(57)【要約】【課題】消費電力を抑制し、かつ表示装置の画質劣化を低減させる表示装置及び電子機器を提供する。【解決手段】表示装置は、第３及び第４副画素４９Ｂ，４９Ｗを含む第３副画素列Ｌ３及び次列に配列する第１及び第２副画素列，Ｌ１，Ｌ２が周期的に配列された画素の配列を含む。第３副画素列Ｌ３は、第３及び第４副画素４９Ｂ，４９Ｗが第３副画素列Ｌ３に沿って交互に並べられ、かつ行方向に隣り合う第３副画素列Ｌ３同士の第３及び第４副画素４９Ｂ，４９Ｗが交互に配置された画像表示パネルを具備する。制御装置は、第３副画素列Ｌ３及び第１又は第２副画素列Ｌ１，Ｌ２の信号線に同一極性の電圧を印加し、行方向において第３副画素列Ｌ３に隣り合う２つの第３副画素列Ｌ３の一方の信号線に同一極性の電圧を印加すると共に、他方の信号線に異なる極性の電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動を行う。【選択図】図１７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１副画素、第２副画素、第３副画素、及び第４副画素を含む画素の配列であって、第３副画素及び第４副画素を含む特定副画素列、並びに、当該特定副画素列の次列に配列された少なくとも一つの他の副画素列が周期的に配列されてなる前記画素、
前記特定副画素列及び前記他の副画素列の各列に設けられた信号線、及び
前記制御装置が前記画素の配列の各行を順次選択する走査線、を備えた画像表示パネルと、
画像信号に基づいて前記画素の制御を行う制御装置と、
を具備し、
前記特定副画素列は、前記第３副画素及び前記第４副画素が当該特定副画素列に沿う方向に交互に並べられており、かつ行方向に沿う方向に隣り合う前記特定副画素列同士の前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置されてなり、
前記制御装置は、前記特定副画素列に属する第１特定副画素列及び当該第１特定副画素列に隣接する前記他の副画素列の前記信号線に同一極性の電圧を印加し、前記行方向に沿う方向において前記第１特定副画素列に隣り合う２つの第２特定副画素列及び第３特定副画素列の一方の信号線に前記第１特定副画素列と同一極性の電圧を印加すると共に、他方の信号線に前記第１特定副画素列と前記信号線に異なる極性の電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動を行う、表示装置。
【請求項２】
前記制御装置は、一方の極性の電圧を印加する前記特定副画素列を含む副画素列群と、他方の極性の電圧を印加する前記特定副画素列を含む副画素列群とを略均等にする、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記他の副画素列は、前記特定副画素列の次列に配列された前記第１副画素を含む第１副画素列を含む、請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記他の副画素列は、前記第１副画素列の次列に配列された前記第２副画素を含む第２副画素列を含む、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記特定副画素列は、２列の前記他の副画素列と隣接しており、
前記制御装置は、前記特定副画素列、及び、前記特定副画素列に隣接する一方の前記他の副画素列の前記信号線に同一極性の電圧を印加すると共に、
前記特定副画素列に隣接する他方の前記他の副画素列の前記信号線に前記特定副画素列とは異なる極性の電圧を印加する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記特定副画素列に設けられた前記信号線に画像信号を供給してから、前記他の副画素列に設けられた前記信号線に画像信号を供給する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
第１副画素、第２副画素、第３副画素及び第４副画素を含む画素であって、
前記第１副画素を含む第１副画素列と、
前記第１列の次列に配列する前記第２副画素を含む第２副画素列と、
前記第２列の次列に配列される第３副画素列と、
を有し、
前記第１副画素列乃至前記第３副画素列は周期的に配列され、
前記第３副画素列は、前記第３副画素及び前記第４副画素が当該第３副画素列に沿う方向に交互に配置され、かつ、前記第３副画素列の同一行において行方向に沿う方向に隣り合う前記第３副画素列同士の第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置される、前記画素と、
前記第１副画素列、前記第２副画素列及び前記第３副画素列の各列に設けられた信号線と、
前記制御装置が前記副画素の各行を順次選択する走査線と、
を備えた画像表示パネルと、
画像信号に基づいて、前記画素の制御を行う制御装置と、
を具備し、
前記制御装置は、
前記周期的に配列された第１副画素列乃至第３副画素列のうち、隣り合う２列の前記信号線に同一極性の電圧を印加し、
前記隣り合う２列の次の２列には、異なる極性の電圧を印加し、
前記印加する電圧の極性を所定の周期で反転する、
表示装置。
【請求項８】
外部から近接する外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が前記画像表示パネルの上に装着又は一体化される、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話及び電子ペーパー等のモバイル機器向け等の表示装置の需要が高くなっている。表示装置では、１つの画素が複数の副画素を備え、当該複数の副画素がそれぞれ異なる色の光を出力し、当該副画素の表示のオン及びオフを切り換えることで、１つの画素で種々の色を表示させている。このような表示装置は、解像度及び輝度といった表示特性も年々向上してきている。しかしながら、解像度が高くなるにしたがって開口率が低下してくるため、高輝度を達成しようとした場合、バックライトの輝度を高くする必要があり、バックライトの消費電力が増大するという問題がある。これを改善するため、従来の赤、緑、青の副画素に第４の副画素である白画素を加える技術がある（例えば、特許文献１参照）。この技術は、白画素が輝度を向上させる分、バックライトの電流値を下げ、消費電力を低減する。
【０００３】
また、画像表示パネルの駆動方式として、カラム反転、ライン反転、ドット反転及びフレーム反転などの駆動方式が知られている。カラム反転は、副画素又は副画素が組み合わされた画素の隣り合う１ライン（列）が互いに基準の電位に対して電位が異なるように、電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する駆動方式である。これにより、ドット反転の駆動方式に比較して、カラム反転の駆動方式は信号線における充放電が少なく低消費電力になることが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３３０１４号公報
【特許文献２】特公平５−４３１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
第４の副画素を加えた画像表示パネルは、画素当たりの面積が大きくなるので、より高精細とする要望がある。そこで、液晶表示パネルでは、第１副画素からなる第１列、第２副画素からなる第２列及び第３副画素及び第４副画素からなる第３列の３列を順に並べる配置とし、第３列は、第３副画素及び第４副画素を列方向に交互に並べると共に、同一行において行方向に沿う方向に隣り合う第３列同士の第３副画素及び第４副画素を交互に配置する配置構成が検討されている。しかしながら、このような構成であっても、第４の副画素を加えても画素面積を抑制でき、高精細にすることが可能となる一方、特許文献２の技術を適用して、より消費電力を抑制しようとする場合、クロストークとよばれる画質の低下（劣化）を招く可能性がある。
【０００６】
本開示は、消費電力を抑制し、かつ表示装置の画質劣化を低減させる表示装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の表示装置は、第１副画素、第２副画素、第３副画素、及び第４副画素を含む画素の配列であって、第３副画素及び第４副画素を含む特定副画素列、並びに、当該特定副画素列の次列に配列された少なくとも一つの他の副画素列が周期的に配列されてなる前記画素、前記特定副画素列及び前記他の副画素列の各列に設けられた信号線、及び前記制御装置が前記画素の配列の各行を順次選択する走査線、を備えた画像表示パネルと、画像信号に基づいて前記画素の制御を行う制御装置と、を具備し、前記特定副画素列は、前記第３副画素及び前記第４副画素が当該特定副画素列に沿う方向に交互に並べられており、かつ行方向に沿う方向に隣り合う前記特定副画素列同士の前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置されてなり、前記制御装置は、前記特定副画素列に属する第１特定副画素列及び当該第１特定副画素列に隣接する前記他の副画素列の前記信号線に同一極性の電圧を印加し、前記行方向に沿う方向において前記第１特定副画素列に隣り合う２つの第２特定副画素列及び第３特定副画素列の一方の信号線に前記第１特定副画素列と同一極性の電圧を印加すると共に、他方の信号線に前記第１特定副画素列と前記信号線に異なる極性の電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動を行う。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施の形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【図４】図４は、本実施の形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。
【図５】図５は、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る画像表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図７】図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
【図８】図８は、カラム反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。
【図９】図９は、カラム反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、カラム反転駆動をした場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。
【図１１】図１１は、比較例に係る画像表示パネルに生じるクロストークを説明するための模式図である。
【図１２】図１２は、比較例に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。
【図１３】図１３は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。
【図１４】図１４は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態に係る画像表示パネルにおけるカラム反転駆動を表示した領域を説明するための模式図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態に係る画像表示パネルにおけるカラム反転駆動を表示した領域を説明するための模式図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。
【図１８】図１８は、本実施の形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。
【図２０】図２０は、本実施の形態に係る画像表示パネルの駆動順序の一例の説明図である。
【図２１】図２１は、本実施の形態に係る画像表示パネルの駆動順序の他の例の説明図である。
【図２２】図２２は、本実施の形態の第１変形例に係る表示装置の画像表示パネルの概念図である。
【図２３】図２３は、本実施の形態の第２変形例に係る表示装置の画像表示パネルの画素配列を示す図である。
【図２４】図２４は、タッチ検出装置が画像表示パネルの上に装着される本実施の形態に係る表示装置の概念図である。
