(57)【要約】【課題】画素電極が１本の櫛歯電極で形成されるＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ドメインの発生を防止し、かつ、画素電極の導通の信頼性を維持し、混色を防止する。【解決手段】画素電極１１２は１本の櫛歯部と櫛歯部の端部から走査線の延在方向である第１の方向に幅が広がったコンタクト部１１２１で構成されている。第１方向と逆方向にはコンタクト部１１２１の幅を広げないことによってドメインの発生を防止する。映像信号線２０を画素電極１１２のコンタクト部１１２１の幅が広がった方向に屈曲させることによって、画素電極１１２の櫛歯部を映像信号線２０と映像信号線２０の間の中央部に配置することができ、コンタクト部１１２１の幅を映像信号線２０の屈曲している方向に十分幅広に形成することができるので、画素電極１１２のコンタクト裕度をとることができる。【選択図】図２
2015227928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、
映像信号線が前記走査線と交差して配列し、
第１の走査線の中心線と第２の走査線の中心線と、第１の映像信号線の中心線と第２の映像信号線の中心線で囲まれた領域に画素が形成され、
前記画素内には、平面状のコモン電極の上に層間絶縁膜を介して画素電極が形成され、
前記画素電極は櫛歯状部とコンタクト部を有し、前記コンタクト部の前記第１の方向の中心は、前記櫛歯状部の前記第１の方向の中心に対して、第１の方向に偏心しており、
前記第１の映像信号線の中心線及び前記第２の映像信号線中心線は、前記第１の走査線と前記第２の走査線の間で、前記第１の方向に屈曲する第１の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第２の屈曲点を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の走査線の中心線と前記第２の走査線の中心線の前記第２の方向の距離をｈ１とし、前記第２の走査線の中心線と前記第１の屈曲点の前記第２の方向の距離をｈ２としたとき、１/５≦ｈ２/ｈ１≦１/３であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の走査線の中心線と前記第２の走査線の中心線の前記第２の方向の距離をｈ１とし、前記第１の屈曲点と前記第２の屈曲点の前記第２の方向の距離をｈ３としたとき、１/１０≦ｈ３/ｈ１≦１/５であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の屈曲点における前記第１の映像信号線および前記第２の映像信号線の前記第２の方向となす角度は３０度乃至９０度であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の映像信号線および前記第２の映像信号線は、前記第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１の方向と逆方向に屈曲する第３の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第４の屈曲点を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、
映像信号線が前記走査線と交差して配列し、
第１の走査線の中心線と第２の走査線の中心線と、第１の映像信号線の中心線と第２の映像信号線の中心線で囲まれた領域に第１の画素が形成され、
前記第１の画素内には、平面状のコモン電極の上に層間絶縁膜を介して第１の画素電極が形成され、
前記第１の画素電極は櫛歯状部とコンタクト部を有し、前記櫛歯状部は前記第２の方向に対して前記第１の方向と逆方向に傾いており、前記コンタクト部の前記第１の方向の中心は、前記櫛歯状部の前記第１の方向の中心に対して、第１の方向に偏心しており、
前記第１の映像信号線の中心線及び前記第２の映像信号線の中心線は、前記第１の走査線と前記第２の走査線の間で、前記第１の方向に屈曲する第１の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第２の屈曲点を有し、
前記第２の走査線の中心線と第３の走査線の中心線と、前記第１の映像信号線の中心線と前記第２の映像信号線の中心線で囲まれた領域に第２の画素が形成され、
前記第２の画素内には、平面状のコモン電極の上に層間絶縁膜を介して第２の画素電極が形成され、
前記第２の画素電極は櫛歯状部とコンタクト部を有し、前記第２の画素電極の櫛歯状部は前記第２の方向に対して前記第１の方向に傾いており、前記第２の画素電極の前記コンタクト部の前記第１の方向の中心は、前記櫛歯状部の前記第１の方向の中心に対して、前記第１の方向とは逆方向に偏心しており、
前記第１の映像信号線の中心線及び前記第２の映像信号線中心線は、前記第２の走査線と前記第３の走査線の間で、前記第１の方向と逆方向に屈曲する第３の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第４の屈曲点を有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に高精細画面を有する横電界駆動方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】
