(57)【要約】【課題】干渉計の計測光路の環境の変化による干渉計の計測誤差を低減するのに有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】対象物を搭載して移動するステージと、前記ステージ上に配置された第１ミラーと、所定の計測光路を通過し、前記第１ミラーから反射される光を検出して前記ステージの位置を計測する干渉計と、を備えるリソグラフィ装置であって、支持部材と、前記支持部材に対して、前記第１ミラーとは異なる第２ミラーを取り付け可能な取り付け機構と、を有し、前記取り付け機構は、前記計測光路における第１位置に前記第２ミラーを配置可能であることを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を搭載して移動するステージと、前記ステージ上に配置された第１ミラーと、所定の計測光路を通過し、前記第１ミラーから反射される光を検出して前記ステージの位置を計測する干渉計と、を備えるリソグラフィ装置であって、
支持部材と、
前記支持部材に対して、前記第１ミラーとは異なる第２ミラーを取り付け可能な取り付け機構と、を有し、
前記取り付け機構は、前記計測光路における第１位置に前記第２ミラーを配置可能であることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記取り付け機構は、前記第１位置に配置された第２ミラーを、前記計測光路外における第２位置に退避可能であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記干渉計を支持することを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記取り付け機構は、前記第１位置に前記第２ミラーを着脱可能であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記取り付け機構は、前記第１位置に設けられた磁石を含み、前記第２ミラーに設けられ部材を前記磁石によって引き寄せることが可能であることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記取り付け機構は、前記第１位置に前記第２ミラーを結合する結合部材を含むことを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記結合部材は、ボルトを締結するための溝部を含むことを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記取り付け機構は、前記第１位置と前記第２位置との間で前記第２ミラーを移動可能にすることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記取り付け機構は、
前記第２位置において前記第２ミラーを収納するための前記支持部材に設けられたスペースと、
前記第１位置に配置された前記第２ミラーを前記第２ミラーの反射面が前記支持部材に近づくように回転させて前記第２ミラーを前記スペースに収納し、且つ、前記スペースに収納された前記第２ミラーを前記第２ミラーの反射面が前記支持部材から遠ざかるように回転させて前記第２ミラーを前記第１位置に配置する回転機構と、を含むことを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記取り付け機構は、
前記第２位置において前記第２ミラーを収納するための前記支持部材に設けられたスペースと、
前記第１位置に配置された前記第２ミラーを下降させて前記第２ミラーを前記スペースに収納し、且つ、前記スペースに収納された前記第２ミラーを上昇させて前記第２ミラーを前記第１位置に配置する昇降機構と、を含むことを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記計測光路の環境の変化を求める処理部を有し、
前記干渉計は、前記第１位置に配置された前記第２ミラーで反射され、前記計測光路を戻ってくる光を検出して前記第２ミラーの位置を計測し、
前記処理部は、前記干渉計による前記第２ミラーの位置の計測結果に基づいて、前記計測光路の環境の変化を求めることを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
対象物を搭載して移動するステージと、前記ステージ上に配置された第１ミラーと、所定の計測光路を通過し、前記第１ミラーから反射される光を検出して前記ステージの位置を計測する干渉計と、を備えるリソグラフィ装置において前記計測光路の環境の変化を観察する観察方法であって、
前記計測光路における第１位置に前記第１ミラーとは異なる第２ミラーを配置する工程と、
前記第１位置に配置された前記第２ミラーで反射され、前記計測光路を戻ってくる光を検出して前記第２ミラーの位置を計測する工程と、
