(57)【要約】      （修正有）【課題】複数のターゲットのうち一つのターゲット及び二つのターゲットをステージに対して選択的に露出させることが容易に実現可能であって、安価な成膜装置を提供する。【解決手段】略矩形の複数のターゲット２０が、中心軸線ＡＸ１を中心とする円に沿って均等に配置され、シャッターが、複数のターゲットとステージとの間に設けられ、シャッターは、複数のターゲットのうち一つのターゲット２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄをステージに対して選択的に露出させることが可能な開口ＡＰを有する。このシャッターは、回転軸に結合され、回転軸は、中心軸線に沿って延在している。この成膜装置では、中心軸線を中心とする円に対する接線方向のシャッターの開口の幅Ｗ１が、複数のターゲットのうち当該中心軸線に対して周方向において隣接する二つのターゲット２０ａ、２０ｂのそれぞれを部分的に且つ同時に露出させる幅となっている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
鉛直方向に延びる中心軸線にその中心が一致するように前記処理容器内に設けられたステージと、
前記中心軸線を中心とする円に沿って均等に配置された三つ以上の複数のターゲットであり、各々が矩形の四辺に沿う四つの縁を有する該複数のターゲットと、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、
前記複数のターゲットに印加される負の直流電圧を発生する電源と、
前記複数のターゲットと前記ステージとの間に設けられたシャッターであり、該複数のターゲットのうち一つのターゲットを前記ステージに対して選択的に露出させることが可能な開口が形成された該シャッターと、
前記シャッターに結合された回転軸であり、前記中心軸線に沿って延びる該回転軸と、
を備え、
前記中心軸線を中心とする円に対する接線方向の前記開口の幅は、前記複数のターゲットのうち前記中心軸線に対して周方向において隣接する二つのターゲットのそれぞれを部分的に且つ同時に露出させる幅である、
成膜装置。
【請求項２】
前記複数のターゲットのうち前記周方向において隣接する二つのターゲットの間の最短距離よりも長い、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記複数のターゲットのうち一つ以上且つ二つ以下のターゲットを前記ステージに対して選択的に露出させる遮蔽体として、前記シャッターのみを備えており、
前記シャッターは、単一の前記回転軸に結合されている、
請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
各々が前記複数のターゲットのうち対応のターゲットに対向するよう前記処理容器の外部に配置された複数のマグネットと、
前記複数のマグネットを、前記中心軸線を中心とする円に対する接線方向において走査する複数の走査機構と、
前記複数の走査機構を制御する制御部と、
を更に備え、
前記制御部は、前記開口に面する走査範囲内において前記複数のマグネットを走査するよう前記複数の走査機構を制御する、
請求項１〜３の何れか一項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、成膜装置に関するものであり、特にスパッタリングによって被処理体に膜を形成する成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においては、被処理体に対して種々の処理が行われる。被処理体に施される処理の一種としては、成膜が例示される。また、成膜の一種として、スパッタリンッグが用いられることがある。
【０００３】
