(57)【要約】【課題】有機発光素子の光の取り出し効率を高める。【解決手段】透明電極層と、発光層を含む有機層と、少なくとも透明電極層及び有機層に接する誘電体層と、金属電極層とを具備する有機発光素子であって、透明電極層及び有機層からなる積層体と誘電体層とが、誘電体層及び積層体を含む面内において海島構造を形成しており、有機発光素子の垂直断面において金属電極層の方向を上側とした場合に、誘電体層の上面における最も上側の位置が、透明電極上の有機層中の発光層の上面における最も下側の位置より上側に位置し、誘電体層の屈折率ｎ１は、有機層の屈折率ｎ２より小さく（ｎ１＜ｎ２）、且つ透明電極層の屈折率ｎ３より小さい（ｎ１＜ｎ３）ことを特徴とする有機発光素子。【選択図】図１
2015011893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極層と、発光層を含む有機層と、少なくとも当該透明電極層及び当該有機層に接する誘電体層と、金属電極層とを具備する有機発光素子であって、
前記透明電極層及び前記有機層からなる積層体と前記誘電体層とが、当該誘電体層及び当該積層体を含む面内において海島構造を形成しており、
前記有機発光素子の垂直断面において前記金属電極層の方向を上側とした場合に、前記誘電体層の上面における最も上側の位置が、前記透明電極上の前記有機層中の前記発光層の上面における最も下側の位置より上側に位置し、
前記誘電体層の屈折率ｎ１は、前記有機層の屈折率ｎ２より小さく（ｎ１＜ｎ２）、且つ前記透明電極層の屈折率ｎ３より小さい（ｎ１＜ｎ３）
ことを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
前記誘電体層の上面における最も上側の位置が、前記透明電極層上の前記有機層の上面における最も下側の位置より上側に位置することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記誘電体層の少なくとも一部が前記金属電極層と接触していることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記海島構造における島部の形状が、素子面法線方向を軸とする円柱、円錐台または逆円錐台のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記海島構造において前記誘電体層が前記島部を形成し、当該島部が円柱形状または前記透明電極層側に向かって先細りになるような逆円錐台形状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記島部の側面と前記島部の前記金属電極層側の底面とのなす内側の角度が、４０°〜９０°であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記海島構造において前記有機層が前記島部を形成し、当該島部が円柱形状または前記金属電極層側に向かって先細りになるような円錐台形状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項８】
前記島部の側面と前記島部の前記透明電極層側の底面とのなす内側の角度が、４０°〜９０°であることを特徴とする請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記海島構造において、前記島部の最大幅ｅが１０μｍ以下（ｅ≦１０μｍ）であり、且つ前記透明電極層の上面における任意の１ｍｍ四方当たり、当該島部が１０２個〜１０８個形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記透明電極層の、前記有機層とは反対側に基板を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記金属電極層の、前記有機層とは反対側に基板を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は、陽極と陰極との間に発光材料を含む有機化合物層が挟まれた構造を有する。特に面光源で発光した光を外部へ取り出す光取り出し技術の開発が行われている。例えば、特許文献１には、電極と誘電体層の積層体を有し、誘電体のみまたは誘電体と電極の両方を貫通するキャビティを備え、キャビティ内部表面をエレクトロルミネッセンスコーティング材料で覆ったエレクトロルミネセント素子が記載されている。また、特許文献２には、透明基板上に形成された第１の電極、発光層および第２の電極を備え、第１の電極が周期構造を有することにより発光層に回折格子が形成され、発光した光が透明基板方向に回折する面発光素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１０−５０９７２９号公報
【特許文献２】特開２００７−０８０８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ素子は、有機発光層で発生した光が取り出される向きに応じて、支持基板（透明基板）側から光が取り出されるボトムエミッション型と、支持基板の反対側から光が取り出されるトップエミッション型とに分けられる。例えば、ボトムエミッション型の場合には、有機発光素子の発光層は有機化合物等から成り、透明電極（例えば、ＩＴＯ電極）から注入された正孔と背面電極（金属電極）から注入された電子とが再結合して発光する。発光層で発光した光のうち、透明電極と透明基板との界面および透明基板から外部（空気）への出射面で、入射角（入射光線と入射する界面の法線がなす角度）が臨界角以上である光は全反射して導波モードとなり、外部へ取り出されることはない。このような原因により、有機ＥＬ素子の光取り出し効率は一般に２０％程度と言われており、光取り出し効率が低いという有機ＥＬ素子に共通の課題がある。
本発明の目的は、有機発光素子の光の取り出し効率を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、透明電極層と、発光層を含む有機層と、少なくとも当該透明電極層及び当該有機層に接する誘電体層と、金属電極層とを具備する有機発光素子であって、前記透明電極層及び前記有機層からなる積層体と前記誘電体層とが、当該誘電体層及び当該積層体を含む面内において海島構造を形成しており、前記有機発光素子の垂直断面において前記金属電極層の方向を上側とした場合に、前記誘電体層の上面における最も上側の位置が、前記透明電極上の前記有機層中の前記発光層の上面における最も下側の位置より上側に位置し、前記誘電体層の屈折率ｎ１は、前記有機層の屈折率ｎ２より小さく（ｎ１＜ｎ２）、且つ前記透明電極層の屈折率ｎ３より小さい（ｎ１＜ｎ３）ことを特徴とする有機発光素子が提供される。
ここで、本発明において、前記誘電体層の上面における最も上側の位置が、前記透明電極層上の前記有機層の上面における最も下側の位置より上側に位置することが好ましい。
前記誘電体層の少なくとも一部が前記金属電極層と接触していることが好ましい。
前記海島構造における島部の形状が、素子面法線方向を軸とする円柱、円錐台または逆円錐台のいずれかであることが好ましい。
前記海島構造において前記誘電体層が前記島部を形成し、当該島部が円柱形状または前記透明電極層側に向かって先細りになるような逆円錐台形状に形成されていることが好ましい。
前記島部の側面と前記島部の前記金属電極層側の底面とのなす内側の角度が、４０°〜９０°であることが好ましい。
前記海島構造において、前記有機層が前記島部を形成し、当該島部が円柱形状または前記金属電極層側に向かって先細りになるような円錐台形状に形成されていることが好ましい。
前記島部の側面と前記島部の前記透明電極層側の底面とのなす内側の角度が、４０°〜９０°であることが好ましい。
前記海島構造において、前記島部の最大幅ｅが１０μｍ以下（ｅ≦１０μｍ）であり、且つ前記透明電極層の上面における任意の１ｍｍ四方当たり、当該島部が１０２個〜１０８個形成されていることが好ましい。
前記透明電極層の、前記有機層とは反対側に基板を有することが好ましい。
前記金属電極層の、前記有機層とは反対側に基板を有することが好ましい。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、有機発光素子の光の取り出し効率を高められる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施の形態が適用される有機発光素子の誘電体層、有機層および発光層の位置関係を説明する図である。
【図２】本実施の形態が適用される有機発光素子の第１の実施の形態を説明する図である。
【図３】誘電体層と有機層の厚さの関係を説明する図である。
【図４】本実施の形態が適用される有機発光素子において、有機層中の発光層で発生した光が基板側から取り出されることを説明する図である。
【図５】誘電体層と透明電極層の厚さの関係を説明する図である。
【図６】誘電体層と金属電極層が接触する実施形態を説明する図である。
【図７】透明電極層を貫通しない凹部の実施形態を説明する図である。
【図８】誘電体層の形状の他の実施形態を説明する図である。
【図９】テーパ形状の誘電体層と他の層との大きさを説明する図である。
【図１０】第１の実施の形態が適用される有機発光素子の製造方法の一例を説明する図である。
【図１１】トップエミッション型の有機発光素子の層構成を説明する図である。
【図１２】本実施の形態が適用される有機発光素子の第２の実施の形態を説明する図である。
