(57)【要約】【課題】金属端子１８の上面の凹部１９へのボイドの形成を抑制すること。【解決手段】本発明は、第１基体１０上に形成された、上面に凹部１９を有する金属端子１８上に多孔質状の金属層４０を形成する工程と、前記多孔質状の金属層４０上に、第２基体２０下に形成された半田３０を配置し、前記半田３０を加熱することにより、前記金属端子１８と前記半田３０とを接合する工程と、を含む基体の接合方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基体上に形成された、上面に凹部を有する金属端子上に多孔質状の金属層を形成する工程と、
前記多孔質状の金属層上に、第２基体下に形成された半田を配置し、前記半田を加熱することにより、前記金属端子と前記半田とを接合する工程と、
を含むことを特徴とする基体の接合方法。
【請求項２】
前記多孔質状の金属層を形成する工程は、
前記金属端子上に多孔質状の第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上に、前記第１金属層より前記半田との合金形成速度が小さい多孔質状の第２金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載の基体の接合方法。
【請求項３】
前記金属端子は、前記第１基体上に形成された絶縁膜の開口上に前記開口を含むように形成されることを特徴とする請求項１または２記載の基体の接合方法。
【請求項４】
前記金属層を形成する工程は、前記凹部内に粒子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の基体の接合方法。
【請求項５】
前記金属層の融点は、前記半田より高いことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の基体の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体の接合方法に関し、例えば基体同士を半田を用い接合する接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基体同士を端子で電気的および機械的に接続する接合方法が知られている。基板と電子部品とを金属ナノ粒子を用い接合する方法が知られている（例えば、特許文献１）。基板の電極上に低密度電極および半田ペーストを形成し、部品に半田バンプを形成し、半田ペーストと半田バンプとを接合することにより、基板と部品とを接合する方法が知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公表第２００７／１２２９２５号
【特許文献２】特開２０１０−６７７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
金属端子と半田端子とを接合する場合に、金属端子の上面に凹部が存在すると、凹部にボイドが形成される。本基体の接合方法は、金属端子の上面の凹部へのボイドの形成を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１基体上に形成された、上面に凹部を有する金属端子上に多孔質状の金属層を形成する工程と、前記多孔質状の金属層上に、第２基体下に形成された半田を配置し、前記半田を加熱することにより、前記金属端子と前記半田とを接合する工程と、を含むことを特徴とする基体の接合方法を用いる。
【発明の効果】
【０００６】
本基体の接合方法によれば、金属端子の上面の凹部の上に形成されたはんだ中のボイドの形成を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、比較例に係る接合方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る基体の接合方法を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１における金属層の拡大図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例２における金属層の拡大図である。
【図５】図５は、実施例２における金属層の拡大図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｄ）は、実施例３に係る基板の接合方法を示す断面図（その１）である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例３に係る基板の接合方法を示す断面図（その２）である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例３に係る基板の接合方法を示す断面図（その３）である。
