(57)【要約】【課題】本発明は、発光層から放出された光を効率よく外部に取り出し、隣接画素への光漏れを抑制することを目的とする。【解決手段】本発明の表示装置は、基板上に発光素子を含む複数の画素が配置された表示部を有し、発光素子に備えられた発光層と、画素を画定し、基板から離れるに従い、幅が狭くなる断面形状を有する隔壁と、発光層と隔壁の斜面部の少なくとも一部との上方に配置され、隔壁によって複数の画素毎に分離された導波層と、導波層の上方に配置された封止部材と、を有し、導波層の封止部材と対向する面には、凹凸構造を有する中央部と、中央部に比べて平坦な周縁部と、が配置されている。【選択図】図４
2015133293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を含む複数の画素が配置された表示部を有する基板と、
前記発光素子に備えられた発光層と、
前記画素を画定し、前記基板から離れるに従い、幅が狭くなる断面形状を有する隔壁と、
前記発光層と前記隔壁の斜面部の少なくとも一部との上方に配置され、前記隔壁によって前記複数の画素毎に分離された導波層と、
前記導波層の上方に配置された封止部材と、を有し、
前記導波層の前記封止部材と対向する面には、凹凸構造を有する中央部と、前記中央部に比べて平坦な周縁部と、が配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記発光素子は、上部電極と下部電極とを備え、
前記発光層は、前記上部電極と前記下部電極との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導波層の屈折率は、前記上部電極の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記導波層の屈折率は、前記発光層の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項５】
前記導波層と前記封止部材との間には、所定の間隙が配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項６】
前記所定の間隙の屈折率は、前記導波層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記所定の間隙には、窒素または不活性ガスが導入されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
所定の間隙と前記封止部材との間にカラーフィルタを有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項９】
前記隔壁の前記斜面部には第１反射層が配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記隔壁の前記斜面部には、前記発光層の一部と前記上部電極の一部と第１反射層とが配置されており、
前記第１反射層は、前記上部電極の前記一部の、前記発光層とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１反射層は導電性を有し、前記上部電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記上部電極は、前記隔壁を跨いで前記複数の画素に亘って配置され、
前記第１反射層と前記上部電極には共通電圧が印加されることを特徴する請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記隔壁の前記斜面部上に第１反射層が配置され、
前記第１反射層は、前記下部電極の一部から成ることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記隔壁は遮光性を有することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記隔壁は前記斜面部と交差する上面部を有し、
前記上面部の上方には、遮光性のスペーサが配置されていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記スペーサの側面部に第２反射層を有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記隔壁は前記斜面部と交差する上面部を有し、
前記隔壁の前記斜面部及び前記上面部には、前記上部電極の一部が配置され、
前記上部電極は、前記隔壁を跨いで前記複数の画素に亘って配置され、
前記上面部の前記上部電極の上方には、遮光性のスペーサが配置され、
前記スペーサの側面部には、導電性を有する第２反射層が配置され、
前記第２反射層は前記上部電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記隔壁の前記斜面部及び前記上面部には第１反射層が設けられ、
前記第１反射層は、前記上部電極の前記一部の、前記発光層とは反対側に位置し、
前記スペーサは、前記上面部の前記第１反射層に接して配置されていることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記周縁部の高さが前記中央部の高さに比べて高いことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記周縁部の高さが前記隔壁の高さと略同一であることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記導波層の前記面は、前記中央部よりも前記周縁部の方が前記封止部材に近いことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記凹凸構造は複数の錐形構造であることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記隔壁の前記斜面部は曲面であることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか一に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光層から放出された光を効率よく外部に取り出し、隣接画素への光漏れを抑制する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途のディスプレイとしては、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）や、有機ＥＬディスプレイ等の自発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を利用したディスプレイや、電子ペーパー等が採用されている。
【０００３】
