(57)【要約】【課題】信頼性を向上させること。【解決手段】本発明は、窒化物半導体層１８の上面にＴｉ又はＴａを含む第１電極２２を形成する第１工程と、第１電極２２の上面にＡｌを含む第２電極２４を形成する第２工程と、第２電極２４の上面の端及び第２電極２４の側面の少なくとも一方を覆い、前記端から離間した領域の第２電極２４の上面を露出する窓２６ａを有し、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＴｉの少なくとも一つを含む被覆金属層２６を形成する第３工程と、第３工程の後、熱処理を実施する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層の上面にＴｉ又はＴａを含む第１電極を形成する第１工程と、
前記第１電極の上面にＡｌを含む第２電極を形成する第２工程と、
前記第２電極の上面の端及び第２電極の側面の少なくとも一方を覆い、前記端から離間した領域の前記第２電極の上面を露出する窓を有し、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＴｉの少なくとも一つを含む被覆金属層を形成する第３工程と、
前記第３工程の後、熱処理を実施する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１電極、前記第２電極、及び前記被覆金属層を備えた構造は、ゲート電極に隣接して配置されたソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方を構成してなり、前記被覆金属層は、前記ゲート電極に近い側の前記第２電極の上面の端及び側面の少なくとも一方に配置されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記被覆金属層は、前記第２電極の上面の端及び前記第２電極の側面の両方に設けられることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２電極の上面の端を覆う前記被覆金属層と、前記第２電極の側面を覆う前記被覆金属層とは、電気的に接続されてなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２電極の上面の端を覆う前記被覆金属層と、前記第２電極の側面を覆う前記被覆金属層とは、同じ材料によって構成されてなることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記窒化物半導体層は、窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムであり、前記熱処理は５００℃以上８００℃以下で行うことを特徴とする請求項１から５いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
窒化物半導体層の上面に設けられたＴｉ又はＴａを含む第１電極と、
前記第１電極の上面に設けられたＡｌを含む第２電極と、
前記第２電極の上面の端及び前記第２電極の側面の少なくとも一方を覆い、前記端から離間した領域に窓を備え、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＴｉの少なくとも一つを含む被覆金属層と、
前記被覆金属層が設けられた領域に対応し、前記窒化物半導体層と前記第１電極とのコンタクト抵抗が、前記窓が設けられた領域に比べて高い高抵抗領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
窒化物半導体層の上面に設けられたＴｉ又はＴａを含む第１電極と、
前記第１電極の上面に設けられたＡｌを含む第２電極と、
前記第２電極の上面の端及び前記第２電極の側面の少なくとも一方を覆い、前記端から離間した領域に窓を備え、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＴｉの少なくとも一つを含む被覆金属層と、
前記被覆金属層上に設けられた絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）等の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field
Effect Transistor）は、携帯電話基地局用増幅器等の高周波且つ高出力で動作する増幅器として注目されている。また、窒化物半導体を用いたＨＥＭＴを高電圧動作させた場合に生じる電流コラプスを抑制する手法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２７８８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
