(57)【要約】【課題】オフセット融着型の減衰器の利点を活かしつつ、減衰量のばらつきを抑制した減衰器およびその製作方法を提供することを目的とする。【解決手段】減衰器１０は、第１光ファイバ１１および第２光ファイバ１２のコア軸をオフセットして融着することにより形成した第１減衰部２１と、第２光ファイバ１２および第３光ファイバ１３のコア軸をオフセットして融着することにより形成した第２の減衰部２２とを有する。第１減衰部２１および第２減衰部２２により形成される減衰器１０の減衰量をＤt、第１減衰２１部の減衰量をＤ1（Ｄ1≠０）、第２減衰部２２の減衰量をＤ2（Ｄ2≠０）としたときに、｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜となるように第１減衰部２１および第２減衰部２２のオフセット量が設定される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバのコア軸をオフセットして融着することにより入力された光を減衰して出力するオフセット融着型の減衰器であって、
第１の光ファイバの端部と第２の光ファイバの一端部とを、相互のコア軸を所定量オフセットして融着することにより形成した第１の減衰部と、
前記第２の光ファイバの他端部と第３の光ファイバの端部とを、相互のコア軸を所定量オフセットして融着することにより形成した第２の減衰部とを有し、
前記第１の減衰部および前記第２の減衰部により形成される減衰器の減衰量をＤt[dB]、前記第１の減衰部の減衰量をＤ1（Ｄ1≠０）[dB]、前記第２の減衰部の減衰量をＤ2（Ｄ2≠０）[dB]としたときに、Ｄt＝Ｄ1＋Ｄ2であり、｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜であることを特徴とするオフセット融着型の減衰器。
【請求項２】
前記第１の減衰部は相対的に減衰量Ｄ1が大きい高減衰部であり、
前記第２の減衰部は相対的に減衰量Ｄ2が小さい低減衰部であることを特徴とする請求項１に記載のオフセット融着型の減衰器。
【請求項３】
前記第１の減衰部の減衰量Ｄ1は｜Ｄ1｜≧｜２Ｄt／３｜であり、
前記第２の減衰部の減衰量Ｄ2は｜Ｄ2｜≦｜Ｄt／３｜であることを特徴とする請求項２に記載のオフセット融着型の減衰器。
【請求項４】
光ファイバのコア軸をオフセットして融着することにより入力された光を減衰して出力するオフセット融着型の減衰器の製作方法であって、
減衰器の目標とする減衰量をＤtとしたときに、
第１の光ファイバの端部と第２の光ファイバの一端部とを、相互のコア軸を所定量オフセットして融着することにより減衰量がＤ1（Ｄ1≠０）[dB]の第１の減衰部を形成し、
前記第２の光ファイバの他端部と第３の光ファイバの端部とを、減衰量Ｄ2（Ｄ2≠０）[dB]がＤ2＝Ｄt−Ｄ1となるような所定量だけ相互のコア軸をオフセットして融着して第２の減衰部を形成し、
このとき、前記第１の光ファイバと前記第２の光ファイバとのコア軸のオフセット量は、前記第１の減衰部の減衰量Ｄ1が｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜となるように設定されることを特徴とするオフセット融着型の減衰器の製作方法。
【請求項５】
前記第１の減衰部は相対的に減衰量Ｄ1が大きい高減衰部であり、
前記第２の減衰部は相対的に減衰量Ｄ2が小さい低減衰部であることを特徴とする請求項４に記載のオフセット融着型の減衰器の製作方法。
【請求項６】
前記第１の減衰部の減衰量Ｄ1は｜Ｄ1｜≧｜２Ｄt／３｜であり、
前記第２の減衰部の減衰量Ｄ2は｜Ｄ2｜≦｜Ｄt／３｜であることを特徴とする請求項５に記載のオフセット融着型の減衰器の製作方法。
【請求項７】
前記第１の光ファイバの端部と前記第２の光ファイバの一端部とを、相互のコア軸を所定量オフセットして融着して前記第１の減衰部を形成した後に、前記第１の減衰部の減衰量Ｄ1を測定し、
測定された前記減衰量Ｄ1に基づいて前記第２の減衰部の減衰量Ｄ2をＤ2＝Ｄt−Ｄ1により算出し、
