(57)【要約】【課題】  基板の側からと、半導体層の側からと、双方から光を取り出すことにより、発光光量の増加を図った発光装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】  発光装置１００は、実装面１２０ａを有するケース１１０と、ケース１１０に実装された発光素子１０と、を有する。発光素子１０は、主面Ｓ１ａを有する基板Ｓ１と、主面Ｓ１ａの側に形成された半導体層Ｅｐ１と、を有する。そして、ケース１１０の実装面１２０ａと、基板Ｓ１の主面Ｓ１ａとが、交差する向きで、発光素子１０がケース１１０に実装されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有する実装部材と、
前記実装部材に実装された半導体発光素子と、
を有する発光装置において、
前記半導体発光素子は、
第１面を有する基板と、
前記第１面の側に形成された半導体層と、
を有し、
前記実装部材の前記実装面と、前記基板の前記第１面とが、交差する向きに前記半導体発光素子が配置されていること
を特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記実装部材の前記実装面と、前記基板の前記第１面と、のなす角の角度が６０°以上１２０°以下の範囲内であること
を特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光装置において、
前記半導体発光素子は、
第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上に形成された発光層と、
前記発光層の上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、
を有し、
前記第１の半導体層と前記発光層との間の第１の境界面と、前記実装部材の前記実装面とが、交差する向きに前記半導体発光素子が配置されていること
を特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記第１の半導体層と前記発光層との間の第１の境界面と、前記実装部材の前記実装面と、のなす角の角度が６０°以上１２０°以下の範囲内であること
を特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記半導体発光素子は、
第１導電型の第１の電極および第２導電型の第２の電極を有し、
前記実装部材は、
導電性の弾性部材である第１の配線部および第２の配線部と、
前記実装面と交差する第１の交差面と、
を有し、
前記第１の配線部および前記第２の配線部と、前記第１の交差面とは、
前記半導体発光素子を挟み込んでおり、
前記第１の配線部は、
前記第１の電極に電気的に接続されており、
前記第２の配線部は、
前記第２の電極に電気的に接続されていること
を特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
前記実装面は、少なくとも１以上の凹部を有し、
前記凹部は、前記第１の交差面を有し、
前記半導体発光素子における第１の辺の側が、
前記凹部に嵌め込まれていること
を特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５に記載の発光装置において、
前記実装面は、少なくとも１以上の凸部を有し、
前記凸部は、前記第１の交差面を有すること
を特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の発光装置において、
複数の前記半導体発光素子が、
前記実装部材に実装されていること
を特徴とする発光装置。
【請求項９】
実装面を有する実装部材に半導体発光素子を実装する実装工程を有する発光装置の製造方法において、
基板と、前記基板の第１面の側に位置する半導体層と、を有する前記半導体発光素子を用い、
前記実装工程では、
前記半導体発光素子を、
前記基板の前記第１面と、前記実装部材の前記実装面と、を交差させて前記半導体発光素子を前記実装面に実装すること
を特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置の製造方法において、
前記実装工程では、
