(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、第１基板１０上に表示領域Ｄの画素Ｐ毎に形成された陽極３２、有機層３３、表示領域全体の有機層を覆う陰極３４及び第１基板上全体を覆う封止膜４０が順に形成された薄膜トランジスタ基板２０と、封止膜上に配置された第２基板４９を基材とする対向基板５０と、を備え、薄膜トランジスタ基板は、表示領域の外側を囲む、第１基板から封止膜までの間が無機材料のみで形成された水分遮断領域Ｂと、表示領域と水分遮断領域との間の予備領域Ｃと、を有し、予備領域及び水分遮断領域に対向する対向基板の領域の厚さｄ２が、表示領域に対向する対向基板の領域ｄ１の厚さよりも薄い、ことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板である第１基板上に、前記第１基板の表示領域の画素毎に形成された陽極、前記陽極に接する、少なくとも発光層を含む有機層、前記表示領域全体の前記有機層を覆う陰極及び前記第１基板上全体を覆う封止膜が順に形成された薄膜トランジスタ基板と、
前記封止膜上に配置された、絶縁基板である第２基板を基材とする対向基板と、を備え、
前記薄膜トランジスタ基板は、
前記表示領域の外側を囲む、前記第１基板から前記封止膜までの間が無機材料のみで形成された水分遮断領域と、
前記表示領域と前記水分遮断領域との間の予備領域と、を有し、
前記予備領域及び前記水分遮断領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが、前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄い、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記対向基板が、
前記第２基板の前記封止膜側の面において、少なくとも前記表示領域に対向する保護膜を有し、
前記予備領域及び前記水分遮断領域に対向する領域に前記保護膜を有さないことにより、前記予備領域及び前記水分遮断領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄い、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記対向基板は、
前記第２基板と前記保護膜との間に、少なくとも、前記表示領域における前記画素の境界に対向する前記対向基板の領域に形成された光遮断膜を有し、
前記予備領域と前記水分遮断領域とに対向する領域に前記光遮断膜を有さないことにより、前記予備領域と前記水分遮断領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄い、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記薄膜トランジスタ基板は、前記水分遮断領域の外側を囲む周辺回路領域を有し、
前記予備領域と前記水分遮断領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが、前記周辺回路領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄い、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記対向基板は、
前記保護膜と前記光遮断膜との間に、前記表示領域の前記画素のそれぞれに対向する領域で所定の波長領域の光を通過させるカラーフィルタを有し、
前記周辺回路領域に対向する前記対向基板の領域にも前記カラーフィルタが形成されている、ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記薄膜トランジスタ基板は、前記水分遮断領域の外側を囲む周辺回路領域を有し、
前記周辺回路領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが、前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄い、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記表示領域における前記対向基板と前記封止膜の間にスペーサが配置されることにより、前記対向基板と前記封止膜の間隔が保たれることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する有機層が、陽極と陰極とで挟まれた構造を有する。
【０００３】
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば、特許文献１において、表示領域の外側を囲む非表示領域に平坦化層の不連続部が形成された構成が開示されている。また、特許文献２においては、画素領域の外側を囲む周辺領域における有機層間絶縁膜が分断された構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０４７５１５号公報
【特許文献２】特開２００４−３３５２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図７は従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１０１の概略断面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１０１は、基板１１０上に形成された回路層１１２と、有機材料によって形成された平坦化膜１１３と、陽極１３２を画素Ｐ毎に区分する、有機材料からなる画素分離膜１１４と、画素Ｐ毎に形成された陽極１３２と、各画素Ｐにおいて有機層１３３に含まれる発光層が発光することにより画像を表示する領域である表示領域Ｄ全体にわたって陽極１３２を覆う有機層１３３と、表示領域Ｄ全体にわたって形成された陰極１３４と、陰極１３４上を覆う封止膜１４０と、封止膜１４０上に充填材１４５及びシール材Ｓを介して配置された対向基板１５０と、を有している。
【０００６】
上述のように、有機及び無機の膜が積層されることにより形成された有機エレクトロルミネッセンス表示装置１０１は、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外側を囲む予備領域Ｃと、予備領域Ｃの外側を囲む水分遮断領域Ｂと、水分遮断領域Ｂの外側を囲む周辺回路領域Ａとに区分される。
