(57)【要約】【課題】加工精度を向上できる、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法の提供。【解決手段】磁気記録媒体用のガラス基板の端面の面取を行う面取工程を有し、該面取工程は、前記ガラス基板の第１主面を支持する第１回転部材と、前記ガラス基板の第２主面を支持する第２回転部材とで前記ガラス基板を挟んで回転させると共に、前記ガラス基板の前記端面を第１面取砥石で研削する第１研削工程と、前記第１研削工程の後に、前記第１回転部材および前記第２回転部材の少なくとも一方で前記ガラス基板を支持して回転させると共に、前記第１面取砥石よりも砥粒の平均粒径が小さい第２面取砥石で前記ガラス基板の前記端面を研削する第２研削工程とを有し、前記第２研削工程では、前記第１研削工程よりも、前記第１回転部材と前記第２回転部材とによる前記ガラス基板の挟持力が小さい、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。【選択図】図３
2015230734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体用のガラス基板の端面の面取を行う面取工程を有し、
該面取工程は、
前記ガラス基板の第１主面を支持する第１回転部材と、前記ガラス基板の第２主面を支持する第２回転部材とで前記ガラス基板を挟んで回転させると共に、前記ガラス基板の前記端面を第１面取砥石で研削する第１研削工程と、
前記第１研削工程の後に、前記第１回転部材および前記第２回転部材の少なくとも一方で前記ガラス基板を支持して回転させると共に、前記第１面取砥石よりも砥粒の平均粒径が小さい第２面取砥石で前記ガラス基板の前記端面を研削する第２研削工程とを有し、
前記第２研削工程では、前記第１研削工程よりも、前記第１回転部材と前記第２回転部材とによる前記ガラス基板の挟持力が小さい、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項２】
前記第２研削工程における前記挟持力は、前記第１研削工程における前記挟持力の８０％以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項３】
前記第２研削工程における前記挟持力は、ゼロである、請求項１または２に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項４】
前記第１研削工程における前記挟持力は、６００〜１２００Ｎである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項５】
前記第１回転部材および前記第２回転部材の少なくとも一方は、スリットを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法を用いた、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
磁気記録媒体用のガラス基板の端面の面取を行う面取工程を有し、
該面取工程は、前記ガラス基板の第１主面を支持する第１回転部材と、前記ガラス基板の第２主面を支持する第２回転部材とで前記ガラス基板を挟んで回転させると共に、前記ガラス基板の前記端面を面取砥石で研削する研削工程を有し、
該研削工程では、前記第１回転部材を前記第１回転部材の回転軸部を中心に回転駆動させると共に、前記第２回転部材を回転自在に且つ前記回転軸部に対して垂直な方向に移動自在に支持する、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項８】
前記第２回転部材を回転自在に支持する支持部材が用いられ、
前記支持部材は、前記回転軸部に対して垂直な方向に移動自在なボールを介して前記第２回転部材を接触支持する、請求項７に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項９】
前記第２回転部材を回転自在に支持する支持部材が用いられ、
前記支持部材は、前記支持部材と前記第２回転部材との間に作用する磁気反発力によって前記第２回転部材を非接触支持する、請求項７に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項１０】
前記第２回転部材を回転自在に支持する支持部材が用いられ、