前記基板の前記第１面と、前記実装部材の前記実装面と、のなす角の角度を６０°以上１２０°以下の範囲内として前記半導体発光素子を前記実装部材の前記実装面に実装すること
を特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の発光装置の製造方法において、
前記半導体発光素子として、
第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上に形成された発光層と、
前記発光層の上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、
を有するものを用い、
前記実装部材として、
前記実装面には、少なくとも１以上の凹部を有し、
前記凹部の内側には、
弾性部材である第１の配線部および第２の配線部を有するものを用い、
前記実装工程では、
前記半導体発光素子における前記第１の辺の側を前記凹部に嵌め込むとともに、
前記第１の配線部および前記第２の配線部と、前記凹部の側面と、の間に前記半導体発光素子を挿入すること
を特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子を実装部品に実装した発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置には、ケースに半導体発光素子を実装したものがある。また、サブマウントに半導体発光素子を実装した発光装置もある。例えば、特許文献１には、半導体発光素子をサブマウントに実装し、そのサブマウントをケースに設けられた凹部に配置した発光装置が開示されている（特許文献１の段落［００２１］−［００３２］および図２−図４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３１３８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図４等に示すように、フリップチップ型の半導体発光素子をサブマウントに実装すると、半導体発光素子の発光層から発せられた光は、サブマウント側から外部に取り出されることはない。そのため、フリップチップ型の半導体発光素子では、サブマウント側に反射層等を設けることにより、光取り出し面側に光を反射させている。しかし、このような反射光は、半導体層に再吸収されるおそれがある。
【０００５】
一方、フェイスアップ型の半導体発光素子を実装した発光装置では、半導体発光素子の基板における裏面、すなわち半導体層形成面の反対側の面の全体をケース等に取り付ける。そのため、基板の裏面側から外部に光が取り出されることはない。したがって、基板に微細な凹凸を設けることにより、基板と半導体層との境界で反射させることにより、軸上方向、すなわち半導体層の表面の側に光を多く取り出せるようにしていた。
【０００６】
このように従来においては、基板の裏面の側からと、半導体層の表面の側からと、の一方からのみ光を取り出すこととしていた。しかし、それでは、半導体発光素子からの光を効率よく外部に取り出すには限界がある。
【０００７】
そこで、本発明者らは、基板の裏面の側からと、半導体層の表面の側からと、双方から光を取り出すことにより、発光光量の増加を図るという着想に至った。
【０００８】
本発明は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題は、基板の側からと、半導体層の側からと、双方から光を取り出すことにより、発光光量の増加を図った発光装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の態様における発光装置は、実装面を有する実装部材と、実装部材に実装された半導体発光素子と、を有する。半導体発光素子は、第１面を有する基板と、第１面の側に形成された半導体層と、を有する。そして、この発光装置では、実装部材の実装面と、基板の第１面とが、交差する向きに半導体発光素子が配置されている。
【００１０】
この発光装置は、半導体発光素子をケースの底面に対して縦方向に配置する。そのため、基板の側と、半導体層もしくは透明電極の側と、の両方から光を取り出すことができる。そのため、発光層から発せられる光を効率よく外部に取り出すことができる。つまり、この発光装置は、従来の発光装置に比べて明るい。ここで、実装部材とは、発光装置のケースと、サブマウントと、その他の基板とを含むものとする。ここで挙げた実装部材は、半導体発光素子を実装するための部材であることに変わりない。
