(57)【要約】【課題】１つの実施形態は、例えば、近接場光素子の熱を効率的に放熱できる磁気ヘッドを提供することを目的とする。【解決手段】１つの実施形態によれば、導波路と、近接場光素子と、記録磁極と、磁気コアと、記録コイルと、温度制御素子とを有する磁気ヘッドが提供される。近接場光素子は、ＡＢＳ面に配されている。近接場光素子は、導波路から光が導かれる。記録磁極は、ＡＢＳ面に配されている。磁気コアは、記録磁極のＡＢＳ面側の部分から磁界を発生させるように、記録磁極に接続されている。記録コイルは、磁気コアに周回するように配置されている。温度制御素子は、導波路の側面における近接場光素子近傍の領域に接触配置されている。【選択図】図４
2015011728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場光素子及び前記近接場光素子へ光を導く導波路を有する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドがリード動作又はライト動作を行うように制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記磁気ヘッドの動作をリード動作からライト動作に切り替える第１の期間に、前記磁気ヘッドの前記導波路の温度を制御するとともに、前記磁気ヘッドがライト動作を開始するように制御し、前記第１の期間に続く第２の期間に、前記磁気ヘッドにおける前記導波路の温度の制御をオフするとともに、前記磁気ヘッドがライト動作を引き続き行うように制御する
磁気ディスク装置。
【請求項２】
導波路と、
ＡＢＳ面に配され、前記導波路から光が導かれる近接場光素子と、
前記ＡＢＳ面に配された記録磁極と、
前記記録磁極の前記ＡＢＳ面側の部分から磁界を発生させるように、前記記録磁極に接続された磁気コアと、
前記磁気コアに周回するように配された記録コイルと、
前記導波路の側面における前記近接場光素子近傍の領域に接触配置された温度制御素子と、
を備えた磁気ヘッド。
【請求項３】
前記温度制御素子は、
前記導波路の前記側面に接触配置された第１電極と、
前記第１電極から離間するように、前記導波路の前記側面に接触配置された第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極の側方に配された第３電極と、
前記第１電極及び前記第３電極の間に配された第１導電型の第１の半導体と、
前記第２電極及び前記第３電極の間に配された第２導電型の第２の半導体と、
前記第１電極及び前記第２電極の間に電流を流す配線と、
を有する
請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第３電極は、前記導波路の前記側面に略並行に延びており、
前記温度制御素子は、
前記第３電極に接触配置された放熱板をさらに有する
請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記温度制御素子は、
前記第２電極から離間するように、前記導波路の前記側面に接触配置された第４電極と、
前記第２電極及び前記第４電極の側方に配された第５電極と、
前記第２電極及び前記第５電極の間に配された前記第１導電型の第３の半導体と、
前記第４電極及び前記第５電極の間に配された前記第２導電型の第４の半導体と、
をさらに有し、
前記配線は、前記第１電極及び前記第４電極の間に電流を流す
請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第３電極は、前記ＡＢＳ面に配され、前記ＡＢＳ面に沿って延びており、
前記第１の半導体は、前記第１電極から前記第３電極へ接続されるように延びており、
前記第２の半導体は、前記第２電極から前記第３電極へ接続されるように延びている
請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記導波路の第２の側面における前記近接場光素子近傍の領域に接触配置された第２の温度制御素子をさらに備えた
請求項２から６のいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項２から７のいずれか１項に記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドによるリード動作およびライト動作を制御する制御部と、
を備えた磁気ディスク装置。
【請求項９】
磁気ヘッドがリード動作を行うように制御することと、
前記磁気ヘッドがライト動作を行うように制御することと、
を備え、
前記ライト動作の制御は、
前記磁気ヘッドの動作をリード動作からライト動作に切り替える際に、前記磁気ヘッドにおける近接場光素子へ光を導く導波路の温度を制御するとともに、前記磁気ヘッドがライト動作を開始するように制御することと、
前記磁気ヘッドのライト動作が開始して閾値時間が経過した後に、前記磁気ヘッドにおける前記導波路の温度の制御をオフするとともに、前記磁気ヘッドがライト動作を引き続き行うように制御することと、
を含む
を備えた磁気ヘッドの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、及び磁気ヘッドの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの高密度磁気記録が可能な技術として、熱アシスト記録方式が注目されている。熱アシスト記録方式は、近接場光素子でレーザー光から変換された近接場光を磁気ディスクの表面の一部に照射して局所的に磁気ディスクの温度を上げる。そして、温度が上がった部分に磁場を印加して情報が磁気的に記録される。レーザー光を近接場光に変換する効率が低いため、レーザー光のエネルギーの大部分は熱に変換される。そのため、近接場光素子近傍の熱を効率的に放熱することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１１８９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１つの実施形態は、例えば、近接場光素子近傍の熱を効率的に放熱できる磁気ヘッド、磁気ディスク装置、及び磁気ヘッドの制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態によれば、導波路と、近接場光素子と、記録磁極と、磁気コアと、記録コイルと、温度制御素子とを有する磁気ヘッドが提供される。近接場光素子は、ＡＢＳ面に配されている。近接場光素子は、導波路から光が導かれる。記録磁極は、ＡＢＳ面に配されている。磁気コアは、記録磁極のＡＢＳ面側の部分から磁界を発生させるように、記録磁極に接続されている。記録コイルは、磁気コアに周回するように配置されている。温度制御素子は、導波路の側面における近接場光素子側の領域に接触配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置の構成を示す図。
【図２】第１の実施形態における磁気ヘッドのダウントラック方向の断面図。
【図３】第１の実施形態における磁気ヘッドのダウントラック方向の拡大断面図。
【図４】第１の実施形態における磁気ヘッドのクロストラック方向の断面図。
【図５】第１の実施形態における温度制御素子の制御タイミングを示す図。
【図６】第１の実施形態における温度制御素子の制御タイミングと磁気ヘッドの動作タイミングとを示す図。
【図７】第１の実施形態における磁気ヘッドの動作を示すフローチャート。
【図８】第１の実施形態における磁気ヘッドのライト動作を示すフローチャート。
【図９】第１の実施形態による素子寿命を示す図。
【図１０】第１の実施形態の変形例における温度制御素子の制御タイミングと磁気ヘッドの動作タイミングとを示す図。
