(57)【要約】  ここに記載されているのは、表面実装可能半導体素子（１００）を製造する方法であって、少なくとも以下のステップを有する。  −  プラスチック材料によって構成される補助支持体（１）を準備するステップと、  −  少なくとも１つの挿入部（４）と、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分（３）とを補助支持体（１）の取り付け面（１１）に載置するステップと、  −  オプトエレクトロニクス構成部分（３）および挿入部（４）を共通の１つの成形体（５）によって包囲するステップと、  −  成形体（５）により、オプトエレクトロニクス構成部分（３）および挿入部（４）を形状結合的に少なくとも部分的に覆うステップとを有しており、  −  オプトエレクトロニクス構成部分（３）と挿入部（４）とは互いに直接接触接続しておらず、  −  オプトエレクトロニクス構成部分（３）と挿入部（４）とを成形体（５）によって機械的に互いに接続させ、  −  補助支持体（１）を除去するステップと、  −  成形体（５）を切断することにより、個々の表面実装可能半導体素子（１００）を作製する。
2013536568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装可能半導体素子（１００）を製造する方法であって、
少なくとも以下のステップ、すなわち、
−  プラスチック材料によって構成される補助支持体（１）を準備するステップと、
−  少なくとも１つの挿入部（４）と、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分（３）とを前記補助支持体（１）の取り付け面（１１）に載置するステップと、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記挿入部（４）を共通の１つの成形体（５）によって包囲するステップと、
−  前記成形体（５）により、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記挿入部（４）を少なくとも部分的に形状結合的に覆うステップとを有しており、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と、前記挿入部（４）とは互いに直接接触接続しておらず、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と前記挿入部（４）とを前記成形体（５）によって機械的に互いに接続させるステップと、
−  前記補助支持体（１）を除去するステップと、
−  前記成形体（５）を切断することにより、個々の表面実装可能半導体素子（１００）を作製するステップとを有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記補助支持体（１）は、５０μｍないし２００μｍの厚さを有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記挿入部（４）は反射器（４１）であり、
該反射器（４１）は、動作時に前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）によって形成されかつ前記反射器に当たる電磁ビームを反射するように構成されており、前記反射器（４１）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）を横方向に少なくとも部分的に取り囲む、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記挿入部（４）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）用の接続箇所（Ａ１）であるかまたは当該接続箇所（Ａ１）を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法において、
前記補助支持体（１）と前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）との間で前記包囲を行う前に、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）用の別の電気接続箇所（Ａ２）であるかまたは当該電気接続箇所（Ａ２）を有する支持エレメント（２）を前記補助支持体（１）の前記取り付け面（１１）上に配置する、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と、前記挿入部（４）と、前記支持エレメント（２）とを共通の１つの成形体（５）によって包囲し、
−  前記成形体（５）により、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と、前記挿入部（４）と、前記支持エレメント（２）とを少なくとも部分的に形状結合的に覆い、前記挿入部（４）と前記支持エレメント（２）とは互いに直接接触接続しておらず、
−  前記挿入部（４）と前記支持エレメント（２）とを前記成形体（５）によって互い機械的に接続させる、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の方法において、
前記支持エレメント（２）は２５０μｍの最大厚さ（Ｄ）を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
表面実装可能半導体素子（１００）において、
−  ビーム通過面（３２）を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分（３）と、
−  動作時に前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）によって形成されかつ入射する電磁ビームを反射するように構成された少なくとも１つの反射器（４１）と、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記反射器（４１）に少なくとも部分的に直接接触接続しているビーム透過形成形体（５）と、
−  少なくとも部分的に前記成形体（５）の表面によって構成される載置面（１０１）とを有しており、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記反射器（４１）とは互いに直接接触接続しておらず、前記成形体（５）によって互いに機械的に接続されており、
−  前記反射器（４１）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）を横方向に少なくとも部分的に取り囲んでいる、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項９】
表面実装可能半導体素子（１００）において、
−  ビーム透過面（３２）を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分（３）と、
−  少なくとも１つの挿入部（４）と、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）の側面（３３）および前記反射器（４１）に少なくとも部分的に直接接触接続しているビーム反射形成形体（５）と、