【００１１】
第２の態様における発光装置では、実装部材の実装面と、基板の第１面と、のなす角の角度が６０°以上１２０°以下の範囲内である。
【００１２】
第３の態様における発光装置では、半導体発光素子は、第１導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層の上に形成された発光層と、発光層の上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、を有する。そして、この発光装置では、第１の半導体層と発光層との間の第１の境界面と、実装部材の実装面とが、交差する向きに半導体発光素子が配置されている。
【００１３】
第４の態様における発光装置では、第１の半導体層と発光層との間の第１の境界面と、実装部材の実装面と、のなす角の角度が６０°以上１２０°以下の範囲内である。
【００１４】
第５の態様における発光装置では、半導体発光素子は、第１導電型の第１の電極および第２導電型の第２の電極を有する。実装部材は、導電性の弾性部材である第１の配線部および第２の配線部と、実装面と交差する第１の交差面と、を有する。第１の配線部および第２の配線部と、第１の交差面とは、半導体発光素子を挟み込んでいる。第１の配線部は、第１の電極に電気的に接続されており、第２の配線部は、第２の電極に電気的に接続されている。
【００１５】
第６の態様における発光装置では、実装面は、少なくとも１以上の凹部を有する。この凹部は、第１の交差面を有する。半導体発光素子における第１の辺の側が、凹部に嵌め込まれている。
【００１６】
第７の態様における発光装置では、実装面は、少なくとも１以上の凸部を有する。そして、凸部は、第１の交差面を有する。
【００１７】
第８の態様における発光装置では、複数の半導体発光素子が、実装部材に実装されている。このように、縦型実装により、多数の半導体発光素子を実装できるため、単位面積当たりの光量を増加させることができる。また、発光装置の小型化を実践できる。
【００１８】
第９の態様における発光装置の製造方法は、実装面を有する実装部材に半導体発光素子を実装する実装工程を有する。この方法では、基板と、基板の第１面の側に位置する半導体層と、を有する半導体発光素子を用いる。そして、実装工程では、半導体発光素子を、基板の第１面と、実装部材の実装面と、を交差させて半導体発光素子を実装面に実装する。
【００１９】
第１０の態様における発光装置の製造方法において、実装工程では、基板の第１面と、実装部材の実装面と、のなす角の角度を６０°以上１２０°以下の範囲内として半導体発光素子を実装部材の実装面に実装する。
【００２０】
第１１の態様における発光装置の製造方法では、半導体発光素子として、第１導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層の上に形成された発光層と、発光層の上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、を有するものを用いる。また、実装部材として、実装面には、少なくとも１以上の凹部を有し、凹部の内側には、弾性部材である第１の配線部および第２の配線部を有するものを用いる。そして、実装工程では、半導体発光素子における第１の辺の側を凹部に嵌め込むとともに、第１の配線部および第２の配線部と、凹部の側面と、の間に半導体発光素子を挿入する。
【００２１】
そのため、ワイヤボンディングによる接合工程を省略できる。そのため、製造工程の簡略化を図ることができる。つまり、サイクルタイムが短く、生産性が高い。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、基板の側からと、半導体層の側からと、双方から光を取り出すことにより、発光光量の増加を図った発光装置およびその製造方法が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態に係る発光装置を示す概略構成図である。
【図２】第１の実施形態から第５の実施形態までに係る発光素子を示す平面図である。
【図３】図２のIII-III 断面を示す断面図である。
【図４】発光素子の光を取り出す方向を概念的に示す概念図である。
