(57)【要約】【課題】隣同士の画素の混色の防止を目的とする。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、それぞれの画素電極１６の周縁に載るように隣同士の画素電極１６の間の領域に設けられた絶縁層１８と、複数の画素電極１６及び絶縁層１８を連続的に覆う共通層４０を含むように設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜３８と、有機エレクトロルミネッセンス膜３８の上に設けられた共通電極４２と、有機エレクトロルミネッセンス膜３８及び共通電極４２を覆うように封止する封止層４４と、を有する。それぞれの画素電極１６は、周縁を含む端部に上面が窪む凹部１６ａを有する。共通層４０は、画素電極１６の凹部１６ａに対応して、上面が窪む凹部４０ａを有する。共通電極４２は、共通層４０の凹部４０ａに対応して、上面が窪む凹部４２ａを有する。封止層４４は、共通電極４２の凹部４２ａに対応して湾曲する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた複数の画素電極と、
それぞれの前記画素電極の少なくとも周縁に載るように隣同士の前記画素電極の間の領域に設けられた絶縁層と、
前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜と、
前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に設けられた共通電極と、
前記有機エレクトロルミネッセンス膜及び前記共通電極を覆うように封止する封止層と、
を有し、
それぞれの前記画素電極は、前記周縁を含む端部に上面が窪む凹部を有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記絶縁層は、それぞれの前記画素電極の前記凹部に載ることで、上面が窪む凹部を有し、
前記共通層は、前記絶縁層の前記凹部に対応して、上面が窪む凹部を有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記共通層は、前記画素電極の前記凹部に対応して、上面が窪む凹部を有し、
前記絶縁層は、それぞれの前記画素電極の前記凹部の少なくとも一部を避けるように前記周縁に載り、
前記共通層の前記凹部は、それぞれの前記画素電極の前記凹部の前記少なくとも一部に接触していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
それぞれの前記画素電極の下に設けられた配線層をさらに有し、
それぞれの前記画素電極の前記凹部の少なくとも一部は、前記配線層に電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
それぞれの前記画素電極の下に設けられた配線層をさらに有し、
それぞれの前記画素電極の前記凹部の少なくとも一部は、前記配線層に電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記配線層に電気的に接続する部分と、前記配線層に電気的に接続しない部分と、を有し、
前記共通層の前記凹部は、それぞれの前記画素電極の前記凹部の前記配線層に電気的に接続しない前記部分に接触していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、
それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記横方向の一方にずれた位置で前記縦方向に延びる領域から、前記縦方向の一方にずれた位置で前記横方向に延びる領域にわたって、連続的に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項４に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、
それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記横方向の一方にずれた位置で前記縦方向に延びる第１領域から、前記縦方向の一方にずれた位置で前記横方向に延びる第２領域にわたって、連続的に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記第１領域から前記第２領域にわたって、連続的に前記配線層に電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項８に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記第１領域と前記第２領域の接続領域のみで前記配線層に電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
請求項１から４のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、前記縦方向の両側にある前記端部にそれぞれ前記凹部が形成された第１グループの前記画素電極と、前記横方向の両側にある前記端部にそれぞれ前記凹部が形成された第２グループの前記画素電極と、を含み、
