(57)【要約】  本発明は、所定の第１の屈折率ｎ１を有する透明基板（１）を含む有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）に関し、支持体は（１０）は、  −  低屈折率と呼ばれる一組のパターン（３０）を形成する非連続的方法で配置された層の形態の誘電体ネットワーク（３）であって、ネットワークは、１．６以下の第２の光学的屈折率ｎ２を有し、低屈折率パターンは、サブミクロンの高さを有し、６μｍ以下の平均パターン幅Ａ１を有し、幅Ａ１よりも大きなマイクロメートルのパターン間の距離Ｂ１を有するパターン、  −  １．７以上の所定の第３の屈折率ｎ３を有する第１の電極（４）を含み、  距離Ｂ１は非周期的である。  第１の電極（４）の厚さの少なくとも一部は、ネットワーク（３）上にあり、基板（１）からもっとも離れているネットワーク（３）の表面と接触するか、または低屈折率パターンのネットワーク（３）から離れて間隔が開いている。  ネットワーク（３）は、高屈折率媒体（１００）の中に埋設され、それにより高屈折率媒体の内部にあり、高屈折率媒体は、基板からもっとも離れた層として第１の電極（４）を含み、高屈折率媒体は、１．７以上の第４の屈折率ｎ４を有する。  また、本発明は、上記支持体を製造方法に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  内面と呼ばれる第１の主面と、外面と呼ばれる第２の主面とを有する、所定の第１の屈折率ｎ１の透明基板（１）を含む有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）であって、
前記内面は、
−  一組のパターン（３０）を形成する不連続的な方法で配置され、層の形態の、低誘電率と呼ばれる誘電体ネットワーク（３）であって、前記ネットワークは１．６以下の第２の光学的屈折率ｎ２を有し、前記低屈折率パターンは、サブミクロンの高さであり、６μｍ以下の平均パターン幅Ａ１を有し、前記パターンは分離され、隣接するパターンは、所定のパターン間距離だけ離されて間隔が開けられ、および／または、前記パターンは、とくにグリッド状に、所定のパターン内距離で相互連結され、前記距離Ｂ１はパターン内の平均および／またはパターン内の距離であり、幅Ａ１に比べてマイクロメートルほど大きく、５０μｍ以下である、ネットワーク、および
−  ３０Ω／□未満の表面抵抗率を有し、１．７以上の第３の所定の光学的屈折率ｎ３を有する、層の形態の、とくに透明な、第１の電極（４）
を含み、
−  前記距離Ｂ１は非周期的であり、
−  前記第１の電極（４）の厚さの少なくとも一部は、前記ネットワーク（３）の上方であり、前記基板（１）からもっとも離れている前記ネットワーク（３）の表面と接触しているか、または低屈折率パターンの前記ネットワーク（３）から離れて間隔が開けられており、
−  前記ネットワーク（３）は、高屈折率媒体（１００）に埋設されており、前記ネットワークは前記高屈折率媒体の内部にあり、前記高屈折率媒体は、前記基板からもっとも離れた層として前記第１の電極（４）を含み、前記高屈折率媒体は、１．７以上の第４の屈折率ｎ４を有することを特徴とする有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項２】
前記基板（１）の前記第１の光学的屈折率ｎ１は１．６以下であり、前記高屈折率媒体（１００）は前記いわゆる低屈折率基板（１）の上方にあり、積層されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項３】
前記基板の前記第１の光学的屈折率ｎ１は１．７以上であり、前記高屈折率媒体は、とくに無機ガラスで作製された、前記いわゆる高屈折率基板を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項４】
前記高屈折率媒体（１００）は、前記基板の内面の直接上の、いわゆる透明底部層（２）を含み、前記透明底部層は前記ネットワーク（３）の下にあり、できれば前記低屈折率パターン間にあり、または、前記前記高屈折率媒体（１００）は前記ネットワークを埋設しており、高屈折率底部層は、１．７以上の第５の屈折率ｎ５を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項５】
構造化低屈折率層は、前記基板内面に対向する前記いわゆる外面上に、前記低屈折率パターンの前記ネットワークを備え、前記層は、前記パターンの高さよりも大きな厚さを有し、せいぜい４０ｎｍ未満であり、さらに２０ｎｍ未満であり、前記ネットワークの最大高さの１／１０未満である厚さの、下にあるネットワークの実層厚さを残すことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項６】
前記ネットワークは高屈折率層、とくに高屈折率底部層の直接上にあるか、または前記選択された高屈折率基板の直接上にあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項７】
前記高屈折率媒体（１００）は、前記基板の内面の直接上に、および／または、ネットワークの下に高屈折率底部層（２）を含むか、または、前記ネットワークの下および底部層の上の高屈折率層を含み、高屈折率層は、
−  シリコンオキシカーバイド、シリコンオキシニトライド、シリコンオキシカーボンニトライド、酸化亜鉛およびスズができればドープされた、とくに窒化ケイ素の、前記選択されたガラス基板のアルカリに対するバリヤ層、とくに底部層（２）、
−  および／または、酸化スズ、窒化ケイ素をとくにベースとした、前記第１の電極（４）のためのエッチング停止層（２）、とくに底部層、
−  および／または、前記選択されたプラスチック基板上の親水性高屈折率層、とくに、窒化物、とくに窒化ケイ素の層および／または酸化物、とくに酸化チタン、ジルコニアの層から選択される底部層、
−  および／または、下にある基板の平滑化層である、前記ネットワークの下のみにある底部層であって、前記平滑化層は、
−  単一の、または、亜鉛およびスズをベースとする混合酸化物に基づいて、インジウムおよびスズの混合酸化物に基づいて、またはインジウムおよび亜鉛の混合酸化物に基づいて、とくに選択された混合酸化物の非晶質層、
−  とくにＺｒＯ2、ＴｉＯ2の、ゾルゲル層、
から選択される、底部層、
および／または、無機ガラスの前記選択された基板の上にある、たとえば溶融ガラスフリットの、高屈折率ガラス状底部層、
から選択されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項８】
前記高屈折率媒体は、好ましくは前記ネットワークの高さ全体にわたって、前記パターンの上および間に堆積された、とくに透明な、高屈折率層（４）を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項９】
前記パターン（３０）間の間隔は前記第１の電極（４）によって少なくとも部分的に充填され、前記第１の電極は前記ネットワークを直接被覆することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１０】
前記第１の電極（４）は、
−  少なくとも１００ｎｍであり１５００ｎｍ未満の厚さをとくに有する、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛に基づいて、インジウムおよびスズの混合酸化物に基づいて、または、インジウムおよび亜鉛の混合酸化物に基づいてとくに選択された、少なくとも１種の伝導性透明酸化物をベースとする高屈折率単一層を主に含み、
−  および／または、この順序で
−  伝導性透明酸化物をベースとする第１の高屈折率副層、
−  好ましくは銀である、純粋な金属ベースとする、または、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎから選択される別の金属で合金化されたまたはドープされた前記純粋な金属をベースとする、電気伝導性の固有特性を有する第１の金属機能層、
−  伝導性透明酸化物をベースとする高屈折率オーバーレイ
を含むとくに透明な、本質的に高屈折率積層体（４）、
を含み、
−  前記第１の金属機能層と前記オーバーレイとの間に少なくとも一回の次の連続、
−  伝導性透明酸化物をベースとする高屈折率分離層、
−  別の金属機能層
をできれば含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１１】
前記ネットワーク（３）の充填率は、１％と４０％との間（１％と４０％とを含む）であり、好ましくは３％と２０％との間（３％と２０％とを含む）であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１２】
前記パターン（３０）の平均高さは、３００ｎｍ以下であり、さらに２００ｎｍ以下であり、前記平均高さは、好ましくは５０ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１３】
前記距離Ｂ１は、３０μｍ以下であり、さらに１０μｍ以下であり、平均値の１０％よりも大きな標準偏差によって規定される距離の分布を好ましくは有することを特徴とし、好ましくは、前記ネットワーク（３）のパターン間の非周期的な最大距離が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１４】
前記パターン（３０）の前記平均幅Ａ１は５μｍ以下、さらに２μｍ以下であり、好ましくは、前記幅Ａ１は非周期的であり、平均値の５０％を超える標準偏差によって規定される前記パターンの幅の分布を有することを特徴とし、好ましくは、前記ネットワークのパターンの最大幅は、１０μｍ以下、さらに５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１５】
前記ネットワークは、無機であり、１．５以下、さらに１．４以下の屈折率ｎ１を有する、好ましくは多孔質層である、ＣａＦ2の層またはとくにゾル−ゲルの、シリカの層（３）をとくに含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１６】
前記基板（１）は、無機ガラス、とくにいわゆる膜状ガラスであり、２０μｍと７５μｍとの間（２０μｍと７５μｍとを含む）の厚さを有することを特徴とし、または前記基板はプラスチックであることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１７】
