(57)【要約】  【課題】端子導体における断線および端子導体における電気抵抗値の増大を抑えること。  【解決手段】配線基板１は、一方主面および側面に開口する凹部12を有している絶縁基体11と、絶縁基体11の内部に設けられている配線導体13と、凹部12の内側面に設けられている端子導体14とを備えており、配線導体13と端子導体14とは凹部12の他方主面側端部で接続されており、凹部12に設けられた端子導体14の厚みが、凹部12の一方主面側より他方主面側の方が厚い。【選択図】  図２
2015012157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面および側面に開口する凹部を有している絶縁基体と、
前記絶縁基体の内部に設けられている配線導体と、
前記凹部の内側面に設けられている端子導体とを備えており、
前記配線導体と前記端子導体とは前記凹部の他方主面側端部で接続されており、
前記凹部に設けられた前記端子導体の厚みが、前記凹部の一方主面側より他方主面側の方が厚いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁基体の側面からの前記凹部の深さは、前記凹部の他方主面側が前記凹部の一方主面側より大きいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記配線導体の端部が前記絶縁基体の前記凹部内側面と前記端子導体との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板および電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば電子部品の実装に用いられる配線基板は、絶縁層を含む絶縁基体と、絶縁層の主面（すなわち、絶縁基体の主面または内層）に設けられた配線導体と、絶縁層の側面に設けられた端子導体とを有している。絶縁層は、上下方向に延びた凹部を有しており、端子導体は、凹部および絶縁基体の下面に設けられている。例えば絶縁基体がセラミックスから成る場合、凹部の端子導体は、セラミックグリーンシートに導体ペーストを塗布して焼成することによって形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2003-133454号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような配線基板の下面にさらに薄膜で配線を形成する場合がある。このとき、配線基板の下面だけでなく、凹部内にも薄膜が形成される。この場合、凹部の上端には薄膜が形成されにくいため、薄膜の厚みが薄くなっている。この後、配線基板の下面および凹部内の不要な薄膜はエッチングにより除去されるが、凹部の上端（奥部）では薄膜の厚みが薄くなっているため、薄膜だけでなく端子導体もエッチングされてしまい、端子導体の厚みが薄くなってしまう。端子導体の厚みが薄くなると、端子導体と配線導体との接続が良好とならず、断線が発生したり、電気抵抗値の増大が懸念される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、一方主面および側面に開口する凹部を有している絶縁基体と、前記絶縁基体の内部に設けられている配線導体と、前記凹部の内側面に設けられている端子導体とを備えている。前記配線導体と前記端子導体とは前記凹部の他方主面側端部で接続されおり、前記凹部に設けられた前記端子導体の厚みが、前記凹部の一方主面側より他方主面側の方が厚くなっている。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の配線基板と、配線基板に搭載された電子部品とを含んでいる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様による配線基板において、配線導体と端子導体とは凹部の他方主面側端部で接続されており、凹部に設けられた端子導体の厚みが、凹部の一方主面側より他方主面側の方が厚いことによって、凹部に設けられた端子導体においては十分な厚みを確保することができ、端子導体における断線および端子導体における電気抵抗値の増大を抑えることができる。
【０００８】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の配線基板を有していることによって、電気的信頼性および電気的特性に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態における配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示された配線基板のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ部おける要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態における配線基板の端子導体の第１の製造方法を示す要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第２の実施形態における配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図５】（ａ）は、図４（ａ）に示された配線基板のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ部おける要部拡大断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態における配線基板の端子導体の第２の製造方法を示す要部拡大断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態における配線基板の端子導体の第３の製造方法を示す要部拡大断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態における配線基板を示す上面図である。
