(57)【要約】      （修正有）【課題】ＨＣＦＣ類と同程度の高いフラックス洗浄性能を有し、地球環境に悪影響を及ぼさないフラックス洗浄剤の提供。【解決手段】１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンを有効成分として含有するフラックス洗浄剤。更に、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、クロロカーボン類、ハイドロフルオロカーボン類及びハイドロフルオロエーテル類から選ばれる溶剤を併用する、地球温暖化係数が小さく、乾燥性に優れ、樹脂部品等に悪影響を及ぼし難いフラックス洗浄剤。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンを有効成分として含有するフラックス洗浄剤。
【請求項２】
さらに、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、クロロカーボン類、ハイドロフルオロカーボン類およびハイドロフルオロエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有する請求項１に記載のフラックス洗浄剤。
【請求項３】
前記溶剤がアルコール類である請求項２に記載のフラックス洗浄剤。
【請求項４】
前記アルコール類がメタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項３に記載のフラックス洗浄剤。
【請求項５】
さらに、フェノール類、エーテル類、エポキシド類、ピロール類およびアミン類からなる群より選ばれる少なくとも１種の安定剤を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載のフラックス洗浄剤。
【請求項６】
さらに、ニトロ化合物を含む請求項５に記載のフラックス洗浄剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板、電子部品などの表面に付着したフラックスを除去するために用いるフラックス洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、電子部品、精密機械部品、光学部品等の製造では、製造工程、組立工程、最終仕上げ工程等において、部品を洗浄用溶剤によって洗浄し、該部品に付着したフラックス、加工油、ワックス、離型剤等の残渣やほこり等の除去することが行われている。
【０００３】
ここで、上記各種物品の製造に使用されるフラックスは、ロジンフラックスと水溶性フラックスに分類され、耐久性や信頼性を要求される分野では一般にロジンフラックスが用いられている。ロジンフラックスは、半田付け後にプリント回路基板などから完全に除去されないと回路に腐食を発生させ、回路を破損する。このため、上記除去されるべき残渣等の中でも特にフラックスに対して洗浄能力が高い洗浄用溶剤が求められるようになった。
【０００４】
このような用途に用いる洗浄用溶剤としては、不燃性で毒性が低く、安定性に優れ、金属、プラスチック、エラストマー等の基材を侵さず、化学的および熱的安定性に優れる点から、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン等のクロロフルオロカーボン類（以下、「ＣＦＣ類」と記す。）が使用されていた。しかし、ＣＦＣ類は、化学的に極めて安定であることから、気化後の対流圏内での寿命が長く、拡散して成層圏にまで達する。そのため、成層圏に到達したＣＦＣ類が紫外線により分解され、塩素ラジカルを発生してオゾン層が破壊される問題がある。このことから、ＣＦＣ類の生産は世界的に規制されており、先進国での生産は既に全廃されている。
【０００５】
ＣＦＣ類の代替溶剤として、２，２−ジクロロ−１，１，１−トリフルオロエタン、１，１−ジクロロ−１−フルオロエタン、３，３−ジクロロ−１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン等のハイドロクロロフルオロカーボン類（以下、「ＨＣＦＣ類」と記す。）等を含有するフッ素系溶剤等が使用されている（例えば、特許文献１参照）が、ＨＣＦＣ類も僅かではあるがオゾン層に悪影響を及ぼすことから、先進国においては２０２０年に生産が全廃される予定である。
【０００６】
一方、塩素原子を有さず、オゾン層に悪影響を及ぼさない溶剤としては、ペルフルオロカーボン類（以下、「ＰＦＣ類」と記す。）が知られている。また、ＣＦＣ類およびＨＣＦＣ類の代替溶剤として、ハイドロフルオロカーボン類（以下、「ＨＦＣ類」と記す。）、ハイドロフルオロエーテル類（以下、「ＨＦＥ類」と記す。）等も開発されている。しかし、ＨＦＣ類やＰＦＣ類は、地球温暖化防止のため、京都議定書の規制対象物質となっている。
【０００７】
上記のようにしてＣＦＣ類の代替溶剤として、フッ素系洗浄溶剤である、ＨＣＦＣ類、ＨＦＣ類、ＨＦＥ類が使われている。しかしながら、塩素原子を含むＨＣＦＣ類は洗浄力が高いが環境負荷が大きく、また、オゾン層に影響のないＨＦＣ類やＨＦＥ類は塩素原子を有さないことから洗浄力が低いため、脱脂洗浄や電子部品のフラックス洗浄に不向きである。このため、単独で十分な洗浄力を有し、地球環境への影響が小さなフッ素系洗浄剤が求められてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特公平８−１３９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、ＨＣＦＣ類と同程度に高いフラックス洗浄性能を有するとともに地球環境に悪影響を及ぼさないフラックス洗浄剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、各種物品の表面に付着するフラックスの残渣を該表面から除去するフッ素系洗浄溶剤として、クロロフルオロオレフィン類に分類される１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（以下、必要に応じて「ＣＦＯ−１２１４ｙａ」と記す。）が有用であることを見出した。
