(57)【要約】【課題】集積回路及び送受信装置の高出力化、高効率化を実現する。【解決手段】集積回路を、トランジスタ２と、トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路６とを備え、インピーダンス整合回路が、高周波信号を伝送する信号配線２２と、信号配線から分岐されたショートスタブとなり、トランジスタに電流を供給する電源配線２４とを備え、電源配線が、折り曲げ配線２４Ｘと、折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線２４Ｙとを備えるものとする。【選択図】図１
2015133660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路とを備え、
前記インピーダンス整合回路は、高周波信号を伝送する信号配線と、前記信号配線から分岐されたショートスタブとなり、前記トランジスタに電流を供給する電源配線とを備え、
前記電源配線は、折り曲げ配線と、前記折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備えることを特徴とする集積回路。
【請求項２】
前記ショートカット配線における実効誘電率が、前記折り曲げ配線における実効誘電率よりも低いことを特徴とする、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記折り曲げ配線は、半導体基板、下部絶縁膜又は誘電体基板上に形成されており、
前記ショートカット配線は、エアブリッジ配線を含むことを特徴とする、請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記折り曲げ配線は、半導体基板、下部絶縁膜又は誘電体基板上に形成されており、
前記ショートカット配線は、ワイヤを含むことを特徴とする、請求項２に記載の集積回路。
【請求項５】
前記折り曲げ配線は、半導体基板、下部絶縁膜又は誘電体基板上に形成されており、
前記折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を備え、
前記ショートカット配線は、前記上部絶縁膜上に形成された部分を含むことを特徴とする、請求項２に記載の集積回路。
【請求項６】
トランジスタと、前記トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路とを有する集積回路を含む増幅器を備え、
前記インピーダンス整合回路は、高周波信号を伝送する信号配線と、前記信号配線から分岐されたショートスタブとなり、前記トランジスタに電流を供給する電源配線とを備え、
前記電源配線は、折り曲げ配線と、前記折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備えることを特徴とする送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路及び送受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のブロードバンドの進展により、大容量の高速無線通信の要求が高まっている。大容量化に向けて、例えば携帯電話の基地局に備えられる送受信装置に用いられる増幅器は第３世代が普及し、今後、さらに第４世代へと進展していくと思われる。また、新通信方式（ＬＴＥ）も実用化され、今後、さらに大容量化が進むものと思われる。このため、基地局に備えられる送受信装置には、より一層の高出力化、高効率化が求められている。
【０００３】
また、例えばレーダーに用いられる、増幅器を含む送受信装置（レーダー用送受信モジュール）では、検知距離の拡大や分解能向上などの高性能化に向けた高出力化、広帯域化、さらに運用コスト削減や冷却器の小型化に向けた高効率化が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１５１２２１号公報
【特許文献２】特開２００１−１４８６０２号公報
【特許文献３】特開平１１−３０７７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述の送受信装置の高出力化、高効率化を実現するために、それに備えられる増幅器に用いられる集積回路の高出力化、高効率化を図ることが考えられる。
このため、この集積回路に用いられるトランジスタに、高電圧で大電流動作が可能な高出力トランジスタを用いることが考えられる。
この場合、高出力トランジスタに大電流を供給することになる。
【０００６】
しかしながら、高出力トランジスタに電流を供給する電源配線は、例えば数ミクロン程度の厚さの配線であるため、配線抵抗が高く、大電流を供給すると、その配線抵抗によって電圧降下を起こし、高出力トランジスタに十分な電力を供給することができない。
このため、高出力トランジスタを用いたとしても、集積回路の高出力化、高効率化を図るのは難しく、ひいては、送受信装置の高出力化、高効率化を実現するのも難しい。
【０００７】
この場合、電源配線の配線幅を広げて、配線抵抗を下げることが考えられる。
しかしながら、高出力トランジスタにインピーダンス整合回路が接続されており、このインピーダンス整合回路に含まれる信号配線から分岐されたショートスタブを電源配線とする場合、その配線幅を広げると、線路の特性インピーダンスが低くなり、所望のインピーダンス整合特性が得られなくなる。
【０００８】
このため、電源配線の配線幅を広げたとしても、集積回路の高出力化、高効率化を図るのは難しく、ひいては、送受信装置の高出力化、高効率化を実現するのも難しい。
なお、ここでは、高出力トランジスタを用いる場合の課題として説明しているが、これに限られるものではなく、トランジスタに供給する電流が増大した場合にも同様の課題がある。
【０００９】
そこで、集積回路及び送受信装置の高出力化、高効率化を実現したい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本集積回路は、トランジスタと、トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路とを備え、インピーダンス整合回路は、高周波信号を伝送する信号配線と、信号配線から分岐されたショートスタブとなり、トランジスタに電流を供給する電源配線とを備え、電源配線は、折り曲げ配線と、折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備える。
【００１１】
本送受信装置は、トランジスタと、トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路とを有する集積回路を含む増幅器を備え、インピーダンス整合回路は、高周波信号を伝送する信号配線と、信号配線から分岐されたショートスタブとなり、トランジスタに電流を供給する電源配線とを備え、電源配線は、折り曲げ配線と、折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備える。
【発明の効果】
【００１２】
したがって、本集積回路及び送受信装置によれば、高出力化、高効率化を実現することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態にかかる集積回路の構成を示す模式的平面図である。
