(57)【要約】【課題】高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる希土類磁石及びその製造方法を提供する。【解決手段】希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子と、前記磁性粒子の間に介在するアモルファスシリカ粒子とを備え、前記磁性粒子に対する前記アモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上２３０％以下であり、相対密度が８５％以上である希土類磁石。前記主相の結晶粒の平均結晶粒径が５００ｎｍ以下であることが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子と、前記磁性粒子の間に介在するアモルファスシリカ粒子とを備え、
前記磁性粒子に対する前記アモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上２３０％以下であり、
相対密度が８５％以上である希土類磁石。
【請求項２】
前記主相の結晶粒の平均結晶粒径が５００ｎｍ以下である請求項１に記載の希土類磁石。
【請求項３】
前記磁性粒子のアスペクト比が１．５以上３以下である請求項１又は請求項２に記載の希土類磁石。
【請求項４】
前記希土類元素がＮｄを必須元素として含み、前記希土類−鉄系化合物がＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系化合物である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の希土類磁石。
【請求項５】
直径が１０ｍｍ超、高さが１０ｍｍ超の大きさを有する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の希土類磁石。
【請求項６】
希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子からなる磁粉を用意する磁粉準備工程と、
前記磁粉を、水素を含む雰囲気中で熱処理して水素化処理することにより、水素化粉末を得る水素化工程と、
前記水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を体積比率で０．８％以上３．４％以下混合して、混合粉末を得る混合工程と、
前記混合粉末を９８０ＭＰａ以上の成形圧力でプレス成形して、水素化粉末成形体を得る成形工程と、
前記水素化粉末成形体を、不活性雰囲気中又は減圧雰囲気中で熱処理して脱水素処理する脱水素工程と、
を備える希土類磁石の製造方法。
【請求項７】
前記脱水素処理における熱処理温度を７００℃以上８００℃以下とする請求項６に記載の希土類磁石の製造方法。
【請求項８】
前記水素化粉末の平均粒子径が５０μｍ以上５００μｍ以下である請求項６又は請求項７に記載の希土類磁石の製造方法。
【請求項９】
前記アモルファスシリカ粉末の平均粒子径が０．１μｍ以上５μｍ以下である請求項６〜請求項８のいずれか１項に記載の希土類磁石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類磁石、及び希土類磁石の製造方法に関する。特に、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる希土類磁石及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータや発電機などの用途に、希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金を用いた希土類磁石が広く使用されている。希土類磁石としては、希土類元素としてＮｄを採用し、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系化合物（例、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）を主相とするＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金を用いたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石（ネオジム磁石）が代表的である。希土類磁石の種類は、希土類−鉄系合金の磁粉をプレス成形し、これを焼結した焼結磁石や、希土類−鉄系合金の磁粉にバインダ樹脂を混合し、プレス成形して固化したボンド磁石が主流である。ネオジム磁石以外では、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系化合物（例、Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎ３）を主相とするＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系合金を用いたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系ボンド磁石が実用化されている。
【０００３】
最近では、焼結磁石やボンド磁石以外に、希土類−鉄系合金の磁粉をプレス成形した圧粉磁石が開発されている（特許文献１を参照）。特許文献１には、希土類−鉄−ホウ素系合金からなる合金粉末を水素含有雰囲気中、不均化温度以上で水素化（ＨＤ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ−Ｄｉｓｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｉｏｎ）処理して磁石用粉末を製造することが記載されている。そして、磁石用粉末を圧縮成形して粉末成形体とした後、これを不活性雰囲気中又は減圧雰囲気中、再結合温度以上で脱水素（ＤＲ：Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ−Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）処理して希土類−鉄−ホウ素系合金材を製造することが記載されている。特許文献１，２には、合金粉末を水素化処理することで成形性を高められ、水素化処理した磁石用粉末を圧縮成形することで高密度の粉末成形体（磁性部材）が得られることが記載されている。また、特許文献１には、磁石用粉末を構成する磁性粒子に絶縁被覆として、Ｓｉ−Ｏ被膜の前駆体となるシリコーン樹脂を被覆することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３６４９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
希土類磁石の磁気特性の更なる向上が望まれている。特に、高磁力と高耐熱性を実現する観点から、残留磁化Ｂｒと保磁力ｉＨｃの向上が求められている。
【０００６】
希土類磁石において、磁性相である希土類−鉄系合金（希土類−鉄系化合物）の存在割合が多い方が、残留磁化といった磁気特性が向上する点で有利である。したがって、特許文献１に記載するような、水素化処理した磁粉の粉末成形体を脱水素処理して希土類磁石を製造する場合、磁気特性の観点から、プレス成形の成形圧力を高くして粉末成形体の成形密度を高め、相対密度が高い粉末成形体（希土類磁石）を得ることが望まれる。
【０００７】
粉末成形体の密度がある程度低ければ（例えば、相対密度が８０％未満）、粒子間に空隙が存在することから、脱水素処理した際に、空隙を通って外部に水素が抜け易く、脱水素処理による再結合反応が進行し易い。しかし、粉末成形体の密度が高くなると、空隙が減ることから、水素の抜けが悪く、内部の再結合反応が進行し難い。水素が残留して、再結合反応が不完全な部分があると、十分な磁気特性が得られない。そこで、再結合反応を促進するために脱水素処理の熱処理温度を高くしたり、熱処理時間を長くしたりすることが考えられるが、その場合、主相の結晶粒の粒成長に起因して保磁力といった磁気特性が低下する虞がある。また、熱処理時間が長くなると、工業生産性の面でも好ましくない。
【０００８】
更に、粉末成形体の密度が高くなると、磁性粒子同士がくっついて閉気孔が形成され易く、水素が残留して再結合反応が不完全となる部分が残り易い問題もある。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的の１つは、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる希土類磁石を提供することにある。本発明の別の目的は、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる希土類磁石を得ることができる希土類磁石の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の希土類磁石は、希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子と、前記磁性粒子の間に介在するアモルファスシリカ粒子とを備える。そして、前記磁性粒子に対する前記アモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上２３０％以下であり、相対密度が８５％以上である。
【００１１】
本発明の希土類磁石の製造方法は、以下の磁粉準備工程と、水素化工程と、混合工程と、成形工程と、脱水素工程と、を備える。
磁粉準備工程：希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子からなる磁粉を用意する工程。
水素化工程：前記磁粉を、水素を含む雰囲気中で熱処理して水素化処理することにより、水素化粉末を得る工程。
混合工程：前記水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を体積比率で０．８％以上３．４％以下混合して、混合粉末を得る工程。