【図１３】第２の実施の形態が適用される有機発光素子の製造方法の一例を説明する図である。
【図１４】本実施の形態が適用される有機発光素子の第３の実施の形態を説明する図である。
【図１５】比較例１において作製した有機発光素子を説明する図である。
【図１６】比較例２において作製した有機発光素子を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。すなわち、実施の形態の例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特に記載がない限り本発明の範囲を限定するものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するための一例であり、実際の大きさを表すものではない。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、本明細書において、「層上」等の「上」は、必ずしも上面に接触して形成される場合に限定されず、離間して上方に形成される場合や、層と層の間に介在層が存在する場合も包含する意味で使用する。
【０００９】
＜有機発光素子＞
図１は、本実施の形態が適用される有機発光素子１００の誘電体層１３、有機層１４および発光層１４５の位置関係を説明する図である。
【００１０】
図１に示すように、有機発光素子１００の垂直断面において、金属電極層１５の方向を上側、基板１１の方向を下側とした場合に、誘電体層１３の上面における最も上側の位置１６１が、有機層１４中の発光層１４５の上面１４１における最も下側の位置１４２より上側に位置している。さらに、誘電体層１３の上面における最も上側の位置１６１が、透明電極層１２上の有機層１４の上面における最も下側の位置１４３より上側に位置している。
このように、本実施の形態が適用される有機発光素子１００は、誘電体層（領域）１３の上面における最も上側の位置１６１を、有機層１４が最も薄い部分（但し、有機層１４の誘電体層１３上に形成される部分は除く）の上面位置（図１では、位置１４３）または発光層１４５の上面位置（図１では、位置１４２）よりも高くしている。
【００１１】
従来、有機発光素子における光の屈折を考慮すると、低屈折率の誘電体を用いる場合、誘電体の上面から入射する光の一部は誘電体との界面で全反射するため、効果的に前面に取り出されない傾向がある。これに対し、本実施の形態が適用される有機発光素子１００は、有機層１４中の発光層１４５における発光位置を、誘電体層１３の上面より低い位置になるように形成することにより、発光層１４５の光が誘電体層１３の側面から入射するようになり、基板１１側から効果的に取り出すことができる。
【００１２】
また、例えば、前述した特許文献１中の図２又は図４に記載されているように、有機発光素子が、有機層と（誘電体層／透明電極層）の海島構造を構成する場合、有機層と透明電極層の界面は、発光光が低屈折率層から高屈折率層へ入射する界面であり、光は基板法線の方向から離れる方向に屈折するため、発光層の光が取り出されやすくなることはない。尚、後述するように、有機発光素子１００の誘電体層１３の少なくとも一部が金属電極層１５と接触してもよい。
【００１３】
次に、本実施の形態が適用される有機発光素子１００は、誘電体層１３の屈折率ｎ１が、有機層１４の屈折率ｎ２より小さく（ｎ１＜ｎ２）なるように、且つ透明電極層１２の屈折率ｎ３より小さく（ｎ１＜ｎ３）なるように、各構成部分（透明電極層１２、誘電体層１３、有機層１４）の材料が選択されている。
【００１４】
図１に示すように、本実施の形態では、有機層１４の上部に金属電極層１５が積層された構造を採用している。そして、有機発光素子１００における発光領域は、有機層１４の、透明電極層１２、誘電体層１３および金属電極層１５によって囲まれた領域に限定される。
これにより、有機層１４の発光領域で発光し、有機層１４内を導波する光は、有機層１４と誘電体層１３の側面との界面における光の屈折現象により、基板１１側から取り出すことができる。また、透明電極層１２内を導波する光も、透明電極層１２と誘電体層１３の側面との界面における光の屈折現象により、同様に基板１１側から取り出すことができる。
尚、図１には透明電極層１２側に基板１１を有する素子構成を示すが、本実施の形態が適用される有機発光素子１００はこの構成には限定されず、基板１１を金属電極層１５側に有する構成としてもよい。
【００１５】
（第１の実施の形態）
図２は、本実施の形態が適用される有機発光素子１００の第１の実施の形態を説明する図である。図２（ａ）は、有機発光素子１００の部分断面図を含む概略俯瞰図であり、図２（ｂ）は、有機発光素子１００の内部構造を説明する概略俯瞰図であり、図２（ｃ）は、有機発光素子１００の概略部分断面図である。
図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、有機発光素子１００は、基板１１と、基板１１側を下とした場合に、基板１１上に形成された透明電極層１２と、後述するように、発光層（図示せず）を含み、有機化合物を含む１層または積層された複数の層（図示せず）から構成されている有機層１４と、金属電極層１５とを順に具備し、有機層１４中の発光層（図示せず）で発生した光が基板（透明基板）１１側から取り出されるボトムエミッション型の発光素子である。また、透明電極層１２の有機層１４側の面には凹部１６が形成されている。本実施の形態では、凹部１６は透明電極層１２を貫通して形成されている。
【００１６】
さらに、透明電極層１２の凹部１６を充填し、且つ有機層１４と側面が接する島状領域を形成する凸部１３１を有するように形成された誘電体層１３を有している。また、有機層１４は、透明電極層１２の上面及び誘電体層１３の凸部（透明電極層１２の上面より突出している部分）１３１の側面に接して形成されている。このように、本実施の形態では、誘電体層１３が透明電極層１２及び有機層１４に接するように形成されている。
また、図２（ａ）及び図２（ｂ）から明らかのように、本実施の形態が適用される有機発光素子１００では、透明電極層１２及び有機層１４からなる積層体と誘電体層１３とが、誘電体層１３及び積層体を含む面内において海島構造を形成している。そして、有機発光素子１００の場合、透明電極層１２及び有機層１４からなる積層体が海部であり、誘電体層１３が島部を構成している。
【００１７】
本実施の形態では、有機層１４における透明電極層１２と接する面から、透明電極上の有機層（発光領域の有機層の部分）１４に含まれる発光層１４５（図１参照）の上面１４１までの距離の最小値ｃが、誘電体層１３の透明電極層１２の上面の位置から誘電体層１３の凸部１３１の上面における最も上側の位置１６１（図１参照）までの距離ａ以下（ｃ≦ａ）になるように形成されている。これにより、有機層１４の発光領域における発光点（発光箇所）１４０で発光し、有機層１４内を導波する光１５０は、有機層１４と誘電体層１３の凸部１３１の側面との界面における光の屈折により基板１１側から取り出すことができる。
【００１８】
図３は、誘電体層１３と有機層１４の厚さの関係を説明する図である。図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、発光層（図示せず）を含み、有機化合物を含む１層または積層された複数の層（図示せず）から構成されている有機層１４の透明電極層１２上の部分（発光領域の有機層１４の部分）の膜厚の最小値ｄは、誘電体層１３の透明電極層１２の上面の位置から誘電体層１３の凸部１３１の上面における最も上側の位置１６１（図１参照）までの距離ａ以下である（ｄ≦ａ）ように形成されている。
このように形成することにより、有機層１４中の発光層１４５から横方向に発する光がより確実に有機層１４と誘電体層１３の界面に入射するため、光の取り出し効率がより向上する。
【００１９】
ここで、図４は、本実施の形態が適用される有機発光素子１００において、有機層１４中の発光層で発生した光が基板１１側から取り出されることを説明する図である。
前述したように、基板上に形成された透明電極層１２及び有機層１４の両方に接するように誘電体層１３を形成した構成では、有機層１４と誘電体層１３の界面１３Ａと、透明電極層１２と誘電体層１３の界面１３Ｂのいずれもが、発光光が、高屈折率層（有機層１４又は透明電極層１２）から低屈折率層（誘電体層１３）へ入射する界面となる。
【００２０】
ここで、例えば、有機層１４中の発光領域における発光点（発光箇所）１４０で発光して界面１３Ａに入射する光Ａおよび界面１３Ｂに入射する光Ｂを考える。図４に示すように、光Ａ，Ｂは、いずれも、基板１１の法線方向に近付くように屈折する。これにより、透明電極層１２と基板１１の界面および基板１１の外表面における光の入射角が、より小さい角度に変わる。このため、光Ａ及び光Ｂは、これらの界面（透明電極層１２と基板１１の界面、基板１１の外表面）で全反射をせずに基板１１側から取り出される。以上のように、透明電極層１２および有機層１４と、これらより屈折率の低い誘電体層１３との海島構造を有する素子構成とすることにより、素子内部での全反射が抑えられ、外部へ取り出される光が増大し、光取り出し効率が向上する。
【００２１】
ここで、本実施の形態が適用される有機発光素子１００において、海島構造に基づく屈折率変調構造は、基板１１面内方向に周期性を有するものであっても、周期性を有さない非周期的なものであってもよい。
一般に、屈折率変調構造の周期が発光光の波長より十分大きい場合は、屈折率変調構造が周期的または非周期的であるかを問わず、上記に説明したような屈折の効果が支配的となって光が取り出されると考えられる。