【００１１】
すなわち、本発明は以下の構成を有するフラックス洗浄剤を提供する。
［１］１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンを有効成分として含有するフラックス洗浄剤。
［２］さらに、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、クロロカーボン類、ハイドロフルオロカーボン類およびハイドロフルオロエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有する［１］に記載のフラックス洗浄剤。
［３］前記溶剤がアルコール類である［２］に記載のフラックス洗浄剤。
［４］前記アルコール類がメタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種である［３］に記載のフラックス洗浄剤。
［５］さらに、フェノール類、エーテル類、エポキシド類、ピロール類およびアミン類からなる群より選ばれる少なくとも１種の安定剤を含む［１］〜［４］のいずれかに記載のフラックス洗浄剤。
［６］さらに、ニトロ化合物を含む［５］に記載のフラックス洗浄剤。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のフラックス洗浄剤は、高いフラックス洗浄性能を有し、地球環境に悪影響を及ぼさない。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明のフラックス洗浄剤は、ＣＦＯ−１２１４ｙａを有効成分として含有する。ＣＦＯ−１２１４ｙａは、炭素原子−炭素原子間に二重結合を持つオレフィンであるため、大気中での寿命が短く、オゾン破壊係数や地球温暖化係数が小さい。ＣＦＯ−１２１４ｙａの沸点は約４６℃で乾燥性に優れる。また、沸騰させて蒸気となっても約４６℃であるので、樹脂部品等の熱による影響を受けやすい部品であっても悪影響を及ぼし難い。さらに、ＣＦＯ−１２１４ｙａは引火点を持たず、表面張力や粘度も低く、室温でも容易に蒸発する等、優れた性能を有する。
【００１４】
ＣＦＯ−１２１４ｙａは、分子内に塩素原子を有することから、有機物への溶解性に優れ、ＨＦＥ類やＨＦＣ類と比較して高い洗浄力を有し、プリント基板などの電子部品の半田付け後のフラックスを除去する性能にも優れる。
【００１５】
本発明のフラックス洗浄剤には、洗浄剤の溶解性を高める、揮発速度を調節する等の各種の目的に応じて、ＣＦＯ−１２１４ｙａ以外にＣＦＯ−１２１４ｙａに可溶な溶剤（以下、「溶剤（Ａ）」と記す。）を含有することが好ましい。
【００１６】
本発明のフラックス洗浄剤におけるＣＦＯ−１２１４ｙａの含有量は、フラックス洗浄剤の全量に対するＣＦＯ−１２１４ｙａの質量割合で５０質量％以上が、好ましく、６０〜９９質量％がより好ましく、８０〜９５質量％が特に好ましい。
【００１７】
ＣＦＯ−１２１４ｙａに可溶な溶剤とは、ＣＦＯ−１２１４ｙａと溶剤（Ａ）とを任意の混合割合で混合した際に、常温（２５℃）で撹拌することにより相分離や濁りを起こさずにＣＦＯ−１２１４ｙａに均一に溶解する溶剤を意味する。また、溶剤とは常温（２５℃）で液状の物質をいう。
【００１８】
溶剤（Ａ）としては、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、クロロカーボン類、ＨＦＣ類およびＨＦＥ類からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００１９】
ＣＦＯ−１２１４ｙａは、例えば、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（以下、「ＨＣＦＣ−２２５ｃａ」と記す。）を原料として、相間移動触媒存在下にアルカリ水溶液中で脱フッ化水素化させる方法（１）、またはＨＣＦＣ−２２５ｃａを原料として、クロム、鉄、銅、活性炭等の触媒存在下に気相で脱フッ化水素化させる方法（２）等で製造できる（特許第３７７８２９８号公報参照）。また、前記方法（１）および方法（２）において、ＨＣＦＣ−２２５ｃａと１，３−ジクロロ−１，２，２，３，３−ペンタフルオロプロパン（以下、「ＨＣＦＣ−２２５ｃｂ」と記す。）の異性体混合物を原料として使用し、ＨＣＦＣ−２２５ｃａを脱フッ化水素化させる方法でも製造できる（国際公開第２０１０／０７４２５４号参照）。前記異性体混合物を使用する方法は、簡便で経済的である点で有利である。
【００２０】
前記した製造方法で得られたＣＦＯ−１２１４ｙａには、未反応のＨＣＦＣ−２２５ｃａやＨＣＦＣ−２２５ｃｂ等の不純物が存在する。使用するＣＦＯ−１２１４ｙａ中の不純物の含有量は、オゾン層破壊や地球温暖化等の地球環境への負荷を低減し、また優れた洗浄性を得るために、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましい。
【００２１】
すなわち、ＣＦＯ−１２１４ｙａの純度は、９９質量％以上が好ましく、９９．５質量％以上がより好ましい。ＣＦＯ−１２１４ｙａの純度は、蒸留等によって高めることができる。
【００２２】
溶剤（Ａ）のフラックス洗浄剤中の含有割合は、５０質量％以下が好ましく、より好ましくは１〜４０質量％、さらに好ましくは５〜２０質量％である。ＣＦＯ−１２１４ｙａと溶剤（Ａ）の混合物に共沸組成物が存在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。
