(57)【要約】【課題】入射する光を有効に利用可能な電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、透光性の基板の第１面に溝部を形成する工程（ステップＳ１）と、溝部を埋める犠牲膜を形成する工程（ステップＳ２）と、溝部の内部の前記犠牲膜に達する孔を有する透光性のマスク層を形成する工程（ステップＳ４）と、マスク層の孔を通じて、溝部の内部の犠牲膜をエッチングして除去する第１エッチング工程（ステップＳ５）と、上記孔を塞ぐ透光性のキャップ層を形成する工程（ステップＳ６、ステップＳ８）と、上記孔を塞ぐ部分のキャップ層を残しつつ、上記孔を塞ぐ部分以外のキャップ層をエッチングすることにより、上記孔を塞ぐ部分のキャップ層を含む突起部を形成する第２エッチング工程（ステップＳ１０）と、を備えた。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の基板の第１面に、複数の画素のうち第１の画素と第２の画素との間に対応する位置に開口する溝部を形成する工程と、
前記溝部を埋める犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜を覆うと共に、前記溝部の内部の前記犠牲膜に達する孔を有するマスク層を形成する工程と、
前記孔を通じて、前記溝部の内部の前記犠牲膜をエッチングして除去する第１エッチング工程と、
前記孔を塞ぐ透光性のキャップ層を形成する工程と、
前記孔を塞ぐ部分の前記キャップ層を残しつつ、前記孔を塞ぐ部分以外の前記キャップ層をエッチングすることにより、前記孔を塞ぐ部分の前記キャップ層を含む突起部を形成する第２エッチング工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２エッチング工程では、前記キャップ層のうち、前記複数の画素が設けられる第１領域を囲む第２領域に対応する部分をエッチングしないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２領域に遮光部を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記遮光部を覆う透光性の平坦化層を形成する工程と、
前記平坦化層上に透明導電膜を成膜する工程と、をさらに備え、
前記平坦化層は、前記キャップ層に含まれることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
透光性の基板と、
前記基板の第１面に、複数の画素のうち第１の画素と第２の画素と間に対応する位置に配置される溝部と、
前記溝部の内部に空間を形成しつつ、前記第１面を覆う透光性のキャップ層と、
前記キャップ層の前記溝部を覆う部分に設けられた突起部と、を備え、
前記突起部は前記キャップ層の一部を含み、前記突起部の前記キャップ層の第１の層厚に対して、前記突起部を除く前記キャップ層の第２の層厚のほうが小さいことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記突起部は、前記溝部が交差する位置に対応するように設けられていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記突起部は、第１の方向と前記第１の方向と交差する第２の方向に配列する前記複数の画素に対応して設けられ、前記第１の方向及び／または前記第２の方向に延在する部分を有することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層を有する電気光学装置であって、
前記第１基板の第１領域に設けられた複数の画素電極と、
前記第２基板に設けられた共通電極と、を含み、
前記第２基板に、請求項５乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板が用いられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記キャップ層の一部を含む前記突起部は、前記第１基板の前記液晶層の側と接するように配置され、
前記突起部の前記第１基板の前記液晶層の側と接するように配置される部分には、前記共通電極が設けられていないことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１領域の外縁から前記第２基板の外縁までの第２領域における前記キャップ層の第３の層厚は、前記第２の層厚よりも大きく、
前記第２領域に、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材が配置されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第２領域において、前記シール材の内縁と前記第１領域の外縁との間に配置された遮光部を有することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、複数の画素のそれぞれにスイッチング素子が設けられたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。また、このようなアクティブ駆動型の液晶装置をライトバルブとして用いた液晶プロジェクターが知られている。
上記ライトバルブは、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色光のそれぞれに対して設けられ、画像情報に基づいて該色光を変調する光変調手段である。したがって、液晶プロジェクターとして明るく鮮明な画像を投射するには、ライトバルブに入射した該色光を効率よく利用できることが求められる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、電気光学物質層（液晶層）を挟む第１基板と第２基板のうちの一方の基板が、透光性基板であって、隣り合う画素電極間に向って開口する第１溝と、該第１溝が開口する該透光性基板の基板面及び該第１溝の側面に、該基板面と重なる部分の膜厚が該第１溝の側面に重なる部分の膜厚よりも厚くなるように積層され、該第１溝と平面視で重なる領域に該第１溝より深くて該第１溝より幅が狭い第２溝を形成する透光膜と、該第２溝の内部の屈折率が該透光膜の屈折率より小さくなるように該第２溝を塞ぐ封止層と、が設けられた電気光学装置が開示されている。