これに対し、屈折率変調構造の周期が発光光の波長と同程度以下で周期的な屈折率変調構造である場合は、回折（回折格子）の効果やフォトニック結晶の効果が支配的となって光が取り出されると考えられる。
【００２２】
本実施の形態において、誘電体層１３の島部が、有機層１４と透明電極層１２の積層構造中を、基板１１面内の少なくとも一方向に周期的に配列し、且つその配列の周期が発光光の波長と同等以下の大きさである場合には、このような屈折率変調構造は回折格子として作用する。すなわち、有機層１４からこの回折格子に入射する光は、光の進行方向を変えてある所定の角度に強く取り出される。従って、この回折格子が無い場合に、透明電極層１２と基板１１の界面および基板１１の外表面で全反射するような光の進行方向を変化させて、これらの界面への入射角を臨界角より小さくすることができ、基板１１の外へ取り出す光を増加させることができる。
上記の、屈折および回折により光の進行方向を変えるためには、海島構造の海部と島部の屈折率差、すなわち有機層１４の屈折率ｎ２と誘電体層１３の屈折率ｎ１との差、および透明電極層１２の屈折率ｎ３と誘電体層１３の屈折率ｎ１の差は０．１より大きいことが好ましい。
【００２３】
フォトニック結晶は、屈折率が周期的に異なり、その周期が光の波長と同等以下である構造体のことである。この周期的な屈折率分布によって、特定の波長範囲の光が存在できない禁制帯（フォトニックバンドギャップ）が形成される。
本実施の形態が適用される有機発光素子１００において、周期的な屈折率変調構造で、その周期が発光光の波長と同等以下である場合には、前述のように回折格子であるとともに、フォトニック結晶と見なすことができる。
本実施の形態が適用される有機発光素子１００における有機層１４と透明電極層１２の積層構造と誘電体層１３の海島構造で、例えば、平面視で正方格子状や六方格子状に島部が規則的に配列している場合は、２次元のフォトニック結晶と見なすことができる。
【００２４】
この２次元のフォトニック結晶では、２次元面内方向に対して、フォトニックバンドギャップが形成されるため、フォトニックバンドギャップ内の波長の光は２次元面内方向に存在することができない。一方で、２次元平面に対して垂直な方向に対しては、フォトニックバンドギャップが形成されないために、光を放射することができる。このメカニズムにより、面内方向に進行できない光が垂直方向に再分配されるため、光を効率的に基板（透明基板）１１側に取り出すことが可能となる。
【００２５】
なお、図示しないが、基板１１上における発光層形成領域の外側に、透明電極層１２と電気的に接続し、且つ透明電極層１２と電源とを接続する端子部としての陽極端子部が形成されている。以下に、有機発光素子１００の各構成について説明する。
【００２６】
（基板１１）
基板１１は、透明電極層１２、誘電体層１３、発光層１４５を含む有機層１４および金属電極層１５を形成する支持体となるものである。基板１１には有機発光素子１００に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。基板１１の厚さは、要求される機械的強度により適宜選択され特に限定されない。本実施の形態では、好ましくは、０．１ｍｍ〜１０ｍｍ、より好ましくは０．２５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００２７】
基板１１に用いられる材料としては、発光層１４５から放射される光を基板１１側から取り出す場合は、この光に対して透過性を有することが必要である。尚、本実施の形態において、「光に対し透過性である」とは、発光層１４５から発する一定の波長範囲の可視光を透過することができればよいという意味であり、可視光領域全域にわたり透明である必要はない。ただし、本実施の形態では、基板１１は、可視光として、波長４５０ｎｍ〜波長７００ｎｍの光を透過することが好ましい。また、透過率としては発光強度が最大である波長において、５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることが更に好ましい。
【００２８】
このような条件を満たす基板１１の材料としては、具体的には、サファイアガラス、ソーダガラス、石英ガラス等のガラス類または透明金属酸化物；アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等の透明樹脂；窒化アルミ等の透明金属窒化物等が挙げられる。なお、基板１１として、上記透明樹脂やソーダガラス等を使用する場合は、水や酸素、金属イオン等が、基板１１上に積層した透明電極層１２等へ拡散しないよう、光の透過性を損なわない範囲で、基板１１上面に酸化ケイ素膜等のバリア性薄膜を形成することが好ましい。
【００２９】
発光層１４５から放射される光を基板１１側から取り出す必要がない場合は、基板１１の材料としては、上記の透明材料に限られず、不透明なものも使用できる。このような材料として具体的には、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）等の単体、またはこれらを含む合金、ステンレス等が挙げられる。不透明な基板１１の材料としては、発光層１４５で発光した光をより多く外部へ取り出すために、光反射性の高い金属材料が好ましい。また、上記の光透過性を有する材料の表面に、光反射性の金属材料からなる光反射膜を形成したものを用いてもよい。
【００３０】
（透明電極層１２）
本実施の形態において、透明電極層１２は、金属電極層１５との間に電圧を印加することによって有機層１４へ正孔を注入する陽極として機能する。このような陽極としての透明電極層１２に使用される材料としては、電気伝導性が高く、仕事関数が４．５ｅＶ以上であるものが好ましい。尚、仕事関数は、例えば、紫外線光電子分光分析法等の方法により測定する。
【００３１】
発光層１４５から放射される光を基板１１側から取り出す場合（ボトムエミッション型）は、透明電極層１２を形成する材料としては、この光に対して透過性を有することが必要である。このような材料としては金属酸化物が好ましく、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、酸化スズ等が挙げられる。また、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体およびこれらのポリマーとポリスチレンスルホン酸との混合物等の有機物からなる導電材料を用いてもよい。
【００３２】
発光層１４５から放射される光を基板１１側から取り出す必要がない場合（トップエミッション型）は、透明電極層１２に代えて、上記の基板１１に使用可能な不透明材料として挙げた金属材料を電極層として用いることができる。この場合、この電極層は基板１１を兼ねることができる。
【００３３】
ここで、図５は、誘電体層１３と透明電極層１２の厚さｂの関係を説明する図である。図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。
本実施の形態では、透明電極層１２の厚さｂは、例えば、１０ｎｍ〜１μｍの範囲で形成する。ただし、シート抵抗を低くするという観点では、５０ｎｍ以上が好ましく、高い光透過性が維持される点では５００ｎｍ以下であることが好ましい。尚、透明電極層１２に代えて金属材料からなる不透明電極層を用いる場合の厚さｂは１５ｎｍ〜１０ｍｍが好ましく、５０ｎｍ〜２ｍｍがより好ましい。
また、透明電極層１２の厚さｂ（１０ｎｍ〜１μｍの範囲）に対する、誘電体層１３の凸部１３１の高さ（透明電極層１２の上面から誘電体層１３の凸部１３１の上面の最も上側の位置までの距離）ａの比（ａ／ｂ）が０．３〜１０の範囲になるように形成される。
【００３４】
尚、本実施の形態では、透明電極層１２から有機層１４への正孔の注入を容易にするという観点から、透明電極層１２の表面上に、陽極表面修飾層として、モリブデン（Ｍｏ）酸化物、アモルファスカーボン、フッ化カーボン等からなる１ｎｍ〜２００ｎｍの層、または、金属酸化物、金属フッ化物等からなる平均膜厚１０ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【００３５】
（誘電体層１３）
誘電体層１３は、透明電極層１２に形成された凹部１６を充填し、且つ透明電極層１２の表面から突出する凸部１３１を有するように形成されて、透明電極層１２と金属電極層１５とを分離し絶縁する。このため誘電体層１３は高い電気抵抗率を有する材料であることが好ましい。具体的には、電気抵抗率としては、１０８Ω・ｃｍ以上が好ましく、１０１２Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。具体的な誘電体層１３の材料としては、例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物が挙げられる。さらに、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物；スピンオングラス（ＳＯＧ）等も使用可能である。
【００３６】
ここで、図６は、誘電体層１３と金属電極層１５が接触する実施形態を説明する図である。図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。