前記干渉計による前記第２ミラーの位置の計測結果に基づいて、前記計測光路の環境の変化を求める工程と、を備えることを特徴とする観察方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及び観察方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するためのリソグラフィ装置の１つである露光装置は、マスク（レチクル）を保持して移動するマスクステージと、基板を保持して移動する基板ステージとを有する。このようなマスクステージやウエハステージの位置の計測（測長）には、一般的に、レーザー干渉計が用いられているが、計測光路上の気体のゆらぎ（温度や気圧の変化）が計測誤差の要因となる。そこで、計測光路上の気体のゆらぎに起因するレーザー干渉計の計測誤差を補正するための技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１では、図５に示すように、ステージＳＧに配置されたバーミラーＢＭとレーザー干渉計ＬＩとの間の計測光路（レーザー光軸）の近傍に、参照レーザー干渉計ＲＬＩと参照ミラーＲＭとが配置されている。そして、参照レーザー干渉計ＲＬＩと参照ミラーＲＭとの間を参照レーザー干渉計ＲＬＩで計測した値（計測値）の変化に基づいて、レーザー干渉計ＬＩの計測誤差（即ち、ステージＳＧの位置計測値）を補正している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１００７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、装置内の環境が安定している間は、計測光路上の気体のゆらぎに起因するレーザー干渉計の計測誤差が小さいため、ステージの位置計測値を補正する必要はない。一方、装置内の環境が変化して計測光路上の気体にゆらぎが発生すると、ステージの位置計測値を補正しなければならない。但し、レーザー干渉計の計測光路と参照レーザー干渉計の計測光路とは同一の計測光路ではないため、その計測光路上の気体のゆらぎの状態も異なることになる。従って、参照レーザー干渉計の計測値の変化に基づいてレーザー干渉計の計測誤差を補正したとしても、かかる計測誤差を十分に低減することができず、ステージの位置を高精度に計測することができない。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、干渉計の計測光路の環境の変化による干渉計の計測誤差を低減するのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、対象物を搭載して移動するステージと、前記ステージ上に配置された第１ミラーと、所定の計測光路を通過し、前記第１ミラーから反射される光を検出して前記ステージの位置を計測する干渉計と、を備えるリソグラフィ装置であって、支持部材と、前記支持部材に対して、前記第１ミラーとは異なる第２ミラーを取り付け可能な取り付け機構と、を有し、前記取り付け機構は、前記計測光路における第１位置に前記第２ミラーを配置可能であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、干渉計の計測光路の環境の変化による干渉計の計測誤差を低減するのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるリソグラフィ装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態におけるリソグラフィ装置の構成を示す概略断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態におけるリソグラフィ装置の構成を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態におけるリソグラフィ装置の構成を示す概略断面図である。
【図５】ステージの位置を計測するレーザー干渉計の計測誤差の補正を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
本発明者は、干渉計の計測光路の環境の変化による干渉計の計測誤差を低減するのに有利なリソグラフィ装置を提供するにあたり、従来技術について鋭意検討した。その結果、ステージの位置を計測するレーザー干渉計とは別の参照レーザー干渉計を用いて、レーザー干渉計の計測誤差をリアルタイムに補正するよりも、装置内の環境が安定した状態に維持されていることを適宜確認する方がよいことを見出した。具体的には、レーザー干渉計によって真の計測誤差を把握し、装置内の環境を安定した状態に維持することが、装置性能に対して有効であり、コスト的にも低く抑えながら、干渉計の計測光路の環境の変化による干渉計の計測誤差を低減することにつながる。
【００１３】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態におけるリソグラフィ装置１の構成を示す概略図である。リソグラフィ装置１は、基板の上にパターンを形成（転写）する装置であって、本実施形態では、投影光学系を介して基板を露光してパターンを基板に形成する露光装置として具現化される。但し、リソグラフィ装置１は、露光装置に限定されるものではない。例えば、リソグラフィ装置１は、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線（電子線やイオンビームなど）で基板に描画を行ってパターンを基板に形成する描画装置であってもよい。また、リソグラフィ装置１は、基板の上のインプリント材（樹脂など）を型（モールド）により成形（成型）してパターンを基板に形成するインプリント装置であってもよい。
【００１４】