【００２３】
溶剤（Ａ）である炭化水素類としては、炭素数が５以上の炭化水素類が好ましい。炭素数が５以上の炭化水素類あれば、鎖状であっても環状であってもよく、また飽和炭化水素類であっても、不飽和炭化水素類であってもよい。
【００２４】
具体的には、ｎ−ペンタン、２−メチルブタン、ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２，４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、２，２，３−トリメチルペンタン、２−メチルヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−ノナン、２，２，５−トリメチルヘキサン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、２−メチル−２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン、アミルナフタレン等が挙げられる。なかでも、ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタンが好ましい。
【００２５】
溶剤（Ａ）であるアルコール類としては、炭素数１〜１６のアルコール類が好ましい。炭素数１〜１６のアルコール類であれば、鎖状であっても環状であってもよく、また飽和アルコール類であっても、不飽和アルコール類であってもよい。
【００２６】
アルコール類として、具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−エチル−１−プロパノール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−ノナノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノール、α−テルピネオール、２，６−ジメチル−４−ヘプタノール、ノニルアルコール、テトラデシルアルコール等が挙げられる。
【００２７】
溶剤（Ａ）がアルコール類である場合、ＣＦＯ−１２１４ｙａとアルコール類の混合物は共沸組成や共沸組成物に近い挙動を有する混合物を得やすい。したがって溶剤（Ａ）としてはアルコール類が好ましい。また、アルコール類のなかでも、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールはＣＦＯ−１２１４ｙａとそれぞれ共沸組成を形成するため、特に溶剤（Ａ）として使用が好ましい溶剤である。
【００２８】
溶剤（Ａ）であるケトン類としては、炭素数３〜９のケトン類が好ましい。炭素数３〜９のケトン類であれば、鎖状であっても環状であってもよく、また飽和ケトン類であっても、不飽和ケトン類であってもよい。
【００２９】
ケトン類として具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、メシチルオキシド、ホロン、２−オクタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、２，４−ペンタンジオン、２，５−ヘキサンジオン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等が挙げられる。なかでも、アセトン、メチルエチルケトンが好ましい。
【００３０】
溶剤（Ａ）であるエステル類としては、炭素数２〜１９のエステル類が好ましい。炭素数２〜１９のエステル類であれば、鎖状であっても環状であってもよく、また飽和エステル類であっても、不飽和エステル類であってもよい。
【００３１】
エステル類として具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ペンチル、酢酸メトキシブチル、酢酸ｓｅｃ−ヘキシル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸ベンジル、γ−ブチロラクトン、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸ジブチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル等が挙げられる。なかでも、酢酸メチル、酢酸エチルが好ましい。
【００３２】
溶剤（Ａ）であるクロロカーボン類としては、炭素数１〜３のクロロカーボン類が好ましい。炭素数１〜３のクロロカーボン類であれば、鎖状であっても環状であってもよく、また飽和クロロカーボン類であっても、不飽和クロロカーボン類であってもよい。
【００３３】
クロロカーボン類として、具体的には、塩化メチレン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，１，２−テトラクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１，１−ジクロロエチレン、ｃｉｓ−１，２−ジクロロエチレン、ｔｒａｎｓ−１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等が挙げられる。なかでも、塩化メチレン、ｔｒａｎｓ−１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチレンが好ましい。
【００３４】
溶剤（Ａ）であるＨＦＣ類としては、炭素数４〜８の鎖状または環状のＨＦＣ類が好ましく、１分子中のフッ素原子数が水素原子数以上であるＨＦＣ類に含まれる溶剤がより好ましい。
【００３５】
