(57)【要約】【課題】金属シートを含むベースフィルムを有するＦＰＣにおいて、ＦＰＣの信頼性を高める。【解決手段】ＦＰＣ１ａは、金属シート１１１と金属シート１１１の両面を被覆する絶縁膜１１２とを有するベースフィルム１１と、絶縁膜１１２に積層された接着剤層１２と、接着剤層１２に積層する導体パターン１３と、を有し、導体パターン１３の表面にはメッキ層２２が形成されるとともに、ベースフィルム１１と接着剤層１２とを一連に貫通するデバイスホール２１が形成され、デバイスホール２１の内周に露出している金属シート１１１の孔加工面２１１には、導体パターン１３のメッキ層２２と同じメッキ層２３が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属シートと前記金属シートの両面を被覆する絶縁膜とを有するベースフィルムと、
前記絶縁膜に積層された接着剤層と、
前記接着剤層に積層する導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンの表面にはメッキ層が形成されるとともに、
前記ベースフィルムと前記接着剤層とを一連に貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔の内周に露出している前記金属シートの孔加工面には、保護膜が形成されることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
【請求項２】
前記金属シートは、厚さが２０〜４００μｍのアルミニウム箔であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項３】
前記保護膜は、前記導体パターンの前記メッキ層と同じメッキ層であることを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項４】
前記メッキ層は、ニッケルメッキ層と金メッキ層であることを特徴とする請求項３に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項５】
前記金属シートの孔加工面に前記ニッケルメッキ層が形成され、前記ニッケルメッキ層に積層して前記金メッキ層が形成されることを特徴とする請求項４に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項６】
前記ニッケルメッキ層は厚さが１〜４μｍであり、前記金メッキ層の厚さは０．１〜１．０μｍであることを特徴とする請求項４または５に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項７】
前記金属シートの孔加工面は、前記絶縁膜の孔加工面から後退しており、前記金属シートの後退している前記孔加工面に、前記メッキ層が形成されることを特徴とする請求項３から６のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項８】
前記金属シートの前記孔加工面に形成されるメッキ層の表面は、前記絶縁膜の前記孔加工面から５０μｍ以上後退していることを特徴とする請求項７に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項９】
前記保護膜は、絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブルプリント配線板。
【請求項１０】
金属シートと前記金属シートの両面を被覆する絶縁膜とを有するベースフィルムと、前記絶縁膜に積層された接着剤層と、前記接着剤層に積層する導体パターンと、を有し、前記ベースフィルムと前記接着剤層とを一連に貫通する貫通孔が形成されるフレキシブルプリント配線板の製造方法において、
前記導体パターンの表面にメッキ層を形成する工程において、同時に、前記貫通孔の内周に露出している前記金属シートの孔加工面にメッキ層を形成することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
