(57)【要約】【課題】ＩＴＯ膜で構成される検出電極の配線は抵抗が高く、大型化・高精細化するに従い検出能力が落ちる。【解決手段】表示装置の製造方法は、（ａ）アレイ基板と対向基板との間に液晶を封入する工程と、（ｂ）前記（ａ）工程後、前記対向基板の上に金属層および低反射層を形成する工程と、（ｃ）前記金属層および低反射層の上にオーバコート膜を塗布する工程と、（ｄ）前記オーバコート膜を硬化して保護層を形成する工程と、を含む。前記（ｄ）工程は光および熱で前記オーバコート膜を硬化する。【選択図】図１２
2015227975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置の製造方法は以下の工程を含む：
（ａ）アレイ基板と対向基板との間に液晶を封入する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程後、前記対向基板の上に金属層および低反射層を形成する工程；
（ｃ）前記金属層および低反射層の上にオーバコート膜を塗布する工程；
（ｄ）前記オーバコート膜を硬化して保護層を形成する工程。
【請求項２】
請求項１の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は１５０℃以下で前記オーバコート膜を硬化する。
【請求項３】
請求項１の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は１２０℃以下で前記オーバコート膜を硬化する。
【請求項４】
請求項１の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は光および熱で前記オーバコート膜を硬化する。
【請求項５】
請求項４の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、以下の工程を含む：
（ｄ１）前記オーバコート膜をベークする工程；
（ｄ２）前記オーバコート膜にレーザを照射する工程；
（ｄ３）前記オーバコート膜をベークする工程。
【請求項６】
請求項５の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ１）工程は前記オーバコート膜を９０から１２０℃でベークする。
【請求項７】
請求項５の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ２）工程は前記オーバコート膜に波長が３４０ｎｍより長く、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下の露光量のレーザを照射する。
【請求項８】
請求項５の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ２）工程は前記オーバコート膜に波長が３５５ｎｍから３７０ｎｍで、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下の露光量のレーザを照射する。
【請求項９】
請求項５の表示装置の製造方法において、
前記（ｄ３）工程は前記オーバコート膜を１２０℃で３０分以上ベークする。
【請求項１０】
請求項１の表示装置の製造方法において、
前記オーバコート膜は光および熱硬化型である。
【請求項１１】
請求項１の表示装置の製造方法において、
前記（ａ）工程は液晶滴下法で液晶を封入する。
【請求項１２】
請求項１の表示装置の製造方法において、さらに以下の工程を含む：
（ｅ）前記保護層の上に偏光板を貼り付ける工程。
【請求項１３】
請求項１の表示装置の製造方法において、
前記金属層はＭｏ合金層とＡｌ合金層とＭｏ合金層で構成される。
【請求項１４】
請求項１の表示装置の製造方法において、
前記低反射層は酸化物層と金属合金層と酸化物層で構成される。
【請求項１５】
表示装置は以下を含む：
（ａ）画素電極を有するアレイ基板；
（ｂ）ガラス基板を有する対向基板；