その中でも、特に有機ＥＬディスプレイはバックライトが不要であり、さらに発光素子の駆動電圧が低いため、低消費電力かつ薄型発光表示装置として非常に注目を集めている。
【０００４】
有機ＥＬディスプレイでは、発光素子に電流を流すことで光が放出される。発光素子から放出された光は、他の層を介して観察者側に進行するが、一部の光は異なる層が接する界面で反射されて層中を導波してしまい、観察者に届かず、有効に利用することができない。
【０００５】
そこで、発光素子から放出された光を効率よく外部に取り出す、光取り出し技術が開発されている。例えば、特許文献１では、発光素子の光取出し側に発光素子を構成する有機化合物よりも屈折率が高い高屈折率透明層を配置し、さらに高屈折率透明層の光取出し側に微細な凹凸構造を設けた光取り出し構造が提案されている。特許文献１によると、発光素子の内部に閉じ込められて有効利用できなかった光の一部が、高屈折率層に伝播し、さらに光取り出し構造により外部に取り出せるようになるため、より明るい表示装置を実現できる。また、特許文献１では、光が高屈折率層に伝播し、発光画素以外の領域に広がることで発生する「にじみ」を抑制するため、高屈折率層上であって画素間に相当する位置に可視光吸収部材を設けて発光画素以外の領域に伝播する光を吸収する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−２２６９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の構造を白色発光素子＋カラーフィルタ方式に適用すると、発光層および上部の透明電極などにおける光の伝播によって、隣接する画素に光が漏れて、混色や表示のにじみといった問題が発生する。特に、高精細な表示装置において、発光素子の開口率を確保しようとすると画素間の距離が短くなるため、混色やにじみの問題はより顕著になる。
【０００８】
そこで、本発明の一形態は、発光層から放出された光を効率よく外部に取り出し、隣接画素への光漏れを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による表示装置は、基板上に発光素子を含む複数の画素が配置された表示部を有し、発光素子に備えられた発光層と、画素を画定し、基板から離れるに従い、幅が狭くなる断面形状を有する隔壁と、発光層と隔壁の斜面部の少なくとも一部との上方に配置され、隔壁によって複数の画素毎に分離された導波層と、導波層の上方に配置された封止部材と、を有し、導波層の封止部材と対向する面には、凹凸構造を有する中央部と、中央部に比べて平坦な周縁部と、が配置されている。
【００１０】
また、別の好ましい態様において、発光素子は、上部電極と下部電極とを備え、発光層は、上部電極と下部電極との間に配置されてもよい。
【００１１】
また、別の好ましい態様において、導波層の屈折率は、上部電極の屈折率よりも高くてもよい。
【００１２】
また、別の好ましい態様において、導波層の屈折率は、発光層の屈折率よりも高くてもよい。
【００１３】
また、別の好ましい態様において、導波層と封止部材との間には、所定の間隙が配置されてもよい。
【００１４】
また、別の好ましい態様において、所定の間隙の屈折率は、導波層の屈折率よりも低くてもよい。
【００１５】
また、別の好ましい態様において、所定の間隙には、窒素または不活性ガスが導入されてもよい。
【００１６】
また、別の好ましい態様において、所定の間隙と封止部材との間にカラーフィルタを有してもよい。
【００１７】
また、別の好ましい態様において、隔壁の斜面部には第１反射層が配置されてもよい。
【００１８】
また、別の好ましい態様において、隔壁の斜面部には、発光層の一部と上部電極の一部と第１反射層とが位置しており、第１反射層は、上部電極の一部の、発光層とは反対側に配置されてもよい。
【００１９】
また、別の好ましい態様において、第１反射層は導電性を有し、上部電極に電気的に接続されてもよい。
【００２０】
また、別の好ましい態様において、上部電極は、隔壁を跨いで複数の画素に亘って配置され、第１反射層と上部電極には共通電圧が印加されてもよい。
【００２１】
また、別の好ましい態様において、隔壁の斜面部には、第１反射層が配置され下部電極は反射電極であり、隔壁の斜面部には、下部電極の一部が位置しており、第１反射層は、下部電極の一部から成ってもよい。
【００２２】
また、別の好ましい態様において、隔壁は遮光性を有してもよい。
【００２３】
また、別の好ましい態様において、隔壁は斜面部と交差する上面部を有し、上面部の上方には、遮光性のスペーサが配置されてもよい。
【００２４】
また、別の好ましい態様において、スペーサの側面部に第２反射層を有してもよい。
【００２５】
また、別の好ましい態様において、隔壁は斜面部と交差する上面部を有し、隔壁の斜面部及び上面部には、上部電極の一部が位置しており、上部電極は、隔壁を跨いで複数の画素に亘って配置され、上面部の上部電極の上方には、遮光性のスペーサが配置され、スペーサの側面部には、導電性を有する第２反射層が配置され、第２反射層は上部電極に電気的に接続されてもよい。
【００２６】
また、別の好ましい態様において、隔壁の斜面部及び上面部には、上部電極の一部の、発光層とは反対側に、第１反射層が配置され、スペーサは、上面部の第１反射層に接して配置されてもよい。
【００２７】
また、別の好ましい態様において、周縁部の高さが中央部の高さに比べて高くてもよい。
【００２８】
また、別の好ましい態様において、周縁部の高さが隔壁の高さと略同一であってもよい。
【００２９】
また、別の好ましい態様において、導波層の面は、中央部よりも周縁部の方が封止部材に近くてもよい。
【００３０】
また、別の好ましい態様において、凹凸構造は複数の錐形構造であってもよい。
【００３１】
また、別の好ましい態様において、隔壁の斜面部は曲面であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施形態１における表示装置の構成の一例を示す概略図。
【図２】本発明の実施形態１における表示部の主要部を構成するアクティブマトリクスの等価回路図。
【図３】本発明の実施形態１における表示装置の画素回路のレイアウトを示す図。
【図４】本発明の実施形態１における表示装置の画素の断面図。
【図５】本発明の実施形態１の変形例１における表示装置の画素の断面図。
【図６】本発明の実施形態１の変形例２における表示装置の画素の断面図。
【図７】本発明の実施形態１における表示装置の凹凸形状の領域を説明するための一部平面図。
【図８】本発明の実施形態１における表示装置の凹凸形状の製造方法を示す断面図。
【図９】本発明の実施形態１における表示装置の凹凸形状の製造方法を示す断面図。
【図１０】本発明の実施形態１における表示装置の凹凸形状の製造方法を示す断面図。
