(57)【要約】【課題】高周波数の電波信号を効率よく伝送するために厚みの厚い絶縁層を有しているとともに、ビア導体を安定的に形成することが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】絶縁層１と、絶縁層１の下面に配設されており、ビアランド２ａおよびビアランド２ａに接続された下面側配線導体２ｂを含む下面側導体２と、ビアランド２ａの上面を底面として絶縁層１に形成されたビアホール４と、ビアホール４内にビアランド２ａと接続するように被着されたビア導体５と、絶縁層１の上面にビア導体５と接続されるように被着された上面側配線導体２ｃとを具備して成る配線基板Ａであって、ビアランド２ａは、下面側配線導体２ｂの厚みよりも厚いとともに、ビアランド２ａの上面から絶縁層１上面までの厚みが下面側配線導体２ｂの上面から絶縁層１の上面までの厚みよりも薄くなるように絶縁層１中に埋入されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、該絶縁層の下面に配設されており、ビアランドおよび該ビアランドに接続された下面側配線導体を含む下面側導体と、前記ビアランドの上面を底面として前記絶縁層に形成されたビアホールと、該ビアホール内に前記ビアランドと接続するように被着されたビア導体と、前記絶縁層の上面に前記ビア導体と接続されるように被着された上面側配線導体と、を具備して成る配線基板であって、前記ビアランドは、前記下面側配線導体の厚みよりも厚いとともに、該ビアランドの上面から前記絶縁層上面までの厚みが前記下面側配線導体の上面から前記絶縁層の上面までの厚みよりも薄くなるように前記絶縁層中に埋入されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記下面側導体は、第１の導体層と該第１の導体層上に積層された第２の導体層とを含み、前記ビアランドは前記第１および第２の導体層から成り、前記下面側配線は前記第１の導体層から成ることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度配線を有する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５に高密度配線を有する従来の配線基板Ｂの一例を示す。図５に示すように、配線基板Ｂは、例えば４層の絶縁層１１が積層されるとともに各絶縁層１１の表面に導体層１２が形成されている。さらに最表層の絶縁層１１および導体層１２の表面にはソルダーレジスト層１３が形成されている。
それぞれの絶縁層１１には、各絶縁層１１の下面側の導体層１２（以下、下面側導体１２と称する）の上面を底面とするビアホール１４が複数形成されており、ビアホール１４の内部には、下面側導体１２に接続されたビア導体１５が形成されている。また、各絶縁層１１の上面側の導体層１２（以下、上面側導体１２と称する）は、ビア導体１５と一体的に形成されており、それにより各絶縁層１１の上面側導体１２と下面側導体１２とがビア導体１５を介して互いに電気的に接続されている。なお、下面側導体１２におけるビアホール１４の底面を形成する部位は、ビアホール１４より若干大きな直径の略円形のビアランド１２ａを形成している。また、上面側導体１２および下面側導体１２は、それぞれ上面側配線導体１２ｃと下面側配線導体１２ｂとを有している。これらの上面側配線導体１２ｃおよび下面側配線導体１２ｂは、それぞれビアランド１２ａまたはビア導体１５の少なくとも一方に一体的に接続されている。このような導体層１２は、例えば電解めっき法により形成される。
最上層の上面側導体１２の一部は、ソルダーレジスト層１３に設けられた開口部１３ａから露出して半導体素子接続パッド１６を形成している。また、最下層の下面側導体１２の一部は、ソルダーレジスト層１３に設けられた開口部１３ｂから露出して回路基板接続パッド１７を形成している。
半導体素子接続パッド１６には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が半田を介して接続される。また、回路基板接続パッド１７には、この配線基板Ｂが搭載される回路基板の電極が半田を介して接続される。これにより、半導体素子と回路基板とが電気的に接続され、半導体素子と回路基板との間で信号を伝送することにより半導体素子が作動する。
【０００３】
ところで、近年、車載用の衝突防止センサーや屋内無線ＬＡＮ等の用途を目的として、３０〜３００ＧＨｚという高周波数の電波信号が利用されることが多くなってきている。このため、このような用途を目的とする電子機器に搭載される配線基板にも、高周波数の電波信号を効率的に伝送することが求められている。さらに、電子機器の小型化に伴い配線の高密度化も要求されている。
【０００４】
上述のような高周波数の電波信号を効率的に伝送するという要求に対応するためには、配線基板において配線を被覆している絶縁層の厚みを厚くすることが有効であることが知られている。
