(57)【要約】【課題】データ信号を精度良く生成する駆動回路部を備えた電気光学装置を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置１００（電気光学装置）は、画素部１２と、入力される階調信号に応じて画素部を駆動する駆動回路部３０と、第１電圧が供給される階調電源線５１と、を備え、駆動回路部３０は、階調信号の階調値が特定階調値でない場合に階調信号をデータ電圧に変換するアンプ６１（変換部）と、階調信号の階調値が特定階調値である場合に第１電圧を出力する第１状態と、階調信号の階調値が特定階調値でない場合には変換部から出力されるデータ電圧を出力する第２状態と、を切り替える選択スイッチ６２（切り替え部）と、を備える。【選択図】図３
2015135454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、入力される階調信号に応じて前記画素部を駆動する駆動回路部と、第１電圧が供給される階調電源線と、を備え、
前記駆動回路部は、
前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合に前記階調信号をデータ電圧に変換する変換部と、
前記階調信号の階調値が特定階調値である場合に前記第１電圧を出力する第１状態と、前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合には前記変換部から出力される前記データ電圧を出力する第２状態と、を切り替える切り替え部と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記特定階調値は、最小階調値であり、前記第１電圧は、前記変換部の最大出力電圧よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記特定階調値は、最大階調値であり、前記第１電圧は、前記変換部の最小出力電圧よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１電圧は、前記変換部の電源電圧として使用されることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記階調信号の階調値が特定階調値である場合に前記変換部の出力を最小値にすることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
画素部と、入力される階調信号に応じて前記画素部を駆動する駆動回路部と、第１電圧が供給される階調電源線と、を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記駆動回路部は、
前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合に前記階調信号をデータ電圧に変換して出力し、前記階調信号の階調値が特定階調値である場合には前記第１電圧を出力することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器および電気光学装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の一種である有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode）を備えた電気光学装置が、下記の特許文献１に開示されている。以下、有機発光ダイオードをＯＬＥＤと称する。特許文献１の構成では、電気光学装置にプリント配線基板が接続され、プリント配線基板上に半導体チップからなる制御回路が実装されている。制御回路は、同期信号に従って各種の制御信号を生成するとともに、デジタルの画像データをアナログのデータ信号に変換し、これらの信号を電気光学装置に向けて出力する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−０８８６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のデータ信号回路は、デジタル−アナログ変換回路（Digital to Analog Converter）とアンプとを備えることが多い。以下、デジタル−アナログ変換回路をＤＡＣと称する。その場合、データ信号は、ＤＡＣの出力をアンプで増幅することにより生成される。アンプからの出力を安定させるためには、アンプにおいて電気光学装置の電源電圧よりも狭い範囲の電圧を使う必要がある。ところが、データ信号回路が狭い範囲の電圧を細かく刻むことで全ての階調値に対応するデータ信号を精度良く生成するのは難しい。データ信号の精度が低いと、表示品位が低下する問題がある。また、データ信号を精度良く生成可能なデータ信号回路を実現しようとすると、回路の規模が大きくなる問題がある。
