(57)【要約】【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。【解決手段】画像を表示するアクティブエリアを含む第１領域に形成された第１電極と、第１電極を覆う絶縁膜の上において第１電極と向かい合うとともにスリットが形成された第２電極と、第１領域に隣接する第２領域に形成された接地電位のパッドと、を備えた第１基板と、第１領域において第１基板に対向する絶縁基板と、絶縁基板の内面においてアクティブエリアの周囲に形成された周辺遮光層と、を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持された液晶層と、絶縁基板の外面においてアクティブエリアに亘って形成された透明な導電層と、導電層上においてアクティブエリアに亘って接着された偏光板を含む光学素子と、導電層上における周辺遮光層と重なる位置に形成された導電部材と、導電部材とパッドとを電気的に接続する接続部材と、を備えた、液晶表示装置。【選択図】      図５
2015011179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するアクティブエリアを含む第１領域において複数の画素に亘って形成された第１電極と、前記第１電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記第１電極と向かい合うとともにスリットが形成された第２電極と、前記第１領域に隣接する第２領域に形成された接地電位のパッドと、を備えた第１基板と、
前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する端部を有し前記第１領域において前記第１基板に対向する絶縁基板と、前記絶縁基板の内面において前記アクティブエリアの周囲に形成された周辺遮光層と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記絶縁基板の外面において前記アクティブエリアに亘って形成された透明な導電層と、
前記導電層上において前記アクティブエリアに亘って接着された偏光板を含む光学素子と、
前記導電層上における前記周辺遮光層と重なる位置に形成された導電部材と、
前記導電部材と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、
を備えた、液晶表示装置。
【請求項２】
前記導電部材は前記絶縁基板の端部に沿って帯状に形成された導電性ペーストからなる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記導電部材の設置面積は２５ｍｍ２以上である、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記導電層はスズ（Ｓｎ）−アンチモン（Ｓｂ）系酸化物によって形成された、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記導電層の表面抵抗値は１×１０７〜１×１０９Ω／□である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。このような液晶表示装置において、帯電防止あるいは静電気放電（ＥＳＤ）対策のために、導電層を設置する構成が提案されている。
【０００３】
最近では、画像を表示する液晶表示パネルにタッチセンシング機能を組み合わせた液晶表示装置が開発されている。静電容量の変化を利用してタッチセンシング機能を実現する構成の場合、導電層を設置すると、十分なタッチセンシング機能を確保できないおそれがある。一方で、タッチセンシング機能を確保するために、導電層を高抵抗化すると、外部電界を十分にシールドすることができず、液晶層に不所望な電界が印加され、表示ムラを発生するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２９９１６１号公報
【特許文献２】特開２０１２−０６３８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、
画像を表示するアクティブエリアを含む第１領域において複数の画素に亘って形成された第１電極と、前記第１電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記第１電極と向かい合うとともにスリットが形成された第２電極と、前記第１領域に隣接する第２領域に形成された接地電位のパッドと、を備えた第１基板と、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する端部を有し前記第１領域において前記第１基板に対向する絶縁基板と、前記絶縁基板の内面において前記アクティブエリアの周囲に形成された周辺遮光層と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記絶縁基板の外面において前記アクティブエリアに亘って形成された透明な導電層と、前記導電層上において前記アクティブエリアに亘って接着された偏光板を含む光学素子と、前記導電層上における前記周辺遮光層と重なる位置に形成された導電部材と、前記導電部材と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、を備えた、液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。