スパッタリング用の成膜装置には、処理容器、ステージ、複数のターゲット、複数のシャッター、及び複数の回転軸を備えるものがある。この成膜装置では、ステージは処理容器内に設けられており、複数のターゲットは、ステージの上方において周方向に配列されている。また、複数のシャッターは、ステージと複数のターゲットとの間に設けられており、複数の回転軸にそれぞれ結合されている。このような成膜装置では、複数のシャッターを回転させることによって、複数のターゲットから選択される一つの又は二つ以上のターゲットをステージに対して露出させる。これにより、成膜装置は、一つの又は二つ以上ターゲットから放出される物質を被処理体上に堆積させることができる。このような成膜装置は、例えば、下記の特許文献１〜４に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２５６１１２号公報
【特許文献２】特開２００７−１３１８８３号公報
【特許文献３】特開２００９−２２１５９５号公報
【特許文献４】特表２００２−５０６４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、一般的な成膜装置では、複数のシャッターを回転させるために複数の回転軸が必要である。また、これら回転軸を回転させるための複数の駆動機構が必要である。したがって、成膜装置が高価なものとなり、また、複数のシャッターの回転位置を設定するために複雑な制御が必要となる。
【０００６】
このような背景から、複数のターゲットのうち一つのターゲット及び二つのターゲットをステージに対して選択的に露出させることが容易に実現可能な成膜装置であって、安価な成膜装置が要請されている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一側面に係る成膜装置は、処理容器、ステージ、複数のターゲット、ガス供給部、電源、シャッター、及び回転軸を備えている。ステージは、鉛直方向に延びる中心軸線にその中心が一致するように処理容器内に設けられている。複数のターゲットは、前記中心軸線を中心とする円に沿って均等に配置されている。これらターゲットの個数は、三つ以上である。複数のターゲットの各々は、矩形の四辺に沿う四つの縁を有している。ガス供給部は、処理容器内にガスを供給する。電源は、複数のターゲットに印加される負の直流電圧を発生する。シャッターは、複数のターゲットとステージとの間に設けられている。このシャッターは、複数のターゲットのうち一つのターゲットをステージに対して選択的に露出させることが可能な開口を有している。このシャッターは回転軸に結合されており、当該回転軸は前記中心軸線に沿って延在している。この成膜装置では、前記中心軸線を中心とする円に対する接線方向のシャッターの開口の幅が、複数のターゲットのうち前記中心軸線に対して周方向において隣接する二つのターゲットのそれぞれを部分的に且つ同時に露出させる幅となっている。
【０００８】
一形態では、複数のターゲットの個数は四つである。また、一形態では、開口の幅は、複数のターゲットのうち周方向において隣接する二つのターゲットの間の最短距離よりも長くなっている。また、一形態において、成膜装置は、複数のターゲットのうち一つ以上且つ二つ以下のターゲットをステージに対して選択的に露出させる遮蔽体として、前記シャッターのみを備えており、当該シャッターは、単一の前記回転軸に結合されている。
【０００９】
上記成膜装置では、単一の回転軸に結合された単一のシャッターを用いることで、複数のターゲットから選択される一つのターゲット、又は、隣接する二つのターゲットを、ステージに対して露出させることができる。したがって、この成膜装置は、単一のターゲットから放出される物質、又は、隣接する二つのターゲットから放出される異種の物質を用いた成膜が可能であり、且つ、安価なものとなり得る。また、この成膜装置によれば、シャッターの制御が比較的簡易なものとなる。
【００１０】
