(57)【要約】【課題】半導体素子の動作に対する影響を低減すること。【解決手段】半導体装置１０の絶縁層１１の第１面１１ａには、配線層１２が形成されている。配線層１２の第１面１２ａはレジスト層１３により被覆されている。レジスト層１３には開口部１３ａ，１３ｂが形成される。開口部１３ａ，１３ｂは、配線層１２を内部接続パッド１２ｂと外部接続パッド１２ｃとする。内部接続パッド１２ｂには半導体素子１６が接続されている。回路素子を含む検出領域１６ｄが設定された半導体素子１６の第１面１６ａは、絶縁層１１及びアンダーフィル樹脂１７により覆われている。半導体素子１６は、バンプ１６ｅ，１４により、絶縁層１１の第１面１１ａに形成された配線層１２と電気的に接続されている。配線層１２は、半導体素子１６が接続された内部接続パッド１２ｂより外側に、半導体装置１０を実装するための外部接続パッド１２ｃを有している。【選択図】図１
2015133388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に形成され、前記第１絶縁層の周辺に形成された外部接続パッドと、前記外部接続パッドより内側の内部接続パッドとを有する配線層と、
第１面に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に形成されたバンプとを有し、前記第１面において前記電極パッドより内側に回路素子を含む領域が設定され、前記バンプが前記配線層の前記内部接続パッドに接続された半導体素子と、
前記半導体素子の第１面と前記第１絶縁層との間に充填された第２絶縁層と、
前記半導体素子の第２面を被覆し、前記外部接続パッドに対応する開口部が形成された第３絶縁層と、
前記外部接続パッドに接続された外部接続端子と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記配線層の第１面を被覆し、前記配線層の内端を前記内部接続パッドとする開口部と、前記配線層の外端を前記外部接続パッドとする開口部とが形成されたレジスト層を有すること、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記レジスト層は
前記配線層を覆う第１レジスト層と、
前記第１レジスト層の一部を覆う第２レジスト層と、
を有し、
前記第１レジスト層と前記第２レジスト層を貫通して形成された開口部によって前記配線層の一部を前記外部接続パッドとし、
前記第１レジスト層に形成された開口部によって前記配線層の一部を前記内部接続パッドとすること、
を特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子はセンサチップであり、前記半導体素子に設定された領域に検出のための回路素子が含まれること、を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
支持板の上面に、第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に配線層を形成する工程と、
前記配線層の内部接続パッドに半導体素子を接続する工程と、
前記半導体素子を覆う樹脂層を形成する工程と、
前記支持板を除去する工程と、
前記樹脂層に開口部を形成する工程と、
前記開口部に前記配線層の外部接続パッドに接続された外部接続端子を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線層の外部接続パッドに第１の接続端子を接続する工程を有し、
前記半導体素子を覆う樹脂層により前記半導体素子と前記第１の接続端子を被覆し、
前記樹脂層に開口部を形成する工程において前記第１の接続端子を露出し、
前記開口部から吐出した前記第１の接続端子に導電材を付加して前記半導体素子を被覆する樹脂層の表面から突出する前記外部接続端子を形成すること、
を特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記支持板は突出部を有し、
前記突出部により前記第１絶縁層に凹部を形成し、
前記凹部に応じて切断して表面端部に段差部を有する前記半導体装置を形成すること、