ＨＦＣ類として、具体的には、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタン、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロヘキサン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロヘキサン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロオクタン等が挙げられる。なかでも、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロヘキサン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロヘキサンが好ましい。
【００３６】
溶剤（Ａ）であるＨＦＥ類としては、例えば、（ペルフルオロブトキシ）メタン、（ペルフルオロブトキシ）エタン、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタン等が挙げられる。なかでも、（ペルフルオロブトキシ）メタン、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタンが好ましい。
【００３７】
本発明のフラックス洗浄剤に含まれる溶剤（Ａ）は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。
【００３８】
溶剤（Ａ）は引火点を持たない溶剤であることが好ましい。引火点を持たない溶剤（Ａ）としては、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロヘキサン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロヘキサン等のＨＦＣ類や、（ペルフルオロブトキシ）メタン、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタン等のＨＦＥ類が挙げられる。溶剤（Ａ）として引火点を有する溶剤を用いる場合には、本発明のフラックス洗浄剤とした際に引火点を持たない範囲で用いることが好ましい。
【００３９】
ＣＦＯ−１２１４ｙａは、上記のとおり分解しやすいために地球環境への影響が小さいという性質を有する反面、使用中に分解することによる溶剤の酸性化や、分解して発生する酸等によって溶剤と共存する金属、例えば保存容器や配管、装置等が腐食する等の問題を起こす場合もある。
【００４０】
本発明のフラックス洗浄剤は、このようなＣＦＯ−１２１４ｙａの酸素等による分解を防ぐことを目的として本発明の効果を損なわない範囲で安定剤（Ｂ）を含んでいてもよい。安定剤（Ｂ）は、フラックス洗浄剤１００質量％に対し、１質量ｐｐｍ〜１０質量％が好ましく、より好ましくは３質量ｐｐｍ〜７質量％、最も好ましくは５質量ｐｐｍ〜５質量％である。安定剤（Ｂ）の含有量が上記範囲内であれば、フラックス洗浄剤の安定性をより高め、ＣＦＯ−１２１４ｙａが有する表面張力や粘度も低く、室温でも容易に蒸発する等の特徴を保つことができる。
【００４１】
本発明に用いる安定剤（Ｂ）は、フェノール類、エーテル類、エポキシド類、ピロール類およびアミン類からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる。すなわち、安定剤（Ｂ）はこれらの５種類の化合物類から選ばれる１種からなってもよく、２種以上からなってもよい。安定剤（Ｂ）が２種以上の化合物からなる場合、全ての化合物が同一の化合物類、例えば、フェノール類から選ばれていてもよく、異なる化合物類、例えば、フェノール類とエーテル類からそれぞれ選ばれていてもよい。
【００４２】
ここで、これらの５種類の化合物類がＣＦＯ−１２１４ｙａを安定化させる機構は異なると考えられる。したがって本発明のフラックス洗浄剤において、安定剤（Ｂ）として５種類の化合物類の２種類以上の化合物類からそれぞれ選ばれる化合物を組合せて用いることが好ましい。例えば、フェノール類およびピロール類は酸化防止作用によりＣＦＯ−１２１４ｙａの酸化分解を抑制すると推測される。本発明のフラックス洗浄剤において安定剤（Ｂ）は、特に、フェノール類から選ばれる少なくとも１種と、フェノール類以外の４種類の化合物類から選ばれる少なくとも１種からなる組合せが好ましい。
【００４３】
安定剤（Ｂ）として用いるフェノール類とは、芳香族炭化水素核に１個以上のヒドロキシ基を有する芳香族ヒドロキシ化合物をいう。フェノール類としては、ＣＦＯ−１２１４ｙａに溶解性の高い化合物が好ましい。芳香族炭化水素核としてはベンゼン核が好ましい。ヒドロキシ基の数は１〜６個が好ましく、１〜３個がより好ましく、１個が特に好ましい。
【００４４】
芳香族炭化水素核のヒドロキシ基が結合した以外の炭素原子には水素原子の他に１つ以上の置換基が結合していてもよい。置換基としては、炭化水素基、アルコキシ基、アシル基、カルボニル基などが挙げられる。また、芳香族炭化水素核に結合している１つ以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。
【００４５】
炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、アラルキル基が挙げられる。
これらの置換基のうち、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アシル基、カルボニル基の炭素数は１〜６が好ましく、１〜４がより好ましい。芳香族炭化水素基の炭素数は６〜１０が好ましく、アラルキル基の炭素数は７〜１０が好ましい。炭化水素基としてはアルキル基やアルケニル基が好ましく、特にアルキル基が好ましい。
【００４６】