【図３】図３は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおける画素ＰＸの構造を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。
【図４】図４は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの構成を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、図４に示した液晶表示パネルＬＰＮのパッドＰＤを含む断面を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、導電部材ＣＭの設置面積に対する表示ムラ消滅時間の関係を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態の液晶表示装置における他の液晶表示パネルＬＰＮの構成例を概略的に示す平面図である。
【図８】図８は、本実施形態の液晶表示装置における他の液晶表示パネルＬＰＮの構成例を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１０】
すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された第２基板である対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを含む第１領域Ａ１と、この第１領域Ａ１に隣接する第２領域Ａ２と、を備えている。第１領域Ａ１は、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとが対向する領域に相当する。この第１領域Ａ１において、アクティブエリアＡＣＴは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱが保持された領域に相当し、例えば、四角形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。第２領域Ａ２は、アレイ基板のうちの対向基板ＣＴの端部ＣＴＥよりも外方に延在した領域（延在部）に相当する。
【００１１】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延出した複数のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）及び容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出した複数のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに各々電気的に接続された画素電極ＰＥ、容量線Ｃの一部であり画素電極ＰＥと向かい合う共通電極ＣＥなどを備えている。保持容量ＣＳは、例えば、容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１２】
共通電極ＣＥ（第１電極）は、第１領域Ａ１において複数の画素ＰＸに亘って共通に形成されている。画素電極ＰＥ（第２電極）は、各画素ＰＸにおいて島状に形成されている。
【００１３】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第１駆動回路ＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第２駆動回路ＳＤに接続されている。各容量線Ｃは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、第３駆動回路ＣＤに接続されている。これらの第１駆動回路ＧＤ、第２駆動回路ＳＤ、及び、第３駆動回路ＣＤは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ＡＲに形成され、駆動ＩＣチップ２と接続されている。駆動ＩＣチップ２は、第１駆動回路ＧＤ、第２駆動回路ＳＤ、及び、第３駆動回路ＣＤを制御するコントローラを内蔵し、液晶表示パネルＬＰＮを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源として機能する。図示した例では、駆動ＩＣチップ２は、第２領域Ａ２において、アレイ基板ＡＲに実装されている。
【００１４】
一例として、駆動ＩＣチップ２は、アクティブエリアＡＣＴに画像を表示する画像表示モードにおいて各画素ＰＸの画素電極ＰＥに画像信号を書き込むのに必要な制御を行う画像信号書込回路２Ａと、検出面において物体の接触を検出するタッチセンシングモードにおいて静電容量タッチセンシング用配線の静電容量（ここに示した例では、容量線Ｃとソース配線Ｓとの間の静電容量）の変化を検出する検出回路２Ｂと、を備えている。
【００１５】
また、図示した例の液晶表示パネルＬＰＮは、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードあるいはＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに適用可能な構成であり、アレイ基板ＡＲに画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを備えている。このような構成の液晶表示パネルＬＰＮでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの間に形成される横電界（例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用して液晶層ＬＱを構成する液晶分子をスイッチングする。
