(57)【要約】【課題】省スペースで組立性を向上しつつ、放熱特性を向上できる端子台を得る。【解決手段】金属膜及び誘電体膜が交互に積層された積層体１０１と積層体１０１の一対の電極取り出し面にそれぞれ形成された一対の金属溶射部１１１、１１２とを有するコンデンサ６と、それぞれが一端面に端子が接続される端子接続部を有すると共に、一端面と一端面に対向する他端面との間の外側面がそれぞれ対応する金属溶射部１１１、１１２に電気的に接続した一対の金属体１２１、１２２と、ヒートシンク１０００に固定する固定部を有し、一対の金属体１２１、１２２のそれぞれの端子接続部を露出させて、コンデンサ６及び一対の金属体１２１、１２２を内包する絶縁性の樹脂体１４０とを備え、一対の金属体１２１、１２２の各々は、他端面が樹脂体１４０を介してヒートシンク１０００の冷却面に対向している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属膜及び誘電体膜が交互に積層された積層体と前記積層体の一対の電極取り出し面にそれぞれ形成された一対の金属溶射部とを有するコンデンサと、
それぞれが一端面に端子が接続される端子接続部を有すると共に、前記一端面と前記一端面に対向する他端面との間の外側面がそれぞれ対応する前記金属溶射部に電気的に接続した一対の金属体と、
ヒートシンクに固定する固定部を有し、前記一対の金属体のそれぞれの端子接続部を露出させて、前記コンデンサ及び前記一対の金属体を内包する絶縁性の樹脂体と、
を備え、
前記一対の金属体の各々は、前記他端面が前記樹脂体を介して前記ヒートシンクの冷却面に対向していること
を特徴とする端子台。
【請求項２】
前記ヒートシンクの冷却面は、平面であること
を特徴とする請求項１に記載の端子台。
【請求項３】
前記ヒートシンクの冷却面は、前記樹脂体が埋め込まれる凹部を有し、
前記一対の金属体の各々は、前記一端面が前記凹部の底面に対向すると共に、前記外側面の一部が前記凹部の内側面に対向すること
を特徴とする請求項１に記載の端子台。
【請求項４】
前記一対の金属体は、前記樹脂体を介して前記ヒートシンクの冷却面と対向する面の面積が拡張されたこと
を特徴とする請求項３に記載の端子台。
【請求項５】
前記端子接続部は、ネジで前記端子を接続するネジ穴であること
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の端子台。
【請求項６】
前記一対の金属体の一端面は、前記ネジ穴を含めて全面が前記樹脂体から露出していること
を特徴とする請求項５に記載の端子台。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の端子台と、
前記端子台の前記端子接続部と前記端子で接続される電力変換用半導体モジュールと
を備えたこと
を特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、樹脂体にコンデンサを収納した端子台及び、それを使用した電力変換装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の端子台は、端子台の底部にコンデンサを収納して省スペース化、組立性向上を実現している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
又、従来のコンデンサの放熱に関しては、コンデンサの金属溶射部（メタリコン電極）への放熱経路を確保し、放熱性能を向上させている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１０９６８６号公報
【特許文献２】特開２０１２−９９７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２においては、コンデンサで発生した熱を、コンデンサの金属溶射部を放熱経路として放熱しているため、コンデンサの放熱特性が十分ではない。したがって、この特許文献２に開示されたコンデンサを特許文献１に記載された端子台に収納して使用した従来の端子台は、放熱特性が十分ではないという課題がある。
【０００６】