【図２】本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路内の高周波電流分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図３】一の比較例の集積回路の構成を示す模式的平面図である。
【図４】他の比較例の集積回路の構成を示す模式的平面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路に備えられる電源配線部分の構成例を示す模式図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路に備えられる電源配線部分の構成例を示す模式図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路に備えられる電源配線部分の構成例を示す模式図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路に備えられる電源配線部分の構成例を示す模式図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路に備えられる電源配線部分の構成例を示す模式図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路に備えられる電源配線部分の構成例を示す模式図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかる集積回路の出力整合回路に備えられる電源配線部分の構成例を示す模式図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる集積回路による効果を説明するための図である。
【図１３】本実施形態にかかる送受信装置の構成を示す模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる集積回路及び送受信装置について、図１〜図１３を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる集積回路は、図１に示すように、トランジスタ１、２と、トランジスタ１、２に接続されたインピーダンス整合回路３とを備える。
本実施形態では、トランジスタ１、２は、高電圧で大電流動作が可能な高出力トランジスタであり、例えばＧａＮを用いた高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：ＨＥＭＴ；ＧａＮ−ＨＥＭＴ）などである。また、トランジスタとして、第１トランジスタ１と、第１トランジスタ１よりもサイズが大きい第２トランジスタ２（ここでは２つ）とを備える。このように、トランジスタサイズを増大させ、高電圧で大電流動作が可能な高出力トランジスタ２を用いることで、集積回路の高出力化を図ることが可能となる。
【００１５】
また、インピーダンス整合回路３として、入力整合回路４と、段間整合回路５と、出力整合回路６とを備える。
ここで、入力整合回路４は、入力端子７のインピーダンスと第１トランジスタ１の入力インピーダンスとのインピーダンス整合をとるものである。ここでは、入力整合回路４は、入力端子７と第１トランジスタ１とを接続し、高周波信号を伝送する信号配線８と、Ｖｇ１の電圧が印加される電源端子９と第１トランジスタ１とを接続する電源配線１０と、これらに設けられたキャパシタ１１、１２とを備える。
【００１６】
また、段間整合回路５は、前段の第１トランジスタ１の出力インピーダンスと後段の第２トランジスタ２の入力インピーダンスとのインピーダンス整合をとるものである。ここでは、段間整合回路５は、前段の第１トランジスタ１と後段の第２トランジスタ２とを接続し、高周波信号を伝送する信号配線１３と、Ｖｄ１の電圧が印加される電源端子１４と第１トランジスタ１とを接続する電源配線１５と、Ｖｇ２の電圧が印加される電源端子１６と第２トランジスタ２とを接続する電源配線１７と、これらに設けられたキャパシタ１８〜２０とを備える。
【００１７】
また、出力整合回路６は、第２トランジスタ２の出力インピーダンスと出力端子２１のインピーダンスとのインピーダンス整合をとるものである。ここでは、出力整合回路６は、第２トランジスタ２と出力端子２１とを接続し、高周波信号を伝送する信号配線２２と、Ｖｄ２の電圧が印加される電源端子２３と第２トランジスタ２とを接続する電源配線２４と、これらに設けられたキャパシタ２５、２６とを備える。
【００１８】
特に、本実施形態では、インピーダンス整合回路である出力整合回路６は、高周波信号を伝送する信号配線２２と、信号配線２２から分岐されたショートスタブとなり、トランジスタに電流を供給する電源配線２４とを備える。ここでは、トランジスタに電流を供給する電源配線２４は、トランジスタサイズの大きい高出力トランジスタである第２トランジスタ２にドレイン電流を供給する電源配線である。
【００１９】
なお、このように、集積回路は高出力トランジスタを備えるため、集積回路を高出力集積回路ともいう。また、集積回路は高周波信号を伝送するものであるため、集積回路を高周波集積回路ともいう。また、このような集積回路を高周波高出力集積回路ともいう。また、電源配線を電源供給配線ともいう。
そして、トランジスタ１、２とインピーダンス整合回路３とはモノリシック集積されている。このため、集積回路をモノリシック集積回路ともいう。
【００２０】
本実施形態では、集積回路は、半導体基板２７［例えばＳｉＣ基板；絶縁性半導体基板（半絶縁性半導体基板を含む）；絶縁性基板］上に形成され、ＧａＮ−ＨＥＭＴを有するＭＭＩＣ（Monolithic microwave integrated circuit）である。つまり、集積回路は、ＧａＮ−ＨＥＭＴを有する高出力増幅器（ＨＰＡ：High Power Amplifier）をＭＭＩＣチップ化したもの、即ち、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップである。
【００２１】
特に、本実施形態では、インピーダンス整合回路である出力整合回路６に備えられる電源配線２４は、折り曲げ配線２４Ｘ（ベンド配線）と、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするショートカット配線２４Ｙとを備える。
ここで、折り曲げ配線２４Ｘは、折り曲げ形状の配線である。ここでは、折り曲げ配線２４Ｘは、１箇所で約９０度折り曲げられた形状を有する配線である。また、折り曲げ配線２４Ｘは、例えば金などの金属配線である。
【００２２】
ショートカット配線２４Ｙは、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように折り曲げ配線２４Ｘに接続された配線である。ここでは、ショートカット配線２４Ｙは、１箇所で約９０度折り曲げられた形状を有する折り曲げ配線２４Ｘの折り曲げ部分をショートカットするように、折り曲げ配線２４Ｘの折り曲げ部分を挟んで一方の部分と他方の部分とを接続する配線である。また、ショートカット配線２４Ｙは、例えば金などの金属配線である。ここでは、後述するように、ショートカット配線２４Ｙが実質的にショートスタブとして機能することになるため、ショートカット配線２４Ｙの長さはショートスタブとして機能しうる長さに設定される。
