(57)【要約】【課題】ジャンパ線における反射率の低減と抵抗値の低減を図る。【解決手段】Ｘ電極とＹ電極が交差する交差部において、隣り合う電極の透明電極を立体的に接続する前記ジャンパ線が、透明電極に接続する第一の金属酸化膜からなる第一層と、第一層に積層され第二の金属膜からなる第二層とを有し、第一層の反射率が第二層の半分以下である。【選択図】図３
2015056068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネル上に配置され、操作面に触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、
透明基板と、
前記透明基板の前記操作面の裏面側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極と、前記Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極と、
を有し、
前記複数のＸ電極と、前記複数のＹ電極が、
前記裏面側の同一面に形成された複数の透明電極と、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極が絶縁部を介して互いに交差する交差部において、隣り合う前記Ｘ電極の透明電極もしくは隣り合う前記Ｙ電極の透明電極のいずれかを立体的に接続するジャンパ線と、を有し、
前記ジャンパ線は、前記透明電極に接続する第一層と、該第一層に積層された第二層とを有し、
前記第一層が金属酸化膜からなり前記第二層が金属膜からなり、前記第一層と前記第二層の主たる金属が銅を含むものとされ、
前記第一層における可視光域での反射率が、前記第二層の反射率の半分以下であることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記第一層における比抵抗が前記第二層より高いことを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記第一層の膜厚が５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下とされてなることを特徴とする請求項１または２記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記第一層の比抵抗が１．０×１０４〜１．０×６μΩｃｍとされてなることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記第二層の膜厚が２００ｎｍ以上、１００００ｎｍ以下とされてなることを特徴とする請求項１から４のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記第二層の比抵抗が１．５μΩｃｍ以上、３μΩｃｍ以下とされてなることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記第一層が、銅合金とされた場合、ニッケルを含有することを特徴とする請求項１から６のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記第二層が、銅、もしくは、銅およびニッケルを含有する銅合金からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記ジャンパ線が、前記第二層に積層された第三の金属膜からなる第三層を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記第三層が、銅もしくは銅合金からなることを特徴とする請求項９記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カバーシートと一体化して形成したタッチパネルおよびタッチパネルの製造方法に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、表示画面上の透明な面を操作者が指またはペンでタッチすることにより、接触した位置を検出してデータ入力できる入力装置の構成要素となるものであって、キー入力より直接的、かつ直感的な入力を可能とする。このため、近年、携帯電話機や、携帯情報端末、カーナビゲーションシステムを始め、様々な電子機器の操作部に多用されるようになってきた。
【０００３】
前記タッチパネルは、入力装置として、液晶パネル等の平面型表示装置の表示画面上に貼り合わせて使用することができる。タッチパネルの検出方式には、抵抗式、静電容量式、超音波式、光学式等多種あり、その構造は多様となる。
静電容量式タッチパネルは、表面型と投影型とに大別できる。表面型は２点以上の接触点を同時に検知することは困難である。投影型は２点以上の接触点を同時に検知することが可能である。投影型は、静電容量式タッチパネル用の電極板として、透明基板に第一の透明電極パターン層と第一の絶縁層と第二の透明電極パターン層と端子電極となる金属電極パターン層と第二の絶縁層との各層が一般にこの順に形成される積層構造を有する。
【０００４】
