(57)【要約】【課題】発光素子の発光に利用される電位の電圧降下を抑制する。【解決手段】表示領域１２には複数の画素が配列される。各画素は、第１電極と第２電極との間に発光機能層が挟まれた発光素子と、高位側の電源電位ＶELが供給される第１電源導電体４１と第１電極との間の電流経路上に配置されたトランジスターとを含む。第１電源導電体４１は、トランジスターと第１電極との接続部に対応する開口を有するとともに、平面視で表示領域１２の全域にわたって形成される。また、画素の第２電極は、低位側の電源電位ＶCTが供給される第２電源導電体４２に導通する。第２電源導電体４２は、平面視で第１電源導電体４１を包囲する環状に形成される。【選択図】図４
2015011820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域内に配列された複数の画素と、
第１電位が供給される第１電源導電体とを具備し、
前記複数の画素の各々は、
第１電極と第２電極との間に発光機能層が挟まれた発光素子と、
前記第１電源導電体と前記第１電極との間の電流経路上に配置されたトランジスターとを含み、
前記第１電源導電体は、前記トランジスターと前記第１電極との接続部に対応する開口を有するとともに、平面視で前記表示領域の全域にわたって形成される
発光装置。
【請求項２】
前記第１電源導電体は、平面視で前記表示領域の８０％以上を占める
請求項１の発光装置。
【請求項３】
前記複数の画素の前記第２電極に電気的に接続され、前記第１電位とは相違する第２電位が供給される第２電源導電体を具備し、
前記第２電源導電体は、平面視で前記第１電源導電体を包囲する環状に形成される
請求項１または請求項２の発光装置。
【請求項４】
前記第１電源導電体と前記第２電源導電体とは同層から形成される
請求項３の発光装置。
【請求項５】
平面視で前記第１電源導電体と前記第２電源導電体との間の領域に、前記第１電源導電体および前記第２電源導電体から離間して、前記第１電源導電体および前記第２電源導電体と同層から形成された電源間電極
を具備する請求項４の発光装置。
【請求項６】
前記第１電源導電体および前記第２電源導電体とを被覆する絶縁層と、
前記絶縁層の面上に形成されて平面視で前記第１電源導電体と前記第２電源導電体との間の領域に重なる保護導電層と
を具備する請求項３から請求項５の何れかの発光装置。
【請求項７】
平面視で前記第２電源導電体の外側に位置する実装端子と、
前記第１電源導電体と前記実装端子とを電気的に接続する接続用導電体とを具備し、
前記接続用導電体は、前記第２電源導電体の下層に形成されて平面視で前記第２電源導電体に重なる第１導電部を含む
請求項３から請求項６の何れかの発光装置。
【請求項８】
前記接続用導電体は、前記第１電源導電体とは別層から形成されて前記第１電源導電体に電気的に接続される第２導電部を含み、
前記第２導電部は、平面視で前記表示領域の全域にわたり形成される
請求項７の発光装置。
【請求項９】
前記第１電源導電体と前記第２導電部との層間に位置する絶縁層を具備し、
前記第１電源導電体と前記第２導電部とは、前記絶縁層に形成された複数の導通孔を介して電気的に接続され、
前記複数の導通孔は、平面視で相互に隣合う各画素の間隙の領域内に直線状に配列する
請求項８の発光装置。
【請求項１０】
表示領域内に配列された複数の画素と、
第１電位が供給される第１電源導電体とを具備し、
前記複数の画素の各々は、
第１電極と第２電極との間に発光機能層が挟まれた発光素子と、
前記第１電源導電体と前記第１電極との間の電流経路上に配置されたトランジスターとを含み、
前記第１電源導電体は、平面視で前記表示領域の全域にわたるベタパターンである
発光装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０の何れかの発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ材料等の発光材料を利用した発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板上に平面状に配列した発光装置が各種の電子機器の表示装置として従来から提案されている。発光素子は、電源線間の電流経路上に配置されて駆動電流に応じた輝度で発光する。特許文献１には、画像信号に応じた階調信号が供給される信号線に１対１に対応するように直線状の複数の電源線を表示領域内に形成した構成が開示されている。特許文献２にも同様に、直線状の複数の電源線を表示領域内に形成した構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−０８４３７１号公報
【特許文献２】特開２０１２−０９８３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１や特許文献２のように複数の直線状の電源線を表示領域内に形成する構成では、各電源線の抵抗が大きいから、電源線上での電圧降下が顕著となる。したがって、各発光素子に供給される電源電位（更には発光素子の輝度）が表示領域内の発光素子の位置に応じて相違し、表示画像の観察者に表示斑として知覚される可能性がある。例えば、表示領域の中央部の輝度が周辺部の輝度と比較して低いという輝度分布（輝度差）が表示斑として知覚され得る。以上の事情を考慮して、本発明は、発光素子の発光に利用される電位の電圧降下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明の発光装置は、表示領域内に配列された複数の画素と、第１電位が供給される第１電源導電体とを具備し、複数の画素の各々は、第１電極と第２電極との間に発光機能層が挟まれた発光素子と、第１電源導電体と第１電極との間の電流経路上に配置されたトランジスターとを含み、第１電源導電体は、トランジスターと第１電極との接続部に対応する開口を有するとともに、平面視で表示領域の全域にわたって形成される。また、本発明の発光装置は、表示領域内に配列された複数の画素と、第１電位が供給される第１電源導電体とを具備し、複数の画素の各々は、第１電極と第２電極との間に発光機能層が挟まれた発光素子と、第１電源導電体と第１電極との間の電流経路上に配置されたトランジスターとを含み、第１電源導電体は、平面視で表示領域の全域にわたるベタパターンである。以上の構成では、第１電位が供給される第１電源導電体が表示領域の全域にわたって形成される。換言すると、第１電位が供給される第１電源導電体が表示領域内にベタパターンとして形成される。したがって、特許文献１や特許文献２のように複数の直線状の電源線を表示領域内に形成する構成と比較して、第１電源導電体の面内における第１電位の電圧降下が抑制され、結果的に各発光素子の輝度の相違（表示斑）を低減することが可能である。
【０００６】
なお、ベタパターンとは、線状または帯状のパターンやその組合せ（例えば格子状）のパターンではなく、導通用の開口部等を少なくとも除き表示領域の略全面を塗潰すように実質的に一様に連続する面状（すなわちベタ状）の導体パターンを意味する。具体的には、第１電源導電体は、平面視で表示領域の８０％を占めるベタ状に形成され、好適な態様では表示領域１２の９０％以上（更に好適には９５％以上）を占める。
【０００７】
