(57)【要約】【課題】電子部品とそのビアホールとの接続の信頼性の向上を図った電子部品内蔵配線板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】コア配線板２のキャビティ内に電子部品４を配置し，コア配線板および電子部品の第１の主面を覆う第１面側絶縁樹脂層を形成し，第１面側絶縁樹脂層の樹脂の一部を，キャビティの側壁面と電子部品との間の隙間に流入させて充填する。そして，コア配線板および電子部品の第２の主面を覆う第２面側絶縁樹脂層を形成し，第２面側絶縁樹脂層の樹脂の一部をキャビティの側壁面と電子部品との間の隙間に押し込むことで，電子部品をコア基板に対して，電子部品のいずれのエッジ部も第１面側絶縁樹脂層または第２面側絶縁樹脂層の表面に達しない範囲内で傾斜させる。そして，第１面側絶縁樹脂層と第２面側絶縁樹脂層との少なくとも一方に，上層パターンと，通電部を上層パターンに導通させるビアホールとを形成する。【選択図】図２
2015038912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚方向に貫通するキャビティが形成されているコア基板と，
前記キャビティに収容されている，表面に通電部を有する電子部品と，
前記キャビティの側壁面と前記電子部品との間の空間に充填されている充填樹脂と，
前記コア基板および前記電子部品の第１の主面を覆う第１面側絶縁樹脂層と，
前記コア基板および前記電子部品の第２の主面を覆う第２面側絶縁樹脂層とを有する電子部品内蔵配線板において，
前記電子部品の主面が，前記コア基板の主面に対して傾斜しており，
前記第１面側絶縁樹脂層と前記第２面側絶縁樹脂層との少なくとも一方に，
上層パターンと，
前記電子部品の通電部を前記上層パターンに導通させるビアホールとが形成されており，
前記電子部品と前記上層パターンとは，前記ビアホール以外の箇所では接触していないことを特徴とする電子部品内蔵配線板。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品内蔵配線板において，
前記電子部品および前記キャビティの板面内形状が長方形であり，
前記電子部品の主面と前記コア基板の主面との傾斜角の正接の値が，
前記電子部品がその長手方向に傾斜している場合に０．００５〜０．０２の範囲内にあり，
前記電子部品がその短手方向に傾斜している場合に０．０１〜０．０４の範囲内にあることを特徴とする電子部品内蔵配線板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵配線板において，
前記充填樹脂のうち少なくとも前記第１面側絶縁樹脂層寄りの部分は，前記第１面側絶縁樹脂層と連続していることを特徴とする電子部品内蔵配線板。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１つに記載の電子部品内蔵配線板において，
前記キャビティの側壁面と前記電子部品との間の距離が，前記電子部品の１辺の側とその対辺の側とで，一方が他方より２０％以上大きいことを特徴とする電子部品内蔵配線板。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１つに記載の電子部品内蔵配線板において，
第１面側絶縁樹脂層および前記第２面側絶縁樹脂層は，心材を含まない樹脂層であることを特徴とする電子部品内蔵配線板。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか１つに記載の電子部品内蔵配線板において，
前記電子部品の前記通電部は，前記電子部品の１辺およびその対辺に沿って設けられており，
前記通電部の前記１辺と交差する方向における寸法は，前記キャビティの側壁面と前記１辺との間の距離と，前記キャビティの側壁面と前記対辺との間の距離のうち大きい方よりさらに大きいことを特徴とする電子部品内蔵配線板。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１つに記載の電子部品内蔵配線板において，
前記電子部品は，
積層セラミックコンデンサであるとともに，
前記通電部が側面から主面にわたって形成されているものであることを特徴とする電子部品内蔵配線板。
【請求項８】
板厚方向に貫通するキャビティが形成されているコア基板の前記キャビティ内に電子部品を配置し，
前記コア基板およびそのキャビティ内に配置された前記電子部品の第１の主面を覆う第１面側絶縁樹脂層を形成し，