【図５】第１の実施形態に係る発光装置のケースを示す断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る発光装置のケースの凹部を示す部分斜視図である。
【図７】第１の実施形態に係る発光装置における発光素子の実装状態を示す断面図である。
【図８】第１の実施形態に係る発光装置における発光素子の配置状態を示す概念図である。
【図９】第２の実施形態に係る発光装置を示す概略構成図である。
【図１０】第３の実施形態に係る発光装置を示す概略構成図である。
【図１１】第４の実施形態に係る発光装置を示す概略構成図である。
【図１２】第５の実施形態に係る発光装置を示す概略構成図である。
【図１３】第６の実施形態に係る発光装置を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、具体的な実施形態について、半導体発光素子を有する発光装置およびその製造方法を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではない。また、後述する半導体発光素子の各層の積層構造および電極構造は、例示である。そのため、実施形態とは異なる積層構造であってももちろん構わない。そして、それぞれの図における各層の厚みは、概念的に示したものに過ぎない。
【００２５】
（第１の実施形態）
本実施形態の発光装置は、発光素子がケースの底面に対して縦方向に配置されている点に特徴がある。そのため、発光素子の基板の板面もしくは発光層は、ケースの底面に対してほぼ垂直に配置されている。
【００２６】
１．発光装置
図１は、本実施形態の発光装置１００の概略構成図である。発光装置１００は、ケース１１０と、発光素子１０と、配線部１５０と、封止樹脂１６０と、を有している。ケース１１０は、発光素子１０を実装するための実装部材である。配線部１５０は、発光素子１０を電気的に接続するためのものである。また、配線部１５０は、後述するように、発光素子１０を固定するための部材も兼ねている。封止樹脂１６０は、発光素子１０等を収容されているケース１１０の内部を封止するためのものである。封止樹脂１６０は、蛍光体を含有していてもよい。また、封止樹脂１６０は、２層以上の異なる樹脂層を有していてもよい。
【００２７】
発光素子１０は、半導体層Ｅｐ１を有する半導体発光素子である。発光素子１０は、基板Ｓ１と、半導体層Ｅｐ１と、ｐ電極Ｐ１と、ｎ電極Ｎ１と、を有している。半導体層Ｅｐ１は、後述するように、発光層を有している。半導体層Ｅｐ１は、基板Ｓ１の主面Ｓ１ａの上に位置している。主面Ｓ１ａは、半導体層Ｅｐ１を形成された第１面である。
【００２８】
ケース１１０は、底部１２０と、側壁１４０と、を有している。底部１２０におけるケース１１０の内面側には、実装面１２０ａがある。実装面１２０ａは、ケース１１０の底面に該当する。また、実装面１２０ａは、発光素子１０を実装するための面である。実装面１２０ａは、凹部１３０を有している。凹部１３０は、発光素子１０を実際に実装するための実装部である。
【００２９】
発光素子１０におけるｐ電極Ｐ１の位置する側では、発光素子１０は、配線部１５０の端面１５１と凹部１３０の側面１３１との間に挟まれている。このように発光素子１０は、ケース１１０の凹部１３０で側面１３１と配線部１５０の端面１５１との間に嵌め込まれている。このため、発光素子１０は、ケース１１０に固定されている。
【００３０】
また、発光素子１０は、ケース１１０の配線部１５０と電気的に接続されている。ｐ電極Ｐ１は、配線部１５０ｐと接触している。また、図１には表れていないが、ｎ電極Ｎ１も同様に、配線部１５０ｎと接触している。配線部１５０ｐは、プラスの配線部である。配線部１５０ｎは、マイナス極の配線部である。
【００３１】
２．発光素子
２−１．発光素子の構造
図２に本実施形態の発光素子１０の平面図を示す。発光素子１０は、フェイスアップ型の発光素子である。発光素子１０は、長方形形状の半導体発光素子である。つまり、発光素子１０の基板Ｓ１は、長方形形状である。そして、長方形の一方の短辺に沿ってｐ電極Ｐ１およびｎ電極Ｎ１が並んで配置されている。
【００３２】
図３は、図２のIII −III 断面を示す断面図である。図３に示すように、発光素子１０は、基板Ｓ１と、半導体層Ｅｐ１と、ｎ電極Ｎ１と、ｎ延伸電極Ｎ２と、ｎドット電極Ｎ３と、ｐ電極Ｐ１と、ｐ延伸電極Ｐ２と、ｐドット電極Ｐ３と、を有している。
