(57)【要約】  【課題】  上下に隣り合う樹脂絶縁層の層間の応力を抑制することができる多層配線基板を提供する。  【解決手段】  多層配線基板１であって、セラミック基板１０と、セラミック基板１０上に積層された複数の樹脂絶縁層２と、複数の樹脂絶縁層２の層間に設けられた、樹脂絶縁層２より引張弾性率およびも熱膨張係数が大きい薄膜導体層３と、樹脂絶縁層２を厚み方向に貫通する、上下に位置する薄膜導体層２同士を電気的に接続するビア導体４とを備えており、薄膜導体層３に近接して絶縁層５が樹脂絶縁層２に設けられており、絶縁層５は、引張弾性率が樹脂絶縁層２よりも大きく、熱膨張係数が樹脂絶縁層２よりも小さい。【選択図】  図１
2015012013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板と、
該セラミック基板上に積層された複数の樹脂絶縁層と、
該複数の樹脂絶縁層の層間に設けられた、前記樹脂絶縁層よりも引張弾性率および熱膨張係数が大きい薄膜導体層と、
前記樹脂絶縁層を厚み方向に貫通する、上下に位置する前記薄膜導体層同士を電気的に接続するビア導体とを備えており、
前記薄膜導体層に近接して絶縁層が前記樹脂絶縁層に設けられており、前記絶縁層は、引張弾性率が前記樹脂絶縁層よりも大きく、熱膨張係数が前記樹脂絶縁層よりも小さいことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の多層配線基板と、
最上層の前記樹脂絶縁層の上面に露出している前記薄膜配線導体層に接続されたプローブとを備えることを特徴とするプローブカード用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板上に複数の樹脂絶縁層と薄膜導体層とが設けられた多層配線基板およびその多層配線基板を備えたプローブカード用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を上面の端子に接続し、この端子と電気的に接続された下面の接続パッドを外部電気回路に電気的に接続するための配線基板（スペーストランスフォーマー基板）として、セラミック基板上に樹脂絶縁層および薄膜導体層からなる薄膜配線部が設けられてなる多層配線基板が用いられている。多層配線基板は、例えば、半導体素子の電気的な検査を行なう、いわゆるプローブカード用の基板として用いられている。
【０００３】
多層配線基板において、薄膜配線部は、銅のめっき層等からなる薄膜導体層が複数の樹脂絶縁層の層間に設けられており、また、樹脂絶縁層を厚み方向に貫通するビア導体が設けられている。ビア導体の端部が薄膜導体層に接続しており、このビア導体を介して、上下の薄膜導体層同士が互いに電気的に接続されている。
【０００４】
また、セラミック基板は、例えば、その上面から下面にかけて配線導体が設けられている。配線導体のうちセラミック基板の上面に位置する部分に薄膜導体層が電気的に接続される。この配線導体を介して、薄膜導体層がセラミック基板の下面に電気的に導出され、外部の電気回路と電気的に接続される。このような多層配線基板としては、例えば、特許文献１に開示されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２１４８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
多層配線基板においては、樹脂絶縁層とセラミック基板との熱膨張係数の差に起因した樹脂絶縁層の剥がれ等を抑制するために、従来よりも熱膨張率が小さい樹脂材料からなる樹脂絶縁層が用いられるようになってきている。
【０００７】
しかしながら、薄膜導体層の熱膨張率が樹脂絶縁層の熱膨張率よりも大きいため、例えば、電子部品を実装する際に加わる熱、あるいは、プローブカードとしての作動時に加わる熱等により、樹脂絶縁層よりも薄膜導体層の方が大きく熱膨張しようとする。この際に、薄膜導体層の一部が横方向に変形する可能性があり、このような変形による応力によって薄膜導体層と樹脂絶縁層との間で剥がれが生じやすくなるという問題点があった。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄膜導体層に近接して、熱膨張係数が樹脂絶縁層よりも小さく、引張弾性率が樹脂絶縁層よりも大きい絶縁層を設けることによって、薄膜導体層の変形が抑制されて薄膜導体層と樹脂絶縁層との間で剥がれを生じにくくすることができる多層配線基板およびそれを備えたプローブカード用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る多層配線基板は、セラミック基板と、該セラミック基板上に積層された複数の樹脂絶縁層と、該複数の樹脂絶縁層の層間に設けられた、前記樹脂絶縁層よ
