(57)【要約】【課題】被処理基板上の薬液の活性の時間的不均一性と空間的不均一性を無くし、精度の良いエッチング処理を行う。【解決手段】被処理基板を水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを備えた基板の薬液処理装置を用いる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを備えたことを特徴とする基板の薬液処理装置。
【請求項２】
被処理基板を水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを備え、
前記全面配列ノズルを、前記被処理基板の前記薬液による処理時間以下の周期で、前記スリットの短辺の方向に前記吸引ノズル間の間隔の整数倍の距離を往復させる揺動運動を行わせる揺動機構を備えたことを特徴とする基板の薬液処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板の薬液処理装置であって、前記被処理基板を薬液処理時間以下の周期で水平方向に回転させる回転機構を備えていることを特徴とする基板の薬液処理装置。
【請求項４】
被処理基板を水平に保持し、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを用い、
前記吐出ノズルから前記薬液を前記被処理基板に流出させつつ、前記被処理基板に液盛りされた前記薬液を前記吸引ノズルで吸引することを特徴とする基板の薬液処理方法。
【請求項５】
被処理基板を水平に保持し、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを用い、
前記吐出ノズルから前記薬液を前記被処理基板に流出させつつ、前記被処理基板に液盛りされた前記薬液を前記吸引ノズルで吸引しつつ、
揺動機構によって前記全面配列ノズルを、前記被処理基板の前記薬液による処理時間以下の周期で、前記スリットの短辺の方向に前記吸引ノズル間の間隔の整数倍の距離を往復させる揺動運動を行わせることを特徴とする基板の薬液処理方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の基板の薬液処理方法であって、前記被処理基板を薬液処理時間以下の周期で水平方向に回転させる回転機構を用いることを特徴とする基板の薬液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にフォトレジストを塗布し、それに所定のパターンを露光した被処理基板を現像処理する現像装置やそれを用いた現像方法、被処理基板の金属層を薬液でウェットエッチングして金属パターンを形成するエッチング装置等、半導体製造、フォトマスク製造、液晶ディスプレイ製造工程等における、基板の薬液処理装置及び基板の薬液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶ディスプレイ、及び、それらに用いるフォトマスクの製造工程においては、基板に対するフォトエッチング処理が繰り返し行われる。フォトエッチング処理では、基板にフォトレジストが塗付され、塗付された基板に所定のパターンが露光される。パターンが露光された基板には、例えば露光部分のフォトレジストが除去される現像処理が行われる。このフォトレジストの現像処理も、フォトレジストに薬液を化学的に反応させてフォトレジストを除去するため、広い意味でエッチング処理である。そのため、以降の説明において、フォトレジストの現像処理を含む薬液による化学的なパターン除去処理を、広い意味でエッチング処理と呼ぶ。
【０００３】
従来、このエッチング処理は、ウェットエッチング装置によりエッチング液でエッチングするウェットエッチング処理が行われている。ウェットエッチング処理の方式は、ディップ方式とスプレー方式とパドル方式がある。例えば、フォトマスクのフォトレジストのエッチング処理（現像処理）を行う場合は、ディップ方式は、フォトレジストを被覆した被処理基板を現像用の薬液中に浸して処理を行う。
【０００４】
また、スプレー方式は、フォトレジストを被覆したフォトマスク用のガラス基板をスピンチャック上に吸着して低速で回転し、スプレーノズルを用いて現像用の薬液をガラス基板上に噴霧状に吐出しながらフォトレジストのエッチング処理（現像処理）を行うスプレー式エッチング方式がある。
