第６実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。
【図１１】本発明の一実施形態における接合装置２を示すブロック図である。
【図１２】従来技術における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態における表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。また、基板上に形成される、とは、基板に接触して形成される場合だけでなく、基板との間に他の構成を挟んで形成される場合を含む。
【００２１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】
［概要］
本発明は、表示領域に発光素子が設けられた第１基板と、第２基板とを接合することによって、発光素子が設けられた空間を封止することによって表示装置を製造する。第１基板と第２基板とは表示領域の周囲に形成された接合部を介して接合される。この接合は、接合部の表面が活性化されることによる表面活性化接合方法によって実現される。この際、接合装置が、第１台座に固定した第１基板と、第２台座に固定した第２基板とを合わせる方向に圧力を加えることによって接合する。以下、第１基板、第２基板および表示装置の構成を詳細に説明する。また、これらの製造方法および接合方法等についても詳細に説明する。
【００２３】
［第１基板］
図１は、本発明の第１実施形態における接合装置の第１台座１０００に固定された第１基板１００の構成を示す概略図である。第１基板１００は、表示領域ＤＡに発光部１０が設けられている。発光部１０は、例えば、有機ＥＬ素子等の発光素子を含む。表示領域ＤＡの周囲には、接合部１２が設けられている。また表示領域ＤＡの周囲には発光部１０を駆動するためのデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路（図示せず）が配置されている。駆動回路等へ表示装置１の外部から信号および電力の供給を行うための配線１４が設けられている。配線１４は、接合部１２が表示領域ＤＡの周りを囲んでいることから、接合部１２によってその一部が覆われている。
【００２４】
第１基板１００は、第２基板２００と接合するときには、接合装置２（図１１参照）の第１台座１０００に固定される。このとき、第１基板１００は、第１台座１０００における凸部１１００と接触している。凸部１１００は、第１基板１００を第１台座１０００に固定したときに、表示領域ＤＡの周囲で第１基板１００と接触する。この例では、凸部１１００は、接合部１２が設けられた位置を含む範囲で第１基板１００と接触する。凸部１１００の幅は、接合部１２の幅と等しいか、それ以上であることが望ましい。
【００２５】
凸部１１００は、表示領域ＤＡの周囲に設けられるため、第１台座１０００において表示領域ＤＡに対応する部分には、凹部が形成されることとなる。そのため、第１台座１０００が第１基板１００を固定している状態では、その凹部の存在で第１台座１０００と第１基板１００との間に空間ＳＰが形成される。なお、凸部１１００は、第１台座１０００から突出するように形成されているが、第１基板１００を固定しているときに表示領域ＤＡに対応する部分に空間ＳＰを形成できればよい。そのため、接合領域ＣＡの外側部分についても第１基板１００と第１台座１０００が接触するように、凸部１１００に代えて段差部が配置されるようにしてもよい。この場合、第１台座１０００の空間ＳＰに対応する部分に凹部が配置されていることになる。後述のように、第１基板１００と第２基板２００とが加圧されているときに、第１基板１００の表示領域ＤＡにおいて第１台座１０００と接触しないように、凸部１１００または段差部の高さが設定されていることが望ましい。
【００２６】
［第２基板］
図２は、本発明の第１実施形態における接合装置の第２台座２０００に固定された第２基板２００の構成を示す概略図である。第２基板２００は、表示領域ＤＡの周囲に接合部２２が設けられている。
【００２７】
第２基板２００は、第１基板１００と接合するときには、接合装置２（図１１参照）の第２台座２０００に固定される。このとき、第２基板２００は、第２台座２０００における凸部２１００と接触している。凸部２１００は、第２基板２００を第２台座２０００に固定したときに、表示領域ＤＡの周囲で第２基板２００と接触する。この例では、凸部２１００は、接合部２２が設けられた位置を含む範囲で第２基板２００と接触する。凸部２１００の幅は、接合部２２の幅と等しいか、それ以上であることが望ましい。
