(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁膜を印刷法で、導電性下地層を湿式成膜法で形成する有機ＥＬデバイスにおいて、ショートやリーク等の不良発生率を抑制した有機ＥＬデバイスを提供する。【解決手段】基板上に、導電性下地層と発光層を有する発光領域１１と、少なくとも複数の絶縁膜５が形成された非発光領域１２とを有する有機ＥＬデバイス１０であって、絶縁膜が印刷法により形成され、導電性下地層が湿式成膜法及び真空乾燥法により形成され、複数の絶縁膜の、基板面内での距離が６ｍｍ以上離れて形成されており、導電性下地層の最小膜厚が３０ｎｍ以上である有機ＥＬデバイス。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、導電性下地層と発光層を有する発光領域と、少なくとも複数の絶縁膜が形成された非発光領域とを有する有機ＥＬデバイスであって、該絶縁膜が印刷法により形成され、該導電性下地層が湿式成膜法及び真空乾燥法により形成され、該複数の絶縁膜の、前記基板面内での距離が６ｍｍ以上離れて形成されており、該導電性下地層の最小膜厚が３０ｎｍ以上であることを特徴とする有機ＥＬデバイス。
【請求項２】
前記導電性下地層の該発光領域の中央における膜厚が７５ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項３】
前記絶縁膜の最大膜厚が３μｍ以上であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項４】
前記印刷法がスクリーン印刷法であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項５】
前記絶縁膜が、親水化処理されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項６】
前記湿式成膜法が、インクジェット法であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＥＬデバイスを用いたことを特徴とする、照明装置。
【請求項８】
有機ＥＬデバイスの製造方法であって、基板上に直接又は他の層を介して印刷法により複数の絶縁膜を形成する非発光領域形成工程と、基板上に電極を介して湿式成膜法及び真空乾燥法により導電性下地層を形成し、その上に少なくとも発光層を形成する発光領域形成工程を有し、該複数の絶縁膜の、前記基板面内での距離を６ｍｍ以上離して形成し、該導電性下地層の最小膜厚を３０ｎｍ以上とすることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記導電性下地層の該発光領域の中央における膜厚を７５ｎｍ以上とすることを特徴とする、請求項８に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜の最大膜厚を３μｍ以上とすることを特徴とする、請求項８又は９に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記印刷法がスクリーン印刷法であることを特徴とする、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜に、親水化処理を施す工程を有することを特徴とする、請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記湿式成膜法が、インクジェット法であることを特徴とする、請求項８乃至１２のずれか１項に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイス、照明装置、及び有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、照明用機器として白熱電球や蛍光灯が広く用いられている。これに対し、近年面発光照明機器がそのソフトな印象の光や省エネルギー性能などの理由から次世代照明として注目を浴びており、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと記載）、無機エレクトロルミネッセンス、あるいは発光ダイオードと導光板を組合せたものが開発されている。中でも有機ＥＬは、機器の小型軽量化、薄型化が可能であり、発熱も小さいといった点で注目されている。
【０００３】
有機ＥＬは、有機物質からなる発光材料に電圧を印可してエネルギーを付与し、陽極・陰極それぞれから流れ込んだ正孔および電子により発光励起子が誘起された当該発光材料が元の状態に戻る際に、光としてエネルギーを放出する現象のことをいう。有機ＥＬ技術を用いた発光素子である有機ＥＬデバイスには、有機物質からなる発光材料を含む有機機能層と、当該有機機能層を挟むように対向した２個の電極（陽極及び陰極）とを、基板上に順次積層した構造が一般的に用いられている。
【０００４】
有機機能層は従来、蒸着法により形成することが一般的であったが、より低コストで有機ＥＬデバイスを形成することを目的として、有機機能層の少なくとも一部の層を湿式成膜で形成することも一般的な製造方法になりつつある（例えば、特許文献１）。
有機機能層を湿式成膜法で形成する場合、有機機能層を形成するための材料を含む液体が基板上に塗布されることになるが、塗布された液体が目的の発光領域から流出しないように防ぐ等の理由から、発光領域を囲うように基板上に絶縁膜からなる非発光領域を形成することが一般的である。
【０００５】
上記絶縁膜は通常、レジスト塗布→露光→現像の複数の工程を経るフォトリソグラフィー法によって形成される（例えば、特許文献２）。フォトリソグラフィー法は、精密な薄膜パターンを形成するのに適した方法であるが、この方法には高価な装置や材料、薬液が用いられるため、有機ＥＬデバイスが高コストとなる一因となっている。
このため、より低コストで実現可能なスクリーン印刷等の印刷法によって絶縁膜を形成することが検討され始めている（例えば、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特願平１１−５４６８５８
【特許文献２】特願２００９−７０２４４
【特許文献３】特願２００２−２４４８８０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように絶縁膜を印刷法で形成することは、製造効率やコストの面で有利であるが、フォトリソグラフィー法により絶縁膜を形成する場合に比べ、絶縁膜の膜厚が厚くなり、かつ形状ムラが大きくなることから、有機ＥＬデバイスの電気特性に悪影響を与える可能性のあることが本発明者等の検討により判明した。即ち、印刷法を用いて絶縁膜を形成した場合、絶縁膜近傍において、塗布された有機ＥＬ機能層の局所的な薄膜化が生じることが明らかとなった。この結果、導電性下地層の膜厚の均一性が損なわれ、有機ＥＬデバ
イスの局所的なショートやリークといった不良につながりかねないことが判明した。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが鋭意検討した結果、絶縁膜を印刷法で、導電性下地層を湿式成膜法で形成する際には、導電性下地層の膜厚を一定の範囲になるよう制御することで、導電性下地層の膜厚分布を改善し、有機ＥＬデバイスの不良発生率を抑制できる可能性があることを見出した。
本発明の要旨は以下の通りである。
【０００９】
（１）基板上に、導電性下地層と発光層を有する発光領域と、少なくとも複数の絶縁膜が形成された非発光領域とを有する有機ＥＬデバイスであって、該絶縁膜が印刷法により形成され、該導電性下地層が湿式成膜法及び真空乾燥法により形成され、該複数の絶縁膜の、前記基板面内での距離が６ｍｍ以上離れて形成されており、該導電性下地層の最小膜厚が３０ｎｍ以上であることを特徴とする有機ＥＬデバイス。
（２）前記導電性下地層の該発光領域の中央における膜厚が７５ｎｍ以上であることを特徴とする、（１）に記載の有機ＥＬデバイス。
（３）前記絶縁膜の最大膜厚が３μｍ以上であることを特徴とする、（１）又は（２）に記載の有機ＥＬデバイス。
（４）前記印刷法がスクリーン印刷法であることを特徴とする、（１）乃至（３）のいずれか１に記載の有機ＥＬデバイス。
（５）前記絶縁膜が、親水化処理されていることを特徴とする、（１）乃至（４）のいずれか１に記載の有機ＥＬデバイス。
（６）前記湿式成膜法が、インクジェット法であることを特徴とする、（１）乃至（５）のいずれか１に記載の有機ＥＬデバイス。
