(57)【要約】【課題】  本発明は、型に付着した異物の影響を抑えて、基板上のショット領域に型のパターンを形成するインプリント方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明のインプリント方法は、型を用いて基板上の複数のショット領域にパターンを転写するインプリント方法であって、前記複数のショット領域は、前記型のパターンの一部を形成できる部分ショット領域を有し、前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記型のパターンを基板上に転写することで、前記型のパターンに付着した異物を除去する異物除去工程と、前記異物除去工程に用いられた前記型を用いて、前記複数のショット領域のうち、前記部分ショット領域以外のショット領域にパターンを転写する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上の複数のショット領域にパターンを転写するインプリント方法であって、
前記複数のショット領域は、前記型のパターンの一部を形成できる部分ショット領域を有し、前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記型のパターンを基板上に転写することで、前記型のパターンに付着した異物を除去する異物除去工程と、
前記異物除去工程に用いられた前記型を用いて、前記複数のショット領域のうち、前記部分ショット領域と異なるショット領域にパターンを転写する工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記異物除去工程は、複数の前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させることで、前記型のパターンの全体に前記インプリント材を接触させ、前記型のパターンの全体を基板上に転写することで、前記型のパターンに付着した異物を除去することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記複数のショット領域は、前記型のパターンの全体を形成できるフルショット領域を有し、
前記異物除去工程に用いられた前記型を用いて前記フルショット領域にパターンを転写する工程を有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項４】
型を用いて基板上の複数のショット領域にパターンを転写するインプリント方法であって、
前記複数のショット領域は、前記ショット領域に予め形成されているパターンにエラーを有するエラーショット領域を有し、前記エラーショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記型のパターンを基板上に転写することで、前記型のパターンに付着した異物を除去する異物除去工程と、
前記異物除去工程に用いられた前記型を用いて、前記複数のショット領域のうち、前記エラーショット領域と異なるショット領域にパターンを転写する工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項５】
前記複数のショット領域は、前記ショット領域に予め形成されているパターンにエラーを有さない正常ショット領域を有し、
前記異物除去工程に用いられた前記型を用いて前記正常ショット領域にパターンを転写する工程を有することを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
【請求項６】
型を用いて基板上の複数のショット領域にパターンを転写するインプリント方法であって、
前記基板上にインプリント材を供給する供給工程と、
前記供給工程で基板上に供給された前記インプリント材と前記型のパターンとを接触させる接触工程と、を有し、
前記複数のショット領域は、前記型のパターンの一部を形成できる部分ショット領域を有し、
前記接触工程は、最初に、１つ以上の前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させることを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
前記接触工程は、最初に、複数の前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させることで、前記型のパターンの全体に前記インプリント材を接触させることを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