前記支持部材は、前記支持部材と前記第２回転部材との間に流れるガスの圧力によっては前記第２回転部材を非接触支持する、請求項７または９に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法を用いた、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
磁気記録媒体用のガラス基板の端面の面取を行う、磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置であって、
前記ガラス基板の第１主面を支持する第１回転部材と、
前記ガラス基板の第２主面を支持する第２回転部材と、
前記第１回転部材を、前記第１回転部材の回転軸部を中心に回転させる第１駆動源と、
前記第１回転部材の前記回転軸部を回転自在に支持する軸受を保持する第１支持部材と、
前記第２回転部材を回転自在に支持する第２支持部材と、
前記第１支持部材に対して前記第２支持部材を相対的に移動させることで前記第１回転部材に対して前記第２回転部材を相対的に移動させ、前記第１回転部材と前記第２回転部材とで前記ガラス基板を挟む第２駆動源とを備え、
前記第２支持部材は、前記第２回転部材を回転自在に且つ前記回転軸部に対して垂直な方向に移動自在に支持する、磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置。
【請求項１３】
前記第２支持部材は、前記回転軸部に対して垂直な方向に移動自在なボールを介して前記第２回転部材を接触支持する、請求項１２に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置。
【請求項１４】
前記第２支持部材は、前記第２支持部材と前記第２回転部材との間に作用する磁気反発力によって前記第２回転部材を非接触支持する、請求項１２に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置。
【請求項１５】
前記第２支持部材は、前記第２支持部材と前記第２回転部材との間に流れるガスの圧力によって前記第２回転部材を非接触支持する、請求項１２または１４に記載の磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法、および磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法は、ガラス基板の端面の面取を行う面取工程を有する。面取工程において、ガラス基板は、回転保持台とワーククランパとの間に挟み込まれ、回転しながら研削される（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１４３８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、回転保持台の回転中心と、ワーククランパの回転中心との位置誤差のため、ガラス基板の回転が不安定であり、ガラス基板の加工精度が低かった。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、加工精度を向上できる、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法などの提供を主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
磁気記録媒体用のガラス基板の端面の面取を行う面取工程を有し、
該面取工程は、
前記ガラス基板の第１主面を支持する第１回転部材と、前記ガラス基板の第２主面を支持する第２回転部材とで前記ガラス基板を挟んで回転させると共に、前記ガラス基板の前記端面を第１面取砥石で研削する第１研削工程と、
前記第１研削工程の後に、前記第１回転部材および前記第２回転部材の少なくとも一方で前記ガラス基板を支持して回転させると共に、前記第１面取砥石よりも砥粒の平均粒径が小さい第２面取砥石で前記ガラス基板の前記端面を研削する第２研削工程とを有し、
前記第２研削工程では、前記第１研削工程よりも、前記第１回転部材と前記第２回転部材とによる前記ガラス基板の挟持力が小さい、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様によれば、加工精度を向上できる、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】第１実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の第１研削工程時の状態を示す部分断面図である。
