(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化を実現することができるジャイロセンサを提供する。【解決手段】ジャイロセンサ１０は、流路１２を有する本体１４と、前記流路１２内に充填された媒体と、前記流路１２内に前記流路１２を塞ぐように設けられ、前記ジャイロセンサ１０を回転させたときに前記媒体の慣性力が作用する圧力センサ１６とを備え、前記圧力センサ１６のカンチレバーの抵抗変化から前記圧力センサ１６に生じる圧力を計測し角加速度を測定する。【選択図】図１
2015227863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に流路が形成された本体と、
前記流路内に充填された媒体と、
前記流路内に設けられ、前記媒体の慣性力を検出する圧力センサと
を備えることを特徴とするジャイロセンサ。
【請求項２】
前記圧力センサが、前記流路を仕切るように形成されたカンチレバー部を有することを特徴とする請求項１記載のジャイロセンサ。
【請求項３】
前記カンチレバー部の周囲に設けられ前記カンチレバー部の基端を保持する枠体と、前記カンチレバー部の間に形成された隙間が、前記媒体の平均自由工程の１００倍以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のジャイロセンサ。
【請求項４】
前記媒体が液体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のジャイロセンサ。
【請求項５】
前記カンチレバー部の温度特性を補償するための温度補償用素子が設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のジャイロセンサ。
【請求項６】
前記温度補償用素子は、前記カンチレバー部が有する温度に対する抵抗変化特性と同様の特性を有する非変形型カンチレバー部であることを特徴とする請求項５記載のジャイロセンサ。
【請求項７】
前記本体は、管状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載のジャイロセンサ。
【請求項８】
前記本体は、上層と、下層と、上層と下層とに挟まれた中間層とを備え、板状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載のジャイロセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジャイロセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ジャイロセンサは、振動型ジャイロセンサと、光ジャイロセンサが知られている。振動型ジャイロセンサは、加速度や遠心力が作用したときに振動子に働くコリオリ力を検出して、角速度の検出を行う。ところが、ロボットのように動的に運動する機器においては、加速度や遠心力が大きく、直線加速度や、角加速度、遠心力の効果が無視できず、ドリフトを引き起こす。またコリオリ力は、質量に比例するので、小型化すると感度が低下してしまう。
【０００３】
また光ジャイロセンサとしては、リング状の共振器（共振器リング）に、ポンプレーザ（励起光源）から強度の高い光を入射し、非線形光学効果としての誘導ブルリアン散乱を生じさせ、これにより生じたレーザ光の干渉効果を利用するものが開示されている（例えば特許文献１）。この光ジャイロセンサでは、リング状の共振器をレーザ光が周回する際、周回に要する時間が光ジャイロセンサ自身の回転角速度に応じて変化する（サニャック効果）。右回りおよび左回りに周回してきたレーザ光は、回転角速度に応じた位相差が生じる。光ジャイロセンサは、右回りおよび左回りに周回してきたレーザ光を合波した光の強度を測定することにより位相差を検出し、この位相差から回転角速度を検出する。光ジャイロセンサは、コリオリ力を検出する振動型ジャイロセンサとは異なり、上述のような加速度や遠心力によるドリフトが生じないという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１８８５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された光ジャイロセンサの場合、感度は、リング状の共振器が取り囲む面積に比例するので、小型化をするのが困難であるという問題があった。
【０００６】