型を用いて基板上の複数のショット領域にパターンを転写するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記型保持部を駆動して前記基板上の前記型のパターンの一部を形成できる部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記型のパターンを基板上に転写することによって、前記型のパターンに付着した異物を除去し、前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と接触させた前記型を用いて前記複数のショット領域にパターンを転写することを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記型保持部を駆動して複数の前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させることで、前記型のパターンの全体に前記インプリント材を接触させ、前記型のパターンの全体を基板上に転写することで、前記型のパターンに付着した異物を除去することを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
型を用いて基板上の複数のショット領域にパターンを転写するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記型保持部を駆動して前記基板上の予め形成されているパターンにエラーを有するエラーショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記型のパターンを基板上に転写することによって、前記型のパターンに付着した異物を除去し、前記エラーショット領域に供給されたインプリント材と接触させた前記型を用いて前記複数のショット領域にパターンを転写することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いて、基板上のインプリント材にパターンを形成する工程と、
インプリント材に形成されたパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、型と基板上のインプリント材を接触させ、接触させた状態でインプリント材を硬化させることで、インプリント材にパターンを形成するインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等を製造するための技術として、インプリント技術が知られている。インプリント技術は、パターンが形成された型を用いて、基板上に供給されたインプリント材にパターンを形成する技術である。
【０００３】
インプリント技術においては、型に形成されたパターンに異物が付着している状態で型とインプリント材とを接触させると、基板上にパターンを正確に形成することができない。
【０００４】
そのため、インプリント技術では、型に付着した異物を除去してから基板上にパターンを形成する必要がある。特許文献１には、ダミーのウエハにインプリントを行い型に付着した異物を除去するインプリント装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６６８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インプリント技術で基板上の複数のショット領域にパターンを形成する場合、ショット領域毎にパターンの形成を繰り返すことで、複数のショット領域にパターンを形成する。複数のショット領域を有する基板をインプリント装置に搬入した後、最初にパターンを形成したショット領域では、型に付着した異物によりパターンを正確に形成できないことが多いことが分かった。このことから、インプリント装置から基板を搬出し、インプリント装置へ新たな基板を搬入する間に、異物が型に付着することが多いことが分かった。
【０００７】
特許文献１のように、ダミーウエハを用いて型に付着した異物を除去したとしても、インプリント装置からダミーウエハを搬出して、インプリント装置へ新たな基板を搬入する間に、異物が型に付着することが考えられる。そのため、最初にパターンを形成するショット領域では、パターンを正確に形成できない恐れがある。
【０００８】
そこで本発明は、型に付着した異物の影響を抑えて、基板上のショット領域に型のパターンを形成するインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のインプリント方法は、型を用いて基板上の複数のショット領域にパターンを転写するインプリント方法であって、前記複数のショット領域は、前記型のパターンの一部を形成できる部分ショット領域を有し、前記部分ショット領域に供給されたインプリント材と前記型を接触させて前記型のパターンを基板上に転写することで、前記型のパターンに付着した異物を除去する異物除去工程と、前記異物除去工程に用いられた前記型を用いて、前記複数のショット領域のうち、前記部分ショット領域以外のショット領域にパターンを転写する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
