(57)【要約】【課題】薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。【解決手段】支持金属箔１上に金属箔１１が剥離層を介して保持された支持金属箔付き金属箔２において、外周部に位置する支持金属箔１を枠状に除去して溝部４を形成する工程と、この支持金属箔付き金属箔２を、未硬化の熱硬化性樹脂を含む支持基板３Ｐの主面３ａ上に、溝部４から露出する金属箔下面１１ａと支持基板３Ｐの主面３ａとが対向するように載置し、これらを金属箔下面１１ａと主面３ａとが密着するように加圧加熱して、支持基板３Ｐを熱硬化させる工程と、少なくとも溝部４の内側領域Ｂに位置する金属箔上面上１１ｂに配線基板用の積層体を形成する工程と、内側領域Ｂに位置する前記積層体および支持基板を切断する工程と、前記積層体を支持金属箔１から分離する工程とを含むようにした。【選択図】図２
2015133342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持金属箔上に金属箔が剥離層を介して保持された支持金属箔付き金属箔において、外周部に位置する前記支持金属箔を枠状に除去して溝部を形成する工程と、
この支持金属箔付き金属箔を、未硬化の熱硬化性樹脂を含む支持基板の主面上に、前記溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが対向するように載置する工程と、
これら支持金属箔付き金属箔と支持基板とを、前記溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが密着するように加圧加熱して、前記支持基板を熱硬化させる工程と、
ついで少なくとも前記溝部の内側領域に位置する金属箔上面上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と絶縁層と導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、
前記溝部の内側領域に位置する前記積層体および支持基板を切断する工程と、
前記積層体を支持金属箔から分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記溝部の外側領域に位置する支持金属箔付き金属箔に、位置決め孔を形成する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記溝部の外側領域に位置する支持金属箔付き金属箔および支持基板を切断除去した後、少なくとも前記溝部の内側領域に位置する金属箔上面上に前記積層体を形成する請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記積層体を支持金属箔から分離した後、前記金属箔を所定パターンにエッチングする請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属箔上に外部接続用のパッドを形成し、
このパッドが形成された金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と絶縁層と導体層と、さらに前記パッドとから成る配線基板用の積層体を形成し、
この積層体を前記支持金属箔から分離した後、前記金属箔の全てをエッチング除去して前記パッドを露出させる請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子等の電子部品を搭載する高密度多層配線基板として、ビルドアップ配線基板がある。図８は、一般的なビルドアップ配線基板８０を示す概略断面図である。同図に示すように、このビルドアップ配線基板８０は、厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３を備えている。そして、このコア基板８３の両面に、それぞれの厚みが１０〜１００μｍ程度の樹脂から成る絶縁層８４と、めっき膜から成る配線導体８５とを交互に積層して成る。このようなビルドアップ配線基板８０は、例えば下記のようにして製作される。
【０００３】
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを準備する。次に、この絶縁シートの両面に銅箔を張着するとともに、絶縁シート中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて両面銅張り板を得る。この両面銅張り板に、その上下面を貫通するスルーホールを穿孔し、該スルーホール内壁にめっき膜を被着させて、上下面の銅箔をスルーホール内のめっき膜で電気的に接続する。そして、スルーホール内を樹脂で充填した後、上下面の銅箔を所定パターンにエッチングし、ガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３を得る。
【０００４】
次に、このコア基板８３の上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂に無機絶縁性フィラーを分散させた樹脂フィルムを張着するとともに、樹脂フィルム中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて絶縁層８４を形成する。この絶縁層８４にレーザ加工によりビアホールを穿孔し、該ビアホール内を含む絶縁層８４の表面にセミアディティブ法でめっき膜から成る配線導体８５を上下面同時に形成する。そして、次層の絶縁層８４や配線導体８５の形成を複数回繰り返すことによって、ガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３と、このコア基板８３の両面に樹脂から成る絶縁層８４と、めっき膜から成る配線導体８５とを交互に積層して成るビルドアップ配線基板８０を得る。
【０００５】
