(57)【要約】      （修正有）【課題】高効率の積層型半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子１１０は、第１電極６１、第１、第２発光部１０ｕ、２０ｕ、第１、第２導電層４１、４２、接続電極５１、誘電体層５１ｉ、第１、第２パッド４１ｐ、４２ｐ、光透過性の発光部間誘電体層７１を含む。第１発光部１０ｕは、第１、第２半導体層１１、１２を含む。第２発光部２０ｕは、第１電極６１と第１発光部１０ｕとの間で、第３、第４半導体層２３、２４を含む。第１導電層４１は、第１、第２発光部１０ｕ、２０ｕの間の部分とパッド配置部分４１ｕとを含み第３半導体層２３に接続される。第２導電層４２は、第１、第２発光部１０ｕ、２０ｕの間の部分と第２パッド配置部分４２ｕとを含み第２半導体層１２に接続される。接続電極５１は第１半導体層１１と接続される。パッドはパッド配置部分と接続され、発光部間誘電体層７１は第１、第２発光部１０ｕ、２０ｕの間に設けられる。【選択図】図１
2015012244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極と第１方向に離間し、第１半導体部分と、第２半導体部分と、を含む第１半導体層と、前記第２半導体部分と前記第１電極との間に設けられた第２半導体層と、前記第２半導体部分と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層と、を含む第１発光部と、
前記第１電極と前記第１発光部との間に設けられた第３半導体層と、前記第３半導体層と前記第１電極との間に設けられ前記第１電極と電気的に接続された第４半導体層と、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２発光層と、を含む第２発光部と、
第１パッド配置部分と、前記第１発光部と前記第２発光部との間に設けられた第１層間部分と、を含み前記第３半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
第２パッド配置部分と、前記第１発光部と前記第２発光部との間に設けられた第２層間部分と、を含み前記第２半導体層に電気的に接続された第２導電層と、
前記第１層間部分と前記第１半導体部分とを電気的に接続した第１接続電極と、
前記第１接続電極と前記第２半導体層との間、前記第１接続電極と前記第１発光層との間、及び前記第１接続電極と前記第２導電層との間に設けられた第１誘電体層と、
前記第１パッド配置部分と電気的に接続された第１パッドと、
前記第２パッド配置部分と電気的に接続された第２パッドと、
前記第１発光部と前記第２発光部との間、前記第１発光部と前記第１導電層との間、前記第２導電層と前記第２発光部との間、及び、前記第１導電層と前記第２導電層との間に設けられた光透過性の第１発光部間誘電体層と、
を備えた半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１パッドと前記第２発光部との間に前記第１導電層が配置され、
前記第２パッドと前記第２発光部との間に前記第２導電層が配置される請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２導電層は、
前記第１発光部と前記第１発光部間誘電体層との間に設けられ前記第２半導体層と電気的に接続された第１光透過性導電部と、
前記第１光透過性導電部と前記第１発光部間誘電体層との間に設けられ前記第１光透過性導電部と電気的に接続され前記第１光透過性導電部よりも光透過率が低い第１配線部と、
を含む請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記第１導電層の少なくとも一部と、前記第１配線部の少なくとも一部と、は、互いに重なる請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１導電層は、前記第１層間部分と、前記第１パッド配置部分と、の間に延在する第１延在部分をさらに含み、
前記第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記第１延在部分の少なくとも一部と、前記第１配線部の少なくとも一部と、は、互いに重なる請求項３または４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１光透過性導電部の少なくとも一部は、前記第２パッドと前記第２発光部との間に配置される請求項３〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１配線部の少なくとも一部は、前記第２パッドと前記第２発光部との間に配置される請求項３〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記第１パッドは前記第２パッドと重ならない請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
支持層と、前記第１電極に電気的に接続された第２電極と、をさらに備え、
前記第１電極は、前記第２発光部と前記第２電極との間に配置され、
前記支持層は、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記支持層と前記第２発光部との間において前記第２発光部の外縁に沿って設けられた支持層側誘電体層をさらに備えた請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１半導体層は、ｎ形であり、前記第３半導体層は、ｎ形であり、前記第２半導体層は、ｐ形であり、前記第４半導体層は、ｐ形である請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１発光部間誘電体層は、第１光学層を含み、
前記第１発光層は、第１ピーク波長の第１光を放出し、
前記第２発光層は、前記第１ピーク波長とは異なる第２ピーク波長の第２光を放出し、
前記第１光学層における前記第２光に対する透過率は、前記第１光学層における前記第１光に対する透過率よりも高く、
前記第１光学層における前記第１光に対する反射率は、前記第１光学層における前記第２光に対する反射率よりも高い請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第１発光部と前記第１方向に離間する第５半導体層であって、前記第５半導体層と前記第２発光部との間に前記第１発光部が配置され、第３半導体部分と、第４半導体部分と、を含む第５半導体層と、前記第４半導体部分と前記第１発光部との間に設けられた第６半導体層と、前記第４半導体部分と前記第６半導体層との間に設けられた第３発光層と、を含む第３発光部と、
前記第３半導体部分と前記第１半導体層とを電気的に接続した第２接続電極と、
前記第２接続電極と前記第６半導体層との間、及び、前記第２接続電極と前記第３発光層との間に設けられた第２誘電体層と、
前記第６半導体層と電気的に接続された第３パッドと、
前記第３発光部と前記第１発光部との間に設けられた光透過性の第２発光部間誘電体層と、
をさらに備えた請求項１〜１２いずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記第６半導体層に電気的に接続された第３導電層をさらに備え、
前記第３導電層は、前記第３発光部と前記第１発光部との間に設けられた第３層間部分と、３パッド配置部分と、を含み、
前記第３パッドは、前記第３パッド配置部分と電気的に接続され、
前記第２誘電体層は、前記第２接続電極と前記第３導電層との間にさらに配置される請求項１３記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記第３パッドと前記第１発光部との間に前記第３導電層が配置される請求項１４記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
前記第３導電層は、
前記第３発光部と前記第２発光部間誘電体層との間に設けられ前記第６半導体層と電気的に接続された第２光透過性導電部と、
前記第２光透過性導電部と前記第２発光部間誘電体層との間に設けられ前記第２光透過性導電部と電気的に接続され前記第２光透過性導電部よりも光透過率が低い第２配線部と、
を含む請求項１４または１５に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
前記第２光透過性導電部の少なくとも一部は、前記第３パッドと前記第１発光部との間に配置される請求項１６記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
前記第３発光部は、前記第１発光部とは反対側の面を有し、
前記第１発光部とは反対側の前記面が、光取り出し側の面である請求項１３〜１７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
第１パッドと、第１面内において前記第１パッドと離間する第２パッドと、前記第１面内において前記第１パッドと離間し前記第２パッドと離間する第３パッドと、を含むパッド部と、
前記第１面に対して交差する第１方向において前記パッド部と離間し、第１半導体部分と、第２半導体部分と、を含む第１半導体層と、前記第２半導体部分と前記パッド部との間に設けられた第２半導体層と、前記第２半導体部分と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層と、を含む第１発光部と、
前記パッド部と前記第１発光部との間に設けられ、第３半導体部分と、第４半導体部分と、を含む第３半導体層と、前記第４半導体部分と前記パッド部との間に設けられた第４半導体層と、前記第４半導体部分と前記第４半導体層との間に設けられた第２発光層と、を含む第２発光部と、
前記パッド部と前記第２発光部との間に設けられた第１電極と、
前記パッド部と前記第１電極との間に設けられた絶縁支持層と、
前記第１発光部と前記第２発光部との間に設けられ前記第２半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１発光部と前記第２発光部との間、及び、前記第１導電層と前記第２発光部との間に設けられた光透過性の第１発光部間誘電体層と、
前記第１半導体部分と前記第３半導体層との間に設けられ前記第１半導体部分と前記第３半導体層とを電気的に接続する第１接続電極と、
前記第１接続電極と前記第２半導体層との間、前記第１接続電極と前記第１発光層との間、及び、前記第１接続電極と前記第１導電層との間に設けられた第１誘電体層と、
前記第３半導体部分と前記第１パッドとの間に設けられ前記第３半導体部分と前記第１パッドとを電気的に接続する第２接続電極と、
前記第２接続電極と前記第４半導体層との間、前記第２接続電極と前記第２発光層との間、及び、前記第２接続電極と前記第１電極との間に設けられた第２誘電体層と、
前記第１導電層と前記第２パッドとの間に設けられ前記第１導電層と前記第２パッドとを電気的に接続する第３接続電極と、
前記第３接続電極と前記第２発光部との間、及び、前記第３接続電極と前記第１電極との間に設けられた第３誘電体層と、
前記第１電極と前記第３パッドとの間に設けられ前記第１電極と前記第３パッドとを電気的に接続する第４接続電極と、
を備えた半導体発光素子。
【請求項２０】
前記第１発光部は、前記第２発光部とは反対側の面を有し、
前記第２発光部とは反対側の前記面が、光取り出し側の面である請求項１〜１９のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）を積層した半導体発光素子が提案されている。このような積層型の半導体発光素子において、多くの遮光配線が設けられる。このため、光取り出し効率が低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許２００８−２６３１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、高効率の積層型の半導体発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、半導体発光素子は、第１電極と、第１発光部と、第２発光部と、第１導電層と、第２導電層と、第１接続電極と、第１誘電体層と、第１パッドと、第２パッドと、第１発光部間誘電体層と、を含む。前記第１発光部は、第１半導体層と、第２半導体層と、第１発光層と、を含む。前記第１半導体層は、前記第１電極と第１方向に離間し、第１半導体部分と、第２半導体部分と、を含む。前記第２半導体層は、前記第２半導体部分と前記第１電極との間に設けられる。前記第１発光層は、前記第２半導体部分と前記第２半導体層との間に設けられる。前記第２発光部は、第３半導体層と、第４半導体層と、第２発光層と、を含む。前記第３半導体層は、前記第１電極と前記第１発光部との間に設けられる。前記第４半導体層は、前記第３半導体層と前記第１電極との間に設けられ前記第１電極と電気的に接続される。前記第２発光層は、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられる。前記第１導電層は、第１パッド配置部分と、前記第１発光部と前記第２発光部との間に設けられた第１層間部分と、を含み前記第３半導体層と電気的に接続される。前記第２導電層は、第２パッド配置部分と、前記第１発光部と前記第２発光部との間に設けられた第２層間部分と、を含み前記第２半導体層に電気的に接続される。前記第１接続電極は、前記第１層間部分と前記第１半導体部分とを電気的に接続する。前記第１誘電体層は、前記第１接続電極と前記第２半導体層との間、前記第１接続電極と前記第１発光層との間、及び前記第１接続電極と前記第２導電層との間に設けられる。前記第１パッドは、前記第１パッド配置部分と電気的に接続される。前記第２パッドは、前記第２パッド配置部分と電気的に接続される。前記第１発光部間誘電体層は、前記第１発光部と前記第２発光部との間、前記第１発光部と前記第１導電層との間、前記第２導電層と前記第２発光部との間、及び、前記第１導電層と前記第２導電層との間に設けられ、光透過性である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子を示す模式図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を示す模式的図である。
【図４】第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式的断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｆ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式図である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式的断面図である。
【図１１】第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を示す模式的断面図である。
