(57)【要約】【課題】検出精度が低下することを抑制し、かつ、応答性が低下することを抑制する。【解決手段】センサ部１のうち、感温抵抗体１７ａ〜１７ｄとモールド樹脂２で封止される部分２との間に、窪み部２４、３９を形成する。これによれば、感温抵抗体１７ａ〜１７ｄが形成される部分とモールド樹脂２で封止される部分との熱の伝達経路を窪み部２４、３９によって細くでき、感温抵抗体１７ａ〜１７ｄが形成される部分の熱がモールド樹脂２で封止される部分を介してモールド樹脂２に伝達されることを抑制できる。このため、検出精度が低下することを抑制でき、かつ、応答性が低下することを抑制できる。【選択図】図１
2015230242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端部および前記一端部と反対側の他端部を有する基板（１ａ）を用いて構成され、前記基板の一端部側に温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗体（１７ａ〜１７ｄ）が形成されることで前記温度に応じた温度検出信号を出力するセンサ部（１）と、
前記感温抵抗体を露出させつつ、前記他端部側を封止するモールド樹脂（２）と、を備え、
前記センサ部は、前記感温抵抗体と前記モールド樹脂で封止される部分との間に、窪み部（２４、３９）が形成されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項２】
前記窪み部は、複数形成され、それぞれの開口部が六角形状とされており、
前記基板の面方向に対する法線方向から視たとき、前記基板は、前記基板のうちの前記窪み部の間に位置する部分にてハニカム構造が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の温度センサ。
【請求項３】
前記センサ部は、圧力に応じて抵抗値が変化する感圧抵抗体（１７ａ〜１７ｄ）が形成され、前記温度検出信号と共に、前記圧力に応じた圧力検出信号も出力することを特徴とする請求項１または２に記載の温度センサ。
【請求項４】
前記感温抵抗体および前記感圧抵抗体は、共通の抵抗体とされていることを特徴とする請求項３に記載の温度センサ。
【請求項５】
前記基板は、一面（１０ａ）および前記一面と反対側の他面（１０ｂ）を有し、前記他面に凹部（１５）が形成されることによって前記一面側にダイヤフラム部（１６）が構成されると共に前記ダイヤフラム部に前記感温抵抗体および前記感圧抵抗体が形成された第１基板（１０）と、前記第１基板の一面側に配置され、前記第１基板側の一面（３０ａ）および当該一面と反対側の他面（３０ｂ）を有し、前記一面のうちの前記ダイヤフラム部と対向する部分に凹部（３４）が形成された第２基板（３０）と、を有し、
前記窪み部は、前記第１基板の他面側に形成されていると共に、前記第２基板の一面側に形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の温度センサ。
【請求項６】
前記第１基板と前記第２基板との間には、前記第２基板に形成された窪み部によって封止空間（４２）が構成されており、
前記封止空間は、真空圧とされていることを特徴とする請求項５に記載の温度センサ。
【請求項７】
請求項５または６に記載の温度センサの製造方法であって、
前記感温抵抗体および前記感圧抵抗体が形成された前記第１基板を用意する工程と、
前記第１基板の他面側に、前記凹部および前記窪み部を同時に形成する工程と、
前記第２基板を用意する工程と、
前記第２基板の一面側に、前記凹部および前記窪み部を同時に形成する工程と、
前記第１基板の一面と前記第２基板の一面とが対向するように、前記第１基板に前記第２基板を接合する工程と、を行うことを特徴とする温度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定媒体の温度に応じたセンサ信号を出力するセンサ部の一部がモールド樹脂で封止された温度センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、特許文献１には、圧力に応じたセンサ信号を出力するセンサ部を備える圧力センサが提案されている。具体的には、この圧力センサでは、センサ部は、半導体基板等の基板を用いて構成され、当該基板に測定媒体の圧力に応じて抵抗値が変化する感圧抵抗体が形成されている。そして、センサ部は、感圧抵抗体が露出するように、モールド樹脂で封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１９１２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような圧力センサの感圧抵抗体を感温抵抗体として温度センサとすることも知られている。
【０００５】
