(57)【要約】【課題】  誘電体フィルムを比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方が異なる２層構造とした場合でも、静電エネルギー密度を高めることのできるフィルムコンデンサを提供する。【解決手段】  比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方の異なる第１の誘電体層１と第２の誘電体層２との２層構造を有しているとともに、第１の誘電体層１の比誘電率をε１、破壊電界強度をＥ１とし、第２の誘電体層２の比誘電率をε２、破壊電界強度をＥ２としたときに、Ｄ＝｛（ε１×Ｅ１）−（ε２×Ｅ２）｝／｛（ε１×Ｅ１）＋（ε２×Ｅ２）｝／２で表わされるＤが０．１以下の誘電体フィルム１０を具備してなる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方の異なる第１の誘電体層と第２の誘電体層との２層構造を有しているとともに、
前記第１の誘電体層の比誘電率をε１、破壊電界強度をＥ１とし、
前記第２の誘電体層の比誘電率をε２、破壊電界強度をＥ２としたときに、
Ｄ＝｛（ε１×Ｅ１）−（ε２×Ｅ２）｝／｛（ε１×Ｅ１）＋（ε２×Ｅ２）｝／２
で表わされるＤが０．１以下の誘電体フィルムを具備してなることを特徴とするフィルムコンデンサ。
【請求項２】
前記Ｄが０．０１以下であることを特徴とする請求項１に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項３】
前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層における比誘電率の差が０．５以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項４】
前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層のうちの一方がセラミック誘電体を含んでいることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載のフィルムコンデンサ。
【請求項５】
前記誘電体フィルムは前記２層構造が多層化されたものであることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載のフィルムコンデンサ。
【請求項６】
前記誘電体フィルムの両面に電極層を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載のフィルムコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
フィルムコンデンサは、例えば、ポリプロピレン樹脂をフィルム化した誘電体フィルムの表面に蒸着によって形成された金属膜を電極として有している。このような構成により、誘電体フィルムの絶縁欠陥部で短絡が生じた場合にも、短絡のエネルギーで欠陥部周辺の金属膜が蒸発、飛散して絶縁化し、フィルムコンデンサの絶縁破壊を防止できるという利点を有している（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
このため、フィルムコンデンサは電気回路が短絡した際の発火や感電を防止することができるという点が注目され、近年、ＬＥＤ（Light Emission Diode）照明等の電源回路への適用を始め、用途が拡大しつつある（例えば、特許文献２を参照）。
【０００４】
ところが、フィルムコンデンサは、各種の電子部品の実装された基板上において、セラミックコンデンサなど他の電子部品に比べて依然としてサイズが大きいことから、当該基板の低背化や実装密度の向上の妨げになっており、そのためフィルムコンデンサの小型化が検討されている。
【０００５】
この場合、フィルムコンデンサの小型化を図るには、誘電体フィルムを薄層化することや誘電体フィルムの積層数や巻回数を減らすこととなるが、そのためには誘電体フィルムの比誘電率と破壊電界強度を向上させる必要がある。
【０００６】
そこで、誘電体フィルムの特性である比誘電率および破壊電界強度をそれぞれの誘電体層で担うようにして、積層した構成とすることが提案されている。
【０００７】
例えば、特許文献３には、誘電体フィルムとして、ポリエステル樹脂からなる層と、比誘電率が３未満（誘電損失が０．００１未満でもよい）の熱可塑性樹脂からなる層とを交互に重ね合わせた積層体とすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−１２９４７５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７８５７１号公報