【図１２】第２の実施形態に係る半導体発光素子を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）  
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子を例示する模式図である。  
図１（ａ）は、平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。  
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子１１０は、第１電極６１と、第１発光部１０ｕと、第２発光部２０ｕと、第１接続電極５１と、第１誘電体層５１ｉと、第１パッド４１ｐと、第２パッド４２ｐと、第１発光部間誘電体層７１と、を含む。この例では、第１導電層４１及び第２導電層４２がさらに設けられる。
【０００９】
第１電極６１は、光反射性である。第１電極６１には、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ及びＡｕの少なくともいずれかが用いられる。第１電極６１として、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ及びＡｕの少なくともいずれかを含む合金を用いても良い。
【００１０】
第１発光部１０ｕは、第１半導体層１１と、第２半導体層１２と、第１発光層１０Ｌと、を含む。第１半導体層１１は、第１電極６１と第１方向Ｄ１において離間する。
【００１１】
例えば、第１電極６１の主面６１ａに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。第１方向Ｄ１は、例えば、Ｚ軸方向に対して平行である。
【００１２】
第１半導体層１１は、第１半導体部分１１ａと、第２半導体部分１１ｂと、を含む。第２半導体部分１１ｂは、第１方向Ｄ１（例えば、Ｚ軸方向）に対して交差する方向において、第１半導体部分１１ａと並ぶ。例えば、第２半導体部分１１ｂは、Ｘ−Ｙ平面内において、第１半導体部分１１ａと並ぶ。第１半導体層１１は、第１導電形である。
【００１３】
第２半導体層１２は、第２半導体部分１１ｂと第１電極６１との間に設けられる。第２半導体層１２は、第２導電形である。第２導電形は、第１導電形とは異なる。
【００１４】
第１発光層１０Ｌは、第２半導体部分１１ｂと第２半導体層１２との間に設けられる。第１発光層１０Ｌは、第１ピーク波長の光（第１光）を放出する。第１発光部１０ｕは、例えば、ＬＥＤチップである。
【００１５】
第２発光部２０ｕは、第３半導体層２３と、第４半導体層２４と、第２発光層２０Ｌと、を含む。第３半導体層２３は、第１電極６１と第１発光部１０ｕとの間に設けられる。第３半導体層２３は、第３導電形である。
【００１６】
第４半導体層２４は、第３半導体層２３と第１電極６１との間に設けられる。第４半導体層２４は、第１電極６１と電気的に接続される。第４半導体層２４は、第４導電形である。第４導電形は、第３導電形とは異なる。
【００１７】
第２発光層２０Ｌは、第３半導体層２３と第４半導体層２４との間に設けられる。第２発光層２０Ｌは、第２ピーク波長の光（第２光）を放出する。第２発光部２０ｕは、例えば、ＬＥＤチップである。
【００１８】
例えば、第２ピーク波長は、第１ピーク波長とは異なる。例えば、第２ピーク波長は、第１ピーク波長よりも短い。例えば、第２光は、青光であり、第１光は、黄光及び赤光の少なくともいずれかである。光の色（ピーク波長）は任意である。
【００１９】
第１発光部１０ｕの側壁、及び、第２発光部２０ｕの側壁は、テーパ状でも良い。第１発光層１０Ｌの側壁、及び、第２発光層２０Ｌの側壁の少なくともいずれかには、別途誘電体を形成しても良い。
【００２０】
例えば、第１導電形は、第３導電形と同じである。例えば、第２導電形は、第４導電形と同じである。例えば、第１導電形及び第３導電形は、ｎ形であり、第２導電形及び第４導電形は、ｐ形である。実施形態において、第１導電形及び第３導電形が、ｐ形であり、第２導電形及び第４導電形がｎ形でも良い。実施形態において、第１〜第４導電形のそれぞれは、任意である。以下では、第１導電形及び第３導電形がｎ形であり、第２導電形及び第４導電形がｐ形である場合について、説明する。
【００２１】
これらの半導体層には、例えば、窒化物半導体が用いられる。例えば、第１半導体層１１及び第３半導体層２３には、例えば、ｎ形ＧａＮ層が用いられる。例えば、第２半導体層１２及び第４半導体層２４には、例えば、ｐ形ＧａＮ層が用いられる。第１発光層１０Ｌ及び第２発光層２０Ｌは、例えば、量子井戸層と、障壁層と、を含む。例えば、２つの障壁層の間に、量子井戸層が設けられる。量子井戸層の数は、１つでも複数でも良い。
【００２２】
第１導電層４１は、第１層間部分４１ｔと、第１パッド配置部分４１ｕと、を含む。第１層間部分４１ｔは、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間に設けられる。第１パッド配置部分４１ｕは、第１方向Ｄ１に対して交差する方向において第１層間部分４１ｔと並ぶ。第１パッド配置部分４１ｕは、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間には設けられていない。第１導電層４１は、第３半導体層２３と電気的に接続されている。
【００２３】
この例では、第１導電層４１は、第１延在部分４１ｖをさらに含む。第１延在部分４１ｖは、第１層間部分４１ｔと、第１パッド配置部分４１ｕと、の間に延在する。第１延在部分４１ｖは、第１層間部分４１ｔと、第１パッド配置部分４１ｕと、を接続する。第１延在部分４１ｖは、第１層間部分４１ｔと、第１パッド配置部分４１ｕと、から離間しても良い。
【００２４】
第１導電層４１は、例えば遮光性である。第１導電層４１は、例えば光反射性である。第１導電層４１には、例えば金属が用いられる。例えば、第１導電層４１として、Ａｌ、Ｎｉ、またはＴｉなどの金属膜が用いられる。第１導電層４１として、合金を用いても良い。第１導電層４１として、複数の金属膜を含む積層膜を用いても良い。
【００２５】
第１導電層４１の少なくとも一部は、光透過性でも良い。この場合、第１導電層４１は、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含む。第１導電層４１には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などが用いられる。第１導電層４１に、金属の薄膜を用いても良い。
【００２６】
第１接続電極５１は、第１半導体部分１１ａに電気的に接続される。第１接続電極５１は、第１方向Ｄ１に延在する。第１接続電極５１は、第３半導体層２３と電気的に接続される。例えば、第１接続電極５１は、第１層間部分４１ｔと電気的に接続される。
【００２７】
この例では、第１接続電極５１は、第１金属部５１ａと、第２金属部５１ｂと、を含む。第２金属部５１ｂの少なくとも一部と、第１半導体部分１１ａと、の間に、第１金属部５１ａが、配置される。第１金属部５１ａは、例えば、第１半導体部分１１ａと接しても良い。この例では、第１接続電極５１は、第３金属部５１ｃをさらに含む。第３金属部５１ｃは、第１金属部５１ａと第１半導体部分１１ａとの間に設けられる。第３金属部５１ｃは、例えば、第１発光部１０ｕのｎ側電極である。第２金属部５１ｂは、例えば、第２発光部２０ｕのｎ側電極である。
【００２８】
第３金属部５１ｃには、第１半導体層１１とオーミック性を示し、コンタクト抵抗が低い材料が用いられる。第２金属部５１ｂには、例えば、第３半導体層２３とオーミック性を示し、コンタクト抵抗が低い材料が用いられても良い。第２金属部５１ｂは、例えば、第１層間部分４１ｔと密着性よく接続されても良い。例えば、第３金属部５１ｃ及び第２金属部５１ｂとして、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＴａよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む金属膜が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかを含む合金が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかの複数の金属膜を含む積層膜が用いられても良い。
【００２９】
第１金属部５１ａは、第２金属部５１ｂと第３金属部５１ｃとを電気的に接続できる。例えば、第１金属部５１ａには、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ及びＮｉよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む金属膜が用いられても良い。この群から選択された少なくといずれかを含む合金が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかの複数の金属膜を含む積層膜が用いられても良い。
【００３０】
第１誘電体層５１ｉは、第１接続電極５１と第２半導体層１２との間、及び、第１接続電極５１と第１発光層１０Ｌとの間に設けられる。第１誘電体層５１ｉには、例えば、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物の少なくともいずれかが用いられる。第１誘電体層５１ｉには、例えば、酸化珪素が用いられる。
【００３１】
第１パッド４１ｐは、第３半導体層２３と電気的に接続される。例えば、この例では、第１パッド４１ｐは、第１導電層４１の第１パッド配置部分４１ｕと電気的に接続される。この例では、第１パッド４１ｐと第２発光部２０ｕとの間に第１導電層４１が配置される。例えば、第２発光部２０ｕの上に、第１導電層４１が設けられ、第１導電層４１の上（第１パッド配置部分４１ｕの上）に、第１パッド４１ｐが設けられる。
【００３２】
第１半導体部分１１ａ（すなわち、第１半導体層１１）は、第１接続電極５１と、第１導電層４１と、を介して、第１パッド４１ｐと電気的に接続される。第３半導体層２３は、第１導電層４１を介して、第１パッド４１ｐと電気的に接続される。第１パッド４１ｐは、例えば、第１導電形（及び第３導電形）用のパッドとなる。例えば、第１パッド４１ｐは、ｎ側パッドとなる。
【００３３】
第２導電層４２は、第２層間部分４２ｔと、第２パッド配置部分４２ｕと、を含む。第２層間部分４２ｔは、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間に設けられる。第２パッド配置部分４２ｕは、第１方向Ｄ１に対して交差する方向において、第２層間部分４２ｔと並ぶ。第２導電層４２は、第２半導体層１２に電気的に接続される。
【００３４】
第２パッド４２ｐは、第２半導体層１２と電気的に接続される。この例では、第２パッド４２ｐは、第２パッド配置部分４２ｕと電気的に接続される。第２パッド４２ｐと第２発光部２０ｕとの間に第２導電層４２が配置される。この例では、第２発光部２０ｕの上に第２導電層４２が設けられ、第２導電層４２の一部（第２パッド配置部分４２ｕ）の上に、第２パッド４２ｐが設けられる。
【００３５】
第２半導体層１２は、第２導電層４２を介して、第２パッド４２ｐと電気的に接続される。第２パッド４２ｐは、第２導電形用のパッドとなる。第２パッド４２ｐは、例えば、第１発光部１０ｕのｐ側パッドとなる。
【００３６】
第１発光部間誘電体層７１は、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間に設けられる。この例では、第１発光部間誘電体層７１は、第２導電層４２と第２発光部２０ｕとの間にさらに設けられる。第１発光部間誘電体層７１は、第１発光部１０ｕと第１導電層４１との間にさらに設けられる。第１発光部間誘電体層７１は、第１導電層４１と第２導電層４２との間にさらに設けられる。第１発光部間誘電体層７１は、光透過性である。第１発光部間誘電体層７１の光透過率は、第１電極６１の光透過率よりも高い。第１電極６１の光反射率は、第１発光部間誘電体層７１の光反射率よりも高い。
【００３７】
第１発光部間誘電体層７１には、例えば、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物の少なくともいずれかが用いられる。第１発光部間誘電体層７１には、例えば、酸化珪素が用いられる。
【００３８】
この例では、第２導電層４２は、第１光透過性導電部４２ａと、第１配線部４２ｂと、を含む。第１光透過性導電部４２ａは、第１発光部１０ｕと第１発光部間誘電体層７１との間に設けられる。第１光透過性導電部４２ａは、第２半導体層１２と電気的に接続される。
【００３９】
第１光透過性導電部４２ａは、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含む。第１光透過性導電部４２ａには、例えばＩＴＯなどが用いられる。第１光透過性導電部４２ａに、金属の薄膜を用いても良い。
【００４０】
第１配線部４２ｂは、例えば、第１光透過性導電部４２ａと第１発光部間誘電体層７１との間に設けられる。第１配線部４２ｂは、第１光透過性導電部４２ａと電気的に接続される。第１配線部４２ｂの光透過率は、第１光透過性導電部４２ａの光透過率よりも低い。第１配線部４２ｂは抵抗率の低い金属が適している。第１配線部４２ｂには、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕよりなる群から選択されたの少なくともいずれか含む金属膜、この群から選択された少なくともいずれかを含む合金、または、この群から選択されたいずれかの複数の膜を含む積層膜が用いられる。
【００４１】
この例では、第１光透過性導電部４２ａの少なくとも一部は、第２パッド４２ｐと第２発光部２０ｕとの間に配置される。すなわち、第１光透過性導電部４２ａの上に、第２パッド４２ｐが配置される。後述するように、第１配線部４２ｂの上に、第２パッド４２ｐが設けられても良い。
【００４２】
この例では、支持層６６ｃと、第２電極６２と、がさらに設けられている。第１電極６１は、第２発光部２０ｕと第２電極６２との間に配置される。支持層６６ｃは、第１電極６１と第２電極６２との間に配置される。この例では、支持層６６ｃは、導電性である。第２電極６２は、第１電極６１と電気的に接続される。支持層６６ｃには、例えば、Ｓｉ基板などが用いられる。支持層６６ｃとして、金属基板を用いても良い。支持層６６ｃとして、例えば、金属層（例えば、メッキ金属層）などを用いても良い。支持層６６ｃとして、樹脂と金属とを組み合わせた複合材を用いても良い。支持層６６ｃとして、樹脂とセラミックとを組み合わせた複合材を用いても良い。
【００４３】
この例では、支持層側誘電体層７８がさらに設けられる。支持層側誘電体層７８は、支持層６６ｃの少なくとも一部と、第２発光部２０ｕの少なくとも一部と、の間において、第２発光部２０ｕの外縁２０Ｌｒに沿って設けられる。支持層側誘電体層７８には、例えば、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物の少なくともいずれかが用いられる。支持層側誘電体層７８には、例えば、酸化珪素が用いられる。
【００４４】