また、一形態において、成膜装置は、複数のマグネット、複数の走査機構、及び制御部を更に備え得る。複数のマグネットの各々は、複数のターゲットのうち対応のターゲットに対向するよう処理容器の外部に配置される。複数の走査機構は、複数のマグネットを、前記中心軸線を中心とする円に対する接線方向において走査する機構である。制御部は、シャッターの開口に面する走査範囲内において複数のマグネットを走査するよう複数の走査機構を制御する。この形態によれば、開口に面しているターゲットの領域であって開口からステージに対して露出されている当該領域の幅に対応する走査範囲内において、マグネットを走査することができる。これにより、開口から露出されている領域の近傍にプラズマ密度の高い領域を制限することができる。したがって、開口から露出されていない領域においてターゲットが削られることを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、複数のターゲットのうち一つのターゲット及び二つのターゲットをステージに対して選択的に露出させることが容易に実現可能な成膜装置であって、安価な成膜装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。
【図２】シャッターの上面を上方から見て示す平面図であり、シャッターの上面の各点の法線方向において当該シャッターの上面にターゲットを投影した平面図である。
【図３】シャッターの上面を上方から見て示す平面図であり、シャッターの上面の各点の法線方向において当該シャッターの上面にターゲットを投影した平面図である。
【図４】シャッターの上面を上方から見て示す平面図であり、シャッターの上面の各点の法線方向において当該シャッターの上面にターゲット及びカソードマグネットを投影した平面図である。
【図５】シャッターの上面を上方から見て示す平面図であり、シャッターの上面の各点の法線方向において当該シャッターの上面にターゲット及びカソードマグネットを投影した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１４】
図１は、一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図であり、当該成膜装置の縦断面を示している。図１に示す成膜装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、例えば、アルミニウムから構成されており、接地電位に接続されている。処理容器１２は、その内部に空間Ｓを画成している。この処理容器１２の底部には、空間Ｓを減圧するための排気装置１４が、アダプタ１４ａを介して接続されている。また、処理容器１２の側壁には、被処理体（以下、「ウエハ」という）Ｗの搬送用の開口ＡＰが形成されており、当該側壁に沿って開口ＡＰを開閉するためのゲートバルブＧＶが設けられている。
【００１５】
処理容器１２内には、ステージ１６が設けられている。ステージ１６は、ベース部１６ａ及び静電チャック１６ｂを含んでいる。ベース部１６ａは、例えば、アルミニウムから構成されており、略円盤形状を有している。一実施形態においては、ベース部１６ａの内部に、温度制御機構が設けられていてもよい。例えば、ベース部１６ａの内部には、冷媒を循環させるための冷媒流路が形成されていてもよい。
【００１６】
ベース部１６ａ上には、静電チャック１６ｂが設けられている。静電チャック１６ｂは、誘電体膜と、当該誘電体膜の内層として設けられた電極と、を有する。静電チャック１６ｂの電極には、直流電源ＳＤＣが接続されている。静電チャック１６ｂ上に載置されたウエハＷは、静電チャック１６ｂが発生する静電気力によって、当該静電チャック１６ｂに吸着される。なお、静電チャック１６ｂの上面においてウエハＷが載置される領域は、ウエハＷ用の載置領域ＰＲを構成する。
【００１７】
ステージ１６は、ステージ駆動機構１８に接続されている。ステージ駆動機構１８は、支軸１８ａ及び駆動装置１８ｂを含んでいる。支軸１８ａは、略柱状の部材である。支軸１８ａの中心軸線は、鉛直方向に沿って延びる中心軸線ＡＸ１に略一致している。この中心軸線ＡＸ１は、載置領域ＰＲの中心、即ちステージ１６の中心を鉛直方向に通る軸線である。支軸１８ａは、ステージ１６の直下から処理容器１２の底部を通って処理容器１２の外部まで延在している。この支軸１８ａと処理容器１２の底部との間には、封止部材ＳＬ１が設けられている。封止部材ＳＬ１は、支軸１８ａが回転及び上下動可能であるように、処理容器１２の底部と支軸１８ａとの間の空間を封止する。このような封止部材ＳＬ１は、例えば、磁性流体シールであり得る。