【特許文献３】特開２００５−２１２２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、誘電体フィルムを、上記特許文献３に開示されているように、比誘電率および破壊電界強度のうち、少なくとも一方が異なるような２層構造とした場合には、２層のうち、まず、比誘電率と破壊電界強度との積が低い層から絶縁破壊が起こり、続いて、残った層に電界が集中するという挙動を採るようになる。このため２層構造とした誘電体フィルムでは、２層分の厚みで電界を受けることができないため、比誘電率と破壊電界強度の２乗との積である静電エネルギー密度（厳密には静電エネルギー密度に２／ε０を乗じたもの、ε０：真空の誘電率）を高めることができないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、誘電体フィルムを比誘電率およ
び破壊電界強度のうちの少なくとも一方が異なる、少なくとも２層構造とした場合でも、静電エネルギー密度を高めることのできるフィルムコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のフィルムコンデンサは、比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方の異なる第１の誘電体層と第２の誘電体層との２層構造を有しているとともに、前記第１の誘電体層の比誘電率をε１、破壊電界強度をＥ１とし、前記第２の誘電体層の比誘電率をε２、破壊電界強度をＥ２としたときに、
Ｄ＝｛（ε１×Ｅ１）−（ε２×Ｅ２）｝／｛（ε１×Ｅ１）＋（ε２×Ｅ２）｝／２
で表わされるＤが０．１以下の誘電体フィルムを具備してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、誘電体フィルムを比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方が異なる２層構造とした場合でも、静電エネルギー密度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムの一実施形態を示す断面模式図である。
【図２】本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムの他の態様を示すもので、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２のうちの一方がセラミック誘電体を含んでいることを示す断面模式図である。
【図３】本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムの他の態様を示すもので、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の２層構造が多層化された状態を示す断面模式図である。
【図４】（ａ）は、誘電体フィルムの両面に電極層を有する構造を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、本発明のフィルムコンデンサの一実施形態を示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、本発明のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムの一実施形態を示す断面模式図である。
【００１５】
本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルム１０は、比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方の異なる第１の誘電体層１と第２の誘電体層２との２層構造を有するものである。
【００１６】
ここで、第１の誘電体層１の比誘電率をε１、破壊電界強度をＥ１とし、第２の誘電体層２の比誘電率をε２、破壊電界強度をＥ２としたときに、Ｄ＝｛（ε１×Ｅ１）−（ε２×Ｅ２）｝／｛（ε１×Ｅ１）＋（ε２×Ｅ２）｝／２で表わされるＤ（絶対値）が０．１（１０％）以下である。この場合、比誘電率が異なるとは、第１の誘電体層１と第２の誘電体層２との間での比誘電率の差が０．５以上であることをいう。また、破壊電界強度が異なるとは、両誘電体層間での破壊電界強度の差が５０Ｖ／μｍ以上であることをいう。
【００１７】
本実施形態のフィルムコンデンサによれば、誘電体フィルム１０を比誘電率および破壊電界強度のうち少なくとも一方が異なるような２層構造とした場合にも、第１の誘電体層１の比誘電率ε１と破壊電界強度Ｅ１との積（ε１×Ｅ１）と、第２の誘電体層２の比誘電率ε２と破壊電界強度Ｅ２との積（ε２×Ｅ２）との差が小さいことから、印加された電界（本実施形態では交流電界が適用される。）は、第１の誘電体層１および第２の誘電
