(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、基板１０と、各画素Ｐに形成された複数の陽極３２と、前記各画素の間において前記陽極の少なくとも端部３２ｄを覆う画素分離膜１４と、前記複数の陽極及び前記画素分離膜上で前記表示領域全体を覆い、少なくとも発光層を有する有機層３３と、前記有機層上に形成された陰極３４と、前記基板に対向するように前記陰極上に配置された対向基板５０と、を備え、前記陽極は、前記有機層と接触し、前記対向基板の対応する画素に対して面している接触領域３２ｂと、前記接触領域の周囲に形成され、前記対向基板の対応する画素の周囲の画素に対して面する周囲領域３２ｃと、を有することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の表示領域にマトリクス状に配置された各画素に形成された複数の陽極と、
前記各画素の間において前記陽極の少なくとも端部を覆う、絶縁材料により形成された画素分離膜と、
前記複数の陽極及び前記画素分離膜上で前記表示領域全体を覆い、少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された有機層と、
前記有機層上に形成された陰極と、
前記基板に対向するように前記陰極上に配置された対向基板と、を備え、
前記陽極は、
前記有機層と接触し、前記対向基板の対応する画素に対して面している接触領域と、
前記接触領域の周囲に形成され、前記対向基板の対応する画素の周囲の画素に対して面する周囲領域と、
を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記周囲領域が、前記対向基板の対応する画素に隣接する画素に対して面していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板と前記陽極の間に配置され、前記各画素間において前記基板方向に窪んだ溝部を有する絶縁膜を更に備え、
前記周囲領域は、前記溝部に成膜されることにより形成される、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記絶縁膜が前記画素毎に分離して形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素分離膜は、前記溝部の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記対向基板が、カラーフィルタ基板であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板上の表示領域にマトリクス状に配置された各画素に形成された複数の陽極と、
前記各画素の間において前記陽極の少なくとも端部を覆う、絶縁材料により形成された画素分離膜と、
前記複数の陽極及び前記画素分離膜上で前記表示領域全体を覆い、少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された有機層と、
前記有機層上に形成された陰極と、を備え、
前記画素分離膜の、前記基板から遠い側の面は、前記発光層よりも前記基板側に位置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記発光層は、互いに異なる波長領域の光を発する２以上の発光層が前記画素毎に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記陽極は、
前記有機層と接触し、前記対向基板の対応する画素に対して面している接触領域と、
前記接触領域の周囲に形成され、前記対向基板の対応する画素の周囲の画素に対して面する周囲領域と、
を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記周囲領域が、前記対向基板の対応する画素に隣接する画素に対して面するように向いていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板と前記陽極の間に配置され、前記各画素間において前記基板方向に窪んだ溝部を有する絶縁膜を更に備え、
前記周囲領域は、前記溝部に成膜されることにより形成される、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記絶縁膜が前記画素毎に分離して形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素分離膜が、前記溝部の少なくとも一部を覆うように形成される、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する有機層が、陽極と陰極とで挟まれた構造を有する。
【０００３】
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば、特許文献１において、バンク形成のためのガイドとして機能する凹部が形成された平坦化膜と、凹部上に形成されたバンクと、バンクによって規定された領域内に形成された有機発光層と、を有する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２３４７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１０は従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１０１の表示領域Ｄの一部の概略断面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１０１は、基板１１０上に形成された回路層１１２と平坦化膜１１３と、画素Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）毎に形成された陽極１３２と、陽極１３２の少なくとも端部を覆う画素分離膜１１４と、表示領域Ｄ全体の陽極１３２及び画素分離膜１１４を覆う、少なくとも発光層を有する有機層１３３と、有機層１３３上に形成された陰極１３４と、陰極１３４上を覆う封止膜１４０と、封止膜１４０上に充填材１４５を介して配置された、カラーフィルタ１４８が形成されたガラス基板１４９を有する対向基板１５０と、を有している。