電解メッキ法により前記メッキ層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のフレキシブルプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記貫通孔の内周に露出している前記金属シートの孔加工面を前記絶縁膜の孔加工面から後退させ、後退させた前記金属シートの前記孔加工面に前記メッキ層を形成することを特徴とする請求項１０または１１に記載のフレキシブルプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
エッチングによって、前記金属シートの前記孔加工面を前記絶縁膜の孔加工面から後退させることを特徴とする請求項１２に記載のフレキシブルプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント配線板およびその製造方法に関する。特には、本発明は、ベースフィルムに金属シートを含むフレキシブルプリント配線板と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを実装するフレキシブルプリント配線板として、放熱性の向上を図るために金属シートからなる放熱層を設ける提案がされている（特許文献１参照）。そして、このようなフレキシブルプリント配線板が、比較的大電流を流す半導体デバイスを用いる電子機器に適用されるようになってきている。
また、このような金属シートを含むベースフィルムは、軽くて薄く、さらに柔軟に折り曲げることができるといった特性がある。このため、近年では電子機器のみならず、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）を光源とする照明装置等にも用いられている。そして、金属シートがフレキシブルプリント配線板の放熱層を構成している（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１９９０９０号公報
【特許文献２】特開２０１１−２４９５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
金属シートを含むベースフィルムが適用されるフレキシブルプリント配線板を、ＴＡＢ方式に用いる場合には、ベースフィルムに含まれる金属シートに、厚さ方向に貫通する開口部が形成されることになる。開口部が形成されると、この開口部の内周に金属シートの表面が露出する。このため、開口部が形成されて以降の製造工程や、半導体デバイスの実装工程や、実際の使用時において、湿度や雰囲気の影響により金属シートに腐食が生じるおそれがある。そこで、本発明の目的は、開口部の内側における金属シートの露出部の腐食を防止または抑制し、フレキシブルプリント配線板の信頼性の向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、本発明は、金属シートと前記金属シートの両面を被覆する絶縁膜とを有するベースフィルムと、前記絶縁膜に積層された接着剤層と、前記接着剤層に積層する導体パターンと、を有し、前記導体パターンの表面にはメッキ層が形成されるとともに、前記ベースフィルムと前記接着剤層とを一連に貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔の内周に露出している前記金属シートの孔加工面には、保護膜が形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、保護膜によって、金属シートの孔加工面において腐食等の化学変化が進行することを防止または抑制できる。したがって、フレキシブルプリント配線板の信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、ＦＰＣの構成を示す断面模式図である。
【図２】図２は、製造されるＦＰＣの構成の例を示す平面模式図である。
【図３Ａ】図３Ａは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、ＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図４】図４は、コンタクトホールが形成されるＦＰＣの例を示す断面模式図である。
【図５】図５は、通気口が形成されるＦＰＣの例を示す断面模式図である。
【図６】図６は、他の例にかかるＦＰＣの構成を示す断面模式図である。