【図３】第１実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の第２研削工程時の状態を示す部分断面図である。
【図４】第１実施形態の変形例による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。
【図５】第２実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。
【図６】第２実施形態の変形例による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。
【図７】第２実施形態の別の変形例による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。本明細書において、数値範囲を表す「〜」はその前後の数値を含む範囲を意味する。
【００１０】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。磁気記録媒体用のガラス基板は、円盤状であって、中央部に円孔を有する。磁気記録媒体用のガラス基板上に磁性層などを形成することにより、磁気記録媒体が得られる。
【００１１】
図１に示すように、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法は、素板加工工程Ｓ１１、面取工程Ｓ１２、端面研磨工程Ｓ１４、および主面研磨工程Ｓ１５などを有する。これらの工程の間や、これらの工程の後に、エッチング工程、洗浄工程、乾燥工程などが行われてもよい。
【００１２】
素板加工工程Ｓ１１は、ガラス素板を加工することにより、中央部に円孔を有する円盤状のガラス基板を得る。ガラス素板は、例えばフロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法、リドロー法などで成形される。
【００１３】
面取工程Ｓ１２は、面取砥石でガラス基板の端面（内周端面および外周端面）を研削することにより、ガラス基板の端面に面取部および側面部を形成する。面取部はガラス基板の主面に対して斜めとされてよく、側面部はガラス基板の主面に対して垂直とされてよい。尚、面取部は平面でなくてもよく、丸みを帯びた曲面でもよい。
【００１４】
端面研磨工程Ｓ１４は、研磨液を供給しながら回転ブラシで面取部および側面部を研磨することにより、面取部や側面部における加工変質層を除去する。回転ブラシによる研磨部位には研磨液が供給される。
【００１５】
尚、複数の端面研磨工程が順次行われてもよく、回転ブラシだけで加工変質層を除去しなくてもよい。回転ブラシによるブラシ研磨の他に、スポンジ研磨、粘性流体研磨、磁性流体研磨などが行われてもよい。複数の端面研磨工程の間には、洗浄工程や乾燥工程が行われてよい。
【００１６】
主面研磨工程Ｓ１５は、ガラス基板の主面（第１主面および第２主面）を研磨する。主面研磨工程では、ガラス基板の第１主面および第２主面を同時に研磨する両面研磨機が用いられてよい。両面研磨機は、複数のガラス基板を同時に研磨してよい。
【００１７】
尚、複数の主面研磨工程が順次行われてもよい。複数の主面研磨工程は、研磨パットの種類や研磨液に含まれる砥粒の平均粒径を変えて行われる。複数の主面研磨工程の間には、洗浄工程や乾燥工程が行われてよい。
【００１８】
尚、図１に示す各工程の順序は、特に限定されない。例えば、主面研磨工程Ｓ１５の後に、端面研磨工程Ｓ１４が行われてもよい。また、図１に示す工程以外の工程が行われてもよい。例えば、主面研磨工程Ｓ１５の前に、ガラス基板の主面のラップ（例えば遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップなど）が行われてよい。また、端面研磨工程Ｓ１４や主面研磨工程Ｓ１５の後、主面研磨工程Ｓ１５の間に、化学強化が行われてもよい。化学強化は、ガラス板の表面に含まれる小さなイオン半径のイオン（例えばＬｉイオンやＮａイオン）を大きなイオン半径のイオン（例えばＫイオン）に置換し、表面から所定の深さの強化層を形成する。強化層には圧縮応力が残留するため、傷が付きにくい。
【００１９】
次に、図２〜図３を参照して面取工程について説明する。面取工程は、第１研削工程と、第２研削工程とを有する。面取工程では、図２および図３に示す加工装置が用いられる。
【００２０】
