(57)【要約】【課題】高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えた保護被膜を有する部材であって、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】金属基板の表面に導電性保護被膜を有する部材であって、導電性保護被膜は、膜厚が０．１〜３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５〜２．３、消衰係数ｋが０．５〜１．０、インデンテーションハードネスが５０００〜２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１５ｍ〜１０−１７ｍ２／Ｎ、抵抗率が１０〜１０６Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボンであること、を特徴とする部材。【選択図】図１
2015086406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム基複合材料、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板、又は、前記基板同士の接合基板、又は、前記基板と前記材料と異なる材料で構成された基板との接合基板と；前記基板又は前記接合基板の表面に設けられた導電性保護被膜と；を有し、
前記導電性保護被膜は、膜厚が０．１〜３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５〜２．３、消衰係数ｋが０．５〜１．０、インデンテーションハードネスが５０００〜２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１５ｍ〜１０−１７ｍ２／Ｎ、抵抗率が１０〜１０６Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボンであること、
を特徴とする部材。
【請求項２】
前記基板又は前記接合基板のヤング率が６５〜１８０ＧＰａであること、
を特徴とする請求項１に記載の部材。
【請求項３】
２００〜４５０ｎｍの波長域における前記導電性保護被膜の平均反射率が２０以下であること、
を特徴とする請求項１又は２に記載の部材。
【請求項４】
前記基板又は前記接合基板が、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板の表面に、導電性被膜を形成させた被覆基板、又は前記被覆基板と異種材料との接合基板であること、を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の部材。
【請求項５】
導電性保護被膜を有する部材の製造方法であって、
金属基板又は金属基複合材料基板の表面に対してイオンボンバードによる前処理を行う前処理工程と、
フッ素系炭化水素ガスを用い、直流電源を用いて、フッ素含有量が０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが５０００〜２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１５ｍ〜１０−１７ｍ２／Ｎ、抵抗率が１０〜１０６Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボン被膜を、前記前処理された前記金属基板又は前記金属基複合材料基板の表面に形成する工程と、
を含むことを特徴とする導電性保護被膜を有する部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性保護被膜を有する部材及びその製造方法に関し、より具体的には、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、精密電子部品用製造装置は精密電子部品を保持及び運搬するための支持装置を有し、当該支持装置では精密電子部品との接触と剥離が繰り返し行われる。そのため、支持装置の表面（精密電子部品の載置面）の機械的強度等を高めて、損傷やたわみ等を防ぐ必要がある。
【０００３】
これらの要求を満たすため、従来の精密電子部品用製造装置では、精密電子部品の載置面に適度な性質を備えた樹脂製のトレイ等が用いられてきた。しかしながら、近年では大型や薄型の精密電子部品に対する処理が求められており、当該部品の保持及び運搬に伴う載置面の傷やたわみ等の問題が、これまで以上に深刻になっている。加えて、精密電子部品への帯電を防止するため、載置面にはある程度の導電性が要求される。
【０００４】
これに対し、例えば特許文献１（特許第５０６５７７２号公報）においては、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材と、前記基材の表面に形成された陽極酸化被膜と、を備え、  前記陽極酸化被膜は、印加電圧１００Ｖ時のリーク電流密度が０．９×１０-５Ａ／ｃｍ２を超え、膜厚が３μｍ以上で、表面の算術平均粗さが１μｍ未満であって、前記陽極酸化被膜を形成された表面の平面度が５０μｍ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置用部材が開示されている。
【０００５】