【図１１】本発明の実施形態１における表示装置の凹凸形状の斜視図。
【図１２】本発明の実施形態１において、アライメントずれが発生した場合の表示装置の凹凸形状を示す断面図。
【図１３】本発明の実施形態１において、アライメントずれが発生した場合の表示装置の画素のトランジスタアレイ基板のレイアウトを示す図。
【図１４】本発明の実施形態２における表示装置の画素のカラーフィルタのレイアウトを示す図。
【図１５】本発明の実施形態２における表示装置の画素の断面図。
【図１６】本発明の実施形態２の変形例１における表示装置の画素の断面図。
【図１７】本発明の実施形態２の変形例２における表示装置の画素の断面図。
【図１８】本発明の実施形態２の変形例３における表示装置の画素の断面図。
【図１９】本発明の実施形態２の変形例４における表示装置の画素の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明に係る表示装置における画素の断面図について説明する。但し、本発明の表示装置は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
［実施形態１］
図１乃至７を用いて、本発明の実施形態１に係るトップエミッション型の発光表示装置の構成を説明する。図１は本発明の実施形態１における表示装置１００の構成の一例を示す概略図である。
【００３５】
図１に示すように、表示装置１００は基板１０２上に表示部１０４、データドライバ１１０、ゲートドライバ１１２、電源線１２６、１２８によって構成される。図２は表示部１０４の主要部を構成するアクティブマトリクスの等価回路図である。表示部１０４には、図２に示すごとくｍ本のゲート線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍとｎ本のデータ線Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎとの交差するところに、マトリクス状に複数の画素２６０が配置され、画像信号に基づいて画像を表示する。データドライバ１１０は、表示部にマトリクス状に配置された画素２６０に対して、画像信号に基づいて階調を決定し、各列の画素に対応して設けられたデータ信号線１２２にその階調に対応したデータ電圧Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄｎを供給する。ゲートドライバ１１２は、データの書き込みを実行する行を選択し、各行の画素に対応して設けられたゲート信号線１２０の各々に所定の順番で順次ゲート制御信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，Ｇｍを供給する。また、図示しないが、ＬＳＩチップおよびＦＰＣなどの外部端子が、データドライバとゲートドライバとを制御するためにガラス基板上に実装されてもよい。
【００３６】
図２に示すように、画素２６０は、選択トランジスタ２３０、駆動トランジスタ２１０、容量素子２４０、発光素子２７０を有している。選択トランジスタ２３０は、ゲート信号線１２０にゲート制御信号Ｇ１が供給されたとき、この制御信号と同期してデータ信号線１２２から与えられるデータ電圧Ｄ１を駆動トランジスタ２１０のゲート電位として与え、容量素子２４０はそのゲート電位を保持する。電源線１２６、１２８には、例えば、発光素子２７０の陽極（後述する上部電極）が接続され、該陽極に共通電圧を供給する。電源線１２６、１２８に接続される駆動トランジスタ２１０は、当該ゲート電位に基づくドレイン電流を発光素子２７０に供給する。発光素子２７０はこのドレイン電流に基づく輝度で発光をする発光素子を備える。
【００３７】
図３は本発明の実施形態１における表示装置の画素回路のレイアウトを示す図である。選択トランジスタ２３０は、半導体層３１１と重なるゲート電極３１２を有し、ゲート電極３１２はゲート信号線１２０と接続されている。また、一方のソース・ドレイン電極３１３はデータ信号線１２２と接続され、他方のソース・ドレイン電極３１４は駆動トランジスタ２１０のゲート電極３２２と接続されている。駆動トランジスタ２１０は、ゲート電極３２２と重なる半導体層３２１を有し、一方のソース・ドレイン電極３２３は電源線１２４と接続され、他方のソース・ドレイン電極３２４は画素電極３２０と接続されている。ここで、画素電極３２０上には画素を画定する隔壁（バンク）が形成される。隔壁には画素電極３２０の一部を露出するように開口部３１０が形成される。画素電極３２０が露出した隔壁の開口部３１０は発光素子の発光領域に相当する。容量素子２４０は、ゲート電極３２２と同じ層で形成される容量電極３３１と、絶縁層を挟んで容量電極３３１と重なる電源線１２４とによって形成され、電源線１２４に沿って延びるように設けられている。
【００３８】
なお、図２で示す画素の回路図および図３で示すレイアウトは一例であり、本発明の表示装置は図２、３のような回路構成およびレイアウトに限定されない。例えば、駆動トランジスタ２１０の閾値電圧を補償する回路や、発光素子の発光を強制的に終了させるスイッチングトランジスタをさらに付加してもよい。また、画素の形状や発光領域の形状も、図３に示す形状とは異なり、後述する図７や図１３に示す形状であってもよい。更に、コンタクトホールの位置も、画素のレイアウトに応じて適宜変更可能である。
【００３９】
図３のＡ−Ｂ線に対応した断面構造を図４に示す。図４に示す駆動トランジスタ２１０はトップゲート型トランジスタの構造を示す。基板４０１上に下地膜４０２が形成されており、その上に半導体層３２１、４１０が配置される。半導体層３２１、４１０を形成する材料に特に限定はないが、例えば多結晶シリコン膜や酸化物半導体膜を使用することができる。パターニングされた半導体層３２１、４１０を覆うようにゲート絶縁層４１２が配置され、その上にゲート電極３２２が配置される。半導体層３２１、４１０が多結晶シリコン膜であれば、ゲート電極３２２をマスクとしてセルフアラインで不純物を半導体層３２１に導入してソース・ドレイン領域を形成することができる。このとき、半導体層４１０はチャネル領域となる。また、図示しないが、マスク等を使用することで、半導体層４１０のチャネル領域近傍に低濃度の不純物領域（ＬＤＤ領域）を形成してもよい。
【００４０】
半導体層３２１、４１０、ゲート絶縁層４１２、ゲート電極３２２を含むトランジスタ上に、ソース・ドレイン電極３２４を露出するコンタクトホールを有する層間絶縁層４１８が配置される。
【００４１】
層間絶縁層４１８上に下部電極４３２が配置される。下部電極４３２は層間絶縁層４１８に設けられたコンタクトホールを介してソース・ドレイン電極３２４に電気的に接続される。ここで、下部電極４３２は高い反射率を有する材料で形成されることが好ましい。
【００４２】