窒化物半導体を用いた半導体装置のオーミック電極には、アルミニウム（Ａｌ）が用いられる。この場合、熱処理等によりオーミック電極のＡｌにヒロックが発生する。ヒロックがゲート電極に接近又は接触すると、信頼性が低下してしまう。また、窒化物半導体を用いた半導体装置を高電圧動作させた場合、オーミック電極のゲート電極側の端に電界が集中して耐圧破壊が起こり、信頼性が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、窒化物半導体層の上面にＴｉ又はＴａを含む第１電極を形成する第１工程と、前記第１電極の上面にＡｌを含む第２電極を形成する第２工程と、前記第２電極の上面の端及び前記第２電極の側面の少なくとも一方を覆い、前記端から離間した領域の前記第２電極の上面を露出する窓を有し、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＴｉの少なくとも一つを含む被覆金属層を形成する第３工程と、前記第３工程の後、熱処理を実施する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、信頼性を向上させることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第１電極、前記第２電極、及び前記被覆金属層を備えた構造は、ゲート電極に隣接して配置されたソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方を構成してなり、前記被覆金属層は、前記ゲート電極に近い側の前記第２電極の上面の端及び側面の少なくとも一方に配置されてなる構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記被覆金属層は、前記第２電極の上面の端及び前記第２電極の側面の両方に設けられる構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２電極の上面の端を覆う前記被覆金属層と、前記第２電極の側面を覆う前記被覆金属層はと、電気的に接続されてなる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２電極の上面の端を覆う前記被覆金属層と、前記第２電極の側面を覆う前記被覆金属層とは、同じ材料によって構成されてなる構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記窒化物半導体層は、窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムであり、前記熱処理は５００℃以上８００℃以下で行う構成とすることができる。
【００１２】
本発明は、窒化物半導体層の上面に設けられたＴｉ又はＴａを含む第１電極と、前記第１電極の上面に設けられたＡｌを含む第２電極と、前記第２電極の上面の端及び前記第２電極の側面の少なくとも一方を覆い、前記端から離間した領域に窓を備え、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＴｉの少なくとも一つを含む被覆金属層と、前記被覆金属層が設けられた領域に対応し、前記窒化物半導体層と前記第１電極とのコンタクト抵抗が、前記窓が設けられた領域に比べて高い高抵抗領域と、を有することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、信頼性を向上させることができる。
【００１３】
本発明は、窒化物半導体層の上面に設けられたＴｉ又はＴａを含む第１電極と、前記第１電極の上面に設けられたＡｌを含む第２電極と、前記第２電極の上面の端及び前記第２電極の側面の少なくとも一方を覆い、前記端から離間した領域に窓を備え、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＴｉの少なくとも一つを含む被覆金属層と、前記被覆金属層上に設けられた絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施例１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、比較例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、比較例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は、実施例１におけるオーミック電極による効果を説明する断面図である。
【図８】図８は、実施例１の変形例１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図９】図９は、実施例２に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１２】図１２は、実施例２におけるオーミック電極による効果を説明する断面図である。
