(57)【要約】【課題】Ｂステージ状態の配線板プリプレグとの接着力に優れる樹脂組成物めっきプロセス用接着補助層を提供すること。【解決手段】本発明に係る樹脂組成物、及びめっきプロセス用接着補助層は、（Ａ）多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂、及び（Ｄ）リン系硬化促進剤を含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂、及び（Ｄ）リン系硬化促進剤を含有する樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ａ）多官能エポキシ樹脂がビフェニル構造を有する請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）多官能エポキシ樹脂がアラルキルノボラック型エポキシ樹脂である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｄ）リン系硬化促進剤が第三ホスフィンとキノン類との付加物である請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含有するめっきプロセス用接着補助層。
【請求項６】
前記めっきプロセス用接着補助層の厚みが１〜１０μｍである請求項５に記載のめっきプロセス用接着補助層。
【請求項７】
前記めっきプロセス用接着補助層の粗化処理後の表面粗さＲａが０．４μｍ以下である請求項５又は６に記載のめっきプロセス用接着補助層。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載のめっきプロセス用接着補助層が支持体に配置された支持体付きめっきプロセス用接着補助層。
【請求項９】
請求項５〜７のいずれか一項に記載のめっきプロセス用接着補助層と、配線板用プリプレグとを有し、該接着補助層と該配線板用プリプレグの表面とが接するように重ねられてなる配線板用積層板。
【請求項１０】
請求項８に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面とが接するように重ね、該支持体と鏡板を重ねてプレス成型し、成型後に該鏡板と該支持体とを除去する配線板用積層板の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面とが接するように重ね、ラミネーターで加熱及び加圧して積層し、積層後に硬化させ、硬化後に前記支持体を除去する配線板用積層板の製造方法。
【請求項１２】
請求項５〜７のいずれか一項に記載のめっきプロセス用接着補助層と、配線板用プリプレグと、回路加工が施された配線板とがこの順番に配置された層を含む多層配線板。
【請求項１３】
請求項８に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面が接するように重ね、前記配線板用プリプレグの裏面を回路加工が施された配線板の表面に接するように重ね、該支持体と鏡板を重ねてプレス成型し、成型後に該鏡板と該支持体を除去する多層配線板の製造方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面が接するように重ね、前記配線板用プリプレグの裏面を回路加工が施された配線板の表面に接するように重ね、ラミネーターで加熱及び加圧して積層し、積層後に硬化させ、硬化後に前記支持体を除去する多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、めっきプロセスに用いられるめっきプロセス用接着補助層、該めっきプロセス用接着補助層を有する支持体付きめっきプロセス用接着補助層、配線板用積層板及び配線板用積層板の製造方法、並びに、多層配線板及び多層配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴い、ＬＳＩやチップ部品等の高集積化が進み、その形態も多ピン化、小型化へと急速に変化している。このため、多層配線板は、電子部品の実装密度を向上するために、微細配線化の開発が進められている。これらの要求に合致する多層配線板の製造手法として、ガラスクロスを含まない絶縁樹脂（絶縁樹脂フィルム）をプリプレグの代わりに絶縁層として用い、ビアホールで接続しながら配線層を形成するビルドアップ方式の多層配線板が軽量化や小型化、微細化に適した手法として多く用いられるようになった。
【０００３】
このようなビルドアップ方式の多層配線板は、絶縁樹脂フィルムを内層回路板にラミネートし、加熱により硬化させた後、レーザー加工によりビアホールを形成する。そして、アルカリ過マンガン酸処理等によって粗化処理とスミア処理を行って無電解銅めっきを行い、第二の回路と層間接続可能とするビアホールを形成する（特許文献１〜３参照）。
【０００４】
一方、多層配線板にプリプレグの代わりにガラスクロスを含まない絶縁樹脂を絶縁層として用いた場合、実装時の反りが大きくなり、接続信頼性が低下する傾向がある。そこで、ガラスクロスを含むプリプレグが再度見直されてきているが、ガラスクロス入り基材においてもビルドアップ方式で用いられるレーザー加工によるビアホール形成や、セミアディティブ工法による高密度配線が必要となっている。
【０００５】
ガラスクロス入り基材に用いられる樹脂は、実装時の反りを抑制するため、低熱膨張率化が求められているが、そのような樹脂系は剛直骨格を有しているため伸びが小さく、めっき銅との接着力が小さい。そこで、無電解めっき層の代わりに極薄銅箔を給電層として用い、セミアディティブ工法により回路形成するＭ−ＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法が提案されてきた。しかしながら、この方法ではビルドアップ方式における無電解銅めっきと比較して給電層が厚すぎるため、Line／Spaceが１５μｍ／１５μｍ以下の微細な回路形成は困難であった（特許文献４参照）。
【０００６】