【図９】図９は、無電解めっき槽の模式図である。
【図１０】図１０は、電解めっき槽の模式図である。
【図１１】図１１は、実施例３から５により接合された金属端子を示す断面図である。
【図１２】図１２は、実施例６および７により接合された金属端子を示す断面図である。
【図１３】図１３は、実施例１から７の接合方法を用いた半導体装置の断面図である。
【図１４】図１４は、実施例１から７の接合方法を用いた別の半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、比較例に係る接合方法を示す断面図である。図１を参照し、基体１０上に電極１２が形成されている。基体１０上に絶縁膜１４が形成されている。電極１２上には絶縁膜１４の開口１３が形成されている。開口１３を覆うように基体１０上にシード層１６が形成されている。シード層１６上に金属端子１８が形成されている。金属端子１８の上面には、開口１３に対応する凹部１９が形成されている。基体２０上（図１では下）に金属端子２２が形成されている。金属端子２２上に半田３０が形成されている。半田３０により、金属端子１８と２２とが接合されている。
【０００９】
金属端子１８に半田３０を接合するときに、凹部１９内の空気が半田３０内から放出されないと、半田３０内にボイド５０が形成される。ボイド５０により、金属端子１８と半田３０との接合面積が小さくなってしまう。接合面積が小さくなると、接合の信頼性が劣化する。近年の半導体装置等の微細化により、金属端子１８および２２の直径が３０μｍ以下の場合がある。例えば、ボイド５０の直径が５μｍ程度の場合がある。このように、金属端子１８および２２の直径が小さくなると、ボイド５０の影響がより大きくなる。
【００１０】
以上のように、凹部１９が形成されている金属端子１８の上面に半田３０を接触させ、金属端子１８と半田３０とを接合させる場合、凹部１９内にボイドが形成されてしまう。
【実施例１】
【００１１】
図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る基体の接合方法を示す断面図である。図２（ａ）を参照し、基体１０（第１基体）上に金属端子１８を形成する。基体１０は、例えばシリコンチップ等の半導体基板、樹脂またはセラミック等の絶縁基板である。基体１０には配線および／または金属が埋め込まれた貫通ビアが形成されていてもよい。金属端子１８は、例えばＣｕ（銅）またはＷ（タングステン）等の金属を主に含む。金属端子１８の上面に凹部１９が形成されている。
【００１２】
図２（ｂ）を参照し、金属端子１８上に多孔質状（ポーラス状）の金属層４０を形成する。金属層４０は粒子および孔を有する。粒子の表面は、例えばＣｕ、Ｎｉ（ニッケル）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｇ（銀）およびＰｄ（パラジウム）の少なくとも１つを主に含む金属である。
【００１３】
図２（ｃ）を参照し、基体２０（第２基体）の下面に形成された半田３０を金属端子１８上に配置する。基体２０は、例えばシリコンチップ等の半導体基板、樹脂またはセラミック等の絶縁基板である。半田３０は、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−ＩｎまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕを主に含む。
【００１４】
図２（ｄ）を参照し、半田３０を加熱することにより、半田３０を多孔質状の金属層４０に含浸させ、金属端子１８と半田３０とを接合する。半田３０を加熱する温度は、半田３０の融点より高く、金属層４０の融点より低くする。このように、半田３０の融点は金属層４０の融点より低い。
【００１５】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１における金属層の拡大図である。図３（ａ）を参照し、金属端子１８上に金属層４０が形成されている、金属層４０においては、複数の粒子４２が結合しており、粒子４２間に孔４４が形成されている。粒子４２は、全体が金属でもよいが、中心部は絶縁体であり、周辺が金属でもよい。低抵抗化のためには、粒子４２の全体が金属であることが好ましい。金属層４０として、粒子４２の層が複数積層されている例を説明したが、粒子４２が１層でもよい。
【００１６】