しかしながら、上記のように温度センサを構成した場合、モールド樹脂は、エポキシ樹脂等によって構成されるために熱容量が大きい。このため、感温抵抗体（基板のうちの感温抵抗体が形成される部分）に印加される測定媒体の熱がモールド樹脂に伝達され易く、感温抵抗体で検出される温度と実際の測定媒体の温度との間に温度差が発生し易い。したがって、検出精度が低下し易く、また、応答性が低下し易いという問題がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、検出精度が低下することを抑制でき、かつ、応答性が低下することを抑制できる温度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一端部および一端部と反対側の他端部を有する基板（１ａ）を用いて構成され、基板の一端部側に温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗体（１７ａ〜１７ｄ）が形成されることで温度に応じた温度検出信号を出力するセンサ部（１）と、感温抵抗体を露出させつつ、他端部側を封止するモールド樹脂（２）と、を備え、センサ部は、感温抵抗体とモールド樹脂で封止される部分との間に、窪み部（２４、３９）が形成されていることを特徴としている。
【０００８】
これによれば、感温抵抗体（感温抵抗体が形成される部分）とモールド樹脂で封止される部分との間の熱の伝達経路を窪み部によって細くできる。このため、感温抵抗体（感温抵抗体が形成される部分）の熱がモールド樹脂で封止される部分を介してモールド樹脂に伝達される（逃げる）ことを抑制できる。したがって、感温抵抗体（感温抵抗体が形成される部分）の温度と実際の測定媒体の温度との間に温度差が発生することを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できると共に、応答性が低下することを抑制できる。
【０００９】
また、請求項７に記載の発明は、請求項５または６に記載の温度センサの製造方法であり、感温抵抗体および感圧抵抗体が形成された第１基板を用意する工程と、第１基板の他面側に、凹部および窪み部を同時に形成する工程と、第２基板を用意する工程と、第２基板の一面側に、凹部および窪み部を同時に形成する工程と、第１基板の一面と第２基板の一面とが対向するように、第１基板に第２基板を接合する工程と、を行うことを特徴としている。
【００１０】
これによれば、凹部を形成する工程と窪み部を形成する工程とを同時に行うため、製造工程が増加することを抑制できる。
【００１１】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態における温度、圧力一体型センサの断面図である。
【図２】第１基板の一面側の平面図である。
【図３】ゲージ抵抗が構成する回路図である。
【図４】第２基板の一面側の平面図である。
【図５】熱の移動経路を示す模式図である。
【図６】図１に示す温度、圧力一体型センサの製造工程を示す断面図である。
【図７】図６に続く製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態における第１基板の一面側の平面図である。
【図９】本発明の他の実施形態における第１基板の一面側の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、本発明の温度センサを温度、圧力一体型センサに適用した例について説明する。なお、この温度、圧力一体型センサは、例えば、自動車に搭載され、オイルポンプから排出されたオイルの温度および圧力を検出するものとして適用されると好適である。
【００１５】
図１に示されるように、温度、圧力一体型センサは、センサ部１およびモールド樹脂２等を備えている。まず、本実施形態のセンサ部１の構成について説明する。
【００１６】
センサ部１は、一面１０ａおよびこの一面１０ａと反対側の他面１０ｂを有する第１基板１０と、一面３０ａおよびこの一面３０ａと反対側の他面３０ｂを有する第２基板３０とを備えるセンサ基板１ａを備えている。なお、本実施形態では、センサ基板１ａが本発明の基板に相当している。
【００１７】
第１基板１０は、本実施形態では、支持基板１１、絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層され、一方向を長手方向（図１中紙面左右方向）とする平面矩形状のＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板で構成されている。そして、半導体層１３のうちの絶縁膜１２と反対側の一面が第１基板１０の一面１０ａとされ、支持基板１１のうちの絶縁膜１２と反対側の一面が第１基板１０の他面１０ｂとされている。なお、本実施形態では、半導体層１３はＰ型のシリコン基板等で構成されている。