本発明の好適な態様に係る発光装置は、複数の画素の第２電極に電気的に接続され、第１電位とは相違する第２電位が供給される第２電源導電体を具備し、第２電源導電体は、平面視で第１電源導電体を包囲する環状に形成される。以上の態様では、第２電位が供給される第２電源導電体が、平面視で第１電源導電体を包囲する環状（例えば矩形枠状）に形成されるから、例えば表示領域の３辺にわたり第２電源導電体を形成する構成と比較して第２電源導電体の抵抗が低減される。したがって、第２電源導電体の面内における第２電位の電圧降下が抑制され、結果的に各発光素子の輝度の相違（表示斑）を低減することが可能である。また、第１電源導電体と第２電源導電体とを同層から形成した構成によれば、第１電源導電体と第２電源導電体とを別層から形成する構成と比較して製造工程が簡素化されるという利点がある。
【０００８】
本発明の好適な態様に係る発光装置は、平面視で第１電源導電体と第２電源導電体との間の領域に、第１電源導電体および第２電源導電体から離間して、第１電源導電体および第２電源導電体と同層から形成された電源間電極を具備する。以上の態様では、第１電源導電体と第２電源導電体との間に電源間電極が形成されるから、第１電源導電体および第２電源導電体を被覆する絶縁層の表面の段差（凹凸）を低減することが可能である。また、第１電源導電体と第２電源導電体との電気的な短絡を防止できるという利点もある。
【０００９】
本発明の好適な態様に係る発光装置は、第１電源導電体および第２電源導電体とを被覆する絶縁層と、絶縁層の面上に形成されて平面視で第１電源導電体と第２電源導電体との間の領域に重なる保護導電層とを具備する。以上の態様では、第１電源導電体と第２電源導電体との間の領域に重なる保護導電層が形成されるから、例えば絶縁層の表面からの露出に起因した第１電源導電体および第２電源導電体の損傷や腐食を防止できるという利点がある。なお、前述の電源間電極が形成された態様では、第１電源導電体および第２電源導電体とともに電源間電極とも重なるように保護導電層を形成した構成が好適である。
【００１０】
本発明の好適な態様に係る発光装置は、平面視で第２電源導電体の外側に位置する実装端子と、第１電源導電体と実装端子とを電気的に接続する接続用導電体とを具備し、接続用導電体は、第２電源導電体の下層に形成されて平面視で第２電源導電体に重なる第１導電部を含む。以上の態様では、表示領域内の第１電源導電体と平面視で第２電源導電体の外側に位置する実装端子とを電気的に接続する接続用導電体の第１導電部が第２電源導電体の下層にて第２電源導電体と重なるから、例えば第２電源導電体の上層に第１導電部を形成した構成と比較して、発光装置の各要素の最表面の段差を低減することが可能である。
【００１１】
接続用導電体を具備する発光装置の好適例において、接続用導電体は、第１電源導電体とは別層から形成されて第１電源導電体に電気的に接続される第２導電部を含み、第２導電部は、平面視で表示領域の全域にわたり形成される。具体的には、第２導電部は、表示領域の全域にわたるベタパターンである。以上の態様では、第１電源導電体とは別層から形成されて第１電源導電体に導通する第２導電部が表示領域の全域にわたり形成されるから、第２導電部を形成しない構成と比較して、第１電源導電体の面内での電圧降下が抑制されるという前述の効果は格別に顕著である。また、第１電源導電体と第２導電部との層間に位置する絶縁層に形成された複数の導通孔を介して第１電源導電体と第２導電部とを電気的に接続する構成では、平面視で相互に隣合う各画素の間隙の領域内に複数の導通孔を直線状に配列した態様が好適である。
【００１２】
以上の各態様に係る発光装置は、例えば表示装置として各種の電子機器に利用される。具体的には、頭部装着型の表示装置や撮像装置の電子式ビューファインダー等が本発明の電子機器の好適例として例示され得るが、本発明の適用範囲は以上の例示に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態の発光装置の平面図である。
【図２】画素の回路図である。
【図３】発光装置の断面図である。
【図４】電源電位の供給に関連する要素の位置関係の説明図である。
【図５】接続用導電体の平面図である。
【図６】第１電源導電体の平面図である。
【図７】第１電源導電体と第２電源導電体と保護導電層との位置関係の説明図である。
【図８】保護導電層の効果の説明図である。
【図９】第２実施形態の発光装置の断面図である。
【図１０】第２実施形態における第１電源導電体と第２電源導電体と電源間電極との平面図である。
【図１１】図１０における領域αの拡大図である。
【図１２】第１電源導電体と第２電源導電体との間隔に起因した絶縁層の表面の段差の説明図である。
【図１３】電源間電極の形成による効果の説明図である。
【図１４】第２実施形態の変形例における第１電源導電体と第２電源導電体と電源間電極との平面図である。
【図１５】電子機器の一例たる頭部装着型の表示装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１００の平面図である。第１実施形態の発光装置１００は、有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板１０の面上に形成した有機ＥＬ装置である。基板１０は、珪素（シリコン）等の半導体材料で形成された板状部材（半導体基板）であり、複数の発光素子が形成される基体（下地）として利用される。
【００１５】
図１に例示される通り、基板１０の表面には、表示領域１２と周辺領域１４と実装領域１６とが画定される。表示領域１２は、複数の画素Ｐが配列された矩形状の領域である。表示領域１２には、Ｘ方向に延在する複数の走査線２２と、各走査線２２に対応してＸ方向に延在する複数の制御線２４と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在する複数の信号線２６とが形成される。複数の走査線２２と複数の信号線２６との各交差に対応して画素Ｐが形成される。したがって、複数の画素Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向にわたり行列状に配列する。
【００１６】
周辺領域１４は、表示領域１２を包囲する矩形枠状の領域である。周辺領域１４には駆動回路３０が設置される。駆動回路３０は、表示領域１２内の各画素Ｐを駆動する回路であり、２個の走査線駆動回路３２と信号線駆動回路３４とを含んで構成される。第１実施形態の発光装置１００は、基板１０の表面に直接的に形成されたトランジスター等の能動素子で駆動回路３０が構成される回路内蔵型の表示装置である。なお、画像表示には直接には寄与しないダミー画素を周辺領域１４内に形成することも可能である。
【００１７】
実装領域１６は、周辺領域１４を挟んで表示領域１２とは反対側（すなわち周辺領域１４の外側）の領域であり、複数の実装端子３８が配列される。制御回路や電源回路等の各種の外部回路（図示略）から制御信号や電源電位が各実装端子３８に供給される。外部回路は、例えば実装領域１６に接合された可撓性の配線基板（図示略）に実装される。
【００１８】