そこで本発明は、小型化することができるジャイロセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るジャイロセンサは、内部に流路が形成された本体と、前記流路内に充填された媒体と、前記流路内に設けられ、前記媒体の慣性力を検出する圧力センサとを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、媒体の慣性力を測定する構成としたので、小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るジャイロセンサの全体構成を示す模式図である。
【図２】第１実施形態に係るジャイロセンサの構成を模式的に示す部分端面図である。
【図３】第１実施形態に係る検知部の構成を示す斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る検知部の製造方法を段階的に示す図であり、図４Ａはピエゾ抵抗層を形成した段階を模式的に示す端面図、図４Ｂは平面図である。
【図５】第１実施形態に係る検知部の製造方法を段階的に示す図であり、図５Ａは電極層を形成した段階を模式的に示す端面図、図５Ｂは平面図である。
【図６】第１実施形態に係る検知部の製造方法を段階的に示す図であり、図６Ａはカンチレバーの外形を形成した段階を模式的に示す端面図、図６Ｂは平面図である。
【図７】第１実施形態に係る検知部の製造方法を段階的に示す図であり、図７Ａは一部の電極層を除去した段階を模式的に示す端面図、図７Ｂは平面図である。
【図８】第１実施形態に係る検知部の製造方法を段階的に示す図であり、図８ＡはＳｉ基板の一部を除去した段階を模式的に示す端面図、図８Ｂは平面図である。
【図９】第１実施形態に係る検知部の製造方法を段階的に示す図であり、図９ＡはＳｉＯ２層の一部を除去した段階を模式的に示す端面図、図９Ｂは平面図である。
【図１０】実験装置の構成を示すブロック図である。
【図１１】第１実施形態に係るジャイロセンサの抵抗変化率を測定した結果を示すグラフである。
【図１２】第２実施形態に係るジャイロセンサの全体構成を示す模式図である。
【図１３】第２実施形態に係るジャイロセンサにおける上層及び下層の構成を示す斜視図であり、図１３Ａは上層の斜視図、図１３Ｂは下層の斜視図である。
【図１４】第２実施形態に係るジャイロセンサにおける中間層の構成を示す斜視図である。
【図１５】第２実施形態に係るジャイロセンサにおける流路を示す模式図である。
【図１６】第２実施形態に係るジャイロセンサの製造に用いられる中間層用基材の斜視図である。
【図１７】第２実施形態に係るジャイロセンサの製造に用いられる基材を説明する図であり、図１７Ａは上層用基材の斜視図、図１７Ｂは下層用基材の斜視図である。
【図１８】第２実施形態に係るジャイロセンサの製造過程の状態を示す模式図である。
【図１９】第２実施形態に係るジャイロセンサの切断前の状態を示す模式図である。
【図２０】変形例に係る検知部の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１１】
［第１実施形態］
（全体構成）
図１に示すジャイロセンサ１０は、内部に流路１２が形成された環状の本体１４と、前記流路１２内に充填された媒体（図示しない）と、前記流路１２を塞ぐように設けられ、前記媒体の慣性力を検出する圧力センサ１６とを備える。
【００１２】
本体１４は、特に限定されず、金属や樹脂で形成することができる。また本体１４は、断熱性が高い材料又は構造で形成されるのが好ましく、例えば真空断熱構造で形成されるのが好ましい。本体１４を構成する材料は、熱膨張係数が媒体に近い方が好ましい。
【００１３】
媒体は、密度が高い方が、感度が高くなるので好ましい。また、媒体は、粘性が高い方が、感度を向上することができる。さらに媒体は、熱容量が大きい方が、熱的安定性を向上できる点で好ましい。媒体は、流体やゲルを用いることができる。流体は、液体及び気体を適用することができる。液体としては、例えば水、シリコンオイル、イオン液体などを用いることができる。気体としては、例えば二酸化炭素、キセノンなどを用いることができる。ゲルは、例えばコラーゲン、アガロースゲルなどを用いることができる。
【００１４】
圧力センサ１６は、図２に示すように、開口１７が形成された基板２０と、当該開口１７を閉塞するように基板２０に設けられた検知部１８とを備える。検知部１８は、Ｓｉ層２４と、絶縁層２５と、上部Ｓｉ層２６と、ピエゾ抵抗層２７と、電極層２８とからなる。上部Ｓｉ層２６とピエゾ抵抗層２７とによりカンチレバー部２２が形成されている。
