(57)【要約】【課題】金属の表面に、遮断機能を向上させたバリア層を成膜する。【解決手段】酸素プラズマと反応して酸化膜を形成する原料ガスと酸素ガスとを用い、プラズマ原子層堆積によって金属の表面にバリア層を成膜する工程を含み、この成膜する工程の少なくとも初期に、前記酸素プラズマとして組成に水素原子を含むものを用いる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素プラズマと反応して酸化膜を形成する原料ガスと酸素ガスとを用い、プラズマ原子層堆積によって金属の表面にバリア層を成膜する工程を含み、
この成膜する工程の少なくとも初期に、前記酸素プラズマとして組成に水素原子を含むものを用いる
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
請求項１記載の成膜方法において、
前記酸素プラズマの生成時に前記酸素ガスに加えて水素ガスを用いる
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項２記載の成膜方法において、前記酸素ガスに対して前記水素ガスを１／４以上の範囲で反応させることを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項記載の成膜方法において、前記金属は、電子素子と共に基板上に形成された金属膜であり、前記成膜する工程を、前記電子素子の機能が保たれる限界温度より低い基板温度で実行することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項４記載の成膜方法において、前記電子素子は発光ダイオードであることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項記載の成膜方法において、前記金属は少なくともその一部が銀Ａｇであることを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項記載の成膜方法において、前記原料ガスとして有機アルミニウム化合物、有機チタン化合物および有機シリコン化合物から選択される１以上の化合物を用い、酸化アルミニムＡｌ２Ｏ３、酸化チタンＴｉＯ２および酸化シリコンＳｉＯ２から選択される１以上の酸化物で前記バリア層を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
少なくとも表面の一部に金属層が設けられた対象物を収容する成膜室と、
前記成膜室内を真空雰囲気に維持する排気装置と、
酸素プラズマと反応して酸化膜を形成する原料ガスおよび反応ガスとしての酸素ガスを前記成膜室内に導入するガス導入手段と、
組成に水素原子を含む材料を前記成膜室内に導入する水素導入手段と、
前記成膜室内に高周波電力を印加してプラズマを生成させる高周波電源と、
前記ガス導入手段、前記水素導入手段および前記高周波電源を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記ガス導入手段を制御して前記成膜室へ前記原料ガスおよび前記酸素ガスを導入するとともに、前記高周波電源を制御して、プラズマ原子層堆積により前記金属層の表面にバリア層を成膜させる制御を実行し、さらに、この成膜させる制御の少なくとも初期に、前記成膜室への前記酸素ガスの導入に伴って、前記水素導入手段を制御して前記組成に水素原子を含む材料を前記成膜室へ導入する制御を実行する
ことを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属表面にバリア層を形成する成膜方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々の分野で、発光装置にＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）が利用されている。ＬＥＤチップは、基板上にダイボンディングされ、ワイヤーでＬＥＤチップと電極が電気的に接続されると共に、ＬＥＤチップを保護する透光性樹脂で周囲が被覆されている。
【０００３】
