(57)【要約】【課題】バーンイン試験を行う場合に制御信号を外部から入力する必要がない光モジュール、及びこの光モジュールを備えた光ケーブルを提供する。【解決手段】光モジュール１０は、半導体レーザ１２と、バイアス電流を含む駆動電流を半導体レーザ１２に供給するレーザドライバ１３と、レーザドライバ１３が供給する駆動電流を制御する制御部１５と、半導体レーザ１２の周囲の温度を検知する温度センサ１４と、を備える。制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１未満である場合には、第１のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御し、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１以上である場合には、第１のバイアス電流よりも大きい第２のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御する。【選択図】図２
2015046487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、
バイアス電流を含む駆動電流を前記半導体レーザに供給するレーザドライバと、
前記レーザドライバが供給する駆動電流を制御する制御部と、
前記半導体レーザの周囲の温度を検知する温度センサと、を備え、
前記制御部は、前記温度センサにより検知された温度が閾値未満である場合には、第１のバイアス電流を供給するように前記レーザドライバを制御し、前記温度センサにより検知された温度が前記閾値以上である場合には、前記第１のバイアス電流よりも大きい第２のバイアス電流を供給するように前記レーザドライバを制御する、光モジュール。
【請求項２】
前記制御部に接続された第１の電極と、
第１の電位が与えられた第２の電極と、
前記第１の電極に前記第１の電位と異なる第２の電位を与える抵抗素子と、
前記温度センサにより検知された温度が前記閾値以上であり、且つ前記第１の電極の電位が前記第１の電位である場合に、前記レーザドライバに前記半導体レーザへのバイアス電流の供給を遮断させるバイアス電流遮断部と、
をさらに備える、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
光ファイバ及び電線を内蔵したケーブルと、
前記ケーブルの少なくとも一端に接続された、請求項２に記載の光モジュールと、
を備え、
前記第１の電極は、前記電線が前記光モジュールに接続されることにより、前記第２の電極と短絡される、光ケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光モジュール及び光ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光モジュール上に搭載された半導体レーザ素子が光モジュールの出荷後に初期故障を起こすことを防止するために、バーンイン試験を行うことが知られている（例えば、特許文献１参照)。バーンイン試験は、半導体レーザ素子に対して、高温の環境下で、大きな電流を供給して、一定時間だけ半導体レーザ素子を動作させる試験である。バーンイン試験において故障を起こさなかった半導体レーザ素子が搭載された光モジュールのみを製品として出荷することにより、光モジュールの半導体レーザ素子が光モジュールの出荷後に初期故障を起こすことが防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１８７９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したバーンイン試験を行うための手法としては、光モジュールの外部から、通常動作モードとバーンイン動作モードとを切り替える制御信号を外部から入力することが考えられる。