上記特許文献１の電気光学装置によれば、該第２溝の側面、つまり該透光性基板に入射した光を反射させる反射面の面積は、該第１溝の側面の面積よりも大きくなるので、従来よりも入射した光を効率よく画素電極に向わせることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２５１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の電気光学装置では、封止層で第２溝を塞いだ後に、基板面に残った封止層を研磨する例や、そのまま封止層を残す例が示されている。前者の例では、基板面の封止層を研磨した後に、基板面を絶縁膜で覆っている。絶縁膜で覆うことで研磨後の基板面の平坦性を確保している。後者の例では、基板面に封止層が残されているので、封止層を研磨する場合に比べて、上記絶縁膜の形成が不要となるとしているが、画素電極に対する第２溝の側面の位置が相対的に離れることになる。これにより、第２溝の側面、つまり反射面で反射した光が画素電極に向わずに画素電極間の遮光領域に入射する確率が高くなるので、該透光性基板に入射した入射光の利用効率が低下するおそれがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例］本適用例に係わる電気光学装置用基板の製造方法は、透光性の基板の第１面に、複数の画素のうち第１の画素と第２の画素との間に対応する位置に開口する溝部を形成する工程と、前記溝部を埋める犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜を覆うと共に、前記溝部の内部の前記犠牲膜に達する孔を有するマスク層を形成する工程と、前記孔を通じて、前記溝部の内部の前記犠牲膜をエッチングして除去する第１エッチング工程と、前記孔を塞ぐ透光性のキャップ層を形成する工程と、前記孔を塞ぐ部分の前記キャップ層を残しつつ、前記孔を塞ぐ部分以外の前記キャップ層をエッチングすることにより、前記孔を塞ぐ部分の前記キャップ層を含む突起部を形成する第２エッチング工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、溝部の内部の犠牲膜をエッチングして溝部の内部に空間が形成され、キャップ層により該空間が封止される。該空間と基板とは屈折率が異なるため、該空間と基板との境をなす溝部の斜面は、基板に入射した光を反射させる反射面として機能する。加えて、溝部の内部に空間を形成するためのマスクの孔に対応する部分にはキャップ層からなる突起部が形成され、突起部以外のキャップ層の部分がエッチングによって減膜される。したがって、突起部によって溝部の内部の空間が確実に封止される。また、第１面と反対側の面から基板に入射した光が溝部の上記反射面で反射して通過するキャップ層の部分の層厚は、突起部におけるキャップ層の層厚よりも小さくなるので、キャップ層を減膜せずにそのまま残した場合に比べて、溝部を画素電極に対して相対的に近づけて配置することが可能となる。ゆえに、基板に入射した光の利用効率が改善され、明るい表示が可能な電気光学装置用基板を製造することができる。
【０００９】
上記適用例に係わる電気光学装置用基板の製造方法において、前記第２エッチング工程では、前記キャップ層のうち、前記複数の画素が設けられる第１領域を囲む第２領域に対応する部分をエッチングしないことが好ましい。
この方法によれば、第２領域におけるキャップ層はエッチングされていないので、キャップ層を形成したときの層厚が維持される。例えば、本適用例の電気光学装置用基板と他の基板との間に電気光学層を挟んでシール材で貼り合わせるとすれば、シール材はおのずと第２領域に設けられることになる。本適用例によれば、第２領域のキャップ層はエッチングされていないので、第２領域のキャップ層をエッチングする場合に比べて、電気光学装置用基板と他の基板とを貼り合わせたときに用いられるシール材の体積を小さくできる。電気光学装置における耐湿性などの特性は、シール材の体積が影響する。それゆえに、シール材の体積を小さくすることで信頼性品質を改善可能な電気光学装置用基板を製造することができる。
【００１０】
上記適用例に係わる電気光学装置用基板の製造方法において、前記第２領域に遮光部を形成する工程をさらに備えることが好ましい。
この方法によれば、複数の画素が設けられる第１領域は表示領域として機能するものであるから、第１領域を囲む第２領域に遮光部を形成することで、不要な光が表示領域に侵入することを防ぐことができる。
【００１１】
上記適用例に係わる電気光学装置用基板の製造方法において、前記遮光部を覆う透光性の平坦化層を形成する工程と、前記平坦化層上に透明導電膜を成膜する工程と、をさらに備え、前記平坦化層は前記キャップ層に含まれるとしてもよい。
この方法によれば、明るい表示が可能であると共に、表面が平坦な電極として利用可能な透明導電膜を備えた電気光学装置用基板を製造することができる。
【００１２】
［適用例］本適用例に係わる電気光学装置用基板は、透光性の基板と、前記基板の第１面に、複数の画素のうち第１の画素と第２の画素と間に対応する位置に配置される溝部と、前記溝部の内部に空間を形成しつつ、前記第１面を覆う透光性のキャップ層と、前記キャップ層の前記溝部を覆う部分に設けられた突起部と、を備え、前記突起部は前記キャップ層の一部を含み、前記突起部の前記キャップ層の第１の層厚に対して、前記突起部を除く前記キャップ層の第２の層厚のほうが小さいことを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、突起部によって溝部の内部の空間が確実に封止される。また、第１面と反対側の面から基板に入射した光が溝部の基板と空間との間の反射面で反射して通過するキャップ層の部分の第２の層厚は、突起部におけるキャップ層の第１の層厚よりも小さいので、溝部を画素電極に対して相対的に近づけて配置することが可能となる。ゆえに、基板に入射した光の利用効率が改善され、明るい表示が可能な電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１４】
上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記溝部が交差する位置に対応するように設けられているが好ましい。
この構成によれば、突起部を画素単位に設けることができ、溝部の封止性を高めることができる。
【００１５】
上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記突起部は、第１の方向と前記第１の方向と交差する第２の方向に配列する前記複数の画素に対応して設けられ、前記第１の方向及び／または前記第２の方向に延在する部分を有するとしてもよい。
この構成によれば、突起部を第１の方向及び／または第２の方向に延在させて設けることで、溝部の封止性をより高めることができる。
【００１６】
［適用例］本適用例に係わる電気光学装置は、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層を有する電気光学装置であって、前記第１基板の第１領域に設けられた複数の画素電極と、前記第２基板に設けられた共通電極と、を含み、前記第２基板に、上記適用例に記載の電気光学装置用基板が用いられていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、第２基板に入射した光の利用効率が改善され、明るい表示が可能な電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記キャップ層の一部を含む前記突起部は、前記第１基板の前記液晶層の側と接するように配置され、前記突起部の前記第１基板の前記液晶層の側と接するように配置される部分には、前記共通電極が設けられていないことが好ましい。