上記特許文献１に記載のプラズマ処理装置用部材によれば、耐食性及び耐スティッキング性を備え、異常放電を抑制し、均一かつ安定した成膜が可能となるとしている。また、当該部材を用いることで、良好なプラズマ処理装置用部材を容易に製造することができるとしている。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載のプラズマ処理装置用部材表面の膜は陽極酸化処理工程にて形成される酸化アルミニウムであり、硬度及び耐摩耗性が十分であるとは言い難い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５０６５７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
以上のような従来技術における問題点に鑑み、本発明の目的は、高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えた保護被膜を有する部材であって、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は上記目的を達成すべく、種々の保護被膜と基板との組み合わせ及びその製造法について鋭意研究を重ねた結果、金属基板の表面に特性を制御したダイヤモンドライクカーボンを形成させることが極めて効果的であることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
即ち、本発明は、
アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム基複合材料、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板、又は、前記基板同士の接合基板、又は，前記基板と前記材料と異なる材料で構成された基板との接合基板と；前記基板又は前記接合基板の表面に設けられた導電性保護被膜と；を有し、
前記導電性保護被膜は、膜厚が０．１〜３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５〜２．３、消衰係数ｋが０．５〜１．０、インデンテーションハードネスが５０００〜２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１５ｍ〜１０−１７ｍ２／Ｎ、抵抗率が１０〜１０６Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボンであること、
を特徴とする部材を提供する。
【００１１】
本発明の部材においては、前記基板又は前記接合基板のヤング率が６５〜１８０ＧＰａであること、が好ましく、２００〜４５０ｎｍの波長域における前記導電性保護被膜の平均反射率が２０以下であること、が好ましい。また、前記金属基板がアルミニウム、アルミニウム合金、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金、の群から選ばれる基板、又は前記基板と異種材料との接合基板であること、が好ましい。
【００１２】
更に、本発明の部材においては、前記基板又は前記接合基板が、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板の表面に、導電性被膜を形成させた被覆基板、又は前記被覆基板と異種材料との接合基板であること、が好ましい。
【００１３】
また、本発明は、上記部材の製造方法も提供するものであり、当該製造方法は、
導電性保護被膜を有する部材の製造方法であって、
金属基板又は金属基複合材料基板の表面に対してイオンボンバードによる前処理を行う前処理工程と、
フッ素系炭化水素ガスを用い、直流電源を用いて、フッ素含有量が０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが５０００〜２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１５ｍ〜１０−１７ｍ２／Ｎ、抵抗率が１０〜１０６Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボン被膜を、前記前処理された前記金属基板又は前記金属基複合材料基板の表面に形成する工程と、
を含むことを特徴とする導電性保護被膜を有する部材の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の部材及びその製造法によれば、高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えた保護被膜を有する部材であって、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の導電性保護被膜を有する部材の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の導電性保護被膜を有する部材の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の導電性保護被膜を有する部材を第一の実施形態によって製造する場合の工程の一例を示すフローチャートである。
【図４】本発明の製造方法において用いることができる導電性保護被膜の製造装置の一例を示す概略説明図である。