算出された減衰量Ｄ2に応じて前記第２の光ファイバの他端部と第３の光ファイバの端部とのコア軸のオフセット量を設定することを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載のオフセット融着型の減衰器の製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力された光を減衰させて出力する減衰器に関し、さらに詳細には、光ファイバのコア軸をオフセットして融着することにより光ファイバ中を導波する光を減衰させて導波するオフセット融着型の減衰器、およびその製作方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
オフセット融着型の減衰器は、光ファイバのコア軸をオフセットして融着することにより構成される。図３に、オフセット融着型減衰器の原理を説明するための概念図を示す。オフセット融着型の減衰器９０は、コア９１ａおよびクラッド９１ｂを有する第１光ファイバ９１と、コア９２ａおよびクラッド９２ｂを有する第２光ファイバ９２と、これらの光ファイバのコア軸を所定量オフセットして融着することにより形成される減衰部９５とから構成される。すなわち、減衰部９５では第１光ファイバのコア９１ａと、第２光ファイバのコア９２ａとが所定量軸ずれして融着されている。そのため、図中に矢印で示すように、第１光ファイバ９１の左側からコア９１ａを伝播してきた光は、その一部が減衰部９５でクラッド側に漏れ出し、第２光ファイバのコア９２ａに導波されなくなる。この漏れ出して導波されなくなった光量が減衰器９０の減衰量になる。
【０００３】
このようなオフセット融着型の減衰器は、適宜な位置で光ファイバを切断し、コア軸をオフセットして融着するという簡便な手法で構成できる。そのため、簡易的なアッテネータとして広く知られている（例えば特許文献１、特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−４９４２２号公報
【特許文献２】特開平８−１２２５３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記したようなオフセット融着型の減衰器においては、融着前の第１光ファイバ９１および第２光ファイバ９２の端面の角度や、融着部９５でのコア９１ａ，９２ａの変形など、制御することが難しい因子がある。そしてこれらの因子の複合的な絡み合いによって減衰量が変化する。そのため、普通にファイバをクリーブし、目標とする減衰量に応じた所定量だけコア軸をオフセットして融着するという単純な工程で製作した減衰器では、オフセット量が同一であっても減衰量にばらつきが出るという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みて成されたものであり、簡明な工程で製作でき、且つコネクタ等の構造物を持たないため光ファイバ単体と同様の取り扱いができる、というオフセット融着型の減衰器の利点を活かしつつ、減衰量のばらつきを抑制した減衰器およびその製作方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者は、前述した簡明な製作方法で複数のオフセット融着型減衰器を作製し、減衰量を測定する実験を行った。図１は、その実験結果であり、２本の光ファイバのコア軸のオフセット量と減衰量との関係を示すグラフである。グラフの横軸は融着する際のコア軸のオフセット量（軸ずらし）設定値、縦軸は減衰量であり、各設定値で製作した減衰器について実測された減衰量をドットでプロットしている。また、この実験結果から導出される減衰量のばらつき範囲を図中に二点鎖線で囲んで示している。
【０００８】
このグラフから、コア軸のオフセット量が小さければ減衰量およびそのばらつきが共に小さく、コア軸のオフセット量が大きくなればなるほど減衰量およびそのばらつきが飛躍的に大きくなることが分かる。これは、大きな減衰を得るためには大きな歪が必要であり、それにともなって歪の変形量や応力の向きなど、制御の難しい因子の効果が増えるためと考えられる。このことは、目標とする減衰量が大きいほど減衰量のばらつきを抑制することが困難なことを意味する。逆説すれば、減衰量が小さければ、減衰量のばらつきを抑制可能であることが分かる。以上の知見に基づき、発明者は以下に記載する発明を完成させた。
【０００９】
