(57)【要約】      （修正有）【課題】実装基板の下面からの光の漏洩を十分に抑制できる発光装置を提供する。【解決手段】実装基板２と、該実装基板の上面に配置され、内部に発光素子１０を収容し、第１のリード４ａおよび第２のリード４ｂを有する樹脂パッケージ６と、を含み、該樹脂パッケージの側面が、その内部に前記発光素子が収容されたキャビティ８を有し、第１のリードと第２のリードは、キャビティの内部に発光素子の正極または負極の一方と電気的に接続するためのキャビティ内露出部を有し、かつ樹脂パッケージの底面から露出し実装基板の上面に設けた第１の配線層１２ａと第２の配線層１２ｂと電気的に接続するための底面露出部を有し、実装基板の上面に垂直な方向からの上面視において、第１のリードの底面露出部と第２のリードの底面露出部の間に実装基板に設けた、遮光性を有する第３の配線層１４ａが配置されている。【選択図】図２
2015012102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
該実装基板の上面に配置され、内部に発光素子を収容し、第１のリードおよび第２のリードを有する樹脂パッケージと、
を含み、
該樹脂パッケージの側面が、その内部に前記発光素子が収容されたキャビティを有し、
前記第１のリードは、前記キャビティの内部に前記発光素子の正極または負極の一方と電気的に接続するためのキャビティ内露出部を有し、かつ前記樹脂パッケージの底面から露出し前記実装基板の上面に設けた第１の配線層と電気的に接続するための底面露出部を有し、
前記第２のリードは、前記キャビティの内部に前記発光素子の正極または負極の他方と電気的に接続するためのキャビティ内露出部を有し、かつ前記樹脂パッケージの底面から露出し前記実装基板の上面に設けた第２の配線層と電気的に接続するための底面露出部を有し、
前記実装基板の上面に垂直な方向からの上面視において、前記第１のリードの底面露出部と前記第２のリードの底面露出部の間に前記実装基板に設けた第３の配線層が配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記実装基板の上面に垂直な方向からの上面視において、前記第１のリードの底面露出部と前記第２のリードの底面露出部とを繋ぐように、前記実装基板に設けた第３の配線層が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第３の配線層が、前記実装基板の上面に配置された配線層であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第３の配線層が、前記第１の配線層および前記第２の配線層のいずれか一方と同じ配線層であることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第３の配線層が、前記実装基板の下面に配置された配線層であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第３の配線層が、前記実装基板の内部に配置された配線層であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第３の配線層が、前記実装基板の上面、前記実装基板の下面、および前記実装基板の内部からなる群から選択される少なくとも２箇所に配置された配線層であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置、とりわけ、実装基板の上面に略平行な方向に光を発することができるサイドビュー型の発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の発光素子を用いた発光装置は、小型化が容易で、高い発光効率を得ることができる。
発光素子を用いた発光装置の１つとして、実装基板の上面と略平行な方向に光を発することが可能なサイドビュー型の発光装置が知られている（特許文献１）。サイドビュー型の発光装置では、その側面側が開口部であるキャビティを有し、そのキャビティ内に発光素子が配置されている樹脂パッケージを実装基板上に配置する。これにより、キャビティ内の発光素子から出た光が樹脂パッケージの側面の開口から実装基板の上面に略平行な方向に出て行くことで、実装基板の上面に略平行な方向に十分な量の光を発することができる。
【０００３】
