(57)【要約】      （修正有）【課題】ワイヤーグリッド層の金属線の両側の２つの領域が非対称形状であっても、前記非対称形状に起因するレイリー共鳴による透過特性の低下を防止できる無機偏光板の提供。【解決手段】使用帯域の光に対して透明な基板１と、前記光の波長より短い間隔で前記基板上に離間して配列された複数の金属線を有するワイヤーグリッド層３Ｂを有し、前記ワイヤーグリッド層における一の金属線Ｗ、及びＷの一方の隣りに配された金属線ＷＬの間の領域ＲＬにおける基板厚み方向の距離ＤＬと、Ｗ及びＷＲの間の領域ＲＲ距離ＤＲとが、下記式（１）を満たし、Ｗ及びＷＬの間隔ＧＬと、Ｗ及びＷＲの間隔ＧＲとが、下記式（２）を満たし、更に、前記間隔ＧＲに対するＤＲの比ＳＲと、ＧＬに対するＤＬの比ＳＬとが、下記式（３）を満たす、無機偏光板。０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）式（１）、０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜式（２）、０．９０≦ＳＲ／ＳＬ≦１．３０式（３）【選択図】図１
2015219319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用帯域の光に対して透明な基板と、
前記光の波長より短い間隔で前記基板上に離間して配列された複数の金属線を有するワイヤーグリッド層とを有し、
前記ワイヤーグリッド層における一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の一方の隣りに配された金属線（ＷＬ）の間の領域（ＲＬ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の他方の隣りに配された金属線（ＷＲ）の間の領域（ＲＲ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＲ）とが、下記式（１）を満たし、
前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＬ）の間隔（ＧＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＲ）の間隔（ＧＲ）とが、下記式（２）を満たし、
更に、前記間隔（ＧＬ）に対する前記距離（ＤＬ）の比（ＳＬ）と、前記間隔（ＧＲ）に対する前記距離（ＤＲ）の比（ＳＲ）とが、下記式（３）を満たす、
ことを特徴とする無機偏光板。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）            式（１）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜            式（２）
０．９０≦ＳＲ／ＳＬ≦１．３０    式（３）
【請求項２】
距離（ＤＬ）と、距離（ＤＲ）とが、下記式（１−２）を満たし、
間隔（ＧＬ）と、間隔（ＧＲ）とが、下記式（２−２）を満たす請求項１に記載の無機偏光板。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）≦８ｎｍ        式（１−２）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜≦２０ｎｍ      式（２−２）
【請求項３】
基板が、ガラスである請求項１から２のいずれかに記載の無機偏光板。
【請求項４】
金属線が、Ａｌ及びＡｌＳｉ合金のいずれかを含有する請求項１から３のいずれかに記載の無機偏光板。
【請求項５】
基板とワイヤーグリッド層との間に、ＳｉＯ２層を有する請求項１から４のいずれかに記載の無機偏光板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の無機偏光板を製造する無機偏光板の製造方法であって、
カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成するワイヤーグリッド層形成工程を含むことを特徴とする無機偏光板の製造方法。
【請求項７】
ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、Ａｌ２Ｏ３膜及びＳｉＯ２膜のいずれかである請求項６に記載の無機偏光板の製造方法。
【請求項８】
ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、原子層堆積法及び化学蒸着法のいずれかにより成膜される請求項６から７のいずれかに記載の無機偏光板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機偏光板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特定方向に偏光、又は偏波した光だけを通過させる偏光板は、液晶表示装置などに使用されている。
【０００３】
前記偏光板としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムにヨウ素化合物を吸着しこれを延伸配向させて可視光の吸収二色性を発現させた偏光フィルムが多く用いられている。前記偏光フィルムは、機械強度、耐熱性、耐湿性を確保するために、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などの透明フィルムによって両面から挟み込まれ、その上に、傷防止、汚れ付着防止などのハードコード処理がされている。
【０００４】
前記偏光フィルムに入射する光のうち通過しない偏光成分の光は、偏光フィルム内で吸収されて熱として前記偏光フィルム外に放出される。そのため、強い光が照射される場合には、発熱により前記偏光フィルムの温度が上昇し偏光特性が劣化してしまうという問題がある。これは、有機材料自体の耐熱性に原因があり本質的な改善は難しい。
【０００５】
そこで、高い耐熱性を要求される場所でも使用可能な偏光板として、完全に無機の材料だけから構成されたワイヤーグリッド偏光板が検討されている。前記ワイヤーグリッド偏光板は、基板の表面に、光の波長以下の周期を持つ微細な金属線からなるワイヤーグリッドが形成された構造を有する（例えば、特許文献１〜２参照）。
【０００６】
前記ワイヤーグリッド偏光板は、その原理から、金属線のピッチ（周期）に関係した「レイリー共鳴」と呼ばれる現象が生じる。共鳴波長の近傍では特性が急激に変化し、偏光子としての特性が低下してしまう。共鳴波長は下式で与えられる。