を特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子（半導体チップ）を含む半導体装置（半導体パッケージ）は知られている（例えば、特許文献１，２参照）。半導体素子は、インタポーザ（再配線基板）等の配線基板に実装される。例えば、フェイスアップ実装において、半導体素子の接続パッドは、金線等のボンディングワイヤによって配線基板の電極パッドに接続される。そして、半導体素子及びボンディングワイヤは、樹脂封止される。フェイスダウン実装（フリップチップ実装）において、半導体素子の接続パッドは、はんだ等のバンプによって配線基板の電極パッドに接続される。そして、半導体素子は、封止樹脂により封止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２２３２９７号公報
【特許文献２】特開２００３−７９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、例えばタッチセンサのように、検出対象に応じた回路素子が形成された半導体素子の場合、半導体素子の実装状態は、その半導体素子の動作に影響するおそれがある。このような場合、半導体素子の動作に影響の少ない半導体装置が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に形成され、前記絶縁層の周辺に形成された外部接続パッドと、前記外部接続端子より内側の内部接続パッドとを有する配線層と、第１面に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に形成されたバンプとを有し、前記第１面において前記電極パッドより内側に回路素子を含む領域が設定され、前記バンプが前記配線層の前記内部接続パッドに接続された半導体素子と、前記半導体素子の第１面と前記第１絶縁層との間に充填された第２絶縁層と、前記半導体素子の第２面を被覆し、前記外部接続パッドに対応する開口部が形成された第３絶縁層と、前記外部接続パッドに接続された外部接続端子と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、半導体素子の動作に対する影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は第一実施形態の半導体装置の概略断面図、（ｂ）は半導体装置の概略平面図、（ｃ）は半導体素子の概略平面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は製造工程を示す概略断面図。
【図５】（ａ）は第二実施形態の半導体装置の概略断面図、（ｂ）は半導体装置の概略平面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図８】（ａ），（ｂ）は製造工程を示す概略断面図。
【図９】（ａ）は別の半導体装置の概略断面図、（ｂ）は半導体装置の概略平面図。
【図１０】比較例の半導体装置の概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。
なお、添付図面は、部分的に拡大して示している場合があり、寸法，比率などは実際と異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部のハッチングを省略している。
【０００９】
（第一実施形態）
以下、第一実施形態を説明する。
図１（ａ）に示すように、半導体装置１０は、最上段に絶縁層１１を有している。
【００１０】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層１１は、たとえば矩形板状に形成されている。絶縁層１１の厚みは、たとえば２０μｍ（マイクロメートル）である。絶縁層１１の材料は、たとえばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機樹脂である。また、絶縁層１１の材料として、ガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布などの補強材に、エポキシ系やポリイミド系の熱硬化性樹脂を含浸させた補強材入りの絶縁性樹脂を用いることもできる。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、絶縁層１１の第１面１１ａ（図１（ａ）において下面）には、配線層１２が形成されている。配線層１２は、図１（ｂ）に示すように、絶縁層１１における周囲の領域に形成されている。配線層１２が形成される領域は、後述する半導体素子１６に応じて設定されている。配線層１２の材料は、たとえば銅（Ｃｕ）である。