【図２５】図２５は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図２６】図２６は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図２７】図２７は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図２８】図２８は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図２９】図２９は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３０】図３０は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３１】図３１は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３２】図３２は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３３】図３３は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３４】図３４は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３５】図３５は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３６】図３６は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３７】図３７は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３８】図３８は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は次の順序で行う。
１．表示装置の構成
２．表示装置の処理動作
３．変形例
４．適用例（電子機器）
５．本開示の構成
【００１０】
［１．表示装置の構成］
図１は、本実施の形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図２は、本実施の形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。図３は、本実施の形態に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【００１１】
図１に示すように、表示装置１０は、表示装置１０の各部に信号を送り、動作を制御する信号処理部２０と、信号処理部２０から出力された出力信号に基づいて画像を表示させる画像表示パネル３０と、画像表示パネル３０の駆動を制御する画像表示パネル駆動回路４０と、画像表示パネル３０を背面から照明する面状光源装置５０と、面状光源装置５０の駆動を制御する面状光源装置制御回路６０と、を備える。なお、表示装置１０は、特許文献の特開２０１１−１５４３２３号公報に記載されている画像表示装置組立体と同様の構成であり、特開２０１１−１５４３２３号公報に記載されている各種変形例が適用可能である。
【００１２】
信号処理部２０は、画像表示パネル３０及び面状光源装置５０の動作を制御する演算処理部である。信号処理部２０は、画像表示パネル３０を駆動するための画像表示パネル駆動回路４０、及び、面状光源装置５０を駆動するための面状光源装置制御回路６０と接続されている。信号処理部２０は、外部から入力される入力信号を処理して出力信号及び面状光源装置制御信号を生成する。つまり、信号処理部２０は、入力信号の入力ＨＳＶ色空間の入力値（入力信号）を、第１の色、第２の色、第３の色及び第４の色で再現される再現ＨＳＶ色空間の再現値（出力信号）に変換して生成し、生成した出力信号を画像表示パネル３０に出力する。信号処理部２０は、生成した出力信号を画像表示パネル駆動回路４０に出力し、生成した面状光源装置制御信号を面状光源装置制御回路６０に出力する。
【００１３】
図２、図３に示すように、画像表示パネル３０は、画素４８が、Ｐ０×Ｑ０個（行方向にＰ０個、列方向にＱ０個）、２次元のマトリクス状に配列されている。図２、図３に示す例は、ＸＹの２次元座標系に複数の画素４８がマトリクス状に配列されている例を示している。この例において、行方向がＸ方向、列方向はＹ方向である。
【００１４】
画素４８は、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとを有する。第１副画素４９Ｒは、第１原色（例えば、赤色）を表示する。第２副画素４９Ｇは、第２原色（例えば、緑色）を表示する。第３副画素４９Ｂは、第３原色（例えば、青色）を表示する。第４副画素４９Ｗは、第４の色（具体的には白色）を表示する。以下において、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素４９という。
【００１５】
表示装置１０は、より具体的には、透過型のカラー液晶表示装置である。画像表示パネル３０は、カラー液晶表示パネルであり、第１副画素４９Ｒと画像観察者との間に第１原色を通過させる第１カラーフィルタが配置され、第２副画素４９Ｇと画像観察者との間に第２原色を通過させる第２カラーフィルタが配置され、第３副画素４９Ｂと画像観察者との間に第３原色を通過させる第３カラーフィルタが配置されている。また、画像表示パネル３０は、第４副画素４９Ｗと画像観察者との間にカラーフィルタが配置されていない。第４副画素４９Ｗには、カラーフィルタの代わりに透明な樹脂層が備えられていてもよい。このように画像表示パネル３０は、透明な樹脂層を設けることで、第４副画素４９Ｗにカラーフィルタを設けないことによって第４副画素４９Ｗに大きな段差が生じることを抑制することができる。
【００１６】
画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗを含む副画素を組み合わせた画素４８Ａ、画素４８Ｂがマトリクス状に配置されている。そして、画像表示パネル３０は、図２及び図３に示すように、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂを有する画素４８Ａと、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第４副画素４９Ｗを有する画素４８Ｂとが行方向及び列方向にそれぞれ交互に配列されている。画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒを並べた第１副画素列と、この第１副画素列の次列に配列する第２副画素４９Ｇを並べた第２副画素列と、第２副画素列の次列に配列する第３副画素列と、が繰り返し配列されている。第３副画素列は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが第３副画素列の列方向に沿う方向に交互に並べられている。また、第３副画素列は、当該第３副画素列の同一行において、行方向に沿う方向に隣り合う第３画素列同士の第３副画４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが交互に配置されている。第３副画素列では、第１副画素４９Ｒ及び第２副画素４９Ｇと比較して人間の視感度の低い、青色の第３副画素４９Ｂの輝度を第４の副画素４９Ｗの輝度で補うことができる。第３副画素列の同一行にある第３副画素４９Ｂと第４副画素４９Ｗとは、同一の走査線ＳＣＬに接続されている。
【００１７】
一般的には、ストライプ配列に類似した配列は、パーソナルコンピュータ等においてデータや文字列を表示するのに好適である。これに対して、モザイク配列に類似した配列は、ビデオカメラレコーダ又はデジタルスチルカメラ等において自然画を表示するのに好適である。
【００１８】
画像表示パネル駆動回路４０は、本実施の形態に係る制御装置であって、信号出力回路４１及び走査回路４２を備えている。画像表示パネル駆動回路４０は、信号出力回路４１によって映像信号を保持し、順次、画像表示パネル３０に出力する。信号出力回路４１は、信号線ＤＴＬによって画像表示パネル３０と電気的に接続されている。画像表示パネル駆動回路４０は、走査回路４２によって、画像表示パネル３０における副画素を選択し、副画素の動作（光透過率）を制御するためのスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor））のオン及びオフを制御する。走査回路４２は、走査線ＳＣＬによって画像表示パネル３０と電気的に接続されている。
【００１９】
面状光源装置５０は、画像表示パネル３０の背面に配置され、画像表示パネル３０に向けて光を照射することで、画像表示パネル３０を照明する。面状光源装置５０は、画像表示パネル３０の全面に光を照射し、画像表示パネル３０を明るくする。面状光源装置制御回路６０は、面状光源装置５０から出力する光の光量等を制御する。具体的には、面状光源装置制御回路６０は、信号処理部２０から出力される面状光源装置制御信号に基づいて面状光源装置５０に供給する電圧又はｄｕｔｙ比を調整することで、画像表示パネル３０を照射する光の光量（光の強度）を制御する。次に、表示装置１０、より具体的には信号処理部２０が実行する処理動作について説明する。
【００２０】
［２．表示装置の処理動作］
図４は、本実施の形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。図５は、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。信号処理部２０は、外部から表示する画像の情報である入力信号が入力される。入力信号は、各画素に対して、その位置で表示する画像（色）の情報を入力信号として含んでいる。具体的には、Ｐ０×Ｑ０個の画素４８がマトリクス状に配置された画像表示パネル３０において、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８（ただし、１≦ｐ≦Ｐ０、１≦ｑ≦Ｑ０）に対して、信号値がｘ１−（ｐ、ｑ）の第１副画素４９Ｒの入力信号、信号値がｘ２−（ｐ、ｑ）の第２副画素４９Ｇの入力信号及び信号値がｘ３−（ｐ、ｑ）の第３副画素４９Ｂの入力信号（図１参照）が含まれる信号が信号処理部２０に入力される。
【００２１】
図１に示す信号処理部２０は、入力信号を処理することで、第１副画素４９Ｒの表示階調を決定するための第１副画素の出力信号（信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ））、第２副画素４９Ｇの表示階調を決定するための第２副画素の出力信号（信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ））、第３副画素４９Ｂの表示階調を決定するための第３副画素の出力信号（信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ））及び第４副画素４９Ｗの表示階調を決定するための第４副画素の出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ））を生成し、画像表示パネル駆動回路４０に出力する。
【００２２】
表示装置１０は、画素４８に第４の色（白色）を出力する第４副画素４９Ｗを備えることで、図４に示すように、ＨＳＶ色空間（再現ＨＳＶ色空間）における明度のダイナミックレンジを広げることができる。つまり、図４に示すように、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂが表示することのできる円柱形状のＨＳＶ色空間に、彩度Ｓが高くなるほど明度Ｖの最大値が低くなる略台形形状となる立体が載っている形状となる。
【００２３】
信号処理部２０は、第４の色（白色）を加えることで、拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）が、信号処理部２０に記憶されている。つまり、信号処理部２０は、図４に示すＨＳＶ色空間の立体形状について、彩度及び色相の座標（値）毎に明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）の値を記憶している。入力信号は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの入力信号を有するため、入力信号のＨＳＶ色空間は、円柱形状、つまり、再現ＨＳＶ色空間の円柱形状部分と同じ形状となる。