【図１３】図１３は、実施例３に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）から図１４（ｃ）は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１５】図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、実施例１に係る半導体装置を示す断面図である。実施例１では、窒化物半導体を用いたＨＥＭＴの場合を例に説明する。図１のように、基板１０上に、窒化物半導体層１８が設けられている。基板１０は、例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）基板、シリコン（Ｓｉ）基板、又はサファイア基板である。窒化物半導体層１８は、基板１０側から電子走行層１２、電子供給層１４、及びキャップ層１６を備える。電子走行層１２は、例えば膜厚１．０μｍのアンドープ窒化ガリウム（ＧａＮ）層である。電子供給層１４は、例えば膜厚２０ｎｍの窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層である。キャップ層１６は、例えば膜厚５ｎｍのｎ型ＧａＮ層である。なお、基板１０と電子走行層１２との間に、バッファ層として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層が設けられていてもよい。
【００１８】
窒化物半導体層１８上に、ゲート電極３０と、ソース電極及びドレイン電極であるオーミック電極２０と、が設けられている。ゲート電極３０とオーミック電極２０とは並び隣接して配置されている。なお、図１において、オーミック電極２０は、キャップ層１６に接して形成されているが、オーミック電極２０が設けられる箇所のキャップ層１６が除去されて、電子供給層１４に接して形成されていてもよい。即ち、オーミック電極２０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）と接触している。オーミック電極２０は、窒化物半導体層１８側から第１電極２２、第２電極２４、及び被覆金属層２６を有する。第１電極２２は、例えば膜厚１０ｎｍのタンタル（Ｔａ）層であり、窒化物半導体層１８の上面に設けられている。第２電極２４は、例えば膜厚４００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層であり、第１電極２２の上面に設けられている。被覆金属層２６は、例えば膜厚２０ｎｍのＴａ層であり、第２電極２４の上面の周辺に設けられている。実施例１では、被覆金属層２６は、第２電極２４の上面の周辺全体に設けられている場合を例に説明する。図１のように、第２電極２４と被覆金属層２６との側面は同一面を形成している場合が好ましいが、段差を有していてもよい。オーミック電極２０とゲート電極３０とが並んだ方向における、第２電極２４の幅Ｘ１は、例えば２０μｍであり、被覆金属層２６の幅Ｘ２は、例えば１．０μｍである。なお、幅Ｘ１は、２０μｍ〜１００μｍの範囲において、適宜選択できる。ゲート電極３０は、例えば窒化物半導体層１８側からニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）が積層された金属膜である。
【００１９】
オーミック電極２０及びゲート電極３０を覆って、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる層間絶縁膜３２が設けられている。オーミック電極２０上の層間絶縁膜３２には開口が形成され、この開口に配線層３４が埋め込まれている。配線層３４は、オーミック電極２０の第２電極２４の上面に接している。配線層３４と被覆金属層２６との間には、層間絶縁膜３２が介在している。配線層３４は、例えばオーミック電極２０側から膜厚５ｎｍのチタン（Ｔｉ）、膜厚１００ｎｍの白金（Ｐｔ）、及び膜厚２μｍの金（Ａｕ）が積層された金属膜である。
【００２０】
次に、実施例１に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）のように、基板１０上に、窒化物半導体層１８として、電子走行層１２、電子供給層１４、及びキャップ層１６を成膜する。窒化物半導体層１８の成膜は、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal
Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いることができる。窒化物半導体層１８上に、オーミック電極２０を形成すべき領域に開口を有するレジスト膜４０を形成する。図２（ｂ）のように、レジスト膜４０をマスクとして、例えば蒸着法を用いて、Ｔａ層４２、Ａｌ層４４、Ｔａ層４６を順に堆積する。図２（ｃ）のように、リフトオフによってレジスト膜４０を除去した後、Ａｌ層４４の上面の周辺に形成されたＴａ層４６を覆い、その他の領域に形成されたＴａ層４６を露出させるレジスト膜４８を形成する。
【００２１】
図３（ａ）のように、レジスト膜４８をマスクとして、Ｔａ層４６をエッチングによって除去する。Ｔａ層４６の除去は、ドライエッチングを用いてもよいし、ウエットエッチングを用いてもよい。これにより、Ａｌ層４４の上面の周辺にのみＴａ層４６が残存する。また、Ｔａ層４６の一部が除去されることにより、被覆金属層２６に窓２６ａが形成される。図３（ｂ）のように、レジスト膜４８を除去した後、Ｔａ層４２、Ａｌ層４４、Ｔａ層４６に対してアニール処理（熱処理）を行う。アニール処理は、例えば５００℃以上且つ８００℃以下の温度で行うことができ、５００℃以上且つ６００℃以下の温度で行うことが好ましい。これにより、Ｔａ層４２からなる第１電極２２、Ａｌ層４４からなる第２電極２４、及びＴａ層４６からなる被覆金属層２６を有するオーミック電極２０が形成される。次に、図３（ｃ）のように、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、オーミック電極２０の間の窒化物半導体層１８上に、ゲート電極３０を形成する。