この発明の目的は、上記のような課題を解決するためになされたもので、省スペースで組立性を向上しつつ、放熱特性を向上できる端子台を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る端子台は、金属膜及び誘電体膜が交互に積層された積層体と積層体の一対の電極取り出し面にそれぞれ形成された一対の金属溶射部とを有するコンデンサと、それぞれが一端面に端子が接続される端子接続部を有すると共に、一端面と一端面に対向する他端面との間の外側面がそれぞれ対応する金属溶射部に電気的に接続した一対の金属体と、ヒートシンクに固定する固定部を有し、一対の金属体のそれぞれの端子接続部を露出させて、コンデンサ及び一対の金属体を内包する絶縁性の樹脂体とを備え、一対の金属体の各々は、他端面が樹脂体を介してヒートシンクの冷却面に対向していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、省スペースで組立性を向上しつつ、放熱特性を向上できる端子台を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る実施の形態１の端子台を有する電力変換装置を備えた車両駆動システムの構成を示す図である。
【図２】本発明に係る実施の形態１の端子台を有する電力変換装置を備えた車両駆動システムの回路図である。
【図３】本発明に係る実施の形態１の端子台を示す図である。
【図４】本発明に係る実施の形態２の端子台を示す図である。
【図５】本発明に係る実施の形態３の端子台を示す図である。
【図６】本発明に係る実施の形態４の端子台を示す図である。
【図７】本発明に係る実施の形態５の端子台を示す図である。
【図８】本発明に係る実施の形態６の端子台を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
電力変換装置は、電力変換用半導体素子のスイッチング動作により、モータ等の機器を駆動するために必要な電力波形を生成する。近年では、電力変換用半導体素子の発展により、高周波スイッチング動作が可能となり、より滑らかな電力変換が実現されつつある。
【００１１】
一方で、高周波スイッチング動作に起因する高周波ノイズの影響が深刻化している。高周波スイッチング動作による急激な電流変化は、モータのインダクタンス負荷もしくは配線等の浮遊インダクタンスとの関係で高電圧のサージを発生させる。このサージは高周波成分を含み、変換装置内部から外部に拡散し、機器の電磁環境適合性を悪化させる。
【００１２】
電力変換装置では、電磁環境適合性が規制されており、規定の規格に合格する必要がある。そのため、一般には、コンデンサをスナバコンデンサとして電力変換用半導体素子の近傍に設置し、高周波ノイズ電流の循環経路を準備し、高周波ノイズ電流の拡散を防止している。なお、以下では、電力変換装置の出力側に設置されたコンデンサだけではなく、入力側に設置されたコンデンサも、スナバコンデンサと呼ぶものとする。
【００１３】
さらに、近年、電力変換装置の進出が著しい車載分野では、車内スペースの効率利用のため、スナバコンデンサを含めた電力変換装置の省スペース化、組立性向上の要求が高まっている。しかしながら、スナバコンデンサは高周波のサージを吸収する過程で発熱する。スナバコンデンサが発熱により温度上昇すると容量の低下等の不具合が生じる可能性がある。そこで、スナバコンデンサを十分に放熱することが必要である。
【００１４】
図１に、本発明に係る実施の形態１の端子台を有する電力変換装置を備えた車両駆動システムの構成を示す。また、図２に本発明に係る実施の形態１の端子台を有する電力変換装置を備えた車両駆動システムの回路図を示す。
【００１５】
図１及び図２に示すように、バッテリー１に接続された昇圧回路２とモータ３に接続された電力変換用半導体モジュール４との間に、スナバコンデンサとしてのコンデンサ６を収納した端子台５ａが配置され、昇圧回路２からの配線の端子及び電力変換用半導体モジュール４からの配線の端子が端子台５ａを介して互いに接続されている。モータ３は、例えば電気自動車の車輪を回転させるためのモータなどである。本実施の形態の端子台５ａを有する電力変換装置は、コンデンサ６を収納した端子台５ａと、端子台５ａに接続された電力変換用半導体モジュール４とで構成される。
【００１６】
バッテリー１の直流電圧は、昇圧回路２により所望の直流電圧に昇圧される。昇圧された直流電圧は、続く電力変換用半導体モジュール４により所望の交流電力に変換され、モータ３を駆動する。ここで、コンデンサ６を収納した端子台５ａは、電力変換用半導体モジュール４で発生した高周波ノイズ電流の循環経路を準備し、高周波ノイズ電流の拡散を防止している。電力変換用半導体モジュール４及び端子台５ａは、ヒートシンク１０００上に配置される。