【００１２】
配線層１２の第１面１２ａ（図１（ａ）において下面）はレジスト層１３により被覆されている。レジスト層１３の材料は、たとえばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機樹脂である。レジスト層１３には配線層１２の第１面１２ａの一部を露出する開口部１３ａ，１３ｂが形成されている。開口部１３ａは、配線層１２を内部接続パッド１２ｂとして露出する。開口部１３ｂは、配線層１２を外部接続パッド１２ｃとして露出する。開口部１３ａ，１３ｂにより形成される接続パッド１２ｂ，１２ｃの表面は、メッキ層（図示略）により被覆される場合もある。その場合、メッキ層は、たとえば錫（Ｓｎ）めっきであり、たとえば無電解めっき法により形成される。
【００１３】
内部接続パッド１２ｂの上にはバンプ１４が形成されている。バンプ１４は、たとえばはんだバンプである。外部接続パッド１２ｃの上にはバンプ１５が形成されている。バンプ１５は、たとえばはんだバンプである。はんだバンプの材料は、たとえばＳｎとＣｕの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）の合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等である。なお、半導体装置において、バンプ１５が省略されていてもよい。
【００１４】
内部接続パッド１２ｂには半導体素子１６が接続されている。半導体素子１６は、たとえば半導体素子１６の上面（第１面１６ａ）に近接する物体（検出対象物）による容量（静電容量）を検出するセンサチップである。検出対象物はたとえば人の指である。半導体素子１６の厚さは、たとえば２００μｍである。
【００１５】
図１（ｃ）に示すように、半導体素子１６の上面（第１面１６ａ）には、半導体素子１６の周辺に沿って複数の外部接続パッド１６ｂが形成されている。外部接続パッド１６ｂの形状は、たとえば平面視において矩形状である。
【００１６】
また、半導体素子１６の上面（第１面１６ａ）には、たとえば外部接続パッド１６ｂより内側に検出領域１６ｄが設定され、その検出領域１６ｄ内に対象物を検出するための回路素子が形成されている。図１（ｃ）に示すように、検出領域１６ｄの形状は例えば矩形状であるこの検出領域１６ｄは、半導体素子１６の上面（第１面１６ａ）における領域であるが、図１（ａ）では、半導体素子１６の厚さ方向に破線にて示している。なお、他の添付図面でも同様である。
【００１７】
外部接続パッド１６ｂの上には、図１（ａ）に示すバンプ１６ｅが形成されている。バンプ１６ｅは、たとえば金バンプである。半導体素子１６は、バンプ１６ｅ，１４を介して配線層１２に電気的に接続されている。
【００１８】
上記したように、配線層１２は、半導体素子１６に応じた領域に形成されている。半導体素子１６の上面（第１面１６ａ）には、検出領域１６ｄが設定されている。そして、配線層１２は、図１（ｂ）に示すように、平面視において、この検出領域１６ｄと重ならないように形成される。図１（ｂ）において、検出領域１６ｄと絶縁層１１の端部との間の領域内に、図１（ａ）に示す配線層１２は形成されている。そして、外部接続パッド１２ｃは、半導体素子１６に対して平面的に重ならない領域、つまり半導体素子１６より外側に形成されている。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、半導体素子１６と絶縁層１１，レジスト層１３の間にはアンダーフィル樹脂１７が充填されている。アンダーフィル樹脂１７の材料は、たとえばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂である。アンダーフィル樹脂１７は、半導体素子１６の側面１６ｆを略覆うように形成されている。
【００２０】
