(57)【要約】      （修正有）【課題】スタックドビアを構成するビア導体の電気的信頼性が良好なプリント配線基板を提供する。【解決手段】プリント配線板は、第１絶縁層と、第１絶縁層上に形成の第１導体層と、第１絶縁層を貫通し第１導体層に繋る第１ビア導体とを有する第１ビルドアップ層と、第１ビルドアップ層上に形成の第２絶縁層と、第２絶縁層上に形成の第２導体層と、第２絶縁層を貫通し第１導体層と第２導体層を電気的に接続の第２ビア導体とを有する第２ビルドアップ層と、第２ビルドアップ層上に形成の第３絶縁層と、第３絶縁層上に形成の第３導体層と、第３絶縁層を貫通し第３導体層と第２導体層を電気的に接続している第３ビア導体とを有する第３ビルドアップ層と、を有する。第２絶縁層の熱膨張係数は、第１絶縁層および第３絶縁層の熱膨張係数より小さく、第１ビア導体と第２ビア導体と第３ビア導体はスタックビア構造が形成される。【選択図】図１
2015012022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導体層に繋がっている第１ビア導体とを有する第１ビルドアップ層と、
前記第１ビルドアップ層上に形成されている第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成されている第２導体層と、前記第２絶縁層を貫通し前記第１導体層と第２導体層を電気的に接続している第２ビア導体とを有する第２ビルドアップ層と、
前記第２ビルドアップ層上に形成されている第３絶縁層と、前記第３絶縁層上に形成されている第３導体層と、前記第３絶縁層を貫通し前記第３導体層と前記第２導体層とを電気的に接続している第３ビア導体とを有する第３ビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
前記第２絶縁層の熱膨張係数は、前記第１絶縁層の熱膨張係数と前記第３絶縁層の熱膨張係数より小さく、
前記第１ビア導体と前記第２ビア導体と前記第３ビア導体は階段のように積層されていて、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体と前記第３ビア導体とでスタックビア構造が形成されている。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第２ビア導体の中心軸は前記第１ビア導体の中心軸よりプリント配線板の外周方向に位置し、前記第３ビア導体の中心軸は前記第２ビア導体の中心軸よりプリント配線板の外周方向に位置している。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層の前記第１絶縁層と前記第１導体層と前記第１ビア導体は複数であって、前記第１絶縁層と前記第１導体層は交互に積層されていて、前記第１ビア導体は各前記第１絶縁層に形成されていて、
前記第３ビルドアップ層の前記第３絶縁層と前記第３導体層と前記第３ビア導体は複数であって、前記第３絶縁層と前記第３導体層は交互に積層されていて、前記第３ビア導体は各前記第３絶縁層に形成されていて、
前記スタックビア構造は前記第１絶縁層にそれぞれ形成されている前記第１ビア導体と前記第２ビア導体と前記第３絶縁層にそれぞれ形成されている前記第３ビア導体で形成されている。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線板であって、前記第１絶縁層の層数と前記第３絶縁層の層数は同じである。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第２絶縁層の熱膨張係数の値は、前記第１絶縁層の熱膨張係数の７０％以下であり、かつ前記第３絶縁層の熱膨張係数の７０％以下である。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層と前記第２ビルドアップ層と前記第３ビルドアップ層でビルドアップ層が形成され、前記ビルドアップ層は、複数のコイルパターンと前記コイルパターンを接続するビア導体で形成されている積層インダクタを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本国特許出願公開２００８−１１２９８７号公報（特許文献１）は、スタックビアを有する配線基板を開示している。特許文献１の図１では、スタックビアを形成している各ビア導体が一直線に位置している。特許文献１の図５では、スタックビアを形成している最も下のビア導体（コア材に最も近いビア導体）の軸線と他のビア導体の軸線がオフセットしている。特許文献１の図１では、４つのビア導体が一直線に配置されていて、特許文献１の図５では、３つのビア導体が一直線に配置されている。また、ビア導体が形成されている層間絶縁材の熱膨張係数は３５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１２９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図１に示されている配線基板は、コア材を有している。プリント配線板を薄くするため、コア材を有しないプリント配線板や、薄いコア材を有するプリント配線板が開発されている。層間絶縁材の熱膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であっても、そのようなプリント配線板に、特許文献１の図１に示されているような３つ以上のビア導体が一直線に積層されているスタックビアが形成される場合、ヒートサイクルで、スタックビアと、スタックビアが接続している導体回路との間に大きな応力が働くと考えられる。そして、その応力により、スタックビアと、スタックビアが接続している導体回路との間の接続信頼性が低下すると予想される。
【０００５】
本明細書中には、日本国特許出願公開２００８−１１２９８７号公報の内容が取り込まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導体層に繋がっている第１ビア導体とを有する第１ビルドアップ層と、前記第１ビルドアップ層上に形成されている第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成されている第２導体層と、前記第２絶縁層を貫通し前記第１導体層と第２導体層を電気的に接続している第２ビア導体とを有する第２ビルドアップ層と、前記第２ビルドアップ層上に形成されている第３絶縁層と、前記第３絶縁層上に形成されている第３導体層と、前記第３絶縁層を貫通し前記第３導体層と前記第２導体層とを電気的に接続している第３ビア導体とを有する第３ビルドアップ層と、を有する。そして、前記第２絶縁層の熱膨張係数は、前記第１絶縁層の熱膨張係数と前記第３絶縁層の熱膨張係数より小さく、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体と前記第３ビア導体は階段のように積層されていて、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体と前記第３ビア導体とでスタックビア構造が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線板を示す断面図。