りも引張弾性率および熱膨張係数が大きい薄膜導体層と、前記樹脂絶縁層を厚み方向に貫通する、上下に位置する前記薄膜導体層同士を電気的に接続するビア導体とを備えており、前記薄膜導体層に近接して絶縁層が前記樹脂絶縁層に設けられており、前記絶縁層は、引張弾性率が前記樹脂絶縁層よりも大きく、熱膨張係数が前記樹脂絶縁層よりも小さいことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の他の態様に係るプローブカード用基板は、本発明に係る多層配線基板と、最上層の前記樹脂絶縁層の上面に露出している前記薄膜配線導体層に接続されたプローブとを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の多層配線基板およびそれを備えたプローブカード用基板によれば、薄膜導体層に近接して、熱膨張係数が樹脂絶縁層よりも小さく、引張弾性率が樹脂絶縁層よりも大きい絶縁層を設けることによって、薄膜導体層の変形が抑制されて薄膜導体層と樹脂絶縁層との間で剥がれを生じにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る多層配線基板およびプローブカード用基板を示す断面図、（ｂ）は、（ａ）に示す多層配線基板およびプローブカード用基板の上面の要部を示す平面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す多層配線基板およびプローブカード用基板のＸ−Ｘにおける断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示す多層配線基板およびプローブカード用基板の絶縁樹脂層に設けられた薄膜導体層の配置を示す平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、樹脂絶縁層に設けられる絶縁層の形状を説明するための説明図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、樹脂絶縁層に設けられる絶縁層の形状を説明するための説明図である。
【図５】（ａ）および（ｄ）は、樹脂絶縁層に設けられる絶縁層の形状を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る多層配線基板およびそれを備えたプローブカード用基板について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、光装置２は、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の語を用いるものとする。
【００１４】
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００１５】
＜実施の形態＞
本発明の実施の形態に係る多層配線基板およびプローブカード用基板について、図１乃至図５を参照しながら以下に説明する。
【００１６】
多層配線基板１は、図１に示すように、セラミック基板１０と、セラミック基板１０上に積層された複数の樹脂絶縁層２と、複数の樹脂絶縁層２の層間に設けられた薄膜導体層３と、複数の樹脂絶縁層２を厚み方向に貫通しているビア導体４と、薄膜導体層３に近接して設けられた絶縁層５とを有している。
【００１７】
そして、図１に示すように、樹脂絶縁層２の最上層においては、薄膜導体層３は、樹脂
絶縁層２ａに設けられており、また、上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間においては、薄膜導体層３は、上下に隣り合う樹脂絶縁層２のうち一方の樹脂絶縁層２に設けられている。また、薄膜導体層２は、引張弾性率および熱膨張係数が樹脂絶縁層２よりも大きい。そして、絶縁層５は、図１（ａ）に示すように、薄膜導体層３に近接して樹脂絶縁層２に設けられている。この絶縁層５は、熱膨張係数が樹脂絶縁層２よりも小さく、また、引張弾性率が樹脂絶縁層２よりも大きい。ビア導体４は、樹脂絶縁層２に設けられており、上下に位置する薄膜導体層３同士を電気的に接続している。また、複数の樹脂絶縁層２の層間において、薄膜導体層２は、上下に隣り合う樹脂絶縁層２の両方に配置されるように設けられていてもよい。
