(57)【要約】【課題】カルボン酸銀が配合されてなり、凹版印刷法での版かぶりを抑制できる銀インク組成物、並びに該銀インク組成物を用いて得られた導電体及び電子機器の提供。【解決手段】カルボン酸銀と、炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される一種以上の含窒素化合物と、還元性化合物と、が配合され、カルボン酸銀の配合量Ａ（モル）、含窒素化合物の配合量Ｂ（モル）及び還元性化合物の配合量Ｃ（モル）が、式（Ｉ）を満たす銀インク組成物；かかる銀インク組成物を用いて、金属銀を形成して得られた導電体；かかる導電体を基材上に備え、前記基材を筐体として備えた電子機器。Ｃ／Ａ≦０．３５Ｂ／Ａ＋０．５・・・・（Ｉ）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、
炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される一種以上の含窒素化合物と、
シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される一種以上の還元性化合物と、が配合されてなり、
前記カルボン酸銀の配合量Ａ（モル）、前記含窒素化合物の配合量Ｂ（モル）及び前記還元性化合物の配合量Ｃ（モル）が、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする銀インク組成物。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
Ｃ／Ａ≦０．３５Ｂ／Ａ＋０．５  ・・・・（Ｉ）
【請求項２】
請求項１に記載の銀インク組成物を用いて、金属銀を形成して得られたことを特徴とする導電体。
【請求項３】
請求項２に記載の導電体を基材上に備え、前記基材を筐体として備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹版印刷法への適用に好適な銀インク組成物、並びに該銀インク組成物を用いて得られた導電体及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
凹版印刷法は、パターン形成部に相当する凹部を表面に備えた凹版を用い、凹部に充填されたインク組成物を被印刷物に転写する印刷方式である。この凹版印刷法では、従来、目的以外の余分のインク組成物が被印刷物に転写されてしまい、目的とする印刷パターンが得られない、所謂版かぶりの発生という問題点がある。図１を参照して、この問題点についてより具体的に説明する。
【０００３】
凹版印刷法では、まず、図１（ａ）に示すように、凹版９の表面９ａ上に、インク組成物６を載せる。
次いで、ドクターブレード９０を用いて、凹版９に載せられたインク組成物６を凹版９の表面９ａ上で広げ（ドクタリングし）、図１（ｂ）に示すように、凹部９１にインク組成物６を充填する。このときは、ドクターブレード９０を、その先端部を凹版９の表面９ａに当接させた状態を維持しながら、凹版９上で矢印の方向に移動させることにより、インク組成物６をかいていく。これにより、インク組成物６は凹部９１に充填されるが、通常、凹部９１以外の凹版９の表面９ａ上には、薄膜状にインク組成物６がかき残された領域が存在する。
【０００４】
次いで、図１（ｃ）に示すように、凹版９に対してパッド８を矢印方向に相対的に下降させ、パッド８の表面８ａを凹版９の表面９ａに直接又はインク組成物６を介して接触（密着）させ、さらにパッド８を凹版９に対して相対的に引き上げることにより、図１（ｄ）に示すように、パッド８の表面８ａ上にインク組成物６を転写する。このとき、インク組成物６の物性が適正でないと、凹部９１のインク組成物６だけでなく、凹版９の表面９ａ上にかき残された余分のインク組成物６も、パッド８の表面８ａ上に転写されてしまう。
【０００５】
すると、図１（ｄ）に示すように、被印刷物（基材）７に対してパッド８を矢印方向に相対的に下降させ、インク組成物６が付着した表面８ａを被印刷物７の表面７ａに接触（密着）させて、さらにパッド８を被印刷物７に対して相対的に引き上げることにより、図１（ｅ）に示すように、パッド８上のインク組成物６を被印刷物７の表面７ａに転写して、目的とするパターンを印刷したときに、パッド８上の余分のインク組成物６も同時に被印刷物７の表面７ａに転写されてしまい、所謂版かぶりが発生して、最終的に目的とする印刷パターンが得られない。
ここでは、パッド８を用いる方法（パッド印刷法）について説明したが、パッド８を用いずにロール状のゴムブランケットを用いる方法（凹版オフセット印刷法）や、これらの中間転写体を経由せずに、直接凹版９を被印刷物７の表面７ａに接触させて印刷する方法（ダイレクトグラビア印刷法）もあり、これらの方法でも同様の版かぶりが発生してしまう。
【０００６】
そこで、版かぶりを抑制するために、通常はインク組成物の配合成分や配合量等を調節して、インク組成物が適正な物性を有するように微調整することが必要となる。
【０００７】
一方で、金属銀又はその形成材料が配合されてなる銀インク組成物は、基材上に金属銀の精密なパターンを形成し得るものとして注目されており、電子機器等の分野を中心にその利用が種々検討されてきている。そして、従来のインク組成物と同様に、凹版印刷法への適用が期待されている。しかし、このような銀インク組成物では、形成される金属銀に高い導電性が求められ、さらに高い印刷適性が必要とされる。ここで、高い導電性を有する金属銀を形成できるようにしつつ、印刷時の版かぶりも抑制できるように銀インク組成物の物性を微調整することは、従来非常に困難であった。
【０００８】
銀インク組成物としては、例えば、ヒドロキシル基を有するアミン類及びヒドロキシル基を有しないアミン類の配合比率を調節することで、樹脂を用いることなく凹版オフセット印刷法へ適用できる、金属銀ナノ粒子ペーストが開示されている（特許文献１参照）。この銀インク組成物は、１２０℃程度で加熱処理することで、金属銀を形成できるとされている。
しかし、特許文献１で開示されている銀インク組成物は、印刷時の版かぶりが十分に抑制可能か明らかではない。
【０００９】
さらに銀インク組成物としては、β−ケトカルボン酸銀等のカルボン酸銀が配合されてなるものが開示されており、特許文献１に記載の銀インク組成物よりもさらに低温での加熱処理で金属銀を形成できるため、凹版印刷法でもその利用が期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−２３８６２５号公報
