(57)【要約】      （修正有）【課題】電気的安定性・熱的安定性および電気的特性に優れ、有機ＥＬ素子等の正孔輸送材料としても用いることができる化合物の提供、及び該化合物を正孔輸送材料として含む組成物からなる層を備えた有機ＥＬ素子の提供。【解決手段】下記一般式（１）に示される化合物。2015086210.tif 000091［式（１）はＲ１〜Ｒ６は、各々独立して水素、置換基を有してもよいアルキル基等。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）に示される化合物。
【化１】
2015086210.tif 000083
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｘは下記一般式（２）に示される化合物群のうちのいずれかから選ばれる。
【化２】
2015086210.tif 000084
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
【請求項２】
下記一般式（３）に示される化合物。
【化３】
2015086210.tif 000085
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
【請求項３】
下記一般式（４）に示される化合物。
【化４】
2015086210.tif 000086
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
【請求項４】
下記一般式（５）に示される化合物。
【化５】
2015086210.tif 000087
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
【請求項５】
下記一般式（６）に示される化合物。
【化６】
2015086210.tif 000088
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
【請求項６】
下記一般式（７）に示される化合物。
【化７】
2015086210.tif 000089
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
【請求項７】
下記一般式（８）に示される化合物。
2015086210.tif 000090
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
【請求項８】
Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３が水素である、請求項１〜請求項７いずれか１項に記載の化合物。
【請求項９】
Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３がメチル基である、請求項１〜請求項７いずれか１項に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６が水素である、請求項１〜請求項９いずれか１項に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３がフェニル基である、請求項１〜請求項１０いずれか１項に記載の化合物。
【請求項１２】
陰極と陽極との間に、発光層と、前記発光層の前記陽極側に配置された正孔注入層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記正孔注入層が、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
陰極と陽極との間に、発光層と、前記発光層の前記陽極側に配置された正孔輸送層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記正孔輸送層が、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
前記発光層が、ホスト材料と、発光材料からなるゲスト材料とを含み、
前記ホスト材料が、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
ゲスト材料が、リン光材料であることを特徴とする請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、化合物およびこれを含む正孔輸送層を備えた有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬ）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】  有機ＥＬ素子は通常、透明基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極がこの位置関係で積層されることにより構成される。
有機ＥＬ素子の発光は、（１）正孔および電子が電極から注入され、（２）注入された正孔と電子が輸送され、（３）発光層内で正孔と電子が再結合し、（４）発光材料が電子的励起状態を形成し、（５）電子的励起状態から基底状態に戻る際にエネルギーを光として放射する、という過程を経て生じている。【０００３】  発光材料がエネルギーを得て励起状態となるとき、一重項励起状態（Ｓ１）と三重項励起状態（Ｔ１）が１：３の確率で生成する。
一般的に、蛍光材料は、Ｓ１からのエネルギーしか光に変換されないのに対し、燐光材料は、Ｔ１からのエネルギーも光に変換されるため、蛍光材料を素子に用いた場合よりも、燐光材料を素子に用いた場合の方が有機ＥＬ素子の高効率化が期待できる（非特許文献１、非特許文献２）。【０００４】  燐光材料はホスト材料に含有させる方法で使用されるのが一般的である。電極から注入された正孔と電子は、ホスト材料と燐光材料（ゲスト材料）で形成された発光層で再結合し、励起されたホスト材料のエネルギーはゲスト材料に移動し、そのエネルギーによりゲストである燐光材料が励起され、光エネルギーとして放出されることで効率的な発光を得ることができる。
ホスト材料からゲスト材料への効率的なエネルギー移動を可能とするためには、ホスト材料のＴ１エネルギーがゲストである燐光材料のＴ１エネルギーよりも大きいことが望ましい（非特許文献３）。ゲスト材料のＴ１エネルギーの方が大きい場合には、ゲストからホストへの逆エネルギー移動が起こってしまい、発光の高効率化を妨げる要因となってしまうからである。【０００５】  ここで、有機ＥＬ素子の外部量子効率のファクターの一つである再結合効率を高めるためには、注入された正孔と電子が発光層内で効率よく再結合するように、正孔と電子の輸送バランスを調整する必要がある。
正孔と電子の輸送バランスを調整するには、正孔注入材料、正孔輸送材料の正孔移動度や、電子注入材料、電子輸送材料の電子移動度、層界面での電荷注入障壁、またそれぞれの膜の厚さなど、多くのファクターを考慮した上でバランスを調整しなければならない。【０００６】  しかし、材料自身がもつ正孔と電子の輸送性は、材料によって異なり、また異なる材料で形成された層の界面では、電荷注入障壁が生じるため、発光層内で正孔と電子がバランスよく再結合することは容易ではない。電荷注入・輸送バランスが悪い場合としては、正孔または電子のどちらかが少ない場合、あるいはどちらかが極端に多く、再結合せずに通り抜けてしまう場合などが考えられるが、電荷が対極へ流れ出てしまう場合には、電荷をブロックする層を設けて、電荷を発光層内に閉じ込め、再結合効率を高める方法もある。通常、流出する電荷をブロックして電荷を発光層内に閉じ込めるという役割は、正孔輸送層や電子輸送層が担うことが多い。【０００７】  有機ＥＬ素子の正孔輸送材料に求められる特性は、再結合効率等を高めるという観点から、正孔輸送性が高く、電子輸送性が低いことに加え、バンドギャップやイオン化ポテンシャル（ＩＰ）、電子親和力（Ｅａ）の値が適切な値を有することが重要である。イオン化ポテンシャルは、陽極の仕事関数または正孔注入材料のイオン化ポテンシャルと発光材料のイオン化ポテンシャルとの間の値となることが望ましく、これにより発光層への正孔注入障壁を小さくできる。電子親和力は、発光材料の電子親和力よりも大きくなることが望ましく、これにより電子ブロック効果を得ることができる。なお、電荷注入の指標の一つであるイオン化ポテンシャル（ＩＰ）とほぼ同義で、ＨＯＭＯレベルが用いられ、電子親和力（Ｅａ）とほぼ同義で、ＬＵＭＯレベルが用いられる場合がある。そして、長寿命化の観点からは、電気的安定性が高いことが求められる。また、熱安定性も高い必要があるため、ガラス転移温度（Ｔｇ）、融点、熱分解点などが高いことが要求される。特に、Ｔｇが低い場合には、室温条件下でも長時間経過すると結晶化して不均一な膜に変化してしまうため、Ｔｇは高い程好ましく、有機ＥＬの製造過程や、用途（使用環境）を考えると、Ｔｇは少なくとも１００℃以上であることが望ましい。【０００８】  正孔輸送性の材料としては、α−ＮＰＤ、ＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡなど、第三級アミンと芳香族炭化水素の組合せからなる化合物がよく用いられている（非特許文献４、非特許文献５）。また、近年、ＤＢＴＰＢなどのジベンゾチオフェン系の正孔輸送性の材料が報告されている（特許文献１）
