(57)【要約】      （修正有）【課題】バンプの密着性を向上させることが可能な弾性波装置、電子部品モジュールおよび移動体端末を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板２と、圧電基板２上に位置する励振電極３と、圧電基板２上に位置し、励振電極３と電気的に接続された電極パッドと、圧電基板２上に位置し、内側に励振電極３を囲むとともに、外側に電極パッドが位置する枠体５と、枠体５の外側面に位置し、導体材料からなる側面導体部６と、枠体５に載置された蓋体７と、電極パッドと電気的に接続されるとともに、側面導体部６と接するバンプ８とを有する。【選択図】図４
2015012428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
該圧電基板上に位置する励振電極と、
前記圧電基板上に位置し、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、
前記圧電基板上に位置し、内側に前記励振電極を囲むとともに、外側に前記電極パッドが位置する枠体と、
該枠体の外側面に位置し、導体材料からなる側面導体部と、
該枠体に載置された蓋体と、
前記電極パッドと電気的に接続されるとともに、前記側面導体部と接するバンプとを有する弾性波装置。
【請求項２】
実装基板に対してバンプを介して実装される弾性波装置であって、
圧電基板と、
該圧電基板上に位置する励振電極と、
前記圧電基板上に位置し、前記バンプと接する、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、
前記圧電基板上に位置し、内側に前記励振電極を囲むとともに、外側に前記電極パッドが位置する枠体と、
該枠体の外側面に位置し、前記バンプと接する、導体材料からなる側面導体部と、
該枠体に載置された蓋体とを有する弾性波装置。
【請求項３】
前記側面導体部は、前記電極パッドの表面にわたって連続して設けられている請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記側面導体部は、前記蓋体の側面に位置し、前記側面導体部と連続した第２側面導体部を有している請求項１〜３のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第２側面導体部は、前記蓋体の側面から主面にわたって位置する請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第２側面導体部の前記蓋体の主面に位置する部分が、インダクタ成分を含む回路パターンを有する請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
請求項１または請求項１に係る請求項３〜６のいずれかに記載の弾性波装置と、
該弾性波装置が前記バンプを介して実装される実装パッドを有する実装基板とを有する電子部品モジュール。
【請求項８】
請求項２または請求項２に係る請求項３〜６のいずれかに記載の弾性波装置と、
前記電極パッドに電気的に接続されるバンプと、
前記弾性波装置が前記バンプを介して実装される実装パッドを有する実装基板とを有する電子部品モジュール。
【請求項９】
請求項７または８に記載の電子部品モジュールと、
前記弾性波装置に電気的に接続されたアンテナ部とを有する移動体端末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置、電子部品モジュールおよび移動体端末に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から励振電極として、インタートランスデューサー（Inter Digital Transducer：以下、単にＩＤＴ電極という）が圧電基板上に形成されている弾性波装置が知られている。このＩＤＴ電極は、電気信号と弾性表面波とを相互に変換することができる特性を利用して、特定の周波数を得るフィルタとして用いられている。
【０００３】
携帯電話等の移動体端末に用いられるデュプレクサにおいて、従来では、主に誘電体フィルタが用いられてきていたが、近年では、高性能で小型軽量化が可能な弾性波装置を搭載されるようになってきた。移動体端末においては、アンテナ部から送受信された電気信号をデュプレクサで受信信号と発信信号にフィルタリングされる。
【０００４】
近年、移動体端末の小型化が進むにつれて、デュプレクサの低背化が必要となっている。そのため、デュプレクサの低背化には弾性波装置の低背化が必須となっている。弾性波装置を低背化する構造として、例えばウェハーレベルパッケージ（Wafer Level Package：以下、単にＷＬＰという）構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、ＷＬＰ構造の弾性波装置を、さらに低背化した弾性波装置として柱状電極を設けずにバンプのみで実装する弾性波装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2010−56671号公報