図２は、表示領域１２内の各画素（画素回路）Ｐの回路図である。図２に例示される通り、画素Ｐは、発光素子４５と駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELと選択トランジスターＴSLと容量素子Ｃとを含んで構成される。なお、第１実施形態では、画素Ｐの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）をＰチャネル型としたが、Ｎチャネル型のトランジスターを利用することも可能である。
【００１９】
発光素子４５は、有機ＥＬ材料の発光層を含む発光機能層４６を第１電極（陽極）Ｅ1と第２電極（陰極）Ｅ2との間に介在させた電気光学素子である。第１電極Ｅ1は画素Ｐ毎に個別に形成され、第２電極Ｅ2は複数の画素Ｐにわたり連続する。図２から理解される通り、発光素子４５は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを連結する電流経路上に配置される。第１電源導電体４１は、高位側の電源電位（第１電位）ＶELが供給される電源配線であり、第２電源導電体４２は、低位側の電源電位（第２電位）ＶCTが供給される電源配線である。
【００２０】
駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとは、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを連結する電流経路上で発光素子４５に対して直列に配置される。具体的には、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの一方（ソース）は第１電源導電体４１に接続される。発光制御トランジスターＴELは、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの他方（ドレイン）と発光素子４５の第１電極Ｅ1との導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。駆動トランジスターＴDRは、自身のゲート-ソース間の電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する。発光制御トランジスターＴELがオン状態に制御された状態では、駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給されることで発光素子４５が駆動電流の電流量に応じた輝度で発光し、発光制御トランジスターＴELがオフ状態に制御された状態では発光素子４５に対する駆動電流の供給が遮断されることで発光素子４５は消灯する。発光制御トランジスターＴELのゲートは制御線２４に接続される。
【００２１】
図２の選択トランジスターＴSLは、信号線２６と駆動トランジスターＴDRのゲートとの導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。選択トランジスターＴSLのゲートは走査線２２に接続される。また、容量素子Ｃは、第１電極Ｃ1と第２電極Ｃ2との間に誘電体を介在させた静電容量である。第１電極Ｃ1は駆動トランジスターＴDRのゲートに接続され、第２電極Ｃ2は第１電源導電体４１（駆動トランジスターＴDRのソース）に接続される。したがって、容量素子Ｃは、駆動トランジスターＴDRのゲート-ソース間の電圧を保持する。
【００２２】
信号線駆動回路３４は、外部回路から供給される画像信号が画素Ｐ毎に指定する階調に応じた階調電位（データ信号）を書込期間（水平走査期間）毎に複数の信号線２６に対して並列に供給する。他方、各走査線駆動回路３２は、各走査線２２に走査信号を供給することで複数の走査線２２の各々を書込期間毎に順次に選択する。走査線駆動回路３２が選択した走査線２２に対応する各画素Ｐの選択トランジスターＴSLはオン状態に遷移する。したがって、各画素Ｐの駆動トランジスターＴDRのゲートには信号線２６と選択トランジスターＴSLとを経由して階調電位が供給され、容量素子Ｃには階調電位に応じた電圧が保持される。他方、書込期間での走査線２２の選択が終了すると、各走査線駆動回路３２は、各制御線２４に制御信号を供給することで当該制御線２４に対応する各画素Ｐの発光制御トランジスターＴELをオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給される。以上のように各発光素子４５が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が表示領域１２に表示される。
【００２３】
図３は、発光装置１００の断面図である。図３に例示される通り、珪素等の半導体材料で形成された基板１０の表面のうち、表示領域１２内には各画素ＰのトランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）が形成され、周辺領域１４内には駆動回路３０の各トランジスターＴが形成される。各トランジスターＴは、基板１０の表面に形成された能動領域１０A（ソース／ドレイン領域）と、基板１０の表面を被覆する絶縁膜Ｌ0（ゲート絶縁膜）と、絶縁膜Ｌ0の面上に形成されたゲートＧとを含んで構成される。能動領域１０Aにはイオンが注入される。画素Ｐの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）のアクティブ層はソース領域とドレイン領域との間に存在し、能動領域１０Aとは別種類のイオンが注入されるが、図示は便宜的に省略されている。各トランジスターＴのゲートＧは、絶縁層Ｌ0を挟んでアクティブ層に対向する。
【００２４】
図３に図示される通り、各トランジスターＴのゲートＧが形成された絶縁膜Ｌ0の面上には、複数の絶縁層Ｌ（ＬA〜ＬF）と複数の配線層Ｗ（ＷA〜ＷF）とを交互に積層した多層配線層が形成される。各絶縁層Ｌは、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。また、各配線層Ｗは、アルミニウムや銀等を含有する低抵抗な導電材料で形成される。なお、以下の説明では、導電層（単層または複数層）の選択的な除去により複数の要素が同一工程で一括的に形成される関係を「同層から形成される」と表記する。
【００２５】
図３の絶縁層ＬAは、各トランジスターＴのゲートＧが形成された絶縁膜Ｌ0の面上に形成される。絶縁層ＬAの面上には、複数の中継電極ＱA（ＱA1〜ＱA4）を含む導体パターンが同層（配線層ＷA）から形成される。中継電極ＱA1は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔（コンタクトホール）を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ドレイン）に導通する。中継電極ＱA2は、絶縁層ＬAを貫通する導通孔を介して駆動トランジスターＴDRのゲートＧに導通し、中継電極ＱA3は、絶縁層ＬAおよび絶縁膜Ｌ0を貫通する導通孔を介して駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通する。また、中継電極ＱA4は、絶縁層ＬAおよび絶縁膜Ｌ0を貫通する各導通孔を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ソース）と駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ドレイン）とに導通する。すなわち、図２を参照して説明した通り、駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとが直列に接続される。なお、選択トランジスターＴSLの図示や駆動回路３０内の各トランジスターＴに関連する具体的な配線の図示は便宜的に省略されている。