【０００５】
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであって、データ信号を精度良く生成する駆動回路部を備え、表示品位に優れた電気光学装置を提供することを目的の一つとする。本発明の一つの態様は、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を提供することを目的の一つとする。本発明の一つの態様は、データ信号を精度良く生成する電気光学装置の駆動方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の一つの態様の電気光学装置は、画素部と、入力される階調信号に応じて前記画素部を駆動する駆動回路部と、第１電圧が供給される階調電源線と、を備え、前記駆動回路部は、前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合に前記階調信号をデータ電圧に変換する変換部と、前記階調信号の階調値が特定階調値である場合に前記第１電圧を出力する第１状態と、前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合には前記変換部から出力される前記データ電圧を出力する第２状態と、を切り替える切り替え部と、を備える。
【０００７】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、変換部は、階調信号の階調値が特定階調値でない場合に階調信号をデータ電圧に変換し、切り替え部は、階調信号の階調値が特定階調値である場合に第１電圧を出力する第１状態と、階調信号の階調値が特定階調値でない場合には変換部から出力されるデータ電圧を出力する第２状態と、を切り替える。これにより、変換部から出力されるデータ電圧以外の電圧である第１電圧をデータ電圧として用いることができる。そのため、データ電圧の階調毎の刻み幅を、第１電圧を用いない場合に比べて大きくできる。その結果、階調値に対応するデータ信号を精度良く生成でき、表示品位に優れた電気光学装置を提供できる。
【０００８】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、前記特定階調値は最小階調値であってもよく、その場合、前記第１電圧は前記変換部の最大出力電圧よりも大きくてもよい。
この構成によれば、特定階調値が最小階調値である場合、変換部の最大出力電圧を上回る第１電圧をデータ電圧として用いることができるため、データ電圧として使える電圧の範囲を広げることができる。これにより、データ電圧の階調毎の刻み幅を大きくできる。
【０００９】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、前記特定階調値は最大階調値であってもよく、その場合、前記第１電圧は前記変換部の最小出力電圧よりも小さくてもよい。
この構成によれば、特定階調値が最大階調値である場合、変換部の最小出力電圧を下回る第１電圧をデータ電圧として用いることができるため、データ電圧として使える電圧の範囲を広げることができる。これにより、データ電圧の階調毎の刻み幅を大きくできる。
【００１０】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、前記第１電圧は、前記変換部の電源電圧として使用される構成であってもよい。
この構成によれば、変換部の電源電圧を第１電圧として利用することができ、特定階調値に対応するデータ電圧とするための特別な電圧を準備する必要がない。
【００１１】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、前記階調信号の階調値が特定階調値である場合に前記変換部の出力を最小値にする構成であってもよい。
階調信号の階調値が特定階調値である場合には変換部の出力は不要であるため、この際に変換部の出力を最小値にすれば、電気光学装置の消費電力を低減できる。
【００１２】
本発明の一つの態様の電子機器は、本発明の一つの態様の電気光学装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を実現できる。
【００１３】