【００１８】
第１基板１０には、図１および図２に示されるように、半導体層１３の表層部にＮ型層１４が形成されている。また、第１基板１０には、長手方向の一端部側（図１中紙面右側）に、他面１０ｂから凹部１５が形成されることでダイヤフラム部１６が構成されている。
【００１９】
凹部１５は、本実施形態では、第１基板１０の他面１０ｂから絶縁膜１２に達するように形成され、平面矩形状とされている。そして、凹部１５の底面と第１基板１０の一面１０ａとの間に位置する絶縁膜１２および半導体層１３にてダイヤフラム部１６が構成されている。
【００２０】
ダイヤフラム部１６には、図１〜図３に示されるように、ダイヤフラム部１６の変形（圧力）に応じて抵抗値が変化すると共に、温度に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成されている。
【００２１】
本実施形態では、４つのゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成され、各ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄは、４つの接続点１８ａ〜１８ｄを有するブリッジ回路を構成するように接続配線層１９によって適宜接続されている。そして、ブリッジ回路における接続点１８ａに定電流が供給されるようになっている。つまり、本実施形態のセンサ部１は、いわゆる定電流駆動型とされている。
【００２２】
なお、本実施形態では、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが本発明の感温抵抗体および感圧抵抗体に相当している。つまり、感温抵抗体および感圧抵抗体が共通の抵抗体で構成されている。また、図１中の第１基板１０は、図２中のI−I線に沿った断面図に相当している。
【００２３】
そして、図１および図２に示されるように、半導体層１３には、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと電気的に接続される引き出し配線層２０が形成されている。この引き出し配線層２０は、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと接側される部分から半導体層１３の他端部側（図１および図２中紙面左側）まで引き出されている。本実施形態では、引き出し配線層２０は、４つ形成されており、ブリッジ回路における接続点１８ａと接続されて定電流を供給する配線層、ブリッジ回路における接続点１８ｃと接続されることでグランド電位を印加する配線層、ブリッジ回路における接続点１８ｂ、１８ｄと接続されて中点電圧を出力する２つの配線層とされている。
【００２４】
これにより、温度に応じた温度検出信号としてブリッジ回路における接続点１８ａ、１８ｃの差電圧（ＶＳＩ−ＧＮＤ）が出力され、圧力に応じた圧力検出信号としてブリッジ回路における接続点１８ｂ、１８ｄの差電圧（ＶＳＰ−ＶＳＭ）が出力される。
【００２５】
そして、引き出し配線層２０のうちのゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと接続される部分と反対側の端部には、引き出し配線層２０と接続された接続部２１が形成されている。接続部２１は、後述する貫通電極３７と電気的に接続される部分であり、本実施形態では、平面円形状とされている。
【００２６】
なお、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１は、それぞれＰ型の不純物を拡散させた拡散層等で構成され、Ｎ型層１４内に形成されている。
【００２７】
また、半導体層１３のうちのＮ型層１４内には、接続部２１よりも他端部側に、Ｎ型層１４よりも高不純物濃度とされたＮ＋型のコンタクト層２２が形成されている。このコンタクト層２２は、Ｎ型層１４を所定電位に維持するために後述する貫通電極３７と接続される部分である。
【００２８】
さらに、半導体層１３には、コンタクト層２２よりも他端部側であってＮ型層１４の外側に、半導体層１３よりも高不純物濃度とされたＰ＋型のコンタクト層２３が形成されている。このコンタクト層２３は、半導体層１３を所定電位に維持するために後述する貫通電極３７と接続される部分である。
【００２９】
また、図１に示されるように、上記第１基板１０の一面１０ａには、第２基板３０が配置されている。第２基板３０は、シリコン等の基板３１のうちの第１基板１０と対向する一面側に絶縁膜３２が形成された構成とされている。
【００３０】
そして、第２基板３０は、絶縁膜３２が第１基板１０（半導体層１３）と接合されている。本実施形態では、絶縁膜３２と第１基板１０（半導体層１３）とは、絶縁膜３２および半導体層１３のうちの接合面を活性化させて接合するいわゆる直接接合等で接合されている。