例えば、第２電極６２と第１パッド４１ｐとの間に電圧を印加することで、第１電極６１を介して、第２発光部２０ｕの第２発光層２０Ｌに電流が供給される。これにより、第２発光層２０Ｌから第２光が放出される。第２光は、第１発光部間誘電体層７１及び第１発光部１０ｕを通過して、外部に出射する。
【００４５】
例えば、第２パッド４２ｐと第１パッド４１ｐとの間に電圧を印加することで、第１発光部１０ｕの第１発光層１０Ｌに電流が供給される。これにより、第１発光層１０Ｌから第１光が放出される。第１光は、第１半導体層１１の側から外部に出射する。
【００４６】
半導体発光素子１１０においては、光は、第１発光部１０ｕを通過して、外部に出射する。例えば、第１発光部１０ｕは、面１１ｕを有する。面１１ｕは、第２発光部２０ｕとは反対側の面である。面１１ｕは、例えば、上面である。この面１１ｕが、半導体発光素子１１０における光取り出し側の面となる。
【００４７】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に例示したように、面１１ｕ上に光透過性の導電層１１ｅｌを設けてもよい。導電層１１ｅｌと第１発光層１０Ｌとの間に、第１半導体層１１が配置される。導電層１１ｅｌは、例えば、第１発光部１０ｕのｎ側電極となる。導電層１１ｅｌを設けることで、第１発光部１０ｕの第１半導体層１１における電流広がりが改善する。これによって、動作電圧が低減し、発光効率が向上する。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、導電層１１ｅｌの少なくとも一部が、第１導電層４１及び第１配線部４２ｂの少なくともいずれかの少なくとも一部と重なってもよい。これにより、色割れが抑えられ、導電層１１ｅｌでの発光光の吸収を抑えられる。これにより、色むらを低減させることができ、光取り出し効率を向上させることができる。導電層１１ｅｌは、光透過性でも良い。この導電層１１ｅｌは、必要に応じて設けられ、省略しても良い。
【００４８】
図１（ａ）に表したように、第１パッド４１ｐは、第２パッド４２ｐと、離間している。例えば、第１方向Ｄ１に垂直な平面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、第１パッド４１ｐは、第２パッド４２ｐと重ならない。
【００４９】
本実施形態に係る半導体発光素子１１０においては、第１発光部１０ｕのｎ側のパッドと、第２発光部２０ｕのｎ側のパッドと、の両方として、第１パッド４１ｐが用いられている。第１パッド４１ｐは、２つの発光部において共有されている。半導体発光素子１１０においては、光透過率が低い配線が少ない。これにより、高い光取り出し効率が得られる。半導体発光素子１１０によれば、高効率の積層型の半導体発光素子が提供できる。
【００５０】
例えば、独立に発光を制御可能な積層型の半導体発光素子（例えば、多色発光ＬＥＤ）においては、複数の発光層（例えば複数のＬＥＤチップ）のそれぞれに、独立して電流を注入する。例えば、１つのＬＥＤには、ｎ側の電極と、ｐ側の電極と、の２つの電極が設けられる。このため、積層型のＬＥＤにおいては、積層数の２倍に比例して導通経路（例えば、パッドまたはバンプなど）の数が増える。導通経路が増えると、発光領域の面積が小さくなり、効率が低下する。さらに、アセンブリ工程が複雑化する。
【００５１】
本実施形態においては、積層型の半導体発光素子において、導通経路（例えば、パッドまたはバンプなど）の数を減少できる。
【００５２】
本実施形態において、第１パッド４１ｐは、例えば、共通ｎ側パッドである。第２パッド４２ｐは、例えば、上側の発光部のｐ側パッドである。第１接続電極５１は、上側の発光部のｎ側電極であり、接続電極である。第２導電層４２のうちの第１光透過性導電部４２ａは、例えば、上側の発光部のｐ側電極である。第２導電層４２のうちの第１配線部４２ｂは、例えば、上側の発光部の配線電極である。第１導電層４１は、例えば、下側の発光部のｎ側電極、下側の発光部の配線電極、及び、上側の発光部の配線電極として機能する。複数の第１接続電極５１を設けても良い。その場合、例えば、電流広がりが改善するため、動作電圧が低減し、発光効率が向上する。
【００５３】
本実施形態においては、透明接合部材（例えば、第１発光部間誘電体層７１）を、複数の発光部（例えばＬＥＤチップ）の間に設ける。そして、上側の発光部（例えば第１発光部１０ｕ）は、横通電構造を有する。上側の発光部のｎ側電極（例えば第１接続電極５１）は、透明接合部材を貫通して、下側の発光部（第２発光部２０ｕ）のｎ形半導体層（第３半導体層２３）と電気的に接続される。実施形態においては、上側の発光部と、下側の発光部と、の間に、誘電体（第１発光部間誘電体層７１）が設けられる。上側の発光部のｎ側電極は、この誘電体を貫通して、下側の発光部のｎ形半導体と電気的に接続される。
【００５４】
これにより、積層数が２のときにおいて、導通経路（第１電極６１、第１パッド４１ｐ及び第２パッド４２ｐ）の数は３となる。すなわち、導通経路の数が減る。これにより、発光領域が広がり、高い効率が得られる。さらに、アセンブリ工程が簡略化される。本実施形態によれば、光取り出し効率が向上する。さらに、配線抵抗が低減でき、動作電圧が低減する。コストが低減できる。歩留まりが向上できる。
【００５５】
本実施形態においては、例えば、上側の発光部（例えば、第１発光部１０ｕ）のｎ側電極に、下側の発光部（第２発光部２０ｕ）のｎ側パッドから電流を供給する。下側の発光部（第２発光部２０ｕ）のｎ形半導体層（第３半導体層２３）と、ｎ側電極（例えば第１導電層４１）と、は、上側の発光部（第１発光部１０ｕ）の電流広がり層として機能する。これにより、発光効率が向上できる。そして、配線の数が削減できる。
【００５６】
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子を例示する模式図である。  
図２（ａ）は、図１（ｃ）と同じ断面の断面図である。図２（ｂ）〜図２（ｄ）は、図２（ａ）に示した領域Ｒ１〜Ｒ３に対応する模式的透過平面図である。領域Ｒ１〜領域Ｒ３は、それぞれ、Ｘ−Ｙ平面に平行な領域である。領域Ｒ１は、第１パッド４１ｐと、第１導電層４１と、を含む領域である。領域Ｒ２は、第１光透過性導電部４２ａと、第１配線部４２ｂを含む領域である。領域Ｒ３は、第２パッド４２ｐと、第１光透過性導電部４２ａと、を含む領域である。
【００５７】
図２（ｂ）に表したように、半導体発光素子１１０は、略矩形の平面形状を有している。領域Ｒ１において、この例では、第１導電層４１は、矩形の辺に沿って設けられている。第１接続電極５１と、第１パッド４１ｐと、が第１導電層４１により接続される。第１接続電極５１の周りの部分が、第１誘電体層５１ｉとなる。それ以外の部分は、第１発光部間誘電体層７１となる。
【００５８】
図２（ｃ）に表したように、領域Ｒ２において、第１光透過性導電部４２ａと、第１配線部４２ｂと、が設けられる。第１光透過性導電部４２ａと、第１配線部４２ｂと、は、互いに電気的に接続される。第１接続電極５１と、第１光透過性導電部４２ａと、の間、第１接続電極５１と、第１配線部４２ｂと、の間に、第１誘電体層５１ｉが設けられる。これらの導電部は、互いに絶縁される。
【００５９】
図２（ｂ）及び図２（ｃ）に表したように、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１導電層４１の少なくとも一部と、第１配線部４２ｂの少なくとも一部と、は互いに重なる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１導電層４１のうちの第１延在部分４１ｖの少なくとも一部と、第１配線部４２ｂの少なくとも一部と、は互いに重なる。
【００６０】
図２（ｄ）に表したように、領域Ｒ３において、第１光透過性導電部４２ａと、第２パッド４２ｐと、が設けられる。第１光透過性導電部４２ａと、第２パッド４２ｐと、は、互いに電気的に接続される。第１接続電極５１と、第１光透過性導電部４２ａと、の間に、第１誘電体層５１ｉが設けられる。これらの導電部は、互いに絶縁される。
【００６１】
半導体発光素子１１０によれば、高効率の積層型の半導体発光素子が提供できる。半導体発光素子１１０において、各構成要素のパターン配置に関して、種々の変形が可能である。
【００６２】
以下、半導体発光素子１１０の製造方法の例について説明する。  
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する模式的図である。
【００６３】
まず、第２発光部２０ｕの作製方法の例について、説明する。  
成長用基板（例えば、サファイア基板またはＳｉ基板など）上に、ＭＯＣＶＤ法で、第３半導体層２３、第２発光層２０Ｌ及び第４半導体層２４を、この順で形成する。これらの半導体層を含む積層体（結晶層）が形成される。この結晶層は、半導体ウェーハの一部である。このとき、成長用基板の上に、バッファ層を形成し、バッファ層の上に、第３半導体層２３を形成しても良い。成長用基板の材料及び面方位は、任意である。
【００６４】
この結晶層の上（すなわち、第４半導体層２４の上）に、例えば、ＳｉＯ２膜を形成する。このＳｉＯ２膜の厚さは、例えば、４００ナノメートル（ｎｍ）である。
【００６５】
例えば、リフトオフ法にて、第４半導体層２４の上にＡｇ層を形成する。Ａｇ層の厚さは、例えば、２００ｎｍである。例えば、熱処理を行う。例えば、熱処理の条件は、酸素中で、３００℃から８００℃の間である。このＡｇ層が、第１電極６１の少なくとも一部となる。
【００６６】
このＡｇ層及び第４半導体層２４の全体の上に、金属層を形成する。この金属層は、バリアメタルと、半田接合用の金属膜と、を含む。例えば、ＴｉＷ５０ｎｍ／Ｐｔ１００ｎｍ／ＴｉＷ５０ｎｍ／Ｐｔ１００ｎｍ／Ｔｉ１００ｎｍ／Ａｕ５０ｎｍの各層を形成する。この金属層を便宜的に第１電極６１に含めても良い。
【００６７】
支持層６６ｃが用意される。この支持層６６ｃには、例えば、Ｓｉ基板が用いられる。このＳｉ基板の表面には、例えば、ＡｕＳｎのはんだ層が設けられている。このはんだ層の厚さは、例えば、約２０００ｎｍである。このはんだ層と、上記の半導体ウェーハと、を対向させて、はんだ層と、第１電極６１（例えば、上記の金属層）と、を接合する。例えば、約２８０℃の温度により接合が行われる。
【００６８】
成長用基板を除去する。例えば、成長用基板としてサファイア基板を用いる場合は、例えば、ＬＬＯ（Laser Lift Off）法が用いられる。成長用基板としてＳｉ基板を用いる場合は、研削、ドライエッチング及びウェットエッチングの少なくともいずれかが用いられる。
【００６９】
成長用基板を除去することで、上記のバッファ層が露出する。露出したバッファ層を除去して、第３半導体層２３を露出させる。
【００７０】
露出した第３半導体層２３の表面に、第１導電層４１（配線電極）を形成する。この際、例えば、リフトオフ法が用いられる。例えば、第１導電層４１として、Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜（合計の厚さが５００ｎｍ）が形成される。
【００７１】
第１導電層４１は、後にパッドを形成するパッド領域（第１パッド配置部分４１ｕ）と、電流を広げるための配線電極（第１延在部分４１ｖ）と、後に第１接続電極５１が形成される接続領域（第１層間部分４１ｔ）と、を含む。
【００７２】
このパッド領域（第１パッド配置部分４１ｕ）は、例えば、矩形、楕円、扇状、または、それらの組み合せの形状を有する。パッド領域の大きさ（Ｚ軸方向に対して垂直な方向の長さ）は、例えば１００μｍ以下である。第１導電層４１の線幅（第１延在部分４１ｖの幅）は、例えば１０μｍ（例えば５μｍ以上５０μｍ以下）である。
【００７３】
第１導電層４１の一部は、必要に応じて設けられ、省略しても良い。例えば、チップサイズが小さい場合は、第１導電層４１のうちの第１延在部分４１ｖは、設けられなくても良い。この場合は、第１導電層４１のうちの第１層間部分４１ｔ（後述する第１接続電極５１の直下の部分）と、第１導電層４１のうちの第１パッド配置部分４１ｕ（パッド領域）と、が設けられる。
【００７４】
第１導電層４１の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１００００ｎｍ以下が好ましい。第１導電層４１の厚さは、例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００７５】
第１導電層４１の厚さが薄いと、後述するＣＭＰ工程による平坦化の際に、段差が小さくなる。これにより、必要な切削量が少なくなる。後述する第１発光部間誘電体層７１の厚さが薄くでき、成膜時間およびＣＭＰ処理時間が短縮できる。これにより、例えば、コストが低減する。第１導電層４１の厚さが厚いと、第１導電層４１（第１延在部分４１ｖ）の配線抵抗が低下し、電流が広がり易くなる。これにより、実効的な発光領域が増え、発光効率が向上し、動作電圧が低減する。
【００７６】
第１層間部分４１ｔの上を含む領域に、リフトオフ法にて、接続用の電極（第２金属部５１ｂ）となるＣｕ層を形成する。Ｃｕ層の厚さは、例えば、２００ｎｍである。
【００７７】
第２金属部５１ｂの形状は、例えば、矩形、多角形、楕円（円を含む）、扇状、または、それらの組み合せの形状である。第２金属部５１ｂの厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１００００ｎｍ以下が好ましい。第２金属部５１ｂの厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下がさらに好ましい。第２金属部５１ｂは、後述するＣＭＰ工程で、第２金属部５１ｂが露出させることができるように、設計される。第２金属部５１ｂの大きさ（Ｚ軸方向に対して垂直な方向の長さ）は、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。第２金属部５１ｂの大きさは、５μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００７８】
第２金属部５１ｂが小さいと、発光光に対する有効断面積が小さくなるため、光取り出し効率が向上する。第２金属部５１ｂが大きいと、後述する接合工程における位置合わせ精度への要求が緩くなり、大電流時の電流密度を低く抑えることができる。これにより、例えば、歩留まりが向上し、コストが低減し、寿命が長くなる。
【００７９】
第２金属部５１ｂには、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ及びＡｕのいずれかの膜、または、それらの少なくとも１つ含む積層膜を用いることができる。
【００８０】
第２金属部５１ｂには、抵抗率の低い金属を用いることができる。これにより、大電流を流せる。第２金属部５１ｂには、発光光に対する反射率が高い金属を用いることができる。これにより、光取り出し効率が向上する。第２金属部５１ｂの数は、例えば、後述する第１発光部１０ｕの接続電極（第１金属部５１ａ）の数と同じである。第２金属部５１ｂのＸ−Ｙ平面内の位置は、第１金属部５１ａのＸ−Ｙ平面内の位置と重なる。
【００８１】