リソグラフィ装置１は、マスクを照明する照明光学系（不図示）と、対象物であるマスクを搭載して移動するマスクステージ１０２と、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系１０４と、対象物である基板を搭載して移動する基板ステージ１０６とを有する。また、リソグラフィ装置１は、投影光学系１０４を支持する定盤１０８と、マスク側ミラー１１０と、マスク側干渉計１１２と、基板側ミラー１１４と、基板側干渉計１１６とを有する。更に、リソグラフィ装置１は、マスク側取り付け機構１２６と、基板側取り付け機構１３６と、制御部１４０とを有する。
【００１５】
マスク側ミラー（第１ミラー）１１０は、マスク側干渉計１１２に対応して、マスクステージ上に配置される。マスク側干渉計１１２は、マスク側ミラー１１０に対する所定の計測光路を有し、かかる計測光路を通過し、マスク側ミラー１１０から反射される光（計測光）を検出してマスクステージ１０２の位置を計測する。
【００１６】
基板側ミラー（第１ミラー）１１４は、基板側干渉計１１６に対応して、基板ステージ上に配置される。基板側干渉計１１６は、基板側ミラー１１４に対する所定の計測光路を有し、かかる計測光路を通過し、基板側ミラー１１４から反射される光（計測光）を検出し基板ステージ１０６の位置を計測する。
【００１７】
リソグラフィ装置１には、マスク側干渉計１１２の計測対象物であるマスクステージ１０２に配置されているマスク側ミラー１１０とは別に、マスク側参照ミラー（第２ミラー）１１８が配置可能に構成されている。同様に、リソグラフィ装置１には、基板側干渉計１１６の計測対象物である基板ステージ１０６に配置されている基板側ミラー１１４とは別に、基板側参照ミラー（第２ミラー）１２０が配置可能に構成されている。マスク側参照ミラー１１８は、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化を求める際に用いられる。また、基板側参照ミラー１２０は、基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める際に用いられる。なお、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化及び基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化は、かかる計測光路に存在する気体のゆらぎ（温度や気圧の変化）を含む。
【００１８】
マスク側参照ミラー１１８は、マスクステージ１０２の移動を妨げないように、即ち、マスクステージ１０２と干渉しないように、マスク側干渉計１１２の計測光路から退避可能に配置される。例えば、マスク側ミラー１１０とは異なるマスク側参照ミラー１１８は、支持部材である定盤１０８に対して取り付け可能に構成されている。換言すれば、マスク側参照ミラー１１８は、マスク側干渉計１１２を支持する定盤１０８に支持される。このように、マスク側干渉計１１２及びマスク側参照ミラー１１８は、同一の支持部材に支持される。但し、マスク側干渉計１１２及びマスク側参照ミラー１１８を支持する支持部材は定盤１０８に限定されるものではない。
【００１９】
基板側参照ミラー１２０は、基板ステージ１０６の移動を妨げないように、即ち、基板ステージ１０６と干渉しないように、基板側干渉計１１６の計測光路から退避可能に配置される。例えば、基板側ミラー１１４とは異なる基板側参照ミラー１２０は、支持部材である定盤１０８に対して取り付け可能に構成されている。換言すれば、基板側参照ミラー１２０は、基板側干渉計１１６を支持する定盤１０８に支持される。このように、基板側干渉計１１６及び基板側参照ミラー１２０は、同一の支持部材に支持される。但し、基板側干渉計１１６及び基板側参照ミラー１２０を支持する支持部材は定盤１０８に限定されるものではない。
【００２０】
マスク側取り付け機構１２６は、マスク側参照ミラー１１８を、マスク側干渉計１１２の計測光路における第１位置、本実施形態では、定盤１０８の上の配置位置に取り付け可能（着脱可能）にする。具体的には、マスク側取り付け機構１２６は、定盤１０８に設けられた磁石１２２と、マスク側参照ミラー１１８に設けられ、磁石１２２によって引き寄せられる部材１２４とを含む。これにより、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化を求める際に、マスク側参照ミラー１１８を、マスク側参照ミラー１１８に設けられた部材１２４を介して、定盤１０８に設けられた磁石１２２に取り付けることが可能となる。
【００２１】
基板側取り付け機構１３６は、基板側参照ミラー１２０を、基板側干渉計１１６の計測光路における第１位置、本実施形態では、定盤１０８の上の配置位置に取り付け可能（着脱可能）にする。具体的には、基板側取り付け機構１３６は、定盤１０８に設けられた磁石１３２と、基板側参照ミラー１２０に設けられ、磁石１３２によって引き寄せられる部材１３４とを含む。これにより、基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める際に、基板側参照ミラー１２０を、基板側参照ミラー１２０に設けられた部材１３４を介して、定盤１０８に設けられた磁石１３２に取り付けることが可能となる。
【００２２】