前記第１面側絶縁樹脂層を構成する樹脂の一部を，前記キャビティの側壁面と前記電子部品との間の隙間に流入させてこの隙間を充填し，
前記コア基板および前記電子部品の第２の主面を覆う第２面側絶縁樹脂層を形成し，
前記第２面側絶縁樹脂層を構成する樹脂の一部を前記キャビティの側壁面と前記電子部品との間の隙間に押し込むことで，前記電子部品を前記コア基板に対して，前記電子部品のいずれのエッジ部も前記第１面側絶縁樹脂層または前記第２面側絶縁樹脂層の表面に達しない範囲内で傾斜させ，
前記第１面側絶縁樹脂層と前記第２面側絶縁樹脂層との少なくとも一方に，
上層パターンと，
前記電子部品の通電部を前記上層パターンに導通させるビアホールとを形成することを特徴とする電子部品内蔵配線板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子部品内蔵配線板の製造方法において，
前記キャビティ内に前記電子部品を配置した後，前記電子部品を前記コア基板に対して傾斜させる前に，前記キャビティの側壁面と前記電子部品との間の距離について，前記電子部品の１辺の側とその対辺の側とで差を設けておくことを特徴とする電子部品内蔵配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，電子部品を内蔵する電子部品内蔵配線板およびその製造方法に関する。さらに詳細には，内蔵している電子部品に対する電気的接続部分の品質向上を図った電子部品内蔵配線板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から，導体層と絶縁層とを積層してなる配線板に，種々の電子部品を搭載することが行われている。配線板における電子部品は，板面上に搭載されるものもあるがそればかりではなく，配線板に形成されたくり抜き孔（キャビティ）の中に搭載されるものもある。配線板のキャビティ内に電子部品を搭載したものの例として，特許文献１に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１の図１に記載の「配線基板１」では，「配線基板本体３」に「貫通孔２１」を形成し，貫通孔２１の中に「コンデンサ素子１３」（電子部品）を配置している。そして，コンデンサ素子１３と配線基板１の導電層との導通を，「フィルドビア１１５ａ，１１５ｂ」で取るようになっている。この配線基板１は基本的に，収容部が形成されている基板の当該収容部に電子部品を配置して，電子部品を収容した収容部内に充填樹脂を充填して硬化させることにより製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３４５５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら前記した従来の技術には，次のような問題点があった。近年の各部のコンパクト化に伴って，導電層間の導通を取るビアホールも小径化されるに至っている。そしてこのことは上述の電子部品とその上方の導電層との導通を取るビアホールも例外ではない。このため，電子部品と当該ビアホールとの間の接触面積が減少し，接続の信頼性が低下する傾向にある。
【０００６】
本発明は，前記した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは，電子部品とそのビアホールとの接続の信頼性の向上を図った電子部品内蔵配線板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題の解決を目的としてなされた本発明の電子部品内蔵配線板は，板厚方向に貫通するキャビティが形成されているコア基板と，キャビティに収容されている，表面に通電部を有する電子部品と，キャビティの側壁面と電子部品との間の空間に充填されている充填樹脂と，コア基板および電子部品の第１の主面を覆う第１面側絶縁樹脂層と，コア基板および電子部品の第２の主面を覆う第２面側絶縁樹脂層とを有する電子部品内蔵配線板であって，電子部品の主面が，コア基板の主面に対して傾斜しており，第１面側絶縁樹脂層と第２面側絶縁樹脂層との少なくとも一方に，上層パターンと，電子部品の通電部を上層パターンに導通させるビアホールとが形成されており，電子部品と上層パターンとは，ビアホール以外の箇所では接触していないものである。
【０００８】