【００３１】
なお、本実施形態では、絶縁膜３２のうちの基板３１と反対側の一面が第２基板３０の一面３０ａとされ、基板３１のうちの絶縁膜３２と反対側の一面が第２基板３０の他面３０ｂとされている。
【００３２】
第２基板３０の一面３０ａには、ダイヤフラム部１６と対向する部分に凹部３４が形成されている。そして、第１基板１０と第２基板３０との間には、この凹部３４によって基準圧力室４１が構成され、ダイヤフラム部１６のうちの一面１０ａ側に基準圧力室４１から基準圧力が印加されるようになっている。このため、ダイヤフラム部１６は、基準圧力とダイヤフラム部１６のうちの他面１０ｂ側に印加される測定媒体の圧力との差圧に応じて変形する。なお、本実施形態では、基準圧力室４１は、真空圧とされている。
【００３３】
また、第２基板３０には、他面３０ｂ側に絶縁膜３３が形成されている。そして、第２基板３０のうちの他端部側（図１中紙面左側）には、絶縁膜３３、第２基板３０、第１基板１０の積層方向に絶縁膜３３および第２基板３０を貫通する６つの貫通孔３５（図１中では４つのみ図示）が形成されている。具体的には、この貫通孔３５は、各接続部２１およびコンタクト層２２、２３をそれぞれ露出させるように形成されている。そして、貫通孔３５の壁面には、ＴＥＯＳ（Tetra ethyl ortho silicate）等で構成される絶縁膜３６が成膜され、絶縁膜３６上にはＡｌ等で構成される貫通電極３７が適宜接続部２１およびコンタクト層２２、２３と電気的に接続されるように形成されている。さらに、絶縁膜３３上には、貫通電極３７を介してゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと電気的に接続されると共に外部回路と接続されるパッド部３８が形成されている。
【００３４】
なお、図１では、最も紙面左側に位置する貫通電極３７と電気的に接続されるパッド部３８のみを図示しているが、他の貫通電極３７も図１とは別断面に形成されたパッド部３８と電気的に接続されている。
【００３５】
以上が本実施形態におけるセンサ部１の構成である。そして、センサ部１は、第１基板１０の他面１０ｂの他端部側において、接着剤等の接合部材５０を介して支持部材６０に支持されている。なお、この支持部材６０は、銅や４２アロイ等で構成されるリードフレームで構成されている。
【００３６】
そして、センサ部１のうちの他端部側および支持部材６０等は、エポキシ樹脂等で構成されるモールド樹脂２によって封止されて固定されている。つまり、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）を露出させつつ貫通電極３７およびパッド部３８が封止されるように、モールド樹脂２が配置されている。
【００３７】
以上が本実施形態における温度、圧力一体型センサの基本的な構成である。そして、本実施形態では、第１基板１０には、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成される部分とモールド樹脂２で封止される部分との間に、窪み部２４が形成されている。また、第２基板３０には、凹部３４とモールド樹脂２で封止される部分との間に窪み部３９が形成されている。なお、第１基板１０と第２基板３０との間には、窪み部３９によって封止空間４２が構成され、封止空間４２は基準圧力室４１と同様に真空圧とされている。
【００３８】
本実施形態では、窪み部２４は、図１および図２に示されるように、第１基板１０の他面１０ｂから絶縁膜１２に達するように形成され、開口部が凹部１５と同じ平面矩形状とされていると共に深さが凹部１５と等しくされている。また、窪み部３９は、図１および図４に示されるように、第２基板３０の一面３０ａに形成され、開口部が凹部３４と同じ平面矩形状とされていると共に深さが凹部３４と等しくされている。
【００３９】
以上が本実施形態における温度、圧力一体型センサの構成である。このような温度、圧力一体側センサでは、Ｎ型層１４（コンタクト層２２）が、Ｐ型のゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１より高電位とされた状態で温度および圧力の検出を行う。つまり、Ｎ型層１４と、Ｐ型のゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１とで構成されるダイオードに逆バイアスが印加される状態で温度および圧力の検出を行う。
【００４０】
そして、ダイヤフラム部１６のうちの他面１０ｂ側に測定媒体が印加されると、当該測定媒体の温度に応じた温度検出信号および当該測定媒体の圧力に応じた圧力検出信号が出力される。
【００４１】