成形工程：前記混合粉末を９８０ＭＰａ以上の成形圧力でプレス成形して、水素化粉末成形体を得る工程。
脱水素工程：前記水素化粉末成形体を、不活性雰囲気中又は減圧雰囲気中で熱処理して脱水素処理する工程。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の希土類磁石は、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる。本発明の希土類磁石の製造方法は、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる希土類磁石を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明者は、水素化処理した磁粉の粉末成形体が高密度であっても、確実な脱水素処理を可能にして、磁気特性の更なる向上を図る技術について鋭意研究を重ねた。本発明者は、アモルファスシリカが水素透過能と比較的高い塑性変形性とを兼ね備えることに着目した。そして、磁粉にアモルファスシリカ粉末を添加することで、プレス成形性を低下させずに高密度の粉末成形体が得られながら、比較的低温の脱水素処理でも水素抜けが良好になり、希土類磁石の磁気特性を改善できることを見出した。以上の知見に基づいて、本発明者は本発明を完成するに至った。
【００１４】
［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１５】
（１）実施形態に係る希土類磁石は、希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子と、磁性粒子の間に介在するアモルファスシリカ粒子とを備える。そして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上２３０％以下であり、相対密度が８５％以上である。
【００１６】
アモルファスシリカは、水素ガスが透過可能な微細孔を有し、水素透過能を持つ。上記希土類磁石は、アモルファスシリカ粒子が磁性粒子の間に介在しており、脱水素処理した際にこのアモルファスシリカ粒子が水素の透過経路となり、脱水素処理時の水素の抜けが良くなる。加えて、磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在することで、磁性粒子同士の接触が抑制され、閉気孔が少なく、磁性粒子の間に微細な空隙が形成され易くなる。
【００１７】
また、アモルファスシリカは、Ｓｉ−Ｏ結合密度が低く、比較的高い塑性変形性を有する。上記希土類磁石は、アモルファスシリカ粒子がプレス成形時の成形性を阻害し難いことから、高密度化が可能である。
【００１８】
そして、上記希土類磁石は、アモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上であることで、アモルファスシリカ粒子と空隙とで三次元網目状の水素の透過経路が形成される。その結果、脱水素処理した際の外部への水素の抜けが良くなり、脱水素処理による再結合反応が促進される。そのため、再結合反応が迅速に進行し、再結合反応が不完全な部分が生じ難いことから、残留磁化や保磁力といった磁気特性が大幅に向上する。また、水素の残留が少なく、水素脆化による強度低下も起き難い。一方、アモルファスシリカ粒子の被覆率が２３０％以下であることで、アモルファスシリカ粒子が増加することによる磁性相である希土類−鉄系合金（希土類−鉄系化合物）の存在割合の低下に起因する磁気特性の低下を抑制できる。なお、被覆率は、アモルファスシリカ粒子を磁性粒子の表面に敷き詰めたとき、全表面にアモルファスシリカ粒子の層が１層形成された状態を１００％とし、２層目以上が形成された場合は１００％超の数値となる。加えて、アモルファスシリカ粒子が増加することによる成形性の低下、即ち相対密度の低下を抑制できる。上記希土類磁石は、相対密度が８５％以上であることで、磁性相の存在割合が高く、磁気特性が向上する。
【００１９】
したがって、上記希土類磁石は、高密度であっても確実な脱水素処理が可能であるため、従来に比較して、高い残留磁化と保磁力が得られる。また、比較的低温で脱水素処理すれば、主相の結晶粒の粒成長を抑制して、保磁力の更なる向上が得られる。
【００２０】
上記希土類磁石は、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる。希土類磁石の具体的な磁気特性としては、例えば、残留磁化Ｂｒ：０．７０Ｔ以上、保磁力ｉＨｃ：７９８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）以上を達成できる。
【００２１】
（２）上記希土類磁石の一形態としては、主相の結晶粒の平均結晶粒径が５００ｎｍ以下であることが挙げられる。
【００２２】
主相の結晶粒の平均結晶粒径が５００ｎｍ以下であることで、保磁力が向上し、耐熱性が向上する。
【００２３】
（３）上記希土類磁石の一形態としては、磁性粒子のアスペクト比が１．５以上３以下であることが挙げられる。
【００２４】
磁性粒子は、プレス成形によって加圧方向に圧縮され塑性変形しており、磁性粒子のアスペクト比（長軸径／短軸径）は、塑性変形度合いを表す。また、アスペクト比（塑性変形度合い）と成形密度（相対密度）とは相関関係があり、アスペクト比が高いほど、相対密度が高くなる傾向がある。磁性粒子のアスペクト比が１．５以上であることで、磁性粒子が十分に塑性変形しており、空隙が少なく、成形密度（相対密度）が高い。一方、磁性粒子のアスペクト比が３以下であることで、磁性粒子が過剰に塑性変形することによる磁性粒子同士の接触が抑制され、閉気孔が少ない。
【００２５】
（４）上記希土類磁石の一形態としては、希土類元素がＮｄを必須元素として含み、希土類−鉄系化合物がＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系化合物であることが挙げられる。
【００２６】
希土類元素がＮｄを必須元素として含み、希土類−鉄系化合物がＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系化合物（例、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）であることで、磁気特性に優れる希土類磁石（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石）が得られる。
【００２７】
（５）上記希土類磁石の一形態としては、直径が１０ｍｍ超、高さが１０ｍｍ超の大きさを有することが挙げられる。
【００２８】
一般に、磁石のサイズが大きくなるほど、脱水素処理時の水素の抜けが悪く、特に、内部の再結合反応が鈍化する。上記希土類磁石は、上述したようにアモルファスシリカ粒子によって三次元網目状の水素の透過経路が形成され、脱水素処理時の水素の抜けが改善されることから、サイズが大きくても、再結合反応が迅速に進行し、再結合反応が不完全な部分が生じ難い。そのため、例えば、直径が１０ｍｍ超、高さが１０ｍｍ超の大きさを有する希土類磁石であっても、従来に比較して、高い残留磁化と保磁力が得られる。
【００２９】
上記実施形態に係る希土類磁石は、以下の実施形態に係る希土類磁石の製造方法により製造することができる。
【００３０】
（６）実施形態に係る希土類磁石の製造方法は、以下の磁粉準備工程と、水素化工程と、混合工程と、成形工程と、脱水素工程と、を備える。
磁粉準備工程：希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子からなる磁粉を用意する工程。
水素化工程：磁粉を、水素を含む雰囲気中で熱処理して水素化処理することにより、水素化粉末を得る工程。
混合工程：水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を体積比率で０．８％以上３．４％以下混合して、混合粉末を得る工程。
成形工程：混合粉末を９８０ＭＰａ以上の成形圧力でプレス成形して、水素化粉末成形体を得る工程。
脱水素工程：水素化粉末成形体を、不活性雰囲気中又は減圧雰囲気中で熱処理して脱水素処理する工程。
【００３１】
上記希土類磁石の製造方法によれば、アモルファスシリカ粉末を混合した水素化粉末成形体に対して脱水素処理することで、脱水素処理時の水素の抜けを改善することができ、脱水素処理による再結合反応を促進することができる。その結果、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる希土類磁石を得ることができる。
【００３２】
磁粉を水素化処理した水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を混合することで、磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在した水素化粉末成形体を得ることができる。そして、このアモルファスシリカ粒子が脱水素処理した際に水素の透過経路となり、脱水素処理時の水素の抜けが良くなる。加えて、磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在することで、磁性粒子同士の接触が抑制され、閉気孔が少なくなる。また、アモルファスシリカ粒子は、プレス成形時の成形性を阻害し難いことから、高密度の水素化粉末成形体（希土類磁石）を得ることができる。
【００３３】
アモルファスシリカ粉末を体積比率で０．８％以上とすることで、水素化粉末成形体中、アモルファスシリカ粒子と空隙によって三次元網目状の水素の透過経路を形成することができる。その結果、脱水素処理した際の外部への水素の抜けが良くなり、脱水素処理による再結合反応が促進されるため、再結合反応が迅速に進行し、再結合反応が不完全な部分が生じ難くなる。よって、希土類磁石の残留磁化や保磁力といった磁気特性が大幅に向上する。また、水素の残留が少なく、水素脆化による強度低下も招き難い。一方、アモルファスシリカ粉末を体積比率で３．４％以下とすることで、アモルファスシリカ粒子が増加することによる磁性相の存在割合の低下に起因する磁気特性の低下を抑制したり、成形性の低下を抑制できる。プレス成形における成形圧力を９８０ＭＰａ以上とすることで、水素化粉末成形体の成形密度（相対密度）を高められ、磁性相の存在割合が多い希土類磁石が得られることから、磁気特性が向上する。