前記第１グループの前記画素電極と前記第２グループの前記画素電極が、前記横方向及び前記縦方向に交互に配列されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
請求項１から４のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、
それぞれの前記画素電極は、前記縦方向に長い平面形状を有し、
それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記横方向の一方にずれた位置で前記縦方向に延びることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
それぞれの前記画素電極の前記凹部は、隣同士の間隔をあけて並ぶ複数の分割凹部からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１４】
請求項２，３，５及び６のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記共通電極は、前記共通層の前記凹部に対応して、上面が窪む凹部を有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記封止層は、前記共通電極の前記凹部に対応して湾曲していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機膜を陽極と陰極で挟み込んだ構造を有している（特許文献１参照）。通常、複数の有機膜が積層されており、その一層は発光層である。複数の画素に一色（例えば白色）の発光を得るためには、発光層にするための有機膜を全体的に連続するように設ける。あるいは、複数の画素に複数色の発光を得るためには、発光層にするための有機膜は画素ごとに分離されるが、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層又は電子輸送層などにするための有機膜は連続的に設ける。いずれの場合であっても、少なくとも１層の有機膜が隣同士の画素にわたって連続的に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１６３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高画質の表示装置では、画素の微細化によって、隣同士の画素が接近するようになってきた。そのため、いずれかの画素で発生した光がその隣の画素に入り込むことがあった。そして、隣同士の画素の色が異なる場合には混色が生じるという問題があった。なお、特許文献１には、隣の画素への電流のリークによって、非発光とすべき画素が発光してしまう問題について開示されているが、光自体が隣の画素に入り込むという問題について言及されていない。
【０００５】
本発明は、隣同士の画素の混色の防止を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板に設けられた複数の画素電極と、それぞれの前記画素電極の少なくとも周縁に載るように隣同士の前記画素電極の間の領域に設けられた絶縁層と、前記複数の画素電極及び前記絶縁層を連続的に覆う共通層を含むように設けられた有機エレクトロルミネッセンス膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス膜の上に設けられた共通電極と、前記有機エレクトロルミネッセンス膜及び前記共通電極を覆うように封止する封止層と、を有し、それぞれの前記画素電極は、前記周縁を含む端部に上面が窪む凹部を有していることを特徴とする。本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス膜の共通層で発生した光は、画素電極の凹部で乱反射、拡散又は屈曲するので、隣の画素の光として認識しにくくなる。これにより、隣同士の画素の混色を防止することができる。
【０００７】
（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記絶縁層は、それぞれの前記画素電極の前記凹部に載ることで、上面が窪む凹部を有し、前記共通層は、前記絶縁層の前記凹部に対応して、上面が窪む凹部を有していることを特徴としてもよい。
【０００８】
（３）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記共通層は、前記画素電極の前記凹部に対応して、上面が窪む凹部を有し、前記絶縁層は、それぞれの前記画素電極の前記凹部の少なくとも一部を避けるように前記周縁に載り、前記共通層の前記凹部は、それぞれの前記画素電極の前記凹部の前記少なくとも一部に接触していることを特徴としてもよい。
【０００９】
（４）（１）又は（２）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、それぞれの前記画素電極の下に設けられた配線層をさらに有し、それぞれの前記画素電極の前記凹部の少なくとも一部は、前記配線層に電気的に接続していることを特徴としてもよい。
【００１０】
（５）（３）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、それぞれの前記画素電極の下に設けられた配線層をさらに有し、それぞれの前記画素電極の前記凹部の少なくとも一部は、前記配線層に電気的に接続していることを特徴としてもよい。
