(57)【要約】【課題】対向電極変位を抑えて優れた表示品質を有する液晶装置、当該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】第１基板としての素子基板１０と、素子基板１０に対向して配置された第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層４０と、素子基板１０と液晶層４０との間に配置された第１の仕事関数を有する第１電極としての画素電極２７と、対向基板２０と液晶層４０との間に配置され、第１の仕事関数よりも大きい第２の仕事関数を有する第２電極としての対向電極３２と、画素電極２７と液晶層４０との間に配置された第１配向膜２８と、対向電極３２と液晶層との間に配置された第２配向膜３３と、を備え、第１配向膜２８の膜密度は、第２配向膜３３の膜密度よりも大きいことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１の仕事関数を有する第１電極と、
前記第２基板と前記液晶層との間に配置され、前記第１の仕事関数よりも大きい第２の仕事関数を有する第２電極と、
前記第１電極と前記液晶層との間に配置された第１配向膜と、
前記第２電極と前記液晶層との間に配置された第２配向膜と、
を備え、
前記第１配向膜の膜密度は前記第２配向膜の膜密度よりも大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１電極はアルミニウムを含む反射膜からなり、前記第２電極はインジウムの酸化物を含む透明電極膜からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１電極と前記第２電極とがインジウムの酸化物を含む透明電極膜からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１配向膜と前記第２配向膜とは、無機材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１配向膜と前記第２配向膜との少なくとも一方の配向膜は、２層以上の配向膜からなり、前記２層以上の配向膜のうち前記液晶層に面する側の配向膜の膜密度が、前記第１配向膜と前記第２配向膜とのうち、他方の配向膜の膜密度に対して異なることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
第１基板と、
前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
を備えた液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板に第１の仕事関数を有する第１電極を形成する工程と、
前記第２基板に前記第１の仕事関数よりも大きい第２の仕事関数を有する第２電極を形成する工程と、
前記第１電極を覆う第１配向膜を形成する工程と、
前記第２電極を覆い前記第１配向膜よりも膜密度の小さい第２配向膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１配向膜を形成する工程及び前記第２配向膜を形成する工程は、無機材料を斜方蒸着により成膜して、前記第１配向膜及び前記第２配向膜を形成し、
前記斜方蒸着の成膜条件を異ならせることにより、前記第１配向膜の膜密度と前記第２配向膜の膜密度とを異ならせることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記斜方蒸着の成膜条件のうち基板に対する蒸着角度を異ならせることにより、前記第１配向膜の膜密度と前記第２配向膜の膜密度とを異ならせることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項６乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法を用いて形成された液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び該液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置の一例として、画素電極をスイッチング制御するために、画素ごとにトランジスターを備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られており、直視型のディスプレイやプロジェクターのライトバルブ（光変調素子）などに用いられている。
液晶装置は、画素電極が形成された素子基板と、対向電極が形成された対向基板との間に、液晶層が挟持された構造を有している。例えば反射型の液晶装置においては、画素電極としてＡｌ（アルミニウム）などの反射電極材料が用いられている。他方、対向電極としてＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極材料が用いられている。反射電極と透明電極とに印加される電圧によって、両電極間に挟持されている液晶層の液晶分子の配向状態を変位させて反射表示を実現している。
このような構造の液晶装置は、画素電極と対向電極とで電極材料に起因する仕事関数が異なっている場合がある。そして仕事関数の違いは、各電極材料からの電子（電荷）の注入量に差を生じさせている。言い換えれば、画素電極と液晶層との間の電子の注入量と、対向電極と液晶層との間の電子の注入量とにおいて差が生じるので、画素電極側と対向電極側とで電子の偏在が生じやすい。つまり、電子の偏在に起因して画素電極と対向電極との間に直流成分が残存し、プラス方向又はマイナス方向のいずれかに対向電極電位（ＶＣＯＭ）がシフトする。その結果、最適なＶＣＯＭが得られず、表示される画像にちらつきや、表示濃度の不均一性、焼きつきなどが生じるという表示品質の低下の問題があった。
【０００３】
このような表示品質の課題を解決するために特許文献１では、画素電極の上部と対向電極の上部とに形成される配向膜に工夫を施していた。詳しくは、それぞれの配向膜の膜密度をほぼ同じとし、仕事関数の小さい側の電極（画素電極側）の配向膜を、仕事関数の大きい側の電極（対向電極側）の配向膜よりも厚くしている。この構成によれば、画素電極側に形成される配向膜の厚さを厚くしているので、画素電極側からの電子の注入量を抑えることが可能となる。よって、画素電極の仕事関数と対向電極の仕事関数との非対称性を緩和し、ＶＣＯＭずれを抑制できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１５０３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１によると、以下の点に改善の余地があった。
（１）画素電極の仕事関数と対向電極の仕事関数との非対称性を緩和するように、画素電極側の配向膜を厚くしているため、双方の配向膜の厚みを同じくしている場合に比べて、液晶装置の駆動電圧が高くなってしまう。
（２）無機材料を用いた例えば蒸着法により配向膜を形成する場合、配向膜の膜厚を厚くするためには、厚みに応じた成膜時間を必要とする。そのため、液晶装置の製造スループットを悪くしてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１の仕事関数を有する第１電極と、前記第２基板と前記液晶層との間に配置され、前記第１の仕事関数よりも大きい第２の仕事関数を有する第２電極と、前記第１電極と前記液晶層との間に配置された第１配向膜と、前記第２電極と前記液晶層との間に配置された第２配向膜と、を備え、前記第１配向膜の膜密度は前記第２配向膜の膜密度よりも大きいことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第２の仕事関数よりも小さい第１の仕事関数を有する第１電極は、第２電極に比べて電子の注入量が高くなっている。一方、第１電極に形成される第１配向膜の膜密度は、第２電極に形成される第２配向膜の膜密度よりも大きいとしているため、第２電極に比べて第１電極の電子の注入量を抑えることができる。すなわち、第１配向膜と第２配向膜との膜密度を変えることにより、配向膜の厚みを変えなくとも、第１電極と第２電極との仕事関数に起因する電子の非対称性を緩和することが可能となる。つまり、液晶装置の駆動電圧を高くしなくとも、量産性に優れた液晶装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］本適用例に係る液晶装置によれば、前記第１電極はアルミニウムを含む反射膜からなり、前記第２電極はインジウムの酸化物を含む透明電極膜からなることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、駆動電圧を高くしなくとも、量産性に優れた反射型の液晶装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例３］本適用例に係る液晶装置によれば、前記第１電極と前記第２電極とがインジウムの酸化物を含む透明電極膜からなることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、駆動電圧を高くしなくとも、量産性に優れた透過型の液晶装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例４］本適用例に係る液晶装置によれば、前記第１配向膜と前記第２配向膜とは、無機材料であることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、有機材料で構成された配向膜に比べて、耐光性が良好である。さらに、駆動電圧を高くしなくとも、量産性に優れた液晶装置を提供することができる。
【００１５】