型に付着した異物の影響を抑えて、基板上のショット領域に型のパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のインプリント装置を示した図である。
【図２】供給部の配置を示した図である。
【図３】本発明のインプリントサイクルのフローを示した図である。
【図４】本発明のインプリントサイクルを行うインプリント装置を示した図である。
【図５】第１実施形態の基板とショット領域を示した図である。
【図６】型のパターン領域と樹脂とが接触した領域を示した図である。
【図７】型のパターン領域と樹脂とが接触した領域を示した図である。
【図８】第２実施形態の基板とショット領域を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
（インプリント装置）
図１及び図２を参照しながら本発明のインプリント装置ＩＭＰの概要について説明する。ここでは、光の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化型のインプリント方法について説明する。具体的には、光として紫外光を用い、インプリント材として紫外線硬化樹脂（樹脂、レジスト）を用いるインプリント方法である。
【００１４】
本発明のインプリント装置ＩＭＰの構成について説明する。図１は本発明のインプリント装置を示した図である。ここでは、図１に示すように型を基板に押し付ける方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直で基板の面内方向に互いに直交するようにＸ軸とＹ軸を決めた。インプリント装置ＩＭＰは基板１を吸着して保持する基板チャック２、基板チャック２を保持して移動する基板ステージ３、基板ステージ３を保持して位置決めするベースフレーム４を備える。ここでは、基板チャック２として真空チャックを用いる。基板ステージ３はベースフレーム４上をＸ軸及びＹ軸方向に移動する。
【００１５】
さらにインプリント装置ＩＭＰは、型５を保持してＺ軸に駆動する型保持部５ａ、紫外光を照射する光源６、基板１上に未硬化樹脂を供給する供給部７（ディスペンサ）、未硬化樹脂を保管するタンク８、アライメントスコープ１１（検出部）を備える。また、検出部として、オフアクシススコープ１３を備えていても良い。型保持部５ａ、光源６、供給部７、タンク８、アライメントスコープ１１、オフアクシススコープ１３は、定盤１２に支持されている。
【００１６】
型５（原版、テンプレート）は、表面に凹凸状のパターンが形成されており、光源６から照射された紫外光を透過する材料（石英など）からなる。型５に形成されているパターンの箇所をここではパターン領域と呼ぶ。型保持部５ａがＺ軸に移動することで、型５に形成されたパターンを基板１上の未硬化樹脂に接触させる。
【００１７】
光源６は、紫外光発生装置である。光源６からの紫外光は、型５を透過して未硬化樹脂を硬化させる。この光源６には、例えば、ｉ線、ｇ線を発生するハロゲンランプなどの光源に加えて、光源から発生した光を集光成形する光学素子（凹面鏡等）が含まれている。
【００１８】
供給部７は、未硬化樹脂を微小液滴化して吐出することで、基板１上に所定の量の未硬化樹脂を塗布する。供給部７はタンク８と配管９でつながっており、タンク８から供給部７に未硬化樹脂が供給される。また、供給部７を未硬化樹脂の吐出位置と退避位置（メンテナンス位置）との間で移動させる移動手段１０を備えていても良い。
【００１９】
移動手段１０は、図２に示すように供給部７を通常の吐出動作時は吐出位置に位置決めし、メンテナンスする際は、退避位置に移動させる。退避位置では供給部７のノズル等のクリーニング及び交換を行う。
【００２０】
アライメントスコープ１１は、基板１の上に供給部７で未硬化樹脂を供給した後に、型５と基板１のパターンの位置を合わせる顕微鏡である。アライメントスコープ１１は、型５に設けられたアライメントマークと基板１上のアライメントマークを検出する。検出結果から２つのマークの位置ずれ量を求め、位置ずれ量を減らすように基板ステージ３が移動することで基板１と型５の位置合わせを行う。または、基板ステージ３の代わりに型保持部５ａが移動することで、基板１と型５を位置合わせしても良く、さらに、基板ステージ３と型保持部５ａを同時、または順次移動させて位置合わせしても良い。
【００２１】
（インプリントサイクル）
図３は本発明におけるインプリントサイクルを示すフローチャートである。図４は本発明におけるインプリントサイクルを示すインプリント装置である。本発明のインプリント装置ＩＭＰは、インプリントサイクルを繰り返すことによって基板１の複数のショット領域にパターンを形成する。ここでショット領域とは、基板１上に形成された領域のことであり、型５のパターン領域を１回のインプリントで転写する領域を示している。ショット領域は型５のパターン領域全体でもその一部でも良い。ショット領域には、インプリント装置を含む他のリソグラフィ装置で予めパターンが形成されていても良いし、パターンが形成されていなくても良い。