【図９】図８（ａ）に示された配線基板のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ部おける要部拡大断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の第４の実施形態における配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図１１】図10（ａ）に示された配線基板のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ部おける要部拡大断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態における配線基板を示す要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における電子装置は、図１および図２に示されているように、配線基板１と、配線基板１の上面に設けられた電子部品２とを含んでいる。電子装置は、例えば電子部品モジュールを構成する回路基板上に実装される。
【００１２】
配線基板１は、一方主面（以下、下面ともいう）および側面に開口する凹部12を有している絶縁基体11と、絶縁基体11の内部に設けられており、凹部12において絶縁基体11から露出されている配線導体13と、凹部12の内側面に設けられている端子導体14とを備えている。配線導体13と端子導体14とは凹部12の他方主面（以下、上面ともいう）側端部で接続されている。凹部12に設けられた端子導体14の厚みが、凹部12の一方主面側より他方主面側の方が厚くなっている。図１および図２において、電子装置は仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１および図２において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。
【００１３】
絶縁基体11は、複数の絶縁層11ａからなり、電子部品２の搭載領域を含む他方主面（上面）を有しており、平面視において矩形の板状の形状を有している。絶縁基体11は、電子部品２を支持するための支持体として機能し、上面中央部の搭載領域上に電子部品２が低融点ろう材または導電性樹脂等の接合剤を介して接着され固定される。
【００１４】
絶縁基体11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。
【００１５】
絶縁基体11が、樹脂材料を用いて作製される場合は、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミ
ド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂、または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等を用いることができる。
【００１６】
絶縁基体11が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法、カレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシートを得て、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温（約1600℃）で焼成することによって製作される。
【００１７】
凹部12は、絶縁基体11の一方主面および側面に開口している。、言い換えると凹部12は、図１および図２に示す例のように、絶縁基体11の側面の途中から一方主面（下面）にかけて設けられている。このような凹部12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートのいくつかに、レーザー加工、金型による打ち抜き加工等によって、凹部12となる貫通孔を形成しておくことにより形成される。
【００１８】
配線導体13は、絶縁基体11の表面および内部に設けられており、端子導体14は、凹部12の内側面および絶縁基体11の下面に設けられている。配線導体13の一部は、凹部12に導出されており、端子導体14に電気的に接続されている。配線導体13および端子導体14は、配線基板１に搭載された電子部品２と外部の回路基板とを電気的に接続するためのものである。配線導体13は、絶縁基体11の表面または内部に設けられた配線導体と、絶縁基体11を構成する絶縁層を貫通して上下に位置する配線導体同士を電気的に接続する貫通導体とを含んでいる。