【特許文献２】特開２００９−１１４２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、特許文献２で開示されているような、カルボン酸銀が配合されてなる銀インク組成物についても、凹版印刷法での版かぶりの抑制に特に適したものは、これまでに知られていない。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、カルボン酸銀が配合されてなり、凹版印刷法での版かぶりを抑制できる銀インク組成物、並びに該銀インク組成物を用いて得られた導電体及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される一種以上の含窒素化合物と、シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される一種以上の還元性化合物と、が配合されてなり、前記カルボン酸銀の配合量Ａ（モル）、前記含窒素化合物の配合量Ｂ（モル）及び前記還元性化合物の配合量Ｃ（モル）が、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする銀インク組成物を提供する。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
Ｃ／Ａ≦０．３５Ｂ／Ａ＋０．５  ・・・・（Ｉ）
【００１４】
また、本発明は、前記銀インク組成物を用いて、金属銀を形成して得られたことを特徴とする導電体を提供する。
また、本発明は、前記導電体を基材上に備え、前記基材を筐体として備えたことを特徴とする電子機器を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、カルボン酸銀が配合されてなり、凹版印刷法での版かぶりを抑制できる銀インク組成物、並びに該銀インク組成物を用いて得られた導電体及び電子機器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の凹版印刷法における版かぶりの発生を模式的に説明するための断面図である。
【図２】凹版印刷法の第一の実施形態を模式的に例示する断面図である。
【図３】凹版印刷法の第二の実施形態を模式的に例示する断面図である。
【図４】実施例及び比較例での各銀インク組成物におけるＢ／Ａ及びＣ／Ａの値をプロットしたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜銀インク組成物＞
本発明に係る銀インク組成物は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される一種以上の含窒素化合物（以下、単に「含窒素化合物」と略記することがある）と、シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上の還元性化合物と、が配合されてなり、前記カルボン酸銀の配合量Ａ（モル）、前記含窒素化合物の配合量Ｂ（モル）及び前記還元性化合物の配合量Ｃ（モル）が、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
Ｃ／Ａ≦０．３５Ｂ／Ａ＋０．５  ・・・・（Ｉ）
【００１８】
前記銀インク組成物は、凹版印刷用として特に優れたものであり、前記配合量Ａ（モル）〜Ｃ（モル）が前記式（Ｉ）で表される特定の関係を満たすことで、凹版印刷法での版かぶりを抑制できる顕著な効果を奏する。前記式（Ｉ）やこれに類似する式で表される関係は、銀インク組成物はもとより、各種印刷法で用いるインク組成物において、従来全く知られていなかったものである。
【００１９】
［カルボン酸銀］
前記カルボン酸銀は、加熱等によって分解し、金属銀を形成するものである。
本発明において、カルボン酸銀は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【００２０】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【００２１】
【化１】
2015086304.tif 000002
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基であり；
Ｙ１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【００２２】
【化２】
2015086304.tif 000003
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【００２３】
（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基である。
【００２４】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。
【００２５】
Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
【００２６】
Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。
【００２７】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【００２８】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００２９】
ＲにおけるＹ１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」及び「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」においては、それぞれ複数個のＹ１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３０】
ＲにおけるＲ１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）であり、Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ４及びＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００３１】
Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。
【００３２】
一般式（１）において、Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘ１における炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００３３】
Ｘ１におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
Ｘ１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３４】
Ｘ１におけるＲ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ７における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。また、Ｒ７におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘ１において隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。