前記高屈折率媒体（１００）は無機層から本質的になることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１８】
とくに５０ｎｍと１０００ｎｍとの間の厚さを有する有機発光システム（５）を前記第１の電極（４）の上方に含み、前記有機発光システムは、多色光、とくに白色光を好ましくは発光することを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項１９】
所定の平均高さを有する前記ネットワーク、前記有機発光システム（５）および前記高屈折率媒体は、所定の厚さＤ１の光学的導波（１１０）を形成し、前記ネットワークの平均高さの半分として規定された前記ネットワークの中間は、前記有機発光システム（５）の前記基板からもっとも離れている前記表面からの距離Ｄ２にあり、前記距離Ｄ２は０．３Ｄ１以上であり、さらに０．４Ｄ１以上であり、０．７Ｄ１以下であり、さらに０．６Ｄ１以下であり、前記有機発光システム上の前記第２の電極は反射し、とくに金属であることを特徴とし、または、前記有機発光システム（５）、前記高屈折率媒体および前記有機発光システム上の第２の高屈折率電極は、所定の厚さＤ１の光学的導波を形成し、前記ネットワークの平均高さの半分として規定される前記ネットワーク（３）の中間は、前記第２の電極の表面から距離Ｄ２にあり、前記距離Ｄ２は０．３Ｄ１以上であり、さらに０．４Ｄ１以上であり、０．７Ｄ１以下であり、さらに０．６Ｄ１以下であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の支持体（１０）を含む、とくに照明のための、有機発光ダイオード装置。
【請求項２１】
前記有機発光システム（５）は、２５０ｎｍ以下の厚さを有し、前記ネットワーク（２）が下にある部分の前記高屈折率媒体（１１０）の厚さは２００ｎｍ未満であり、前記第１の電極（４）の厚さは２００ｎｍ未満であり、前記ネットワークの平均高さは少なくとも５０ｎｍであり、好ましくは２００ｎｍ未満であることを特徴とする請求項２０に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）。
【請求項２２】
前記有機発光システムは、２５０ｎｍを超え、さらに４００ｎｍを超え、そして１１００ｎｍ未満の厚さを有し、前記ネットワークが下にある部分の前記高屈折率媒体の厚さは１１００ｎｍ未満であり、前記ネットワークが下にある前記第１の電極の厚さおよびストランドの間の可能層の厚さは、２５０ｎｍよりも大きく、１０００ｎｍ未満であり、前記ネットワークの平均高さは、少なくとも５０ｎｍであり、好ましくは２００ｎｍ未満であることを特徴とする請求項２０に記載の、とくに照明のための、有機発光ダイオード装置。
【請求項２３】
−  前記高屈折率媒体（１００）の少なくとも１層の高屈折率層（２）、とくに底部層を有する高屈折率透明基板または低屈折率透明基板（１）を用意する工程、
−  前記第１の電極が部分的に前記ネットワークの下にある場合、前記第１の電極（３）の形成を完成させる前に、または、前記第１の電極が前記ネットワーク上にある場合、前記第１の電極（３）を形成する前に、フォトリソグラフィまたはエッチング工程を使用せずに、ランダムな距離Ｂ１を有する積層された低屈折率パターン（３）の前記誘電体ネットワークを形成する工程、
を含むことを特徴とする請求項１〜１９のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体（１０）の製造方法。
【請求項２４】
ランダムな距離Ｂ１を有する低屈折率パターン（３）の前記誘電体ネットワークを形成する工程が、
−  前記高屈折率基板上または高屈折率媒体（１００）の層（２）、とくに高屈折率底部層上に液体マスキング層を堆積させる工程、
−  前記ネットワーク（３）のパターン（３０）のランダムな距離Ｂ１に実質的に等しいランダムな距離Ｂを割れ目間に有する割れ目（３１）を有するマスクが得られるまで、前記マスキング層を乾燥させる工程、
−  前記割れ目の深さの少なくとも一部が充填されるまで、前記マスクの割れ目（３１）を通して、低屈折率パターンの前記ネットワークの材料の層を堆積させる工程、
−  低屈折率パターン（３０）の前記誘電体ネットワーク（３）が現れるまで、前記マスクを除去する工程
を含むことを特徴とする請求項２３に記載の有機発光ダイオード装置の支持体の製造方法。
【請求項２５】
−  前記液体堆積は、溶媒の中で安定化され分散されたコロイド状粒子の溶液を堆積させることであり、
−  前記粒子は、所定のガラス転移温度Ｔｇを有し、前記マスクを堆積および乾燥させる前記工程は、前記温度Ｔｇ未満の温度で実施され、
−  前記割れ目を通して、低屈折率の前記パターンの前記ネットワークの層を堆積させる工程は気相で実施され、
前記マスクを除去する工程は、好ましくは液体法によって実施されることを特徴とする請求項２３または２４に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の支持体の製造方法。
【請求項２６】
前記マスクは、５μｍ未満の、好ましくは３μｍ以下の厚さを有することを特徴とし、低屈折率パターンの前記ネットワークの層を堆積させる前に、前記マスクは、Ｔｇの０．８倍以上の温度まで上昇させられ、これにより、５μｍ以下の、さらに２μｍ以下の平均幅Ａ１および１０μｍ以下の、さらに６μｍ以下の平均距離Ｂ１に割れ目が広げられることを特徴とする請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の製造方法。
【請求項２７】
前記基板はガラスであることを特徴とし、シリカゾル−ゲルの選択されたネットワークを形成する工程は、
−  とくに水溶性および／またはアルコール性、できれば気孔形成剤を混合した、溶媒の中に、シリカの層を形成する材料、とくにシリコンアルコキシドなどの加水分解性化合物の前駆物質ゾルを用意する工程、
−  前記シリカゾルの層を堆積させる工程、
−  できれば、溶媒を除く工程、
−  前記低屈折率パターンを相補するパターンを備えたマスクを使用して前記層をエンボス加工する工程を含むことを特徴とする請求項２３に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の製造方法。
【請求項２８】
前記シリカゾル−ゲル層は、多孔質であり、とくに固体の、気孔形成剤を除去することによって得られ、
前記方法は、前記エンボス加工の工程の後に、熱処理を使用して前記孔形成剤を除去することによって多孔質ゾル−ゲルシリカの低屈折率パターンの前記ネットワークを形成し、とくに３５０℃以上で、好ましくはその後、焼き戻す作業を行う工程を含むことを特徴とする請求項２３〜２７のいずれか１項に記載の有機発光ダイオード装置（１０００）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード装置支持体、その装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）装置は、有機発光材料または有機発光材料の積層体を含み、２つの電極によって組み立てられる。一方の電極、一般にアノードは、ガラス基板と結合した電極からなり、他方の電極、一般にカソードは、アノードと対向する有機材料上に配置される。
【０００３】
ＯＬＥＤは、アノードから注入されたホールとカソードから注入された電子との再結合エネルギーを使用することによってエレクトロルミネセンスによって光を放射する。基板に結合した電極が透明である場合、放射されたフォトンは、この透明電極とＯＬＥＤを支持しているガラス基板とを通過し、装置の外側に光を供給する。
【０００４】
ＯＬＥＤの通常の用途は、ディスプレイ画面、またはより最近では照明装置である。
【０００５】
照明システムの場合、ＯＬＥＤから抽出される光は、好ましくは、可視スペクトルの波長のいくらか、さらに全部で発光することによる「白色」光である。また、それは均一でなければならない。この分野でとりわけ使用されている用語はランベルト発光であり、それは、すなわち、すべての方向において等しい測光輝度によって特徴づけられるランベルトの法則にしたがう発光である。
【０００６】
ＯＬＥＤは、低光抽出効率を示す。すなわち、ガラス基板から実際に出てくる光と有機発光材料によって放射される光との間の比率が比較的低く、およそ０．２５である。この現象は、とくに、フォトンの特定の量はカソードとアノードとの間に閉じ込められたままになるという事実によって説明される。
【０００７】
したがって、光、好ましくは白色の、光を供給している間、ＯＬＥＤの効率を高めるための、すなわち、抽出利得を増加させるための解決法が探索されている。その光は、可能な限り均一である。用語「均一」は、空間における強度の点での均一を意味するものと本明細書において以後理解されるべきである。
【０００８】
また、バインダーおよび拡散粒子によって形成された拡散層または周期的な突起を備えた構造のいずれかをガラス−アノード境界面に加えることは、知られている従来の方法である。それらは、回折ネットワークを構成し、それにより抽出利得を増加させることを可能にする。
【０００９】
この目的に対して、文書、米国特許出願公開第２００４／０２２７４６２号明細書は、アノードおよび有機層を支持する透明基板にテクスチャが形成されたＯＬＥＤを示している。したがって、その基板の表面は、交互の突起およびくぼみを示す。上に堆積されるアノードおよび有機層がそれらのプロファイル（profile）の後に続く。基板のプロファイルは、基板の表面に感光性樹脂マスクを適用し、その後、マスクを通して表面をエッチングすることによって得られる。そのマスクのパターンは、突起の所望のパターンに対応する。しかし、そのような方法は、大きな基板の表面上で工業規模で実施することが容易でなく、とくに照明用途の場合、とりわけ費用がかかりすぎる。
【００１０】
この先行技術のネットワークは、特定の波長の辺りの抽出利得を最適化する。しかし、一方、それは、白色光の放射に好都合に働かない。それどころか、それは、特定の波長を選択し、たとえば、青色または赤色の光をより多く放射する傾向がある。
【００１１】
その点について、文書、米国特許出願公開第２００６／０１９２４８３号明細書は、シリカの二次元回折ネットワークをガラス基板上に配置することを提案している。それは、光の均一性の欠如を緩和させるために、所定の並進ベクトルに沿った領域にしたがって異なる周期性を有している。
【００１２】
絶縁破壊を避けるために平らな表面を有するＺｎＯの高屈折率層によってこの回折ネットワークの頂上を覆い、その後ＩＴＯの透明アノードで覆うことは可能である。周期の長さは、平均周期長さの８０％と１２０％との間である。周期の長さは、０．１μｍと５μｍとの間である。ネットワークの高さは、平均高さの８０％と１２０％との間である。ネットワークの高さは５０ｎｍと２０μｍとの間である。