液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。ＩＰＳ方式において、画素内に液晶分子の回転が異なる領域、いわゆるドメインが発生すると、透過率等に悪影響を生ずる。特許文献１には、このようなドメインの発生を抑制することが出来る画素電極の形状が記載されている。
【０００４】
一方、中小型液晶表示装置では、高精細画面への要求が強くなっている。この場合、画素が小さくなるために、映像信号線と画素との容量の影響が大きくなりやすい。特許文献２では、画素電極の左右において、映像信号線との容量が異なることによる表示むらを対策する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１２８１１３号公報
【特許文献２】特開２００１−２８１６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、コモン電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式が、比較的、透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。一方、画面が高精細になってくると画素の面積も小さくなるので、画素電極を構成する櫛歯電極が１本しか存在できなくなる。
【０００７】
図９はこのような場合の画素の平面図である。層構造等は後で詳細に説明する。図９において、走査線１０と映像信号線２０とで囲まれた領域に画素電極１１２が存在している。画素電極１１２は１本の櫛歯で形成されている。画素電極においてＴＦＴが形成されている側は、ＴＦＴとコンタクトをとるためのスルーホール１３０が形成されるために、幅が大きくなっている。本明細書ではこの部分をコンタクト部１１２１という。
【０００８】
図９において、配向膜の配向方向ＡＬを矢印で示している。画素電極１１２の櫛歯の長軸は映像信号線２０の延在方向と一致しているが、配向方向ＡＬは、櫛歯の長軸とわずかな角度傾いている。この角度は５度乃至２０度である。このような構成の場合、図１０で示すような、領域にドメインＤＭが発生する。図１０において、画素電極１１２は肩部１１２２を介してコンタクト部１１２１の幅ｃｗ１が大きくなっている。図１０では、配向方向ＡＬとの関係で、左側肩部１１２２付近にドメインＤＭが発生している。
【０００９】
ドメインＤＭでは、液晶分子が他の領域とは異なる方向に回転するために、ドメインにおいて、黒表示の時は光漏れや光の散乱が生じ、白表示の時には光が透過しない領域となる。したがって、ドメインは画面の輝度やコントラストに悪影響を与える。
【００１０】
図１１は、ドメインを対策する例である。図１１における画素電極のコンタクト部の左側を削除している。そうすると、画素電極の左側において、ドメインを発生させていた画素電極の肩部が無いので図１２に示すように、ドメインは発生しない。しかし、図１２の構成は、画素電極１１２のコンタクト部１１２１の幅ｃｗ１が小さくなるので、第２スルーホール１３０における、画素電極１１２とコンタクト電極１０７との接続の裕度が小さくなる。
【００１１】
そこで、画素電極１１２を図１３のような形状にすることが考えられる。図１３は、画素電極１１２の右側の肩部１１２２の幅ｃｗ２を広げて、コンタクト部１１２１の幅ｃｗ１の幅を大きくしたものである。これによって、第２スルーホール１３０における、画素電極１１２とコンタクト電極１０７との接続の裕度を従来どおり大きくとることが出来る。
【００１２】
しかし、図１３に示す画素電極１１２を実際の画素に適用すると図１４のようになる。図１４において、画素電極１１２の右側の肩部１１２２の幅ｃｗ２を大きくしたために、画素電極１１２の櫛歯部が左側に寄ることになる。白表示をした場合、画素中で最も明るくなるのは、画素電極１１２の端部である。画素電極１１２が図１４のように、左側に寄っていると、左側の画素へ光漏れが問題となる。これは、画面を斜め方向から見た場合の混色という現象を引き起こす。
【００１３】
本発明の課題は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素電極１１２の櫛歯が１本となった場合のドメインの発生を抑制し、かつ、第２スルーホールにおける、画素電極１１２とコンタクト電極１０７との接続の裕度をとることが出来、また、混色の生じにくい画素構成を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は上記課題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
【００１５】
（１）走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、
映像信号線が前記走査線と交差して配列し、第１の走査線の中心線と第２の走査線の中心線と、第１の映像信号線の中心線と第２の映像信号線の中心線で囲まれた領域に画素が形成され、前記画素内には、平面状のコモン電極の上に層間絶縁膜を介して画素電極が形成され、前記画素電極は櫛歯状部とコンタクト部を有し、前記コンタクト部の前記第１の方向の中心は、前記櫛歯状部の前記第１の方向の中心に対して、第１の方向に偏心しており、前記第１の映像信号線の中心線及び前記第２の映像信号線中心線は、前記第１の走査線と前記第２の走査線の間で、前記第１の方向に屈曲する第１の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第２の屈曲点を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００１６】