【０００６】
このような構成においては、画素Ｐ１における有機層１３３からの発光Ｌの一部が画素分離膜１１４の界面１１４ａや、封止膜１４０の界面１４０ａにおいて反射する。そして、この反射光Ｌ１、Ｌ２は基板１１０側に進み、隣接する画素Ｐ２の陽極１３２において対向基板１５０側に反射する。これにより、対向基板１５０の画素Ｐ２に対応する領域から反射光Ｌ１、Ｌ２が出射される。このため、所望の画素Ｐ１からの発光Ｌが、隣接する画素Ｐ２に対応するカラーフィルタ１４８を介して出射されることにより混色が発生するとともに、所望の画素Ｐ１において輝度低下が発生する。
【０００７】
また、画素Ｐが微細になるほど、隣接する画素Ｐ間の距離が短くなるため、このような反射光Ｌ１、Ｌ２による混色が発生しやすい。このため、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１０１は、高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することが困難であった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板上の表示領域にマトリクス状に配置された各画素に形成された複数の陽極と、前記各画素の間において前記陽極の少なくとも端部を覆う、絶縁材料により形成された画素分離膜と、前記複数の陽極及び前記画素分離膜上で前記表示領域全体を覆い、少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された有機層と、前記有機層上に形成された陰極と、前記基板に対向するように前記陰極上に配置された対向基板と、を備え、前記陽極は、前記有機層と接触し、前記対向基板の対応する画素に対して面している接触領域と、前記接触領域の周囲に形成され、前記対向基板の対応する画素の周囲の画素に対して面する周囲領域と、を有することを特徴とする。
【００１０】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記周囲領域が、前記対向基板の対応する画素に隣接する画素に対して面していてもよい。
【００１１】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（２）において、前記基板と前記陽極の間に配置され、前記各画素間において前記基板方向に窪んだ溝部を有する絶縁膜を更に備え、前記周囲領域は、前記溝部に成膜されることにより形成されていてもよい。
【００１２】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（３）において、前記絶縁膜が前記画素毎に分離して形成されていてもよい。
【００１３】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（３）または（４）において、前記画素分離膜が、前記溝部の少なくとも一部を覆っていてもよい。
【００１４】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（５）のいずれか一項において、前記対向基板が、カラーフィルタ基板であってもよい。
【００１５】
（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板上の表示領域にマトリクス状に配置された各画素に形成された複数の陽極と、前記各画素の間において前記陽極の少なくとも端部を覆う、絶縁材料により形成された画素分離膜と、前記複数の陽極及び前記画素分離膜上で前記表示領域全体を覆い、少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された有機層と、前記有機層上に形成された陰極と、を備え、前記画素分離膜の、前記基板から遠い側の面は、前記発光層よりも前記基板側に位置してもよい。
【００１６】
（８）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（７）において、前記発光層は、互いに異なる波長領域の光を発する２以上の発光層が前記画素毎に形成されていてもよい。
【００１７】
（９）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（７）または（８）において、前前記陽極は、前記有機層と接触し、前記対向基板の対応する画素に対して面している接触領域と、前記接触領域の周囲に形成され、前記対向基板の対応する画素の周囲の画素に対して面する周囲領域と、を有していてもよい。
【００１８】
（１０）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（９）において、前記周囲領域が、前記対向基板の対応する画素に隣接する画素に対して面するように向いていていてもよい。
【００１９】
（１１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１０）において、前記基板と前記陽極の間に配置され、前記各画素間において前記基板方向に窪んだ溝部を有する絶縁膜を更に備え、前記周囲領域は、前記溝部に成膜されることにより形成されていてもよい。
【００２０】
（１２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１１）において、前記絶縁膜が前記画素毎に分離して形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