【特許文献２】特開2009−105528号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＷＬＰ構造をさらに低背化した弾性波装置は、バンプを介して実装基板に実装されることから、弾性波装置が実装基板から剥がれにくくするために、バンプとの密着性を向上させることが課題の一つとなっている。
【０００７】
本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、バンプとの密着性を向上させることが可能な弾性波装置および移動体端末を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の弾性波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に位置する励振電極と、前記圧電基板上に位置し、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、前記圧電基板上に位置し、内側に前記励振電極を囲むとともに、外側に前記電極パッドが位置する枠体と、該枠体の外側面に位置し、導体材料からなる側面導体部と、該枠体に載置された蓋体と、前記電極パッドと電気的に接続されるとともに、前記側面導体部と接するバンプとを有する。
【０００９】
また、本発明の弾性波装置は、実装基板に対してバンプを介して実装される弾性波装置であって、圧電基板と、該圧電基板上に位置する励振電極と、前記圧電基板上に位置し、前記バンプと接する、前記励振電極と電気的に接続された電極パッドと、前記圧電基板上に位置し、内側に前記励振電極を囲むとともに、外側に前記電極パッドが位置する枠体と、該枠体の外側面に位置し、前記バンプと接する、導体材料からなる側面導体部と、該枠体に載置された蓋体とを有する。
【００１０】
また、本発明の電子部品モジュールは、上記の弾性波装置と、前記バンプが実装される実装パッドを有する実装基板とを有する。
【００１１】
さらに、本発明の移動体端末は、上記の電子部品モジュールと、前記弾性波装置に電気的に接続されたアンテナ部とを有している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、バンプとの密着性を向上させることができることが可能な弾性波装置、電子部品モジュールおよび移動体端末を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観平面図である。
【図２】図１のＳＡＷ装置において、蓋体を取り外したときの平面図である。
【図３】図２のＳＡＷ装置の一部を拡大した平面図である。
【図４】図１のＳＡＷ装置をＩ−Ｉ線で切断したときの断面に相当する。
【図５】図４のＳＡＷ装置の一部を拡大した断面図である。
【図６】図１のＳＡＷ装置を実装基板に実装したときの断面図であり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面に相当する。
【図７】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図８】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図９】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１０】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１１】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１２】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１３】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、上から見た平面透視図である。
【図１４】図１のＳＡＷ装置の変形例を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断したときの断面を拡大したものである。
【図１５】図１のＳＡＷ装置の変形例として、ＳＡＷ装置のバンプを有さない構成である弾性波素子を示すものであり、図１のＩ−Ｉ線で切断した断面を拡大したものに相当する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１５】
＜ＳＡＷ装置等の構成＞
本発明の一実施形態に係るＳＡＷ装置について以下説明する。本実施形態に係るＳＡＷ装置１は、図１〜６に示すように、圧電基板２、励振電極３、電極パッド４、枠体５、側面導体部６、蓋体７およびバンプ８を有している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、それぞれの構成をウェハーレベルで形成することができる。ＳＡＷ装置１は、移動体端末において、アンテナ部と信号演算回路（例えば、ＩＣ）がやり取りする電気信号をフィルタリングする機能を有する。
【００１７】
