(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子で発生する熱による蛍光体の劣化が抑制された発光装置を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０の主面１０１上にフリップチップ実装された発光素子２０と、発光素子２０を覆って基板１０の主面１０１上に配置された第１の透明樹脂３１、及び第１の透明樹脂３１を覆って基板１０の主面１０１上に配置された、発光素子２０の出射光によって励起される蛍光体を含有する蛍光体樹脂３２を有するカバー樹脂３０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上にフリップチップ実装された発光素子と、
前記発光素子を覆って前記基板の前記主面上に配置された第１の透明樹脂、及び前記第１の透明樹脂を覆って前記基板の前記主面上に配置された、前記発光素子の出射光によって励起される蛍光体を含有する蛍光体樹脂を有するカバー樹脂と
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記カバー樹脂が、前記蛍光体樹脂を覆って前記基板の前記主面上に配置された第２の透明樹脂を更に有し、
前記第１の透明樹脂、前記蛍光体樹脂、及び前記第２の透明樹脂の順に屈折率が徐々に小さくなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子が、
前記第１の透明樹脂よりも屈折率が大きい支持基板と、
発光層を含んで前記支持基板に配置された半導体層と
とを備え、
前記発光素子は前記半導体層の側で前記基板と対向し、前記発光層から前記支持基板の方向に出射された光が前記支持基板を透過して前記カバー樹脂に入射することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光体樹脂が、前記蛍光体樹脂と前記第１の透明樹脂との接合を向上するアンカー効果のためにフィラーを含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記カバー樹脂が、前記発光素子の側面及び上面と接していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子の側面に接する領域における前記カバー樹脂の膜厚が、前記発光素子の上面に接する領域における前記カバー樹脂の膜厚よりも厚く、且つ、前記側面に接する領域における前記カバー樹脂の膜厚は前記基板に近いほど厚いことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子の配置された領域の残余の領域において前記第１の主面上に配置された、前記発光素子の出射光を反射する反射膜を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記反射膜が絶縁性の白色ペーストであることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１の透明樹脂が、前記発光素子からの出射光を分散させる散乱剤を含有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装された発光素子を有する発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子を光源に用いた発光装置が実用化されている。例えば、蛍光体を含有する透光性の樹脂（以下において、「蛍光体樹脂」という。）で発光素子を覆った発光装置などが使用されている（例えば特許文献１参照。）。これらの発光装置では、発光素子の出射光によって励起された蛍光体からの励起光を出力光としたり、発光素子の出射光と蛍光体からの励起光とを混色して出力光としたりする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３５５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、発光素子を蛍光体樹脂で覆うことによって、発光素子で発生する熱によって蛍光体樹脂中の蛍光体が劣化するという問題があった。