α‐ＮＰＤ、ＴＰＤは一般的に、有機ＥＬ素子の正孔輸送層に用いられることが多く、また、ＤＢＴＰＢも正孔輸送層に用いた例が報告されている。一方、ｍ−ＭＴＤＡＴＡは、ＨＯＭＯレベルが高いため、一般的に、有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いられることが多い。【０００９】  ここで、α‐ＮＰＤ、ＴＰＤ、およびｍ−ＭＴＤＡＴＡのＴｇはそれぞれ９５℃、６０℃、および７５℃であり、いずれの材料も熱安定性の要求を満たしているとはいえず、素子寿命や保存安定性に少なからず影響を与えることになると考えられる。なお、ＤＢＴＰＢのＴｇは報告がない。【００１０】  化合物のＴｇを高める手法としては、分子量を大きくしたり、立体障害を大きくしたりする手法が知られる。また、可能な場合には分子構造をスターバースト型（分子の中心骨格から置換基が放射状に結合したような、星型の構造を有するもの）にする手法が用いられる場合もあるが、スターバースト型の一種であるｍ−ＭＴＤＡＴＡのＴｇが７５℃であるという事実を考えると、スターバースト型である事実だけをもってＴｇが高くなるとはいえないようである。また、スターバースト型は、分子量が大きくなり、昇華しにくくなるため、昇華精製による化合物の高純度化や、有機ＥＬ素子の製造工程における真空蒸着の際には不利になる可能性もある。【００１１】  したがって、分子量が適当であって、熱安定性・電気的安定性を有し、適切な電気的特性を有する、という性能を全て同時に備える、スターバースト型の正孔輸送材料の報告例はほとんどないといえる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特表２０１１−５２７１２２号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Ｎａｔｕｒｅ，３９５，１５１（１９９８）
【非特許文献２】Ｎａｔｕｒｅ，４０３，７５０（２０００）
【非特許文献３】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８３，５６９（２００３）
【非特許文献４】Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７，１０７，１２３３
【非特許文献５】Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．２００６，１６，９６６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】  本発明は、電気的安定性・熱的安定性、および電気的特性に優れ、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料としても用いることができるスターバースト型の新規化合物を提供することを課題とする。さらに、上記化合物を正孔輸送材料として含む組成物からなる層を備えた有機ＥＬ素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】  発明者らは、検討の結果、アミノジベンゾチオフェンを含み、中心骨格が下記一般式（２）に示される化合物群から選ばれる化合物を提供できることを見出した。【００１６】  すなわち、本発明は以下に関する。
（ａ）下記一般式（１）に示される化合物。【００１７】
【化１】
2015086210.tif 000002
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｘは下記一般式（２）に示される化合物群のうちのいずれかから選ばれる。【００１８】
【化２】
2015086210.tif 000003
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。【００１９】  （ｂ）下記一般式（３）に示される化合物。【００２０】
【化３】
2015086210.tif 000004
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。【００２１】  （ｃ）下記一般式（４）に示される化合物。【００２２】
【化４】
2015086210.tif 000005
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。【００２３】  （ｄ）下記一般式（５）に示される化合物。【００２４】
【化５】
2015086210.tif 000006
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。【００２５】  （ｅ）下記一般式（６）に示される化合物。【００２６】
【化６】
2015086210.tif 000007
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。【００２７】  （ｆ）下記一般式（７）に示される化合物。【００２８】
【化７】
2015086210.tif 000008
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。【００２９】  （ｇ）下記一般式（８）に示される化合物。【００３０】
【化８】
2015086210.tif 000009
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい。
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有してもよい芳香族環式基を示す。
Ｚ１〜Ｚ３各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、またはハロゲン基のいずれかから選ばれる。
（ｈ）Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３が水素である、（ａ）〜（ｇ）いずれかに記載の化合物。
（ｉ）Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３がメチル基である、（ａ）〜（ｇ）いずれかに記載の化合物。
（ｊ）Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６が水素である、（ａ）〜（ｉ）いずれかに記載の化合物。
（ｋ）Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３がフェニル基である、（ａ）〜（ｊ）いずれかに記載の化合物。【００３１】  （ｌ）陰極と陽極との間に、発光層と、前記発光層の前記陽極側に配置された正孔注入層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記正孔注入層が、（ａ）〜（ｋ）のいずれかに記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
（ｍ）陰極と陽極との間に、発光層と、前記発光層の前記陽極側に配置された正孔輸送層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記正孔輸送層が、（ａ）〜（ｋ）のいずれかに記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
（ｎ）前記発光層が、ホスト材料と、発光材料からなるゲスト材料とを含み、前記ホスト材料が、電子輸送性材料または正孔と電子の両電荷輸送性材料であることを特徴とする（ｌ）または（ｍ）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（ｏ）ゲスト材料が、リン光材料であることを特徴とする（ｎ）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００３２】  本発明により、新規化合物を提供することができる。また、電気的安定性・熱的安定性、および電気的特性に優れ、有機ＥＬ素子等の正孔輸送材料としても用いることができる新規化合物を提供することができる。さらに、本発明の化合物を正孔輸送材料として含む組成物からなる層を形成した有機ＥＬ素子を提供することができる。【００３３】  本発明の化合物は、特定の官能基を中心骨格として、アミノジベンゾチオフェンが少なくとも３つ放射状に置換した構造を有している。このような骨格は、立体障害が生じるため、電気的特性が低下するのが通常である。しかしながら、本発明の化合物は、成膜性に優れ、また、形成された薄膜は、予想以上に電気的特性を向上させることができる。さらには、本発明の化合物は、Ｔｇが高いことにより、熱的安定性が高く、また、理由は必ずしも明らかではないが、電気的安定性も高いという性質を同時に有することができる。
また、本発明の化合物は、上記の性質を有するため、例えば有機ＥＬ素子のような積層構造を有する素子の一部の層に用いるための正孔輸送材料としても好適に用いることができる。【００３４】  有機ＥＬ素子のような積層構造を有する素子の一部の層を形成するための材料として有用な効果を発生する理由は必ずしも明らかではないが、発明者らはその理由を次のように考えている。本発明の化合物は、適度な立体障害を有するとともに、化合物全体としては平面方向に広がりをもつ、円盤状の形状を有していると考えられる。このような化合物が、ある面の上に薄膜を形成すると、分子が平面状に重なりやすくなり、電荷のホッピングサイトが確保されやすくなるという、分子の形状による思わぬ効果がもたらされたものと考えられる。【００３５】  したがって、本発明の化合物を正孔輸送材料として含む組成物からなる層を形成した有機ＥＬ素子を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００３６】  本発明は、下記一般式（１）で表される化合物に関する。