【数１】
2015219319.tif 000003
ここで、λＲ：共鳴波長、ｐ：金属線のピッチ、ｎｅｆｆ：金属線近傍の実効屈折率、θ：入射角度、ｋ：回折次数である。実際の使用条件では、θは、通常０°となる。回折次数は、０次（ｋ＝１）では単純透過を意味し、１次（ｋ＞２）は高次回折での損失分となるため、ｋ＝１となる（右式）。したがって、レイリー共鳴の共鳴波長は、金属線のピッチと金属線近傍の実効屈折率に比例する。そして、共鳴波長を、使用帯域の波長から大きくずらせば、前記レイリー共鳴に起因する特性の低下を防ぐことができる。
【０００７】
そこで、金属線近傍の実効屈折率を低くして、ワイヤーグリッド偏光板におけるレイリー共鳴の共鳴波長を短波長にするために、金属線間の屈折率の低い領域を、基板の厚み方向まで拡大させて、実効屈折率を下げる方法が提案されている（例えば、特許文献３〜７参照）。
【０００８】
また、前記式において、λＲ：共鳴波長を短くするには、金属線のピッチを狭くすることが有効である。特に、実効屈折率の低下よりも、金属線の狭ピッチ化の方が、大きな比率で変化させることができるため、共鳴波長を短くする効果が大きい。
【０００９】
前記ワイヤーグリッドを作製するには、従来、干渉露光法などの方法が用いられている。前記干渉露光法において金属線のピッチを狭くするには、露光に使用するレーザー光源の波長を短くしていく必要がある。しかし、金属線のピッチを１００ｎｍにしようとすると、実用的に使用できる光源がないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−２０４６３６号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１７６４６号公報
【特許文献３】特表２００３−５０２７０８号公報
【特許文献４】特表２０１０−５３０９９４号公報
【特許文献５】特表２０１０−５３０９９５号公報
【特許文献６】特許第４７６３０９９号公報
【特許文献７】特許第４８００４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
半導体の最先端のリソグラフィ技術においては、狭ピッチ化に有効なプロセスであって、「ダブルパターニング法」と呼ばれ、マスクパターンのピッチを半分にするプロセスの開発が進展している。
このプロセスにおいては、パターンニングで形成されたラインの両側の２つの領域は、処理される方法が異なるために、深さが異なることがある。
本発明者は、ダブルパターニング法による無機偏光板の製造を検討した際に、上記のような、ワイヤーグリッド層の金属線の両側の２つの領域の深さが異なることに起因してレイリー共鳴が生じるという問題、即ち非対称性に起因してレイリー共鳴が生じるという問題を発見した。前記レイリー共鳴は、無機偏光板の透過特性を低下させる。
【００１２】
本発明は、本発明者の前記発見により見出した新たな問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ワイヤーグリッド層の金属線の両側の２つの領域が非対称形状であっても、前記非対称形状に起因するレイリー共鳴による透過特性の低下を防止できる無機偏光板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  使用帯域の光に対して透明な基板と、
前記光の波長より短い間隔で前記基板上に離間して配列された複数の金属線を有するワイヤーグリッド層とを有し、
前記ワイヤーグリッド層における一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の一方の隣りに配された金属線（ＷＬ）の間の領域（ＲＬ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の他方の隣りに配された金属線（ＷＲ）の間の領域（ＲＲ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＲ）とが、下記式（１）を満たし、
前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＬ）の間隔（ＧＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＲ）の間隔（ＧＲ）とが、下記式（２）を満たし、
更に、前記間隔（ＧＬ）に対する前記距離（ＤＬ）の比（ＳＬ）と、前記間隔（ＧＲ）に対する前記距離（ＤＲ）の比（ＳＲ）とが、下記式（３）を満たす、
ことを特徴とする無機偏光板である。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）            式（１）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜            式（２）
０．９０≦ＳＲ／ＳＬ≦１．３０    式（３）
＜２＞  距離（ＤＬ）と、距離（ＤＲ）とが、下記式（１−２）を満たし、
間隔（ＧＬ）と、間隔（ＧＲ）とが、下記式（２−２）を満たす前記＜１＞に記載の無機偏光板である。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）≦８ｎｍ        式（１−２）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜≦２０ｎｍ      式（２−２）
＜３＞  基板が、ガラスである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の無機偏光板である。
＜４＞  金属線が、Ａｌ及びＡｌＳｉ合金のいずれかを含有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の無機偏光板である。
＜５＞  基板とワイヤーグリッド層との間に、ＳｉＯ２層を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の無機偏光板である。
＜６＞  前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の無機偏光板を製造する無機偏光板の製造方法であって、
カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成するワイヤーグリッド層形成工程を含むことを特徴とする無機偏光板の製造方法である。