［適用例５］本適用例に係る液晶装置によれば、前記第１配向膜と前記第２配向膜との少なくとも一方の配向膜は、２層以上の配向膜からなり、前記２層以上の配向膜のうち前記液晶層に面する側の配向膜の膜密度が、前記第１配向膜と前記第２配向膜とのうち他方の配向膜の膜密度に対して異なることが好ましい。
【００１６】
第１配向膜の膜密度を第２配向膜の膜密度よりも大きくするということは、第１配向膜を基準とすれば、第２配向膜の膜密度を低くするということになる。膜密度の小さい第２配向膜を形成するということは、比較的成膜むらを生じさせやすくなるということでもある。
この構成によれば、例えば、第２配向膜において１層目の配向膜を垂直蒸着膜、２層目の配向膜を斜方蒸着膜とした場合に、垂直蒸着膜は斜方蒸着膜に比べて膜密度が高くなる。そのため、１層目の配向膜の存在により、成膜むらを生じさせずに膜密度を調整することができる。
また、第２配向膜を基準として第１配向膜の膜密度を大きくする場合、２層以上の膜構造とすることで、容易に膜密度を大きくすることができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶装置の製造方法であって、前記第１基板に第１の仕事関数を有する第１電極を形成する工程と、前記第２基板に前記第１の仕事関数よりも大きい第２の仕事関数を有する第２電極を形成する工程と、前記第１電極を覆う第１配向膜を形成する工程と、前記第２電極を覆い前記第１配向膜よりも膜密度の小さい第２配向膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、第２の仕事関数よりも小さい第１の仕事関数を有する第１電極は、第２電極に比べて電子の注入量が高くなっている。一方、第１電極に形成される第１配向膜の膜密度は、第２電極に形成される第２配向膜の膜密度よりも大きく形成されるため、第２電極に比べて第１電極の電子の注入量を抑えることができる。すなわち、第１配向膜と第２配向膜との膜密度を変えて形成することにより、配向膜の厚みを変えなくとも、第１電極と第２電極との仕事関数に起因する非対称性を緩和可能な液晶装置を製造することができる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る液晶装置の製造方法によれば、前記第１配向膜を形成する工程及び前記第２配向膜を形成する工程は、無機材料を斜方蒸着により成膜して、前記第１配向膜及び前記第２配向膜を形成し、前記斜方蒸着の成膜条件を異ならせることにより、前記第１配向膜の膜密度と前記第２配向膜の膜密度とを異ならせることが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、斜方蒸着を行う上で、蒸着速度や蒸着温度、基板面に対する蒸着角度など、変更可能ないくつかの成膜条件を選択することにより、配向膜の膜密度を異ならせることができる。よって、工程設計の自由度を高めることができる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る液晶装置の製造方法によれば、前記斜方蒸着の成膜条件のうち基板に対する蒸着角度を異ならせることにより、前記第１配向膜の膜密度と前記第２配向膜の膜密度とを異ならせることが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、第１配向膜と第２配向膜とを形成する工程において、成膜時の蒸着角度を変えることによって、第１配向膜と第２配向膜との膜密度を変えることができる。すなわち、他の配向膜の成膜条件に比べて、蒸着角度は容易にかつ精度よく調整が可能であることから、第１電極と第２電極との仕事関数に起因する非対称性を緩和可能な液晶装置を効率よく製造することができる。
【００２３】
［適用例９］本適用例に係る電子機器によれば、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２４】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器によれば、上記適用例に記載の液晶装置の製造方法を用いて形成された液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２５】
これらの適用例によれば、液晶装置の駆動電圧を高くしなくとも、量産性に優れた液晶装置を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＡ−Ａ線概略断面図。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置のうち、主に画素Ｐの構造を示す概略断面図。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置のうち、主に画素電極、対向電極、第１配向膜、第２配向膜の構成を示す概略断面図。
【図６】第１実施形態に係る配向膜の蒸着条件と配向膜の膜密度との関係を示すグラフ。
【図７】第１実施形態に係る液晶装置を構成する素子基板、対向基板に対して第１配向膜、第２配向膜を形成するための蒸着装置の概略図。
【図８】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を工程順に示すフローチャート。
【図９】第１実施形態に係る液晶装置の主に第１配向膜と第２配向膜の形成方法を示す概略断面図。
【図１０】第２実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１１】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明を具体化した実施形態について図面を用いて説明する。なお、使用する図面は、説明する部分を明確に認識し読み手の理解を促進できるよう、適宜拡大または縮小して表示している。
また、以下の実施形態の説明において、例えば「基板上に」や「基板の上に」との記載がある場合、基板の上に接するように配置されている場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含むものとする。
【００２８】
本実施形態では、液晶装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型の表示装置（液晶プロジェクター）のライトバルブ（光変調素子）として好適に用いることができるものである。
【００２９】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−Ａ線に沿う概略断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下に、液晶装置の構成について、図１〜図３を参照しながら説明する。
なお、図１においては、発明の理解を容易にするため、製図法上、実線で表すところを破線で、若しくは、破線で表すところを実線で表記している場合がある。
【００３０】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向して配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層４０とを有する。第１基板としての素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板などの基板が用いられている。第２基板としての対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。本実施形態では、請求項に係る第１基板は第１基材１０ａを、第２基板は第２基材２０ａを示している。
【００３１】
素子基板１０は対向基板２０よりも、平面視で大きく形成されている。素子基板１０と対向基板２０とは対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して、互いに接合されている。その隙間に、負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層４０を構成している。
【００３２】
シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を一定に保持するための図示しないスペーサー（ガラスビーズなど）が混入されている。
【００３３】
シール材１４の内側には、表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅには表示に寄与する複数の画素Ｐが配列している。なお、表示領域Ｅには、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含んでいてもよい。
【００３４】
素子基板１０の１辺に沿ったシール材１４と素子基板１０の該１辺との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺に対向する他の１辺に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。
【００３５】
さらに、該１辺と直交し、互いに略平行して対向する他の２辺に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺と対向する他の１辺に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３６】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている（図１においてドットハッチングにて領域を表示）。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。
