(57)【要約】【課題】基板上における複数の箇所の各々に照射される線量を制御する上で有利な技術を提供する。【解決手段】物体上の目標箇所に照射される複数のエネルギー線をそれぞれブランキングする複数のブランカと、該複数のブランカを駆動する駆動部と、を含むブランキング装置であって、前記駆動部は、目標線量と前記複数のエネルギー線のうち前記目標箇所に照射すべきエネルギー線の組み合せとの関係を変更する変更部を含む。【選択図】図１
2015012036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体上の目標箇所に照射される複数のエネルギー線をそれぞれブランキングする複数のブランカと、該複数のブランカを駆動する駆動部と、を含むブランキング装置であって、
前記駆動部は、目標線量と前記複数のエネルギー線のうち前記目標箇所に照射すべきエネルギー線の組み合せとの関係を変更する変更部を含む、
ことを特徴とするブランキング装置。
【請求項２】
前記関係を示す情報に基づいて前記変更部による前記関係の変更を制御する制御部を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のブランキング装置。
【請求項３】
前記駆動部は、前記複数のブランカにそれぞれ対応する複数の駆動回路を有し、
前記複数の駆動回路のそれぞれは、前記目標線量と当該駆動回路に対応するブランカへの駆動信号との関係を示す情報を有し、前記目標線量と前記関係とに基づいて当該ブランカを駆動する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のブランキング装置。
【請求項４】
前記目標線量は、複数のビットによって表され、
前記複数のブランカは、前記複数のビットのうち少なくとも１つのビットにそれぞれ対応するように、複数のグループに分けられ、
前記複数のグループにそれぞれ含まれるブランカの数は、それぞれ対応する前記少なくとも１つのビットの桁に応じて、互いに異なり、
前記変更部は、前記複数のグループのそれぞれに関して前記関係を変更する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のブランキング装置。
【請求項５】
前記駆動部は、前記複数のブランカにそれぞれ対応する複数の駆動回路を有し、
前記複数の駆動回路のそれぞれは、前記少なくとも１つのビットと当該駆動回路に対応するブランカへの駆動信号との関係を示す情報を有し、前記少なくとも１つのビットと前記関係とに基づいて当該ブランカを駆動する、ことを特徴とする請求項４に記載のブランキング装置。
【請求項６】
前記目標線量の階調レベルの数は、前記複数のエネルギー線におけるエネルギー線の数より少ない、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のブランキング装置。
【請求項７】
基板に描画を行う描画装置であって、
複数のエネルギー線で前記基板を照射する照射部と、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
を含み、
前記照射部は、請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のブランキング装置を含む、ことを特徴とする描画装置。
【請求項８】
前記複数のエネルギー線のそれぞれを検出する検出部と、
前記検出部の出力に基づいて前記関係を示す情報を得る制御部と、
を含む、ことを特徴とする請求項７に記載の描画装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブランキング装置、それを含む描画装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造工程（リソグラフィ工程）で用いられる装置の１つとして、複数の荷電粒子線を用いて基板に描画を行う描画装置が知られている。このような描画装置には、近年における半導体デバイスの微細化に伴い、基板上における目標位置にパターンを高精度に形成できるように描画精度を向上することが求められている。特に、基板に形成されるパターンのエッジ部における描画精度を向上させることが求められており、それには基板上における複数の箇所の各々に照射される荷電粒子量を制御することが重要である。
【０００３】
特許文献１には、基板上における同一の箇所に重ねて照射される荷電粒子線の本数を変えることにより、当該箇所における荷電粒子線量（単に線量またはドーズともいう）を階調制御する描画装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４８５８７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の描画装置では、基板上における同一箇所に照射することのできる複数の荷電粒子線において、それらの強度が均一であることを前提としている。しかしながら、複数の荷電粒子線において強度が均一であることは稀であり、実際には、複数の荷電粒子線において強度にばらつきが生じている。このように複数の荷電粒子線において強度のばらつきが生じていると、基板上における複数の箇所の各々に照射される線量を高精度に階調制御することが困難となってしまいうる。
【０００６】
そこで、本発明は、物体に照射される線量を制御する上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのブランキング装置は、物体上の目標箇所に照射される複数のエネルギー線をそれぞれブランキングする複数のブランカと、該複数のブランカを駆動する駆動部と、を含むブランキング装置であって、前記駆動部は、目標線量と前記複数のエネルギー線のうち前記目標箇所に照射すべきエネルギー線の組み合せとの関係を変更する変更部を含む、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、物体に照射される線量を制御する上で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の描画装置を示す概略図である。
