(57)【要約】電子部品は，基板（Ｓ）と，チップ（ＣＨ）と，金属フレーム（ＭＦ）とを備える。金属フレーム（ＭＦ）は基板（Ｓ）に結合し，チップ（ＣＨ）は金属フレーム（ＭＦ）上に配置されている。金属フレーム（ＭＦ）及びチップ（ＣＨ）の一部に封止層（ＳＬ）が設けられており，基板（Ｓ），チップ（ＣＨ）及び金属フレーム（ＭＦ）が包囲する容積を気密封止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品であって，
・基板（Ｓ）と，
・チップ（ＣＨ）と，
・前記基板（Ｓ）に結合されると共に，前記チップ（ＣＨ）がその上に配置されているフレーム（ＭＦ）と，
・前記基板（Ｓ），前記チップ（ＣＨ）及び前記フレーム（ＭＦ）が包囲する容積部分を気密封止すべく，前記フレーム（ＭＦ）及び前記チップ（ＣＨ）上の一部に形成されている封止層（ＳＬ）と，
を備える電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品であって，前記封止層（ＳＬ）は，インクジェット印刷で形成した構造を有し，ポリマ（Ｐ）又は金属粒子（ＮＰ）又はポリマ及び金属粒子の混合物（Ｐ，ＮＰ）で構成されている電子部品。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子部品であって，前記封止層（ＳＬ）は，その形成後に粒径１０ｎｍ未満の金属ナノ粒子で構成されている電子部品。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品であって，前記封止層（ＳＬ）は，前記フレーム（ＭＦ）及びチップ（ＣＨ）を完全に包囲している電子部品。
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【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の電子部品であって，前記フレーム（ＭＦ）は平坦な表面（ＰＳ）を有し，これにより該フレーム（ＭＦ）上に前記チップ（ＣＨ）が均一に配置されている電子部品。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の電子部品であって，前記チップ（ＣＨ）は，バンプ接続部（Ｂ）により前記基板（Ｓ）に接続されている電子部品。
【請求項７】
請求項６に記載の電子部品であって，前記バンプ接続部（Ｂ）の熱膨張係数（ＣＴＥ_Ｂｕｍｐ）は，前記フレーム（ＭＦ）の熱膨張係数（ＣＴＥ_ＭＦ）よりも大きい電子部品。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の電子部品であって，前記基板（Ｓ）及び／又はチップ（ＣＨ）は，機能化した表面（ＦＳ）を有する電子部品。
【請求項９】
請求項８に記載の電子部品であって，前記機能化した表面（ＦＳ）は，機能性シラン基で構成されている電子部品。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載の電子部品であって，前記封止層（ＳＬ）は，
・断片的に前記ポリマ（Ｐ）又は前記金属粒子（ＮＰ）のみで構成され，或いは
・前記ポリマ（Ｐ）又は前記金属粒子（ＮＰ）のみで構成されている電子部品。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか一項に記載の電子部品であって，前記チップ（ＣＨ）は，微小電気機械システム（ＭＥＭＳ），微小電気光学システム（ＭＥＯＰＳ）又は微小電気光学機械システム（ＭＥＯＭＳ）である電子部品。
【請求項１２】
基板（Ｓ），チップ（ＣＨ）及びフレーム（ＭＦ）を備える電子部品の製造方法であって，
・前記金属フレーム（ＭＦ）を前記基板（Ｓ）上に取り付けるステップと，
・前記チップ（ＣＨ）を前記フレーム（ＭＦ）に結合することにより前記チップ（ＣＨ）を前記フレーム（ＭＦ）上に配置し，かつ，前記チップ（ＣＨ）及び前記フレーム（ＭＦ）間を気密封止するステップと，