【００３７】
【化９】
2015086210.tif 000010
式中、
Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有していてもよいアルキル基およびハロゲン基からなる群から選択される基であり、
Ｒ１〜Ｒ６のぞれぞれは、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一または異なる基であってもよい、
Ｙ１〜Ｙ３は、各々独立して置換基を有していてもよい芳香族環式基である。
【００３８】  一般式（１）における、Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基またはハロゲン基である。置換基を有してもよいアルキル基の置換基としては、これに限定するものではないが、例えばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基などが挙げられる。
【００３９】  Ｒ１〜Ｒ６における置換基を有してもよいアルキル基は、直鎖状でも環状でもよい。直鎖状のアルキル基は、汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作成時の成膜性等の観点から、炭素数１〜１８が好ましく、ガラス転移温度、立体障害等の観点から、炭素数１〜６がより好ましい。炭素数１〜１８の直鎖状のアルキル基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基をいう。
環状のアルキル基は、炭素数３〜１８が好ましく、ガラス転移温度、立体障害等の観点から、炭素数３〜８が好ましい。環状のアルキル基は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、シクロトリデシル基、シクロテトラデシル基、シクロヘプタデシル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、またはビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基等の多環アルキル基が挙げられる。
【００４０】  Ｒ１〜Ｒ６における置換基を有してもよいアルコキシ基は、汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作製時の製膜性等の観点から、炭素数１〜１８が好ましく、ガラス転移温度、立体障害等の観点から、炭素数１〜６がより好ましい。
【００４１】  Ｒ１〜Ｒ６における置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基は、２以上置換してもよく、各々が異なってもよい。
置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基として選ばれるアルキル基は、汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作製時の製膜性等の観点から、アルキル基またはアルコキシ基と、その置換基であるアルキル基を合計した炭素数が１〜１８となるが好ましく、ガラス転移温度、立体障害等の観点から、合計した炭素数が１〜６となるのがより好ましい。置換基を有してもよいアルキル基の置換基としてアルキル基が選択される場合とは、例えば、１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、１−エチルプロピル基、１−ｎ−プロピルプロピル基、１−メチルブチル基、１−エチルブチル基、１−プロピルブチル基、１−ｎ−ブチルブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、１−ｎ−プロピルペンチル基、１−ｎ−ペンチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、１−ｎ−プロピルヘキシル基、１−ｎ−ブチルヘキシル基、１−ｎ−ペンチルヘキシル基、１−ｎ−ヘキシルヘキシル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘプチル基、１−ｎ−プロピルヘプチル基、１−ｎ−ブチルヘプチル基、１−ｎ−ペンチルヘプチル基、１−ｎ−ヘプチルヘプチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルオクチル基、１−ｎ−プロピルオクチル基、１−ｎ−ブチルオクチル基、１−ｎ−ペンチルオクチル基、１−ｎ−ヘキシルオクチル基、１−ｎ−ヘプチルオクチル基、１−ｎ−オクチルオクチル基、１−メチルノニル基、１−エチルノニル基、１−ｎ−プロピルノニル基、１−ｎ−ブチルノニル基、１−ｎ−ペンチルノニル基、１−ｎ−ヘキシルノニル基、１−ｎ−ヘプチルノニル基、１−ｎ−オクチルノニル基、１−ｎ−ノニルノニル基、１−メチルデシル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔ−ブチル基、２−メチルブチル基、２−エチルブチル基、２−ｎ−プロピルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−ｎ−プロピルヘキシル基、２−ｎ−ブチルヘキシル基、２−メチルヘプチル基、２−エチルヘプチル基、２−ｎ−プロピルヘプチル基、２−ｎ−ブチルヘプチル基、２−ｎ−ペンチルヘプチル基、２−メチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ｎ−プロピルオクチル基、２−ｎ−ブチルオクチル基、２−ｎ−ペンチルオクチル基、２−ｎ−ヘキシルオクチル基、２−メチルノニル基、２−エチルノニル基、２−ｎ−プロピルノニル基、２−ｎ−ブチルノニル基、２−ｎ−ペンチルノニル基、２−ｎ−ヘキシルノニル基、２−ｎ−ヘプチルノニル基、２−メチルデシル基、２，３−ジメチルブチル基、２，３，３−トリメチルブチル基、３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−メチルペンチル基、４−エチルヘキシル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、２，３，３，４−テトラメチルペンチル基、３−メチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、６−メチルヘプチル基、３，７−ジメチルオクチル基、６−メチルオクチル基、等が挙げられる。
【００４２】  置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基として選ばれるアルコキシ基は、汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作製時の製膜性等の観点から、アルキル基またはアルコキシ基と、その置換基であるアルキル基を合計した炭素数が１〜１８となるが好ましく、ガラス転移温度、立体障害等の観点から、合計した炭素数が１〜６となるのがより好ましい。
置換基を有してもよいアルキル基の置換基として選ばれるハロゲン基は、フッ素基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が挙げられ、このうち、電気的・熱的安定性、合成のし易さの観点から、フッ素基が好ましい。
【００４３】  Ｒ１〜Ｒ６におけるハロゲン基としては、フッ素基が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ６は、上記のように、水素、アルキル基、またはハロゲン基が選ばれるが、電気的安定性、熱的安定性、成膜性、合成・精製のし易さ等を総合して判断すると、水素またはメチル基が最も好ましい。また、メチル基が選ばれる場合、ジベンゾチオフェンの反応点である、２位、または４位に置換されると電気的安定性が増すと考えられ、好ましい。
【００４４】  一般式（１）におけるＹ１〜Ｙ３で示される置換基を有してもよい芳香族環式基としては、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、炭素数１〜３０の芳香族複素環基が挙げられる。
【００４５】  ここで、Ｙ１〜Ｙ３で示される炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基としては、６π電子系、１０π電子系、１２π電子系、１４π電子系の芳香族炭化水素環基が挙げられ、具体的には、フェニル、ビフェニル、ナフチル、テルフェニル、アンスリル、アズレニル、フルオレニル、ピレニル、フェナンスリル、ナフスリル等が挙げられ、このうちＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベル、バンドギャップ等の適切な電気的効果を得るという観点がら、特にフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基が好ましい。
また、ビフェニル基の場合、当該ビフェニルのうちフェニル同士の結合位のオルト位にあたる部分にメチル基等のアルキル基が導入されると立体障害によりビフェニル骨格がねじれ、π共役系の広がりを抑え、適切な電気的効果を得ることができるため、特に２，２’−ジメチル−１，１’−ビフェニルが好ましい。