また、投影型の静電容量式タッチパネルを平面型表示装置の表示画面上に重ねて使用する形態は、タッチパネル独立型とは別に、全体を薄型化することができるカバーガラス一体型もある。
すなわち、タッチパネル独立型では、平面型表示装置の表示面側にエアギャップを介して、独立型のタッチパネルを貼り合わせ、さらにその前面に額縁等の加飾パターンを有して表面を保護するためのカバーガラス（前面板）に代表される透明カバーシートを設ける（特許文献１参照）。
一方、カバーガラス一体型では、平面型表示装置の表示面側に、同様のエアギャップを介してカバーガラス一体型タッチパネルを貼り合わせる。なお、タッチパネルを構成する電極や端子、配線等のパターンの向きは、パターンを直接支持する基板の位置が、タッチパネル独立型とカバーガラス一体型とでは逆の関係になるので、視認側からの向きが反対になる。
【０００５】
投影型の静電容量式タッチパネルの電極構造は、カバーガラス一体型で代表される透明カバーシート一体型の例で示すと、透明カバーシートの同一平面上に２次元配置したセンサ電極である複数の透明導電膜パターンと、透明導電膜パターン間を電気的に接続するジャンパ部と、ジャンパ部での層間の電気的短絡を防ぐ絶縁部と、センサ電極から配線を導いて端子部に至る配線部とから構成される。センサ電極にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜を用いる。一方、ジャンパ部にはＩＴＯより導電性の良好な金属材料を用いる。このようなタッチパネルにおいては、同一平面上に規則的に配置するセンサ電極を立体的につなぐための絶縁部とジャンパ部との構造が不可欠である。
【０００６】
ジャンパ部や、等の配線としては、Ｃｕなどの導電性に優れた材料がもちいられる（特許文献２）。
【０００７】
また、ジャンパ部は、表示領域である操作平面領域内に位置しているので、この部分の反射率を低減し、表示装置の視認性を向上したいという要求があった。特許文献３では、図６に示すように、モリブデンを含む膜で、反射率を小さくしたことが示される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−０８４０２５号公報
【特許文献２】特開昭５８−１６６４３１号公報
【特許文献３】特開２０１３−０２０３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献２に示すとおり、ジャンパ部等の配線を銅などの金属膜で形成した場合、タッチパネルの視認性に影響を及ぼすという問題がある。また、特許文献３に示すとおり、モリブデンやアルミニウムから形成した場合には、ＩＴＯに対して抵抗率が大きすぎるためこれを改善したいという要求があった。さらに、可視光領域において反射率を改善したいという強い要求が存在している。
【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．ジャンパ線において導電率と反射率とを同時に好ましい範囲とすること。
２．波長依存性を低減し、可視光域の全域で反射率を均一にすること。
３．エッチング特性、シート抵抗値、下地との密着性に関して、従来と同程度の特性を維持すること。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のタッチパネルは、表示パネル上に配置され、操作面に触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、
透明基板と、
前記透明基板の前記操作面の裏面側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極と、前記Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極と、
を有し、
前記複数のＸ電極と、前記複数のＹ電極が、
前記裏面側の同一面に形成された複数の透明電極と、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極が絶縁部を介して互いに交差する交差部において、隣り合う前記Ｘ電極の透明電極もしくは隣り合う前記Ｙ電極の透明電極のいずれかを立体的に接続するジャンパ線と、を有し、
前記ジャンパ線は、前記透明電極に接続する第一層と、該第一層に積層された第二層とを有し、
前記第一層が金属酸化膜からなり前記第二層が金属膜からなり、前記第一層と前記第二層の主たる金属が銅を含むものとされ、
前記第一層における可視光域での反射率が、前記第二層の反射率の半分以下であることにより上記課題を解決した。
本発明の前記第一層における比抵抗が前記第二層より高いことが好ましい。
本発明の前記第一層の膜厚が５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下とされてなることが好ましい。
本発明の前記第一層の比抵抗が１．０×１０４〜１．０×６μΩｃｍとされてなることが好ましい。
本発明の前記第二層の膜厚が２００ｎｍ以上、１００００ｎｍ以下とされてなることが好ましい。
本発明の前記第二層の比抵抗が１．５μΩｃｍ以上、３μΩｃｍ以下とされてなることが好ましい。