【図２】描画装置における基本的な描画処理を説明するための図である。
【図３】描画装置におけるブランキング偏向器の構成を示す概略図である。
【図４】実施例１におけるブランキング偏向器の構成の一例を示す図である。
【図５】実施例２におけるブランキング偏向器の構成の一例を示す図である。
【図６】実施例３におけるブランキング偏向器の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜描画装置の実施形態＞
本実施形態の描画装置１について、図１を参照しながら説明する。図１は本実施形態の描画装置１を示す概略図である。本実施形態の描画装置１は、複数のエネルギー線（例えば荷電粒子線）を物体上（例えば基板１０上）に照射してパターンの描画を行う描画系１ａと、描画系１ａの各部を制御する制御系１ｂとによって構成されうる。
【００１３】
まず、描画系１ａについて説明する。描画系１ａは、複数の荷電粒子線で基板を照射する照射部１００と、基板１０を保持して移動可能なステージ１１とを有する。照射部１００は、例えば、荷電粒子源１０１と、コリメータレンズ１０２と、アパーチャアレイ１０３と、ブランキング偏向器１０４（ブランキング装置）と、静電型レンズ１０５と、磁界型レンズ１０６と、対物レンズ１０７と、偏向器１０８とを含みうる。ここで、荷電粒子線は、電子線に限定されるものではなく、例えば、イオンビームなどであってもよい。
【００１４】
荷電粒子源１０１は、例えば、ＬａＢ６やＢａＯ／Ｗなどの電子放出材を含む熱電子放出型の電子源が用いられる。コリメータレンズ１０２は、例えば、電界により荷電粒子線を集束させる静電型のレンズが用いられ、荷電粒子源１０１から放出された荷電粒子線を平行ビームにし、アパーチャアレイ１０３に入射させる。アパーチャアレイ１０３は、二次元に配列された複数の開孔を有し、これにより、平行ビームとして入射した荷電粒子線が複数に分割される。アパーチャアレイ１０３により分割された複数の荷電粒子線は、ブランキング偏向器１０４に入射する。
【００１５】
ブランキング偏向器１０４は、荷電粒子線を個別に偏向する静電型のブランカ２１４を複数有するブランカアレイ２０４を含み、描画系１ａによって描画される領域（描画領域ＥＡ）への荷電粒子線の照射を制御する。ブランカアレイ２０４に含まれる各ブランカ２１４は、対向する２枚の電極によって構成され、２枚の電極の間に電圧を印加することにより電界を発生させ、その間を通過する荷電粒子線を偏向することができる。ブランキング偏向器１０４により偏向された荷電粒子線は、ブランキング偏向器１０４の後段に配置されたブランキングアパーチャ（不図示）により遮断されて基板上には到達しない。一方で、ブランキング偏向器１０４により偏向されなかった荷電粒子線は、ブランキングアパーチャに形成された開孔を通過し、基板上に到達する。即ち、ブランキング偏向器１０４は、各荷電粒子線のブランキングを制御し、基板１０への各荷電粒子線の照射と非照射とを切り換えている。
【００１６】
静電型レンズ１０５および磁界型レンズ１０６は、協同して、アパーチャアレイにおける複数の開孔の中間像を形成する。対物レンズ１０７は、磁界型のレンズであって、複数の開孔の中間像を基板１０に投影する。偏向器１０８は、ブランキングアパーチャを通過した複数の荷電粒子線を一括して所定の方向に偏向する。これにより、複数の荷電粒子線によって描画される描画領域ＥＡの位置を変更することができる。
【００１７】
ステージ１１は、基板１０を保持して移動可能に構成されている。ステージ１１は、例えば、照射部１００の光軸と直交するＸ−Ｙ平面（水平面）内で移動可能なＸ−Ｙステージと、基板１０を保持する（引き付ける）ための静電チャックとを含む。また、ステージ１１には、荷電粒子線が入射する開口パターンを含み、荷電粒子線の位置や形状、強度を検出する検出部２０が配置されている。
【００１８】
次に、描画系１ａの各部を制御する制御系１ｂについて説明する。制御系１ｂは、例えば、描画データ処理部１２と、補正データ処理部１３と、送信部１４と、偏向器制御部１５と、計測部１６と、計測処理部１７と、検出処理部１８と、ステージ制御部１９とを含みうる。また、制御系１ｂは、例えば、設計データメモリ２１と、データ変換部２２と、中間データメモリ２３と、主制御部２４とを含みうる。
【００１９】
描画データ処理部１２は、バッファメモリやデータ処理回路を含み、後述する中間データをバッファメモリに保持し、データ処理回路によって、ブランカアレイ２０４を制御するための描画データを中間データから生成する。補正データ処理部１３は、後述する検出処理部１８から供給される、荷電粒子線の位置や形状、強度を示す情報に基づいて、基板１０に重ねて照射される荷電粒子線の組み合わせを示す補正データを生成する。送信部１４は、主制御部２４からのタイミング指示に従って、描画データおよび補正データをブランキング偏向器１０４に送信するとともに、クロック信号をブランキング偏向器１０４に送信する。
【００２０】
偏向器制御部１５は、主制御部２４からの指示に従い偏向器１０８を制御する。計測部１６は、基板１０に形成されたマーク（例えば、アライメントマーク）にレジストが感光しない波長の光を照射する照射系と、マークで正反射された光の像を撮像する撮像素子とを含み、マークの位置を計測する。計測処理部１７は、計測部１６からの信号（計測結果）に基づいて、基板１０に形成されたショットパターンの実際の座標値（位置）とショットパターンの歪みとを算出する。検出処理部１８は、検出部２０からの信号（検出結果）に基づいて、各荷電粒子線の位置や形状、強度を算出する。ステージ制御部１９は、ステージ１１の位置を計測するレーザ干渉計（不図示）と協同して、ステージ１１の位置決めを制御する。
【００２１】