【図７Ａ】図７Ａは、他の例にかかるＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、他の例にかかるＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、他の例にかかるＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、他の例にかかるＦＰＣの製造方法を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、本発明の実施形態であるフレキシブルプリント配線板を『ＦＰＣ』と記す。
【０００９】
≪ＦＰＣの構成≫
まず、ＦＰＣ１ａの構成について説明する。図１は、ＦＰＣ１ａの構成の例を示す断面模式図である。図１は、ＦＰＣ１ａにＴＡＢ方式によって半導体デバイス９１が実装されるとともに、カバーレイフィルム５が貼り付けられている状態を示す。ＦＰＣ１ａに実装される半導体デバイス９１としては、たとえば、半導体素子や表面実装型のＬＥＤなどが挙げられる。
【００１０】
ＦＰＣ１ａは、ベースフィルム１１と、導体パターン１３と、これらを接着する接着剤層１２とを有する。このため、ＦＰＣ１ａは、ベースフィルム１１と接着剤層１２と導体パターン１３との積層構造を有する。
【００１１】
ベースフィルム１１は、金属シート１１１とその両面を被覆する絶縁膜１１２とからなる積層構造を有する。
金属シート１１１には、たとえば厚さが約５０μｍのアルミニウム箔が適用される。なお、金属シート１１１としてのアルミニウム箔の厚さは５０μｍに限定されるものではない。アルミニウム箔の厚さは、約２０〜４００μｍの範囲が適用できる。アルミニウム箔の厚さがこの範囲であると、ＦＰＣ１ａの製造などにおいて、アルミニウム箔の可撓性を利用することが容易である。
絶縁膜１１２は、電気的な絶縁性を有する膜である。絶縁膜１１２には、たとえば厚さが約４μｍのポリイミド樹脂が適用できる。このほか、絶縁膜１１２には、各種有機絶縁膜が適用できる。
このような構成のベースフィルム１１によれば、金属シート１１１によって放熱性と電磁シールド性を確保できる。また、絶縁膜１１２によって、表面の電気的な絶縁性を確保できる。
【００１２】
導体パターン１３は、導体箔６１（図３Ｃなど参照）から形成される。導体箔６１は、接着剤層１２によってベースフィルム１１の絶縁膜１１２の表面に接着される。導体箔６１には、たとえば厚さが３５μｍの電解銅箔（規格市販品）が適用できる。
【００１３】
接着剤層１２は、導体パターン１３（導体箔６１）とベースフィルム１１とを貼り合わせる。接着剤層１２には、たとえば、厚さが約１２μｍの東レ株式会社製の商品名「ＴＡＢ用接着剤＃８２００」が適用できる。この接着剤は、エポキシ樹脂を主成分とするシートであり、電気絶縁性が高く、熱伝導率は１Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。導体パターン１３（導体箔６１）の貼り付けには、たとえば加圧ラミネーションが適用される。なお、導体パターン１３と金属シート１１１との間の熱伝導性を向上させるため、接着剤層１２はできるだけ薄いことが好ましい。
【００１４】
ＦＰＣ１ａには、デバイスホール２１が形成される。デバイスホール２１は、ベースフィルム１１と接着剤層１２とを一連に貫通する貫通孔である。デバイスホール２１は、たとえば金型を用いた打ち抜き加工により形成される。なお、デバイスホール２１の位置や形状や寸法は、実装される半導体デバイス９１などに応じて適宜設定されるものであり、特に限定されるものではない。
【００１５】
導体パターン１３のうち、平面視において（図１中上方または下方から見て）デバイスホール２１の内側に突出している部分は、フライングリード１３１となる。実装される半導体デバイス９１の端子は、フライングリード１３１にボンディングされて接続される。
導体パターン１３の表面には、メッキ層２２が形成される。メッキ層２２は、ニッケルメッキ層２２１と金メッキ層２２２の積層構造が適用される。ニッケルメッキ層２２１は下地となるメッキ層２２であり、導体パターン１３を被覆するよう形成される。金メッキ層２２２は、ニッケルメッキ層２２１に積層して形成される。
なお、導体パターン１３のうちのフライングリード１３１は、上下両面が露出しており、上下両面にメッキ層２２（ニッケルメッキ層２２１と金メッキ層２２２）が形成される。
【００１６】