しかしながら、このように制御信号を外部から入力する場合には、光モジュールに入力される制御信号を切り替えるために煩雑な処理が必要となる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、バーンイン試験を行う場合に制御信号を外部から入力する必要がない光モジュール、及びこの光モジュールを備えた光ケーブルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の一側面に係る光モジュールは、半導体レーザと、バイアス電流を含む駆動電流を半導体レーザに供給するレーザドライバと、レーザドライバが供給する駆動電流を制御する制御部と、半導体レーザの周囲の温度を検知する温度センサと、を備え、制御部は、温度センサにより検知された温度が閾値未満である場合には、第１のバイアス電流を供給するようにレーザドライバを制御し、温度センサにより検知された温度が閾値以上である場合には、第１のバイアス電流よりも大きい第２のバイアス電流を供給するようにレーザドライバを制御する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、バーンイン試験を行う場合に制御信号を外部から入力する必要がない光モジュール、及びこの光モジュールを備えた光ケーブルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係るアクティブ光ケーブルの構成を示す模式図である。
【図２】実施形態に係る光モジュールの構成を示す模式図である。
【図３】バーンイン試験時の光モジュールの接続関係を示す模式図である。
【図４】半導体レーザの電流−光パワー特性を示すグラフである。
【図５】実施形態に係る光モジュールにおける温度と駆動電流との関係を示すグラフである。
【図６】バーンインオフ制御を行うための電気的接続関係を示す図である。
【図７】バーンインオフ制御時における温度と駆動電流との関係を示すグラフである。
【図８】第１の電極の物理的な接続構成の一例を示す模式図である。
【図９】通常の光モジュールの構成を示す模式図である。
【図１０】通常の光モジュールにおける温度と駆動電流との関係を示すグラフである。
【図１１】通常の光モジュールにおけるバーンイン試験時の光モジュールの接続関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
【００１０】
一実施形態において、光モジュールは、半導体レーザと、バイアス電流を含む駆動電流を半導体レーザに供給するレーザドライバと、レーザドライバが供給する駆動電流を制御する制御部と、半導体レーザの周囲の温度を検知する温度センサと、を備え、制御部は、温度センサにより検知された温度が閾値未満である場合には、第１のバイアス電流を供給するようにレーザドライバを制御し、温度センサにより検知された温度が閾値以上である場合には、第１のバイアス電流よりも大きい第２のバイアス電流を供給するようにレーザドライバを制御する。
【００１１】
上記光モジュールでは、温度センサにより半導体レーザの周囲の温度が検知される。検知された温度が閾値以上であれば、レーザドライバは、第１のバイアス電流よりも大きい第２のバイアス電流を半導体レーザに供給する。一方、検知された温度が閾値未満であれば、レーザドライバは、第１のバイアス電流を半導体レーザに供給する。したがって、上記光モジュールによれば、制御信号を外部から入力することなく、閾値以上の高温の環境下で、大きなバイアス電流を半導体レーザに供給することにより、バーンイン試験を行うことができる。
【００１２】
制御部に接続された第１の電極と、第１の電位が与えられた第２の電極と、第１の電極に第１の電位と異なる第２の電位を与える抵抗素子と、温度センサにより検知された温度が閾値以上であり、且つ第１の電極の電位が第１の電位である場合に、レーザドライバに半導体レーザへのバイアス電流の供給を遮断させるバイアス電流遮断部と、をさらに備えていてもよい。
【００１３】
上記光モジュールでは、温度センサにより半導体レーザの周囲の温度が検知されるとともに、第１の電極が制御部に接続されている。第１の電極の電位は、第１の電極が第２の電極と短絡された場合には第１の電位とされ、第１の電極が第２の電極と短絡されていない場合には、抵抗素子によって第２の電位とされる。検知された温度が閾値以上であり、かつ第１の電極の電位が第２の電位である場合には、レーザドライバは、第１のバイアス電流より大きい第２のバイアス電流を半導体レーザに供給する。一方、検知された温度が所定の閾値未満である場合には、レーザドライバは、第１のバイアス電流を半導体レーザに供給する。検知された温度が閾値以上であり、かつ第１の電極の電位が第１の電位である場合には、レーザドライバは、半導体レーザへのバイアス電流の供給を遮断する。したがって、上記光モジュールによれば、予め第１の電極を第２の電極と短絡されていない状態としておけば、半導体レーザの周囲の温度が閾値以上である場合に、温度センサが閾値以上の温度を検知する。検知された温度が閾値以上であるため、制御部は、第２のバイアス電流を半導体レーザに供給するようにレーザドライバを制御する。このため、上記光モジュールによれば、バーンイン試験を行う場合に、制御信号を外部から入力する必要がない。