【図１１】第１の実施形態の変形例における磁気ヘッドのリード動作を示すフローチャート。
【図１２】第１の実施形態の他の変形例における磁気ヘッドのクロストラック方向の断面図。
【図１３】第１の実施形態の他の変形例における磁気ヘッドのリード動作を示すフローチャート。
【図１４】第１の実施形態の他の変形例における磁気ヘッドのクロストラック方向の断面図。
【図１５】第２の実施形態における磁気ヘッドのクロストラック方向の断面図。
【図１６】第２の実施形態の変形例における磁気ヘッドのクロストラック方向の断面図。
【図１７】第３の実施形態における磁気ヘッドのクロストラック方向の断面図。
【図１８】第３の実施形態の磁気ヘッドのダウントラック方向の拡大断面図。
【図１９】第３の実施形態の変形例における磁気ヘッドのクロストラック方向の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置１００の概要について図１を用いて説明する。図１は、磁気ディスク装置１００の一部の断面構成と他の一部の機能構成とを示す図である。
【０００９】
磁気ディスク５０は、各種情報を記録する円盤状の記録媒体であり、スピンドルモータ１０３により回転駆動される。磁気ディスク５０は、表面に対して垂直方向に異方性をもつ垂直記録層を有する。磁気ディスク５０は、例えば、スピンドルモータ１０３の回転中心近傍を中心とする同心円状の複数のトラックを有する。
【００１０】
磁気ディスク５０の読み書きは、ヘッド支持機構であるアーム１０７の一方の先端にヘッドスライダ１０４を介して設けられた磁気ヘッド１１０によって行われる。磁気ヘッド１１０は、記録ヘッド１１０ｗ及び再生ヘッド１１０ｒを含む。
【００１１】
記録ヘッド１１０ｗは、磁気ディスク５０の回転によって生じる揚力によって、磁気ディスク５０の表面からわずかに浮いた状態を維持しながら、ダウントラック方向に磁気ディスク５０の表面に対して相対的に移動し、磁気ディスク５０に情報を記録する。このとき、記録ヘッド１１０ｗは、熱アシスト記録方式に従って、近接場光素子５（図２参照）でレーザー光を近接場光に変換して、変換された近接場光を磁気ディスク５０の表面の一部に照射して局所的に磁気ディスク５０の温度を上げ、温度が上がった部分に磁場を印加して情報を磁気的に記録する。すなわち、記録ヘッド１１０ｗは、磁気ディスク５０に対して、熱アシスト記録方式によるライト動作に用いられる。なお、ＡＢＳ（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）面４０（図３参照）は、記録ヘッド１１０ｗの先端における磁気ディスク５０に対向する面であり、ヘッド浮上面とも呼ばれる。
【００１２】
再生ヘッド１１０ｒは、磁気ディスク５０の回転によって生じる揚力によって、磁気ディスク５０の表面からわずかに浮いた状態を維持しながら、ダウントラック方向に磁気ディスク５０の表面に対して相対的に移動し、磁気ディスク５０に記録された情報を読み出して再生する。すなわち、再生ヘッド１１０ｒは、磁気ディスク５０に対するリード動作に用いられる。
【００１３】
アーム１０７のもう一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ１０２の駆動により、アーム１０７が軸１０８を中心とする円弧上を回動し、記録ヘッド１１０ｗ及び再生ヘッド１１０ｒが磁気ディスク５０のクロストラック方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックを変更する。磁気ディスク５０、磁気ヘッド１１０、ボイスコイルモータ１０２、スピンドルモータ１０３は、ケース１０１に収容されている。
【００１４】
また、図１に示すように、磁気ディスク装置１００は、磁気記録制御部１２０を有する。磁気記録制御部１２０は、ヘッド制御部１２３、パワー制御部１２１、リードライトチャネル１２４及びハードディスク制御部１２２を有する。ヘッド制御部１２３は、ライト電流制御部１２３ａ、再生信号検出部１２３ｂ、熱アシスト制御部１２３ｃ、及び温度制御部１２３ｄを有する。パワー制御部１２１は、スピンドルモータ制御部１２１ａ及びボイスコイルモータ制御部１２１ｂを有する。
【００１５】
次に、磁気ヘッド１１０の構成について図２〜図４を用いて説明する。図２は、磁気ヘッド１１０のダウントラック方向の断面図である。図３は、磁気ヘッド１１０のダウントラック方向の拡大断面図である。図４は、磁気ヘッド１１０のクロストラック方向の断面図である。
【００１６】
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１０４（図１参照）のトレーリング端側に設けられる。なお、図２では、紙面左側がトレーリング側となり、紙面右側がリーディング側となる。磁気ヘッド１１０は、トレーリング側に記録ヘッド１１０ｗを有し、リーディング側に再生ヘッド１１０ｒを有する。また、磁気ヘッド１１０は、ヒーター２３を有する。ヒーター２３は、再生ヘッド１１０ｒのリーディング側に設けられる。
【００１７】
再生ヘッド１１０ｒは、磁気抵抗効果素子６、シールド７、及びシールド８を有する。シールド７及びシールド８は、磁気抵抗効果素子６をヘッド走行方向両側から挟むように配置されている。これにより、磁気抵抗効果素子６は、シールド７及びシールド８によりヘッド走行方向両側から磁気的にシールドされた状態で磁気ディスク５０に記録された情報を読み出す。
【００１８】
記録ヘッド１１０ｗは、記録磁極６１、磁気コア１、記録コイル３、導波路４、及び近接場光素子５を有する。
【００１９】
記録磁極６１は、近接場光素子５及び導波路４のトレーリング側において、ＡＢＳ面４０に配されている。例えば、記録磁極６１は、磁気ディスク５０側の端面がＡＢＳ面４０上に位置するように配されている。記録磁極６１は、近接場光素子５の近傍に配され軟磁性材料で形成されている。
【００２０】
磁気コア１は、記録磁極６１のＡＢＳ面４０側の部分から磁界を発生させるように、記録磁極６１に接続されている。磁気コア１は、近接場光素子５の図２中の上側からトレーリング側へ突出するとともにＡＢＳ面４０側へ下がるように延びて、記録磁極６１に接続されている。磁気コア１は、軟磁性材料で形成されている。
【００２１】
記録コイル３は、近接場光素子５及び導波路４のトレーリング側において、磁気コア１に周回するように配されている。記録コイル３は、図２中の紙面に垂直な縦方向の平面に沿って、磁気コア１に周回するように巻き回されている。これにより、記録コイル３に流す電流を制御することで、磁気コア１を介して記録磁極６１が磁界を発生させて、磁気ディスク５０に情報を記録する。記録コイル３は、例えば、金属（例えば、Ｃｕ）などの導体で形成されている。
【００２２】
導波路４は、光源（例えば、図示しないレーザーダイオード）から近接場光素子５の近傍まで延びている。これにより、導波路４は、光源から出射された光（例えば、レーザー光）を受けて近接場光素子５へ導く。図２〜図４では、導波路４が板形状である場合が例示されているが、導波路４は、光を近接場光素子５へ導くことができる構造であれば他の形状（例えば、直方体形状等）であってもよい。
【００２３】
近接場光素子５は、ＡＢＳ面４０に配されている。近接場光素子５は、導かれた光（例えば、レーザー光）を近接場光に変換して、変換された近接場光を磁気ディスク５０の表面における記録磁極６１が記録すべき部分に照射する。これにより、磁気ディスク５０の表面における記録磁極６１が記録すべき部分に熱が加わるので、その部分の垂直記録層は、キュリー点以上に高温化されて異方性磁界が小さくなり、記録磁極６１により情報が記録されやすくなる。
【００２４】
このとき、近接場光素子５における光を近接場光に変換する効率は、１０％程度である。光のエネルギーの１０％程度が近接場光に変換され、残りの９０％程度は熱に変換される。そのため、近接場光素子５の熱を放熱する必要がある。