ところが、従来の配線基板Ｂにおいて絶縁層１１の厚みを厚くすると、ビアホール１４の深さも大きくなってしまう。また、配線が高密度に形成されているため、ビアホール１４の径を大きくすることができない。このため、上述のように電解めっき法によりビアホール１４内にビア導体１５を形成する場合に、径が小さく深さの大きいビアホール１４の内部にめっき液が供給されにくくなってしまいビア導体１５を安定的に形成することができない場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５２０３１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、高周波数の電波信号を効率よく伝送するために厚みの大きな絶縁層を有しているとともに、ビア導体を安定的に形成することが可能な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板は、絶縁層と、絶縁層の下面に配設されており、ビアランドおよびビアランドに接続された下面側配線導体を含む下面側導体と、ビアランドの上面を底面として絶縁層に形成されたビアホールと、ビアホール内にビアランドと接続するように被着されたビア導体と、絶縁層の上面にビア導体と接続されるように被着された上面側配線導体とを具備して成る配線基板であって、ビアランドは、下面側配線導体の厚みよりも厚いとともに、ビアランドの上面から絶縁層上面までの厚みが下面側配線導体の上面から絶縁層の上面までの厚みよりも薄くなるように絶縁層中に埋入されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板は、絶縁層の下側に配設されたビアランドの厚みが、絶縁層の下側に配設された下面側配線の厚みよりも厚いとともに、ビアランドの上面から絶縁層上面までの厚みが下面側配線の上面から絶縁層の上面までの厚みよりも薄くなるように絶縁層中に埋入されている。このため、下面側配線を被覆する絶縁層の厚みを厚くして高周波数の電波信号を効率的に伝送することができるとともに、ビアランド上面の絶縁層厚みを薄くしてビアホールの深さを小さくすることで、例えば電解めっき法におけるめっき液をビアホール内に供給しやすくなるためビア導体を安定的に形成することが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程ごとの実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図４】図４（ｇ）〜（ｊ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程ごとの実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図５】図５は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、本発明の実施形態の一例を図１および図２を基に説明する。図１に示すように本例の配線基板Ａは、例えば４層の絶縁層１が積層されるとともに各絶縁層１の表面に導体層２が形成されている。さらに最表層の絶縁層１および導体層２の表面にはソルダーレジスト層３が形成されている。
【００１１】
それぞれの絶縁層１には、各絶縁層１の下面側の導体層２（以下、下面側導体２と称する）の上面を底面とするビアホール４が複数形成されており、ビアホール４の内部には、ビア導体５が形成されている。また、各絶縁層１の上面側の導体層２（以下、上面側導体２と称する）は、ヒア導体５と一体的に形成されており、それにより、各絶縁層１の上面側導体２と下面側導体２とがビア導体５を介して互いに電気的に接続されている。なお、下面側導体２におけるビアホール４の底面を形成する部位は、ビアホール４より若干大きな直径の略円形のビアランド２ａを形成している。また、上面側導体２および下面側導体２は、それぞれ上面側配線導体２ｃと下面側配線導体２ｂとを有している。これらの上面側配線導体２ｃおよび下面側配線導体２ｂは、それぞれビアランド２ａまたはビア導体５の少なくとも一方に一体的に接続されている。
最上層の上面側導体２の一部は、ソルダーレジスト層３に設けられた開口部３ａ内に露出して半導体素子接続パッド６を形成している。また、最下層の下面側導体２の一部は、ソルダーレジスト層３に設けられた開口部３ｂ内に露出して回路基板接続パッド７を形成している。
半導体素子接続パッド６には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が半田を介して接続される。また、回路基板接続パッド７には、この配線基板Ａが搭載される回路基板の電極が半田を介して接続される。これにより、半導体素子と回路基板とが電気的に接続され、半導体素子と回路基板との間で信号を伝送することにより半導体素子が作動する。
【００１２】
絶縁層１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。本例では絶縁層が多層に積層された多層構造を示しているが、単層構造であってもよい。
絶縁層１の厚みは、およそ４０〜１００μｍ程度である。
【００１３】
導体層２は、例えば銅等の良導電性金属から成り、周知のセミアディティブ法により形成される。
【００１４】
ソルダーレジスト層３は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂から成るペーストやフィルムを、絶縁層１表面に塗布あるいは貼付させて硬化させた電気絶縁材料から成る。
【００１５】