【００２２】
以下、このインプリントサイクルは、インプリント装置ＩＭＰで実施されるものとする。図３に示すインプリントサイクルは、図１で示した制御部ＣＮＴに有するメモリＭＲＹに格納されているプログラムを実行することで実施される。また、制御部ＣＮＴに有するプロセッサＰＲＣはメモリＭＲＹに格納されたプログラムを処理する。このように、本発明のインプリントサイクルの動作は、制御部ＣＮＴのメモリＭＲＹに格納されたプログラムに従って実行される。
【００２３】
インプリントサイクルが開始されると、インプリント装置ＩＭＰに基板１が搬入される（Ｓ３１、図４Ａ）。不図示の基板搬送ユニットが、インプリント装置ＩＭＰの外部から基板１を基板チャック２に載置する。基板チャック２に基板１が載置されると、オフアクシススコープ１３により基板１上に形成された複数の位置合わせマークを検出し、検出結果から基板１上の複数のショット領域の配列（位置）を求める。オフアクシススコープ１３は、型５を通過せずに基板１上の位置合わせマークを検出できるスコープである。
【００２４】
基板１が搬入されると、型５に異物が付着している恐れがあるので、後述する異物除去工程（Ｓ３２）を行う。
【００２５】
異物除去工程（Ｓ３２）を行った後、パターンを転写するショット領域に未硬化樹脂を供給するために基板ステージ３が供給部７の下に移動する。供給部７に有する吐出口から未硬化樹脂が基板Ｗ上に供給される（Ｓ３３（供給工程）、図４Ｂ）。ここでは、吐出口から未硬化樹脂を吐出しながら、基板１を移動させることでショット領域毎にインプリント材を供給する。Ｓ３３の供給工程は、複数のショット領域に未硬化樹脂を供給しても良いし、基板の全面に未硬化樹脂を一括で供給しても良い。
【００２６】
未硬化樹脂が供給されたショット領域は、基板１を搬入した際に求めたショット領域の配列に基づいてパターンＰが形成された型Ｍの下に移動する。本発明の位置合わせは、グローバルアライメント方式でもダイバイダイアライメント方式でも良い。グローバルアライメント方式では、基板１上のショット領域に形成されたマークを検出し、検出結果から複数のショット領域の配列を求め、求めた配列に基づいて型と基板の位置合わせを行う。ダイバイダイアライメント方式では、アライメントスコープ１１がショット領域毎に型に形成されたマークとショット領域に形成されたマークを検出し、検出結果から基板１と型５の相対的な位置ずれ量を求め、位置ずれが無くなるように位置合わせを行う。
【００２７】
位置合わせを行った後、基板１と型５を近づけて（間隔を狭めて）いき、基板１上の未硬化樹脂と型５のパターンとを接触させる（接触工程）。未硬化樹脂と型５のパターンとを互いに押し付けて、型５のパターンの凹部に未硬化樹脂を充填させる（Ｓ３４（押印工程）、図４Ｃ）。
【００２８】
型５のパターンの凹部に未硬化樹脂が充填したら、型５のパターンと未硬化樹脂を接触させた状態で紫外光を照射し、未硬化樹脂を硬化させる（Ｓ３５、硬化工程）。型５は紫外光が透過する部材（例えば、石英）からなり、光源６から放射された紫外光は型５を通過して未硬化樹脂を照射する。
【００２９】
未硬化樹脂を硬化させた後、基板１と型５の間隔を広げて、硬化した樹脂から型５を引き離す（Ｓ３６、離型工程）。硬化した樹脂から型５が引き離されることにより、基板１上にパターンが形成（転写）される。この離型工程は、型保持部５ａを駆動させて樹脂から型５を引き離しても良いし、基板ステージ３を駆動しても良い。また、型保持部５ａと基板ステージ３を同時または順次駆動して樹脂から型５を引き離しても良い。
【００３０】
Ｓ３６の離型工程で基板１上にパターンが形成された後、基板１上の全てのショット領域にパターンの形成が完了したかを判断する（Ｓ３７）。パターンの形成が完了していない場合（Ｓ３７でＮＯの場合）、上述したＳ３３の供給工程を行う。基板ステージ３が移動して次にパターンを形成するショット領域に未硬化樹脂を供給する。なお、予め複数のショット領域に未硬化樹脂が供給されている場合や、基板１の全面に一括して未硬化樹脂が供給されている場合についてはＳ３３の供給工程を行わず、Ｓ３４の押印工程へと進むことができる。パターン形成が完了した場合（Ｓ３７でＹＥＳの場合）、インプリント装置ＩＭＰから基板１が搬出される（Ｓ３８、図４Ｄ）。不図示の基板搬送ユニットが、基板Ｗを基板チャック２からインプリント装置ＩＭＰの外部に搬出し、インプリントサイクルを終了する。
【００３１】
このようなインプリントサイクルを行うインプリント装置ＩＭＰにおいて、基板１をインプリント装置に搬出して新たな基板を搬入する間に、型５に異物が付着する場合が多いことが分かった。そのため、異物を除去せずにインプリントサイクルを行うと、最初のショット領域は、異物により型のパターンが基板上に正確に形成できないことが多いことが分かった。