半導体素子１６の下面１６ｇは、絶縁層１８により覆われている。絶縁層１８は、アンダーフィル樹脂１７とレジスト層１３を覆うように形成されている。つまり、半導体素子１６は、絶縁層１８により封止されている。絶縁層１８は、たとえばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂である。絶縁層１８は、たとえばトランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより形成されたモールド樹脂である。なお、絶縁層１８において、半導体素子１６の下面１６ｇを覆う部分の厚さは、例えば２００μｍ程度である。
【００２１】
絶縁層１８には、バンプ１５を露出する開口部１８ａが形成されている。この開口部１８ａには、外部接続端子１９が形成されている。外部接続端子１９は、たとえばはんだボールである。はんだボールの材料は、たとえばＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等である。外部接続端子１９の先端（図１（ａ）において下端）は、絶縁層１８の下面１８ｂから突出している。このように形成される外部接続端子１９は、この半導体装置１０を実装する基板（例えばマザーボード）のパッドに接続される。この外部接続端子１９は、互いに対向する基板の実装面と半導体装置１０の下面の距離（スタンドオフ）を確保する。
【００２２】
次に、この半導体装置１０の作用を説明する。
半導体素子１６における検出領域１６ｄの上方には配線層１２が形成されていない。そして、検出領域１６ｄは、絶縁層１１と、その絶縁層１１の第１面１１ａと半導体素子１６の上面との間に充填されたアンダーフィル樹脂１７により覆われている。このアンダーフィル樹脂１７の厚さは、配線層１２の厚さと、その配線層１２に半導体素子１６を接続するバンプ１６ｅ，１４の形状により決定される。また、検出領域１６ｄは、各種のモールド法などよる封止樹脂に覆われていない。したがって、検出領域１６ｄを覆う絶縁層１１とアンダーフィル樹脂１７の厚さは、封止樹脂などに比べ、薄く、工程によるばらつきが少ない。
【００２３】
このため、半導体素子１６に含まれる検出領域１６ｄの表面と、絶縁層１１の第２面（半導体装置の表面１１ｂ）に接触する検出対象物との間の距離は、製造工程におけるばらつきの影響が少ない。したがって、この半導体装置１０に含まれ、半導体素子１６の第１面１６ａを覆う絶縁層１１とアンダーフィル樹脂１７は、半導体素子１６における検出動作に対する影響が少ない。
【００２４】
ところで、例えばタッチセンサのように、検出対象に応じた回路素子を含む検出領域１６ｄが設定された半導体素子１６の場合、検出領域１６ｄと実装基板が互いに対向するフェイスダウン実装は採用されない。
【００２５】
たとえば、図１０に示すように、フェイスアップ実装された半導体素子１６を含む半導体装置９０において、半導体素子１６とその半導体素子１６と配線基板９１を接続するボンディングワイヤ９２は、例えばモールド成型による樹脂９３により被覆されている。このように半導体素子１６を覆う樹脂９３は、製造プロセスの状態に乗じて厚さにばらつきが生じる。樹脂の厚さは、半導体素子の動作（例えば検出感度や検出精度等のセンシング）に影響する。
【００２６】
本実施形態の半導体装置１０は、半導体素子１６に設定された検出領域１６ｄの表面と、絶縁層１１の第２面１１ｂ（半導体装置の表面１０ａ）に接触する検出対象物との間の距離は、製造工程におけるばらつきの影響が少ない。したがって、この半導体装置１０において、半導体素子１６の第１面１６ａを覆う絶縁層１１とアンダーフィル樹脂１７は、半導体素子１６における検出動作に対する影響を低減することができる。
【００２７】
次に、上記の半導体装置１０の製造工程を説明する。
なお、工程の説明に用いる添付図において、必要な部材について符号を付し、一部の符号について省略する場合がある。
【００２８】
先ず、図２（ａ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
図２（ａ）に示すように、支持板１００を準備する。支持板１００は、平板状に形成されている。支持板１００の材料は、例えば銅（Ｃｕ）である。支持板１００の厚さは、例えば０．１〜０．２ｍｍである。支持板１００の大きさは、たとえば複数の半導体素子１６を一括して形成可能に設定されている。
【００２９】