【図２】本発明の別の実施形態に係るプリント配線板を示す断面図。
【図３Ａ】両面銅貼積層板を説明する図。
【図３Ｂ】貫通孔を形成する工程を説明する図。
【図３Ｃ】スルーホール導体を形成する工程を説明する図。
【図３Ｄ】導体層を形成する工程を説明する図。
【図４Ａ】絶縁層を形成する工程を説明する図。
【図４Ｂ】ビア導体用の開口を形成する工程を説明する図。
【図４Ｃ】導体層とビア導体を形成する工程を説明する図。
【図４Ｄ】第２ビルドアップ層を形成する工程を説明する図。
【図４Ｅ】第３ビルドアップ層を形成する工程を説明する図。
【図４Ｆ】ソルダーレジスト層と半田バンプを形成する工程を説明する図。
【図５】インダクタを示す斜視図。
【図６】インダクタを内蔵するプリント配線板を示す断面図。
【図７Ａ】スタックビア構造の断面図。
【図７Ｂ】スタックビア構造を上面から見た概念図。
【図７Ｃ】スタックビア構造の断面図。
【図８】スタックビア構造の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
コア材を有しないプリント配線板や、４００μｍ以下の厚さのコア材を有するプリント配線板や、１３０μｍ以下のＣ４パッドピッチを有するプリント配線板に、特許文献１の図１に示されているスタックビア構造が形成され、かつスタックビア構造が貫通している各層間樹脂絶縁層の熱膨張係数が、同じである場合、スタックビア構造に大きなストレスが掛かると予想される。そのストレスによりスタックビア構造の接続信頼性が低下すると推察される。
【０００９】
以下、本発明の実施形態に係るプリント配線板及びその製造方法が、図面を参照しつつ詳細に説明される。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向を指す。プリント配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。
【００１０】
導体層は、一乃至複数の導体回路を含む。導体層は、パッドやランド等を含む。
【００１１】
ランドは、ビア導体用の開口やスルーホール導体用の貫通孔の上又は周囲に形成される導体であり、ランドはビア導体やスルーホール導体に直接繋がっている。ビア導体がフィルドビアの場合、ビア導体のランドはビア導体の周囲とビア導体上に形成されている。ビア導体やスルーホール導体は、開口内や貫通孔内に形成されている導体である。
【００１２】
スタックビア構造の例が図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃに示されている。図７Ａに、２つのビア導体（ビア導体ＵＶとビア導体ＬＶ）で形成されているスタックビア構造が示されている。図７Ｃに、３つのビア導体で形成されているスタックビア構造が示されている。また、図７Ｂに、ビア導体ＬＶのランドの上面等が示されている。ビア導体ＬＶのランドの外周Ｓ１１１が実線で示されていて、ビア導体ＵＶのボトム開口Ｓ１２３が点線で示されている。さらに、ビア導体ＬＶのトップ開口Ｓ１１２が破線で示されている。ビア導体ＵＶはビア導体ＬＶのランド上に形成されていて、ビア導体ＵＶの底面はビア導体ＬＶのランド内に位置している。図７Ａと図７Ｂが対応している。スタックビア構造の各ビア導体はフィルドビアであることが好ましい。
【００１３】
（実施形態）
本実施形態に係るプリント配線板１０００は、図１に示されている。本明細書内で、プリント配線板は配線板とも称される。
【００１４】
配線板１０００は、図１に示されるように、第１面Ｆ１と第１面と反対側の第２面Ｆ２を有するコア基板１０４を有する。コア基板１０４は、第１面Ｆ１と、第１面と反対側の第２面Ｆ２とを有する絶縁層１０と、絶縁層１０の第１面Ｆ１上の上側の導体層２０ａと、絶縁層１０の第２面Ｆ２上の下側の導体層２０ｂと、絶縁層１０を貫通し、上側の導体層２０ａと下側の導体層２０ｂとを接続しているスルーホール導体１０１とを有する。絶縁層１０は、硬化済の樹脂と、ガラスクロスなどの補強材とで形成されている。
【００１５】
配線板１０００は、さらに、コア基板の第２面Ｆ２上に形成されている第１絶縁層（下側の第１絶縁層）１１ｂと、第１絶縁層１１ｂ上に形成されている第１導体層（下側の第１導体層）２１ｂと、第１絶縁層１１ｂを貫通し第１導体層２１ｂとコア基板の下側の導体層２０ｂとを接続している第１ビア導体（下側の第１ビア導体）３１ｂとで形成されている第１ビルドアップ層（下側の第１ビルドアップ層）Ｂ１ｂを有する。配線板１０００は、さらに、下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂ上に形成されている第２絶縁層（下側の第２絶縁層）１２ｂと、第２絶縁層１２ｂ上に形成されている第２導体層（下側の第２導体層）２２ｂと、第２絶縁層１２ｂを貫通し第２導体層２２ｂと第１導体層２１ｂとを接続している第２ビア導体（下側の第２ビア導体）３２ｂとで形成されている第２ビルドアップ層（下側の第２ビルドアップ層）Ｂ２ｂを有する。配線板１０００は、さらに、下側の第２ビルドアップ層Ｂ２ｂ上に形成されている第３絶縁層（下側の第３絶縁層）１３ｂと、第３絶縁層１３ｂ上に形成されている第３導体層（下側の第３導体層）２３ｂと、第３絶縁層１３ｂを貫通し第２導体層２２ｂと第３導体層２３ｂを接続している第３ビア導体（下側の第３ビア導体）３３ｂとで形成されている第３ビルドアップ層（下側の第３ビルドアップ層）Ｂ３ｂを有する。
【００１６】
下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂと、下側の第２ビルドアップ層Ｂ２ｂと、下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂとで、下側のビルドアップ層Ｂｂが形成される。プリント配線板は下側のビルドアップ層Ｂｂのみで形成されても良い。
【００１７】
