(57)【要約】     【課題】真空処理装置において、成膜等の処理効率を低下させることなく、静電吸着部の吸着面の除電を十分に行うことができる技術を提供する。    【解決手段】処理対象基板Ｗに対して真空処理を行う第１の処理室１１と、第１の処理室１１に接続され処理対象基板Ｗの搬送を行う基板搬送領域５とを有する真空槽２と、処理対象基板Ｗを静電吸着する静電吸着部２５を有し真空槽２の第１の処理室１１と基板搬送領域５との間を移動可能に構成されたステージ２１とを備える。真空槽２の基板搬送領域５において、処理対象基板Ｗをステージ２１の静電吸着部２５から退避させた状態で、静電吸着部２５の処理対象基板Ｗを吸着する吸着面に対し、イオン化された不活性ガスＧで除電を行い、かつ、基板搬送領域５の真空排気を行うように構成されている。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象基板に対して真空処理を行う処理室と、当該処理室に接続され処理対象基板の搬送を行う基板搬送領域とを有する真空槽と、
処理対象基板を静電吸着する静電吸着部を有し、前記真空槽の処理室と基板搬送領域との間を移動可能に構成されたステージとを備え、
前記真空槽の基板搬送領域において、処理対象基板を前記ステージの静電吸着部から退避させた状態で、当該静電吸着部の処理対象基板を吸着する吸着面に対し、イオン化された不活性ガスで除電を行い、かつ、当該基板搬送領域の真空排気を行うように構成されている真空処理装置。
【請求項２】
紫外線を照射する紫外線照射手段を有し、前記静電吸着部の吸着面の近傍に導かれた不活性ガスに対して前記紫外線照射手段から紫外線を照射するように構成されている請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記真空槽において前記処理室と前記基板搬送領域が連通され、当該処理室に導入された不活性ガスを当該基板搬送領域に導くように構成されている請求項２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記処理室が前記真空槽内の上部に設けられる一方、前記基板搬送領域が前記真空槽内の下部に設けられ、前記ステージが、前記処理室と前記基板搬送領域との間で昇降するように構成されている請求項１乃至３のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項５】
処理対象基板の外形に対応するように形成された載置部を有し鉛直及び水平方向に移動可能な基板搬送機構を前記真空槽の基板搬送領域に備え、当該載置部によって当該処理対象基板の外周部を支持して当該処理対象基板を搬送するように構成されている請求項４記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空中で処理対象基板を静電吸着させて所定の処理を行う真空処理装置に関し、特に処理対象基板を静電吸着する静電吸着部の吸着面を除電する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の真空処理装置では、真空槽内において処理対象基板を静電吸着部によって吸着してスパッタリング等の処理を行うようにしている。
しかし、このような従来技術では、処理対象基板の処理数が増えるに従い、静電吸着部に残留した電荷が増加して処理対象基板の円滑な搬送を妨げる場合があるという問題がある。
【０００３】
従来、このような問題を解決するため、静電吸着部の表面（吸着面）を例えば有機溶剤等で拭くことによって、静電吸着部の吸着面の残留電荷を除去（除電）する方法が知られている。
しかしながら、このような方法で静電吸着部の吸着面の除電を行うには、一旦真空排気を中断して大気に開放しなければならず、頻繁に行うことができないため除電を十分に行うことができず、他方、静電吸着部の吸着面の除電を頻繁に行うと、成膜等の処理効率が低下してしまうという問題がある。
なお、本発明に関連する先行技術としては、例えば以下のようなものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１８８３０５号公報