【００１３】
またしても、白色光の抽出は不十分である。
【００１４】
その点について、文書、国際公開第２００８／１２１４１４号パンフレットは、１．７〜１．８の屈折率の有機発光システムと第１の電極との間に、１と１．５との間の光学的屈折率を有するグリッドを挿入することからなる構造を提案している。実施例によるこのグリッドは六角形または長方形である。シリカ、ＴｉＯ2、エアロゲル（シリカ、炭素、アルミナなど）、ＰＴＦＥから低屈折率材料が選択される。
【００１５】
試験によれば、グリッドは、０．５〜１．２μｍの幅を有し、グリッドは、４〜８μｍの間隔を有する。好ましい実施例では、グリッドは、０．８μｍの幅と５μｍの間隔とを有し、第１の電極は、１００ｎｍの厚さを有するＩＴＯである。
【００１６】
この提案された構造は、光の抽出を実に高めている。しかし、光の出力は不十分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２２７４６２号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／０１９２４８３号明細書
【特許文献３】国際公開第２００８／１２１４１４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、ＯＬＥＤから光（とくに白色光）を抽出するときの満足する利得と満足する光出力との両方を備えたＯＬＥＤ装置の代替の支持体、とくに、工業規模で製造することが容易で、信頼性が高く、費用がかからない支持体を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１の対象は、有機発光ダイオード装置の支持体である。その支持体は、
−  内面と呼ばれる第１の主面と外面と呼ばれる第２の主面とを有する所定の第１の光学的屈折率ｎ１の透明基板を含む。その内面は、
−  非連続的方法で配置されそれによりパターンのセットを形成する層の形態の（本質的に）誘電体のネットワーク、とくに非金属のネットワークであって、そのネットワークは、低屈折率と呼ばれる、１．６以下の第２の光学的屈折率ｎ２を有し、その低屈折率パターンは、サブミクロンの高さと６μｍ以下の平均パターン幅Ａ１とを有し、（その）パターンは分離されており、隣接するパターンは、所定のパターン間距離だけ間隔が開けられており、および／または（その）パターンは、相互に連結されており、とくにグリッド状であり、所定のパターン間距離を有し、その距離Ｂ１は、パターン間の平均および／または複数のパターン間距離の平均であり、その距離Ｂ１は、幅Ａ１よりも数ミクロン大きく、かつ５０μｍ以下であり、距離Ｂ１は非周期的である、ネットワーク、
−  １．７以上の所定の第３の光学的屈折率ｎ３を有する、層の形態の、とくに透明な、第１の電極であって、その第１の電極は３０Ω／□未満、好ましくは１０Ω／□未満、より好ましくは５Ω／□未満の表面抵抗率を有する第１の電極
を含む。
【００２０】
さらに、
−  第１の電極の厚さの少なくとも一部は、ネットワークの上にあり、基板からもっとも離れているネットワークの表面と接触しているか、または（下位層によって）低屈折率パターンのネットワークから間隔を開けて離れており、
−  ネットワークは、高屈折率媒体の中に埋設されており、高屈折率媒体は、基板からもっとも離れている層として第１の電極を含み、１．７以上の第４の屈折率ｎ４を有する。
【００２１】
一方、文書、国際公開第２００８／１２１４１４号パンフレットにおいて提案されているＯＬＥＤに関して、本発明によるＯＬＥＤからの抽出は同等であるか、さらに向上している。なぜならば、低屈折率パターンが、（第１の電極を含む本発明によるＯＬＥＤシステムおよび高屈折率媒体を含む）高屈折率導波構造の核に位置しているからである。したがって、光を効果的に拡散させる。
【００２２】
また、出願人は、先行技術の装置のアノードのかなりの部分がこの電気的絶縁低屈折率材料によって覆われているので、最終の先行技術のＯＬＥＤのこの表面のすべてが不活性であるということを見出した。ストランド（strand）の厚さを劇的に減少させるか、またはストランド間の間隔をかなり増加させることによって、ＯＬＥＤの活性表面を増加させることが可能になる。しかし、抽出効率の損失も増加する。したがって、適切な光抽出を保持しながら活性表面を最適にすることを可能にするトレード・オフによっては、活性表面のすべてを回復させることは不可能である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、（高屈折率媒体と屈折率を比べて）低屈折率パターンは、ＯＬＥＤシステムの下方にあり、本発明によるＯＬＥＤのすべてが電気的活性になるように第１の電極によって（少なくとも一部が）被覆されている。それにより、優れた光抽出能力のレベルを保持しながら、放射される光の出力を増加させることが可能になる。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（パターンの上また上方）非常に低い上記パターンの伝導は電流を分布させるのに十分である。
【００２５】
また、多色光（とくに一般照明のためのとくに白色）であっても、（たとえば装飾照明のための）単色光であっても、米国特許出願公開第２００６／０１９２４８３号明細書において提案されたＯＬＥＤに比べて、本発明のＯＬＥＤからの光抽出は高められている。これは、発光の強い角度依存性（いずれのタイプの光にも悪い）および測色依存性（白色光に悪い）、非常に顕著な発光角度プロファイルを有する異なる回折次数に加えて、先行技術におけるこの回折グリッドは、単に都合よく光抽出を高めることができないためである。
【００２６】
したがって、本発明による低屈折率ネットワーク全体における非周期的な、さらにランダムな、パターン間距離Ｂ１の性質により、擬ランベルトの発光の角度分布と（可視測色効果なしで）波長の広いバンドの抽出利得とを得ることが可能になる。回折効果はない。
【００２７】
さらに、ネットワークパターンの幅により、回折の心配なしで抽出能力を高めることができる。
【００２８】
ネットワークのパターンの平均幅Ａ１（さらに最大幅）は、好ましくは３μｍ以下であり、かつ１００ｎｍよりも大きい。
【００２９】
本発明では、表現「本質的に高屈折率媒体の中に埋設されたネットワーク」は、本質的に高屈折率媒体の内部のネットワークを意味すると理解されるべきであり、表現「高屈折率媒体に埋設されたネットワーク」は、高屈折率媒体の内部のネットワークを意味すると理解されるべきである。
【００３０】
本発明では、表現「光学的屈折率」は、５５０ｎｍで測定された屈折率を意味すると理解されるべきである。
【００３１】
連続多層（多層底部層および／または多層ネットワークおよび／または多層電極および／または多層有機発光システムなど）の場合、それは平均屈折率であってもよい。連続多層の平均屈折率は、媒体の全厚さにわたって、それぞれの層の屈折率ｎiと厚さｅiとのかけ算の合計によって、すなわち、
【数１】
2013536977.tif 000003
によって定義される。
【００３２】
高屈折率媒体は、それは、不利にならない限り以下の層を（当然、ネットワークの外側に）含んでもよいという意味で本質的に高い屈折率である。
−  ９０％を超える利用率を有し、１．７未満の屈折率を有し、２０ｎｍ以下、さらに１０ｎｍ以下の厚さを有する実質的に連続な低屈折率層。
−  または、複数のいわゆる低屈折率層。それぞれの層は、実質的に連続であり、９０％を超える占有率を有し、１．７未満の屈折率を有し、２０ｎｍ以下の厚さを有し、とくに４０ｎｍ未満、さらに２０ｎｍ未満、さらに１０ｎｍ未満の距離だけ離れている。
低屈折率層は、高屈折率媒体の厚さの０．２０倍未満の厚さ（複数の層の場合は合計）を有する。
【００３３】
本発明では、正確でないときには、高屈折率層（またはコーティング）は、１．７以上の屈折率を有するとして規定される。
【００３４】
一構成では、高屈折率媒体は、第１のいわゆる平坦化グリッド電極を含んでもよい。第１の平坦化グリッド電極は、不連続の金属層から形成され、ネットワークの上方およびパターン間の空間の上方に配置され、２０％未満の占有率を有し、グリッド状にとくに配置される。そして、第１の平坦化グリッド電極は、透明層の形態のいわゆる高屈折率平坦化電気伝導性コーティングによって、（平坦化されるために）被覆されている。
【００３５】
この第１の平坦化グリッド電極のとくに屈折率ｎ３は高屈折率コーティングの屈折率（それが多層構造を有する場合、平坦化コーティングの平均屈折率）として規定される。
【００３６】
好ましくは、
−  透明（裸）基板は、少なくとも７０％、さらに８０％以上の光透過率（ＬＴ）を示し、
−  高屈折率媒体を有する透明基板は、少なくとも７０％、さらに８０％以上の（全体）ＬＴを示し、ネットワークは、透明材料を好ましくは有する。
【００３７】
第１の構成では、本発明による基板の第１の光学的屈折率ｎ１は、１．６以下であってもよく、高屈折率媒体は、いわゆる低屈折率基板よりも上方にあり、層にされている。
【００３８】
第２の構成では、本発明による基板の第１の光学的屈折率ｎ１は、１．７以上であってもよく、高屈折率媒体は、いわゆる高屈折率基板、とくに無機ガラスの高屈折率基板を含む。
【００３９】
高屈折率媒体は、透明な、とくに（実質的に）連続的な、基板の内面の直接上にあるいわゆる底部層と、ネットワークの下にあり（好ましくはネットワークの直接下にあり）、（厚さの一部にわたって、または全厚さにわたって）可能であれば低屈折率パターンの間にあり、またはネットワークを埋設させる層と、１．７以上の第５の屈折率ｎ５を有する高屈折率層とを含む。
【００４０】
（基板の直接上にある）底部層は、５０ｎｍと１μｍとの間の厚さであり、それはその機能性により決まる。
【００４１】
それが、とくにパターンを埋設させるために使用される場合、少なくとも１５０ｎｍの全厚さが、好ましくは選択され、光学的導波の厚さ、とくに有機発光システムの厚さにしたがって好ましくは調節されるであろう。
【００４２】
透明底部層を有する（さらにネットワークおよび第１の電極を有する）透明基板は、少なくとも７０％、さらに８０％以上のＬＴを示す。
【００４３】
底部層の屈折率または高屈折率媒体の他の任意の層の屈折率は、好ましくは０．２未満の偏差で第１の高屈折率電極の屈折率に近くてもよい。
【００４４】
高屈折率媒体は、基板の直接上の高屈折率底部層および／またはネットワークの下および（高屈折率または低屈折率の基板の直接上の）底部層の上の高屈折率層を含んでもよい。底部層は、