そのため、ガラスクロスを含むプリプレグにめっき銅との高接着性を有する接着補助層を設けることが提案されている。上記接着補助層とプリプレグとを積層する際には、接着補助層は、未反応のエポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤とが残った状態、いわゆる半硬化の状態（Ｂステージ状態）のプリプレグと積層される。こうすることで、接着補助層とプリプレグは、強固に接着できると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平７−３０４９３１号公報
【特許文献２】特開２００２−３７０５号公報
【特許文献３】特開平１１−１５４７号公報
【特許文献４】特開２００３−１０１１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述の接着補助層をプリプレグに積層する方法では、接着補助層のＢステージ状態における反応性が低い場合、積層時に接着補助層の成分がプリプレグ中に分散してしまい、接着補助層の特性が低下してしまう。
そこで、本発明は、Ｂステージ状態において良好な反応性を有し、表面粗さが小さく、且つ、めっき銅との接着性に優れる、樹脂組成物、めっきプロセスに用いられる接着補助層、支持体付きめっきプロセス用接着補助層、配線板用積層板及び配線板用積層板の製造方法、並びに、めっきプロセスにより形成される多層配線板及び多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために研究を進めた結果、多官能エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂、及びリン系硬化促進剤を含む樹脂組成物を用いて形成されるめっきプロセス用接着補助層がプリプレグとめっき銅に対して優れた接着性を示すことを見出し、本発明に想到した。すなわち、本発明は、下記のとおりである。
＜１＞（Ａ）多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂、及び（Ｄ）リン系硬化促進剤を含有する樹脂組成物。
＜２＞前記（Ａ）多官能エポキシ樹脂がビフェニル構造を有する上記＜１＞に記載の樹脂組成物。
＜３＞前記（Ａ）多官能エポキシ樹脂がアラルキルノボラック型エポキシ樹脂である上記＜１＞又は＜２＞に記載の樹脂組成物。
＜４＞前記（Ｄ）リン系硬化促進剤が第三ホスフィンとキノン類との付加物である上記＜１＞〜＜３＞のいずれに記載の樹脂組成物。
＜５＞上記＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の樹脂組成物を含有するめっきプロセス用接着補助層。
＜６＞前記めっきプロセス用接着補助層の厚みが１〜１０μｍである上記＜５＞に記載のめっきプロセス用接着補助層。
＜７＞前記めっきプロセス用接着補助層の粗化処理後の表面粗さＲａが０．４μｍ以下である上記＜５＞又は＜６＞に記載のめっきプロセス用接着補助層。
＜８＞上記＜５＞〜＜７＞のいずれかに記載のめっきプロセス用接着補助層が支持体に配置された支持体付きめっきプロセス用接着補助層。
＜９＞上記＜５＞〜＜７＞のいずれかに記載のめっきプロセス用接着補助層と、配線板用プリプレグとを有し、該接着補助層と該配線板用プリプレグの表面とが接するように重ねられてなる配線板用積層板。
＜１０＞上記＜８＞に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面とが接するように重ね、該支持体と鏡板を重ねてプレス成型し、成型後に該鏡板と該支持体とを除去する配線板用積層板の製造方法。
＜１１＞上記＜８＞に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面とが接するように重ね、ラミネーターで加熱及び加圧して積層し、積層後に硬化させ、硬化後に前記支持体を除去する配線板用積層板の製造方法。
＜１２＞上記＜５＞〜＜７＞のいずれかに記載のめっきプロセス用接着補助層と、配線板用プリプレグと、回路加工が施された配線板とがこの順番に配置された層を含む多層配線板。
＜１３＞上記＜８＞に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面が接するように重ね、前記配線板用プリプレグの裏面を回路加工が施された配線板の表面に接するように重ね、該支持体と鏡板を重ねてプレス成型し、成型後に該鏡板と該支持体を除去する多層配線板の製造方法。
＜１４＞上記＜８＞に記載の支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、該接着補助層と配線板用プリプレグの表面が接するように重ね、前記配線板用プリプレグの裏面を回路加工が施された配線板の表面に接するように重ね、ラミネーターで加熱及び加圧して積層し、積層後に硬化させ、硬化後に前記支持体を除去する多層配線板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、Ｂステージ状態において良好な反応性を有し、表面粗さが小さく、且つ、めっき銅との接着性に優れる、樹脂組成物、めっきプロセスに用いられる接着補助層、支持体付きめっきプロセス用接着補助層、配線板用積層板及び配線板用積層板の製造方法、並びに、めっきプロセスにより形成される多層配線板及び多層配線板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
［接着補助層用樹脂組成物］
本発明に係る樹脂組成物は、（Ａ）多官能エポキシ樹脂（以下、（Ａ）成分と呼ぶことがある）、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤（以下、（Ｂ）成分と呼ぶことがある）、（Ｃ）フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂（以下、（Ｃ）成分と呼ぶことがある）、及び（Ｄ）リン系硬化促進剤（以下、（Ｄ）成分と呼ぶことがある）を含有することを特徴とする（以降、接着補助層用樹脂組成物と呼ぶことがある）。
以下、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分について説明する。
【００１２】
＜（Ａ）成分＞
