(57)【要約】【課題】電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、かつ接続信頼性を高めることができる導電性粒子を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３と備え、基材粒子２が、有機コア２Ａと、有機コア２Ａの表面上に配置された無機シェル２Ｂとを有し、導電部３が外表面に複数の突起３ａを有し、導電部３の外表面の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、
前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、有機コアと、前記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有し、
前記導電部が外表面に複数の突起を有し、
前記導電部の外表面の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属である、導電性粒子。
【請求項２】
前記延性金属が、銅、ニッケル、アルミニウム及びチタンからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記延性金属が、銅を含む、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記延性金属が、ニッケルと銅とを含む、請求項３に記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記無機シェルの材料がシリカである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記突起の高さが、前記導電性粒子の粒子径の１／１００以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記導電部の外表面が防錆処理されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項１０】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、ガラス基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続し、接続構造体を得るために用いられている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。
【０００４】
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、有機ポリマー粒子（Ｂ）が導電性金属（Ｃ）により被覆されている導電性粒子が開示されている。上記有機ポリマー粒子（Ｂ）では、コアがシェルにより被覆されており、シェルが無機化合物（Ａ）であり、コアが有機ポリマー（ｂ）である。特許文献１では、上記導電性金属（Ｃ）に関しては、導電性の観点から、銅、アルミニウム、銀、金及びこれらの合金が好ましいこと、酸化性の観点から、銀が更に好ましいことが記載されている。実施例では、上記導電性金属（Ｃ）として銀を用いた導電性粒子のみが示されている。
【０００５】
下記の特許文献２には、重合体粒子と導電性金属層とを有する導電性粒子が開示されている。上記重合体粒子は、コア粒子と、該コア粒子の表面に設けられたシェル層とを有していてもよい。上記導電性金属層を構成する金属としては、ニッケル、パラジウム、金、銀、銅、白金、鉄、スズ、鉛、コバルト、チタン、ビスマス、亜鉛、アルミニウム及びインジウムが挙げられている。実施例では、上記導電性金属層としてニッケル層を形成した導電性粒子のみが示されている。
【０００６】
下記の特許文献３には、平均粒径１〜２０μｍの球状の基材粒子の表面に、無電解めっき法によりニッケル導電層又はニッケル合金導電層が形成された導電性粒子が開示されている。この導電性粒子は、導電層の最表層に０．０５〜４μｍの微小な突起を有する。該導電層と該突起とは実質的に連続的に連なっている。上記基材粒子としては、樹脂粒子が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１５６０６８号公報
【特許文献２】特開２０１２−３６３３５号公報
【特許文献３】特開２０００−２４３１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
コアシェル構造を有する基材粒子を備える従来の導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗が高くなることがある。さらに、電極間の接続時に、導電性粒子における基材粒子のシェルの破壊されることがあり、複数の電極間での接続安定性の欠如しやすく、冷熱環境に置かれた場合に、断線の不具合が発生しやすいという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、かつ接続信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記基材粒子が、有機コアと、前記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有し、前記導電部が外表面に複数の突起を有し、前記導電部の外表面の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属である、導電性粒子が提供される。
【００１１】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記延性金属が、銅、ニッケル、アルミニウム及びチタンからなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【００１２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記延性金属が、銅を含む。
【００１３】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記延性金属が、ニッケルと銅とを含む。
【００１４】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記無機シェルの材料がシリカである。
【００１５】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起の高さが、前記導電性粒子の粒子径の１／１００以上である。
【００１６】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が防錆処理されている。
【００１７】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。
【００１８】
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。
【００１９】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、上記基材粒子が、有機コアと、上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有し、上記導電部が外表面に複数の突起を有し、上記導電部の外表面の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属であるので、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、かつ接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２３】