【００２４】
次に、信号処理部２０は、第１副画素４９Ｒの入力信号（信号値ｘ１−（ｐ、ｑ））、第２副画素４９Ｇの入力信号（信号値ｘ２−（ｐ、ｑ））及び第３副画素４９Ｂの入力信号（信号値ｘ３−（ｐ、ｑ））及び、信号伸長係数αに基づいて第４副画素４９Ｗの出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ））を算出し、第４副画素４９Ｗへ出力する。
【００２５】
更に、信号処理部２０は、少なくとも第１副画素４９Ｒの入力信号（信号値ｘ１−（ｐ、ｑ））及び伸張係数α、及び第４副画素４９Ｗの出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ））に基づいて、第１副画素４９Ｒの出力信号（信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ））を算出し、第１副画素４９Ｒへ出力する。
【００２６】
また、信号処理部２０は、少なくとも第２副画素４９Ｇの入力信号（信号値ｘ２−（ｐ、ｑ））及び伸張係数α、及び第４副画素４９Ｗの出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ））に基づいて第２副画素４９Ｇの出力信号（信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ））を算出し、第２副画素４９Ｇへ出力する。
【００２７】
また、信号処理部２０は、少なくとも第３副画素４９Ｂの入力信号（信号値ｘ３−（ｐ、ｑ））及び伸張係数α、及び第４副画素４９Ｗの出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ））に基づいて第３副画素４９Ｂの出力信号（信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ））を算出し、第３副画素４９Ｂへ出力する。
【００２８】
具体的には、信号処理部２０は、第１副画素４９Ｒの伸張係数α及び第４副画素４９Ｗの出力信号に基づいて第１副画素４９Ｒの出力信号を算出し、第２副画素４９Ｇの伸張係数α及び第４副画素４９Ｗの出力信号に基づいて第２副画素４９Ｇの出力信号を算出し、第３副画素４９Ｂの伸張係数α及び第４副画素４９Ｗの出力信号に基づいて第３副画素４９Ｂの出力信号を算出する。
【００２９】
つまり、信号処理部２０は、χを表示装置に依存した定数としたとき、第（ｐ、ｑ）番目の画素（又は第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの組）への第１副画素４９Ｒの出力信号である信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、第２副画素４９Ｇの出力信号である信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）及び第３副画素４９Ｂの出力信号である信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）を、次に示す式（１）〜式（３）から求める。
【００３０】
Ｘ１−（ｐ、ｑ）＝α・ｘ１−（ｐ、ｑ）−χ・Ｘ４−（ｐ、ｑ）・・・（１）
【００３１】
Ｘ２−（ｐ、ｑ）＝α・ｘ２−（ｐ、ｑ）−χ・Ｘ４−（ｐ、ｑ）・・・（２）
【００３２】
Ｘ３−（ｐ、ｑ）＝α・ｘ３−（ｐ、ｑ）−χ・Ｘ４−（ｐ、ｑ）・・・（３）
【００３３】
信号処理部２０は、第４の色を加えることで拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）を求め、複数の画素４８における副画素４９の入力信号値に基づき、これらの複数の画素４８における彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）を求める。
【００３４】
彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）は、Ｓ＝（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／Ｍａｘ及びＶ（Ｓ）＝Ｍａｘで表される。彩度Ｓは０から１までの値をとることができ、明度Ｖ（Ｓ）は０から（２ｎ−１）までの値をとることができる。ｎは、表示階調ビット数である。また、Ｍａｘは、画素４８への第１副画素４９Ｒの入力信号値、第２副画素４９Ｇの入力信号値及び第３副画素４９Ｂの入力信号値のうち、最大値である。Ｍｉｎは、画素４８への第１副画素４９Ｒの入力信号値、第２副画素４９Ｇの入力信号値及び第３副画素４９Ｂの入力信号値のうち、最小値である。また、色相Ｈは、図５に示すように０°から３６０°で表される。０°から３６０°に向かって、赤（Ｒｅｄ）、黄色（Ｙｅｌｌｏｗ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、シアン（Ｃｙａｎ）、青（Ｂｌｕｅ）、マゼンタ（Ｍａｇｅｎｔａ）、赤となる。
【００３５】
本実施の形態において、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）は、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）と伸張係数αとの積に基づき求めることができる。具体的には、下記の式（４）に基づいて信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を求めることができる。式（４）では、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）と伸張係数αとの積をχで除しているが、これに限定するものではない。χについては後述する。また、伸張係数αは、１画像表示フレ−ム毎に決定される。
【００３６】
Ｘ４−（ｐ、ｑ）＝Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）・α／χ・・・（４）
【００３７】
一般に、第（ｐ、ｑ）番目の画素において、第１副画素４９Ｒの入力信号（信号値ｘ１−（ｐ、ｑ））、第２副画素４９Ｇの入力信号（信号値ｘ２−（ｐ、ｑ））及び第３副画素４９Ｂの入力信号（信号値ｘ３−（ｐ、ｑ））に基づき、円柱のＨＳＶ色空間における彩度（Saturation）Ｓ（ｐ、ｑ）及び明度（Brightness）Ｖ（Ｓ）（ｐ、ｑ）は、次の式（５）、式（６）から求めることができる。
【００３８】
Ｓ（ｐ、ｑ）＝（Ｍａｘ（ｐ、ｑ）−Ｍｉｎ（ｐ、ｑ））／Ｍａｘ（ｐ、ｑ）・・・（５）
【００３９】
Ｖ（Ｓ）（ｐ、ｑ）＝Ｍａｘ（ｐ、ｑ）・・・（６）
【００４０】
ここで、Ｍａｘ（ｐ、ｑ）は、（ｘ１−（ｐ、ｑ）、ｘ２−（ｐ、ｑ）、ｘ３−（ｐ、ｑ））の３個の副画素４９の入力信号値の最大値であり、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）は、（ｘ１−（ｐ、ｑ）、ｘ２−（ｐ、ｑ）、ｘ３−（ｐ、ｑ））３個の副画素４９の入力信号値の最小値である。本実施の形態ではｎ＝８とした。すなわち、表示階調ビット数を８ビット（表示階調の値を０から２５５の２５６階調）とした。
【００４１】
白色を表示する第４副画素４９Ｗには、カラーフィルタが配置されていない。第１副画素４９Ｒに第１副画素４９Ｒの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第２副画素４９Ｇに第２副画素４９Ｇの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第３副画素４９Ｂに第３副画素４９Ｂの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの、画素４８又は画素４８の群が備える第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体の輝度をＢＮ１−３とする。また、画素４８又は画素４８の群が備える第４副画素４９Ｗに、第４副画素４９Ｗの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの第４副画素４９Ｗの輝度ＢＮ４としたときを想定する。すなわち、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体によって最大輝度の白色が表示され、この白色の輝度がＢＮ１−３で表される。すると、χを表示装置に依存した定数としたとき、定数χは、χ＝ＢＮ４／ＢＮ１−３で表される。
【００４２】
具体的には、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体に、次の表示階調の値を有する入力信号として、信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）＝２５５、信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）＝２５５、信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）＝２５５が入力されたときにおける白色の輝度ＢＮ１−３に対して、第４副画素４９Ｗに表示階調の値２５５を有する入力信号が入力されたと仮定したときの輝度ＢＮ４は、例えば、１．５倍である。すなわち、本実施の形態にあっては、χ＝１．５である。
【００４３】
ところで、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）が、上述した式（４）で与えられる場合、Ｖｍａｘ（Ｓ）は、次の式（７）、式（８）で表すことができる。
【００４４】
Ｓ≦Ｓ０の場合、
Ｖｍａｘ（Ｓ）＝（χ＋１）・（２ｎ−１）・・・（７）
【００４５】
Ｓ０＜Ｓ≦１の場合：
Ｖｍａｘ（Ｓ）＝（２ｎ−１）・（１／Ｓ）・・・（８）
ここで、Ｓ０＝１／（χ＋１）である。
【００４６】
このようにして得られた、第４の色を加えることによって拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）が、例えば、信号処理部２０に一種のルック・アップ・テ−ブルとして記憶されている。あるいは、拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）は、都度、信号処理部２０において求められる。
【００４７】
次に、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における出力信号である信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、Ｘ２−（ｐ、ｑ）、Ｘ３−（ｐ、ｑ）、Ｘ４−（ｐ、ｑ）の求め方（伸張処理）を説明する。次の処理は、（第１副画素４９Ｒ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第１原色の輝度、（第２副画素４９Ｇ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第２原色の輝度、（第３副画素４９Ｂ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第３原色の輝度の比を、入力のＲ，Ｇ，Ｂのそれぞれの輝度に対して保つように行われる。しかも、色調を保持（維持）するように行われる。さらには、階調−輝度特性（ガンマ特性、γ特性）を保持（維持）するように行われる。また、いずれかの画素４８又は画素４８の群において、入力信号値のすべてが０である場合又は小さい場合、このような画素４８又は画素４８の群を含めることなく、伸張係数αを求めればよい。
【００４８】
（第１工程）
まず、信号処理部２０は、複数の画素４８における副画素４９の入力信号値に基づき、これらの複数の画素４８における彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）を求める。具体的には、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８への第１副画素４９Ｒの入力信号である信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）、第２副画素４９Ｇの入力信号である信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）、第３副画素４９Ｂの入力信号である信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）に基づき、式（５）及び式（６）からＳ（ｐ、ｑ）、Ｖ（Ｓ）（ｐ、ｑ）を求める。信号処理部２０は、この処理を、すべての画素４８に対して行う。