【００３５】
一般式（１）において、２個のＸ１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基が例示できる。
【００３６】
Ｘ１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ１が水素原子であることが好ましい。
【００３７】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。
【００３８】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【００３９】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。ここで、「還元剤」としては、後述する還元性化合物等が例示できる。
【００４０】
本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００４１】
（カルボン酸銀（４））
カルボン酸銀（４）は、前記一般式（４）で表される
式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。ただし、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【００４２】
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ２−）を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ２−」で表される基も含むものとする。
【００４３】
カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）３−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）５−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。
【００４４】
カルボン酸銀（４）も、β−ケトカルボン酸銀（１）と同様に、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【００４５】
本発明において、カルボン酸銀（４）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００４６】
前記カルボン酸銀は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２−エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀及びアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。
【００４７】
銀インク組成物において、前記カルボン酸銀に由来する銀の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。このような範囲であることで、形成された導電体は品質により優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると２５質量％であることが好ましい。
なお、本明細書において、「カルボン酸銀に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物の製造時に配合された前記カルボン酸銀中の銀を意味し、配合後に引き続き前記カルボン酸銀を構成している銀と、配合後に前記カルボン酸銀が分解して生じた分解物中の銀及び銀自体と、の両方を含む概念とする。
【００４８】
［含窒素化合物］
前記含窒素化合物は、炭素数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、及びアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、一種のみでよいし、二種以上でもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００４９】
（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４〜２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
【００５０】
前記第１級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。
【００５１】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン（２−アミノヘプタン）、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミンが例示できる。
【００５２】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００５３】
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子が例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
【００５４】
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
【００５５】
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタンが例示できる。
【００５６】
前記第２級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。
【００５７】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミンが例示できる。
【００５８】
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００５９】
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００６０】
前記第３級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。
【００６１】
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
【００６２】
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００６３】
本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミドが例示できる。