デバイスホール２１の内周において、金属シート１１１の孔加工面２１１は、絶縁膜１１２の孔加工面２１２から後退している。なお、「孔加工面」とは、ベースフィルム１１の貫通孔の内周面をいうものとする。本実施形態では、デバイスホール２１を打ち抜き加工によって形成した後、金属シート１１１の孔加工面２１１をエッチングによって後退させる（後述）。
そして、後退している金属シート１１１の孔加工面２１１には、保護膜としてのメッキ層２３が形成される。このメッキ層２３は、導体パターン１３の表面に形成されるメッキ層２２と同じ構成を有する。すなわち、本実施形態では、金属シート１１１の孔加工面２１１を覆うように、下地のメッキ層２３としてニッケルメッキ層２３１が形成される。さらに、ニッケルメッキ層２３１に積層して金メッキ層２３２が形成される。なお、導体パターン１３の表面のメッキ層２２と、金属シート１１１の孔加工面２１１のメッキ層２３とは、同じ工程で形成される（後述）。
【００１７】
このような構成によれば、金属シート１１１の孔加工面２１１がメッキ層２３により被覆される。このため、ＦＰＣ１ａの実装工程や使用時において、金属シート１１１に腐食などの化学反応が生じることが防止または抑制される。このように、メッキ層２３が、金属シート１１１の孔加工面２１１を腐食などから保護する保護膜として機能する。したがって、ＦＰＣ１ａの信頼性の向上を図ることができる。
【００１８】
さらに、金属シート１１１の孔加工面２１１が絶縁膜１１２の孔加工面２１２から後退している構成であるため、金属シート１１１とフライングリード１３１との絶縁距離（短絡を防止するための距離）を大きくすることができる。すなわち、金属シート１１１とフライングリード１３１とは、絶縁膜１１２および接着剤層１２を介して接近している。このため、金属シート１１１の孔加工面２１１が絶縁膜１１２の孔加工面２１２から後退していない構成では、金属シート１１１とフライングリード１３１とが短絡しやすくなるおそれがある。これに対して、本実施形態によれば、金属シート１１１とフライングリード１３１との距離（絶縁距離）が大きくなるため、短絡のおそれを低減できる。
金属シート１１１の孔加工面２１１に形成されるメッキ層２３の表面は、絶縁膜１１２の孔加工面２１２から、５０μｍ以上後退していることが好ましい。図中のＬ１は、後退距離を示す。後退距離Ｌ１は、平面視において、絶縁膜１１２の孔加工面２１２からメッキ層２３の表面までの距離をいう。
【００１９】
また、ＦＰＣ１ａには、導体パターン１３を覆うように、カバーレイフィルム５が貼り付けられる。カバーレイフィルム５には、たとえば、厚さが約５μｍのアラミド樹脂フィルム５１と、厚さが約３０μｍのエポキシ樹脂からなるカバーレイ接着剤層５２との積層構造を有するフィルムが適用できる。
【００２０】
≪ＦＰＣの製造方法≫
次に、ＦＰＣ１ａの製造方法について説明する。本実施形態においては、ＦＰＣ１ａの製造方法に、ロール・トゥー・ロール（roll to roll）工法が適用される。ロール・トゥー・ロール工法では、ロールに巻いた長尺のベースフィルム１１を開始材料とし、他のロールに巻取りながら連続的にＦＰＣ１ａが製造される。また、ＦＰＣ１ａの製造においては、品質検査が完了するまで、ロール・トゥー・ロール工法で工程が進められる。
図２は、ロール・トゥー・ロール工法により製造されるＦＰＣ１ａの構成の例を示す平面模式図である。本実施形態では、矢印方向を長手方向とするベースフィルム１１の幅方向に、２列のＦＰＣ１ａのピース１０１（小片）が連続的に並べて製造される。製造されたＦＰＣ１ａは、打ち抜かれて個別のピース１０１に分離される。なお、ＦＰＣ１ａのピース１０１の列の数は限定されるものではない。
【００２１】
図２に示すように、ＦＰＣ１ａには、デバイスホール２１のほか、メッキ用ホール２４とメッキ用リードパターン１３２とが形成される。メッキ用ホール２４とメッキ用リードパターン１３２は、金属シート１１１の孔加工面２１１に電解メッキ法を用いてメッキ層２３を形成する際に、金属シート１１１に電流を流すために用いられる。メッキ用リードパターン１３２は、メッキ用ホール２４において、金属シート１１１と電気的に導通している。なお、メッキ用ホール２４とメッキ用リードパターン１３２とは、ピース１０１の外側（カバーレイフィルム５の外側）に形成される。そして、ＦＰＣ１ａが個別のピース１０１に分離されると、ピース１０１にはメッキ用ホール２４が残らない。このほか、ＦＰＣ１ａには、コンタクトホール２５が形成されてもよい。コンタクトホール２５においては、コンタクトパッド１３３が露出している。
