(57)【要約】【課題】はんだにおけるボイド形成が抑制される製造方法を提供する。【解決手段】第１のはんだ５によりアイランド部２１と半導体チップ３とを接合して構成される半導体装置の製造方法において、半導体チップ３の重心から離れた位置に荷重を加えるようにする。これにより、第１のはんだ５を溶融させてからその固化が完了するまで、半導体チップ３の一面３ａを、アイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜した状態に維持する。このため、溶融状態の第１のはんだ５中に存在する気体（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、アイランド部２１の一面と半導体チップ３の一面３ａとの間隔が広い領域において移動し易くなる。よって、この広い領域を通じて気体が第１のはんだ５の外部へ放出され易くなり、固化後における第１のはんだ５中にボイドが形成され難くなる。【選択図】図３
2015012065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（２１ａ）を有する第１の被接合部（２１）と、一面（３ａ）および当該一面とは反対側の他面（３ｂ）を有し、当該一面が前記第１の被接合部の一面に対向して配置された半導体チップ（３）と、前記第１の被接合部の一面と前記半導体チップの一面との間に介在し前記第１の被接合部と前記半導体チップとを接合する第１のはんだ（５）と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記第１の被接合部および前記半導体チップを用意する用意工程と、
前記用意工程ののち、前記半導体チップを前記第１の被接合部の一面上に積載して、前記半導体チップの一面と前記第１の被接合部の一面とを前記第１のはんだを介して接着させる積載工程と、
前記積載工程ののち、前記第１のはんだを溶融させ、前記半導体チップの一面が前記第１の被接合部の一面に対して傾斜した傾斜状態を形成する傾斜工程と、
前記半導体チップの一面の傾斜状態を維持した状態で前記第１のはんだの固化を完了させる固化工程と、を備え、
前記傾斜工程および前記固化工程では、前記半導体チップの他面のうち、前記半導体チップの重心から離れた位置に荷重を加えることにより、前記半導体チップの一面が前記第１の被接合部の一面に対して傾斜した傾斜状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体装置は、一面（２２ａ）を有する第２の被接合部（２２）と、前記半導体チップと前記第２の被接合部に接合されたクリップ（４）と、を備え、
前記クリップは、前記半導体チップの他面に対して接合された第１の面（４２ａ）、および、前記第２の被接合部の一面に対して接合された第２の面（４３ａ）を有し、
前記用意工程では、さらに、前記第２の被接合部および前記クリップを用意し、
前記積載工程では、さらに、前記クリップの第１の面を前記半導体チップの他面上に積載すると共に、前記クリップの第２の面を前記第２の被接合部の一面上に積載し、
前記傾斜工程および前記固化工程では、前記半導体チップの他面のうち、前記半導体チップの重心から離れた位置に前記クリップの自重を加えることにより、前記半導体チップの一面が前記第１の被接合部の一面に対して傾斜した傾斜状態を形成することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記クリップは、前記第１の面が第２のはんだ（６）を介して前記半導体チップの他面に対して接合されたものであり、前記傾斜工程において前記半導体チップの一面が前記第１の被接合部の一面に対して傾斜した傾斜状態を形成するために自重を加えているときに、前記第１の面が前記半導体チップの他面に対して傾斜した傾斜状態となる形状とされたものであり、
前記積載工程では、さらに、前記クリップの第１の面と前記半導体チップの他面とを前記第２のはんだを介して接着させ、
前記傾斜工程では、さらに、前記第２のはんだを溶融させ、前記クリップの第１の面が、前記半導体チップの他面に対して傾斜した傾斜状態を形成し、
前記固化工程では、さらに、前記クリップの第１の面の傾斜状態を維持した状態で前記第２のはんだの固化を完了させることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記クリップは、前記第２の面が第３のはんだ（７）を介して前記第２の被接合部の一面に対しても接合されるものであり、前記傾斜工程において前記半導体チップの一面が前記第１の被接合部の一面に対して傾斜した傾斜状態を形成するために自重を加えているときに、前記第２の面が前記第２の被接合部の一面に対して傾斜した傾斜状態となる形状とされたものであり、
前記積載工程では、さらに、前記クリップの第２の面と前記第２の被接合部の一面とを前記第３のはんだを介して接着させ、
前記傾斜工程では、さらに、前記第３のはんだを溶融させ、前記クリップの第２の面が、前記第２の被接合部の一面に対して傾斜した傾斜状態を形成し、