置換基を有する場合、その数は、１〜５個が好ましく、１〜３個がより好ましい。置換基の位置は、特に制限されない。芳香族炭化水素核のヒドロキシ基に対して少なくともオルト位が置換されていることが好ましい。
【００４７】
なかでも、芳香族炭化水素核がベンゼン核であって、ヒドロキシ基を１〜３個有する、置換または非置換基の化合物が好ましい。置換基を有するフェノール類として、ヒドロキシ基に対して少なくともオルト位に炭素数１〜４のアルキル基および／またはアルコキシ基を有する、置換基数１〜３個の化合物が好ましい。オルト位のアルキル基としてはターシャリーブチル基などの分岐アルキル基が好ましい。オルト位が２つ存在する場合はそのいずれにもアルキル基が存在していてもよい。
【００４８】
フェノール類として、具体的にはフェノール、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール、１，３，５−ベンゼントリオール、２，６−ジターシャリーブチル−４−メチルフェノール、２，４，６−トリターシャリーブチルフェノール、２−ターシャリーブチルフェノール、３−ターシャリーブチルフェノール、４−ターシャリーブチルフェノール、２，４−ジターシャリーブチルフェノール、２，６−ジターシャリーブチルフェノール、４，６−ジターシャリーブチルフェノール、１−クレゾール、２−クレゾール、３−クレゾール、２，３−ジメチルフェノール、２，４−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール、２，４，６−トリメチルフェノール、２，５，６−トリメチルフェノール、３−イソプロピルフェノール、２−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、４−メトキシフェノール、２−エトキシフェノール、３−エトキシフェノール、４−エトキシフェノール、２−プロポキシフェノール、３−プロポキシフェノール、４−プロポキシフェノールおよび４−ターシャリーブチルカテコール等が挙げられる。
【００４９】
なかでも、フェノール、１，２−ベンゼンジオール、２，６−ジターシャリーブチル−４−メチルフェノール、３−クレゾール、２−イソプロピル−５−メチルフェノールおよび２−メトキシフェノールが好ましい。
本発明のフラックス洗浄剤においては、安定剤（Ｂ）としてフェノール類の１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５０】
本発明のフラックス洗浄剤におけるフェノール類の含有量は、フラックス洗浄剤の全量に対して、１質量ｐｐｍ〜１０質量％が好ましく、より好ましくは３質量ｐｐｍ〜７質量％、さらに好ましくは５質量ｐｐｍ〜５質量％である。
【００５１】
フラックス洗浄剤におけるフェノール類の含有量が、上記好ましい範囲の下限値以上であれば、安定化のための充分な効果が発揮される。該含有量が、上記好ましい範囲の上限値以下であれば表面張力や粘度が低く浸透性がよく、室温でも容易に蒸発する。
【００５２】
安定剤（Ｂ）として用いるエーテル類とは、酸素原子に２つの炭化水素基が結合した鎖状エーテルと環を構成する原子として酸素原子を有する環状エーテル（ただし、３員環状エーテルであるエポキシ環を除く）とをいう。エーテル類における上記炭素原子に挟まれた酸素原子をエーテル性酸素原子という。なお、本発明においては、エーテル性酸素原子とエポキシ基の両方を有する化合物はエポキシド類に分類する。
【００５３】
安定剤（Ｂ）として用いるエーテル類としては、ＣＦＯ−１２１４ｙａに溶解性の高い化合物が好ましい。鎖状エーテルと環状エーテルにおけるエーテル性酸素原子の数は２以上であってもよい。エーテル性酸素原子の数は好ましくは１〜３である。さらに、エーテル類は飽和エーテル類であっても、不飽和エーテル類であってもよい。エーテル類の炭素数は２〜１２が好ましく、２〜８がより好ましい。また、エーテルを構成する炭化水素基は脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、その炭素原子にはハロゲン原子、ヒドロキシ基等の置換基が結合していてもよい。
【００５４】
鎖状エーテルとして、具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジアリルエーテル、エチルメチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルイソプロルエーテル、エチルイソブチルエーテル、エチルイソペンチルエーテル、エチルビニルエーテル、アリルエチルエーテル、エチルフェニルエーテル、エチルナフチルエーテル、エチルプロパルギルエーテル、ブチルビニルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、アニソール、メチルアニソール、アネトール、フェネトール、１，１，１−トリメトキシエタン、１，１，２−トリメトキシエタン、１，１，１−トリエトキシエタン、１，１，２−トリエトキシエタン等が挙げられる。
【００５５】
環状エーテルとしては、４〜６員環の環状エーテルが好ましく、具体的には、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、１，３，５−トリオキサン、フラン、２−メチルフラン、テトラフドロフラン等が挙げられる。
【００５６】
安定剤（Ｂ）として用いるエーテル類としては、鎖状エーテルであるエチルフェニルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、環状エーテルである１、４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、１，３，５−トリオキサン、フラン、２−メチルフランおよびテトラヒドロフランが好ましい。