【００１８】
支軸１８ａの上端には、ステージ１６が結合されており、当該支軸１８ａの下端には駆動装置１８ｂが接続されている。駆動装置１８ｂは、支軸１８ａを回転及び上下動させるための動力を発生する。この動力によって支軸１８ａが回転することに伴ってステージ１６は軸線ＡＸ１中心に回転し、支軸１８ａが上下動することに伴ってステージ１６は上下動する。
【００１９】
ステージ１６の上方には、三つ以上の複数のターゲット（カソードターゲット）２０が設けられている。一実施形態において、成膜装置１０には、複数のターゲット２０として、四つのターゲット２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが設けられている。以下、四つのターゲットが設けられた例に従い成膜装置１０を説明するが、ターゲットの個数は、三つ以上であれば、任意の個数であり得る。
【００２０】
成膜装置１０では、複数のターゲット２０とステージ１６との間には、シャッターＳＨが設けられている。また、成膜装置１０では、複数のマグネット（カソードマグネット）２６が、ホルダ２２ａを介して対応のターゲット２０とそれぞれ対向するよう、処理容器１２の外部に設けられている。図２及び図３は、シャッターの上面を上方から見て示す平面図であり、シャッターの上面の各点の法線方向において当該シャッターの上面にターゲットを投影した平面図である。また、図４及び図５は、シャッターの上面を上方から見て示す平面図であり、シャッターの上面の各点の法線方向において当該シャッターの上面にターゲット及びカソードマグネットを投影した平面図である。図２及び図４には、一つのターゲットがシャッターの開口に面した状態が示されている。また、図３及び図５には、二つのターゲットがシャッターの開口に面した状態が示されている。以下、図１に加えて、図２〜図５を適宜参照する。
【００２１】
複数のターゲット２０の各々は、略矩形の平板形状を有している。即ち、複数のターゲット２０の各々は、矩形の四辺に沿う縁を有している。一例においては、図２に示すように、複数のターゲット２０の各々は、軸線ＡＸを中心とする円の接線方向において長尺の略矩形形状を有している。これら複数のターゲット２０は、軸線ＡＸ１を中心とする円に沿って略均等に配置されている。即ち、複数のターゲット２０は、軸線ＡＸ１に対して周方向に略均等な間隔をもって配列されている。また、複数のターゲット２０は、ステージ１６側の表面が当該ステージ１６に向くよう、軸線ＡＸ１に対して傾斜している。
【００２２】
複数のターゲット２０は、成膜すべき膜の種別に応じて任意に選択されるものであり、一実施形態では、互いに異なる金属材料から構成されている。例えば、周方向において隣接する二つのターゲットは、コバルト、白金からそれぞれ構成されていてもよい。また、周方向において隣接する二つのターゲットは、ニッケル、鉄からそれぞれ構成されていてもよい。また、複数のターゲット２０のうち一つは、マグネシウムから構成されていてもよい。
【００２３】
複数のターゲット２０の各々は、金属製のホルダ２２ａによって保持されている。ホルダ２２ａは、絶縁部材２２ｂを介して処理容器１２の天部に支持されている。複数のターゲット２０には、ホルダ２２ａを介して電源２４がそれぞれ接続されている。電源２４は、負の直流電圧を、複数のターゲット２０にそれぞれ印加する。なお、電源２４は、複数のターゲット２０に選択的に電圧を印加する単一の電源であってもよい。或いは、電源２４は、複数のターゲット２０にそれぞれ接続された複数の電源であってもよい。
【００２４】
これら複数のターゲット２０とステージ１６との間には、シャッターＳＨが設けられている。シャッターＳＨは、複数のターゲット２０の表面に対峙するように延在している。一実施形態では、シャッターＳＨは、軸線ＡＸ１を中心軸線とする円錐面に沿う形状を有している。