本発明の前記第一層が、銅合金とされた場合、ニッケルを含有することが好ましい。
本発明の前記第二層が、銅、もしくは、銅およびニッケルを含有する銅合金からなることが好ましい。
本発明の前記ジャンパ線が、前記第二層に積層された第三の金属膜からなる第三層を有することが好ましい。
本発明の前記第三層が、銅もしくは銅合金からなることが好ましい。
【００１２】
本発明のタッチパネルは、表示パネル上に配置され、操作面に触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、
透明基板と、
前記透明基板の前記操作面の裏面側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極と、前記Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極と、
を有し、
前記複数のＸ電極と、前記複数のＹ電極が、
前記裏面側の同一面に形成された複数の透明電極と、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極が絶縁部を介して互いに交差する交差部において、隣り合う前記Ｘ電極の透明電極もしくは隣り合う前記Ｙ電極の透明電極のいずれかを立体的に接続するジャンパ線と、を有し、
前記ジャンパ線は、前記透明電極に接続する第一層と、該第一層に積層された第二層とを有し、
前記第一層が金属酸化膜からなり前記第二層が金属膜からなり、前記第一層と前記第二層の主たる金属が銅を含むものとされ、
前記第一層における可視光域での反射率が、前記第二層の反射率の半分以下であることにより、ジャンパ線において導電性を確保しつつ、視認側から見て、交差部における反射率を低減するとともに、可視光の波長全域に対して、均一におさえることが可能となる。
【００１３】
本発明は、前記第一層における比抵抗が前記第二層より高いことや、前記第一層の膜厚が５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下とされてなることや、前記第一層の比抵抗が１．０×１０４〜１．０×６μΩｃｍとされてなることや、前記第二層の膜厚が２００ｎｍ以上、１００００ｎｍ以下とされてなることや、前記第二層の比抵抗が１．５μΩｃｍ以上、３μΩｃｍ以下とされてなることや、前記第一層が、銅合金とされた場合、ニッケルを含有することや、前記第二層が、銅、もしくは、銅およびニッケルを含有する銅合金からなることができ、これらのいずれかにより、交差部における抵抗と反射率とを所望の状態にすること、ジャンパ線の密着性を向上することができる。
【００１４】
本発明の前記ジャンパ線が、前記第二層に積層された第三の金属膜からなる第三層を有することや、前記第三層が、銅もしくは銅合金からなることにより、ジャンパ線における導電性を維持することが容易となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、交差部を上述のように構成したことにより、ジャンパ線における良好な導電性を有するとともに、同時に、可視光領域で好ましい反射率を実現し視認性を向上するとともに、可視光領域の全域で反射率均一性を維持して色味の正確性を担保することができるという効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係るタッチパネルの一実施形態の概略を示す模式平面図である。
【図２】本発明に係るタッチパネルの一実施形態を備える表示装置を示す模式図である。
【図３】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における交差部付近を示す拡大断面図である。
【図４】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定方法を示す概念図である。
【図５】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定結果を示すグラフである。
【図６】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定結果を示すグラフである。
【図７】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定結果を示すグラフである。
【図８】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定結果を示すグラフである。
【図９】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定結果を示すグラフである。
【図１０】本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定結果を示すグラフである。
【図１１】本発明に係るタッチパネルの他の実施形態における交差部付近を示す拡大断面図である。