【００４９】
（第２工程）
次いで、信号処理部２０は、複数の画素４８において求められたＶｍａｘ（Ｓ）／Ｖ（Ｓ）に基づき伸張係数α（Ｓ）を求める。また、α（Ｓ）のうち、例えば、最も小さい値のαをその１フレームにおけるαとする。
【００５０】
α（Ｓ）＝Ｖｍａｘ（Ｓ）／Ｖ（Ｓ）・・・（９）
【００５１】
（第３工程）
次に、信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を、少なくとも、信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）及び信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）、及びαに基づいて求める。本実施の形態にあっては、信号処理部２０は、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び定数χに基づいて決定する。より具体的には、信号処理部２０は、上述したとおり、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を、上記の式（４）に基づいて求める。信号処理部２０は、Ｐ０×Ｑ０個の全画素４８において信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を求める。
【００５２】
（第４工程）
その後、信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）を、信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）に基づき求め、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）を、信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）に基づき求め、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）を、信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）に基づき求める。具体的には、信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）及び信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）を、上記の式（１）〜（３）に基づいて求める。
【００５３】
信号処理部２０は、式（１）、式（２）、式（３）及び式（４）に示した通り、入力の信号値をαによって伸長する。このように入力の信号値がαによって伸長されることで輝度も増加する。またこの際、入力のＲ，Ｇ，Ｂの輝度比に対して、伸長されたＲ，Ｇ，Ｂの輝度の比が保たれるため、色のくすみが発生するといった問題を回避することができる。また画像全体として輝度はα倍となる。したがって、例えば、静止画等の画像表示を高輝度で行うことができ、好適である。
【００５４】
第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）は、α倍に伸張されている。このため、表示装置１０は、伸張されていない状態の画像４８の輝度と同じ画像の輝度とするためには、面状光源装置５０の輝度を、伸張係数αに基づき減少させればよい。具体的には、面状光源装置５０の輝度を、（１／α）倍とすればよい。信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を出力するよう、後述するセレクタ信号ＳＥＬＲ、ＳＥＬＧ、ＳＥＬＢ（ＳＥＬＷ）を演算する。
【００５５】
＜横電界モードの液晶表示装置の例＞
図６は、本実施の形態に係る画像表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。画像表示パネル３０は、図７に示すように、画素基板７０Ａと、この画素基板７０Ａの表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板７０Ｂと、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。なお、画素基板７０Ａの液晶層７０Ｃとは反対側の面には、バックライトとして上述した面状光源装置５０（図１参照）が配置されている。
【００５６】
液晶層７０Ｃは、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching（フリンジフィールドスイッチング））又はＩＰＳ（In-Plane  Switching：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。液晶層７０Ｃは、例えば、ＴＮ（Twisted  Nematic：ツイステッドネマティック）、ＶＡ（Vertical  Alignment：垂直配向）、ＥＣＢ（Electrically  Controlled  Birefringence：電界制御複屈折）等の各種モードの液晶であってもよい。なお、図７に示す液晶層７０Ｃと画素基板７０Ａとの間、及び液晶層７０Ｃと対向基板７０Ｂとの間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００５７】
対向基板７０Ｂは、透光性基板７５と、当該透光性基板７５の一方の面に形成されたカラーフィルタ７６を含む。カラーフィルタ７６は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４色に着色された色領域を含む。カラーフィルタ７６は、開口部（図示省略）に例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４色に着色された色領域が周期的に配列されている。カラーフィルタ７６は、ＴＦＴ基板７１と垂直な方向において、液晶層７０Ｃと対向する。なお、カラーフィルタ７６は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタ７６は、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。なお、ブラックマトリクスが画素の外周を覆うように形成されていてもよい。このブラックマトリクスは、二次元配置された副画素と副画素との境界に配置されることで、格子形状となる。そして、ブラックマトリクスは、光の吸収率が高い材料で形成される。なお本実施の形態では、透光性基板７５としてガラス基板を用いるが、これに限定されない。透光性基板７５として、ガラス基板に代えて、プラスティック基板等を用いてもよい。
【００５８】
画素基板７０Ａは、回路基板としてのＴＦＴ基板７１と、このＴＦＴ基板７１上にマトリクス状に配設された複数の画素電極７２と、ＴＦＴ基板７１及び画素電極７２の間に形成された共通電極ＣＯＭＬと、画素電極７２と共通電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層７４と、を含む。共通電極ＣＯＭＬは、インジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。なお本実施の形態では、透光性導電材料の例としてＩＴＯを挙げたが、これに限定されない。透光性導電材料として、インジウム亜鉛酸化物（Indium  Zinc  Oxide：ＩＺＯ）等の別の組成を有する導電材料を用いてもよい。
【００５９】
ＴＦＴ基板７１には、上述した各副画素の薄膜トランジスタＴｒが形成された半導体層９２、各画素電極７２に画素信号を供給する信号線ＤＴＬ、薄膜トランジスタＴｒを駆動する走査線ＳＣＬ等の配線が絶縁層７４を介して積層されている。このため、共通電極ＣＯＭＬには、信号線ＤＴＬとカップリング容量Ｃが作用する。なお本実施の形態では、画素電極７２のスイッチング素子としてＴＦＴを用いるが、これに限定されない。画素電極７２のスイッチング素子として、ＴＦＴに代えて、薄膜ダイオード（Thin  Film  Diode）等の素子を用いてもよい。
【００６０】
信号線ＤＴＬは、ＴＦＴ基板７１の表面と平行な平面に延在し、画素に画像を表示するための画素信号を供給する。半導体層９２は、一部が信号線ＤＴＬと接し、他の一部が信号線ＤＴＬと同一の層に形成された台座配線９０と接している。本開示において、走査線ＳＣＬは、アルミニウム等の金属の配線である第１金属配線であり、信号線ＤＴＬは、アルミニウム等の金属の配線である第２金属配線であり、台座配線９０は、アルミニウム等の金属の配線である第３金属配線である。絶縁層７４は、走査線ＳＣＬと半導体層９２との接触する部分又は信号線ＤＴＬと半導体層９２との接触する部分であるコンタクト部２５ａ及びコンタクト部９０ａ（コンタクトホール）を除いて絶縁する。
【００６１】
半導体層９２と、信号線ＤＴＬと、走査線ＳＣＬとは、ＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）の異なる層に形成されている。信号線ＤＴＬと、台座配線９０とは、ＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）の同じ層に形成されている。
【００６２】
信号線ＤＴＬのコンタクト部２５ａは、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのソース電極又はドレイン電極の一方に接続されている。また、半導体層９２は、台座配線９０を介して画素電極７２と接続されている。台座配線９０のコンタクト部９０ａは、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのソース電極又はドレイン電極の他方に接続されている。図３に示すように、走査線ＳＣＬは、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されている。
【００６３】
ここで、上述したように、走査線ＳＣＬと信号線ＤＴＬとは、線状の金属配線であり、互いに略直交する向きで立体交差するように配置されている。図６に示すように、台座配線９０は、Ｚ方向において、走査線ＳＣＬに沿った第１方向（Ｘ方向）と信号線ＤＴＬに沿った第２方向（Ｙ方向）とに囲まれる領域の縁部に配置されている。
【００６４】
図６に示す本実施の形態に係る画像表示パネル３０は、ＴＦＴ基板７１、走査線ＳＣＬ、半導体層９２、信号線ＤＴＬ、共通電極ＣＯＭＬ、画素電極７２の順に、Ｚ方向に積層されている。また、本実施の形態に係る画像表示パネル３０は、半導体層９２がＺ方向において走査線ＳＣＬと信号線ＤＴＬとの間の平面に配置されているボトムゲート構造である。なお本実施の形態の薄膜トランジスタＴｒは、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続される走査線ＳＣＬが半導体層９２の下方に配置されるボトムゲート構造であるが、薄膜トランジスタＴｒの構造はこれに限定されない。当該薄膜トランジスタＴｒは、ゲート及び当該ゲートに電気的に接続される走査線ＳＣＬが、半導体層９２の上方に配置されるトップゲート構造であってもよい。
【００６５】
＜カラム反転駆動＞
液晶表示パネルの駆動方式として、カラム反転、ライン反転、ドット反転及びフレーム反転などの駆動方式が知られている。カラム反転は、副画素又は副画素が組み合わされた画素の１ライン（列）が互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する駆動方式である。これにより、ドット反転の駆動方式に比較して、カラム反転の駆動方式は信号線における充放電が少なく低消費電力になることが知られている。信号処理部２０は、特公平５−４３１１８号公報に記載されている各種回路が適用可能である。
【００６６】