【０００７】
有機層１３３は水分を吸収することにより劣化して表示不具合を生じさせることから、基板１１０に形成された各膜は封止膜１４０で覆われることにより水分が遮断される。しかし、封止膜１４０はその製造工程において破損することがある。例えば、基板１１０に対向基板１５０を重ねあわせる工程の際に基板１１０と対向基板１５０の間に異物１６０が入り込むことが破損の原因の一つと考えられる。
【０００８】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の検査においては、通常、表示領域Ｄを点灯することにより有機層１３３の不良の検出を行うが、特に、予備領域Ｃにおいて破損１４１が生じていた場合には、破損１４１から浸透した水分が表示領域Ｄまで拡散するのに時間がかかるため、表示領域Ｄの検査による不良の検出が困難である。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、絶縁基板である第１基板上に、前記第１基板の表示領域の画素毎に形成された陽極、前記陽極に接する、少なくとも発光層を含む有機層、前記表示領域全体の前記有機層を覆う陰極及び前記第１基板上全体を覆う封止膜が順に形成された薄膜トランジスタ基板と、前記封止膜上に配置された、絶縁基板である第２基板を基材とする対向基板と、を備え、前記薄膜トランジスタ基板は、前記表示領域の外側を囲む、前記第１基板から前記封止膜までの間が無機材料のみで形成された水分遮断領域と、前記表示領域と前記水分遮断領域との間の予備領域と、を有し、前記予備領域及び前記水分遮断領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが、前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄い、ことを特徴とする。
【００１１】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記対向基板が、前記第２基板の前記封止膜側の面において、少なくとも前記表示領域に対向する保護膜を有し、前記予備領域及び前記水分遮断領域に対向する領域に前記保護膜を有さないことにより、前記予備領域及び前記水分遮断領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄くてもよい。
【００１２】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（２）において、前記対向基板は、前記第２基板と前記保護膜との間に、少なくとも、前記表示領域における前記画素の境界に対向する前記対向基板の領域に形成された光遮断膜を有し、前記予備領域と前記水分遮断領域に対向する領域に前記光遮断膜を有さないことにより、前記予備領域と前記水分遮断領域とに対向する前記対向基板の領域の厚さが前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄くてもよい。
【００１３】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（３）のいずれか一項において、前記薄膜トランジスタ基板は、前記水分遮断領域の外側を囲む周辺回路領域を有し、前記予備領域と前記水分遮断領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが、前記周辺回路領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄くてもよい。
【００１４】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（４）において、前記対向基板は、前記保護膜と前記光遮断膜との間に、前記表示領域の前記画素のそれぞれに対向する領域で所定の波長領域の光を通過させるカラーフィルタを有し、前記周辺回路領域に対向する前記対向基板の領域にも前記カラーフィルタが形成されていてもよい。
【００１５】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（４）または（５）において、前記薄膜トランジスタ基板は、前記水分遮断領域の外側を囲む周辺回路領域を有し、前記周辺回路領域に対向する前記対向基板の領域の厚さが、前記表示領域に対向する前記対向基板の領域の厚さよりも薄くてもよい。
【００１６】
（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）乃至（６）のいずれか一項において、前記表示領域における前記対向基板と前記封止膜の間にスペーサが配置されることにより、前記対向基板と前記封止膜の間隔が保たれてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
上記（１）乃至（７）のいずれかによれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、予備領域及び水分遮断領域における封止膜に圧力が加わることが抑えられる。このため、予備領域における封止膜の破損を防ぐことができ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図４】図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図５】図５は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図６】図６は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図７】図７は従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示領域の一部の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００２０】
図１は本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略平面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は薄膜トランジスタ基板２０と、薄膜トランジスタ基板２０の一部に対向して配置された対向基板５０とを有している。薄膜トランジスタ基板２０の上面２０ａのうち、対向基板５０が配置されていない領域には外部接続端子部４が設けられている。外部接続端子部４は外部機器が電気的に接続される端子部であり、複数の端子４ａが互いに間隔を空けて形成されている。