【００１１】
（６）（５）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記配線層に電気的に接続する部分と、前記配線層に電気的に接続しない部分と、を有し、前記共通層の前記凹部は、それぞれの前記画素電極の前記凹部の前記配線層に電気的に接続しない前記部分に接触していることを特徴としてもよい。
【００１２】
（７）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記横方向の一方にずれた位置で前記縦方向に延びる領域から、前記縦方向の一方にずれた位置で前記横方向に延びる領域にわたって、連続的に形成されていることを特徴としてもよい。
【００１３】
（８）（４）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記横方向の一方にずれた位置で前記縦方向に延びる第１領域から、前記縦方向の一方にずれた位置で前記横方向に延びる第２領域にわたって、連続的に形成されていることを特徴としてもよい。
【００１４】
（９）（８）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記第１領域から前記第２領域にわたって、連続的に前記配線層に電気的に接続していることを特徴としてもよい。
【００１５】
（１０）（８）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記第１領域と前記第２領域の接続領域のみで前記配線層に電気的に接続していることを特徴としてもよい。
【００１６】
（１１）（１）から（４）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、前記縦方向の両側にある前記端部にそれぞれ前記凹部が形成された第１グループの前記画素電極と、前記横方向の両側にある前記端部にそれぞれ前記凹部が形成された第２グループの前記画素電極と、を含み、前記第１グループの前記画素電極と前記第２グループの前記画素電極が、前記横方向及び前記縦方向に交互に配列されていることを特徴としてもよい。
【００１７】
（１２）（１）から（４）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の画素電極は、横方向及び縦方向に配列され、それぞれの前記画素電極は、前記縦方向に長い平面形状を有し、それぞれの前記画素電極の前記凹部は、前記横方向の一方にずれた位置で前記縦方向に延びることを特徴としてもよい。
【００１８】
（１３）（１２）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、それぞれの前記画素電極の前記凹部は、隣同士の間隔をあけて並ぶ複数の分割凹部からなることを特徴としてもよい。
【００１９】
（１４）（２），（３），（５）及び（６）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記共通電極は、前記共通層の前記凹部に対応して、上面が窪む凹部を有していることを特徴としてもよい。
【００２０】
（１５）（１４）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記封止層は、前記共通電極の前記凹部に対応して湾曲していることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の斜視図である。
【図２】図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【図３】図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIII−III線断面図である。
【図４】実施形態の変形例１に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【図５】図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】実施形態の変形例２に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【図７】図６に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のVII−VII線断面図である。
【図８】実施形態の変形例３に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【図９】実施形態の変形例４に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【図１０】実施形態の変形例５に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の斜視図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ガラスなどからなる光透過性の第１基板１０を有する。第１基板１０は、画像表示のための画像表示領域を有する。第１基板１０には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載されている。第１基板１０には、外部との電気的接続のために、フレキシブル配線基板１４が接続されている。