【００３４】
したがって、上記希土類磁石の製造方法は、脱水素処理時の水素の抜けを改善できることから、高密度であっても確実な脱水素処理が可能であり、従来に比較して、残留磁化や保磁力といった磁気特性を高めることができる。また、比較的低温で脱水素処理すれば、主相の結晶粒の粒成長を抑制でき、保磁力の更なる向上が得られる。
【００３５】
更に、上記希土類磁石の製造方法によれば、水素化処理した磁粉（水素化粉末）をプレス成形した後、その粉末成形体（水素化粉末成形体）を脱水素処理することで、高密度の粉末成形体を得ることができる。したがって、磁性相である希土類−鉄系合金（希土類−鉄系化合物）の存在割合が多い希土類磁石が得られ、磁気特性の向上を図ることができる。また、水素化処理により希土類−鉄系化合物を水素化分解した後、脱水素処理により希土類−鉄系化合物に再結合させることで、希土類−鉄系化合物（主相）の結晶粒を微細化できる。主相の結晶粒を微細化することで、保磁力を高めることができ、耐熱性の点でも優れる。
【００３６】
（７）上記希土類磁石の製造方法の一形態としては、脱水素処理における熱処理温度を７００℃以上８００℃以下とすることが挙げられる。
【００３７】
脱水素処理における熱処理温度を７００℃以上とすることで、脱水素処理による再結合反応が活性化することにより、再結合反応がより促進され、脱水素処理の熱処理時間を短縮できる。熱処理時間を短縮することで、主相の結晶粒の粒成長を抑制できる。一方、熱処理温度を８００℃以下とすることで、主相の結晶粒の粒成長を抑制して、脱水素処理後の結晶粒が微細化した状態を維持できる。
【００３８】
（８）上記希土類磁石の製造方法の一形態としては、水素化粉末の平均粒子径が５０μｍ以上５００μｍ以下であることが挙げられる。
【００３９】
水素化粉末の平均粒子径が５０μｍ以上５００μｍ以下であることで、プレス成形し易く、相対密度が高い水素化粉末成形体（希土類磁石）を得易い。また、水素化粉末の平均粒子径が５０μｍ以上であると、磁性粒子の酸化を抑制し易い。一方、水素化粉末の平均粒子径が５００μｍ以下であると、磁性粒子の全体に亘って、主相結晶粒の水素化処理による不均化反応や脱水素処理による再結合反応が生じ易くなる。
【００４０】
（９）上記希土類磁石の製造方法の一形態としては、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径が０．１μｍ以上５μｍ以下であることが挙げられる。
【００４１】
アモルファスシリカ粉末の平均粒子径が０．１μｍ以上５μｍ以下であることで、アモルファスシリカ粒子が均一に分散し易く、アモルファスシリカ粒子によって上述した三次元網目状の水素の透過経路が形成され易い。また、アモルファスシリカ粉末は水素化粉末よりも小さい方が、アモルファスシリカ粒子が磁性粒子の表面に存在して磁性粒子の間に介在し易く、上述した三次元網目状の水素の透過経路が形成され易く好ましい。水素化粉末とアモルファスシリカ粉末の平均粒子径の比は、例えば１／１０以下が好ましい。
【００４２】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る希土類磁石及びその製造方法の具体例を説明する。なお、本発明は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。以下では、まず、希土類磁石の製造方法について説明し、次いで、希土類磁石について説明する。
【００４３】
＜希土類磁石の製造方法＞
希土類磁石の製造方法は、磁粉準備工程と、水素化工程と、混合工程と、成形工程と、脱水素工程と、を備える。以下、各工程について詳しく説明する。
【００４４】
（磁粉準備工程）
磁粉準備工程は、希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子からなる磁粉を用意する工程である。
【００４５】
〈希土類−鉄系合金〉
希土類−鉄系合金は、代表的には、主成分として希土類元素とＦｅとＢ又はＣとを含有し、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系化合物（例、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）を主相とするＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金や、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ系化合物（例、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｃ）を主相とするＮｄ−Ｆｅ−Ｃ系合金が挙げられる。
【００４６】
希土類元素は、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド及びアクチノイドから選択される少なくとも１種の元素である。中でも、希土類元素として、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｂ及びＹから選択される少なくとも１種の元素を含むと、磁気特性に優れる希土類磁石が得られて好ましい。特に、原料コスト及び磁気特性の観点から、希土類元素がＮｄを必須元素として含み、主相の希土類−鉄系化合物がＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系化合物（例、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）であることが好ましい。Ｎｄを必須元素として含む場合は、Ｎｄ単独であってもよく、Ｎｄの一部をＰｒ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｔｂ及びＹなどの元素で置換してもよい。この場合、希土類元素におけるＮｄの割合は５０質量％以上であることが好ましい。
【００４７】
希土類元素の含有量は、１０質量％以上４０質量％未満であることが好ましい。希土類元素としてＮｄを単独で含有する場合、Ｎｄの含有量は、例えば２５質量％以上（更に２８質量％以上）３５質量％以下とすることが挙げられる。Ｎｄの含有量が上記範囲内であることで、化学量論組成がＮｄ２Ｆｅ１４Ｂなどの希土類−鉄系化合物（希土類−鉄系合金）が得られ、希土類−鉄系化合物の主相の結晶粒界に、主相よりも希土類元素の濃度が高い粒界相が存在する組織が得られる。また、合金組成を上記希土類−鉄系化合物（主相）の化学量論組成よりも希土類元素に富む組成にすると、主相の結晶粒界に希土類リッチの粒界相が多く生成され易い。
【００４８】
Ｆｅは、希土類元素と化合物を形成し、希土類−鉄系化合物の主相を形成する元素である。Ｆｅ単独であってもよく、Ｆｅの一部を別の遷移金属元素で置換してもよい。Ｆｅの一部を置換する遷移金属元素としては、例えばＣｏ、Ｔｉ及びＮｉから選択される少なくとも１種の元素が挙げられる。Ｆｅの一部をＣｏで置換すると、磁気特性を一層高められる。Ｆｅの一部をＣｏで置換する場合、Ｃｏの含有量は６質量％以下であることが好ましく、そうすることで飽和磁化Ｊｓや残留磁化Ｂｒの低下を抑制できる。
【００４９】
希土類元素及びＦｅ以外の元素としては、例えばＢ又はＣが挙げられる。その他、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｍｎ及びＮｂから選択される少なくとも１種の金属元素が挙げられる。Ｂ又はＣを含有する場合、これら元素の含有量は、例えば０．５質量％以上１．５質量％以下とすることが挙げられる。希土類−鉄系合金は、不可避不純物の含有を許容する。
【００５０】
希土類−鉄系合金は、例えばストリップキャスト法やメルトスパン法などの急冷凝固法により製造することができ、これを粉砕することで希土類−鉄系合金の磁性粒子からなる磁粉を得ることができる。磁粉（磁性粒子）の粒子径は、例えば５μｍ〜５ｍｍの範囲内で適宜調整することが挙げられる。磁粉の平均粒子径は、磁性粒子の酸化を抑制したり、磁性粒子の全体に亘って主相結晶粒の水素化処理による不均化反応を生じ易くしたりする観点から、５０μｍ以上５００μｍ以下、更に１００μｍ以上３００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００５１】
（水素化工程）
水素化工程は、上記磁粉を、水素を含む雰囲気中で熱処理して水素化処理することにより、水素化粉末を得る工程である。上記磁粉を水素化処理することにより、不均化反応が生じて、主相の希土類−鉄系化合物が希土類元素の水素化合物の相とＦｅを含有する鉄含有物の相に相分解される。つまり、水素化処理した磁粉（水素化粉末）の磁性粒子は、希土類元素の水素化合物の相と、Ｆｅを含有する鉄含有物の相とを含む組織を有する。希土類元素の水素化合物としては、ＮｄＨ２などが挙げられる。Ｆｅを含有する鉄含有物には、純鉄（Ｆｅ）とＦｅ２Ｂなどの鉄化合物との双方を含み、Ｆｅを含有する鉄含有物としては、Ｆｅ、Ｆｅ２Ｂ、Ｆｅ２Ｃなどの鉄化合物などが挙げられる。水素化粉末は、相分解前の希土類−鉄系化合物や希土類元素の水素化合物の相に比較して柔らかい鉄含有物の相が存在することから、プレス成形したときに磁性粒子が塑性変形し易く成形性を高められるため、後工程の成形工程においてプレス成形が容易になる。特に、純Ｆｅは変形し易く、Ｆｅ含有物の相としてＦｅ相が存在すると、成形性が一層向上し、後工程の成形工程において水素化粉末成形体の高密度化を図り易い。
【００５２】