【００２３】
ここで、図２は、このように構成される電源配線２４を備える集積回路の出力整合回路６内の高周波電流分布のシミュレーション結果（電磁界シミュレーション結果）を示している。
図２中、符号Ｘで示すように、ショートカット配線２４Ｙの幅方向の一方の側、即ち、折れ曲がっている電源配線２４の内側に沿って、高周波電流の電流密度が高くなっていることがわかる。つまり、高周波電流はショートカット配線２４Ｙに集中して流れており、折り曲げ配線２４Ｘにはほとんど流れていない。このため、高周波特性はショートカット配線２４Ｙで決まることになる。
【００２４】
このように、電源配線２４を、折り曲げ配線２４Ｘと、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするショートカット配線２４Ｙを備えるものとすることで、信号配線２２を伝送される高周波信号が、ショートカット配線２４Ｙの側に集中することになる。この結果、折り曲げ配線２４Ｘとショートカット配線２４Ｙとを備える電源配線２４において、実質的にショートカット配線２４Ｙのみがショートスタブとして機能することになる。これにより、電源配線２４を折り曲げ配線２４Ｘとショートカット配線２４Ｙとを備えるものとし、電源配線２４の配線幅を広げた場合であっても、線路の特性インピーダンスが低くなるのを抑制することができ、所望のインピーダンス整合特性が得られなくなるのを抑制することが可能となる。
【００２５】
一方、信号配線２２を伝送される高周波信号は、折り曲げ配線２４Ｘの側にはほとんど行かないため、折り曲げ配線２４Ｘは主に直流電流に影響する抵抗成分の低減に寄与することになる。つまり、電源端子２３から供給される直流電流は、折り曲げ配線２４Ｘ及びショートカット配線２４Ｙの両方に流れるため、電源配線２４の配線幅を広げることができ、配線抵抗を低くすることができる。このため、本実施形態のように第２トランジスタ２としてトランジスタサイズの大きい高出力トランジスタを用い、供給する直流電流が増大した場合であっても、第２トランジスタ２に十分な電力を供給することが可能となる。
【００２６】
このように、電源配線２４を折り曲げ配線２４Ｘとショートカット配線２４Ｙとを備えるものとすることで、電源配線２４の配線幅を広げて、配線抵抗を低くしながら、所望のインピーダンス整合特性が得られるようにすることができる。特に、本実施形態のように第２トランジスタ２としてトランジスタサイズの大きい高出力トランジスタを用いた場合であっても、これに十分な電力を供給することができ、集積回路の高出力化、高効率化を実現することが可能となる。つまり、高周波特性（高周波整合回路特性）に影響を与えることなく、電源配線２４の抵抗を低減し、高出力で高効率な集積回路を実現することが可能となる。このように、ショートスタブとなる電源配線２４の構造を工夫することによって、集積回路の高周波性能の向上、即ち、集積回路の高出力化、高効率化を実現することが可能となる。また、ショートスタブの伝送線路の特性インピーダンスの低下を抑制でき、所望のインピーダンス整合特性が得られるため、高周波回路設計を容易にすることができる。
【００２７】
また、電源配線２４を、折り曲げ配線２４Ｘと、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするショートカット配線２４Ｙを備えるものとすることで、集積回路の面積（チップ面積）を縮小することも可能となり、集積回路の小型化（チップの小型化）を図ることも可能となる。
これに対し、例えば図３、図４に示すように、電源端子２３（チップ端子）からトランジスタサイズが大きい高出力トランジスタである第２トランジスタ２までの電源配線２４０として、例えば数ミクロン程度の厚さの配線を設け、大電流を供給すると、配線抵抗が高く、電圧降下を起こし、第２トランジスタ２に十分な電力を供給することができない。このため、第２トランジスタ２にトランジスタサイズが大きい高出力トランジスタを用いたとしても、集積回路の高出力化、高効率化を図るのは難しい。この場合、電源配線２４０の配線幅を広げて、配線抵抗を下げることが考えられる。しかしながら、トランジスタサイズが大きい高出力トランジスタである第２トランジスタ２に出力整合回路６０が接続されており、この出力整合回路６０に含まれる信号配線２２０から分岐されたショートスタブを電源配線２４０とする場合、その配線幅を広げると、線路の特性インピーダンスが低くなり、所望のインピーダンス整合特性が得られなくなる。このため、電源配線２４０の配線幅を広げたとしても、集積回路の高出力化、高効率化を図るのは難しい。
【００２８】
なお、本実施形態では、出力整合回路６に備えられる電源配線２４、即ち、電源端子２３からトランジスタサイズが大きい高出力トランジスタである第２トランジスタ２までの電源配線２４を、折り曲げ配線２４Ｘと、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするショートカット配線２４Ｙとを備えるものとしているが、これに限られるものではない。例えば、段間整合回路５に備えられる電源配線１５、即ち、電源端子１４からトランジスタサイズが大きくない高出力トランジスタである第１トランジスタ１までの電源配線１５（ドレイン電流を供給する電源配線）に供給する電流が増大した場合などには、この電源配線１５を、折り曲げ配線と、折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備えるものとしても良い。このほか、集積回路に備えられる電源配線、即ち、電源端子からトランジスタまでの電源配線に供給する電流が増大した場合などに、この電源配線を、折り曲げ配線と、折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備えるものとすれば良い。
【００２９】
ところで、上述のような構成を備える電源配線２４において、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率は、折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率よりも低いことが好ましい。なお、実効誘電率を実効比誘電率ともいう。
これにより、信号配線２２を伝送される高周波信号が、ショートカット配線２４Ｙの側に、より集中しやすくなる。この結果、折り曲げ配線２４Ｘとショートカット配線２４Ｙとを備える電源配線２４において、よりショートカット配線２４Ｙのみが実質的にショートスタブとして機能することになる。これにより、電源配線２４を折り曲げ配線２４Ｘとショートカット配線２４Ｙとを備えるものとし、電源配線２４の配線幅を実質的に広げた場合であっても、線路の特性インピーダンスが低くなるのをより抑制することができ、所望のインピーダンス整合特性が得られなくなるのをより抑制することが可能となる。この結果、より高出力で高効率な集積回路を実現することが可能となる。
【００３０】
例えば、図５（Ａ）に示すように、折り曲げ配線２４Ｘを、半導体基板２７上に形成し、ショートカット配線２４Ｙを、エアブリッジ配線２４ＹＡを含むものとすれば良い。例えば、半導体基板２７上に形成された折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように、折り曲げ配線２４Ｘにエアブリッジ配線２４ＹＡを接続することで、エアブリッジ配線２４ＹＡからなるショートカット配線２４Ｙを設ければ良い。このエアブリッジ配線２４ＹＡ、即ち、エアブリッジ構造は、半導体プロセスで作製することができる。