ＳＡＷ装置１は、電極パッド４を複数有しており、そのうちのいずれかの電極パッド４を介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極３等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を、複数の電極パッド４のうち入力信号が入った電極パッド４以外の電極パッド４を介して出力する。
【００１８】
圧電基板２は、タンタル酸リチウム単結晶、二オブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶など圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。圧電基板２は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な第１主面２Ａおよび第２主面２Ｂを有している。圧電基板２は、大きさが適宜に設定すればよい。圧電基板２は、厚さが、例えば、0.2ｍｍ以上0.5ｍｍ以下に設定することができる。圧電基板２は、一辺の長さが、例えば、0.6ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定することができる。
【００１９】
励振電極３は、図３に示すように、第１主面２Ａ上に層状（平板状）に形成されている。励振電極３は、いわゆるＩＤＴであり、２つの櫛歯状電極９から構成されている。各櫛歯状電極９は、圧電基板２における弾性表面波の伝搬方向に延びるバスバー９ａと、バスバー９ａから上記伝搬方向に直交する方向に延びる複数の電極指９ｂとを有している。２つの櫛歯状電極９同士は、それぞれの電極指９ｂが互いに噛み合うように設けられている。なお、図３に例示する励振電極３は、必須ではないが、反射器９ｃを有している場合である。
【００２０】
図３は、模式図であり、数本の電極指９ｂを有する櫛歯状電極９を示している。実際には、これよりも多数の電極指９ｂを有する櫛歯状電極９が設けられていてよい。また、複数の励振電極３が、直接接続または並列接続などにより接続されたラダー型ＳＡＷフィルタを構成していてもよい。また、複数の励振電極３が、複数の励振電極３が一方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタを構成していてもよい。
【００２１】
電極パッド４は、図２等に示すように、第１主面２Ａ上に層状に形成されている。電極パッド４の平面視形状は適宜設定すればよい。本実施形態では、電極パッド４は円形状である。電極パッド４の数および配置位置は、励振電極３によって構成されるフィルタの構成に応じて適宜設定すればよい。
【００２２】
励振電極３と電極パッド４は、図３に示すように、配線10によって電気的に接続されている。配線10は、第１主面２Ａ上に層状に形成され、励振電極３のバスバー９ａと電極パッド４を電気的に接続している。なお、配線10は第１主面２Ａに形成されている必要はなく、例えば絶縁体を介して立体交差させる部分があってもよい。
【００２３】
励振電極３、電極パッド４および配線10（第１主面２Ａに形成された部分）は、同じ製造プロセスで形成することができる。そのため、励振電極３、電極パッド４および配線10は、例えば同じ導電材料によって構成されている。導電材料としては、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金を用いることができる。また、励振電極３、電極パッド４および配線10は、例えば、同じ膜厚に設定される。これらの厚さとしては、例えば100ｎｍ以上500ｎｍ以下に設定することができる。
【００２４】
電極パッド４に直接バンプ８を設けてもよいが、図４および図５に示すように、接続強化層11を形成してもよい。接続強化層11は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金の層に重ねられたＮｉの層と、Ｎｉの層に重ねられたＡｕの層を有している。
【００２５】
より具体的に、接続強化層11は、電極パッド４側から順にＡｌ−Ｃｕ合金、Ｃｒ、ＮｉおよびＡｕを積層した層を用いることができる。Ｃｒ層は例えば５ｎｍ以上15ｎｍ以下、Ｎｉ層は例えば950ｎｍ以上1100ｎｍ以下、Ａｕ層は例えば90ｎｍ以上110ｎｍ以下の厚みとなるようにそれぞれ構成される。接続強化層11を有していることにより、電極パッド４の厚みを厚くすることができるため、電極パッド４が圧電基板２から剥がれにくくすることができる。
【００２６】
接続強化層11は、図４および図５に示すように、電極パッド４の端部を覆うように設けてもよいし、覆わないように電極パッド４の上面だけに設けてもよい。電極パッド４の端部を覆うように設けた場合、バンプ８が電極パッド４の横側に回り込んだ場合でもバンプ８との密着性を維持することができる。
【００２７】
枠体５は、圧電基板２上に位置するよう形成されている。枠体５は、内側に励振電極３を囲むとともに、外側に電極パッド４が位置するように配置される。換言すると、枠体５に囲まれた励振電極３に対して枠体５の外側から電気的に接続するために、枠体５の外側に電極パッド４が配置されている。枠体５は、励振電極３の厚みよりも厚くなるように形成されている。この枠体５の厚さによって、励振空間Ｓｐの厚さが概略的に決定される。励振空間Ｓｐとは、圧電基板２、枠体５および蓋体７によって囲まれる空間を指す。枠体５の厚さは、例えば数μｍ以上30μｍ以下に設定される。