【００２２】
図３Ａ〜３Ｈは、ＦＰＣ１ａの製造方法の工程を示す断面模式図である。なお、これらの図は、説明のための模式図であり、必ずしも現実の特定の切断線に沿った断面ではない。
まず図３Ａに示すように、ベースフィルム１１の一方の絶縁膜１１２の表面に、接着剤層１２が積層される。
本実施形態では、ベースフィルム１１の金属シート１１１には、厚さが約５０μｍのアルミニウム箔が適用される。また、絶縁膜１１２には、厚さが約４μｍのポリイミド樹脂が適用される。なお、金属シート１１１としてのアルミニウム箔の厚さは、可撓性を利用できる範囲であればよい。アルミニウム箔の可撓性を利用できる厚さの範囲として、２０〜４００μｍが適用できる。さらに、ロール・トゥー・ロール工法でＦＰＣ１ａを製造する場合には、アルミニウム箔の厚さが２０〜１５０μｍであることが好ましい。これ以上の厚さである場合には、カットシートの状態で加工することになる。
接着剤層１２には、たとえば前記のとおり、厚さが約１２μｍの東レ株式会社製の商品名「ＴＡＢ用接着剤＃８２００」が適用できる。
【００２３】
次に、図３Ｂに示すように、デバイスホール２１などの貫通孔が形成される。デバイスホール２１などの貫通孔の形成には、金型を用いた打ち抜き加工が適用される。この工程では、ベースフィルム１１と接着剤層１２とを一連に貫通する貫通孔が形成される。なお、デバイスホール２１などの貫通孔が形成されると、貫通孔の内周には、金属シート１１１の孔加工面２１１が露出する。このため、このままの状態では、金属シート１１１には、腐食などの化学反応が生じやすくなるおそれがある。そこで、後述するメッキ工程において、金属シート１１１の孔加工面２１１にメッキ層２３を形成する。
また、この工程の打ち抜き加工によって、メッキ用ホール２４がデバイスホール２１と同時に形成される。
【００２４】
次いで、図３Ｃに示すように、接着剤層１２の表面に、導体パターン１３となる導体箔６１が貼り付けられる。導体箔６１には、たとえば厚さが３５μｍの電解銅箔（規格市販品）が適用される。なお、導体箔６１の貼り付けには、たとえば加圧ラミネーションが適用される。導体箔６１が貼り付けられると、ベースフィルム１１と接着剤層１２と導体箔６１からなる３層積層構造のフィルムが形成される。そして、デバイスホール２１などの貫通孔は、導体箔６１によって全て塞がれる。
【００２５】
次いで、図３Ｄに示すように、導体箔６１から導体パターン１３が形成される。導体パターン１３には、フライングリード１３１が含まれる。さらに、メッキ用リードパターン１３２や、メッキ用ホール２４のランドや、コンタクトパッド１３３なども、導体パターン１３の一部としてこの工程において形成される。導体パターン１３の形成方法には、たとえば、従来公知の写真触刻法が適用できる。なお、導体箔６１のエッチングに際し、導体箔６１の図中における下側の面のうち、デバイスホール２１などの貫通孔から露出している部分を、あらかじめエッチングレジスト（裏止剤）によりコートしておく。
【００２６】
次いで、図３Ｅに示すように、金属シート１１１の孔加工面２１１を、絶縁膜１１２の孔加工面２１２から後退させる加工を行う。後退距離Ｌ１を５０μｍ以上とするため、孔加工面２１１を後退させる距離は、  （メッキ層２３の厚さ）＋（５０μｍ）  以上とする。この加工は、金属シート１１１の孔加工面２１１とフライングリード１３１とが接着剤層１２と絶縁膜１１２とを介して接近していることから、金属シート１１１とフライングリード１３１との絶縁性を高める（短絡し難くする）ために行われる。
この加工には、アルミエッチング液を用いたエッチングが適用できる。アルミエッチング液には、たとえば、扇化学工業株式会社製の商品名『ETCHITRON OES-11』が適用できる。なお、このアルミエッチング液による導体パターン１３（導体箔６１）へのエッチング作用は、無視できる程度である。
【００２７】
次いで、図３Ｆに示すように、導体パターン１３を覆うように、導体パターン１３を保護するカバーレイフィルム５が貼り付けられる。本実施形態において、カバーレイフィルム５には、たとえば、厚さが約５μのアラミド樹脂フィルム５１と、厚さが約３０μｍのエポキシ樹脂からなるカバーレイ接着剤層５２との積層構造を有するフィルムが適用できる。