本発明の電子部品内蔵配線板は，板厚方向に貫通するキャビティが形成されているコア基板のキャビティ内に電子部品を配置し，コア基板およびそのキャビティ内に配置された電子部品の第１の主面を覆う第１面側絶縁樹脂層を形成し，第１面側絶縁樹脂層を構成する樹脂の一部を，キャビティの側壁面と電子部品との間の隙間に流入させてこの隙間を充填し，コア基板および電子部品の第２の主面を覆う第２面側絶縁樹脂層を形成し，第２面側絶縁樹脂層を構成する樹脂の一部をキャビティの側壁面と電子部品との間の隙間に押し込むことで，電子部品をコア基板に対して，電子部品のいずれのエッジ部も第１面側絶縁樹脂層または第２面側絶縁樹脂層の表面に達しない範囲内で傾斜させ，第１面側絶縁樹脂層と第２面側絶縁樹脂層との少なくとも一方に，上層パターンと，電子部品の通電部を上層パターンに導通させるビアホールとを形成することにより製造される。
【０００９】
この電子部品内蔵配線板では，キャビティ内に収容されている電子部品が，コア基板に対して傾斜した姿勢で配置されている。このように傾斜している電子部品の導通部に対してビアホールが設けられ，上層パターンとの導通が取られている。このため，ビアホールと電子部品の通電部との接触面積が，その傾斜の分，傾斜がない場合と比較して広くなっている。その一方で電子部品は，傾斜によりビアホール以外の箇所で上層パターンと接触するまでには至っていない。このため短絡等の弊害はなく，電子部品とそのビアホールとの接続の信頼性の向上を図った電子部品内蔵配線板となっている。
【００１０】
本発明の電子部品内蔵配線板では，電子部品および前記キャビティの板面内形状が長方形であり，電子部品の主面とコア基板の主面との傾斜角の正接の値が，電子部品がその長手方向に傾斜している場合に０．００５〜０．０２の範囲内にあり，電子部品がその短手方向に傾斜している場合に０．０１〜０．０４の範囲内にあることが望ましい。傾斜角が小さすぎては傾斜の効果が小さい一方，傾斜角が大きすぎると電子部品が上層パターン等とビアホール以外のところで直に接触するおそれがあるからである。なお電子部品の板面内形状が正方形である場合には，どちらを長手方向と見なしてもかまわない。
【００１１】
本発明の電子部品内蔵配線板においてはまた，充填樹脂のうち少なくとも第１面側絶縁樹脂層寄りの部分は，第１面側絶縁樹脂層と連続しているものとすることができる。製造過程で第１面側絶縁樹脂層を構成する樹脂の一部を，キャビティの側壁面と電子部品との間の隙間に流入させてこの隙間を充填することにより，工程数を多くすることなく，電子部品の周囲を樹脂で充填して上記構成を得ることができる。
【００１２】
本発明の電子部品内蔵配線板では，キャビティの側壁面と電子部品との間の距離が，電子部品の１辺の側とその対辺の側とで，一方が他方より２０％以上大きいことが望ましい。このようにキャビティの側壁面に対する電子部品の配置に明確な片寄りがあることにより，第２面側絶縁樹脂層の形成時における第２面側絶縁樹脂層側からの樹脂の押し戻しに，１辺の側とその対辺の側との間に明確に差が付き，電子部品が回転して傾斜が付くのである。このため本発明の電子部品内蔵配線板の製造方法では，キャビティ内に電子部品を配置した後，電子部品をコア基板に対して傾斜させる前に，キャビティの側壁面と電子部品との間の距離について，電子部品の１辺の側とその対辺の側とで差を設けておくことが望ましい。
【００１３】
本発明の電子部品内蔵配線板ではまた，第１面側絶縁樹脂層および第２面側絶縁樹脂層は，心材を含まない樹脂層であることが好ましい。第１面側絶縁樹脂層および第２面側絶縁樹脂層への微細なビアホール加工がしやすいからである。
【００１４】
本発明の電子部品内蔵配線板においてはまた，電子部品の通電部は，電子部品の１辺およびその対辺に沿って設けられており，通電部の１辺と交差する方向における寸法は，キャビティの側壁面と１辺との間の距離と，キャビティの側壁面と対辺との間の距離のうち大きい方よりさらに大きいことが望ましい。このようになっていれば，キャビティ内での電子部品の位置精度がそれほど高くなくても，電子部品の通電部と上層パターンとの間のビアホールが，通電部が設けられている範囲から逸脱しているようなことはない。このため信頼性が高い。本発明の電子部品内蔵配線板において，電子部品の一例としては，積層セラミックコンデンサであって，通電部が側面から主面にわたって形成されているものを挙げることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば，電子部品とそのビアホールとの接続の信頼性の向上を図った電子部品内蔵配線板およびその製造方法が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態に係る電子部品内蔵配線板を透視して示す平面図である。