−  少なくとも部分的に前記成形体（５）の表面によって構成されている載置面（１０１）とを有しており、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と前記挿入部（４）とは互いに直接接触接続しておらず、前記成形体（５）によって互いに機械的に接続されており、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）の前記ビーム透過面（３２）には前記成形体（５）が設けられていない、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の表面実装可能半導体素子（１００）において、
前記成形体（５）は、エポキシドからなるかまたは少なくとも１つのエポキシドを含んでおり、当該エポキシドに光反射性粒子が入れられている、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項１１】
請求項８から１０までのいずれ１項に記載の表面実装可能半導体素子（１００）において、
前記成形体（５）は側方に前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）を突き出ていない、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項１２】
請求項８から１１までのいずれ１項に記載の表面実装可能半導体素子（１００）において、
前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）の前記ビーム透過面（３２）および前記成形体（５）の露出した箇所に別のビーム透過形成形体（６）が少なくとも部分的に被着されている、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに示されているのは、表面実装可能半導体素子を製造する方法ならびに表面実装可能半導体素子である。
【０００２】
本発明において解決すべき課題は、時間が節約されかつさらにコスト的に有利な、表面実装可能半導体素子を製造する方法を提供することである。さらに、解決すべき別の１つの課題は、殊にスペースが節約されかつ構造がコンパクトな表面実装可能半導体素子を提供することである。
【０００３】
上記の方法の少なくとも１つの実施形態によれば、第１ステップにおいて、プラスチック材料から構成される補助支持体が準備される。この補助支持体は、プラスチック材料から構成されるか、またはプラスチック材料を含むことができる。この補助支持体は、例えば、シートであり、このシートは、例えば全体が、例えばシリコーンまたはポリイミドなどのプラスチック材料によって形成されている。補助支持体は、自己支持形の板またはプレートの形態で構成することも可能である。
【０００４】
別の１つのステップでは、少なくとも１つの挿入部および少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分を上記の補助支持体の取り付け面に載置する。この関連においての「載置」とは、上記の挿入部および／またはオプトエレクトロニクス構成部分が、補助支持体の取り付け面に直接接触接続されることを意味する。
【０００５】
例えば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分および／または上記の挿入部と補助支持体との間に１つまたは複数の中間層または別の構成部材を配置することも考えられる。この場合に上記の挿入部および／またはオプトエレクトロニクス構成部分は、載置の後、上記の補助支持体だけと直接接触接続する。例えば補助支持体の取り付け面に接着剤が塗布され、この接着剤は、オプトエレクトロニクス構成部分と挿入部との間およびオプトエレクトロニクス構成部分と補助支持体との間の結合剤とすることが可能である。例えば、このためにこの接着剤は、補助支持体の取り付け面に部分的にまたは全面に塗布される。例えば、この接着剤は、シリコーン、アクリルまたはＵＶ活性接着材によって構成される。
【０００６】
上記のオプトエレクトロニクス構成部分は、ビーム受光性半導体素子またはビーム放射性半導体素子とすることが可能である。例えば、この半導体素子は、発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップのようなルミネセンスダイオードチップとすることが可能である。さらに、上記のオプトエレクトロニクス構成部分をフォトダイオードチップとすることが可能である。さらに上記のオプトエレクトロニクス構成部分は、ビーム受光性でありかつビーム放射性である半導体チップを含むことができる。さらに、上記のオプトエレクトロニクス構成部分は、種々異なる波長の電磁ビームを形成するのに有利なルミネセンスダイオードチップを含むことが可能である。
【０００７】
この関連における「挿入部」とは、例えば、オプトエレクトロニクス構成部分には依存せずに上記の取り付け面に載置することの可能な構造的に別個の構成部分を意味する。例えば、上記の挿入部は、付加的な（オプト）電子構成部分または支持体とすることが可能である。この挿入部が電子構成部分用のヒートシンクであるかまたはこれを有することも考えられる。載置した後、上記のオプトエレクトロニクス構成部分および挿入部は、補助支持体の上記の取り付け面を介して互いに接続される。
【０００８】
本発明の少なくとも１つの実施形態によれば、別のステップにおいて上記のオプトエレクトロニクス構成部分および挿入部は共通の１つの成形体によって包囲され、この成形体により、上記のオプトエレクトロニクス構成部分および挿入部が少なくとも部分的に形状結合的に覆われる。すなわち、上記の成形体の材料（成形コンパウンド）と、上記のオプトエレクトロニクス構成部分および挿入部とは少なくとも部分的に直接接触接続するのである。例えば、上記の成形体はビーム透過性である。この関連において「ビーム透過性」であるとは、成形体が、電磁ビームに対して少なくとも８０％まで、有利には９０％以上まで透過であることである。例えば、共通の１つの成形体による上記のオプトエレクトロニクス構成部分および挿入部の包囲は、注形または射出成形によって行われる。すなわち、上記の成形体は、例えば、注形方式または圧縮方式で作製されるのである。ここではこの成形体は、オプトエレクトロニクス構成部分のポッティングであると同時に、後の半導体構成素子用のケーシングになるのである。例えば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分および挿入部の他にさらに別の構成部分を上記の共通の成形体によって包囲することができる。