【０００５】
また、パドル方式は、フォトレジストを被覆したフォトマスク用のガラス基板をスピンチャック上に保持して低速回転、または基板を静止させた状態で、スキャンノズルを相対的に移動させながら、基板と現像用薬液の表面張力を利用してスキャンノズルから現像用薬液をガラス基板上に液盛りしてエッチング処理（現像処理）を行う。
【０００６】
微細加工プロセスにおいては液中のパーティクルを極力減らす必要性と、薬液によるエッチング進行速度を常に一定に保つ必要性から、常に新しい薬液を使用するスプレー方式が一般的である。しかし、スプレー方式では、多量の薬液を必要とすることや、現像時の圧力によっては基板表面のフォトレジストにダメージを与えるため、現像によって形成されたレジストパターンのうち、高さに対する幅が微細なパターンが横倒しにされ易い問題があるため、パドル方式へ変わりつつある。
【０００７】
しかし、パドル方式では、被処理基板の中央部と周辺部とで薬液の吐出圧力や単位面積あたりに供給される薬液量に差が生じるためにエッチングムラ（現像ムラ）が発生する問題があった。
【０００８】
そのため、特許文献１のように、エッチング液を供給するノズルをスキャンさせながら被処理基板面に薬液を供給して、被処理基板面に液盛りされた薬液によりエッチングを行うスキャン方式が開発され、更に、特許文献２で、薬液の吐出と吸引とを行う機構を加え
ることで、その被処理基板上に液盛りした薬液の置換を行う技術が提案された。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平７−３６１９５号公報
【特許文献２】特開２００２−２５２１６７号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
エッチング処理中に、被処理基板に形成するパターンが疎な部分とパターンが密な部分において、エッチング液と被エッチング層であるフォトレジストとの反応生成物の量が異なり、エッチング液の濃度差が生じる。それに対して、特許文献２の技術では、薬液の供給速度を高速にすることで、パターンの疎密差による反応生成物が薬液へ混入する量を少なくすることで、その混入量の差を少なくしていた。
【００１１】
しかし、特許文献２の技術では、薬液を供給するノズル及び吸引するノズルを被処理基板上にスキャンさせてエッチング処理を行うため、薬液の供給／吸引ノズルが被処理基板上の面上に所定時間の間滞在して薬液処理を行ってノズルがその位置から移動した後も、被処理基板上に薬液が滞留して薬液による化学反応が継続する。滞留した薬液によるエッチング量は少ないが、エッチング量に時間的な不均一性が生じる。そのため、被処理基板の被エッチング層に対する実質的な薬液の処理時間が不安定で定まらず、薬液処理によるエッチング量の管理が難しい問題があった。
【００１２】
また、特許文献２の技術では、被処理基板上の薬液の流れの上流と下流の位置の違いにより薬液の活性に違いを生じる。そのため、被処理基板の面の位置による薬液のエッチング処理量が異なり、エッチングが空間的に不均一になる問題があった。
【００１３】
本発明の課題は、上記の問題を解決し、被処理基板上の薬液の活性の時間的不均一性と空間的不均一性を無くし、高精度なエッチング処理が可能な基板の薬液処理装置及び基板の薬液処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記の課題を解決するために、被処理基板を水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを備えたことを特徴とする基板の薬液処理装置である。
【００１５】
本発明は、被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを用いて、被処理基板の全面に同時に薬液を吐出し、かつ、薬液を吸引することで、被処理基板の全面に新鮮な薬液を時間的に均一に流すことができる効果がある。
【００１６】