【００３１】
例えば、半導体基板２７としてＳｉＣ基板を用いる場合、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成する折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率は、主にＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。一方、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成するショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率は、主に空気の比誘電率約１及びＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。これにより、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率とが異なるものとなり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率を、折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率よりも低くすることができる。例えば、後述の上部絶縁膜２８や下部絶縁膜２９が設けられている場合よりも、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率との差をより大きく確保することが可能となる。
【００３２】
また、図５（Ｂ）に示すように、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。例えば、半導体基板２７上に形成された折り曲げ配線２４Ｘを上部絶縁膜２８で覆い、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように折り曲げ配線２４Ｘにビアを介してエアブリッジ配線２４ＹＡを接続することで、エアブリッジ配線２４ＹＡを含むショートカット配線２４Ｙを設けても良い。
【００３３】
ここで、上部絶縁膜２８としては、例えばＳｉＮ膜、ポリイミド膜（有機絶縁膜）などが用いられる。例えば、上部絶縁膜２８として、ＳｉＮ膜が設けられる場合、ポリイミド膜が設けられる場合、ＳｉＮ膜及びポリイミド膜が設けられる場合などがある。
例えば、半導体基板２７としてＳｉＣ基板を用い、上部絶縁膜２８が設けられている場合、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成する折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率は、主にＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。一方、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成するショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率は、主に空気の比誘電率約１、上部絶縁膜２８の比誘電率（例えばＳｉＮ膜が設けられている場合、その比誘電率約７．５程度、例えばポリイミド膜が設けられている場合、その比誘電率約３．５程度、例えばＳｉＮ膜及びポリイミド膜が設けられている場合、これらの比誘電率約７．５程度、約３．５程度）及びＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。これにより、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率とが異なるものとなり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率を、折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率よりも低くすることができる。
【００３４】
また、図５（Ｃ）に示すように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、ショートカット配線２４Ｙを、エアブリッジ配線２４ＹＡを含むものとしても良い。ここで、下部絶縁膜２９は、例えばＳｉＮ膜などである。
【００３５】
例えば、半導体基板２７としてＳｉＣ基板を用い、これの上に下部絶縁膜２９としてＳｉＮ膜が設けられている場合、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成する折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率は、主にＳｉＮ膜２９の比誘電率約７．５程度及びＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。一方、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成するショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率は、主に空気の比誘電率約１、ＳｉＮ膜２９の比誘電率約７．５程度及びＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。これにより、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率とが異なるものとなり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率を、折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率よりも低くすることができる。
【００３６】
また、図５（Ｄ）に示すように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、さらに、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設け、ショートカット配線２４Ｙを、エアブリッジ配線２４ＹＡを含むものとしても良い。ここで、下部絶縁膜２９は、例えばＳｉＮ膜などである。
【００３７】
例えば、半導体基板２７としてＳｉＣ基板を用い、これの上に下部絶縁膜２９としてＳｉＮ膜が設けられており、さらに、上部絶縁膜２８が設けられている場合、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成する折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率は、主にＳｉＮ膜２９の比誘電率約７．５程度及びＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。一方、基板裏面側のグランドとの間で伝送線路を構成するショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率は、主に空気の比誘電率約１、上部絶縁膜２８の比誘電率（例えばＳｉＮ膜が設けられている場合、その比誘電率約７．５程度、例えばポリイミド膜が設けられている場合、その比誘電率約３．５程度、例えばＳｉＮ膜及びポリイミド膜が設けられている場合、これらの比誘電率約７．５程度、約３．５程度）、ＳｉＮ膜２９の比誘電率約７．５程度及びＳｉＣ基板２７の比誘電率約１０程度に基づいて決まることになる。これにより、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率とが異なるものとなり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率を、折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率よりも低くすることができる。