【００３７】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４につながる配線は、該１辺に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺に沿った方向をＸ方向とし、該１辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３８】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層４０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた反射性の画素電極２７およびスイッチング素子の一例である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ素子３０」と称する）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。また、ＴＦＴ素子３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７と、ＴＦＴ素子３０と、信号配線と、第１配向膜２８とを含むものである。
【００３９】
対向基板２０の液晶層４０側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３１と、絶縁層３１を覆うように設けられた対向電極３２と、対向電極３２を覆う第２配向膜３３とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８と、対向電極３２と、第２配向膜３３とを含むものである。
【００４０】
遮光膜１８は、図１で示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４１】
絶縁層３１は、例えば、ＳｉＯ2（酸化シリコン）などの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３１の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４２】
対向電極３２は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明導電膜からなり、絶縁層３１を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４３】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３２を覆う第２配向膜３３は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８と第２配向膜３３としては、斜方蒸着法を用いてＳｉＯ2（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機の配向膜があげられる。
【００４４】
このような液晶装置１００は、反射型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの反射率が電圧印加時の反射率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの反射率が電圧印加時の反射率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。液晶装置１００は、光の入射側（射出側でもある）に光学設計に応じて偏光素子を配置して用いられる。
【００４５】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向をＸ方向とし、データ線６ａが延在する方向をＹ方向とする。
【００４６】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区画された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ素子３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４７】
走査線３ａはＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ素子３０のデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ素子３０の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４８】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２に電気的に接続されている。データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎについて、データ線６ａを介して画素Ｐに供給する。
走査線３ａは、走査線駆動回路２４に接続されている。走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍについて、走査線３ａを介して各画素Ｐに供給する。
【００４９】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜 Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜 ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００５０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０が走査信号ＳＣ１〜 ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層４０を介して対向して配置された対向電極３２との間で一定期間保持される。
【００５１】
保持された画像信号Ｄ１〜 Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３２との間に形成される液晶容量と並列に、容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ素子３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５２】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置１００のうち主に画素Ｐの構造を示す概略断面図である。以下、液晶装置１００のうち画素Ｐの構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５３】
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向して配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５４】
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）などの材料を用いた走査線３ａが形成されている。第１基材１０ａ及び走査線３ａの上には、ＳｉＯ2（酸化シリコン）などからなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５５】
下地絶縁層１１ａの上には、ＴＦＴ素子３０などが形成されている。ＴＦＴ素子３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）などからなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇの上に形成されたポリシリコン膜などからなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、図示しないコンタクトホールによってゲート電極３０ｇと接続されている。
【００５６】
半導体層３０ａは、例えば、Ｐ（リン）イオンなどのＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ素子３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｅと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｆと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５７】
チャネル領域３０ｃには、Ｂ（ボロン）イオンなどのＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｅ，３０ｓ，３０ｆ，３０ｄ）には、Ｐ（リン）イオンなどのＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ素子３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５８】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇの上には、ＳｉＯ2（酸化シリコン）などからなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂの上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ素子３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側の容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側の容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５９】