図８及び図９は、カラム反転駆動をした表示領域を説明するための模式図である。図１０は、カラム反転駆動をした場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。例えば、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂ（第４副画素４９Ｗ）とに対応する行方向の画素毎に、例えば共通電極の電位を基準電位とした場合、基準電位に対して高い電位（以下プラス（＋）極性という。）と、基準電位に対して低い電位（以下マイナス（−）極性という。）とで、図８に示す印加状態ＰＣｏｄｄと図９に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態を交互に繰り返す。本実施の形態では、基準電位を共通電極の電位としたが、基準電位は、共通電極の電位に限定されず、所定の電位であればよい。このように、カラム反転は、副画素４９の隣り合う１ライン（列）が互いに基準の電位に対して電位が異なるように、電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する。そして、隣り合う信号線は、互いに異なる電圧（例えば逆極性）が印加され、印加する当該電圧の極性が所定の周期で反転される。
【００６７】
図１０に示すように、図８に示す印加状態ＰＣｏｄｄの期間Ｆｏｄｄと図９に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態の期間Ｆｅｖｅｎとは、書き込み期間Ｆｇを境に交互に繰り返している。図１１は、比較例に係る画像表示パネルに生じるクロストークを説明するための模式図である。図１２は、比較例に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。図１３は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。図１４は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。ここで、図１１に示すように、画像表示パネル３０は、中央に第３副画素４９Ｂのみを点灯したウインドウ画像３０Ｗを表示する。そして、画像表示パネル３０は、ウインドウ画像３０Ｗの両側に、例えば、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂ、第４副画素４９Ｗを点灯させ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）及び白（Ｗ）のそれぞれの階調が同じ数値を持つニュートラルグレー領域などを表示した中間色表示３０Ｃを表示する。またウインドウ画像３０Ｗの上側及び下側の画像表示パネル３０も同様である。図１０に示すように、画素電位の極性反転周期と、信号線電位の極性反転周期とは、期間Ｆｏｄｄ又は期間Ｆｅｖｅｎとほぼ一致する。
【００６８】
図１２に示すように、比較例に係る画像表示パネルは、第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとは、同じ走査線ＳＣＬに接続されている。例えば、図１２及び図１３に示すように、走査回路４２が走査線ＳＣＬのＧａｔｅＮを選択する場合、ＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂは、マイナス（−）極性の電位を有しており、上の段の副画素４９Ｗは、黒表示なので０Ｖとされる。したがって、走査回路４２が走査線ＳＣＬのＧａｔｅＮ−１及びＧａｔｅＮを走査した場合、ＧａｔｅＮ−１からＧａｔｅＮにおけるＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂの電圧の変化は減少（マイナス）である。また、ＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗは、黒表示なので０Ｖであり、上の段の副画素４９Ｂは、プラス（＋）極性の電位である。したがって、走査回路４２が走査線ＳＣＬのＧａｔｅＮ−１をＧａｔｅＮを走査した場合、ＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗの電圧の変化は減少（マイナス）である。
【００６９】
上述したように、共通電極ＣＯＭＬには、信号線ＤＴＬとカップリング容量Ｃが作用している。そうすると、図１４に示すように、ＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂ及びＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗの変化、つまり電圧の増加に引きずられて、共通電極ＣＯＭＬは、減少方向に電位の変化が生じることになる。ここで、副画素４９Ｂセレクタ信号ＳＥＬＢの期間が終了時Ｔｏｆｆまでに、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが収束しない場合、電圧差ＧＱが、第４副画素４９Ｗの実効電圧を大きくしてしまい、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性がある。なお、第４副画素４９Ｗの輝度の変動は、他の副画素４９の輝度の変動よりも大きく影響しやすい傾向にある。
【００７０】
また、隣り合う信号線ＤＴＬが互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する場合、共通電極ＣＯＭＬは、減少方向に電位の変化が生じることになる。なお、画像表示パネル３０は、セレクタ信号ＳＥＬＲ、ＳＥＬＧに応じて、副画素４９Ｒ、４９Ｇが副画素４９Ｂと共に点灯し、マゼンタ、シアンといった色をウインドウ画像３０Ｗに表示している場合でも、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが収束しない場合、電圧差ＧＱが、第４副画素４９Ｗの実効電圧を大きくしてしまい、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性がある。
【００７１】
図１５及び図１６は、本実施の形態に係る画像表示パネルにおけるカラム反転駆動を表示した領域を説明するための模式図である。図１５及び図１６に示すように、本実施の形態に表示パネルにおいては、例えば、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂ（第４副画素４９Ｗ）とに対応する行方向の画素毎に、例えば、共通電極の電位を基準電位とした場合、基準電位に対して高い電位（以下プラス（＋）極性という。）と、基準電位に対して低い電位（以下マイナス（−）極性という。）とで、図１５に示す印加状態ＰＣｏｄｄと図１６に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態を交互に繰り返す。なお、本実施の形態では、基準電位を共通電極の電位としたが、基準電位は、共通電極の電位に限定されず、所定の電位であればよい。このように、カラム反転では、隣り合う２副画素列毎に互いに基準の電位に対して電位が異なるように電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する２カラム反転を行う。そして、この２カラム反転では、隣り合う２副画素列の信号線毎に互いに異なる電圧（例えば逆極性）が印加され、印加する当該電圧の極性が所定の周期で反転される。
【００７２】
図１０に示したように、図１５に示す印加状態ＰＣｏｄｄの期間Ｆｏｄｄと図１６に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態の期間Ｆｅｖｅｎとは、書き込み期間Ｆｇを境に交互に繰り返えされる。図１７は、本実施の形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。図１８は、本実施の形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。図１９は、本実施の形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。
【００７３】
図１７に示すように、本実施の形態においては、画像表示パネルは、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗを含む第３副画素列Ｌ３（特定副画素列）と、この第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗを含む第３副画素列Ｌ３の次列に配列される少なくとも一つの他の副画素列（第１副画素列Ｌ１及び第２副画素列Ｌ２）が周期的に配列された画素の配列を有する。図１７に示す例では、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗを含む第３副画素列Ｌ３の次列に、第３副画素列Ｌ３に隣接して第１副画素４９Ｒを含む第１副画素列Ｌ１が配列される。第１副画素列Ｌ１の次列には、第２副画素４９Ｇを含む第２副画素列Ｌ２が配列される。第２副画素列Ｌ２の次列に第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗを含む第３副画素列Ｌ３が配列される。第１副画素列Ｌ１乃至第３副画素列Ｌ３は周期的に配列される。第３副画素列Ｌ３の同一行にある第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗは同じ走査線ＳＣＬに接続されている。第３副画素列Ｌ３は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが当該第３副画素列Ｌ３に沿う方向に交互に並べられている。また、第３副画素列Ｌ３は、同一行において行方向に沿う方向に隣り合う第３副画素列Ｌ３同士の副画素である第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗを交互に配置されている。なお、画像表示パネルの画素の配列は、図１７に示す例に限定されず、例えば、同一行に沿う方向において隣接する第３副画素列Ｌ３間に他の副画素が配列されていてもよい。
【００７４】
本実施の形態では、第３副画素列に属する特定第３副画素列の信号線と、この特定第３副画素列に隣接する第１副画素列又は第２副画素列の信号線とに同一極性の電圧が印加される。図１７に示す例では、第３副画素列に属する特定第３副画素列（例えば、ＳｉｇＢｅｖｅｎ）と、この特定第３副画素列に隣接する第２副画素列（ＳｉｇＧｅｖｅｎ）の信号線（ＤＴＬ）に同一極性の電圧が印加され、第１副画素列（ＳｉｇＲｏｄｄ２）には異なる極性（例えば、逆極性）の電圧が印加される。また、第３副画素列に属する特定第３副画素列（例えば、ＳｉｇＢｏｄｄ）と、この特定第３副画素列に隣接する第１副画素列（ＳｉｇＲｅｖｅｎ）の信号線（ＤＴＬ）に同一極性の電圧が印加され、第２副画素列（ＳｉｇＧｏｄｄ）には異なる極性（例えば、逆極性）の電圧が印加される。
【００７５】
また、本実施の形態では、行方向に沿う方向において特定第３副画素列（ＳｉｇＢｅｖｅｎ）に隣り合う２つの第３副画素列（ＳｉｇＢｏｄｄ及びＳｉｇｏｄｄ２）のうち一方の第３副画素列（Ｓｉｇｏｄｄ２）の信号線ＤＴＬには特定第３副画素列（ＳｉｇＢｅｖｅｎ）と同一極性の電圧が印加されると共に、他方の第３副画素列（ＳｉｇＢｏｄｄ）の信号線ＤＴＬに特定第３副画素列（ＳｉｇＢｅｖｅｎ）とは異なる極性（例えば、逆極性）の電圧が印加される。
【００７６】
例えば、図１７及び図１８に示すように、走査回路４２が走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮを選択する場合、ＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗは、黒表示なので０Ｖであり、上の段の副画素４９Ｂは、マイナス（−）極性の電位である。したがって、走査回路４２が走査線ＳＣＬのＧａｔｅＮ−１及びＧａｔｅＮを走査した際のＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗの電圧の変化は増加（プラス）である。また、ＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂは、プラス（＋）極性の電位を有しており、上の段の副画素４９Ｗは、黒表示なので０Ｖとされる。したがって、走査回路４２が走査線ＳＣＬのＧａｔｅＮ−１及びＧａｔｅＮを走査した際のＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂの電圧の変化は増加（プラス）である。