【００１５】
検知部１８は、カンチレバー部２２の一側に、基板２０の開口１７に繋がる開口部３０が形成されている。また検知部１８は、カンチレバー部２２の外縁に隙間２３が形成されている。当該隙間２３は、カンチレバー部２２の厚さ方向に貫通しており、カンチレバー部２２の一側と他側を繋いでいる。
【００１６】
電極層２８は、基板２０を通じて、ピエゾ抵抗層２７に電流を供給する電源（図示しない）と、ピエゾ抵抗層２７の抵抗値の変化を検出する信号変換部（図示しない）に電気的に接続されている。電極層２８は、図示しないが絶縁体で被覆されているのが好ましい。なお当該絶縁体は、媒体が絶縁性を有する場合、省略することができる。
【００１７】
カンチレバー部２２は、図３に示すように、平板状の受圧部３２と当該受圧部３２の一側面に一体に形成された一対のヒンジ部３４とを有し、当該ヒンジ部３４において、枠体３７に固定されている。一対のヒンジ部３４は、それぞれ電極３３、３５に電気的に接続されている。電極３３、３５は、電気的に切断されている。カンチレバー部２２は、カンチレバー部２２の一側と他側の間に生じる圧力差により、ヒンジ部３４を中心に弾性変形し得るように形成されている。
【００１８】
カンチレバー部２２の外縁と枠体３７の間に形成される隙間２３は、媒体が流通しにくい大きさ（幅）に形成される。前記隙間２３の幅は、媒体の分子の平均自由行程の約１００倍以下であることが好ましい。隙間２３の幅が媒体の分子の平均自由行程の１００倍より大きいと、隙間２３において媒体の漏れが生じ感度が低下するからである。
【００１９】
（製造方法）
次に、圧力センサ１６の製造方法について説明する。まずＳＯＩ構造を有するＳＯＩ基板２９の上部Ｓｉ層２６に不純物を、熱拡散法等によりドーピングして上部Ｓｉ層２６の一部をＮ型もしくはＰ型半導体としたピエゾ抵抗層２７を形成する（図４）。
【００２０】
次に、ピエゾ抵抗層２７の上に、フォトレジストマスクを選択的に形成し、例えば金を蒸着法により堆積させ電極層２８を形成する。フォトレジストマスクを除去することにより、各辺から絶縁層２５が帯状に露出した十字状のパターン３６を形成する（図５）。
【００２１】
次いで、十字状のパターン３６を目印として当該パターン３６の中心に集束イオンビーム(ＦＩＢ：Focused Ion Beam)を用いて、絶縁層２５まで到達する溝３８を形成し、電極層２８、ピエゾ抵抗層２７、上部Ｓｉ層２６、絶縁層２５を、カンチレバー形状にエッチング加工する（図６）。
【００２２】
次いで、電極層２８上にフォトレジストマスクを選択的に形成し、カンチレバー部２２に対応する位置の電極層２８をエッチング加工する。フォトレジストマスクを除去することにより、電極３３、３５を形成する（図７）。
【００２３】
次いで、カンチレバー部２２の直下のＳｉ層２４をプラズマエッチングにより除去し、穴４２を形成する（図８）。さらにカンチレバー部２２の直下の絶縁層２５を、ＨＦ蒸気を用いたエッチングにより除去し、開口部３０を形成する（図９）。これによりカンチレバー部２２の一側と他側が隙間２３を通じて繋がれ、検知部１８を得ることができる。本実施形態の場合、隙間２３は、ＦＩＢを用いて加工したことにより、カンチレバー部２２の他側から一側に向かって先細となる形状に形成されている。
【００２４】
（動作及び効果）
上記のように構成された圧力センサ１６は、検知部１８が流路１２を塞ぐように設けられており、かつ検知部１８に形成された隙間２３は、媒体が流通しにくい大きさ（幅）に形成されている。したがってジャイロセンサ１０は、図１に示す矢印方向に本体１４を回転させると、流路１２に充填された媒体が、流路１２に形成された検知部１８によって押される。これによって媒体は、本体１４と一体的に回転する。すなわち圧力センサ１６には、媒体を本体１４と一体的に回転させるために必要な力、すなわち媒体の慣性力が作用する。このとき圧力センサ１６に生じる圧力をＰ、本体１４の半径をｒ、媒体の密度をρとすると、ジャイロセンサ１０に生じた角加速度αは、下記式（１）によって表される。
α＝Ｐ／（２πｒ・ρ・ｒ）・・・（１）
【００２５】
圧力センサ１６のカンチレバー部２２は、作用する圧力Ｐによって一対のヒンジ部３４を中心として弾性変形する。そうするとカンチレバー部２２は、変形量に応じて電気抵抗値が変化する。ジャイロセンサ１０は、カンチレバー部２２の抵抗変化率を測定することにより、圧力Ｐを計測し、これにより角加速度αを測定することができる。