このようなビルドアップ配線基板８０は、高密度配線が可能であるものの、コア基板８３として厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板８１を使用することから、配線基板８０の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題があった。
【０００６】
この問題を解決する方法として、例えば特許第３６３５２１９号公報には、金属板の一面側に配線導体と絶縁層とを、半導体素子搭載面側から外部接続端子装着面側に向けて順次多層に形成した後、前記金属板をエッチング除去することにより半導体装置用の多層基板を製造する方法が記載されている。この方法によると、半導体素子搭載面が平坦であり、かつ薄型の多層基板が得られると記載されている。
【０００７】
しかしながら、この方法では、比較的厚みを必要とする金属板をエッチング除去する必要があり、そのエッチングに長時間を要する。そのため、生産効率が低いという問題がある。
【０００８】
そこで本願出願人は、特願２００８−２１８４２４（特開２０１０−５６２３１号公報）において、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔において、外周部に位置する支持フィルムを枠状に除去して溝部を形成し、次に、この支持フィルム付き金属箔を、未硬化の熱硬化性樹脂を含む支持基板の主面上に、溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが対向するように載置し、次に、これら支持フィルム付き金属箔と支持基板とを、溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが密着するように加圧加熱して、支持基板を熱硬化させ、次に、少なくとも溝部の内側領域に位置する金属箔上面上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、金属箔と絶縁層と導体層とから成る配線基板用の積層体を形成し、次に、溝部の内側領域に位置する積層体および支持基板を切断し、最後に、積層体を支持フィルムから分離する配線基板の製造方法を提案した。
【０００９】
しかしながら、この特願２００８−２１８４２４において提案した配線基板の製造方法によると、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレート樹脂等の耐熱性樹脂を用いていた。ところが、支持フィルムが樹脂から成る場合、例えば支持フィルム付き金属箔と支持基板とを加熱加圧する際や支持基板を熱硬化させる際、あるいは絶縁層や導体層を積層する工程において加えられる熱により支持フィルムが収縮してしまう現象が起きた。その結果、溝部の内側領域に位置する積層体および支持基板を切断すると、支持フィルムが収縮したことに起因する応力で積層体および支持基板大きく撓んでしまい、その後の工程を正確かつ効率よく行うことが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−５６２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の配線基板の製造方法は、支持金属箔上に金属箔が剥離層を介して保持された支持金属箔付き金属箔において、外周部に位置する前記支持金属箔を枠状に除去して溝部を形成する工程と、この支持金属箔付き金属箔を、未硬化の熱硬化性樹脂を含む支持基板の主面上に、溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが対向するように載置する工程と、これら支持金属箔付き金属箔と支持基板とを、溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが密着するように加圧加熱して、支持基板を熱硬化させる工程と、ついで少なくとも溝部の内側領域に位置する金属箔上面上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、金属箔と絶縁層と導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、溝部の内側領域に位置する積層体および支持基板を切断する工程と、積層体を支持金属箔から分離する工程とを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法によれば、コア基板を使用することによる配線基板の全体厚みを薄くすることができないという問題がない。また、支持金属箔付き金属箔と支持基板とを加圧し、溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とを密着させ、この状態で加熱して支持基板を熱硬化するので、溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが強固に固定され、これにより積層体を形成する際の安定性を向上することができる。さらに、支持金属箔は、支持金属箔付き金属箔と支持基板とを加熱加圧する際や支持基板を熱硬化させる際、あるいは絶縁層や導体層を積層する工程において加えられる熱により収縮することはない。