(57)【要約】【課題】インプリント処理を行う際、光が照射される基板上の領域を精度よく規定する上で有利な技術を提供する。【解決手段】基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって転写すべきパターンを有するモールドは、前記パターンが設けられたパターン部とそれを取り囲む周辺部とを含む第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する第１部分と、前記第１部分を取り囲み、かつ前記第１部分より厚い第２部分と、を含み、前記第１部分の前記第２面と前記第２部分の内側の面とによって凹部が形成され、前記凹部には、前記周辺部の反対側の領域に遮光部が設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって転写すべきパターンを有するモールドであって、
前記パターンが設けられたパターン部とそれを取り囲む周辺部とを含む第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する第１部分と、
前記第１部分を取り囲み、かつ前記第１部分より厚い第２部分と、
を含み、
前記第１部分の前記第２面と前記第２部分の内側の面とによって凹部が形成され、
前記凹部には、前記周辺部の反対側の領域に遮光部が設けられている、ことを特徴とするモールド。
【請求項２】
前記パターン部には、前記凹部の反対側の方向に向けて突出した突出部が設けられ、
前記パターンは、前記突出部に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のモールド。
【請求項３】
前記遮光部は、前記突出部に形成された前記パターンと、その周辺における前記突出部の一部とを光が透過するように構成されている、ことを特徴とする請求項２に記載のモールド。
【請求項４】
前記遮光部は、保護膜によって覆われている、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のモールド。
【請求項５】
前記遮光部は、前記凹部から取り外しできるように構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のモールド。
【請求項６】
前記遮光部は、前記遮光部に形成された貫通穴に、前記凹部に設けられたピンを貫通させることによって前記モールドに固定されている、ことを特徴とする請求項５に記載のモールド。
【請求項７】
前記第１部分の前記第２面と前記第２部分の内側の面とともに前記凹部を含む空間を規定するように前記凹部を覆う面を有する部材を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント処理に用いられるモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
モールドに形成されたパターンを基板に転写するインプリント技術が、半導体デバイスの製造に用いられるリソグラフィ技術の１つとして注目されている。このような技術を用いたインプリント装置では、パターンが形成されたモールドと基板上に供給された樹脂（インプリント材）とを接触させた状態で光を照射し、樹脂を硬化させる。そして、硬化した樹脂からモールドを剥離することにより、基板にモールドのパターンを転写することができる。
【０００３】
このようなインプリント装置では、モールドのパターンを転写すべきショット領域に光を照射する際、その周辺領域にも光が照射され、周辺領域に塗布された樹脂も硬化してしまうことがある。その結果、当該ショット領域に隣接するショット領域に対してインプリント処理を行う際、周辺領域における樹脂が硬化した影響によって、モールドと基板とを精度よく位置合わせすることが困難となってしまいうる。そこで、特許文献１には、周辺領域に光が照射されることを防ぐように光を遮断する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１２４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、光を遮断する部材は、モールドの裏面（パターンが形成された面と反対側の面）に設けられている。そして、モールドは、その側面で保持されているため、自重によるパターンの歪みが生じないように厚く形成されている。したがって、光を遮断する部材とモールドのパターンとの距離が長くなり、光が照射される基板上の領域を精度よく規定することが困難となってしまいうる。