（７）（１）乃至（６）のいずれか１に記載の有機ＥＬデバイスを用いたことを特徴とする、照明装置。
（８）有機ＥＬデバイスの製造方法であって、基板上に直接又は他の層を介して印刷法により複数の絶縁膜を形成する非発光領域形成工程と、基板上に電極を介して湿式成膜法及び真空乾燥法により導電性下地層を形成し、その上に少なくとも発光層を形成する発光領域形成工程を有し、該複数の絶縁膜の、前記基板面内での距離を６ｍｍ以上離して形成し、該導電性下地層の最小膜厚を３０ｎｍ以上とすることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
（９）前記導電性下地層の該発光領域の中央における膜厚を７５ｎｍ以上とすることを特徴とする、（８）に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
（１０）前記絶縁膜の最大膜厚を３μｍ以上とすることを特徴とする、（８）又は（９）に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
（１１）前記印刷法がスクリーン印刷法であることを特徴とする、（８）乃至（１０）のいずれか１に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
（１２）前記絶縁膜に、親水化処理を施す工程を有することを特徴とする、（８）乃至（１１）のいずれか１に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
（１３）前記湿式成膜法が、インクジェット法であることを特徴とする、（８）乃至（１２）のずれか１に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、有機ＥＬデバイスの導電性下地層の膜厚分布を改善し、不良発生率の少ない有機ＥＬデバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機ＥＬデバイスの構造の一例を模式的に表した上面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬデバイスの構造の一例を模式的に表した断面図である。
【図３】本発明の有機ＥＬデバイスの層構成の一例を模式的に表した断面図である。
【図４】実施例１の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【図５】実施例２の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【図６】実施例３の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【図７】比較例２の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【図８】比較例３の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【図９】比較例４の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【図１０】比較例５の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【図１１】比較例６の導電性下地層の膜厚分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に本発明の有機ＥＬデバイス及びその製造方法の実施態様を詳細に説明するが、以下の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明は、その要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
図１は、本発明の有機ＥＬデバイスを基板の反対側から見た上面図である。ストライプ状の絶縁膜５を２本のみ形成して有機ＥＬデバイスを単純化した形としている。
【００１３】
上面から見た場合、略長方形の有機ＥＬデバイスにおいて、複数のストライプ状の発光領域１１が存在し、それ以外の部分が非発光領域１２となる構造を取っている。発光領域１１の最表面には第２電極４が形成されているが、発光領域１１には通常、基板上に少なくとも第１電極、有機機能層、第２電極がこの順に積層されている。
図２（ａ）に、図１におけるＡ−Ａ‘の位置における本発明の有機ＥＬデバイスの断面図を示す。基板１上に、第１電極２が形成され、その上に非発光領域１２を形成する複数の絶縁膜５が形成されている。絶縁膜５が形成されていない領域には、第１電極２の上に有機機能層３、第２電極４が形成され、発光領域１１を形成している。ここでは、第１電極２の上に絶縁膜５が形成されているが、図２（ｂ）に示すように、基板１の上に絶縁膜５が形成されていてもよい。
【００１４】
ここで、有機機能層３は、異なる機能を有する複数の層の積層構成を有している。有機機能層３は、少なくとも、導電性下地層と発光層を有している。図３に、本発明の有機ＥＬデバイスの発光領域の層構成の一例を示す。第１電極２と第２電極４の間に形成される有機機能層３は、少なくとも導電性下地層３１と発光層３２を有する。第１電極２が陽極である場合は、導電性下地層３１は正孔注入輸送層として機能することが好ましいため、正孔注入層３１１と正孔輸送層３１２の２層構造を取ることが好ましい。また、発光層３２と第２電極４の間には、更に、正孔阻止層３３１、電子輸送層３３２、電子注入層３３３を形成することが好ましい。
【００１５】
本発明において、絶縁膜５は印刷法により形成される。本発明における印刷法とは、例えば、スクリーン印刷法（孔版印刷）、オフセット印刷法（平版印刷）、グラビア印刷法（凹版印刷）、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷法、フレキソ印刷法（凸版印刷の一種）、スロットダイコーティング法、エアロゾルジェット法、ディスペンサー法、インクジェット法、ノズルプリント法等が挙げられる。これら公知の印刷法の中でも、低コストかつ高効率な印刷方法として、スクリーン印刷法が好ましい。
【００１６】
本発明において、導電性下地層３１は湿式成膜法及び真空乾燥法により形成される。
本発明における湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法（孔版印刷）、グラビア印刷法（凹版印刷）、フレキソ印刷法（凸版印刷）、平版印刷法等が挙げられる。これら公知の湿式成膜法の中でも、絶縁膜５に囲まれた発光領域１１に精密に成膜することが可能なインク
ジェット法が好ましい。
【００１７】
本発明における真空乾燥法とは、上記湿式成膜法により形成された塗布膜を、真空状態にすることにより乾燥させる方法である。具体的には、塗布膜が形成された基板を密閉容器に入れ、内部を減圧排気することで塗布膜の溶媒を蒸発させる方法である。真空乾燥工程においては、排気速度を変化させ、密閉容器内の真空度を複数ステップで変動させたり、基板を設置するステージや密閉容器全体を加熱することで、真空乾燥の速度を向上させたりすることができる。
【００１８】
ここで、本発明においては、導電性下地層３１の最小膜厚が３０ｎｍ以上となるよう形成することが必要である。本発明において、導電性下地層３１の最小膜厚を上記範囲とする理由は以下の通りである。
絶縁膜５を従来のフォトリソグラフィー法により形成した場合、寸法加工性が良好であるため、１〜３μｍ程度の膜厚で、形状ムラの少ない絶縁膜５の形成が可能である。これに対し、スクリーン印刷法に代表される印刷法では、寸法加工性の観点から、３〜５０μｍ程度の膜厚を有する絶縁膜５を形成する必要がある。すなわち、印刷法では、フォトリソグラフィー法のように薄い膜厚では膜厚の均一性を一定のレベルに保つことが困難であり、かつ、絶縁膜端部の直線性も低く、ノコギリ状の形状となってしまう傾向にある。
【００１９】
通常、絶縁膜形成後に導電性下地層を湿式成膜により形成した場合、絶縁膜の表面が親液性であるが故、絶縁膜近傍の導電性下地層形成用組成液が絶縁膜表面に這い上がり、絶縁膜近傍の導電性下地層の膜厚が薄くなってしまう現象が生じる。絶縁膜がフォトリソグラフィー法で形成された場合、膜厚が薄く、形状の均一性も高いため、上記這い上がり現象による絶縁膜近傍での膜厚の低下はわずかであるが、絶縁膜が印刷法で形成された場合、上述の通り膜厚が厚くかつ形状が不均一であることに起因して、上記這い上がり現象が促進され、絶縁膜近傍での膜厚の低下が無視できないほど大きくなってしまうことが判明した。ここで、絶縁膜が印刷法で形成された場合であっても、導電性下地層を湿式成膜法で塗布した後、自然乾燥や、熱風炉等で比較的ゆっくりと乾燥した場合は、前記膜厚の低下現象が起こりにくいが、真空乾燥法により乾燥させた場合は、前記膜厚の低下幅が大きくなることも判明した。