【００３８】
また、図６（Ａ）に示すように、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。例えば、ショートカット配線２４Ｙの直下の半導体基板２７の表面に溝２７Ａ（掘り込み）が設けられていても良い。これにより、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率に影響を与えるショートカット配線２４Ｙの直下の半導体基板２７を減らし、空気を増やすこと、即ち、ショートカット配線２４Ｙと半導体基板２７との間の距離を離して、比誘電率の低い空気を増やすことができる。このため、このような半導体基板２７に溝２７Ａを設けていない場合と比較して、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率をより低減することが可能となる。つまり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率との差をより大きく確保することが可能となる。
【００３９】
この場合も、図６（Ｂ）に示すように、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられており、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。例えば、溝２７Ａを有する半導体基板２７上に形成された折り曲げ配線２４Ｘ及び溝２７Ａを上部絶縁膜２８で覆い、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように折り曲げ配線２４Ｘにビアを介してエアブリッジ配線２４ＹＡを接続することで、半導体基板２７に設けられ、上部絶縁膜２８で埋め込まれた溝２７Ａの上方に、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）を設けても良い。ここで、上部絶縁膜２８としては、例えばＳｉＮ膜、ポリイミド膜（有機絶縁膜）などが用いられる。例えば、上部絶縁膜２８として、ＳｉＮ膜が設けられる場合、ポリイミド膜が設けられる場合、ＳｉＮ膜及びポリイミド膜が設けられる場合などがある。これにより、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率に影響を与えるショートカット配線２４Ｙの直下の半導体基板２７を減らし、これよりも比誘電率の低い上部絶縁膜２８を増やすことができる。このため、このような溝２７Ａを設けていない場合と比較して、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率をより低減することが可能となる。つまり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率との差をより大きく確保することが可能となる。
【００４０】
また、図６（Ｃ）に示すように、溝２７Ａを有する半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、ショートカット配線２４Ｙを、エアブリッジ配線２４ＹＡを含むものとし、半導体基板２７に設けられている溝２７Ａの上方に、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）が設けられていても良い。このように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。ここで、下部絶縁膜２９は、例えばＳｉＮ膜などである。
【００４１】
また、図６（Ｄ）に示すように、溝２７Ａを有する半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、さらに、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設け、ショートカット配線２４Ｙを、エアブリッジ配線２４ＹＡを含むものとし、さらに、半導体基板２７に設けられている溝２７Ａの上方に、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）が設けられていても良い。このように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられており、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。ここで、下部絶縁膜２９は、例えばＳｉＮ膜などである。
【００４２】
また、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設ける場合、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の下方で上部絶縁膜２８の厚さが他の部分よりも薄くなるようにしても良い。例えば、図７（Ａ）に示すように、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の直下の上部絶縁膜２８が溝状に除去されていても良いし、また、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の直下の上部絶縁膜２８の表面に溝（掘り込み）が設けられていても良い。これにより、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率に影響を与えるショートカット配線２４Ｙの直下の上部絶縁膜２８を減らし、比誘電率の低い空気を増やすことができる。このため、上部絶縁膜２８を溝状に除去したり、溝を設けたりしていない場合と比較して、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率をより低減することが可能となる。つまり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率との差をより大きく確保することが可能となる。
【００４３】
この場合、図７（Ｂ）に示すように、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。このほか、上述の場合と同様に、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられていても良い。また、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の下方で下部絶縁膜２９の厚さが他の部分よりも薄くなるようにしても良い。つまり、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の直下の下部絶縁膜２９が溝状に除去されていても良いし、また、ショートカット配線２４Ｙ（ここではエアブリッジ配線２４ＹＡ）の直下の下部絶縁膜２９の表面に溝（掘り込み）が設けられていても良い。