（ｃ）前記アレイ基板と前記対向基板に挟持される液晶層；
（ｄ）偏光板；
（ｅ）前記ガラス基板と前記偏光板との間に配置されるタッチパネル用の検出電極；
（ｆ）前記ガラス基板および前記検出電極を覆う保護層；
ここで、前記検出電極は金属層と低反射層で構成され、前記保護層は光および熱硬化性樹脂で構成される。
【請求項１６】
請求項１５の表示装置において、
前記保護層は鉛筆の４Ｈ以上の硬さである。
【請求項１７】
請求項１６の表示装置において、
前記保護層はクロスカット・ピール試験で剥がれない密着性を有する。
【請求項１８】
請求項１７の表示装置において、
前記保護層はスチールウール擦り試験のレベル４（薄傷）以上の傷耐性を有する。
【請求項１９】
請求項１８の表示装置において、
前記金属層はＭｏ合金層とＡｌ合金層とＭｏ合金層で構成され、
前記低反射層は酸化物層と金属合金層と酸化物層で構成される。
【請求項２０】
請求項１９の表示装置において、
前記アレイ基板はＩＴＯ膜で構成される共通電極を備え、
前記共通電極はタッチパネル用の走査電極を兼用する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は表示装置に関し、例えばインセル方式のタッチパネルを有する表示装置に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
特開２０１３−１５２２９１号公報（特許文献１）には、以下のことが開示されている。
インセル方式のタッチパネルを有する液晶表示装置では、第２基板（カラーフィルタ基板）上のＩＴＯ膜などの透明導電膜で構成される裏面側透明導電膜を、帯状のパターンに分割して、タッチパネルの検出電極となし、第１基板（ＴＦＴ基板）の内部に形成される対向電極を帯状のパターンに分割、即ち、複数のブロックに分割して、タッチパネルの走査電極として兼用することにより、タッチパネル基板を削減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１５２２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のようにＩＴＯ膜で構成される検出電極の配線は抵抗が高く、大型化・高精細化するに従い検出能力が落ちる。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置の製造方法は、（ａ）アレイ基板と対向基板との間に液晶を封入する工程と、（ｂ）前記（ａ）工程後、前記対向基板の上に金属層および低反射層を形成する工程と、（ｃ）前記金属層および低反射層の上にオーバコート膜を塗布する工程と、（ｄ）前記オーバコート膜を硬化して保護層を形成する工程と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】比較例１に係る表示装置を説明するための平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】比較例１に係る表示装置を説明するための平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図５】比較例１に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
【図６】比較例２に係る表示装置を説明するための平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ’線における断面図である。
【図８】比較例２に係る表示装置の効果を説明するための図である。
【図９】比較例２に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
【図１０】実施の形態に係る表示装置を説明するための平面図である。
【図１１】図１０のＤ−Ｄ’線における断面図である。
【図１２】実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