【０００６】
そこで、本発明は、インプリント処理を行う際、光が照射される基板上の領域を精度よく規定する上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのモールドは、基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって転写すべきパターンを有するモールドであって、前記パターンが設けられたパターン部とそれを取り囲む周辺部とを含む第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する第１部分と、前記第１部分を取り囲み、かつ前記第１部分より厚い第２部分と、を含み、前記第１部分の前記第２面と前記第２部分の内側の面とによって凹部が形成され、前記凹部には、前記周辺部の反対側の領域に遮光部が設けられている、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、インプリント処理を行う際、光が照射される基板上の領域を精度よく規定する上で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示す図である。
【図２】第１実施形態のモールドを示す図である。
【図３】第１実施形態のインプリント装置におけるインプリント処理の流れを説明するための図である。
【図４】第１実施形態のインプリント装置におけるインプリント処理の流れを説明するための図である。
【図５】インプリント処理の際における課題を説明するための図である。
【図６】インプリント処理の際における課題を説明するための図である。
【図７】第１実施形態の遮光部としての遮光膜を示す図である。
【図８】第１実施形態の遮光部としての遮光膜を示す図である。
【図９】遮光膜の他の構成例を示す図である。
【図１０】遮光膜の他の構成例を示す図である。
【図１１】第２実施形態の遮光部としての遮光部材を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について、図１を参照しながら説明する。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、凹凸のパターンが形成されたモールド５を基板上の樹脂１４（インプリント材）に接触させた状態で光を照射し、当該樹脂１４を硬化させる。そして、インプリント装置１００は、モールド５と基板１との間隔を広げ、硬化した樹脂１４からモールド５を剥離することによって基板１にパターンを転写することができる。第１実施形態のインプリント装置１００では、樹脂１４として、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化樹脂を用いているが、それに限られるものではない。例えば、紫外線以外の波長を有する光の照射によって硬化する樹脂を用いてもよいし、赤外線の照射によって生じる熱で硬化する樹脂を用いてもよい。
【００１３】
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板１を保持する基板ステージ２と、モールド５を保持するインプリントヘッド３と、光（紫外線（ＵＶ））を射出する光源を有する照射部６と、モールド５と基板１との相対位置を計測部１１と、制御部１３とを含む。基板ステージ２はベース定盤４により固定されており、インプリントヘッド３は、ベース定盤４により支柱（不図示）を介して支持されたブリッジ定盤１２に固定されている。また、照射部６は、基板上の樹脂１４を硬化するため、当該樹脂１４にモールド５を介して光（紫外線）を照射する。制御部１３は、ＣＰＵやメモリを有し、インプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）。
【００１４】