（Ａ）成分である多官能エポキシ樹脂とは、分子中に２つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂である。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アラルキルノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの多官能エポキシ樹脂は、単独で用いても、２種類以上を混合してもよい。
なかでも、めっき銅との接着力が向上する点より、ビフェニル構造を有する多官能エポキシ樹脂が好ましく、さらにアラルキルノボラック型エポキシ樹脂であることが好ましい。
アラルキルノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、下記式（Ｉ）で示されるビフェニル構造を有するアラルキルノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００１３】
【化１】
2015036392.tif 000002
（式中、ｐは、１〜５を示す）
【００１４】
なお、当該樹脂の市販品としては、日本化薬株式会社製のＮＣ−３０００（ｐが１．７の式（Ｉ）のエポキシ樹脂）、ＮＣ−３０００−Ｈ（ｐが２．８の式（Ｉ）のエポキシ樹脂）等が挙げられる。
（Ａ）多官能エポキシ樹脂の配合量としては、接着補助層用樹脂組成物中に固形分換算で、例えば、２０〜８０質量％であることが好ましく、４０〜７０質量％であることがより好ましい。（Ａ）成分の配合量が、２０質量％以上であれば、導体層と良好な接着強度が得られ、８０質量％以下であれば、十分なはんだ耐熱性を保持できる。
【００１５】
＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分であるエポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、各種フェノール樹脂類、酸無水物類、アミン類、ヒドラジド類等が使用できる。フェノール樹脂類としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等が使用できる。酸無水物類としては、例えば、無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、メチルハイミック酸等が使用できる。アミン類として、例えば、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、グアニル尿素等が使用できる。信頼性を向上させるためには、例えば、ノボラック型フェノール樹脂であることが好ましい。
（Ｂ）成分の配合量としては、エポキシ基に対して、例えば、０．５〜１．５当量であることが好ましい。（Ｂ）成分の配合量がエポキシ基に対して０．５〜１．５当量であると、めっき銅との接着力の低下を防ぎ、且つＴｇ（ガラス転移温度）や絶縁性の低下を防ぐことができる。
【００１６】
＜（Ｃ）成分＞
（Ｃ）成分であるフェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂は、下記式（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）で表される構造単位を有する。
【００１７】
【化２】
2015036392.tif 000003
式中、ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ平均重合度であって、ａ＝２〜１０、ｂ＝０〜３、ｃ＝３〜３０、ｘ＝１に対しｙ＋ｚ＝２〜３００（（ｙ＋ｚ）／ｘ）の整数を示し、さらにｙ＝１に対しｚ≧２０（ｚ／ｙ）である。Ｒ、Ｒ’、及びＲ’’は、それぞれ独立に、芳香族ジアミン又は脂肪族ジアミンに起因する２価の基であり、複数のＲ’’’は、それぞれ独立に、芳香族ジカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸、又は両末端にカルボキシル基を有するオリゴマーに起因する２価の基である。なお、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は、具体的には、後述するジアミン原料及びジカルボン酸原料に由来するものである。また、（Ｃ）成分の重量平均分子量は、例えば、６０，０００〜２５０，０００であることが好ましく、８０，０００〜２００，０００であることがより好ましい。
【００１８】
（Ｃ）成分であるフェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂は、例えば、ジアミンとフェノール性水酸基含有のジカルボン酸、フェノール性水酸基を含有しないジカルボン酸、両末端にカルボキシル基を有するポリブタジエンとをＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等の有機溶媒中で、触媒として亜リン酸エステルとピリジン誘導体の存在下でカルボキシル基とアミノ基とを重縮合させることにより合成される。
本発明において、（Ｃ）成分の製造に使用するジアミン（ジアミン原料）としては、芳香族ジアミンでも脂肪族ジアミンでもよい。
【００１９】
芳香族ジアミンとしては、例えば、ジアミノベンゼン、ジアミノトルエン、ジアミノフェノール、ジアミノジメチルベンゼン、ジアミノメシチレン、ジアミノニトロベンゼン、ジアミノジアゾベンゼン、ジアミノナフタレン、ジアミノビフェニル、ジアミノジメトキシビフェニル、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジメチルジフェニルエーテル、メチレンジアミン、メチレンビス（ジメチルアニリン）、メチレンビス（メトキシアニリン）、メチレンビス（ジメトキシアニリン）、メチレンビス（エチルアニリン）、メチレンビス（ジエチルアニリン）、メチレンビス（エトキシアニリン）、メチレンビス（ジエトキシアニリン）、イソプロピリデンジアニリン、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノジメチルベンゾフェノン、ジアミノアントラキノン、ジアミノジフェニルチオエーテル、ジアミノジメチルジフェニルチオエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルスルホキシド、ジアミノフルオレン等が挙げられる。
【００２０】
脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、プロパンジアミン、ヒドロキシプロパンジアミン、ブタンジアミン、ヘプタンジアミン、ヘキサンジアミン、ジアミノジエチルアミン、ジアミノプロピルアミン、シクロペンタンジアミン、シクロヘキサンジアミン、アザペンタンジアミン、トリアザウンデカジアミン等が挙げられる。
これら芳香族及び脂肪族ジアミンは、１種のみを用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
本発明において、（Ｃ）成分の製造に使用するフェノール性水酸基含有ジカルボン酸としては、例えば、ヒドロキシイソフタル酸が挙げられるが、これらに限定されず、ヒドロキシフタル酸、ヒドロキシテレフタル酸、ジヒドロキシイソフタル酸、ジヒドロキシテレフタル酸等であってもよい。
【００２１】
本発明において、（Ｃ）成分の製造に使用するフェノール性水酸基を含有しないジカルボン酸（ジカルボン酸原料）としては、芳香族ジカルボン酸でも脂肪族ジカルボン酸でも両末端にカルボキシル基を有するオリゴマーでもよい。
芳香族ジカルボン酸としては、例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ビフェニルジカルボン酸、メチレン二安息香酸、チオ二安息香酸、カルボニル二安息香酸、スルホニル安息香酸、ナフタレンジカルボン酸等が挙げられる。
脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、りんご酸、酒石酸、（メタ）アクリロイルオキシコハク酸、ジ（メタ）アクリロイルオキシコハク酸、（メタ）アクリロイルオキシりんご酸、（メタ）アクリルアミドコハク酸や、（メタ）アクリルアミドりんご酸等が挙げられる。
本発明において、（Ｃ）成分の製造に使用する両末端にカルボキシル基を有するポリブタジエンは、例えば、数平均分子量２００〜１００００であることが好ましく、数平均分子量５００〜５０００のオリゴマーであることがより好ましい。
（Ｃ）成分であるフェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂は、市販品を使用することができ、市販品としては、例えば、日本化薬株式会社製のＢＰＡＭ−１５５等が挙げられる。
【００２２】
接着補助層用樹脂組成物において、（Ｃ）成分の配合割合は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して、５〜３０質量部であることが好ましい。５質量部以上であれば、接着補助層用樹脂組成物の強靭性が高く、さらに緻密な粗化形状が得られ、めっき銅との接着力を高めることができる。また、（Ｃ）成分の配合割合が３０質量部以下であれば、耐熱性の低下がなく，粗化工程時の薬液に対する耐性の低下も防ぐことができる。また、めっき銅と十分な接着性を確保できる。
【００２３】
また、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂が、エポキシ樹脂と相溶性が良いフェノール性水酸基と、エポキシ樹脂と非相容なポリブタジエンを含有するため、その配合割合が（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して５〜３０質量部の場合、微細な海島構造を形成すると考えられる。この海島構造の形成により、粗化処理時に海層と島層との粗化量が異なることを利用して、粗化処理時に緻密な形状を形成することが可能となると推察される。この表面形状が、微細であって、ばらつきが少ないため、アンカー効果に起因した高い物理的接着力を発現し、導体層との接着力が著しく向上すると考えられる。
【００２４】
（Ｃ）成分の配合割合が５質量部以上の場合、海島構造のドメインサイズが大きくなりすぎることがなく、粗化処理後のＲａを小さくすることが可能である。また、樹脂の強靭性が低下せず、緻密な粗化形状が得られ、導体層との接着力が向上する。一方、（Ｃ）成分の配合割合が３０質量部以下の場合、海島構造のドメインサイズが小さくなりすぎることがなく、アンカー効果による接着力は低下せず、めっき銅との良好な接着力が得られる。また、耐熱性が低下を抑制し、粗化工程時の薬液への耐性も向上する。
【００２５】
なお、（Ｃ）成分を用いずにフェノール性水酸基含有ポリアミド樹脂やフェノール性水酸基含有アクリロニトリル−ブタジエン変性ポリアミド樹脂を用いた場合、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド樹脂と比較してエポキシ樹脂との相溶性が良好であるため、海島構造が形成されず、導体層との接着力を発揮することが困難となる。また、ニトリル基が導入されると吸湿率が高くなり、絶縁性も低下する。また、Ｂステージ状態のプリプレグ中の樹脂成分の接着補助層への移行が顕著になり、接着補助層中の海島構造のドメインサイズが制御できなくなることや接着補助層とめっき銅との接着力を悪化させる可能性がある。
【００２６】
＜（Ｄ）成分＞
本発明に係る接着補助層用樹脂組成物に用いられる（Ｄ）リン系硬化促進剤としては、リン原子を含有し、エポキシ樹脂の硬化反応を促進させる硬化促進剤であれば特に制限されるものではない。また、リン系硬化促進剤を単独で用いても、それ以外の硬化促進剤を１種又は２種以上を併用してもよい。リン系硬化促進剤として、例えば、トリフェニルホスフィン、ジフェニル（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（アルキルアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィン、トリアルキルホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、アルキルジアリールホスフィン等の有機ホスフィン類、これら有機ホスフィン類と有機ボロン類との錯体、及び第三ホスフィンとキノン類との付加物などが挙げられる。
【００２７】