【図２】実施の形態に係る電子部品内蔵配線板の断面図である。
【図３】実施の形態で出発材として用いるコア配線板の断面図である。
【図４】キャビティを形成したコア配線板の断面図である。
【図５】粘着テープをラミネートした状態のコア配線板の断面図である。
【図６】ＭＬＣＣを搭載した状態のコア配線板の断面図である。
【図７】１回目のラミネートを行った状態のコア配線板の断面図である。
【図８】２回目のラミネートを行った状態のコア配線板の断面図である。
【図９】図８中のＭＬＣＣの傾斜角を説明する模式図である。
【図１０】外層パターンを形成した状態のコア配線板の断面図である。
【図１１】保護絶縁層等を形成した電子部品内蔵配線板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下，本発明を具体化した実施の形態について，添付図面を参照しつつ詳細に説明する。本形態に係る電子部品内蔵配線板は，図１の平面図および図２の断面図に示すように構成されている。本形態に係る電子部品内蔵配線板１は図１に示すように，コア配線板２の一部分にキャビティ３を形成し，キャビティ３の中に電子部品４を配置してなるものである。コア配線板２は，導電層と絶縁層とを積層してなる公知の配線板である。キャビティ３は， コア配線板２の一部分をくり抜いた貫通孔である。ただし図１の電子部品内蔵配線板１におけるキャビティ３には，電子部品４が収容されている。また，キャビティ３のうち電子部品４が占めている部分以外の部分は，空洞ではなく，充填樹脂５により充填されている。
【００１８】
電子部品４は，本形態においては積層セラミックコンデンサ（multi-layer ceramic capacitor）である。以下，ＭＬＣＣ４という。ＭＬＣＣ４は，全体として長方形の平板状をなしている。ＭＬＣＣ４は，その長手方向の両端に，表面が電極４１，４２で覆われている領域を有している。電極４１，４２は，ＭＬＣＣ４の内部導体に繋がる通電部である。電極４１，４２は，ＭＬＣＣ４の１辺およびその対辺に沿って設けられている。電極４１，４２の間には，電極で覆われていない領域４３が存在する。
【００１９】
図２の断面図は，図１におけるＡ−Ａ箇所の断面を描いたものである。図２から分かるように本形態に係る電子部品内蔵配線板１は，表裏面ともに，上層６１，６２に覆われている。上層６１，６２は，コア配線板２とＭＬＣＣ４との主面（図２中におけるコア配線板２やＭＬＣＣ４の上側の面および下側の面）をいずれも覆っている。上層６１，６２の詳細については後述する。ＭＬＣＣ４は，コア配線板２のキャビティ３の中で，わずかながら傾いた姿勢で配置されている。また，ＭＬＣＣ４はキャビティ３の中の中央に配置されているのではなく，図１および図２中で左右方向（ＭＬＣＣ４の長手方向）右寄りに片寄って位置している。すなわち，キャビティ３の側壁３１とＭＬＣＣ４との間の間隔が，ＭＬＣＣ４の電極４１の側では広く，電極４２の側では狭い。
【００２０】
本形態の電子部品内蔵配線板１の製造過程を説明する。電子部品内蔵配線板１の製造過程は，次の１．〜８．の各ステップからなる。以下順に説明する。
１．コア配線板２の準備
２．内層表面処理
３．テープラミネート
４．ＭＬＣＣ４の搭載
５．第１ラミネート
６．第２ラミネート
７．硬化
８．外層等の形成
【００２１】
（１．コア配線板２の準備）
本形態で出発材として使用するコア配線板２は，図３に示す積層配線板２０にキャビティ３を形成して図４の状態としたものである。図３の積層配線板２０は，導電層と絶縁層とを積層してなる公知の配線板である。積層配線板２０の表裏の表面にはそれぞれ，配線パターン２０１，２０２が形成されている。配線パターン２０１，２０２は，この後にさらに上層が積層されて内層パターンとなる配線パターンである。
【００２２】
また，積層配線板２０は，表面の配線パターン２０１，２０２に限らず内部にも内部配線パターンが形成されているものであってもよい。ただし，キャビティ３が形成されることとなる領域３０の範囲内には，配線パターン２０１，２０２も内部配線パターンも存在しない。なお，図３の積層配線板２０における領域３０の以外の箇所には，充填スルーホール２０３，２０４が形成されている。充填スルーホール２０３，２０４は，配線パターン２０１，２０２間の導通を取るものである。
【００２３】