上記問題点に鑑み、本発明は、発光素子で発生する熱による蛍光体の劣化が抑制された発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、（ア）基板と、（イ）基板の主面上にフリップチップ実装された発光素子と、（ウ）発光素子を覆って基板の主面上に配置された第１の透明樹脂、及び第１の透明樹脂を覆って基板の主面上に配置された、発光素子の出射光によって励起される蛍光体を含有する蛍光体樹脂を有するカバー樹脂とを備える発光装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、発光素子で発生する熱による蛍光体の劣化が抑制された発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る発光装置に使用可能な発光素子の構造を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の電極接続構造を示す模式的な平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に適用可能な第１電極の構造例を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の他の電極接続構造を示す模式図であり、図５（ａ）は図５（ｂ）のＶ−Ｖ方向に沿った断面図であり、図５（ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の他の構造を示す模式的な断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態の変形例に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態の変形例に係る発光装置の他の構造を示す模式的な断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図１０】本発明のその他の実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【０００９】
本発明の実施形態に係る発光装置１は、図１に示すように、互いに対向する第１の主面１０１と第２の主面１０２を有する基板１０と、基板１０の第１の主面１０１上にフリップチップ実装された発光素子２０と、発光素子２０を覆って基板１０の第１の主面１０１上に配置されたカバー樹脂３０とを備える。カバー樹脂３０は透光性の樹脂によって構成されており、発光素子２０の出射光がカバー樹脂３０を透過して発光装置１の外部に出力光Ｌとして出力される。
【００１０】
カバー樹脂３０は、第１の透明樹脂３１、発光素子２０の出射光によって励起される蛍光体を含有する蛍光体樹脂３２、及び第２の透明樹脂３３が、この順に積層された３層構造である。即ち、第１の透明樹脂３１は、発光素子２０の側面及び上面に接して基板１０の第１の主面１０１上に配置されている。蛍光体樹脂３２は、第１の透明樹脂３１を覆って第１の主面１０１上に配置されている。そして、第２の透明樹脂３３は、蛍光体樹脂３２を覆って第１の主面１０１上に配置されている。
【００１１】
発光素子２０の出射光を透過する樹脂であれば、第１の透明樹脂３１、蛍光体樹脂３２、第２の透明樹脂３３に、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を採用可能である。例えば、第１の透明樹脂３１や第２の透明樹脂３３として、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを採用可能である。また、蛍光体樹脂３２として前記の透明樹脂に蛍光材を混合したものなどを採用可能である。
【００１２】
カバー樹脂３０が蛍光体を含有する蛍光体樹脂３２を有することにより、所望の色の出力光Ｌを発光装置１から出力できる。また、発光装置１から、発光素子２０の出射光と励起光とが混色された出力光Ｌを出力させることも可能である。
【００１３】
例えば、出射光が青色光の発光素子２０を使用した場合に、青色光に励起されて黄色光を放射するイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）などを蛍光体樹脂３２に含まれる蛍光体として用いる。このとき、発光素子２０から出射された青色光の一部が蛍光体を励起することにより、黄色光に波長変換される。蛍光体から放射された黄色光と発光素子２０から出射された青色光とが混合されることにより、白色の出力光Ｌが発光装置１から出力される。