【００２５】
このシャッターＳＨには、開口ＡＰが形成されている。開口ＡＰは、図２に示すように、複数のターゲット２０のうち一つのターゲットをステージ１６に対して選択的に露出させることができる。また、この開口ＡＰは、図３に示すように、複数のターゲット２０のうち二つのターゲットのそれぞれを部分的に且つ同時にステージ１６に対して露出させることが可能である。以下、複数のターゲット２０のうち開口ＡＰに面して、当該開口ＡＰからステージ１６に対して露出されている一つ又は二つのターゲットを、「露出ターゲット」という。また、露出ターゲットの全領域のうち、開口ＡＰに面して、当該開口ＡＰからステージ１６に対して露出されている領域、即ち、遮蔽されていない領域を「露出領域」という。
【００２６】
開口ＡＰは、図２及び図３に示すように、軸線ＡＸ１を中心とする円の接線方向において、幅Ｗ１を有している。例えば、開口ＡＰは、複数のターゲット２０の各々の平面サイズよりも大きな平面サイズを有している。即ち、開口ＡＰは、複数のターゲット２０のうち選択された一つの露出ターゲット２０ｅ（図２においては、ターゲット２０ａ）の全領域をステージ１６に対して露出させることが可能なサイズを有している。この場合に、幅Ｗ１は、複数のターゲット２０の各々の接線方向における幅よりも大きい。また、図３に示すように、開口ＡＰの幅Ｗ１は、周方向において隣接する二つのターゲットの間の最短距離Ｗ２よりも大きな幅となっている。
【００２７】
かかるシャッターＳＨは、複数のターゲット２０のうち選択された一つの露出ターゲット２０ｅをステージ１６に対して露出させ、他のターゲットを遮蔽することができる。露出ターゲット２０ｅが一つである場合には、露出領域２０ｒは、図２に示すように、当該露出ターゲット２０ｅの全領域となる。また、シャッターＳＨは、図３に示すように、複数のターゲット２０のうち周方向において隣接する二つの露出ターゲット２０ｅ１及び２０ｅ２それぞれの一部分を、ステージ１６に対して露出させ、これら露出ターゲット２０ｅ１及び２０ｅ２の他の部分及び他のターゲットを遮蔽することができる。例えば、ターゲット２０ａ及びターゲット２０ｂが露出ターゲット２０ｅ１及び露出ターゲット２０ｅ２である場合には、ターゲット２０ａのターゲット２０ｂ側の一部分が露出領域２０ｒ１となり、ターゲット２０ｂのターゲット２０ａ側の一部分が露出領域２０ｒ２となる。
【００２８】
このシャッターＳＨの中央部分には、図１に示すように、回転軸ＲＳが結合している。この回転軸ＲＳは略柱状の部材であり、その中心軸線は、軸線ＡＸ１に略一致している。この回転軸ＲＳの一端は、処理容器１２の内部においてシャッターＳＨの中央部分に結合している。また、回転軸ＲＳは、処理容器１２の内部から処理容器１２の上部を通過して処理容器１２の外部まで延在している。処理容器１２の外部において、回転軸ＲＳの他端は、回転駆動装置ＲＤに接続している。駆動装置ＲＤは、回転軸ＲＳを回転させる動力を発生する。この動力によって回転軸ＲＳが軸線ＡＸ１中心に回転することに伴って、シャッターＳＨは軸線ＡＸ１中心に回転することができる。このシャッターＳＨの回転により、開口ＡＰの周方向の位置を調整することが可能となっている。
【００２９】
また、図１に示すように、複数のカソードマグネット２６は、対応のターゲット２０と対向するように、処理容器１２の外部に配置されている。一実施形態においては、成膜装置１０は、複数のカソードマグネット２６として、マグネット２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを備えている。マグネット２６ａ，２６ｂ、２６ｃ，２６ｄはそれぞれ、ターゲット２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄと対向している。
【００３０】