安定剤（Ｂ）としてエーテル類の１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５７】
本発明のフラックス洗浄剤におけるエーテル類の含有量は、フラックス洗浄剤の全量に対して、１質量ｐｐｍ〜１０質量％が好ましく、より好ましくは１０質量ｐｐｍ〜７質量％、さらに好ましくは０．０１〜５質量％である。
【００５８】
フラックス洗浄剤におけるエーテル類の含有量が、上記好ましい範囲の下限値以上であれば、安定化のための充分な効果が得られる。該含有量が、上記好ましい範囲の上限値以下であれば、表面張力や粘度が低く浸透性がよく、室温でも容易に蒸発する。
【００５９】
本発明における安定剤（Ｂ）として用いるエポキシド類とは、３員環状エーテルであるエポキシ基を１個以上有する化合物をいう。安定剤（Ｂ）として用いるエポキシド類としては、ＣＦＯ−１２１４ｙａに溶解性の高い化合物が好ましい。エポキシド類は、エポキシ基を１分子中に２個以上有していてもよい。エポキシド類が有するエポキシ基の数は１〜３個が好ましい。エポキシド類は、脂肪族エポキシドであっても、芳香族エポキシドであってもよい。エポキシド類は、ハロゲン原子、エーテル性酸素原子、ヒドロキシ基等の置換基を有していてもよい。エポキシド類の炭素原子数は１２以下が好ましい。
【００６０】
エポキシド類として、具体的には、１，２−プロピレンオキシド、１，２−ブチレンオキシド、１，２−エポキシ−３−フェノキシプロパン、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、エピクロロヒドリン、ｄ−リモネンオキシドおよびｌ−リモネンオキシド等が挙げられる。
【００６１】
なかでも、１，２−プロピレンオキシド、１，２−ブチレンオキシド、ブチルグリシジルエーテル、１，２−エポキシ−３−フェノキシプロパンおよびジエチレングリコールジグリシジルエーテルが好ましい。
本発明のフラックス洗浄剤においては、安定剤（Ｂ）としてエポキシド類の１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６２】
本発明のフラックス洗浄剤におけるエポキシド類の含有量は、フラックス洗浄剤の全量に対して、１質量ｐｐｍ〜１０質量％が好ましく、より好ましくは１０質量ｐｐｍ〜７質量％、さらに好ましくは０．０１〜５質量％である。
【００６３】
フラックス洗浄剤におけるエポキシド類の含有量が、上記好ましい範囲の下限値以上であれば、安定化のための充分な効果が得られる。該含有量が、上記好ましい範囲の上限値以下であれば、表面張力や粘度が低く浸透性がよく、室温でも容易に蒸発する。
【００６４】
安定剤（Ｂ）として用いるピロール類とは、炭素、窒素原子からなる複素環式５員環の化合物をいう。ピロール類としては、ＣＦＯ−１２１４ｙａに溶解性の高い化合物が好ましい。また、ピロール類は窒素原子、炭素原子のいずれかに置換基を有していてもよい。ピロール類が置換基を有する場合、置換基の数は１〜５が好ましい。置換基としては、炭素数１〜３のアルキル基が好ましい。
【００６５】
ピロール類として、具体的には、ピロール、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール等が挙げられる。なかでも、ピロールおよびＮ−メチルピロールが好ましい。本発明のフラックス洗浄剤においては、安定剤（Ｂ）としてピロール類の１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６６】
本発明のフラックス洗浄剤におけるピロール類の含有量は、フラックス洗浄剤の全量に対して、１質量ｐｐｍ〜１０質量％が好ましく、より好ましくは３質量ｐｐｍ〜７質量％、さらに好ましくは５質量ｐｐｍ〜５質量％である。
【００６７】
フラックス洗浄剤におけるピロール類の含有量が、上記好ましい範囲の下限値以上であれば、安定化のための充分な効果が発揮される。該含有量が、上記好ましい範囲の上限値以下であれば、表面張力や粘度が低く浸透性がよく、室温でも容易に蒸発する。
【００６８】
安定剤（Ｂ）として用いるアミン類とは、第１級〜第３級のアミノ基を１個以上有する化合物をいう。また、アミン類は非環状のアミン類であっても環状アミン類（アミノ酸の窒素原子が環を構成する原子である環状化合物）であってもよい。第２級アミノ基や第３級アミノ基の窒素原子に結合している基としては、炭素数６以下のアルキル基やヒドロキシアルキル基が好ましい。非環状のアミン類としては脂肪族アミンや芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては第１級〜第３級のアミノ基を１個以上有するベンゼン核含有化合物が挙げられる。環状アミン類としては、環を構成する窒素原子の数が１〜３個の４〜６員環化合物（ただし、ピロール類を除く）が挙げられる。また、アミン類の炭素原子数は１６以下が好ましく、１０以下がより好ましい。
【００６９】
アミン類として、具体的には、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、イソブチルアミン、ジイソブチルアミン、セカンダリー−ブチルアミン、ターシャリー−ブチルアミン、ペンチルアミン、ジペンチルアミン、トリペンチルアミン、ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、ピリジン、ピコリン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、α−メチルベンジルアミン、プロピレンジアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ジプロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、アニリン、ジフェニルアミンおよびエチレンジアミンが挙げられる。