次に、支持板１００の上面にフィルム状の絶縁樹脂を貼付して絶縁層１１を形成し、絶縁層１１の第１面１１ａに、たとえばアディティブ法、セミアディティブ法などによって配線層１２を形成する。なお、支持板１００の上面１００ａに、フィルム状の絶縁層１１と金属層を積層した積層フィルムを、絶縁層１１を支持板１００の上面に対向させて貼付する。そして、金属層をエッチングして配線層１２を形成してもよい。次いで、配線層１２を例えば感光性を有する樹脂膜にて覆い、その樹脂膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部１３ａ，１３ｂを有するレジスト層１３を形成する。その開口部１３ａ，１３ｂから配線層１２の上面１２ａに導電材（たとえばんだペースト）を塗布し、リフローしてバンプ１４，１５を形成する。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
第１面１６ａ（図において下面）にバンプ１６ｅが形成された半導体素子１６を準備する。
【００３１】
配線層１２の内部接続パッド１２ｂを覆うように、樹脂膜を貼付する。樹脂膜は、半硬化状態のフィルムである。その樹脂膜の上面に半導体素子１６の第１面１６ａを対向させ、高温下で半導体素子１６に対する荷重によりその半導体素子１６を樹脂膜に押し込む。そして、配線層１２の上面１２ａに形成したバンプ１４に半導体素子１６のバンプ１６ｅを接続する。なお、半導体素子１６のバンプ１６ｅの先端を、配線層１２の第１面１２ａに当接するように押圧することで、半導体素子１６の第１面１６ａと配線層１２の第１面１２ａとの間の距離が精度よく設定される。熱圧着する際に軟化した樹脂膜を硬化してアンダーフィル樹脂１７とする。その後、キュア（熱硬化処理）してアンダーフィル樹脂１７を完全硬化する。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、外部接続パッド１２ｃの上にはんだバンプ１９ａを形成する。はんだバンプ１９ａは、たとえば外部接続パッド１２ｃの上面に球状のはんだボールを搭載し、これをリフロー処理して得られる。
【００３３】
次に、図３（ａ）に示すように、上面全体を樹脂封止（モールド）する。たとえば、図２（ｃ）に示す状態の構造体に対し、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより、半導体素子１６、アンダーフィル樹脂１７、はんだバンプ１９ａを覆う絶縁層１８を形成する。
【００３４】
次いで、図３（ｂ）に示すように、支持板１００を除去する。たとえば、銅よりなる支持板１００の場合、エッチングによって除去される。
そして、図３（ｃ）に示すように、絶縁層１８に開口部１８ａを形成し、はんだバンプ１９ａを露出する。開口部１８ａの形成には、たとえばレーザ加工装置が用いられる。
【００３５】
次に、図４（ａ）に示すように、外部接続端子１９を形成する。外部接続端子１９は、図３（ｃ）において露出されたはんだバンプ１９ａに対し、はんだペーストの塗布やはんだボールを搭載した後、リフロー処理することにより得られる。
【００３６】
そして、図４（ｂ）に示すように、個片化した半導体装置１０を得る。これは、図４（ａ）に示す構造体を破線に沿って切断して得られる。なお、図４（ｂ）は、製造工程の説明上、図１（ａ）に対して上下を逆にして示している。
【００３７】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）半導体装置１０は、最上段に絶縁層１１を有している。絶縁層１１の第１面１１ａには、配線層１２が形成されている。配線層１２の第１面１２ａはレジスト層１３により被覆されている。レジスト層１３には配線層１２の第１面１２ａの一部を露出する開口部１３ａ，１３ｂが形成される。開口部１３ａ，１３ｂは、配線層１２を内部接続パッド１２ｂと外部接続パッド１２ｃとする。内部接続パッド１２ｂには半導体素子１６が接続されている。
【００３８】
検出領域１６ｄが設定された半導体素子１６の第１面１６ａは、絶縁層１１及びアンダーフィル樹脂１７により覆われている。半導体素子１６は、バンプ１６ｅとバンプ１４の接合により、絶縁層１１の第１面１１ａに形成された配線層１２と電気的に接続されている。配線層１２は、半導体素子１６が接続された内部接続パッド１２ｂより外側に、半導体装置１０を実装するための外部接続パッド１２ｃを有している。
【００３９】