本発明を例示する第１の態様は、光ファイバのコア軸をオフセットして融着することにより入力された光を減衰して出力するオフセット融着型の減衰器である。この減衰器は、第１の光ファイバの端部と第２の光ファイバの一端部とを相互のコア軸を所定量オフセットして融着することにより形成した第１の減衰部と、第２の光ファイバの他端部と第３の光ファイバの端部とを相互のコア軸を所定量オフセットして融着することにより形成した第２の減衰部とを有する。そして、第１の減衰部および第２の減衰部により形成される減衰器の減衰量をＤt[dB]、第１の減衰部の減衰量をＤ1（Ｄ1≠０）[dB]、第２の減衰部の減衰量をＤ2（Ｄ2≠０）[dB]としたときに、Ｄt＝Ｄ1＋Ｄ2であり、｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜であるように構成される。
【００１０】
なお、前記第１の減衰部は相対的に減衰量Ｄ1が大きい高減衰部であり、前記第２の減衰部は相対的に減衰量Ｄ2が小さい低減衰部であるように構成することができる。このとき、第１の減衰部の減衰量Ｄ1を｜Ｄ1｜≧｜２Ｄt／３｜とし、第２の減衰部の減衰量Ｄ2を｜Ｄ2｜≦｜Ｄt／３｜とすることができる。
【００１１】
本発明を例示する第２の態様は、光ファイバのコア軸をオフセットして融着することにより入力された光を減衰して出力するオフセット融着型の減衰器の製作方法である。この製作方法は、減衰器の目標とする減衰量をＤtとしたときに、まず、第１の光ファイバの端部と第２の光ファイバの一端部とを、相互のコア軸を所定量オフセットして融着することにより減衰量がＤ1（Ｄ1≠０）[dB]の第１の減衰部を形成する。次いで、第２の光ファイバの他端部と第３の光ファイバの端部とを、減衰量Ｄ2（Ｄ2≠０）[dB]がＤ2＝Ｄt−Ｄ1となるような所定量だけ相互のコア軸をオフセットして融着して第２の減衰部を形成する。このとき、第１の光ファイバと第２の光ファイバとのコア軸のオフセット量は、第１の減衰部の減衰量Ｄ1が｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜となるように設定される。
【００１２】
なお、前記第１の減衰部は相対的に減衰量Ｄ1が大きい高減衰部であり、前記第２の減衰部は相対的に減衰量Ｄ2が小さい低減衰部であるように構成することができる。このとき、第１の減衰部の減衰量Ｄ1を｜Ｄ1｜≧｜２Ｄt／３｜とし、第２の減衰部の減衰量Ｄ2を｜Ｄ2｜≦Ｄt／３とすることができる。
【００１３】
また、前記第１の光ファイバの端部と前記第２の光ファイバの一端部とを、相互のコア軸を所定量オフセットして融着して第１の減衰部を形成した後に、第１の減衰部の減衰量Ｄ1を測定し、測定された減衰量Ｄ1に基づいて第２の減衰部の減衰量Ｄ2をＤ2＝Ｄt−Ｄ1により算出して、算出された減衰量Ｄ2に応じて第２の光ファイバの他端部と第３の光ファイバの端部とのコア軸のオフセット量を設定するように構成することができる。
【発明の効果】
【００１４】
第１の態様のオフセット融着型の減衰器は、第１の光ファイバおよび第２の光ファイバのコア軸をオフセットし融着して形成した第１の減衰部と、第２の光ファイバおよび第３の光ファイバのコア軸をオフセットし融着して形成した第２の減衰部とを有して構成される。そして、第１の減衰部および第２の減衰部により形成される減衰器の減衰量をＤt、第１の減衰部の減衰量をＤ1、第２の減衰部の減衰量をＤ2としたときに、Ｄt＝Ｄ1＋Ｄ2であり｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜のように構成される。すなわち、本発明の態様の減衰器は、減衰量がＤ1（｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜）の第１の減衰部と減衰量がＤ2の第２の減衰部とを有し、これらの減衰部により形成される減衰器は、各減衰部の減衰量を合計した減衰量となる。
【００１５】
前述したように、オフセット融着型の減衰器では、減衰量が大きくなるとコア軸のオフセット量が大きくなり減衰量のばらつきは飛躍的に拡大する。一方、減衰量が小さければコア軸のオフセット量は小さく、減衰量のばらつきを抑制することができる。本発明の態様の減衰器では、減衰を生じさせるコア軸のオフセット部位が第１の減衰部と第２の減衰部とに分割されるため、各減衰部の減衰量Ｄ1およびＤ2はいずれも減衰器の減衰量Ｄtよりも小さくなる。そのため、オフセット量が大きな１カ所の減衰部で減衰量Ｄtを生じさせる減衰器と比較して、減衰量のばらつきΔＤtを抑制することができる（図１を参照）。従って、第１の態様の減衰器によれば、オフセット融着型の減衰器の利点を活かしつつ、減衰量のばらつきを抑制した減衰器を提供することができる。