水素化処理する際の雰囲気は、水素を含む雰囲気とする。例えば、Ｈ２ガス雰囲気、又はＨ２ガスとＡｒやＮ２などの不活性ガスとの混合ガス雰囲気とすることが挙げられる。また、水素化処理する際の雰囲気圧力は、大気圧とすることができる。水素化処理における熱処理温度は、希土類−鉄系化合物（主相）の不均化反応が生じる不均化温度以上とし、例えば、６００℃以上（更に６５０℃以上）１１００℃以下、好ましくは７００℃以上（更に７５０℃以上）９５０℃以下（更に９００℃以下）とすることが挙げられる。希土類元素の水素化合物の相と鉄含有物の相の存在形態は、主に熱処理温度に依存する。熱処理温度を不均化温度近傍に設定すると、希土類元素の水素化合物の相と鉄含有物の相とが積層構造となっている層状形態が得られる。熱処理温度を不均化温度＋１００℃以上といった高めに設定すると、鉄含有物の相中に粒状の希土類元素の水素化合物の相が分散して存在する分散形態が得られる。分散形態は、希土類元素の水素化合物の相の周囲に鉄含有物の相が均一的に存在することで、層状形態よりも成形性をより高められる。
【００５３】
そのため、円筒状や円柱状、ポット形状といった複雑形状の粉末成形体（希土類磁石）や、相対密度が８０％以上、更に８５％以上、９０％以上といった高密度の粉末成形体（希土類磁石）が得られ易い。また、熱処理温度を高くすると、Ｆｅ相のマトリックス化が進行するため、成形性を高められるが、高過ぎると、溶融固着などの不具合が起きる上、後で脱水素処理による主相結晶粒の再結合が困難になるため、熱処理温度の上限は１１００℃とすることが好ましい。特に、熱処理温度を９５０℃以下にすると、微細な組織となり、保磁力が高い希土類磁石が得られ易い。水素化処理における熱処理時間は０．５時間以上５時間以下とすることが挙げられる。
【００５４】
水素化粉末を構成する磁性粒子は、１０体積％以上４０体積％未満の希土類元素の水素化合物の相と、残部がＦｅを含有する鉄含有物の相とからなる組織を有することが好ましい。希土類元素の水素化合物の相を除く残部が実質的に鉄含有物の相であり、この鉄含有物の相を主成分（６０体積％以上９０体積％以下）とすることで、水素化粉末の成形性を高められる。更に、希土類元素の水素化合物の相と鉄含有物の相とが隣接して存在しており、かつ鉄含有物の相を介して隣り合う希土類元素の水素化合物の相の間隔が３μｍ以下であることが好ましい。このように鉄含有物の相が希土類元素の水素化合物の相間に存在し、両相が特定の間隔で存在する組織は、両相が均一的に存在する組織であるため、プレス成形したときに均一的に塑性変形し易い。
【００５５】
上記間隔の測定は、例えば、断面をエッチングして鉄含有物の相を除去して希土類元素の水素化合物の相を抽出したり、又は溶液の種類によっては希土類元素の水素化合物の相を除去して鉄含有物の相を抽出したり、若しくは断面をＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）により組成分析することで測定できる。上記間隔が３μm以下であると、後で脱水素処理により、希土類元素の水素化合物の相と鉄含有物の相とが元の希土類−鉄系化合物に再結合する際に、過度なエネルギーを投入しなくて済む上、希土類−鉄系化合物（主相）の結晶粒の粒成長による磁気特性の低下を抑制できる。希土類元素の水素化合物の相間に鉄含有物の相が十分に存在するためには、上記間隔は０．５μm以上、更に１μm以上が好ましい。上記間隔は、例えば、希土類−鉄系合金の組成を調整したり、水素化処理の条件、特に熱処理温度を調整することで制御できる。例えば、希土類−鉄系合金において鉄の比率（原子比）を多くしたり、上記温度範囲内で熱処理温度を高くしたりすると、上記間隔が大きくなる傾向がある。
【００５６】
磁粉を水素化処理した後、水素化粉末を適宜粉砕してもよい。水素化粉末の平均粒子径は、磁性粒子の酸化を抑制したり、磁性粒子の全体に亘って主相結晶粒の脱水素処理による再結合反応を生じ易くしたり、プレス成形のし易さの観点から、５０μｍ以上５００μｍ以下、更に１００μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。
【００５７】
（混合工程）
混合工程は、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を体積比率で０．８％以上３．４％以下混合して、混合粉末を得る工程である。アモルファスシリカ粉末は、アモルファスシリカ粒子からなる。アモルファスシリカ粉末を体積比率で０．８％以上とすることで、後工程の成形工程において、磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在した水素化粉末成形体を得ることができる。そして、水素化粉末成形体中、アモルファスシリカ粒子と空隙によって三次元網目状の水素の透過経路を形成することができる。一方、アモルファスシリカ粉末を体積比率で３．４％以下とすることで、アモルファスシリカ粒子が増加することによる磁性相（磁性粒子）の存在割合の低下に起因する磁気特性の低下を抑制したり、成形性の低下を抑制できる。
【００５８】
アモルファスシリカ粉末（アモルファスシリカ粒子）の平均粒子径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。アモルファスシリカ粉末の平均粒子径が上記範囲を満たすことで、アモルファスシリカ粒子が均一に分散し易く、上述した三次元網目状の水素の透過経路が形成され易い。アモルファスシリカ粉末の平均粒子径が５μｍ以下であると、成形性が向上したり、後述する磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率が向上する傾向がある。より好ましいアモルファスシリカ粉末の平均粒子径は、例えば０．５μｍ以上１μｍ以下である。また、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径は水素化粉末の平均粒子径よりも小さい方が好ましく、そうすることで、アモルファスシリカ粒子が磁性粒子の表面に存在して磁性粒子の間に介在し易く、上述した三次元網目状の水素の透過経路が形成され易く好ましい。水素化粉末とアモルファスシリカ粉末の平均粒子径の比は、例えば１／１０以下が好ましく、１／２００以下がより好ましい。
【００５９】
この例では、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を混合して混合粉末を得る場合を説明したが、磁粉とアモルファスシリカ粉末とを混合した後、水素化処理して混合粉末を得ることも可能である。ただし、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を混合した方が、水素化処理における熱処理によるアモルファスシリカ粒子の結晶化を抑制できる点で好ましい。
【００６０】
（成形工程）
成形工程は、混合粉末を９８０ＭＰａ以上の成形圧力でプレス成形して、水素化粉末成形体を得る工程である。水素化粉末をプレス成形することにより、高密度の粉末成形体が得られる。プレス成形における成形圧力を９８０ＭＰａ（１０ｔｏｎ／ｃｍ２）以上とすることで、水素化粉末成形体の成形密度（相対密度）を高められ、磁性相（磁性粒子）の存在割合が多い水素化粉末成形体（希土類磁石）が得られることから、磁気特性が向上する。プレス成形における成形圧力は、例えば９８０ＭＰａ超、１１００ＭＰａ以上、更に１２００ＭＰａ以上、１３００ＭＰａ以上とすることが好ましく、また、水素化粉末成形体の相対密度は、例えば８０％以上、更に８５％以上、９０％以上とすることが挙げられる。プレス成形における成形圧力は、例えば１９６０ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ２）とすることが好ましい。成形圧力を高めるほど、磁性粒子が塑性変形して、相対密度の高い水素化粉末成形体（希土類磁石）が得られ易いが、成形圧力を高め過ぎると、磁性粒子が過剰に塑性変形することによる磁性粒子同士の接触が多くなり、磁性粒子同士の接触による閉気孔が形成され易くなる。また、水素化粉末の磁性粒子が過剰に塑性変形すると、後で脱水素処理による主相結晶粒の再結合が困難になる。ここでいう「相対密度」とは、水素化粉末（磁性粒子）とアモルファスシリカ粉末（アモルファスシリカ粒子）の体積比率と、希土類−鉄系合金とアモルファスシリカのそれぞれの比重（密度）とから水素化粉末成形体の真密度（理論密度）を求め、水素化粉末成形体の実際の密度（実測密度）と真密度との比（［実測密度／真密度］×１００）で表される。上記体積比率は、水素化成形体の断面における磁性粒子とアモルファスシリカ粒子の面積比率を代用してもよい。希土類磁石の相対密度も同様にして求めることができる。その他、プレス成形する際に成形用金型を適宜加熱することで、混合粉末の塑性変形を促進することができ、高密度の水素化粉末成形体が得られ易い。
【００６１】
ここで、水素化粉末における磁性粒子の表面をアモルファスシリカ被膜でコーティングすることも考えられるが、その場合は、磁性粒子の塑性変形がアモルファスシリカ被膜によって規制される。つまり、磁性粒子における鉄含有物の相よりもアモルファスシリカは塑性変形性に劣ることから、アモルファスシリカ被膜が磁性粒子の塑性変形を阻害して、成形性の低下を招く。これに対し、水素化粉末にアモルファスシリカ粒子を混合してプレス成形すれば、例え磁性粒子の表面をアモルファスシリカ粒子が覆っていても、個々のアモルファスシリカ粒子が塑性変形したり、磁性粒子の変形に追従して移動することが可能である。そのため、磁性粒子の塑性変形がアモルファスシリカ粒子によって規制されることが少なく、アモルファスシリカ被膜に比べて、成形性の低下を招き難い。
【００６２】
希土類−鉄系合金の磁性粒子からなる磁粉を水素化処理した水素化粉末は、水素化処理による不均化反応によって主相の希土類−鉄系化合物が相分解し、希土類元素の水素化合物の相と、Ｆｅを含有する鉄含有物の相とを含む磁性粒子からなる。そして、水素化粉末とアモルファスシリカ粉末との混合粉末をプレス成形した水素化粉末成形体は、上記磁性粒子と、上記磁性粒子の間に介在するアモルファスシリカ粒子とを備える。混合粉末におけるアモルファスシリカ粉末の体積比率を０．８％以上３．４％以下とすることで、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率を４０％以上２３０％以下とすることができる。