第２金属部５１ｂ及び第１導電層４１を覆うように、光透過性の絶縁層を形成する。この絶縁層は、第１発光部間誘電体層７１の一部となる。この絶縁層は、例えば、ＳｉＯ２膜である。ＳｉＯ２膜の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下である。ＳｉＯ２膜は、例えば、ＥＣＲスパッタ法やプラズマＣＶＤ法により形成される。これにより、例えば、低温で良質な膜質が得られる。例えば、プラズマＣＶＤ法を用いると、カバレッジ性が良好なことから、段差の大きい構造におけるボイドの発生を抑制することができる。
【００８２】
上記の接続電極（第２金属部５１ｂ）は、この光透過性の絶縁層（ＳｉＯ２膜）を形成した後に形成しても良い。接続電極（第２金属部５１ｂ）の形成方法には、例えば、蒸着法と組み合わせたリフトオフ法、スパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法、または、それらの組み合せを用いることができる。
【００８３】
ＣＭＰ処理により、平坦化する。これにより、第２金属部５１ｂを露出させる。段差が大きい場合は、ＣＭＰ処理で平坦化するために、上記のＳｉＯ２膜が厚くされる。ＳｉＯ２膜の厚さは、段差の３倍の厚さ以上に設定される。
【００８４】
例えば、ＣＭＰ処理前に、ＳｉＯ２膜の段差をドライエッチングなどで小さくして、擬似的な平坦状態を作っても良い。これにより、平坦化に必要な切削量（厚さ）を小さくできる。
【００８５】
第２金属部５１ｂと、ＳｉＯ２膜と、におけるエッチングレートを調整したスラリーを用いても良い。これにより、例えば、ＣＭＰ処理において、第２金属部５１ｂと、ＳｉＯ２膜と、を同時に平坦化することができる。
【００８６】
以上により、図３（ａ）に例示した構造体（第２積層体２０ｕｓ、すなわち第２半導体ウェーハ２０ｕｗ）が形成される。この構造体は、第２発光部２０ｕを含む。この構造体の上面には、例えば、上記のＳｉＯ２膜（第２誘電体膜７１ｂ）と、第２金属部５１ｂと、が設けられている。
【００８７】
上記のＣＭＰ処理後に、第１導電層４１の材料のエッチングレートが高いスラリーを用いて僅かに削ることで、第２金属部５１ｂを僅かに突出させても良い。後述する第１発光部１０ｕの第１金属部５１ａも、同様な処理をしても良い。これにより突出した第２金属部５１ｂと、突出した第１金属部５１ａと、を互いに接触するように接合する。金属は延性があるため、圧縮応力を受けつつ潰れ、２つのＳｉＯ２膜を接合しつつ、第２金属部５１ｂと第１金属部５１ａとを、高い歩留まりで接続することができる。
【００８８】
第２金属部５１ｂと第１金属部５１ａとの接続方法には、金属の高い熱膨張係数を利用した方法を用いても良い。すなわち、ＣＭＰ処理後にこれらの金属部を接合させて、３５０℃程度の熱処理を行う。これにより、第２金属部５１ｂと第１金属部５１ａとが熱膨張し、より確実な導通が得られる。
【００８９】
次に、第１発光部１０ｕの作製方法の例について、説明する。  
成長用基板（図３（ａ）に例示した成長用基板１０ｓ）の上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法で第１半導体層１１、第１発光層１０Ｌ、及び、第２半導体層１２をこの順で形成する。図３（ａ）では、図中の上下が、半導体層の形成時の上下と逆転して図示されている。これらの半導体層を含む積層体（結晶層）が形成される。この結晶層は、半導体ウェーハの一部である。このとき、成長用基板の上に、バッファ層を形成し、バッファ層の上に、第１半導体層１１を形成しても良い。成長用基板１０ｓには、例えば、サファイア基板またはＳｉ基板などが用いられる。成長用基板１０ｓの材料及び面方位は、任意である。
【００９０】
第１発光層１０Ｌから放出される第１光の第１ピーク波長は、第２発光層２０Ｌから放出される第２光の第２ピーク波長よりも長くてもよく、短くてもよい。第１ピーク波長が第２ピーク波長よりも長いと、第１発光層１０Ｌにおける光の吸収が抑制される。これにより、高い光取り出し効率が得られる。
【００９１】
第１発光部１０ｕの結晶層の上（第２半導体層１２の上）に、第１光透過性導電部４２ａとなる光透過電極（例えば、ＩＴＯ）を形成する。光透過電極の厚さは、例えば４００ｎｍ（例えば１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）である。例えば、窒素中で７００℃の熱処理を行う。これにより、第１光透過性導電部４２ａが形成される。
【００９２】
第１光透過性導電部４２ａの上に、例えばリフトオフ法を用いて、第１配線部４２ｂとなる、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜を形成する。この積層膜の合計の厚さは、例えば、５００ｎｍ（例えば２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）である。第１配線部４２ｂは、第１発光部１０ｕの、第２半導体層１２用の配線電極となる。
【００９３】
第１光透過性導電部４２ａの抵抗率は、比較的高い。第１配線部４２ｂを設けることで、電流広がり性を改善できる。これにより、第２半導体層１２の広い領域に電流を広げることができる。第１配線部４２ｂの線幅は、例えば１０μｍ（例えば５μｍ以上３０μｍｍ以下）である。チップサイズが小さい場合は、第１配線部４２ｂを設けなくても良い。
【００９４】
第１配線部４２ｂの厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１００００ｎｍ以下が好ましい。第１配線部４２ｂの厚さは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。第１配線部４２ｂの厚さが薄いと、後述するＣＭＰ工程で平坦化する際に、段差が小さくなり、必要な切削量が少なくなる。これにより、後述する第１発光部間誘電体層７１の厚さが薄くできる。ＣＭＰ処理の処理時間が短縮できる。これにより、コストが低減できる。第１配線部４２ｂの厚さが厚いと、第１配線部４２ｂの配線抵抗が低下でき、電流広がりがよくなる。これにより、実効的な発光領域が増え、発光効率が向上し、動作電圧が低減する。
【００９５】
例えば、ドライエッチングにより、第１光透過性導電部４２ａ、第２半導体層１２及び第１発光層１０Ｌの一部を除去する。除去した部分において、第１半導体層１１が露出する。露出した部分が、第１半導体部分１１ａとなる。除去により形成される孔の深さは、例えば１０００ｎｍ（例えば、６００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下）である。孔の壁面は、垂直（Ｘ−Ｙ平面に対して垂直）でも良い。孔の壁面は、テーパー状でも良い。垂直の場合は、孔が占有する面積が小さくでき、発光面積を増やすことができる。テーパー状の場合は、後述する絶縁部のカバレッジ性が向上する。
【００９６】
孔の幅（Ｚ軸方向に対して垂直な方向の長さ）は、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。孔の幅は、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。孔の幅が狭いと、第１発光層１０Ｌの面積を増やすことができる。これにより、発光領域を拡大することができ、発光効率が向上し、動作電圧を低減することができる。孔の幅が広いと、後述する接続電極（第１接続電極５１）のサイズを大きくできる。
【００９７】
孔の数が少ないと、第１発光層１０Ｌの面積を増やすことができる、これにより、発光領域を拡大することができる。孔の数が多いと、後述する、複数のｎ側電極（例えば、第１金属部５１ａ）を素子全体に渡って配置することができる。これにより、第１発光層１０Ｌへ電流を均一に注入することができる。これにより、発光効率が向上し、動作電圧が低減する。孔において、第１発光部１０ｕの結晶層内を導波する発光光を、散乱または反射させることができる。これにより、結晶層内に閉じ込められていた発光光を外に取り出せる確率が向上する。これにより、光取り出し効率が向上する。
【００９８】
第１光透過性導電部４２ａ、第１配線部４２ｂ、及び、露出した結晶層の上の全体に誘電体層として、例えばＳｉＯ２膜を形成する。このＳｉＯ２膜の厚さは、例えば、約４００ｎｍ（例えば、２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）である。孔の側面に設けられるＳｉＯ２膜は、第２半導体層１２と第１半導体層１１との間を絶縁する絶縁部となる。すなわち、孔の側面に設けられるＳｉＯ２膜は、第１誘電体層５１ｉの少なくとも一部となる。孔の底に形成されたＳｉＯ２膜は、後で除去される。その他の領域のＳｉＯ２膜は、第１発光部間誘電体層７１の一部となる。
【００９９】
孔の底に形成されたＳｉＯ２膜を除去して、孔の底において、第１半導体層１１を露出させる。露出した第１半導体層１１の上に、第３金属部５１ｃ（ｎ側電極）となる、Ａｌ／Ｔｉの積層膜を形成する。この積層膜の厚さは、例えば、約２００ｎｍ（例えば１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下）である。第３金属部５１ｃの厚さは、１０ｎｍ以上１００００ｎｍ以下が好ましい。第３金属部５１ｃの厚さは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍであることがさらに好ましい。第３金属部５１ｃは、第１半導体層１１とオーミック接触する。第３金属部５１ｃは、単層膜でも良く、異なる複数の金属膜の積層膜でも良い。
【０１００】
孔を埋め込むように、例えば、Ａｌ膜を形成する。このＡｌ膜は、第１接続電極５１の一部となる。このＡｌ膜は、第１発光部１０ｕの側の接続電極（第１金属部５１ａ）となる。この接続電極は、例えば、蒸着法と組み合わせたリフトオフ法、スパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法、または、それらの組み合わせの方法により形成できる。例えば、この接続電極として、無電解めっき法により、Ｃｕ層を形成してもよい。その場合は、シード層として、例えば、Ｃｕ膜またはＡｕ膜を、孔の内側に形成してもよい。めっき用シード層の技術として、Seed Layer Enhancement処理を行ってもよい。すなわち、例えば、ＣＶＤ法で例えばＷ膜を形成してもよい。
【０１０１】
この接続電極（第１金属部５１ａ）は、第３金属部５１ｃ（第１発光部１０ｕのｎ側電極）を兼ねてもよい。すなわち、第３金属部５１ｃを省略しても良い。第１発光部１０ｕの側のこの接続電極（第１金属部５１ａ）の形、数及び大きさのそれぞれは、第２発光部２０ｕの側の接続電極（第２金属部５１ｂ）の形、数及び大きさのそれぞれと、対応させる。
【０１０２】
この接続電極（第１金属部５１ａ）には、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ及びＡｕの少なくともいずれかの膜、または、それらの少なくともいずれかを含む複数の膜の積層膜が用いられる。この接続電極（第１金属部５１ａ）として、抵抗率の低い金属を用いてもよい。これにより、大電流を流せる。この接続電極（第１金属部５１ａ）として、発光光に対する反射率が高い金属を用いても良い。これにより、光取り出し効率が向上できる。
【０１０３】
この接続電極（第１金属部５１ａ）を覆うように、光透過性の絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）を形成する。この絶縁層（ＳｉＯ２膜）は、例えば、第１発光部間誘電体層７１の別の一部となる。この絶縁層の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下である。この絶縁層は、例えば、ＥＣＲスパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成できる。これにより、例えば低温で良質な膜質が得られる。例えば、プラズマＣＶＤ法による膜は、カバレッジ性が良好なことから、段差の大きい構造において、ボイドの発生を抑制することができる。
【０１０４】
上記の接続電極（第１金属部５１ａ）は、上記の光透過性の絶縁層を形成した後に形成しても良い。接続電極（第１金属部５１ａ）は、例えば、蒸着法と組み合わせたリフトオフ法、スパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法、または、それらの組み合わせの方法により形成される。
【０１０５】
ＣＭＰ処理により、光透過性の絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）を平坦化する。これにより、接続電極（第１金属部５１ａ）を露出させる。段差が大きい場合、ＣＭＰ処理で平坦化するために、ＳｉＯ２膜の厚さは厚く設定される。ＳｉＯ２膜の厚さは、例えば、段差の３倍以上に設定される。ＣＭＰ処理前に、ＳｉＯ２膜の段差をドライエッチングなどで小さくして、擬似的な平坦状態を作っても良い。これにより、平坦化に必要な切削量（厚さ）を小さくできる。
【０１０６】
これにより、図３（ｂ）に例示した構造体（第１積層体１０ｕｓ、すなわち、第１半導体ウェーハ１０ｕｗ）が形成される。この構造体は、第１発光部１０ｕを含む。この構造体の表面（下面）には、例えば、上記のＳｉＯ２膜（第１誘電体膜７１ａ）と、第１金属部５１ａと、が設けられている。
【０１０７】
上記の第１積層体１０ｕｓと第２積層体２０ｕｓと、を例えば以下のようにして接続する。  
ＣＭＰ処理した、第１積層体１０ｕｓのＳｉＯ２膜（第１誘電体膜７１ａ）と、第２積層体２０ｕｓのＳｉＯ２膜（第２誘電体膜７１ｂ）と、を例えば、直接接合で接合する。例えば、真空中で、酸素雰囲気によるプラズマ洗浄処理を行う。
【０１０８】
図３（ｃ）に表したように、第１積層体１０ｕｓの第１半導体ウェーハ１０ｕｗのＳｉＯ２膜（第１誘電体膜７１ａ）と、第２積層体２０ｕｓの第２半導体ウェーハ２０ｕｗのＳｉＯ２膜（第２誘電体膜７１ｂ）と、を対向させて接触させる。そして、例えば、１５０℃の温度で、１ｋＮの圧力を加える。これにより、第１積層体１０ｕｓの第１半導体ウェーハ１０ｕｗと、第２積層体２０ｕｓの第２半導体ウェーハ２０ｕｗと、が接合される。その際、第１金属部５１ａと、第２金属部５１ｂと、が電気的に接続されるように、位置合わせが行われる。
【０１０９】
第１発光部１０ｕの成長用基板１０ｓを除去する。成長用基板１０ｓがサファイア基板の場合は、ＬＬＯ法を用いる。成長用基板１０ｓがＳｉ基板の場合は、研削、ドライエッチング及びウェットエッチングの少なくともいずれかが用いられる。これにより、第１発光部１０ｕの結晶層が露出する。例えば、第１発光部１０ｕのバッファ層が露出する。このバッファ層をドライエッチングにより除去する。これにより、第１半導体層１１が露出する。
【０１１０】
以下、素子分離を行う。  
例えば、ドライエッチングにより、第１発光部１０ｕの結晶層の一部を除去する。これにより、第１光透過性導電部４２ａが露出される。
【０１１１】
ドライエッチングまたはウェットエッチングなどにより、露出した第１光透過性導電部４２ａの一部を除去し、露出した第１発光部間誘電体層７１の一部を除去する。これにより、第２発光部２０ｕの結晶層（例えば第３半導体層２３）、及び、第２発光部２０ｕのｎ側電極（第１導電層４１）のパッド領域（第１パッド配置部分４１ｕ）を露出させる。