【００７０】
アミン類としては、アルキルアミンと環状アミン類が好ましく、なかでも、２−メチルピリジン、ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、Ｎ−メチルモルホリンおよびＮ−エチルモルホリンが好ましい。本発明のフラックス洗浄剤においては、安定剤（Ｂ）としてアミン類の１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７１】
本発明のフラックス洗浄剤におけるアミン類の含有量は、フラックス洗浄剤の全量に対して、５質量ｐｐｍ〜５質量％が好ましく、より好ましくは１０質量ｐｐｍ〜５質量％である。
【００７２】
フラックス洗浄剤におけるアミン類の含有量が、上記好ましい範囲の下限値以上であれば、安定化のための充分な効果が発揮される。該含有量が、上記好ましい範囲の上限値以下であれば、表面張力や粘度が低く浸透性がよく、室温でも容易に蒸発する。
【００７３】
本発明のフラックス洗浄剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記安定剤（Ｂ）とともに、金属腐食を抑制するためにニトロ化合物（Ｃ）を含有することが好ましい。ニトロ化合物は、金属表面への配向性を持つため、ニトロ化合物が金属表面に整列し、フラックス洗浄剤に含まれる酸素や、腐食を促進する物質による金属表面への腐食作用を抑制することができる。
【００７４】
本発明におけるニトロ化合物（Ｃ）とは、有機化合物の炭素原子にニトロ基−ＮＯ２が結合した有機化合物のことをいう。ニトロ化合物（Ｃ）は、ＣＦＯ−１２１４ｙａへの溶解性があり、それ自体揮発性を有することで、ＣＦＯ−１２１４ｙａとともに揮発して洗浄等に際して物品の表面に残留しにくいことが好ましい。該観点から、（Ｃ）ニトロ化合物としては、脂肪族ニトロ化合物が好ましく、沸点が１００℃〜１５０℃の化合物が好ましい。
【００７５】
このようなニトロ化合物（Ｃ）として、具体的には、ニトロメタン、ニトロエタン、１−ニトロプロパン、２−ニトロプロパン、ニトロエチレン等が挙げられ、上記観点から、ニトロメタン、ニトロエタン、１−ニトロプロパン、２−ニトロプロパンがより好ましい。本発明のフラックス洗浄剤においては、ニトロ化合物（Ｃ）の１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７６】
本発明のフラックス洗浄剤におけるニトロ化合物（Ｃ）の含有量は、フラックス洗浄剤の全量に対して、１質量ｐｐｍ〜１０質量％が好ましく、０．０１質量％〜７質量％がより好ましく、０．０５質量％〜５質量％がさらに好ましい。
【００７７】
フラックス洗浄剤におけるニトロ化合物（Ｃ）の含有量が、上記好ましい範囲の下限値以上であれば、金属腐食防止のための充分な効果が発揮される。該含有量が、上記好ましい範囲の上限値以下であれば、表面張力や粘度が低く浸透性がよく、室温でも容易に蒸発する。
【００７８】
以上、説明した本発明のフラックス洗浄剤は、ＨＣＦＣ類と同程度に高いフラックス洗浄性能を有するとともに、地球環境に悪影響を及ぼすことがない。本発明のフラックス洗浄剤はＨＦＥ類やＨＦＣ類に比べて高いフラックス洗浄性能を有する。
【００７９】
本発明のフラックス洗浄剤を用いて、各種物品の表面に付着するフラックスの残渣を該表面から除去する方法として、具体的には、フラックス洗浄剤を被洗浄物品の表面に接触させる方法が挙げられる。
【００８０】
本発明フラックス洗浄剤は、被洗浄物品の表面からフラックス残渣を洗浄する能力に優れる。本発明フラックス洗浄剤は、さらに、フラックス以外の残渣、例えば、各種部品の製造工程等において、部品に付着した加工油、ワックス、離型剤、切削屑や研磨屑といった加工屑、研磨剤、ほこり等を洗浄する能力にも優れるものである。
【００８１】
ここで、本発明における被洗浄物品とは、プリント基板、フープ剤関係、液晶表示器、磁気記録部品、半導体材料、圧電素子材料、磁気記録部品、光電変換部品等の電子部品、電動機部品、発券用等部品、貨幣検査用等部品等の電機部品、ベアリング、時計等の精密機械部品、光学レンズ、プリズム、水晶、ポリゴンミラー、光学フィルター等の光学部品、超硬チップなど加工用精密機械部品等様々な物品が挙げられる。
【００８２】
これらの物品を構成する基材の材質としては、鉄、ステンレス、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、銀、銅、銅合金、錫、硫酸アルマイト等の金属および、銅、亜鉛、ニッケル、クロム、金で材料表面をめっき処理した金属、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンオキサイド、フェノール樹脂、ＡＢＳ樹脂、ナイロン６、ナイロン６６、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＣＴＦＥ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、エポキシ樹脂のようなプラスチック材料、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレート、エチレンテレフタレートとパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、フェノールおよびフタル酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、２，６−ヒドロキシナフトエ酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体等の高分子材料、およびガラス材料が挙げられる。