【００６４】
ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。
【００６５】
前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【００６６】
前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【００６７】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【００６８】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【００６９】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンが例示できる。
【００７０】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに導電層４の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。
【００７１】
（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が例示できるが、これらに限定されない。
【００７２】
（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが例示できる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、塩化アンモニウム等が例示できるが、これに限定されない。
【００７３】
本発明においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００７４】
銀インク組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．１〜１５モルであることが好ましく、０．２〜５モルであることがより好ましい。すなわち、前記含窒素化合物の配合量Ｂ（モル）及びカルボン酸銀の配合量Ａ（モル）について、Ｂ／Ａの値は０．１〜１５であることが好ましく、０．２〜５であることがより好ましい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は安定性がより向上し、導電体（金属銀）の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電体を形成できる。
【００７５】
［還元性化合物］
前記還元性化合物は、シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物（化合物（５））からなる群から選択される一種以上のものである。すなわち、配合される還元性化合物は、一種のみでよいし、二種以上でもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
【００７６】
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【００７７】
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルコキシ基は、炭素数が１〜２０であり、Ｒ２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基が例示できる。
【００７８】
Ｒ２１における炭素数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、該アルキル基はそれぞれ炭素数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、炭素数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【００７９】
前記還元性化合物として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
【００８０】
前記還元性化合物は、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）及びカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）のいずれか一方又は両方を有するものが好ましく、この場合、有するカルボキシ基又はカルボニル基が１個以上であればよく、より好ましいものとしては、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）；ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３）等のギ酸エステル；プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）２ＣＨ３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）４ＣＨ３）等のアルデヒド；ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ３）２）等のホルムアミド類（式「Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（−）−」で表される基を有する化合物）；シュウ酸が例示できる。
なかでも、前記還元性化合物は、カルボキシ基又はカルボニル基を１個有するものがさらに好ましく、ギ酸又はギ酸エステルであることが特に好ましい。
【００８１】
銀インク組成物において、前記還元性化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．０４〜３．５モルであることが好ましく、０．０６〜２．５モルであることがより好ましい。すなわち、前記還元性化合物の配合量Ｃ（モル）及びカルボン酸銀の配合量Ａ（モル）について、Ｃ／Ａの値は０．０４〜３．５であることが好ましく、０．０６〜２．５であることがより好ましい。前記還元性化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は、より容易に、より安定して導電体（金属銀）を形成できる。
さらに、銀インク組成物において、前記還元性化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．４モル以上であることがさらに好ましく、０．５モル以上であることが特に好ましい。すなわち、前記Ｃ／Ａの値は０．４以上であることがさらに好ましく、０．５以上であることが特に好ましい。前記還元性化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は、例えば、好ましくは１００℃以下、より好ましくは９０℃以下という、より低温でも、導電性が高い導電体（金属銀）を形成できる。