【００４４】
また、ショートカット配線２４Ｙを、エアブリッジ配線２４ＹＡを含むものとするのに代えて、ワイヤ（ボンディングワイヤ）２４ＹＢを含むものとしても良い。
つまり、図８（Ａ）に示すように、折り曲げ配線２４Ｘを、半導体基板２７上に形成し、ショートカット配線２４Ｙを、ワイヤ２４ＹＢを含むものとしても良い。例えば、半導体基板２７上に形成された折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように、折り曲げ配線２４Ｘにワイヤ２４ＹＢを接続することで、ワイヤ２４ＹＢからなるショートカット配線２４Ｙを設けても良い。
【００４５】
また、図８（Ｂ）に示すように、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。例えば、半導体基板２７上に形成された折り曲げ配線２４Ｘを上部絶縁膜２８で覆い、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように折り曲げ配線２４Ｘにビアを介してワイヤ２４ＹＢを接続することで、ワイヤ２４ＹＢを含むショートカット配線２４Ｙを設けても良い。
【００４６】
また、図８（Ｃ）に示すように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、ショートカット配線２４Ｙを、ワイヤ２４ＹＢを含むものとしても良い。
また、図８（Ｄ）に示すように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、さらに、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、ショートカット配線２４Ｙを、ワイヤ２４ＹＢを含むものとし、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を備えるものとしても良い。
【００４７】
また、図９（Ａ）に示すように、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２４ＹＢ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。例えば、ショートカット配線２４Ｙの直下の半導体基板２７の表面に溝２７Ａ（掘り込み）が設けられていても良い。
この場合も、図９（Ｂ）に示すように、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられており、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２４ＹＢ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。例えば、溝２７Ａを有する半導体基板２７上に形成された折り曲げ配線２４Ｘ及び溝２７Ａを上部絶縁膜２８で覆い、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように折り曲げ配線２４Ｘにビアを介してワイヤ２４ＹＢを接続することで、半導体基板２７に設けられ、上部絶縁膜２８で埋め込まれた溝２７Ａの上方に、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２４ＹＢ）を設けても良い。
【００４８】
また、図９（Ｃ）に示すように、溝２７Ａを有する半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、ショートカット配線２４Ｙを、ワイヤ２４ＹＢを含むものとし、半導体基板２７に設けられている溝２７Ａの上方に、ショートカット配線２７Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）が設けられていても良い。このように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２４ＹＢ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。
【００４９】
また、図９（Ｄ）に示すように、溝２７Ａを有する半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、さらに、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設け、ショートカット配線２４Ｙを、ワイヤ２４ＹＢを含むものとし、さらに、半導体基板２７に設けられている溝２７Ａの上方に、ショートカット配線２４Ｙ（ワイヤ２４ＹＢ）が設けられていても良い。このように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられており、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２４ＹＢ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。
【００５０】
また、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設ける場合、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）の下方で上部絶縁膜２８の厚さが他の部分よりも薄くなるようにしても良い。例えば、図１０（Ａ）に示すように、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）の直下の上部絶縁膜２８が溝状に除去されていても良いし、また、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）の直下の上部絶縁膜２８の表面に溝（掘り込み）が設けられていても良い。
【００５１】
この場合、図１０（Ｂ）に示すように、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。このほか、上述の場合と同様に、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられていても良い。また、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）の下方で下部絶縁膜２９の厚さが他の部分よりも薄くなるようにしても良い。つまり、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）の直下の下部絶縁膜２９が溝状に除去されていても良いし、また、ショートカット配線２４Ｙ（ここではワイヤ２７ＹＢ）の直下の下部絶縁膜２９の表面に溝（掘り込み）が設けられていても良い。
【００５２】
また、ショートカット配線２４Ｙを、エアブリッジ配線２４ＹＡやワイヤ２４ＹＢを含むものとするのに代えて、絶縁膜上に設けられた配線としても良い。この場合、層間絶縁膜を用いた多層配線によって、ショートカット配線２４Ｙを形成しても良い。