この構成によれば、突起部を絶縁性のスペーサーとして機能させ、第１基板と第２基板との間に挟持される液晶層の厚みのばらつきを低減することができる。言い換えれば、液晶層の厚みばらつきが低減され、所望の電気光学特性が得られる電気光学装置を提供できる。
なお、液晶層の厚みばらつきを低減する観点から、突起部は画素単位に設けられていることが好ましい。
【００１９】
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第１領域の外縁から前記第２基板の外縁までの第２領域における前記キャップ層の第３の層厚は、前記第２の層厚よりも大きく、前記第２領域に、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材が配置されていることが好ましい。
この構成によれば、第２領域における前記キャップ層の第３の層厚が、第１の層厚よりも小さい第２の層厚である場合に比べて、第２の層厚よりも大きいので、第１基板と第２基板とを貼り合わせるためのシール材の体積を小さくすることができる。電気光学装置における耐湿性などの特性は、シール材の体積が影響する。それゆえに、シール材の体積を小さくすることで信頼性品質が改善された電気光学装置を提供することができる。
【００２０】
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第２領域において、前記シール材の内縁と前記第１領域の外縁との間に配置された遮光部を有することが好ましい。
この構成によれば、複数の画素電極が設けられる第１領域は表示領域として機能するものであるから、第１領域を囲む第２領域に配置された遮光部を有することで、不要な光が表示領域に侵入することを防ぐことができる。
【００２１】
［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、明るい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】画素電極の配置を示す概略平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿った画素の構造を示す概略断面図。
【図５】シール材付近の画素の構造を示す概略断面図。
【図６】電気光学装置用基板としての対向基板を示す概略斜視図。
【図７】対向基板の製造方法を示すフローチャート。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は、変形例の電気光学装置用基板を示す概略斜視図。
【図１３】変形例の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２４】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２５】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２６】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０及び対向基板２０は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
【００２８】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、所定の間隔をおいて対向配置され、対向基板２０の外縁に沿って額縁状に配置されたシール材４０を介して貼り合わされている。上記所定の間隔に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２９】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光部２２が設けられている。遮光部２２は、例えば遮光性の金属あるいは金属化合物などからなり、遮光部２２の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、表示領域Ｅに、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲んで配置された複数のダミー画素が設けられていてもよい。本発明における「第１の画素」及び「第２の画素」は、表示領域Ｅにおいて、互いに隣り合って配置された画素Ｐを指すものである。
【００３０】
素子基板１０の１辺部には、複数の外部接続用端子１０４が配列している。該１辺部に沿って配置された複数の外部接続用端子１０４とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向、すなわち、液晶装置１００の厚み方向をＺ方向として説明する。本実施形態では、Ｚ方向から見ることを「平面視」と表現する。
なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３１】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０は、透光性の基板本体１１と、基板本体１１の液晶層５０側の表面に画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５及びスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８と、を含んで構成されている。
また、素子基板１０には、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。当該遮光構造については後述する。
【００３２】
対向基板２０は、基板本体２１と、基板本体２１の液晶層５０側の表面に設けられた、遮光部２２と、キャップ層６０と、対向電極としての共通電極２３と、配向膜２４と、を含んで構成されている。
【００３３】
遮光部２２は、図１（ａ）に示すように平面的に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、に重なるように額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３４】
キャップ層６０の詳しい構成については後述するが、キャップ層６０は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部２２を覆うように設けられている。このようなキャップ層６０の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３５】
共通電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、キャップ層６０を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３６】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３７】
本実施形態の液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