配線板１０００は、さらに、コア基板の第１面Ｆ１上に形成されている第１絶縁層（上側の第１絶縁層）１１ａと、第１絶縁層１１ａ上に形成されている第１導体層（上側の第１導体層）２１ａと、第１絶縁層１１ａを貫通し第１導体層２１ａとコア基板の上側の導体層２０ａを接続している第１ビア導体（上側の第１ビア導体）３１ａとで形成されている第１ビルドアップ層（上側の第１ビルドアップ層）Ｂ１ａを有する。配線板１０００は、さらに、上側の第１ビルドアップ層Ｂ１ａ上に形成されている第２絶縁層（上側の第２絶縁層）１２ａと、第２絶縁層１２ａ上に形成されている第２導体層（上側の第２導体層）２２ａと、第２絶縁層１２ａを貫通し第２導体層２２ａと第１導体層２１ａを接続している第２ビア導体（上側の第２ビア導体）３２ａとで形成されている第２ビルドアップ層（上側の第２ビルドアップ層）Ｂ２ａを有する。配線板１０００は、さらに、上側の第２ビルドアップ層Ｂ２ａ上に形成されている第３絶縁層（上側の第３絶縁層）１３ａと、第３絶縁層１３ａ上に形成されている第３導体層（上側の第３導体層）２３ａと、第３絶縁層１３ａを貫通し第２導体層２２ａと第３導体層２３ａを接続している第３ビア導体（上側の第３ビア導体）３３ａとで形成されている第３ビルドアップ層（上側の第３ビルドアップ層）Ｂ３ａを有する。
【００１８】
上側の第１ビルドアップ層Ｂ１ａと、上側の第２ビルドアップ層Ｂ２ａと、上側の第３ビルドアップ層Ｂ３ａとで、上側のビルドアップ層Ｂａが形成される。プリント配線板は上側のビルドアップ層Ｂａのみで形成されても良い。
【００１９】
配線板１０００は、下側のビルドアップ層Ｂｂ上に、下側の第３導体層２３ｂに含まれる導体回路２３２ｂや下側の第３ビア導体３３ｂのランド２３１ｂを露出するための開口５２ｂ、５１ｂを有する下側のソルダーレジスト層５ｂを有しても良い。その開口により露出する下側の第３導体層２３ｂに含まれる導体回路２３２ｂや下側の第３ビア導体３３ｂのランド２３１ｂはＢＧＡパッドとして機能し、ＢＧＡパッド上にマザーボードと接続するための半田バンプ（ＢＧＡバンプ）６２ｂ、６１ｂが形成される。
【００２０】
配線板１０００は、上側のビルドアップ層Ｂa上に上側の第３導体層２３aに含まれる導体回路２３２aや上側の第３ビア導体３３aのランド２３１aを露出するための開口５２a、５１aを有する上側のソルダーレジスト層５aを有しても良い。その開口により露出する上側の第３導体層２３aに含まれる導体回路２３２aや上側の第３ビア導体３３aのランド２３１aはＣ４パッドとして機能し、Ｃ４パッド上にＩＣを搭載するための半田バンプ（Ｃ４バンプ）６２a、６１aが形成される。隣接するＣ４パッドの重心間の距離がＣ４パッドピッチである。
【００２１】
プリント配線板は下側のビルドアップ層Ｂｂと下側のソルダーレジスト層５ｂのみで形成されても良い。
プリント配線板は下側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層を挟むソルダーレジスト層で形成されても良い。その場合、下側のビルドアップ層の両面に、ソルダーレジスト層が形成されている。
【００２２】
なお、本発明のプリント配線板においては、第１ビルドアップ層は、複数の第１導体層と、複数の第１絶縁層と、各第１絶縁層を貫通する複数の第１ビア導体とを有しても良い。ここで、第１導体層と第１絶縁層は交互に積層され、隣接する導体層は隣接する導体層で挟まれていて第１絶縁層を貫通する第１ビア導体で接続される。同様に、第３ビルドアップ層は、複数の第３導体層と、複数の第３絶縁層と、各第３絶縁層を貫通する複数の第３ビア導体とを有しても良い。ここで、第３導体層と第３絶縁層は交互に積層され、隣接する導体層は隣接する導体層で挟まれていて第３絶縁層を貫通する第３ビア導体で接続される。例えば、図２に示される実施形態では、第１ビルドアップ層Ｂ１aは、第１導体層２１０１aと第１導体層２１０２a、第１絶縁層１１１aと第１絶縁層１１２a、各第１絶縁層を貫通する第１ビア導体３１１aと第１ビア導体３１２aを有している。ここで、第１導体層と第１絶縁層は、第１絶縁層１１１a、第１導体層２１０１a、第１絶縁層１１２a、第１導体層２１０２aの順に積層され、隣接する導体層２１０１aと導体層２１０２aは第１絶縁層１１２aを貫通する第１ビア導体３１２aで接続され、第１導体層２１０１aとコア基板の導体層２０aは第１絶縁層１１１aを貫通する第１ビア導体３１１aで接続される。
【００２３】
上側の第１ビルドアップ層に属する上側の第１絶縁層の層数と、上側の第３ビルドアップ層に属する上側の第３絶縁層の層数は同じであることが好ましい。下側の第１ビルドアップ層に属する下側の第１絶縁層の層数と、下側の第３ビルドアップ層に属する下側の第３絶縁層の層数は同じであることが好ましい。
【００２４】
下側の第２絶縁層は、下側のビルドアップ層内でプリント配線板の断面方向Ｚ１−Ｚ２で中心に位置する。そのため、下側のビルドアップ層が異なる熱膨張係数を有する絶縁層を含んでも、プリント配線板の反りが小さくなる。上側の第１ビルドアップ層に属する上側の第１絶縁層の層数と、下側の第１ビルドアップ層に属する下側の第１絶縁層の層数は同じであることが好ましい。上側の第３ビルドアップ層に属する上側の第３絶縁層の層数と、下側の第３ビルドアップ層に属する下側の第３絶縁層の層数は同じであることが好ましい。
【００２５】
下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数は、下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂに属する下側の第１絶縁層１１ｂおよび下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂに属する下側の第３絶縁層１３ｂの熱膨張係数より小さい。下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂに属する下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数と下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂに属する下側の第３絶縁層１３ｂの熱膨張係数は等しいことが好ましい。
上側の第２絶縁層１２aの熱膨張係数は、上側の第１ビルドアップ層Ｂ１aに属する上側の第１絶縁層１１aや上側の第３ビルドアップ層Ｂ３aに属する上側の第３絶縁層１３aの熱膨張係数より小さいことが好ましい。