設計データメモリ２１は、基板１０に描画すべきパターンを規定する設計データ（ＣＡＤデータ）を保持する。データ変換部２２は、設計データメモリ２１に保持された設計データをストライプ単位に分割して、描画処理を容易に行えるようにするための中間データに変換する。ストライプとは、例えば、ステージ１１を所定の方向（例えば、Ｙ方向）に１回だけ走査することで、照射部１００から射出される複数の荷電粒子線によって描画される領域をいう。中間データメモリ２３は、データ変換部２２によって変換された中間データを保持する。主制御部２４は、ＣＰＵやメモリなどを含む。そして、主制御部２４は、基板１０に描画すべきパターン（設計データに規定されたパターン）に応じて、中間データを描画データ処理部１２（バッファメモリ）に転送するとともに、上述した描画装置１の全体（各部）を制御する。即ち、主制御部２４は、描画装置１を統括的に制御することにより、基板１０にパターンを描画する処理（描画処理）を制御する。本実施形態では、制御系１ｂが複数のユニットによって構成されているが、それに限られるものではなく、複数のユニットにおける機能を主制御部２４が有するように構成されてもよい。
【００２２】
ここで、描画装置１における基本的な描画処理について、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は、照射部１００から射出され、基板１０に照射される複数の荷電粒子線における配列の一例を示す図である。基板１０に照射される複数の荷電粒子線は、図２（ａ）に示すように、例えば、５行２０列に配列されており、Ｙ方向における荷電粒子線のピッチを示す行ピッチは、Ｘ方向における荷電粒子線のピッチを示す列ピッチに対して２倍となっている。また、ステージ１１（基板１０）の移動方向は、図２（ａ）の矢印で示すように、紙面の上から下に向かう方向（行方向（−Ｙ方向））とする。
【００２３】
描画装置１は、ステージ１１を−Ｙ方向に連続的に移動させながら、基板上の同一の箇所に対して、基板１０の移動方向に沿って配列された複数の荷電粒子線の各々を照射するか否かを制御する。これにより、描画装置１は、基板上における同一の箇所（目標箇所）に重ねて照射される荷電粒子線の本数を変え、当該箇所における荷電粒子線の照射量（荷電粒子線量（線量））を階調制御することができる。例えば、図２（ａ）に示す対象荷電粒子線列で、基板上の箇所（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）Ｐ１〜Ｐ６と、基板上の箇所Ｐ１〜Ｐ６の各々における荷電粒子線の照射量（Ｄｏｓｅ）との関係が図２（ｂ）に示す関係となるように、基板１０に描画を行う場合を考える。ここで、全ての荷電粒子線は、同一のクロック信号に基づいて基板１０に照射され、ステージ１１は、単位クロック当たりに列ピッチ分（行ピッチの半分）だけ移動する速度で−Ｙ方向（行方向）に連続的に移動するものとする。また、対象荷電粒子線列の各行をｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎとする。
【００２４】
この場合、対象荷電粒子線列の各行（ｊ〜ｎ）における荷電粒子線において、単位クロック当たりのオン／オフ（基板１０に荷電粒子線を照射するか否か）を図２（ｃ）に示すように制御すると、図２（ｂ）に示すような関係が得られる。図２（ｃ）において、点線は、各行（ｊ〜ｎ）の荷電粒子線が基板上の各箇所（Ｐ１〜Ｐ６）に照射される時刻を表しており、四角は、各行（ｊ〜ｎ）の荷電粒子線をオンしている状態、即ち、基板上の各箇所（Ｐ１〜Ｐ６）に照射している状態を表している。そして、図２（ｃ）において、各行（ｊ〜ｎ）の荷電粒子線を基板上の各箇所（Ｐ１〜Ｐ６）に照射する時刻は、単位クロックの２個分だけ順次ずらして設定される。これは、上述したように、ステージ１１が、単位クロックの２個分で、対象荷電粒子線列の各行（ｊ〜ｎ）のピッチ分（行ピッチ分）だけ移動するからである。
【００２５】
また、図２（ｂ）に示す関係は、基板上の各箇所（Ｐ１〜Ｐ６）において重ねて照射された各行（ｊ〜ｎ）の荷電粒子線における照射量を加算したものである。例えば、箇所Ｐ１には、行ｊ〜ｎの５本の荷電粒子線が重ねて照射されており、行ｊ〜ｎの荷電粒子線の照射量を加算したものが、箇所Ｐ１における荷電粒子線の照射量となる。一方で、箇所Ｐ３には、行ｊおよびｋの２本の荷電粒子線が重ねて照射されており、行ｊおよびｋの荷電粒子線の照射量を加算したものが、位置Ｐ３における荷電粒子線の照射量となる。このように、基板１０の移動方向に沿って配列された荷電粒子線のオン／オフを制御することにより、基板上の各箇所（Ｐ１〜Ｐ６）において、荷電粒子線の照射量を０〜５段階の階調レベルで制御することができる。即ち、行方向に沿って配列された荷電粒子線による描画が終了しないと、荷電粒子線の照射量を階調制御することができない。そして、５行２０列に配列された複数の荷電粒子線を、上述したようにそれぞれ制御することにより、基板上のストライプ領域（ストライプ単位で区分けされた領域）において、荷電粒子線の照射量を０〜５段階の階調レベルで制御することができる。
【００２６】
ここで、上述したように荷電粒子線の照射量を階調制御する場合における問題点について説明する。図２（ｄ）〜（ｆ）は、０〜５段階の階調レベルと、その階調レベルにおける荷電粒子線の照射量との関係を示す。図２（ｄ）〜（ｆ）において、点線は、階調レベルに対する荷電粒子線の目標照射量（目標線量）を示している。
【００２７】
複数の荷電粒子線において強度が均一であれば、図２（ｄ）に示すように、荷電粒子線の照射量を、階調レベルに応じて線形的に変化させることができる。即ち、基板１０に重ねて照射される荷電粒子線の本数を階調レベルに応じて変えるだけで、各階調レベルにおける照射量を目標照射量にすることができる。しかしながら、複数の荷電粒子線において強度が均一であることは稀であり、実際には、複数の荷電粒子線において強度にばらつきが生じている。即ち、複数の荷電粒子線のうち、少なくとも２つの荷電粒子線において強度が異なっている。このように、荷電粒子線の強度にばらつきが生じていると、図２（ｅ）に示すように、各荷電粒子線の照射量が互いに異なってしまい、荷電粒子線の照射量を階調レベルに応じて線形的に変化させることができない。この場合、基板１０に重ねて照射される荷電粒子線の本数を階調レベルに応じて変えるだけでは、階調レベルにおける照射量を目標照射量にすることができない。そこで、本実施形態の描画装置１では、基板１０の移動方向（行方向）に沿って配列された荷電粒子線の本数（行数）を、階調レベルの数より多くなるように増やして、冗長性を持たせている。このように、行方向に沿って配列された荷電粒子線の本数を増やすことにより、図２（ｆ）に示すように、各階調レベルにおいて使用される荷電粒子線の本数や組み合わせを変えることで、各階調レベルにおける照射量を目標照射量にすることができる。したがって、基板上における複数の箇所の各々において、荷電粒子線の照射量を高精度に階調制御することができる。