（導電性粒子）
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、上記基材粒子が、有機コアと、上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する。上記基材粒子は、コアシェル構造を有し、有機無機ハイブリッド粒子である。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部が外表面に複数の突起を有する。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部の外表面の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属である。
【００２４】
本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、かつ接続抵抗のばらつきを低減し、接続信頼性を高めることができる。
【００２５】
コアシェル構造を有さない基材粒子では、基材粒子の部分的な破壊が生じにくいのに対し、コアシェル構造を有する基材粒子では、シェルの破壊が生じて、特に冷熱試験において電極間の接続安定性が欠如しやすいという問題がある。これに対して、コアシェル構造を有する基材粒子の表面上に特定の上記導電部を設けることによって、接続抵抗を低くすることができ、かつ接続信頼性を高めることができる。特に、接続構造体に冷熱サイクルが付与されても、接続抵抗を低く維持することができる。
【００２６】
また、基材粒子の表面上に配置される導電部の外表面を、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属とは異なる金属により形成した導電性粒子では、シェルの破壊が生じて、特に冷熱試験において電極間の接続安定性が欠如しやすいという問題がある。これに対して、基材粒子の表面上に特定の上記導電部を設けることによって、接続抵抗を低くすることができ、かつ接続信頼性を高めることができる。特に、接続構造体に冷熱サイクルが付与されても、接続抵抗を低く維持することができる。
【００２７】
接続抵抗を効果的に低くし、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記伸び率は好ましくは７％以上、より好ましくは１０％以上、更に好ましくは２５％以上、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下、更に好ましくは４０％以下である。
【００２８】
接続抵抗を効果的に低くし、接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記導電部の外側の厚み１／２の領域の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属であることが好ましい。
【００２９】
なお、導電部の外表面の材料の２３℃での伸び率は、以下のようにして測定される。ＰＥＴフィルム（Ｇ２）（帝人デュポン社製、２０×５０ｍｍサイズ）の片面に、厚み１μｍの導電膜を成膜する。引っ張り試験を行い、導電膜が破断した時点の伸びを測定する。引っ張り試験装置（島津製作所社製「ＥＺ−ＬＸ  ＨＳ」）を用いて、試験速度１ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定される。伸び率は下記式により計算される。
【００３０】
伸び率＝（Ｌ１−Ｌ０）／Ｌ０×１００％
Ｌ１：破断時の導電膜部の長さ
Ｌ０：試験前の導電膜部の長さ
【００３１】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３２】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００３３】
図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３とを有する。導電性粒子１では、導電部３は導電層である。導電部３は、基材粒子２の表面を覆っている。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。
【００３４】
基材粒子２は、有機コア２Ａと、有機コア２Ａの表面上に配置された無機シェル２Ｂとを有する。基材粒子２は、有機コア２Ａが無機シェル２Ｂにより被覆された被覆粒子である。
【００３５】
導電性粒子１は、導電性の表面に突起１ａを有する。導電部３は外表面（導電層の外表面）に突起３ａを有する。
【００３６】
導電性粒子１は、基材粒子２の表面上に複数の芯物質４を有する。導電部３は、基材粒子２と芯物質４とを被覆している。芯物質４を導電部３が被覆していることにより、導電性粒子１は表面に複数の突起１ａを有する。芯物質４により導電部３の外表面が隆起されており、複数の突起１ａが形成されている。
【００３７】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００３８】
図２に示す導電性粒子１Ａは、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３Ａとを有する。導電部３Ａは導電層である。導電性粒子１と導電性粒子１Ａとでは、芯物質４の有無のみが相違している。導電性粒子１Ａは、芯物質を有さない。
【００３９】
導電性粒子１Ａは、導電性の表面に突起１Ａａを有する。導電部３Ａは外表面（導電層の外表面）に突起３Ａａを有する。
【００４０】
導電部３Ａは、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。従って、導電部３Ａは表面（導電層の外表面）に突起３Ａａを有する。複数の突起１Ａａ，３Ａａを除く部分が、導電部３Ａの上記第１の部分である。複数の突起１Ａａ，３Ａａは、導電部３Ａの厚みが厚い上記第２の部分である。
【００４１】
導電性粒子１Ａのように、突起１Ａａ，３Ａａを形成するために、必ずしも芯物質を用いなくてもよい。
【００４２】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００４３】
図３に示す導電性粒子１Ｂは、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３Ｂと、絶縁性物質５とを有する。導電部３Ｂは導電層である。導電部３Ｂは、基材粒子２の表面上に配置された第１の導電部３Ｂｘと、第１の導電部３Ｂｘの外表面上に配置された第２の導電部３Ｂｙとを有する。
【００４４】
導電性粒子１Ｂは、導電性の表面に突起１Ｂａを有する。導電性粒子１Ｂは表面に突起１Ｂａを有する。導電部３Ｂは外表面（導電層の外表面）に突起３Ｂａを有する。導電性粒子１Ｂは、第１の導電部３Ｂｘの表面上に複数の芯物質４を有する。第２の導電部３Ｂｙは、第１の導電部３Ｂｘと芯物質４とを被覆している。基材粒子２と芯物質４とは間隔を隔てて配置されている。基材粒子２と芯物質４との間には、第１の導電部３Ｂｘが存在する。芯物質４を第２の導電部３Ｂｙが被覆していることにより、導電部３Ｂは表面に、複数の突起３Ｂａを有する。芯物質４により導電部３Ｂ及び第２の導電部３Ｂｙの外表面が隆起されており、複数の突起３Ｂａが形成されている。
