(57)【要約】【課題】アンダーカットの発生を確実に抑制することができ、かつ信頼性に優れた配線基板を製造することが可能な配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】シード層形成工程では、第１シード層及び第２シード層を形成する。レジスト形成工程では、めっきレジスト２１を第２シード層の上に形成する。第２シード層除去工程では、第１のエッチング液を用いたエッチングによって第２シード層を除去する。配線パターン形成工程では、銅めっきを行って配線パターンの一部を形成する。レジスト除去工程ではめっきレジスト２１を除去する。なお、第２シード層除去工程後、第１シード層中の銅と第２シード層中の金属材料とを合金化させて合金層２４を形成する合金層形成工程が行われる。また、レジスト除去工程後、第２のエッチング液を用いたエッチングにより、合金層２４を除去する合金層除去工程が行われる。【選択図】図７
2015012271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体の基板主面に対して配線パターンを形成することにより、配線基板を製造する方法であって、
前記基板主面を被覆し、銅からなる第１シード層、及び、前記第１シード層を被覆し、銅以外の金属材料からなる第２シード層を形成するシード層形成工程と、
開口部を有するめっきレジストを前記第２シード層の上に形成するレジスト形成工程と、
前記金属材料を選択的に溶かす第１のエッチング液を用いたエッチングにより、前記開口部を介して露出した前記第２シード層を除去する第２シード層除去工程と、
前記第２シード層除去工程後、前記開口部内に銅めっきを行い、前記配線パターンの一部を形成する配線パターン形成工程と、
前記配線パターン形成工程後、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と
を含み、
前記第２シード層除去工程後、熱処理を行うことにより、前記第１シード層中の銅と前記第２シード層中の金属材料とを合金化させて合金層を形成する合金層形成工程を行い、
前記レジスト除去工程後、前記合金層を選択的に溶かす第２のエッチング液を用いたエッチングにより、前記合金層を除去する合金層除去工程を行う
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記合金層形成工程は、前記第２シード層除去工程後かつ前記配線パターン形成工程前に行われることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１のエッチング液及び前記第２のエッチング液は、同じエッチング液であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記合金層に含まれる前記金属材料の体積率は、前記合金層に含まれる前記銅の体積率よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属材料は、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記合金層除去工程後、前記配線パターンの底部に生じうるアンダーカットの前記配線パターンの側面からの深さは、３μｍ以下となることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体の基板主面に対して配線パターンを形成する配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板等にも小型化や高密度化が要求されている。その一例として、樹脂絶縁層と導体層（配線パターン）とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア基板の片面または両面に有する配線基板が従来提案されている。
【０００３】
なお、配線パターンは、例えば以下のような手順で形成することができる。まず、樹脂絶縁層の表面全体に銅めっき層（シード層）を形成する。次に、銅めっき層上に感光性を有するドライフィルムを貼付した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する。さらに、めっきレジストの開口部内に銅めっきを行って配線パターンを形成する配線パターン形成工程を行った後、剥離液を用いてめっきレジストを剥離（除去）するレジスト除去工程を行う。そして、エッチングにより、銅めっき層においてめっきレジストに覆われていた部分を除去するめっき層除去工程を行うことにより、所望形状の配線パターンとなる。
【０００４】
ところが、除去工程においては、銅めっき層の除去に伴って配線パターンの底部もエッチングされる現象（いわゆるアンダーカット）が生じる可能性がある。この場合、配線パターンと樹脂絶縁層との接触面積が小さくなり、両者の密着性が低下するため、配線パターンの剥離や断線などが生じてしまい、不良品発生率が高くなって歩留まりが低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、従来では、アンダーカットの発生を起因とする問題を解決するための技術が種々提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。具体的に言うと、特許文献１には、エッチング液を改良することにより、アンダーカットの発生を抑制する技術が提案されている。また、特許文献２には、めっきレジストの開口部内に露出したシード層（銅めっき層）上に、耐エッチング性を有する合金からなる別のシード層（合金層）を形成した状態で、配線パターン形成工程、レジスト除去工程及びめっき層除去工程を順番に行うことにより、アンダーカットの発生を抑制する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１４９９７１号公報（［００１３］等）