このため、サイドビュー型の発光装置は、例えば、携帯電話（スマートフォンを含む）、ノート型パソコンおよびタブレット等に用いる中小型液晶ディスプレイの導光板の端面に対向するようにそのキャビティを配置することにより、小型で十分な光量を供給できるバックライト用光源として機能する。すなわち、サイドビュー型の発光装置を用いることにより、少ない消費電力で高い輝度を有し、かつ小型・軽量な液晶ディスプレイを得ることができる。
このように、低い消費電力で十分な輝度を確保し、かつ装置の小型化および／または軽量化を実現できることから、サイドビュー型の発光装置は液晶ディスプレイ以外にも各種メーター（またはインジケーター）、読み取りセンサおよび照明等の多くの用途で用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９８８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、より光出力の高い発光素子が開発され、サイドビュー型の発光装置に用いられるようになっている。このため、発光素子からの光が樹脂パッケージと実装基板とを透過し、実装基板の下面（裏面）から光が漏洩する場合がある。実装基板の下面より光が漏れると、発光装置を用いた各種装置の裏側から意図しない光の漏れを生ずる、または意図しない部分で反射等を起こし、意図した経路を通る光と混ざり所謂、色の滲みを生ずるという問題がある。
【０００６】
サイドビュー型の発光装置を用いた装置では、上述のように樹脂パッケージの側面のキャビティに対向するように導光板等の受光部材の端面が配置されることから、樹脂パッケージの厚さ（キャビティ内面と樹脂パッケージ外表面との距離）のうち、底面側の厚さを大きくすると受光部材の位置を全体に上方に上げる必要があり、結果としてサイドビュー型発光装置を用いる装置全体の厚さが増加してしまうという問題がある。このため、実装基板に達する光量を減らすことを目的に樹脂パッケージの底面側の厚さを大きくすることは実用上困難である。また、実装基板を透過する光量を減らすことを目的に、実装基板の厚さを大きくすることは、同じ理由から実用上困難である。
【０００７】
このため、従来は、例えば色を黒くする等により、多くの光を吸収することができるレジストを実装基板の表面に塗布することにより実装基板の下面から光が漏れるのを抑制していた。
しかし、近年より一層の小型化、軽量化を進めるために、より光出力の高い発光素子が用いられるようになっており、上述のレジストを用いても十分な遮光効果を得ることができず、実装基板の下面からの光の漏洩を十分に抑制できない場合が増えている。
【０００８】
本発明は、このような状況を打開するために為されたものであり、実装基板の下面からの光の漏洩を十分に抑制できる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様の１つは、実装基板と、該実装基板の上面に配置され、内部に発光素子を収容し、第１のリードおよび第２のリードを有する樹脂パッケージと、を含み、該樹脂パッケージの側面が、その内部に前記発光素子が収容されたキャビティを有し、前記第１のリードは、前記キャビティの内部に前記発光素子の正極または負極の一方と電気的に接続するためのキャビティ内露出部を有し、かつ前記樹脂パッケージの底面から露出し前記実装基板の上面に設けた第１の配線層と電気的に接続するための底面露出部を有し、前記第２のリードは、前記キャビティの内部に前記発光素子の正極または負極の他方と電気的に接続するためのキャビティ内露出部を有し、かつ前記樹脂パッケージの底面から露出し前記実装基板の上面に設けた第２の配線層と電気的に接続するための底面露出部を有し、前記実装基板の上面に垂直な方向からの上面視において、前記第１のリードの底面露出部と前記第２のリードの底面露出部の間に前記実装基板に設けた第３の配線層が配置されていることを特徴とする発光装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る発光装置では、実装基板に設ける配線層を特定の条件を満足するように配置し、配線層による遮光効果により、実装基板の下面からの光の漏洩を十分に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明に係る発光装置１００の斜視図である。
【図２】図２は、実装基板２の上面に垂直で且つ発光素子１０を横切る断面における発光装置１００の断面図を示す。
【図３】図３は、実装基板２の上面に垂直で且つ発光素子１０を横切る断面における本発明の実施形態２に係る発光装置１００Ａの断面図を示す。