体層２の２層に同時に分散するようにできるため、電界がいずれか一方の層に集中する状態を回避でき、これにより誘電体フィルム１０の静電エネルギー密度を高めることができる。
【００１８】
ここで、静電エネルギー密度とは、比誘電率（ε）と破壊電界強度の２乗（Ｅ２）との積（ε・Ｅ２）で表される値である。この静電エネルギー密度（ε・Ｅ２）は、以下（１）（２）および（３）の式から導くことのできる指標である。（１）フィルムコンデンサを構成する誘電体フィルム１０の一方表面の面積をｓ、厚みをｔとしたときの体積（ｖ）を表す式（ｖ＝ｓ×ｔ）、（２）誘電体フィルム１０の電界強度（Ｅ）と厚み（ｔ）との積である耐電圧（電位差）（Ｖ）を表す式（Ｖ＝Ｅ×ｔ）、（３）Ｃ＝ε０×ε×ｓ／ｔ（但し、Ｃ：静電容量、ε：対象物（誘電体フィルム）の比誘電率、ε０：真空の誘電率、ｓ：誘電体フィルムの一方表面の面積、ｔ：誘電体フィルムの厚み）。
【００１９】
この場合、特に、第１の誘電体層１の比誘電率ε１と破壊電界強度Ｅ１との積（ε１×Ｅ１）と、第２の誘電体層２の比誘電率ε２と破壊電界強度Ｅ２との積（ε２×Ｅ２）との差がほとんど無く、Ｄが０．０１（０．１％）以下である場合には、誘電体フィルム１０の静電エネルギー密度をさらに高めることが可能となる。Ｄが０．０１（０．１％）以下である状態は、第１の誘電体層１の比誘電率ε１と破壊電界強度Ｅ１との積（ε１×Ｅ１）と、第２の誘電体層２の比誘電率ε２と破壊電界強度Ｅ２との積（ε２×Ｅ２）との差がほとんど無いため、等しい状態とも言える。
【００２０】
これに対し、誘電体フィルム１０において、第１の誘電体層１と第２の誘電体層２との間で、上記Ｄが０．１よりも大きい場合には、比誘電率（ε）と破壊電界強度（Ｅ）との積の低い方の層から絶縁破壊が起こり、続いて、残った層に電界が集中するようになる。このため２層構造とした誘電体フィルムでは、２層分の厚みで電界を受けることができないため、静電エネルギー密度を高めることが困難となる。
【００２１】
誘電体フィルム１０の比誘電率（ε）は、誘電体フィルム１０の両面に所定の面積で電極層を形成し、静電容量を測定して求める。
【００２２】
誘電体フィルム１０を構成する第１の誘電体層１の比誘電率（ε１）および第２の誘電体層２の比誘電率（ε２）は、フィルムコンデンサから切り出した誘電体フィルム１０を片面側から研磨を行い、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２のうち片方の誘電体層だけの構造にした後、その両面に所定の面積で電極層を形成した試料から求める。
【００２３】
特性評価に際しては、ＬＣＲメーターを使用して静電容量を測定し、測定した静電容量、電極層の有効面積（誘電体フィルムの両面で電極層が重なった面積）および誘電体フィルムの厚みから比誘電率を算出する。
【００２４】
誘電体フィルム１０の破壊電界強度（Ｅ）、第１の誘電体層１の破壊電界強度（Ｅ１）および第２の誘電体層の破壊電界強度（Ｅ２）は、静電容量を測定した試料を用い、誘電体フィルム１０の電極間、第１の誘電体層１または第２の誘電体層２の電極層間に、商用周波数６０Ｈｚで、毎秒１００Ｖの昇圧速度で電圧を印加し、漏れ電流値が１．０ｍＡを越えた瞬間の電圧値から求める。
【００２５】
誘電体フィルム１０における第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の材料的な違いは、（電極層を除いた）誘電体フィルム１０の両面の構造解析によって定めることができる。構造解析に用いる分析方法としては、クロマトグラフ分析、フーリエ変換赤外吸光分光分析およびラマン分光分析などが好適である。
【００２６】
本実施形態のフィルムコンデンサでは、誘電体フィルム１０を構成する第１の誘電体層１および第２の誘電体層２における比誘電率の差が０．５以上であることが望ましい。
【００２７】
２層構造にした誘電体フィルム１０において、２層間で比誘電率に０．５以上の差を持たせるようにした場合には、誘電体フィルム１０中に高誘電率層を形成できるため、誘電体フィルム１０の全体を高誘電率化するよりも容易に静電容量を向上させることが可能となる。また、誘電体フィルム１０の比誘電率の向上はフィルムコンデンサの小型化へも大きく寄与する。ここで、厚みとは平均厚みのことをいい、具体的には、誘電体フィルム１０の幅方向（巻回式構造体の場合には短い方向）を１０等分して測定した値の平均値から求められる。この場合、誘電体フィルム１０の比誘電率（ε）は、例えば、２．４以上、特に、２．６以上と高い方が好ましい。誘電体フィルム１０の比誘電率が高くなれば、フィルムコンデンサにおける誘電体フィルム１０の積層数や巻回数を減らすことが可能となり、電極面積の低下により小型化にも寄与するからである。