図３（ｂ）を参照し、溶融された半田３０が金属層４０に接触する。半田３０が毛細管現象により孔４４内に含浸し、金属端子１８の上面に達する。凹部１９内の空気は、ボイド５２となる。ボイド５２は、毛細管現象により矢印５４のように孔４４内を移動し、半田３０の外に排出される。これにより、半田３０内のボイド５２の形成が抑制される。
【００１７】
また、凹部１９内に粒子４２を形成することにより金属層４０を形成する。これにより、比較例のように凹部１９内にボイド５０が形成されることを抑制できる。
【実施例２】
【００１８】
実施例２は、複数の金属層を形成する例である。図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例２における金属層の拡大図である。図４（ａ）を参照し、実施例１の図２（ｂ）において、金属端子１８上に金属層４０を形成する際に、金属層４０ａ（第１金属層）を形成する。金属層４０ａ上に金属層４０ｂ（第２金属層）を形成する。金属層４０ａは、粒子４２ａと孔４４ａを含む多孔質である。金属層４０ｂは、粒子４２ｂと孔４４ｂとを含む多孔質である。金属層４０ｂは、金属層４０ａより半田３０との合金形成速度が小さい。また、金属層４０が３層以上の金属層を含む場合、金属端子１８に近いほど、金属層と半田との合金形成速度が大きい。
【００１９】
図４（ｂ）を参照し、金属層４０ｂと接する半田３０が溶融すると半田３０が金属層４０ｂ内の孔４４ｂに含浸する。金属層４０ｂは半田３０との反応性が小さいため、金属層４０ｂと半田３０との間における金属間化合物の形成が抑制される。
【００２０】
図４（ｃ）を参照し、金属層４０ａと半田３０との反応性が大きいため、半田３０は、毛細管現象により金属層４０ａ内の孔４４ａにすぐに含浸する。半田３０は、金属端子１８の上面に達する。
【００２１】
図５は、実施例２における金属層の拡大図である。図５を参照し、半田３０内のボイド５２は、毛細管現象により矢印５４のように孔４４ａおよび／または４４ｂ内を移動し、半田３０の外に排出される。これにより、半田３０内のボイド５２の形成が抑制される。
【００２２】
実施例１においては、金属層４０内の孔４４が半田３０と金属との金属間化合物で覆われてしまい、半田３０が金属端子１８まで達しないことがありうる。実施例２によれば、図４（ａ）のように、金属端子１８上に多孔質状の金属層４０ａを形成する。金属層４０ａ上に、合金形成速度が小さい多孔質状の金属層４０ｂを形成する。これにより、半田３０は、金属間化合物が生成される前に、毛細管現象により孔４４ａおよび４４ｂを含浸し金属端子１８の上面に達する。よって、半田３０と金属端子１８との接合不良を抑制できる。
【実施例３】
【００２３】
実施例３は、金属層としてＣｕを含む金属層を用いる例である、図６（ａ）から図８（ｂ）は、実施例３に係る基板の接合方法を示す断面図である。図６（ａ）を参照し、基体１０上に電極１２が形成されている。基体１０は、例えばシリコン基板である。電極１２は、例えば、ＡｌまたはＡｌ合金を主に含むパッドである。電極１２は、例えば５０μｍ以下のピッチで配置されており、例えば５０μｍピッチで配置されている。電極１２の直径は、例えば３０μｍ以下であり、例えば３０μｍである。電極１２を覆うように基体１０上に絶縁膜１４を形成する。絶縁膜１４は、例えば膜厚が１μｍから５μｍ（例えば５μｍ）程度の窒化シリコン膜であり、スパッタリング法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成される。絶縁膜１４は、無機絶縁膜でもよいが、樹脂等の有機絶縁膜でもよい。
【００２４】
図６（ｂ）を参照し、絶縁膜１４にフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い開口１３を形成する。電極１２の上面が開口１３から露出する。開口１３の幅は、例えば１５μｍであり、電極１２の幅より小さい。図６（ｃ）を参照し、開口１３内および絶縁膜１４上にシード層１６を形成する。シード層１６は、例えば膜厚が２００ｎｍから８００ｎｍのＴｉ（チタン）またはＣｕ等を含む金属膜であり、スパッタリング法または無電解めっき法を用い形成される。例えば、シード層１６は、膜厚が１００ｎｍのＴｉ膜と、Ｔｉ膜上に形成された膜厚が５００μｍのＣｕ膜を含む。
【００２５】
図６（ｄ）を参照し、シード層１６上にフォトレジスト６０を塗布する。フォトレジスト６０の膜厚は、例えば５０μｍである。フォトリソグラフィ法を用いフォトレジスト６０に開口６２を形成する。開口６２の幅は、例えば３０μｍであり、開口１３の幅より大きい。
【００２６】