上記（１）乃至（６）のいずれかによれば、隣接する画素間の距離が短くなっても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、所望の画素からの発光の反射により、その周囲の画素が発光することが防がれる。これにより高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することができる。
【００２２】
上記（７）乃至（１２）のいずれかによれば、隣接する画素間の距離が短くなっても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、所望の画素からの発光が画素分離膜の界面において反射することが防がれ、反射光による周囲の画素の発光が防がれる。これにより高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ領域の部分拡大図である。
【図３】図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ切断線における概略断面図である。
【図４】図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ−ＩＶ切断線における概略断面図である。
【図５】図５は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。
【図６】図６は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。
【図７】図７は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。
【図８】図８は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。
【図９】図９は従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示領域の一部の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００２５】
図１は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略平面図である。基板１０の上面１０ａのうち、対向基板５０が配置されていない領域には、フレキシブル回路基板２が接続され、さらに、ドライバＩＣ（Integrated Circuit）３が設けられている。ドライバＩＣ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データを供給される、基板１０上に配置されたＩＣである。ドライバＩＣ３は画像データが供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に、図示しないデータ線を介して各画素に印加する電圧信号を供給する。
【００２６】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ領域の部分拡大図である。なお、説明の便宜上、図２においては、各画素Ｐにおける、陽極３２（後述）の構成について主に示す。
【００２７】
陽極３２は、各画素Ｐに対応してマトリクス状に形成されている。本実施形態においては、例えば、画素Ｐ１のＹ方向に隣接する画素Ｐを画素Ｐ２とし、画素Ｐ１のＸ方向に隣接する画素Ｐを画素Ｐ３とする。また、陽極３２はコンタクトホール３２ａに接続している。
【００２８】
陽極３２は、後述する有機層３３に接触する接触領域３２ｂと、接触領域３２ｂの周囲に形成された周囲領域３２ｃとを有している。接触領域３２ｂは、後述する有機層３３に接触して駆動電流を注入する領域である。また、接触領域３２ｂが形成された領域は、有機層３３の発光する領域に対応している。
【００２９】
周囲領域３２ｃは、周囲の画素Ｐからの反射光を、その周囲の画素Ｐの対向基板５０に向けて反射する領域である。例えば、画素Ｐ１から出射された光のうち、隣接する画素Ｐ２、Ｐ３に向かう光は、画素Ｐ２と画素Ｐ３における陽極３２の周囲領域３２ｃによって、画素Ｐ１の対向基板５０へ向けて反射される。なお、陽極３２の構成と画素Ｐ１から出射された光の反射の詳細については説明の便宜上、後述する。
【００３０】
図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ−ＩＩＩ切断線における概略断面図であり、図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＶ−ＩＶ切断線における概略断面図である。
【００３１】
図３、４に示すように、表示領域Ｄの基板１０上には、薄膜トランジスタ１１及び図示しない電気配線が形成された回路層１２と、平坦化膜１３と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、充填剤４５と、対向基板５０とが積層されている。
【００３２】
基板１０は絶縁性の基板であって、その上面１０ａに、回路層１２及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が順に形成される部材である。
【００３３】
回路層１２は、薄膜トランジスタ１１、パッシベーション膜１１ｆ及び図示しない電気配線が形成された層であり、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するために形成されている。薄膜トランジスタ１１は基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅから構成されている。また、薄膜トランジスタ１１上は、パッシベーション膜１１ｆによって覆われている。
【００３４】