前記固化工程では、さらに、前記クリップの第２の面の傾斜状態を維持した状態で前記第３のはんだの固化を完了させることを特徴とする請求項２または３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだ接合により、リードフレームや配線基板等に半導体チップ等を実装した半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、はんだ接合により、リードフレーム等に半導体チップ等を接合して構成される半導体装置が知られている。この種の半導体装置の製造方法では、一般に、はんだが加熱により溶融する際に、空気を巻き込むことや、はんだがフラックスを含有する場合にはフラックスが分解ガスを発生させることにより、はんだにこれらの気体が残留してボイドが形成される。はんだにボイドが形成されると、半導体装置の接合強度や放熱性等の性能が不十分となり得るため、好ましくない。
【０００３】
はんだにおけるボイド形成を抑制する技術として、特許文献１に記載の方法が提案されている。この方法では、はんだ接合によって、リードフレームを基板に接合する際に、この方法では、リードフレームに貫通孔を設け、この貫通孔からはんだ溶融時に生じる気体を放出することにより、はんだにおけるボイド形成を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１５３８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許文献１の方法では、ボイド抑制効果を高めるためには、リードフレームに設ける貫通孔を大きくしなければならない。しかしながら、リードフレームの強度等の問題から、貫通孔の大きさは制限される。このため、上記の特許文献１の方法では、十分なボイド抑制効果を得ることが難しい。また、上記の特許文献１の方法では、貫通孔を形成することが困難なもの（幅が短いなど孔加工をすることが困難なリードフレームなど）には適用できない。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、はんだ接合された部分を有する半導体装置の製造方法において、上述した貫通孔を形成することなく、はんだにおけるボイド形成が抑制される製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１のはんだ（５）により第１の被接合部（２１）と半導体チップ（３）とを接合して構成される半導体装置の製造方法において、半導体チップの重心から離れた位置に荷重を加えることにより、第１のはんだを溶融させてからその固化が完了するまで、半導体チップの一面（３ａ）を、第１の被接合部の一面（２１ａ）に対して傾斜した状態に維持することを特徴とする。
【０００８】
このため、溶融状態の第１のはんだ中に存在する気体（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、第１の被接合部の一面と半導体チップの一面との間隔が広い領域において移動し易くなる。よって、この広い領域を通じて気体が第１のはんだの外部へ放出され易くなり、固化後における第１のはんだ中にボイドが形成され難くなる。これにより、貫通孔を形成しなくても、はんだにおけるボイド形成を抑制することが可能となる。
【０００９】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１の断面構成を示す図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す半導体装置１の上面図である。
【図２】図１に示す半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融前のワークの断面構成を示す図である。
【図３】図１に示す半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融後のワークの断面構成を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融前のワークの断面構成を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融後のワークの断面構成を示す図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融前のワークの断面構成を示す図である。
【図７】図６に示す例に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融後のワークの断面構成を示す図である。
【図８】本発明の別の他の実施形態に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融前のワークおよび治具１０の断面構成を示す図である。
【図９】図８に示す例に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融後のワークおよび治具１０の断面構成を示す図である。
【図１０】本発明の別の他の実施形態に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融前のワークおよび治具１０の断面構成を示す図である。
【図１１】図１０に示す例に係る半導体装置１の製造工程中におけるはんだ溶融後のワークおよび治具１０の断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体装置１について図１を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置１は、例えば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用される。