【図１３】実施例に係る表示装置を説明するための分解斜視図である。
【図１４】実施例に係る表示装置を説明するための平面図である。
【図１５】実施例に係る表示装置を説明するための断面図である。
【図１６】実施例に係る表示装置の電極パターンを説明するための平面図である。
【図１７】実施例に係る表示装置を説明するための断面図である。
【図１８】実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
【図１９】実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
【図２０Ａ】実施例に係る表示装置の製造法を説明するための断面図である。
【図２０Ｂ】実施例に係る表示装置の製造法を説明するための断面図である。
【図２０Ｃ】実施例に係る表示装置の製造法を説明するための断面図である。
【図２０Ｄ】実施例に係る表示装置の製造法を説明するための断面図である。
【図２０Ｅ】実施例に係る表示装置の製造法を説明するための断面図である。
【図２０Ｆ】実施例に係る表示装置の製造法を説明するための断面図である。
【図２１】実施例に係る表示装置の保護層の製造方法を説明するためのフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、比較例および実施例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
＜比較例１＞
まず、本開示に先立って検討した第１技術（比較例１）について図１から図５を用いて説明する。
図１は比較例１に係る表示装置を説明するための平面図である。図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。図３は比較例１に係る表示装置を説明するための平面図である。図４は図３のＢ−Ｂ’線における断面図である。図５は比較例１に係る表示装置の製造法を説明するためのフロー図である。
比較例１に表示装置１００Ｒはインセル方式のタッチパネルを内蔵している。表示装置１００Ｒは、アレイ基板１０と、対向基板２０と、アレイ基板１０と対向基板２０とに挟持される液晶層３０を備える。アレイ基板１０はガラス基板１１と平坦化膜１３と共通電極１４とを備える。アレイ基板１０は、ガラス基板１１と平坦化膜１３との間に図示していない薄膜トランジスタやゲート線、ドレイン線等を備える。また、アレイ基板１０は、共通電極１４と液晶層３０との間に図示していない画素電極や配向膜等を備える。対向基板２０はガラス基板２１とカラーフィルタ２３とを備える。対向基板２０はガラス基板２１とカラーフィルタ２３との間に図示していない遮光層を備える。また、対向基板２０はカラーフィルタ２３と液晶層３０との間にオーバコート膜やスペーサ、配向膜を備える。
図１および図２に示すように、表示装置１００Ｒは、アレイ基板１０にタッチパネル用の走査電極Ｔｘを内蔵し、対向基板２０の上（観測者側）にタッチパネル用の検出電極Ｒｘを配置している。アレイ基板１０の内部にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で形成される共通電極１４を帯状のパターンに分割、即ち、複数のブロックに分割して、タッチパネル用の走査電極Ｔｘとして兼用する。対向基板２０上のＩＴＯ膜などの透明導電膜で構成される配線層ＭＬＲを、帯状のパターンに分割して、タッチパネル用の検出電極Ｒｘとする。ＩＴＯ膜のシート抵抗は約１２０Ω／□と金属膜に比べて抵抗が高い。また、検出電極Ｒｘと走査電極Ｔｘとの間に容量を形成し、走査電極Ｔｘと平坦化膜１３との間に容量を形成する。したがって、検出電極Ｒｘの時定数および走査電極Ｔｘの時定数は大きい。