【００１７】
電力変換用半導体モジュール４は、Ｕ相を形成するスイッチング素子としてのＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７ａ、７ｂと、それぞれに逆並列に接続するフライホイールダイオードとしての半導体ダイオード８ａ、８ｂ、Ｖ相を形成するＩＧＢＴ７ｃ、７ｄと、それぞれに逆並列に接続する半導体ダイオード８ｃ、８ｄ、Ｗ相を形成するＩＧＢＴ７ｅ、７ｆと、それぞれに逆並列に接続する半導体ダイオード８ｅ、８ｆからなる。
【００１８】
本実施の形態では、電力変換用半導体モジュールを構成するスイッチング素子として、ＩＧＢＴを用いたが、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの他のスイッチング素子を用いても良い。また、Ｓｉデバイスに限らず、ＳｉＣデバイス、ＧａＮデバイス等のワイドバンドギャップ半導体デバイスでも良い。逆並列接続するダイオードについても同様である。さらに、フライホイールダイオードとして、Ｓｉのバイポーラダイオードに限らず、ＳｉＣのショットキーバリア等を用いたユニポーラダイオードを用いても良い。
【００１９】
次に、電力変換装置の動作について説明する。コンデンサ６は、高周波領域（１０ｋＨｚ以上）で低インピーダンスの周波数特性を有し、昇圧回路２、電力変換用半導体モジュール４の電力変換半導体素子のスイッチング動作に起因する高周波ノイズ電流の循環経路を形成し、上記高周波ノイズ電流の拡散を防止する。
【００２０】
図３は、実施の形態１の端子台５ａを示す図である。図３（ａ）は、端子台５ａを上から見た図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ―Ａで切断した断面図である。実施の形態１の端子台５ａに収納されているコンデンサ６は、誘電体膜と金属膜が交互に積層した積層体１０１と、積層体１０１の積層方向に対して垂直な方向の両端に位置する一対の電極取り出し面に形成された一対の金属溶射部１１１、１１２とを有する。金属溶射部１１１、１１２は、それぞれ図３（ｂ）のように積層体１０１の金属膜が交互に一つ飛ばしで電気的に接続されている。したがって、金属溶射部１１１、１１２のそれぞれは、コンデンサ６のリードとなっている。金属溶射部１１１、１１２には、一対の金属体１２１、１２２の一端面と一端面に対向する他端面との間の外側面が電気的に接続されている。
【００２１】
ここで、一端面とは図３（ｂ）において金属体１２１、１２２のそれぞれの上端面のことである。他端面とは図３（ｂ）において金属体１２１、１２２のそれぞれの下端面のことである。さらに、外側面とは図３（ｂ）において金属体１２１、１２２の側面のことである。したがって、金属体１２１、１２２のそれぞれにおいて、一端面は他端面と対向しており、一端面と他端面との間に外側面がある。
【００２２】
一対の金属体１２１、１２２のそれぞれの一端面には、配線の端子が電気的に接続される一対の端子接続部が形成されている。具体的には、金属体１２１、１２２は、各々の一端面に端子接続部としての締結用のネジ穴１３１、１３２を有する。コンデンサ６及び金属体１２１、１２２を内包する絶縁性の樹脂体１４０は、端子台５ａをヒートシンク１０００に固定するための固定部としての一対の貫通穴１５１、１５２を有する。
【００２３】
締結用のネジ穴１３１、１３２を設けたことにより、一対の電力変換用半導体モジュール４からの配線の端子１６１、１６２及び昇圧回路２からの配線の端子１６３、１６４と金属体１２１、１２２とを一対の金属ネジ１７１、１７２を用いて各々導通させることができる。すなわち、金属ネジ１７１、１７２で端子を接続する締結用のネジ穴１３１、１３２が、端子接続部となっている。端子台５ａの樹脂体１４０に貫通穴１５１、１５２を設けたことにより、樹脂体１４０をヒートシンク１０００に接した状態で一対のネジ１８１、１８２を用いて固定させることができる。
【００２４】