【図４】図４は、実装基板２の上面に垂直で且つ発光素子１０を横切る断面における本発明の実施形態３に係る発光装置１００Ｂの断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は、特段の断りがない限り、同一の部分又は部材を示す。
【００１３】
図１は、本発明に係る発光装置１００の斜視図である。図２は、実装基板２の上面に垂直で且つ発光素子１０を横切る断面における発光装置１００の断面図を示す。発光装置１００はサイドビュー型の発光装置である。
発光装置１００は、実装基板２と、リード４ａ、４ｂと、樹脂パッケージ６と、発光素子１０とを有する。
リードは４ａ、４ｂは、それぞれ、樹脂パッケージ６の底面（図１、２のＸ−Ｙ面）から露出した底面露出部と、樹脂パッケージ６の側面（図１、２のＸ−Ｚ面）に設けたキャビティ８の底部に露出するキャビティ内露出部とを有している。また、リード４ａ、４ｂはそれぞれ、必要に応じて、図１および図２に示すように樹脂パッケージの別の側面（図１、２のＹ−Ｚ面）上に位置する側面露出部を有してよい。
【００１４】
発光素子１０は、キャビティ８の内部（詳細には底部）に収容されている。（図１、２の実施形態では、リード４ｂのキャビティ内露出部上に配置されている。）
発光素子１０を封止するように、キャビティ８内に例えば透光性の封止樹脂１８を充填してよい。また、封止樹脂１８は、発光素子１０が発した光を吸収し、吸収した光よりも波長の長い光を発光する蛍光体を含んでよい。
【００１５】
リード４ａ（第１のリード４ａ）のキャビティ内露出部は、発光素子１０の正極または負極の一方と電気的に接続（図１ではワイヤー２０ａを介して電気的に接続）されている。
リード４ａの底面露出部は、はんだ２２を介して実装基板２の上面に配置された配線層１２ａ（第１の配線層１２ａ）と電気的に接続されている。また、リード４ａが側面露出部を有する場合、必要に応じて、この側面露出部も図２に示すように、はんだ２２を介して配線層１２ａと電気的に接続されてよい（図１では側面露出部の形状を例示するためにはんだ２２の記載を省略）。
【００１６】
リード４ｂ（第２のリード４ｂ）のキャビティ内露出部は、発光素子１０の正極または負極の他方と電気的に接続（図１ではワイヤー２０ｂを介して電気的に接続）されている。
リード４ｂの底面露出部は、はんだ２２を介して実装基板２の上面に配置された配線層１２ｂ（第２の配線層１２ｂ）と電気的に接続されている。また、リード４ｂが側面露出部を有する場合、必要に応じて、この側面露出部も図２に示すように、はんだ２２を介して配線層１２ｂと電気的に接続されてよい。
【００１７】
リード４ａおよびリード４ｂがこのような構成を有することにより、電流が、第１の配線層１２ａと第２の配線層１２ｂの一方から発光素子１０を通って第１の配線層１２ａと第２の配線層１２ｂの他方に流れる。これにより発光素子１０は発光することができる。
発光素子１０および蛍光体（蛍光体を用いる場合）から出た光の多くは、直接またはキャビティ８の内面で反射されて、キャビティ８の入口（キャビティ８の樹脂パッケージ６の側面に位置する部分）を通って樹脂パッケージの外側に出て行く（例えば、実装基板２の上面（Ｘ−Ｙ面）に略平行な方向等に出て行く）。
なお、本明細書では、発光素子１０から出た光および蛍光体から出た光（蛍光体を用いる場合）を総称して「発光素子１０等から出た光」と呼ぶ。
発光素子１０等から出た光の一部は、図２に矢印３０で示すように、樹脂パッケージの底面（実装基板２と対向する面）を通過し、実装基板２に向かって進む。
【００１８】
このような光が実装基板２を透過し、さらに実装基板２よりも下方（図１、２の−Ｚ方向）に漏洩して拡散しないように、本発明に係る発光装置では実装基板に設けた配線層を用いることを特徴としている。
より詳細には実装基板２の上面に垂直な方向からの上面視（図１、２のＺ方向から見た場合）において、第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部の間に実装基板２に設けた第３の配線層が配置されていることを特徴とする。
【００１９】
リード４ａおよびリード４ｂは、ある程度の厚さを有した金属板等から形成されることから、樹脂パッケージ６の底面を通り抜けた光のうち、リード４ａ（リード４ａの底面露出部）およびリード４ｂ（リード４ｂの底面露出部）に当たった光のほとんどは、リード４ａおよびリード４ｂにより吸収または反射され、実装基板２の上面に達しない。一方、樹脂パッケージ６の底面を通り抜けリード４ａの底面露出部とリード４ｂの底面露出部との間に達した光（例えば、図２に矢印３０で示す光）は、リード４ａおよびリード４ｂにより遮られることなく実装基板２の上面に達する。