また、本発明は、被処理基板を水平に保持する基板保持機構と、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを備え、前記全面配列ノズルを、前記被処理基板の前記薬液による処理時間以下の周期で、前記スリットの短辺の方向に前記吸引ノズル間の間隔の整数倍の距離を往復させる揺動運動を行わせる揺動機構を備えたことを特徴とする基板の薬液処理装置である。
【００１７】
本発明は、全面配列ノズルを揺動運動させることで、被処理基板上の薬液の流れの方向を周期的に逆転させることで薬液の流れの上流と下流の位置による流れの偏りを無くして被処理基板の全面で薬液処理量を均一にできる効果がある。
【００１８】
また、本発明は、上記の基板の薬液処理装置であって、前記被処理基板を薬液処理時間以下の周期で水平方向に回転させる回転機構を備えていることを特徴とする基板の薬液処理装置である。
【００１９】
また、本発明は、被処理基板を水平に保持し、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを用い、前記吐出ノズルから前記薬液を前記被処理基板に流出させつつ、前記被処理基板に液盛りされた前記薬液を前記吸引ノズルで吸引することを特徴とする基板の薬液処理方法である。
【００２０】
また、本発明は、被処理基板を水平に保持し、前記被処理基板に対して薬液を吐出するスリット状の吐出ノズルと、前記被処理基板上に液盛りした薬液を吸引するスリット状の吸引ノズルを交互に、該ノズルのスリットの短辺側に、前記被処理基板の寸法の４分の１以下の間隔で配列して前記被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルを用い、前記吐出ノズルから前記薬液を前記被処理基板に流出させつつ、前記被処理基板に液盛りされた前記薬液を前記吸引ノズルで吸引しつつ、揺動機構によって前記全面配列ノズルを、前記被処理基板の前記薬液による処理時間以下の周期で、前記スリットの短辺の方向に前記吸引ノズル間の間隔の整数倍の距離を往復させる揺動運動を行わせることを特徴とする基板の薬液処理方法である。
【００２１】
また、本発明は、上記の基板の薬液処理方法であって、前記被処理基板を薬液処理時間以下の周期で水平方向に回転させる回転機構を用いることを特徴とする基板の薬液処理方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、被処理基板の全面を覆う全面配列ノズルから薬液を吐出し、かつ、薬液を吸引することで、被処理基板の全面に同時に新鮮な薬液を流すことができる効果がある。すなわち、薬液吐出開口から連続的に吐出された薬液を、隣接する薬液吸引開口から連続的に吸引することより被処理基板の上面に薬液処理が行なわれて活性が低下した薬液を直ちに吸引して取り除くことで残留させないようにする。
【００２３】
これにより、前記薬液吐出開口と前記薬液吸引開口との間隙で、被処理基板の上から薬液吐出／吸引部までの間の液層に常時、新鮮な薬液を供給して、薬液によるエッチング量を時間的に均一にできる効果がある。
【００２４】
また本発明は全面配列ノズルを揺動運動させて被処理基板上の薬液の流れの方向を周期的に逆転させる。それにより、被処理基板に対して、薬液の流れの上流と下流の位置による、薬液の活性の違いによるエッチング量の偏りを生じさせず、被処理基板を空間的に均一にエッチングできる効果がある。
【００２５】
本発明は、これらのエッチング量の時間的、空間的均一性により、パターニング寸法均一性の優れたウェットエッチング処理が行える効果があり、それにより、高精度なエッチングパターンを形成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の基板の薬液処理装置の側面図である。
【図２】本発明の基板の薬液処理装置における薬液吐出／吸引機構の構造を示す斜視図である。
【図３】本発明の基板の薬液処理装置の薬液吐出／吸引機構の全面配列ノズルの水平面による断面図である。
【図４】本発明の全面配列ノズルの各スリットノズルの薬液の流れと被処理基板上の薬液の流れの概要を示す、本発明の基板の薬液処理装置の薬液吐出／吸引機構の側断面図である。
【図５】本発明の基板の薬液処理装置の全面配列ノズルの各スリットノズルの間隔を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。以下の実施形態では、本発明をフォトマスクのフォトレジストのエッチング処理（現像処理）によりレジストのパターンを形成する基板の薬液処理装置及びそれを用いた基板の薬液処理方法に適用した例を示す。