【図５】本発明の導電性保護被膜を有する部材を第二の実施形態によって製造する場合の工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しながら本発明の導電性保護被膜を有する部材及びその製造方法の代表的な実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する場合がある。また、図面は、本発明を概念的に説明するためのものであるから、表された各構成要素の寸法やそれらの比は実際のものとは異なる場合もある。
【００１７】
≪導電性保護被膜を有する部材≫
図１は、本発明の導電性保護被膜を有する部材の第一の実施形態を示す概略断面図である。本発明の導電性保護被膜を有する部材１は、基板２の表面に導電性保護被膜４を有するものである。
【００１８】
基板２は金属基板であれば特に限定されないが、アルミニウム、アルミニウム合金、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金、の群から選ばれる基板、又は、当該基板同士の接合基板、又は、当該基板と異種材料との接合基板であることが好ましい。また、たわみ防止の観点から、基板２のヤング率は６５〜１８０ＧＰａであることが好ましい。
【００１９】
また、基板２の表面に不可避的に存在する酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）被膜の影響で良好な導電性保護被膜４を形成させることが困難な場合は、基板２として、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板の表面に、導電性被膜を形成させた被覆基板、又は前記被覆基板と異種材料との接合基板を用いることが好ましい。導電性被膜としては、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の金属材等を用いることができるが、アルミニウム又はアルミニウム合金を用いることが好ましい。なお、導電性被膜の形成方法は特に限定されず、例えば、陽極酸化被膜の表面に溶射やスパッタや蒸着等の方法で導電性金属被膜を形成してもよく、押出成形、射出、及び塗装等の方法で導電性樹脂を被覆してもよい。
【００２０】
基板２に用いるアルミニウム合金は、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のアルミニウム合金を用いることができるが、例えば、１０００系、３０００系、５０００系、６０００系のアルミニウム又はアルミニウム合金を用いることが好ましい。また、アルミニウム基複合材料（ＭＭＣ）等の金属基複合材料を用いることもできる。アルミニウム基複合材料としては、特に限定されないが、例えば粉末冶金法で製造したＡｌ−ＳｉＣ複合材料等の金属基複合材料を用いることで硬度、ヤング率、熱伝導率等の種々の物性値を制御することができる。
【００２１】
導電性保護被膜４としては、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のダイヤモンドライクカーボンを用いることができるが、高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えたダイヤモンドライクカーボンを用いることが好ましい。また、ダイヤモンドライクカーボンは酸・アルカリ溶液及び酸化・還元雰囲気における耐腐食性に優れているという利点も有している。
【００２２】
導電性保護被膜４として好適に用いることができるダイヤモンドカーボンは、膜厚が０．１〜３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５〜２．３、消衰係数ｋが０．５〜１．０、インデンテーションハードネスが５０００〜２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１５ｍ〜１０−１７ｍ２／Ｎ、抵抗率が１０〜１０６Ω・ｃｍである。また、ダイヤモンドカーボン被膜の色は黒みがかっている方が好ましい。導電性保護被膜４の２００〜４５０ｎｍの波長域における平均反射率は２０以下であることが好ましい。
【００２３】
導電性保護被膜４の硬さ試験において、従来法であるマイクロビッカースやヌープ試験を適用した場合、膜厚からある臨界値を越えると基材の影響が大きく、薄膜自身の硬さを正確に得ることが困難である。当該影響を抑えるために、一般的に押し込み深さを膜厚の１０％以下（ただし、基材材質と膜特性による）にする必要があると言われている。そのため、導電性保護被膜４の硬さ試験にはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法を用いることが好ましい。
【００２４】
ナノインデンテーション法は、２００２年にＩＳＯ１４５７７としてドラフトが作成され、世界的に周知の方法である。ＩＳＯ１４５７７に記載されている硬さの算出方法は、インデンテーションハードネス（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ Ｈａｒｄｎｅｓｓ）（ＨＩＴ）があり、投影接触面積Ａｐと最大荷重Ｆｍａｘから下記数式１のように示される。
【００２５】
【数１】
2015086406.tif 000003
【００２６】