このカバーレイフィルム５は、貼り付けられる前に、あらかじめ分離後のＦＰＣ１ａのピース１０１（小片）に応じた寸法および形状に形成される。本実施形態では、カバーレイフィルム５は、ＦＰＣ１ａのピース１０１よりも広い範囲に貼り付けられる。さらに、カバーレイフィルム５には、貼り付けられた状態でデバイスホール２１や図略の端子パッドに対応する位置に、これらを露出させるための開口が形成される。そして、カバーレイフィルム５は、ベースフィルム１１に、接着剤層１２および導体パターン１３を覆うように貼り付けられる。貼り付けられたカバーレイフィルム５は、加熱圧着される。
【００２８】
次いで、図３Ｇに示すように、メッキ用リードパターン１３２と金属シート１１１とを電気的に導通させる。たとえば、メッキ用ホール２４に、印刷法を用いて導電ペースト２４１を充填し、その後所定の条件で硬化処理を行う。導電ペースト２４１には、たとえば、ハリマ化成株式会社製の製品名『導電性銀ペーストＳＶ』が適用できる。この工程を経ると、金属シート１１１とメッキ用リードパターン１３２とは、メッキ用ホール２４に充填された導電ペースト２４１を経由して電気的に接続する。したがって、金属シート１１１の孔加工面２１１に、電解メッキ法を用いてメッキ層２３を形成できる。
【００２９】
次いで、図３Ｈに示すように、導体パターン１３の露出している部分にメッキ層２２を形成するとともに、金属シート１１１の孔加工面２１１にメッキ層２３を形成する。具体的には、まず、これらの部分に下地となるニッケルメッキ層２２１，２３１を形成し、次いでその表面に金メッキ層２２２，２３２を形成する。メッキ層２２，２３の形成には、電解メッキ法が適用される。本実施形態では、ニッケルメッキ層２２１，２３１の厚さとして１〜４μｍの範囲が適用され、金メッキ層２２２，２３２の厚さとして０．１〜１．０μｍの範囲が適用される。
【００３０】
なお、フライングリード１３１は、導体パターン１３のうちデバイスホール２１に突出している部分であり、カバーレイフィルム５によって被覆されない。このため、フライングリード１３１は、表裏を含めて全面にメッキ層２２（ニッケルメッキ層２２１と金メッキ層２２２）が形成される。このほか、導体パターン１３として、他の電子機器との接続に用いられるボンディングパッドやコンタクトパッドにも、メッキ層２２（ニッケルメッキ層２２１と金メッキ層２２２）が形成される。
【００３１】
さらに、これと同じ工程において、金属シート１１１の後退させた孔加工面２１１に、メッキ層２３（ニッケルメッキ層２３１と金メッキ層２３２）が形成される。これらのニッケルメッキ層２３１と金メッキ層２３２とは、導体パターン１３に形成されるニッケルメッキ層２２１と金メッキ層２２２と同じ構成である。
【００３２】
以上の工程を経て、カバーレイフィルム５が貼り付けられたＦＰＣ１ａが製造される。その後、半導体デバイス９１の実装や、検査等が行われる。
【００３３】
デバイスホール２１において、フライングリード１３１と金属シート１１１の孔加工面２１１との絶縁距離は、主に、接着剤層１２の厚さと絶縁膜１１２の厚さと後退距離Ｌ１とによって決まる。本実施形態では、接着剤層１２の厚さを約１２μｍとし、絶縁膜１１２の厚さを約４μｍとし、後退距離Ｌ１を約５０μｍとした。そして、ＦＰＣ１ａにＬＥＤを実装して点灯させたところ、十分な絶縁性を有することが確認された。
なお、フライングリード１３１と金属シート１１１の孔加工面２１１との絶縁性をさらに高くするには、この後退距離Ｌ１をさらに大きくすればよい。
【００３４】
本実施形態では、金属シート１１１の孔加工面２１１の防食のためメッキ工程と、フライングリード１３１のメッキ工程との共通化を図っているところに特徴と有する。ＦＰＣ１ａがフライングリード１３１を有さない場合には、金属シート１１１の孔加工面２１１の防食のためメッキ工程を、導体パターン１３の他の部分の表面処理のためのメッキ工程と共通化すればよい。たとえば、エッジコネクタの表面処理のための硬質ニッケルメッキ工程および金メッキ工程や、はんだ付けパッドの表面処理のための錫メッキ工程と共通化を図る構成が適用できる。
【００３５】
≪他の実施の形態≫