【特許文献２】特開２００７−１８８１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、真空処理装置において、成膜等の処理効率を低下させることなく、静電吸着部の吸着面の除電を十分に行うことができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明は、処理対象基板に対して真空処理を行う処理室と、当該処理室に接続され処理対象基板の搬送を行う基板搬送領域とを有する真空槽と、処理対象基板を静電吸着する静電吸着部を有し、前記真空槽の処理室と基板搬送領域との間を移動可能に構成されたステージとを備え、前記真空槽の基板搬送領域において、処理対象基板を前記ステージの静電吸着部から退避させた状態で、当該静電吸着部の処理対象基板を吸着する吸着面に対し、イオン化された不活性ガスで除電を行い、かつ、当該基板搬送領域の真空排気を行うように構成されている真空処理装置である。
本発明では、紫外線を照射する紫外線照射手段を有し、前記静電吸着部の吸着面の近傍に導かれた不活性ガスに対して前記紫外線照射手段から紫外線を照射するように構成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記真空槽において前記処理室と前記基板搬送領域が連通され、当該処理室に導入された不活性ガスを当該基板搬送領域に導くように構成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記処理室が前記真空槽内の上部に設けられる一方、前記基板搬送領域が前記真空槽内の下部に設けられ、前記ステージが、前記処理室と前記基板搬送領域との間で昇降するように構成されている場合にも効果的である。
本発明では、処理対象基板の外形に対応するように形成された載置部を有し鉛直及び水平方向に移動可能な基板搬送機構を前記真空槽の基板搬送領域に備え、当該載置部によって当該処理対象基板の外周部を支持して当該処理対象基板を搬送するように構成されている場合にも効果的である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、真空槽の処理室と接続された基板搬送領域において、静電吸着部の処理対象基板を吸着する吸着面に対し、イオン化された不活性ガスで除電を行い、かつ、当該基板搬送領域の真空排気を行うように構成されていることから、例えば処理室における真空処理の後、大気開放による真空排気を中断することなく静電吸着部の吸着面の除電を頻繁に行うことができ、これにより成膜等の処理効率を低下させることなく、静電吸着部の吸着面の除電を十分に行って残留電荷の増加を防止することができる。
【０００８】
また、本発明では、処理室では静電吸着部の吸着面の除電を行わないので、処理室の構成部分に対し、イオン化された不活性ガスによる影響を与えることもない。
さらに、本発明においては、処理対象基板をステージの静電吸着部から退避させた状態で、静電吸着部の処理対象基板を吸着する吸着面に対し、イオン化された不活性ガスで除電を行うことから、例えばイオン化された不活性ガスを用いて基板に対して除電を行う場合と比較して静電吸着部の除電を確実且つ十分に行うことができる。
【０００９】
本発明において、紫外線を照射する紫外線照射手段を有し、静電吸着部の吸着面の近傍に導かれた不活性ガスに対して紫外線照射手段から紫外線を照射するように構成されている場合、特に、真空槽において処理室と基板搬送領域が連通され、処理室に導入された不活性ガスを当該基板搬送領域に導くように構成されている場合には、例えばスパッタリング等に使用する不活性ガスをイオン化することによって静電吸着部の吸着面の除電を行うことができるので、装置構成を簡素化することができる。
【００１０】
本発明において、処理室が真空槽内の上部に設けられる一方、基板搬送領域が真空槽内の下部に設けられ、ステージが、処理室と基板搬送領域との間で昇降するように構成されている場合には、処理室と基板搬送領域との間でステージの移動を容易に行うことができるとともに、処理室と基板搬送領域とを重ねて配置することによって装置の小型化を図ることができる。
【００１１】
本発明において、処理対象基板の外形に対応するように形成された載置部を有し鉛直及び水平方向に移動可能な基板搬送機構を真空槽の基板搬送領域に備え、この載置部によって処理対象基板の外周部を支持して処理対象基板を搬送するように構成すれば、例えば中心部が薄くなるように形成された薄型の処理対象基板を搬送する場合に、処理対象基板に対して損傷等を与えることなく円滑に搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る真空処理装置の実施の形態の内部構成を示す概略平面図
【図２】（ａ）〜（ｄ）：同実施の形態における基板搬送機構を示すもので、図２（ａ）（ｃ）は平面図、図２（ｂ）（ｄ）は正面図
【図３】同真空処理装置の実施の形態の内部構成を示す概略平面図