本実施の形態によると、一対の金属体１２１、１２２の各々の一端面に対向した他端面が樹脂体１４０を介してヒートシンク１０００の冷却面と対向している。コンデンサ６で発生した熱はコンデンサ６の金属溶射部１１１、１２１からそれぞれ金属体１２１、１２２に伝導する。金属体１２１、１２２に伝導した熱は、対向するヒートシンク１０００の冷却面に樹脂体１４０を介して伝導する。ここで、ヒートシンク１０００の冷却面は、平面である。したがって、コンデンサ６とヒートシンク１０００との間の電気絶縁性を確保しつつ、放熱特性を向上することができる。なお、金属体１２１、１２２とヒートシンク１０００の冷却面との間の樹脂体１４０の厚さは、電気絶縁性と放熱特性との両方を考慮して設定することとなる。
【００２５】
本実施の形態では、金属体１２１、１２２と金属ネジ１７１、１７２とがそれぞれ導通している部分において、昇圧回路２からの配線の端子１６３、１６４がまず端子台５ａの端子接続部に接続され、その上に積み重ねるようにして電力変換用半導体モジュール４からの配線の端子１６１、１６２が接続されているが、この順序は逆にしても良いのは言うまでも無い。
【００２６】
誘電体膜と金属膜の積層体１０１は、例えば、誘電体膜はポリプロピレン等の誘電体フィルムであり、金属膜は上記誘電体フィルム表面にアルミニウム、亜鉛などからなる金属蒸着膜が形成されてなる金属化フィルムを２枚１組で積層されたものである。そして、２枚１組の金属化フィルムは、相互に反対側の電極取り出し面に形成された金属溶射部１１１、１１２に導通している。金属溶接部１１１、１１２は、例えば、アルミニウム、亜鉛などを電極取り出し面に溶射することで形成される。金属体１２１、１２２の材質は、アルミニウム、銅等である。樹脂体１４０の材質は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂などである。
【００２７】
ＩＧＢＴ７ａ〜７ｆがスイッチング動作をすると、このスイッチング動作に起因する高周波ノイズ電流が、電力変換用半導体モジュール４からコンデンサ６を経由して昇圧回路２の方へ伝播する。この高周波ノイズ電流はコンデンサ６で循環し、上記高周波ノイズ電流の拡散を防止するが、その際、コンデンサ６で発熱が発生する。発生した熱は、金属膜を伝熱経路として、金属溶射部１１１、１１２を経て、金属体１２１、１２２へ伝導する。金属体１２１、１２２へ伝導した熱は、金属体１２１、１２２で拡散し、樹脂体１４０を介して金属体１２１、１２２に対向するヒートシンク１０００の冷却面へ伝導する。
【００２８】
本実施の形態では、コンデンサ６が端子台５ａに収納されており、空間の有効利用が実現できる。また、電力変換用半導体モジュールからの配線の端子１６１、１６２を、端子台５ａの締結用のネジ穴１３１、１３２に締結すると、コンデンサ６との締結も完了するため、組立性の向上を実現できる。
【００２９】
本実施の形態では、コンデンサ６で発生した熱を、金属溶射部１１１、１１２から金属体１２１、１２２を通って、ヒートシンク１０００へと伝導させる経路を形成するため、従来よりも放熱効果の向上及び低インダクタンス化を実現できる。
【００３０】
従って、本実施の形態の端子台５ａは、省スペース化、組立性と放熱効果の向上を実現できる。
【００３１】
なお、本実施の形態では車両駆動システムを例に説明したが、本発明の端子台を備えた電力変換装置は、中容量以下の産業用途及び民生用途にも適用でき、モータで駆動されるものであれば上記の例に限らない。また、本発明の端子台に収納するものは、コンデンサだけに限られない。コンデンサと抵抗とからなるスナバ回路を用いる場合は、コンデンサと抵抗とを収納するようにすれば良い。
【００３２】
実施の形態２．
図４は、実施の形態２の端子台５ｂを示す図である。図４（ａ）は、端子台５ｂを上から見た図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ―Ａで切断した断面図である。本実施の形態の端子台５ｂは、樹脂体２４０をヒートシンク２０００に埋め込むことが、実施の形態１とは異なる点であり、それ以外は実施の形態１と同じである。図４において、図３にて説明したものと同じものは同じ符号で表し、説明を省略する。
【００３３】
本実施の形態では、ヒートシンク２０００の冷却面に凹部が設けられている。ヒートシンク２０００の凹部には、端子台５ｂの一部が樹脂体２４０ごと埋め込まれている。金属体１２１、１２２の一端面と対向した他端面は、ヒートシンク２０００の凹部の底面と対向している。また、金属体１２１、１２２の一端面と他端面との間の外側面は、ヒートシンク２０００の凹部の内側面と対向している。すなわち、実施の形態１と比べて、金属体１２１、１２２とヒートシンク２０００の冷却面とが対向する面積が増えている。したがって、金属体１２１、１２２の熱をヒートシンク２０００に伝導させる面積が拡大している。本実施の形態によると、端子台５ｂは、放熱効果のさらなる向上を実現できる。