＜７＞  ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、Ａｌ２Ｏ３膜及びＳｉＯ２膜のいずれかである前記＜６＞に記載の無機偏光板の製造方法である。
＜８＞  ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、原子層堆積法及び化学蒸着法のいずれかにより成膜される前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載の無機偏光板である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、ワイヤーグリッド層の金属線の両側の２つの領域が非対称形状であっても、前記非対称形状に起因するレイリー共鳴による透過特性の低下を防止できる無機偏光板、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の無機偏光板の一例の概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その１）。
【図２Ｂ】図２Ｂは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その２）。
【図２Ｃ】図２Ｃは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その３）。
【図２Ｄ】図２Ｄは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その４）。
【図２Ｅ】図２Ｅは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その５）。
【図２Ｆ】図２Ｆは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その６）。
【図２Ｇ】図２Ｇは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その７）。
【図２Ｈ】図２Ｈは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その８）。
【図２Ｉ】図２Ｉは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その９）。
【図２Ｊ】図２Ｊは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である（その１０）。
【図３Ａ】図３Ａは、シミュレーション１に用いたワイヤーグリッド層の構造の概略断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、シミュレーション１における透過率を示すグラフである。
【図４Ａ】図４Ａは、シミュレーション２に用いたワイヤーグリッド層の構造の概略断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、シミュレーション２における透過率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（無機偏光板）
本発明の無機偏光板は、基板と、ワイヤーグリッド層とを少なくとも有し、更に必要に応じて、金属酸化物層、金属層などのその他の部材を有する。
【００１７】
＜ワイヤーグリッド層＞
前記ワイヤーグリッド層は、前記光の波長より短い間隔で前記基板上に離間して配列された複数の金属線を有する。
前記ワイヤーグリッド層は、前記基板に接していてもよいし、前記基板との間に前記金属酸化物層、前記金属層などを有していてもよい。
【００１８】
前記ワイヤーグリッド層における一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の一方の隣りに配された金属線（ＷＬ）の間の領域（ＲＬ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の他方の隣りに配された金属線（ＷＲ）の間の領域（ＲＲ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＲ）とは、下記式（１）を満たす。
前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＬ）の間隔（ＧＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＲ）の間隔（ＧＲ）とは、下記式（２）を満たす。
更に、前記間隔（ＧＬ）に対する前記距離（ＤＬ）の比（ＳＬ）と、前記間隔（ＧＲ）に対する前記距離（ＤＲ）の比（ＳＲ）とは、下記式（３）を満たす。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）            式（１）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜            式（２）
０．９０≦ＳＲ／ＳＬ≦１．３０    式（３）
前記比（ＳＬ）は、ＤＬ／ＧＬであり、前記比（ＳＲ）は、ＤＲ／ＧＲである。
なお、前記一の金属線（Ｗ）に対して、両隣りに配された金属線の一方を金属線（ＷＬ）とし、他方を金属線（ＷＲ）とするかに際しては、距離（ＤＲ）と距離（ＤＬ）とが、前記式（１）を満たすように、決定される。
【００１９】
本発明では、前記ワイヤーグリッド層の前記金属線の両側の２つの領域が非対称、即ち前記式（１）及び式（２）を満たしても、前記２つの領域における前記比（ＳＬ）及び前記比（ＳＲ）を同程度にすること、即ち前記式（３）を満たすことにより、前記２つの領域の非対称性に起因するレイリー共鳴を防ぐことができる。具体的には、波長と透過率との関係について測定した場合に、透過率の低下を０．５％以下に抑えることができる。なお、透過率の低下が０．５％以下であれば、非対称形状に起因するレイリー共鳴による透過特性の低下を充分に防止できているといえる。
【００２０】
前記レイリー共鳴の防止は、金属線の両側の金属線近傍の実効屈折率を同程度にすることにより達成されていると考える。
【００２１】
前記実効屈折率とは、その領域の媒質の平均的な屈折率のことであって、互いに屈折率の異なる微細な媒質の混合物からなる物質に光が伝搬する際、光の波長が前記微細な媒質よりも十分に大きい場合、混合物中の個々の媒質の屈折率ではなく平均の屈折率を持つ媒質と同じように伝搬する。