【００４５】
導電性粒子１Ｂのように、導電部３Ｂは、多層構造を有していてもよい。さらに、突起１Ｂａ，３Ｂａを形成するために、芯物質４を内層の第１の導電部３Ｂｘ上に配置して、外層の第２の導電部３Ｂｙにより芯物質４及び第１の導電部３Ｂｘを被覆してもよい。
【００４６】
導電性粒子１Ｂは、導電部３Ｂ，３Ｂｙの外表面上に配置された絶縁性物質５を備える。導電部３Ｂ，３Ｂｙの外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質５により被覆されている。絶縁性物質５は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。
【００４７】
上記した導電性粒子１，１Ａ，１Ｂでは、導電部３，３Ａ，３Ｂ，３Ｂｙの外表面の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属である。
【００４８】
以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。
【００４９】
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００５０】
上記導電性粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の数平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【００５１】
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。
【００５２】
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。
【００５３】
上記基材粒子は、上記有機コアと、上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有することが好ましい。上記基材粒子は、コアシェル構造を有し、有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子がコアシェル粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【００５４】
上記有機コアは、有機粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることが好ましい。上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記有機コア及び上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００５５】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００５６】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００５７】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００５８】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００５９】
上記有機コア１００重量％中、上記有機コアに含まれる珪素原子の含有量は好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。上記有機コアは、珪素原子を含んでいなくてもよい。上記有機コアは珪素原子を含まないことが好ましい。上記有機コア１００重量％中、上記有機コアに含まれる炭素原子の含有量は好ましくは５０重量％以上、より好ましくは６０重量％以上、更に好ましくは６５重量％以上である。上記有機コアにおける珪素原子の含有量が少ないほど、また上記有機コアにおける炭素原子の含有量が多いほど、電極間の接続抵抗が効果的に低くなりやすい。
【００６０】
上記基材粒子及び上記無機シェルを形成するための材料としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、チタニア、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記無機シェルの材料がシリカであることが好ましく、上記無機シェルは、シリカを主成分として含有することが好ましい。上記無機シェルの主成分がシリカである場合に、上記無機シェル１００重量％中の５０重量％以上がシリカである。上記無機シェル１００重量％中のシリカの含有量はより好ましくは６０重量％以上、更に好ましくは８０重量％以上である。上記無機シェル１００重量％中、上記無機シェルに含まれる炭素原子の含有量は好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下である。上記無機シェルは炭素原子を含まないことが好ましい。なお、炭素原子を少量で含むシェルも、無機シェルと呼ぶ。上記無機シェルにおける珪素原子の含有量が多いほど、また上記無機シェルにおける炭素原子の含有量が少ないほど、電極間の接続抵抗が効果的に低くなりやすい。
【００６１】
上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。
【００６２】
上記ゾルゲル法の具体的な方法としては、コア、水やアルコール等の溶媒、界面活性剤、及びアンモニア水溶液等の触媒を含む分散液に、テトラエトキシシラン等の無機モノマーを共存させて界面ゾル反応を行う方法、並びに水やアルコール等の溶媒、及びアンモニア水溶液と共存させたテトラエトキシシラン等の無機モノマーによりゾルゲル反応を行った後、コアにゾルゲル反応物をヘテロ凝集させる方法等が挙げられる。上記ゾルゲル法において、上記金属アルコキシドを、加水分解及び重縮合させることが好ましい。
【００６３】
上記無機シェルは、上記有機コアの表面上で、上記シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。ゾルゲル法では、上記有機コアの表面上にシェル状物を配置することが容易である。上記焼成を行う場合に、上記基材粒子では、焼成後に、上記有機コアは、揮発等により除去されずに、残存している。上記基材粒子は、焼成後に、上記有機コアを有する。なお、仮に焼成後に上記有機コアが揮発等により除去されると、導電性粒子における導電部の形成が困難になり、導電部の割れが生じやすくなる。
【００６４】
上記ゾルゲル法の具体的な方法としては、有機コア、水やアルコール等の溶媒、界面活性剤、及びアンモニア水溶液等の触媒を含む分散液に、テトラエトキシシラン等の無機モノマーを共存させて界面ゾル反応を行う方法、並びに水やアルコール等の溶媒、及びアンモニア水溶液と共存させたテトラエトキシシラン等の無機モノマーによりゾルゲル反応を行った後、有機コアにゾルゲル反応物をヘテロ凝集させる方法等が挙げられる。上記ゾルゲル法において、上記シランアルコキシドは、加水分解及び重縮合することが好ましい。
【００６５】
上記ゾルゲル法では、界面活性剤を用いることが好ましい。界面活性剤の存在下で、上記シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物にすることが好ましい。上記界面活性剤は特に限定されない。上記界面活性剤は、良好なシェル状物を形成するように適宜選択して用いられる。上記界面活性剤としては、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤及びノニオン性界面活性剤等が挙げられる。なかでも、良好な無機シェルを形成できることから、カチオン性界面活性剤が好ましい。