【００２２】
図４（ａ）のように、オーミック電極２０及びゲート電極３０を覆うように、窒化物半導体層１８上に層間絶縁膜３２を形成する。層間絶縁膜３２は、例えばプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ：Plasma-Enhanced
Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。図４（ｂ）のように、層間絶縁膜３２上に、オーミック電極２０上に開口を有するレジスト膜５０を形成する。レジスト膜５０をマスクとして、層間絶縁膜３２をエッチングによって除去する。これにより、オーミック電極２０上の層間絶縁膜３２に開口５２が形成される。層間絶縁膜３２の除去は、ドライエッチングを用いてもよいし、ウエットエッチングを用いてもよい。図４（ｃ）のように、開口５２内に、例えば蒸着法及びリフトオフ法、又はめっき法を用いて、配線層３４を形成する。以上の工程を含んで実施例１に係る半導体装置が形成される。
【００２３】
実施例１の効果を説明するために、比較例１及び比較例２について説明する。比較例１及び比較例２の半導体装置は、オーミック電極の構成が異なる点以外は、実施例１の半導体装置と同じ構成をしている。このため、オーミック電極を主として、比較例１及び比較例２について説明する。図５（ａ）から図５（ｃ）は、比較例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図５（ａ）のように、実施例１の図２（ａ）で説明したように窒化物半導体層１８上にレジスト膜４０を形成した後、レジスト膜４０をマスクとして、例えば蒸着法を用いて、Ｔａ層４２とＡｌ層４４とを順に堆積する。
【００２４】
図５（ｂ）のように、リフトオフによってレジスト膜４０を除去した後、Ｔａ層４２とＡｌ層４４に対してアニール処理を行い、Ｔａ層４２とＡｌ層４４を有するオーミック電極５４を形成する。このアニール処理によって、オーミック電極５４のＡｌ層４４に起因したヒロック５６が発生する。ヒロック５６は、Ａｌ層４４の上面や、上面から側面に渡って等、様々な箇所で発生する。図５（ｃ）のように、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、オーミック電極５４の間の窒化物半導体層１８上に、ゲート電極３０を形成する。その後、実施例１の図４（ａ）から図４（ｃ）で説明した工程を行う。
【００２５】
比較例１では、図５（ｃ）のように、オーミック電極５４のＡｌ層４４に起因して発生したヒロック５６が、ゲート電極３０に接近又は接触してしまい、ゲート電極３０とオーミック電極５４との間の耐圧が低下してしまう。また、高電圧動作のために、オーミック電極５４に高電圧（例えば５０〜１００Ｖ）を印加すると、オーミック電極５４のゲート電極３０側の端部に電界が集中して、耐圧破壊が発生してしまう。
【００２６】
図６（ａ）から図６（ｃ）は、比較例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図６（ａ）のように、実施例１の図２（ａ）で説明したように窒化物半導体層１８上にレジスト膜４０を形成した後、レジスト膜４０をマスクとして、例えば蒸着法を用いて、Ｔａ層４２、Ａｌ層４４、及びＴａ層４６を順に堆積する。図６（ｂ）のように、リフトオフによってレジスト膜４０を除去した後、Ｔａ層４２、Ａｌ層４４、Ｔａ層４６に対してアニール処理を行い、Ｔａ層４２、Ａｌ層４４、Ｔａ層４６を有するオーミック電極５８を形成する。このアニール処理によって、オーミック電極５８のＡｌ層４４に起因したヒロック５６が発生するが、Ａｌ層４４の上面がＴａ層４６で覆われているため、ヒロック５６はＡｌ層４４の側面でのみ発生する。図６（ｃ）のように、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、オーミック電極５８の間の窒化物半導体層１８上に、ゲート電極３０を形成する。その後、実施例１の図４（ａ）から図４（ｃ）で説明した工程を行う。
【００２７】
比較例２では、Ａｌ層４４の上面を覆ってＴａ層４６が形成されているため、図６（ｃ）のように、ヒロック５６はＡｌ層４４の側面でのみ発生し、その大きさを小さくすることができる。これにより、ヒロック５６が、ゲート電極３０に接近又は接触することを抑制できる。しかしながら、Ａｌ層４４の上面にＴａ層４６が形成されると、アニール処理におけるＴａ層４２とＡｌ層４４との間の共晶が抑制される。Ｔａ層４６がＡｌ層４４の上面を覆って設けられていることで、オーミック電極５８の全体でＴａ層４２とＡｌ層４４との間の共晶が抑制され、その結果、オーミック電極５８は一様にコンタクト抵抗が高くなってしまう。したがって、高電圧動作において、オーミック電極５８のゲート電極３０側の端部への電界集中が起こって耐圧破壊が発生してしまう。