図３の積層配線板２０の領域３０をくり抜くことで，キャビティ３が形成される。これにより図４の状態となる。キャビティ３は，積層配線板２０を板厚方向に貫通する貫通孔である。キャビティ３のくり抜きは，例えば，キャビティ３の輪郭となる箇所にレーザ光を照射するレーザ加工により行われる。キャビティ３の形成をレーザ加工により行うと，キャビティ３の側壁面３１は，光源側（図４では上側）に開いた斜面となる。つまり，図４中のキャビティ３では，下側の面における開口長よりも上側の面における開口長の方が少し大きくなっている。
【００２４】
（２．内層表面処理）
次に，キャビティ３が形成された積層配線板２０に対し，内層表面処理を行う。すなわち，積層配線板２０の表面の配線パターン２０１，２０２の粗面化処理を行う。この後に形成される層間絶縁層と配線パターン２０１，２０２との密着性を確保するためである。具体的には，積層配線板２０を硫酸−過酸化水素系のソフトエッチング剤に浸漬する。ソフトエッチング剤としては銅用表面粗化剤等として市販されているものを用い，処理条件としては通常使用されている条件で行えばよい。
【００２５】
（３．テープラミネート）
続いて，粗面化処理後の積層配線板２０に粘着テープ６３をラミネートして，図５の状態とする。ＭＬＣＣ４をキャビティ３の中に収納したときにＭＬＣＣ４が仮固定されるようにするためである。よって，粘着テープ６３としては片面が粘着面６４である片面粘着テープを用い，その粘着面６４を積層配線板２０の方に向けてラミネートすればよい。これにより，積層配線板２０のキャビティ３が，一方の面側にて粘着テープ６３により塞がれた状態となる。つまり，粘着テープ６３がキャビティ３の底面をなしており，その粘着面６４がキャビティ３の底部に露出している。
【００２６】
また，キャビティ３がレーザ加工により形成されている場合には，レーザ加工時に光源の反対側であった方の面に粘着テープ６３をラミネートするのがよい。つまり，キャビティ３の側壁面３１が斜面である場合には，粘着テープ６３の反対側の開口側に斜面が開いているとよい。なお，ここでラミネートした粘着テープ６３は，後に除去されてしまい，最終製品中には残らない。
【００２７】
（４．ＭＬＣＣ４の搭載）
そして，テープラミネート後の積層配線板２０にＭＬＣＣ４を搭載して，図６の状態とする。すなわち，積層配線板２０のキャビティ３にＭＬＣＣ４を収納する。これによりＭＬＣＣ４は，粘着テープ６３の粘着面６４に貼り付き，意図せず離脱してしまうことのない状態となる。この状態が仮固定状態である。
【００２８】
このときＭＬＣＣ４を，キャビティ３の中央に配置するのではなく，積層配線板２０の板面方向の何れかの向きに片寄った位置に配置する。図６の例では，ＭＬＣＣ４がキャビティ３内で図中右寄りに片寄って位置している。すなわち，ＭＬＣＣ４とキャビティ３の側壁面３１の間の間隔が左右で均等でなく，右側の間隔Ｓ１より左側の間隔Ｓ２の方が大きい。このキャビティ３内でのＭＬＣＣ４の配置の偏りは，後の工程でＭＬＣＣ４を積層配線板２０に対して傾斜させるために意図的になされるのである。よって，大きい方の間隔Ｓ２が小さい方の間隔Ｓ１の１２０％以上あるとよい。間隔Ｓ２と間隔Ｓ１との違いが小さすぎると，後の工程でＭＬＣＣ４があまり傾かないからである。
【００２９】
また，図６中のＭＬＣＣ４では，その右寄りの部分に電極４２が設けられ，左寄りの部分に電極４１が設けられている。ここで，電極４１や電極４２の幅Ｓ３は，大きい方の間隔Ｓ２よりさらに大きくされている。理由は後述する。さらにいえば幅Ｓ３は，間隔Ｓ２と間隔Ｓ１との合計よりさらに大きければなおよい。電極４１と電極４２とで幅Ｓ３が異なる場合には，小さい方の幅Ｓ３でも上記を満たしている必要がある。なお，幅Ｓ３とは，電極４１，４２の，間隔Ｓ１と間隔Ｓ２とを結ぶ方向における寸法のことである。
【００３０】
（５．第１ラミネート）
次に，上層層間絶縁層のラミネートを行う。ここではまず，第１回目のラミネートとして，粘着テープ６３の反対側の面へのラミネートを行う。これにより図７に示すように，積層配線板２０における粘着テープ６３とは反対側の面に上層層間絶縁層５０が積層された状態とする。このため，積層配線板２０における当該面に，樹脂フィルムをラミネートする。この状態では上層層間絶縁層５０が，積層配線板２０とＭＬＣＣ４との主面をいずれも覆っている。樹脂フィルムとしては，エポキシ樹脂その他の熱硬化性樹脂であって，未硬化のものを用いる。特には，Ｂステージと称される半硬化状態のものが好ましい。また，ガラスクロス（心材）入りではないものが好ましい。このラミネートは，減圧雰囲気下で行うことが望ましい。
【００３１】