を含む方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって，ポリマ（Ｐ），又は金属粒子（ＮＰ），又は該ポリマ（Ｐ）及び金属粒子（ＮＰ）の混合物よりなる封止層（ＳＬ）を，インクジェット印刷で形成する方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の方法であって，前記基板（Ｓ），前記チップ（ＣＨ）又は該チップ（ＣＨ）を取り付けたパネルを機能化するステップを更に含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって，前記機能化をシラン化により行う方法。
【請求項１６】
請求項１２〜１５の何れか一項に記載の方法であって，前記封止層（ＳＬ）をインクジェット印刷で形成するに当たり，
・一部が前記ポリマ（Ｐ）のみで構成され，一部が前記金属粒子（ＮＰ）のみで構成される前記封止層（ＳＬ）を断片的に形成するか，或いは
・前記ポリマ（Ｐ）のみ又は前記金属粒子（ＮＰ）のみで構成される前記封止層（ＳＬ）を形成する方法。
【請求項１７】
請求項１２〜１６の何れか一項に記載の方法であって，前記チップ（ＣＨ）及び前記フレーム（ＭＦ）間における気密封止は，前記チップ（ＣＨ）及び前記基板（Ｓ）間におけるバンプ接続部（Ｂ）で前記チップ（ＣＨ）を加圧下で前記フレーム（ＭＦ）に結合することにより行う方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，電子部品及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ），微小電気光学システム（ＭＥＯＰＳ），又は微小電気光学機械システム（ＭＥＯＭＳ）として構成された電子部品はチップを備え，そのチップは，導線で接続された機能担体を有し，かつ，支持基板上に取り付けられている。表面波フィルタチップとしての機能は，電気音響変換器又は「トランスデューサ」により，入力電気信号をチップ材料，例えば圧電単結晶基板上を伝播する音響波に変換することにより実現される。この場合に発生する音響波は，表面弾性波と呼ばれる。音響波が電子部品全体に伝播する場合，これを体積波又は「バルク弾性波」と称する。音響波に対して適切な信号処理を行った後，特有の出力信号を他の変換器によって出力電気信号に変換することができる。この原理に従って作動する電子部品は，優れたフィルタ特性又は共振特性を有する。それ故，このような電子部品は多くの技術分野，例えばワイヤレス通信やセンサ技術の分野において望ましい。
【０００３】
音響波を適正に伝播させるには，種々の保護機構が不可欠である。ハウジング及びキャビティは，機械的保護を行うものである。加えて，作動時の電子部品は環境による影響，例えば温度や湿度に対する保護を必要とする。このような理由から，素子を封入することが必要である。特に，電子部品は，頻繁な熱サイクル及び高温下においても作動可能であることが重要である。電子部品及び電子部品における保護機構の製造方法は，最新の用途に対する要求を満たすべく，小型化を実現できるものであることが望ましい。その関連において，工数を減少すると共に材料消費量を僅かとした経済的な製造方法が望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は，少ない工数で製造可能な電子部品と，その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は，独立請求項により解決される。好適な実施形態は従属請求項に記載したとおりである。
【０００６】
一実施形態において，電子部品は，基板と，チップと，基板に結合され，かつその上にチップが配置されるフレームとを備える。好適には，基板は気密性を有すると共に，セラミック，例えばＨＴＣＣ（高温共焼成セラミック）又はＬＴＣＣ（低温共焼成セラミック）で構成されている。更に，チップは，クォーツ，タンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の物質を含有すると共に，機能素子，例えば表面弾性波又はバルク弾性波用の変換器を有する構成とするのが好適である。即ち，チップは，例えば圧電材料，電気音響変換器及び適切な導線を有する。