【００６６】
上記カチオン性界面活性剤としては、４級アンモニウム塩及び４級ホスホニウム塩等が挙げられる。上記カチオン性界面活性剤の具体例としては、ヘキサデシルアンモニウムブロミド等が挙げられる。
【００６７】
上記有機コアの表面上で、上記無機シェルを形成するために、上記シェル状物は焼成されることが好ましい。焼成条件により、無機シェルにおける架橋度を調整可能である。また、焼成を行うことで、焼成を行わない場合と比べて、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。
【００６８】
上記無機シェルは、上記有機コアの表面上で、上記シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を１００℃以上（焼成温度）で焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記焼成温度はより好ましくは１５０℃以上、更に好ましくは２００℃以上である。上記焼成温度が上記下限以上であると、無機シェルにおける架橋度がより一層適度になり、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。
【００６９】
上記無機シェルは、上記有機コアの表面上で、上記シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を上記有機コアの分解温度以下（焼成温度）で焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記焼成温度は、上記有機コアの分解温度よりも５℃以上低い温度であることが好ましく、上記有機コアの分解温度よりも１０℃以上低い温度であることがより好ましい。また、上記焼成温度は、好ましくは８００℃以下、より好ましくは６００℃以下、更に好ましくは５００℃以下である。上記焼成温度が上記上限以下であると、上記有機コアの熱劣化及び変形を抑制でき、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。
【００７０】
良好な無機シェルを形成する観点からは、上記シランアルコキシドは、下記式（１Ａ）で表されるシランアルコキシドであることが好ましい。無機シェルを形成するためのシランアルコキシドは、下記式（１Ａ）において、ｎが４であるシランアルコキシドを含むことが好ましい。
【００７１】
Ｓｉ（Ｒ１）ｎ（ＯＲ２）４−ｎ    ・・・式（１Ａ）
【００７２】
上記式（１Ａ）中、Ｒ１はフェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基、重合性二重結合を有する炭素数１〜３０の有機基又はエポキシ基を有する炭素数１〜３０の有機基を表し、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｎは０〜２の整数を表す。ｎが２であるとき、複数のＲ１は同一であってもよく、異なっていてもよい。複数のＲ２は同一であってもよく、異なっていてもよい。無機シェルに含まれる珪素の含有量を効果的に高めるために、上記式（１Ａ）中のｎは０又は１を表すことが好ましく、０を表すことがより好ましい。無機シェルに含まれる珪素の含有量が高いと、本発明の効果がより一層優れる。
【００７３】
上記Ｒ１が炭素数１〜３０のアルキル基である場合、Ｒ１の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、及びｎ−デシル基等が挙げられる。このアルキル基の炭素数は好ましくは１０以下、より好ましくは６以下である。なお、アルキル基には、シクロアルキル基が含まれる。
【００７４】
上記重合性二重結合としては、炭素−炭素二重結合が挙げられる。上記Ｒ１が重合性二重結合を有する炭素数１〜３０の有機基である場合に、Ｒ１の具体例としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、及び３−（メタ）アクリロキシアルキル基等が挙げられる。上記（メタ）アクリロキシアルキル基としては、（メタ）アクリロキシメチル基、（メタ）アクリロキシエチル基及び（メタ）アクリロキシプロピル基等が挙げられる。上記重合性二重結合を有する炭素数１〜３０の有機基の炭素数は好ましくは２以上、好ましくは３０以下、より好ましくは１０以下である。上記「（メタ）アクリロキシ」は、メタクリロキシ又はアクリロキシを意味する。
【００７５】
上記Ｒ１がエポキシ基を有する炭素数１〜３０の有機基である場合、Ｒ１の具体例としては、１，２−エポキシエチル基、１，２−エポキシプロピル基、２，３−エポキシプロピル基、３，４−エポキシブチル基、３−グリシドキシプロピル基、及び２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基等が挙げられる。上記エポキシ基を有する炭素数１〜３０の有機基の炭素数は好ましくは８以下、より好ましくは６以下である。なお、上記エポキシ基を有する炭素数１〜３０の有機基は、炭素原子及び水素原子に加えて、エポキシ基に由来する酸素原子を含む基である。
【００７６】
上記Ｒ２の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、及びイソブチル基等が挙げられる。無機シェルに含まれる珪素の含有量を効果的に高めるために、上記Ｒ２は、メチル基又はエチル基を表すことが好ましい。
【００７７】
上記シランアルコキシドの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、及びジイソプロピルジメトキシシラン等が挙げられる。これら以外のシランアルコキシドを用いてもよい。
【００７８】
無機シェルに含まれる珪素原子の含有量を効果的に高めるために、上記無機シェルの材料として、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランを用いることが好ましい。上記無機シェルの材料の１００重量％中、テトラメトキシシランとテトラエトキシシランとの合計の含有量は好ましくは５０重量％以上である（全量でもよい）。上記無機シェル１００重量％中、テトラメトキシシランに由来する骨格とテトラエトキシシランに由来する骨格との合計の含有量は好ましくは５０重量％以上である（全量でもよい）。
【００７９】
上記シランアルコキシドは、珪素原子に４つの酸素原子が直接結合している構造を有するシランアルコキシドを含むことが好ましい。上記シランアルコキシドは、下記式（１Ａａ）で表されるシランアルコキシドを含むことが好ましい。
【００８０】
Ｓｉ（ＯＲ２）４    ・・・式（１Ａａ）
【００８１】
上記式（１Ａａ）中、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基を表す。複数のＲ２は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００８２】