【図１２】本発明に係るタッチパネルの他の実施形態における交差部付近の他の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係るタッチパネルの一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態におけるタッチパネルを示す模式平面図であり、図２は、タッチパネルを備える表示装置を示す断面図、図３は、図１の断面構造を示す拡大断面図である。
【００１８】
本実施形態におけるタッチパネル１０は、図１，図２に示すように、液晶や有機ＥＬなどの表示パネル２上に配置され、操作面１０Ａに触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、透明基板１１と、透明基板１１の操作面１０Ａの裏面１１ｂ側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極１２Ｘと、Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極１２Ｙと、を有する。
【００１９】
本実施形態における静電容量方式のタッチパネルは、図１〜図３に示すように、透明基板１１の視認側と反対側となる裏面１１ｂにおいて、例えばＹ方向に延在し、Ｙ方向と交差するＸ方向に所定の配列ピッチで並設される複数のＸ電極と、この複数のＸ電極と交差して第Ｘ方向に延在し、Ｙ方向に所定の配列ピッチで並設される複数のＹ電極とを有する。透明基板１１としては、例えばガラスや耐熱透明プラスチック等の透明な基板が用いられている。  複数のＸ電極１２Ｘ及び複数のＹ電極１２Ｙは、高い透過性を有する材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明性導電材料で形成される。
【００２０】
複数のＸ電極１２Ｘと複数のＹ電極１２Ｙが、裏面１１ｂ側の同一面に形成された複数の透明電極１２と、Ｘ電極１２ＸとＹ電極１２Ｙが絶縁部１３を介して互いに交差する交差部１４において、隣り合うＸ電極１２Ｘもしくは隣り合うＹ電極１２Ｙの透明電極１２のいずれかを立体的に接続するジャンパ線１５と、を有する。
【００２１】
複数のＹ電極１２Ｙ及びＸ電極１２Ｘが配置された領域が有効タッチ領域１６であり、この有効タッチ領域１６の周囲には、図１に示すように、複数のＹ電極の各々と、複数のＸ電極の各々とからの配線を縦横方向の周辺部に導いて端子部（図示せず）に至る複数の配線１７が配置されている。
【００２２】
複数のＸ電極の各々は、細線部１２Ｘａと、この細線部１２Ｘａの幅よりも広い幅のパッド部１２Ｘｂとが、Ｙ方向に交互に複数配置された電極パターンで形成されている。複数のＹ電極の各々は、細線部１２Ｙａと、この細線部１２Ｙａの幅よりも広い幅のパッド部１２Ｙｂとが、Ｘ方向に交互に複数配置された電極パターンで形成されている。
【００２３】
平面的に見たとき、Ｙ電極１２Ｙのパッド部１２Ｙｂは、隣り合う２つのＸ電極１２Ｘの細線部１２Ｘａの間に配置され、Ｘ電極１２Ｘのパッド部１２Ｘｂは、隣り合う２つのＹ電極１２Ｙの細線部１２Ｙａの間に配置されている。これらの電極１２はダイヤモンド構造と通称される。Ｘ電極１２Ｘのパッド部１２ＸｂとＹ電極１２Ｙのパッド部１２Ｘｂは、一辺の長さが１００μｍ〜６００μｍ程度とされる。Ｘ電極１２ＸとＹ電極１２Ｙとのpit委幅は、２ｍｍ〜８ｍｍ、３ｍｍ〜７ｍｍとすることができる。
【００２４】
また、絶縁部１３は、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮもしくは樹脂からなる膜で構成される。絶縁部１３の幅は５０μｍ以上、１００μｍ以上、１５０μｍ〜３５０μｍ以下とすることができる。
【００２５】
交差部１４において、Ｙ電極１２Ｙの細線部１２Ｙａであるジャンパ線１５と配線部（配線）１７とは、図１〜図３に示すように、同一構成の多層構造とされ、透明電極１２や絶縁部１３との界面における視認側から見た際の反射率を小さくして反射特性を最適化するとともに、ジャンパ線１５および配線部１７における導電性を大きくする。
【００２６】
ジャンパ線１５は、図３に示すように、透明基板１１側から順に銅酸化膜（第一層）Ｃ１、銅膜（第二層）Ｃ２、銅ニッケル（第三層）Ｃ３がすくなくとも積層された構造を有する。細線部１２Ｘａとジャンパ線１５の線幅は０．５μｍ〜１０μｍとされ、１μｍ〜８μｍ、２μｍ〜５μｍとすることができる。
【００２７】
第一層Ｃ１および第二層Ｃ２は、例えば銅とされる同じ金属を主に含み、この銅の酸化物である第一の金属酸化膜からなる第一層Ｃ１と、銅または銅合金からなる導電層とされる第二層Ｃ２とからなる。第一層Ｃ１および第二層Ｃ２はたとえば、ニッケルを含むこともできる。第一層Ｃ１および第二層Ｃ２においては、第一層Ｃ１の反射率が、第二層Ｃ２より低くなり、具体的には第一層Ｃ１の反射率が、第二層Ｃ２の反射率の半分以下とされるとともに、第一層Ｃ１における酸素の含有率が第二層ＭＣ２より高く、第一層Ｃ１における比抵抗が第二層Ｃ２より高い。
【００２８】
第一層Ｃ１は、銅、または、主として銅を含有する合金の酸化膜からなることができる。本実施形態では、銅からなる単層の酸化膜、あるいは、ニッケルを含む銅合金の酸化膜を挙げることができる。第一層Ｃ１は、絶縁部１３や透明電極１２に対して第二層Ｃ２を成膜性および密着性を向上する下地層となることもできる。