下部電極４３２上には、発光素子の発光領域に対応した開口部３１０を有する隔壁４２０が配置される。隔壁４２０は隣接する画素を画定し、トランジスタや配線によって形成される段差を埋めるように配置される。また、隔壁４２０は、断面形状において、基板から離れるに従って幅が狭くなる傾斜面を有する形状となっている。
【００４３】
隔壁４２０および開口部３１０で露出された下部電極４３２上に発光層を含む有機物膜４３４と上部電極４３６が配置される。上部電極４３６は透光性を有する材料を用いることが好ましい。有機物膜４３４は、発光層と共に、例えば電子注入層、電子輸送層、ホール注入層、ホール輸送層を含んでもよい。
【００４４】
上部電極４３６上であって、隔壁４２０に囲まれた領域には、透光性を有する材料からなる導波層４５０が設けられる。導波層４５０は、有機物膜４３４と隔壁４２０の斜面部の少なくとも一部との上方に設けられ、隔壁４２０によって複数の画素毎に分離されている。ここで、発光素子２７０からより多くの光を取出すためには、導波層４５０は空気（気体）よりも屈折率が高く、好ましくは有機物膜４３４や発光層と同等以上の屈折率、より好ましくは上部電極４３６よりも屈折率が高い材料であるとよい。また、導波層４５０はその高さを隔壁４２０の上面部よりも低くすることで、導波層４５０は隣接する画素と分離されるため、画素毎に光学的に分離された構造を実現することができる。
【００４５】
導波層４５０の基板４０１とは反対側の面（表面）、つまり、導波層４５０の後述する封止部材４８０と対向する面には多数の微小な凹凸形状４６０を設ける。凹凸形状４６０は、例えば、四角錐や円錐などの錐形構造、柱形構造、台形構造、レンズ状の構造、ランダムな凹凸構造とすることができる。実施形態１においては、凹凸形状として四角構造を使用した例について説明する。導波層４５０の表面に上記の凹凸形状を設けることで、従来、臨界角以上の広角で入射し、内部に閉じ込められていた光の一部を取り出すことができるようになる。つまり、導波層４５０の表面に凹凸形状を設けることで、光取り出しを向上させることができ、光取り出し構造とも呼ばれる。
【００４６】
凹凸形状４６０はナノインプリントなどの形状転写技術により導波層４５０の表面形状を変形させることで形成することができる。なお、凹凸形状４６０は光取出し効率が高くできればどのような形状でもよく、特に四角錐やレンズ状に限定されるものではなく、他の形態を有していてもよい。凹凸形状４６０は、導波層４５０の表面側の中央部を含む一部の領域に形成する。換言すると、中央部以外の隔壁４２０に近い周縁部４６２では、導波層４５０の表面は凹凸形状４６０の凹凸形状を有さず、平坦な形状を有している。凹凸形状４６０の面積は、画素電極３２０が露出した隔壁の開口部３１０と同じであってもよく、周縁部４６２は隔壁４２０の傾斜面に対応して配置されていてもよい。
【００４７】
上記の構造は、導波層４５０表面に表面凹凸が相対的に大きい領域と、小さい領域と、がそれぞれ混在する。上記のように、導波層４５０の中央部に比べて周縁部４６２の表面凹凸が相対的に小さい。つまり、導波層４５０の封止部材４８０と対向する面には、凹凸構造を有する中央部と、中央部に比べて平坦な周縁部４６２とが設けられている。換言すると、光取り出し構造として機能する凹凸形状４６０の周囲が、凹凸形状よりも表面凹凸が小さい領域で囲われている。また、換言すると、導波層４５０の周縁部４６２を除いた中央部の表面凹凸が、周縁部４６２に比べて大きくなっている。
【００４８】
凹凸形状４６０の光取出し側、つまり、導波層４５０の上方には、封止部材４８０が配置される。封止部材４８０は発光素子への水分の侵入を防止するため、ガスバリア性が高く、透光性を有することが好ましい。具体的には、ガラス基板やガスバリア性を高める処理を施したプラスチック基板を用いることができる。また、図示しないが、導波層４５０と封止部材４８０との間にはカラーフィルタや必要に応じて遮光部材を形成してもよい。隔壁４２０は封止部材４８０と基板４０１との間のスペーサとして機能し、導波層４５０および凹凸形状４６０と封止部材４８０との間には間隙４７０が形成される。この間隙４７０は、導波層よりも屈折率が低い材料で満たされていることが好ましく、例えば、窒素などの不活性ガスが導入されている、または、真空状態としてもよい。また、気体に限定されることはなく、低屈折率の有機樹脂が導入されていてもよい。
【００４９】
導波層４５０を、例えば、屈折率１．７の紫外線硬化樹脂で構成し、その表面の一部の領域をナノインプリント技術により変形、固化させることで凹凸形状４６０を形成してもよい。
【００５０】
この場合、発光層から放出された光は、そのまま、または、下部電極４３２で反射された後に、上部電極４３６を透過して、その大部分が導波層４５０に入射する。導波層４５０に入射した光のうち、凹凸形状４６０に向かう光は、その多くが凹凸形状４６０を介して間隙４７０に取り出され、封止部材４８０を透過して画像光として観察者４側へ向かう。また、発光層から放出された光の内、導波層４５０の周縁部４６２に入射する光は、周縁部４６２を介して間隙４７０に取り出され、封止部材を透過して画像光として観察者４側へ向かう。
【００５１】
ここで、封止部材４８０と導波層４５０とが接触していると、発光層から放出された光は導波層４５０から封止部材４８０に入射し、封止部材４８０内を導波してしまう。したがって、光取り出し効率の低下や、封止部材４８０を介して隣接する画素に光が入射し、そこから外部に出射することによる「にじみ」や「混色」の問題を引き起こす。よって、導波層４５０と封止部材４８０との間の間隙４７０に低屈折率材料を導入することで、発光層から放出された光の取り出し効率を高めることができる。なお、間隙４７０の距離が光の波長よりも短い場合、フォトンのトンネリング現象が起き、導波層４５０から封止部材４８０に入射し、封止部材４８０内を光が導波してしまう。したがって、間隙４７０としては、発光する光の波長よりも長くすることが好ましい。具体的には７５０ｎｍ以上であることが好ましい。但し、間隙４７０が大きすぎると、間隙４７０と封止部材４８０との間にカラーフィルタを形成した場合、斜めから観察した際に視差による混色が生じる可能性がある。このため、間隙４７０の大きさは１μｍ以下とすることが望ましい。
【００５２】
ここで、周縁部４６２には凹凸形状４６０が形成されていないため、周縁部４６２を介して取り出される光は散乱されない。
【００５３】
また、導波層４５０の高さを隔壁４２０の上面部よりも低くすることで、導波層４５０は隣接する画素と分離されるため、発光層から放出された光が導波層を介して隣接する画素に導波することがないので、「にじみ」や「混色」といった画質の劣化がない高品位な表示を実現できる。
【００５４】