【００４６】  Ｙ１〜Ｙ３で表される芳香族複素環基としては、６π電子系、１０π電子系、１２π電子系、１４π電子系の芳香族複素環基が挙げられ、具体的には、チエニル、フリル、ピロリル、チアゾリル、イソチアゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソオキゾリル、ピリジル、ピリダジル、オキサジアゾリル、イミダゾリル、トリアジル、チアジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾオキサジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ベンゾセレナジアゾリル、チエノ［２，３−ｂ］チエニル、チエノ［３，２−ｂ］チエニル、チエノ［３，４−ｂ］チエニル、９−オキソフルオレニル、カルバゾリル、ジベンゾチオフェニル、シラフルオレニル、セレノフルオレニル、キサンテニル、フェナントロリル、フェナジリル、フェニキサジリル等が挙げられる。このうち適切な電気的効果を得るという観点から特にジベンゾチオフェニル基が好ましい。
【００４７】  具体的な化合物の例としては、以下のような化合物が挙げられる。なお、ここで示された化合物に限定されるものではない。
【００４８】
【化１０】
2015086210.tif 000011
置換基を有してもよい芳香族環式基の置換基は、２以上置換してもよく、各々異なってもよい。
置換基を有してもよい芳香族環式基の置換基としては、直鎖もしくは分岐又は環状のアルキル基、ハロゲン基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基が挙げられる。また、アルキル基としては、適切な立体的効果を得るという観点から、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが好ましい。また、ハロゲンとしては、合成のし易さの観点からフッ素基が好ましい。
【００４９】  一般式（１）におけるジベンゾチオフェンと、ジベンゾチオフェンと中心骨格Ｘを結ぶ窒素のジベンゾチオフェン側の結合位は、いずれであってもよいが、合成のし易さの観点からは、ジベンゾチオフェンの２位、又は４位であることが好ましい。
【００５０】  具体的な化合物の例としては、以下のような化合物が挙げられる。なお、ここで示された化合物に限定されるものではない。
【００５１】
【化１１】
2015086210.tif 000012
【００５２】
【化１２】
2015086210.tif 000013
【００５３】  中心骨格である一般式（１）中のＸは下記一般式（２）の化合物群のうちのいずれかから選ばれる。
【００５４】
【化１３】
2015086210.tif 000014
Ｚ１〜Ｚ３はそれぞれ独立して、水素、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン基のいずれかから選ばれる。
Ｚ１〜Ｚ３における、置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基は、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、およびシアノ基のいずれかから選ばれる。
【００５５】  Ｚ１〜Ｚ３における置換基を有してもよいアルキル基は、直鎖状でも環状でもよい。直鎖状のアルキル基は、汎汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作製時の製膜性、電荷特性等の観点から、炭素数１〜８が好ましく、さらにガラス転移温度、立体障害等の観点から、メチル基が好ましい。
【００５６】  Ｚ１〜Ｚ３における置換基を有してもよいアルコキシ基は、汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作製時の製膜性、電荷特性等の観点から、炭素数１〜８が好ましいく、さらにガラス転移温度、立体障害等の観点から、メトキシ基が好ましい。
【００５７】  Ｚ１〜Ｚ３における置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基は、２以上置換してもよく、各々が異なってもよい。
置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基として選ばれるアルキル基は、汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作製時の製膜性等の観点から、アルキル基またはアルコキシ基と、その置換基であるアルキル基を合計した炭素数が１〜８となるが好ましい。置換基を有してもよいアルキル基の置換基としてアルキル基が選択される場合とは、例えば、１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、１−エチルプロピル基、１−ｎ−プロピルプロピル基、１−メチルブチル基、１−エチルブチル基、１−プロピルブチル基、１−ｎ−ブチルブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、１−ｎ−プロピルペンチル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔ−ブチル基、２−メチルブチル基、２−エチルブチル基、２−ｎ−プロピルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−メチルヘプチル基、２，３−ジメチルブチル基、２，３，３−トリメチルブチル基、３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−メチルペンチル基、４−エチルヘキシル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、３−メチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、６−メチルヘプチル基、等が挙げられる。
【００５８】  置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基として選ばれるアルコキシ基は、汎用の有機溶剤への溶解性、有機ＥＬ素子作製時の製膜性等の観点から、アルキル基またはアルコキシ基と、その置換基であるアルキル基を合計した炭素数が１〜８となるが好ましい。
置換基を有してもよいアルキル基、および置換基を有してもよいアルコキシ基の置換基として選ばれるハロゲン基は、フッ素基が好ましい。
【００５９】  具体的な化合物の例としては、以下のような化合物が挙げられる。なお、ここで示された化合物に限定されるものではない。
【００６０】
【化１４】
2015086210.tif 000015
【００６１】
【化１５】
2015086210.tif 000016
【００６２】
【化１６】
2015086210.tif 000017
【００６３】
【化１７】
2015086210.tif 000018
【００６４】
【化１８】
2015086210.tif 000019
【００６５】
【化１９】
2015086210.tif 000020
【００６６】
【化２０】
2015086210.tif 000021
【００６７】
【化２１】
2015086210.tif 000022
【００６８】
【化２２】
2015086210.tif 000023
【００６９】
【化２３】
2015086210.tif 000024
【００７０】
【化２４】
2015086210.tif 000025
【００７１】
【化２５】
2015086210.tif 000026
【００７２】
【化２６】
2015086210.tif 000027
【００７３】
【化２７】
2015086210.tif 000028
【００７４】
【化２８】
2015086210.tif 000029
【００７５】
【化２９】
2015086210.tif 000030
【００７６】
【化３０】
2015086210.tif 000031
【００７７】
【化３１】
2015086210.tif 000032
【００７８】
【化３２】
2015086210.tif 000033
【００７９】  （合成について）
本発明に係る化合物の代表的な合成手法について述べる。
本発明の化合物は、下記一般式（１４９）に示す化合物群を出発物質として合成することができる。下記一般式（１４９）の化合物は、本発明の化合物の中心骨格を形成する。
【００８０】
【化３３】
2015086210.tif 000034
上記化合物群中において、一部の化合物については一般に入手可能であるし、一般的なハロゲン化反応を用いることにより、合成することも可能である。
ハロゲン化反応には、例えば、臭素、ヨウ素などのハロゲンを触媒存在下で直接反応させる方法や、ハロゲン化剤を用いる方法がある。ハロゲン化剤は、クロロ化剤、ブロモ化剤、ヨード化剤がある。クロロ化剤としては、例えば、Ｎ−クロロスクシンイミド（ＮＣＳ）等が挙げられ、ブロモ化剤としては、例えば、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）、ジブロモイソシアヌル酸（ＤＢＩ）等が挙げられ、ヨード化剤としては、例えば、Ｎ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）、１，３−ジヨード−５，５’‐ジメチルヒルダントイン（ＤＩＨ）等が挙げられる。
【００８１】  Ｘａ−２に関連する化合物は、例えば以下に示す反応（Ｓ１）により合成可能である。
【００８２】
【化３４】
2015086210.tif 000035