【００２６】
図３の絶縁層ＬBは、配線層ＷAが形成された絶縁層ＬAの面上に形成される。絶縁層ＬBの面上には、接続用導電体５２と複数の中継電極ＱB（ＱB1，ＱB2）とを含む導体パターンが同層（配線層ＷB）から形成される。接続用導電体５２は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔を介して配線層ＷAの中継電極ＱA3に導通する。すなわち、接続用導電体５２は駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通する。
【００２７】
図４は、発光装置１００のうち電源電位（ＶEL，ＶCT）の供給に関連する要素の模式図である。図４から把握される通り、接続用導電体５２は、導電部５２１と導電部５２２とを含む導体パターンである。導電部５２１（第２導電部）は、平面視で表示領域１２の全域にわたる略矩形状のベタパターンである。ベタパターンとは、線状または帯状のパターンやその組合せ（例えば格子状）のパターンではなく、導通用の開口部等を少なくとも除き表示領域１２の略全面を塗潰すように一様に連続する面状（すなわちベタ状）の導体パターンを意味する。
【００２８】
図５は、導電部５２１のうちＸ方向に隣合う３個の画素Ｐに対応した部分の模式図である。図５に例示される通り、導電部５２１には開口部５４Aおよび開口部５４Bが画素Ｐ毎に形成される。開口部５４Aの内側に中継電極ＱB1が形成され、開口部５４Bの内側に中継電極ＱB2が形成される。換言すると、導電部５２１は、開口部５４Aおよび開口部５４Bを有するとともに、中継電極ＱB1および中継電極ＱB2を包囲するように平面視で表示領域１２の全域にわたって形成される。開口部５４Aおよび開口部５４Bは、配線層ＷBの上層の要素と下層の要素とを電気的に導通させるための開口（すなわち上層の要素と下層の要素とを連結する経路が通過する開口）である。中継電極ＱB1および中継電極ＱB2は、接続用導電体５２から離間した位置および形状に形成されて接続用導電体５２から電気的に絶縁される。図３および図５に例示される通り、中継電極ＱB1は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔Ｈ11を介して配線層ＷAの中継電極ＱA1に導通し、中継電極ＱB2は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔Ｈ12を介して配線層ＷAの中継電極ＱA2に導通する。
【００２９】
接続用導電体５２の導電部５２２（第１導電部）は、図４に例示される通り、表示領域１２内に位置する導電部５２１から周辺領域１４を通過して実装領域１６まで延在する直線状の導体パターンであり、実装領域１６に配置された複数の実装端子３８のうち高位側の電源電位ＶELが供給される実装端子３８１に電気的に接続される。
【００３０】
図３に例示される通り、絶縁層ＬCは、配線層ＷBが形成された絶縁層ＬBの面上に形成される。絶縁層ＬCの面上には、容量素子Ｃの第１電極Ｃ1と複数の中継電極ＱC（ＱC1，ＱC4）とを含む導体パターンが同層（配線層ＷC）から形成される。第１電極Ｃ1は、絶縁層ＬCを貫通する導通孔を介して配線層ＷBの中継電極ＱB2に導通する。すなわち、図２を参照して前述した通り、容量素子Ｃの第１電極Ｃ1は、中継電極ＱB2と中継電極ＱA2とを介して駆動トランジスターＴDRのゲートＧに導通する。図３の中継電極ＱC1は、絶縁層ＬCを貫通する導通孔を介して中継電極ＱB1に導通する。また、中継電極ＱC4は、実装領域１６に形成され、絶縁層ＬCを貫通する導通孔を介して接続用導電体５２（導電部５２２）に導通する。
【００３１】
図３の絶縁層ＬDは、配線層ＷCが形成された絶縁層ＬCの面上に形成される。絶縁層ＬDの面上には、容量素子Ｃの第２電極Ｃ2と複数の中継電極ＱD（ＱD1，ＱD4）と導電部５６とを含む導体パターンが同層（配線層ＷD）から形成される。第２電極Ｃ2は、平面視で第１電極Ｃ1に重なる形状および位置に形成される。したがって、第１電極Ｃ1および第２電極Ｃ2とで絶縁層ＬDを挟んだ構造の容量素子Ｃが画素Ｐ毎に形成される。
【００３２】
中継電極ＱD1は、絶縁層ＬDを貫通する導通孔を介して配線層ＷCの中継電極ＱC1に導通する。また、中継電極ＱD4は、実装領域１６に形成され、絶縁層ＬDを貫通する導通孔を介して配線層ＷCの中継電極ＱC4に導通する。他方、導電部５６は、図４に例示される通り、周辺領域１４から実装領域１６まで延在する導体パターンであり、低位側の電源電位ＶCTが供給される実装端子３８２に電気的に接続される。
【００３３】
図３の絶縁層ＬEは、配線層ＷDが形成された絶縁層ＬDの面上に形成される。絶縁層ＬEの面上には、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２と複数の中継電極ＱE（ＱE1，ＱE4）とを含む導体パターンが同層（配線層ＷE）から形成される。配線層ＷEは、アルミニウムや銀等を含有する光反射性の導電材料で形成される。
【００３４】
中継電極ＱE1は、絶縁層ＬEを貫通する導通孔を介して配線層ＷDの中継電極ＱD1に導通する。また、中継電極ＱE4は、実装領域１６に形成され、絶縁層ＬEを貫通する導通孔を介して配線層ＷDの中継電極ＱD4に導通する。図３から理解される通り、中継電極ＱE4は、後述の中継電極ＱF4を介して電源電位ＶELの供給用の実装端子３８１に電気的に接続される。すなわち、電源電位ＶELの実装端子３８１は、中継電極ＱF4と中継電極ＱE4と中継電極ＱD4と中継電極ＱC4とを介して接続用導電体５２（導電部５２２）に導通する。
【００３５】
図４に例示される通り、第１電源導電体４１は、接続用導電体５２の導電部５２１と同様に、平面視で表示領域１２の略全域にわたる矩形状のベタパターンに形成される。図６は、第１電源導電体４１の部分的な平面図である。図６に例示される通り、第１電源導電体４１は、画素Ｐ毎に形成された開口部４１Aを少なくとも除き表示領域１２の略全域を塗潰すように一様に連続する面状（ベタ状）の導体パターンである。前述の中継電極ＱE1は、開口部４１Aの内側に形成される。具体的には、中継電極ＱE1は、開口部４１Aの内側で第１電源導電体４１から離間した位置および形状に形成されて第１電源導電体４１から電気的に絶縁される。なお、図４では開口部４１Aや中継電極ＱE1の図示が便宜的に省略されている。以上の説明から理解される通り、第１電源導電体４１は、開口部４１Aを有するとともに、中継電極ＱE1を包囲するように平面視で表示領域１２の全域にわたって形成される。開口部４１Aは、配線層ＷEの上層の要素と下層の要素とを電気的に導通させるための開口（すなわち上層の要素と下層の要素とを連結する経路が通過する開口）である。