（２）前記第１の走査線の中心線と前記第２の走査線の中心線の前記第２の方向の距離をｈ１とし、前記第２の走査線の中心線と前記第１の屈曲点の前記第２の方向の距離をｈ２としたとき、１/５≦ｈ２/ｈ１≦１/３であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１７】
（３）前記第１の走査線の中心線と前記第２の走査線の中心線の前記第２の方向の距離をｈ１とし、前記第１の屈曲点と前記第２の屈曲点の前記第２の方向の距離をｈ３としたとき、１/１０≦ｈ３/ｈ１≦１/５であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１８】
（４）前記第１の屈曲点における前記第１の映像信号線および前記第２の映像信号線の前記第２の方向となす角度は３０度乃至９０度であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【００１９】
（５）前記第１の映像信号線および前記第２の映像信号線は、前記第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１の方向と逆方向に屈曲する第３の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第４の屈曲点を有することを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００２０】
（６）走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、
映像信号線が前記走査線と交差して配列し、第１の走査線の中心線と第２の走査線の中心線と、第１の映像信号線の中心線と第２の映像信号線の中心線で囲まれた領域に第１の画素が形成され、前記第１の画素内には、平面状のコモン電極の上に層間絶縁膜を介して第１の画素電極が形成され、前記第１の画素電極は櫛歯状部とコンタクト部を有し、前記櫛歯状部は前記第２の方向に対して前記第１の方向と逆方向に傾いており、前記コンタクト部の前記第１の方向の中心は、前記櫛歯状部の前記第１の方向の中心に対して、第１の方向に偏心しており、前記第１の映像信号線の中心線及び前記第２の映像信号線の中心線は、前記第１の走査線と前記第２の走査線の間で、前記第１の方向に屈曲する第１の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第２の屈曲点を有し、前記第２の走査線の中心線と第３の走査線の中心線と、前記第１の映像信号線の中心線と前記第２の映像信号線の中心線で囲まれた領域に第２の画素が形成され、前記第２の画素内には、平面状のコモン電極の上に層間絶縁膜を介して第２の画素電極が形成され、前記第２の画素電極は櫛歯状部とコンタクト部を有し、前記第２の画素電極の櫛歯状部は前記第２の方向に対して前記第１の方向に傾いており、前記第２の画素電極の前記コンタクト部の前記第１の方向の中心は、前記櫛歯状部の前記第１の方向の中心に対して、前記第１の方向とは逆方向に偏心しており、前記第１の映像信号線の中心線及び前記第２の映像信号線中心線は、前記第２の走査線と前記第３の走査線の間で、前記第１の方向と逆方向に屈曲する第３の屈曲点と、前記第２の方向に再び屈曲する第４の屈曲点を有することを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の断面図である。
【図２】実施例１による画素の透視平面図である。
【図３】実施例１の画素の配置を示す平面模式図である。
【図４】画素における映像信号線の詳細形状を示す平面図である。
【図５】実施例２による画素の透視平面図である。
【図６】実施例２の画素の配置を示す平面模式図である。
【図７】実施例３による画素の透視平面図である。
【図８】実施例３の画素の配置を示す平面模式図である。
【図９】従来例の画素を示す透視平面図である。
【図１０】従来例の画素において、ドメインが発生する場所を示す平面図である。
【図１１】第１の比較例による画素の透視平面図である。
【図１２】第１の比較例による画素電極の平面図である。
【図１３】第２の比較例による画素電極の平面図である。
【図１４】第２の比較例による画素の透視平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明による具体的な画素構造を説明する前に、本発明が適用される液晶表示装置の構造を説明する。図１は、本発明が適用される液晶表示装置の断面図である。図１におけるＴＦＴは、いわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであり、使用される半導体としては、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｉ−Ｓｉ）が使用されている。一方、ａ−Ｓｉ半導体を使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のＴＦＴが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のＴＦＴを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。