【００１４】
なお、白色の出力光Ｌを得るための発光素子２０の出射光と蛍光体との組み合わせはこれに限られるものではない。例えば、近紫外光を出射する発光素子２０と、近紫外光によって励起されて赤色光、緑色光、及び青色光を放射する蛍光体を蛍光体樹脂３２に含有させてもよい。もちろん、発光装置１の出力光Ｌが白色光以外の場合にも、発光素子２０の出射光と蛍光体との種々の組み合わせを採用可能である。
【００１５】
発光装置１においては、発光素子２０に第１の透明樹脂３１が直接に接触しており、第１の透明樹脂３１を挟んで蛍光体樹脂３２が発光素子２０を覆っている。このため、発光素子２０で発生した熱が第１の透明樹脂３１で吸収され、蛍光体樹脂３２に直接は熱が伝わらない。このため、熱による蛍光体の劣化が抑制される。
【００１６】
第２の透明樹脂３３は、発光装置１のレンズとして機能する。第２の透明樹脂３３の形状は、発光装置１に所望の配光特性に応じて任意に設定される。また、第１の透明樹脂３１や蛍光体樹脂３２の膜厚は、例えば０．３ｍｍ程度にそれぞれ設定される。
【００１７】
なお、カバー樹脂３０を、発光素子２０側から外側に向けて屈折率が小さくなるように膜厚方向に屈折変化させてもよい。これにより、全反射が抑制されて、発光装置１の光取り出し効率が向上する。このために、第１の透明樹脂３１、蛍光体樹脂３２、第２の透明樹脂３３の順に屈折率の小さい材料を採用する。例えば、第１の透明樹脂３１の屈折率を１．４、蛍光体樹脂３２の屈折率を１．３、第２の透明樹脂３３の屈折率を１．２とする。
【００１８】
なお、第１の透明樹脂３１、蛍光体樹脂３２及び第２の透明樹脂３３のいずれかの層、又はすべての層に、散乱剤を混入させてもよい。これによりカバー樹脂３０内で光が散乱され、発光装置１の輝度が向上する。特に、第１の透明樹脂３１は発光素子２０の光取り出し面に近いため、第１の透明樹脂３１に散乱剤を混入することによって光が分散され、光の指向性を変えることに効果的である。また、蛍光体樹脂３２に散乱剤を混入することによって、効率よく蛍光体を励起させることができる。
【００１９】
発光素子２０は、例えばＬＥＤチップである。発光素子２０の基板１０に対向する面に、図示を省略するアノード電極とカソード電極が配置されている。以下において、アノード電極とカソード電極とを総称して「素子電極」という。発光素子２０と基板１０間の電気的接続にボンディングワイヤが使用されていないため、例えばカバー樹脂３０の変形などによるボンディングワイヤの切断や変形が発生しない。このため、発光装置１では、発光素子２０と基板１０間の電気的接続が安定している。発光素子２０の素子電極には、金スズ（ＡｕＳｎ）膜などを採用可能である。
【００２０】
発光素子２０は、支持基板２２と、発光層を含んで支持基板２２に配置された半導体層２３とを備える。半導体層２３は、例えば図２に示したように、支持基板２２上にＮ型クラッド層２３１、発光層２３２、Ｐ型クラッド層２３３が順に積層されたダブルへテロ構造などを採用可能である。発光層２３２に、Ｎ型クラッド層２３１から電子が注入され、Ｐ型クラッド層２３３から正孔が注入される。注入された電子及び正孔が発光層２３２で再結合することにより、光が発生する。
【００２１】
図１に示した例では、発光素子２０が半導体層２３の側で基板１０と対向している。つまり、図２に示したように、Ｎ型クラッド層２３１に接続する素子電極２１（カソード電極）とＰ型クラッド層２３３に接続する素子電極２１（アノード電極）が半導体層側に配置されている。そして、半導体層２３の発光層２３２から上方の支持基板２２の方向に出射された光が、支持基板２２を透過してカバー樹脂３０に入射する。支持基板２２には、例えばサファイア基板や炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板などが採用される。なお、Ｎ型クラッド層２３１に接続する素子電極２１は、絶縁膜２３４によって発光層２３２及びＰ型クラッド層２３３から絶縁分離されている。
【００２２】
前述のように、発光装置１では支持基板２２と蛍光体樹脂３２との間に第１の透明樹脂３１が配置されている。このため、支持基板２２の表面の凹凸が第１の透明樹脂３１によって吸収される。つまり、支持基板２２の表面の平坦性が悪くても、蛍光体樹脂３２が配置される第１の透明樹脂３１の主面は平坦である。その結果、蛍光体樹脂３２の厚みにバラツキが生じない。したがって、出力光Ｌの色ムラを低減できる。