本発明において用いられる（Ｄ）リン系硬化促進剤としては、例えば、めっきプロセス用接着補助層の硬化反応が十分に進むことによって、高い接着性を発揮できる第三ホスフィンとキノン類との付加物が好ましい。第三ホスフィンとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ジブチルフェニルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン等のアリール基を有する第三ホスフィンが好ましい。また、キノン類としては、例えば、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、ジフェノキノン、１，４−ナフトキノン、アントラキノン等が挙げられる。
これらの中でも、接着性に加えて、耐熱性、及び保存安定性の点から、例えば、トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物が好ましい。
【００２８】
第三ホスフィンとキノン類との付加物の製造方法としては、例えば、原料となる第三ホスフィンとキノン類がともに溶解する溶媒中で両者を撹拌混合し、付加反応させた後、単離する方法等が挙げられる。この場合の製造条件としては、室温から８０℃の範囲で、原料の溶解度が高く生成した付加物の溶解度が低いメチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン類などの溶媒中で、１時間〜１２時間撹拌し、付加反応させることが好ましい。
【００２９】
本発明におけるめっきプロセス用接着補助層は、（Ｄ）リン系硬化促進剤を用いることによって、硬化反応が十分に進む。
この理由は、必ずしも明らかではないが、従来のイミダゾールに代表される窒素系硬化促進剤では、窒素系硬化促進剤の窒素原子が銅箔の銅原子の影響を受け、硬化促進が抑制される。これに対して、リン系硬化促進剤は、この影響を受けにくいため、硬化反応が十分に生じるものと推察される。
また、リン系硬化促進剤を用いることにより、硬化反応が十分に進むため、めっきプロセス用接着補助層をプリプレグに積層した際、プリプレグ及びめっきプロセス用接着補助層中の各々の成分が他方へ分散しにくくなるため、プリプレグ及びめっきプロセス用接着補助層の特性を十分に発現することが可能であり、高い接着強度が得られると考えられる。
【００３０】
＜充填材＞
本発明に係るめっきプロセス用接着補助層は、充填材を含んでもよい。充填材としては、無機充填材、架橋性の有機充填材等が挙げられる。
無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム等が挙げられる。これらの中でも、特にシリカが好ましい。無機充填材は、１種のみを用いても２種以上を併用してもよい。
無機充填材は、球形である必要はないが、層間絶縁層上に微細配線を形成する観点から、比表面積が２０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。比表面積が２０ｍ2／ｇ以上であるような無機充填材を使用すると、めっきプロセスにおける粗化処理後の表面粗さが小さくなる。また、比表面積が２０ｍ2／ｇ以上の無機充填材を用いると、接着補助層用樹脂組成物と無機充填材との界面が増大する。このため、少ない配合量でも熱伝導率をガラスクロス基材に近づけることができ、良好なレーザー加工性を得ることができる。
比表面積は、粉体試料表面に、窒素を液体窒素温度で吸着させ、その吸着量から粉体試料の比表面積を求めるＢＥＴ法で求めることができる。
無機充填材は市販品を使用することができる。市販品としては、例えば、シリカフィラーとしては、ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２（日本アエロジル株式会社製、商品名、比表面積：１１０±２０ｍ2／ｇ）、ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ２０２（日本アエロジル株式会社製、商品名、比表面積：１００±２０ｍ2／ｇ）、ＰＬ−１（扶桑化学工業株式会社製、商品名、比表面積：１８１ｍ2／ｇ）、ＰＬ−７（扶桑化学工業株式会社製、商品名、比表面積：３６ｍ2／ｇ）等が挙げられる。また、アルミナフィラーとしては、例えば、ＮａｎｏＴｅｋ（シーアイ化成株式会社製、商品名、比表面積：５５ｍ2／ｇ）等が挙げられる。
【００３１】
また、無機充填材は、耐湿性を向上させるために、シランカップリング剤等の表面処理剤で表面処理されていてもよい。また、接着補助層用樹脂組成物中における無機充填材の分散性を向上させるために、疎水性化処理されていてもよい。
【００３２】
無機充填材の配合量としては、接着補助層用樹脂組成物中に固形分換算で、例えば、１〜１０質量％であることが好ましい。配合量が１質量％以上であると、ガラスクロス入り基材との熱伝導率差が小さくなり、良好なレーザー加工性が得られる。また、配合量が１０質量％以下であると、粗化処理後に良好な表面形状が形成でき、めっき特性が低下することなく、層間の絶縁信頼性が低下することがないため好ましい。
【００３３】
さらに、めっきプロセス用接着補助層の伸び性を向上させるために、例えば、架橋有機フィラー等を添加してもよい。架橋有機フィラーとしては、特に制限はされないが、例えば、アクリロニトリルブタジエンの共重合物として、アクリロニトリルとブタジエンとを共重合した架橋ＮＢＲ粒子や、アクリロニトリルとブタジエンとアクリル酸等のカルボン酸とを共重合したもの、ポリブタジエン、ＮＢＲ、シリコーンゴムをコアとし、アクリル酸誘導体をシェルとした、いわゆるコア―シェルゴム粒子などが使用可能である。
【００３４】
架橋有機フィラーは市販品を使用することができる。架橋有機フィラーの市販品としては、例えば、ブタジエンゴム−アクリル樹脂のコアシェル粒子であるパラロイドＥＸＬ２６５５（ローム・アンド・ハース・ジャパン株式会社製、商品名）や架橋シリコーンゴム−アクリル樹脂のコア−シェルゴム粒子であるＧＥＮＩＯＰＥＲＬ  Ｐ５２（旭化成ワッカーシリコーン株式会社製、商品名）等が挙げられる。
架橋有機フィラーの配合量は、例えば、接着補助層用樹脂組成物中に固形分換算で１０質量％以下であることが好ましい。配合量が１０質量％以下の場合、耐薬品性が低下せず、耐熱性等のめっき特性の低下も抑制することができる。
【００３５】
＜接着補助層用樹脂組成物の製造方法＞