図２は、第１実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の第１研削工程時の状態を示す部分断面図である。図３は、第１実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の第２研削工程時の状態を示す部分断面図である。
【００２１】
ガラス基板の加工装置は、磁気記録媒体用のガラス基板１０の内周端面および外周端面の面取を行うものである。ガラス基板の加工装置は、例えば図２〜図３に示すように、内周面取砥石２０、外周面取砥石３０、下回転部材４０、上回転部材５０、第１駆動源としての回転モータ６０、下支持部材７０、上支持部材８０、および第２駆動源としてのシリンダ９０を備える。
【００２２】
内周面取砥石２０は、水平方向および鉛直方向に移動自在とされる。内周面取砥石２０は、内周面取砥石２０の中心線を中心に回転しながら、ガラス基板１０の内周端面を研削する。内周面取砥石２０の中心線と、ガラス基板１０の中心線とは平行とされる。
【００２３】
内周面取砥石２０は、複数の砥粒および該複数の砥粒を結合する金属を有してよい。砥粒としては、ダイヤモンド砥粒、立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）砥粒、アルミナ砥粒、炭化珪素砥粒などが用いられる。内周面取砥石２０は、砥粒をメッキで固定する電着砥石であってよい。尚、内周面取砥石２０は、砥粒や金属粉末などを焼結してなるメタルボンド砥石でもよい。
【００２４】
内周面取砥石２０は、第１内周面取砥石部２１と、第２内周面取砥石部２２とを有する。第２内周面取砥石部２２の砥粒の平均粒径は、第１内周面取砥石部２１の砥粒の平均粒径よりも小さい。尚、内周面取砥石２０は、第３内周面取砥石部をさらに有してもよく、内周面取砥石部の数は限定されない。
【００２５】
第１内周面取砥石部２１の砥粒の平均粒径は、例えば３０〜６０μｍ、好ましくは３０〜５０μｍである。また、第２内周面取砥石部２２の砥粒の平均粒径は、例えば１５〜４０μｍ、好ましくは１５〜３０μｍである。砥粒の平均粒径は、メジアン径（Ｄ５０ともいう）であって、レーザ回折散乱法により測定できる。
【００２６】
第１内周面取砥石部２１、および第２内周面取砥石部２２は、それぞれの外周に円環状の研削溝を複数有し、いずれかの研削溝の壁面でガラス基板１０の内周端面を研削する。研削溝の断面形状は等脚台形状であってよい。
【００２７】
外周面取砥石３０は、水平方向および鉛直方向に移動自在とされる。外周面取砥石３０は、外周面取砥石３０の中心線を中心に回転しながら、ガラス基板１０の外周端面を研削する。外周面取砥石３０の中心線と、ガラス基板１０の中心線とは平行とされる。
【００２８】
外周面取砥石３０は、複数の砥粒および該複数の砥粒を結合する金属を有してよい。砥粒としては、ダイヤモンド砥粒、立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）砥粒、アルミナ砥粒、炭化珪素砥粒などが用いられる。外周面取砥石３０は、砥粒をメッキで固定する電着砥石であってよい。尚、外周面取砥石３０は、砥粒や金属粉末などを焼結してなるメタルボンド砥石でもよい。
【００２９】
外周面取砥石３０は、第１外周面取砥石部３１と、第２外周面取砥石部３２とを有する。第２外周面取砥石部３２の砥粒の平均粒径は、第１外周面取砥石部３１の砥粒の平均粒径よりも小さい。尚、外周面取砥石３０は、第３外周面取砥石部をさらに有してもよく、外周面取砥石部の数は限定されない。
【００３０】
第１外周面取砥石部３１の砥粒の平均粒径は、例えば３０〜６０μｍ、好ましくは３０〜５０μｍである。また、第２外周面取砥石部３２の砥粒の平均粒径は、例えば１５〜４０μｍ、好ましくは１５〜３０μｍである。砥粒の平均粒径は、メジアン径（Ｄ５０ともいう）であって、レーザ回折散乱法により測定できる。
【００３１】
第１外周面取砥石部３１、および第２外周面取砥石部３２は、それぞれの外周に円環状の研削溝を複数有し、いずれかの研削溝の壁面でガラス基板１０の外周端面を研削する。研削溝の断面形状は等脚台形状であってよい。
【００３２】
下回転部材４０は、ガラス基板１０の下面を支持する。下回転部材４０は、ガラス基板１０の下面を真空吸着し、ガラス基板１０と共に回転する。下回転部材４０は、ガラス基板１０の下面を支持する下テーブル部４１と、下テーブル部４１に固定される下回転軸部４２とを含む。
【００３３】