このとき、図５に示されるように、測定媒体Ａの熱がセンサ部１の一端部側に印加されると、矢印Ｂで示すように、当該熱は主に、窪み部２４と窪み部３９との間の部分の半導体層１３を介してセンサ部１の他端部側に伝達された後、モールド樹脂２や支持部材６０等に伝達される。つまり、窪み部２４および窪み部３９によって熱の伝達経路を細くできる。このため、センサ部１の一端部側から他端部側に熱を伝達し難くでき、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の熱がモールド樹脂２や支持部材６０等に伝達されることを抑制できる。
【００４２】
次に、上記温度、圧力一体型センサの製造方法について説明する。
【００４３】
まず、図６（ａ）に示されるように、支持基板１１、絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層された第１基板１０を用意する。そして、イオン注入や熱拡散等の工程を適宜行うことにより、半導体層１３に、Ｎ型層１４、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１、コンタクト層２２、２３等を形成する。
【００４４】
次に、図６（ｂ）に示されるように、第１基板１０の他面１０ｂに図示しないマスクを配置し、当該マスクを用いてドライエッチング等を行うことにより、凹部１５および窪み部２４を形成する。つまり、本実施形態では、第１基板１０に凹部１５および窪み部２４を同時に形成する。なお、この工程にて凹部１５を形成することによってダイヤフラム部１６が構成される。
【００４５】
また、図６（ｃ）に示されるように、図６（ａ）および図６（ｂ）とは別工程において、基板３１の一面側に絶縁膜３２が形成された第２基板３０を用意する。そして、絶縁膜３２上に図示しないマスクを配置し、当該マスクを用いてドライエッチング等を行うことにより、凹部３４および窪み部３９を形成する。つまり、本実施形態では、第２基板３０に凹部３４および窪み部３９を同時に形成する。
【００４６】
続いて、図７（ａ）に示されるように、第１基板１０と第２基板３０とを接合してセンサ基板１ａを構成する。本実施形態では、まず、半導体層１３および絶縁膜３２にＡｒイオンビーム等を照射し、各接合面を活性化させる。そして、第１、第２基板１０、３０に適宜設けられたアライメントマーク等を用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、真空条件下において室温〜５５０°の低温で接合するいわゆる直接接合により、半導体層１３と絶縁膜３２とを接合する。これにより、凹部３４によって基準圧力室４１が構成されると共に窪み部３９によって封止空間４２が構成され、基準圧力室４１および封止空間４２が真空圧とされる。
【００４７】
次に、図７（ｂ）に示されるように、基板３１上に図示しないマスクを配置し、当該マスクを用いてドライエッチング等を行うことにより、第２基板３０を貫通して接続部２１およびコンタクト層２２、２３を露出させる貫通孔３５を形成する。そして、各貫通孔３５の壁面にＴＥＯＳ等の絶縁膜３６を成膜する。このとき、第２基板３０の他面３０ｂに形成された絶縁膜にて上記絶縁膜３３が構成される。次に、各貫通孔３５の底部に形成された絶縁膜３６を除去する。そして、各貫通孔３５にスパッタ法や蒸着法等でＡｌやＡｌ−Ｓｉ等の金属膜を成膜することにより、接続部２１およびコンタクト層２２、２３と電気的に接続される貫通電極３７を形成する。その後、絶縁膜３３上に形成された金属膜をパターニングしてパッド部３８を形成することにより、上記センサ部１が製造される。
【００４８】
その後は、特に図示しないが、当該センサ部１を支持部材６０に接合部材５０を介して支持し、センサ部１のうちの他端部側および支持部材６０をモールド樹脂２にて封止することにより、上記図１に示す温度、圧力一体型センサが製造される。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態では、第１基板１０には、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成される部分とモールド樹脂２で封止される部分との間に窪み部２４が形成されている。また、第２基板３０には、凹部３４とモールド樹脂２で封止される部分との間に窪み部３９が形成されている。このため、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）とモールド樹脂２との間の熱の伝達経路を細くでき、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の熱がモールド樹脂２に伝達される（逃げる）ことを抑制できる。したがって、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の温度と実際の測定媒体Ａの温度との間に温度差が発生することを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できると共に、応答性が低下することを抑制できる。