【００１６】
第２の態様のオフセット融着型の減衰器の製作方法は、減衰器の目標とする減衰量をＤtとしたときに、まず、第１の光ファイバと第２の光ファイバとを所定量オフセットし融着して減衰量がＤ1の第１の減衰部を形成する。このとき、コア軸のオフセット量は、減衰量Ｄ1が｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜となるように設定される。次いで、第２の光ファイバと第３の光ファイバとを、減衰量Ｄ2がＤ2＝Ｄt−Ｄ1となるような所定量だけオフセットし融着して第２の減衰部を形成する。このような製作方法で作成された減衰器は、減衰を生じさせるコア軸のオフセット部位が第１の減衰部と第２の減衰部とに分割されるため、各減衰部の減衰量Ｄ1およびＤ2はいずれも減衰器の減衰量Ｄtよりも小さくなる。そのため、オフセット量が大きな１カ所の減衰部で減衰量Ｄtを生じさせる減衰器と比較して、減衰量のばらつきΔＤtを抑制することができる（図１を参照）。従って、第２の態様の減衰器の製作方法によれば、オフセット融着型の減衰器の利点を活かしつつ、減衰量のばらつきを抑制した減衰器を提供することができる。
【００１７】
なお、第１の減衰部を形成した後に第１の減衰部の減衰量Ｄ1を測定し、測定された減衰量Ｄ1に基づいて第２の減衰部のコア軸のオフセット量を設定するような製作方法によれば、第１の減衰部を形成する融着工程で生じた減衰量のばらつきΔＤ1を、第２の減衰部を形成する融着工程で相殺し補完することができる。すなわち、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを、第２の融着工程で生じる減衰量のばらつきΔＤ2のみに抑制することができる。従って、本製作法によれば、製作される減衰器の減衰量のばらつきを大幅に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】コア軸のオフセット量と減衰量との関係を示すグラフである。
【図２】本発明を適用したオフセット融着型の減衰器の概念図である。
【図３】オフセット融着型減衰器の原理を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。本発明を適用したオフセット融着型の減衰器１０の概念図を図２に示す。例示する減衰器１０は、第１光ファイバ１１、第２光ファイバ１２、および第３光ファイバ１３と、第１光ファイバ１１の端部と第２光ファイバ１２の一端部とを融着して成した第１減衰部２１と、第２光ファイバ１２の他端部と第３光ファイバ１３の端部とを融着して形成した第２減衰部２２とを有して構成される。
【００２０】
本実施形態では、第１光ファイバ１１、第２光ファイバ１２、および第３光ファイバ１３として、各光ファイバのコア１１ａ，１２ａ，１３ａおよびクラッド１１ｂ，１２ｂ，１３ｂの構成が同一の光ファイバを用いた場合につて説明する。換言すれば、１本の光ファイバを切断して第１光ファイバ１１、第２光ファイバ１２、第３光ファイバ１３とし、これらを再融着することにより第１減衰部２１および第２減衰部２２が形成される。
【００２１】
第１減衰部２１および第２減衰部２２は、接続する光ファイバのコア軸を所定量オフセット（軸ずらし）して融着することにより形成される。すなわち、第１減衰部２１は、第１光ファイバ１１の端部と第２光ファイバ１２の一端部とを、コア１１ａおよびコア１２ａのコア軸のオフセット量がδ1[μｍ]となるように設定して融着することにより形成される。同様に、第２減衰部２２は、第２光ファイバ１２の他端部と第３光ファイバ１３の端部とを、コア１２ａおよびコア１３ａのコア軸のオフセット量がδ2[μｍ]となるように設定して融着することにより形成される。なお、δ1≠０、δ2≠０である。
【００２２】
このように２つの減衰部２１，２２を直列接続した減衰器１０では、減衰器全体での減衰量をＤt[dB]、第１減衰部２１の減衰量をＤ1（Ｄ1≠０）[dB]、第２減衰部２２の減衰量をＤ2（Ｄ2≠０）[dB]としたときにＤt＝Ｄ1＋Ｄ2となる。減衰器１０においては、｜Ｄ1｜≧｜Ｄt／２｜となるように構成される。具体的には第１減衰部２１および第２減衰部２２におけるコア軸のオフセット量が｜δ1｜≧｜δ2｜に設定される。なお、オフセット量について絶対値の符号を付したのは、コア軸のオフセット方向は同一方向であっても逆方向であっても良いが、その大きさは第１減衰部の方が第２減衰部以上であることを表す。