【００２８】
凸部２１００は、表示領域ＤＡの周囲に設けられるため、第２台座２０００において表示領域ＤＡに対応する部分には、凹部が形成されることとなる。そのため、第２台座２０００が第２基板２００を固定している状態では、その凹部の存在で第２台座２０００と第２基板２００との間に空間ＳＰが形成される。なお、凸部２１００は、第２台座２０００から突出するように形成されているが、第２基板２００を固定しているときに表示領域ＤＡに対応する部分に空間ＳＰを形成できればよい。そのため、接合領域ＣＡの外側部分についても第２基板２００と第２台座２０００が接触するように、凸部２１００に代えて段差部が配置されるようにしてもよい。この場合、第２台座２０００の空間ＳＰに対応する部分に凹部が配置されていることになる。後述のように、第１基板１００と第２基板２００とが加圧されているときに、第２基板２００の表示領域ＤＡにおいて第２台座２０００と接触しないように、凸部２１００または段差部の高さが設定されていることが望ましい。
【００２９】
続いて、第１基板１００に形成される構成の製造方法、および第２基板２００に形成される構成の製造工程をそれぞれ、図３、４を用いて説明する。
【００３０】
［第１基板側の製造方法］
図３は、本発明の第１実施形態における第１基板１００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。図３（ａ）〜（ｄ）は、第１基板１００が図１に示す状態になるまでの製造工程を順に説明する図であり、図１におけるＡ−Ａ’方向に見た断面を模式的に表した図である。
【００３１】
図３（ａ）に示す第１基板１００は、例えば、ガラス基板等である。図３（ｂ）に示すように、第１基板１００上には、発光部１０および配線１４が形成される。発光部１０は、有機ＥＬ素子、低温ポリシリコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等により形成され有機ＥＬ素子に供給する電流を制御する画素回路、および周辺回路と画素回路とを接続する配線等を含む。有機ＥＬ素子および画素回路は、各画素に対応して設けられている。画素回路を駆動する上述した周辺回路（図示せず）は、表示領域ＤＡの外側に形成される。なお、周辺回路は、表示領域ＤＡと接合部１２との間に形成されることが望ましいが、一部が接合部１２と重なる位置に形成されていてもよいし、さらに接合部１２の外側に形成されていてもよい。
【００３２】
発光部１０を形成する方法は、ＴＦＴおよびこれにより駆動される有機ＥＬ素子の一般的な製造方法を用いればよいが、一例を以下に説明する。
【００３３】
まず、第１基板１００（ガラス基板）上のＴＦＴが形成される島状の領域に、ポリシリコンからなる活性領域が形成される。このポリシリコン活性領域は、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法等を用いてアモルファス・シリコンを成膜し、これをＲＴＡ（急速熱アニール）、ＥＬＡ（エキシマレーザアニール）などの方法でポリシリコン化し、これをパターニングすることによって形成する。
【００３４】
ポリシリコン上には、一面に、ゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜はＣＶＤ法により形成された酸化シリコンや窒化シリコンから形成される。ゲート絶縁膜上の、ＴＦＴ領域の一部には、ゲート電極が形成される。このゲート電極は、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｗ、もしくはこれらを含む合金等の金属薄膜をパターニングすることによって形成される。
【００３５】
ゲート絶縁膜及びゲート電極上には、絶縁膜が形成される。絶縁膜は、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコンや窒化シリコンから形成され、上記のポリシリコンに通じるコンタクトホールが開口される。そして、このコンタクトホールを通じてソース・ドレイン配線を接続する。これらの配線についても、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｗ、もしくはこれらを含む合金等の金属薄膜をパターニングすることによって形成される。配線１４についても、これらの配線とともに形成されてもよい。絶縁膜及び配線上には、これらを覆う絶縁膜がさらに形成される。絶縁膜は、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコンや窒化シリコンから形成される。