比摩耗量を測定するための摩擦摩耗試験機は、それぞれの用途に合わせ、摺動方法や測定子部分の形状は多数存在する。その中で最も一般的な方法は、ボールオンディスクによる摩擦摩耗試験である。測定原理は、ボールが剛性のあるアームにマウントされディスク状の試料の上に既知の精密おもりによって押しつけられる。そして、ディスクを回転させ、ボールとディスクの間に作用する摩擦力をアームの水平方向の小さなたわみによって測定する。また、この時の摩耗痕断面積を測定し、比摩耗量として比較することもできる。ボールオンディスク試験の場合、試料の比摩耗量の測定は、摩耗痕断面積から、下記数式２によって算出することができる。
【００２７】
【数２】
2015086406.tif 000004
【００２８】
上記数式２において、Ｗは試験片の比摩耗量（ｍ２／Ｎ）、Ｒは摺動円の半径（ｍ）、Ｓは摺動円の断面積（ｍ２）、Ｐは荷重（Ｎ）、Ｌは摺動距離（ｍ）である。
【００２９】
２００〜４５０ｎｍの波長域における導電性保護被膜４の平均反射率は、例えば、パーキンエルマー社製の分光光度計Ｌａｍｂｄａ７５０Ｓを用いて測定することができる。また、抵抗率は四端子法又はファン・デル・パウ法等を用いて測定することができる。
【００３０】
図２は、本発明の導電性保護被膜を有する部材の第二の実施形態を示す概略断面図である。本発明の導電性保護被膜を有する部材１は、基板２の表面に中間層６を介して導電性保護被膜４を有するものである。なお、基板２に上記導電性被膜を有する場合は、中間層６は当該導電性被膜の上に形成されることになる。
【００３１】
中間層６は、基板２の表面にオーミック接触するものであり、オーミック接触（接触抵抗の低い）をする中間層６とダイヤモンドライクカーボン被膜とを組み合わせて用いることによって、さらに導電性を向上させることが可能である。
【００３２】
中間層６にはカーボン、金、銀、インジウム、アルミニウム、リン、チタン、ニッケル、クロム、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ３）、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、珪素、及びＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなる群から選ばれる一種又は二種以上の材料を用いることができる。なお、本実施形態は中間層６が存在する以外は第一の実施形態と同様である。
【００３３】
≪導電性保護被膜を有する部材の製造方法≫
図３は、本発明の導電性保護被膜を有する部材を第一の実施形態によって製造する場合の工程の一例を示すフローチャートである。まず、基板２に対する前処理として、イオンボンバードを行い、基材をプラズマ洗浄する（Ｓ１００）。当該イオンボンバードは、Ａｒ等の希ガス又はＨを混合した希ガスにより行うことが好適である。
【００３４】
基板２は金属基板又は金属基複合材料基板であれば特に限定されないが、上述のとおりアルミニウム合金製又はＳｉＣ粒子分散アルミニウム基複合材料製であることが好ましい。また、たわみ防止の観点から、基板２のヤング率は６５〜１８０ＧＰａであることが好ましい。
【００３５】
基板２に用いるアルミニウム合金は、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のアルミニウム合金を用いることができるが、例えば、Ａ５０５２アルミニウム合金を用いることが好ましい。また、陽極酸化アルミニウム合金の表面に導電性被膜を形成した基板として、Ａ５０５２アルミニウム合金材に１０μｍの陽極酸化被膜を形成し、その表面にアーク溶射によって、Ａ１０５０アルミニウム被膜を形成した基板を用いることができる。また、ＳｉＣ分散アルミニウム基複合材料としては、例えば、粉末冶金法で作製したＡｌ−４０％ＳｉＣ複合材料を用いることができる。
【００３６】
次いで、フッ素系炭化水素ガスを用い、所定量のフッ素を含む導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を基板２の表面に形成させる（Ｓ１０２）。なお、フッ素系炭化水素ガスの代わりに、炭化水素系原料ガスとフッ素ドーピングガスとを所定割合で導入した混合ガスを用いてもよい。
【００３７】
導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を形成するための手段としては、イオン化蒸着法、グロー放電や高周波プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法、紫外線励起による光ＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、スパッタリング法、アーク放電法等が知られているが、イオン化蒸着法が好適である。本実施の形態においてはイオン化蒸着法を用いた場合について説明する。なお、イオン化蒸着法においては、非平衡プラズマを用いるため成膜時の基板２の温度は通常３５０℃以下であり基板２の熱的変形等を最小限に抑えることができる利点がある。
【００３８】
本発明の導電性保護被膜を有する部材の製造方法を実施する装置としては、図４に示した構造の装置を用いることができる。図４において、２０は導電性保護被膜製造装置で、真空チャンバー２２を有している。該真空チャンバー２２の上部には基板２を保持する基板保持部２４が設けられている。また、該真空チャンバー２２の下部にはアノード２６、フィラメント２８及びフッ素ドーピングガス導入ポート３０が設けられている。さらに、該真空チャンバー２２の側壁２２ａには炭化水素系原料ガス導入ポート３２が設けられている。炭化水素系原料ガス導入ポート３２は真空チャンバー２２の底壁２２ｂ又は上壁２２ｃに設けることもできる。なお、フッ素系炭化水素ガスはフッ素ドーピングガス導入ポート３０及び／又は炭化水素系原料ガス導入ポートを用いて導入することができる。