また、対向基板２０側から入射する光を効率よく画素Ｐに取り込んで、素子基板１０側から射出させるために、対向基板２０の基板本体２１には複数の画素Ｐのそれぞれに対応して、入射した光を画素電極１５に向けて反射させるプリズム７０が配置されている。プリズム７０の詳しい構成については、後述する。
【００３８】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａ沿って平行するように配置された容量線３ｂとを有する。
走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３９】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４０】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号ＤＡ１，ＤＡ２，…，ＤＡｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４１】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。容量線３ｂは、固定電位に接続されている。
【００４２】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では図示を省略している。また、液晶装置１００は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４３】
次に、画素Ｐの平面的な配置及び構造について、図３〜図５を参照して説明する。図３は画素電極の配置を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿った画素の構造を示す概略断面図、図５はシール材付近の画素の構造を示す概略断面図である。なお、図５はＸ方向におけるシール材付近の画素の構造を示すものである。
【００４４】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、Ｘ方向（走査線３ａの延在方向）と、Ｙ方向（データ線６ａの延在方向）とにマトリックス状に複数配置されている。
画素Ｐは光が透過する開口領域Ｐ１を有している。隣り合う画素Ｐの開口領域Ｐ１の間は、非開口領域Ｐ２であり、非開口領域Ｐ２は平面視で格子状となっている。図３においては図示省略したが、非開口領域Ｐ２の交差部付近には、複数の画素Ｐのそれぞれに対応して前述したＴＦＴ３０、保持容量１６が配置されている。非開口領域Ｐ２のＸ方向に延在した部分に、前述した走査線３ａが配置されている。また、非開口領域Ｐ２のＹ方向に延在した部分に、前述した容量線３ｂやデータ線６ａが配置されている。これらの信号線類は、遮光性の導電部材を用いて形成されているため、非開口領域Ｐ２は遮光ぶとして機能する。
【００４５】
画素Ｐにおける画素電極１５は、平面視で四角形（正方形）であって、遮光部として機能する非開口領域Ｐ２に対して、外縁部が平面的に重なるように配置されている。非開口領域Ｐ２が本発明における画素間に相当し、本実施形態では、Ｘ方向及びＹ方向における非開口領域Ｐ２の幅は同じに設定されている。
【００４６】
本発明における溝部としてのプリズム７０は、非開口領域Ｐ２に向けて開口するように配置されている。したがって、プリズム７０も非開口領域Ｐ２と同様にＸ方向とＹ方向とに延在している。非開口領域Ｐ２の各交差部にキャップ層６０の一部である突起部６４が配置されている。本実施形態の突起部６４は平面視で円形である。突起部６４の詳しい構成については後述する。
【００４７】
図４に示すように、素子基板１０の基板本体１１は、透光性の例えば石英基板が用いられており、基板本体１１上には、まず、例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成される。下地絶縁膜１１ａ上に走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００４８】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜１１ｂが形成され、第１絶縁膜１１ｂ上に島状にＴＦＴ３０の半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、ソース・ドレイン領域と、チャネル領域と、ソース・ドレイン領域とチャネル領域の間の接合領域とを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００４９】
半導体層３０ａを覆うようにゲート絶縁膜１１ｃを形成し、ゲート絶縁膜１１ｃを介して半導体層３０ａのチャネル領域と重なる位置にゲート電極３０ｇを設け、このゲート電極３０ｇと走査線３ａとを電気的に接続させ、ＴＦＴ３０が形成されている。なお、このような所謂トップゲート構造に限らず、第１絶縁膜１１ｂを介して半導体層３０ａのチャネル領域と重なり合った走査線３ａの部分が、ゲート電極として機能する、所謂ボトムゲート構造を採用することもできる。
【００５０】
ゲート電極３０ｇを覆うように第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、半導体層３０ａが設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えばＣＭＰ処理やスピンコート処理などが挙げられる。
第１層間絶縁膜１２上にはデータ線６ａが形成される。データ線６ａを覆って第２層間絶縁膜１３が形成される。第２層間絶縁膜１３上には容量線３ｂが形成される。容量線３ｂは保持容量１６の一方の電極として機能するように形成される。また、図４には図示していないが保持容量１６の一方の電極に対して誘電体層を挟んで対向配置される他方の電極も第２層間絶縁膜１３上に形成される。そして、容量線３ｂや保持容量１６を覆って第３層間絶縁膜１４が形成される。第１層間絶縁膜１２と同様に、第２層間絶縁膜１３や第３層間絶縁膜１４にも平坦化処理を施すことが好ましい。
【００５１】
第３層間絶縁膜１４を覆うように例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、画素電極１５が形成される。画素電極１５は、各層間絶縁膜に設けられたコンタクトホール（図示省略）によって、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおけるドレイン領域と電気的に接続される。
【００５２】
＜電気光学装置用基板＞
一方、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、本発明の電気光学装置用基板の一例であって、透光性の例えば石英基板が用いられた基板本体２１と、基板本体２１に形成された、プリズム７０と、キャップ層６０と、共通電極２３と、配向膜２４とを有している。
プリズム７０は、本発明の溝部の一例であって、第１の溝７１と、第１の溝７１の内側を透光性膜７２により被覆して第１の溝７１の内部に形成された第２の溝７３と、第２の溝７３がキャップ層６０によって塞がれることで第２の溝７３の内側に形成される空間７４とを含むものである。第１の溝７１は、光が入射する基板本体２１の表面２１ａと反対側の第１面としての表面２１ｂをエッチングして形成され、断面が逆Ｖ字状となっている。第２の溝７３も同じく断面が逆Ｖ字状となっている。なお、図４では、プリズム７０の断面は逆Ｖ字状であるが、溝部の開口側を上方に向けるとＶ字状となる。