【００１９】
配線導体13および端子導体14は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。例えば、絶縁基体11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ，ＭｏまたはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得た導体ペーストを、絶縁基体11となるセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基体11となるセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基体11の所定位置に被着形成される。配線導体13が貫通導体である場合は、金型、パンチングによる打ち抜き加工、レーザー加工によってグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔に印刷法によって配線導体13用の導体ペーストを充填しておくことによって形成される。端子導体14は、凹部12となる貫通孔の内側面となる領域および絶縁基体11の下面となるセラミックグリーンシートの表面に、端子導体14用の導体ペーストを印刷塗布しておくことによって形成される。
【００２０】
薄膜層15は、絶縁基体11の下面において端子導体14と重なるように設けられている。薄膜層15は、配線導体13および端子導体14と同様に、配線基板１に搭載された電子部品２と外部の回路基板とを電気的に接続するためのものである。薄膜層15は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。薄膜層15は、複数層からなり、例えば、ＴｉＷ（チタンタングステン）等のＴｉ合金から成り、その厚みは例えば0.01〜0.5μｍと、Ｃｕ（銅）から成り、その厚みは例えば1.0〜100.0μｍとを有する。
【００２１】
薄膜層15は、例えばイオンプレーティング法、スパッタ法、蒸着法等の従来周知の薄膜形成方法を用いて形成される。例えば、絶縁基板11の表面にイオンプレーティング法、スパッタ法、蒸着法等により金属層を形成する。その後、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成し、余分な金属層をウェットエッチング法を用いて除去して形成する。
【００２２】
端子導体14は、凹部12の他方主面側の厚みｔ１が、凹部12の一方主面側の厚みｔ２よりも大きい（ｔ１＞ｔ２）。これにより、配線導体13と端子導体14との接続を良好なものにすることができる。このように、凹部12の他方主面側の厚みを厚くすることにより、例えば、端子導体14の厚みを凹部12の内側面で全体的に厚く形成する場合と比較して、端子導体14が小さいものとなっても面積を大きいものとすることができるので、外部の回路基板との接合を良好なものとすることができる。
【００２３】
凹部12の他方主面側の厚みｔ１は、1.1×ｔ２≦ｔ１≦２×ｔ２にしておくと、例えば
、さらに薄膜層15となる金属層を形成した後にエッチングを行っても十分な厚みを有するものとなり、配線導体13と端子導体14との接合を良好なものとすることができるとともに、凹部12の内側面と端子導体14との接合を良好なものとすることができる。
【００２４】
また、凹部12の他方主面側端部から凹部12の一方主面側端部までの高さをＨ１とした場合、凹部12の他方主面側の端子導体14の厚みがｔ１である領域の高さＨ２は、凹部12の形状、端子導体14の形状等を良好なものとするために、Ｈ２≦0.6×Ｈ１であることが好ま
しい。
【００２５】
凹部12への端子導体14の形成は、例えば、以下の製造方法により製作できる。
【００２６】
第１の製造方法は、図３（ａ）に示された例のように、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111、211に、それぞれ凹部12となる貫通孔112、212を形成する。そして、図３（ｂ）に示された例のように、この貫通孔112、212の内側面に、端子導体14用の導体ペースト114をスクリーン印刷法によってそれぞれ塗布印刷する。この際、貫通孔112、212の
内側面となる領域に設けられた端子導体14の導体ペースト114のうち、凹部12の他方主面
側の端子導体14用の導体ペースト114の厚みが、凹部12の一方主面側の端子導体14用の導
体ペースト114の厚みよりも大きくなるように印刷塗布しておく。そして、配線導体13用
の導体ペースト113の印刷、他のセラミックグリーンシートとの積層等を行い、配線導体13用の導体ペースト113と端子導体14用の導体ペースト114とが接続された絶縁基体11とな
るセラミック生成形体を形成し、このセラミック成形体を焼成することにより、図３（ｃ）に示された例のように、凹部12が連結した穴12ｂを有する絶縁基体11を形成する。さらに、図３（ｄ）に示された例のように、穴12ｂを分断することにより、凹部12の内側面に、配線導体13と良好に接続された端子導体14が形成された配線基板１を製作することができる。
【００２７】