次に、検出電極Ｒｘの形状にについて説明する。図３および図４に示すように、配線層ＭＬＲは単純な矩形形状ではなく、スリット（幅の狭い孔）ＳＬＴが入った検出電極Ｒｘと検出電極Ｒｘの両脇に間隙を挟んで配置されるダミー電極Ｒｄで構成される。ＩＴＯ膜は薄い膜しか形成できないので、低抵抗化のため配線層ＭＬＲは比較的広い幅に形成される。検出電極Ｒｘは取出し配線を介して外部と接続される。しかし、ダミー電極Ｒｄはいずれの配線にも接続されず、光学的、機械的に平準化するために配置されている。
【０００９】
次に、比較例１に係る表示装置の検出電極の製造方法について説明する。
対向基板２０のガラス基板２１の上にＩＴＯ膜を成膜する（ステップＳ３Ｒ）。次に、ＩＴＯ膜の上にフォトレジストを塗布、露光、現像してフォトレジストをパターニングする（フォトリソグラフィまたはＰＥＰ（Photo Engraving Process）という。）（ステップＳ４Ｒ）。次に、フォトレジストをマスクにしてエッチングし、ＩＴＯ膜をパターニングして配線層ＭＬＲを形成する（ステップＳ５Ｒ）。最後に、フォトレジストを剥離して（ステップＳ６Ｒ）、検出電極の配線層ＭＬＲを形成する。その後、セル切断、洗浄、偏光板貼りが行われる。
ＩＴＯ膜の検出電極Ｒｘは抵抗が高く、大型化・高精細化するに従い検出能力が落ちる。真空封入でセルを製作した表示パネルは１８０℃程度まで加熱することができるが、液晶滴下法（ＯＤＦ）でセルを製作した表示パネルは１２０℃程度までしか加熱することができないので、ＩＴＯ膜のポリ化に充分な加熱ができず、より高抵抗なＩＴＯ膜となり、さらに検出能力が落ちる。
【００１０】
＜比較例２＞
次に、本開示に先立って検討した第２技術（比較例２）について図６から図９を用いて説明する。比較例２は比較例１のＩＴＯ膜を低抵抗な金属膜に置き換えた技術である。
図６は比較例２に係る表示装置を説明するための平面図である。図７は図６のＣ−Ｃ’線における断面図である。図８は比較例２に係る表示装置の効果を説明するための図である。図９は比較例２に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
上述したように、ＩＴＯ膜の検出電極は抵抗が高く、大型化・高精細化するに従い検出能力が落ちる。そこで、ＩＴＯ膜に代えて金属膜を用いた配線層（検出電極）を検討した。ところで、金属層は、比較的に高い反射率を呈するため、タッチパネル用の検出電極をなす金属層によって外光が反射されると、表示パネルの画像コントラストが低下してしまう。そこで、低反射層を金属層の観察者側に配置する。
比較例２に係る表示装置１００Ｓはアレイ基板１０と対向基板２０と配線層ＭＬとを備える。配線層ＭＬは対向基板２０の上面（アレイ基板１０とは反対側）に金属層Ｍと低反射層ＯＡＲで構成される。金属層ＭはＭｏ合金層Ｍ１、Ａｌ合金層Ｍ２、Ｍｏ合金層Ｍ３の３層から構成される。低反射層ＯＡＲは酸化物層ＯＡＲ１、金属合金層ＯＡＲ２、酸化物層ＯＡＲ３の３層から構成される。配線層ＭＬはインセル方式のタッチパネルの検出電極の役割を行う配線層である。表示装置１００Ｓは、配線層ＭＬを除き、基本的に比較例１に係る表示装置１００Ｒと同じである。
金属膜の抵抗は１０Ω／□よりも小さいので、図８に示すように、検出電極ＲｘをＩＴＯ膜（図８では「ＩＴＯ」と表記）から金属膜（図８では「Ｍｅｔａｌ」と表記）に変更することにより、例えば、画面の大きさが７インチの場合、金属膜はＩＴＯ膜に比べて時定数が４８％改善することができる。なお、走査電極ＴｘはＩＴＯ膜で形成されている。また、金属膜で形成される配線ＭＬの幅は、ＩＴＯ膜で形成される配線ＭＬＲの幅よりも狭くすることができる。
【００１１】
次に、比較例に係る表示装置１００Ｓの検出電極の製造方法について説明する。
対向基板２０のガラス基板の上に金属膜および低反射膜を成膜する（ステップＳ３）。次に、金属膜および低反射膜の上にフォトレジストを塗布、露光、現像してフォトレジストをパターニングする（ステップＳ４）。次に、フォトレジストをマスクにしてエッチングし、金属膜および低反射膜をパターニングして金属層Ｍおよび低反射層ＯＡＲを形成する（ステップＳ５）。最後に、フォトレジストを剥離して（ステップＳ６）、検出電極の配線層ＭＬを形成する。
