(57)【要約】【課題】２つのコイルのインダクタンス値の違いが小さく、コモンモードインピーダンスの大きなコモンモードノイズフィルタを得ること。【解決手段】第１〜第６の絶縁層１１〜１６、第１〜第４の導体２１〜２４を備え、第１及び第２の導体２１、２２が逆方向コイルを構成し、第３及び第４の導体２３、２４が順方向コイルを構成し、第１及び第６の絶縁層１１、１６が磁性体からなり、第２〜第５の絶縁層１２〜１５が非磁性体からなるコモンモードノイズフィルタ。【選択図】図１
2015012167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上面に設けられた第１の導体と、
前記第１の導体の上面に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面に設けられかつ前記第１の導体に接続されてこの第１の導体とともに第１のコイルを構成する渦巻状の第２の導体と、
前記第２の導体の上面に設けられた第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上面に設けられた渦巻状の第３の導体と、
前記第３の導体の上面に設けられた第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層の上面に設けられかつ前記第３の導体に接続されてこの第３の導体とともに第２のコイルを構成する第４の導体と、
前記第４の導体の上面に設けられた第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層の上面に設けられた第６の絶縁層と、
前記第１〜第４の導体の各々の一端部にそれぞれ接続された第１〜第４の端子とを備え、
前記第１の導体は渦巻状の第２の導体の巻方向に対して、少なくとも一部は逆方向に向かうように接続されていて、
前記第４の導体は渦巻状の第３の導体の巻方向に対して、少なくとも一部は順方向に向かうように接続されていて、
前記第１及び第６の絶縁層は磁性体からなり、前記第２〜第５の絶縁層は非磁性体からなり、
前記第１〜第６の絶縁層は樹脂を含有しない、
コモンモードノイズフィルタ。
【請求項２】
前記第１の導体が前記第２の導体と接続する部分へ向かう方向と、前記接続する部分から第２の導体が延びる方向と、のなす角度が１２０°以上であり１８０°より小さい請求項１記載のコモンモードノイズフィルタ。
【請求項３】
前記第４の導体が前記第３の導体と接続する部分へ向かう方向と、前記接続する部分から第３の導体が延びる方向と、のなす角度が０°より大きく６０°以下である請求項１又は２記載のコモンモードノイズフィルタ。
【請求項４】
前記第１及び第６の絶縁層がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトからなり、前記第３〜第５の絶縁層がＺｎ−Ｃｕフェライトからなる請求項１〜３のいずれか１項に記載のコモンモードノイズフィルタ。
【請求項５】
前記第１及び第６の絶縁層がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトからなり、前記第３〜第５の絶縁層が誘電体材料からなる請求項１〜３のいずれか１項に記載のコモンモードノイズフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば差動伝送回路に用いられる積層型のコモンモードノイズフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型電子機器や薄型の電子機器のニーズの拡大に伴い、これらの電子機器の差動伝送回路等に用いるコモンモードノイズフィルタも小型及び薄型が求められている。小型及び薄型のコモンモードノイズフィルタとして特許文献１には、コモンモードノイズフィルタを形成する２つのコイルを非磁性体層の中に配置し、その引出電極を前記非磁性体層と磁性体層との間に配置した構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３４０６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された構造においては、コモンモードインピーダンスを大きくするため、２つの引出電極を磁性体層に接して、磁性体層とコイル電極の距離が近づく構造となっている。しかし、それぞれの引出電極のうち、１つはコイル電極の巻き方向に対して順方向に接続され、他方は逆方向に接続されている。そのため順方向に接続されたコイルのインダクタンス値は逆方向に接続されたコイルのインダクタンス値より大きくなってしまい、２つのコイルの伝送特性に違いが生じる。伝送特性の違いが大きくなるとスキューずれ等のトラブルにつながる可能性もでてくる。本発明は２つのコイルのインダクタンス値の違いが小さく、コモンモードインピーダンスの大きなコモンモードノイズフィルタを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らが鋭意検討した結果、以下の特徴を有する本発明を完成した。