【００１８】
また、多層配線基板１は、図１（ａ）に示すように、薄膜導体層３が樹脂絶縁層２の最上層の上面に設けられており、この薄膜導体層３にプローブ２１が接続されてプローブカード用基板となる。
【００１９】
セラミック基板１０は、多層配線基板１の全体の機械的な強度を確保する機能を有している。セラミック基板１０は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体等からなるセラミック絶縁層１１のセラミック絶縁基体（符号なし）と、セラミック絶縁層１１の主面に設けられた配線導体１２と、セラミック絶縁層１１を厚み方向に貫通している貫通導体１３とを有している。なお、セラミック絶縁層１１は、図１では、単層の場合を例示しているが、単層に限らず、複数層で構成されていてもよい。
【００２０】
セラミック基板１０は、上面に配線導体１２が設けられ、この配線導体１２が薄膜導体層３と電気的に接続される。また、セラミック基板１０は、下面に配線導体１２が設けられ、この配線導体１２が外部の電気回路（図示せず）と電気的に接続される。
【００２１】
セラミック基板１０は、例えば、ムライト質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、ムライトを主成分とする原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して作製したスラリーをドクターブレード法等のシート成形技術を用いてシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工を用いて所定の形状および寸法にするとともに、これを、約１３００（℃）〜１５００（℃）の温度で焼成することによってセラミック基板１０を製作することができる。
【００２２】
配線導体１２は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム金または白金等の金属材料によって形成されている。または、これらの金属材料を主成分とする合金等によって形成されている。これらの金属材料等は、例えば、メタライズ法またはめっき法等の方法を用いてセラミック基板１０の所定部位に形成されている。
【００２３】
また、配線導体１２は、例えば、タングステンからなる場合であれば、タングステンのペーストをセラミック基板１０となるセラミックグリーンシートの表面やあらかじめ形成しておいた貫通孔の内部等に塗布または充填し、セラミックグリーンシートと同時焼成することによって形成することができる。
【００２４】
樹脂絶縁層２は、薄膜導体層３を形成するための基材として機能するとともに、薄膜導体層３同士の電気的な絶縁性を確保するための絶縁材としても機能している。樹脂絶縁層２は、例えば、長方形状または正方形状等の四角形状、あるいは、円形状等の形状で層状に形成されている。また、樹脂絶縁層２の厚みは、例えば、１２．５（μｍ）〜５０（μｍ）である。
【００２５】
また、樹脂絶縁層２は、例えば、液晶ポリマー、ポリイミド、ポリエーテルイミド樹脂
またはポリアミドイミド樹脂等の熱可塑性樹脂材料で形成されている。液晶ポリマーとしては、例えば、ポリエステル系の液晶ポリマー等が挙げられる。特に、液晶ポリマーは、低熱膨張であり、誘電率が低く、また、誘電損失が小さく、これらの電気特性に優れているため、高速伝送において優れた性能を示す。例えば、多層配線基板１をプローブカード用基板として用いる場合には、半導体素子の検査時における信号速度が高速化しており、樹脂絶縁層２に液晶ポリマーを用いることによって、この高速伝送特性の要求を満たすことができる。
【００２６】
複数の樹脂絶縁層２の積層体は、樹脂絶縁層２が熱可塑性樹脂材料からなる場合であれば、樹脂絶縁層２となる上述の樹脂材料の未硬化物を所定のフィルム状に成形して、このフィルム状等の複数の熱可塑性樹脂を積層し、加熱して互いに密着させることによって作製することができる。
【００２７】
薄膜導体層３は一部がセラミック基板１０の上面の配線導体１２と電気的に接続されている。これにより、多層配線基板１は、最上層の樹脂絶縁層２の上面の薄膜導体層３とセラミック基板１０の下面の配線導体１２とを結ぶ導電路が形成される。すなわち、薄膜導体層３は、多層配線基板１を厚み方向に電気的に導通する導電路の一部を形成している。
【００２８】