【００２８】
次に、本実施形態の描画装置１におけるブランキング偏向器１０４について、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施形態の描画装置１におけるブランキング偏向器１０４の構成を示す概略図である。ブランキング偏向器１０４は、荷電粒子線を個別に偏向する静電型のブランカ２１４を複数有するブランカアレイ２０４と、受信部２０１と、描画データ供給部２０２と、駆動部２０３とを含む。ブランカアレイ２０４は、照射部１００の描画領域ＥＡ上に照射される複数の荷電粒子線の配列に対応するように配列された複数のブランカ２１４を含む。受信部２０１は、送信部１４から送信された描画データ、補正データおよびクロック信号を受信し、描画データを描画データ供給部２０２に供給し（矢印２２０）、補正データを駆動部に供給する（矢印２２１）。描画データ供給部２０２は、受信部２０１から供給された描画データを、ステージ１１の移動に同期して単位クロックの２個分だけ順次ずらしながら（遅延させながら）駆動部２０３に供給する。駆動部２０３は、目標照射量と複数の荷電粒子線のうち目標箇所に照射すべき荷電粒子線の組み合わせとの関係を変更する複数のフリップフロップ（ＦＦ（変更部））を含む。そして、駆動部２０３は、受信部２０１から供給された補正データと、描画データ供給部２０２から供給された描画データとに基づいて各ブランカ２１４を駆動する。即ち、駆動部２０３は、補正データと描画データとに基づいて各ブランカ２１４のオン／オフ（荷電粒子線を偏向するか否か）を制御する。
【００２９】
ここで、描画データは、複数のビットによって表された階調レベルを含む。即ち、描画データでは、基板上の目標箇所において要求される目標照射量（目標線量）に応じた階調レベルが複数のビットによって表されている。また、補正データは、階調レベルと、それに対応するように、列方向に沿って配列された複数の荷電粒子線のうち基板１０に重ねて照射すべき荷電粒子線の組み合わせとの関係を示す情報を含む。即ち、補正データは、階調レベルと、その階調レベルにおける目標照射量になるような荷電粒子線の組み合わせとの関係を示す情報を含み、駆動部２０３に供給された描画データに対して各ブランカ２１４のオン／オフを決定するためのデータである。そして、このような補正データは、検出部２０によって検出された各荷電粒子線の強度に基づき、補正データ処理部１３により決定されて、駆動部２０３に事前に設定される。補正データは、例えば、描画装置１の立ち上げ時など、検出部２０によって新たに検出された各荷電粒子線の強度に基づいて更新される。以下に、図３に示すように、行方向に沿って配列した対象ブランカ列を制御するブランキング偏向器１０４の実施例について説明する。以下の実施例では、描画データは３ビットで構成されており、荷電粒子線の照射量を８階調で制御する場合について説明する。また、対象ブランカ列は、階調レベルの数（８つ）より多い３５個のブランカ２１４によって構成されている。
【００３０】
［実施例１］
実施例１では、駆動部２０３が、１つのブランカ２１４を制御する際に、階調レベルを表す複数のビットを用いる構成について、図４を参照しながら説明する。図４（ａ）は、実施例１におけるブランキング偏向器１０４の構成の一例を示す図である。
【００３１】
描画データ供給部２０２は、３ビット入力３ビット出力のシフトレジスタ（ＳＲ）を複数含む。そして、ＳＲは、受信部２０１から供給された３ビットの描画データを、共に供給されるクロック信号に基づき、単位クロックの２個分だけずらして、隣接するＳＲと駆動部２０３のルックアップテーブル（ＬＵＴ（駆動回路））とに供給する。駆動部２０３は、１つのブランカ２１４のオン／オフを制御するように構成されたＬＵＴを複数含む。各ＬＵＴは、ＳＲから供給された３ビットの描画データに応じて、対応するブランカ２１４のオン／オフを制御するための１ビットの信号（駆動信号）を出力する、３ビット入力１ビット出力のＬＵＴである。
【００３２】
図４（ｂ）は、ＬＵＴとそれに対応するブランカ２１４との構成の一例を示す図である。ブランカ２１４は、上述したように、対向する２枚の電極によって構成され、そのうち一方の電極は接地（ＧＮＤ）され、他方の電極はＬＵＴの出力端子に接続されている。ＬＵＴから出力された信号が“１”である場合、２枚の電極の間に電圧が印加され、電極間に電場が形成される。そして、電極間を通過する荷電粒子線は偏向されてブランキングアパーチャにより遮断される。即ち、この場合、当該荷電粒子線は、基板１０に照射されずにオフ状態となる。一方で、ＬＵＴから出力された信号が“０”である場合、２枚の電極の間には電圧が印加されず、電極間を通過する荷電粒子線は、ブランキングアパーチャの開孔を通過して基板上に到達する。即ち、この場合、当該荷電粒子線は、基板１０に照射されてオン状態となる。
【００３３】
図４（ｂ）に示すＬＵＴは、階調レベルの数と同じ数だけのＡＮＤゲートとフリップフロップ（ＦＦ）とを含む。ＬＵＴでは、受信部２０１から供給された補正データのうち当該ＬＵＴに対応する一部がＦＦに設定されている。即ち、ＬＵＴのＦＦには、３ビットの描画データで指定される８つの階調レベルごとに、ブランカ２１４に与える信号（荷電粒子線をオン状態とするかオフ状態とするか）が設定されている。このように各ＬＵＴを構成することで、荷電粒子線の目標照射量をそれぞれ示す各階調レベルに応じた荷電粒子線の組み合わせを、対象ブランカ列によって制御される複数の荷電粒子線の中から補正データに基づいて決定することができる。各ＬＵＴに設定される補正データの一部は、８ビット（階調レベルの数＝２３）で構成されるため、駆動部２０３全体（補正データ全体）では、対象ブランカ列に含まれるブランカが３５個である場合、２８０ビットが必要となる。