【００２９】
第二層Ｃ２は、銅、または、主として銅を含有する合金からなることができる。本実施形態では、銅からなる単層膜、あるいは、ニッケルを含む銅合金、または、銅ニッケル層と銅単層とが積層された構成、さらに、銅ニッケル層と銅単層と銅ニッケル層とが積層された構成とすることができる。
これら、第一層Ｃ１と第二層Ｃ１とは、ジャンパ線としての良好な導電性を維持するとともに、後述するように、光の吸収効果により視認側から見た際の反射率を小さくする。
【００３０】
第三層Ｃ３が、第一層Ｃ１および第二層Ｃ２に含有される金属と同じ主として銅を含有する合金からなる膜とされることができる。本実施形態ではニッケルを含む銅合金からなることができる。第三層Ｃ３は、第一層Ｃ１および第二層Ｃ２を保護するキャップ層となっている。
ジャンパ線１５の膜構成をこのようにすることで、光の吸収効果により視認側から見た際の反射率を小さくすることを達成できる。
【００３１】
第一層Ｃ１の膜厚等の特性としては、一例として次に上げるように設定することができる。ここで、第二層Ｃ２の膜厚を２００ｎｍに設定し、第一層Ｃ１の膜厚と酸素含有量を変化させた。表においてＯ２とは、成膜時の酸素ガス流量を示すものであり、膜中の酸素含有量の多寡を示している。また、Ｒ％は可視域における反射率の平均値を示すものである。
【表１】
2015056068.tif 000003
【００３２】
なお、ここでは、積層されたジャンパ線１５の電気特性として、シート抵抗Ｒｓ０．２［Ω／ロ］以下を示す。
図４は、本実施形態におけるジャンパ線１５における膜特性の測定例を示すものであり、シート抵抗評価および反射率評価を示す概念図である。また、比較のため、第一層Ｃ１が無い状態でも測定をおこなった。
【００３３】
分光反射率の測定は、市販の分光光度計を利用して可能である。測定は、図４に示すように、光源（モノクロメータ）Ｌ１からの分光された照射光が測定試料膜に照射され、鏡面反射された光を測定器ＬＳで受光して光の強度を測定する。モノクロメータＬ１からの分光照射光の波長を測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍとされる可視光域の全域で連続的に変化させて分光反射率を測定する。
ここで、測定におけるリファレンスを絶対反射率が既知の所定の膜とする。すなわち、以後の各測定試料における１００％の基準を例えばアルミニウム単層膜で得られた強度を既知の絶対反射率で割った値とする。
【００３４】
図５，図６に示すように、第一層Ｃ１の膜厚を５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下、より好ましくは２００〜４００ｎｍとすることで、第一層Ｃ１の反射率を、第二層Ｃ２の反射率の半分以下とすることができる。また、第一層Ｃ１を低酸素含有状態（酸化度低）として上限膜厚にした場合には、さらに反射率を低減でき、第一層Ｃ１を高酸素含有状態（酸化度高）として、膜厚２００ｎｍとすると、第二層Ｃ２の反射率の１／４以下とすることができる。
また第一層Ｃ１の比抵抗が１．０×１０４〜１．０×６μΩｃｍとされているので、導体として充分機能することができる。
第一層Ｃ１の膜厚を上記の範囲に設定することにより、抵抗が高くなること、成膜時の膜表面に無視できない凹凸が生じること、成膜時間が長くなりすぎることを防止することができる。
【００３５】
さらに、図７に示すように、第一層Ｃ１を低酸素含有状態（酸化度低）として、可視光域の波長４８０ｎｍにおいて、膜厚２００ｎｍおよび膜厚４００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の５／７以下とすることができ、波長６８０ｎｍにおいて、膜厚２００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の４５／９５以下とすることができ、波長６８０ｎｍにおいて、膜厚４００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の２５／９５以下とすることができる。
【００３６】
さらに、図９に示すように、第一層Ｃ１を例えば膜厚５０ｎｍおよび膜厚２００ｎｍとされる所定膜厚としてその含有酸素濃度を変化させることで、反射率を変えて、所望の反射率となるように制御することができる。なお、図９における横軸は、成膜雰囲気に供給した雰囲気ガスのアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比（Ｏ２／Ａｒ  ｒａｔｉｏ［％］）である。
【００３７】
同様に、図１０に示すように、第一層Ｃ１を例えば膜厚５０ｎｍおよび膜厚２００ｎｍとされる所定膜厚としてその含有酸素濃度を変化させた場合、成膜雰囲気に供給した雰囲気ガスのアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比（Ｏ２／Ａｒ  ｒａｔｉｏ［％］）が４５より大きくなると、比抵抗の値はほぼ一定になる。つまり、含有酸素濃度を変化させても、比抵抗を気にせずに、光学特性を設定することが可能となる。同様に、図１０における横軸は、成膜雰囲気に供給した雰囲気ガスのアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比である。