例えば、薄膜導体層３は最上層の樹脂絶縁層２の上面に露出しており、半導体素子（図示せず）の電極とプローブ２１を介して電気的に接続される。また、配線導体１２は、セラミック基板１０の下面に設けられており、この配線導体１２が電気的な特性計測等の外部電気回路（図示せず）に電気的に接続される。この場合には、多層配線基板１は、プローブカード用基板として用いられ、プローブカード用基板を介して半導体素子と外部電気回路とが電気的に接続され、半導体素子に対する電気的な特性等の検査が行なわれる。また、外部の電気回路は、半導体ウエハの作動を検査する検査回路であり、これにより、半導体ウエハの各半導体素子が正常に作動するか否かが検査される。
【００２９】
薄膜導体層３は、図２に示すように、各樹脂絶縁層２の上面部に設けられている。薄膜導体層３は、ランド部３ａと引出配線部３ｂで構成されており、ランド部３ａは上下の樹脂絶縁層２に設けられたビア導体４の端部同士を電気的に接続するためのものであり、引出配線部３ｂはランド部３ａとこれらのランド部３ａ間を繋いで電気的に接続するためのものである。このように、薄膜導体層３は、図２に示すように、樹脂絶縁層２の同一面上にランド部３ａと引出配線部３ｂとで配線パターンを形成している。
【００３０】
また、図２に示すように、樹脂絶縁層２の上面には、所定の配線パターンとなるように、複数のランド部３ａおよびランド部３ａを繋ぐ引出配線３ｂが設けられている。また、多層配線基板１の樹脂絶縁層２ａ〜２ｅが、図２の（ａ）〜（ｅ）にそれぞれ対応している。すなわち、図１（ａ）に示している多層配線基板１の断面図は、図２に示す各樹脂絶縁層２のＡ−Ａにおける断面に対応している。なお、図２では、絶縁層５を省略して示している。
【００３１】
また、ビア導体４が樹脂絶縁層２に設けられており、ビア導体４のビア径よりもランド部３ａが大きいと、ランド部３ａは、ランド部３ａとビア導体４の端部同士とを電気的に接続する際に、接続の容易さおよび接続の確実さを向上させる。また、薄膜導体層３は、ランド部３ａの場合には、例えば、平面視において円形状のビア導体４に対して同心円状の円形状のパターンで設けることができる。なお、薄膜導体層３は、平面視におけるランド部３ａの形状が円形状のパターンに限らない。ランド部３ａは、ビア導体４と薄膜導体層３との電気的な接続が可能な形状であればよく、例えば、円形状のビア導体４に対して四角形状のパターンであってもよい。
【００３２】
薄膜導体層３は、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルトまたはチタン等の金属材料からなる。また、薄膜導体層３は、これらの金属材料の合金材料からなるものであってもよい。
【００３３】
また、薄膜導体層３は、上述の金属材料をスパッタリング法、蒸着法またはめっき法等を用いて樹脂絶縁層２の主面に被着させ、必要に応じてマスキングやエッチング等のトリミング加工を施すことによって、樹脂絶縁層２の上面に所定のパターンで形成することができる。すなわち、薄膜導体層３は、ランド部３ａおよび引出配線部３ｂが樹脂絶縁層２の上面の所定の位置に形成される。薄膜導体層３は、厚みが、例えば、２（μｍ）〜１０（μｍ）である。また、薄膜導体層３は、ランド部３ａが円形状であれば、直径が、例えば、５０（μｍ）〜４００（μｍ）であり、引出配線部３ｂであれば、配線幅が、例えば、１０（μｍ）〜５０（μｍ）である。
【００３４】
また、樹脂絶縁層２には、ビア導体４が樹脂絶縁層２の厚み方向に貫通して設けられており、このビア導体４を介して、上下に位置する薄膜導体層３同士が互いに電気的に接続されている。ビア導体４は、上端部が上側に位置する薄膜導体層３の下面に直接に接続されており、また、ビア導体４は、下端部が下側に位置する薄膜導体層３の上面に直接に接続されている。ビア導体４は、図１に示すように、断面視の形状が下底より上底が小さい台形状で設けられているが、これに限らず、下底より上底が大きい台形状であっても、または、樹脂絶縁層２の上下方向で同じ幅を有する四角形状であってもよい。
【００３５】
ビア導体４は、例えば、スズ−銀等のはんだ、銅、銀、錫、ビスマス、インジウム、クロム、ニッケルまたはチタン等の金属材料、あるいは、これらの金属材料の合金材料の少なくとも一種からなる。
【００３６】
また、ビア導体４は、厚み方向に貫通する貫通孔（ビアホール、符号なし）を形成し、この貫通孔内にビア導体となる導体材料を、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法等を用いて充填することによって形成することができる。また、ビア導体４は、貫通孔内に導体ペーストを充填する方法を用いて充填することによって形成することができる。