【００２５】
本発明者は、近接場光素子５の発熱による近接場光素子５の突き出しを低減するために、近接場光素子５に熱的に接触配置させた放熱板（図示せず）をさらに追加した構成について検討を行った。具体的には、この構成において、ライト素子（記録磁極６１）及び／又はリード素子（磁気抵抗効果素子６）のそれぞれの磁気ディスク５０からの距離をヒーター２３の加熱量によって制御することについて検討を行った。その結果、磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際に、変換された熱による近接場光素子５の発熱の時定数とヒーター２３の発熱の時定数とが異なることに起因して、一時的に近接場光素子５の突き出し量が増大して、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を一定に保持することが困難になることを見出した（図６の７Ｃ，７Ｉの破線で示す特性、参照）。一時的に近接場光素子５の突き出し量が増大すると、近接場光素子５が磁気ディスク５０の表面に衝突するなど磁気ディスク装置１００の信頼性を低下させる可能性がある。
【００２６】
本発明者は、さらに検討を行った結果、上記の構成では、変換された熱による近接場光素子５の発熱の時定数が、ヒーター２３の発熱の時定数より小さく、リード動作からライト動作に切り替える際に、近接場光素子５に熱的に接触配置させた放熱板を用いた構成よりも、さらに効率的に近接場光素子５の熱を放熱する必要があることを見出した。
【００２７】
そこで、本実施形態では、近接場光素子５に熱的に接触配置させた放熱板を用いずに、例えば磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際に、導波路４の温度を温度制御素子で制御する（例えば、吸熱する）ことで、近接場光素子５の熱を効率的に放熱することを目指す。
【００２８】
具体的には、図２〜図４に示すように、磁気ヘッド１１０の記録ヘッド１１０ｗは、温度制御素子１０ａ，１０ｂをさらに有する。
【００２９】
温度制御素子１０ａ，１０ｂは、導波路４のクロストラック方向に交差する面上の位置であってＡＢＳ面４０には露出しない位置で導波路４に接触配置させる。すなわち、温度制御素子１０ａ，１０ｂは、導波路４の側面４ａ，４ｂにおける近接場光素子５近傍の領域４ａ１，４ｂ１に接触配置されている。側面４ｂは、導波路４における側面４ａの反対側の側面である。側面４ａ，４ｂにおいて、領域４ａ１，４ｂ１は、領域４ａ２，４ｂ２より近接場光素子５側（すなわち、近接場光素子５近傍）に位置している。温度制御素子１０ａ，１０ｂは、例えば磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際に、導波路４の温度を制御する。温度制御素子１０ａ，１０ｂは、磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際に、導波路４の熱を吸熱して、導波路４の温度を制御する。
【００３０】
具体的には、温度制御素子１０ａは、電極１１ａ、電極１２ａ、電極１３ａ、半導体１６ａ、半導体１５ａ、放熱板１７ａ、及び配線２２ａを有する。
【００３１】
電極１１ａは、電極１２ａから離間するように、導波路４の側面４ａの領域４ａ１に接触配置されている。電極１１ａは、電極１２ａよりＡＢＳ面４０側に位置し、側面４ａに沿って延びている。電極１１ａは、金属などの導電体で形成され、半導体１６ａを介して電極１３ａに電気的及び熱的に接続されている。電極１１ａは、ＡＢＳ面４０から離れる側の端部が、半導体１６ａを介して電極１３ａに電気的及び熱的に接続されている。
【００３２】
電極１２ａは、電極１１ａから離間するように、導波路４の側面４ａの領域４ａ１に接触配置されている。電極１２ａは、電極１１ａよりＡＢＳ面４０から離れる側に位置し、側面４ａに沿って延びている。電極１２ａは、金属などの導電体で形成され、半導体１５ａを介して電極１３ａに電気的及び熱的に接続されている。電極１２ａは、ＡＢＳ面４０側の端部が、半導体１５ａを介して電極１３ａに電気的及び熱的に接続されている。
【００３３】
電極１３ａは、電極１１ａ及び電極１２ａの側方に配されている。電極１３ａは、電極１１ａ及び電極１２ａに対向するように配されている。電極１３ａは、側面４ａに並行して延びている。電極１３ａは、ＡＢＳ面４０に垂直な方向において、電極１１ａ及び電極１２ａの間に対応した位置に配されている。電極１３ａは、金属などの導電体で形成されている。電極１３ａは、半導体１６ａを介して電極１１ａに電気的及び熱的に接続されているとともに、半導体１５ａを介して電極１２ａに電気的及び熱的に接続されている。電極１３ａは、ＡＢＳ面４０側の端部が、半導体１６ａを介して電極１１ａに電気的及び熱的に接続されているとともに、ＡＢＳ面４０から離れる側の端部が、半導体１５ａを介して電極１２ａに電気的及び熱的に接続されている。
【００３４】
半導体１６ａは、電極１１ａ及び電極１３ａの間に配されている。半導体１６ａは、第１導電型（例えば、Ｎ型）の不純物（例えば、リン、ヒ素など）を含む。半導体１６ａは、第１導電型の不純物を含む半導体であって、シリコンなどの半導体である。半導体１６ａは、一端が電極１１ａに接触配置され、他端が電極１３ａに接触配置されている。半導体１６ａは、側面４ａに垂直な方向から透視した場合に、電極１１ａ及び電極１３ａが重なる領域に含まれるように配されている（図３参照）。
【００３５】
半導体１５ａは、電極１２ａ及び電極１３ａの間に配されている。半導体１５ａは、第２導電型（例えば、Ｐ型）の不純物（例えば、ボロン、アルミニウムなど）を含む。第２導電型は、第１導電型の反対導電型である。半導体１５ａは、第２導電型の不純物を含む半導体であって、シリコンなどの半導体である。半導体１５ａは、一端が電極１２ａに接触配置され、他端が電極１３ａに接触配置されている。半導体１５ａは、側面４ａに垂直な方向から透視した場合に、電極１２ａ及び電極１３ａが重なる領域に含まれるように配されている（図３参照）。
【００３６】
放熱板１７ａは、電極１３ａに接触配置されている。放熱板１７ａは、導波路４の側面４ａに略垂直な方向に突き出ているとともに、導波路４の側面４ａに並行して延びている。放熱板１７ａは、電極１３ａに熱的に接続されている。これにより、放熱板１７ａは、電極１３ａの熱を周辺雰囲気（例えば、空気）中へ放熱することができる。
【００３７】
配線２２ａは、電極１１ａ及び電極１２ａの間に電流を流すように構成されている。配線２２ａは、ライン２０ａ、ライン２１ａ、端子１８ａ、及び端子１９ａを有する。ライン２０ａは、端子１８ａを介して電極１２ａに電気的に接続されている。ライン２１ａは、端子１９ａを介して電極１１ａに電気的に接続されている。端子１８ａ及び端子１９ａには、ライン２０ａ及びライン２１ａを介して、ヘッド制御部１２３から印加電圧Ｖに応じた電流が供給される。
【００３８】
配線２２ａにおいて、第１導電型がＮ型であり第２導電型がＰ型であるとともに、図２〜図４の矢印で示す方向へ電流を流した場合、電極１１ａ及び半導体１６ａの界面近傍と電極１２ａ及び半導体１５ａの界面近傍とが吸熱面として作用し、電極１３ａ及び半導体１６ａの界面近傍と電極１３ａ及び半導体１５ａの界面近傍とが発熱面として作用する。すなわち、配線２２ａにおいて、図２〜図４の矢印で示す方向へ電流を流した場合、温度制御素子１０ａは、導波路４の熱を電極１１ａ，１２ａ経由で吸熱し、吸熱した熱を電極１３ａ及び放熱板１７ａ経由で周辺雰囲気（例えば、空気）中に放熱することができる。なお、第１導電型がＰ型であり第２導電型がＮ型である場合、図２〜図４の矢印で示す方向と逆方向へ電流を流すことで、温度制御素子１０ａを同様に動作させることができる。