【００２８】
＜第１の実施形態＞
まず、図１乃至図５を用いて、本発明の第１の実施形態の基板の薬液処理装置をフォトマスク基板の被処理基板１の製造に適用したエッチング方法を説明する。図１は、本実施形態の基板の薬液処理装置の側面図であり、図２は、基板の薬液処理装置における薬液吐出／吸引機構２０の構造を示す斜視図であり、図３は、基板の薬液処理装置の薬液吐出／吸引機構２０の全面配列ノズル２４の水平面による断面図である。図４は、スリットノズル２３での薬液の流れと被処理基板１上での薬液の流れの概要を示す図である、図５は、全面配列ノズル２４の各スリットノズル２３の間隔を示す図である。
【００２９】
（被処理基板）
フォトマスク基板を製造するための被処理基板１は、フォトマスク用のクロム（Ｃｒ）マスクブランクスにポジ型レジストを５００ｎｍの厚さに塗布して電子ビーム描画装置でパターンを描画して１１０℃で１５分間ベークした基板を被処理基板１とする。
【００３０】
（基板の薬液処理装置）
本実施形態では、図１に示すように、基板の薬液処理装置に、フォトマスク基板の被処理基板１を略水平に保持する基板保持機構１０と、その被処理基板１の上方に配置された薬液吐出／吸引機構２０と、前記薬液吐出／吸引機構２０に薬液を供給する薬液供給管２１、及び、薬液吐出／吸引機構２０から薬液を吸引する薬液吸引管２２を備える。
【００３１】
薬液吐出／吸引機構２０は、薬液吐出／吸引を行うスリットノズル２３を被処理基板１の全面を覆う領域に配列した全面配列ノズル２４を備えている。また、全面配列ノズル２４の上に、各スリットノズル２３をマニホールド構造による液溜めを介して薬液供給管２１又は薬液吸引管２２に接続する薬液分流機構２５を備えている。
【００３２】
全面配列ノズル２４には、薬液供給管２１に接続する吐出ノズル２３ａと、薬液吸引管２２に接続する吸引ノズル２３ｂとを周期的な間隔ａ（図５に示す）で交互に配置した複数のスリットノズル２３を形成する。
【００３３】
こうして、被処理基板１の全面を覆う全面配列ノズル２４の各スリットノズル２３から薬液を吐出し、かつ、薬液を吸引することで、被処理基板１の全面に同時に新鮮な薬液を流すことができる効果がある。
【００３４】
この薬液吐出／吸引機構２０は、揺動機構３０によって、薬液吐出／吸引機構２０のスリットノズル２３の長方形の開口の短辺の方向に、同種のスリットノズル２３間すなわち、吐出ノズル２３ａ間あるいは吸引ノズル２３ｂ間の間隔ｂ（図５に示す）の整数倍の距離を往復させる揺動運動を行わせる。
【００３５】
基板保持機構１０は、被処理基板１を設置する基板ホルダー１１と、被処理基板１の端部を左右から押さえて被処理基板１が、上下に動くことが無いように支える基板保持具１２で構成する。被処理基板１が矩形のフォトマスクの場合は、基板保持具１２の外形をその矩形のフォトマスクの外形に合わせて矩形状に形成する。被処理基板１が円形の半導体ウェハの場合は、基板保持具１２の外形をその円形の半導体ウェハの外形に合わせて円形に形成する。
【００３６】
基板ホルダー１１及び基板保持具１２としては、その表面の濡れ性がこのフォトマスク基板の被処理基板１の表面の濡れ性とほぼ同じになるような材質を選ぶことが望ましい。具体的には、被処理基板１上のポジ型レジストの表面でのエッチング液の接触角と前記基板ホルダー１１及び基板保持具１２上でのエッチング液の接触角がほぼ同じになるようにする。
【００３７】
また、基板の薬液処理装置には、被処理基板１を保持する基板保持機構１０を回転軸４１を中心として水平方向に、エッチング時間以下の周期で回転させる回転機構４０を備えることが望ましい。
【００３８】
（全面配列ノズル）
全面配列ノズル２４の詳細な構成を、図１から図４を参照して説明する。図１は、基板の薬液処理装置の側面図である。図２は基板の薬液処理装置の薬液吐出／吸引機構２０の斜視図である。図３は薬液吐出／吸引機構２０の全面配列ノズル２４の平面図である。図４は、薬液吐出／吸引機構２０のうちの全面配列ノズル２４の部分を拡大して示した図である。
【００３９】