【００３９】
本発明において適用されるイオン化蒸着法は真空チャンバー２２を減圧にして（例えば、３×１０−３Ｐａ以下まで真空引きを行う）低温で薄膜形成を行うことができ、プラズマ励起を利用して原料ガスを分解させ、基板２に負電圧を印加し膜を堆積させる方法である。具体的には、導電性保護被膜製造装置２０の真空チャンバー２２中にフッ素系炭化水素ガスが導入されると、熱フィラメント２８とアノード２６からなるイオン源２９を用いて直流アーク放電プラズマにより炭化水素イオンや励起されたラジカルが生成され、生成した炭化水素イオンは直流の負電圧にバイアスされた基板２にバイアス電圧に応じたエネルギーで衝突し固体化し、図１に示したように所定量のフッ素を含む導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）が基板２上に形成される。
【００４０】
上記のとおり、導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を形成するための原料ガスとして、炭化水素系原料ガスとフッ素ドーピングガスとを所定割合で導入した混合ガスを用いることもできる。炭化水素系原料ガスとして、シクロヘキサン、ベンゼン、アセチレン、メタン、ブチルベンゼン、トルエン、シクロペンタンからなる群から選ばれる一種又は二種以上のガス種を用いることができる。また、フッ素ドーピングガスとして、ホウ酸トリメチル（トリメチルボレート）、トリメチルフッ素及びトリエチルホウ素からなる群から選択される一種又は二種以上を用いることができる。
【００４１】
導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を形成するために、イオン化蒸着法を用いることが好ましいが、その理由は、フィラメント２８とアノード２６によりプラズマ条件を制御でき、基板電圧によりイオン衝撃を制御できるからである。これにより、ダイヤモンドライクカーボンの構造を保ちながら、フッ素を活性化させることが可能となる。
【００４２】
図５に、本発明の導電性保護被膜を有する部材を第二の実施形態によって製造する場合における、工程の一例を示すフローチャートを示す。第二の実施形態による製造方法は、図５に示すように、基板２と導電性保護被膜４の間に中間層１１を介在させた構成の導電性保護被膜の製造方法であって、まず、第一の実施形態の場合と同様に、基板２に対する前処理として、Ａｒ等のガスによりイオンボンバードを行い、基板２をプラズマ洗浄する（Ｓ１００）。
【００４３】
次に、前記前処理された基板２の表面にオーミック接触をする中間層６を成膜形成する（Ｓ１０１）。この中間層６は、カーボン、金、銀、インジウム、アルミニウム、リン、チタン、ニッケル、クロム、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ３）、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、珪素、及びＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなる群から選ばれる一種又は二種以上の材料を用いて成膜形成される。中間層６の形成は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、イオン化蒸着法、印刷法又はメッキによって行えばよいが、スパッタリング法が好適である。
【００４４】
続いて、第一の実施形態の場合と同様に、フッ素系炭化水素ガスを用い、イオン化蒸着法によって所定量のフッ素を含む導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を基板２の表面に形成するものである（Ｓ１０２）。このようにオーミック接触をする中間層６とダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）とを組み合わせることによってさらに導電性を向上させることができる。なお、導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）の形成は、第一の実施形態の場合と同様であるため再度の詳細な説明は省略する。
【００４５】
フッ素系炭化水素ガスを用い、直流電源を用いて、フッ素含有量が０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが５０００〜２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１５ｍ〜１０−１７ｍ２／Ｎ、抵抗率が１０〜１０６Ω・ｃｍの導電性保護被膜４を得ることができる。なお、本発明において、抵抗率は四探針法又はファン・デル・パウル法により測定すればよい。
【００４６】
以上、本発明の代表的な実施形態について説明したが、本発明はこれらのみに限定されるものではなく、種々の設計変更が可能であり、それら設計変更は全て本発明の技術的範囲に含まれる。
【実施例】
【００４７】