図７（ａ）を参照し、開口６２内に金属端子１８を形成する。金属端子１８は、例えばＣｕを主に含み、電解めっき法を用いて形成される。金属端子１８の幅は、例えば３０μｍ以下であり、例えば３０μｍである。金属端子１８の高さは、実装密度の削減の観点から直径より大きいことが好ましく、例えば３０μｍである。金属端子１８には、開口１３と同程度の幅と高さを有する凹部１９が形成される。
【００２７】
図７（ｂ）を参照し、金属端子１８の上面上に多孔質状の金属層４０を形成する。金属層４０は、Ｃｕ粒子を含む。金属層４０の膜厚は、例えば１ｎｍから１０ｎｍであり、例えば２ｎｍである。金属層４０は、無電解めっき法により形成される。
【００２８】
図９は、無電解めっき槽の模式図である。めっき槽７０内に無電解めっき液７３が溜められている。図９を参照し、めっき液７３内にウエハホルダ７４に支持されたウエハ７８を浸漬する。ウエハ７８は、例えば図７（ａ）において示した構造である。めっき液７３は、例えばポリセチレングリコール系の界面活性剤が添付されている。このようなめっき液７３を用いＣｕめっきすることにより、Ｃｕ粒子と孔を含む多孔質状の金属層４０が形成される。金属層４０を多孔質とするため界面活性剤にはエチレンオキサイドを含まないことが好ましい。Ｃｕ粒子径は例えば２μｍであり、Ｃｕ粒子同士は結合されている。金属層４０の膜厚は例えば２μｍである。この場合、金属層４０内のＣｕ粒子はほぼ１層である。
【００２９】
図７（ｃ）を参照し、フォトレジスト６０を剥離する。金属層４０および金属端子１８をマスクにシード層１６を除去する。
【００３０】
図８（ａ）を参照し、基体２０下に金属端子２２が形成され、金属端子２２の先端に半田３０が形成されている。基体２０は、例えばシリコン基板である。金属端子２２は例えばＣｕを主に含む。金属端子２２の幅は、例えば３０μｍである。金属端子２２の高さは、例えば３０μｍである。半田３０は、例えばＳｎ−１．５Ａｇを主に含む。半田３０の膜厚は、例えば１５μｍである。金属層４０および金属端子２２にフラックスを塗布する。半田３０を金属層４０上に配置する。
【００３１】
図８（ｂ）を参照し、半田３０を金属層４０に接触させる。温風リフローすることにより、半田３０を金属層４０に含浸させる。これにより、金属端子１８と半田３０とを接合する。図３（ａ）および図３（ｂ）において説明したように、ボイドが毛細管現象により半田３０の外に排出される。これにより、半田３０内のボイドの形成が抑制される。
【００３２】
実施例３によれば、図７（ａ）のように、金属端子１８は、開口１３上に開口１３を含むように形成される。このように、絶縁膜１４が開口１３を有する場合、比較例のように金属端子１８の上面に大きな凹部１９が形成されやすい。実施例３によれば、このような場合も凹部１９内に半田３０のボイドが形成されることを抑制できる。
【実施例４】
【００３３】
実施例４は、金属層としてＮｉを含む金属層を用いる例である、図６（ａ）において、電極１２は、例えば４０μｍピッチで配置されている。電極１２の幅は、例えば２０μｍである。図６（ｂ）において、開口１３の幅は、例えば１０μｍである。図６（ｄ）において、フォトレジスト６０の膜厚は、例えば３５μｍである。図７（ａ）において、金属端子１８の幅は、例えば２０μｍである。金属端子１８の高さは、例えば３０μｍである。
【００３４】
図７（ｂ）において、金属層４０は、Ｎｉ粒子を含む。図１０は、電解めっき槽の模式図である。めっき槽７０内に電解めっき液７２が溜められている。めっき液７２内にウエハホルダ７４に支持されたウエハ７８を浸漬する。ウエハ７８に対向し電極７６が設けられている。ウエハホルダ７４と電極７６には端子８０がケーブル８２を介し電気的に接続されている。端子８０には電圧が印加される。めっき液７２はスキージ８４が矢印８５のように揺動することにより攪拌される。また、めっき液７２は噴出孔８６から噴出することにより、矢印８７のように攪拌される。これにより、めっき膜厚の均一性が向上する。
【００３５】
めっき液７２内に非導電性粒子８８を混在させる。非導電性粒子８８はポリイミド等の樹脂を主に含む。非導電性粒子８８の径は、金属層４０の粒子径より小さく、例えば３μｍ以下であり、例えば１μｍである。このように、非導電性粒子８８が混在しためっき液７２を用いＮｉめっきを行なうことにより、Ｎｉ粒子と孔を含む多孔質状の金属層４０が形成される。なお、非導電性粒子８８は、Ｎｉ粒子内には金属層４０内には取り込まれない。以上により、金属端子１８上にＮｉ粒子を含む金属層４０が形成される。
【００３６】
図８（ａ）において、金属端子２２の幅は、例えば２０μｍである。金属端子２２の高さは、例えば３０μｍである。半田３０は、例えばＳｎ−１．５Ａｇを主に含む。半田３０の膜厚は、例えば１５μｍである。
【００３７】