ＬＥＤチップの光取出し効率を向上させる目的で、反射膜、反射電極膜、電極膜、または配線等の用途に銀膜が採用されることがある。しかし、銀膜を用いる場合、銀の硫化が大きな問題となる。ＬＥＤチップは透光性樹脂により封止されているが、大気中の硫化水素等が樹脂を介して進入し、銀膜を硫化して黒色化し、ＬＥＤの光出力が低下してしまう。銀膜の黒色化を防止する目的で、銀膜にバリア層を形成するものが、例えば特許文献１に開示されている。
【０００４】
また、ＬＥＤチップに関するものではないが、例えば特許文献２には、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、銀の変色を保護する被覆を成膜することが開示されている。また、非特許文献１には、低温でのＡｌ２Ｏ３のＡＬＤ成膜についての記載がある。さらに、有機金属ガスと酸素プラズマとを反応させて酸化膜を形成するプラズマ原子層堆積（Ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＡＬＤ、以下、「ＰＥ−ＡＬＤ」という）という技術も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２３９０４３号公報
【特許文献２】特表２００９−５２５４０６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｍ．Ｄ．Ｇｒｏｎｅｒ，  Ｆ．Ｈ．Ｆａｂｒｅｇｕｅｔｔｅ，  Ｊ．Ｗ．Ｅｌａｍ，  ａｎｄ  Ｓ．Ｍ．Ｇｅｏｒｇｅ,  “Ｌｏｗ‐Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ａｌ２Ｏ３  Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”，  Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４，１６，６３９‐６４５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１は、バリア層として、銀全体を被覆するように金属酸化膜を形成するものである。特許文献１の実施例に開示されるように、スパッタ法により金属酸化膜（バリア層）を形成することで、樹脂膜に比較して硫化水素等の硫化ガスの透過を低減することが可能となる。しかし、スパッタ法により成膜されたバリア層は、硫化ガスの透過を完全には遮断できず、時間経過ともに銀膜が黒色化してしまうことを避けられない。
【０００８】
遮断性向上を目的とし、バリア層を高温成膜することが考えられる。特許文献２に記載されたＡＬＤ法においても、低温では非特許文献１に示されるように低密度の膜しか得らないことから、安定な膜を得るには、高温で処理することが必要である。しかし、ＬＥＤは高温環境に耐えられないため、ＬＥＤチップへの高温成膜によるバリア層形成は現実的でない。
【０００９】
反応性スパッタを利用することで比較的低温で金属酸化膜を形成することができるが、成膜中に導入される酸素ガスにより銀膜が酸化するという問題がある。黒色化防止を目的とするバリア層の形成に起因して銀膜が黒色化してしまっては、バリア層を形成する意味がない。酸素プラズマを用いるＰＥ−ＡＬＤも同様に、銀膜の酸化を避けることができない。
【００１０】
本発明者は、以上の課題を解決するため、特許文献１や非特許文献１に示された原料ガスと水とを用いるＡＬＤによって第１のバリア層を成膜し、その後に、原料ガスと酸素プラズマによって第２のバリア層を成膜する方法および装置を発明し、先に特許出願した（特願２０１３−０９６３８４、本願出願時未公開、以下「先の出願」という）。
【００１１】
本願発明は、遮断機能の高いバリア層を成膜することが可能な新たな成膜方法および装置、ならびにそのようなバリア層が形成された電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第一の側面によると、酸素プラズマと反応して酸化膜を形成する原料ガスと酸素ガスとを用い、プラズマ原子層堆積によって金属の表面にバリア層を成膜する工程を含み、この成膜する工程の少なくとも初期に、酸素プラズマとして、組成に水素原子を含むもの（以下、「水素含有酸素プラズマ」という）を用いることを特徴とする成膜方法が提供される。