【０１１２】
ドライエッチングまたはウェットエッチングなどにより、第２発光部２０ｕの露出した結晶層の一部を除去して、第４半導体層２４に接触していたＳｉＯ２膜（支持層側誘電体層７８）を露出させる。
【０１１３】
支持層６６ｃのうちの発光部側の面の全体に、図示しない絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）を形成する。この絶縁層の厚さは、例えば約４００ｎｍ（例えば、２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）である。この絶縁層は、例えばＣＶＤ法により形成される。この絶縁層は、第１発光部１０ｕ及び第２発光部２０ｕのパッシベーション膜となる。この絶縁層は、第１発光層１０Ｌの側面を覆い、第２発光層２０Ｌの側面を覆う。
【０１１４】
例えば、スペーサリフトオフ法により、露出したパッド領域（第１導電層４１の第１パッド配置部分４１ｕ）の上と、露出したｐ側電極（第２導電層４２の第２パッド配置部分４２ｕ）の上に、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜を形成する。この積層膜の厚さは、例えば約５００ｎｍ（例えば、２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）である。これにより、第１発光部１０ｕ及び第２発光部２０ｕの共通のｎ側電極パッド（第１パッド４１ｐ）と、第１発光部１０ｕのｐ側電極パッド（第２パッド４２ｐ）と、が形成される。
【０１１５】
既に説明したように、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１導電層４１は、第１配線部４２ｂと重なる部分を有する。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１配線部４２ｂは、第１導電層４１と重なる部分を有する。発光層から放出された光は、第１導電層４１及び第１配線部４２ｂで遮蔽される。第１導電層４１の少なくとも一部と、第１配線部４２ｂの少なくとも一部と、を互いに重ねることで、発光光を遮蔽する領域を小さくできる。これにより、光取り出し効率が向上する。さらに、色むらを低減させることができる。
【０１１６】
この後、第２電極６２を形成する。すなわち、例えば、支持層６６ｃを研削して、支持層６６ｃの厚さを例えば、約１５０μｍに薄くする。研削面に、第２電極６２となる、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜を形成する。積層膜の厚さは、例えば、約５００ｎｍ（例えば、２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）である。これにより、第１電極６１と電気的に接続された第２電極６２が形成できる。
【０１１７】
第２電極６２は、第１電極６１上に形成しても良い。その場合、例えば、支持層側誘電体層７８を露出させる際に、第１電極６１も露出させ、第１パッド４１ｐと第２パッド４２ｐを形成する際に、第１電極６１上に第２電極６２を同時に形成しても良い。
【０１１８】
第２電極６２は、第１電極６１上に形成しても良い。その場合、例えば、支持層側誘電体層７８を露出させる際に、第１電極６１の一部も露出させ、第１パッド４１ｐと第２パッド４２ｐを形成する際に、第１電極６１上に第２電極６２を同時に形成しても良い。
【０１１９】
この後、ダイシングなどにより、個片化する。これにより、半導体発光素子１１０が形成される。  
半導体発光素子１１０によれば、高効率の積層型の半導体発光素子が提供できる。
【０１２０】
一方、複数ＬＥＤチップをアセンブリ工程で積層した多色発光ＬＥＤの参考例が考えられる。この参考例においては、各ＬＥＤチップに対して、ｐ側配線およびｎ側配線が設けられる。２つのＬＥＤチップを積層した場合は、４つの配線が必要となる。３つのＬＥＤチップを積層した場合は、６つの配線が必要となる。そのため、光取り出しに寄与しない、配線用の面積により、光取り出し効率が低くなる。そして、煩雑なアセンブリ工程により、歩留まりが低く、コストが高い。
【０１２１】
この参考例において、下側（パッケージ側）に配置されたＬＥＤチップからの発光光に対して、上側に配置されたＬＥＤチップの基板（成長用基板または支持基板）、または、略全面を覆う電極（窒化物半導体の場合はｐ側電極）が光透過性でない場合は、下側と上側で異なる方向に光が取り出される。このため、色割れが生じる。色割れは、例えば、視角方向によって発光光の色が変化する現象である。さらに、下側に配置されたＬＥＤチップの光取り出し効率は、主面を基板で覆われているため、著しく低下する。
【０１２２】
この参考例において、基板が光透過性の場合でも、ボンディングパッドを露出させる必要がある。このため、チップサイズが異なるＬＥＤチップを積層する必要があり、色割れが生じる。さらに、アセンブリ工程における位置合わせ精度は、フォトリソグラフィ工程における位置合わせ精度と比較して劣るため、位置合わせマージンを広くする必要がある。このため、さらに色割れが生じ易くなる。そして、光取り出し効率がさらに低下する。歩留まりがさらに低下し易い。
【０１２３】
さらに、参考例においては、基板の厚さは通常１００μｍ以上である。このため、上側に配置されたＬＥＤチップにおいて、放熱性が悪く、寿命が短くなる。参考例においては、１チップごとに積層する。このため、製造に時間が掛かり、コストが上昇する。
【０１２４】
本実施形態に係る半導体発光素子１１０においては、光取り出し側の面に電極を形成しなくてよい。このため、光取り出し効率が高い。配線が省略でき、高い光取り出し効率が得られる。煩雑なアセンブリ工程を用いないため、歩留まりが高く、コストが低減できる。実施形態においては、色割れが抑制できる。実施形態においては、上側の発光部には基板を設けなくても良いため、放熱性が高く、長い寿命が得られる。実施形態においては、ウェーハ状態で、複数の発光部が積層されるため、製造が簡単であり、コストを低減できる。
【０１２５】
図４は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式的断面図である。  
図４は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に相当する断面図である。  
図４に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子１１１においては、第１光透過性導電部４２ａの平面形状は、例えば、第１発光部１０ｕの平面形状と実質的に同じである。そして、第２パッド４２ｐは、第１配線部４２ｂの上に設けられる。
【０１２６】
すなわち、第１配線部４２ｂの少なくとも一部は、第２パッド４２ｐと第２発光部２０ｕとの間に配置される。  
半導体発光素子１１１においても、高効率の積層型の半導体発光素子が提供できる。
【０１２７】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第１発光部１０ｕの一部を例示している。  
図５（ａ）に表したように、第１発光部１０ｕは、第２発光部２０ｕとは反対側の面１１ｕを有す。面１１ｕは、半導体発光素子の光取り出し側の面である。半導体発光素子１１０ａにおいては、この面１１ｕに凹凸１１ｐｄが設けられている。この例では、第１半導体層１１の表面に凹凸が設けられている。
【０１２８】
図５（ｂ）に表したように、半導体発光素子１１０ｂにおいては、第１発光部１０ｕの第１半導体層１１は、第１導電形の高不純物濃度層１１ｐと、低不純物濃度層１１ｑと、を含む。高不純物濃度層１１ｐは、低不純物濃度層１１ｑと第１発光層１０Ｌとの間に設けられる。低不純物濃度層１１ｑにおける不純物濃度は、高不純物濃度層１１ｐにおける不純物濃度よりも低い。高不純物濃度層１１ｐは、例えば、ｎ形ＧａＮ層である。低不純物濃度層１１ｑは、例えば、アンドープのＧａＮ層である。低不純物濃度層１１ｑとして、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮ層を用いても良い。低不純物濃度層１１ｑがアンドープの半導体層である場合も、低不純物濃度層１１ｑも、便宜的に第１半導体層１１に含める。
【０１２９】
半導体発光素子１１０ｂにおいては、面１１ｕは、低不純物濃度層１１ｑの表面である。この場合も、低不純物濃度層１１ｑの表面（面１１ｕ）に凹凸１１ｐｄが設けられている。  
光取り出し側の面（面１１ｕ）に凹凸１１ｐｄを設けることで、光取り出し効率が向上できる。
【０１３０】
第１光透過性導電部４２ａには、例えば、光透過性電極を用いることができる。光透過性電極の、発光光に対する透過率は、例えば、５０％以上である。光透過性電極は、導電性を有する。光透過性電極は、例えば、ｎ形半導体層とオーミック接触を形成可能である。光透過性電極は、例えば、ｐ形半導体層とオーミック接触を形成可能である。光透過性電極として、例えば、ＩＴＯ、ＩＴＯＮ及びＺｎＯの少なくともいずれかが用いられる。光透過性電極の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１００００ｎｍ以下である。厚さが薄いと高い透過率が得られる。厚さが厚いと、シート抵抗が低減することで、電流広がり性が向上する。光透過性電極として、例えば、薄い金属を用いても良い。光透過性電極として、上記以外の酸化物を用いても良い。
【０１３１】
接合用の第１発光部間誘電体層７１（例えばＳｉＯ２膜）の厚さが薄いと、上層の発光部からの放熱性が良い。
【０１３２】
ｎ形半導体層（例えば、第１半導体層１１及び第３半導体層２３）をそれぞれ露出させた状態で、それぞれの表面に光取り出し用の凹凸構造を形成してもよい。
【０１３３】
Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１パッド４１ｐと重なる領域には、第１電極６１が設けられていなくても良い。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第２パッド４２ｐと重なる領域には、第１電極６１が設けられていなくても良い。パッド直下で発光した光は、パッドに吸収され易い。吸収される割合を減らすことで、光取り出し効率を向上することができる。
【０１３４】
Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１光透過性導電部４２ａと重なる領域のみに、第１電極６１を設けても良い。これにより、第１発光層１０Ｌにおける発光領域と、第２発光層２０Ｌにおける発光領域と、が実質的に一致する。これにより、色むら（色割れ）を低減することができる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１配線部４２ｂと重なる領域に、第１電極６１を設けなくても良い。
【０１３５】
Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１パッド４１ｐと重なる領域、及び、第２パッド４２ｐと重なる領域においては、第１電極６１は、第４半導体層２４とオーミック接触していなくてもよい。パッド直下で発光した光は、パッドに吸収され易い。吸収される割合を減らすことで、光取り出し効率を向上することができる。
【０１３６】
Ｘ−Ｙ平面に投影したときに第１光透過性導電部４２ａと重なる領域のみで、第１電極６１が、第２半導体層２４とオーミック接触していても良い。すなわち、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに第１光透過性導電部４２ａと重ならない領域では、第１電極６１は、第２半導体層２４とオーミック接触していなくても良い。これにより、第１発光層１０Ｌにおける発光領域と、第２発光層２０Ｌにおける発光領域と、が実質的に一致する。これにより、色むら（色割れ）を低減させることができる。
【０１３７】
第２パッド４２ｐを第１光透過性導電部４２ａの上に形成する場合は、第２発光部２０ｕの結晶層をドライエッチングする際に、第１光透過性導電部４２ａ（ＩＴＯ）をエッチングストップ層として使用することができる。もし、金属層をエッチングストップ層として使用すると、ドライエッチングガスとの反応副生成物、または、エッチングされて除去された金属がその金属層の周辺に付着する場合がある。このため、構造が不均一になり、または、リークが生じる場合がある。歩留まりが低下する場合もある。寿命が低下する場合もある。
【０１３８】
第１光透過性導電部４２ａのＩＴＯ膜をエッチングストップ層として使用することで、構造が均一になり、リークが抑制し易い。歩留まりが向上し易く、寿命が長くできる。
【０１３９】
第２パッド４２ｐを第１光透過性導電部４２ａ（ＩＴＯ）の上に形成する場合は、このＩＴＯ膜を接合前に加工する必要が無い。このため、加工が容易である。
【０１４０】
一方、第２パッド４２ｐを第１配線部４２ｂの上に形成する場合は、第２パッド４２ｐと第１配線部４２ｂの間の接触抵抗を低くできる。そして、第２パッド４２ｐと、第１配線部４２ｂと、の間の密着性が高い。ＩＴＯと金属との間の接触抵抗は比較的高く、密着性が悪い場合がある。第２パッド４２ｐを第１配線部４２ｂの上に形成することで、低い接触抵抗と、高い密着性と、が得易い。
【０１４１】
第２発光部２０ｕにおいて、第１電極６１と、支持層６６ｃと、の接合には、例えば、上記のように、ＡｕＳｎのはんだが用いられる。この接合において、例えば、ＡｕＩｎまたはＮｉＳｎなどのはんだを用いた液相拡散接合を用いてもよい。接合温度は、例えば、２００℃以上２５０℃以下である。これに対して、ＡｕＩｎまたはＮｉＳｎなどのはんだを用いた液相拡散接合におけるはんだの融点は４００℃以上１１００℃以下と高くできる。これにより、はんだを用いた接合工程の後に実施される工程の温度を、接合工程の温度よりも高くすることができる。
【０１４２】
図６は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式的断面図である。  
図６は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図６に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子１１２においては、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間に設けられる第１発光部間誘電体層７１に、第１光学層７１ｄが設けられている。
【０１４３】
この例では、第１発光部間誘電体層７１は、第１誘電体膜７１ａと、第２誘電体膜７１ｂと、第１光学層７１ｄと、を含む。第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間に、第１誘電体膜７１ａが配置される。第２発光部２０ｕと第１誘電体膜７１ａとの間に、第２誘電体膜７１ｂが配置される。この例では、第１誘電体膜７１ａと、第２誘電体膜７１ｂと、の間に第１光学層７１ｄが配置される。
【０１４４】