【００２１】
外部接続端子部４は画像データを外部から供給されることにより、図示しないドライバＩＣ（Integrated Circuit）を介して、各画素に印加する電圧信号を後述する有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に供給する。
【００２２】
薄膜トランジスタ基板２０は、図１に示されるように、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される領域である表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外側を囲む予備領域Ｃと、予備領域Ｃの外側を囲む水分遮断領域Ｂと、水分遮断領域Ｂの外側を囲む周辺回路領域Ａとを有している。
【００２３】
図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。以下、薄膜トランジスタ基板２０の各領域Ｄ，Ｃ，Ｂ，Ａと、各領域Ｄ，Ｃ，Ｂ，Ａに対向する対向基板５０の各領域の構成について、その詳細を説明する。
【００２４】
表示領域Ｄは有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される、画像を表示する領域である。表示領域Ｄにおける薄膜トランジスタ基板２０は、絶縁基板である第１基板１０と、第１基板１０上に形成された、薄膜トランジスタ１１を有する回路層１２と、平坦化膜１３と、画素分離膜１４と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、第１基板１０上全体を覆う封止膜４０と、が順に形成されている。
【００２５】
第１基板１０は絶縁性の材料からなる絶縁基板であって、その上面１０ａに、回路層１２、平坦化膜１３、画素分離膜１４及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される部材である。
【００２６】
回路層１２は、薄膜トランジスタ１１や、図示しない電気配線等が形成された層であり、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するために形成されている。薄膜トランジスタ１１は第１基板１０上に画素Ｐごとに設けられており、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、第１の絶縁膜１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第２の絶縁膜１１ｅから構成されている。
【００２７】
平坦化膜１３は絶縁材料からなる層であり、回路層１２上を覆うように形成されている。平坦化膜１３は第１基板１０と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間に形成されることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が、電気的に絶縁される。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料を用いることができるが，平坦化を目的とした場合には主に有機材料であるアクリルやポリイミド等が用いられる。
【００２８】
また、平坦化膜１３には、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を電気的に接続する第１コンタクトホール３２ａが形成されている。
【００２９】
平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１が形成されていてもよい。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から出射した光を対向基板５０側へ向けて反射するために設けられている。反射膜は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。
【００３０】
平坦化膜１３上には、例えば反射膜３１を介して複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が、各画素Ｐに対応するように形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、陽極３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された陰極３４とを有することにより、発光源として機能する。
【００３１】
陽極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極であり、表示領域Ｄの第１基板１０上に、画素Ｐ毎に形成される。陽極３２は第１コンタクトホール３２ａに接続していることにより薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて、薄膜トランジスタ１１から駆動電流を供給される。
【００３２】
陽極３２は導電性を有する材料からなる。陽極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。なお、反射膜３１が銀等の金属からなり、かつ、陽極３２に接触する構成の場合、反射膜３１は陽極３２の一部となる。
【００３３】
隣接する各陽極３２同士の間には、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４の間の漏れ電流を防止する機能を有する。画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。
【００３４】
有機層３３は、有機材料により形成された、少なくとも発光層を有する層であり、陽極３２上に接するように形成されている。有機層３３は、画素Ｐ毎に形成されていても、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成されていてもよい。有機層３３は光を発する層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。