【０００９】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分と挿入部とは互いに直接接触接続しておらず、このオプトエレクトロニクス構成部分と挿入部とは上記の成形体によって互いに機械的に接続される。このオプトエレクトロニクス構成部分と挿入部とは、成形体だけによって間接的に互いに接続されるのである。この場合に有利には、このオプトエレクトロニクス構成部分と挿入部とは成形体によって互いに電気的に絶縁される。成形体によって行われる接続は、上記の半導体素子を適切な使用している際に発生し得る外部からの機械的な負荷に対して安定であるため、オプトエレクトロニクス構成部分および挿入部の相互の位置は、成形体の安定作用に起因して実質的に変化しないままである。この関連において「実質的に」とは、上記のオプトエレクトロニクス構成部分および挿入部の相互の位置が、成形体の熱変形または膨張などの場合によっては発生する熱的な影響を除いて、変化しないままになることである。
【００１０】
つぎのステップでは上記の補助支持体が除去される。例えば、この除去は、機械的な剥離によって行われる。例えば、補助支持体のこの剥離は、上記の成形体、オプトエレクトロニクス構成部分および反射器からこの補助支持体を引き離すことによって行われる。このためには上記の補助支持体、成形体、オプトエレクトロニクス構成部分および反射器からなる結合体を加工面に配置して、この加工面に沿って上記の結合体を動かす。この結合体が移動する間に上記の補助支持体は、例えば上記の加工面に入れられたギャップまたはスリットを通過して引き離されてつぎに巻き取られる。
【００１１】
少なくとも１つの実施形態によれば、別の１つのステップにおいて、個々の半導体素子を作製するため、成形体を通した切断が行われる。この切断は、補助支持体を除去する前または除去した後に行うことができる。ただ１つの電子構成部分および／または挿入部だけを有する複数の半導体素子を必ずしも形成する必要はない。例えば、複数の電子構成部分を個別の１つの半導体素子にまとめることも可能である。例えば、上記の切断の際には成形体だけを通して切断を行う。すなわち、上記の構成素子を分離するためには、別の電子構成部分および／または挿入部またはその他の構成部分を通して分離するのではない。この場合、上記の半導体素子を横方向に側方から制限する側面は、完全に上記の成形体によって構成される。この側面は、例えば、のこびきの溝などの分離プロセスの痕跡を有するのである。この関連での「横方向」とは、補助支持体の主延在方向に平行な方向のことである。
【００１２】
表面実装可能半導体素子を製造する方法の少なくとも１つの実施形態によれば、まずプラスチック材料によって構成される補助支持体を準備する。別の１つのステップでは、少なくとも１つの挿入部および少なくとも１つの電子構成部分を上記の補助支持体の取り付け面に被着する。別の１つのステップでは、上記の電子構成部分および挿入部を共通の１つの成形体によって包囲し、ここでこの成形体は、上記の電子構成部分および挿入部を少なくとも部分的に形状結合的に覆う。上記の電子構成部分と挿入部とは互いに直接接触接続してはおらず、この電子構成部分と挿入部とは成形体によって互いに機械的に接続される。つぎのステップにおいて上記の補助支持体が除去される。さらに、別のステップにおいて、個々の半導体素子を作製するため、上記の成形体を通して切断が行われる。
【００１３】
ここで説明している表面実装可能半導体素子を製造する方法は、殊に、表面実装可能半導体素子の製造には高い製造コストが伴い得るという知識に基づいている。例えば、外部の機械的な影響に対して安定である表面実装可能半導体素子を作製するためには、この半導体素子を安定化するエレメントとして支持体を準備し、つぎにこの支持体上に半導体素子の別のコンポーネントを被着することがある。しかしながらこれには欠点が伴う。すなわち、このような機械的に安定な支持体を準備することおよび前もって作製することは大きなコストに結び付くことが多いという欠点が伴うのである。このことは、半導体素子の製造において高すぎるコストおよび長すぎる所要時間を生じさせる製造方法に結び付き得るのである。
【００１４】
コスト的に有利でありかつ時間を節約可能な表面実装可能半導体素子の製造方法を提供するため、ここで説明している表面実装可能半導体素子の製造方法は、殊に、プラスチック材料によって構成されかつ切り離し前にまたは切り離し後に容易に除去することのできる補助支持体をまず準備するというアイデアを使用する。
【００１５】
少なくとも１つの実施形態によれば、補助支持体は、５０μｍないし２００μｍの厚さを有する。ここで「厚さ」とは、垂直方向における補助支持体の最大の長さを意味し、この垂直方向は上記の横方向に対して直角な方向のことである。補助支持体に対する上記のような厚さ領域は、殊に極めて有利であることが判明している。それは、この補助支持体は、成形体を包囲した後、殊に容易に除去して元通りになるからである。
【００１６】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の挿入部は、動作時にオプトエレクトロニクス構成部分によって形成されかつこの挿入部に当たる電磁ビームを反射する反射器であり、この反射器により、オプトエレクトロニクス構成部分は横方向に少なくとも部分的に取り囲まれている。この場合にオプトエレクトロニクス構成部分から放射された電磁ビームが、反射器に当たってこの反射器からオプトエレクトロニクス構成部分から離れる方向に反射することが可能である。少なくとも１つの実施形態によれば、上記の挿入部は、オプトエレクトロニクス構成部分用の接続箇所であるかまたは接続箇所を有する。この挿入部は、後の半導体素子内におけるオプトエレクトロニクス構成部分を電気的に接触接続するために使用可能である。上記の接続箇所は有利には、少なくとも部分的に成形体に設けられる。この場合に有利には接続箇所ないしは挿入部は、外部からアクセス可能であり、電気的に接触接続可能であり、またその端部は成形体の外面と面一になる。
【００１７】
上記の方法の少なくとも１つの実施形態によれば、上記の補助支持体の取り付け面において補助支持体とオプトエレクトロニクス構成部分との間を包囲する前に、支持エレメントを配置する。ここでこの支持エレメントは、オプトエレクトロニクス構成部分用の別の電気接続箇所であるかまたはこれを有する。上記の支持エレメントは、金属製の支持ストライプ（リードフレームとも称される）とすることが可能である。この場合、例えば、この支持ストライプは、別の電気接続箇所として使用されるストライプ状の金属ストライプによって構成される。
【００１８】
上記の方法の少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分と、挿入部と、支持エレメントとは共通の１つの成形体によって包囲され、この成形体により、このオプトエレクトロニクス構成部分と、挿入部と、支持エレメントとが少なくとも部分的に形状結合的に覆われる。支持エレメントは、有利には少なくとも部分的に成形体内に設けられる。有利には支持エレメントには外部からアクセス可能でありかつ電気的に接触接続可能である。
【００１９】
上記の方法の少なくとも１つの実施形態によれば、上記の挿入部と支持エレメントとは互いに直接接触接続しておらず、この挿入部と支持エレメントとは成形体によって機械的に互いに接続される。
【００２０】