上記の製造フローにより、ＩＴＯ膜と同じプロセスフロー（図５）で作製することができるが、新たな課題として低反射層のみで金属層が露出している状態であり、金属層はＩＴＯ膜よりも柔らかいため、金属層が剥き出しの状態で後工程に流すと、セル切断、洗浄、偏光板貼りの工程で傷が付き、断線、見栄え悪化などの不具合が発生する。
【００１２】
＜実施の形態＞
次に、実施の形態に係る表示装置について図１０、図１１を用いて説明する。
図１０は実施の形態に係る表示装置を説明するための断面図である。図１１は図１０のＤ−Ｄ’線における断面図である。図１２は実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
実施の形態に係る表示装置１００はアレイ基板１０と対向基板２０と配線層ＭＬとを備える。配線層ＭＬは対向基板２０の上面（アレイ基板１０とは反対側）に金属層Ｍと低反射層ＯＡＲで構成される。金属層ＭはＭｏ合金層Ｍ１、Ａｌ合金層Ｍ２、Ｍｏ合金層Ｍ３の３層から構成される。低反射層ＯＡＲは酸化物層ＯＡＲ１、金属合金層ＯＡＲ２、酸化物層ＯＡＲ３の３層から構成される。なお、表示装置１００は比較例２に係る表示装置１００Ｓと基本的に同じであるが、金属層Ｍおよび低反射層ＯＡＲは保護層ＰＬに覆われる点が異なる。配線層ＭＬはインセル方式のタッチパネルの検出電極の役割を行う配線層である。
【００１３】
次に、実施の形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。
アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せた基板を準備する。対向基板２０のガラス基板の上に金属膜および低反射膜を成膜する（ステップＳ３）。次に、金属膜および低反射膜の上にフォトレジストを塗布、露光、現像してフォトレジストをパターニングする（ステップＳ４）。次に、フォトレジストをマスクにしてエッチングし、金属膜および低反射膜をパターニングして金属層Ｍおよび低反射層ＯＡＲを形成する（ステップＳ５）。次に、フォトレジストを剥離して（ステップＳ６）、検出電極の配線層ＭＬを形成する。さらに、配線層ＭＬの上にオーバコート膜を塗布する（ステップＳ７）。オーバコート膜を硬化する（ステップＳ８）。
液晶およびシール材のダメージを軽減するため、オーバコート膜は１５０℃以下で硬化する有機材料を使用するのが好ましい。液晶およびシール材のダメージをなくすため、オーバコート膜は１２０℃以下で硬化する有機材料を使用するのがより好ましい。オーバコート膜の材料に光＋熱硬化型材料を使用すると１２０℃以下の加熱で、十分な硬さ（鉛筆硬度４Ｈ以上）と密着性（水系洗浄で剥がれ無）を得ることができる。
【実施例】
【００１４】
実施例に係る表示装置の構成について図１３から図１７を用いて説明する。
図１３は実施例に係る表示装置を説明するための分解斜視図である。図１４は実施例に係る表示装置を説明するための分解平面図である。図１５は実施例に係る表示装置を説明するための断面図である。図１６は実施例に係る表示装置の電極パターンを説明するための平面図である。図１７は実施例に係る表示装置を説明するための断面図である。
実施例に係る表示装置１００Ａは表示パネル１とドライバＩＣ（DRIVER IC）２とバックライト３とカバーガラス４とタッチＩＣ（TOUCH IC）５と制御回路（CONTROLLER）６とフレキシブルなプリント回路基板（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）７とを備える。ドライバＩＣ２およびタッチＩＣ５はそれぞれ１つのシリコン基板上にＣＭＯＳ回路で構成される。ドライバＩＣ２はアレイ基板１０の上にＣＯＧ（Chip On Glass）実装される。ドライバＩＣ２はソース駆動回路を含み、コモン走査回路ＣＳＣおよび図示しないゲート走査回路を制御して、表示（画素書き込み）およびタッチ検出のための走査を行う。タッチＩＣ４は、図示しない積分回路やＡ／Ｄ変換回路、メモリ、ＣＰＵ等を備え、タッチによる容量変化を検出電極Ｒｘおよび接続部ＣＮを介して検出する。制御回路６はドライバＩＣ２およびタッチＩＣ４を制御する。