【００１３】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１は、アイランド部２１およびリード部２２により構成されるリードフレーム２と、半導体チップ３と、半導体チップ３とリード部２２とに接合されたクリップ４と、を備える。本実施形態に係る半導体装置１は、半導体チップ３が、第１のはんだ５を介してアイランド部２１に接合され、クリップ４が、第２のはんだ６を介して半導体チップ３に接合される共に、第３のはんだ７を介してリード部２２に接合された構成とされている。
【００１４】
リードフレーム２は、導電性金属材料よりなるものであり、上述したように、  アイランド部（第１の被接合部）２１およびリード部（第２の被接合部）２２により構成される。アイランド部２１は、半導体チップ３を積載するための薄板部材である。リード部２２は、アイランド部２１の周囲に配置された薄板部材である。リード部２２は、クリップ４を介して半導体チップ３と電気的に接続されていると共に、図示しない配線により半導体装置１の外部と電気的に接続されている。
【００１５】
半導体チップ３は、平板状に形成された半導体集積回路であり、例えば、マイコンなどのＩＣチップや、トランジスタなどのパワー素子や、その他の各種チップ部品等により構成される。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、半導体チップ３は、その一面３ａがアイランド部２１の一面２１ａに対向するようにして配置されている。アイランド部２１の一面２１ａと半導体チップ３の一面３ａとの間には、半導体チップ３の一面３ａの略全面に亘って、第１のはんだ５が設けられている。本実施形態に係る半導体装置１では、第１のはんだ５により、アイランド部２１と半導体チップ３とが接合されている。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１は、半導体チップ３の一面３ａが、アイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜した傾斜状態とされた構成とされている。
【００１８】
クリップ４は、半導体チップ３とリード部２２に接合されたものであり、金属（例えば、Ｃｕ）よりなる。図１（ａ）、（ｂ）に示すように、クリップ４は、例えば板状部材を４箇所で折り曲げて形成され、両端の間に凸部４１を備えた形状とされている。すなわち、クリップ４は、凸部４１と、凸部４１を挟んだ両端の部分のうちの一方の端部である第１部位４２、および他方の端部である第２部位４３と、を有して構成されている。また、本実施形態に係る半導体装置１は、クリップ４のうち第１部位４２と凸部４１との境界位置が、半導体チップ３の重心よりもリード部２２の側に配置された構成とされている。
【００１９】
第１部位４２は一面（第１の面）４２ａを有し、第２部位４３は一面（第２の面）４３ａを有する。図１（ａ）に示すように、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａは、半導体チップ３のうち一面３ａとは反対側の他面３ｂと、第２のはんだ６を介して接合されている。第２のはんだ６は、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａの略全面に亘って設けられている。
【００２０】
また、図１（ａ）に示すように、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａは、第３のはんだ７を介してリード部２２の一面２２ａと接合されている。第３のはんだ７は、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａの略全面に亘って設けられている。このような構成により、クリップ４にて、半導体チップ３とリード部２２とが物理的および電気的に接続されている。
【００２１】
本実施形態に係る半導体装置１では、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａが、半導体チップ３の他面３ｂに対して傾斜した傾斜状態となっている。また、本実施形態に係る半導体装置１では、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａが、リード部２２の一面２２ａに対して傾斜した傾斜状態となっている。また、図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１では、第１部位４２の一面４２ａを含む平面と、第２部位４３の一面４３ａを含む平面とが交差するように、第１部位４２の一面４２ａおよび第２部位４３の一面４３ａが設けられている。
【００２２】
なお、本実施形態に係る半導体装置１では、リード部２２のうち一部（外部と電気的に接続する配線が設けられる部分）を除いた部分、半導体チップ３、およびクリップ４が、図示しない被覆部（モールド樹脂など）により被覆されている。
【００２３】
次に、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法について、図２〜３を参照して説明する。
【００２４】
まず、用意工程として、リードフレーム２（アイランド部２１、リード部２２）、半導体チップ３、およびクリップ４を用意する。
【００２５】