【００２４】
図２は、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。第１基板１０には、複数の画素電極１６が設けられている。複数の画素電極１６は、縦方向及び横方向に配列されている。画素電極１６の少なくとも周縁に載るように、絶縁層１８が設けられている。絶縁層１８は、隣同士の画素電極１６の間の領域に設けられる。絶縁層１８は、それぞれの画素電極１６の周縁を囲むようになっている。絶縁層１８は、画素電極１６の一部（端部を除く部分）を露出させる開口ＯＰを有する。
【００２５】
図３は、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIII−III線断面図である。
【００２６】
第１基板１０には、第１基板１０からの不純物に対するバリアとなるアンダーコート２０が形成され、その上に半導体層２２が形成されている。半導体層２２を覆ってゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４の上にはゲート電極２６が形成され、ゲート電極２６を覆って層間絶縁膜２８が形成されている。第１基板１０の上（層間絶縁膜２８の上）には、複数の配線層３０が設けられている。配線層３０の一部は、層間絶縁膜２８を貫通しており、半導体層２２の上でソース電極又はドレイン電極として機能し、薄膜トランジスタを構成している。配線層３０を覆うように、層間絶縁膜２８上にパッシベーション膜３２が形成されている。パッシベーション膜３２は、上面が凸凹になっているので、これを平坦化するために下地層３４が形成されている。下地層３４は、アクリル樹脂などの樹脂からなる。
【００２７】
画素電極１６は、下地層３４の上に設けられている。画素電極１６は陽極である。画素電極１６は、周縁を含む端部に上面が窪む凹部１６ａを有する。凹部１６ａは、画素電極１６の下面では下方向に突出する。凹部１６ａは下地層３４を貫通する。凹部１６ａに対応して下地層３４は穴３４ａ（貫通穴）を有している。図２に示すように、画素電極１６の凹部１６ａは、横方向の一方にずれた位置で縦方向に延びる第１領域Ｒ１から、縦方向の一方にずれた位置で横方向に延びる第２領域Ｒ２にわたって、連続的に形成されている。つまり、画素電極１６の凹部１６ａは、Ｌ字状の平面形状になっている。
【００２８】
複数の画素電極１６の下方に配線層３０が設けられている。画素電極１６の凹部１６ａの少なくとも一部は、配線層３０に電気的に接続している。詳しくは、下地層３４の上にある画素電極１６は、下地層３４を貫通する穴３４ａを介して、凹部１６ａによって配線層３０に接合している。画素電極１６の凹部１６ａは、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２にわたって、連続的に配線層３０に電気的に接続している。つまり、画素電極１６の凹部１６ａの配線層３０とのコンタクト部３６は、図２に示すようにＬ字状の平面形状になっている。
【００２９】
絶縁層１８は、画素電極１６の端部の上に載るようになっている。絶縁層１８は、画素電極１６の凹部１６ａに載ることで上面が窪む凹部１８ａを有する。画素電極１６の凹部１６ａ（図２参照）に対応して、絶縁層１８の凹部１８ａも、横方向の一方にずれた位置で縦方向に延びる第１領域Ｒ１から、縦方向の一方にずれた位置で横方向に延びる第２領域Ｒ２にわたって、連続的に形成される。つまり、絶縁層１８の凹部１８ａもＬ字状の平面形状になる。
【００３０】
第１基板１０には有機エレクトロルミネッセンス膜３８が設けられている。有機エレクトロルミネッセンス膜３８は、複数の画素電極１６及び絶縁層１８に載るようになっている。有機エレクトロルミネッセンス膜３８は、図示しないが複数層からなり、少なくとも発光層を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含む。発光層は、一色（例えば白色）の光のみを発するように構成されている。
【００３１】
有機エレクトロルミネッセンス膜３８は、複数の画素電極１６及び絶縁層１８を連続的に覆う共通層４０を含む。図３に示す例では、有機エレクトロルミネッセンス膜３８の全体が共通層４０である。あるいは、複数層からなる有機エレクトロルミネッセンス膜３８の少なくとも１層（少なくとも１層を除く）が共通層４０（例えば電子注入層）であり、少なくとも１層からなる残りの層は、画素電極１６ごとに切断された層であってもよい。２層以上の発光層を含むタンデム構造からなる有機エレクトロルミネッセンス膜３８では、隣同士の発光層の間に配置された電子及び正孔を供給するためのチャージジェネレーション層が共通層４０であってもよい。
【００３２】
共通層４０は、画素電極１６の凹部１６ａに対応して、上面が窪む凹部４０ａを有する。共通層４０の凹部４０ａは、絶縁層１８の凹部１８ａに対応している。共通層４０の凹部４０ａも、画素電極１６の凹部１６ａ（図２参照）に対応して、横方向の一方にずれた位置で縦方向に延びる第１領域Ｒ１から、縦方向の一方にずれた位置で横方向に延びる第２領域Ｒ２にわたって、連続的に形成される。つまり、共通層４０の凹部４０ａもＬ字状の平面形状になる。