本発明では、上面視において第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部の間に第３の配線層が配置されている。
【００２０】
第３の配線層は、例えば金属等の導電体より成り、導電性を確保するために所定の厚さを有している。このため、従来用いられていた、黒色のレジスト等の遮光性のレジストと比べて明らかに優れた遮光性を有する。上面視において、第３の配線層（少なくともその一部分）を上記のように第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部の間に配置することで実装基板２の下面側（実装基板２よりも下方）に光が漏洩するのを効果的に抑制できる。
【００２１】
第３の配線層は、他の配線層と接続されていてもよいし、他の配線層から離間して配置されていてもよい。第３の配線層は、導電性を有し実装基板２の電気的機能の一部を担うことが好ましいが、他の配線層から離間して配置される場合には電気的絶縁性を有するものであってもよい。第３の配線層は、他の配線層と同様に、単層で構成してもよいし複数の層で構成してもよい。第３の配線層は、光吸収性を重視する場合には、少なくとも表面を銅、タングステン、鉄、又はこれらの酸化物で構成することが好ましく、光反射性を重視する場合には、少なくとも表面を銀、アルミニウム、金などで構成することが好ましい。
【００２２】
（１）実施形態１
図２を用いて、本発明の実施形態１に係る発光装置１００について説明する。
実施形態１では、実装基板２の下面に配線層１４ａ（第３の配線層１４ａ）と配線層１４ｂが配置されている。
実装基板２の下面に配置された配線層１４ａおよび配線層１４ｂは、それぞれ、例えば実装基板２に設けた図示しないビアを介して配線層１２ａまたは配線層１２ｂと接続され、発光素子１０に電力を供給する配線層であってもよい。また、配線層１４ａおよび配線層１４ｂは、実装基板２の上面または下面に配置された、発光素子１０以外の素子に電力を供給するための配線層であってもよい。
【００２３】
図２に示すように、発光装置１００を上面視した場合（Ｚ方向から見た場合）、第３の配線層である配線層１４ａが、第１のリード４ａと第２のリード４ｂとの間に配置されている。
これにより、図２に示すように、発光素子１０等から出た光のうち、樹脂パッケージ６の底面を透過し実装基板２に進入した矢印３０で示す光が、実装基板２の下面から更に下側に進行するのを配線層１４ａにより阻止できる。
【００２４】
このように第３の配線層１４ａが実装基板２の下面に配置されていることにより、矢印３０に沿って進み配線層１４ａの上面に達した光の一部は反射されるが、これらの光の多くは再び実装基板２を通過する際に吸収され、実装基板２から望ましくない方向に光が出て行くのを抑制できる。
【００２５】
第３の配線層１４ａは、図２に示すように、好ましくは、上面視した場合、リード４ａの底面露出部と、リード４ｂの底面露出部とを繋ぐように配置されている。すなわち、上面視において、発光装置１００の長手方向（幅方向；図１、２のＸ方向）に、リード４ａ、配線層１４ａおよびリード４ｂが連続して並んでいる。
これにより、樹脂パッケージ６の底面を透過し、第１のリード４ａと第２のリード４ｂとの間に達し、さらに実装基板２に進入した光のより多くを配線層１４ａにより遮蔽できる。
【００２６】
また、上面視において、第３の配線層１４ａの奥行き方向（図１、２のＹ方向）の位置が、発光素子１０の厚さ方向（図１、２のＹ方向）の位置を覆うことが好ましい。これは、発光素子１０の直下において、最も多くの光が樹脂パッケージ６の底面を透過し実装基板２に進入するため、この部分に第３の配線層１４ａを配置することが効果的であるからである。なお、この場合、上述のように、第３の配線層１４ａがリード４ａの底面露出部と、リード４ｂの底面露出部とを繋ぐように配置されていることがより好ましい。さらには、上面視において、第３の配線層１４ａは、樹脂パッケージ６のキャビティ８を面積比で７０％以上を覆うことが好ましく、樹脂パッケージ６全体を覆うことがより好ましい（すなわち、実装基板２の下面において、キャビティ８の直下部分の面積の７０％以上が第３の配線層１４ａにより覆われていることが好ましく、キャビティ８の直下部分の全体が第３の配線層１４ａにより覆われていることがより好ましい。）。これは、サイドビュー型の発光装置においては、通常、樹脂パッケージ６のキャビティ８を上下に挟む壁の厚さが他の部位の厚さより小さく、キャビティ８の直下において、多くの光が樹脂パッケージ６の底面を透過するため、この部分に第３の配線層１４ａを配置することが効果的であるからである。