つまり、図１１（Ａ）に示すように、折り曲げ配線２４Ｘを、半導体基板２７上に形成し、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設け、ショートカット配線２４Ｙを、上部絶縁膜２８上に形成された部分２４ＹＣを含むものとしても良い。例えば、半導体基板２７上に形成された折り曲げ配線２４Ｘを上部絶縁膜２８で覆い、折り曲げ配線２４Ｘをショートカットするように折り曲げ配線２４Ｘにビアを介して配線２４ＹＣ（金属配線；導体）を接続することで、上部絶縁膜２８上に形成された部分（配線）２４ＹＣを含むショートカット配線２４Ｙを設けても良い。ここで、上部絶縁膜２８としては、例えばＳｉＮ膜、ポリイミド膜（有機絶縁膜）などが用いられる。例えば、上部絶縁膜２８として、ＳｉＮ膜が設けられる場合、ポリイミド膜が設けられる場合、ＳｉＮ膜及びポリイミド膜が設けられる場合などがある。この場合、折り曲げ配線２４Ｘが半導体基板２７上に形成されるのに対し、ショートカット配線２４Ｙは、半導体基板２７よりも比誘電率の低い上部絶縁膜２８上に形成される。このため、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率と折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率とが異なるものとなり、ショートカット配線２４Ｙにおける実効誘電率を、折り曲げ配線２４Ｘにおける実効誘電率よりも低くすることができる。
【００５３】
また、図１１（Ｂ）に示すように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設け、ショートカット配線２４Ｙを、上部絶縁膜２８上に形成された部分２４ＹＣを含むものとしても良い。
【００５４】
また、図１１（Ｃ）に示すように、ショートカット配線２４Ｙ（ここでは上部絶縁膜２８上に形成された部分２４ＹＣ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。例えば、ショートカット配線２４Ｙの直下の半導体基板２７の表面に溝２７Ａ（掘り込み）が設けられていても良い。
また、図１１（Ｄ）に示すように、溝２７Ａを有する半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、さらに、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられていても良い。つまり、折り曲げ配線２４Ｘを、下部絶縁膜２９上に形成し、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８を設け、ショートカット配線２４Ｙを、上部絶縁膜２８上に形成された部分２４ＹＣを含むものとし、さらに、半導体基板２７に設けられている溝２７Ａの上方に、ショートカット配線２４Ｙ（ここでは上部絶縁膜２８上に形成された部分２４ＹＣ）が設けられていても良い。このように、半導体基板２７上に下部絶縁膜２９が設けられており、この下部絶縁膜２９上に折り曲げ配線２４Ｘが形成されており、折り曲げ配線２４Ｘを覆う上部絶縁膜２８が設けられており、ショートカット配線２４Ｙ（ここでは上部絶縁膜２８上に形成された部分２４ＹＣ）の下方で半導体基板２７の厚さが他の部分よりも薄くなっていても良い。
【００５５】
したがって、本実施形態にかかる集積回路によれば、高出力化、高効率化を実現することができるという利点がある。
ここで、上述のように構成されるＭＭＩＣを試作し、その出力パワー及び電力付加効率を測定し、評価したところ、上述のような構成を有しないＭＭＩＣの場合と比較して、高出力化、高効率化を実現できることが確認できた。つまり、上述のような構成を有しないＭＭＩＣの場合（図４参照）、図１２（Ａ）に示すように、出力パワー（Ｐｏｕｔ）は約４４．５ｄＢｍ、電力付加効率（ＰＡＥ）は約４１．８％であったのに対し、上述のように構成されるＭＭＩＣの場合（図１参照）、図１２（Ｂ）に示すように、出力パワー（Ｐｏｕｔ）は約４５．１ｄＢｍ、電力付加効率（ＰＡＥ）は約４４．７％であった。なお、Ｐｉｎは入力パワーである。つまり、上述のように構成されるＭＭＩＣの場合（図１参照）、上述のような構成を有しないＭＭＩＣの場合（図４参照）と比較して、出力パワーが約１５％増加し、電力付加効率が約３％増加した。このように、上述のように構成されるＭＭＩＣの場合（図１参照）、上述のような構成を有しないＭＭＩＣの場合（図４参照）と比較して、高出力化、高効率化を実現できることが確認できた。
【００５６】
なお、上述の実施形態では、集積回路として、トランジスタとインピーダンス整合回路とがモノリシック集積されている集積回路を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、トランジスタとインピーダンス整合回路とがハイブリッド集積されている集積回路であっても良い。つまり、インピーダンス整合回路を有する整合回路基板にトランジスタがハイブリッド集積された集積回路であっても良い。例えば、ＭＭＩＣチップでなくても良く、インピーダンス整合回路を有する整合回路基板にトランジスタチップが実装されたハイブリッドＩＣチップ（集積回路チップ）であっても良い。この場合、インピーダンス整合回路を有する整合回路基板は、例えば、表面に配線（例えば金配線）を有する複数のアルミナ基板（比誘電率は約９．９程度；誘電体基板；絶縁性基板）を積層させた構造を有する多層アルミナ基板（多層誘電体基板；多層基板）によって構成される。このため、上述の実施形態の「半導体基板」を「誘電体基板」に読み変えて適用すれば良い。
【００５７】
例えば、折り曲げ配線を、誘電体基板上に形成し、ショートカット配線を、エアブリッジ配線又はワイヤを含むものとすれば良い。この場合、折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜が設けられていても良い。また、ショートカット配線を、エアブリッジ配線やワイヤを含むものとするのに代えて、絶縁膜上に設けられた配線としても良い。つまり、折り曲げ配線を、誘電体基板上に形成し、折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を設け、ショートカット配線を、上部絶縁膜上に形成された部分を含むものとしても良い。
【００５８】
ところで、上述の実施形態のように構成される集積回路は、送受信装置（送受信モジュール）に実装することができる。例えば、携帯電話の基地局に備えられる、増幅器を含む送受信装置、あるいは、レーダーに用いられる、増幅器を含む送受信装置に、上述の実施形態のように構成される集積回路を用いることができる。
例えば、図１３に示すように、送受信装置は、増幅器やパッシブ素子、例えば低雑音増幅器１００、制御回路１０１、前段増幅器１０２、高出力増幅器１０３、フィルター１０４、送受切替器１０５などが、それぞれ別個のパッケージに収められ、メタル筐体１０６内に実装されて構成される。
【００５９】
このうち、高出力増幅器１０３を、上述の実施形態及び変形例のように構成される集積回路を備えるものとして構成すれば良い。