【００３２】
そこで、本発明はインプリント装置ＩＭＰに搬入された基板１上のショット領域を用いてＳ３２の異物除去工程を行う。以下、型５に付着した異物の除去するための異物除去工程について説明する。
【００３３】
（第１実施形態）
Ｓ３２の異物除去工程を、基板１上のショット領域のうち、型５のパターン全面（フル画角）を転写可能なショット領域（以下、フルショット領域と呼ぶ）で行うと、型に付着した異物の影響でショット領域が不良ショットとなってしまい、生産性が低下する。フルショット領域には型５のパターンの全体を形成できる。ここで、不良ショットとは、パターンの欠陥などによってデバイスとして使用できなくなったショット領域を示す。
【００３４】
第１実施形態の異物除去工程では基板１上のショット領域のうち、型５のパターンの一部のみ形成可能なショット領域（以下、部分ショット領域と呼ぶ）で行う。基板１の端部（エッジ）を含むため、エッジショットと呼ばれることがある。部分ショット領域は、型５のパターンの一部を形成できる領域であり、通常デバイスなどの生産には使用しない領域である。そのため、部分ショット領域を用いて異物除去工程を行っても生産性は低下しない。また、１つのショット領域内に複数のチップ領域が形成されている場合、部分ショット領域内に形成されたチップ領域にパターンを形成することがある。この場合、部分ショット領域上のインプリント材と型とが接触したすべての領域に型のパターンを転写するわけではない。そのため、異物が部分ショット領域内にあり、かつ、チップ領域外にある場合は、部分ショット領域を用いて異物除去工程を行っても不良ショットとはならない。そのため、Ｓ３２の異物除去工程に部分ショット領域を用いても生産性の低下を抑えることができる可能性がある。
【００３５】
図５を用いて第１実施形態について説明する。図５は基板１上の複数のショット領域５１を示した図である。図５に示したそれぞれの矩形領域がショット領域５１を示す。矩形領域は、型５に形成されているパターン領域と一致している。複数のショット領域５１には、部分ショット領域５２と、フルショット領域５３を有する。部分ショット領域５２は、型５のパターンの一部（図５の斜線で示した領域）を形成可能なショット領域を示す。
【００３６】
通常は、フルショット領域５３１、５３２、５３３、５３４、５３５を順にパターンを形成する。上記に示した課題のように、最初にパターンを形成したフルショット領域５３１に型５に付着した異物の影響でパターンを正確に形成することができないことが多い。
【００３７】
そこで、フルショット領域５３にパターンを形成する前に、Ｓ３２の異物除去工程において部分ショット領域５２にパターンを形成する。Ｓ３２の異物除去工程でパターンを形成することをダミーインプリントと呼ぶことがある。ダミーインプリントでは、正確にパターンを形成する必要はないが、図３のＳ３３〜Ｓ３６の工程を行うことによって異物を除去しているので、ここでは「パターンを形成する」と呼ぶことにする。部分ショット領域の中でも、型５のパターンの半分（ハーフ画角）以上が転写可能な部分ショット領域５２５、５２６に対しては、型のパターン領域の一部だとしても、不良ショットとならないようにパターンを形成する場合がある。また、有効画角（所定のパターン領域の大きさ）を設定し、有効画角以上の部分ショット領域に対して型のパターンを一部でも不良ショットとならないようにパターンを形成する場合がある。
【００３８】
そこで、ここでは部分ショット領域５２１、５２２、５２３、５２４を用いて異物除去工程を行う場合について説明する。いずれの部分ショット領域もパターン欠陥が生じてもデバイスなどの生産に影響がないショット領域である。例えば有効画角以下の部分ショット領域を選択する。
【００３９】
異物除去工程では部分ショット領域５２１、５２２、５２３、５２４のそれぞれに対して、図３で説明したＳ３３の供給工程、Ｓ３４の押印工程（接触工程）、Ｓ３５の硬化工程、Ｓ３６の離型工程を行う。部分ショット領域の上に供給された未硬化樹脂と型５のパターンとを接触させ（接触工程）、接触させた状態で硬化させることで、型５に付着した異物を硬化した樹脂に移すことができ、型５に付着した異物を除去することができる。
【００４０】