【特許文献２】特開２００６−２４９０２号公報（図１等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１〜３に記載の従来技術には以下の問題がある。即ち、特許文献１に記載の従来技術では、シード層においてエッチングによって除去される領域と、シード層において配線パターンの底部を構成する領域とが同じ成分（銅）からなるため、エッチング液を改良したとしても、アンダーカットの発生を十分に抑制することができないという問題がある。また、特許文献２に記載の従来技術を採用した場合には、アンダーカットの発生を抑制することができるが、合金層が隣接する配線パターン同士の絶縁性を低下させる可能性があるため、製造される配線基板の信頼性が低下するおそれがある。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、アンダーカットの発生を確実に抑制することができ、かつ信頼性に優れた配線基板を製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板本体の基板主面に対して配線パターンを形成することにより、配線基板を製造する方法であって、前記基板主面を被覆し、銅からなる第１シード層、及び、前記第１シード層を被覆し、銅以外の金属材料からなる第２シード層を形成するシード層形成工程と、開口部を有するめっきレジストを前記第２シード層の上に形成するレジスト形成工程と、前記金属材料を選択的に溶かす第１のエッチング液を用いたエッチングにより、前記開口部を介して露出した前記第２シード層を除去する第２シード層除去工程と、前記第２シード層除去工程後、前記開口部内に銅めっきを行い、前記配線パターンの一部を形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターン形成工程後、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程とを含み、前記第２シード層除去工程後、熱処理を行うことにより、前記第１シード層中の銅と前記第２シード層中の金属材料とを合金化させて合金層を形成する合金層形成工程を行い、前記レジスト除去工程後、前記合金層を選択的に溶かす第２のエッチング液を用いたエッチングにより、前記合金層を除去する合金層除去工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【００１０】
従って、手段１の配線基板の製造方法によると、シード層形成工程において形成される第１シード層には、配線パターンの底部となる領域と、配線パターンとはならずに除去される領域とが存在する。そして、第１シード層において除去される領域は、合金層形成工程において第２シード層と合金化されて合金層となった後、合金層除去工程において第２のエッチング液を用いたエッチングにより除去される。なお、第２のエッチング液は、合金層のみを選択的に溶かすものであって、配線パターンを溶かすものではないため、配線パターンでのアンダーカットの発生を確実に抑制することができる。また、合金層除去工程を行うことにより、製造される配線基板が、絶縁性低下の原因となる合金層を含まなくなるため、配線基板の信頼性を確保することができる。
【００１１】
以下、配線基板の製造方法について説明する。
【００１２】
まず、シード層形成工程を行い、配線基板（基板本体）の基板主面を被覆し、銅からなる第１シード層、及び、第１シード層を被覆し、銅以外の金属材料からなる第２シード層を形成する。
【００１３】
ここで、配線基板としては、例えば、樹脂配線基板、セラミック配線基板、ガラス配線基板、金属配線基板などが使用可能であるが、コスト面を考慮すると樹脂配線基板であることがよい。かかる樹脂配線基板の好適例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）等からなる配線基板を挙げることができる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる配線基板を使用してもよい。また、セラミック配線基板の好適例を挙げると、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、べリリア、ムライト等からなる配線基板がある。さらに、ガラス配線基板の好適例を挙げると、ホウケイ酸ガラス、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等からなる配線基板がある。また、金属配線基板の好適例としては、例えば、銅からなる配線基板、銅合金からなる配線基板、銅以外の金属単体からなる配線基板、銅以外の合金からなる配線基板などを挙げることができる。
【００１４】
なお、第２シード層を構成する金属材料は、銅と共存している場合に銅を残して選択的に除去できるものであれば特に限定される訳ではなく、例えば、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉの中から選択される少なくとも１つ、または、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｎｉ−Ｃｒの中から選択されるいずれか１つなどを挙げることができる。しかし、金属材料は、特に、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂであることがよい。このようにすれば、合金層形成工程での熱処理において、銅との合金化を低温（具体的には２５０℃以下）で行うことができるため、熱による基板本体の破損を防止することができる。
【００１５】