【００３６】
第１実施形態の第１電源導電体４１は、平面視で表示領域１２の８０％以上を占めるベタ状に形成され、好適な態様では表示領域１２の９０％以上（更に好適には９５％以上）を占める。例えば、縦０.９μｍ×横０.９μｍの矩形状に開口部４１Aを形成し、画素Ｐの面積を縦７.５μｍ×横２.５μｍの矩形状と仮定すると、表示領域１２の約９６％にわたり第１電源導電体４１が形成される。前述の接続用導電体５２の導電部５２１も同様に、平面視で表示領域１２の８０％以上を示すベタ状に形成され、好適な態様では表示領域１２の９０％以上（更に好適には９５％以上）を占める。
【００３７】
図３および図６に図示される通り、第１電源導電体４１は、絶縁層ＬEを貫通する複数の導通孔Ｈ22を介して配線層ＷDの第２電極Ｃ2に導通する。Ｙ方向に配列する複数（５個）の導通孔Ｈ22が画素Ｐ毎に形成される。また、第１電源導電体４１は、図６から理解される通り、第１電源導電体４１と接続用導電体５２（導電部５２１）との層間に位置する絶縁層Ｌ（ＬE，ＬD，ＬC）を貫通する複数の導通孔Ｈ23を介して配線層ＷBの接続用導電体５２（導電部５２１）に導通する。複数の導通孔Ｈ23は、平面視で相互に隣合う各画素Ｐの間の領域に形成される。具体的には、Ｙ方向に隣合う各画素Ｐの間隙でＸ方向に延在する帯状の領域（画素Ｐの各行間）内に、複数の導通孔Ｈ23がＸ方向に沿って直線状に配列する。すなわち、Ｘ方向に沿う複数の導通孔Ｈ23の配列が複数行にわたり相互に間隔をあけてＹ方向に並列する。複数の導通孔Ｈ23が表示領域１２の全域にわたり分散的に形成されるとも換言される。
【００３８】
以上のように第１電源導電体４１は各導通孔Ｈ23を介して接続用導電体５２に導通する。すなわち、第１電源導電体４１は、図３および図６から理解される通り、接続用導電体５２の導電部５２１と中継電極ＱA3とを介して駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通するとともに、接続用導電体５２の導電部５２１および導電部５２２と中継電極ＱC4から中継電極ＱF4とを介して電源電位ＶELの供給用の実装端子３８１に導通する。
【００３９】
図４に例示される通り、第２電源導電体４２は、表示領域１２の周囲の周辺領域１４内に形成された帯状の電極である。具体的には、第２電源導電体４２は、平面視で第１電源導電体４１を包囲する環状（矩形枠状の閉図形）に形成される。したがって、基板１０の表面のうち周辺領域１４内のトランジスターＴで構成される駆動回路３０は第２電源導電体４２で被覆される。第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とは、相互に離間して形成されて電気的に絶縁される。図３および図４から理解される通り、第２電源導電体４２は、絶縁層ＬEを貫通する導通孔Ｈ24を介して配線層ＷDの導電部５６に導通する。すなわち、実装端子３８２に供給される低位側の電源電位ＶCTは、導電部５６を介して第２電源導電体４２に供給される。
【００４０】
図３および図４から理解される通り、接続用導電体５２の導電部５２２は、第２電源導電体４２とは別層から形成されて、表示領域１２内の導電部５２１から周辺領域１４内で第２電源導電体４２の下層を通過（すなわち第２電源導電体４２と交差）して実装領域１６まで延在する。すなわち、接続用導電体５２の導電部５２２は平面視で第２電源導電体４２に重なる。
【００４１】
図３の絶縁層ＬFは、配線層ＷEが形成された絶縁層ＬEの面上に形成される。絶縁層ＬFの面上には、複数の中継電極ＱF（ＱF1，ＱF4）と保護導電層５８とを含む導体パターンが同層（配線層ＷF）から形成される。配線層ＷFは、例えば遮光性の導電材料（例えば窒化チタン）で形成される。
【００４２】
中継電極ＱF1は、絶縁層ＬFを貫通する導通孔を介して中継電極ＱE1に導通する。図３から理解される通り、中継電極ＱF1は、第１電源導電体４１の開口部４１Aに平面視で重複するように形成される。すなわち、中継電極ＱF1の外周縁は平面視で開口部４１Aの内周縁の外側に位置する。中継電極ＱF1は遮光性の導電材料で形成されるから、多層配線層に対する開口部４１Aからの外光の侵入が中継電極ＱF1により防止される。したがって、光照射に起因した各トランジスターＴの電流リークを防止できるという利点がある。他方、実装領域１６内の中継電極ＱF4は、絶縁層ＬFを貫通する導通孔を介して配線層ＷEの中継電極ＱE4に導通する。
【００４３】
図３の保護導電層５８は、絶縁層ＬFを貫通する導通孔を介して第２電源導電体４２に導通する。図７は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２と保護導電層５８との平面的な位置関係の説明図である。図７では保護導電層５８の一部が実線で図示され、他の一部の外形が鎖線で表現されている。
【００４４】
図７から理解される通り、保護導電層５８は、第２電源導電体４２に類似する環状（矩形枠状）に形成され、平面視で第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の双方に重なる帯状に形成される。具体的には、保護導電層５８の内周縁は、平面視で第１電源導電体４１の周縁の内側に位置する。すなわち、保護導電層５８は、第１電源導電体４１のうち周縁の近傍の領域に重なる。また、保護導電層５８の外周縁は、平面視で第２電源導電体４２の外周縁の外側に位置する。すなわち、保護導電層５８は、平面視で第２電源導電体４２の全域に重なる。以上の説明から理解される通り、保護導電層５８は、平面視で第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間隙の領域（すなわち表示領域１２と周辺領域１４との境界の近傍の領域）に重なる。
【００４５】
保護導電層５８を形成しない構成を第１実施形態に対する対比例として想定する。図８は、対比例における第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の断面図（表示領域１２と周辺領域１４との境界の近傍の断面図）である。図８に例示される通り、対比例では、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２を被覆する絶縁層ＬFの形成後に、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の縁端部（隅部）ｅが絶縁層ＬFから露出し、第１電源導電体４１や第２電源導電体４２に損傷や腐食が発生する可能性がある。他方、第１実施形態では、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の間隙に重なる（第１電源導電体４１や第２電源導電体４２の縁端部ｅを被覆する）ように保護導電層５８が形成されるから、絶縁層ＬFからの露出に起因した第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の損傷や腐食を防止できるという利点がある。
【００４６】