【００１６】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。
【００１７】
すなわち、アレイ基板ＡＲは、ガラス基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の内面（すなわち対向基板ＣＴに対向する側）１０Ａの側に、スイッチング素子ＳＷ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００１８】
ここに示したスイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。スイッチング素子ＳＷは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。このようなスイッチング素子ＳＷは、第１絶縁膜１１によって覆われている。
【００１９】
共通電極ＣＥは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。画素電極ＰＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。画素電極ＰＥは、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。また、画素電極ＰＥは、第２絶縁膜１２を介して共通電極ＣＥと向かい合うスリットＰＳＬを有している。これらの共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ともに透明な導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などによって形成されている。画素電極ＰＥ及び第２絶縁膜１２は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成され、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００２０】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板などの光透過性を有する第２絶縁基板３０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、第２絶縁基板３０のアレイ基板ＡＲと対向する内面３０Ａの側に、ブラックマトリクス３１、カラーフィルタ３２、オーバーコート層３３、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００２１】
ブラックマトリクス３１は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａにおいて、アレイ基板ＡＲに設けられたゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、さらにはスイッチング素子ＳＷなどの配線部に対向するように形成され、各画素ＰＸを区画している。
【００２２】
カラーフィルタ３２は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａに形成され、ブラックマトリクス３１の上にも延在している。カラーフィルタ３２は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。異なる色のカラーフィルタ３２間の境界は、ブラックマトリクス３１と重なっている。
【００２３】
オーバーコート層３３は、ブラックマトリクス３１及びカラーフィルタ３２を覆っている。オーバーコート層３３は、ブラックマトリクス３１やカラーフィルタ３２の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層３３は、透明な樹脂材料によって形成されている。オーバーコート層３３は、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成され、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００２４】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサが配置され、これにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間に形成されたセルギャップに封入されている。このような液晶層ＬＱは、例えば、誘電率異方性が正（ポジ型）の液晶材料によって構成されている。
【００２５】
このような構成の液晶表示パネルＬＰＮに対して、その背面側には、バックライトＢＬが配置されている。バックライトＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。
【００２６】
第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。第２絶縁基板３０の内面３０Ａとは反対側の外面３０Ｂの側には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸とは、例えば、クロスニコルの位置関係にある。
【００２７】
第２絶縁基板３０の外面３０Ｂには、透明な導電層ＣＤＦが形成されている。第２光学素子ＯＤ２は、接着剤ＡＤによって導電層ＣＤＦに接着されている。
【００２８】
図３は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおける画素ＰＸの構造を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