少なくとも１つの実施形態によれば、補助支持体は、２５０μｍの最大厚さを有する。例えば、上記の支持エレメントは、エッチングプロセスによって事前に構造化される。この場合に支持エレメントは、垂直方向に「薄い」箇所を有し得る。有利には上記の方法により、任意に事前構造化された支持エレメントを上記の共通の成形体によって包囲することができる。ここまでの点において上記の製造プロセスは殊に変更可能である。それは、上記の支持エレメントではなく上記の成形体が、後の半導体素子の機械的な安定性を保証するからである。これにより、支持エレメントの選択における制限を、例えば上記の支持エレメントの厚さについての支持エレメントの選択における制限を回避することができる。それは、支持エレメントには、例えば、自己支持特性および／または機械的特性についてあまり大きな要求が課されることがなくなるからである。
【００２１】
さらに本発明では表面実装可能半導体素子が提供される。例えば、この表面実装半導体素子は、上記の実施形態のうちの１つまたは複数に関連して説明した方法によって作製することができる。すなわち、上で示した方法について説明した特徴は、ここで説明する表面実装可能半導体素子についても開示されているのであり、またその逆も成り立つのである。
【００２２】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の表面実装可能半導体素子には、ビーム透過面を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分が含まれる。ここでこのビーム透過面は、上記のオプトエレクトロニクス構成部分が電磁ビームを放射する表面および／またはこれを受光する表面とすることが可能である。
【００２３】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の表面実装可能半導体素子には少なくとも１つの反射器が含まれており、この反射器は、動作時に上記のオプトエレクトロニクス構成部分によって形成されかつこの反射器に当たる電磁ビームを反射するように構成されている。
【００２４】
上記の表面実装可能半導体素子の少なくとも１つの実施形態によれば、この表面実装可能半導体素子には、ビーム透過性の成形体が含まれており、このビーム透過性成形体は、上記のオプトエレクトロニクス構成部分および反射器に少なくとも部分的に直接接触接続している。
【００２５】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の表面実装可能半導体素子は、少なくとも部分的に上記の成形体の表面によって構成される１つの載置面を有する。ここで半導体素子のこの載置面とは、半導体素子が取り付けられる支持体（例えばプリント基板）側を向いた、この半導体素子の面のことである。この載置面は、半導体素子が上記の支持体に載置されている支持面とすることが可能である。このため、この載置面と上記の支持体とを少なくとも部分的に機械的に接触接続することができる。さらに、この載置面と、オプトエレクトロニクス構成部分を電気的に接触接続する接続材料（例えばはんだ）とを接触接続させることも可能である。すなわち、この場合にこの接続材料は、上記の載置面の一部を濡らし、ひいては成形体の一部を濡らすのである。
【００２６】
上記の表面実装可能半導体素子の少なくとも１つの実施形態によれば、オプトエレクトロニクス構成部分と反射器とは、互いに直接接触接続しておらず、上記の成形体によって互いに機械的に接続される。
【００２７】
上記の表面実装可能半導体素子の少なくとも１つの実施形態によれば、上記の反射器は、上記のオプトエレクトロニクス構成部分を横方向に少なくとも部分的に取り囲んでいる。この関連での「横方向」とは、半導体素子の主延在方向に平行な方向のことである。例えば、反射器は、横方向にオプトエレクトロニクス構成部分を完全に取り囲んでいる。上記の反射器が平面図において円形、卵形、楕円形または四角形をしていることも考えられる。さらに反射器は、互い分かれた１つまたは複数の部分からなることが考えられる。例えば、この場合に反射器は、上記のオプトエレクトロニクス構成部分用の接続箇所である。有利には反射器は、表面実装可能半導体素子の上記の載置面において外部からアクセス可能である。すなわち、上記の載置面は少なくとも部分的に反射器によって構成されていることがあるため、表面実装可能半導体素子は、上記の載置面を介して電気的に接触接続可能なのである。
【００２８】
ここで説明している表面実装可能半導体素子は、殊につぎのような知識に基づいている。すなわち、表面実装可能半導体素子というものは、例えば、支持体の構成により、例えばリードフレームの構成により、コンパクトさおよび節約されるスペースが損なわれてしまうという知識に基づいているのである。半導体素子の機械的な安定性を保証するため、上記のような支持体は、例えば所定の機械的安定性および／または厚さを有しなければならないことが多い。この場合にこのような支持体に載置した構成部分は、この支持体を介して機械的に安定して互いに接続される。しかしながらこのことは、このような支持体に対する固有の要求に起因して、構成の自由度が制限された半導体素子に結び付き得るのである。さらにこのような支持体は、わずかにしかコンパクトされておらずかつわずかにしかスペースが節約されていない半導体素子に結び付いてしまい得るのである。これに加え、このような半導体素子は、例えば、後の取り付けプロセスにおいて処理が困難になってしまうことがある。
【００２９】
コンパクトでありかつスペースを節約することの可能な表面実装可能半導体素子を提供するため、ここで説明している表面実装可能半導体素子は、殊に、形成体によって少なくとも部分的にオプトエレクトロニクス構成部分と反射器とを直接接触接続させるというアイデアを利用する。この場合にこの成形体により、上記のオプトエレクトロニクス構成部分と反射器とが互いに機械的に接続される。言い換えると、このような成形体は、表面実装可能半導体素子の機械的に安定化させる役割を担うのである。これによって有利にも、厚くなることの多い支持体を回避することができ、上記の構成部分は殊にコンパクトになる。
【００３０】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の表面実装可能半導体素子には少なくとも１つの挿入部が含まれている。
【００３１】
上記のオプトエレクトロニクス半導体素子の少なくとも１つの実施形態によれば、このオプトエレクトロニクス半導体素子には反射性の成形体が含まれており、この成形体は、上記のオプトエレクトロニクス構成部分の側面に、また上記の挿入部に少なくとも部分的に直接接触接続している。この関連において「反射性である」とは、成形体が、これに当たる電磁ビームに対し、少なくとも８０％まで、有利には９０％以上までの反射率を有することである。例えば上記のオプトエレクトロニクス構成部分の側面は、垂直方向に、すなわち表面実装可能半導体素子の横方向に対して直角に延在している。すなわち、言い換えると、オプトエレクトロニクス構成部分の上記の側面は、このオプトエレクトロニクス構成部分の側方の境界部になっているのである。ここで「少なくとも部分的に」が意味し得るのは、上記の反射性の成形体が、オプトエレクトロニクス構成部分の上記の側面を、所定の高さまでしか形状結合的に包囲せず、かつ、上記の側面と直接接触接続していることである。これによって可能になるのは、上記のオプトエレクトロニクス構成部分それ自体の側面が、上記の反射性の成形体によって部分的または完全に覆われることである。すなわち、上記のオプトエレクトロニクス構成部分の側面は、完全にまたはあらかじめ定め高さまで上記の反射性の成形体によって覆われるのである。