【００８２】
［配合量Ａ、Ｂ及びＣ］
本発明に係る銀インク組成物は、上述のように、前記含窒素化合物及び還元性化合物は、前記カルボン酸銀に対して上述の配合量であることが好ましいが、前記カルボン酸銀の配合量Ａ（モル）、前記含窒素化合物の配合量Ｂ（モル）及び前記還元性化合物の配合量Ｃ（モル）が、下記式（Ｉ）を満たすことが必要である。銀インク組成物は、下記式（Ｉ）を満たすことで、凹版印刷法での版かぶりを抑制できる顕著な効果を奏する。
Ｃ／Ａ≦０．３５Ｂ／Ａ＋０．５  ・・・・（Ｉ）
前記式（Ｉ）は、銀インク組成物においてＢ／Ａ及びＣ／Ａの値を種々変化させ、この銀インク組成物を凹版印刷法に適用した場合に、版かぶりの有無を考察することにより導出されたものである。
【００８３】
銀インク組成物で特に好ましいものとしては、凹版印刷法での版かぶりを抑制する効果が高いことに加え、より低温でも導電性が高い導電体（金属銀）を形成できることから、０．５≦Ｃ／Ａを満たすもの、すなわち、下記式（Ｉ）−１を満たすものが挙げられる（式中、Ａ、Ｂ及びＣは前記と同じである）。
０．５≦Ｃ／Ａ≦０．３５Ｂ／Ａ＋０．５  ・・・・（Ｉ）−１
【００８４】
［アルコール］
銀インク組成物は、前記カルボン酸銀、含窒素化合物及び還元性化合物以外に、さらにアルコールが配合されてなるものでもよい。
【００８５】
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。
【００８６】
【化３】
2015086304.tif 000004
（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
【００８７】
（アセチレンアルコール（２））
アセチレンアルコール（２）は、前記一般式（２）で表される。
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【００８８】
Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００８９】
Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【００９０】
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。
【００９１】
アセチレンアルコール（２）を用いる場合、銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０５〜０．３モルであることがより好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。
【００９２】
前記アルコールは、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００９３】
［その他の成分］
銀インク組成物は、前記カルボン酸銀、含窒素化合物、還元性化合物及びアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
銀インク組成物における前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されず、好ましいものとしては、アルコール以外の溶媒が例示でき、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。
銀インク組成物における前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００９４】
銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【００９５】
銀インク組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【００９６】
［銀インク組成物の製造方法］
銀インク組成物は、前記カルボン酸銀、及び前記カルボン酸銀以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀インク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを銀インク組成物としてもよい。本発明においては、特に前記カルボン酸銀としてβ−ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合、上記の各成分の配合時において、導電性を阻害する不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できるため、精製操作を行っていない銀インク組成物を用いても、十分な導電性を有する導電体（金属銀）が得られる。
【００９７】
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。ただし、本発明においては、前記還元性化合物は滴下により配合することが好ましく、さらに滴下速度の変動を抑制することで、金属銀の表面粗さをより低減できる傾向にある。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。
【００９８】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０分〜３６時間であることが好ましい。
【００９９】
＜導電体＞
本発明に係る導電体は、上述の本発明に係る銀インク組成物を用いて、金属銀を形成して得られたことを特徴とし、金属銀を主成分とするものである。ここで、「金属銀を主成分とする」とは、金属銀の比率が、見かけ上金属銀だけからなるとみなし得る程度に十分に高いことを意味し、例えば、導電体中の金属銀の比率は９９質量％以上であることが好ましい。
【０１００】
前記導電体は、例えば、基材上に銀インク組成物を付着させ、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理を適宜選択して行うことで製造できる。加熱処理は、乾燥処理を兼ねて行ってもよい。
基材は、フィルム状又はシート状であることが好ましく、厚さが０．５〜５０００μｍであることが好ましい。
【０１０１】
基材の材質は特に限定されず、目的に応じて選択すればよいが、銀インク組成物の加熱処理による導電体形成時に変質しない耐熱性を有するものが好ましい。
基材の材質として具体的には、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリシクロオレフィン、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリメタクリル酸エチル（ＰＥＭＡ）、ポリメタクリル酸ブチル（ＰＢＭＡ）、ポリアクリル酸メチル（ＰＭＡ）、ポリアクリル酸エチル（ＰＥＡ）、ポリアクリル酸ブチル（ＰＢＡ）、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ−Ｇ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ−ＰＰＥ）、ポリアリレート、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂等の合成樹脂が例示できる。