【００２３】
図１において、ガラス基板１００の上にＳｉＮからなる第１下地膜１０１およびＳｉＯ２からなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割はガラス基板１００からの不純物が半導体層１０３を汚染することを防止することである。
【００２４】
第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は第２下地膜１０２に上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。
【００２５】
半導体膜１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）によるＳｉＯ２膜である。この膜もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は図２に示す走査線１０が兼ねている。ゲート電極１０５は例えば、ＭｏＷ膜によって形成される。ゲート電極１０５あるいは走査線１０の抵抗を小さくする必要があるときはＡｌ合金が使用される。
【００２６】
ゲート電極１０５はフォトリソグラフィによってパターニングされるが、このパターニングの際に、イオンインプランテーションによって、リンあるいはボロン等の不純物をｐｏｌｙ−Ｓｉ層にドープしてｐｏｌｙ−Ｓｉ層にソースＳあるいはドレインＤを形成する。また、ゲート電極１０５のパターニングの際のフォトレジストを利用して、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層のチャネル層と、ソースＳあるいはドレインＤとの間にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）層を形成する。
【００２７】
その後、ゲート電極１０５を覆って第１層間絶縁膜１０６をＳｉＯ２によって形成する。第１層間絶縁膜１０６はゲート配線１０５とコンタクト電極１０７を絶縁するためである。第１層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、半導体層１０３のソース部Ｓをコンタクト電極１０７と接続するためのスルーホール１２０が形成される。第１層間絶縁膜１０６とゲート絶縁膜１０４にスルーホール１２０を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。
【００２８】
第１層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７が形成される。コンタクト電極１０７は、スルーホール１３０を介して画素電極１１２と接続する。ＴＦＴのドレインＤは、図示しない部分において図２に示す映像信号線２０とスルーホール１４０を介して接続している。
【００２９】
コンタクト電極１０７および映像信号線は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極１０７および映像信号線（以後コンタクト電極１０７で代表させる）は、抵抗を小さくするために、例えば、ＡｌＳｉ合金が使用される。ＡｌＳｉ合金はヒロックを発生したり、Ａｌが他の層に拡散したりするので、例えば、図示しないＭｏＷによるバリア層、およびキャップ層によってＡｌＳｉをサンドイッチする構造がとられている。
【００３０】
コンタクト電極１０７を覆って無機パッシベーション膜（絶縁膜）１０８を被覆し、ＴＦＴ全体を保護する。無機パッシベーション膜１０８は第１下地膜１０１と同様にＣＶＤによって形成される。無機パッシベーション膜１０８を覆って有機パッシベーション膜１０９が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１０９は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の膜厚は１〜４μｍであるが、多くの場合は２μｍ程度である。
【００３１】
画素電極１１０とコンタクト電極１０７との導通を取るために、無機パッシベーション膜１０８および有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性の樹脂を使用している。感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０を形成したあと、２３０℃程度で有機パッシベーション膜を焼成することによって有機パッシベーション膜１０９が完成する。
【００３２】
その後コモン電極１１０となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングによって形成し、スルーホール１３０およびその周辺からＩＴＯを除去するようにパターニングする。コモン電極１１０は各画素共通に平面状に形成することが出来る。その後、第２層間絶縁膜１１１となるＳｉＮをＣＶＤによって全面に形成する。その後、スルーホール１３０内において、コンタクト電極１０７と画素電極１１２の導通をとるためのスルーホールを第２層間絶縁膜１１１および無機パッシベーション膜１０８に形成する。
【００３３】