続くレジスト形成工程では、開口部を有するめっきレジストを第２シード層の上に形成する。めっきレジストとしては特に限定されないが、例えばアクリル系ドライフィルムを用い、その貼着後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成することが好適である。また、ドライフィルムはネガ型及びポジ型のいずれでもよいが、ここではネガ型を選択することが好適である。ネガ型は、温度が加わることで剥離性が低下するために所定の剥離液で剥離する必要があるという欠点があるものの、形状の良いパターンの形成に有利という利点があるからである。
【００１６】
続く第２シード層除去工程では、銅を溶かしにくく、金属材料を選択的に溶かす第１のエッチング液を用いたエッチングにより、開口部を介して露出した第２シード層を除去する。なお、第２シード層がＳｎまたはＳｎ−Ｐｂからなる場合、第１のエッチング液としては、硝酸系のエッチング液などが挙げられる。第２シード層がＮｉまたはＴｉからなる場合、第１のエッチング液としては、過酸化水素系のエッチング液などが挙げられる。第２シード層がＮｉ−Ｃｒからなる場合、第１のエッチング液としては、メック株式会社製  リムーバーＣＨシリーズのエッチング液などが挙げられる。
【００１７】
第２シード層除去工程後の配線パターン形成工程では、めっきレジストの開口部内に銅めっきを行い、配線パターンの一部を形成する。配線パターン形成工程後のレジスト除去工程ではめっきレジストを除去（剥離）する。めっきレジストの除去に用いられる剥離液としては特に限定されないが、例えば有機アミン系剥離液を用いることが好適である。有機アミン系剥離液に主成分として含まれる有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチレンアミン、イソプロピルアミン、イソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオールなどが挙げられる。なお、レジスト除去工程で用いる有機アミン系剥離液には、ヒドラジンやＴＭＨなどといった添加剤が若干添加されていてもよい。
【００１８】
第２シード層除去工程後の合金層形成工程では、熱処理を行うことにより、第１シード層中の銅と第２シード層中の金属材料とを合金化させて合金層を形成する。なお、合金層形成工程は、第２シード層除去工程後かつ配線パターン形成工程前に行われてもよいし、配線パターン形成工程後かつレジスト除去工程前に行われてもよいし、レジスト除去工程後かつ合金層除去工程前に行われてもよい。しかし、合金層形成工程が、第２シード層除去工程後かつ配線パターン形成工程前に行われる場合には、配線パターンが形成される前の段階で熱処理が行われるため、熱処理時の熱による配線パターンの破損を防止することができる。
【００１９】
レジスト除去工程後の合金層除去工程では、合金層を選択的に溶かす第２のエッチング液を用いたエッチングにより、合金層を除去する。なお、この時点で、配線基板が完成する。ここで、第１のエッチング液及び第２のエッチング液は、同じエッチング液であってもよいし、異なるエッチング液であってもよいが、同じエッチング液であることがよい。このようにすれば、第２シード層除去工程と合金層除去工程とで異なるエッチング液を準備しなくても済むため、配線基板の製造コストを低減させることができる。また、合金層に含まれる金属材料の体積率は、合金層に含まれる銅の体積率よりも大きくなっていることがよい。即ち、合金層には、第２のエッチング液によって溶かされやすい金属材料が、第２のエッチング液によって溶かされにくい銅よりも多く含まれることがよい。このようにすれば、合金層全体が第２のエッチング液によって溶けやすくなり、金属層除去工程での合金層の除去が短時間で終了するようになるため、配線パターンに第２のエッチング液が接触する時間がよりいっそう短くなる。従って、配線パターンが第２のエッチング液の影響を受けにくくなるため、アンダーカットをより確実に抑制することができる。
【００２０】
なお、合金層除去工程後、配線パターンの底部に生じうるアンダーカットの配線パターンの側面からの深さは、３μｍ以下となることがよい。仮に、アンダーカットの深さが３μｍよりも大きくなると、アンダーカットの発生を十分に抑制できていないため、配線パターンと基板本体との接触面積が小さくなり、両者の密着性が低下する。その結果、配線パターンの剥離や断線などが生じやすくなるため、不良品発生率が高くなって歩留まりが低下しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】配線パターンを示す要部断面図。
【図３】コア主面上及びコア裏面上に樹脂絶縁層を形成する工程を示す説明図。
【図４】シード層形成工程を示す説明図。
【図５】レジスト形成工程を示す説明図。
【図６】第２シード層除去工程を示す説明図。
【図７】合金層形成工程を示す説明図。
【図８】配線パターン形成工程を示す説明図。
【図９】レジスト除去工程を示す説明図。
【図１０】合金層除去工程を示す説明図。
【図１１】第２層の樹脂絶縁層上に第３層の樹脂絶縁層を配線パターンを覆うようにして積層配置する工程を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の配線基板１を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２３】
図１に示されるように、本実施形態の配線基板１は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１を構成する基板本体１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される主面側ビルドアップ層３１と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される裏面側ビルドアップ層３２とからなる。