【００８３】  Ｘａ−３に関連する化合物は、例えば以下に示す反応（Ｓ２）により合成可能である
【００８４】
【化３５】
2015086210.tif 000036
【００８５】  前記化合物群のうち、Ｚ１〜Ｚ３が導入された化合物は、例えば、下記反応式（Ｓ３）、（Ｓ４）に示す方法で合成することができる。
【００８６】
【化３６】
2015086210.tif 000037
【００８７】
【化３７】
2015086210.tif 000038
【００８８】  下記一般式（１６３）に示す化合物の代表的な合成手法について述べる。
【００８９】
【化３８】
2015086210.tif 000039
一般式（１６３）に示される化合物は、下記反応式（Ｓ５）に示すように、ジベンゾチオフェン誘導体を一般的なハロゲン化反応を用いてハロゲン化し、続いて下記一般式（１６５）に示されるハロゲン化ジベンゾチオフェン誘導体と、下記一般式（１６６）に示されるアミノ基を有する芳香族炭化水素とのＮ−アリール化反応を行うことにより合成される。
【００９０】
【化３９】
2015086210.tif 000040
【００９１】  ハロゲン化反応には、例えば、臭素、ヨウ素などのハロゲンを触媒存在下で直接反応させる方法や、ハロゲン化剤を用いる方法がある。ハロゲン化剤は、クロロ化剤、ブロモ化剤、ヨード化剤がある。クロロ化剤としては、例えば、Ｎ−クロロスクシンイミド（ＮＣＳ）等が挙げられ、ブロモ化剤としては、例えば、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）、ジブロモイソシアヌル酸（ＤＢＩ）等が挙げられ、ヨード化剤としては、例えば、Ｎ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）、１，３−ジヨード−５，５’‐ジメチルヒルダントイン（ＤＩＨ）等が挙げられる。
【００９２】  ハロゲンの置換位置が異なるハロゲン化ジベンゾチオフェンは、例えば以下に示す方法により合成することができる。
ジベンゾチオフェンの４位がハロゲン化された化合物（１６７）を得るためには、例えば、下記反応式（Ｓ６）に示される方法が挙げられる。
【００９３】
【化４０】
2015086210.tif 000041
すなわち、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジブロモエタン、又は１，２−ジョードエタンなどのジハロゲン化エタンを用いて、アニオン化された炭素をハロゲン化することができ、この方法により、ジベンゾチオフェンの４位を優先的にハロゲン化することができる。
【００９４】  ジベンゾチオフェンの２位がハロゲン化された化合物（１６８）を得るためには、例えば、下記反応式（Ｓ７）に示す方法が挙げられる。
【００９５】
【化４１】
2015086210.tif 000042
例えば、ジベンゾチオフェンにハロゲン化剤の一種であるＮＢＳを反応させることにより、ジベンゾチオフェンの２位が優先的にハロゲン化される。ハロゲン化剤の量を調整することにより、２以上のハロゲン基を導入することも可能である。
【００９６】  また、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００６，７１，６２９１に記載された方法を応用した下記反応式（Ｓ８）に示す方法に示す方法を用いれば、１位がハロゲン化されたジベンゾチオフェン（１７４）やその誘導体を合成することができる。
【００９７】
【化４２】
2015086210.tif 000043
【００９８】  また、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１７０９に記載された方法を応用した下記反応式（Ｓ９）に示す方法などを用いれば、３位がハロゲン化されたジベンゾチオフェン（１７９）や、その誘導体を合成することができる。
【００９９】
【化４３】
2015086210.tif 000044
【０１００】  下記反応式（Ｓ１０）に示すように、ハロゲン化ジベンゾチオフェンと、アミノ基が導入された芳香族環式基を、例えば、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応（例えば、Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．，２００２，７８，２３）、Ｕｌｌｍａｎｎ反応（例えば、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００３，４２，５４００）等を応用したＮ−アリール化反応を行うことで、上記一般式（１６３）に記載の化合物を合成することができる。
【０１０１】
【化４４】
2015086210.tif 000045
なお、下記反応式（Ｓ１１）に示すように、アミノ基が導入されたジベンゾチオフェン誘導体と、ハロゲン化された芳香族環式基を用いて、Ｎ−アリール化を行っても、上記一般式（１６３）の化合物を同様に合成することができる。
【０１０２】
【化４５】
2015086210.tif 000046
【０１０３】  下記反応式（Ｓ１２）に示すように、任意の場所にハロゲン化されたジベンゾチオフェンと、例えば、アルキルグリニャール試薬等を用いれば、ジベンゾチオフェンにアルキル基等を導入することができる。
【０１０４】
【化４６】
2015086210.tif 000047
【０１０５】  下記反応式（Ｓ１３）に示すように、スズキカップリング反応（例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９５，９５，２４５７）等を用いれば、ジベンゾチオフェンに芳香族環式基を導入することも可能である。また、ボロン酸誘導体は、Ｒａが、水素、メチル、イソプロピル等、必要に応じて任意のボロン酸誘導体を選ぶことができる。
【０１０６】
【化４７】
2015086210.tif 000048
【０１０７】  また、前記のＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００６，７１，６２９１に記載された方法を応用すれば、下記反応式（Ｓ１４）に示す方法も可能である。
【０１０８】
【化４８】
2015086210.tif 000049
【０１０９】  下記一般式（１８４）に示す、置換基Ｒを導入したジベンゾチオフェン誘導体も、上記反応を応用することにより合成することができる。
【０１１０】
【化４９】
2015086210.tif 000050
【０１１１】  例えば、下記反応式（Ｓ１５）に示される方法により、上記一般式（１８４）に示す化合物を合成することができる。
【０１１２】
【化５０】
2015086210.tif 000051
【０１１３】  前記した一般式（１４９）に示される化合物群と、上記一般式（１８４）の化合物を、前記のＮ−アリール化反応により反応させることで、本発明に係る化合物（１８８）を合成することができる。
【０１１４】
【化５１】
2015086210.tif 000052
【０１１５】  また、本発明の化合物は、下記一般式（１８９）に示す化合物群を出発物質として合成することもできる。
【０１１６】
【化５２】
2015086210.tif 000053
上記一般式（１８９）に記載の化合物群を出発物質として用いる場合には、下記一般式（１９０）に記載のジベンゾチオフェン誘導体とのＮ−アリール化反応により、本発明の化合物の中間体を合成することができる。
【０１１７】
【化５３】
2015086210.tif 000054
【０１１８】  この反応により合成できる中間体は、下記一般式（１９１）に示される。
【０１１９】
【化５４】
2015086210.tif 000055
【０１２０】  なお、上記の合成経路は、下記一般式（１９２）を合成する場合に、より有効な手段となる。
【０１２１】
【化５５】
2015086210.tif 000056
【０１２２】  下記反応式に示すように、本発明の化合物（１８８）は、前記一般式（１９１）に示される中間体と、ハロゲン化された芳香族環式基（Ｙ−ＨＡＬ）とのＮ−アリール化反応を行うことにより合成することができる。
【０１２３】
【化５６】
2015086210.tif 000057
【０１２４】  （物性評価について）
化合物の純度の測定は、例えば、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）等により行うことができる。高速液体クロマトグラフィーは資料を導入した移動相に圧力をかけ、溶媒を高流速で移動相に通し、カラムで資料（混合物）を分離して、分離された資料を検出器で検出することにより、資料の純度を測定する方法である。
カラムには順層系、逆層系を用いることができる。順層系クロマトグラフィーは、固定相の極性が移動相の極性より高い分離系をいい、固定相にはアルミナ等が用いられ、移動相にはヘキサンなどの極性の小さい溶媒を用いることができる。逆層系クロマトグラフィーは、移動相の極性が固定相の極性より高い分離系をいい、固定相には疎水処理をしたシリカ等が用いられ、移動相には、メタノールやアセトニトリルなどの極性溶媒を用いることができる。
検出器は、資料の物性に応じて様々なものを用いることができる。例えば、吸光光度検出器（ＵＶ／ＶＩＳ）、蛍光検出器（ＦＬＤ）、質量分析装置（ＭＳ）等が挙げられる。
【０１２５】  化合物の分子量の測定は、質量分析法（ＭＳ）により行うことができる。質量分析は、資料導入部から導入された資料に、真空中で高電圧をかけることで、資料をイオン化し、イオンを質量電荷比に応じて分離して、検出部で検出することにより行われる。