また、この場合、酸素ガスの流量比を４５から増加させるに従い、第一層Ｃ１の透過率が増加していく。つまり、酸化は進行してもこの酸化膜の電気的な膜質（抵抗）がほぼ一定であることがわかる。
【００３８】
また、第二層Ｃ２の膜厚を２００ｎｍ〜１００００ｎｍとすることで、ジャンパ線１５としての抵抗が変化しないにも変わらず過剰に膜厚が大きいこと、成膜時の膜表面に無視できない凹凸が生じること、成膜時間が長くなりすぎることを防止することができる。
【００３９】
さらに、図８に示すように、第一層Ｃ１を高酸素含有状態（酸化度高）として、可視光域の波長３８０ｎｍにおいて、膜厚１００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の２０／３５以下とすることができ、波長３８０ｎｍにおいて、膜厚２００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の１８／３５以下とすることができ、波長４８０ｎｍにおいて、膜厚１００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の２１／５１以下とすることができ、波長４８０ｎｍにおいて、膜厚２００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の１８／５０以下とすることができ、波長５８０ｎｍにおいて、膜厚１００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の４０／８０以下とすることができ、波長５８０ｎｍにおいて、膜厚２００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の２４／８０以下とすることができ、波長６８０ｎｍにおいて、膜厚１００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の５５／９５以下とすることができ、波長６８０ｎｍにおいて、膜厚２００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の１５／９５以下とし、波長７８０ｎｍにおいて、膜厚１００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の６０／９５とすることができ、波長７８０ｎｍにおいて、膜厚２００ｎｍで第二層Ｃ２の反射率の１０／９５以下とすることができる。
【００４０】
図７，図８に示すとおり、本実施形態を構成する多層膜は、従来の多層膜と比較して、測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍとされる可視光域の全域で反射率を抑制するとともに、可視光域の全域で反射率をほぼ均一な値とすることができる。同時に、良好な導電性を有するためジャンパ線１５の幅寸法をモリブデンなどを用いた場合に比べて小さくすることができ、平面視した大きさを小さくして表示装置に対する視認性を向上することができる。
【００４１】
なお、本実施形態において、銅およびニッケルを含む多層膜形成をスパッタリング法で行う場合は、スパッターターゲットを銅−ニッケルの２元で準備して、酸化膜の成膜時には所定量の酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスを導入する反応性スパッタリングにより、ソース電源を増結することなく可能である。
【００４２】
具体的には、銅酸化積層膜Ｃ１の成膜において、成膜条件のうちガス流量を、アルゴン：酸素流量を、２００：３２０（ｓｃｃｍ）または、２００：２２８０（ｓｃｃｍ）とし、この状態から、銅膜Ｃ２の成膜において、２００：０（ｓｃｃｍ）のように変化させることが好ましい。
【００４３】
さらに、本実施形態では、銅酸化膜（第一層）Ｃ１と銅膜（第二層）Ｃ２との比抵抗が、透明電極１２に接続される側から銅ニッケル膜（第三層）Ｃ３側へ連続して低下するように構成されていることもでき、この場合、二つの異なる比抵抗の値を持たなくても、比抵抗が厚さに応じて連続的に変化する構成とすることもできる。
【００４４】
本実施形態のタッチパネルの製造方法の一例を説明する。
本実施形態のタッチパネルの製造方法は、透明基板１１に、センサ導電膜パターンである透明電極１２を形成する工程と、絶縁部１３を形成する工程と、ジャンパ線１５と配線部１７とを一括して形成する工程と、を有する。
【００４５】
また、本実施形態のタッチパネルの製造方法は、ジャンパ線１５と配線部１７とを一括して形成する工程、絶縁部１３を形成する工程、透明電極１２を形成する工程を、この順におこなうこともできる。
【００４６】
さらに、タッチパネルの製造方法の他の例としては、配線部１７をパターン形成する工程と、透明電極１２を形成する工程と、絶縁部１３を形成する工程と、ジャンパ線１５を形成する工程とを有することもできる。