【００３３】
基板Ｓ１は、サファイア基板等の透明な基板である。もしくは、ＧａＮ基板であってもよい。基板Ｓ１は、透光性であるため、光をよく通す。基板Ｓ１は、第１面である主面Ｓ１ａを有する。主面Ｓ１ａの側には、半導体層Ｅｐ１が形成されている。また、図３では、基板Ｓ１の主面Ｓ１ａには、微細な凹凸加工が施されていない。
【００３４】
また、図３に示すように、半導体層Ｅｐ１は、バッファ層１０と、ｎ型コンタクト層２０と、ｎ型ＥＳＤ層３０と、ｎ型ＳＬ層４０と、発光層５０と、ｐ型クラッド層６０と、ｐ型コンタクト層７０と、を有している。これらの各半導体層は、基板Ｓ１の主面Ｓ１ａに平行に形成されている。
【００３５】
２−２．発光素子の発光の指向性
図４に発光素子１０が発する光の方向を示す。図４の矢印Ｋ１、Ｋ２で示す方向は、発光層５０の板面に垂直な方向である。図４の矢印Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６で示す方向は、発光層５０の板面に平行な方向である。矢印Ｋ１の向きに出る光の強さと、矢印Ｋ２の向きに出る光の強さとは、ほぼ同じである。基板Ｓ１の主面Ｓ１ａには、微細な凹凸加工が施されていないため、基板Ｓ１と半導体層Ｅｐ１との境界面で光を反射することがほとんどないからである。
【００３６】
また、矢印Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６の方向に出る光は、矢印Ｋ１、Ｋ２の方向に出る光を除いた成分である。そして、矢印Ｋ５、Ｋ６は、発光素子１０の長辺から出る光の方向を示す。矢印Ｋ３、Ｋ４は、発光素子１０の短辺から出る光の方向を示す。
【００３７】
本実施形態の発光装置１００では、発光素子１０における矢印Ｋ４の方向に出る光を除く、矢印Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ５、Ｋ６の方向に出る光を外部に取り出すことができる。このように、ｐ電極Ｐ１等の位置する短辺側からの光を除いて、外部に取り出すことができる。そのため、発光効率は、非常に高い。
【００３８】
３．ケース
図５は、ケース１１０の構造を示す断面図である。図５に示すように、側壁１４０の内側面は、光を反射する反射面１４１である。ケース１１０の底部１２０は、実装面１２０ａと、凹部１３０と、配線部１５０と、を有している。凹部１３０の側面１３１は、発光素子１０の基板Ｓ１を支持する面である。凹部１３０の側面１３２の側には、配線部１５０が設けられている。そして、配線１５０における端面１５１と、凹部１３０の側面１３１との間に、発光素子１０が嵌め込まれることとなる。
【００３９】
図６は、ケース１１０の凹部１３０を示す斜視図である。図６に示すように、凹部１３０は、配線部１５０ｐと、配線部１５０ｎと、を有している。配線部１５０ｐは、発光素子１０のｐ電極Ｐ１と導通する導電部材であるとともに、発光素子１０を凹部１３０で固定するための弾性部材である。配線部１５０ｎは、発光素子１０のｎ電極Ｎ１と導通する導電部材であるとともに、発光素子１０を凹部１３０で固定するための弾性部材である。また、配線部１５０ｐは、プラスの配線１５５と導通している。配線部１５０ｎは、マイナスの配線１５６と導通している。
【００４０】
４．発光素子の実装状態
図７は、図１の発光装置１００における発光素子１０の実装方法を説明するための部分拡大図である。図７に示すように、発光素子１０は、配線部１５０ｐおよび配線部１５０ｎと、凹部１３０の側面１３１との間に嵌め込まれている。ここで、側面１３１は、実装面１２０ａと交差する交差面である。配線部１５０ｐおよび配線部１５０ｎは、ばね形状の弾性部材である。そして、配線部１５０ｐおよび配線部１５０ｎは、その弾性力により、発光素子１０を側面１３１の側に押圧している。このように、発光素子１０は、配線部１５０ｐおよび配線部１５０ｎと、側面１３１とにより、固定されることとなる。また、凹部１３０の底面１３３により、発光素子１０の固定を補助することとしてもよい。つまり、発光素子１０は、凹部１３０の底面１３３に接触してもよいし、接触していなくともよい。
【００４１】
図８は、発光装置１００を図７の凹部１３０の側面１３１の側からみた概略図である。図８に示すように、発光素子１０のｐ電極Ｐ１は、ケース１１０の配線部１５０ｐに電気的に接続されている。発光素子１０のｎ電極Ｎ１は、ケース１１０の配線部１５０ｎに電気的に接続されている。