そして，積層配線板２０とこれにラミネートした樹脂フィルムとを，板厚方向にプレスする。これにより，樹脂フィルムを構成する樹脂の一部を，キャビティ３における側壁面３１とＭＬＣＣ４との間の隙間に押し込む。こうして，当該隙間を充填樹脂５により充填する。つまり充填樹脂５は，もともとは樹脂フィルムを構成する樹脂の一部であったものである。樹脂フィルムのうち当該隙間に押し込まれずに積層配線板２０やＭＬＣＣ４の表面上に残っている部分が上層層間絶縁層５０となる。よって充填樹脂５は，上層層間絶縁層５０に対して界面なく繋がっている。
【００３２】
このプレスの際の圧力，温度は，上層層間絶縁層５０および充填樹脂５の構成樹脂が硬化してしまうことのない程度とする。図７に示したのは，このプレス後の状態である。プレス後における上層層間絶縁層５０の厚さは，１０〜２０μｍ程度である。
【００３３】
ここで，前述のように側壁面３１が斜面である場合には，斜面が開いている側の面に樹脂フィルムがラミネートされることとなる。このため，側壁面３１とＭＬＣＣ４との間の隙間を充填する充填樹脂５は，斜面が開いている側から進入することになる。したがって，当該隙間に充填樹脂が進入しやすい。
【００３４】
（６．第２ラミネート）
次に，第２回目の上層層間絶縁層のラミネートを行う。つまり，第１回目のラミネートにより上層層間絶縁層５０を積層した面の反対側の面に上層層間絶縁層のラミネートを行う。このためにはまず，粘着テープ６３を剥離する。粘着テープ６３の粘着力自体はそれほど強いものではないので，積層配線板２０から容易に粘着テープ６３を剥ぎ取ることができる。このときＭＬＣＣ４は，粘着テープ６３とともに積層配線板２０から離脱するのではなく，積層配線板２０のキャビティ３中に残る。すなわちＭＬＣＣ４は粘着テープ６３から離れる。ＭＬＣＣ４は，粘着テープ６３に対しては１面で支持されているだけなのに対し，当該１面以外のすべての面が上層層間絶縁層５０および充填樹脂５により保持されているからである。
【００３５】
そして，積層配線板２０における粘着テープ６３を除去した面に，樹脂フィルムをラミネートする。これにより図８に示すように，積層配線板２０の両面に上層層間絶縁層５０，５１が積層された状態とする。このため，積層配線板２０における当該剥離面に，樹脂フィルムをラミネートする。この状態では上層層間絶縁層５１も上層層間絶縁層５０と同様に，積層配線板２０とＭＬＣＣ４との主面をいずれも覆っている。樹脂フィルムとしては，第１回目のラミネートに用いたものと同種のものを用いればよい。このラミネートも，減圧雰囲気下で行うことが望ましい。
【００３６】
２回目のラミネートにおいても，板厚方向のプレスを行う。この２回目のプレス時の温度，圧力の条件も，１回目のラミネート後のプレス時の条件と同じでよい。つまりこの時点ではまだ，上層層間絶縁層５０，５１，充填樹脂５ともに硬化しない。この２回目のプレス時には，新たに貼られた樹脂フィルム，すなわち上層層間絶縁層５１から，樹脂の一部が，側壁面３１とＭＬＣＣ４との間の領域隙間に押し込まれる。
【００３７】
一方，この領域には１回目のプレスにより，上層層間絶縁層５０に繋がる充填樹脂５が既に充填されている。よって，上層層間絶縁層５１から押し込まれた樹脂により，上層層間絶縁層５０からの充填樹脂５が少し押し戻されることとなる。結局，キャビティ３内のＭＬＣＣ４が占めている領域以外の領域がすべて樹脂により充填されていることは，２回目のプレスの前後で変わらない。よって，以下の説明では，上層層間絶縁層５０から押し込まれた樹脂と上層層間絶縁層５１から押し込まれた樹脂とを区別せず充填樹脂５と呼ぶ。ただし厳密に言えば，両者間には界面がある。
【００３８】
そして，この２回目のプレスが行われることにより，キャビティ３内のＭＬＣＣ４が少し回転する。これにより，ＭＬＣＣ４の主面が積層配線板２０の主面に対して少し傾斜した状態となる。これが，［００１９］で述べた傾斜の理由である。２回目のプレス時にＭＬＣＣ４が少し回転する理由は，上層層間絶縁層５１からの樹脂の押し込みの強さが，ＭＬＣＣ４の一辺の側とその対辺の側とで不均一だからである。
【００３９】
すなわち，［００２８］で述べたように，ＭＬＣＣ４と側壁面３１の間の間隔は図中左右で均一ではない。このため，間隔Ｓ２の広い図中左側の隙間にて上層層間絶縁層５１からの樹脂の押し込みが強く，間隔Ｓ１の狭い図中右側の隙間ではさほどでもない。これによりＭＬＣＣ４は，図中左側の端部がより大きく上層層間絶縁層５１から遠ざかるようにわずかながら回転し，傾斜が付くのである。図８は，このようにしてＭＬＣＣ４に傾斜が付いた状態を示している。図８の状態，すなわちプレス後における上層層間絶縁層５１の厚さは，［００３２］で述べた上層層間絶縁層５０の厚さとほぼ同じである。