【００２７】
次に、発光装置１００の各要素の詳細を説明する
・実装基板２
上述のように、本発明に係る発光装置では第３の配線層による遮光効果を得るため、実装基板２は、発光装置に用いられる任意の実装基板（基板）を用いることができる。そのような実装基板として、セラミックス基板およびガラスエポキシ基板、ポリイミドやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフレキシブル基板を例示できる。
【００２８】
・発光素子１０
発光素子１０は、任意の種類のｐ型半導体およびｎ型半導体を用いた発光ダイオードであってよい。
好ましい発光素子１０の例として、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物半導体である発光ダイオードを挙げることができる。この場合、発光素子１０は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間にこれらよりもハンドギャップエネルギーの小さいＩｎＧａＮ層等を含む発光層（活性層）を有することが好ましい。特に、発光素子１０は、蛍光体を効率良く励起できる青色発光ダイオードが好ましい。
しかし、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層は、これに限定されるものではなく、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ等を含む、発光ダイオードに用いる任意の半導体を含む層であってよい。
【００２９】
・蛍光体
上述のように樹脂パッケージ６のキャビティ８は、必要に応じて封止樹脂１８を充填されてよく、この場合、封止樹脂１８は蛍光体を含んでよい。
蛍光体は、発光ダイオードを用いた発光装置に用いることができる任意の蛍光体であってよい。例えば、発光素子１０が、青色発光ダイオードである場合、好ましい蛍光体として、緑色および／または黄色を発光するＹＡＧ系蛍光体およびクロロシリケート蛍光体等のシリケート系蛍光体、赤色を発光する(Ｓｒ,Ｃａ)ＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ等のＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ等のＣＡＳＮ系蛍光体などから選択される１種以上を例示することができる。
【００３０】
・樹脂パッケージ６
樹脂パッケージ６の成形材料には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂のほか、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して、樹脂パッケージ６のキャビティ８の内面における光の反射率を高くしてもよい。
【００３１】
・リード４ａ、４ｂ
リード４ａ、４ｂは、例えば、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅などの金属のいずれか１つ以上からなる導電性材料を用いることができる。また、リード４ａ、４ｂは表面に金、銀またはそれらの合金から成るメッキ層を有してよい。
【００３２】
（２）実施形態２
図３は、実装基板２の上面に垂直で且つ発光素子１０を横切る断面における本発明の実施形態２に係る発光装置１００Ａの断面図を示す。
以下に、発光装置１００Ａについて、発光装置１００と異なる部分を中心に説明する。発光装置１００Ａの構成のうち、特段の説明の無いものについては発光装置１００と同じ構成を有してよい。
【００３３】
実施形態２においては、第３の配線層が実装基板２の上面に配置されていることを特徴とする。図３に示す実施形態では、実装基板２の上面に配置された配線層のうち第２の配線層１２ｂが第３の配線層としても機能する。すなわち、第２の配線層１２ｂは、はんだ２２を介してリード４ｂの底面露出部と電気的に接続されるとともに、図３に示すように、発光装置１００Ａを上面視した場合（図３のＺ方向から見た場合）、その一部が第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部との間に位置するように配置されている。
【００３４】
これにより、図３に示すように、発光素子１０等から出た光のうち、樹脂パッケージ６の底面を透過した矢印３０で示す光が、実装基板２に進入し実装基板２の下面から漏洩するのを第２の配線層１２ｂにより抑制することができる。