ビアホール４は、例えばドリル加工やレーザー加工、あるいはブラスト加工により形成される。ビアホールの径は、およそ５０〜１００μｍ程度である。
【００１６】
ところで、本例の配線基板Ａにおいては、図２に示すように、下面側導体２は、第１の導体層２Ａと、この第１の導体層２Ａ上に積層された第２の導体層２Ｂとを含んでおり、その上の絶縁層１の下面に埋入されている。なお、第１の導体層２Ａの厚みは、１０〜２０μｍ程度であり、第２の導体層２Ｂの厚みは、およそ１０μｍ程度である。そして、ビアランド２ａは、第１の導体層２Ａおよび第２の導体層２Ｂから成り、下面側配線導体２ｂは、第１の導体層２Ａのみから成る。そのため、ビアランド２ａの厚みは、下面側配線導体２ｂの厚みよりもおよそ１０μｍ程度厚いものとなっているとともに、ビアランド２ａの上面からその上の絶縁層１上面までの厚みが、下面側配線導体２ｂからその上の絶縁層１上面までの厚みよりもおよそ１０μｍ程度薄くなっている。
【００１７】
このように、本発明においては、ビアランド２ａの厚みは、下面側配線導体２ｂの厚みよりも大きい。さらに、ビアランド２ａの上面から絶縁層１上面までの厚みが下面側配線導体２ｂの上面から絶縁層１の上面までの厚みよりも薄くなるように絶縁層１中に埋入されている。このため、下面側配線導体２ｂを被覆する絶縁層１の厚みを厚くして高周波数の電波信号を効率的に伝送することができるとともに、ビアランド２ａ上面の絶縁層１厚みを薄くしてビアホール４の深さを小さくすることで、例えば電解めっき法におけるめっき液をビアホール４内に供給しやすくすることでビア導体５を安定的に形成することが可能な配線基板Ａを提供することができる。
【００１８】
ここで、上述した配線基板Ａの製造方法について図３および図４を用いて説明する。
図３および図４は、各工程における配線基板Ａの製造途中の概略断面図を示している。
なお、上述の図１および図２と同じ個所には同様の符号を付けて詳細な説明は省略する。
【００１９】
まず、図３（ａ）に示すように、支持基板８の上面に第１の銅箔９ａおよび第２の銅箔９ｂとから成る銅箔９が圧接された支持板を用意する。銅箔９は、第１の銅箔９ａおよび第２の銅箔９ｂが間に接着層（不図示）を介して互いに分離可能に保持されたものである。第１の銅箔９ａおよび第２の銅箔９ｂの厚みは、それぞれおよそ１〜３０μｍ程度である。
【００２０】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１の導体層２Ａに対応する部分を露出する所定のパターンを有する第１めっきレジストＲ１を、第２の銅箔９ｂ上に形成する。
【００２１】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１めっきレジストＲ１から露出する第２の銅箔９ｂ表面に、例えば周知のセミアディティブ法にて第１の導体層２Ａとなる第１めっき金属２ＡＰを析出させる。
【００２２】
次に、図３（ｄ）に示すように、第２の導体層２Ｂに対応する部分を露出する所定のパターンを有する第２めっきレジストＲ２を、第１めっきレジストＲ１および第１めっき金属２ＡＰ上に形成する。
【００２３】
次に、図３（ｅ）に示すように、第２めっきレジストＲ２から露出する第１めっき金属２ＡＰ表面に、例えば周知のセミアディティブ法にて第２の導体層２Ｂとなる第２めっき金属２ＢＰを析出させる。
【００２４】
次に、図３（ｆ）に示すように、第１および第２めっきレジストＲ１、Ｒ２を除去することで、第１の導体層２Ａおよび第２の導体層２Ｂを形成する。
【００２５】
次に、図４（ｇ）に示すように、第２の銅箔９ｂおよび第１および第２の導体層２Ａ、２Ｂ上に絶縁層１を積層する。
【００２６】
次に、図４（ｈ）に示すように、絶縁層１に第２の導体層２Ｂの上面を露出するビアホール４を形成する。
【００２７】
次に、図４（ｉ）に示すように、上面側の導体層２に対応する部分を露出する所定のパターンを有する第３めっきレジストＲ３を、絶縁層１の上面に形成する。
【００２８】
次に、図４（ｊ）に示すように、第３めっきレジストＲ３から露出する絶縁層１上およびビアホール４内に、例えば無電解めっき（不図示）を被着させた後、周知のセミアディティブ法にて上面側の導体層２およびビア導体５となる第３めっき金属２Ｐを一体的に析出させる。
【００２９】
以降は、図３ｄ〜図４ｊに示した工程を繰り返すことで所定数の絶縁層１を積層して、最表層の絶縁層１表面にソルダーレジスト層３を形成した後に、第１の銅箔９ａと第２の銅箔９ｂとの界面を分離して最下層の絶縁層１下面に被着した第２の銅箔９ｂをエッチング除去してやることで、図１に示す配線基板Ａが形成される。
【符号の説明】
【００３０】
１            絶縁層
２ａ          ビアランド
２ｂ          下面側配線導体
２ｃ          上面側配線導体
４            ビアホール
５            ビア導体
Ａ            配線基板
【図２】
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【図３】
2015126154.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図１】
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