尚、下回転部材４０に対するガラス基板１０の固定方法は、真空吸着に限定されず、例えば、接着固定、凍結固定などでもよい。
【００３４】
上回転部材５０は、ガラス基板１０の上面を支持する。上回転部材５０は、ガラス基板１０の上面に押し付けられ、ガラス基板１０と共に従動的に回転する。上回転部材５０は、ガラス基板１０の上面を支持する上テーブル部５１と、上テーブル部５１に固定される上回転軸部５２とを含む。
【００３５】
上回転部材５０には、上下方向に平行な貫通穴５６が形成される。当該貫通穴５６には、内周面取砥石２０や内周面取砥石２０と共に回転する回転軸部２３が挿入される。
【００３６】
回転モータ６０は、下回転部材４０を、下回転軸部４２を中心に回転させる。回転モータ６０は、フレームＦｒに固定され、ベルトやプーリなどを介して下回転軸部４２と連結される。尚、回転モータ６０は、下回転軸部４２と同軸的に連結されてもよい。
【００３７】
下支持部材７０は、下回転部材４０の下回転軸部４２を回転自在に支持する軸受（図示せず）を保持する。下支持部材７０は、フレームＦｒに固定される。
【００３８】
上支持部材８０は、上回転部材５０の上回転軸部５２を回転自在に支持する軸受５７を保持する。上支持部材８０は、フレームＦｒに対して昇降自在な上側昇降部材９１に固定され、上側昇降部材９１と共に昇降される。上支持部材８０の昇降に伴って、上回転部材５０が昇降される。
【００３９】
シリンダ９０は、油圧シリンダやガス圧シリンダなどの流体圧シリンダ、電動シリンダのいずれでもよい。シリンダ９０は、下支持部材７０に対して上支持部材８０を昇降させることにより、下回転部材４０に対して上回転部材５０を昇降させる。
【００４０】
シリンダ９０の一端はフレームＦｒに固定され、シリンダ９０の他端はフレームＦｒに対して昇降自在な下側昇降部材９２に固定される。下側昇降部材９２と上側昇降部材９１とは、複数本のロッド９３で連結される。
【００４１】
シリンダ９０を駆動して上支持部材８０を下降させると、上回転部材５０が下降され、下回転部材４０に支持されるガラス基板１０と接触する。そうして、下回転部材４０と上回転部材５０とがガラス基板１０を挟持する。シリンダ９０の駆動力に応じた挟持力が生じる。一方、シリンダ９０を駆動して上支持部材８０を上昇させると、上回転部材５０が上昇され、下回転部材４０に支持されるガラス基板１０から離れる。
【００４２】
尚、本実施形態のシリンダ９０は、上支持部材８０や上回転部材５０を昇降させるが、下支持部材７０や下回転部材４０を昇降させてもよい。シリンダ９０は、下支持部材７０に対して上支持部材８０を相対的に移動させることにより、下回転部材４０に対して上回転部材５０を相対的に移動させるものであればよい。
【００４３】
次に、上記構成の加工装置を用いた面取工程について説明する。面取工程は、第１研削工程と、第２研削工程とを有する。
【００４４】
第１研削工程では、図２に示すように下回転部材４０と上回転部材５０とでガラス基板１０を挟んで回転させると共に、ガラス基板１０の内周端面を第１内周面取砥石部２１で研削し、且つ、ガラス基板１０の外周端面を第１外周面取砥石部３１で研削する。
【００４５】
第１研削工程では、ガラス基板１０の径方向内方への、第１内周面取砥石部２１および第１外周面取砥石部３１の送り速度は、それぞれ、例えば０．５〜１０．０ｍｍ／分、好ましくは０．８〜５．０ｍｍ／分である。
【００４６】
第１研削工程では、ガラス基板１０の内周端面の径方向切り込み量、およびガラス基板１０の外周端面の径方向切り込み量は、それぞれ、例えば０．３〜１ｍｍである。
【００４７】
第２研削工程では、図３に示すように下回転部材４０でガラス基板１０を支持して回転させると共に、ガラス基板１０の外周端面を第２外周面取砥石部３２で研削し、且つ、ガラス基板１０の内周端面を第２内周面取砥石部２２で研削する。
【００４８】
尚、第２研削工程では、下回転部材４０および上回転部材５０の少なくとも一方でガラス基板１０を支持して回転させればよい。
【００４９】
第２研削工程では、ガラス基板１０の径方向内方への、第１内周面取砥石部２１および第１外周面取砥石部３１の送り速度は、それぞれ、例えば０．１〜２．０ｍｍ／分、好ましくは０．３〜１．０ｍｍ／分である。
【００５０】
第２研削工程では、ガラス基板１０の内周端面の径方向切り込み量、およびガラス基板１０の外周端面の径方向切り込み量は、それぞれ、例えば０．１〜０．２ｍｍである。
【００５１】