その後、ＩＴＯをスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極１１２を形成する。図２以後に本発明における画素電極１１２の平面形状を示す。画素電極１１２の上に配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜１１３を形成する。配向膜１１３の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向が用いられる。
【００３４】
画素電極１１２とコモン電極１１０の間に電圧が印加されると図１に示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。
【００３５】
図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス２０２はＴＦＴの遮光膜としての役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。
【００３６】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成される。配向膜１１３の配向処理はＴＦＴ基板１００側の配向膜１１３と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。
【００３７】
なお、以上の構成は例であり、例えば、品種によってＴＦＴ基板１００における無機パッシベーション膜１０８が形成されていない場合もある。また、スルーホール１３０の形成プロセスも品種によって異なる場合がある。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３８】
図２は本発明の実施例１を示す画素部の透視平面図である。走査線１０と映像信号線２０とで囲まれた領域に画素電極１１２が形成されている。画素電極１１２は１本の櫛歯状の電極である。画素の幅が小さくなると画素内に複数の櫛歯を配置することが出来ない。図２における櫛歯状の画素電極１１２の幅ｐｗは２乃至４μｍである。
【００３９】
図２において、映像信号線２０と画素電極１１２の間に半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３は映像信号線２０とスルーホール１４０を介して接続し、また、コンタクト電極１０７とスルーホール１２０を介して接続している。半導体層１０３はスルーホール１２０とスルーホール１４０の間をコの字状に延在し、走査線１０の下を２回通過する。図２では走査線１０がゲート電極１０５の役割をしているので、ＴＦＴはダブルゲートとなっている。各電極あるいは配線の断面方向の位置は図１で説明したとおりである。
【００４０】
画素電極１１２の長軸は走査線１０と直角方向、すなわち、映像信号線２０の延在方向である。配向膜１１３のラビング方向は図２に示すように、映像信号線２０の延在方向とは所定の角度傾いている。この角度は５度乃至２０度である。電界による液晶の回転方向を規定するためである。画素電極１１２の先端では液晶分子の回転方向が不安定になり、ドメインが発生するので、これを防止するために画素電極１１２の先端は屈曲している。
【００４１】
画素電極１１２はスルーホール１３０を介してコンタクト電極１０７と接続し、ＴＦＴからの映像信号の供給を受ける。スルーホール１３０は大きく形成されるので、画素電極１１２とコンタクト電極１０７との接続の領域を十分にとるために、画素電極１１２のコンタクト部１１２１は幅広く形成する。しかし、画素電極１１２を図１０のように、コンタクト部１１２１を画素電極１１２の両側に広げると配向膜１１３の配向方向との関係で、画素電極１１２の左側肩部１１２２においてドメインが発生する。
【００４２】
本発明における画素電極１１２では、ドメインが発生する側の画素電極１１２の肩部１１２２を除去しているので、肩部におけるドメインは発生しない。そのかわりコンタクト部１１２１の幅ｃｗ１を十分とるために、他方の側における肩部の幅ｃｗ２を大きくしている。
【００４３】
本発明の特徴は、画素電極１１２のコンタクト部１１２１に対応する部分において映像信号線２０を屈曲させることにより、画素電極１１２の櫛歯部を映像信号線２０と映像信号線２０との間の中央部分に配置することが出来ることである。このような構成によって、画素電極１１２のコンタクト部１１２１の肩部１１２２におけるドメインの発生を防止するとともに、図１４に示したような、画素電極１１２が画素の幅方向に偏在することによる混色の問題を防止することが出来る。本実施例では、映像信号線２０が画素電極１１２の形状に合わせて屈曲するために、図３に示すように、画素の位置が映像信号線２０が走査線１０と交差する毎に、走査線１０の延在方向に除々に移動していくことになる。
【００４４】
図４は本実施例における画素の形状の例を示す平面図である。図４において、画素の走査線１０の延在方向の幅ｗ１は、例えば、１５μｍ、走査線１０と直角方向の幅ｈ１は、例えば、４５μｍである。画素の大きさは映像信号線２０の中心間の距離と走査線１０の中心間の距離で定義される。映像信号線の幅ｓｗは２乃至３μｍ、走査線の幅ｇｗは２乃至４μｍである。
【００４５】