図５に、本発明の実施形態１の変形例１における表示装置５００の画素の断面図を示す。図４と異なる点は、隔壁４２０の斜面部に反射層５１０が設けられている点である。図５では、隔壁４２０の斜面部には、有機物膜４３４の一部と上部電極４３６の一部と反射層５１０とが配置されている。反射層５１０は、隔壁４２０の斜面部に配置された上部電極４３６の一部の、有機物膜４３４とは反対側に配置されている。また、反射層５１０は導電性を有していてもよく、上部電極４３６に電気的に接続されていてもよい。
【００５５】
隔壁４２０の斜面部に反射層５１０が設けられていることで、発光層から放出された光のうち、導波層４５０内を基板面に平行な方向へ導波して隔壁４２０方向に進行する光は反射層５１０によって反射され、その光の経路が変更される。経路が変更された光は、凹凸形状４６０に入射する、または、臨界角より小さな角度で周縁部４６２に入射すると一部が観察者側へ出射し、画像光として有効に利用される。つまり、従来、発光素子内に閉じ込められ、または、可視光吸収部材等で吸収されて有効利用できなかった光の一部を取り出すことができるため、画像がより明るい表示装置、または、同じ明るさであればより消費電力が小さい表示装置を実現できる。
【００５６】
また、周縁部４６２には凹凸形状４６０が形成されていないため、反射層５１０によって反射され、出射方向に進行し周縁部４６２を介して取り出される光は凹凸形状４６０の影響を受けない。したがって、周縁部４６２に凹凸形状４６０が設けられている場合に比べて、反射層５１０によって反射され、出射方向に進行する光はその進行方向が阻害されることがないので、より高い正面輝度が得られる場合がある。
【００５７】
また、反射層５１０を導電性の材料、例えばＡｌやＡｇなどのように反射率が高く、電気抵抗が低い金属材料で構成した場合、反射層５１０は上部電極４３６の補助電極としても機能する。このため、この発光表示装置によれば、配線抵抗をさらに下げることができ、消費電力の低減や、表示の面内均一性を高めることができる。
【００５８】
尚、上部電極４３６は、図５に示すように、隔壁４２０を跨いで複数の画素に亘って設けられていてもよく、例えば、図２に示す電源線１２６、１２８によって共通電圧が印加されてもよい。上記の構成においては、反射層５１０には、上部電極４３６と電気的に接続され、共通電圧が印加されてもよい。これにより、反射層５１０は、上述の通り、上部電極４３６の補助電極として機能する。
【００５９】
図６に、本発明の実施形態１の変形例２における表示装置６００の画素の断面図を示す。図４と異なる点は、隔壁６１０が遮光性を有する点である。
【００６０】
遮光性を有する隔壁６１０は、発光層から放出された光のうち、導波層４５０内を基板面に平行な方向へ導波して遮光性を有する隔壁６１０方向に進行する光を吸収し、隣接する画素に侵入することを抑制する。つまり、発光層から放出された光が隣接する画素に侵入することがないので、「にじみ」や「混色」といった画質の劣化がない高品位な表示を実現できる。
【００６１】
図７は、本発明の実施形態１における表示装置の凹凸形状の領域を説明するための一部平面図である。上記のように、実施形態１では隔壁４２０が、断面形状において、基板から離れるに従って幅が狭くなる傾斜面を有する形状となっているため、導波層４５０の表面（凹凸形状４６０および周縁部４６２）を発光領域に相当する開口部３１０よりも広くできる。したがって、凹凸形状４６０を形成する領域を開口部３１０と等しくする、または、開口部３１０よりも大きくすることで、より多くの光を取り出すことが可能である。図７は凹凸形状４６０が設計通りに形成された場合を示しており、この場合は周縁部４６２が凹凸形状４６０の全方位に均等に存在する。周縁部４６２の大きさは、凹凸形状４６０を形成する装置のアライメント精度に対応して決定すればよい。
【００６２】
次に、図５に示す実施形態１の変形例１の製造方法について説明する。基板上にトランジスタや配線などが形成され、さらにその上層に、ソース・ドレイン電極３２４を露出するコンタクトホールを有する層間絶縁層４１８が形成される。次に、層間絶縁層４１８上にＡｌ、Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金、またはＡｌ−Ｌｉ合金からなる下部電極層が形成される。このとき、層間絶縁層４１８に形成されたコンタクトホールを介して下部電極層は薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極３２４と電気的に接続される。次に、下部電極層上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によりフォトレジスト膜をパターニングし、これをマスクとしてエッチングして不要な下部電極層を除去することで、画素電極に対応した島状の下部電極４３２を得る。
【００６３】
次に、下部電極４３２上に感光性樹脂からなる隔壁層をスピンコート法などの方法で所望の厚さで形成する。このとき、感光性樹脂は溶媒に溶けているので、濃度調整によりその粘度を制御し、さらに塗布時の基板の回転速度を調整することで膜厚を制御することができる。感光性樹脂を塗布後、加熱して溶媒を蒸発させることで隔壁層が形成される。この隔壁層をフォトマスクを用いて露光・現像することで、隣接する画素を画定する隔壁４２０が得られる。なお、感光性樹脂にはネガ型とポジ型があり、ネガ型の場合は、露光されていない部分の隔壁層が溶解するため、現像後の断面形状が矩形、または台形に近い形状を得ることができる。また、ポジ型の場合はネガ型とは逆に露光された部分の隔壁層が溶解するため、現像後の断面形状は曲面を有し、基板面に対する傾斜角度が基板から離れるにしたがい連続的に小さくなる形状を得ることができる。これらポジ型、ネガ型の選択は、それぞれの特性を考慮して所望の隔壁形状に合わせて選択すればよい。
【００６４】
ネガ型の感光性樹脂としてはポリビニルアルコールに感光基であるケイ皮酸を縮合したケイ皮酸系レジスト、環化ゴムに感光基としてビスアジド化合物を添加したゴム系レジストなどを用いることができる。また、ポジ型としては感光剤としてのナフトキノンジアジド化合物と、アルカリ可溶性フェノール樹脂との混合物を用いることができる。隔壁を形成する感光性樹脂としては感光性ポリイミドも用いることができる。
【００６５】
フォトマスクは、石英基板などの紫外線を透過する透明基板上に、金属膜などにより遮光部がパターン形成されたものを用いればよい。また、露光量を位置によって微調整することで隔壁の形状を制御することができる。例えば、金属膜の厚さの制御、または複数の微小な開口の面積比率を位置により変化させることで、遮光部の実効的な透過率を連続的に変化させたフォトマスクを用いても良い。なお、ここでは隔壁として感光性樹脂を用いる例について説明した。これは感光性樹脂を用いれば、数μｍの高さの隔壁を現実的なプロセス時間で形成できるからである。
【００６６】