【００５３】
基板本体２１を例えば石英基板とするとその屈折率ｎはおよそ１．４６である。透光性膜７２は石英基板とほぼ同じ屈折率ｎである例えば酸化シリコン膜が採用されている。空間７４は、プリズム７０の形成過程で第２の溝７３が減圧された状態でキャップ層６０によって塞がれることから、空間７４の屈折率ｎはほぼ１．００である。よって、屈折率ｎが異なる空間７４と基板本体２１の実質的な境界面、すなわち、逆Ｖ字状の第２の溝７３の斜面が基板本体２１に入射する光の反射面となる。よって、以降、第２の溝７３を反射面７３と呼ぶこともある。なお、空間７４は、基板本体２１よりも屈折率ｎが小さい状態であればよく、空気や不活性ガスなどで満たされた状態であってもよい。
【００５４】
第２の溝７３は、透光性のキャップ層６０によって塞がれている。キャップ層６０は、第２の溝７３に対応する部分に孔６１ａを有するマスク層６１と、マスク層６１の孔６１ａを塞ぐように形成された第１キャップ層６２と、マスク層６１の孔６１ａを塞ぐ第１キャップ層６２の部分に積層された第２キャップ層６３とを含んで構成されている。これにより、マスク層６１の孔６１ａを塞ぐ部分に、液晶層５０側に突出する突起部６４が形成されている。つまり、突起部６４はキャップ層６０の一部であって、突起部６４を構成するキャップ層６０の層厚を第１の層厚とすると、突起部６４を除くキャップ層６０の層厚は、第１の層厚よりも小さい第２の層厚となっている。
また、プリズム７０と、プリズム７０を実質的に塞ぐキャップ層６０の突起部６４とは、平面視では、非開口領域Ｐ２に設けられている。プリズム７０及び突起部６４を含むキャップ層６０の形成方法については、後述する電気光学装置用基板の製造方法において詳しく説明する。
【００５５】
共通電極２３は、突起部６４を含むキャップ層６０の表面を覆って形成されている。配向膜２４は、共通電極２３の液晶層５０側の表面を覆って形成されている。したがって、素子基板１０と対向基板２０とによって挟持された液晶層５０の厚みは、開口領域Ｐ１においてねらいの値であるｄ１（μｍ）とされ、突起部６４が設けられた非開口領域Ｐ２では、ねらいの厚みｄ１（μｍ）よりも小さいｄ２（μｍ）の値となる。本実施形態では、液晶層５０の厚みｄ１は、例えばおよそ２．４μｍであり、厚みｄ２はおよそ１．３μｍである。すなわち、非開口領域Ｐ２における突起部６４の高さ（開口領域Ｐ１の第１キャップ層６２の表面からの高さ）はおよそ１．１μｍである。
【００５６】
プリズム７０と、突起部６４と、素子基板１０側の信号線類（走査線３ａ、容量線３ｂ、データ線６ａなど）は、非開口領域Ｐ２に設けられている。画素電極１５は、開口領域Ｐ１に設けられている。
【００５７】
図４に示すように、対向基板２０側から開口領域Ｐ１のほぼ中心に入射する光Ｌ１は、そのまま直進して、キャップ層６０、液晶層５０、画素電極１５を透過して素子基板１０側から射出される。開口領域Ｐ１の縁部に近い、あるいは該縁部よりも外側から基板本体２１に入射した光Ｌ２は、プリズム７０の反射面７３（第２の溝７３の斜面）で反射されて、開口領域Ｐ１の内側に曲げられて画素電極１５を透過する。したがって、基板本体２１にプリズム７０が形成されていない場合に比べて、遮光性を有する非開口領域Ｐ２に入射する光の一部を開口領域Ｐ１に導くことができる。すなわち、対向基板２０の表面２１ａに入射する光を有効に利用することができる。
【００５８】
次に、シール材４０付近の画素Ｐの構造、特に対向基板２０側の構造について、図５を参照して説明する。図５に示すように、表示領域Ｅの縁部と、対向基板２０の端部との間の領域（本発明の第２領域）において、素子基板１０と対向基板２０との間にシール材４０が配置されている。
【００５９】
シール材４０が配置された領域におけるキャップ層６０は、第１キャップ層６２と第２キャップ層６３とを含んでいる。また、表示領域Ｅの縁部とシール材４０との間に遮光部２２が設けられている。遮光部２２は、前述したように遮光性の金属または金属化合物を用いて第１キャップ層６２の液晶層５０側の表面に設けられ、第２キャップ層６３によって覆われている。遮光部２２を覆った第２キャップ層６３の液晶層５０側の表面には、遮光部２２に起因する凹凸が生ずるため、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施されて平坦な状態となっている。第２キャップ層６３は、本発明における透明導電膜が成膜される平坦化層に相当するものである。
【００６０】
したがって、シール材４０が配置された領域のキャップ層６０の層厚（本発明の第３の層厚）は、表示領域Ｅにおける突起部６４を含めたキャップ層６０の前述した第１の層厚とほぼ同じである。また、シール材４０の近傍の液晶層５０の厚みは、突起部６４が突出した部分の液晶層５０の厚みｄ２（μｍ）とほぼ同じである。
なお、本実施形態では、シール材４０として紫外線硬化型の樹脂を用いているので、紫外線を照射してシール材４０を硬化させるときに、遮光部２２によって紫外線が極力遮光されないように、遮光部２２とシール材４０との相対的な位置が決められている。
【００６１】
また、本実施形態では、キャップ層６０は、マスク層６１、第１キャップ層６２、第２キャップ層６３を含む構成としたが、これに限定されない。キャップ層６０は、少なくとも第２の溝７３を塞ぐ透光性の絶縁層であればよく、第１キャップ層６２と第２キャップ層６３とが一体化してもよいし、上記構成以外の層を含んでいてもよい。
【００６２】
次に、突起部６４の配置について、図６を参照して説明する。図６は電気光学装置用基板としての対向基板を示す概略斜視図である。
図６に示すように、電気光学装置用基板としての対向基板２０は、基板本体２１において前述したように非開口領域Ｐ２に向けて開口するように設けられたプリズム７０と、光の入射側の表面２１ａに対して反対側の表面に設けられた突起部６４とを有している。
プリズム７０は非開口領域Ｐ２と同様に格子状に設けられ、プリズム７０の交差部に対応した位置に突起部６４が設けられている。つまり、突起部６４はＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置された画素Ｐごと（画素単位）に設けられていることになる。なお、突起部６４は画素Ｐごとに設けられることに限定されず。複数個の画素Ｐを単位として配置されていてもよい。
【００６３】
＜電気光学装置用基板の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置用基板としての対向基板２０の製造方法について、図７〜図１０を参照して説明する。図７は対向基板の製造方法を示すフローチャート、図８（ａ）〜（ｅ）及び図９（ａ）〜（ｄ）並びに図１０（ａ）〜（ｄ）は対向基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図８〜図１０では、１つのプリズム７０とこれに対応するキャップ層６０の突起部６４とを含む断面を用いて、対向基板２０の製造方法を表している。