本発明の接着補助層用樹脂組成物は、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分のほかに、必要に応じ、通常の樹脂組成物に使用されるチキソ性付与剤、界面活性剤、カップリング剤等の各種添加剤、無機充填材、架橋性の有機充填材などを適宜配合し、これらを混合した後、泡がなくなるまで静置して得られる。また、接着補助層用樹脂組成物に無機充填材等を分散させる方法として、ニーダー、ボールミル、ビーズミル、３本ロール、ナノマイザー等の既知の混練方法及び分散方法を用いることができる。
【００３６】
本発明における接着補助層用樹脂組成物は、溶剤と混合若しくは、希釈して、又は溶剤に分散させてワニスの形態とすることが作業性の点で好ましい。この溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、キシレン、トルエン、アセトン、エチレングリコールモノエチルエーテル、シクロヘキサノン、エチルエトキシプロピオネート、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を使用できる。これらの溶剤は、１種のみを用いても、２種以上を併用してもよい。この溶剤に対する接着補助層用樹脂組成物の割合は、塗膜形成の設備にあわせて適宜調整すればよい。
【００３７】
＜めっきプロセス用接着補助層＞
本発明に係るめっきプロセス用接着補助層は、前述の接着補助層用樹脂組成物を含むものである。
本発明のめっきプロセス用接着補助層は、例えば、回路層間に積層されるプリプレグや絶縁樹脂層等の上に設けられ、熱硬化した後に、粗化処理及び無電解めっき処理によりめっきプロセス用接着補助層の表面に導体層が形成される。その際、めっきプロセス用接着補助層は、プリプレグや絶縁樹脂層等の表面と導体層との間に存在する。その後、さらに電気めっき処理を施すことにより、めっきプロセス用接着補助層上に回路層を形成することができる。本発明において、「めっきプロセス用」とは、回路層間に積層されるプリプレグや絶縁樹脂層等の上に設けられる接着補助層の表面に、めっき層（導体層及び回路層）を設けるための用途を意味する。
【００３８】
本発明に係るめっきプロセス用接着補助層は、配線板用積層板や多層配線板の層の一部とされる前は、支持体上やプリプレグ上等で半硬化状態（いわゆるＢステージ状態）で存在することが好ましい。
本発明に係るめっきプロセス用接着補助層の厚みは、配線板用積層板及び多層配線板の形態における全体の厚みを低減する観点から、例えば、１〜１０μｍであることが好ましい。めっきプロセス用接着補助層の厚みが１μｍ以上１０μｍ以下であれば、プリプレグや絶縁樹脂層等との良好な接着力が得られる。また、めっきプロセス用接着補助層の表面に形成される導体層との良好な接着力も得られる。
【００３９】
また、本発明に係るめっきプロセス用接着補助層の粗化処理後の表面粗さＲａは、０．４μｍ以下であることが好ましい。粗化処理後の表面粗さＲａが０．４μｍ以下であれば、微細配線化に寄与できる。
粗化処理としては、例えば、次の方法等が挙げられる。まず、膨潤液として、ジエチレングリコールモノブチルエーテルとＮａＯＨとの水溶液を７０℃に加温し、積層板または多層配線板を５分間浸漬処理する。次に、粗化液として、ＫＭｎＯとＮａＯＨとの水溶液を８０℃に加温して１０分間浸漬処理する。引き続き、中和液、例えば塩化第一錫（ＳｎＣｌ2）の塩酸水溶液に室温で５分間浸漬処理して中和する。粗化処理は、通常、めっきプロセス用接着補助層が硬化した状態（いわゆるＣステージ状態）で行われる。
【００４０】
＜支持体付きめっきプロセス用接着補助層＞
本発明に係る支持体付きめっきプロセス用接着補助層は、上述しためっきプロセス用接着補助層が支持体に配置されたものである。
接着補助層用樹脂組成物を支持体に配置する場合は、溶剤を除く接着補助層用樹脂組成物の固形分が、例えば、ワニス中８〜４０質量％となるように溶剤の使用量を調整することが好ましい。
また、ここで使用する支持体は、例えば、粗化されていない無粗化銅箔、離型処理されているポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリイミドフィルム及びアルミ箔等が好ましい。
また、積層前のＢステージ状態のめっきプロセス用接着補助層は、Ｂステージ状態のプリプレグ等と反応させる必要があるため、硬化度を制御することが重要である。硬化度は示差走査熱量計から測定される反応率により測定することができる。具体的には、Ｂステージ状態のめっきプロセス用接着補助層の反応率が、５０〜９９％であることが好ましい。Ｂステージ状態のめっきプロセス用接着補助層の反応率が５０％以上であれば、積層時の加熱硬化中に、めっきプロセス用接着補助層がＢステージ状態のプリプレグと混ざることがなく、めっきプロセス用接着補助層のめっき特性が低下しない点で好ましい。一方、９９％以下であれば、めっきプロセス用接着補助層とプリプレグとの界面の接着力が低下せず、導体層との接着力が低下しない点で好ましい。
支持体付きめっきプロセス用接着補助層を製造する方法としては、例えば、コンマコータ、グラビアコータ、ダイコータ等を用いて支持体に接着補助層用樹脂組成物を塗布した後、乾燥する方法などが挙げられる。
【００４１】
＜配線板用積層板＞
本発明に係る配線板用積層板は、めっきプロセス用接着補助層と、配線板用プリプレグとを有し、該接着補助層と該配線板用プリプレグの表面とが接するように重ねられてなる。
本発明に係る配線板用積層板は、上記支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、前記めっきプロセス用接着補助層と配線板用プリプレグの表面とが接するように重ね、さらに該支持体付きめっきプロセス用接着補助層の支持体に鏡板を重ねてプレス成型し、成型後に該鏡板と該支持体とを除去することにより製造することができる。
また、配線板用積層体の別の製造方法として、上述した支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、前記めっきプロセス用接着補助層と配線板用プリプレグの表面とが接するように重ね、耐熱性ゴムシート等を用いたラミネーターで加熱及び加圧して積層し、積層後に硬化させ、硬化後に前記支持体を除去する方法が挙げられる。
本発明の配線板用積層板は，配線板用プリプレグの一方の表面だけでなく、他方の表面、すなわち、配線板用プリプレグの両面に上記方法によってめっきプロセス用接着補助層が形成されてもよい。