【００５０】
また、封止空間４２が真空圧とされているため、さらにゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の熱がモールド樹脂２に伝達されることを抑制できる。すなわち、上記のように、熱は、主に第１、第２基板１０、３０を介して伝達されるが、封止空間４２等を介しても伝達される。このため、封止空間４２を真空圧とすることにより、封止空間４２を介して熱が伝達されることをさらに抑制できる。
【００５１】
さらに、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄを感温抵抗体および感圧抵抗体の共通の抵抗として用いている。このため、センサ部１の小型化を図ることができる。
【００５２】
そして、温度、圧力一体型センサを製造する際には、凹部１５および窪み部２４を同時に形成している。また、凹部３４および窪み部３９を同時に形成している。このため、製造工程が増加することも抑制できる。
【００５３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して窪み部２４の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５４】
本実施形態では、図８に示されるように、第１基板１０には、複数の窪み部２４が形成されている。そして、各窪み部２４は、第１基板１０の面方向に対する法線方向から視たとき、開口部が六角形状とされており、第１基板１０には、各窪み部２４の間に位置する部分（格子）にてハニカム構造が構成されている。言い換えると、第１基板１０には、ハニカム構造を構成するように複数の窪み部２４が形成されている。
【００５５】
これによれば、ハニカム構造を構成するように複数の窪み部２４が形成されているため、窪み部２４を形成することによる曲げに対する剛性が低くなることを抑制できる。すなわち、測定媒体Ａの突発的な圧力変化によってセンサ部１の一端部側に大きな曲げモーメントが発生するような場合であっても、センサ部１が破壊されることを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
なお、本実施形態では、第１基板１０に形成される窪み部２４の形状について説明したが、第２基板３０に形成される窪み部３９についても同様である。つまり、第２基板３０には、ハニカム構造を構成するように複数の窪み部３９が形成されていてもよい。
【００５７】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５８】
上記各実施形態において、温度、圧力一体型センサではなく、温度のみを検出する温度センサとしてもよい。この場合、基準圧力室４１は必要ないため、例えば、第１基板１０のみ（１つの基板のみ）を用いてセンサ部１を構成してもよい。
【００５９】
また、上記各実施形態において、温度を検出するゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（感温抵抗体）と、圧力を検出するゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（感圧抵抵抗体）とを別々に構成してもよい。
【００６０】
そして、上記第各実施形態において、第１基板１０にのみ窪み部２４が形成されていてもよいし、第２基板３０にのみ窪み部３９が形成されていてもよい。さらに、窪み部２４は、第１基板１０の一面１０ａ側に形成されていてもよいし、窪み部３９は第２基板３０の他面３０ｂ側に形成されていてもよい。
【００６１】
さらに、上記各実施形態において、窪み部２４は、凹部１５と深さが異なっていてもよい。同様に、窪み３９は、凹部３４と深さが異なっていてもよい。
【００６２】
そして、上記第２実施形態において、複数の窪み部２４、３９が形成される場合、開口部は六角形状でなくてもよい。例えば、図９に示されるように、複数の窪み部２４は、開口部が正方形状とされていてもよい。同様に、複数の窪み部３９は、開口部が正方形状とされていてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１              センサ部
１ａ            基板
２              モールド樹脂
１７ａ〜１７ｄ  ゲージ抵抗（感温抵抗体、感圧抵抗体）
２４、３９      窪み部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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