【００３５】
このように第３の配線層として機能する配線層１２ｂを実装基板２の上面に配置することにより、矢印３０に沿って進んだ発光素子１０等からの光について、その少なくとも一部を実装基板２に進入する前に遮光できるという利点を有する。
【００３６】
配線層１２ｂは、図３に示すように、好ましくは、上面視した場合、リード４ａの底面露出部と、リード４ｂの底面露出部とを繋ぐように配置されている。すなわち、上面視において、発光装置１００Ａの長手方向（幅方向；図３のＸ方向）に、リード４ａ、配線層１２ｂおよびリード４ｂが連続して並んでいる。
これにより、樹脂パッケージ６の底面を透過し、第１のリード４ａと第２のリード４ｂとの間に達した光のより多くを配線層１２ｂにより遮蔽できる。
【００３７】
また、上面視において、配線層１２ｂの奥行き方向（図３のＹ方向）の位置が、発光素子１０の厚さ方向（図３Ｙ方向）の位置を覆うことが好ましい。これは、発光素子１０の直下において、最も多くの光が樹脂パッケージ６の底面を透過するため、この部分に配線層１２ｂを配置することが効果的であるからである。なお、この場合、さらに、上述のように、配線層１２ｂがリード４ａの底面露出部と、リード４ｂの底面露出部とを繋ぐように配置されていることがより好ましい。さらには、上面視において、配線層１２ｂは、樹脂パッケージ６のキャビティ８を面積比で５０％以上を覆うことが好ましく、樹脂パッケージ６のキャビティ８を面積比で７０％以上を覆うことがより好ましい（すなわち、実装基板２の上面において、キャビティ８の直下部分の面積の５０％以上が配線層１２ｂにより覆われていることが好ましく、キャビティ８の直下部分の面積の７０％以上が配線層１２ｂにより覆われていることがより好ましい。）。これは、サイドビュー型の発光装置においては、通常、樹脂パッケージ６のキャビティ８を上下に挟む壁の厚さが他の部位の厚さより小さく、キャビティ８の直下において、多くの光が樹脂パッケージ６の底面を透過するため、この部分に配線層１２ｂを配置することが効果的であるからである。
【００３８】
図３に示す実施形態では、上述のように第２の配線層１２ｂを、上面視した場合、その一部が第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部との間に位置するように配置したが、これに代えて第１の配線層１２ａが第３の配線層として機能するように、上面視した場合、その一部が第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部との間に位置するように配置してもよい。このように、第３の配線層は、第１の配線層１２ａおよび第２の配線層１２ｂのいずれか一方と同じ配線層であってもよい。
【００３９】
あるいは、第２の配線層１２ｂに代えて、第１の配線層１２ａおよび第２の配線層１２ｂと異なる、別の配線層を第３の配線層として、発光装置１００Ａを上面視した場合、少なくともその一部が第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部との間に位置するように実装基板２の上面に配置してよい。
この場合、実装基板２の上面に配置した第３の配線層は、発光素子１０以外の要素（図示しない要素）に電力を供給するために用いてよい。
【００４０】
（３）実施形態３
図４は、実装基板２の上面に垂直で且つ発光素子１０を横切る断面における本発明の実施形態３に係る発光装置１００Ｂの断面図を示す。
以下に、発光装置１００Ｂについて、発光装置１００と異なる部分を中心に説明する。発光装置１００Ｂの構成のうち、特段の説明の無いものについては発光装置１００と同じ構成を有してよい。
【００４１】
実施形態３においては、第３の配線層が実装基板２の内部に配置されていることを特徴とする。図４に示す実施形態では、実装基板２の内部に２つの配線層１６ａ、１６ｂが配置されており、このうち配線層１６ａが第３の配線層として機能する。すなわち、配線層１６ａは、図４に示すように、発光装置１００Ｂを上面視した場合（図４のＺ方向から見た場合）、その一部が第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部との間に位置するように配置されている。
【００４２】
これにより、図４に示すように、発光素子１０等から出た光のうち、樹脂パッケージ６の底面を透過し、実装基板２に進入した矢印３０で示す光を遮光することができ、この結果、実装基板２の下面から光が漏洩するのを十分に抑制できる。