用意工程ののち、積載工程を行う。具体的には、まず最初に、半導体チップ３の一面３ａがアイランド部２１の一面２１ａに対向するように半導体チップ３をアイランド部２１上に積載して、半導体チップ３の一面３ａとアイランド部２１の一面２１ａとを第１のはんだ５を介して接着させる。次に、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａが半導体チップ３の他面３ｂに対向すると共に、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａがリード部２２の一面２２ａに対向するように、クリップ４を半導体チップ３上およびリード部２２上に積載する。このとき、クリップ４のうち第１部位４２と凸部４１との境界位置が、半導体チップ３の重心よりもリード部２２の側に配置されるように、クリップ４を半導体チップ３上およびリード部２２上に積載する。そして、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａと半導体チップ３の他面３ｂとを第２のはんだ６を介して接着させ、第２部位４３の一面４３ａとリード部２２の一面２２ａとを第３のはんだ７を介して接着させる。
【００２６】
第１のはんだ５、第２のはんだ６、第３のはんだ７としては、それぞれ、例えばフラックスを含有するはんだが採用され得る。
【００２７】
積載工程が完了したとき（はんだ溶融前）のワークは、図２に示すように、半導体チップ３の一面３ａおよび他面３ｂがそれぞれ、アイランド部２１の一面２１ａと略平行の状態となる。
【００２８】
また、ワークは、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａが、アイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜した状態、すなわち、半導体チップ３の他面３ｂに対して傾斜した状態となる。より具体的には、第１部位４２の一面４２ａは、第１部位４２と凸部４１との境界位置から第１部位４２の端部側に向かうにつれてこの一面４２ａと半導体チップ３の他面３ｂとの間隔が広くなるように、傾斜する。また、上記境界位置が、半導体チップ３の重心よりもリード部２２の側において配置された状態とされている。
【００２９】
さらに、ワークは、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａが、リード部２２の一面２２ａに対して傾斜した状態となる。より具体的には、第２部位４３の一面４３ａは、第２部位４３と凸部４１との境界位置から第２部位４３の端部側に向かうにつれてこの第２部位４３の一面４３ａとリード部２２の一面２２ａとの間隔が広くなるように、傾斜する。
【００３０】
ここで、ワークにおいて、クリップ４が上述した形状とされているため、クリップ４の自重は、クリップ４のうち第１部位４２と凸部４１との境界位置の部分、および、クリップ４のうち凸部４１と第２部位４３との境界位置の部分に集中する。このクリップ４の自重が集中する２つの境界位置の一方である第１部位４２と凸部４１との境界位置は、上述したように、半導体チップ３の重心よりもリード部２２の側に配置された状態とされている。このため、積載完了時におけるワークは、半導体チップ３の他面３ｂのうち半導体チップ３の重心から離れた位置に荷重（クリップ４の自重）が加えられた状態とされている。
【００３１】
積載工程ののち、傾斜工程を行う。具体的には、第１のはんだ５、第２のはんだ６、および第３のはんだ７を溶融させることで、半導体チップ３およびクリップ４を図１に示すような状態にする。
【００３２】
すなわち、第１のはんだ５を溶融させたときに、上述したように、半導体チップ３の他面３ｂのうち半導体チップ３の重心から離れた位置に荷重が加えられるため、半導体チップ３の一面３ａがアイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜した状態となる。より具体的には、第１部位４２の一面４２ａと半導体チップ３の他面３ｂとの間隔が広くなる方向に向かうにつれて、半導体チップ３とアイランド部２１との間隔が広くなるように、半導体チップ３の一面３ａがアイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜する。また、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａは、半導体チップ３が上述したように傾斜してもなお、はんだ溶融前と同様、半導体チップ３の他面３ｂに対して傾斜した状態を維持する。また、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａも、はんだ溶融前と同様、リード部２２の一面２２ａに対して傾斜した状態を維持する。
【００３３】
なお、傾斜工程において、別途の外力（例えば、加圧機による圧力）を作用させることにより、さらに半導体チップ３が傾斜し易くなるようにしてもよい。
【００３４】
傾斜工程ののち、固化工程として、半導体チップ３の一面３ａ、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａ、およびクリップ４の第２部位４３の一面４３ａのそれぞれの傾斜状態を維持した状態で、第１のはんだ５、第２のはんだ６、および第３のはんだ７の固化を完了させる。
【００３５】
以上のような製造方法により、本実施形態に係る半導体装置１は完成する。このような製造方法では、第１のはんだ５を溶融させてからその固化が完了するまで（傾斜工程から固化工程まで）、半導体チップ３の一面３ａを、アイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜した状態に維持している。
【００３６】