このため、半導体素子１６の検出領域１６ｄの表面と、絶縁層１１の第２面（半導体装置の表面１１ｂ）に接触する検出対象物との間の距離は、製造工程におけるばらつきの影響が少ない。したがって、この半導体装置１０に含まれ、半導体素子１６の第１面１６ａを覆う絶縁層１１とアンダーフィル樹脂１７は、半導体素子１６における検出動作に対する影響を低減することができる。
【００４０】
（１−２）支持板１００の上面に絶縁層１１を形成し、その絶縁層１１の上面（第１面１１ａ）に配線層１２を形成する。配線層１２の内部接続パッド１２ｂに半導体素子１６を接続する。その半導体素子１６を絶縁層１８にて被覆し、支持板１００を除去する。そして、絶縁層１８に形成した開口部１８ａに外部接続端子１９を形成した。これにより、回路素子である検出領域１６ｄが形成された半導体素子１６の第１面１６ａが、薄い絶縁層１１及びアンダーフィル樹脂１７により覆われた半導体装置１０を提供することができる。
【００４１】
（第二実施形態）
以下、第二実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の全てまたは一部を省略する。
【００４２】
図５（ａ）に示すように、半導体装置３０は、最上段に絶縁層１１を有している。絶縁層１１の第１面１１ａ（図において下面）には、配線層１２が形成されている。
配線層１２の第１面１２ａ（図において下面）は第１レジスト層３１により被覆されている。第１レジスト層３１の材料は、たとえばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機樹脂である。第１レジスト層３１の第１面３１ａ（図において下面）には第２レジスト層３２が形成されている。第２レジスト層３２は、第１レジスト層３１の外周部表面（第１面３１ａ）を覆うように形成されている。第１レジスト層３１の内側端部には開口部３３が形成されている。開口部３３は、配線層１２の一部を内部接続パッド１２ｂとする。第１レジスト層３１及び第２レジスト層３２には開口部３４が形成されている。開口部３４は、配線層１２の一部を外部接続パッド１２ｃとする。第２レジスト層３２の材料は、たとえば第１レジスト層３１の材料と同様に、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機樹脂である。なお、第１レジスト層３１の材料と第２レジスト層３２の材料とを、互いに異なるものとしてもよい。
【００４３】
絶縁層１１と第１及び第２レジスト層３１，３２の外周端は、絶縁層１１の外周端よりも内側となるように形成されている。図５（ｂ）に示すように、絶縁層１１は、絶縁層１８よりも小さな略矩形状に形成され、その角部は平面視弧状に面取りされている。これにより、半導体装置３０は、外周端上部に段差部４１が形成されている。たとえば、段差部４１は、電子装置に対する半導体装置３０の取り付け（たとえば位置合せ）を容易にする。また、段差部４１は、たとえば電子装置における半導体装置３０の取り付け位置（たとえば電子装置の表面と半導体装置３０の表面３０ａの位置関係）の設定ために設けられる。
【００４４】
次に、上記の半導体装置の製造工程を説明する。
先ず、図６（ａ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
図６（ａ）に示すように、支持板１１０を準備する。支持板１１０は、平板状の支持部１１１と、支持部１１１の第１面１１１ａ（図において上面）から上方へ突出する突出部１１２を有している。突出部１１２は、図５（ｂ）に示す半導体装置３０の外周における段差部に応じて、格子状に形成されている。次に、支持部１１１の第１面１１１ａにフィルム状の絶縁樹脂を貼付して絶縁層１１を形成し、絶縁層１１の第１面１１ａに、たとえばアディティブ法、セミアディティブ法などによって配線層１２を形成する。なお、支持部１１１の上に、フィルム状の絶縁樹脂に金属層を積層した積層フィルムを貼付し、絶縁層１１と配線層１２を形成してもよい。
【００４５】
次いで、配線層１２を例えば感光性を有する樹脂膜にて覆い、その樹脂膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部を有する第１レジスト層３１を形成する。同様に、第１レジスト層３１を例えば感光性を有する樹脂膜にて覆い、その樹脂膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部を有する第２レジスト層３２を形成する。その開口部３３，３４から配線層１２の上面１２ａにはたとえばはんだペーストを塗布し、リフローしてバンプ１４，１５を形成する。