ところで、第１研削工程では、第２研削工程よりも、砥粒の平均粒径の大きい砥石が用いられ、ガラス基板１０の研削負荷が大きい。研削負荷によってガラス基板１０の位置ずれが生じないように、下回転部材４０と上回転部材５０とがガラス基板１０を挟んで固定する。
【００５２】
第１研削工程において、ガラス基板１０の挟持力は、ガラス基板１０の直径に応じて設定される。ガラス基板１０の直径が２．５インチの場合、第１研削工程におけるガラス基板１０の挟持力は、例えば６００〜１２００Ｎ、好ましくは６００〜８００Ｎである。第１研削工程において、ガラス基板１０の挟持力が６００Ｎ以上であると、研削負荷によるガラス基板１０の位置ずれが防止できる。また、ガラス基板１０の挟持力が１２００Ｎ以下であると、挟持力によるガラス基板１０の損傷が抑制できる。
【００５３】
一方、第２研削工程では、第１研削工程よりも、砥粒の平均粒径の小さい砥石が用いられ、ガラス基板１０の研削負荷が小さい。そこで、第２研削工程では、第１研削工程よりも、シリンダ９０の駆動力が小さく設定され、ガラス基板１０の挟持力が小さく設定される。第２研削工程におけるガラス基板１０の挟持力は、第１研削工程におけるガラス基板１０の挟持力の８０％以下、好ましくは５０％以下、さらに好ましくはゼロである。ガラス基板１０の挟持力がゼロの場合、図３に示すように、下回転部材４０に支持されるガラス基板１０から上回転部材５０は離れてよい。尚、第２研削工程において、ガラス基板１０の挟持力は、研削負荷によるガラス基板１０の位置ずれが防止できるように設定される。
【００５４】
以上、説明したように、本実施形態によれば、第２研削工程では、第１研削工程よりも、ガラス基板１０の挟持力が小さい。よって、下回転部材４０に対する上回転部材５０の水平位置が完全には拘束されておらず、下回転部材４０の回転中心と上回転部材５０の回転中心との位置誤差による影響が小さく、ガラス基板１０の回転が安定し、ガラス基板１０の加工精度（例えば同心度、真円度など）が向上する。
【００５５】
第２研削工程では、第１研削工程よりも、下回転部材４０によるガラス基板１０の吸着力が大きくてよい。吸着力が大きくなる分、ガラス基板１０の挟持力のさらなる低減が可能である。
【００５６】
尚、本実施形態では、ガラス基板１０の下面がガラス基板１０の第１主面に、ガラス基板１０の上面がガラス基板１０の第２主面に、下回転部材４０が第１回転部材に、上回転部材５０が第２回転部材に、下支持部材７０が第１支持部材に、上支持部材８０が第２支持部材にそれぞれ対応する。但し、本明細書において、「第１」「第２」等の用語は上下関係を限定するものではない。例えば、下回転部材４０が第２回転部材に、上回転部材５０が第１回転部材にそれぞれ対応してもよい。
【００５７】
［第１実施形態の変形例］
図４は、第１実施形態の変形例による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。図４に示す上回転部材５０は、上回転軸部５２に、螺旋状のスリット５８を有する。これにより、上回転軸部５２の撓み変形が可能となり、下回転部材４０の回転中心と上回転部材５０の回転中心との位置誤差による影響が低減できる。
【００５８】
尚、スリット５８は、上回転軸部５２、上テーブル部５１のいずれに形成されてもよく、両方に形成されてもよい。また、スリット５８は、上回転部材５０と下回転部材４０のいずれに形成されてもよく、両方に形成されてもよい。
【００５９】
［第２実施形態］
図５は、第２実施形態による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。以下、図５を参照して、本実施形態と上記第１実施形態との相違点について主に説明する。
【００６０】
上回転部材５０Ａは、ガラス基板１０の上面を支持する。上回転部材５０Ａは、下回転部材４０に固定されたガラス基板１０の上面に押し付けられ、下回転部材４０の回転に伴い回転される。
【００６１】
上回転部材５０Ａは、ガラス基板１０の上面を支持する上テーブル部５１Ａと、上テーブル部５１Ａに固定される軸部５２Ａと、軸部５２Ａの外周面から突出するリング部５３Ａとを含む。
【００６２】
上支持部材８０Ａは、上回転部材５０Ａを回転自在に支持する。また、上支持部材８０Ａは、上回転部材５０Ａを、下回転軸部４２に対して垂直な方向に移動自在（図５では水平移動自在）に支持する。
【００６３】
上支持部材８０Ａは、軸部５２Ａが挿入される筒状部８２Ａと、筒状部８２Ａの内周面に形成される凹部８３Ａとを含む。凹部８３Ａにはリング部５３Ａが挿入される。