【００２８】
蓋体７は、枠体５に載置されている。枠体５と蓋体７は、同一材料で一体的に形成されていてもよいし、異なる材料で別体として形成されていてもよい。本実施形態は、同じ材料で、別体として形成した場合である。蓋体７は、厚さが、例えば数μｍ以上30μｍ以下となるように設定することができる。蓋体７は、平面視形状が、枠体５の外周以下となるような形状で形成することができる。
【００２９】
枠体５および蓋体７は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基、メタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレード系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂を用いることができる。その他の材料としては、例えばポリイミド系の樹脂を用いることができる。
【００３０】
側面導体部６は、図５に示すように、枠体５の外側面５Ａに位置している。側面導体部６は、導体材料からなる。導体材料は、バンプ８との密着性を考慮して選択される。具体的に、導体材料としては、例えばＣｕ−Ｎｉの合金を用いることができる。または、側面導体部６として、枠体５側からＣｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層を順次積層した積層体を用いることができる。この場合、Ｃｕ層は例えば８μｍ以上13μｍ以下、Ｎｉ層は例えば１μｍ以上３μｍ以下、Ａｕ層は例えば0.01μｍ以上0.03μｍ以下の厚みとなるようにそれぞれ設定することができる。
【００３１】
バンプ８は、電極パッド４と電気的に接続されるとともに、側面導体部６と接している。バンプ８としては、例えば、はんだを用いることができる。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだでもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。
【００３２】
このようにして構成されたＳＡＷ装置１は、図６に示すように、実装基板12に実装される。実装基板12は、実装面12Ａに設けられた実装パッド13を有している。バンプ８は、電極パッド４、側面導体部６および実装パッド13に接した状態で加熱される。この加熱でバンプ８が溶融することにより、電極パッド４、側面導体部６および実装パッド13が固定される。
【００３３】
本実施形態のＳＡＷ装置は、バンプ８が電極パッド４および側面導体部６に接した状態で、実装基板12に固定される。このように電極パッド４と側面導体部６にバンプ８が接触した状態で固定されることによって、バンプ８との接触面積を大きくすることができるため、バンプ８との密着性を向上させることができる。また、側面導体部６が枠体５の外側面５Ａに設けられていることから、電極パッド４と異なる平面でバンプ８と接触する。このようにバンプ８に対して、２つの面で接触させることができるため、複数の方向に係る力に対して剥がれにくくすることができる。これにより、ＳＡＷ装置１が実装基板12から剥がれにくくすることができるため、例えばＳＡＷ装置１の長期信頼性を向上させることができる。
【００３４】
（ＳＡＷ装置の変形例１）
側面導体部６は、図７に示すように、電極パッド４の表面にわたって連続して設けられている。側面導体部６は、図７に示す断面図において、Ｌ字状となるように設けられている。電極パッド４の表面に位置する側面導体部６も枠体５の外側面５Ａに設けられる側面導体部６の構成と同じものである。このように枠体５の外側面および電極パッド４の表面に連続して形成することによって、側面導体部６がバンプ８に対して２方向の面で接触することになるため、側面導体部６とバンプ８の密着性をさらに向上させることができる。
【００３５】
また、側面導体部６が、電極パッド４および枠体５と接触することによって、接触面積を大きくすることができ、側面導体部６が剥離しにくくすることができる。
【００３６】
（ＳＡＷ装置の変形例２）
枠体５の外側面５Ａは、図８に示すように、第１主面２Ａに対して傾斜していてもよい。外側面５Ａと第１主面２Ａとのなす角は、例えば90°よりも小さい角度となるように設定することができる。このような傾斜した外側面５Ａに側面導体部６が形成される。側面導体部６を外側面５Ａから電極パッド４にわたって連続して形成した場合には、外側面５Ａと電極パッド４の上面のなす角度が鈍角（90°より大きく、且つ180°よりも小さい角度）となることから、側面導体部６が枠体５または電極パッド４から剥がれにくくすることができる。
【００３７】
また、このように側面導体部６が第１主面２Ａに対して傾斜することにより、バンプ８と側面導体部６の間にクラックが発生しにくくすることができる。さらに、側面導体部６が電極パッド４の表面にわたって連続して形成されている場合には、鈍角となった角部（電極パッド４と枠体５の角）にもバンプ８が入りやすくすることができるため、クラックを発生しにくくすることができる。
【００３８】
（ＳＡＷ装置の変形例３）