また、成膜装置１０は、図１に示すように、複数のマグネット２６をそれぞれ走査するための複数の走査機構２８を備えている。複数の走査機構２８の各々は、複数のマグネット２６のうち対応のマグネットを、中心軸線ＡＸ１を中心とする円の接線方向において走査することができる。
【００３１】
一実施形態においては、複数の走査機構２８の各々は、案内部２８ａ及び駆動装置２８ｂを含み得る。案内部２８ａは、上記接線方向に延びるレールといった案内体である。駆動装置２８ｂは、案内部２８ａに沿ってマグネット２６を移動させるための動力を発生する。このような走査機構２８により、露出ターゲットに対応するマグネット２６を、開口ＡＰに面する走査範囲内において走査することができる。即ち、露出領域の幅に対応する走査範囲内においてマグネット２６を走査することができる。したがって、成膜装置１０では、プラズマが高密度となる領域を露出領域の近傍に制限することができる。その結果、開口ＡＰから露出されていない領域においてターゲットが削られることを抑制することができる。
【００３２】
また、成膜装置１０は、処理容器１２内にガスを供給するガス供給部３０を備えている。ガス供給部３０は、一実施形態においては、ガスソース３０ａ、マスフローコントローラといった流量制御器３０ｂ、及び、ガス導入部３０ｃを備えている。ガスソース３０ａは、処理容器１２内において励起されるガスのソースであり、例えば、Ａｒガスのソースである。ガスソース３０ａは、流量制御器３０ｂを介してガス導入部３０ｃに接続している。ガス導入部３０ｃは、ガスソース３０ａからのガスを処理容器１２内に導入するガスラインである。ガス導入部３０ｃは、一実施形態では、軸線ＡＸ１に沿って延びている。
【００３３】
このガス供給部３０から処理容器１２内にガスが供給され、電源２４によって露出ターゲットに電圧が印加されると、処理容器１２内に供給されたガスが励起される。また、対応のマグネット２６が走査機構２８によって走査されると、露出ターゲットの露出領域の近傍に磁界が発生する。これにより、露出領域の近傍にプラズマが集中する。そして、露出ターゲットの露出領域にプラズマ中の正イオンが衝突することで、当該露出ターゲットから物質が放出される。これにより、露出ターゲットを構成する物質がウエハＷ上に堆積する。
【００３４】
また、一実施形態において、成膜装置１０は、図１に示すように、ヘッド３２を更に備えていてもよい。ヘッド３２は、ウエハＷ上に堆積した金属を酸化させるための酸化ガスを、ステージ１６に向けて噴射するように構成されている。
【００３５】
ヘッド３２は、当該ヘッド３２を軸支するヘッド駆動機構３４に接続されている。一実施形態において、ヘッド駆動機構３４は、支軸３４ａ、駆動装置３４ｂを含んでいる。支軸３４ａは、略柱状をなしており、その中心軸線は、軸線ＡＸ２と略一致している。この軸線ＡＸ２は、軸線ＡＸ１と略平行であり、ステージ１６の側方において鉛直方向に延びている。ヘッド３２は、一実施形態においては、略円盤形状を有している。このヘッド３２の中心位置と軸線ＡＸ２との間の距離は、軸線ＡＸ１と軸線ＡＸ２との間の距離に略一致している。
【００３６】
支軸３４ａは、処理容器１２の内部から処理容器１２の外部まで延在している。この支軸３４ａと処理容器１２の底部との間には、封止部材ＳＬ２が設けられている。封止部材ＳＬ２は、支軸３４ａが回転可能であるように処理容器１２の底部と支軸３４ａとの間の空間を封止する。このような封止部材ＳＬ２は、例えば、磁性流体シールであり得る。
【００３７】
支軸３４ａの上端は、連結部３４ｃの一端に接続している。この連結部３４ｃは、軸線ＡＸ２に対して直交する方向に延在している。連結部３４ｃの他端は、ヘッド３２の周縁部に結合している。また、支軸３４ａの下端は、駆動装置３４ｂに接続している。駆動装置３４ｂは、支軸３４ａを回転させるための動力を発生する。ヘッド３２は、支軸３４ａが回転することによって、軸線ＡＸ２中心に揺動する。
【００３８】