本発明の一つの態様の電気光学装置の駆動方法は、画素部と、入力される階調信号に応じて前記画素部を駆動する駆動回路部と、第１電圧が供給される階調電源線と、を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記駆動回路部は、前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合に前記階調信号をデータ電圧に変換して出力し、前記階調信号の階調値が特定階調値である場合には前記第１電圧を出力することを特徴とする。
この構成によれば、これにより、データ電圧以外の電圧である第１電圧をデータ電圧として用いることができるため、データ電圧の階調毎の刻み幅を、第１電圧を用いない場合に比べて大きくできる。その結果、階調値に対応するデータ信号を精度良く生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置の平面図である。
【図２】電気光学装置を構成する画素の等価回路図である。
【図３】電気光学装置の概略構成を示すブロック図である。
【図４】データ線駆動回路の等価回路図である。
【図５】本実施形態の原理を説明するための図である。
【図６】本発明の第２実施形態のデータ線駆動回路の等価回路図である。
【図７】電子機器の一例である頭部装着型表示装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図１〜図５を用いて説明する。
本実施形態の電気光学装置は、有機材料からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence, 以下、ＥＬと略記する）装置の一例である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
【００１６】
図１は、有機ＥＬ装置１００の平面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板１０上に形成した有機ＥＬ装置である。基板１０は、シリコン等の半導体材料で形成された板状部材（半導体基板）であり、複数の発光素子を形成する基材として利用される。
【００１７】
図１に示すように、基板１０の表面には、画素部１２と周辺領域１４と実装領域１６とが設けられている。画素部１２は、複数の画素Ｐを有する矩形状の領域である。画素部１２には、Ｘ方向に延在する複数の走査線２２と、複数の走査線２２に対応してＸ方向に延在する複数の制御線２４と、Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数のデータ線２６と、が形成されている。複数の画素Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列される。画素Ｐは、互いに隣り合う２本の走査線２２と互いに隣り合う２本のデータ線２６とによって囲まれた領域であってもよい。
【００１８】
周辺領域１４は、画素部１２を囲む矩形枠状の領域である。駆動回路部３０は、周辺領域１４に設けられている。駆動回路部３０は、画素部１２内の複数の画素Ｐを駆動する回路である。駆動回路３０は、２つの走査線駆動回路３２とデータ線駆動回路３４とを含む。有機ＥＬ装置１００は、基板１０の表面に直接形成されたトランジスター等の能動素子によって駆動回路３０が構成される回路内蔵型の表示装置である。なお、画像表示に直接寄与しないダミー画素が周辺領域１４内に形成されていてもよい。
【００１９】
実装領域１６は、周辺領域１４を挟んで画素部１２とは反対側（すなわち周辺領域１４の外側）の領域に設けられている。実装領域１６には、複数の実装端子３８が配列されている。制御信号や電源電位は、制御回路や電源回路等の各種の外部回路（図示略）から実装端子３８に供給される。外部回路は、例えば実装領域１６に接合されたフレキシブル配線基板（図示略）に実装される。
【００２０】
図２は、画素部１２内の１つの画素（画素回路）Ｐの回路図である。
図２に示すように、画素Ｐは、発光素子４５、駆動トランジスターＴDR、発光制御トランジスターＴEL、選択トランジスターＴSL、および容量素子Ｃを備える。なお、本実施形態では、画素Ｐのトランジスター（ＴDR，ＴEL，ＴSL）をＰチャネル型のトランジスターで構成するが、Ｎチャネル型のトランジスターで構成することも可能である。
【００２１】
発光素子４５は、有機ＥＬ材料の発光層を含む有機層４６を第１画素電極（陽極）Ｅ1と共通電極（陰極）Ｅ2との間に介在させた電気光学素子である。第１画素電極Ｅ1は画素Ｐ毎に個別に形成され、共通電極Ｅ2は複数の画素Ｐにわたって連続して形成される。図２に示すように、発光素子４５は、第１電源線４１と第２電源線４２とを結ぶ電流経路上に配置される。第１電源線４１は、高電位側の電源電位ＶELが供給される電源配線である。第２電源線４２は、低電位側の電源電位ＶCTが供給される電源配線である。