【００２８】
図７は、実施例１におけるオーミック電極２０による効果を説明する断面図である。図７のように、オーミック電極２０は、Ａｌ層からなる第２電極２４の上面の周辺に、Ｔａ層からなる被覆金属層２６が設けられた構成をして、第２電極２４の上面の中央部分には被覆金属層２６は設けられていない。このような構成によれば、第２電極２４の上面と側面とにヒロック５６が生じ得るが、上面から側面に渡るような大きなヒロック５６の発生を抑制できる。よって、ヒロック５６がゲート電極３０に接近又は接触することを抑制できる。また、被覆金属層２６が第２電極２４の上面の周辺にのみ設けられているため、オーミック電極２０の周辺におけるコンタクト抵抗が、中央部分よりも高くなった高抵抗領域２５が生じる。これにより、高電圧動作において、オーミック電極２０にかかる電界が分散されて、オーミック電極２０のゲート電極３０側の端部に電界が集中することを抑えることができ、耐圧破壊を抑制することができる。
【００２９】
なお、被覆金属層２６は、オーミック電極２０のアニール処理後のヒロック５６の成長を防止する効果も備えている。即ち、オーミック電極２０上には、絶縁膜が設けられる。この絶縁膜は、半導体装置の保護膜の機能あるいは、電極間を電気的に分離する機能などを有している。典型的な絶縁膜としては、図４の層間絶縁膜３２が挙げられる。ところで、このような絶縁膜は、オーミック電極２０に対してストレスを印加し、その結果としてアニール処理の後にヒロック５６が成長する場合がある。あるいは、絶縁膜を形成した後に熱処理が実施されると、オーミック電極２０からヒロックが成長する場合がある。一方、実施例１では、被覆金属層２６が設けられていることから、ヒロック５６の成長が抑制できる。即ち、実施例１の構造によれば、絶縁膜をオーミック電極２０（つまり、被覆金属層２６上）上に設けた後のヒロックの成長が抑制できる効果も備えている。
【００３０】
実施例１によれば、図２（ａ）から図４（ｃ）で説明したように、窒化物半導体層１８の上面に第１電極２２を形成する工程と、第１電極２２の上面に第２電極２４を形成する工程と、第２電極２４の上面の端を覆い、この端から離間した領域の第２電極２４の上面を露出する窓２６ａを有する被覆金属層２６形成する工程と、を有する。これにより、図１のように、オーミック電極２０は、窒化物半導体層１８の上面に設けられた第１電極２２と、第１電極２２の上面に設けられた第２電極２４と、第２電極２４の上面の端全体を覆う被覆金属層２６と、を有する。このような構成により、図７で説明したように、ヒロック５６がゲート電極３０に接近又は接触することを抑制できる。また、被覆金属層２６が設けられた領域に対応し、窒化物半導体層１８と第１電極２２とのコンタクト抵抗が、窓２６ａが設けられた領域に比べて高い高抵抗領域２５が得られるため、オーミック電極２０のゲート電極３０側の端部での電界集中による耐圧破壊を抑制できる。よって、実施例１によれば、信頼性を向上させることができる。
【００３１】
また、被覆金属層２６が、第２電極２４の上面の端にのみ設けられ、中央部分には設けられていないため、オーミック電極２０のコンタクト抵抗の増加を抑えることができ、特性の劣化を抑制することができる。
【００３２】
実施例１では、第１電極２２、第２電極２４、及び被覆金属層２６を備えた構造は、ゲート電極３０に隣接して配置されたソース電極及びドレイン電極の両方を構成する場合を例に示したが、少なくとも一方を構成する場合でもよい。また、実施例１では、被覆金属層２６は、第２電極２４の上面の端全体を覆っている場合を例に示したが、少なくとも第２電極２４の上面のゲート電極３０に近い側の端に覆っていればよい。これにより、ヒロック５６がゲート電極３０に接近又は接触することを抑制できると共に、オーミック電極２０のゲート電極３０側の端部での電界集中による耐圧破壊を抑制できる。オーミック電極２０のコンタクト抵抗をより小さくするために、被覆金属層２６は、第２電極２４の上面のゲート電極３０側の端のみ覆って設けられていてもよい。ヒロック５６がゲート電極３０以外の金属層に接近又は接触することでも信頼性が低下することから、被覆金属層２６は、第２電極２４の上面のゲート電極３０側の周辺以外の周辺であって、ヒロック５６の発生を抑制したい部分を覆って設けられていてもよい。実施例１のように、被覆金属層２６は、第２電極２４の上面の端全体を覆って設けられていてもよい。
【００３３】
図３（ｂ）で説明したアニール処理によってＡｌ層からなる第２電極２４内にグレインが形成され、このグレインによってヒロック５６が発生する。グレインの大きさはアニール処理の温度に依存し、温度が高いとグレインが大きくなり、低いとグレインは小さくなる。５００℃以上のアニール処理では、グレインは１μｍ以上になる。したがって、被覆金属層２６の幅Ｘ２（図１参照）は、第２電極２４内に形成されるグレインによるヒロック５６の発生を抑制できる大きさであることが好ましく、例えば０．５μｍ以上の場合が好ましく、１．０μｍ以上の場合がより好ましい。また、被覆金属層２６の幅Ｘ２が大き過ぎると、オーミック電極２０のコンタクト抵抗が大きくなると共に、端部での耐圧破壊の抑制が難しくなってしまう。したがって、被覆金属層２６の幅Ｘ２は、４．０μｍ以下の場合が好ましく、２．０μｍ以下の場合がより好ましい。