【００７７】
同様に、走査回路４２が走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮを選択する場合、ＳｉｇＢｏｄｄ２の副画素４９Ｗ’は、黒表示なので０Ｖであり、上の段の副画素４９Ｂ’は、プラス（＋）極性の電位である。したがって、走査回路４２が走査線ＳＣＬのＧａｔｅＮ-1及びＧａｔｅＮを走査した際のＳｉｇＢｏｄｄ２の副画素４９Ｗ’の電圧の変化は減少（マイナス）である。また、ＳｉｇＢｅｖｅｎ２の副画素４９Ｂ’は、マイナス（−）極性の電位を有しており、上の段の副画素４９Ｗ’は、黒表示なので０Ｖとされる。したがって、走査回路４２が走査線ＳＣＬのＧａｔｅＮ−１及びＧａｔｅＮを走査した際のＧａｔｅＮ−１からＧａｔｅＮにおけるＳｉｇＢｅｖｅｎ２の副画素４９Ｂ’の電圧の変化は減少（マイナス）である。そうすると、図１９に示すように、プラス（＋）極性の電位に変動するＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗ、ＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂの信号線変動Ｓ１ｂ、Ｓ２ｂと、マイナス（−）極性の電位に変動するＳｉｇＢｏｄｄ２の副画素４９Ｗ’、ＳｉｇＢｅｖｅｎ２の４９Ｂ’の信号線変動Ｓ３ｂ、Ｓ４ｂとが相互に打ち消し合うので、共通電極ＣＯＭＬの電位変動が抑制される。したがって、副画素４９Ｂセレクタ信号ＳＥＬＢの期間が終了時Ｔｏｆｆまでに、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが収束し、電圧差ＧＱが輝度の変動が生じやすい第４副画素４９Ｗの実効電圧を大きくすることを防ぐことができ、中間色表示３０Ｃ（図１１）に本来生じない画像の発現を防ぐことができる。
【００７８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第３副画素列に隣接する第１副画素列又は第２副画素列の信号線に同一極性の電圧を印加すると共に、行方向に沿う方向において特定の第３副画素列に隣り合う２つの第３副画素列のうち一方の第３副画素列の信号線ＤＴＬに特定第３副画素列と同一極性の電圧を印加すると共に、他方の第３副画素列の信号線ＤＴＬに特定第３副画素列と異なる極性（例えば、逆極性）の電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動を行う。言い換えれば、本実施の形態においては、周期的に配列された第１副画素列乃至第３副画素列のうち、隣り合う２列の信号線に同一極性の電圧を印加し、隣り合う２列の次の２列には、異なる極性の電圧を印加し、印加する電圧の極性を所定の周期で反転する、カラム反転駆動を行う。これにより、共通電極ＣＯＭＬには、信号線ＤＴＬとカップリング容量Ｃが作用しても、カップリング容量Ｃの増加と減少とが打ち消し合うので、表示装置１０は、信号処理部２０が信号線ＤＴＬをカラム反転駆動しても、共通電極ＣＯＭＬの電位の変化を抑制できる。
【００７９】
ここで、副画素４９Ｂの表示選択ＳＥＬＢ期間が終了時Ｔｏｆｆまでに、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが収束しているので、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性を抑制できる。その結果、ウインドウ画像３０Ｗの表示の有無によって有無画素電位の１フレーム当たりの実効電位の変化も小さい。このように、本実施の形態に係る表示装置１０は、カラム反転駆動により駆動する場合に、ウインドウ画像３０Ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの実効電位の変化を抑制することができる。そして、表示装置１０は、ドット反転駆動よりもカラム反転駆動する方が、消費電力を抑制することができる。なお、本実施の形態に係る画像表示パネル３０は、セレクタ信号ＳＥＬＲ、ＳＥＬＧに応じて、副画素４９Ｒ及び副画素４９Ｇが副画素４９Ｂと共に点灯し、マゼンタ、シアンといった色をウインドウ画像３０Ｗに表示している場合でも、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが抑制されており、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性が低減する。
【００８０】
上述した実施の形態においては、図１７に示したように、一方の極性（プラス（＋））の電圧を印加する第３副画素列及び当該第３副画素列に隣接する第１副画素列又は第２副画素列を含む副画素列群と、他方の極性（マイナス（−））の電圧を印加する第３副画素列及び第１副画素列又は第２副画素列を含む副画素列群とを略均等にすることが好ましい。これにより、画像表示パネル内におけるプラス（＋）極性側への信号線電位の変動と、マイナス極性（−）への信号線電位の変動との差を低減できるので、画像表示がより向上する。
【００８１】
ところで、上述した実施の形態においては、第３副画素列及び当該第３副画素列に隣接する第１副画素列又は第２副画素列が共に選択されて同一極性の画像信号が第３副画素４９Ｂ及び第１副画素４９Ｒ又は第２副画素４９Ｇに印加される。ここで、画像表示パネル３０において、第３副画素列及び第１副画素列によりマゼンタを表示する場合には、第１副画素列には、所定電位（例えば、＋３．６Ｖ又は−３．６Ｖ）が順次印加されるのに対し、第３副画素列には、第４副画素４９Ｗ（０Ｖ）と第３副画素４９Ｂの所定電位（例えば、＋３．６Ｖ又は−３．６Ｖ）とが交互に印加される。したがって、走査回路４２が第１副画素列を順次走査する際の信号線ＤＴＬの電位変動に対して第３副画素列を順次走査する際の信号線ＤＴＬの電位変動が大きくなり、第１副画素列、第３副画素列の順に画像信号を副画素４９に書き込んだ際には、第３副画素列の信号線ＤＴＬの電位変動が第１副画素列の信号線ＤＴＬに影響を及ぼし、表示パネルに表示される画像にスジが生じる場合がある。
【００８２】
同様に、画像表示パネル３０において、第３副画素列及び第２副画素列によりシアンを表示する場合には、第２副画素列には、所定電位（例えば、＋３．６Ｖ又は−３．６Ｖ）が順次印加されるのに対し、第３副画素列には、第４副画素４９Ｗ（０Ｖ）と第３副画素４９Ｂの所定電位（例えば、＋３．６Ｖ又は−３．６Ｖ）とが交互に印加される。したがって、走査回路４２が第２副画素列を順次走査する際の信号線ＤＴＬの電位変動に対して第３副画素列を順次走査する際の信号線ＤＴＬの電位変動が大きくなり、第２副画素列、第３副画素列の順に副画素４９に画像信号を書き込んだ際には、第３副画素列の信号線ＤＴＬの電位変動が第２副画素列の信号線ＤＴＬに影響を及ぼし、画像にスジが生じる場合がある。
【００８３】
そこで、本実施の形態においては、画像表示パネルの駆動順序を変更することにより、上述した画像のスジを抑制する。図２０は、本実施の形態に係る画像表示パネルの駆動順序の一例の説明図である。図２０に示すように、本実施の形態においては、同一極性の電圧が印加される一対の第１副画素列Ｌ１〜第３副画素列Ｌ３が信号線ＤＴＬを介して同一の第１ソースアンプＳ１〜第６ソースアンプＳ６に接続される。第１ソースアンプＳ１〜第６ソースアンプＳ６は、順に供給される第１セレクタ信号ＳＥＬ１、第２セレクタ信号ＳＥＬ２に応じて第１副画素列Ｌ１〜第３副画素列Ｌ３を順に駆動する。
【００８４】
ＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１及びＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２は、第１ソースアンプＳ１に接続され、プラス（＋）極性の電圧が印加される。第１ソースアンプＳ１に接続されたＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ１２が供給される。したがって、第１のソースアンプＳ１は、第１副画素列Ｌ１、第２副画素列Ｌ２の順に第１副画素列及び第２副画素列Ｌ２を駆動する。
【００８５】
ＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３及びＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１は、第２ソースアンプＳ２に接続され、マイナス（−）極性の電圧が印加される。第２ソースアンプＳ２に接続されたＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給される。したがって、第２のソースアンプＳ２は、第３副画素列Ｌ３、第１副画素列Ｌ１の順に第１副画素列及び第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００８６】
ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２及びＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３は、第３ソースアンプＳ３に接続され、プラス（＋）極性の電圧が印加される。第３ソースアンプＳ３に接続されたＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給される。したがって、第３のソースアンプＳ３は、第３副画素列Ｌ３、第２副画素列Ｌ２の順に第２副画素列Ｌ２及び第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００８７】
ＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１及びＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２は、第４ソースアンプＳ４に接続され、マイナス（−）極性の電圧が印加される。第４ソースアンプＳ４に接続されたＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給される。したがって、第４のソースアンプＳ４は、第１副画素列Ｌ１、第２副画素列Ｌ２の順に第１副画素列及び第２副画素列Ｌ２を駆動する。
【００８８】
ＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３及びＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１は、第５ソースアンプＳ５に接続され、プラス（＋）極性の電圧が印加される。第５ソースアンプＳ５に接続されたＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給される。したがって、第５のソースアンプＳ５は、第３副画素列Ｌ３、第１副画素列Ｌ１の順に第１副画素列及び第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００８９】
ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２及びＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３は、第６ソースアンプＳ６に接続され、マイナス（−）極性の電圧が印加される。第６ソースアンプＳ６に接続されたＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給される。したがって、第６のソースアンプＳ６は、第３副画素列Ｌ３、第２副画素列Ｌ２の順に第２副画素列Ｌ２及び第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００９０】
このように、本実施の形態によれば、画像表示パネル３０にシアン又はマゼンタを表示する場合であっても、まず、第１セレクタ信号ＳＥＬ１に応じて第３副画素列Ｌ３及び第１副画素列Ｌ１に電圧を印加してから、次に、第２セレクタ信号ＳＥＬに応じて第１副画素列Ｌ１及び第２副画素列Ｌ２に電圧を印加する。これにより、同一極性の電圧が印加される一対の副画素列のうち電圧変動の大きい第３副画素列Ｌ３に優先して画像信号が書き込まれるので、電圧変動に伴う画像のスジの発生を防ぐことができ、画像表示パネルの画質の表示品質の向上が可能となる。なお、上述した実施の形態では、第２セレクタ信号ＳＥＬ２によって第２副画素列Ｌ２に電圧を印加する例について説明したが、第２セレクタ信号ＳＥＬ２によって第１副画素列Ｌ１に電圧を印加する構成としてもよい。