−  選択されたガラス基板のアルカリに対するバリヤ層、とくに窒化ケイ素Ｓｉ3Ｎ4の、できればシリコンオキシカーバイド、シリコンオキシニトライド、シリコンオキシカーボンニトライド、亜鉛および酸化スズがドープされた窒化ケイ素Ｓｉ3Ｎ4の、とくに５ｎｍと１０００ｎｍとの間の厚さ、さらを５００ｎｍ未満の、さらに１５０ｎｍ未満の、好ましくは２０ｎｍと１５０ｎｍとの間（２０ｎｍと１５０ｎｍとを含む）の厚さを有するバリヤ層、
−  および／または、とくに５ｎｍと３００ｎｍとの間（５ｎｍと３００ｎｍとを含む）の厚さを有し、とくに酸化スズＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4に基づく、第１の電極のためのエッチング停止層、とくに底部層
−  および／または、窒化物の層、とくに窒化ケイ素の層および／または酸化物層、とくに酸化チタン、ジルコニアの層から選択された、選択されたプラスチック基板の上の、親水性層、とくに底部層、
−  および／または、下にある基板のための平滑化層であるネットワークの下のみの底部層、
−  および／または、選択された無機ガラス基板の上のガラス状底部層、たとえば溶融ガラスフリットの層
から選択される。
平滑化層は、
−  たとえば真空蒸着された、単一または混合酸化物の（実質的）非晶質層、とくに亜鉛およびスズ（ＳｎxＺｎyＯzまたはＺＴＯ）をベースとする混合酸化物に基づいて、インジウムおよびスズ（ＩＴＯ）の混合酸化物に基づいて、またはインジウムおよび亜鉛（ＩＺＯ）の混合酸化物に基づいてとくに選択され、５ｎｍと１０００ｎｍとの間の厚さを有し、好ましくは５００ｎｍさらに１５０ｎｍ以下の厚さを有する層、
−  ゾル−ゲル層、５ｎｍと１０００ｎｍとの間の厚を有し、好ましくは５００ｎｍ以下の、さらに１５０ｎｍ以下の厚さを有する、とくにＺｒＯ2の、ＴｉＯ2のゾル−ゲル層
から選択される。
【００４５】
ネットワークを簡単に埋設させるために、高屈折率媒体は、好ましくはネットワークの高さ全体にわたって、パターンの上および間に堆積された、（本質的）高屈折率層、とくに透明な高屈折率層を含んでもよい。その層は単層もしくは多層である。第１の電極は、たとえば、この高屈折率層の上にある（またはこの層を含む）。第１の電極は平坦化外面（基板からもっとも離れている表面）を有してもよい。また、そうでなければ、第１の電極は、とくに波状の（基板からもっとも離れている）外面を有してもよい。それは、たとえば、ネットワークのパターンに実質的にしたがい、パターンの上方のいわゆる高い表面とパターン間のいわゆる低い表面との間の高さの違いを少なくとも有する。高屈折率層は、ネットワーク上に蒸着によって堆積されてもよい。第１の電極は、平坦化の工程なしで、この層の直接上に堆積されても（またはこの層を含んでも）よい。
【００４６】
ネットワークを簡単に埋設させるために、パターン間の空間は、第１の電極によって少なくとも部分的に充填され得る。そして、第１の電極は、ネットワークを直接被覆し得る。第１の電極は、平坦化外面（基板からもっとも離れている面）を有してもよい。そうでなければ、第１の電極は、とくに波状の（基板からもっとも離れている）外面を有してもよい。それは、たとえば、ネットワークのパターンに実質的にしたがい、パターンの上方のいわゆる高い表面とパターン間のいわゆる低い表面との間の高さの違いを少なくとも有する。したがって、この第１の電極は、ネットワーク上に蒸着によって堆積されてもよい。有機層は、平坦化の工程なしで、第１の電極層の直接上に堆積される。
【００４７】
ネットワークを簡単に埋設させるために、高屈折率媒体は、できれば底部層を形成する高屈折率単層を、ネットワークの下に含んでもよい。
【００４８】
好ましくは、ネットワークは（本質的に）無機であり、および／または第１の電極は（本質的に）無機である。
【００４９】
第１の電極は、１．８と２．２との間の（平均）屈折率ｎ３を有してもよい。
【００５０】
第１の電極は、たとえば蒸着によって、とくにマグネトロンスパッタリングによって、真空蒸着によって堆積された薄層の形態であってもよい。
【００５１】
第１の電極は、（連続的）単層を主に含む（電極の厚さの少なくとも８０％）か、さらに単層からなってもよい。その単層は、少なくとも一種の伝導性透明酸化物をベースとし、アルミナを（ＡＺＯ）またはガリウムを（ＧＺＯ）をとくにドープした酸化亜鉛をベースとするもの、インジウムおよびスズの混合酸化物（ＩＴＯ）をベースとするもの、またはインジウムおよび亜鉛の混合酸化物（ＩＺＯ）をベースとするもの、インジウム、ガリウムおよび亜鉛の混合酸化物（ＩＧＺＯ）をベースとするものからとくに選択され、少なくとも１００ｎｍであり、１５００ｎｍ未満であり、さらに５００ｎｍ以下である厚さをとくに有する。
【００５２】
また、第１の電極は、（薄い連続的な）層の、本質的に高屈折率であり、とくに透明な積層体を含んでもよい。積層体は、５００ｎｍ未満、さらに３００ｎｍ未満の全厚を有する。積層体は、この順序で、
−  伝導性透明酸化物をベースとする第１の高屈折率副層、
−  好ましくは銀である純粋な材料をベースとするか、または、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎから選択される別の材料と合金化されたまたはその別の材料がドープされた上記純粋な材料をベースとし、３ｎｍと２０ｎｍとの間の厚さを有し、電気伝導性の固有特性を有する第１の金属機能層、
−  伝導性透明酸化物をベースとする高屈折率オーバーレイ（overlayer）、
−  および、できれば、第１の金属機能層とオーバーレイとの間に少なくとも１回の次の連続するもの、
−  伝導性透明酸化物をベースとする高屈折率分離層、
−  別の金属機能層
を含む。
【００５３】
もちろん、金属機能層を有するこの積層体の（平均）屈折率ｎ３は、薄い金属機能層およびできる限り超薄い下方もしくは上方遮蔽層を有する場合でさえ、高い屈折率を維持する。
【００５４】
金属機能層を有する積層体のアンダーレイ（underlayer）またはオーバーレイは、第１の電極の電気的性能レベル（電気伝導性および／または異なる機能による出力作業の順応）を高めることに貢献する。
−  成長（または接触）アンダーレイ。この層の目的は金属層の結晶化を促進させることである。
−  界面における電気拡散を減少させるための平滑化層。
−  別の層を堆積している間のイオンの攻撃、湿度、腐食、アルカリのマイグレーションを含む外部からの攻撃に対して保護する層。
【００５５】
接触層、平滑化層、いわゆる上方遮蔽もしくは下方遮蔽層の選択について、国際公開第２００８／０２９０６０号パンフレット、国際公開第２００８／０５９１８５号パンフレットおよび国際公開第２００９／０８３６９３号パンフレットを参照することができる。
【００５６】
好ましくは、コストの理由のため、金属機能層を有する積層体の形態の第１の電極にインジウムを含む材料の全厚さは、６０ｎｍ以下であり、好ましくは５０ｎｍ以下であり得る。よりおおざっぱに言えば、好ましくは、高屈折率媒体にインジウムを含む材料の全厚さは、６０ｎｍ以下であり、好ましくは５０ｎｍ以下であり得る。
【００５７】
好ましくは、電流の注入を促進し、および／または動作電圧の値を制限させるために、金属機能層を有する積層体のオーバーレイ、さらに分離層は、１０7Ω・ｃｍ以下、好ましくは１０6Ω・ｃｍ以下、さらに１０4Ω・ｃｍ以下のバルク状態の電気抵抗を示す。
【００５８】
とくに、金属機能層を有する積層体は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、シリコンオキシニトライド、シリコンオキシカーバイドをベースとする、シリコンオキシカーボンニトライドをベースとする、または酸化チタンをベースとする、１５ｎｍ以上の、さらに１０ｎｍ以上の、さらに５ｎｍ以上の（全）厚さのオーバーレイを好ましくは含まない。
【００５９】
また、すでに記載したように、第１の電極は、平坦化コーティングを有する、銀またはアルミニウムおよび／または銅で作製された、たとえば金属層を含んでもよい。この金属層は、ここでは、不連続であり、グリッドとしてとくに配置される。たとえば、その層は、たとえば、化学的またはイオンエッチング工程を使用しないで好ましくは製造される。
【００６０】
それは、国際公開第２００８／１３２３９７号パンフレットに記載されているように、とくにマスキングによって製造され得る。本発明による低屈折率ネットワークを形成するために使用されたマスクと同じ種類のマスクを、（必要があれば、マスクの開口部の幅およびブロックのサイズを適合させることによって）たとえば使用される。
【００６１】
また、たとえば伝導性透明酸化物（ＩＴＯ、ＡＺＯなど）の上記のように製造された高屈折グリッドとして配置された平坦化電極を有することを選択することが可能であることも留意すべきである。
【００６２】
より良好な有効性のため、ネットワークによって被覆される全表面にわたるネットワークの充填率、（パターンの）いわゆる被覆率は、１％と４０％との間（１％と４０％とを含む）、好ましくは３％と２０％との間（３％と２０％とを含む）、さらに５％と１５％との間（５％と１５％とを含む）になり得る。その比率は、たとえば、（光学または電子）顕微鏡を使用して、たとえば、少なくとも３００×３００μｍ2の参照表面上のコントラストによって測定される。
【００６３】
パターンは任意の形態であってもよく、とくに幾何学的であり、とくに実質的鋸歯状の部分を有し、ピークの辺りが丸くされている。
【００６４】
パターンは、一次元（ブロックなど）であってもよいし、または二次元：細長いパターン、曲線状または直線状のパターンなどであってもよい。
【００６５】
すでに示したように、パターンは、つながっていなくてもよいし（ブロック、間隔が開いている線など）および／または（部分的に）相互連結した、とくに（できればメッシュの中断を有する）メッシュ状であってもよい。パターンは、非周期的な（ランダムな）グリッドとして配置されたネットワークを示してもよい。距離Ｂ１はメッシュ内距離である。
【００６６】
低屈折率材料のネットワークの堆積は、従来のフォトリソグラフィ技術を使用することによって行われ得る。しかし、有利である本発明による方法では、考慮される寸法（可視波長のオーダーの幅を有し、およそ１５％の基板の表面の充填率よりも好ましくは大きいパターン）は、ランダムなマスクを使用する方法に完全に匹敵する。有利な点は多くあるが、とくに
−  低コストであり、
−  （回折効果を防止する）非周期ネットワークである。
【００６７】
ネットワークの寸法を考慮すると、