【００４６】
次に、図６（ｂ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
配線層１２の内部接続パッド１２ｂを覆うように、樹脂膜を貼付する。樹脂膜は、半硬化状態のフィルムである。その樹脂膜の上面に半導体素子１６の第１面１６ａを対向させ、高温下で半導体素子１６に対する荷重によってその半導体素子１６を樹脂膜に押し込む。そして、配線層１２の上面１２ａに形成したバンプ１６ｅに半導体素子１６のバンプ１４を接続する。熱圧着する際に軟化した樹脂膜を硬化してアンダーフィル樹脂１７とする。その後、キュア（熱硬化処理）してアンダーフィル樹脂１７を完全硬化する。
【００４７】
次に、図６（ｃ）に示すように、外部接続パッド１２ｃ上にはんだバンプ１９ａを形成する。はんだバンプ１９ａは、たとえば外部接続パッド１２ｃの上面に球状のはんだボールを搭載し、これをリフロー処理して得られる。
【００４８】
次に、図７（ａ）に示すように、上面全体を樹脂封止（モールド）する。たとえば、図７（ｃ）に示す状態の構造体に対し、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより、半導体素子１６、アンダーフィル樹脂１７、はんだバンプ１９ａを覆う絶縁層１８を形成する。
【００４９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、支持板１１０を除去する。たとえば、銅よりなる支持板１１０の場合、エッチングによって除去される。支持板１１０の除去により、格子状の溝部（凹部）４３を有する構造体が形成される。
【００５０】
そして、図７（ｃ）に示すように、絶縁層１８に開口部１８ａを形成し、はんだバンプ１９ａを露出する。開口部１８ａの形成には、たとえばレーザ加工装置が用いられる。
次に、図８（ａ）に示すように、外部接続端子１９を形成する。外部接続端子１９は、図７（ｃ）において露出されたはんだバンプ１９ａに対し、はんだペーストの塗布やはんだボールを搭載した後、リフロー処理することにより得られる。
【００５１】
そして、図８（ｂ）に示すように、段差部４１を有する半導体装置３０を得る。これは、図８（ａ）に示す構造体の溝部４３を破線に沿って切断して得られる。なお、図８（ｂ）は、製造工程の説明上、図５（ａ）に対して上下を逆にして示している。
【００５２】
以上記述したように、本実施形態によれば、第一実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（２−１）半導体装置３０は、最上段に絶縁層１１を有している。絶縁層１１の第１面１１ａには、配線層１２が形成されている。配線層１２の第１面１２ａは第１レジスト層３１により被覆され、その第１レジスト層３１の一部は第２レジスト層３２により被覆されている。絶縁層１１と第１及び第２レジスト層３１，３２の外周端は、絶縁層１１の外周端よりも内側となるように形成されている。絶縁層１１は、絶縁層１８よりも小さな略矩形状に形成され、その角部は平面視弧状に面取りされている。これにより、半導体装置３０は、外周端上部に段差部４１が形成されている。このように、絶縁層１１と第１，第２レジスト層３１，３２の厚さに応じた段差部４１を有する半導体装置３０を提供することができる。
【００５３】
（２−２）支持板１１０は平板状の支持部１１１とその支持部１１１から突出する格子状の突出部１１２を有している。支持部１１１に絶縁層１１を形成し、その絶縁層１１の上面（第１面１１ａ）に配線層１２を形成する。配線層１２の内部接続パッド１２ｂに半導体素子１６を接続する。その半導体素子１６を絶縁層１８にて被覆し、支持板１１０を除去する。支持部１１１が除去された構造体は、突出部１１２により形成された溝部４３を有している。そして、絶縁層１８に形成した開口部１８ａに外部接続端子１９を形成した。これにより、検出領域１６ｄが設定された半導体素子１６の第１面１６ａが、薄い絶縁層１１及びアンダーフィル樹脂１７により覆われ、段差部４１を有する半導体装置３０を容易に形成することができる。
【００５４】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・第二実施形態に対し、半導体装置３０における段差部４１の形状を適宜変更してもよい。