【００２６】
ジャイロセンサ１０は、媒体の慣性力を測定する構成としたので、小型化及び感度の向上を実現することができる。媒体は、密度の高い媒体、例えば液体を用いることにより、より感度を向上することができるので、より小型化することができる。
【００２７】
またジャイロセンサ１０は、熱容量の大きい媒体、例えば液体を用いることにより、急激な温度変化による影響を抑制でき、熱的安定性を向上することができる。
【００２８】
実際に、長さ２２．５μｍ、幅２０μｍ、厚さ０．１５μｍのカンチレバー部２２を有する圧力センサ１６を製造し、評価を行った。ヒンジ部３４は、長さ２．５μｍ、幅０．５μｍとした。隙間２３の幅は、約２０ｎｍとした。この圧力センサ１６を、半径９．５ｃｍ（流路径５ｍｍ）の流路１２を塞ぐように本体１４に設置した。本体１４の流路１２には、媒体としてシリコンオイル（密度ρ：１０００）を充填した。
【００２９】
圧力センサ１６の検知部１８に対し、図１０に示すように、ファンクションジェネレータ（図示しない）を介して電源５０を接続した。また検知部１８の電気抵抗値は、ロックインアンプ５２でノイズを除去すると共に電圧に変換してオシロスコープ５４で測定した。
【００３０】
本体１４の中心を軸として±５°程度の回転を本体１４に与えたときの電気抵抗値を測定し、抵抗変化率を求めた。その結果を図１１に示す。本図は、縦軸が抵抗変化率、横軸が時間、実線が本実施形態に係るジャイロセンサ１０の抵抗変化率を示す。本図の点線は、中心から９．５ｃｍ離れた位置に設置した従来のジャイロセンサ（シリコンセンシングシステムズ社製、製品名：CRH01-100）に対し、中心を軸として±５°程度の回転を与えたときの抵抗変化率を示す。本図から本実施形態に係るジャイロセンサ１０は、与えられた回転に対し、従来のジャイロセンサ１０と同等の出力が得られることが確認できた。
【００３１】
［第２実施形態］
（全体構成）
図１２に示すジャイロセンサ１００は、内部に流路１０２が形成された本体１０３が板状である点が、上記第１実施形態と異なる。以下、本実施形態に係るジャイロセンサ１００の構成について詳細に説明する。なお、上記第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００３２】
ジャイロセンサ１００は、内部に流路１０２が形成された本体１０３と、前記流路１０２内に充填された媒体（図示しない）と、前記流路１０２を塞ぐように設けられ、前記媒体の慣性力を検出する圧力センサ１１２とを備える。
【００３３】
本体１０３は、上層１０６と、下層１０８と、上層１０６と下層１０８とに挟まれた中間層１１０とを備える。上層１０６及び下層１０８は、図１３Ａ、図１３Ｂに示すように、内面に流路形成溝１２１、１２４がそれぞれ形成されている。流路形成溝１２１、１２４は、円環を軸方向に二分割にした形状を有している。上層１０６の流路形成溝１２１の一端部１２１ａは、下層１０８の流路形成溝１２４の一端部１２４ａと中間層１１０を挟んで上下に重なるように形成されている。同様に上層１０６の流路形成溝１２１の他端部１２１ｂは、下層１０８の流路形成溝１２４の他端部１２４ｂと中間層１１０を挟んで上下に重なるように形成されている。
【００３４】
中間層１１０は、図１４に示すように、一端部１２１ａ、１２４ａに対応する位置に形成された貫通部１２８と、他端部１２１ｂ、１２４ｂに対応する位置に形成された圧力センサ１１２とを有する。貫通部１２８は、厚さ方向に貫通している。圧力センサ１１２は、中間層１１０の面方向に平行に検知部１８が形成されている。
【００３５】
上記のように構成された上層１０６、中間層１１０、及び下層１０８を順に積層してなる本体１０３には、図１５に示すように、上側流路１０２ａと下側流路１０２ｂとを含む流路１０２が形成される。上側流路１０２ａは、図１３Ａに示すような上層１０６に形成された流路形成溝１２１と中間層１１０とにより形成される。下側流路１０２ｂは、図１３Ｂに示すような下層１０８に形成された流路形成溝１２４と中間層１１０とにより形成される。上側流路１０２ａと下側流路１０２ｂは、一端部１２１ａ、１２４ａが中間層１１０に形成された貫通部１２８に相当する連通部１０４を介して接続され、他端部１２１ｂ、１２４ｂが中間層１１０に形成された圧力センサ１１２を介して接続されている。
【００３６】
第１実施形態と同様、流路１０２内には、図示しない媒体が充填されている。圧力センサ１１２は、媒体の慣性力を検出する。流路１０２内に充填される媒体としては、第１実施形態の場合と同様の流体やゲルを用いることができる。