【０００７】
基板上のフレームは，好適には銅，ニッケル，銀又はこれらと同系列の金属で構成し，基板に対して気密に結合される。フレームには他の材料，例えばセラミックも使用可能である。チップは，フレーム上に配置される。更に，フレームは，例えばダイヤモンドフライス加工により平坦化するのが好適である。これにより，例えばバンプ接続部を設けたチップは，フリップチップ取り付け及びバンプ接続部のコラプス後のリフロー工程において，フレーム上に均一に配置される。そして，フレーム高さ，バンプ高さ及びコラプス量を適切に選択すれば，チップ及び金属フレーム間のギャップをほぼゼロとすることが可能である。チップを溶融状態のバンプ接続部に対して加圧し，その加圧状態を維持しながらバンプ接続部の融点以下まで冷却することにより，チップ及びフレーム間のギャップを減少させ，ダイヤモンドフライスで加工したフレームにおいてはギャップを１０ｎｍ未満とすることが可能である。
【０００８】
基板，チップ及びフレームで包囲される容積部分を気密封止するため，フレーム及びチップ間に封止層を形成する。これにより，チップ及びフレーム間における残留ギャップを封止するものである。
【０００９】
有利には，周囲を包囲した容積部分又はキャビティを有する電子部品は，封止層の使用により，環境による影響に対して気密封止される構成とする。更に，チップをフレーム上に配置することにより，キャビティの気密封止が少ない工程で達成可能である。封止層は，電子部品の特定用途に対して広範囲に亘って適合させることができる。このため，電子部品を基板，例えば印刷回路基板（ＰＣＢ）又は低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）に取り付けた後に，熱サイクルに対する挙動を最適化することが可能である。また，取り付けた電子部品を更なる材料，例えば金属フィルムにより封入した後，熱サイクルに対する挙動を改善することも可能である。更に，フィルタ機能を維持しながらチップの小型化が実現可能である。所要の工程が少ないため，同一機能を有する電子部品をパネル毎により多く得ることができ，パネルに設ける電子部品の個数が同一である場合には，より大型のチップを実現することができる。
【００１０】
他の実施形態において，封止層は，インクジェット印刷又はジェット法により形成される。この場合，ジェット噴射後の封止層は，ポリマ又は金属粒子で構成される。封止層をポリマ及び無機粒子の混合物で構成することも可能である。
【００１１】
封止層，或いはポリマ又は金属粒子は，インクジェット印刷又はジェット法により，金属フレーム及びチップ間のギャップに配置される。ジェット法により，封止層は正確な位置に形成される。その形成に当たり，封止層における特定部分はポリマのみ，又は金属粒子のみで構成するのが好適である。金属フレーム及びチップ間におけるギャップの封止時又は封止後に，更なる工程としてポリマ又は金属粒子を硬化させることができる。この硬化は，好適には，封止層を紫外線レーザで照射して材料を熱硬化させ，，金属粒子の場合には熱焼結させて行うものである。好適には，紫外線硬化性ポリマを使用する。
【００１２】
有利には，ポリマ又は金属粒子の使用により，気密性を有する封止層を実現することができる。この場合，適切な材料は所与の用途や，その用途に関連するシールド要件に応じて選択する。例えば，封止層をモバイルフォン用として使用する場合，高周波放射に対するシールドが求められる。例えば，金属粒子を使用する場合には，金属粒子が気密封止だけでなく他の特性，例えば電気特性も有するので，チップに通常生ずる過剰電荷を消散させることが可能である。
【００１３】
他の実施形態において，封止層は，粒径１０ｎｍ未満の金属ナノ粒子を噴射し，その後に焼結させることにより形成する。
【００１４】
金属ナノ粒子，好適には銀ナノ粒子又は金ナノ粒子を使用することにより，高度にハンダ付けされた封止層を正確な位置に形成することができる。更に，例えばレーザを使用した熱焼結により，ナノ粒子を結合させて電導性及び気密性を有する層を形成することが可能である。これに関連して，粒径１０ｎｍ未満のナノ粒子を約２００℃の温度下で焼結すれば，対応するバルク材料の約五分の一に相当する導電性が得られることが判明した。