【００１４】
さらに、温度センサにより検知された温度が閾値以上である場合においては、第１の電極が第２の電極と短絡されていない場合にのみ第２のバイアス電流が半導体レーザに供給され、第１の電極が第２の電極と短絡されている場合には、半導体レーザへのバイアス電流の供給は遮断される。このため、第１の電極が第２の電極と短絡されている状態において、仮に半導体レーザの周囲の温度が高温になったとしても、半導体レーザへのバイアス電流の供給は遮断される。したがって、第１の電極と第２の電極とを短絡することにより、光モジュールが誤ってバーンイン試験動作をすることを防止することができる。
【００１５】
一実施形態において、光ケーブルは、光ファイバ及び電線を内蔵したケーブルと、ケーブルの少なくとも一端に接続された、上記の光モジュールと、を備え、第１の電極は、電線が光モジュールに接続されることにより、第２の電極と短絡される。
【００１６】
上記光ケーブルは、上述した光モジュールを備えている。また、上記光ケーブルでは、電線が光モジュールに接続されることにより、第１の電極が第２の電極と短絡されて、第１の電極の電位が第１の電位とされる。したがって、電線が光モジュールに接続された後には、温度センサにより検知された温度が閾値以上の場合には、光モジュールに配置されたレーザドライバは、半導体レーザへのバイアス電流の供給を遮断する。このため、上記光ケーブルによれば、光ケーブルが誤ってバーンイン試験動作をすることを防止することができる。
【００１７】
［本願発明の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。
【００１８】
図１は、実施形態に係るアクティブ光ケーブルの構成を示す模式図である。図１に示されるアクティブ光ケーブル１（光ケーブル）は、一端側で電気信号を光信号に変換し、変換された光信号を他端側へ伝送し、他端側で当該光信号を電気信号に再変換することにより、通信信号を伝送する。アクティブ光ケーブル１は、ケーブル３０と、その両端に接続された一対の光モジュール１０，１０と、を備えている。なお、光モジュール１０は、ケーブル３０の少なくとも一端に接続されていればよい。
【００１９】
ケーブル３０は、少なくとも１本の光ファイバ３１と、少なくとも１本の同軸ケーブル３２（電線）と、を備えている。図１では、便宜上、光ファイバ３１及び同軸ケーブル３２を１本ずつ図示しているが、光ファイバ３１及び同軸ケーブル３２は、それぞれ複数設けられていてもよい。光ファイバ３１は、高速な通信信号を主に伝送する。同軸ケーブル３２は、低速な通信信号を主に伝送する。
【００２０】
電気信号線４０は、光モジュール１０に接続された信号線であり、電気信号を伝送することができる。送信元の装置（不図示）から電気信号線４０により光モジュール１０へ送信された電気信号は、光モジュール１０により光信号に変換されて、ケーブル３０の光ファイバ３１へ送出される。光モジュール１０により光信号から変換された電気信号は、電気信号線４０により、送信先の装置（不図示）へ伝送される。
【００２１】
光モジュール１０は、電気信号と光信号とを変換するための各種素子が搭載された光モジュール基板１１と、光モジュール基板１１を収容する筐体Ｈと、を備えている。
【００２２】
図２は、実施形態に係る光モジュール１０の構成を示す模式図である。光モジュール基板１１は、半導体レーザ１２と、レーザドライバ１３と、温度センサ１４と、制御部１５と、フォトダイオード１６と、受信アンプ１７と、バイアス電流遮断部１８と、を備えている。
【００２３】
半導体レーザ１２は、電気信号を光信号に変換する、電気・光変換素子である。半導体レーザ１２は、変換された光信号を、送信用の光ファイバ３１Ａへ送出する。半導体レーザ１２としては、例えば面発光型半導体レーザが用いられ得る。
【００２４】
レーザドライバ１３は、半導体レーザ１２に駆動電流を供給する。駆動電流は、直流電流であるバイアス電流と、変調電流と、を含む。レーザドライバ１３は、外部から受信した通信信号に従って、半導体レーザ１２に変調電流を供給する。
【００２５】
温度センサ１４は、半導体レーザ１２の周囲の温度を検知し、検知した温度を制御部１５に出力する。温度センサ１４は、例えばレーザドライバ１３に内蔵され得る。なお、温度センサ１４は、レーザドライバ１３とは別体として設けられていてもよい。
【００２６】