【００６３】
ここでいう「被覆率」は、次のように求める。水素化粉末成形体を加圧方向（高さ方向）に沿って中心を通るように切断した断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で組織観察すると共にエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）により組成分析する。１視野に磁性粒子が３０個以上入るように視野を設定し、１視野中の「磁性粒子の平均表面積」及び「アモルファスシリカ粒子の平均被覆面積」を測定する。「磁性粒子の平均表面積」は、各磁性粒子の等面積円相当径を測定し、その平均値を半径とする球の表面積として換算する。「アモルファスシリカ粒子の平均被覆面積」は、各アモルファスシリカ粒子の被覆面積を測定し、その平均値とする。更に、視野中における「磁性粒子の平均体積」及び「アモルファスシリカ粒子の平均体積」を測定する。「磁性粒子の平均体積」は、各磁性粒子の上記等面積円相当径の平均値を半径とする球の体積として換算する。「アモルファスシリカ粒子の平均体積」は、各アモルファスシリカ粒子の等面積円相当径を測定し、その平均値を半径とする球の表面積として換算する。また、視野中における磁性粒子とアモルファスシリカ粒子の面積比率と、磁性粒子（希土類−鉄系合金）とアモルファスシリカ粒子のそれぞれの比重とから「アモルファスシリカ粒子の質量比率」を求める。磁性粒子及びアモルファスシリカ粒子の比重は、分析した組成から求めることができる。まず、［「磁性粒子（希土類−鉄系合金）の比重」×「磁性粒子の平均体積」×「アモルファスシリカ粒子の質量比率」］／［「アモルファスシリカ粒子の比重」×「アモルファスシリカ粒子の平均体積」］として算出した値を「アモルファスシリカ粒子個数」と定義する。そして、［「アモルファスシリカ粒子の平均被覆面積」×「アモルファスシリカ粒子個数」／「磁性粒子の平均表面積」］×１００として算出した値を「被覆率」と定義する。希土類磁石における磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率も同様にして求めることができる。
【００６４】
混合粉末におけるアモルファスシリカ粉末の体積比率を０．８％以上として磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率を４０％以上することで、水素化粉末成形体中、アモルファスシリカ粒子と空隙とで三次元網目状の水素の透過経路を形成することができる。一方、アモルファスシリカ粉末の体積比率を３．４％以下としてアモルファスシリカ粒子の被覆率を２３０％以下とすることで、アモルファスシリカ粒子が増加することによる磁性相（磁性粒子）の存在割合の低下や、成形性の低下を抑制できる。アモルファスシリカ粒子の被覆率は、例えば４０％以上１９０％以下が好ましい。
【００６５】
（脱水素工程）
脱水素工程は、水素化粉末成形体を、不活性雰囲気中又は減圧雰囲気中で熱処理して脱水素処理する工程である。水素化粉末成形体を脱水素処理することにより、相分解した希土類−鉄系化合物を再結合すると共に主相の結晶粒を微細化する。具体的には、主相の結晶粒の平均結晶粒径をサブミクロンオーダー（１μｍ未満）に微細化できる。
【００６６】
ここで、水素化粉末成形体は、上述したように、磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在しており、アモルファスシリカ粒子によって三次元網目状の水素の透過経路が形成されている。そのため、脱水素処理した際の外部への水素の抜けが良くなり、脱水素処理による再結合反応が促進されることから、再結合反応が迅速に進行し、再結合反応が不完全な部分が生じ難くなる。その結果、希土類磁石の残留磁化や保磁力といった磁気特性が大幅に向上する。また、水素の残留が少なく、水素脆化による強度低下も起き難い。したがって、脱水素処理時の水素の抜けを改善できることから、水素化粉末成形体が高密度（相対密度が８０％以上、更に８５％以上）であっても確実な脱水素処理が可能である。よって、脱水素処理における熱処理温度を低くしたり、熱処理時間を短くしても、脱水素処理を確実に行うことが可能である。比較的低温又は短時間で脱水素処理すれば、主相の結晶粒の粒成長を抑制でき、保磁力の更なる向上が得られる。更に、例えば直径が１０ｍｍ超、高さが１０ｍｍ超の大きさを有するサイズの大きい水素化粉末成形体に対しても、脱水素処理を確実に行うことが可能である。
【００６７】
脱水素処理する際の雰囲気は、不活性雰囲気又は減圧雰囲気とする。例えば、ＡｒやＮ２などの不活性ガス雰囲気、又は真空度が１０Ｐａ以下の真空雰囲気とすることが挙げられる。より好ましい真空雰囲気の真空度は、１Ｐａ以下、更には０．１Ｐａ以下である。特に、減圧雰囲気（真空雰囲気）中で脱水素処理した場合、再結合反応が進行し易く、希土類元素の水素化合物が残存し難い。脱水素処理における熱処理温度は、希土類−鉄系化合物（主相）の再結合反応が生じる再結合温度以上とし、例えば、６００℃以上、更に６５０℃以上、７００℃以上とすることが挙げられる。熱処理温度の上限は、１０００℃以下とすることが挙げられる。脱水素処理における熱処理温度を高くするほど、再結合反応が活性化することで、再結合反応が促進され、脱水素処理の熱処理時間を短縮できるが、主相の結晶粒の粒成長が起こり易くなる。例えば、熱処理温度を８５０℃以下とすると、主相の結晶粒の平均結晶粒径を５００ｎｍ以下に微細化し易く、８００℃以下とすると、主相の結晶粒の平均結晶粒径を４００ｎｍ以下に微細化し易い。また、熱処理温度を９００℃以下とすると、水素化粉末成形体中のアモルファスシリカ粒子の結晶化を抑制し易い。脱水素処理における熱処理時間は、例えば１０分以上１０時間以下とすることが挙げられる。
【００６８】
脱水素処理における熱処理温度は、７００℃以上８００℃以下とすることが好ましい。熱処理温度を７００℃以上とすることで、脱水素処理による再結合反応が活性化することにより、再結合反応がより促進され、脱水素処理の熱処理時間を短縮できる。熱処理時間を短縮することで、主相の結晶粒の粒成長を抑制できる。一方、熱処理温度を８００℃以下とすることで、主相の結晶粒の粒成長を抑制して、脱水素処理後の結晶粒が微細化した状態を維持できる。脱水素処理における熱処理時間は、５時間以下が好ましく、更に３時間以下、２時間以下がより好ましい。
【００６９】
水素化粉末成形体中のアモルファスシリカ粒子は、脱水素処理における熱処理温度や熱処理時間によって少なくとも一部が結晶化することがある。アモルファスシリカ粒子の結晶化した部分は、水素透過能を持たないが、アモルファスシリカ粒子は脱水素処理時の水素透過経路として機能すればよいから、脱水素処理が完了していれば、アモルファスシリカ粒子が結晶化していても問題ない。
【００７０】
以上説明した希土類磁石の製造方法によって、希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子と、磁性粒子の間に介在するアモルファスシリカ粒子とを備える希土類磁石を製造することができる。
【００７１】
＜希土類磁石＞
次に、希土類磁石について説明する。
【００７２】
希土類磁石は、希土類元素とＦｅとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子と、磁性粒子の間に介在するアモルファスシリカ粒子とを備える。そして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上２３０％以下であり、相対密度が８５％以上である。
【００７３】
希土類磁石は、アモルファスシリカ粒子が磁性粒子の間に介在しており、脱水素処理した際にこのアモルファスシリカ粒子が水素の透過経路となり、脱水素処理時の水素の抜けが良くなる。加えて、磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在することで、磁性粒子同士の接触が抑制され、閉気孔が少なく、磁性粒子の間に微細な空隙が形成され易くなる。また、アモルファスシリカ粒子がプレス成形時の成形性を阻害し難いことから、高密度化が可能である。
【００７４】
（アモルファスシリカ粒子の被覆率）
アモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上であることで、アモルファスシリカ粒子と空隙とで三次元網目状の水素の透過経路が形成される。その結果、脱水素処理した際の外部への水素の抜けが良くなり、脱水素処理による再結合反応が促進される。そのため、再結合反応が迅速に進行し、再結合反応が不完全な部分が生じ難いことから、残留磁化や保磁力といった磁気特性が大幅に向上する。また、水素の残留が少なく、水素脆化による強度低下も起き難い。一方、アモルファスシリカ粒子の被覆率が２３０％以下であることで、アモルファスシリカ粒子が増加することによる磁性相（磁性粒子）の存在割合の低下に起因する磁気特性の低下を抑制できる。加えて、アモルファスシリカ粒子が増加することによる成形性の低下を抑制できる。アモルファスシリカ粒子の被覆率が１００％未満の場合は、相対密度が８０％以上であれば、残留磁化や保磁力といった磁気特性の向上効果が得られることがある。一方、アモルファスシリカ粒子の被覆率が１００％以上の場合は、磁性粒子表面におけるアモルファスシリカ粒子の接触面積が増え、磁性粒子同士の接触がほとんどなくなる。また、アモルファスシリカは酸素や窒素を透過しないため、耐環境性が向上する。アモルファスシリカ粒子の被覆率は、例えば４０％以上１９０％以下が好ましい。
【００７５】