具体的に、ヘッド３２は、駆動機構３４の動作に伴って第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間で移動する。第１領域Ｒ１は、ステージ１６の上方の領域であり、複数のターゲット２０とステージ１６との間の空間Ｓ１内の領域である。また、第２領域Ｒ２は、空間Ｓ１から離れた領域、即ち、空間Ｓ１とは別の空間Ｓ２内の領域である。
【００３９】
支軸３４ａ、連結部３４ｃ、及びヘッド３２には、酸化ガス用のガスラインＧＬが形成されている。ガスラインＧＬの一端は、処理容器１２の外部に設けられている。このガスラインＧＬの一端には、ガス供給部３６が接続されている。ガス供給部３６は、ガスソース３６ａ、及び、マスフローコントローラといった流量制御器３６ｂを含んでいる。ガスソース３６ａは、酸化ガスのソースであり、例えば、Ｏ２ガスのソースであり得る。ガスソース３６ａは、流量制御器３６ｂを介してガスラインＧＬの一端に接続されている。
【００４０】
ガスラインＧＬは、ヘッド３２内において、当該ヘッド３２に設けられた複数のガス噴射口３２ａに接続している。一実施形態においては、複数のガス噴射口３２ａは、円盤形状のヘッド３２の略全領域にわたって分布するように配置されていてもよい。また、複数のガス噴射口３２ａは、軸線ＡＸ２に直交する方向に配列されていてもよい。また、一実施形態において、ヘッド３２は、ステージ１６の載置領域ＰＲよりも大きな平面サイズを有している。即ち、ヘッド３２は、ステージ１６と複数のターゲット２０の間に介在して、ウエハＷを覆うことが可能なサイズを有している。なお、ヘッド３２は、複数のガス噴射口３２ａの配列方向に延在する長尺状の平面形状を有していてもよい。
【００４１】
また、図１に示すように、一実施形態において、ヘッド３２には、ヒータＨＴが設けられている。ヒータＨＴは、ランプ放射、ジュール抵抗加熱、誘導加熱、マイクロ波加熱といった種々の加熱方式のうち何れかのタイプの加熱方式に基づくヒータであり得る。ヒータＨＴには、ヒータ電源ＨＰが接続されており、ヒータＨＴは、ヒータ電源ＨＰからの電力によって発熱する。
【００４２】
このように構成された成膜装置１０によれば、ウエハＷ上への金属の堆積と金属の酸化処理とを同一の処理容器１２内において行うことが可能である。具体的に、ヘッド３２を第２領域Ｒ２に配置した状態で、ターゲット２０から金属を放出させることにより、ウエハＷ上に金属を堆積させることができる。また、ヘッド３２を第１領域Ｒ１に配置した状態で、酸化ガスをウエハＷに向けて供給することにより、堆積した金属を酸化させることが可能である。このように、成膜装置１０によれば、ウエハＷ上への金属の堆積と当該金属の酸化処理とを同一の処理容器１２内において行うことが可能であるので、金属酸化層の成膜に要する時間を短縮することが可能である。なお、このような金属酸化膜の形成に用いられるターゲットの一例は、マグネシウムである。
【００４３】
また、成膜装置１０は、金属の酸化処理時に、ヒータＨＴによって酸化ガスを加熱することができる。したがって、金属の酸化を促進することができ、金属の酸化処理に要する時間をより短くすることが可能である。
【００４４】
また、成膜装置１０によれば、金属の堆積に先立ち、第１領域Ｒ１に配置したヘッド３２によりウエハＷを覆った状態で、ターゲット２０の表面を削る処理、即ち、プリスパッタリングを行うことができる。したがって、成膜装置１０によれば、プリスパッタリング時のウエハＷの汚染を低減又は防止することが可能である。
【００４５】
さらに、図１に示すように、一実施形態において、成膜装置１０は、制御部Ｃｎｔを備え得る。制御部Ｃｎｔは、成膜装置１０の各要素を制御する。制御部Ｃｎｔは、例えば、コンピュータ装置であり、キーボード又はタッチパネルといった入力装置、レシピを記憶するメモリといった記憶部、中央処理装置（ＣＰＵ）、及び、成膜装置１０の各部に制御信号を出力するための出力インタフェイスを有し得る。
【００４６】
具体的に、制御部Ｃｎｔは、回転駆動装置ＲＤに制御信号を送出することにより、シャッターＳＨの回転位置を制御することができる。これにより、複数のターゲット２０のうち一つ又は二つの露出ターゲットを、開口ＡＰからステージ１６に対して露出させることができる。