【００３２】
上記の表面実装可能半導体素子の少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分と挿入部とは互いに直接接触接続しておらず、上記の成形体によって互いに機械的に接続される。
【００３３】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分のビーム透過面には上記の成形体が設けられていない。「設けられていない」とは、上記のビーム透過面が、上記の反射性の成形体によって覆われておらず、またこの反射性の成形体が、例えば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分のビーム出射パスに沿って上記のオプトエレクトロニクス構成部分に後置されてもいないことである。したがってビームは、妨害されることなく上記のオプトエレクトロニクス構成部分から出射することができるかまたはビーム通過面を通ってオプトエレクトロニクス構成部分に入射することができてこのオプトエレクトロニクス構成部分によって検出することができるのである。最大限には、製造に起因して上記の反射性の成形体の材料を上記のビーム通過面になお残すことが可能であるが、この残った材料により、最大で１０％、有利には最大で５％まで上記のビーム通過面が覆われる。
【００３４】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の成形体は、エポキシドからなるかまたは少なくとも１つのエポキシドを含んでおり、このエポキシドには光反射性の粒子が入れられる。エポキシドの利点は、殊に機械的に強固にかつ安定して成形体に硬化することである。言い得ると、エポキシドによって構成された成形体は、改善された機械的安定性を有するのである。この場合にエポキシドによって構成される反射性の成形体は、主に上記の半導体素子の機械的安定性を保証することができるのである。
【００３５】
上記の光反射性粒子は、電磁ビームを反射可能な粒子とすることが可能である。さらにこの反射性粒子によって可能な限りに多くの電磁ビームが反射されるため、上記の反射性の成形体のビーム損傷を回避することができる。言い換えると、上記の反射性の成形体における反射性粒子により、例えばＵＶビームについて、例えばシリコーンに比べて安定性が低いというエポキシドの欠点を補償することができる。例えば、上記の光反射性粒子は、材料TiO2，BaSO4，ZnOまたはAl2O3のうちの少なくとも１つから構成されるかまたはこれらの材料のうちの１つを含む粒子とすることが可能である。
【００３６】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の成形体はシリコーンまたはエポキシドによって構成され、この中にビーム吸収性粒子が入れられる。例えば、上記のビーム吸収性粒子は、すす粒子である。この場合に外部の観察者には、成形体が黒色または着色して見える。
【００３７】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の成形体は、シリコーンから構成されるかまたは少なくとも１つのシリコーンを含む。このシリコーンには、上で述べたタイプのビーム反射性粒子を入れることができる。
【００３８】
上記の方法の少なくとも１つの実施形態によれば、上記の成形体には光散乱性の粒子が含まれている。この光散乱性粒子は、例えば、上記の電子構成部分によって放射されるビームまたは受光されるビームを散乱するのに適した拡散粒子とすることできる。
【００３９】
上記の方法の少なくとも１つの実施形態によれば、上記の成形体は、光吸収性の粒子を含んでいる。例えば、このような光吸収性粒子は、所定の波長領域の電磁ビームを吸収するのに適している。例えば、このような粒子は、上記の半導体素子においてフィルタとして使用することができる。上記のオプトエレクトロニクス構成部分が、例えば、検出器の場合、これにより、所定の波長領域において殊に感度の大きい検出器が実現される。
【００４０】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の成形体には少なくとも１つのルミネセンス変換材料が含まれている。このルミネセンス変換材料は有利には、動作時に上記のオプトエレクトロニクス構成部分によって放射されおよび／またはこのオプトエレクトロニクス構成部分によって受光される第１波長領域の電磁ビームの少なくとも一部を吸収して、第２波長領域に属しかつ第１波長領域とは異なる電磁ビームを放射するのに適している。
【００４１】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の成形体は、オプトエレクトロニクス構成部分を側方に突き出ていない。上記の反射性の成形体の終端部が、垂直方向に、上記のオプトエレクトロニクス構成部分のビーム透過面と面一になることが考えられる。この場合に上記の反射性の成形体は、上記のオプトエレクトロニクス構成部分の側面を例えば完全に包囲し、これにより、上記の反射性成形体から、例えば上記のオプトエレクトロニクス構成部分に反射されて戻るビームの割合は可能な限り大きくなる。例えば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分によって形成される電磁ビームは、上記の反射性の成形体の、場合によっては発生する吸収作用を除いて、そのために設けられた箇所だけにおいて、すなわち、上記のビーム透過面だけを通ってこの半導体素子を離れるのである。したがって上記の反射性成形体は、上記の半導体素子のビーム出力結合効率の殊に効果的な増大に寄与するのである。
【００４２】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス構成部分のビーム通過面および上記の成形体の露出箇所には、少なくとも部分的に別のビーム通過性の成形体が被着される。例えば、この別のビーム透過性成形体は、シリコーン、エポキシドまたはシリコーンおよびエポキシドからなる混合物から構成されるかまたはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含む。
【００４３】
この別のビーム通過性成形体も同様に、光散乱性または反射性粒子、光吸収性粒子および／または少なくとも１つのルミネセンス変換材料を有することができる。
【００４４】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の別の成形体のビーム出力結合面は、少なくとも部分的にレンズ状に成形される。このビーム出力結合面は、上記のオプトエレクトロニクス構成部分とは反対側の、別の成形体の外側面により、少なくとも部分的に構成することができる。有利にも上記のビーム出力結合面をこのようにレンズ状の成形することにより、上記の半導体素子の出力結合効率が高められる。
【００４５】
以下では、複数の実施例および対応する図に基づき、本発明で説明する表面実装可能半導体素子の製造方法ならびに本発明で説明する表面実装可能半導体素子を詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明で説明している表面実装可能半導体素子の２つの実施例を製造するための個々の製造ステップを示す概略図である。