図３に図示される通り、配線層ＷFが形成された絶縁層ＬFの面上には光路調整層６０が形成される。光路調整層６０は、各画素Ｐの共振構造（詳細は後述）の共振波長を規定する光透過性の膜体であり、珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の光透過性の絶縁材料で形成される。
【００４７】
図３に例示される通り、光路調整層６０の面上には、表示領域１２内の画素Ｐ毎の第１電極Ｅ1と周辺領域１４内の導通用電極６３と実装領域１６内の複数の実装端子３８とが同層から形成される。第１電極Ｅ1と導通用電極６３と実装端子３８とは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性の導電材料で形成される。第１電極Ｅ1は、図２を参照して説明した通り、発光素子４５の陽極として機能する略矩形状の電極（画素電極）であり、光路調整層６０を貫通する導通孔を介して中継電極ＱF1に導通する。すなわち、第１電極Ｅ1は、多層配線層の各中継電極（ＱF1，ＱE1，ＱD1，ＱC1，ＱB1，ＱA1）を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ドレイン）に導通する。以上の説明から理解される通り、多層配線層の各中継電極（ＱF1，ＱE1，ＱD1，ＱC1，ＱB1，ＱA1）は、第１電極Ｅ1とトランジスター（第１実施形態の例示では発光制御トランジスターＴEL）とを電気的に接続するための要素（特許請求の範囲における「接続部」の一例）として機能する。他方、周辺領域１４内の導通用電極６３は、光路調整層６０を貫通する導通孔を介して保護導電層５８に導通する。
【００４８】
実装領域１６内の各実装端子３８は、多層配線層内の配線に適宜に導通する。例えば高位側の電源電位ＶELが供給される実装端子３８１は、図３から理解される通り、多層配線層の各中継電極（ＱF4，ＱE4，ＱD4，ＱC4）を介して接続用導電体５２（導電部５２２）に導通する。したがって、実装端子３８１に供給される電源電位ＶELは、各中継電極（ＱF4，ＱE4，ＱD4，ＱC4）と接続用導電体５２とを経由して第１電源導電体４１に供給される。また、低位側の電源電位ＶCTが供給される実装端子３８２は、多層配線層の導電部５６を介して第２電源導電体４２に導通する。したがって、第２電源導電体４２には電源電位ＶCTが供給される。
【００４９】
第１電極Ｅ1と導通用電極６３と実装端子３８とが形成された光路調整層６０の面上には、図３に例示される通り、基板１０の全域にわたり画素定義層６５が形成される。画素定義層６５は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。図３から理解される通り、画素定義層６５には、表示領域１２内の各第１電極Ｅ1に対応する開口部６５Aと、周辺領域１４内の導通用電極６３に対応する開口部６５Bと、実装領域１６内の各実装端子３８に対応する開口部６５Cとが形成される。各実装端子３８は、開口部６５Cを介して外部回路に電気的に接続される。
【００５０】
図３に例示される通り、画素定義層６５が形成された光路調整層６０の面上には発光機能層４６が形成される。発光機能層４６は、表示領域１２内に形成されて複数の画素Ｐにわたり連続する。周辺領域１４や実装領域１６には発光機能層４６は形成されない。なお、例えば周辺領域１４のうち表示領域１２側の領域に発光機能層４６を形成することも可能である。発光機能層４６は、有機ＥＬ材料で形成された発光層を含んで構成され、電流の供給により白色光を放射する。白色光は、青色の波長域と緑色の波長域と赤色の波長域とにわたるスペクトルを有する光であり、可視光の波長域内に少なくとも２個のピークが観測される。なお、発光層に供給される電子や正孔の輸送層または注入層を発光機能層４６に含ませることも可能である。
【００５１】
発光機能層４６が形成された光路調整層６０の面上には、表示領域１２および周辺領域１４の双方にわたり第２電極Ｅ2が形成される。第２電極Ｅ2は、図２を参照して説明した通り、発光素子４５の陰極として機能する。図３に例示される通り、発光機能層４６のうち画素定義層６５の各開口部６５Aの内側にて第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2とに挟まれた領域（発光領域）が発光する。すなわち、開口部６５Aの内側で第１電極Ｅ1と発光機能層４６と第２電極Ｅ2とが積層された部分が発光素子４５として機能する。以上の説明から理解される通り、画素定義層６５は、各画素Ｐの発光素子４５の平面形状やサイズを規定する。第１実施形態の発光装置１００は、発光素子４５が非常に高精細に配置されたマイクロディスプレイである。例えば１個の発光素子４５の面積（１個の開口部６５Aの面積）は４０μｍ2以下に設定され、Ｘ方向に相互に隣合う各発光素子４５の間隔は１.５μｍ以下に設定される。
【００５２】
第２電極Ｅ2のうち周辺領域１４内に位置する部分は、図３から理解される通り、画素定義層６５の開口部６５Bを介して導通用電極６３に導通する。周辺領域１４のうち導通用電極６３と第２電極Ｅ2とが導通する領域やその外側の領域には発光機能層４６は形成されない。すなわち、表示領域１２および周辺領域１４の双方にわたる第２電極Ｅ2は、周辺領域１４内の導通用電極６３と保護導電層５８とを介して第２電源導電体４２に導通する。したがって、実装端子３８２に供給される低位側の電源電位ＶCTは、導電部５６と第２電源導電体４２と保護導電層５８と導通用電極６３とを介して第２電極Ｅ2に到達する。
【００５３】
図３の第２電極Ｅ2は、表面に到達した光の一部を透過するとともに残りを反射する性質（半透過反射性）の半透過反射層として機能する。例えば、銀やマグネシウムを含有する合金等の光反射性の導電材料を充分に薄い膜厚に形成することで半透過反射性の第２電極Ｅ2が形成される。発光機能層４６からの放射光は、第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間で往復し、特定の共振波長の成分が選択的に増幅されたうえで第２電極Ｅ2を透過して観察側（基板１０とは反対側）に出射する。すなわち、反射層として機能する第１電源導電体４１と半透過反射層として機能する第２電極Ｅ2との間で発光機能層４６からの出射光を共振させる共振構造が形成される。前述の光路調整層６０は、共振構造の共振波長（表示色）を画素Ｐの表示色毎に個別に設定するための要素である。具体的には、共振構造を構成する第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間の光路長（光学的距離）を光路調整層６０の膜厚に応じて適宜に調整することで各画素Ｐの出射光の共振波長が表示色毎に設定される。
【００５４】
図３に例示される通り、第２電極Ｅ2の面上には、表示領域１２および周辺領域１４にわたる封止層７０が形成される。封止層７０は、基板１０上に形成された各要素を封止することで外気や水分の侵入を防止する光透過性の膜体であり、無機材料や有機材料の単層または複数層で形成される。図３から理解される通り、実装領域１６に封止層７０は形成されず、各実装端子３８が露出する。
【００５５】
以上に説明した通り、第１実施形態では、高位側の電源電位ＶELが供給される第１電源導電体４１が表示領域１２内にベタパターンとして形成される。したがって、特許文献１や特許文献２のように複数の直線状の電源線を表示領域１２内に形成する構成と比較して、第１電源導電体４１の面内における電源電位ＶELの電圧降下が抑制され、結果的に表示画像の表示斑（表示領域１２の面内における表示階調の相違）を低減することが可能である。