【００３６】
次に、上記ＴＦＴと電気的に接続される陽極を形成する。陽極下であって上記絶縁膜上には、Ａｇ等から形成される反射電極が形成されていてもよい。陽極は、ＴＦＴ上の絶縁膜及び反射電極等を貫通して形成されたコンタクトホールによって、第１基板１００に形成されたＴＦＴと電気的に接続される。陽極は、比較的仕事関数の大きい金属である、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ、ＭｏＯ３等で形成する。
【００３７】
次に、各画素領域を分離する隔壁を形成して陽極をそれぞれ露出する。前記隔壁は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機絶縁膜であり、スリットコーティングなどの方法で形成されてもよい。また、有機絶縁膜の代わりに、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等からなる群から選択される１つ以上の無機絶縁膜で形成してもよい。これらの材料からなる絶縁膜を形成した後、表面にレジストをコーティングし、そのレジストを選択的に露光することによってパターン形成をし、このレジストをマスクにしてエッチングをすることによって各画素領域を分離する前記隔壁を形成する。
【００３８】
続いて、前記隔壁で区画された陽極上に有機ＥＬ層を形成する。有機ＥＬ層の構成は、陽極上に、ホール注入層（ＨＩＬ）、ホール輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、陰極がそれぞれ順番に形成されたものであってもよい。以上が、発光部１０の製造方法の一例である。
【００３９】
続いて、図３（ｃ）に示すように、接合部１２を表示領域ＤＡの周囲に形成する。接合部１２は、上記の発光部１０の製造方法で説明した隔壁と同様に、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテンおよびフェノール樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機絶縁膜であってもよいし、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等からなる群から選択される１つ以上の無機絶縁膜であってもよい。接合部１２と隔壁とを同じ材料で形成する場合には、同層で形成されていてもよい。この場合には、発光部１０の製造過程において、接合部１２も形成される。
【００４０】
図３（ｄ）に示すように、接合部１２が形成された後、第１基板１００を第１台座１０００に固定する。このとき、第１台座１０００の凸部１１００と第１基板１００とが接触する。そして、第１台座１０００と第１基板１００との間には空間ＳＰが形成される。なお、図３（ｄ）に示す接合領域ＣＡは、第１基板１００と第２基板２００とを接合するときに、第２基板２００（接合部２２）と接触して接合する部分である。後述するように、接合部１２のうち少なくとも接合領域ＣＡの部分は活性化される。
【００４１】
［第２基板側の製造方法］
図４は、本発明の第１実施形態における第２基板２００に形成される構成の製造工程を示す断面模式図である。図４（ａ）〜（ｃ）は、第２基板２００が図２に示す状態になるまでの製造工程を順に説明する図であり、図２におけるＢ−Ｂ’方向に見た断面を模式的に表した図である。
【００４２】
図４（ａ）に示す第２基板２００は、例えば、ガラス基板等である。図４（ｂ）に示すように、第２基板２００上に表示領域ＤＡの周囲に接合部２２を形成する。接合部１２と同様に、接合部２２は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及およびフェノール樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機絶縁膜であってもよいし、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等からなる群から選択される１つ以上の無機絶縁膜であってもよい。
【００４３】
図４（ｃ）に示すように、接合部２２が形成された後、第２基板２００を第２台座２０００に固定する。このとき、第２台座２０００の凸部２１００と第２基板２００とが接触する。そして、第２台座２０００と第２基板２００との間には空間ＳＰが形成される。なお、図４（ｃ）に示す接合領域ＣＡは、第１基板１００と第２基板２００とを接合するときに、第１基板１００（接合部１２）と接触して接合する部分である。後述するように、接合部２２のうち少なくとも接合領域ＣＡの部分は活性化される。