【図２】本発明で説明している表面実装可能半導体素子の２つの実施例を製造するための個々の製造ステップを示す別の概略図である。
【図３】本発明で説明している表面実装可能半導体素子の２つの実施例を示す概略側面図である。
【００４７】
図１Ａないし１Ｇ，２Ａないし２Ｂには、本発明で説明している表面実装可能半導体素子の２つの実施例を製造するための個々の製造ステップが概略図で示されている。
【００４８】
図３Ａないし３Ｂには、本発明で説明している表面実装可能半導体素子の２つの実施例が概略側面図で示されている。
【００４９】
実施例および図面において、同じ構成部分または同じ作用を有する構成部分にはそれぞれ同じ参照符号が付されている。図示した素子は、縮尺通りと見なすべきではなく、むしろわかりやすくするためこれらの素子は誇張されて大きくされていることもあり得る。
【００５０】
図１Ａでは概略側面図に基づき、まず補助支持体１の取り付け面１１に支持エレメント２をどのように載置するかが示されている。補助支持体１は、例えば、シリコーン、ポリイミド、アクリルまたは感光性フィルムなどのプラスチック材料によって形成される。言い換えると、補助支持体１はプラスチックシートである。支持エレメント２は、２５０μｍの最大の厚さＤを有する。例えば、支持エレメント２は、銅によって構成される。支持エレメント２の取り付け面２２には、ビーム透過面３２を有するオプトエレクトロニクス構成部分３が載置されている。ビーム透過面３２は、補助支持体１とは反対側の、オプトエレクトロニクス構成部分３の外側面である。例えば、オプトエレクトロニクス構成部分３は、ビーム放射半導体チップである。同様にオプトエレクトロニクス構成部分３をビーム受光構成部分、例えばフォト検出器とすることも考えられる。補助支持体１，支持エレメント２およびオプトエレクトロニクス構成部分３は一体で結合体１００Ａを構成する。
【００５１】
図１Ｂには結合体１００Ａが平面図で略示されている。ここからわかるのは、補助支持体１と支持エレメント２とが、垂直方向Ｖには完全には重なり合っていないことである。すなわち、取り付け面１１には、少なくとも部分的に支持エレメント２がないのである。
【００５２】
図１Ｃでは、この実施例では反射器４１である挿入部４が、補助支持体１の取り付け面１１にどのように載置されるが概略側面図で示されている。反射器４１と支持エレメント２とは互いに直接接触接続しておらず、したがって互い接していない。さらに反射器４１は、横方向Ｌにオプトエレクトロニクス構成部分３を完全に取り囲んでいる。ボンディングワイヤ接触接続３１により、オプトエレクトロニクス構成部分３と、反射器４１とは電気的に接触接続されている（隠れ線で示されている）。さらに図１Ｃには、オプトエレクトロニクス構成部分３と、反射器４１と、支持エレメント２とが、共通のビーム透過性成形体５によってどのように包囲されているかが示されている。成形体５は、オプトエレクトロニクス構成部分３、反射器４１および支持エレメント２の露出した箇所を形状結合的に完全に覆っている。成形体５は、オプトエレクトロニクス構成部分３、反射器４１ならびに支持エレメント２を互いに機械的に接続している。言い換えると、図１Ｃには、結合体１００Ａと成形体５とからなる結合体１００Ｂが示されているのである。これに続くつぎのステップでは、補助支持体１が、成形体５および支持エレメント２から取り除かれる。最終的には分離線Ｓに沿って成形体５を切断することによって表面実装可能半導体素子１００が形成されるのである。
【００５３】
結合体１００Ａが、例えば、複数のオプトエレクトロニクス構成部分３を含む場合に考えられるのは、各オプトエレクトロニクス構成部分３が、これに一意に対応付けられている反射器１０４により、例えば完全に取り囲まれることである。この場合にオプトエレクトロニクス構成部分３および反射器４１は横方向Ｌにそれぞれペアで並び合って配置することができる。この場合、例えば、各反射器４１の間および／または支持エレメント２で垂直方向Ｖに成形体５が切断される。
【００５４】
図１Ｄには、図１Ｃに示した結合体１００Ｂの概略平面図が示されており、ここではわかりやすくするため、成形体５の図示を省略した。反射器４１が、横方向Ｌにオプトエレクトロニクス構成部分３を完全に取り囲んでいることがわかる。反射器４１はここでは円形に構成されており、またボンディングワイヤ接続領域４２を有する。言い換えると、反射器４１は、オプトエレクトロニクス構成部分３用の接続箇所Ａ１なのである。
【００５５】
図１Ｅないし１Ｇには、図１Ｄに示した切断線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃに沿って結合体１００Ｂの側方断面図が略示されている。
【００５６】
図１Ｅの切断線Ｂ−Ｂに沿った側面図においても反射器４１と、補助支持体１の取り付け面１１とが直接接触接続していることが見てとれる。
【００５７】
さらに図１Ｆの切断線Ａ−Ａに沿った側面図において示されているのは、反射器４１と支持エレメント２とが垂直方向Ｖに重なっている、結合体１００Ｂの領域において反射器４１と支持エレメント２とが離れて配置されていることである。すなわち、反射器４１とオプトエレクトロニクス構成部分３とはどの点においても互いに接触しておらず、したがって互いに電気的に絶縁されて配置されているのである。この場合に支持エレメント２は、電子構成部分３用の別の電気端子Ａ２を構成することができる。
【００５８】
図１Ｇでは切断線Ｃ−Ｃに沿った側面図において、ボンディングワイヤ接触接続部３１が反射器４１のボンディングワイヤ接続領域４２にどのように取り付けられるかが示されている。
【００５９】
図２Ａおよび２Ｂでは概略図で、表面実装可能半導体素子１００の、ここで説明している方法の別の実施例の製造ステップが示されている。
【００６０】
オプトエレクトロニクス構成部分３の側面３３は部分的に成形体５によって形状結合的に包囲されていることがわかる。この実施例では成形体５は反射性である。成形体５は、エポキシドまたはシリコーンによって構成されており、この中には光反射性の粒子が入れられている。例えば、この光反射性の粒子は、材料TiO2、BaSO4，ZnOまたはAl2O3のうちの少なくとも１つからなるかまたはこれらの材料のうちの１つを含む粒子である。
【００６１】
さらに、ビーム透過面３２には反射性の成形体５がない。さらに、補助支持体１の取り付け面１１には挿入部４が載置されており、この挿入部は、オプトエレクトロニクス構成部分３用の第１電気端子Ａ１を構成している。ボンディングワイヤ接触接続部３１により、オプトエレクトロニクス構成部分３と、挿入部４とが電気的に接触接続する。例えば、挿入部４は、銅によって構成されているかまたは銅がコーティングされている。さらに補助支持体１とは反対側の、オプトエレクトロニクス構成部分３の外側面では、オプトエレクトロニクス構成部分３と補助支持体１との間に電気接触接続層３４が被着されており、この電気接触接続層は、オプトエレクトロニクス構成部分３用の別の電気端子Ａ２を構成している。挿入部４は、露出した箇所が完全かつ形状結合的に上記の反射性の成形体５によって覆われている。オプトエレクトロニクス構成部分３のビーム通過面３２および反射性の成形体５の露出箇所には、別のビーム通過性成形体６が載置されており、この別のビーム通過性成形体６のビーム出力結合面６１はレンズ形に構成されている。補助支持体１と、オプトエレクトロニクス構成部分３と、挿入部４と、２つの成形体５および６とは、結合体１００Ｃを構成する。