本実施の形態では、透明電極層１２を貫通して凹部１６が形成され、誘電体層１３が凹部１６を充填している。図６（ａ）は、誘電体層１３の凸部１３１の高さａと有機層１４の厚さｄが等しく、誘電体層１３の凸部１３１の上面が、金属電極層１５と接し、且つ誘電体層１３の側面は、透明電極層１２および有機層１４のみに接触している実施形態である。
【００３７】
図６（ｂ）は、誘電体層１３の凸部１３１の高さａが有機層１４の厚さｄより大きく、誘電体層１３の凸部１３１の上面には、有機層１４の一部が残り、誘電体層１３の側面は、透明電極層１２および有機層１４に接触し、且つ側面の一部が金属電極層１５と接している実施形態である。図６（ｃ）は、誘電体層１３の凸部１３１の高さａが有機層１４の厚さｄより大きく、誘電体層１３の凸部１３１の上面と、誘電体層１３の側面の一部が金属電極層１５と接している実施形態である。
【００３８】
図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、本実施の形態では、有機発光素子１００の誘電体層１３の少なくとも一部が金属電極層１５と接触していることが好ましい。このような構造を採用すると、誘電体層１３上に有機層１４の発光層で発光した光が回り込むのが防止され、基板１１側からの光の取り出し効率が向上する傾向がある。
尚、本実施の形態では、誘電体層１３の少なくとも一部と金属電極層１５とを接触させるための製法としては、有機層１４は蒸着法により透明電極層１２上に成膜することが好ましい。
【００３９】
また、図７は、透明電極層１２を貫通しない凹部の実施形態を説明する図である。図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。
本実施の形態では、有機発光素子１０１の透明電極層１２には、透明電極層１２を貫通しない凹部１６５が形成され、凹部１６５を充填し、且つ有機層１４に側面が接触するように誘電体層１３が形成されている。この場合、透明電極層１２の凹部１６５の深さは、本実施の形態では、透明電極層１２の厚さｂに対し、０．５ｂ以上の範囲である。凹部１６５の深さが過度に浅いと、透明電極層１２内を導波する光の取り出し効率が低下する傾向がある。
【００４０】
次に、前述した図２（ｂ）に示すように、本実施の形態では、誘電体層１３の形状は、径ｅを有する円柱形状である。尚、誘電体層１３の形状は円柱形状に限定されず、例えば、四角柱等の多角柱形状等が挙げられる。この場合、径ｅは、誘電体層１３（島部）の平面視における最大寸法である。本実施の形態では、誘電体層１３の径ｅは、１０μｍ以下（ｅ≦１０μｍ）である。但し、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましい。尚、複数の誘電体層１３の形状は同じであっても異なっていても良い。
さらに、本実施の形態では、誘電体層１３の個数は、透明電極層１２の上面における任意の１ｍｍ四方中に１０２個〜１０８個の範囲で形成されていることが好ましい。
【００４１】
本実施の形態では、誘電体層１３の形状は、形状制御の容易性という観点から、例えば、円柱形状または四角柱等の多角柱形状であることが好ましい。これらの形状では、誘電体層１３の基板面に平行な断面形状が、その厚み方向で変化してもよく、あるいは形状の大きさが変化してもよい。例えば、円錐台形状、角錐台形状等であってもよい。
【００４２】
ここで、図８は、誘電体層１３の断面形状の他の実施形態を説明する図である。図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す有機発光素子１０２では、海島構造における誘電体層１３の島部が基板１１側に向かって先細りになるテーパ状の逆円錐台形状に形成されている。
【００４３】
誘電体層１３がテーパ状に形成されていることにより、有機層１４の発光点（発光箇所）１４０で発光し誘電体層１３に入射する光１５０を、有機層１４と誘電体層１３の凸部１３２の側面との界面における光の屈折により、基板１１側から取り出す効率が高められる傾向がある。また、透明電極層１２に一旦入射してから誘電体層１３に入射する光１５１も、透明電極層１２とテーパ状の誘電体層１３の側面との界面における光の屈折により、同様に基板１１側から取り出す効率が高められる傾向がある。
【００４４】
次に、図８（ｃ）に示す有機発光素子１０２では、誘電体層１３の島部は、有機層１４内では基板１１側に向かって先細りになるテーパ状の逆円錐台形状（凸部１３３）に形成されている。一方、透明電極層１２内では角錐台形状に連続した円柱形状に形成されている。誘電体層１３がテーパ状に形成されている凸部１３３を有することにより、有機層１４で発光した光の取り出し効率が高められる傾向がある。
【００４５】
ここで、図９は、テーパ形状の誘電体層１３と他の層との大きさを説明する図である。図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。図９の符号を用いた各部分の大きさの説明は以下の通りである。
誘電体層１３が透明電極層１２の上面から突出する高さａ（誘電体層１３の凸部１３１の高さａ）は、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の範囲から選ばれる。
【００４６】
透明電極層１２の厚さｂは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲から選ばれる。
有機層１４における透明電極層１２と接する面から発光層１４５（図１参照）の上面１４１の最も下側の位置までの距離ｃと、前述した凸部１３１の高さａとの関係は、０．１ａ≦ｃ≦ａであり、より好ましくは０．２ａ≦ｃ≦０．８ａである。
【００４７】
透明電極層１２上の有機層１４の膜厚の最小値ｄと前述した凸部１３１の高さａとの関係は、０．１ａ≦ｄ≦１．５ａであり、より好ましくは０．３ａ≦ｄ≦０．９ａである。
誘電体層１３の金属電極層１５側の上面（凸部１３１の上面）の径ｅは、１００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、より好ましくは３００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲から選ばれる。
【００４８】
テーパ状に形成された誘電体層１３、すなわち、誘電体層１３の島部の領域が円柱を含む逆円錐台形状の場合、島部の側面と、島部の金属電極層１５側底面のなす内側（島部の内部側）の角度θ（傾斜角）は、４０°〜９０°が好ましく、４５°〜７５°がより好ましい。角度θが過度に大きい場合（島部が円錐台形状の場合）は、発光点（発光箇所）１４０から水平方向に近い方向に導波する光に対して、島部の側面で基板１１側へ屈折させる効果がなくなる。また、角度θが過度に小さい場合は、このような小さなテーパ角の製造が困難となる。
【００４９】
本実施の形態では、屈折率変調構造の海島構造における複数の島部の平面視での配置は、特に限定されず、例えば、正方格子状、六方格子状等の規則的な配置や、不規則な配置のいずれをも採用することができる。
【００５０】
（有機層１４）
本実施の形態では、有機層１４は、発光層１４５を含み、有機化合物を含む１層または積層された複数の層（図示せず）から構成されている。図１に示すように、有機層１４は、透明電極層１２の上面および誘電体層１３の側面を覆って連続膜として形成される。発光層１４５は、透明電極層１２と金属電極層１５との間に電圧を印加することで発光する発光材料を含む。このような発光材料としては、公知の発光材料を使用することができ、発光性ポリマー化合物及び発光性非ポリマー化合物のいずれも使用することができる。本実施の形態では、発光材料として、発光性有機材料である燐光性有機化合物または金属錯体を使用することが好ましい。
【００５１】
本実施の形態においては、発光材料として、特にシクロメタル化錯体を用いることが、発光効率向上の観点から非常に望ましい。シクロメタル化錯体としては、例えば、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等の配位子を有するイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）等の錯体が挙げられる。これらの中でも、イリジウム（Ｉｒ）錯体が特に好ましい。
シクロメタル化錯体は、シクロメタル化錯体を形成するのに必要な配位子以外に、他の配位子を有していてもよい。なお、シクロメタル化錯体には、三重項励起子から発光する化合物も含まれ、このような化合物は発光効率向上の観点から好ましい。
【００５２】
発光性ポリマー化合物としては、例えば、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリ−ｐ−フェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等のπ共役系のポリマー化合物；色素分子とキャリア輸送性化合物（テトラフェニルジアミン誘導体、トリフェニルアミン誘導体等）を主鎖または側鎖に導入した非共役ポリマー等が挙げられる。発光性ポリマー化合物と発光性非ポリマー化合物とを併用してもよい。
【００５３】
発光層１４５は発光材料とともにホスト材料を含み、ホスト材料中に発光材料が分散されていてもよい。このようなホスト材料は、電荷輸送性を有していることが好ましく、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物であることが好ましい。
【００５４】
有機層１４は、透明電極層１２から正孔を受け取り、発光層１４５へ輸送するための正孔輸送層（図示せず）を含んでいてもよい。正孔輸送層は、透明電極層１２と発光層１４５との間に設けられる。