この場合、送受信装置は、トランジスタと、トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路とを有する集積回路を含む増幅器を備えるものとなり、インピーダンス整合回路が、高周波信号を伝送する信号配線と、信号配線から分岐されたショートスタブとなり、トランジスタに電流を供給する電源配線とを備え、電源配線が、折り曲げ配線と、折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備えるものとなる。このほか、集積回路の構成の詳細は、上述の実施形態及び変形例の場合と同様である。
【００６０】
したがって、本実施形態にかかる送受信装置によれば、高出力化、高効率化を実現することができるという利点がある。
なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
【００６１】
（付記１）
トランジスタと、
前記トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路とを備え、
前記インピーダンス整合回路は、高周波信号を伝送する信号配線と、前記信号配線から分岐されたショートスタブとなり、前記トランジスタに電流を供給する電源配線とを備え、
前記電源配線は、折り曲げ配線と、前記折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備えることを特徴とする集積回路。
【００６２】
（付記２）
前記ショートカット配線における実効誘電率が、前記折り曲げ配線における実効誘電率よりも低いことを特徴とする、付記１に記載の集積回路。
（付記３）
前記トランジスタと前記インピーダンス整合回路とがモノリシック集積されていることを特徴とする、付記１又は２に記載の集積回路。
【００６３】
（付記４）
前記折り曲げ配線は、半導体基板又は下部絶縁膜上に形成されており、
前記ショートカット配線は、エアブリッジ配線を含むことを特徴とする、付記２又は３に記載の集積回路。
（付記５）
前記折り曲げ配線は、半導体基板又は下部絶縁膜上に形成されており、
前記ショートカット配線は、ワイヤを含むことを特徴とする、付記２又は３に記載の集積回路。
【００６４】
（付記６）
前記折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を備えることを特徴とする、付記４又は５に記載の集積回路。
（付記７）
前記ショートカット配線の下方で前記上部絶縁膜の厚さが他の部分よりも薄くなっていることを特徴とする、付記６に記載の集積回路。
【００６５】
（付記８）
前記折り曲げ配線は、半導体基板又は下部絶縁膜上に形成されており、
前記折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を備え、
前記ショートカット配線は、前記上部絶縁膜上に形成された部分を含むことを特徴とする、付記２又は３に記載の集積回路。
【００６６】
（付記９）
前記ショートカット配線の下方で前記半導体基板の厚さが他の部分よりも薄くなっていることを特徴とする、付記４〜８のいずれか１項に記載の集積回路。
（付記１０）
前記トランジスタと前記インピーダンス整合回路とがハイブリッド集積されていることを特徴とする、付記１又は２に記載の集積回路。
【００６７】
（付記１１）
前記折り曲げ配線は、誘電体基板上に形成されており、
前記ショートカット配線は、エアブリッジ配線を含むことを特徴とする、付記２又は１０に記載の集積回路。
（付記１２）
前記折り曲げ配線は、誘電体基板上に形成されており、
前記ショートカット配線は、ワイヤを含むことを特徴とする、付記２又は１０に記載の集積回路。
【００６８】
（付記１３）
前記折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を備えることを特徴とする、付記１１又は１２に記載の集積回路。
（付記１４）
前記折り曲げ配線は、誘電体基板上に形成されており、
前記折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を備え、
前記ショートカット配線は、前記上部絶縁膜上に形成された部分を含むことを特徴とする、付記２又は１０に記載の集積回路。
【００６９】
（付記１５）
トランジスタと、前記トランジスタに接続されたインピーダンス整合回路とを有する集積回路を含む増幅器を備え、
前記インピーダンス整合回路は、高周波信号を伝送する信号配線と、前記信号配線から分岐されたショートスタブとなり、前記トランジスタに電流を供給する電源配線とを備え、
前記電源配線は、折り曲げ配線と、前記折り曲げ配線をショートカットするショートカット配線とを備えることを特徴とする送受信装置。
【００７０】
（付記１６）
前記ショートカット配線における実効誘電率が、前記折り曲げ配線における実効誘電率よりも低いことを特徴とする、付記１５に記載の送受信装置。
（付記１７）
前記折り曲げ配線は、半導体基板、下部絶縁膜又は誘電体基板上に形成されており、
前記ショートカット配線は、エアブリッジ配線を含むことを特徴とする、付記１５又は１６に記載の送受信装置。
【００７１】
（付記１８）
前記折り曲げ配線は、半導体基板、下部絶縁膜又は誘電体基板上に形成されており、
前記ショートカット配線は、ワイヤを含むことを特徴とする、付記１５又は１６に記載の送受信装置。
（付記１９）
前記折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を備えることを特徴とする、付記１７又は１８に記載の送受信装置。
【００７２】
（付記２０）
前記折り曲げ配線は、半導体基板、下部絶縁膜又は誘電体基板上に形成されており、
前記折り曲げ配線を覆う上部絶縁膜を備え、
前記ショートカット配線は、前記上部絶縁膜上に形成された部分を含むことを特徴とする、付記１５又は１６に記載の送受信装置。
【符号の説明】
【００７３】
１  トランジスタ（第１トランジスタ）
２  トランジスタ（第２トランジスタ）
３  インピーダンス整合回路
４  入力整合回路
５  段間整合回路
６  出力整合回路
７  入力端子
８  信号配線
９  電源端子
１０  電源配線
１１、１２  キャパシタ
１３  信号配線
１４  電源端子
１５  電源配線
１６  電源端子
１７  電源配線
１８〜２０  キャパシタ
２１  出力端子
２２  信号配線
２３  電源端子
２４  電源配線
２４Ｘ  折り曲げ配線
２４Ｙ  ショートカット配線
２４ＹＡ  エアブリッジ配線
２４ＹＢ  ワイヤ
２４ＹＣ  上部絶縁膜上に形成された配線
２５、２６  キャパシタ
２７  半導体基板
２７Ａ  溝
２８  上部絶縁膜
２９  下部絶縁膜
６０  出力整合回路
１００  低雑音増幅器
１０１  制御回路
１０２  前段増幅器
１０３  高出力増幅器
１０４  フィルター
１０５  送受切替器
１０６  メタル筐体
２２０  信号配線
２４０  電源配線
【図１】
2015133660.tif 000003
【図３】
2015133660.tif 000004
【図４】
2015133660.tif 000005
【図５】
2015133660.tif 000006
【図６】
2015133660.tif 000007
【図７】
2015133660.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図２】
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