本発明における前記ワイヤーグリッド層の前記金属線の幅、及び前記金属線の間隔は、可視光よりも十分小さいものであって、十分に上記考えが適用可能なサイズとなっている。
【００２２】
前記実効屈折率は、金属線間の静電容量と結びつけることができる。厳密には、前記実効屈折率は、金属線近傍の電磁界分布から考慮されるべきものである。しかし、本発明においては、レイリー共鳴を低下させるという効果を得るために十分な範囲において、前記実効屈折率を簡略化して考えることができる。即ち、前記実効屈折率を、金属線間の擬似的な「容量」としての、電磁界が広がる領域の〔距離（Ｄ）／間隔（Ｇ）〕で求められる量と相関づけて考えることができる。
そのため、ある任意の金属線の両側の２つの領域の深さ又は幅（即ち金属線間の間隔）が異なる場合でも、前記２つの領域の〔距離（Ｄ）／間隔（Ｇ）〕で求められる量が同程度であると、実効屈折率の観点からは、前記２つの領域は対称化される。
したがって、前記式（３）を満たすことにより、前記金属線の両側の領域の前記金属線近傍の実効屈折率は、同程度となり、前記レイリー共鳴が防止される。
【００２３】
本発明において、前記式（１）〜式（３）の関係は、前記ワイヤーグリッド層の任意の１箇所において満たされていればよい。前記無機偏光板の製造方法は、精度が高い製造方法で製造されるため、前記任意の１箇所で測定し、それらの箇所で前記式（１）〜式（３）の関係が満たされていることが確認できれば、前記ワイヤーグリッド層の全領域について前記式（１）〜式（３）を満たすことが推定できる。
【００２４】
前記距離（ＤＬ）と、前記距離（ＤＲ）とは、下記式（１−２）を満たし、かつ
前記間隔（ＧＬ）と、前記間隔（ＧＲ）とは、下記式（２−２）を満たすことが、偏光特性の広帯域化を図ることができる点で好ましい。また、前記間隔（ＧＬ）と、前記間隔（ＧＲ）とは、下記式（２−３）を満たすことがより好ましい。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）≦８ｎｍ        式（１−２）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜≦２０ｎｍ      式（２−２）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜≦１０ｎｍ      式（２−３）
【００２５】
前記距離（ＤＬ）と、前記距離（ＤＲ）との差の範囲の絶対値の下限としては、０ｎｍ超であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ以上が好ましい。
前記間隔（ＧＬ）と、前記間隔（ＧＲ）との差の範囲の絶対値の下限としては、０ｎｍ超であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ以上が好ましい。
【００２６】
前記間隔（ＧＬ）に対する前記距離（ＤＬ）の比（ＳＬ）と、前記間隔（ＧＲ）に対する前記距離（ＤＲ）の比（ＳＲ）とは、下記式（３−２）を満たすことが好ましい。
１．００≦ＳＲ／ＳＬ≦１．３０    式（３−２）
【００２７】
前記金属線の材質、形状、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記金属線の材質としては、Ａｌ、Ａｌ合金などが挙げられる。前記Ａｌ合金としては、例えば、ＡｌＳｉ合金などが挙げられる。
前記金属線としては、Ａｌ及びＡｌＳｉ合金のいずれかを含有することが、光学特性及びプロセスの容易性の点で好ましい。
【００２８】
前記金属線の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、矩形、台形などが挙げられる。前記金属線の形状が台形の場合、上底と下底との差としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０ｎｍ超１０ｎｍ以下が好ましい。
【００２９】
前記金属線の平均幅としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光学特性及びプロセスの安定性の点から、２０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、３０ｎｍ〜４０ｎｍがより好ましい。
前記金属線の平均幅は、例えば、走査型電子顕微鏡観察、透過型電子顕微鏡観察により求めることができる。例えば、４本の金属線について、任意の箇所の幅を測定して、その算術平均値から、平均幅を求める。
【００３０】
複数の前記金属線間の平均間隔としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、作製の容易性、及び安定性の点から、８０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜１４０ｎｍがより好ましい。
前記平均間隔は、例えば、走査型電子顕微鏡観察、透過型電子顕微鏡観察により求めることができる。例えば、任意の４箇所の金属線の間隔について測定して、その算術平均値から、平均間隔を求める。
【００３１】
前記ワイヤーグリッド層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光学特性の点から、１００ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。
前記ワイヤーグリッド層の平均厚みは、複数の前記金属線の平均高さでもある。
ここで、本明細書において、平均厚みとは、前記金属線の長さ方向に直交する断面における層の厚みの算術平均値であり、例えば、走査型電子顕微鏡観察、透過型電子顕微鏡観察により求めることができる。例えば、任意の１０箇所の厚みを測定して、その算術平均値から、平均厚みを求める。
【００３２】
前記距離（ＤＬ）〔以下、「距離ＤＬ」と表記することがある。距離（ＤＲ）、間隔（ＧＬ）、間隔（ＧＲ）、領域（ＲＬ）、領域（ＲＲ）、及び高さ（Ｈ）についても同様である。〕、前記距離（ＤＲ）、前記間隔（ＧＬ）、前記間隔（ＧＲ）、前記領域（ＲＬ）、前記領域（ＲＲ）、及び前記金属線の高さ（Ｈ）について、図１を用いて、以下に説明する。
図１は、本発明の無機偏光板の一例の概略断面図である。この概略断面図は、金属線の長さ方向に直交する断面の概略断面図である。
図１の無機偏光板は、基板１と、基板１上に形成された金属酸化物層２と、金属酸化物層２上に形成されたワイヤーグリッド層３Ｂとを有している。ワイヤーグリッド層３Ｂは、複数の金属線が配列して形成されている。