しかしながら、本発明は隔壁としてシリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機物を排除するものではない。例えば、隔壁としてシリコン窒化物を用いる場合は、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成したシリコン窒化膜に対して、フォトリソグラフィ法によりフォトレジストのパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングして不要なシリコン窒化膜を除去することで隔壁を形成することができる。なお、シリコン窒化膜の成膜工程において、供給するＮＨ３やＳｉＨ４のガス比、ガス流量、圧力を変えて、膜質の異なるシリコン窒化膜を複数層積層することで、エッチング後の隔壁の傾斜面の形状を制御してもよい。なお、隔壁は所望の傾斜面を形成できるのであれば、その他の方法で形成しても良く、例えばスクリーン印刷法や、インクジェットによる直接描画方法を用いてもよい。
【００６７】
隔壁４２０を形成した後、発光層を含む複数の膜から構成される有機物膜４３４を形成する。白色発光の場合、有機物膜はパターニングする必要がなく、表示領域の全面に形成することができる。有機物膜が低分子型の場合は、表示領域に相当する部分が開口されたメタルマスクを用いた蒸着により形成する。このとき、隔壁４２０はメタルマスクのスペーサ（突き当て部材）として使用しても良い。また、有機物膜が高分子型の場合はインクジェット方式等で成膜することができる。
【００６８】
有機物膜４３４を形成した後、表示部の全面に上部電極４３６を形成する。上部電極４３６は光利用効率を高めるために高い透光性を有する材料であることが好ましい。具体的にはＩＴＯ、あるいはＩＺＯといった透明導電膜を用いることができ、真空蒸着法やスパッタリング法などで成膜することができる。上部電極層を成膜する際は、有機物膜にできるだけダメージを与えないように、プラズマが基板に直接触れないタイプのイオンプレーティング装置、または対向ターゲット型スパッタ装置などを用いるとよい。または、有機物膜上に、透光性を有する程度の薄い金属膜を蒸着し、その薄い金属膜の上に透明導電膜を形成してもよい。この場合、薄い金属膜が保護層として機能するため、透明導電膜形成時の有機物膜へのダメージを低減することができる。
【００６９】
次に、前記の工程で形成された隔壁４２０に相当する部分が開口されたメタルマスクを用い、Ａｌなどの反射率の高い金属膜を隔壁４２０の斜面部および上面部に選択的に蒸着することで反射層５１０を形成する。その後、インクジェット方式によって、隔壁４２０で囲まれた開口部３１０に向けて導波層用組成物を滴下する。導波層用組成物は、透光性を有する樹脂材料を用いることができる。導波層用組成物は、後の工程で導波層４５０の表面に凹凸形状４６０を形成することを考慮して、紫外線硬化型、熱硬化型、または、紫外線照射後に熱を加えることで硬化する材料を用いることが好ましい。ここで、導波層用組成物は隔壁の高さより低いところまで堆積させ、上部電極４３６や反射層５１０に馴染んでから、十分に平坦化させるとよい。
【００７０】
導波層４５０の形成方法としては、上記の方法の他にも、導波層用組成物をスピンコート法によって全面に塗布し、乾燥固化させることで形成してもよい。この場合には、バンクに反射層５１０を形成した後、導波層用組成物を成膜する前に隔壁４２０の上面部を選択的に撥液処理することが好ましい。例えば、表示部の全面に透明な親液性を有する層を塗布し、隔壁４２０の上面部を撥液化してもよい。親液性を有する層は、バインダ樹脂と光触媒とを含む混合液を塗布し、乾燥、硬化することで形成できる。親液性を有する層は厚くなると光が導波し、隣接する画素へ侵入して、「にじみ」や「混色」の原因となるので、粒径が１０ｎｍ以下の粒子からなる光触媒を用い、厚さを３００ｎｍ以下とすることが好ましい。光触媒の粒子としては酸化チタン、バインダ樹脂としてはオルガノポリシロキサンを用いることができ、親液性を有する層を形成し、隔壁の上面部を遮光し、それ以外の部分を露光することで、非露光部が撥液性を示し、露光部が高い親液性を示すようになる。このように、隔壁４２０の上面部を選択的に撥液処理することで、隔壁によって画素毎に分離された導波層を形成できる。
【００７１】
導波層を構成する材料は、それ自体に重合反応性がなく単に乾燥固化する樹脂を用いても良いが、生産性を考慮すると、塗布後に重合反応により硬化させることができる樹脂を用いることが好ましい。重合反応により硬化させることができる樹脂の場合、重合硬化の際に紫外線や電子線などを照射する、または加熱する必要がある。この場合、重合硬化の処理は有機物膜へのダメージができるだけ小さいプロセス条件にする必要がある。導波層としては透光性を有するアクリル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール等の樹脂から１種もしくは複数種混合したもの等を用いることができる。また、こうした材料で導波層４５０を構成することで間隙４７０よりも屈折率が高い導波層４５０を構成することができる。
【００７２】
次に、図８乃至１０を参照して、導波層４５０の表面に凹凸形状４６０を形成する方法について説明する。図８乃至１０はナノインプリント技術を利用して導波層４５０の表面に複数の凹凸形状を有する凹凸形状４６０を形成する工程を示す断面図である。図８に示すように、隔壁に囲まれた領域内に導波層用組成物が充填され、十分に平坦化された状態において基板４０１とナノインプリント用モールド（型）８１０との位置合わせ（アライメント）を行う。
【００７３】
このとき、モールド８１０の凹凸形状の型が形成された部分の長さＬ３は、導波層の表面の長さＬ１に比べて短いことが好ましい。基板４０１とモールド８１０とのアライメント精度が±Ｌｅの場合、Ｌ３は式（１）を満たすことが好ましい。
【００７４】
Ｌ３≦Ｌ１−２Ｌｅ                                            （１）
【００７５】
また、モールド８１０は凹凸形状の型が無い部分は凹部を有しており、凹凸形状の型の位置を基準とした凹部の深さは導波層４５０の表面から隔壁４２０の上面部に形成された積層膜の最上部までの高さよりも大きくすることが好ましい。例えば、基板４０１とモールド８１０とのアライメント精度が±３μｍ、導波層４５０の長さＬ１が２５μｍの場合、モールド８１０の凹凸形状の型が形成された部分の長さは１９μｍとすることが好ましい。
【００７６】