【図４】（ａ）（ｂ）：本発明における処理室の構成例を示す部分断面図
【図５】（ａ）（ｂ）：処理室内における動作を示す部分断面図
【図６】（ａ）（ｂ）：処理室内における動作を示す部分断面図
【図７】本発明の実施例及び比較例の結果を示すグラフ
【図８】本発明の実施例及び比較例の結果を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る真空処理装置の実施の形態の内部構成を示す概略平面図、図２（ａ）〜（ｄ）は、同実施の形態における基板搬送機構を示すもので、図２（ａ）（ｃ）は平面図、図２（ｂ）（ｄ）は正面図である。
また、図３は、同真空処理装置の実施の形態の内部構成を示す概略平面図である。
【００１４】
図１に示すように、本実施の形態の真空処理装置１は、図示しない真空排気系に接続された真空槽２を有している。
真空槽２には、例えばシリコン等の半導体からなる処理対象基板Ｗを搬出入する搬出入機構３が取り付けられ、この搬出入機構３を介して真空槽２の内外で処理対象基板Ｗの搬入及び搬出を行うようになっている。
【００１５】
真空槽２内には、処理対象基板Ｗの受け渡しを行う仕込取出室１０と、処理対象基板Ｗに対して所定の処理を行う複数（本実施の形態では三つ）の第１〜第３の処理室１１〜１３と、処理対象基板Ｗを搬送する基板搬送機構４が設けられている。
【００１６】
仕込取出室１０は、真空槽２内の搬出入機構３の近傍に配置され、仕込取出室１０内には、処理対象基板Ｗを載置するためのステージ２０が設けられている。
このステージ２０は、仕込取出室１０と、真空槽２の下部に設けられた後述する基板搬送領域５（図中一点鎖線で囲まれた領域）との間で昇降するように構成されている。
そして、搬出入機構３に設けられた搬送ロボット（図示せず）によって仕込取出室１０と大気側との間で処理対象基板Ｗの受け渡しを行うように構成されている。
【００１７】
第１〜第３の処理室１１〜１３は、例えばスパッタリングやエッチング等の真空処理を行うためのものである。
第１〜第３の処理室１１〜１３内には、処理対象基板Ｗを載置するためのステージ２１〜２３がそれぞれ設けられている。これらのステージ２１〜２３は、第１〜第３の処理室１１〜１３と、真空槽２の下部に設けられた基板搬送領域５との間でそれぞれ昇降するように構成されている。
本実施の形態の場合、仕込取出室１０と、第１〜第３の処理室１１〜１３は、真空槽２内の基準点Ｏから等しい距離となる位置に配置されている。
【００１８】
基板搬送機構４は、仕込取出室１０と第１〜第３の処理室１１〜１３との間で処理対象基板Ｗの受け渡しを行うもので、真空槽２内の基板搬送領域５に設けられている。
この基板搬送機構４は、例えば十字形状に形成された直線状の四つの腕部４１を有し、各腕部４１の先端部に、例えば円形の処理対象基板Ｗの形状に対応するように形成された円弧形状の載置部４２がそれぞれ設けられている。
【００１９】
図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、基板搬送機構４の載置部４２には、その内側の部分に、処理対象基板Ｗを支持するための支持溝４３が設けられている。
ここで、基板搬送機構４の載置部４２の支持溝４３は、処理対象基板Ｗの外周部の形状と対応するように形成され、その内径が、後述する静電吸着部２５の外径より大きくなるように構成されている。したがって、処理対象基板Ｗは、その外径が静電吸着部２５の外径より大きくなるように構成されたものである。
【００２０】
なお、基板搬送機構４の各腕部４１は、同一の長さに形成され、また、各載置部４２は、同一の形状及び大きさに形成されている。
そして、基板搬送機構４は、図示しない駆動機構により、腕部４１の交差する部分が、上述した基準点Ｏを中心として水平面内を回転移動し、かつ、図示しない昇降機構によって鉛直方向に昇降するように構成されている。
【００２１】
さらに、本実施の形態では、基板搬送機構４の回転により、各載置部４２が仕込取出室１０と第１〜第３の処理室１１〜１３の直下からそれぞれ退避する退避位置（図１参照）と、仕込取出室１０と第１〜第３の処理室１１〜１３の直下にそれぞれ配置される位置（図３参照）とに配置されるように、仕込取出室１０及び第１〜第３の処理室１１〜１３の位置、並びに、基板搬送機構４の形状及び寸法が設定されている。
【００２２】