図６は型５と型５に形成されたパターン領域５ｂを示した図である。部分ショット領域上にパターンを転写することで、パターン領域５ｂと樹脂とが接触した領域を斜線で示している。一般的に、型５のパターン領域５ｂのどの箇所に異物が付着しているか分からないことが多い。そのため、異物除去工程では型５のパターン領域５ｂの全面に未硬化樹脂と接触させるのが望ましい。そこで、部分ショット領域５２１、５２２、５２３、５２４にパターンを形成した場合を考える。図６Ａは、部分ショット領域５２１でパターンを転写する場合、パターン領域５ｂが未硬化樹脂と接触する領域を斜線で示している。図６Ｂは、部分ショット領域５２２でパターンを転写する場合、パターン領域５ｂが未硬化樹脂と接触する領域を斜線で示している。図６Ｃは、部分ショット領域５２３でパターンを転写する場合、パターン領域５ｂが未硬化樹脂と接触する領域を斜線で示している。図６Ｄは、部分ショット領域５２４でパターンを転写する場合、パターン領域５ｂが未硬化樹脂と接触する領域を斜線で示している。図６Ａ〜図６Ｄで示した樹脂が接触する領域を合わせると、型５のパターン領域５ｂの全面に未硬化樹脂と接触していることが分かる。
【００４１】
部分ショット領域５２であれば何れのショット領域を選択しても良い場合は、異物除去工程として最初にすべての部分ショット領域５２にパターンを形成しても良い。
【００４２】
また、パターン領域５ｂの全面に未硬化樹脂と接触させるのが望ましいので、異物除去工程で、部分ショット領域５２６、５２７を選択してインプリントを行っても良い。図７は型５と型５に形成されたパターン領域５ｂを示した図である。部分ショット領域上にパターンを転写することで、パターン領域５ｂと樹脂とが接触した領域を斜線で示している。部分ショット領域５２６、５２７にインプリントを行った場合を考える。図７Ａは、部分ショット領域５２６でパターンを転写する場合、パターン領域５ｂが未硬化樹脂と接触する領域を斜線で示している。図７Ｂは、部分ショット領域５２７でパターンを転写する場合、パターン領域５ｂが未硬化樹脂と接触する領域を斜線で示している。図７Ａおよび図７Ｂで示した樹脂が接触する領域を合わせると、型５のパターン領域５ｂの全面に未硬化樹脂と接触していることが分かる。
【００４３】
また、部分ショット領域５２５のように、パターン領域５ｂと接触しない領域がわずかであれば、部分ショット領域５２５にインプリントを行うだけでも良い。
【００４４】
このように、部分ショット領域５２を用いてＳ３２の異物除去工程を行った後に、Ｓ３３に進み、他のショット領域に順次パターンを形成していくことで、型５に付着した異物の影響を低減して基板上のショット領域にパターンを形成することができる。
【００４５】
（第２実施形態）
インプリント装置ＩＭＰに搬入された基板１に、異物や下地のレイヤーの欠陥（エラー）が存在していて、インプリント装置でパターンを形成したとしても不良ショットとなってしまうショット領域が含まれることがある。基板１のショット領域のうちエラーを有するショット領域をここではエラーショット領域と呼び、エラーを有さないショット領域を正常ショット領域と呼ぶ。
【００４６】
Ｓ３２の異物除去工程を、基板１上のショット領域のうち、正常ショット領域で行うと、型に付着した異物の影響でショット領域が不良ショットとなってしまい、生産性が低下する。
【００４７】
第２実施形態の異物除去工程では基板１上のショット領域のうち、エラーショット領域で行う。Ｓ３２の異物除去工程でエラーショット領域にパターンを形成することで、生産性の低下を抑えて、型５に付着した異物を除去することができる。
【００４８】
図８を用いて第２実施形態について説明する。図８は基板１上の複数のショット領域６１を示した図である。図８に示したそれぞれの矩形領域がショット領域６１を示す。矩形領域は、型５に形成されているパターン領域と一致している。複数のショット領域６１には、エラーショット領域６２と、正常ショット領域６３を有する。ここでは、基板１上にエラーショット領域６２１、６２２（図８の斜線で示したショット領域）を有する場合について説明する。また、ここでは他のショット領域を正常ショット領域とする。正常ショット領域は、第１実施形態で説明したフルショット領域に限らず、部分ショット領域を含んでいても良い。
【００４９】
エラーショット領域６２は、インプリント装置ＩＭＰに搬入する前にパターンに欠陥が存在していることが分かっているショット領域である。例えば、エラーショット領域の数や場所の情報は、インプリント装置ＩＭＰに搬入する前に基板１を検査することで事前に得ることができる。インプリント装置ＩＭＰに基板１を搬入する際、事前に得られたエラーショット領域に関する情報を制御部ＣＮＴのメモリＭＲＹに格納する。図３に示すインプリントサイクルが実施される際、制御部ＣＮＴのメモリＭＲＹに格納されたエラーショット領域に関する情報を基に、異物除去工程ではエラーショット領域に最初にパターンを形成する。
【００５０】
通常は、正常ショット領域６３１、６３２、６３３、６３４、６３５を順にパターンを形成する。最初にパターンを形成した正常ショット領域６３１に型５に付着した異物の影響でパターンを正確に転写することができない恐れがある。
【００５１】