【００３７】
貫通孔は、例えば、樹脂絶縁層２の一部に、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法を用いて形成することができる。また、貫通孔は、反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたは溶剤によるエッチング等の孔あけ加工法を用いて形成することができる。
【００３８】
絶縁層５は、図１に示すように、薄膜導体層３に近接して薄膜導体層３が設けられている樹脂絶縁層２に設けられている。絶縁層５は、上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間においては、図１に示すように、上面が上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間に沿うように設けられている。すなわち、絶縁層５は、上面が上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間に接するように、薄膜導体層３に近接して設けられている。また、絶縁層５は、図１に示すように、樹脂絶縁層２の最上層においては、樹脂絶縁層２ａの上面と同一平面になるように樹脂絶縁層２ａに薄膜導体層２に近接して設けられている。絶縁層５は、引張弾性率が樹脂絶縁層２よりも大きく、熱膨張係数が樹脂絶縁層２よりも小さく設定されている。
【００３９】
図１（ｂ）は、最上層の樹脂絶縁層２ａを上から見た平面図であり、樹脂絶縁層２ａの上面に、薄膜導体層３と絶縁層５とが設けられており、薄膜導体層３と絶縁層５との配置の状態を示している。絶縁層５は、図１（ｂ）に示すように、平面視において形状が四角形状を有している。１つのランド部３ａに対して、４つの四角形状の絶縁層５が樹脂絶縁層２に設けられており、これらの絶縁層５が１つのランド部３ａの周囲にランド部３ａに近接するように設けられている。また、ランド部３ａと絶縁層５との距離は、最も短いと
ころで、例えば、例えば、５０（μｍ）〜２００（μｍ）である。
【００４０】
また、絶縁層５は、四角形状の一辺の長さが、例えば、４００（μｍ）〜１、０００（μｍ）であるが、一辺の長さは、薄膜導体層３の大きさ等を考慮して適宜設定される。また、絶縁層５の厚みは、例えば、５（μｍ）〜１２μｍ）である。
【００４１】
絶縁層５は、ポリイミド樹脂等の樹脂材料、あるいは、ガラス材料等の材料からなる。また、絶縁層５の熱膨張係数は、例えば、０（×１０−６／℃）〜３（×１０−６／℃）であり、具体的には、ポリイミド樹脂の熱膨張係数は、例えば、２（×１０−６／℃）〜３（×１０−６／℃）であり、ガラス材料の熱膨張係数は、例えば、０（×１０−６／℃）〜１（×１０−６／℃）である。また、樹脂絶縁層２の熱膨張係数は、例えば、５（×１０−６／℃）〜８（×１０−６／℃）であり、具体的には、液晶ポリマーの熱膨張係数は、例えば、５（×１０−６／℃）〜８（×１０−６／℃）である。薄膜導体層３の熱膨張係数は、例えば、１６（×１０−６／℃）〜１８（×１０−６／℃）である。
【００４２】
さらに、絶縁層５の引張弾性率は、例えば、８（ＧＰａ）〜６８（ＧＰａ）であり、具体的には、ポリイミド樹脂の引張弾性率は、例えば、８（ＧＰａ）〜１０（ＧＰａ）であり、ガラス材料の引張弾性率は、例えば、６０（ＧＰａ）〜６８（ＧＰａ）である。また、樹脂絶縁層２の引張弾性率は、例えば、２（ＧＰａ）〜３（ＧＰａ）であり、具体的には、液晶ポリマーの引張弾性率は、例えば、２（ＧＰａ）〜３（ＧＰａ）である。また、薄膜導体層３の引張弾性率は、例えば、１１０（ＧＰａ）〜１３０（ＧＰａ）である。
【００４３】
絶縁層５は、例えば、薄膜導体層３と同様に熱プレス法等を用いて樹脂絶縁層２に圧入することで形成することができる。
【００４４】
多層配線基板においては、樹脂絶縁層２と薄膜導体層３との熱膨張率とが互いに異なっており、例えば、上下に隣り合う樹脂絶縁層２同士の間の層間で剥がれが生じやすくなる。このように、樹脂絶縁層２と薄膜導体層３との間では、熱膨張の差に起因する熱応力が生じており、この熱応力が剥がれを生じさせている。特に、樹脂絶縁層２がセラミック基板１０と同じ程度の熱膨張係数を有する場合には、薄膜導体層２と樹脂絶縁層５との熱膨張の差による熱応力が大きくなりやすい。この熱応力は、上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間において、薄膜導体層３の側面に隣接する樹脂絶縁層２の領域で発生しやすくなる。