【００２９】
ゲート配線Ｇは、第１方向Ｘに沿って延出している。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿って延出している。ゲート配線Ｇとソース配線Ｓとの交差部にはスイッチング素子が配置されているが図示を省略している。
【００３０】
容量線Ｃは、第１方向Ｘに沿って延在している。すなわち、容量線Ｃは、各画素ＰＸに配置されるとともにソース配線Ｓの上方に延在しており、第１方向Ｘに隣接する複数の画素ＰＸに亘って共通に形成されている。容量線Ｃは、各画素ＰＸに対応して形成された共通電極ＣＥを含んでいる。
【００３１】
各画素ＰＸの画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥの上方に配置されている。各画素電極ＰＥは、各画素ＰＸにおいて画素形状に対応した島状、例えば、略四角形に形成されている。各画素電極ＰＥには、共通電極ＣＥと向かい合う複数のスリットＰＳＬが形成されている。図示した例では、スリットＰＳＬのそれぞれは、第２方向Ｙに沿って延出しており、第２方向Ｙと平行な長軸を有している。
【００３２】
第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、基板主面と平行なＸ−Ｙ平面内において、互いに平行な方位に配向処理（例えば、ラビング処理や光配向処理）がなされている。第１配向膜ＡＬ１の第１配向処理方向Ｒ１は、スリットＰＳＬが延出した第２方向Ｙに対して４５°以下、より好ましくは５°〜１５°の鋭角に交差する。第２配向膜ＡＬ２の第２配向処理方向Ｒ２は、第１配向処理方向Ｒ１と平行である。第１配向処理方向Ｒ１と第２配向処理方向Ｒ２とは互いに逆向きである。
【００３３】
このような構成の液晶表示装置において、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態（ＯＦＦ時）では、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、面内において、第１配向処理方向Ｒ１及び第２配向処理方向Ｒ２に応じて初期配向する（液晶分子ＬＭが初期配向する方向を初期配向方向と称する）。ＯＦＦ時には、バックライトＢＬからのバックライト光の一部は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光は、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、ＯＦＦ時の液晶表示パネルＬＰＮを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルＬＰＮを透過した直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１に対してクロスニコルの位置関係にある第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００３４】
一方、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が形成された状態（ＯＮ時）では、液晶分子ＬＭは、面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子ＬＭは、電界と略平行な方向を向くように配向する。ＯＮ時には、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルＬＰＮに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態に応じて変化する。このため、ＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００３５】
図４は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの構成を概略的に示す平面図である。
【００３６】
液晶表示パネルＬＰＮを構成するアレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴの端部ＣＴＥよりも外方に延在した第２領域（延在部）Ａ２を有している。第２領域Ａ２には、駆動ＩＣチップ２やフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板３などが実装されている。また、第２領域Ａ２には、接地電位のパッドＰＤが形成されている。パッドＰＤは、詳述しないが、駆動ＩＣチップ２やＦＰＣ基板３などを介して接地されている。
【００３７】
導電層ＣＤＦは、図３のＦＰＣ基板３を図の右側に見たときに、図中に右下がりの斜線で示したように、対向基板ＣＴの上においてアクティブエリアＡＣＴの全体に亘って形成されている。当然のことながら、導電層ＣＤＦは、各画素ＰＸの上を覆っている。図示した例では、導電層ＣＤＦは、対向基板ＣＴの表面の略全面に亘って形成されている。つまり、Ｘ−Ｙ平面において、導電層ＣＤＦのサイズは、対向基板ＣＴのサイズと同等である。
【００３８】
第２光学素子ＯＤ２は、図３のＦＰＣ基板３を図の右側に見たときに、図中に右上がりの斜線で示したように、導電層ＣＤＦの上においてアクティブエリアＡＣＴの全体に亘って配置されている。また、第２光学素子ＯＤ２は、導電層ＣＤＦの一部を露出している。すなわち、Ｘ−Ｙ平面において、第２光学素子ＯＤ２のサイズは、導電層ＣＤＦのサイズよりも小さい。また、第２光学素子ＯＤ２の端部ＯＤＥは、対向基板ＣＴの端部ＣＴＥの直上には重ならず、端部ＣＴＥよりもアクティブエリアＡＣＴ側に位置している。つまり、導電層ＣＤＦの端部ＣＦＥは、第２光学素子ＯＤ２の端部ＯＤＥと対向基板ＣＴの端部ＣＴＥとの間に延在し、第２光学素子ＯＤ２から露出している。