【００３４】
ここで、図４（ｂ）に示すようにＬＵＴを構成した場合において、描画データと補正データとに基づいてブランカ２１４を制御する方法について説明する。例えば、８階調のうち上から２番目の階調レベルが描画データとしてＬＵＴに供給される場合を考える。この場合、描画データにおける３ビットは、“１１０”と表される。そして、“１１０”の３ビットで表される階調レベルにおける目標照射量は、各荷電粒子線の強度が等しい場合には３０本の荷電粒子線によって達成される。しかしながら、その目標照射量が、各荷電粒子線の強度の検出結果により、例えば、対象ブランカ列で制御される複数の荷電粒子線（３５本）のうち特定の２９本の荷電粒子線の組み合わせによって達成されるとする。このとき、特定の２９本の荷電粒子線にそれぞれ対応するＬＵＴでは、８個のＦＦに“ｘ１ｘｘｘｘｘｘ”が補正データの一部として設定される。これにより、“１１０”の描画データが入力された際、図４（ｂ）に示すＬＵＴにおける８個のＡＮＤゲートのうち、左から２番目のＡＮＤゲート（“１１０”と記載されたＡＮＤゲート）から“１”を出力させることができる。即ち、８入力ＮＯＲゲートから“０”を出力させることができ、荷電粒子線をオン状態とすることができる。なお、上述の補正データにおいて“ｘ”は、他の７つのＡＮＤゲートにそれぞれ対応する値であり、階調レベルに応じた荷電粒子線の組み合わせに基づいて“０”または“１”が設定される。
【００３５】
一方で、残りの６本の荷電粒子線にそれぞれ対応するＬＵＴでは、８個のＦＦに“ｘ０ｘｘｘｘｘｘ”が補正データの一部として設定される。これにより、“１１０”の描画データが入力された際、左から２番目のＡＮＤゲート（“１１０”と記載されたＡＮＤゲート）から“０”を出力させることができる。また、他の７つのＡＮＤゲートからも“０”が出力されるため、８入力ＮＯＲゲートからは“１”が出力され、荷電粒子線をオフ状態とすることができる。また、他の階調レベル（“１１１”、“１０１”〜“０００”）においても、同様に補正データの一部が設定される。即ち、各階調レベルの目標照射量になるように決定された特定の荷電粒子線の組み合わせに対し、特定の荷電粒子線に対応するＬＵＴから“０”が出力されるように補正データの一部が各ＦＦに設定される。
【００３６】
次に、ＬＵＴの他の構成例について、図４（ｃ）を参照しながら説明する。図４（ｃ）は、ＬＵＴとそれに対応するブランカ２１４との構成の一例を示す図である。図４（ｂ）に示すＬＵＴは、階調レベルの数と同じ数のＡＮＤゲートを含むが、図４（ｃ）に示すＬＵＴは、描画データのビットの数と同じ数のＡＮＤゲートを含む。
【００３７】
ＬＵＴでは、受信部２０１から供給された補正データのうち当該ＬＵＴに対応する一部がＦＦに設定されている。即ち、ＬＵＴのＦＦには、３ビットの描画データのビットの桁ごとに、ブランカ２１４に与える信号（荷電粒子線をオン状態とするかオフ状態とするか）が設定されている。このように各ＬＵＴを構成することで、描画データにおけるビットの桁の重みに応じた荷電粒子線の組み合わせを、対象ブランカ列によって制御される複数の荷電粒子線の中から補正データに基づいて決定することができる。各ＬＵＴに設定される補正データの一部は、３ビット（描画データのビット数＝３）で構成されるため、駆動部２０３全体（補正データ全体）では、対象ブランカ列に含まれるブランカが３５個である場合、１０５ビットが必要となる。つまり、図４（ｃ）に示すＬＵＴは、図４（ｂ）に示すＬＵＴと比べて、回路規模を小さくすることができる。
【００３８】
ここで、図４（ｃ）に示すようにＬＵＴを構成した場合において、描画データと補正データとに基づいてブランカ２１４を制御する方法について説明する。対象ブランカ列に含まれる複数のブランカ２１４は、描画データにおけるビットの桁の重みに応じて割り当てられる。例えば、３ビットのうち１ビット目には５個のブランカが割り当てられ、２ビット目には１０個のブランカが割り当てられ、３ビット目には２０個のブランカが割り当てられる。例えば、８階調のうち上から１番目の階調レベルが、描画データとしてＬＵＴに供給される場合を考える。この場合、描画データにおける３ビットは、“１１１”と表される。そして、“１１１”の３ビットで表される階調レベルにおける目標照射量は、各荷電粒子線の強度が等しい場合には、対象ブランカ列によって制御される３５本の荷電粒子線によって達成される。
【００３９】
しかしながら、各荷電粒子線の強度の検出結果により、その目標照射量が、１ビット目に対応する特定の４本の荷電粒子線と、２ビット目に対応する特定の１０本の荷電粒子線と、３ビット目に対応する特定の１９本の荷電粒子線とによって達成されるとする。このとき、特定の４本の荷電粒子線に対応するＬＵＴでは、３つのＦＦに“００１”が補正データの一部として設定される。これにより、当該ＬＵＴでは、“１１１”の描画データが入力された際、図４（ｃ）に示すＬＵＴにおける３個のＡＮＤゲートのうち、右側のＡＮＤゲート（１ビット目のＡＮＤゲート）から“１”を出力させることができる。即ち、３入力ＮＯＲゲートから“０”を出力させることができ、荷電粒子線をオン状態とすることができる。
【００４０】
特定の１０本の荷電粒子線に対応するＬＵＴでは、３つのＦＦに“０１０”が補正データの一部として設定される。これにより、当該ＬＵＴでは、“１１１”の描画データが入力された際、図４（ｃ）に示すＬＵＴにおける３個のＡＮＤゲートのうち、真中のＡＮＤゲート（２ビット目のＡＮＤゲート）から“１”を出力させることができる。即ち、３入力ＮＯＲゲートから“０”を出力させることができ、荷電粒子線をオン状態とすることができる。同様に、特定の１９本の荷電粒子線に対応するＬＵＴ（以下、第３グループに対応するＬＵＴ）では、３つのＦＦに“１００”が補正データの一部として設定される。これにより、当該ＬＵＴでは、“１１１”の描画データが入力された際、図４（ｃ）に示すＬＵＴにおける３個のＡＮＤゲートのうち、左側のＡＮＤゲート（３ビット目のＡＮＤゲート）から“１”を出力させることができる。即ち、３入力ＮＯＲゲートから“０”を出力させることができ、荷電粒子線をオン状態とすることができる。
【００４１】