第１光学層７１ｄは、第２発光層２０Ｌから放出される光（第２光）を透過し、第１発光層１０Ｌから放出される光（第１光）を反射する。第１光学層７１ｄは、例えば、ダイクロイックミラーである。
【０１４５】
第１光学層７１ｄにおける第２光に対する透過率は、第１光学層７１ｄにおける第１光に対する透過率よりも高い。第１光学層７１ｄにおける第１光に対する反射率は、第１光学層７１ｄにおける第２光に対する反射率よりも高い。
【０１４６】
例えば、第１光学層７１ｄは、第１誘電体膜７１ａと、第１発光部１０ｕと、の間に設けられても良い。第１光学層７１ｄの少なくとも一部が、第１発光部１０ｕに接しても良い。例えば、第１光学層７１ｄは、第２誘電体膜７１ｂと、第２発光部２０ｕと、の間に設けられても良い。第１光学層７１ｄの少なくとも一部が、第２発光部２０ｕと接しても良い。
【０１４７】
第１光学層７１ｄの少なくとも一部は、例えば、下層の接合用ＳｉＯ２膜（第２誘電体膜７１ｂ）の厚さを調整することで形成しても良い。第１光学層７１ｄの少なくとも一部は、例えば、上層の接合用ＳｉＯ２膜（第１誘電体膜７１ａ）の厚さを調整することで形成しても良い。
【０１４８】
第１光学層７１ｄには、第１誘電体膜７１ａの材料と同じ材料、または、異なる材料を用いても良い。第１光学層７１ｄには、第２誘電体膜７１ｂの材料と同じ材料、または、異なる材料を用いても良い。
【０１４９】
第１光学層７１ｄには、第２光に対して透過性を有する任意の材料を用いることができる。第１光学層７１ｄは、接合強度と、絶縁性と、を有する。
【０１５０】
実施形態においては、配線電極として、例えば、第１配線部４２ｂ、及び、第１導電層４１の第１延在部分４１ｖと、が用いられる。配線電極の幅は、１０μｍでなくても良い。配線電極には、他の各層に対して密着性が高く抵抗率の低い材料が用いられる。配線電極の幅が狭い（小さい）と、発光光に対する吸収領域の面積が低減する。これにより、光取り出し効率が向上する。配線電極の幅が広いと、配線抵抗が低減し、電流広がりが良くなる。これにより、発光効率が向上し、動作電圧が低下し、寿命が向上する。
【０１５１】
配線電極の厚さを厚くすることで、配線電極の配線抵抗を低減できる。配線電極の厚さが過度に厚いと、ＣＭＰ工程での平坦化に必要な、切削量（厚さ）が大きくなる。
【０１５２】
第１接続電極５１の一部にはんだ層が設けられても良い。例えば、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとを接合する前の状態において、第１金属部５１ａの表面にはんだ層を設けても良い。例えば、接合前の状態において、第２金属部５１ｂの表面にはんだ層を設けても良い。例えば、第１金属部５１ａと第２金属部５１ｂとを互いにはんだ層で接合することで、より確実な接合が得られる。
【０１５３】
図７（ａ）〜図７（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式図である。  
図７（ａ）は、平面図である。図７（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。図７（ｄ）は、図７（ａ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。
【０１５４】
図７（ｂ）〜図７（ｄ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子１１３は、第１電極６１と、第１発光部１０ｕと、第２発光部２０ｕと、第１接続電極５１と、第１誘電体層５１ｉと、第１パッド４１ｐと、第２パッド４２ｐと、第１発光部間誘電体層７１と、に加え、第３発光部３０ｕと、第３パッド４３ｐと、第２発光部間誘電体層７２と、がさらに設けられている。この例では、第１導電層４１、第２導電層４２及び第３導電層４３が設けられている。
【０１５５】
半導体発光素子１１３において、第１電極６１と、第１発光部１０ｕと、第２発光部２０ｕと、第１接続電極５１と、第１誘電体層５１ｉと、第１パッド４１ｐと、第２パッド４２ｐと、第１発光部間誘電体層７１と、第１導電層４１と、第２導電層４２と、に関しては、半導体発光素子１１０と同様の構成が適用できるので、説明を省略する。以下では、第３発光部３０ｕと、第３パッド４３ｐと、第２発光部間誘電体層７２と、第３導電層４３と、について説明する。
【０１５６】
第３発光部３０ｕと第２発光部２０ｕとの間に第１発光部１０ｕが配置される。第３発光部３０ｕは、第５半導体層３５と、第６半導体層３６と、第３発光層３０Ｌと、を含む。
【０１５７】
第５半導体層３５は、第１発光部１０ｕと第１方向Ｄ１において離間する。第５半導体層３５は、第５導電形である。第５半導体層３５と第２発光部２０ｕとの間に第１発光部１０ｕが配置される。第５半導体層３５は、第３半導体部分３５ａと、第４半導体部分３５ｂと、を含む。第４半導体部分３５ｂは、第１方向Ｄ１に対して交差する方向において、第３半導体部分３５ａと並ぶ。
【０１５８】
第６半導体層３６は、第４半導体部分３５ｂと第１発光部１０ｕとの間に設けられる。第６半導体層３６は、第６導電形である。第６導電形は、第５導電形とは異なる。
【０１５９】
第３発光層３０Ｌは、第４半導体部分３５ｂと第６半導体層３６との間に設けられる。第３発光層３０Ｌは、第３光を放出する。第３光は、第３ピーク波長を有する。第３ピーク波長は、第１ピーク波長とは異なり第２ピーク波長とは異なる。
【０１６０】
例えば、第５導電形は、第３導電形と同じである。例えば、第６導電形は、第２導電形と同じである。例えば、第１導電形、第３導電形及び第５導電形は、ｎ形であり、第２導電形、第４導電形及び第６導電形は、ｐ形である。実施形態において、第１導電形、第３導電形及び第５導電形がｐ形であり、第２導電形、第４導電形及び第６導電形がｎ形でも良い。実施形態において、第１〜第６導電形のそれぞれは、任意である。以下では、第１導電形、第３導電形及び第５導電形がｎ形であり、第２導電形、第４導電形及び第６導電形がｐ形である場合について、説明する。
【０１６１】
第２接続電極５２は、第３半導体部分３５ａに電気的に接続される。第２接続電極５２は、第１方向Ｄ１に延在し、第１半導体層１１と電気的に接続される。
【０１６２】
第２誘電体層５２ｉは、第２接続電極５２と第６半導体層３６との間、及び、第２接続電極５２と第３発光層３０Ｌとの間に設けられる。
【０１６３】
第３パッド４３ｐは、第６半導体層３６と電気的に接続される。
【０１６４】
第２発光部間誘電体層７２は、第３発光部３０ｕと第１発光部１０ｕとの間に設けられる。第２発光部間誘電体層７２は、光透過性である。
【０１６５】
この例では、第３導電層４３が設けられており、第２接続電極５２は、第３導電層４３を介して、第３パッド４３ｐと電気的に接続される。
【０１６６】
第３導電層４３は、第６半導体層３６に電気的に接続されている。第３導電層４３は、第３層間部分４３ｔと、第３パッド配置部分４３ｕと、を含む。第３層間部分４３ｔは、第３発光部３０ｕと第１発光部１０ｕとの間に設けられる。第３パッド配置部分４３ｕは、第１方向Ｄ１に対して交差する方向において、第３層間部分４３ｔと並ぶ。
【０１６７】
第３パッド４３ｐは、第３パッド配置部分４３ｕと電気的に接続される。第２誘電体層５２ｉは、第２接続電極５２と第３導電層４３との間にさらに配置される。この例では、第３パッド４３ｐと第１発光部１０ｕとの間に第３導電層４３が配置される。
【０１６８】
この例では、第３導電層４３は、第２光透過性導電部４３ａと、第２配線部４３ｂと、を含む。第２光透過性導電部４３ａは、第３発光部３０ｕと、第２発光部間誘電体層７２との間に設けられる。第２光透過性導電部４３ａは、第６半導体層３６と電気的に接続される。
【０１６９】
第２光透過性導電部４３ａは、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含む。第２光透過性導電部４３ａには、例えばＩＴＯなどが用いられる。第２光透過性導電部４３ａに、金属の薄膜を用いても良い。
【０１７０】
第２配線部４３ｂは、第２光透過性導電部４３ａと第２発光部間誘電体層７２との間に設けられる。第２配線部４３ｂは、第２光透過性導電部４３ａと電気的に接続される。第２配線部４３ｂの光透過率は、第２光透過性導電部４３ａの光透過率よりも低い。第２配線部４３ｂには、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＰｔの少なくともいずれかが用いられる。
【０１７１】
この例では、第２光透過性導電部４３ａの少なくとも一部は、第３パッド４３ｐと第１発光部１０ｕとの間に配置される。すなわち、第１発光部１０ｕの上に第２光透過性導電部４３ａが設けられ、第２光透過性導電部４３ａの上に、第３パッド４３ｐが設けられる。
【０１７２】
第１パッド４１ｐは、第３発光部３０ｕのｎ側パッドとしても機能する。例えば、第１パッド４１ｐは、第１導電層４１及び第１接続電極５１を介して、第１発光部１０ｕの第１半導体層１１と電気的に接続される。第１半導体層１１は、第２接続電極５２を介して、第３発光部３０ｕの第５半導体層３５と電気的に接続される。
【０１７３】
一方、第３パッド４３ｐは、第３発光部３０ｕのｐ側パッドとして機能する。すなわち、第３パッド４３ｐは、第３導電層４３を介して第６半導体層３６と接続される。
【０１７４】
第１パッド４１ｐと、第３パッド４３ｐと、の間に電圧を印加することで、第３発光層３０Ｌに電流が供給され、第３発光層３０Ｌから光（第３光）が放出される。
【０１７５】
第３光の第３ピーク波長は、第１光の第１ピーク波長よりも長いことが好ましい。そして、第１光の第１ピーク波長は、第２光の第２ピーク波長よりも長いことが好ましい。これにより、吸収が抑制され、光取り出し効率が向上する。
【０１７６】
例えば、第２発光層２０Ｌから放出される第２光は、青光であり、第１発光層１０Ｌから放出される第１光は、緑光であり、第３発光層３０Ｌから放出される第３光は、赤光である。ただし、実施形態において、それぞれの発光部から放出される光の色（ピーク波長）は、任意である。
【０１７７】
この例では、第２接続電極５２は、第４金属部５２ｄと、第５金属部５２ｅと、を含む。第５金属部５２ｅの少なくとも一部と、第３半導体部分３５ａと、の間に、第４金属部５２ｄが、配置される。第４金属部５２ｄは、例えば、第３半導体部分３５ａと接しても良い。この例では、第２接続電極５２は、第６金属部５２ｆをさらに含む。第６金属部５２ｆは、第４金属部５２ｄと第３半導体部分３５ａとの間に設けられる。第６金属部５２ｆは、例えば、第３発光部３０ｕのｎ側電極である。第５金属部５２ｅは、例えば、第１発光部１０ｕのｎ側電極である。
【０１７８】
第６金属部５２ｆには、第５半導体層３５とオーミック性を示し、コンタクト抵抗が低い材料が用いられる。第５金属部５２ｅには、例えば、第１半導体層１１とオーミック性を示し、コンタクト抵抗が低い材料が用いられても良い。この例において、図１（ａ）及び図１（ｂ）に関して説明した導電層１１ｅｌをさらに設けても良い（図７（ｃ）などでは導電層１１ｅｌを省略している）。この場合、第５金属層５２ｅは、例えば、この導電層１１ｅｌと密着性よく接続されても良い。例えば、第６金属部５２ｆ及び第５金属部５２ｅとして、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＴａよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む金属膜が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかを含む合金が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかの複数の金属膜を含む積層膜が用いられても良い。
【０１７９】
第４金属部５２ｄは、第５金属部５２ｅと第６金属部５２ｆとを電気的に接続できる。例えば、第４金属部５２ｄには、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ及びＮｉよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む金属膜が用いられても良い。この群から選択された少なくといずれかを含む合金が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかの複数の金属膜を含む積層膜が用いられても良い。
【０１８０】
図７（ａ）に表したように、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１パッド４１ｐは、第２パッド４２ｐと重ならない。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第３パッド４３ｐは、第１パッド４１ｐと重ならず、第２パッド４２ｐとも重ならない。
【０１８１】
図８（ａ）〜図８（ｆ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式図である。  
図８（ａ）は、図８（ｃ）と同じ断面の断面図である。図８（ｂ）〜図８（ｆ）は、図８（ａ）に示した領域Ｒ１〜Ｒ５に対応する模式的透過平面図である。領域Ｒ１〜領域Ｒ５は、それぞれ、Ｘ−Ｙ平面に平行な領域である。領域Ｒ１は、第１パッド４１ｐと、第１導電層４１と、を含む領域である。領域Ｒ２は、第１光透過性導電部４２ａと、第１配線部４２ｂを含む領域である。領域Ｒ３は、第２パッド４２ｐと、第１光透過性導電部４２ａと、を含む領域である。領域Ｒ４は、第２光透過性導電部４３ａと、第２配線部４３ｂを含む領域である。領域Ｒ５は、第３パッド４３ｐと、第２光透過性導電部４３ａと、を含む領域である。
【０１８２】
図８（ｂ）に表したように、半導体発光素子１１０は、略矩形の平面形状を有している。領域Ｒ１において、この例では、第１導電層４１は、矩形の辺に沿って設けられている。第１接続電極５１と、第１パッド４１ｐと、が第１導電層４１により接続される。第１接続電極５１の周りの部分が、第１誘電体層５１ｉとなる。それ以外の部分は、第１発光部間誘電体層７１となる。
【０１８３】
図８（ｃ）に表したように、領域Ｒ２において、第１光透過性導電部４２ａと、第１配線部４２ｂと、が設けられる。第１光透過性導電部４２ａと、第１配線部４２ｂと、は、互いに電気的に接続される。第１接続電極５１と第１光透過性導電部４２ａとの間、及び、第１接続電極５１と第１配線部４２ｂとの間に、第１誘電体層５１ｉが設けられる。
【０１８４】
図８（ｂ）及び図８（ｃ）に表したように、この場合も、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１導電層４１の少なくとも一部と、第１配線部４２ｂの少なくとも一部と、は互いに重なる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１導電層４１のうちの第１延在部分４１ｖの少なくとも一部と、第１配線部４２ｂの少なくとも一部と、は互いに重なる。
【０１８５】
図８（ｄ）に表したように、領域Ｒ３において、第１光透過性導電部４２ａと、第２パッド４２ｐと、が設けられる。第１光透過性導電部４２ａと、第２パッド４２ｐと、は、互いに電気的に接続される。第１接続電極５１と、第１光透過性導電部４２ａと、の間、に、第１誘電体層５１ｉが設けられる。これらの導電部は、互いに絶縁される。