【００６４】
上支持部材８０Ａは、下回転軸部４２に対して垂直な方向に移動自在なボール８６Ａを介して上回転部材５０Ａを接触支持する。ボール８６Ａは、リング部５３Ａの上下両側に配設され、上支持部材８０Ａに対する上回転部材５０Ａの昇降を制限する。ボール８６Ａは、リング部５３Ａの上下両側に複数ずつ配設されてよい。複数のボール８６Ａは、不図示のボールリテーナに保持されてよい。
【００６５】
尚、リング部と凹部との配置は逆でもよい。つまり、リング部は筒状部８２Ａの内周面から突出し、凹部は軸部５２Ａの外周面に形成されてもよい。
【００６６】
ところで、本実施形態によれば、上支持部材８０Ａは、上回転部材５０Ａを、下回転軸部４２に対して垂直な方向に移動自在（図５では水平移動自在）に支持する。上支持部材８０Ａは上回転部材５０Ａの回転中心を決めず、下回転軸部４２が下回転部材４０と上回転部材５０Ａとの共通の回転軸部として利用できる。よって、ガラス基板１０の回転が安定し、ガラス基板１０の加工精度（例えば同心度、真円度など）が向上する。
【００６７】
また、本実施形態によれば、下回転軸部４２が下回転部材４０と上回転部材５０Ａとの共通の回転軸部として利用できるため、上記第１実施形態とは異なり、図２に示す第１研削工程と図３に示す第２研削工程とでガラス基板１０の挟持力の調整が不要である。
【００６８】
［第２実施形態の変形例］
図６は、第２実施形態の変形例による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。本変形例では、ボール８６Ａの代わりに、磁気反発力を利用する。
【００６９】
上回転部材５０Ｂは、ガラス基板１０の上面を支持する。上回転部材５０Ｂは、下回転部材４０に固定されたガラス基板１０の上面に押し付けられ、下回転部材４０の回転に伴い回転される。
【００７０】
上回転部材５０Ｂは、ガラス基板１０の上面を支持する上テーブル部５１Ｂと、上テーブル部５１Ｂに固定される軸部５２Ｂと、軸部５２Ｂの外周面から突出するリング部５３Ｂと、リング部５３Ｂの上下面に固定される磁石部５４Ｂとを含む。磁石部５４Ｂは、永久磁石、電磁石のいずれでもよい。
【００７１】
上支持部材８０Ｂは、上回転部材５０Ｂを回転自在に支持する。また、上支持部材８０Ｂは、上回転部材５０Ｂを、下回転軸部４２に対して垂直な方向に移動自在（図６では水平移動自在）に支持する。
【００７２】
上支持部材８０Ｂは、軸部５２Ｂが挿入される筒状部８２Ｂと、筒状部８２Ｂの内周面に形成される凹部８３Ｂと、凹部８３Ｂの上下面に固定される磁石部８４Ｂとを含む。磁石部８４Ｂは、永久磁石、電磁石のいずれでもよい。凹部８３Ｂにはリング部５３Ｂが挿入され、磁石部５４Ｂと磁石部８４Ｂとが対向配置される。磁石部５４Ｂと磁石部８４Ｂとは、磁気反発力を生じさせる。
【００７３】
上支持部材８０Ｂは、上支持部材８０Ｂと上回転部材５０Ｂとの間に作用する磁気反発力によって上回転部材５０Ｂを非接触支持する。磁石部５４Ｂと磁石部８４Ｂとで構成される磁石ユニットは、上下方向に並べられ、上支持部材８０Ａに対する上回転部材５０Ａの昇降を制限する。
【００７４】
尚、リング部と凹部との配置は逆でもよい。つまり、リング部は筒状部８２Ｂの内周面から突出し、凹部は軸部５２Ｂの外周面に形成されてもよい。
【００７５】
ところで、本変形例によれば、上支持部材８０Ｂは、上回転部材５０Ｂを、下回転軸部４２に対して垂直な方向に移動自在（図６では水平移動自在）に支持する。上支持部材８０Ｂは上回転部材５０Ｂの回転中心を決めず、下回転軸部４２が下回転部材４０と上回転部材５０Ｂとの共通の回転軸部として利用できる。よって、ガラス基板１０の回転が安定し、ガラス基板１０の加工精度（例えば同心度、真円度など）が向上する。
【００７６】
また、本変形例によれば、下回転軸部４２が下回転部材４０と上回転部材５０Ｂとの共通の回転軸部として利用できるため、上記第１実施形態とは異なり、図２に示す第１研削工程と図３に示す第２研削工程とでガラス基板１０の挟持力の調整が不要である。
【００７７】
さらに、本変形例によれば、上支持部材８０Ｂは、磁気反発力によって上回転部材５０Ｂを非接触支持する。よって、上回転部材５０Ｂの回転抵抗が小さい。
【００７８】
［第２実施形態の別の変形例］
図７は、第２実施形態の別の変形例による磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置の要部を示す断面図である。本変形例では、ボール８６Ａの代わりに、空気などのガスの圧力を利用する。