制御部１４０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、リソグラフィ装置１の全体（各部）を制御する。また、制御部１４０は、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化や基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める処理部としても機能する。但し、制御部１４０の処理部としての機能は、リソグラフィ装置１が有していなくてもよい。例えば、リソグラフィ装置１のメンテナンス時に、マスク側干渉計１１２や基板側干渉計１１６の計測結果を外部の処理装置に送り、かかる外部の処理装置においてマスク側干渉計１１２や基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求めてもよい。
【００２３】
ここで、リソグラフィ装置１において、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化や基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める処理について説明する。但し、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化を求める処理と基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める処理とは同様であるため、以下では、基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める処理を例に説明する。
【００２４】
基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める際には、まず、基板側取り付け機構１３６を利用して、基板側参照ミラー１２０を基板側干渉計１１６の計測光路における第１位置、即ち、定盤１０８の上の配置位置に配置する。この際、基板ステージ１０６は、基板側参照ミラー１２０に干渉しない位置まで退避させる。次いで、基板側干渉計１１６によって、基板側干渉計１１６の計測光路に配置された基板側参照ミラー１２０で反射され、かかる計測光路を戻ってくる光を検出して基板側参照ミラー１２０の位置を計測する。そして、基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の位置の計測結果に基づいて、基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を制御部１４０で求める。具体的には、基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の位置の計測結果に変化が生じていない、或いは、その変化が許容範囲内であれば、制御部１４０は、基板側干渉計１１６の計測光路の環境が変化していないと判定する。この場合、基板側干渉計１１６の計測光路の環境は、安定した状態で維持されていることになる。一方、基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の位置の計測結果が許容範囲を超えていれば、制御部１４０は、基板側干渉計１１６の計測光路の環境が変化していると判定する。この場合、基板側干渉計１１６の計測光路の環境は、安定した状態で維持されていないことになる。
【００２５】
このように、制御部１４０は、基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の位置の計測結果に基づいて、基板側干渉計１１６の計測光路の環境が安定した状態で維持されているかどうかを確認する。そして、基板側干渉計１１６の計測光路の環境が安定した状態で維持されていなければ、基板側干渉計１１６の計測光路の環境が安定した状態となるように、リソグラフィ装置１の内部の排気やエアブローを制御する。なお、基板を露光する際には、基板側参照ミラー１２０（マスク側参照ミラー１１８）は、基板側干渉計１１６（マスク側干渉計１１２）の計測光路外（第２位置）に退避する。
【００２６】
露光処理において、光源（不図示）からの光は、照明光学系を介して、マスクステージ１０２に保持されたマスクを照明する。マスクを通過して回路パターンを反映する光は、投影光学系１０４を介して、基板ステージ１０６に保持された基板に結像される。この際、基板ステージ１０６の位置を計測する基板側干渉計１１６の計測光路の環境は、上述したように、基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の計測によって、安定した状態で維持されている。同様に、マスクステージ１０２の位置を計測するマスク側干渉計１１２の計測光路の環境は、上述したように、マスク側干渉計１１２によるマスク側参照ミラー１１８の計測によって、安定した状態で維持されている。従って、マスク側干渉計１１２及び基板側干渉計１１６のそれぞれは、マスクステージ１０２の位置及び基板ステージ１０６の位置を高精度に計測することができる（即ち、その計測誤差を低減することができる）。これにより、リソグラフィ装置１は、マスクステージ１０２や基板ステージ１０６の高精度な位置決めが可能となり、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００２７】