【００４５】
このように、熱応力が発生しやすい領域では、薄膜導体層３は、熱膨張係数が樹脂絶縁層２よりも大きいので、加わる熱等よって、樹脂絶縁層２よりも大きな熱膨張が生じて、樹脂絶縁層２と薄膜導体層３との間に熱応力が発生して、樹脂絶縁層２と薄膜導体層３との間で剥がれまたはクラック等が生じる虞がある。
【００４６】
しかしながら、多層配線基板１では、図１に示すように、熱応力が発生しやすい領域に、絶縁層５が薄膜導体層３に近接して樹脂絶縁層２に設けられている。そして、この絶縁層５は、樹脂絶縁層２よりも熱膨張率が小さく、樹脂絶縁層２よりも引張弾性率が大きくなるように設けられている。したがって、樹脂絶縁層２において、絶縁層５は、熱膨張によって薄膜導体層３の一部が横方向に変形するのを抑制するので、上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間の剥がれを生じにくくすることができる。
【００４７】
また、樹脂絶縁層２が薄膜導体層２と絶縁層５との間に位置しており、この樹脂絶縁層２が薄膜導体層３の変形を一部吸収することで、上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間において、薄膜導体層３の熱膨張による横方向の熱応力を効果的に抑制することができる。
【００４８】
すなわち、絶縁層５は、樹脂絶縁層２よりも熱膨張係数が小さく、樹脂絶縁層２よりも
引張弾性率が大きくなるように設けられ、薄膜導体層３と樹脂絶縁層２との間に配置されることによって、薄膜導体層３の熱膨張による変形を抑制することができる。絶縁層５は、樹脂絶縁層２よりも引張弾性率が大きいので、薄膜導体層３の側面に位置する樹脂絶縁層２の領域においても薄膜導体層３の熱膨張による横方向への変形を抑制することができる。
【００４９】
また、この場合においては、絶縁層５の配置によって、薄膜導体層３は、上方向（Ｚ方向）の応力が加わりやすくなるが、樹脂絶縁層２は、薄膜導体層２および絶縁層５よりも引張弾性率が小さく縮みやすいので、薄膜導体層３の変形を吸収することができる。したがって、絶縁層５が薄膜導体層３の熱膨張のよる変形を抑制するとともに、薄膜導体層３の熱膨張による変形を薄膜導体層２と絶縁層５との間に位置する樹脂絶縁層２が吸収して薄膜導体層３に生じる応力を緩和することができる。
【００５０】
上述では、絶縁層５が上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間に設けられている場合で説明したが、絶縁層５が最上層の樹脂絶縁層２に設けられている場合でも同様な効果を得ることができる。
【００５１】
したがって、多層配線基板１は、上下に隣り合う樹脂絶縁層２の層間に、熱膨張によって薄膜導体層３の横方向に熱応力が働いても、絶縁層５が薄膜導体層３の変形を抑制するとともに、樹脂絶縁層２が応力を緩和することができるので、層間に剥がれまたはクラック等の発生が抑制される。
【００５２】
また、多層配線基板１は、絶縁層５が薄膜導体層３に近接して樹脂絶縁層２に設けられているので、樹脂絶縁層２の全体にわたって熱膨張による変形が抑制される。したがって、多層配線基板１は、セラミック基板１０との熱膨張差が小さくなり、全体の応力が緩和される。
【００５３】
絶縁層５は、図１（ｂ）に示すように、４つの絶縁層５が薄膜導体層３の周囲に近接して設けられているが、これに限らない。
【００５４】
ここで、樹脂絶縁層２に設けられた絶縁層５の他の例について以下に説明する。
【００５５】
図３では、薄膜導体層３のランド部３ａが並んで設けられている場合を例示している。絶縁層５ａがランド部３ａに近接して設けられており、図１（ｂ）の絶縁層５の配置の構成と比べて、図３（ａ）では、ランド部３ａ間に１つの絶縁層５を設ける構成であり、隣接するランド部３ａで絶縁層５ａを共有している。このような構成によって、樹脂絶縁層２において、熱膨張率の小さい絶縁層５の割合が大きくなることから、多層配線基板１とセラミック基板１０との熱膨張差が小さくなり、その熱膨張差に起因した応力が小さくなる。また、絶縁層５ａは、薄膜導体層３に対して配置の構成が簡素化されるので、薄膜導体層３に近接して樹脂絶縁層２に容易に設けることができる。
【００５６】