その結果、溝部の内側領域に位置する積層体および支持基板を切断しても、積層体および支持基板が大きく撓むことはなく、その後の工程を正確かつ効率よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる支持金属箔付き金属箔を示す概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す支持金属箔付き金属箔を矢印Ａ側から見た斜視図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図３】（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図４】（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図５】（ｊ）〜（ｋ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図６】は、本発明の他の実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、本発明のさらに他の実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図８】一般的なビルドアップ配線基板を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は、本実施形態にかかる支持金属箔付き金属箔を示す概略断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す支持金属箔付き金属箔を矢印Ａ側から見た斜視図である。同図に示すように、本実施形態にかかる支持金属箔付き金属箔２は、支持金属箔１上に金属箔１１が剥離層（不図示）を介して保持されたものである。
【００１６】
支持金属箔１は、厚みが１〜３５μｍ程度であり、金属箔１１を支持することによって金属箔１１に破れや皺が発生するのを抑制し、金属箔１１の取扱いを容易にするためのものである。支持金属箔１としては、例えば銅箔から成るのが好ましい。
【００１７】
金属箔１１は、配線基板の製造における起点となる導体層を提供するためのものである。金属箔１１としては、例えば銅（銅箔）等の良導電性金属から成るのが好ましい。金属箔１１の厚みとしては、例えば１〜３５μｍ程度が挙げられる。これにより、金属箔１１をエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。また、このような厚みの金属箔１１は、全てをエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングして配線導体の一部（外部接続用のパッド）として好適に利用することができる。
【００１８】
一方、金属箔１１の厚みが１μｍより薄いと、金属箔１１の強度が低下し、この金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性が低下するおそれがある。また、３５μｍより厚いと、エッチング除去する際に要する時間が長くなるので好ましくない。
【００１９】
剥離層としては、クロムやニッケルから成るのが好ましい。
【００２０】
このような支持金属箔付き金属箔２の外周部に位置する支持金属箔１を枠状に除去して溝部４を形成する。形成された溝部４からは、金属箔１１の下面１１ａが露出する。溝部４の溝幅としては、１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましい。溝部４は、例えばレーザ加工等により形成することができる。
【００２１】
また、溝部４の外側領域に位置する支持金属箔付き金属箔２には、その略中央部に位置決め孔５０が形成されている。位置決め孔５０は、例えば支持金属箔付き金属箔２の上面から下面にかけてレーザ加工やパンチング加工、ドリル加工等を施すことにより形成することができる。このような支持金属箔付き金属箔２を用いて、図２〜図５に示す工程を経て本実施形態にかかる配線基板を得る。
【００２２】
具体的に説明すると、まず、図２（ａ）に示すように、基台５１上にプリプレグ３Ｐを載置する。プリプレグ３Ｐは、図３に示す積層体１０を製造する際に積層体１０を必要な平坦度を維持して支持するための支持基板３となるものであり、未硬化の熱硬化性樹脂を含むものである。なお、プリプレグ３Ｐにも前記位置決め孔５０と対応する位置に位置決め孔が設けてあり、基台５１の所定位置に設けられた位置決めピン５２をプリプレグ３Ｐの位置決め孔に挿通して載置する。
【００２３】
このようなプリプレグ３Ｐとしては、例えばガラス繊維等の耐熱性繊維から成る織布にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態のシート状にしたもの等が挙げられる。プリプレグ３Ｐは、通常、厚み０．２〜２．０ｍｍ程度、１辺の長さ３００〜１０００ｍｍ程度の上面視略四角形の平板に形成されるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２４】
次に、このプリプレグ３Ｐの平坦な主面３ａ上に、支持金属箔付き金属箔２を、溝部４から露出する金属箔下面１１ａとプリプレグ３Ｐの主面３ａとが対向するように載置する。このとき、プリプレグ３Ｐの主面３ａから突出する位置決めピン５２の先端を、支持金属箔付き金属箔２の位置決め孔５０に挿通して（図１参照）、支持金属箔付き金属箔２の位置決めを行う。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、これら支持金属箔付き金属箔２とプリプレグ３Ｐとを、溝部４から露出する金属箔下面１１ａとプリプレグ３Ｐの主面３ａとが密着するように加圧加熱して、プリプレグ３Ｐを熱硬化させる。これにより、溝部４から露出する金属箔下面１１ａと、プリプレグ３Ｐが熱硬化して成る支持基板３の主面とが強固に固定されるので、支持金属箔１と金属箔１１とが剥離することを抑制することができ、それゆえ積層体１０を形成する際の安定性が向上する。加圧加熱の条件としては、圧力０．５〜９ＭＰａ程度、温度１３０〜２００℃程度、時間３０分〜１２０分程度が適当である。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、溝部４の外側領域に位置する支持金属箔付き金属箔２および支持基板３を切断除去する。これにより、金属箔下面１１ａと支持基板３の主面とが強固に固定された部分が端部になるので、端部から支持金属箔１と金属箔１１とが剥離することを抑制することができる。なお、溝部４の外側領域とは、枠状の溝部４より外側に位置する領域を意味し、切断除去の際には溝部４の外周よりも若干内側から切断すればよい。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示すように、溝部４の内側領域Ｂに位置する金属箔（第１の導体層）１１の上面１１ｂ上に、層間絶縁用の第１の絶縁層２１を積層する。溝部４の内側領域Ｂとは、枠状の溝部４で囲まれた領域を意味する。なお、第１の絶縁層２１の端部は、内側領域Ｂより若干外側に位置している。これは、効率よく第１の絶縁層２１を金属箔上面１１ｂ上の所定位置に積層するためであり、内側領域Ｂより外側に位置する第１の絶縁層２１は、後述するように切断除去される。