【００４４】
続いて、第１基板１００と第２基板２００とを接合させる工程について説明する。第１台座１０００に固定された第１基板１００、および第２台座２０００に固定された第２基板２００を真空チャンバー内に設置して、真空チャンバー内を減圧する。通常、１０−６Ｐａ程度まで減圧するが、以下に説明するとおり、イオンビーム等の照射により真空度が低下し、１０−２Ｐａ程度に維持される。
【００４５】
続いて、第１基板１００および第２基板２００の接合面側を室温で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビーム（エネルギー粒子）で１０秒から１８００秒、特に好ましくは１０秒から３０秒照射してスパッタエッチング、表面活性化を行う。元素イオンあるいは元素の中性原子で接合面に照射して衝突させて接合面の表面皮膜を取り除き、接合面が清浄化される。この不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームのビームソースの印加電圧とプラズマ電流は、使用するビーム源に大きく依存するが、例えば０．１ｋＶ〜３．０ｋＶ及び１ｍＡ〜５０ｍＡである。このとき、表面活性化を行う領域は、基板の全領域でもよいが、少なくとも接合領域ＣＡに対して選択的に行ってもよい。選択的に行う際には、少なくとも表示領域ＤＡについてはマスクすることによって表面活性化が行われないようにしてもよい。
【００４６】
なお、表面活性化については、別の方法を用いてもよい。基板表面の接合領域を活性化処理した後、不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームを用いてエネルギー粒子や金属粒子を含む放射粒子を、基板上に照射する。このとき、上述の例と同様に、こ照射領域は、基板の全領域でもよいが、少なくとも接合領域ＣＡに対して選択的に行ってもよい。選択的に行う際には、少なくとも表示領域ＤＡについてはマスクすることによって各粒子が照射されないようにしてもよい。
【００４７】
この金属粒子は、好ましくは遷移金属であり、さらに好ましくは鉄である。エネルギー粒子および金属粒子の両方を放射する粒子源（エネルギー粒子源兼金属粒子源）は、いくつかの構成を取り得る。例えば、エネルギー粒子および金属粒子の両方を放出する、この種の粒子源は、不活性粒子（アルゴン）のプラズマを発生し、このプラズマに電界Ｅを掛けることで、プラズマ不活性粒子を電界方向へ加速し、不活性粒子を含むエネルギー粒子の放射を生成する。粒子源内において、不活性粒子（アルゴン）のプラズマが発生する領域（以下プラズマ空間という）に、所望の金属を含む金属体を配置することで、当該プラズマ由来のエネルギー粒子により金属体から金属粒子が放出され、放射粒子の一部となる。この金属体は、プラズマ空間に出入り可能になっている。この構成の粒子源は、動作モードの選択により、プラズマ空間外の退却位置に金属体が移動させられたときは、主としてエネルギー粒子を放射する粒子源として機能し、プラズマ空間内の進出位置に金属体が
移動させられたときは、エネルギー粒子とともに金属粒子を放射する粒子源として機能する。
【００４８】
その後、基板上の接合界面の金属表面を室温で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビーム（エネルギー粒子）でスパッタエッチング、表面活性化を行う。このような方法により、表面活性化が実施された後に、第１基板１００と第２基板２００とを接合させる。
【００４９】
［接合方法］
図５は、本発明の第１実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法および表示装置１を示す断面模式図である。図５（ａ）に示すように、第１台座１０００に固定された第１基板１００と、第２台座２０００に固定された第２基板２００とを対向させて、近づけていく。図５においては便宜上、第２台座２０００の方を移動させるように記載したが、相対的に近づけるのであれば、第１台座１０００を移動させてもよいし、第１台座１０００および第２台座２０００の双方を移動させてもよい。
【００５０】