上側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂに属する下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数と上側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂに属する下側の第３絶縁層１３ｂの熱膨張係数は等しいことが好ましい。上側の第二絶縁層１２aの熱膨張係数は、下側の第二絶縁層１２ｂの熱膨張係数と同じであることが好ましい。上側と下側のビルドアップ層に属する絶縁層がヒートサイクルで同様に収縮する。
【００２６】
上側のビルドアップ層に属する導体の体積が下側のビルドアップ層に属する導体の体積より少ない場合、上側の第１ビルドアップ層に属する上側の第１絶縁層の熱膨張係数と、上側の第３ビルドアップ層に属する上側の第３絶縁層の熱膨張係数と、上側の第２絶縁層の熱膨張係数は等しいことが好ましい。上側のビルドアップ層の導体の体積が少ないため、上側のビルドアップ層は、剛性が低い。そのため、絶縁層の熱膨張係数が異なると、プリント配線板の反りが大きくなったり、上側の第３ビルドアップ層と上側の第２ビルドアップ層との間で剥がれが発生したりする可能性がある。
【００２７】
下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数を、それ以外の絶縁層の熱膨張係数より小さくする方法として、例えば、絶縁層１２ｂに熱膨張係数の小さい樹脂を用いる方法、絶縁層１２ｂに用いる樹脂に無機粒子などのフィラーを加える方法が挙げられる。下側の第２絶縁層１２ｂに含まれる無機粒子の量をそれ以外の絶縁層に含まれる無機粒子の量より多くすることで、下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数はそれ以外の絶縁層の熱膨張係数より小さくなる。また、下側の第２絶縁層１２ｂにアラミド系のフィルムが用いられ、それ以外の絶縁層にエポキシ系のフィルムが用いられると、下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数はそれ以外の絶縁層の熱膨張係数より小さくなる。また、具体的には、２５℃から１５０℃の範囲で、下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃から３０ｐｐｍ／℃であり、下側の第２絶縁層１２ｂより大きな熱膨張係数を有する他の絶縁層の熱膨張係数は、３５ｐｐｍ／℃から５０ｐｐｍ／℃である。
【００２８】
また、下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数は、下側の第２絶縁層１２ｂより大きな熱膨張係数を有する他の絶縁層の熱膨張係数の７０％以下であると好ましく、５０％以下であるとより好ましく、３０％以下であると特に好ましい。ここで、絶縁層の熱膨張係数は、プリント配線板の完成品における熱膨張係数であって、２５℃から１５０℃の範囲での値である。また、熱膨張係数は、配線板の主面方向における値である。
【００２９】
コア基板１０４の絶縁層１０は、例えばガラスクロスなどの補強材と硬化済のエポキシ樹脂で形成されている。
【００３０】
上側のビルドアップ層Ｂａに属する絶縁層と下側のビルドアップ層Ｂｂに属する絶縁層はそれぞれ、樹脂と無機粒子で形成される。全ての絶縁層は、さらに、補強材を有することができる。この場合、樹脂の種類や無機粒子の量で熱膨張係数が変えられる。下側の第２絶縁層のみガラスクロスなどの補強材を含んでも良い。下側の第２絶縁層の熱膨張係数がそれ以外の絶縁層の熱膨張係数より小さくなる。また、下側のビルドアップ層の剛性が上がるので、プリント配線板の反りが小さくなる。
【００３１】
図１に示されるように、上側の第１ビア導体３１ａと上側の第２ビア導体３２ａと上側の第３ビア導体３３ａとで形成されているスタックビア構造Ｓ１が、上側のビルドアップ層Ｂａに形成されている。上側のスタックビア構造Ｓ１の上側の第１ビア導体３１ａは、コア基板１０４の上側の導体層２０ａ上に形成される。図１では、上側のスタックビア構造Ｓ１を形成している上側の第１ビア導体３１ａの中心軸と上側の第２ビア導体３２ａの中心軸と上側の第３ビア導体３３ａの中心軸は一致している。このようなスタックビア構造は同心軸スタックビア構造と称される。ここで、中心軸は絶縁層１１ａの上面に形成されているビア導体用の開口のトップ開口の中心を通りプリント配線板のコア基板の第１面などの主面に垂直な直線である。上面からレーザ等でビア導体用の開口が形成される。トップ開口は、絶縁層とビア導体のランドとの界面におけるビア導体用の開口の開口部である。上面と反対側の下面にビア導体の底面が形成される。ただし、上側のスタックビア構造は同心軸スタックビア構造でなくても良い。
【００３２】
また、図１に示されるように、下側の第１ビア導体３１ｂと下側の第２ビア導体３２ｂと下側の第３ビア導体３３ｂとで形成されている下側のスタックビア構造Ｓ２が下側のビルドアップ層Ｂｂに形成されている。下側のスタックビア構造Ｓ２の下側の第１ビア導体３１ｂは、コア基板１０４の下側の導体層２０ｂ上に形成される。図１では、下側のスタックビア構造Ｓ２を形成している下側の第１ビア導体３１ｂの中心軸と下側の第２ビア導体３２ｂの中心軸と下側の第３ビア導体３３ｂの中心軸はオフセットしている。下側のスタックビア構造Ｓ２は、配線基板の主面の法線（Ｚ軸）方向に対し傾斜している。図１では、下側のスタックビア構造Ｓ２は、階段型のスタックビア構造である。下側のスタックビア構造Ｓ２を形成している各ビア導体の中心軸は、下側の第1ビア導体３１ｂから下側の第３ビア導体３３ｂに向かって順にプリント配線板の外周方向に移動している。本明細書において、用語「プリント配線板の外周方向」は、プリント配線板の主面における中心部から外周に向かう方向を意味する。コア基板の第１面の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線は、プリント配線板の中心軸と称される。例えばプリント配線板の中心軸と下側の第２ビア導体の中心軸との間の距離がプリント配線板の中心軸と下側の第１ビア導体の中心軸との間の距離より大きくなるようにビア導体ＵＶはビア導体ＬＶ上に積層される（図７Ａ）。下側の第三ビア導体は同様に下側の第二ビア導体上に形成される。上側のビルドアップ層Ｂａの絶縁層の構成は、下側のビルドアップ層Ｂｂの絶縁層の構成と同様であって、上側のビルドアップ層は階段型のスタックビア構造を有しても良い。
【００３３】