【００５６】
第１実施形態では、低位側の電源電位ＶCTが供給される第２電源導電体４２が、表示領域１２（第１電源導電体４１）を全周にわたり包囲する環状に形成される。以上の構成によれば、例えば矩形枠状の周辺領域１４のうち実装領域１６側に１辺を除く３辺にわたり第２電源導電体４２を形成する構成と比較して第２電源導電体４２の抵抗が低減される。したがって、第２電源導電体４２における電源電位ＶCTの電圧降下が抑制され、結果的に表示画像の表示斑を低減することが可能である。また、第１実施形態では、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とが同層から形成されるから、各々を別層から形成する構成と比較して製造工程が簡素化されるという利点がある。なお、表示領域１２内の第１電源導電体４１と周辺領域１４内の第２電源導電体４２とを別層で相異なる膜厚に形成した構成では、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との膜厚差に相当する段差が表示領域１２と周辺領域１４との間に発生する。第１実施形態では、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とが同層で相等しい膜厚に形成されるから、表示領域１２と周辺領域１４との段差を低減できるという利点もある。
【００５７】
また、第１実施形態では、第２電源導電体４２の下層で第２電源導電体４２に交差する導電部５２２を介して表示領域１２内の第１電源導電体４１と実装領域１６内の実装端子３８とが電気的に接続されるから、第２電源導電体４２の上層の配線を介して第１電源導電体４１と実装端子３８とを導通させる構成と比較して、基板１０上の要素の最表面の段差（凹凸）が低減されるという利点がある。
【００５８】
第１実施形態では、第１電源導電体４１とは別層から形成されて第１電源導電体４１に導通する導電部５２１が表示領域１２内にベタパターンとして形成されるから、導電部５２１を形成しない構成や導電部５２１を線状または帯状の導電パターンとした構成と比較して、第１電源導電体４１の面内での電圧降下を抑制する（表示画像の表示斑を低減する）ことが可能である。しかも、第１実施形態では、相互に隣合う各画素Ｐの間の領域に配列する複数の導通孔Ｈ23を介して第１電源導電体４１と導電部５２１とが導通するから、第１電源導電体４１の面内での電圧降下を抑制できるという効果は格別に顕著である。
【００５９】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００６０】
図９は、第２実施形態の発光装置１００の断面図である。図９から理解される通り、第２実施形態の発光装置１００は、第１実施形態の発光装置１００に複数の電源間電極４３を追加した構成である。各電源間電極４３は、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２と同層（配線層ＷE）から形成されたダミーパターンである。
【００６１】
図１０は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２と複数の電源間電極４３との位置関係の説明図であり、図１１は、図１０に図示された領域αの拡大図である。図１０に示すように、複数の電源間電極４３の各々は平面視で矩形状の電極であり、表示領域１２内の第１電源導電体４１と周辺領域１４内の第２電源導電体４２との間隙の領域に配列する。すなわち、複数の電源間電極４３は、表示領域１２と周辺領域１４との境界線に沿って平面視で矩形枠状に配列する。各電源間電極４３は、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２から離間して形成されて電気的なフローティング状態にある。
【００６２】
図１１には、保護導電層５８の外形が鎖線で図示されている。図９および図１１から理解される通り、保護導電層５８は、第１実施形態と同様に、平面視で第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間隙の領域に重なる帯状に形成される。したがって、保護導電層５８は、第１電源導電体４１の周縁近傍の領域と第２電源導電体４２の全域とともに複数の電源間電極４３を被覆する。したがって、図８を参照した前述の説明から理解される通り、第２実施形態では、絶縁層ＬFからの露出に起因した電源間電極４３の損傷や腐食を防止できるという利点がある。
【００６３】
ところで、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間に電源間電極４３を形成しない第１実施形態の構成では、図１２に例示される通り、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間隔が大きい場合に、第１電源導電体４１や第２電源導電体４２の膜厚に応じた段差（凹凸）δが絶縁層ＬFの表面に形成される可能性がある。他方、絶縁層ＬFの表面の段差δを抑制する観点から第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを充分に近付けた構成（例えば特定の成膜技術のもとで形成可能な最小の間隔で第１電源導電体４１および第２電源導電体４２を形成した構成）では、成膜不良等に起因して第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とが電気的に短絡する可能性がある。
【００６４】
他方、第２実施形態では、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間に電源間電極４３が形成されるから、図１３に例示される通り、電源間電極４３を形成しない図１２の構成と比較して、第１電源導電体４１や第２電源導電体４２の膜厚を反映した絶縁層ＬFの表面の段差δ（図１２）が抑制される。したがって、絶縁層ＬFの表面の段差δに起因した成膜不良（例えば絶縁層ＬF上の配線層ＷFの断線や短絡）を防止できるという利点がある。他方、絶縁層ＬFの表面の段差δを低減する観点から、第１電源導電体４１と各電源間電極４３との間隔や第２電源導電体４２と各電源間電極４３との間隔を充分に削減した場合、第１電源導電体４１や第２電源導電体４２と電源間電極４３との電気的な短絡が発生する可能性はある。しかし、第１電源導電体４１と電源間電極４３との短絡や第２電源導電体４２と電源間電極４３との短絡が発生しただけでは、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とは電気的に短絡しない。以上に説明した通り、第２実施形態によれば、絶縁層ＬFの表面の段差δの低減と第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の間の電気的な短絡の防止とを両立できるという利点がある。
【００６５】
＜変形例＞
以上の形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲内で適宜に併合され得る。