【００２３】
また、柔軟性のある第１の透明樹脂３１で発光素子２０を覆うことで、蛍光体樹脂３２に含まれる蛍光体や散乱剤などのフィラーによるアンカー効果によって、蛍光体樹脂３２と第１の透明樹脂３１との接合強度が向上する。フィラーには、例えばシリカ（ＳｉＯ）などを採用可能である。シリカは散乱剤としても機能する。これに対し、第１の透明樹脂３１がなく、蛍光体樹脂３２を発光素子２０の周囲に直接配置した場合には、支持基板２２が硬いために蛍光体樹脂３２に含まれるフィラーが支持基板２２に食い込まない。このため、蛍光体樹脂３２に含まれるフィラーによるアンカー効果は期待できない。
【００２４】
なお、支持基板２２の屈折率よりも第１の透明樹脂３１の屈折率を小さくすることが好ましい。これにより、蛍光体樹脂３２が支持基板２２に接触している場合に比べて、出力光Ｌの明るさを向上できる。例えば、支持基板２２の屈折率が２．０である場合に、第１の透明樹脂３１の屈折率を１．４とする。一方、蛍光体樹脂３２が支持基板２２と直接に接触している場合は、発光素子２０の出射光が蛍光体樹脂３２で反射されて発光素子２０に戻ってしまい、発光装置１の出力光Ｌの明るさが低下する。
【００２５】
基板１０はセラミック基板であり、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、窒化珪素（ＳｉＮ）基板などを採用可能である。フリップチップ実装される発光素子２０との密着性を考慮すると、基板１０は熱膨張係数が小さい材料が好ましい。このため、ＡｌＮ基板やＳｉＮ基板などが好適に採用される。
【００２６】
基板１０の第１の主面１０１には、発光素子２０の素子電極と接続された第１電極１１が配置されている。第１電極１１は、発光素子２０のアノード電極に接続する第１アノード領域１１Ａと、発光素子２０のカソード電極に接続する第１カソード領域１１Ｂとを有する。また、基板１０の第２の主面１０２には第２電極１２が配置されている。第２電極１２は、第１アノード領域１１Ａに接続する第２アノード配線１２Ａと、第１カソード領域１１Ｂに接続する第２カソード領域１２Ｂとを有する。第１電極１１と第２電極１２とは、基板１０に設けられたスルーホール１３によって電気的に接続される。図１に示した例では、スルーホール１３は基板１０の側面に形成された切欠き上に形成されている。即ち、図３に示したように、基板１０の四隅に配置されたスルーホール１３によって第１電極１１と第２電極１２とが電気的に接続されている。
【００２７】
フリップチップ実装された発光素子２０では、発光素子２０の発熱源である半導体層側が基板１０に対向する。このため、熱伝導性の低いサファイア材などの発光素子２０の支持基板２２が基板１０と接触する場合に比べて、発光装置１では発光素子２０からの熱が第１電極１１を介して効率的に基板１０に放熱される。したがって、発光装置１では特性の低下が抑制され、且つ信頼性が向上する。
【００２８】
第１電極１１は、図４に示すように、膜厚が５０μｍ〜１００μｍ程度の厚い銅膜１１１からなる下層の上に、膜厚が例えば０．０５μｍ〜３μｍ程度のＮｉ−Ａｕ膜１１２からなる上層を配置した構造などが採用される。銅膜１１１は銅めっきなどによって形成される。銅膜１１１に膜厚の厚い厚銅めっきを採用することによって、放熱性が向上するという効果を奏する。ただし、銅膜１１１の膜厚が厚すぎると第１電極１１のパターニングが困難になり、薄いと放熱性が低下するという問題が生じる。本発明者らの研究・調査により、第１電極１１の銅膜１１１の膜厚は５０μｍ〜１００μｍ程度が適切であるという知見が得られた。
【００２９】
なお、Ｎｉ−Ａｕ膜１１２のＮｉ膜は発光素子２０の素子電極であるＡｕＳｎ膜との接合に寄与し、Ａｕ膜は第１電極１１の酸化防止に寄与する。
【００３０】
また、第１電極１１の表面粗さは、発光素子２０の素子電極の膜厚に応じて設定される。これは、発光素子２０を基板１０にフリップチップ実装する場合に第１電極１１の平坦性が低いと、発光素子２０の素子電極と第１電極１１との密着性が低下して、発光素子２０が基板１０から剥離する場合があるためである。
【００３１】