アモルファスシリカ粒子の被覆率は、例えば、上述した水素化粉末成形体の原料に用いる混合粉末におけるアモルファスシリカ粉末の体積比率や、水素化粉末に対するアモルファスシリカ粉末の平均粒子径を変更することによって、調整できる。具体的には、アモルファスシリカ粉末の体積比率を多くしたり、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径を小さくすると、アモルファスシリカ粒子の被覆率が向上する傾向がある。
【００７６】
（相対密度）
また、希土類磁石の相対密度が８５％以上であることで、磁性相の存在割合が高く、磁気特性が向上する。希土類磁石の相対密度は、主に、上述した水素化粉末成形体の相対密度によって決まり、脱水素処理における熱処理温度や熱処理時間によって多少変化する。熱処理温度が高かったり、熱処理時間が長くなると、焼き締め効果によって、水素化粉末成形体よりも希土類磁石の相対密度が向上する傾向がある。
【００７７】
上述したように、希土類磁石は、アモルファスシリカ粒子によって三次元網目状の水素の透過経路が形成され、脱水素処理時の水素の抜けが改善されることから、高密度であっても確実な脱水素処理が可能である。したがって、従来に比較して、高い残留磁化と保磁力が得られる。また、比較的低温で脱水素処理すれば、主相の結晶粒の粒成長を抑制して、保磁力の更なる向上が得られる。
【００７８】
希土類磁石中のアモルファスシリカ粒子は、脱水素処理における熱処理温度や熱処理時間によって一部が結晶化していることがある。アモルファスシリカ粒子の結晶化した部分は、水素透過能を持たないことから、希土類磁石におけるアモルファスシリカ粒子の非晶質率は、例えば７０％以上であることが好ましい。希土類磁石におけるアモルファスシリカ粒子の非晶質率が７０％以上であれば、脱水素処理時の水素透過経路としてアモルファスシリカ粒子が十分機能していたと考えられる。アモルファスシリカ粒子の非晶質率は、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、Ｘ線回折パターンのピーク部強度とハロー部（基底部分）強度との比から、非晶質の部分と結晶質の部分とを分離し、予め準備した全体が結晶質及び非晶質である標準試料のＸ線回折パターンとの強度比較によって求めることができる。
【００７９】
（主相の結晶粒の平均結晶粒径）
主相の結晶粒の平均結晶粒径が５００ｎｍ以下であることが好ましい。主相の結晶粒が５００ｎｍ以下に微細化されていると、保磁力が向上し、耐熱性が向上する。
【００８０】
（磁性粒子のアスペクト比）
磁性粒子のアスペクト比が１．５以上３以下であることが好ましい。磁性粒子は、プレス成形によって加圧方向に圧縮され塑性変形しており、磁性粒子のアスペクト比（長軸径／短軸径）は、塑性変形度合いを表す。また、アスペクト比（塑性変形度合い）と成形密度（相対密度）とは相関関係があり、アスペクト比が高いほど、相対密度が高くなる傾向がある。磁性粒子のアスペクト比が１．５以上であることで、磁性粒子が十分に塑性変形しており、空隙が少なく、成形密度（相対密度）が高い。一方、磁性粒子のアスペクト比が３以下であることで、磁性粒子が過剰に塑性変形することによる磁性粒子同士の接触が抑制され、閉気孔が少ない。磁性粒子のアスペクト比は、例えば２．５以上２．８以下がより好ましい。
【００８１】
（希土類磁石のサイズ）
従来、磁石のサイズが大きくなるほど、脱水素処理時の水素の抜けが悪く、特に、内部の再結合反応が鈍化することから、磁気特性に優れる希土類磁石を得ることは難しかった。上述したように、希土類磁石は、アモルファスシリカ粒子によって三次元網目状の水素の透過経路が形成され、脱水素処理時の水素の抜けが改善されることから、サイズが大きくても、再結合反応が迅速に進行し、再結合反応が不完全な部分が生じ難い。そのため、例えば、直径が１０ｍｍ超、高さが１０ｍｍ超の大きさを有する希土類磁石であっても、従来に比較して、高い残留磁化と保磁力が得られる。磁石のサイズは、例えば直径を１２ｍｍ以上、更に１４ｍｍ以上、１５ｍｍ以上、高さを１２ｍｍ以上、更に１４ｍｍ以上、１５ｍｍ以上とすることも可能である。ここでいう「直径」は、磁石横断面（高さ方向と直交する方向に切断した断面）の内接円の直径を意味する。
【００８２】
（磁気特性）
希土類磁石は、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる。希土類磁石の具体的な磁気特性としては、例えば、残留磁化Ｂｒ：０．７０Ｔ以上、保磁力ｉＨｃ：７９８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）以上を達成できる。より好ましくは、残留磁化が０．７２Ｔ以上、更に０．７４以上であり、保磁力が８７８ｋＡ／ｍ（１１ｋＯｅ）以上、更に９５７ｋＡ／ｍ（１２ｋＯｅ）以上である。
【００８３】
［実施例１］
３２質量％Ｎｄ−５質量％Ｃｏ−１質量％Ｂ−残部がＦｅ及び不可避的不純物からなる組成を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金の磁性粒子からなる磁粉と、平均粒子径が１μｍのアモルファスシリカ粒子からなるアモルファスシリカ粉末とを用意した。
【００８４】
磁粉は、次のようにして作製した。上記組成を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金をストリップキャスト法により溶解・鋳造し、厚さ３００μｍ程度の合金薄片を製造した。そして、このＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金を粉砕した後、篩にかけて、粒子径が５００μｍ以下の磁粉を作製した。このＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金の比重（密度）は７．５ｇ／ｃｍ３である。
【００８５】
上記Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金の磁粉を、Ｈ２ガス（１００体積％）雰囲気中、８５０℃×２時間の熱処理をして水素化処理することにより、水素化粉末を得た。この水素化粉末をＡｒ雰囲気中で粉砕して、平均粒子径が２００μｍの水素化粉末を作製した。
【００８６】
上記水素化粉末に、０．０５質量％の割合でストレートシリコーン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、ＸＣ−Ｂ０４４６）を添加した後、上記アモルファスシリカ粉末を質量比率を変えて混合して、原料となる混合粉末を得た。ストレートシリコーンを添加して水素化粉末を処理することで、水素化粉末を構成する磁性粒子の表面にアモルファスシリカ粒子が付着する。アモルファスシリカの比重（密度）は２ｇ／ｃｍ３である。
【００８７】
上記混合粉末を、油圧プレス装置を用い、成形圧力を変えてプレス成形して、円柱状の水素化粉末成形体を得た。また、プレス成形は、水素化粉末成形体の直径を１０ｍｍ、１４ｍｍ及び２０ｍｍに変えて行い、水素化粉末成形体の高さは１５ｍｍとした。プレス成形における成形圧力は、９８０ＭＰａ（１０ｔｏｎ／ｃｍ２）及び１３７２ＭＰａ（１４ｔｏｎ／ｃｍ２）とした。なお、プレス成形は、Ｎ２ガス雰囲気（Ｏ２濃度：２０００ｐｐｍ以下）中、室温で行った。
【００８８】
上記水素化成形体を、真空雰囲気（到達真空度：０．５Ｐａ未満）中、温度を変えて１．５時間の熱処理をして脱水素処理した。このとき、昇温は、Ｈ２ガス（１００体積％）雰囲気中で行い、その後、真空雰囲気に切り換えた。脱水素処理における熱処理温度は、７７５℃及び８２５℃とした。
【００８９】
以上のようにして、製造条件（プレス成形における成形圧力、脱水素処理における熱処理温度、水素化粉末成形体のサイズ）を変えた希土類磁石の試料を製造した。
【００９０】
（試験例１：試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２）
試験例１では、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を質量比率で０．２５質量％混合した混合粉末を準備した。この混合粉末を原料Ａとし、この原料Ａの混合粉末における水素化粉末の平均粒子径及び比重、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径及び比重、並びに、アモルファスシリカ粉末の質量比率と、質量比率から換算した体積比率を表１に示す。水素化粉末の比重は、上記Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金の比重（７．５ｇ／ｃｍ３）と同等である。そして、この混合粉末（原料Ａ）を用い、製造条件を変えて表３に示す試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２を製造した。
【００９１】
試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２について、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率及び相対密度を求めた。
【００９２】
試料の軸中心を通る高さ方向に沿って切断した断面において、断面の幅方向中心線上で高さ方向の中央位置を観察視野に設定して、ＳＥＭで組織観察した。つまり、観察視野の位置は、直径が１０ｍｍの場合は、側面から５ｍｍの距離、直径が１４ｍｍの場合は、側面から７ｍｍの距離、直径が２０ｍｍの場合は、側面から１０ｍｍの距離の位置である。また、観察視野の大きさは、磁性粒子が３０個以上入るように設定した。その結果、いずれの試料も、磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在していた。
【００９３】