【００６６】
（１）電源間電極４３の形状は第２実施形態の例示に限定されない。例えば、図１４に例示される通り、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間隙の領域に、平面視で矩形枠状の単体の電源間電極４３Aを形成することも可能である。すなわち、電源間電極４３Aの内周縁は第１電源導電体４１の周縁の外側に位置し、電源間電極４３Aの外周縁は第２電源導電体４２の内周縁の内側に位置する。
【００６７】
ただし、図１４の構成では、第１電源導電体４１および電源間電極４３Aの短絡ｓと、第２電源導電体４２および電源間電極４３Aの短絡ｓとの２箇所の短絡が発生した場合に第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とが電気的に短絡する。他方、図１１に例示したように複数の電源間電極４３Aを相互に離間して形成した構成では、第１電源導電体４１および１個の電源間電極４３の短絡ｓと、第２電源導電体４２および他の電源間電極４３の短絡ｓとの２箇所の短絡が発生しただけでは、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とは電気的に短絡しない。したがって、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との短絡を防止する観点からは、図１４に例示した電源間電極４３Aよりも、第２実施形態の例示のように第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間に複数の電源間電極４３を形成した構成が格別に好適である。
【００６８】
（２）前述の各形態では、接続用導電体５２の導電部５２１と導電部５２２とを同層から一体に形成したが、導電部５２１と導電部５２２とを別層から形成したうえで両者を電気的に導通させる構成も採用され得る。
【００６９】
（３）前述の各形態では、半導体基板を基板１０として利用した発光装置１００を例示したが、基板１０の材料は任意である。例えばガラスや石英等の板状部材を基板１０として利用することも可能である。また、前述の各形態では、基板１０の周辺領域１４に駆動回路３０を設置したが、周辺領域１４の外側の領域に駆動回路３０を設置することも可能である。
【００７０】
（４）画素Ｐの構成は、前掲の図２に例示した構成に限定されない。例えば、前述の各形態の発光制御トランジスターＴELを省略した構成や、階調電位の供給前に駆動トランジスターＴDRをダイオード接続することで駆動トランジスターＴDRの閾値電圧の誤差を補償する構成も採用され得る。
【００７１】
（５）発光素子４５の構成は以上の例示に限定されない。例えば、前述の各形態では、白色光を発生する発光機能層４６を複数の画素Ｐにわたり連続に形成したが、各画素Ｐの表示色に対応する波長の単色光を放射する発光機能層４６を画素Ｐ毎に個別に形成することも可能である。また、前述の各形態では、第１電源導電体４１（反射層）と第２電極Ｅ2（半透過反射層）との間で共振構造を形成したが、例えば第１電極Ｅ1を反射性の導電材料で形成し、第１電極Ｅ1（反射層）と第２電極Ｅ2（半透過反射層）との間で共振構造を形成することも可能である。第１電極Ｅ1を反射層として利用する構成では、第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2との間に光路調整層６０が形成される。第１電源導電体４１や第１電極Ｅ1とは別個に共振構造の反射層（画素Ｐ毎の反射層または複数の画素Ｐにわたり連続する反射層）を形成することも可能である。
【００７２】
（６）前述の各形態では有機ＥＬ材料を利用した発光素子４５を例示したが、無機ＥＬ材料で発光層を形成した発光素子やＬＥＤ等の発光素子を利用した構成にも本発明は同様に適用される。また、前述の各形態では、基板１０とは反対側に光を出射するトップエミッション型の発光装置１００を例示したが、基板１０側に光を出射するボトムエミッション型の発光装置にも本発明は同様に適用される。
【００７３】
＜電子機器＞
前述の各形態に例示した発光装置１００は各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図１５には、前述の各形態に例示した発光装置１００を利用した頭部装着型の表示装置９０（HMD：Head Mounted Display）が電子機器として例示されている。
【００７４】
表示装置９０は、利用者の頭部に装着可能な電子機器であり、利用者の左眼に重なる透過部（レンズ）９２Lと、利用者の右眼に重なる透過部９２Rと、左眼用の発光装置１００Lおよびハーフミラー９４Lと、右眼用の発光装置１００Rおよびハーフミラー９４Rとを具備する。発光装置１００Lと発光装置１００Rとは、出射光が相互に反対の方向に進行するように配置される。左眼用のハーフミラー９４Lは、透過部９２Lの透過光を利用者の左眼側に透過させるとともに、発光装置１００Lからの出射光を利用者の左眼側に反射させる。同様に、右眼用のハーフミラー９４Rは、透過部９２Rの透過光を利用者の右眼側に透過させるとともに発光装置１００Rからの出射光を利用者の右眼側に反射させる。したがって、利用者は、透過部９２Lおよび透過部９２Rを介して観察される像と各発光装置１００による表示画像とを重畳した画像を知覚する。また、相互に視差が付与された立体視画像（左眼用画像および右眼用画像）を発光装置１００Lと発光装置１００Rとに表示させることで、利用者に表示画像の立体感を知覚させることが可能である。
【００７５】
なお、前述の各形態の発光装置１００が適用される電子機器は図１５の表示装置９０に限定されない。例えば、ビデオカメラやスチルカメラ等の撮像装置に利用される電子式ビューファインダー（EVF：Electronic View Finder）にも本発明の発光装置が好適に利用される。また、携帯電話機、携帯情報端末（スマートフォン）、テレビやパーソナルコンピューター等のモニター、カーナビゲーション装置等の各種の電子機器に本発明の発光装置を採用することが可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１００……発光装置、１０……基板、１０A……能動領域、１２……表示領域、１４……周辺領域、１６……実装領域、２２……走査線、２４……制御線、２６……信号線、３０……駆動回路、３２……走査線駆動回路、３４……信号線駆動回路、３８……実装端子、４１……第１電源導電体、４２……第２電源導電体、４３……電源間電極、４５……発光素子、Ｅ1……第１電極、Ｅ2……第２電極、４６……発光機能層、５２……接続用導電体、５２１……導電部（第２導電部）、５２２……導電部（第１導電部）、ＴDR……駆動トランジスター、ＴEL……発光制御トランジスター、ＴSL……選択トランジスター、Ｃ……容量素子、６０……光路調整層、６５……画素定義層、６５A，６５B……開口部、７０……封止層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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