誘電体膜１６ｃは、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものなどからなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００６０】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側の容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側の容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ素子３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（他方のソースドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００６１】
容量素子１６の上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００６２】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、ＳｉＯ2（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）からなり、ＴＦＴ素子３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
【００６３】
電極の一例である画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）などの光反射性を有する金属反射膜から形成されている。なお、本実施形態において画素電極２７の可視光領域の光に対する光反射性は、好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００６４】
画素電極２７を覆って、ＳｉＯ2（酸化シリコン）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が形成されている。第１配向膜２８の上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶が封入された液晶層４０が設けられている。
【００６５】
一方、第２基材２０ａの上（液晶層４０に面する側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁層３１が形成されている。絶縁層３１の上には、その全面に渡って光透過性を有する対向電極３２が形成されている。対向電極３２の上には、ＳｉＯ2（酸化シリコン）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３３が形成されている。対向電極３２は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明導電膜からなる。なお、本実施形態において対向電極３２の光透過率は可視光領域の光に対して好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００６６】
液晶層４０は、画素電極２７と対向電極３２との間で電界が生じていない状態で第１配向膜２８と第２配向膜３３とによって所定の配向状態をとる。
【００６７】
＜画素電極、対向電極、第１配向膜および第２配向膜の構造＞
図５は、液晶装置１００のうち、主に画素電極２７、対向電極３２、第１配向膜２８および第２配向膜３３の構成を示した概略断面図である。以下、図５を用いて画素電極２７、対向電極３２、第１配向膜２８および第２配向膜３３について説明する。なお、図５では発明の要旨をよりわかりやすくするために、図４で示した絶縁層３１などを省略し、また第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを第１基材１０ａと略して図示している。
【００６８】
ここで画素電極２７は本発明における第１の仕事関数を有する第１電極の一例であり、対向電極３２は本発明における第２の仕事関数を有する第２電極の一例である。
【００６９】
図５に示すように、液晶装置１００を構成する第１基材１０ａの上（液晶層４０に面する側）には、反射性を有する金属膜からなる画素電極２７が設けられている（図５においては、画素Ｐごとに画素電極２７を表示せず、一体の膜として簡略化している）。画素電極２７は、例えばＡｌ（アルミニウム）を含む反射金属膜であることが望ましい。さらに、画素電極２７の上（液晶層４０に面する側）には第１配向膜２８が、斜方蒸着法によって形成されている。第１配向膜２８はＳｉＯ2（酸化シリコン）を含む無機材料からなっている。
【００７０】
液晶装置１００を構成する第２基材２０ａの上（液晶層４０に面する側）には、透明性を有する電極膜からなる対向電極３２が形成されている。対向電極３２は例えば、Ｉｎ（インジウム）を含む酸化物であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）であることが望ましい。
さらに対向電極３２の上（液晶層４０に面する側）には、第２配向膜３３が斜方蒸着法によって形成されている。第１配向膜２８と第２配向膜３３とはその厚みをほぼ同じくするように形成されている。ここで「ほぼ同じく」というのは製造ばらつきを考慮した概念である。第２配向膜３３は第１配向膜２８と同様にＳｉＯ2（酸化シリコン）を含む無機材料からなっている。
【００７１】
ここで、画素電極２７の仕事関数は、対向電極３２の仕事関数よりも低いとしている。画素電極２７をＡｌ（アルミニウム）とした場合の仕事関数は、絶対値で４．３ｅＶ程度である（産業図書  有機ＥＬディスプレイ概論（第２版）ｐ２３参照）。一方、対向電極３２をＩＴＯ（酸化インジウムスズ）とした場合には、概ね絶対値で４．７ｅＶ（産業図書  有機ＥＬディスプレイ概論（第２版）ｐ２２参照）である。
ここで「絶対値で」と記載したのは、引用文献上では真空準位を基準とした仕事関数の表記であるために、Ａｌ（アルミニウム）の仕事関数は−４．３ｅＶ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の仕事関数は−４．７ｅＶと「負」の仕事関数になっているためである。「負」の仕事関数の表記においては、Ａｌ（アルミニウム）よりもＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の仕事関数の方が低く見えるが、仕事関数は、真空準位（０eＶ）に対して「負」の値として測定される都合上、より「負」の仕事関数は、より「大きい」仕事関数ということを意味している。すなわち、絶対値表記をすることによって仕事関数の大小につき理解しやすくなるためである。
なお、ＩＴＯ膜の場合は、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ3との反応によりＩＴＯとして結晶化させる。そのため、仕事関数はＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ3との組成比や成膜後の表面状態で変化することもあるが、概ねアルミニウムに比べて高い数値を有している。
【００７２】
＜画素電極、対向電極の仕事関数の測定方法＞
仕事関数を測定する方法としては、大気中光電子分光法を用いることができる。この方法によれば、被検体（仕事関数を測定したい試料）に対して、大気雰囲気下で紫外線を照射することにより、被検体から発生する光電子を検出し、そのエネルギーを測定することにより仕事関数を求めることができる。また、照射する紫外線の光量は被検体の内部に入り込まない程度（表面から数ｎｍ深さ）であるので、被検体の下層からの影響をほぼ受けずに仕事関数の測定が可能である。例えば理研計器株式会社製のＡＣ−２で測定するのが好適である。
【００７３】
被検体に照射する紫外線の径は、少なくとも２ｍｍ〜４ｍｍ程度必要であるので、被検体となる画素電極２７や対向電極３２も、同様の測定エリアを必要とする。なお、測定精度を高めるために、複数の箇所を測定し、その平均を取ることも可能である。
測定深さは先に述べたとおり被検体の表面から数ｎｍの深さである。よって、画素電極２７や対向電極３２が形成された直後の測定が望ましい。なぜなら、時間の経過とともに、被検体の表面は例えば大気中の水分などにより汚染されていき、仕事関数の測定に向かない表面状態となるからである。
ちなみに、第１配向膜２８や第２配向膜３３を形成した後に、画素電極２７や対向電極３２の仕事関数を測定しようとする場合には、真空中（大気圧以下）で、たとえばＡｒ（アルゴン）スパッタ等により配向膜を取り除くことが望ましい。仕事関数の測定の前に、被検体の清浄表面を確保可能であるからである。
【００７４】
仕事関数の話に戻る。
画素電極２７の仕事関数と対向電極３２の仕事関数とは、それぞれの電極からの電子の注入のしやすさを表している。画素電極２７は対向電極３２よりも仕事関数を小さいとしているので、電子の注入量は対向電極３２に比べて大きいとしている。
【００７５】
画素電極２７と対向電極３２との電子の注入量の違いは、液晶装置１００を例えば対向電極電位に対して画素電極電位を極性反転させた交流駆動方式による場合、一方の電極に電子が偏在する原因となる。つまり、画素電極２７と対向電極３２とでは仕事関数の差に起因して電子の注入量が異なるため、どちらか一方の電極に電子が偏在する。そのため、液晶装置１００を交流駆動させたとしても、画素電極２７と対向電極３２との間には、電子の偏在により常に直流成分が残存することになる。この直流成分の存在は、見かけ上、液晶層４０に印加される電圧に変動をもたらし、いわゆる対向電極電位（ＶＣＯＭ）ずれが発生する。
【００７６】
本発明では、上記ＶＣＯＭずれを低減させるために、画素電極２７を覆うように形成されている第１配向膜２８の膜密度を、対向電極３２を覆うように形成されている第２配向膜３３の膜密度より大きくしている。
【００７７】
ここで、配向膜の膜密度とは、配向膜の単位体積当たりの配向膜材料の質量（ｇ／ｃｍ3）で定義し、以下の各発明についても同じとしている。
【００７８】