【００２２】
駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとは、第１電源線４１と第２電源線４２とを結ぶ電流経路上において発光素子４５に対して直列に接続されている。具体的には、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの一方（ソース）は第１電源線４１に接続されている。発光制御トランジスターＴELは、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの他方（ドレイン）と発光素子４５の第１画素電極Ｅ1との導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。駆動トランジスターＴDRは、自身のゲート−ソース間の電圧に応じた電流量に相当する駆動電流を生成する。
【００２３】
発光制御トランジスターＴELがオン状態に制御された状態では、駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給される。このとき、発光素子４５は、駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。発光制御トランジスターＴELがオフ状態に制御された状態では、発光素子４５に対する駆動電流の供給が遮断される。このとき、発光素子４５は消灯する。発光制御トランジスターＴELのゲートは、制御線２４に接続されている。
【００２４】
図２に示す選択トランジスターＴSLは、データ線２６と駆動トランジスターＴDRのゲートとの導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。選択トランジスターＴSLのゲートは走査線２２に接続されている。容量素子Ｃは、第１容量電極Ｃ1と第２容量電極Ｃ２との間に誘電体を介在させた静電容量である。第１容量電極Ｃ1は、駆動トランジスターＴDRのゲートに接続されている。第２容量電極Ｃ２は、第１電源導電体４１（駆動トランジスターＴDRのソース）に接続されている。容量素子Ｃは、駆動トランジスターＴDRのゲート−ソース間の電圧を保持する。
【００２５】
図１に示すデータ線駆動回路３４は、外部回路から供給される階調信号（画像信号）を、画素Ｐ毎に指定する階調に応じた階調電位（データ信号の電位）として、書込期間（水平走査期間）毎に複数のデータ線２６に対して並列に供給する。他方、走査線駆動回路３２は、複数の走査線２２の各々に走査信号を供給することにより、複数の走査線２２の各々を書込期間毎に順次選択する。走査線駆動回路３２が選択した走査線２２に対応する画素Ｐの選択トランジスターＴSLは、オン状態に遷移する。このとき、各画素Ｐの駆動トランジスターＴDRのゲートに、データ線２６と選択トランジスターＴSLとを経由して階調電位が供給され、階調電位に応じた電圧が容量素子Ｃに保持される。
【００２６】
他方、書込期間での走査線２２の選択が終了すると、走査線駆動回路３２は、各制御線２４に制御信号を供給することにより、当該制御線２４に対応する画素Ｐの発光制御トランジスターＴELをオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流は、駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給される。以上のように、発光素子４５が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が画素部１２に表示される。
【００２７】
図３は、有機ＥＬ装置１００の概略構成を示すブロック図である。
図４は、データ線駆動回路３４の構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、画素部１２と、駆動回路部３０と、階調電源線５１と、電源回路５２と、インターフェース５３と、を備えている。画素部１２には、ｍ（ｍ：自然数）行の走査線２２が一方向に延在して設けられ、３列毎にグループ化された３ｎ（ｎ：自然数）列のデータ線２６が走査線２２と直交して設けられている。そのため、画素部１２の画素回路は、縦ｍ行×横３ｎ列のマトリクス状に配列されている。駆動回路部３０は、入力される階調信号（データ信号）に応じて画素部１２の各画素回路を駆動する。階調電源線５１には、後述する第１電圧が供給される。駆動回路部３０は、走査線駆動回路３２と、データ線駆動回路３４と、を備えている。走査線駆動回路３２は、シフトレジスタ５５と、バッファ５６と、を備えている。