【００１３】
この成膜方法は、成膜対象となる金属が銀Ａｇ、あるいは少なくともその一部が銀Ａｇである金属の場合に特に有効であり、成膜中の酸素と水素の量を調整することで、銀の黒色化を防止しながら、その表面にバリア層を形成することができる。また、銀以外の金属に対しても、その金属の酸化を防止しながら、遮断機能の高いバリア層を成膜することができる。また、成膜時の温度を比較的低温に抑えることができるので、樹脂パッケージを用いる場合であっても樹脂の劣化を抑制することができる。
【００１４】
水素含有酸素プラズマを生成するには、酸素ガスに加えて水素ガスＨ２を用いることが望ましい。水Ｈ２Ｏを用いることもできる。
【００１５】
原料ガスとしては、有機金属化合物を用いることができる。たとえば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）などの有機アルミニウム化合物を用いて、酸化アルミニムＡｌ２Ｏ３、のバリア層を成膜することができる。また、原料ガスとして有機チタン化合物を用いることで、酸化チタンＴｉＯ２バリア層を成膜できる。原料ガスとして有機シリコン化合物を用いることで、酸化シリコンＳｉＯ２バリア層を成膜できる。
【００１６】
本発明の第二の側面によると、少なくとも表面の一部に金属層が設けられた対象物を収容する成膜室と、成膜室内を真空雰囲気に維持する排気装置と、酸素プラズマと反応して酸化膜を形成する原料ガスおよび反応ガスとしての酸素ガスを成膜室内に導入するガス導入手段と、組成に水素原子を含む材料を成膜室内に導入する水素導入手段と、成膜室内に高周波電力を印加してプラズマを生成させる高周波電源と、ガス導入手段、水素導入手段および高周波電源を制御する制御部とを備え、制御部は、ガス導入手段を制御して成膜室へ原料ガスおよび酸素ガスを導入するとともに、高周波電源を制御して、プラズマ原子層堆積により金属層の表面にバリア層を成膜させる制御を実行し、さらに、この成膜させる制御の少なくとも初期に、成膜室への酸素ガスの導入に伴って、水素導入手段を制御して組成に水素原子を含む材料を成膜室へ導入する制御を実行することを特徴とする成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、遮断機能の高いバリア層を成膜することができ、そのようなバリア層が設けられた電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第1の実施の形態に係るＡＬＤ装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示すＡＬＤ装置の制御部による成膜制御の流れを示すフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るＡＬＤ装置の構成を示す図である。
【図４】成膜方法の異なるバリア層の水蒸気透過率の測定結果例を示す図である。
【図５】酸素ガスと水素ガスの流量比を変えてバリア層が形成されたＡｇの反射率の測定結果例を示す図である。
【図６】図１または図３に示す装置で形成されたバリア層を有する電子デバイスの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の第1の実施の形態に係る成膜装置としてのＡＬＤ装置の構成を示す図である。以下では、銀膜上にバリア層として酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３を形成する場合を例に説明する。
【００２０】
図１に示すＡＬＤ装置は、成膜室１と、成膜対象である基板２（被成膜面に銀膜を含む）と、排気装置３と、ガスシャワー４と、プラズマ生成用の高周波電源５と、給気部６〜９と、制御部１０と、を備える。成膜室１は、少なくとも表面の一部に金属層が設けられた対象物である基板２を収容する。排気装置３は、成膜室に連接され、成膜室１内を真空雰囲気に維持する。高周波電源５は、成膜室１内に高周波電力を印加してプラズマを生成させる。給気部６、７は、成膜室１に連設され、酸素プラズマと反応して酸化膜を形成する原料ガスおよび反応ガスとしての酸素Ｏ２ガスを成膜室１内に導入するガス導入手段を構成する。給気部８は、成膜室１に連設され、組成に水素原子を含む材料を成膜室１内に導入する水素導入手段を構成する。給気部９は、成膜室１に連設され、成膜室１内に不活性ガスを導入する。この実施の形態では、原料ガスをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とし、水素を含む材料として水素Ｈ２を用いる。不活性ガスとしては、例えばアルゴンを用いる。制御部１０は、ＣＰＵ、ＲＡＭおよびＲＯＭ等から構成されており、高周波電源５および吸気部６〜９を含むＡＬＤ装置の動作全般を制御する。