電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子を得る観点からは、上記無機シェルを形成するために用いる上記シランアルコキシド１００モル％中、上記珪素原子に４つの酸素原子が直接結合している構造を有するシランアルコキシド、又は上記式（１Ａａ）で表されるシランアルコキシドの各含有量は、好ましくは２０モル％以上、より好ましくは４０モル％以上、更に好ましくは５０モル％以上、更に一層好ましくは５５モル％以上、特に好ましくは６０モル％以上、１００モル％以下である。上記無機シェルを形成するために用いる上記シランアルコキシドの全量が、上記珪素原子に４つの酸素原子が直接結合している構造を有するシランアルコキシド、又は上記式（１Ａａ）で表されるシランアルコキシドであってもよい。
【００８３】
電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子を得る観点からは、上記無機シェルに含まれる上記シランアルコキシドに由来する珪素原子の全個数１００％中、４つの−Ｏ−Ｓｉ基が直接結合しておりかつ上記４つの−Ｏ−Ｓｉ基における４つの酸素原子が直接結合している珪素原子の個数の割合は、好ましくは２０％以上、より好ましくは４０％以上、更に好ましくは５０％以上、更に一層好ましくは５５％以上、特に好ましくは６０％以上である。但し、本発明では、耐アルカリ性を高めるために、上記無機シェルに含まれる上記シランアルコキシドに由来する珪素原子の全個数１００％中、４つの酸素原子が直接結合している珪素原子の個数の割合は、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上である。
【００８４】
上記無機シェルに含まれている珪素原子の全個数１００％中、４つの酸素原子が直接結合した珪素原子の個数の割合は、好ましくは２０％以上、より好ましくは４０％以上、更に好ましくは５０％以上、特に好ましくは６０％以上である。
【００８５】
なお、４つの−Ｏ−Ｓｉ基が直接結合しておりかつ上記４つの−Ｏ−Ｓｉ基における４つの酸素原子が直接結合している珪素原子は、例えば、下記式（１１）で表される構造における珪素原子である。具体的には、下記式（１１Ｘ）で表される構造における矢印Ａを付して示す珪素原子である。
【００８６】
【化１】
2015038865.tif 000003
【００８７】
なお、上記式（１１）における酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成している。
【００８８】
【化２】
2015038865.tif 000004
【００８９】
４つの−Ｏ−Ｓｉ基が直接結合しておりかつ上記４つの−Ｏ−Ｓｉ基における４つの酸素原子が直接結合している珪素の個数の割合（Ｑ４の個数の割合（％））を測定する方法としては、例えば、ＮＭＲスペクトル解析装置を用いて、Ｑ４（４つの−Ｏ−Ｓｉ基が直接結合しておりかつ上記４つの−Ｏ−Ｓｉ基における４つの酸素原子が直接結合している珪素）のピーク面積と、Ｑ１〜Ｑ３（１〜３つの−Ｏ−Ｓｉ基が直接結合しておりかつ１〜３つの上記−Ｏ−Ｓｉ基における１〜３つの酸素原子が直接結合している珪素）のピーク面積とを比較する方法が挙げられる。この方法により、上記無機シェルに含まれている珪素の全個数１００％中、４つの−Ｏ−Ｓｉ基が直接結合しておりかつ上記４つの−Ｏ−Ｓｉ基における４つの酸素原子が直接結合している珪素の個数の割合（Ｑ４の個数の割合）を求めることができる。
【００９０】
上記導電部の厚み（複数の導電部がある場合には、複数の導電部全体の厚み）は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。上記導電部の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。上記導電部の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電部が剥離し難くなる。上記導電部の厚みは、導電性粒子全体での導電部の厚みの平均である。
【００９１】
上記基材粒子の表面上に上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきにより上記導電部を形成する方法、並びに電気めっきにより上記導電部を形成する方法等が挙げられる。
【００９２】
上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部の材料である金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。但し、上記導電部の外表面の材料が、２３℃での伸び率が５％以上、６５％以下である延性金属である。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９３】
電極間の接続抵抗を効果的に低くし、電極間接続安定性をより一層高くし、冷熱試験における電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の材料である上記延性金属は、銅、ニッケル、アルミニウム及びチタンからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００９４】
上記導電部の外表面の材料である上記延性金属１００重量％中、銅、ニッケル、アルミニウム及びチタンの合計の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２５重量％以上、更に好ましくは４０重量％以上、好ましくは１００重量％（全量）以下である。
【００９５】
電極間の接続抵抗を効果的に低くし、電極間接続安定性をより一層高くし、冷熱試験における電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の材料である上記延性金属は、銅を含むことが好ましい。この場合に、上記導電部は、銅以外の金属を含まないか又は含み、ニッケル、アルミニウム及びチタンをそれぞれ含まないか又は含む。
【００９６】
上記導電部の外表面の材料である上記延性金属１００重量％中、銅の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２５重量％以上、更に好ましくは４０重量％以上、好ましくは１００重量％（全量）以下である。
【００９７】
電極間の接続抵抗を効果的に低くし、電極間接続安定性をより一層高くし、冷熱試験における電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の材料である上記延性金属は、ニッケルと銅とを含むことが好ましい。この場合に、上記導電部は、銅及びニッケル以外の金属を含まないか又は含み、アルミニウム及びチタンをそれぞれ含まないか又は含む。
【００９８】
上記導電部の外表面の材料である上記延性金属１００重量％中、銅及びニッケルの合計の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２５重量％以上、更に好ましくは４０重量％以上、好ましくは１００重量％（全量）以下である。
【００９９】
電極間の接続抵抗を効果的に低くし、電極間接続安定性をより一層高くし、冷熱試験における電極間の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の材料である上記延性金属は、銅を含むことが好ましい。
【０１００】
上記導電性粒子は、導電性の表面に複数の突起を有する。上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部の外表面に突起を容易に形成可能である。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、突起によって、導電性粒子と電極との間のバインダー樹脂が効果的に排除される。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。