【００３９】
導電層ＣＤＦの上には、導電部材ＣＭが形成されている。つまり、導電層ＣＤＦと導電部材ＣＭとは導通している。導電部材ＣＭは、アクティブエリアＡＣＴの外側に位置しており、対向基板ＣＴの端部ＣＴＥに沿って略直線状の帯状に形成されている。図示した例では、導電部材ＣＭは、導電層ＣＤＦ上の端部ＣＦＥに位置し、端部ＯＤＥと端部ＣＴＥとの間において直線状に延出している。このような導電部材ＣＭは、接続部材ＰＳＴに接触している。接続部材ＰＳＴは、導電部材ＣＭとパッドＰＤとを電気的に接続する。
【００４０】
図５は、図４に示した液晶表示パネルＬＰＮのパッドＰＤを含む断面を概略的に示す断面図である。
【００４１】
アレイ基板ＡＲについて、対向基板ＣＴと向かい合う内面側の構造については詳細な説明を省略するが、第２領域Ａ２においては、パッドＰＤが形成されている。アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１光学素子ＯＤ１が接着されている。第１光学素子ＯＤ１は、アクティブエリアＡＣＴの全体に亘って配置されている。なお、第１光学素子ＯＤ１を第１絶縁基板１０に接着するための接着剤の図示は省略している。
【００４２】
対向基板ＣＴの構造については詳細な説明を省略するが、第２絶縁基板３０は、第１領域Ａ１においてアレイ基板ＡＲと対向するとともに、第２領域Ａ２においては欠落している。端部ＣＴＥは、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界に位置している。アレイ基板ＡＲと向かい合う第２絶縁基板３０の内面３０Ａには、周辺遮光層ＳＨＤが形成されている。周辺遮光層ＳＨＤは、アクティブエリアＡＣＴの周囲に形成されており、詳述しないが、アクティブエリアＡＣＴを囲む矩形枠状に形成されている。周辺遮光層ＳＨＤは、例えば、上記したブラックマトリクス３１と同一材料によって形成されている。
【００４３】
アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、シール材ＳＥによって貼り合わせされている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、液晶層ＬＱが保持されている。
【００４４】
導電層ＣＤＦは、第２絶縁基板３０の外面３０Ｂに形成されている。導電層ＣＤＦは、アクティブエリアＡＣＴの全体をカバーするのみならず、周辺遮光層ＳＨＤの上方にも延在している。このような導電層ＣＤＦは、アクティブエリアＡＣＴと重なるため、透明な導電材料によって形成されている。より具体的には、導電層ＣＤＦは、スズ（Ｓｎ）−アンチモン（Ｓｂ）系酸化物（ＡＴＯと称される場合もある）によって形成されている。また、導電層ＣＤＦは、その表面抵抗値が１×１０７〜１×１０９Ω／□であることが望ましい。
【００４５】
第２光学素子ＯＤ２は、接着剤ＡＤにより導電層ＣＤＦの上に接着されている。接着剤ＡＤは、導電層ＣＤＦの上においてアクティブエリアＡＣＴの全体に亘って延在しており、導電層ＣＤＦと第２光学素子ＯＤ２との間の全体に亘って介在している。
【００４６】
導電部材ＣＭは、第２光学素子ＯＤ２から露出した導電層ＣＤＦの上において、周辺遮光層ＳＨＤと重なる位置に形成されている。導電部材ＣＭは、アクティブエリアＡＣＴとは重ならないため、不透明であっても良く、導電層ＣＤＦよりも低抵抗な導電材料によって形成されている。導電部材ＣＭは、例えば銀などの導電粒子を含む導電性ペーストからなる。このような導電部材ＣＭの設置面積は、２５ｍｍ２以上であることが望ましい。
【００４７】
接続部材ＰＳＴは、導電部材ＣＭ及びパッドＰＤの双方に接触し、両者を電気的に接続している。このような接続部材ＰＳＴは、例えば、銀などの導電粒子を含む導電ペーストからなる。
【００４８】
図示した例では、さらに、第２光学素子ＯＤ２に対向するカバーガラスＣＧが設置されており、カバーガラスＣＧの表面が検出面あるいは表示面となる。また、カバーガラスＣＧと第２光学素子ＯＤ２とは、透明な接着剤ＡＨによって接着されている。接着剤ＡＨは、第１領域Ａ１においては対向基板ＣＴとカバーガラスＣＧとの間に介在し、また、第２領域Ａ２においてはアレイ基板ＡＲとカバーガラスＣＧとの間に介在している。これにより、液晶表示パネルＬＰＮ及びカバーガラスＣＧは、第１光学素子ＯＤ１や第２光学素子ＯＤ２などを含んだ状態で一体化されている。
【００４９】
本実施形態で説明したＦＦＳモードやＩＰＳモードなどの液晶表示パネルＬＰＮにおいては、対向基板ＣＴ側に電極などの導電膜が形成されていないため、不所望な電荷が液晶表示パネルＬＰＮに入り込みやすい。例えば、対向基板ＣＴの側から電荷が侵入したことにより、液晶層ＬＱに局所的に不所望な電圧が印加されると、表示ムラとして視認されるおそれがある。
【００５０】
本実施形態によれば、液晶表示パネルＬＰＮの前面側すなわち対向基板ＣＴの外面には導電層ＣＤＦが配置されている。このため、検出面あるいは表示面となるカバーガラスＣＧの表面で放電が生じた際に、液晶表示パネルＬＰＮに向かって侵入してきた電荷は、比較的低抵抗な導電層ＣＤＦにおいてアクティブエリアＡＣＴと重なる面内で迅速に拡散し、導電部材ＣＭで収集され、接続部材ＰＳＴを介して接地電位のパッドＰＤに流れ込む。このため、液晶表示パネルＬＰＮへの電荷の侵入を抑制することが可能となる。あるいは、たとえ液晶表示パネルＬＰＮの内部に電荷が侵入したとしても導電層ＣＤＦを介して放電されるため、視認される表示ムラを短時間で解消することが可能となる。