【００３９】
なお、配線２２ａにおいて、第１導電型がＮ型であり第２導電型がＰ型であるとともに、図２〜図４の矢印で示す方向と逆方向へ電流を流した場合、電極１１ａ及び半導体１６ａの界面近傍と電極１２ａ及び半導体１５ａの界面近傍とが発熱面として作用し、電極１３ａ及び半導体１６ａの界面近傍と電極１３ａ及び半導体１５ａの界面近傍とが吸熱面として作用する。すなわち、配線２２ａにおいて、図２〜図４の矢印で示す方向と逆方向へ電流を流した場合、温度制御素子１０ａは、周辺雰囲気（例えば、空気）中の熱を放熱板１７ａ及び電極１３ａ経由で吸熱し、吸熱した熱を電極１１ａ，１２ａ経由で導波路４へ供給することができる。なお、第１導電型がＰ型であり第２導電型がＮ型である場合、図２〜図４の矢印で示す方向へ電流を流すことで、温度制御素子１０ａを同様に動作させることができる。
【００４０】
これまでの説明と同様に、温度制御素子１０ｂは、電極１１ｂ、電極１２ｂ、電極１３ｂ、半導体１６ｂ、半導体１５ｂ、放熱板１７ｂ、及び配線２２ｂを有する。なお、温度制御素子１０ａの各部の説明は、添え字「ａ」を添え字「ｂ」に置き換えることで、温度制御素子１０ｂにおける各部についても同様に適用できる。
【００４１】
次に、温度制御素子１０ａ，１０ｂの制御タイミングについて図５を用いて説明する。図５は、温度制御素子１０ａ，１０ｂの制御タイミングを示す図である。
【００４２】
図５の６Ａに示すように、磁気記録制御部１２０（図１参照）において、ハードディスク制御部１２２は、ライン３０，３１及びリードチャネル１２４（図１参照）経由でヘッド制御部１２３へ制御信号を供給する。ヘッド制御部１２３は、ライン２０ａ，２１ａ，２０ｂ，２１ｂ経由で温度制御素子１０ａ，１０ｂに印加電圧Ｖと印加電圧Ｖに応じた電流とを供給する。なお、図５の６Ａでは、リードチャネル１２４の図示を省略している。
【００４３】
図５の６Ｂに示すように、磁気ディスク５０へのデータ書き込みのタイミングは、データ書き込み信号であるＷｒｉｔｅ  Ｇａｔｅ（ＷＧ）信号φ３０で制御される。ＷＧ信号φ３０は、ハードディスク制御部１２２からライン３０経由でヘッド制御部１２３へ供給される。ヘッド制御部１２３は、ＷＧ信号φ３０がアクティブレベル（図５の場合、Ｈレベル）の間、すなわちライト期間ＴＰ１０において、記録ヘッド１１０ｗを制御して、磁気ディスク５０に信号を書き込む。ライト期間ＴＰ１０は、タイミングｔ１に始まり、タイミングｔ３で終わる。
【００４４】
図５の６Ｃに示すように、温度制御素子１０ａ，１０ｂの制御信号φ３１は、ハードディスク制御部１２２からライン３１経由でヘッド制御部１２３へ供給される。ヘッド制御部１２３は、制御信号φ３１がアクティブレベル（図５の場合、Ｈレベル）の間、すなわち磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える期間ＴＰ１１において、磁気ヘッド１１０における導波路４の温度制御をオンするように、印加電圧Ｖを調整する。期間ＴＰ１１は、タイミングｔ１に始まり、タイミングｔ２で終わる。そして、ヘッド制御部１２３は、期間ＴＰ１１に続く期間ＴＰ１２において、磁気ヘッド１１０における導波路４の温度制御をオフするように、印加電圧Ｖを調整する。期間ＴＰ１２は、タイミングｔ２に始まり、タイミングｔ３で終わる。
【００４５】
図５の６Ｄに示すように、温度制御素子１０ａ，１０ｂへの印加電圧Ｖは、ライン２０ａ，２１ａ，２０ｂ，２１ｂ経由で温度制御素子１０ａ，１０ｂへ供給される。ヘッド制御部１２３は、制御信号φ３１がアクティブレベルである期間ＴＰ１１において、印加電圧Ｖをオンレベルに調整して温度制御素子１０ａ，１０ｂへ供給する。ヘッド制御部１２３は、制御信号φ３１がノンアクティブレベルである期間ＴＰ１２において、印加電圧Ｖをオフレベルに調整して温度制御素子１０ａ，１０ｂへ供給する。
【００４６】
次に、温度制御素子１０ａ，１０ｂの制御タイミングと磁気ヘッド１１０の動作タイミングとの関係について図６を用いて説明する。図６は、温度制御素子１０ａ，１０ｂの制御タイミングと磁気ヘッド１１０の動作タイミングとを示す図である。
【００４７】
タイミングｔ１の直前において、ＷＧ信号φ３０がノンアクティブレベルになっている。これに応じて、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がリード動作を実行するように制御している。すなわち、タイミングｔ１までの期間ＴＰ０は、リード期間である。
【００４８】
タイミングｔ１において、ＷＧ信号φ３０がノンアクティブレベルからアクティブレベル（Ｈレベル）になる。これに応じて、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がライト動作を開始するように制御する。すなわち、タイミングｔ１からライト期間ＴＰ１０が始まる。
【００４９】
また、ヒーター２３のパワーがリード期間用のレベルからライト期間用のレベルに変更される（図６の７Ａ参照）。これにより、図６の７Ｄに示すようなライト素子の発熱による突き出しと、図６の７Ｅに示すようなヒーター２３の加熱による素子の突き出しが発生し得る。また、図６の７Ｆに示すように、レーザー照射が行われ、導波路４経由で近接場光素子５へレーザー光が導かれる。これにより、図６の７Ｇに破線で示すように、変換された熱による近接場光素子５の突き出しが発生し得る。
【００５０】
このとき、変換された熱による近接場光素子５の発熱の時定数が、ヒーター２３の発熱の時定数より小さいと、図６の７Ｃ，７Ｉに破線で示すように、トータルの素子の突き出し量が一時的に増大して、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を一定に保持することが困難になる。
【００５１】
それに対して、本実施形態では、タイミングｔ１〜ｔ２の期間ＴＰ１１において、図６の７Ｈに示すように、温度制御素子１０ａ，１０ｂが導波路４の温度を制御する。温度制御素子１０ａ，１０ｂに対して、印加電圧Ｖを印加して、図２〜図４に矢印で示す方向の電流を流す。これにより、温度制御素子１０ａ，１０ｂは、導波路４の熱を電極１１ａ，１２ａ，１１ｂ，１２ｂ経由で吸熱し、吸熱した熱を電極１３ａ，１３ｂ及び放熱板１７ａ，１７ｂ経由で周辺雰囲気（空気）中に放熱させることができる。
【００５２】
これにより、変換された熱による近接場光素子５の突き出しの時定数は、図６の７Ｇに実線で示すように、ヒーター２３の加熱による素子の突き出しの時定数（図６の７Ｅ参照）に略均等にできる。この結果、トータルの素子の突き出し量を抑制でき、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を一定に保持することができる。
【００５３】
なお、期間ＴＰ１１の長さは、温度制御素子１０ａ，１０ｂによる温度制御を行わなかった場合における近接場光素子５の発熱の時定数に対応した長さを実験的に取得することで求めてもよい。期間ＴＰ１１の長さは、温度制御素子１０ａ，１０ｂによる温度制御を行わなかった場合における近接場光素子５の発熱による素子の突き出しが安定時の値に到達するまでの時間長さ（図６の７Ｇの破線で示す特性、参照）であってもよい。
【００５４】
タイミングｔ２〜ｔ３の期間ＴＰ１２において、ＷＧ信号φ３０がアクティブレベル（例えば、Ｈレベル）に維持される。これに応じて、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がライト動作を引き続き行うように制御する。
【００５５】