制御部１５は、レーザドライバ１３が半導体レーザ１２に供給する駆動電流を制御する。制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度に応じて、駆動電流を制御する。制御部１５による制御の詳細については、後述する。
【００２７】
フォトダイオード１６は、受信用の光ファイバ３１Ｂから光信号を受信し、受信した光信号を電気信号に変換する、光・電気変換素子である。
【００２８】
受信アンプ１７は、フォトダイオード１６により得られた電気信号を増幅して、光モジュール基板１１の外部に送出する。
【００２９】
バイアス電流遮断部１８は、温度センサにより検知された温度が所定の閾値以上であり、且つ外部から入力されたバーンインオフ制御信号が所定のレベルである場合に、レーザドライバ１３に半導体レーザ１２へのバイアス電流の供給を遮断させる。なお、バイアス電流遮断部１８は、制御部１５とは別の要素として設けられていてもよいし、例えば一つのマイクロプロセッサに制御部１５とバイアス電流遮断部１８の２つの機能を持たせることにより実現されていてもよい。
【００３０】
次に、光モジュール１０の製造時におけるバーンイン試験について説明する。バーンイン試験は、半導体レーザ１２に対して、高温の環境下で、大きな電流を供給した状態で、一定時間だけ光モジュール基板１１を動作させる試験である。バーンイン試験において故障を起こさなかった光モジュール基板１１のみを光モジュール１０の製造に使用することで、製造後の光モジュール１０及びこの光モジュール１０を備えたアクティブ光ケーブル１が初期故障を起こすことが防止される。
【００３１】
本実施形態では、バーンイン試験は、アクティブ光ケーブル１の製造の前に、予め行われる。図３は、バーンイン試験時の光モジュールの接続関係を示す模式図である。バーンイン試験時には、バーンイン制御基板５０が用いられる。バーンイン制御基板５０上には、複数のソケット５１が、例えば一列に並ぶように配置されている。ソケット５１は、光モジュール基板１１が挿入され得る形状を有している。バーンイン制御基板５０は、ソケット５１に光モジュール基板１１が挿入された場合に、挿入された光モジュール基板１１に対して電源電力を供給する。バーンイン試験は、それぞれのソケット５１に光モジュール基板１１を挿入し、周囲の環境温度を所定の温度に上昇させることにより行われる。
【００３２】
次に、通常動作モードと、バーンイン試験モードと、のそれぞれでの、半導体レーザ１２の駆動電流について説明する。通常動作モードとは、光モジュール１０として組み立てられて動作する場合の光モジュール基板１１の動作を意味する。バーンイン試験モードとは、バーンイン試験が行われる場合の光モジュール基板１１の動作を意味する。
【００３３】
図４は、半導体レーザの電流−光パワー特性を示すグラフである。横軸は、半導体レーザに供給される電流（単位：ｍＡ）を示す。縦軸は、半導体レーザから出力される光パワー（単位：ｍＷ）を示す。図４に示されている複数の曲線は、複数の温度における、半導体レーザの電流−光パワー特性を示す。いずれの温度においても、駆動電流の増加に応じて、光パワーは単調に増加する。半導体レーザに供給する駆動電流の大きさを一定とした場合には、温度が上昇するにつれて半導体レーザから出力される光パワーは低下する。そこで、通常動作モードでは、温度が変動した場合にも光パワーが一定となるように、温度の上昇に応じて駆動電流を増加させる。
【００３４】
図５は、実施形態に係る光モジュールにおける温度と駆動電流との関係を示す図である。横軸は、半導体レーザの周囲の温度を示す。縦軸は、駆動電流を示す。実線の曲線は、バイアス電流を示す。破線の曲線は、変調電流を示す。予め定められた切替温度Ｔ１未満では、バイアス電流及び変調電流は、それぞれ温度に対して単調に増加する。一方、切替温度Ｔ１以上では、バイアス電流は、温度に依存しない一定の正の値であり、駆動電流は、ゼロである。切替温度Ｔ１（例えば９０℃）は、光モジュール１０の使用温度範囲の上限の温度Ｔ２（例えば６０℃）より高く、かつバーンイン試験を行う温度範囲であるバーンイン温度範囲の下限の温度Ｔ３（例えば１００℃）より低くなるように適宜定められ得る。本明細書では、切替温度Ｔ１未満でのバイアス電流を第１のバイアス電流と称し、切替温度Ｔ１以上でのバイアス電流を第２のバイアス電流と称することがある。第２のバイアス電流は、第１のバイアス電流よりも大きい。例えば、第２のバイアス電流は、第１のバイアス電流の最大値の１．５倍以上である。
【００３５】