蓋体７は、図９に示すように、枠体５の外周よりも内側となるように配置してもよい。このように配置することにより、バンプ８を枠体５上にも配置したり、側面導体部６の一部を枠体５の上に配置したりすることができる。なお、図９のＳＡＷ装置１は、接続強化層11が電極パッド４の外周よりも内側に形成されている場合である。
【００３９】
図９のＳＡＷ装置１は、蓋体７を枠体５の外周よりも内側となるように配置し、蓋体７から露出した枠体５の上に側面導体部６の一部が設けられている。また、枠体５上に位置する側面導体部６にも接するようにバンプ８が設けられている。このように配置することによって、バンプ８との接触面積を大きくすることができるため、バンプ８と側面導体部６の密着性を向上させることができる。
【００４０】
（ＳＡＷ装置の変形例４）
側面導体部６は、図10に示すように、蓋体７の側面７Ｂに位置し、側面導体部６と連続した第２側面導体部６ａを有していてもよい。第２側面導体部６ａは側面導体部６と連続して設けられている。第２側面導体部６ａが蓋体７に設けられていることから、蓋体７が枠体５から剥がれにくくすることができる。また、バンプ８と側面導体部６および第２側面導体部６ａが接することにより、接触面積を大きくすることができる。その結果、バンプ８が側面導体部６から剥がれにくくすることができる。
【００４１】
さらに、第２側面導体部６ａは、図11に示すように、蓋体７の主面７Ａにわたって位置してもよい。この場合、蓋体７の厚み方向に第２側面導体部６ａが位置する結果、蓋体７の厚み方向に対する剥離が抑制されるため、蓋体７が枠体５から剥がれにくくすることができる。また、このように蓋体７の主面７Ａに第２側面導体部６ａが位置することにより、ＳＡＷ装置１を実装基板12に実装した際の衝撃が蓋体７に伝わりにくくする補強材としても機能することになり、ＳＡＷ装置１の耐衝撃特性を向上させることができる。
【００４２】
さらに、第２側面導体部６ａの蓋体７の主面７Ａに位置する部分が、図12に示すように、インダクタ成分を含む回路パターン15を有していてもよい。蓋体７の主面７Ａであれば、電極パッド４の周辺などと比較して比較的広い面積を有しているため、回路パターン15を容易に設計することができる。
【００４３】
回路パターン15は、例えばコイル状に形成することによりインダクタとして機能させることができる。このようなインダクタは、ＳＡＷ装置、ＳＡＷ装置を含むデュプレクサの整合回路、または減衰極調整用のインダクタとして機能する。さらに、図13に示すように、蓋体７の主面７Ａに位置する第２側面導体部６ａの一部を覆うように絶縁膜14を設けてもよい。
【００４４】
（ＳＡＷ装置の変形例５）
ＳＡＷ装置１は、図14に示すように、圧電基板２の端側に第２枠体16を有していてもよい。このような第２枠体16は、枠体５と同じ厚み、材料に設定することができる。このような第２枠体16は、ＳＡＷ装置１において、複数の電極パッド４を囲むように配置されている。このような第２枠体16を有することにより、バンプ８を溶融させたときに、ＳＡＷ装置１よりも外側にバンプ８が流出しにくくすることができる。
【００４５】
また第２枠体16は、図14に示すように、断面視において、枠体５側の内側面が第１主面２Ａに対して傾斜していてもよい。このように傾斜させることによって、側面導体部６を、枠体５、電極パッド４および第２枠体16の表面にわたって連続して形成した場合、剥がれにくくすることができる。また、このように形成した側面導体部６は、バンプ８との接触面積を大きくすることができるので、密着性をさらに向上させることができる。なお、本実施形態では第２側面導体部６ａを有していない場合だが、第２側面導体部を設けてさらに接触面積を大きくしてもよい。
【００４６】
ＳＡＷ装置は、以上に例示した実施形態に限定されない。本実施形態では、弾性波装置にバンプがある場合について説明したが、図15に示すように、実装基板12側にバンプ８が配置されていてもよい。弾性波素子（弾性波装置のうちバンプを含まないもの）１’は、圧電基板２、電極パッド４’、枠体５、側面導体部６および蓋体７を有している。弾性波素子１’は、実装基板12に対して、実装方向Ｔｈに載置される。
【００４７】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
ＳＡＷ装置１の製造方法について、各構成の形成方法を以下に説明する。
【００４８】
（励振電極、電極パッドおよび配線の形成）
圧電基板２上に励振電極３、電極パッド４および配線10を形成する。励振電極３、電極パッド４および配線10は、金属層を成膜した後、パターニングすることにより形成することができる。金属層は、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法等の薄膜形成法により、圧電基板２の第１主面２Ａに所定の材料からなる金属層を形成する。その後、金属層を縮小投影露光機およびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いたフォトリソグラフィー法でそれぞれの形状にパターニングする。
【００４９】