一方で、残りの２本の荷電粒子線にそれぞれ対応するＬＵＴでは、３つのＦＦに“０００”が補正データの一部として設定される。これにより、“１１１”の描画データが入力された際、３入力ＮＯＲゲートから“１”が出力され、荷電粒子線をオフ状態とすることができる。このようにブランキング偏向器１０４を構成することにより、荷電粒子線の強度にばらつきが生じていても、荷電粒子線の照射量を高精度に階調制御することができる。ここで、複数のブランカ２１４をビットの桁に応じて割り当てる際、各ビットにおいて同一のブランカが割り当てられないようにするとよい。つまり、補正データの一部が、例えば“０１１”など、３ビットのうち２つ以上“１”となるように設定されることを避けるとよい。これは、各ビットにおいて同一のブランカ２１４が割り当てられる場合、複数の荷電粒子線による照射量の合計は、ビットの桁の重みに応じた照射量とならないからである。
【００４２】
［実施例２］
実施例２では、駆動部２０３が、１つのブランカを制御する際に、階調レベルを表す複数のビットのうち１つのビットを用いる構成について、図５を参照しながら説明する。図５（ａ）は、実施例２におけるブランキング偏向器１０４の構成の一例を示す図である。実施例２では、対象ブランカ列に含まれる複数のブランカ２１４は、描画データ（３ビット）におけるビットの桁の重みに応じて予めグループ分けされている。例えば、３ビットのうち１ビット目に対応するグループ２０６には、１ビット目の桁の重みに応じて５個のブランカ２１４が含まれる。３ビットのうち２ビット目に対応するグループ２０７には、２ビット目の桁の重みに応じて１０個のブランカ２１４が含まれる。３ビットのうち３ビット目に対応するグループ２０８には、３ビット目の桁の重みに応じて２０個のブランカ２１４が含まれる。このように、各グループに含まれるブランカ２１４の個数は、描画データに含まれる複数のビットのうち、各グループが対応するビットの桁に応じて分けられうる。ここで、図５（ａ）では、各グループは、連続して配列されたブランカ２１４を含むように構成されているが、離散的に配列されたブランカ２１４を含むように構成されてもよい。
【００４３】
描画データ供給部２０２は、３ビット入力３ビット出力のシフトレジスタ（ＳＲ）を複数含む。そして、ＳＲは、受信部２０１から供給された３ビットの描画データを、共に供給されるクロック信号に基づき、単位クロックの２個分だけずらして隣接するＳＲに供給する。このとき、ＳＲは、駆動部２０３の各ＬＵＴに、当該ＬＵＴが制御するブランカ２１４のグループに対応するように、描画データの３ビットのうち１つのビットの信号を供給する。駆動部２０３は、１つのブランカのオン／オフを制御するように構成されたＬＵＴを複数含む。複数のＬＵＴは、ブランカ２１４のグループに対応するように、３つのグループ２０９〜２１１に分けられている。各ＬＵＴは、ＳＲから供給された１ビットの信号に応じて、対応するブランカ２１４のオン／オフを制御するための１ビットの信号（駆動信号）を出力する、１ビット入力１ビット出力のＬＵＴである。
【００４４】
図５（ｂ）は、ＬＵＴとそれに対応するブランカ２１４との構成の一例を示す図である。実施例２の場合、補正データには、描画データのビットと、そのビットに対応するブランカ２１４のグループによって制御可能な複数の荷電粒子線のうち基板１０に重ねて照射すべき荷電粒子線の組み合わせとの関係がグループごとに含まれている。そして、ＬＵＴでは、受信部２０１から供給された補正データのうち当該ＬＵＴに対応する一部がＦＦに設定されている。即ち、ＬＵＴのＦＦにはＳＲから供給される１ビットの信号に応じて、ブランカ２１４に与える信号（荷電粒子線をオン状態とするかオフ状態とするか）が設定されている。このように各ＬＵＴを構成することで、描画データにおけるビットの桁の重みに応じた荷電粒子線の組み合わせを、対象ブランカ列によって制御される複数の荷電粒子線の中から補正データに基づいて決定することができる。実施例２では、各ＬＵＴに設定される補正データの一部は１ビットで構成されるため、駆動部２０３全体（補正データ全体）では、対象ブランカ列に含まれるブランカが３５個である場合、３５ビットが必要となる。つまり、図５（ｂ）に示すＬＵＴは、図４（ｂ）および図（ｃ）に示すＬＵＴと比べて、シンプルな回路構成で実現することができ、回路規模を小さくすることができる。
【００４５】
ここで、図５（ｂ）に示すようにＬＵＴを構成した場合において、描画データと補正データとに基づいてブランカ２１４を制御する方法について説明する。対象ブランカ列に含まれる複数のブランカ２１４は、上述したように、描画データにおけるビットの桁の重みに応じて予めグループ分けされる。また、駆動部２０３における複数のＬＵＴも、上述したように、ブランカ２１４のグループに応じて、グループ分けされる。例えば、３ビットの描画データにおける１ビット目の重みに相当する目標照射量が、各荷電粒子線の強度の検出結果により、グループ２０６で制御される５本の荷電粒子線のうち特定の４本の荷電粒子線で達成されるとする。そして、特定の４本の荷電粒子線は、図５（ａ）に示すように、グループ２０６において、白丸で表されるブランカ２１４を除く４個のブランカ２１４でそれぞれ制御されるとする。このとき、駆動部２０３のグループ２０９における５つのＬＵＴでは、ＦＦに“１１０１１”が補正データの一部として設定される。これにより、グループ２０９における４個のブランカに対応するＬＵＴでは、描画データの１ビット目が“１”である場合、ＮＡＮＤゲートから“０”を出力させることができ、荷電粒子線をオン状態とすることができる。
【００４６】