【００１５】
他の実施形態において，封止層は，チップ周りのフレーム及びチップの側面を完全に包囲する構成とする。この場合に封止層は，例えば，チップ外周に沿うフレーム状にインクジェット印刷して形成する。代案として，金属粒子，好適には金属ナノ粒子により，チップ外表面及びフレームを完全に被覆することが可能である。この場合に封止層は，例えば，幅広の噴射により形成される。
【００１６】
他の実施形態において，フレームは平坦な表面を有する。この表面は，例えばダイヤモンドフライス加工又は他の適切な予備加工により一様に形成するものであり，これによりチップがフレーム上に均一に配置される。この場合にフレーム表面は，金属フレーム及びチップ間のギャップが最小化され，又は実質的にゼロとなる程度まで平坦化するのが好適である。
【００１７】
有利には，フレーム及びチップ間の間隔はほぼゼロとする。これは，例えばフレームを平坦に形成し，バンプ接続部をリフロー工程において十分にコラプスさせることにより，又はバンプ接続部の溶融状態でチップを均一に加圧し，加圧下で冷却することにより達成可能である。これにより，チップ及びフレーム間のギャップを１０ｎｍ未満とすることができる。このギャップは，バンプ接続部の材料における熱膨張係数がフレーム材料における熱膨張係数よりも大きい場合，冷却後にも維持されるものである。そのために金属粒子，好適には金属ナノ粒子を噴射し，その後の焼戻しによって均一な金属層に焼結させる。
【００１８】
他の実施形態において，チップは，バンプ接続部を介して基板に接続される。バンプ接続部により基板との間に電気接続が生じ，これによりチップ及び基板間で電気的な導通状態が得られる。
【００１９】
他の実施形態において，バンプ接続部は，フレームよりも大きな熱膨張係数を有する。
【００２０】
チップ及びフレーム間の間隔をほぼゼロとすることは，チップをバンプ接続部のハンダ付け温度下で加圧し，加圧状態でバンプ接続部の溶融温度以下まで冷却することによっても達成可能である。フレーム材料がバンプ材料よりも小さな熱膨張係数を有する場合，更なる冷却においてチップがフレームに押圧される。これは，例えばフレームを銅で構成し，ハンダをスズ合金で構成する場合に該当する。
【００２１】
他の実施形態において，基板及び／又はチップは機能化された表面を有する。
【００２２】
基板及び／又はチップの機能化は，異なる時点で行うことができる。表面機能化を行うことにより，噴射した材料，例えばナノインクの濡れ挙動にピンポイントで影響を及ぼすことが可能である。これにより，インクジェット印刷する材料の分散特性を最適化することが可能である。その際，噴射に使用する液滴の大きさは，所要に応じて広範に変化させることが可能であり，例えば液滴径１０μｍ〜１００μｍの範囲とすることができる。
【００２３】
他の実施形態において，機能化した表面は機能性シラン基を有する。シラン化に際しては，表面におけるシラン化合物の化学結合が可能となる。好適には，コーティングを施した表面又は使用するシラン基の特性は，使用する金属粒子に対して付着作用を示すように選択する。
【００２４】
他の実施形態において，封止層は断片的にポリマのみ，ドーピングポリマのみ，又は焼結した金属粒子のみで構成する。代案として，封止層はポリマのみ，又は焼結した金属粒子のみで構成してもよい。
【００２５】
使用分野又はコスト要件に応じて，電子部品の製造における様々な工程を省略することができる。ポリマ又は金属粒子を断片的に設けることにより，電子部品を広範囲に亘って顧客の要求に適合する構成とすることが可能である。例えば，チップ又は結合部における機械的応力をピンポイントで低下させることが可能である。
【００２６】
他の実施形態において，チップは，微小電気機械システム，微小電気光学システム又は微小電気光学機械システムとして構成する。
【００２７】
基板，チップ及びフレームを備える電子部品の製造方法は，フレームを基板上に取り付けるステップと，チップをフレームに結合するステップとを含む。この結合は，チップをフレーム上に配置し，かつチップ及びフレーム間を気密封止するように行う。