【００６２】
つぎに補助支持体１を除去した後、成形体５および６を切断することにより、表面実装可能半導体素子１００を形成することができる。
【００６３】
図２Ｂでは、図２Ａに示した結合体１００Ｃが平面図で示されている。ボンディングワイヤ接触接続部３１により、オプトエレクトロニクス構成部分３と挿入部４１とが電気的に互いに接続されることがわかる。さらに、挿入部４が、横方向Ｌに互いに離されて配置された別個の２つの構成部分４５および４６から構成されることがわかる。これらの構成部分はそれぞれ「Ｕ」字形に構成されている。２つの構成部分４５，４６は、これらが、空所４７を構成するように互いに配置されており、ここでこの空所は、横方向Ｌには構成部分４５および４６が境界部をなしており、また垂直方向Ｖには取り付け面１１および取り付け面１１に対向する開口部が境界部をなしている。空所４７内ではオプトエレクトロニクス構成部分３が補助支持体１の取り付け面１１に配置されている。このような空所４７は、図２Ｂに示したように開口部４８を有しており、これらの開口部から、空所４７を外側からのぞき込むことができ、および／または空所４７は開放されているである。同様に挿入部４１が、オプトエレクトロニクス構成部分３を横方向Ｌに完全に取り囲み、この場合にただ１つの関連する構成部分を構成することも考えられる。
【００６４】
図３Ａおよび３Ｂには概略側面図で、ここで説明している表面実装可能半導体素子１００の実施形態が示されている。
【００６５】
図３Ａに示した表面実装可能半導体素子１００は、載置面１０１を有する。載置面１０１は、反射器４１と、支持エレメント２と、ビーム透過成形体５とによって構成されている。言い換えると、表面実装可能半導体素子１００は、載置面１０１を介して外部から電気的に接触接続可能である。例えば、表面実装可能半導体素子１００は、図１Ａないし１Ｇに関連して説明した方法によって作製される。
【００６６】
図３Ｂに示した実施例において、支持エレメント２が省略されており、ここではビーム透過面３２とは反対側の、オプトエレクトロニクス構成部分３の外側面に電気接触接続層３４が被着されている。すなわち、この場合には載置面１０１は、支持エレメント２によって構成されるのではなく、部分的に電気接触接続層３４によって構成されており、ここでは接触接続層３４は、オプトエレクトロニクス構成部分３用の別の電気端子Ａ２を構成しているのである。例えば、表面実装可能半導体素子１００は、図２Ａないし２Ｂに関連して説明した方法によって作製される。
【００６７】
ここで説明した本発明は、実施例に基づく説明に限定されるものではない。むしろ本発明には、あらゆる新たな特徴ならび特徴のあらゆる組み合わせが含まれており、この組み合わせには、殊に特許請求の範囲における特徴の任意の組み合わせが含まれている。このことは、上記の特徴または上記の組み合わせそのものが特許請求の範囲または実施例に明に示されていない場合であっても当てはまるものである。
【００６８】
本明細書は、ドイツ国特許明細書第102010025319.7号に優先権を主張するものであり、その開示内容は、参照によって本明細書に含まれるものとする。
【図１Ａ】
2013536568.tif 000003
【図１Ｂ】
2013536568.tif 000004
【図１Ｃ】
2013536568.tif 000005
【図１Ｄ】
2013536568.tif 000006
【図１Ｅ】
2013536568.tif 000007
【図１Ｆ】
2013536568.tif 000008
【図１Ｇ】
2013536568.tif 000009
【図２Ａ】
2013536568.tif 000010
【図２Ｂ】
2013536568.tif 000011
【図３Ａ】
2013536568.tif 000012
【図３Ｂ】
2013536568.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装可能半導体素子（１００）を製造する方法であって、
少なくとも以下のステップ、すなわち、
−  プラスチック材料によって構成される補助支持体（１）を準備するステップと、
−  少なくとも１つの挿入部（４）と、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分（３）とを補助支持体（１）の取り付け面（１１）に載置するステップと、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記挿入部（４）を共通の１つの成形体（５）によって包囲するステップと、
−  前記成形体（５）により、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記挿入部（４）を形状結合的に少なくとも部分的に覆うステップとを有しており、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と、前記挿入部（４）とは互いに直接接触接続しておらず、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と前記挿入部（４）とを前記成形体（５）によって機械的に互いに接続させるステップと、
−  補助支持体（１）を除去するステップと、
−  前記成形体（５）を切断することにより、個々の表面実装可能半導体素子（１００）を作製するステップとを有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記補助支持体（１）は、５０μｍないし２００μｍの厚さを有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記挿入部（４）は反射器（４１）であり、
該反射器（４１）は、動作時に前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）によって形成されかつ前記挿入部に当たる電磁ビームを反射するように構成されており、前記反射器（４１）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）を横方向に少なくとも部分的に取り囲む、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記挿入部（４）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）用の接続箇所（Ａ１）であるかまたは当該接続箇所（Ａ１）を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法において、
前記補助支持体（１）と前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）との間で前記包囲を行う前に、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）用の別の電気接続箇所（Ａ２）であるかまたは当該電気接続箇所（Ａ２）を有する支持エレメント（２）を前記補助支持体（１）の前記取り付け面（１１）上に配置する、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と、前記挿入部（４）と、支持エレメント（２）とを共通の１つの成形体（５）によって包囲し、