また、３ビットの描画データにおける２ビット目の重みに相当する目標照射量が、各荷電粒子線の強度の検出結果により、グループ２０７で制御される１０本の荷電粒子線のうち特定の８本の荷電粒子線で達成されるとする。そして、特定の８本の荷電粒子線は、図５（ａ）に示すように、グループ２０７において、白丸で表されるブランカ２１４を除く８個のブランカ２１４でそれぞれ制御されるとする。このとき、駆動部２０３のグループ２１０における１０個のＬＵＴでは、ＦＦに“１１１０１１０１１１”が補正データの一部として設定される。これにより、グループ２１０における８個のブランカ２１４に対応するＬＵＴでは、描画データの２ビット目が“１”である場合、ＮＡＮＤゲートから“０”を出力させることができ、荷電粒子線をオン状態とすることができる。描画データの３ビット目においても、１ビット目および２ビット目と同様に処理されることにより、グループ２０８のブランカ２１４を制御することができる。このようにブランキング偏向器１０４を構成することにより、荷電粒子線の強度にばらつきが生じていても、荷電粒子線の照射量を高精度に階調制御することができるとともに、図４に示すブランキング偏向器１０４より回路規模を小さくすることができる。
【００４７】
［実施例３］
実施例３では、駆動部２０３が、１つのブランカを制御する際に、階調レベルを表す複数のビットのうち下位２ビット、もしくは上位１ビットを用いる構成について、図６を参照しながら説明する。図６（ａ）は、実施例３におけるブランキング偏向器１０４の構成の一例を示す図である。実施例３では、実施例２と比べて、対応ブランカ列に含まれる複数のブランカ２１４のグループ分けが異なっており、駆動部２０３におけるＬＵＴの構成が異なっている。
【００４８】
実施例３では、対象ブランカ列に含まれる複数のブランカ２１４は、描画データ（３ビット）における下位２ビット（１ビット目および２ビット目）に対応するグループ２１２と、上位１ビット（３ビット目）に対応するグループ２０８とにグループ分けされる。例えば、描画データの３ビットのうち下位２ビットに対応するグループ２１２には、１ビット目および２ビット目の桁の重みに応じて１５個のブランカ２１４が含まれる。また、描画データの３ビットのうち上位１ビットに対応するグループ２０８には、３ビット目の桁の重みに応じて２０個のブランカ２１４が含まれる。このように、各グループに含まれるブランカ２１４の個数は、描画データに含まれる複数のビットのうち、各グループが対応するビットの桁に応じて分けられうる。ここで、図６（ａ）では、各グループは、連続して配列されたブランカ２１４を含むように構成されているが、離散的に配列されたブランカ２１４を含むように構成されてもよい。
【００４９】
描画データ供給部２０２は、３ビット入力３ビット出力のシフトレジスタ（ＳＲ）を複数含む。そして、ＳＲは、受信部２０１から供給された３ビットの描画データを、共に供給されるクロック信号に基づき、単位クロックの２個分だけずらして隣接するＳＲに供給する。このとき、ＳＲは、駆動部２０３の各ＬＵＴに、当該ＬＵＴが制御するブランカ２１４のグループに対応するように、３ビットのうち下位２ビット、もしくは上位１ビットの信号を供給する。駆動部２０３は、１つのブランカのオン／オフを制御するように構成されたＬＵＴを複数含む。複数のＬＵＴは、ブランカ２１４のグループに対応するように、２つのグループ２１３および２１１に分けられている。グループ２１３における各ＬＵＴは、ＳＲから供給された下位２ビットの信号に応じて、対応するブランカ２１４のオン／オフを制御するための１ビットの信号を出力する、２ビット入力１ビット出力のＬＵＴである。一方、グループ２１１における各ＬＵＴは、ＳＲから供給された上位１ビットの信号に応じて、対応するブランカ２１４のオン／オフを制御するための１ビット信号（駆動信号）を出力する、１ビット入力１ビット出力のＬＵＴである。ここで、グループ２１１におけるＬＵＴの構成は、図５（ｂ）に示すＬＵＴの構成と同じであるため、ここではグループ２１１におけるＬＵＴの説明は省略する。また、グループ２１１における各ＬＵＴに設定される補正データの一部は、１ビットで構成されるため、グループ２１１全体では、対象ブランカ列に含まれるブランカ２１４が２０個である場合、２０ビットが必要となる。
【００５０】
図６（ｂ）は、グループ２１３におけるＬＵＴとそれに対応するブランカ２１４との構成の一例を示す図である。実施例３の場合、補正データには、描画データの上位１ビットおよび下位２ビットと、それらにそれぞれ対応するブランカ２１４のグループによって制御可能な複数の荷電粒子線のうち基板１０に重ねて照射すべき荷電粒子線の組み合わせとの関係が含まれている。そして、グループ２１３におけるＬＵＴでは、受信部２０１から供給された補正データのうち当該ＬＵＴに対応する一部がＦＦに設定されている。即ち、グループ２１３におけるＬＵＴのＦＦには、ＳＲから供給される描画データの下位２ビットで指定される４つの階調レベルごとに、ブランカ２１４に与える信号（荷電粒子線をオン状態とするかオフ状態とするか）が設定される。このように各ＬＵＴを構成することで、描画データの下位２ビットに応じた荷電粒子線の組み合わせを、グループ２１２によって制御される複数の荷電粒子線の中から補正データに基づいて決定することができる。グループ２１３における各ＬＵＴに設定される補正データの一部は、４ビット（階調レベルの数＝２２）で構成されるため、グループ２１３全体では、グループ２１２に含まれるブランカ２１４が１５個である場合、６０ビットが必要となる。
【００５１】
ここで、図６（ｂ）に示すようにＬＵＴを構成した場合において、描画データと補正データとに基づいて、グループ２１２におけるブランカ２１４を制御する方法について説明する。例えば、３ビットの描画データのうち下位２ビットの信号において、４階調のうち上から２番目の階調レベルがＬＵＴに供給される場合を考える。この場合、下位２ビットは、“１０”と表される。そして、“１０”の２ビットで表される階調レベルにおける目標照射量は、各荷電粒子線の強度が等しい場合には１０本の荷電粒子線によって達成される。しかしながら、各荷電粒子線の強度の検出結果により、例えば、グループ２１２で制御される複数の荷電粒子線（１５本）のうち特定の１１本の荷電粒子線の組み合わせによって達成されるとする。このとき、特定の１１本の荷電粒子線にそれぞれ対応するＬＵＴでは、４個のＦＦに“ｘ１ｘｘ”が補正データの一部として設定される。これにより、描画データの下位２ビットとして“１０”が入力された際、図６（ｂ）に示すＬＵＴにおける４個のＡＮＤゲートのうち、左から２番目のＡＮＤゲート（“１０”と記載されたＡＮＤゲート）から“１”を出力させることができる。即ち、４入力ＮＯＲゲートから“０”を出力させることができ、荷電粒子線をオン状態とすることができる。なお、上述の補正データにおいて“ｘ”は、他の３つのＡＮＤゲートに対応する信号値であり、階調レベルに応じた荷電粒子線の組み合わせに基づいて“０”または“１”が設定される。