このような構成を有する本実施の形態の基板搬送機構４は、処理対象基板Ｗとして、例えば中心部が薄く外周部に厚い支持部が形成された薄型基板を搬送する場合に好適となるものである（詳細図示せず）。また、本実施の形態の基板搬送機構４によれば、複数（例えば３個）の処理対象基板Ｗを同時に搬送して仕込取出室１０と第１〜第３の処理室１１〜１３との間で受け渡しを行うことができるので、生産効率を向上させることができる。
【００２３】
図４（ａ）（ｂ）は、本発明における処理室の構成例を示す部分断面図である。
本実施の形態の第１〜第３の処理室１１〜１３は、同一の基本構成を有し、ここでは、第１の処理室１１を例にとって説明する。
第１の処理室１１は、スパッタリングを行うものであり、真空槽２の下部に設けられた基板搬送領域５の上方に設けられている。
【００２４】
第１の処理室１１は、真空槽２内の仕切部２ａ及び防着部材２ｂによって仕切られており、その上部に、ターゲット保持部１５に保持されたスパッタリングターゲット１６が設けられている。
第１の処理室１１内には、例えば真空槽２の上部に設けたガス供給源１７から例えばアルゴン等の不活性ガスＧが導入されるようになっている。
【００２５】
第１の処理室１１の下部には、静電吸着部２５を有するステージ２１が設けられ、この静電吸着部２５上に処理対象基板Ｗが配置されるようになっている。
静電吸着部２５の内部には、図示しない吸着電極が設けられ、この吸着電極に対して所定の電圧を印加するように構成されている。
また、静電吸着部２５の表面には、例えばポリイミドフィルムからなる支持層（詳細図示せず）が設けられ、この表面が吸着面となる。
【００２６】
一方、本実施の形態の場合、基板搬送領域５は、例えば真空槽２の下部に設けた真空排気手段５０によって真空排気され、また、基板搬送領域５と第１の処理室１１とが連通するように構成されている。
【００２７】
さらに、第２及び第３の処理室１２、１３についても、基板搬送領域５と連通し、この真空排気手段５０によって真空排気されるように構成されている。なお、基板搬送領域５には、仕切り部やゲートバルブ等は設けられていない。
【００２８】
本実施の形態の場合、例えば真空槽２の外部にステージ２１を鉛直方向に昇降させるための昇降機構２６が設けられ、この昇降機構２６によって、第１の処理室１１と基板搬送領域５との間をステージ２１を移動させるように構成されている。
【００２９】
この場合、ステージ２１を下降させた位置において、基板搬送領域５に設けた基板搬送機構４を回転させた場合に、基板搬送機構４の載置部４２が、ステージ２１の上方に位置し（図４（ｂ）参照）、さらに、この位置からステージ２１の位置まで下降するように構成されている。
さらに、第１の処理室１１の下方の基板搬送領域５には、紫外線を照射する紫外線照射手段６が設けられている。
【００３０】
この紫外線照射手段６は、例えば真空槽２の外部に設けられた駆動電源６０によって図示しない紫外線ランプを駆動するものである。
本実施の形態では、ステージ２１を下降させた位置において、静電吸着部２５の表面（吸着面）に向けて、紫外線照射手段６の先端部６１から紫外線を照射するように配置構成されている。
【００３１】
このような構成を有する本実施の形態においては、図４（ａ）に示すように、処理対象基板Ｗを第１の処理室１１内に配置し、真空排気手段５０による真空排気を行うとともに、ガス供給源１７から不活性ガスＧを導入することにより、処理対象基板Ｗに対してスパッタリングを行う。
【００３２】
その後、ステージ２１の静電吸着部２５の吸着面の除電を行うには、図５（ａ）に示すように、図４（ａ）に示す第１の処理室１１内からステージ２１を下降させて基板搬送領域５に配置する。
この場合、真空排気手段５０による真空排気と、ガス供給源１７による不活性ガスＧの導入は継続する。
【００３３】
そして、基板搬送機構４を図１に示す位置から図３に示す位置に反時計回り方向へ回転させ、図５（ｂ）に示すように、基板搬送機構４の載置部４２をステージ２１の静電吸着部２５の周囲近傍で処理対象基板Ｗの下方に配置する。
【００３４】
この状態において、基板搬送機構４を上昇させる。これにより、処理対象基板Ｗ下面の外周部が基板搬送機構４の載置部４２の支持溝４３と係合して支持されるため、図６（ａ）に示すように、基板搬送機構４と共に処理対象基板Ｗがステージ２１の上方に上昇する。
【００３５】
その後、基板搬送機構４を図３に示す位置から図１に示す位置に時計回り方向へ回転させて処理対象基板Ｗを退避位置に配置する。
そして、この状態で、図６（ｂ）に示すように、静電吸着部２５の吸着面に向けて、紫外線照射手段６の先端部６１から紫外線ＵＶを照射する。
【００３６】