【００１５】
表示パネル１はアレイ基板１０と対向基板２０と液晶３０とシール材４０と偏光板６０Ａと偏光板６０Ｂとを備える。アレイ基板１０は共通電極ＣＯＭとコモン走査回路ＣＳＣを備える。また、アレイ基板１０は図示しないガラス基板、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ゲート線走査回路等を備える。共通電極ＣＯＭはＸ方向に複数延在し、タッチパネル用の走査電極Ｔｘを兼用する。共通電極ＣＯＭはＩＴＯ膜で構成される。また、ＩＴＯ膜にＡＬ、Ｍｏ、Ｔｉなどの純もしくは合金メタル補助配線を設けることで、走査電極Ｔｘの時定数を下げることができる。コモン走査回路ＣＳＣはＴＦＴにより回路が構成され、共通電極ＣＯＭ（走査電極Ｔｘ）を走査、駆動する。対向基板２０はガラス基板の上に遮光層、カラーフィルタ等を備える。液晶３０はアレイ基板１０と対向基板２０とシール材４０の間に封入される。偏光板６０Ａはアレイ基板１０とバックライト３との間に配置される。偏光板６０Ｂは対向基板２０とカバーガラス４の間に配置される。なお、共通電極ＣＯＭはアレイ基板１０に備えるものに限定されるものではなく、例えば縦電界型では共通電極ＣＯＭは対向基板２０に備えて、タッチパネル用の走査電極Ｔｘを兼用する。
【００１６】
タッチパネル用の検出電極Ｒｘ（配線層ＭＬ）はＹ方向に延在し、対向基板２０と偏光板６０Ｂの間に配置される。複数の検出電極Ｒｘは対向基板２０のガラス基板上に形成され、１つの検出電極Ｒｘは複数の細配線７１と、細配線７１を対向基板２０の接続する接続配線７２と、接続部ＣＮと接続する引き出し細配線７３と、検出に寄与しないダミー細配線７４と、で構成される。ダミー細配線７４は接続配線７２とは接続されていない。ダミー細配線７４は光学的および機械的に平準化するために設けられている。なお、細配線７１およびダミー細配線７４は対向基板２０の遮光層との干渉を避けるためにジグザク状のパターンをしている。
表示装置１００Ａはアレイ基板１０と対向基板２０と配線層ＭＬと保護層ＰＬとを備える。配線層ＭＬは対向基板２０の上面（アレイ基板１０とは反対側）に金属層Ｍと低反射層ＯＡＲで構成される。金属層ＭはＭｏ合金層Ｍ１、Ａｌ合金層Ｍ２、Ｍｏ合金層Ｍ３の３層から構成される。低反射層ＯＡＲは酸化物層ＯＡＲ１、金属合金層ＯＡＲ２、酸化物層ＯＡＲ３の３層から構成される。配線層ＭＬはインセル方式のタッチパネルの検出電極の役割を行う配線層である。
共通電極ＣＯＭはＸ方向に延在しているが、これに限定されるものではなく、Ｙ方向に延在するようにしてもよい。この場合、検出電極ＲｘはＸ方向に延在することになるため、接続部ＣＮに引き出すための長い配線が必要となる。しかし、引き出し用の配線も金属層および低反射層で形成するので配線遅延を低減することができる。
【００１７】
次に、実施例に係る表示装置の製造方法について図１８を用いて説明する。
図１８は実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
表示装置の製造工程は、下部のアレイ基板に駆動素子を形成するアレイ基板製造工程と、上部の対向基板にカラーフィルタを形成する対向基板製造工程と、アレイ基板と対向基板を貼り合わせるセル製造工程とに分けられる。
まず、アレイ基板製造工程により、下部基板に配列されて画素領域を定義する複数のゲートラインおよび複数のデータラインを形成し、画素領域のそれぞれにゲートラインおよびデータラインに接続される駆動素子である薄膜トランジスタを形成する（ステップＳ１０１）。また、アレイ基板製造工程により、薄膜トランジスタに接続されて、薄膜トランジスタを介して信号が供給されることによって液晶層を駆動する画素電極および共通電極を形成する。ここで、縦電界方式の液晶表示装置を製作する場合、共通電極は、対向基板製造工程によりカラーフィルタが形成された上部基板に形成される。なお、カラーフィルタはアレイ基板に形成するようにしてもよい。