【００４３】
このように第３の配線層として機能する配線層１６ａを実装基板２の内部に配置することにより、配線層１６ａの劣化を抑制できるため、優れた遮光性能を長期間に亘って維持できるという利点を有する。また、実装基板２の内部に配置する第３の配線層は、上面や下面の場合に比べて配置に制約を受けにくいため、位置や形状を選択しやすく、実装基板２の広い範囲で光の漏洩を抑制できる。
【００４４】
配線層１６ａは、図４に示すように、好ましくは、発光装置１００Ｂを上面視した場合、リード４ａの底面露出部と、リード４ｂの底面露出部とを繋ぐように配置されている。すなわち、上面視において、発光装置１００Ｂの長手方向（幅方向；図４のＸ方向）に、リード４ａ、配線層１６ａおよびリード４ｂが連続して並んでいる。
これにより、樹脂パッケージ６の底面を透過し、第１のリード４ａと第２のリード４ｂとの間に達し、さらに実装基板２に進入した光のより多くを配線層１６ａにより遮蔽できる。
【００４５】
また、上面視において、配線層１６ａの奥行き方向（図４のＹ方向）の位置が、発光素子１０の厚さ方向（図４のＹ方向）の位置を覆うことが好ましい。これは、発光素子１０の直下において、最も多くの光が樹脂パッケージ６の底面を透過するため、この部分に配線層１６ａを配置することが効果的であるからである。なお、この場合、さらに、上述のように、発光装置１００Ｂの上面視において、配線層１６ａが、リード４ａの底面露出部とリード４ｂの底面露出部とを繋ぐように配置されていることがより好ましい。さらには、上面視において、配線層１６ａは、樹脂パッケージ６を面積比で７０％以上を覆うことが好ましく、樹脂パッケージ６のキャビティ８全体を覆うことがより好ましい（すなわち、実装基板２の内部の配線層１６ａが形成されている面において、キャビティ８の直下部分の面積の７０％以上が配線層１６ａにより覆われていることが好ましく、キャビティ８の直下部分の全体が配線層１６ａにより覆われていることがより好ましい。）。これは、サイドビュー型の発光装置においては、通常、樹脂パッケージ６のキャビティ８を上下に挟む壁の厚さが他の部位の厚さより小さく、キャビティ８の直下において、多くの光が樹脂パッケージ６の底面を透過するため、この部分に配線層１６ａを配置することが効果的であるからである。
【００４６】
なお、図４に示すような、内部に配線層１６ａ、１６ｂを備えた実装基板２は、例えば、２つ以上の基材（薄い基板）の間に配線層となる金属部材を挟んで形成した積層基板であってよい。
実装基板２の内部に配置された配線層１６ａおよび配線層１６ｂは、例えば実装基板２に設けた図示しないビアを介して配線層１２ａまたは配線層１２ｂと接続され、発光素子１０に電力を供給する配線層であってもよく、また、実装基板２の上面または下面に配置された、発光素子１０以外の素子（不図示）に電力を供給するための配線層であってもよい。
【００４７】
また、図４では、第３の配線層として機能する、実装基板２の内部に配置された配線層は１つであるがこれに限定されるものではない。
例えば、実装基板２の内部に配置され、第３の配線層として機能する配線層を実装基板２の厚さ方向（図４のＺ方向）に複数配置するなど、第３の配線層として機能する配線層を実装基板２の内部に複数配置してよい。
【００４８】
（４）実施形態４
実施形態４は、実施形態１〜３から選択される２つ以上の実施形態を組み合わせるものである。
すなわち、発光装置の上面視において、第１のリード４ａの底面露出部と第２のリード４ｂの底面露出部の間に、その少なくとも一部が配置されている第３の配線層を（１）実装基板２の上面、（２）実装基板２の内部、および（３）実装基板２の下面のうちの２箇所以上（（１）〜（３）の２つ以上）、好ましくは３箇所全て（（１）〜（３）の全て）に有している。
実装基板２の上面、内部および下面のうちの少なくとも２箇所、好ましくは３箇所に第３の配線層を形成することで、より確実に実装基板２の下面からの光の漏洩を抑制できる。
【符号の説明】
【００４９】
２  実装基板
４ａ、４ｂ  リード
６  樹脂パッケージ
８  キャビティ
１０  発光素子
１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂ、１６ａ、１６ｂ  配線層
１８  封止樹脂
２０ａ、２０ｂ  ワイヤー
２２  はんだ
【図１】
2015012102.tif 000003
【図２】
2015012102.tif 000004
【図３】
2015012102.tif 000005
【図４】
2015012102.tif 000006