【００２８】
有利には，周囲を包囲した容積部分又はキャビティを有する電子部品は，封止層の使用により，環境による影響に対して気密封止される構成とする。更に，チップをフレーム上に配置することにより，キャビティの気密封止が少ない工程で達成可能である。封止層は，電子部品の特定用途に対して広範囲に亘って適合させることができる。このため，電子部品を基板，例えば印刷回路基板（ＰＣＢ）又は低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）に取り付けた後に，熱サイクルに対する挙動を最適化することが可能である。また，取り付けた電子部品を更なる材料，例えば電磁シールド用の付加的な金属フィルムにより封入した場合に，熱サイクルに対する挙動を有利に改善することができる。更に，フィルタ機能を維持しながらチップを小型化することが可能である。所要の工数が少ないため，同一機能を有する電子部品をパネル毎により多く得ることができ，パネルに設ける電子部品の個数が同一の場合には，より大型のチップを実現することができる
【００２９】
他の実施形態において，封止層は，インクジェット印刷で形成する。この場合，封止層は，ポリマ又は金属粒子で，或いはポリマ及び金属粒子の混合物で構成される。
【００３０】
有利には，ポリマ又は金属粒子の使用により，気密性を有する封止層を実現することができる。この場合，適切な材料は封止層の用途に応じて選択する。例えば金属粒子を使用する場合には，金属粒子が気密性だけでなく他の特性，例えば電気特性も有するので，チップに通常生ずる過剰電荷を消散させ，又は出力部において電子部品からの高周波放射を防止することが可能である。封止層は熱的に，例えばレーザ光線により硬化させるのが好適である。
【００３１】
他の実施形態において，本発明に係る方法は，基板及びチップを機能化するステップを更に含む。機能化は，所要に応じてウェハの区分け前に行ってもよい。
【００３２】
表面機能化によりチップ，基板又はウェハの表面を，封止層の使用のために事前処理することができる。例えば金属粒子を使用する場合，好適な濡れ特性を得ることができ，液体に懸濁した粒子を正確な位置に噴射することができる。これにより，封止層を広い領域に亘って最適に形成し，かつ適合させることが可能である。
【００３３】
他の実施形態において，機能化はシラン化により行う。
【００３４】
シラン化により，機能性シラン基が表面に化学的に設けられる。このような官能基は，特に懸濁したナノ金属粒子に対して有利な濡れ特性を与えることができる。
【００３５】
他の実施形態において，封止層は，インクジェット印刷で形成する。この場合の封止層は，一部分がポリマのみで構成され，一部分が金属粒子のみで構成されるように断片的に形成する。代案として，封止層は，ポリマのみで，又は金属粒子のみで構成することもできる。
【００３６】
チップ又は基板に沿う機械的応力を緩和するため，封止層の部分は異なる材料組成を有するのが好適である。
【００３７】
他の実施形態において，チップ及び金属フレーム間における気密封止は，チップを加圧しながらチップ及び基板間におけるバンプ接続部で金属フレームに結合し，かつ接続することにより行う。
【００３８】
以下，本発明を図示の実施形態について更に詳述する。なお，同一機能を有する部材又は構成要素に関しては，各図における記載を繰り返さない場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る電子部品の一実施形態を示す説明図である。
【図２】電子部品の封止層を示す詳細図である。
【図３】異なる態様の封止層を設けた実施形態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