【００２１】
ガスシャワー４は、基板２に対向配置され、高周波電源５に接続される。成膜対象に対面するガスシャワー４により、成膜対象面に対してガスの流れを均等に生成することができる。また、ガスシャワー４に高周波電力を印加することにより、成膜室１内部にプラズマが生成される。図１に示す実施形態では成膜室１および基板２を接地するものとしているが、新たな高周波電源を設けて、基板２に高周波電力を印加してもよい。
【００２２】
吸気部６は、原料ガスであるＴＭＡの供給源に接続される。吸気部７は、反応ガスである酸素ガスの供給源に接続される。吸気部８は、水素供給源に接続される。吸気部９は、不活性ガスであるアルゴン供給源に接続される。原料ガス、反応ガス、水素ガス、および不活性ガスは、いずれもガスシャワー４から成膜室１内部に供給される。原料ガスの供給および停止は、吸気部６の開／閉により行う。
【００２３】
制御部１０は、給気部６、７を制御して成膜室へ原料ガスおよび酸素ガスを導入するとともに、高周波電源５を制御して、プラズマ原子層堆積により基板２の金属層表面にバリア層を成膜させる制御を実行する。さらに、制御部１０は、この成膜させる制御の少なくとも初期に、成膜室１への酸素ガスの導入に伴って、給気部８を制御して組成に水素原子を含む材料を成膜室１へ導入する制御を実行する。これらの制御において、制御部１０は、給気部６〜９および高周波電源５に信号を送信して、高周波電力の印加時間、ガス供給のタイミングを制御する。
【００２４】
次に、バリア層の成膜工程について説明する。まず、基板２をセットし、給気部６および給気部９を開き、Ａｌを含む原料ガスであるＴＭＡと不活性ガスのアルゴンとを成膜室１内に導入する。本実施例では基板２を１２０℃に加熱する。ＴＭＡ分子を基板２の表面に吸着させた後に、吸気部６を閉じ、原料ガスをパージする。その後、吸気部７、８を開き、成膜室１内に酸素ガスおよび水素ガスを供給する。次いで、ガスシャワー４に高周波電力を印加し、活性水素を含有する酸素プラズマ（水素含有酸素プラズマ）を生成し、基板２のＴＭＡ分子を酸化させてＡｌ２Ｏ３を形成する。酸素プラズマ中に水素ラジカルを含むことにより、銀膜が黒色化せず、かつバリア機能の高い緻密な膜を形成することができる。ＴＭＡ分子の酸化は、高周波電力の印加時間により制御する。吸気部７を閉じて酸化ガスおよび水素ガスを成膜室１からパージした後、吸気部９は開いたまま、所望の膜厚になるまで、原料ガスの導入、パージ、酸化ガスおよび水素ガスの導入、高周波電極の印加、パージのサイクルを繰り返して継続する。
【００２５】
図２は、バリア層の成膜工程における制御部１０の制御の流れを示すフローチャートである。
【００２６】
制御部１０は、オペレータからの成膜開始の指示があると、給気部６，９に、原料ガスと不活性ガスの成膜室１内への導入を指示する（ステップＳ１，Ｓ２）。なお、図２では、フローチャートにおけるループを明確にするため、給気部６より先に給気部９へ指示するように記載している。給気部６，９への指示のタイミングは、同時でもよく、給気部６が先でもよい。続いて制御部１０は、ＴＭＡ分子が基板２の表面に吸着するまでの時間が経過した後、吸気部６に、ガスの供給停止を指示する（ステップＳ３）。続いて制御部１０は、吸気部７、８に、酸素ガスおよび水素ガスの成膜室１内への供給を指示する（ステップＳ４）。次いで、制御部１０は、高周波電源５をオンにし、ガスシャワー４に高周波電力を印加させる（ステップＳ５）。これにより、基板２のＴＭＡ分子が酸化し、Ａｌ２Ｏ３が形成される。続いて、制御部１０は、吸気部７、８に、酸素ガスおよび水素ガスの供給停止を指示する（ステップＳ６）。これにより、成膜室１から酸素ガスおよび水素ガスがパージされる。制御部１０は、所望の膜厚が得られるまで、ステップＳ２〜Ｓ６の処理を繰り返す（ステップＳ７）。所望の膜厚が得られると、制御部１０は、給気部９に不活性ガスの供給停止を指示し（ステップＳ８）、成膜制御を終了する。