また、ヒーター２３のパワーがライト期間用のレベルに維持される（図６の７Ａ参照）。これにより、図６の７Ｅに示すように、ヒーター２３の加熱による素子の突き出しが安定した状態になっている。また、図６の７Ｆに示すように、レーザー照射が行われ、導波路４経由で近接場光素子５へレーザー光が導かれ続けている。これにより、図６の７Ｇに実線で示すように、変換された熱による近接場光素子５の突き出しが安定した状態になっている。
【００５６】
そこで、本実施形態では、タイミングｔ２〜ｔ３の期間ＴＰ１２において、図６の７Ｈに示すように、温度制御素子１０ａ，１０ｂによる導波路４の温度制御をオフした状態に維持する。導波路４の温度制御をオフしても、変換された熱による近接場光素子５の突き出しと、ヒーター２３の加熱による素子の突き出しとは、ともに安定した状態になっているので、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を容易に一定に保持することができる。
【００５７】
タイミングｔ３において、ＷＧ信号φ３０がアクティブレベル（例えば、Ｈレベル）からノンアクティブレベル（例えば、Ｌレベル）になる。また、ヒーター２３のパワーがライト期間用のレベルからリード期間用のレベルに変更される（図６の７Ａ参照）。これに応じて、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がリード動作を開始するように制御する。すなわち、タイミングｔ１〜ｔ３の期間ＴＰ１０がライト期間であり、タイミングｔ３以降の期間ＴＰ２０がリード期間である。
【００５８】
次に、磁気ヘッド１１０の動作について図７を用いて説明する。図７は、磁気ヘッド１１０の動作を示すフローチャートである。
【００５９】
ステップＳ１では、磁気ヘッド１１０が、リード動作を行う。具体的には、ハードディスク制御部１２２は、ノンアクティブレベルのＷＧ信号φ３０をライン３０経由でヘッド制御部１２３へ供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がリード動作を行うように制御する。
【００６０】
ステップＳ２では、磁気ヘッド１１０が、ライト動作を行う。具体的には、ハードディスク制御部１２２は、アクティブレベルのＷＧ信号φ３０をライン３０経由でヘッド制御部１２３へ供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がライト動作を行うように制御する。
【００６１】
次に、磁気ヘッド１１０のライト動作について図８を用いて説明する。図８は、磁気ヘッド１１０のライト動作を示すフローチャートである。
【００６２】
ステップＳ１１では、ハードディスク制御部１２２が、磁気ヘッド１１０の動作をライト動作へ切り替えるべきか否かを判断する。
【００６３】
ハードディスク制御部１２２は、ライト動作へ切り替えるライト切替指令をホストＨＳ（図１参照）から受けた場合、ライト動作へ切り替えるべきであると判断し、ライト切替指令を受けていない場合、ライト動作へ切り替えるべきでないと判断する。
【００６４】
あるいは、ハードディスク制御部１２２は、記録すべきデータをホストＨＳ（図１参照）から受けた場合、ライト動作へ切り替えるべきであると判断し、記録すべきデータを受けていない場合、ライト動作へ切り替えるべきでないと判断する。
【００６５】
ハードディスク制御部１２２は、ライト動作へ切り替えるべきであると判断する場合（ステップＳ１１でＹｅｓ）、処理をステップＳ１２へ進め、ライト動作へ切り替えるべきでないと判断する場合（ステップＳ１１でＮｏ）、処理をステップＳ１１へ戻す。
【００６６】
ステップＳ１２では、ハードディスク制御部１２２が、アクティブレベルの制御信号φ３１をライン３１経由でヘッド制御部１２３へ供給するとともに、タイマ（図示せず）のカウント動作を開始する。これにより、ヘッド制御部１２３は、印加電圧Ｖをオンレベルに調整して温度制御素子１０ａ，１０ｂへ供給する。すなわち、ヘッド制御部１２３は、温度制御素子１０ａ，１０ｂによる導波路４の温度制御を開始する。
【００６７】
それとともに、ハードディスク制御部１２２は、アクティブレベルのＷＧ信号φ３０をライン３０経由でヘッド制御部１２３へ供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がライト動作を開始するように制御する。
【００６８】
ステップＳ１３では、ハードディスク制御部１２２が、導波路４の温度制御を開始してから閾値時間Ｔｔｈ１が経過したか否かを判断する。ハードディスク制御部１２２は、タイマでカウントされた時間を参照し、カウントされた時間が閾値時間Ｔｔｈ１以上であれば、閾値時間Ｔｔｈ１が経過したと判断し、カウントされた時間が閾値時間Ｔｔｈ１未満であれば、閾値時間Ｔｔｈ１が経過していないと判断する。なお、閾値時間Ｔｔｈ１は、期間ＴＰ１１（図５、図６参照）の長さに対応したものであり、例えば、期間ＴＰ１１の長さから切り替え動作の応答時間を引いたものである。
【００６９】
ハードディスク制御部１２２は、閾値時間Ｔｔｈ１が経過したと判断する場合（ステップＳ１３でＹｅｓ）、処理をステップＳ１４へ進め、閾値時間Ｔｔｈ１が経過していないと判断する場合（ステップＳ１３でＮｏ）、処理をステップＳ１２へ戻す。
【００７０】
ステップＳ１４では、ハードディスク制御部１２２が、ノンアクティブレベルの制御信号φ３１をライン３１経由でヘッド制御部１２３へ供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、印加電圧Ｖをオフレベルに調整して温度制御素子１０ａ，１０ｂへ供給する。すなわち、ヘッド制御部１２３は、温度制御素子１０ａ，１０ｂによる導波路４の温度制御をオフする。
【００７１】
また、ハードディスク制御部１２２は、アクティブレベルのＷＧ信号φ３０をライン３０経由でヘッド制御部１２３へ引き続き供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がライト動作を引き続き行うように制御する。
【００７２】
以上のように、第１の実施形態では、磁気ヘッド１１０において、温度制御素子（第１の温度制御素子）１０ａが、導波路４の側面４ａにおける近接場光素子５側の領域４ａ１に接触配置されている。これにより、例えば磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際に、導波路４の温度を温度制御素子で制御する（例えば、吸熱する）ことができる。この結果、磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際における近接場光素子５の一時的な突き出し量の増大を抑制できるので、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を容易に一定に保持することができる。
【００７３】
したがって、近接場光素子５の磁気ディスク５０の表面への衝突等を抑制できるので、磁気ディスク装置１００の信頼性を向上できる。図９に示すように、ライト動作の積算時間（又は積算回数）に伴って記録ヘッド１１０ｗの信頼性が寿命基準まで低下（記録能力の劣化など）する寿命Ｔを、温度制御を行わない場合の寿命ｔに比べて、大幅に増加させることができる。なお、図９は、第１の実施形態による素子寿命を示す図である。
【００７４】
また、第１の実施形態では、温度制御素子（第１の温度制御素子）１０ａが、導波路４の側面４ａにおける近接場光素子５近傍の領域４ａ１に接触配置されている。これにより、温度制御素子１０ａが仮に導波路４の側面４ａにおける近接場光素子５から遠い側の領域４ａ２に接触配置されている場合に比べて、温度制御素子１０ａと近接場光素子５との距離を近づけることができ、近接場光素子５で発生した熱を導波路４経由で温度制御素子１０ａにより効率的に放熱させることができる。
【００７５】