アモルファスシリカ粒子の被覆率は、次のようにして求める。まず、上記観察視野から、上述した「磁性粒子の平均表面積」、「磁性粒子の平均体積」、「アモルファスシリカ粒子の平均被覆面積」、「アモルファスシリカ粒子の平均体積」］を測定する。次に、［「磁性粒子（希土類−鉄系合金）の比重」×「磁性粒子の平均体積」×「アモルファスシリカ粒子の質量比率」］／［「アモルファスシリカ粒子の比重」×「アモルファスシリカ粒子の平均体積」］を算出して、「アモルファスシリカ粒子個数」を求める。そして、［「アモルファスシリカ粒子の平均被覆面積」×「アモルファスシリカ粒子個数」／「磁性粒子の平均表面積」］×１００を算出して、「被覆率」を求める。但し、この例では、上記測定方法の代用として、次の方法で求めた被覆率を用いた。水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を混合した混合粉末（原料）を冷間硬化樹脂に包埋し、その断面をＣＰ（Ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工した観察用試料を作製した。観察用試料の断面をＳＥＭで観察し、水素化粉末を構成する個々の磁性粒子について、断面の等面積円相当径（Ｄ）を測定すると共に、断面の表面上に付着するアモルファスシリカ粒子の個数（Ｎ）を求める。そして、アモルファスシリカ粒子の平均粒子径をｄとするとき、［Ｎ×ｄ／（πＤ）］を被覆率の代替として算出し、３０個以上の各磁性粒子について算出した被覆率の平均値を求めた。その結果を表３に示す。
【００９４】
相対密度は、次のようにして求めた。まず、上記観察視野中の磁性粒子とアモルファスシリカ粒子の面積比率を測定し、磁性粒子及びアモルファスシリカ粒子のそれぞれの比重と測定した面積比率とから、「真密度（理論密度）」を算出した。そして、希土類磁石の「実測密度」を測定し、［「実測密度」／「真密度」］×１００を算出して、「相対密度」を求める。その結果を表３に示す。
【００９５】
更に、試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２について、主相結晶粒の平均結晶粒径及び磁性粒子のアスペクト比を求めた。
【００９６】
主相結晶粒の平均結晶粒径は、結晶粒が確認できるように上記観察視野の倍率を変えて、磁性粒子に含まれる主相結晶粒の等面積円相当径を測定し、その平均値とした。その結果、脱水素処理における熱処理温度を７７５℃とした試料では、主相結晶粒の平均結晶粒径が３５０ｎｍ以下であり、熱処理温度を８２５℃とした試料では、平均結晶粒径が５００ｎｍ以下であった。
【００９７】
一方、磁性粒子のアスペクト比は、次のようにして求めた。まず、上記観察視野から各磁性粒子の長軸径と短軸径を測定し、長軸径の平均値（平均長軸径）と短軸径の平均値（平均短軸径）を算出する。そして、［「平均長軸径」／「平均短軸径」］×１００を算出して、「アスペクト比」を求める。その結果、プレス成形における成形圧力を９８０ＭＰａ（１０ｔｏｎ／ｃｍ２）とした試料では、磁性粒子のアスペクト比が２以上２．５以下の範囲であり、成形圧力を１３７２ＭＰａ（１４ｔｏｎ／ｃｍ２）とした試料では、アスペクト比が２．５以上２．８以下の範囲であった。
【００９８】
試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２について、３９７９ｋＡ／ｍ（５０ｋＯｅ）の磁界を印加して着磁し、磁気特性を評価した。具体的には、ＢＨトレーサ（理研電子株式会社製ＤＣＢＨトレーサ）を用いてＢ−Ｈ曲線を測定し、飽和磁化Ｊｓ及び残留磁化Ｂｒを求めた。但し、飽和磁化Ｊｓは、１９８９ｋＡ／ｍ（２５ｋＯｅ）の磁界を印加したときの値である。着磁方向（磁界の印加方向）は、磁場熱処理における変動磁界の印加方向と同じにした。その結果を表３に示す。
【００９９】
（試験例２：試料Ｎｏ．２−１〜Ｎｏ．２−１２）
試験例２では、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を質量比率で１質量％混合した混合粉末を準備した。この混合粉末を原料Ｂとし、この原料Ｂの混合粉末における水素化粉末の平均粒子径及び比重、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径及び比重、並びに、アモルファスシリカ粉末の質量比率と、質量比率から換算した体積比率を表１に示す。そして、この混合粉末（原料Ｂ）を用い、製造条件を変えて表３に示す試料Ｎｏ．２−１〜Ｎｏ．２−１２を製造した。試験例１と同様にして、これら試料の断面をＳＥＭで組織観察したところ、いずれの試料も磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在していた。
【０１００】
試料Ｎｏ．２−１〜Ｎｏ．２−１２について、試験例１と同様にして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率及び相対密度を求めた。その結果を表３に示す。また、主相結晶粒の平均結晶粒径及び磁性粒子のアスペクト比についても、試験例１と同様にして求めた。その結果、熱処理温度を７７５℃とした試料では、主相結晶粒の平均結晶粒径が３５０ｎｍ以下であり、熱処理温度を８２５℃とした試料では、平均結晶粒径が５００ｎｍ以下であった。一方、成形圧力を９８０ＭＰａ（１０ｔｏｎ／ｃｍ２）とした試料では、磁性粒子のアスペクト比が２以上２．５以下の範囲であり、成形圧力を１３７２ＭＰａ（１４ｔｏｎ／ｃｍ２）とした試料では、アスペクト比が２．５以上２．８以下の範囲であった。
【０１０１】
試料Ｎｏ．２−１〜Ｎｏ．２−１２について、試験例１と同様にして、磁気特性を評価した。その結果を表３に示す。
【０１０２】
（試験例３：試料Ｎｏ．３−１〜Ｎｏ．３−１２）
試験例３では、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を質量比率で０．２質量％混合した混合粉末を準備した。この混合粉末を原料Ｃとし、この原料Ｃの混合粉末における水素化粉末の平均粒子径及び比重、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径及び比重、並びに、アモルファスシリカ粉末の質量比率と、質量比率から換算した体積比率を表１に示す。そして、この混合粉末（原料Ｃ）を用い、製造条件を変えて表４に示す試料Ｎｏ．３−１〜Ｎｏ．３−１２を製造した。試験例１と同様にして、これら試料の断面をＳＥＭで組織観察したところ、いずれの試料も磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在していた。
【０１０３】
試料Ｎｏ．３−１〜Ｎｏ．３−１２について、試験例１と同様にして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率及び相対密度を求めた。その結果を表４に示す。また、試料Ｎｏ．３−１〜Ｎｏ．３−１２について、試験例１と同様にして、磁気特性を評価した。その結果を表４に示す。
【０１０４】
（試験例４：試料Ｎｏ．４−１〜Ｎｏ．４−１２）
試験例４では、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を質量比率で１．２５質量％混合した混合粉末を準備した。この混合粉末を原料Ｄとし、この原料Ｄの混合粉末における水素化粉末の平均粒子径及び比重、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径及び比重、並びに、アモルファスシリカ粉末の質量比率と、質量比率から換算した体積比率を表１に示す。そして、この混合粉末（原料Ｄ）を用い、製造条件を変えて表４に示す試料Ｎｏ．４−１〜Ｎｏ．４−１２を製造した。試験例１と同様にして、これら試料の断面をＳＥＭで組織観察したところ、いずれの試料も磁性粒子の間にアモルファスシリカ粒子が介在していた。
【０１０５】
試料Ｎｏ．４−１〜Ｎｏ．４−１２について、試験例１と同様にして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率及び相対密度を求めた。その結果を表４に示す。また、試料Ｎｏ．４−１〜Ｎｏ．４−１２について、試験例１と同様にして、磁気特性を評価した。その結果を表４に示す。
【０１０６】
（試験例５：試料Ｎｏ．５−１〜Ｎｏ．５−１２）
試験例５では、アモルファスシリカ粉末を混合せずに、水素化粉末のみを用い、製造条件を変えて表５に示す試料Ｎｏ．５−１〜Ｎｏ．５−１２を製造した。
【０１０７】
試料Ｎｏ．５−１〜Ｎｏ．５−１２について、試験例１と同様にして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率及び相対密度を求めた。その結果を表５に示す。また、試料Ｎｏ．５−１〜Ｎｏ．５−１２について、試験例１と同様にして、磁気特性を評価した。その結果を表５に示す。
【０１０８】
（試験例６：試料Ｎｏ．６−１〜Ｎｏ．６−１２）
試験例６では、アモルファスシリカ粉末に変えて、平均粒子径が１μｍの結晶シリカ粒子からなる結晶シリカ粉末を用意し、水素化粉末に結晶シリカ粉末を質量比率で０．２５質量％混合した混合粉末を準備した。この混合粉末を原料Ｘとし、この原料Ｘの混合粉末における水素化粉末の平均粒子径及び比重、結晶シリカ粉末の平均粒子径及び比重、並びに、結晶シリカ粉末の質量比率と、質量比率から換算した体積比率を表２に示す。そして、この混合粉末（原料Ｘ）を用い、製造条件を変えて表５に示す試料Ｎｏ．６−１〜Ｎｏ．６−１２を製造した。試験例１と同様にして、これら試料の断面をＳＥＭで組織観察したところ、いずれの試料も磁性粒子の間に結晶シリカ粒子が介在していた。
【０１０９】
試料Ｎｏ．６−１〜Ｎｏ．６−１２について、試験例１と同様にして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率及び相対密度を求めた。その結果を表５に示す。また、試料Ｎｏ．６−１〜Ｎｏ．６−１２について、試験例１と同様にして、磁気特性を評価した。その結果を表５に示す。
【０１１０】
【表１】
2015135855.tif 000002
【０１１１】
【表２】
2015135855.tif 000003
【０１１２】
【表３】
2015135855.tif 000004
【０１１３】
【表４】
2015135855.tif 000005
【０１１４】
【表５】