平坦化膜１３は例えば、回路層１２上を覆うように形成されている。平坦化膜１３は絶縁材料からなる層であり、基板１０と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間に形成されることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が、電気的に絶縁される。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。
【００３５】
平坦化膜１３には、基板１０方向に窪んだ溝状の部分である溝部２０が形成されている。溝部２０は、本実施形態においては後述するコンタクトホール３２ａが形成される箇所でもあるが、コンタクトホール３２ａの箇所に限られず、画素Ｐ１と画素Ｐ２及び画素Ｐ３の間の境界Ｂに沿って延在するように形成されていればよい。
【００３６】
溝部２０の内周面である周囲領域形成面２０ａは、陽極３２の周囲領域３２ｃが形成される領域である。周囲領域形成面２０ａは、その周囲領域形成面２０ａが形成された側の画素Ｐの周囲の画素Ｐの対向基板５０に対向するように面している。具体的には例えば、図４に示すように、画素Ｐ１における周囲領域形成面２０ａは、画素Ｐ１のＹ方向に隣接する画素Ｐ２における対向基板５０のＧ領域に対向するように面している。また、図５に示すように、画素Ｐ１における周囲領域形成面２０ａは、画素Ｐ１のＸ方向に隣接する画素Ｐ３における対向基板５０のＧ領域に対向するように面している。
【００３７】
平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域及び周囲領域形成面２０ａには、図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から出射した光を対向基板５０側へ向けて反射するために設けられている。反射膜は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。
【００３８】
平坦化膜１３上には、例えば反射膜を介して複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、基板１０の上面１０ａの表示領域Ｄに対応する領域に、マトリクス状に複数設けられている。
【００３９】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は陽極３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された陰極３４とを有することにより、発光源として機能する。
【００４０】
陽極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極である。陽極３２はコンタクトホール３２ａに接続していることにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて、薄膜トランジスタ１１から駆動電流を供給される。
【００４１】
陽極３２は導電性を有する材料からなる。陽極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、陽極３２に接触するものであれば、陽極３２は透光性を有していてもよい。このような構成の場合、反射膜は陽極３２の一部となる。
【００４２】
陽極３２は、先述したように、接触領域３２ｂと周囲領域３２ｃを有している。接触領域３２ｂは、平坦化膜１３上に例えば反射膜を介して形成されている。また、接触領域３２ｂは、その接触領域３２ｂが形成された画素に対応する対向基板５０の画素に対向するように面している。具体的には例えば、図４に示すように、画素Ｐ１における接触領域３２ｂは、画素Ｐ１における対向基板５０の領域（図４中のＲ領域）に対向するように面している。
【００４３】
ここで、「画素Ｐ１における接触領域３２ｂが画素Ｐ１における対向基板５０に対向するように面している」とは、具体的には、画素Ｐ１における接触領域３２ｂの法線が、画素Ｐ１における対向基板５０（Ｒ領域）に交わることを示す。
【００４４】
周囲領域３２ｃは、例えば、陽極３２の一部が溝部２０の周囲領域形成面２０ａに沿うように成膜されることにより構成されている。周囲領域３２ｃは、その周囲領域３２ｃが形成された画素Ｐの周囲の他の画素Ｐの対向基板５０に対向するように面している。具体的には例えば、図４に示すように、画素Ｐ１における陽極３２の周囲領域３２ｃの法線は、Ｙ方向に隣接する画素Ｐ２における対向基板５０の領域（図４中のＧ領域）に交わる。また、図５に示すように、画素Ｐ１における陽極３２の周囲領域３２ｃの法線は、画素Ｐ１のＸ方向に隣接する画素Ｐ３における対向基板５０のＧ領域に交わる。
【００４５】
周囲領域３２ｃが溝部２０の周囲領域形成面２０ａに沿うように形成されることにより、溝部２０の深さや角度に応じて、周囲領域３２ｃの構成を定めることができる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、画素Ｐからの反射光Ｌを周囲の画素Ｐ（Ｐ２，Ｐ３）の対向基板５０に向けて反射しやすい。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することができる。
【００４６】
隣接する各陽極３２同士の間には、例えば、隣接する画素Ｐ同士の境界Ｂに沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４の間の漏れ電流を防止する機能を有する。
【００４７】
画素分離膜１４は、各画素Ｐの間において陽極３２の少なくとも端部３２ｄを覆うように形成されている。また、画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。
【００４８】