また、基材の材質としては、上記以外にも、ガラス、シリコン等のセラミックス；上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙類が例示できる。
また、基材は、ガラスエポキシ樹脂、ポリマーアロイ等の、二種以上の材質を併用したものでもよい。
【０１０２】
基材は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材の厚さとなるようにするとよい。
【０１０３】
本発明に係る銀インク組成物は、例えば、印刷法、塗布法等の公知の方法で基材上に付着させることができるが、凹版印刷法の適用に特に優れたものである。
凹版印刷法としては、公知の方法が適用でき、より具体的には、パッド印刷法、凹版オフセット印刷法、ダイレクトグラビア印刷法等が例示できる。
【０１０４】
図２は、凹版印刷法の第一の実施形態を模式的に例示する断面図である。
ここに示す凹版印刷法は、パッドを用いてインクを転写するパッド印刷法に相当する。
【０１０５】
本実施形態では、まず、図２（ａ）に示すように、凹版９の表面９ａ上に、銀インク組成物１を載せる。銀インク組成物１は、上述の本発明に係るものである。
凹版９は、図１で示したものと同じであり、表面９ａ上に、パターン形成部に相当する凹部９１を備え、例えば、金属等の材質からなる。凹版９の表面９ａは、パターン形成面である。
【０１０６】
次いで、ドクターブレード９０を用いて、凹版９に載せられた銀インク組成物１を凹版９の表面９ａ上で広げ（ドクタリングし）、図２（ｂ）に示すように、凹部９１に銀インク組成物１を充填する。このときは、ドクターブレード９０を、その先端部を凹版９の表面９ａに当接させた状態を維持しながら、凹版９上で矢印の方向に移動させることにより、銀インク組成物１をかいていく。これにより、銀インク組成物１は凹部９１に充填されるが、通常、凹部９１以外の凹版９の表面９ａ上には、薄膜状に銀インク組成物１がかき残された領域が存在する。
【０１０７】
次いで、図２（ｃ）に示すように、凹版９に対してパッド８を矢印方向に相対的に下降させ、パッド８の表面８ａを凹版９の表面９ａのうち、凹部９１を含む領域に直接又は銀インク組成物１を介して接触（密着）させ、さらにパッド８を凹版９に対して相対的に引き上げることにより、図２（ｄ）に示すように、パッド８の表面８ａ上に銀インク組成物１を転写する。このとき、銀インク組成物１は、凹版９の凹部９１からパッド８の表面８ａ上に、凹部９１のパターンを反映して転写されるが、凹部９１以外の凹版９の表面９ａ上にかき残された余分の銀インク組成物１は、表面９ａ上に残り、パッド８の表面８ａ上への転写が抑制される。このように余分の銀インク組成物１のパッド８への転写が抑制される理由は、凹版９とパッド８との接触（転写）直前において、特別な操作を行わなくても（一連の工程を連続して行っても）、凹部９１以外の凹版９の表面９ａ上に薄膜状に存在する銀インク組成物１の方が、凹部９１に存在する銀インク組成物１よりも、量が少ないことに起因して乾燥度が高い（より乾燥している）からであると推測される。
【０１０８】
次いで、図２（ｄ）に示すように、基材（被印刷物）７に対して、銀インク組成物１が転写されたパッド８を矢印方向に相対的に下降させ、パッド８の銀インク組成物１が転写された表面８ａを基材７の表面７ａに接触（密着）させて、さらにパッド８を基材７に対して相対的に引き上げることにより、図２（ｅ）に示すように、銀インク組成物１をパッド８の表面８ａから、さらに基材７の表面７ａに転写する。これにより、銀インク組成物１は、凹部９１に対応したパターンで基材７に印刷される。このとき、パッド８の表面８ａ上に、所望のパターン以外の余分の銀インク組成物１が付着していないため、版かぶりが抑制され、基材７には目的以外の印刷は行われない。なお、基材７の材質は先に説明したとおりである。
このように、本発明に係る銀インク組成物を用いることにより、図１で示したものと同様の方法で印刷しても、版かぶりが抑制される。
【０１０９】
次いで、基材７に印刷された銀インク組成物１に対して後処理を行うことにより、前記カルボン酸銀から金属銀を形成し、図２（ｆ）に示すように、導電体１’を形成する。
【０１１０】
図３は、凹版印刷法の第二の実施形態を模式的に例示する断面図である。
ここに示す凹版印刷法は、凹版から被印刷物に直接インクを転写するダイレクトグラビア印刷法に相当する。
【０１１１】
本実施形態では、まず、第一の実施形態と同様に、図３（ａ）に示すように、銀インク組成物１を凹版９の表面９ａ上で広げて（ドクタリングして）、凹部９１に銀インク組成物１を充填する。銀インク組成物１は、第一の実施形態の場合と同様に、上述の本発明に係るものである。
【０１１２】
次いで、凹版９に対して基材（被印刷物）７を矢印方向に相対的に下降させ、基材の表面７ａを凹版９の表面９ａのうち、凹部９１を含む領域に直接又は銀インク組成物１を介して接触（密着）させて、さらに基材７を凹版９に対して相対的に引き上げることにより、図３（ｂ）に示すように、基材７の表面７ａ上に銀インク組成物１を転写する。このとき、銀インク組成物１は、凹版９の凹部９１から基材７の表面７ａ上に、凹部９１のパターンを反映して転写されるが、凹部９１以外の凹版９の表面９ａ上に薄膜状にかき残された余分の銀インク組成物１は、第一の実施形態の場合と同様の理由で表面９ａ上に残り、基材７の表面７ａ上への転写が抑制される。これにより、銀インク組成物１は、凹部９１に対応したパターンで基材７に印刷され、このとき、版かぶりが抑制されるので、基材７には目的以外の印刷は行われない。
このように、本発明に係る銀インク組成物を用いることにより、図１で示したものと同様の方法で印刷しても、第一の実施形態の場合と同様に、版かぶりが抑制される。
【０１１３】
次いで、第一の実施形態と同様に、基材７に印刷された銀インク組成物１に対して後処理を行うことにより、前記カルボン酸銀から金属銀を形成し、図３（ｃ）に示すように、導電体１’を形成する。
【０１１４】
本発明に係る銀インク組成物を用いる凹版印刷法は、ここに示す第一及び第二の実施形態に限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、例えば、第一又は第二の実施形態において一部が適宜変更されたもの等、他の実施形態でもよい。
【０１１５】
前記導電体の厚さは、その用途に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、電子機器等における配線として用いる場合の前記導電体の厚さは、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０５〜２μｍであることがより好ましい。