このため、発光素子２０の素子電極の膜厚よりも第１電極１１の表面粗さを小さくする。ただし、素子電極に使用されるＡｕＳｎ材は高価であるため、素子電極の膜厚は薄いことが好まれる。例えば、素子電極の膜厚は３μｍ程度である。この場合、第１電極１１の表面の算術平均粗さＲａは２μｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
なお、第１電極１１の表面の平坦性を高くして発光素子２０の素子電極と第１電極１１との密着性を向上させることによって、発光素子２０で発生する熱の放熱性が向上する。このため、発光装置１の信頼性が向上する。
【００３３】
銅膜１１１の形成には、以下のような方法を採用可能である。例えば７０μｍの膜厚で銅膜を形成する。そして、表面研磨によって表面の粗さを２μｍ以下にしつつ、銅膜１１１の膜厚を５０μｍに調整する。
【００３４】
上記のように、厚銅めっきを第１電極１１に採用することにより、発光装置１の放熱性が向上する。そして、厚銅めっきの表面を研磨することによって発光素子２０のフリップチップ実装に対応できると共に、放熱性が更に向上する。
【００３５】
基板１０の第２の主面１０２上に配置された第２電極１２にも、第１電極１１と同様に、厚銅めっきを採用できる。ただし、第２電極１２の表面は研磨しなくてもよい。或いは、他の金属膜を基板１０の第２の主面１０２上に形成して第２電極１２としてもよい。第２電極１２は、プリント基板上などに発光装置１を配置した場合に、発光素子２０の素子電極とプリント基板に形成された電極とを電気的に接続する。
【００３６】
また、発光装置１では、第１の主面１０１上に発光素子２０の出射光を反射する反射膜４０が配置されている。反射膜４０は、反射率の高い絶縁性の材料である。反射膜４０には、有機材料などからなる白色ペーストなどが好適に採用される。反射膜４０は、図１、図３に示すように、発光素子２０の配置された領域の残余の領域において第１の主面１０１上に配置される。
【００３７】
図１に示した発光装置１では、レンズとして機能する第２の透明樹脂３３は、その外縁部が反射膜４０を挟んで第１の主面１０１上に配置されている。なお、第１の透明樹脂３１の外縁部は第１の主面１０１と直接に接触し、蛍光体樹脂３２の外縁部は第１の透明樹脂３１の外縁部を挟んで第１の主面１０１と対向している。
【００３８】
発光装置１では、第１の主面１０１において発光素子２０の出射光が反射膜４０で反射される。その結果、第１電極１１や基板１０自体の反射率に関わらず、高い反射率を得ることができる。
【００３９】
例えば図４に示すように第１電極１１の最上層にＡｕ膜が配置された場合、Ａｕの反射率は７０％程度であるため、第１電極１１における発光素子２０からの出射光の反射率は低い。しかし、反射膜４０を第１の主面１０１上に配置することによって、発光素子２０からの出射光が高い反射率で反射される。具体的には、白色ペーストの場合の反射率は９５％程度である。
【００４０】
放熱性を考慮すると、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・ｋと低いアルミナ基板よりも、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・ｋ程度のＡｌＮ基板や９０Ｗ／ｍ・ｋ程度のＳｉＮ基板が、基板１０に好適である。一方、ＡｌＮ基板やＳｉＮ基板は灰色であり、白色のアルミナ基板に比べて表面での反射率が小さい。つまり、発光素子２０の出射光を効率的に反射することができない。
【００４１】
しかし、白色ペーストの反射膜４０を第１の主面１０１に塗布することにより、熱伝導率の高いＡｌＮ基板などを基板１０に採用した場合にも高い反射率を得ることができる。つまり、反射膜４０を第１の主面１０１に配置することによって、反射率の大小に関わらず、熱伝導率の高い基板１０を使用することができる。
【００４２】
また、白色ペーストなどの反射膜４０によって第１電極１１を被覆することによって、第１電極１１が保護されると共に、第１電極１１の劣化が抑制される。このため、発光装置１の信頼性を向上できる。
【００４３】
以上に説明したように、発光装置１では、蛍光体を含む蛍光体樹脂３２が、第１の透明樹脂３１を介して発光素子２０と対向している。つまり、蛍光体樹脂３２が発光素子２０と直接に接触していない。このため、発光素子２０で発生する熱が、蛍光体に直接には伝わらない。したがって、熱によって劣化する可能性がある蛍光体を発光装置１に用いても、熱による蛍光体の劣化が抑制される。その結果、発光装置１の特性の劣化や信頼性の低下が抑制される。