前述したとおり、第１配向膜２８の膜密度は、第２配向膜３３の膜密度よりも大きいとしている。すなわち第１配向膜２８は第２配向膜３３に対して、単位体積当たりの無機材料（本実施例においてはＳｉＯ2）の質量が大きいことを意味している。結果として、第１配向膜２８の比抵抗は第２配向膜３３の比抵抗に対して大きくなっている。
つまり、第１配向膜２８の下地となっている画素電極２７と、第２配向膜３３の下地となっている対向電極３２とで、仕事関数の差に起因する電子の注入量に差が生じたとしても、第１配向膜２８と第２配向膜３３との膜密度の差分に相当する比抵抗に差をつけることによって、第１配向膜２８と第２配向膜３３との液晶層４０に面する側での電子の偏在を解消することが可能となる。
【００７９】
＜配向膜の膜密度の測定方法＞
配向膜の膜密度を求める方法としては、Ｘ線反射率測定法（ＸＲＲ：Ｘray  Reflection）を用いることができる。ＸＲＲ法は、膜密度を測定したい薄膜が形成された基板の表面に対して、極浅い角度でＸ線を入射させることによって行われる。
基板に照射された入射Ｘ線は、薄膜を透過するＸ線と、薄膜表面および薄膜と基板との界面から反射されるＸ線とに分離される。このうち反射されるＸ線をＸＲＲ法では検出する。
入射Ｘ線の試料に対する入射角を例えば、０°〜５°くらいまで変化させることによって反射されるＸ線の干渉プロファイルを測定し、この測定で得られた干渉プロファイルを、あらかじめ薄膜の組成ごとに用意されたシミュレーション結果と比較して、薄膜の膜密度や膜厚を求めることができる。
【００８０】
膜密度の測定にはＸ線を用いている。Ｘ線の性質上、例えば数μｍ〜数１００μｍ径のスポットに絞ることが難しく、再現性のある測定結果を得るためには、測定試料の大きさを、少なくても２０ｍｍ×１０ｍｍ程度にしておくことが望ましい。
また、ＸＲＲ法は反射されるＸ線を利用しているので、例えば、測定したい薄膜と基板との間に複数の薄膜やその他の構造物が介在している場合には、より正確な膜密度を求めづらい傾向がある。
そのため、本実施形態においては、膜密度測定用として、別途、測定用サンプルを作成している。測定用サンプルの作成は、Ｓｉ（シリコン）基板の上に、第１配向膜２８や第２配向膜３３の形成プロセスと同じプロセスで配向膜を形成したものを用いている。詳細は後述する。
【００８１】
なお、例えば製品解析などによって、実際の液晶装置１００の製品サイズ（例えば、表示領域Ｅの対角方向の長さが１ｉｎｃｈ（２．５４ｃｍ）未満程度）で配向膜の膜密度を測定する必要が生じる場合もある。この場合には、配向膜のみで２０ｍｍ×１０ｍｍ程度の測定領域を確保できない可能性がある。このため、例えば、液晶装置１００内の配向膜が形成されている領域を５〜６点程度サンプリングして多点で膜密度測定を行い、取得した数値を平均化し、その平均値をもって膜密度の相対的な大小比較をすることが望ましい。仮に１点のみの膜密度測定で評価した場合には、例えば配向膜形成時の製造ばらつき、面内ばらつき、配向膜の下層に位置する下地膜との相関によって、必ずしも、比較可能なデータと言い切れない場合があるからである。
【００８２】
＜配向膜の膜密度の変更方法＞
第１配向膜２８と第２配向膜３３との膜密度を変える手段としては、本発明者の実験により、配向膜を形成する斜方蒸着の蒸着温度、蒸着角度、蒸着速度の少なくともいずれか１つのパラメーターを変更することによって実施されている。
図６は、配向膜の蒸着条件と配向膜の膜密度との関係を示すグラフである。
なお、本実験に用いた膜密度測定用のサンプルは、先に述べたとおり、蒸着基板となるＳｉ（シリコン）基板の上に、大きさ約２０ｍｍ×１０ｍｍ、厚み約７５ｎｍのＳｉＯ2（酸化シリコン）の配向膜を形成したものである。
【００８３】
＜蒸着温度＞
蒸着温度とは、配向膜の蒸着時の蒸着基板面の温度をいう。図６（ａ）に本発明者の実験により得られた、配向膜の蒸着時の蒸着温度と膜密度との関係を示す。なお、蒸着温度以外の設定可能な項目については、同一としている。
図６（ａ）で横軸は蒸着温度を、縦軸は膜密度を表している。図６（ａ）から、蒸着温度を低温側から高温側にすると、配向膜の膜密度は低い側から高い側へ移動していく様子がうかがえる。蒸着温度と配向膜の膜密度とは、概ね正の係数をもった比例関係にあるといえる。
これは、配向膜の蒸着温度を高温にするほど、その熱エネルギーによって配向膜のピンホールやその他の欠陥を埋めるように緻密に成膜されるためである。
以上から、蒸着温度は配向膜の膜密度を変更可能にするパラメーターの一つであることが確認できる。
【００８４】
＜蒸着角度＞
蒸着角度とは、蒸着基板の法線方向と、蒸着基板に対して蒸着粒子が入射する方向とがなす角度を言う。例えば、入射角０度であれば、蒸着基板面に対して垂直方向から蒸着粒子が入射されることを意味する（いわゆる垂直蒸着膜）。他方、入射角が約９０度であれば、基板面に対して水平方向から蒸着粒子が入射することをいう（より詳しくは、後述の＜蒸着装置の構造＞を参照のこと）。
図６（ｂ）に、本発明者の実験により得られた、配向膜の蒸着角度と膜密度との関係を示す。なお、蒸着角度以外の設定可能な項目については、同一としている。図６（ｂ）で横軸は蒸着角度を、縦軸は膜密度を表している。図６（ｂ）から、蒸着角度を低角側から高角側にすると、膜密度は高い側から低い側へ移動していく様子がうかがえる。蒸着角度と配向膜の膜密度とは、概ね負の係数をもった比例関係にあるといえる。
これは、蒸着角度が小さいほど垂直蒸着に近づくため、配向膜が緻密に積み重なるからである。
以上から、蒸着角度は配向膜の膜密度を変更可能にするパラメーターの一つであることが確認できる。
【００８５】
＜蒸着速度＞
蒸着速度とは、単位時間あたりに蒸着基板に成膜される配向膜の割合のことをいい、通常、Å（オングストローム）／ｓｅｃの単位系で評価される。なお、蒸着速度の調整は、配向膜の元となる蒸着材料に対して照射される電子線の出力を変えることによって行われる（電子線蒸着の場合）。通常、電子線の出力を高めると、蒸着材料の昇華量も大きくなることから、蒸着速度は高くなる関係にある。
図６（ｃ）に、本発明者の実験により得られた、配向膜の蒸着時の蒸着速度と膜密度との関係を示す。なお、蒸着速度以外の設定可能な項目については、同一としている。図６（ｃ）で横軸は蒸着速度を、縦軸は膜密度を表している。図６（ｃ）から、蒸着速度を低速側から高速側にすると、膜密度は低い側から高い側へ移動していく様子がうかがえる。蒸着速度と配向膜の膜密度とは、概ね正の係数をもった比例関係にあるといえる。
これは、蒸着速度を高速にするほど、例えば蒸着装置の内部の残存ガスなどを蒸着膜へ取り込むことが少なくなるため、緻密に成膜されるからである。
以上、蒸着速度は配向膜の膜密度を変更可能にするパラメーターの一つであることが確認できる。
【００８６】
配向膜の膜密度を変える方法は、上記の蒸着角度、蒸着温度、蒸着速度のいずれかひとつのパラメーターを変更することに限定されず、複数の組み合わせによっても可能である。また、例えば配向膜の蒸着時の蒸着圧力（例えば、酸素流量の調整）によっても変えるこができる。
【００８７】
＜蒸着装置の構造＞
図７は、液晶装置１００を構成する素子基板（被処理基板）１０、対向基板（被処理基板）２０に対して第１配向膜２８、第２配向膜３３を形成するための蒸着装置５０の概略図である。図７（ａ）は蒸着装置５０の概略断面図である。図７（ｂ）は、蒸着装置５０の内部について膜厚計ＱＣＭ側から見た概略上面図である。以下、蒸着装置５０の構造について図７（ａ）（ｂ）を用いて説明する。各構成部材の配置は一例であり、下記に説明する位置関係に限定されるものでは無い。
【００８８】
図７（ａ）に示すように、蒸着装置５０は、素子基板１０や対向基板２０に第１配向膜２８、第２配向膜３３を形成する装置である。（以降、「蒸着装置の構造」の説明においては、素子基板１０と対向基板２０とを、ともに「被処理基板Ｗ」と称する場合があり、いまだ第１配向膜２８もしくは第２配向膜３３は形成されていない状態のものとする。）
蒸着装置５０は、例えば、真空槽としてのチャンバー５１と、防着板５２と、成膜室５３と、蒸着源５４と、電子銃５５と、シャッター５６と、ヒーター５７と、基板ホルダーＳＨと、膜厚計ＱＣＭと、減圧装置５８と、を備えている。
【００８９】
チャンバー５１は、内部に被処理基板Ｗを収容可能な容器である。例えば、ステンレスなどの金属からなる。チャンバー５１は、図示しない開閉扉を備え、密閉可能に構成されており、配管５９を介して接続される減圧装置５８によって内部を減圧可能に構成されている。
【００９０】
チャンバー５１の内部には、チャンバー５１の内壁に蒸着膜（配向膜）が付着することを抑えるための防着板５２が、チャンバー５１の内壁に沿うように配置されている。防着板５２で囲まれた空間が、蒸着処理を行う成膜室５３となる。
【００９１】
成膜室５３の底面中央には、蒸着材料５４ａが入れられた蒸着源５４が配置されている。蒸着源５４を取り囲むように、蒸着材料５４ａを昇華させる電子銃５５と、蒸着処理を開始又は停止させるシャッター５６とが備えられている。
蒸着時には、シャッター５６は開状態となり、蒸着源５４の上部を開放する。そして、電子銃５５から電子線ＥＢが、蒸着材料５４ａに向かって照射される。電子線ＥＢは、磁場によって偏向した状態で蒸着材料５４ａに万遍なく照射され、蒸着材料５４ａを溶融し昇華させる。昇華された蒸着材料５４ａが被処理基板Ｗに付着され、第１配向膜２８、第２配向膜３３となる。電子銃５５には電子線ＥＢの出力調整を可能にする制御部を含んでいる。
なお、蒸着材料５４ａを溶融し昇華させる方法は電子銃５５に限定されず、抵抗加熱、レーザーなど他の加熱手段を用いるようにしてもよい。
【００９２】
蒸着材料５４ａは、第１配向膜２８と第２配向膜３３とを形成する場合には主にＳｉＯ2（酸化シリコン）が用いられている。その他、Ｓｉ（シリコン）を含む無機材料であるＳｉＮ（窒化シリコン）やＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）を用いることも可能である。