図５（ｂ）のように接合領域ＣＡにおいて接合部１２および接合部２２を接触させて、さらに、第１台座１０００と第２台座２０００とを近づけるようにして圧力を加えていく。ここで、圧力は、基板サイズが６ｉｎｃｈであれば、１ｋ〜２０ｋＮ程度で加えられる。加圧の時間は、１〜６００秒程度であることが好ましい。これによって第１基板１００と第２基板２００とは接合部１２、２２を介して接合される。
【００５１】
このとき、表示領域ＤＡにおいて台座と基板が接触しない程度に凸部１１００および凸部２１００の高さを設定しておくことが望ましい。このようにすると、各基板の接合領域ＣＡ近傍において外部から基板への圧力が集中するため、効率的に接合部１２、２２に圧力を加えることができる。したがって、基板全体に圧力を加える場合よりも少ない圧力で加圧することができる。また、基板表面の膜厚ばらつきや引き出し配線などの構造物による凹凸に起因する接合不良の緩和、接合部１２、２２以外の場所での誤接合の抑制、加圧時間の短縮等を実現することができる。
【００５２】
なお、接合部１２、２２の少なくとも接合面（接合領域ＣＡ）には、密着性の観点で、ＳｉＯ２などの酸化膜が形成されていることが好ましい。更に、軟質材（Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕ）をコーティングすることがより好ましい。
【００５３】
このように、接合装置２（図１１参照）によって上述した接合方法によって第１基板１００と第２基板２００とが接合部１２、２２を介して接合される。そして、接合装置から取り出されると、図５（ｃ）に示すように、第１基板１００と第２基板２００とが接合部１２、２２を介して接合された表示装置１が得られる。上述の接合方法により接合部１２、２２に対して効率的な加圧を行い、これによって発光素子が設けられた空間を封止することにより、有機ＥＬ素子等の発光素子への水分および酸素の影響を抑制することができる。
【００５４】
＜第２実施形態＞
図６は、本発明の第２実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。第１実施形態においては、第１基板１００と第１台座１０００との間、および第２基板２００と第２台座２０００との間に、空間ＳＰが形成されるように第１台座１０００と第２台座２０００とが形成されていた。一方、第２実施形態においては、第１基板１００と第１台座１０００Ａとの間には空間ＳＰが形成されないように第１台座１０００Ａが形成されている。このようにしても、効率的な加圧による接合を行うことができる。
【００５５】
なお、以下に説明する実施形態においても、第１台座１０００Ａを使用して接合することが可能である。
【００５６】
＜第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。第３実施形態においては、第２基板２００と第２台座２０００Ａとの間には空間ＳＰが形成されないように第２台座２０００Ａが形成されている。すなわち、第２実施形態とは反対側の基板において空間ＳＰが形成されていない場合である。このようにしても、効率的な加圧による接合を行うことができる。
【００５７】
なお、以下に説明する実施形態においても、第２台座２０００Ａを使用して接合することが可能である。
【００５８】
＜第４実施形態＞
図８は、本発明の第４実施形態における表示装置１Ａを示す断面模式図である。本発明の第１実施形態においては、接合部１２、２２は、それぞれ、発光部１０と同等の厚さに形成されている。一方、接合部１２、２２の厚さを厚くしてもよいし、図８に示す第４実施形態における表示装置１Ａのように接合部１２、２２の厚さを小さくしてもよい。この場合、表示領域ＤＡにおいて発光部１０と第２基板２００とが接触しやすくなるが、上記実施形態で説明した接合方法を用いることにより、少なくとも、表示領域ＤＡよりも接合領域ＣＡにおいて高い圧力で加圧されることになるため、接合時の発光部１０への負荷を低減することができる。また、表示領域ＤＡにおいて発光部１０を構成する構造の一部と第２基板２００とが接合したとしても、その接合強度は、単位面積当たりで比較すると、接合領域ＣＡにおける接合強度よりも弱くなる。
【００５９】
＜第５実施形態＞
図９は、本発明の第５実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。第１実施形態においては、第１基板１００に接合部１２が形成され、第２基板２００に接合部２２が形成されている。そして、接合部１２と接合部２２とが接合され、接合部を介して第１基板１００と第２基板２００とが接合される。第５実施形態においては、第２基板２００には接合部が形成されていない。そのため、接合領域ＣＡにおいては、第１基板１００に形成された接合部１２と第２基板２００の表面（第２基板２００に膜が形成されている場合には、その膜表面）とが接合されることになる。このように、接合領域ＣＡにおける接合対象物は同じ物質でなくてもよい。