（１）第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上面に設けられた第１の導体と、前記第１の導体の上面に設けられた第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の上面に設けられかつ前記第１の導体に接続されてこの第１の導体とともに第１のコイルを構成する渦巻状の第２の導体と、前記第２の導体の上面に設けられた第３の絶縁層と、前記第３の絶縁層の上面に設けられた渦巻状の第３の導体と、前記第３の導体の上面に設けられた第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層の上面に設けられかつ前記第３の導体に接続されてこの第３の導体とともに第２のコイルを構成する第４の導体と、前記第４の導体の上面に設けられた第５の絶縁層と、前記第５の絶縁層の上面に設けられた第６の絶縁層と、前記第１〜第４の導体の各々の一端部にそれぞれ接続された第１〜第４の端子とを備え、前記第１の導体は渦巻状の第２の導体の巻方向に対して、少なくとも一部は逆方向に向かうように接続されていて、前記第４の導体は渦巻状の第３の導体の巻方向に対して、少なくとも一部は順方向に向かうように接続されていて、前記第１及び第６の絶縁層は磁性体からなり、前記第２〜第５の絶縁層は非磁性体からなり、前記第１〜第６の絶縁層は樹脂を含有しない、コモンモードノイズフィルタ。
（２）前記第１の導体が前記第２の導体と接続する部分へ向かう方向と、前記接続する部分から第２の導体が延びる方向と、のなす角度が１２０°以上であり１８０°より小さい（１）のコモンモードノイズフィルタ。
（３）前記第４の導体が前記第３の導体と接続する部分へ向かう方向と、前記接続する部分から第３の導体が延びる方向と、のなす角度が０°より大きく６０°以下である（１）又は（２）のコモンモードノイズフィルタ。
（４）前記第１及び第６の絶縁層がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトからなり、前記第３〜第５の絶縁層がＺｎ−Ｃｕフェライトからなる（１）〜（３）のいずれか１項に記載のコモンモードノイズフィルタ。
（５）前記第１及び第６の絶縁層がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトからなり、前記第３〜第５の絶縁層が誘電体材料からなる（１）〜（３）のいずれか１項に記載のコモンモードノイズフィルタ。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、引出電極と磁性体層が接した構造のコモンモードノイズフィルタにおいて、コイル電極の巻き方向に対してそれぞれが順方向及び逆方向に接続される引出電極のうち、順方向に接続される引出電極とそれに接している磁性体層との間に非磁性体層を挿入することになる。よって、引出し電極が順方向に接続されているコイルのインダクタンス値が下がり、引出電極が逆方向に接続されたコイルのインダクタンス値に近づき、２つのコイルのインダクタンス値の差異を小さくすることができる。また、引出電極とコイル電極との距離が拡がるのは、２つのコイルのうち片方だけなので、コモンモードインピーダンスもあまり下がらないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態の構成要素図である。
【図２】第１の導体と第２の渦状導体及び、第３の渦状導体と第４の導体の接続図である。
【図３】本発明の実施形態の外観図である。
【図４】比較例の構成要素図である
【図５】比較例の構成要素図である
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を適宜参照しながら本発明を詳述する。但し、本発明は図示された態様に限定されるわけでなく、また、図面においては発明の特徴的な部分を強調して表現することがあるので、図面各部において縮尺の正確性は必ずしも担保されていない。
【０００９】