【００４０】
特に，前述のように側壁面３１が斜面であって斜面が開いている側の面に１面目の樹脂フィルムをラミネートした場合には，２面目の樹脂フィルムは斜面が閉じている側の面にラミネートされることになる。このため，２回目のプレス時の樹脂の押し戻しが，斜面が閉じている側の面から行われることになる。よって，狭い方の間隔Ｓ１の隙間では，側壁面３１の傾斜に邪魔されて樹脂の押し戻しがほとんど生じない。一方，広い方の間隔Ｓ２の隙間では，側壁面３１の傾斜にあまり関係なく樹脂の押し戻しが生じる。このため，間隔Ｓ１の側と間隔Ｓ２の側とでの樹脂の押し戻しの程度の差がより著しい。したがってＭＬＣＣ４がより確実に回転する。
【００４１】
ただし，ＭＬＣＣ４が回転するとはいっても，ＭＬＣＣ４のいずれかのエッジ部が上層層間絶縁層５０，５１の表面から外部に露出してしまう程には至らない。上層層間絶縁層５０，５１の最も薄くなった箇所でも５μｍを割り込むようなことはない。つまり，ＭＬＣＣ４が傾斜するとはいってもその傾斜の程度はそれほど大きくない。なお，図８中に「Ｓ３’」で示すように，ＭＬＣＣ４が傾斜した状態での電極４１，４２の実質的な幅は，図６の説明で言及した幅Ｓ３よりわずかに小さい。このため，この実質的な幅Ｓ３’が，間隔Ｓ１，Ｓ２に対して［００２９］で説明した関係を満たしていればなおよい。実質的な幅Ｓ３’とは，傾斜した状態での電極４１，４２を積層配線板２０の板面に対する垂直な方向から見たときの幅のことである。
【００４２】
図８中のＭＬＣＣ４における左右両端間の高さ方向位置の差を「Ｄ」とし，ＭＬＣＣ４の左右方向（長手方向）の寸法を「Ｌ」とすると（図９参照），「Ｄ」はだいたい１２μｍ程度である。「Ｌ」は１ｍｍ程度，すなわち１０００μｍ程度であるから，傾斜角θの正接（ｔａｎｇｅｎｔ，Ｄ／Ｌ）が概ね０．０１２程度である。ｔａｎθの好ましい範囲は，０．００５〜０．０２である。ｔａｎθが小さすぎると，ＭＬＣＣ４が実質的に傾斜しているとは言えないことになるし，ｔａｎθが大きすぎると，上層層間絶縁層５０，５１が局所的に薄くなりすぎるおそれがあるからである。図２，図８等におけるＭＬＣＣ４では，理解の便宜のため，この傾斜角をやや大袈裟に描いている。このＭＬＣＣ４の傾斜角については，図８の断面図上で上記の範囲内にあればよい。すなわち，図６における大小差のある間隔Ｓ１，Ｓ２を結ぶ方向（図１中のＡ−Ａ方向）の断面図にて判断すればよい。なお，ＭＬＣＣ４がその短手方向に傾斜している場合のｔａｎθの好ましい範囲は，０．０１〜０．０４である。
【００４３】
（７．硬化）
そして，硬化処理を行う。すなわち，上記の第２ラミネートが済んだ積層配線板２０を加熱して，熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより，図８に示した状態でＭＬＣＣ４の姿勢を固定させる。
【００４４】
（８．外層等の形成）
その後，外層パターン等の形成を行い，図１０の状態とする。図１０に示す積層配線板２０では，上層層間絶縁層５０，５１の上に外層配線パターン５２，５３が形成されている。外層配線パターン５２，５３の所々には，内層配線パターン２０１，２０２との導通をとるビアホール５４，５５や，ＭＬＣＣ４の電極４１，４２との導通をとるビアホール５６，５７が形成されている。これらのビアホール５４〜５７の径は，５０〜８０μｍ程度である。
【００４５】
ここで，ビアホール５４〜５７の形成のための上層層間絶縁層５０，５１の穴開けは，レーザ加工により行われる。あるいは，フォトリソグラフィと溶解により行うこともできる。特に，上層層間絶縁層５０，５１としてガラスクロス入りでないものを用いることにより，ビアホール５４〜５７の形成のための穴開け加工が容易である。ただし，上層層間絶縁層５０，５１がガラスクロス入りであったとしてもビア開け加工が全く不可能な訳ではない。また，外層配線パターン５２，５３の銅層の形成は無電解めっきにより行われる。あるいは，「５．第１ラミネート」時や「６．第２ラミネート」時の樹脂フィルムとして銅箔付きのものを用いることによっても形成できる。
【００４６】
その後，最終工程で保護絶縁層５８，５９やバンプ６５を形成して図１１の状態とする。そして電気テストによりＭＬＣＣ４の容量値や各部の絶縁性をチェックすれば本形態の電子部品内蔵配線板１の完成である。なお，図２の説明で「上層６１，６２」と称したものは，上層層間絶縁層５０，５１や，外層配線パターン５２，５３，保護絶縁層５８，５９の総称である。