−  距離Ｂ１は、有利なことに、５０μｍ未満、好ましくは３０μｍ以下、さらに１０μｍ以下、さらに６μｍ以下であり、平均値の１０％よりも大きな標準偏差によって規定されるパターン間の距離の分布を好ましくは有し、たとえば、光学顕微鏡によって測定でき、
−  および、好ましいことに、最大非周期的パターン間またはパターン間距離は、有利なことに、１００μｍ以下、さらに５０μｍ以下であり、たとえば、第１の軸に沿った最大距離と斜め方向の、とくに直角の第２の軸に沿った距離との間の５０％を超える偏差を除くパターン間距離を有し、および／または
−  パターンの平均幅Ａ１は、５μｍ以下、さらに２μｍ以下になることができ、好ましい幅Ａ１は、非周期的であり、平均値の５０％よりも大きな標準偏差によって規定されるパターンの幅Ａ１の分布を有しており、たとえば、光学顕微鏡によって測定され、
−  および、好ましくは、ネットワークのパターンの最大幅は、有利なことに、１０μｍ以下、さらに５μｍ以下になることができ、および／または
−  パターンの平均高さ（および好ましくは最大高さ）は、３００ｎｍ以下、さらに２００ｎｍ以下、さらに１５０ｎｍ未満になることができ、とくに、パターンの上および間に第１の電極を堆積するときの電気的不良を制限するために、平均高さは、好ましくは５０ｎｍよりも大きく、さらに８０ｎｍ以上である点である。
【００６８】
誘電体ネットワークは、シリカ層、とくにゾル−ゲルシリカ層を含んでもよい（さらにシリカ層のみからなってもよい）。シリカ層は、好ましくは多孔質層（ゾル−ゲル）であり、１．５以下、さらに１．４以下、さらに１．３以下の屈折率ｎ１を有する。誘電体ネットワークは、ＣａＦ2の層を含んでもよい（さらに、ＣａＦ2の層のみからなってもよい）。
【００６９】
構造化低屈折率層（たとえば、エンボス加工により構造化された層であり、とくにゾル−ゲルシリカ層であり、できれば多孔質である）は、ネットワーク、低屈折率パターンのいわゆる外面（基板内面に対向する面）上に位置する。したがって、この層は、パターンの高さよりも大きな厚さを有し、ネットワークが下にある固体層の厚さを残し、せいぜい４０ｎｍ未満、さらに２０ｎｍ未満、さらに１０ｎｍ未満または５ｎｍ未満であり、ネットワークの最大高さの１０分の１未満の厚さを有する。
【００７０】
また、ネットワーク、とくにシリカ（多孔質）のネットワークは、高屈折率副層、とくに高屈折率底部層の直接上または選択された高屈折率基板の直接上にある。
【００７１】
透明基板は、無機ガラス、とくにいわゆる膜状ガラスであってもよく、２０μｍと７５μｍとの間（２０μｍと７５μｍとを含む）の厚さを有し、たとえば、日本電気硝子から提案されており、特開２０１０−１３２３４７号公報に記載されているいわゆる超薄ガラスであってもよい。工業製品のガラス、とくにケイ酸塩ガラス、好ましくは高価でないガラスが好ましくは選択されるであろう。ソーダ石灰シリカガラスが好ましい。
【００７２】
本発明による透明基板は、軽い可撓性基板であってもよい。本発明による基板は、たとえば、適切な特性を有する透明熱可塑性ポリマーのみからなるポリマーフィルムであってもよく、または、そのポリマーフィルムを含んでもよい。適切な熱可塑性ポリマーの例は、とくに、ポリエチレン  テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン  ナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート、ポリウレタン、メチル  ポリメタクリレート、ポリアミド、ポリイミド、さらに、エチレン  テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレン  クロロトリフルオロエチレン（ＥＣＴＦＥ）、フッ化エチレン−ポリエチレンコポリマー（ＦＥＰ）などのフッ化ポリマー、ポリエステル、ポリアミドを含む。
【００７３】
支持体は、第１の電極の上に、とくに５０ｎｍと１０００ｎｍとの間の厚さを有する有機発光システムを含んでもよい。有機発光システムは、多色光、とくに白色光を好ましくは発光する。
【００７４】
第１の電極の（直接）上に堆積された、高屈折率ＯＬＥＤの有機層を備えたシステムがある。有機発光層は、通常、他の有機層の間にある。
【００７５】
屈折率ｎ４は、１．８以上であってもよく、さらにそれよりも大きくても（さらに１．９よりも大きくても）よい。屈折率ｎ３は、ｎ４未満であることは好ましくなく、ｎ４以上であってもよい。
【００７６】
ＯＬＥＤは底部発光であり、できればさらに頂部発光であり、それは、頂部電極（第２の電極）が反射するか、またはそれぞれ半反射するか、さらに透明であるか（とくに、第１の電極に匹敵するＬＴ、とくに６０％以上、好ましくは８０％以上のＬＴを有するか）によって決まる。
【００７７】
有利なことに、所定の高さを有するネットワーク、有機発光システムおよび高屈折率媒体（または光学的媒体）は、（できれば低屈折率層の厚さ、金属層の厚さを除かない）所定の厚さＤ１の光学的導波を形成してもよい。平均高さの半分と規定されるネットワークの中間は、有機発光システムの基板からもっとも離れた表面から、距離Ｄ２のところにある。それは、０．３Ｄ１以上であり（低屈折率層を数える）、さらに０．４Ｄ１以上であり、０．７Ｄ１以下であり、さらに０．６Ｄ１以下である。有機発光システムの（直接）上にある第２の電極は、たとえば反射し、金属である。
【００７８】
特定の配置では、有機発光システム、高屈折率媒体（または光学的媒体）、および、有機発光システムの（直接）上にある第２の高屈折率（半透過）電極は、所定の厚さＤ１の光学的導波を形成する。平均高さの半分として規定されるネットワークの中間は、第２の電極の（基板からもっとも離れている外側の）表面から距離Ｄ２のところにあり、０．３Ｄ１以上であり、さらに０．４Ｄ１以上であり、０．７Ｄ１以下であり、さらに０．６Ｄ１以下である。
【００７９】
本発明によるネットワークは、高屈折率導波構造のちょうど中間に位置し、電界がもっとも強いポイントにある。それは、とても効果的に光線を拡散させる。（とくに低屈折率基板を有する）光学的導波が薄くなるにしたがって、電界の最大強度は大きくなる。有利なことに、ネットワークは、この最大の中心にあり、もっとも効果的になる。
【００８０】
そのような位置は、低屈折率基板または低屈折率底部層の直接上にあるネットワークの場合よりもより良好な効果を保証する。なぜならば、このネットワークは、電界がより弱いところの端の領域にあるからである。
【００８１】
基板が高屈折率である場合、（超薄基板を使用した場合であっても）光学的導波は比較的厚く、電界はより広がり、ネットワークは、効率を失うことなく中心から偏ることができる。
【００８２】
支持体は、照明用の有機発光ダイオード装置の支持体として使用し得る。
【００８３】
とくに照明用の、有機発光ダイオード装置は、支持体を含むことができる。
【００８４】
ネットワークは所定の高さを有するので、本発明による有機発光システムは、２５０ｎｍ以下、さらに１５０ｎｍ以下の厚さを有することができる。ネットワークが下にある部分の高屈折率媒体の厚さは、２００ｎｍ未満であり、さらに１５０ｎｍ未満である。第１の電極の厚さは、２００ｎｍ未満であり、さらに１００ｎｍ未満である。ネットワークの平均高さは、少なくとも５０ｎｍであり、さらに少なくとも１００ｎｍであり、好ましくは２００ｎｍ未満である。
【００８５】
とくに照明のための、有機発光システムは、２５０ｎｍよりも大きく、さらに４００ｎｍよりも大きく、１１００ｎｍ未満である厚さを有する。ネットワークが下にある部分の高屈折率媒体の厚さは、１１００ｎｍ未満であり、さらに８００ｎｍ未満である。ネットワークが下にある第１の電極およびストランド（strand）間にある可能層の厚さは、２５０ｎｍよりも大きく、さらに４００ｎｍよりも大きく、１０００ｎｍ未満である。ネットワークの平均高さは、少なくとも５０ｎｍであり、さらに１００ｎｍであり、好ましくは２００ｎｍ未満である。
【００８６】
ＯＬＥＤシステムは、ＣＩＥ  １９３１  ＸＹＺ  色度図の座標（ｘ１，ｙ１）によって０°において多分規定される多色光を放射するよう好ましくは設計される。したがって、座標は、垂直方向の光の場合に示される。
【００８７】
ＯＬＥＤシステムは、とくに０°において、座標（０．３３，０．３３）または（０．４５，０．４５）に可能な限り近い（実質的）白色光を放射するように好ましくは適合される。
【００８８】
白色光を実施的に作り出すための、多くの可能な方法、とくに次の方法がある。単一層の中で化合物（赤色、青色、緑色の発光）を混ぜる。３つの有機構造（赤色、緑色、青色発光）または２つの有機構造（黄色および青色）を電極の面上に積層する。
【００８９】
単一の領域にわたって、とくに均質な照明のための均一な多色光を作り出すように、または同じ強度のもしくは異なる強度の異なる光領域を作り出すように、ＯＬＥＤを配置することができる。
【００９０】
ＯＬＥＤは、多層ガラスユニット、とくに真空または空気または他のガスの板状ガラスユニットの一部になり得る。また、その装置は、コンパクトさ、および／または軽さを備えるために、モノリシック（monolithic）であってもよく、モノリシックガラスユニットを含んでもよい。
【００９１】
ＯＬＥＤは、結合されてもよく、または、積層挿入物を使用して、好ましくはガラスのように透明な、別のいわゆる蓋平坦基板で好ましくは積層されてもよい。
【００９２】
ＯＬＥＤは、１×１ｃｍ2以上の、さらに５×５ｃｍ2以上、さらに１０×１０ｃｍ2以上のとくに（固体）電極表面を有する、（実質的に白色で、および／または均一である）照明パネルまたはバックライトパネルを形成してもよい。
【００９３】
したがって、ＯＬＥＤは、多色（実質的に白色）光の（単一の電極面を有する）単一の照明ブロック、または多色（実質的に白色）光の（複数の電極面を有する）複数の照明ブロックを形成するように設計され得る。それぞれの照明ブロックは、１×１ｃｍ2以上の、さらに５×５ｃｍ2以上の、１０×１０ｃｍ2以上の（固体）電極表面を備える。
【００９４】
また、本発明は、外部または内部のどちらかに配置された１つもしくは２つ以上の透明、および／または反射する（鏡機能）光面を形成する、これらのＯＬＥＤの様々な可能な用途に関する。
【００９５】
装置は、（択一的または累積的選択で）照明システム、装飾システム、建築システムまたは類似したシステム、たとえば、図、ロゴ（logo）、アルファベット数字式信号タイプ、とくに非常出口パネルの信号表示パネルを形成してもよい。
【００９６】
電極およびＯＬＥＤの有機構造が透明であるように選択される場合、照明窓を作り出すことがとくに可能である。光透過の損失があると、部屋の照明は向上しない。また、照明窓のとくに外側の光の反射を制限することによって、たとえば、建造物の正面に有効である防眩の基準を遵守するために、反射のレベルを制御することが可能になる。