金属線Ｗの高さＨは、金属線Ｗの金属酸化物層２側の端（下端）から他方の端（上端）までの長さを指す。
図１のワイヤーグリッド層３Ｂにおいては、一の金属線Ｗの左隣り（図１における左隣り）に金属線ＷＬが配され、一の金属線Ｗの右隣り（図１における右隣り）に金属線ＷＲが配されている。
領域ＲＬは、金属線Ｗと、金属線ＷＬと、金属線Ｗの頂点及び金属線ＷＬの頂点を結ぶ仮想面ＶＬと、金属酸化物層２とにより囲まれた領域である。
領域ＲＲは、金属線Ｗと、金属線ＷＲと、金属線Ｗの頂点及び金属線ＷＲの頂点を結ぶ仮想面ＶＲと、金属酸化物層２とにより囲まれた領域である。
間隔ＧＬは、金属線Ｗの幅方向の中心線Ｃにおける高さ方向の中間位置と、金属線ＷＬの幅方向の中心線ＣＬとの最短距離である。
間隔ＧＲは、金属線Ｗの幅方向の中心線Ｃにおける高さ方向の中間位置と、金属線ＷＲの幅方向の中心線ＣＲとの最短距離である。
距離ＤＬは、領域ＲＬにおける仮想面ＶＬと、金属酸化物層２との間の距離であって、領域ＲＬの断面が矩形ではない場合、距離ＤＬは、金属線Ｗと、金属線ＷＬとの間の中間位置を通るように測定される距離である。
距離ＤＲは、領域ＲＲにおける仮想面ＶＲと、金属酸化物層２との間の距離であって、領域ＲＲの断面が矩形ではない場合、距離ＤＲは、金属線Ｗと、金属線ＷＲとの間の中間位置を通るように測定される距離である。
なお、金属線近傍の実効屈折率は、電磁界が広がる領域と相関づけられる。そのため、電磁界が広がる領域に含まれる、金属線間の金属酸化物層２の凹部も、前記距離ＤＬ、及び前記距離ＤＲを求めるにあたり考慮される。一方、金属線の上部の領域（金属線Ｗ及び金属線ＷＬ間の上部の領域、及び金属線Ｗ及び金属線ＷＲ間の上部の領域）については、前記比（ＳＲ／ＳＬ）においては影響を受けない。そのため、前記距離ＤＬの端部は、仮想面ＶＬとし、前記距離ＤＲの端部は、仮想面ＶＲとしている。
【００３３】
＜基板＞
前記基板としては、使用帯域の光に対して透明であれば、その材質、形状、大きさ、構造は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３４】
前記使用帯域の光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、可視光などが挙げられる。前記可視光としては、例えば、３８０ｎｍ〜８１０ｎｍの光などが挙げられる。
【００３５】
前記使用帯域の光に対して透明とは、透過率が１００％であることを意味するものではなく、無機偏光板としての機能を保持する範囲において透明であればよい。
【００３６】
前記基板の材質としては、例えば、ガラス、水晶、セラミックなどが挙げられる。これらの中でも、コスト及び透過率の点で、ガラスが好ましい。
【００３７】
前記基板の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、３００μｍ〜１，０００μｍが好ましい。
【００３８】
＜金属酸化物層、及び金属層＞
前記金属酸化物層、及び前記金属層は、例えば、前記基板と前記ワイヤーグリッド層との間、前記ワイヤーグリッド層の前記基板側と反対側の面上などに設けられる。
なお、前記金属層は、金属を平面状に形成してなる層であり、前記ワイヤーグリッド層のようなグリッド状ではない点で、前記ワイヤーグリッド層とは異なる。
前記無機偏光板が、前記金属酸化物層、又は前記金属層を有することにより、反射率を低減することができる。
【００３９】
前記金属酸化物層としては、ＳｉＯ２層であることが、屈折率がガラスに近いこと及びエッチング性がよいことから、透過率を高めやすい点で好ましい。
【００４０】
前記金属酸化物層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光学特性の点で、２０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
前記金属層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光学特性の点で、１００ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。
【００４１】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、撥水層などが挙げられる。
【００４２】
＜＜保護層＞＞
前記保護層は、例えば、前記金属線が配されていない部分に配することができる。
前記保護層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＳｉＯ２などが挙げられる。
前記無機偏光板は、前記保護層を有することにより、信頼性を向上させることができる。
【００４３】
＜＜撥水層＞＞
前記撥水層は、例えば、前記保護層上に設けられる。
前記無機偏光板は、前記撥水層を有することにより、撥水性を高め、信頼性を向上させることができる。
【００４４】
前記無機偏光板を製造する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記無機偏光板の製造方法が、狭ピッチのワイヤーグリッド層を形成可能な点で好ましい。
【００４５】
（無機偏光板の製造方法）
本発明の無機偏光板の製造方法は、ワイヤーグリッド層形成工程を少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００４６】
＜ワイヤーグリッド層形成工程＞
前記ワイヤーグリッド層形成工程は、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属層形成処理と、マスク層形成処理と、レジストパターン形成処理と、カバレッジ膜形成処理と、カバレッジ膜エッチング処理と、レジストアッシング処理と、マスク層エッチング処理と、金属層エッチング処理と、マスク層除去処理とを少なくとも含み、更に必要に応じて、反射防止層形成処理などのその他の処理を含む。
【００４７】
＜＜金属層形成処理＞＞
前記金属層形成処理としては、基板上に金属層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着などが挙げられる。前記金属層は、ワイヤーグリッド層形成工程により、ワイヤーグリッド層に加工される。前記金属層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金などが挙げられる。前記Ａｌ合金としては、例えば、ＡｌＳｉ合金などが挙げられる。
【００４８】