【００４７】
以上のようにして作製された本形態の電子部品内蔵配線板１では，ＭＬＣＣ４が上記のように傾斜していることにより，次の利点がある。すなわち，ＭＬＣＣ４と外層配線パターン５２，５３とのビアホール５６，５７における導通の信頼性が高いのである。ＭＬＣＣ４の電極４１，４２とビアホール５６，５７との間の接触面積が，ＭＬＣＣ４の傾斜の分広いからである。ビアホール５６，５７の径自体は前述のように大きいものではないが，ＭＬＣＣ４の傾斜によって接触面積を稼いでいる。
【００４８】
また，本形態の電子部品内蔵配線板１では，ビアホール５６，５７が電極４１，４２の形成されている範囲から逸脱しているようなことはない。前述のように電極４１や電極４２の幅Ｓ３は，大きい方の間隔Ｓ２よりさらに大きくされている。このため，「４．ＭＬＣＣ４の搭載」の工程の際におけるＭＬＣＣ４の配置の位置精度が低くても，ビアホール５６，５７が形成される位置には必ず電極４１，４２が存在するのである。これらの事項の効果により本形態の電子部品内蔵配線板１では，ビアホール５６，５７の信頼性が高い。
【００４９】
その一方でＭＬＣＣ４は，傾斜しているとはいえ，エッジ部が外層配線パターン５２，５３に直に接していることはない。ＭＬＣＣ４の傾斜の程度がそれほど大きくないからである。したがって，ＭＬＣＣ４の電極４１，４２と外層配線パターン５２，５３とが，ビアホール５６，５７以外の箇所で接触していることはない。つまり，導通すべきでない箇所が短絡しているようなことはない。
【００５０】
以上詳細に説明したように本実施の形態に係る電子部品内蔵配線板１では，その製造過程でＭＬＣＣ４をキャビティ３に収容する際に，ＭＬＣＣ４をキャビティ３の中で片寄って配置している。これにより，キャビティ３の側壁面３１とＭＬＣＣ４との間の間隔Ｓ１，Ｓ２に差を設けている。こうすることにより，２回目のラミネートの際のプレス時に，新たな樹脂フィルムからの樹脂の押し返しの程度に，間隔Ｓ１側と間隔Ｓ２側とで差が生じるようにしている。こうして，上層層間絶縁層５０，５１の形成が済んだときにはＭＬＣＣ４に傾斜が付くようにしている。これにより，ＭＬＣＣ４とビアホール５６，５７との接触面積を稼ぎ，接続の信頼性を向上させている。
【００５１】
なお，本実施の形態は単なる例示にすぎず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良，変形が可能である。例えば，キャビティ３に収容する電子部品は，ＭＬＣＣに限らず，平板形状のものであれば何でもよい。また，図１０では，ＭＬＣＣ４に対し，外層配線パターン５２，５３の双方からビアホール５６，５７を設けた例を示したが，これに限らない。外層配線パターン５２，５３の一方のみがＭＬＣＣ４に接続されているものであってもよい。外層配線パターン５２，５３自体も一方のみ形成されているものであってもよい。
【００５２】
また，キャビティ３内における電子部品（ＭＬＣＣ４）の片寄り配置について，本実施の形態では電極４１と電極４２とを結ぶ方向（図１中のＡ−Ａ方向）にて実現したが，これに限らない。これと交差する方向にて実現してもよい。製品において電子部品（ＭＬＣＣ４）が傾斜しているか否かを判別する場合には，図１中のＡ−Ａ方向とこれに交差する方向との何れか少なくとも一方にて，傾斜していると判別されれば十分である。
【００５３】
また，電子部品（ＭＬＣＣ４）を傾斜させる方法は，上記のようなキャビティ３内における片寄り配置には限られない。電子部品自体の重心が電子部品の中心から外れているものであれば，そのことによって傾斜が発生しうるので，それでもよい。または，上記に示したＭＬＣＣ４のようなものでは，電極４１と電極４２の厚みに差を設けておくことによっても傾斜を発生させることができるので，それでもよい。
【符号の説明】
【００５４】
２          コア配線板
３          キャビティ
３１        側壁面
４          ＭＬＣＣ
４１，４２  電極（通電部）
５          充填樹脂
５０，５１  上層層間絶縁層（第１面側絶縁樹脂層，第２面側絶縁樹脂層）
５２，５３  外層配線パターン
５６，５７  ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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