【００２８】
本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルム１０の厚みは、高容量化という点で、１０μｍ以下、特に、５μｍ以下であることが望ましく、一方、誘電体フィルム１０の破壊電界強度を確保し、安定化できるという理由からは１μｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
図２は、本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムの他の態様を示すもので、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２のうちの一方がセラミック誘電体３を含んでいることを示す断面模式図である。
【００３０】
本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルム１０は、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２のうちの一方がセラミック誘電体３を含んでいることが望ましい。誘電体フィルム１０を構成する第１の誘電体層１および第２の誘電体層２のうちの一方がセラミック誘電体３を含む構成である場合には、セラミック誘電体３の特性（絶縁抵抗）に起因して、破壊電界強度などの絶縁特性をさらに向上させることが可能となり、また、セラミック誘電体３として強誘電体を適用した場合には、誘電体フィルム１０の比誘電率をさらに高めることが可能となる。
【００３１】
誘電体フィルム１０を構成する第１の誘電体層１および第２の誘電体層２のうちの一方にだけセラミック誘電体３を含ませるのは、両方の誘電体層に含ませた場合には、誘電体フィルム１０の可とう性が低下し、誘電体フィルム１０が曲がりにくくなり、例えば、巻回式のフィルムコンデンサを製造することが困難となるためである。
【００３２】
ここで、誘電体フィルム１０にセラミック誘電体３が含まれる状態は、誘電体フィルム１０の断面を、エネルギー分散分析器を付設した走査型電子顕微鏡等を用いることにより確認できる。
【００３３】
図３は、本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムの他の態様を示すもので、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の２層構造が多層化された状態を示す断面模式図である。
【００３４】
本実施形態のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルム１０としては、２層構造が多層化されたものであることが望ましい。誘電体フィルム１０を第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の２層構造が多層化された構造とした場合には、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の各層の厚みを薄くする必要がある。誘電体フィルム１０を構成する各誘電体層の厚みが薄くなると、厚みの低下に依存して単位厚み当たりの破壊電界強度が高くなる傾向となる。この効果により、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の２層
構造が多層化された誘電体フィルム１０は全体としての静電エネルギー密度を高めることができる。第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の２層構造が多層化された構造というのは、比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方の異なる第１の誘電体層１および第２の誘電体層２が一つのブロックとなり、このブロックが複数重ねられている構造であれば、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２が必ず交互に積層されていることが必要ではなく、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２の積層体を一つのブロックとして積み重なっている構造であればよい。
【００３５】
図４は、（ａ）は、誘電体フィルムの両面に電極層を有する構造を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、本発明のフィルムコンデンサの一実施形態を示す外観斜視図である。
【００３６】