また、対向基板製造工程により、上部基板に、遮光層および赤、緑、青のカラーフィルタで構成されるカラーフィルタ層を形成する（ステップＳ２０１）。また、対向基板製造工程により、セルギャップを一定に維持するためのスペーサを形成する。
次に、上部基板および下部基板にそれぞれ配向膜を塗布した後、上部基板と下部基板との間に形成される液晶層の液晶分子に配向規制力または表面固定力（すなわち、プレチルト角と配向方向）を提供するために、配向膜を配向処理する（ステップＳ１０２、Ｓ２０２）。ここで、配向処理方法としては、ラビングまたは光配向の方法を適用できる。
次に、配向膜工程を終了した上部基板および下部基板は、配向膜検査器により配向膜不良の有無を検査する（ステップＳ１０３）。
【００１８】
上部基板にシール材で所定のシールパターンを形成すると共に、下部基板に液晶を滴下して液晶層を形成する（ステップＳ１０４、Ｓ２０４）。この滴下方式は、ディスペンサを利用して、複数のアレイ基板が配置された大面積の第１母基板（下部基板）、または複数の対向基板が配置された第２母基板（上部基板）の画像表示領域に液晶を滴下および分配し、第１母基板と第２母基板とを貼り合わせる圧力により画像表示領域全体に液晶を均一に分布させて液晶層を形成する方式である。したがって、表示パネルに滴下方式により液晶層を形成する場合は、液晶が画像表示領域の外部に漏洩することを防止できるように、シールパターンを画像表示領域の外郭を取り囲む閉鎖された形状に形成する。
液晶が滴下された下部基板とシール材が塗布された上部基板とを整列した状態で加圧して、シール材により下部基板と上部基板とを貼り合わせると共に、滴下された液晶がパネル全体にわたって均一に広がるようにする（ステップＳ１０５）。その後、上部基板に検出電極の配線層を形成する（ステップＳ１０６）。
【００１９】
このような工程により、大面積の母基板（下部基板および上部基板）には、液晶層が形成された複数の表示パネルが形成される。その後、母基板を切断して複数の表示パネルに分離し、アレイ基板および対向基板に偏光板を貼り付ける（ステップＳ１０７）。その後、それぞれの表示パネルを検査することにより、表示パネルを製作する（ステップＳ１０８）。
【００２０】
ステップＳ１０６の検出電極配線の製造方法について図１９から図２１を用いて説明する。
図１９は実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。図２０Ａから図２０Ｆは実施例に係る検出電極配線の製造方法を説明するための断面図である。図２１は実施例に係る表示装置の保護層の製造方法を説明するためのフロー図である。
アレイ基板１０を構成するガラス基板１１および対向基板２０を構成するガラス基板２１をエッチングして薄くし（ステップＳ１１）、洗浄する（ステップＳ１２）。次に、ガラス基板２１の上に金属膜５１および低反射膜５２を成膜する（ステップＳ１３）。金属膜５１はＭｏ合金膜Ｍ１、Ａｌ合金膜Ｍ２、Ｍｏ合金膜Ｍ３の３層から構成される。また、低反射層５２は酸化層ＯＡＲ１、金属合金層ＯＡＲ２、酸化層ＯＡＲ３の３層から構成される。次に、低反射膜５２の上にフォトレジスト５３を塗布する（ステップＳ１４）。フォトレジスト５３は感光性透明樹脂であり、エッチング保護膜の機能を有する。図２０ＡはステップＳ１４の途中時点の図である。
図２０Ｂに示すように、図示しないフォトマスクを用いて露光、現像してフォトレジスト５３をパターニングする（ステップＳ１４）。
図２０Ｃに示すように、フォトレジスト５３をマスクにしてＡｌエッチャントを用いてエッチングして金属膜５１および低反射膜５２をパターニングし、金属層Ｍおよび低反射層ＯＡＲを形成する（ステップＳ１５）。
図２０Ｄに示すように、フォトレジスト５３を剥離（除去）し（ステップＳ１６）、検出電極の配線層ＭＬを形成する。