【００３７】
（製造方法）
次に、本実施形態に係るジャイロセンサ１００の製造方法について説明する。ジャイロセンサ１００は、所定の基材を積層して複数のジャイロセンサを備えた積層体を作製し、個々に分割して得られる。製造に用いられる基材は、中間層用基材、上層用基材、および下層用基材であり、それぞれの基材には、複数の流路を作製して複数のジャイロセンサが一括して得られるように、構成要素が複数設けられている。以下に詳細に説明する。
【００３８】
まず、図１６に示すように、所定の板状部材を用意し、画定された複数の単位領域１２７内に貫通部１２８および圧力センサ１１２を形成して、中間層用基材１２６を得る。図示する例においては、中間層用基材１２６の形状は円形であるが、これに限定されない。任意の形状の板状部材を用いて形成することができる。
【００３９】
貫通部１２８は、エッチング等によって単位領域１２７の所定の位置に形成することができる。圧力センサ１１２は、第１実施形態の場合と同様の手法により形成することができる。
【００４０】
こうして作製される中間層用基材１２６には、貫通部１２８と圧力センサ１１２とが複数設けられている。
【００４１】
一方、大きさおよび形状が同等の板状部材を用意し、図１７Ａに示すように、流路形成溝１２１を裏面側から複数形成して上層用基材１２０を得る。流路形成溝１２１が形成されるのは、中間層用基材１２６において画定された単位領域１２７に相当する領域内である。流路形成溝１２１は、上層用基材１２０を中間層用基材１２６に積層した際に、一端部１２１ａが貫通部１２８に達し、他端部１２１ｂが圧力センサ１１２に達する円環状となるように形成する。流路形成溝１２１は、エッチング等により形成することができる。
【００４２】
さらに、大きさおよび形状が同等の板状部材を用意し、図１７Ｂに示すように流路形成溝１２４を同様の手法により表面側から複数形成して、下層用基材１２３を得る。流路形成溝１２４が形成されるのもまた、中間層用基材１２６において画定された単位領域１２７に相当する領域内である。流路形成溝１２４は、上層用基材１２０と下層用基材１２３とを積層した際に一端部１２４ａが貫通部１２８に達し、他端部１２４ｂが圧力センサ１１２に達する円環状となるように形成する。
【００４３】
次いで、図１８に示すように、中間層用基材１２６の下に下層用基材１２３を配置し、中間層用基材１２６の上には上層用基材１２０を配置して、基材同士を接合する。上層用基材１２０は、流路形成溝１２１の一端部１２１ａが、中間層用基材１２６に設けられた貫通部１２８と、他端部１２１ｂが圧力センサ１１２と重なるように、中間層用基材１２６に接合する。同様に、下層用基材１２３は、流路形成溝１２４の一端部１２４ａが、中間層用基材１２６に設けられた貫通部１２８と、他端部１２４ｂが圧力センサ１１２と重なるように、中間用基材１２６に接合する。
【００４４】
上層用基材１２０に設けられた流路形成溝１２１と、中間層用基材１２６の表面の間に上側流路１０２ａが形成される。下層用基材１２３に設けられた流路形成溝１２４と、中間層用基材１２６の裏面の間に下側流路１０２ｂが形成される。上側流路１０２ａと下側流路１０２ｂは一端部１２１ａ、１２４ａが連通部１０４で接続され、他端部１２１ｂ、１２４ｂが圧力センサ１１２を介して接続されることにより、流路１０２が形成される。当該流路１０２に対し、媒体を充填する。
【００４５】
こうして、上層用基材１２０と下層用基材１２３とで中間層用基材１２６を挟み、接合して得られた積層体１３０には、図１９に示すように複数のジャイロセンサ１３２が形成されることとなる。これらを、例えばダイシング装置を用いて個々に切断して、本実施形態のジャイロセンサ１００が得られる。
【００４６】
（作用及び効果）
上記のように本実施形態のジャイロセンサ１００は、第１実施形態の場合と同様の構成の圧力センサ１１２を備え、同様の媒体を充填することができる。したがって、流路１０２が図１５に示す矢印方向に回転するように、ジャイロセンサ１００に動きが与えられた際には、第１実施形態の場合と同様の作用が生じて同様の効果が得られる。
【００４７】
すなわち、第１実施形態の場合と同様、ジャイロセンサ１００は、媒体の慣性力を測定する構成としたので、小型化及び感度の向上を実現することができる。また、媒体を適切に選択することによって、より小型化することができ、熱的安定性を向上することも可能である。
【００４８】