このため、溶融状態の第１のはんだ５中に存在する気体Ｇ１（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、アイランド部２１の一面２１ａと半導体チップ３の一面３ａとの間隔が広い領域（リード部２２に遠い側の領域）において移動し易くなる。よって、本実施形態に係る製造方法では、この広い領域を通じて気体Ｇ１が第１のはんだ５の外部へ放出され易くなり（図３の符号Ｙ１の矢印参照）、固化後における第１のはんだ５中にボイドが形成され難くなる。
【００３７】
さらに、本実施形態に係る製造方法では、クリップ４の自重により、第２のはんだ６を溶融させてからその固化が完了するまで（傾斜工程から固化工程まで）、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａが、半導体チップ３の他面３ｂに対して傾斜した状態が維持される。
【００３８】
このため、溶融状態の第２のはんだ６中に存在する気体Ｇ２（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、半導体チップ３の他面３ｂとクリップ４の第１部位４２の一面４２ａとの間隔が広い領域（リード部２２に遠い側の領域）において移動し易くなる。よって、本実施形態に係る製造方法では、この広い領域を通じて気体Ｇ２が第２のはんだ６の外部へ放出され易くなり（図３の符号Ｙ２の矢印参照）、固化後における第２のはんだ６中にボイドが形成され難くなる。
【００３９】
さらに、本実施形態に係る製造方法では、第３のはんだ７を溶融させてからその固化が完了するまで（傾斜工程から固化工程まで）、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａが、リード部２２の一面２２ａに対して傾斜した状態が維持される。
【００４０】
このため、溶融状態の第３のはんだ７中に存在する気体Ｇ３（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、第２部位４３の一面４３ａとリード部２２の一面２２ａとの間隔が広い領域（リード部２２に遠い側の領域）において移動し易くなる。よって、本実施形態に係る製造方法では、この広い領域を通じて気体Ｇ３が第３のはんだ７の外部へ放出され易くなり（図３の符号Ｙ３の矢印参照）、固化後における第３のはんだ７中にボイドが形成され難くなる。
【００４１】
そして、本発明に係る製造方法では、第１のはんだ５、第２のはんだ６、および第３のはんだ７の固化が完了する前に上記傾斜した状態が解除されず、固化が完了するまで上記傾斜した状態が維持されるため、確実にボイド形成を抑制することができる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態に係る製造方法では、第１のはんだ５を溶融させてからその固化が完了するまで（傾斜工程から固化工程まで）、半導体チップ３の一面３ａを、アイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜した状態に維持している。
【００４３】
このため、溶融状態の第１のはんだ５中に存在する気体Ｇ１（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、アイランド部２１の一面２１ａと半導体チップ３の一面３ａとの間隔が広い領域（リード部２２に遠い側の領域）において移動し易くなる。よって、本実施形態に係る製造方法では、この広い領域を通じて気体Ｇ１が第１のはんだ５の外部へ放出され易くなり（図３の符号Ｙ１の矢印参照）、固化後における第１のはんだ５中にボイドが形成され難くなる。
【００４４】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について図４、５を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、半導体装置１のクリップ４の形状および第１のはんだ５が設けられた領域を変更して、半導体装置１の製造方法における各工程の内容をそれぞれ一部変更したものある。その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４５】
本実施形態におけるクリップ４は、第１部位４２の一面４２ａおよび第２部位４３の一面４３ａが平行となる形状とされている。また、本実施形態では、アイランド部２１と半導体チップ３とを接合する第１のはんだ５が、半導体チップ３の一面３ａの全面ではなく、半導体チップ３の一面３ａのうちリード部２２に近い側の領域のみに設けられている。
【００４６】
本実施形態に係る半導体装置１の製造方法は、基本的には第１実施形態と同様だが、各工程の内容の一部が第１実施形態と異なる。そこで、この異なる点のみについて以下に説明する。
【００４７】
本実施形態における用意工程では、クリップ４として、第１部位４２の一面４２ａおよび第２部位４３の一面４３ａが平行となる形状のものを用意する。また、本実施形態における積載工程では、図４に示すように、半導体チップ３の他面３ｂのうちリード部２２に近い側の領域のみに第１のはんだ５を設ける。そして、本実施形態における積載工程では、半導体チップ３の他面３ｂのうちリード部２２に近い側の領域のみに設けられた第１のはんだ５を介して、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａと半導体チップ３とを接着する。
【００４８】