また、本発明で用いられる配線板用プリプレグは、配線板を製造する際に用いられるプリプレグであれば、特に制限されるものではなく、市販品を用いることもできる。配線板用プリプレグの市販品としては、例えば、日立化成株式会社製ＧＥＡ−６７Ｎ、ＧＥＡ−６７９Ｆ、ＧＥＡ−６７９ＧＴ、ＧＥＡ−７００Ｇ（Ｒ）、ＧＥＡ−７０５Ｇ等が挙げられる。
【００４２】
＜多層配線板＞
本発明に係る多層配線板は、上述しためっきプロセス用接着補助層と、配線板用プリプレグと、回路加工が施された配線板とがこの順番に配置された層を含む多層配線板である。
本発明に係る多層配線板は、上述した支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、前記めっきプロセス用接着補助層と配線板用プリプレグの表面が接するように重ね、前記配線板用プリプレグのめっきプロセス用接着補助層が接していない面（本発明では、「裏面」と称する）を回路加工が施された配線板（内層回路板ともいう）の表面に接するように重ね、さらに支持体付きめっきプロセス用接着補助層の該支持体に鏡板を重ねてプレス成型し、成型後に該鏡板と該支持体とを除去して得られるものである。その後、粗化処理、無電解めっき処理、及び電気めっき処理を順次施して、めっきプロセス用接着補助層上に回路層を形成することにより製造することができる。
多層配線板の別の製造方法としては、上述した支持体付きめっきプロセス用接着補助層を、前記めっきプロセス用接着補助層と配線板用プリプレグの表面が接するように重ね、前記配線板用プリプレグの裏面を、回路加工が施された配線板の表面に接するように重ね、耐熱性ゴムシート等を用いたラミネーターで加熱及び加圧して積層し、積層後に硬化させ、硬化後に前記支持体を除去する方法が挙げられる。その後、粗化処理、無電解めっき処理、及び電気めっき処理を順次施して、めっきプロセス用接着補助層上に回路層を形成することが可能である。
本発明の多層配線板は、両面に上記方法によってめっきプロセス用接着補助層が形成された配線板用プリプレグがあってもよい。
【００４３】
内層回路板は、例えば、第一の回路層（内層配線）が表面に形成された内層基板であり、内層基板として、通常の配線板において用いられている公知の積層板を用いることができる。内層基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板等が挙げられる。
【００４４】
また、回路を形成するための方法についても特に制限はなく、銅箔と前記内層基板を張り合わせた銅張り積層板を用い、銅箔の不要な部分をエッチング除去するサブトラクティブ法や、前記内層基板の必要な個所に無電解めっきによって回路を形成するアディティブ法等の公知の配線板の製造方法を用いることができる。
【００４５】
次に、必要に応じて回路層の表面を接着性に適した状態に表面処理する。この手法も、特に制限はなく、例えば、次亜塩素酸ナトリウムのアルカリ水溶液により回路層の表面に酸化銅の針状結晶を形成し、形成した酸化銅の針状結晶をジメチルアミンボラン水溶液に浸漬して還元する等の公知の製造方法を用いることができる。
【００４６】
本発明の配線板用積層板又は多層配線板のめっきプロセス用接着補助層上にめっき法で回路を形成する際には、粗化処理することが好ましい。粗化液としては、例えば、クロム／硫酸粗化液、アルカリ過マンガン酸粗化液、フッ化ナトリウム／クロム／硫酸粗化液、ホウフッ酸粗化液等の酸化性粗化液を用いることができる。
粗化処理としては、上述の粗化処理が挙げられる。
【００４７】
粗化処理後、パラジウムを付着させるめっき触媒付与処理を行う。めっき触媒処理は、塩化パラジウム系のめっき触媒液に浸漬して行われる。次に、無電解めっき液に浸漬して接着補助層の表面全面に厚さが０．１〜１．５μｍの無電解めっき層（導体層）を析出させる。必要により、更に電気めっきを行って必要な厚さとする。無電解めっきに使用する無電解めっき液は、公知の無電解めっき液を使用することができ、特に制限はない。また、電気めっきについても公知の方法によることができ特に制限はない。これらのめっきは銅めっきであることが好ましい。さらに不要な箇所をエッチング除去して回路を形成することができる。これらの工程を繰り返すことにより、層数の多い多層配線板を製造できる。
【実施例】
【００４８】
次に、実施例により本発明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
［接着補助層用樹脂組成物の調製］
（調製例１）
（Ｃ）成分であるフェノール性水酸基含有ポリブタジエン変性ポリアミド（ＢＰＡＭ−１５５、日本化薬株式会社製、商品名）２．７ｇに、Ｎ-メチル-２-ピロリドン（ＮＭＰ）を７０．０ｇ配合した後、（Ａ）成分であるビフェニルアラルキルノボラック型エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００Ｈ、日本化薬株式会社製、商品名）１０．０ｇ、（Ｂ）成分であるビスフェノールＡノボラック型フェノール樹脂（ＹＬＨ１２９、三菱化学株式会社製、商品名）３．９ｇ、更に（Ｄ）成分であるリン系硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン０．２０ｇを添加した後、ＮＭＰ及びメチルエチルケトンからなる混合溶剤で希釈し、無機充填材（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２、日本アエロジル株式会社製、商品名）０．９６ｇを加え、分散機（ナノマイザー、商品名、吉田機械興業株式会社製）を用いて接着補助層用樹脂組成物のワニス（固形分濃度約２０質量％）を得た。
（調製例２）
調製例１の（Ｄ）成分の代わりに、トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物を配合した以外は、調製例１と同様とした。
（調製例３）
調製例１の（Ｄ）成分の代わりに、硬化促進剤としてトリス（４−メチルフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物を配合した以外は、調製例１と同様とした。
（調製例４）