画素分離膜１４と有機層３３の界面である、画素分離膜１４の上面１４ａは、後述する発光層よりも基板１０側に位置することが好ましい。画素分離膜１４の上面１４ａが発光層よりも基板１０側に位置することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、画素分離膜１４の上面１４ａや、封止膜４０と充填剤４５の界面である封止膜４０の上面４０ａにおける光の反射が抑えられる。このため、隣接する画素Ｐ間の距離が短くなっても、周囲に隣接する画素Ｐ（Ｐ２，Ｐ３）における対向基板５０から、この反射光が出射することが防がれる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することができる。
【００４９】
また、画素分離膜１４の上面１４ａが発光層よりも基板１０側に位置することにより、対向基板５０の境界Ｂにおける、カラーフィルタの各領域Ｒ，Ｇ，Ｂ間の段差など基板１０側への盛り上がりによる充填剤４５への圧力を、上面１４ａにおいて吸収することができる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性を向上させることができる。
【００５０】
有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層であり、複数の陽極３２上及び画素分離膜１４上を覆うように形成されている。有機層３３は、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成されていてもよい。有機層３３は光を発する層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。
【００５１】
有機層３３は、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
【００５２】
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものが用いられてもよい。なお、発光層は、画素分離膜１４の上面１４ａよりも対向基板５０側に位置することが好ましい。
【００５３】
陰極３４は、有機層３３上を覆うように形成されている。陰極３４は、画素Ｐ毎に独立しておらず、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００５４】
陰極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。陰極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
【００５５】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上である陰極３４の上面３４ａは、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防ぐ透明の膜である。
【００５６】
封止膜４０の上面４０ａは、例えば充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は例えば平面視で基板１０よりも小さい外周を有する基板であり、基板１０に対向するように配置されている。このような対向基板５０としては具体的には例えば、有機層３３の発光層が白色光を発するものである場合には、例えばカラーフィルタ基板を用いることができる。
【００５７】
対向基板５０は、境界Ｂに沿って形成されたブラックマトリクスＢＭによって、各画素Ｐに対応して区分されていてもよい。対向基板５０がカラーフィルタ基板である場合、対向基板５０は、例えばカラーフィルタ４８とガラス基板４９を有する。カラーフィルタ４８は、各画素Ｐ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）に対応して、例えばブラックマトリクスＢＭによってＲ領域、Ｂ領域、Ｇ領域にそれぞれ区分されている。
【００５８】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、陽極３２の接触領域３２ｂの周囲に、周囲の他の画素Ｐの対向基板５０に対して面する周囲領域３２ｃを有していることにより、図３、４に示すように、画素Ｐから隣接する画素Ｐに向かう光Ｌは、対向基板５０の元の画素Ｐに対応する領域に向けて反射される。具体的には例えば、画素Ｐ（Ｐ１）における接触領域３２ｂに接触する有機層３３からの発光が画素分離膜１４の上面１４ａや封止膜４０の上面４０ａ等、各層の界面において反射すると、この反射光Ｌは、周囲の画素Ｐ（Ｐ２，Ｐ３）の周囲領域３２ｃに向かう。周囲領域３２ｃは画素Ｐ（Ｐ１）の対向基板５０に対して面しているため、この反射光Ｌは、対向基板５０の元の画素Ｐ（Ｐ１）に対応する領域（Ｒ領域）に向けて反射される。
【００５９】
このため、隣接する画素間Ｐの距離が短くなっても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、周囲に隣接する画素Ｐ（Ｐ２，Ｐ３）における対向基板５０から、この反射光が出射することが防がれる。これにより有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することができる。
【００６０】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、平坦化膜１３と画素分離膜１４の構成については、図３、４に示した構成と異なっていてもよい。
【００６１】
例えば、画素分離膜１４については、基板１０から画素分離膜１４の上面１４ａまでの距離が、基板１０から陽極３２の接触領域３２ｂまでの距離と略同等であってもよい。ここで「略同等」とは、製造による誤差の範囲を含む。
【００６２】
このような構成を有することにより、画素分離膜１４の上面１４ａは接触領域３２ｂに連続する面となる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、封止膜４０の上面４０ａは平坦となる。このため、画素Ｐ（Ｐ１）の上面４０ａにおける反射光は、より確実に隣接する画素Ｐ（Ｐ２，Ｐ３）の周囲領域３２ｃへ反射される。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高精細化、高輝度化及び混色の防止を実現することができる。