この場合、ガス供給源１７による不活性ガスＧの導入は継続しているので、ステージ２１の静電吸着部２５の吸着面近傍の不活性ガスＧが紫外線ＵＶの照射によってイオン化され、このイオン化された不活性ガスＧによって静電吸着部２５の吸着面に残留した電荷が中和されて除去（除電）される。
【００３７】
本発明では、このような除電処理を種々のタイミングで行うことができる。
例えば、各真空処理の後に毎回除電処理を行う他、予め定められたタイミング（例えば数枚の真空処理後に一回等）で除電を行うようにすることもできる。
【００３８】
さらに、静電吸着部２５の吸着面の残留電荷の値（例えば積分値）を逐次測定し、この値が予め定めた値を超えた場合に除電を行うこともできる。
さらにまた、真空処理を行う間において、紫外線照射手段６の先端部６１から紫外線ＵＶを照射し続けることもできる。
【００３９】
以上述べた本実施の形態では、真空槽２の例えば第１の処理室１１と接続された基板搬送領域５において、静電吸着部２５の処理対象基板Ｗを吸着する吸着面に対し、イオン化された不活性ガスＧで除電を行い、かつ、当該基板搬送領域５の真空排気を行うように構成されていることから、第１の処理室１１における真空処理の後、大気開放による真空排気を中断することなく静電吸着部２５の吸着面の除電を頻繁に行うことができ、これにより成膜等の処理効率を低下させることなく、静電吸着部２５の吸着面の除電を十分に行って残留電荷の増加を防止することができる。
【００４０】
また、本実施の形態の場合、第１の処理室１１では静電吸着部２５の吸着面の除電を行わないので、第１の処理室１１の構成部分に対し、イオン化された不活性ガスＧによる影響を与えることもない。
【００４１】
さらに、本実施の形態においては、処理対象基板Ｗをステージ２１の静電吸着部２５から退避させた状態で、静電吸着部２５の吸着面に対し、イオン化された不活性ガスＧで除電を行うことから、イオン化された不活性ガスＧを用いて基板に対して除電を行う場合と比較して静電吸着部２５の除電を確実且つ十分に行うことができる。
【００４２】
さらにまた、本実施の形態においては、静電吸着部２５の吸着面の近傍に導かれた不活性ガスＧに対して紫外線照射手段６から紫外線ＵＶを照射するように構成されるとともに、真空槽２において例えば第１の処理室１１と基板搬送領域５が連通され、第１の処理室１１に導入された不活性ガスＧを当該基板搬送領域５に導くように構成されていることから、スパッタリングに使用する不活性ガスＧをイオン化することによって静電吸着部２５の吸着面の除電を行うことができ、これにより装置構成を簡素化することができる。
【００４３】
加えて、本実施の形態においては、第１〜第３の処理室１１〜１３が真空槽２内の上部に設けられる一方、基板搬送領域５が真空槽２内の下部に設けられ、ステージ２１〜２３が、第１〜第３の処理室１１〜１３と基板搬送領域５との間で昇降するように構成されていることから、第１〜第３の処理室１１〜１３と基板搬送領域５との間でステージ２１〜２３の移動を容易に行うことができるとともに、第１〜第３の処理室１１〜１３と基板搬送領域５とが重ねて配置されており装置の小型化を図ることができる。
【００４４】
さらにまた、本実施の形態の基板搬送領域５に設けられた基板搬送機構４は、処理対象基板Ｗの外形に対応するように形成された載置部４２を有し鉛直及び水平方向に移動可能で、この載置部４２によって処理対象基板Ｗの外周部を支持して処理対象基板Ｗを搬送するように構成されていることから、例えば中心部が薄くなるように形成された薄型の処理対象基板Ｗを搬送する場合に、処理対象基板Ｗに対して損傷等を与えることなく円滑に搬送することができる。
【００４５】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施の形態では、真空槽に導入された不活性ガスに対して紫外線を照射してイオン化することによって処理対象基板の吸着面の除電を行うようにしたが、本発明はこれに限られず、例えば真空槽の外部で不活性ガスをイオン化し、このイオン化された不活性ガスを静電吸着部の吸着面に導くように構成することもできる。
【００４６】
ただし、装置構成を簡素化する観点からは、上記実施の形態のように、真空槽内に導入されたスパッタリング等に使用する不活性ガスに対して紫外線を照射してイオン化することによって静電吸着部の吸着面の除電を行うことがより好ましい。
【実施例】
【００４７】
上記実施の形態の装置を用い、第１の処理室内において、シリコン基板上にスパッタリングによる成膜を行った。
この場合、ＡｌＳｉからなるスパッタリングターゲットを用い、シリコンからなる処理対象基板上にＡｌＳｉ膜を形成した。