【００２０】
こうした導電性下地層の局所的な膜厚の低下は、有機ＥＬデバイスの局所的なショートやリーク、発光ムラ、短寿命化といった不良につながることが懸念される。
従って、絶縁膜近傍における、導電性下地層の膜厚が低下しやすい領域においても、一定以上の膜厚を保つことが有機ＥＬデバイスのショートやリーク、発光ムラを防ぐために必要であり、そのためには、導電性下地層の最小膜厚を３０ｎｍ以上とすることが必要であることを本発明者等は見出した。
【００２１】
導電性下地層内で局所的に膜厚が低下した領域における、導電性下地層の最も薄い膜厚、即ち導電性下地層の最小膜厚（以下、Ｄｍと記載）については、３０ｎｍ以上であり、更に好ましくは５０ｎｍ以上、特に好ましくは１００ｎｍ以上である。Ｄｍをこの範囲とすれば、有機ＥＬデバイスの局所的なショートやリーク、発光ムラといった不良の発生を抑制することができる。
【００２２】
更に、本発明においては、導電性下地層３１の、発光領域１１の中央における膜厚が７５ｎｍ以上となるように形成することが好ましい。発光領域１１の中央とは、基板面内において、複数の絶縁膜５に囲まれた発光領域の中央のことである。絶縁膜５がストライプ状に形成されている場合は、発光領域１１の中央とは、発光領域１１の両側の絶縁膜５の端部から等距離となる線状の領域となる。導電性下地層３１の膜厚は、当然ながら発光領域１１において均一であることが好ましいが、製造上多少の膜厚分布が発生することは避
けられない。導電性下地層３１の発光領域の中央における膜厚とは、発光領域１１における導電性下地層３１の中央部分の平均的な膜厚と定義する。
【００２３】
導電性下地層の平均的な膜厚である、発光領域の中央における導電性下地層の膜厚（以下、Ｄａと記載）を大きくすることで、膜厚の低下現象が起こったとしても、最小膜厚を３０ｎｍ以上とすることが可能である。
Ｄａは好ましくは７５ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、更に好ましくは１５０ｎｍ以上、特に好ましくは２００ｎｍ以上である。この範囲であれば、導電性下地層内で局所的に膜厚が低下した領域においても、十分な膜厚を維持することが可能となり、有機ＥＬデバイスの局所的なショートやリークといった不良の発生を抑制することができる。また、好ましくは１０００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下である。この範囲であれば、導電性下地層３１の厚膜化による発光効率の低下を抑えることができる。
【００２４】
また、Ｄｍ／Ｄａは好ましくは２０％以上、さらに好ましくは３０％以上、特に好ましくは５０％以上である。Ｄｍ又はＤｍ／Ｄａをこの範囲とすれば、有機ＥＬデバイスの発光ムラを抑制することができる。
導電性下地層内で局所的に膜厚が低下した領域は、他の発光領域との膜厚の違いから発光ムラを生じる場合が有る。発光ムラは、導電性下地層の最小膜厚となる位置（以下、最小膜厚点と記載）が絶縁膜に近く、膜厚が低下した領域の幅が狭いほど目立たなくなる。よって、導電性下地層の最小膜厚点の位置は、絶縁膜端から、１０ｍｍ以内であることが好ましく、より好ましくは５ｍｍ以内であり、さらに好ましくは３ｍｍ以内であり、特に好ましくは１ｍｍ以内である。また、膜厚低下領域の幅は、１０ｍｍ以内であることが好ましく、より好ましくは５ｍｍ以内であり、さらに好ましくは３ｍｍ以内であり、特に好ましくは１ｍｍ以内である。ここで、膜厚低下領域とは、最小膜厚点を含む凹部の内、Ｄａの９５％以下の膜厚を有する領域である。
【００２５】
印刷法により形成された絶縁膜５は、膜厚が厚いほど、前述の這い上がり現象が顕著になるため、導電性下地層３１のＤａも大きい方が好ましい。絶縁膜５の最大膜厚が４０μｍ以上では、Ｄａは１００ｎｍ以上が好ましい。
なお本願において絶縁膜５の最大膜厚とは、導電性下地層３１が形成される第１電極表面と、絶縁膜５の最も高い点を垂直に結んだ距離である。後述する補助電極上に絶縁膜５が形成されている場合は、補助電極と絶縁膜５が重なった領域も含めた最も高い点と、第１電極表面間の距離を絶縁膜５の最大膜厚と定義する。
【００２６】
ここで、絶縁膜５に囲まれた発光領域１１（以下、開口部と記載）の面積が小さい場合、すなわち、複数の絶縁膜５の、基板面内での距離がごく近い場合は、両側の絶縁膜５の這い上がり現象により、膜厚の低下が抑えられる傾向にある。具体的には、複数の絶縁膜５の基板面内における距離が６ｍｍ未満の場合、這い上がり現象による膜厚の低下がほとんど起こらない。従って、本発明の課題、及び効果は、複数の絶縁膜５の基板面内における距離が６ｍｍ以上、好ましくは７ｍｍ以上、特に好ましくは９ｍｍ以上で、より顕著となる。開口部が矩形の場合は、複数の絶縁膜５の基板面内における距離は、開口部の短辺の長さとなる。
以下、本発明の各構成について、図３を用いて詳述する。
【００２７】
（基板）
基板１としては、石英やガラスの板、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板１のガスバリア性が小さすぎると、基板１を通過した外気により有機ＥＬデバイスが劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少
なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。基板１の厚みは、通常０．０１〜１０ｍｍ、好ましくは０．１〜１ｍｍである。
【００２８】
（第１電極２）
第１電極２は、有機機能層３への正孔注入の役割を果たす陽極、もしくは、有機機能層３への電子注入の役割を果たす陰極のいずれでもよいが、陽極として用いるのが有機ＥＬデバイス製造上好ましい。陽極として用いる場合は、通常、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、モリブデン、白金等の金属及び合金、インジウム及び／又はスズ及び／又は亜鉛の酸化物等の金属酸化物（例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ）、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、グラフェン、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等、さらには、単体もしくはそれらと組み合わされた金属ナノワイヤ等により構成される。陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、インジウム及び／又はスズ及び／又は亜鉛を含む金属錯体溶液を基板に塗布後、焼成したり、インジウムや銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布したりして陽極を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００２９】
陽極は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 また、アルカリガラスを基材に用い、基材表面にＳｉＯ２からなるバリヤ
層を設けてから第１電極を形成し、アルカリの有機ＥＬデバイスへの溶出を抑制することも行われている（特開平１１−１９５４８７）
陽極の膜厚は、必要とする透明性および導電性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。また導電性は、シート抵抗として、通常５００（Ω／□）以下、好ましくは５０（Ω／□）以下とすることが好ましい。この場合、陽極の膜厚は通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極の膜厚は任意であり、陽極は基板と一体化されたものであってもよい。また、異なる導電材料が積層されたものであってもよい。 
【００３０】
第１電極２を陽極として用いる場合、導電性と透明性の両立の観点から、本発明においてはＩＴＯを代表とする透明導電性金属酸化物が陽極材料として好ましい。