【００９３】
成膜室５３の側壁の一部には、ヒーター５７が固定されている。ヒーター５７は、例えば温度調整可能なハロゲンヒーターであり、赤外線の放射によって被処理基板Ｗを加熱する。なお、ヒーター５７はハロゲンヒーターに限定されるものでは無く、例えば被処理基板Ｗを保持する基板ホルダーＳＨを抵抗加熱方式の熱源として、被処理基板Ｗを加熱することも可能である。
【００９４】
成膜室５３の上部中央には、膜厚計ＱＣＭ（水晶発振子マイクロバランス：Quartz Crystal Microbalance）が配置されている。言い換えれば、蒸着材料５４ａに対してほぼ垂直方向の位置に配置されている。膜厚計ＱＣＭは、蒸着材料５４ａの蒸着厚みをモニタリングしている。ただし、膜厚計ＱＣＭと被処理基板Ｗとで、後述する蒸着角度θは異なっている場合がある。よって、膜厚計ＱＣＭで計測された厚みと被処理基板Ｗに形成された厚みとが概ね等しくなるとは限らない。そのため、蒸着角度θに応じて、あらかじめ用意した補正値を用いて換算する場合もある。
【００９５】
なお、蒸着材料５４ａの厚みを測定するにおいては、膜厚計ＱＣＭのみならず、例えば透過型電子顕微鏡による断面観察、赤外線分光法による吸収特性、Ｘ線解析やＸ線光電子分光法による深さ分析など、種々の測定方法を採用することができる。この場合には、それぞれ多点分析を行った上での平均をとることがより好ましい。
【００９６】
減圧装置５８は、配管５９を介して成膜室５３に接続されている。減圧装置５８は、成膜室５３内の気体を外部に排出して、成膜室５３内の圧力を大気圧よりも低下させることができるように制御されている。減圧装置５８は、例えば、油回転ポンプや拡散ポンプ、コンプレッサーなどを用いることができる。減圧装置５８は、図示しない制御装置に接続されており、成膜室５３内を所定の圧力に維持できるように構成されている。
【００９７】
成膜室５３における蒸着源５４の上方には、複数の基板ホルダーＳＨが、蒸着源５４からほぼ等距離に、かつ、蒸着源５４を中心に回転木馬状に取り付けられている（図７（ｂ）参照）。基板ホルダーＳＨには、静電チャック法や機械的なチャッキング方法によって被処理基板Ｗを固定することができる。被処理基板Ｗ（基板ホルダーＳＨ）の法線ＮＬと、被処理基板Ｗに対して蒸着材料５４ａが入射する方向とのなす角度を蒸着角度θとしている。被処理基板Ｗへの蒸着角度θを指定できるように、基板ホルダーＳＨには角度調整機構が取り付けられている。基板ホルダーＳＨには図示しない熱電対が取り付け可能であるため、蒸着時の被処理基板Ｗの基板温度を測定することができる。また、基板ホルダーＳＨには加熱機構を持たせていても良い。
【００９８】
被処理基板Ｗの配置の一例について、図７（ｂ）を用いてより具体的に説明する。なお、図７（ｂ）では、図７（ａ）と比べて説明に不要な構成を一部省略し、簡素化して図示している。
【００９９】
蒸着装置５０には複数の被処理基板Ｗをセットすることが可能である（Ｗ１〜Ｗ６）。なお、本実施形態ではＷ１〜Ｗ６の６枚としたがこれに限定されず、被処理基板Ｗの大きさ、蒸着装置５０の大きさなどに応じて、配置できる枚数は異なるものとする。
複数の被処理基板Ｗ１〜Ｗ６は、基板ホルダーＳＨにそれぞれセットされ、蒸着源５４を取り囲むように配置されている。被処理基板Ｗ１〜Ｗ６は、相対的な位置関係を保った状態で、蒸着源５４を中心として公転可能（Ｒ方向）な状態におかれている。被処理基板Ｗ１〜Ｗ６は、基板ホルダーＳＨの角度調整機構によってそれぞれ独立に、蒸着角度θを規定することができる。各被処理基板Ｗ１〜Ｗ６（各基板ホルダーＳＨ）と蒸着源５４との距離はほぼ一定に保たれている。
【０１００】
例えば、被処理基板Ｗ１〜Ｗ６の６枚を基板ホルダーＳＨにセットする場合、素子基板１０側を３枚、対向基板２０側を３枚として、都合、素子基板１０と対向基板２０とを一組とした複数組をセットすることもできる。蒸着装置５０内にそれぞれ同数の素子基板１０と対向基板２０とをセットできるため、第１配向膜２８と第２配向膜３３との形成を同一の成膜プロセスで同時に行うことができる。つまり、第１配向膜２８と第２配向膜３３とで配向膜形成工程の時間的なズレによる膜質のばらつきを低減することができる。また、被処理基板Ｗ１〜Ｗ６は、蒸着源５４を中心として回転可能であるため、配向膜の膜厚のばらつきも低減することもできる。
また、被処理基板Ｗ１〜Ｗ６は、基板ホルダーＳＨに蒸着角度θの角度調整機構を備えているため、それぞれに蒸着角度θを指定できる。つまり、蒸着角度θを変えることによって配向膜の膜密度も被処理基板Ｗ１〜Ｗ６ごと独立に調整可能となる。よって、一度の配向膜形成工程で、第１配向膜２８が形成される素子基板１０と、第２配向膜３３が形成される対向基板２０とで、配向膜の膜密度をそれぞれ変更することができる。
【０１０１】
なお、本発明の効果をより高めるために、第１配向膜２８と第２配向膜３３とを同時に形成する方法を述べたが、素子基板１０と対向基板２０とでそれぞれ別個に配向膜を形成するとしても良い。
【０１０２】
先に述べた膜密度を測定するための測定用サンプルを基板ホルダーＳＨにセットし、配向膜の膜密度をより正確に測定することもできる。
【０１０３】
被処理基板Ｗの表面には、蒸着材料５４ａが斜方蒸着されて第１配向膜２８および第２配向膜３３が形成される。
【０１０４】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について図８、図９を参照して説明する。図８は、液晶装置１００の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図９は、液晶装置１００の主に第１配向膜２８と第２配向膜３３との形成方法を示す概略断面図である。
【０１０５】
図８に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板１０側と対向基板２０側とで大きく分けられる。素子基板１０は、主にＴＦＴ素子形成工程（ステップＳ１１）と、画素電極形成工程（ステップＳ１２）と、第１配向膜形成工程（ステップＳ１３）と、で構成される。対向基板２０は、主に対向電極形成工程（ステップＳ２１）と第２配向膜形成工程（ステップＳ２２）とで構成される。
以降、シール材形成工程（ステップＳ３１）と、基板貼り合わせ工程（ステップＳ３２）と、液晶注入及び封止工程（ステップＳ３３）と進んで、液晶装置１００が完成する。なお、素子基板１０上に、半導体層３０ａやその他周辺回路、信号配線、配線コンタクト用のスルーホールなどを形成する工程は、公知の成膜技術、穴埋め技術、平坦化技術その他付随するプロセスを採用することができる。
【０１０６】
＜ＴＦＴ素子形成工程（ステップＳ１１）＞
素子基板１０側の製造方法を説明する。図９（ａ）に示すステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａの上にＴＦＴ素子３０などを形成する。具体的には、前述した公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ素子３０などを形成する。なお、図９（ａ）ではＴＦＴ素子３０などの図示を省略している。
【０１０７】
＜画素電極形成工程（ステップＳ１２）＞
図９（ｂ）に示すように、画素電極２７を形成する。具体的には、第３層間絶縁層１１ｄの上に、Ａｌ（アルミニウム）膜などからなる画素電極２７を、例えばスパッタリング法で成膜し、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。この場合、Ａｌ（アルミニウム）の膜厚を１５０±１５ｎｍ程度としている。
【０１０８】
＜第１配向膜形成工程（ステップＳ１３）＞
図９（ｃ）に示すように、第１配向膜２８を形成する。具体的には、図７で示した蒸着装置５０を用いて、画素電極２７を覆うように第１配向膜２８を斜方蒸着法により形成する。第１配向膜２８について所望の膜密度を得るために、第１基材１０ａへの蒸着角度θ、電子銃５５の出力、第１基材１０ａの温度などを調整する。第１配向膜２８の蒸着材料５４ａは、ＳｉＯ2（酸化シリコン）である。ＳｉＯ2（酸化シリコン）を斜方蒸着することにより、微視的に見て所望の角度でかつ柱状の配列を保持した第１配向膜２８となる。
第１配向膜２８の厚みは、概ね７５ｎｍ±１０％の範囲内としている。なお、第１配向膜２８はＳｉＯ2（酸化シリコン）に限定されず、他のＳｉ（シリコン）系の無機材料であるＳｉＮ（窒化シリコン）やＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）を用いることも可能である。上記プロセスを経て、素子基板１０側が完成する。
【０１０９】
＜対向電極形成工程（ステップＳ２１）＞
続いて対向基板２０側の製造方法を説明する。図９（ｄ）（ｅ）に示すように、ステップＳ２１では、ガラス基板などの透明性材料からなる第２基材２０ａの上に、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる透明導電膜をスパッタリング法で成膜する。そして、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３２を形成する。対向電極３２の膜厚は、概ね１４０±１０ｎｍの範囲内としている。なお、対向電極３２はＩＴＯ（酸化インジウムスズ）と同じくＩｎ（インジウム）の酸化物である、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）であってもよい。
ステップＳ１２で示したように素子基板１０側の画素電極２７にはＡｌ（アルミニウム）を使用している。一方、対向基板２０側の対向電極３２にはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を使用していることから、本実施形態においては、画素電極２７の仕事関数に対して、対向電極３２の仕事関数は大きくなるように形成されている。