【０１０１】
上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。上記導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の導電部を形成した後、該第１の導電部上に芯物質を配置し、次に第２の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。
【０１０２】
上記基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。
【０１０３】
上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、酸化被膜の貫通効果を高めるには、芯物質が硬い方が好ましい。
【０１０４】
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、タングステン、モリブデン及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質の材料である金属は、上記導電部の材料である金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質の材料は、ニッケルを含むことが好ましい。また、上記金属の酸化物としては、アルミナ、シリカ及びジルコニア等が挙げられる。
【０１０５】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【０１０６】
上記芯物質の径（粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【０１０７】
上記芯物質の径（粒子径）は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の数平均径（数平均粒子径）は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０１０８】
上記導電性粒子における上記突起の高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。上記突起の高さは、導電性粒子１個当たりの複数の突起の高さの平均である。上記突起の高さは、導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線（図１に示す破線Ｌ１）上における、突起が無いと想定した場合の導電部の仮想線（図１に示す破線Ｌ２）上（突起が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上）から突起の先端までの距離を示す。すなわち、図１においては、破線Ｌ１と破線Ｌ２との交点から突起の先端までの距離を示す。
【０１０９】
接続抵抗を効果的に低くし、電極間の接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記突起の高さが、上記導電性粒子の粒子径の１／１００以上であることが好ましく、１／１５以上であることがより好ましい。また、突起の高さが、導電性粒子の粒子径の１／６以下であることが好ましい。
【０１１０】
上記導電性粒子１個当たりの上記の突起は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。
【０１１１】
本発明に係る導電性粒子は、上記導電部の表面上（導電層の外表面上）に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有するので、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。
【０１１２】
電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。
【０１１３】
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電部の外表面は防錆処理されていることが好ましい。
【０１１４】
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、導電部の表面に、防錆膜を形成できる。
【０１１５】
上記防錆膜は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物（以下、化合物Ａともいう）により形成されていることが好ましい。上記導電部の外表面は、上記化合物Ａにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上であると、導電部の外表面に錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が２２以下であると、導電性粒子の導電性が高くなる。導電性粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Ａにおける上記アルキル基の炭素数は１６以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。
【０１１６】
上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシラン、炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオール、及び炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物Ａは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール及びジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの好ましい化合物Ａの使用により、導電部に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Ａは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Ａは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１１７】
上記化合物Ａは、導電部の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Ａは、上記絶縁性物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、導電部と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁性物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記導電部及び上記絶縁性物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、導電部に錆がより一層生じ難くなり、かつ導電性粒子の表面から絶縁性物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。
【０１１８】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。