【００２８】
データ線駆動回路３４は、シフトレジスタおよびラッチ５８を含む制御ロジック回路５９と、ＤＡＣ６０と、アンプ６１と、アンプ／階調電源選択スイッチ６２と、デマルチプレクサ６３と、を備えている。以下の説明では、アンプ／階調電源選択スイッチ６２を単に選択スイッチと称する。
本実施形態の「アンプ６１」は、特許請求の範囲の「変換部」に対応する。本実施形態の「アンプ／階調電源選択スイッチ６２」は、特許請求の範囲の「切り替え部」に対応する。
【００２９】
制御ロジック回路５９には、同期信号と同期してデータ信号（階調信号）が供給される。同期信号には、例えば垂直同期信号、水平同期信号、ドットクロック信号、等が含まれる。階調信号は、表示すべき画像の画素毎の階調値を例えば８ビットで規定する。また、制御ロジック回路５９は、同期信号に従って各種の制御信号を生成する。ＤＡＣ６０は、デジタルの階調信号をアナログのデータ信号に変換する。
【００３０】
アンプ６１は、ＤＡＣ６０の出力を増幅してデータ信号を生成し、後段のマルチプレクサ６３に向けて出力するものである。アンプ６１においては、出力を安定させるために画素部１２に供給する電源電圧よりも狭い範囲の電圧を使用する。
【００３１】
図４に示すように、選択スイッチ６２は、列毎に設けられた一対のトランスミッションゲート６４，６５で構成されている。選択スイッチ６２は、階調信号の階調値に応じて、いずれか一方のトランスミッションゲートをオン状態とし、他方のトランスミッションゲートをオフ状態とすることにより、アンプ６１からの出力であるデータ電圧、階調電源線５１からの出力である第１電圧のいずれか一方を選択する。
【００３２】
具体的な手順としては、制御ロジック回路５９は、入力された階調信号をラッチした際に階調値が特定階調値であるか否かを判断し、判断結果を選択スイッチ６２に出力する。選択スイッチ６２は、入力された階調信号の階調値が特定階調値である場合に第１電圧を出力する第１状態と、階調信号の階調値が特定階調値でない場合にはアンプ６１から出力されるデータ電圧を出力する第２状態と、を切り替える。本実施形態においては、特定階調値は最小階調値の０階調である。
【００３３】
デマルチプレクサ６３は、列毎に設けられたトランスミッションゲート６６で構成されている。デマルチプレクサ６３は、画素部１２における各グループを構成する３列の画素Ｐに対してデータ信号を順番に供給する。図４に示すように、例えばｎ番目のグループに属する（３ｎ）、（３ｎ＋１）、（３ｎ＋２）列に対応したトランスミッションゲート６６の入力端は互いに共通接続され、その共通端子にアンプ６１の出力端が接続される。本実施形態では、デマルチプレクサ６３を構成するトランスミッションゲート６６の入力端とアンプ６１の出力端との間に、選択スイッチ６２を構成する一対のトランスミッションゲート６４，６５が列毎に設けられている。
【００３４】
トランスミッションゲート６７が、デマルチプレクサ６３と画素部１２との間に列毎に接続されている。
【００３５】
図５の左側の図は、ガンマ値が２．２のときの輝度−階調特性を示すグラフである。グラフの横軸は階調値（０〜２５５階調）であり、縦軸は最大階調値（白表示に対応）の輝度を１としたときの輝度比である。
階調値が相対的に小さい領域では、階調値の変化に対する輝度比の変化率が大きい。言い換えると、輝度比は階調値の変化に対して離散的である。一方、階調値が相対的に大きい領域では、階調値の変化に対する輝度比の変化率が小さい。言い換えると、輝度比は階調値の変化に対して連続的である。
【００３６】
図５の右側の図は、データ電圧−電流特性を示すグラフである。グラフの横軸はデータ電圧であり、縦軸は電流である。
上述したように、アンプ６１においては、画素部１２に供給する電源電圧範囲よりも狭い範囲の電圧を出力する。ここで、図に示すように、アンプ６１に供給する電源電圧をＶＨ、アンプ６１の最大出力電圧をＶdata-max、アンプ６１の最小出力電圧をＶdata-minとしたとき、これらの大小関係は、Ｖdata-min＜Ｖdata-max＜ＶＨ、となる。また、０階調での電流値をＩbk（黒表示に対応）、２５５階調での電流値をＩwh（白表示に対応）と表示する。
【００３７】
従来は、全ての階調値についてアンプの最大出力電圧Ｖdata-maxと最小出力電圧Ｖdata-minとの間を細かく刻んで階調値毎のデータ電圧を生成していた。この場合、特に階調値が相対的に大きい領域ではデータ電圧−電流特性曲線の傾きが急峻であるため、１階調あたりのデータ電圧幅が小さくなる。そのため、各階調値に対応するデータ信号を精度良く生成するのが難しい。また、微小な電圧差を精度良く生成できる回路を実現しようとすると、回路の規模が大きくなるという欠点を有していた。