【０１１０】
＜第２配向膜形成工程（ステップＳ２２）＞
図９（ｆ）に示すように、第２配向膜３３を形成する。具体的には、図７で示した蒸着装置５０を用いて、対向電極３２を覆うように第２配向膜３３を斜方蒸着法により形成する。第２配向膜３３について所望の膜密度を得るために、第２基材２０ａへの蒸着角度θ、電子銃５５の出力、第２基材２０ａの温度などを調整する。なお、第２配向膜３３の蒸着材料５４ａは、第１配向膜２８と同じくＳｉＯ2（酸化シリコン）である。ＳｉＯ2（酸化シリコン）を斜方蒸着することにより、微視的に見て所望の角度でかつ柱状の配列を保持した第２配向膜３３となる。なお、第１配向膜２８の膜密度にくらべて、第２配向膜３３の膜密度が小さくなるように、図７で示した蒸着装置５０の条件を調整している。
ＳｉＯ2（酸化シリコン）で構成された第２配向膜３３の厚みは、第１配向膜２８とほぼ同じく、概ね７５ｎｍ±１０％の範囲内としている。なお、第２配向膜３３はＳｉＯ2（酸化シリコン）に限定するものではなく、他のＳｉ（シリコン）系の無機材料であるＳｉＮ（窒化シリコン）やＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）を用いることも可能である。
以上により、対向基板２０側が完成する。
【０１１１】
＜シール材形成工程（ステップＳ３１）＞
素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
ステップＳ３１では、素子基板１０の上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に、表示領域Ｅを囲むようにシール材１４（図示せず）を塗布する。
【０１１２】
＜基板貼り合わせ工程（ステップＳ３２）＞
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。
【０１１３】
＜液晶注入及び封止工程（ステップＳ３３）＞
ステップＳ３３では、液晶注入口（図示せず）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば樹脂などの封止材が用いられる。
以上により、液晶装置１００が完成する（図９（ｇ））。
【０１１４】
上記実施形態では、素子基板１０の第１基材１０ａとして透明な石英基板を用いたが、液晶装置１００は反射型であるため、第１基材１０ａは透明な基材である必要はなく、可視光領域の光に対して不透明な例えばシリコンなどの半導体基板を用い、該半導体基板にトランジスターを含む画素回路や信号線などを形成しても良い。
【０１１５】
上記、第１実施形態に係る液晶装置１００及び液晶装置１００の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）画素電極２７の仕事関数と対向電極３２の仕事関数とでは、画素電極２７の仕事関数は小さくなっている。このため、画素電極２７と対向電極３２とでは、画素電極２７からの電子の注入量が大きくなっている。
画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。一方、対向電極３２を覆うように、第２配向膜３３が形成されている。第１配向膜２８の膜密度は第２配向膜３３の膜密度に比べて大きい値を示す。よって、第１配向膜２８の比抵抗は、第２配向膜３３の比抵抗に比べて高くなっている。
上記構成により、仕事関数の差に起因する画素電極２７と対向電極３２との電子の注入量の違いを、第１配向膜２８の膜密度と第２配向膜３３の膜密度の違いによって、解消することができる。すなわち、画素電極の仕事関数と対向電極の仕事関数との非対称性を解消し、ＶＣＯＭずれを抑制できる。よって、液晶装置１００の駆動電圧を高くすることなく低消費電力で動作可能な液晶装置１００を製造し、提供することができる。
【０１１６】
（２）第１配向膜２８の膜密度と第２配向膜３３の膜密度とを変えるためには、蒸着温度、蒸着角度、蒸着速度の少なくともいずれか一つのパラメーターを調整することによって行われる。上記パラメーターは、単独、もしくはその組み合わせで配向膜の膜密度を調整することが可能である。よって、配向膜形成工程（ステップＳ１３，Ｓ２２）での工程設計を容易にし、量産性に優れた液晶装置１００を製造し、提供することができる。
【０１１７】
（３）第１配向膜２８と第２配向膜３３とを同一の蒸着装置５０内で同時に形成できるため、配向膜形成工程の時間的なズレによる膜質のばらつきを低減することができる。よって、表示性能にバラツキのない良好な液晶装置１００を製造し、提供することができる。
とりわけ、成膜条件のうち蒸着角度θを異ならせれば、膜密度が異なる第１配向膜２８と第２配向膜３３とを同一の蒸着装置５０内で同時にかつ容易に形成することができる。
【０１１８】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
次に、第２実施形態にかかる液晶装置２００について図１０を用いて説明する。図１０は第２実施形態の液晶装置２００を示す概略断面図であり、第１実施形態における図５に相当する図である。
第２実施形態の構成上、第１実施形態と異なるところは、画素電極２７と対向電極３２とで液晶層４０に面する側に対して、それぞれ２層の配向膜が形成されているところにある。言い換えれば、第１実施形態の図５において画素電極２７と第１配向膜２８との間に別途、配向膜の層を追加し、さらに対向電極３２と第２配向膜３３との間に別途、配向膜の層を追加した形となっている。そのため、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付し、その説明を省略する。以下に、本実施形態の特徴部分である２層の配向膜について具体的に述べる。
【０１１９】
図１０に示すように、液晶装置２００を構成する第１基材１０ａの上（液晶層４０に面する側）には、反射性を有する金属膜からなる画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、例えばＡｌ（アルミニウム）を含む反射金属膜であることが望ましい。画素電極２７の上（液晶層４０に面する側）には第１下層配向膜２８ａが、垂直蒸着法によって形成されている。第１下層配向膜２８ａの上には、第１上層配向膜２８ｂが、斜方蒸着法によって形成されている。第１上層配向膜２８ｂは第１実施形態の第１配向膜２８に相当する。第１下層配向膜２８ａと第１上層配向膜２８ｂとは、共にＳｉＯ2（酸化シリコン）を含む無機材料からなっている。
【０１２０】
液晶装置２００を構成する第２基材２０ａの上（液晶層４０に面する側）には、透明性を有する電極膜からなる対向電極３２が形成されている。対向電極３２は例えば、Ｉｎ（インジウム）を含む酸化物であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）であることが望ましい。対向電極３２の上（液晶層４０に面する側）には、第２下層配向膜３３ａが垂直蒸着法によって形成されている。第２下層配向膜３３ａの上（液晶層４０に面する側）には、第２上層配向膜３３ｂが、斜方蒸着法によって形成されている。第２上層配向膜３３ｂは第１実施形態の第２配向膜３３に相当する。第２下層配向膜３３ａと第２上層配向膜３３ｂとは、共にＳｉＯ2（酸化シリコン）を含む無機材料からなっている。
【０１２１】
なお、第１下層配向膜２８ａ、第１上層配向膜２８ｂ、第２下層配向膜３３ａならびに第２上層配向膜３３ｂは、ＳｉＯ2（酸化シリコン）に限定されず、他のＳｉ（シリコン）系の無機材料であるＳｉＮ（窒化シリコン）やＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）を用いることも可能である。
【０１２２】
ここで、第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとは、厚みと膜密度とをそれぞれほぼ同じくしており、共に垂直蒸着法にて形成されている。よって、斜方蒸着法にて形成されている第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとに比べて、その膜密度を高くしている。
【０１２３】
また、第１上層配向膜２８ｂの膜密度は、第２上層配向膜３３ｂの膜密度に比べて高くなっている。第１上層配向膜２８ｂを基準とすれば、第２上層配向膜３３ｂの膜密度を低くしていると捉えることができる。膜密度を低くするということは、その分だけ配向膜に成膜むらを生じさせる可能性がある。
しかしながら、第１下層配向膜２８ａや第２下層配向膜３３ａの存在により、第１下層配向膜２８ａと第１上層配向膜２８ｂ、若しくは、第２下層配向膜３３ａと第２上層配向膜３３ｂとを、一体の配向膜として捉えると、配向膜の成膜むらを抑えることができる。すなわち成膜むらを生じさせることなく、配向膜の膜密度を調整することができる。
【０１２４】
さらに、第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとは、第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとに比べて、その膜密度の違いから比抵抗も高くなっている。
【０１２５】
例えば、液晶層４０には、液晶分子の他に液晶分子の合成時に用いた触媒や反応試薬などの残渣が、望まずもごくわずかイオン性の不純物として含まれている場合がある。これらのイオン性の不純物は、液晶装置２００を反転駆動させると、液晶層４０を泳動しながら画素電極２７と対向電極３２との極性に応じて配向膜表面に引き寄せられる。すなわち、イオン性の不純物は陽イオン成分と陰イオン成分に分かれて、第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとのいずれかに付着する恐れがある。このイオン性の不純物の配向膜への付着を第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとの存在によって低減することが可能となる。