上述した誘電体フィルム１０を具備する本実施形態のフィルムコンデンサは、誘電体フィルム１０の両面に電極層１１を備えている構成を基本構造とする本体部１３により構成されている。この本体部１３は、矩形状の誘電体フィルム１０と電極層１１とが交互に積層された積層型のフィルムコンデンサの他に、長尺状の誘電体フィルム１０と電極層１１とが巻回された構造の巻回型のフィルムコンデンサにも適用することができる。これらのフィルムコンデンサは外部電極１４に端子としてさらにリード線１５を有していても良いが、フィルムコンデンサの小型化という点でリード線１５を有しない構造が望ましい。また、コンデンサ本体１３、外部電極１４およびリード線１５は絶縁性および耐環境の点から外装部材１６に覆われていることが望ましい。
【００３７】
次に、本実施形態のフィルムコンデンサは、例えば、以下に示すような製造方法によって得ることができる。この場合、比誘電率および破壊電界強度の異なる２層の誘電体層を形成するために、まず、基材となる有機樹脂を用意する。
【００３８】
有機樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）およびシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シアノレジンなどが好適である。
【００３９】
これらの有機樹脂の室温（約２５℃）における比誘電率（ε）は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が３．３、ポリプロピレン（ＰＰ）が２．３、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）が３．０、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）が２．３〜３．０およびシアノレジンが２０である。
【００４０】
また、これらの有機樹脂の室温（約２５℃）における破壊電界強度（Ｅ）は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が３１０（Ｖ／μｍ）、ポリプロピレン（ＰＰ）が３８０（Ｖ／μｍ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）が２１０（Ｖ／μｍ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）が３７０〜５１０（Ｖ／μｍ）およびシアノレジンが１００（Ｖ／μｍ）である。
【００４１】
セラミック誘電体３としては、アルミナ、酸化チタン、酸化珪素などの他にペロブスカイト型構造の複合酸化物などを適用できる。
【００４２】
なお、誘電体フィルム１０を２層構造にしたときの特性（比誘電率（ε）および破壊電界強度（Ｅ））は、上述した有機樹脂を混合して用いるかまたはセラミック誘電体３をフィラーとして所定量添加することによって調整する。
【００４３】
また、第１の誘電体層１および第２の誘電体層２における比誘電率（ε）と破壊電界強度（Ｅ）との積は、用いる有機樹脂およびセラミック誘電体の各物性ならびに形成する各誘電体層の厚みを考慮して設計する。
【００４４】
誘電体フィルム１０を形成する場合、例えば、第１の誘電体層１としてＰＥＴ製のフィルムを適用し、この表面に、比誘電率または破壊電界強度のうちの少なくとも一つの値の異なる他の有機樹脂の膜を形成することにより、誘電体フィルム１０を得ることができる。この場合、成膜には、ドクターブレード法、ダイコータ法およびナイフコータ法等から選ばれる一種の成形法を用いる。
【００４５】
成膜に使用する溶剤としては、例えば、メタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、又は、これらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を用いるのがよい。
【００４６】
次に、誘電体フィルム１の表面に金属成分を蒸着することによって電極層１１を形成し、次いで、電極層１１を形成した誘電体フィルム１０を巻回させてフィルムコンデンサの本体部１３を得る。
【００４７】
次に、本体部１３の電極層１１が露出した端面に外部電極１４を形成する。外部電極１４の形成には、例えば、金属の溶射、スパッタ法、メッキ法などが好適である。また、ここで、外部電極１４にリード線１５を形成しても良い。次いで、外部電極１４（リード線１５を含む）を形成した本体部１３の表面に外装樹脂１６を形成することによって本実施形態のフィルムコンデンサを得ることができる。
【実施例】
【００４８】
表１に示す具体的な材料の選択及び寸法の設定等を行って誘電体フィルムを作製し、以下の評価を行った。
【００４９】