図１は本発明の実施形態の構成要素図である。本発明によれば、積層コモンモードノイズフィルタの内部の積層構造は以下のとおりである。まず、導体が形成される最下層の絶縁層を第１の絶縁層１１であると定義する。本発明において「上下」の概念は積層構造の説明の便宜のためのものであって、製造時における工程の順序を限定するものではなく、使用時における方向性や配置を限定するものでもない。第１の絶縁層１１の上面に第１の導体２１が設けられる。第１の導体２１の上面に第２の絶縁層１２が設けられる。第２の絶縁層１２の上面に第２の導体２２設けられる。第２の導体２２は渦巻状を呈し、かつ、第１の導体２１に接続されている。第１および第２の導体２１、２２が第１のコイルを構成し、ここでは、第１の導体２１が引出電極の役割を担っている。第２の導体２２の上面に第３の絶縁層１３が設けられる。第３の絶縁層１３の上面に第３の導体２３設けられる。第３の導体２３の上面に第４の絶縁層１４が設けられる。第４の絶縁層１４の上面に第４の導体２４が設けられる。第３の導体２３は渦巻状を呈し、かつ、第４の導体２４に接続されている。第３および第４の導体２３、２４が第２のコイルを構成し、ここでは、第４の導体２４が引出電極の役割を担っている。第１のコイルと第２のコイルとは電気的に別個独立のものである。第４の導体２４の上面に第５の絶縁層１５が設けられる。第５の絶縁層１５の上面に第６の絶縁層１６が設けられる。第１〜第４の導体２１〜２４の各々の一端部にそれぞれ第１〜第４の端子３１〜３４が接続される。
【００１０】
図２は第１の導体２１と第２の渦状導体２２の接続図（図２（Ａ１））、及び、第３の渦状導体２３と第４の導体２４の接続図（図２（Ｂ１））である。図２（Ａ１）に示されるように、第１の導体２１は第２の渦巻状の導体２２の巻方向に対して、一部が逆方向に向かうように接続されている。より具体的には以下のとおりである。第２の導体２２が呈する渦巻の回転が符号Ｒ２で示される矢印によって示される。第１の導体２１と第２の導体２２が接続する部分から第２の導体２２が延びる方向は符号Ｄ２で示される矢印で表現される。前記接続する部分に第１の導体２１が向かってくる方向は符号Ｄ１で示される矢印で表現される。ここで、第１の導体２１が一直線の形状であるか否かにかかわらず、第２の導体２２が形作る渦巻の外から上記の接続する部分へと向かう方向を直線近似してその方向を符号Ｄ１の矢印で表現するものとする。
【００１１】
図２（Ａ２）は符号Ｄ１とＤ２で示される矢印を抽出したものである。図２（Ａ２）に示されるように、符号Ｄ１とＤ２で示される矢印のなす角度φ１は９０〜１８０°であり、このことから、「第１の導体は渦巻状の第２の導体の巻方向に対して、少なくとも一部は逆方向に向かうように接続されている」と評価することができる。インダクタンス特性の調整幅を大きくできるという観点からは、上述の符号Ｄ１とＤ２で示される矢印のなす角度φ１は１８０°に近い方がよく、好ましくは９０°より大きく、１８０°より小さく、より好ましくは１２０°以上であり、１８０°より小さい。
【００１２】
図２（Ｂ１）に示されるように、第４の導体２４は第３の渦巻状の導体２３の巻方向に対して、一部が順方向に向かうように接続されている。より具体的には以下のとおりである。第３の導体２３が呈する渦巻の回転が符号Ｒ３で示される矢印によって示される。第４の導体２４と第３の導体２３が接続する部分から第３の導体２３が延びる方向は符号Ｄ３で示される矢印で表現される。前記接続する部分に第４の導体２４が向かってくる方向は符号Ｄ４で示される矢印で表現される。ここで、第４の導体２４が一直線の形状であるか否かにかかわらず、第３の導体２３が形作る渦巻の外から上記の接続する部分へと向かう方向を直線近似してその方向を符号Ｄ４の矢印で表現するものとする。
【００１３】
図２（Ｂ２）は符号Ｄ３とＤ４で示される矢印を抽出したものである。図２（Ｂ２）に示されるように、符号Ｄ３とＤ４で示される矢印のなす角度φ２は０〜９０°であり、このことから、「第４の導体は渦巻状の第３の導体の巻方向に対して、少なくとも一部は順方向に向かうように接続されている」と評価することができる。インダクタンス特性の調整幅を大きくできるという観点からは、上述の符号Ｄ３とＤ４で示される矢印のなす角度φ２は０°に近い方がよく、好ましくは０°より大きく、９０°より小さく、より好ましくは０°より大きく、６０°以下である。
【００１４】
第１〜第４の導体２１〜２４の材質・製法等は従来技術を適宜援用することができ、例えば、その材質としてＡｇなどが例示される。導体２１〜２４の製法としてはペーストを用いた印刷などが非限定的に例示され、第１及び第２の導体２１、２２の接続、ならびに、第３及び第４の導体２３、２４の接続についてはスルーホール技術などを適宜援用することができる。スルーホールの作成については、例えば、金型による打ち抜きやレーザー加工による穿孔などの手法が非限定的に挙げられる。
【００１５】
絶縁層については、以下のとおりである。
第１の絶縁層１１及び第６の絶縁層１６は磁性体からなり、第２〜第５の絶縁層１２〜１５は非磁性体からなる。ここで、磁性体とは強磁性体のことであり、非磁性体は強磁性体以外のものである。第１〜第６の絶縁層１１〜１６はいずれも樹脂を含有しない。図１において、磁性体からなる絶縁層は白抜きにて描写され、非磁性体からなる絶縁層は黒色で描写されている。
【００１６】