次に、他の実施形態について説明する。前記の実施形態では、ベースフィルム１１に形成される開口部として、半導体デバイス９１などを実装するためのデバイスホール２１を示したが、デバイスホール２１以外にも開口部が形成されることがある。ここで説明する他の実施形態は、デバイスホール２１以外の開口部に適用される形態である。なお、前記実施形態と共通の構成には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００３６】
図４に示すＦＰＣ１ｂには、ベースフィルム１１にコンタクトホール２５が形成される構成の例である。コンタクトホール２５の差渡し径Ｌ２は約１．２ｍｍである。また、図４は、ＦＰＣ１ｂの適用例として、ＦＰＣ１ｂが、インクジェットプリンタのインクタンクの底に固定される例を示す。ＦＰＣ１ｂはコンタクトホール２５を有しており、たとえばコンタクトピン２９を備えたインクタンク装着部３０に装着され電気的に接続される。コンタクトピン２９は、ＦＰＣ１ｂのコンタクトホール２５に露出している導体パターン１３に当接するように、インクタンク装着部３０から突出している弾性接点部材である。またＦＰＣ１ｂは、カバーレイフィルム５がインクタンクの底板３１に支持されている。このため、コンタクトホール２５に露出している導体パターン１３を被覆するメッキ層２２とコンタクトピン２９とが、確実に導通される。この構成では、インクタンクの状態についての情報が、インクタンク装着部３０を経由して不図示のケーブルでプリンタ本体に伝達される。
【００３７】
図５に示すＦＰＣ１ｃは、ベースフィルム１１に通気口２６が形成される構成の例である。通気口２６は、ＣＯＦ方式で半導体デバイス９１をフェイスダウン状態で実装してから封止樹脂９２で封止する際に、脱気を行うために形成される（通気口については、特開平１１−９７５８６号公報を参照）。通気口２６の径Ｌ３は、たとえば約０．５ｍｍである。
【００３８】
コンタクトホール２５および通気口２６における金属シート１１１の孔加工面２１１に対しても、腐食防止対策を施す必要がある。そこで、図４や図５に示すように、コンタクトホール２５や通気口２６の内周においても、金属シート１１１の孔加工面２１１にメッキ層２３を形成する。コンタクトホール２５や通気口２６が形成されるＦＰＣ１ｂ，１ｃの製造方法（特に、メッキ工程）には、前記実施形態と同じ製造方法（工程）が適用できる。このように、コンタクトホール２５や通気口２６の孔加工面２１１に対しても、デバイスホール２１と同様に、腐食等を防止するためのメッキ層２３が形成される。メッキ層２３の構成も、前記同様に、ニッケルメッキ層２３１と金メッキ層２３２の積層構造が適用できる。
なお、１つのＦＰＣ１ａのピース１０１に、デバイスホール２１とコンタクトホール２５の両方が形成される構成であれば、両方の孔加工面２１１にメッキ層２３が形成される構成が適用できる。
【００３９】
上記各実施形態によれば、メッキ層２３によって、金属シート１１１の孔加工面２１１における腐食等の化学変化が進行することを防止または抑制できる。したがって、ＦＰＣ１ａ，１ｂ，１ｃの信頼性の向上を図ることができる。
また、本発明の各実施形態によれば、金属シート１１１の孔加工面２１１にメッキ層２３を形成する工程を、導体パターン１３にメッキ層２２を形成する工程と共通化できる。したがって、金属シート１１１の孔加工面２１１の防食のために特別な工程が必要とならない。
【００４０】
なお、前記各実施形態では、金属シート１１１の孔加工面２１１の腐食等から保護する保護膜として、メッキ層２３が適用される構成を示したが、メッキ層２３でなくてもよい。図６は、孔加工面２１１の保護膜として絶縁性樹脂２７が適用される構成の例を示す断面模式図である。図６に示すように、金属シート１１１の孔加工面２１１の表面を被覆するように絶縁性樹脂２７の膜が形成される。絶縁性樹脂２７には、たとえば、日本ポリテック株式会社の品名：ＮＰＲ８０  ＩＤ６０といったソルダーレジストが適用できる。
【００４１】
図７Ａ〜図７Ｄは、絶縁性樹脂２７が適用されるＦＰＣ１ａの製造方法の工程を示す断面模式図である。なお、メッキ層２３が適用される構成と共通の部分については説明を省略する。
導体パターン１３を形成するまでの工程は、メッキ層２３が適用される構成と共通である（図３Ａ〜図３Ｄ参照）。
【００４２】