制御部１５は、図５に示した温度とバイアス電流及び変調電流とを、ルックアップテーブルとして記憶している。制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度に応じて、検知された温度に対応するバイアス電流及び変調電流の値をルックアップテーブルから読み出す。制御部１５は、読み出された値に等しいバイアス電流及び変調電流をレーザドライバ１３に供給させる。
【００３６】
このような構成により、制御部１５は、次のようにレーザドライバ１３を制御する。制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度が閾値である切替温度Ｔ１未満である場合には、第１のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御する。一方、制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１以上である場合には、第２のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御する。
【００３７】
次に、バーンインオフ制御について説明する。図６は、バーンインオフ制御を行うための電気的接続を示す図である。バイアス電流遮断部１８は、バーンインオフ制御端子１８Ａを備えている。バーンインオフ制御端子１８Ａは、プルアップ抵抗素子Ｒ（抵抗素子）を介して、電源電位ＶＣＣ（第２の電位）に接続されている。バーンインオフ制御端子１８Ａは、スイッチ１９を介して、基準電位ＧＮＤ（第１の電位）に接続されている。
【００３８】
したがって、バーンインオフ制御端子１８Ａの電位は、スイッチ１９が閉じていれば、基準電位ＧＮＤとなる。バーンインオフ制御端子１８Ａの電位は、スイッチ１９が開いていれば、プルアップ抵抗素子Ｒにより電位が与えられて、電源電位ＶＣＣとなる。
【００３９】
ここで、バイアス電流遮断部１８は、バーンインオフ制御端子１８Ａの電位が基準電位ＧＮＤである場合には、バーンインオフ制御を行い、バーンインオフ制御端子１８Ａの電位が電源電位ＶＣＣである場合には、バーンインオフ制御を行わないように構成されている。バイアス電流遮断部１８は、バーンインオフ制御を行う場合には、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１以上である場合には、半導体レーザ１２へのバイアス電流の供給を遮断するように、レーザドライバ１３を制御する。制御部１５は、バーンインオフ制御を行わない場合には、半導体レーザ１２へのバイアス電流の供給を遮断しないようにレーザドライバ１３を制御する。バイアス電流遮断部１８によるバイアス電流の供給の遮断は、例えば、温度が切替温度Ｔ１以上の場合に、異常な温度の上昇であるとして、バイアス電流の供給を遮断するものである。バーンインオフ制御時における温度と駆動電流との関係を示すグラフを図７に示す。
【００４０】
図８は、図６に示したバーンインオフ制御端子１８Ａに対応する物理的な接続構成の一例を示す図である。
【００４１】
図８の（Ａ）は、電極パッドの配置を示す。光モジュール基板１１は、電極パッドとして、１個の通信信号パッド２１と、２個の基準電位パッド２２（第２の電極）と、１個の制御信号パッド２３（第１の電極）と、を備えている。これらの通信信号パッド２１、基準電位パッド２２、及び制御信号パッド２３は、図８の（Ａ）に示されるように配置されている。具体的には、制御信号パッド２３は、２個の基準電位パッド２２に挟まれるように配置されている。通信信号パッド２１は、２個の基準電位パッド２２及び１個の制御信号パッド２３の配列方向に垂直な方向に、制御信号パッド２３から離間して配置されている。制御信号パッド２３は、バイアス電流遮断部１８のバーンインオフ制御端子１８Ａに接続されている。基準電位パッド２２は、基準電位ＧＮＤに接続されている。
【００４２】
図８の（Ｂ）は、電極パッドに同軸ケーブル３２が接続された状態を示す。図７の（Ｂ）に示されるように、同軸ケーブル３２の中心導体３３は、通信信号パッド２１に接続されている。同軸ケーブル３２の外部導体３４は、２個の基準電位パッド２２及び１個の制御信号パッド２３に接続されている。同軸ケーブル３２の電極パッドへの接続は、アクティブ光ケーブル１の製造の際に行われる。具体的には、図１に示されるように、光モジュール基板１１に同軸ケーブル３２を接続するときに、中心導体３３は、通信信号パッド２１に接続され、外部導体３４は、基準電位パッド２２及び制御信号パッド２３に接続される。
【００４３】