図３（ｂ）、図３（ｃ）および図３（ｄ）では、絶縁層５が薄膜導体層３のランド部３ａを取り囲むように設けられている。図３（ｂ）では、平面視において四角形状の絶縁層５ｂがランド部３ａを取り囲むように設けられている。また、図３（ｃ）では、平面視において円形状の絶縁層５ｃがランド部３ａを取り囲むように設けられている。このように、絶縁層５ｂ（５ｃ）がランド部３ａを取り囲むように設けられているので、全方向に応力を均一に緩和することができる。また、ランド部３ａが円形状の場合は、円形状の絶縁層５ｃで、また、ランド部３ａが四角形状の場合には、四角形状の絶縁層５ｂで、薄膜導体層３を取り囲んだ方が、より均一に応力を緩和することができる。
【００５７】
また、図３（ｄ）では、絶縁層５ｄがランド部３ａを取り囲むとともに、ランド３ａ間の領域を埋めるように設けられており、薄膜導体層３の応力をより多く緩和することができる。
【００５８】
図４では、薄膜導体層３のランド部３ａに引出配線部３ｂが設けられた場合を例示している。図４（ａ）では、４つの絶縁層５が薄膜導体層３の周囲に近接しており、絶縁層５の間に引出配線部３ｂが位置するように設けられている。また、図４（ｂ）では、引出配線部３ｂが設けられている部分を除いて、絶縁層５ｅでランド部３ａを取り囲んでいる。
【００５９】
また、図５は、ランド部３ａ間に引出配線部３ｂが設けられている場合を例示している。図５（ａ）では、絶縁層５がランド部３ａの周囲に近接しており、また、絶縁層５ｆが引出配線部３ｂの周囲に近接して設けられている。図５（ｂ）では、絶縁層５ｇがランド部３ａと引出配線部３ｂとを取り囲むように設けられている。
【００６０】
多層配線基板１は、積層された複数の樹脂絶縁層２の層間に、薄膜導体層３および絶縁層５が設けられ、上下の薄膜導体層３同士がビア導体４を介して互いに電気的に接続されることによって基本的に形成される。
【００６１】
このような形態の多層配線基板は、例えば、次のようにして製作されている。樹脂絶縁層２が熱可塑性樹脂からなる場合であれば、まず、ポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂のシート（フィルム等）を準備し、次に、銅箔を樹脂絶縁層２の上面に貼り付けた後、マスキングおよびエッチング等のパターン加工手段を用いて、銅箔を所定の薄膜導体層３のパターンに加工する。その後、熱プレスにより絶縁樹脂層２に、薄膜導体層３を埋め込む。なお、この場合には、薄膜導体層３は上面が絶縁樹脂層２から露出するように埋め込まれる。そして、薄膜導体層３に近接して絶縁層５を樹脂絶縁層２の上面に張り付けた後、マスキングおよびエッチングなどのパターン加工手段を用いて、絶縁層５を所定の絶縁層５のパターンに加工する。その後、熱プレスにより絶縁樹脂層２に、絶縁層５を埋め込む。その後、薄膜導体層３および絶縁層５を埋め込んだ面とは反対側から、所定位置に貫通孔を形成した後、貫通孔内に、例えば、導体ペーストを、印刷法を用いて充填する。その後、他の樹脂絶縁層２となる熱可塑性樹脂のシートを積層し、この積層体を加熱しながら上下に加圧して、熱可塑性樹脂のシート同士を互いに密着させる。この際に、互いに密着された上下の熱可塑性樹脂のシート（樹脂絶縁層２）同士の層間に、所定パターンの銅箔、つまり薄膜導体層３が設けられる。
【００６２】
なお、樹脂絶縁層２は、セラミック基板１０に対する熱膨張率の差を小さく抑えるために、セラミック基板１０と同じ程度の熱膨張係数の材料が用いられる。例えば、樹脂絶縁層２は、その熱膨張係数が酸化アルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体と同じ程度の樹脂材料が用いられる。なお、セラミック基板１０の熱膨張係数は、例えば、３（×１０−６／℃）〜４（×１０−６／℃）である。
【００６３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００６４】
１  多層配線基板（プローブカード用基板）
２  樹脂絶縁層
３  薄膜導体層
３ａ  ランド部
３ｂ  引出配線部
４  ビア導体
５  絶縁層
１０  セラミック基板
１１  セラミック絶縁層
１２  配線導体
１３  貫通導体
２１  プローブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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