なお、これらの方法では、最終工程として透明樹脂等による全面均一な保護膜１３Ａを塗布形成することができる。
【００４７】
本実施形態のタッチパネルの製造方法をさらに具体的に説明すると、（ａ）センサ電極である透明電極１２パターンを、例えばＩＴＯの成膜後に、前工程のパターン位置との合わせを前提として、フォトリソグラフィー法によるフォトレジストのパターニングを行い、その後のエッチングと残留レジストの除去を経て形成する。次に、（ｂ）絶縁部１３を形成するための感光性樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィー法により、交差部１４と位置合わせしてパターン形成する。次に、（ｃ）ジャンパ線１５と配線部１７とを構成するための前述の同一構成の多層成膜を行い、フォトレジストの塗布、露光、現像、を含むフォトリソグラフィー法とその後のエッチングと残留レジストの除去を経て一括形成することができる。
【００４８】
図１１は、本発明の他の実施形態におけるタッチパネルの交差部を示す拡大断面図である。
【００４９】
本発明において、図３に示す例では、絶縁部１３を交差部１４に対応する部分のみ形成したが、図１１に示す例では、透明基板（ガラス）１１全面に絶縁部１３が設けられ、交差部１４にスルーホール１３ｂが設けられて、このスルーホールにおいて第一層Ｃ１と透明電極１２とが接続されている。
このような構成の場合、電極となるＩＴＯパターンを形成した後、絶縁部１３となる膜を基板１１全面に形成して、交差部１４と位置あわせしてスルーホール１３ｂを形成し、その後、ジャンパ線１５と配線部１７とを多層膜として構成する。  
【００５０】
本発明においては、第一層Ｃ１の反射率と、第一層Ｃ１の抵抗値および第一層Ｃ１と第二層Ｃ２の膜厚を上記のように設定することで、良好な導電性を維持しつつ可視光域における低反射率化を実現することができる。具体的には、次のような範囲をそれぞれ選択して組み合わせることができる。
第一層Ｃ１の抵抗値（酸素含有量）：１．０×１０４〜１．０×６μΩｃｍ
第一層Ｃ１の反射率：３５％以下（λ＝３００〜８００ｎｍ  Ａｖｅｒａｇｅ）
第一層Ｃ１の膜厚：５０ｎｍ〜４００ｎｍ
第二層Ｃ２の膜厚：２００ｎｍ〜１００００ｎｍ
【００５１】
さらに、第二層Ｃ２の比抵抗：１．５μΩｃｍ〜３μΩｃｍとすることができる。
ここで、第二層Ｃ２は、
スパッタで成膜した場合、
膜厚：２００ｎｍ〜１０００ｎｍ
シート抵抗Ｒｓの範囲：０．０１５〜０．１５Ω／口
蒸着及びメッキで成膜した場合
膜厚：１０００ｎｍ〜１００００ｎｍ
シート抵抗Ｒｓの範囲：０．００１５〜０．３Ω／口
に設定することができる。
【００５２】
さらに、本発明においては、図１２に示すように、ＣｕＯｘとされる第一層Ｃ１、Ｃｕからなる第二層Ｃ２、ＣｕＮｉからなる第三層Ｃ３が積層されるとともに、第二層Ｃ２の第一層Ｃ１側に、ＣｕＯｘからの酸化を防止するために、ＣｕＮｉからなる第一層側第二層Ｃ４を設けることができる。これにより、Ｃｕからなる第二層の酸化を防止し、電気特性の変動を防止することができる。
【００５３】
さらに、第一層Ｃ１において、成膜温度を変化させて、酸素濃度二値および膜厚ごとのシート抵抗Ｒｓを測定した。
【表２】
2015056068.tif 000004
【表３】
2015056068.tif 000005
この結果から、成膜温度によって、シート抵抗を制御することが可能となることがわかる。
【００５４】
本発明は、透明な基材と多層膜の配線パターンとの界面を簡単な方法で低反射率化するとともに、良好な導電性を維持しつつ可視光域における反射率の均一性を向上して、視認側からの配線パターンに対する視認性を小さくすることができる。同様な方策によって、他の電子部品等の表示性能に関係する特性品質を高めることが容易に考えられる。例えば、透明導電膜をさらに低抵抗化するための金属層を含む補助配線パターンの視認性を向上することができる。また、一般に表示装置に関係する配線を始めとして、電子部品における各種配線パターンに金属層を適用できる範囲を拡大することができ、製品設計の自由度を大幅に高めることが可能になる。
【符号の説明】
【００５５】
１０…タッチパネル
１０Ａ…操作面
１１…透明基板
１２…透明電極
１２Ｘ…Ｘ電極
１２Ｙ…Ｙ電極
１２Ｘａ，１２Ｙａ…細線部
１２Ｘｂ，１２Ｙｂ…パッド部
１３…絶縁部
１３ｂ…スルーホール
１４…交差部
１５…ジャンパ線
１７…配線部
Ｃ１…銅酸化積層膜（第一層）
Ｃ２…銅膜（第二層）
Ｃ３…銅ニッケル膜（第三層）
【図１】
2015056068.tif 000006
【図２】
2015056068.tif 000007
【図３】
2015056068.tif 000008
【図４】
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【図５】
2015056068.tif 000010
【図６】
2015056068.tif 000011
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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