図８（ｂ）を参照し、密閉された空間内に基体１０および２０を配置する。空間内に霧状となった蟻酸を充満させる。ホットプレート上に金属層４０と半田３０が接触した状態で配置し加熱する。これにより、金属層４０と半田３０とが接合する。これにより、実施例３と同様に、半田３０内のボイドの形成が抑制される。
【００３８】
その他の接合方法は実施例３の図６（ａ）から図８（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【実施例５】
【００３９】
実施例５は、金属層としてＡｇを含む金属層を用いる例である。図７（ｂ）において、金属層４０は、Ａｇ粒子を含む。フォトレジスト６０上にＡｇ粒子を含むペーストを塗布する。スキージすることにより、開口６２内にＡｇ粒子を配置する。加熱することにより、Ａｇ粒子同士を焼結させる。加熱温度は、例えば２００℃、加熱時間は例えば３０分である。これにより、金属端子１８上にＡｇ粒子を含む金属層４０が形成される。その他の接合方法は実施例３の図６（ａ）から図８（ｂ）と同じであり説明を省略する。実施例５においても実施例３と同様に、半田３０内のボイドの形成が抑制される。
【実施例６】
【００４０】
実施例６は、金属層として、Ｎｉ粒子を含む金属層とＣｕ粒子を含む金属層とを用いる例である。図７（ｂ）において、実施例４と同様にＮｉ粒子を含む金属層を形成する。非導電性粒子８８の径は約２μｍであり、Ｎｉ粒子径は約２μｍ、孔径は約２μｍ、Ｎｉ粒子を含む金属層の膜厚は例えば２μｍである。その後、実施例３の図７（ｂ）と同様に、Ｎｉ粒子上にＣｕ粒子を含む金属層を形成する。Ｃｕ粒子径は約２μｍ、孔径は約２μｍ、Ｃｕ粒子を含む金属層の膜厚は例えば２μｍである。図８（ｂ）において、実施例４と同様に、蟻酸雰囲気中において金属層４０と半田３０とを結合させる。
【００４１】
Ｎｉと半田との合金形成速度はＣｕと半田との合金形成速度より大きい。これにより、実施例２と同様に、半田３０と金属端子１８との接合不良を抑制できる。
【実施例７】
【００４２】
実施例７は、Ｎｉ粒子を含む金属層とＡｇ粒子を含む金属層を用いる例である。図６（ａ）において、電極１２は、例えば５０μｍピッチで配置されている。電極１２の幅は、例えば３０μｍである。図６（ｂ）において、開口１３の幅は、例えば１５μｍである。図６（ｄ）において、フォトレジスト６０の膜厚は、例えば３４μｍである。図７（ａ）において、金属端子１８の幅は、例えば３０μｍである。金属端子１８の高さは、例えば３０μｍである。図７（ｂ）において、実施例４と同様にＮｉ粒子を含む金属層を形成する。このとき、非導電性粒子８８の径は約１μｍであり、Ｎｉ粒子径は約１μｍ、孔径は約１μｍ、Ｎｉ粒子を含む金属層の膜厚は例えば２μｍである。その後、実施例５の図７（ｂ）と同様に、Ｎｉ粒子を含む金属層上にＡｇ粒子を含む金属層を形成する。Ａｇ粒子径は約１μｍ、孔径は約１μｍ、Ａｇ粒子を含む金属層の膜厚は例えば２μｍである。実施例４と同様に、蟻酸雰囲気中において金属層４０と半田３０とを結合させる。
【００４３】
Ｎｉと半田との合金形成速度はＡｇと半田との合金形成速度より大きい。これにより、実施例２と同様に、半田３０と金属端子１８との接合不良を抑制できる。
【００４４】
実施例３から７のように、金属層４０は、無電解めっきまたは電解めっき等のめっき法、または粒子を焼結することにより形成することができる。例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、ＡｇおよびＰｄの少なくとも１つを含む多孔質金属層４０を形成する場合、無電解めっき法、電解めっき法または焼結法を用いることができる。
【００４５】
図１１は、実施例３から５により接合された金属端子を示す断面図である。図１１を参照し、金属端子１８の上面に形成された凹部１９の幅Ｗ１および高さＨ１は、絶縁膜１４に形成された開口１３に対応する。開口１３は、電極１２および金属端子１８に対し数μｍ程度小さくなる。また、絶縁膜１４の膜厚は、保護膜としての機能から１μｍから５μｍである。よって、幅Ｗ１は、金属端子１８の幅Ｗ２より１μｍから１０μｍ程度小さい。高さＷ１は、１μｍから５μｍ程度である。半田３０内に形成されるボイドの大きさは半田３０の表面張力により決まるが、一般的には、直径が１μｍから数１０μｍ程度である。よって、凹部１９の幅Ｗ１が１μｍ以上かつ高さＨ１が１μｍ以上の場合、凹部１９内にボイドができ易い。
【００４６】