励振電極３上に保護膜を形成してもよい。保護膜としてはＳｉＯ２を用いることができる。保護膜は、化学気相成長法または蒸着法等の薄膜形成法を用いて、励振電極３を覆うように形成する。このように励振電極３を保護膜で覆うことにより、櫛歯状電極９の電極指９ｂ同士の短絡を防止することができる。保護膜は、厚みが、例えば８ｎｍ以上20ｎｍ以下となるように設定することができる。なお、保護層を設ける場合、電極パッド４または配線10は露出するように形成する。
【００５０】
接続強化層11は、リフトオフ法により形成することができる。具体的には、電極パッド４が露出するように、第１主面２Ａ側にフォトレジストを形成する。その後、接続強化層11となる金属膜を成膜する。接続強化層11として複数の層を積層する場合には、異なる原料のスパッタリングを複数回行なって金属膜を成膜する。しかる後、フォトレジストを剥離することにより、所定の位置（電極パッド４）に接続強化層11を形成することができる。
【００５１】
（枠体および蓋体の形成）
次に、励振電極３を覆い外部環境から保護するとともに励振空間Ｓｐを形成する保護カバーを形成する。保護カバーの形成は枠部５の形成と蓋部７の形成との２段階によって行われる。
【００５２】
まず、保護膜及び接続パッド上に枠部となる第１の層が形成される。第１の層は例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。次に、フォトマスクを介して紫外線等の光が第１の層に照射されることにより露光処理が行われる。
【００５３】
フォトマスクは、例えば、透明基板上に遮光層が形成されることにより構成されている。遮光層は第１の層を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。なお、露光は、投影露光、プロキシミティ露光または密着露光を用いることができる。その後、現像処理を行い光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより枠部５が形成される。
【００５４】
次に蓋部７を形成する。まず、枠部５上に蓋部７を構成する第２の層が形成される。第２の層は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。第２の層が形成されることにより枠部の開口部が塞がれて励振空間Ｓｐが形成される。第１の層と第２の層とは加熱されることによって接合される。次に、フォトマスクを介して紫外線等の光が第１の層に照射されることにより露光処理が行われる。フォトマスクは、例えば、透明基板上に遮光層が形成されることにより構成されている。
【００５５】
遮光層は第１の層を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。なお、露光は、投影露光、プロキシミティ露光または密着露光を用いることができる。その後、現像処理を行い光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより蓋部７が形成される。蓋部７が形成されることにより枠部５と蓋部７からなる保護カバーが完成する。
【００５６】
（側面導体部の形成）
次に側面導体部６を形成する。側面導体部６は圧電基板２の第１主面２Ａから保護カバー側面にかけて形成され、材質としては、例えばＣｕ（厚み10μｍ）、Ｎｉ（厚み２μｍ）およびＡｕ（0.02μｍ）の三層構造からなる。このような側面導体部６の形成方法としては、ＣｕおよびＮｉをメッキした後、Ａｕをフラッシュメッキすることによりにて形成することができる。
【００５７】
次に、側面導体部６の形成プロセスについて説明する。側面導体部６および保護カバー（枠体５および蓋体７）の側面を覆うメッキ用下地層を形成する。その後、メッキ法により側面導体部６を形成する。メッキ用下地層は、側面導体部６を電気的に析出させたり、化学的に析出させて形成したりするためのものである。
【００５８】
蓋体７の主面７Ａに形成されたメッキ用下地層は、整合回路または、減衰極調整用のインダクタを形成する導体層の一部とすることができる。なお、メッキ用下地層の材料として、一般的にはＣｕが利用されるが、ＣｕとＡｌ−Ｃｕ配線の密着性を考慮するとＣｒやＴｉの密着層を介在させてもよい。この場合、密着性を向上させることができる。また、メッキの厚さはメッキ処理時間で決定されるが、30μｍを超える場合は電気メッキ処理を用いてもよい。これにより、処理速度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。最後に、半田付けを良好に保つ為に、ＮｉおよびＡｕの形成を行なう。
【符号の説明】
【００５９】
１  弾性波（ＳＡＷ）装置
２  圧電基板
３  励振電極
４  電極パッド
５  枠体
５Ａ  外側面
６  側面導体部
６ａ  第２側面導体部
７  蓋体
７Ａ  主面
８  バンプ
９  櫛歯状電極
９ａ  バスバー
９ｂ  電極指
９ｃ  反射器
１０  配線
１１  接続強化層
１２  実装基板
１２Ａ  実装面
１３  実装パッド
１４  絶縁膜
１５  回路パターン
１６  第２枠体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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