図１は，本発明に係る電子部品の例示的な実施形態を示している。電子部品がどのような態様で基板Ｓ上に，又は複数個の同等な電子部品と共にパネル上に取り付けることができるかを示すものである。電子部品は基板Ｓを備え，基板Ｓ上には周囲を包囲する金属フレームＭＦが設けられている。金属フレームＭＦ上にチップＣＨが配置され，チップＣＨはバンプ接続部Ｂにより基板Ｓに電気接続されている。好適には，金属フレームＭＦは銅などの金属で構成され，第１加工ステップにおいて平面フライス加工されている。このフライス加工は，例えばダイヤモンドフライス工具で行うことができる。なお，フレームは他の材料，例えばセラミックで構成してもよい。
【００４１】
チップＣＨは，加圧することにより金属フレームＭＦに結合する。そのために，チップＣＨはバンプ接続部Ｂを使用して基板Ｓにハンダ付けすることができ，この場合の温度ははんだの融点以上とする。金属フレームＭＦの表面は，チップＣＨ及び金属フレームＭＦ間の間隔がほぼゼロとなるよう形成されている。更に，チップを加圧した状態で電子部品を冷却する。この冷却において，バンプ接続部Ｂの熱膨張係数が金属フレームＭＦの熱膨張係数よりも大きければ，チップは金属フレームＭＦ上に付加的に押圧される。
【００４２】
独立したステップにおいて，チップＣＨには事前に導線を設けておく。これらの導線は，チップＣＨを微小電気機械又はＭＥＭＳシステムなどとして使用可能とするものである。所要のチップ面積を縮小するため，チップにおける導線は互いに交差させてもよい。その場合，互いに交差する導線間の絶縁層として，ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）又は他の適切な樹脂を設ける必要がある。チップは，互いに交差する導線と同一材料で構成することもでき，この場合にチップは，リフローハンダ付け後にフレームＭＦ上に配置されることになる。
【００４３】
金属フレームＭＦ上に配置されるチップＣＨは，基板Ｓと共にキャビティ，即ち周囲が包囲された容積部分を形成する。この容積部分は，表面弾性波又はバルク弾性波で作動するチップＣの使用に不可欠である。更に，この用途に使用するチップＣＨの適正な作動には，周囲を包囲するキャビティを気密封止し，環境による影響から保護する必要がある。この目的のため，金属フレームＭＦ及びチップＣＨ間における僅かなギャップを更に塞ぐための封止層ＳＬを形成してギャップを気密封止する。これにより，キャビティ内のチップ表面を汚染から保護することが可能である。
【００４４】
好適には，封止層ＳＬはインクジェット印刷で形成する。適切な材料には，ポリマＰ又は金属粒子ＮＰが含まれる。後者として，例えば，粒径１０ｎｍ未満の銀ナノ粒子を含有するナノインクがある。このような銀ナノ粒子は，気密用の封止層ＳＬとして適しているだけでなく，その電気特性によりチップＣＨにおける過剰電荷を消散させ，又はシールドとして機能するものである。
【００４５】
図２は，本発明に係る封止層ＳＬの詳細を示すものである。封止層ＳＬは，代案として，ポリマＰ又は金属粒子ＮＰの一方だけで構成することもできるが，両者の混合物としてもよい。封止層ＳＬは，インクジェット印刷又はジェット法により，チップ外周に沿って形成する。封止層ＳＬは，後続の工程及び電子部品の作動時に，キャビティ内におけるチップＣＨ表面の汚染を防止する。封止層ＳＬの形成時にチップＣＨ内表面の汚染を確実に防止するため，封止層ＳＬに接触する表面の機能化により，好適にはアルコールなどの有機溶剤に懸濁したナノ金属粒子ＮＰが許容不能な程度に分散し，かつ付着することが阻止可能である。一実施形態において，表面機能化は適切なシラン基を使用して行う。このような表面機能化は，チップＣＨをパネルにハンダ付けする前に行う場合，約２６０℃のリフロー温度において安定であるように選択する。
【００４６】
表面機能化は，例えばインクジェット印刷前に行い，パネル平面，チップ平面及び基板平面に対して代替的に行うことができる。表面機能化は，チップＣＨを事前に取り付けた基板に対して行うこともできる。表面機能化を行う目的に応じて，表面機能化に関する適切な組み合わせを選択することにより，インクジェット印刷される材料又は材料部分の濡れ挙動を最適化することが可能である。インクジェット印刷で使用する液滴の大きさは所要に応じて広範に変化させることができ，例えば液滴径１０μｍ〜１００μｍの範囲とすることができる。
【００４７】