前記金属層形成処理が行われる前記基板には、前記金属酸化物層（例えば、ＳｉＯ２層）が形成されていてもよい。
【００４９】
＜＜マスク層形成処理＞＞
前記マスク層形成処理としては、前記金属層上に、マスク層を形成する処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着などが挙げられる。
前記マスク層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、少なくともその一部にＳｉＯ２を含む多層構造などが挙げられる。
【００５０】
＜＜レジストパターン形成処理＞＞
前記レジストパターン形成処理としては、前記マスク層上に、レジストパターンを形成する処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記レジストパターンのラインは、ワイヤーグリッド層形成工程により形成されるワイヤーグリッド層の金属線の幅と同程度であり、スペースは、ワイヤーグリッド層形成工程により形成されるワイヤーグリッド層の２つの隣接する金属線間の間隔の約２倍である。
【００５１】
＜＜カバレッジ膜形成処理＞＞
前記カバレッジ膜形成処理としては、前記レジストパターン形成処理により形成されたレジストパターン上及び前記レジストパターン間に露出した前記マスク層上にカバレッジ膜を形成する処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、原子層堆積法、化学蒸着法が、被覆性の点から好ましい。
【００５２】
前記カバレッジ膜としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ａｌ２Ｏ３膜及びＳｉＯ２膜のいずれかであるであることが、成膜性、及びエッチング性の点から、好ましい。
【００５３】
＜＜カバレッジ膜エッチング処理＞＞
前記カバレッジ膜エッチング処理としては、前記レジストパターンの側面上のカバレッジ膜を残して、前記レジストパターンの頂部及び前記マスク層が露出するように、前記カバレッジ膜を異方的にエッチングする処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライエッチングにより行うことができる。
【００５４】
＜＜レジストアッシング処理＞＞
前記レジストアッシング処理としては、前記カバレッジ膜エッチング処理の後に、前記レジストパターンを剥離する処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸素プラズマにより行うことができる。
【００５５】
＜＜マスク層エッチング処理＞＞
前記マスク層エッチング処理としては、前記レジストアッシング処理の後に、前記カバレッジ膜エッチング処理後に残った前記カバレッジ膜をマスクとして用いて、露出しているマスク層をエッチングする処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライエッチングにより行うことができる。
【００５６】
＜＜金属層エッチング処理＞＞
前記金属層エッチング処理としては、前記マスク層エッチング処理の後に、前記マスク層エッチング処理後に残った前記マスク層をマスクとして用いて、前記金属層をエッチングする処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属層の材質がＡｌである場合、塩素ガスを用いたドライエッチングにより行うことができる。
【００５７】
＜＜マスク層除去処理＞＞
前記マスク層除去処理としては、前記金属層エッチング処理の後に、残存している前記マスク層を除去する処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライエッチングにより行うことができる。
【００５８】
＜＜その他の処理＞＞
前記その他の処理としては、例えば、反射防止層形成処理などが挙げられる。
【００５９】
−反射防止層形成処理−
前記反射防止層形成処理としては、前記マスク層形成処理の後であって、前記レジストパターン形成処理の前に、前記マスク層上に反射防止層を形成する処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコートにより行うことができる。
前記反射防止層を前記マスク層上に形成することにより、前記レジストパターン形成処理の際の、露光光の前記金属層での反射を防止することで、所望のレジストパターンを形成しやすくできる。
【００６０】
以下に、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法により前記無機偏光板を製造する方法の一例を、図２Ａ〜図２Ｊを用いて説明する。
【００６１】
図２Ａ〜図２Ｊは、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である。
【００６２】
まず、金属酸化物層２が形成された基板１上に、金属層３を形成する（図２Ａ）。
次に、金属層３上に、マスク層４を形成する（図２Ｂ）。
次に、マスク層４上に、レジスト膜５を形成する（図２Ｃ）。
次に、レジスト膜５をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングし、マスク層４上に、レジストパターン５Ａを形成する（図２Ｄ）。
次に、レジストパターン５Ａ及び露出したマスク層４上に、その形状に追従するように、カバレッジ膜６を形成する（図２Ｅ）。なお、カバレッジ膜６は、レジストパターン５Ａ間にカバレッジ膜６が充填されていないスペース部Ｓｐが形成されるように、形成される。
次に、異方性エッチングを行い、レジストパターン５Ａの頂部上及びマスク層４上のカバレッジ膜６を選択的に除去し、カバレッジ膜パターン６Ａを得る（図２Ｆ）。
次に、レジストアッシングを行い、レジストパターン５Ａを除去する（図２Ｇ）。そうすることにより、マスク層４上には、カバレッジ膜パターン６Ａのみが残る。
次に、カバレッジ膜パターン６Ａをマスクとして、マスク層４のエッチングを行い、マスク層パターン４Ａを得る（図２Ｈ）。
次に、マスク層パターン４Ａをマスクとして、金属層３のエッチングを行い、金属線３Ａを得る（図２Ｉ）。
次に、金属線３Ａ上に残ったマスク層パターン４Ａを除去する（図２Ｊ）。