同心軸スタックビア構造では、各ビア導体の中心軸が一致しているため、ビア導体のランドとそこに接続しているビア導体との界面と、ビア導体の中心軸が交差する箇所に応力が集中しやすい。そのため、同心軸スタックビア構造はヒートサイクルで接続信頼性が劣化する可能性がある。それに対し、階段型のスタックビア構造では、各ビア導体の中心軸が一致しないため、一箇所に応力が集中しがたい。また、階段型のスタックビア構造では、各ビア導体の中心軸が一致しないため、上下のビア導体の中心軸間に、プリント配線板の水平方向の配線（ビア導体のランド）が存在する。その水平方向の配線で応力が緩和される。従って、階段型のスタックビア構造の接続信頼性は高い。ここで、プリント配線板の水平方向とは、プリント配線板の主面と平行な方向である。
【００３４】
図７Ａは、階段型のスタックビア構造内の隣接する２つのビア導体を示している。図で上に描かれているビア導体が下のビア導体ＬＶで、下に描かれているビア導体が上のビア導体ＵＶである。上のビア導体ＵＶが下のビア導体ＬＶのランド上に積層されている。ビア導体ＵＶは下側のソルダーレジスト層に近く、ビア導体ＬＶはコア基板に近い。上のビア導体の中心軸と下のビア導体の中心軸との間の距離はシフト量δであり、シフト量δは図７Ａに示されている。
【００３５】
図７Ａ、Ｂの例では、上のビア導体ＵＶの底面は下のビア導体ＬＶのトップ開口上に位置していない。上のビア導体ＵＶの底面は下のビア導体ＬＶのランド上に形成されているが、下のビア導体のトップ開口上のランド以外のランド上に形成されている。しかしながら、図７Ａ、Ｂの例によれば、シフト量が大きいため、ビルドアップ層の層数が多くなると、プリント配線板のサイズが大きくなる。階段型のスタックビア構造を有するビルドアップ層の絶縁層の層数が４層以上になると、プリント配線板のサイズの影響でスタックビア構造の接続信頼性が低下しやすい。４層以上の絶縁層を有するビルドアップ層に階段型のスタックビア構造が形成される場合、図７Ｃに示される階段型のスタックビア構造が好ましい。図７Ｃの例では、上のビア導体の底面は下のビア導体のトップ開口の外周Ｓ１１２上に位置している。そのため、図７Ｃのシフト量は図７Ｂのシフト量より小さくなる。プリント配線板のサイズが小さくなる。プリント配線板のサイズによる応力の影響が小さくなる。階段型のスタックビア構造の接続信頼性が高くなる。さらに、上のビア導体の中心軸が下のビア導体のトップ開口を通過することが好ましい。プリント配線板のサイズが小さくなる。スタックビア構造が階段型のスタックビア構造であって、上のビア導体の底面の全てが下のビア導体のトップ開口上に形成されていることが好ましい。プリント配線板のサイズが小さくなる。トップ開口の外周上に底が位置していないので、複雑な応力を上側のビア導体が受けにくい。
【００３６】
下側の第１ビア導体３１ｂと下側の第２ビア導体間３２ｂのシフト量δ１２は下側の第２ビア導体３２ｂと下側の第３ビア導体間３３ｂのシフト量δ２３より小さいことが好ましい。ビルドアップ層を形成している絶縁層と導体層で材質が異なるため、ヒートサイクルでプリント配線板が収縮しプリント配線板に反りが発生する。その反りにより、スタックビア構造に応力が掛かる。この実施形態では、下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数がその他の絶縁層１１ｂ、１３ｂの熱膨張係数より小さいので、その応力は大きくなる。また、この実施形態では、下側のスタックビア構造Ｓ２はプリント配線板の外周方向に傾いている。そのため、下側の第３ビア導体３３ｂは下側の第２ビア導体３２ｂよりプリント配線板の外側に位置している。プリント配線板の外周領域の変形量はプリント配線板の中央領域の変形量より大きいので、下側の第３ビア導体３３ｂと下側の第２ビア導体３２ｂとの間のストレスは、下側の第２ビア導体３２ｂと下側の第１ビア導体３１ｂとの間のストレスより大きいと考えられる。シフト量δ２３をシフト量δ１２より大きくすることで、下側の第３ビア導体３３ｂと下側の第２ビア導体３２ｂとの間のストレスを緩和することができる。下側のスタックビア構造の信頼性が向上する。
【００３７】
シフト量δは５μｍから５０μｍであることが好ましい。シフト量が５μｍ未満であると、応力が一箇所に集中しやすい。シフト量が５０μｍを越えると、プリント配線板のサイズの影響でスタックビア構造に掛かる応力が大きくなる。
【００３８】
本発明に係る実施形態のプリント配線板は、階段型のスタックビア構造を有する。そのため、階段型のスタックビア構造を有していないプリント配線板よりプリント配線板のサイズが大きくなりやすい。サイズが大きくなると、プリント配線板の変形量が大きくなる。スタックビアに掛かる応力が大きくなる。また、実施形態のプリント配線板はＩＣチップを搭載するためのプリント配線板に適している。実施形態のプリント配線板にＩＣチップが実装され、実施形態のプリント配線板はマザーボードに搭載される。そのため、プリント配線板に掛かる応力を小さくするため、プリント配線板の熱膨張係数はＩＣチップの熱膨張係数とマザーボードの熱膨張係数の間の値であることが好ましい。サイズの影響を小さくするため、実施形態では、下側の第２絶縁層の熱膨張係数がそれ以外の絶縁層の熱膨張係数より小さい。また、実施形態のプリント配線板の熱膨張係数を調整するため、実施形態では、下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数がそれ以外の絶縁層１１ｂ、１３ｂの熱膨張係数より小さい。熱膨張係数の小さな下側の第２絶縁層１２ｂが下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂと下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂの間に形成されているため、下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂの変形と下側の第２ビルドアップ層Ｂ２ｂの変形を抑制することができる。また、プリント配線板の熱膨張係数を効率的に調整することができる。従って、階段型のスタックビア構造の接続信頼性が高くなる。仮に、熱膨張係数の小さな下側の第２絶縁層１２ｂ上に下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂと下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂが積層されると、下側の第２絶縁層１２ｂと下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂとの間の距離が長くなる。そのため、下側の第２絶縁層１２ｂで下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂの変形を抑制することが難しくなる。スタックビア構造の接続信頼性が低下すると考えられる。