【０１１９】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。
【０１２０】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【０１２１】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。
【０１２２】
上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。
【０１２３】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
【０１２４】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が使用可能である。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２５】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０１２６】
上記異方性導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１２７】
上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。
【０１２８】
上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０１２９】
上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１３０】
（接続構造体）
本発明の導電性粒子を用いて、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【０１３１】
上記接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が本発明の導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、第１，第２の電極が上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第１，第２の接続対象部材が導電性粒子により接続される。
【０１３２】
図４に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。
【０１３３】
図４に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料により形成されている。接続部５４は、導電性粒子１とバインダー樹脂５４ａとを含む。なお、図４では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１Ａ，１Ｂなどの他の導電性粒子を用いてもよい。
【０１３４】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。
【０１３５】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。フレキシブルプリント基板の電極、樹脂フィルム上に配置された電極及びタッチパネルの電極を接続するための上記加圧の圧力は９．８×１０４〜１．０×１０６Ｐａ程度である。
【０１３６】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。
【０１３７】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１３８】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１３９】
（実施例１）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆して、コアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子）を用意した。得られた有機無機ハイブリッド粒子では、表面にシラノール基が存在し、上記無機シェルに含まれる珪素に直接結合した官能基の全個数１００％中、上記官能基が水酸基である個数の割合が５０％以上であった。
【０１４０】
基材粒子として上記有機無機ハイブリッド粒子を用いて、導電部の外表面に複数の突起が形成されるように、ジメチルアミンボランを還元剤とした無電解ニッケルめっき処理することにより、基材粒子の表面上にニッケル層（厚み１００ｎｍ）を形成した。突起を形成するための芯物質として、粒子径が１５０ｎｍであるＮｉ粒子を用いた。次に、無電解銅めっき処理することにより、ニッケル層の外表面上に銅層（厚み４０ｎｍ）を形成した。このようにして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子の外表面には、複数の突起が形成されていた。
【０１４１】
（実施例２）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆して、コアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子）を用意した。得られた有機無機ハイブリッド粒子では、表面にシラノール基が存在し、上記無機シェルに含まれる珪素に直接結合した官能基の全個数１００％中、上記官能基が水酸基である個数の割合が５０％以上であった。
【０１４２】
基材粒子として上記有機無機ハイブリッド粒子を用いて、ジメチルアミンボランを還元剤とした無電解ニッケルめっき処理することにより、基材粒子の表面上にニッケル層（厚み１００ｎｍ）を形成して、導電性粒子を得た。なお、ニッケルめっき膜の延性を向上させるように、スルファミン酸塩系の添加剤を用いた。
【０１４３】
（実施例３）
ニッケル層の厚みを４０ｎｍに変更したこと、銅層の厚みを１００ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１４４】
（実施例４）
ニッケル層を設けずに、基材粒子の表面を直接無電解銅めっき処理することにより、厚み１００ｎｍの銅層を形成にしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１４５】
（実施例５）
突起を形成するために芯物質として、粒子径が１５０ｎｍであるアルミナ粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１４６】
（実施例６）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆して、コアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子）を用意した。
【０１４７】
基材粒子として上記有機無機ハイブリッド粒子を用いて、バレルスパッタすることにより、基材粒子の表面上にチタン層（厚み１００ｎｍ）を形成して、導電性粒子を得た。バレルスパッタの条件は、真空度：５×１０−４Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ流量：３ｃｃｍ以下、スパッタリング出力：５０Ｗ／ｃｍ２以上、バレル回転数：６ｒｐｍ、基材粒子の温度：１５０℃、の条件とした。
【０１４８】
（実施例７）
金属をアルミニウムに変更して、アルミニウム層（厚み１００ｎｍ）を形成したこと以外は実施例６と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１４９】