以上により、カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層が形成される。なお、この際、図２Ｊにおける領域Ｒａと領域Ｒｂとでは、ダブルパターニング法が行われている際の環境が異なる。即ち、領域Ｒａは、レジストパターン５Ａに基づいて形成される領域であるのに対して、領域Ｒｂは、カバレッジ膜６が形成された際のレジストパターン間のスペース部Ｓｐに基づいて形成される領域である。そのため、領域Ｒａと領域Ｒｂとでは、ワイヤーグリッド層形成工程の各処理の際の環境の違いにより、その高さ（基板の厚み方向の距離）、幅が異なることがある。例えば、領域Ｒａと、領域Ｒｂとでは、金属酸化物層２までもエッチングが行われ、その際のエッチング深さが異なる場合がある。即ち、金属線３Ａの両側の領域が非対称になることがある。そのような場合、その非対称性に起因してレイリー共鳴が生じることがある、前記無機偏光板は、そのレイリー共鳴を抑制し、透過特性の低下を防止できる。
【実施例】
【００６３】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００６４】
Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｓｏｌｖｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ社のグレーティングシミュレータＧｓｏｌｖｅｒを用いたＲｉｇｏｒｏｕｓ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｗａｖｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ（ＲＣＷＡ）による電磁界シミュレーションを行った。
【００６５】
（シミュレーション１）
間隔（ＧＬ）及び間隔（ＧＲ）の差を変えることによる透過率の変化を確認した。具体的には、アルミニウム製の金属線（Ｗ）及び（ＷＬ）の間隔、並びに金属線（Ｗ）及び（ＷＲ）の間隔を変動させて、透過率の変化のシミュレーションを行った。
シミュレーションに用いたワイヤーグリッド層の構造の概略断面図を図３Ａに示す。条件、及び透過率ディップ（透過率の低下）を以下に示す。
【００６６】
【表１−１】
2015219319.tif 000004
【００６７】
【表１−２】
2015219319.tif 000005
【００６８】
【表１−３】
2015219319.tif 000006
【００６９】
シミュレーションにおける透過率を示すグラフを図３Ｂに示す。
間隔（ＧＲ）と間隔（ＧＬ）との差が大きくなるほど、波長−透過率曲線での共鳴によるノッチが大きくなり、透過率の低下が見られた。
透過率の低下を０．５％以下とするためには、間隔（ＧＲ）と間隔（ＧＬ）との差は、１０ｎｍ以下が好ましいことが確認できた。
【００７０】
（シミュレーション２）
距離（ＤＬ）及び距離（ＤＲ）の差を８ｎｍとしつつ、間隔（ＧＬ）及び間隔（ＧＲ）の差を変えることによる透過率の変化を確認した。具体的には、アルミニウム製の金属線（Ｗ）及び（ＷＬ）の下部に下地層としてのＳｉＯ２層を設け、距離（ＤＬ）を距離（ＤＲ）よりも８ｎｍ短くしつつ、アルミニウム製の金属線（Ｗ）及び（ＷＬ）の間隔、並びに金属線（Ｗ）及び（ＷＲ）の間隔を変動させて、透過率の変化のシミュレーションを行った。
シミュレーションに用いたワイヤーグリッド層の構造の概略断面図を図４Ａに示す。条件、及び透過率ディップ（透過率の低下）を以下に示す。
【００７１】
【表２−１】
2015219319.tif 000007
【００７２】
【表２−２】
2015219319.tif 000008
【００７３】
【表２−３】
2015219319.tif 000009
【００７４】
シミュレーションにおける透過率を示すグラフを図４Ｂに示す。
０＜（ＤＲ−ＤＬ）、かつ｜ＧＲ−ＧＬ｜≠０の場合でも、前記式（３）を満たすことにより、透過率の低下を０．５％以下に抑えることができた。
なお、距離（ＤＬ）及び距離（ＤＲ）の差が８ｎｍの場合、前記式（３）を満たし、かつ前記式（２−２）〔０ｎｍ＜｜ＧＬ−ＧＲ｜≦２０ｎｍ〕を満たす範囲では、透過率の低下が０．２％以下であり非常に優れていた。
【００７５】
シミュレーション１〜２の結果から、実効屈折率の概念を元にした簡易的な非対称尺度と、透過率ディップとが関係しており、ワイヤーグリッドが非対称な構造であっても、前記（３）を満たすことにより、レイリー共鳴に基づく透過率ディップ（透過率の低下）を抑制できることが確認できた。
【符号の説明】
【００７６】
Ｗ      金属線
ＷＬ    金属線
ＲＬ    領域
ＤＬ    距離
ＧＬ    間隔
ＷＲ    金属線
ＲＲ    領域
ＤＲ    距離
ＧＲ    間隔
Ｈ      高さ
ＶＬ    仮想面
ＶＲ    仮想面
Ｃ      中心線
ＣＬ    中心線
ＣＲ    中心線
１      基板
２      金属酸化物層
３      金属層
３Ａ    金属線
３Ｂ    ワイヤーグリッド層
４      マスク層
４Ａ    マスク層パターン
５      レジスト膜
５Ａ    レジストパターン
６      カバレッジ膜
６Ａ    カバレッジ膜パターン
Ｓｐ    スペース部
Ｒａ    領域
Ｒｂ    領域
【図１】
2015219319.tif 000010
【図２Ａ】
2015219319.tif 000011
【図２Ｂ】
2015219319.tif 000012
【図２Ｃ】
2015219319.tif 000013
【図２Ｄ】
2015219319.tif 000014
【図２Ｅ】
2015219319.tif 000015
【図２Ｆ】
2015219319.tif 000016
【図２Ｇ】
2015219319.tif 000017
【図２Ｈ】
2015219319.tif 000018
【図２Ｉ】
2015219319.tif 000019
【図２Ｊ】
2015219319.tif 000020
【図３Ａ】
2015219319.tif 000021
【図３Ｂ】
2015219319.tif 000022
【図４Ａ】
2015219319.tif 000023
【図４Ｂ】
2015219319.tif 000024
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  使用帯域の光に対して透明な基板と、
前記光の波長より短い間隔で前記基板上に離間して配列された複数の金属線を有するワイヤーグリッド層とを有し、