このような正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、公知の材料を使用することができる。例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；上記トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合したポリマー化合物等が挙げられる。上記正孔輸送材料は、１種単独でも、２種以上を混合して用いてもよく、異なる正孔輸送材料から形成された複数の正孔輸送層を積層してもよい。
【００５５】
また、上記正孔輸送層と透明電極層１２との間に、正孔注入障壁を緩和するための正孔注入層（図示せず）が設けられていてもよい。正孔注入層を形成する材料としては、例えば、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等およびそれらの誘導体、さらにポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の高分子材料等の公知の材料を用いることができる。さらに、上記の正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料と２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）等の電子受容体との混合物を用いることもできる。透明電極層１２がＩＴＯやＩＺＯ等、導電性ポリマー以外の材料から形成される場合は、正孔注入層としては上記の材料に加えて、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸の混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）等の導電性ポリマーを用いることもできる。
【００５６】
有機層１４は、陰極である金属電極層１５から電子を受け取り、発光層１４５へ輸送するための電子輸送層（図示せず）を、発光層１４５と金属電極層１５との間に含んでいてもよい。このような電子輸送層に用いることができる材料としては、公知の材料を使用することができる。例えば、アルミニウム錯体、亜鉛錯体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノキサリン誘導体、トリアリールボラン誘導体、トリフェニルホスフィンオキサイド誘導体等が挙げられる。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等が挙げられる。
【００５７】
また、上記電子輸送層と発光層１４５との間に、正孔が発光層１４５を通過することを抑え、発光層１４５内で正孔と電子とを効率よく再結合させる目的で、正孔ブロック層（図示せず）が設けられていてもよい。この正孔ブロック層も有機層１４に含まれる層の１つとして捉えることができる。上記正孔ブロック層を形成するために、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の公知の材料を用いることができる。
【００５８】
有機層１４を構成する上記の各層の厚さは、電荷の移動度や電荷注入バランス、発光する光の干渉等を考慮して適宜選択され特に限定されない。本実施の形態では、好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍ、特に好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲である。
【００５９】
また、複数の層の膜厚を合計した有機層１４の全体の厚さは、透明電極層１２と金属電極層１５との距離が３０ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍとなるような厚さであることが望ましい。なお、有機層１４の厚さを制御することにより、微小共振器構造を形成し、発光装置の外部へ取り出される光のスペクトルや強度を変えることができる。この場合、透明電極層１２および金属電極層１５のいずれか一方を、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さの金属薄膜等からなる半反射電極として形成し、もう一方を反射電極として用いる。
【００６０】
（金属電極層１５）
金属電極層１５は、透明電極層１２との間で電圧を印加し、有機層１４に電子を注入する。即ち、本実施の形態では金属電極層１５は陰極であり、有機層１４上の発光領域の全面に連続膜として形成される。金属電極層１５の形成に使用される材料としては、電気伝導性を有するものであれば特に限定されない。本実施の形態では、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが好ましい。具体的には、例えば、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＡｌＬｉやＡｌＣａ等のＡｌとアルカリ（土類）金属との合金等の材料等を例示することができる。
金属電極層１５の厚さは１０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。但し、発光層１４５で発生した光を基板１１と反対側から取り出す素子構造（トップエミッション型）の場合は、金属電極層１５に代えて、透明電極層１２と同様に可視光に対して透明な材料を用いることが好ましい。
【００６１】
本実施の形態では、金属電極層１５から有機層１４へ電子の注入障壁を下げて電子の注入効率を上げる目的で、陰極バッファ層（図示せず）を、金属電極層１５に隣接して有機層１４側に設けてもよい。陰極バッファ層の材料としては、例えば、アルカリ金属（ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルカリ土類金属（カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ））、希土類金属（プラセオジム（Ｐｒ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ））、またはこれらの金属のフッ化物、塩化物、酸化物から選ばれる材料並びに２つ以上の混合物を使用することができる。さらに、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））等の電子親和性の高い有機化合物とセシウム（Ｃｓ）等の電子供与性の高い材料の混合物も好ましく用いられる。陰極バッファ層の厚さは０．１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、０．１ｎｍ〜２０ｎｍがより好ましく、０．５ｎｍ〜１０ｎｍがより一層好ましい。
【００６２】
（その他の構成）
本実施の形態が適用される有機発光素子１００は、基板１１に接して形成された透明電極層１２が陽極であり、有機層１４上に形成された金属電極層１５が陰極である。しかし、陽極と陰極とが逆であってもよい。すなわち、透明電極層１２が陰極であり、金属電極層１５が陽極であってもよい。
【００６３】
（有機発光素子１００の製造方法）
図１０は、第１の実施の形態が適用される有機発光素子１００の製造方法の一例を説明する図である。
図１０（ａ）に示すように、初めに、基板１１上に透明電極層１２を成膜する（透明電極層形成工程）。次に、図１０（ｂ）に示すように、透明電極層１２上にフォトレジスト層２１を成膜し、成膜したフォトレジスト層２１を所定のパターンのフォトマスクを用いた露光を含むフォトリソグラフィーによる処理を行う。この処理により、図１０（ｃ）に示すように、透明電極層１２を貫通する凹部１６を形成する（凹部形成工程）。尚、テーパ状の誘電体層１３を形成する場合は、テーパ状の凹部１６を形成する。
【００６４】
（凹部１６の形成方法）
本実施の形態では、凹部１６を、フォトリソグラフィーを用いる方法により形成する場合、初めに、図１０（ａ）に示すように、基板１１上に透明電極層１２を成膜した後、図１０（ｂ）に示すように、透明電極層１２上にフォトレジスト液を塗布し、スピンコート等により余分なレジスト液を除去して、フォトレジスト層２１を形成する。続いて、フォトレジスト層２１上に予め作製した所定のパターンが描画されたマスクを被せ、紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）、電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）等を照射してフォトレジスト層２１を露光する。
【００６５】
ここで、等倍露光（例えば、接触露光、プロキシミティ露光等）を行うと、マスクパターンと等倍の凹部１６のパターンが形成される。また、縮小露光（例えば、ステッパーを使用した露光等）を行うと、マスクパターンに対して縮小された凹部１６のパターンが形成される。次に、現像液を用いてフォトレジスト層２１を現像すると、形成されたパターンに対応してフォトレジスト層２１が部分的に除去され、透明電極層１２の表面が露出する。
【００６６】
次に、図１０（ｃ）に示すように、露出した透明電極層１２の部分をエッチングにより除去し、凹部１６を形成する。エッチングは、ドライエッチングとウェットエッチングの何れをも使用することができる。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）や誘導結合プラズマエッチングが挙げられる。また、ウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法等が利用できる。なお、エッチングを行う際にエッチングの条件（処理時間、使用ガス、圧力、基板１１温度）を調節することにより、凹部１６の深さを制御することができる。