磁性体としては、例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト、などが非限定的に例示される。非磁性体としては、例えば、Ｚｎフェライトなどが非限定的に例示さる。また、低温焼結の非磁性体としてはＺｎ−Ｃｕフェライトが好適である。また、非磁性体はホウケイ酸ガラス又はホウケイ酸ガラスと結晶質シリカとの混合物などの誘電体材料からなるものでもよい。
【００１７】
第１の絶縁層１１および第６の絶縁層１６で挟まれる領域における構成は上述のとおりであるが、積層コモンモードノイズフィルタにおけるその他の構成は特に限定はない。例えば、第１の絶縁層１１の下面にダミーの絶縁層１７Ａ〜１7Ｃを設けたり、第６の絶縁層１６の上面にダミーの絶縁層１８Ａ〜１８Ｂを設けたりしてもよく、その場合に、これらダミーの絶縁層は磁性体であってもよいし非磁性体であってもよい。
【００１８】
図３は本発明の実施形態の外観図である。本発明によれば、積層コモンモードノイズフィルタ１の外形は特に限定は無く、図示されたような直方体状のものが例示される。上述した積層構造からなる積層体チップ１０と該積層体チップ１０の側面に形成された外部電極３０とを有していてもよい。外部電極３０はめっき処理が施されていてもよい。上述した端子３１〜３４が外部電極３０と適宜接続される。
【００１９】
積層コモンモードノイズフィルタの製法については特に限定無く、従来技術を適宜援用することができる。典型例として、各絶縁層の前駆体となる磁性体シートおよび非磁性体シートを得て、当該シートに導体ペースト等を印刷し、適宜スルーホールを設けてコイルが形成されるようにして、これらを圧着して、樹脂を除去して（脱バインダー）、焼成する方法が挙げられる。こういった製法の具体例は以下の実施例において詳述する。
【実施例】
【００２０】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に記載された態様に限定されるわけではない。
【００２１】
（実施例１）
まず、磁性体シートを得るために、ＦｅＯ２、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＮｉＯを主材料とする仮焼粉砕後のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト微粉末にブチラール樹脂と溶剤を加えてスラリーを作成した。このスラリーを一定の厚みになるようにドクターブレードで塗布し、乾燥し、所定サイズに切断して磁性体シートをつくった。次に、非磁性体シートを得るためにＦｅＯ２、ＣｕＯ、ＺｎＯを主材料とする仮焼粉砕後のＺｎ−Ｃｕ系フェライト微粉末にブチラール樹脂と溶剤を加えてスラリーを作成した。このスラリーを一定の厚みになるようにドクターブレードで塗布し、乾燥し、所定サイズに切断して非磁性体シートをつくった。この非磁性体シートには所定の位置にスルーホールを形成した。次に、非磁性体シートにスクリーン版を用いてＡｇペーストを印刷し、乾燥して、コイル導体パターンを得た。次に、磁性体シートと非磁性体シート、およびコイル導体が印刷された非磁性体シートを、図１に示すように、印刷されたコイル導体がスルーホールで導通してつながるように積層し、プレス圧着をおこなった。このとき、ダミーの絶縁層１７Ａ〜１７Ｃ、１８Ａ〜１８Ｂの前駆体として磁性体シートを用いた。これを所定のサイズに切断したあと５００℃、１ｈｒで脱バインダー処理に供し、大気炉中８９０℃、２ｈｒで焼成して積層体チップを形成した。得られた積層体チップの側面に積層体内部の２つのコイルのそれぞれの両端部と接続するようにＡｇペーストを印刷法によって塗布し、約６００℃で１時間の大気焼成をして端子電極を形成した。この端子電極にニッケル電解バレルめっきを施したあと、ハンダ電解バレルめっきをおこなって外部電極を形成した。このようにして実施例１の積層コモンモードノイズフィルタを得た。
【００２２】
実施例１で得た積層コモンモードノイズフィルタは以下のとおりである。
・外形寸法：長さ１．２５ｍｍ×幅１．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ
・磁性体層：Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・非磁性体層：Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・導体パターン：幅２０μｍのＡｇパターン
・第１及び第６の絶縁層、ダミーの絶縁層：磁性体層（層厚３６５μｍ）
・第２〜第５の絶縁層：非磁性体層（層厚１０５μｍ）
・焼成温度：８９０℃
・第１及び第２の導体のなす角（図２におけるφ１）：１２０°
・第３及び第４の導体のなす角（図２におけるφ２）：６０°
【００２３】
（比較例１）
第５の絶縁層を非磁性体ではなく磁性体で構成したことのほかは実施例１と同様にして積層コモンモードノイズフィルタを得た。図４は比較例１の積層コモンモードノイズフィルタの積層構造を示す。