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【００３１】
（補助電極）
陽極の導電性を補うために、基板上又は陽極上には補助電極が設けられていてもよい（図示せず）。補助電極は陽極のみと導通していることが好ましいため、陽極上に補助電極が設けられている場合は、補助電極を覆うように絶縁膜５を設けることが好ましい。
補助電極の材料としては、通常、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、モリブデン等の金属及び合金が用いられる。補助電極の形成方法としては、蒸着やスパッタによって形成された金属膜をフォトリソグラフィーによりパターニングしたり、上記金属の微粒子、錯体、フィラーの溶液や分散液を基板に塗布したり、各種印刷法によって基板上に直接パターンを形成することができる。
【００３２】
補助電極の膜厚は、形成方法や必要とする導電性によって異なる。真空製膜の場合、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常３０００ｎｍ以下、好ましくは１０００ｎｍ以下である。また、異なる導電材料が積層されたものであってもよい。印刷法で形成される場合、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常３０００μｍ以下、好ましくは１０００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下である。
【００３３】
（有機機能層３）  
有機機能層３は、少なくとも導電性下地層３１と発光層３２を有するが、図３に示す通り、これら以外に適当な機能を持たせた層を有していてもよい。
【００３４】
＜導電性下地層３１＞
第１電極２と発光層３２の間に、導電性下地層３１が形成される。第１電極２が陽極の場合、導電性下地層３１には正孔を陽極から発光層３２に効率よく輸送することが求められるため、導電性下地層３１は、正孔注入層３１１と正孔輸送層３１２の積層構造を取ることが好ましい。もちろん、導電性下地層３１は単層構造でも、３層以上の積層構造であっても構わない。
【００３５】
＜＜正孔注入層３１１＞＞
正孔注入層３１１は、陽極から発光層３２へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極上に形成される。
本発明に係る正孔注入層３１１の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３１１を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３１１の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下の範囲である。
【００３６】
＜＜＜湿式成膜法による正孔注入層３１１の形成＞＞＞
湿式成膜法により正孔注入層３１１を形成する場合、通常は、正孔注入層３１１を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層３１１形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３１１を形成する。
【００３７】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層３１１の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機ＥＬデバイスの正孔注入層３１１に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
【００３８】
正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層３１１への電荷注入障壁の観点から、４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【００３９】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのものおよび芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層３１１の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。
【００４０】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【００４１】
【化１】
2015038867.tif 000003
【００４２】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｚｂは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【００４３】
【化２】
2015038867.tif 000004
【００４４】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ５およびＲ６は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。））
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【００４５】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ５およびＲ６が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【００４６】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号に記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【００４７】
尚、正孔輸送性化合物は、下記｛正孔輸送層｝の項に記載の架橋性化合物であってもよい。該架橋性化合物を用いた場合の成膜方法についても同様である。
正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送性化合物の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【００４８】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は、正孔注入層３１１の構成材料として電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上である化合物がさらに好ましい。
【００４９】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号）；塩化鉄（ＩＩＩ）（日本国特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（日本国特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
【００５０】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層３１１の導電率を向上させることができる。
正孔注入層３１１或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【００５１】
（その他の構成材料）
正孔注入層３１１の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【００５２】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層３１１の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【００５３】
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。
【００５４】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メ
チル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イソプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
【００５５】