同様に、温度制御素子（第２の温度制御素子）１０ｂが、導波路４の側面４ｂにおける近接場光素子５近傍の領域４ｂ１に接触配置されている。これにより、温度制御素子１０ｂが仮に導波路４の側面４ｂにおける近接場光素子５から遠い側の領域４ｂ２に接触配置されている場合に比べて、温度制御素子１０ｂと近接場光素子５との距離を近づけることができ、近接場光素子５で発生した熱を導波路４経由で温度制御素子１０ｂにより効率的に放熱させることができる。
【００７６】
また、第１の実施形態では、磁気ヘッド１１０の温度制御素子１０ａにおいて、放熱板（第１の放熱板）１７ａは、導波路４の側面４ａに略垂直な方向に突き出ているとともに、導波路４の側面４ａに並行して延びている。これにより、再生ヘッド１１０ｒ等の周辺に配置された部材への干渉を避けながら放熱板１７ａの放熱面積を広く確保でき、放熱板１７ａの放熱能力を向上できる。
【００７７】
同様に、磁気ヘッド１１０の温度制御素子１０ｂにおいて、放熱板（第２の放熱板）１７ｂは、導波路４の側面４ｂに略垂直な方向に突き出ているとともに、導波路４の側面４ｂに並行して延びている。これにより、再生ヘッド１１０ｒ等の周辺に配置された部材への干渉を避けながら放熱板１７ｂの放熱面積を広く確保でき、放熱板１７ｂの放熱能力を向上できる。
【００７８】
また、第１の実施形態では、磁気ヘッド１１０において、温度制御素子（第１の温度制御素子）１０ａが、導波路４の側面４ａにおける近接場光素子５側の領域４ａ１に接触配置されており、温度制御素子（第２の温度制御素子）１０ｂが、導波路４の側面４ｂにおける近接場光素子５側の領域４ｂ１に接触配置されている。すなわち、導波路４のクロストラック方向の両側の側面４ａ，４ｂに温度制御素子１０ａ，１０ｂが設けられているので、導波路４の熱を効率的に制御することができる。
【００７９】
また、第１の実施形態では、磁気ヘッド１１０において、温度制御素子（第１の温度制御素子）１０ａ及び温度制御素子（第２の温度制御素子）１０ｂは、互いに同期するように、導波路４の温度を制御する。すなわち、導波路４の両側の側面４ａ，４ｂに設けられた複数の温度制御素子１０ａ，１０ｂが同期して導波路４の温度を制御するので、導波路４の熱を効率的に制御する（例えば、吸熱する）ことができる。
【００８０】
また、第１の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、磁気記録制御部１２０は、磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える期間（第１の期間）ＴＰ１１に、磁気ヘッド１１０における近接場光素子５へ光を導く導波路４の温度を制御するとともに、磁気ヘッド１１０がライト動作を開始するように制御する。磁気記録制御部１２０は、磁気ヘッド１１０のライト動作が開始して閾値時間（第１の閾値時間）Ｔｔｈ１が経過した後に、すなわち、期間（第１の期間）ＴＰ１１に続く期間（第２の期間）ＴＰ１２に、磁気ヘッド１１０における導波路４の温度の制御をオフするとともに、磁気ヘッド１１０がライト動作を引き続き行うように制御する。これにより、磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際における近接場光素子５の一時的な突き出し量の増大を抑制できるので、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を容易に一定に保持することができる。
【００８１】
なお、図５、図６では、温度制御素子１０ａと温度制御素子１０ｂとが、導波路４の温度を互いに同期して制御する場合について例示的に示しているが、温度制御素子１０ａと温度制御素子１０ｂとは、互いに独立して導波路４の温度を制御してもよい。
【００８２】
近接場光素子５から導波路４に伝達される熱量が、導波路４における両側の側面４ａ，４ｂで異なる場合、温度制御素子１０ａ，１０ｂは、両側の側面４ａ，４ｂのそれぞれについて、導波路４の温度を独立して制御することができる。
【００８３】
図１０に示すように、期間ＴＰ１１において、導波路４における側面４ａに伝達される熱量が側面４ｂに伝達される熱量より大きい場合、両者の差をキャンセルするように温度制御素子１０ａ，１０ｂを制御することができる。すなわち、図１０の１１Ｃ，１１Ｄに示すように、ヘッド制御部１２３から温度制御素子１０ａへの印加電圧Ｖ（＝Ｖ１）を、ヘッド制御部１２３から温度制御素子１０ｂへの印加電圧Ｖ（＝Ｖ２＜Ｖ１）より大きくすることができる。なお、図１０の１１Ａ，１１Ｂは、図５の６Ｂ，６Ｃと同様である。
【００８４】
あるいは、図１１の１２Ｃ，１２Ｄに示すように、ヘッド制御部１２３から温度制御素子１０ａへ印加電圧Ｖを期間ＴＰ１１の時間長さで印加しながら、ヘッド制御部１２３から温度制御素子１０ｂへ印加電圧Ｖを期間ＴＰ１１より短い時間長さＴＰ１１’（＜ＴＰ１１）で印加することができる。このとき、両者の印加電圧Ｖは均等でもよい。なお、図１１の１２Ａ，１２Ｂは、図５の６Ｂ，６Ｃと同様である。
【００８５】
あるいは、導波路４の温度制御は、磁気ヘッド１１０の動作をリード動作からライト動作に切り替える際に加えて、磁気ヘッド１１０の動作をライト動作からリード動作に切り替える際にさらに行ってもよい。
【００８６】
図１２に示すように、リード期間ＴＰ２０内のタイミングｔ３〜ｔ４の期間ＴＰ２１において、図１２の１３Ｈに示すように、温度制御素子１０ａ，１０ｂが導波路４の温度を制御する。温度制御素子１０ａ，１０ｂに対して、印加電圧Ｖを印加して、図２〜図４に矢印で示す方向と逆方向の電流を流す。これにより、温度制御素子１０ａは、周辺雰囲気（空気）中の熱を放熱板１７ａ及び電極１３ａ経由で吸熱し、吸熱した熱を電極１１ａ，１２ａ経由で導波路４へ供給することができる。
【００８７】
この場合、磁気ディスク装置１００において、磁気記録制御部１２０は、磁気ヘッド１１０の動作をライト動作からリード動作に切り替える期間ＴＰ２１に、磁気ヘッド１１０における近接場光素子５へ光を導く導波路４の温度を制御するとともに、磁気ヘッド１１０がリード動作を開始するように制御する。磁気記録制御部１２０は、期間ＴＰ２１に続く期間ＴＰ２２に、磁気ヘッド１１０における導波路４の温度の制御をオフするとともに、磁気ヘッド１１０がリード動作を引き続き行うように制御する。これにより、磁気ヘッド１１０の動作をライト動作からリード動作に切り替える際における近接場光素子５の一時的な突き出し量の増大（図１２の１３Ｃ，１３Ｉに破線で示す特性、参照）を抑制できるので、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を容易に一定に保持することができる（図１２の１３Ｃ，１３Ｉに実線で示す特性、参照）。
【００８８】
また、この場合、磁気ヘッド１１０のリード動作が、図１３に示すように、次の点で第１の実施形態と異なる。図１３は、磁気ヘッド１１０のリード動作を示すフローチャートである。
【００８９】
ステップＳ２１では、ハードディスク制御部１２２が、磁気ヘッド１１０の動作をリード動作へ切り替えるべきか否かを判断する。
【００９０】
ハードディスク制御部１２２は、リード動作へ切り替えるリード切替指令をホストＨＳ（図１参照）から受けた場合、リード動作へ切り替えるべきであると判断し、リード切替指令を受けていない場合、リード動作へ切り替えるべきでないと判断する。
【００９１】
ハードディスク制御部１２２は、リード動作へ切り替えるべきであると判断する場合（ステップＳ２１でＹｅｓ）、処理をステップＳ２２へ進め、リード動作へ切り替えるべきでないと判断する場合（ステップＳ２１でＮｏ）、処理をステップＳ２１へ戻す。
【００９２】