次に、基板４０１とモールド８１０のアライメントを行った後に、図９に示すようにモールド８１０を導波層４５０に圧着する。なお、導波層用組成物が紫外線を照射後に熱を加えることで硬化するタイプの場合は、モールド８１０を導波層４５０に圧着する前に、導波層用組成物に紫外線を照射する。導波層用組成物が紫外線硬化型の場合は、紫外線を透過する石英基板などで構成されたモールド８１０を使用し、図９に示すようにモールド８１０を導波層４５０に圧着した状態で紫外線を照射して硬化させる。または、導波層用組成物が熱硬化型の場合は、図９に示すようにモールド８１０を導波層４５０に圧着した状態で熱を加える。導波層用組成物が熱硬化型の場合は、有機物膜がダメージを受けないようにするため、熱処理の温度は１００℃以下にすることが重要である。
【００７７】
上記のように重合硬化した後、図１０に示すように、モールド８１０を基板４０１から剥離する。剥離後の導波層４５０の表面にはモールド８１０の凹凸が転写され凹凸形状４６０が形成され、それ以外の周縁部４６２の導波層４５０の表面は略平坦な形状が得られる。
【００７８】
図１１は凹凸形状の一例を示す斜視図である。この凹凸形状は底面が正方形の四角錐（ピラミッド構造）を複数、密に配置したものであり、四角錐の底辺の長さが１μｍ、高さが０．５μｍのピラミッド構造を用いた場合、凹凸形状がない場合と比較して、発光量（光束）を約５０％、正面輝度を約２倍に高めることができる。なお、凹凸形状は光取出し効率を高くできればどのような形状でもよく、特に四角錐やレンズ状に限定されるものではない。
【００７９】
次に、本発明の他の特徴である凹凸形状の製造プロセスにおける効果について説明する。図１２および図１３は、導波層４５０の表面に凹凸形状４６０を形成するときに、基板４０１とモールド８１０のアライメントがずれた場合の説明図であり、図１２が断面図、図１３が平面図である。
【００８０】
本発明の表示装置では、凹凸形状４６０の形成工程において、基板とモールドのアライメントずれが発生しても、モールドが隔壁等に接触して基板に形成された構造物を破壊することがなく、さらに導波層の表面上の凹凸形状は、ある一定の面積を確保することができる。例えば、図１２、図１３において、モールド８１０圧着時のアライメントずれによって、凹凸形状４６０の中心１２２０と開口部３１０の中心１２１０とがずれた場合でも、凹凸形状４６０は導波層４５０の表面領域内に形成されるため、発光領域と同じ面積の凹凸形状４６０が形成される。ここで、図１２、図１３において、アライメントずれによって発生する、開口部３１０の中心１２１０と凹凸形状４６０の中心１２２０との差よりも、図８における（Ｌ１−Ｌ３）／２が大きくなるように設計することが好ましい。
【００８１】
また、本発明の表示装置では凹凸形状の位置がずれた場合においても、高い光取出し効率を維持できる工夫がなされている。つまり、隔壁４２０が基板から離れるに従い、隔壁４２０の幅が狭くなる断面形状を有することで、導波層４５０の断面形状は、基板から離れるに従い幅が大きくなる形状を有する。発光領域は開口部３１０の面積で規定されるため、導波層４５０の表面の面積は発光領域の面積よりも広くなる。したがって、凹凸形状４６０が導波層４５０の表面全域を覆わなくとも、発光素子の発光面積と同等以上の面積の凹凸形状４６０を形成することができるため、より多くの光を外部に取り出すことができるようになる。さらに、凹凸形状４６０が形成されない周縁部４６２においても、特に変形例１では隔壁４２０の傾斜面に反射層５１０が設けられることで、光取出し効果が得られるので、より多くの光を外部に取り出すことができる。
【００８２】
以上のように、実施形態１によると、光取り出し効率や「にじみ」や「混色」の抑制などの表示装置としての性能を向上しつつ、生産上の不良の発生を抑制できるという優れた効果が得られる。換言すると、基板とモールドのアライメントに対して現実的なマージンを確保できるため、高価な高精度装置を必要とせず、生産性を上げることが可能なため、より製造コストを低減することができる。
【００８３】
［実施形態２］
図１４乃至１９を用いて、本発明の実施形態２に係るトップエミッション型の発光表示装置の構成を説明する。
【００８４】
図１４は本発明の実施形態２における表示装置の画素のカラーフィルタのレイアウトを示す図である。図１４では、表示装置の消費電力を下げるため、赤色（Ｒ）１４１０、緑色（Ｇ）１４２０、青色（Ｂ）１４３０のほかに白色（Ｗ）１４４０表示用の画素を備える表示装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、白色表示用の画素にはカラーフィルタを設けなくてもよいが、白色の色度を調整するために必要に応じてカラーフィルタを配置してもよい。カラーフィルタは染色法、顔料分散法、あるいは印刷法などの公知の技術によって塗り分ければよい。また、コンタクトホールや配線部分など、発光に寄与しない領域はその大部分が遮光部材１４５０によって覆われている。
【００８５】
図１４のＣ−Ｄ線に対応した断面構造を図１５に示す。図１５が図５と異なる点は、間隙４７０と封止部材４８０との間にカラーフィルタ１４１０、１４２０、１４３０が配置されている点である。図１５では、隔壁４２０の上面部までの高さが導波層４５０の高さよりも高いため、隔壁４２０および隔壁４２０上に形成された有機物膜４３４、上部電極４３６、反射層５１０の積層膜が基板４０１と封止部材４８０との間のスペーサとして機能する。
【００８６】
図１５の構造は、有機物膜４３４とカラーフィルタとの距離が近いことに加え、導波層４５０は隣接する画素と完全に分離され、さらに隔壁４２０の傾斜面には反射層５１０が設けられているため、発光層から放出された光が隣接する画素に侵入することはなく、「にじみ」や「混色」といった画質の劣化がない高品位な表示を実現できる。
【００８７】
図１６に、本発明の実施形態２の変形例１における表示装置の画素の断面図を示す。図１５と異なる点は、隔壁４２０の斜面部と交差する上面部の上方に、有機物膜４３４、上部電極４３６、反射層５１０の積層膜を介してスペーサとして機能する遮光部材１６１０が設けられている点である。
【００８８】
本発明の表示装置では、導波層４５０が隔壁４２０によって完全に分離されていることが好ましいが、現実にはプロセスや材料によって隔壁４２０を乗り越えて隣の画素とつながる場合がある。また、図５のような構造において、間隙４７０の距離が光の波長よりも短い場合、フォトンのトンネリング現象が起き、導波層４５０から封止部材４８０に入射し、封止部材４８０内を光が導波してしまう場合がある。
【００８９】
上記のような場合において、図１６のように、隔壁４２０の上面部に遮光部材１６１０を設けることで、仮に隔壁４２０の上面部に導波層が存在していても、その導波層を通過する光を遮光部材１６１０で吸収することで漏れ光を抑制できる。さらに、図５のような構造においても、隔壁４２０の上面部に設けられた遮光部材がスペーサとして機能することで、導波層４５０と封止部材４８０との距離を確保することができ、フォトンのトンネリング現象を抑制することができるため、封止部材４８０内を光が導波することを防止できる。その結果、混色や表示のにじみがない高品位な表示を実現できるという効果が得られる。