配線導体13および端子導体14、ならびに薄膜層15の露出する表面には、電解めっき法によってめっき層が被着される。めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性、接続部材との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば、厚さ0.5〜５μｍ程度のニッ
ケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが、あるいは厚さ１〜10μｍ程度のニッ
ケルめっき層と0.1〜１μｍ程度の銀めっき層とが、順次被着される。これによって、配
線導体13および端子導体14、ならびに薄膜層15が腐食することを効果的に抑制できるとともに、配線導体13と電子部品２との固着、配線導体13とボンディングワイヤ等の接続部材３との接合、端子導体14および薄膜層15と外部の回路基板の配線との接合を強固にできる。また、電子部品２の搭載となる配線導体13上では、厚さ10〜80μｍ程度の銅めっき層を被着させておくことにより、電子部品２の熱を良好に放熱させやすくしてもよいし、下面の端子導体14および薄膜層15上では、厚さ10〜80μｍ程度の銅めっき層を被着させておくことにより、配線基板１から外部の回路基板に放熱させやすくしてもよい。
【００２８】
配線基板１の上面には、電子部品２が搭載されることによって電子装置を作製できる。配線基板１に搭載される電子部品２は、ＩＣチップ，ＬＳＩチップ等の半導体素子，発光
素子，水晶振動子，圧電振動子等の圧電素子および各種センサ等である。例えば、電子部品２がフリップチップ型の半導体素子である場合には、半導体素子は、はんだバンプ、金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材３を介して、半導体素子の電極と配線導体13とが電気的および機械的に接続されることによって配線基板１に搭載される。また、例えば電子部品２がワイヤボンディング型の半導体素子である場合には、半導体素子は、接合部材によって電子部品搭載領域に固定された後、ボンディングワイヤ等の接続部材３を介して半導体素子の電極と配線導体13とが電気的に接続されることによって配線基板１に搭載される。また、配線基板１には、複数の電子部品２を搭載しても良いし、必要に応じて、抵抗素子、容量素子等の小型の電子部品を搭載しても良い。また、電子部品２は必要に応じて、樹脂、ガラス等からなる封止材４、樹脂、ガラス、セラミックス、金属等からなる蓋体等により封止される。
【００２９】
本実施形態の配線基板１によれば、一方主面および側面に開口する凹部12を有している絶縁基体11と、絶縁基体11の内部に設けられている配線導体13と、凹部12の内側面に設けられている端子導体14とを備えており、配線導体13と端子導体14とは凹部12の他方主面側端部で接続されており、凹部12に設けられた端子導体14の厚みが、凹部12の一方主面側よりも他方主面側の方が厚いことから、配線導体13との接続部14ａにおいては十分な厚みを確保することができ、端子導体14における断線および電気抵抗値の増大を抑えることができる。
【００３０】
本実施形態の配線基板１は、配線導体13と端子導体14とにタングステン、モリブデン等の金属材料を用い、薄膜層15にチタン、タングステン等の金属材料を用いる配線基板に好適に使用され、高精度および信頼性に優れた配線基板とすることができる。例えば、絶縁基板11上に薄膜層15となる金属層を形成した際に、凹部12の他方主面側の金属層は、絶縁基体11の一方主面側の金属層よりも薄く形成されやすい。このため、余分な金属層をエッチングにより除去を行う際に、凹部12の他方主面側の金属層が絶縁基体11の一方主面側よりも先に除去された後、端子導体14をエッチングにより除去して凹部12の他方主面側の端子導体14の厚みが薄くなったとしても、配線導体13と端子導体14との電気的接続が良好に保持されるので、端子導体14における断線および電気抵抗値の増大を抑えることができる。
【００３１】
本実施形態の電子装置によれば、上記構成の配線基板１と、配線基板１に搭載された電子部品２とを有していることから、電気的信頼性および電気的特性に関して向上されている。
【００３２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による電子装置について、図４および図５を参照しつつ説明する。なお、本発明の第２の実施形態における電子装置においては、側面が凹んでおり、この凹みに凹部12が設けられている。
【００３３】
本発明の第２の実施形態における電子装置において、上記した第１の実施形態の電子装置と異なる点は、図４および図５に示された例のように、絶縁基体11の側面からの凹部12の深さは、凹部12の他方主面側が凹部12の一方主面側より大きい点である。なお、凹部12の深さとは絶縁基体11の凹んだ側面から中央側へ向かう方向の深さのことであり、本発明の実施形態においては、凹みの底面を絶縁基体11の側面とした深さである。
【００３４】
第２の実施形態における配線基板１は、上述の構成とすることによって、端子導体14が絶縁基体11の内部に入り込むように形成されるので、端子導体14と絶縁基体11との接合がより良好になるとともに、端子導体14が配線導体13に、より良好に接続されたものとすることができる。