図４において、上側の走査線の中心に近いほうの屈曲部を第１の屈曲部と言い、下側の走査線に近いほうの屈曲部を第２の屈曲部という。図４において、映像信号線２０の中心線における、下側の走査線の中心線から第１の屈曲部までの距離ｈ２は、図面上側走査線と図面の下側走査線の距離ｈ１の１/５乃至１/３である。また、第１屈曲部と第２の屈曲部の、走査線の延在方向と垂直方向の距離ｈ３は、図面上側走査線と図面の下側走査線の距離ｈ１の１/１０乃至１/５である。また、屈曲部の屈曲角θは３０度乃至９０度である。これらの寸法は、画素電極１１２の櫛歯電極部と画素電極のコンタクト部１１２１の、走査線と垂直方向の長さを勘案して決める。
【００４６】
画素における液晶の制御領域は主に、画素電極１１２の櫛歯状電極部で決められる。したがって、画素の透過率を最大にできるように、画素電極に合わせて映像信号線の屈曲形状を決めることになる。
【実施例２】
【００４７】
図５は本発明の実施例２を示す画素部の透視平面図である。図５において、画素電極１１２の形状、大きさ等は図２と同様である。実施例２が実施例１と異なる点は、映像信号線２０が走査線１０の延在方向に屈曲した後、その下側の画素において、逆方向に屈曲する点である。
【００４８】
これによって、図３に示すような、同じ色の画素が走査線と交差する毎に画素が走査線の延在方向に移動するということは無くなる。図６が本実施例における画素の配置である。本実施例では、図６に示すように、同じ色の画素は走査線の延在方向と垂直方向にほぼ直線状に配列することになる。
【００４９】
その他の構成は実施例１と同じであるから、実施例１と同様に、ドメインの発生を抑え、かつ、第２スルーホール１３０における、コンタクト電極と画素電極の接続裕度を確保し、画素電極を画素の中央に配置することが出来る。
【実施例３】
【００５０】
図７は実施例３の透視平面図である。実施例３が実施例１と異なる点は、走査線１０の延在方向と垂直方向に隣接する２画素が対になっている点である。図７において、配向膜１１３の配向方向ＡＬは走査線１０の延在方向と垂直方向である。図７における上側の画素の画素電極１１２の長軸は左方向に傾いており、下側の画素の画素電極１１２は右方向に傾いている。上側の画素電極１１２の傾きも下側の画素電極１１２の傾きも、走査線１０の延在方向と直角方向に対して、５度乃至２０度である。図７において、上側の画素と下側の画素では、画素電極１１２の長軸の傾きの方向が配向方向ＡＬに対して逆なので、画素電極１１２に電圧を印加した場合の液晶分子３０１の回転方向が異なる。しかし、効果は同じである。これによって、視野角特性の均一化を図ることができる。
【００５１】
図７における、上側の画素において、配向方向ＡＬと画素電極１１２の長軸の傾き方向との関係でドメインが発生しやすい画素電極の左側の肩部は削除されている。下側の画素において、配向方向ＡＬと画素電極１１２の長軸の傾き方向との関係でドメインが発生しやすい画素電極の右側の肩部は削除されている。したがって、上側の画素電極においても、下側の画素においてもドメインの発生は抑制される。
【００５２】
また、画素電極１１２の櫛歯部分における長軸は、映像信号線２０と映像信号線２０のほぼ中間に位置している。したがって、図１４において説明したような走査線１０の延在方向に隣りあう画素との混色の問題を抑えることが出来る。また、本実施例においても、画素電極１１２のコンタクト部１１２１を広くとることが出来るので、第２スルーホール１３０における、コンタクト電極１０７と画素電極１１２との接続の信頼性も確保することが出来る。
【００５３】
本実施例では、画素電極１１２のコンタクト部１１２１の幅が広くなった方向を上側の画素と左側の画素で左右に振り分けることが出来る。したがって、映像信号線１０の屈曲の方向を上側の画素と下側の画素で逆方向とすることが出来るので、図８に示すように、同じ色の画素を走査線１０の延在方向とほぼ垂直方向に配列することが出来る。つまり、図８において、映像信号線２０が走査線１０と交差する毎に、映像信号線２０の屈曲の方向が逆方向になっている。
【００５４】
本実施例では、上側の画素と下側の画素における液晶の回転方向を逆方向とするので、視野角特性をより均一にすることが出来る。このような画素配置は擬似デュアルドメイン方式と呼ばれている。本発明は、このような擬似デュアルドメイン方式の画素配列に対しても適用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０…走査線、  ２０…映像信号線、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…ゲート電極、  １０６…第１層間絶縁膜、  １０７…コンタクト電極、  １０８…無機パッシベーション膜、  １０９…有機パッシベーション膜、  １１０…コモン電極、  １１１…第２層間絶縁膜、  １１２…画素電極、  １１３…配向膜、  １２０…第１スルーホール、  １３０…第２スルーホール、  １４０…第３スルーホール、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子、  １１２１…画素電極コンタクト部、  １１２２…画素電極肩部、  ＡＬ…配向方向、ＤＭ…ドメイン、  Ｄ…ドレイン部、Ｓ…ソース部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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