【００４２】
５．発光装置の製造方法
５−１．発光素子製造工程
成長基板の主面にＭＯＣＶＤ法を用いて半導体層Ｅｐ１を形成する。その形成順序は、バッファ層１０と、ｎ型コンタクト層２０と、ｎ型ＥＳＤ層３０と、ｎ型ＳＬ層４０と、発光層５０と、ｐ型クラッド層６０と、ｐ型コンタクト層７０と、の順である。
【００４３】
そして、ｐ型コンタクト層７０からｎ型コンタクト層２０の途中まで達する非貫通孔を形成する。そして、ｎ型コンタクト層２０の上に、ｎドット電極Ｎ３と、ｎ延伸電極Ｎ２と、ｎ電極Ｎ１と、を形成する。ｐ型コンタクト層７０の上に、ｐドット電極Ｐ３と、ｐ延伸電極Ｐ２と、ｐ電極Ｐ１と、を形成する。そして、半導体層をチップサイズに区画して、チップに分割する。これにより、図２および図３に示す発光素子１０が製造される。
【００４４】
５−２．実装工程
図６に示すケース１１０の凹部１３０に、発光素子１０を嵌め込む。この際、ｐ電極Ｐ１が配線部１５０ｐの端面１５１に接触するようにする。また、ｎ電極Ｎ１が配線部１５０ｎの端面１５１に接触するようにする。この嵌め込みにより、発光素子１０は、ケース１１０に固定されるとともに、配線部１５０ｐ、１５０ｎと電気的に接続される。
【００４５】
５−３．封止工程
次に、発光素子１０を実装済みのケース１１０の内部に封止樹脂１６０を注ぐ。この樹脂は、蛍光体を含有しているとよい。この樹脂を固化させることにより、発光装置１００が製造される。
【００４６】
６．本実施形態の発光装置と従来の発光装置との比較
本実施形態の発光装置１００では、図４に示す発光素子１０の面ＳＫ４の側が、ケース１１０に実装される。そのため、面ＳＫ４の側から出る光は、発光装置１００の外部に出ることはない。この面ＳＫ４の側から出る光は、矢印Ｋ４に示すように、発光層５０の板面方向にほぼ平行である。また、面ＳＫ４の面積も十分に小さい。そのため、発光素子１０が発する光のうち、ごくわずかな成分だけが発光装置１００の外部に出ず、大部分の成分は発光装置１００の外部に照射される。そのため、本実施形態の発光装置１００は、明るい。
【００４７】
一方、従来の発光装置では、図４に示す面ＳＫ２の側がケースに実装される。しかし、面ＳＫ２の側から発せられる光は、ある程度強い。そのため、基板に微細な凹凸を設けて基板に入る光のうち３割程度を反射させることとしている。しかし、それでも、矢印Ｋ２の向きに照射される光の成分は、依然として多い。そして、矢印Ｋ２の向きに照射される光は、ケース等に吸収される。そのため、従来の発光装置の明るさは、本実施形態の発光装置と比較すると暗い。
【００４８】
このように、本実施形態では、発光層５０の板面方向に垂直な方向に出る光を有効に活用することができる。
【００４９】
７．本実施形態の効果
上記のように、本実施形態の発光装置１００は、発光層５０の発光面に垂直な方向に出る光をほとんど吸収させることなく、外部に取り出すことができる。そのため、本実施形態の発光装置１００は、従来の発光装置に比べて明るい。また、発光素子１０を縦型に配置するため、実装面１２０ａを狭く設計してもよい。つまり、発光装置１００の小型化を図ることができる。また、ワイヤボンディングを行わないため、ワイヤボンディングに必要な領域を余分に設定する必要がない。そのため、より小型化することができる。
【００５０】
８．変形例
８−１．サブマウント等
本実施形態では、発光素子１０をケース１１０に直接実装することとした。しかし、発光素子１０をサブマウントもしくは基板に実装し、そのサブマウントもしくは基板をケース１１０に搭載することとしてもよい。このように、実装部材は、ケースと、サブマウントと、基板と、を含む。
【００５１】
８−２．素子の種類
本実施形態では、フェイスアップ型の発光素子であって、延伸電極を有するものを例に挙げて説明した。しかし、延伸電極を有さないフェイスアップ型の発光素子についても、本発明を適用することができる。
【００５２】
８−３．基板の凹凸
本実施形態の発光装置１００では、基板Ｓ１の主面Ｓ１ａに微細な凹凸を設けないこととした。しかし、微細な凹凸を形成してもよい。なお、基板Ｓ１の主面Ｓ１ａに微細な凹凸が設けられていたとしても、その凹凸は微細なものに過ぎない。そのため、主面Ｓ１の面方向は、容易に定まる。