【００３５】
この場合、凹部12の他方主面側の凹部12の深さＤ１が、凹部12の一方主面側の深さＤ２よりも大きくなる（Ｄ１＞Ｄ２）ようにしておくとともに、端子導体14は、凹部12の他方主面側の厚みｔ３が、凹部12の下側の厚みｔ４よりも大きくなる（ｔ３＞ｔ４）ように形成しておけばよい。なお、ここで、凹部12の深さＤ１、Ｄ２とは、内側面に端子導体14が設けられた領域における凹部12の深さを示す。
【００３６】
ここで、凹部12の他方主面側の端子導体14の厚みｔ３は、ｔ３＞Ｄ１−Ｄ２、かつ1.1
×ｔ４＜ｔ３≦２×ｔ４しておくと、凹部12の他方主面側の厚みが充分なものとなり、配線導体13と端子導体14との接合箇所が大きいものとなって、例えば、さらに薄膜層15となる金属層を形成した後にエッチングを行っても十分な厚みを有するものとなり、配線導体13と端子導体14との接合を良好なものとすることができるとともに、凹部12の一方主面側の端子導体14と凹部12の他方主面側の端子導体14との接続を良好なものとすることができる。
【００３７】
なお、図５に示された例のように、Ｄ１−Ｄ２＝ｔ３−ｔ４としておくと、端子導体14の表面を他方主面側と一方主面側との間に段差がないものとすることができるので、凹部12の内側面における端子導体14の形状等を良好なものとして形成できる。
【００３８】
また、凹部12の他方主面側端部から凹部12の一方主面側端部までの高さをＨ３とした場合、端子導体14の厚みがｔ３である領域の高さＨ４は、凹部12の形状、端子導体14の形状等を良好なものとするために、Ｈ４≦0.6×Ｈ３であることが好ましい。
【００３９】
第２の実施形態において、凹部12への端子導体14の形成は、例えば、以下の製造方法により製作できる。
【００４０】
第２の製造方法は、図６（ａ）に示された例のように、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111、211に、平面視における大きさが異なる凹部12となる貫通孔112、212を形成する。そして、図６（ｂ）に示された例のように、この貫通孔112、212の内側面に、端子導体14用の導体ペースト114をスクリーン印刷法によって塗布印刷する。この際、凹部12の他方主面側の端子導体14用の導体ペースト114の厚みが、凹部12の一方主面側の端子導体14用の導体ペースト114の厚みよりも厚くなるように印刷塗布する。そして、配線導体13用の導体ペースト113の印刷、他のセラミックグリーンシートとの積層等を行い、配線導体13用の導体ペースト113と端子導体14用の導体ペースト114とが接続された絶縁基体11となるセラミック生成形体を形成し、このセラミック成形体を焼成することにより、図６（ｃ）に示された例のように、凹部12が連結した穴12ｂを有する絶縁基体11を形成する。さらに、図６（ｄ）に示された例のように、穴12ｂを分断することにより、凹部12の内側面に、配線導体13と良好に接続された端子導体14が形成された配線基板１を製作することができる。
【００４１】
第３の製造方法は、図７（ａ）に示された例のように、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111、211に、平面視における大きさが異なる凹部12となる貫通孔112、212を形成する。そして、図７（ｂ）に示された例のように、貫通孔112、212とが重なりあうように、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111、211とを積層して、段差を有する貫通孔312を備えたセラミックグリーンシート積層体311を形成した後、この貫通孔312の内側
面に、端子導体14用の導体ペースト114をスクリーン印刷法によって塗布印刷する。そし
て、図７（ｃ）に示された例のように、配線導体13用の導体ペースト113の印刷、他のセ
ラミックグリーンシートとの積層等を行い、配線導体13用の導体ペースト113と端子導体14用の導体ペーストとが接続された絶縁基体11となるセラミック生成形体を形成し、この
セラミック成形体を焼成することにより、図７（ｃ）に示された例のように、凹部12が連
結した穴12ｂを有する絶縁基体11を形成する。さらに、図７（ｄ）に示された例のように、穴12ｂを分断することにより、凹部12の内側面に、配線導体13と良好に接続された端子導体14が形成された配線基板１を製作することができる。
【００４２】
なお、第３の製造方法は、第２の製造方法と比較して、貫通孔312内に端子導体14用の
導体ペースト114を一括して印刷塗布するので、セラミックグリーンシート111,211の積層時における貫通孔内に設けられた上下の端子導体14用の導体ペースト114の平面方向にお
けるずれが小さく、また、上下の貫通孔に設けられた端子導体14用の導体ペースト114の
接続も良好となり、凹部12の内側面に端子導体14を良好に形成することができる。
【００４３】
また第３の製造方法において、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111、211とを積層する前に、例えば、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート211の上面に、大きさ