ステップＳ２２では、ハードディスク制御部１２２が、第２のアクティブレベル（例えば、−Ｈレベル）の制御信号φ３１をライン３１経由でヘッド制御部１２３へ供給するとともに、タイマ（図示せず）のカウント動作を開始する。これにより、ヘッド制御部１２３は、印加電圧Ｖを第２のオンレベルに調整して温度制御素子１０ａ，１０ｂへ供給する。すなわち、ヘッド制御部１２３は、温度制御素子１０ａ，１０ｂによる導波路４の温度制御を開始する。
【００９３】
それとともに、ハードディスク制御部１２２は、ノンアクティブレベル（例えば、Ｌレベル）のＷＧ信号φ３０をライン３０経由でヘッド制御部１２３へ供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がリード動作を開始するように制御する。
【００９４】
ステップＳ２３では、ハードディスク制御部１２２が、導波路４の温度制御を開始してから閾値時間Ｔｔｈ２が経過したか否かを判断する。ハードディスク制御部１２２は、タイマでカウントされた時間を参照し、カウントされた時間が閾値時間Ｔｔｈ２以上であれば、閾値時間Ｔｔｈ２が経過したと判断し、カウントされた時間が閾値時間Ｔｔｈ２未満であれば、閾値時間Ｔｔｈ２が経過していないと判断する。なお、閾値時間Ｔｔｈ２は、期間ＴＰ２１（図１２参照）の長さに対応したものであり、例えば、期間ＴＰ２１の長さから切り替え動作の応答時間を引いたものである。
【００９５】
ハードディスク制御部１２２は、閾値時間Ｔｔｈ２が経過したと判断する場合（ステップＳ２３でＹｅｓ）、処理をステップＳ２４へ進め、閾値時間Ｔｔｈ２が経過していないと判断する場合（ステップＳ２３でＮｏ）、処理をステップＳ２２へ戻す。
【００９６】
ステップＳ２４では、ハードディスク制御部１２２が、ノンアクティブレベルの制御信号φ３１をライン３１経由でヘッド制御部１２３へ供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、印加電圧Ｖをオフレベルに調整して温度制御素子１０ａ，１０ｂへ供給する。すなわち、ヘッド制御部１２３は、温度制御素子１０ａ，１０ｂによる導波路４の温度制御をオフする。
【００９７】
それとともに、ハードディスク制御部１２２は、ノンアクティブレベルのＷＧ信号φ３０をライン３０経由でヘッド制御部１２３へ供給する。これにより、ヘッド制御部１２３は、磁気ヘッド１１０がリード動作を引き続き行うように制御する。
【００９８】
このように、磁気ディスク装置１００において、磁気ヘッド１１０の動作をライト動作からリード動作に切り替える際に、磁気ヘッド１１０における近接場光素子５へ光を導く導波路４の温度を制御するとともに、磁気ヘッド１１０がリード動作を開始するように制御する。そして、磁気ヘッド１１０のリード動作が開始して閾値時間（第２の閾値時間）Ｔｔｈ２が経過した後に、磁気ヘッド１１０における導波路４の温度の制御をオフするとともに、磁気ヘッド１１０がリード動作を引き続き行うように制御する。これにより、磁気ヘッド１１０の動作をライト動作からリード動作に切り替える際における近接場光素子５の一時的な突き出し量の増大を抑制できるので、近接場光素子５と磁気ディスク５０との隙間（Spacing）を容易に一定に保持することができる。したがって、リード動作の精度を向上できるので、磁気ディスク装置１００の信頼性をさらに向上できる。
【００９９】
あるいは、磁気ヘッド１１０において、温度制御素子が導波路４の片側の側面に設けられていてもよい。図１４に示すように、磁気ヘッド１１０において、導波路４の側面４ａに温度制御素子１０ａ（図４参照）が設けられておらず、導波路４の反対側の側面４ｂに温度制御素子１０ｂが設けられていてもよい。あるいは、逆に、磁気ヘッド１１０において、導波路４の側面４ｂに温度制御素子１０ｂ（図４参照）が設けられておらず、導波路４の反対側の側面４ａに温度制御素子１０ａが設けられていてもよい。
【０１００】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる磁気ディスク装置２００について説明する。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１０１】
磁気ディスク装置２００は、磁気ヘッド１１０（図２〜図４参照）に代えて、図１５に示すような磁気ヘッド２１０を備える。図１５は、磁気ヘッド２１０のクロストラック方向の断面図である。磁気ヘッド２１０は、温度制御素子１０ａ，１０ｂ（図２〜図４参照）に代えて、温度制御素子２１０ａ，２１０ｂを有する。
【０１０２】
具体的には、温度制御素子２１０ａは、電極３４ａ、電極３２ａ、半導体３１ａ、半導体３３ａをさらに有する。
【０１０３】
電極３４ａは、電極１２ａから離間するように、導波路４の側面４ａの領域４ａ１に接触配置されている。電極３４ａは、電極１２ａから側面４ａに沿って離間するように、電極１２ａよりＡＢＳ面４０から離れる側に位置している。電極３４ａは、側面４ａに沿って延びている。電極３４ａは、金属などの導電体で形成されている。電極３４ａは、半導体３３ａを介して電極３２ａに電気的及び熱的に接続されている。電極３４ａは、ＡＢＳ面４０側の端部が、半導体３３ａを介して電極３２ａに電気的及び熱的に接続されている。
【０１０４】
電極３２ａは、電極１２ａ及び電極３４ａの側方に配されている。電極３２ａは、電極１２ａ及び電極３４ａに対向するように、電極１２ａ及び電極３４ａの側方に配されている。電極３２ａは、側面４ａに並行して延びている。電極３２ａは、ＡＢＳ面４０に垂直な方向において、電極１２ａ及び電極３４ａの間に対応した位置に配されている。電極３２ａは、金属などの導電体で形成されている。電極３２ａは、半導体３１ａを介して電極１２ａに電気的及び熱的に接続されているとともに、半導体３３ａを介して電極３４ａに電気的及び熱的に接続されている。電極３２ａは、ＡＢＳ面４０側の端部が、半導体３１ａを介して電極１２ａに電気的及び熱的に接続されているとともに、ＡＢＳ面４０から離れる側の端部が、半導体３３ａを介して電極３４ａに電気的及び熱的に接続されている。
【０１０５】
半導体３１ａは、電極１２ａ及び電極３２ａの間に配されている。半導体３１ａは、第１導電型（例えば、Ｎ型）の不純物（例えば、リン、ヒ素など）を含む。半導体３１ａは、第１導電型の不純物を含む半導体であって、シリコンなどの半導体である。半導体３１ａは、電極１２ａ及び電極３２ａの間に挟まれている。半導体３１ａは、一端が電極１２ａに接触配置され、他端が電極３２ａに接触配置されている。半導体３１ａは、側面４ａに垂直な方向から透視した場合に、電極１２ａ及び電極３２ａが重なる領域に含まれるように、電極１２ａ及び電極３２ａの間に配されている。
【０１０６】
半導体３３ａは、電極３４ａ及び電極３２ａの間に配されている。半導体３３ａは、第２導電型（例えば、Ｐ型）の不純物（例えば、ボロン、アルミニウムなど）を含む。第２導電型は、第１導電型の反対導電型である。半導体３３ａは、第２導電型の不純物を含む半導体であって、シリコンなどの半導体である。半導体３３ａは、電極３４ａ及び電極３２ａの間に挟まれている。半導体３３ａは、一端が電極３４ａに接触配置され、他端が電極３２ａに接触配置されている。半導体３３ａは、側面４ａに垂直な方向から透視した場合に、電極３４ａ及び電極３２ａが重なる領域に含まれるように、電極３４ａ及び電極３２ａの間に配されている。
【０１０７】
放熱板１７ａは、電極１３ａ及び電極３２ａに接触配置されている。放熱板１７ａは、電極１３ａ及び電極３２ａに熱的に接続されている。これにより、放熱板１７ａは、電極１３ａ及び電極３２ａの熱を周辺雰囲気（例えば、空気）中へ放熱することができる。
【０１０８】
配線２２ａは、電極１１ａ及び電極３４ａの間に電流を流すように構成されている。ライン２０ａは、端子１８ａを介して電極３４ａに電気的に接続されている。ライン２１ａは、端子１９ａを介して電極１１ａに電気的に接続されている。端子１８ａ及び端子１９ａには、ライン２０ａ及びライン２１ａを介して、ヘッド制御部１２３から印加電圧Ｖに応じた電流が供給される。