そこで、正常ショット領域６３にパターンを形成する前に、Ｓ３２の異物除去工程においてエラーショット領域６２にパターンを形成する。ここではエラーショット領域６２１、６２２を用いて異物除去工程を行う場合について説明する。いずれのエラーショット領域もインプリント工程によってパターン欠陥が生じてもデバイスなどの生産に影響がないショット領域である。
【００５２】
異物除去工程ではエラーショット領域６２１、６２２のそれぞれに対して、図３で説明したＳ３３の供給工程、Ｓ３４の押印工程（接触工程）、Ｓ３５の硬化工程、Ｓ３６の離型工程を行う。エラーショット領域の上に供給された未硬化樹脂と型５のパターンとを接触させ（接触工程）、接触させた状態で硬化させることで、型５に付着した異物を硬化した樹脂に移すことができ、型５に付着した異物を除去することができる。
【００５３】
エラーショット領域６２を用いてＳ３２の異物除去工程を行った後に、Ｓ３３に進み、正常ショット領域に順次パターンを形成していくことで、型５に付着した異物の影響を低減して基板上のショット領域にパターンを形成することができる。
【００５４】
（その他の事項）
いずれの実施形態も型５に付着した異物を除去することを目的とした異物除去工程として説明した。しかし、型５に異物が付着していない場合でも、最初に部分ショット領域やエラーショット領域にパターンを形成するとよい。
【００５５】
未硬化樹脂の中には離型剤等の成分が一定濃度で添加されている。離型剤は、Ｓ３４の押印工程時に未硬化樹脂に型５を押し付けることで、未硬化樹脂から型側にしみ出し、膜状に付着する。型側に離型剤の膜が形成されることにより、Ｓ３６の離型工程時に硬化した樹脂から型５が離れやすくなる。離型性能が改善され離型時に生じるパターン欠陥を減らすことができる。Ｓ３４の押印工程時に型側に膜が形成されるが、予め膜が形成されている状態で未硬化樹脂と型を押し付け、Ｓ３６の離型工程を行うことで、より安定した離型性能を確保することができる。
【００５６】
しかし、型側に膜が形成されていても長期間（例えば、インプリント装置から基板を搬出して新たな基板を搬入する期間）放置した場合は、離型剤が揮発し型側に離型剤の膜が無くなることがある。そのため、インプリント装置に基板が搬入された後、最初に部分ショット領域やエラーショット領域にパターンを形成することで、型側に離型剤の膜を形成することができる。フルショット領域や正常ショット領域にパターンを形成する際、安定した離型性能を確保することができ、離型時に生じるパターン欠陥を減らすことができる。
【００５７】
いずれの実施形態も部分ショット領域やエラーショット領域にパターンを形成する工程（ダミーインプリント）をＳ３２の異物除去工程として説明した。しかし、異物除去工程で行うパターン形成も、その後Ｓ３３〜Ｓ３６で行うパターンの形成も基本的には同じ手順（方法）で行われる。そのため、Ｓ３２の異物除去工程を特別に設けなくても良い。この場合、Ｓ３１でインプリント装置ＩＭＰに基板１を搬入した後、Ｓ３３で供給工程を行う際に、部分ショット領域やエラーショット領域に最初に未硬化樹脂を供給する。基板１の複数のショット領域に対し、部分ショット領域やエラーショット領域からパターンを形成するように、パターンを形成する順番を決めてインプリントサイクルを実行する。最初の数ショット領域（部分ショット領域、エラーショット領域）にパターンを形成する（ダミーインプリント）ことで、型５に付着した異物を除去する。
【００５８】
いずれの実施形態も光として紫外光を用いたインプリント装置について説明した。しかしながら、光として紫外光に限らず他の波長域の光の照射によって樹脂を硬化させるインプリント方法でも良い。この場合は、照射する光の波長に応じてインプリント材を適宜選択すればよい。さらに光を用いたインプリント方法に限らず、他のエネルギー（例えば、熱）を用いて樹脂を硬化させるインプリント方法にも本発明を適用することが可能である。
【００５９】
（デバイス製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路デバイス、液晶表示デバイス、ＭＥＭＳ等）の製造方法は、前述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された前記基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の処理の工程を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００６０】
ＩＭＰ  インプリント装置
１  基板
３  基板ステージ
５  型
６  光源
５１  ショット領域
５２  部分ショット領域
５３  フルショット領域
６２  ショット領域
６２  エラーショット領域
６３  正常ショット領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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