資料導入部は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ／ＭＳ）、高速液体クロマトグラフィー（ＬＣ／ＭＳ）、キャピラリー電気泳動（ＣＥ／ＭＳ）に直結することができ、ＭＳを測定するとともに、純度の測定も行うことができる。なお、資料を直接イオン化する、ダイレクトインジェクション方式（ＤＩ／ＭＳ）も採用される場合がある。
イオン源には様々なイオン化の方式が採用される。例えば、電子イオン化法（ＥＩ）、高速原子衝突法（ＦＡＢ）、エレクトロスプレーイオン化法（ＥＳＩ）、誘電結合プラズマ法（ＩＣＰ）等が挙げられる。
【０１２６】  化合物の同定には核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）を用いることができる。ＮＭＲ測定では、原子の結合状態などによって、化学シフトやカップリングの情報を知ることができるため、化合物固有のスペクトルを得ることができ、化合物を同定することができる。測定は、少量の資料を重溶媒に溶かし行われる。
【０１２７】  化合物の熱安定性の評価は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により行うことができる。ＤＳＣ測定は、資料が相転移や融解等の熱変化が生じた場合に、標準試料との熱量の差を検出することにより行われる。ＤＳＣでは、化合物の融点や、ガラス転移温度を知ることができる。
【０１２８】  化合物の紫外可視吸収スペクトル（ＵＶ／ＶＩＳ）、蛍光スペクトル（ＰＬ）、燐光スペクトルを測定することで、化合物特有のＵＶ吸収波長、蛍光波長、燐光波長を知ることができるだけでなく、化合物のバンドギャップ、蛍光量子収率、Ｔ１エネルギー等の情報を知ることができる。
【０１２９】  化合物のＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルは、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）により測定することができる。また、ＨＯＭＯレベルと同様の観念として、イオン化ポテンシャル（ＩＰ）測定も用いられる。
さらに、ＵＶ吸収波長から、光学的バンドギャップを求め、ＨＯＭＯレベル（またはＩＰ）から、ＬＵＭＯレベル（またはＥａ）を計算で求める手法も用いられる。
【０１３０】  （有機ＥＬ素子について）
本発明の有機ＥＬ素子は、本発明の化合物を正孔輸送層に用いることを特徴とする。
有機ＥＬ素子は、基板上に陽極、正孔注入層、正孔輸送層（電子阻止層）、発光層、電子輸送層（正孔阻止層）、電子注入層、陰極がこの位置関係で積層されて構成される。
有機ＥＬ素子は全てが有機物で形成される必要はなく、電極や正孔注入層、電子注入層等には無機材料が用いられる場合がある。
また、有機ＥＬ素子を形成する層のうち、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層のうちいずれかが省略される場合もある。
有機ＥＬ素子は、基板側から光を取り出すボトムエミッション型素子と、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型があり、本発明の有機ＥＬ素子においては、どちらの方式をとることもできる。
【０１３１】  基板に用いられる材料は、トップエミッション型素子とボトムエミッション型素子で異なる場合がある。ボトムエミッション型素子には、透明な基板が用いられる。一方、トップエミッション型では透明な基板だけでなく、不透明な基板を用いることもできる。
基板に用いられる材料は、石英ガラス、ソーダガラス、パイレックス等、各種のガラスを用いることができる。また、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエチレンテレフタレート等、各種のプラスチック基板を用いることもできる。さらに、これらを２種以上組み合わせて使用することもできる。
【０１３２】  陽極には、ボトムエミッション型素子では、一般に透明導電材料が用いられる。また、トップエミッション型では、特に制限はないが、反射性の電極が用いられる場合がある。陽極の役割は、正孔注入層又は正孔輸送層に正孔を注入することである。このため、陽極には、仕事関数が比較的大きい各種金属材料や、各種合金等、陽極として機能する材料が用いられる。例えば、金、ヨウ化銅、酸化スズ、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、インジウム酸化スズ（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、フッ素酸化スズ（ＦＴＯ）等が挙げられる。このうち、透明性や仕事関数の観点から、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯが好ましい。
【０１３３】  正孔注入層に用いられる材料には、本発明の化合物を用いることができる。本発明の化合物は、特定の官能基を中心骨格として、アミノジベンゾチオフェンが少なくとも３つ放射状に置換した構造を有していることにより、高い電気的安定性と熱的安定性を備え、適切な電気的特性を有するため、有機ＥＬ素子の正孔注入層に好適に用いることができる。
本発明の化合物は単独で用いる音もできるが、既存の正孔輸送性の材料を１種又は２種以上混合して用いることもできるし、１層又は２層以上を積層して用いることもできる。
正孔注入層に用いられる正孔輸送性材料としては、例えば、下記化学式（１９５）〜（２１２）で示される化合物が挙げられる。
【０１３４】
【化５７】
2015086210.tif 000058
【０１３５】
【化５８】
2015086210.tif 000059
【０１３６】  このうち、上記化学式（２０５）に示されるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、上記一般式（１９８）に示される銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等が好ましく、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳについても好適に用いられることがある。適切なＩＰと電荷輸送特性を有する化合物であれば、低分子、高分子問わず、各種の有機化合物、無機化合物を選択することができる。
【０１３７】  正孔輸送層には、本発明の化合物を用いることができる。本発明の化合物は、特定の官能基を中心骨格として、アミノジベンゾチオフェンが少なくとも３つ放射状に置換した構造を有していることにより、高い電気的安定性と熱的安定性を備え、適切な電気的特性を有するため、有機ＥＬ素子の正孔注入層に好適に用いることができる。
本発明の化合物は単独で用いることもできるが、既存の正孔輸送性材料を１種又は２種以上混合して用いることもできるし、１層又は２層以上を積層して用いることもできる。
既存の正孔輸送性材料としては、例えば、下記一般式（２１３）〜（２４８）に示される化合物が挙げられる。
【０１３８】
【化５９】
2015086210.tif 000060
【０１３９】
【化６０】
2015086210.tif 000061
【０１４０】
【化６１】
2015086210.tif 000062
【０１４１】
【化６２】
2015086210.tif 000063
【０１４２】  発光層には、蛍光材料、または燐光材料を用いることができる。発光材料は、電荷輸送および電荷再結合を行うホスト材料に、発光材料（ゲスト）を含有させて用いることもできる。
【０１４３】  ホスト材料は、正孔輸送性および電子輸送性を有する両電荷輸送性の材料を用いることができる。また、本発明の正孔輸送性材料は電子阻止性能にも優れるため、ホスト材料に電子輸送性の材料を用いることもできる。
ゲスト材料として燐光材料が選ばれる場合は、ホスト材料のＴ１エネルギーがゲスト材料のＴ１エネルギーよりも高くなるように、ホスト材料を選択することが好ましい。
ホスト材料としては、例えば、下記一般式（２４９）〜（２７１）に示される化合物が挙げられる。
【０１４４】
【化６３】
2015086210.tif 000064
【０１４５】
【化６４】
2015086210.tif 000065
【０１４６】  発光材料はホスト材料からのエネルギー移動を有効に行うために、ホスト材料の発光波長とゲスト材料の吸収波長が重なることが好ましい。また、ゲスト材料が燐光材料の場合には、ホスト材料のＴ１エネルギーが、ゲスト材料のＴ１エネルギーよりも大きいことが好ましい。
【０１４７】  発光材料は特に限定されないが、蛍光材料としては、例えば、下記一般式（２７２）〜（２９３）に示される化合物が挙げられ、燐光材料としては、例えば、下記一般式（２９４）〜（３２２）に示される化合物が挙げられる。
【０１４８】
【化６５】
2015086210.tif 000066
【０１４９】
【化６６】
2015086210.tif 000067
【０１５０】
【化６７】
2015086210.tif 000068
【０１５１】
【化６８】
2015086210.tif 000069