【００６３】
また、上面４０ａが平坦となることにより、充填剤４５の厚さを薄くすることができる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の薄型化を実現することができる。
【００６４】
また、上面１４ａは、基板１０から上面１４ａまでの距離が基板１０から発光層までの距離よりも小さければ、対向基板５０側に突出した凸形状であってもよい。図５は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。このような構成を有することにより、対向基板５０の境界Ｂにおける、カラーフィルタの各領域Ｒ，Ｇ，Ｂ間の段差など基板１０側への盛り上がりによる充填剤４５への圧力を、上面１４ａと周囲領域３２ｃが成す窪み２１において吸収することができる。
【００６５】
また、上面１４ａは、基板１０側に窪んだ凹形状であってもよい。図６は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。具体的には、上面１４ａの画素Ｐ側の端部１４ａ１よりも、上面１４ａの境界Ｂに対応する部分である中央部１４ａ２の方が、基板１０側に近い位置であってもよい。
【００６６】
このような構成を有することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、溝部２０上の有機層３３が厚くなる。このため、画素Ｐ（Ｐ１）における接触領域３２ｂに接触する有機層３３からの発光が封止膜４０の上面４０ａに反射して周囲の画素Ｐ（Ｐ３）の画素分離膜１４に到達するまでの距離が長くなる。これにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて画素分離膜１４の上面１４ａにおける反射が抑えられ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の混色の防止を実現することができる。
【００６７】
また、画素分離膜１４は溝部２０の少なくとも一部を覆っていればよい。図７は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。画素分離膜１４によって溝部２０が覆われる領域は小さいほど好ましく、図７に示すように、画素分離膜１４の端部１４ａ１が陽極３２の端部３２ｄを覆ってさえいればよい。
【００６８】
このような構成を有することにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、有機層３３の発光領域が広くなる。このため、輝度が向上するとともに電流密度が低下し、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の耐久性を向上することができる。また、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンスと比べ、周囲領域３２ｃのうち、画素分離膜１４によって覆われた領域の面積が小さくなるため、周囲領域３２ｃにおける反射効率を向上させることができる。このため、混色の防止と輝度向上を実現させることができる。
【００６９】
また、図７に示すように、平坦化膜１３は画素Ｐ毎に分離して形成されていてもよい。具体的には例えば、溝部２０が平坦化膜１３を貫通することにより、画素Ｐ（Ｐ１）に形成された平坦化膜１３が、Ｘ方向に隣接する画素Ｐ（Ｐ３）に形成された平坦化膜１３から分離される。
【００７０】
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、このような構成を有することにより、溝部２０の深さを、平坦化膜１３の厚みにより調整することができる。これにより、平坦化膜１３の厚さを薄くすることができ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の薄型化を実現することができる。
【００７１】
また、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、互いに異なる波長領域の光を発する２以上の発光層が、画素Ｐ毎に形成されていてもよい。図８は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図４と同様の視野において示す概略断面図である。
【００７２】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、このような構成を有することにより、カラーフィルタ基板を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置に適用してより薄型化を実現するとともに、混色を防ぐことができる。
【００７３】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバＩＣ、１０  素子基板、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  平坦化膜、１４  画素分離膜、１４ａ  上面、１４ａ１  端部、２０  溝部、２０ａ  周囲領域形成面、２１  窪み、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  陽極、３２ａ  コンタクトホール、３２ｂ  接触領域、３２ｃ  周囲領域、３２ｄ  端部、３３  有機層、３４  陰極、４０  封止膜、４５  充填剤、５０  カラーフィルタ基板、Ｂ  境界、Ｄ  表示領域、Ｐ,Ｐ１,Ｐ２,Ｐ３  画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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