【００８３】
なお、本発明のフラックス洗浄剤の有効成分であるＣＦＯ−１２１４ｙａおよび上記任意成分はいずれも、上記の材料に対して影響を与えない化合物である。
【００８４】
本発明のフラックス洗浄剤を被洗浄物品の表面に接触させる方法は、特に限定されない。例えば、手拭き洗浄、浸漬洗浄、スプレー洗浄、浸漬揺動洗浄、浸漬超音波洗浄、蒸気洗浄、およびこれらを組み合わせた方法等を採用すればよい。上記接触の時間、回数、その際の本発明のフラックス洗浄剤の温度などの洗浄条件や、洗浄装置は適宜選定することができる。また、蒸留再生、濾過再生などの再生操作や、飛散した本発明フラックス洗浄剤の蒸気を回収するガス回収等も、適宜組み合わせることができる。
【実施例】
【００８５】
以下、本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明はこれに限定して解釈されるものではない。例１〜例１０が実施例であり、例１１が参考例、例１２が比較例である。
【００８６】
（ＣＦＯ−１２１４ｙａの合成）
国際公開第２０１０／０７４２５４号の実施例１の方法により１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（ＣＦＯ−１２１４ｙａ）を得た。
【００８７】
具体的には、０℃に冷却したジムロートを設置した内容積１Ｌのガラス反応器に、相関移動触媒としてテトラブチルアンモニウムブロマイド３ｇと、水酸化カリウムの８３ｇ（１．４８５モル）と、水の１８０ｇと、製品名「アサヒクリンＡＫ−２２５」（旭硝子社製、ＨＣＦＣ−２２５ｃａの４８モル％とＨＣＦＣ−２２５ｃｂの５２モル％の混合物）の６０９ｇ（３モル）を仕込んだ後、撹拌しながら徐々に昇温し、４５℃で１時間反応を行った。
【００８８】
反応後、有機相と水相の２相に分離している反応粗液から有機相を分離し、釜容積１Ｌ、理論段数１０段の能力を持つ蒸留塔により該有機相を蒸留してＣＦＯ−１２１４ｙａ（１）を得た。得られたＣＦＯ−１２１４ｙａ（１）の純度は９９．５質量％であった。これを繰り返して行い、合計で以下のフラックス洗浄剤の調製に必要な量のＣＦＯ−１２１４ｙａ（１）を得た。
【００８９】
［例１〜例１０］
ＣＦＯ−１２１４ｙａ（１）、メタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコールを表１に示す質量割合（％）で混合して例１〜例１０のフラックス洗浄剤を得た。得られたフラックス洗浄剤を用いて以下のフラックス洗浄試験を行い、性能を評価した。結果を表１に示す。
【００９０】
＜フラックス洗浄試験＞
（Ａ）くし型基板Ａ（導体幅：０．４０ｍｍ、導体間隔：０．１９ｍｍ、重ね代：１５．８７ｍｍ、基板全体寸法：５０×５０ｍｍ）に、洗浄用ポストフラックス（ＪＳ−１５ＣＡＴ：商品名、弘輝社製）を塗布し、１００℃で１０分乾燥後、２６０℃の噴流式鉛半田槽にて半田付け後、一晩静置して半田付けした基板（Ａ）を作製した。
【００９１】
（Ｂ）くし型電極基板Ｂ（導体幅：０．６６ｍｍ、導体間隔：１．２２ｍｍ、重ね代：２１．１２ｍｍ、基板全体寸法：５０×５０ｍｍ）に洗浄用ソルダーペースト（Ｍ７０５−３４５Ｆ−３１−１２：商品名、千住金属工業社製）を塗布し、フロリナートＦＣ−４０（商品名、住友３Ｍ社製）で３０秒間予熱したのち、フロリナートＦＣ−７０（商品名、住友３Ｍ社製）で１０秒間の半田溶融後、一晩静置して半田付けした基板（Ｂ）を作製した。
【００９２】
これらの方法で作製した２種類の半田付けした基板（Ａ）、基板（Ｂ）のそれぞれについて、表１に示す例１〜１０のフラックス洗浄剤により、フラックス洗浄剤量が２０ｋｇである３槽式洗浄装置にて洗浄試験を実施した。洗浄工程は、出力が２００Ｗ、周波数が４０ｋＨｚの超音波を照射した浸漬洗浄を３分間、浸漬すすぎを３分間、蒸気洗浄を３分間である。
【００９３】
洗浄後の基板（Ａ）および基板（Ｂ）の外観を観察し、表面の清浄度を目視で観察して洗浄性能を以下の評価基準により評価した。
【００９４】
＜評価の基準＞
◎：白色残渣が残らず洗浄できた。
○：わずかに白色残渣がみられた。
△：白色残渣がみられた
×：おおくの白色残渣がみられた。
【００９５】
［例１１、例１２］
例１１（参考例）として、例１〜１０のフラックス洗浄剤の代わりに、ＨＣＦＣ−２２５（９５質量％）とエタノール（４．３〜４．５質量％）、ニトロメタン（残部）の混合物であるアサヒクリンＡＫ−２２５ＡＥＳ（商品名、旭硝子社製、表１中、「ＡＫ−２２５ＡＥＳ」と示す。）を用いて同様のフラックス洗浄試験を行った。結果を表１に示す。
【００９６】
例１２（比較例）として、例１〜１０のフラックス洗浄剤の代わりにＨＦＥ類である、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタン（ＨＦＥ−３４７ｐｃ−ｆ）（旭硝子社製：商品名「アサヒクリンＡＥ−３０００」、表１中、「ＡＥ−３０００」と示す。）を用いて同様のフラックス洗浄試験を行った。結果を表１に示す。
【００９７】
【表１】
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【００９８】
表１に示すとおり、本発明のフラックス洗浄剤である例１〜例１０のフラックス洗浄剤は、地球環境に悪影響を及ぼさない成分で構成され、性能においてはＨＣＦＣ類＋アルコール（例１１）と同程度であり、フラックス洗浄剤として十分な性能を有することが明らかである。また、例１２のＨＦＥ類では、フラックスが全く除去できなかった。なお、ＨＣＦＣ類は僅かではあるがオゾン層に悪影響を及ぼし、地球温暖化係数が比較的高い化合物類である。