【００３４】
実施の形態３．
図５は、実施の形態３の端子台５ｃを示す図である。図５（ａ）は、端子台５ｃを上から見た図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ―Ａで切断した断面図である。本実施の形態の端子台５ｃは、一対の金属体３２１、３２２の形状が、実施の形態２とは異なる点であり、それ以外は実施の形態２と同じである。図５において、図３及び図４にて説明したものと同じものは同じ符号で表し、説明を省略する。
【００３５】
端子台５ｃの金属体３２１、３２２は、樹脂体３４０の内部において一端面と他端面との間の外側面が拡張されている。すなわち、金属体３２１、３２２が樹脂体３４０を介してヒートシンク２０００の冷却面と対向する面積が増えている。これにより、端子台５ｃは、ヒートシンク２０００との間に樹脂体３４０が設けられているので絶縁されつつ、ヒートシンク２０００と対向する面積が増えたことで、さらなる放熱効果を得られる。
【００３６】
この領域３２３、３２４により、コンデンサ６で発生した熱は金属溶射部１１１、１１２から金属体３２１、３２２へ、そして領域３２３、３２４へ伝導する。熱は領域３２３、３２４で熱拡散し、樹脂を経てヒートシンク２０００へ伝導する。したがって、伝熱経路の熱抵抗が低下し、放熱効果をさらに向上できる。
【００３７】
本実施の形態では、領域３２３、３２４を金属体３２１、３２２から派生させたものとして扱ったが、金属体３２１、３２２とは別に構成していても良いし、別の部材でも良い。
【００３８】
実施の形態４．
図６は、実施の形態４の端子台５ｄを示す図である。図６（ａ）は、端子台５ｄを上から見た図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ―Ａで切断した断面図である。図６（ｃ）は、図６（ａ）のＢ―Ｂで切断した断面図である。図６（ｄ）は、図６（ａ）のＣ部を拡大した図である。
【００３９】
本実施の形態では、昇圧回路２の発熱量よりも電力変換用半導体モジュール４の発熱量の方が大きいとしている。そこで、本実施の形態の端子台５ｄは、一対の金属体４２１、４２２の一端面と他端面との間の外側面の内、発熱量の比較的少ない昇圧回路２側に拡張した領域４２３、４２４を設けている点が、実施の形態３とは異なる点であり、それ以外は実施の形態３と同じである。図６において、図３〜５にて説明したものと同じものは同じ符号で表し、説明を省略する。
【００４０】
図６に示すように、実施の形態４の端子台５ｄの金属体４２１、４２２の一端面と他端面との間の外側面は、樹脂体４４０の内部において拡張されている。これにより、コンデンサ６は、ヒートシンク２０００との間に樹脂体３４０が設けられているので絶縁されつつ、ヒートシンク２０００の冷却面と対向しているので、放熱効果もある。
【００４１】
この領域４２３、４２４により、コンデンサ６で発生した熱は金属溶射部１１１、１１２から金属体４２１、４２２へ、そして領域４２３、４２４へ伝導する。熱は領域４２３、４２４で熱拡散し、樹脂を経てヒートシンク２０００へ伝導する。したがって、伝熱経路の熱抵抗が低下し、放熱効果をさらに向上できる。
【００４２】
本実施の形態では、コンデンサ６で発生した熱を、電力変換用半導体モジュール４とは反対側の昇圧回路２側に拡張された金属体４２１、４２２の領域４２３、４２４で熱拡散させる。電力変換用半導体モジュール４は発熱するため、昇圧回路２側の方が冷却効果が高く、すなわち放熱効果のさらなる向上を実現できる。
【００４３】
また、本実施の形態では、昇圧回路２の発熱量よりも電力変換用半導体モジュール４の発熱量の方が大きいとしたので、金属体３２１、３２２の一端面と他端面との間の側面の内、発熱量の比較的少ない昇圧回路２側を拡張したが、これに限らない。つまり、金属体３２１、３２２の一端面と他端面との間の外側面の内、発熱量の方が小さい側を拡張すれば同様の効果が得られる。
【００４４】
実施の形態５．