【００９７】
よりおおざっぱに言えば、とくに全体もしくは一部が透明である装置は、
−  外部光ガラス、内部光パーティション（partition）または、とくにスライド式の、光ガラスドア（の一部）などの建造物を意図されている、
−  陸上、水上、空輸の車両（車、列車、トラック、飛行機、船など）の光ルーフ（roof）、光サイドウインドウ（side window）（の一部）、内部光パーティションなどの輸送車両を意図されている、
−  バス避難パネル、ディスプレイケースの壁、宝石ディスプレイ、または陳列窓、温室の壁、照明スラブ（slab）などの道路または職業上の備品を意図されている、
−  インテリア設備、棚もしくは家具商品、小道具の正面、照明スラブ（slab）、天井照明、冷蔵庫照明板、水槽の壁を意図されている、
−  電子備品商品のバックライト、テレビジョンまたはコンピュータースクリーンなどの、とくに視聴もしくは表示用スクリーン、可能であれば二重スクリーン、タッチスクリーンを意図されている。
【００９８】
ＯＬＥＤは、使用される有機材料によって、２種の主な系統に一般に区別される。
【００９９】
発光層が低分子である場合、用語、ＳＭ−ＯＬＥＤ（Small Molecule Organic Light-Emitting Diode）が適用される。一般に、ＳＭ−ＯＬＥＤの構造は、ホール注入層またはＨＩＬ、ホール輸送層またはＨＴＬ、放射層、電子輸送層またはＥＴＬの積層体からなる。
【０１００】
有機発光積層体の例は、たとえば、Organics Electronics, vol.8, pp683-689(2007)で発表された、「Four Wavelength White Organic Light Emitting Diodes Using 4,4’-bis-[carbazoyl-(9)]-stilbene as a Deep Blue Emissive Layer」というタイトルの文書に記載されている。
【０１０１】
有機発光層がポリマーである場合、表現、ＰＬＥＤ（Polymer Light-Emitting Diodes）が適用される。
【０１０２】
したがって、ＯＬＥＤ装置の有機層の積層体は、光、好ましくは白色光を作り出すための少なくとも１層の中心有機発光層を含む。中心有機発光層は、電子輸送層とホール輸送層との間に挿入される。同様に、電子輸送層とホール輸送層とは、電子注入層とホール注入層との間に挿入される。
【０１０３】
米国特許第７２７４１４１号明細書に記載されているように、強くドープされたＨＴＬ（ホール輸送層）を含むＯＬＥＤ装置がある。その場合、第１の電極の最後の層は、出力作業適応機能を有する必要はない。
【０１０４】
Lighting Korea 2009 conferenceに関係して、Philip Wellmannによる「Novaled PIN OLED（登録商標） Technology for High Performance OLED Lighting」というタイトルの記事に記載されているように、１００ｎｍと５００ｎｍとの間の厚さ、とくに３５０ｎｍの厚さを有するＯＬＥＤシステム、またはより厚い、たとえば、８００ｎｍの厚さを有するＯＬＥＤシステムがある。
【０１０５】
ＯＬＥＤの第２電極、または頂部電極、さらにまた一般にカソードは、電気伝導性材料、好ましくは（半）反射性、とくに銀またはアルミニウムタイプの金属材料である。
【０１０６】
高屈折率媒体のそれぞれの層は、とくに１０-2ｃｍ-1未満の可視で、好ましくはあまり強い吸収性を有さない。
【０１０７】
好ましくは、高屈折率媒体は、無機もしくはハイブリッド（有機、無機）層を含んでもよく、さらに、無機もしくはハイブリッド（有機、無機）層から本質的になるようにしてもよい。
【０１０８】
また、本発明は、前に規定された有機発光ダイオード装置の支持体を製造する方法に関する。それは、
−  上記高屈折率媒体の少なくとも１層の高屈折率層、とくに底部層を有する高屈折率透明基板または低屈折率透明基板を用意する工程、
−  電極がネットワークの下に部分的にある場合、第１の電極を完全に形成する前に、または電極がネットワーク（およびできればパターン間）（の直接上にある、またはの上にない）場合、第１の電極を形成する前に、ランダムな距離Ｂ１を有する、積層された低屈折率パターンの誘電体ネットワークを、フォトリソグラフィまたはエッチング（イオンまたは化学）工程を使用せずに形成する工程、
−  とくに高屈折率媒体中にネットワークを埋設させる（ことを完成させる）ために、少なくとも一層の高屈折率層を堆積させる（好ましくは、非選択的堆積、すなわち、パターン間と、パターン上の堆積させる）工程
を含む。
【０１０９】
また、本発明は、前述した有機発光ダイオード装置の支持体を製造するための方法に関する。そのために、ランダムな距離Ｂ１を有する低屈折率パターンの誘電体ネットワークを形成する工程は、
−  高屈折率基板上、または（高屈折率媒体の低屈折率または高屈折率の）層、とくに高屈折率底部層の上に液体マスク層（とくに、ひび割れ可能なゾル−ゲル層、たとえばシリカのゾル−ゲル層）を堆積させる工程、
−  （所望の）ネットワークのパターンのランダムな距離Ｂ１に実質的に等しい、割れ目間のランダムな距離Ｂを有する割れ目を有するマスクが得られるまで、前記マスク層を乾燥させる工程、
−  割れ目の少なくとも一部が充填されるまで、マスクの割れ目を通して、および好ましくはマスクの上にも、低屈折率パターンのネットワークの材料の層を堆積させる工程、
−  低屈折率パターンの誘電体ネットワークが現れるまでマスクを除去する工程
を含む。
【０１１０】
また、次のように規定されているように、本発明は、有機発光ダイオード装置の支持体を製造するための方法に関する。
−  液体の堆積は、溶媒の中に安定化および分散されたコロイド状粒子の溶液の堆積である。
−  粒子は、所定のガラス転移温度Ｔｇを有し、マスクの堆積および乾燥は、上記温度Ｔｇ未満の温度で実施され、実質的に直線の端を有するメッシュ、とくに割れ目の二次元ネットワークをとくに形成する。
−  層、とくにシリカの層の割れ目を通して、気相で、低屈折率パターンのネットワークを堆積させる。
−  好ましくは、液体手段によって、マスクは除去される。
【０１１１】
乾燥後、ナノ粒子のクラスターが得られる。クラスターは、様々なサイズであり、同様に様々なサイズの割れ目によって分離される。
【０１１２】
深さ全体にわたる開口部を得るために、
−  分散を促進させるために、１０ｎｍと３００ｎｍとの間（１０ｎｍと３００ｎｍとを含む）の、さらに５０ｎｍと１５０ｎｍとの間（５０ｎｍと１５０ｎｍとを含む）の（平均）特性寸法を好ましくは有する、限られたサイズの粒子（ナノ粒子）を選択すること、および
−  （とくに表面電荷を処理することによって、たとえば、表面活性化剤によって、ｐＨを調整することによって）溶媒中の粒子を安定化させ、粒子が凝集すること、粒子が沈殿すること、および／または、粒子が重力によって降下することを防止すること
の両方が必要である。
【０１１３】
さらに、粒子の（全）濃度は、好ましくは５体積％と５０体積％との間（５体積％と５０体積％とを含む）に、さらに１０体積％と５０体積％との間（１０体積％と５０体積％とを含む）に、より好ましくは２０体積％と４０体積％との間（２０体積％と４０体積％とを含む）に、調整される。粒子を混合する場合、溶液は、乾燥温度よりも高いＴｇを有する粒子の少なくとも８０体積％の濃度を有する。
【０１１４】
粒子の所定のガラス転移温度Ｔｇと乾燥温度との差は、好ましくは１０℃よりも大きく、さらに２０℃よりも大きい。
【０１１５】
また、本発明は、前に規定したように、有機発光ダイオード装置を製造するための方法に関する。その方法では、マスクは５μｍ未満、好ましくは、３μ以下、とくに０．５μｍと３μｍとの間（０．５μｍと、３μｍとを含む）の厚さを有する。そして、低屈折率パターンのネットワークの層の堆積の前、マスクは、Ｔｇの０．８倍以上の温度に昇温される。したがって、割れ目が、５μｍ以下、さらに２μｍ以下の平均幅Ａ１に、および１０μｍ以下、さらに６μｍ以下の平均距離Ｂ１に広がる。
【０１１６】
（狭い割れ目を有する）そのようなかなり薄いマスクの場合、水のコロイダル溶液を十分に薄めて、３５％以下の粒子の（全）濃度とすることが好ましい。したがって、ひび割れのサイズは、非常に減少される。そして、それらは、その後、マスクが受ける高温（たとえば焼成）によって、十分に広げられ、マスクは緻密化する。
【０１１７】
また、本発明は、基板がガラスであり、ネットワークがゾル−ゲルシリカで形成された有機発光ダイオード装置の製造方法に関し、次の工程を含む。
−  溶媒、とくに水性および／またはアルコール性、できれば気孔形成剤を混ぜた溶媒の中の、シリカの層を形成する材料のゾル前駆物質、とくに、シリコンアルコキシドなどの加水分解性化合物を用意する工程。
−  上記シリカゾルの層を堆積させる工程。
−  可能であれば、溶媒を除去する工程。
−  上記低屈折率パターンを相補するパターンを備えたマスクを有する層を（部分的に、好ましくは完全に、４０ｎｍ未満、さらに２０ｎｍ未満、さらに、１０ｎｍ未満もしくは５ｎｍ未満の下にある厚さを残すように）エンボス加工する工程。
【０１１８】
このシリカゾル−ゲル層は、多孔質であってもよく、気孔形成剤、とくに固体の気孔形成剤の除去によって得られる。本方法は、エンボス加工の後、とくに、３５０℃以上の、さらに５００℃以上の、さらに６００℃以上の熱処理を使用して気孔形成剤の除去により多孔質シリカゾル−ゲルの低屈折率パターンのネットワークを形成し、好ましくは、その後に（熱）焼き戻し操作を行うことを含む。
【０１１９】
エンボス加工は、とくに、シラン、とくにＴＥＯＳをベースとしたゾル−ゲルの場合、６５℃と１５０℃との間の温度で、好ましくは１００℃と１２０℃との間の温度で、好ましくは実行することができる。
【０１２０】
マスクと生成物とを分離させる前に、表面を十分に硬化させることができる。
【０１２１】
また、たとえば、パターンは、次の処理の少なくとも一つによって、接触している間、および／または接触後、好ましくは堅くされる（または少なくとも堅くなり始める）。調節された雰囲気に曝すことによる、熱処理、放射処理、表面の機械的特性を変える処理。
【０１２２】
本発明は、以下の添付された図面に基づいて、純粋に説明し、本発明の範囲を決して限定しない例を通して、今、記載される。
−  図１は、本発明の第１の実施形態によるＯＬＥＤの支持体の断面概略図を示す。