【００５５】
たとえば、図９（ｂ）に示すように、半導体装置５０の各角部のみに段差部４１を形成してもよい。この半導体装置５０は、第一実施形態の半導体装置１０と同様に、図９（ａ）に示すように、絶縁層１１の第１面１１ａに形成された１層のレジスト層１３を有している。なお、第二実施形態と同様に、第１，第２レジスト層３１，３２を有し、角部に段差部４１を有する半導体装置としてもよい。
【００５６】
なお、各角部に形成する段差部４１の形状を適宜変更してもよい。たとえば、絶縁層１１の角部を直線状に切り欠いた形状の段差部４１を形成してもよい。なお、第二実施形態において、絶縁層１１を平面視８角形状に形成して段差部４１を形成してもよい。
【００５７】
また、第二実施形態では、絶縁層１１及び第１，第２レジスト層３１，３２による段差部４１を有する半導体装置３０としたが、たとえば、絶縁層１８の一部を含む段差部や、絶縁層１８の上面がレジスト層により覆われた段差部などのように、段差部の形状（半導体素子１６の上面から段差部上面までの長さ）を適宜変更してもよい。たとえば、半導体装置３０の製造工程において、図６（ａ）に示すように、絶縁層１１及び第１，第２レジスト層３１，３２の膜厚に応じた突出部１１２を形成したが、突出部１１２の大きさ（高さ）を適宜変更することで、突出部１１２により形成される段差部４１の大きさを適宜変更してもよい。
【００５８】
・図１（ｃ）に示す検出領域１６ｄの形状は一例であり、たとえば平面視円状のように、適宜変更してもよい。複数の検出領域が設定されていてもよい。
・上記各実施形態では、銅の支持板１００，１１０を用い、その支持板１００，１１０をエッチングにより除去したが、除去可能であれば、銅以外の材料を用いてもよい。たとえば、剛性保持材料を用い、その剛性保持材料を工程において剥ぎ取るようにしてもよい。また、銅の支持板１００，１１０において、外周部を例えば接着材にて絶縁層１１を接続し、その接着部分を切り離して支持板１００，１１０から絶縁層１１等を含む構造体を分離するようにしてもよい。
【００５９】
・図１（ｃ）では、複数の外部接続パッド１６ｂが半導体素子１６の外周に沿って枠状に配置されたが、配置位置等についてはこれに限定されない。たとえば、対向する２辺に沿って外部接続パッド１６ｂが配置された半導体素子を用いてもよい。また、外部接続パッド１６ｂが辺に沿って複数列（たとえば２列）に配列された半導体素子を用いても良い。
【００６０】
・段差部４１を、たとえばルータ加工機などにより絶縁層１１等を機械加工して形成してもよい。
・上記第二実施形態に対し、複数の第２レジスト層を積層してもよい。そして、積層した複数の第２レジストの全てまたは一部により段差部４１を形成してもよい。
【００６１】
・上記各実施形態において、例えば図１に示すバンプ１４，１５を省略してもよい。
・半導体装置の実装に応じて、図１に示す外部接続端子１９を、絶縁層１８の下面１８ｂから突出させないようにしてもよい。この場合、図４（ａ）にて示した工程（露出したバンプ１９ａから外部接続端子１９を形成する工程）を省略することができる。
【００６２】
・上記各実施形態において、レジスト層１３の形状を適宜変更してもよい。たとえば、図１（ｂ）に示すようにレジスト層１３を半導体素子１６の検出領域１６ｄより外側において、絶縁層１１の第１面１１ａ（図１（ａ）参照）を覆う。これに対し、平面視において検出領域１６ｄの一部と重なるように、または絶縁層１１の第１面１１ａ全体を覆うように、レジスト層１３を形成してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１１  絶縁層（第１絶縁層）
１２  配線層
１３  レジスト層
１４，１５  バンプ
１６  半導体素子
１６ｂ  外部接続パッド（電極パッド）
１６ｄ  検出領域
１７  アンダーフィル樹脂（第２絶縁層）
１８  絶縁層（第３絶縁層，樹脂層）
１９  外部接続端子
１９ａ  はんだバンプ（第１の接続端子）
３１  第１レジスト層
３２  第２レジスト層
４１  段差部
１００，１１０  支持板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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