【００９１】
図２１は、本実施の形態に係る画像表示パネルの駆動順序の他の例の説明図である。図２１に示す例では、同一極性の電圧が印加される第１副画素列Ｌ１〜第３副画素列Ｌ３が信号線ＤＴＬを介して第１ソースアンプＳ１〜第４ソースアンプＳ４に接続される。第１ソースアンプＳ１〜第４ソースアンプＳ４は、順に供給される第１セレクタ信号ＳＥＬ１〜第３セレクタ信号ＳＥＬ３に応じて第１副画素列Ｌ１〜第３副画素列Ｌ３を順に駆動する。
【００９２】
ＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１、ＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２、及びＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３は、第１ソースアンプＳ１に接続され、プラス（＋）極性の電圧が印加される。第１ソースアンプＳ１に接続されたＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給され、ＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１には、第３セレクタ信号ＳＥＬ３が供給される。したがって、第１のソースアンプＳ１は、第３副画素列Ｌ３、第２副画素列Ｌ２、第１副画素列Ｌ１の順に第１副画素列〜第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００９３】
ＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３、ＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２及びＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１は、第２ソースアンプＳ２に接続され、マイナス（−）極性の電圧が印加される。第２ソースアンプＳ２に接続されたＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｏｄｄの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給され、ＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１には、第３セレクタ信号ＳＥＬ３が供給される。したがって、第２のソースアンプＳ２は、第３副画素列Ｌ３、第２副画素列Ｌ２、第１副画素列Ｌ１の順に第１副画素列〜第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００９４】
ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２、ＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３及びＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１は、第３ソースアンプＳ３に接続され、プラス（＋）極性の電圧が印加される。第３ソースアンプＳ３に接続されたＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給され、ＳｉｇＲｅｖｅｎの第１副画素列Ｌ１には、第３セレクタ信号ＳＥＬ３が供給される。したがって、第３のソースアンプＳ３は、第３副画素列Ｌ３、第２副画素列Ｌ２、第１副画素列Ｌ１の順に第１副画素列〜第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００９５】
ＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１、ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２及びＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３は、第４ソースアンプＳ４に接続され、マイナス（−）極性の電圧が印加される。第４ソースアンプＳ４に接続されたＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素列Ｌ３には、第１セレクタ信号ＳＥＬ１が供給され、ＳｉｇＧｅｖｅｎの第２副画素列Ｌ２には、第２セレクタ信号ＳＥＬ２が供給され、ＳｉｇＲｏｄｄの第１副画素列Ｌ１には、第３セレクタ信号ＳＥＬ３が供給される。したがって、第４のソースアンプＳ４は、第３副画素列Ｌ３、第２副画素列Ｌ２、第１副画素列Ｌ１の順に第１副画素列〜第３副画素列Ｌ３を駆動する。
【００９６】
このように、本実施の形態によれば、画像表示パネル３０にシアン又はマゼンタを表示する場合であっても、第１セレクタ信号ＳＥＬ１に応じて第３副画素列Ｌ３に電圧を印加してから、第２セレクタ信号ＳＥＬ２に応じて第２副画素列Ｌ２に電圧を印加し、第３セレクタ信号ＳＥＬ３に応じて第１副画素列Ｌ１に電圧を印加する。これにより、電圧変動の大きい第３副画素列Ｌ３に優先して画像信号が書き込まれるので、第３副画素列Ｌ３における電圧変動に伴う画像のスジの発生を防ぐことができ、画像表示パネルの画質の表示品質の向上が可能となる。より具体的には、青の第３副画素４９Ｂ及び白の第４副画素４９Ｗの列を最初に書き込んでから、赤の第１副画素４９Ｒの第１列乃至緑の第２副画素４９Ｇの第２列を書き込むことにより、電圧変動に伴う画像のスジの発生を防ぐことができる。なお、上述した実施の形態では、第２セレクタ信号ＳＥＬ２によって第２副画素列Ｌ２に電圧を印加する例について説明したが、第２セレクタ信号ＳＥＬ２によって第１副画素列Ｌ１に電圧を印加する構成としてもよい。
【００９７】
＜効果＞
以上説明したように、表示装置１０は、赤、緑、青の第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂに第４の副画素４９Ｗ及びである白画素を加えることができる。このため、白画素が輝度を向上させる分、バックライトの電流値を下げ、消費電力を低減する。また、表示装置１０は、カラム反転駆動を行う。このため、信号線ＤＴＬ毎の充放電が抑制され、より消費電力が低減する。
【００９８】
画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの３列を順に並べる配置とし、第３列は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが列方向に交互に並べるようにした。その結果、第４副画素４９Ｗを加えても画素面積を抑制でき、高精細にできる。また表示装置１０は、信号処理部２０が２カラム毎のカラム反転駆動により、隣り合う２つの副画素列毎の信号線ＤＴＬにおいて互い２つの副画素列毎に逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するより、消費電力を抑制することができる。そして、表示装置１０は、クロストークとよばれる画質の低下（劣化）を抑制することができる。
【００９９】
ここで、下記表１を参照して、図１２に示した比較例に係る従来のカラム反転駆動と、実施例に係るカラム反転駆動における外部へノイズ低減の効果を対比して説明する。なお、下記表１に示す結果は、液晶表示パネル上にオシロスコープに接続された直径１ｃｍの金属円柱を配置し、比較例及び実施例のカラム反転駆動で画像を表示した際のオシロスコープにて測定された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、及び白（Ｗ）の電位変動（ｍｖ）である。なお、白（Ｗ）について表示画面を白画面にした際に測定された値である。
【０１００】
【表１】
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【０１０１】
表１から分かるように、比較例に係るカラム反転駆動に対して、実施例に係るカラム反転駆動を行うことにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、及び白（Ｗ）のいずれにおいても、電位変動（ｍｖ）を低減できている。特に、青（Ｂ）の第３副画素については、電圧変動を５分の１程度まで大幅に低減できている。この結果は、実施例に係るカラム反転駆動により、共通電極ＣＯＭＬの電位変動を防ぐことができた結果、上述した図１４に示すクロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱの影響を低減できたためと考えられる。
【０１０２】
［３．変形例］
（第１変形例）
図２２は、本実施の形態の第１変形例に係る表示装置の画像表示パネルの概念図である。画像表示パネル３０の画素４８Ａ及び画素４８Ｂは、白色の第１副画素４９Ｗを並べた第１副画素列と、この第１副画素列の次列に配列する緑色の第２副画素４９Ｇを並べた第２副画素列と、第１副画素列と第２副画素列との間に配列される第３副画素列と、が繰り返し配列されている。第３副画素列は、青色の第３副画素４９Ｂ及び赤色の第４副画素４９Ｒが行方向に交互に並べられており、かつ第３副画素列の同一列において、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｒが列方向に交互に配置されている。第１副画素列〜第３副画素列に印加される電圧は、図１７に示した例と同様である。このような配列とすることにより、白色の第１副画素４９Ｗの輝度が高くなり、より明るい画像表示パネルにすることができる。
【０１０３】
（第２変形例）
図２３は、本実施の形態の第２変形例に係る表示装置の画像表示パネルの画素配列を示す図である。画像表示パネル３０の画素４８Ａ及び画素４８Ｂは、赤色の第１副画素４９Ｒを並べた第１副画素列と、この第１副画素列の次列に配列する緑色の第２副画素４９Ｇを並べた第２副画素列と、第２副画素列の次列に配列される第３副画素列と、が繰り返し配列されている。第３副画素列は、青色の第３副画素４９Ｂ及び黄色の第４副画素４９Ｙが行方向に交互に並べられており、かつ第３副画素列の同一列において、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｙが列方向に交互に配置されている。第４副画素４９Ｙは、例えば黄色のカラーフィルタを画像観察者との間に配置している。第１副画素列〜第３副画素列に印加される電圧は、図１７に示した例と同様である。このような配列とすることにより、より色表現の幅に広い画像表示パネルにすることができる。
【０１０４】
（タッチ検出装置を備える表示装置）
図２４は、タッチ検出装置が画像表示パネルの上に一体化される本実施の形態に係る表示装置の概念図である。図２４に示すように、表示装置１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。
【０１０５】
液晶層７０Ｃは、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ又はＩＰＳ等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。なお、図２４に示す液晶層７０Ｃと画素基板２との間、及び液晶層７０Ｃと対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【０１０６】
また、対向基板３は、透光性基板７５と、当該透光性基板７５の一方の面に形成されたカラーフィルタ７６とを含む。透光性基板７５の他方の面には、タッチ検出装置１の検出電極であるタッチ検出電極ＴＤＬが形成され、さらに、このタッチ検出電極ＴＤＬの上には、偏光板７８が配設されている。
【０１０７】