【００２４】
本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなり、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００２５】
また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２及びコア裏面１３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの充填樹脂１７で埋められている。また、コア基板１１のコア主面１２には、銅からなる主面側導体層１４がパターン形成され、コア基板１１のコア裏面１３には、同じく銅からなる裏面側導体層１５がパターン形成されている。各導体層１４，１５は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。
【００２６】
図１に示されるように、主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる３層の樹脂絶縁層３３，３５，３７と、銅からなる配線パターン４１，４２，４３とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層３３，３５，３７の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には４６ｐｐｍ／℃となっている。なお、樹脂絶縁層３３，３５，３７の熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層３３，３５内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４７が設けられている。なお、第１層の樹脂絶縁層３３の上面上にある配線パターン４１の一部には、スルーホール導体１６の上端が電気的に接続されている。また、樹脂絶縁層３７の表面は、ソルダーレジスト３９によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３９の所定箇所には、配線パターン４３を露出させる開口部５０が形成されている。配線パターン４３の表面上には、複数のはんだバンプ５１が配設されている。
【００２７】
そして、各はんだバンプ５１は、ＩＣチップ（半導体集積回路素子）の面接続端子に電気的に接続されている。本実施形態のＩＣチップは、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視矩形状をなす板状物であって、熱膨張係数が３〜４ｐｐｍ／℃程度（具体的には３．５ｐｐｍ／℃程度）のシリコンからなる。
【００２８】
図１に示されるように、裏面側ビルドアップ層３２は、上述した主面側ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる３層の樹脂絶縁層３４，３６，３８と、銅からなる配線パターン４４，４５，４６とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層３４，３６，３８の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には４６ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂絶縁層３４，３６，３８の熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層３４，３６内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４８が設けられている。なお、第１層の樹脂絶縁層３４の下面上にある配線パターン４４の一部には、スルーホール導体１６の下端が電気的に接続されている。また、樹脂絶縁層３８の下面は、ソルダーレジスト４０によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト４０の所定箇所には、配線パターン４６を露出させる開口部５２が形成されている。
【００２９】
なお、図１，図２に示されるように、本実施形態の配線パターン４２，４５は、銅からなる第１シード層である無電解銅めっき層６１を底部に有している。また、配線パターン４２，４５の底部（無電解銅めっき層６１が存在する部分）には、コア基板１１側に行くに従って細くなる、逆テーパ状のアンダーカットＵ１が生じている。なお、アンダーカットＵ１の配線パターン４２，４５の側面４９からの深さＵ２は、３μｍ以下（本実施形態では１．２μｍ）である。
【００３０】
次に、本実施形態の配線基板１の製造方法を説明する。
【００３１】
まず、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層１４，１５を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらに、ドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離し、コア基板１１の中間製品を得る。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００３２】
次に、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面１２上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層３３を形成する（図３参照）。また、コア裏面１３上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層３４を形成する（図３参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００３３】
さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４７，４８が形成されるべき位置にビア孔を形成する。さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板１１及び樹脂絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。次に、樹脂絶縁層３３，３４の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後に電解銅めっきを行う。その結果、樹脂絶縁層３３，３４の表面全体に第１銅めっき層７１が形成され、貫通孔内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体４７，４８が形成される。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、充填樹脂１７を形成する（図３参照）。
【００３４】
次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行うことにより、第１銅めっき層７１の表面に第２銅めっき層７２（図３参照）を形成する。さらに、第２銅めっき層７２のエッチングを行って第２銅めっき層７２を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、樹脂絶縁層３３上の第２銅めっき層７２及び樹脂絶縁層３４上の第２銅めっき層７２に対してドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な銅めっき層７１，７２をエッチングで除去した後、ドライフィルムを剥離する。その結果、樹脂絶縁層３３上に、第１銅めっき層７１及び第２銅めっき層７２からなる配線パターン４１が形成されるとともに、樹脂絶縁層３４上に、同じく第１銅めっき層７１及び第２銅めっき層７２からなる配線パターン４４が形成される（図３参照）。このとき、樹脂絶縁層３３上の第２銅めっき層７２の一部が、スルーホール導体１６のコア主面１２側の端面を覆う蓋めっき層となり、樹脂絶縁層３４上の第２銅めっき層７２の一部が、スルーホール導体１６のコア裏面１３側の端面を覆う蓋めっき層となる。
【００３５】
次に、樹脂絶縁層３３，３４上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着して、ビア導体４７，４８が形成されるべき位置にビア孔を有する樹脂絶縁層３５，３６を形成する（図４参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４７，４８が形成されるべき位置にビア孔が形成される。
【００３６】
次に、シード層形成工程を行い、第１シード層である無電解銅めっき層６１を形成した後、銅以外の金属材料（本実施形態ではＳｎ）からなる第２シード層である電解スズめっき層６２を形成する（図４参照）。具体的に言うと、ビア孔の内側面を含む樹脂絶縁層３５，３６の表面（基板主面６０）全体に対して無電解銅めっきを行うことにより、基板主面６０を被覆する厚さ０．７μｍの無電解銅めっき層６１が形成される。さらに、無電解銅めっき層６１の表面全体に対して電解スズめっきを行うことにより、無電解銅めっき層６１を被覆する厚さ１．５μｍの電解スズめっき層６２が形成される。
【００３７】
続くレジスト形成工程では、開口部２２，２３を有するめっきレジスト２１を電解スズめっき層６２の上に形成する（図５参照）。具体的には、電解スズめっき層６２の表面に対して厚さ２０μｍのドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、幅３０μｍの第１開口部２２及び幅１５０μｍの第２開口部２３を有するめっきレジスト２１を形成する。
【００３８】
続く第２シード層除去工程では、第１のエッチング液を用いたエッチングを３０秒間行い、開口部２２，２３を介して露出した電解スズめっき層６２を除去する（図６参照）。本実施形態の第１のエッチング液（メルテックス株式会社製  メルストリップＴＬ３４００）は、銅を溶かしにくく、金属材料（スズ）を選択的に溶かす硝酸系のエッチング液である。
【００３９】
第２シード層除去工程後であって、かつ、後述する配線パターン形成工程前に行われる合金層形成工程では、熱処理を１２０℃で３時間行う。その結果、めっきレジスト２１に覆われている領域において、無電解銅めっき層６１中の銅と電解スズめっき層６２中の金属材料（Ｓｎ）とが合金化され、合金層２４となる（図７参照）。なお、合金層２４に含まれるスズ（Ｓｎ）の体積率は約６８％であり、合金層２４に含まれる銅（Ｃｕ）の体積率は約３２％である。よって、合金層２４に含まれるスズの体積率は、合金層２４に含まれる銅の体積率よりも大きくなる。
【００４０】
合金層形成工程後の配線パターン形成工程では、開口部２２，２３の内面に対する無電解銅めっきを行った後に電解銅めっきを行う。その結果、開口部２２，２３内に配線パターン４２，４５の一部（具体的には、配線パターン４２，４５において無電解銅めっき層６１を除く部分）が形成される（図８参照）。
【００４１】
配線パターン形成工程後のレジスト除去工程では、めっきレジスト２１を除去する（図９参照）。具体的には、モノエタノールアミンを主成分として含む有機アミン系剥離液（０．５重量％以上、５０℃以上）を用いて、めっきレジスト２１を剥離する。
【００４２】