【００２７】
本実施の形態によれば、吸気部６〜９の開閉および高周波電力の印加時間により、精度良く膜厚を制御することができる。また、基板２の成膜面が平面でなく凹凸面を有する場合であっても、膜の着き回りがよく、均一な膜を形成することができる。水素ガスの成膜室１への導入に関して、ここでは酸素ガスの導入に伴って毎回行うものとしたが、成膜の初期だけ行ってもよい。
【００２８】
以上の説明では、バリア層を形成する対象として銀を例に説明したが、他の酸化あるいは腐食しやすい金属に対しても、同様のバリア層を形成して、酸化性ガスや腐食性ガスを良好に遮断することができる。
【００２９】
また、以上の説明では、バリア層として酸化アルミニウムを成膜するものとしたが、酸化チタンや酸化シリコン等の酸化金属膜を形成してもよい。原料ガスは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）に限定されるものではなく、目的のバリア層に合わせて適宜選択することができる。また、不活性ガスについても、アルゴンに限定されるものではなく、例えば窒素を用いてもよい。
【００３０】
基板２を成膜室１内にセットするには、図示していない搬送装置を用いて、成膜室１の真空雰囲気を維持したまま基板２を成膜室１内に搬入する。あるいは、成膜室１内に基板２を手動で搬入して設置し、その後に成膜室１内を所定の真空度まで真空排気してもよい。
【００３１】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係るＡＬＤ装置の構成を示す図である。このＡＬＤ装置は、成膜室２０と、成膜対象である基板２と、排気装置３と、高周波コイル２１と、プラズマ生成用の高周波電源５と、給気部６〜９と、制御部１０と、を備える。給気部６〜９および排気装置３は成膜室１に連設されている。
【００３２】
図１に示すＡＬＤ装置は、バリア層を成膜するために、容量結合プラズマを生成している。これに対して図３に示すＡＬＤ装置は、高周波電極としてのガスシャワー４に代えてコイル２１を配置し、誘導結合プラズマを生成する。すなわち、本実施の形態は、プラズマの生成方法が異なるだけで、第１の実施形態と実質的に同等の成膜工程でバリア層を成膜することができる。
【００３３】
図４は、成膜方法の異なるバリア層の水蒸気透過率の測定結果例を示す図である。縦軸が水蒸気透過率を示す。バリア層としては、１００μｍの厚さのＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルム上（片面）に、Ａｌ２Ｏ３を２０ｎｍの膜厚に成膜したものを用いている。成膜方法としては、
（１）原料ガスと水とを用いるＡＬＤ（「Ｈ２Ｏ−ＡＬＤ」という）、
（２）原料ガスと酸素プラズマによるＰＥ−ＡＬＤ（「ＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２）」という）、
（３）原料ガスと水素含有酸素プラズマによるＰＥ−ＡＬＤ（「ＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２／Ｈ２）」という）、
（４）原料ガスと水素含有酸素プラズマによるＰＥ−ＡＬＤで一部成膜した後、原料ガスと酸素プラズマによるＰＥ−ＡＬＤで成膜する方法（「ＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２／Ｈ２→Ｏ２）という）
の４種類を用いた。比較のため、バリア層がない場合も示している（図には「ＰＥＴ」と示す）。
【００３４】