【００３４】
第２電極２４の上面から側面に渡るヒロック５６の発生を抑制する観点から、被覆金属層２６は、第２電極２４の上面の端を覆い、その端から中央側に向かって延在して設けられていることが好ましい。例えば、被覆金属層２６の側面は、第２電極２４の側面と同一面を形成していることが好ましい。
【００３５】
第１電極２２は、Ｔａの他に、チタン（Ｔｉ）を含む場合であってもよい。第２電極２４は、Ａｌを含む層であって、オーミック電極２０内で最も厚い層であることが好ましい。被覆金属層２６は、ヒロック５６の発生を抑制することができる金属層であれば、Ｔａ層以外の層でもよい。例えば、被覆金属層２６は、Ｔａ、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びＴｉの少なくとも１つを含む金属層の場合でもよい。被覆金属層２６の膜厚は、ヒロック５６の発生を抑制するために、１ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上且つ３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３６】
図８は、実施例１の変形例１に係る半導体装置を示す断面図である。図８のように、実施例１の変形例１では、オーミック電極２０ａの被覆金属層２７の厚さが一定ではなく、第２電極２４の端部から中央部分に向かうに連れて徐々に薄くなっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。このように、被覆金属層２７の厚さは、第２電極２４の端から中央側に向かうに従い徐々に薄くなる場合でもよい。これにより、オーミック電極２０ａのコンタクト抵抗を端から中央側に向かって徐々に小さくすることができ、オーミック電極２０ａの端部の電界をより緩和させることができる。
【実施例２】
【００３７】
図９は、実施例２に係る半導体装置を示す断面図である。図９のように、実施例２では、オーミック電極２０ｂは、第２電極２４の側面に被覆金属層２８が設けられ、第２電極２４の上面の端に被覆金属層２６が設けられていない構成をしている。被覆金属層２８は、例えば膜厚２０ｎｍのＴａ層である。実施例２では、被覆金属層２８は、第２電極２４の側面全体を覆って設けられている場合を例に説明する。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００３８】
次に、実施例２に係る半導体装置の製造方法について説明する。実施例２の半導体装置は、図９のように、オーミック電極の構成が異なる点以外は、実施例１の半導体装置と同じであるため、オーミック電極を主として、実施例２の半導体装置の製造方法を説明する。図１０（ａ）から図１１（ｂ）は、実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１０（ａ）のように、基板１０上に、窒化物半導体層１８として電子走行層１２、電子供給層１４、及びキャップ層１６を形成する。窒化物半導体層１８上に、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、オーミック電極２０ｂを形成すべき領域に、Ｔａ層４２とＡｌ層４４とを形成する。
【００３９】
図１０（ｂ）のように、Ｔａ層４２とＡｌ層４４とが形成された領域以外の領域に、Ａｌ層４４の上面と側面とを露出させたレジスト膜６０を形成する。このような、端部が曲面形状をしたレジスト膜６０は、レジスト膜６０に対して熱処理を行うことで形成できる。その後、例えばスッパタリング法を用いて、Ｔａ層４６を成膜する。スパッタリング法を用いることで、Ｔａ層４６は、Ａｌ層４４の上面と側面とを覆って形成される。図１０（ｃ）のように、Ｔａ層４６に対してエッチバックを行う。エッチバックは、例えばドライエッチング等の異方性エッチングを用いることができる。これにより、Ａｌ層４４の上面に形成されたＴａ層４６が除去されて、Ａｌ層４４の側面にのみＴａ層４６が残存する
【００４０】
図１１（ａ）のように、レジスト膜６０を除去した後、Ｔａ層４２、Ａｌ層４４、Ｔａ層４６に対してアニール処理を行う。これにより、Ｔａ層４２からなる第１電極２２、Ａｌ層４４からなる第２電極２４、及びＴａ層４６からなる被覆金属層２８を有するオーミック電極２０ｂが形成される。図１１（ｂ）のように、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、オーミック電極２０ｂの間の窒化物半導体層１８上に、ゲート電極３０を形成する。その後、実施例１の図４（ａ）から図４（ｃ）で説明した工程を行う。以上の工程を含んで実施例２に係る半導体装置が形成される。
【００４１】