【００５２】
一方で、残りの４本の荷電粒子線のそれぞれ対応するＬＵＴでは、４個のＦＦに“ｘ０ｘｘ”が補正データの一部として設定される。これにより、描画データの下位２ビットとして“１０”が入力された際、４つのＡＮＤゲートから“０”が出力されるため、４入力ＮＯＲゲートからは“１”が出力され、荷電粒子線をオフ状態とすることができる。また、他の階調レベル（“１１”、“０１”、“００”）においても、同様に補正データの一部が設定される。即ち、各階調レベルの目標照射量になるように決定された特定の荷電粒子線の組み合わせに対し、特定の荷電粒子線に対応するＬＵＴから“０”が出力されるように補正データの一部が各ＦＦに設定される。
【００５３】
次に、ＬＵＴの他の構成例について、図６（ｃ）を参照しながら説明する。図６（ｃ）は、グループ２１２におけるＬＵＴとそれに対応するブランカ２１４との構成の一例を示す図である。図６（ｂ）に示すＬＵＴは、階調レベルの数と同じ数だけのＡＮＤゲートを含むが、図６（ｃ）に示すＬＵＴは、ＬＵＴに供給される信号のビットの数と同じ数のＡＮＤゲートを含む。
【００５４】
グループ２１２に含まれる複数のブランカ（１５個）は、グループ２１３の各ＬＵＴに供給される描画データの下位２ビットにおけるビットの桁の重みに応じて割り当てられる。例えば、下位２ビットのうち１ビット目には５個のブランカが割り当てられ、下位２ビットのうち２ビット目には１０個のブランカが割り当てられる。例えば、４階調のうち上から１番目の階調レベルが、描画データの下位２ビットとしてＬＵＴに供給される場合を考える。この場合、ＬＵＴに供給される描画データの下位２ビットは、“１１”と表される。そして、“１１”の２ビットで表される階調レベルにおける目標照射量は、例えば、１ビット目に対応する特定の４本の荷電粒子線と、２ビット目に対応する特定の１０本の荷電粒子線とによって達成されるとする。このとき、特定の４本の荷電粒子線に対応するＬＵＴでは２つのＦＦに“０１”が補正データの一部として設定され、特定の１０本の荷電粒子線に対応するＬＵＴでは２つのＦＦに“１０”が補正データの一部として設定される。また、残りの１本の荷電粒子線に対応するＬＵＴでは２つのＦＦに“００”が補正データの一部として設定される。このようにブランキング偏向器１０４を構成することにより、荷電粒子線の強度にばらつきが生じていても、荷電粒子線の照射量を高精度に階調制御することができる。ここで、複数のブランカ２１４をビットの桁に応じて割り当てる際、各ビットにおいて同一のブランカ２１４が割り当てられないようにするとよい。つまり、各ＬＵＴのＦＦに１１”が設定されることを避けるとよい。これは、各ビットにおいて同一のブランカ２１４が割り当てられる場合、複数の荷電粒子線による照射量の合計は、ビットの桁の重みに応じた照射量とならないからである。
【００５５】
ここで、各階調レベルに応じた荷電粒子線の組み合わせ（補正データ）は、各荷電粒子線の強度を事前に検出し、その検出結果に基づいて決定される。例えば、描画処理を行っている時間外に、検出部２０によって全ての荷電粒子線を検出し、その検出結果に基づいて各荷電粒子線の強度を検出処理部１８によって算出する。そして、各荷電粒子線の強度を示す情報に基づいて、各階調レベルに応じた目標照射量になるような荷電粒子線の組み合わせを示す情報を、補正データとして階調レベルごとに補正データ処理部１３によって決定する。そして、補正データ処理部１３によって決定された補正データは、描画処理に先立ち、送信部１４とブランキング偏向器１０４の受信部２０１とを介して駆動部２０３に供給される。駆動部２０３に供給された補正データは、その一部が各ＬＵＴの各ＦＦにそれぞれ設定される。このように、補正データを決定し、その補正データを駆動部２０３に供給する工程は、例えば、描画装置１を立ち上げた時など、一定の期間をもって定期的に行われるとよい。また、本実施形態では、説明を簡単にするため、補正データを３ビット、および、行方向に沿って配列された荷電粒子線の本数を３５本とし、荷電粒子線の照射量を８階調で制御する場合を説明したが、それに限られるものではない。階調レベルの数や、行方向の荷電粒子線の本数を多くすることで、より高精度に階調制御を行うことができる。
【００５６】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【００５８】
例えば、以上の説明において、ブランカアレイ２０４（ブランキング偏向器１０４）は、個別に駆動可能な電極対のアレイを含むものとして例示したが、それには限定されず、ブランキング機能を有する素子のアレイであればよい。例えば、ブランカーアレイは、米国特許第７８１６６５５号明細書に記載されているような反射性電子パターニングデバイス（reflective electron patterning device）を含みうる。当該デバイスは、上面（top surface）上のパターンと、該パターンのうちの電子反射部分と、該パターンのうちの電子非反射部分とを含む。当該デバイスは、さらに、独立に制御可能な複数の画素を用いて上記パターンのうちの電子反射部分および電子非反射部分を動的に変更するための回路アレイ（array of circuitry）を含む。このように、ブランカーアレイは、荷電粒子線に対する反射部分を非反射部分に変更することにより荷電粒子線のブランキングを行う素子（ブランカー）のアレイであってもよい。なお、そのような反射性デバイスを備える照射部の構成と電極対アレイのような透過性デバイスを備える照射部の構成とが互いに異なりうるのは当然である。
【図１】
2015012036.tif 000003
【図２】
2015012036.tif 000004
【図３】
2015012036.tif 000005
【図４】
2015012036.tif 000006
【図５】
2015012036.tif 000007
【図６】
2015012036.tif 000008