【００４４】
更に、第１電極１１を厚銅めっきで構成することにより、発光装置１の放熱性を向上できる。これにより、発光装置１の特性や信頼性の低下が抑制される。
【００４５】
なお、図１に示すように、発光素子２０の周囲には壁部が配置されていない。このため、壁部の機材による光吸収がないため、発光装置１の光取り出し効率の低下が抑制される。また、発光素子２０の周囲に配置された壁部の壁面に配置されたリフレクタ用の樹脂が劣化するなどして、光取り出し効率が低下することがない。
【００４６】
更に、発光素子２０の周囲に壁部を配置しないことによって、発光装置１の配光性の自由度が増している。即ち、発光素子２０の出射光が、発光装置１の側面方向（第１の主面１０１の延伸する方向）に出力される。
【００４７】
以下に、発光装置１の製造方法の例を説明する。
【００４８】
先ず、基板１０の第１の主面１０１及び第２の主面１０２上に、厚銅めっきを形成する。このとき、既に説明したように、第１の主面１０１上には銅膜１１１に所望の膜厚よりも厚く厚銅めっきを形成し、表面を研磨することによって表面粗さの小さい銅膜１１１を形成する。
【００４９】
その後、基板１０の第１の主面１０１上に反射膜４０を形成する。例えば、白色ペーストを所定のパターンに印刷し、１６０℃〜５００℃で焼成する。これにより、発光素子２０が配置される領域を除いた領域に白色ペーストを配置する。
【００５０】
次いで、基板１０の第１の主面１０１の所定の領域に発光素子２０を配置する。このとき、例えば３００℃程度の温度で加熱して、第１の主面１０１上の第１電極１１と発光素子２０の素子電極とを接合する。
【００５１】
そして、基板１０の第１の主面１０１上にカバー樹脂３０を形成する。即ち、発光素子２０を覆うように第１の透明樹脂３１を形成する。次いで、第１の透明樹脂３１を覆うように蛍光体樹脂３２を形成する。そして、全体を覆うように第２の透明樹脂３３を形成する。カバー樹脂３０は、塗布法、又は、設定温度１６０℃程度のトランスファーモールド法により形成される。
【００５２】
なお、同一のセラミック基板に複数の発光装置１を形成した場合には、セラミック基板を個々の発光装置１に切り離す。そして、所定の特性を満たすか否か、発光装置１毎に試験を行う。以上により、発光装置１が完成する。
【００５３】
ところで、図１ではスルーホール１３によって第１電極１１と第２電極１２とを接続する例を示したが、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、基板１０の内部を貫通するビアホール１４によって第１電極１１と第２電極１２とを接続してもよい。ビアホール１４内部は、銅めっきなどが埋め込まれる。また、基板１０にサーマルビアを形成してもよい。これにより、第１電極１１や第２電極１２以外からの放熱が行われ、発光装置１の信頼性をより向上できる。
【００５４】
また、図１では、第１の主面１０１と垂直な方向に沿った発光素子２０の断面形状が台形状である例を示した。しかし、図６に示すように、発光素子２０の断面形状が矩形状であってもよい。
【００５５】
＜変形例＞
図１ではカバー樹脂３０がドーム型である例を示した。しかし、カバー樹脂３０の形状はドーム型に限られない。発光装置１に要求される配光特性に応じて、カバー樹脂３０の形状を任意に設定できる。例えば図７に示すようにカバー樹脂３０の形状が角型であったり、図８に示すようにカバー樹脂３０の形状が逆円錐型であったりしてもよい。
【００５６】
なお、カバー樹脂３０の形状がドーム型の場合には、図１に示したように、出力光Ｌはドーム型のカバー樹脂３０の頂点方向に出力される。これに対し、図７に示したカバー樹脂３０の形状が角型の場合には、出力光Ｌは発光装置１の上方に放射状に出力される。また、図８に示したカバー樹脂３０の形状が逆円錐型の場合には、出力光Ｌは発光装置１の上方に更に放射状に広がって出力される。