【００９０】
また、遮光部材１６１０の側面部に反射層が設けられていてもよい。遮光部材１６１０の側面部に反射層が設けられることで、発光層から放出された光のうち、遮光部材１６１０方向に進行する光は遮光部材１６１０の側面部に設けられた反射層によって反射され、カラーフィルタを通過して観察者側へ出射し、画像光として有効に利用される。
【００９１】
また、遮光部材１６１０の側面部に設けられた反射層にＡｌなどの低抵抗材料を使用し、複数の画素間にはしご状に配置することで、発光素子の上部電極４３６の補助配線として利用してもよい。
【００９２】
図１６に示すように、上部電極４３６の一部が隔壁４２０の斜面部と上面部に配置され、遮光部材１６１０の側面部に設けられた反射層が上部電極４３６と電気的に接続される構造にしてもよい。更に、反射層５１０を隔壁４２０の上面部にも配置し、遮光部材１６１０の側面部に設けられた反射層は反射層５１０と接し、反射層５１０を介して上部電極４３６と電気的に接続される構造にしてもよい。尚、図１６においても図５と同様に、上部電極４３６が隔壁４２０を跨いで複数の画素に亘って設けられ、例えば図２に示す電源線１２６、１２８によって共通電圧が印加されてもよい。
【００９３】
上記のように、複数の画素間にはしご状の補助配線を設けることで、配線抵抗をより下げることができ、消費電力を低減することができる。また、電圧降下による表示むらが抑制され、より均一な表示が実現できるという効果も得られる。
【００９４】
図１７に、本発明の実施形態２の変形例２における表示装置の画素の断面図を示す。図１６と異なる点は、導波層１７５０の周縁部１７６２の高さが中央部の凹凸形状１７６０の高さに比べて高い点である。換言すると、導波層１７５０の面は、中央部よりも周縁部１７６２の方が封止部材４８０の近くに配置されている。
【００９５】
図１７の構造は、図９で説明したモールド８１０を導波層４５０に圧着するときに、その圧力を高くして、モールド８１０を導波層４５０内部へ深く押し込むことで周縁部１７６２を盛り上がらせることで形成することができる。
【００９６】
この場合も、上記と同様に、遮光部材が直接漏れ光を抑制する効果と、遮光部材がスペーサとして機能することで、導波層４５０と封止部材４８０との距離を確保することができるため、隣接する画素間の光学的な分離が維持されて混色や表示のにじみがない高品位な表示を実現できるという効果が得られる。
【００９７】
また、周縁部１７６２の高さと、隔壁４２０と隔壁４２０上に形成された発光層、上部電極４３６、反射層５１０との合計の高さと、が略同一の高さになることで、遮光部材１６１０の位置がずれても隔壁４２０の傾斜面に落ちることがないため、遮光部材１６１０を配置する際のアライメントマージンの許容値を広げることができる。また、図５に示すように、間隙４７０と封止部材４８０との間にカラーフィルタが設けられていない構造においても、同様の効果を得ることができる。
【００９８】
図１７に示す構造において、隔壁４２０の上面部における、導波層１７５０が最も薄くなる領域での導波層の厚さが光の波長よりも薄くすることが好ましい。隔壁４２０の上面部における導波層の厚さが光の波長よりも薄ければ、光の導波モードは制限され、隣接する画素へ漏れる光を制限することができる。このため、導波層が隣接する画素に位置する導波層とつながっていても、光の波長よりも薄い厚さであれば、実質的には光学的に分離されている状態となる。
【００９９】
図１８に、本発明の実施形態２の変形例３における表示装置の画素の断面図を示す。図１６と異なる点は、下部電極１８３２を隔壁４２０の斜面部上に形成することで反射層１８１０を形成し、反射層５１０を別個に設けていない点である。図１８においては、隔壁４２０の斜面部上に反射性の下部電極１８３２が形成されており、図１６における反射層５１０と同等の機能を有する。換言すると、図１８において、隔壁４２０の斜面部上に配置された反射層は下部電極１８３２と接続されている。また、換言すると、隔壁４２０の斜面部上に配置された反射層は下部電極１８３２の一部から成る。また、換言すると、隔壁４２０の斜面部には、上部電極４３６の一部の、有機物膜４３４とは反対側に反射層が配置されている。
【０１００】
図１８においては、隔壁４２０の斜面部上に形成された反射層１８１０によって、発光層から放出された光のうち、導波層４５０内を基板面に平行な方向へ導波して隔壁４２０方向に進行する光の経路が変更され、観察者側へ出射し、画像光として有効に利用される。また、反射層５１０を形成する工程を省略することができるため、製造コストを低減することもできる。
【０１０１】
図１９に、本発明の実施形態２の変形例４における表示装置の画素の断面図を示す。図１６と異なる点は、隔壁１９２０の斜面部が曲面を有している点である。また、隔壁１９２０の表面が曲面を有することに伴い、その上方に形成された有機物膜１９３４、上部電極１９３６、反射層１９４０の各表面も曲面を有している。
【０１０２】
隔壁１９２０の表面が曲面を有することで、図９で説明したモールド８１０を導波層４５０に圧着するときに、導波層４５０で発生する内部応力を緩和することができ、導波層４５０の剥離やクラックを抑制することができる。
【０１０３】
以上のように、本発明の実施形態によれば、発光層から放出された光を効率よく外部に取り出し、隣接画素への光漏れを抑制することができる。また、凹凸形状を製造するときのマージンを広げ、製造コストを低減することができる。
【０１０４】
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【０１０５】
４：観察者
１００：表示装置
１０２：基板
１０４：表示部
１１０：データドライバ
１１２：ゲートドライバ
１２０：ゲート信号線
１２２：データ信号線
１２４、１２６、１２８：電源線
２１０：駆動トランジスタ
２３０：選択トランジスタ
２４０：容量素子
２６０：画素
２７０：発光素子
３１０：開口部
３１１、４１１：半導体層
３１２、３２２：ゲート電極
３１３、３１４、３２３、３２４：ドレイン電極
３２０：画素電極
３２１：半導体層
３３１：容量電極
４０１：基板
４０２：下地膜
４１２：ゲート絶縁層
４１８：層間絶縁層
４２０、１９２０：隔壁
４３２、１８３２：下部電極
４３４、１９３４：有機物膜
４３６、１９３６：上部電極
４５０、１７５０：導波層
４６０、１７６０：凹凸形状
４６２、１７６２：周縁部
４７０：間隙
４８０：封止部材
５１０、１８１０、１９４０：反射層
６１０：隔壁
８１０：モールド
１４１０、１４２０、１４３０：カラーフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１１】
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