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【００５６】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜法により、正孔注入層３１１の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布成膜し、乾燥、焼成することにより正孔注入層３１１を形成する。
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。
【００５７】
塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
塗布後、真空乾燥された正孔注入層形成用組成物の膜を焼成する。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【００５８】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは３００℃以下で加熱することが好ましい。
【００５９】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。
【００６０】
＜＜＜真空蒸着法による正孔注入層３１１の形成＞＞＞
真空蒸着により正孔注入層３１１を形成する場合には、正孔注入層３１１の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板１の陽極上に正孔注入層３１１を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３１１を形成することもできる。
【００６１】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（
１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【００６２】
＜＜正・BR>E輸送層３１２＞＞
正孔輸送層３１２は、正孔注入層３１１がある場合には正孔注入層３１１の上に、正孔注入層３１１が無い場合には陽極の上に形成することができる。また、本発明の有機ＥＬデバイスは、正孔輸送層３１２を省いた構成であってもよいが、前述の如く、本発明の有機ＥＬデバイスは正孔輸送層を有することが好ましい。
【００６３】
正孔輸送層３１２の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層３１２を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層３１２を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層３２に接するため、発光層３２からの発光を消光したり、発光層３２との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【００６４】
このような正孔輸送層３１２の材料としては、従来、正孔輸送層３１２の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３１１に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【００６５】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【００６６】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒａ又はＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【００６７】
【化３】
2015038867.tif 000005
【００６８】
（式（ＩＩ）中、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳
香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。）
Ａｒａ，Ａｒｂの置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【００６９】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【００７０】
溶解性、耐熱性の点から、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基（ビフェニル基）やターフェニレン基（ターフェニレン基））が好ましい。
【００７１】
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
ＡｒａおよびＡｒｂにおける芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【００７２】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩ）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（Ｖ−１）および下記式（Ｖ−２）のうちの少なくとも一方からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【００７３】
【化４】
2015038867.tif 000006
【００７４】
（式（Ｖ−１）中、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基
、又はカルボキシ基を表す。ｔおよびｓは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａ又はＲｂは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲａ又はＲｂ同士で環を形成していてもよい。）
【００７５】
【化５】
2015038867.tif 000007
【００７６】
（式（Ｖ−２）中、ＲｅおよびＲｆは、各々独立に、上記式（Ｖ−１）におけるＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ又はＲｄと同義である。ｒおよびｕは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅおよびＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅ又はＲｆ同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を表す。）
Ｘの具体例としては、−Ｏ−、−ＢＲ−、−ＮＲ−、−ＳｉＲ２−、−ＰＲ−、−ＳＲ−、−ＣＲ２−又はこれらが結合してなる基である。尚、Ｒは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
【００７７】
また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式（Ｖ−１）および前記式（Ｖ−２）のうちの少なくとも一方からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（Ｖ−３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【００７８】
【化６】
2015038867.tif 000008
【００７９】
（式（Ｖ−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。ｖおよびｗは、各々独立に０又は１を表す。）Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、ＡｒａおよびＡｒｂと同様である。
上記式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、日本国特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
【００８０】
湿式成膜法で正孔輸送層３１２を形成する場合は、上記正孔注入層３１１の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３１１の形成の場合と同様である。
【００８１】
真空蒸着法により正孔輸送層３１２を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３１１の形成の場合と同様である。