図７は、実施の形態５の端子台５ｅを示す図である。図７（ａ）は、端子台５ｅを上から見た図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ―Ａで切断した断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＤ―Ｄで切断した断面図である。図７（ｄ）は、図７（ａ）のＥ部を拡大した図である。
【００４５】
本実施の形態の端子台５ｅは、一対の金属体５２１、５２２一端面と他端面との間の側面を拡張した領域５２３、５２４、５２５、５２６が、実施の形態４よりも広範囲である点が異なる点であり、それ以外は実施の形態４と同じである。図７において、図３〜６にて説明したものと同じものは同じ符号で表し、説明を省略する。
【００４６】
図７に示すように、実施の形態５の端子台５ｅの金属体５２１、５２２の一端面と他端面との間の外側面は、樹脂体５４０の内部において拡張されている。拡張した領域５２３〜５２６は、コンデンサ６と昇圧回路２の間に領域５２３、５２４が設けられ、コンデンサ６と電力変換用半導体モジュール４の間に領域５２５、５２６が設けられている。したがって、金属体５２１、５２２がヒートシンク２０００の冷却面と対向する面積が増えている。これにより、コンデンサ６は、ヒートシンク２０００との間に樹脂体３４０が設けられているので絶縁されつつ、ヒートシンク２０００と対向している面積が増えたことで、さらなる放熱効果も得られる。
【００４７】
コンデンサ６で発生した熱は金属溶射部１１１、１１２から金属体５２１、５２２へ、そして領域５２３〜５２６へ伝導する。熱は領域５２３〜５２６で熱拡散し、樹脂を経てヒートシンク２０００へ伝導する。したがって、伝熱経路の熱抵抗が低下し、放熱効果をさらに向上できる。
【００４８】
本実施の形態では、コンデンサ６で発生した熱を伝導する伝熱経路が拡張され、コンデンサ６の両側面に配置した放熱板で熱拡散させるため、伝熱経路の熱抵抗が低下し、すなわち放熱効果をより向上できる。
【００４９】
実施の形態６．
図８は、実施の形態６の端子台５ｆを示す図である。図８（ａ）は、端子台５ｆを上から見た図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ―Ａで切断した断面図である。本実施の形態の端子台５ｆは、一対の金属体６２１、６２２及び樹脂体６４０の形状が実施の形態２とは異なる点であり、それ以外は実施の形態２と同じである。図８において、図３〜７にて説明したものと同じものは同じ符号で表し、説明を省略する。
【００５０】
図８に示すように、実施の形態６に係る端子台５ｆは、金属体６２１、６２２の一端面、すなわち、締結用のネジ穴１３１、１３２を有する面は、締結用のネジ穴１３１、１３２を含めて全面が樹脂体６４０から露出している。そのため、電力変換用半導体モジュール４の端子１６１、１６２又は昇圧回路２の端子１６３、１６４と金属体６２１、６２２は、金属ネジ１７１、１７２により樹脂体６４０を介さずに締結される。
【００５１】
本実施の形態では、電力変換用半導体モジュール４からの配線の端子１６１、１６２又は昇圧回路２からの配線の端子１６３、１６４と金属体６２１、６２２が樹脂体６４０を介さずに締結されるため、低インダクタンスでの結線が可能となる。したがって、より低インダクタンス化することができ、低ノイズ化の効果を強化できる。
【符号の説明】
【００５２】
４  電力変換用半導体モジュール、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ  端子台、
６  コンデンサ、１０１  積層体、１１１、１１２  金属溶射部、１２１、１２２金属体、
１３１、１３２  締結用のネジ穴、１４０  樹脂体、１５１、１５２  貫通穴、
１６１、１６２、１６３、１６４  端子、２４０  樹脂体、３２１、３２２  金属体、
３２３、３２４  領域、３４０  樹脂体、４２１、４２２  金属体、
４２３、４２４  領域、４４０  樹脂体、５２１、５２２  金属体、
５２３、５２４、５２５、５２６  領域、５４０  樹脂体、６２１、６２２  金属体、
６４０  樹脂体、１０００、２０００  ヒートシンク。
【図１】
2015133281.tif 000003
【図２】
2015133281.tif 000004
【図３】
2015133281.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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