【００５３】
８−４．粗面化
また、発光素子１０におけるケース１１０との接触箇所を粗面化してもよい。これにより、発光素子１０がケース１１０から離脱しにくくなり、実装性が向上するからである。
【００５４】
９．本実施形態のまとめ
以上、詳細に説明したように、本実施形態に係る発光装置１００は、発光素子１０をケース１１０に対して縦方向に配置する。そのため、発光素子１０の第１面（半導体層側の面）および第２面（基板側の面）の双方から、光を取り出すことができる。これにより、発光光量の増大を図った発光装置１００が実現されている。
【００５５】
なお、本実施の形態は単なる例示にすぎず、本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。半導体層の積層構造については、必ずしも図に示したものに限らない。積層構造や各層の繰り返し回数等、任意に選択してよい。また、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に限らない。ＨＶＰＥ法等、その他の結晶成長方法を用いてもよい。
【００５６】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。本実施形態の発光装置２００を図９に示す。本実施形態の発光装置２００と、第１の実施形態の発光装置１００とでは、ケースの配線が異なっている。よって、異なっている点について説明する。
【００５７】
発光装置２００のケース２１０では、配線部２５０がケース２１０の裏面２２０ｂに露出している。ケース２１０の裏面２２０ｂは、底部２２０に対して実装面２２０ａの反対側の面である。このように、配線パターンがケース２１０の裏面２２０ｂの側に形成されていてもよい。
【００５８】
このように、ケースの配線パターンをケースの実装面２２０ａの側に限らず、裏面２２０ｂに形成することができる。したがって、配線パターンの設計の自由度が高い。
【００５９】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について説明する。本実施形態の発光装置３００を図１０に示す。本実施形態の発光装置３００と、第１の実施形態の発光装置１００とでは、ケースの内部形状が異なっている。よって、異なっている点について説明する。
【００６０】
発光装置３００のケース３１０には、第１の実施形態のような凹部は設けられていない。その代わりに、ケース３１０の底部３２０の実装面３２０ａの上に凸部３３０が設けられている。また、ケース３１０は、配線部３５０を有している。配線部３５０は、第１の実施形態の配線部１５０と同様に、導電性の弾性部材である。
【００６１】
そして、配線部３５０と、凸部３３０の側面３３１とは、発光素子１０を支持している。つまり、発光素子１０は、凸部３３０の側面３３１と、配線部３５０との間に挟み込まれることにより固定されている。ここで、側面３３１は、実装面３２０ａと交差する交差面である。また、発光素子１０のｐ電極Ｐ１およびｎ電極Ｎ１は、配線部３５０と電気的に接続されている。
【００６２】
（第４の実施形態）
第４の実施形態について説明する。本実施形態の発光装置４００を図１１に示す。本実施形態の発光装置４００と、第１の実施形態の発光装置１００とでは、ケースの凹部形状が異なっている。よって、異なっている点について説明する。
【００６３】
発光装置４００のケース４１０は、実装面４２０ａに凹部４３０が設けられている。凹部４３０は、第１の実施形態の凹部１３０に比べて傾斜して設けられている。また、ケース４１０は、配線部４５０を有している。配線部４５０は、第１の実施形態の配線部１５０と同様に、導電性の弾性部材である。
【００６４】
そして、配線部４５０と、凹部４３０の斜面４３１とは、発光素子１０を支持している。つまり、発光素子１０は、凹部４３０の斜面４３１と、配線部４５０との間に挟み込まれることにより固定されている。ここで、斜面４３１は、実装面４２０ａと交差する交差面である。また、発光素子１０のｐ電極Ｐ１およびｎ電極Ｎ１は、配線部４５０と電気的に接続されている。配線部４５０は、ｐ電極Ｐ１と電気的に接続されているプラスの配線部と、ｎ電極Ｎ１と電気的に接続されているマイナスの配線部と、を有する。プラスの配線部とマイナスの配線部とは、もちろん、導通していない。
【００６５】