このようにして形成される正孔輸送層３１２の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは３０ｎｍ以上であり、また通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下である。
【００８２】
＜発光層３２＞
発光層３２は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパント材料とホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散あるいは混合された構成であってもよい。発光効率・寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパント材料が分散あるいは混合されたものが好ましい。
【００８３】
有機発光材料としては、有機ＥＬ用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよい。低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましく、素子寿命の観点で、耐久性の高い蛍光材料を用いることが好ましく、適宜組み合わせて蛍光材料、燐光材料を併用しても良い。
【００８４】
ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。  低分子有機発光材料としては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、および、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光発光有機金属錯体等が挙げられる。
【００８５】
高分子発光材料としては、例えば、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体が挙げられる。
【００８６】
有機発光層に任意に含まれる発光性のドーパント材料としては、有機ＥＬ用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、スチリル誘導体、ペリレン、イリジウム錯体、クマリン誘導体、ルモーゲンＦレッド、ジシアノメチレンピラン、フェノキザゾン、ポリフィリン誘導体等の蛍光発光材料、ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート  イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３
）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
【００８７】
また、ドーパント材料を用いる時のホスト材料としては、有機ＥＬ用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、４，４‘−ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬデバイスを、白色照明器具として用いる場合は、公知の青色発光材料、赤色発光材料及び緑色発光材料を混合して有機発光層を形成してもよいし、各色の材料一種からなる有機発光層を複数積層することにより白色光を実現してもよい。また、３色の発光材料の内２種類を混合した有機発光層ともう１種の発光材料からなる有機発光層を積層してもよいし、緑色発光材料の代わりに黄色発光材料を用いるなどして白色光を実現することも可能である。
【００８８】
＜正孔阻止層３３１＞
発光層３２と後述の電子注入層３３３との間に、正孔阻止層３３１を設けてもよい。正孔阻止層３３１は、発光層３２の上に、発光層３２の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層３３１は、陽極から移動してくる正孔を陰極４に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層３２の方向に輸送する役割とを有する。
【００８９】
正孔阻止層３３１を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層３３の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（日本国特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（日本国特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（日本国特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層３３の材料として好ましい。
【００９０】
なお、正孔阻止層３３１の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
正孔阻止層３３１の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層３３１の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【００９１】
＜電子輸送層３３２＞
発光層３２と後述の電子注入層３３３の間に、電子輸送層３３２を設けてもよい。
電子輸送層３３２は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極４から注入された電子を効率よく発光層３２の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【００９２】
電子輸送層３３２に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極４又は電子注入層３３３からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率
よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（日本国特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（日本国特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（日本国特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【００９３】
なお、電子輸送層３３２の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子輸送層３３２の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層３３２の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【００９４】
＜電子注入層３３３＞
電子注入層３３３は、陰極４から注入された電子を効率よく発光層３２へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層３３３を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【００９５】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（日本国特開平１０−２７０１７１号公報、日本国特開２００２−１００４７８号公報、日本国特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【００９６】
なお、電子注入層３３３の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子注入層３３３の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【００９７】
（第２電極４）
第２電極４は、第１電極２が陽極の場合は陰極、第１電極２が陰極の場合は陽極としての役割を果たすことになるが、陰極として用いるのが有機ＥＬデバイス製造上好ましい。陰極の材料としては、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等が挙げられる。これらのうち、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等