画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ基板７１と、このＴＦＴ基板７１上にマトリクス状に配設された複数の画素電極７２と、ＴＦＴ基板７１及び画素電極７２の間に形成された複数の共通電極ＣＯＭＬと、画素電極７２と共通電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層７４と、を含む。共通電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板７１の表面に対する垂直方向において、画素電極７２に対向している。これにより、タッチ検出デバイスは、対向基板３に設けられた、共通電極ＣＯＭＬ及びタッチ検出電極ＴＤＬにより構成されている。タッチ検出電極ＴＤＬは、共通電極ＣＯＭＬの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びるストライプ状の電極パターンから構成されている。そして、タッチ検出電極ＴＤＬは、ＴＦＴ基板２１の表面に対する垂直な方向において、共通電極ＣＯＭＬと対向している。タッチ検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、タッチ検出部（図示省略）の入力にそれぞれ接続されている。共通電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を生じさせている。
【０１０８】
この構成により、タッチ検出装置１は、近接する物体を検出するタッチ検出動作を行う際、画像表示パネル駆動回路４０が、制御装置として共通電極ＣＯＭＬをブロックごとに時分割的に線順次走査するように駆動する。これにより、スキャン方向に共通電極ＣＯＭＬの１検出ブロックは、順次選択される。そして、近接する物体として指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、指によって形成される静電容量Ｃ２として共通電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬの交差部分に作用する静電容量を変化させる。タッチ検出装置１は、変化した静電容量をタッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号として出力する。このようにタッチ検出装置１は、１検出ブロック毎のタッチ検出が行われるようになっている。
【０１０９】
図２５は、タッチ検出装置が画像表示パネルの上に装着される本実施の形態に係る表示装置の概念図である。上記説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。表示装置１０は、共通電極ＣＯＭＬとは別に、駆動電極ＣＯＭＬｔを備えている。このため、共通電極ＣＯＭＬは、表示装置１０の共通電極としてのみ機能し、駆動電極ＣＯＭＬｔは、タッチ検出装置１Ａの駆動電極として機能する。タッチ検出装置１Ａは、画像表示パネルの上に、静電容量型のタッチ検出装置１Ａを装着した装置である。
【０１１０】
［４．適用例］
本開示の適用例として、上述した表示装置１０を電子機器に適用した例を説明する。
【０１１１】
図２６乃至図３８は、本実施の形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。表示装置１０は、テレビジョン装置、ディジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置又はビデオカメラ等のあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、表示装置１０は、外部から入力された映像信号又は内部で生成した映像信号を、画像又は映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１１２】
（適用例１）
図２６に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるテレビジョン装置である。当該テレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１及びフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、当該映像表示画面部５１０に、表示装置１０が適用される。すなわち、当該テレビジョン装置の画面は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１１３】
（適用例２）
図２７及び図２８に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるディジタルカメラである。当該ディジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３及びシャッターボタン５２４を有しており、表示部５２２には、表示装置１０が適用されている。したがって、当該ディジタルカメラの表示部５２２は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１１４】
（適用例３）
図２９に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。当該ビデオカメラは、例えば、本体部５３１、当該本体部５３１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３３及び表示部５３４を有している。そして、表示部５３４には、表示装置１０が適用されている。したがって、このビデオカメラの表示部５３４は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１１５】
（適用例４）
図３０に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５４１、文字等の入力操作のためのキーボード５４２及び画像を表示する表示部５４３を有している。表示部５４３は、表示装置１０が適用されている。このため、当該ノート型パーソナルコンピュータの表示部５４３は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１１６】
（適用例５）
図３１乃至図３８に示す電子機器は、表示装置１０が適用される携帯電話機である。当該携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６及びカメラ５５７を有している。当該ディスプレイ５５４は、表示装置１０が取り付けられている。このため、当該携帯電話機のディスプレイ５５４は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１１７】
（適用例６）
図３８に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。当該情報携帯端末は、例えば筐体５６１の表面に表示部５６２を有している。当該表示部５６２は、表示装置１０が取り付けられている。当該表示部５６２は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１１８】
［５．本開示の構成］
本開示は、次のような構成を採用することができる。
【０１１９】
（１）第１副画素、第２副画素、第３副画素、及び第４副画素を含む画素の配列であって、第３副画素及び第４副画素を含む特定副画素列、並びに、当該特定副画素列の次列に配列された少なくとも一つの他の副画素列が周期的に配列されてなる前記画素、前記特定副画素列及び前記他の副画素列の各列に設けられた信号線、及び前記制御装置が前記画素の配列の各行を順次選択する走査線、を備えた画像表示パネルと、画像信号に基づいて前記画素の制御を行う制御装置と、を具備し、前記特定副画素列は、前記第３副画素及び前記第４副画素が当該特定副画素列に沿う方向に交互に並べられており、かつ行方向に沿う方向に隣り合う前記特定副画素列同士の前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置されてなり、前記制御装置は、前記特定副画素列に属する第１特定副画素列及び当該第１特定副画素列に隣接する前記他の副画素列の前記信号線に同一極性の電圧を印加し、前記行方向に沿う方向において前記第１特定副画素列に隣り合う２つの第２特定副画素列及び第３特定副画素列の一方の信号線に前記第１特定副画素列と同一極性の電圧を印加すると共に、他方の信号線に前記第１特定副画素列と前記信号線に異なる極性の電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動を行う、表示装置。
【０１２０】
（２）前記制御装置は、一方の極性の電圧を印加する前記特定副画素列を含む副画素列群と、他方の極性の電圧を印加する前記特定副画素列を含む副画素列群とを略均等にする、前記（１）に記載の表示装置。
【０１２１】
（３）前記他の副画素列は、前記特定副画素列の次列に配列された前記第１副画素を含む第１副画素列を含む、前記（１）又は前記（２）に記載の表示装置。
【０１２２】
（４）前記他の副画素列は、前記第１副画素列の次列に配列された前記第２副画素を含む第２副画素列を含む、前記（３）に記載の表示装置。
【０１２３】
（５）前記特定副画素列は、２列の前記他の副画素列と隣接しており、前記制御装置は、前記特定副画素列、及び、前記特定副画素列に隣接する一方の前記他の副画素列の前記信号線に同一極性の電圧を印加すると共に、前記特定副画素列に隣接する他方の前記他の副画素列の前記信号線に前記特定副画素列とは異なる極性の電圧を印加する、前記（１）に記載の表示装置。
【０１２４】
（６）前記制御装置は、前記特定副画素列に設けられた前記信号線に画像信号を供給してから、前記他の副画素列に設けられた前記信号線に画像信号を供給する、前記（１）から前記（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
【０１２５】
（７）第１副画素、第２副画素、第３副画素及び第４副画素を含む画素であって、前記第１副画素を含む第１副画素列と、前記第１列の次列に配列する前記第２副画素を含む第２副画素列と、前記第２列の次列に配列される第３副画素列と、を有し、前記第１副画素列乃至前記第３副画素列は周期的に配列され、前記第３副画素列は、前記第３副画素及び前記第４副画素が当該第３副画素列に沿う方向に交互に配置され、かつ、前記第３副画素列の同一行において行方向に沿う方向に隣り合う前記第３副画素列同士の第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置される、前記画素と、前記第１副画素列、前記第２副画素列及び前記第３副画素列の各列に設けられた信号線と、前記制御装置が前記副画素の各行を順次選択する走査線と、を備えた画像表示パネルと、画像信号に基づいて、前記画素の制御を行う制御装置と、を具備し、前記制御装置は、前記周期的に配列された第１副画素列乃至第３副画素列のうち、隣り合う２列の前記信号線に同一極性の電圧を印加し、前記隣り合う２列の次の２列には、異なる極性の電圧を印加し、前記印加する電圧の極性を所定の周期で反転する、表示装置。
【０１２６】
（８）外部から近接する外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が前記画像表示パネルの上に装着又は一体化される、前記（１）から前記（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
【０１２７】
以上、本開示について説明したが、上述した内容により本開示が限定されるものではない。また、上述した本開示の構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、上述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本開示の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換及び変更を行うことができる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０  表示装置
２０  信号処理部
３０  画像表示パネル
４０  画像表示パネル駆動回路
４１  信号出力回路
４２  走査回路
４８  画素
４８Ａ  画素
４８Ｂ  画素
４９  副画素
４９Ｒ  第１副画素
４９Ｇ  第２副画素
４９Ｂ  第３副画素
４９Ｗ  第４副画素
５０  面状光源装置
６０  面状光源装置制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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