【００２４】
比較例１で得た積層コモンモードノイズフィルタは以下のとおりである。
・外形寸法：長さ１．２５ｍｍ×幅１．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ
・磁性体層：Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・非磁性体層：Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・導体パターン：幅２０μｍのＡｇパターン
・第１、第５及び第６の絶縁層、ダミーの絶縁層：磁性体層（層厚３７０μｍ）
・第２〜第４の絶縁層：非磁性体層（層厚１００μｍ）
・焼成温度：８９０℃
・第１及び第２の導体のなす角（図２におけるφ１）：１２０°
・第３及び第４の導体のなす角（図２におけるφ２）：６０°
【００２５】
（比較例２）
第１の絶縁層を磁性体ではなく非磁性体で構成したことのほかは実施例１と同様にして積層コモンモードノイズフィルタを得た。図５は比較例２の積層コモンモードノイズフィルタの積層構造を示す。
【００２６】
比較例２で得た積層コモンモードノイズフィルタは以下のとおりである。
・外形寸法：長さ１．２５ｍｍ×幅１．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ
・磁性体層：Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・非磁性体層：Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・導体パターン：幅２０μｍのＡｇパターン
・第６の絶縁層、ダミーの絶縁層：磁性体層（層厚３６０μｍ）
・第１〜第５の絶縁層：非磁性体層（層厚１１０μｍ）
・焼成温度：８９０℃
・第１及び第２の導体のなす角（図２におけるφ１）：１２０°
・第３及び第４の導体のなす角（図２におけるφ２）：６０°
【００２７】
（実施例２）
実施例１と同様に積層コモンモードノイズフィルタの作成を行った。非磁性体として、誘電体材料を用いた。誘電体シートを得るために誘電体として、ホウケイ酸ガラスの微粉末と結晶質シリカの粉末を添加し、ブチラール樹脂と溶剤を加えてスラリーを作成した。このスラリーを一定の厚みになるようにドクターブレードで塗布し、乾燥し、所定サイズに切断して非磁性体シートをつくった。これ以外については、実施例１と同様に行い、焼成についても大気炉中８９０℃、２ｈｒと同じように焼成して積層体チップを形成し、また外部電極についても実施例１と同様に形成することで、実施例２の積層コモンモードノイズフィルタを得た。実施例１と同様、図１が実施例２の積層コモンモードノイズフィルタの積層構造を示す。
【００２８】
実施例２で得た積層コモンモードノイズフィルタは以下のとおりである。
・外形寸法：長さ１．２５ｍｍ×幅１．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ
・磁性体層：Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・非磁性体層：ホウケイ酸ガラスと結晶質シリカとの混合物
・導体パターン：幅２０μｍのＡｇパターン
・第１及び第６の絶縁層、ダミーの絶縁層：磁性体層（層厚３６５μｍ）
・第２〜第５の絶縁層：非磁性体層（層厚１０５μｍ）
・焼成温度：８９０℃
・第１及び第２の導体のなす角（図２におけるφ１）：１２０°
・第３及び第４の導体のなす角（図２におけるφ２）：６０°
【００２９】
（比較例３）
第５の絶縁層を非磁性体ではなく磁性体で構成したことのほかは実施例２と同様にして積層コモンモードノイズフィルタを得た。比較例１と同様、図４が比較例３の積層コモンモードノイズフィルタの積層構造を示す。
【００３０】
比較例３で得た積層コモンモードノイズフィルタは以下のとおりである。
・外形寸法：長さ１．２５ｍｍ×幅１．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ
・磁性体層：Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・非磁性体層：ホウケイ酸ガラスと結晶質シリカとの混合物
・導体パターン：幅２０μｍのＡｇパターン
・第１、第５及び第６の絶縁層、ダミーの絶縁層：磁性体層（層厚３７０μｍ）
・第２〜第４の絶縁層：非磁性体層（層厚１００μｍ）
・焼成温度：８９０℃
・第１及び第２の導体のなす角（図２におけるφ１）：１２０°
・第３及び第４の導体のなす角（図２におけるφ２）：６０°
【００３１】
（比較例４）