の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。またアルカリ金属、またはアルカリ土類金属の酸化物あるいはフッ化物などを併用してもよい。
【００９８】
なお、陰極の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
陰極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、導電性高分子微粉末等を用いて陰極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陰極を形成することもできる。
【００９９】
陰極の膜厚は、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陰極４の膜厚は通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陰極４の膜厚は任意であり、陰極は基板と同一でもよい。また、さらには、上記の陰極４の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１００】
さらに、例えば、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属等からなる低仕事関数の金属からなる陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１０１】
（絶縁膜５） 
絶縁膜５は、図１に示すように基板１上にストライプ状に形成されていてもよいし、網目状に形成されていてもよく、基板１上への絶縁膜５の配置の仕方は任意である。絶縁膜５が形成された領域は非発光領域１２となるが、非発光領域１２は、導電性を有する材料からなる補助電極(図示せず)を有していてもよい。補助電極は、有機ＥＬデバイスの発光領域１１における電界分布を改善するために設けられる。補助電極が存在する場合は、絶縁膜５は補助電極を覆うように形成される。
【０１０２】
絶縁膜５は前述の通り印刷法により形成される。絶縁膜５の印刷は、絶縁の確度を高めるためや膜厚を増加させるため等、必要に応じて複数回行なってもよい。絶縁膜５に用いる材料は、導電性を有さないものであって、且つ印刷法により形成可能なものから適宜選択される。絶縁膜材料としては、ペースト状ないしインク状の樹脂材料が好ましい。樹脂材料は必要に応じて、フィラー、添加剤、溶剤を混合してもよい。樹脂材料は、硬化性を有するか、硬化せずとも他の溶剤に容易に溶解しないことが好ましく、ポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂などを挙げることができる。
【０１０３】
絶縁膜５の表面は、塗布される導電性下地層溶液に対して親水性（親液性）を付与する処理が行われることが好ましい。親水化処理を行うことにより、絶縁膜表面への塗布液の這い上がりが促進され、絶縁膜近傍の導電性下地層の膜厚が薄くなってしまう現象がより顕著に生じてしまうが、絶縁膜近傍における導電性下地層溶液のハジキが抑制され、塗布欠陥の発生確率を低下させることができる。
親水化処理の方法としては、ＵＶ／Ｏ３処理、Ｏ２プラズマ処理、コロナ放電処理、酸処理、アルカリ処理、オゾン水処理、界面活性剤処理などがあげられる。その中でもＵＶ／Ｏ３処理などのドライプロセスが特に好ましい。また、ウェットとドライの処理を組み合わせても良い。
【０１０４】
（その他の構成）
本発明の有機ＥＬデバイス１０においては、第二電極側表面に、封止を行う目的で、無機膜、樹脂膜を介してガラス、樹脂、金属等の封止基板、もしくは封止膜を設けることが好ましい。  
封止基板および封止膜としては、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属等で封止する方法が挙げられる。更に、封入した不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入する方がより水分による有機機能層の劣化を効果的に低減できるため好ましい。更に、第２電極４上に樹脂をスピンコート法、ＯＤＦ、ラミネート法を用いて塗布、または、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。更に、第２電極４上に、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、更に、樹脂をスピンコート法、ＯＤＦ、ラミネート法を用いて塗布、または、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。この封止膜により、外部からの素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、有機ＥＬデバイスの寿命が向上する。また、本発明は、これらの部材や形成方法に限定されるものではない。また、有機機能層３からの光を第２電極側から取り出す場合は、封止膜、封止基板共に光透過性の材料を使用する必要がある。
なお、封止基板は必ずしも必要ではなく、無機膜と樹脂膜のみで封止を行ってもよい。
【０１０５】
（有機ＥＬデバイス１０の製造方法）
有機ＥＬデバイスの製造方法については、基板上に各層を順次形成していけばよい。各層の形成方法については前述の通りである。図２（ａ）に示す構成の場合は、基板１上に第１電極２を形成後、絶縁膜５を所望のパターンとなるように印刷法により形成し、その後、複数の絶縁膜５の間の領域に、有機機能層３、第２電極４を順次形成すればよい。また、図２（ｂ）に示す構成の場合は、基板１上に絶縁膜５を所望のパターンとなるように印刷法により形成し、その後、複数の絶縁膜５の間の領域に、第１電極２、有機機能層３、第２電極４を順次形成すればよい。いずれの場合においても、絶縁膜５が形成された領域にも、有機機能層３や第２電極４が形成されていても構わない。
【０１０６】
ここで、湿式成膜された導電性下地層３１に対して、真空乾燥処理を施す。
真空乾燥処理を行わない場合、塗布領域の外周から徐々に乾燥が進行し、円形の乾燥跡が形成される。この様なムラは、有機ＥＬデバイスの発光状態の面内均一性を低下させてしまう。真空乾燥を行うことで塗膜が素早く乾燥され、上記の問題を抑制することができる。
【０１０７】
（照明装置）
本発明の照明装置は、上述の本発明の有機ＥＬデバイスを用いたものである。本発明の照明装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機ＥＬデバイスを用いて常法に従って組み立てることができる。
【実施例】
【０１０８】
（参考例１〜４）
第１電極としてＩＴＯを１１０ｎｍの厚みで形成したガラス基板上に、後述の実施例１と同様に導電性下地層を形成し、その上に第２電極としてアルミを８０ｎｍの厚みで蒸着した。第１電極と第２電極の重複領域は２ｍｍ角となるようにした。電極間に−１Ｖの逆バイアス電圧をかけ、リーク電流を測定した。その際、電流測定装置（Ｋｅｔｈｌｅｙ、２４００）の測定上限である−１０５μＡを超えた場合、リーク有りとした。サンプルの導電性下地層膜厚は１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍとし（それぞれ参考例１、２、３、４に対応）、サンプル数は各条件に対して８サンプル準備した。
得られたリーク電流の測定結果を表１に示す。導電性下地層膜厚が１０ｎｍの場合、すべてのサンプルでリークが見られた。膜厚３０ｎｍのサンプルでは、リークは５／８サンプルのみに測定され、リークに対する改善が見られた。膜厚５０ｎｍのサンプルでは１／８サンプルのみにリークが測定され、膜厚１００ｎｍのサンプルではリークは測定されなかった。
【０１０９】
【表１】
2015038867.tif 000009
【０１１０】
本参考例で用いたガラス基板は、絶縁膜のパターンを形成していないものを用いたため、導電性下地層は平坦な基板上に成膜されている。従って、膜厚分布はほとんど発生しておらず、各膜厚におけるリークのしやすさが判断できているものと考える。すなわち、導電性下地層の最小膜厚を３０ｎｍ以上とすることで、リークの発生確率を低減できることができることが判った。
【０１１１】
（実施例１）