まず、基材（または第１の誘電体層）となる有機樹脂製のシートを用意し、このシートの一方側の表面に、シート成型法により第２の誘電体層となる有機樹脂を主成分とする膜を形成した。この方法により作製した誘電体フィルムの厚みは耐電圧が３０００Ｖとなるよう調整し、３０μｍ以下になるようにした。第１の誘電体層として、より薄層化した膜を必要とする場合には、基材上にシート成型法により第１の誘電体層となる有機樹脂を主成分とする膜を形成した後に、同様の方法により第２の誘電体層となる有機樹脂を主成分とする膜を形成した。この場合、誘電体フィルムの厚みは４μｍになるように調整した。
【００５０】
次に、作製した誘電体フィルムの両面に所定の面積でＡｌの電極層を蒸着法により形成した。
【００５１】
また、作製した誘電体フィルムを加工して第１の誘電体層および第２の誘電体層における比誘電率（ε１、ε２）および破壊電界強度（Ｅ１、Ｅ２）をそれぞれ求めるための試料を作製した。この場合、第１の誘電体層および第２の誘電体層が積層されている誘電体フィルムを片面側から研磨し、第１の誘電体層および第２の誘電体層のうち片方の誘電体層だけの構造にした後、両面に所定の面積となるようにＡｌの電極層を蒸着法により形成した。
【００５２】
次に、ＬＣＲメーターを使用して静電容量を測定し、得られた静電容量、電極層の有効面積（誘電体フィルムの両面で電極層が重なった面積）および誘電体フィルムの厚みから比誘電率を算出した。
【００５３】
第１の誘電体層および第２の誘電体層が接着したままの誘電体フィルムの破壊電界強度
（Ｅ）、誘電体フィルムを加工して第１の誘電体層または第２の誘電体層だけにした試料の破壊電界強度（Ｅ１、Ｅ２）は、それぞれ静電容量を測定した試料を用い、電極層間に６０Ｈｚの商用周波数で、毎秒１００Ｖの昇圧速度で交流電圧を印加し、漏れ電流値が１．０ｍＡを越えた瞬間の電圧値から求めた。また、測定によって得られた比誘電率および破壊電界強度から静電エネルギー密度（ε×Ｅ２）を求めた。
【００５４】
作製した誘電体フィルム、第１の誘電体層および第２の誘電体層のそれぞれの比誘電率および破壊電界強度は、基材から見積もった値の±２０％以内に入るものであった。
【００５５】
また、表１の試料Ｎｏ．７の積層構成を１単位とした誘電体フィルムを２枚重ねて作製した多層構造の誘電体フィルム（試料Ｎｏ．８）を作製し、静電容量（比誘電率）および破壊電界強度を同様に評価した。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
表１の結果から明らかなように、誘電体フィルムを２層以上の多層構造とし、第１の誘電体層の比誘電率をε１、破壊電界強度をＥ１とし、第２の誘電体層の比誘電率ε２、破壊電界強度をＥ２としたときに、Ｄ＝｛（ε１×Ｅ１）−（ε２×Ｅ２）｝／｛（ε１×Ｅ１）＋（ε２×Ｅ２）｝／２で表わされるＤを０．１以下とした試料（試料Ｎｏ．２および４〜７は、いずれも静電エネルギー密度（ε×Ｅ２）が１５０，３３３を超えるものであった。
【００５８】
この中で、Ｄが０．０１以下の試料（試料Ｎｏ．２）は、セラミック誘電体を含む試料（試料Ｎｏ．１）と比較した場合に、静電エネルギー密度（ε×Ｅ２）が高かった。
【００５９】
また、Ｄが０．０１以下の試料に関し、セラミック誘電体を含まない試料（試料Ｎｏ．５〜７）についても、試料Ｎｏ．５と比較した場合に、静電エネルギー密度（ε×Ｅ２）が高くなっていた。
【００６０】
さらに、誘電体フィルムの比誘電率が２．６以上であり、第１の誘電体層および第２の誘電体層における比誘電率の差を０．５以上とした試料Ｎｏ．５〜７は、静電エネルギー密度（ε×Ｅ２）が３７４，４６６以上であった。
【００６１】
またさらに、誘電体フィルムを４層の多層にした試料（試料Ｎｏ．７）は、同じ材料により作製された２層の試料（試料Ｎｏ．６）よりも静電エネルギー密度（ε×Ｅ２）が高く、５１７，９２１であった。
【００６２】
これに対し、Ｄが０．１を超える試料（試料Ｎｏ．１、３）は、静電エネルギー密度（ε×Ｅ２）が１５０，３３３以下であった。
【符号の説明】
【００６３】
１０・・・・・・・誘電体フィルム
１・・・・・・・・第１の誘電体層
２・・・・・・・・第２の誘電体層
３・・・・・・・・セラミック誘電体
１１・・・・・・・電極層
１３・・・・・・・本体部
１４・・・・・・・外部電極
１５・・・・・・・リード
１６・・・・・・・外装部材
【図１】
2015012076.tif 000004
【図２】
2015012076.tif 000005
【図３】
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【図４】
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