図２０Ｅに示すように、紫外線（ＵＶ）洗浄後、ガラス基板２１および配線層ＭＬの上にオーバコート膜５４を塗布する（ステップＳ１７）。
図２０Ｆに示すように、オーバコート膜５４を光および熱で硬化して（ステップＳ１８）、保護層ＰＬを形成する。
【００２１】
保護膜の形成について図２１を用いてより詳細に説明する。
オーバコート膜５４は光および熱硬化型材料で、光硬化にはアクリル基二重結合のラジカル反応、熱硬化反応にはエポキシ基の開環反応を用いる。オーバコート膜５４はインクジェットで塗布するのが好ましい（ステップＳ１７）。オーバコート膜５４の樹脂分子量は熱硬化型材料よりも小さいものが好ましい。また、膜の硬度あげるためオーバコート膜５４にフィラ（微細粒子）を含むのが好ましい。また、オーバコート膜５４に腐蝕防止剤を含むのが好ましい。
次に、オーバコート膜５４を９０℃〜１２０℃でプリベーク（熱硬化）する（ステップＳ１８１）。次に、オーバコート膜５４に波長が３４０ｎｍより長い光のレーザを露光量１０００ｍＪ／ｃｍ２以下で照射して光硬化する（ステップＳ１８２）。なお、レーザの波長が３４０ｎｍ以下では液晶のダメージが大きいので波長が３５５ｎｍ〜３７０ｎｍの光が好ましい。次に、オーバコート膜５４を１２０℃／（３０分〜９０分）でポストベーク（熱硬化）する（ステップＳ１８２）。
【００２２】
上述したように保護層ＰＬを形成すると、保護層ＰＬの特性は密着性、膜硬度、傷耐性が良好である。密着性が良好とは、温純水に浸しクロスカット・ピール試験で剥がれがないことである。膜硬度が良好とは、鉛筆硬度の４Ｈ以上あることである。傷耐性が良好とは、スチールウール擦り試験のレベル４（薄傷）以上あることである。擦り試験のレベルは、レベル５（傷なし）、レベル４（薄傷）、レベル３（傷面薄い白濁）、レベル２（傷面濃い白濁）、レベル１（下面まで至る傷）と判定している。保護層ＰＬの光学特性として波長４００ｎｍの透過率は９５％以上である。なお、光硬化型材料では、硬さを上げていくと、膜応力が強くなりすぎて密着性がよくない。また、熱硬化型材料では、基材樹脂の分子量が大きく、必要な硬さが得られない。硬さを得るには架橋密度増加が必要であるが、分子量が大きくなるに連れ架橋密度が低下する。
１２０℃以下でオーバコート膜を硬化することができるので、液晶およびシール材のダメージをなくし、ＯＤＦでセルを制作した表示パネルにも金属層および保護層を形成することができる。
【符号の説明】
【００２３】
１・・・表示パネル
２・・・ドライバＩＣ
３・・・バックライト
４・・・カバー
５・・・タッチＩＣ
６・・・制御回路
７・・・ＦＰＣ
１０・・・アレイ基板
１１・・・ガラス基板
１３・・・平坦化膜
１４・・・共通電極
２０・・・対向基板
２１・・・ガラス基板
２３・・・カラーフィルタ
３０・・・液晶
４０・・・シール材
５１・・・金属膜
５２・・・低反射膜
５３・・・フォトレジスト
６０Ａ、６０Ｂ・・・偏光板
７１・・・配線層
７２・・・接続配線層
７３・・・引き出し配線層
７４・・・ダミー配線層
１００、１００Ａ、１００Ｒ、１００Ｓ・・・表示装置
ＣＳＣ・・・コモン走査回路
ＣＯＭ・・・共通電極
Ｍ・・・金属層
Ｍ１・・・Ｍｏ合金層
Ｍ２・・・Ａｌ合金層
Ｍ３・・・Ｍｏ合金層
ＭＬ・・・配線層
ＯＡＲ・・・低反射層
ＯＡＲ１・・・酸化物層
ＯＡＲ２・・・金属合金層
ＯＡＲ３・・・酸化物層
ＰＬ・・・保護層
Ｒｘ・・・検出電極
Ｔｘ・・・走査電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２０Ｅ】
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【図２０Ｆ】
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【図２１】
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