尚、凹部１６の側面を基板面に垂直に近い形状に形成するためには、フォトマスクとしてエッチング耐性の高いフォトレジストと、異方性の高いエッチング方法を用いればよい。また、凹部１６の側面が順テーパ（凹部が基板側に向かって先細りになるような島状の場合）になるように形成するためには、フォトマスクとしてエッチング耐性の比較的低いフォトレジストを使用すればよい。
【００６７】
続いて、図１０（ｄ）に示すように、凹部１６を充填し、且つフォトレジスト層２１の上面を覆うように誘電体物質層１３５を形成する（誘電体物質層形成工程）。次に、図１０（ｅ）に示すように、エッチング処理により、フォトレジスト層２１の上面より上部にある誘電体物質層１３５を除去し、凹部１６に誘電体層１３を形成する（誘電体層形成工程）。続いて、図１０（ｆ）に示すように、誘電体層１３の側面を覆うフォトレジスト層２１を除去する。最後に、図１０（ｇ）に示すように、透明電極層１２上に有機層１４と金属電極層１５を形成して有機発光素子１００を得る（金属電極層形成工程）。
【００６８】
有機発光素子１００を構成する各層を形成するには、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。また、塗布成膜方法（即ち、目的とする材料を溶剤に溶解させた状態で基板１１に塗布し乾燥する方法）等の湿式成膜方法が可能な場合は、例えば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法等の方法を用いて成膜することができる。
【００６９】
図１１は、トップエミッション型の有機発光素子の層構成を説明する図である。
図１１に示す有機発光素子２００は、基板１１と、基板１１側を下とした場合に、基板１１上に形成された金属電極層１５と、発光層（図示せず）を含む有機層１４と、透明電極層１２とを順に具備している。透明電極層１２の有機層１４側の面には凹部１６が形成されている。本実施の形態では、凹部１６は、透明電極層１２を貫通せずに形成されている。
本実施の形態が適用される有機発光素子２００は、金属電極層１５が反射性能を有する陽極（反射電極）であり、透明電極層１２が陰極である場合、基板１１の反対側から光が取り出されるトップエミッション型での素子として形成される。トップエミッション型の素子の場合、有機層１４を成膜する前に反射電極としての金属電極層１５を形成する。そのため、金属電極層１５には反射率が大きいことに加え、表面の平坦性が要求される。
【００７０】
この場合、陽極及び陰極を形成する材料としては、それぞれ上述した陽極および陰極を形成する材料と同じものを用いることができる。陰極である透明電極層１２および陽極である金属電極層１５の厚さの好ましい範囲は、それぞれ、陽極である透明電極層１２および陰極である金属電極層１５として上述した好ましい範囲と同じである。
【００７１】
また、金属電極層１５が陽極である場合、金属電極層１５から有機層１４への正孔の注入を容易にする目的で、金属電極層１５に隣接して有機層１４側に陽極表面修飾層が設けられる。また、陰極から有機層１４への電子の注入障壁を下げて電子の注入効率を上げる目的で、陰極バッファ層を設けてもよく、この陰極バッファ層は陰極である透明電極層１２に隣接して有機層１４側に形成される。
【００７２】
有機層１４が、金属電極層１５から正孔を受け取り、発光層へ輸送するための正孔輸送層を含んでいる場合、正孔輸送層は金属電極層１５と発光層との間に設けられる。また、金属電極層１５から正孔輸送層への正孔注入障壁を緩和するための正孔注入層をさらに設けてもよく、この正孔注入層は正孔輸送層と金属電極層１５との間に形成される。
【００７３】
有機層１４は、陰極である透明電極層１２から電子を受け取り、発光層へ輸送するための電子輸送層を含んでいてもよく、この電子輸送層は発光層と透明電極層１２との間に形成される。
【００７４】
また、電子輸送層と発光層との間に、正孔が発光層を通過することを抑え、発光層内で正孔と電子とを効率よく再結合させる目的で、正孔ブロック層が設けられていてもよく、この正孔ブロック層は、発光層に隣接して陰極である透明電極層１２側に形成される。
【００７５】
上記のトップエミッション型の有機発光素子２００は、基板１１に接して形成された金属電極層１５が陽極であり、有機層１４上に形成された透明電極層１２が陰極である。しかし、陽極と陰極とが逆であってもよい。すなわち、金属電極層１５が陰極であり、透明電極層１２が陽極であってもよい。
【００７６】
（第２の実施の形態）
次に、図１２は、本実施の形態が適用される有機発光素子の第２の実施の形態を説明する図である。図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。尚、有機層１４及び金属電極層１５は省略している。
図１２に示すように、本実施の形態が適用される有機発光素子３００では、透明電極層１２及び有機層１４（図２参照）からなる積層体と誘電体層１３とより構成される海島構造において、透明電極層１２及び有機層１４（図２参照）からなる積層体が島部であり、誘電体層１３が海部を構成している。すなわち、本実施の形態では、透明電極層１２に設けられた凹部（連続した凹部）１６を充填して形成される誘電体層１３は連続構造として形成されている。このように、本実施の形態では、透明電極層１２及び有機層１４からなる積層体と誘電体層１３の海島の関係が第１の実施形態とは逆である点が異なる。
【００７７】
但し、図１２に示すように、この場合、凹部１６は、透明電極層１２を貫通しないように形成される。すなわち、海島構造において、（透明電極層１２／有機層１４）の積層構造が島になる場合は、各透明電極層１２の島の下に，誘電体層１３の底面と接触する部分１２１を残し、一体構造を維持することにより、各透明電極層１２の島が孤立することを防ぎ、透明電極層１２の各島部間の導通が得られる。
【００７８】
第１の実施形態が適用される有機発光素子１００と同様に、本実施の形態が適用される有機発光素子３００は、誘電体層１３の屈折率ｎ１が、有機層１４の屈折率ｎ２より小さく（ｎ１＜ｎ２）なるように、且つ透明電極層１２の屈折率ｎ３より小さく（ｎ１＜ｎ３）なるように、各構成部分（透明電極層１２、誘電体層１３、有機層１４）の材料が選択されている。
【００７９】
図１２に示される有機発光素子３００は、有機層１４（図示せず）中の発光層（図示せず）で発生した光が基板（透明基板）１１側から取り出されるボトムエミッション型の素子を構成している。しかし、第１の実施の形態が適用される有機発光素子１００と同様に、本実施形態の有機発光素子３００においても、金属電極層１５を反射性能を有する陽極（反射電極）とし、透明電極層１２を陰極として、基板１１の反対側から光が取り出されるトップエミッション型の素子を構成してもよい。
【００８０】
また、図１２に示す本実施の形態の有機発光素子３００では、透明電極層１２及び有機層１４（図２参照）からなる積層体の島部は、円柱形状、または金属電極層１５側に向かって先細りになるテーパ状の円錐台形状に形成されている。この島部の側面と、島部の基板１１側底面のなす内側（島部の内部側）の角度θ（傾斜角）は、４０°〜９０°が好ましく、４５°〜７５°がより好ましい。角度θが過度に大きい場合（島部が逆円錐台形状の場合）は、発光点から水平方向に近い方向に導波する光に対して、島部の側面で基板１１側へ屈折させる効果がなくなる。また、角度θが過度に小さい場合は、このような小さなテーパ角の製造が困難となる。
【００８１】
尚、第１の実施の形態が適用される有機発光素子１００と同様に、本実施の形態が適用される有機発光素子３００においても、有機層１４における透明電極層１２と接する面から、透明電極層１２上の有機層１４（発光領域の有機層の部分）に含まれる発光層の上面までの距離ｃの最小値が、誘電体層１３の透明電極層１２の上面の位置から誘電体層１３の凸部１３１の上面における最も上側の位置までの距離ａ以下（ｃ≦ａ）になるように形成されている。これにより、有機層１４中の発光層で発光し、有機層１４内を導波する光は、有機層１４と誘電体層１３との界面における光の屈折により、基板１１側から取り出すことができる。さらに、透明電極層１２上の有機層１４の膜厚の最小値ｄは、誘電体層１３の透明電極層１２の上面の位置から誘電体層１３の凸部１３１の上面における最も上側の位置までの距離ａ以下である（ｄ≦ａ）ように形成されている。これにより、有機層１４中の発光層から横方向に発する光がより確実に有機層１４と誘電体層１３の界面に入射するため、光の取り出し効率が向上する。
【００８２】
図１３は、第２の実施の形態が適用される有機発光素子の製造方法の一例を説明する図である。第１の実施の形態の図２と同じ構成については同じ符号を用い説明を省略する。
本実施の形態の有機発光素子３００の製造方法は、基本的には第１の実施に形態の有機発光素子１００と同様である。但し、第１の実施の形態とは透明電極層１２と誘電体層１３の海島の関係が逆であるため、透明電極層１２に凹部１６を形成するためのフォトレジストのマスクパターンとしては第１の実施の形態の場合とは海島の関係が逆のものを使用する。
透明電極層１２に凹部１６を形成する工程、続いて凹部１６に誘電体層１３を形成する工程を経て、図１３（ａ）に示すように、透明電極層１２の凹部１６を充填し、さらに透明電極層１２から突出して誘電体層１３が形成される（第１の実施の形態の図１０（ｆ）に相当する）。