【００３８】
これに対して、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の場合、選択スイッチ６２は、階調信号の階調値が０階調である場合に第１電圧、すなわちアンプ６１に供給する電源電圧ＶＨを出力する第１状態に切り替える。具体的には、階調信号の階調値が０階調である場合、選択スイッチ６２は、一対のトランスミッションゲート６４，６５のうち、右側のトランスミッションゲート６５を選択的にオン状態とし、図４の破線の矢印Ｂで示すように、階調電源線５１から供給されたアンプ６１の電源電圧ＶＨをデマルチプレクサ６３に出力する。
【００３９】
一方、選択スイッチ６２は、階調信号の階調値が０階調以外の階調値である場合にはアンプ６１から出力されるデータ電圧を出力する第２状態に切り替える。具体的には、階調信号の階調値が０階調以外の階調値である場合、選択スイッチ６２は、一対のトランスミッションゲート６４，６５のうち、左側のトランスミッションゲート６４を選択的にオン状態とし、図４の実線の矢印Ａで示すように、アンプ６１から供給されたデータ電圧をデマルチプレクサ６３に出力する。
【００４０】
選択スイッチ６２が以上のような選択動作を行うことにより、図５の右側の図に示すように、階調信号の階調値が０階調のときのデータ電圧がＶＨ、階調信号の階調値が１階調のときのデータ電圧がＶdata-max（もしくはＶdata-maxよりもわずかに小さい値）となる。階調値が２〜２５５階調の場合はＶdata-max〜Ｖdata-minの範囲を微小な幅で刻んだときの個々の電圧となる。その結果、本実施形態の有機ＥＬ装置１００においては、特に階調値が相対的に大きい領域ではデータ電圧−電流特性曲線の傾きが従来に比べてなだらかになり、１階調あたりのデータ電圧幅を従来よりも大きくできる。これにより、全ての階調値に対応するデータ信号を精度良く生成でき、表示品位に優れた有機ＥＬ装置を実現できる。
【００４１】
なお、階調信号の階調値が特定階調値、例えば０階調である場合にアンプ６１の出力を最小値にする構成であってもよい。上述したように、階調信号の階調値が特定階調値である場合にはアンプ６１の出力は不要である。そのため、この際にアンプ６１の出力を最小値にすれば、有機ＥＬ装置１００の消費電力を低減できる。
【００４２】
第１実施形態の有機ＥＬ装置１００は、発光素子４５が高精細に配置された表示装置、いわゆるマイクロディスプレイに好適なものである。マイクロディスプレイにおいて、例えば１個の発光素子４５の面積（１個の開口部の面積）は４０μｍ2以下に設定されている。行方向に相互に隣り合う各発光素子４５のピッチは５μｍ以下に設定されている。発光素子４５間の間隔は１〜２μｍの範囲に設定されている。発光素子を構成する有機層の膜厚は１００〜１３０ｎｍ程度である。発光素子４５間の間隔、すなわち、隣り合う画素領域間の間隔は、有機層の膜厚の２０倍以下程度である。
【００４３】
この種のマイクロディスプレイにおいては、データ電圧−電流特性曲線の傾きが通常のディスプレイに比べてさらに急峻である。したがって、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００のように、特定階調値に対してアンプ６１の電源電圧ＶＨを用いることによりデータ電圧−電流特性曲線の傾きをなだらかにする構成が特に有効である。
【００４４】
［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態について、図６を用いて説明する。
第２実施形態の有機ＥＬ装置の基本構成は第１実施形態と同様であり、レベルシフト回路を備えた点が異なる。
図６において、第１実施形態で用いた図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００４５】
図６に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置において、画素部１２とデマルチプレクサ６３との間に、容量カップリング方式のレベルシフト回路７０が設けられている。レベルシフト回路７０は、トランスミッションゲート７１，７２と保持容量７３とを備えている。レベルシフト回路７０は、トランスミッションゲート６７の出力端から出力されるデータ信号の電位をシフトする。その他の構成は、第１実施形態と同様である。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置に、特開２０１３−０８８６１１号公報に記載された種々の画素回路やデータ線駆動回路を組み合わせてもよい。