2015135855.tif 000006
【０１１５】
アモルファスシリカ粉末を混合していない表５に示す試料Ｎｏ．５−１〜Ｎｏ．５−１２の比較結果から、脱水素処理における熱処理温度が低い方が、残留磁化が低下していることが分かる。特に、プレス成形における成形圧力を高くして、相対密度が高い試料（例えば、試料Ｎｏ．５−３、Ｎｏ．５−４、Ｎｏ．５−７、Ｎｏ．５−８、Ｎｏ．５−１１、Ｎｏ．５−１２）では、保磁力が大幅に低下している。更に、直径が１４ｍｍ以上のサイズが大きい試料ほど、保磁力の低下が大きい。これは、脱水素処理時の水素の抜けが悪く、内部の再結合反応が十分に進行せず、再結合反応が不完全な部分が多く残っていることが原因と考えられる。
【０１１６】
アモルファスシリカ粉末を混合した表３に示す試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２及び試料Ｎｏ．２−１〜Ｎｏ．２−１２と、試料Ｎｏ．５−１〜Ｎｏ．５−１２との比較結果から、同じ製造条件で比較した場合、試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２及び試料Ｎｏ．２−１〜Ｎｏ．２−１２の方が、全体的に残留磁化と保磁力が向上していることが分かる。特に、相対密度が８５％以上の高い試料（試料Ｎｏ．１−３、Ｎｏ．１−４、Ｎｏ．１−７、Ｎｏ．１−８、Ｎｏ．１−１１、Ｎｏ．１−１２及び試料Ｎｏ．２−３、Ｎｏ．２−４、Ｎｏ．２−７、Ｎｏ．２−８、Ｎｏ．２−１１、Ｎｏ．２−１２）では、残留磁化と保磁力が大幅に向上している。更に、直径が１４ｍｍ以上のサイズが大きい試料（試料Ｎｏ．１−７、Ｎｏ．１−８、Ｎｏ．１−１１、Ｎｏ．１−１２及び試料Ｎｏ．２−７、Ｎｏ．２−８、Ｎｏ．２−１１、Ｎｏ．２−１２）であっても、高い残留磁化と保磁力が得られている。これは、アモルファスシリカ粒子によって水素の透過経路が形成され、脱水素処理時の水素の抜けが改善された結果、再結合反応が促進されることにより、確実な脱水素処理が可能になったものと推測される。
【０１１７】
中でも、脱水素処理における熱処理温度が低い試料（試料Ｎｏ．１−７、Ｎｏ．１−１１及び試料Ｎｏ．２−７、Ｎｏ．２−１１）では、保磁力がより一層向上していることが分かる。これは、熱処理温度が低いことで、主相結晶粒の粒成長が抑制され、保持力が向上したものと考えられる。
【０１１８】
次に、試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２と、表４に示す試料Ｎｏ．３−１〜Ｎｏ．３−１２との比較結果から、アモルファスシリカ粉末を体積比率で０．８％以上混合し、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上の場合に、残留磁化や保磁力といった磁気特性の向上効果が十分に得られることが分かる。更に、表４に示す試料Ｎｏ．４−１〜Ｎｏ．４−１２の結果から、アモルファスシリカ粉末（アモルファスシリカ粒子）が増加し過ぎると、相対密度が低下し、特に残留磁化の低下が顕著になる。したがって、混合するアモルファスシリカ粉末の体積比率を３．４％以下とし、アモルファスシリカ粒子の被覆率が２３０％以下であることが好ましいと考えられる。
【０１１９】
次に、試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２と、結晶シリカ粉末を混合した表５に示す試料Ｎｏ．６−１〜Ｎｏ．６−１２との比較結果から、結晶シリカ粒子では、残留磁化や保磁力といった磁気特性の向上効果が十分に得られないことが分かる。これは、結晶シリカは水素透過能を持たないため、結晶シリカ粒子が脱水素処理時の水素透過経路として機能せず、脱水素処理時の水素の抜けを改善できないことが原因と考えられる。また、結晶シリカはＳｉ−Ｏ結合密度が高く、塑性変形性に劣ることから、成形性を阻害し、相対密度を高くすることが難しい。
【０１２０】
（試験例７：試料Ｎｏ．７−１〜Ｎｏ．７−４）
試験例７では、平均粒子径が０．５μｍのアモルファスシリカ粉末を用意し、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を質量比率で０．２５質量％混合した混合粉末を準備した。この混合粉末を原料Ｅとし、この原料Ｅの混合粉末における水素化粉末の平均粒子径及び比重、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径及び比重、並びに、アモルファスシリカ粉末の質量比率と、質量比率から換算した体積比率を表６に示す。そして、この混合粉末（原料Ｅ）を用い、製造条件を変えて表７に示す試料Ｎｏ．７−１〜Ｎｏ．７−４を製造した。
【０１２１】
（試験例８：試料Ｎｏ．８−１〜Ｎｏ．８−４）
試験例８では、平均粒子径が１．２μｍのアモルファスシリカ粉末を用意し、水素化粉末にアモルファスシリカ粉末を質量比率で０．２５質量％混合した混合粉末を準備した。この混合粉末を原料Ｆとし、この原料Ｆの混合粉末における水素化粉末の平均粒子径及び比重、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径及び比重、並びに、アモルファスシリカ粉末の質量比率と、質量比率から換算した体積比率を表６に示す。そして、この混合粉末（原料Ｆ）を用い、製造条件を変えて表７に示す試料Ｎｏ．８−１〜Ｎｏ．８−４を製造した。
【０１２２】
試料Ｎｏ．７−１〜Ｎｏ．７−４及び試料Ｎｏ．８−１〜Ｎｏ．８−４について、試験例１と同様にして、磁性粒子に対するアモルファスシリカ粒子の被覆率及び相対密度を求めた。その結果を表７に示す。また、試料Ｎｏ．７−１〜Ｎｏ．７−４及び試料Ｎｏ．８−１〜Ｎｏ．８−４について、試験例１と同様にして、磁気特性を評価した。その結果を表７に示す。
【０１２３】
【表６】
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【０１２４】
【表７】
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【０１２５】
表３に示す試料Ｎｏ．１−１〜Ｎｏ．１−１２と、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径を変えた表７に示す試料Ｎｏ．７−１〜Ｎｏ．７−４及び試料Ｎｏ．８−１〜Ｎｏ．８−４との比較結果から、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径を小さくしても、残留磁化や保磁力といった磁気特性の向上効果が十分に得られることが分かる。また、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径が小さいほど、アモルファスシリカ粒子の被覆率が向上する傾向が見られる。一方、アモルファスシリカ粉末の平均粒子径を大きくすると、アモルファスシリカ粒子の被覆率が低下したり、成形性が低下して相対密度が低下する傾向が見られる。
【０１２６】
［付記］
以上説明した本発明の実施形態に関連して、更に以下の付記を開示する。
【０１２７】
（付記１）
希土類磁石の素材に用いられる粉末成形体であって、
希土類元素の水素化合物の相と、Ｆｅを含有する鉄含有物の相とを含む磁性粒子からなる水素化粉末に、アモルファスシリカ粒子からなるアモルファスシリカ粉末を混合してプレス成形してなり、
前記磁性粒子に対する前記アモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上２３０％以下であり、
相対密度が８５％以上である粉末成形体。
【０１２８】
付記１の粉末成形体は、上述した実施形態に係る希土類磁石の製造方法のところで説明した水素化粉末成形体のことである。この粉末成形体は、アモルファスシリカ粒子が磁性粒子の間に介在しており、脱水素処理した際にこのアモルファスシリカ粒子が水素の透過経路となり、脱水素処理時の水素の抜けが良くなる。そして、アモルファスシリカ粒子の被覆率が４０％以上であることで、アモルファスシリカ粒子と空隙によって三次元網目状の水素の透過経路が形成される。その結果、脱水素処理した際の外部への水素の抜けが良くなり、脱水素処理による再結合反応が促進される。そのため、再結合反応が迅速に進行し、再結合反応が不完全な部分が生じ難いことから、残留磁化や保磁力といった磁気特性が大幅に向上する。また、水素の残留が少なく、水素脆化による強度低下も起き難い。一方、アモルファスシリカ粒子の被覆率が２３０％以下であることで、アモルファスシリカ粒子が増加することによる磁性相（磁性粒子）の存在割合の低下に起因する磁気特性の低下を抑制できる。加えて、アモルファスシリカ粒子が増加することによる成形性の低下、即ち相対密度の低下を抑制できる。上記粉末成形体は、相対密度が８５％以上であることで、磁性相の存在割合が高く、磁気特性が向上する。
【０１２９】
したがって、脱水素処理時の水素の抜けを改善できることから、水素化粉末成形体が高密度（相対密度が８０％以上、更に８５％以上）であっても確実な脱水素処理が可能である。よって、脱水素処理における熱処理温度を低くしたり、熱処理時間を短くしても、脱水素処理を確実に行うことが可能である。比較的低温又は短時間で脱水素処理すれば、主相の結晶粒の粒成長を抑制でき、保磁力の更なる向上が。更に、例えば直径が１０ｍｍ超、高さが１０ｍｍ超の大きさを有するサイズの大きい水素化粉末成形体に対しても、脱水素処理を確実に行うことが可能である。上記粉末成形体を希土類磁石の素材に用い、この粉末成形体に脱水素処理を適宜施すことで、上述した実施形態に係る希土類磁石のところで説明したような、高い残留磁化と保磁力を有し、磁気特性に優れる希土類磁石が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明の希土類磁石は、モータや発電機など、高い残留磁化と保磁力が求められる用途に好適に利用可能である。本発明の希土類磁石の製造方法は、特に相対密度が高く、サイズが大きい希土類圧粉磁石の製造に好適に利用可能である。