第１の絶縁層を磁性体ではなく非磁性体で構成したことのほかは実施例２と同様にして積層コモンモードノイズフィルタを得た。比較例２と同様、図５が比較例４の積層コモンモードノイズフィルタの積層構造を示す。
【００３２】
比較例４で得た積層コモンモードノイズフィルタは以下のとおりである。
・外形寸法：長さ１．２５ｍｍ×幅１．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ
・磁性体層：Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト
・非磁性体層：ホウケイ酸ガラスと結晶質シリカとの混合物
・導体パターン：幅２０μｍのＡｇパターン
・第６の絶縁層、ダミーの絶縁層：磁性体層（層厚３６０μｍ）
・第１〜第５の絶縁層：非磁性体層（層厚１１０μｍ）
・焼成温度：８９０℃
・第１及び第２の導体のなす角（図２におけるφ１）：１２０°
・第３及び第４の導体のなす角（図２におけるφ２）：６０°
【００３３】
（評価）
上記で得られた実施例１、比較例１、２の積層コモンモードノイズフィルタについて、アジレント社製の４２９１Ａを用いて、各フィルタが有する２つのコイルの１ＭＨｚのインダクタンス値と１００ＭＨｚのコモンモードインピーダンス値を測定した。
【００３４】
各フィルタが有する２つのコイルの１ＭＨｚにおけるインダクタンス値の測定結果は以下のとおりである。
実施例１    順方向コイル(１４６ｎＨ)、逆方向コイル(１４２ｎＨ)、差（３ｎＨ）
比較例１    順方向コイル(１５２ｎＨ)、逆方向コイル(１４３ｎＨ)、差（９ｎＨ）
比較例２    順方向コイル(１４４ｎＨ)、逆方向コイル(１３５ｎＨ)、差（８ｎＨ）
実施例２    順方向コイル（８９ｎＨ）、逆方向コイル（８７ｎＨ）、差（２ｎＨ）
比較例３    順方向コイル（９４ｎＨ）、逆方向コイル（８９ｎＨ）、差（５ｎＨ）
比較例４    順方向コイル（８７ｎＨ）、逆方向コイル（８２ｎＨ）、差（５ｎＨ）
【００３５】
ここで、「順方向コイル」は第３及び第４の導体により構成される第２のコイルであり、「逆方向コイル」は第１及び第２の導体により構成される第１のコイルである。
【００３６】
各コモンモードノイズフィルタの１００ＭＨｚにおけるコモンモードインピーダンス値測定結果は以下のとおりである。
実施例１    ８２Ω
比較例１    ８５Ω
比較例２    ７８Ω
実施例２    ５１Ω
比較例３    ５３Ω
比較例４    ４８Ω
【００３７】
比較例１、３では第１の導体１２１、第４の導体１２４が両方とも磁性体層に接しているため、コモンモードコイルを形成する渦巻状の第２の導体１２２及び第３の導体１２３の巻方向に対して、順方向に接続される第４の導体１２４と第３の導体１２３で形成される順方向コイルのインダクタンス値のほうが、逆方向コイルのインダクタンス値よりも大きくなった。また、比較例２、４では第１の導体２２１、第４の導体２２４が両方とも非磁性体層の中にあるため、コモンモードコイルを形成する渦巻状の第２の導体２２２及び第３の導体２２３の巻方向に対して、順方向に接続される第４の導体２２４と第３の導体２２３で形成される順方向コイルのインダクタンス値のほうが、逆方向コイルのインダクタンス値よりも大きくなった。さらに、渦巻状の第２の導体２２２及び第３の導体２２３が双方とも磁性体層から離れた結果、コモンモードインピーダンス値も大きく下がった。これに対して、実施例１、２では、コモンモードコイルを形成する渦巻状の第２の導体２２及び第３の導体２３の巻方向に対して、順方向に接続される第４の導体２４が非磁性体層に、逆方向に接続される第１の導体２１が磁性体層にそれぞれ接しているため、第４の導体２４と第３の導体２３で形成される順方向コイルのインダクタンス値と、第１の導体２１と第２の導体２２で形成される逆方向コイルのインダクタンス値との差が小さくなった。また、コモンモードコイルを形成する渦巻状の第２及び第３の導体２２、２３と磁性体層までの距離は、比較例２、４の場合のように大きく離れないため、コモンモードインピーダンス値の減少も小さくなった。結果的に、実施例１、２では比較例と比較して、コモンモードコイルを形成するそれぞれのコイルのインダクタンス値の差が小さくなり、またコモンモードインピーダンスの減少も少ない良好なコモンモードノイズフィルタが得られた。
【符号の説明】
【００３８】
１：コモンモードノイズフィルタ
１１〜１６、１１１〜１１６、２１１〜２１６：絶縁層
２１〜２４、１２１〜１２４、２２１〜２２４：導体
３１〜３４、１３１〜１３４、２３１〜２３４：端子
【図３】
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【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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