【００４７】
また、制御部Ｃｎｔは、ガス供給部３０の流量制御器３０ｂに制御信号を送出することができる。これにより、ガス供給部３０から所定の流量のガスが処理容器１２内に供給される。また、制御部Ｃｎｔは、排気装置１４に制御信号を送出することができる。これにより、処理容器１２内の圧力が所定の圧力に設定される。また、制御部Ｃｎｔは、駆動装置３４ｂに制御信号を送出することができる。これにより、ヘッド３２の位置が設定される。例えば、露出ターゲットから放出される物質をウエハＷに堆積させる場合には、ヘッド３２を第２領域Ｒ２に位置させることができる。また、ウエハＷに堆積した金属を酸化させる場合には、ヘッド３２を第１領域Ｒ１に位置させることができる。また、制御部Ｃｎｔは、ヒータ電源ＨＰに制御信号を送出することができる。これにより、ヘッド３２を加熱することができ、ヘッド３２を流れる酸化ガスを加熱することができる。
【００４８】
さらに、制御部Ｃｎｔは、電源２４に制御信号を送出することができる。これにより、露出ターゲットに負の直流電圧を印加することができる。また、制御部Ｃｎｔは、複数の走査機構２８の駆動装置２８ｂに制御信号を送出することができる。これにより、露出ターゲットの露出領域の幅に対応する走査範囲内において、対応のマグネット２６を走査することが可能となる。
【００４９】
例えば、図４に示すように、一つの露出ターゲット２０ｅとしてターゲット２０ａが選択されている場合には、マグネット２６ａの走査方向における露出領域２０ｒの幅ＷＳと略同一の走査範囲内において、当該マグネット２６ａを往復させることができる。また、複数のマグネット２６のうち他のマグネットの走査を停止させることができる。
【００５０】
また、図５に示すように、二つの露出ターゲット２０ｅ１及び２０ｅ２としてターゲット２０ａ及びターゲット２０ｂが選択されている場合には、マグネット２６ａの走査方向におけるターゲット２０ａの露出領域２０ｒ１の幅ＷＳ１と略同一の走査範囲内において、マグネット２６ａを往復させることができる。また、マグネット２６ｂの走査方向におけるターゲット２０ｂの露出領域２０ｒ２の幅ＷＳ２と略同一の走査範囲内において、マグネット２６ｂを往復させることができる。さらに、複数のマグネット２６のうち他のマグネットの走査を停止することができる。
【００５１】
以上説明した成膜装置１０は、複数のターゲット２０のうち単一のターゲットから放出される物質、又は、隣接する二つのターゲットから放出される異種の物質を用いた成膜が可能である。また、成膜装置１０は、複数のターゲット２０のうち一つ以上二つ以下のターゲットをステージ１６に対して選択的に露出させる遮蔽体として、単一のシャッターＳＨのみを備えている。また、成膜装置１０は、かかるシャッターを回転させるための回転軸として単一の回転軸ＲＳのみを備えており、当該回転軸ＲＳを回転させるための駆動装置として、単一の回転駆動装置ＲＤのみを備えている。したがって、成膜装置１０は、安価なものとなり得る。さらに、この成膜装置１０によれば、シャッターＳＨの制御が比較的簡易なものとなる。
【符号の説明】
【００５２】
１０…成膜装置、１２…処理容器、１６…ステージ、１８…ステージ駆動機構、２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ…ターゲット、２０ｅ，２０ｅ１，２０ｅ２…露出ターゲット、２０ｒ，２０ｒ１，２０ｒ２…露出領域、２４…電源、２６，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ…カソードマグネット、２８…走査機構、３０…ガス供給部、ＳＨ…シャッター、ＡＰ…開口、ＲＤ…回転駆動装置、ＲＳ…回転軸、ＡＸ１…中心軸線、Ｃｎｔ…制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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