が大きい貫通孔112の開口縁に重なるように枠状に、配線導体13と同様な材料からなる補
助導体16用の導体ペースト116を設けておくと、スクリーン印刷法によって塗布印刷する
際に、端子導体14用の導体ペースト114が補助導体16用の導体ペースト116に馴染んで、貫通孔312の内側面全面に、端子導体14用の導体ペースト114を良好に印刷塗布することができる。
【００４４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態による電子装置について、図８および図９を参照しつつ説明する。
【００４５】
本発明の第３の実施形態における電子装置において、上記した実施形態の電子装置と異なる点は、図８および図９に示された例のように、配線導体13の端部が絶縁基体11の凹部12内側面と端子導体14との間に設けられている点、薄膜層15が絶縁基体11の電子部品２の搭載面と同じ一方主面（以下、上面ともいう）に設けられている点である。
【００４６】
第３の実施形態の配線基板１は、配線導体13の端部が絶縁基体11の凹部12内側面と端子導体14との間に設けられていることから、配線導体13と端子導体14との接続をより良好なものとすることができる。
【００４７】
このような配線基板１は、凹部12となる貫通孔の内側面に、端子導体14用の導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布する前に、配線導体13用の導体ペーストを絶縁基体11となるセラミックグリーンシートの表面に印刷するとともに、凹部12となる貫通孔の内側面に入り込むように形成しておくことにより形成することができる。
【００４８】
また、このような配線基板１は、配線基板１の上面側で外部の回路基板に接合できるので、配線基板１の下面側の全面に絶縁基体11よりも熱伝導率の高い部材を接合して配線基板１の放熱性を向上できる。絶縁基体11よりも熱伝導率の高い材料としては、絶縁基体が11が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、銅（Ｃｕ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料、窒化アルミニウム質焼結体からなる絶縁基体等が挙げられる。
【００４９】
なお、絶縁基体11は、図８および図９に示された例のようにキャビティ17を含んでいる上面を有していてもよい。このようなキャビティ17は、セラミックグリーンシートにレーザー加工、金型による打ち抜き加工等によって、キャビティ17となる貫通孔を複数のセラミックグリーンシートに形成し、これらのセラミックグリーンシートを、貫通孔を形成していないセラミックグリーンシートに積層することで形成できる。また、絶縁基体11の厚みが薄い場合には、キャビティ17用の貫通孔は、セラミックグリーンシートを積層した後、レーザー加工、金型による打ち抜き加工等によって形成すると精度よく加工できるので
好ましい。
【００５０】
キャビティ17が発光素子を搭載する為の空間である場合には、図４および図５に示された例のように、キャビティ17の内側面とキャビティ17の底面とのなす角度θは鈍角であって、特に110度〜145度が好ましい。角度θをこのような範囲とすると、凹部15となる貫通孔の内側面を打ち抜き加工で安定かつ効率よく形成することが容易であり、この配線基板１を用いた発光装置を小型化しやすい。また、発光素子が発した光を外部に向かって良好に放射できる。このような角度θの内側面を有するキャビティ17は、パンチの径とダイスの穴の径とのクリアランスを大きく設定した打ち抜き金型を用いてセラミックグリーンシートを打ち抜くことによって形成される。すなわち、打ち抜き金型のパンチの径に対してダイスの穴の径のクリアランスを大きく設定しておくことで、セラミックグリーンシートを主面側から他方主面側に向けて打ち抜く際にグリーンシートがパンチとの接触面の縁からダイスの穴との接触面の縁に向けて剪断されて、貫通孔の径が主面側から他方主面側に広がるように形成される。このとき、セラミックグリーンシートの厚み等に応じてパンチの径とダイスの穴の径とのクリアランスを設定することで、セラミックグリーンシートに形成される貫通孔の内側面の角度を調節できる。このような打ち抜き方法は、打ち抜き加工のみで、キャビティ17の内側面とキャビティ17の底面とのなす角度θを所望の角度にできることから、生産性が高い。
【００５１】
また、パンチの径とダイスの穴の径とのクリアランスが小さい打ち抜き金型による加工によって角度θが約90度の貫通孔を形成した後に、貫通孔の内側面に円錐台形状または角錐台形状の型を押し当てることでも、上述のような一方の主面側から他方の主面側に広がる角度θを有する貫通孔を形成してもよい。このような場合には、キャビティ17の内側面と凹部15の底面とのなす角度θをより精度よく調整できる。
【００５２】
配線基板１が、例えば発光素子の搭載されるキャビティ17を含んだ上面を有する絶縁基体11を有する場合には、凹部15の内壁面に発光素子が発する光を反射させるための反射層が設けてられていてもよい。反射層は、例えばキャビティ17の内壁面に設けられた金属導体層と金属導体層上に被着されためっき層とを有している。金属導体層は、配線導体13および端子導体14と同様の材料および方法によって形成することができる。