図２と図３のように、全面配列ノズル２４は、長方形状の直柱状構造のスリットノズル２３を、その短辺方向に、被処理基板１の辺の長さの４分の１以下のピッチ（間隔ａ）で配列して、被処理基板１上の全面をスリットノズル２３の群で覆う構成を持つ。
【００４０】
各スリットノズル２３の長辺は少なくとも基板ホルダー１１の幅以上の長さを有する。図５のように、全面配列ノズル２４を構成する各スリットノズル２３は、薬液吐出用の吐出ノズル２３ａと、薬液吸引用の吸引ノズル２３ｂを交互に、被処理基板１の寸法の４分の１以下の均等な間隔ａに配列させる。
【００４１】
例えば、水平面による横断面が、長辺の長さが３１０ｍｍで短辺の長さが１ｍｍの長方形の断面であるスリットノズル２３を短辺の方向に２ｍｍの間隔ａで１５０個配列した長さが３００ｍｍの配列を形成する。
【００４２】
図１と図２のように、全面配列ノズル２４の上に薬液分流機構２５を設置する。薬液分流機構２５の中で、薬液供給管２１の先に、マニホールド構造による液溜めを介して多数の細管で吐出ノズル２３ａを接続する。これにより、各吐出ノズル２３ａに薬液を均等に供給する。同じく、各吸引ノズル２３ｂを多数の細管でマニホールド構造による液溜めに接続し、その液溜めを薬液吸引管２２に接続することで、各吸引ノズル２３ｂから薬液を均等に吸引して回収する。
【００４３】
また、全面配列ノズル２４及び薬液分流機構２５にヒーターを設置して、その内部に溜
めた薬液を加熱して薬液の温度を調整する制御を行う機構を設置することが望ましい。
【００４４】
（薬液の流れの動作）
図４のように、全面配列ノズル２４に交互に形成した吐出ノズル２３ａと吸引ノズル２３ｂの間で以下の様にして薬液を一定の速度で流す。先ず、吐出ノズル２３ａから薬液を上から下に流して、全面配列ノズル２４の下の長方形の薬液吐出開口２４ａから薬液を被処理基板１上に吐出して、被処理基板１上に薬液を液盛りする。
【００４５】
その液盛りされた薬液を、全面配列ノズル２４の下の長方形の薬液吸引開口２４ｂから吸引ノズル２３ｂが上方に吸引する。こうして、薬液吐出開口２４ａから連続的に被処理基板１上に吐出された薬液を、薬液吸引開口２４ｂに隣接する薬液吸引開口２４ｂから吸引ノズル２３ｂが連続的に吸引する。
【００４６】
全面配列ノズル２４の下部の薬液吐出開口２４ａ及び薬液吸引開口２４ｂの被処理基板１上の高さは１ｍｍ程度にし、薬液は、その高さ以上の２ｍｍ程度の高さにまで被処理基板１上に液盛りして被処理基板１の上面に沿って一定の流速で流す。
【００４７】
図４のように、薬液吐出開口２４ａから吐出される薬液は、両脇の薬液吸引開口２４ｂによる薬液の吸引力も受けて、吐出ノズル２３ａ中を均一な力で上から下に落下する。また、薬液吸引開口２４ｂから上方に吸引される薬液は、両脇の薬液吐出開口２４ａから吐出される薬液の圧力も受けて、吸引ノズル２３ｂ中を均一な力で下から上に押し上げられる。
【００４８】
これにより、被処理基板１全面に薬液が、各吐出ノズル２３ａの薬液吐出開口２４ａから均一に供給され、かつ、各吸引ノズル２３ｂの薬液吸引開口２４ｂから均一に吸引され、被処理基板１の全面に均一な薬液の流れが形成される。この薬液の流速は０．１ｍ／秒から１０ｍ／秒程度に調整し、１分から１０分程度の時間の薬液処理を行うことで現像処理あるいはエッチング処理を行う。
【００４９】
ここで、被処理基板１が各吐出ノズル２３ａから流出する薬液で下に押され、各吸引ノズル２３ｂが薬液を吸引する吸引力で上に引かれる。その圧力あるいは吸引力により被処理基板１が上下に動かされないように、被処理基板１を基板保持具１２が保持して固定するように支える。
【００５０】
こうして、常に新鮮な薬液を各吐出ノズル２３ａから均一な流れにして供給し、被処理基板１上のポジ型レジストを溶解させる反応により活性が低下した薬液は、直ちに、各吐出ノズル２３ａに隣接する吸引ノズル２３ｂによって吸引して取り除くことで、被処理基板１上に長時間残留して活性が大きく低下しないようにする。
【００５１】
これにより、前記薬液吐出開口と前記薬液吸引開口との間隙で、被処理基板の上から薬液吐出／吸引部までの間の液層に常時、新鮮な薬液を供給するので、薬液の活性の劣化の程度が時間的に均一にできる効果がある。
【００５２】
図１のように、全面配列ノズル２４の各吐出ノズル２３ａから薬液を被処理基板１上に流出させつつ各吸引ノズル２３ｂが薬液を吸引する動作を行いつつ、その全面配列ノズル２４を揺動機構３０によって、スリットノズル２３の長方形の開口の短辺の方向に往復させる揺動運動を行わせる。