前記ワイヤーグリッド層における一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の一方の隣りに配された金属線（ＷＬ）の間の領域（ＲＬ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の他方の隣りに配された金属線（ＷＲ）の間の領域（ＲＲ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＲ）とが、下記式（１）を満たし、
前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＬ）の間隔（ＧＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＲ）の間隔（ＧＲ）とが、下記式（２）を満たし、
更に、前記間隔（ＧＬ）に対する前記距離（ＤＬ）の比（ＳＬ）と、前記間隔（ＧＲ）に対する前記距離（ＤＲ）の比（ＳＲ）とが、下記式（３）を満たす、
ことを特徴とする無機偏光板である。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）            式（１）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜            式（２）
０．９０≦ＳＲ／ＳＬ≦１．３０    式（３）
＜２＞  距離（ＤＬ）と、距離（ＤＲ）とが、下記式（１−２）を満たし、
間隔（ＧＬ）と、間隔（ＧＲ）とが、下記式（２−２）を満たす前記＜１＞に記載の無機偏光板である。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）≦８ｎｍ        式（１−２）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜≦２０ｎｍ      式（２−２）
＜３＞  基板が、ガラスである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の無機偏光板である。
＜４＞  金属線が、Ａｌ及びＡｌＳｉ合金のいずれかを含有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の無機偏光板である。
＜５＞  基板とワイヤーグリッド層との間に、ＳｉＯ２層を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の無機偏光板である。
＜６＞  前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の無機偏光板を製造する無機偏光板の製造方法であって、
カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成するワイヤーグリッド層形成工程を含むことを特徴とする無機偏光板の製造方法である。
＜７＞  ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、Ａｌ２Ｏ３膜及びＳｉＯ２膜のいずれかである前記＜６＞に記載の無機偏光板の製造方法である。
＜８＞  ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、原子層堆積法及び化学蒸着法のいずれかにより成膜される前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載の無機偏光板の製造方法である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用帯域の光に対して透明な基板と、
前記光の波長より短い間隔で前記基板上に離間して配列された複数の金属線を有するワイヤーグリッド層とを有し、
前記ワイヤーグリッド層における一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の一方の隣りに配された金属線（ＷＬ）の間の領域（ＲＬ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記一の金属線（Ｗ）の他方の隣りに配された金属線（ＷＲ）の間の領域（ＲＲ）における前記基板の厚み方向の距離（ＤＲ）とが、下記式（１）を満たし、
前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＬ）の間隔（ＧＬ）と、前記一の金属線（Ｗ）、及び前記金属線（ＷＲ）の間隔（ＧＲ）とが、下記式（２）を満たし、
更に、前記間隔（ＧＬ）に対する前記距離（ＤＬ）の比（ＳＬ）と、前記間隔（ＧＲ）に対する前記距離（ＤＲ）の比（ＳＲ）とが、下記式（３）を満たす、
ことを特徴とする無機偏光板。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）            式（１）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜            式（２）
０．９０≦ＳＲ／ＳＬ≦１．３０    式（３）
【請求項２】
距離（ＤＬ）と、距離（ＤＲ）とが、下記式（１−２）を満たし、
間隔（ＧＬ）と、間隔（ＧＲ）とが、下記式（２−２）を満たす請求項１に記載の無機偏光板。
０ｎｍ＜（ＤＲ−ＤＬ）≦８ｎｍ        式（１−２）
０ｎｍ＜｜ＧＲ−ＧＬ｜≦２０ｎｍ      式（２−２）
【請求項３】
基板が、ガラスである請求項１から２のいずれかに記載の無機偏光板。
【請求項４】
金属線が、Ａｌ及びＡｌＳｉ合金のいずれかを含有する請求項１から３のいずれかに記載の無機偏光板。
【請求項５】
基板とワイヤーグリッド層との間に、ＳｉＯ２層を有する請求項１から４のいずれかに記載の無機偏光板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の無機偏光板を製造する無機偏光板の製造方法であって、
カバレッジ膜を用いたダブルパターニング法によりワイヤーグリッド層を形成するワイヤーグリッド層形成工程を含むことを特徴とする無機偏光板の製造方法。
【請求項７】
ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、Ａｌ２Ｏ３膜及びＳｉＯ２膜のいずれかである請求項６に記載の無機偏光板の製造方法。
【請求項８】
ダブルパターニング法に用いられるカバレッジ膜が、原子層堆積法及び化学蒸着法のいずれかにより成膜される請求項６から７のいずれかに記載の無機偏光板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015219319.tif 000025