【０１０９】
配線２２ａにおいて、第１導電型がＮ型であり第２導電型がＰ型であるとともに、図１５の矢印で示す方向へ電流を流した場合、電極１１ａ及び半導体１６ａの界面近傍と、電極１２ａ及び半導体１５ａの界面近傍と、電極１２ａ及び半導体３１ａの界面近傍と、電極３４ａ及び半導体３３ａの界面近傍とが吸熱面として作用する。電極１３ａ及び半導体１６ａの界面近傍と、電極１３ａ及び半導体１５ａの界面近傍と、電極３２ａ及び半導体３１ａの界面近傍と、電極３２ａ及び半導体３３ａの界面近傍とが発熱面として作用する。すなわち、配線２２ａにおいて、図１５の矢印で示す方向へ電流を流した場合、温度制御素子２１０ａは、導波路４の熱を電極１１ａ，１２ａ，３４ａ経由で吸熱し、吸熱した熱を電極１３ａ，１３ｂ及び放熱板１７ａ経由で周辺雰囲気（例えば、空気）中に放熱することができる。なお、第１導電型がＰ型であり第２導電型がＮ型である場合、図１５の矢印で示す方向と逆方向へ電流を流すことで、温度制御素子２１０ａを同様に動作させることができる。
【０１１０】
なお、配線２２ａにおいて、第１導電型がＮ型であり第２導電型がＰ型であるとともに、図１５の矢印で示す方向と逆方向へ電流を流した場合、電極１１ａ及び半導体１６ａの界面近傍と、電極１２ａ及び半導体１５ａの界面近傍と、電極１２ａ及び半導体３１ａの界面近傍と、電極３４ａ及び半導体３３ａの界面近傍とが発熱面として作用する。電極１３ａ及び半導体１６ａの界面近傍と、電極１３ａ及び半導体１５ａの界面近傍と、電極３２ａ及び半導体３１ａの界面近傍と、電極３２ａ及び半導体３３ａの界面近傍とが吸熱面として作用する。すなわち、配線２２ａにおいて、図１５の矢印で示す方向と逆方向へ電流を流した場合、温度制御素子２１０ａは、周辺雰囲気（例えば、空気）中の熱を放熱板１７ａ及び電極１３ａ，３２ａ経由で吸熱し、吸熱した熱を電極１１ａ，１２ａ，３４ａ経由で導波路４へ供給することができる。なお、第１導電型がＰ型であり第２導電型がＮ型である場合、図１５の矢印で示す方向へ電流を流すことで、温度制御素子２１０ａを同様に動作させることができる。
【０１１１】
同様に、温度制御素子２１０ｂは、電極３４ｂ、電極３２ｂ、半導体３１ｂ、半導体３３ｂをさらに有する。なお、温度制御素子２１０ａの各部の説明は、添え字「ａ」を添え字「ｂ」に置き換えることで、温度制御素子２１０ｂにおける各部についても同様に適用できる。
【０１１２】
以上のように、第２の実施形態では、磁気ヘッド２１０の温度制御素子（第１の温度制御素子）２１０ａが、電極３４ａ、電極３２ａ、半導体３１ａ、半導体３３ａをさらに有する。したがって、放熱の経路を複数並行して設けることができるので、導波路４の温度をさらに効率的に制御することができる。
【０１１３】
同様に、磁気ヘッド２１０の温度制御素子（第２の温度制御素子）２１０ｂが、電極３４ｂ、電極３２ｂ、半導体３１ｂ、半導体３３ｂをさらに有する。したがって、導波路４の両側のそれぞれについて、放熱の経路を複数並行して設けることができるので、導波路４の温度をさらに効率的に制御することができる。
【０１１４】
なお、磁気ヘッド２１０において、温度制御素子が導波路４の片側の側面に設けられていてもよい。図１６に示すように、磁気ヘッド２１０において、導波路４の側面４ａに温度制御素子２１０ａ（図１５参照）が設けられておらず、導波路４の反対側の側面４ｂに温度制御素子２１０ｂが設けられていてもよい。あるいは、逆に、磁気ヘッド２１０において、導波路４の側面４ｂに温度制御素子２１０ｂ（図１５参照）が設けられておらず、導波路４の反対側の側面４ａに温度制御素子２１０ａが設けられていてもよい。
【０１１５】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態にかかる磁気ディスク装置３００について説明する。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１１６】
磁気ディスク装置３００は、磁気ヘッド１１０（図２〜図４参照）に代えて、図１７、図１８に示すような磁気ヘッド３１０を備える。図１７は、磁気ヘッド３１０のクロストラック方向の断面図である。図１８は、磁気ヘッド３１０のダウントラック方向の断面図である。磁気ヘッド３１０は、温度制御素子１０ａ，１０ｂ（図２〜図４参照）に代えて、温度制御素子３１０ａ，３１０ｂを有する。
【０１１７】
具体的には、温度制御素子３１０ａは、電極１３ａ、半導体１６ａ、半導体１５ａ（図４参照）に代えて、電極３１３ａ、半導体３１６ａ、半導体３１５ａを有し、放熱板１７ａ（図４参照）を有さない。
【０１１８】
電極３１３ａは、ＡＢＳ面４０に配されている。電極３１３ａは、ＡＢＳ面４０に沿って延びている。電極３１３ａは、ＡＢＳ面４０に沿った方向（側面４ａに垂直な方向）において、電極１１ａ及び電極１２ａよりも近接場光素子５から遠い位置に配されている。電極３１３ａは、導波路４側の端部が、半導体３１６ａを介して電極１１ａに電気的及び熱的に接続されているとともに、半導体３１５ａを介して電極１２ａに電気的及び熱的に接続されている。
【０１１９】
半導体３１６ａは、電極１１ａから電極３１３ａへ接続されるように延びている。半導体３１６ａは、一端が電極１１ａに接続されるとともに他端が電極３１３ａに接続されるように、屈曲して延びている。
【０１２０】
半導体３１５ａは、電極１２ａから電極３１３ａへ接続されるように延びている。半導体３１５ａは、一端が電極１２ａに接続されるとともに他端が電極３１３ａに接続されるように、屈曲して延びている。
【０１２１】
同様に、温度制御素子３１０ｂは、電極１３ｂ、半導体１６ｂ、半導体１５ｂ（図４参照）に代えて、電極３１３ｂ、半導体３１６ｂ、半導体３１５ｂを有し、放熱板１７ｂを有さない。なお、温度制御素子３１０ａの各部の説明は、添え字「ａ」を添え字「ｂ」に置き換えることで、温度制御素子３１０ｂにおける各部についても同様に適用できる。
【０１２２】
以上のように、第３の実施形態では、磁気ヘッド３１０の温度制御素子（第１の温度制御素子）３１０ａが、電極３１３ａ、半導体３１６ａ、半導体３１５ａを有し、放熱板１７ａ（図４参照）を有さない。電極（第３電極）３１３ａは、ＡＢＳ面４０に配され、ＡＢＳ面４０に沿って延びている。半導体（第１の半導体）３１６ａは、電極１１ａから電極３１３ａへ接続されるように延びている。半導体（第２の半導体）３１５ａは、電極１２ａから電極３１３ａへ接続されるように延びている。これにより、電極３１３ａを放熱板として機能させることができ、放熱面をＡＢＳ面４０に位置させることができる。この結果、ＡＢＳ面４０近傍を流れる空気流を用いて電極３１３ａからの放熱を効率的に行うことができる。
【０１２３】
なお、磁気ヘッド３１０において、温度制御素子が導波路４の片側の側面に設けられていてもよい。図１９に示すように、磁気ヘッド３１０において、導波路４の側面４ａに温度制御素子３１０ａ（図１７参照）が設けられておらず、導波路４の反対側の側面４ｂに温度制御素子３１０ｂが設けられていてもよい。あるいは、逆に、磁気ヘッド３１０において、導波路４の側面４ｂに温度制御素子３１０ｂ（図１７参照）が設けられておらず、導波路４の反対側の側面４ａに温度制御素子３１０ａが設けられていてもよい。
【０１２４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２５】
１００，２００，３００  磁気ディスク装置、１１０，２１０，３１０  磁気ヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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