【００６０】
この場合、表示領域ＤＡにおいて発光部１０と第２基板２００とが接触しやすくなるが、上記実施形態で説明した接合方法を用いることにより、少なくとも、表示領域ＤＡよりも接合領域ＣＡにおいて高い圧力で加圧されることになるため、接合時の発光部１０への負荷を低減することができる。
【００６１】
＜第６実施形態＞
図１０は、本発明の第６実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。第６実施形態においては、第１基板１００には接合部が形成されていない。そのため、接合領域ＣＡにおいては、第２基板２００に形成された接合部２２と第１基板１００の表面（第１基板１００の接合領域ＣＡに膜が形成されている場合には、その膜表面）および配線１４とが接合されることになる。
【００６２】
この場合、表示領域ＤＡにおいて発光部１０と第２基板２００とが接触しやすくなるが、上記実施形態で説明した接合方法を用いることにより、少なくとも、表示領域ＤＡよりも接合領域ＣＡにおいて高い圧力で加圧されることになるため、接合時の発光部１０への負荷を低減することができる。
【００６３】
＜接合装置＞
図１１は、本発明の一実施形態における接合装置２を示すブロック図である。図１１に示す接合装置２は、第１基板１００が固定される第１台座１０００、第２基板２００が固定される第２台座２０００、および第１台座１０００と第２台座２０００とを移動させ、これらに挟まれた第１基板１００および第２基板とを、接合部を介して接合するための加圧を行う加圧装置３０００を有する。この例については、第１実施形態で用いられる第１台座１０００および第２台座２０００を有する接合装置２について説明したが、他の実施形態で説明した第１台座１０００Ａおよび第２台座２０００を有する接合装置であってもよいし、第１台座１０００および第２台座２０００Ａを有する接合装置であってもよい。
【００６４】
＜複数表示装置の同時接合＞
上述した実施形態においては、１つの表示装置１を製造する場合の接合方法を例として説明したが、複数の表示装置１をまとめて形成するための第１基板１００および第２基板２００を用いて、第１基板１００と第２基板２００とを接合部を介してまとめて接合してもよい。そして、各表示装置１を分離する処理をすればよい。
【００６５】
この場合、各基板を台座に固定したときに各表示装置１に対応する表示領域ＤＡにおいて，台座と基板との間に空間ＳＰが形成されるように、各台座が形成された接合装置を用いればよい。
【００６６】
＜従来技術＞
以上、本発明の様々な実施形態について説明したが、ここで、従来技術との対比についても説明する。
【００６７】
図１２は、従来技術における第１基板１００と第２基板２００との接合方法を示す断面模式図である。図１２に示すように、従来技術においては、表示領域ＤＡに対応する部分に空間ＳＰを形成しない第１台座１０００Ｚおよび第２台座２０００Ｚを用いている。接合時において、接合とは関係のない領域である表示領域ＤＡに対しても圧力が加えられる。そのため、加えられた圧力が分散して、接合領域ＣＡへ加えられる圧力が弱くなってしまう。また、接合領域ＣＡを支点として基板が反る等により発光部１０と第２基板２００とが領域ＴＡにおいて接触してしまう場合がある。このことから、発光部１０に負荷がかかり、信頼性へ影響を与えてしまう場合がある。
【００６８】
一方、上述した各実施形態における接合方法により接合部に対して効率的な加圧を行い、これによって発光素子が設けられた空間を封止することにより、有機ＥＬ素子等の発光素子への水分および酸素の影響を抑制することができ、また、発光部１０へ負荷がかかることを抑制することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１，１Ａ…表示装置、２…接合装置、１０…発光部、１２…接合部、１４…配線、２２…接合部、１００…第１基板、２００…第２基板、１０００，１０００Ａ，１０００Ｚ…第１台座、１１００…凸部、２０００，２０００Ａ，２０００Ｚ…第２台座、２１００…凸部、３０００…加圧装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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