【００２３】
第１構成形態の製作方法は、減衰器の目標とする減衰量に基づいて、予め第１減衰部２１のコア軸のオフセット量δ1および第２減衰部２２のコア軸のオフセット量δ2を設定し、当該設定値で融着を行うことにより、第１減衰部２１および第２減衰部２２を形成するように構成される。本構成形態に含まれる第１の構成例として、オフセット量をδ1＝δ2とする構成が例示される。このとき、第１減衰部２１の減衰量Ｄ1および第２減衰部２２の減衰量Ｄ2は、原則的に、ともにＤt／２となる。
【００２４】
図１を参照して説明したように、オフセット融着型の減衰器では、コア軸のオフセット量が大きくなればなるほど減衰量およびそのばらつきが飛躍的に大きくなる（図１を参照）。例えば、目標とする減衰量を−３０[dB]としたとき、この減衰量を１カ所の減衰部で得るときのオフセット量は約１５[μｍ]となる。また、融着器においてオフセット量を１５[μｍ]に設定して融着した場合に、製作される減衰器の減衰量のばらつきΔＤt（最大想定値）はおよそ２１[dB]程度になる。
【００２５】
一方、減衰部を２カ所に分け、第１減衰部２１の目標減衰量および第２減衰部２２の目標減衰量をともに−１５[dB]とした場合、各減衰部のオフセット量は約１０[μｍ]となる。このとき各減衰部の減衰量のばらつきΔＤ1およびΔＤ2はおよそ９．５[dB]程度であり、両者を合計した減衰量のばらつきΔＤt（最大想定値）は１９[dB]程度になる。従って、本構成例の製作方法によれば、減衰量がＤt／２となるようにオフセット量をδ1＝δ2に設定して融着する簡明な手法で、製作される減衰器の減衰量のばらつきを抑制することができる。
【００２６】
第２の構成例として、オフセット量をδ1＞δ2とする構成が例示される。このとき、各減衰部の減衰量は、｜Ｄ1｜＞｜Ｄ2｜であり、第１減衰部２１を相対的に減衰量が大きい高減衰部とし、第２減衰部２２は相対的に減衰量が小さい低減衰部とした構成となる。
【００２７】
例えば、減衰器全体の目標減衰量を−３０[dB]とし、第１減衰部２１の目標減衰量を−２０[dB]、第２減衰部２２の目標減衰量を−１０[dB]とする。融着工程で設定する第１減衰部２１のコア軸のオフセット量は約１２[μｍ]、第２減衰部２２のコア軸のオフセット量は約７．５[μｍ]となる。このとき、第１減衰部２１で生じ得る減衰量のばらつきΔＤ1はおよそ１３．５[dB]程度、第２減衰部２２で生じ得る減衰量のばらつきΔＤ2はおよそ５．５[dB]程度であり、両者を合計した減衰量のばらつきΔＤt（最大想定値）は１９[dB]程度になる。従って、本構成例の製作方法によれば、減衰量が適宜な比率になるようにオフセット量δ1，δ2を設定し融着する簡明な手法で、製作される減衰器の減衰量のばらつきを抑制することができる。
【００２８】
次に、第２構成形態の製作方法は、以下のように構成される。まず、減衰器全体の減衰量Ｄtから、第１減衰部２１の減衰量Ｄ1と第２減衰部の減衰量Ｄ2の目標値を決める。そして、第１減衰部２１の目標減衰量に基づいて第１減衰部２１のコア軸のオフセット量δ1を設定し、第１光ファイバ１１と第２光ファイバ１２との融着を行って第１減衰部２１を形成する。次いで、形成された第１減衰部２１の減衰量を測定し、測定された減衰量Ｄ1に基づいて第２減衰部２２の目標減衰量Ｄ2を算出する。そして、算出された目標減衰量に応じたオフセット量δ2を設定し、第２光ファイバ１２と第３光ファイバ１３との融着を行って第２減衰部２２を形成する。
【００２９】
本構成形態における第１の構成例として、第１減衰部２１の目標減衰量をＤt／２とする構成が例示される。例えば、減衰器全体の目標減衰量を−３０[dB]とした場合、第１減衰部２１の目標減衰量は−１５[dB]であり、コア軸のオフセット量δ1は約１０[μｍ]である。そこで、まずオフセット量を１０[μｍ]に設定して第１光ファイバ１１と第２光ファイバ１２とを融着し第１減衰部２１を形成する。この融着工程で生じる減衰量のばらつきΔＤ1はおよそ９．５[dB]程度であり、形成された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1は概ね−１２〜−２２[dB]の範囲内にある。
【００３０】