≪実施例１≫
金属基板として、Ａ５０５２アルミニウム合金を用いた。前処理としてＡｒを１４ｓｃｃｍ導入し、基板電圧を２ｋＶ、アノード電流０．８Ａで１時間のイオンボンバード処理を行った。その後、フッ素系炭化水素ガス（Ｃ６ＨＦ５）を導入し、アノード電圧：４５Ｖ、基板電圧：２ｋＶ、成膜温度：２２０℃の条件で炭素被膜を０．５μｍのダイヤモンドライクカーボン被膜を成膜した。
【００４８】
上記工程にて得られたダイヤモンドライクカーボン被膜の特性評価を行ったところ、フッ素含有量が３ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが１２０００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１７ｍ２／Ｎ以下、抵抗率が１０1Ω・ｃｍであった。また、２００〜４５０ｎｍの波長域における平均反射率は、９．５、基板のヤング率は、６９．３ＧＰａであった。なお、インデンテーションハードネスはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法、比摩耗量はボールオンディスク法、抵抗率は四端子法にて測定した。ナノインデンテーション試験は、ダイヤモンド圧子を用いて荷重１ｍＮで測定を行った。また、摩擦摩耗試験は、ボール材：ガラス(Φ６ｍｍ)、荷重:１Ｎ、速度：０．５ｍ／ｓｅｃ、半径：１０ｍｍ、停止条件：２５００回転で行い、摩耗痕の摩耗量測定を実施した。
【００４９】
≪実施例２≫
Ａ５０５２合金板に硫酸浴を用いて１０μｍの陽極酸化被膜を形成し、当該表面にアーク溶射で１００μｍのＡ１０５０アルミニウム溶射被膜を形成したものを金属基板として用いた。前処理としてＡｒを１４ｓｃｃｍ導入し、基板電圧を２ｋＶ、アノード電流０．８Ａで１時間のイオンボンバード処理を行った。その後、フッ素系炭化水素ガス（Ｃ６ＨＦ５）を導入し、アノード電圧：４５Ｖ、基板電圧：２ｋＶ、成膜温度：２２０℃の条件で炭素被膜を０．５μｍのダイヤモンドライクカーボン被膜を成膜した。
【００５０】
上記工程にて得られたダイヤモンドライクカーボン被膜の特性評価を行ったところ、フッ素含有量が３ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが１２０００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１７ｍ２／Ｎ以下、抵抗率が１０1Ω・ｃｍであった。また、２００〜４５０ｎｍの波長域における平均反射率は、７．１、基板のヤング率は、６９．８ＧＰａであった。なお、インデンテーションハードネスはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法、比摩耗量はボールオンディスク法、抵抗率は四端子法にて測定した。ナノインデンテーション試験は、ダイヤモンド圧子を用いて荷重１ｍＮで測定を行った。また、摩擦摩耗試験は、ボール材：ガラス(Φ６ｍｍ)、荷重:１Ｎ、速度：０．５ｍ／ｓｅｃ、半径：１０ｍｍ、停止条件：２５００回転で行い、摩耗痕の摩耗量測定を実施した。
【００５１】
≪実施例３≫
金属基板として、Ａｌ−１０％Ｓｉ粉末とＳｉＣ粉末を混合し、粉末冶金法で作製したＡｌ−４０％ＳｉＣ複合材を用い、前処理としてＡｒを１４ｓｃｃｍ導入し、基板電圧を２ｋＶ、アノード電流０．８Ａで１時間のイオンボンバード処理を行った。その後、フッ素系炭化水素ガス（Ｃ６ＨＦ５）を導入し、アノード電圧：８０Ｖ、基板電圧：３ｋＶ、成膜温度：２５０℃の条件で炭素被膜を１．５μｍのダイヤモンドライクカーボン被膜を成膜した。
【００５２】
上記工程にて得られたダイヤモンドライクカーボン被膜の特性評価を行ったところ、フッ素含有量が３ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが１２０００ＭＰａ、比摩耗量が１０−１７ｍ２／Ｎ以下、抵抗率が１０1Ω・ｃｍであった。また、２００〜４５０ｎｍの波長域における平均反射率は６．５、基板のヤング率は１２４．７ＧＰａであった。なお、インデンテーションハードネスはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法、比摩耗量はボールオンディスク法、抵抗率は四端子法にて測定した。ナノインデンテーション試験は、ダイヤモンド圧子を用いて荷重１ｍＮで測定を行った。また、摩擦摩耗試験は、ボール材：ガラス(Φ６ｍｍ)、荷重:１Ｎ、速度：０．５ｍ／ｓｅｃ、半径：１０ｍｍ、停止条件：２５００回転で行い、摩耗痕の摩耗量測定を実施した。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・導電性保護被膜を有する部材、
２・・・基材、
４・・・導電性保護被膜、
６・・・中間層、
２０・・・導電性保護被膜製造装置、
２２・・・真空チャンバー、
２２ａ・・・側壁、
２２ｂ・・・底壁、
２２ｃ・・・上壁、
２４・・・基板保持部、
２６・・・アノード、
２８・・・熱フィラメント
２９・・・イオン源、
３０・・・フッ素ドーピングガス導入ポート、
３２・・・炭化水素系原料ガス導入ポート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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