本発明においては、例えば、基材上に付着させる銀インク組成物の量、又は銀インク組成物における前記カルボン酸銀の配合量を調節することで、前記導電体の厚さを調節できる。
【０１１６】
銀インク組成物の乾燥処理は、公知の方法で行えばよく、例えば、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、１８〜３０℃で大気下において乾燥させる方法が例示できる。
【０１１７】
銀インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０〜２００℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜１０時間であることがより好ましい。前記カルボン酸銀の中でもβ−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。
【０１１８】
銀インク組成物の加熱処理の方法は特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。そして、常圧下及び減圧下のいずれで行ってもよい。
【０１１９】
前記導電体は、前記銀インク組成物を用いて得られたものであり、導電性が十分に高いため、通信機器等の各種電子機器の構成要素として極めて有用である。例えば、パターニングされた前記導電体を配線（回路）とすることができる。また、パターニングされた前記導電体をアンテナとすることができ、かかるアンテナを用いる点以外は、公知のデータ受送信体と同様の構成とすることで、新規のデータ受送信体とすることができる。例えば、基材上に前記導電体と電気的に接続されたＩＣチップを設けてアンテナ部とすることにより、非接触型データ受送信体を構成できる。
【０１２０】
前記銀インク組成物を用いて凹版印刷法を適用して印刷した場合には、版かぶりが抑制されるため、銀インク組成物の精密な印刷パターンが得られる。前記導電体は、この印刷パターンを後処理して得られるため、さらに、精密なパターンとすることができる。したがって、前記導電体は、外観が良好であるだけでなく、例えば、配線として用いる場合には、ショートが抑制されるため、かかる配線を備えた電子機器は、優れた動作安定性を示す。
【０１２１】
＜電子機器＞
本発明に係る電子機器は、上述の本発明に係る導電体を基材上に備え、前記基材を筐体として備えたことを特徴とし、本発明に係る導電体を備えた点以外は、公知の電子機器と同様の構成とすることができる。本発明に係る電子機器で好ましいものとしては、前記導電体で配線（回路）を形成したものが例示でき、導電体を備えた基材を回路基板としたものが例示できる。なお、かかる電子機器における前記基材としては、先に説明した導電体の製造方法における基材と同様のものを用いることができる。
前記電子機器は、例えば、回路基板に加え、音声入力部、音声出力部、操作スイッチ、表示部等を組み合わせることにより、携帯電話機を構成できる。また、前記導電体は上述のように低温で形成することも可能であり、基材等の材質を幅広く選択できるので、設計の自由度が飛躍的に向上し、より合理的な構造とすることも可能である。
本発明に係る電子機器は、長期に渡って高い性能を維持することが可能である。
【実施例】
【０１２２】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【０１２３】
［実施例１］
＜銀インク組成物の製造＞
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（１８．８２ｇ、Ｂ＝０．１４６モル）に２−メチルアセト酢酸銀（８１．１８ｇ、Ａ＝０．３６４モル）を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分間撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、シリンジポンプを用いてギ酸（１０．０５ｇ、Ｃ＝０．２１８モル）を３０分間かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と配合量（モル比）とを表１に示す。また、Ｂ／Ａ及びＣ／Ａの値をプロットしたグラフを図４に示す。
【０１２４】
＜銀インク組成物の評価＞
パッド印刷機（村田金箔社製）を用いて、下記条件により、得られた銀インク組成物をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルム（東レ社製「ルミラーＳ１０」、厚さ１００μｍ）の表面にパッド印刷し、前記フィルムの印刷面について、目視観察により版かぶりの有無を確認した。結果を表１に示す。表１中、評価結果の「○」は版かぶりがなかったことを、「×」は版かぶりがあったことをそれぞれ意味する。
（印刷条件）
パッド：シリコーン樹脂素材
版：金属版
ブレード：スチール素材三角刃、肉厚０．９ｍｍ
ブレードエアー設定圧力：０．４ＭＰａ
【０１２５】
［実施例２〜５、比較例１〜６］
各配合成分の配合量（モル比）を表１に示す値として、Ｂ／Ａ及びＣ／Ａの値を図４に示すとおりとした点以外は、実施例１と同様に銀インク組成物を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１２６】
【表１】
2015086304.tif 000005
【０１２７】
表１及び図４から明らかなように、前記式（Ｉ）を満たす実施例１〜５の銀インク組成物では、いずれも版かぶりが認められず、印刷パターンも明りょうであった。なお、図４中、実線は、Ｃ／Ａ＝０．３５Ｂ／Ａ＋０．５で表される関数を示し、点線はＣ／Ａ＝０．５を示している。実施例１〜５の銀インク組成物は、いずれもＣ／Ａの値が実線よりも下に位置し、かつ点線よりも上に位置しており、前記式（Ｉ）−１を満たす、特に好ましいものである。
これに対して、前記式（Ｉ）を満たさない比較例１〜６の銀インク組成物では、いずれも版かぶりが認められた。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明は、電子機器において、銀の配線（回路）を備えた回路基板に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２９】
１・・・銀インク組成物、１’・・・導電体、６・・・インク組成物、７・・・基材、７ａ・・・基材の表面、８・・・パッド、８ａ・・・パッドの表面、９・・・凹版、９ａ・・・凹版の表面、９１・・・凹部、９０・・・ドクターブレード
【図１】
2015086304.tif 000006
【図２】
2015086304.tif 000007
【図３】
2015086304.tif 000008
【図４】
2015086304.tif 000009