【００４６】
本実施形態の有機ＥＬ装置は容量カップリング方式のレベルシフト回路７０を備えているため、第１実施形態の有機ＥＬ装置に比べて、データ電圧の階調毎の刻み幅がさらに小さくなる傾向にある。そのため、特定階調値に対してアンプ６１の電源電圧ＶＨを用いることによりデータ電圧−電流特性曲線の傾きをなだらかにする構成が特に有効である。
【００４７】
［電子機器］
上述の各実施形態に例示した有機ＥＬ装置は、各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図７には、各実施形態に例示した有機ＥＬ装置を利用した頭部装着型の表示装置９０（HMD：Head Mounted Display）が電子機器として例示されている。
【００４８】
表示装置９０は、人間の頭部に装着可能な電子機器であり、使用者の左眼に重なる透過部（レンズ）９２Lと、使用者の右眼に重なる透過部９２Rと、左眼用の発光装置１００Lおよびハーフミラー９４Lと、右眼用の発光装置１００Rおよびハーフミラー９４Rと、を備える。発光装置１００L、１００Rとして、各実施形態に例示した有機ＥＬ装置を用いることができる。
【００４９】
発光装置１００Lと発光装置１００Rとは、射出光が相互に反対の方向に進行するように配置される。左眼用のハーフミラー９４Lは、透過部９２Lの透過光を使用者の左眼側に透過させるとともに、発光装置１００Lからの射出光を使用者の左眼側に反射させる。同様に、右眼用のハーフミラー９４Rは、透過部９２Rの透過光を使用者の右眼側に透過させるとともに、発光装置１００Rからの射出光を使用者の右眼側に反射させる。
【００５０】
したがって、使用者は、透過部９２Lおよび透過部９２Rを介して観察される像と、各発光装置１００による表示画像と、を重畳した画像を知覚する。また、相互に視差が付与された立体視画像（左眼用画像および右眼用画像）を発光装置１００Lと発光装置１００Rとに表示させることで、使用者に表示画像の立体感を知覚させることが可能である。
【００５１】
なお、各実施形態の有機ＥＬ装置が適用される電子機器は、図７の表示装置９０に限定されない。例えば、ビデオカメラやスチルカメラ等の撮像装置に利用される電子式ビューファインダー（EVF：Electronic View Finder）にも各実施形態の有機ＥＬ装置が好適に利用される。また、携帯電話機、携帯情報端末（スマートフォン）、テレビやパーソナルコンピューター等のモニター、カーナビゲーション装置等の各種の電子機器に各実施形態の有機ＥＬ装置を採用することができる。
【００５２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記の実施形態では、階調信号の階調値が０階調のときのデータ電圧としてアンプの最大出力電圧Ｖdata-maxよりも高い電源電圧ＶＨを用いる例を示したが、この構成に代えて、特定階調値が最大階調値である場合に階調電源線からの第１電圧としてアンプの最小出力電圧よりも小さい電圧を用いてもよい。例えば第１実施形態に即して言えば、階調信号の階調値が２５５階調のときのデータ電圧としてアンプの最小出力電圧Ｖdata-minよりも低い電圧を用いてもよい。
【００５３】
特定階調値は、必ずしも最小階調値（例えば０階調）や最大階調値（例えば２５５階調）でなくてもよく、中間の階調値であってもよい。
上記の実施形態では、特定階調値が１つだけの例を示したが、特定階調値は複数存在していてもよい。例えば階調信号の階調値が０階調、１階調、２階調の３つの場合に階調電源線から供給される電圧を用いるなどの構成であってもよい。
【００５４】
その他、有機ＥＬ装置の各構成要素の具体的な構成は、適宜変更が可能である。
また、上記の実施形態では有機ＥＬ装置の例を示したが、有機ＥＬ装置以外にも液晶表示装置、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電気泳動装置等の電気光学装置に本発明が適用できる。
【符号の説明】
【００５５】
１２…画素部、３０…駆動回路部、５１…階調電源線、６１…アンプ（変換部）、６２…アンプ／階調電源選択スイッチ（切り替え部）、９０…表示装置（電子機器）、１００…有機ＥＬ装置（電気光学装置）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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