【００３５】
有機層３３は、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
【００３６】
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものが用いられてもよい。
【００３７】
陰極３４は、表示領域Ｄ全体の有機層３３上を覆うように形成されている。このような構成を有することにより、陰極３４は表示領域Ｄにおいて、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００３８】
陰極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。陰極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
【００３９】
陰極３４の上面３４ａは、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、第１基板１０全体を覆うことにより有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の浸透を防ぐ、絶縁材料からなる透明の膜である。
【００４０】
封止膜４０の上面は、例えば有機材料からなる充填剤４５とシール材Ｓを介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は、基板１０に対向するように封止膜４０上に配置されている。
【００４１】
表示領域Ｄにおける対向基板５０は、絶縁基板である第２基板４９を基材とし、その封止膜４０側である下側に、光遮断膜ＢＭと、カラーフィルタ４８と、保護膜４７とが封止膜４０側へ向けて順に形成されている。なお、表示領域Ｄにおける対向基板５０は、少なくとも第２基板４９と保護膜４７を有していればよく、上記以外の構成を採用してもよい。
【００４２】
光遮断膜ＢＭは、有機層３３からの発光を遮断する、各画素Ｐを区画するために形成された膜である。このような光遮断膜ＢＭとしては例えば、クロム等の金属材料や黒色樹脂等を用いることができる。光遮断膜ＢＭは、少なくとも、表示領域Ｄにおける、隣接する画素Ｐ同士の境界Ｐ１に対応するように形成されている。具体的には例えば、光遮断膜ＢＭは境界Ｐ１に対向する領域の、第２基板４９と保護膜４７との間に形成されている。
【００４３】
有機層３３の発光層が白色光を発するものである場合には、保護膜４７と光遮断膜ＢＭとの間に、カラーフィルタ４８が形成されていてもよい。カラーフィルタ４８とは、表示領域Ｄにおける画素Ｐのそれぞれに対向する領域で、所定の波長領域の光を通過させるフィルタである。図２においては例えば、緑色の光を通過させるフィルタＧが形成された例を示す。
【００４４】
保護膜４７は、第２基板４９の封止膜４０側の面を保護するために形成された膜であり、透明な絶縁材料であればその材料は限定されない。保護膜４７は、第２基板４９の封止膜４０側の面において、少なくとも表示領域Ｄに対向するように形成されている。本実施形態における保護膜４７は、例えば、カラーフィルタ４８の封止膜４０側の面を覆うように形成されている。
【００４５】
次いで、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂにおける、薄膜トランジスタ基板２０と対向基板５０の構成について説明する。予備領域Ｃとは、表示領域Ｄと水分遮断領域Ｂとの間の領域であり、表示領域Ｄの外側を囲むように形成されている。予備領域Ｃは、薄膜トランジスタ基板２０における表示領域Ｄと薄膜トランジスタ基板２０における水分遮断領域Ｂとの間の段差を解消するために設けられている。
【００４６】
また、水分遮断領域Ｂとは、表示領域Ｄ及び予備領域Ｃの外側を囲む領域であり、周辺回路領域Ａ側から浸透した水分が表示領域Ｄ側に拡散することを防ぐために設けられている。
【００４７】
予備領域Ｃにおける薄膜トランジスタ基板２０は、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されていない点が少なくとも表示領域Ｄにおける薄膜トランジスタ基板２０と異なっている。具体的には例えば、予備領域Ｃにおける薄膜トランジスタ基板２０は、第１基板１０上に第１の絶縁膜１１ｂ、第２の絶縁膜１１ｅ、平坦化膜１３、画素分離膜１４、陰極３４及び封止膜４０がこの順に積層されている。
【００４８】
また、水分遮断領域Ｂにおける薄膜トランジスタ基板２０は、第１基板１０から陰極３４までの間が無機材料のみで形成されている。具体的には例えば、水分遮断領域Ｂにおける薄膜トランジスタ基板２０は、有機材料を有する平坦化膜１３と画素分離膜１４を有しておらず、第１基板１０上に第１の絶縁膜１１ｂ、第２の絶縁膜１１ｅ、陰極３４及び封止膜４０がこの順に積層されている。
【００４９】
予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域は、予備領域Ｃにおける封止膜４０の破損を防ぐために、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さよりも薄く形成されている。具体的には例えば、図２に示すように、対向基板５０の予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する領域は、保護膜４７とカラーフィルタ４８を有しておらず、第２基板４９と光遮断膜ＢＭのみを有している。
【００５０】
このような構成を有することにより、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２は、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも、保護膜４７とカラーフィルタ４８の厚さの分だけ薄くなる。
【００５１】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２が、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも薄いことにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂにおける封止膜４０と対向基板５０との間隔が大きくなる。