【００６４】
図７に示すように、本実施形態の電気光学装置用基板としての対向基板２０の製造方法は、溝部形成工程（ステップＳ１）と、犠牲膜形成工程（ステップＳ２）と、犠牲膜研磨工程（ステップＳ３）と、マスク層形成工程（ステップＳ４）と、第１エッチング工程（ステップＳ５）と、を含んでいる。また、第１キャップ層形成工程（ステップＳ６）と、遮光部形成工程（ステップＳ７）と、第２ギャップ層形成工程（ステップＳ８）と、第２キャップ層研磨工程（ステップＳ９）と、第２エッチング工程（ステップＳ１０）と、共通電極形成工程（ステップＳ１１）と、を含んでいる。
【００６５】
図７のステップＳ１では、図８（ａ）に示すように、基板本体２１の光の入射側の表面２１ａに対して反対側の第１面としての表面２１ｂに開口８１ａを有するハードマスク８１を形成する。ハードマスク８１の形成方法としては、まず、表面２１ｂにマスク材料として例えばＷ（タングステン）やＷＳｉ（タングステンシリサイド）、シリコンなどをスパッタ法やＣＶＤ法などを用いて成膜する。そして、成膜されたマスク材料を、例えば塩素及び酸素を含む処理ガスを用いたドライエッチングにより部分的に異方性エッチングして開口８１ａを形成する方法が挙げられる。ハードマスク８１の厚みは、例えば２μｍ〜４μｍである。開口８１ａの平面的な形状は、特に限定されないが、円形、楕円形、四角形などが考えられ、大きさは特に限定されないが、図８（ａ）における断面のＸ方向またはＹ方向の幅は、１μｍ〜２μｍである。
【００６６】
次に、図８（ｂ）に示すように、ハードマスク８１を介して基板本体２１に異方性エッチングを施して、開口７１ａを有する第１の溝７１を形成する。基板本体２１が例えば石英基板である場合、異方性エッチングの方法としては、例えば高密度プラズマを形成可能なＩＣＰ（ICPRIE／Inductive  Coupled  Plasma−RIE）エッチング装置を用い、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ8などのフッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを使用したドライエッチングが挙げられる。この方法によれば、ハードマスク８１と基板本体２１とのエッチング選択比を１；１０程度として基板本体１１をエッチングすることができる。異方性エッチングによりハードマスク８１の開口８１ａを通じて基板本体２１のエッチングが進行する。また同時に、ハードマスク８１自体のエッチングも進行するので、開口７１ａ側のエッチング幅が大きく、且つハードマスク８１の厚みの１０倍程度までエッチングが進行して、エッチング先端側の幅が狭い、断面がＶ字状の第１の溝７１が形成される。第１の溝７１の先端が所望の深さに届くまで異方性エッチングが行われる。第１の溝７１の深さは、例えば２５μｍ程度である。開口７１ａの幅は例えば２μｍ〜３μｍである。第１の溝７１の形成が終了した段階で、ハードマスク８１はエッチングされて除去される。
【００６７】
次に、図８（ｃ）に示すように、第１の溝７１の内部を被覆すると共に基板本体２１の表面２１ｂを覆う透光性膜７２を形成する。透光性膜７２の形成方法としては、モノシラン（ＳｉＨ4）やＴＥＯＳ（Tetra  Ethyl  Ortho  Silicate）などの材料ガスを酸素と反応させて酸化シリコンを堆積させるプラズマＣＶＤ法などを挙げることができる。このようなプラズマＣＶＤ法によれば、段差被覆性に優れた透光性膜７２を形成することができる。したがって、透光性膜７２を形成することで、第１の溝７１の内部に同じく断面がＶ字状の第２の溝７３を形成することができる。第２の溝７３の開口７３ａの幅はおよそ１．５μｍ〜２．０μｍであり、第２の溝７３の深さは第１の溝７１の深さより大きくおよそ２７μｍである。そして、ステップＳ２へ進む。
【００６８】
図７のステップＳ２では、図８（ｄ）に示すように、第２の溝７３を埋めると共に、透光性膜を覆う犠牲膜７５を形成する。犠牲膜７５としては、例えば、シリコンが挙げられる。犠牲膜７５の形成方法としては、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法を用いて成膜する方法が挙げられる。ＣＶＤ法は段差被覆性に優れているが、本実施形態では、チャンバー内に基板本体２１を配置するため、犠牲膜７５は、第２の溝７３を埋めるだけでなく、第２の溝７３が形成された表面２１ｂに対して反対側の表面２１ａにも成膜される。犠牲膜７５の膜厚はおよそ２．０μｍである。そして、ステップＳ３へ進む。
【００６９】
図７のステップＳ３では、第２の溝７３を埋めた犠牲膜７５を研磨して、図８（ｅ）に示すように、犠牲膜７５及び透光性膜７２の表面を平坦化する。研磨方法としてはＣＭＰ処理などの方法が挙げられる。研磨後に基板本体２１の表面２１ｂに残る透光性膜７２の膜厚がおよそ４００ｎｍ程度となるまで犠牲膜７５及び透光性膜７２を研磨する。そして、ステップＳ４へ進む。
【００７０】
図７のステップＳ４では、図９（ａ）に示すように、表面２１ｂ側の透光性膜７２及び犠牲膜７５を覆い、犠牲膜７５に対応した位置に孔６１ａを有する透光性のマスク層６１を形成する。マスク層６１の形成方法としては、前述した透光性膜７２と同様なプラズマＣＶＤ法を用いて形成された酸化シリコン膜をフォトリソグラフィ法でパターニングして孔６１ａを開ける方法が挙げられる。マスク層６１の層厚は、およそ４００ｎｍ（０．４μｍ）である。そして、ステップＳ５へ進む。
【００７１】
図７のステップＳ５では、図９（ｂ）に示すように、マスク層６１の孔６１ａを通じて犠牲膜７５をエッチングして除去する。犠牲膜７５のエッチング方法としては、例えば、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）や二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）などのフッ素系ガスをエッチングガスとするドライエッチング処理を施す。これにより、犠牲膜７５が選択的にエッチングされて第２の溝７３の内部から除去される。そして、ステップＳ６へ進む。
【００７２】
図７のステップＳ６では、図９（ｃ）に示すように、マスク層６１を覆って孔６１ａを塞ぐ第１キャップ層６２を形成する。第１キャップ層６２の形成方法としては、例えば、前述した透光性膜７２と同様にプラズマＣＶＤ法を用いて、第１キャップ層６２としての酸化シリコン膜を形成する方法が挙げられる。第１キャップ層６２の層厚は、およそ１．７μｍである。これにより、第１キャップ層６２により第２の溝７３が塞がれ、第２の溝７３の内部に減圧された状態の空間７４を含む溝部としてのプリズム７０ができあがる。そして、ステップＳ７へ進む。
【００７３】
図７のステップＳ７では、図９（ｄ）に示すように、表示領域Ｅを囲む遮光部２２を形成する。遮光部２２の形成方法としては、例えば、スパッタ法などにより遮光性の金属あるいは金属化合物を成膜して、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法が挙げられる。本実施形態では、遮光部２２は、Ａｌ（アルミニウム）からなる金属層と、該金属層に積層されたＴｉＮ（窒化チタン）の二層構造となっている。そして、ステップＳ８へ進む。