【０１５２】  電子輸送層に用いる材料としては、例えば、下記一般式（３２３）〜（３５０）に示される化合物が挙げられる。適切なＬＵＭＯレベルを有する電子輸送層を、発光層と陰極又は電子注入層との間に設けると、陰極又は電注入層から電子輸送層への電子注入障壁を緩和し、さらに、電子輸送層から発光層への電子注入障壁を緩和することができる。また、該材料が適切なＨＯＭＯレベルを有すると、発光層で再結合せずに対極へ流出する正孔を阻止し、発光層内に正孔を閉じ込め、発光層内での再結合効率を高めることができる。ただし、電子注入障壁が問題とならず、さらに、発光層の電子輸送能が十分に高い場合には、電子輸送（正孔阻止）層を設ける必要はなく、当該層は省略される場合がある。
【０１５３】
【化６９】
2015086210.tif 000070
【０１５４】
【化７０】
2015086210.tif 000071
【０１５５】
【化７１】
2015086210.tif 000072
【０１５６】  電子注入層に用いられる材料は、陰極の仕事関数と電子輸送層のＬＵＭＯレベル等の観点から選ばれる。電子輸送層を設けない場合には、発光材料又は後述するホスト材料のＬＵＭＯレベルを考慮して選ばれる。電子注入材料は有機化合物でも無機化合物でもよい。
電子注入層が、無機化合物からなるものである場合には、例えば、アルカリ金属や、アルカリ土類金属の他、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、炭酸セシウム等を用いることができる。
有機ＥＬ素子の陰極は、電子注入層又は電子輸送層に電子を注入する役割を担う。陰極には、仕事関数の比較的小さな各種金属材料、各種合金等、陰極として作用する材料が用いられる。例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム、金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、マグネシウムインジウム合金（ＭｇＩｎ）、銀合金等が挙げられる。
ボトムエミッション方式を採用する場合、陰極には、金属からなる不透明電極を用いることができる。また、陰極を反射電極とすることもできる。
トップエミッション方式を採用する場合、陰極には、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明電極を用いることができる。ここで、ＩＴＯは仕事関数が大きいため、電子注入が困難となることに加え、ＩＴＯ膜を形成するためには、スパッタ法やイオンビーム蒸着法が用いられるが、成膜時に電子輸送層等にダメージを与える可能性がある。そこで、電子注入を改善するとともに、成膜時の電子輸送層へのダメージを低減するために、電子輸送層と、ＩＴＯとの間に、マグネシウム層や銅フタロシアニン層を設けることもできる。
【実施例】
【０１５７】  （化合物の合成）
下記化学式（３５３）で表される化合物を、以下に示す合成経路（Ｓ１８）により合成した。【０１５８】
【化７２】
2015086210.tif 000073
攪拌子を備え、アルゴン置換した３００ｍＬのシュレンク管に、４‐ブロモジベンソチオフェン（１３．１６ｇ、５０ｍｍｏｌ）、アニリン（４．６６ｇ、５０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２２５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、トルエン（１５０ｍＬ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（２０２ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、及びｔ−ブトキシカリウム（５．６１ｇ、５０ｍｍｏｌ）を入れ、密閉した後に、１００℃で６時間、攪拌した。その後、反応容器を室温付近まで放冷し、蓋を開け、そこに水（１５０ｍＬ）を入れた。内容物を分液ロートに移し、有機相と水相を分離させた後、水相を取り除き、さらに有機相を水洗した。有機相は硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過により硫酸ナトリウムを取り除き、有機相を濃縮した。濃縮した得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝３／１）により精製し、目的とする上記化合物を得た（収量１０．７ｇ、収率７７．８％）。
１Ｈ−ＮＭＲ、ＤＭＳＯ−ｄ６、δ：６．８５（ｔ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、１Ｈ）、６．９８（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、８Ｈ）、７．２３（ｔ、Ｊ＝８．３Ｈｚ、２Ｈ）、７．３２（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．４５（ｔ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．５０−７．５３（ｍ、２Ｈ）、８．０１−８．０３（ｍ、２Ｈ）、８．１７（ｓ、１Ｈ）、８．３３−８．３５（ｍ、１Ｈ）【０１５９】  実施例１
下記化学式（１２６）で表される化合物を、以下に示す合成経路（Ｓ１９）により合成した。【０１６０】
【化７３】
2015086210.tif 000074
攪拌子を備え、アルゴン置換した２００ｍＬのシュレンク管にＮ−フェニルジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−４−アミン（１．６５ｇ、６．０ｍｍｏｌ）、トリス（４−ブロモフェニル）アミン（０．９６４ｇ、２．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２７ｍｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、トルエン（５０ｍＬ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（２４ｍｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、及びｔ−ブトキシカリウム（１．３５ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）を入れ、密閉した後に、１００℃で８時間、攪拌した。その後、反応容器を室温付近まで放冷し、蓋を開け、そこに水（５０ｍＬ）を入れた。内容物を分液ロートに移し、有機相と水相を分離させた後、水相を取り除き、さらに有機相を水洗した。有機相は硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過により硫酸ナトリウムを取り除き、有機相を濃縮した。濃縮した得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝３／１）により精製し、目的とする上記化合物を得た（収量１．７０ｇ、収率８０．０％）。【０１６１】  ＨＰＬＣによる純度測定は、以下に示す条件で行った。
カラム「ＩｎｅｒｔＳｕｓｔａｉｎ、Ｃ１８、５μｍ、４．６ｍｍ×１５０ｍｍ（逆相系）」、溶離液「アセトニトリル：ＴＨＦ＝９０：１０」、流速「１．０ｍｌ／ｍｉｎ」、ＵＶ検出器「２５４ｎｍ」【０１６２】  化合物の同定は、ＭＳスペクトルにて分子イオンピークが目的物と一致したこと、及びプロトンＮＭＲで行った。【０１６３】１Ｈ−ＮＭＲ、ＤＭＳＯ−ｄ６  δ：６．９０−７．００（ｍ、２１Ｈ）、７．２２−７．３０（ｍ、９Ｈ）、７．４２−７．５５（ｍ、９Ｈ）、７．８９（ｄｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、７．３Ｈｚ、３Ｈ）、８．２０（ｄｄ、Ｊ＝０．９Ｈｚ、７．８Ｈｚ、３Ｈ）、８．３５（ｄｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、７．８Ｈｚ、３Ｈ）【０１６４】実施例２
下記化学式（１３８）で表される化合物を、以下に示す合成経路（Ｓ２０）により合成した。【０１６５】
【化７４】
2015086210.tif 000075
攪拌子を備え、アルゴン置換した２００ｍＬのシュレンク管にＮ−フェニルジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−４−アミン（１．６５ｇ、６．０ｍｍｏｌ）、１，３，５−トリス（４‐ブロモフェニル）ベンゼン（１．０９ｇ、２．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２７ｍｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、トルエン（５０ｍＬ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（２４ｍｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、及びｔ−ブトキシカリウム（１．３５ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）を入れ、密閉した後に、１００℃で８時間、攪拌した。その後、反応容器を室温付近まで放冷し、蓋を開け、そこに水（５０ｍＬ）を入れた。内容物を分液ロートに移し、有機相と水相を分離させた後、水相を取り除き、さらに有機相を水洗した。有機相は硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過により硫酸ナトリウムを取り除き、有機相を濃縮した。濃縮した得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝３／１）により精製し、目的とする上記化合物を得た（収量１．３３ｇ、収率５９．１％）。【０１６６】  ＨＰＬＣによる純度測定は、以下に示す条件で行った。