【００５３】
例えば、配線基板１に発光素子を搭載する場合には、金属導体層の最表面には銀めっき層を被着させ、配線導体13および端子導体14の最表面には金めっき層を被着させることが好ましい。金めっき層は、銀めっき層と比較して、電子部品２、接続部材３、外部の回路基板の配線との接合性に優れており、銀めっき層は、金めっき層と比較して光に対する反射率が高いためである。また、配線導体13と金属導体層の最表面を銀と金との合金めっき層として、例えば、銀と金との全率固溶の合金めっき層としてもよい。
【００５４】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態による電子装置について、図10および図11を参照しつつ説明する。
【００５５】
本発明の第４の実施形態における電子装置において、上記した実施形態の電子装置と異なる点は、図10および図11に示された例のように、配線導体13の端部が、端子導体14の他方主面側端部の側面端部を覆っている点、絶縁基体11の他方主面および一方主面に薄膜層15が設けられている点である。
【００５６】
第４の実施形態の配線基板１は、配線導体13の端部が、端子導体14の他方主面側端部の側面端部を覆うように配線導体13が設けられていることから、端子導体14が凹部12から剥がれにくいものとなり、凹部12の内面における配線導体13と端子導体14との接続を良好な
ものとすることができる。
【００５７】
このような配線基板１は、凹部12となる貫通孔の内側面に端子導体14用のメタライズペーストを印刷塗布した後、配線導体13用のメタライズペーストをセラミックグリーンシートの表面に印刷塗布するとともに、端部が端子導体14用のメタライズペーストの他方主面側端部の側面端部を覆うようにすることにより形成することができる。
【００５８】
本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。図12に示された例のように、端子導体14の厚みが、凹部12の一方主面側端部から凹部12の他方主面側端部にかけて徐々に厚くなっていてもよい。このような構成とすることによって、端子導体14の他方主面側の厚みが充分なものとなり、配線導体13と端子導体14との接合箇所が大きいものとなって、配線導体13と端子導体14との接合を良好なものとすることができる。また、図10および図11に示された例のように、配線基板１は、電子部品搭載層18、中央端子19等の配線以外の導体を備えていても構わない。例えば、これらの導体は、上述の配線導体13、端子導体14および薄膜層15と同様の材料および方法により製作することができ、露出する表面には、端子導体14および配線導体13ならびに薄膜層15と同様のめっき層が被着されている。電子部品搭載層17は、例えば、電子部品２の搭載用に用いられ、中央端子18は、例えば、端子導体14と同様に、外部の回路基板との接合に用いられる。
【００５９】
また、図１〜図11に示された例においては、配線基板１の他方主面に、電子部品２が１つ搭載されているが、配線基板１の他方主面に複数の電子部品２を搭載するものであっても構わない。
【００６０】
また、図１〜図11に示された例においては、絶縁基体11の側面に凹部12は２つ設けているが、より多くの凹部12および端子導体14を設けておいても構わない。
【００６１】
また、端子導体14の厚みは、例えば、図10および図11に示される例のように、上述の凹部12の深さ方向において、凹部12の他方主面側が凹部12の一方主面側よりも厚くし、配線基板１の側面に沿った方向においては、凹部12の一方主面側の厚みと同じにしても構わない。このような構成としていると、製作工程において、凹部12の内側面と端子導体14との剥離を抑制して凹部12の内側面と端子導体14との接合を良好なものとすることができるとともに、配線基板１の１つの側面に複数の凹部12を隣接して配置する場合に、隣接する凹部12同士の間隔を大きくすることができ、配線基板１にクラック等が発生することを抑制することができる。
【００６２】
また、配線基板１は、絶縁基体に貫通孔を形成し、この貫通孔に、電子部品２が搭載される絶縁基体11よりも放熱性の優れた金属部材を嵌合させて絶縁基体と接合させた配線基板１、絶縁基体11の内部に、絶縁基体11よりも放熱性の優れた金属部材を平面視で電子部品２が搭載される領域と重なる領域に埋設させた配線基板１であってもよい。
【００６３】
また、配線基板１は多数個取り配線基板の形態で製作されていてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・・配線基板
11・・・・絶縁基体
11ａ・・・絶縁層
12・・・・凹部
13・・・・配線導体
14・・・・端子導体
14ａ・・・接続部
15・・・・薄膜層
16・・・・補助導体
17・・・・キャビティ
18・・・・電子部品搭載層
19・・・・中央端子層
２・・・・電子部品
３・・・・接続部材
４・・・・封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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