【００５２】
このため、予備領域Ｃにおける封止膜４０に、対向基板５０が配置されることにより充填剤４５を介しての圧力が加わることが抑えられる。また、封止膜４０と対向基板５０の間に図示しない異物が入り込んでも、対向基板５０からの圧力によって異物が封止膜４０を破損することが防がれる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の厚さを変えることなく、予備領域Ｃにおける封止膜４０の破損と、その破損個所からの水分の浸透が防がれ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性の向上を実現することができる。
【００５３】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域が保護膜４７を有さないことにより、その厚さｄ２が、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも、少なくとも保護膜４７の分薄くなる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、厚さｄ１と厚さｄ２の差が確保される。これにより、予備領域Ｃにおける封止膜４０の破損と、その破損個所からの水分の浸透が防がれる。
【００５４】
なお、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域は、その厚さｄ２が表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも薄ければ、上記の構成以外を採用してもよい。図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。具体的には例えば、図３に示すように、対向基板５０の、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する領域が光遮断膜ＢＭを有しておらず、第２基板４９のみから構成されていてもよい。
【００５５】
このような構成を有することにより、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２は、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも、保護膜４７とカラーフィルタ４８と光遮断膜ＢＭの厚さの分だけ薄くなる。
【００５６】
このように予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域が、保護膜４７に加え光遮断膜ＢＭを有さないことにより、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２は、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも、少なくとも保護膜４７と光遮断膜ＢＭの厚さの分薄くなる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、厚さｄ１と厚さｄ２の差を大きく確保できる。これにより、予備領域Ｃにおける封止膜４０の破損と、その破損個所からの水分の浸透が防がれ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性の向上を実現することができる。
【００５７】
次いで、周辺回路領域Ａにおける薄膜トランジスタ基板２０と対向基板５０の構成について説明する。周辺回路領域Ａとは、水分遮断領域Ｂの外側を囲む領域であり、表示領域Ｄにおける有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に接続する回路１５が形成されている。
【００５８】
周辺回路領域Ａにおける薄膜トランジスタ基板２０の構成は、具体的には例えば、第１基板１０上に、回路１５、第１の絶縁膜１１ｂ、第２の絶縁膜１１ｅ、回路１５に接続する第２コンタクトホール１５ａ、平坦化膜１３、画素分離膜１４、第２コンタクトホール１５ａに接続する陰極３４、封止膜４０がこの順に積層されている。なお、周辺回路領域Ａにおける薄膜トランジスタ基板２０の構成はこの例に限られず、回路１５が形成されていれば、その構成は特に制限されない。
【００５９】
周辺回路領域Ａに対向する対向基板５０の領域は、周辺回路領域Ａにおける薄膜トランジスタ基板２０を保護するために形成されている。この対向基板５０の周辺回路領域Ａに対向する領域の厚さｄ３は、予備領域Ｃと水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２よりも厚くてもよい。
【００６０】
具体的には例えば、図２，３に示すように、対向基板５０の周辺回路領域Ａに対向する領域は、第２基板４９と光遮断膜ＢＭと保護膜４７とを有していてもよい。このような構成を有することにより、厚さｄ３は、予備領域Ｃと水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２よりも光遮断膜ＢＭと保護膜４７の厚さの分だけ薄くなる。
【００６１】
このように予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２が周辺回路領域Ａに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ３よりも薄いことにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、予備領域Ｃにおける封止膜４０への充填剤４５を介して加わる圧力が分散される。このため、予備領域Ｃにおける封止膜４０の破損が防がれ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性の向上を実現することができる。
【００６２】
図４は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。図４に示すように、対向基板５０の周辺回路領域Ａに対向する領域は、第２基板４９と光遮断膜ＢＭと保護膜４７に加え、カラーフィルタ４８が形成されていてもよい。このような構成を有することにより、厚さｄ３は予備領域Ｃと水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２よりも、保護膜４７とカラーフィルタ４８と光遮断膜ＢＭの厚さの分だけ厚くなる。