−  図２ａおよび２ｂは、顕微鏡によって得られた画像およびこの画像のトレーシングの形態の、本発明によるＯＬＥＤの支持体の低屈折率パターンを有するネットワークのマスクの平面図を示す。
−  図３ａ〜図４ｂは、顕微鏡によって得られた画像およびこれらの画像のトレーシングの形態の、本発明によるＯＬＥＤの支持体の低屈折率パターンを有する誘電体ネットワークの平面図をそれぞれ示す。
−  図５は、本発明によるＯＬＥＤの支持体の低屈折率パターンを有する別のネットワークの平面図を概略的に示す。
【０１２３】
より良好に理解できるために一定の縮尺で作図していない図１は、第１の構成の有機発光ダイオード装置１００の支持体の１０の断面図を概略的に示す。この支持体１０は、連続して、
−  低屈折率透明基板１、たとえばプラスチック（好ましくは、５０〜２５０μｍの厚さを有するＰＥＴまたはＰＥＮ）または「低屈折率」ガラス（０．７〜３ｍｍの厚さを有するとくに、ソーダ石灰または膜状ガラス）
を含み、
−  低屈折率ネットワーク３を埋設する高屈折率媒体１０
を第１の主面上にこの順序で含む。高屈折率媒体１０は、連続して、
−  基板の直接上に堆積された底部層２、透明であり（実質的に）連続的である、１．７以上の屈折率ｎ５を有する高屈折率層、
−  できれば他の高屈折率層（不図示）、
−  １．６以下の第２の光学的屈折率ｎ２を有し、非周期的なパターン間またはパターン内距離Ｂ１と、パターン幅Ａ１とを有する低屈折率パターン３０の誘電体ネットワーク３であって、パターンが、１Ｄもしくは２Ｄであり、接続していないか、または結合して、たとえば相互連結されて不規則グリッドを形成する、低屈折率パターンのネットワーク、
−  １．７以上の光学的屈折率ｎ３を有する、アソードである、第１の電気伝導性コーティング４の形態の、非周期的なネットワーク３の間およびネットワークの上にある第１の透明電極
を含む。
【０１２４】
高屈折率底部層２は、マグネトロンスパッタリングによって堆積された、アルゴン／窒素雰囲気中、０．２５Ｐａの圧力下、アルミニウムがドープされたシリコンのターゲットを使用した反応性スパッタリングによってとくに堆積されたＳｉ3Ｎ4であり得る。その厚さは、たとえば１００ｎｍである。
【０１２５】
底部層は、基板を被覆し（端付近を除く）、
−  ガラスの場合、アルカリに対するバリヤ、
−  および／または、プラスチックの場合、親水性層、
−  第１の電極のエッチング、とくに酸エッチングの間のエッチング停止
を備える。
【０１２６】
高屈折率層、とくに透明な高屈折率層は、ネットワークの下、底部層の上、さらにパターン間に配置され得る。たとえば、高屈折率層は、ＡｌＮ、ＳｎＺｎＯ、ＺｎＯ，ＩＴＯなどのＴＣＯ、ドーピング材が存在するまたはしないＴｉＯ2、ＺｒＯ2である。
【０１２７】
その部分について、低屈折率ネットワークは、たとえば、シリカＳｉＯ2の層であり、屈折率を低くするために、好ましくは多孔質シリカ（ゾル−ゲル）の層である。
【０１２８】
第１の電極４、好ましくはアノードは、たとえば、スズがドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）をベースとするものなどの高屈折率透明電気伝導性コーティングまたは銀を有する積層体を含む。
【０１２９】
銀を有する積層体は、
−  できればドープされた、亜鉛およびスズをベースとする混合酸化物の可能な副層、または、インジウムおよびスズ（ＩＴＯ）の混合酸化物の層、または、インジウムおよび亜鉛（ＩＺＯ）の混合酸化物の層、
−  ドープされたもしくはされないＺｎＯx、ＳｎyＺｎzＯx、ＩＴＯまたはＩＺＯから選択される金属酸化物をベースとする接触層、
−  固有電気伝導特性を有する機能性金属層、たとえば銀層、
−  ５ｎｍ以下の厚さを有する金属層、および／または準化学量論的金属酸化物もしくは準化学量論的窒素酸化物もしくは準化学量論的窒化物をベースとし、１０ｎｍ以下の厚さを有する層（および可能であれば、機能層の直接下にある薄い下方遮蔽層）を含む、機能層の直接上の可能な薄い上方遮蔽層、
−  たとえば出力作業機能を調整するための、金属酸化物をベースとするオーバーレイ
を含む。
【０１３０】
可能な底部層および／または湿式エッチング停止層および／または副層の上に、次の構造が、ｎ回配置される。ｎは、１以上の整数である（とくにｎ＝２、すなわち、銀二重層）。
−  接触層。
−  可能であれば薄い下方遮蔽層。
−  機能層。
−  薄い上方遮蔽層。
【０１３１】
最後の層はオーバーレイである。
【０１３２】
たとえば、文書、国際公開第２００８／０２９０６０号パンフレット、国際公開第２００８／０５９１８５号パンフレット、さらに国際公開第２００９／０８３６９３号パンフレットに記載されているように、銀を備えた積層体を引用することは可能である。
【０１３３】
以下の表は、銀二重層積層体および銀単層積層体の異なる例における性質およびナノメートルの幾何学的厚さと同様に、それらの主な光学的および電気的特性をまとめている。
【０１３４】
【表１】
2013536977.tif 000004
【０１３５】
第１の電極（アノード）のそれぞれの層について堆積条件は以下である。
−  ＳｎＺｎ：ＳｂＯxをベースとする層は、０．２Ｐａの圧力下およびアルゴン／酸素雰囲気中で、重量％で６５％のＳｎ、３４％のＺｎおよび１％Ｓｂを含む、亜鉛とアンチモンがドープされたスズとのターゲットを使用した反応性スパッタリングによって堆積される。
−  銀をベースとする層は、０．８Ｐａの圧力下で、純粋なアルゴン雰囲気中で、銀のターゲットを使用して堆積される。
−  Ｔｉの層は、０．８Ｐａの圧力下で、純粋なアルゴン雰囲気中で、チタンのターゲットを使用して堆積される。
−  ＺｎＯ：Ａｌをベースとする層は、０．２Ｐａの圧力下およびアルゴン／酸素雰囲気中で、アルミニウムがドープされた亜鉛のターゲットを使用して反応性スパッタリングによって堆積される。
−  ＩＴＯをベースとするオーバーレイは、０．２Ｐａの圧力下およびアルゴン／酸素雰囲気中で、セラミックターゲットを使用して堆積される。
【０１３６】
変形例として、第１の電極は、下方遮蔽コーティングを含むことができ、中性プラズマを使用して金属ターゲットによって好ましくは得られた金属層を、または、中性プラズマを使用してセラミックターゲットによって好ましくは得られた、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの１種もしくは２種以上の金属の窒化物および／または酸化物の層を、下方遮蔽コーティングとして、とくに含むことができる。
【０１３７】
ＯＬＥＤを形成するために、その後、たとえば、平坦化工程なしで、第１の電極の直接上に、１．７以上の光学的屈折率ｎ４を有する有機材料を有する（不図示の）発光システムが付加される。
【０１３８】
有機システムの上に、第２の電気伝導性コーティングの形態の第２の電極（不図示）がある。それは、有機システムによって発光された光を反対の方向、透明基板１の方向へ戻すことが意図されて反射する。透明基板１から光は出発する（頂部発光）。
【０１３９】
有機材料を有する発光システムによって補完された高屈折率媒体１０は、所定の厚さＤ１（当然、ネットワークの厚さを除く）の高屈折率光学的導波１００を形成する。高屈折率光学的導波１００は、グリッド電極の可能な金属グリッド、または層の積層体を有する電極の可能な金属層を含む。
【０１４０】
低屈折率ネットワークが高屈折率導波の中心に対して十分近くに配置されるように、厚さは、好ましくは選択される。
【０１４１】
図１の配置（底部層上のネットワーク、ネットワーク間およびネットワークを直接被覆する第１の電極）では、以下の厚さを有する。
−  高屈折率底部層、とくにＳｉ3Ｎ4について、１００ｎｍ。
−  第１の高屈折率電極（たとえば、銀を有する多層積層体）はおよそ１００ｎｍ。
−  平均屈折率１．８の有機積層体は１００ｎｍ。
−  およびネットワークの高さは８０ｎｍ。
【０１４２】
導波厚さＤ１はおよそ３００ｎｍであり、ネットワークの中間（４０ｎｍ）は、導波の外面（有機システムの表面）から１４０ｎｍの距離Ｄ２（金属低屈折率層をカウントする）の導波の中心に最適に置かれる。
【０１４３】
厚いＯＬＥＤの場合、すなわち、（とくに、電気欠陥に対する感度を制限するためにＨＴＬ層が著しく厚くするために）第１の電極を有する有機積層体が数百ｎｍである場合、底部層の厚さは、したがって増加させるべきである。
【０１４４】
図１の配置（底部層上のネットワーク、ネットワーク間およびネットワークを直接被覆する第１の電極）では、以下の厚さを有する。
−  底部層、とくにＳｉ3Ｎ4について、８００ｎｍ。
−  第１の電極、とくにＩＴＯはおよそ１５０ｎｍ。
−  平均屈折率１．８の有機積層体は６５０ｎｍ。
−  およびネットワークの高さは８０ｎｍ。
【０１４５】
導波厚さＤ１はおよそ１６００ｎｍであり、ネットワークの中間（４０ｎｍ）は、導波の外面（有機システムの表面）から７６０ｎｍの距離Ｄ２（低屈折率層をカウントする）の導波の中心に最適に置かれる。
【０１４６】
図１の配置（底部層上のネットワーク、ネットワーク間およびネットワークを直接被覆する第１の電極）では、以下の厚さを有する。
−  底部層、とくにＳｉ3Ｎ4について、８００ｎｍ。
−  第１の電極、とくに銀を有する多層積層体はおよそ１００ｎｍ。
−  平均屈折率１．８の有機積層体は８００ｎｍ。
−  およびネットワークの高さは８０ｎｍ。
【０１４７】
導波厚さＤ１はおよそ１７００ｎｍであり、ネットワークの中間（４０ｎｍ）は、導波の外面（有機システムの表面）から８６０ｎｍの距離Ｄ２（低屈折率層をカウントする）の導波の中心に最適に置かれる。
【０１４８】
第１の変形例として、第２の電極が、高屈折率層（ＴＣＯなど）、とくにＩＴＯの高屈折率層（たとえば、１００〜１５０ｎｍの厚さ）として選択された場合、光学的導波は、この第２の電極を含み、その厚さは、Ｄ１の厚さおよびＤ２の評価に含まれなくてはならない。
【０１４９】
不図示の第１の変形例では、ガラスは高い屈折率を有し、たとえば、ネットワークは、ガラスの直接上にまたは薄い高屈折率底部層の上に堆積される。ネットワークは、できる限り効率的にするために導波の中心に置かれる必要はない。
【０１５０】
不図示の第２の変形例では、Ｓｉ3Ｎ4の層は、パターンの直接間の固定として、パターン３０の間および上の低屈折率ネットワークの上に堆積され、第１の電極４は、この高屈折率層の直接上に、その後、堆積される。
【０１５１】
したがって、第１の電極は、すでに記載された積層体であり得る。さらに、第１の電極は、たとえば、ひび割れたマスクまたはＴＣＯ層の上に堆積することにより得られた高屈折率コーティングによって平坦化された金属グリッドであり得る。
【０１５２】