図４に示すように、バリア層が無いＰＥＴでは水蒸気透過率が６．０４ｇ／ｍ２・ｄａｙであるのに対し、Ｈ２Ｏ−ＡＬＤによるバリア層を設けることで、水蒸気透過率が０．４７ｇ／ｍ２・ｄａｙに低下する。さらに、ＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２）によるバリア層では、水蒸気透過率が０．０９ｇ／ｍ２・ｄａｙとなり、水素ガスを用いたＰＥ−ＡＬＤでは、水蒸気透過率が０．０８ｇ／ｍ２・ｄａｙとなっている。ＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２／Ｈ２）とＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２／Ｈ２→Ｏ２）とでは、水蒸気透過率の違いは見られなかった。水素含有酸素プラズマと反応させながらＰＥ−ＡＬＤを行うことで、他の方法で成膜された同じ厚さのＡｌ２Ｏ３バリア層に比較して、水蒸気に対して優れた遮断性を示すバリア層が得られることがわかる。図４に示す測定結果は、硫化水素等の硫化ガスに対する遮断性を示すものではない。しかし、水蒸気以外のガスに対しても、同様の傾向があると考えられる。
【００３５】
図５は、酸素ガスと水素ガスの流量比を変えてバリア層が形成されたＡｇの反射率の測定結果例を示す図である。縦軸が波長４６０ｎｍにおける反射率を示し、横軸は、酸素ガスと水素ガスの流量比を示す。酸素ガスと水素ガスの総流量は２００ｓｃｃｍとし、Ａｌ２Ｏ３バリア層を２５ｎｍの厚さに成膜した。図５にはまた、Ｈ２Ｏ−ＡＬＤとＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２）の２段階で同じ厚さのＡｌ２Ｏ３バリア層を成膜した場合の反射率（図には「２Ｓｔｅｐ」として示す）と、バリア層がないＡｇ単独の反射率も示す。
【００３６】
図５に示すように、水素ガスを利用せずに酸素ガスのみでバリア層を成膜した場合の反射率は、５８．４であった。一方、水素ガスの流量を２０ｓｃｃｍ（酸素ガスの流量は１８０ｓｃｃｍ）としてバリア層を成膜した場合には、反射率が９１．０と大幅に増加した。水素ガスの流量が３０，４０，５０，６０，７０の場合のそれぞれの反射率は、９１．７，９３．８，９４．５，９４．１，９３．８であった。Ｈ２Ｏ−ＡＬＤとＰＥ−ＡＬＤ（Ｏ２）の２段階で成膜した場合の反射率は、９３．９であった。Ａｇ単独の反射率は、９６．３であった。この測定結果から、酸素ガス対水素ガスの流量比は、１６０／４０以上の範囲が望ましいことがわかる。すなわち、酸素ガスに対して水素ガスを１／４以上の範囲で反応させることがよい。酸素ガスに対して水素ガスは３／４以下の範囲で反応させることがよい。
【００３７】
上述の実施の形態では基板温度１２０℃でバリア層を形成するものとしたが、バリア層は２００℃以下、より好ましくは１５０℃以下で形成することが望ましい。
【００３８】
図６は、上述の実施の形態を用いて形成されたバリア層を有する電子デバイスの断面図である。ここでは、電子デバイスとして、ＬＥＤ光源３０を例に説明する。このＬＥＤ光源３０の基本構造は、バリア層が水素含有酸素プラズマを用いて成膜されたものであることを除いて、特許文献１に示されたものと同等である。すなわち、ＬＥＤ光源３０は、基板３１上に、Ａｇ電極３２，３３を備える。これらのＡｇ電極３２，３３は、図外の外部電極に接続される。Ａｇ電極３２，３３上には、ＬＥＤ素子３６が実装される。ＬＥＤ素子３６の上面にバリア層３４が設けられている。ＬＥＤ素子３６の２つの電極は、一方がワイヤー３７によりＡｇ電極３２に電気的に接続され、他方がワイヤー３８によりＡｇ電極３３に電気的に接続される。ＬＥＤ光源３０の周辺部にはパッケージ枠４０が設けられ、このパッケージ枠４０内は、ＬＥＤ素子３６の周囲を囲むように、蛍光体が均一に練り込まれた封止材４１で埋め込まれている。
【符号の説明】
【００３９】
１、２０  成膜室
２  基板
３  排気装置
４  ガスシャワー
５  高周波電源
６〜９  給気部
１０  制御部
２１  高周波コイル
３０  ＬＥＤ光源
３１  基板
３２，３３  Ａｇ電極
３４  バリア層
３６  ＬＥＤ素子
３７，３８  ワイヤー
４０  パッケージ枠
４１  封止材
【図１】
2015133401.tif 000003
【図２】
2015133401.tif 000004
【図３】
2015133401.tif 000005
【図４】
2015133401.tif 000006
【図５】
2015133401.tif 000007
【図６】
2015133401.tif 000008