金属端子１８および２２の幅Ｗ２およびＷ４は、実装面積の観点から３０μｍ以下であり、５μｍ程度の場合もある。金属端子１８および２２の高さＨ２およびＨ４は、実装面積の観点から幅Ｗ２およびＷ４より大きいことが好ましい。金属層４０の膜厚Ｈ３は、凹部１９内を埋めるため凹部１９の高さＨ１より大きいことが好ましく、接合抵抗低減の観点から１０μｍ以下が好ましい。粒子４２の大きさＷ６と孔４４の大きさＷ７は同程度となる。金属端子１８の幅Ｗ２が５μｍの場合、凹部１９の幅Ｗ１は、４μｍ程度となる。よって、大きさＷ６およびＷ７は３μｍ以下が好ましい。半田３０が孔４４内を含浸するため、大きさＷ６およびＷ７は１μｍ以上が好ましい。半田３０の幅Ｗ２および高さＨ５は、金属端子１８および２２の幅および高さに応じて設定できる。
【００４７】
図１２は、実施例６および７により接合された金属端子を示す断面図である。図１２を参照し、金属層４０は、金属層４０ａおよび４０ｂを含む。金属層４０ａおよび４０ｂの膜厚Ｈ６およびＨ７の合計の厚さは、凹部１９内を埋めるため凹部１９の高さＨ１より大きいことが好ましく、接合抵抗低減の観点から１０μｍ以下が好ましい。膜厚Ｈ６およびＨ７は、例えばそれぞれ２μｍである。
【００４８】
図１３は、実施例１から７の接合方法を用いた半導体装置の断面図である。図１３を参照し、基体１０は、絶縁体を主に含む配線基板である。基体１０内には配線１１ｂおよび貫通ビア１１ａが形成されている。基体２０は、半導体基板である。その他の構成は、実施例１から７と同じであり説明を省略する。図１３のように、配線基板と半導体基板とを接合するときに実施例１から７のいずれかの接合方法を用いることができる。
【００４９】
図１４は、実施例１から７の接合方法を用いた別の半導体装置の断面図である。図１４を参照し、基体１０は、配線基板である。基体２０は、半導体基板である。複数の基体２０が実施例１から５の接合方法により接合されている。複数の基体２０は、貫通ビア２１および金属端子１８および２２および半田３０により電気的に接続されている。その他の構成は、実施例６と同じであり説明を省略する。図１４のように、複数の半導体基板を積層するときに、実施例１から７のいずれかの接合方法を用いることができる。
【００５０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５１】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）第１基体上に形成された、上面に凹部を有する金属端子上に多孔質状の金属層を形成する工程と、前記多孔質状の金属層上に、第２基体下に形成された半田を配置し、前記半田を加熱することにより、前記金属端子と前記半田とを接合する工程と、を含むことを特徴とする基体の接合方法。
（付記２）前記多孔質状の金属層を形成する工程は、前記金属端子上に多孔質状の第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層上に、前記第１金属層より前記半田との合金形成速度が小さい多孔質状の第２金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする付記１記載に基体の接合方法。
（付記３）前記金属端子は、前記第１基体上に形成された絶縁膜の開口上に前記開口を含むように形成されることを特徴とする付記１または２記載の基体の接合方法。
（付記４）前記金属層を形成する工程は、前記凹部内に粒子を形成する工程を含むことを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の基体の接合方法。
（付記５）前記金属層の融点は、前記半田より高いことを特徴とする付記１から４のいずれか一項記載の基体の接合方法。
（付記６）前記粒子を形成する工程は、めっき法を用いることを特徴とする付記４記載の基体の接合方法。
（付記７）前記粒子を形成する工程は、粒子を焼結する工程を含むことを特徴とする付記４記載の基体の接合方法。
（付記８）前記金属層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、ＡｇおよびＰｄの少なくとも１つを含むことを特徴とする付記１から７のいずれか一項記載の基体の接合方法。
【符号の説明】
【００５２】
１０、２０  基体
１２        電極
１３        開口
１４        絶縁膜
１６        シード層
１８、２２  金属端子
３０        半田
４０        金属層
４２        粒子
４４        孔
５２        ボイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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