以上の観点から、上側のビルドアップ層も階段型のスタックビア構造を有し、上側の第２絶縁層の熱膨張係数が、上側の第１ビルドアップ層の絶縁層の熱膨張係数および／または上側の第３ビルドアップ層の絶縁層の熱膨張係数より小さいことが好ましい。
【００３９】
本実施形態では、上側のビルドアップ層Ｂａの全層のビア導体で上側のスタックビア構造Ｓ１が形成され、下側のビルドアップ層Ｂｂの全層のビア導体で下側のスタックビア構造Ｓ２が形成される。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。その結果、高密度配線が実現されやすい。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できる。そのため、配線長の短縮を図ることができる。
【００４０】
上側のスタックビア構造Ｓ１と下側のスタックビア構造Ｓ２は、スルーホール導体１０１を介して、電気的に接続されている。
【００４１】
ＩＣチップ直下のストレスは大きいので、階段型のスタックビア構造Ｓ２はＩＣチップ直下に形成されることが好ましい。スタックビア構造Ｓ１、Ｓ２は複数あってもよい。
【００４２】
ビア導体の寸法は特に限定されないが、例えば、ビア導体用の開口の幅Ｄ１（トップ開口の直径）は１００μｍであり、ビア導体３１ｂの底面の幅Ｄ２（ボトム開口の直径）は８０μｍである。本実施形態では、各ビア導体の各々が、略同じ寸法を有する。
【００４３】
スタックビア構造が配線基板の主面の法線方向に傾斜していると、スタックビア構造の厚さ方向の中心付近に応力が集中する傾向がある。特に、配線板に工程で熱がかけられる。このような場合、冷却時に絶縁層と導体層との熱膨張係数の差による応力が厚さ方向の中心付近に集中する傾向がある。そのため、スタックビア構造に負荷がかかり亀裂または層間剥離が発生することがある。これは、厚さ方向の中心付近では、応力が逃げにくいためと考えられる。本実施形態では、厚さ方向の中心付近に位置する絶縁層の熱膨張係数をそれ以外の絶縁層の熱膨張係数より小さくすることで、スタックビア構造の厚さ方向の中心に位置するビア導体に掛かる応力が小さくなると考えられる。ビア導体の底面とビア導体のランド間での剥離の発生を防ぐことができる。熱膨張係数の小さな絶縁層がその絶縁層を挟んでいる絶縁層の変形を抑えると考えられる。そのため、熱膨張係数の小さな絶縁層に形成されているビア導体とそのビア導体の上下に形成されているビア導体間に掛かる応力が小さくなるので剥離などの不具合が発生しがたいと推察される。また、厚さ方向の中心に位置する部分での変形量がそれ以外の絶縁層の変形量に比べて相対的に小さくなるためと考えられる。このように、本実施形態によれば、プリント配線板の接続信頼性が向上する。
【００４４】
ビルドアップ層に属する絶縁層の層数は４層以上１３層以下であることが好ましい。絶縁層が４層以上であると、スタックビア構造にかかる応力が大きいので、階段型のスタックビア構造が好ましい。絶縁層が１４層以上であると、スタックビア構造にかかる応力が大きすぎる。スタックビア構造に不具合が発生しやすい。ビルドアップ層の絶縁層の層数がｎであって偶数の場合、第１ビルドアップ層の絶縁層の層数はｎ／２層であり、第２ビルドアップ層の絶縁層の層数は１層であり、第３ビルドアップ層の層数は（ｎ／２−１）層であることが好ましい。ビルドアップ層の絶縁層の層数がｎであって奇数の場合、第１ビルドアップ層の絶縁層の層数は（（ｎ−１）／２）層であり、第２ビルドアップ層の絶縁層の層数は１層であり、第３ビルドアップ層の層数は（（ｎ−１）／２）層であることが好ましい。第２のビルドアップ層の絶縁層（その他の絶縁層より小さい熱膨張係数を有する絶縁層）の層数は複数であっても良い。プリント配線板の熱膨張係数が小さくなるので、階段型のスタックビア構造の信頼性が高くなる。
【００４５】
下側のビルドアップ層は図５に示される積層インダクタ４００を有してもよい。積層インダクタは導体層に含まれるコイルパターンと隣接する導体層に形成されているコイルパターンを繋いでいるビア導体で形成される。例えば、積層インダクタ４００は、図５に示されるように３層の導体パターン（コイルパターン）及び隣接するコイルパターンを繋ぐビア導体で、略１．５巻きのインダクタが形成されている。コイルパターン４０１は下側の第１導体層に含まれ、コイルパターン４０２は下側の第２導体層に含まれ、コイルパターン４０３は下側の第３導体層に含まれる。また、ビア導体４１１は下側の第１ビア導体に含まれ、ビア導体４１２は下側の第２ビア導体に含まれ、ビア導体４１３は下側の第３ビア導体に含まれる。積層インダクタが下側のビルドアップ層に形成されると、上側のビルドアップ層内の導体の体積と下側のビルドアップ層内の導体の体積が大きく異なる。そのため、プリント配線板の反りが大きくなる。従って、積層インダクタを有する下側のビルドアップ層は、階段型のスタックビア構造を有すると共に、実施形態に記載されている下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂと下側の第２ビルドアップ層Ｂ２ｂと下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂで形成されることが好ましい。
【００４６】
図６は積層インダクタを有する下側のビルドアップ層を示している。絶縁層１１ｂは下側の第１絶縁層であり、絶縁層１２ｂは下側の第２絶縁層であり、絶縁層１３ｂは下側の第３絶縁層である。下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数は、下側の第１絶縁層１１ｂと下側の第３絶縁層１３ｂの熱膨張係数より小さい。また、図６に示されるように、下側のビルドアップ層は階段型のスタックビア構造Ｓ２を含む。
【００４７】
以下、本実施形態に係るプリント配線板１０００の製造方法が説明される。
【００４８】
図３Ａに示されるように、両面銅張積層板１００（出発材料）が準備される。両面銅張積層板１００は、第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２を有する絶縁層１０と、絶縁層１０の第１面Ｆ１上に積層されている金属箔１０２ａと、絶縁層１０の第２面Ｆ２上に積層されている金属箔１０２ｂとで形成されている。絶縁層１０の厚さは６０〜６００μｍである。