【００２８】
第１の絶縁層２１を構成する材料としては、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料や、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料等が挙げられる。
【００２９】
このような第１の絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散させた混合物をペースト状としたものを、金属箔上面１１ｂ上の所定位置に塗布した後に熱硬化させることによって形成することができる。また、前記混合物をフィルム状としたものや、ガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを、金属箔上面１１ｂ上の所定位置に張着した後に熱硬化させることによっても形成することができる。
【００３０】
第１の絶縁層２１には、金属箔１１の一部を露出させるビアホールＶを形成する。ビアホールＶは、例えばレーザ加工等により形成することができる。また、第１の樹脂層２１用の混合物に感光性を付与しておき、それにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すこと等により形成することもできるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に示すように、第１の絶縁層２１の表面およびビアホールＶ内に配線導体用の第２の導体層１２を所定パターンに形成する。第２の導体層１２は、例えば無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜等から成る。このような第２の導体層１２は、周知のセミアディティブ法によって形成するのが好ましい。セミアディティブ法は微細配線化に優れるので、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造するのに好適である。具体的には、まず、第１の絶縁層２１の表面を必要に応じて粗化し、次にその表面に無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。このとき、第１の絶縁層２１の端部から外縁までの領域Ｃに位置する金属箔上面１１ｂにも無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。
【００３２】
次に、第１の絶縁層２１の表面に被着した無電解銅めっき膜の表面に、第２の導体層１２に対応した開口部を有するめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを無電解銅めっき膜上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより形成される。次に、めっきレジスト層の開口部内に露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を５〜３０μｍ程度の厚みに被着させる。
【００３３】
このとき、領域Ｃに位置する金属箔上面１１ｂを電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として使用することができるので、領域Ｃに位置する金属箔上面１１ｂを介して電解めっき装置の陰極を電気的に確実に接続することができる。
【００３４】
次に、めっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜の露出部を電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜が消失するまで全体的にエッチングして第２の導体層１２を形成する。
【００３５】
このようにして第２の導体層１２を形成した後、図３（ｆ）に示すように、第１の絶縁層２１および第２の導体層１２の上に層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４と、配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５とを順次交互に形成し、さらにその上にソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５を形成して配線基板用の積層体１０を形成する。
【００３６】
層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４は、第１の絶縁層２１と同様の電気絶縁材料から成り、第１の絶縁層２１と同様の方法により形成することができる。また、配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５は、第２の導体層１２と同様の無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜から成り、第２の導体層１２と同様のセミアディティブ法にて形成するのが好ましい。
【００３７】
ソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた電気絶縁材料から成り、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光重合開始剤等とから成る混合物にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを含有させた感光性樹脂ペーストを、第４の絶縁層２４および第５の導体層１５の上にスクリーン印刷やロールコート法等により１０〜３０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、フォトリソグラフィー技術を採用して所定パターンに露光・現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させることにより形成するのが好ましい。
【００３８】
次に、図４（ｇ），（ｈ）に示すように、溝部４の内側領域Ｂに位置する積層体１０および支持基板３を切断する。このとき、かかる切断を効率よく行う上で、積層体１０，支持金属箔１および支持基板３を、溝部４から１０〜３０ｍｍ程度内側に位置する部分で切断し、積層体１０の中央部を支持金属箔１および支持基板３とともに切り出すのが好ましい。切断の方法は、本発明の効果を妨げない範囲内で任意であり、例えばダイシングやルーター装置等を用いて切断すればよい。
【００３９】
次に、図４（ｉ）に示すように、切り出した積層体１０を支持金属箔１から分離する。この分離の際には、支持金属箔１上に金属箔１１が図示しない剥離層を介して保持されているだけなので、支持金属箔１と金属箔１１との間を引き剥がすだけで積層体１０を破損することなく、簡単に分離することができる。すなわち、支持金属箔１は、積層体１０と支持基板３とを分離する際にその分離を容易とするための境界層として機能するので、積層体１０を支持基板３から短時間で容易に剥離することができる。
【００４０】
次に、図５（ｊ）に示すように、金属箔（第１の導体層）１１を所定パターンにエッチングして、第１の絶縁層２１の表面に配線導体（外部接続用のパッド）を形成する。金属箔１１を所定パターンにエッチングするには、例えば配線導体に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔１１の表面に形成するとともに、そのエッチングレジスト層から露出した金属箔１１をエッチング除去すればよい。なお、前記エッチングレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを金属箔１１上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより配線導体に対応する形状に形成し、金属箔１１をエッチングした後に剥離する。
【００４１】
最後に、図５（ｋ）に示すように、エッチングされた金属箔１１および第１の絶縁層２１の表面にソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６を形成して配線基板２０を得る。なお、ソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６は、第５の絶縁層２５と同様の材料から成り、第５の絶縁層２５と同様の方法によって形成することができる。
【００４２】
かくして、本実施形態によれば、支持金属箔付き金属箔２と支持基板３とを加圧し、溝部４から露出する金属箔１１の下面１１ａと支持基板３の主面とを密着させ、この状態で加熱して支持基板３を熱硬化するので、溝部４から露出する金属箔１１の下面１１ａと支持基板３の主面とが強固に固定され、これにより積層体１０を形成する際の安定性を向上することができる。さらに、支持金属箔１は、支持金属箔付き金属箔２と支持基板３とを加熱加圧する際や支持基板３を熱硬化させる際、あるいは絶縁層２１〜２５や導体層１２〜１５を積層する工程において加えられる熱により収縮することはない。その結果、溝部４の内側領域Ｂに位置する積層体１０および支持基板３を切断しても、積層体１０および支持基板３が大きく撓むことはなく、その後の工程を正確かつ効率よく行うことができる。
【００４３】
以上、本発明にかかる実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において種々の改善や変更が可能である。例えば上述した実施形態では、金属箔１１を所定パターンにエッチングして配線導体の一部として利用する場合について説明したが、例えば図６に示すように、必要に応じて金属箔１１を全てエッチング除去してもよい。この場合には、絶縁層２１のビアホール内に露出する導体層１２が外部接続用のパッドとなる。
【００４４】
また、図７（ａ）に示すように、溝部４の内側領域Ｂに位置する金属箔上面１１ｂ上に、例えば銅等から成る外部接続用のパッドＰをセミアディティブ法やフルアディティブ法等により形成し、その上に絶縁層２１〜２５と導体層１２〜１５とを交互に積層し、パッドＰを構成要素として含む配線基板用の積層体１０を形成し、これを切り出して支持金属箔１より分離した後、図７（ｂ）に示すように、金属箔１１を全てエッチング除去してパッドＰを露出させてもよい。その他の構成は、上述した実施形態と同様である。
【符号の説明】
【００４５】
１  支持金属箔
２  支持金属箔付き金属箔
３Ｐ  プリプレグ
３  支持基板
３ａ  主面
４  溝部
１０  積層体
１１  金属箔
１１ａ  金属箔下面
１１ｂ  金属箔上面
１２〜１５  導体層
２１〜２６  絶縁層
２０  配線基板
５０  位置決め孔
【図１】
2015133342.tif 000003
【図２】
2015133342.tif 000004
【図３】
2015133342.tif 000005
【図４】
2015133342.tif 000006
【図５】
2015133342.tif 000007
【図６】
2015133342.tif 000008
【図７】
2015133342.tif 000009
【図８】
2015133342.tif 000010