続いて、透明電極層１２上に有機層１４と金属電極層１５を形成して有機発光素子３００を得る。
【００８３】
図１３（ｂ−１）と図１３（ｂ−２）は、誘電体層１３が透明電極層１２から突出する高さに比べて有機層１４を薄く形成した場合を示す。図１３（ｂ−１）は、基板１１上に、透明電極層１２及び有機層１４からなる積層体が島部を形成し、誘電体層１３が海部を形成した構造を示し、図１３（ｂ−２）はこの上に金属電極層１５を形成した構造を示す。この場合、誘電体層１３の上面と側面の一部が金属電極層１５と接触する構造となる。
【００８４】
また、図１３（ｃ−１）と図１３（ｃ−２）は、誘電体層１３が透明電極層１２から突出する高さに比べて有機層１４を厚く形成した場合を示す。図１３（ｃ−１）は、基板１１上に、透明電極層１２及び有機層１４からなる積層体が島部を形成し、誘電体層１３が海部を形成した構造を示し、図１３（ｃ−２）はこの上に金属電極層１５を形成した構造を示す。この場合、誘電体層１３の上面と側面は有機層１４に覆われ、金属電極層１５とは接触しない構造となる。
【００８５】
（第３の実施の形態）
図１４は、本実施の形態が適用される有機発光素子の第３の実施の形態を説明する図である。
本実施の形態が適用される有機発光素子４００は、基板１１と、基板１１上に形成された透明電極層１２と、誘電体層１３４を有している。尚、図１４では、発光層を含む有機層１４と、金属電極層１５を省略している。
図１４に示すように、本実施の形態では、透明電極層１２には複数の溝状の凹部１６が形成され、さらに、溝状の凹部１６を充填し、透明電極層１２の上面から突出して複数の棒状の誘電体層１３４が形成されている。ここで、本実施の形態では、複数の溝状の凹部１６は、透明電極層１２を貫通しないように形成されている。また、棒状の誘電体層１３４の側面の下側部分は、透明電極層１２の溝状の凹部１６の内側面に接触し、且つ誘電体層１３４の側面の上側部分は有機層（図示せず）に接触するように形成されている。
【００８６】
第１の実施形態が適用される有機発光素子１００と同様に、本実施の形態が適用される有機発光素子４００は、誘電体層１３４の屈折率ｎ１が、有機層１４の屈折率ｎ２より小さく（ｎ１＜ｎ２）なるように、且つ透明電極層１２の屈折率ｎ３より小さく（ｎ１＜ｎ３）なるように、各構成部分（透明電極層１２、誘電体層１３４、有機層１４）の材料が選択されている。
【００８７】
上記棒状の誘電体層１３４の側面と金属電極層１５側の底面（図１４では上面）のなす内側（棒状部の内部側）の角度θ（傾斜角）は、４０°〜９０°が好ましく、４５°〜７５°がより好ましい（棒状部の長手に直角方向の垂直断面が矩形状または逆台形状）。角度θが過度に大きい場合（棒状部の断面が台形状の場合）は、発光点から水平方向に近い方向に導波する光に対して、島部の側面で基板１１側へ屈折させる効果がなくなる。また、角度θが過度に小さい場合は、このような小さなテーパ角の製造が困難となる。
【００８８】
尚、図示しないが、第１の実施の形態が適用される有機発光素子１００と同様に、本実施の形態においても、有機層（図示せず）における透明電極層１２と接する面から、有機層に含まれる発光層の上面までの距離の最小値ｃが、誘電体層１３４の透明電極層１２の上面の位置から誘電体層１３４の上面における最も上側の位置までの距離ａ以下（ｃ≦ａ）になるように形成されている。
これにより、有機層１４中の発光層で発光し、有機層１４内を導波する光は、有機層１４と誘電体層１３４との界面における光の屈折により、基板１１側から取り出すことができる。
【００８９】
さらに、透明電極層１２上の有機層（図示せず）の膜厚の最小値ｄは、誘電体層１３４の透明電極層１２の上面の位置から誘電体層１３４の上面における最も上側の位置までの距離ａ以下である（ｄ≦ａ）ように形成されている。これにより、有機層１４中の発光層から横方向に発する光がより確実に有機層１４と誘電体層１３４の界面に入射するため、光の取り出し効率が向上する。
【００９０】
尚、本実施の形態が適用される有機発光素子を長期安定的に用い、且つ外部から保護するための保護層や保護カバーを装着することが好ましい。保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、窒化ケイ素、酸化ケイ素等を用いることができる。そして、これらの積層体も用いることができる。
また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属等を用いることができる。例えば、このような保護カバーを、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いて有機発光素子１００の基板１１と貼り合わせ、保護カバー内を密閉状態にすることが好ましい。また、この場合、スペーサーを用いることにより、保護カバー内に所定の空間を維持することが可能となり、発光部が傷つくのを防止できるため好ましい。
さらに、保護カバー内のこのような空間に、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを封入することにより、上側の金属電極層１５の酸化を防止しやすくなる。特に、ヘリウムは、他の不活性ガスと比較して熱伝導率が高いため、電圧印加時に発光装置から発生する熱を、保護カバーに効果的に伝えることができるため好ましい。また、酸化バリウム等の乾燥剤を保護カバー内のこの空間内に設置することにより、有機発光素子の製造過程で吸着される水分が発光装置に与えるダメージを抑制しやすくなる。
【００９１】
本実施の形態が適用される有機発光素子は、面発光光源に用いることができる。面発光光源としては、具体的には、電子写真装置、レジスト露光装置、読み取り装置、光通信システム等における光源、表示装置におけるバックライト、照明、インテリア照明等が挙げられる。
【実施例】
【００９２】
以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００９３】
（実施例１）
前述した図２（ｃ）に示す断面構造を有する有機発光素子を作製し、その後、発光強度を測定する。
先ず、石英ガラスからなる基板１１（２５ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍ）上に、スパッタ装置（キヤノンアネルバ株式会社製Ｅ−４０１ｓ）を用いて、透明電極層１２として酸化インジウムスズ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ膜）（屈折率１．９）を厚さ１２０ｎｍに成膜する。
【００９４】
次に、透明電極層１２を覆ってフォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製ＡＺ１５００）層をスピンコート法により厚さ約１μｍに成膜する。次に、石英（板厚３ｍｍ）を基材とし、円を六方格子状に配置したパターンに対応するマスクＡを作製し、ステッパー露光装置（株式会社ニコン製、型式ＮＳＲ−１５０５ｉ６）を用いて、１／５縮尺で露光を行う。次に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ：ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：（ＣＨ３）４ＮＯＨ）１．２％液により現像し、レジスト層をパターン化した後に、１３０℃で１０分間加熱する。
【００９５】
続いて、反応性イオンエッチング装置（サムコ株式会社製ＲＩＥ−２００ｉＰ）を用いて、塩素（Ｃｌ２）と四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）の混合ガスを反応ガスとして使用し、圧力１Ｐａ、バイアス出力／ＩＣＰ出力＝２００／１００（Ｗ）の条件でＩＴＯ膜のドライエッチング処理を５分間行う。このドライエッチング処理によって、透明電極層１２およびフォトレジスト層を貫通する凹部１６が形成される。凹部１６は直径０．５μｍの円柱状であり、透明電極層１２の全面に１μｍの周期で六方格子状に配列されている。
【００９６】
次に、凹部１６の内部およびフォトレジスト層の上部に、誘電体物質としてスピンオングラス（ＳＯＧ）（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカ（登録商標）ＮＬ１２０Ａ−１０、屈折率１．４）をスピンコート法により塗布成膜し、２５０℃で３０分間加熱乾燥する。次に、反応性イオンエッチング装置を用いて、反応ガスとしてＣＨＦ３を使用し、圧力０．３Ｐａ、バイアス出力／ＩＣＰ出力＝５０／１００（Ｗ）の条件で１分間反応させた後、フォトレジスト除去液によりフォトレジスト層およびフォトレジスト層上部のＳＯＧ層を除去する。これにより、透明電極層１２内に形成された凹部１６を埋め、凹部１６上部から透明電極層１２上面より８０ｎｍ突き出たＳＯＧからなる誘電体層１３が形成される。誘電体層１３は直径０．５μｍの円柱状であり、透明電極層１２の全面に１μｍの周期で六方格子状に配列されている。
【００９７】
次に、真空蒸着装置内において、透明電極層１２の上面およびＳＯＧからなる誘電体層１３の上面に、正孔輸送層（図示せず）、発光層（図示せず）および電子輸送層（図示せず）がこの順に積層されてなる有機層１４（屈折率１．７）を形成する。先ず、下記に示す化合物１を真空蒸着成膜し、２０ｎｍの正孔輸送層を形成する。さらに、正孔輸送層上に、化合物２と化合物３を、質量比１０：９０で共蒸着することにより厚さ２０ｎｍの発光層を形成し、その後、発光層上に化合物４を蒸着することにより、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成する。有機層１４の厚さは６０ｎｍである。