【００６３】
このように周辺回路領域Ａにも表示領域Ｄと同様にカラーフィルタ４８が形成されることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、周辺回路領域Ａに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ３と、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２との差が、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１と、厚さｄ２との差に近くなる。
【００６４】
このため、予備領域Ｃにおける封止膜４０への充填剤４５を介して加わる圧力が、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて均等に分散される。このため、予備領域Ｃにおける封止膜４０の破損が防がれて、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性の向上を実現することができる。
【００６５】
また、対向基板５０の周辺回路領域Ａに対向する領域の厚さｄ３は、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも薄くてもよい。図５は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。具体的には例えば、図５に示すように、対向基板５０の予備領域Ｃ、水分遮断領域Ｂ及び周辺回路領域Ａに対向する領域がそれぞれ同様に、保護膜４７とカラーフィルタ４８を有さず、第２基板４９と光遮断膜ＢＭのみを有していてもよい。このような構成を有することにより、厚さｄ３は、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２と同じ厚さとなる。
【００６６】
このように、周辺回路領域Ａに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ３が表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも薄いことにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、表示領域Ｄよりも外側において、充填剤４５の充填される容積が増える。これにより、予備領域Ｃにおける封止膜４０への充填剤４５を介して加わる圧力が分散される。このため、予備領域Ｃにおける封止膜４０の破損が防がれて、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性の向上を実現することができる。
【００６７】
以上、各領域Ｄ，Ｃ，Ｂ，Ａにおける薄膜トランジスタ基板２０と、対向基板５０の構成について説明したが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２が表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ１よりも薄ければ、上述した構成に限らず、その他の構成を採用してもよい。
【００６８】
例えば、対向基板５０と薄膜トランジスタ基板２０との間隔は、スペーサ４２が配置されることにより保たれてもよい。図６は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図２と同様の視野において示す概略断面図である。図６に示すように、表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域と封止膜４０の間に絶縁材料からなるスペーサ４２が配置されることにより、対向基板５０と薄膜トランジスタ基板２０との間隔が保たれる。このようにスペーサ４２が配置される場合は、対向基板５０と薄膜トランジスタ基板２０との間に充填剤４５が充填されていなくてもよい。
【００６９】
また、周辺回路領域Ａに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ３が、予備領域Ｃ及び水分遮断領域Ｂに対向する対向基板５０の領域の厚さｄ２よりも厚い場合は、周辺回路領域Ａにおける封止膜４０と対向基板５０との間にもスペーサ４２が配置されてよい。
【００７０】
このように表示領域Ｄに対向する対向基板５０の領域と封止膜４０の間にスペーサ４２が配置されることにより、対向基板５０と薄膜トランジスタ基板２０との間隔が保たれる。このため、対向基板５０と薄膜トランジスタ基板２０との間に充填剤４５が充填されていても、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、予備領域Ｃにおける封止膜４０への充填剤４５を介して加わる圧力が抑えられる。
【００７１】
また、対向基板５０と薄膜トランジスタ基板２０との間に充填剤４５が充填されなくても対向基板５０と薄膜トランジスタ基板２０との間隔が保たれるため、予備領域Ｃにおける封止膜４０へ圧力が加わることの防止と有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の軽量化を図ることができる。
【００７２】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、１０  第１基板、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  平坦化膜、１４  画素分離膜、１５  回路、２０  薄膜トランジスタ基板、２０ａ  上面、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  陽極、３３  有機層、３４  陰極、４０  封止膜、４２  スペーサ、４５  充填剤、４７  保護膜、４８  カラーフィルタ、４９  第２基板、５０  対向基板、Ａ  周辺回路領域、Ｂ  水分遮断領域、Ｃ  予備領域、Ｄ  表示領域、ｄ１,ｄ２,ｄ３  厚さ、ＢＭ  光遮断膜、Ｐ  画素、Ｓ  シール材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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