【００７９】
上回転部材５０Ｃは、ガラス基板１０の上面を支持する。上回転部材５０Ｃは、下回転部材４０に固定されたガラス基板１０の上面に押し付けられ、下回転部材４０の回転に伴い回転される。
【００８０】
上回転部材５０Ｃは、ガラス基板１０の上面を支持する上テーブル部５１Ｃと、上テーブル部５１Ｃに固定される軸部５２Ｃと、軸部５２Ｃの外周面から突出するリング部５３Ｃとを含む。
【００８１】
上支持部材８０Ｃは、上回転部材５０Ｃを回転自在に支持する。また、上支持部材８０Ｃは、上回転部材５０Ｃを、下回転軸部４２に対して垂直な方向に移動自在（図７では水平移動自在）に支持する。
【００８２】
上支持部材８０Ｃは、軸部５２Ｃが挿入される筒状部８２Ｃと、筒状部８２Ｃの内周面に形成される凹部８３Ｃと、凹部８３Ｃの上下面に形成されるガス穴８５Ｃとを含む。凹部８３Ｃにはリング部５３Ｃが挿入され、リング部５３Ｃに向けてガス穴８５Ｃからガスが吹き付けられる。
【００８３】
例えば、上支持部材８０Ｃは、上支持部材８０Ｃと上回転部材５０Ｃとの間に流れるガスの圧力によって上回転部材５０Ｃを非接触支持する。ガス穴８５Ｃは、リング部５３Ｃに対して上下両側からガスを吹き付け、上支持部材８０Ｃに対する上回転部材５０Ｃの昇降を制限する。
【００８４】
尚、リング部と凹部との配置は逆でもよい。つまり、リング部は筒状部８２Ｃの内周面から突出し、凹部は軸部５２Ｃの外周面に形成されてもよい。また、ガス穴８５Ｃは、凹部の上下面ではなく、リング部の上下面に形成されてもよいが、フレームＦｒに対して固定される部材に形成されてよい。ガスの配管が容易である。
【００８５】
ところで、本変形例によれば、上支持部材８０Ｃは、上回転部材５０Ｃを、下回転軸部４２に対して垂直な方向に移動自在（図７では水平移動自在）に支持する。上支持部材８０Ｃは上回転部材５０Ｃの回転中心を決めず、下回転軸部４２が下回転部材４０と上回転部材５０Ｃとの共通の回転軸部として利用できる。よって、ガラス基板１０の回転が安定し、ガラス基板１０の加工精度（例えば同心度、真円度など）が向上する。
【００８６】
また、本変形例によれば、下回転軸部４２が下回転部材４０と上回転部材５０Ｃとの共通の回転軸部として利用できるため、上記第１実施形態とは異なり、図２に示す第１研削工程と図３に示す第２研削工程とでガラス基板１０の挟持力の調整が不要である。
【００８７】
さらに、本変形例によれば、上支持部材８０Ｃは、ガスの圧力によって上回転部材５０Ｃを非接触支持する。よって、上回転部材５０Ｃの回転抵抗が小さい。
【００８８】
尚、上支持部材は、ガスの圧力と、磁気反発力との両方によって、上回転部材を支持してもよい。
【００８９】
以上、磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法、磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置などの実施形態などを説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
【００９０】
例えば、上記実施形態などでは、第１研削工程において、ガラス基板１０の内周端面とガラス基板１０の外周端面とを同時に研削するが、別々に研削してもよい。第２研削工程において同様である。
【符号の説明】
【００９１】
Ｆｒ  加工装置のフレーム
１０  ガラス基板
２０  内周面取砥石
２１  第１内周面取砥石部
２２  第２内周面取砥石部
２３  内周面取砥石の回転軸部
３０  外周面取砥石
３１  第１外周面取砥石部
３２  第２外周面取砥石部
４０  下回転部材
４１  下テーブル部
４２  下回転軸部
５０  上回転部材
５１  上テーブル部
５２  上回転軸部
５７  軸受
５８  スリット
６０  回転モータ
７０  下支持部材
８０  上支持部材
８６Ａ  ボール
９０  シリンダ
９１  上側昇降部材
９２  下側昇降部材
【図１】
2015230734.tif 000003
【図２】
2015230734.tif 000004
【図３】
2015230734.tif 000005
【図４】
2015230734.tif 000006
【図５】
2015230734.tif 000007
【図６】
2015230734.tif 000008
【図７】
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