【００５３】
図５のように、その揺動運動の振幅は、スリットノズル２３の長方形の開口の短辺の方向に、同種のスリットノズル２３の間隔ｂの整数倍の振幅で揺動運動させる。その揺動運
動の周期は、エッチング時間（１分から１０分）より十分短い時間の周期で揺動させる。
【００５４】
この揺動運動により、被処理基板１の位置とスリットノズル２３の開口との間の相対距離を平均化し、被処理基板１のスリットノズル２３との位置関係による薬液の流動速度のバラツキを均一化する効果がある。
【００５５】
また、この揺動運動により、図４のように、その所定位置の左から右への薬液の流れと、その逆に右から左に流れる薬液の流れを被処理基板１上の所定位置の上で交互に切り替えて薬液の流れを逆転させる。それにより、被処理基板１のフォトマスクの所定位置のパターンの疎密によるポジ型レジストの溶解による薬液の活性の低下の影響を所定位置の左右に平均化させて影響を低下させることができる効果がある。
【００５６】
また、この揺動運動に更に加える運動として、被処理基板１を回転軸４１を中心として水平方向に回転させる回転機構４０を加えることが望ましい。この回転運動は、例えば、１００回転／分程度の回転速度で回転させる。この回転運動により、１分から１０分程度のエッチング時間の間に被処理基板１が１００回転以上回転する。
【００５７】
この被処理基板１の回転運動によって、被処理基板１の位置とスリットノズル２３の開口との間の相対位置を回転の周方向で平均化し、被処理基板１のスリットノズル２３との位置関係を均一化する効果がある。
【００５８】
また、被処理基板１の回転により、被処理基板１に対する薬液の流れの方向が１回転するので、薬液の流れの方向を均一化させる効果がある。
【００５９】
そして、それにより、被処理基板１のフォトマスクの所定位置のパターンの疎密によるポジ型レジストの溶解による薬液の活性の低下の影響を所定位置の周囲の全方向に平均化させて影響を低下させることができる効果がある。そのため、パターンの疎密による場所による薬液の濃度差を均一化し、パターンの疎密による仕上がり寸法の変動を無くすことができる効果がある。
【００６０】
フォトマスクの被処理基板１では、以上のエッチング処理（現像処理）によって、フォトマスクの被処理基板１上のポジ型レジストを薬液で溶解する。その後に、被処理基板１を、エッチング処理（現像処理）後のポジ型レジストのパターンをエッチングマスクとする反応性イオンエッチングによりフォトマスクの被処理基板１のクロム（Ｃｒ）膜をエッチングすることでクロム（Ｃｒ）のパターンを形成したフォトマスクを製造する。
【００６１】
なお、以上の実施形態でフォトマスクの被処理基板１上のポジ型レジストのエッチング（現像処理）の適用例を示したが、本発明はそれに限定されず、例えば、半導体製造プロセスにおける被処理基板１のシリコンウェハ上のフォトレジスト膜の現像処理や被処理基板１のシリコンウェハの金属パターンのウエットエッチング処理、その他の洗浄処理、及びカラーフィルター製造プロセスにおける被処理基板１上のパターンのエッチング処理等においても適用可能である。
【００６２】
また、本発明は、薬液吐出／吸引機構２０の揺動機構３０を省き、全面配列ノズル２４を用いた薬液吐出／吸引機構２０と被処理基板１の回転機構４０のみで、被処理基板１上の薬液の流れの方向の均一化を図る構成を用いる事も可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１・・・被処理基板
１０・・・基板保持機構
１１・・・基板ホルダー
１２・・・基板保持具
２０・・・薬液吐出／吸引機構
２１・・・薬液供給管
２２・・・薬液吸引管
２３・・・スリットノズル
２３ａ・・・吐出ノズル
２３ｂ・・・吸引ノズル
２４・・・全面配列ノズル
２４ａ・・・薬液吐出開口
２４ｂ・・・薬液吸引開口
２５・・・薬液分流機構
３０・・・揺動機構
４０・・・回転機構
４１・・・回転軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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