【００５７】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る発光装置１は、図９に示すように、第１の透明樹脂３１の発光素子２０の側面に接する領域の膜厚ｔ２が、第１の透明樹脂３１の発光素子２０の上面に接する領域の膜厚ｔ１よりも厚い点が図１と異なる。更に、基板１０に近いほど、発光素子２０の側面に接する領域で第１の透明樹脂３１の膜厚が厚い。その他の構成については、図１に示す第１の実施形態と同様である。
【００５８】
発光層を含む複数の半導体層が積層された構造の発光素子２０では、半導体層の膜厚方向（以下において「垂直方向」という。）に出射された光よりも、膜厚方向と垂直な方向、即ち半導体層の主面の延伸する方向（以下において「水平方向」という。）に出射された光の方が強い。これは、発光層から水平方向に出射した光は支持基板２２や他の半導体層を透過せずに出力されるためである。図９に示した発光装置１によれば、第１の透明樹脂３１の発光素子２０の上面を覆う部分の膜厚ｔ１よりも発光素子２０の側面を覆う部分の膜厚ｔ２を厚くすることにより、水平方向に出力される出力光Ｌを弱めることができる。その結果、発光装置１の出力光Ｌについて、水平方向と垂直方向に出力する強さの差を抑制することができる。
【００５９】
なお、図９に示すように、第１の透明樹脂３１の発光素子２０の側面を覆う部分において、基板１０側に近いほど膜厚ｔ２を厚くすることが好ましい。これにより、光を出射する発光層が配置される位置である発光素子２０の基板１０に近い側で膜厚ｔ２が厚くなり、色ムラが抑制される。
【００６０】
第２の実施形態に係る発光装置１の第１の透明樹脂３１を形成するためには、例えば以下のような形成方法を採用可能である。トランスファーモールド法によってカバー樹脂３０を形成する場合には、発光素子２０の上面よりも側面において第１の透明樹脂３１の膜厚が厚くなるように、使用する型の発光素子２０とカバー樹脂３０間の距離を設定する。このとき、基板１０に近い領域から離れるに従って発光素子２０の側面における第１の透明樹脂３１の膜厚が広くなる型を使用することによって、図９に示す形状の第１の透明樹脂３１が形成される。また、液体状の樹脂材料を用いて塗布法によってカバー樹脂３０を形成する場合には、基板１０側に近いほど第１の透明樹脂３１の膜厚ｔ２が自然に厚くなる。なお、蛍光体樹脂３２についても、発光素子２０の上面よりも側面において膜厚が厚くなる
本発明の第２の実施形態に係る発光装置１によれば、発光素子２０と蛍光体樹脂３２との間に第１の透明樹脂３１が配置されているため、蛍光体樹脂３２に含まれる蛍光体の熱による劣化が抑制される。その結果、発光装置１の特性の劣化や信頼性の低下が抑制される。更に、出力光Ｌの垂直方向に出力される強さと水平方向に出力される強さとの差を抑制することができる。その結果、発光装置１から出力される出力光Ｌの強さの方向依存性が小さくなり、各方向に均等な明るさの出力光Ｌが出力される。他は、第１の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００６１】
（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００６２】
例えば、上記では基板１０上に配置された発光素子２０が１つである例を示したが、図１０に示すように、発光装置１が複数の発光素子２０を備えてもよい。図１０では発光装置１が２個の場合を例示的に示したが、発光装置１が３個以上であってもよいことはもちろんである。それぞれの発光素子２０を覆う第１の透明樹脂３１と蛍光体樹脂３２は、互いに離間して配置される。そして、１つの第２の透明樹脂３３によって、複数の発光素子２０が覆われる。なお、第１電極１１と第２電極１２とを電気的に接続するスルーホール１３は、基板１０の四隅だけでなく基板１０の側面の中央部分にも形成された切欠き上に配置されている。
【００６３】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００６４】
１…発光装置
１０…基板
１１…第１電極
１２…第２電極
２０…発光素子
２２…支持基板
２３…半導体層
３０…カバー樹脂
３１…第１の透明樹脂
３２…蛍光体樹脂
３３…第２の透明樹脂
４０…反射膜
１０１…第１の主面
１０２…第２の主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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