【００４９】
続いて、図３Ｂに示されるように、銅張積層板１００にスルーホール導体用の貫通孔１０３が形成される。
【００５０】
続いて、貫通孔１０３内と金属箔（銅箔）１０２ａ、１０２ｂ上に無電解銅めっき処理及び電解銅めっき処理が行われる。貫通孔１０３が電解銅めっき膜で充填される。貫通孔内にスルーホール導体が形成される（図３Ｃ参照）。
【００５１】
それから、いわゆるテンティング法により、絶縁層１０の第１面上に上側の導体層２０ａが形成され、絶縁層１０の第２面上に下側の導体層２０ｂが形成される（図３Ｄ参照）。各導体層２０ａ、２０ｂは、それぞれ導体回路２０２ａ、２０２ｂやスルーホール導体のランド２０１ａ、２０１ｂを含む。コア基板１０４が得られる（図３Ｄ参照）。コア基板１０４の第１面Ｆ１と絶縁層１０の第１面は同じであり、コア基板１０４の第２面Ｆ２と絶縁層１０の第２面は同じである。
【００５２】
続いて、図４Ａに示されるように、コア基板１０４の第１面Ｆ１上に上側の第１絶縁層（上側の第１層間樹脂絶縁層）１１ａが形成され、コア基板１０４の第２面Ｆ２上に下側の第１絶縁層（下側の第１層間樹脂絶縁層）１１ｂが形成される。
【００５３】
続いて、図４Ｂに示されるように、レーザなどを用いて、上側の第１絶縁層１１ａを貫通し上側の導体層２０ａに至るビアホール３１１ａが形成され、下側の第１絶縁層１１ｂを貫通し下側の導体層２０ｂに至るビアホール３１１ｂが形成される。
【００５４】
続いて、図４Ｃに示されるように、セミアディティブ法で上側の第１絶縁層１１ａ上に上側の第１導体層２１ａが形成され、ビアホール３１１ａに上側の導体層２０ａと上側の第１導体層２１ａを接続する上側の第１ビア導体３１ａが形成される。上側の第１導体層２１ａは上側の第１導体回路２１２ａや上側の第１ビア導体のランド２１１ａを有する。このようにして、上側の第１ビルドアップ層Ｂ１ａが形成される。また、図４Ｃに示されるように、下側の第１絶縁層１１ｂ上に下側の第１導体層２１ｂが形成され、ビアホール３１１ｂに下側の導体層２０ｂと下側の第１導体層２１ｂを接続する下側の第１ビア導体３１ｂが形成される。下側の第１導体層２１ｂは下側の第１導体回路２１２ｂや下側の第１ビア導体のランド２１１ｂを有する。このようにして、下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂが形成される。
【００５５】
続いて、図４Ｄに示されるように、上側の第１ビルドアップ層Ｂ１ａ上に上側の第２ビルドアップ層Ｂ２ａが形成され、下側の第１ビルドアップ層Ｂ１ｂ上に下側の第２ビルドアップ層Ｂ２ｂが形成される。製造方法は図４Ａ、図４Ｂ、および図４Ｃを用いて説明されている方法と同様である。但し、下側の第２ビルドアップ層Ｂ２ｂに属する下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数は下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数より小さい。例えば、下側の第１絶縁層１１ｂに含まれる無機粒子の量は３０ｖｏｌ％であり、下側の第２絶縁層１２ｂに含まれる無機粒子の量は４５ｖｏｌ％である。
上側の第２ビルドアップ層Ｂ２ａに属する上側の第２絶縁層１２ａの熱膨張係数と上側の第１絶縁層１１ａの熱膨張係数と下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数は同じであってもよい。この場合、上側のビルドアップ層Ｂａの熱膨張係数が下側のビルドアップ層Ｂｂの熱膨張係数より大きくなりやすい。下側のビルドアップ層Ｂｂが積層コイルを有する時、上側と下側のビルドアップ層で導体の体積が異なるが、導体の体積の差と熱膨張係数の差によりプリント配線板の反りが小さくなる。上側の第２絶縁層１２ａの熱膨張係数と下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数は同じであって、上側の第１絶縁層１１ａの熱膨張係数と下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数は同じであってもよい。上側と下側のビルドアップ層でバランスが良いのでプリント配線板の反りが小さくなる。
【００５６】
また、図７Ｃに示されているように、下側の第２ビア導体３２ｂは下側の第１ビア導体３１ｂのランド上に形成されている。下側の第２ビア導体３２ｂの中心軸は下側の第１ビア導体３１ｂの中心軸に対しプリント配線板の外周方向にシフトしている。シフト量δ１２は約４０μｍである。図４Ｄに示されるように、上側の第２ビア導体３２ａは上側の第１ビア導体３１ａのランド２１１ａ上に形成されている。上側の第２ビア導体３２ａの中心軸は上側の第１ビア導体３１ａの中心軸と一致している。
【００５７】
続いて、図４Ｅに示されるように、上側の第２ビルドアップ層Ｂ２ａ上に上側の第３ビルドアップ層Ｂ３ａが形成され、下側の第２ビルドアップ層Ｂ２ｂ上に下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂが形成される。製造方法は図４Ａ、図４Ｂ、および図４Ｃを用いて説明されている方法と同様である。但し、下側の第３ビルドアップ層Ｂ３ｂに属する下側の第３絶縁層１３ｂの熱膨張係数は下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数とほぼ同じである。例えば、下側の第３絶縁層１３ｂに含まれる無機粒子の量は３０ｖｏｌ％である。このようにして、上側と下側のビルドアップ層Ｂ３ａ、Ｂ３ｂが完成する。
【００５８】
上側の第３絶縁層１３ａの熱膨張係数と上側の第２絶縁層１２ａの熱膨張係数と上側の第１絶縁層１１ａの熱膨張係数と下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数と下側の第３絶縁層１３ｂの熱膨張係数は同じであってもよい。この場合、上側のビルドアップ層Ｂａの熱膨張係数が下側のビルドアップ層Ｂｂの熱膨張係数より大きくなりやすい。下側のビルドアップ層Ｂｂが積層コイルを有する場合、上側と下側のビルドアップ層で導体の体積が異なるが、導体の体積の差と熱膨張係数の差によりプリント配線板の反りが小さくなる。上側の第２絶縁層１２ａの熱膨張係数と下側の第２絶縁層１２ｂの熱膨張係数は同じであって、上側の第３絶縁層１３ａの熱膨張係数と上側の第１絶縁層１１ａの熱膨張係数と下側の第３絶縁層１３ｂの熱膨張係数と下側の第１絶縁層１１ｂの熱膨張係数は同じであってもよい。上側と下側のビルドアップ層でバランスが良いのでプリント配線板の反りが小さくなる。