【０１２６】
なぜならば、イオン性の不純物を画素電極２７もしくは対向電極３２に引きつける、いわゆるクーロン力は、画素電極２７もしくは対向電極３２に近づくほど大きくなる。よって、第１上層配向膜２８ｂ（２８）と画素電極２７との間に第１下層配向膜２８ａを介在させ、他方、第２上層配向膜３３ｂ（３３）と対向電極３２との間に第２下層配向膜３３ａを介在させることは、液晶層４０の中を泳動するイオン性不純物と画素電極２７もしくは対向電極３２との距離を遠ざけ、互いに働くクーロン力を弱める働きがある。結果として、イオン性の不純物を第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとに、引き寄せない効果を生む。
【０１２７】
また、第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとは、第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとに比べて比抵抗も高くなっているために、距離的なアプローチのみならず、比抵抗の面からも、イオン性不純物を第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとに引き寄せづらい。
【０１２８】
以上から、第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとの液晶層４０に面する側に対して、イオン性不純物の偏在を緩和でき、低電圧駆動が可能な液晶装置２００を提供することができる。
【０１２９】
さらに、上述した第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとを成膜するにおいて、別途、製造プロセスを追加する必要は無い。なぜなら、第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとを垂直蒸着法にて行い、第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとを斜方蒸着法にて行うには、先に述べた、蒸着装置５０の蒸着角度θを基板ホルダー単位で変更すれば対応可能だからである。つまり、下層配向膜（２８ａ，３３ａ）と上層配向膜（２８ｂ，３３ｂ）とを、成膜室５３の真空状態を破ることなく連続して成膜することができる。また成膜室５３の真空状態を破らずに連続成膜できるため、下層配向膜（２８ａ，３３ａ）と上層配向膜（２８ｂ，３３ｂ）との界面に不純物を介在させることも無く、良好な配向膜の積層界面を実現できる。
【０１３０】
なお第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとは垂直配向膜に限定されず、第１上層配向膜２８ｂもしくは第２上層配向膜３３ｂの蒸着角度θより垂直（０°）に近い蒸着角度を有していれば同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態においては、一例として画素電極２７側と対向電極３２側とでそれぞれ２層の配向膜を形成するとしたが、その層数は２層に限られるものでは無く、３層以上であってもよい。また、画素電極２７と対向電極３２との仕事関数の差の程度によっては、画素電極２７側と対向電極３２側とで配向膜の層数を変えることも可能である。
【０１３１】
上記、第２実施形態に係る液晶装置２００によれば、第１実施形態での効果に加えて、更に以下の効果が得られる。
（１）第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとは垂直蒸着膜で形成されている。一方、第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとは斜方蒸着膜で形成されている。垂直蒸着膜は斜方蒸着膜よりも膜密度を高いとしている。そのため、配向膜の成膜むらを生じさせることなく、配向膜の膜密度を調整することができる。よって、配向膜形成工程（ステップＳ１３，Ｓ２２）での工程設計を容易にし、量産性に優れた液晶装置２００を提供することができる。
（２）第１上層配向膜２８ｂと画素電極２７との間に第１下層配向膜２８ａを介在させ、第２上層配向膜３３ｂと対向電極３２との間に第２下層配向膜３３ａを介在させている。そのため、液晶層４０の中を泳動するイオン性不純物と画素電極２７もしくは対向電極３２との距離を遠ざけ、互いに働くクーロン力を弱めることができる。つまり、第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとの液晶層４０に面する側に対して、イオン性不純物の偏在を緩和でき、低電圧駆動が可能な液晶装置２００を提供することができる。
（３）第１下層配向膜２８ａと第２下層配向膜３３ａとを形成したのちに、成膜室５３の真空状態を破ることなく第１上層配向膜２８ｂと第２上層配向膜３３ｂとを連続して形成することができる。よって量産性に優れた液晶装置２００を提供可能である。
【０１３２】
（第３実施形態）
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１３３】
図１１に示すように、本実施形態の電子機器としての液晶プロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１３４】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１３５】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【０１３６】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【０１３７】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
【０１３８】
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
【０１３９】
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【０１４０】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、映像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１４１】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記実施形態における液晶装置１００が適用されている。
【０１４２】
このような液晶プロジェクター１０００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、駆動電圧を高くすることなく優れた表示品質を有する反射型の液晶プロジェクター１０００を提供できる。
【０１４３】
なお、液晶プロジェクター１０００の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に適用される液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に限定されず、上記第２実施形態の液晶装置２００を適用してもよい。
【０１４４】
なお、液晶装置１００（あるいは液晶装置２００）が搭載される電子機器としては、液晶プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【０１４５】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１４６】
（変形例１）
上記第１実施形態、第２実施形態ならびに第３実施形態では、反射型の液晶装置を用いて説明したが、透過型の液晶装置であっても同様の効果を奏する。すなわち、画素電極２７と対向電極３２とを、共にＩｎ（インジウム）の酸化物からなる透明導電膜で形成した液晶装置とすることもできる。
この場合、前述の画素電極形成工程（ステップＳ１１）と、対向電極形成工程（ステップＳ２１）とで、一方の電極をスパッタリング法で成膜し、他方の電極を真空蒸着法で成膜することも可能である。電極材料が同じであったとしても、成膜方法を違えることによって画素電極２７と対向電極３２との表面の膜質を変化させ、双方の電極の仕事関数に差をつけることが可能であるからである。
よって、透過型の液晶装置の場合には、画素電極２７の仕事関数が必ずしも対向電極の仕事関数よりも小さくなるとは限らない。つまり、対向電極３２を本発明における第１の仕事関数を有する第１電極とし、画素電極２７を本発明における第２の仕事関数を有する第２電極とする場合がある。
また、反射型の液晶装置１００は、透明導電膜で形成した画素電極２７と、第１基材１０ａとの間に反射層を設ける構成としてもよい。この場合も、本発明の配向膜の構成を適用すれば、画素電極２７と対向電極３２との仕事関数の非対称性を解消可能である。
【符号の説明】
【０１４７】
１０…素子基板、１０ａ…第１基材、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２８ａ…第１下層配向膜、２８ｂ…第１上層配向膜、３２…対向電極、３３…第２配向膜、３３ａ…第２下層配向膜、３３ｂ…第２上層配向膜、４０…液晶層、１００，２００…液晶装置、１０００…液晶プロジェクター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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