次いで、第１減衰部２１の減衰量を測定する。これにより、上記第１の融着工程で形成された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が正確に把握される。把握された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1と減衰器１０の目標とする減衰量Ｄtとから、Ｄ2＝Ｄt−Ｄ1により第２減衰部２２の減衰量Ｄ2を算出する。そして、算出された目標減衰量に応じたオフセット量δ2を設定して第２光ファイバ１２と第３光ファイバ１３との融着を行い第２減衰部２２を形成する。
【００３１】
例えば、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−２０[dB]であった場合には、第２減衰部２２の目標減衰量Ｄ2は−１０[dB]となり、第２光ファイバ１２と第３光ファイバ１３とを融着する第２の融着工程におけるコア軸のオフセット量δ2は７．５[μｍ]程度に設定される。また、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−１２[dB]であった場合には、第２減衰部２２の目標減衰量Ｄ2は−１８[dB]となり、第２の融着工程におけるコア軸のオフセット量δ2は１１[μｍ]程度に設定される。
【００３２】
このようにして製作された減衰器１０では、第１の融着工程で形成された第１減衰部２１の実際の減衰量に応じて第２減衰部２２のコア軸のオフセット量δ2が設定される。そのため、第１の融着工程で不可避的に生じる減衰量のばらつきΔＤ1を、第２の融着工程で相殺し補完することができる。すなわち、本製作方法により製作された減衰器では、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを、第２の融着工程で生じる減衰量のばらつきΔＤ2のみに抑制することができる。
【００３３】
例えば、上記実施例で、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−２０[dB]であり、第２減衰部２２のコア軸のオフセット量δ2を７．５[μｍ]とした場合には、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを５．５[dB]程度に抑制することができる。同様に、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−１２[dB]であり、第２減衰部２２のコア軸のオフセット量δ2を１１[μｍ]とした場合には、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを１２[dB]程度に抑制することができる。従って、本構成例の製作方法によれば、製作される減衰器の減衰量のばらつきを大幅に抑制することができる。
【００３４】
第２の構成例として、第１減衰部２１の目標減衰量を｜Ｄ1｜＞｜Ｄ2｜とする構成が例示される。すなわち、第１減衰部２１を相対的に減衰量が大きい高減衰部（減衰量を稼ぐための減衰部）とし、第２減衰部２２は相対的に減衰量が小さい低減衰部（減衰量を調整するための減衰部）とする構成である。例えば、減衰器全体の目標減衰量を−３０[dB]とし、第１減衰部２１の目標減衰量を−２０[dB]に設定する構成である。この場合、第１減衰部２１のコア軸のオフセット量δ1は約１２[μｍ]である。そこで、まずオフセット量を１２[μｍ]に設定して第１光ファイバ１１と第２光ファイバ１２とを融着し第１減衰部２１を形成する。この融着工程で生じる減衰量のばらつきΔＤ1はおよそ１３．５[dB]程度であり、形成された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1は概ね−１６〜−３０[dB]の範囲内にある。
【００３５】
次いで、第１減衰部２１の減衰量を測定する。これにより、上記第１の融着工程で形成された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が正確に把握される。把握された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1と減衰器１０の目標減衰量Ｄtとから、Ｄ2＝Ｄt−Ｄ1により第２減衰部２２の目標減衰量Ｄ2を算出する。そして、算出された目標減衰量に応じたオフセット量δ2を設定して第２光ファイバ１２と第３光ファイバ１３との融着を行い第２減衰部２２を形成する。
【００３６】