本実施形態では、マスク側参照ミラー１１８や基板側参照ミラー１２０は、定盤１０８の上の１箇所に取り付け可能に構成されているが、各ステージの移動ストローク内の複数の箇所に取り付け可能に構成してもよい。これにより、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化や基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化をより高精度に求める（更には、計測光路のどこで変化が生じているのかを求める）ことができる。
【００２８】
また、本実施形態では、基板側干渉計１１６は、基板ステージ１０６を支持する支持部材（基板定盤）とは異なる支持部材（定盤１０８）に支持されている。従って、基板側干渉計１１６は、基板ステージ１０６の振動などの影響を受けることなく、基板側ミラー１１４の位置や基板側参照ミラー１２０の位置を計測することができる。
【００２９】
また、本実施形態では、マスク側干渉計１１２とマスク側参照ミラー１１８、及び、基板側干渉計１１６と基板側参照ミラー１２０とが、同一の支持部材である定盤１０８に支持されている。従って、定盤１０８が振動していたとしても、その影響がマスク側干渉計１１２によるマスク側参照ミラー１１８の位置の計測結果や基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の位置の計測結果に現れることはない。但し、実際には、マスク側干渉計１１２によるマスク側参照ミラー１１８の位置の計測結果や基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の位置の計測結果に定盤１０８の振動の影響が現れてしまう場合がある。このような場合には、マスク側干渉計１１２によるマスク側参照ミラー１１８の位置の計測結果や基板側干渉計１１６による基板側参照ミラー１２０の位置の計測結果から、定盤１０８の振動の影響を除去すればよい。
【００３０】
＜第２の実施形態＞
図２は、本発明の第２の実施形態におけるリソグラフィ装置１Ａの構成を示す概略図である。リソグラフィ装置１Ａは、リソグラフィ装置１と同様な構成を有するが、マスク側取り付け機構１２６及び基板側取り付け機構１３６の構成が異なる。なお、図２では、マスクステージ１０２、基板ステージ１０６、マスク側ミラー１１０及び基板側ミラー１１４の図示を省略している。
【００３１】
マスク側取り付け機構１２６は、マスク側参照ミラー１１８を、マスク側干渉計１１２の計測光路における第１位置である定盤１０８の上の配置位置に取り付け可能にする機能を有する。マスク側取り付け機構１２６は、本実施形態では、マスク側参照ミラー１１８を定盤１０８に結合する結合部材１２８を含む。結合部材１２８は、例えば、ボルトと、かかるボルトを締結する溝部とで構成され、マスク側参照ミラー１１８とマスク側干渉計１１２との間の距離が一定の距離を維持するように、定盤１０８に対してマスク側参照ミラー１１８を一時的に強固に固定する。
【００３２】
基板側取り付け機構１３６は、基板側参照ミラー１２０を、基板側干渉計１１６の計測光路の第１位置である定盤１０８の上の配置位置に着脱可能にする機能を有する。基板側取り付け機構１３６は、本実施形態では、基板側参照ミラー１２０を定盤１０８に結合する結合部材１３８を含む。結合部材１３８は、例えば、ボルトと、かかるボルトを締結する溝部とで構成され、基板側参照ミラー１２０と基板側干渉計１１６との間の距離が一定の距離を維持するように、定盤１０８に対して基板側参照ミラー１２０を一時的に強固に固定する。
【００３３】
リソグラフィ装置１Ａにおけるマスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化や基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める処理や露光処理は、リソグラフィ装置１と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３４】
＜第３の実施形態＞
図３は、本発明の第３の実施形態におけるリソグラフィ装置１Ｂの構成を示す概略図である。リソグラフィ装置１Ｂは、リソグラフィ装置１と同様な構成を有するが、マスク側取り付け機構１２６及び基板側取り付け機構１３６の代わりに、マスク側取り付け機構１５０及び基板側取り付け機構１６０を有する。なお、図３では、マスクステージ１０２、基板ステージ１０６、マスク側ミラー１１０及び基板側ミラー１１４の図示を省略している。
【００３５】
マスク側取り付け機構１５０は、マスク側干渉計１１２の計測光路における第１位置と、マスク側干渉計１１２の計測光路外における第２位置との間で、マスク側参照ミラー１１８を移動可能にする。具体的には、マスク側取り付け機構１５０は、定盤１０８に設けられたスペース１５２と、回転機構１５４とを含む。スペース１５２は、マスク側干渉計１１２の計測光路外における第２位置において、マスク側参照ミラー１１８を定盤１０８に収納（格納）するためのスペースである。回転機構１５４は、マスク側干渉計１１２の計測光路における第１位置である定盤１０８の上の配置位置に配置されたマスク側参照ミラー１１８を、その反射面が定盤１０８に近づくように回転させて、マスク側参照ミラー１１８をスペース１５２に収納する。また、回転機構１５４は、スペース１５２に収納されたマスク側参照ミラー１１８を、その反射面が定盤１０８から遠ざかるように回転させて、マスク側参照ミラー１１８を定盤１０８の上の配置位置に配置する。これにより、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化を求める際に、マスク側参照ミラー１１８を、スペース１５２から取り出して、定盤１０８の上に配置することが可能となる。