【００７４】
図７のステップＳ８では、図１０（ａ）に示すように、第１キャップ層６２を覆う第２キャップ層６３を形成する。第２キャップ層６３の形成方法としては、第１キャップ層６２と同様に、プラズマＣＶＤ法を用いて第２キャップ層６３としての酸化シリコン膜を形成する方法が挙げられる。このときの第２キャップ層６３の層厚は、およそ２〜３μｍである。そして、ステップＳ９へ進む。
【００７５】
図７のステップＳ９では、図１０（ｂ）に示すように、第２キャップ層６３に平坦化処理を施す。具体的には、前述したように、第２の溝７３を塞ぐ第１キャップ層６２に遮光部２２を形成することにより、第１キャップ層６２を覆う第２キャップ層６３の表面には遮光部２２や第２の溝７３に起因する凹凸が生ずる。そこで、第２キャップ層６３の表面にＣＭＰ処理を施して研磨することで該凹凸を無くして平坦化する。ＣＭＰ処理後の第２キャップ層６３の層厚はおよそ６００ｎｍ（０．６μｍ）である。これにより、マスク層６１、第１キャップ層６２、第２キャップ層６３を含むキャップ層６０ができあがる。この段階におけるキャップ層６０の透光性膜７２上における第１の層厚は、およそ２．７μｍとなる。そして、ステップＳ１０へ進む。
【００７６】
図７のステップＳ１０では、図１０（ｃ）に示すように、マスク層６１の孔６１ａを塞ぐ部分のキャップ層６０を残しつつ、他のキャップ層６０をエッチングして減膜する。これにより、マスク層６１の孔６１ａに対応する部分に突起部６４を形成する。キャップ層６０のエッチング方法、つまり突起部６４の形成方法としては、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ8などのフッ素系ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチング法が挙げられる。
なお、図１０（ｃ）には図示していないが、図５を用いて説明したように、シール材４０と重なる部分（表示領域Ｅ以外の部分）のキャップ層６０はエッチングしない。
本実施形態では、表示領域Ｅにおいて、透光性膜７２上のキャップ層６０の第２の層厚がおよそ１．６μｍとなるまでキャップ層６０をエッチングした。したがって、第１キャップ層６２の表面からの突起部６４の高さはおよそ１．１μｍである。そして、ステップＳ１１へ進む。
【００７７】
図７のステップＳ１１では、図１０（ｄ）に示すように、突起部６４及び第１キャップ層６２の表面を覆う共通電極２３を形成する。共通電極２３の形成方法としては、例えばＩＴＯをターゲットとして用いたスパッタ法が挙げられる。また、共通電極２３を形成した後に、基板本体１１の表面２１ａに形成されていた犠牲膜７５をエッチングして取り除く。このときの、シリコンからなる犠牲膜７５のエッチング方法としては、例えば、ＨＦ（フッ酸）とＨＮＯ3（硝酸）の混合溶液を用いたウェットエッチングが挙げられる。これにより、プリズム７０を覆うキャップ層６０において、画素Ｐごとに対応した位置に突起部６４を有する対向基板２０ができあがる。この後に、対向基板２０には、液晶装置１００の光学設計に応じた配向膜２４が形成される。
【００７８】
本実施形態では、液晶装置１００は、素子基板１０側の配向膜１８及び対向基板２０側の配向膜２４として、酸化シリコンを斜め蒸着した無機配向膜を採用し、負の誘電異方性を有する液晶分子を３度〜５度のプレチルトを有して１軸垂直配向させ、ＶＡ方式のノーマリーブラックモードとした。
【００７９】
このようなＶＡ方式の液晶装置１００の開口領域Ｐ１の幅を例えば８μｍ、非開口領域Ｐ２の幅を例えば１．５μｍとして、電気光学特性（光の透過特性）を測定したところ、キャップ層６０を減膜して突起部６４を形成しない場合の光の利用効率を１００％としたときに比べて、光の利用効率が１００．７％となった。つまり、キャップ層６０をおよそ１．１μｍ減膜することで光の利用効率が０．７％向上した。光の利用効率が少なくとも０．５％向上すれば、表示品質において明るさの改善効果が認められるので、キャップ層６０の減膜量、すなわち、突起部６４の高さは１．０μｍ以上であることが好ましい。なお、液晶装置１００における明るさの改善効果は、画素Ｐの開口領域Ｐ１や非開口領域Ｐ２の大きさにも寄るので、突起部６４の高さを少なくとも０．５μｍ以上とすれば、明るさの改善効果が期待できる。
【００８０】
上記第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）液晶装置１００は、複数の画素Ｐのそれぞれに対応して設けられた画素電極１５及びＴＦＴ３０を有する素子基板１０と、隣り合う画素Ｐの間の非開口領域Ｐ２に向けて開口した第２の溝７３を含むプリズム７０を有する対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、を備えている。対向基板２０側から入射した光は、プリズム７０によって反射され、画素電極１５を透過して素子基板１０側から射出される。開口領域Ｐ１におけるキャップ層６０はエッチングによる減膜処理が施され、開口領域Ｐ１に相当するキャップ層６０の第２の層厚は、キャップ層６０の形成時の第１の層厚よりも小さい。また、キャップ層６０に減膜処理が施される際に、プリズム７０の第２の溝７３を塞ぐ部分が突起部６４として残されている。したがって、突起部６４によってプリズム７０を確実に封止し、且つ、キャップ層６０に減膜処理を施さない場合に比べて、画素電極１５に対するプリズム７０の相対的な位置を近づけることができるので、プリズム７０で反射させた光が画素電極１５を透過する確率を上げることができる。つまり、電気光学装置用基板としての対向基板２０に入射した光を効率的に利用して、明るく鮮明な表示が可能な液晶装置１００を提供できる。
（２）素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるシール材４０が配置される第２の領域では、対向基板２０側のキャップ層６０が減膜されていない。したがって、シール材４０の近傍の液晶層５０の厚みはｄ２となる。言い換えれば、ねらいの厚みｄ１の液晶層５０を挟んでシール材４０を配置する場合に比べて、実質的なシール材４０の体積を小さくできる。液晶装置１００の耐湿性能などの信頼性品質は、シール材４０の体積にも依存するため、シール材４０の体積を小さくすることで信頼性品質が改善された液晶装置１００を提供できる。
（３）画素Ｐごと（画素単位）に設けられた突起部６４の先端と、素子基板１０との間の液晶層５０の厚みｄ２は、ねらいの厚みｄ１よりも小さい。したがって、画素Ｐの開口領域Ｐ１における液晶分子の配向規制力に比べて、突起部６４の付近における液晶分子に対する配向規制力が大きくなる。ゆえに、ＶＡ方式の液晶装置１００を駆動したときに、液晶分子が倒れる方向が所定の方向と異なる方向に倒れることで生ずるドメインなどの配向不具合が生じ難い。