調製例１の（Ｄ）成分の代わりに、硬化促進剤としてトリ-ｎ-ブチルホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加反応物を配合した以外は、調製例１と同様とした。
【００４９】
（比較調製例１）
調製例１の（Ｄ）成分の代わりに、硬化促進剤として２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ、四国化成工業株式会社製、商品名）を配合した以外は、調製例１と同様とした。
（比較調製例２）
調製例１の（Ｄ）成分の代わりに、硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業株式会社製、商品名）を配合した以外は、調製例１と同様とした。
【００５０】
（実施例１）
上記調整例の接着補助層用樹脂組成物のワニスを表面が未処理である銅箔（ＮＣ−ＷＣ−１０、古河電気工業株式会社製、商品名）の光沢面に、乾燥後３μｍになるように塗布し、１９０℃で３分間乾燥させ、銅箔付きめっきプロセス用接着補助層を得た。
次いで、配線板用積層板は次のようにして製造した。配線板用プリプレグ（ＧＥＡ−６７９ＦＧ（Ｒ）、日立化成株式会社製、商品名）の０．１０ｍｍ厚４枚を重ね、その両面に銅箔付きめっきプロセス用接着補助層を銅箔が外側になるように重ね、さらに鏡板と、クッション紙を重ねて、プレス機を用いて、４．０ＭＰａ、１８５℃で１時間加熱することによって、接着補助層用樹脂組成物及び配線板用プリプレグを硬化させた。冷却後、銅箔をエッチングして、配線板用積層板を得た。
また、多層配線板は次のようにして製造した。作製した配線板用積層板を化学粗化するために、膨潤液として、ジエチレングリコールモノブチルエーテル：２００ｍｌ／Ｌ、ＮａＯＨ：５ｇ／Ｌの水溶液を作製し、８０℃に加温して１０分間浸漬処理した。次に、粗化液として、ＫＭｎＯ4：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液を作製し、８０℃に加温して１５分間浸漬処理した。引き続き、中和液（ＳｎＣｌ2：３０ｇ／Ｌ、ＨＣｌ：３００ｍｌ／Ｌ）の水溶液を作製し、４０℃に加温して５分間浸漬処理し、ＫＭｎＯ4を還元した。
得られた多層配線板に回路層を形成するために、まず、ＰｄＣｌ2を含む無電解めっき用触媒であるアクチベーターネオガント８３４（アトテックジャパン株式会社製、商品名）を３５℃に加温して５分間浸漬処理し、無電解銅めっき用であるめっき液プリントガントＭＳＫ−ＤＫ（アトテックジャパン株式会社製、商品名）に室温で１５分間浸漬し、さらに硫酸銅電解めっきを行った。その後、アニールを１８０℃で６０分間行い、厚さ２０μｍの回路層を形成した。
【００５１】
（実施例２）
実施例１の調製例１のワニスの代わりに調製例２を用いた以外は実施例１と同様とした。
（実施例３）
実施例１の調製例１のワニスの代わりに調製例３を用いた以外は実施例１と同様とした。
（実施例４）
実施例１の調製例１のワニスの代わりに調製例４を用いた以外は実施例１と同様とした。
【００５２】
（比較例１）
実施例１において、比較調製例１のワニスを用いた以外は実施例１と同様とした。
（比較例２）
実施例１において、比較調製例２のワニスを用いた以外は実施例１と同様とした。
【００５３】
［評価方法及び結果］
上述の方法により作製した多層配線板について、銅箔付きめっきプロセス用接着補助層のめっきプロセス用接着補助層のＢステージ反応性、回路層とめっきプロセス用接着補助層との接着強度、めっきプロセス用接着補助層の表面粗さを測定した。その結果を第１表及び第２表に示す。なお、測定方法は次のとおりである。
＜めっきプロセス用接着補助層のＢステージ反応性＞
めっきプロセス用接着補助層のＢステージ反応性は、得られた銅箔付きめっきプロセス用接着補助層の銅箔から、めっきプロセス用接着補助層を１０ｍｇ削り取り、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、商品名：Ｑ２００）を用い、窒素下で昇温速度１０℃／分、４０〜３００℃の測定条件で、発熱量ΔＨ（Ｊ/ｇ）を測定した。発熱量ΔＨは、前記測定条件で得られるＤＳＣ曲線の低温側のベースラインから発熱ピークが離れる点と、発熱ピークが高温側のベースラインへ戻る点とを直線で結び、囲まれる部分の面積から求められる。また、乾燥条件を１４０℃５分間に変更して作製した、めっきプロセス用接着補助層についても同様の方法で発熱量ΔＨ0（Ｊ/ｇ）を算出した。発熱量ΔＨ0及びΔＨを用いて、下記式から調製しためっきプロセス用接着補助層のＢステージの反応性（反応率α）を算出した。
α＝｛（ΔＨ0−ΔＨ）／ΔＨ0｝×１００
評価基準としては、反応率αが８５％以上を○（良好）とし、８５％未満を×（不良）とした。
＜回路層（めっき銅）とめっきプロセス用接着補助層との接着強度＞
各実施例及び比較例で得た多層配線板の回路層にエッチング処理によって、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分を形成し、この一端を回路層／めっきプロセス用接着補助層界面で剥がして、つかみ具でつかみ、垂直方向に引張り速度約５０ｍｍ／分、室温の条件で引き剥がした時の荷重を測定した。なお、測定装置は、株式会社島津製作所製オートグラフＡＧ−１００Ｃを用いた。
＜めっきプロセス用接着補助層の表面粗さ＞
各実施例及び比較例で得た多層配線板の回路層をエッチング処理で除去し、得られためっきプロセス用接着補助層の表面粗さＲａをＶｅｅｃｏ社製、ＷＹＫＯ ＮＴ９１００を用いて測定した。
【００５４】
【表１】
2015036392.tif 000004
【００５５】
【表２】
2015036392.tif 000005
【００５６】
第１表及び第２表から、本発明に係るめっきプロセス用接着補助層を含まない比較例１及び２の多層配線板は、実施例１と同程度の接着強度を有するが、Ｂ−ステージ反応性が悪く、表面粗さＲａが大きい。すなわち、本発明に係る多層配線板は、比較例１、２に示す多層配線板に比べて、良好なＢ−ステージ反応性を有するため、プリプレグ及びプロセス用接着補助層の各々の成分が他方に分散されることがなく、表面粗さＲａが０．４μｍ以下の平滑な樹脂表面が形成され、且つめっき銅との高接着力を示すことが判った。