図１２は、実施例２におけるオーミック電極２０ｂによる効果を説明する断面図である。図１２のように、オーミック電極２０ｂは、Ａｌ層からなる第２電極２４の側面に、Ｔａ層からなる被覆金属層２８が設けられた構成をしている。このような構成によれば、第２電極２４の上面からヒロック５６が生じ得るが、上面から側面に渡るようなヒロック５６及び側面でのヒロック５６の発生を抑制できる。これにより、ヒロック５６がゲート電極３０に接近又は接触することを抑制できる。また、第２電極２４の側面に被覆金属層２８が形成されると、アニール処理における第２電極２４と第１電極２２との間の共晶が、被覆金属層２８が形成された周辺で抑制される。このため、オーミック電極２０ｂの端におけるコンタクト抵抗が、中央部分よりも高くなった高抵抗領域２５が生じる。よって、高電圧動作において、オーミック電極２０ｂにかかる電界が分散されて、オーミック電極２０ｂのゲート電極３０側の端部に電界が集中することを抑えることができ、耐圧破壊を抑制することができる。
【００４２】
実施例２によれば、図１０（ａ）から図１１（ｂ）で説明したように、窒化物半導体層１８の上面に第１電極２２を形成する工程と、第１電極２２の上面に第２電極２４を形成する工程と、第２電極２４の側面全体を覆う被覆金属層２８を形成する工程と、を有する。これにより、図９のように、オーミック電極２０ｂは、窒化物半導体層１８の上面に設けられた第１電極２２と、第１電極２２の上面に設けられた第２電極２４と、第２電極２４の側面全体を覆う被覆金属層２８と、を有する。このような構成により、図１２で説明したように、ヒロック５６がゲート電極３０に接近又は接触することを抑制できる。オーミック電極２０ｂのゲート電極３０側の端部での電界集中による耐圧破壊を抑制できる。よって、実施例２によれば、信頼性を向上させることができる。
【００４３】
また、被覆金属層２８は、オーミック電極２０ｂのアニール処理後のヒロック５６の成長を防止する効果も備えている。即ち、オーミック電極２０ｂ上には、絶縁膜が設けられる。この絶縁膜は、半導体装置の保護膜の機能あるいは、電極間を電気的に分離する機能などを有している。典型的な絶縁膜としては、図９の層間絶縁膜３２が挙げられる。ところで、このような絶縁膜は、オーミック電極２０ｂに対してストレスを印加し、その結果としてアニール処理の後にヒロック５６が成長する場合がある。あるいは、絶縁膜を形成した後に熱処理が実施されると、オーミック電極２０ｂからヒロックが成長する場合がある。一方、実施例２では、被覆金属層２８が設けられていることから、ヒロック５６の成長が抑制できる。即ち、実施例２の構造によれば、絶縁膜をオーミック電極２０上に設けた後のヒロックの成長が抑制できる効果も備えている。
【００４４】
また、第２電極２４の側面に被覆金属層２８が設けられているだけであるため、オーミック電極２０ｂのコンタクト抵抗の増加を抑えることができ、特性の劣化を抑制することができる。
【００４５】
実施例２では、第１電極２２、第２電極２４、及び被覆金属層２８を備えた構造は、ゲート電極３０に隣接して配置されたソース電極及びドレイン電極の両方を構成する場合を例に示したが、少なくとも一方を構成する場合でもよい。また、被覆金属層２８は、第２電極２４の側面全体を覆って設けられている場合を例に示したが、少なくとも第２電極２４のゲート電極３０に近い側の側面を覆って設けられていればよい。これにより、ヒロック５６がゲート電極３０に接近又は接触することを抑制できると共に、オーミック電極２０ｂのゲート電極３０側の端部での電界集中による耐圧破壊を抑制できる。被覆金属層２８は、オーミック電極２０ｂのコンタクト抵抗をより小さくするために、第２電極２４のゲート電極３０側の側面のみ覆って設けられていてもよい。ヒロック５６がゲート電極３０以外の金属層に接近又は接触することでも信頼性が低下することから、被覆金属層２８は、第２電極２４のゲート電極３０側の側面以外の側面であって、ヒロック５６の発生を抑制したい部分を覆って設けられていてもよい。実施例２のように、被覆金属層２８は、第２電極２４の側面全体を覆って設けられていてもよい。
【００４６】
被覆金属層２８は、第２電極２４の側面の上端と下端との間の一部に設けられている場合でもよいが、少なくとも上端から下側に向かって延在して設けられている場合が好ましく、図９のように、上端から下端にかけて延在して設けられている場合がより好ましい。これにより、第２電極２４の側面でのヒロック５６の発生をより抑制できるためである。
【００４７】
被覆金属層２８は、ヒロック５６の発生を抑制することができる金属層であれば、Ｔａ層以外の層でもよい。例えば、被覆金属層２８は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、及びＴｉの少なくとも１つを含む金属層の場合でもよい。
【実施例３】
【００４８】
図１３は、実施例３に係る半導体装置を示す断面図である。図１３のように、実施例３では、オーミック電極２０ｃは、被覆金属層２６と被覆金属層２８との両方を有している。被覆金属層２６と被覆金属層２８とは、図１３のように、接続して一体になっている場合が好ましいが、互いに分離している場合でもよい。その他の構成は、実施例１及び実施例２と同じであるため説明を省略する。
【００４９】