【０１８６】
図８（ｅ）に表したように、領域Ｒ４において、第２光透過性導電部４３ａと、第２配線部４３ｂと、が設けられる。第２光透過性導電部４３ａと、第２配線部４３ｂと、は、互いに電気的に接続される。第２接続電極５２と第２光透過性導電部４３ａとの間、及び、第２接続電極５２と第２配線部４３ｂとの間に、第２誘電体層５２ｉが設けられる。
【０１８７】
図８（ｂ）及び図８（ｅ）に表したように、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１導電層４１の少なくとも一部と、第２配線部４３ｂの少なくとも一部と、は互いに重なる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１導電層４１のうちの第１延在部分４１ｖの少なくとも一部と、第２配線部４３ｂの少なくとも一部と、は互いに重なる。
【０１８８】
図８（ｆ）に表したように、領域Ｒ５において、第２光透過性導電部４３ａと、第３パッド４３ｐと、が設けられる。第３光透過性導電部４３ａと、第３パッド４３ｐと、は、互いに電気的に接続される。第２接続電極５２と、第２光透過性導電部４３ａと、の間、に、第２誘電体層５２ｉが設けられる。これらの導電部は、互いに絶縁される。
【０１８９】
半導体発光素子１１３によれば、高効率の積層型の半導体発光素子が提供できる。半導体発光素子１１３において、各構成要素のパターン配置に関して、種々の変形が可能である。
【０１９０】
例えば、半導体発光素子１１３の製造方法の例について説明する。  
半導体発光素子１１３の、第１発光部１０ｕ及び第２発光部２０ｕの接合までの工程は、半導体発光素子１１０に関して説明した工程を適用できる、以下では、第３発光部３０ｕの形成と、第３発光部３０ｕと第１発光部１０ｕとの接合の例について説明する。
【０１９１】
第１発光部１０ｕと同様の工程により、第３発光部３０ｕを含む積層体（半導体ウェーハ）が形成される。この積層体の表面（第６半導体層３６）から第５半導体層３５に到達する孔を形成し、その孔に導電材料を埋め込み接続電極を形成する。この孔は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１接続電極５１と重なる。リフトオフ法により、Ｃｕ層を形成し、この孔をＣｕ層により埋め込む。Ｃｕ層の厚さは、例えば、約２００ｎｍ（例えば１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）である。これにより、第２接続電極５２のうちの一部（第４金属部５２ｄ）が形成される。上記において、第４金属部５２ｄの形成の前に、第６金属部５２ｆを形成しても良い。
【０１９２】
第６金属部５２ｆを覆うように、第２発光部間誘電体層７２の一部となる光透過性の絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）を形成する。
【０１９３】
この接続電極（第４金属部５２ｄ）は、光透過性の絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）の形成の後に形成しても良い。この接続電極（第４金属部５２ｄ）の形成方法には、例えば、蒸着法と組み合わせたリフトオフ法、スパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法、または、それらの組み合わせが用いられる。
【０１９４】
ＣＭＰ処理により、上記の光透過性の絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）を平坦化する。その際、上記の接続電極（第４金属部５２ｄ）を露出させる。
【０１９５】
一方、例えば、第１発光部１０ｕの表面（第１半導体層１１の表面）に、光透過性の絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）を形成する。第１発光部１０ｕの表面に形成された光透過性の絶縁層と、第３発光部３０ｕの表面に形成された上記の光透過性の絶縁層と、互いに対向させて、接合する。
【０１９６】
半導体発光素子１１０に関して説明したのと同様に、各結晶層と、各光透過性の絶縁層と、をドライエッチングまたはウェットエッチングし、上記の各パッドを形成する。これにより、半導体発光素子１１３が形成される。
【０１９７】
半導体発光素子１１３においては、３つの発光層が設けられる。上記と同様の工程を実施することで、４つ以上の発光層を積層しても良い。
【０１９８】
半導体発光素子１１３においては、例えば、各発光層の発光波長を、例えば、赤、緑、青、とする。これにより、例えば、蛍光体を使わないで、白色ＬＥＤを実現することができる。蛍光体においては、波長変換によるストークスシフトロスが存在する。このため、蛍光体を用いる場合には、発光効率を十分に高めることが困難である。実施形態においては、蛍光体を用いる必要がないので、高い発光効率が得られる。実施形態において、蛍光体を用いても良い。
【０１９９】
図９は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式的断面図である。  
図９は、図７（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に相当する断面の模式図である。
【０２００】
図９に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子１１３ａにおいては、図１（ａ）〜図１（ｂ）に関して説明した導電層１１ｅｌと同様に、第５半導体層３５上に導電層３５ｅｌをさらに設けられている。この他は、半導体発光素子１１３と同様である。
【０２０１】
半導体発光素子１１３ａにおいては、導電層３５ｅｌと第３発光層３０Ｌとの間に、第５半導体層３５が配置される。導電層３５ｅｌは、例えば、第３発光部３０ｕのｎ側電極となる。導電層３５ｅｌを設けることで、第３発光部３０ｕの第５半導体層３５における電流広がりが改善する。これによって、動作電圧が低減し、発光効率が向上する。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、導電層３５ｅｌの少なくとも一部が、導電層１１ｅｌ、第１導電層４１及び第１配線部４２ｂの少なくともいずれかの少なくとも一部と重なってもよい。これにより、色割れが抑えられ、導電層３５ｅｌでの発光光の吸収を抑えられる。これにより、色むらを低減させることができ、光取り出し効率を向上させることができる。導電層３５ｅｌは光透過性でも良い。この導電層３５ｅｌは、必要に応じて設けられ、省略しても良い。
【０２０２】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第３発光部３０ｕの一部を例示している。  
図１０（ａ）に表したように、半導体発光素子１１３ｂにおいては、第３発光部３０ｕは、第１発光部１０ｕとは反対側の面３５ｕを有す。面３５ｕは、半導体発光素子の光取り出し側の面である。半導体発光素子１１３ａにおいては、この面３５ｕに凹凸３５ｐｄが設けられている。この例では、第５半導体層３５の表面に凹凸が設けられている。
【０２０３】
図１０（ｂ）に表したように、半導体発光素子１１３ｃにおいては、第３発光部３０ｕの第５半導体層３５は、第５導電形の高不純物濃度層３５ｐと、低不純物濃度層３５ｑと、を含む。高不純物濃度層３５ｐは、低不純物濃度層３５ｑと第３発光層３０Ｌとの間に設けられる。低不純物濃度層３５ｑにおける不純物濃度は、高不純物濃度層３５ｐにおける不純物濃度よりも低い。高不純物濃度層３５ｐは、例えば、ｎ形ＧａＮ層である。低不純物濃度層３５ｑは、例えば、アンドープのＧａＮ層である。低不純物濃度層３５ｑとして、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮ層を用いても良い。低不純物濃度層３５ｑがアンドープの半導体層である場合も、低不純物濃度層３５ｑも、便宜的に第５半導体層３５に含める。
【０２０４】
半導体発光素子１１３ｂにおいては、面３５ｕは、低不純物濃度層３５ｑの表面である。この場合も、低不純物濃度層３５ｑの表面（面３５ｕ）に凹凸３５ｐｄが設けられている。
【０２０５】
半導体発光素子１１３ａ及び１１３ｂにおいては、光は、第３発光部３０ｕを通過して、外部に出射する。半導体発光素子１１３ａ及び１１３ｂにおいては、光取り出し側の面は、面３５ｕである。面３５ｕに凹凸３５ｐｄを設けることで、光取り出し効率が向上できる。
【０２０６】
図１１は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子を例示する模式的断面図である。  図１１は、図７（ａ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図１１に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子１１４においては、第３発光部３０ｕと第１発光部１０ｕとの間に設けられる第２発光部間誘電体層７２に、第２光学層７２ｄが設けられている。
【０２０７】
この例では、第２発光部間誘電体層７２は、第３誘電体膜７２ａと、第４誘電体膜７２ｂと、第２光学層７２ｄと、を含む。第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間に、第３誘電体膜７２ａが配置される。第２発光部２０ｕと第３誘電体膜７２ａとの間に、第４誘電体膜７２ｂが配置される。この例では、第３誘電体膜７２ａと、第４誘電体膜７２ｂと、の間に第２光学層７２ｄが配置される。
【０２０８】
第２光学層７２ｄは、第１発光層１０Ｌから放出される光（第１光）を透過し、第３発光層３０Ｌから放出される光（第３光）を反射する。第２光学層７２ｄは、例えば、ダイクロイックミラーである。
【０２０９】
第２光学層７２ｄにおける第１光に対する透過率は、第２光学層７２ｄにおける第３光に対する透過率よりも高い。第２光学層７２ｄにおける第３光に対する反射率は、第２光学層７２ｄにおける第１光に対する反射率よりも高い。
【０２１０】
第２光学層７２ｄにおける第２光に対する透過率は、第２光学層７２ｄにおける第３光に対する透過率よりも高い。第２光学層７２ｄにおける第３光に対する反射率は、第２光学層７２ｄにおける第２光に対する反射率よりも高い。
【０２１１】
例えば、第２光学層７２ｄは、第３誘電体膜７２ａと、第１発光部１０ｕと、の間に設けられても良い。例えば、第２光学層７２ｄは、第４誘電体膜７２ｂと、第２発光部２０ｕと、の間に設けられても良い。
【０２１２】
第２光学層７２ｄの少なくとも一部は、例えば、下層の接合用ＳｉＯ２膜（第４誘電体膜７２ｂ）の厚さを調整することで形成しても良い。第２光学層７２ｄの少なくとも一部は、例えば、上層の接合用ＳｉＯ２膜（第３誘電体膜７２ａ）の厚さを調整することで形成しても良い。
【０２１３】
第２光学層７２ｄには、第３誘電体膜７２ａの材料と同じ材料、または、異なる材料を用いても良い。第２光学層７２ｄには、第４誘電体膜７２ｂの材料と同じ材料、または、異なる材料を用いても良い。
【０２１４】
第２光学層７２ｄには、第１光及び第２光に対して透過性を有する任意の材料を用いることができる。第２光学層７２ｄは、接合強度と、絶縁性と、を有する。
【０２１５】
（第２の実施形態）  
図１２は、第２の実施形態に係る半導体発光素子を例示する模式的断面図である。  
図１２に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子１２０は、パッド部ＰＤ０と、第１発光部１０ｕと、第２発光部２０ｕと、第１電極６１と、絶縁支持層６６ｉと、第１導電層９１と、第１発光部間誘電体層７１と、第１接続電極８１と、第２接続電極８２と、第３接続電極８３と、第４接続電極８４と、第１誘電体層８１ｉと、第２誘電体層８２ｉと、第３誘電体層８３ｉと、含む。
【０２１６】
パッド部ＰＤ０は、第１パッドＰＤ１と、第２パッドＰＤ２と、第３パッドＰＤ３と、を含む。第２パッドＰＤ２は、第１面ｐｌ１内において、第１パッドＰＤ１と離間する。第３パッドＰＤ３は、第１面ｐｌ１内において第１パッドＰＤ１と離間し、第２パッドＰＤ２と離間する。
【０２１７】
例えば、第１面ｐｌ１は、Ｚ軸方向に対して交差する。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｚ軸方向は、第１方向Ｄ１に対して平行とであるとする。
【０２１８】
第１発光部１０ｕは、第１半導体層１１と、第２半導体層１２と、第１発光層１０Ｌと、を含む。
【０２１９】
第１半導体層１１は、第１方向Ｄ１（第１面ｐｌ１に対して交差する方向）において、パッド部ＰＤ０と離間する。この例では、第１方向Ｄ１は、第１面ｐｌ１に対して垂直である。第１半導体層１１は、第１半導体部分１１ａと、第２半導体部分１１ｂと、を含む第２半導体部分１１ｂは、第１方向Ｄ１に対して交差する方向において、第１半導体部分１１ａと並ぶ。第１半導体層１１は、第１導電形である。
【０２２０】
第２半導体層１２は、第２半導体部分１１ｂとパッド部ＰＤ０との間に設けられる。第２半導体層１２は、第２導電形である。第２導電形は、第１導電形とは異なる。
【０２２１】
第１発光層１０Ｌは、第２半導体部分１１ｂと第２半導体層１２との間に設けられる。第１発光層１０Ｌは、第１光を放出する。第１光は、第１ピーク波長を有する。
【０２２２】
第２発光部２０ｕは、第１発光部１０ｕと、パッド部ＰＤ０と、の間に設けられる。第２発光部２０ｕは、第３半導体層２３と、第４半導体層２４と、第２発光部２０ｕと、を含む。
【０２２３】
第３半導体層２３は、パッド部ＰＤ０と第１発光部１０ｕとの間に設けられる。第３半導体層２３は、第３半導体部分２３ａと、第４半導体部分２３ｂと、を含む。第４半導体部分２３ｂは、第１方向Ｄ１に対して交差する方向において第３半導体部分２３ａと並ぶ。第３半導体層２３は、第３導電形である。
【０２２４】
第４半導体層２４は、第４半導体部分２３ｂとパッド部ＰＤ０との間に設けられる。第４半導体層２４は、第４導電形である。第４導電形は、第３導電形とは異なる。
【０２２５】
第２発光層２０Ｌは、第４半導体部分２３ｂと第４半導体層２４との間に設けられる。第２発光層２０Ｌは、第２光を放出する。第２光は、第２ピーク波長を有する。
【０２２６】
第１電極６１は、パッド部ＰＤ０と第２発光部２０ｕとの間に設けられ、反射性である。絶縁支持層６６ｉは、パッド部ＰＤ０と第１電極６１との間に設けられる。
【０２２７】
第１導電層９１は、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間に設けられる。第１導電層９１は、第１方向Ｄ１に対して交差する方向に延在する。第１導電層９１は、第２半導体層１２と電気的に接続される。
【０２２８】
第１発光部間誘電体層７１は、第１発光部１０ｕと第２発光部２０ｕとの間、及び、第１導電層９１と第２発光部２０ｕとの間に設けられ、光透過性である。
【０２２９】
第１接続電極８１は、第１半導体部分１１ａと第３半導体層２３との間に設けられ、第１発光部間誘電体層７１を第１方向Ｄ１に貫通する。第１接続電極８１は、第１半導体部分１１ａと第３半導体層２３とを電気的に接続する。