第１電極としてＩＴＯを１１０ｎｍの厚みで形成したガラス基板上に、スクリーン印刷法によってポリアミドイミドペースト（日立化成株式会社製、ＨＰ−３００）を塗布した後に２３０℃で１時間焼成し、絶縁膜のパターンを形成した。絶縁膜の最大膜厚と幅は、それぞれ３０μｍ、６００μｍ、絶縁膜に囲われた開口部の形状は長さ７３ｍｍ、幅１８ｍｍの長方形とした。
【０１１２】
次に、上記絶縁膜を形成した基板をアルカリ洗浄液（Ｄｉｐｏｓｈ）に浸漬し超音波洗浄を２分間行い、続いて、水に浸漬し超音波洗浄を２分間行い、さらに、６０℃の温浴に１分間浸漬して、すすぎを行った。さらに、ＵＶ／Ｏ３洗浄を５分間行うことにより、絶縁膜に親水化処理を施した。
次に、下の構造式（Ｈ１）に示す重合体（架橋基数０．００００９９（ｍｏｌ／ｇ））、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートおよび安息香酸エチルを含有する導電性下地層形成用組成物を調製した。
【０１１３】
【化７】
2015038867.tif 000010
【０１１４】
＜導電性下地層形成用組成物＞
溶媒                  安息香酸エチル
塗布液濃度            Ｈ１：１．７４重量％
Ａ１：０．２６重量％
次に、上記絶縁膜を形成した基板の開口部に対し、インクジェット法により上記導電性下地層形成用組成物を塗布し、３分間の真空乾燥後に更にクリーンオーブンで塗布膜を２３０℃で１時間焼成することにより、開口部の中央における膜厚が１００ｎｍの導電性下地層を形成した。
【０１１５】
得られた導電性下地層の膜厚分布を開口部の幅方向に対して測定した結果を図４に示す。膜厚の測定は、絶縁膜端部からの距離が０〜２．０ｍｍ程度の領域について行った。図４から判る通り、絶縁膜端部においては這い上がり現象により導電性下地層の膜厚が大きくなり、その影響で端部から０．２５ｍｍ付近の領域の膜厚が低下し、最小膜厚が５５ｎｍ程度になっていることが判る。この時、Ｄｍ／Ｄａは５５％であった。即ち、導電性下地層の発光領域の中央における膜厚を１００ｎｍ以上とすることにより、最小膜厚を３０ｎｍ以上にすることが可能であることが判る。
【０１１６】
（実施例２）
導電性下地層の開口部の中央における膜厚が１５０ｎｍになるように、インクジェット法による湿式成膜条件を変更した以外は、実施例１と同様に絶縁膜及び導電性下地層を形成した。得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定した結果を図５に示す。導電性下地層の最小膜厚は９８ｎｍであり、３０ｎｍ以上の膜厚が得られていることが判った。この時、Ｄｍ／Ｄａは６５％であった。
【０１１７】
（実施例３）
第１電極としてＩＴＯを５０ｎｍの厚みで形成したガラス基板上に、スクリーン印刷法によってポリアミドイミドペースト（日本高度紙工業株式会社製、ＳＯＸＲ）を塗布した後に２３０℃で１時間焼成し、絶縁膜のパターンを形成した。絶縁膜の最大膜厚と幅は、それぞれ１５μｍ、１．３ｍｍ、絶縁膜に囲われた開口部の形状は長さ１２ｍｍ、幅１８．４ｍｍの長方形とした。
【０１１８】
次に、上記絶縁膜を形成した基板をアルカリ洗浄液（横浜油脂株式会社製、ＬＣ−２）に浸漬し超音波洗浄を２分間行い、続いて、水に浸漬し超音波洗浄を２分間行い、さらに、流水で５分間すすぎを行った。さらに、ＵＶ／Ｏ３洗浄を５分間行うことにより、絶縁膜に親水化処理を施した。
更に、導電性下地層の開口部の中央における膜厚が７５ｎｍになるように、インクジェット法による湿式成膜条件を変更した以外は、実施例１と同様に導電性下地層を形成した。得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定した結果を図６に示す。導電性下地層の最小膜厚は４１ｎｍであり、３０ｎｍ以上の膜厚が得られていることが判った。この時、Ｄｍ／Ｄａは５５％であった。
【０１１９】
（比較例１）
導電性下地層の開口部の中央における膜厚が５０ｎｍになるように、インクジェット法による湿式成膜条件を変更した以外は、実施例１と同様に絶縁膜及び導電性下地層を形成した。得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定したところ、導電性下地層の最小膜厚は１１ｎｍであり、Ｄｍ／Ｄａは２２％となった。この場合においては、最小膜厚が中央における膜厚よりも大きく低下し、３０ｎｍ未満であることが判った。
【０１２０】
（比較例２）絶縁膜の形成の仕方以外は、比較例１と同様に導電性下地層を形成した。絶縁膜については、ポジ型フォトレジスト（東京応化工業株式会社、ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）をフォトリソグラフィーによりパターニングした後に２３０℃で１時間焼成し、絶縁膜のパターンを形成した。絶縁膜の最大膜厚と幅は、それぞれ１．８μｍ、１．３ｍｍ、絶縁膜に囲われた開口部の形状は長さ１２ｍｍ、幅１８．４ｍｍの長方形とした。
【０１２１】
得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定した結果を図７に示す。この時の導電性下地層には絶縁膜近傍において膜厚が低下する現象は見られず、最小膜厚は開口部の中央における膜厚と同等であった。すなわち、絶縁膜をフォトリソグラフィーで形成した場合は、予想通り本発明の課題が存在しないことが判った。
【０１２２】
（比較例３）
絶縁膜の形成については、実施例３と同様に行った。
更に、実施例１と同様の導電性下地層形成用組成物を、上記絶縁膜を形成した基板の開口部に対しインクジェット法により塗布し、真空乾燥を行わずにホットプレート上で乾燥（９０℃×５分間）させ、開口部の中央における膜厚が５０ｎｍの導電性下地層を形成した。
得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定した結果を図８に示す。この時の導電性下地層には絶縁膜近傍において膜厚が低下する現象は見られず、最小膜厚は開
口部の中央における膜厚と同等であった。すなわち、導電性下地層形成用組成物を塗布後に真空乾燥を行わない場合は、本発明の課題が存在しないことが判った。
【０１２３】
（比較例４）
絶縁膜の形成については、実施例３と同様に行った。更に、導電性下地層の開口部の中央における膜厚が５０ｎｍになるように、インクジェット法による湿式成膜条件を変更した以外は、実施例１と同様に導電性下地層を形成した。得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定した結果を図９に示す。この時の導電性下地層の最小膜厚は２６ｎｍであり、３０ｎｍ以上の膜厚は得られないことが判った。
比較例１と比べ最小膜厚が厚くなっているが、この要因としては、絶縁膜の膜厚が比較例１より低いことが上げられる。
【０１２４】
（比較例５）
絶縁膜に囲われた開口部の形状が長さ１２ｍｍ、幅９．４ｍｍの長方形であること以外は、比較例４と同様に絶縁膜及び導電性下地層を形成した。得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定した結果を図１０に示す。開口部の幅が６ｍｍ以上であるため、絶縁膜近傍において導電性下地層の膜厚が低下する現象が発生していることが判った。また、この時の導電性下地層の最小膜厚は２９ｎｍであり、導電性下地層の開口部の中央における膜厚が５０ｎｍ程度では、最小膜厚が３０ｎｍ未満となってしまうことが判った。
【０１２５】
（比較例６）
絶縁膜に囲われた開口部の形状が長さ１２ｍｍ、幅５．０ｍｍの長方形であること以外は、比較例４と同様に絶縁膜及び導電性下地層を形成した。得られた導電性下地層の膜厚分布を実施例１と同様に測定した結果を図１１に示す。開口部の幅が６ｍｍ未満であるため、絶縁膜近傍において導電性下地層の膜厚が低下する現象が発生しにくいことが判った。
【符号の説明】
【０１２６】
１      基板
１０    有機ＥＬデバイス
１１    発光領域
１２    非発光領域
２      第１電極
３      有機機能層
３１    導電性下地層
３１１  正孔注入層
３１２  正孔輸送層
３２    発光層
３３    正孔阻止層
３４    電子輸送層
３５    電子注入層
４      第２電極
５      絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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