しかも、本実施形態のジャイロセンサ１００においては、流路１０２は上側流路１０２ａと下側流路１０２ｂとを含み、上側流路１０２ａと下側流路１０２ｂとは、横向きに設けられた圧力センサ１１２によって仕切られている。圧力センサ１１２が設けられた中間層１１０は、上側流路１０２ａおよび下側流路１０２ｂの一部を構成している。このような構造としたことによって、ジャイロセンサ１００を製造する際には、所定の基材を積層して、流路１０２の形成と圧力センサ１１２の配置とを同時に行うことができる。
【００４９】
積層される基材には、複数の流路が作製できるように構成要素が複数設けられているので、基材を積層して複数のジャイロセンサ１００を一括して製造することができる。一括して製造されたジャイロセンサ１００を個々に切断することにより、簡略化された方法で複数のジャイロセンサ１００を効率よく製造することが可能となった。
【００５０】
（変形例）
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更することが可能である。
【００５１】
例えば、図３に対応する構成について同様の符号を付した図２０に示すように、検知部６０は、温度補償用素子６２を備えることとしてもよい。検知部６０は、カンチレバー部２２を有し、当該カンチレバー部２２の一対のヒンジ部３４の間に温度補償用素子６２が形成されている。温度補償用素子６２は、前記カンチレバー部２２が有する温度に対する抵抗変化特性と同様の特性を有する。本変形例の場合、温度補償用素子６２は、温度変化に伴い、電気抵抗が変化する非変形型カンチレバー部、例えば温度センサであってもよい。本変形例の場合、温度補償用素子６２は、カンチレバー部２２と相似形の外形形状を有するが、ピエゾ抵抗層２７が形成されていない。温度補償用素子６２は、カンチレバー部２２との間に第２隙間６４が形成されている。第２隙間６４は、上記隙間２３と同じ幅であるのが好ましい。さらに温度補償用素子６２は、基端側が二股に分岐し一対の脚部６３、６５が形成されている。脚部６３、６５間には開口６６が形成されており、一対の脚部６３、６５はそれぞれ電極６７、６８に接続されている。電極６７、６８は、互いに電気的に切断されていると共に、カンチレバー部２２に接続された電極３３、３５と、電気的に切断されている。
【００５２】
上記のように構成された温度補償用素子６２は、検知部６０の温度に応じた信号を出力する。ジャイロセンサ１０，１００は、上記温度補償用素子６２が出力する信号を用いることにより、カンチレバー部２２の電気抵抗値に対する温度補償を行うことができる。具体的には、ジャイロセンサ１０，１００は、カンチレバー部２２で本体１４，１０３の回転に伴う電気抵抗値を測定すると共に、温度補償用素子６２で実際の温度を測定する。予め測定しておいたカンチレバー部２２の温度特性から実際の温度に対応する補償値を算出する。これによりジャイロセンサ１０，１００は、測定した電気抵抗値から補償値を除算することにより、電気抵抗値に対して温度補償をすることができる。
【００５３】
また３個のジャイロセンサ１０，１００を、本体１４，１０３が互いに直交する３方向に配置することで、３軸方向の加速度を測定することができる。
【００５４】
さらに、図１４に示す中間層１１０において、貫通部１２８に代わって圧力センサ１１２を形成してもよい。その場合、上層１０６における一端部１２１ａ、下層１０８における一端部１２４ａに対応する位置、および上層１０６における他端部１２１ｂ、下層１０８における１２４ｂに対応する位置に、それぞれ圧力センサ１１２を有することになる。ジャイロセンサ１００は、２つの圧力センサ１１２におけるカンチレバー部２２の抵抗変化率を測定することにより、圧力Ｐを計測し、これにより角加速度αを感度よく測定することができ、電気抵抗値に対する温度補償を行うこともできる。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１００    ジャイロセンサ
１２，１０２    流路
１４，１０３    本体
１６，１１２    圧力センサ
２２    カンチレバー部
２３    隙間
３７    枠体
１０４  連通部
１０６  上層
１０８  下層
１１０  中間層
６２    温度補償用素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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