【０２３０】
第１誘電体層８１ｉは、第１接続電極８１と第２半導体層１２との間、第１接続電極８１と第１発光層１０Ｌとの間、及び、第１接続電極８１と第１導電層９１との間に設けられる。
【０２３１】
第２接続電極８２は、第３半導体部分２３ａと第１パッドＰＤ１との間に設けられる。第２接続電極８２は、絶縁支持層６６ｉを第１方向Ｄ１に貫通する。第２接続電極８２は、第３半導体部分２３ａと第１パッドＰＤ１とを電気的に接続する。
【０２３２】
第２誘電体層８２ｉは、第２接続電極８２と第４半導体層２４との間、第２接続電極８２と第２発光層２０Ｌとの間、及び、第２接続電極８２と第１電極６１との間に設けられる。
【０２３３】
第３接続電極８３は、第１導電層９１と第２パッドＰＤ２との間に設けられる。第３接続電極８３は、第１発光部間誘電体層７１、第２発光部２０ｕ及び絶縁支持層６６ｉを第１方向Ｄ１に貫通する。第３接続電極８３は、第１導電層９１と第２パッドＰＤ２とを電気的に接続する。
【０２３４】
第３誘電体層８３ｉは、第３接続電極８３と第２発光部２０ｕとの間、及び、第３接続電極８３と第１電極６１との間に設けられる。
【０２３５】
第４接続電極８４は、第１電極６１と第３パッドＰＤ３との間に設けられる。第４接続電極８４は、絶縁支持層６６ｉを第１方向Ｄ１に貫通し、第１電極６１と第３パッドＰＤ３とを電気的に接続する。
【０２３６】
例えば、第１導電形は、第３導電形と同じである。例えば、第２導電形は、第４導電形と同じである。例えば、第１導電形及び第３導電形は、ｎ形であり、第２導電形及び第４導電形は、ｐ形である。実施形態において、第１導電形及び第３導電形が、ｐ形であり、第２導電形及び第４導電形がｎ形でも良い。実施形態において、第１〜第４導電形のそれぞれは、任意である。以下では、第１導電形及び第３導電形がｎ形であり、第２導電形及び第４導電形がｐ形である場合について、説明する。
【０２３７】
半導体発光素子１２０において、第１パッドＰＤ１は、第２接続電極８２を介して、第３半導体層２３に電気的に接続される。第３半導体層２３は、第１接続電極８１を介して、第１半導体層１１に電気的に接続される。すなわち、第１パッドＰＤ１は、第３半導体層２３及び第１半導体層１１の両方に接続される。第１パッドＰＤ１は、例えば、第１発光部１０ｕ及び第２発光部２０ｕのｎ形電極として機能する。
【０２３８】
第２パッドＰＤ２は、第３接続電極８３と、第１導電層９１と、を介して、第２半導体層１２に電気的に接続される。第２パッドＰＤ２は、例えば、第１発光部１０ｕのｐ側電極として機能する。
【０２３９】
第３パッドＰＤ３は、第４接続電極８４と、第１電極６１と、を介して第４半導体層２４に電気的に接続される。第３パッドＰＤ３は、例えば、第２発光部２０ｕのｐ側電極として機能する。
【０２４０】
第１パッドＰＤ１と第３パッドＰＤ３との間に電圧を印加することで、第２発光層２０Ｌに電流が供給され、第２発光層２０Ｌから、光（第２光）が放出される。第１パッドＰＤ１と第２パッドＰＤ２との間に電圧を印加することで、第２発光層２０Ｌに電流が供給され、第１発光層１０Ｌから、光（第１光）が放出される。
【０２４１】
例えば、第２ピーク波長は、第１ピーク波長よりも短い。例えば、第２光は、青光であり、第１光は、黄光及び緑光の少なくともいずれかである。光の色（ピーク波長）は任意である。  
本実施形態によれば、高効率の積層型の半導体発光素子が提供できる。本実施形態においては、光取り出し面の側にパッドが設けられない。これにより、光取り出し効率がさらに向上する。
【０２４２】
このように、本実施形態においては、各結晶層への導通経路として、ビア電極（接続電極）を用いる。ビア電極は、第１の実施形態に関して説明した方法と同様にして作製することができる。
【０２４３】
本実施形態において、さらに、第３発光部を設けても良い。第３発光部と第２発光部２０ｕとの間に第１発光部１０ｕが配置される。この場合、例えば、第２発光層２０Ｌから放出される第２光は、青光であり、第１発光層１０Ｌから放出される第１光は、緑光であり、第３発光部の第３発光層から放出される第３光は、赤光である。
【０２４４】
この例では、第１接続電極８１は、第１金属部８１ａと、第２金属部８１ｂと、を含む。第２金属部８１ｂの少なくとも一部と、第１半導体部分１１ａと、の間に、第１金属部８１ａが、配置される。第１金属部８１ａは、例えば、第１半導体部分１１ａと接しても良い。この例では、第１接続電極８１は、第３金属部８１ｃをさらに含む。第３金属部８１ｃは、第１金属部８１ａと第１半導体部分１１ａとの間に設けられる。第３金属部８１ｃは、例えば、第１発光部１０ｕのｎ側電極である。第２金属部８１ｂは、例えば、第２発光部２０ｕのｎ側電極である。
【０２４５】
第３金属部８１ｃには、第１半導体層１１とオーミック性を示し、コンタクト抵抗が低い材料が用いられる。第２金属部８１ｂには、例えば、第３半導体層２３とオーミック性を示し、コンタクト抵抗が低い材料が用いられても良い。第２金属部８１ｂには、例えば後述する第３半導体層用電極２３ｅと密着性よく接合されても良い。例えば、第１金属部８１ａ及び第２金属部８１ｂとして、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＴａよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む金属膜が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかを含む合金が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかの複数の金属膜を含む積層膜が用いられても良い。
【０２４６】
第１金属部８１ａは、第２金属部８１ｂと第３金属部８１ｃとを電気的に接続できる。例えば、第１金属部８１ａには、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ及びＮｉよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む金属膜が用いられても良い。この群から選択された少なくといずれかを含む合金が用いられても良い。この群から選択された少なくともいずれかの複数の金属膜を含む積層膜が用いられても良い。
【０２４７】
この例では、第２接続電極８２は、第４金属部８２ａと、第５金属部８２ｂと、を含む。第５金属部８２ｂの少なくとも一部と、第３半導体部分２３ａと、の間に、第４金属部８２ａが、配置される。第４金属部８２ａは、例えば、第３半導体部分２３ａと接しても良い。この例では、第２接続電極８２は、第６金属部８２ｃをさらに含む。第６金属部８２ｃは、第４金属部８２ａと第３半導体部分２３ａとの間に設けられる。第６金属部８２ｃは、例えば、第２発光部２０ｕのｎ側電極である。
【０２４８】
この例では、第３接続電極８３は、第７金属部８３ａと、第８金属部８３ｂと、第９金属部８３ｃと、を含む。第９金属部８３ｃの少なくとも一部と、第１導電層９１と、の間に、第８金属部８３ｂが、配置される。第８金属部８３ｂの少なくとも一部と、第１導電層９１と、の間に、第７金属部８３ａが、配置される。
【０２４９】
この例では、第４接続電極８４は、第１０金属部８４ａと、第１１金属部８４ｂと、を含む。第１１金属部８４ｂの少なくとも一部と、第１電極６１と、の間に、第１０金属部８４ａが、配置される。
【０２５０】
第１金属部８１ａ、第２金属部８１ｂ、第４金属部８２ａ、第５金属部８２ｂ、第７金属部８３ａ、第８金属部８３ｂ、第９金属部８３ｃ、第１０金属部８４ａ及び第１１金属部８４ｂの少なくともいずれかには、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ及びＮｉの少なくともいずれかが用いられる。第３金属部８１ｃ及び第６金属部８２ｃには、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＴａの少なくともいずれかが用いられる。
【０２５１】
この例では、第１導電層９１は、第１光透過性導電部９１ａと、第１配線部９１ｂと、を含む。第１光透過性導電部９１ａは、第１発光部１０ｕと第１発光部間誘電体層７１との間に設けられる。第１光透過性導電部９１ａは、第２半導体層１２と電気的に接続される。
【０２５２】
第１光透過性導電部９１ａは、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含む。第１光透過性導電部９１ａには、例えばＩＴＯなどが用いられる。第１光透過性導電部９１ａに、金属の薄膜を用いても良い。第１光透過性導電部９１ａは、必要に応じて設けられ省略しても良い。
【０２５３】
第１配線部９１ｂは、例えば、第１光透過性導電部９１ａと第１発光部間誘電体層７１との間に設けられる。第１配線部９１ｂは、第１光透過性導電部９１ａと電気的に接続される。第１配線部９１ｂの光透過率は、第１光透過性導電部９１ａの光透過率よりも低い。第１配線部９１ｂは、抵抗率の低い金属が適している。第１配線部９１ｂには、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕよりなる群から選択された少なくともいずれか、この群から選択された少なくともいずれかを含む合金、または、この群から選択された少なくともいずれかの膜を含む積層膜が用いられる。第１配線部９１ｂは、必要に応じて設けられ省略しても良い。
【０２５４】
この例では、第３半導体層２３と、第１発光部間誘電体層７１との間に第３半導体層用電極２３ｅが設けられている。第３半導体層用電極２３ｅは、第３半導体層２３のための配線電極となる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第３半導体層用電極２３ｅの少なくとも一部と、第１導電層９１の少なくとも一部と、は互いに重なる。これにより、吸収する領域の面積が低減でき、光取り出し効率が向上する。第３半導体層用電極２３ｅは、必要に応じて設けられ省略しても良い。
【０２５５】
この例では、第１電極６１と、絶縁支持層６６ｉと、の間に、光透過性の接合層７５が設けられている。接合層７５には、例えば、ＳｉＯ２膜などが用いられる。接合層７５は、必要に応じて設けられ省略しても良い。
【０２５６】
実施形態において、半導体層の成長方法には、例えば、有機金属気相堆積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）法、及び、有機金属気相成長（Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy）法などを用いることができる。
【０２５７】
実施形態によれば、高効率の積層型の半導体発光素子が提供できる。
【０２５８】
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０２５９】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０２６０】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれる電極、発光部、半導体層、発光層、接続電極、誘電体層、誘電体膜、金属部、光学層、支持層、絶縁支持層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０２６１】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光素子も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０２６２】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０２６３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２６４】
１０Ｌ…第１発光層、  １０ｓ…成長用基板、  １０ｕ…第１発光部、  １０ｕｓ…第１積層体、  １０ｕｗ…第１半導体ウェーハ、  １１…第１半導体層、  １１ａ…第１半導体部分、  １１ｂ…第２半導体部分、  １１ｅｌ…導電層、  １１ｐ…高不純物濃度層、  １１ｐｄ…凹凸、  １１ｑ…低不純物濃度層、  １１ｕ…面、  １２…第２半導体層、  ２０Ｌ…第２発光層、  ２０Ｌｒ…外縁、  ２０ｕ…第２発光部、  ２０ｕｓ…第２積層体、  ２０ｕｗ…半導体ウェーハ、  ２３…第３半導体層、  ２３ａ…第３半導体部分、  ２３ｂ…第４半導体部分、  ２３ｅ…第３半導体層用電極、  ２４…第４半導体層、  ３０Ｌ…第３発光層、  ３０ｕ…第３発光部、  ３５…第５半導体層、  ３５ａ…第３半導体部分、  ３５ｂ…第４半導体部分、  ３５ｅｌ…導電層、  ３５ｐ…高不純物濃度層、  ３５ｐｄ…凹凸、  ３５ｑ…低不純物濃度層、  ３５ｕ…面、  ３６…第６半導体層、  ４１…第１導電層、  ４１ｐ…第１パッド、  ４１ｔ…第１層間部分、  ４１ｕ…第１パッド配置部分、  ４１ｖ…第１延在部分、  ４２…第２導電層、  ４２ａ…第１光透過性導電部、  ４２ｂ…第１配線部、  ４２ｐ…第２パッド、  ４２ｔ…第２層間部分、  ４２ｕ…第２パッド配置部分、  ４３…第３導電層、  ４３ａ…第２光透過性導電部、  ４３ｂ…第２配線部、  ４３ｐ…第３パッド、  ４３ｔ…第３層間部分、  ４３ｕ…第３パッド配置部分、  ５１…第１接続電極、  ５１ａ…第１金属部、  ５１ｂ…第２金属部、  ５１ｃ…第３金属部、  ５１ｉ…第１誘電体層、  ５２…第２接続電極、  ５２ｄ…第４金属部、  ５２ｅ…第５金属部、  ５２ｆ…第６金属部、  ５２ｉ…第２誘電体層、  ６１…第１電極、  ６１ａ…主面、  ６２…第２電極、  ６６ｃ…支持層、  ６６ｉ…絶縁支持層、  ７１…第１発光部間誘電体層、  ７１ａ…第１誘電体膜、  ７１ｂ…第２誘電体膜、  ７１ｄ…第１光学層、  ７２…第２発光部間誘電体層、  ７２ａ…第３誘電体膜、  ７２ｂ…第４誘電体膜、  ７２ｄ…第２光学層、  ７５…接合層、  ７８…支持層側誘電体層、  ８１…第１接続電極、  ８１ａ〜８１ｃ…第１〜第３金属部、  ８１ｉ…第１誘電体層、  ８２…第２接続電極、  ８２ａ〜８２ｃ…第４〜第６金属部、  ８２ｉ…第２誘電体層、  ８３…第３接続電極、  ８３ａ〜８３ｃ…第７〜第９金属部、  ８３ｉ…第３誘電体層、  ８４…第４接続電極、  ８４ａ、８４ｂ…第１０、第１１金属部、  ９１…第１導電層、  ９１ａ…第１光透過性導電部、  ９１ｂ…第１配線部、  １１０、１１０ａ、１００ｂ、１１１、１１２、１１３、１１３ａ〜１１３ｃ、１１４、１２０…半導体発光素子、  Ｄ１…第１方向、  ＰＤ０…パッド部、  ＰＤ１〜ＰＤ３…第１〜第３パッド、  Ｒ１〜Ｒ５…領域、  ｐｌ１…第１面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2015012244.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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