図８に示した外部導体３４は、機能的には、図６に示したスイッチ１９に対応する。すなわち、光モジュール基板１１が同軸ケーブル３２と接続されていない状態では、制御信号パッド２３と基準電位パッド２２とは、接続されていない。この状態は、機能的には、スイッチ１９が開いた状態に対応する。一方、光モジュール基板１１が同軸ケーブル３２と接続された状態では、制御信号パッド２３と基準電位パッド２２とは、外部導体３４を介して接続される。この状態は、機能的には、スイッチ１９が閉じた状態に対応する。
【００４４】
以上のように構成されるアクティブ光ケーブル１及び光モジュール１０の作用効果を、通常の光モジュールと比較しながら説明する。
【００４５】
図９は、通常の光モジュールの構成を示す模式図である。図９に示される光モジュール１１０は、光モジュール基板１１１を備えている。光モジュール基板１１１は、図１に示される光モジュール基板１１と比較すると、制御部１１５が外部から制御信号を受け、この制御信号に基づき、レーザドライバに供給させる駆動電流を切り替えている点で、相違する。
【００４６】
このような制御部１１５は、図１０に示されるように、全範囲の温度に対して単調に増加するバイアス電流及び変調電流のみを記憶しており、バーンイン試験時に必要なバイアス電流及び変調電流を記憶していない。したがって、バーンイン試験を行う場合には、温度センサ１４により検出された温度に応じてバイアス電流及び変調電流を読み出すだけでは、バーンイン試験動作を行うことができない。制御部１１５を備える光モジュール基板１１１でバーンイン試験を行うためには、図１１に示されるように、バーンイン試験基板１５０に、電源線とは別に、通常動作モードとバーンイン動作モードとを切り替える制御信号を供給し、ソケット１５１を介して上記制御信号を光モジュール基板１１１に与える必要がある。
【００４７】
これに対し、本実施形態の光モジュール１０によれば、温度センサ１４により半導体レーザ１２の周囲の温度が検知されるとともに、制御信号パッド２３が制御部１５に接続されている。制御信号パッド２３の電位は、制御信号パッド２３が基準電位パッド２２と短絡された場合には基準電位ＧＮＤとされ、制御信号パッド２３が基準電位パッド２２と短絡されていない場合には、プルアップ抵抗素子Ｒによって電源電位ＶＣＣとされる。温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１以上であり、かつ制御信号パッド２３の電位が電源電位ＶＣＣである場合には、レーザドライバ１３は、第１のバイアス電流より大きい第２のバイアス電流を半導体レーザ１２に供給する。一方、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１未満である場合には、レーザドライバ１３は、第１のバイアス電流を半導体レーザ１２に供給する。検知された温度が切替温度Ｔ１以上であり、かつ制御信号パッド２３の電位が基準電位ＧＮＤである場合には、レーザドライバ１３は、半導体レーザ１２へのバイアス電流の供給を遮断する。したがって、本実施形態の光モジュール１０によれば、アクティブ光ケーブル１が製造される前の状態では、制御信号パッド２３が基準電位パッド２２と短絡されていないため、半導体レーザ１２の周囲の温度が切替温度Ｔ１以上である場合に、温度センサが切替温度Ｔ１以上の温度を検知する。検知された温度が切替温度Ｔ１以上であるため、制御部１５は、第２のバイアス電流を半導体レーザ１２に供給するようにレーザドライバ１３を制御する。このため、光モジュール１０によれば、バーンイン試験を行う場合に、バーンイン試験基板制御信号を外部から入力する必要がない。
【００４８】
さらに、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１以上である場合においては、制御信号パッド２３が基準電位パッド２２と短絡されていない場合にのみ第２のバイアス電流が半導体レーザに供給され、制御信号パッド２３が基準電位パッド２２と短絡されている場合には、半導体レーザ１２へのバイアス電流の供給は遮断される。このため、制御信号パッド２３が基準電位パッド２２と短絡されている状態において、仮に半導体レーザ１２の周囲の温度が切替温度Ｔ１以上の高温になったとしても、半導体レーザ１２へのバイアス電流の供給は遮断される。したがって、制御信号パッド２３と基準電位パッド２２とを短絡することにより、光モジュール１０が誤ってバーンイン試験動作をすることを防止することができる。
【００４９】