モールド５について、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は、モールド５とモールド保持部３ａとの断面図である。モールド５は、通常、石英など紫外線を透過させることができる材料で作製される。モールド５は、第１部分５０と第２部分５１とを含む。第１部分５０は、パターン５ｄが設けられたパターン部５０ａとそれを取り囲む周辺部５０ｂとを含む第１面５ａ１と、第１面５ａ１の反対側の第２面５ａ２とを有する。第２部分５１は、第１部分５０を取り囲み、かつ第１部分５０より厚くなるように構成される。このように構成されたモールド５には、第１部分５０の第２面５ａ２と第２部分５１の内側の面とによって凹部５ｃが形成される。このようにモールド５に凹部５ｃを形成することで、後述するように、凹部５ｃの気圧を変えたときにモールド５（第１面５ａ１）が変形しやすい状態にしている。また、パターン部５０ａの一部には、基板上の樹脂１４に転写される凹凸のパターン５ｄを有し、かつ基板１に向けて（凹部５ｃの反対側の方向に向けて）突出した突出部５ｂ（メサ）が形成されている。ここで、モールド５は、例えば、第１部分５０の第２面５ａ２と第２部分５１の内側の面とともに凹部５ｃを含む空間を規定するように、凹部５ｃを覆う面を有する部材を更に含んでもよい。このように当該部材によって凹部５ｃを覆うことにより、当該部材の面と第１部分５０の第２面５ａ２と第２部分５１の内側の面とで、凹部５ｃを含む空間が規定される。即ち、このようにモールド５を構成することで、凹部５ｃを含む空間がモールド５の内部に規定される。
【００１５】
インプリントヘッド３は、真空吸着力や静電力などによりモールド５を保持するモールド保持部３ａと、モールド保持部３ａを支持部材３ｃを介してＺ方向に駆動するモールド駆動部３ｂとを含む。モールド保持部３ａは、凹部５ｃを覆うようにモールド５を保持することにより、モールド５の凹部５ｃをほぼ密閉された空間とする。そして、モールド保持部３ａによってほぼ密閉された空間となったモールド５の凹部５ｃは、気圧調整部７に配管８を介して接続されており、凹部５ｃの気圧が気圧調整部７によって調整される。気圧調整部７は、例えば、凹部５ｃに圧縮空気を供給する供給源と、凹部５ｃを真空にする真空源とを切り換えるための切換弁やサーボバルブなどによって構成されている。また、モールド駆動部３ｂは、モールド保持部３ａを支持部材３ｃを介して機械的に支持するとともに、支持部材３ｃをＺ方向に駆動することによって、モールド保持部３ａ（モールド５）をＺ方向に移動させることができる。
【００１６】
制御部１３は、例えば、モールド５を基板上の樹脂１４に接触させる際に、凹部５ｃの気圧を上げるように気圧調整部７を制御する。これにより、図２（ｂ）に示すように、第１面５ａが基板１に向けて撓んだ凸形状になるようにモールド５を変形させることができる。図２（ｂ）は、第１面５ａが基板１に向けて撓んだ凸形状に変形したときのモールド５を示す断面図である。このようにモールド５を変形させた状態で基板上の樹脂１４に接触させていくと、モールド５の突出部５ｂがその中心部から外側に向かって徐々に接触していくため、モールド５のパターン５ｄに気泡が閉じ込められることを抑制することができる。その結果、基板上に転写されたパターンの欠損を防止することができる。ここで、制御部１３は、モールド５と基板上の樹脂１４とが突出部５ｂの中心部から外側に向かって徐々に接触していくにつれて、凹部５ｃの気圧を徐々に下げていくように気圧調整部７を制御する。これにより、モールド５のパターン５ｄの全体が基板上の樹脂１４に接触した際には、第１面５ａをほぼ平坦な状態にすることができる。また、制御部１３は、硬化した樹脂１４からモールド５を剥離する際には、凹部５ｃの気圧を徐々に上げていくように気圧調整部７を制御する。これにより、モールド５の突出部５ｂがその外側から中心部に向かって樹脂１４から徐々に剥離されるため、この工程においても、基板上に転写されるパターンの欠損を防止することができる。
【００１７】
基板１は、例えば、単結晶シリコン基板などが用いられる。基板１の上面（被処理面）には、例えば、インプリント装置１００の外部における塗布装置（レジストコーター）によって、インプリント処理が行われる前に、樹脂１４が全面に均一に予め塗布されている。ここで、第１実施形態において、基板に樹脂１４を塗布する工程は、インプリント装置１００の外部における塗布装置によって行われているが、それに限れらるものではない。例えば、インプリント装置１００に樹脂１４を塗布する塗布部を備えておき、インプリント処理が行われる前に、その塗布部によって基板の全面に樹脂１４を予め塗布してもよい。
【００１８】