−  前記成形体（５）により、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と、前記挿入部（４）と、前記支持エレメント（２）とを少なくとも部分的に形状結合的に覆い、前記挿入部（４）と前記支持エレメント（２）とは互いに直接接触接続しておらず、
−  前記挿入部（４）と前記支持エレメント（２）とを前記成形体（５）によって互い機械的に接続させる、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の方法において、
前記支持エレメント（２）は２５０μｍの最大厚さ（Ｄ）を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
表面実装可能半導体素子（１００）において、
−  ビーム透過面（３２）を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分（３）と、
−  動作時に前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）によって形成されかつ入射する電磁ビームを反射するように構成された少なくとも１つの反射器（４１）とを有しており、当該反射器（４１）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）を横方向に少なくとも部分的に取り囲んでおり、該反射器（４１）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）用の接続箇所（Ａ１）であるかまたは接続箇所（Ａ１）を有しており、
さらに
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記反射器（４１）に少なくとも部分的に直接接触接続しているビーム透過形成形体（５）と、
−  少なくとも部分的に前記成形体（５）の表面によって構成されている載置面（１０１）とを有しており、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）および前記反射器（４１）とは互いに直接接触接続しておらず、前記成形体（５）によって互いに機械的に接続されており、
−  前記反射器（４１）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）を横方向に少なくとも部分的に取り囲んでいる、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項９】
表面実装可能半導体素子（１００）において、
−  ビーム透過面（３２）を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス構成部分（３）と、
−  少なくとも１つの挿入部（４）とを有しており、該挿入部（４）は、横方向（Ｌ）に互いに離れて配置された別個の２つの構成部分（４５，４６）から構成されており、該構成部分（４５，４６）は空所（４７）を構成しており、前記挿入部（４）は、前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）用の接続箇所（Ａ１）であるかまたは接続箇所（Ａ１）を有しており、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）の側面（３３）および前記反射器（４１）に少なくとも部分的に直接接触接続しているビーム反射形成形体（５）と、
−  少なくとも部分的に前記成形体（５）の表面によって構成されている載置面（１０１）とを有しており、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）と前記挿入部（４）とは互いに直接接触接続しておらず、前記成形体（５）によって互いに機械的に接続されており、
−  前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）の前記ビーム透過面（３２）には前記成形体（５）が設けられていない、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の表面実装可能半導体素子（１００）において、
前記成形体（５）は、エポキシドからなるかまたは少なくとも１つのエポキシドを含んでおり、当該エポキシドに光反射性粒子が入れられている、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項１１】
請求項８から１０までのいずれ１項に記載の表面実装可能半導体素子（１００）において、
前記成形体（５）は側方に前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）を突き出ていない、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【請求項１２】
請求項８から１１までのいずれ１項に記載の表面実装可能半導体素子（１００）において、
前記オプトエレクトロニクス構成部分（３）の前記ビーム透過面（３２）および前記成形体（５）の露出した箇所に別のビーム透過形成形体（６）が少なくとも部分的に被着されている、
ことを特徴とする表面実装可能半導体素子（１００）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
さらに、ビーム透過面３２には反射性の成形体５がない。さらに、補助支持体１の取り付け面１１には挿入部４が載置されており、この挿入部は、オプトエレクトロニクス構成部分３用の第１電気端子Ａ１を構成している。ボンディングワイヤ接触接続部３１により、オプトエレクトロニクス構成部分３と、挿入部４とが電気的に接触接続する。例えば、挿入部４は、銅によって構成されているかまたは銅がコーティングされている。さらに補助支持体１とは同じ側の、オプトエレクトロニクス構成部分３の外側面では、オプトエレクトロニクス構成部分３と補助支持体１との間に電気接触接続層３４が被着されており、この電気接触接続層は、オプトエレクトロニクス構成部分３用の別の電気端子Ａ２を構成している。挿入部４は、露出した箇所が完全かつ形状結合的に上記の反射性の成形体５によって覆われている。オプトエレクトロニクス構成部分３のビーム通過面３２および反射性の成形体５の露出箇所には、別のビーム通過性成形体６が載置されており、この別のビーム通過性成形体６のビーム出力結合面６１はレンズ形に構成されている。補助支持体１と、オプトエレクトロニクス構成部分３と、挿入部４と、２つの成形体５および６とは、結合体１００Ｃを構成する。
【国際調査報告】
2013536568.tif 000014
2013536568.tif 000015
2013536568.tif 000016
2013536568.tif 000017
2013536568.tif 000018
2013536568.tif 000019