【００５１】
また、本実施形態によれば、導電層ＣＤＦがＡＴＯによって形成されているため、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導電材料と比較して安価であり、製造コストを削減することが可能となる。
【００５２】
また、本実施形態によれば、アクティブエリアＡＣＴの外側に位置する導電部材ＣＭの設置面積が２５ｍｍ２以上であるため、導電層ＣＤＦにおいて拡散した電荷を迅速に収集することができ、カバーガラスＣＧの表面で放電を生じたとしても、短時間で表示ムラを解消することが可能となる。
【００５３】
この点について、発明者は、以下の検討を行った。すなわち、導電層ＣＤＦの上に設置面積の異なる複数の導電部材ＣＭを形成したサンプルを用意し、それぞれのサンプルについて、カバーガラスＣＧの表面で放電を生じさせ、表示ムラが解消するまでの時間を測定した。
【００５４】
図６は、導電部材ＣＭの設置面積に対する表示ムラ消滅時間の関係を示す図である。
【００５５】
図中の横軸は導電部材ＣＭの設置面積（ｍｍ２）であり、縦軸は表示ムラ消滅時間の減少率である。なお、減少率は、導電部材ＣＭの設置面積を１．０ｍｍ２とした場合の表示ムラ消滅時間を１としたときの相対値である。導電部材ＣＭの設置面積が拡大するほど、減少率が低下し、より迅速に表示ムラが消滅することが確認されたが、導電部材ＣＭの設置面積が２５ｍｍ２以上の場合には減少率が０．５以下となり、しかも減少率はほぼ飽和状態となり、ほぼ一定値で推移している。したがって、導電部材ＣＭの設置面積を２５ｍｍ２以上に設定することにより、迅速に表示ムラを解消することができる。
【００５６】
また、本実施形態によれば、導電層ＣＤＦの表面抵抗値は１×１０７〜１×１０９Ω／□であるため、画像表示機能に加えてタッチセンシング機能を兼ね備えた横電界方式の液晶表示パネルＬＰＮにおいて、外部電界に対するシールド機能を確保しつつ、タッチセンシング機能を両立することが可能となる。
【００５７】
本実施形態は、上記した例に限定されるものではない。
【００５８】
図７は、本実施形態の液晶表示装置における他の液晶表示パネルＬＰＮの構成例を概略的に示す平面図である。
【００５９】
図７に示した構成例は、導電層ＣＤＦの上の導電部材ＣＭがアクティブエリアＡＣＴを囲むように形成された点で、図４に示した構成例と相違している。なお、図４に示した構成例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【００６０】
図示した構成例では、導電部材ＣＭは、矩形状のアクティブエリアＡＣＴの外側に位置しており、矩形枠状に形成され、アクティブエリアＡＣＴの４辺のそれぞれに沿って延出している。また、導電部材ＣＭは、図示しないが、アクティブエリアＡＣＴを囲む周辺遮光層と重なるように配置されている。
【００６１】
このような構成例においても、上記した構成例と同様の効果が得られる。しかも、導電部材ＣＭは、アクティブエリアＡＣＴを囲むように形成されているため、アクティブエリアＡＣＴの面内で拡散した電荷を最短距離で収集することができる。このため、液晶表示パネルに侵入した電荷をより迅速にパッドＰＤに流すことが可能となり、表示ムラを迅速に解消することが可能となる。
【００６２】
このように、導電部材ＣＭの形状は、図４に示したような直線的な帯状に限らず、周辺遮光層と重なる位置で適宜変形することが可能である。
【００６３】
図８は、本実施形態の液晶表示装置における他の液晶表示パネルＬＰＮの構成例を概略的に示す平面図である。
【００６４】
図８に示した構成例は、導電部材ＣＭが複数の接続部材を介して複数のパッドと電気的に接続された点で、図４に示した構成例と相違している。なお、図４に示した構成例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【００６５】
図示した構成例では、アレイ基板ＡＲは、第２領域Ａ２において、設置電位のパッドＰＤ１及びＰＤ２を備えている。接続部材ＰＳＴ１は、導電部材ＣＭとパッドＰＤ１とを接続している。接続部材ＰＳＴ２は、導電部材ＣＭとパッドＰＤ２とを接続している。
【００６６】
このような構成例においても、上記した構成例と同様の効果が得られる。しかも、導電部材ＣＭによって収集された電荷は、接続部材ＰＳＴ１を介してパッドＰＤ１に流れ込み、あるいは、接続部材ＰＳＴ２を介してパッドＰＤ２に流れ込む。このため、液晶表示パネルに侵入した電荷をより迅速にパッドＰＤ１あるいはパッドＰＤ２に流すことが可能となり、表示ムラを迅速に解消することが可能となる。
【００６７】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【００６８】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６９】
ＬＰＮ…液晶表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板
ＡＣＴ…アクティブエリア
ＰＥ…画素電極  ＣＥ…共通電極  ＬＱ…液晶層
ＯＤ１…第１光学素子  ＯＤ２…第２光学素子
ＰＤ…パッド  ＰＳＴ…接続部材
ＣＤＦ…導電層  ＣＭ…導電部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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