１．基板と実装面との間の角度
そして、図１１に示すように、ケース４１０の実装面４２０ａと、発光素子１０の主面Ｓ１ａとが、交差する向きに発光素子１０が配置されている。本実施形態では、ケース４１０の実装面４２０ａと、発光素子１０の主面Ｓ１ａと、の間のなす角θ１の角度は、６０°以上１２０°以下の範囲内である。角θ１の角度は、７０°以上１１０°以下の範囲内であるとなおよい。角θ１の角度は、８０°以上１００°以下の範囲内であるとさらによい。
【００６６】
ここで、ケース４１０の実装面４２０ａと、発光素子１０の主面Ｓ１ａと、の間のなす角には、図１１に示すように、角θ１、θ２の２つある。このように、角θ１と角θ２との２つの角度をとることができる。ケース４１０の実装面４２０ａと、発光素子１０の主面Ｓ１ａと、の間のなす角として、角θ１と角θ２とのうちのいずれを採用してもよい。
【００６７】
このように、実装面４２０ａと、基板Ｓａの主面Ｓ１ａと、の間の角θ１について、上記の範囲内で変更してもよい。この場合であっても、発光装置４００の光量は、従来の発光装置に比べて高い。また、発光装置の小型化を図ることができる。発光素子１０をケース４１０に実装する際の実装工程も容易である。
【００６８】
２．発光層と実装面との間の角度
発光層５０と実装面４２０ａとの間にも、同様の関係がある。つまり、図３に示す発光層５０とｎ型ＳＬ層４０との間の境界面Ｉ１と、ケース４１０の実装面４２０ａと、の間の角の角度も、６０°以上１２０°以下の範囲内である。この角の角度は、７０°以上１１０°以下の範囲内であるとなおよい。また、この角の角度は、８０°以上１００°以下の範囲内であるとさらによい。
【００６９】
また、発光層５０とｐ型クラッド層６０との間の境界面Ｉ２と、ケース４１０の実装面４２０ａと、の間の角の角度も、６０°以上１２０°以下の範囲内である。この角の角度は、７０°以上１１０°以下の範囲内であるとなおよい。また、この角の角度は、８０°以上１００°以下の範囲内であるとさらによい。
【００７０】
（第５の実施形態）
第５の実施形態について説明する。本実施形態の発光装置５００を図１２に示す。本実施形態の発光装置５００と、第１の実施形態の発光装置１００とでは、ケースに実装する発光素子１０の数が異なっている。よって、異なっている点について説明する。
【００７１】
図１２では、発光装置５００は、３個の発光素子１０を有する。これらの発光素子１０は、いずれも、ケース５１０の凹部５３０に実装されている。また、ケース５１０の実装面５２０ａに、アレイ状に発光素子１０を配列してもよい。例えば、３行３列に発光素子１０を配置してもよい。
【００７２】
本実施形態の発光装置５００では、従来の発光装置に比べて、発光素子１０を密集して配置することができる。つまり、単位面積当たりに配置できる発光素子１０の数が多い。そのため、発光装置５００では、従来の発光装置に比べて、単位面積当たりの明るさが明るい。また、発光装置５００では、従来の発光装置に比べて、小型である。
【００７３】
（第６の実施形態）
第６の実施形態について説明する。本実施形態の発光装置６００を図１３に示す。本実施形態の発光装置６００と、第１の実施形態の発光装置１００とでは、発光素子が異なっている。よって、異なっている点について説明する。
【００７４】
本実施形態の発光素子６０は、長方形形状である。そして、長方形における一方の長辺の側に沿ってｐ電極Ｐ４およびｎ電極Ｎ４が形成されている。発光素子６０のｐ電極Ｐ４は、ケース６１０の配線部６５０ｐに電気的に接続されている。発光素子６０のｎ電極Ｎ４は、ケース６１０の配線部６５０ｎに電気的に接続されている。
【００７５】
このように、長方形形状の長辺の側にｐ電極Ｎ４およびｎ電極Ｎ４を有する発光素子６０を用いることにより、発光装置６００の高さＨ１を薄くすることができる。
【符号の説明】
【００７６】
１０…発光素子
Ｓ１…基板
Ｓ１ａ…主面
Ｅｐ１…半導体層
５０…発光層
Ｐ１…ｐ電極
Ｎ１…ｎ電極
１００…発光装置
１１０…ケース
１２０…底部
１２０ａ…実装面
１３０…凹部
１３１…側面
１３３…底面
１５０ｐ、１５０ｎ…配線部
１５１…端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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