図７Ａに示すように、孔加工面２１１に露出している金属シート１１１を後退させるために、エッチング処理（アルミエッチング処理）が施される。エッチング液には、たとえば、扇化学工業株式会社の製品：ETCHITRON OES-11が適用できる。後退距離（図６のＬ１）は、約５０μｍでよい。また、この処理においては、導体パターン１３とは反対側（図中では下側）の薄葉である絶縁膜１１２は、金属シート１１１の後退距離と同じ距離がほぼ同時に削られる。なお、この工程において、エッチング液が導体パターン１３である銅箔へ与える影響は無視できる程度である。
図７Ｂに示すように、導体パターン１３を保護するためのカバーレイフィルム５が積層される。この工程は、図３Ｆに示す工程と共通である。
【００４３】
図７Ｃに示すように、金属シート１１１の孔加工面２１１を被覆するように、絶縁性樹脂２７の膜が形成される。感光性のソルダーレジストが適用される場合には、絶縁性樹脂２７の膜の形成には、たとえば次のような方法が適用できる。
まず、デバイスホール２１の内周面およびその周辺に、印刷法によって絶縁性樹脂２７が塗布される。塗布される絶縁性樹脂２７の膜の厚さは、１０〜２０μｍ程度であることが好ましい。
塗布された絶縁性樹脂２７には、フォトマスクを用いて感光処理が施され、続いて現像処理が施される。絶縁性樹脂２７の膜は、デバイスホール２１に露出する金属シート１１１の孔加工面を完全に被覆し、さらに絶縁膜１１２に重畳する範囲に形成されることが好ましい。現像処理が施された絶縁性樹脂２７にアフターベークが施される。
以上の工程を経て、絶縁性樹脂２７の膜が形成される。
このような工程により形成された絶縁性樹脂２７の膜は、金属シート１１１の孔加工面２１１に密着している。このため、金属シート１１１の孔加工面２１１からの腐食が防止または抑制される。
【００４４】
図７Ｄに示すように、露出している導体パターン１３に、メッキ層２２が形成される。メッキ層２２の形成工程は、前述の工程と共通である（図３Ｈ参照）。
なお、金属シート１１１の孔加工面２１１が絶縁性樹脂２７の膜で被覆される構成においては、メッキ用ホール２４に導電ペースト２４１を充填する処理は施されなくてもよい。
【００４５】
以上、本発明の各種の実施形態を、図面を参照して詳細に説明したが、前記各実施形態は、本発明の実施にあたっての具体例を示したに過ぎない。本発明の技術的範囲は、前記各実施形態に限定されるものではない。本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に含まれる。
たとえば、実施形態で示したベースフィルムの材質や寸法は一例であり、前記材質や寸法に限定されるものではない。また、前記実施形態では、ＴＡＢ方式で半導体素子などの実装を行うことができるＦＰＣを示したが、半導体素子の実装方式は限定されるものではない。ＴＡＢ方式のほか、ＣＯＦ方式であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、金属シートを含むベースフィルムを有するＦＰＣにおいて、金属シートの防食に有効な技術である。そして、本発明によれば、金属シートの孔加工面の腐食等を防止または抑制でき、ＦＰＣの信頼性の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１ａ，１ｂ，１ｃ：フレキシブルプリント配線板
１０１：ピース
１１：ベースフィルム
１１１：金属シート
１１２：絶縁膜
１２：接着剤層
１３：導体パターン
１３１：フライングリード
１３２：メッキ用リードパターン
１３３：コンタクトパッド
２１：デバイスホール
２１１：金属シートの孔加工面
２１２：絶縁膜の孔加工面
２２：導体パターンのメッキ層
２２１：ニッケルメッキ層
２２２：金メッキ層
２３：金属シートのメッキ層
２３１：ニッケルメッキ層
２３２：金メッキ層
２４：メッキ用ホール
２４１：導電ペースト
２５：コンタクトホール
２６：通気口
２７：ソルダーレジスト
２９：コンタクトピン
３０：インクタンク装着部
３１：インクタンク底板
５：カバーレイフィルム
５１：アラミド樹脂フィルム
５２：接着剤層
９１：半導体デバイス
９２：封止樹脂
６１：導体箔
Ｌ１：後退距離
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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