（４）電気光学装置用基板としての対向基板２０の製造方法は、プリズム７０の第２の溝７３を塞ぐキャップ層６０をエッチングして減膜する第２エッチング工程（ステップＳ１０）を有している。第２エッチング工程（ステップＳ１０）では、第２の溝７３に通ずるマスク層６１の孔６１ａを塞ぐ部分のキャップ層６０を残して突起部６４を形成し、他のキャップ層６０をエッチングして減膜する。したがって、キャップ層６０の全面に亘ってエッチング処理を施す場合に比べて、プリズム７０の第２の溝７３を確実に封止することができる。
加えて、第２エッチング工程（ステップＳ１０）では、シール材４０と重なる部分のキャップ層６０をエッチングしないので、シール材４０の体積を小さくし、信頼性品質が改善された液晶装置１００を提供できる。
（５）電気光学装置用基板としての対向基板２０の製造方法は、第２キャップ層６３を形成した後に、第２キャップ層６３の表面に生じた凹凸を研磨して平坦化する第２キャップ層研磨工程（ステップＳ９）を有している。そして、ステップＳ９の後に、キャップ層６０をエッチングして減膜する第２エッチング工程（ステップＳ１０）を行うので、突起部６４を除いた開口領域Ｐ１では、表面が平坦な共通電極２３が得られる。ゆえに、液晶装置１００の開口領域Ｐ１において、ねらいの厚みｄ１に対してばらつきが少ない液晶層５０を実現できる。すなわち、安定した電気光学特性が得られる。
【００８１】
（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図１１を参照して説明する。図１１は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
図１１に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８２】
偏光照明装置１１００は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８３】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８４】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８７】
このような投射型表示装置１０００によれば、入射した色光を効率よく利用可能なプリズム７０を有する液晶装置１００を備え、明るく、見栄えのよい表示品位が実現されている。加えて、耐湿性などの信頼性品質も改善される。
【００８８】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板の製造方法ならびに該電気光学装置用基板を適用する電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８９】
（変形例１）液晶装置１００における突起部６４は、図６に示したように、画素Ｐごとに形成された円錐台状であることに限定されない。図１２（ａ）及び（ｂ）は、変形例の電気光学装置用基板を示す概略斜視図である。例えば、図１２（ａ）に示すように、変形例の電気光学装置用基板２０Ｂは、基板本体２１と、基板本体２１の表面２１ｂに向って開口し、Ｘ方向とＹ方向とに格子状に延在するプリズム７０と、プリズム７０を塞ぐキャップ層の一部として形成され、Ｙ方向に延在するプリズム７０と重なる位置において同じくＹ方向に延在する突起部６４Ｂを備えている。なお、突起部６４Ｂが延在する方向は、Ｘ方向であってもよい。
また、図１２（ｂ）に示すように、変形例の電気光学装置用基板２０Ｃは、基板本体２１と、基板本体２１の表面２１ｂに向って開口し、Ｘ方向とＹ方向とに格子状に延在するプリズム７０と、プリズム７０を塞ぐキャップ層の一部として形成され、プリズム７０と重なる位置において同じくＸ方向とＹ方向とに延在する突起部６４Ｃを備えた。
これらの変形例によれば、上記第１実施形態のように、突起部６４を画素Ｐごとに島状に形成する場合に比べて、突起部６４Ｂ，６４Ｃ付近の液晶分子の配向規制力がより強まるため、液晶装置１００の駆動においてドメインなどの配向不具合がより発生し難い。
なお、突起部６４Ｂ，６４Ｃは、表面２１ｂ上においてＸ方向やＹ方向に連続的に延在していることに限定されず、途中で途切れた部分があってもよい。
【００９０】
（変形例２）図１３は変形例の液晶装置の構造を示す概略断面図である。なお、図１３は、上記第１実施形態における図４に対応する概略断面図である。変形例の液晶装置１５０は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して対向基板２０の突起部６４の構成を異ならせたものである。具体的には、図１３に示すように、キャップ層６０の一部として設けられた突起部６４Ｄは、液晶層５０の厚みがねらいの値ｄ１となるように素子基板１０と対向基板２０とを対向配置して貼り合わせたときに、突起部６４Ｄの先端側が素子基板１０に触れる程度の高さ（大きさ）を有している。つまり、キャップ層６０における突起部６４の高さは、液晶層５０のねらいの厚みｄ１とほぼ同じである。また、突起部６４Ｄの先端には共通電極２３が形成されていない。このような突起部６４Ｄを有する対向基板２０の製造方法としては、例えば、まず、突起部６４Ｄを含めたキャップ層６０の表面を覆う共通電極２３を形成する。その後に、突起部６４Ｄの先端を露出させた状態で、他の部分をレジスト層で覆い、露出した部分の共通電極２３をエッチングする方法が挙げられる。
変形例の液晶装置１５０及び対向基板２０の製造方法によれば、キャップ層６０の一部である突起部６４Ｄが絶縁性のスペーサーとして機能するので、液晶層５０の厚みｄ１のばらつきがより少なく、安定した電気光学特性が得られる液晶装置１５０を実現できる。
【００９１】
（変形例３）上記液晶装置１００では、キャップ層６０は、マスク層６１を含むとしたが、これに限定されない。例えば、第２の溝７３の内部の犠牲膜７５をエッチングして除去した後に、第２の溝７３の開口７３ａを塞ぐ部分を残してマスク層６１を除去してもよい。これによれば、開口領域Ｐ１においてマスク層６１が除去されるので、液晶装置１００において対向基板２０のプリズム７０を素子基板１０の画素電極１５に相対的にさらに近づけることができる。したがって、光の利用効率をさらに向上させることが可能となる。
【００９２】
（変形例４）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９３】
１０…一対の基板のうちの素子基板、１５…画素電極、２０…電気光学装置用基板としての対向基板、２１…透光性の基板としての基板本体、２１ａ…光が入射する側の基板本体の表面、２１ｂ…第１面としての表面、２２…遮光部、２３…共通電極、４０…シール材、５０…液晶層、６０…キャップ層、６１…マスク層、６１ａ…マスク層の孔、６２…第１キャップ層、６３…平坦化層としての第２キャップ層、６４…突起部、７０…溝部としてのプリズム、７５…犠牲膜、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…第１領域としての表示領域、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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