次に、実施例３に係る半導体装置の製造方法について説明する。実施例３でも、実施例２と同様に、オーミック電極を主として、実施例３の半導体装置の製造方法を説明する。図１４（ａ）から図１５（ｃ）は、実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１４（ａ）のように、基板１０上に、窒化物半導体層１８として電子走行層１２、電子供給層１４、及びキャップ層１６を形成する。窒化物半導体層１８上に、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、オーミック電極２０ｃを形成すべき領域に、Ｔａ層４２とＡｌ層４４とを形成する。
【００５０】
図１４（ｂ）のように、Ｔａ層４２とＡｌ層４４とが形成された領域以外の領域に、Ａｌ層４４の上面と側面とを露出させたレジスト膜６２を形成する。端部が曲面形状をしたレジスト膜６２は、上述したように、レジスト膜６２に対して熱処理を行うことで形成できる。その後、例えばスパッタリング法を用いて、Ｔａ層４６を成膜する。スパッタリング法を用いることで、Ｔａ層４６は、Ａｌ層４４の上面と側面とを覆って形成される。図１４（ｃ）のように、Ａｌ層４４の側面と上面の端とに形成されたＴａ層４６を覆い、その他の領域のＴａ層４６を露出させたレジスト膜６４を形成する。
【００５１】
図１５（ａ）のように、レジスト膜６４をマスクとして、Ｔａ層４６をエッチングによって除去する。Ｔａ層４６の除去は、例えばドライエッチング等の異方性エッチングを用いることができる。これにより、Ａｌ層４４の側面と上面の周辺とにのみＴａ層４６が残存する。図１５（ｂ）のように、レジスト膜６２、６４を除去した後、Ｔａ層４２、Ａｌ層４４、Ｔａ層４６に対してアニール処理を行う。これにより、Ｔａ層４２からなる第１電極２２、Ａｌ層４４からなる第２電極２４、及びＴａ層４６からなる被覆金属層２６と被覆金属層２８、を有するオーミック電極２０ｃが形成される。図１５（ｃ）のように、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、オーミック電極２０ｃの間の窒化物半導体層１８上に、ゲート電極３０を形成する。その後、実施例１の図４（ａ）から図４（ｃ）で説明した工程を行う。以上の工程を含んで実施例３に係る半導体装置が形成される。
【００５２】
実施例３によれば、第２電極２４の上面の端と側面との両方に、被覆金属層２６、２８が設けられている。これにより、第２電極２４の上面から側面に渡るヒロック５６及び側面でのヒロック５６の発生を抑える効果が大きくなり、ヒロック５６がゲート電極３０に接近又は接触することをより抑制できる。オーミック電極２０ｃのゲート電極３０側の端部での電界集中による耐圧破壊も勿論抑制できる。よって、実施例３によれば、信頼性をより向上させることができる。
【００５３】
図１３のように、第２電極２４の上面の端を覆う被覆金属層２６と第２電極２４の側面を覆う被覆金属層２８とは、電気的に接続していることが好ましい。これにより、第２電極２４の上面から側面に渡るヒロック５６の発生を効果的に抑制できるためである。また、被覆金属層２６と被覆金属層２８とは、同じ材料からなることが好ましい。これにより、被覆金属層２６と被覆金属層２８とを同時に形成することができるためである。したがって、例えば被覆金属層２６と被覆金属層２８とが接続して一体となって構成を容易に得ることができる。
【００５４】
実施例１から３では、電子走行層１２と電子走行層１２よりもバンドギャップの大きい電子供給層１４とを含む窒化物半導体層１８を有するＨＥＭＴの場合を例に示したが、窒化物半導体層を用いたその他の半導体装置の場合でもよい。なお、窒化物半導体とは、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のことをいい、ＧａＮ及びＡｌＧａＮの他にも、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、及びＩｎＡｌＧａＮ等が挙げられる。
【００５５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０      基板
１２      電子走行層
１４      電子供給層
１６      キャップ層
１８      窒化物半導体層
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ  オーミック電極
２２      第１電極
２４      第２電極
２５      高抵抗領域
２６、２７、２８  被覆金属層
３０      ゲート電極
３２      層間絶縁膜
３４      配線層
４０、４８、５０、６０、６２、６４  レジスト膜
４２      Ｔａ層
４４      Ａｌ層
４６      Ｔａ層
５４、５８  オーミック電極
５６      ヒロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2015012177.tif 000016
【図１５】
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