レジスト除去工程後の合金層除去工程では、合金層２４を選択的に溶かす第２のエッチング液を用いたエッチングを４分間行い、合金層２４を除去する（図１０参照）。この処理により、繋がっていた配線パターン４２同士が互いに独立するとともに、同じく繋がっていた配線パターン４５同士が互いに独立する。なお、本実施形態の第２のエッチング液は、第１のエッチング液と同じエッチング液である。合金層除去工程後、配線パターン４２，４５の底部には、アンダーカットＵ１（図２参照）が生じうるようになる。
【００４３】
その後、樹脂絶縁層３５，３６上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着することにより、樹脂絶縁層３７，３８を形成する（図１１参照）。このとき、樹脂絶縁層３５上には、樹脂絶縁層３７が配線パターン４２を覆うようにして積層配置される。同様に、樹脂絶縁層３６上には、樹脂絶縁層３８が配線パターン４５を覆うようにして積層配置される。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層３７上に配線パターン４３を形成し、樹脂絶縁層３８上に配線パターン４６を形成する。
【００４４】
次に、樹脂絶縁層３７，３８上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３９，４０を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３９，４０に開口部５０，５２をパターニングする。さらに、配線パターン４３上にはんだバンプ５１を形成し、かつ、配線パターン４６上にはんだバンプ（図示略）を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１が多数個同時に得られる。
【００４５】
次に、配線基板１を構成する主面側ビルドアップ層３１の表面にＩＣチップを載置する。このとき、ＩＣチップ側の面接続端子と、はんだバンプ５１とを位置合わせするようにする。そして、２２０℃〜２４０℃程度の温度に加熱してはんだバンプ５１をリフローすることにより、はんだバンプ５１と面接続端子とを接合し、配線基板１側とＩＣチップ側とを電気的に接続する。その結果、配線基板１にＩＣチップが搭載される（図１参照）。
【００４６】
次に、配線基板の評価方法及びその結果を説明する。
【００４７】
まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態と同じ条件下で、各工程（シード層形成工程、レジスト形成工程、第２シード層除去工程、合金層形成工程、配線パターン形成工程、レジスト除去工程、合金層除去工程）を行うことによって得られた配線基板を準備し、これを実施例１とした。なお、実施例１では、合金層形成工程後かつ配線パターン形成工程前に、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）による合金層の観察（ＸＲＤ観察）を行った結果、Ｃｕ６Ｓｎ５とＳｎとが同定された。また、無電解銅めっき層（第１シード層）及び電解スズめっき層（第２シード層）の厚さをそれぞれ０．７μｍに変更した状態で、各工程を行うことによって得られた配線基板を準備し、これを実施例２とした。なお、実施例２では、合金層形成工程後かつ配線パターン形成工程前にＸＲＤ観察を行った結果、Ｃｕ６Ｓｎ５とＣｕとが同定された。また、実施例２では、第２のエッチング液を用いた合金層２４の除去に６分間を要した。一方、無電解銅めっき層による単一のシード層を形成した状態で、配線パターンを形成することによって得られた配線基板を準備し、これを比較例とした。
【００４８】
次に、各測定用サンプル（実施例１，２、比較例）に対して、配線パターンの断面観察を実施し、アンダーカットの配線パターンの側面からの深さを測定した。ここでは、実施例１，２、比較例のそれぞれにおいて、１０個の測定用サンプルに対してアンダーカットの深さを測定し、得られた測定値の平均値を算出した。そして、アンダーカットの深さの平均値が３μｍ以下であれば「合格」と判定し、３μｍよりも大きければ「不合格」と判定した。
【００４９】
その結果、比較例では、アンダーカットの深さの平均値が３．６μｍ（「不合格」）となったため、アンダーカットの抑制が不十分であることが確認された。一方、実施例１ではアンダーカットの深さの平均値が１．２μｍ（「合格」）となり、実施例２ではアンダーカットの深さの平均値が２．５μｍ（「合格」）となったため、アンダーカットが確実に抑制されることが確認された。
【００５０】
従って、第１シード層及び第２シード層を形成する工程を経て配線パターンを形成すれば、アンダーカットが確実に抑制されることが証明された。
【００５１】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５２】
（１）本実施形態の配線基板１の製造方法では、シード層形成工程において形成される無電解銅めっき層６１には、配線パターン４２，４５の底部となる領域と、配線パターン４２，４５とはならずに除去される領域とが存在する。そして、無電解銅めっき層６１において除去される領域は、合金層形成工程において電解スズめっき層６２と合金化されて合金層２４となった後、合金層除去工程において第２のエッチング液を用いたエッチングにより除去される。なお、第２のエッチング液は、合金層２４のみを選択的に溶かすものであって、配線パターン４２，４５を溶かすものではないため、配線パターン４２，４５でのアンダーカットＵ１の発生を確実に抑制することができる。ゆえに、配線パターン４２，４５でのアンダーカットＵ１の発生が抑制されることから、配線パターン４２，４５の微細化を図りやすくなる。また、合金層除去工程を行うことにより、製造される配線基板１が、絶縁性低下の原因となる合金層２４を含まなくなるため、配線基板１の信頼性を確保することができる。
【００５３】