【００３３】
有機エレクトロルミネッセンス膜３８の上には共通電極４２が設けられている。共通電極４２は陰極である。共通電極４２は、共通層４０の凹部４０ａに対応して、上面が窪む凹部４２ａを有する。共通電極４２の凹部４２ａも、画素電極１６の凹部１６ａ（図２参照）に対応して、横方向の一方にずれた位置で縦方向に延びる第１領域Ｒ１から、縦方向の一方にずれた位置で横方向に延びる第２領域Ｒ２にわたって、連続的に形成される。つまり、共通電極４２の凹部４２ａもＬ字状の平面形状になっている。
【００３４】
画素電極１６及び共通電極４２に電圧をかけることにより各々から正孔と電子を有機エレクトロルミネッセンス膜３８に注入する。注入された正孔と電子が発光層で結合して光を発する。画素電極１６の端部と共通電極４２の間には、絶縁層１８が介在しているので、両者間のショートが防止されている。
【００３５】
共通電極４２の上には封止層４４が設けられている。封止層４４は、有機エレクトロルミネッセンス膜３８も覆う。封止層４４は、有機エレクトロルミネッセンス膜３８を水分から遮断するように封止している。封止層４４は、共通電極４２の凹部４２ａに対応して湾曲している。詳しくは、封止層４４の下面（共通電極４２との界面）が、共通電極４２の凹部４２ａの上では曲面になっている。また、封止層４４の上面（その上の層との界面）も、共通電極４２の凹部４２ａの上方では曲面になっている。
【００３６】
封止層４４の湾曲する部分も、画素電極１６の凹部１６ａ（図２参照）に対応して、横方向の一方にずれた位置で縦方向に延びる第１領域Ｒ１から、縦方向の一方にずれた位置で横方向に延びる第２領域Ｒ２にわたって、連続的に形成される。つまり、封止層４４の湾曲する部分もＬ字状の平面形状になる。
【００３７】
封止層４４の上には充填層４６が設けられている。本実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス膜３８の共通層４０から封止層４４に入射した光は、湾曲した封止層４４の表面（他の層との界面）で乱反射するので、隣の画素の光として認識しにくくなる。これにより、隣同士の画素の混色を防止することができる。
【００３８】
第１基板１０と間隔をあけて対向するように、第２基板４８が配置されている。第２基板４８の第１基板１０側の面には、カラーフィルタ層５０が設けられている。カラーフィルタ層５０は、ブラックマトリクス５２及び着色層５４を含む。上述した有機エレクトロルミネッセンス膜３８の発光層（図示せず）が単一色（例えば白色）を発するので、本実施形態ではカラーフィルタ層５０を設けてフルカラー表示を可能にしている。有機エレクトロルミネッセンス膜３８が、異なる色（例えば、赤、緑及び青）を発する複数の発光層を含む場合、発光層が複数色の光を発するので着色層５４は不要である。第１基板１０と第２基板４８との間に充填層４６が設けられている。
【００３９】
図４は、実施形態の変形例１に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。図５は、図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。
【００４０】
この例でも、絶縁層１１８は、画素電極１１６の凹部１１６ａに載ることで、上面が窪む凹部１１８ａを有する。共通層１４０の凹部１４０ａは、絶縁層１１８の凹部１１８ａに対応している。複数の画素電極１１６は、横方向及び縦方向に配列されている。画素電極１１６の凹部１１６ａは、横方向の一方にずれた位置で縦方向に延びる第１領域Ｒ１から、縦方向の一方にずれた位置で横方向に延びる第２領域Ｒ２にわたって、連続的に形成されている。絶縁層１１８に深い凹部１１８ａを形成した状態では、共通層、共通電極、封止層がその凹部に深く入り込んだ構造となる。これにより、封止層の、第１基板に対する接触面積が増え、封止層の密着性が向上し、封止層の剥がれを防止する構造とすることができる。
【００４１】
図２に示す例との違いは、画素電極１１６の凹部１１６ａが、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２の接続領域のみで配線層１３０に電気的に接続している点である。つまり、画素電極１１６の凹部１１６ａの配線層１３０とのコンタクト部１３６は、図４に示すように、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２によって描かれるＬ字の角部に位置している。その他の内容は、上記実施形態で説明した内容が該当する。
【００４２】
図６は、実施形態の変形例２に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。図７は、図６に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のVII−VII線断面図である。
【００４３】
この例では、図６に示すように、絶縁層２１８は、画素電極２１６の凹部２１６ａの少なくとも一部を避けるように周縁に載る。言い換えると、絶縁層２１８の開口ＯＰは、画素電極２１６の凹部２１６ａの一部も露出させるようになっている。図６の例では、Ｌ字状の凹部２１６ａの角部を除く両端部が、絶縁層２１８の開口ＯＰから露出している。