また、本実施形態のアクティブ光ケーブル１は、上述した光モジュール１０を備えている。また、本実施形態のアクティブ光ケーブル１では、同軸ケーブル３２が光モジュール１０に接続される際に、同軸ケーブル３２の外部導体３４が基準電位パッド２２及び制御信号パッド２３の両方に電気的に接続されることにより、制御信号パッド２３が基準電位パッド２２と短絡されて、制御信号パッド２３の電位が基準電位ＧＮＤとされる。したがって、同軸ケーブル３２が光モジュール１０に接続された後には、温度センサ１４により検知された温度が閾値以上の場合には、光モジュール１０に配置されたレーザドライバ１３は、半導体レーザ１２へのバイアス電流の供給を遮断する。このため、上記アクティブ光ケーブル１によれば、アクティブ光ケーブル１が誤ってバーンイン試験動作をすることを防止することができる。
【００５０】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明されたが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００５１】
例えば、図６に示したバイアス電流遮断部１８、プルアップ抵抗素子Ｒ、スイッチ１９及び制御信号パッド２３を省略してもよい。この場合、制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１未満である場合には、第１のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御し、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１以上である場合には、第１のバイアス電流よりも大きい第２のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御する。
【００５２】
この場合には、温度センサ１４により半導体レーザ１２の周囲の温度が検知される。検知された温度が閾値である切替温度Ｔ１以上であれば、レーザドライバ１３は、第１のバイアス電流よりも大きい第２のバイアス電流を半導体レーザ１２に供給する。一方、検知された温度が切替温度Ｔ１未満であれば、レーザドライバ１３は、第１のバイアス電流を半導体レーザ１２に供給する。したがって、上記光モジュール１０によれば、制御信号を外部から入力することなく、切替温度Ｔ１以上の高温の環境下で、大きなバイアス電流を半導体レーザに供給することにより、バーンイン試験を行うことができる。
【００５３】
また、バイアス電流遮断部１８を省略するとともに、バーンインオフ制御信号の入力端子を制御部１５に設け、制御部１５がバーンインオフ制御信号に応じてバイアス電流の大きさを変化させるようにしてもよい。具体的には、制御部１５は、例えば次のような制御を行い得る。バーンインオフ制御信号として基準電位ＧＮＤが入力されている場合には、制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度に関わらず第１のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御する。バーンインオフ制御信号として電源電位ＶＣＣが入力されている場合には、制御部１５は、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１未満であれば、第１のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御し、温度センサ１４により検知された温度が切替温度Ｔ１以上であれば、第２のバイアス電流を供給するようにレーザドライバ１３を制御する。
【００５４】
また、第１及び第２の電位は、それぞれ基準電位ＧＮＤ及び電源電位ＶＣＣに限定されるものではなく、任意の電位としてもよい。例えば、第１の電位を電源電位ＶＣＣとし、第２の電位を基準電位ＧＮＤとしてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１…アクティブ光ケーブル（光ケーブル）、１０…光モジュール、１２…半導体レーザ、１３…レーザドライバ、１４…温度センサ、１５…制御部、１８…バイアス電流遮断部、Ｔ１…切替温度（閾値）、２２…基準電位パッド（第２の電極）、２３…制御信号パッド（第１の電極）、３０…ケーブル、３１，３１Ａ，３１Ｂ…光ファイバ、３２…同軸ケーブル（電線）、Ｒ…プルアップ抵抗素子（抵抗素子）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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