（実施例８）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子を、粒子径が２．００μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子に変更した以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１５０】
（実施例９）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。
【０１５１】
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。
【０１５２】
実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。０．３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。
【０１５３】
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は４０％であった。
【０１５４】
（実施例１０）
金属をＳＵＳ３０４（１８クロムステンレス）に変更して、ＳＵＳ３０４層（厚み１００ｎｍ）を形成したこと以外は実施例６と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１５５】
（比較例１）
金属をＣｕＮｉＺｎ合金（Ｃｕ６５重量％、Ｎｉ１８重量％、Ｚｎ１７重量％）に変更して、合金層（厚み１００ｎｍ）を形成したこと以外は実施例６と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１５６】
（比較例２）
突起を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１５７】
（比較例３）
基材粒子を有機無機ハイブリッド粒子ではない樹脂粒子に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１５８】
（比較例４）
無電解めっきする際に突起を形成しなかったこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１５９】
（評価）
（１）導電部の外表面の材料の伸び率
導電部の外表面の材料の２３℃での伸び率を、ＰＥＴフィルム（Ｇ２）（帝人デュポン社製、２０×５０ｍｍサイズ）の片面に、実施例及び比較例における導電層を構成する導電膜を厚みが１μｍとなるように成膜した。引っ張り試験を行い、導電膜が破断した時点の伸びを測定した。引っ張り試験装置（島津製作所社製「ＥＺ−ＬＸ  ＨＳ」）を用いて、試験速度１ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。伸び率は下記式により計算した。
【０１６０】
伸び率＝（Ｌ１−Ｌ０）／Ｌ０×１００％
Ｌ１：破断時の導電膜部の長さ
Ｌ０：試験前の導電膜部の長さ
【０１６１】
（２）導電部の外表面の材料１００重量％中の銅、ニッケル、チタン、アルミニウム及びＳＵＳ３０４の各含有量
ＳＩＩ社製「ＦＩＢ（ＳＭＩ５００）」を用いて粒子断面を切り出し、日本電子社製「ＦＥ−ＴＥＭ（ＪＥＭ−２０１０ＦＥＦ）」を用いてＥＤＳ線分析して、銅、ニッケル、チタン、アルミニウム及びＳＵＳ３０４の各含有量を測定した。
【０１６２】
（３）接続抵抗
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「エピコート１００９」）１０重量部と、アクリルゴム（重量平均分子量約８０万）４０重量部と、メチルエチルケトン２００重量部と、マイクロカプセル型硬化剤（旭化成ケミカルズ社製「ＨＸ３９４１ＨＰ」）５０重量部と、シランカップリング剤（東レダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ６０４０」）２重量部とを混合し、導電性粒子を含有量が３重量％となるように添加し、分散させ、樹脂組成物を得た。
【０１６３】
得られた樹脂組成物を、片面が離型処理された厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗布し、７０℃の熱風で５分間乾燥し、異方性導電フィルムを作製した。得られた異方性導電フィルムの厚さは１２μｍであった。
【０１６４】
得られた異方性導電フィルムを５ｍｍ×５ｍｍの大きさに切断した。切断された異方性導電フィルムを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有するアルミニウム電極（高さ０．２μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ）を有するガラス基板（幅３ｃｍ、長さ３ｃｍ）のアルミニウム電極側のほぼ中央に貼り付けた。次いで、同じアルミニウム電極を有する２層フレキシブルプリント基板（幅２ｃｍ、長さ１ｃｍ）を、電極同士が重なるように位置合わせをしてから貼り合わせた。このガラス基板と２層フレキシブルプリント基板との積層体を、１０Ｎ、１８０℃、及び２０秒間の圧着条件で熱圧着し、接続構造体を得た。なお、ポリイミドフィルムにアルミニウム電極が直接形成されている２層フレキシブルプリント基板を用いた。
【０１６５】
接続抵抗の測定：
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗を４端子法により測定した。また、接続抵抗から接続抵抗を下記の基準で判定した。
【０１６６】
［接続抵抗の判定基準］
○○：接続抵抗が２．０Ω以下
○：接続抵抗が２．０Ωを超え、３．０Ω以下
△：接続抵抗が３．０Ωを超え、５．０Ω以下
×：接続抵抗が５．０Ωを超える
【０１６７】
（４）接続安定性（接続信頼性）
上記（３）の接続抵抗の評価で得られた接続構造体において、−４０〜１２５℃×５０００サイクルの冷熱試験後の断線箇所を評価することにより、接続安定性を評価した。接続安定性（接続信頼性）を下記の基準で判定した。なお、接続安定性が欠如している場合に、断線箇所の原因は、無機シェルの破壊であることを確認した。
【０１６８】
［接続安定性（接続信頼性）の判定基準］
○○○：断線箇所なし
○○：断線箇所が３０００箇所中、１〜３箇所
○：断線箇所が３０００箇所中、４〜１０箇所
△：断線箇所が３０００箇所中、１１〜１００箇所
×：断線箇所が３０００箇所中、１０１箇所以上
【０１６９】
結果を下記の表１に示す。なお、実施例１〜１０で得られた導電性粒子の突起の高さは、導電性粒子の粒子径の１／１００以上であった。
【０１７０】
【表１】
2015038865.tif 000005
【符号の説明】
【０１７１】
１，１Ａ，１Ｂ…導電性粒子
１ａ，１Ａａ，１Ｂａ…突起
２…基材粒子
２Ａ…有機コア
２Ｂ…無機シェル
３，３Ａ，３Ｂ…導電部
３ａ，３Ａａ，３Ｂａ…突起
３Ｂｘ…第１の導電部
３Ｂｙ…第２の導電部
４…芯物質
５…絶縁性物質
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
５４ａ…バインダー樹脂
【図１】
2015038865.tif 000006
【図２】
2015038865.tif 000007
【図３】
2015038865.tif 000008
【図４】
2015038865.tif 000009