この第２の変形例の配置（底部層上のネットワーク、ネットワークおよび上記第１の電極を直接被覆する、ネットワーク間の固定層）では、以下の厚さを有する。
−  高屈折率底部層２、Ｓｉ3Ｎ4について、１００ｎｍ。
−  Ｓｉ3Ｎ4の固定層はおよそ１００ｎｍ。
−  第１の高屈折率電極４（たとえば、銀を有する単層、積層体）はおよそ２０ｎｍ。
−  平均屈折率１．８の有機積層体５は１００ｎｍ。
−  およびネットワークの高さは８０ｎｍ。
【０１５３】
導波厚さＤ１はおよそ３２０ｎｍであり、ネットワークの中間（４０ｎｍ）は、導波の外面（有機システムの表面）から１６０ｎｍの距離Ｄ２の導波の中心に最適に置かれる。
【０１５４】
低屈折率誘電体ネットワークの製造のより詳細な例は以下に示される。
【０１５５】
製造例１
−  工程１  マスクの堆積
高屈折率層（好ましくは底部層）上、または、とくに高屈折率無機ガラスの、基板上に、湿式手段を使用した技術によって、「スピンコーティング」によって、水中に安定化されたアクリル系コポリマーをベースとする２つのタイプのコロイド状粒子の２種の溶液の混合液が堆積される。
【０１５６】
第１の溶液は、「Neocryl XK 52（登録商標）」のブランド名でDSM社から販売され、１１５℃のガラス転移温度Ｔｇ１を有し、水で４０％に希釈された、８０ｎｍと１００ｎｍとの間の特徴的寸法を有する第１のコロイド状粒子を含む。
【０１５７】
第２の溶液は、「Neocryl XK 240（登録商標）」のブランド名でDSM社から販売され、３０℃未満のガラス転移温度Ｔｇ２を有し、水で５２％に希釈された、１９０ｎｍの特徴的寸法を有する第２のコロイド状粒子を含む。
【０１５８】
第１の粒子（硬質粒子）は、Ｔｇ１よりも低い温度で、好ましくは外気温度で、乾燥させることを選択することによって、マスクがひび割れ可能になるように変化させる。
起きやすくする。
【０１５９】
第２の粒子は、基板または下にある層にマスクが付着することに貢献する。
【０１６０】
９７体積の第１の溶液と３体積の第２の溶液とを混合することを選択する。２種の溶液の混合液における粒子の全体の濃度はおよそ４０体積％であり、その混合液は、９５体積％を超える第１の粒子の濃度を有する。マスクの厚さは８〜１０μｍである。
【０１６１】
コロイド状粒子を含む層は、溶媒が蒸発し、割れ目が形成するように、その後、乾燥される。この乾燥は、好ましくはＴｇよりも低い温度（たとえば外気温度）で、任意の適切な方法（加熱空気中での乾燥など）によって行われる。
【０１６２】
この乾燥工程の間、そのシステムは、不規則な配置でそれ自体配置される。焼成を含まないで、安定なマスクが得られる。
【０１６３】
様々な寸法のブロックを囲む閉じた輪郭線を有する割れ目の二次元ネットワークが得られる。
【０１６４】
マスクは、１．５μｍと５．７μｍとの間の様々な非周期的な割れ目の幅および１５μｍと６５μｍとの間のブロックの様々な非周期的な長さを示す。
【０１６５】
長さ−幅の比率は、たとえば、緻密化されたコロイドと底部層の表面との間の摩擦係数、さらにナノ粒子の寸法、さらに蒸発の速度、または初期粒子濃度、または溶媒の性質、または堆積技術によって決まる厚さなどを調節することによって、変更され得る。
【０１６６】
第２の実施形態では、
−  水で４０％に希釈され、１０００℃よりも高いＴｇを有する、１０ｎｍ未満の特徴寸法のシリカのコロイド、たとえばAldrich社によって販売された製品「TMA」の第１の溶液と、
−  水に３０％に溶解されたポリアクリルアミドの第２の溶液との混合液を堆積させる。
【０１６７】
溶液の混合液中の粒子の全体の濃度はおよそ３６体積％である。９０体積の第１の溶液と１０体積の第２の溶液とを混合することを選択する。
【０１６８】
マスクの厚さは、およそ５μｍである。マスクは、１μｍと２μｍとの間の様々な非周期的な割れ目の幅と、１５μｍと３５μｍとの間の様々な非周期的なブロックの長さとを示す。
【０１６９】
様々な寸法のブロック３２を囲む閉じた輪郭線を有する割れ目３１の二次元ネットワークが得られる。図２ａおよび２ｂは上記マスクを示す。
【０１７０】
第３の実施形態では、第１の例についてすでに記載されている２種の溶液の混合液が堆積される。
【０１７１】
９７体積の第１の溶液と３体積の第２の溶液とを混合することを再び選択する。しかし、混合液中の粒子の全体の濃度がおよそ３０体積％に低下するように水で希釈する。混合液は、第１の粒子の９５体積％を超える濃度を維持している。マスクの厚さは、およそ２．５μｍに制限される。
【０１７２】
乾燥しひびが入ったマスクは、その後、熱処理（オーブンの中で、空気中で１４０℃、１５分間）を受け、ひびが広げられる。
【０１７３】
その後、マスクは、０．５μｍと１μｍとの間の様々な非周期的な割れ目の幅と、３μｍと８μｍとの間の様々な非周期的なブロックの長さとを示す。
【０１７４】
（上記例の全ての）マスクの形態学的研究により、割れ目が，直線のひび割れプロファイルを示すことがわかる。
【０１７５】
そのひびのプロファイルは、次の特定の有利な点を提供する。
−  とくに単一の工程で、材料を非常に厚く堆積する。
−  マスクを除去した後、マスクと同じ、とくに厚い、パターンを保持する。
【０１７６】
−  工程２  低屈折率パターンを有する誘電体ネットワークの材料の堆積
低屈折率パターンを有するネットワークの材料は、割れ目の一部が充填されるまで、マスクを通して堆積される。
【０１７７】
この堆積の段階は、気相堆積手段によって、たとえばマグネトロンスパッタリングによって実行され得る。材料は、ひび割れを充填するようにマスク上および割れ目のネットワークの内部に堆積される。充填は、割れ目のネットワークの厚さの一部に少なくともしたがって行われる。
【０１７８】
マグネトロンスパッタリングによって、３０〜２００ｎｍの、好ましくは約８０〜１００ｎｍの厚さに、シリカを堆積することを選択する。マスクの寸法と同様のパターンの非周期的な平均幅Ａ１と非周期的な平均距離Ｂ１とを有する低屈折率誘電体ネットワークが形成される。
【０１７９】
−  工程３  低屈折率パターンを有する誘電体ネットワークの出現
グリッド構造をマスクから出現させるために、「剥離」作業が実行される。この作業は、コロイドの接着はファン・デル・ワールスタイプの弱い力（バインダーも焼成に起因する結合もない）に起因するという事実によって容易にされる。その後、コロイド状マスクは、水およびアセトンを含む溶液（洗浄液はコロイド状粒子の性質にしたがって選択される）の中に浸漬され、コロイドによって被覆されている部分全てを取り除くために、その後、すすがれる。超音波の使用によってその現象を促進することができ、コロイド状粒子のマスクは分解され、相補部分（材料で充填された割れ目のネットワーク）が現れ、それがグリッドを作り出す。
【０１８０】
図３ａ〜４ｂは、上述の最後の２つのマスク（第２および第３の実施形態）を使用して得られた低屈折率パターンを有する誘電体ネットワークの平面図によって２つの組織を示す。
【０１８１】
第３の実施形態にしたがって得られたネットワーク（図４ａおよび４ｂ）は、より密集しており、好ましい。
【０１８２】
−  工程４  第１の電極材料の堆積
図１の構成の場合、第１の電極−たとえば、すでに記載された銀を有する多層積層体が、低屈折率ネットワークのパターン間におよびパターン上に堆積される。
【０１８３】
第１の電極の堆積は、低屈折率ネットワークに影響を与えない。さらに、第１の電極の表面抵抗率は、平坦な基板上のものと同様である。
【０１８４】
別の構成の場合、底部層の材料の固定層が堆積される。その後、たとえば、第１の構成について記載されたものと同一の、第１の電極が堆積される。
【０１８５】
製造例２
別の例では、低屈折率パターンを有するネットワークは、多孔質シリカのゾル−ゲル層であり、エンボス加工によって得られる。
【０１８６】
シリカベースのゾル−ゲル層は、ＴＥＯＳまたはＭＴＥＯＳ前駆物質を使用して得られ、気孔形成剤を除去することによって多孔質に変わる。
【０１８７】
したがって、１．５よりも小さい、さらに１．３よりも小さい材料の屈折率を低くすることが可能になる。これにより、屈折率の差異が増加し、したがって、光散乱が有効になる。
【０１８８】
前の例と同じように、第１工程は、たとえば、カソードスパッタリングによってガラス基板上にＳｉ3Ｎ4の１００ｎｍの層を堆積することからなる。
【０１８９】
底部層上のゾル−ゲルタイプの多孔質層の作製は、次の連続する工程を最初に含む。
−  溶媒、とくに水性および／またはアルコール性の溶媒中に、シリカの層を形成する材料の前駆物質ゾル、とくにハライドもしくはシリコンのアルコキシドなどの加水分解可能な化合物を用意する工程、
−  ２０ｎｍ以上の、とくに４０ｎｍと１００ｎｍとの間の寸法の粒子の形態の、とくに固体の、気孔形成剤と混合する工程、
−  底部層の上に混合物を堆積させる工程。
【０１９０】
固体気孔形成剤は、好ましくはポリマーの、とくにＰＭＭＡタイプ、メチルメタクリレート／アクリル酸のコポリマー、ポリスチレンのボールを有利なことに含み得る。
【０１９１】
基板上の堆積は、スパッタリングによって、シリカゾルに浸漬し、シリカゾルから引き上げること（または「デップ・コーティング」）によって、スピンコーティングによって、フロー−コーティングによって、ロール−コーティングによって実行し得る。
【０１９２】
低屈折率ネットワークのパターンは、上記所望の低屈折率パターンを相補するパターンを備えたスタンプを使用する堆積した層のエンボス加工によって、その後、規定される。ゾル−ゲル層をエンボス加工する方法は従来の方法である。
【０１９３】
その後、少なくとも５００℃で、さらに少なくとも６００℃で、好ましくは１５分以下の時間、さらに５分間以下の時間、層は熱処理を受け、続いて焼き戻しをする。それにより、一方では、テクスチャが形成された層を焼成することができ、他方では、低屈折率ネットワークの屈折率を低下させるために有機ナノ粒子を蒸発させることができる。
【０１９４】
多孔質ゾル−ゲル層の例について、国際公開第２００８／０５９１７０号パンフレットに記載されている層（油または粒子ベースの気孔形成剤を有する、この出願の実施例、または従来の気孔形成剤を有する先行技術に示されている例）を参照できる。
【０１９５】
図５は、ランダムに分布した様々な寸法のブロックにより形成される例示的低屈折率ネットワーク３を概略的に示す。ネットワークは、たとえばゾル−ゲル層のエンボス加工によって、形成される。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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