スパッタガスとしては、不活性ガスであるアルゴンを用い、真空槽内の圧力を０．１〜１．０Ｐａに設定してスパッタリングを行った。
【００４８】
そして、処理対象基板表面への成膜後、処理対象基板を退避し、静電吸着部の表面（吸着面）に対して紫外線を照射した。
この場合、紫外線照射装置としては、浜松ホトニクス社製のＳ２Ｄ２真空紫外（ＶＵＶ）光源ユニットを用い、４００ｎｍ以下の紫外線を照射した。
【００４９】
そして、静電吸着部から処理対象基板を離脱する際の残留電荷の積分値を測定した。
上述した処理を、１０枚の処理対象基板に対し連続して行った。
【００５０】
一方、比較対象（初期条件）として、処理対象基板表面への成膜後、処理対象基板の吸着面に対して不活性ガスの導入及び紫外線の照射による除電を行わず、静電吸着部から処理対象基板を離脱する際の残留電荷の積分値を測定した。
この処理を、１０枚の処理対象基板に対し連続して行った。
【００５１】
なお、成膜後における真空槽内の圧力は、１Ｅ−５〜５Ｅ−３Ｐａに設定した。
図７は、静電吸着部の吸着面を除電する際の残留電荷に対する圧力の依存性を示すグラフである。
この場合、真空槽２内の圧力を、不活性ガスを導入しない場合（１Ｅ−５〜５Ｅ−３Ｐａ）、不活性ガスを導入して０．７Ｐａ、０．３Ｐａとし、紫外線の照射時間は４０秒とした。
【００５２】
図７から明らかなように、静電吸着部に対して除電を行わない初期条件の場合（グラフ１）は、処理対象基板を処理する枚数が増えるに従い、静電吸着部の吸着面における残留電荷が増加することが理解される。
【００５３】
これに対し、不活性ガスを導入し真空槽内の圧力を０．３Ｐａ（グラフ３）、並びに、０．７Ｐａ（グラフ２）に設定して紫外線を照射した場合は、除電を行わない初期条件の場合（グラフ１）と比べ、静電吸着部の吸着面における残留電荷が小さく、かつ、処理対象基板を処理する枚数が増えた場合であっても、静電吸着部の吸着面における残留電荷は殆ど増加しなかった。
【００５４】
他方、真空槽内の圧力をＥ−４Ｐａに設定して紫外線を照射した場合（グラフ４）は、処理対象基板を処理する枚数が増えるに従い、静電吸着部の吸着面における残留電荷が増加した。また、静電吸着部の吸着面における残留電荷の値も初期条件の場合（グラフ１）に比べて大きくなった。
【００５５】
図８は、静電吸着部の吸着面を除電する際の残留電荷に対する紫外線の照射時間の依存性を示すグラフである。
この場合、静電吸着部に対する紫外線の照射時間を１５秒、４０秒、１分に変化させた。また、真空槽２内の圧力を、不活性ガスを導入して０．７Ｐａとした。
【００５６】
図８から明らかなように、静電吸着部に対して除電を行わない初期条件の場合（グラフ５）は、処理対象基板を処理する枚数が増えるに従い、静電吸着部の吸着面における残留電荷が増加することが理解される。
【００５７】
これに対し、紫外線の照射時間を１５秒（グラフ６）、４０秒（グラフ７）にした場合は、除電を行わない初期条件の場合（グラフ５）と比べ、静電吸着部の吸着面における残留電荷が小さく、かつ、処理対象基板を処理する枚数が増えた場合であっても、静電吸着部の吸着面における残留電荷は殆ど増加しなかった。
【００５８】
他方、紫外線の照射時間を１分にした場合（グラフ８）は、処理対象基板を処理する枚数が増えるに従い、静電吸着部の吸着面における残留電荷が増加した。また、静電吸着部表面における残留電荷の値も初期条件の場合（グラフ５）に比べて大きくなった。
【００５９】
以上より、本発明では、不活性ガスを導入した場合の圧力と、紫外線の照射時間が、除電の効果に影響を及ぼすことが判明した。特に、本実施例では、０．３Ｐａ〜０．７Ｐａの圧力に設定することがより好ましい。また、０．７Ｐａの圧力下において、紫外線の照射時間を１５秒〜４０秒に設定することがより好ましい。
【符号の説明】
【００６０】
１…真空処理装置
２…真空槽
４…基板搬送機構
５…基板搬送領域
６…紫外線照射手段
１１…第１の処理室（処理室）
１２…第２の処理室（処理室）
１３…第３の処理室（処理室）
１７…ガス供給源
２１…ステージ
２５…静電吸着部
２６…昇降機構
４２…載置部
４３…支持溝
５０…真空排気手段
Ｇ…不活性ガス
ＵＶ…紫外線
Ｗ…処理対象基板
【図１】
2015135838.tif 000003
【図２】
2015135838.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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