【００５９】
また、図７Ｂに示されているように、下側の第３ビア導体３３ｂは下側の第２ビア導体３２ｂのランド２２１ｂ上に形成されている。下側の第３ビア導体３３ｂの中心軸は下側の第２ビア導体３２ｂの中心軸に対しプリント配線板の外周方向にシフトしている。シフト量δ２３は約５０μｍである。図４Ｅに示されるように、上側の第３ビア導体３３ａは上側の第２ビア導体３２ａのランド２２１ａ上に形成されている。上側の第３ビア導体３３ａの中心軸は上側の第２ビア導体３２ａの中心軸と一致している。各ビア導体の位置を制御することは、例えば、ビア導体用の開口の形成位置をレーザ加工機に設定することで達成される。
【００６０】
図４Ｆに示されているように、下側のビルドアップ層Ｂｂに階段型のスタックビア構造Ｓ２が形成され、上側のビルドアップ層Ｂａに同心軸スタックビア構造Ｓ１が形成される。上側のビルドアップ層に階段型のスタックビア構造が形成されても良い。階段型のスタックビア構造はプリント配線基板の主面の法線方向に対し傾いている。階段型のスタックビア構造が種々のシフト量δを含む場合、図８に示されるように、スタックビア構造は曲がっているように見えたり、複数の傾きを持つように見えたりする。
【００６１】
次に、図４Ｆに示されるように、上側のビルドアップ層上に上側の第３導体層２３ａを露出する開口５１ａ、５２ａを有する上側のソルダーレジスト層５ａが形成され、下側のビルドアップ層上に下側の第３導体層２３ｂを露出する開口５１ｂ、５２ｂを有する下側のソルダーレジスト層５ｂが形成される。このようにして、プリント配線板が完成する。
上側のソルダーレジスト層の開口により露出される上側の第３導体層２３ａはＣ４パッドである。下側のソルダーレジスト層の開口により露出される下側の第３導体層２３ｂはＢＧＡパッドである。Ｃ４パッド上に半田バンプ（Ｃ４バンプ）６１ａ、６２ａが形成され、ＢＧＡパッド上に半田バンプ（ＢＧＡバンプ）６１ｂ、６２ｂが形成される。Ｃ４バンプを介してプリント配線板にＩＣチップが実装され、ＢＧＡバンプを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。
【００６２】
図２に別の実施形態のプリント配線板が示されている。別の実施形態のプリント配線板では、第１と第３のビルドアップ層は複数の絶縁層と複数の導体層を有し、それらは交互に積層されている。図２では、上側の第１のビルドアップ層Ｂ１ａが２層の絶縁層１１１ａ、１１２ａと２層の導体層２１０１ａ、２１０２ａを有し、上側の第３のビルドアップ層Ｂ３ａが２層の絶縁層１３１ａ、１３２ａと２層の導体層２３０１ａ、２３０２ａを有し、下側の第１のビルドアップ層Ｂ１ｂが２層の絶縁層１１１ｂ、１１２ｂと２層の導体層２１０１ｂ、２１０２ｂを有し、下側の第３のビルドアップ層Ｂ３ｂが２層の絶縁層１３１ｂ、１３２ｂと２層の導体層２３０１ｂ、２３０２ｂを有している。図２に示されているように、上側と下側のビルドアップ層が階段型のスタックビア構造を有している。
【００６３】
上側と下側の第２ビルドアップ層は、複数の絶縁層と導体層を有することができる。ビルドアップ層が１０層以上の絶縁層を含む場合、第２ビルドアップ層の絶縁層の層数は複数であることが好ましい。プリント配線板の熱膨張係数が小さくなる。スタックビア構造に掛かる応力が小さくなる。
【符号の説明】
【００６４】
１０００  プリント配線板
１０  コア絶縁層
１００  両面銅張積層板
１０１  スルーホール導体
１０２ａ、１０２ｂ  金属箔
１０３  貫通孔
１０４  コア基板
２０ａ、２０ｂ  コア基板の導体層
２０１ａ、２１１ａ、２１１１ａ、２１１２ａ、２２１ａ、２３１ａ、２３１１ａ、２３１２ａ  ランド
２０１ｂ、２１１ｂ、２１１１ｂ、２１１２ｂ、２２１ｂ、２３１ｂ、２３１１ｂ、２３１２ｂ  ランド
２０２ａ、２１２ａ、２３２ａ、２０２ｂ、２１２ｂ、２３２ｂ  導体回路
１１ａ、１１１ａ、１１２ａ、１２ａ、１３ａ、１３１ａ、１３２ａ  絶縁層（層間樹脂絶縁層）
１１ｂ、１１１ｂ、１１２ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１３１ｂ、１３２ｂ  絶縁層（層間樹脂絶縁層）
３１１ａ、３１１ｂ  ビアホール
２１ａ、２１０１ａ、２１０２ａ、２２ａ、２３ａ、２３０１ａ、２３０２ａ  導体層
２１ｂ、２１０１ｂ、２１０２ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２３０１ｂ、２３０２ｂ  導体層
３１ａ、３１１ａ、３１２ａ、３２ａ、３３ａ、３３１ａ、３３２ａ  ビア導体
３１ｂ、３１１ｂ、３１２ｂ、３２ｂ、３３ｂ、３３１ｂ、３３２ｂ  ビア導体
Ｂａ、Ｂ１ａ、Ｂ２ａ、Ｂ３ａ、Ｂｂ、Ｂ１ｂ、Ｂ２ｂ、Ｂ３ｂ  ビルドアップ層
Ｆ１  第１面
Ｆ２  第２面
Ｓ１、Ｓ２  スタックビア構造
ＬＶ、ＵＶ  ビア導体
Ｓ１１１  ビア導体Ｓ１１のランドの外周
Ｓ１１２  ビア導体Ｓ１１のトップ開口
Ｓ１２３  ビア導体Ｓ１２のボトム開口
４００  積層インダクタ
４０１、４０２，４０３  コイルパターン
４１１、４１２、４１３  インダクタのビア導体
５ａ、５ｂ  ソルダーレジスト層
５１ａ、５２ａ、５１ｂ、５２ｂ  ソルダーレジスト層の開口
６１ａ、６２ａ、６１ｂ、６２ｂ  半田バンプ
δ、δ１２、δ２３、δ３４、δ４５  シフト量
【図１】
2015012022.tif 000003
【図２】
2015012022.tif 000004
【図３Ａ】
2015012022.tif 000005
【図３Ｂ】
2015012022.tif 000006
【図３Ｃ】
2015012022.tif 000007
【図３Ｄ】
2015012022.tif 000008
【図４Ａ】
2015012022.tif 000009
【図４Ｂ】
2015012022.tif 000010
【図４Ｃ】
2015012022.tif 000011
【図４Ｄ】
2015012022.tif 000012
【図４Ｅ】
2015012022.tif 000013
【図４Ｆ】
2015012022.tif 000014
【図５】
2015012022.tif 000015
【図６】
2015012022.tif 000016
【図７Ａ】
2015012022.tif 000017
【図７Ｂ】
2015012022.tif 000018
【図７Ｃ】
2015012022.tif 000019
【図８】
2015012022.tif 000020