例えば、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−２５[dB]であった場合には、第２減衰部２２の目標減衰量Ｄ2は−５[dB]となり、第２の融着工程におけるコア軸のオフセット量δ2は４．５[μｍ]程度に設定される。また、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−２０[dB]であった場合には、第２減衰部２２の目標減衰量Ｄ2は−１０[dB]となり、第２光ファイバ１２と第３光ファイバ１３とを融着する第２の融着工程におけるコア軸のオフセット量δ2は７．５[μｍ]程度に設定される。
【００３７】
このようにして製作された減衰器１０も、第１の融着工程で形成された第１減衰部２１の実際の減衰量に応じて第２減衰部２２のコア軸のオフセット量δ2が設定される。そのため、第１の融着工程で不可避的に生じる減衰量のばらつきΔＤ1を、第２の融着工程で相殺し補完することができる。すなわち、本製作方法により製作された減衰器では、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを、第２の融着工程で生じる減衰量のばらつきΔＤ2のみに抑制することができる。さらに、本構成例においては、第１減衰部２１が相対的に減衰量Ｄ1が大きい高減衰部であり、第２減衰部２２は相対的に減衰量Ｄ2が小さい低減衰部である（｜Ｄ1｜＞｜Ｄ2｜）ことから、第１減衰部の減衰量と第２減衰部の減衰量とを同一に設定した場合よりも、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを小さくすることができる。
【００３８】
例えば、上記実施例で、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−２５[dB]であり、第２減衰部２２のコア軸のオフセット量δ2を４．２[μｍ]とした場合に、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを２[dB]以下に抑制することができる。同様に、測定された第１減衰部２１の減衰量Ｄ1が−２０[dB]であり、第２減衰部２２のコア軸のオフセット量δ2を７．５[μｍ]とした場合に、減衰器全体の減衰量のばらつきΔＤtを５．５[dB]程度に抑制することができる。従って、本構成例の製作方法によれば、製作される減衰器１０の減衰量のばらつきΔＤtをさらに大幅に抑制することができる。
【００３９】
以上説明したように、本発明の態様の製作方法によれば、簡明な工程で製作でき且つ光ファイバ単体と同様の取り扱いができる、というオフセット融着型の減衰器の利点を活かしつつ減衰量のばらつきを抑制し、所望減衰量の減衰器を提供することができる。
【００４０】
なお、減衰器１０を形成する基となる光ファイバは、ステップインデックス型あるいはグレーティッドインデックス型のいずれでも良く、シングルクラッドの光ファイバあるいはダブルクラッド等のマルチクラッドの光ファイバであっても良い。また、以上の実施形態では、第１減衰部２１および第２減衰部２２の２カ所の減衰部で減衰器１０を形成した構成を示したが、目標とする減衰量に応じて、第３減衰部や第４減衰部等を設けてもよく、あるいは複数の減衰部からなる減衰器を複数直列に接続して一体の減衰器を形成してもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１０  オフセット融着型の減衰器
１１  第１光ファイバ（１１ａ  コア、１１ｂ  クラッド）
１２  第２光ファイバ（１２ａ  コア、１２ｂ  クラッド）
１３  第３光ファイバ（１３ａ  コア、１３ｂ  クラッド）
２１  第１減衰部
２２  第２減衰部
９０  オフセット融着型の減衰器
９１  第１光ファイバ（９１ａ  コア、９１ｂ  クラッド）
９２  第２光ファイバ（９２ａ  コア、９２ｂ  クラッド）
９５  減衰部
δ1  第１減衰部のコア軸のオフセット量
δ2  第２減衰部のコア軸のオフセット量
【図１】
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【図２】
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【図３】
2015038569.tif 000005