基板ステージ２は、基板保持部２ａとステージ駆動部２ｂとを含み、基板１をＸ方向およびＹ方向に駆動する。基板保持部２ａは、例えば、真空吸着力や静電力などの保持力によって基板１を保持する。ステージ駆動部２ｂは、例えば、リニアモータなどが用いられ、基板保持部２ａを機械的に保持するとともに、基板保持部２ａ（基板１）をＸ方向およびＹ方向に駆動する。ステージ駆動部２ｂは、基板１をＺ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）に駆動する駆動機能や、基板１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。
【００１９】
計測部１１は、基板１の面に沿った面方向（ＸＹ方向）におけるモールド５のパターン５ｄと基板上のショット領域１０との相対位置を計測する。モールド５のパターン５ｄとショット領域１０との相対位置を計測する方法としては、例えば、モールド５のパターンとショット領域１０とにそれぞれ設けられた複数のアライメントマークを検出する方法がある。そして、計測部１１が、モールド５のパターン５ｄのアライメントマークと、それに対応するショット領域１０のアライメントマークとの相対位置を、複数のアライメントマークにおいてそれぞれ検出する。これにより、計測部１１は、モールド５のパターン５ｄとショット領域とのＸＹ方向における相対位置を計測することができる。
【００２０】
次に、第１実施形態のインプリント装置１００におけるインプリント処理の流れについて、図３および図４を参照しながら説明する。樹脂１４が全面に塗布された基板１が基板保持部２ａによって保持されると、制御部１３は、図３（ａ）に示すように、モールド５のパターン５ｄを転写すべきショット領域１０がモールド５のパターン５ｄの下に配置されるようにステージ駆動部２ｂを制御する。モールド５のパターン５ｄの下にショット領域１０が配置されると、制御部１３は、図３（ｂ）に示すように、モールド５を−Ｚ方向に駆動するようにモールド駆動部３ｂを制御し、モールド５と基板上の樹脂１４とを接触させる。そして、制御部１３は、モールド５と基板上の樹脂１４とを接触させた状態で所定の時間を経過させる。これにより、基板上の樹脂１４を、モールド５のパターン５ｄの隅々まで充填することができる。
【００２１】
制御部１３は、図４（ａ）に示すように、モールド５と基板上の樹脂１４とを接触させた状態において、モールド５のパターン５ｄとショット領域１０との相対位置を計測部１１により計測する。計測部１１による計測の後、制御部１３は、計測部１１の計測結果に基づいてモールド５のパターン５ｄとショット領域１０との位置合わせを行う。モールド５のパターン５ｄとショット領域１０との位置合わせを行った後、制御部１３は、図４（ｂ）に示すように、基板上の樹脂１４にモールド５を介して光（紫外線）を照射するように照射部６を制御する。そして、制御部１３は、図４（ｃ）に示すように、モールド５が＋Ｚ方向に移動するようにモールド駆動部３ｂを制御し、光を照射することにより硬化した基板上の樹脂１４からモールド５を剥離する。これにより、モールド５のパターン５ｄを基板上の樹脂１４に転写することができる。このようなインプリント処理は、基板上における複数のショット領域１０の各々について行われる。
【００２２】
上述のように、第１実施形態のインプリント装置１００では、基板１の全面に樹脂１４を予め塗布しておき、樹脂１４が全面に塗布された基板１における複数のショット領域１０の各々に対してインプリント処理を順次行っていく。しかしながら、図５（ａ）に示すように、複数のショット領域１０のうち、モールド５のパターン５ｄを転写すべきショット領域１０ａに光を照射する際、その周辺にも光が照射されたり、基板１とモールド５との間を光が拡散したりしてしまう。その結果、図５（ｂ）に示すように、ショット領域１０ａに塗布された樹脂１４だけでなく、ショット領域１０ａの周辺領域１０ｂに塗布された樹脂１４も硬化してしまいうる。ここで、図５（ｂ）において、黒塗りされた箇所１４’が、光が照射されることにより硬化した樹脂１４を示しており、黒塗りされた箇所１４’における斜め部分は、樹脂１４が半硬化状態であることを示している。また、第１実施形態のインプリント装置１００では、基板１の全面に樹脂が塗布されているが、それに限られるものではなく、例えば、モールド５のパターン５ｄを転写すべきショット領域１０ａとその周辺領域１０ｂに少なくとも塗布されていればよい。
【００２３】