カラム「ＩｎｅｒｔＳｕｓｔａｉｎ、Ｃ１８、５μｍ、４．６ｍｍ×１５０ｍｍ（逆相系）」、溶離液「アセトニトリル：ＴＨＦ＝９０：１０」、流速「１．０ｍｌ／ｍｉｎ」、ＵＶ検出器「２５４ｎｍ」【０１６７】  化合物の同定は、ＭＳスペクトルにて分子イオンピークが目的物と一致したこと、及びプロトンＮＭＲで行った。【０１６８】１Ｈ−ＮＭＲ、ＤＭＳＯ−ｄ６  δ：７．００−７．０８（ｍ、１５Ｈ）、７．３２（ｑ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、９Ｈ）、７．４５−７．５３（ｍ、６Ｈ）、７．５７（ｔ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、３Ｈ）、７．７４−７．７７（ｍ、３Ｈ）、７．９０−７．９２（ｍ、３Ｈ）、８．２６（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、３Ｈ）、８．３６（−８．３９（ｍ、３Ｈ）【０１６９】下記化学式（３５６）で表される化合物を、以下に示す方法により合成した。【０１７０】
【化７５】
2015086210.tif 000076
攪拌子を備え、アルゴン置換した３００ｍＬのシュレンク管に、２‐ブロモジベンゾチオフェン（１３．１６ｇ、５０ｍｍｏｌ）、アニリン（４．６６ｇ、５０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２２５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、トルエン（１５０ｍＬ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（２０２ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、及びｔ−ブトキシカリウム（５．６１ｇ、５０ｍｍｏｌ）を入れ、密閉した後に、１００℃で１８時間、攪拌した。その後、反応容器を室温付近まで放冷し、蓋を開け、そこに水（１５０ｍＬ）を入れた。内容物を分液ロートに移し、有機相と水相を分離させた後、水相を取り除き、さらに有機相を水洗した。有機相は硫酸ナトリウムで乾燥させた。その後、ろ過により硫酸ナトリウムを取り除き、有機相を濃縮した。濃縮した得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝３／１）により精製し、目的とする上記化合物を得た（収量７．８５ｇ、収率５７．１％）。
化合物はＭＳスペクトルで同定した。【０１７１】  実施例３、実施例４
上記実施例１で合成した上記化学式（１２６）で表される化合物、上記実施例２で合成した化学式（１３８）で表される化合物について、ＤＳＣ測定を行った。また、比較例１として前記化学式（２３１）で表されるＤＢＴＰＢについてもＤＳＣ測定を行った。
Ｔｇおよび分解温度を表１に示す。【０１７２】
【表１】
2015086210.tif 000077
【０１７３】  表１に示すように、本発明の化合物は、１００℃以上のＴｇを有し、また分解温度が高く、熱安定性に優れる材料であることが分かった。同じジベンゾチオフェン骨格を有するＤＢＴＰＢのＴｇは１２９℃であり、正孔輸送材料として一般に用いられるα−ＮＰＤよりも高い熱安定性を示したが、本発明の化合物は、ＤＢＴＰＢのＴｇをさらに超えるＴｇを有し、高い熱安定性を有することが示された。【０１７４】  実施例５、実施例６
上記実施例１で合成した化合物（１２６）からなる薄膜、実施例２で合成した化合物（１３８）からなる薄膜をそれぞれ石英基板上に形成した。これらの薄膜をＳＨＩＭＡＤＺＵ社製のＵＶ−２５００ＰＣを用いてＵＶ／ｖｉｓスペクトルを測定し、光学的バンドギャップを算出した。結果を表２に示す。【０１７５】
【表２】
2015086210.tif 000078
【０１７６】  （ホールオンリー素子）
化合物が正孔輸送材料として用いることができるか否かについては、ホールオンリー素子を作製し、電圧と電流密度の関係を調べることで確認することができる。
比較例としては、正孔輸送材料として広く一般に用いられているα−ＮＰＤ（比較例２）と、本発明の化合物の特徴的部分のひとつであるジベンゾチオフェン部分が共通するＤＢＴＰＢ（比較例３）を用いた。【０１７７】  実施例７
基板上に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる陽極と、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳからなる厚み７５ｎｍの正孔注入層と、実施例１で合成した本発明の化合物（１２６）からなる厚み２０ｎｍの正孔輸送層と、Ａｌ膜１２０ｎｍからなる陰極と、を公知の方法により順に形成した。【０１７８】  比較例２
正孔輸送層に実施例１の化合物（１２６）の代わりにα−ＮＰＤを用いたこと以外は、実施例７と同じ方法で、ホールオンリー素子を作製した。【０１７９】  比較例３
正孔輸送層に実施例１の化合物（１２６）の代わりにＤＢＴＰＢを用いたこと以外は、実施例７と同じ方法で、ホールオンリー素子を作製した。
評価の結果を以下に示す。【０１８０】
【表３】
2015086210.tif 000079
【０１８１】［図１］
2015086210.tif 000080
【０１８２】［図２］
2015086210.tif 000081
【０１８３】  実施例７は比較例２および比較例３に比べ、閾値電圧が低く、より少ない電圧で素子の駆動が可能であることが分かる。また、実施例７の電流密度曲線の立ち上がりは鋭く、電圧３Ｖの値で実施例と比較例を比較すると、実施例７の電流密度は、比較例２に比べ約６倍、比較例３に比べ約３倍の電流密度であることが分かった。
以上の結果より、実施例７に用いた本発明の化合物（１２６）は、正孔輸送材料として有用であることが分かった。また、閾値電圧の低さ、電流密度曲線の立ち上がりの鋭さから考えて、本発明の化合物は正孔輸送層のみならず、正孔注入層しても用いることができると考えられる。【０１８４】（有機ＥＬ素子）
本発明の化合物を実際に有機ＥＬ素子に用いた場合に、どのような効果が得られるのかを調べた。【０１８５】  実施例８および実施例９の素子を以下のように構成した。
ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／α−ＮＰＤ／実施例１又は実施例２／Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３：Ｂｅｅｐ２／ＴＰＢＩ／ＬｉＦ／Ａｌ【０１８６】  比較例４の素子を以下のように構成した。
ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／α−ＮＰＤ／Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３：Ｂｅｅｐ２／ＴＰＢＩ／ＬｉＦ／Ａｌ【０１８７】  すなわち、実施例８または実施例９の素子では、第１正孔輸送層としてα−ＮＰＤを、第２正孔輸送層として実施例１または実施例２の化合物を用い、２層の正孔輸送層を設けた素子であるのに対し、比較例４の素子では、第１正孔輸送層としてα−ＮＰＤを用い、第２正孔輸送層を設けない、１層の正孔輸送層からなる素子とした。【０１８８】  実施例８
基板上に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる陽極と、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳからなる厚み３０ｎｍの正孔注入層と、α−ＮＰＤからなる厚み２０ｎｍの第１正孔輸送層と、実施例１の化合物（１２６）からなる厚み１０ｎｍの第２正孔輸送層と、ゲスト材料として緑色燐光材料であるＩｒ（ｍｐｐｙ）３用い、ホスト材料として上記Ｂｅｐｐ２を用い、発光層中のゲスト材料の含有量を６重量％とした厚み３５ｎｍ発光層と、ＴＰＢＩからなる厚み４０ｎｍの電子輸送層と、ＬｉＦ膜からなる厚み１ｎｍの電子注入層と、Ａｌ膜からなる陰極とを公知の方法により順に形成した有機ＥＬ素子を作製した。【０１８９】  実施例９
実施例１の化合物（１２６）を実施例２の化合物（１３８）に代えたこと以外は、実施例８と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。【０１９０】  比較例４
第２正孔輸送層を設けないこと以外は、実施例８と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。【０１９１】  得られた実験例８、実施例９、および比較例４の有機ＥＬ素子について、外部量子効率を測定した。結果を以下の表４に示す。【０１９２】
【表４】
2015086210.tif 000082
【０１９３】  表４に示すように、正孔輸送層をα−ＮＰＤのみで作製した比較例４の素子の外部量子効率が１０．２％であるのに対し、比較例４の素子の正孔輸送層に、さらに本発明の化合物を第２正孔輸送層として設けた実施例８および実施例９の素子の外部量子効率は、それぞれ１３．９％、および１４．８％と大幅に向上した。
本素子構成の外部量子効率の理論限界は２０％であると考えられるため、上記の外部量子効率の結果はいずれも優れたものであるといえる。