【００９８】
次に、有機層１４上に、陰極バッファ層としてフッ化ナトリウム（４ｎｍ）を、さらに金属電極層１５としてアルミニウム（１５０ｎｍ）を順に真空蒸着法により成膜し、有機発光素子を作製する。
【００９９】
作製した有機発光素子の断面は、電子顕微鏡により観察される。本実施例では、ＳＯＧからなる誘電体層１３の側面と金属電極層１５が、誘電体層１３の最上部から２０ｎｍの範囲でほぼ接している。また、有機発光素子の発光強度は、有機発光素子に定電圧電源電流計（ケイスレーインスツルメンツ株式会社製ＳＭ２４００）を用いて段階的に電圧を印加し、輝度計（株式会社トプコン製ＢＭ−９）により計測する。
本実施例では、作製した有機発光素子の、電流密度に対する発光強度の比から求めた外部発光量子効率は１１．４％である。
【０１００】
【化１】
2015011893.tif 000003
【０１０１】
【化２】
2015011893.tif 000004
【０１０２】
（実施例２）
前述した図８（ｂ）に示す断面構造を有する有機発光素子を作製し、その後、発光強度を測定する。
実施例１と同様の操作により、先ず、基板１１上に透明電極層１２としてＩＴＯ膜（厚さ１２０ｎｍ）を形成した後、フォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層に実施例１と同じパターンを形成する。
【０１０３】
次に、反応性イオンエッチング装置を用いて、エッチングガスとしてアルゴンガスを使用し、圧力１Ｐａ、バイアス出力／ＩＣＰ出力＝２００／１００（Ｗ）の条件でＩＴＯ膜のドライエッチング処理を５分間行う。このドライエッチング処理によって、透明電極層１２およびフォトレジスト層を貫通する凹部１６２が形成される。凹部１６２の断面形状は、フォトレジスト層上面側がテーパ状に広がる円錐台形状であり、透明電極層１２の全面に１μｍの周期で六方格子状に配列されている。
【０１０４】
次に、凹部１６２の内部およびフォトレジスト層の上部に、実施例１と同様にＳＯＧをスピンコート法により塗布成膜し、２５０℃で３０分間加熱乾燥する。次に、反応性イオンエッチング装置を用いて、反応ガスとしてＣＨＦ３を使用し、圧力０．３Ｐａ、バイアス出力／ＩＣＰ出力＝５０／１００（Ｗ）の条件で１分間反応させた後、フォトレジスト除去液によりフォトレジスト層およびフォトレジスト層上部のＳＯＧ層を除去する。これにより、透明電極層１２内に形成されている凹部１６２を埋め、凹部１６２上部から透明電極層１２上面より高さ８０ｎｍの凸部１３２が突き出たＳＯＧからなる誘電体層１３が形成される。誘電体層１３の断面形状は、は上部が広がった円錐台形状であり、上部の円の直径は０．６３μｍ、下部の円の直径は０．４０μｍであり、透明電極層１２の全面に１μｍの周期で六方格子状に配列されている。
また、透明電極層１２面に対して垂直な面に対する誘電体層１３の断面形状は、上部が広がった等脚台形であり、この台形の側辺と上側の底辺とのなす内角（テーパ角）は約６０°である。
【０１０５】
次に、実施例１と同様にして有機層１４、陰極バッファ層（図示せず）、および金属電極層１５を順に積層して有機発光素子を作製する。
実施例１と同様に、作製した有機発光素子の断面を電子顕微鏡により観察する。本実施例では、ＳＯＧからなる誘電体層１３の側面と金属電極層１５が、誘電体層１３の最上部から１０ｎｍの範囲でほぼ接している。
また、本実施例では、作製した有機発光素子の、電流密度に対する発光強度の比から求めた外部発光量子効率は１４．９％である。
【０１０６】
（比較例１）
前述した図２（ｃ）に示す断面構造において、誘電体層１３の凸部１３１を有しない有機発光素子（図１５）を作製し、その後、発光強度を測定する。
図１５は、比較例１において作製した有機発光素子を説明する図である。図２（ｃ）と同じ構成については同じ符号を使用し、その説明は省略する。
実施例１と同様の操作により、先ず、基板１１上に透明電極層１２としてＩＴＯ膜（厚さ１２０ｎｍ）を形成した後、フォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層に実施例１と同じパターンを形成する。
【０１０７】
次に、反応性イオンエッチング装置を用いて、塩素（Ｃｌ２）と四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）の混合ガスを反応ガスとして使用し、圧力１Ｐａ、バイアス出力／ＩＣＰ出力＝２００／１００（Ｗ）の条件でＩＴＯ膜のドライエッチング処理を５分間行う。次に、フォトレジスト除去液によりフォトレジスト層を除去すると、透明電極層１２を貫通する凹部１６が形成される。凹部１６は直径０．５μｍの円柱状であり、透明電極層１２の全面に１μｍの周期で六方格子状に配列されている。
【０１０８】
次に、凹部１６が形成された透明電極層１２の全面に、実施例１と同様にＳＯＧをスピンコート法により塗布成膜し、２５０℃で３０分間加熱乾燥し、凹部１６の内部および透明電極層１２上部にＳＯＧ層を形成する。次に、反応性イオンエッチング装置を用いて、反応ガスとしてＣＨＦ３を使用し、圧力０．３Ｐａ、バイアス出力／ＩＣＰ出力＝５０／１００（Ｗ）の条件で２分間反応させて透明電極層１２を露出させる。これにより凹部１６にＳＯＧからなる誘電体層１３が充填された透明電極層１２が形成される。
【０１０９】
続いて、実施例１と同様の操作により、有機層１４、陰極バッファ層（図示せず）、および金属電極層１５を順に積層して、有機発光素子を作製する。本比較例における有機発光素子の、電子顕微鏡観察による断面構造は、透明電極層１２の凹部１６にＳＯＧが充填され、有機層１４側に突出する凸部を有しない。
また、本比較例では、作製した有機発光素子の、電流密度に対する発光強度の比から求めた外部発光量子効率は８．０％に止まる。
【０１１０】
（比較例２）
前述した図２（ｃ）に示す断面構造において、透明電極層１２が平坦構造（凹部１６が形成されない）を有し、さらに、透明電極層１２上に形成される誘電体層１３の上部１３６が、有機層１４の表面から突出し、誘電体層１３の側面の一部と上面が金属電極層１５と接するように有機発光素子（図１６）を作製し、その後、発光強度を測定する。
図１６は、比較例２において作製した有機発光素子を説明する図である。図２（ｃ）と同じ構成については同じ符号を使用し、その説明は省略する。
先ず、実施例１と同様の操作により、基板１１上に透明電極層１２としてＩＴＯ膜（厚さ１２０ｎｍ）を形成した後、フォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層に実施例１と同じパターンを形成する。
【０１１１】
次に、パターンが形成されたフォトレジスト層の全面に、実施例１と同様にＳＯＧをスピンコート法により塗布成膜し、２５０℃で３０分間加熱乾燥する。次いで、反応性イオンエッチング装置を用いて、反応ガスとしてＣＨＦ３を使用し、圧力０．３Ｐａ、バイアス出力／ＩＣＰ出力＝５０／１００（Ｗ）の条件で２分間反応させ、ドライエッチング処理を行う。次にフォトレジスト除去液によりフォトレジスト層を除去することにより、透明電極層１２上にＳＯＧからなる誘電体層１３が形成される。誘電体層１３は直径０．５μｍ、高さ８０ｎｍの円柱状であり、透明電極層１２の全面に１μｍの周期で六方格子状に配列されている。
【０１１２】
次に、実施例１と同様の操作により、有機層１４、陰極バッファ層（図示せず）、および金属電極層１５を順に積層して有機発光素子を作製する。
本比較例における有機発光素子の、電子顕微鏡観察による断面構造は、ＳＯＧからなる誘電体層１３の側面と金属電極層１５が、誘電体層１３の最上部から２０ｎｍの範囲で接している。
また、本比較例では、作製した有機発光素子の、電流密度に対する発光強度の比から求めた外部発光量子効率は６．１％に止まる。
【符号の説明】
【０１１３】
１００，１０１，１０２，２００，３００，４００…有機発光素子、１１…基板、１２…透明電極層、１３，１３４…誘電体層、１３Ａ，１３Ｂ…界面、１４…有機層、１５…金属電極層、２１…フォトレジスト層、１６，１６２，１６５…凹部、１３１，１３２，１３３…凸部、１３５…誘電体物質層、１３６…上部、１４０…発光点（発光箇所）、１４５…発光層、１５０，１５１，Ａ，Ｂ…光
【図１】
2015011893.tif 000005
【図２】
2015011893.tif 000006
【図３】
2015011893.tif 000007
【図４】
2015011893.tif 000008
【図５】
2015011893.tif 000009
【図６】
2015011893.tif 000010
【図７】
2015011893.tif 000011
【図８】
2015011893.tif 000012
【図９】
2015011893.tif 000013
【図１０】
2015011893.tif 000014
【図１１】
2015011893.tif 000015
【図１２】
2015011893.tif 000016
【図１３】
2015011893.tif 000017
【図１４】
2015011893.tif 000018
【図１５】
2015011893.tif 000019
【図１６】
2015011893.tif 000020