このように周辺領域１０ｂにおける樹脂１４が硬化すると、ショット領域１０ａに隣接するショット領域１０ｃにインプリント処理を行う際、図６に示すように、モールド５の突出部５ｂが、周辺領域１０ｂにおいて硬化した樹脂１４’に衝突してしまいうる。この場合、例えば、モールド５が傾いた状態で基板上の樹脂１４と接触する、または、モールド５と樹脂１４とが接触した状態でモールド５と基板１とのＸＹ方向における相対位置が変更できないなどの問題が生じてしまう。即ち、モールド５のパターン５ｄをショット領域１０ｃに転写する際、周辺領域１０ｂにおける樹脂１４が硬化した影響によって、モールド５と基板１とを精度よく位置合わせすることが困難となってしまいうる。
【００２４】
そこで、第１実施形態におけるモールド５の凹部には、図２に示すように、周辺部５０ｂの反対側の領域に遮光部９が設けられている。遮光部９は、凹部５ｃに入射した光が、突出部５ｂに形成されたパターン５ｄと、その周辺における突出部５ｂの一部とを透過するように構成されている。第１実施形態では、例えば金属膜によって構成された遮光膜９ａが、モールド５の第２面５ａ２上に遮光部９として設けられている。金属膜としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウムなどの金属群から１種類以上の元素を含有する材料によって構成されうる。そして、金属膜は、例えば、スパッタ法、メッキ法、または蒸着法などの薄膜形成方法によって形成されうる。ここで、第１実施形態では、遮光膜９ａが金属膜によって構成されているが、それに限られるものではなく、基板上の樹脂１４を硬化する光を遮断することができればよい。
【００２５】
モールド５の凹部５ｃに遮光部９として設けられた遮光膜９ａについて、図７および図８を参照しながら説明する。図７は、第１実施形態のインプリント装置１００において用いられるモールド５を示す図である。図７（ａ）は、モールド５をＺ方向から見たときの図であり、図中の二点破線は、照射部６から射出された光が照射されるエリアを示す。また、図７（ｂ）は、モールド５と基板上の樹脂１４とを接触させ、基板上の樹脂１４にモールド５を介して光を照射している状態を示す図である。遮光膜９ａは、上述したように、凹部５ｃに入射した光が、突出部５ｂに形成されたパターン５ｄと、その周辺における突出部５ｂの一部とを透過するように構成されている。そして、パターン５ｄとその周辺とを光が透過することにより、ショット領域１０ａの周辺領域１０ｂに光が照射することを防止することができる。遮光膜９ａは、パターン５ｄとその周辺とにおいて光を透過させる開口部１５を設けており、その開口部１５以外の部分では光を通過させないように構成されている。
【００２６】
また、図８は、遮光膜９ａの開口部１５の寸法を示す図である。以下、Ｘ方向における寸法について説明するが、Ｙ方向における寸法についても同様である。図８において、突出部５ｂのＸ方向における寸法をＡとし、遮光膜９ａの開口部１５のＸ方向における寸法をＢとし、突出部５ｂに形成されたパターン５ｄのＸ方向における寸法をＣとする。このとき、遮光膜９ａは、開口部１５の寸法Ｂが、突出部５ｂの寸法Ａとパターン５ｄの寸法Ｃとの間の寸法になるように構成される。このように遮光膜９ａを構成することにより、インプリント装置１００は、パターン５ｄを転写すべきショット領域１０ａに光を照射させることができるとともに、周辺領域１０ｂに光が照射することを防止することができる。そのため、ショット領域１０ａに隣接するショット領域１０ｂにインプリント処理を行う際、周辺領域１０ｂにおいて硬化した樹脂１４の影響を抑制し、モールド５のパターン５ｄをショット領域１０ｂに精度よく転写することができる。
【００２７】
ここで、遮光膜９ａは、例えば、図９（ａ）に示すようにモールド５の凹部５ｃの側面（第２部分の内側の面）や、図９（ｂ）に示すようにモールド５の第１面５ａ（突出部５ｂ以外）に形成されてもよい。このように遮光膜９ａを形成することにより、ショット領域１０ａの周辺領域１０ｂに光が照射することを更に防止することができる。また、図１０（ａ）および（ｂ）に示すように、遮光膜９ａを保護膜１６によって覆ってもよい。このように、遮光膜９ａを保護膜１６によって覆った場合、モールド５を洗浄する際に、遮光膜９ａが剥がれたり、欠損したり、膜厚が減少したりすることを防止し、遮光膜９ａによる光の遮光を安定させることができる。保護膜１６としては、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などが用いられる。
【００２８】