（２）本実施形態では、合金層２４に、第２のエッチング液によって溶かされやすい金属材料（本実施形態ではスズ）が含まれているため、金属層除去工程での合金層２４の除去が短時間で終了するようになり、配線パターン４２，４５に第２のエッチング液が接触する時間も短くなる。しかも、合金層２４に含まれるスズの体積率（約６８％）は、合金層２４に含まれる銅の体積率（約３２％）よりも大きくなっている。即ち、合金層２４には、第２のエッチング液によって溶かされやすいスズが、第２のエッチング液によって溶かされにくい銅よりも多く含まれている。その結果、合金層２４が第２のエッチング液によってよりいっそう溶けやすくなり、金属層除去工程での合金層２４の除去がより短時間で終了するようになるため、配線パターン４２，４５に第２のエッチング液が接触する時間がよりいっそう短くなる。従って、配線パターン４２，４５が第２のエッチング液の影響を受けにくくなるため、アンダーカットＵ１をより確実に抑制することができる。
【００５４】
（３）特開２００６−４９８０４号公報に記載の従来技術には、エッチングによって配線パターンを形成する代わりに、溝を形成してからメタルを埋め込み、埋め込んだメタルをＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）で削る手法（いわゆるダマシンプロセス）を用いて配線パターンを形成することにより、アンダーカットの発生を抑制する技術が開示されている。しかし、この場合、ＣＭＰという特殊な研磨によってシード層を除去しなければならないため、配線基板の製造コストが嵩んでしまうという問題がある。そこで、本実施形態では、特開２００６−４９８０４号公報のように特殊な研磨を用いることなく、配線パターン４２，４５の形成後に第２のエッチング液を用いて合金層２４を選択的に除去することにより、配線パターン４２，４５に生じうるアンダーカットＵ１を抑制するようにしている。このため、ダマシンプロセスを用いる場合よりも低コストで配線パターン４２，４５を形成することができる。
【００５５】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５６】
・上記実施形態では、合金層形成工程を、第２シード層除去工程後かつ配線パターン形成工程前に行っていたが、合金層形成工程を実行するタイミングを変更してもよい。例えば、配線パターン形成工程後かつレジスト除去工程前に、合金層形成工程を実行してもよい。また、レジスト除去工程後かつ合金層除去工程前に、合金層形成工程を実行してもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、配線パターン４２，４５が銅によって形成されていたが、ニッケル（Ｎｉ）によって配線パターンを形成するようにしてもよい。この場合、シード層形成工程では、ニッケルからなる第１シード層である無電解ニッケルめっき層が形成され、合金層形成工程では、無電解ニッケルめっき層中のニッケルと電解スズめっき層中のスズとの合金化によって合金層が形成され、配線パターン形成工程では、めっきレジストの開口部内にニッケルめっきを行うことにより、配線パターンの一部が形成される。
【００５８】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５９】
（１）上記手段１において、前記第２シード層は、前記第１シード層を溶かしにくいエッチング液を用いたエッチングによる除去が可能な前記金属材料からなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６０】
（２）上記手段１において、前記第１のエッチング液のエッチングレートと前記第２のエッチング液のエッチングレートとが互いに異なることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６１】
（３）基板本体の基板主面に対して配線パターンを形成することにより、配線基板を製造する方法であって、前記基板主面を被覆し、ニッケルからなる第１シード層、及び、前記第１シード層を被覆し、ニッケル以外の金属材料からなる第２シード層を形成するシード層形成工程と、開口部を有するめっきレジストを前記第２シード層の上に形成するレジスト形成工程と、前記金属材料を選択的に溶かす第１のエッチング液を用いたエッチングにより、前記開口部を介して露出した前記第２シード層を除去する第２シード層除去工程と、前記第２シード層除去工程後、前記開口部内にニッケルめっきを行い、前記配線パターンの一部を形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターン形成工程後、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程とを含み、前記第２シード層除去工程後、熱処理を行うことにより、前記第１シード層中のニッケルと前記第２シード層中の金属材料とを合金化させて合金層を形成する合金層形成工程を行い、前記レジスト除去工程後、前記合金層を選択的に溶かす第２のエッチング液を用いたエッチングにより、前記合金層を除去する合金層除去工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００６２】
１…配線基板
１０…基板本体
２１…めっきレジスト
２２…開口部としての第１開口部
２３…開口部としての第２開口部
２４…合金層
４２，４５…配線パターン
４９…配線パターンの側面
６０…基板主面
６１…第１シード層としての無電解銅めっき層
６２…第２シード層としての電解スズめっき層
Ｕ１…アンダーカット
Ｕ２…アンダーカットの配線パターンの側面からの深さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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