封止層ＳＬを形成した後，金属フレームＭＦ及びチップＣＨ間におけるギャップの封止時又は封止後にポリマＰを硬化させ，又は金属粒子ＭＰを焼結する。この硬化又は焼結は，例えば封止層ＳＬを紫外線レーザ（紫外線硬化性ポリマを使用する場合）又は従来型のレーザで照射することにより可能である。このようなレーザは，封止層ＳＬを熱硬化させ，金属粒子の場合には熱焼結させるものである。
【００４８】
図３は，本発明に係る電子部品における複数の代替的な実施形態を示している。図示の実施例１〜４は，封止層ＳＬの構成を異ならせたものである。
【００４９】
実施例１において，バンプ接続部Ｂによりハンダ付けするチップＣＨ及び基板Ｓでは，チップＣＨ及び基板Ｓが互いに分離した状態で表面機能化を行う。チップＣＨをハンダ付けした後，銀ナノ粒子を金属フレームＭＦ及びチップＣＨ間におけるギャップに約４５°の角度で噴射し，その後に焼戻しを行う。加えて，シード層を銀ナノ粒子の噴射前にスパッタリングで形成するのが好適である。代案として，バンプ接続部Ｂが設けられ，ソーイングが施されたウェハ表面を機能化することができる。ソーイング後に行うことのできる研削により，バンプ接続部Ｂを設けたチップＣＨを露出させる（研削前ダイシングプロセス又はＤＢＧ）。この場合にチップＣＨは，関連する表面，即ち側面又はバンプ接続部Ｂを設けた表面に対してのみ機能化を行う。
【００５０】
第２の代案として，チップＣＨを設けた基板Ｓにおける機能化をリフローハンダ付け後に炉内で行うことができる。これにより，ウェハＷ及び基板Ｓに関する個別工程が不要となり，ハンダ付けした相手側における関連表面だけが機能化される。
【００５１】
実施例２において，チップの長手方向側面には金属粒子を，また幅方向側面にはポリマＰをそれぞれ噴射する。このような措置は，剥離応力などの機械的応力を低減する上で有効である。なお，機械的応力は，チップ形状に応じて熱サイクル下で特にエッジ部に発生し，剥離につながる潜在的リスクとなり得るものである。更に，実施例２は，使用する基板Ｓにおける熱膨張係数（ＣＴＥ）に依存する他の代案を示している。この代案においては，金属粒子ＮＰ及び／又はポリマＰを断片的に噴射することにより，例えば金属フレームＭＦのエッジ部のみにおける機械的応力の低減を図るものである。
【００５２】
実施例３における基板Ｓは，噴射したポリマフレームにより完全に包囲されている。この場合に使用されるポリマＰは，紫外線硬化性のみならず，熱硬化性又は熱溶融性とすることが可能である。実施例３において，例えば噴射時における紫外線照射により，又は低温状態の基板表面に加熱状態で設けることによりポリマＰが適切な分散特性を有する場合には，表面機能化を省略することができる。
【００５３】
実施例４においては，チップＣＨを取り付けた基板Ｓに対して噴射する金属粒子ＮＰが含まれる。この場合に金属粒子ＮＰは，金属フレームＭＦ及びチップＣＨ間の封止部として機能するものである。更に，金属粒子ＮＰは，後続のステップにおいて施し得る電気めっき用のシード層として機能する。このような変形例は，他の実施形態における多くの工程が不要になるため，特に安価である。
【００５４】
実施例１〜４に従って上記のごとく製造した電子部品は，最終ステップにおいて，電子部品の集合体であるパネルからソーイングし，個別の電子部品として使用することができる。更に，このように製造した電子部品は，オーバーモールドし，及び／又は他の保護層又はフィルムを設けることも可能である。好適には，金属層は電気めっきにより形成する。
【００５５】
Ｂ    バンプ接続部
ＣＨ  チップ
ＣＦ  積層フィルム
ＮＰ  金属粒子
ＭＦ  金属フレーム
Ｐ    ポリマ
ＳＬ  封止層
Ｗ    ウェハ
Ｓ    基板
【図１】
2013536586.tif 000003
【図２】
2013536586.tif 000004
【図３】
2013536586.tif 000005
【国際調査報告】
2013536586.tif 000006
2013536586.tif 000007
2013536586.tif 000008
2013536586.tif 000009
2013536586.tif 000010