上述したように、第１実施形態におけるモールド５の凹部には、周辺部５０ｂの反対側の領域に遮光膜９ａが設けられている。遮光膜９ａは、凹部５ｃに入射した光が、突出部５ｂに形成されたパターン５ｄと、その周辺における突出部５ｂの一部とを透過するように構成される。これにより、ショット領域１０ａの周辺領域１０ｂに光が照射することを防止できる。即ち、インプリント処理が行われたショット領域１０ａと隣接するショット領域１０ｂのインプリント処理において、周辺領域１０ｂにおいて硬化した樹脂１４の影響を抑制し、モールド５のパターン５ｄをショット領域１０ｂに精度よく転写することができる。
【００２９】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態のインプリント装置について説明する。第１実施形態では、遮光部９は、モールド５の第２面５ａ２上に設けられた遮光膜９ａとして構成されているが、第２実施形態では、遮光部９は、モールド５の凹部５ｃから取り外しできるように構成された遮光部材９ｂとして構成されている。以下では、遮光部９として構成された遮光部材９ｂについて説明する。ここで、第２実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置１００と比べて、遮光部９以外の装置構成が同じであるため、ここでは遮光部９以外の装置構成についての説明を省略する。
【００３０】
図１１は、第２実施形態のインプリント装置において用いられるモールド５と遮光部材９ｂとを示す図である。図１１（ａ）は、モールド５と遮光部材９ｂとを上から見たときの図であり、図１１（ｂ）は、モールド５と遮光部材９ａとモールド保持部３ａとの断面図である。遮光部材９ｂは、上述したように、モールド５の凹部５ｃから取り外しできるように構成されいる。遮光部材９ｂとしては、例えば、金属板が用いられる。遮光部材９ｂには、モールド５の凹部５ｃに設けられたピン５ｅに対応する位置に貫通穴１７が形成されている。そして、遮光部材９ｂは、その貫通穴１７に、凹部５ｃに設けられたピン５ｅを貫通させることによって固定されており、モールド５に対する、基板１の面と平行な面方向（ＸＹ方向）に沿ったずれ量を許容範囲に収めることができる。このように遮光部材９ｂを構成する場合、例えば、モールド５に対するＸＹ方向のずれ量を、±５μｍの許容範囲に収まることができる。
【００３１】
遮光部材９ｂには、照射部６から射出された光を透過する開口部１８が形成されている。そして、この開口部１８は、第１実施形態の遮光部９と同様に、その寸法Ｂが、突出部５ｂの寸法Ａと、パターン５ｄの寸法Ｃとの間の寸法になるように構成されうる。このように遮光部材９ｂを構成することにより、インプリント装置１００は、パターン５ｄを転写すべきショット領域１０ａに光を照射させることができるとともに、周辺領域１０ｂに光が照射することを防止することができる。そのため、第１実施形態と同様に、インプリント処理が行われたショット領域１０ａに隣接するショット領域１０ｃにおいてインプリント処理を行う際に、ショット領域１０ａの周辺領域１０ｂにおいて硬化した樹脂１４の影響を抑制することができる。したがって、モールド５のパターン５ｄを基板上のショット領域１０ｂに高精度に転写することができる。ここで、遮光部９としての遮光部材９ｂは、例えば石英など、光を透過する部材を用い、開口部１８以外の部分に金属膜などを形成するように構成されてもよい。
【００３２】
上述したように、第２実施形態のインプリント装置では、遮光部９として、モールド５の凹部５ｃから取り外しできるように構成された遮光部材９ｂが用いられる。そして、遮光部材９ｂは、凹部５ｃに入射した光が、パターン５ｄとその周辺とを透過するように構成された開口部１８を有する。このように構成された遮光部材９ｂを遮光部９として用いることにより、モールド５を洗浄する際、モールド５から遮光部材９ｂを取り外すことができる。ここで、第１実施形態において遮光部９として用いた遮光膜９ａと、第２実施形態において遮光部９として用いた遮光部材９ｂとは、併用されてもよい。
【００３３】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
2015012034.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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