【００４４】
有機エレクトロルミネッセンス膜２３８の共通層２４０の凹部２４０ａは、図７に示すように、画素電極２１６の凹部２１６ａの少なくとも一部に接触している。共通層２４０が発光層であれば、その凹部２４０ａで発生した光も画像を構成する要素になる。
【００４５】
画素電極２１６の凹部２１６ａは、配線層２３０に電気的に接続する部分（図６に示すコンタクト部２３６）と、配線層２３０に電気的に接続しない部分（図７参照）と、を有する。これについては、変形例１で説明した内容が該当する。
【００４６】
画素電極２１６の凹部２１６ａのうち配線層２３０とのコンタクト部２３６は、図６に示すように、絶縁層２１８で覆われている。したがって、有機エレクトロルミネッセンス膜２３８の共通層２４０の凹部２４０ａは、図７に示すように、画素電極２１６の凹部２１６ａの配線層２３０に電気的に接続しない部分に接触する。
【００４７】
図８は、実施形態の変形例３に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【００４８】
この例でも、複数の画素電極３１６は、横方向及び縦方向に配列されている。複数の画素電極３１６は、縦方向の両側にある端部にそれぞれ凹部３１６ａが形成された第１グループの画素電極３１６Ａと、横方向の両側にある端部にそれぞれ凹部３１６ｂが形成された第２グループの画素電極３１６Ｂと、を含む。第１グループの画素電極３１６Ａと第２グループの画素電極３１６Ｂが、横方向及び縦方向に交互に配列されている。
【００４９】
第１グループの画素電極３１６Ａには、縦方向の両側に凹部３１６ａが形成されているので、その上方で封止層が湾曲することで、縦方向に進行する光を乱反射させる。これに対して、第２グループの画素電極３１６Ｂには、横方向の両側に凹部３１６ｂが形成されているので、その上方で封止層が湾曲することで、縦方向に進行する光を乱反射させる。こうすることで、縦方向及び横方向の両方に進む光を乱反射させて、隣同士の画素の混色を防止することができる。
【００５０】
図９は、実施形態の変形例４に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【００５１】
この例でも、複数の画素電極４１６は、横方向及び縦方向に配列されている。画素電極４１６は、縦方向に長い平面形状を有する。画素電極４１６の凹部４１６ａは、横方向の一方にずれた位置で縦方向に延びている。これによれば、ストライプ配列のカラーフィルタにおいて、同じ色の着色層が縦方向に延び、横方向には異なる色の着色層が配列される場合、混色の影響が大きくなる横方向への光の進行を妨げることができる。
【００５２】
図１０は、実施形態の変形例５に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一部を拡大した平面図である。
【００５３】
この例では、画素電極５１６の凹部５１６ａは、隣同士の間隔をあけて並ぶ複数の分割凹部５５６からなる。その他の詳細は、変形例４で説明した内容が該当する。これによれば、凹部５１６ａが分割されるので光の散乱が大きくなるので、混色防止効果が大きくなる。また、凹部５１６ａを分割することで、レイアウトの自由度が増し、フォトリソグラフィを適用して形成した場合にレジストの形成がしやすくなる。
【００５４】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。例えば、共通層、共通電極及び封止層の少なくとも１つは、上面が凹部を有しないように平坦になっていてもよいし、上面が盛り上がる凸部を有していてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１０  第１基板、１２  集積回路チップ、１４  フレキシブル配線基板、１６  画素電極、１６ａ  凹部、１８  絶縁層、１８ａ  凹部、２０  アンダーコート、２２  半導体層、２４  ゲート絶縁膜、２６  ゲート電極、２８  層間絶縁膜、３０  配線層、３２  パッシベーション膜、３４  下地層、３４ａ  穴、３６  コンタクト部、３８  エレクトロルミネッセンス膜、４０  共通層、４０ａ  凹部、４２  共通電極、４２ａ  凹部、４４  封止層、４６  充填層、４８  第２基板、５０  カラーフィルタ層、５２  ブラックマトリクス、５４  着色層、１１６  画素電極、１１６ａ  凹部、１１８  絶縁層、１１８ａ  凹部、１３０  配線層、１３６  コンタクト部、１４０  共通層、１４０ａ  凹部、２１６  画素電極、２１６ａ  凹部、２１８  絶縁層、２３０  配線層、２３６  コンタクト部、２３８  エレクトロルミネッセンス膜、２４０  共通層、２４０ａ  凹部、３１６  画素電極、３１６ａ  凹部、３１６ｂ  凹部、３１６Ａ  第１グループの画素電極、３１６Ｂ  第２グループの画素電極、４１６  画素電極、４１６ａ  凹部、５１６  画素電極、５１６ａ  凹部、５５６  分割凹部、ＯＰ  開口、Ｒ１  第１領域、Ｒ２  第２領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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