このような構成とすることにより、積載完了時におけるワークは、クリップ４の自重が、第１のはんだ５を介して半導体チップ３の他面３ｂのうちリード部２２に近い側の領域のみに加えられる状態となる。すなわち、半導体チップ３の他面３ｂのうち半導体チップ３の重心から離れた位置に荷重（クリップ４の自重）が加えられた状態となる。このため、本実施形態における製造方法においても、図５に示すように、第１のはんだ５を溶融させてからその固化が完了するまで（傾斜工程から固化工程まで）、半導体チップ３の一面３ａが、アイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜した状態となる。そして、本実施形態における固化工程では、この傾斜状態を維持した状態で第１のはんだ５の固化を完了させる。
【００４９】
このため、第１実施形態の場合と同様、溶融状態の第１のはんだ５中に存在する気体Ｇ４（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、アイランド部２１の一面２１ａと半導体チップ３の一面３ａとの間隔が広い領域（リード部２２に遠い側の領域）において移動し易くなる。よって、本実施形態に係る製造方法では、この広い領域を通じて気体Ｇ１が第１のはんだ５の外部へ放出され易く（図５の符号Ｙ４の矢印参照）、固化後における第１のはんだ５中にボイドが形成され難くなる。
【００５０】
（他の実施形態）
上記第１実施形態における傾斜方法および固化工程では、ワークにおいて、荷重（クリップ４の自重）が、半導体チップ３のうちリード部２２に近い側の領域に集中して加えられるようにしていた。このような構成とすることにより、上記第１実施形態では、リード部２２に近い側の領域を通じて気体Ｇ１が第１のはんだ５の外部へ放出され易くなるようにしていた。しかしながら、半導体装置１の製造方法において、荷重（クリップ４の自重）が、半導体チップ３のうちリード部２２に遠い側の領域に集中して加えられるようにしてもよい。
【００５１】
例えば、図６、７に示す例のように、半導体装置１において、クリップ４の第１部位４２の一面４２ａが、半導体チップ３の他面３ｂに対して第１実施形態の場合とは逆向きに傾斜した形状のクリップ４を採用することができる。
【００５２】
この例においては、クリップ４の自重が、クリップ４の第１部位４２の先端、つまり、第１部位４２と凸部４１との境界位置とは反対側の端部付近の部分に集中する。このため、この例における傾斜工程および固化工程では、クリップ４の自重が、半導体チップ３の他面３ｂのうちリード部２２に遠い側の領域に集中して加えられることにより、半導体チップ３の一面３ａをアイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜する。したがって、溶融状態の第１のはんだ５中に存在する気体Ｇ５（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、リード部２２に近い側の領域において移動し易くなる。よって、この例では、この領域を通じて気体Ｇ５が第１のはんだ５の外部へ放出され易くなり（図７の符号Ｙ５の矢印参照）、固化後における第１のはんだ５中にボイドが形成され難くなる。さらに、この例では、半導体チップ３の一面３ａとアイランド部２１の一面２１ａとの間隔が広くなるにつれて第１部位４２の一面４２ａと半導体チップ３の他面３ｂとの間隔が広くなるように、クリップ４の第１部位４２の一面４２が傾斜する。このため、溶融状態の第２のはんだ６中に存在する気体Ｇ６（例えば、フラックスが分解して発生するガス）が、リード部２２に近い側の領域において移動し易くなる。よって、この領域を通じて気体Ｇ６が第２のはんだ６の外部へ放出され易くなり（図７の符号Ｙ６の矢印参照）、固化後における第２のはんだ６中にボイドが形成され難くなる。
【００５３】
なお、この例においても、クリップ４の第２部位４３の一面４３ａとリード部２２の一面２２ａ、および第３のはんだ７の構成、および、ボイド抑制効果（図７の符号Ｇ７とＹ７を参照）については、第１実施形態等の場合と同様である。
【００５４】
また、上記第１、２実施形態などにおける傾斜工程では、ワークにおいて、クリップ４の自重が加えられるようにすることで半導体チップ３の一面３ａを傾斜させていた。しかしながら、傾斜工程において、クリップ４を用いずに、治具を用いて治具による荷重が加えられるようにすることで、半導体チップ３の一面３ａを傾斜させるようにしてもよい。例えば、図８、９に示す例や図１０、１１に示す例のように、半導体チップ３の他面３ｂのうち半導体チップ３の重心から離れた位置に荷重（治具１０による荷重）が加えられるようにすることで、半導体チップ３の一面３ａがアイランド部２１の一面２１ａに対して傾斜するようにしてもよい。この場合、半導体装置１を構成する部材ではない治具１０を用いるだけで、上述したボイド抑制効果と同様の効果（図９のＧ８とＹ８、および、図１０のＧ９とＹ９を参照）を得ることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１      半導体装置
２      リードフレーム
２１    アイランド部
２２    リード部
３      半導体チップ
４      クリップ
５      第１のはんだ
６      第２のはんだ
７      第３のはんだ
１０    治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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