【００３６】
基板側取り付け機構１６０は、基板側干渉計１１６の計測光路における第１位置と、基板側干渉計１１６の計測光路外における第２位置との間で、基板側参照ミラー１２０を移動可能にする。具体的には、基板側取り付け機構１６０は、定盤１０８に設けられたスペース１６２と、回転機構１６４とを含む。スペース１６２は、基板側干渉計１１６の計測光路外における第２位置において、基板側参照ミラー１２０を定盤１０８に収納（格納）するためのスペースである。回転機構１６４は、基板側干渉計１１６の計測光路の第１位置である定盤１０８の上の配置位置に配置された基板側参照ミラー１２０を、その反射面が定盤１０８に近づくように回転させて、基板側参照ミラー１２０をスペース１６２に収納する。また、回転機構１６４は、スペース１６２に収納された基板側参照ミラー１２０を、その反射面が定盤１０８から遠ざかるように回転させて、基板側参照ミラー１２０を定盤１０８の上の配置位置に配置する。これにより、基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める際に、基板側参照ミラー１２０を、スペース１６２から取り出して、定盤１０８の上に配置することが可能となる。
【００３７】
リソグラフィ装置１Ｂにおけるマスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化や基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める処理や露光処理は、リソグラフィ装置１と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３８】
＜第４の実施形態＞
図４は、本発明の第４の実施形態におけるリソグラフィ装置１Ｃの構成を示す概略図である。リソグラフィ装置１Ｃは、リソグラフィ装置１Ｂと同様な構成を有するが、マスク側取り付け機構１５０及び基板側取り付け機構１６０の構成が異なる。なお、図４では、マスクステージ１０２、基板ステージ１０６、マスク側ミラー１１０及び基板側ミラー１１４の図示を省略している。
【００３９】
マスク側取り付け機構１５０は、本実施形態では、定盤１０８に設けられたスペース１５２と、昇降機構１５６とを含む。昇降機構１５６は、マスク側干渉計１１２の計測光路における第１位置である定盤１０８の上の配置位置に配置されたマスク側参照ミラー１１８を下降させて、マスク側参照ミラー１１８をスペース１５２に収納する。また、昇降機構１５６は、スペース１５２に収納されたマスク側参照ミラー１１８を上昇させて、マスク側参照ミラー１１８を定盤１０８の上の配置位置に配置する。これにより、マスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化を求める際に、マスク側参照ミラー１１８を、スペース１５２から取り出して、定盤１０８の上に配置することが可能となる。
【００４０】
基板側取り付け機構１６０は、本実施形態では、定盤１０８に設けられたスペース１６２と、昇降機構１６６とを含む。昇降機構１６６は、基板側干渉計１１６の計測光路の第１位置である定盤１０８の上の配置位置に配置された基板側参照ミラー１２０を下降させて、基板側参照ミラー１２０をスペース１６２に収納する。また、昇降機構１６６は、スペース１６２に収納された基板側参照ミラー１２０を上昇させて、基板側参照ミラー１２０を定盤１０８の上の配置位置に配置する。これにより、基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める際に、基板側参照ミラー１２０を、スペース１６２から取り出して、定盤１０８の上に配置することが可能となる。
【００４１】
リソグラフィ装置１Ｃにおけるマスク側干渉計１１２の計測光路の環境の変化や基板側干渉計１１６の計測光路の環境の変化を求める処理や露光処理は、リソグラフィ装置１と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４２】
＜第５の実施形態＞
上述のリソグラフィ装置を用いて計測光路の環境の変化を観察する観察方法を説明する。以下の説明では基板側干渉計１１６について説明するが、マスク側干渉計１１２であってもよい。
【００４３】
基板側干渉計１１６の計測光路における第１位置に基板側参照ミラー１２０を配置する（Ｓ１０）。
【００４４】
基板側干渉計１１６により、基板側参照ミラー１２０で反射され、計測光路を戻ってくる光を検出して基板側参照ミラー１２０の位置を計測する（Ｓ１１）。
【００４５】
基板側干渉計１１６の計測結果に基づいて、計測光路の環境の変化を求める（Ｓ１２）。
【００４６】
更に、基板側干渉計１１６の計測結果を、例えば、周波数に応じた成分に分離してもよい。これにより、温度成分、振動成分、その他の成分に分離して観察することができる。
【００４７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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